(57)【要約】【課題】コンタクトプローブを製造工程を少なく、高い寸法精度で形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁性基板１０７上に導電性材料を積層することによりコンタクトプローブ１を形成するのであって、絶縁性基板１０７上に導電性材料を堆積させて犠牲層８を形成した後、この犠牲層８の表面を切削工具１０を用いて切削加工することによりプローブ形成用台座５を形成する。そして、プローブ形成用台座５上に、プローブ形成用台座５を形成する導電性材料と異なる導電性材料を電気めっきにより成長させてコンタクトプローブ１を形成する。【選択図】  図４
2009204433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に導電性材料を堆積させて犠牲層を形成した後、この犠牲層の表面を切削加工することによりプローブ形成用台座を形成する工程と、
上記プローブ形成用台座上に、このプローブ形成用台座を形成する導電性材料と異なる導電性材料を電気めっきにより成長させてコンタクトプローブを形成する工程とを有することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
上記プローブ形成用台座を形成する工程において、
上記絶縁性基板上に上記犠牲層を形成するための開口部を有する犠牲層形成用のレジスト層を形成した後に、上記開口部内の上記絶縁性基板上に上記犠牲層を形成して、切削加工することにより上記プローブ形成用台座を形成し、
上記コンタクトプローブを形成する工程において、
上記犠牲層形成用のレジスト層が除去された後の上記プローブ形成用台座上に上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
上記コンタクトプローブを形成する工程において、片持ち梁構造を有するビーム部を備える上記コンタクトプローブを形成し、
上記プローブ形成用台座を形成する工程において、
上記犠牲層を切削加工することにより、上記ビーム部に湾曲部を形成するための曲面を有する上記プローブ形成用台座を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
上記コンタクトプローブを形成する工程において、
上記プローブ形成用台座上に、電気めっきにより導電層を形成し、この導電層の表面を切削加工することによりコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードに用いられるコンタクトプローブの製造方法に関する。さらに詳しくは、片持ち梁構造のコンタクトプローブを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ上のデバイスが正常に動作することを確認する検査に際して、デバイスの電極パッドに接触して電気信号の送受を行うために用いられるプローブカードは、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、これらコンタクトプローブを電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すことができる。
【０００３】
半導体ウェーハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウェーハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウェーハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。
【０００４】
上記コンタクトプローブとしては、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。このようなコンタクトプローブは、一般に、ビーム部が基板の主面と平行に延びた状態で配置され、このビーム部の固定端側に略直角に屈曲した部分が形成されている。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウェーハ側に押し付けることにより、ビーム部が自然に弾性変形するようになっている。
【０００５】
ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。
【０００６】
特許文献１には、マイクロマシニング技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に垂直な方向、すなわち、コンタクトプローブの高さ方向に積層された複数のめっき層によって構成される。各めっき層は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターンニングされており、２次元形状の異なるめっき層を順に積層していくことによって、３次元形状のコンタクトプローブを形成することができる。このようにして形成された片持ち梁構造のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状となる。
【特許文献１】特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高さ方向へ積層して型持ち梁構造のコンタクトプローブを形成する場合には、ビーム部の固定側に直角に曲がる屈曲部分を有することになる。この屈曲部分は弾性変形時に応力が集中しやすく、ビーム部が破損する虞がある。そこで、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させるのではなく、滑らかに湾曲させた形状にすることができれば、上述したような応力集中を緩和することができると考えられる。
【０００８】
また、上記のようにビーム部の固定側に屈曲部分を有するコンタクトプローブは、上記オーバードライブを行って弾性変形する際に、このオーバードライブ量が多くなると、上記屈曲部分が検査対象物に接触する問題も生じた。このように十分なオーバードライブ量が得られない場合には、コンタクトプローブを検査対象物へ確実に接触させるための十分な押圧力が得られないことになる。
【０００９】
そこで、大きなオーバードライブ量でもコンタクトプローブが検査対象物に接触しないようにするために、コンタクトプローブのビーム部に複数の屈曲部分を階段状に形成して湾曲状にすることが考えられる。しかしながら、フォトレジストにより上記コンタクトプローブを固定部側から形成していきながら、複数の屈曲部分を形成するためには、積層方向に屈曲形状に合わせた複数のレジスト層を形成し、さらに、各層毎に形状の異なるマスクを形成し、これらマスクを用いてレジストを除去する必要があった。このように屈曲部分の数が増えるとそれだけ製造工程が多くなり、製造コストが高くなる問題がある。
【００１０】
以上の問題点を解決するために、湾曲部を有するコンタクトプローブをマイクロマシニング技術を用いて形成する方法として、コンタクトプローブの幅方向にめっき層を積層する製造方法を採用することも考えられる。この場合、めっき層の数を増大させることなく、高さ方向に滑らかに湾曲するコンタクトプローブを形成することができるが、多数のプローブをプローブ基板上に配列される位置関係のままで同時に形成することができない。つまり、犠牲層を介在させて配列させた複数のコンタクトプローブを製造してプローブ基板上に配置したり、あるいは、プローブ基板に対して電気めっきを行ってコンタクトプローブを形成することができず、コンタクトプローブを一つずつプローブ基板に取付けていく煩雑な作業が必要となる。
【００１１】
そこで、本出願人は、高さ方向へ積層してコンタクトプローブを形成する製造方法において、ビーム部に湾曲部を形成することができるコンタクトプローブの製造方法を開発した。その製造方法は、図１５に示すように、絶縁性基板Ａ上に曲面を有するプローブ用台座（犠牲層Ｄ）を１回の電気めっき処理により形成し、このプローブ用台座上に電気めっき処理によりコンタクトプローブのビーム部を形成する方法である。
【００１２】
具体的には、絶縁性基板Ａ上にエッチング処理された端面を有する薄膜の導電性膜Ｂと、同じくエッチング処理され端面を有するプローブ下地膜Ｃとを、導電性膜Ｂとプローブ下地膜Ｃとが互いに絶縁された状態で形成する。そして、導電性膜Ｂに電圧を印加することにより、この導電性膜Ｂの上面に導電性材料を電気めっきして犠牲層Ｄを形成していく。このとき、導電性膜Ｂの上面だけでなくエッチング処理された端面にも導電性材料がめっきされて成長されていき、めっき層が導電性膜Ｂの上面からオーバーフローして絶縁性基板Ａ上にもめっき層が形成された状態になる。
【００１３】
このようにして形成された犠牲層Ｄには、オーバーフローした部分により曲面が形成され、曲面を有するプローブ用台座（犠牲層Ｄ）を簡単に形成することができる。そして、曲面を有する犠牲層Ｄ上とプローブ下地膜Ｃ上とに電気めっき処理により導電層Ｅを形成すると、湾曲部分を有するビーム部を形成することができる。
【００１４】
ところで、図１５に示すような曲面を有する上記プローブ形成用台座（犠牲層Ｄ）は、コンタクトプローブのビーム部の高さを高く形成しようとすると、犠牲層Ｄの高さが高くなるように形成する必要がある。このように犠牲層Ｄを高く形成するには、導電性膜Ｂの上面と端面とに成長させるめっき量を多くして、犠牲層Ｄの厚みを厚くする必要がある。
【００１５】
しかしながら、電気めっきにより犠牲層Ｄの厚みを厚くする場合、めっきの成長を細かく制御するのには限界がある。そのため、めっき成長が不均一になる場合があり、犠牲層Ｄの仕上がり寸法や形状にばらつきが生じる場合があった。特に、絶縁性基板Ａ上に複数の犠牲層Ｄを形成するときは、導電性膜Ｂに電圧を印加して電気めっきを行うため、給電したときの各導電性膜Ｂまでの配線長が異なるとめっき厚にばらつきが生じてしまう。
【００１６】
また、湾曲部分を有する犠牲層Ｄを形成するためには、導電性膜Ｂにエッチング処理された端面を形成して、この端面にも導電性材料を堆積させる必要があるので、導電性膜Ｂはパターンニングしてエッチング処理をする必要がある。導電性膜Ｂをパターンニングしてエッチング処理をするには、まず、絶縁性基板Ａ上の全面に導電性膜Ｂを形成した後、この導電性膜Ｂ上にレジスト層を形成し、このレジスト層にパターンニングし、さらに、レジストが除去された部分の導電性膜Ｂをドライエッチング処理により除去する製造工程を要する。
【００１７】
このようにエッチング処理された導電性膜Ｂを形成するためには、レジスト層の形成と、パターンニング処理と、ドライエッチング処理とを行わなくてはならず、製造工程数が多くなるという問題が生じる。
【００１８】
また、犠牲層Ｄを形成する場合、図１６に示す犠牲層Ｄの部分拡大断面図のように、犠牲層Ｄの絶縁性基板Ａ上にオーバーフロー状態となって形成された部分は、絶縁性基板Ａから立ち上がる部分の根元が凹んだ状態になってしまうことがある。この凹んだ部分は、犠牲層Ｄ上にプローブ形成用のレジスト層Ｆを形成したとき、レジストとの密着性が悪いために、図１６において黒く塗りつぶした部分Ｇが空洞になり易かった。
【００１９】
そして、レジスト層Ｆに開口部を形成し、開口部内で露出する犠牲層Ｄ上に電気めっき処理を行ってコンタクトプローブを形成したとき、上記空洞部分Ｇにプローブを形成するためのめっき材料が入り込み、この空洞部分Ｇにおいても犠牲層Ｄ上にめっきされて、隣接して形成されるコンタクトプローブが繋がってしまい、犠牲層Ｄを除去した後、この空洞部分Ｇのめっきをエッチング処理により除去する作業が必要となってしまう。
【００２０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高さ方向に積層してコンタクトプローブを形成する方法において、コンタクトプローブを製造工程数が少なく、かつ、所望の形状及び大きさに高い寸法精度で形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記絶縁性基板上に導電性材料を堆積させて犠牲層を形成した後、この犠牲層の表面を切削加工することによりプローブ形成用台座を形成する工程と、上記プローブ形成用台座上に、このプローブ形成用台座を形成する導電性材料と異なる導電性材料を電気めっきにより成長させてコンタクトプローブを形成する工程とを有する構成としている。
【００２２】
本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、厚みの厚い上記犠牲層を形成しておき、この犠牲層のめっき成長面である表面を切削加工することにより、コンタクトプローブの背面形状を反転させた表面形状を有するプローブ形成用台座を高い寸法精度で形成できる。本発明の製造方法では、上記犠牲層の厚みが、コンタクトプローブの背面における最大高さの位置よりも厚くなるように上記犠牲層を形成しておけばよいので、上記犠牲層の厚みやめっき成長面の状態を細かく制御する必要が無くなる。
【００２３】
このように、本発明の製造方法によるプローブ形成用台座は、細かい厚み制御を必要としない上記犠牲層を１回の電気めっき処理により形成し、その後にこの犠牲層をコンタクトプローブの背面形状に合わせて切削加工してプローブ形成用台座を形成することができる。従って、本発明の製造方法は、電気めっきと切削加工を組み合わせてプローブ形成用台座を形成するので、単に電気めっきによる導電性材料の積層によりプローブ形成用台座を形成する場合に比べて寸法精度を向上できる。
【００２４】
また、本発明の製造方法は、従来のように、プローブ形成用台座となる犠牲層を形成するために、絶縁性基板上にパターンニングされた導電性膜を形成する必要もないので、レジスト層の形成、パターンニング処理、そして、導電性膜のドライエッチング処理が不要となり、製造工程数を少なくできる。さらに、絶縁性基板上に複数のプローブ形成用台座を形成する場合でも、プローブ形成用台座同士がつながることがないので、プローブ形成用台座形成後に、つながった部分を削除する工程も不要となる。
【００２５】
以上のことから、寸法精度の高いプローブ形成用台座を製造工程数を少なくして形成することができるので、高さ方向に電気めっきにより導電性材料を積層してコンタクトプローブを形成する場合でも、所望の形状、大きさのコンタクトプローブを高い寸法精度で形状がばらつくことなく、しかも、低コストで形成することができ、コンタクトプローブの形状の自由度が大きくなる。
【００２６】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記プローブ形成用台座を形成する工程において、上記絶縁性基板上に上記犠牲層を形成するための開口部を有する犠牲層形成用のレジスト層を形成した後に、上記開口部内の上記絶縁性基板上に上記犠牲層を形成して、切削加工することにより上記プローブ形成用台座を形成し、上記コンタクトプローブを形成する工程において、上記犠牲層形成用のレジスト層が除去された後の上記プローブ形成用台座上に上記コンタクトプローブを形成するようにしている。
【００２７】
本発明の製造方法によれば、上記プローブ形成用台座の平面視の形状は、上記開口部の形状によって決めることができ、上記プローブ形成用台座の高さ方向の形状は、上記犠牲層の表面の切削加工によって決めることができる。その結果、上記犠牲層を上記絶縁性基板上の所定の位置に形成しておいて、上記犠牲層の表面を切削加工することにより、切削される部分をできるだけ少なくすることができる。
【００２８】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記コンタクトプローブを形成する工程において、片持ち梁構造を有するビーム部を備える上記コンタクトプローブを形成し、上記プローブ形成用台座を形成する工程において、上記犠牲層を切削加工することにより、上記ビーム部に湾曲部を形成するための曲面を有する上記プローブ形成用台座を形成するようにしている。
【００２９】
本発明の製造方法によれば、上記プローブ形成用台座を切削加工により所望の形状に形成できるので、上記プローブ形成用台座に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。従って、片持ち梁構造のコンタクトプローブを基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で所望の形状、大きさの湾曲部を有する上記コンタクトプローブを形成することができる。
【００３０】
第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記コンタクトプローブを形成する工程において、上記プローブ形成用台座上に、電気めっきにより導電層を形成し、この導電層の表面を切削加工することによりコンタクトプローブを形成するようにしている。本発明の製造方法によれば、切削加工により上記コンタクトプローブを形成するので、所望の形状のコンタクトプローブを高い寸法精度で形成することができる。例えば、上記ビーム部とコンタクト部とを有するコンタクトプローブを形成する場合、電気めっき処理を１回行った後、切削加工により、上記ビーム部とコンタクト部とを有するコンタクトプローブを高い寸法精度で形成することができ、しかも、コンタクト部を形成するためのレジスト層の形成工程、パターンニング工程、そして、電気めっき工程を行う必要が無くなり、製造工程数も少なくできる。さらに、本発明の製造方法によれば、ビーム部とコンタクト部とを同じ導電層によって一括形成することができるので、コンタクト部の導電層がビーム部の導電層から剥がれ落ちるという問題もなくなる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、コンタクトプローブを高さ方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、製造工程数を少なく、高い寸法精度で所望の形状のコンタクトプローブを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
実施の形態１.
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００３３】
〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。
【００３４】
検査対象物１０２は、半導体ウェーハであり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態のまま鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００３５】
〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００３６】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備える。
【００３７】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
【００３８】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンにより形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウェーハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板を用いてプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板を用いて構成することにより、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。
【００３９】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００４０】
本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウェーハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウェーハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウェーハの電気的特性の検査が行われるようになっている。
【００４１】
〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向するようになっている。
【００４２】
図３は、コンタクトプローブ１の側面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。
【００４３】
ビーム部３は、長尺な部材から構成され、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して伸び、さらに、上方に向かって湾曲する弾性変形部３２とから構成される。基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記する導電性膜６で形成されている。
【００４４】
このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２で押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。
【００４５】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されたコンタクトチップにより構成されている。このコンタクトチップは端面が五角形の柱状体からなる。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。
【００４６】
本実施形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。
【００４７】
そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通している。コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させるようになっている。
【００４８】
〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料により構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。本実施の形態では、後記する犠牲層８を銅により形成するため、コンタクトプローブ１のビーム部３は、銅のめっき液によって溶けない導電性材料を用いて形成することが好ましい。本実施の形態では、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を用いてビーム部３を形成している。
【００４９】
また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施の形態では、コンタクト部２はロジウム（Ｒｈ）を用いて形成している。
【００５０】
〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４及び図５は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるマイクロマシニング技術を用いて作製される。マイクロマシニング技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００５１】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００５２】
図４（ａ）〜（ｂ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に導電性膜を部分的に形成する導電性膜形成工程を示している。なお、この導電性膜形成工程には、絶縁膜４を形成する工程も含んでいる。
【００５３】
まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料であって、かつ、銅のめっき液に溶けない導電性材料を用いて導電性膜６を形成する。絶縁膜４及び導電性膜６は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５４】
この導電性膜６を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、この導電性膜６をコンタクトプローブ１のプローブ下地膜として使用する場合にはコンタクトプローブ１の一部とすることができる。
【００５５】
そして、図示していないが、さらに導電性膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００５６】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、図４（ｂ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いた導電性膜６を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図４（ｂ）に示すように、プローブ基板１０７上に、部分的に導電性膜６が形成された状態になる。
【００５７】
本実施の形態では、導電性膜６は、絶縁膜４が露出して形成される絶縁性領域４１によって囲まれた長方形状の導電性領域６１が形成されるように、プローブ基板１０７上に形成される。本実施の形態では、この導電性膜６がプローブ形成用下地膜となる。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、導電性膜６をプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。
【００５８】
次に、図示していないが、プローブ基板１０７上全体に、絶縁膜４及び導電性膜６を覆うように銅の薄膜を形成する。この銅の薄膜もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５９】
図４（ｃ）は、第１開口部７１ａを有するように第１レジスト層７１を形成する第１レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。第１レジスト層７１を部分的に除去することにより、第１レジスト層７１に第１開口部７１ａが形成される。残った第１レジスト層７１は、導電性膜６の一部を覆った状態になる。
【００６０】
図４（ｄ）〜（ｅ）は、プローブ形成用台座５を形成する工程を示している。上記した図４（ｃ）の状態から、上記銅の薄膜に電圧を印加することにより、図４（ｄ）に示すように、第１開口部７１ａ内で露出する銅の薄膜上に銅を電気めっきして犠牲層８を形成する。本実施の形態では、第１開口部７１ａ内を埋めるように犠牲層８を形成する。
【００６１】
そして、犠牲層８が形成された後は、第１レジスト層７１を除去した後、図４（ｅ）及び図６のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、切削工具１０を用いて犠牲層８の表面をコンタクトプローブ１の背面側の形状と合うように切削してプローブ形成用台座５を形成する。本実施の形態では、図４（ｅ）の前後方向に切削工具１０を移動させながら犠牲層８を切削してもよいし、図４（ｅ）の左右方向に切削工具１０を移動させながら犠牲層８を切削してもよい。
【００６２】
切削工具１０を用いて犠牲層８を切削することにより、図４（ｅ）及び図６に示すように、プローブ基板１０７上に第１曲面５１と第２曲面５２とを有する段状のプローブ形成用台座５が得られる。第１曲面５１は、導電性膜６上から立ち上がって湾曲するように形成される。第２曲面５２は、この第１曲面５１よりも図４（ｅ）において右側で、かつ、上方位置に形成される。本実施の形態では、プローブ形成用台座５は、第１曲面５１の反対側の側面がプローブ基板１０７に対して垂直に立ち上がるように形成される。
【００６３】
図４（ｆ）は、プローブ形成用台座５及び導電性膜６を露出させる長細い第２開口部７２ａを複数有するプローブ形成用の第２レジスト層７２を形成する第２レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第２レジスト層７２が形成され、その第２レジスト層７２の表面が選択的に露光されることにより、第２レジスト層７２の一部が除去され、長細い第２開口部７２ａが複数形成される。
【００６４】
図７のプローブ基板１０７の部分斜視図にも示すように、第２レジスト層７２には、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた細長い第２開口部７２ａが所定の間隔をおいて複数形成される。
【００６５】
本実施の形態では、第２開口部７２ａ内においてプローブ形成用台座５の第１曲面５１が導電性膜６から立ち上がって第２開口部７２ａの長手方向一方側から長手方向他方側に向かって曲がるように第２開口部７２ａを形成している。さらに、本実施の形態では、図６及び図７に示すように、１つのプローブ形成用台座５上に複数の第２開口部７２ａが形成されている。
【００６６】
図５（ａ）〜（ｅ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図５（ａ）に示すように、プローブ形成用台座５に電圧を印加することにより、各第２開口部７２ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）をプローブ形成用台座５及び導電性膜６上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、プローブ形成用台座５及び導電性膜６上にニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）が成長されてプローブ導電層９１が形成されていく。このプローブ導電層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２に相当するプローブ導電層９１が形成される。
【００６７】
本実施の形態では、第２レジスト層７２に形成した第２開口部７２ａ内に、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを同時に形成することができるので、弾性変形部３２を形成するためのレジスト層を形成する必要がなくなる。その結果、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を減らすことができるとともに、レジストを除去するためのマスクも減らすことができるので、製造コストをさらに低廉にできる。
【００６８】
プローブ導電層９１が形成された後は、第２レジスト層７２を除去する。次に、図５（ｂ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第３レジスト層７３が形成され、その第３レジスト層７３の表面が選択的に露光されることにより、第３レジスト層７３の一部が除去される。図５（ｂ）では、コンタクト部２に相当する領域についてレジストの除去行い、第３開口部７３ａが形成される。
【００６９】
次に、図５（ｃ）に示すように、第３開口部７３ａ内に、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、そしてコンタクトチップ先端にロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、コンタクトチップ層９２が形成される。このコンタクトチップ層９２の上面は、平滑な面にする必要があるので、図５（ｄ）に示すように、第３レジスト層７３とともに、コンタクトチップ層９２を研磨して、コンタクトチップ層９２の上面を平坦にする。このコンタクトチップ層９２がコンタクト部２を構成する。
【００７０】
そして、第３レジスト層７３を除去すると、プローブ基板１０７上に複数のコンタクトプローブ１が導電性膜６を介して固定された状態になる。さらに、図５（ｅ）及び図８のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すようにプローブ形成用台座５及び露出している銅の薄膜を除去し、プローブ基板１０７上で露出している導電性膜６をドライエッチングにより除去する。導電性膜６の除去は、コンタクトプローブ１の下に形成された導電性膜６をコンタクトプローブ１毎に分離するように除去する。従って、プローブ導電層９１で覆われている導電性膜６は残された状態になっている。このように導電性膜６が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。
【００７１】
本実施の形態では、第１レジスト層７１の第１開口部７１ａ内を埋めるように大まかに犠牲層８を形成しておいて、この犠牲層８を切削工具１０を用いてコンタクトプローブ１の背面形状に合うように切削することにより、製造工程数を少なく、かつ、高い寸法精度のプローブ形成用台座５を形成することができる。しかも、プローブ形成用台座５に電圧を印加することにより、プローブ形成用台座５上と導電性膜６上とに電気めっきを行ってビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを備え、かつ、複数の湾曲部を有するプローブ導電層９１を一度の電気めっき処理を行うだけで形成することができる。
【００７２】
このように、本実施の形態によれば、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で、かつ、製造工程数を少なくして、所望の形状、大きさの湾曲部を複数有するコンタクトプローブ１を高い寸法精度で形成することができる。そして、コンタクトプローブ１を検査対象物１０２へ接触させて弾性変形させても、湾曲部を形成することによりコンタクトプローブ１の一部に応力が集中してしまうのを緩和することができ、コンタクトプローブ１の寿命を長くすることができる。さらに、コンタクトプローブ１は複数の湾曲部を段状に形成しているので、大きなオーバードライブ量でも、コンタクトプローブ１が検査対象物に接触するのを防ぐことができる。
【００７３】
また、本実施の形態にかかる製造方法によれば、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７への固定側から自由端側へと形成していくので、コンタクトプローブ１を形成すると同時にプローブ基板１０７にコンタクトプローブ１を固定することができる。従って、コンタクトプローブ１を１本ずつプローブ基板１０７に固定する作業を不要にでき、製造コストを低廉にすることができる。
【００７４】
実施の形態２．
上記した実施の形態１では、コンタクトプローブ１を形成する際、ビーム部３となるプローブ導電層９１と、コンタクト部２となるコンタクトチップ層９２とをそれぞれ別のレジスト層を形成して別々にパターンニングと電気めっき処理を行って形成した。本実施の形態２では、図９〜図１４に示すように、ビーム部３とコンタクト部２とが同じ導電層によって形成されるコンタクトプローブ１を形成する製造方法について説明する。
【００７５】
本実施の形態のコンタクトプローブ１、犠牲層８、絶縁膜４、導電性膜６、そして、プローブ基板１０７は、上記した実施の形態１と同じ材料で形成され、同じ構成部分については同じ符号を付す。
【００７６】
本実施の形態のコンタクトプローブ１も、上記実施の形態１と同様に、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。但し、本実施の形態のコンタクトプローブ１は、図１０（ｅ）及び図１４のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、コンタクト部２とビーム部３とは、同じ導電層によって形成されている。
【００７７】
ビーム部３は、図１４に示すように長尺な形状をしており、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁構造（カンチレバー）を有している。このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して伸び、さらに、上方に向かって湾曲する弾性変形部３２とから構成される。基板固定部３１の底面には導電性膜６が形成され、この導電性膜６を介して基板固定部３１がプローブ基板１０７に固定される。
【００７８】
ビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に連続して形成されるコンタクト部２に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部に形成されるコンタクト部２を検査対象物１０２によって押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。
【００７９】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されている。このコンタクト部２は突出端面が長方形をしており、ビーム部３と同じ導電層により連続して形成されている。コンタクト部２の幅は、ビーム部３と同じ幅を有している。また、コンタクト部２におけるビーム部長さ方向において対向する側面は、ビーム部３への根元側が末広がり状態となるように、この根元部分に曲面を有するように形成されている。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。
【００８０】
本実施の形態においても、プローブ形成用台座５となる犠牲層８を銅によって形成するため、コンタクトプローブ１は、銅のめっき液によって溶けない導電性材料を用いて形成することが好ましい。本実施の形態は、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を用いてコンタクトプローブ１を形成している。コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、ビーム部３と一体に連続して形成されているため、ビーム部３とコンタクト部２とは、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を用いて形成されることになる。
【００８１】
ところで、コンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部２の端面に薄膜のロジウム（Ｒｈ）層を形成するようにしてもよい。
【００８２】
図９（ａ）〜（ｆ）に示す、導電性膜６の形成工程、第１レジスト層７１の形成工程、プローブ形成用台座５の形成工程、そして、第２レジスト層７２の形成工程は、上記実施の形態１における図４（ａ）〜（ｆ）と同じ製造工程を行うので説明を省略する。なお、上記した実施の形態１と同じ構成部分については同じ符号を付す。
【００８３】
図１０（ａ）〜（ｅ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図１０（ａ）及び図１１に示すように、プローブ形成用台座５に電圧を印加することにより、各第２開口部７２ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）をプローブ形成用台座５及び導電性膜６上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、プローブ形成用台座５及び導電性膜６上にニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）が成長されてプローブ導電層９１が形成されていく。
【００８４】
このプローブ導電層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２を含む長さのプローブ導電層９１が形成される。さらに、このプローブ導電層９１は、ビーム部３の弾性変形部３２のプローブ高さ方向の厚みとコンタクト部２のプローブ高さ方向の厚みとを足した厚みよりも厚くなるように形成される。
【００８５】
プローブ導電層９１が形成された後は、図１０（ｂ）及び図１２のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、切削工具１０を用いて第２レジスト層７２をプローブ導電層９１の表面の形状に合わせて切削していく。本実施の形態では、切削加工は、プローブの長手方向と直交する方向、即ち、プローブ幅方向に切削工具１０を移動させながら、第２レジスト層７２を切削する。なお、この切削方向は、プローブの長さ方向に切削工具１０を移動させながら行ってもよい。
【００８６】
次に、図１０（ｃ）及び図１３のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、第２レジスト層７２と共に、プローブ導電層９１の表面を切削してコンタクトプローブ１の表面を形成する。本実施の形態では、ビーム部３とコンタクト部２をこのプローブ導電層９１により形成しており、ビーム部３とコンタクト部２とは一体に連続して形成される。さらに、本実施の形態では、切削工具１０の刃の先端の形状が丸くなっているので、コンタクト部２のビーム部根元部分は、切削工具１０の刃の形状に合わせて、曲面を有するように切削加工が施される。従って、コンタクト部２の根元部分におけるビーム部長手方向の長さは、先端面におけるビーム部長手方向の長さよりも長くなっており、根元側に向かって末広がるようにコンタクト部２が形成される。このようにコンタクト部２の根元部分の断面積が先端部よりも大きくなるので、コンタクト部２の強度を強くすることができる。
【００８７】
本実施の形態では、コンタクトプローブ１を形成するための切削加工は切削工具１０をプローブ幅方向に移動させながら行う。このとき、プローブ導電層９１は、隣接する第２レジスト層７２によって支持されて補強された状態になるので、細長いコンタクトプローブ１であっても、この第２レジスト層７２により破損することなく、所望の形状に切削することができる。なお、コンタクトプローブ１を形成するための切削加工も、切削方向は、プローブの長さ方向に切削工具１０を移動させながら行ってもよい。このプローブ導電層９１の切削加工により、基板固定部３１と弾性変形部３２とコンタクト部２とを有するプローブ導電層９１が形成される。
【００８８】
なお、プローブ導電層９１を切削加工した後、プローブ導電層９１におけるコンタクト部２の先端面上に薄膜のコンタクトチップ層を形成するようにしてもよい。この場合、まず、プローブ導電層９１と第２レジスト層７２上に再びフォトレジストを塗布して第３レジスト層を形成する。そして、この第３レジスト層７３の表面を選択的に露光して、コンタクト部２の端面となる部分に第３開口部が形成されるように第３レジスト層の一部を除去する。次に、この第３開口部内で露出するプローブ導電層９１上にロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、プローブ導電層９１におけるコンタクト部２の先端面上に薄膜のコンタクトチップ層を形成する。
【００８９】
次に、図１０（ｄ）に示すように、第２レジスト層７２を除去すると、プローブ導電層９１がプローブ形成用台座５に支持された状態で、プローブ基板１０７上に複数のコンタクトプローブ１が導電性膜６を介して固定された状態になる。さらに、図１０（ｅ）及び図１４のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、プローブ形成用台座５と露出している銅の薄膜とを除去し、プローブ基板１０７上で露出している導電性膜６をドライエッチングにより除去する。導電性膜６の除去は、コンタクトプローブ１の下に形成された導電性膜６をコンタクトプローブ１毎に分離するように除去する。従って、プローブ導電層９１によって覆われている導電性膜６は残された状態になっている。このように導電性膜６が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。
【００９０】
本実施の形態では、プローブ形成用台座５上に厚みの厚いプローブ導電層９１を形成しておいて、このプローブ導電層９１の表面を切削工具１０を用いてコンタクトプローブ１の形状となるように切削することにより所望の形状のコンタクトプローブ１を形成することができる。従って、切削工具１０を用いて、プローブ導電層９１をコンタクトプローブ１の最終形状に切削するので、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、高い寸法精度で所望の形状、大きさのコンタクトプローブ１を形成することができる。
【００９１】
さらに、本実施の形態で形成されたコンタクトプローブ１はビーム部３に複数の湾曲部を階段状に形成しているので、コンタクトプローブ１が検査対象物１０２へ接触して弾性変形しても、これら湾曲部によりコンタクトプローブ１の一部に応力が集中してしまうのを緩和することができ、コンタクトプローブ１の寿命を長くすることができる。さらに、コンタクトプローブ１は複数の湾曲部を段状に形成しているので、大きなオーバードライブ量でも、コンタクトプローブ１が検査対象物に接触するのを防ぐことができる。
【００９２】
また、本実施の形態によれば、コンタクトプローブの平面視の形状は、上記開口部の形状によって決めることができ、コンタクトプローブの高さ方向の形状は、上記犠牲層の表面形状と切削加工とによって決めることができるので高い寸法精度でコンタクトプローブを形成することができる。さらに、本発明の製造方法によれば、上記導電層を切削する際、上記導電層の周囲を上記レジスト層により保護して、このレジスト層とともに上記導電層を切削することができる。即ち、切削加工の際に、上記導電層が切削工具によって切削していく方向に押されても、上記レジスト層によって上記導電層を受け止めることができ、コンタクトプローブを上記レジスト層により保持しながら切削することができるので、切削抵抗の緩和により上記導電層が破損し難くなる。
【００９３】
また、本実施の形態にかかる製造方法によれば、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７へ固定した状態のまま形成することができるので、コンタクトプローブ１を１本ずつプローブ基板１０７に固定する作業を不要にでき、製造コストを低廉にすることができる。
【００９４】
本実施の形態では、第２レジスト層７２に形成した第２開口部７２ａ内で、ビーム部３とコンタクト部２とを形成することができる大きさのプローブ導電層９１を形成しておいて、切削加工により、同じ導電層によってビーム部３とコンタクト部２とを一体に連続して形成するため、コンタクト部のみを形成するためのレジスト層の形成、パターンニング処理、そして、電気めっき処理を減らすことができるので、製造コストを低廉にできる。
【００９５】
本実施の形態では、切削工具１０を用いて犠牲層８及びプローブ導電層９１の表面を切削したが、犠牲層８及びプローブ導電層９１の側面を切削することもできる。このように側面も切削することにより、コンタクトプローブの形状の自由度がさらに広がる。例えば、プローブ導電層９１の場合、コンタクト部のプローブ幅方向の長さをプローブの幅よりも小さくなるように切削加工をすることもできるし、コンタクト部の形状を先端部に向けて先細るように形成することもできる。先端部を細くすることにより、検査対象物との接触面積を小さくでき、小さいオーバードライブ量でも確実にコンタクト部を検査対象物に接触させることができる。
【００９６】
なお、上記した各実施の形態では、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７上に固定した状態のまま形成する場合の例について説明したが、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、これらの実施の形態に限らず、別途用意した絶縁性基板上にコンタクトプローブ１を形成して、このコンタクトプローブを例えば犠牲層と共に絶縁性基板から最終的に剥離する場合にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図である。
【図４】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図５】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｆ）の続きを示している。
【図６】図４（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に、プローブ形成用台座５が形成された状態を示している。
【図７】図５（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に第２開口部７２ａを有する第２レジスト層７２が形成され、第２開口部７２ａのプローブ形成用台座５上にプローブ導電層９１が形成された状態を示している。
【図８】図５（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上にコンタクトプローブ１が固定された状態を示している。
【図９】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図１０】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図９（ｆ）の続きを示している。
【図１１】図１０（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に第２開口部７２ａを有する第２レジスト層７２が形成され、第２開口部７２ａのプローブ形成用台座５上にプローブ導電層９１が形成された状態を示している。
【図１２】図１０（ｂ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、切削工具１０を用いて、第２レジスト層７２を切削した状態を示している。
【図１３】図１０（ｃ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、切削工具１０を用いて、第２レジスト層７２と共にプローブ導電層９１をコンタクトプローブ１の形状に切削した状態を示している。
【図１４】図１０（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上にコンタクトプローブ１が固定された状態を示している。
【図１５】従来のコンタクトプローブを形成するための説明図を示している。
【図１６】図１５の犠牲層における曲面部分の拡大部分断面図を示しており、ひさし空洞部分にめっき層が形成された状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９８】
１  コンタクトプローブ
２  コンタクト部
３  ビーム部
３１  基板固定部
３２  弾性変形部
４  絶縁膜
４１  絶縁性領域
５  プローブ形成用台座
５１  第１曲面
５２  第２曲面
６  導電性膜
６１  導電性領域
７１  第１レジスト層
７１ａ  第１開口部
７２  第２レジスト層
７２ａ  第２開口部
７３  第３レジスト層
７３ａ  第３開口部
８  犠牲層
９１  プローブ導電層
９２  コンタクトチップ層
１０  切削工具
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
2009204433.tif 000003
【図２】
2009204433.tif 000004
【図３】
2009204433.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009204433.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009204433.tif 000009
【図８】
2009204433.tif 000010
【図９】
2009204433.tif 000011
【図１０】
2009204433.tif 000012
【図１１】
2009204433.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2009204433.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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