(57)【要約】【課題】半導体製造装置の排ガスに含まれる反応生成物により排気配管が閉塞することを防止することができる排ガス処理装置及びその排ガス処理方法を提供すること。【解決手段】排ガス処理装置の処理室に半導体製造装置の排ガスを導入して、処理室内に設けられた排ガス凝固用配管２０を冷却することにより、排ガスに含まれている反応生成物を排ガス凝固用配管２０の表面で凝固させて付着させる。その後、排ガス凝固用配管２０を加熱して、排ガス凝固用配管２０を熱膨張させることにより、付着した反応生成物を排ガス凝固用配管２０の表面から剥離させる。【選択図】図９
2009072678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置の排ガスが導入される処理室と、
前記処理室内に設けられた排ガス凝固機構と、
前記排ガス凝固機構の温度を制御する制御部とを有し、
前記制御部の制御によって前記排ガス凝固機構を冷却することにより、前記排ガス凝固機構の表面に前記排ガスを凝固させ、
前記制御部の制御によって前記排ガス凝固機構を加熱することにより、前記排ガス凝固機構を熱膨張させて、前記凝固させた排ガスを前記排ガス凝固機構の表面から剥離させることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項２】
さらに前記排ガス凝固機構の重量を検出する第１重量センサ、前記排ガス凝固機構の反射率を検出する光電センサ、前記処理室の排気速度を検出する排気速度センサ、前記処理室内の圧力を検出する第１圧力センサ、前記処理室内の温度を検出する第１温度センサ、及び、前記処理室内の湿度を検出する湿度センサのいずれか１つを有し、
前記制御部は、前記第１重量センサで検出した重量、前記光電センサで検出した反射率、前記排気速度センサで検出した排気速度、前記第１圧力センサで検出した圧力、前記第１温度センサで検出した温度、及び、前記湿度センサで検出した湿度のうちの少なくとも１つのパラメータを選択し、そのパラメータに基づいて前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態への切り替え、及び、前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態への切り替えを行うことを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項３】
さらに前記半導体製造装置と前記処理室との間と、前記処理室と前記処理室を通った排ガスを排出するポンプとの間とを接続するバイパスラインと、
前記処理室及び前記バイパスラインの前記半導体製造装置側に設けられた第１バルブと、
前記処理室及び前記バイパスラインの前記真空ポンプ側に設けられた第２バルブとを有し、
前記制御部は、前記第１バルブの開閉を制御して前記半導体製造装置の排ガスを前記処理室及び前記バイパスラインの一方に送り、前記第２バルブの開閉を制御して前記処理室を通った排ガス及び前記バイパスラインを通った排ガスの一方を前記ポンプに送ることを特徴とする請求項２に記載の排ガス処理装置。
【請求項４】
半導体製造装置の排ガスが導入される処理室と、前記処理室内に設けられた排ガス凝固機構とを有する排ガス処理装置において前記半導体製造装置の排ガスを処理する方法であって、
前記処理室に前記半導体製造装置の排ガスを導入するステップと、
前記排ガス凝固機構を冷却することにより、前記排ガス凝固機構の表面に前記排ガスを凝固させるステップと、
前記排ガス凝固機構を加熱することにより、前記排ガス凝固機構を熱膨張させて、前記凝固させた排ガスを前記排ガス凝固機構の表面から剥離させるステップと
を有することを特徴とする排ガス処理装置の排ガス処理方法。
【請求項５】
前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態への切り替え、及び、前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態への切り替えは、前記排ガス凝固機構の重量、前記排ガス凝固機構の反射率、前記処理室の排気速度、前記処理室内の圧力、前記処理室内の温度、及び、前記処理室内の湿度のうちの少なくとも１つのパラメータを選択し、そのパラメータに基づいて行うことを特徴とする請求項４に記載の排ガス処理装置の排ガス処理方法。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１重量センサで検出したデータにより前記排ガス凝固機構の重量がしきい値以上になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記排ガス凝固機構の重量が該しきい値よりも小さくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えること、前記光電センサで検出したデータにより前記排ガス凝固機構の反射率がしきい値以上になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記排ガス凝固機構の反射率が該しきい値よりも小さくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えること、前記排気速度センサで検出したデータにより前記処理室の排気速度が第１しきい値以下になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記処理室の排気速度が該第１しきい値よりも大きくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えること、前記第１圧力センサで検出したデータにより前記処理室内の圧力が第１しきい値以上になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記処理室内の圧力が該第１しきい値よりも小さくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えること、前記第１温度センサで検出したデータにより前記処理室内の温度がしきい値以上になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記処理室内の温度が該しきい値よりも小さくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えること、及び、前記湿度センサで検出したデータにより前記処理室内の湿度がしきい値以下になったと判定したときに前記排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態へ切り替え、前記処理室内の湿度が該しきい値よりも大きくなったと判定したときに前記排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えることのいずれかを行うことを特徴とする請求項２に記載の排ガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置の排ガスを処理する排ガス処理装置及びその処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置や、基板上に形成された薄膜をエッチングするエッチング装置等の半導体製造装置においては、基板が載置された反応室内に複数の原料ガスを導入し、反応室に熱や高周波電圧等を印加して原料ガスを化学反応させることにより、高温のガス状の反応生成物を生成して基板や基板上の薄膜に作用させている。
【０００３】
ところで、半導体製造装置の反応室で生成された反応生成物の全てが基板や基板上の薄膜に作用するわけではなく、作用しなかった高温のガス状の反応生成物は排ガスの一部として反応室から真空ポンプに排出される。
【特許文献１】特開平２−９２８９２号公報
【特許文献２】特開２００１−１４００５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体製造装置の排ガスに含まれる反応生成物は、半導体製造装置と真空ポンプとの間の配管（排気配管）を通るときに冷やされて、排気配管の内側表面で凝固して付着する。そして、このような状態が続くと、凝固した反応生成物により排気配管が詰まっていき、閉塞してしまうことがある。
【０００５】
排気配管が閉塞した場合には排気配管を取り外して洗浄することが必要となるが、排気配管を洗浄し、乾燥させて、取り付けるまでの間は半導体製造装置を使用することができない。また、通常、排気配管は、半導体製造装置と真空ポンプとの間を複数の配管を継手で接続することによって構成されているが、凝固した反応生成物によって継手の部分で取り外せなくなる配管が生じることもあり、この場合には取り外し可能となる排気配管の部分をしなければならないこともある。
【０００６】
本発明は、半導体製造装置の排ガスに含まれる反応生成物により排気配管が閉塞することを防止することができる排ガス処理装置及びその排ガス処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、半導体製造装置の排ガスが導入される処理室と、前記処理室内に設けられた排ガス凝固機構と、前記排ガス凝固機構の温度を制御する制御部とを有し、前記制御部の制御によって前記排ガス凝固機構を冷却することにより、前記排ガス凝固機構の表面に前記排ガスを凝固させ、前記制御部の制御によって前記排ガス凝固機構を加熱することにより、前記排ガス凝固機構を熱膨張させて、前記凝固させた排ガスを前記排ガス凝固機構の表面から剥離させることを特徴とする排ガス処理装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の観点によれば、半導体製造装置の排ガスが導入される処理室と、前記処理室内に設けられた排ガス凝固機構とを有する排ガス処理装置において前記半導体製造装置の排ガスを処理する方法であって、前記処理室に前記半導体製造装置の排ガスを導入するステップと、前記排ガス凝固機構を冷却することにより、前記排ガス凝固機構の表面に前記排ガスを凝固させるステップと、前記排ガス凝固機構を加熱することにより、前記排ガス凝固機構を熱膨張させて、前記凝固させた排ガスを前記排ガス凝固機構の表面から剥離させるステップとを有することを特徴とする排ガス処理装置の排ガス処理方法が提供される。
【０００９】
本発明によれば、排ガス処理装置の処理室に半導体製造装置の排ガスを導入して、この処理室内に設けられた排ガス凝固機構（例えば、金属からなる配管）を冷却する。これにより、排ガスに含まれている高温のガス状の反応生成物は排ガス凝固機構により冷やされて、排ガス凝固機構の表面で凝固して付着する。その後、排ガス凝固機構を加熱する。これにより、排ガス凝固機構は熱膨張する。一方、付着した反応生成物は、排ガス凝固機構を昇温させてもほとんど熱膨張しない。このため、付着した反応生成物は排ガス凝固機構から応力を受けて、反応生成物には亀裂が生じるとともに、反応生成物は排ガス凝固機構の表面から剥離する。
【００１０】
これにより、排ガスに含まれている反応生成物を排ガス処理装置内で分離することができるので、排ガス処理装置の下流側の配管、すなわち処理室とポンプとの間の配管（排気配管）を通る排ガスには反応生成物がほとんど含まれなくなり、反応生成物によって排気配管が閉塞することを防止することができる。
【００１１】
このような本発明において、排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態への切り替え、及び、排ガス凝固機構を加熱する状態から冷却する状態への切り替えは、排ガス凝固機構の重量、排ガス凝固機構の反射率、処理室の排気速度、処理室内の圧力、処理室内の温度、及び、処理室内の湿度のうちの少なくとも１つのパラメータを選択し、そのパラメータに基づいて行うことが好ましい。
【００１２】
排ガス凝固機構に付着する反応生成物は、半導体製造装置で行われているプロセスの内容（原料ガスの種類、基板温度、反応室の圧力、反応室に印加する高周波電圧の大きさなど）に応じて構成する物質や付着したときの状態（硬さ、粘性など）が異なるので、反応生成物を排ガス凝固機構の表面から剥離させるときの容易さの程度も異なる。
【００１３】
このため、本発明においては、排ガス凝固機構を冷却する状態から加熱する状態への切り替えや、加熱する状態から冷却する状態への切り替えは、半導体製造装置で行われているプロセスの内容に応じて適したパラメータ（例えば、排ガス凝固機構の重量、排ガス凝固機構の反射率、処理室内の排気速度、圧力、温度及び湿度）を選択し、そのパラメータを用いた最適な条件に基づいて行う。つまり、本発明においては、このような切替を、半導体製造装置で行われているプロセスの内容に応じて変えている。
【００１４】
これにより、排ガスに含まれている反応生成物を排ガス処理装置内で効率的に分離することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、排ガス凝固機構を冷却することによって排ガス凝固機構の表面に排ガスを凝固させ、その後、排ガス凝固機構を加熱することによって排ガス凝固機構を熱膨張させて、凝固させた排ガスを排ガス凝固機構の表面から剥離させることにより、反応生成物によって排気配管が閉塞することを防止することができる。
【００１６】
これにより、排気配管の洗浄に要する時間（すなわち、排気配管を取り外す時間、取り外した配管を洗浄する時間、洗浄した配管を乾燥させる時間及び洗浄した配管を取り付ける時間）を省くことができるので、半導体製造装置の生産効率を向上させることができる。また、反応生成物により取り外せなくなった排気配管の部分を交換しなければならないという問題を回避することができるので、結果的に半導体装置を製造するためのコストを削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００１８】
（排ガス処理装置の構成）
図１は本発明の実施形態に係る排ガス処理装置の構成を概略的に示した図であり、図２はその排ガス処理装置の信号の流れを示す図である。
【００１９】
本実施形態に係る排ガス処理装置１００は、図１に示すようにＣＶＤ装置やエッチング装置等の半導体製造装置２００と、ポンプ３００との間に設けられていて、処理室１０、排ガス凝固用配管２０、反応生成物収集容器３０、加熱／冷却用媒体供給機構４０、バイパス機構６０、センサーボックス７０、システムコントローラ８０、表示部８１及び操作部８２を備えている。なお、排ガス凝固用配管２０及び反応生成物収集容器３０は処理室１０内に設けられている。
【００２０】
排ガス処理装置１００において、処理室１０は、耐腐食性に優れた材料（例えば、ステンレス）からなり、図３に示すように箱状に構成されている。また、図３に示すように、処理室１０の左側面の外側には吸気側取付口１１が設けられ、処理室１０の上側底面には排気側取付口１２が設けられている。図１に示すように、吸気側取付口１１は配管２１０を介して半導体製造装置２００と接続され、また排気側取付口１２は配管３１０を介してポンプ３００と接続されている。更に、図３に示すように、処理室１０の右側面には、加熱／冷却用媒体供給口１４ａ，１４ｂと、加熱／冷却用媒体排出口１５ａ，１５ｂとが設けられている。これらの供給口１４ａ，１４ｂ及び排出口１５ａ，１５ｂは、処理室１０の右側面の外側から内側に貫通するように設けられている。
【００２１】
図３に示すように、処理室１０の正面には、ユーザが反応生成物収集容器３０（図１参照）の取り出し及び収納を行うためのドア１６が設けられている。図３には示されていないが、このドア１６の近傍には、ドア１６の開閉状態を検出するためのドアスイッチ１７が設けられている。このドアスイッチ１７の信号は、図２に示すようにセンサーボックス７０を介してシステムコントローラ８０に出力される。
【００２２】
また、処理室１０の正面には、排ガス処理装置１００で行われている処理を強制的に停止するための非常停止スイッチ１８が設けられている。この非常停止スイッチ１８の信号は、図２に示すようにセンサーボックス７０を介してシステムコントローラ８０に出力される。
【００２３】
なお、図３には示していないが、処理室１０の内側の縁部には額縁形状の取付板１０ａ，１０ｂが底面に対して垂直な方向に２つ設けられている。この取付板１０ａ，１０ｂについては後述する。
【００２４】
図４（ａ）は排ガス凝固用配管２０の構成を示した図であり、図４（ｂ）は処理室１０の上側底面側から見たときの排ガス凝固用配管２０の構成を示す図であり、図４（ｃ）は処理室１０の正面側から見たときの排ガス凝固用配管２０の構成を示す図である。図４に示すように、排ガス凝固用配管２０（２０ａ，２０ｂ）は、熱膨張係数が大きい金属（例えば、アルミニウム）からなり、処理室１０の上方から見たときに略Ｕ字形状（あるいは、略Ｗ字形状）を有している。また、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂは、処理室１０内において処理室１０の比較的上方、特に吸気側取付口１１よりも上方に底面に対して垂直な方向に２つ設けられている。
【００２５】
また、図４に示すように、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂの一方はフレキシブル配管２１ａ，２１ｂを介して加熱／冷却用媒体供給口１４ａ，１４ｂに接続され、その他方はフレキシブル配管２２ａ，２２ｂを介して加熱／冷却用媒体排出口１５ａ，１５ｂに接続されている。これらのフレキシブル配管２１，２２は、例えばステンレスからなり、排ガス凝固用配管２０が加熱／冷却されて膨張／縮小したときに排ガス凝固用配管２０と処理室１０との接続箇所にかかる応力を軽減する。
【００２６】
更に、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂは、図４（ｂ），（ｃ）に示すように処理室１０の取付板１０ａ，１０ｂの上に設置された複数（図４（ｂ）では３つ）の第１重量センサ２４ａ，２４ｂによって支持されている。これらの第１重量センサ２４ａ，２４ｂは、例えばマイクロスイッチにより構成され、マイクロスイッチ内のスプリングの強度を調整することにより検出する重量の大きさを変えることが可能となっている。そして、これらの第１重量センサ２４ａ，２４ｂの１つが、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂの重量が所定のしきい値（例えば、１ｋｇ）以上増えたときに信号を出力するように設定されている。第１重量センサ２４ａ，２４ｂの信号（すなわち、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂの重量がしきい値以上増えたことを示すデータ）は、図２に示すようにセンサーボックス７０を介してシステムコントローラ８０に出力される。このような第１重量センサ２４ａ，２４ｂにおいては、処理室１０内の排ガスに触れないように被覆物で覆われていることが好ましい。なお、第１重量センサ２４を、排ガス凝固用配管２０が所定の重量になったことを検出するようなマイクロスイッチで構成する替わりに、排ガス凝固用配管２０の重量を常に検出するような重量センサで構成するようにしてもよい。
【００２７】
更にまた、図４（ｂ），（ｃ）に示すように、処理室１０の取付板１０ａ（１０ｂ）の上には反射型の光電センサ２５ａ（２５ｂ）が設けられている。この光電センサ２５ａ（２５ｂ）により排ガス凝固用配管２０ａ（２０ｂ）の表面の反射率が検出される。光電センサ２５ａ，２５ｂによって検出されたデータは、図２を示すようにセンサーボックス７０を介してシステムコントローラ８０に出力される。
【００２８】
反応生成物収集容器３０は、図５に示すように盛り皿のような形状を有している。また、反応生成物収集容器３０は、処理室１０内において処理室１０の比較的下方、特に吸気側取付口１１よりも下方（例えば、吸気側取付口１１よりも３０ｃｍ下方）に設けられている。この収集容器３０により排ガス凝固用配管２０の表面から剥離して落下した反応生成物を収集する。本実施形態においては、収集容器３０が吸気側取付口１１よりも下方に設けられていることにより、収集された反応生成物が処理室１０内に舞い上がることを抑制している。なお、収集された反応生成物の処理室１０内での舞い上がりをより抑制するために、前述した取付板１０ａ（１０ｂ）のような額縁形状の板を処理室１０の内側の縁部の吸気側取付口１１よりも下方に設けていてもよい。
【００２９】
また、反応生成物収集容器３０は、図５に示すように処理室１０の下側底面の上に設置された第２重量センサ３１によって支持されている。この第２重量センサ３１により収集容器３０の重量が検出される。第２重量センサ３１によって検出されたデータは、図２を示すようにセンサーボックス７０を介してシステムコントローラ８０に出力される。
【００３０】
加熱／冷却用媒体供給機構４０は、図６に示すように冷却用媒体供給部４１、加熱用媒体供給部５１、温度センサ４１ａ，５１ａ、圧力センサ４１ｂ，５１ｂ、配管４２，４５，４６，４９，５２及び５９、及び、バルブ４３，４８，５３及び５８を有している。冷却用媒体供給部４１は、例えば気化したドライアイス、液体窒素、冷却水などの冷却用媒体を排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂに供給するためのものであり、加熱用媒体供給部５１は、例えば高温の蒸気や温水などの加熱用媒体を排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂに供給するためのものである。なお、加熱用媒体供給部５１において、加熱用媒体は排ガス凝固用配管２０で凝固した反応生成物が昇華しないような温度に設定されている。これらの冷却用媒体供給部４１及び加熱用媒体供給部５１は、システムコントローラ８０から出力された制御信号によってオン／オフされる。
【００３１】
また、図６に示すように、冷却用媒体供給部４１には配管４２及び配管４９が接続され、加熱用媒体供給部５１には配管５２及び配管５９が接続されている。冷却用媒体供給部４１に接続された配管４２、４９のうち、配管４２は配管４２ａ及び配管４２ｂに分岐している。また、加熱用媒体供給部５１に接続された配管５２、５９のうち、配管５２は配管５２ａ及び配管５２ｂに分岐している。一方、処理室１０の加熱／冷却用媒体供給口１４ａには配管４５ａが接続され、加熱／冷却用媒体供給口１４ｂには配管４５ｂが接続されている。供給口１４ａに接続された配管４５ａは２つに分岐していて、その一方はバルブ４３ａを介して配管４２ａと接続され、その他方はバルブ５３ａを介して配管５２ａと接続されている。また、供給口１４ｂに接続された配管４５ｂも２つに分岐していて、その一方はバルブ４３ｂを介して配管４２ｂと接続され、その他方はバルブ５３ｂを介して配管５２ｂと接続されている。同様に、冷却用媒体供給部４１に接続された配管４９は配管４９ａ及び配管４９ｂに分岐している。また、加熱用媒体供給部５１に接続された配管５９は配管５９ａ及び配管５９ｂに分岐している。一方、処理室１０の加熱／冷却用媒体排出口１５ａには配管４６ａが接続され、加熱／冷却用媒体排出口１５ｂには配管４６ｂが接続されている。排出口１５ａに接続された配管４６ａは２つに分岐していて、その一方はバルブ４８ａを介して配管４９ａと接続され、その他方はバルブ５８ａを介して配管５９ａと接続されている。また、排出口１５ｂに接続された配管４６ｂも２つに分岐していて、その一方はバルブ４８ｂを介して配管４９ｂと接続され、その他方はバルブ５８ｂを介して配管５９ｂと接続されている。
【００３２】
加熱／冷却用媒体供給機構４０において、バルブ４３，４８，５３及び５８は、例えばエアオペレーションバルブであり、システムコントローラ８０から出力された制御信号によって開閉される。また、バルブ４３，４８，５３及び５８の開閉状態を示す信号が、図２に示すようにシステムコントローラ８０に出力される。
【００３３】
更に、図６に示すように、冷却用媒体供給部４１に接続された配管４２には温度センサ４１ａ及び圧力センサ４１ｂが設けられている。これらの温度センサ４１ａ及び圧力センサ４１ｂにより冷却用媒体供給部４１から供給される冷却用媒体の温度及び圧力が検出される。また、加熱用媒体供給部５１に接続された配管５２にも温度センサ５１ａ及び圧力センサ５１ｂが設けられている。これらの温度センサ５１ａ及び圧力センサ５１ｂにより加熱用媒体供給部５１から供給される加熱用媒体の温度及び圧力が検出される。センサ４１ａ、４１ｂ、５１ａ、５１ｂによって検出されたデータは、図２に示すようにシステムコントローラ８０に出力される。
【００３４】
バイパス機構６０は、図７に示すようにバイパス用配管６１、第１バイパス用バルブ６２ａ，６２ｂ及び第２バイパス用バルブ６３ａ，６３ｂを有している。図７に示すように、半導体製造装置２００に接続された配管２１０は２つに分岐し、その一方は第１バイパス用バルブ６２ａを介して処理室１０の吸気側取付口１１に接続され、その他方は第１バイパス用バルブ６２ｂを介してバイパス用配管６１の一方に接続されている。一方、ポンプ３００に接続された配管３１０は２つに分岐し、その一方は第２バイパス用バルブ６３ａを介して処理室１０の排気側取付口１２に接続され、その他方は第２バイパス用バルブ６３ｂを介してバイパス用配管６１の他方に接続されている。これらの第１及び第２バイパス用バルブ６２，６３は、例えばエアオペレーションバルブであり、システムコントローラ８０から出力された制御信号によって開閉される。また、第１及び第２バイパス用バルブ６２，６３の開閉状態を示す信号が、図２に示すようにシステムコントローラ８０に出力される。
【００３５】
センサボックス７０は、図１に示すように処理室１０の上面に設置され、図２に示すように温度センサ７１、湿度センサ７２、排気速度センサ７３、圧力センサ７４及び中継ボード７５を備えている。これらの温度センサ７１、湿度センサ７２、排気速度センサ７３及び圧力センサ７４により処理室１０内の温度、湿度、排気速度及び圧力が検出される。これらのセンサ７１〜７４によって検出されたデータは、図２に示すように中継ボード７５を介してシステムコントローラ８０に出力される。なお、前述したドアスイッチ１６及び非常停止スイッチ１７から出力された信号と、第１重量センサ２４、光電センサ２５及び第２重量センサ３１によって検出されたデータも、図２に示すように中継ボード７５を介してシステムコントローラ８０に出力される。
【００３６】
システムコントローラ８０は、排ガス処理装置１００で行われる排ガス処理に係る動作全体を制御するためのものであり、マイクロコンピュータにより構成されている。図２に示すように、システムコントローラ８０には、処理室１０のドアスイッチ１７及び非常停止スイッチ１８の信号、処理室１０の第１重量センサ２４、光電センサ２５及び第２重量センサ３１、温度センサ７１、湿度センサ７２、排気速度センサ７３及び圧力センサ７４によって検出されたデータが、中継ボード７５を介して入力される。また、システムコントローラ８０には、加熱／冷却用媒体供給機構４０の温度センサ４１ａ，５１ａ及び圧力センサ４１ｂ，５１ｂによって検出されたデータと、バルブ４３，４８，５３及び５８の開閉状態を示す信号が入力される。更に、システムコントローラ８０には、第１及び第２バイパス用バルブ６２，６３の開閉状態を示す信号が入力される。更にまた、システムコントローラ８０には、半導体製造装置２００のプロセス状況を示すデータや、ポンプ３００のオン／オフを示す信号が入力される。システムコントローラ８０は、これらのデータや信号に基づき、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ４３，４８，５３及び５８のそれぞれに対して開閉を指示する信号を出力したり、バイパス機構６０のバルブ６２，６３のそれぞれに対して開閉を指示する信号を出力したり、排ガス処理装置１００やポンプ３００で異常が発生したときに半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止することを指示する信号（インターロック信号）を出力したりする。なお、図示していないが、システムコントローラ８０はメモリを有していて、このメモリに排ガス処理に関するデータを記憶する。また、システムコントローラ８０は時間を計測する機能を有している。
【００３７】
表示部８１は、図１に示すようにＣＲＴなどのディスプレイ装置により構成されていて、システムコントローラ８０から出力された信号に基づいて排ガス処理に関する情報画像（排ガスの処理状況や、注意・警告など）を画面に表示する。
【００３８】
操作部８２は、図１に示すようにキーボード及びマウスにより構成されていて、ユーザの操作指示に応じた信号をシステムコントローラ８０に出力する。ユーザは、操作部８２を操作することにより、加熱／冷却用媒体供給機構４０の冷却用媒体供給部４１及び加熱用媒体供給部５１のオン／オフ、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ４３，４８，５３及び５８の開閉、及び、バイパス機構６０のバルブ６２，６３の開閉を行うことや、排ガス処理に関する設定条件を入力することが可能となっている。なお、操作部８２は、図１に示したキーボード及びマウスの替わりに、例えば表示部８１の画面の前面に配置されたタッチパネルにより構成されていてもよい。
【００３９】
なお、上述した排ガス処理装置１００の構成においては、排ガス凝固用配管２０を２つ有している場合について説明しているが、それだけに限定されないことはもちろんである。排ガス処理装置が排ガス凝固用配管２０を１つ有している構成であってもよく、また排ガス処理装置が排ガス凝固用配管２０を３つ以上有している構成であってもよい。このような構成では、排ガス凝固用配管２０の数に応じて第１重量センサ２４、光電センサ２５、加熱／冷却用媒体供給機構４０の配管及びバルブ等を設けるようにする。
【００４０】
（排ガス処理装置の排ガス処理方法）
次に、本実施形態に係る排ガス処理装置１００において行う半導体製造装置２００の排ガス処理に係る処理について、その処理フローの一例を示す図８を参照しながら説明する。なお、前提条件として、半導体製造装置２００においてプロセスが行われていて、バイパス機構６０の第１バイパス用バルブ６２ｂ及び第２バイパス用バルブ６３ｂが閉じられ、第１バイパス用バルブ６２ａ及び第２バイパス用バルブ６３ａが開いていて、半導体製造装置２００の排ガスが排ガス処理装置１００の処理室１０を通ってポンプ３００に排出することが可能な状態になっているものとする。また、加熱／冷却用媒体供給機構４０の冷却用媒体供給部４１及び加熱用媒体供給部５１がオンになっていて、冷却用媒体及び加熱用媒体を供給することが可能な状態になっているものとする。
【００４１】
排ガス処理装置１００がこのような状態のとき、ステップＳ１１において、排ガス処理装置１００のシステムコントローラ８０は、半導体製造装置２００から出力されたプロセス状況を示すデータにより半導体製造装置２００でプロセスを開始した（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）かを判定する。例えば半導体製造装置２００がＣＶＤ装置である場合、半導体製造装置２００で行われるプロセスとして、半導体製造装置２００の反応室にて基板上に薄膜を形成する成膜工程と、この成膜工程によって反応室の内壁に付着した薄膜を除去するクリーニング工程がある。このステップＳ１１において判定結果がＹＥＳの場合には、次のステップＳ１２に進む。
【００４２】
ステップＳ１２において、半導体製造装置２００の排ガスが排ガス処理装置１００の処理室１０に導入される。前述したように半導体製造装置２００がＣＶＤ装置である場合、成膜工程において、原料ガスとしてモノシランSiH４及び酸素O２を反応室に導入し、高周波電圧を印加することによって基板上に二酸化珪素SiO２を堆積し、その後のクリーニング工程において、クリーニングガスとして三フッ化窒素NF３を反応室に導入し、高周波電圧を印加することによって反応室の内壁をクリーニングしたときに、半導体製造装置２００の排ガスに反応生成物としてフッ化珪素SiF４が含まれている。また、成膜工程において、原料ガスとしてモノシランSiH４及び亜酸化窒素N２Oをを反応室に導入し、高周波電圧を印加することによって基板上に二酸化珪素SiO２を堆積し、その後のクリーニング工程において、クリーニングガスとして三フッ化窒素NF３、四フッ化炭素CF４及び亜酸化窒素N２Oを反応室に導入し、高周波電圧を印加することによって反応室の内壁をクリーニングしたときにも、半導体製造装置２００の排ガスに反応生成物としてフッ化珪素SiF４が含まれている。このフッ化珪素SiF４は、半導体製造装置から排出された直後では高温のガス状であるものの、半導体製造装置とポンプとの間の排気配管を通っているときに冷やされて排気配管の内側表面で凝固して付着して、排気配管を閉塞させてしまう原因となることがある。
【００４３】
そして、次のステップＳ１３において、排ガス処理装置１００のシステムコントローラ８０は加熱／冷却用媒体供給機構４０を制御して排ガス凝固用配管２０を冷却する。例えば排ガス凝固用配管２０ａを冷却する場合には、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ５３ａ及びバルブ５８ａを閉じることを指示する信号を出力するとともに、バルブ４３ａ及びバルブ４８ａを開くことを指示する信号を出力する。これにより、加熱／冷却用媒体供給機構４０では、冷却用媒体供給部４１の冷却用媒体が配管４２、配管４２ａ及び配管４５ａを介して排ガス凝固用配管２０ａに供給され、配管４６ａ、配管４９ａ及び配管４９を介して冷却用媒体供給部４１に戻る。なお、排ガス凝固用配管２０ｂを冷却する場合には、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ５３ｂ及びバルブ５８ｂを閉じることを指示する信号を出力するとともに、バルブ４３ｂ及びバルブ４８ｂを開くことを指示する信号を出力することにより、排ガス凝固用配管２０ｂに冷却用媒体供給部４１の冷却用媒体が供給される。
【００４４】
このようにして冷却された排ガス凝固用配管２０に半導体製造装置２００の排ガスが触れると、図９（ａ）に示すように排ガスに含まれている高温のガス状の反応生成物が排ガス凝固用配管２０の外側表面で凝固して付着する。例えば前述したＣＶＤ装置のプロセスにおいては、排ガスに含まれているフッ化珪素SiF４が排ガス凝固用配管２０の表面で凝固して付着する。
【００４５】
次に、ステップＳ１４において、システムコントローラ８０は、半導体製造装置２００から出力されたプロセス状況を示すデータのうち半導体製造装置２００において行われているプロセスの内容に応じて排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へと切り替えるときの条件（以下、このような条件を第１切替条件という）を選択し、選択した第１切替条件を満たしている（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）かを判定する。判定結果がＹＥＳの場合にはステップＳ１５に進む。一方、判定結果がＮＯの場合にはステップＳ１３に戻り、システムコントローラ８０は排ガス凝固用配管２０の冷却を続ける。この第１切替条件については後述する。
【００４６】
第１切替条件を満たしていると判定した場合には、ステップＳ１５において、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０を制御して排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態に切り替える。例えば排ガス凝固用配管２０ａを加熱する場合には、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ４３ａ及びバルブ４８ａを閉じることを指示する信号を出力するとともに、バルブ５３ａ及びバルブ５８ａを開くことを指示する信号を出力する。これにより、加熱／冷却用媒体供給機構４０では、冷却用媒体供給部４１の冷却用媒体が排ガス凝固用配管２０ａに供給されなくなる。そして、加熱用媒体供給部５１の加熱用媒体が配管５２、配管５２ａ及び配管４５ａを介して排ガス凝固用配管２０ａに供給され、配管４６ａ、配管５９ａ及び配管５９を介して加熱用媒体供給部５１に戻る。なお、排ガス凝固用配管２０ｂを加熱する場合には、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０のバルブ４３ｂ及びバルブ４８ｂを閉じることを指示する信号を出力するとともに、バルブ５３ｂ及びバルブ５８ｂを開くことを指示する信号を出力することにより、冷却用媒体供給部４１の冷却用媒体が排ガス凝固用配管２０ｂに供給されなくなり、反対に加熱用媒体供給部５１の加熱用媒体が排ガス凝固用配管２０ｂに供給される。
【００４７】
このようにして排ガス凝固用配管２０を加熱すると、排ガス凝固用配管２０は熱膨張する。一方、排ガス凝固用配管２０の外側表面に付着した反応生成物（凝固した排ガス）は、排ガス凝固用配管２０を昇温させてもほとんど熱膨張しない。このため、付着した反応生成物は排ガス凝固用配管２０から応力を受けて、図９（ｂ）に示すように反応生成物に亀裂が生じるとともに、反応生成物は配管２０の表面から剥離する。剥離した反応生成物は落下して、排ガス凝固用配管２０の下方に設けられた反応生成物収集容器３０にて収集される。
【００４８】
次に、ステップＳ１６において、システムコントローラ８０は、半導体製造装置２００から出力されたプロセス状況を示すデータのうち半導体製造装置２００において行われているプロセスの内容に応じて排ガス凝固用配管２０を加熱する状態から冷却する状態へと切り替えるときの条件（以下、このような条件を第２切替条件という）を選択し、選択した第２切替条件を満たしている（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）かを判定する。判定結果がＹＥＳの場合にはステップＳ１７に進む。一方、判定結果がＮＯの場合にはステップＳ１５に戻り、システムコントローラ８０は排ガス凝固用配管２０の加熱を続ける。この第２切替条件についても後述する。
【００４９】
第２切替条件を満たしていると判定した場合には、ステップＳ１７において、システムコントローラ８０は、次に半導体製造装置２００のプロセス状況のデータにより半導体製造装置２００でプロセスが終了した（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）かを判定する。判定結果がＹＥＳの場合には、本処理フローは「終了」する。
【００５０】
一方、ステップＳ１７において判定結果がＮＯの場合には、ステップＳ１３に戻る。このステップＳ１３において、システムコントローラ８０は、加熱／冷却用媒体供給機構４０を制御して排ガス凝固用配管２０を加熱する状態から冷却する状態に切り替えて、再び排ガス凝固用配管２０を冷却する。このように、半導体製造装置２００で行われるプロセスの内容によっては、プロセスが行われている間に排ガス凝固用配管２０の冷却及び加熱（すなわち、排ガス凝固用配管２０における反応生成物の付着及び剥離）を何回か繰り返すこともある。この場合も、ステップＳ１７において、システムコントローラ８０は、半導体製造装置２００でプロセスが終了した（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）かを判定し、判定結果がＹＥＳの場合には本処理フローは「終了」する。
【００５１】
ところで、前述したように排ガス凝固用配管２０の表面から剥離した反応生成物は反応生成物収集容器３０にて収集される。本実施形態の排ガス処理装置１００において、システムコントローラ８０は、第２重量センサ３１で検出したデータにより、収集容器３０の重量（収集容器３０で収集された反応生成物の重量）が所定の第１しきい値以上になったことを検出すると、収集容器３０で収集された反応生成物を廃棄することをユーザに促すような注意画像を生成し、表示部８１の画面に表示する。この注意画像により、ユーザは収集容器３０で収集された反応生成物を廃棄するタイミングを知ることができる。なお、システムコントローラ８０は、収集容器３０の重量が第１しきい値よりも大きい第２しき値以上になったことを検出すると、収集容器３０で収集された反応生成物が満杯になったことをユーザに知らせるような警告画像を生成し、表示部８１の画面に表示するとともに、半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止することを指示する信号を出力する。
【００５２】
（第１切替条件、第２切替条件）
以下、前述した第１切替条件及び第２切替条件について説明する。
【００５３】
本実施形態の排ガス処理方法においては、反応生成物が排ガス凝固用配管２０に厚く付着してしまうと、配管２０を熱膨張させたときに反応生成物を配管２０から剥離させにくくなるので、基本的には配管２０に付着した反応生成物が薄いときに反応生成物を剥離させることが好ましい。但し、反応生成物には、排ガス凝固用配管２０に比較的厚く付着していたとしても配管２０の表面から容易に剥離させることができるものもある。このような反応生成物に対しては、冷却から加熱への切替及び加熱から冷却への切替を頻繁に行わなくても済む。反対に、反応生成物には、排ガス凝固配管２０に非常に薄くしか付着していなくても配管２０の表面から剥離させにくいものもある。このような反応生成物に対しては、冷却から加熱への切替及び加熱から冷却への切替を頻繁に行う必要がある。
【００５４】
また、前述したようにＣＶＤ装置（半導体製造装置２００）の排ガスには反応生成物としてフッ化珪素SiF４が含まれているものがあるが、当然ながら反応生成物はフッ化珪素SiF４に限定されるものではなく、半導体製造装置２００で行われているプロセスの内容（原料ガス・クリーニングガスの種類、基板温度、反応室の圧力、反応室に印加する高周波電圧の大きさなど）に応じて反応生成物を構成する物質は異なる。また、排ガス凝固用配管２０に付着したときの状態（硬さ、粘性など）も、半導体製造装置２００で行われているプロセスの内容に応じて異なる。更に、半導体製造装置２００がＣＶＤ装置である場合だけではなく、例えばエッチング装置である場合もある。反応生成物を構成する物質や、排ガス凝固用配管２０に付着したときの状態が異なれば、配管２０に付着した反応生成物を剥離させるときの容易さの程度も異なる。
【００５５】
このため、本実施形態の排ガス処理方法においては、半導体製造装置２００で行われているプロセスの内容に応じて適したパラメータを選択する。このようなパラメータとして、排ガス凝固用配管２０の重量（配管２０に付着した反応生成物の重量）、排ガス凝固用配管２０の反射率、処理室１０内の温度、湿度、排気速度及び圧力がある。そして、選択したパラメータを用いた最適な条件（第１切替条件及び第２切替条件）に基づいて冷却する状態から加熱する状態への切り替え、及び、加熱する状態から冷却する状態への切り替えを行う。
【００５６】
本実施形態の排ガス処理方法においては、上述した最適な条件として第１及び第２切替条件を排ガス処理装置１００に設定する。
【００５７】
そのために、まず、ユーザは、排ガス処理装置１００を接続した半導体製造装置２００において実際に行われるプロセスを行い、そのプロセス毎に、排ガス凝固用配管２０の重量及び反射率と、処理室１０内の温度、湿度、排気速度及び圧力と、時間とをモニタしながら、種々のタイミングで排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態への切り替え、及び、加熱する状態から冷却する状態への切り替えを行うことにより、排ガス凝固用配管２０に付着した反応生成物を剥離させるときの容易さの程度について測定及び評価を行う。これに基づいて、ユーザは、最も効率的に反応生成物を排ガス凝固用配管２０に付着させ、そして剥離させることができる状況を導き出す。このような状況として以下のものがある。
【００５８】
最も効率的に反応生成物を付着及び剥離させることができる状況として、例えば反応生成物の付着により排ガス凝固用配管２０の重量が所定のしきい値（例えば、１Ｋｇ）以上になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により排ガス凝固用配管２０の重量がそのしきい値よりも小さくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されたものとする。この場合には、排ガス凝固用配管２０の重量は、反応生成物の配管２０への付着の程度、あるいは反応生成物の配管２０からの剥離の程度を示す目安となる。
【００５９】
また、反応生成物の付着により排ガス凝固用配管２０の反射率が所定のしきい値以上になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により排ガス凝固用配管２０の反射率がそのしきい値よりも小さくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されるたものとする。排ガス凝固用配管２０の表面に反応生成物が付着していないときには配管２０の表面は暗い色であるので、配管２０の反射率は低い。一方、排ガス凝固用配管２０の表面に反応生成物が付着していくと、例えば反応生成物が前述したフッ化珪素SiF４である場合には配管２０の表面が次第に白くなっていくので、配管２０の反射率が高くなる。すなわち、排ガス凝固用配管２０の反射率は、反応生成物の付着の程度、あるいは反応生成物の剥離の程度を示す目安となる。
【００６０】
更に、反応生成物の付着により処理室１０内の温度がしきい値以上になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により処理室１０内の温度がそのしきい値よりも小さくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されたものとする。反応生成物の排ガス凝固用配管２０への付着が進行すると、反応生成物の断熱作用により冷却された配管２０の温度が処理室１０内に伝わらなくなり、処理室１０内の温度が高くなる。一方、反応生成物の排ガス凝固用配管２０からの剥離が進行すると、加熱された配管２０の温度が処理室１０内に伝わるものの、配管２０の温度は排ガスの温度に比べると十分に低いので、処理室１０内の温度が低くなる。このように、処理室１０内の温度は、反応生成物のガス凝固用配管２０への付着の程度、あるいは反応生成物の配管２０からの剥離の程度を示す目安となる。
【００６１】
更にまた、反応生成物の付着により処理室１０内の湿度がしきい値以下になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により処理室１０内の温度がそのしきい値よりも大きくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されたものとする。排ガスが水分を多く含むものである場合、反応生成物の排ガス凝固用配管２０への付着が進行すると、排ガスの水分が反応生成物に吸収されて、処理室１０内の湿度が低くなる。一方、反応生成物の排ガス凝固用配管２０からの剥離が進行すると、排ガスの水分を吸収するものがなくなる（正確には、反応生成物が配管２０から落下して排ガスの水分を吸収するものが湿度センサ７２から離れる）ので、処理室１０内の湿度が高くなる。このように、処理室１０内の湿度は、反応生成物のガス凝固用配管２０への付着の程度、あるいは反応生成物の配管２０からの剥離の程度を示す目安となる。
【００６２】
更にまた、反応生成物の付着により処理室１０の排気速度がしきい値以下になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により処理室１０の排気速度がそのしきい値よりも大きくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されたものとする。あるいは、反応生成物の付着により処理室１０内の圧力がしきい値以上になったときに排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態へ切り替えて、反応生成物の剥離により処理室１０内の圧力がそのしきい値よりも小さくなったときに配管２０を加熱する状態から冷却する状態へ切り替えるという状況が導き出されたものとする。反応生成物の排ガス凝固用配管２０への付着が進行すると、略Ｕ字形状の配管２０の間のスペースが反応生成物により狭くなるので、処理室１０の排気速度は小さくなり、反対に圧力は高くなる。一方、反応生成物の排ガス凝固用配管２０からの剥離が進行すると、略Ｕ字形状の配管２０の間のスペースが広くなるので、処理室１０の排気速度は高くなり、反対に圧力は低くなる。このように、処理室１０内の排気速度及び圧力は、反応生成物のガス凝固用配管２０への付着の程度、あるいは反応生成物の配管２０からの剥離の程度を示す目安となる。
【００６３】
次に、ユーザは、プロセスの内容と、そのプロセスにおける反応生成物を最も効率的に剥離させることができる状況を、操作部８２を用いて排ガス処理装置１００に入力する。例えば排ガス凝固用配管２０の重量を反応生成物の付着及び剥離の程度を示す目安とする場合、最も効率的に反応生成物を付着及び剥離させることができる状況を入力するときには、排ガス凝固用配管２０の重量がしきい値以上になることを第１切替条件とし、排ガス凝固用配管２０の重量がそのしきい値よりも小さくなることを第２切替条件として排ガス処理装置１００に入力する。これにより、排ガス処理装置１００のシステムコントローラ８０は、操作部８１により入力されたプロセスの内容と、第１及び第２切替条件を関連付けてメモリに記憶する。
【００６４】
このようにして、排ガス処理装置１００に第１及び第２切替条件が設定される。
【００６５】
なお、上述した第１及び第２切替条件の設定方法においては、第１及び第２切替条件が１つの要素からなるものである場合について説明しているが、それだけに限定されないのはもちろんである。第１及び第２切替条件が、複数の要素、例えば排ガス凝固用配管２０の重量と、処理室１０内の温度及び湿度からなるものであってもよい。
【００６６】
また、上述した第１及び第２切替条件の設定方法においては、第１及び第２切替条件が同じしきい値を用いたものである場合について説明しているが、それだけに限定されないのはもちろんである。第１及び第２切替条件が、それぞれ異なるしきい値を用いたものであってもよい。
【００６７】
更に、上述した第１及び第２切替条件の設定方法においては、第１及び第２切替条件が排ガス凝固用配管２０の要素や処理室１０の要素を用いたものである場合について説明しているが、それだけに限定されないのはもちろんである。例えば第１及び第２切替条件が、反応生成物を最も効率的に剥離させることができる状況を導き出したときの時間であってもよい。
【００６８】
更にまた、上述した第１及び第２切替条件の設定方法においては、第１及び第２切替条件が排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂに共通のものとして設定されていてもよく、また第１及び第２切替条件が排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂのそれぞれに対して設定されていてもよい。後者の第１及び第２切替条件は、排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂの処理室１０内における配置状況により排ガス凝固用配管２０ａ，２０ｂのそれぞれで上述した最適な条件が大きく異なる場合に採用されてもよい。
【００６９】
（排ガス処理装置において行うインターロック動作）
ところで、本実施形態の排ガス処理装置１００においては種々の異常が発生することが考えられる。排ガス処理装置１００で異常が生じたまま半導体製造装置２００でプロセスが行われると、半導体製造装置２００の製品に不具合が発生したり、半導体製造装置２００自体に不具合が発生する可能性がある。このため、排ガス処理装置１００で異常が生じたときに、半導体製造装置２００にそのことを知らせ、半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止させることが好ましい。そこで、前述したように本実施形態の排ガス処理装置１００は、排ガス処理装置１００で異常が生じたときに半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止させることを指示する機能を有している。
【００７０】
以下、本実施形態に係る排ガス処理装置１００において行う排ガス処理装置１００で異常が生じたときに半導体製造装置２００で行われているプロセスを停止させるという動作（インターロック動作）に係る処理について、その処理フローの一例を示す図１０を参照しながら説明する。なお、前提条件として、バイパス機構６０の第１バイパス用バルブ６２ｂ及び第２バイパス用バルブ６３ｂが閉じられ、第１バイパス用バルブ６２ａ及び第２バイパス用バルブ６３ａが開いていて、半導体製造装置２００の排ガスが排ガス処理装置１００の処理室１０を通ってポンプ３００に排出することが可能な状態になっているものとする。また、排ガス処理装置１００及びポンプ３００に後述するような異常が生じていないものとする。
【００７１】
排ガス処理装置１００がこのような状態のとき、ステップＳ２１において、排ガス処理装置１００のシステムコントローラ８０は、排ガス処理装置１００及びポンプ３００に異常が発生している（ＹＥＳ）か否（ＮＯ）をモニタしている。本実施形態において、システムコントローラ８０は、ドアスイッチ１７及び非常停止スイッチ１８から出力された信号と、第１重量センサ２４、第２重量センサ３１、温度センサ４１ａ、圧力センサ４１ｂ、温度センサ５１ａ、圧力センサ５１ｂ、温度センサ７１、排気速度センサ７３及び圧力センサ７４で検出したデータと、ポンプ３００から出力された信号により、処理室１０のドア１６が開いていること、非常停止スイッチ１８が押されたこと、排ガス凝固用配管２０の重量が加熱する状態に切り替わってから所定の時間を経過してもしきい値（第１及び第２切替条件で用いられているしきい値と同じもの）よりも小さくならないこと、反応生成物収集容器３０の重量が前述した第２しきい値以上になること、冷却用媒体供給部４１から供給される冷却用媒体の温度が所定のしきい値以上になること、冷却用媒体供給部４１から供給される冷却用媒体の圧力が所定のしきい値以下になること、加熱用媒体供給部５１から供給される加熱用媒体の温度が所定のしきい値以下になること、加熱用媒体供給部５１から供給される加熱用媒体の圧力が所定のしきい値以下になること、処理室１０の排気速度が所定のしきい値（但し、第１及び第２切替条件で用いられているしきい値と異なるもの）以下になること、処理室１０の圧力が所定のしきい値（但し、第１及び第２切替条件で用いられているしきい値と異なるもの）以上になること、及び、ポンプ３００がオフになることのうちの少なくとも１つを検出したときに、「異常」が発生したと判定する。判定結果がＹＥＳの場合には、次のステップＳ２２に進む。
【００７２】
ステップＳ２２において、システムコントローラ８０は、半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止することを指示する信号を出力する。半導体製造装置２００では、この信号を入力すると、反応室内でプロセスが行われているときにはそのプロセスを中止する。具体的には、原料ガスやクリーニングガスの供給を止めるとともに、高周波電圧の印加を停止する。また、反応室内でプロセスが行われていないときには反応室にウェハを供給しないようにする。
【００７３】
そして、次のステップＳ２３において、システムコントローラ８０は、バイパス機構６０のバイパス用バルブ６２、６３のうち、処理室１０側の第１バイパス用バルブ６２ａ及び第２バイパス用バルブ６３ａを閉じることを指示する信号を出力するとともに、バイパス機構６０側の第１バイパス用バルブ６２ｂ及び第２バイパス用バルブ６３ｂを開くことを指示する信号を出力する。これにより、バイパス機構６０において第１バイパス用バルブ６２ａ及び第２バイパス用バルブ６３ａが閉じられ、第１バイパス用バルブ６２ｂ及び第２バイパス用バルブ６３ｂが開いて、半導体製造装置２００の排ガスが排ガス処理装置１００のバイパス用配管６１を通ってポンプ３００に排出することが可能な状態になる。そして、本処理フローは「終了」する。
【００７４】
以上説明したように、本実施形態の排ガス処理装置１００においては、処理室１０に半導体製造装置２００の排ガスを導入して、処理室１０内に設けられた排ガス凝固用配管２０を冷却する。これにより、排ガスに含まれている反応生成物は排ガス凝固用配管２０の表面で凝固して付着する。その後、排ガス凝固用配管２０を加熱する。これにより、付着した反応生成物は排ガス凝固用配管２０の表面から剥離する。このようにして、本実施形態の排ガス処理装置１００においては、半導体製造装置２００の排ガスに含まれている反応生成物を処理室１０内で分離することができるので、処理室１０の下流側の配管３１０を通る排ガスには反応生成物がほとんど含まれなくなり、反応生成物によって排気配管が閉塞することを防止することができる。
【００７５】
また、本実施形態の排ガス処理装置１００においては、排ガス凝固用配管２０を冷却する状態から加熱する状態への切り替えや、加熱する状態から冷却する状態への切り替えは、半導体製造装置２００で行われているプロセスの内容に応じて適した要素を選択し、その要素を用いた最適な条件（第１及び第２切替条件）に基づいて行う。これにより、排ガスに含まれている反応生成物を処理室１０内で効率的に分離することができる。
【００７６】
更に、本実施形態の排ガス処理装置１００においては、排ガス処理装置１００及びポンプ３００で異常が生じたときに半導体製造装置２００で行われているプロセスを中止させることを指示する信号を出力する。これにより、半導体製造装置２００の製品に不具合が発生したり、半導体製造装置２００自体に不具合が発生したりするなどの問題を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本実施形態に係る排ガス処理装置の構成を概略的に示した図である。
【図２】本実施形態に係る排ガス処理装置の信号の流れを示した図である。
【図３】本実施形態に係る排ガス処理装置の処理室の構成を示した図である。
【図４】図４（ａ）は本実施形態に係る排ガス処理装置の排ガス凝固用配管の構成を示した図であり、図４（ｂ）は処理室の上側底面側から見たときの排ガス凝固用配管の構成を示す図であり、図４（ｃ）は処理室の正面側から見たときの排ガス凝固用配管の構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係る排ガス処理装置の反応生成物収納容器の構成を示した図である。
【図６】本実施形態に係る排ガス処理装置の加熱／冷却用媒体供給機構の構成を示した図である。
【図７】本実施形態に係る排ガス処理装置のバイパス機構の構成を示した図である。
【図８】本実施形態に係る排ガス処理装置において行う半導体製造装置の排ガス処理に係る処理の一例を示すフローチャートである。
【図９】図９（ａ）は半導体製造装置の排ガスに含まれる反応生成物が排ガス凝固用配管の表面で凝固して付着する様子を示す図であり、図９（ｂ）は付着した反応生成物が排ガス凝固用配管の表面から剥離する様子を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る排ガス処理装置において行う排ガス処理装置で異常が生じたときに半導体製造装置で行われているプロセスを停止させるという動作（インターロック動作）に係る処理の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７８】
１０…処理室、
２０（２０ａ，２０ｂ）…排ガス凝固用配管、
２４（２４ａ，２４ｂ）…第１重量センサ、
２５（２５ａ，２５ｂ）…光電センサ、
３０…反応生成物収集容器、
３１…第２重量センサ、
４０…加熱／冷却用媒体供給機構、
４１…冷却用媒体供給部、
４１ａ…温度センサ、
４１ｂ…圧力センサ、
５１…加熱用媒体供給部、
５１ａ…温度センサ、
５１ｂ…圧力センサ、
６０…バイパス機構、
６１…バイパス用配管、
６２（６２ａ，６２ｂ）…第１バイパス用バルブ、
６３（６３ａ，６３ｂ）…第２バイパス用バルブ、
７１…温度センサ、
７２…湿度センサ、
７３…排気速度センサ、
７４…圧力センサ、
８０…システムコントローラ、
８１…表示部、
８２…操作部、
１００…排ガス処理装置、
２００…半導体製造装置、
３００…ポンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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