(57)【要約】【課題】製造時間の短縮化を図るのに適し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体を提供する。【解決手段】本発明の磁気記録媒体製造方法は、例えば、複数の記録磁性部２１ａおよび当該記録磁性部２１ａ間の凹部を有する磁性膜２１上に、第１非磁性材料を、凹部を充填しつつ成膜する工程と、成膜された第１非磁性材料に対して研磨処理を施す工程と、磁性膜２１上および第１非磁性材料上に当該第１非磁性材料よりも硬い第２非磁性材料を成膜する工程とを含む。本発明の磁気記録媒体Ｘ１は、例えば、複数の記録磁性部２１ａと、記録磁性部２１ａ間に介在し且つ硬さの異なる複数の非磁性層２２ａ，２２ｂからなる非磁性部２２とを備え、複数の非磁性層２２ａ，２２ｂは、一端の非磁性層２２ａから他端の非磁性層２２ｂまで硬さが漸次的に変化するように配されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録磁性部および当該記録磁性部間の凹部を有する磁性膜上に、第１非磁性材料を、前記凹部を充填しつつ成膜する第１成膜工程と、
成膜された前記第１非磁性材料に対して研磨処理を施す第１研磨工程と、
前記磁性膜上および前記第１非磁性材料上に当該第１非磁性材料よりも硬い第２非磁性材料を成膜する第２成膜工程と、
成膜された前記第２非磁性材料に対して研磨処理を施す第２研磨工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
更に、前記磁性膜上および前記第２非磁性材料上に当該第２非磁性材料よりも硬い第３非磁性材料を成膜する第３成膜工程を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
更に、成膜された前記第３非磁性材料に対して研磨処理を施す工程を含む、請求項２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
複数の記録磁性部および当該記録磁性部間の凹部を有する磁性膜上に、第１非磁性材料を、前記凹部を充填しつつ成膜する第１成膜工程と、
成膜された前記第１非磁性材料に対して研磨処理を施す工程と、
前記磁性膜上および前記第１非磁性材料上に当該第１非磁性材料よりも硬い第２非磁性材料を成膜する第２成膜工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
複数の記録磁性部と、
前記複数の記録磁性部間に介在し且つ硬さの異なる複数の非磁性層からなる非磁性部とを備え、
前記複数の非磁性層は、一端の非磁性層から他端の非磁性層まで硬さが漸次的に変化するように配されている、磁気記録媒体。
【請求項６】
複数の記録磁性部と、
前記複数の記録磁性部間に介在し且つ研磨レートの異なる複数の非磁性層からなる非磁性部とを備え、
前記複数の非磁性層は、一端の非磁性層から他端の非磁性層まで研磨レートが漸次的に変化するように配されている、磁気記録媒体。
【請求項７】
隣接する二つの非磁性層の界面は湾曲している、請求項５または６に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を有する磁気記録媒体を製造するための方法、および、そのような磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有するパターンドメディア（ＰＭ）としての磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図１２は、ＰＭとして構成された従来の磁気ディスク５０のディスク径方向に沿った部分断面図である。磁気ディスク５０は、ディスク基板５１、記録層５２、および保護層５３からなる積層構造を有する。記録層５２は、複数の記録磁性部５２Ａと記録磁性部５２Ａ間に介在する非磁性部５２Ｂとからなる。保護層５３の露出面は磁気ディスク５０の記録面をなす。
【０００７】
図１３および図１４は、磁気ディスク５０の製造方法を表す。磁気ディスク５０の製造においては、まず、図１３（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により、ディスク基板５１上に所定の磁性材料が成膜されることによって磁性膜５２Ａ’が形成される。次に、図１３（ｂ）に示すように、磁性膜５２Ａ’上にフォトレジスト膜６１が形成される。次に、図１３（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜６１からレジストパターン６２が形成される。レジストパターン６２は、上述の非磁性部５２Ｂのパターン形状に対応する開口部６２ａを有する。当該リソグラフィ法においては、具体的には、所定装置によって所定パターン（潜像）がフォトレジスト膜６１に露光形成された後、当該フォトレジスト膜６１に現像処理が施される。このようにして、磁性膜５２Ａ’上にレジストパターン６２が形成される。この後、図１３（ｄ）に示すように、レジストパターン６２がマスクとして利用されて、磁性膜５２Ａ’に対して所定のエッチング処理が施され、上述の記録磁性部５２Ａがパターン形成される。
【０００８】
磁気ディスク５０の製造においては、次に、図１４（ａ）に示すようにレジストパターン６２が除去される。次に、図１４（ｂ）に示すように非磁性材料５２Ｂ’が堆積される。具体的には、スパッタリング法により、記録磁性部５２Ａ間の隙間および記録磁性部５２Ａ上に非磁性材料５２Ｂ’が堆積される。次に、図１４（ｃ）に示すように、堆積された非磁性材料５２Ｂ’において記録磁性部５２Ａ間の隙間にない過剰部分を、例えばケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）法により研磨除去する。本工程により、非磁性部５２Ｂが形成され、記録層５２が形成されることとなる。この後、図１４（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法により記録層５２上に所定材料が成膜されることによって保護層５３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部５２Ａを記録層５２内に有する磁気ディスク５０が製造される。
【０００９】
このような従来の方法においては、図１４（ｂ）を参照して上述した工程にて、充分な硬さの非磁性材料５２Ｂ’を堆積する必要がある。硬さが不充分な非磁性材料５２Ｂ’を堆積すると、図１４（ｃ）を参照して上述したＣＭＰ工程を経た後、図１５に示すように、記録磁性部５２Ａ間に形成される非磁性部５２Ｂの頂部に生ずるいわゆるディッシングＤないし窪みの程度が過度となるからであり、また、形成される非磁性部５２ＢにクラックＣが生じてしまうからである。過大のディッシングＤや、クラックＣは、記録層５２ないし記録面の平坦性を阻害する。一般に、磁気ディスクないしその記録層における面内記録密度が大きいほど、情報記録再生時に磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるところ、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面内記録密度か大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１０】
一方、図１４（ｂ）を参照して上述した工程にて堆積する非磁性材料５２Ｂ’の硬さは、その後のＣＭＰ工程に要する処理時間に大きな影響を与える。非磁性材料５２Ｂ’が硬いほど、ＣＭＰ工程での研磨レートが遅くなり、処理時間は長くなる傾向にある。そのため、図１４（ｂ）の工程において、その後のＣＭＰ工程で過大のディッシングＤやクラックＣが生じないように充分な硬さの非磁性材料５２Ｂ’を堆積すると、当該非磁性材料５２Ｂ’に研磨処理を施すためのＣＭＰ工程に要する時間は相当程度に長くなる場合が多い。ＣＭＰ工程の長時間化は、磁気ディスク製造全体の長時間化を招来し、好ましくない。
【００１１】
このように、従来の技術は、磁気記録媒体について、高い記録面平坦性を実現しつつ製造時間の短縮化を図るのに困難性を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、製造時間の短縮化を図るのに適し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、第１成膜工程と、第１研磨工程と、第２成膜工程と、第２研磨工程とを含む。第１成膜工程では、複数の記録磁性部および当該記録磁性部間の凹部を有する磁性膜上に、第１非磁性材料を、凹部を充填しつつ成膜する。第１研磨工程では、成膜された第１非磁性材料に対して研磨処理を施す。第２成膜工程では、磁性膜上および第１非磁性材料上に当該第１非磁性材料よりも硬い第２非磁性材料を成膜する。第２研磨工程では、成膜された前記第２非磁性材料に対して研磨処理を施す。本発明における研磨処理は、例えばケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）法によって行うことができる。また、本方法によると、製造される磁気記録媒体の記録磁性部間の非磁性部が、複数の非磁性層によって構成されることとなる。そのような非磁性部の最下の非磁性層（第１非磁性層）は、第１成膜工程に供された第１非磁性材料よりなる。非磁性部における最下非磁性層上の非磁性層（第２非磁性層）は、第２成膜工程に供された第２非磁性材料よりなる。
【００１４】
本方法における第１非磁性材料は、第２非磁性材料よりも、軟らかく、ＣＭＰ法などによる研磨処理における研磨レートが速い。第１非磁性材料が軟らかいほど、当該非磁性材料の研磨レートは速い。本方法では、このような第１非磁性材料を、非磁性部の一部を構成する材料として用いるため、非磁性部形成過程において非磁性材料を研磨処理するのに要する総時間を短縮化しやすい。したがって、本方法は、磁気記録媒体の製造時間の短縮化を図るのに適する。
【００１５】
一方、第２非磁性材料は第１非磁性材料より硬い。そのため、第２非磁性材料は、第１磁性材料よりも、ＣＭＰ法などによる研磨処理を経た際に生じ得るディッシングの程度が小さく、且つ、当該研磨処理にてクラックが生じにくい。本方法では、このような第２非磁性材料を、第１研磨工程にて研磨処理された第１非磁性材料上に成膜した後に研磨するため、２次元的に連なる記録磁性部と非磁性部とが実質的になす記録面について、高い平坦性を実現しやすい。第１研磨工程での研磨レートの高速化を図るべく、第１非磁性材料として、より軟らかいものを採用するほど、当該第１研磨工程を経て形成される第１非磁性層（第１非磁性材料よりなる）にてディッシングやクラックが生じやすいが、上記の第２成膜工程と第２研磨工程とを経て形成される第２非磁性層（第２非磁性材料よりなる）は、そのような第１非磁性層を覆い隠し、非磁性部の頂部を平坦性の高いものとする。第２非磁性材料が硬いほど、この平坦性は高まる。
【００１６】
以上のように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適するのである。
【００１７】
本発明の第１の側面に係る発明（磁気記録媒体製造方法）は、更に、磁性膜上および第２非磁性材料上に当該第２非磁性材料よりも硬い第３非磁性材料を成膜する第３成膜工程を含んでもよい。本方法は、更に、成膜された第３非磁性材料に対して研磨処理を施す工程を含んでもよい。
【００１８】
本発明の第２の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、第１成膜工程と、研磨工程と、第２成膜工程とを含む。第１成膜工程では、複数の記録磁性部および当該記録磁性部間の凹部を有する磁性膜上に、第１非磁性材料を、凹部を充填しつつ成膜する。研磨工程では、成膜された第１非磁性材料に対して研磨処理を施す。第２成膜工程では、磁性膜上および第１非磁性材料上に当該第１非磁性材料よりも硬い第２非磁性材料を成膜する。第２成膜工程の後、成膜された第２非磁性材料に対して研磨処理は施さない。また、本方法によると、製造される磁気記録媒体の記録磁性部間の非磁性部が、複数の非磁性層によって構成されることとなる。そのような非磁性部の最下の非磁性層は、第１成膜工程に供された第１非磁性材料よりなる。非磁性部における最下非磁性層上の非磁性層は、第２成膜工程に供された第２非磁性材料よりなる。
【００１９】
本方法は、上述の第１の側面に係る方法よりも工程が少ない（第２研磨工程がない）。したがって、本方法は、第１の側面に係る方法よりも、磁気記録媒体の製造時間の短縮化を図るのに適する。
【００２０】
一方、本方法における第２成膜工程では、磁性膜の記録磁性部上にも第２非磁性材料が積み重なるところ、記録磁性部上の当該第２非磁性材料を研磨処理によって除去する必要がない程度の薄さで、磁性膜上および第１非磁性材料上に第２非磁性材料を成膜することが可能である。そのように薄く成膜されてなる第２非磁性材料膜は充分な平坦性を有する。本方法によって製造される磁気記録媒体の記録面の平坦性には、この第２非磁性材料膜の平坦性が反映される。したがって、本方法は、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００２１】
以上のように、本発明の第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適するのである。
【００２２】
本発明の第３の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、複数の記録磁性部と、当該複数の記録磁性部間に介在し且つ硬さの異なる複数の非磁性層からなる非磁性部とを備え、複数の非磁性層は、一端の非磁性層から他端の非磁性層まで硬さが漸次的に変化するように配されている。このような構成の本磁気記録媒体は、本発明の第１および第２の側面に係る方法によって製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第１および第２の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、本磁気記録媒体は、製造時間の短縮化に適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００２３】
本発明の第４の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、複数の記録磁性部と、当該複数の記録磁性部間に介在し且つ研磨レートの異なる複数の非磁性層からなる非磁性部とを備え、複数の非磁性層は、一端の非磁性層から他端の非磁性層まで研磨レートが漸次的に変化するように配されている。研磨レートが異なるとは、各非磁性層に対して同一条件で研磨処理を施した場合に、一の非磁性層についての研磨レートと他の非磁性層についての研磨レートとが異なることを意味する。このような構成の本磁気記録媒体は、本発明の第１および第２の側面に係る方法によって製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第１および第２の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、本磁気記録媒体は、製造時間の短縮化に適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００２４】
本発明の第３および第４の側面において、隣接する二つの非磁性層の界面は湾曲していてもよい。本発明において、研磨処理を経て形成される非磁性層にはディッシングないし窪みが生じ得るところ、そのディッシングが有意な程度である場合には、当該非磁性層とその上に積層形成される非磁性層との界面は、湾曲することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１のディスク径方向に沿った部分断面図である。
【００２６】
磁気ディスクＸ１は、ディスク基板１０、記録層２０、および保護層３０を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）またはビットパターンドメディア（ＢＰＭ）として構成されたものである。
【００２７】
ディスク基板１０は、主に、磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００２８】
記録層２０は、磁性膜２１および非磁性部２２からなる。磁性膜２１は複数の記録磁性部２１ａを有する。非磁性部２２は、記録磁性部２１ａ間に介在し、非磁性層２２ａ，２２ｂからなる。
【００２９】
磁性膜２１の記録磁性部２１ａは、磁気ディスクＸ１がＤＴＭである場合には情報トラックを構成し、磁気ディスクＸ１がＢＰＭである場合には、情報が書き込まれるビットを構成する。このような記録磁性部２１ａを含む磁性膜２１は、例えば、ＣｏＣｒ合金やＣｏＰｔ合金よりなる。記録磁性部２１ａの高さＬは例えば５〜３０ｎｍであり、記録磁性部２１ａの幅Ｗ１は例えば３０〜２００ｎｍである。
【００３０】
非磁性部２２は、隣り合う記録磁性部２１ａを磁気的に分離するためのものであり、非磁性部２２の幅Ｗ２は例えば１０〜２００ｎｍである。非磁性部２２を構成する非磁性層２２ａ，２２ｂは所定の非磁性材料よりなる。また、非磁性層２２ｂの構成材料は、非磁性層２２ａの構成材料よりも硬い。或は、非磁性層２２ａの構成材料は、非磁性層２２ｂの構成材料よりも、後述の研磨工程での研磨レートが速い。そのような非磁性層２２ａ，２２ｂを構成するための非磁性材料としては、例えばＳｉＯ2やＳＯＧ（スピンオングラス）を採用することができる。非磁性層２２ａ，２２ｂの構成材料は同種であってもよいし、異種であってもよい。このような非磁性層２２ａ，２２ｂの界面は湾曲している。
【００３１】
例えば、スパッタリング法によってＳｉＯ2を成膜する場合、成膜時におけるスパッタリング装置のチャンバ内のスパッタガス圧を高く設定するほど、形成されるＳｉＯ2膜は隙間の多いものとなり、従って軟らかく脆くなる傾向にあり、スパッタガス圧を低く設定するほど、形成されるＳｉＯ2成膜は緻密となり、従って硬くなる傾向にある。図２は、スパッタリング法によって形成されるＳｉＯ2膜の硬さに対してスパッタガス圧の与える影響を調査した結果をまとめたものである。本調査においては、第１サンプル膜および第２サンプル膜を形成した後、各サンプル膜に対してケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）法によって研磨処理を施して、研磨時間に対する各サンプル膜の厚さの変化を調べた。第１サンプル膜の形成においては、ＳｉＯ2ターゲットを用いて行うスパッタリング法により、スパッタガス圧２.０Ｐａおよび放電電力５００Ｗの条件で、基材上にＳｉＯ2を厚さ１２０ｎｍとなるまで成膜した。第２サンプル膜の形成においては、ＳｉＯ2ターゲットを用いて行うスパッタリング法により、スパッタガス圧０.５Ｐａおよび放電電力５００Ｗの条件で、基材上にＳｉＯ2を厚さ１２０ｎｍとなるまで成膜した。すなわち、第１および第２サンプル膜は、スパッタガス圧のみ異なる条件で同じ厚さに成膜されたものである。そして、第１サンプル膜（ＳｉＯ2膜）に対してＣＭＰ法によって研磨処理し、所定の研磨時間到達時における膜厚を断面ＴＥＭ観察によって測定した。その結果をまとめたのが図２（ａ）の表である。また、第２サンプル膜（ＳｉＯ2膜）に対してＣＭＰ法によって研磨処理し、所定の研磨時間到達時における膜厚を断面ＴＥＭ観察によって測定した。その結果をまとめたのが図２（ｂ）の表である。図２（ａ）に示す測定結果に基づき第１サンプル膜（スパッタガス圧２.０Ｐａで成膜）の研磨レートを算出すると、約１２.５ｎｍ/ｍｉｎであり、図２（ｂ）に示す測定結果に基づき第２サンプル膜（スパッタガス圧０.５Ｐａで成膜）の研磨レートを算出すると、約８ｎｍ/ｍｉｎであった。これらを図２（ｃ）の表にまとめる。このように、成膜時におけるスパッタリング装置のチャンバ内のスパッタガス圧を低く設定するほど、形成されるＳｉＯ2成膜は硬くなるのである。
【００３２】
例えば、ＳＯＧを成膜する場合、有機シリコン化合物を含んでなるＳＯＧ材料をスピンコーティング法によって塗布した後の加熱温度を低く設定するほど、形成されるＳＯＧ膜は軟らかく脆くなる傾向にあり、加熱温度を高く設定するほど、形成されるＳＯＧ膜は硬くなる傾向にある。図３は、形成されるＳＯＧ膜の硬さに対して加熱温度の与える影響を調査した結果をまとめたものである。本調査においては、第３、第４、および第５サンプル膜を形成した後、各サンプル膜に対してＣＭＰ法によって研磨処理を施して、研磨時間に対する各サンプル膜の厚さの変化を調べた。第３サンプル膜の形成においては、ＳＯＧ材料をスピンコーティング法によって基材上に塗布した後、加熱温度１２０℃および加熱時間１時間の条件で、これを加熱した（膜厚を１２０ｎｍとした）。第４サンプル膜の形成においては、ＳＯＧ材料をスピンコーティング法によって基材上に塗布した後、加熱温度１７０℃および加熱時間１時間の条件で、これを加熱した（膜厚を１２０ｎｍとした）。第５サンプル膜の形成においては、ＳＯＧ材料をスピンコーティング法によって基材上に塗布した後、加熱温度２００℃および加熱時間１時間の条件で、これを加熱した（膜厚を１２０ｎｍとした）。すなわち、第３〜第５サンプル膜は、加熱温度のみ異なる条件で同じ厚さに成膜されたものである。そして、第３サンプル膜（ＳＯＧ膜）に対してＣＭＰ法によって研磨処理し、所定の研磨時間到達時における膜厚を断面ＴＥＭ観察によって測定した。その結果をまとめたのが図３（ａ）の表である。第４サンプル膜（ＳＯＧ膜）に対してＣＭＰ法によって研磨処理し、所定の研磨時間到達時における膜厚を断面ＴＥＭ観察によって測定した。その結果をまとめたのが図３（ｂ）の表である。第５サンプル膜（ＳＯＧ膜）に対してＣＭＰ法によって研磨処理し、所定の研磨時間到達時における膜厚を断面ＴＥＭ観察によって測定した。その結果をまとめたのが図３（ｃ）の表である。図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す測定結果に基づき第３〜第５サンプル膜の研磨レートを算出すると、約２６ｎｍ/ｍｉｎ（第３サンプル膜）、約１８ｎｍ/ｍｉｎ（第４サンプル膜）、および約９ｎｍ/ｍｉｎ（第５サンプル膜）であった。これらを図３（ｄ）の表にまとめる。このように、成膜時における加熱温度を高く設定するほど、形成されるＳＯＧ膜は硬くなるのである。
【００３３】
保護層３０は、いわゆるヘッドタッチなどの衝撃や塵埃から特に磁性膜２１を保護する目的で設けられる非磁性層で、例えばＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）またはＳｉＮよりなる。保護層３０の厚さは例えば厚さ５ｎｍ以下である。また、保護層３０の露出面には磁気ヘッドが吸着することを防ぐ目的で潤滑剤（図示略）が塗布される。このような保護層３０の露出面は磁気ディスクＸ１の記録面をなす。
【００３４】
以上のようなディスク基板１０、記録層２０、および保護層３０を含む磁気ディスクＸ１の積層構造中には、必要に応じて他の層が含まれてもよい。
【００３５】
このような磁気ディスクＸ１の情報記録時には、磁気ディスクＸ１の記録面に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層２０の記録磁性部２１ａにていわゆる記録マーク（磁区）が形成される。このとき、記録磁性部２１ａと、これの隣りの記録磁性部２１ａとが、非磁性部２２により分断されているため、当該隣りの記録磁性部２１ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図るうえで、好ましい。
【００３６】
図４および図５は、磁気ディスクＸ１を製造するための方法を表す。本方法においては、まず、図４（ａ）に示すように、ディスク基板１０上に磁性膜２１’を形成する。磁性膜２１’の形成においては、例えばスパッタリング法により、ディスク基板１０上に所定の磁性材料を成膜する。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、磁性膜２１’上にレジストパターン４１を形成する。レジストパターン４１は、上述の記録磁性部２１ａに対応するパターン形状を有する。レジストパターン４１の形成においては、例えば、スピンコーティング法によって磁性膜２１’上にフォトレジスト膜を形成し、当該フォトレジスト膜に対して露光および現像を施す。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン４１をマスクとして利用して磁性膜２１’に対して所定のエッチング処理を施す。これにより、磁性膜２１’において記録磁性部２１ａを形成する。エッチング処理としては、例えば、エッチングガスとして酸素ガスや希ガスを使用し且つＲＦ(高周波)電源を用いて行うドライエッチングを採用することができる。この後、レジストパターン４１を除去する。
【００３９】
次に、図４（ｄ）に示すように非磁性材料２２ａ’を成膜する（第１成膜工程）。例えばスパッタリング法により、記録磁性部２１ａ間の凹部および記録磁性部２１ａ上に所定の非磁性材料２２ａ’を堆積する。或は、スピンコーティング法による塗布およびその後の加熱処理により、記録磁性部２１ａ間の凹部および記録磁性部２１ａ上に非磁性材料２２ａ’としてのＳＯＧを成膜してもよい。
【００４０】
次に、図５（ａ）に示すように、成膜された非磁性材料２２ａ’において記録磁性部２１ａ間の凹部にない過剰部分を、例えばケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）法により研磨除去する（第１研磨工程）。これにより、非磁性層２２ａを形成する。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように非磁性材料２２ｂ’を成膜する（第２成膜工程）。非磁性材料２２ｂ’としては、第１成膜工程にて成膜した非磁性材料２２ａ’よりも硬いものを成膜する。
【００４２】
本工程では、例えば、スパッタリング法により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に所定の非磁性材料２２ｂ’を堆積する。この場合、成膜時におけるスパッタリング装置のチャンバ内のスパッタガス圧を低く設定するほど、成膜される非磁性材料２２ｂ’は緻密となり、従って硬くなる傾向にある。第１成膜工程での非磁性材料２２ａ’と同種の非磁性材料２２ｂ’を採用する場合、例えば、本第２成膜工程では、スパッタガス圧を第１成膜工程でのそれよりも低く設定し且つその他の条件は第１成膜工程のそれと同一に設定することによって、非磁性材料２２ａ’と同種であっても当該非磁性材料２２ａ’よりも硬い非磁性材料２２ｂ’を成膜することが可能である。
【００４３】
本工程では、スピンコーティング法による塗布およびその後の加熱処理により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に非磁性材料２２ｂ’としてのＳＯＧを成膜してもよい。この場合、加熱温度を高く設定するほど、成膜される非磁性材料２２ｂ’としてのＳＯＧは硬くなる傾向にある。非磁性材料２２ａ’２２ｂ’として共にＳＯＧを採用する場合、例えば、本第２成膜工程では、加熱温度を第１成膜工程でのそれよりも高く設定することによって、非磁性材料２２ａ’たるＳＯＧと同種であっても当該非磁性材料２２ａ’よりも硬い非磁性材料２２ｂ’たるＳＯＧを成膜することが可能である。
【００４４】
次に、図５（ｃ）に示すように、成膜された非磁性材料２２ｂ’において記録磁性部２１ａ間の凹部にない過剰部分を、例えばＣＭＰ法により研磨除去する（第２研磨工程）。これにより、非磁性層２２ｂを形成する。
【００４５】
この後、図５（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法によって所定材料を成膜することによって保護層３０を形成する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部２１ａを記録層２０内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００４６】
本方法における非磁性材料２２ａ’は非磁性材料２２ｂ’よりも軟らかい。そのため、図５（ａ）を参照して上述した第１研磨工程での研磨レートは、図５（ｃ）を参照して上述した第２研磨工程での研磨レートよりも、速い。非磁性材料２２ａ’が軟らかいほど、当該非磁性材料２２ａ’の研磨レートは速い。本方法では、このような非磁性材料２２ａ’を、非磁性部２２の一部を構成する材料として用いるため、非磁性部２２の形成過程において非磁性材料を研磨処理するのに要する総時間を短縮化しやすい。したがって、本方法は、磁気ディスクＸ１の製造時間の短縮化を図るのに適する。
【００４７】
一方、非磁性材料２２ｂ’は非磁性材料２２ａ’より硬い。そのため、非磁性材料２２ｂ’は、非磁性材料２２ａ’よりも、研磨工程を経た際に生じ得るディッシングの程度が小さく、且つ、クラックが生じにくい。本方法では、このような非磁性材料２２ｂ’を、第１研磨工程を経て形成される非磁性層２２ａ上に成膜した後に研磨するため、２次元的に連なる記録磁性部２１ａと非磁性部２２とが実質的になす記録面について、高い平坦性を実現しやすい。第１研磨工程での研磨レートの高速化を図るべく、非磁性材料２２ａ’として、より軟らかいものを採用するほど、当該第１研磨工程を経て形成される非磁性層２２ａ（非磁性材料２２ａ’よりなる）にてディッシングやクラックが生じやすいが、図５（ｂ）を参照して上述した第２成膜工程と図５（ｃ）を参照して上述した第２研磨工程とを経て形成される非磁性層２２ｂ（非磁性材料２２ｂ’よりなる）は、そのような非磁性層２２ａを覆い隠し、非磁性部２２の頂部を平坦性の高いものとする。非磁性材料２２ｂ’が硬いほど、この平坦性は高まる。
【００４８】
以上のように、本方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００４９】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクＸ２のディスク径方向に沿った部分断面図である。
【００５０】
磁気ディスクＸ２は、ディスク基板１０、記録層２０Ａ、および保護層３０を含む積層構造を有し、ＤＴＭまたはＢＰＭとして構成されたものである。磁気ディスクＸ２は、記録層２０に代えて記録層２０Ａを備える点において、第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１と異なる。
【００５１】
記録層２０Ａは、磁性膜２１、非磁性部２２、および非磁性薄膜２３からなる。磁性膜２１は複数の記録磁性部２１ａを有する。非磁性部２２は、記録磁性部２１ａ間に介在し、非磁性層２２ａ，２２ｂからなる。非磁性薄膜２３は、記録磁性部２１ａ上に位置し、非磁性層２２ｂと同一の非磁性材料よりなり、磁気ディスクＸ２ないし記録磁性部２１ａの磁気記録特性を実質的に阻害しない程度に薄く（例えば４ｎｍ以下）設けられている。このような記録層２０Ａは、非磁性薄膜２３を追加的に有する点において、上述の磁気ディスクＸ１における記録層２０と異なる。
【００５２】
磁気ディスクＸ２は、図４および図５を参照して上述した磁気ディスクＸ１の製造方法の一部を変更した方法によって製造することができる。具体的には、磁気ディスクＸ１の製造方法における図５（ｂ）を参照して上述した第２成膜工程にて、記録磁性部２１ａ上に積み重なる非磁性材料２２ｂ’が充分に薄くなるように（例えば厚さ４ｎｍ以下）非磁性材料２２ｂ’を成膜し、その後、図５（ｃ）を参照して上述した第２研磨工程を行わずに、図５（ｄ）を参照して上述した保護層形成工程を行うことによって、磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【００５３】
このような磁気ディスクＸ２の製造方法は、上述の磁気ディスクＸ１の製造方法よりも工程が少ない（第２研磨工程がない）。したがって、本方法は、磁気ディスクＸ１の製造方法よりも、製造時間の短縮化を図りやすい。
【００５４】
一方、磁気ディスクＸ２の製造方法における第２成膜工程では、記録磁性部２１ａ上にも非磁性材料２２ｂ’が積み重なるところ、記録磁性部２１ａ上の当該非磁性材料２２ｂ’を研磨処理によって除去する必要がない程度の薄さで、磁性膜２１上および非磁性層２２ａ上に非磁性材料２２ｂ’を成膜する。そのように薄く成膜されてなる非磁性材料２２ｂ’は記録面側において充分な平坦性を有する。磁気ディスクＸ２の記録面の平坦性には、非磁性材料２２ｂ’の当該平坦性が反映される。したがって、本方法は、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００５５】
以上のように、本方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００５６】
図７は、本発明の第３の実施形態に係る磁気ディスクＸ３のディスク径方向に沿った部分断面図である。
【００５７】
磁気ディスクＸ３は、ディスク基板１０、記録層２０Ｂ、および保護層３０を含む積層構造を有し、ＤＴＭまたはＢＰＭとして構成されたものである。磁気ディスクＸ３は、記録層２０に代えて記録層２０Ｂを備える点において、第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１と異なる。
【００５８】
記録層２０Ｂは、磁性膜２１および非磁性部２２Ａからなる。磁性膜２１は複数の記録磁性部２１ａを有する。非磁性部２２Ａは、記録磁性部２１ａ間に介在し、非磁性層２２ａ，２２ｂ，２２ｃからなる。このような記録層２０Ｂは、２層構造の非磁性部２２に代えて３層構造の非磁性部２２Ａを有する点において、上述の磁気ディスクＸ１における記録層２０と異なる。
【００５９】
非磁性部２２Ａを構成する非磁性層２２ａ，２２ｂ，２２ｃは所定の非磁性材料よりなる。非磁性層２２ａの構成材料は、非磁性層２２ｃの構成材料よりも硬く、且つ、非磁性層２２ｂの構成材料は、非磁性層２２ａの構成材料よりも硬い。或は、非磁性層２２ａの構成材料は、非磁性層２２ｂの構成材料よりも後述の研磨工程での研磨レートが速く、且つ、非磁性層２２ｃの構成材料は、非磁性層２２ａの構成材料よりも研磨レートが速い。そのような非磁性層２２ａ，２２ｂ，２２ｃを構成するための非磁性材料としては、例えばＳｉＯ2やＳＯＧを採用することができる。非磁性層２２ａ，２２ｂ，２２ｃの構成材料は同種であってもよいし、異種であってもよい。このような非磁性層２２ａ，２２ｂの界面および非磁性層２２ａ，２２ｃの界面は、湾曲している。
【００６０】
図８から図１０は、磁気ディスクＸ３を製造するための方法を表す。本方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、ディスク基板１０上に磁性膜２１’を形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、磁性膜２１’上にレジストパターン４１を形成する。レジストパターン４１は、上述の記録磁性部２１ａに対応するパターン形状を有する。次に、図８（ｃ）に示すように、レジストパターン４１をマスクとして利用して磁性膜２１’に対して所定のエッチング処理を施す。これにより、磁性膜２１’において記録磁性部２１ａを形成する。この後、レジストパターン４１を除去する。
【００６１】
次に、図９（ａ）に示すように非磁性材料２２ｃ’を成膜する（第１成膜工程）。例えばスパッタリング法により、記録磁性部２１ａ間の凹部および記録磁性部２１ａ上に所定の非磁性材料２２ｃ’を堆積する。或は、スピンコーティング法による塗布およびその後の加熱処理により、記録磁性部２１ａ間の凹部および記録磁性部２１ａ上に非磁性材料２２ｃ’としてのＳＯＧを成膜してもよい。
【００６２】
次に、図９（ｂ）に示すように、成膜された非磁性材料２２ｃ’において記録磁性部２１ａ間の凹部にない過剰部分を、例えばＣＭＰ法により研磨除去する（第１研磨工程）。これにより、非磁性層２２ｃを形成する。
【００６３】
次に、図９（ｃ）に示すように非磁性材料２２ａ’を成膜する（第２成膜工程）。非磁性材料２２ａ’としては、第１成膜工程にて成膜した非磁性材料２２ｃ’よりも硬いものを成膜する。本工程では、例えばスパッタリング法により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に所定の非磁性材料２２ａ’を堆積する。第１成膜工程での非磁性材料２２ｃ’と同種の非磁性材料２２ａ’を採用する場合、例えば、本第２成膜工程では、スパッタガス圧を第１成膜工程でのそれよりも低く設定し且つその他の条件は第１成膜工程のそれと同一に設定することによって、非磁性材料２２ｃ’と同種であっても当該非磁性材料２２ｃ’よりも硬い非磁性材料２２ａ’を成膜することが可能である。或は、本工程では、スピンコーティング法による塗布およびその後の加熱処理により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に非磁性材料２２ａ’としてのＳＯＧを成膜してもよい。非磁性材料２２ａ’２２ｃ’として共にＳＯＧを採用する場合、例えば、本第２成膜工程では、加熱温度を第１成膜工程でのそれよりも高く設定することによって、非磁性材料２２ｃ’たるＳＯＧと同種であっても当該非磁性材料２２ｃ’よりも硬い非磁性材料２２ａ’たるＳＯＧを成膜することが可能である。
【００６４】
次に、図１０（ａ）に示すように、成膜された非磁性材料２２ａ’において記録磁性部２１ａ間にない過剰部分を、例えばＣＭＰ法により研磨除去する（第２研磨工程）。これにより、非磁性層２２ａを形成する。
【００６５】
次に、図１０（ｂ）に示すように非磁性材料２２ｂ’を成膜する（第３成膜工程）。非磁性材料２２ｂ’としては、第２成膜工程にて成膜した非磁性材料２２ａ’よりも硬いものを成膜する。本工程では、例えばスパッタリング法により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に所定の非磁性材料２２ｂ’を堆積する。第２成膜工程での非磁性材料２２ａ’と同種の非磁性材料２２ｂ’を採用する場合、例えば、本第３成膜工程では、スパッタガス圧を第２成膜工程でのそれよりも低く設定し且つその他の条件は第２成膜工程のそれと同一に設定することによって、非磁性材料２２ａ’と同種であっても当該非磁性材料２２ａ’よりも硬い非磁性材料２２ｂ’を成膜することが可能である。或は、本工程では、スピンコーティング法による塗布およびその後の加熱処理により、記録磁性部２１ａ間および記録磁性部２１ａ上に非磁性材料２２ｂ’としてのＳＯＧを成膜してもよい。非磁性材料２２ａ’２２ｂ’として共にＳＯＧを採用する場合、例えば、本第３成膜工程では、加熱温度を第２成膜工程でのそれよりも高く設定することによって、非磁性材料２２ａ’たるＳＯＧと同種であっても当該非磁性材料２２ａ’よりも硬い非磁性材料２２ｂ’たるＳＯＧを成膜することが可能である。
【００６６】
次に、図１０（ｃ）に示すように、成膜された非磁性材料２２ｂ’において記録磁性部２１ａ間にない過剰部分を、例えばＣＭＰ法により研磨除去する（第３研磨工程）。これにより、非磁性層２２ｂを形成する。
【００６７】
この後、図１０（ｄ）に示すように、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法によって所定材料を成膜することによって保護層３０を形成する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部２１ａを記録層２０Ｂ内に有する磁気ディスクＸ３を製造することができる。
【００６８】
本方法における非磁性材料２２ｃ’は非磁性材料２２ａ’よりも軟らかい。そのため、図９（ｂ）を参照して上述した第１研磨工程での研磨レートは、図１０（ａ）を参照して上述した第２研磨工程での研磨レートよりも、速い。非磁性材料２２ｃ’が軟らかいほど、当該非磁性材料２２ｃ’の研磨レートは速い。本方法では、このような非磁性材料２２ｃ’を、非磁性部２２の一部を構成する材料として用いるため、非磁性部２２の形成過程において非磁性材料を研磨処理するのに要する総時間を、図４および図５を参照して上述した方法よりも短縮化しやすい。このように、本方法は、磁気ディスクＸ３の製造時間の短縮化を図るのに適する。
【００６９】
一方、非磁性材料２２ｂ’は非磁性材料２２ａ’より硬い。そのため、非磁性材料２２ｂ’は、非磁性材料２２ａ’よりも、研磨工程を経た際に生じ得るディッシングの程度が小さく、且つ、クラックが生じにくい。本方法では、このような非磁性材料２２ｂ’を、第２研磨工程を経て形成される非磁性層２２ａ上に成膜した後に研磨するため、２次元的に連なる記録磁性部２１ａと非磁性部２２とが実質的になす記録面について、高い平坦性を実現しやすい。第２研磨工程での研磨レートの高速化を図るべく、非磁性材料２２ａ’として、より軟らかいものを採用するほど、当該第２研磨工程を経て形成される非磁性層２２ａ（非磁性材料２２ａ’よりなる）にてディッシングやクラックが生じやすいが、図１０（ｂ）を参照して上述した第３成膜工程と図１０（ｃ）を参照して上述した第３研磨工程とを経て形成される非磁性層２２ｂ（非磁性材料２２ｂ’よりなる）は、そのような非磁性層２２ａを覆い隠し、非磁性部２２の頂部を平坦性の高いものとする。非磁性材料２２ｂ’が硬いほど、この平坦性は高まる。
【００７０】
以上のように、本方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００７１】
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る磁気ディスクＸ４のディスク径方向に沿った部分断面図である。
【００７２】
磁気ディスクＸ４は、ディスク基板１０、記録層２０Ｃ、および保護層３０を含む積層構造を有し、ＤＴＭまたはＢＰＭとして構成されたものである。磁気ディスクＸ４は、記録層２０Ｂに代えて記録層２０Ｃを備える点において、第３の実施形態に係る磁気ディスクＸ３と異なる。
【００７３】
記録層２０Ｃは、磁性膜２１、非磁性部２２Ａ、および非磁性薄膜２３からなる。磁性膜２１は複数の記録磁性部２１ａを有する。非磁性部２２Ａは、記録磁性部２１ａ間に介在し、非磁性層２２ａ，２２ｂ，２２ｃからなる。非磁性薄膜２３は、記録磁性部２１ａ上に位置し、非磁性層２２ｂと同一の非磁性材料よりなり、磁気ディスクＸ４ないし記録磁性部２１ａの磁気記録特性を実質的に阻害しない程度に薄く（例えば４ｎｍ以下）設けられている。このような記録層２０Ｃは、非磁性薄膜２３を追加的に有する点において、上述の磁気ディスクＸ３における記録層２０Ｂと異なる。
【００７４】
磁気ディスクＸ４は、図８ないし図１０を参照して上述した磁気ディスクＸ３の製造方法の一部を変更した方法によって製造することができる。具体的には、磁気ディスクＸ３の製造方法における図１０（ｂ）を参照して上述した第３成膜工程にて、記録磁性部２１ａ上に積み重なる非磁性材料２２ｂ’が充分に薄くなるように（例えば厚さ４ｎｍ以下）非磁性材料２２ｂ’を成膜し、その後、図１０（ｃ）を参照して上述した第３研磨工程を行わずに、図１０（ｄ）を参照して上述した保護層形成工程を行うことによって、磁気ディスクＸ４を製造することができる。
【００７５】
このような磁気ディスクＸ４の製造方法は、上述の磁気ディスクＸ３の製造方法よりも工程が少ない（第３研磨工程がない）。したがって、本方法は、磁気ディスクＸ３の製造方法よりも、製造時間の短縮化を図りやすい。
【００７６】
一方、磁気ディスクＸ４の製造方法における第３成膜工程では、記録磁性部２１ａ上にも非磁性材料２２ｂ’が積み重なるところ、記録磁性部２１ａ上の当該非磁性材料２２ｂ’を研磨処理によって除去する必要がない程度の薄さで、磁性膜２１上および非磁性層２２ａ上に非磁性材料２２ｂ’を成膜する。そのように薄く成膜される非磁性材料２２ｂ’は記録面側において充分な平坦性を有する。磁気ディスクＸ４の記録面の平坦性には、非磁性材料２２ｂ’の当該平坦性が反映される。したがって、本方法は、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【００７７】
以上のように、本方法は、製造時間の短縮化を図るのに適し、且つ、高い記録面平坦性を実現するのに適する。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクのディスク径方向に沿った部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１および第２サンプル膜についての研磨レート測定に関するデータをまとめた表である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第３〜第５サンプル膜についての研磨レート測定に関するデータをまとめた表である。
【図４】図１に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図５】図４の後に続く工程を表す。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクのディスク径方向に沿った部分断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る磁気ディスクのディスク径方向に沿った部分断面図である。
【図８】図７に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図９】図８の後に続く工程を表す。
【図１０】図９の後に続く工程を表す。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る磁気ディスクのディスク径方向に沿った部分断面図である。
【図１２】従来の磁気ディスクのディスク径方向に沿った部分断面図である。
【図１３】図１２に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図１４】図１３の後に続く工程を表す。
【図１５】非磁性部にディッシングおよびクラックが生じた場合を表す。
【符号の説明】
【００７９】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，５０      磁気ディスク
１０，５１      ディスク基板
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，５２      記録層
２１      磁性膜
２１ａ      記録磁性部
２２，２２Ａ      非磁性部
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ      非磁性層
２２ａ’，２２ｂ’，２２ｃ’      非磁性材料
２３      非磁性薄膜
３０，５３      保護層
【図１】
2009163820.tif 000003
【図２】
2009163820.tif 000004
【図３】
2009163820.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009163820.tif 000007
【図６】
2009163820.tif 000008
【図７】
2009163820.tif 000009
【図８】
2009163820.tif 000010
【図９】
2009163820.tif 000011
【図１０】
2009163820.tif 000012
【図１１】
2009163820.tif 000013
【図１２】
2009163820.tif 000014
【図１３】
2009163820.tif 000015
【図１４】
2009163820.tif 000016
【図１５】
2009163820.tif 000017