(57)【要約】【課題】マザー基板表面にクラックが発生することを防止しつつ、マザー基板分断後の基板表面にクラックが発生することを防止できると共に、カレットがマザー基板表面に残ることを防止できる。【解決手段】マザー基板６０の表面に、第１の溝に相当する断面視Ｖ字形のＶ字溝６１をダイシングブレード１０１により形成する工程と、Ｖ字溝６１内にＶ字溝６１の底部に沿って、第２の溝に相当するスクライブ溝６２をスクライブ刃１０２により形成する工程と、Ｖ字溝６１を覆うようにカバーテープ１０３を貼付する工程と、マザー基板６０をスクライブ溝６２に沿って分断し、分断後の基板６５とする工程とを備える。【選択図】図３
2009204647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板となるマザー基板に第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝に沿って前記第１の溝内に第２の溝を形成する工程と、
前記マザー基板を前記第２の溝に沿って分断する工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板とが対向配置される電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の基板となる第１のマザー基板と前記第２の基板となる第２のマザー基板とが
対向配置された状態で、前記第１のマザー基板又は前記第２のマザー基板の外側に第１の
溝を形成する工程と、
前記第１の溝に沿って前記第１の溝内に第２の溝を形成する工程と、
前記第１のマザー基板又は前記第２のマザー基板を前記第２の溝に沿って分断する工程
と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の溝を断面視略Ｖ字形とし、前記第１の溝の底部に沿って前記第２の溝を形成
することを特徴とする請求項１又は２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の溝を覆うようにカバーテープを貼付して前記マザー基板を分断することを特
徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置など基板を有する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を製造する際に、マザー基板を分断して所定寸法の液晶装置の基板を形成する
工程が行われている。前記分断工程に於いては、マザー基板にスクライブ刃によるスクラ
イブ加工で溝を形成し、マザー基板の所定部に応力を加えて、前記溝に沿ってマザー基板
を分断している。しかし、スクライブ加工で形成された溝には、スクライブ刃で加えられ
る力や分断時に加えられる力で残留応力が生ずるため、基板表面にクラックが発生し易く
なる。そのため、クラックの発生を防止することが必要となる。
【０００３】
斯様なクラックが発生することを防止する方法として、特許文献１では、マザー基板の
分断後に、その分断部に沿って防湿効果を持つ接着剤を塗布して硬化させ、基板にクラッ
クが発生することを防止する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１４４８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の方法では、マザー基板分断後の基板表面にクラックが
発生することは防止できるものの、マザー基板の表面にクラックが発生することは防止で
きない。また、スクライブ加工では、スクライブ刃でマザー基板に溝を形成する際にカレ
ットが発生し、マザー基板の表面にカレットが残留するが、マザー基板表面にカレットが
残留した状態ではその後の製造工程に影響を及ぼすため、カレットがマザー基板表面に残
らないようにすることも求められる。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑み提案するものであって、マザー基板表面にクラックが発生する
ことを防止しつつマザー基板分断後の基板表面にクラックが発生することを防止できると
共に、カレットがマザー基板表面に残ることを防止できる電気光学装置の製造方法を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板となるマザー基板に第１の溝を形成する工程と、前記第１の溝に沿って前記第１
の溝内に第２の溝を形成する工程と、前記マザー基板を前記第２の溝に沿って分断する工
程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、例えばダイシング加工で形成する第
１の溝により、マザー基板の表面に沿って生ずる応力を抑制し、マザー基板表面にクラッ
クが発生することを防止できる。更に、第１の溝の跡は分断後の基板表面にも残ることか
ら、分断後の基板表面にクラックが発生することも防止可能であり、マザー基板表面にク
ラックが発生することを防止しつつ、マザー基板分断後の基板表面にクラックが発生する
ことを防止できる。また、例えばスクライブ加工による第２の溝を第１の溝に沿って第１
の溝内に形成することにより、スクライブ加工で生ずるカレットを第１の溝内にトラップ
することが可能となり、カレットがマザー基板表面に残ることを防止することができる。
従って、マザー基板の分断後の作業性を向上することができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向配置される電気
光学装置の製造方法であって、前記第１の基板となる第１のマザー基板と前記第２の基板
となる第２のマザー基板とが対向配置された状態で、前記第１のマザー基板又は前記第２
のマザー基板の外側に第１の溝を形成する工程と、前記第１の溝に沿って前記第１の溝内
に第２の溝を形成する工程と、前記第１のマザー基板又は前記第２のマザー基板を前記第
２の溝に沿って分断する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、対向配置
された第１と第２のマザー基板に於いて、例えばダイシング加工で形成する第１の溝によ
り、第１若しくは第２のマザー基板の表面に沿って生ずる応力を抑制し、第１若しくは第
２のマザー基板表面にクラックが発生することを防止できる。更に、第１の溝の跡は分断
後の基板表面にも残ることから、分断後の基板表面にクラックが発生することも防止可能
であり、第１若しくは第２のマザー基板表面にクラックが発生することを防止しつつ、第
１若しくは第２のマザー基板分断後の基板表面にクラックが発生することを防止できる。
また、例えばスクライブ加工による第２の溝を第１の溝に沿って第１の溝内に形成するこ
とにより、スクライブ加工で生ずるカレットを第１の溝内にトラップすることが可能とな
り、カレットが第１若しくは第２のマザー基板表面に残ることを防止することができる。
従って、第１のマザー基板若しくは第２のマザー基板の分断後の作業性を向上することが
できる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第１の溝を断面視略Ｖ字形とし、前記第１の
溝の底部に沿って前記第２の溝を形成することを特徴とする。本発明によれば、例えばス
クライブ加工で生ずるカレットを断面視略Ｖ字形の第１の溝の底部付近に生じさせ、更に
は、発生するカレットを第１の溝に沿って落下させることができる。従って、より確実に
カレットを第１の溝内にトラップすることが可能となり、カレットがマザー基板表面に残
ることを一層確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第１の溝を覆うようにカバーテープを貼付し
て前記マザー基板を分断することを特徴とする。本発明によれば、カバーテープで第１の
溝内のカレットを封印することができ、カレットの散らばりを防いで除去処理を容易にす
ることができる。更に、カバーテープの第１の溝に対応する領域を接着面とする場合には
、第１の溝内のカレットをカバーテープで接着して除去できるので、カレットの除去処理
が一層容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
〔電気光学装置〕
本実施形態は電気光学装置としての液晶装置の製造に於いて本発明を適用するものであ
り、先ず、図１及び図２を参照して、完成した液晶装置の構造について説明する。図１は
本発明による電気光学装置としての液晶装置の構成例を示す正面図、図２は図１に於ける
Ａ−Ａ断面図である。
【００１３】
液晶装置１は、図１及び図２に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２
０との間に液晶３０を封入して構成される。素子基板１０及び対向基板２０としてはガラ
スや石英等が用いられる。素子基板１０上には画素を構成する画素電極１１等が図示しな
いスイッチング素子と共にマトリクス状に配置されている。画素電極１１上にはポリイミ
ド系の高分子樹脂からなる配向膜１２が積層され、液晶分子に所定のプレティルト角を付
与するように所定方向にラビング処理されている。
【００１４】
対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜２１が設けられている。対向
基板２０の全面には対向電極２２としてＩＴＯ等の透明導電膜が形成され、更に、対向電
極２２の全面にはポリイミド系の配向膜２３が形成されている。配向膜２３は、液晶分子
に所定のプレティルト角を付与するように所定方向にラビング処理されている。
【００１５】
遮光膜２１の外側の領域には液晶３０を封入するシール材３１が、素子基板１０と対向
基板２０との間に形成されている。シール材３１は対向基板２０の輪郭形状に略一致する
ように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着している。シール材３１は、
枠状に形成されており、シール材３１の枠内に液晶３０が封入されている。例えば、いず
れか一方の基板にシール材３１を塗布し、液晶３０を滴下した後、素子基板１０と対向基
板２０とを貼り合わせる公知の液晶滴下（ＯＤＦ）法が用いられる。なお、シール材３１
に液晶３０を注入するための液晶注入口を形成し、素子基板１０及び対向基板２０相互の
間隙に液晶３０を注入する液晶注入法を用いてもよい。
【００１６】
シール材３１の外側の領域には、図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで
供給することにより前記データ線を駆動するデータ線駆動回路４１及び外部回路との接続
のための外部接続端子４２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣
接する二辺に沿って、図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで
供給することによりゲート電極を駆動する走査線駆動回路４３が設けられている。走査線
駆動回路４３は、シール材３１の内側の遮光膜２１に対向する位置において素子基板１０
上に形成される。また、素子基板１０上には、データ線駆動回路４１、走査線駆動回路４
３、外部接続端子４２及び上下導通端子４４を接続する配線４５が、遮光膜２１の三辺に
対向して設けられている。
【００１７】
上下導通端子４４は、シール材３１のコーナー部の４箇所の素子基板１０上に形成され
ている。素子基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子４４に接触し、上
端が対向電極２２に接触する上下導通材４６が設けられており、上下導通材４６によって
、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００１８】
各画素のスイッチング素子がオンになると、画像信号が各画素毎に画素電極１１に供給
される。この画素電極１１と対向基板２０に設けられた対向電極２２との間の電圧が液晶
３０に印加される。そして、画像信号が供給された画素電極１１と対向電極２２との電位
差に応じて液晶３０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能に
する。
【００１９】
また、本実施形態では素子基板１０の表面に、防塵基板５０を貼り付けて液晶装置１が
構成されている。防塵基板５０は、そのデフォーカス作用によって、液晶装置１をライト
バルブとして用いた場合でも、塵の影響を回避することができる。さらに、対向基板２０
の表面に防塵基板を貼り付けて液晶装置１を構成してもよい。
【００２０】
尚、本発明を適用可能な電気光学装置は、アクティブマトリクス型の液晶装置（例えば
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備え
る液晶パネル）、パッシブマトリクス型の液晶装置とすることが可能であり、又、液晶装
置以外にも、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラ
ズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールドエミッションディスプレ
イ装置等の各種の電気光学装置においても本発明を適用することが可能である。
【００２１】
〔第１実施形態〕
第１実施形態の電気光学装置の製造方法は、図３に示すマザー基板への加工工程を備え
るものであり、そのマザー基板を、例えば素子基板１０のマザー基板、対向基板２０のマ
ザー基板、若しくは防塵基板５０のマザー基板等として、適用することが可能である。
【００２２】
先ず、図３（ａ）及び図４に示すように、マザー基板６０の表面に、第１の溝に相当す
る断面視Ｖ字形のＶ字溝６１をダイシングブレード１０１により形成する。前記Ｖ字溝６
１の形成工程では、マザー基板６０を図示省略する支持板で支持し、刃先がテーパ状のダ
イシングブレード１０１を回転させながらマザー基板６０の表面に押し当て、断面視Ｖ字
形のＶ字溝６１を形成する。そして、ダイシングブレード１０１を所定のカッティングラ
インに沿って進行させ、所定のカッティングラインに沿った断面視Ｖ字形のＶ字溝６１を
マザー基板６０の表面に形成する。Ｖ字溝６１の溝幅は例えば１００μｍとするなど５０
〜１００μｍとすると好ましく、又、その深さは例えば５０μｍとするなど２０〜８０μ
ｍとすると好ましく、前記溝幅と深さは後述する第２実施形態のＶ字溝７１、８１でも同
様である。また、ダイシングブレード１０１の切削で発生した切削屑は水等で洗浄して除
去する。
【００２３】
次いで、図３（ｂ）及び図５に示すように、Ｖ字溝６１内にＶ字溝６１の底部に沿って
、第２の溝に相当するスクライブ溝６２をスクライブ刃１０２により形成する。前記スク
ライブ溝６２の形成工程では、Ｖ字溝６１が形成されたマザー基板６０を図示省略する支
持板で支持し、スクライブ刃１０２をＶ字溝６１の中心に合わせて配置し、スクライブ刃
１０２を回転させながらＶ字溝６１の底部に押し当て、Ｖ字溝６１の底部にＶ字溝６１よ
りも幅狭のスクライブ溝６２を形成する。そして、スクライブ刃１０２をＶ字溝６１の底
部に沿って進行させ、Ｖ字溝６１の底部に沿うスクライブ溝６２をＶ字溝６１内に形成す
る。スクライブ溝６２の溝幅は例えば１０μｍとするなど５〜１５μｍとすると好ましく
、前記溝幅は後述する第２実施形態のスクライブ溝７２、８２でも同様である。前記スク
ライブ刃１０２によるスクライブ溝６２の形成ではカレットが発生するが、カレットはＶ
字溝６１の底部近傍に生じ、更にＶ字溝６１に沿って落下するので、Ｖ字溝６１内にトラ
ップされる。
【００２４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、マザー基板６０のＶ字溝６１及びスクライブ溝６２
の形成側の表面にはカバーテープ１０３を貼付する。本実施形態では、マザー基板６０の
表面の全面に亘ってカバーテープ１０３を貼付しているが、少なくともＶ字溝６１を覆う
ように貼付すれば、適宜の態様で貼付することが可能である。また、カバーテープ１０３
は、マザー基板６０の表面への接触面の全面に亘って接着層を設けて貼付するようにして
もよいが、部分的な所定領域に接着層の領域を設けて貼付するようにすることも可能であ
る。前記部分的な所定領域に接着層を設ける場合には、Ｖ字溝６１に対応する領域に接着
層を設けると、スクライブ加工で発生してＶ字溝６１内にトラップしているカレットをカ
バーテープ１０３で接着して除去できるので好適である。
【００２５】
その後、図３（ｄ）に示すように、マザー基板６０をスクライブ溝６２に沿って分断し
、分断後の基板６５とする。前記マザー基板６０の分断工程では、カバーテープ１０３が
貼付された状態のマザー基板６０に所定の応力を加えて分断し、分断された基板６５を形
成する。基板６５の分断後には、例えばＶ字溝６１及びスクライブ溝６２が形成された側
を下側にして基板６５を配置し、カバーテープ１０３を剥がし、Ｖ字溝６１内のカレット
をカバーテープ１０３に接着された状態で回収する。分断された基板６５は、例えば液晶
装置１の素子基板１０、対向基板２０、若しくは防塵基板５０として用いられる。
【００２６】
第１実施形態の電気光学装置の製造方法では、ダイシング加工で形成するＶ字溝６１に
より、マザー基板６０の表面に沿って生ずる応力を抑制し、マザー基板６０の表面にクラ
ックが発生することを防止できる。更に、Ｖ字溝６１の跡は分断後の基板６５の表面にも
残ることから、分断後の基板６５の表面にクラックが発生することも防止できる。また、
スクライブ溝６２をＶ字溝６１に沿ってＶ字溝６１の底部に形成することにより、スクラ
イブ加工で生ずるカレットをＶ字溝６１内で生じさせ、更にはＶ字溝６１に沿って落下さ
せ、Ｖ字溝６１内に確実にトラップすることができ、カレットがマザー基板６０の表面に
残ることを防止できる。また、カバーテープ１０３でＶ字溝６１内のカレットを封印する
ことができ、カレットの散らばりを防いで除去処理を容易にすることができる。従って、
マザー基板６０の分断後の作業性を向上することができる。
【００２７】
〔第２実施形態〕
第２実施形態の電気光学装置の製造方法は、図６及び図７に示すマザー基板への加工工
程を備えるものであり、その第１と第２のマザー基板を対向配置した構造を、例えばＯＤ
Ｆ貼り合わせ基板など、素子基板１０のマザー基板と対向基板２０のマザー基板とを対向
配置した構造、素子基板１０のマザー基板と防塵基板５０のマザー基板とを対向配置した
構造、若しくは対向基板２０のマザー基板と防塵基板５０のマザー基板とを対向配置した
構造等として、適用することが可能である。
【００２８】
先ず、図６（ａ）に示すように、第１の基板７５となる第１のマザー基板７０と第２の
基板８５となる第２のマザー基板８０とが対向配置され、互いに固着された状態で、第１
のマザー基板７０の外側表面に、第１の溝に相当する断面視Ｖ字形のＶ字溝７１をダイシ
ングブレード１０１により形成する。前記Ｖ字溝７１の形成工程では、対向配置された第
１のマザー基板７０と第２のマザー基板８０とを第２のマザー基板８０を下側にして図示
省略する支持板で支持する。そして、第１実施形態のＶ字溝６１の形成工程と同様に、ダ
イシングブレード１０１を回転させながら上側の第１のマザー基板７０の表面に押し当て
、ダイシングブレード１０１を所定のカッティングラインに沿って進行させ、断面視Ｖ字
形のＶ字溝７１を第１のマザー基板７０の表面に形成すると共に、ダイシングブレード１
０１の切削で発生した切削屑を水等で洗浄して除去する。
【００２９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第１のマザー基板７０のＶ字溝７１内にＶ字溝７１
の底部に沿って、第２の溝に相当するスクライブ溝７２をスクライブ刃１０２により形成
する。前記スクライブ溝７２の形成工程では、第１実施形態のスクライブ溝７２の形成工
程と同様に、スクライブ刃１０２をＶ字溝７１の中心に合わせて配置し、スクライブ刃１
０２を回転させながらＶ字溝７１の底部に押し当て、スクライブ刃１０２をＶ字溝７１の
底部に沿って進行させ、Ｖ字溝７１の底部にＶ字溝７１よりも幅狭のスクライブ溝７２を
形成する。スクライブ溝７２の形成で発生するカレットは、Ｖ字溝７１の底部近傍に生じ
、更にＶ字溝７１に沿って落下するので、Ｖ字溝７１内にトラップされる。
【００３０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、第１のマザー基板７０のＶ字溝７１及びスクライブ
溝７２の形成側の表面にカバーテープ１０３を貼付する。前記カバーテープ１０３の構成
及びその貼付する構成は第１実施形態と同様である。
【００３１】
その後、図７（ａ）に示すように、対向配置された第１のマザー基板７０と第２のマザ
ー基板８０を上下を逆に配置し、第２のマザー基板８０の外側表面に、第１の溝に相当す
る断面視Ｖ字形のＶ字溝８１をダイシングプレート１０１により形成する。前記Ｖ字溝７
１の形成工程では、対向配置された第１のマザー基板７０と第２のマザー基板８０とを上
下を逆にして第１のマザー基板７０を下側にし、カバーテープ１０３の下側から図示省略
する支持板で支持する。そして、上記Ｖ字溝７１の形成工程と同様に、ダイシングプレー
ト１０１を回転させながら上側の第２のマザー基板８０の表面に押し当て、ダイシングブ
レード１０１を所定のカッティングラインに沿って進行させ、断面視Ｖ字形のＶ字溝８１
を第２のマザー基板８０の表面に形成すると共に、ダイシングブレード１０１の切削で発
生した切削屑を水等で洗浄して除去する。
【００３２】
次いで、図７（ｂ）に示すように、第２のマザー基板８０のＶ字溝８１内にＶ字溝８１
の底部に沿って、第２の溝に相当するスクライブ溝８２をスクライブ刃１０２により形成
する。前記スクライブ溝８２の形成工程では、上記スクライブ溝７２の形成工程と同様に
、スクライブ刃１０２をＶ字溝８１の中心に合わせて配置し、スクライブ刃１０２を回転
させながらＶ字溝８１の底部に押し当て、スクライブ刃１０２をＶ字溝７１の底部に沿っ
て進行させ、Ｖ字溝８１の底部にＶ字溝８１よりも幅狭のスクライブ溝８２を形成する。
スクライブ溝８２の形成で発生するカレットは、Ｖ字溝８１の底部近傍に生じ、更にＶ字
溝８１に沿って落下するので、Ｖ字溝８１内にトラップされる。
【００３３】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第２のマザー基板８０のＶ字溝８１及びスクライブ
溝８２の形成側の表面にカバーテープ１０３を貼付する。前記カバーテープ１０３の構成
及びその貼付する構成は第１のマザー基板７０にカバーテープ１０３を貼付する場合と同
様である。
【００３４】
その後、図７（ｄ）に示すように、第１のマザー基板７０をスクライブ溝７２に沿って
分断し、分断後の基板７５とすると共に、第２のマザー基板８０をスクライブ溝８２に沿
って分断する。前記マザー基板７０、８０の分断工程では、両外側にカバーテープ１０３
が貼付され、対向配置された第１のマザー基板７０と第２のマザー基板８０に対し、所定
の応力を加えて分断し、分断された基板７５、８５を形成する。基板７５、８５の分断後
には、例えばＶ字溝７１及びスクライブ溝７２が形成された側を下側にして基板７５、８
５を配置し、下側のカバーテープ１０３を剥がし、Ｖ字溝７１内のカレットをカバーテー
プ１０３に接着された状態で回収する。更に、基板７５、８５の上下を逆にし、Ｖ字溝８
１及びスクライブ溝８２が形成された側を下側にして基板７５、８５を配置し、下側のカ
バーテープ１０３を剥がし、Ｖ字溝８１内のカレットをカバーテープ１０３に接着された
状態で回収する。分断された対向配置の基板７５、８５は、例えば液晶装置１の素子基板
１０と対向基板２０とを対向配置した構造、素子基板１０と防塵基板５０とを対向配置し
た構造、若しくは対向基板２０と防塵基板５０とを対向配置した構造として用いられる。
【００３５】
第２実施形態の電気光学装置の製造方法では、ダイシング加工で形成するＶ字溝７１、
８１により、マザー基板７０、８０の表面に沿って生ずる応力を抑制し、マザー基板７０
、８０の表面にクラックが発生することを防止できる。更に、Ｖ字溝７１、８１の跡は分
断後の基板７５、８５にも残ることから、分断後の基板７５、８５の表面にクラックが発
生することも防止できる。また、スクライブ溝７２、８２をＶ字溝７１、８１に沿ってＶ
字溝７１、８１の底部に形成することにより、スクライブ加工で生ずるカレットをＶ字溝
７１、８１内に生じさせ、更にはＶ字溝７１、８１に沿って落下させ、Ｖ字溝７１、８１
内に確実にトラップすることができ、カレットがマザー基板７０、８０の表面に残ること
を防止できる。また、カバーテープ１０３でＶ字溝７１、８１内のカレットを封印するこ
とができ、カレットの散らばりを防いで除去処理を容易にすることができる。また、表裏
について前記加工を行うことで、第１、第２のマザー基板７０、８０の分断後の作業性を
より一層向上することができる。
【００３６】
〔実施形態の変形例等〕
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲内で
変形、改良等したものも本発明に含まれる。例えば上記実施形態の第１の溝に相当するＶ
字溝６１、７１、８１は断面視Ｖ字形としたが、厳密なＶ字形に限定されず、略Ｖ字形で
あればよい。更に、第１の溝は断面視略Ｖ字形に限定されず、その断面視形状は適宜であ
るが、外側に向かって鉛直か拡幅する形状とするとカレットの排出が容易となって好適で
あり、例えば断面視略半円形等とすることが可能である。また、第２の溝は第１の溝内の
適宜の位置に形成することが可能であるが、第１の溝の底部近傍であることが好ましく、
より好適には第１の溝の最下部とするとよい。また、上記第２実施形態では、第１と第２
のマザー基板７０、８０にＶ字溝７１、８１及びスクライブ溝７２、８２を形成し、両側
にカバーテープ１０３を貼付した後にマザー基板７０、８０の双方を分断する工程とした
が、図６（ｃ）の工程の後に第１のマザー基板７０だけを先に分断し、図７（ａ）の工程
に進み、図７（ｄ）に対応する工程で第２のマザー基板８０を分断する工程としもよい。
更に、前記第１のマザー基板７０だけを先に分断する工程において第１のマザー基板７０
に貼付されているカバーテープ１０３を先に剥がすようにしてもよい。また、本発明が適
用されるマザー基板、分断後の基板は本発明の目的の範囲内で適宜であり、各種の半導体
基板に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明による電気光学装置としての液晶装置の構成例を示す正面図。
【図２】図１に於けるＡ−Ａ断面図。
【図３】第１実施形態に於けるマザー基板への加工工程を示す模式説明図。
【図４】図３（ａ）の一点鎖線領域の拡大図。
【図５】図３（ｂ）の一点鎖線領域の拡大図。
【図６】第２実施形態に於けるマザー基板への加工工程の前半工程を示す模式説明図。
【図７】第２実施形態に於けるマザー基板への加工工程の後半工程を示す模式説明図。
【符号の説明】
【００３８】
１…液晶装置  １０…素子基板  １１…画素電極  １２…配向膜  ２０…対向基板  ２１
…遮光膜  ２２…対向電極  ２３…配向膜  ３０…液晶  ３１…シール材  ４１…データ
線駆動回路  ４２…外部接続端子  ４３…走査線駆動回路  ４４…上下導通端子  ４５…
配線  ４６…上下導通材  ５０…防塵基板  ６０…マザー基板  ７０…第１のマザー基板
８０…第２のマザー基板  ６１、７１、８１…Ｖ字溝  ６２、７２、８２…スクライブ
溝  ６５…基板  ７５…第１の基板  ８５…第２の基板  １０１…ダイシングブレード  
１０２…スクライブ刃  １０３…カバーテープ
【図１】
2009204647.tif 000003
【図２】
2009204647.tif 000004
【図３】
2009204647.tif 000005
【図４】
2009204647.tif 000006
【図５】
2009204647.tif 000007
【図６】
2009204647.tif 000008
【図７】
2009204647.tif 000009