(57)【要約】【課題】タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供する。  【解決手段】真空排気可能なチャンバー１と、チャンバー１の内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタ１１，２１とを備える。チャンバー１の上部の一部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、処理室４が定義され、チャンバー１の上部の他の一部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、ロードロック室７が定義される。第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかをロードロック室７側から処理室４側に、相補的に第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかを、処理室４側からロードロック室７側に搬送し、第１及び第２のサセプタ１１，２１上に載置された被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜ｃを、処理室４において順次処理する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能なチャンバーと、
前記チャンバーの内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタと、
前記第１及び第２のサセプタを搬送する搬送機構
とを備え、前記チャンバーの上部の一部がなす領域の直下を前記第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより、前記チャンバーの上部の一部とで閉じた空間を設け、前記チャンバーの上部の一部に処理室を定義し、
前記チャンバーの上部の他の一部がなす領域の直下を、前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより、前記チャンバーの上部の他の一部とで閉じた空間を設け、前記チャンバーの上部の他の一部に、前記チャンバー内を真空に維持した状態で前記複数の被処理基板を順次出し入れするロードロック室を定義し、
前記第１及び第２のサセプタのいずれかを前記ロードロック室側から前記処理室側に、相補的に前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかを、前記処理室側から前記ロードロック室側に搬送する操作を前記搬送機構が繰り返すことにより、前記第１及び第２のサセプタ上に載置された複数の被処理基板を、前記処理室において順次処理することを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記搬送機構が、
前記第１及び第２のサセプタを加熱する加熱部と、
前記第１及び第２のサセプタをそれぞれ昇降させる第１及び第２の昇降部と、
前記第１及び第２のサセプタを載置し、前記第１及び第２のサセプタが、前記チャンバーの上部の一部がなす領域の直下、及び前記チャンバーの上部の他の一部がなす領域の直下に、交互に位置するように回転する回転体と、
前記回転体を回転させる回転軸
とを備えることを特徴とする請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の昇降部が、前記第１及び第２のサセプタを同時に昇降させることを特徴とする請求項２に記載の真空装置。
【請求項４】
前記第１及び第２のサセプタが上昇して、前記チャンバーの上部の一部がなす領域の直下を前記第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切り、
前記チャンバーの上部の他の一部がなす領域の直下を、前記第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空装置に係り、特に加熱部（ヒータ）を有する真空装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学気相成長（ＣＶＤ）装置等の真空装置が半導体製造プロセス等で用いられる。真空装置では、被処理基板を加熱し成膜プロセス等の処理が行われる（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
真空装置は、処理室と、処理室の手前に配置されたロードロック室を備える。ロードロック室には基板加熱用のヒータが設けられ、処理室には基板保温用のヒータが設けられている。
【０００４】
被処理基板は基板トレイ（均熱板）上に載置され、基板トレイの移動により搬送、処理、回収の一連の処理が行われる。基板トレイがロードロック室に搬入されると、被処理基板は基板加熱用のヒータにより加熱される。被処理基板が設定温度（成膜プロセス温度）まで加熱されると、放電の発生を防止する等の理由で基板加熱用のヒータをオフし、基板トレイが処理室に搬送される。処理室では、基板保温用のヒータにより被処理基板の温度を設定温度に維持した状態で成膜プロセスが行われる。一方、新たに基板トレイがロードロック室に搬送されると、基板加熱用のヒータが再度オンされ、ヒータが昇温して被処理基板が加熱される。
【０００５】
しかしながら、基板トレイがロードロック室に搬入される度に基板加熱用のヒータのオン・オフを繰り返していると、基板トレイの昇温及び降温に時間がかかる。よって、タクトタイムが基板トレイの昇温時間及び降温時間で律速する場合、タクトタイムの短縮つまりは生産量の向上が困難である。
【特許文献１】特開平５−２９５５５１号公報
【特許文献２】特開２００１−２３９１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、真空排気可能なチャンバーと、複数の被処理基板をそれぞれ載置して、チャンバーの内部において移動可能に設けられた第１及び第２のサセプタと、第１及び第２のサセプタを搬送する搬送機構とを備える真空装置が提供される。この本発明の一態様による真空装置では、チャンバーの上部の一部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタのいずれかが仕切ることにより、チャンバーの上部の一部とで閉じた空間を設け、チャンバーの上部の一部に処理室が定義され、チャンバーの上部の他の一部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタの他のいずれかが仕切ることにより、チャンバーの上部の他の一部とで閉じた空間を設け、チャンバーの上部の他の一部に、チャンバー内を真空に維持した状態で複数の被処理基板を順次出し入れするロードロック室が定義される。そして、第１及び第２のサセプタのいずれかをロードロック室側から処理室側に、相補的に第１及び第２のサセプタの他のいずれかを、処理室側からロードロック室側に搬送する操作を搬送機構が繰り返すことにより、第１及び第２のサセプタ上に載置された複数の被処理基板を、処理室において順次処理する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、タクトタイムを短縮でき、生産量を増大させることが可能な真空装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものである。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
（真空装置）
本発明の実施の形態に係る真空装置は、図１に示すように、真空排気可能なチャンバー１と、複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃをそれぞれ載置して、チャンバー１の内部において移動可能に設けられた第１のサセプタ１１及び第２のサセプタ２１と、第１サセプタ１１及び第２のサセプタ２１を搬送する搬送機構８を備える。本発明の実施の形態に係る真空装置では、チャンバー１の上部の一部がなす領域の直下を第１のサセプタ１１及び第２のサセプタ２１のいずれかが仕切ることにより、チャンバー１の上部の一部とで閉じた空間を設け、チャンバー１の上部の一部に処理室４が定義され、チャンバー１の上部の他の一部がなす領域の直下を、第１のサセプタ１１及び第２のサセプタ２１の他のいずれかが仕切ることにより、チャンバー１の上部の他の一部とで閉じた空間を設け、チャンバー１の上部の他の一部に、チャンバー１内を真空に維持した状態で複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃを順次出し入れするロードロック室７が定義される。そして、第１サセプタ１１及び第２のサセプタ２１のいずれかをロードロック室７側から処理室４側に、相補的に第１サセプタ１１及び第２のサセプタ２１の他のいずれかを、処理室４側からロードロック室７側に搬送する操作を搬送機構が繰り返すことにより、第１サセプタ１１及び第２のサセプタ２１上に載置された複数の被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃを、処理室４において順次処理する。
【００１１】
本発明の実施の形態に係る真空装置としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）又はポリシリコン膜等を成膜する化学気相成長（ＣＶＤ）装置等が採用できる。
【００１２】
被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃとしては、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン（Ｓｉ）等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃとして用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００１３】
処理室４にはプラズマ放電のための電極５が配置されている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が上記のＣＶＤ装置の例では、処理室４には、図示を省略するが、処理室４内に成膜ガスやパージガス等の種々のガスを供給するためのガス供給部や、処理室４の温度を検出する温度センサ等の成膜プロセスに必要な部材が備えられている。又、本発明の実施の形態に係る真空装置が分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）装置ならばクヌーセンセルが、スパッタリング装置ならば放電電極が、真空蒸着装置ならば電子ビーム（ＥＢ）装置等が処理室４に備えられている。
【００１４】
第１及び第２のサセプタ１１，２１が上昇して、Ｏリング６２，４１を介してチャンバー１にそれぞれ接続し、チャンバー１の上部の一部及びチャンバー１の上部の他の一部にそれぞれ、閉じた空間を設けるように仕切ることにより、チャンバー１の上部の一部に処理室４を定義し、チャンバー１の上部の他の一部にロードロック室７を定義する。
【００１５】
チャンバー１及び処理室４内は常に真空に維持されている。図示を省略しているが、チャンバー１及び処理室４の少なくともいずれかにはターボ分子ポンプ、クライオポンプ又はメカニカルポンプ等のチャンバー１及び処理室４内を真空排気する真空ポンプが設けられている。なお、処理室４及びチャンバー１の双方にそれぞれ真空ポンプを設け、処理室４及びチャンバー１内を個々に真空排気しても良い。
【００１６】
ロードロック室７は、チャンバー１を大気に開放しないよう被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃを出し入れする機構を備える。ロードロック室７は、Ｏリング６１を介してチャンバー１と接続する開閉可能な蓋６を備える。又、ロードロック室７には、図示を省略するが、ロードロック室７内を真空排気する真空ポンプが接続されている。
【００１７】
第１のサセプタ１１は、図１及び図２に示すように、被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉを載置する。又、第２のサセプタ２１は、被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉを載置する。第１及び第２のサセプタ１１，２１のそれぞれは、例えばカーボンからなる均熱板である。
【００１８】
なお、図２では便宜上、第１のサセプタ１１に９つの被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉが載置され、第２のサセプタ２１に９つの被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉが載置された場合を図示しているが、第１及び第２のサセプタ１１，２１の表面のサイズ、第１及び第２のサセプタ１１，２１に載置する被処理基板のサイズ及び枚数は特に限定されない。
【００１９】
図１に示した搬送機構８は、第１のサセプタ１１を介して被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉを加熱する第１の加熱部（ヒータ）１２と、第１のサセプタ１１及び第１の加熱部１２を保持する第１の保持部１３と、第２のサセプタ２１を介して被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉを加熱する第２の加熱部（ヒータ）２２と、第２のサセプタ２１及び第２の加熱部２２を保持する第２の保持部２３と、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ昇降させる第１及び第２の昇降部１４，２４と、第１及び第２のサセプタ１１，２１を載置し、第１及び第２のサセプタ１１，２１がロードロック室７及び処理室４直下に順次位置するように回転する回転体３と、回転体３を回転させる回転軸２を備える。
【００２０】
第１及び第２の加熱部１２，２２は、第１及び第２のサセプタ１１，２１のそれぞれを、常に設定温度（成膜プロセス温度）に保持する。第１及び第２の加熱部１２，２２としては、プレートヒータやランプヒータ等が使用可能である。回転体３には第１及び第２の保持部１３，２３が貫通する大きさの開口部が設けられている。回転体３を回転させる際には、回転体３の上面に第１及び第２のサセプタ１１，２１が載置される。そして、第１及び第２の保持部１３，２３が第１及び第２のサセプタ１１，２１と分離し、第１及び第２の加熱部１２，２２、第１及び第２の保持部１３，２３が回転体３よりも下方に退避される。
【００２１】
第１の昇降部１４は、第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかを、第１の加熱部１２及び第１の保持部１３とともに回転体３上からロードロック室７の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第２の昇降部２４は、第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかを、第２の加熱部２２及び第２の保持部２３とともに回転体３上から処理室４の下部までの間をそれぞれ昇降させる。第１及び第２の昇降部１４，２４は、第１及び第２のサセプタ１１，２１を同時に昇降させてもよく、個別に昇降させることも可能である。
【００２２】
（真空装置の動作方法）
次に、本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法を、図３のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２３】
（イ）ステップＳ１１において、図４に示すように、第１の昇降部１４を駆動して第１のサセプタ１１を上昇させる。第１のサセプタ１１がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。ロードロック室７内を大気圧に戻した後、図５に示すように、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて第１のサセプタ１１に被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃを載置する。その後、蓋６を閉じ、ロードロック室７内が真空排気される。第１の加熱部１２は常時オンしており、第１の加熱部１２により第１のサセプタ１１を介して被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃは加熱され設定温度（成膜プロセス温度）まで瞬時に昇温される。
【００２４】
（ロ）ステップＳ１２において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図６に示すように、第１の昇降部１４を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバー１に導入する。第１のサセプタ１１が回転体３上まで降下した後、図７に示すように、回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１が処理室４及びロードロック室７直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図８に示すように、第１及び第２の昇降部１４，２４を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１を同時にそれぞれ上昇させる。この結果、第１のサセプタ１１がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、第２のサセプタ２１がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００２５】
（ハ）ステップＳ１３において、処理室４において被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃに対して成膜プロセスが行われる。処理室４内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃは予め設定温度（成膜プロセス温度）まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第１の加熱部１２により被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃの温度が設定温度（成膜プロセス温度）に保持される。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ１４において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、図９に示すようにロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて第２のサセプタ２１に被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃを載置する。その後、蓋６を閉じ、ロードロック室７内が真空排気される。このとき、第２の加熱部２２は常時オンしており、第２の加熱部２２により第２のサセプタ２１を介して被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃは加熱され設定温度（成膜プロセス温度）まで瞬時に昇温する。
【００２６】
（ニ）ステップＳ１５において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図１０に示すように、第１の昇降部１４を駆動して第２のサセプタ２１を降下させ、第２のサセプタ２１を予め真空排気されたチャンバー１に導入する。一方、処理室４側では、成膜プロセスが終了した後、第２の昇降部２４を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバー１に導入する。第１及び第２のサセプタ１１，２１がそれぞれ回転体３上まで降下した後、図１１に示すように回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１がロードロック室７及び処理室４直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図１２に示すように、第１及び第２の昇降部１４，２４を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ上昇させる。第２のサセプタ２１がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、第１のサセプタ１１がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００２７】
（ホ）ステップＳ１６において、処理室４において被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対して成膜プロセスが行われる。処理室４内は予め所定圧力まで真空排気されている。被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃは予め設定温度（成膜プロセス温度）まで昇温されているので直ちに処理を開始することができる。成膜プロセス中は第２の加熱部２２により被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃの温度が設定温度（成膜プロセス温度）に保持される。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ１７において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃを回収する。ステップＳ１８において、未処理の被処理基板があれば、ステップＳ１９において、図示を省略した移載機を用いて図１３に示すように第１のサセプタ１１に未処理の被処理基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃを載置する。
【００２８】
（ヘ）ステップＳ２０において、ロードロック室７内が所定圧力となったら、図１４に示すように、第１の昇降部１４を駆動して第１のサセプタ１１を降下させ、第１のサセプタ１１を予め真空排気されたチャンバー１に導入する。一方、処理室４側では、成膜プロセスが終了した後、第２の昇降部２４を駆動して第２のサセプタ２１を降下させ、第２のサセプタ２１を予め真空排気されたチャンバー１に導入する。第１及び第２のサセプタ１１，２１がそれぞれ回転体３上まで降下した後、図１５に示すように回転体３を回転させ、第１及び第２のサセプタ１１，２１が処理室４及びロードロック室７直下にそれぞれ位置するように、第１及び第２のサセプタ１１，２１を水平移動させる。その後、図１６に示すように、第１及び第２の昇降部１４，２４を駆動して、第１及び第２のサセプタ１１，２１をそれぞれ上昇させる。第１のサセプタ１１がＯリング４１を介して処理室４の下部に接続し、処理室４が密閉される。又、第２のサセプタ２１がＯリング６２を介してロードロック室７の下部に接続し、ロードロック室７が密閉される。
【００２９】
（ト）処理室４側では、ステップＳ１３に戻り、処理室４内が所定圧力まで真空排気された後、被処理基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃが加熱部により所定温度に保持されて成膜プロセスが行われる。一方、ロードロック室７側では、ステップＳ２１において、ロードロック室７内が大気圧に戻された後、ロードロック室７の蓋６を開け、図示を省略した移載機を用いて被処理基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃを回収する。ステップＳ２２において、未処理の被処理基板があれば、ステップＳ１４に戻り、移載機を用いて第１のサセプタ１１に未処理の被処理基板を載置する。こうして処理室４における成膜処理を順次繰り返し、所定のロット数の成膜処理を行う。
【００３０】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、第１及び第２のサセプタ１１，２１は常に加熱されているので、第１及び第２のサセプタ１１，２１の昇温時間及び降温時間は不要であるので、従来のヒータのオン・オフによる基板トレイの昇温時間及び降温時間は不要となる。又、第１及び第２のサセプタ１１，２１は常に加熱されているので、載置した被処理基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃを瞬時に加熱することができる。よって、タクトタイムを短縮することができ、生産量を増大させることが可能となる。
【００３１】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明の実施の形態に係る真空装置は、ＣＶＤ装置の他にも、例えば、ＳｉＯ2膜を形成する熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等をリフロー（メルト）する熱真空装置、ＣＶＤ酸化膜等のデンシファイする熱真空装置、シリサイド膜等を形成する熱真空装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置に適用可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係る真空装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る真空装置の第１及び第２の載置部及び回転体の一例を示す概略上面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図４に引き続く概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図５に引き続く概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図６に引き続く概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図７に引き続く概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図８に引き続く概略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための９４に引き続く概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１０に引き続く概略断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１１に引き続く概略断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１２に引き続く概略断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１３に引き続く概略断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１４に引き続く概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係る真空装置の動作方法の一例を説明するための図１５に引き続く概略断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…チャンバー
２…回転軸
３…回転体
４…処理室
５…放電電極
６…蓋
７…ロードロック室
８…搬送機構
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ，２０ｉ，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ…被処理基板
１１，２１…サセプタ
１２，２２…加熱部
１３，２３…保持部
１４，２４…昇降部
４１，６１，６２…Ｏリング
【図１】
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【図２】
2009299173.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009299173.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009299173.tif 000011
【図１０】
2009299173.tif 000012
【図１１】
2009299173.tif 000013
【図１２】
2009299173.tif 000014
【図１３】
2009299173.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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