(57)【要約】【課題】プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられ、例えば大径のＳｉウェハに多数形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ確実に検査できる電子部品検査装置に用いる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】単層で且つ−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層Ｓ、および該セラミック層Ｓの表面３と裏面４との間を貫通する複数の貫通導体６を有する中継基板２と、該中継基板２の裏面４側に配置され、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ４、該セラミック層ｓ１〜ｓ４の間に形成された配線層１３〜１５、および複数のセラミック層ｓ１〜ｓ４を貫通して配線層１３〜１５間を導通するビア導体ｖを含む多層セラミック配線基板１０と、上記中継基板２と上記配線基板１０との間に配置され、中継基板２の複数の貫通導体６と多層セラミック配線基板１０の配線層１３〜１５とを電気的に導通する複数の接続導体１８と、を含む、電子部品検査装置用配線基板１。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層で且つ−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層、および該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を有する中継基板と、
上記中継基板の裏面側に配置され、複数のセラミック層、該セラミック層の間に形成された配線層、および上記複数のセラミック層を貫通して前記配線層の間を導通するビア導体を含む多層セラミック配線基板と、
上記中継基板と多層セラミック配線基板との間に配置され、上記中継基板の複数の貫通導体と上記多層セラミック配線基板の配線層とを電気的に導通する複数の接続導体と、を含む、
ことを特徴とする電子部品検査装置用配線基板。
【請求項２】
前記中継基板のセラミック層は、マシナブルセラミック、ＡｌＮ、またはムライトの何れかからなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項３】
前記マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項４】
前記中継基板を形成するセラミック層の厚みは、１ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項５】
前記多層セラミック配線基板を形成する複数のセラミック層は、高温焼成セラミックまたは低温焼成セラミックからなる、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項６】
前記接続導体は、前記中継基板の裏面に形成され且つ前記貫通導体と接続する裏面側パッド、前記多層セラミック配線基板の表面に形成され且つ前記配線層と導通する表面側パッド、およびこれら２つのパッドを接続するハンダからなる、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項７】
−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層となるグリーンシートを焼成して単一のセラミック層を形成し、該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を形成し、該貫通導体の両端面が露出する上記セラミック層の表・裏面ごとに複数のパッドを形成した後、複数の上記貫通導体およびパッドを加熱する、ことを含む中継基板を形成する工程と、
複数のグリーンシートの表面と裏面との間を貫通する複数のビアホールごとにビア導体を形成し、上記複数のグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に配線層またはパッドを形成し、かかる複数のグリーンシートを積層および焼成して、多層セラミック配線基板を形成する工程と、
上記中継基板と多層セラミック配線基板との間において、上記多層セラミック配線基板の表面に形成した表面側パッドと、中継基板の裏面に形成した裏面側パッドとを、ハンダを介して接続する工程と、を含む
ことを特徴とする電子部品検査装置用配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記中継基板の表面に形成された複数の表面側パッド上に、検査すべき電子部品の電極と接触するプローブを取り付ける工程を更に有する、
ことを特徴とする請求項７に記載の電子部品検査装置用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられる配線基板に関し、特に大径のＳｉウェハなどに多数形成された電子部品ごとの電気的特性を正確に検査できる電子部品検査装置に用いられる配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品検査装置の一種であるプローブカードは、多数の微細なプローブをその表面に有し、かかるプローブをＳｉウェハに多数形成された半導体チップなどの電子部品ごとの電極に接触させることで、個々の電子部品の電気的特性を検査することに使用されている。
ところで、Ｓｉウェハは、直径が３００ｍｍあるいはそれ以上に大径化する傾向にある。これに応じて、Ｓｉウェハとプローブカードとの熱膨張率の差に起因して、一部の電子部品において、その電極とプローブとの電気的接続が不十分になるため、かかる電子部品の電気的特性を正確に検査できなくるおそれがある。
【０００３】
このため、例えば、複数の絶縁基板およびこれらの間に配設した配線層を有する測定用配線基板と、その表面に形成した複数のパッドごとの上に設けた複数の測定端子（プローブ）とを備え、上記配線基板の−４０〜＋４００℃における平均熱膨張係数を２×１０−５／℃〜５×１０−６／℃とし、且つ上記温度範囲において、上記配線基板と半導体ウェハとの伸びの差を０．０２％以下としたプローブカードなどが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２８４５４１号公報（第１〜１３頁、図１〜４）
【０００４】
前記特許文献１のプローブカードに用いられる測定用配線基板は、その絶縁基板に少なくともＺｎＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、およびＺｒＯ２の一種を含み、その含有量を１５質量％以下とし、且つコーディエライト結晶相を含む焼結体を用いている。
しかし、かかる絶縁基板は、前記材料からなる複数のグリーンシートを積層し、その表面にプローブが取り付けられる複数のパッドを形成した後で焼成されるため、かかる焼成に伴う収縮によって上記パッドの位置がずれてくる。更に、前記測定用配線基板の内部には、その平面方向に沿った複数の配線層、およびこれらの間を接続するビア導体が形成されているため、これらの熱膨張によって、当該測定用配線基板の体積が変化することもある。
上記パッドの位置ずれや配線基板の体積変化の結果により、上記配線基板の表面に形成された複数のプローブの位置がずれ、特に表面の周辺部側に位置するプローブでは、Ｓｉウェハ側の電子部品の電極との電気的接続が不安定になったり、接続不良となって、当該電子部品の検査が不可能となり得る、おそれがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられ、例えば、大径のＳｉウェハなどに多数形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ確実に検査できる電子部品検査装置に用いられる配線基板およびその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、プローブを取り付ける低熱膨張係数の中継基板と信号処理を成す配線層を含む多層セラミック配線基板とを別体とし、これらを導体を介して接続する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の電子部品検査装置用配線基板（請求項１）は、単層で且つ−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層、および該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を有する中継基板と、かかる中継基板の裏面側に配置され、複数のセラミック層、該セラミック層の間に形成された配線層、および上記複数のセラミック層を貫通して前記配線層の間を導通するビア導体を含む多層セラミック配線基板と、上記中継基板と多層セラミック配線基板との間に配置され、上記中継基板の複数の貫通導体と上記多層セラミック配線基板の配線層とを電気的に導通する複数の接続導体と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、複数の貫通導体を有する前記中継基板を形成する単層の前記セラミック層は、多数の電子部品を含むウェハを形成するＳｉの−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数の約３×１０−６／℃と近似している。このため、上記温度範囲における熱的変化を受けても、中継基板の表面に取り付けられる複数のプローブと、Ｓｉウェハに形成された多数の電子部品ごとの電極との電気的接続を確保することが容易となる。更に、前記中継基板と多層セラミック配線基板とは、複数の接続導体を介して接合されため、両者間の熱膨張係数の差による影響を、かかる接続導体によって確実に吸収することが可能となる。このため、各プローブから検出された信号は、複数の接続導体、および多層セラミック配線基板内の配線層を介して、裏面側パッドから外部に出力可能となっている。従って、直径が３００ｍｍあるいはそれ以上の大径であるＳｉウェハなどに多数形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ確実に検査できる。
しかも、前記配線層は、多層セラミック基板にのみ形成され、且つ中継基板にないため、検査すべき電子部品に応じて、中継基板に対し形状変更などの設計変更を行うだけで、多層セラミック基板を共通して用いるか、あるい大きな変更なしで容易に且つ短時間で対応が可能となる。
尚、前記中継基板に形成される貫通導体には、かかる中継基板の表面と裏面との間を貫通する貫通孔の全体がほぼ円柱形にして形成されるビア導体の形態、あるいは、上記貫通孔の内壁に沿って形成された全体がほぼ円筒形を呈し且つ内部に樹脂や金属などを充填するスルーホール導体の形態が含まれる。
【０００８】
また、本発明には、前記中継基板のセラミック層は、マシナブルセラミック、ＡｌＮ、またはムライトの何れかからなる、電子部品検査装置用配線基板（請求項２）も含まれる。
更に、本発明には、前記マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物である、電子部品検査装置用配線基板（請求項３）も含まれる。
これらによれば、中継基板は、前記温度範囲における熱膨張係数が約４．５×１０−６／℃のマシナブルセラミック、約４．３×１０−６／℃のＡｌＮ、または約４．２×１０−６／℃のムライトからなるセラミック層によって形成されている。そのため、前記温度範囲における熱膨張係数が約３．０×１０−６／℃のＳｉウェハとも、熱膨張係数がほぼ近似しているので、かかるＳｉウェハに形成された多数の電子部品の検査を正確且つ確実に行うことが可能となる。
尚、前記マシナブルセラミックとは、機械加工、特に切削加工が容易に施せるセラミックを指し、例えば、セラミック材料に含有される結晶の著しいへき開を利用したマイカセラミック、あるいは、粒界の選択的破壊を利用したチタン酸アルミニウムセラミックなども含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記中継基板を形成するセラミック層の厚みは、１ｍｍ以下である、電子部品検査装置用配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、１ｍｍ以下と薄肉で且つ低熱膨張係数の前記中継基板に対し、複数の接続導体を介して、多層セラミック基板を接合しても、全体の厚みが約５〜６ｍｍと比較的薄い配線基板とすることができ、前記電子部品の検査工程において狭いスペースで済み、且つ取り扱いを容易化することにも寄与し得る。
尚、中継基板を形成する前記セラミック層の平面視における形状は、任意であるが、例えば検査すべき電子部品がＳｉウェハに形成されている場合には、かかるＳｉウェハの平面視における円形の全体をカバーし得る真円形のほか、正六角形、正八角形、あるいは正十二角形などの正多角形を呈する形態としても良い。
【００１０】
更に、本発明には、前記多層セラミック配線基板を形成する複数のセラミック層は、高温焼成セラミックまたは低温焼成セラミックからなる、電子部品検査装置用配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、複数の接続導体を介して、前記中継基板の貫通導体および表・裏面の各パッドを介して、電子部品の各電極に電気信号を送信したり、逆に各電子部品から検査信号を受信し、内部の配線層で電圧の増幅や信号電流の整流などを施した後、裏面側パッドから外部回路基板などに出力することが可能となる。
尚、上記高温焼成セラミックは、例えばアルミナからなり、内部および表・裏面にＷまたはＭｏからなる配線層、ビア導体、およびパッドが形成され、一方、上記低温焼成セラミックは、例えばガラス−セラミックからなり、内部および表・裏面にＣｕまたはＡｇからなる配線層、ビア導体、およびパッドが形成される。
【００１１】
加えて、本発明には、前記接続導体は、前記中継基板の裏面に形成され且つ前記貫通導体と接続する裏面側パッド、前記多層セラミック配線基板の表面に形成され且つ前記配線層と導通する表面側パッド、およびこれら２つのパッドを接続するハンダからなる、電子部品検査装置用配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、低熱膨張の前記中継基板とこれよりも高低熱膨張の多層セラミック配線基板とを、複数の接続導体を介して接合されため、両者間の熱膨張係数の差による影響を、かかる接続導体によって確実に吸収することが可能となる。従って、中継基板側のプローブと電子部品ごとの電極との電気的接続を確保できると共に、得られた信号を多層セラミック配線基板内の配線層で電気的処理などを行って、外部に確実に出力させることが可能となる。
尚、上記ハンダには、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金からなるものが用いられる。
【００１２】
一方、本発明の電子部品検査装置用配線基板の製造方法（請求項７）は、−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数が３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層となるグリーンシートを焼成して単一のセラミック層を形成し、該セラミック層の表面と裏面との間を貫通する複数の貫通導体を形成し、該貫通導体の両端面が露出する上記セラミック層の表・裏面ごとに複数のパッドを形成した後、複数の上記貫通導体およびパッドを加熱する、ことを含む中継基板を形成する工程と、複数のグリーンシートの表面と裏面との間を貫通する複数のビアホールごとにビア導体を形成し、上記複数のグリーンシートの表面および裏面の少なくとも一方に配線層またはパッドを形成し、かかる複数のグリーンシートを積層および焼成して、多層セラミック配線基板を形成する工程と、かかる多層セラミック配線基板の表面に形成した表面側パッドと、上記中継基板と多層セラミック配線基板との間において、中継基板の裏面に形成した裏面側パッドとを、ハンダを介して接続する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１３】
これによれば、中継基板を形成する単一のセラミック層は、前記低熱膨張係数のグリーンシートを予め焼成した後、孔明け加工されて、複数の貫通孔を位置精度良く形成され、かかる貫通孔ごとに、ビア導体またはスルーホール導体の形態である貫通導体が形成される。かかる貫通導体と、当該セラミック層の表・裏面ごとに形成した複数のパッドとを加熱（キュア）するので、低熱膨張の中継基板の表面に複数のパッドが高い位置精度で形成される。そのため、かかるバッドごとに取り付けられるプローブと、Ｓｉウェハなどに多数形成された電子部品ごとの電極との電気的接続を、温度変化による影響を最少にして確保できる配線基板を確実に製造することが可能となる。しかも、各プローブから検出された信号は、複数の接続導体、および多層セラミック配線基板内の配線層を介して、裏面側パッドから外部に出力可能とした配線基板を提供可能となる。
また、本発明には、前記中継基板の表面に形成された複数の表面側パッド上に、検査すべき電子部品の電極と接触するプローブを取り付ける工程を更に有する、電子部品検査装置用配線基板の製造方法（請求項８）も含まれる。
これによれば、プローブが中継基板の表面側の各パッドごとに取り付けられるため、例えば、Ｓｉウェハに形成された多数の電子部品ごとの電極との確実な電気的接続が可能となる。従って、精度の高いプローブなどの検査装置を提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の電子部品検査装置用配線基板（以下、単に検査装置用配線基板という）１の断面およびその使用状態を示す概略図である。
検査装置用配線基板１は、図１に示すように、単一のセラミック層Ｓおよびその表面３と裏面４との間を複数のビア導体６が貫通する中継基板２と、かかる中継基板２の裏面４側に配置され、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ４およびこれらの間に形成された配線層１３〜１５を含む多層セラミック基板１０と、これらの間を電気的に接続するハンダ１８を含む接続導体とを備えており、全体の厚みが約５〜６ｍｍである。
中継基板２を形成するセラミック層Ｓは、厚みが１ｍｍ以下のマシナブルセラミック、ＡｌＮ、またはムライトの何れかからなり、−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数（以下、単にＣＴＥとする）が３．０〜４．５×１０−６／℃である。
尚、上記温度範囲におけるＡｌＮのＣＴＥは、約４．３×１０−６／℃、ムライトのＣＴＥは、約４．２×１０−６／℃である。また、上記マシナブルセラミックには、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物からなり、これらのＣＴＥは、約４．５×１０−６／℃である。
【００１５】
図１に示すように、中継基板２のセラミック層Ｓの表面３と裏面４との間には、複数の貫通孔５が穿孔され、これらの内部には、ビア導体と同様の貫通導体６が形成されている。尚、該貫通導体６は、各貫通孔５の内壁面に沿ったほぼ円筒形を呈し内部に金属または樹脂が充填されたスルーホール導体の形態としても良い。
各貫通導体６ごとの表面３および裏面４には、当該貫通導体６と接続された表面側パッド７および裏面側パッド８が形成されている。表面側パッド７ごとの上には、検査すべきＳｉウェハ２０に形成された多数の電子部品（図示せず）ごとの電極１９と接触し、これと電気的接続が可能なプローブ９が追って取り付けられる。尚、上記貫通導体６、表面側パッド７、および裏面側パッド８は、例えば、ＡｇまたはＣｕ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。
【００１６】
図１に示すように、多層セラミック基板１０は、例えば、アルミナ（高温焼成セラミック）またはガラス−セラミック（低温焼成セラミック）からなるセラミック層ｓ１〜ｓ４、これらの間に形成され且つ所要のパターンを有する配線層１３〜１５、セラミック層ｓ１の表面１１に形成された表面側パッド１６、セラミック層ｓ４の裏面１２に形成された裏面側パッド１７、およびこれらの導体間を接続するためセラミック層ｓ１〜ｓ４を貫通する複数のビア導体ｖを備えている。
更に、中継基板２の裏面側パッド８と多層セラミック基板１０の表面側パッド１６との間は、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金からなるハンダ１８により接続されている。かかるハンダ１８、裏面側パッド８、および表面側パッド１６は、本発明の接続導体を形成し、これらを介して、中継基板２の貫通導体６および表面側パッド７と、多層セラミック基板１０の配線層１３〜１５、ビア導体ｖ、および裏面側パッド１７とが電気的に導通可能とされている。
【００１７】
以上のような検査装置用配線基板１によれば、複数の貫通導体６を有する前記中継基板２を形成する単層の前記セラミック層Ｓが、多数の電子部品を含むウェハを形成するＳｉの−４０〜＋１５０℃における熱膨張係数の約３×１０−６／℃と近似しているので、上記温度範囲における熱的変化を受けても、中継基板２の表面側パッド７に取り付けられる複数のプローブ９と、Ｓｉウェハ２０に形成された電子部品ごとの電極１９との電気的接続を確保することが容易となる。更に、前記中継基板２と多層セラミック基板１０とは、ハンダ１８を含む複数の接続導体を介して接合されため、両者間の熱膨張係数の差による影響を、かかる接続導体によって確実に吸収することが可能となる。このため、各プローブ９から検出された信号は、複数の接続導体、多層セラミック基板１内の配線層１３〜１５、およびビア導体ｖを介して、裏面側パッド１７から外部に出力可能となる。従って、直径が３００ｍｍ以上の大径であるＳｉウェハ２０に形成された電子部品であっても、その電気的特性を正確且つ確実に検査することが可能となる。
しかも、前記配線層１３などは、多層セラミック基板１０にのみ形成され、且つ中継基板２にはないため、検査すべき電子部品に応じて、中継基板２に対し形状変更などの設計変更を行うだけで、多層セラミック基板１０をそのまま用いるか、あるい大きな変更なしで容易に且つ短時間で対応することが可能となる。
【００１８】
前記検査装置用配線基板１は、以下のような方法によって製造した。
予め、マシナブルセラミック（ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、または、ＡｌＮとＢＮとの混合物）、ＡｌＮ、あるいはムライトの粉末と、樹脂バインダと、溶剤などを所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを作成し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、厚みが約１ｍｍのグリーンシートを形成した。
次に、かかるグリーンシートを所定の温度で焼成して、図２の断面図で示すように、表面３および裏面４を有し、厚みｔが１ｍｍ以下で、且つ−４０〜＋１５０℃におけるＣＴＥが３．０〜４．５×１０−６／℃のセラミック層Ｓを得た。
【００１９】
次いで、上記セラミック層Ｓに対し、ドリルによる孔明け加工を行って、図３に示すように、その表面３と裏面４との間を貫通する複数の貫通孔５を形成した。
更に、上記セラミック層Ｓの各貫通孔５付近ごとに、無電解Ａｇメッキおよび電解Ａｇメッキ、あるいは無電解Ｃｕメッキおよび電解Ｃｕメッキを施して、図４に示すように、全体がほぼ円筒形のメッキ体６ａを複数個形成した。
次に、上記メッキ体６ａの中空部にＡｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストを穴埋め・充填することで、図５に示すように、両端面がセラミック層Ｓの表・裏面３，４から僅かに突出する貫通導体６ｂを形成した。尚、上記メッキ体６ａの中空部には、樹脂を充填しても良い。
【００２０】
次いで、かかるセラミック層Ｓの表面３および裏面４を砥石またはベルトサンダーなどにより研磨して、図６に示すように、両端面が表・裏面３，４と面一の貫通導体６を各貫通孔５ごとに形成した。
尚、前記貫通孔５内に、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストを直に印刷・充填して、貫通導体６を形成した後 、 上記同様の研磨を行っても良い。
更に、図７に示すように、セラミック層Ｓの表・裏面３，４で各貫通導体６の端面が露出する位置ごとに対し、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストをスクリーン印刷して、表面側パッド７および裏面側パッド８を形成した。
そして、貫通導体６、表面側パッド７、および裏面側パッド８を所定の温度（約１５０〜２５０℃）で加熱（キュア）して、それぞれ硬化させた。
その結果、前記図１に示した中継基板２が得られた。
【００２１】
一方、アルミナ粉末と、樹脂バインダと、溶剤などを所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを作成し、かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、図８に示すように、厚みが約１００〜５００μｍのグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４を形成した。尚、上記アルミナ粉末に替えて、ガラス成分とアルミナ粉末とが重量比でほぼ４：６〜６：４のガラス−セラミック粉末を用いても良い。
次に、グリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４における所定の位置に対し、パンチングを施して、図８に示すように、これらを貫通する複数のビアホールｈを形成した。
次いで、上記ビアホールｈごとの内部に、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを印刷・充填して、図９に示すように、ビア導体ｖを形成した。
【００２２】
更に、グリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４の表面および裏面における少なくとも一方に対し、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図９に示すように、所定パターンの配線層１３〜１５と、表・裏面側パッド１６，１７とを形成した。この際、各ビア導体ｖは、同じグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４の配線層１３〜１５や表・裏面側パッド１６，１７と接続された。
尚、ガラス−セラミック粉末を含むグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４の場合には、Ａｇ粉末またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストを用いた。
次に、ビア導体ｖ、配線層１３〜１５、表・裏面側パッド１６，１７が形成されたグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ４を、積層および圧着して、図１０に示すように、未焼成の積層体ＳＳを得た。この際、各ビア導体ｖは、隣接するグリーンシートｇｓ２〜ｇｓ４の配線層１３〜１５と接続された。
【００２３】
そして、かかる積層体を所定の温度（約８００〜１０００℃）で焼成した。
その結果、全体の厚みが約３〜５ｍｍである前記図１に示した多層セラミック基板１０が得られた。
次いで、図１１に示すように、多層セラミック基板１０の表面１１側と、中継基板２の裏面４側との間において、前者の表面側パッド１６ごとの上に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金からなるほぼボール形状のハンダ１８（図示せず）を載せた後、その融点よりもやや上の温度帯で加熱した。尚、中継基板２の裏面側パッド８ごとの上に上記ハンダ１８を載せ、且つそれらの上に多層セラミック基板１０の各表面側パッド１６を載置させた後、上記同様に加熱しても良い。
【００２４】
その結果、図１２に示すように、ハンダ１８を介して裏・表面側パッド８，１６が接合され、これらからなる複数の接続導体を介して、中継基板２と多層セラミック基板１０とが接合された本発明の検査装置用配線基板１を得ることができた。同時に、中継基板２の貫通導体６および表面側パッド７と、多層セラミック基板１０の配線層１３〜１５，ビア導体ｖ，および裏面側パッド１７とが電気的に導通可能となった。
そして、中継基板２の各表面側パッド７ごと上に、プローブ９を取り付けることで、電子部品検査装置の要部を形成することができた。尚、多層セラミック基板１０の裏面側パッド１７に対し、更に外部回路基板（図示せず）を接続することで、プローブカードなどの電子部品検査装置を形成することも可能である。
【００２５】
以上のような検査装置用配線基板１の製造方法によれば、中継基板２を形成する単一のセラミック層Ｓは、前記低熱膨張係数のグリーンシートを予め焼成した後、孔明け加工されて、複数の貫通孔ｈを位置精度良く形成され、かかる貫通孔ｈごとに、ビア導体またはスルーホール導体の形態である貫通導体６が形成されている。かかる貫通導体６と、当該セラミック層Ｓの表・裏面３，４ごとに形成した複数のパッド７，８とを加熱（キュア）するので、低熱膨張の中継基板２の表面３に複数のパッド７を高い位置精度にて形成できる。そのため、かかるバッド７ごとに取り付けられるプローブ９と、Ｓｉウェハ２０に多数形成された電子部品ごとの電極１９との電気的接続を、温度変化による影響を最少にして確保できる検査装置用配線基板１を確実に製造することが可能となる。しかも、各プローブ９から検出された信号は、複数の接続導体１８、および多層セラミック基板１０内の配線層１３〜１５などを介して、その裏面側パッド１７から外部に出力可能とした検査装置用配線基板１を確実に提供することが可能となる。
【００２６】
本発明は、前記形態に限られるでものはない。
例えば、前記中継基板２におけるセラミック層Ｓの表面３および裏面４には、表面側パッド７，７間、あるいは裏面側パッド８，８間を接続する配線を形成しても良い。
また、前記接続導体のハンダ１８は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系合金からなるものとしても良い。
更に、前記中継基板２と多層セラミック配線基板１０との間には、かかる位置に形成した複数の前記接続導体であるハンダ１８の周囲を包囲するように、封止用の樹脂またはガラスを充填することも可能である。
また、前記多層セラミック配線基板１０のセラミック層ｓ１〜ｓ４は、ムライト、ＡｌＮなどの高温焼成セラミックによって形成しても良い。
加えて、前記多層セラミック配線基板１０は、その裏面１２側に開口するキャビティを形成し、かかるキャビティ内に各種の電子部品を実装することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の電子部品検査装置用配線基板などを示す断面図。
【図２】前記中継基板を得るための一製造工程を示す概略断面図。
【図３】図２に続く製造工程を示す概略断面図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略断面図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略断面図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略断面図。
【図７】図６に続く製造工程を示す概略断面図。
【図８】前記多層セラミック配線基板の一製造工程を示す概略断面図。
【図９】図８に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１０】図９に続く製造工程を示す概略断面図。
【図１１】前記検査装置用配線基板を得るための一製造工程を示す概略断面図。
【図１２】図１１に続く製造工程を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００２８】
１…………………………電子部品検査装置用配線基板
２…………………………中継基板
３，１１…………………表面
４…………………………裏面
６…………………………貫通導体
７，１６…………………表面側パッド
８…………………………裏面側パッド
９…………………………プローブ
１０………………………多層セラミック配線基板
１３〜１５………………配線層
１８………………………ハンダ（接続導体）
１９………………………電極
２０………………………Ｓｉウェハ（電子部品）
ｖ…………………………ビア導体
Ｓ，ｓ１〜ｓ４…………セラミック層
ｇｓ１〜ｇｓ４…………グリーンシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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