(57)【要約】【課題】基板の接液部に欠陥の少ない液耐性膜が形成可能な液耐性膜の形成方法を提供すること。【解決手段】金属酸化膜形成工程で、酸素ラジカルと基板としての流路形成基板１０の接液部としての第１接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部に液耐性膜としてのインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。また、酸素ラジカルと基板としての封止基板３０の接液部としての第２接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に液耐性膜としてのインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。【選択図】図５
2009113229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の接液部への液耐性膜の形成方法であって、
前記接液部に水酸基が生成され、
前記基板を有機金属化合物を含む不活性ガスに曝露し、前記接液部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する有機金属化合物膜形成工程と、
前記基板を酸素ガスに曝露し、前記接液部に単分子層の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程とを有し、
前記有機金属化合物膜形成工程で、前記水酸基と前記有機金属化合物とが関わる反応によって前記有機金属化合物膜を形成し、
前記金属酸化膜形成工程で、前記酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを生成させ、前記酸素ラジカルと前記有機金属化合物膜とが関わる反応によって前記液耐性膜である前記金属酸化膜を形成することを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液耐性膜の形成方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程と、前記金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、前記金属酸化膜の積層膜を形成することを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項３】
請求項２または請求項３に記載の液耐性膜の形成方法において、
前記有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素であることを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の液耐性膜の形成方法において、
前記有機金属化合物が含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有していることを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の液耐性膜の形成方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程後に、前記基板の周囲空間から残留する前記有機金属化合物を含む前記不活性ガスを排除し、
前記金属酸化膜形成工程後に、前記基板の周囲空間から残留する前記酸素ガスと前記酸素ラジカルとを排除することを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の液耐性膜の形成方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程で、前記基板の温度が前記基板の周囲空間の圧力下での前記有機金属化合物の沸点以上であり、前記接液部の一部に前記有機金属化合物膜を形成することを特徴とする液耐性膜の形成方法。
【請求項７】
少なくとも流路形成基板と封止基板とを備えた液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板の第１接インク部に第１水酸基が生成され、
前記封止基板の第２接インク部に第２水酸基が生成され、
前記流路形成基板と前記封止基板との少なくとも一方の基板を有機金属化合物を含む不活性ガスに曝露し、前記第１接インク部と前記第２接インク部との少なくとも一方の接インク部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する有機金属化合物膜形成工程と、
前記少なくとも一方の基板を酸素ガスに曝露し、前記少なくとも一方の接インク部に単分子層の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程とを有し、
前記有機金属化合物膜形成工程で、前記第１水酸基と前記第２水酸基との少なくとも一方の水酸基と前記有機金属化合物とが関わる反応によって前記有機金属化合物膜を形成し、
前記金属酸化膜形成工程で、前記酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを生成させ、前記酸素ラジカルと前記有機金属化合物膜とが関わる反応によってインク耐性膜である前記金属酸化膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程と、前記金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、前記金属酸化膜の積層膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素であることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記有機金属化合物が含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有していることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程後に、前記少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する前記有機金属化合物を含む前記不活性ガスを排除し、
前記金属酸化膜形成工程後に、前記少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する前記酸素ガスと前記酸素ラジカルとを排除することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記有機金属化合物膜形成工程で、前記少なくとも一方の基板の温度が前記少なくとも一方の基板の周囲空間の圧力下での前記有機金属化合物の沸点以上であり、前記少なくとも一方の接インク部の一部に前記有機金属化合物膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接液部に液耐性膜を形成する液耐性膜の形成方法、及び、接インク部にインク耐性膜を形成する液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板を備えた液体噴射ヘッドの製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この液体噴射ヘッドの製造方法では、接インク部である流路形成基板の圧力発生室の内壁面にプラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法で耐インク性を有する保護膜であるインク耐性膜を形成している。詳述すれば、真空容器内に、インク耐性膜形成前の液体噴射ヘッドを設置し、その後、有機金属化合物を含む不活性ガスと酸素ガスとを導入する。この有機金属化合物を含む不活性ガスと酸素ガスとをプラズマ化することで、主に液体噴射ヘッドの周囲空間で有機金属化合物の金属元素の金属酸化物を生成する。そして、生成された金属酸化物は、流路形成基板の圧力発生室の内壁面に降り積もるように堆積してインク耐性膜としての金属酸化膜を形成する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２１６７０７号公報（１１頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の液体噴射ヘッドの製造方法では、圧力発生室の内壁面の成膜時に陰になりやすい箇所にインク耐性膜としての金属酸化膜を形成しにくいことから、流路形成基板の接インク部全体をインク耐性膜で被覆することが困難である。よって、流路形成基板の接インク部に欠陥の少ないインク耐性膜を形成することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記の問題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる液耐性膜の形成方法は、基板の接液部への液耐性膜の形成方法であって、前記接液部に水酸基が生成され、前記基板を有機金属化合物を含む不活性ガスに曝露し、前記接液部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する有機金属化合物膜形成工程と、前記基板を酸素ガスに曝露し、前記接液部に単分子層の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程とを有し、前記有機金属化合物膜形成工程で、前記水酸基と前記有機金属化合物とが関わる反応によって前記有機金属化合物膜を形成し、前記金属酸化膜形成工程で、前記酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを生成させ、前記酸素ラジカルと前記有機金属化合物膜とが関わる反応によって前記液耐性膜である前記金属酸化膜を形成することを特徴とする。
【０００７】
このような方法によれば、有機金属化合物膜形成工程で、接液部の表面で水酸基と有機金属化合物とが関わる反応によって、接液部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する。このことから、形成される有機金属化合物膜は、接液部全体を密着よく被覆する。また、金属酸化膜形成工程で、酸素ラジカルと接液部に形成された有機金属化合物膜とが関わる反応によって、接液部に液耐性膜である単分子層の金属酸化膜を形成する。このことから、形成される化学的に安定な金属酸化膜は、接液部全体を密着よく被覆する。よって、高密着、且つ低欠陥の液耐性膜である化学的に安定な金属酸化膜を接液部に形成することが可能である。したがって、基板の接液部の耐液性を向上することが可能である。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかる液耐性膜の形成方法において、前記有機金属化合物膜形成工程と、前記金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、前記金属酸化膜の積層膜を形成することが好ましい。
【０００９】
このような構成によれば、有機金属化合物膜形成工程と、金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、液耐性膜である金属酸化膜の積層膜を形成する。このことにより、単分子層の金属酸化膜中に微少な欠陥が存在したとしても、微少な欠陥は積層される積層膜によって覆われることになる。よって、より低欠陥の液耐性膜である化学的に安定な金属酸化膜の積層膜を接液部に形成することが可能である。したがって、基板の接液部の耐液性をより向上することが可能である。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかる液耐性膜の形成方法において、前記有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素であることが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素である。このことにより、液耐性膜である化学的により安定な金属酸化膜を接液部に形成することが可能である。したがって、基板の接液部の耐液性をさらに向上することが可能である。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかる液耐性膜の形成方法において、前記有機金属化合物が含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有していることが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有している。このことにより、含酸素有機基、及び含窒素有機基と水酸基との高い親和性から、より多くの有機金属化合物が水酸基に接近し、有機金属化合物膜形成工程で形成される有機金属化合物膜は緻密となり、結果として金属酸化膜形成工程で形成される液耐性膜である金属酸化膜も緻密となる。したがって、基板の接液部の耐液性を一段と向上することが可能である。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかる液耐性膜の形成方法において、前記有機金属化合物膜形成工程後に、前記基板の周囲空間から残留する前記有機金属化合物を含む前記不活性ガスを排除し、前記金属酸化膜形成工程後に、前記基板の周囲空間から残留する前記酸素ガスと前記酸素ラジカルとを排除することが好ましい。
【００１５】
このような構成によれば、有機金属化合物膜形成工程後に、基板の周囲空間から残留する有機金属化合物を含む不活性ガスを排除し、金属酸化膜形成工程後に、基板の周囲空間から残留する酸素ガスと酸素ラジカルとを排除する。このことにより、残留した有機金属化合物と、酸素ラジカルとの基板の周囲空間での反応を回避することが可能であり、また残留した酸素ラジカルと、有機金属化合物との基板の周囲空間での反応を回避することが可能である。そして、基板の周囲空間で形成された金属酸化物が降り積もるように堆積して基板に欠陥を有した金属酸化膜を形成することを回避することが可能である。したがって、このような構成により、基板の接液部の耐液性の低下を回避することが可能である。
【００１６】
［適用例６］上記適用例にかかる液耐性膜の形成方法において、前記有機金属化合物膜形成工程で、前記基板の温度が前記基板の周囲空間の圧力下での前記有機金属化合物の沸点以上であり、前記接液部の一部に前記有機金属化合物膜を形成することが好ましい。
【００１７】
このような構成によれば、有機金属化合物膜形成工程の基板の温度が基板の周囲空間の圧力下での有機金属化合物の沸点以上であることにより、有機金属化合物膜形成工程で、基板の接液部の一部以外の残部に吸着による有機金属化合物膜の形成がなされない。ここで、基板の接液部の残部はＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、またはＰｄなどの金属で覆われている部分であり、基板の接液部に生成された水酸基が露出していない。この残部に有機金属化合物が吸着し、吸着した有機金属化合物膜が金属酸化膜形成工程で酸素ラジカルと反応することで金属酸化膜となるが、この残部に形成された金属酸化膜は残部と反応していないことから残部との密着性に劣り、接液状態で残部から剥離しやすい。このことから、金属酸化膜形成工程後に残部に形成された金属酸化膜は除去しなければならないが、このような方法により、金属酸化膜形成後の残部に形成された金属酸化膜の除去工程を不要にすることが可能である。したがって、省工程の液耐性膜の形成方法を実現することが可能である。
【００１８】
［適用例７］本適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法は、少なくとも流路形成基板と封止基板とを備えた液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板の第１接インク部に第１水酸基が生成され、前記封止基板の第２接インク部に第２水酸基が生成され、前記流路形成基板と前記封止基板との少なくとも一方の基板を有機金属化合物を含む不活性ガスに曝露し、前記第１接インク部と前記第２接インク部との少なくとも一方の接インク部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する有機金属化合物膜形成工程と、前記少なくとも一方の基板を酸素ガスに曝露し、前記少なくとも一方の接インク部に単分子層の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程とを有し、前記有機金属化合物膜形成工程で、前記第１水酸基と前記第２水酸基との少なくとも一方の水酸基と前記有機金属化合物とが関わる反応によって前記有機金属化合物膜を形成し、前記金属酸化膜形成工程で、前記酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを生成させ、前記酸素ラジカルと前記有機金属化合物膜とが関わる反応によってインク耐性膜である前記金属酸化膜を形成することを特徴とする。
【００１９】
このような方法によれば、有機金属化合物膜形成工程で、少なくとも一方の基板の接インク部の表面で少なくとも一方の水酸基と有機金属化合物とが関わる反応によって、少なくとも一方の基板の接インク部に単分子層の有機金属化合物膜を形成する。このことから、形成される有機金属化合物膜は、少なくとも一方の基板の接インク部全体を密着よく被覆する。また、金属酸化膜形成工程で、酸素ラジカルと少なくとも一方の基板の接インク部に形成された有機金属化合物膜とが関わる反応によって、少なくとも一方の基板の接インク部にインク耐性膜である単分子層の金属酸化膜を形成する。このことから、形成される化学的に安定な金属酸化膜は、少なくとも一方の基板の接インク部全体を密着よく被覆する。よって、高密着性、且つ低欠陥のインク耐性膜である化学的に安定な金属酸化膜を少なくとも一方の基板の接インク部に形成することが可能である。したがって、少なくとも一方の基板の接インク部の耐インク性を向上させる液体噴射ヘッドの製造方法を実現することが可能である。
【００２０】
［適用例８］上記適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法において、前記有機金属化合物膜形成工程と、前記金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、前記金属酸化膜の積層膜を形成することが好ましい。
【００２１】
このような方法によれば、少なくとも一方の基板の接インク部に、有機金属化合物膜形成工程と、金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、インク耐性膜である金属酸化膜の積層膜を形成する。このことにより、単分子層の金属酸化膜中に微少な欠陥が存在したとしても、微少な欠陥は積層される積層膜によって覆われることになる。よって、より低欠陥のインク耐性膜である化学的に安定な金属酸化膜の積層膜を接インク部に形成することが可能である。したがって、少なくとも一方の基板の接インク部の耐インク性をより向上させる液体噴射ヘッドの製造方法を実現すること可能である。
【００２２】
［適用例９］上記適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法において、前記有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素であることが好ましい。
【００２３】
このような方法によれば、有機金属化合物の金属元素がＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素である。このことにより、インク耐性膜である化学的により安定な金属酸化膜を接インク部に形成することが可能である。したがって、少なくとも一方の基板の接インク部の耐インク性をさらに向上させる液体噴射ヘッドの製造方法を実現することが可能である。
【００２４】
［適用例１０］上記適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法において、前記有機金属化合物が含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有していることが好ましい。
【００２５】
このような方法によれば、有機金属化合物が含酸素有機基、及び含窒素有機基から選ばれる少なくとも１種の有機基を有している。このことにより、含酸素有機基、及び含窒素有機基と水酸基との高い親和性から、より多くの有機金属化合物が少なくとも一方の水酸基に接近し、有機金属化合物膜形成工程で形成される有機金属化合物膜は緻密となり、結果として金属酸化膜形成工程で形成されるインク耐性膜である金属酸化膜も緻密となる。したがって、少なくとも一方の基板の接インク部の耐インク性を一段と向上させる液体噴射ヘッドの製造方法を実現することが可能である。
【００２６】
［適用例１１］上記適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法において、前記有機金属化合物膜形成工程後に、前記少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する前記有機金属化合物を含む前記不活性ガスを排除し、前記金属酸化膜形成工程後に、前記少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する前記酸素ガスと前記酸素ラジカルとを排除することが好ましい。
【００２７】
このような方法によれば、有機金属化合物膜形成工程後に、少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する有機金属化合物を含む不活性ガスを排除し、金属酸化膜形成工程後に、少なくとも一方の基板の周囲空間から残留する酸素ガスと酸素ラジカルとを排除する。このことにより、残留した有機金属化合物と、酸素ラジカルとの基板の周囲空間での反応を回避することが可能であり、また残留した酸素ラジカルと、有機金属化合物との基板の周囲空間での反応を回避することが可能である。そして、少なくとも一方の基板の周囲空間で形成された金属酸化物が降り積もるように堆積して少なくとも一方の基板に欠陥を有した金属酸化膜を形成することを回避することが可能である。したがって、このような構成により、少なくとも一方の基板の接インク部の耐インク性の低下を回避した液体噴射ヘッドの製造方法を実現することが可能である。
【００２８】
［適用例１２］上記適用例にかかる液体噴射ヘッドの製造方法において、前記有機金属化合物膜形成工程で、前記少なくとも一方の基板の温度が前記少なくとも一方の基板の周囲空間の圧力下での前記有機金属化合物の沸点以上であり、前記少なくとも一方の接インク部の一部に前記有機金属化合物膜を形成することが好ましい。
【００２９】
このような方法によれば、有機金属化合物膜形成工程の少なくとも一方の基板の温度が基板の周囲空間の圧力下での有機金属化合物の沸点以上であることにより、有機金属化合物膜形成工程で、少なくとも一方の基板の接インク部の一部以外の残部に吸着による有機金属化合物膜の形成がなされない。ここで、少なくとも一方の基板の接インク部の残部はＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、またはＰｄなどの金属で覆われている部分であり、少なくとも一方の基板の接インク部に生成された水酸基が露出していない。この残部に有機金属化合物が吸着し、吸着した有機金属化合物膜が金属酸化膜形成工程で酸素ラジカルと反応することで金属酸化膜となるが、この残部に形成された金属酸化膜は残部と反応していないことから残部との密着性に劣り、接インク状態で残部から剥離しやすい。このことから、金属酸化膜形成工程後に残部に形成された金属酸化膜は除去しなければならないが、このような方法により、金属酸化膜形成後の残部に形成された金属酸化膜の除去工程を不要にすることが可能である。したがって、省工程のインク耐性膜の形成方法を実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、実施形態を図面に沿って説明する。以下の説明で参照する図は、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺が実際とは異なる模式図である。
【００３１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の液体噴射ヘッドの製造方法で形成された液体噴射ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。図２（ａ）は、図１の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１に示すように、液体噴射ヘッド１は、たわみ振動型の液体噴射ヘッドであり、流路形成基板１０とノズルプレート２０と封止基板３０などを備えている。
【００３２】
また、図２に示すように、液体噴射ヘッド１用の流路形成基板１０は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方面１０ａ側には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜５０が設けられている。また、流路形成基板１０の一方面１０ａ側と表裏関係になる開口面１０ｂ側にはマスク膜５１が形成され、マスク膜５１をマスクとした異方性エッチングにより、複数の隔壁１１（図１参照）によって区画された圧力発生室１２が矢印Ｗで表す幅方向に並設される。
【００３３】
流路形成基板１０の圧力発生室１２の矢印Ｌで表す長手方向外側には、後述する封止基板３０のリザーバ部３２と連通される連通部１５が形成されている。そして、連通部１５は、各圧力発生室１２の長手方向一端部でそれぞれインク供給路１６を介して各圧力発生室１２と連通されている。なお、インク供給路１６（図１参照）は、圧力発生室１２より幅が狭く形成されており、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持する。
【００３４】
流路形成基板１０の開口面１０ｂ側には、圧力発生室１２を形成する際にマスクとして用いられるマスク膜５１を介して、各圧力発生室１２のインク供給路１６とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤を介して固定されて圧力発生室１２などが封止されている。なお、ノズルプレート２０は、ステンレス鋼で形成されている。
【００３５】
流路形成基板１０の第１接インク部としての圧力発生室１２の内壁面には、インク耐性膜７５として五酸化タンタルからなる金属酸化膜の積層膜が形成されている。具体的には、五酸化タンタルからなる金属酸化膜が、圧力発生室１２の内壁面である隔壁１１の表面、弾性膜５０の圧力発生室１２に露出した表面に連続して設けられている。また、流路形成基板１０の第１接インク部としてのインク供給路１６の内壁面と連通部１５の内壁面とにも、インク耐性膜７５として五酸化タンタルからなる金属酸化膜の積層膜が形成されている。
【００３６】
また、流路形成基板１０の開口面１０ｂ側の表面にもインク耐性膜７５として五酸化タンタルからなる金属酸化膜の積層膜が形成され、インク耐性膜７５を介して流路形成基板１０とノズルプレート２０とが接合されている。このため、両者の接着強度が向上するという効果が得られる。勿論、ノズルプレート２０との接合面にはインクが実質的に接触しないため、インク耐性膜７５は形成されていなくてもよい。
【００３７】
一方、流路形成基板１０の一方面１０ａ側の弾性膜５０上には、絶縁体膜５５が形成され、絶縁体膜５５上には、下電極膜６２と、圧電体層６４と、上電極膜６６とから構成された圧電素子６０が形成されている。なお、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６２が振動板として作用する。
【００３８】
流路形成基板１０の圧電素子６０側には、圧電素子６０の運動を阻害しない程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保持部３１を有する封止基板３０が接合されている。また、封止基板３０には、連通部１５に対向する領域に封止基板３０を貫通するリザーバ部３２が形成され、リザーバ部３２は上述のように流路形成基板１０の連通部１５と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ８０を構成している。封止基板３０は、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成され、流路形成基板１０と封止基板３０との熱膨張率が一致するようにしている。また、封止基板３０上には、封止膜４１と固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。
【００３９】
封止基板３０の第２接インク部としてのリザーバ部３２の内壁面には、インク耐性膜７５として五酸化タンタルからなる金属酸化膜が形成されている。
【００４０】
ここで、図３に示すように開口面１０ｂ側の幅よりも一方面１０ａ側の幅が広く、且つ、角を有する圧力発生室１２の内壁面の何れの箇所にも、インク耐性膜７５としての五酸化タンタルからなる金属酸化膜が後述の液体噴射ヘッド１の製造方法によって、１００ｎｍ以下の厚さで形成されている。また、封止基板３０の第２接インク部としてのリザーバ部３２の内壁面にも、インク耐性膜７５としての五酸化タンタルからなる金属酸化膜が後述の液体噴射ヘッド１の製造方法によって、１００ｎｍ以下の厚さで形成されている。このように、成膜時に影になりやすい箇所、影になりにくい箇所、角を有する箇所や角を有しない箇所の何れの箇所にも均一厚のインク耐性膜７５を形成されている。
【００４１】
上述の第１接インク部及び第２接インク部には、不図示の下層がＮｉＣｒ合金、上層がＡｕの金属配線が形成されている残部があるが、この残部としての金属配線上にはインク耐性膜７５としての五酸化タンタルからなる金属酸化膜が形成されていない。その理由は、金属配線と反応していない金属配線上の金属酸化膜が、接インク状態で金属配線上から剥離してノズル詰りを発生させることを回避するためである。
【００４２】
また、図２に示すように、このような液体噴射ヘッド１は、不図示の外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ８０からノズル開口２１に至るまで、内部をインクで満たす。その後、不図示の駆動回路からの記録信号に従い、外部配線を介して圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６２と上電極膜６６との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６２及び圧電体層６４を撓み変形させる。このことにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まり、ノズル開口２１からインク滴を吐出する。
【００４３】
次に、液体噴射ヘッド１の製造方法について説明する。特に流路形成基板１０への有機金属化合物膜形成工程と、金属酸化膜形成工程とについて、図１、図２及び図３を参照しながら、図４及び図５に沿って説明する。有機金属化合物膜形成工程及び金属酸化膜形成工程以外の工程は、公知の技術に基づく工程であることから説明を省略する。図４はインク耐性膜などを形成する薄膜形成装置を示す断面図である。図５（ａ）〜図５（ｃ）は有機金属化合物膜形成工程及び金属酸化膜形成工程の説明図である。
【００４４】
図４に示すように、薄膜形成装置１０１は、真空容器１０２、真空容器誘電体部材１０３、基板支持台１０４、ガス排出系１０５、第１ガス導入系１０６、第２ガス導入系１０７、高周波電源１０８、導波管１０９、及び導波管スロットアンテナ１１０などを備えている。基板支持台１０４には不図示のヒーターが内蔵され、基板支持台１０４の温度を常温以上の任意の温度に設定できるようになっている。
【００４５】
図５（ａ）に示すように、流路形成基板１０の圧電素子６０側に封止基板３０が接合された流路形成基板１０を準備する。材質がシリコン単結晶である流路形成基板１０には、一方面１０ａ側に弾性膜５０、絶縁体膜５５、圧電素子６０が、開口面１０ｂ側にマスク膜５１が、開口面１０ｂ側から圧力発生室１２、連通部１５、インク供給路１６（図１参照）が形成されている。流路形成基板１０表面には第１水酸基が生成され、圧力発生室１２、連通部１５及びインク供給路１６は第１接インク部となる箇所であり、第１接インク部の一部には第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａ（図１参照）が露出している。材質がシリコン単結晶である封止基板３０には、圧電素子保持部３１、リザーバ部３２、接続孔３３などが形成されている。封止基板３０の表面には第２水酸基が生成され、リザーバ部３２は第２接インク部となる箇所であり、第２接インク部の一部には第２水酸基３２ａが露出している。第１接インク部の一部以外の残部及び第２接インク部の一部以外の残部は、不図示の下層がＮｉＣｒ合金、上層がＡｕの金属配線で覆われている。
【００４６】
有機金属化合物膜形成工程について説明する。図４に示す基板支持台１０４に封止基板３０が接するように、封止基板３０が接合された流路形成基板１０を基板支持台１０４に設置する。次に、ガス排出系１０５を駆動させ、真空容器１０２内を実質的に真空にする。次に、基板支持台１０４に内蔵されたヒーターを稼動させ、基板支持台１０４を１６０℃になるように制御する。そして、封止基板３０が接合された流路形成基板１０が１５０℃に到達したところで、封止基板３０が接合された流路形成基板１０を第１ガス導入系１０６から導入したペンタエトキシタンタルを含む窒素ガスに曝露する。この結果、図５（ｂ）に示すように、水酸基とアルコキシ基との高い親和性から、第１接インク部の一部の第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａにペンタエトキシタンタルが接近する。そして、第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａとペンタエトキシタンタルとが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０としてのペンタエトキシタンタル膜を密着性よく形成する。また、水酸基とアルコキシ基との高い親和性から、第２接インク部の一部の第２水酸基３２ａにペンタエトキシタンタルが接近する。そして、第２水酸基３２ａとペンタエトキシタンタルとが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０としてのペンタエトキシタンタル膜を密着性よく形成する。
【００４７】
有機金属化合物膜形成工程における反応とは、第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａと、ペンタエトキシタンタルのエトキシ基の一部との脱アルコール反応であり、脱アルコール反応は、未反応の第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａがなくなった時点で停止する。また、有機金属化合物膜形成工程における反応とは、第２水酸基３２ａと、ペンタエトキシタンタルのエトキシ基の一部との脱アルコール反応であり、脱アルコール反応は、未反応の第２水酸基３２ａがなくなった時点で停止する。次に、第１ガス導入系１０６を閉じ、真空容器１０２内を再び実質的に真空にすることで、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０から残留するペンタエトキシタンタルを含む窒素ガスを排除する。なお、ペンタエトキシタンタルの圧力０．１ｍｍＨｇ下での沸点は１４５℃である。このことから、不図示の下層がＮｉＣｒ合金、上層がＡｕの金属配線で覆われた第１接インク部の一部以外の残部及び第２接インク部の一部以外の残部には、単分子層の有機金属化合物膜７０としてのペンタエトキシ膜は形成されていない。
【００４８】
次に、金属酸化膜形成工程について説明する。上述の残留するペンタエトキシタンタルを含む窒素ガスの排除後に、封止基板３０が接合された流路形成基板１０を第２ガス導入系１０７から導入した酸素ガスに曝露する。次に、高周波電源１０８を稼動させる。このことにより、高周波の電磁波は導波管１０９を介して、酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを生成させる。この結果、図５（ｃ）に示すように、酸素ラジカルと有機金属化合物膜７０のペンタエトキシタンタルとが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部と、封止基板３０の第２接インク部の一部とに、インク耐性膜７５としての五酸化タンタルからなる単分子層の金属酸化膜を形成する。金属酸化膜形成工程における酸素ラジカルとペンタエトキシタンタルとが関わる反応では種々の生成物が生成されるが、その１つの生成物としてＨ2Ｏが生成されているものと想定される。このＨ2Ｏの存在によりペンタエトキシタンタルのエトキシ基が加水分解されることで、水酸基が生成される。そして、生成された水酸基のうち隣接する水酸基同士が脱水反応することで、五酸化タンタル膜が形成され、未反応の隣接する水酸基がなくなった時点で脱水反応は停止する。なお、流路形成基板１０及び封止基板３０から最も離れた最上層の位置（隣接した水酸基が存在しない位置）の水酸基は残存する。次に、第２ガス導入系１０７を閉じ、真空容器１０２内を再び実質的に真空にすることで、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０から残留する酸素ガスと酸素ラジカルとを排除する。
【００４９】
次に、上述の有機金属化合物膜形成工程と金属酸化膜形成工程とで１回の処理とし、その処理を複数回繰り返して実施する。１回の処理において、０．０１ｎｍ厚〜０．２ｎｍ厚で成膜できる。成膜速度は有機金属化合物膜７０の被覆率に依存し被覆率が低い場合は成膜速度が遅い。成膜速度が約０．１ｎｍ／回で繰り返し回数が１０００回の場合、インク耐性膜７５としての約１００ｎｍ厚の五酸化タンタルからなる金属酸化膜の積層膜が形成される。なお、２回目以降の処理では、その前の処理で形成された上述の最上層の位置の水酸基が、１回目の処理における露出された第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａ、第２水酸基３２ａの役割を果たすことになる。
【００５０】
五酸化タンタルからなる金属酸化膜のインク耐性膜７５は、インクに対して非常に優れた耐エッチング性（耐インク性）を有し、特にアルカリ性のインクに対する耐エッチング性を有する。具体的には、ｐＨ８．５以上、２５℃のインクによるエッチングレートが０．０５ｎｍ／ｄａｙ以下である。このように、五酸化タンタルからなる金属酸化膜のインク耐性膜７５は、強アルカリ性のインクに対して優れた耐エッチング性を有していることから、インクジェット式の液体噴射ヘッド１用のインクに対して特に有効である。五酸化タンタルからなる金属酸化膜のインク耐性膜７５は、例えば、ｐＨ９．１、２５℃のインクによるエッチングレートが０．０３ｎｍ／ｄａｙ以下である。
【００５１】
このように流路形成基板１０の第１接インク部、及び封止基板３０の第２接インク部に五酸化タンタルからなる金属酸化膜のインク耐性膜７５を形成することにより、流路形成基板１０、弾性膜５０、及び封止基板３０がインクに溶解されるのを防止することができる。したがって、圧力発生室１２の形状が安定し、インク吐出特性を長期間に亘って一定に維持することができる。さらに、流路形成基板１０の第１接インク部や封止基板３０の第２接インク部などがインクに溶解されるのを防止することができるため、インクに溶解された流路形成基板１０や封止基板３０の第２接インク部などの溶解物がインクに析出する量が低減され、ノズル詰りの発生を防止することができる。
【００５２】
上述の第１の実施形態では、以下の効果が得られる。
（１）有機金属化合物膜形成工程で、流路形成基板１０の第１接インク部の一部の表面で第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａとペンタエトキシタンタルとが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０であるペンタエトキシタンタル膜を形成する。このことから、形成されるペンタエトキシタンタル膜は、流路形成基板１０の第１接インク部の一部全体を密着よく被覆する。また、金属酸化膜形成工程で、酸素ラジカルと流路形成基板１０の第１接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部にインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。このことから、形成される化学的に安定な五酸化タンタル膜は、流路形成基板１０の第１接インク部の一部全体を密着よく被覆する。よって、高密着性、且つ低欠陥のインク耐性膜７５である化学的に安定な五酸化タンタル膜を流路形成基板１０の第１接インク部の一部に形成することができる。また、有機金属化合物膜形成工程で、封止基板３０の第２接インク部の一部の表面で第２水酸基３２ａとペンタエトキシタンタルとが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０であるペンタエトキシタンタル膜を形成する。このことから、形成されるペンタエトキシタンタル膜は、封止基板３０の第２接インク部の一部全体を密着よく被覆する。また、金属酸化膜形成工程で、酸素ラジカルと封止基板３０の第２接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部にインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。このことから、形成される化学的に安定な五酸化タンタル膜は、封止基板３０の第２接インク部の一部全体を密着よく被覆する。よって、高密着性、且つ低欠陥のインク耐性膜７５である化学的に安定な五酸化タンタル膜を封止基板３０の第２接インク部の一部に形成することができる。したがって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部、及び封止基板３０の第２接インク部の一部の耐インク性を向上させた液体噴射ヘッドを製造することできる。
【００５３】
（２）封止基板３０が接合された流路形成基板１０の第１接インク部の一部、及び第２接インク部の一部に、有機金属化合物膜形成工程と、金属酸化膜形成工程とを交互に繰り返し、インク耐性膜７５である五酸化タンタル膜の積層膜を形成する。このことにより、単分子層の五酸化タンタル膜中に微少な欠陥が存在したとしても、微少な欠陥は積層される積層膜によって覆われることになる。よって、より低欠陥のインク耐性膜７５である化学的に安定な五酸化タンタル膜の積層膜を第１接インク部、及び第２接インク部に形成することができる。したがって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部、及び封止基板３０の第２接インク部の一部の耐インク性をより向上させた液体噴射ヘッドを製造することが可能である。
【００５４】
（３）ペンタエトキシタンタルの金属元素がＴａである。このことにより、インク耐性膜７５である化学的により安定な五酸化タンタル膜を第１接インク部、及び第２接インク部に形成することができる。したがって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部、及び封止基板３０の第２接インク部の一部の耐インク性をさらに向上させた液体噴射ヘッドを製造することができる。
【００５５】
（４）ペンタエトキシタンタルが含酸素有機基のエトキシ基を有している。このことにより、エトキシ基と水酸基との高い親和性から、より多くのペンタエトキシタンタルが第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａ、及び第２水酸基３２ａに接近し、有機金属化合物膜形成工程で形成される有機金属化合物膜７０であるペンタエトキシタンタル膜は緻密となり、結果として金属酸化膜形成工程で形成されるインク耐性膜７５である五酸化タンタル膜も緻密となる。したがって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部、及び封止基板３０の第２接インク部の一部の耐インク性を一段と向上させた液体噴射ヘッドを製造することができる。
【００５６】
（５）有機金属化合物膜形成工程後に、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０から残留するペンタエトキシタンタルを含む窒素ガスを排除し、金属酸化膜形成工程後に、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０から残留する酸素ガスと酸素ラジカルとを排除する。このことにより、残留したペンタエトキシタンタルと酸素ラジカルとの封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０での反応を回避することができ、また残留した酸素ラジカルとペンタエトキシタンタルとの封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０での反応を回避することができる。そして、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０で形成された金属酸化物が降り積もるように堆積して封止基板３０が接合された流路形成基板１０に欠陥を有した金属酸化膜を形成することを回避することができる。したがって、このような方法により、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の接インク部の耐インク性の低下を回避した液体噴射ヘッドを製造することができる。
【００５７】
（６）有機金属化合物膜形成工程の封止基板３０が接合された流路形成基板１０の温度が封止基板３０が接合された流路形成基板１０の周囲空間１２０の圧力下での有機金属化合物の沸点以上であることにより、有機金属化合物膜形成工程で、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の接インク部の一部以外の残部に吸着による有機金属化合物膜の形成がなされない。ここで、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の接インク部の残部はＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、またはＰｄなどの金属で覆われている部分であり、封止基板３０が接合された流路形成基板１０の接インク部に生成された第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａ及び第２水酸基３２ａが露出していない。この残部に有機金属化合物が吸着し、吸着した有機金属化合物膜が金属酸化膜形成工程で酸素ラジカルと反応することで金属酸化膜（インク耐性膜７５）となるが、この残部に形成された金属酸化膜は残部と反応していないことから残部との密着性に劣り、接インク状態で残部から剥離しやすい。このことから、金属酸化膜形成工程後に残部に形成された金属酸化膜は除去しなければならないが、このような方法により、金属酸化膜形成後の残部に形成された金属酸化膜の除去工程を不要にすることができる。したがって、省工程の液体噴射ヘッドの製造方法を実現することができる。
【００５８】
（第２の実施形態）
本実施形態では、上述の実施形態と同じ内容については説明を省き、上述の実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付し、異なる内容を説明する。先ず、金属酸化膜形成工程について説明する。有機金属化合物膜形成工程で、基板支持台１０４に内蔵されたヒーターを稼動させ、基板支持台１０４を１２０℃になるように制御する。そして、封止基板３０が接合された流路形成基板１０が１１０℃に到達したところで、封止基板３０が接合された流路形成基板１０を第１ガス導入系１０６から導入したペンタジメチルアミノタンタルを含む窒素ガスに曝露する。この結果、図５（ｂ）に示すように、水酸基とアルキルアミノ基との高い親和性から、第１接インク部の一部の第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａ（図１参照）にペンタジメチルアミノタンタルが接近する。そして、第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａとペンタジメチルアミノタンタルとが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０としてのペンタジメチルアミノタンタル膜を密着性よく形成する。また、水酸基とアルキルアミノ基との高い親和性から、第２接インク部の一部の第２水酸基３２ａにペンタジメチルアミノタンタルが接近する。そして、第２水酸基３２ａとペンタジメチルアミノタンタルとが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に単分子層の有機金属化合物膜７０としてのペンタジメチルアミノタンタル膜を密着性よく形成する。
【００５９】
有機金属化合物膜形成工程における反応とは、第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａと、ペンタジメチルアミノタンタルのアルキルアミノ基の一部との脱アミン反応であり、脱アミン反応は、未反応の第１水酸基１２ａ，１５ａ，１６ａがなくなった時点で停止する。また、有機金属化合物膜形成工程における反応とは、第２水酸基３２ａと、ペンタジメチルアミノタンタルのアルキルアミノ基の一部との脱アミン反応であり、脱アミン反応は、未反応の第２水酸基３２ａがなくなった時点で停止する。なお、ペンタジメチルアミノタンタルの圧力０．０１ｍｍＨｇ下での沸点は１００℃である。
【００６０】
次に、金属酸化膜形成工程について説明する。図５（ｃ）に示すように、酸素ラジカルと有機金属化合物膜７０のペンタジメチルアミノタンタルとが関わる反応によって、流路形成基板１０の第１接インク部の一部と、封止基板３０の第２接インク部の一部とに五酸化タンタルからなる単分子層の金属酸化膜（インク耐性膜７５）を形成する。金属酸化膜形成工程における酸素ラジカルとペンタジメチルアミノタンタルとが関わる反応では種々の生成物が生成されるが、その１つの生成物としてＨ2Ｏが生成されているものと想定される。このＨ2Ｏの存在によりペンタジメチルアミノタンタルのアルキルアミノ基が加水分解されることで、水酸基が生成される。そして、生成された水酸基のうち隣接する水酸基同士が脱水反応することで、五酸化タンタル膜が形成され、未反応の隣接する水酸基がなくなった時点で脱水反応は停止する。
【００６１】
上述の第２の実施形態では、第１の実施形態で述べた効果と同様の効果が得られる。
【００６２】
なお、上記実施形態は上述の内容に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲において上述の内容以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、液体噴射ヘッド１は、縦振動型の液体噴射ヘッドなど種々の構造の液体噴射ヘッドであってもよい。
【００６３】
また、流路形成基板１０及び封止基板３０の材質は、ガラスやプラスチックスなどであってもよい。
【００６４】
また、インク耐性膜７５を形成する基板は、流路形成基板１０及び封止基板３０の一方の基板であってもよい。
【００６５】
また、第１接インク部の一部以外の残部及び第２接インク部の一部以外の残部は、Ａｌ、ＣｕやＴｉなどの金属配線で覆われていてもよい。この場合、前記の金属配線の表面には水酸基が露出していることから、第１接インク部の一部以外の残部及び第２接インク部の一部以外の残部にもインク耐性膜７５を形成する。
【００６６】
また、有機金属化合物の金属元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、ＣｒまたはＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属元素であってもよい。
【００６７】
また、有機金属化合物の有機基は、含酸素有機基としてアルコキシ基やアシレート基など、含窒素有機基としてアルキルアミノ基やアルキルイミノ基などであればよい。そのような有機基を有する有機金属化合物は、金属元素がＴａの場合を一例に挙げれば、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタｎ−ブトキシタンタル、ペンタｔ−ブトキシタンタル、ペンタトリフルオロエトキシタンタル、テトラｎ−ブトキシタンタルステアレート、ｎ−ブトキシタンタルテトラステアレート、ペンタジメチルアミノタンタル、ｔ−アミルイミドトリス（ジメチルアミド）タンタル、ジメトキシアミドエトキシテトラエトキシタンタルなどであってもよい。なお、上述の金属元素がＴａ以外の場合、含酸素有機基、及び含窒素有機基の一分子内の数は、Ｔａ以外の金属元素の価数に対応する数となる。
【００６８】
また、液については、アルカリ性のインク以外にフッ化水素酸水溶液以外の酸性の水溶液やアルカリ性の水溶液などの化学薬液類、化学薬液類などを使用目的別に調合した表面処理剤などの液状の処理剤類や、液状の医薬品類であってもよい。いずれの場合でも、金属酸化膜は液耐性膜として機能する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】第１の実施形態及び第２の実施形態の液体噴射ヘッドの製造方法で形成された液体噴射ヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】（ａ）は、図１の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図３】図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【図４】インク耐性膜などを形成する薄膜形成装置を示す断面図。
【図５】有機金属化合物膜形成工程及び金属酸化膜形成工程の説明図。
【符号の説明】
【００７０】
１…液体噴射ヘッド、１０…流路形成基板、１２…第１接インク部としての圧力発生室、１５…第１接インク部としての連通部、１６…第１接インク部としてのインク供給路、１２ａ，１５ａ，１６ａ…第１水酸基、３０…封止基板、３２…第２接インク部としてのリザーバ部、３２ａ…第２水酸基、７０…有機金属化合物膜、７５…インク耐性膜（金属酸化膜、金属酸化膜の積層膜）、１２０…周囲空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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