(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性、流動特性と十分な可使用時間を兼ね備えた半導体封止に用いられる液状樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤、および（Ｃ）無機充填材を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物ならびに該アンダーフィル用液状樹脂組成物を用いて作製した半導体装置。2009227939.tif 0000082009227939.tif 000009【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂、
（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤、および
（Ｃ）無機充填材
を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
【化１】
2009227939.tif 000006
（式中、ｎは、ｎ≧０である。）
【化２】
2009227939.tif 000007
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＸはＨ、炭素数１〜３のアルキル基、−ＮＯ2、−ＣＦ3、ハロゲン基のいずれかを表す。ｎは、ｎ≧１である。）
【請求項２】
さらに、（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエンを含むことを特徴とする請求項１記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
【請求項３】
回路基板と、当該回路基板上に配置された半導体チップ、およびこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置であって、
当該アンダーフィルが請求項１または２に記載のアンダーフィル用液状樹脂組成物を硬化させてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
回路基板と、当該回路基板上に配置された半導体チップ、およびこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置の製造方法であって、
回路基板と半導体チップとの間隙に請求項１または２に記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を充填する工程、
充填されたアンダーフィル用液状樹脂組成物を硬化させる工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンダーフィル用液状樹脂組成物、半導体装置および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、エポキシ樹脂、芳香族第１級ポリアミン硬化剤を含む半導体封止用液状樹脂は信頼性に優れる半導体装置を提供することが知られている。近年では半導体装置の半田付け温度の上昇に伴い、半導体装置作製時にクラックや剥離などが発生し、より耐熱応力性、耐熱密着性に優れた樹脂特性が要求されている。
ここで、エポキシ樹脂、第二級アミン基を有する芳香族ポリアミン硬化剤を含む樹脂組成物は耐衝撃性・低応力性に優れた特性を示すことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、液状エポキシ樹脂、特定構造の芳香族アミン系硬化剤、無機質充填剤を含有する液状エポキシ樹脂がリフロー温度の上昇や温度サイクル試験などの耐熱性に優れることが知られている。（例えば、特許文献２、３参照）
【特許文献１】特開２００４−０３５６６８号公報
【特許文献２】特開２００４−０５１７３４号公報
【特許文献３】特開２００４−０９９８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、いずれも液状樹脂組成物の粘度が高く流動性に乏しいことと、可使用時間(ポットライフ)が短いという課題を有していた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは優れた、流動性と、十分な可使用時間を兼ね備えた半導体の封止に用いられる液状樹脂組成物を提供することにあり、該液状樹脂組成物を用いた半導体装置は、優れた応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような目的は、下記［１］〜［４］に記載の本発明により達成される。
［１］（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤、および（Ｃ）無機充填材を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
【０００５】
【化１】
2009227939.tif 000002
（式中、ｎは、ｎ≧０である。）
【０００６】
【化２】
2009227939.tif 000003
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＸはＨ、炭素数１〜３のアルキル基、−ＮＯ2、−ＣＦ3、ハロゲン基のいずれかを表す。ｎは、ｎ≧１である。）
【０００７】
［２］さらに、（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエンを含むことを特徴とする前記［１］項に記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物。
［３］  回路基板と、当該回路基板上に配置された半導体チップ、およびこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置であって、
当該アンダーフィルが前記［１］または［２］項に記載のアンダーフィル用液状樹脂組成物を硬化させてなることを特徴とする半導体装置。
［４］  回路基板と、当該回路基板上に配置された半導体チップ、およびこの二つの間隙を充填するアンダーフィルを備える半導体装置の製造方法であって、
回路基板と半導体チップとの間隙に前記［１］または［２］項に請求項１または２に記載のアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を充填する工程、
充填されたアンダーフィル用液状樹脂組成物を硬化させる工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、優れた流動性と十分な可使用時間を兼ね備えた半導体の封止に用いられる液状樹脂組成物を提供する。前記液状樹脂組成物を用いることにより、応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性に優れた半導体装置を提供する。
さらに、エポキシ基を有するポリブタジエンを用いることで応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性をより向上した半導体装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤、および（Ｃ）無機充填材を含むことを特徴とするアンダーフィル用液状封止樹脂組成物であって、流動性と可使用時間（ポットライフ）に優れるアンダーフィル用液状封止樹脂組成物に関するものであり、式（２）で表される芳香族アミン硬化剤を用いることにより優れた応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性を有する。
以下、本発明の液状封止樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。
【００１０】
本発明で用いる（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂は、一分子中にエポキシ基を２個以上有し、芳香族環に置換基を有するものである。また、エポキシ樹脂（Ａ）の構造が立体構造を有するアリル基があることによりエポキシ樹脂の反応性を抑制する効果があり、室温における可使時間を延ばすことが可能となる。
【００１１】
本発明では、（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂以外にその他のエポキシ樹脂を配合しても差し支えない。その他のエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ-ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトル
イジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ−アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂を２種類以上併用して用いてもよい。
併用する場合、芳香族環にグリシジル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点から好ましく、脂肪族または脂環式エポキシ樹脂は信頼性、特に接着性という観点から使用する量を制限するほうが好ましい。これらは単独でも２種以上混合して使用しても良い。
好ましくは、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型３官能エポキシ樹脂が、流動性、耐熱性の観点から用いられる。
【００１２】
本発明は、アンダーフィル用液状封止樹脂組成物として用いられる態様のため、エポキシ樹脂として最終的に常温（２５℃）で液状を保持することが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解することができ、結果的に液状の状態を保持し得るものであればよい。
エポキシ樹脂を併用した場合に本発明の（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹の配合量としては、全エポキシ樹脂１００重量部に対して１〜８０重量部が好ましく、より好ましくは１０〜６０重量部が好ましい。本発明に係る（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂の配合量を、上記範囲とすることでポットライフの向上が可能となる。
【００１３】
本発明では、（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤を用いる。具体的には、Ｎ−メチルアニリン・ホルムアルデヒド重縮合物、Ｎ−エチルアニリン・ホルムアルデヒド重縮合物などが挙げられる。
【００１４】
【化２】
2009227939.tif 000004
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＸはＨ、炭素数１〜３のアルキル基、−ＮＯ2、−ＣＦ3、ハロゲン基のいずれかを表す。ｎは、ｎ≧１である。）
【００１５】
式（２）中、Ｒが炭素数１〜４のアルキル基である場合、比較的良好な密着性と、優れた耐衝撃性、低応力性を有する液状樹脂組成物が得られる。しかし、Ｒの炭素数が５以上のアルキル基である場合、立体障害効果による反応性低下、密着性低下、ガラス転移点の低下、耐熱性の低下を招くため好ましくない。式（２）中のＸはＨ、炭素数１〜３のアルキル基、または−ＮＯ2、―ＣＦ3、ハロゲン基（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ，Ｉ）で場合、応力吸収性に優れた液状樹脂組成物が得られる。炭素数が４以上のアルキル基になると液状樹脂組成物の粘度が高くなり、また耐熱性が低下するため好ましくない。半導体装置の金属接合部の腐食を考慮するとＸはＨ、または炭素数が１〜３のアルキル基であることが好ましい。
【００１６】
本発明で用いる（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤は、単独でも２種以上配合して用いても良い。また、このほかにも可使用時間や保存性を損なわない限りにおいて
他の硬化剤や触媒を併用しても良い。そのような硬化剤としてテトラメチルビスフェノールＡなどのフェノール類、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノン、キシレノール、サリチル酸、トルエンスルホン酸メチル、シトラジン酸、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール型硬化触媒、１級アミン基を有する芳香族アミン硬化剤などである。
【００１７】
本発明で用いる（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤の配合量は、全硬化剤の配合量に対して、１重量％以上が好ましく、更に好ましくは、３０重量％以上である。この範囲とすることで密着性、耐衝撃性および低応力性が向上する。
本発明で用いる（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤を含む全硬化剤の配合量は、全エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素当量で０．６〜１．４の範囲であり、より好ましくは０．７〜１．３の範囲である。この範囲内であれば、組成物の耐熱性が著しく損なわれることはなく、良好な液状樹脂組成物を得ることができる。
【００１８】
本発明で用いる（Ｃ）無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、合成シリカ、結晶シリカなどのシリカ粉末などの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物などを用いることができる。これらの無機充填材は、単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ粉末が好ましい。前記無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度・流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。半導体装置の組立の場合、無機充填材の平均粒子径は、好ましくは０．１〜３０μｍであり、特に好ましくは０．２〜８μｍである。平均粒子径が０．１μｍに満たない場合は樹脂組成物の粘度が著しく高くなるため流動性が損なわれ、３０μｍを超える場合は組成物が半導体装置への流動する際にフィラー詰まりによる部分的な未充填・充填不良が発生するため好ましくない。全樹脂組成物１００重量部に対する無機充填材の含有量は、３０〜８０重量部の範囲であり、より好ましくは４０〜７５重量部である。含有量が下限値に満たない場合は樹脂組成物の熱膨張係数が大きいために半導体装置の信頼性を低下させるために好ましくなく、上限値を超える場合には半導体装置の隙間に流動する際に詰まりが発生するため好ましくない。
【００１９】
さらに、本発明では、（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエンを含むことが好ましい。エポキシ基を有するポリブタジエンを含むことで、応力吸収性、耐熱衝撃性が向上し、式（２）で表される芳香族アミン硬化剤と併用することで、さらに、応力吸収性、耐熱衝撃性を向上させることが可能となる。
（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエンは、１，３−ブタジエンモノマーを繰り返し単位として含む重合体であり、分子中にエポキシ基を含むものである。エポキシ化ポリブタジエンの数平均分子量は４００〜１００００が好ましく、この範囲とすることにより応力吸収性、耐熱衝撃性が向上する。ここで数平均分子量とはＧＰＣ法によるスチレン換算分子量である。エポキシ基のオキシラン酸素濃度は３〜１５％が好ましく、この範囲とすることにより応力吸収性、耐熱衝撃性が向上する
（Ｄ）エポキシ基を有するポリブタジエンの配合量としては、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．５〜２０重量部であり、さらに好ましくは、３〜１５重量部である。この範囲とすることにより、応力吸収性、耐熱衝撃性が向上する。
【００２０】
本発明には必要に応じて、前記の必須成分の他に、希釈剤、顔料、難燃剤、レベリング剤、消泡剤、カップリング剤などの添加物を用いても差し支えない。本発明の液状樹脂組成物の製造方法としては各成分、添加物などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造する。
【００２１】
本発明の半導体装置は、回路基板と半導体チップを含み、両者が導電性のバンプまたはワイヤーによって電気的に接続、接合がなされたもので、回路基板、半導体チップ、電気接合部の全て、または電気接合部と回路基板、半導体チップの一部が封止、保護、包埋される形態であれば特に限定はない。本発明の液状樹脂組成物の使用方法は特に限定はないが、ポッティング、印刷、毛細管現象を用いて塗布を行い、加熱硬化させる方法が一般的である。そのような半導体装置にはフリップチップ方式の半導体装置、キャビティーダウン型ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｕｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＴＡＢ（Ｔａｔｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）型ＢＧＡ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｋｅｇｅ）、液晶やＬＥＤ発光体素子などの表示素子周辺のドライバーチップなどがある。
【００２２】
本発明の液状樹脂組成物の最も好適な用途は、フリップチップ型半導体装置である。フリップチップ半導体装置とは、半導体チップと回路基板とを半田バンプを介して電気接続されたものである。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが多く、電気接続の方法としては、フリップチップボンダーなどを用いて回路基板上の金属パッドと半導体チップ上の半田バンプの位置合わせを行った後、ＩＲリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、回路基板上の金属パッドと半田バンプとが溶融接合によりなされる。このとき、回路基板上の金属パッド部には半田ペーストや比較的融点の低い半田層を形成しておいても良い。電気接続のなされた半導体装置は半導体チップと回路基板の平行な隙間に金属バンプが柱状に存在するような形態となる。
本発明の液状樹脂組成物の使用方法は、半導体チップと回路基板との平行な隙間に本発明の液状樹脂組成物を毛細管現象や圧力差などを利用して流動、注入充填させた後に硬化することによって封止する方法、予め回路基板または半導体チップに印刷やニードルドローニングなどにより液状樹脂組成物を塗布し、相対する半導体チップまたは回路基板を接合し、半田バンプの融点以上に加熱することにより、電気接続と樹脂の硬化とを一括して行う方法とがあるが、いずれの方法を用いても良い。
【実施例】
【００２３】
本発明を実施例及び比較例で説明する。以下、組成物の配合量は重量部である。
（実施例１）
式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）としてジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂５．３重量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を１５．９重量部、無機充填材（Ｃ）として無機フィラー（合成球状）を６２重量部、エポキシ基を有するポリブタジエン（Ｄ）を１．６重量部、添加剤として希釈剤０．４重量部、着色剤０．１重量部、カップリング剤０．５重量部をプラネタリーミキサーと３本ロールを用いて充分混合したのち、式（２）で示される芳香族アミン硬化剤（Ｂ）としてＮ−メチルアニリン・ホルムアルデヒド重縮合物１４．２重量部を配合し、プラネタリーミキサーと３本ロールを用いて混合し、真空脱泡処理することによりアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を作製した。以下の評価方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【００２４】
（評価方法）
粘度測定：ブルックフィールド型粘度計にＣＰ−５１型コーンを装着し２５℃で５ｒｐｍの条件で測定を実施した。単位はＰａ・ｓである。
【００２５】
粘度変化率（ポットライフ）：２５℃２４時間後の粘度を測定し、前記の方法で粘度を測定し、下式より２５℃２４時間後の粘度変化率を算出した。
２５℃２４時間後の粘度変化率（％）＝（２５℃２４時間後の粘度／粘度−１）×
１００
【００２６】
実施例１で得られた液状樹脂組成物を半田バンプで接合された回路基板と半導体チップとの隙間に流動、封止し半導体装置を作製し、樹脂充填試験、リフロー試験、温度サイクル試験を実施した。試験、評価に使用した半導体装置の構成部材は以下のとおりである。
半導体チップとしては、日立超ＬＳＩ社製ＰＨＡＳＥ−２ＴＥＧウエハーに半導体チップの回路保護膜としてポリイミドを用い、半田バンプとしてＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成の無鉛半田を形成したものを１５ｍｍ×１５ｍｍ×０．８ｍｍｔに切断し使用した。
回路基板には、住友ベークライト（株）製ＦＲ５相当の０．８ｍｍｔのガラスエポキシ基板をベースとして用い、その両面に太陽インキ製造（株）製ソルダーレジストＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８を形成し、片面に上記の半田バンプ配列に相当する金メッキパッドを形成したものを５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し使用した。
接続用のフラックスにはＴＳＦ−６５０２（Ｋｅｓｔｅｒ製、ロジン系フラックス）を使用した。
半導体装置の組立は、まず充分平滑な金属またはガラス板にドクターブレードを用いてフラックスを５０μｍ厚程度に均一塗布し、次にフリップチップボンダーを用いてフラックス膜に半田バンプが搭載された半導体チップの半田バンプ搭載面側を軽く接触させたのちに離し、半田バンプにフラックスを転写させ、次に半導体チップを回路基板上に圧着させた。次に、ＩＲリフロー炉で加熱処理し半田バンプを溶融接合して作製した。溶融接合後に洗浄液を用いて洗浄を実施した。液状樹脂組成物の充填、封止方法は、作製した半導体装置を１１０℃の熱板上で加熱し、半導体チップの一辺に調製した液状樹脂組成物を塗布し隙間充填させた後、１５０℃のオーブンで１２０分間液状樹脂組成物を加熱硬化し、評価試験用の半導体装置を得た。
【００２７】
液状樹脂組成物の充填試験としては、作製した半導体装置の硬化終了後、超音波探傷装置を用いてボイドの発生率を確認した。実施例１で得られた液状樹脂組成物を用いて作製した半導体装置においては、充填不良ボイドは観測されず良好な充填性を示した。
【００２８】
リフロー試験の試験方法としては、上記の半導体装置をＪＥＤＥＣレベル３の吸湿処理（３０℃相対湿度６０％で１６８時間処理）を行った後、ＩＲリフロー処理（ピーク温度２６０℃）を３回行い、超音波探傷装置にて半導体装置内部での液状樹脂組成物の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いて半導体チップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し亀裂の有無を観測した。実施例１で得られた液状樹脂組成物を用いて作製した半導体装置においては、剥離および亀裂は見られず、良好な信頼性を示した。
【００２９】
温度サイクル試験としては、上記のリフロー試験を行った半導体装置に(−５５℃／３
０分)と（１２５℃／３０分）の冷熱サイクル処理を施し、２５０サイクル毎に超音波探
傷装置にて半導体装置内部の半導体チップと液状樹脂組成物界面の剥離の有無を確認し、さらに光学顕微鏡を用いてチップ側面部の液状樹脂組成物表面を観察し、亀裂の有無を観測した。実施例１で得られた液状樹脂組成物を用いて作製した半導体装置においては、１０００サイクル経過後も剥離および亀裂は見られず、良好な信頼性を示した。以上の結果を表１に詳細にまとめた。
【００３０】
（実施例２〜１１、比較例１〜３）
表１の配合に従い実施例１と同様の方法によって液状樹脂組成物を得た。得られた液状樹脂組成物を用いて実施例１と同様に評価した。詳細な配合、液状樹脂組成物および半導
体装置の評価結果を表１にまとめた。
【００３１】
【表１】
2009227939.tif 000005
【００３２】
表１中の成分について以下に説明する。
・式（１）で表されるエポキシ樹脂（ｎ≧０）日本化薬（株）製、ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２１０
・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：大日本インキ化学工業（株）製、ＥＸＡ-８３０Ｌ
ＶＰ、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、エポキシ当量１６１
・３官能グリシジルアミン：住友化学（株）製、スミエポキシＥＬＭ−１００、４−（２，３−エポキシプロポキシ）−Ｎ，Ｎ−ビス（２，３−エポキシプロピル）−２−メチルアニリン、エポキシ当量１００
・式（２）で表される芳香族アミン硬化剤：式（２）のＲがメチル基、Ｘが水素、ｎ≧１である。で示されるＮ−メチルアニリン・ホルムアルデヒド重縮合物。三洋化成工業（株）製、Ｔ−１２  アミン当量１１６
・芳香族１級アミン型硬化剤：日本化薬（株）製 カヤハードＡＡ  ３，３’−ジエチル
−４，４’−ジアミノジフェニルメタン アミン当量６３．５
・無機充填材（合成球状）：アドマテクス（株）製、アドマファインＳＯ−Ｅ２、合成球状シリカ、平均粒径０．５μｍと、アドマファインＳＯ−Ｅ３、合成球状シリカ、平均粒径１μｍとを重量比で１：１にて配合・混合したもの。
・エポキシ基を有するポリブタジエン（Ｄ）：ＡＤＥＫＡ（株）製  アデカサイザーＢＦ−１０００、数平均分子量２０００、オキシラン酸素濃度７．９％
・希釈剤：東京化成工業（株）製 試薬 エチレングリコール  モノ−ノルマル−ブチルエーテルアセテート
・着色剤：三菱化学（株）製  ＭＡ−６００  カーボンブラック
・カップリング剤：信越化学工業（株）製  ＫＢＭ４０３  γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００３３】
表１において、（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂として芳香族環にアリル基を有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤として２級アミン基を有する芳香族アミン硬化剤および無機充填材（Ｃ）を組み合わせた実施例１〜１１では、エポキシ樹脂（Ａ）の配合、硬化剤（Ｂ）の配合を変えても、２５℃２４時間後の粘度上昇率が高くならず良好なポットライフを示し、半導体装置の評価においても良好な樹脂充填特性を示し、リフロー試験および温度サイクル試験において優れた耐熱密着性と、優れた応力吸収性、耐熱衝撃性とを兼ね備えていることが示された。
次に（Ａ）式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いない比較例１の場合には、２４時間後の粘度（粘度変化率）が高く、保存性の問題が確認された。（Ｂ）式（２）で表される芳香族アミン硬化剤を用いない比較例２、３の場合には、ポットライフおよび流動性は良好であるが、耐リフロー試験および温度サイクル試験で亀裂や剥離が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、優れた応力吸収性、耐熱衝撃性、耐熱密着性、流動特性と十分な可使用時間を兼ね備えた液状封止樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に用いられる。