(57)【要約】【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置において、正常な画像表示ができないディスクリネーション発生部位が小さくなり、表示画質に優れた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示装置１０Ａは、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、前記一対の基板の一方には層間膜上に複数のサブ画素領域が形成され、前記複数のサブ画素領域のそれぞれには、複数のスリット状開口２０ａを有する上電極２１と、前記上電極２０と絶縁層を介して前記層間膜側に形成された下電極と、前記液晶層側に形成された配向膜と、を備えた液晶表示装置において、前記複数のスリット状開口２０ａの長手方向の端部に対応する層間膜上には窪み２２ａが形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009276648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、
前記一対の基板の一方には層間膜上に複数のサブ画素領域が形成され、
前記複数のサブ画素領域のそれぞれには、複数のスリット状開口を有する上電極と、前
記上電極と絶縁層を介して前記層間膜側に形成された下電極と、前記液晶層側に形成され
た配向膜と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数のスリット状開口の長手方向の端部に対応する層間膜上には窪みが形成されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数のスリット状開口は屈曲部を備えており、前記スリット状開口及び上電極のそ
れぞれ屈曲部に対応する位置に一連の窪みが形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記窪みはサブ画素毎に独立していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置
。
【請求項４】
前記窪みは、行方向又は列方向において、隣接するサブ画素間に跨って形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記窪みは、幅が３〜６μｍであり、深さが０．２〜０．５μｍであることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記窪みに対応する位置の前記一対の基板の他方には遮光部材が形成されていることを
特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等の横電界方式の液晶表
示装置に関する。更に詳しくは、本発明は、液晶駆動用の電極の端部等に発生するディス
クリネーションを抑制して表示品質を向上させた横電界方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment
）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等の縦電界方式のものが
多く使用されているが、一方の基板にのみ電極を備えたＦＦＳモードないしＩＰＳモード
等の横電界方式の液晶表示装置も知られている（下記特許文献１及び２参照）。この横電
界方式の液晶表示装置のうち、ＦＦＳモードの液晶表示装置の動作原理を図９及び図１０
を用いて説明する。
【０００３】
図９は従来例のＦＦＳモードの液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１
画素分の模式平面図である。図１０は図９のＸ-Ｘ線に沿った断面図である。
【０００４】
このＦＦＳモードの液晶表示装置７０は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦと
を備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板７１の表面にそれぞれ平行に複数の走
査線７２及び共通配線７３が設けられ、これら走査線７２及び共通配線７３に交差する方
向に複数の信号線７４が設けられている。そして、走査線７２及び信号線７４で区画され
た領域のそれぞれを覆うように共通配線７３に接続されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や
ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明材料で形成された共通電極（下電極とも言われる
）７５が設けられている。この共通電極７５の表面に絶縁膜７６を介してストライプ状に
複数のスリット７７が形成されたＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極７８が設けられて
いる。そして、この画素電極（上電極とも言われる）７８及び複数のスリット７７の表面
は配向膜８０により被覆されている。
【０００５】
そして、走査線７２と信号線７４との交差位置の近傍にはスイッチング素子としてのＴ
ＦＴが形成されている。このＴＦＴは、走査線７２の表面に半導体層７９が配置され、半
導体層７９の表面の一部を覆うように信号線７４の一部が延在されてソース電極Ｓを構成
し、半導体層７９の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを構成し、また、半導体層７９の一
部分と重畳する導電性層がドレイン電極Ｄを構成しており、このドレイン電極Ｄは画素電
極７８に接続されている。
【０００６】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板８２の表面にカラーフィルタ層８３
、オーバーコート層８４及び配向膜８５が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ＡＲの画素電極７８及び共通電極７５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層
８３とが互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させる
。次いで、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦの間に液晶ＬＣを封入すると共に、
両基板ＡＲ、ＣＦのそれぞれ外側に偏光板８６及び８７を配置することにより、ＦＦＳモ
ードの液晶表示装置７０が形成される。
【０００７】
このＦＦＳモードの液晶表示装置７０は、画素電極７８と共通電極７５の間に電界を形
成すると、図１０に示したように、この電界は画素電極７８の両側で共通電極７５に向か
う。そのため、スリット７７に存在する液晶だけでなく画素電極７８上に存在する液晶も
駆動させることが可能である。従って、ＦＦＳモードの液晶表示装置７０は広視野角かつ
高コントラストであり、更に高透過率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備
えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置７０は、平面視で画素電極７８と共通電
極７５との重複面積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線
を設ける必要がなくなるという長所も存在する。
【特許文献１】特開２００２−  １４３６３号公報
【特許文献２】特開２００２−２４４１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置も同様である
が、電極端で異常配向領域が発生し、この異常配向領域は、面押し試験などを行うと、発
生領域が広がってリップル不良等が発生することが知られている。この異常配向領域の発
生原理を図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１２Ａ〜図１２Ｅを用いて説明する。
【０００９】
図１１ＡはＦＦＳモードの液晶表示パネルの上電極における１個のスリットの端部部分
の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１１Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である
。図１２Ａ〜図１２Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす
角度φの関係を示す図である。
【００１０】
この上電極９１には、スリット状開口９２が例えば斜め方向に傾いて形成されている。
このスリット状開口９２の底部には絶縁膜が存在しており、更にこの絶縁膜の下部には下
電極が存在している。このスリット状開口９２に対しラビング方向が図１１ＡにおけるＹ
方向であるとすると、電圧無印加時には液晶分子９３ａはラビング方向に配列している。
この状態で上電極９１と下電極との間に駆動電圧が印加されると、図１１Ｂに示したよう
に、上電極９１と下電極との間に、スリット状開口９２の境界に直角な方向に電界Ｅが生
じ、この電界Ｅに対応して液晶分子９３ａが例えば所定角度θだけ水平回転する。
【００１１】
ところが、電界Ｅの方向は、スリット状開口９２の長辺９４ａ側及び９４ｂ側ではそれ
ぞれ同一方向であるが、スリット状開口９２の端部９５側では、スリット状開口９２の一
方の長辺側９４ａ側と他方側の長辺９４ｂの間で方向が順次１８０°変化している。その
ため、スリット状開口９２の端部９５側においては、上電極９１と下電極との間に駆動電
圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域
が存在する。
【００１２】
すなわち、図１２Ａに示すように、配向膜のラビング方向をＹとし、上電極９１のスリ
ット状開口９２の長手方向をＺとし、ＺからＹへ向かう鋭角部分の角度方向を正とすると
、スリット状開口９２の位置Ａでは、スリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとの
なす鋭角部分の角度φは正（φ>０°）となる。また、図１２Ｂに示したスリット状開口
９２の位置Ｂでは、スリット状開口９２の境界の方向とラビング方向Ｙとが平行となり、
φ＝０°となる。更に、図１２Ｃに示したスリット状開口９２の位置Ｃでは、スリット状
開口９２の位置Ｃからラビング方向Ｙへ向かう鋭角部分の角度φは、方向が図１２Ａに示
した位置Ａの場合とは逆方向になるので、φは負（φ<０°）となる。同様に、図１２Ｄ
に示したスリット状開口９２の位置Ｄではφ＝±９０°となり、更に、図１２Ｅに示した
スリット状開口９２の位置Ｅでは、スリット状開口９２の境界の方向とラビング方向Ｙと
の間の鋭角部分の角度φは、図１２Ａに示した位置Ａと同じ方向であるので、正（φ>０
°）となる。
【００１３】
そのため、スリット状開口９２の端部９５側においては、上電極９１と下電極との間に
駆動電圧が印加された際、図１２Ｂに示した位置Ｂと図１２Ｄに示した位置Ｄとの間では
、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域となる。このよう
なスリット状開口９２の端部９５側の異常配向領域はリバースツイストドメインと称され
ている。従来のＦＦＳモードの液晶表示装置では、異常配向領域は正常な画像表示ができ
ないディスクリネーション発生部となるため、このディスクリネーション発生部を遮光部
材で遮光するようにしている。このように、ディスクリネーション発生部を遮光部材で遮
光すると、開口率の損失が生じる。
【００１４】
一方、このようなリバースツイストドメインが広がることを抑制するため、スリット端
部の角度を変え、ラビング方向とのなす角度を高めることが提案されているが、スリット
端部の角度がラビング方向に対して大きな角度となるようにすると透過率が低下してしま
う不都合が発生する。また、スリットの形状を屈曲部を有するＶ字形ないし「く」字形と
した場合には、屈曲部においてもリバースツイストドメインが発生し易い。このような異
常な配向領域は視覚的なムラとなり、表示品位を低下させる。
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑み、ＦＦＳモードの液晶表示装置において、正常な画像表示
ができないディスクリネーション発生部位が小さくなるようにしてり、表示画質に優れた
液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された
一対の基板を有し、前記一対の基板の一方には層間膜上に複数のサブ画素領域が形成され
、前記複数のサブ画素領域のそれぞれには、複数のスリット状開口を有する上電極と、前
記上電極と絶縁層を介して前記層間膜側に形成された下電極と、前記液晶層側に形成され
た配向膜と、を備えた液晶表示装置において、前記複数のスリット状開口の長手方向の端
部に対応する層間膜上には窪みが形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有し、前記一
対の基板の一方には層間膜上に複数のサブ画素領域が形成され、前記複数のサブ画素領域
のそれぞれには、複数のスリット状開口を有する上電極と、前記上電極と絶縁層を介して
前記層間膜側に形成された下電極と、前記液晶層側に形成された配向膜と、を備えている
。係る構成によって本発明の液晶表示装置はＦＦＳモードで作動するものとなる。
【００１８】
そして、本発明の液晶表示装置においては、前記複数のスリット状開口の長手方向の端
部に対応する層間膜上には窪みが形成されている。このようにスリット状開口の長手方向
の端部に対応する層間膜上に窪みが形成されているものとすると、液晶の異常配向領域が
窪み内及びその近傍に集中するため、液晶の異常配向領域が拡大することが抑制される。
そのため、本発明の液晶表示装置によれば、ディスクリネーションの発生領域が狭くなり
、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。加えて、本発明の液晶表示
装置によれば、特にスリット端部の角度を変えてラビング方向とのなす角度を高めるよう
なことはしていないため、従来例のように透過率が低くなるようなことがなく、明るい表
示の液晶表示装置となる。なお、本発明の液晶表示装置においては、窪みの形状は、断面
がＶ字状であっても、Ｕ字状であっても、更には、凵状であってもよい。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記複数のスリット状開口は屈曲部を備えて
おり、前記スリット状開口及び上電極のそれぞれ屈曲部に対応する位置に一連の窪みが形
成されているものとすることができる。
【００２０】
ＦＦＳモード等、横方向電界モードの液晶表示装置においては、視野角特性向上と色つ
き低減を目的として、複数のスリット状開口を「く」字状、Ｖ字状等、屈曲部を有するも
のとすることが行われている。このスリット状開口及び上電極のそれぞれ屈曲部に対応す
る位置では、互いに異なる液晶配向ドメインの境界が生成するため、ディスクリネーショ
ン発生領域となる。このスリット状開口及び上電極のそれぞれ屈曲部に対応する位置に一
連の窪みを形成すると、液晶の異常配向領域が窪み内及びその近傍に集中するため、液晶
の異常配向領域が拡大することが抑制される。そのため、本発明の液晶表示装置によれば
、スリット状開口及び上電極のそれぞれ屈曲部に対応する位置においてもディスクリネー
ションの発生領域が狭くなるので、視野角特性向上効果及び色つき低減効果と相まって、
より表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。
【００２１】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記窪みはサブ画素毎に独立しているものと
することができる。
【００２２】
窪みがサブ画素毎に独立しているとサブ画素間のディスクリネーション領域が連結して
大きなディスクリネーション領域となることが少なくなる。そのため、本発明の液晶表示
装置によれば、より表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。
【００２３】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記窪みは、行方向又は列方向において、隣
接するサブ画素間に跨って形成されているものとすることができる。
【００２４】
通常、層間膜はフォトレジスト材料から形成される。本発明の液晶表示装置によれば、
窪みが隣接するサブ画素間に跨って形成されているので、窪み形成用の露光マスクの構成
を簡単なものとすることができ、製造が容易となる。
【００２５】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記窪みは、幅が３〜６μｍであり、深さが
０．２〜０．５μｍであることが好ましい。
【００２６】
窪みの幅が３μｍ未満であると窪みを設けることの効果が現れず、また、窪みの幅が６
μｍを超えると、ディスクリネーション領域が広がるようになるので、本発明の効果が現
れなくなる。更に、窪みの深さが０．２μｍ未満であると窪みを設けることの効果が現れ
ず、また、窪みの深さが０．５μｍを超えると至って液晶の配向が乱れるようになるので
、表示画質の低下に繋がる。より好ましい窪みの幅は４．５〜５μｍであり、また、より
好ましい窪みの深さは０．３５〜０．４μｍである。
【００２７】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記窪みに対応する位置の前記一対の基板の
他方には遮光部材が形成されていることが好ましい。
【００２８】
本発明における窪みは、ディスクリネーション発生領域が生じているが、このディスク
リネーション発生領域は従来例のものに比すると狭くなっている。そのため、本発明の液
晶表示装置によれば、遮光しなければならない領域は従来例のものよりも狭くなるので、
表示画質が良好で明るい表示の液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明
をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく特許請求の範囲に含まれるそ
の他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における説明
のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比
例して表示されているものではない。
【００３０】
図１は第１の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画
素分の概略平面図である。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。図３は図１のII
I−III線に沿った断面図である。図４Ａは露光前の層間膜の状態を示す断面図であり、図
４Ｂは露光中の層間膜の状態を示す断面図であり、図４Ｃは現像後の層間膜の状態を示す
図である。図５は第２の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表
した１画素分の概略平面図である。図６は図５のVI−VI線に沿った断面図である。図７は
第３の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概
略平面図である。図８は図７のVIII−VIII線に沿った断面図である。
【００３１】
［第１の実施形態］
第１の実施形態の液晶表示装置を図１〜図４を用いて説明する。この第１の実施形態の
液晶表示装置１０Ａは、アレイ基板ＡＲと、カラーフィルタ基板ＣＦとを備えている。ア
レイ基板ＡＲは、ガラス基板等からなる第１の透明基板１１の表示領域の表面にマトリク
ス状に複数の走査線１２及び信号線１３が互いにゲート絶縁膜１４で絶縁された状態で交
差するように形成されており、更に、表示領域の周縁部に共通配線（図示省略）が形成さ
れている。これらの走査線１２及び信号線１３で囲まれたそれぞれの領域がサブ画素を形
成する。また、第１の透明基板１１には画素毎にスイッチング素子として例えばＴＦＴが
形成されており、このＴＦＴを含む第１の透明基板１１の表面全体に亘って例えば窒化ケ
イ素層ないし酸化ケイ素層からなるパッシベーション膜１５で被覆されている。
【００３２】
そして、パッシベーション膜１５の表面にはフォトレジスト材料からなる層間膜１６が
形成されており、この層間膜１６及びパッシベーション膜１５にはＴＦＴのドレイン電極
Ｄに対応する位置にコンタクトホール１７が形成されているとともに、信号線１３に沿っ
て窪み２２ａが形成されている。なお、この窪み２２ａの構成については後述する。そし
て、層間膜１６の表面には、それぞれの画素領域にＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材
料からなる下電極１８が形成されており、この下電極１８はコンタクトホール１７を経て
ＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。従って、第１の実施形態の液晶表示
装置１０Ａでは、下電極１８は画素電極として機能する。
【００３３】
更に、下電極１８が形成された第１の透明基板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素層な
いし酸化ケイ素層からなる絶縁膜１９が形成されている。この絶縁膜１９の表面には、そ
れぞれの画素に互いに平行に伸びる複数のスリット状開口２０ａを有する上電極２１が形
成されている。上電極２１はＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料で形成されており、
表示領域の周縁部で図示しない共通配線に電気的に接続されている。また、上電極２１の
表面及びスリット状開口２０ａの内面は配向膜２３が被覆されている。従って、第１の実
施形態の液晶表示装置１０Ａでは、上電極２１は共通電極として機能する。なお、下電極
１８及び上電極２１のうち、どちらをＴＦＴのドレイン電極Ｄと接続するか及びどちらを
共通配線と接続するかは任意である。
【００３４】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、図２及び図３に示したように、ガラス基板等の第２
の透明基板２５の表面に、アレイ基板ＡＲの走査線１２、信号線１３、コンタクトホール
１７及びＴＦＴに対応する位置を被覆するように遮光膜２６が形成されている。更に、遮
光膜２６で囲まれた第２の透明基板２５の表面には、所定の色のカラーフィルタ層２７が
形成されている。また、遮光膜２６及びカラーフィルタ層２７の表面を被覆するようにオ
ーバーコート層２８が形成されている。そして、オーバーコート層２８の表面には配向膜
２９が形成されている。このカラーフィルタ基板ＣＦの配向膜２９とアレイ基板ＡＲの配
向膜２３のラビング方向は、平面視で同一方向であるが、上電極２１に形成されるスリッ
ト１７に対して例えば５°〜１０°程度傾いているようになされる。
【００３５】
そして、アレイ基板ＡＲの下電極１８及び上電極２１とカラーフィルタ基板ＣＦのカラ
ーフィルタ層２６とが互いに対向するように、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦ
が対向され、その間に液晶３０が封入されている。更に、アレイ基板ＡＲの外側に第１の
偏光板３１及びバックライト装置（図示省略）が配置され、カラーフィルタ基板ＣＦの外
側に第２の偏光板３２が配置されて第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａが完成される。
【００３６】
ここで、この第１の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲの
製造方法を、図１〜図３と共に図４Ａ〜図４Ｃを参照して説明する。まず、ガラス基板等
の第１の透明基板１１の表示領域に複数の走査線１２を互いに平行になるように形成し、
次いで、この表面全体に窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるゲート絶縁膜１４を被
覆する。その後、ＴＦＴ形成領域に例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を形成す
る。このａ−Ｓｉ層が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇに
なる。
【００３７】
次いで、表示領域において走査線１２に交差するようにソース電極Ｓを含む信号線１３
を形成し、ＴＦＴ形成領域にドレイン電極Ｄを形成すると共に、表示領域の周囲に共通配
線（図示せず）等を形成する。その後、上記工程で得られた第１の透明基板１１の表面全
体にパッシベーション膜１５を被覆する。このパッシベーション膜１５としては、窒化ケ
イ素層ないし酸化ケイ素層からなるものを使用することができるが、絶縁性の観点からは
窒化ケイ素層の方が望ましい。その後、パッシベーション膜１５の表面全体に例えばフォ
トレジスト材料からなる層間膜１６を積層する（図４Ａ参照）。ここまでの工程は、従来
のＦＦＳモードの液晶表示装置の製造工程と同様であるので、その詳細な説明は省略して
ある。
【００３８】
次いで、多階調マスク、例えばハーフトーンマスク３５を用いて露光及び現像処理を行
う（図４Ｂ参照）。多階調マスクは、基板内で異なるフォトレジスト膜厚を残す目的で使
用されているものであり、ハーフトーンマスク及びグレイトーンマスクが知られている。
ハーフトーンマスク３５は、バイナリーマスク３６の光透過部そのものと同様の構成の部
分が全光量透過部３７となり、このバイナリーマスク３６の光透過部に露光光の一部を吸
収する光吸収部材３８が設けられた部分が中間光量透過部３９となる。そして、中間光量
透過部３９の透過率は、光吸収部材３８の吸光度を変えることによって種々の数値をとる
ことができる。
【００３９】
中間光量透過部３９の吸光度が２０％未満であると露光機の光源の輝度の変動を考慮す
ると実質的に全光量透過部３７と変わらなくなる。また、中間光量透過部３９の吸光度が
６０％を超えると透過する光量が減少しすぎて薄いフォトレジスト層であっても完全露光
に時間がかかるようになる。そのため、最適な中間光量透過部３９の吸光度は２０％〜６
０％である。なお、多階調マスクとしてグレイトーンマスクも使用し得る。グレイトーン
マスクは、前記中間光量透過部３９が解像限界以下のスリットパターンが複数個形成され
た部分からなるものであり、このスリットの幅や所定幅当たりのスリットの個数を変える
ことにより中間光量透過部３９の光透過率を変えることができる。
【００４０】
そして、第１の実施形態では、層間膜１６の窪み２２ａは多階調マスクの中間光量を得
る部分で、コンタクトホール１７の形成位置を含む表示領域の周縁部の厚いフォトレジス
ト層は多階調マスクの全光量を得る部分で、それぞれ一括して露光する。そうすると、層
間膜１６の窪み２２ａのフォトレジスト層もコンタクトホール１７及び表示領域の周縁部
の厚いフォトレジスト層も、多階調マスクの中間光量を得る部分の光透過率を適宜に調整
することにより、最適露光量で一括して露光させることができるようになる。その後に現
像処理を行うことにより、層間膜１６に窪み２２ａを形成すると共にコンタクトホール１
７の形成部分及び表示領域の周縁部のフォトレジスト層を除去することができる（図４Ｃ
参照）。
【００４１】
次いで、コンタクトホール１７を形成する部分のパッシベーション膜１５をエッチング
法によって除去する。このコンタクトホール１７の形成には、乾式エッチング法の１種で
あるプラズマエッチング法を採用し得る。更に、スパッタ法等によりＩＴＯないしＩＺＯ
からなる下側の透明導電層を積層する。このとき、形成された透明導電層は、層間膜１６
の窪み２２ａの内部に対しても一定の厚さで積層され、また、ドレイン電極Ｄと電気的に
接続される。この後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域のサ
ブ画素毎に下電極１８を所定のパターンに形成する。このとき、下電極１８の端部が窪み
２２ａ内に位置するように形成すると、ディスクリネーション生成領域が広がり難くなる
ので、好ましい。
【００４２】
更に、下電極１８が形成された透明基板１１の表面全体に窒化ケイ素層ないし酸化ケイ
素層からなる絶縁膜１９を所定の厚さ、例えば２０００Å〜４０００Åに形成する。絶縁
膜１９は、層間膜１６や下電極１８の表面を荒らさないようにするため、ゲート絶縁膜１
４やパッシベーション膜１５の形成条件よりも穏やかなプラズマＣＶＤ条件、いわゆる低
温成膜条件で形成する。
【００４３】
更に、スパッタ法等によりＩＴＯないしＩＺＯからなる上側の透明導電層を絶縁膜１９
の表面全体を被覆するように積層する。このとき、透明導電層と共通配線とは表示領域の
周辺部のコンタクトホール（図示せず）で電気的に接続された状態となる。その後、フォ
トリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域においては上電極２１のスリッ
ト状開口２０ａに対応する位置の絶縁膜１９の表面が露出するように、表示領域の周辺部
では所定のパターンとなるように、透明導電層をエッチングする。また、上電極２１は、
表示領域の全体を被覆しており、表示領域の周縁部で共通配線と電気的に接続された状態
となる。この後、上電極２１側の表面全体に配向膜２３を設けることにより第１の実施形
態の液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲが完成される。
【００４４】
このようにスリット状開口２０ａの長手方向の端部に対応する層間膜１６上に窪み２２
ａを形成すると、液晶３０の異常配向領域が窪み２２ａ内及びその近傍に集中するため、
液晶の異常配向領域が拡大することが抑制される。そのため、第１の実施形態の液晶表示
装置１０Ａによれば、ディスクリネーションの発生領域が狭くなり、表示画質が良好なＦ
ＦＳモードの液晶表示装置１０Ａが得られる。なお、第１の実施形態の液晶表示装置１０
Ａにおいては、窪み２２ａの断面塊状がＶ字状のものを示したが、これに限らず、断面塊
状がＵ字状であっても、更には凵状であってもよい。
【００４５】
なお、第１の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０ａが信号線１
３に沿って平行に形成された例を示したが、走査線１２に沿って平行に形成されているよ
うにしてもよく、更には走査線１２及び信号線１３に対して傾いた方向となるようにして
もよい。
【００４６】
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂを図５及び図６を用いて説明する。なお、
図５及び図６においては、図１〜図４に示した第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａと同
一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００４７】
第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂが第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が
相違する点は、
（１）上電極２１に形成されるスリット状開口２０ｂが屈曲部２０ｂ'を有する「く」字
状とされている点、及び、
（２）層間膜１６の表面に、スリット状開口２０ｂの長手方向の端部に窪み２２ｂを形成
するだけでなく、スリット状開口２０ｂの屈曲部２０ｂ'に対応する位置及びスリット状
開口２０ｂを有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対応する位置に一連の別の窪み２
２ｂ'を形成した点、
である。
【００４８】
すなわち、第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂは、従来例のＦＦＳモードの液晶表示
装置の場合と同様に、複数のスリット状開口２０ｂとして屈曲部２０ｂ'を有する「く」
字状とすることによって、視野角特性向上と色つき低減という効果が奏される。また、第
２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａの場合と
同様に、スリット状開口２０ｂの長手方向の端部に対応する層間膜１６上に窪み２２ｂを
形成したので、液晶３０の異常配向領域が窪み２２ｂ内及びその近傍に集中するため、液
晶３０の異常配向領域が拡大することが抑制される。
【００４９】
また、第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、スリット状開口２０ｂの屈曲部２０
ｂ'に対応する位置及びスリット状開口２０ｂを有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に
対応する位置においても互いに異なる液晶配向ドメインの境界が生成するため、ディスク
リネーション発生領域となる。そこで、第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては
、このスリット状開口２０ｂの屈曲部２０ｂ'に対応する位置及びスリット状開口２０ｂ
を有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対応する位置に一連の別の窪み２２ｂ'を形成
している。それによって、スリット状開口２０ｂの屈曲部２０ｂ'に対応する位置及びス
リット状開口２０ｂを有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対応する位置における液
晶の異常配向領域を窪み２２ｂ'内及びその近傍に集中させることができる。そのため、
第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂによれば、スリット状開口２０ｂの屈曲部２０ｂ'
に対応する位置及びスリット状開口２０ｂを有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対
応する位置においてもディスクリネーションの発生領域が狭くなるので、視野角特性向上
効果及び色つき低減効果と相まって、より表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置
１０Ｂが得られる。
【００５０】
なお、第２の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０ｂが信号線１
３に沿って「く」字状となるように形成された例を形成したが、走査線１２に沿って「く
」字状となるように形成されているようにしてもよい。また、窪み２２ｂないし２２ｂ'
は、サブ画素毎に独立して形成されていてもよいが、隣接するサブ画素間に跨って形成さ
れていてもよい。層間膜１６はフォトレジスト材料から形成されるので、窪み２２ｂない
し２２ｂ'が隣接するサブ画素間に跨って形成されていると、窪み２２ｂないし２２ｂ'の
形成用の露光マスクの構成を簡単なものとすることができるので、製造が容易となる。
【００５１】
［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態の液晶表示装置１０Ｃを図７及び図８を用いて説明する。なお、
図７〜図８においては、図５及び図６に示した第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂと同
一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００５２】
第３の実施形態の液晶表示装置１０Ｃが第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂと構成が
相違する点は、上電極２１に形成されるスリット状開口２０ｃとして、列方向の中央部の
スリット状開口２０ｃのみが屈曲部２０ｃ'を有する「く」字状とされており、他のスリ
ット状開口２０ｃは「く」字状のスリット状開口２０ｃの延在方向に沿って直線状に平行
に形成されている点、である。
【００５３】
第３の実施形態の液晶表示装置１０Ｃでは、スリット状開口２０ｃの屈曲部に２０ｃ'
対応する位置及びこの屈曲部２０ｃ'から双方向に延在されているスリット状開口２０ｃ
の中間位置においても互いに異なる液晶配向ドメインの境界が生成されるため、ディスク
リネーション発生領域となる。そこで、第３の実施形態の液晶表示装置１０Ｃにおいては
、このスリット状開口２０ｃの屈曲部２０ｃ'に対応する位置及びスリット状開口２０ｂ
を有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対応する位置に一連の別の窪み２２ｃ'を形成
している。それによって、スリット状開口２０ｃの屈曲部２０ｃ'に対応する位置及びス
リット状開口２０ｂを有する上電極２１の前記屈曲部２０ｂ'に対応する位置における液
晶の異常配向領域を窪み２２ｃ'内及びその近傍に集中させることができる。そのため、
第３の実施形態の液晶表示装置１０Ｃによれば、第２の実施形態の液晶表示装置１０Ｂの
場合と同様に、視野角特性向上効果及び色つき低減効果と相まって、より表示画質が良好
なＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｃが得られる。
【００５４】
なお、第３の実施形態では、上電極２１に形成されるスリット状開口２０ｃを走査線１
２に沿って延在するように形成した例を示したが、信号線に沿って延在するように形成し
てもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】図４Ａは露光前の層間膜の状態を示す断面図であり、図４Ｂは露光中の層間膜の状態を示す断面図であり、図４Ｃは現像後の層間膜の状態を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図６】図５のVI−VI線に沿った断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の概略平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿った断面図である。
【図９】従来例のＦＦＳモードの液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の模式平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】図１１ＡはＦＦＳモードの液晶表示パネルの上電極における１個のスリットの端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１１Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である。
【図１２】図１２Ａ〜図１２Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす角度φの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０Ａ〜１０Ｃ：液晶表示装置  １１：第１の透明基板  １２：走査線  １３：信号線  
１４：ゲート絶縁膜  １５：パッシベーション膜  １６：層間膜  １７：コンタクトホー
ル  １８：下電極  １９：絶縁膜  ２０ａ〜２０ｃ：スリット状開口  ２０ｂ'、２０ｃ'
：屈曲部  ２１：上電極  ２２ａ〜２２ｃ、２２ｂ'、２２ｃ'：窪み  ２３：配向膜  ２
５：第２の透明基板  ２６：遮光膜  ２７：カラーフィルタ層  ２８：オーバーコート層
２９：配向膜  ３０：液晶  ３５：ハーフトーンマスク  ３６：バイナリーマスク  ３
７：全光量透過部  ３８：光吸収部材  ３９：中間光量透過部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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