(57)【要約】【課題】安定的に水素トラップ効果を得ることができ、単に拡散の遅い水素としてではなく、室温において水素の動きを完全に抑えるような水素トラップ効果を得ることができ、安定した遅れ割れ低減効果をもつ遅れ割れを防止した溶接金属を提供する。【解決手段】Ｔｉ：０．５０乃至５．００質量％、Ｃ：０．０１０乃至０．２００質量％、Ｓｉ：０．１０乃至１．５０質量％、Ｍｎ：０．５０乃至５．００質量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる組成を有し、引張強さが６００ＭＰａ以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーク溶接により形成された溶接金属であって、Ｔｉ：０．５０乃至５．００質量％、Ｃ：０．０１０乃至０．２００質量％、Ｓｉ：０．１０乃至１．５０質量％、Ｍｎ：０．５０乃至５．００質量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる組成を有し、引張強さが６００ＭＰａ以上であることを特徴とする溶接金属。
【請求項２】
Ｎｉ：０．０５乃至５．００質量％を更に含有することを特徴とする請求項１に記載の溶接金属。
【請求項３】
Ｃｒ：０．０５乃至２．５０質量％を更に含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の溶接金属。
【請求項４】
Ｍｏ：０．０５乃至２．００質量％を更に含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の溶接金属。
【請求項５】
Ｖ：０．００５乃至０．５００質量％を更に含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の溶接金属。
【請求項６】
Ｎｂ：０．００６乃至０．１００質量％を含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の溶接金属。
【請求項７】
Ｎ：０．００４乃至０．０３０質量％を含有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の溶接金属。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、橋梁、建築、及び海洋構造物等の種々の鋼構造物の溶接に使用されるアーク溶接により形成される溶接金属に関し、特に、金属中の水素原子の移動を抑制することにより、溶接後の水素による遅れ割れの発生を防止した溶接金属に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、溶接金属には溶接材料又は大気中の水分等から、溶接金属内に水素原子が取り込まれ、溶接部の遅れ割れを引き起こすという問題点が生じていた。従来の遅れ割れの防止方法としては、一般に予熱温度及びパス間温度の管理が行われており、それによる水素放出促進及び残留応力緩和等により、遅れ割れが低減されている。しかし、予熱パス間温度を管理することは、溶接施工上のコストの増加及び作業時間の増加等といった種々の障害となる。このため、溶接時の予熱パス間温度によらず遅れ割れが発生しないような溶接材料の開発、又は遅れ割れの発生に影響する予熱パス間温度を低減できるような溶接技術の開発が強く要望されている。
【０００３】
これらの要求に対し、特定元素の添加により予熱パス間温度低減効果が得られることが知られている。これは、溶接金属中に取り込まれた水素をトラップすることで、割れに関与する拡散性の水素を低減できる（水素トラップ効果）ためである。非特許文献１はＶが多いほど水素トラップ効果が期待できることを明らかにした。非特許文献１には、トラップ効果を得るにはＶを０．２質量％以上添加することが必要であることが示されている。また、特許文献１及び特許文献２には、Ｖを溶接金属中に添加することにより、溶接金属中に析出物が形成され、これが拡散性水素をトラップすることで、予熱パス間温度を低減できると記載されている。
【０００４】
しかし、Ｖによる水素トラップは析出物界面において水素の拡散が遅くなることで起こっており、水素が動かなくなっているわけではない。つまり、Ｖによって水素の拡散は遅くなるものの、長時間放置すれば局所的に水素原子濃度が高い部分が発生し、水素脆化が起こると考えられ、Ｖによる水素トラップは完全に遅れ割れを防止できる手段ではない。逆に、Ｖによる水素トラップ効果があることにより、溶接中及び溶接直後においても水素の拡散が遅いことで、溶接金属から放出される水素量が少なくなり、残留する拡散性水素量が増加する可能性が考えられる。且つ、多層溶接時には、溶接パス数を重ねる際に、拡散が遅いために下層の水素が逃げ出せず、拡散性水素が徐々にパイルアップする可能性も考えられる。また、鋼材中においては、Ｖ系の介在物は微細分散させることで水素トラップに対し顕著な効果が得られるが、溶接金属においては、微細な析出物を狙って得ることは難しいため、介在物の微細分散による水素トラップの技術は、溶接金属への応用性が乏しい。
【０００５】
特許文献３においては、Ｖ、Ｍｏの化合物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂによる化合物を析出させることにより、効果的な水素トラップが得られると記載されている。この場合は、溶融金属の凝固速度の制御及び凝固後の焼入れ等の熱処理を加えることで、安定的に化合物を析出させている。しかし、溶接に際しては、凝固速度を制御することは容易ではないばかりか、必ずしも熱処理を加えるとは限らない。このため、特許文献３の方法は、溶接金属において水素トラップを安定的に得る方法としては適さない。
【０００６】
特許文献４においては、溶接継手及び溶接鋼管において、内面溶接後に外面から溶接したときに、溶接時の熱により内面溶接金属中にＭｏの炭化物を析出させて水素トラップ効果を得るというものであるが、外面溶接時の内面溶接金属の温度上昇まで管理しなくてはならず、板厚及び開先形状、並びに溶接入熱等の溶接条件が制限されてしまい、応用性が乏しい。
【０００７】
特許文献５においては、残留オーステナイトにより水素トラップ効果を得ている。これは、オーステナイトの水素固溶度が高いため、残留オーステナイトを利用して水素トラップする方法である。ところで、拡散性水素とは固溶した水素が原子径が小さいために金属中を自由に動き回ることができるものであり、オーステナイト中に固溶した水素も拡散性水素として存在している。そして、オーステナイト中での拡散性水素の拡散速度がフェライト中のそれと比較して極端に遅いため、見かけ上水素が拡散していないように見えていると考えられる。つまり、オーステナイト中においては、フェライト中に比べて拡散性水素が局所的に集まるのが遅くなっているために、遅れ割れが発生するまでの期間が延長されているだけであり、水素の拡散自体はオーステナイト中でも生じているため、ゆくゆくは遅れ割れが発生するものと考えられる。加えて、オーステナイト中では、拡散が遅いことで前述したような多層溶接時のパイルアップも懸念される。また、残留オーステナイトは低温環境に置かれた際に、サブゼロ処理と同様の現象により、残留オーステナイトがマルテンサイトとなり、水素トラップ効果が無くなる可能性も考えられる。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−３０３９９１号公報
【特許文献２】特開平８−１５５６７３号公報
【特許文献３】特開２００３−２５３３７６号公報
【特許文献４】特開２００５−４０８１６号公報
【特許文献５】特開２００１−７９６６７号公報
【非特許文献１】酒井ら（「鉄と鋼」Ｖｏｌ．７２（１９８６）Ｎｏ．９，Ｐ１３７５〜）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の一部の従来技術のように、Ｖの添加、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ等の化合物の生成、及び残留オーステナイトによる水素トラップにより、遅れ割れを防止する技術においては、基本的には、水素の拡散を遅くしているだけであるので、遅れ割れを十分に防止した技術ではない。また、その他の従来技術は、溶接直後の溶接金属において、常に安定的に生成することが困難な特殊な熱処理及び凝固速度制限等を施すことで得られる微細析出物等の特殊な組織でのみ効果が得られるものであり、溶接金属にこの技術を適用することは困難である。このため、遅れ割れの発生を効果的に防止することができる技術の開発が要望されている。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、安定的に水素トラップ効果を得ることができ、単に拡散の遅い水素としてではなく、室温において水素の動きを完全に抑えるような水素トラップ効果を得ることができ、安定した遅れ割れ低減効果をもつ遅れ割れを防止した溶接金属を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る遅れ割れを防止した溶接金属は、アーク溶接により形成された溶接金属であって、Ｔｉ：０．５０乃至５．００質量％、Ｃ：０．０１０乃至０．２００質量％、Ｓｉ：０．１０乃至１．５０質量％、Ｍｎ：０．５０乃至５．００質量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる組成を有し、引張強さが６００ＭＰａ以上であることを特徴とする。
【００１２】
この溶接金属組成において、更に、Ｎｉ：０．０５乃至５．００質量％を含有してもよい。
【００１３】
更に、Ｃｒ：０．０５乃至２．５０質量％を含有してもよい。
【００１４】
更にまた、Ｍｏ：０．０５乃至２．００質量％を含有してもよい。
【００１５】
更にまた、Ｖ：０．００５乃至０．５００質量％を含有してもよい。
【００１６】
更にまた、Ｎｂ：０．００６乃至０．１００質量％を含有してもよい。
【００１７】
更にまた、Ｎ：０．００４乃至０．０３０質量％を含有してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、溶接金属において、熱処理又は凝固速度に影響されずに、常に安定した水素トラップ効果を得ることができ、室温において水素の動きをほぼ完全に抑制することができ、これにより、溶接金属の安定的な遅れ割れ低減効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明について、更に詳細に説明する。本発明においては、Ｔｉの所定量の添加により、溶接金属において、熱処理又は凝固速度に影響されずに、常に安定した水素トラップ効果を得ることを可能にし、室温において水素の動きをほぼ完全に抑制することにより、溶接金属の安定的な遅れ割れ低減効果を得ることを可能にしたものである。
【００２０】
従来、Ｔｉは強度を確保したり、Ｂとの複合添加によりアシキュラーフェライトを増加させて組織微細化を図ること等に使用され、微量添加されていた。しかし、本発明では、従来のＴｉ添加目的とは全く異なり、水素トラップ効果を得るために、Ｔｉを従来よりも多量に添加している。このように、溶接金属中にＴｉを積極添加することにより、Ｔｉが酸化物、窒化物、炭化物等の化合物の生成に使用され、更にＴｉがＦｅ中に固溶した後に、固溶限以上のＴｉがα−Ｔｉ又はＴｉ主体の金属間化合物を形成する。そして、この金属間化合物が水素を吸蔵することにより、水素トラップ効果が得られ、遅れ割れ低減効果を実現することができる。この水素トラップ効果はＴｉ量以外には左右されず、いかなる溶接条件及び環境下においても、安定した遅れ割れ低減効果を発揮するものである。
【００２１】
次に、本発明における溶接金属の組成限定理由及び成分添加理由について説明する。
【００２２】
「Ｔｉ：０．５０乃至５．００質量％」
ある程度の溶接金属中のＴｉは、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び不可避不純物と化合物を形成し、更に、Ｆｅ中に固溶する。水素のトラップ効果を得るには、上記のように消費されるＴｉ量以上の量のＴｉを添加する必要がある。溶接金属の全質量に対して、Ｔｉが０．５０質量％未満では、Ｔｉは化合物生成又はＦｅ中の固溶に消費されるだけで、水素トラップ効果が得られない。Ｔｉが５．００質量％を超えると、溶接時になじみが悪くなり、溶接時のスパッタ増加、スラグ巻込み及び融合不良等の溶接欠陥を生じ易くなる。よって、溶接金属中のＴｉは、０．５０乃至５．００質量％とするが、より好ましい範囲はＴｉ：０．５０乃至３．００質量％である。
【００２３】
「Ｃ：０．０１０乃至０．２００質量％」
溶接金属にＣを適量添加することにより、焼入れ性を高め強度を確保すると共に、靭性を安定化させる作用があるため、少なくとも溶接金属中にＣは０．０１０質量％以上添加する。Ｃが０．２００質量％を超えると、スパッタが増加し、更に高温割れを引き起こし易くなる。加えて、Ｔｉの化合物として、ＴｉＣが形成されるため、Ｔｉが消費されてしまう。このため、Ｃは０．０１０乃至０．２００質量％の適量にとどめる必要がある。より好ましいＣの範囲は０．０２０乃至０．２００質量％である。
【００２４】
「Ｓｉ：０．１０乃至１．５０質量％」
Ｓｉは溶接金属組織に影響を及ぼし、強度に影響する。また、Ｓｉは溶融池において脱酸剤として作用する。Ｓｉが溶接金属全質量に対して１．５０質量％を超えると、溶融金属の粘性が高くなることでなじみが悪くなり、スラグ巻込み及び融合不良等の溶接欠陥が生じ易くなる。Ｓｉが０．１０質量％未満では、溶接金属の強度が不足し、加えて溶接時の脱酸作用が小さくなり、ブローホールを発生し易い。このため、Ｓｉは０．１０乃至１．５０質量％、より好ましくは、０．２０乃至１．００質量％添加する。
【００２５】
「Ｍｎ：０．５０乃至５．００質量％」
Ｍｎは強度及び靭性に影響を及ぼし、溶融池においては脱酸剤として作用する。Ｍｎは溶接金属全質量に対して０．５０質量％未満では、Ｍｎ添加による強度向上効果が得られず、加えて溶接時の脱酸作用が小さくなり、ブローホールを発生し易い。Ｍｎが５．００質量％を超えると、高温割れを引き起こす。このため、Ｍｎは０．５０乃至５．００質量％添加する。より好ましいＭｎの範囲は溶接金属全質量に対して０．７０乃至５．００％質量である。
【００２６】
「その他」
その他の溶接金属成分として、Ｆｅ及び不可避的不純物がある。ここで、不可避的不純物とは、Ｐ、Ｓ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｓｎ等がある。溶接金属全質量に対する不可避的不純物量としては、夫々Ｐ≦０．０３質量％、Ｓ≦０．０３質量％、Ｃｕ≦０．３質量％、Ｚｒ≦０．０１質量％、Ｃｏ≦０．０１質量％、Ｓｎ≦０．０２質量％に抑制することが好ましい。
【００２７】
なお、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ及びＮについては、夫々Ｎｉ：０．０５質量％未満、Ｃｒ：０．０５質量％未満、Ｍｏ：０．０５質量％未満、Ｖ：０．００５質量％未満、Ｎｂ：０．００６質量％未満、Ｎ：０．００４質量％未満であれば、Ｔｉによる水素トラップ効果に影響は無いため、含有していても問題がない。しかし、以下のように、これらの元素を積極的に添加してもよい。
【００２８】
「Ｎｉ：０．０５乃至５．００質量％」
Ｎｉは溶接金属の強度を向上する効果があるが、過剰に添加すると高温割れが発生し易くなるため、Ｎｉを添加する場合には、溶接金属全質量に対し５．００質量％以下とすることが必要である。Ｎｉが０．０５％未満では強度向上効果は無い。
【００２９】
「Ｃｒ：０．０５乃至２．５０質量％」
Ｃｒは溶接金属の強度を向上する効果があるが、過剰に添加すると強度が高くなり過ぎる。そのため、Ｃｒを添加する場合には、ワイヤ全質量に対して２．５０質量％以下とすることが必要である。Ｃｒ：０．０５質量％未満ではその効果は無い。
【００３０】
「Ｍｏ：０．０５乃至２．００質量％」
Ｍｏは溶接金属の強度を向上する効果があるが、過剰に添加すると強度が高くなり過ぎる。そのため、Ｍｏを添加する場合には、ワイヤ全質量に対して２．００質量％以下とすることが必要である。Ｍｏ：０．０５質量％未満ではその効果は無い。
【００３１】
「Ｖ：０．００５乃至０．５００質量％」
Ｖは溶接金属の強度を向上させる効果があるが、過剰に添加すると強度が高くなり過ぎる。そのため、Ｖを添加する場合には、ワイヤ全質量に対して０．５００質量％以下とすることが必要である。Ｖ：０．００５質量％未満ではその効果は無い。
【００３２】
「Ｎｂ：０．００６乃至０．１００質量％」
Ｎｂは溶接金属の強度を向上する効果があるが、過剰に添加すると強度が高くなり過ぎる。そのため、Ｎｂを添加する場合には、ワイヤ全質量に対して０．１００質量％以下とすることが必要である。Ｎｂ：０．００６質量％未満ではその効果は無い。
【００３３】
「Ｎ：０．００４乃至０．０３０質量％」
Ｎは溶接金属の強度、特に耐力を向上する効果があるが、過剰に添加するとブローホールが発生する。そのため、Ｎを添加する場合には、ワイヤ全質量に対して０．０３０質量％以下とすることが必要である。Ｎ：０．００４％未満ではその効果は無い。
【００３４】
「溶接金属の引張強さ：６００ＭＰａ以上」
溶接金属の引張強さが６００ＭＰａ未満の場合は、水素による遅れ割れの発生は少なく、本発明の溶接金属組成の適用の必要性がない。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例について比較例と比較して説明する。下記表１に示す条件で、ＧＭＡＷ（Gas Metal Arc Welding：ガスメタルアーク溶接）溶接試験を実施し、溶接金属を作成した。また、ＧＭＡＷ以外での溶接試験の溶接条件は下記表２（ＳＭＡＷ：Shielded Metal Arc Welding：被覆アーク溶接）、表３（ＳＡＷ:Submerged Arc Welding：サブマージアーク溶接）及び表４（ＧＴＡＷ：Gas Tungsten Arc Welding：ガスタングステンアーク溶接）に示す。また、ＳＡＷの際に用いたフラックスの一例を下記表５（単位は質量％）に示す。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
【表２】
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【００３８】
【表３】
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【００３９】
【表４】
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【００４０】
【表５】
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【００４１】
そして、以下に示すとおりの性能確認試験を実施した。溶接材料として作製した溶接金属については、フラックス入りワイヤを使用したが、手棒やソリッドワイヤにおいても同様の効果があることを確認している。また、溶接金属作製及び拡散性水素試験を行った際の溶接条件は表１に示す。なお、母材にはＪＩＳ  Ｇ３１０６  ＳＭ４００Ｂを使用したが、Ｃｒ−Ｍｏ鋼及びステンレス鋼といった特殊鋼以外の一般炭素鋼では、溶接金属中のＴｉ量が本発明の示す範囲内であれば、遅れ割れ防止に有効であることを確認している。
【００４２】
「引張試験」
ＪＩＳ  Ｚ  ３１１１に規定されている溶着金属の引張試験方法に準じた引張試験を行った。その際、引張強度が６００ＭＰａ以上の場合を合格とした。
【００４３】
「昇温脱離試験」
ＪＩＳ  Ｚ  ３１１８に規定されている鋼溶接部の水素測定法に準じた拡散性水素試験と同様の溶接試験を行い、作製された試験片を４５℃に７２時間放置した後に、ＵＬＶＡＣ製昇温脱離ガス分析装置を用いて、室温から８００℃まで２℃／分の昇温速度で昇温した際に放出される水素ガスを測定した。そして、４００℃以上で放出される水素をトラップされた水素とみなした。
【００４４】
「窓形拘束溶接割れ試験（遅れ割れ、高温割れ、ブローホール、融合不良、スパッタ量）」
窓形拘束溶接割れ試験（ＪＩＳ  Ｚ３００１、６１１０）を、下記表６（窓形拘束溶接割れ試験時の溶接条件（ＧＭＡＷ））及び図１に示す条件で実施した。割れ試験を行う際の予熱パス間温度は、強度によって割れ感受性が違うことを考慮し、引張強度（ＴＳ）が１０００ＭＰａ未満は室温（ＲＴ）、ＴＳが１０００ＭＰａ以上は５０℃とした。
【００４５】
【表６】
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【００４６】
その際、遅れ割れを超音波深傷試験にて調査し、遅れ割れが発生しなかったものを合格とした。同時に高温割れの発生、ブローホールの発生、融合不良の発生をＸ線透過試験により調査した。高温割れは発生しなかったものを合格とした。ブローホールは溶接長全長５００ｍｍ中で５個以内を合格とした。融合不良は溶接長全長５００ｍｍに対し、２％（１０ｍｍ）以内のものを合格とした。
【００４７】
上記引張試験、昇温脱離試験及び窓形拘束溶接割れ試験を実施した溶接ワイヤの組成を下記表７に示し、試験結果を下記表８、表９及び図２に示す。表８は得られた溶接金属の組成であり、表９は、溶接金属の特性である。但し、組成において、残部はＦｅ及び不可避的不純物である。また、表９の「窓形拘束溶接割れ試験結果」において、「ＮＣ」は割れ発生なしの場合、「Ｃ」は割れ発生ありの場合を示す。また、「−」は溶接途中で高温割れ発生のため、遅れ割れの評価をすることができなかったことを示す。表９の「ブローホール」は、溶接長全長（５００ｍｍ）において、ブローホールが０個の場合は「◎」、５個以内は「○」、５個を超えるものは「×」とした。表９の「融合不良」は、溶接長全長（５００ｍｍ）において、融合不良の長さの和が０ｍｍのものは「◎」、１０ｍｍ以内は「○」、１０ｍｍを超えるものは「×」とした。図２においては、昇温脱離法により、４００℃以上で放出される水素の総和を水素トラップ量とした。
【００４８】
【表７】
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【００４９】
【表８−１】
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【００５０】
【表８−２】
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【００５１】
【表９】
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【００５２】
この表８に示すように、ワイヤＮｏ．１〜１７が本発明の範囲を満足する実施例であり、表９に示すように、いずれも耐遅れ割れ性が良好であることがわかる。加えて、図２から０．５質量％以上のＴｉを含有することで、Ｔｉ量増加に伴い顕著に水素トラップ量が増加していることがわかる。また、本発明においてはＣｒ、Ｍｏは強度を上昇させる元素として添加しているが、添加量による強度上昇への寄与は異なるものの、本実施例の判定項目においては同様の傾向を示した。また、Ｖ、Ｎｂについても少量添加でも著しく強度を上げる元素として同様の傾向を示した。そのため、本実施例においては夫々ＣｒとＶを代表元素として表記し、Ｍｏ、Ｎｂについては省略した実施例を示す。
【００５３】
一方、ワイヤＮｏ．１８乃至２８は本発明の範囲から外れる比較例である。比較例Ｎｏ．１８はＭｎが請求項１の上限を超えているため、高温割れが発生している。比較例Ｎｏ．１９はＳｉが請求項１の下限未満であるため、ブローホールが５個を超えて発生し、加えて強度不足となっている。比較例Ｎｏ．２０はＣが請求項１の下限未満であるため、強度不足となっている。比較例Ｎｏ．２１はＭｎが請求項１の下限未満であるため、ブローホールが５個を超えて発生し、加えて強度不足となっている。また、Ｔｉが本発明の上限を超えているため、合計１０ｍｍを超える融合不良が発生している。比較例Ｎｏ．２２はＣが本発明の上限を超えているため、高温割れが生じている。比較例Ｎｏ．２３はＳｉが本発明の上限を超えているため、合計１０ｍｍを超える融合不良が発生しており、加えて強度過多となり、Ｔｉの水素トラップ効果による拡散性水素低減効果が得られているにもかかわらず遅れ割れが発生している。比較例Ｎｏ．２４はＣが本発明の下限未満であるため、強度不足となっている。また、Ｎが請求項７の上限を超えているため、５個を超えるブローホールが発生している。比較例Ｎｏ．２５はＮｉが請求項２の上限を超えているため、高温割れが生じている。また、Ｎが請求項７の上限を超えているため、５個を超えるブローホールが発生している。
【００５４】
比較例Ｎｏ．２６はＴｉが本発明の下限未満であるため、水素トラップ効果が得られず遅れ割れが発生している。また、Ｃｒが請求項３の上限を超えているため強度過多となっている。比較例Ｎｏ．２７はＴｉが本発明の上限を超えているため、融合不良が発生している。比較例Ｎｏ．２８はＴｉが本発明の下限未満であるため、水素トラップ効果が得られず遅れ割れが発生している。また、Ｖが請求項５の上限を超えているため強度過多となっている。
【００５５】
以上詳述したとおり、本発明によれば、Ｔｉによる水素トラップ効果により、溶接金属中の拡散性水素を低減できる。これにより、予熱パス間温度を低減でき、溶接施工上のコストを低減し、作業時間の低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】窓形拘束溶接割れ試験の概要を示す模式図である。
【図２】Ｔｉ添加による水素トラップ量の変化を示すグラフ図である。
【図１】
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【図２】
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