(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタ及び周辺回路（非表示領域の回路）における光リークのみならず、固体保護膜端部における固体保護膜の剥離の問題をも解決することができる電場発光表示装置を提供する。【解決手段】基板１の上に複数の素子が２次元に配置された２次元発光素子アレイの上に固体保護膜９が形成された電場発光表示装置において、少なくとも非表示領域の回路の一部を覆うように、前記固体保護膜９上に遮光層１３が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009109883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に複数の素子が２次元に配置された２次元発光素子アレイの上に固体保護膜が形成された電場発光表示装置において、
少なくとも非表示領域の回路の一部を覆うように、前記固体保護膜上に遮光層が形成されていることを特徴とする電場発光表示装置。
【請求項２】
前記遮光層は、固体保護膜のすべての端部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電場発光表示装置。
【請求項３】
前記遮光層は、表示領域のうち、画素発光部の周囲に形成され、非表示領域まで連続的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電場発光表示装置。
【請求項４】
前記２次元発光素子アレイはアクティブマトリクス型有機ＥＬ素子アレイであることを特徴とする請求項１に記載の電場発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラット素子ディスプレイ等に用いられる電場発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイは、薄型化、小型化、軽量化、低消費電力が可能であることから様々な装置の表示部として、多くの機器に搭載されている。これらの特徴に加え、自発光型デバイスである電場発光表示装置、特に有機ＥＬ表示装置が注目されており、より薄型化、小型化、軽量化、低消費電力化が進むことが期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置などにおいて、各画素にスイッチング素子として薄膜トランジスタを設けたアクティブマトリクス型表示装置は、高精細かつ高品質の表示を実現できることから、広く用いられている。各画素に対応する薄膜トランジスタを制御する駆動回路は表示領域の周辺部に設けられ、画素領域周辺にはその他に、電源配線、信号配線といった配線が形成される。
【０００４】
これら各画素に接続される薄膜トランジスタ及び表示領域の周辺部に設けられる駆動回路（以下、周辺回路）はアクティブマトリクス型表示装置の表示品位を決定する重要な要素となっており、外部ノイズから遮蔽することが重要となる。
【０００５】
アクティブマトリクス型表示装置の表示品位を左右する外部ノイズとして、薄膜トランジスタ及び周辺回路が光に曝された時に発生する光リークがある。光リークが発生すると、トランジスタのＯＮ／ＯＦＦ比が低下したり、回路の誤作動を引き起こしたりするため、表示欠陥やコントラストの低下が発生し、表示品位を低下させてしまう。
【０００６】
薄膜トランジスタ及び周辺回路が曝される可能性のある光源としては、太陽光や室内光といった外光と、電場発光表示装置自身が表示領域内で発光した光との散乱が挙げられる。
【０００７】
光リークの定量的な影響については、一実施形態である有機ＥＬ表示装置について、特許文献１でも述べられている。アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、画素に流れる最大電流は、表示装置の要求輝度、発光効率、開口率などの要素に依存するものであるが、一般的には５０ｎＡ〜１５０ｎＡ程度である。今、諧調表示精度を２５６階調とすれば、１階調あたり約０．５ｎＡとなる。これに対して外光（太陽光）の場合では１ｎＡから１０ｎＡ程度、ＥＬ発光素子からの光によるリーク電流の場合は０．１ｎＡから１ｎＡ程度が見込まれる。よって、諧調表示精度が高くなれば、光リーク電流の影響を大きく受けてしまう。
【０００８】
薄膜トランジスタ及び周辺回路に対する外光及び自発光の遮光対策としては、同様に薄膜トランジスタをスイッチング素子に用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置においても、広く対策が提案されている。
【０００９】
特許文献１では、表示領域のうちの画素電極以外の部分を遮光する導電性の遮光層を絶縁基板（駆動基板）に設け、非表示領域を遮光する導電性の遮光層を絶縁基板（対向基板）に設けた、液晶表示装置の発明が記載されている。
【００１０】
特許文献２では、画素駆動回路を構成するトランジスタに接続された配線層よりも上に積層されている絶縁層の少なくとも１層に、遮光手段（着色フォトレジスト）を有する、発光型表示装置の発明が記載されている。遮光手段は、絶縁層を伝搬する光を反射する手段、又は該絶縁層を伝搬する光を減衰する手段の少なくとも一方として機能する構成とされている。
【００１１】
【特許文献１】特許第３２５１０３９号公報
【特許文献２】特開２００５−１８１４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１においては、非表示領域の遮光手段として、対向基板側に遮光層を設けることが提案されている。特許文献２の遮光手段は、アクティブマトリクス型基板を構成する要素に特徴を持たせたものであり、表示領域内の薄膜トランジスタ及び周辺回路のどちらに対しても用いることが可能である。
【００１３】
ただし、これらの遮光手段においては次のような問題が発生する場合がある。
【００１４】
遮光層に金属材料や比誘電率の大きい材料を用いた場合、薄膜トランジスタ及び周辺回路との間に容量が発生することが問題となる。
【００１５】
樹脂ブラックマトリクス材料（ＢＭ）や着色レジストで遮光を行う場合においては、パターン不良が発生し易く、加えて、薄膜トランジスタ及び周辺回路との間に容量が発生することが問題となる。
【００１６】
これら光リークの問題の一方で、電場発光表示装置の一実施系となる有機ＥＬ素子においては、水分や酸素により特性劣化を招き易い。つまり、わずかな水分と酸素により、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層からなる積層構造体と電極層の間で剥離が生じ、ダークスポットが発生する。水分や酸素の浸入経路としては、有機ＥＬ素子を構成する材料に含まれるものと、大気中に存在するものが挙げられる。このうち、大気中からの水分や酸素が有機発光層に浸入することを防ぐためには、有機ＥＬ素子を覆う防湿層となる封止層を設ける必要がある。
【００１７】
そこで有機ＥＬ素子の封止層として、有機ＥＬ素子をエッチングガラスカバーや金属キャップ、又は、防湿性フィルム等で覆い、シール剤により周辺を貼り付け、内部に吸湿剤を装着している。これにより、シール面から浸入する水分を吸湿剤で吸湿し、有機ＥＬ素子の寿命を確保している。しかし、封止層が厚いこと、あるいは、封止面を発光面と出来ないこと、防湿性が不十分である、といった問題がある。
【００１８】
耐環境性能に優れた有機ＥＬ表示装置を使った薄型、省スペースのフラット素子ディスプレイを実現するためには透明かつ薄膜の封止層であることが求められる。具体的には、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いた酸化窒化シリコン膜や、セラミックと有機膜を積層させた固体保護膜が提案されており、有機発光層に対して、これら無機材料からなる固体保護膜を用いて水分や酸素を遮蔽することが可能となる。
【００１９】
ただ、無機材料からなる固体保護膜を用いた場合に、固体保護膜端部において固体保護膜が剥離する問題が発生することがある。固体保護膜端部において固体保護膜の剥離が発生し、剥離が進行していくと水分や酸素に対する遮蔽性が低下するため、有機ＥＬ素子の寿命が低下してしまうことになる。
【００２０】
更には、大判の基板から単位有機ＥＬ素子に切り出す場合に、固体保護膜端部において剥離、クラックといった生産工程でのダメージ付与が問題となることもある。
【００２１】
つまり、アクティブマトリクス型電場発光表示装置において、光リーク対策として、アクティブマトリクス基板に上述したような一般的な遮光対策を用いた場合、容量発生、パターン不良発生の問題がある。
【００２２】
また、薄型、省スペースのフラット素子ディスプレイを実現するためには、固体保護膜を用いることが望ましいが、固体保護膜端部における固体保護膜の剥離を防止することが必要となる。
【００２３】
本発明はこの様な課題に対して、薄膜トランジスタ及び周辺回路（非表示領域の回路）における光リークのみならず、固体保護膜端部における固体保護膜の剥離の問題をも解決することができる電場発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上述した背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る電場発光表示装置は、
基板の上に複数の素子が２次元に配置された２次元発光素子アレイの上に固体保護膜が形成された電場発光表示装置において、
少なくとも非表示領域の回路の一部を覆うように、前記固体保護膜上に遮光層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電場発光表示装置の各画素にスイッチング素子として接続された薄膜トランジスタ、及び表示領域の周辺部に設けられた駆動回路（周辺回路）は、対応して設けられた遮光層により光に曝されることがなくなる。よって、光リークの発生を防止し、薄膜トランジスタ及び周辺回路のＯＮ／ＯＦＦ比の低下や回路の誤作動を防ぐことができる。
【００２６】
また、電場発光表示装置において、素子劣化を招く原因となる水分の浸入を防ぐ固体保護膜の端部を遮光層により補強し、固体保護膜の端部で発生する固体保護膜の剥離を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施形態について、以下、図１から図７の図面を用いて説明する。なお、これらの図は本発明に係る電場発光表示装置の構成の一例について、構成の一部を取り出して模式的に示すものである。
【００２８】
図１に示した電場発光表示装置は、２次元発光素子アレイとしての一実施形態となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ素子アレイを示したものであり、表示構成の一例を示す電場発光表示装置の一部の断面概略図である。表示領域の外周部から非表示領域となる周辺領域までを示している。
【００２９】
なお、本発明は有機ＥＬ素子に限らず、蛍光表示管、化学発光表示パネルなど電場印加により発光表示を行う、基板上に複数の素子が２次元に配置された表示装置において適用することが可能である。
【００３０】
また、本発明の遮光層はトップエミッション型有機ＥＬ素子アレイにも、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子アレイにも適用することができる。しかし、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子アレイにおいては、各画素に配置された薄膜トランジスタが自発光に曝される。それに対し、トップエミッション型有機ＥＬ素子アレイでは第１電極が反射性材料で形成されるため、各画素に配置された薄膜トランジスタが自発光に曝される影響は小さくできる。そのため、本発明による遮光層が、電場発光表示装置としての表示品位向上により有効に機能する。
【００３１】
図１に示した電場発光表示装置は、ガラス基板１の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２、絶縁層３、有機平坦化膜４の順で積層形成され、その上部に、単位画素の第１電極５が形成され、その各画素の周辺をポリイミド製の素子分離膜８で覆っている。このガラス基板１上に、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層からなる積層構造体６が順次形成されている。その上部には、第２電極７が形成され、更に取り出し電極を除き、第２電極７、積層構造体６、素子分離膜８、有機平坦化層４を覆う、無機材料からなる固体保護膜９が２次元発光素子アレイ上に形成されている。そして、固体保護膜９の非表示領域Ａの上に、つまり非表示領域Ａの周辺回路１２を覆うように遮光層１３が形成されており、更に、固体保護膜９、遮光層１３を含むその上部に充填材１０を介して円偏光板１１が設けられている。
【００３２】
図２は、図１に示した電場発光表示装置における、周辺回路１２と遮光層１３との位置関係の一例を示した模式的斜視図である。
【００３３】
遮光層１３は、表示領域Ｂの周囲３辺に配置されている周辺回路１２を覆うように配置され、固体保護膜９の端部まで覆うように形成されている。周辺回路１２が形成されていない、電源及び信号供給パッド１７が配置されている辺に関しても、固体保護膜９の端部を覆うように遮光層１３が一体形成されている。つまり、図示例では、遮光層１３が固体保護膜９のすべての端部を覆うように形成されている。
【００３４】
図１では、遮光層１３は固体保護膜９の端部と並ぶ位置まで形成されているが、遮光が必要となる周辺回路部に形成されていることが必要であり、必ずしも固体保護膜９の端部まで形成されている必要はない。固体保護膜９の端部の補強の役割を果たす位置に遮光層１３が形成されていれば良い。
【００３５】
また図２では、遮光層１３は表示領域Ｂの周囲を囲むように一体形成されているが、遮光が必要となる周辺回路部に形成されていることが必要であり、必ずしも表示領域Ｂの周囲を囲むように一体形成されている必要はない。遮光層１３は周辺回路１２を覆うように、周辺回路１２の回路幅よりも広く、且つ帯状に形成されていることが望ましい。但し、固体保護膜９の端部の補強の役割を果たす位置に遮光層１３が形成されていれば、図２に示すように表示領域Ｂの周囲を囲むように遮光層１３が一体形成されている必要はなく、不連続であっても良い。最良の形態としては、表示領域Ｂの周囲において、電源及び信号供給パッドを除き、出来る限り固体保護膜９の露出面がないように遮光層１３を形成し、外光及び自発光の入射領域がないようにすることである。
【００３６】
本発明による遮光層を形成することにより、固体保護膜９の端部は補強され、温度変化、高温高湿下であっても固体保護膜９の端部から剥離発生を防ぐことができる。また、本発明の電場発光表示装置の製造工程において、大判の基板から単位電場発光表示装置を切り出す工程においても、切り出し工程の前に遮光層１３を形成することにより、基板切断時に付与されるダメージから固体保護膜９の端部を保護する役割も果たす。
【００３７】
次に、遮光層１３による外光及び自発光の遮光効果について説明する。
【００３８】
図３、図４は遮光層１３が形成されていない場合を示す電場発光表示装置の断面概略図である。表示領域Ｂの外周部から非表示領域Ａとなる周辺領域までを示している。図３は外光１５による周辺回路１２の光照射、図４は自発光１６による周辺回路１２の光照射を示している。
【００３９】
図３は、本発明を適用していない電場発光表示装置を表示部として、筐体１４に組み込んだ状態を示している。電場発光表示装置を固定する筐体１４は、外光１５の入射による周辺回路１２での光リークの発生を防ぐため、表示領域Ｂの外周縁ぎりぎりの位置まで配置することが可能である。しかし、それでも偏光板１１と充填材１０との厚みで２００μｍ程度以上あり、太陽光、室内光などの外光１５が角度を持って電場発光表示装置に入射する場合には、周辺回路１２が外光１５に曝されてしまうことになる。特に、表示装置の小型化のために、非表示領域Ａの幅を小さくしなければならないときに、周辺回路１２が表示領域Ｂにより隣接することになり、外光１５の影響を受け易くなる。
【００４０】
図４は、本発明を適用していない電場発光表示装置において、表示領域Ｂの自発光１６の一部の反射、散乱の様子を示したものである。各画素で発光した光は、電場発光表示装置を構成する各層の界面にて反射し、電場発光表示装置内で散乱、伝搬することで、周辺回路１２に到達することがある。
【００４１】
図５は、本発明の電場発光表示装置を表示部として、筐体１４に組み込んだ状態を示している。遮光層１３は固体保護膜９の上に直接形成されており、周辺回路１２から１〜１０μｍの位置にあるため、太陽光、室内光などの外光１５が角度を持って電界発光表示装置に入射した場合であっても、遮光層１３によりほとんどの外光１５を遮光することができる。
【００４２】
角度を持った外光１５の入射をより防ぐためには、より周辺回路１２に近い位置に遮光層１３を形成することが望ましい。しかし、周辺回路１２上、もしくは周辺回路１２に極近い場所に形成した場合には、先に述べたように容量の発生やパターニング不良が問題となり、表示品位を低下させてしまう。
【００４３】
本発明のように、固体保護膜９の上に遮光層１３を形成する場合には、周辺回路１２からほとんど離れていない位置に遮光層１３があるために、外光１５に対する遮光効果はほとんど失われない。同時に、容量発生やパターン不良といった問題からも分離でき、総合的に表示品位を大きく向上させることが可能となる。
【００４４】
図６は、本発明の電場発光表示装置において、表示領域Ｂの自発光１６の一部の反射、散乱の様子を示したものである。各画素で発光した光が電場発光表示装置内で散乱、伝搬した場合でも、遮光層１３上部からの入射光については遮光することができる。
【００４５】
図７に示すように、遮光層１３を素子分離膜８上の固体保護膜１３に形成することも可能であり、この場合においては、更に自発光に対する遮光性を高めることが可能となる。素子分離膜８上に遮光層１３を形成する場合には、画素発光部以外の全ての領域（つまり画素発光部の周囲）に形成し、更には非表示領域（基板端部）まで連続的に形成することが望ましい。画素発光部以外の領域にできるだけ、遮光層１３を形成することによって、外光をより効率よく遮光することが可能となる。
【００４６】
また、各画素で発光した光の電場発光表示装置内で散乱、伝搬を防ぐために素子分離膜８及び平坦化膜４の黒色化、並びに素子分離膜８上への遮光層１３の形成などを行っても良い。
【００４７】
本発明の遮光層１３は、薄膜トランジスタ２及び周辺回路１２での光リーク防止効果があるものであれば特に限定されないが、透過率が３５０〜８００ｎｍの光に対して１０％以下であること、更には５％以下であることが望ましい。遮光層１３がこれ以上の透過率を有する場合には、光リーク電流量が駆動電流量に対して大きく影響を与えるようになり、ＯＮ／ＯＦＦ比の低下、回路の誤動作が発生し、表示品位の低下を招いてしまう。
【００４８】
本発明の遮光層１３は、少なくとも顔料、染料、金属、金属酸化物、金属窒化物のうち１種以上を含む材料で構成される。例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗなどの金属及びこれらの合金や酸化物、窒化物、カーボンブラックが分散した樹脂や着色レジストなどの顔料や染料を含む樹脂類、ＳＯＧを用いることができる。但し、本発明の必要要素を満たすものであれば、これらに限定されない。
【００４９】
また、本発明の遮光層１３は、前記透過率と固体保護膜９の端部補強に効果が得られる厚みであれば特に限定されないが、あまりにも厚く形成することはパネル厚みの増大、視野角、製造コストなどの点から望ましくなく、１０ｎｍ〜１００μｍ程度である。
【００５０】
更に本発明の遮光層１３は、周辺回路１２に対する遮光層１３にそれ程高い位置精度が要求されないことから、印刷、インクジェット、シールなどを適用することも可能であり、各々の形成手法に最適な遮光材料を選択することが可能である。この場合、より低コストの手法を選択することが可能となる。勿論、素子分離膜８上の固体保護膜９にも遮光層１３を形成する場合には、より高い位置精度が求められるため、メタルマスクを用いた成膜、フォトマスクを用いたパターニングなどを選択することも可能である。この場合においても、本発明の遮光層特性を満たす材料であれば用いることができる。
【００５１】
次に、遮光層以外の構成要素について説明する。
【００５２】
第１電極５は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高反射性の材料であるＣｒ、Ａｌ、Ａｇなどを用いることができる。ＩＴＯ、ＩＺＯなど透明電極を積層して用いても良い。
【００５３】
第２電極７は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高透過性もしくは半透過性の材料で構成され、ＩＴＯ、ＩＺＯなどＩｎを含む酸化膜、Ａｇなどを用いることができる。
【００５４】
固体保護膜９は、水分やガス成分の遮断能力が高いものであれば特に限定されないが、一般に水分及びガスバリア性が高いことで知られる無機材料からなる膜（以下、無機膜と省略する場合がある。）を用いることができる。また固体保護膜９は、組成が異なる２種類以上の積層膜であっても良い。固体保護膜９に求められる特性によっては、無機膜と有機膜との積層構成であっても良い。しかし、水分やガス成分の伝播経路となることから、電場発光表示装置の切断位置には有機膜が形成されていないことが望ましい。
【００５５】
固体保護膜９の膜厚は、水分やガス成分の遮蔽性能が確保できれば特に限定されないが、第２電極７表面の表面平滑性や付着ゴミなどを覆い、充分な封止性能を得るためには０．５μｍ以上であることが望ましい。
【００５６】
本発明の固体保護膜９に用いられる無機膜は、例えば、プラズマＣＶＤにより形成できる。プラズマＣＶＤの励起周波数を３０ＭＨｚから１００ＭＨｚのＶＨＦ帯を用いることで、プラズマのイオン衝撃を弱め電場発光表示装置の熱ダメージを抑えることができる。それと共に、緻密で欠陥が無く、斜面や凹凸のカバレッジ性が良好で、防湿性が高く、さらに低応力の良好な無機封止層を実現できる。無機膜は、シリコン、窒素、水素、酸素原子の総数に対する水素濃度が１２〜３２ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。下地の有機封止層との密着性や、凹凸のカバレッジ性が良く、熱応力の緩和に効果的で有機ＥＬ素子の発光による温度上昇に効果が絶大である。さらに、水素濃度が１７〜２８ａｔｏｍｉｃ％であると更に効果的である。また、無機膜は、シリコン、窒素、水素及び酸素の原子総数に対するシリコン濃度が２９〜４０ａｔｏｍｉｃ％、窒素濃度が３６〜５０％、酸素濃度が５％以下で、シリコン原子に対する窒素原子の比が１．０〜１．４３であることが望ましい。その場合、防湿性が高い膜が得られる。
【００５７】
また、無機膜に２．３ＭｅＶの４Ｈｅ＋イオンを衝突させた時、水素離脱が１０％以下である水素結合の強い無機膜は、経時劣化が無く、防湿性能が高い膜となる。
【００５８】
本発明に用いる固体保護膜９は、上述したように組成が異なる２種類以上の積層膜から構成されていても良い。例えば、水素濃度を１２〜３２ａｔｏｍｉｃ％の範囲で勾配を持たせると、無機膜中の熱応力の緩和と光取り出し効率に効果的であるが、さらに、光取り出し効率を高めるため、水素濃度を３２ａｔｏｍｉｃ％以上に膜厚方向に上げても良い。
【００５９】
このような、水素濃度の勾配を持たせた固体保護膜９で構成された電場発光表示装置は、防湿性能が高いばかりか、屈折率の異なる膜の積層で生じる光の反射を抑え、光の透過率を改善できる。
【００６０】
以上の本発明による構成によって、薄膜トランジスタ２及び周辺回路１２での光リーク発生を抑制させることで、ＯＮ／ＯＦＦ比を高め、回路誤動作を防止することにより、電場発光表示装置の表示品位の低下を最小限に抑えることができる。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例により本発明の実施態様について、更に詳しく説明する。
【００６２】
＜実施例１＞
本実施例について、図１と図２を用いて説明する。
【００６３】
本実施例では図１に示す有機ＥＬ表示装置を作製し、太陽光下と暗室内にて発光特性評価を行った。
【００６４】
本実施例の有機ＥＬ表示装置は、次のようにして作製した。ガラス基板１の上に、ＴＦＴ２、絶縁層３、有機平坦化膜４を順次形成し、次にその上に形成される第１電極５とＴＦＴ２とのコンタクトホールを形成した。続いて、第１電極５を形成し、第１電極５の周辺にポリイミド製の素子分離膜８を形成し、絶縁した。
【００６５】
この基板上に、ＦＬ０３／ＤｐｙＦＬ＋ｓＤＴＡＢ２／ＤＦＰＨ１／ＤＦＰＨ１＋Ｃｓ2ＣＯ3を蒸着し、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順で積層構造体６を形成した。その上層には、ＩＴＯからなる第２電極７をスパッタにより膜厚６０ｎｍで成膜し、画素を形成した。更に、有機平坦化膜４、第１電極５、積層構造体６、第２電極７、素子分離膜８、非発光領域Ａの立体部を覆うように、窒化シリコン膜をＶＨＦプラズマＣＶＤにより膜厚５μｍで成膜し、固体保護膜９を形成した。基板１の投入後、固体保護膜９の成膜まで一貫して真空中で行った。
【００６６】
次に、図２に示すように、周辺回路１２が形成された表示領域Ｂの周囲４辺において、全ての周辺回路１２を覆うように、電源及び信号供給パット部１７を除き、固体保護膜９の上に樹脂ブラックマトリクスを印刷により転写し、遮光層１３を形成した。遮光層１３は非表示領域Ａにおいて連続的に形成されており、非表示領域Ａのほとんどが遮光層１３により覆われている。本実施例の遮光層１３の透過率は、３５０ｎｍ〜８００ｎｍの光に対して１％以下であった。
【００６７】
続いて、充填材１０を介して円偏光板１１を固体保護膜９の上に貼り合わせて、図１の有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６８】
本実施例の電場発光表示装置を、約５０，０００ｌｘの晴天下と暗室内で発光表示させ、表示状態を評価したところ、晴天下での表示状態は概ね良好であり、暗室内と比べて遜色のない表示品位であった。
【００６９】
＜比較例１＞
本比較例について、図８を用いて説明する。
【００７０】
本比較例では図８に示す有機ＥＬ表示装置を作製し、太陽光下と暗室内にて発光特性評価を行った。
【００７１】
本比較例では、実施例１と同様の電場発光表示装置を作製しているが、遮光層は一切設けていない。
【００７２】
本比較例の電場発光表示装置を、約５０，０００ｌｘの晴天下と暗室内で発光表示させ、表示状態を評価したところ、暗室内では実施例１の電場発光表示装置と変わらない発光特性を示した。しかし、晴天下では表示状態にノイズの発生、色味の変化などの画質不良が発生し、暗室内での表示品位を保つことができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明による電場発光表示装置は、周辺回路での外光遮光能力が優れ、水分及びガス成分の遮蔽を司る固体保護膜の環境耐性に優れる。そのため、太陽光や室内照明下、幅広い温度、湿度での使用が想定され、高い対環境性を必要とするデジタルカメラやデジタルビデオカメラのモニターといったモバイル機器の表示装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の電場発光表示装置の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の電場発光表示装置の実施形態の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】他の電場発光表示装置における周辺回路に対する外光入射を示す模式図である。
【図４】他の電場発光表示装置における周辺回路に対する自発光入射を示す模式図である。
【図５】本発明の電場発光表示装置における周辺回路に対する外光入射を示す模式図である。
【図６】本発明の電場発光表示装置における周辺回路に対する自発光入射を示す模式図である。
【図７】本発明の電場発光表示装置における他の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】比較例の電場発光表示装置の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  ガラス基板
２  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３  絶縁層
４  有機平坦化膜
５  第１電極
６  積層構造体
７  第２電極
８  素子分離膜
９  固体保護膜
１０  充填材
１１  円偏光板
１２  周辺回路
１３  遮光層
１４  筐体
１５  外光
１６  自発光
１７  電源及び信号供給パッド
Ａ  非表示領域
Ｂ  表示領域
【図１】
2009109883.tif 000003
【図２】
2009109883.tif 000004
【図３】
2009109883.tif 000005
【図４】
2009109883.tif 000006
【図５】
2009109883.tif 000007
【図６】
2009109883.tif 000008
【図７】
2009109883.tif 000009
【図８】
2009109883.tif 000010