(57)【要約】【課題】検査装置において、厚みのあるガラス基板に簡単かつ適正に導電路を形成して中間基板を製造する。【解決手段】先ず、ピン立て基板１７０に複数の導電性ピン３１が立設される。製造装置の容器９０に、ガラス基板Ａが収容される。ピン立て基板１７０の導電性ピン３１がガラス基板Ａ側に向くように、ピン立て基板１７０が容器９０内のガラス基板Ａに対向配置される。容器９０内のガラス基板Ａが加熱され、溶融される。ピン立て基板１７０がガラス基板Ａ側に近づけられて、ピン立て基板１７０の導電性ピン３１が前記溶融したガラス基板Ａ内に挿入される。導電性ピン３１がガラス基板Ａに挿入された状態で、ガラス基板Ａが冷却され、固化される。ピン立て基板１７０が導電性ピン３１から取り外される。ガラス基板Ａの表裏面が研磨される。【選択図】図６
2009115524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的特性の検査が行われる被検査体に接触する接触体と、前記接触体に電気的特性の検査のための電気信号を送る回路基板を有する検査装置において、前記接触体と前記回路基板との間に配置され、前記接触体を支持し、前記接触体と前記回路基板とを電気的に導通させる中間構造体の製造方法であって、
ピン立て基板に形成された複数のピン立て孔に、導電性ピンを立設する工程と、
上面が開口した容器に、中間構造体の基材となるガラス基板を収容する工程と、
前記ピン立て基板の導電性ピンが前記ガラス基板側に向くように、前記ピン立て基板を前記容器内のガラス基板に対向配置する工程と、
前記容器内のガラス基板を加熱し、前記ガラス基板を溶融する工程と、
前記ピン立て基板を前記ガラス基板側に近づけて、前記ピン立て基板の導電性ピンを前記溶融したガラス基板内に挿入する工程と、
前記導電性ピンが前記ガラス基板に挿入された状態で、前記ガラス基板を冷却し前記ガラス基板を固化する工程と、
前記ピン立て基板を前記導電性ピンから取り外す工程と、
前記ガラス基板の表裏面を研磨する工程と、を有することを特徴とする、中間構造体の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板の表裏面に、前記導電性ピンと電気的に導通する電極をそれぞれ形成する工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス基板の電極は、表面と裏面とでピッチが異なることを特徴とする、請求項２に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板の被検査体側の面には、シート状の前記接触体が取り付けられ、当該シート状の接触体は、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、被検査体側に突出していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の中間構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板の回路基板側の面には、シート状の接続体が取り付けられ、当該シート状の接続体は、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、前記回路基板側に突出していることを特徴とする、請求項４に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項６】
前記接触体と前記接続体を形成するに際し、
前記接触体と前記接続体のそれぞれの所定の表面形状に適合した面を有する一対の型を、前記ガラス基板を挟んで対向して配置し、
前記一対の型と前記ガラス基板との間に、導電性粒子を含有する絶縁性の成形材料を充填し、
その後、前記成形材料に磁場を当該成形材料の厚み方向にかけ、当該磁場によって導電性粒子を所定の位置に移動させ、
前記成形材料を硬化させることを特徴とする、請求項５に記載の中間構造体の製造方法。
【請求項７】
電気的特性の検査を行う検査装置であって、
被検査体に接触する接触体と、
前記接触体に電気的特性の検査のための電気信号を送る回路基板と、
前記接触体と前記回路基板との間に配置され、前記接触体を支持し、前記接触体と前記回路基板とを電気的に導通させる中間構造体と、を有し、
前記中間構造体は、ガラス基板により形成され、当該ガラス基板の表面から裏面に通じる複数の導電路を有し、
前記複数の導電路は、ガラス基板の厚み方向に複数の導電性のピンが挿入されて形成されていることを特徴とする、検査装置。
【請求項８】
前記中間構造体の表裏面には、前記導電性のピンと電気的に導通する電極がそれぞれ形成され、当該電極は、表面と裏面とでピッチが異なっていることを特徴とする、請求項７に記載の検査装置。
【請求項９】
前記接触体は、シート状に形成され、前記中間構造体の被検査体側の面に取り付けられ、前記導電性のピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、
前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、被検査体側に突出していることを特徴とする、請求項７又は８に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記中間構造体の回路基板側の面に取り付けられ、前記中間構造体と前記回路基板とを電気的に接続する接続体をさらに有し、
前記接続体は、シート状に形成され、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、
前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、前記回路基板側に突出していることを特徴とする、請求項９に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査装置における中間構造体の製造方法及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウェハ上に形成されたＩＣ、ＬＳＩなどの電子回路の電気的特性の検査は、検査装置により行われる。上記検査装置は、通常、上下方向に弾性を有する複数のプローブピンと、各プローブピンに電気的特性の検査の電気信号を送る回路基板と、そのプローブピンと回路基板との間に配置され、プローブピンを支持し、プローブピンと回路基板との間を電気的に導通させるインターポーザ等を有している。そして、検査装置による電気的特性の検査は、プローブピンを被検査体であるウェハの電極に接触させることにより行われている（特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、近年、ウェハ上の電子回路の微細化に応じて、プローブピンなどの接触子同士の間隔の狭ピッチ化が図られている。これにより、例えば隣り合う接触子同士の衝突を防止するため、例えば上下方向の寸法が短い接触子が用いられることがある。この場合、例えば検査時に接触子とウェハとを接触させたときに、上部の回路基板とウェハとの距離が短くなる。このため、例えばウェハが回路基板に対し斜めになったり、或いは回路基板が熱や力により歪んだ場合に、ウェハの外縁部が回路基板に接触する恐れがある。そこで、回路基板とウェハとの間にあるインターポーザの厚みを厚くして、回路基板とウェハとの接触を防止することが考えられる。
【０００４】
また、接触子が短くなって、接触子の上下方向の可動範囲が小さくなった場合、インターポーザの歪みが接触子とウェハとの接触状態に大きく影響する。このため、インターポーザの強度と平坦度を十分に確保する必要がある。この点からもインターポーザの厚みを厚くすることが求められる。
【０００５】
インターポーザは、シリコン基板にリソグラフィ技術を使って形成することもできる。しかし、シリコン基板は、通常８００μｍ程度で厚みが薄いものであり、これを厚くすることは、技術的或いはコスト的に難しい。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５５５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、インターポーザに、厚みを確保できるガラス基板を用いることが提案できる。しかしながら、厚いガラス基板の内部に導電路を施してインターポーザに加工する技術は、未だ具体化されておらず、実現されていない。ガラス基板に厚み方向に貫通する導電路を施す方法として、例えばドリル加工などの機械加工により貫通孔を形成し、その貫通孔に電鋳により導電性材料を埋設することが考えられるが、電鋳により厚いガラス基板内に導電性材料を隙間なく埋設することは技術的に難しく、この方法は現実的ではない。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、厚みのあるガラス基板に簡単かつ適正に導電路を形成して、インターポーザなどの中間構造体を製造することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明は、電気的特性の検査が行われる被検査体に接触する接触体と、前記接触体に電気的特性の検査のための電気信号を送る回路基板を有する検査装置において、前記接触体と前記回路基板との間に配置され、前記接触体を支持し、前記接触体と前記回路基板とを電気的に導通させる中間構造体の製造方法であって、ピン立て基板に形成された複数のピン立て孔に、導電性ピンを立設する工程と、上面が開口した容器に、中間構造体の基材となるガラス基板を収容する工程と、前記ピン立て基板の導電性ピンが前記ガラス基板側に向くように、前記ピン立て基板を前記容器内のガラス基板に対向配置する工程と、前記容器内のガラス基板を加熱し、前記ガラス基板を溶融する工程と、前記ピン立て基板を前記ガラス基板側に近づけて、前記ピン立て基板の導電性ピンを前記溶融したガラス基板内に挿入する工程と、前記導電性ピンが前記ガラス基板に挿入された状態で、前記ガラス基板を冷却し前記ガラス基板を固化する工程と、前記ピン立て基板を前記導電性ピンから取り外す工程と、前記ガラス基板の表裏面を研磨する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、導電性ピンをガラス基板に挿入して導電路を形成できるので、厚みのあるガラス基板に簡単かつ適正に導電路を形成できる。また、ガラス基板の表裏面を研磨して中間構造体が製造されるので、平坦度の高い中間構造体を製造できる。これにより、中間構造体に支持される接触体と被検査体との接触を安定させ、電気的特性の検査を安定して行うことができる。
【００１１】
前記中間構造体の製造方法において、前記ガラス基板の表裏面に、前記導電性ピンと電気的に導通する電極をそれぞれ形成する工程をさらに有するようにしてもよい。
【００１２】
前記ガラス基板の電極は、表面と裏面とでピッチが異なっていてもよい。
【００１３】
前記ガラス基板の被検査体側の面には、シート状の前記接触体が取り付けられ、当該シート状の接触体は、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、被検査体側に突出していてもよい。
【００１４】
また、前記ガラス基板の回路基板側の面には、シート状の接続体が取り付けられ、当該シート状の接続体は、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、前記回路基板側に突出していてもよい。
【００１５】
記接触体と前記接続体を形成するに際し、前記接触体と前記接続体のそれぞれの所定の表面形状に適合した面を有する一対の型を、前記ガラス基板を挟んで対向して配置し、前記一対の型と前記ガラス基板との間に、導電性粒子を含有する絶縁性の成形材料を充填し、その後、前記成形材料に磁場を当該成形材料の厚み方向にかけ、当該磁場によって導電性粒子を所定の位置に移動させ、前記成形材料を硬化させてもよい。なお、導電性粒子が移動する所定の位置とは、最終的に接触体と接続体のそれぞれの導電部が形成される位置である。
【００１６】
別の観点による本発明は、電気的特性の検査を行う検査装置であって、被検査体に接触する接触体と、前記接触体に電気的特性の検査のための電気信号を送る回路基板と、前記接触体と前記回路基板との間に配置され、前記接触体を支持し、前記接触体と前記回路基板とを電気的に導通させる中間構造体と、を有し、前記中間構造体は、ガラス基板により形成され、当該ガラス基板の表面から裏面に通じる複数の導電路を有し、前記複数の導電路は、ガラス基板の厚み方向に複数の導電性のピンが挿入されて形成されていることを特徴とする。
【００１７】
前記検査装置における前記中間構造体の表裏面には、前記導電性のピンと電気的に導通する電極がそれぞれ形成され、当該電極は、表面と裏面とでピッチが異なっていてもよい。
【００１８】
前記接触体は、シート状に形成され、前記中間構造体の被検査体側の面に取り付けられ、前記導電性のピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、被検査体側に突出していてもよい。
【００１９】
前記検査装置は、前記中間構造体の回路基板側の面に取り付けられ、前記中間構造体と前記回路基板とを電気的に接続する接続体をさらに有し、前記接続体は、シート状に形成され、前記導電性ピンと電気的に導通する複数の導電部と当該導電部相互間を接続する絶縁部により構成され、前記導電部は、弾性を有し、シートを厚み方向に貫通し、前記回路基板側に突出していてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、厚みのあるガラス基板に導電路を簡単かつ適正に形成できる。これにより、中間構造体の厚みを厚くすることができ、被検査体と回路基板との接触を防止できる。また、中間構造体の強度や平坦度を確保し、中間構造体に支持された接触体と被検査体との電気的な接触を安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる検査装置１の構成の概略を示す縦断面図である。
【００２２】
検査装置１には、例えばプローブカード２と、被検査体としてのウェハＷを載置する載置台３が設けられている。プローブカード２は、載置台３の上方に配置されている。プローブカード２は、例えば後述する下面弾性シート２２に検査用の電気信号を送るための回路基板１０と、当該回路基板１０の外周部を保持するホルダ１１と、回路基板１０の下面側に装着され、ウェハＷ上の電極パットＵに接触して回路基板１０とウェハＷとの間の電気的な導通を図る検査用接触構造体１２を備えている。
【００２３】
回路基板１０は、図示しないテスタに電気的に接続されており、テスタからの検査用の電気信号を下方の検査用接続構造体１２に対し送受信することができる。回路基板１０は、例えば略円盤状に形成されている。回路基板１０の内部には、電子回路が形成され、回路基板１０の下面には、当該電子回路の複数の接続端子１０ａが形成されている。
【００２４】
図２は、検査用接触構造体１２の構成の概略を示す縦断面図である。検査用接触構造体１２は、例えば平板状の中間構造体としての中間基板２０と、中間基板２０の上面に取付けられた接続体としての上面弾性シート２１と、中間基板２０の下面に取付けられた接触体としての下面弾性シート２２を備えており、３層構造を有している。
【００２５】
中間基板２０は、例えば図３に示すように方形に形成されている。中間基板２０は、例えば３ｍｍ〜１５ｍｍ程度の厚いガラス基板により形成されている。これにより、中間基板２０は、ウェハＷと同程度の熱膨張率を有し、また上面弾性シート２１及び下面弾性シート２２に比べて高い剛性を有している。中間基板２０には、例えば図２に示すように下面から上面に鉛直方向に通じる複数の導電路３０が形成されている。各導電路３０は、例えば中間基板２０の厚み方向に導電性ピン３１が挿入されて形成されている。導電路３０は、例えばウェハＷの電極パットＵに対応する位置に形成されている。各導電路３０の上端部には、上部電極３０ａが形成され、各導電路３０の下端部には、下部電極３０ｂが形成されている。この中間基板２０の製造方法については、後述する。
【００２６】
下面弾性シート２２は、例えば方形に形成され、中間基板２０の下面に貼り付けられている。下面弾性シート２２は、全体が弾性を有する絶縁材である例えばゴムシートにより形成されている。下面弾性シート２２には、導電性を有する複数の導電部４０が形成されている。導電部４０は、ゴムシートの一部に導電性粒子が密に充填されて形成されている。導電部４０は、例えば中間基板２０の導電路３０の下部電極３０ｂに対応する位置に形成され、下部電極３０ｂに接続されている。各導電部４０は、例えば下面弾性シート２２を上下方向に貫通し下面弾性シート２２の下面から凸状に突出している。下面弾性シート２２の導電部４０以外の部分、つまり導電部４０同士を接続する部分は、ゴムシートのみからなる絶縁部４１になっている。
【００２７】
上面弾性シート２１は、上述した下面弾性シート２２とほぼ同じ構成を有している。上面弾性シート２１は、例えば方形に形成され、中間基板２０の上面に貼り付けられている。上面弾性シート２１は、全体が弾性を有する絶縁材である例えば上記下面弾性シート２２と同じゴムシートにより形成されている。上面弾性シート２１には、導電性を有する複数の導電部５０が形成されている。導電部５０は、ゴムシートの一部に導電性粒子が密に充填されて形成されている。導電部５０は、例えば中間基板２０の導通路３０の上部電極３０ａに対応する位置に形成され、上部電極３０ａに接続されている。各導電部５０は、例えば上面弾性シート２１を上下方向に貫通し上面弾性シート２１の上面から凸状に突出している。上面弾性シート２１の導電部５０以外の部分は、絶縁部５１になっている。
【００２８】
例えば図１に示すように中間基板２０の外周部が例えばシリコーン製の接着剤６０により回路基板１０の下面に接着され、検査用構造体１２の全体が回路基板１０に固定されている。
【００２９】
載置台３は、例えば水平方向及び上下方向に移動自在に構成されており、載置したウェハＷを三次元移動できる。
【００３０】
以上のように構成された検査装置１で検査が行われる際には、先ずウェハＷが載置台３上に載置され、その後載置台３が上昇されて、ウェハＷの各電極Ｕが検査用接触構造体１２の下面弾性シート２２の各導電部４０に押し付けられる。その後、テスタから回路基板１０、検査用接触構造体１２を通じてウェハＷに電気信号が送られ、ウェハＷの電気的特性の検査が行われる。
【００３１】
次に、上記中間基板２０の製造方法について説明する。図４は、かかる中間基板２０の製造方法に用いられる製造装置８０の構成の概略を示す。
【００３２】
製造装置８０は、中間基板２０の基材となるガラス基板Ａを収容する容器９０を備えている。容器９０は、上面が開口し縦断面が凹型の箱状に形成されている。容器９０は、ガラス基板Ａよりも線膨張係数が小さい材料で、なおかつ熱伝導性が良好でガラス基板Ａと融着しない材質、例えばカーボンで形成されている。
【００３３】
容器９０は、例えば支持部材１００に支持されて加熱容器１０１内に収容されている。加熱容器１０１は、例えば上面が開口し底面が閉口した略円筒状に形成されている。加熱容器１０１は、例えば石英ガラスにより形成されている。加熱容器１０１の上面開口部は、蓋体１０２によって気密に閉鎖されている。
【００３４】
加熱容器１０１の周囲には、給電により発熱するヒータ１０３が設けられている。ヒータ１０３は、例えば加熱容器１０１の側面と下面に配置されている。
【００３５】
加熱容器１０１は、断熱材によって形成された外カバー１０４によって覆われている。上記ヒータ１０３は、外カバー１０４と加熱容器１０１の間に介在されている。
【００３６】
蓋体１０２の中央部には、上下方向に貫通する貫通孔１０２ａが形成されている。貫通孔１０２ａには、蓋体１０２の上方から加熱容器１０１内まで上下方向に延伸するシャフト１１０が挿通している。
【００３７】
シャフト１１０の下端部には、例えば略円盤形状の保持部材１１１が取り付けられている。保持部材１１１は、下面が水平に形成され、この下面には、図示しない吸引口が形成されている。この吸引口からの吸引により、保持部材１１１の下面に後述するピン立て基板１７０を吸着保持できる。
【００３８】
シャフト１１０の上端部は、蓋体１０２の上方に配置されたモータなどの昇降駆動部１２０に接続されている。昇降駆動部１２０は、例えば蓋体１０２の上面に設置された支持台１２１上に支持されている。昇降駆動部１２０は、シャフト１１０を上下動させて保持部材１１１を昇降できる。
【００３９】
例えば蓋体１０２と昇降駆動部１２０との間のシャフト１１０には、例えば円盤状のフランジ１３０が取り付けられている。フランジ１３０と蓋体１０２との間には、伸縮自在なベローズ１３１が介在されている。このベローズ１３１には、図示しない冷却機構が設けられており、加熱容器１０１側の熱が昇降駆動部１２０側に伝わることを抑制している。
【００４０】
製造装置８０には、加熱容器１０１内に所定のガスを供給するガス供給管１５０が設けられている。ガス供給管１５０は、例えば加熱容器１０１の側面に接続されている。ガス供給管１５０は、図示しないガス供給源に通じている。本実施の形態においては、ガス供給源には、窒素ガスが封入されており、加熱容器１０１内には、ガス供給管１５０を通じて窒素ガスが供給される。
【００４１】
次に、上記製造装置８０を用いて行われる中間基板２０の製造方法について説明する。
【００４２】
先ず、図５に示すようなピン立て基板１７０が用意される。ピン立て基板１７０は、表面の所定の位置に複数の円形のピン立て孔１７０ａが形成されている。ピン立て孔１７０ａの配置や数は、最終的に中間基板２０に形成される導電路３０の位置に応じて適宜設定される。なお、ピン立て孔１７０ａは、例えばフォトリソグラフィー技術によるドライエッチング加工により形成されている。
【００４３】
そして、ピン立て基板１７０の各ピン立て孔１７０ａに、円柱状の導電性ピン３１が挿入されて固定される。導電性ピン３１の材質として、例えばタングステンが用いられる。こうして、ピン立て基板１７０に複数の導電性ピン３１が立てられる。
【００４４】
次に、図４に示すように製造装置８０の容器９０内に、ガラス基板Ａが収容される。本実施の形態では、ガラス基板Ａに、例えばパイレックスガラス（コーニング社の登録商標）などのホウケイ酸ガラスが用いられる。
【００４５】
また、ピン立て基板１７０は、導電性ピン３１を下に向けた状態で、製造装置８０の保持部材１１１の下面に吸着保持される。これにより、ピン立て基板１７０が容器９０内のガラス基板Ａに対向配置される。その後、ガス供給管１５０から加熱容器１０１内に窒素ガスが供給され、加熱容器１０１内が不活性の窒素雰囲気に置換される。
【００４６】
次に、図６（ａ）に示すようにピン立て基板１７０とガラス基板Ａが対向配置された状態で、ヒータ１０３により加熱容器１０１内が昇温される。これにより、図６（ｂ）に示すようにガラス基板Ａが軟化点より高い温度に加熱され、溶融される。
【００４７】
その後、昇降駆動部１２０により、保持部材１１１が下降し、図６（ｃ）に示すようにピン立て基板１７０の導電性ピン３１がガラス基板Ａ内に挿入される。その後、ヒータ１０３が停止され、図６（ｄ）に示すように導電性ピン３１がガラス基板Ａに挿入された状態で、ガラス基板Ａが冷却され、固化される。
【００４８】
その後、図７に示すように昇降駆動部１２０により保持部材１１１が上昇され、ピン立て基板１７０が導電性ピン３１から取り外される。
【００４９】
次に例えば図８（ａ）に示すようにガラス基板Ａが容器９０から取り出される。
【００５０】
次にガラス基板Ａの上面と下面が研磨される。これにより、図８（ｂ）に示すようにガラス基板Ａの上下面に導電性ピン３１が露出し、ガラス基板Ａに、導電性ピン３１による導電路３０が形成される。この後、必要に応じてガラス基板Ａの外側面が垂直に加工される。
【００５１】
その後、例えばめっき技術により、ガラス基板Ａの上下面には、図８（ｃ）に示すように各導電性ピン３１に通じる上部電極３０ａと下部電極３０ｂが形成される。こうして、ガラス基板Ａの中間基板２０が製造される。
【００５２】
以上の実施の形態によれば、ガラス基板Ａに導電性ピン３１が挿入されて、導電路３０が形成されるので、厚いガラス基板Ａに簡単かつ適正に導電路３０を形成できる。この結果、厚いガラス基板Ａの中間基板２０の加工が実現できるので、例えば下面弾性シート２２の導電部４０のような上下に短い接触子を用いても、回路基板１０とウェハＷとの接触等を防止できる。また、中間基板２０の強度や平坦度が確保され、下面弾性シート２２とウェハＷとの接触を安定させることができる。
【００５３】
また、上記実施の形態によれば、ガラス基板Ａの上下面を研磨するので、中間基板２０の平坦度が向上し、例えば狭ピッチで可動範囲の小さい接触子を用いても、ウェハＷと接触子の接触を安定させることができる。
【００５４】
以上の実施の形態では、上面弾性シート２１と下面弾性シート２２は、それぞれ中間基板２０に貼り付けて形成されていたが、次に述べる方法で形成してもよい。
【００５５】
先ず、図９（ａ）に示すように中間基板２０を挟んで対向した一対の型１９０、１９１を配置する。このとき、型１９０、１９１の上下方向の位置は、最終的に中間基板２０の上下面に形成される上面弾性シート２１と下面弾性シート２２のそれぞれの厚みに応じて決定される。回路基板１０側の型１９０はその下面に複数のくぼみ部１９０ａが形成され、複数のくぼみ部１９０ａは上部電極３０ａに対応する位置にそれぞれ形成されている。型１９０の下面は、最終的に中間基板２０の上面に形成される上面弾性シート２１の表面形状に適合している。また、ウェハＷ側の型１９１はその下面に複数のくぼみ部１９１ａが形成され、複数のくぼみ部１９０ａは下部電極３０ｂに対応する位置にそれぞれ形成されている。型１９１の下面は、最終的に中間基板２０の下面に形成される下面弾性シート２２の表面形状に適合している。
【００５６】
一対の型１９０、１９１を配置する際、回路基板１０側の型１９０と中間基板２０の上面との間、及びウェハＷ側の型１９１と中間基板２０の下面との間に、導電性粒子１９２と高分子材料１９３との混合物からなる液状の絶縁性の成形材料１９４を充填する。なお、導電性粒子１９２には、磁性を示す金属の粒子が用いられ、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子等が用いられる。また、高分子材料１９３には、絶縁性で弾性を有する物質、例えばシリコーンゴム、天然ゴム等が用いられる。
【００５７】
次に、図９（ｂ）に示すように型１９０と中間基板２０の上面との間に充填された成形材料１９４に対して、上方から当該成形材料１９４の厚み方向に磁場をかける。同時に、型１９１と中間基板２０の下面との間に充填された成形材料１９４に対して、下方から当該成形材料１９４の厚み方向に磁場をかける。この磁場によって、成形材料１９４内の導電性粒子１９２を、くぼみ部１９０ａ、１９１ａと中間基板２０との間、すなわち最終的に上面弾性シート２１と下面弾性シート２２の導電部５０、４０が形成される位置にそれぞれ移動させる。
【００５８】
そして、例えば型１９０、１９１を中間基板２０の方向にそれぞれ圧下し、成形材料１９４中の高分子材料１９３を硬化させる。
【００５９】
その後、図９（ｃ）に示すように型１９０、１９１を取り除く。このように、導電部５０、４０には導電性粒子１９２が充填され、また高分子材料１９３が硬化することによって、中間基板２０の上下面に上面弾性シート２１と下面弾性シート２２が形成される。
【００６０】
かかる方法によれば、上面弾性シート２１と下面弾性シート２２が、型１９０、１９１と中間基板２０との間に成形材料１９４を入れて形成されるので、型１９０、１９１の上下方向の位置を調整することによって、形成される上面弾性シート２１と下面弾性シート２２を所望の厚みに形成することができる。また、型１９０の下面と型１９１の上面は、それぞれ上面弾性シート２１と下面弾性シート２２の表面形状に適合しているので、形成される上面弾性シート２１と下面弾性シート２２の面精度を向上させることができる。
【００６１】
以上の実施の形態では、中間基板２０の上部電極３０ａと下部電極３０ｂのピッチが同じであったが、これを変えてもよい。
【００６２】
例えば図１０に示すように上部電極３０ａのピッチを下部電極３０ｂよりも広く形成してもよい。この場合、例えばガラス基板Ａの上面に、導電路３０の上端部と上部電極３０ａを接続する配線１８０が形成される。そして、上面弾性シート２１の導電部５０のピッチも下面弾性シート２２の導電部４０のピッチより広く形成される。かかる場合、回路基板１０の下部端子１０ａと下面弾性シート２２の導電部４０との間でピッチを変換でき、より狭ピッチのウェハ電極の電気的特性の検査を行うことができる。
【００６３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６４】
例えば、以上の実施の形態で記載した中間基板２０は、方形であったが、円形などの他の形状であってもよい。また、導電性ピン３１は、円柱状であったが、角柱状であってもよい。また、検査用接触構造体１２の上面弾性シート２１、下面弾性シート２２等の構成も、上記例に限られず、他の構成であってもよい。接触体として下面弾性シート２２に代えて、中間基板２０にカンチレバー型などのプローブピンが支持されていてもよい。さらに本発明は、被検査体がウェハＷ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）などの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、検査装置において、厚みのあるガラス基板に簡単かつ適正に導電路を形成して中間構造体を製造する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】検査装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図２】検査用接触構造体の構成を示す縦断面の説明図である。
【図３】中間基板の平面図である。
【図４】製造装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】ピン立て基板の斜視図である。
【図６】（ａ）は、ピン立て基板をガラス基板に対向配置した状態を示す説明図である。（ｂ）は、ガラス基板を溶融した状態を示す説明図である。（ｃ）は、導電性ピンをガラス基板内に挿入した状態を示す説明図である。（ｄ）は、ガラス基板を固化した状態を示す説明図である。
【図７】導電性ピンからピン立て基板を取り外した状態を示す説明図である。
【図８】（ａ）は、ガラス基板を容器から取り出した状態を示す説明図である。（ｂ）は、ガラス基板の上下面を研磨した状態を示す説明図である。（ｃ）は、ガラス基板の上下面に電極を形成した状態を示す説明図である。
【図９】（ａ）は、型と中間基板の間に成形材料を充填した状態を示す説明図である。（ｂ）は、成形材料に磁場をかけた際の成形材料の様子を示す説明図である。（ｃ）は、上面弾性シートと下面弾性シートが形成された様子を示す説明図である。
【図１０】上部電極と下部電極のピッチを変えたときの検査用接触構造体の一部の縦断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１    検査装置
１０  回路基板
１２  検査用接触構造体
２０  中間基板
２１  上面弾性シート
２２  下面弾性シート
３０  導電路
３１  導電性ピン
８０    製造装置
９０    容器
１７０  ピン立て基板
Ａ    ガラス基板
【図１】
2009115524.tif 000003
【図２】
2009115524.tif 000004
【図３】
2009115524.tif 000005
【図４】
2009115524.tif 000006
【図５】
2009115524.tif 000007
【図６】
2009115524.tif 000008
【図７】
2009115524.tif 000009
【図８】
2009115524.tif 000010
【図９】
2009115524.tif 000011
【図１０】
2009115524.tif 000012