(57)【要約】【課題】迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。素子基板１０において、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。従って、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向に延在する複数の走査線と、
前記Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線と、
マトリクス状に配置された複数の画素と、
前記複数の画素の各々に配置され、前記走査線および前記データ線に電気的に接続された複数の画素スイッチング素子と、
該画素スイッチング素子を介して前記データ線に電気的に接続された複数の光反射性の画素電極と、が形成された素子基板と、
該素子基板に対向配置された透光性の対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する反射型電気光学装置において、
前記素子基板は透光性基板からなり、
当該素子基板上には、Ｘ方向で隣接する前記データ線に挟まれた領域にＹ方向に沿って延在する透光性導電膜からなるシールド線が形成され、
当該シールド線には固定電位が印加されていることを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板上には複数の絶縁膜が積層されており、
前記データ線、前記シールド線および前記走査線は各々、前記複数の絶縁膜のうち、異なる絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線は、前記Ｙ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なる位置に途切れ部分が形成されているとともに、
当該データ線の途切れ部分は、前記シールド線と同層の透光性導電膜を介して電気的接続されていることを特徴とする請求項２に記載の反射型電気光学装置。
【請求項４】
前記走査線は、前記Ｘ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なる位置に途切れ部分が形成されているとともに、
当該走査線の途切れ部分は、前記シールド線と同層の透光性導電膜を介して電気的接続されていることを特徴とする請求項２または３に記載の反射型電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板上には複数の絶縁膜が積層されており、
前記データ線と前記シールド線とは、前記複数の絶縁膜のうち、同一の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型電気光学装置。
【請求項６】
前記シールド線は、前記Ｘ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なるように延在していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
【請求項７】
前記シールド線は、前記Ｙ方向に延在する主線部分と、前記Ｙ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なるように前記主線部分から前記Ｘ方向に突出した突出部分とを備えていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
【請求項８】
前記対向基板において前記液晶層が位置する側の面には、透光性の対向電極が形成されており、
前記シールド線には、前記対向電極と同一の電位が印加されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の反射型電気光学装置を備え、
当該反射型電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記反射型電気光学装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の複数の画素の各々に画素スイッチング素子および光反射性の画素電極が形成された素子基板を有する反射型電気光学装置、およびこの反射型電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶を用いた反射型電気光学装置（反射型液晶装置）に用いられる素子基板では、基板上の複数の画素の各々に、Ｘ方向に延在する走査線およびＹ方向に延在するデータ線に電気的に接続された画素スイッチング素子、および画素スイッチング素子を介してデータ線に電気的に接続された光反射性の画素電極が形成されている。かかる反射型電気光学装置において、データ線は、サンプルホールド回路を介して画像信号線に電気的接続しており、画像信号は、データ線および画素スイッチング素子を介して各画素に書き込まれる。そして、画素電極の電位が一定期間保持されることによって、液晶層に電界を印加し、光変調を行なって画像を表示する。
【０００３】
このようにして表示を行なうにあたって、保持期間中のデータ線に隣接するデータ線に電位を書き込む際、データ線間の寄生容量によって、保持状態のデータ線の電位が、隣接するデータ線の電位変動の影響を受けて変動し、かかる電位の変動は、画素電極の電位を変動させてしまうため、所望の表示を行なえなくなってしまう。
【０００４】
そこで、各画素に保持容量を構成するための導電膜に、対向電極に印加する電位と同等の電位（共通電位）を印加するとともに、かかる導電膜を、Ｘ方向で隣接するデータ線の間でデータ線と並列するように延在させてシールド線として利用することが提案されている。また、かかる導電膜としてアルミニウム膜や導電化シリコン膜などといった遮光性を備えた導電膜を用い、かかる導電膜を遮光膜として利用することが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８７７６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の反射型電気光学装置の場合、隣接する画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なる領域をシールド線が通るため、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域で漏れて素子基板側に入射した際、かかる光がシールド線で反射した後、配線などで再び反射して迷光となるという問題点がある。このような迷光が電界効果型トランジスタに届くと、光電流に起因する誤動作の原因となる一方、迷光が再び、対向基板側から出射されると、表示画像のコントラストを低下させる原因となる。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および当該反射型電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、Ｘ方向に延在する複数の走査線と、前記Ｘ方向と交差するＹ方向に延在する複数のデータ線と、マトリクス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の各々に配置され、前記走査線および前記データ線に電気的に接続された複数の画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を介して前記データ線に電気的に接続された複数の光反射性の画素電極と、が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された透光性の対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有する反射型電気光学装置において、前記素子基板は透光性基板からなり、当該素子基板上には、Ｘ方向で隣接する前記データ線に挟まれた領域にＹ方向に沿って延在する透光性導電膜からなるシールド線が形成され、当該シールド線には固定電位が印加されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明を適用した反射型電気光学装置において、素子基板上には、Ｘ方向で隣接するデータ線に挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線が形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線同士の間に寄生する容量が極めて小さい。このため、各画素に保持される電位は、Ｘ方向で隣接するデータ線の電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。また、本発明では、素子基板が透光性基板であり、シールド線は透光性導電膜からなるため、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域で漏れて素子基板側に入射した際、かかる光はシールド線を透過した後、素子基板を透過する。このため、Ｙ方向に延在するシールド線を設けた場合でも、シールド線での反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記素子基板上には複数の絶縁膜が形成されており、前記データ線、前記シールド線および前記走査線は各々、前記複数の絶縁膜のうち、異なる絶縁膜上に形成されていることが好ましい。このように構成すると、Ｘ方向で隣接するデータ線の間に寄生しようとする容量を効果的に低減することができる位置にシールド線を配置することができる。
【００１０】
本発明において、前記データ線は、前記Ｙ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なる位置に途切れ部分が形成されているとともに、当該データ線の途切れ部分は、前記シールド線と同層の透光性導電膜を介して電気的接続されていることが好ましい。このように構成すると、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域で漏れて素子基板側に入射した際、かかる光は、データ線の途切れ部分を電気的接続する透光性導電膜を透過し、反射しない。それ故、データ線での反射に起因する迷光の発生を確実に防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記走査線は、前記Ｘ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なる位置に途切れ部分が形成されているとともに、当該走査線の途切れ部分は、前記シールド線と同層の透光性導電膜を介して電気的接続されていることが好ましい。このように構成すると、対向基板側から入射した光が画素電極で挟まれた隙間領域で漏れて素子基板側に入射した際、かかる光は、走査線の途切れ部分を電気的接続する透光性導電膜を透過し、反射しない。それ故、走査線での反射に起因する迷光の発生を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記素子基板上には複数の絶縁膜が形成されており、前記データ線と前記シールド線とは、前記複数の絶縁膜のうち、同一の絶縁膜上に形成されていることが好ましい。このように構成すると、シールド線を追加する場合でも絶縁膜を追加する必要がないので、工程数が少なく済む。また、シールド線は隣接するデータ線の間に配置されるので、データ線間の寄生容量を低減しやすい。
【００１３】
本発明において、前記シールド線は、前記Ｘ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なるように延在していることが好ましい。このように構成すると、Ｘ方向で隣接するデータ線の電位変動の影響が画素電極に直接及ぶことを防止することができる。隙間領域において画素電極間の電気的な干渉を抑制し、液晶の乱れを抑えることができる。
【００１４】
本発明において、前記シールド線は、前記Ｙ方向に延在する主線部分と、前記Ｙ方向で隣接する前記画素電極で挟まれた隙間領域と平面視で重なるように前記主線部分から前記Ｘ方向に突出した突出部分とを備えているが好ましい。このように構成すると、Ｙ方向で隣接する画素電極同士の間での電気的な干渉を抑制することができる。
【００１５】
本発明では、対向基板において前記液晶層が位置する側の面には、透光性の対向電極が形成されており、前記シールド線には、前記対向電極と同一の電位が印加されていることが好ましい。
【００１６】
本発明を適用した反射型電気光学装置は種々の電子機器に用いることができ、例えば、本発明を適用した反射型電気光学装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いる場合、当該投射型表示装置は、前記反射型電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記反射型電気光学装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスタを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１８】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した反射型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、反射型電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側では、複数本の走査線３ａがＸ方向に延在しているとともに、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａが延在しており、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に画素１００ａが構成されている。
【００１９】
複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての電界効果型トランジスタ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。図示を省略するが、データ線駆動回路１０１において、データ線６ａは、サンプルホールド回路を介して画像信号線に電気的接続しており、画像信号は、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０を介して各画素１００ａに書き込まれる。そして、画素電極９ａの電位が一定期間保持されることによって、後述する液晶層に電界を印加し、光変調を行なって画像を表示する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行してＸ方向に延在する容量線３ｂが形成されている。
【００２２】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、反射型電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、素子基板１０の基材を構成する基板１０ｄは、石英ガラスや無アルカリガラスなどといった透光性基板であり、対向基板２０の基材を構成する基板２０ａも、同様な透光性基板である。
【００２３】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、光反射性の画素電極９ａ（光反射層）がマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。なお、額縁１０８は形成されない場合もある。また、対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１には、素子基板１０の側から上下導通材１０９を介して供給された共通電位ＣＯＭが印加されている。なお、対向基板２０には画素電極９ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。また、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００２５】
このように形成した反射型電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、対向基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、反射型電気光学装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機などといった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。さらに、反射型電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各反射型電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。
【００２６】
（各画素の構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図である。図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置１００において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３において、画素電極９ａについては長い点線で示し、データ線６ａについては一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは短い点線で示してある。また、隣接する画素電極９ａの間に形成された隙間領域９ｓには、右下がりの点線を付してある。さらに、シールド線７ａについては二点鎖線で示してある。
【００２７】
図３および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０には、石英基板やガラス基板などからなる基板１０ｄの第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、対向基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜などからなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９ａと重なる位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。
【００２８】
半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜からなる透光性のゲート絶縁膜２が形成されており、ゲート絶縁膜２の表面に、ゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。かかるゲート電極および走査線３ａは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などを用いることができ、本形態では、ドープトシリコン膜が用いられている。
【００２９】
半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁膜２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。なお、本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えていたが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁膜２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法などにより形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。
【００３０】
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などといった透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７１、７２、７３が形成されている。層間絶縁膜７３の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１、７２に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。かかるデータ線６ａは、高融点金属を含む金属シリサイド膜、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｒ（クロム）などの単体膜あるいは積層膜からなる金属膜、ドープトシリコン膜などを用いることができ、本形態では、アルミニウム膜が用いられている。
【００３１】
層間絶縁膜７３の表面には、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、ＴｉＮ（窒化チタン）、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射性の画素電極９ａ（反射層）が形成され、その上層には配向膜１６が形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜７１、７２、７３に形成されたコンタクトホール７３ａを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。なお、画素電極９ａを反射性電極として構成するにあたっては、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる光反射層の上層にＩＴＯ層を積層した構造を採用する場合もある。また、画素電極９ａ上に、保護膜として酸化珪素膜や窒化珪素膜、あるいはそれらの積層膜を形成する場合もある。いずれの場合も、少なくとも画素電極９ａの表面が平坦となるように、下層側に位置する絶縁膜には平坦化処理が施されている。
【００３２】
このように構成した素子基板１０は、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向基板２０に対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板１０および対向基板２０に形成された配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。
【００３３】
（シールド対策）
このように構成した反射型電気光学装置１００においては、複数本のデータ線６ａがＹ方向に延在しており、複数本のデータ線６ａ同士は周囲の層間絶縁膜７２、７３を間に挟んで並列している。このような構成を採用した場合において、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａの間に大きな寄生容量が存在すると、データ線６ａ同士の相互干渉によって、画素１００ａで保持される電位が変動してしまう。例えば、保持期間中のデータ線６ａに隣接するデータ線６ａに電位を書き込む際、データ線６ａ間の寄生容量によって、保持状態のデータ線６ａの電位が、隣接するデータ線６ａの電位変動の影響を受けて変動し、かかる電位の変動は、画素電極９ａの電位を変動させてしまう。
【００３４】
そこで、本形態では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは、対向基板２０に形成した共通電極２１と同一の電位（共通電位ＣＯＭ）、画素電極９ａに印加される画像信号の電位の振幅の中間電位、共通電位ＣＯＭと中間電位との中間の電位などが固定電位として印加される。本形態では、シールド線７ａに共通電位ＣＯＭが印加されている。本形態では、容量線３ｂにも共通電位ＣＯＭが印加されていることから、図１に示すように、シールド線７ａおよび容量線３ｂでは、共通の配線を介して共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００３５】
本形態では、シールド線７ａを構成するにあたっては、ゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７１、７２、７３からなる複数の絶縁膜のうち、走査線３ａおよびデータ線６ａとは別の絶縁膜上に形成されている。すなわち、本形態では、走査線３ａはゲート絶縁膜２の上に形成され、データ線６ａは層間絶縁膜７２の上に形成され、シールド線７ａは層間絶縁膜７１の上に形成されている。
【００３６】
また、本形態では、シールド線７ａを構成するにあたっては、ＩＴＯ膜などといった透光性導電膜が用いられている。ここで、シールド線７ａは、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っている。
【００３７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態において、基板１０ｄ上には、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。このため、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００３８】
また、本形態では、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなる。このため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。このため、Ｙ方向に延在するシールド線７ａを設けた場合でも、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【００３９】
また、本形態では、データ線６ａとシールド線７ａは異なる絶縁膜上に形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａの間に寄生しようとする容量を効果的に低減することができる位置にシールド線７ａを配置することができる。すなわち、データ線６ａは厚さ寸法よりも幅寸法の方が大きいので、隣接するデータ線６ａの間に寄生しようとする容量を低減するには、データ線６ａの側面から層間絶縁膜７３を通る電気力線よりも、データ線６ａの下面から層間絶縁膜７２を通る電気力線を遮断する方が効果的と考えることができることから、本形態のように、層間絶縁膜７１上にシールド線７ａを形成すれば、データ線６ａの下面から層間絶縁膜７２を通る電気力線を効果的に遮断することができる。
【００４０】
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型電気光学装置１００において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４１】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００４２】
かかる構成を実現するにあたって、本形態では、透光性の基板１０ｄ上にゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７１、７３、７４が形成されており、層間絶縁膜７３の上に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されている。なお、画素電極９ａは層間絶縁膜７４の上に形成され、走査線３ａはゲート絶縁膜２の上に形成され、データ線６ａは層間絶縁膜７１の上に形成されている。また、シールド線７ａは、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っている。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００４３】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。このため、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。また、本形態では、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、Ｙ方向に延在するシールド線７ａを設けた場合でも、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。さらに、本形態のように、層間絶縁膜７２上にシールド線７ａを形成すれば、データ線６ａの上面から層間絶縁膜７３、７４を通る電気力線を効果的に遮断することができる。
【００４４】
［実施の形態３］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る反射型電気光学装置１００において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４５】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１、２と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。
【００４６】
かかる構成を実現するにあたって、本形態では、透光性の基板１０ｄ上にゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７１、７３が形成されており、層間絶縁膜７１の上層に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されている。また、層間絶縁膜７１の上にはデータ線６ａも形成されている。なお、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上層に形成され、走査線３ａはゲート絶縁膜２の上層に形成されている。また、シールド線７ａは、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っている。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００４７】
このように構成した場合も、実施の形態１、２と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。このため、各画素１００ａに保持される電位は、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａの電位変化の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。また、本形態では、基板１０ｄが透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、Ｙ方向に延在するシールド線７ａを設けた場合でも、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。
【００４８】
また、本形態では、シールド線７ａおよびデータ線６ａを同一の層間絶縁膜７１上に形成したため、シールド線７ａを形成する場合でも、実施の形態１、２と比較して、層間絶縁膜を追加する必要がない分、製造工程数が少なくてよいという利点がある。
【００４９】
［実施の形態４］
図７は、本発明の実施の形態４に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図である。図８（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る反射型電気光学装置１００において、図７のＡ２−Ａ２′線およびＢ２−Ｂ２′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５０】
図７および図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１〜３と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、実施の形態３と同様、透光性の基板１０ｄ上にゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７１、７３が形成されており、層間絶縁膜７１の上層に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されている。また、層間絶縁膜７１の上にはデータ線６ａも形成されている。なお、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上層に形成され、走査線３ａはゲート絶縁膜２の上層に形成されている。
【００５１】
ここで、実施の形態１〜３では、シールド線７ａが、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っていたが、本形態において、シールド線７ａは、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在している。
【００５２】
その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略するが、本形態では、シールド線７ａが、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在しているため、画素電極９ａは、Ｘ方向で隣接する画素１００ａに対応するデータ線６ａや、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａの電位の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００５３】
なお、本形態では、シールド線７ａおよびデータ線６ａが同一の層間絶縁膜７１の上に形成されている実施の形態３に対して、シールド線７ａが、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在している構成を適用したが、シールド線７ａおよびデータ線６ａが別の層間絶縁膜上に形成されている実施の形態１、２に対して、シールド線７ａが、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在している構成を適用してもよい。
【００５４】
［実施の形態５］
図９は、本発明の実施の形態５に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図である。図１０（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る反射型電気光学装置１００において、図９のＡ３−Ａ３′線およびＢ３−Ｂ３′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態３と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５５】
図９および図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１〜３と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、実施の形態３と同様、透光性の基板１０ｄ上にゲート絶縁膜２および層間絶縁膜７１、７３が形成されており、層間絶縁膜７１の上層に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されている。また、層間絶縁膜７１の上にはデータ線６ａも形成されている。なお、画素電極９ａは層間絶縁膜７３の上層に形成され、走査線３ａはゲート絶縁膜２の上層に形成されている。
【００５６】
ここで、シールド線７ａは、実施の形態４と同様、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在している。また、シールド線７ａは、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる主線部分７ｂと、主線部分７ｂからＸ方向およびその反対側の双方に突出して、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる突出部分７ｃとを備えている。但し、データ線６ａと突出部分７ｃとの間には隙間が確保されている。
【００５７】
その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略するが、本形態では、シールド線７ａが、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なるように延在しているため、実施の形態４と同様、画素電極９ａは、Ｘ方向で隣接する画素１００ａに対応するデータ線６ａや、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａの電位の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００５８】
また、シールド線７ａは、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる突出部分７ｃを備えているため、画素電極９ａは、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａの電位の影響を受けないので、品位の高い画像を表示することができる。
【００５９】
なお、本形態では、シールド線７ａおよびデータ線６ａが同一の層間絶縁膜７１の上に形成されている実施の形態３に対して、シールド線７ａが、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる主線部分７ｂと、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる突出部分７ｃとを備えている構成を適用したが、シールド線７ａおよびデータ線６ａが別の層間絶縁膜上に形成されている実施の形態１、２に対して、シールド線７ａが主線部分７ｂおよび突出部分７ｃを備えている構成を適用してもよい。
【００６０】
［実施の形態６］
図１１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、および図１１（ａ）のＢ４−Ｂ４′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６１】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、実施の形態１と同様、層間絶縁膜７１の上層に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されており、シールド線７ａは、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っている。また、層間絶縁膜７１の上にはデータ線６ａも形成されている。
【００６２】
ここで、データ線６ａは、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分６ｔが形成されている。但し、データ線６ａの途切れ部分６ｔは、シールド線７ａと同層の透光性導電膜（中継パターン７ｆ）を介して電気的接続されている。このような電気的接続を行なうにあたって、本形態では、まず、層間絶縁膜７１の上にはシールド線７ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる中継パターン７ｆが形成されており、かかる中継パターン７ｆの両端部は、データ線６ａにおいて途切れ部分６ｔで切断された端部と重なっている。ここで、層間絶縁膜７２には、中継パターン７ｆの両端部と重なる位置にコンタクトホール７２ｅ、７２ｆが形成されており、データ線６ａにおいて途切れ部分６ｔで切断された２つの端部は各々、コンタクトホール７２ｅ、７２ｆを介して中継パターン７ｆの両端部に電気的接続されている。
【００６３】
その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略するが、本形態では、データ線６ａは、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分６ｔが形成されているが、データ線６ａの途切れ部分６ｔは、シールド線７ａと同層の中継パターン７ｆで接続されているため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光は、データ線６ａの途切れ部分６ｔを電気的接続する透光性の中継パターン７ｆを透過し、反射しない。それ故、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓでのデータ線６ａによる反射に起因する迷光の発生を確実に防止することができる。
【００６４】
なお、本形態では、実施の形態１に対して、データ線６ａの途切れ部分６ｔを透光性の中継パターン７ｆで接続した構成を適用したが、実施の形態２に対して、データ線６ａの途切れ部分６ｔを透光性の中継パターン７ｆで接続した構成を適用してもよい。
【００６５】
［実施の形態７］
図１２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態７に係る反射型電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、および図１２（ａ）のＢ５−Ｂ５′線に相当する位置で反射型電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、本形態は基本的な構成が、実施の形態１、６と同一であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６６】
図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の反射型電気光学装置１００でも、実施の形態１、２と同様、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａで挟まれた各領域にシールド線７ａが形成されており、かかるシールド線７ａは、複数の画素１００ａに跨るようにＹ方向に延在している。ここで、シールド線７ａは固定電位として共通電位ＣＯＭが印加されている。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、実施の形態１、２と同様、層間絶縁膜７１の上層に形成したＩＴＯ膜などの透光性導電膜によってシールド線７ａが形成されており、シールド線７ａは、Ｘ方向において隣接するデータ線６ａで挟まれた領域のうち、Ｘ方向における略中間位置を通っている。また、層間絶縁膜７１の上にはデータ線６ａも形成されている。
【００６７】
ここで、データ線６ａは、Ｙ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分６ｔが形成されている。但し、データ線６ａにおいて途切れ部分６ｔで切断された２つの端部は各々、コンタクトホール７２ｅ、７２ｆを介して、シールド線７ａと同時形成された中継パターン７ｆによって電気的接続されている。
【００６８】
また、本形態では、走査線３ａも、データ線６ａと同様、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分３ｔが形成されている。但し、走査線３ａの途切れ部分３ｔは、シールド線７ａと同層の透光性導電膜（中継パターン７ｄ）を介して電気的接続されている。このような電気的接続を行なうにあたって、本形態では、まず、層間絶縁膜７１の上にはシールド線７ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる中継パターン７ｄが形成されており、かかる中継パターン７ｄの両端部は、走査線３ａにおいて途切れ部分３ｔで切断された端部と重なっている。ここで、層間絶縁膜７１には、走査線３ａにおいて途切れ部分３ｔで切断された端部と重なる位置にコンタクトホール７１ｅ、７１ｆが形成されており、中継パターン７ｄの両端部は、コンタクトホール７１ｅ、７１ｆを介して走査線３ａにおいて途切れ部分３ｔで切断された２つの端部に電気的接続されている。
【００６９】
さらに、本形態では、容量線３ｂも、走査線３ａおよびデータ線６ａと同様、Ｘ方向で隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分３ｕが形成されている。但し、容量線３ｂの途切れ部分３ｕは、シールド線７ａと同層の透光性導電膜（中継パターン７ｅ）を介して電気的接続されている。このような電気的接続を行なうにあたって、本形態では、走査線３ａの途切れ部分３ｔと同様、層間絶縁膜７１の上にはシールド線７ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる中継パターン７ｅが形成されており、かかる中継パターン７ｅの両端部は、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｇ、７１ｈを介して容量線３ｂにおいて途切れ部分３ｕで切断された２つの端部に電気的接続されている。
【００７０】
その他の構成は実施の形態１〜３と同様であるため、説明を省略するが、本形態では、走査線３ａ、容量線３ｂおよびデータ線６ａは、隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓと平面視で重なる部分に途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔが形成されているが、かかる途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔは、シールド線７ａと同層の中継パターン７ｄ、７ｅ、７ｆで接続されているため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光は、透光性の中継パターン７ｄ、７ｅ、７ｆを透過し、反射しない。それ故、隣接する画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓでの走査線３ａ、容量線３ｂおよびデータ線６ａによる反射に起因する迷光の発生を確実に防止することができる。
【００７１】
なお、本形態では、実施の形態１に対して、途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔを透光性の中継パターン７ｄ、７ｅ、７ｆで接続した構成を適用したが、実施の形態２に対して、途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔを透光性の中継パターン７ｄ、７ｅ、７ｆで接続した構成を適用してもよい。
【００７２】
［実施の形態８］
実施の形態６では、データ線６ａに途切れ部分６ｔを設けるとともに、かかる途切れ部分６ｔを中継パターン７ｆによって電気的接続し、実施の形態７では、走査線３ａ、容量線３ｂ、およびデータ線６ａのいずれにも途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔを設けるとともに、かかる途切れ部分３ｔ、３ｕ、６ｔを中継パターン７ｄ、７ｅ、７ｆによって電気的接続したが、走査線３ａおよび容量線３ｂのみに途切れ部分３ｔ、３ｕを設けるとともに、かかる途切れ部分３ｔ、３ｕを中継パターン７ｄ、７ｅによって電気的接続し、データ線６ａに途切れ部分を設けない構成を採用してもよい。
【００７３】
［実施の形態９］
図１に示すように、上記実施の形態１〜８では、シールド線７ａに共通電位ＣＯＭを印加するにあたって、シールド線７ａおよび容量線３ｂに対して共通の配線を介して共通電位ＣＯＭを印加したが、容量線３ｂに共通電位ＣＯＭが印加されている場合には、層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して、シールド線７ａと容量線３ｂとを電気的に接続して共通電位ＣＯＭを印加する構成を採用してもよい。
【００７４】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型電気光学装置１００は、図１３（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図１３（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００７５】
図１３（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型電気光学装置１００（反射型電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型電気光学装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００７６】
また、図１３（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１３（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型電気光学装置１００に表示される。
【００７７】
さらに、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な反射型電気光学装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した反射型電気光学装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明を適用した反射型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型電気光学装置において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型電気光学装置において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る反射型電気光学装置において、図３のＡ１−Ａ１′線およびＢ１−Ｂ１′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る反射型電気光学装置において、図７のＡ２−Ａ２′線およびＢ２−Ｂ２′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態５に係る反射型電気光学装置において、図９のＡ３−Ａ３′線およびＢ３−Ｂ３′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態６に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、および図１１（ａ）のＢ４−Ｂ４′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態７に係る反射型電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、および図１２（ａ）のＢ５−Ｂ５′線に相当する位置で反射型電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図１３】本発明を適用した反射型電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００７９】
３ａ・・走査線、３ｂ・・容量線、３ｔ・・走査線の途切れ部分、３ｕ・・容量線の途切れ部分、６ａ・・データ線、６ｔ・・データ線の途切れ部分、７ａ・・シールド線、７ｂ・・シールド線の主線部分、７ｃ・・シールド線の突出部分、７ｄ、７ｅ、７ｆ・・中継パターン、９ａ・・画素電極（光反射層）、９ｓ・・隣接する画素電極の隙間領域、１０・・素子基板、１０ｄ・・透光性の基板、３０・・電界効果型トランジスタ、５０・・液晶層、１００・・反射型電気光学装置、１００ａ・・画素
【図１】
2009276589.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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