(57)【要約】【課題】回路部の腐食を抑制しながら額縁部を縮小する。【解決手段】矩形状の第１基板１１と、第１基板１１に対向して配置されると共に一部が第１基板１１よりも突出した突出部１０ａを有する矩形状の第２基板１０と、第１基板１１の外縁に沿って矩形枠状に形成されて第１基板１１と第２基板１０との間で液晶層１３を封止するシール部材１２と、第２基板１０に形成されると共にシール部材１２における突出部１０ａ側の１辺に覆われた回路部１５と、第２基板１０における第１基板１１側の突出部１０ａの表面に実装された集積回路チップ３０とを備えた液晶表示装置Ｓにおいて、第１基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａを形成するようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の第１基板と、
上記第１基板に対向して配置されると共に一部が上記第１基板よりも突出した突出部を有する矩形状の第２基板と、
上記第１基板の外縁に沿って矩形枠状に形成されて上記第１基板と上記第２基板との間で液晶層を封止するシール部材と、
上記第２基板に形成されると共に上記シール部材における上記突出部側の１辺に沿って該シール部材の外縁よりも内側に配置された回路部と、
上記突出部における上記第１基板側の表面に実装された集積回路チップとを備えた液晶表示装置であって、
上記第１基板には、上記突出部側に切り欠き部が形成されている
ことを特徴する液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記集積回路チップは、少なくとも一部が上記切り欠き部の内側に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記切り欠き部は、コの字状に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記切り欠き部は、円弧状に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の中央に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の一端側に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記集積回路チップは、上記突出部に複数実装されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
上記集積回路チップは、異方性導電フィルムを介して上記突出部に実装されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、液晶表示パネルに集積回路チップが実装された液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話、オーディオプレイヤー及びテレビ等のディスプレイとして液晶表示装置が広く知られている。
【０００３】
以下に、図１２を参照しながら、従来の液晶表示装置の構造について説明する。図１２は、従来の液晶表示装置１００を概略的に示す平面図である。
【０００４】
液晶表示装置１００は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称する）等が形成された矩形状のＴＦＴ基板１０１と、ＴＦＴ基板１０１に対向して配置されて複数のカラーフィルタ及び共通電極等が形成された矩形状の対向基板１０２と、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間で矩形枠状のシール部材１０３によって封止された液晶層１０４とを有する液晶表示パネル１０５を備えている。ＴＦＴ基板１０１は、対向基板１０２の外縁よりも外側に突出した突出部１０１ａを有している。
【０００５】
液晶表示装置１００は、複数の画素（図示省略）からなる表示部Ａと、表示部Ａの外側の非表示部である額縁部Ｂとを有している。額縁部Ｂには、シール部材１０３における突出部１０１ａ側の１辺に沿ってシール部材１０３の外縁よりも内側に配置され、電源回路、ゲートドライバやスイッチング回路等を有する複数の回路部１０７がＴＦＴ基板１０１に形成されている。回路部１０７は、対向基板１０２の額縁部Ｂに形成されたブラックマトリクス１０６に重なっている。
【０００６】
また、額縁部Ｂには、液晶層１０４への電圧の印加を制御するための液晶駆動用集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）チップ（以下、ＩＣチップと称する）１０８が上記突出部１０１ａの表面に実装されると共に、ＩＣチップ１０８よりも突出部１０１ａの先端側にフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）１０９が実装されている。ＩＣチップ１０８を液晶表示パネル１０５に実装する方法としては、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の実装方法が知られている。
【０００７】
このＣＯＧ方式の実装方法としては、ＩＣチップに半田によってボンディング用バンプ電極を形成した後にその半田を熔融してＩＣチップを突出部に接続する実装方法や、ＩＣチップにＡｕ等の金属材料によってボンディング用バンプ電極を形成し、そのボンディング用バンプ電極を、絶縁性を有する接着部材中に導電性粒子が拡散された異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して突出部に接続する実装方法（例えば、特許文献１参照）が知られている。
【特許文献１】特開２００６−２２７３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、液晶表示装置は、表示部が大きいことが好ましく、額縁部を小さくすることが求められている。しかし、ＣＯＧ方式の液晶表示装置では、ＩＣチップをＴＦＴ基板の突出部に配置するので、ＩＣチップを実装するための領域を確保するために突出部の突出長さを比較的長くする必要があり、額縁部が比較的大きくなっている。
【０００９】
これに対して、図１３に示すように、回路部１０７をシール部材１０３の外側に配置させ、回路部１０７とＩＣチップ１０８とをシール部材１０３に沿って並べて配置させて、額縁部Ｂを縮小することが考えられる。
【００１０】
しかし、回路部１０７は耐腐食性の比較的低いＡｌ等の金属材料によって形成されているため、回路部１０７をシール部材１０３の外側に配置させる場合には、シール部材１０３の形成とは別個に樹脂材料を塗布することにより回路部１０７を樹脂層１１０で覆う工程を行う必要がある。その結果、製造工程及び材料が増加する。
【００１１】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、この発明では、第１基板の突出部側に切り欠き部を形成し、集積回路チップの少なくとも一部を切り欠き部の内側に配置するようにした。
【００１３】
具体的に、本発明に係る液晶表示装置は、矩形状の第１基板と、上記第１基板に対向して配置されると共に一部が上記第１基板よりも突出した突出部を有する矩形状の第２基板と、上記第１基板の外縁に沿って矩形枠状に形成されて上記第１基板と上記第２基板との間で液晶層を封止するシール部材と、上記第２基板に形成されると共に上記シール部材における上記突出部側の１辺に沿って該シール部材の外縁よりも内側に配置された回路部と、上記突出部における上記第１基板側の表面に実装された集積回路チップとを備えた液晶表示装置であって、上記第１基板には、上記突出部側に切り欠き部が形成されている。
【００１４】
上記集積回路チップは、少なくとも一部が上記切り欠き部の内側に配置されていることが好ましい。
【００１５】
上記切り欠き部は、コの字状に形成されていてもよい。
【００１６】
上記切り欠き部は、円弧状に形成されていてもよい。
【００１７】
上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の中央に形成されていてもよい。
【００１８】
上記切り欠き部は、上記第１基板における上記突出部側の１辺の一端側に形成されていてもよい。
【００１９】
上記集積回路チップは、上記突出部に複数実装されていてもよい。
【００２０】
上記集積回路チップは、異方性導電フィルムを介して上記突出部に実装されていてもよい。
【００２１】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００２２】
回路部は、シール部材の外縁よりも内側に配置されているため、腐食が抑制される。そして、第１基板の突出部側に切り欠き部が形成されているため、突出部側のシール部材の１辺に直交する方向に集積回路チップと回路部とを互いに接近して配置させ、第２基板の突出部の突出長さを小さくすることが可能となる。したがって、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小することが可能になる。
【００２３】
特に、集積回路チップの少なくとも一部が切り欠き部の内側に配置されている場合には、集積回路チップと回路部とをより接近して配置させ、突出部の突出長さをより小さくすることが可能になるため、額縁部をさらに縮小することが可能になる。
【００２４】
そして、額縁部が縮小されることにより、一枚の液晶表示パネル母材から形成可能な液晶表示パネルの枚数が増加するため、生産性が高まる。
【００２５】
そのことに加えて、第１基板と第２基板とが対向している領域が増加するので、液晶表示装置が撓むことが抑制される。特に、集積回路チップを配置した第２基板の領域の撓みが抑制されることによって集積回路チップが撓むことが抑制される。そのことにより、耐衝撃性及び耐圧性が高まる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、回路部をシール部材の外縁よりも内側に配置させた状態で、回路部を覆ったシール部材の１辺に直交する方向に、集積回路チップと回路部とを互いに接近させて配置できるので、第２基板の突出部の突出長さを小さくできる。その結果、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２８】
《発明の実施形態１》
図１〜図８は、本発明の実施形態１を示している。図１は、液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。図２は、図１の液晶表示装置ＳにおけるII−II線断面を概略的に示す図である。図３及び図４は、図１の液晶表示装置ＳにおけるIII−III線断面及びIV−IV線断面（液晶駆動用集積回路チップ３０の実装箇所）を拡大して示す図である。
【００２９】
液晶表示装置Ｓは、図１及び図２に示すように、矩形状の第１基板である対向基板１１と、対向基板１１に対向して配置されると共に一部が対向基板１１よりも突出した突出部１０ａを有する矩形状の第２基板であるＴＦＴ基板１０と、対向基板１１の外縁に沿って矩形枠状に形成されて対向基板１１とＴＦＴ基板１０との間で液晶層１３を封止するシール部材１２とを備えている。
【００３０】
すなわち、液晶表示装置Ｓは、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向して配置された対向基板１１と、これらＴＦＴ基板１０と対向基板１１との間でシール部材１２によって封止された液晶層１３とを有する液晶表示パネル１６を備えている。液晶表示パネル１６は、シール部材１２の内側で複数の画素から構成された表示部Ａと、表示部Ａの外側の非表示部である額縁部Ｂとを有している。ここで、外側とは、液晶表示パネル１６の中央から外縁に向かう方向をいう。
【００３１】
上記ＴＦＴ基板１０は、図示は省略するが、例えばガラス基板、石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を有し、その基板における上記表示部Ａを構成する領域の表面に、互いに平行に延びる複数のゲート配線と、それら各ゲート配線に直交して互いに平行に延びる複数のソース配線とが形成されている。これら各ゲート配線と各ソース配線との交差部毎に画素がそれぞれ設けられ、各画素にゲート配線及びソース配線に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称する）とそのＴＦＴに接続された画素電極とが形成されている。
【００３２】
また、ＴＦＴ基板１０は、１辺側が対向基板１１の外縁よりも外側に突出した突出部１０ａを有している。すなわち、ＴＦＴ基板１０の縦幅（図１の上下方向の大きさ）は対向基板１１の縦幅よりも大きく形成されると共に、ＴＦＴ基板１０の上辺（図１で上側の辺）は、ＴＦＴ基板１０の表面の法線方向から見て、対向基板１１の上辺に重なっている。そうして、ＴＦＴ基板１０の下辺側（図１の下側）が対向基板１１の外縁よりも外側に突出していることにより、ＴＦＴ基板１０の表面が対向基板１１から外部に露出する突出部１０ａが形成されている。
【００３３】
このＴＦＴ基板１０には、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺１２ａに沿ってそのシール部材１２の外縁よりも内側に配置され、電源回路、ゲートドライバやスイッチング回路等を有する複数の回路部１５が形成されている。各回路部１５は、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺１２ａの両端側でシール部材１２に一部覆われて互いに間隔を設けて配置されている。
【００３４】
上記対向基板１１は、図示は省略するが、例えばガラス基板、石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を有し、その基板における上記表示部Ａを構成する領域の表面に複数のカラーフィルタ及びＩＴＯからなる共通電極が形成されている。
【００３５】
また、対向基板１１には、額縁部Ｂを構成する領域にブラックマトリクス１４が形成されている。このブラックマトリクス１４は、各回路部１５に重なっており、図示は省略するが、表示部Ａを構成する領域において、各カラーフィルタを区画するように形成されている。
【００３６】
そして、対向基板１１には、突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａがコの字状に形成されている。この切り欠き部１１ａは、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央に形成されている。つまり、液晶表示パネル１６の表面の法線方向から見て、回路部１５の間に切り欠き部１１ａが形成されている。
【００３７】
上記シール部材１２は、対向基板１１の外縁に沿って矩形枠状に形成され、突出部１０ａ側の１辺１２ａの中央に切り欠き部１１ａに沿って内側に凹んだ凹状部が形成されている。このシール部材１２は、例えばエポキシ系樹脂とアクリル系樹脂とを配合した光熱併用硬化型の樹脂材料から形成されており、このシール部材１２には導電性粒子（図示省略）が含まれている。
【００３８】
導電性粒子には、例えば弾性を有する樹脂材料等からなる球状の粒子の表面をニッケル又は金等の導電性材料によって被覆する等して形成されたニッケルメッキ粒子又は金メッキ粒子や、カーボン粒子、銀粒子等が適用される。そして、このシール部材１２中の導電性粒子を介して、共通電極がＴＦＴ基板１０に形成された配線（図示省略）に電気的に接続されている。
【００３９】
この液晶表示パネル１６には、図２に示すように、両面に偏光板２６，２７がそれぞれ積層されている。つまり、ＴＦＴ基板１０の液晶層１３とは反対側の表面に偏光板２６が設けられると共に、対向基板１１の液晶層１３とは反対側の表面に偏光板２７が設けられている。また、これらＴＦＴ基板１０及び対向基板１１における液晶層１３側の表面には、配向膜（図示省略）がそれぞれ設けられている。
【００４０】
さらに、液晶表示装置Ｓは、図１に示すように、突出部１０ａにおける対向基板１１側の表面に実装された集積回路チップである液晶駆動用集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）チップ（以下、ＩＣチップと称する）３０と、このＩＣチップ３０及び上記回路部１５にそれぞれ電気的に接続されたフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit、以下、ＦＰＣと称する）４０とを備えている。
【００４１】
ＩＣチップ３０は、例えばソースドライバ及びタイミングコントローラ等を有し、図１及び図３に示すように、一部が対向基板１１の切り欠き部１１ａの内側に配置されている。すなわち、ＩＣチップ３０は、ＴＦＴ基板１０の表面の法線方向から見て、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されて実装されている。
【００４２】
このＩＣチップ３０は、絶縁性を有する接着部材中に導電性粒子が拡散された異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film、以下、ＡＣＦと称する）２０を介して突出部１０ａの表面に実装されている。ＩＣチップ３０には、図４に示すように、底面に突起状の複数のボンディング用出力バンプ電極（以下、単に、出力バンプ電極と称する）３０ａ及び複数のボンディング用入力バンプ電極（以下、単に、入力バンプ電極と称する）３０ｂが形成されており、これら各バンプ電極３０ａ，３０ｂが液晶表示パネル１６の突出部１０ａに形成された複数のボンディングパッド１９，２１にＡＣＦ２０を介して接続されている。
【００４３】
より具体的には、ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａの表面には、各ソース配線及び回路部１５から引き出された複数の引き出し配線１８が形成されている。そして、各引き出し配線１８の先端部に設けられた出力ボンディングパッド１９に各出力バンプ電極３０ａが電気的に接続されている。各出力バンプ電極３０ａは、ＡＣＦ２０を介して出力ボンディングパッド１９に接続されている。一方、各入力バンプ電極３０ｂは、各出力ボンディングパッド１９よりも突出部１０ａの先端側に形成された各入力ボンディングパッド２１にＡＣＦ２０を介して接続されている。
【００４４】
ＦＰＣ４０は、例えばポリイミド又はポリエチレンテレフタラート等からなる絶縁性を有するフィルム基板４１を備え、そのフィルム基板４１の表面に銅箔線４２が形成されている。このＦＰＣ４０は、入力ボンディングパッド２１よりも突出部１０ａの先端側に形成された外部接続用端子部２３に銅箔線４２がＡＣＦ２４を介して接続されている。そうして、ＦＰＣ４０は、ＩＣチップ３０よりも突出部１０ａの先端側に実装されている。
【００４５】
このＦＰＣ４０は、外部接続用端子部２３が配線２２を介して上記入力ボンディングパッド２１に接続されていることにより、ＩＣチップ３０に電気的に接続されている。また、外部接続用端子部２３は、図示は省略するが、他の配線を介して回路部１５にも接続され、ＦＰＣ４０と回路部１５とが電気的に接続されている。これら引き出し配線１８等の配線は、ボンディングパッド１９，２１及び外部出力用端子部２３が形成された領域を除いて絶縁膜２５によって被覆されている。
【００４６】
こうして、液晶表示装置Ｓは、ＦＰＣ４０を介してＩＣチップ３０及び回路部１５へ入力される信号に応じて液晶層１３に電圧を印加することにより、液晶層１３における液晶分子の配向状態を制御して所望の表示を行うようになっている。
【００４７】
−製造方法−
次に、上記液晶表示装置Ｓの製造方法について図５〜図８を参照しながら説明する。図５は、ＴＦＴ基板母材５０を概略的に示す平面図である。図６は、対向基板母材５５を概略的に示す平面図である。図７は、液晶表示パネル母材６０を概略的に示す平面図である。図８は、液晶表示パネル母材６０の分断領域Ｌ１，Ｌ２を概略的に示す平面図である。この液晶表示装置Ｓの製造方法には、液晶表示パネル母材形成工程と、分断工程と、ＩＣチップ実装工程とを含む。
【００４８】
液晶表示パネル母材形成工程では、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを貼り合わせて、マトリクス状に配置された複数の液晶表示パネル１６を含む液晶表示パネル母材（以下、単に、パネル母材と称する）６０を形成する。この液晶表示パネル母材形成工程には、ＴＦＴ基板母材形成工程と、対向基板母材形成工程と、貼り合わせ工程とが含まれる。
【００４９】
ＴＦＴ基板母材形成工程では、図５に示すように、マトリクス状に配置された複数のＴＦＴ基板１０を含むＴＦＴ基板母材５０を形成する。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１０を形成する領域（以下、ＴＦＴ基板領域と称する）５１を複数有する矩形状の大判ガラス基板の一方の表面に対し、例えばフォトリソグラフィー法等によってＴＦＴ基板領域５１毎に複数のＴＦＴ、画素電極、ソース配線、ゲート配線及び回路部１５等を形成する。このとき、図示は省略するが、ＴＦＴ基板領域５１における突出部１０ａを形成する領域（以下、突出領域と称する）５２に各ソース配線及び回路部１５から各引き出し配線１８を引き出すと共に、ボンディングパッド１９，２１及び外部接続用端子部２３を形成する。
【００５０】
尚、ここでは、大判ガラス基板に複数のＴＦＴ等を形成するとしたが、大判ガラス基板に代えて、大判の石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を適用することが可能である。
【００５１】
次に、例えば純水、超音波又は紫外線の照射等によって大判ガラス基板を洗浄して基板表面に付着した不純物を除去する。その後、例えば印刷法等によってポリイミド等からなる配向膜を各画素電極等を覆って大判ガラス基板に形成する。そうして、大判ガラス基板における各ＴＦＴ基板領域５１をそれぞれＴＦＴ基板１０の構造にして、マトリクス状に配置されたＴＦＴ基板領域５１（ＴＦＴ基板１０）を複数含むＴＦＴ基板母材５０を形成する。
【００５２】
ここで、ＴＦＴ基板母材５０における各ＴＦＴ基板領域５１は、隣り合うＴＦＴ基板領域５１の間に間隔を設けることなく隣接している。尚、隣り合うＴＦＴ基板領域５１は、互いに間隔を設けて配置されていてもよい。
【００５３】
上記対向基板母材形成工程では、図６に示すように、マトリクス状に配置された複数の対向基板１１を含む対向基板母材５５を形成する。すなわち、矩形状の対向基板１１を形成する領域（以下、対向基板領域と称する）５６を複数有する大判ガラス基板の一方の表面に対して、対向基板領域５６毎に複数のカラーフィルタ、ブラックマトリクス１４及び共通電極を形成した後に、共通電極上に配向膜を設ける。
【００５４】
尚、対向基板母材５５についても、ＴＦＴ基板母材５０と同様に、大判ガラス基板に代えて、大判の石英基板又はプラスチック基板等の絶縁性を有する基板を適用することが可能である。
【００５５】
その後、後に形成するパネル母材６０を分断したときに切り欠き部１１ａとなる開口部５７を各対向基板領域５６毎に対向基板母材５５に形成する。この開口部５７は、例えば炭酸ガスレーザーによるレーザー加工によって対向基板母材５５の一部を切断して形成する。このレーザー加工では、例えば波長１０．６μｍ程度の炭酸ガスレーザーを用い、そのエネルギー密度を２．５ｋＷ／ｍｍ２程度にすると共に、切断速度を８００ｍｍ／ｍｉｎ程度に設定する。この加工条件は、基板の材質及び厚さ等によって適宜設定される。そうして、大判ガラス基板における各対向基板領域５６をそれぞれ対向基板１１の構造にして対向基板母材５５を形成する。
【００５６】
尚、ここでは、炭酸ガスレーザーによるレーザー加工によって開口部５７を形成するとしたが、その他に、エキシマレーザー又はＹＡＧレーザー等によるレーザー加工によって開口部５７を形成してもよい。
【００５７】
この対向基板母材５５における複数の対向基板領域５６は、後にパネル母材６０を形成したときに、パネル母材６０の表面の法線方向から見て、ＴＦＴ基板母材５０における突出領域５２を除く各ＴＦＴ基板領域５１に重なるように配置されている。すなわち、対向基板母材５５の縦方向（図６の上下方向）に並ぶ対向基板領域５６は、互いに間隔を設けて配置されている。一方、対向基板母材５５の横方向（図６の左右方向）に並ぶ対向基板領域５６は、互いに間隔を設けることなく隣接して配置されている。
【００５８】
次に行う貼り合わせ工程では、図７に示すように、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを矩形枠状の複数のシール部材１２を介して貼り合わせる。まず、例えばスクリーン印刷法又はディスペンサ等によって、エポキシ樹脂とアクリル樹脂とが配合された光熱併用硬化型の未硬化のシール部材１２を対向基板母材５５に供給する。
【００５９】
シール部材１２は、対向基板領域５６毎における対向基板１１の外縁となる領域に沿って矩形枠状に供給する。このとき、各突出領域５２に対向する対向基板母材５５の領域側のシール部材１２の１辺１２ａに対して開口部５７に沿って内側へ凹む凹状部が中央に形成されるようにシール部材１２を供給する。尚、ここでは、対向基板母材５５にシール部材１２を供給するとしたが、ＴＦＴ基板母材５０のＴＦＴ基板領域５１毎にシール部材１２を供給してもよい。
【００６０】
次に、対向基板母材５５の複数のシール部材１２の内側に液晶材料を所定量滴下する。この液晶材料の滴下は、図示は省略するが、例えば液晶材料を滴下する機能を有した滴下装置が対向基板母材５５を全面に亘って移動しながら液晶材料を滴下することによって行う。
【００６１】
続いて、ＴＦＴ基板母材５０及び対向基板母材５５の配向膜が形成された面を互いに対向させ、予めＴＦＴ基板母材５０及び対向基板母材５５に設けられて両基板母材５０，５５を互いに位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）によって両基板母材５０，５５の位置を合わせる。そして、両基板母材５０，５５を互いに貼り合わせる。このようなＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との貼り合わせは、例えば真空室内等の真空環境下で行う。このとき、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との貼り合わせると同時に、両基板母材５０，５５の間に各シール部材１２によって囲まれた複数の液晶層１３が形成される。
【００６２】
次に、シール部材１２に紫外線を照射してシール部材１２を仮硬化させた後に、加熱処理を行ってシール部材１２を本硬化させる。このとき、パネル母材６０を加圧しながら加熱することにより、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５との間を所望の間隔にする。このようにして、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを複数のシール部材１２を介して貼り合わせ、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６との間でシール部材１２によって封止された液晶層１３を有して液晶表示パネル１６を形成する領域（以下、液晶表示パネル領域と称する）６１がマトリクス状に配置されたパネル母材６０を形成する。
【００６３】
その後、パネル母材６０の両面に大判の偏光板（図示省略）をそれぞれ積層する。続いて、切断した後に剥離する機能を有するカッター等の刃物によって、パネル母材６０の分断領域Ｌ１，Ｌ２上の大判の偏光板を切断すると共に剥離して除去する。
【００６４】
次に行う分断工程では、図８に示すように、例えばカッターホイール又はレーザー等によってパネル母材６０を分断領域Ｌ１，Ｌ２で分断する。すなわち、パネル母材６０の分断領域Ｌ１では両基板母材５０，５５を共に分断する一方、分断領域Ｌ２では対向基板母材５５のみを分断する。そうして、パネル母材６０を液晶表示パネル領域６１毎に分断することにより、複数の液晶表示パネル１６を形成する。このとき、突出部１０ａに対向する対向基板母材５５が分断されることにより、開口部５７が切り欠き部１１ａとなる。
【００６５】
次に行うＩＣチップ実装工程では、各液晶表示パネル１６におけるＴＦＴ基板１０の突出部１０ａにＩＣチップ３０を実装する。このＩＣチップ３０は、一部を対向基板１１の切り欠き部１１ａの内側に配置させる。
【００６６】
このＩＣチップ実装工程では、まず、突出部１０ａにおけるＩＣチップ３０を実装する領域にＡＣＦ２０を配置させた後、突出部１０ａ及びＩＣチップ３０を予め設けられたアライメントマーク（図示省略）によって互いに位置合わせし、ＡＣＦ２０を介してＩＣチップ３０を突出部１０ａに配置させる。その後、圧着装置によってＩＣチップ３０を突出部１０ａに圧着することにより、各バンプ電極３０ａ，３０ｂと各ボンディングパット１９，２１とをＡＣＦ２０を介して接続すると共にＩＣチップ３０を突出部１０ａに実装する。
【００６７】
その後、ＩＣチップ実装工程と同様に、圧着装置によってＦＰＣ４０を各液晶表示パネル１６のＴＦＴ基板１０の外部接続用端子部２３に圧着して実装する。以上の工程により、液晶表示パネル１６（ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａ）にＩＣチップ３０が実装された液晶表示装置Ｓを製造する。
【００６８】
−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、回路部１５がシール部材１２の外縁よりも内側に配置されているため、回路部１５の腐食を抑制できる。そして、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成されているため、突出部１０ａ側のシール部材１２の１辺１２ａに直交する方向に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる。そのことにより、ＴＦＴ基板１０の突出部１０ａの突出長さを小さくできる。その結果、回路部１５の腐食を抑制しながら、額縁部Ｂを縮小できる。
【００６９】
さらに、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているため、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いにより接近させて配置できる。そのことにより、突出部１０ａの突出長さをより小さくできる結果、額縁部Ｂをさらに縮小できる。
【００７０】
そして、額縁部Ｂが縮小されることにより、一枚のパネル母材６０から形成可能な液晶表示パネル１６の枚数を増加できるため、生産性を高めることができる。
【００７１】
そのことに加えて、ＴＦＴ基板１０と対向基板１１とが対向している領域が増加するので、液晶表示装置Ｓが撓むことを抑制できる。特に、ＩＣチップ３０を配置したＴＦＴ基板１０の領域の撓みを抑制できることによってＩＣチップ３０が撓むことを抑制できる。そのことにより、液晶表示装置Ｓの耐衝撃性及び耐圧性を高めることができる。
【００７２】
《発明の実施形態２》
図９は、本発明の実施形態２を示している。尚、以降の各実施形態では、図１〜図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。図９は、本実施形態２の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。
【００７３】
上記実施形態１では、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央に切り欠き部１１ａが形成されているとしたが、本実施形態では、切り欠き部１１ａが対向基板１１における突出部１０ａ側の１辺の一端側に形成されている。
【００７４】
具体的には、図９に示すように、対向基板１１の突出部１０ａ側の１辺の中央から一端側（図中右側）半分に切り欠き部１１ａが形成されている。回路部１５は、シール部材１２における突出部１０ａ側の１辺に沿ってシール部材１２の外縁よりも内側に配置され、そのシール部材１２における突出部１０ａ側の１辺の中央よりも他端側（図中左側）の領域に覆われてＴＦＴ基板１０に形成されている。そして、ＩＣチップ３０は、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されて実装されている。
【００７５】
−実施形態２の効果−
したがって、この実施形態２によっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成され、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているため、回路部１５をシール部材１２の外縁よりも内側に配置させた状態で、突出部１０ａ側のシール部材１２の１辺１２ａに直交する方向に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
《発明の実施形態３》
図１０は、本発明の実施形態３を示している。図１０は、本実施形態３の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。
【００７７】
上記実施形態１では、ＩＣチップ３０が１つ実装されているとしたが、本実施形態では、図１０に示すように、ＩＣチップ３０が複数実装されている。
【００７８】
すなわち、対向基板１１には、突出部１０ａ側の１辺に複数の切り欠き部１１ａが互いに並んで形成されている。回路部１５は、切り欠き部１１ａが形成されていない対向基板１１の突出部１０ａ側の領域に重なるようにＴＦＴ基板１０に複数形成されている。これら各回路部１５は、シール部材１２の外縁よりも内側に配置されている。そして、各切り欠き部１１ａの内側に各ＩＣチップ３０がそれぞれ配置されている。
【００７９】
−実施形態３の効果−
したがって、この実施形態３によると、ＴＦＴ基板１０に複数のＩＣチップ３０が実装された場合であっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが複数形成され、各ＩＣチップ３０の一部が各切り欠き部１１ａの内側にそれぞれ配置されている結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
《発明の実施形態４》
図１１は、本発明の実施形態４を示している。図１１は、本実施形態４の液晶表示装置Ｓを概略的に示す平面図である。
【００８１】
上記実施形態１では、切り欠き部１１ａがコの字状に形成されているとしたが、本実施形態では、図１１に示すように、切り欠き部１１ａが円弧状に形成されている。そして、ＩＣチップ３０は、一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されている。
【００８２】
−実施形態４の効果−
したがって、この実施形態４によっても、対向基板１１の突出部１０ａ側に切り欠き部１１ａが形成され、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されている結果、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
《その他の実施形態》
上記実施形態１では、ＩＣチップ３０の一部が切り欠き部１１ａの内側に配置されているとしたが、本発明はこれに限られず、ＩＣチップ３０の全体が切り欠き部１１ａの内側に配置されてもよい。
【００８４】
また、ＩＣチップ３０は、切り欠き部１１ａの内側に配置されずに切り欠き部１１ａの手前に配置されていてもよい。この構成によっても、上記実施形態１と同様に、ＩＣチップ３０と回路部１５とを互いに接近させて配置できる結果、回路部１５の腐食を抑制しながら、額縁部Ｂを縮小することが可能になる。
【００８５】
上記実施形態１では、ＴＦＴ基板母材５０と貼り合わせる前の対向基板母材５５にレーザーによって開口部５７を形成するとしたが、本発明はこれに限られず、カッターホイール等の刃物又はサンドブラスト法等によって開口部５７を形成してもよい。また、パネル母材６０を分断した後に、各液晶表示パネル１６における対向基板１１の一部をレーザー、カッターホイール等の刃物又はサンドブラスト法等で除去することによって切り欠き部１１ａを形成してもよい。
【００８６】
上記実施形態１では、切り欠き部１１ａがコの字状に形成されているとした。また、上記実施形態４では、切り欠き部１１ａが円弧状に形成されているとしたが、本発明はこれに限られず、切り欠き部１１ａは種々の形状に形成されていてもよい。
【００８７】
上記実施形態１では、ＩＣチップ３０がＡＣＦ２０を介して突出部１０ａの表面に実装されているとしたが、本発明はこれに限られず、ＩＣチップ３０は、金バンプによって突出部１０ａの表面に形成されたパッド１９，２１に直接接続する方法や銀ペーストを介して突出部１０ａのパッド１９，２１に接続する方法等の他の公知の方法によって突出部１０ａに実装されていてもよい。
【００８８】
上記実施形態１では、シール部材１２の内側に液晶材料を滴下した後にシール部材１２を介して両基板母材５０，５５を貼り合わせる、いわゆる滴下注入法（ＯＤＦ：One Drop Filling）によって液晶層１３を形成するとしたが、本発明はこれに限られず、いわゆる真空注入法によって液晶層を形成してもよい。
【００８９】
すなわち、まず、切れ目を有する略枠状の複数のシール部材を介して、ＴＦＴ基板母材５０と対向基板母材５５とを貼り合わせて貼り合わせ基板母材を形成する。貼り合わせ基板母材は、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６とがシール部材を介して対向する貼り合わせ基板領域を複数含んでおり、各貼り合わせ基板領域は、ＴＦＴ基板領域５１と対向基板領域５６との間でシール材の切れ目によって形成された注入口を有している。次に、貼り合わせ基板母材を貼り合わせ基板毎に分断した後、分断によって露出した注入口から液晶材料をシール部材の内側に注入し、注入口を封止部材によって封止することによって液晶表示パネル１６を形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
以上説明したように、本発明は、液晶表示装置について有用であり、特に、回路部の腐食を抑制しながら、額縁部を縮小する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】実施形態１の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面を概略的に示す図である。
【図３】図１のIII−III線断面を概略的に示す図である。
【図４】図１のIV−IV線断面を概略的に示す図である。
【図５】ＴＦＴ基板母材を概略的に示す平面図である。
【図６】対向基板母材を概略的に示す平面図である。
【図７】液晶表示パネル母材を概略的に示す平面図である。
【図８】液晶表示パネル母材を分断する領域を示す平面図である。
【図９】実施形態２の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１０】実施形態３の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１１】実施形態４の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図１３】回路部をシール部材の外側に配置した液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００９２】
Ｓ    液晶表示装置
１０    ＴＦＴ基板（第２基板）
１０ａ    突出部
１１    対向基板（第１基板）
１１ａ    切り欠き部
１２    シール部材
１２ａ    シール部材における突出部側の１辺
１３    液晶層
１５    回路部
２０    異方性導電フィルム
３０    液晶駆動用集積回路チップ（集積回路チップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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