(57)【要約】【課題】  液浸露光装置の投影光学系の波面収差を高精度に測定する波面収差測定装置を提供する。【解決手段】  光源からの光を被検光と参照光とに分離し、投影光学系に前記被検光を入射させる入射光学系と、前記投影光学系から出射される前記被検光を、再び、同一光路で前記投影光学系に向けて反射する反射光学系と、前記反射光学系により反射され前記投影光学系から出射される前記被検光と、前記投影光学系を通過しない前記参照光との干渉により生成された干渉縞を検出する検出器と、を有し、前記投影光学系と基板との間の浸液を介して前記基板を露光する露光装置の前記投影光学系の波面収差を測定する波面収差測定装置において、前記反射光学系を回転させる回転機構および傾斜させる傾斜機構を有することを特徴とする。【選択図】図１
2009109444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を被検光と参照光とに分離し、投影光学系に前記被検光を入射させる入射光学系と、
前記投影光学系から出射される前記被検光を、再び、同一光路で前記投影光学系に向けて反射する反射光学系と、
前記反射光学系により反射され前記投影光学系から出射される前記被検光と、前記投影光学系を通過しない前記参照光との干渉により生成された干渉縞を検出する検出器と、を有し、
前記投影光学系と基板との間の浸液を介して前記基板を露光する露光装置の前記投影光学系の波面収差を測定する波面収差測定装置において、
前記反射光学系を回転させる回転機構および傾斜させる傾斜機構を有することを特徴とする波面収差測定装置。
【請求項２】
前記反射光学系は、測定用反射光学系と校正用反射光学系を兼用していることを特徴とする請求項１記載の波面収差測定装置。
【請求項３】
前記反射光学系は、前記測定用反射光学系と、少なくとも１つの校正用反射光学系とにより構成され、
前記校正用反射光学系を回転させる前記回転機構および傾斜させる前記傾斜機構を有することを特徴とする請求項１記載の波面収差測定装置。
【請求項４】
前記反射光学系と前記浸液を保持する浸液保持板との間の隙間の間隔を、０より大きく、かつ、０．３ｍｍ未満に形成し、前記回転機構および前記傾斜機構への前記浸液の浸入を防止することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の波面収差測定装置。
【請求項５】
前記隙間の側面に撥液処理が施されていることを特徴とする請求項４記載の波面収差測定装置。
【請求項６】
前記隙間に浸入した前記浸液を回収する浸液回収機構を有することを特徴とする請求項４記載の波面収差測定装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の波面収差測定装置を有し、
投影光学系と基板の間の浸液を介して前記基板を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置により前記基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光装置の投影光学系に用いられる光学素子の波面収差を測定する波面収差測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液浸露光装置における投影光学系の波面収差の測定は、ウェハ側の空間を液体で満たし、実際の使用状態と同様の液浸状態で以下のように行われていた。
なお、以下の図８を用いた説明においては、フィゾー型の干渉方式を例とするが、フィゾー干渉計に限らなくともよい。
投影光学系の被検レンズ１１５の使用波長に近い発振波長を有する可干渉性のよいレーザ光源等の光源１０１からの光を干渉計ユニット１０２へ導光する。
干渉計ユニット１０２の内部においては、集光レンズ１０３により空間フィルター１０４上に光が集められる。
ここで、空間フィルター１０４の径はコリメータレンズ１０６のＮＡ（開口数）により定まるエアリーディスク径の１／２程度に設定されている。
これにより、空間フィルター１０４からの出射光は理想球面波となり、ハーフミラー１０５を透過後、コリメータレンズ１０６により平行光に変換されて、干渉計ユニット１０２から出射する。
【０００３】
その後、被検光は引き回し光学系１１０により被検レンズ１１５の物体面の上部へと導かれ、ＴＳ−ＸＹＺステージ１２３，１２２，１２４上へと入射され、ステージ基盤１２１上に固定配置されたミラー１１１により、Ｙ方向に反射される。
さらに、ＴＳ−Ｙステージ１２２上に配置されたＹ移動ミラー１１２によりＸ方向に反射され、ＴＳ−Ｘステージ１２３上に配置されたＸ移動ミラー１１３によりＺ方向へと反射される。
さらに、ＴＳ−Ｚステージ１２１上に配置されたＴＳレンズ１１４に入射した光は、フィゾー面で被検光と参照光に分離される。ＴＳレンズ１１４を透過した被検光は被検レンズ１１５の物体面上へと集光され、被検レンズ１１５を透過後に、基板であるウェハ１４０の面である像面上に再結像される。
浸液１１８は浸液供給系１１９から供給され、浸液回収系１２０により回収される。
反射球面１１６は、高精度なＲＳ−ＹＸＺステージ１２６，１２５，１２７上に配置され、被検レンズ１１５の任意の像高へと移動が可能である。
ＲＳ−ＸＹＺステージ上に配置されたＲＳミラー１１６により反射された後、被検光は被検レンズ１１５、ＴＳレンズ１１４、ミラー１１３，１１２，１１１、引き回し光学系１１０を略同一光路で逆行し、再び干渉計ユニット１０２へと入射する。
【０００４】
被検光は、干渉計ユニット１０２へ入射した後にコリメータレンズ１０６、ハーフミラー１０５で反射され、空間フィルター１０７上に集光される。
ここで、空間フィルター１０７は、迷光および急傾斜波面を遮断するためのものである。空間フィルター１０７を通過した後、結像レンズ１０８によりＣＣＤカメラ１０９上にほぼ平行光束として入射する。
一方、ＴＳレンズ１１４のフィゾー面から表面反射された参照光は、略同一光路で逆行し、参照光としてＣＣＤカメラ１０９上へと入射する。これら、参照光と被検光との重ね合わせにより干渉縞が得られる。
ＴＳ−ＸＹＺステージ１２３，１２２，１２４およびＲＳ−ＸＹＺステージ１２６，１２５，１２７は、被検レンズ１１５の任意の像高位置へと移動可能である。
すなわち、ホストコンピュータ１３１からの指令に基づいて、制御装置１３０およびＴＳ−ＸＹＺステージ駆動装置１２８、ＲＳ−ＸＹＺステージ駆動装置１２９を介して、被検レンズ１１５の任意の像高位置へと移動可能である。
その結果、露光領域内の任意像点における波面収差を連続で測定することが可能となっている。
ここで、波面計測値は被検レンズと干渉計自身のシステムエラーとの和として計測されるため、システムエラーを正確に計測し計測値から除去する必要がある。
【０００５】
そこで、従来例の２つのＲＳシステムエラーの校正方法を説明する。
第一の校正方法は、干渉装置外例えば面形状測定器でＲＳミラーの形状を測定する方法である。
干渉計に搭載されているＲＳミラーを外し、他の面形状測定器で形状測定を行う。
次に、ＲＳミラーを干渉装置に再度搭載し、面形状測定器で測定した結果をＲＳシステムエラーとして使用する。
第二の校正方法は、装置上でドライ高ＮＡレンズを通して、０−１８０−ＣＥ法、Ｂａｌｌ法でＲＳ形状を測定する方法である。
０−１８０−ＣＥ法とは、所定データからＲＳミラーのシステムエラーを求める方法である。
この所定データは、ＲＳミラーを被検レンズ１１５に対して０°位置に配置して測定したデータと、ＲＳミラーを被検レンズ１１５に対して１８０°位置に回転させて測定したデータとである。
さらに、この所定データは、被検レンズ１１５の焦点位置にミラーを配置し焦点反射させて測定したデータである。
また、ＢａＬＬ法とは波面平均化法とも言い、例えばＲＳミラーの替わりに球体を配置し、球体を回転ながら測定を行い、平均化後のデータとＲＳミラーで測定したデータの差分から、ＲＳシステムエラーを得る方法である。
【０００６】
また、特開２００６−１３５１１１号公報（特許文献１）にて、液浸露光装置の投影光学系の波面を計測するための干渉計が提案されている。
さらに、特開平５−２２３５３７号公報（特許文献２）にて、被検レンズの平均化の制限を緩和することができる形状システム、すなわち、干渉計のシステムエラーを校正する方法が提案されている。
さらに、特開平５−２０３４２４公報（特許文献３）にて、コリメーティングレンズのＮＡよりも大きなダミーレンズを必要としないで基準面の表面形状を測定する基準面の形状測定法、すなわち、干渉計のシステムエラーを校正する方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−１３５１１１号公報
【特許文献２】特開平５−２２３５３７号公報
【特許文献３】特開平５−２０３４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記第一の校正方法では装置上での校正が出来ないため、ＲＳミラー付け外しによる保持状態変化がＲＳミラー形状変化を引き起こし、さらに、干渉装置上と面形状測定器上とでＲＳ保持状態が異なる場合に校正誤差が発生した。
また、第一および第二の校正方法共に液浸状態での校正が出来ないため、校正時と波面計測時とでＲＳミラー周辺環境が異なり、例えば、温度変化によるＲＳ形状変化により校正誤差が発生した。
さらに、高価な校正用工具としてドライ高ＮＡレンズが必要であった。
そこで、本発明は、液浸露光装置の投影光学系の波面収差を高精度に測定する波面収差測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を達成するための本発明の波面収差測定装置は、光源からの光を被検光と参照光とに分離し、投影光学系に前記被検光を入射させる入射光学系と、前記投影光学系から出射される前記被検光を、再び、同一光路で前記投影光学系に向けて反射する反射光学系と、前記反射光学系により反射され前記投影光学系から出射される前記被検光と、前記投影光学系を通過しない前記参照光との干渉により生成された干渉縞を検出する検出器と、を有し、前記投影光学系と基板との間の浸液を介して前記基板を露光する露光装置の前記投影光学系の波面収差を測定する波面収差測定装置において、前記反射光学系を回転させる回転機構および傾斜させる傾斜機構を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液浸露光装置の投影光学系の波面収差を高精度に測定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１１】
以下、図１の概略構成図を参照して、液浸露光装置の投影光学系の波面収差を測定する本発明の実施例１の波面収差測定装置を説明する。
本実施例１を有する液浸露光装置は、投影光学系である被検レンズ１５の最も基板であるウェハ４０の近くに配置される最終光学素子とウェハ４０との間隙に充填される浸液１８を介して、原版であるレチクルのパターンをウェハ４０に投影する。
本実施例１の波面収差測定装置は、被検レンズ１５の使用波長に近い発振波長を有する可干渉性のよいレーザ光源などの光を発する光源１からの光を干渉計ユニット２へ導光する。
入射光学系は、干渉計ユニット２、引き回し光学系１０、ミラー１１、Ｙ移動ミラー１２、Ｘ移動ミラー１３およびＴＳレンズ１４を有する。
この入射光学系は、光源１からの光を被検光と参照光とに分離し、波面収差が測定される投影光学系の被検光学素子である被検レンズ１５に被検光を入射させる。
この光源１からの光は光路の途中で被検光と参照光とに分離する。
干渉計ユニット２の内部においては、集光レンズ３により空間フィルター４上に光１ａが集められる。
ここで、空間フィルター４の径はコリメータレンズ６のＮＡ（開口数）により定まるエアリーディスク径の１／２程度に設定されている。
これにより、空間フィルター４からの被検光である出射光１ｃは理想球面波となり、ハーフミラー５を透過後、コリメータレンズ６により平行光の光１ｄに変換されて、干渉計ユニット２から出射する。
その後、光１ｄは引き回し光学系１０により被検レンズ１５の物体面の上部へと導かれ、ＴＳ−ＸＹＺステージ２３，２２，２４上へと入射され、ステージ基盤２１上に固定配置されたミラー１１によりＹ方向に反射される。
さらに、ＴＳ−Ｙステージ２２上に配置されたＹ移動ミラー１２によりＸ方向に反射され、ＴＳ−Ｘステージ２３上に配置されたＸ移動ミラー１３によりＺ方向へと反射される。
さらに、ＴＳ−Ｚステージ２１上に配置されたＴＳレンズ１４に入射した光は、フィゾー面で被検光と参照光に分離される。ＴＳレンズ１１４を透過した被検光は被検レンズ１５の物体面上へと集光され、被検レンズ１５を透過後に、像面である図２に示されるウェハ面２０１上に再結像される。
【００１２】
その後、被検光は、ＲＳ−ＸＹＺステージ２６，２５，２７上に配置された反射光学系である反射素子１６により反射される。
さらに、被検光は被検レンズ１５、ＴＳレンズ１４、ミラー１３，１２，１１、引き回し光学系１０を略同一光路で逆行し、再び干渉計ユニット２へと入射する。  
被検光１ａは、干渉計ユニット２へ入射した後にコリメータレンズ６、ハーフミラー５で反射され、空間フィルター７上に集光される。
ここで、空間フィルター７は、迷光および急傾斜波面を遮断するためのものである。
空間フィルター７を通過した後、結像レンズ８により光検出器であるＣＣＤカメラ９上に、ほぼ平行光束として入射する。
この光検出器であるＣＣＤカメラ９は、反射光学系である反射素子１６により反射され、被検光学素子ある被検レンズ１５から出射される被検光と、被検レンズ１５を通過しない参照光との干渉により生成された干渉縞を検出する装置である。
一方、ＴＳレンズ１４のフィゾー面から表面反射された参照光は略同一光路で逆行し、参照光としてＣＣＤカメラ９上へと入射する。
この参照光と被検光との重ね合わせにより干渉縞が得られる。
ＴＳ−ＸＹＺステージ２３，２２，２４およびＲＳ−ＸＹＺステージ２６，２５，２７は、被検レンズ１５の任意の像高位置へと移動可能である。
すなわち、ホストコンピュータ３１からの指令に基づいて、制御装置３０およびＴＳ−ＸＹＺステージ駆動装置２８、ＲＳ−ＸＹＺステージ駆動装置２９を介して、被検レンズ１５の任意の像高位置へと移動可能である。
その結果、露光領域内の任意像点における波面収差を連続で測定することが可能となる。
【００１３】
本実施例１の波面収差測定装置は、図８の従来例の波面収差測定装置と基本的な構成は同様であるが、被検レンズ１５の像面２０１側、すなわちウェハ側近傍に反射素子１６、浸液保持板１７、浸液１８、浸液供給系１９、浸液回収系２０を有する。
図２の要部拡大図を参照して、本実施例1の波面収差測定装置の反射素子１６近傍の構成を説明する。
反射素子１６は、被検レンズ１５からの光を反射して、再び、被検レンズ１５へと入射させるものである。  
すなわち、反射光学系である反射素子１６は、被検光学素子である被検レンズ１５から出射される被検光を、再び、同一光路で被検光学素子ある被検レンズ１５に向けて反射する光学系である。
この反射素子１６と被検レンズ１５との間の像空間は、浸液１８で満たされている。
像空間が浸液１８で満たされることにより、本実施例１の波面収差測定装置では、被検レンズ１５が液浸露光装置で使用される場合と同様の状態を再現することができる。
浸液１８は、浸液供給系１９から供給され、浸液回収系２０により回収される。
反射素子１６は、高精度なＲＳ−ＹＸＺステージ２６，２５，２７上に配置され、被検レンズ１５の任意の像高へと移動が可能である。
【００１４】
反射素子１６は、反射素子１６を回転させる回転機構３２および傾斜させる傾斜機構３３を有する。
回転機構３２は、光軸を中心として反射素子１６を回転させ、傾斜機構３３は、反射光学系である反射素子１６の曲率中心を中心として傾斜させる。
回転機構３２あるいは傾斜機構３３により、反射素子１６を回転させ、あるいは、傾斜させて計測を行うことにより、本実施例１の波面収差測定装置の校正を行うことが可能である。  波面計測では、回転機構３２および傾斜機構３３を原点位置で保持し計測を行う。
以上により、同一の反射光学系である反射素子１６を使用し、測定用反射光学系と校正用反射光学系を兼用し、本実施例１の波面収差測定装置の校正および波面計測が可能となる。
ただし、回転機構３２および傾斜機構３３の安定性が波面計測の誤差要因となる為、回転機構３２および傾斜機構３３の静止精度に注意を払う必要がある。
浸液１８中で反射素子１６を回転および傾斜させるためには、例えば、浸液１８を保持する浸液保持板１７と反射素子１６との間に隙間１６ｂを設け、摩擦抵抗を低減する必要がある。
この隙間１６ｂから回転機構３２および傾斜機構３３へ浸液１８が浸入することにより損傷することを防止するために、隙間１６ｂの間隔を０より大きく、０．３ｍｍ未満に形成し、さらに隙間１６ｂの側面に撥液処理を施す。
これにより毛細管現象は発生せず、浸水を防止することが可能である。
また、万一、浸液１８が浸入した場合には、浸液１８が回転機構３２および傾斜機構３３に到達する前に、真空吸引機構あるいはスポンジなどから成る浸液回収機構３４により回収を行う。
本実施例によれば、液浸露光装置の投影光学系の被検レンズの波面収差を実際の使用状態と同様の液浸状態で測定することができ、被検レンズのＮＡが高い場合でも残存収差が増大することがなく、波面収差測定の精度が向上する。
また、反射光学系のシステムエラーを正確に校正可能で、被検レンズの波面収差を高精度に測定することができる。
【実施例２】
【００１５】
図３を参照して、本発明の実施例２に係る波面収差測定装置について説明する。
実施例１においては反射光学系である反射素子１６は凹面形状に構成されるが、本実施例２においては反射素光学系である反射素子１６ａは、被検レンズ１５に対向する面が凸面形状に形成される。
実施例１においては、集光点が浸液１８内にあり、集光点近傍の温度上昇により測定誤差が発生する場合がある。
また、浸液１８中の光路が長くなり、却って揺らぎの影響を受け易くなる。
しかし、本実施例２では、図３に示すように被検レンズ１５の像面２０１位置よりも上方で、すなわち、像面２０１位置に至る前に被検光が反射素子１６ａの凸面によって反射されるように反射素子１６ａを配置している。
このため、浸液１８中の温度上昇や光路増大に伴う揺らぎの影響を低減させる。
例えば、ＡｒＦレーザ用投影レンズを被検レンズ１５とした場合、そのバックフォーカスは１ｍｍ程度であるため、反射素子１６ａの凸面の曲率半径は１ｍｍより小さくする必要がある。
本実施例２は、実施例１と同様に反射光学素子１６ａは回転機構３２、傾斜機構３３を備え、反射素子１６ａを回転あるいは傾斜させて計測を行うことにより干渉計の校正を行うことが可能である。
【実施例３】
【００１６】
図４を参照して、本発明の実施例３の波面収差測定装置を説明する。
実施例１および実施例２においては、反射光学系は、測定用反射光学系と校正用反射光学系を兼用し、反射光学系である反射素子１６あるいは１６ａ１つを使用して干渉計校正と波面計測を行う。
しかし、本実施例３では、反射光学系は、測定用反射光学系である反射素子１６ｄと、少なくとも１つの校正用反射光学系である反射素子１６とにより構成され、干渉計校正と波面計測とで異なる反射光学系を使用する。
さらに、校正用反射光学系である反射素子１６を回転させる回転機構３２および傾斜させる傾斜機構３３を有する。
このため、本実施例３では波面計測用反射光学系である反射素子１６ｄが、駆動機構である回転機構３２、傾斜機構３３を有しないため、波面計測の誤差要因とはならない。
図４の本実施例３は、波面計測用反射光学系である反射素子１６ｄ、校正用反射光学系である反射素子１６共に凹面ミラーから構成されるが、凸面ミラーを使用しても良い。
【００１７】
図５を参照して、本発明の実施例の露光装置について説明する。
本実施例の露光装置は、実施例１に係る波面収差測定装置を有し、露光用の光源４０１、引き回し光学系４０２，４０６、光路切替えミラー４０３、インコヒーレント化ユニット４０４、照明光学系４０５、集光レンズ４０７、空間フィルター４０８、から成る。
さらに、本実施例は、コリメータレンズ４０９，ハーフミラー４１２、４１０、ミラー４１１、ＸＹＺステージ４１３、コリメータレンズユニット４１４、レチクル面４１５、ウェハチャック４１７、ウェハステージ４１８、干渉計ユニット４２１を有する。
その他の図１、図２の実施例１と同様の符号は実施例１と同様の構成を示す。
本実施例の露光装置のウェハステージ４１８上に、実施例１と同様の平行平板１７および、それに接着又は溶着された反射光学系である反射素子１６が配置されている。
光路切替えミラー４０３を波面収差測定用光路側に切り替えて、露光光源４０１からの光が引き回し光学系４０６に入射するようにする。
引き回し光学系４０６を介してレチクル面４１５へと光を導き、投影レンズ（被検レンズ）１５によってウェハ面２０１上に再結像させる。
ウェハステージ４１８は、反射素子１６の集光点（すなわち曲率中心）がウェハ面２０１に一致するように反射素子１６を移動させる。
そうすると、被検光が反射素子１６の凸面で反射され、投影レンズ１５を逆進し、干渉光学系４２１内部に導かれる。
そして、干渉光学系４２１内部に備えられた例えばＣＣＤカメラから成る検出器により干渉縞が検出され、投影レンズ１５の波面収差が測定される。
反射素子１６は、回転および傾斜機構３２、３３により回転、傾斜が可能であり、実施例１と同様にシステムエラー校正可能である。
本実施例では、光源からの光束を引き回し光学系４０６へバイパスさせた。
しかし、ＣＣＤカメラ上で干渉計測に必要な光量を確保することができれば、引き回し光学系４０６を経由せず、照明光学系４０５を経由して、レチクル面に照射された光束を波面収差計測に使用してもよい。
【００１８】
次に、図６および図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
図６は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等のデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。
ステップ１０１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。
ステップ１０２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。
ステップ１０３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェハ（基板）を製造する。
ステップ１０４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。
ステップ１０６（検査）では、ステップ１０５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００１９】
図７は、ステップ１０４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。
ステップ１１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。
ステップ１１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１１６（露光）では、露光装置Ｓ４によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１の波面収差測定装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の本実施例１の波面収差測定装置の要部拡大図である。
【図３】本発明の実施例２の波面収差測定装置の要部拡大図である。
【図４】本発明の実施例３の波面収差測定装置の要部拡大図である。
【図５】本発明の実施例の露光装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】図５に示す露光装置によるデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すステップ１０４の詳細なフローチャートである。
【図８】従来例の波面収差測定装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２１】
１，１０１：光源                      ２，１０２，４２１：干渉計ユニット
９，１０９：ＣＣＤカメラ（光検出器）  １５，１１５：被検レンズ
１６、１６ａ：反射素子                １８：浸液  
１９：浸液供給系                    ２０：浸液回収系
３２：回転機構                        ３３：傾斜機構  
２０１：像面（ウェハ面）              ２０２：平面
４０１：露光光源                      ４０５：照明光学系  
４１５：レチクル面                    ４１７：ウェハチャック  
４１８：ウェハステージ
【図１】
2009109444.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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