(57)【要約】【課題】隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現する。【解決手段】放射線未照射状態の放射線画像検出器から画像データを複数回読み出して平均化する(100)ことで得られたオフセット補正データと、放射線画像検出器の全面に一定レベルの放射線を一様に照射させ、放射線画像検出器から画像データを読み出すことを複数回行い、複数の画像データを平均化し(106)、オフセット補正及びシェーディング補正を経て得られた欠陥ライン検出用画像データを各々用い、各々異なる閾値を適用して欠陥ライン検出を行い(108,110)、それぞれの欠陥ライン検出で得られた欠陥ラインマップを合成する(112)ことで、欠陥ラインを補正するための欠陥ラインマップを得る。【選択図】図７
2009011566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第１検出手段と、
前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第２検出手段と、
前記第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と前記第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成する合成手段と、
を含む画像処理装置。
【請求項２】
前記撮像素子は、２次元に並ぶ前記光電変換部として、放射線に感度を有する光電変換層が設けられた放射線画像検出器であり、前記撮像素子としての前記放射線画像検出器によって撮像される画像は、前記放射線画像検出器に入射された放射線の空間分布を表す画像であることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記撮像素子としての前記放射線画像検出器は、複数本のゲート線及び複数本のデータ線が各々設けられると共に、個々の前記光電変換部に対応して、前記複数本のゲート線の何れか及び前記複数本のデータ線の何れかと各々接続されたスイッチング素子が２次元に配列され、前記ゲート線を介して入力された信号に応じてスイッチング素子がオンされることで、オンされたスイッチング素子に対応する光電変換部の信号が前記データ線を介して読み出される構成であることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１閾値が前記第２閾値よりも大きい値に設定されていることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１検出手段及び前記第２検出手段は、欠陥ラインの検出に用いる画像信号に対し、ノイズ成分を除去するためのメディアン処理を行った後に欠陥ラインの検出を行うことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１検出手段及び前記第２検出手段は、欠陥ラインの検出に用いる画像信号に対して第１方向のメディアン処理を行い、当該第１方向のメディアン処理を経た画像信号を用いて前記第１方向と交差する第２方向に延びる欠陥ラインの検出を行うと共に、前記画像信号に対して前記第２方向のメディアン処理を行い、当該第２方向のメディアン処理を経た画像信号を用いて前記第１方向に延びる欠陥ラインの検出を行うことを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記合成手段は、前記第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と前記第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成した後に、合成後の欠陥ラインの検出結果において、検出された欠陥ラインが予め定められた所定数以上連続していた場合に警告を出力することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項８】
光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出すると共に、
前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出し、
前記第１画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果と前記第２画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果を合成する画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、
光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第１検出手段、
前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第２検出手段、
及び、前記第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と前記第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成する合成手段
として機能させるための画像処理プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像処理装置、方法及びプログラムに係り、特に、光電変換部が２次元に並ぶ撮像素子の欠陥ラインを検出する画像処理装置、該画像処理装置に適用可能な画像処理方法、及び、コンピュータを前記画像処理装置として機能させるための画像処理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
医療診断を目的として放射線撮影において、被写体を透過した放射線を、放射線に感度を有する光電変換層を備えた放射線画像検出器に照射し、放射線画像検出器への照射放射線量に応じて放射線画像検出器に蓄積された電荷を画素毎に電気信号として読み出し、読み出した電気信号をデジタルデータへ変換することで、デジタルの放射線画像を得るシステムが知られている。この種のシステムにおける放射線画像検出器は、例えば放射線の照射による劣化や、電気配線の接触不良等により、照射放射線量に応じた出力が得られない画素（欠陥画素という）が生ずることがある。放射線画像検出器等の撮像素子の画素欠陥は、単一又は少数の欠陥画素が点状に分布して成る画素欠陥（点欠陥という）と、複数の欠陥画素が直線状に分布して成る画素欠陥（線欠陥という）に大別されるが、このうち線欠陥は点欠陥と比較して周囲の画素との輝度等の差が小さくても視認され易い。
【０００３】
このため、特許文献１には、入力された画面の画像情報から着目画素を選択し、当該着目画素を含むようにサンプリング領域を画定し、サンプリング領域の画素データから各画素列ごとに輝度が最大又は最小となる特徴画素を抽出し、前記着目画素に、前記特徴画素の位置情報から得られる線欠陥の予想位置と前記着目画素との距離に応じた重み付けを行った値を設定することを、各着目画素について繰り返し行うことで全画素について特徴値を設定し、当該特徴値に基づいて画面の線欠陥を判別する技術が開示されている。
【０００４】
また特許文献２には、フラットパネルＸ線検出器上の欠陥画素のうち、感度特性の平均値との差異が第１のしきい値よりも大きな第１の欠陥画素を最初に抽出し、続いて、第１の欠陥画素に隣接する画素のうち感度特性の平均値との差異が第２のしきい値（＜第１のしきい値）よりも大きい第２の欠陥画素を抽出し、これら全ての欠陥画素に対して輝度補正を行ってＸ線画像を得る技術が開示されており、Ｘ線を照射せずに撮影するオフセット画像に対しても同様の処理を行って結果を合成することも開示されている。
【特許文献１】特開２００６−４７０７７号公報
【特許文献２】特開２００６−２３４５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
放射線画像検出器等の撮像素子では、線欠陥が生じているライン（欠陥ライン）に隣接するラインが、欠陥ラインの影響を受けて正常ラインと異なる特性へ変化してしまうことがあるが、欠陥ラインの影響で当該ラインが正常ラインと異なる特性へ変化した場合の当該ライン（隣接欠陥ライン）の特性は、欠陥ラインの特性とも異なっており、一定していない。そして特許文献１，２に記載の技術では、隣接欠陥ラインの特性によっては隣接欠陥ラインを検出できないという問題がある。
【０００６】
すなわち、本願発明者は、隣接欠陥ラインが図１１(Ａ),(Ｂ)のような特性を示す場合があることを実験により確認している。この実験は、撮像素子として放射線画像検出器を用い、放射線未照射時及び放射線照射時の欠陥ライン及びその周辺のラインにおける信号出力を調べたものであり、図１１(Ａ),(Ｂ)に示す例では、欠陥ライン（ラインｎ）については放射線未照射時及び放射線照射時共に信号出力値が正常ライン（ラインｎ−２，ｎ＋２等）のオフセット（暗出力値）と同一となっているのに対し、隣接欠陥ライン（ラインｎ−１，ｎ＋１）の信号出力値については、放射線未照射時には正常ラインのオフセット値よりも低く、放射線照射時には僅かに出力が増大している。そして図１１(Ｂ)に示す信号出力値のパターンに対し、各画素毎のオフセット（暗出力）のばらつきをオフセット補正によって補正すると共に、画素毎の感度のばらつきをシェーディング補正によって補正すると、図１１(Ｃ)に示すような信号出力値のパターンが得られる。図１１(Ｃ)において欠陥ラインの信号出力値が大幅に大きくなっているのは、放射線の照射に拘わらず欠陥ラインの信号出力値が変化しないために、シェーディング補正の補正値（元の信号出力値を除す値）が０に設定されるためである。
【０００７】
なお、図１１における個々のラインの信号出力値は、そのラインの全画素からの信号出力値の平均を表している。また、図１１では欠陥ラインの両側のラインが正常ラインと特性の異なる隣接欠陥ラインとなっている例を示しているが、両側のラインのうちの一方のみが隣接欠陥ラインとなる場合も、両側のラインが何れも正常ラインである場合も生じ得る。
【０００８】
図１１(Ｃ)に示すパターンでは、オフセット補正及びシェーディング補正を経ることで、隣接欠陥ラインと正常ラインとの信号出力値の差が非常に小さくなっている。特許文献１，２に記載の技術は、図１１(Ｃ)に相当する信号（撮像素子に光が入射されている状態で得られた信号に対し、画素欠陥以外の要因による値のばらつきを補正した信号）を対象として欠陥ラインの検出を行うものであり、隣接欠陥ラインが図１１(Ａ),(Ｂ)のような特性を示す場合、欠陥ライン検出対象の信号における隣接欠陥ラインと正常ラインとの信号出力値の差が図１１(Ｃ)に示すように非常に小さくなることから、隣接欠陥ラインを欠陥ラインとして検出することができない。
【０００９】
また、特許文献２には、オフセット画像に対しても欠陥ラインの検出を行って結果を合成することが記載されているが、特許文献２に記載の技術は、第１のしきい値によって第１の欠陥画素（欠陥ライン）を検出した後に、第１の欠陥画素に隣接する画素に対して第１のしきい値よりも小さい第２のしきい値を適用して第２の欠陥画素（隣接欠陥ライン）を検出するものであり、オフセット画像に対しても上記の欠陥ラインの検出を行ったとしても、隣接欠陥ラインが図１１(Ａ),(Ｂ)のような特性を示す場合、図１１(Ａ)に示すようにオフセット画像上で欠陥ラインと正常ラインとの信号出力値の差が無いことから欠陥ラインを検出できず、これに伴い隣接欠陥ラインも検出できないことになる。
【００１０】
本発明は上記事実を考慮して成されたもので、隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現できる画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラムを得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために請求項１記載の発明に係る画像処理装置は、光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第１検出手段と、前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第２検出手段と、前記第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と前記第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成する合成手段と、を含んで構成されている。
【００１２】
請求項１記載の発明は、第１検出手段及び第２検出手段を備えており、第１検出手段は、光電変換部が２次元に並び、光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として撮像素子の欠陥ラインを検出し、第２検出手段は、所定波長域の光が一様に照射された状態の撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として撮像素子の欠陥ラインを検出する。
【００１３】
なお、第１検出手段による第１閾値を用いた欠陥ラインの検出は、具体的には、例えば第１画像信号に基づいて各ライン毎に信号値（例えば同一ライン上の全ての光電変換部の信号値の平均値等）を求め、各ラインの信号値と第１基準値（例えば第１画像信号から求めた全ラインの信号値の平均値や、予め固定的に定めた値）との偏差が第１閾値以上か否かを判定することで行うことができる。また、第２検出手段による第２閾値を用いた欠陥ラインの検出についても、具体的には、例えば上記と同様に、第２画像信号に基づいて各ライン毎に信号値を求め、各ラインの信号値と第２基準値（例えば第２画像信号から求めた全ラインの信号値の平均値等）との偏差が第２閾値以上か否かを判定することで行うことができる。
【００１４】
これにより、撮像素子に欠陥ライン及び隣接欠陥ラインが存在していた場合、オフセット補正及びシェーディング補正を経た第２画像信号上で、上記の欠陥ラインや隣接欠陥ラインの信号値が第２基準値と第２閾値以上相違していれば、これらのラインが第２検出手段によって欠陥ラインとして検出される。また、撮像素子に存在している隣接欠陥ラインが前述の図１１(Ａ),(Ｂ)のような特性を示す場合、この隣接欠陥ラインは第２検出手段では欠陥ラインとして検出されないが、第１画像信号上で上記の隣接欠陥ラインの信号値が第１基準値と第１閾値以上相違することで、上記の隣接欠陥ラインが第１検出手段によって欠陥ラインとして検出される。そして請求項１記載の発明では、第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と第２検出手段による欠陥ラインの検出結果が合成手段によって合成されるので、第１検出手段及び第２検出手段の少なくとも一方によって欠陥ラインとして検出されたラインが欠陥ラインとして扱われる。
【００１５】
このように、請求項１記載の発明では、所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号、及び、所定波長域の光が一様に照射された状態の撮像素子から読み出しオフセット補正及びシェーディング補正を行うことで得られた第２画像信号について、欠陥ラインと隣接欠陥ラインを区別することなく画像全体を対象として、欠陥ラインの検出を行うので、撮像素子に隣接欠陥ラインが存在している場合に、当該隣接欠陥ラインがその特性に拘わらず第１検出手段又は第２検出手段によって欠陥ラインとして検出される確率を向上させることができ、隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現することができる。
【００１６】
なお、請求項１記載の発明において、撮像素子としては、例えば請求項２に記載したように、放射線に感度を有する光電変換層を備えた放射線画像検出器が好適であり、この場合、撮像素子としての放射線画像検出器によって撮像される画像は、放射線画像検出器に入射された放射線の空間分布を表す画像となる。但し、本発明に係る撮像素子は上記の放射線画像検出器に限られるものではなく、例えばＣＣＤセンサ等の他の撮像素子であってもよい。
【００１７】
また、撮像素子としての請求項２に記載の放射線画像検出器は、より詳しくは、例えば請求項３に記載したように、複数本のゲート線及び複数本のデータ線が各々設けられると共に、個々の前記光電変換部に対応して、複数本のゲート線の何れか及び複数本のデータ線の何れかと各々接続されたスイッチング素子が２次元に配列され、ゲート線を介して入力された信号に応じてスイッチング素子がオンされることで、オンされたスイッチング素子に対応する光電変換部の信号がデータ線を介して読み出される構成が好適であるが、これに限られるものではなく、例えば、一定方向に沿って配列された複数の読出用電極が設けられ、照射された放射線を電荷に変換して蓄積・保持すると共に、光が照射されることで、光が照射された箇所にに保持されている電荷量に対応する電荷が、対応する読出用電極を介し電流として出力される構成であってもよい。
【００１８】
また、請求項１記載の発明では、第２画像信号についてのみオフセット補正（及びシェーディング補正）が行われ、第１画像信号にはオフセット補正による補正対象のノイズ成分（個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきに相当するノイズ成分）が重畳していることを考慮すると、第１閾値及び第２閾値は、例えば請求項４に記載したように、第１閾値を第２閾値よりも大きい値に設定することが好ましい。
【００１９】
また、請求項１記載の発明において、第１検出手段及び第２検出手段は、例えば請求項５に記載したように、欠陥ラインの検出に用いる画像信号に対し、ノイズ成分を除去するためのメディアン処理を行った後に欠陥ラインの検出を行うように構成することが好ましい。具体的には、例えば請求項６に記載したように、欠陥ラインの検出に用いる画像信号に対して第１方向のメディアン処理を行い、当該第１方向のメディアン処理を経た画像信号を用いて第１方向と交差する第２方向に延びる欠陥ラインの検出を行うと共に、前記画像信号に対して第２方向のメディアン処理を行い、当該第２方向のメディアン処理を経た画像信号を用いて第１方向に延びる欠陥ラインの検出を行うように構成することができる。このように、メディアン処理の方向と、その後に検出する欠陥ラインの方向を相違させることで、欠陥ラインの検出に悪影響を及ぼすことなく、メディアン処理によって画像信号のノイズ成分を除去又は低減することができ、欠陥ラインの検出精度を更に向上させることができる。
【００２０】
また、請求項１記載の発明において、合成手段によって合成された欠陥ラインの検出結果は、例えば補間演算等による画像信号上の欠陥ラインの補正に用いることができるが、画像信号が表す画像上で欠陥ラインが所定数以上連続していた場合、補間演算等による補正では欠陥ラインを適正に補正することが困難となってくる。これを考慮すると、合成手段を、例えば請求項７に記載したように、第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成した後に、合成後の欠陥ラインの検出結果において、検出された欠陥ラインが予め定められた所定数以上連続していた場合に警告を出力するように構成してもよい。これにより、欠陥ラインが所定数以上連続していた場合に、撮像素子の故障と判断して交換する等、補間演算等による補正以外の別の対策を講ずることも可能となる。
【００２１】
請求項８記載の発明に係る画像処理方法は、光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出すると共に、前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出し、前記第１画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果と前記第２画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果を合成するので、請求項１記載の発明と同様に、隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現することができる。
【００２２】
請求項９記載の発明に係る画像処理プログラムは、コンピュータを、光電変換部が２次元に並び、前記光電変換部が感度を有する所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、前記第１画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第１検出手段、前記所定波長域の光が一様に照射された状態の前記撮像素子から読み出した画像信号に対し、個々の光電変換部毎の暗出力のばらつきを補正するオフセット補正及び個々の光電変換部毎の感度のばらつきを補正するシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、前記第２画像信号が表す画像全体を対象として前記撮像素子の欠陥ラインを検出する第２検出手段、及び、前記第１検出手段による欠陥ラインの検出結果と前記第２検出手段による欠陥ラインの検出結果を合成する合成手段として機能させる。
【００２３】
請求項９記載の発明に係る画像処理プログラムは、コンピュータを、上記の第１検出手段、第２検出手段及び合成手段として機能させるためのプログラムであるので、コンピュータが請求項９記載の発明に係る画像処理プログラムを実行することで、コンピュータが請求項１に記載の画像処理装置として機能することになり、請求項１記載の発明と同様に、隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現することができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように本発明は、所定波長域の光が未照射の状態の撮像素子から読み出した第１画像信号に基づき、第１閾値を用い、画像全体を対象として撮像素子の欠陥ラインを検出すると共に、所定波長域の光が一様に照射された状態の撮像素子から読み出した画像信号に対しオフセット補正及びシェーディング補正を行って得られた第２画像信号に基づき、第２閾値を用い、画像全体を対象として撮像素子の欠陥ラインを検出し、第１画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果と第２画像信号に基づく欠陥ラインの検出結果を合成するようにしたので、隣接欠陥ラインの検出精度の向上を実現できる、という優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態の一例を詳細に説明する。図１には本実施形態に係る放射線画像撮影装置１０が示されている。放射線画像撮影装置１０は、エックス線（Ｘ線）等の放射線を発生する放射線発生部１２と、放射線発生部１２と間隔を隔てて設けられた放射線検出部１４を備えている。放射線発生部１２と放射線検出部１４の間は、撮影時に被写体１６が位置する撮影位置とされ、放射線発生部１２から射出され、撮影位置に位置している被写体１６を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線検出部１４に照射される。
【００２６】
放射線検出部１４は放射線画像検出器を含んで構成されている。放射線画像検出器は、放射線の照射を受けることで導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備え、画像情報を担持している放射線の照射を受けて静電記録部に画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。放射線画像検出器としては、静電記録部に記録した画像情報を、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る光読取方式の放射線画像検出器や、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を１単位領域ずつオンオフすることで読み取る方式（以下、ＴＦＴ方式という）の放射線画像検出器などがある。以下、ＴＦＴ方式の放射線画像検出器を例にその構成を説明する。
【００２７】
図２及び図３に示すように、本実施形態に係る放射線画像検出器２０は、電磁波導電性を示し、バイアス電圧が印加された状態で放射線が入射されることで入射放射線量に応じた電荷を生成する電荷変換層としての光導電層２８を備えている。光導電層２８としては、暗抵抗が高く、放射線照射に対して良好な電磁波導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好適であり、アモルファスＳｅ（ａ−Ｓｅ）膜が用いられている。また、アモルファスＳｅにＡｓ,Ｓｂ,Ｇｅをドープした材料も熱安定性に優れ、好適な材料である。光導電層２８の上層側には、光導電層２８へバイアス電圧を印加するための上部電極としてのバイアス電極２２が設けられている。バイアス電極２２は例えば金（Ａｕ）等の材料で形成され、電極層６０を構成している。
【００２８】
また、光導電層２８の下層には下部電極としての電荷収集電極３６Ａが複数設けられている。複数の電荷収集電極３６Ａは放射線画像検出器２０の全面に亘って（２次元に）配列されており、個々の電荷収集電極３６Ａは、同じく放射線画像検出器２０の全面に亘って各々配列された電荷蓄積容量（コンデンサ）３６Ｃ及びスイッチング素子３６Ｂに各々接続されている（図３参照）。電荷収集電極３６Ａ、スイッチング素子３６Ｂ及び電荷蓄積容量３６Ｃは電荷検出層３６を形成しており、電荷検出層３６はガラス基板３８と共にアクティブマトリックス基板６２を構成している。
【００２９】
また、光導電層２８とバイアス電極２２との間には中間層が設けられている。中間層とは、上部電極と電荷変換層の間に存在する層であり、電荷注入阻止層（電荷蓄積とダイオード形成を包含）を兼ねても良い。電荷注入阻止層としては、抵抗層や絶縁層のほか、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する正孔注入阻止層や、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する電子注入阻止層がある。正孔注入阻止層は、例えばＣｅＯ２,ＺｎＳ,Ｓｂ２Ｓ３を用いて形成することができる。このうちＺｎＳは低温で形成できるので望ましい。電子注入阻止層は、例えばＳｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、ＴｅをドープされたＳｅ,ＣｄＴｅ、有機物系の化合物等を用いて形成することができる。なお、Ｓｂ２Ｓ３は、設けられる位置により正孔注入阻止層として機能させることも電子注入阻止層として機能させることも可能である。本実施形態例ではバイアス電極の極性が正であるため、中間層として正孔注入阻止層２４が設けられている。また、光導電層２８と電荷収集電極３６Ａとの間には電子注入阻止層３２が設けられている。
【００３０】
また、正孔注入阻止層２４と光導電層２８との間、及び、電子注入阻止層３２と光導電層２８との間には、それぞれ結晶化防止層２６，３０が設けられている。結晶化防止層２６，３０は、例えばＧｅＳｅ,ＧｅＳｅ２,Ｓｂ２Ｓｅ３,ａ−Ａｓ２Ｓｅ３や、Ｓｅ−Ａｓ,Ｓｅ−Ｇｅ,Ｓｅ−Ｓｂ系化合物等を用いて形成することができる。
【００３１】
図４及び図５に示す放射線画像検出器２０の１画素は、サイズが０．１ｍｍ×０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程度であり、放射線画像検出器２０全体としては、この画素がマトリクス状に５００×５００〜３０００×３０００画素程度配列されている。図４に示すように、アクティブマトリックス基板６２は、ガラス基板３８上に、ゲート電極４２、電荷蓄積容量電極（以下、Ｃｓ電極と称する）５４、ゲート絶縁膜４６、ドレイン電極４４、チャネル層４８、コンタクト電極５０、ソース電極４０、絶縁保護膜５２、層間絶縁膜５６及び電荷収集電極３６Ａが形成されて構成されている。また、スイッチング素子３６Ｂはゲート電極４２、ゲート絶縁膜４６、ソース電極４０、ドレイン電極４４、チャネル層４８、コンタクト電極５０等にから成り、電荷蓄積容量３６ＣはＣｓ電極５４、ゲート絶縁膜４６、ドレイン電極４４等によって構成されている。
【００３２】
なお、ガラス基板３８としては、例えば無アルカリガラス基板（例えばコーニング社製＃1737等）を用いることができる。また、ゲート電極４２及びソース電極４０は、図５に示すように格子状に配列された電極配線であり、スイッチング素子３６Ｂはその交点に各々形成され、スイッチング素子３６Ｂのソースはソース電極４０に、スイッチング素子３６Ｂのドレインはドレイン電極４４に接続されている（図６も参照）。ソース電極４０は、信号線としての直線部分と、スイッチング素子３６Ｂを構成するための延長部分を備えており、ドレイン電極４４はスイッチング素子３６Ｂと電荷蓄積容量３６Ｃを接続するように設けられている。
【００３３】
ゲート絶縁膜４６はＳｉＮＸやＳｉＯＸ等の材料から成り、ゲート電極４２及びＣｓ電極５４を覆うように設けられている。ゲート絶縁膜４６は、ゲート電極４２上に位置する部分がスイッチング素子３６Ｂにおけるゲート絶縁膜として作用し、Ｃｓ電極５４上に位置する部分は電荷蓄積容量３６Ｃにおける誘電体層として作用する。すなわち、ゲート電極４２と同一層に形成されたＣｓ電極５４とドレイン電極４４との重畳領域が電荷蓄積容量３６Ｃとして機能している。なお、ゲート絶縁膜４６としては、ＳｉＮＸやＳｉＯＸに限らず、ゲート電極４２及びＣｓ電極５４を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することも可能である。
【００３４】
また、チャネル層（ｉ層）４８はスイッチング素子３６Ｂのチャネル部であり、ソース電極４０とドレイン電極４４とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）４１６はソース電極４０とドレイン電極４４とのコンタクトを図る。絶縁保護膜５２は、ソース電極４０上及びドレイン電極４４上、つまり、ガラス基板３８上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）に亘って形成されている。これにより、ドレイン電極４４とソース電極４０とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜５２は、ドレイン電極４４においてＣｓ電極５４と対向している部分の一部にコンタクトホール５８が形成されている。電荷収集電極３６Ａは非晶質透明導電酸化膜から構成されている。電荷収集電極３６Ａはコンタクトホール５８を埋めるようにして形成され、ソース電極４０上及びドレイン電極４４上に積層されている。電荷収集電極３６Ａと光導電層２８とは電気的に導通しており、光導電層２８で発生した電荷は電荷収集電極３６Ａに収集される。層間絶縁膜５６は感光性を有するアクリル樹脂から成り、スイッチング素子３６Ｂの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜５６にはコンタクトホール５８が貫通しており、電荷収集電極３６Ａはドレイン電極４４に接続されている。コンタクトホール５８は、図４に示すように逆テーパ形状に整形されている。
【００３５】
バイアス電極２２とＣｓ電極５４との間には、図示しない高圧電源が接続されている。この高圧電源により、バイアス電極２２とＣｓ電極５４との間に電圧が印加される。これにより、電荷蓄積容量３６Ｃを介してバイアス電極２２と電荷収集電極３６Ａとの間に電界を発生させることができる。このとき、光導電層２８と電荷蓄積容量３６Ｃとは、電気的に直列に接続された構造になっているので、バイアス電極２２にバイアス電圧を印加しておくと、光導電層２８内で電荷（電子−正孔対）が発生する。光導電層２８で発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量３６Ｃに電荷が蓄積される。
【００３６】
ＴＦＴ方式の放射線画像検出器２０では、バイアス電極２２とＣｓ電極５４との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極２２とＣｓ電極５４とを介して光導電層２８に電圧が印加された状態で、光導電層２８に放射線が照射されると、光導電層２８内に電荷（電子−正孔対）が発生する。そして、光導電層２８と電荷蓄積容量３６Ｃとは電気的に直列に接続されているので、光導電層２８内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量３６Ｃに電荷が蓄積される。電荷蓄積容量３６Ｃに蓄積された電荷は、ゲート電極４２への入力信号によってスイッチング素子３６Ｂをオン状態にすることによりソース電極４０を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極４２とソース電極４０とから成る電極配線、スイッチング素子３６Ｂ及び電荷蓄積容量３６Ｃは、全てマトリクス状に設けられているため、信号を入力するゲート電極４２を順次切り替え、個々のソース電極４０からの信号を個々のソース電極４０毎に検知することで、放射線画像検出器２０に入射された放射線の空間分布を表す画像情報を得ることができる。
【００３７】
なお、上述した放射線画像検出器２０は、本発明に係る撮像素子（より詳しくは請求項２，３に記載の撮像素子）に対応している。
【００３８】
放射線検出部１４は、上述した放射線画像検出器２０に加えて、図６に示すゲート線ドライバ７０及び信号処理部７２も備えており、放射線画像検出器２０の個々のゲート電極４２はゲート線ドライバ７０に各々接続され、放射線画像検出器２０の個々のソース電極４０は信号処理部７２に各々接続されている。ゲート線ドライバ７０は制御装置７４（の画像読出制御部８０：後述）に接続されており、放射線画像検出器２０からの画像読出時に、駆動信号（スイッチング素子３６Ｂをオンさせる信号）を供給するゲート電極４２を画像読出制御部８０からの指示に応じて順に切り替えることで、同一のゲート電極に接続された１ライン分の画素（個々の画素はスイッチング素子３６Ｂ及び電荷蓄積容量３６Ｃ等から構成される）を単位として、電荷蓄積容量３６Ｃに蓄積されている電荷の出力を順に行わせる。個々の画素から出力された電荷は、ソース電極４０を介し画像信号として信号処理部７２に入力される。信号処理部７２は増幅器及びＡ／Ｄ変換器を備え（図示省略）、ソース電極４０を介して入力された画像信号を増幅し、デジタルの画像データへ変換して制御装置７４（の画像処理部８２：後述）へ出力する。これにより、放射線画像検出器２０に記録された画像一面分の画像情報が画像データとして全て読み出される。
【００３９】
図１に示すように、放射線発生部１２及び放射線検出部１４は制御装置７４に各々接続されている。制御装置７４は、ＣＰＵ、ＲＡＭ等から成るメモリ、ＨＤＤ(Hard Disk Drive)等から成る不揮発性の記憶部７４Ａ（記憶部７４Ａ以外は図示を省略する）を備えたコンピュータと、このコンピュータに接続された周辺回路を含んで構成されており、不揮発性の記憶部に記憶された所定のプログラムがコンピュータのＣＰＵによって実行され、コンピュータと周辺回路が協働することで、放射線発生部１２における放射線の発生を制御する放射線発生制御部７８として機能すると共に、放射線画像検出器２０からの画像情報の読み出しを制御する画像読出制御部８０として機能する。なお、制御装置７４には、放射線画像を表示するためのディスプレイ７６も接続されている。
【００４０】
また、制御装置７４の不揮発性の記憶部７４Ａには画像処理プログラムも記憶されており、当該画像処理プログラムがＣＰＵによって実行されることで、制御装置７４は図３に示す画像処理部８２としても機能する。なお、上記の画像処理プログラムは本発明に係る画像処理プログラムに対応しており、当該画像処理プログラムが実行されることで実現される画像処理部８２は本発明に係る画像処理装置に対応している。
【００４１】
次に本実施形態の作用として、画像処理部８２によって実現される処理について説明する。画像処理部８２は、画像読出制御部８０によって放射線画像検出器２０から読み出された画像データが入力されると、入力された画像データに対してオフセット補正、シェーディング補正及び欠陥画素補正を順に行い、各補正を経た画像データをディスプレイ７６へ出力することで、当該画像データが表す放射線画像をディスプレイ７６に表示させる。以下、画像処理部８２が行う上記各補正について順に説明する。
【００４２】
放射線画像検出器２０から読み出した画像データは、放射線画像検出器２０に放射線が照射されていない（すなわち各画素の電荷蓄積容量３６Ｃに電荷が蓄積されておらず画像情報が記録されていない）状態であっても、各画素毎の値にばらつきが生じている（各画素の値に加わっているオフセットがばらついている）。オフセット補正はこのばらつきを補正するものであり、各画素毎のオフセット（暗出力）の大きさを表すオフセット補正用データ（図７も参照）を予め生成して記憶部７４Ａに記憶しておき、放射線画像検出器２０から画像情報を含む画像データが読み出されて入力されると、当該画像データの各画素の値から、オフセット補正用データが表す各画素毎のオフセット分を各々減ずることによって成される。これにより、放射線画像検出器２０の各画素毎のオフセット（暗出力）のばらつきに起因する放射線画像の画質劣化を補正することができる。
【００４３】
上記のオフセット補正用データは、放射線が照射されていない状態の放射線画像検出器２０から画像データを複数回読み出し（図７では、この複数回の読み出しによって得られた複数の画像データを、図７の左上に"0mR画像データ(Ｘ線非照射)"と表記した複数のブロックで示している）、複数回の読み出しで得られた複数の画像データの平均値を各画素毎に演算する（図７のステップ１００も参照）ことによって得られ、演算後の画像データがオフセット補正用データとして記憶部７４Ａに記憶される。オフセット補正用データの生成は定期的に（例えば日々の始業時に）行われる。
【００４４】
また、放射線画像検出器２０の各画素の中には、例えば放射線が繰り返し照射されることに伴う劣化等により、照射放射線量と蓄電部３０に蓄積される潜像極性電荷の量との関係（光電変換特性）の傾きが画素によってばらつくことがある。シェーディング補正は、この光電変換特性のばらつきを補正するものであり、各画素毎の光電変換特性のばらつきを補正するためのゲインを定めたシェーディング補正用データ（図７も参照）を予め生成して記憶部７４Ａに記憶しておき、放射線画像検出器２０から読み出された画像情報を含む画像データに対し、前述のオフセット補正を行った後に、オフセット補正を経た画像データの各画素毎の値に、シェーディング補正用データが表す各画素毎のゲインを各々乗ずることによって成される。これにより、放射線画像検出器２０の各画素毎の光電変換特性のばらつきに起因する放射線画像の画質劣化を補正することができる。
【００４５】
上記のシェーディング補正データは、撮影位置に被写体１６が存在していない状態で、放射線発生部１２によって一定レベル（例えば10mR）の放射線を発生させ、放射線画像検出器２０の全面に一定レベルの放射線を一様に照射させた後に、放射線画像検出器２０から画像データを読み出すことを複数回行い（図７では、この複数回の読み出しによって得られた複数の画像データを、図７の上側中央に"10mR画像データ(Ｘ線一様照射)"と表記した複数のブロックで示している）、複数回の読み出しで得られた複数の画像データの平均値を各画素毎に演算し（図７のステップ１０２も参照）、演算によって得られた画像データ（図７に示す"10mR平均画像データ"）に対して前述のオフセット補正を行い、オフセット補正を経た画像データにおける各画素毎の値のばらつき（このときの値のばらつきは各画素毎の光電変換特性のばらつきに起因する）に基づき、各画素毎の光電変換特性のばらつきを補正するためのゲインを演算する（図７のステップ１０４も参照）ことによって得られる。シェーディング補正用データの生成もオフセット補正用データの生成と同様に定期的に（例えば日々の始業時に）行われる。
【００４６】
また、放射線画像検出器２０の各画素の中には、例えば放射線が繰り返し照射されることに伴う劣化や、放射線画像検出器２０の電荷蓄積容量３６Ｃからスイッチング素子３６Ｂ、ソース電極４０、信号処理部７２を経て画像処理部８２へ至る電気回路、或いはゲート線ドライバ７０からゲート電極４２を経てスイッチング素子３６Ｂへ至る電気回路の接触不良等を原因として、電荷蓄積容量３６Ｃに蓄積される電荷の量に応じた電気信号が出力されない画素、すなわち欠陥画素が生ずることがある。欠陥画素補正は、この欠陥画素の出力（値）を画像データ上で補正するものである。
【００４７】
欠陥画素補正では、放射線画像検出器２０の欠陥画素を予め検出し、検出した個々の欠陥画素の位置を表す欠陥画素情報（欠陥画素マップ）を記憶部７４Ａに記憶しておき、放射線画像検出器２０から読み出された画像情報を含む画像データに対し、前述のオフセット補正及びシェーディング補正を順に行った後に、オフセット補正及びシェーディング補正を経た画像データの各画素のうち、欠陥画素情報に基づいて認識した個々の欠陥画素の値を、個々の欠陥画素の周囲に存在する複数の非欠陥画素の値から補間によって各々求め、個々の欠陥画素の値を補間によって求めた値に置き換えることによって成される。これにより、放射線画像検出器２０の欠陥画素に起因する放射線画像の画質劣化を補正することができる。
【００４８】
上記のように、放射線画像検出器２０から読み出された画像情報を含む画像データに対し、オフセット補正、シェーディング補正及び欠陥画素補正を順に行った後にディスプレイ７６へ出力することで、放射線画像検出器２０の各画素毎のオフセット（暗出力）のばらつきや、各画素毎の光電変換特性のばらつき、欠陥画素に起因する画質劣化が補正された、高画質の放射線画像をディスプレイ７６に表示させることができる。なお、上記の各補正に加えて後述するメディアン減算等の他の処理も行った画像データをディスプレイ７６に出力・表示させるようにしてもよい。また、ディスプレイ７６に表示させることに代えて、フラッシュメモリやその他の情報記録媒体に画像データを記録させたり、プリンタ等の記録装置によってシート状の記録材料に画像として記録させる等の処理を行うようにしてもよい。
【００４９】
ところで、放射線画像検出器２０における画素欠陥は、単一又は少数の欠陥画素が点状に分布して成る画素欠陥（点欠陥）と、複数の欠陥画素が直線状に分布して成る画素欠陥（線欠陥）に大別されるが、このうち線欠陥は点欠陥と比較して周囲の画素との輝度等の差が小さくても視認され易く、また線欠陥が生じているライン（欠陥ライン）に隣接するラインが、欠陥ラインの影響を受けて正常ラインと異なる特性へ変化してしまうこともある。このため、本実施形態では以下に説明する欠陥ライン抽出処理を行い、当該処理によって抽出された欠陥ラインの情報を欠陥画素情報（欠陥画素マップ）として記憶部７４Ａに記憶している。なお、欠陥ライン抽出処理は前述したオフセット補正データやシェーディング補正データの生成と同様に定期的に（例えば日々の始業時に）行われる。また、本実施形態では、以下で説明する欠陥ライン抽出処理と別に、点欠陥を検出し検出結果を欠陥画素情報（欠陥画素マップ）として記憶部７４Ａに記憶する点欠陥抽出処理も行われるが、この点欠陥抽出処理については説明を省略する。
【００５０】
本実施形態に係る欠陥ライン抽出処理では、まず欠陥ラインの検出に用いる画像データを取得する処理が行われる。この処理では、撮影位置に被写体１６が存在していない状態で、放射線発生部１２によって一定レベル（但し、シェーディング補正用データ取得時よりは低レベル（例えば放射線量が１／２))の放射線を発生させ、放射線画像検出器２０の全面に一定レベルの放射線を一様に照射させた後に、放射線画像検出器２０から画像データを読み出すことを複数回行い（図７では、この複数回の読み出しによって得られた複数の画像データを、図７の右上に"5mR画像データ(Ｘ線一様照射)"と表記した複数のブロックで示している）、複数回の読み出しで得られた複数の画像データの平均値を各画素毎に演算し（図７のステップ１０６も参照）、演算によって得られた画像データ（図７に示す"5mR平均画像データ"）に対して前述のオフセット補正、シェーディング補正が順次行われる。これにより、欠陥ライン検出用画像データ（図７も参照）が得られる。
【００５１】
本実施形態に係る欠陥ライン抽出処理では、上記処理によって得られた欠陥ライン検出用画像データ（本発明に係る第２画像信号に相当）及びオフセット補正を行うためのオフセット補正データ（本発明に係る第１画像信号に相当）を対象として、欠陥ラインを検出する欠陥ライン検出処理が各々行われる（図７のステップ１０８、１１０も参照）。個々の欠陥ライン検出処理では、それぞれ図８に示す処理が行われる。なお、図８では、上記の欠陥ライン検出用画像データ及びオフセット補正データを「欠陥ライン検出対象の画像データ」と表記している。なお、図７のステップ１０８の欠陥ライン検出処理は本発明に係る第１検出手段（より詳しくは請求項５，６に記載の第１検出手段）に、図７のステップ１１０の欠陥ライン検出処理は本発明に係る第２検出手段（より詳しくは請求項５，６に記載の第２検出手段）に各々対応している。
【００５２】
図８に示す欠陥ライン検出処理では、欠陥ライン検出対象の画像データに対し、ノイズを除去するための２次元のメディアン処理を行う（図８のステップ１２０）。この２次元のメディアン処理は、放射線画像検出器２０における点欠陥の許容最大サイズ（幅及び長さ）を画素数換算でS_dとしたときに、(2×S_d＋1)画素×(2×S_d＋1)画素のサイズのメディアンフィルタを用い、欠陥ライン検出対象の画像データの各画素の値を、各画素の位置が中心となるように配置したメディアンフィルタの範囲内に入る複数画素((2×S_d＋1)×(2×S_d＋1)個の画素)の中央値で置き換えることによって行われる。これにより、欠陥ライン検出対象の画像データから点欠陥等のノイズが除去される。
【００５３】
また、２次元のメディアン処理を経た画像データから画像の中央部に相当する複数画素の値を抽出し、抽出した複数画素の値の平均値を中央部平均値Q_aveとして演算する（図８のステップ１２２）。本実施形態では、中央部平均値Q_aveに対する欠陥ライン検出のための閾値の偏差αが予め設定されており、この偏差αを読み出し、演算した中央部平均値Q_aveに偏差αを加算することで上限閾値（＝Q_ave＋α）を演算すると共に、中央部平均値Q_aveから偏差αを減算することで下限閾値（＝Q_ave−α）を演算する（図８のステップ１２４）。なお、上記の偏差αは、詳しくは、欠陥ライン検出対象がオフセット補正データの場合の偏差α１（本発明に係る第１閾値に相当）と、欠陥ライン検出対象が欠陥ライン検出用画像データの場合の偏差α２（本発明に係る第２閾値に相当）が別々に設定されており、偏差α１＞偏差α２とされている（この偏差α１,α２の大小関係は請求項４記載の発明に対応している）。オフセット補正データを欠陥ライン検出対象とする欠陥ライン検出処理（図７のステップ１０８）では、偏差α１が読み出されて上限閾値及び下限閾値の演算が行われ、欠陥ライン検出用画像データを欠陥ライン検出対象とする欠陥ライン検出処理（図７のステップ１１０）では、偏差α２が読み出されて上限閾値及び下限閾値の演算が行われる。
【００５４】
一方、図８に示す欠陥ライン検出処理では、欠陥ライン検出対象の画像データに対して横方向（例えばゲート電極４２の延びる方向、以下では便宜上、ゲート電極４２の延びる方向を横方向、ソース電極４２の延びる方向を縦方向と称する）に沿った１次元のメディアン処理も行う（図８のステップ１２６）。この横方向のメディアン処理は、(2×S_d＋1)画素×１画素のサイズのメディアンフィルタを用い、欠陥ライン検出対象の画像データの各画素の値を、横方向に向けると共に各画素の位置が中心となるように配置したメディアンフィルタの範囲内に入る複数画素((2×S_d＋1)個の画素)の中央値で置き換えることによって行われる。これにより、欠陥ライン検出対象の画像データから縦方向に沿った線欠陥等のノイズが除去された画像データ（図８に示す横メディアン処理画像データ）が得られる。
【００５５】
次に、横メディアン処理を経た画像データ上で横方向に延びる各ラインのうち、線欠陥が含まれていると判断できる横欠陥ラインを検出する横欠陥ライン検出処理を行う（図８のステップ１２８）。これは、例えば横方向に延びる各ラインについて、ライン上の全画素の値の平均値を各々演算し、演算した平均値が先に演算した上限閾値以下かつ下限閾値以上か否かを判断することで行うことができる。そして演算した平均値が上限閾値よりも大きいか、又は下限閾値未満と判断したラインを横欠陥ラインとして明示した横欠陥ラインマップ（図８参照）を生成する。なお、横欠陥ラインマップとしては、例えば横メディアン処理画像データのうち、横欠陥ラインと判断したラインの全画素に、横欠陥ライン上の画素であることを明示する所定の情報を各々付加した画像データを適用することができる。
【００５６】
更に、図８に示す欠陥ライン検出処理では、欠陥ライン検出対象の画像データに対して縦方向に沿った１次元のメディアン処理も行う（図８のステップ１３０）。この縦方向のメディアン処理についても (2×S_d＋1)画素×１画素のサイズのメディアンフィルタを用い、欠陥ライン検出対象の画像データの各画素の値を、縦方向に向けると共に各画素の位置が中心となるように配置したメディアンフィルタの範囲内に入る複数画素((2×S_d＋1)個の画素)の中央値で置き換えることによって行われる。これにより、欠陥ライン検出対象の画像データから横方向に沿った線欠陥等のノイズが除去された画像データ（図８に示す縦メディアン処理画像データ）が得られる。
【００５７】
次に、縦メディアン処理を経た画像データ上で縦方向に延びる各ラインのうち、線欠陥が含まれていると判断できる縦欠陥ラインを検出する縦欠陥ライン検出処理を行う（図８のステップ１３２）。これは、例えば縦方向に延びる各ラインについて、ライン上の全画素の値の平均値を各々演算し、演算した平均値が先に演算した上限閾値以下かつ下限閾値以上か否かを判断することで行うことができる。そして演算した平均値が上限閾値よりも大きいか、又は下限閾値未満と判断したラインを縦欠陥ラインとして明示した縦欠陥ラインマップ（図８参照）を生成する。なお、縦欠陥ラインマップについても、例えば縦メディアン処理画像データのうち、縦欠陥ラインと判断したラインの全画素に、縦欠陥ライン上の画素であることを明示する所定の情報を各々付加した画像データを適用することができる。
【００５８】
上記のようにして縦欠陥ラインマップ及び横欠陥ラインマップを生成すると、生成した縦欠陥ラインマップと横欠陥ラインマップを合成し、欠陥ラインマップを生成するマップ合成処理を行う（図８のステップ１３４）。このマップ合成処理は、例えば縦欠陥ラインマップ及び横欠陥ラインマップのうちの少なくとも一方のマップで縦欠陥ライン又は横欠陥ライン上であることが明示されている画素について、欠陥ライン上の画素であることを明示した所定の情報を付加した画像データ（欠陥ラインマップ）を生成することで行うことができる。
【００５９】
オフセット補正データ及び欠陥ライン検出用画像データに対し、上述した欠陥ライン検出処理を各々行って欠陥ラインマップを各々生成すると、これらの欠陥ラインマップを合成する処理を行う（図７のステップ１１２）。そして、この合成処理によって得られた新たな欠陥ラインマップは、別に行われた点欠陥の検出結果と更に合成された後に、欠陥画素情報（欠陥画素マップ）として記憶部７４Ａに記憶され、先に説明した欠陥画素補正に用いられる。なお、図７のステップ１１２の合成処理は本発明に係る合成手段に対応している。
【００６０】
なお、上記の合成処理によって得られる欠陥ラインマップ上で、連続する複数ラインが欠陥ラインと判断されていることがあるが、欠陥ラインが一定数以上連続している場合、放射線画像検出器２０から読み出された画像情報を含む画像データに対して欠陥画素補正を行ったとしても、欠陥画素補正等を経た放射線画像のうち、一定数以上連続している欠陥ラインに対応する箇所が不自然な仕上がりとなってしまうことがある。このため、上記の欠陥ラインマップ合成処理（図７のステップ１１２）において、生成した欠陥ラインマップ上で欠陥ラインがｎライン（例えば３ライン）以上連続しているか否かを判定し、判定が肯定された場合はオペレータに対して警告を発することが好ましい。これにより、前記警告が発せられた場合に、オペレータは放射線画像検出器２０の故障と判断し、放射線画像検出器２０を交換する等の対策を講ずることができる。なお、上記事項は請求項７記載の発明に対応している。
【００６１】
上述したように、本実施形態に係る欠陥ライン抽出処理では、オフセット補正データに対し、予め設定された偏差α１から演算した上限閾値及び下限閾値を用いて欠陥ラインを検出すると共に、欠陥ライン検出用画像データに対し、予め設定された偏差α２から演算した上限閾値及び下限閾値を用いて欠陥ラインを検出し、それぞれの欠陥ラインの検出結果を合成して欠陥ラインマップを生成しているので、放射線画像検出器２０に欠陥ラインが存在しており、かつ当該欠陥ラインに隣接するラインの値が、欠陥ライン検出用画像データ上で正常ラインの値（中央部平均値Q_ave）と偏差α２以上相違している隣接欠陥ラインであった場合には、当該隣接欠陥ラインが欠陥ライン検出用画像データを用いた欠陥ライン検出処理により欠陥ラインとして検出され、放射線画像検出器２０に欠陥ラインが存在しており、かつ当該欠陥ラインに隣接するラインが図１１(Ａ),(Ｂ)のような特性を示す隣接欠陥ラインであった場合には、当該隣接欠陥ラインがオフセット補正データを用いた欠陥ライン処理により欠陥ラインとして検出される。従って、放射線画像検出器２０の欠陥ラインのみならず、隣接欠陥ラインも精度良く検出することができる。
【００６２】
なお、図８に示す欠陥ライン検出処理では、１次元のメディアン処理を経た画像データ（横メディアン処理画像データ又は縦メディアン処理画像データ）に対して縦欠陥ライン又は横欠陥ラインの検出を行っているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例として図９に示すように、１次元のメディアン処理を経た画像データ（横メディアン処理画像データ又は縦メディアン処理画像データ）を元の画像データ（欠陥ライン検出対象の画像データ）から各画素毎に減算するメディアン減算を行った画像データを対象として、縦欠陥ライン又は横欠陥ラインの検出を行うようにしてもよい。
【００６３】
また、欠陥ライン検出処理として、図１０に示すように、欠陥ライン検出対象の画像データに対し、欠陥ライン検出用の閾値（この閾値も欠陥ライン検出対象の画像データがオフセット補正データか欠陥ライン検出用画像データかに応じて相違する）による二値化を行って欠陥画素を抽出し（図１０のステップ１４０）、二値化後の画像データにおける縦横の全ラインについて、１ラインの全画素中の欠陥画素の比率が一定値以上のラインを欠陥ラインと判定する一方、１ラインの全画素中の欠陥画素の比率が一定値未満のラインを非欠陥ラインと判定し（図１０のステップ１４２）、判定結果に従って欠陥ラインマップを生成する処理を行うようにしてもよい。
【００６４】
また、上記では本発明に係る撮像素子として、ＴＦＴ方式の放射線画像検出器２０を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明に係る撮像素子は、光読取方式の放射線画像検出器等、他の構成の放射線画像検出器であってもよい。また本発明は、欠陥ラインに隣接するラインが、欠陥ラインの影響を受けて正常ラインと異なる特性へ変化してしまう特性を有する撮像素子が好適であるが、その他の撮像素子（例えばＣＣＤ等）にも適用可能である。
【００６５】
また、上記では本発明に係る画像処理プログラムが記憶部７４Ａに予め記憶（インストール）されている態様を説明したが、本発明に係る画像処理プログラムは、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に記録されている形態で提供することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】ＴＦＴ方式の放射線画像検出器の全体構成を示す概略図である。
【図３】図２の放射線画像検出器の要部構成を示す概略図である。
【図４】放射線画像検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。
【図５】図４の平面図である。
【図６】放射線画像検出器に接続される周辺回路を示す概略図である。
【図７】欠陥ライン抽出処理の内容を示す概略図である。
【図８】欠陥ライン検出処理の内容の一例を示す概略図である。
【図９】欠陥ライン検出処理の内容の他の例を示す概略図である。
【図１０】欠陥ライン検出処理の内容の他の例を示す概略図である。
【図１１】欠陥ライン及び隣接欠陥ラインの特性の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０  放射線画像撮影装置
１２  放射線発生部
１４  放射線検出部
２０  放射線画像検出器
７４  制御装置
８２  画像処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2009011566.tif 000006
【図５】
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【図６】
2009011566.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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