(57)【要約】【課題】補助配線の検査を簡便かつ低コストにて行うことができ、点灯ムラ等の不具合が生じる虞が無く、鮮明な画像を長時間表示することができる電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）は、透明基板２０上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された画素電極２３及び陰極５０にて挟持された発光層１１０を有する発光素子とを備え、陰極５０上に遮光性を有する補助配線層３１１を設け、透明基板２０上の補助配線層３１１の許容成膜領域３１２に対応する位置に光遮蔽層３１３を設けた。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、
前記第２の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、
前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記透明基板上かつ前記光遮蔽層に隣接した位置に、第２の光遮蔽層を設けてなることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、
前記第２の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、
前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなる電気光学装置の検査方法であって、
前記透明基板側から前記光遮蔽層を介して前記補助配線層を観察し、前記補助配線層の良否を判定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の電気光学装置を備えてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の平面表示型電気光学装置として、有機薄膜により発光層（電気光学層）等を構成した多層構造の有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：ＥＬ）表示装置が開発され、これまでにも様々な提案がなされている（例えば、特許文献１等参照）。
この有機ＥＬ表示装置には、トップエミッション型と、ボトムエミッション型の２種類のものがあり、薄型、軽量、フレキシブル、インクジェット法を用いて作製可能等の優れた特徴を有することから、ディスプレイパネル、電子ペーパー等、様々な分野への応用が進められている。
【０００３】
ところで、従来の有機ＥＬ表示装置、特にトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、陰極にインジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極材料を用いているために、陰極自体の電気抵抗を小さくすることが難しい。そこで、この陰極の電気抵抗を小さくするために、この陰極の上側または下側に金属膜からなる補助配線を設けることが行われている。
このような補助配線としては、例えば、実表示領域の周縁の回路領域のバンク層の頂部に陰極を形成し、この陰極上に補助配線を設けた構成がある。
この補助配線は、陰極の成膜前あるいは成膜後に蒸着法により成膜される。この補助配線のパターンの位置は、マスク精度、アライメント精度、基板への密着性等によりズレが生じるために、補助配線に公差を設定し、この公差に合わせて陰極上に補助配線の許容エリアを設け、この許容エリア内に補助配線を成膜している。
【特許文献１】特開２００５−８５４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の有機ＥＬ表示装置では、通常、補助配線は許容エリア内に成膜されているので、補助配線が許容エリアからはみ出すことはないが、補助配線の成膜中に突発的な変動が生じて補助配線が許容エリアからはみ出してしまったような場合には、補助配線が陰極から大きくずれてしまい、その結果、陰極の電気抵抗が小さくならず、発光素子に点灯ムラ等の不具合が生じるという問題点があった。
このような場合、製造ラインにおいてインライン検査により不具合が発生した状況を把握し、製造工程を停止して対応する必要があるが、膜面側からの検査では、補助配線以外の金属パターン等があるために、補助配線のみを画像認識により検出することが難しいという問題点があった。また、この検出が実現できたとしても、画像認識技術を用いた検査システムが非常に高価なことから、製造コストを押し上げる一因になるという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、補助配線の検査を簡便かつ低コストにて行うことができ、点灯ムラ等の不具合が生じる虞が無く、鮮明な画像を長時間表示することができる電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置は、透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、前記第２の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、透明基板上の補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に光遮蔽層を設けたので、この光遮蔽層を介して補助配線層を透明基板側から観察することにより、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における不具合を容易に見出すことができ、補助配線層の検査精度及び検査効率を向上させることができる。その結果、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができ、点灯ムラ等の不具合が生じる虞のない電気光学装置を提供することができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置は、前記透明基板上かつ前記光遮蔽層に隣接した位置に、第２の光遮蔽層を設けてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、透明基板上かつ光遮蔽層に隣接した位置に、第２の光遮蔽層を設けたので、これら光遮蔽層及び第２の光遮蔽層を介して補助配線層を透明基板側から観察する際に、補助配線層の位置の確認が容易になり、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定をより容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における不具合をさらに容易に見出すことができ、補助配線層の検査精度及び検査効率をさらに向上させることができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の検査方法は、透明基板上に、薄膜トランジスタを含む回路層と、この回路層に電気的に接続された第１の電極及び第２の電極にて挟持された発光層を有する発光素子とを備え、前記第２の電極と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層を設け、前記透明基板上の前記補助配線層の許容成膜領域に対応する位置に、光遮蔽層を設けてなる電気光学装置の検査方法であって、前記透明基板側から前記光遮蔽層を介して前記補助配線層を観察し、前記補助配線層の良否を判定することを特徴とする。
【００１０】
本発明の電気光学装置の検査方法では、透明基板側から光遮蔽層を介して補助配線層を観察し、この補助配線層の良否を判定することとしたので、補助配線層が許容成膜領域内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層の製造工程における検査精度及び検査効率を向上させることができ、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００１１】
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えてなることを特徴とする。
本発明の電子機器では、本発明の電気光学装置を備えたので、点灯ムラ等の不具合が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、画像表示領域に点灯ムラ等に起因する暗点が生じる虞が無く、鮮明な画像を長時間表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の電気光学装置及びその検査方法並びに電子機器を実施するための最良の形態について説明する。
ここでは、電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１３】
「第１の実施形態」
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１の配線構造を示す図であり、この有機ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置である。
【００１４】
この有機ＥＬ表示装置１は、互いに並列な複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線され、これら走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素領域Ｘが設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えた信号線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１５】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極：第１の電極）２３と、この画素電極２３と陰極（第２の電極）５０との間に挟み込まれた発光層１１０とが設けられている。これら画素電極２３と陰極５０と発光層１１０とにより、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。
【００１６】
この有機ＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１を駆動してスイッチング用ＴＦＴ１１２をオン状態にすると、このときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、この保持容量１１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに発光層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。よって、発光層１１０では、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１７】
次に、この有機ＥＬ表示装置１の具体的な構成について説明する。
図２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の１表示単位を構成するＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素領域Ｘを示す平面構成図であり、図３は図２のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う部分断面構成図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、図２に示す３つの画素領域Ｘにより１表示単位が構成されている。
【００１８】
図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１には、複数（図示では２本）の走査線１０１と、これらの走査線１０１に直交して延びる複数（図示では３本）の信号線１０２が設けられており、走査線１０１及び信号線１０２に囲まれた領域が画素領域Ｘに対応している。画素領域Ｘにおいては、走査線１０１と信号線１０２との交差点に対応してスイッチング用ＴＦＴ１１２が設けられており、このスイッチング用ＴＦＴ１１２に駆動用ＴＦＴ１２３及び保持容量１１３が接続されている。また、発光層１１０を挟み信号線１０２と反対側の位置には、信号線１０２に沿う方向に延在する電源線１０３を有している。
【００１９】
画素領域Ｘは、画像を表示する実表示領域４と、この実表示領域４の周囲に配置された回路領域５とに区画されている。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ａ’方向、Ｂ−Ｂ’方向及びＣ−Ｃ’方向にそれぞれ離間してマトリックス状に形成されている。
【００２０】
この有機ＥＬ表示装置１は、図２及び図３に示すように、透明基板２０上の実表示領域４に、画素電極（陽極）２３と発光層１１０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数形成され、この透明基板２０上の回路領域５のバンク層３１０の陰極５０上に、この陰極５０と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層３１１が形成され、この補助配線層３１１の下方かつ透明基板２０上の補助配線層３１１の許容成膜領域３１２に対応する位置に光遮蔽層３１３が形成されている。さらに、これらを覆う緩衝層２１０、フィルタ２１１及びガスバリア層３０等が形成されている。
【００２１】
この有機ＥＬ表示装置１は、ガスバリア層３０側から発光した光を取り出すトップエミッション型であるが、光遮蔽層３１３を介して補助配線層３１１を観察し、この補助配線層３１１の良否を判定する必要があることから、基板には、ガラス基板、石英基板、樹脂基板（プラスチックシート、プラスチックフィルム等）などの透明基板２０が用いられている。
この透明基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、この回路部１１上に発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数設けられている。
【００２２】
発光層１１０は、具体的にはエレクトロルミネッセンス層であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えた構成であればよく、さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えた構成であってもよい。
この発光素子は、上記の構成のもとに、その発光層１１０において、正孔輸送層（図示略）から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。
【００２３】
発光層１１０を構成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系有機材料などが好適に用いられる。
【００２４】
これらの発光材料は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、あるいはルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層１１０の上に電子注入層を設けた構成としてもよい。
【００２５】
画素電極２３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、透明である必要がなく、したがって、各種の導電材料から適宜選択することによって形成されている。
陰極５０は、図２〜図３に示すように、実表示領域４および回路領域５の総面積より広い面積を有し、しかも実表示領域４および回路領域５それぞれを覆うように形成されたもので、発光層１１０とバンク層３１０の上面、さらにはバンク層３１０の外側部を形成する壁面を覆った状態で透明基板２０上に形成されている。
この陰極５０は、バンク層３１０の外側で透明基板２０の外周部に形成された陰極用配線（図示略）を介して駆動ＩＣ（駆動回路）に接続されている。
【００２６】
陰極５０の材料としては、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要があり、したがって、透明導電材料が用いられる。この透明導電材料としては、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）が好適であるが、これ以外にも、例えば、亜鉛添加酸化インジウム（ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー：Indium Zinc Oxide）（登録商標）等の酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜等を用いることができる。
なお、本実施形態ではＩＴＯを用いている。
【００２７】
この陰極５０では、その上に、ケイ素化合物や金属化合物などの無機化合物からなる陰極保護層（図示略）を形成してもよい。この陰極保護層を陰極５０上に形成することにより、製造プロセス時においても、陰極５０への酸素等の侵入を良好に防止することができる。
なお、陰極保護層を形成する場合、基体２００の外周部の絶縁層２８４上まで、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成することが好ましい。
【００２８】
この陰極５０上の帯状の領域である補助配線層の許容成膜領域３１２には、この陰極５０と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層３１１が形成されている。
補助配線層３１１の幅は、この補助配線層３１１が所定の公差で成膜された場合に許容成膜領域３１２内に完全に収まる必要があることから、この許容成膜領域３１２の幅の３０％〜７０％の範囲内とされている。
この補助配線層３１１を構成する材料としては、陰極５０と接続した場合に陰極５０の電気抵抗を小さくするものであればよく、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料が好適である。
【００２９】
この補助配線層３１１の厚さは、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、配線層の均一性が損なわれてしまう虞があるからであり、一方、厚さが５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。
【００３０】
また、この補助配線層３１１の下方かつ透明基板２０上の補助配線層３１１の許容成膜領域３１２に対応する位置には光遮蔽層３１３が形成されている。
この光遮蔽層３１３の幅は、この光遮蔽層３１３を介して補助配線層３１１を観察し、この補助配線層３１１が所定の公差で成膜されているか否かを判定するために、許容成膜領域３１２の幅と一致させる必要がある。
この光遮蔽層３１３を構成する材料としては、可視光線に対して不透明な材料であればよく、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料が好適である。
この光遮蔽層３１３の判定の確度を向上させるためには、黒色材料を用いることが好ましい。
【００３１】
この光遮蔽層３１３の厚さは、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、光遮蔽性が不十分なものとなる虞があるからであり、一方、厚さが５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。
【００３２】
この光遮蔽層３１３は、積層構造としてもよく、例えば、上述した金属材料のうち組成の異なる複数の材料を積層した構造としてもよい。具体的には、陰極５０側から銀、銀−パラジウム合金の順に積層した２層構造、あるいは、陰極５０側からアルミニウム、銅の順に積層した２層構造等が挙げられる。
【００３３】
これにより、この光遮蔽層３１３を介して補助配線層３１１を観察した場合、補助配線層３１１が光遮蔽層３１３により完全に隠れていれば、補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内にあると判断できるので、良品と判定することができる。一方、補助配線層３１１の一部が光遮蔽層３１３の一方の側から現れていれば、補助配線層３１１が許容成膜領域３１２からずれていると判断できるので、不良品と判定することができる。
【００３４】
これら陰極５０及び補助配線層３１１の上には、バンク層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆った状態で緩衝層２１０が設けられ、この緩衝層２１０上の実表示領域４にはフィルタ２１１が形成され、これら全体を覆うようにガスバリア層３０が形成されている。
【００３５】
この緩衝層２１０は、透明基板２０及び回路部１１を含む基体側の反りや体積変化により発生する応力を緩和し、不安定なバンク層３１０からの陰極５０の剥離を防止する機能を有するもので、下側に位置するバンク層３１０の形状の影響により凸凹状とされた陰極５０の凸凹部分を埋めるように形成されており、更に、その上面は略平坦とされている。
この緩衝層２１０では、その上面が略平坦化されているので、この緩衝層２１０上に形成される硬いガスバリア層３０も平坦化され、応力が集中する部位がなくなる。これにより、ガスバリア層３０におけるクラックの発生を防止することができる。
【００３６】
ガスバリア層３０は、その内側に外部から酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や発光層１１０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層１１０の劣化等を抑えるようになっている。
このガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、ケイ素化合物が好ましい。このケイ素化合物としては、ケイ素窒化物、ケイ素酸窒化物、ケイ素酸化物（シリカ等）等が挙げられる。
このケイ素化合物以外の無機化合物としては、例えば、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸窒化物、アルミニウム酸化物（アルミナ等）等のアルミニウム化合物、酸化タンタル等のタンタル化合物、酸化チタン等のチタン化合物が挙げられる。
【００３７】
このガスバリア層３０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要がある。ここでは、その材質や膜厚を適宜に調整することにより、可視光線領域における光透過率を例えば８０％以上としている。
【００３８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、カラー表示を行うべく発光層１１０が、光の三原色にそれぞれ対応する光を発光するように、赤色表示領域Ｒに赤色光のみを透過するフィルタ２１１Ｒを、緑色表示領域Ｇに緑色光のみを透過するフィルタ２１１Ｇを、青色表示領域Ｂに青色光のみを透過するフィルタ２１１Ｂを、それぞれ設け、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素が構成されている。
また、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ各々の境界である回路領域５には、金属クロムをスパッタリング法などにて成膜したブラックマトリクス（ＢＭ、図示略）が形成されている。
【００３９】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。
なお、透明基板２０の表面に回路部１１を形成する工程からインクジェット法により発光層１１０を形成する工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
【００４０】
まず、透明基板２０上の補助配線層の許容成膜領域３１２に対応する位置に、この許容成膜領域３１２と同一形状の開口部を有するマスクを載置し、この開口部内の透明基板２０上に、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料を堆積させる。これにより光遮蔽層３１３が成膜される。
次いで、従来公知の方法により、光遮蔽層３１３を含む透明基板２０の表面に、回路部１１、画素電極２３、バンク層３１０、発光層１１０等を形成し、この発光層１１０の３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素を構成する。
【００４１】
次いで、これら発光層１１０及びバンク層３１０の上面、さらにはバンク層３１０の外側部を構成する壁面を覆うように、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）によりＩＴＯ膜を成膜し、陰極５０とする。
なお、陰極５０上に酸化チタン等の陰極保護層（図示略）を成膜するには、真空蒸着法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）を用いる。
【００４２】
次いで、陰極５０の補助配線層の許容成膜領域３１２に、補助配線層３１１と同一形状の開口部を有するマスクを載置し、この開口部内の陰極５０上に、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により、銀、銀−パラジウム等の銀合金、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属材料を堆積させる。これにより、補助配線層３１１が成膜される。
【００４３】
次いで、補助配線層３１１を含む陰極５０上に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の主成分と、光重合反応剤等と、有機溶媒等を含む緩衝層用塗液を用いて、インクジェット法等のウエットプロセスにより緩衝層２１０を形成する。
なお、インクジェット法の替わりに、スリットコート（或いはカーテンコート）法により緩衝層用塗液を塗布してもよい。
【００４４】
次いで、緩衝層２１０上の実表示領域４に、フィルタ２１１を形成する。
この有機ＥＬ表示装置１では、カラー表示を行うべく発光層１１０が、光の三原色にそれぞれ対応する光を発光するように、赤色表示領域Ｒに赤色光のみを透過するフィルタ２１１Ｒを、緑色表示領域Ｇに緑色光のみを透過するフィルタ２１１Ｇを、青色表示領域Ｂに青色光のみを透過するフィルタ２１１Ｂを、それぞれ形成する。これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素が構成される。
【００４５】
次いで、フィルタ２１１を含む緩衝層２１０を覆うように、すなわち透明基板２０上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆うように、ガスバリア層３０を形成する。
ここで、このガスバリア層３０を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により成膜を行うのが好ましい。
【００４６】
なお、ガスバリア層３０上に、接着層を介して表面保護層を設けてもよい。
この表面保護層は、例えば、ガスバリア層３０上に、スリットコート法などにより接着剤を厚みが略均一になるように塗布して接着層とし、この接着層上に薄厚の表面保護層を貼り合わせることにより、形成することができる。
この表面保護層は、耐圧性、耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有しているので、この表面保護層をガスバリア層３０上に設けることにより、発光層１１０や陰極５０はもちろんのこと、ガスバリア層３０をも保護することができる。したがって、発光素子の長寿命化を図ることができる。
以上により、有機ＥＬ表示装置１を作製することができる。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１によれば、陰極５０上に、この陰極５０と電気的に接続される遮光性を有する補助配線層３１１を形成し、この補助配線層３１１の下方かつ透明基板２０上の補助配線層３１１の許容成膜領域３１２に対応する位置に光遮蔽層３１３を形成したので、この光遮蔽層３１３を介して補助配線層３１１を透明基板２０側から観察することにより、補助配線層３１１のムラ、すなわち補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内に成膜されているか否かの判定を容易に行うことができる。したがって、補助配線層３１１の製造工程における不具合を容易に見出すことができ、補助配線層３１１の検査精度及び検査効率を向上させることができ、製品の製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００４８】
なお、光遮蔽層３１３を介して補助配線層３１１を透明基板２０側から観察する際に、光源とカメラを用いて外部モニターに画像を映し出し、この画像を基に補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内に成膜されているか否かの判定を行ってもよく、画像処理ソフトを用いて補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内に成膜されているか否かを自動判定することとしてもよい。
また、光遮蔽層３１３を形成する方法としては、上述した金属材料を堆積させる方法の他、半導体層で形成する方法、ソース／ドレイン電極で形成する方法等を用いることができる。
【００４９】
「第２の実施形態」
図４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４０１の１表示単位を構成するＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素領域Ｘを示す平面構成図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う部分断面構成図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置４０１が第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と異なる点は、透明基板２０上かつ光遮蔽層３１３の両隣に隣接した位置に、この光遮蔽層３１３から所定の間隔をおいて（第２の）光遮蔽層４０２、４０３をそれぞれ設けた点である。
【００５０】
この有機ＥＬ表示装置４０１では、透明基板２０上かつ光遮蔽層３１３の両隣に隣接した位置に、この光遮蔽層３１３から所定の間隔をおいて光遮蔽層４０２、４０３をそれぞれ設けたので、この光遮蔽層３１３と光遮蔽層４０２、４０３それぞれとの間に形成された隙間が、補助配線層３１１の許容成膜領域３１２の両側の非常に狭い帯状の開口部分となり、補助配線層３１１以外の情報量が削減され、補助配線層３１１のムラ、すなわち補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内に成膜されているか否かをさらに容易に判定することができる。
【００５１】
したがって、これら光遮蔽層３１３及び光遮蔽層４０２、４０３を介して補助配線層３１１を透明基板２０側から観察すると、光遮蔽層３１３及び光遮蔽層４０２、４０３により補助配線層３１１の位置の確認が容易になり、補助配線層３１１が許容成膜領域３１２内に成膜されているか否かの判定をより容易に行うことができる。
したがって、補助配線層３１１の製造工程における不具合をさらに容易に見出すことができ、補助配線層３１１の検査精度及び検査効率をさらに向上させることができる。
【００５２】
次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上記の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１（４０１）を表示部として有したものであり、具体的には図６に示すものが挙げられる。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ表示装置１（４０１）を用いた表示部１００１を備えている。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ表示装置１（４０１）を用いた表示部１１０１を備えている。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬ表示装置１（４０１）を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備えている。
図６（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１（４０１）を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素領域を示す平面構成図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う部分断面構成図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素領域を示す平面構成図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線及びＣ−Ｃ’線に沿う部分断面構成図である。
【図６】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１、４０１…表示装置（電気光学装置）、２３…画素電極（第１電極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（第２電極）、１１０…発光層（電気光学層）、２０…透明基板、３１１…補助配線層、３１２…許容成膜領域、３１３…光遮蔽層、４０２、４０３…光遮蔽層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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