(57)【要約】【課題】隣接する画素電極間の寄生容量に起因する画素間の干渉を防止することにより、表示品位の向上を図ることのできる電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは固定電位が印加されているため、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。電気光学装置１００は反射型液晶装置であり、画素電極９ａは光反射性導電膜で形成され、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。【選択図】図３
2009276588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向に延在する複数の走査線と、
前記Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線と、
マトリクス状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素の各々に配置され、前記走査線および前記データ線に電気的に接続された複数の画素スイッチング素子と、
該画素スイッチング素子を介して前記データ線に電気的に接続された複数の画素電極と、が形成された素子基板と、
該素子基板に対向配置された対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する電気光学装置において、
前記素子基板には、平面視で、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する前記画素電極に挟まれた隙間領域で延在するシールド線が形成され、
当該シールド線には、固定電位が印加されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、
前記シールド線および前記画素電極は、前記複数の絶縁膜のうち、同一の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、
前記シールド線は、前記複数の絶縁膜のうち、前記画素電極が上層に形成された絶縁膜より上層に形成された絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、
前記シールド線は、前記複数の絶縁膜のうち、前記画素電極が上層に形成された絶縁膜より下層に形成された絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記シールド線は、前記隙間領域よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記シールド線には、前記対向基板において前記液晶層が位置する側の面に形成された対向電極と同一の電位が印加されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極は、光反射性導電膜からなり、
前記シールド線は、透光性導電膜からなり、
前記素子基板は、透光性基板からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極は、光反射性導電膜からなり、
前記シールド線は、遮光性導電膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記素子基板は、透光性基板からなり、
前記画素電極は、透光性導電膜からなり、
前記シールド線は、遮光性導電膜からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置を備え、
当該電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の画素電極がマトリクス状に配置された電気光学装置、およびこの電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶を用いた電気光学装置に用いられる素子基板では、基板上でマトリクスに配置された複数の画素の各々に、Ｘ方向に延在する走査線およびＹ方向に延在するデータ線に電気的に接続された画素スイッチング素子、および画素スイッチング素子を介してデータ線に電気的に接続された画素電極が形成されている。かかる電気光学装置において、データ線は、サンプルホールド回路を介して画像信号線に電気的接続しており、画像信号は、データ線および画素スイッチング素子を介して各画素に書き込まれる。そして、画素電極の電位が一定期間保持されることによって、液晶層に電界を印加し、光変調を行なって画像を表示する。
【０００３】
このような構成の電気光学装置では、隣接する画素間での干渉によって表示品位が低下するという問題点がある。例えば、保持期間中のデータ線に隣接するデータ線に電位を書き込む際、画素電極データ線間の寄生容量によって、保持状態のデータ線の電位が、隣接するデータ線の電位変動の影響を受けて変動し、かかる電位の変動は、画素電極の電位を変動させてしまうため、所望の表示を行なえなくなってしまう。
【０００４】
一方、各画素に保持容量を構成するための導電膜に、対向電極に印加する電位と同等の電位（共通電位）を印加するとともに、かかる導電膜をデータ線と並列するように延在させた構成が提案されており、かかる構成によれば、導電膜が、隣接するデータ線の間に介在するシールド線として機能するため、データ線間の干渉を防止することができる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８７７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表示の高精細化や１画素内における表示光の出射領域の拡大を図ろうとすると、隣接する画素電極の間隔が狭くなる結果、隣接する画素電極間に大きな寄生容量が発生し、かかる寄生容量を介して、隣接する画素間で干渉が起こって表示品位が低下するという問題点があるが、かかる問題点は、データ線間の干渉よりも顕著であるにかかわらず、特許文献１に開示の構成では解消することができない。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隣接する画素電極間の寄生容量に起因する画素間の干渉を防止することにより、表示品位の向上を図ることのできる電気光学装置および当該電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、Ｘ方向に延在する複数の走査線と、前記Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線と、マトリクス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の各々に配置され、前記走査線および前記データ線に電気的に接続された複数の画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を介して前記データ線に電気的に接続された複数の画素電極と、が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する電気光学装置において、前記素子基板には、平面視で、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する前記画素電極に挟まれた隙間領域で延在するシールド線が形成され、当該シールド線には、固定電位が印加されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明を適用した電気光学装置において、素子基板上では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極に挟まれた隙間領域に沿って、固定電位が印加されたシールド線が形成されているため、隣接する画素電極の間に寄生する容量が小さい。このため、各画素電極に保持される電位は、隣接する画素電極の電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【０００９】
本発明において、前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、前記シールド線および前記画素電極は、前記複数の絶縁膜のうち、同一の絶縁膜上に形成されていることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極の間に寄生する容量を小さくすることができるとともに、絶縁膜の層数が少なく済むため、製造工程数を削減できるという利点がある。
【００１０】
本発明において、前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、前記シールド線は、前記複数の絶縁膜のうち、前記シールド線は、前記複数の絶縁膜のうち、前記画素電極が上層に形成された絶縁膜より上層に形成された絶縁膜上に形成されている構成を採用してもよい。すなわち、シールド線は、画素電極より上層側に形成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、隣接する画素電極間において、画素電極より上層側を回り込もうとする電気力線をシールド線によって遮断することができるので、隣接する画素電極の間に寄生する容量を極めて小さくすることができる。また、同一の絶縁膜上で画素電極の間にシールド線を配置した構成と比較して、隣接する画素電極の隙間領域の幅寸法を狭くした場合でも、シールド線を十分な幅寸法をもって配置することができる。
【００１１】
本発明において、前記素子基板上には、複数の絶縁膜が積層されており、前記シールド線は、前記複数の絶縁膜のうち、前記画素電極が上層に形成された絶縁膜より下層に形成された絶縁膜上に形成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、隣接する画素電極間において、下層側の絶縁膜を回り込もうとする電気力線をシールド線によって遮断することができるので、隣接する画素電極の間に寄生する容量を極めて小さくすることができる。また、同一の絶縁膜上で画素電極の間にシールド線を配置した構成と比較して、隣接する画素電極の隙間領域の幅寸法を狭くした場合でも、シールド線を十分な幅寸法をもって配置することができる。
【００１２】
本発明において、画素電極とシールド線とが別の絶縁膜上に形成されている場合、前記シールド線は、前記隙間領域よりも幅広に形成されていることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間で上層側あるいは下層側の絶縁膜を回り込もうとする電気力線をシールド線によって遮断することができるので、隣接する画素電極の間に寄生する容量を極めて小さくすることができる。
【００１３】
本発明において、前記シールド線には、前記対向基板において前記液晶層が位置する側の面に形成された対向電極と同一の電位が印加されていることが好ましい。このように構成すると、画素電極近傍にシールド線を配置した場合でも、液晶の配向を乱すことがない。
【００１４】
本発明において、前記画素電極は、光反射性導電膜からなり、前記シールド線は、透光性導電膜からなり、前記素子基板は、透光性基板からなる構成を採用することができる。このように構成すると、反射型の電気光学装置であるが、素子基板として透光性基板を用い、シールド線を透光性導電膜により形成したので、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域で漏れて素子基板側に入射した際、かかる光はシールド線を透過した後、素子基板を透過する。このため、隣接する画素電極で挟まれた隙間領域にシールド線を設けた場合でも、シールド線での反射が起こらない。従って、シールド線で反射した光が迷光となって電界効果型トランジスタに到達することがない。それ故、電気効果型トランジスタにおいて、光電流に起因する誤動作の発生を防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記画素電極は、光反射性導電膜からなり、前記シールド線は、遮光性導電膜からなる構成を採用することができる。このように構成すると、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域を介して電界効果型トランジスタに到達しようとするのをシールド線によって防止することができる。それ故、電気効果型トランジスタにおいて、光電流に起因する誤動作の発生を防止することができる。
【００１６】
本発明において、前記素子基板は、透光性基板からなり、前記画素電極は、透光性導電膜からなり、前記シールド線は、遮光性導電膜からなる構成を採用することができる。このように構成すると、シールド線がブラックマトリクスとして機能するため、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域から素子基板側に入射して電界効果型トランジスタに到達することがない。従って、電気効果型トランジスタにおいて、光電流に起因する誤動作の発生を防止することができる。
【００１７】
本発明を適用した電気光学装置は種々の電子機器に用いることができ、例えば、本発明を適用した電気光学装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いる場合、当該投射型表示装置は、前記電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。本発明は反射型電気光学装置および透過型電気光学装置に適用できるから、実施の形態１〜４において本発明を反射型電気光学装置に適用した例を説明し、実施の形態５〜８において本発明を透過型電気光学装置に適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスタを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本の走査線３ａがＸ方向に延在しているとともに、複数本のデータ線６ａがＹ方向に延在しており、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に画素１００ａが構成されている。
【００２０】
複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての電界効果型トランジスタ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電界効果型トランジスタ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに電気的に接続され、画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０を介してデータ線６ａに電気的に接続されている。
【００２１】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。図示を省略するが、データ線駆動回路１０１において、データ線６ａは、サンプルホールド回路を介して画像信号線に電気的接続しており、画像信号は、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０を介して各画素１００ａに書き込まれる。そして、画素電極９ａの電位が一定期間保持されることによって、後述する液晶層に電界を印加し、光変調を行なって画像を表示する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された対向電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行してＸ方向に延在する容量線３ｂが形成されている。本形態において、容量線３ｂには、後述する対向電極と同様、共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００２３】
また、本形態では、後述するように、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素１００ａの境界領域に沿ってシールド線７ａが形成されており、本形態において、シールド線７ａには、容量線３ｂと同様、共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００２４】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板１０の基材を構成する基板１０ｄは、石英ガラスや無アルカリガラスなどといった透光性基板であり、対向基板２０の基材を構成する基板２０ａも、同様な透光性基板である。
【００２５】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２６】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁２３ｂが形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。なお、額縁１０８は形成されない場合もある。対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる対向電極２１が形成されており、かかる対向電極２１には、素子基板１０の側から上下導通材１０９を介して供給された共通電位ＣＯＭが印加されている。なお、対向基板２０には、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜２３ａが形成されることがあり、かかる遮光膜２３ａは、額縁２３ｂと同時形成される。また、画素領域１０ｂには、額縁２３ｂと重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００２７】
このように形成した電気光学装置１００は、後述するように反射型液晶装置あるいは後述する透過型液晶装置として構成される。電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成された場合、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。これに対して、電気光学装置１００が透過型液晶装置として構成された場合、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａを透過して素子基板１０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。なお、電気光学装置１００が透過型液晶装置として構成された場合、素子基板２０の側から入射した光が画素電極９ａを透過して対向基板２０の側から出射されることもある。ここで、電気光学装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機などといった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００において、素子基板１０の側または／および対向基板２０の側には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。
【００２８】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、および図３（ａ）のＡ１−Ａ１′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）において、画素電極９ａについては長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線で示してある。また、シールド線７ａについては二点鎖線で示してある。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板などからなる基板１０ｄの第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、対向基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜などからなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９ａと重なる位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。
【００３０】
半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜からなる透光性のゲート絶縁膜２が形成されており、ゲート絶縁膜２の表面に、ゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。かかるゲート電極および走査線３ａは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などを用いることができ、本形態では、ドープトシリコン膜が用いられている。
【００３１】
半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁膜２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。なお、本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えていたが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁膜２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法などにより形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。
【００３２】
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などといった透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７１、７３が形成されている。層間絶縁膜７３の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。かかるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などを用いることができ、本形態では、アルミニウム膜が用いられている。
【００３３】
層間絶縁膜７３の表面には画素電極９ａが形成され、その上層には配向膜１６が形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７１、７３に形成されたコンタクトホール７３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００３４】
このように構成した素子基板１０は、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように対向基板２０に対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成された配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。
【００３５】
このように構成した電気光学装置１００を反射型液晶装置として構成する場合、画素電極９ａは、光反射性導電膜によって構成される。これに対して、電気光学装置１００を透過型液晶装置として構成する場合、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜によって構成される。
【００３６】
本形態においては、電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成されていることから、画素電極９ａは、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、ＴｉＮ（窒化チタン）、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜などといった光反射性導電膜によって構成されている。また、画素電極９ａ上に、保護膜として酸化珪素膜や窒化珪素膜、あるいはそれらの積層膜を形成する場合もある。なお、絶縁膜７３は、画素電極９ａの表面が平坦となるように、ＣＭＰなどの平坦化処理が施されている。
【００３７】
（シールド対策）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【００３８】
図３（ａ）、（ｂ）および図４に示すように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０では、層間絶縁膜７３上で複数の画素電極９ａがＸ方向およびＹ方向に配列されている。このような構成の場合、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの間に大きな寄生容量が存在すると、寄生容量を介して、隣接する画素電極９ａ同士が干渉し、画素１００ａで保持される電位が変動してしまう。例えば、保持期間中の画素電極９ａに隣接する画素電極９ａに電位を書き込む際、画素電極９ａ間の寄生容量によって、保持状態の画素電極９ａの電位が、隣接する画素電極９ａの電位を変動させてしまう。
【００３９】
そこで、本形態では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿ってＸ方向およびＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）、画素電極９ａに印加される画像信号の電位の振幅の中間電位、共通電位ＣＯＭと中間電位との中間の電位などが固定電位として印加される。本形態では、シールド線７ａに共通電位ＣＯＭが印加されている。本形態では、容量線３ｂにも共通電位ＣＯＭが印加されていることから、図１に示すように、シールド線７ａおよび容量線３ｂでは、共通の配線を介して共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００４０】
本形態において、シールド線７ａは、画素電極９ａと同様、層間絶縁膜７３の上に形成されており、シールド線７ａは、隣接する画素電極９ａの間に挟まれた位置で延在している。このため、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより小さく、シールド線７ａの幅方向の両端部は、画素電極９ａと所定の隙間を隔てている。
【００４１】
ここで、画素電極７ａは光反射線導電膜により形成されているのに対して、シールド線７ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜により形成されている。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図３（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。
【００４２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態において、基板１０ｄ上には、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた領域に、定電位が印加されたシールド線７ａが形成されているため、画素電極９ａとシールド線７ａとの間に寄生容量が発生するが、隣接する画素電極９ａの間に形成される電気力線をシールド線７ａで遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量は極めて小さい。このため、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００４３】
また、本形態では、画素電極９ａが光反射性導電膜からなり、電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過して抜けてしまう。このため、画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓにシールド線７ａを設けた場合でも、シールド線７ａでの光の反射に起因する迷光の発生を防止することができ、かかる迷光が電界効果型トランジスタ３０に入射して誤動作を発させることを回避することができる。
【００４４】
また、本形態では、画素電極９ａとシールド線７ａは同一の層間絶縁膜７３上に形成されているため、シールド線７ａを追加する場合でも、層間絶縁膜の層数を増やす必要がない。それ故、製造工程数が大幅に増大することを回避することができる。
【００４５】
さらに、本形態では、シールド線７ａの電位を固定するにあたって、対向電極２１と同一の共通電位ＣＯＭを印加しているため、画素電極９ａとシールド線７ａとの間に発生する横電界によって液晶層５０の配向が乱されることを最小限に抑えることができる。
【００４６】
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４７】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００４８】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、まず、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜７４で埋められており、かかる絶縁膜７４の上面にシールド線７ａが形成されている。従って、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上に形成されているが、シールド線７ａは層間絶縁膜７３より上層に位置する絶縁膜７４の上に形成されている。なお、絶縁膜７４の上面は、画素電極９ａの上面と一体の平坦な平面を構成しており、かかる構成は、画素電極９ａを形成した後、絶縁膜７４を形成し、次に、絶縁膜７４の上面をＣＭＰ処理などにより研磨して平坦化することにより実現することができる。
【００４９】
ここで、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより小さい。このため、シールド線７ａの幅方向の両端部は、画素電極９ａと所定の隙間を隔てている。また、画素電極９ａは光反射性導電膜からなり、電気光学装置１０は反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄは透光性基板からなり、シールド線７ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図５（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００５０】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７４の上に形成され、画素電極９ａよりも上層に位置する。このため、画素電極９の上面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。それ故、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００５１】
さらに、画素電極９ａが光反射性導電膜からなり、電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過して抜けてしまうため、シールド線７ａでの光の反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【００５２】
さらに、シールド線７ａと対向電極２１との距離が近いので、隙間領域９ｓにおいて液晶にかかる縦電界が強くなり、画素電極９ａによる横電界の影響を受け難くなる。よって、隙間領域９ｓにおいて、液晶の乱れが少なくなり、品位の高い画像を表示することができる。
【００５３】
［実施の形態３］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５４】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００５５】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、実施の形態２と同等、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜７４で埋められ、かかる絶縁膜７４の上にシールド線７ａが形成されている。すなわち、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上に形成されているが、シールド線７ａは層間絶縁膜７３より上層に位置する絶縁膜７４の上に形成されている。
【００５６】
本形態において、絶縁膜７４は、実施の形態２と違って、画素電極９ａの上面にも薄く形成されており、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい。このため、シールド線７ａの幅方向の両端部は、絶縁膜７４の薄い部分を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。かかる構成は、画素電極９ａを形成した後、絶縁膜７４を形成し、次に、絶縁膜７４の上面をＣＭＰ処理などにより研磨して平坦化した後、シールド線７ａを形成することにより実現することができる。
【００５７】
ここで、画素電極９ａは光反射性導電膜からなり、電気光学装置１０は反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄは透光性基板からなり、シールド線７ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図６（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００５８】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７４の上に形成され、画素電極９ａよりも上層に位置する。しかも、シールド線７ａの幅方向の両端部は、絶縁膜７４の薄い部分を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。このため、画素電極９の上面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができる。
【００５９】
さらに、画素電極９ａが光反射性導電膜からなり、電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過して抜けてしまうため、シールド線７ａでの光の反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【００６０】
さらに、シールド線７ａと対向電極２１との距離が近いので、隙間領域９ｓにおいて液晶にかかる縦電界が強くなり、画素電極９ａによる横電界の影響を受け難くなる。よって、隙間領域９ｓにおいて、液晶の乱れが少なくなり、品位の高い画像を表示することができる。
【００６１】
［実施の形態４］
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６２】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００６３】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、まず、層間絶縁膜７３の上に層間絶縁膜７５が積層され、画素電極９ａは層間絶縁膜７５の上層に形成されている。このため、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとを電気的接続するためのコンタクトホール７３ｂは、層間絶縁膜７３、７５およびゲート絶縁膜２を貫通するように形成されている。
【００６４】
また、層間絶縁膜７５の下層に位置する層間絶縁膜７３の上にはシールド線７ａが形成され、かかるシールド線７ａは、層間絶縁膜７５で覆われている。シールド線７ａの幅寸法Ｗｂについては、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい構成、および小さい構成のいずれを採用してもよいが、本形態では、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい構成を採用しているため、平面視において、シールド線７ａの幅方向の両端部は、層間絶縁膜７５を介して画素電極９ａの端部に重なっている。
【００６５】
ここで、画素電極９ａは光反射性導電膜からなり、電気光学装置１０は反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄは透光性基板からなり、シールド線７ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図７（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６６】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７３の上に形成され、画素電極９ａよりも下層に位置する。しかも、シールド線７ａの幅方向の両端部は、層間絶縁膜７５を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。このため、画素電極９の下面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができる。
【００６７】
さらに、画素電極９ａが光反射性導電膜からなり、電気光学装置１００が反射型液晶装置として構成されているが、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過して抜けてしまうため、シールド線７ａでの光の反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【００６８】
［実施の形態１〜４の変形例］
実施の形態１〜４では、反射型液晶装置からなる電気光学装置１００において、シールド線７ａとして透光性導電膜を用いたが、シールド線７ａについては、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などといった遮光性導電膜を用いてもよい。このように構成すると、シールド線７ａがブラックマトリクスとして機能するため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓを介して電界効果型トランジスタ３０に到達しようとするのをシールド線７ａによって防止することができる。それ故、対向基板２０の側において、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓと対向する位置にブラックマトリクスと称せられる遮光膜２３ａ（図２（ｂ）参照）を形成しなくても、電気効果型トランジスタ３０において、光電流に起因する誤動作の発生を防止することができる。
【００６９】
［実施の形態５］
以下、透過型液晶装置として構成した電気光学装置１００に本発明を適用した例を説明する。図８（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、および図８（ａ）のＡ２−Ａ２′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図８（ａ）においても、画素電極９ａについては長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線で示してある。また、シールド線７ａについては二点鎖線で示してある。
【００７０】
また、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極９ａおよびシールド線７ａの平面的な構成については図４と同様であるため、画素電極およびシールド線の平面的な構成の説明には図４を参照する。また、本形態のその他の構成も、実施の形態１と略同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７１】
図４および図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、透光性基板からなる基板１０ｄ上には、複数の画素１００ａの各々に、画素電極９ａおよびＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されており、電界効果型トランジスタ３０の半導体層１ａはデータ線６ａの下層側おいて平面視でデータ線６ａと重なる領域に形成されている。電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などといった透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７１、７３が形成されており、層間絶縁膜７３の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、層間絶縁膜７３の表面には画素電極９ａが形成されている。本形態では、電気光学装置１００が透過型液晶装置として構成されていることから、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜によって構成される。
【００７２】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの間に大きな寄生容量が存在すると、寄生容量を介して、隣接する画素電極９ａ同士が干渉し、画素１００ａで保持される電位が変動してしまう。そこで、本形態でも、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿ってＸ方向およびＹ方向に延在しており、共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００７３】
本形態において、シールド線７ａは、画素電極９ａと同様、層間絶縁膜７３の上に形成されており、シールド線７ａは、隣接する画素電極９ａの間に挟まれた位置で延在している。このため、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより小さく、シールド線７ａの幅方向の両端部は、画素電極９ａと所定の隙間を隔てている。
【００７４】
ここで、画素電極７ａは透光性導電膜により形成されているのに対して、シールド線７ａは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などといった遮光性導電膜により形成されている。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図８（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００７５】
このように本形態において、基板１０ｄ上には、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた領域に、定電位が印加されたシールド線７ａが形成されているため、画素電極９ａとシールド線７ａとの間に寄生容量が発生するが、隣接する画素電極９ａの間に形成される電気力線をシールド線７ａで遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量は極めて小さい。このため、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００７６】
また、本形態では、シールド線７ａは遮光性導電膜からなるため、シールド線７ａはブラックマトリクスとして機能する。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射しようとした際、かかる光の漏れがシールド線７ａで遮られるため、漏れた光が電界効果型トランジスタ３０に入射して誤動作を発させることを回避することができる。
【００７７】
また、本形態では、画素電極９ａとシールド線７ａは同一の層間絶縁膜７３上に形成されているため、シールド線７ａを追加する場合でも、層間絶縁膜の層数を増やす必要がない。それ故、製造工程数が大幅に増大することを回避することができる。
【００７８】
さらに、本形態では、シールド線７ａの電位を固定するにあたって、対向電極２１と同一の共通電位ＣＯＭを印加しているため、画素電極９ａとシールド線７ａとの間に発生する横電界によって液晶層５０の配向が乱されることを最小限に抑えることができる。
【００７９】
［実施の形態６］
図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８０】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１、５と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００８１】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、まず、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜７４で埋められ、絶縁膜７４の上面と画素電極９ａの上面とは一体の平面を構成している。また、絶縁膜７４の上にはシールド線７ａが形成されている。すなわち、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上に形成されているが、シールド線７ａは層間絶縁膜７３より上層に位置する絶縁膜７４の上に形成されている。ここで、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより小さい。このため、シールド線７ａの幅方向の両端部は、画素電極９ａと所定の隙間を隔てている。
【００８２】
なお、基板１０ｄは透光性基板であり、画素電極９ａは透光性導電膜からなり、シールド線７ａは遮光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図９（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は実施の形態１、５と同様であるため、説明を省略する。
【００８３】
このよう構成した場合も、実施の形態１、５と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７４の上に形成され、画素電極９ａよりも上層に位置する。このため、画素電極９ａの上面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。それ故、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができるので、品位の高い画像を表示することができる。また、本形態では、シールド線７ａは遮光性導電膜からなるため、シールド線７ａはブラックマトリクスとして機能する。
【００８４】
さらに、シールド線７ａと対向電極２１との距離が近いので、隙間領域９ｓにおいて液晶にかかる縦電界が強くなり、画素電極９ａによる横電界の影響を受け難くなる。よって、隙間領域９ｓにおいて、液晶の乱れが少なくなり、品位の高い画像を表示することができる。
【００８５】
［実施の形態７］
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態７に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態７に係る電気光学装置１００を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１、５と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８６】
図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１、５と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００８７】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、実施の形態６と同等、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜７４で埋められ、かかる絶縁膜７４の上にシールド線７ａが形成されている。すなわち、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上に形成されているが、シールド線７ａは層間絶縁膜７３より上層に位置する絶縁膜７４の上に形成されている。
【００８８】
また、絶縁膜７４は、実施の形態６と違って、画素電極９ａの上面にも薄く形成されており、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい。このため、シールド線７ａの幅方向の両端部は、絶縁膜７４の薄い部分を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。かかる構成は、画素電極９ａを形成した後、絶縁膜７４を形成し、次に、絶縁膜７４の上面をＣＭＰ処理などにより研磨して平坦化した後、シールド線７ａを形成することにより実現することができる。
【００８９】
なお、基板１０ｄは透光性基板であり、画素電極９ａは透光性導電膜からなり、シールド線７ａは遮光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図１０（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は実施の形態１、５と同様であるため、説明を省略する。
【００９０】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７４の上に形成され、画素電極９ａよりも上層に位置する。しかも、シールド線７ａの幅方向の両端部は、絶縁膜７４の薄い部分を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。このため、画素電極９の上面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができる。また、本形態では、シールド線７ａは遮光性導電膜からなるため、シールド線７ａはブラックマトリクスとして機能する。
【００９１】
さらに、シールド線７ａと対向電極２１との距離が近いので、隙間領域９ｓにおいて液晶にかかる縦電界が強くなり、画素電極９ａによる横電界の影響を受け難くなる。よって、隙間領域９ｓにおいて、液晶の乱れが少なくなり、品位の高い画像を表示することができる。
【００９２】
［実施の形態８］
図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る電気光学装置１００において、素子基板１０上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態８に係る電気光学装置１００を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１、５と同一であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９３】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００においても、実施の形態１、５と同様、素子基板１０では、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面視で重なる領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、隙間領域９ｓに沿って延在している。本形態でも、実施の形態１、５と同様、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した対向電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）が印加されている。
【００９４】
かかるシールド線７ａを構成するにあたって、本形態では、まず、層間絶縁膜７３の上に層間絶縁膜７５が積層され、画素電極９ａは層間絶縁膜７５の上層に形成されている。このため、画素電極９ａとドレイン電極６ｂとを電気的接続するためのコンタクトホール７３ｂは、層間絶縁膜７３、７５およびゲート絶縁膜２を貫通するように形成されている。
【００９５】
また、層間絶縁膜７５の下層に位置する層間絶縁膜７３の上にはシールド線７ａが形成され、かかるシールド線７ａは、層間絶縁膜７５で覆われている。シールド線７ａの幅寸法Ｗｂについては、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい構成、および小さい構成のいずれを採用してもよいが、本形態では、シールド線７ａの幅寸法Ｗｂは、隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓの幅寸法Ｗａより大きい構成を採用しているため、平面視において、シールド線７ａの幅方向の両端部は、層間絶縁膜７５を介して画素電極９ａの端部に重なっている。
【００９６】
なお、基板１０ｄは透光性基板であり、画素電極９ａは透光性導電膜からなり、シールド線７ａは遮光性導電膜からなる。なお、対向基板２０において隙間領域９ｓと対向する位置には、図２（ｂ）に示すように、遮光膜２３ａ（ブラックマトリクス）を形成した構成、および図１１（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを省略した構成のいずれを採用してもよい。その他の構成は実施の形態１、５と同様であるため、説明を省略する。
【００９７】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａに挟まれた隙間領域９ｓに平面的に重なる領域にシールド線７ａが形成されている。また、シールド線７ａは、絶縁膜７３の上に形成され、画素電極９ａよりも下層に位置する。しかも、シールド線７ａの幅方向の両端部は、層間絶縁膜７５を介しては画素電極９ａの端部に重なっている。このため、画素電極９の下面から、隣接する画素電極９ａに向かう電気力線を効果的に遮断することができるので、隣接する画素電極９ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。従って、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向およびＹ方向で隣接する画素電極９ａの電位変化の影響を受けないので、各画素１００ａに適正な電位を保持させることができる。また、本形態では、シールド線７ａは遮光性導電膜からなるため、シールド線７ａはブラックマトリクスとして機能する。
【００９８】
［実施の形態５〜８の変形例］
実施の形態５〜８では、透過型液晶装置からなる電気光学装置１００において、シールド線７ａとして遮光性導電膜を用いたが、シールド線７ａについては透光性導電膜を用いてもよい。このように構成すると、実施の形態５では、シールド線７ａと画素電極９ａとを同時形成することができる。
【００９９】
［電子機器への搭載例］
図１２は、本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。本発明に係る電気光学装置１００のうち、実施の形態１〜４で説明した反射型の電気光学装置は、図１２（ａ）に示す投射型表示装置のライトバルブとして用いることができ、実施の形態５〜８で説明した透過型の電気光学装置は、図１２（ｂ）に示す投射型表示装置のライトバルブとして用いることができる。また、本発明の実施の形態１〜８に係る電気光学装置１００は、図１２（ｃ）、（ｄ）に示す直視型表示装置として利用することもきる。
【０１００】
まず、図１２（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の電気光学装置１００（反射型の電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【０１０１】
図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１１０も、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型のプロジェクタである。そして、投射型表示装置１１０は、光源１１２、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０などを備えた光源部１４０と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（透過型の電気光学装置１００）と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、投射光学系１１８とを備えている。
【０１０２】
光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【０１０３】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃおよび第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１０５】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１０６】
なお、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１０７】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃおよび第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１０８】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃおよび第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１０９】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａおよび第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１１０】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１１１】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【０１１２】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１１３】
また、図１２（ｃ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１２（ｄ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【０１１４】
なお、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な電気光学装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した電気光学装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、および図３（ａ）のＡ１−Ａ１′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態２に係る電気光学装置を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態３に係る電気光学装置を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態４に係る電気光学装置を図３（ａ）に示すＡ１−Ａ１′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、および図８（ａ）のＡ２−Ａ２′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態６に係る電気光学装置を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態７に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態７に係る電気光学装置を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態８に係る電気光学装置において、素子基板上に形成した画素電極およびシールド線の平面的な構成を模式的に示す説明図、および本発明の実施の形態８に係る電気光学装置を図８（ａ）に示すＡ２−Ａ２′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【図１２】本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【０１１６】
３ａ・・走査線、３ｂ・・容量線、６ａ・・データ線、７ａ・・シールド線、９ａ・・画素電極、９ｓ・・隣接する画素電極の隙間領域、１０・・素子基板、１０ｄ・・基板、３０・・電界効果型トランジスタ、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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