(57)【要約】【課題】ＰＥＴ用検出器に用いるシンチレータとして充分な特性をもつＬｕＡＧ焼結体を得る。【解決手段】混合工程において、上記の素原料が、アルミナボールを用いたボールミルを用いて湿式混合される。この場合の溶媒は例えばエタノールが用いられ、この混合時間は１２〜４０時間とすることができる。この際、Ｓｉ原料として特にＴＥＯＳを用いた場合、ＴＥＯＳは常温で液体であるため、これをエタノールに混合すれば、特にこれを均一に混合することが容易である。Ｓｉ含有量が大きい場合には、発光強度が低下し、分解能が徐々に劣化する（大きくなる）ことが確認できる。また、Ｓｉ含有量が３０ｐｐｍ未満の場合にも、発光強度は劣化する。従って、Ｓｉ含有量には最適な範囲が存在する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体の蛍光材料の製造方法であって、
前記ＬｕＡＧ焼結体の原料となる粉末に、前記焼結体中におけるシリコン（Ｓｉ）濃度が３０〜４００ｐｐｍの範囲となるべくＳｉ成分を添加する混合工程を有することを特徴とする蛍光材料の製造方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ成分はＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光材料の製造方法。
【請求項３】
プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体からなる蛍光材料であって、
シリコン（Ｓｉ）が３０〜４００ｐｐｍの範囲の濃度で添加されていることを特徴とする蛍光材料。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の蛍光材料の製造方法によって製造されたことを特徴とする蛍光材料。
【請求項５】
プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体であって、
Ｓｉ濃度が４００ｐｐｍ以下であり、
断面において、円相当径が０．１μｍ以上である粒内ボイド密度が５００個／ｍｍ２以下であることを特徴とする蛍光材料。
【請求項６】
請求項３から請求項５までのいずれか１項に記載の蛍光材料からなることを特徴とするシンチレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、γ線等の放射線を吸収して発光する蛍光材料及びその製造方法、及びこれを用いて製造されたシンチレータに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療用機器として、ＰＥＴ（Ｐｏｓｉｔｒｏｎ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ：陽電子放射断層画像撮影法）が用いられている。ＰＥＴは、被験者に対して陽電子を放射する物質を投与し、体内から発せられた陽電子を検出することによってその分布を特定し、被験者を診断する技術である。ＰＥＴにおいては、陽電子を検出することが必要になるが、この際には、陽電子の対消滅の際に発生するγ線（エネルギー５１１ｋｅＶ）が検出される。
【０００３】
一般に、Ｘ線やγ線等の放射線を通常の光検出器で効率よく直接検出することは困難である。このため、これらの放射線（Ｘ線やγ線の光子）を吸収して、光（紫外線や可視光の光子）を発する蛍光材料（シンチレータ）が用いられている。シンチレータは、Ｘ線やγ線の光子を吸収すると、そのエネルギーに対応した数の可視光や紫外光の光子を発する。この可視光や紫外光の光子を例えば光電子増倍管（フォトマルチプライヤ）で電気信号に変換して検出することにより、間接的にこれらの放射線を検出することができる。従って、ＰＥＴにおいては、前記のエネルギーのγ線を吸収して発光するシンチレータが必要になる。
【０００４】
こうしたシンチレータ材料としては、例えばＢＧＯ（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）が知られている。しかしながら、このγ線の検出効率を高めるためには、１個のγ線の光子からより多くの可視光又は紫外光の光子を発する、すなわち、より高い発光効率をもつ材料が求められている。また、この発光は１個のγ線の光子をシンチレータが吸収する度に発生し、γ線の強度（カウント数）は、この発光の回数に対応する。ここで、１回のγ線の吸収による発光時間（蛍光寿命）が長いと、次にγ線が入射した場合の発光と重なり、その計数が困難となる。従って、蛍光寿命が短いことも必要である。すなわち、ＢＧＯよりもより高い発光効率とより短い蛍光寿命をもつ材料が求められている。
【０００５】
こうした要求を満たす材料として、ＬｕＡＧ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：ルテチウムアルミニウムガーネット）がある。ＬｕＡＧは、発光元素としてセリウム（Ｃｅ）又はプラセオジム（Ｐｒ）が添加されて使用される。ＬｕＡＧは、ＢＧＯと比べると、より高い発光効率と、より短い蛍光時間を有しているため、ＰＥＴにおいて好ましく用いることができる。この多結晶（焼結体）については非特許文献１に、単結晶については例えば特許文献１に記載されている。この際、γ線の吸収効率が低いために、充分な検出効率を得るためには厚い大型のシンチレータが必要になる。また、ＰＥＴにおいて画像を得るためには、環状に配置された多数個の検出器が必要になる。従って、低価格でこのシンチレータを得ることも重要である。
【０００６】
ここで、Ｃｅ添加されたＬｕＡＧ焼結体は、前記のＢＧＯ焼結体の１．３倍程度の発光強度が得られることが非特許文献１に記載されている。これに対して、Ｐｒ添加されたＬｕＡＧ単結晶によれば、ＢＧＯ単結晶の３．３倍もの高い発光強度が得られることが非特許文献２に記載されている。従って、高い発光強度を得るという観点からは、Ｐｒ添加されたＬｕＡＧがより好ましい。
【０００７】
ところが、Ｐｒ添加されたＬｕＡＧの単結晶を成長させる際には、Ｐｒが偏析するため、均一な結晶を得ることが困難である。また、この結晶成長に要する温度は高く、かつ長時間を要する。更にこの後でこの単結晶を所望の形状に機械的に加工することが必要になるため、その製造コストは高くなる。一方、焼結体（多結晶）においては、Ｐｒの偏析は生じない。また、焼結体を得る工程自体が単結晶成長よりも容易であり、かつ焼結体の成形時に所望の形状とすることができるため、焼結体の製造コストは安くなる。
【０００８】
従って、Ｐｒ添加されたＬｕＡＧ焼結体は特にＰＥＴに適した材料となりうる。
【０００９】
【非特許文献１】Ｍａｒｔｉｎ  Ｎｉｋｌ、Ｊｉｒｉ  Ｍａｒｅｓ、Ｎａｔａｓｈａ  Ｓｏｌｏｖｉｅｖａ、Ｈｕｉ−Ｌｉ  Ｌｉ、Ｘｕｅ−Ｊｉａｎ  Ｌｉｕ、Ｌｉ−Ｐｉｎｇ  Ｈｕａｎｇ、Ｌｌａｒｉａ  Ｆｏｎｔａｎａ、Ｍａｕｒｏ  Ｆａｓｏｌｉ、Ａｎｎａ  Ｖｅｄｄａ、  ａｎｄ  Ｃａｒｍｅｌｏ  Ｄ’Ａｍｂｒｏｓｉｏ、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、１０１巻、３３５１５（２００７年）
【非特許文献２】古河機械金属株式会社、素材総合研究所、製品紹介、インターネット（２００８年３月１７日検索、URL：http://www.furukawakk.co.jp/rd/material/rd_product/rd_crystal.html）
【特許文献１】特開２００６−１６２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、一般に多結晶材料（焼結体）の発光強度は単結晶材料よりも低く、高い発光強度を得ることのできるＬｕＡＧ焼結体を得ることは困難であった。すなわち、ＰＥＴ用検出器に用いるシンチレータとして充分な特性をもつＬｕＡＧ焼結体を得ることは困難であった。
【００１１】
本発明は、斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の要旨は、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体からなる蛍光材料の製造方法であって、前記ＬｕＡＧ焼結体の原料となる粉末に、前記焼結体中におけるシリコン（Ｓｉ）濃度が３０〜４００ｐｐｍの範囲となるべくＳｉ成分を添加する混合工程を有することを特徴とする蛍光材料の製造方法に存する。
本発明の要旨は、さらに前記Ｓｉ成分はＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）であることを特徴とする前記蛍光材料の製造方法に存する。
本発明の要旨は、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体からなる蛍光材料であって、シリコン（Ｓｉ）が３０〜４００ｐｐｍの範囲の濃度で添加されていることを特徴とする前記蛍光材料に存する。
本発明の要旨は、上記の蛍光材料の製造方法によって製造されたことを特徴とする蛍光材料に存する。
本発明の要旨は、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体であって、Ｓｉ濃度が４００ｐｐｍ以下であり、断面において、円相当径が０．１μｍ以上である粒内ボイド密度が５００個／ｍｍ２以下であることを特徴とする蛍光材料に存する。
本発明の要旨は、上記のいずれかの蛍光材料からなることを特徴とするシンチレータに存する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は以上のように構成されているので、シンチレータとして充分な特性をもつＬｕＡＧ焼結体を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
シンチレータにおける発光強度を高くするためには、シンチレータを構成する蛍光材料における発光効率が高いこと、すなわち、１個のγ線光子を吸収することによって発する可視光又は紫外光の光子数が多いことが要求される。また、γ線の検出においては、シンチレータ材料におけるγ線の吸収が小さいために、γ線を充分に吸収するためにはシンチレータの厚さを充分に大きくすることが必要になる。このため、発生した可視光又は紫外光がシンチレータ中を通過する距離が長くなり、その間にシンチレータ内でこれらの光が散乱・吸収される確率が高くなる。従って、これらの光の透過率が高いことも要求される。
【００１５】
発明者は、プラセオジム（Ｐｒ）が添加されたＬｕＡＧ（Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：ルテチウムアルミニウムガーネット）焼結体において焼結助剤として添加されるＳｉが、発光効率と光透過率の両方に対して大きな影響を与えることを見出し、この濃度を最適化することによって、シンチレータ材料として高い発光強度を得る蛍光材料の製造方法を完成させた。
【００１６】
すなわち、本発明の実施の形態となるシンチレータ（蛍光材料）は、発光元素としてＰｒが添加されたＬｕＡＧであり、焼結体として製造される。この際に、焼結助剤としてシリコン（Ｓｉ）が添加される。図１は、本発明のシンチレータの製造方法を示す工程図である。
【００１７】
まず、素原料秤量工程において、素原料となる酸化ルテチウム（Ｌｕ２Ｏ３）粉末、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末、三硝酸プラセオジム（Ｐｒ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ）粉末を、それぞれ所定の組成となるべく秤量する。ここで、三硝酸プラセオジム粉末は発光元素となるＰｒの原料である。更に、これらの粉末に、焼結助剤となるＳｉ原料として、常温で液体であるＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４：テトラエチルオルソシリケート）を所定量秤量する。この焼結助剤を添加することによって、焼結が適正に進み、緻密なＬｕＡＧ焼結体を得ることができる。なお、Ｓｉ原料としては、他にＳｉＯ２粉末等を用いることもできる。
【００１８】
化学量論的組成のＬｕＡＧ焼結体を得るためには、例えば純度９９．９９９％、平均粒径が１μｍ程度の酸化ルテチウム粉末を１３９６．１７ｇ、純度９９．９９５％、平均粒径が０．４μｍ程度のアルミナ粉末を５９８．０３ｇ用いる。また、例えばＰｒ濃度を０．９ｍｏｌ％とするためには、これに対して純度９９．９％の三硝酸プラセオジム粉末を９．１８５ｇ用いる。ＴＥＯＳの混合量については後述する。
【００１９】
次に、混合工程において、上記の素原料が、アルミナボールを用いたボールミルを用いて湿式混合される。この場合の媒液は例えばエタノールが用いられ、この混合時間は１２〜４０時間とすることができる。この際、Ｓｉ原料として特にＴＥＯＳを用いた場合、ＴＥＯＳは常温で液体であるため、これをエタノールに混合すれば、特にこれを均一に混合することが容易である。また、三硝酸プラセオジウムはエタノールに可溶なので、エタノール中に溶解すれば特にこれを均一に混合することが可能である。その後、媒液であるエタノールは乾燥によって除去される。
【００２０】
なお、この混合工程においては、上記の成分の他に、得られる蛍光体の特性に影響を与えない範囲内でバインダや分散剤として有機物を添加し、スプレードライ法によって造粒することもできる。この場合には、以下に述べる成形工程後に５００〜８００℃の熱処理によって炭素成分を除去することが好ましい。
【００２１】
次に、成形工程において、上記の混合物は、シンチレータとしての所定の形状、例えば直方体形状に成形される。この際、初めに一軸加圧法によって例えば０．５ｔ／ｃｍ２程度の加圧で所定の大きさの直方体に成形した後に、ＣＩＰ（Ｃｏｌｄ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓ：冷間静水圧プレス）法によって３ｔ／ｃｍ２程度の加圧で成形すれば、緻密な成形体が得られるため、好ましい。また、この他に、鋳込み成形や、押し出し成形、射出成形等、所定の形状の成形体が得られる方法であれば、これを用いることができる。
【００２２】
次に、焼成工程において、この成形体を焼成する。この焼成は、例えば真空中で、１６５０〜１８００℃程度の温度で行われる。焼成時間は６〜４０時間とする。これによって、Ｐｒ添加されたＬｕＡＧ焼結体が得られる。また、この焼成は酸素雰囲気、水素雰囲気等で行うこともできる。また、ホットプレス（ＨＰ：Ｈｏｔ  Ｐｒｅｓｓ）法や熱間等方圧プレス（ＨＩＰ：Ｈｏｔ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓ）法を用いることもできる。
【００２３】
以上の製造方法によって製造されたＬｕＡＧ焼結体をシンチレータとして用いた場合の蛍光特性について、図２に示す構成の評価システムによって測定した。ここで、計測されるγ線は放射性同位体である線源１（Ｃｓ１３７）によって発せられる６６２ｋｅＶのγ線であり、これが上記の製造方法によって製造されたシンチレータ２に入射する。前記の通り、シンチレータ２はこのγ線を吸収することにより、波長３１０ｎｍの光（蛍光）を発する。光電子増倍管（ＰＭＴ）３がこの光を検出し、その際に出力されるパルス波形をデジタルオシロスコープ４で観測することにより、シンチレータ２における蛍光の時定数（蛍光寿命）が測定された。このパルス波形は指数関数的に減衰するため、蛍光寿命は例えば強度が最大の１／ｅになるまでの時間として定義される。この発光はγ線の光子がシンチレータ２内で吸収される度に生ずる。
【００２４】
また、この出力は、プリアンプ５で増幅され、波形成形器６で成形され、マルチチャンネルアナライザ７で、その波高（チャンネル）分布が計測された。計測された波高分布（横軸：パルス波高、縦軸：カウント数）の例を図３に示す。この波高（横軸）は、１個のγ線によって発生した波長３１０ｎｍの光子数に対応するが、その光子数は分布をもつため、中心パルス波高から広がりをもつ形状となり、中心パルス波高が発光強度に対応する。ただし、コンプトン効果によってγ線のエネルギーの一部が試料中の電子に与えられることによる発光があるため、特にこれよりも低いパルス波高においては高いカウント数の領域が存在する。
【００２５】
この中心パルス波高がこの発光強度に対応する。また、この波高分布より、このエネルギーのγ線における分解能が、（パルス波高分布における半値幅）／（中心パルス波高）として測定された。
【００２６】
上記の測定において、シンチレータ２は１０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍの大きさとし、全ての面は鏡面研磨を施した。上記の測定においては、γ線は１０ｍｍ×２ｍｍの面に入射させ、可視光の測定面以外には反射材を貼り付けた。
【００２７】
図４は、前記の製造方法によって製造されたシンチレータにおいて、ＴＥＯＳ添加量を変えることによってＳｉ含有量を変えた場合の、発光強度と分解能について図２のシステムを用いて測定した結果である。ここで、発光強度は波高分布におけるチャンネルで表示してあり、Ｓｉ添加量は試料の単位重量に対するＳｉの重量ｐｐｍ（ｗｔｐｐｍ）で示してある。例えば、３０ｗｔｐｐｍは、試料の単位重量を１００としたとき、０．００３に相当する。ここで、Ｓｉ添加量は混合時のＴＥＯＳ添加量から組成式を用いて換算したＳｉ量である。混合、乾燥工程におけるＴＥＯＳの蒸発は無視できるため、焼結体中のＳｉ含有量はほぼこのＳｉ添加量に相当する。また、ＴＥＯＳ中の炭素成分は焼結時などにＣＯ２として排出される。
【００２８】
この結果より、Ｓｉ添加量が大きい場合には、発光強度が低下し、分解能が徐々に劣化する（大きくなる）ことが確認できる。また、Ｓｉ添加量が３０ｐｐｍ以下の場合にも、発光強度は劣化する。従って、Ｓｉ含有量には最適な範囲が存在する。なお、Ｓｉ添加量によるＬｕＡＧ焼結体の密度の変化は無視できるため、γ線の吸収量はＳｉ添加量によらず図４に示された範囲では一定と考えられる。
【００２９】
Ｓｉ添加量が大きな場合に発光強度が低下するのは、ＬｕＡＧの結晶中において添加されたＳｉによって新たな準位が形成され、Ｐｒによって形成された本来の発光をもたらす準位を介した遷移が生じにくくなることに起因する。すなわち、Ｓｉ添加量の増大に伴って発光効率が低下する。従って、この観点からはＳｉ添加量が小さいことが好ましい。図４の結果から、このためには、Ｓｉ添加量は、例えば発光強度の最大から７０％以上が得られる範囲として、４００ｐｐｍ以下が好ましい。また、発光強度の最大から８０％以上が得られる範囲として、２５０ｐｐｍ以下がより好ましい。
【００３０】
一方、このシンチレータにおける３１０ｎｍの光の透過率のＳｉ濃度依存性について調べた結果が図５である。ここで、シンチレータ（蛍光材料）の厚さは２ｍｍとした。この結果より、Ｓｉ添加量が１００ｐｐｍ以上の場合には透過率はほぼ一定であるが、Ｓｉ含有量が３０ｐｐｍ以下の場合には大きく低下することが確認できる。
【００３１】
従って、このシンチレータにおいては、Ｓｉ添加量が小さな場合にはこの透過率が低下するために、発光強度が実質的に低くなると考えられる。透過率を大きく左右する要因としては、焼結体内に光の散乱中心として存在する空孔（ボイド）がある。このボイドには単一の粒内に存在する粒内ボイドと、粒界に存在する粒界ボイドの２種類がある。
【００３２】
以上のＬｕＡＧ焼結体の構造を電子顕微鏡で観察し、その平均粒径とボイドの密度（断面の単位面積当たり）を調べた。図６に、この断面の電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）写真を示す。この写真は電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）にて撮影したものである。図において、８はＬｕＡＧ結晶粒、９で示された箇所が粒内ボイド、１０で示された箇所が粒界ボイドである。円相当径が０．１μｍ以上である粒内ボイドについて、その密度のＳｉ添加量依存性を図７に示す。また、粒内ボイドと粒界ボイドを加えた全ボイドの密度のＳｉ添加量依存性を図８に示す。ここで、円相当径とは、断面において観察されたボイドと同面積の円の直径を意味する。平均粒径についても同様であり、観察された結晶粒と同面積の円の直径の平均値である。
【００３３】
焼結助剤であるＳｉは、焼結の際に粒成長を促進させ、粒界が粒成長に伴って移動するときにボイドを潰す働きをしている。Ｓｉ添加量が１００ｐｐｍよりも大きな範囲でＳｉ添加量が大きいほど平均粒径が大きくなっていることは、Ｓｉの存在によって焼結が進み、緻密なＬｕＡＧ焼結体が得られることを意味している。しかしながら、Ｓｉ添加量が大きくなるとボイドを潰すよりも早く粒成長が進行し、潰れきれなかったボイドが粒内に取り残されて粒内ボイドになるため、Ｓｉ添加量が大きくなるにつれて粒内ボイドの数は増加している。ただし、図８に示したように、粒界ボイドと粒内ボイドの総数の変動率は粒内ボイドの変動率と比べて小さいため、図５の通りに、この範囲では透過率の大きな変動はない。
【００３４】
一方、Ｓｉ添加量が３０ｐｐｍ未満の場合には、焼結助剤としての効果が不充分であり、緻密化が進まずに部分的に結晶粒が大きく成長するために、平均粒径はやや増大している。しかしながら、この状態ではＳｉによるボイドを潰す働きが小さく、緻密なＬｕＡＧ焼結体が形成されないために、粒内ボイド、全ボイドの数はともに大きく増大している。すなわち、この場合には光の散乱中心となるボイドの数が増大するために、透過率は図５の通りに減少する。この透過率の減少による発光強度の低下は、図４の結果において最大の発光強度の４０％以上である。例えばＰＥＴにおいてこの蛍光材料をシンチレータとして用いる場合には、この場合の試料よりも厚いシンチレータが用いられることもあり、その場合には、厚くなるに従って、この影響がより大きくなることは明らかである。この透過率の減少による実質的な発光強度の減少を抑制するためには、この結果より、Ｓｉ添加量を３０ｐｐｍ以上の範囲とすることが好ましい。
【００３５】
以上より、このＬｕＡＧ焼結体においては、Ｓｉ添加量は３０〜４００ｐｐｍの範囲にあることが好ましい。Ｓｉ添加量がこの範囲内であるＬｕＡＧ焼結体はシンチレータとして充分な特性をもつ。
【００３６】
また、図４の結果から、分解能のＳｉ添加量依存性は小さく、上記の範囲では１０％程度の良好な値が得られている。更に、前記の通りにして蛍光寿命が測定され、上記の範囲内では２３ｎｓ程度の良好な値となった。
【００３７】
なお、上記の例においては発光元素であるＰｒの濃度は０．９ｍｏｌ％としたが、Ｐｒの濃度がＬｕＡＧ焼結体における焼結性に与える影響は小さいため、他のＰｒ濃度においても同様である。
【００３８】
なお、Ｓｉ添加量は、ＴＥＯＳやＳｉＯ２粉末添加量を調整することによって調整できるが、その他の原料粉末にもＳｉ成分が含まれている場合には、焼成後のＳｉ成分の総量が上記の範囲となるべく調整することが好ましい。
【００３９】
また、上記のＳｉ添加量の下限に対応する粒内ボイド密度は、図７の結果から、５００個／ｍｍ２程度である。すなわち、このＳｉ添加量が４００ｐｐｍ以下であるＬｕＡＧ焼結体において、好ましい粒内ボイド密度は５００個／ｍｍ２以下である。
【００４０】
上記の製造方法においては、図１に示すように、通常の焼結体の製造方法において、焼結助剤となるＳｉ成分の添加を調整するだけで発光強度を高くすることができる。また、成形工程において所望の形状を容易に得ることができる。従って、低コストでこの蛍光体、シンチレータを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態となる蛍光体の製造方法を示す工程図である。
【図２】蛍光体の評価システムの構成を示す図である。
【図３】測定されたパルス波高分布の一例である。
【図４】ＬｕＡＧ焼結体における発光強度（波高チャンネル）及び分解能のＳｉ添加量依存性を示す図である。
【図５】ＬｕＡＧ焼結体における波長３１０ｎｍの光の透過率のＳｉ添加量依存性を示す図である。
【図６】ＬｕＡＧ焼結体の断面の電界放射型走査電子顕微鏡写真の一例である。
【図７】ＬｕＡＧ焼結体における平均粒径と粒内ボイド密度のＳｉ添加量依存性を示す図である。
【図８】ＬｕＡＧ焼結体における平均粒径と全ボイド密度のＳｉ添加量依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  線源
２  シンチレータ
３  光電子増倍管（ＰＭＴ）
４  デジタルオシロスコープ
５  プリアンプ
６  波形成形器
７  マルチチャンネルアナライザ
８  ＬｕＡＧ結晶粒
９  粒内ボイド
１０  粒界ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
2009227794.tif 000008
【図６】
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