(57)【要約】【課題】  不純物元素、好ましくはアルミニウム元素を低減したチタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品を提供する。【解決手段】  （Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程及び（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程及び
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法。
【請求項２】
（Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程、
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程、
（Ｅ）（Ｄ）工程で得られたチタン酸バリウム前駆体溶液を基板上に塗布し、ゲル化させる工程及び
（Ｆ）（Ｅ）工程で形成したゲルを熱処理し、チタン酸バリウム薄膜とする工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム薄膜の製造方法。
【請求項３】
（Ｆ）工程において、熱処理の温度が、４００℃以下である請求項２記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法。
【請求項４】
チタン酸バリウム薄膜の厚さが、０．０５〜１μｍである請求項２又は３記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜。
【請求項６】
請求項２〜請求項４のいずれかに記載のチタン酸バリウム薄膜の製造方法又は請求項５記載のチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタなどの電子部品に好適に用いられるチタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を始めとする情報産業分野のデバイスには、今後ますます高速化、小型化、高容量化が要求され、それを実現するための高機能デバイスの開発が高範囲で精力的に進められている。その中でも、二酸化チタンやチタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛等のチタン酸塩のような高誘電率を示す金属酸化物は、キャパシタやメモリを始めとする電子デバイス分野で素子として広く利用されている。
【０００３】
デバイスの更なる小型化、高性能化のためには素子の薄膜化が不可欠であり、そのためには高機能、高品質の高誘電率金属酸化物薄膜を製造できる技術の確立が鍵となっている。
【０００４】
現在、薄膜の製造方法としては、スパッタリングなどのＰＶＤ法や有機金属化合物を用いたＣＶＤ法に代表される気相法と、ゾル―ゲル法や塗布熱分解法に代表される液相法とがおもに用いられている。
【０００５】
例えば、二酸化チタンやチタン酸ジルコン酸鉛の場合、気相法でも液相法でも高誘電率を示す結晶性薄膜が比較的容易に得られている。例えば、特許文献１に記載されているように、チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜がＣＶＤ法やゾル―ゲル法により形成することが知られている。
【０００６】
一方、チタン酸バリウム薄膜の形成は、組成制御の容易さや製造コストの観点から気相法よりも液相法に期待が寄せられ、ゾル―ゲル法や塗布熱分解法による薄膜の合成研究が活発に行われている。
【０００７】
例えば、特許文献２に記載されているように、特定の金属アルコキシドの有機溶媒溶液を複数混合し、基板上に塗布してゲル化させ、熱処理して、金属酸化物薄膜を形成することが知られている。
【０００８】
なお、ゾル―ゲル法とは、金属アルコキシドの前駆体溶液を出発原料として、加水分解と重縮合反応によってゾル状態からゲル状態を経由し、最終的には金属酸化物に至るまでの合成プロセスを指し、ゾル―ゲル法による薄膜形成は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等の他の薄膜形成方法と比較して、薄膜形成の対象となる基板の形状やサイズに制約を受け難く、また薄膜形成に高価な装置や高真空、高エネルギーを必要としないなどの利点を有する。
【０００９】
【特許文献１】特表２００３−５２６８８０号公報
【特許文献２】特開平０８−２４５２６３号公報
【００１０】
ゾル―ゲル法に代表される液相法では、例えばバリウムやチタンの各元素を含む前駆体溶液をスピンコーティング法やディップコーティング法などによって基板上に塗布してゲル化させ、熱処理を行ってチタン酸バリウムの薄膜を形成する。
【００１１】
したがって、高品質な薄膜の形成のためには、高純度の前駆体溶液を用いることが重要である。このとき、チタン源となるチタンアルコキシドは、蒸留精製が容易であるため、高純度化しやすい。
【００１２】
しかしながら、バリウム源となるバリウムアルコキシドは蒸留精製が困難であり、そのためバリウムアルコキシドの原料となる金属バリウムに由来する不純物元素を前駆体溶液中に本質的に包含するという課題があった。
【００１３】
そして、薄膜の形成時にこの不純物元素が析出して異物となり、薄膜の品質を低下させるという問題を生じていた。金属バリウムは、一般に酸化バリウムと金属アルミニウムの混合物を高温で熱処理する過程を経て精錬されるため、特にアルミニウム元素が不純物として混入しやすい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、ゾル―ゲル法でチタン酸バリウム薄膜の形成を行うに際し、不純物元素、好ましくはアルミニウム元素を低減したチタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、（Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程及び
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法に関する。
【００１６】
また、本発明は、（Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程、
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程、
（Ｅ）（Ｄ）工程で得られたチタン酸バリウム前駆体溶液を基板上に塗布し、ゲル化させる工程及び
（Ｆ）（Ｅ）工程で形成したゲルを熱処理し、チタン酸バリウム薄膜とする工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム薄膜の製造方法に関する。
【００１７】
また、本発明は、（Ｆ）工程において、熱処理の温度が、４００℃以下である上記のチタン酸バリウム薄膜の製造方法に関する。
また、本発明は、チタン酸バリウム薄膜の厚さが、０．０５〜１μｍである上記のチタン酸バリウム薄膜の製造方法に関する。
【００１８】
また、本発明は、上記のチタン酸バリウム薄膜の製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜に関する。
さらに、本発明は、上記のチタン酸バリウム薄膜の製造方法又は上記のチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品に関する。
【発明の効果】
【００１９】
従来のゾル―ゲル法によるチタン酸バリウム前駆体溶液を用いたチタン酸バリウム薄膜の形成では、バリウム源である金属バリウムに由来する溶液中のアルミニウム元素が薄膜中に析出し、チタン酸バリウム薄膜の品質を低下させていたが、本発明により、純度の低い金属バリウムをバリウム源に用いた場合にも、不純物であるアルミニウム元素を低減したチタン酸バリウム前駆体溶液を提供することができる。
【００２０】
また、本発明により不純物であるアルミニウム元素を低減し、異物の析出による欠陥発生を抑制した高品質なチタン酸バリウム薄膜を製造できる。
さらに、本発明によるチタン酸バリウム薄膜は、キャパシタなどの電子部品に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
本発明の（Ａ）工程は、バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程である。
【００２２】
バリウム源となるバリウムアルコキシドは、金属バリウムをアルコールに溶解したアルコール溶液を用いる。金属バリウムとしては、一般に入手できる、例えば純度９９．０％以上の金属バリウムであれば好適に用いることができる。このような金属バリウム中には、一般に不純物としてアルミニウム元素がバリウム元素に対して０．００５〜０．０１ｍｏｌ％含まれている。例えば、純度９９．９％以上の高純度品であれば不純物が少ないが経済性に劣る。
【００２３】
アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類や、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ類（エーテル型アルコール類）が好ましく、金属バリウムの溶解性とバリウムアルコキシドの安定性からメチルセロソルブがより好ましい。
【００２４】
（Ａ）工程において、アルコール中におけるバリウム元素の濃度は、０．２〜０．８モル／Ｌが好ましく、０．４〜０．６モル／Ｌがより好ましい。バリウム元素の濃度が０．８モル／Ｌを超えると、バリウムアルコキシドが不安定になったり、金属バリウムの溶解が不十分となったりする。また０．２モル／Ｌ未満であると、必要なアルコールの量が多くなり、不経済である。
【００２５】
チタン源となるチタンアルコキシドは、種々のアルコキシドが好適に用いられるが、アルコール溶液への溶解性とチタンアルコキシドの安定性からエトキシドやイソプロポキシドが好ましい。またあらかじめ蒸留精製により高純度化したものも好適に用いることができる。
【００２６】
バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合比率は、バリウム元素とチタン元素とのモル比（バリウム／チタン）が０．２５〜１．０１であることが好ましい。このモル比が１．０１を超えると、過剰なバリウム元素が空気中の二酸化炭素と容易に反応し、炭酸バリウムなどの副生成物を生じるため好ましくない。モル比が０．２５未満であると、形成した薄膜にクラックが生じやすくなる。
【００２７】
また、高温で熱処理して、チタン酸バリウム薄膜を結晶化する場合は、モル比が０．９９〜１．０１であることがより好ましい。一方、低温で熱処理して、非晶質の膜とする場合には、モル比が０．２５〜０．９９のものもまた好適に用いることができる。
【００２８】
本発明の（Ｂ）工程は、（Ａ）工程で得られた溶液にアミノアルコールを添加する工程である。
アミノアルコールとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが好適に用いられる。
【００２９】
これらアミノアルコールは、アルコキシドのキレート剤として作用してアルコキシドをより安定化すると共に、弱塩基としての作用により溶液中の不純物元素を不溶物として析出させる。ここで析出する不純物元素としては、例えば、アルミニウム元素やマンガン元素などが挙げられ、それぞれ水酸化アルミニウム、水酸化マンガンの不溶物として析出する。
【００３０】
アミノアルコールの添加量は、バリウム元素とアミノアルコールとのモル比（バリウム／アミノアルコール）が、０．５〜２．０であることが好ましい。このモル比が２．０を超えると、不純物元素の析出が十分でないおそれがある。またモル比が０．５未満であると、前駆体溶液を基板に塗布して作製したゲル中に過剰のアミノアルコールが多量に残留し、熱処理時に発泡などの不具合を生じるおそれがある。
【００３１】
本発明の（Ｃ）工程は、（Ｂ）工程で析出した不溶物を濾過して除去する工程である。濾過には種々の濾紙やフィルタが好適に用いられるが、フロック状の不溶物を完全に除去するために、孔径０．２０μｍのポリテトラフルオロエチレン製メンブレンフィルタを用いて濾過することが好ましい。不溶物中に含まれる不純物元素は、ＥＤＸ分析法によってフィルタ上に残留した残渣を調べることによって検出することができる。
【００３２】
本発明の（Ｄ）工程は、（Ｃ）工程で不溶物を除去した溶液にカルボン酸を加え、本発明のチタン酸バリウム前駆体溶液を完成させる工程である。カルボン酸を加えることによりチタン酸バリウム前駆体がより安定化し、溶液の保存性が向上する。
カルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸などが好適に使用できる。
【００３３】
添加量は、溶液全体の０．５重量％以上、３０重量％以下が好ましく、１重量％以上、２５重量％以下がより好ましい。０．５重量％未満の添加量では、安定化の効果が小さく、３０重量％を超えて添加することは不経済である。
【００３４】
ここで、本発明の工程は（Ｂ）→（Ｃ）→（Ｄ）の順で行われることが必須である。（Ｂ）工程又は（Ｃ）工程の前に（Ｄ）工程を実施した場合には、不純物元素又は不溶物がカルボン酸の添加により溶解してしまい、不純物元素を効果的に除去することができない。チタン酸バリウム前駆体溶液中の不純物元素の含有率は、ＩＣＰ発光分析法によって調べることができる。
【００３５】
（Ｄ）工程を完了したチタン酸バリウム前駆体溶液は、例えば、メチルセロソルブなどのアルコール系溶剤を加えて所望の濃度に希釈したり、ポリエチレングリコールなどの添加剤を後添加したりすることもできる。
【００３６】
また、チタン酸バリウム前駆体溶液中に不純物として含まれるアルミニウム元素の比率は、バリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満であることが好ましく、０．００３ｍｏｌ％未満であることがより好ましい。
【００３７】
アルミニウム元素の比率が０．００５ｍｏｌ％以上の場合は、塗布、ゲル化、熱処理してチタン酸バリウム薄膜とした時に、アルミニウム元素を含む析出物ができやすく、欠陥の少ない薄膜が得られない。
【００３８】
本発明の（Ｅ）工程は、（Ｄ）工程で得られたチタン酸バリウム前駆体溶液を基板上に塗布し、ゲル化させる工程である。
（Ｅ）工程において用いられる基板としては、キャパシタとして好適に用いるために、金属箔が好ましく、コストと電気特性の観点から、銅箔がより好ましい。
【００３９】
前駆体溶液を塗布する側の基板の表面には、例えば、ＮｉやＣｒの金属膜や、非晶質の金属酸化物があらかじめ付着されていてもよく、この場合はさらに絶縁性が向上するためより好適に使用できる。基板の厚さは特に制限はないが、取り扱い性の点から１０〜１００μｍの厚さがより好ましい。
【００４０】
前駆体溶液を基板に塗布し、ゲル化させる方法としては、スピンコーティング法やディップコーティング法、キャスト法、グラビア（転写）コーティング法等一般的に薄い液膜を形成できる方法であればいずれも好適に使用でき、なかでも、装置が簡易でよい点から、スピンコーティング法が好ましい。
スピンコートの条件としては、例えば２０００ｍｉｎ−１で３０秒回転させる。所望の膜厚の薄膜を得るために、塗布と乾燥とを必要回数繰り返すこともできる。
【００４１】
本発明の（Ｆ）工程は、（Ｅ）工程で形成したゲルを熱処理し、チタン酸バリウム薄膜とする工程である。基板上に形成されたゲルは、熱処理を行うことによりチタン酸バリウム薄膜とする。
【００４２】
熱処理の方法は、例えばホットプレート上での加熱や高温炉内での加熱など、一般的に基板を均一に加熱することのできる方法はいずれも好適に使用できる。基板の変質、例えば金属箔の場合には金属箔の酸化を抑制するために、熱処理の温度は４００℃以下が好ましく、３５０℃以下がより好ましい。熱処理の温度の下限は、ゲル中の溶媒を乾燥除去するために、用いた溶媒の沸点以上の温度が好ましい。
【００４３】
（Ｆ）工程で得られたチタン酸バリウム薄膜の膜厚は、０．０５〜１μｍが好ましく、０．１〜０．９μｍがより好ましく、０．２〜０．８μｍがさらに好ましい。厚さが、０．０５μｍ未満では、絶縁性が低下し好ましくない。また厚さを、１μｍを超えてさらに厚くすることはコストの面で一般に不利であり、またキャパシタとした時に所望の特性、例えば静電容量の大きいキャパシタが得られないおそれがある。チタン酸バリウム薄膜の厚さは、薄膜を集束イオンビーム加工装置で掘削し、得られた断面を走査電子顕微鏡で観察して測長することで計測できる。
【００４４】
一方、熱処理中の不純物元素の析出により（Ｆ）工程後に発生しうるチタン酸バリウム薄膜中の欠陥は、光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡による表面観察により容易に発見でき、またその欠陥部分に含まれる不純物元素は、ＥＤＸ元素分析法によって調べることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限するものでは
ない。
（実施例１）
金属バリウム（関東化学株式会社製、純度９９．０％以上）７．５５ｇを、メチルセロソルブ１４８．５３ｇに溶解させ、完全に溶解した後、テトラエトキシチタン３７．６４ｇを加え、マグネチックスターラーを用いて３０分間撹拌し、０．５５Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ａ）１９０ｍｌを得た（（Ａ）工程）。
溶液（ａ）に、ジエタノールアミン１１．５７ｇを加え、さらに１０分間撹拌して、わずかに黒濁した溶液（ｂ）２００ｍｌを得た（（Ｂ）工程）。
溶液（ｂ）を、孔径０．２０μｍのポリテトラフルオロエチレン製メンブレンフィルタ（アドバンテック東洋株式会社製、商品名２５ＪＰ０２０ＡＮ）を用いて濾過した。その結果、透明な濾液（ｃ）が得られ、またフィルタ内には黒色の残渣（ｄ）が残留した（（Ｃ）工程）。
【００４６】
濾液（ｃ）１８２ｍｌに、酢酸６３ｍｌを加えて１０分間撹拌し、０．４Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｅ）２５０ｍｌを得た。（（Ｄ）工程）
溶液（ｅ）に、ポリエチレングリコール（分子量２００）２．６ｇと、濃度調整用にメチルセロソルブを２５５ｍｌ加えて３０分間撹拌し、０．２Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｆ）５００ｍｌを得た。
【００４７】
（比較例１）
金属バリウム７．５５ｇを、メチルセロソルブ１４８．５３ｇに溶解させ、完全に溶解した後、テトラエトキシチタン３７．６４ｇを加え、マグネチックスターラーを用いて３０分間撹拌し、０．５５Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｇ）１９０ｍｌを得た（（Ａ）工程）。
【００４８】
溶液（ｇ）に、ジエタノールアミン１１．５７ｇを加え、さらに１０分間撹拌して、わずかに黒濁した溶液（ｈ）２００ｍｌを得た（（Ｂ）工程）。
溶液（ｈ）に酢酸６８．７５ｍｌを加えて１０分間撹拌し、溶液（ｉ）を得た（（Ｄ）工程）。酢酸を加える前に見られた黒濁状の不溶物は、完全に溶解した。
【００４９】
溶液（ｉ）を孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製メンブレンフィルタを用いて濾過した。その結果、透明な濾液（ｊ）が得られた。このときフィルタ内に残留物はなかった（（Ｃ）工程）。
【００５０】
濾液（ｊ）２４５ｍｌに、ポリエチレングリコール（分子量２００）２．６ｇと、濃度調整用にメチルセロソルブを２５５ｍｌ加えて、３０分間撹拌し、０．２Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｋ）５００ｍｌを得た。
【００５１】
（比較例２）
金属バリウム７．５５ｇを、メチルセロソルブ１４８．５３ｇに溶解させ、完全に溶解した後、テトラエトキシチタン３７．６４ｇを加え、マグネチックスターラーを用いて３０分間撹拌し、０．５５Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｌ）１９０ｍｌを得た（（Ａ）工程）。
【００５２】
溶液（ｌ）に酢酸６８．７５ｍｌを加えて１０分間撹拌し、溶液（ｍ）を得た（（Ｄ）工程）。
溶液（ｍ）を孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製メンブレンフィルタを用いて濾過した。その結果、透明な濾液（ｎ）が得られた。この時フィルタ内に残留物はなかった（（Ｃ）工程）。
【００５３】
濾液（ｎ）に、ジエタノールアミン１１．５７ｇを加え、さらに１０分間撹拌して、溶液（ｏ）２００ｍｌを得た（（Ｂ）工程）。
溶液（ｏ）２４５ｍｌに、濃度調整用にメチルセロソルブを２５５ｍｌ加えて、１０分間撹拌し、０．２Ｍのチタン酸バリウム前駆体溶液（ｐ）５００ｍｌを得た。
【００５４】
３種類のチタン酸バリウム前駆体溶液（ｆ）、（ｋ）及び（ｐ）について、それぞれに含まれる不純物元素をＩＣＰ発光分析法により調べた。これらの結果をまとめて表１に示す。
【００５５】
【表１】
2009227542.tif 000002
【００５６】
表１に示されるように、本発明になる実施例１（チタン酸バリウム前駆体溶液（ｆ））では、比較例１及び２（チタン酸バリウム前駆体溶液（ｋ）及び（ｐ））に比べてアルミニウム元素やマンガン元素の含有率が小さくなり、バリウム元素に対するアルミニウム元素の比率は０．００５ｍｏｌ％未満に低減することが明らかである。
【００５７】
また、実施例１で得られたフィルタ上の残渣（ｄ）について、含まれる不純物元素をＥＤＸ元素分析法により調べた結果、バリウム元素やチタン元素の他に、アルミニウム元素とマンガン元素が検出された。
【００５８】
（実施例２）
寸法が１０ｃｍ×１０ｃｍで、厚さが３５μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名３ＥＣ−ＶＬＰ−３５）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ０．５μｍのニッケル薄膜を形成して、金属層薄膜付きの銅箔を得た。
【００５９】
この金属層薄膜付きの銅箔のニッケル薄膜側に、実施例１で得た前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥後、再び前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし乾燥した。
【００６０】
さらに、前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし、乾燥する操作を６回繰り返し、基板上に前駆体溶液（ｆ）をゲル化させた（（Ｅ）工程）。ここで、スピンコートは２０００ｍｉｎ−１で３０秒の条件で行った。
その後、３５０℃のホットプレート上で２時間熱処理して、基板上にチタン酸バリウム薄膜（ｑ）を得た（（Ｆ）工程）。
【００６１】
（比較例３）
実施例２と同様にして、金属層薄膜付きの銅箔のニッケル薄膜側に、比較例１で得た前駆体溶液（ｋ）を塗布、ゲル化、熱処理して、チタン酸バリウム薄膜（ｒ）を得た。
【００６２】
（比較例４）
実施例２と同様にして、金属層薄膜付きの銅箔のニッケル薄膜側に、比較例２で得た前駆体溶液（ｐ）を塗布、ゲル化、熱処理して、チタン酸バリウム薄膜（ｓ）を得た。
【００６３】
（実施例３）
直径４インチの大きさのシリコンウェハの表面側に、スパッタ法により厚さ０．２μｍのプラチナ薄膜を形成して、金属層薄膜付きのシリコンウェハを得た。
この金属層薄膜付きのシリコンウェハのプラチナ薄膜側に、実施例１で得た前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし、３００℃のホットプレート上で４分間乾燥後、再び前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし乾燥した。
【００６４】
さらに、前駆体溶液（ｆ）をスピンコートし乾燥する操作を４回繰り返し、基板上に前駆体溶液（ｆ）をゲル化させた（（Ｅ）工程）。ここで、スピンコートは２０００ｍｉｎ−１で３０秒の条件で行った。
その後、５５０℃のホットプレート上で２時間熱処理して、基板上にチタン酸バリウム薄膜（ｔ）を得た（（Ｆ）工程）。
【００６５】
４種類のチタン酸バリウム薄膜（ｑ）、（ｒ）、（ｓ）及び（ｔ）について、それぞれ光学顕微鏡で観察した結果、薄膜（ｒ）と薄膜（ｓ）には１ｃｍ２あたり約１０個の確率で直径１０〜３０μｍの大きさの欠陥がみられた。観察された欠陥の一例を図１に示す。
【００６６】
一方、薄膜（ｑ）と薄膜（ｔ）にはそのような欠陥はみられなかった。
また、薄膜（ｒ）と薄膜（ｓ）の欠陥部分（特に中心部分）をＥＤＸ元素分析法により詳細に調べたところ、アルミニウム元素が検出された。
【００６７】
次に、チタン酸バリウム薄膜（ｑ）、（ｒ）、（ｓ）及び（ｔ）のそれぞれの表面に、寸法が１ｍｍ×１ｍｍの大きさの金電極（＝上部電極）を蒸着法により形成した。前記上部電極の近傍のチタン酸バリウム薄膜をダイヤモンドペンで削り取って薄膜の下の銅箔を露出させた（＝下部電極）。
【００６８】
この上部電極と下部電極との絶縁性の有無を印加電圧ＤＣ４Ｖのテスターを用いて調べた。それぞれ３０組の上部電極と下部電極の組み合わせについて測定した結果を表２に示す。
【００６９】
【表２】
2009227542.tif 000003
【００７０】
表２示されるように、本発明になるチタン酸バリウム前駆体溶液（ｆ）を用いて作製した実施例２及び３（チタン酸バリウム薄膜（ｑ）及び（ｔ）は、比較例２及び３（チタン酸バリウム薄膜（ｒ）及び（ｓ））に比べてショート不良が少なく、絶縁性が良好であることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】チタン酸バリウム薄膜の欠陥の一部を示す光学顕微鏡写真である。
【図１】
2009227542.tif 000004