(57)【要約】【課題】ディスクリネーションによる画質の悪化を軽減することができる垂直配向型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１基板１０の液晶層３０側にはマトリクス状に配列された画素電極１１が形成されており、第２基板２０の液晶層３０側には共通電極２１が形成されており、液晶層３０を構成する液晶分子３１は負の誘電率異方性を有しており、初期配向状態においては、液晶分子３１は全体として所定の方向にプレチルトを与えられた状態で実質的に垂直配向されており、第２基板２０は共通電極欠如部２２を備えており、該共通電極欠如部２２は、画素電極１０における縁部のうち、画素電極１１の輪郭線に直交し且つ画素電極１１の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、第１基板と対向して配置された第２基板、及び、第１基板と第２基板との間に配置された液晶層を備えた液晶表示装置であって、
第１基板の液晶層側にはマトリクス状に配列された画素電極が形成されており、
第２基板の液晶層側には共通電極が形成されており、
液晶層を構成する液晶分子は負の誘電率異方性を有しており、初期配向状態においては、液晶分子は全体として所定の方向にプレチルトを与えられた状態で実質的に垂直配向されており、
第２基板は共通電極欠如部を備えており、該共通電極欠如部は、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
共通電極欠如部は、少なくともその一部分が画素電極と対向して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
共通電極欠如部は、画素電極の輪郭線に対応して延びるスリット状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
共通電極欠如部は、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが９０度を越える角度をなす部分に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
画素電極は矩形形状であり、画素電極の各縁部はプレチルトの方位角に示される方向と交わる方向に延びており、共通電極欠如部は画素電極の２つの縁部に対応して略Ｌ字状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射した光の透過率を制御することにより画像を表示する液晶表示装置に関する。より詳しくは、投射型表示装置のライトバルブや、各種電子機器の表示部に用いて好適な垂直配向型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高品位な画像を表示することができる液晶表示装置が求められており、表示品位や応答性に優れた垂直配向型の液晶表示装置の開発が進められている。
【０００３】
垂直配向型の液晶表示装置において、液晶層はクロスニコルに配置された２枚の偏光板の間に配置される。液晶層は、画素電極が形成された第１基板と、共通電極が形成された第２基板とによって挟まれており、液晶層に電界が印加されていない状態において、液晶分子はこれらの基板に対して略垂直に配向する。液晶層の厚さ方向の電界（縦電界）が印加されると、液晶層を構成する液晶分子は長軸が基板に倣うように傾く。また、液晶層に電界が印加された状態において、一方の偏光板の偏光軸の方向とディレクタとは、略４５度の角度をなす。液晶層に電界が印加されていない状態では、入射側の偏光板に入射した光は液晶層によるリタデーションを殆ど生ずることなく出射側の偏光板に達し、出射側の偏光板に吸収される（黒表示状態）。従って、黒表示の状態として、液晶層を挟まない理想的なクロスニコルと殆ど同等の状態を得ることができる。一方、液晶層に電界が印加されている状態にあっては、入射側の偏光板を透過した直線偏光に対しディレクタは略４５度の角度をなすので、液晶層は１／２波長板として作用し直線偏光の振動方向を９０度回転させる。これにより、液晶層を通過した光は出射側の偏光板を透過する（白表示状態）。
【０００４】
垂直配向型の液晶表示装置にあっては、液晶層に電界が印加された状態において液晶分子の傾く方向が一様でない場合には、表示される画像に輝度ムラが生じてしまう。このため、液晶層に電界が印加されていない状態で、液晶分子の長軸が一定の方向に且つ基板の法線方向に対して所定の角度傾くように、所謂プレチルトを与えた状態で液晶分子を略垂直に配向させる必要がある。一般に、プレチルトの方位角に示される方向（液晶分子の方位角に示される方向）は、偏光板等の光学系との組合せにより透過率が最大となる方向に設定される。
【０００５】
液晶分子にプレチルトを与える配向膜として、有機材料から成る膜にラビング処理を施した配向膜が周知である。また、光源から強い光が照射される投射型表示装置に用いられる液晶表示装置にあっては、耐光性に優れた無機材料から成る配向膜も用いられている。無機材料から成る配向膜は、酸化シリコン等の無機材料を基板に対して斜め方向から蒸着することにより形成することができる（例えば、特開２００５−２７４６４１号公報（特許文献１）参照）。プレチルトの方向や基板の法線方向からの傾きの角度の制御は、前者の配向膜の場合には、ラビングの条件を制御することにより行われ、後者の配向膜の場合には、蒸着の条件を制御することで行われる。
【０００６】
垂直配向型の液晶表示装置にあっては、隣り合う画素電極に異なる値の電圧が印加されると、画素電極と隣接する画素電極との間に基板面に倣う方向の電界（横電界）が発生し、この横電界に起因して液晶分子の配列に乱れが生ずる。液晶分子の配列の乱れは、一般にディスクリネーションと呼ばれている。
【０００７】
所謂ライン反転駆動と呼ばれる駆動方法では、奇数ラインと偶数ラインとで電圧の極性を反転させる。例えば、白表示状態において共通電極と画素電極との間に絶対値で５ボルトの電圧が印加されるとすれば、奇数ラインに属する画素電極と隣接する偶数ラインに属する画素電極との間において電位差の絶対値は最大１０ボルトに達し、画素電極と画素電極との間に強い横電界が生ずる。このため、ライン反転駆動においては、画素電極の並びに沿ってディスクリネーションが生ずる。ディスクリネーションが生じた領域、特に、液晶分子の方位角が均一でない領域においては光の透過率が顕著に変化する。従って、輝度の均一性が害され、画質が悪化する。
【０００８】
一方、所謂フレーム反転駆動と呼ばれる駆動方法では、フレーム毎に電圧の極性を反転させる。画素電極と隣接する画素電極との間の電位差の絶対値は、フレーム反転駆動ではライン反転駆動の半分となる。従って、フレーム反転駆動を採用することにより、ディスクリネーションの程度を軽減することができる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２７４６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、フレーム反転駆動を採用した場合であっても、輝度の高い領域と輝度の低い領域とが隣接する部分において、ある程度強い横電界が画素電極と隣接する画素電極の間に発生することを避けることはできない。例えば、液晶表示装置に黒地に白窓の画像を表示すると、白窓の境界部分にディスクリネーションが発生し、図９の（Ａ）に示すようにライン状の暗部等が観察される場合がある。ディスクリネーションが生じた部分が遮光層等により遮光されていれば、ディスクリネーションによる影響は実質的には問題とならない。しかしながら、液晶表示装置の高精細化や開口率の向上を図る程遮光層等の幅は設計上狭くせざるを得ず、ディスクリネーションによる画質の悪化が問題となる。
【００１１】
従って、本発明の目的は、ディスクリネーションによる画質の悪化を軽減することができる垂直配向型の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、第１基板、第１基板と対向して配置された第２基板、及び、第１基板と第２基板との間に配置された液晶層を備えた液晶表示装置であって、
第１基板の液晶層側にはマトリクス状に配列された画素電極が形成されており、
第２基板の液晶層側には共通電極が形成されており、
液晶層を構成する液晶分子は負の誘電率異方性を有しており、初期配向状態においては、液晶分子は全体として所定の方向にプレチルトを与えられた状態で実質的に垂直配向されており、
第２基板は共通電極欠如部を備えており、該共通電極欠如部は、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して形成されていることを特徴とする。
【００１３】
マトリクス状に配列された画素電極は、隣接する画素電極との間に間隔を空けて配列される。画素電極と共通電極との間の等電位面の分布と、間隔の部分と共通電極との間の等電位面の分布には差が生ずる。これにより、たとえ画素電極に同じ値の電圧が印加されたとしても、画素電極の縁部及びその近傍の電界は基本的には基板の法線方向に対して傾く方向に向かう。より具体的には、画素電極の縁部及びその近傍の電界は画素電極から遠ざかる方向に傾く。そして、負の誘電率異方性を有する液晶分子は電界に直交する方向に傾く力を受ける。従って、画素電極に電圧が印加されること自体によって、画素電極の縁部及びその近傍に位置する液晶分子には、画素電極の内側に向かって傾く方向の力（以下、「内向きの力」と称する）が加わる。そして、隣り合う画素電極に異なる値の電圧が印加されると、隣接する画素電極間の電位差に起因して画素電極と画素電極との間に横電界が発生し、その横電界によっても液晶分子には力（以下、「電位差による力」と称する）が加わる。発明者らは、「内向きの力」が液晶分子の方位角に示される方向を逆方向に向けようとする領域（以下、「逆方向領域」と称する場合がある）において、「電位差による力」が液晶分子の方位角に示される方向を逆方向に向ける方向に加わると、この領域においてディスクリネーションの発生がより顕著となることに注目した。本発明の液晶表示装置にあっては、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して第２基板に共通電極欠如部を形成することにより、逆方向領域において「内向きの力」を弱めるように電界が形成される。これにより、液晶分子の方位角を反転させようとする力が小さくなり、ディスクリネーションの程度を軽減することができる。
【００１４】
本発明の液晶表示装置にあっては、共通電極欠如部の平面形状は、逆方向領域において「内向きの力」を弱めるように電界が形成される限りは、任意である。共通電極欠如部は、少なくともその一部分が画素電極と対向して形成されていてもよいし、その全てが画素電極と対向して形成されていてもよい。共通電極欠如部を画素電極の輪郭線に対応して延びるスリット状とすると、逆方向領域において「内向きの力」を弱めるような電界を効果的に形成することができるので好ましい。
【００１５】
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の液晶表示装置にあっては、画素電極の平面形状は、液晶表示装置の設計に応じて適宜設定することができる。画素電極の平面形状として、三角形形状、矩形形状、又は、六角形形状を例示することができる。画素電極を多角形形状とした場合には、角の部分には丸みを帯びさせる処理が施されていてもよい。液晶表示装置の製造等の観点からは、画素電極を矩形形状とすることが便宜である。共通電極欠如部は、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが９０度を越える角度をなす部分に対応して形成されている構成とすることができる。この場合において、画素電極は矩形形状であり、画素電極の各縁部はプレチルトの方位角に示される方向と交わる方向に延びており、共通電極欠如部は画素電極の２つの縁部に対応して略Ｌ字状に形成されている構成とすることができる。
【００１６】
本発明の液晶表示装置は、モノクロ液晶表示装置であってもよいし、カラー液晶表示装置であってもよい。さらには、透過型の液晶表示装置であってもよいし、反射型の液晶表示装置であってもよい。液晶表示装置を構成する各種の部材や材料は、周知の部材や材料から構成することができる。尚、画素電極に接続されるスイッチング素子として、単結晶シリコン半導体基板に形成されたＭＯＳ型ＦＥＴや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）といった３端子素子や、ＭＩＭ素子、バリスタ素子、ダイオード等の２端子素子を例示することができる。画素電極や共通電極は広く周知の方法により形成することができるし、共通電極欠如部も広く周知の方法により形成することができる。
【００１７】
液晶表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。モノクロ液晶表示装置の場合には、基本的には画素数と同じ数の画素電極がマトリクス状に形成される。カラー液晶表示装置の場合には、基本的には画素数の３倍の数の画素電極がマトリクス状に形成される。画素電極は、例えばストライプ状に配列されていてもよいし、デルタ状に配列されていてもよい。画素電極の配列は、液晶表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の液晶表示装置にあっては、画素電極における縁部のうち、画素電極の輪郭線に直交し且つ画素電極の内側に向かう方向とプレチルトの方位角に示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して第２基板に共通電極欠如部を形成することにより、逆方向領域において内向きの力を弱めるように電界が形成される。これにより、液晶分子の方位角を反転させようとする程度が軽減されるので、ディスクリネーションの程度を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例】
【００２０】
図１は、実施例の液晶表示装置１の概念的な一部端面図である。図２の（Ａ）は、第１基板１０に形成された画素電極１１の配置を説明するための模式的な平面図である。図２の（Ｂ）は、第２基板２０に形成された共通電極２１等の配置を説明するための模式的な平面図である。先ず、図１、図２の（Ａ）及び（Ｂ）等を参照して、実施例の液晶表示装置１の構成と基本的な動作を説明する。
【００２１】
実施例の液晶表示装置１は、例えば６４０×４８０個の画素電極１１を備えた、モノクロ表示の透過型液晶表示装置である。図１に示すように、液晶表示装置１は、ガラス基板等から成る第１基板１０、第１基板１０と対向して配置された、ガラス基板等から成る第２基板２０、及び、第１基板１０と第２基板２０との間に配置された液晶層３０を備えている。
【００２２】
図１及び図２の（Ａ）に示すように、第１基板１０の液晶層３０側には、例えば略１μｍの間隔１２を隔ててマトリクス状に配列された、ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）等から成る画素電極１１が形成されている。図２の（Ａ）においては、図面を簡素化するために、４×３個の画素電極１１を図示した。各画素電極１１の大きさは略３０μｍ×３０μｍである。そして、例えば酸化シリコンから成る第１配向膜１３が、画素電極１１等を覆うように全面に形成されている。第１配向膜１３及び後述する第２配向膜２３については、後ほど詳しく説明する。尚、実施例においては、第１基板１０には、各画素電極１１に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子、データ線や走査線等の各種配線、各種の層間絶縁膜、遮光層等が形成されているが、図面においてはこれらの図示を省略した。第２基板２０においても同様に、共通電極２１、共通電極欠如部２２、第２配向膜２３以外の構成要素の図示を省略した。
【００２３】
図１及び図２の（Ｂ）に示すように、第２基板２０の液晶層３０側にはＩＴＯ等から成る共通電極２１が形成されている。また、第２基板２０は共通電極欠如部２２を備えている。図２の（Ｂ）においては、図２の（Ａ）と同様に図面を簡素化するために、４×３個の共通電極欠如部２２を図示した。共通電極欠如部２２については後述する。そして、例えば酸化シリコンから成る第２配向膜２３が、共通電極２１等を覆うように全面に形成されている。
【００２４】
第１基板１０と第２基板２０との間に配置された液晶層３０を構成する液晶分子３１は負の誘電率異方性を有しており、初期配向状態においては、液晶分子は全体として所定の方向にプレチルトを与えられた状態で実質的に垂直配向されている。第１基板１０と第２基板２０との間には、液晶層３０の厚さを規定するための図示せぬスペーサが配置されている。実施例においては、液晶層３０の厚さを設計上２．５μｍに設定した。尚、プレチルトの詳細については後述する。
【００２５】
図３の（Ａ）は、初期配向状態（換言すれば、液晶層３０に電界が印加されていないときの状態）における液晶分子３１の状態を説明するための模式的な断面図である。図３の（Ｂ）は、画素電極１１の配置と、第１配向膜１３及び第２配向膜２３の配向方向と、初期配向状態における液晶分子３１との関係を説明するための模式的な平面図である。尚、図面を簡素化するために、図３の（Ａ）においては第１基板１０と第２基板２０の表示を省略し、図３の（Ｂ）においては３×３個の画素電極１１を図示した。後述する図５の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図７の（Ａ）及び（Ｂ）においても同様である。
【００２６】
図３の（Ｂ）に示すように、画素電極１１は、Ｘ方向に倣う縁部１１ａ及び縁部１１ｃ、並びに、Ｙ方向に倣う縁部１１ｂ及び縁部１１ｄを備えている。第１配向膜１３と第２配向膜２３は、それぞれの配向規制方向が互いにアンチパラレルとなるように形成されている。以下、Ｘ−Ｙ平面において＋Ｘ方向に延びる方向を０度、＋Ｙ方向に延びる方向を９０度として方位角を考える。第１配向膜１３は方位角が２２５度の方向に酸化シリコン等が斜め蒸着されて形成されており、第２配向膜２３は方位角が４５度の方向に酸化シリコン等が斜め蒸着されて形成されている。第１配向膜１３の配向方向（蒸着方向）を符号１３Ａを付した矢印で示した。同様に、第２配向膜２３の配向方向（蒸着方向）を符号２３Ａを付した矢印で示した。液晶層３０を構成する液晶分子３１は、第１配向膜１３と第２配向膜２３とによって配向規制され、電界が印加されていない初期配向状態においては、液晶分子は全体として所定の方向（後述するように方位角で４５度の方向）にプレチルトを与えられた状態で実質的に垂直配向される。
【００２７】
図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、プレチルトが与えられた液晶分子３１の仰角、及び、方位角を説明するための模式図である。液晶層３０に電界が印加されていない状態にあっては、図４の（Ａ）に示すように、液晶分子３１は、Ｘ−Ｙ平面に対して液晶分子３１は仰角θp（通常、８３度以上９０度未満の範囲内に設定される）をなして略垂直に配向する。また、図４の（Ｂ）に示すように、液晶分子３１の方位角θdは４５度をなす。液晶層３０に縦方向（液晶層３０の厚み方向）の電界が印加されると、図４の（Ａ）及び（Ｂ）に破線で示すように、基本的には液晶分子３１は方位角θdを保った状態でその長軸がＸ−Ｙ平面に倣うように傾く。
【００２８】
図１において、第１基板１０の液晶層３０側と反対側に、例えば偏光軸がＸ方向に倣うように図示せぬ第１の偏光板が配置され、第２基板２０の液晶層３０側と反対側に、偏光軸がＹ方向に倣うように図示せぬ第２の偏光板が配置され、第１の偏光板側に光源が配置されているとする。尚、第１の偏光板の偏光軸がＹ方向に倣い、第２の偏光板の偏光軸がＸ方向に倣う構成であってもよい。液晶層３０に電界が印加されていない状態にあっては、液晶分子３１は略垂直方向に配向しているため、光源側の第１の偏光板に入射した光は液晶層３０によるリタデーションを殆ど生ずることなく第２の偏光板に達し吸収される。従って、原理的には、液晶層３０を挟まない理想的なクロスニコルと殆ど同等の黒表示状態を得ることができる。一方、液晶層３０に電界が印加されている状態にあっては、液晶分子３１はその長軸がＸ−Ｙ平面に倣うように傾く。また、入射側の第１の偏光板を透過した直線偏光に対し、液晶分子の方位角は略４５度の角度をなす。従って、液晶層３０は１／２波長板として作用し、直線偏光の振動方向を９０度回転させる。これにより、液晶層３０を通過した光は第２の偏光板を透過し、白表示状態となる。
【００２９】
次に、上記の液晶表示装置１の製造方法を説明する。先ず、第１基板１０上に、走査線、遮光層、半導体層から成るトランジスタ、層間絶縁層等を、周知の方法により適宜形成する。
【００３０】
次いで、周知の方法により例えばＩＴＯ膜の成膜及びパターニングを行い、マトリクス状に配列された画素電極１１を形成する。その後、例えば酸化シリコンを斜め方向から蒸着し、第１配向膜１３を形成する。以上で第１基板１０に関する一連の工程が完了する。
【００３１】
また、第２基板２０上に、必要に応じてブラックマトリックス、層間絶縁層等を周知の方法により適宜形成する。その後、周知の方法により例えばＩＴＯ膜の成膜及びパターニングを行い、共通電極２１と共通電極欠如部２２を形成する。その後、例えば酸化シリコンを斜め方向から蒸着し、第２配向膜２３を形成する。以上で第２基板２０に関する一連の工程が完了する。
【００３２】
そして、第１基板１０と上記工程を経た第２基板２０とを対向させ、その間に液晶材料を封入した後、周囲を封止し、液晶表示装置１を完成することができる。その後、必要に応じて第１基板１０側に第１の偏光板、第２基板２０側に第２の偏光板を取り付け、外部の回路との結線やバックライトの取付等を行えばよい。
【００３３】
次いで、図５の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、共通電極欠如部２２が形成されていない比較例の液晶表示装置２の動作について説明する。比較例の液晶表示装置２は、実施例の液晶表示装置１に対し、共通電極欠如部２２が形成されていない点のみが相違する。図５の（Ａ）は、比較例の液晶表示装置２において、共通電極２１に一定電圧（例えば０ボルト）が印加され、各画素電極１１に同一の電圧（例えば５ボルト）が印加されたときの、液晶分子３１の状態を説明するための模式的な断面図である。図５の（Ｂ）は、画素電極１１の配置と、第１配向膜１３及び第２配向膜２３の配向方向と、液晶分子３１との関係を説明するための模式的な平面図である。
【００３４】
マトリクス状に配列された画素電極１１は、隣接する画素電極１１との間に間隔１２を空けて配列されている。画素電極１１と共通電極２１との間の等電位面の分布と、間隔１２と共通電極２１との間の等電位面の分布には差が生じ、結果として、画素電極１１と共通電極２１との間に形成される電界は、画素電極１１の縁部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍では湾曲する。図５の（Ａ）にあっては、画素電極１１の中央部の電界を模式的に符号４１で示し、縁部１１ｂ及びその近傍の電界を模式的に符号４１ｂで示し、縁部１１ｄ及びその近傍の電界の様子を模式的に符号４１ｄで示した。尚、縁部１１ａと縁部１１ｃに関する電界の図示は省略した。
【００３５】
以上説明したように、画素電極１１の縁部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ及びその近傍の電界は、第１基板１０の法線方向（＝画素電極１１の法線方向）に対して傾く方向に、より具体的には、図５の（Ａ）に示す電界４１ｂや４１ｄのように、画素電極１１から遠ざかる方向に傾く。ここで、液晶層３０を構成する液晶分子３１は負の誘電率異方性を有する。このため、画素電極１１の縁部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍に位置する液晶分子３１は、画素電極の内側に向かって傾く方向に力を受ける。このように、画素電極１１に電圧が印加されること自体によって、画素電極１１の縁部及びその近傍に位置する液晶分子３１には、画素電極１１の内側に向かって傾く方向の力（以下、「内向きの力」と称する）が加わる。
【００３６】
図６の（Ａ）は画素電極１１の縁部及びその近傍における「内向きの力」の方向を模式的に示した図である。画素電極１１の縁部１１a，１１ｂの「内向きの力」が、液晶分子３１の方位角θdに倣う方向（換言すれば、Ｘ−Ｙ平面上で略４５度の方位角の方向）の成分を含むのに対し、画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄの「内向きの力」は、液晶分子３１の方位角θdを反転させる方向（換言すれば、Ｘ−Ｙ平面上で略２２５度の方位角の方向）の成分を含む。従って、図５の（Ｂ）に示すように、画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍においては、「内向きの力」により液晶分子３１の方位角が反転される方向に力が加わる。従って、縁部１１ａ，１１ｂよりもディスクリネーションが目立ちやすい傾向にある。
【００３７】
そこで、実施例の液晶表示装置１にあっては、第２基板２０は共通電極欠如部２２を備えており、該共通電極欠如部２２は、画素電極１１における縁部のうち、画素電極１１の輪郭線に直交し且つ画素電極１１の内側に向かう方向とプレチルトの方位角θdに示される方向とが所定の角度を越える角度をなす部分に対応して形成されている構成とした。図６の（Ｂ）は第２基板２０に形成された共通電極欠如部２２と、画素電極１１の縁部との関係を説明するための模式的な平面図である。
【００３８】
図６の（Ｂ）に示すように、共通電極欠如部２２は、少なくともその一部が画素電極１１と対向して形成されている。共通電極欠如部２２は、画素電極１１の輪郭線に対応して延びるスリット状である。
【００３９】
共通電極欠如部２２は、画素電極１１における縁部のうち、画素電極１１の輪郭線に直交し且つ画素電極１１の内側に向かう方向とプレチルトの方位角θdに示される方向とが９０度を越える角度をなす部分に対応して形成されている。より具体的には、画素電極１１は矩形形状であり、画素電極１１の各縁部はプレチルトの方位角θdに示される方向と交わる方向に延びていると共に、共通電極欠如部２２は画素電極１１の２つの縁部１１ｃ，１１ｄに対応して略Ｌ字状に形成されている。
【００４０】
図７の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、共通電極欠如部２２が形成されている実施例の液晶表示装置１の動作について説明する。図５の（Ａ）と同様に、図７の（Ａ）は、図５の（Ａ）と同様に、共通電極２１に一定電圧（例えば０ボルト）が印加され、各画素電極１１に同一の電圧（例えば５ボルト）が印加されたときの、液晶分子３１の傾きを説明するための模式的な断面図である。図７の（Ｂ）は、図５の（Ｂ）と同様に、画素電極１１の配置と、第１配向膜１３及び第２配向膜２３の配向方向と、液晶分子３１の傾きとの関係を説明するための模式的な平面図である。
【００４１】
画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄに対応して共通電極欠如部２２が形成されているので、画素電極１１と共通電極２１との間に形成される電界は、特に画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍において大きく変化する。即ち、共通電極２１が形成されている部分と共通電極欠如部２２が形成されている部分とで等電位面の分布に差が生じ、結果として、画素電極１１と共通電極２１との間に形成される電界は、画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍では、画素電極１１の内側に向かう方向に湾曲する。図７の（Ａ）にあっては、画素電極１１の中央部の電界を模式的に符号４２で示し、縁部１１ｂ及びその近傍の電界を模式的に符号４２ｂで示し、縁部１１ｄ及びその近傍の電界の様子を模式的に符号４２ｄで示した。尚、縁部１１ａと縁部１１ｃに関する電界の図示は省略した。
【００４２】
実施例の液晶表示装置１にあっては、画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍の電界は、共通電極欠如部２２を設けることにより、画素電極１１の内側に向かう方向に湾曲するように変化する。従って、画素電極１１の縁部１１ｃ，１１ｄ及びこれらの近傍において「内向きの力」は弱くなる（尚、場合によっては、力の向きも反転する）。これにより、縁部１１ａ，１１ｂ及びこれらの近傍におけるディスクリネーションの程度が軽減される。
【００４３】
尚、図６の（Ｂ）及び図７の（Ａ）においては、共通電極欠如部２２の一部分が画素電極１１と対向するとして説明したが、これに限るものではない。液晶表示装置の設計にもよるが、例えば図８に示すように、共通電極欠如部２２の全てが画素電極１１と対向する構成とすることもできる。
【００４４】
図９の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、ディスクリネーションの軽減効果について説明する。図９の（Ａ）は、液晶表示装置において黒地に白窓を表示したときの、白窓の境界部分に発生したディスクリネーションによるライン状の暗部を示したものである。液晶表示装置はフレーム反転駆動され、画素電極１１と共通電極２１の間の電位差は、黒地部分で０ボルト、白窓部分で５ボルトである。
【００４５】
図９の（Ｂ）は、ライン状の暗部の評価方法を説明するための模式図である。白窓の境界部の画素の中心を横切るＡ−Ａ線上における輝度を求め、画素の中心の輝度を基準値として正規化した。縦軸を正規化した輝度とし、横軸をＡ−Ａ線上の位置として輝度変化をグラフ化し、輝度が０．５まで低下した位置Ｐ1を求め、位置Ｐ1から画素の端までの距離Ｌ2を求めた。そして、画素の幅Ｌ1（約３０μｍ）に対する距離Ｌ2の割合、即ち、Ｌ2／Ｌ1の値の大小をもって、ライン状の暗部の程度を評価した。共通電極欠如部２２が形成されていない構成の液晶表示装置にあっては、Ｌ2／Ｌ1の値は約０．２１であった。
【００４６】
図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、ディスクリネーションの軽減効果を確認する際に用いた液晶表示装置における、画素電極１１と共通電極欠如部２２との関係を説明するための模式的な平面図である。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように共通電極欠如部２２が形成された液晶表示装置を準備し、上記の評価方法に基づきライン状の暗部の程度を評価した。尚、図１０の（Ａ）及び（Ｂ）における共通電極欠如部２２の幅Ｗ1，Ｗ2を共に１μｍとした。
【００４７】
図１０の（Ａ）においては、共通電極欠如部２２は、画素電極の縁部１１ｃ，１１ｄにおいて約０．５μｍの幅で対向するように形成した。この構成の液晶表示装置にあっては、Ｌ2／Ｌ1の値は約０．１８であった。また、図１０の（Ｂ）においては、画素電極１１と隣接する画素電極１１との間隔１２の中心から共通電極欠如部２２の中心までの距離Ｄ1，Ｄ2を約３μｍとして形成した。この構成の液晶表示装置にあっては、Ｌ2／Ｌ1の値は約０．１７であり、いずれもライン状の暗部の程度が軽減されていることが確認された。
【００４８】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した液晶表示装置の構成、構造は例示であり、適宜変更することができる。
【００４９】
例えば、１つの画素電極が占める領域において、ある領域の部分と他の領域の部分とで液晶分子の初期配向状態を異にする構成の液晶表示装置にあっては、各領域部分におけるプレチルトの向きに基づいて共通電極欠如部を設ける場所を決定すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、実施例の液晶表示装置の概念的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）は、第１基板に形成された画素電極の配置を説明するための模式的な平面図である。図２の（Ｂ）は、第２基板に形成された共通電極等の配置を説明するための模式的な平面図である。
【図３】図３の（Ａ）は、初期配向状態における液晶分子の状態を説明するための模式的な断面図である。図３の（Ｂ）は、画素電極の配置と、第１配向膜及び第２配向膜の配向方向と、初期配向状態における液晶分子との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、プレチルトが与えられた液晶分子の仰角、及び、方位角を説明するための模式図である。
【図５】図５の（Ａ）は、比較例の液晶表示装置において、共通電極に一定電圧（例えば０ボルト）が印加され、各画素電極に同一の電圧（例えば５ボルト）が印加されたときの、液晶分子の状態を説明するための模式的な断面図である。図５の（Ｂ）は、画素電極の配置と、第１配向膜及び第２配向膜の配向方向と、液晶分子との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図６】図６の（Ａ）は、画素電極の縁部における「内向きの力」の方向を模式的に示した図である。図６の（Ｂ）は、第２基板に形成された共通電極欠如部と、画素電極の縁部との関係を説明するための模式的な平面図である。
【図７】図７の（Ａ）は、図５の（Ａ）と同様に、共通電極に一定電圧（例えば０ボルト）が印加され、各画素電極に同一の電圧（例えば５ボルト）が印加されたときの、液晶分子の傾きを説明するための模式的な断面図である。図７の（Ｂ）は、図５の（Ｂ）と同様に、画素電極の配置と、第１配向膜及び第２配向膜の配向方向と、液晶分子の傾きとの関係を説明するための模式的な平面図である。
【図８】図８は、共通電極欠如部の全てが画素電極と対向する構成を説明するための模式的な平面図である。
【図９】図９の（Ａ）は、液晶表示装置において黒地に白窓を表示したときの、白窓の境界部分に発生したディスクリネーションによるライン状の暗部を示したものである。図９の（Ｂ）は、ライン状の暗部の評価方法を説明するための模式図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、ディスクリネーションの軽減効果を確認する際に用いた液晶表示装置における、画素電極と共通電極欠如部との関係を説明するための模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０・・・第１基板、１１・・・画素電極、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ・・・画素電極の縁部、１２・・・間隔、１３・・・第１配向膜、２０・・・基板、２１・・・共通電極、２２・・・共通電極欠如部、２３・・・第２配向膜、３０・・・液晶層、３１・・・液晶分子、４１，４１ｂ，４１ｄ、４２，４２ｂ，４２ｄ・・・電界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図９】
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