(57)【要約】【課題】例えば、反射型液晶装置内の半導体素子に照射される光を低減する。【解決手段】液晶装置１は、黒色のＴＦＴアレイ基板１０を備えている。したがって、液晶層５０を透過し、複数の画素電極９ａ間を通り抜けた透過光が、ＴＦＴアレイ基板１０によって反射されること、及びケース部１５０で反射されることを低減できる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０によって反射される反射光、或いはケース部１５０で反射される反射光が直接、或いは間接的に、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部６０に向かって照射されることを低減できる。【選択図】図４
2009115995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒色の第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、
前記第１基板の両面のうち前記液晶層に臨む一方の面に設けられ、表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極と
を備えたことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
黒色の下地基板及び該黒色の下地基板上に設けられた保護基板を有する第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、
前記第１基板の両面のうち前記液晶層に臨む一方の面の側における表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極と
を備えたことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記下地基板は、重金属を含んでおり、
前記保護基板は、前記保護基板上に形成された回路部を前記重金属の拡散から保護すること
を特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の液晶装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、反射型液晶装置、及びそのような液晶装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置の一例である反射型液晶装置は、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子が形成されたＴＦＴアレイ基板と、当該ＴＦＴアレイ基板に対向するように配置された対向基板と、これら基板間に介在する液晶層とを有しており、対向基板側から入射した入射光を画素電極で反射することによって表示領域に画像を表示する。このような液晶装置では、反射光、或いは液晶装置内の各部で反射された光のうち画素間から漏れ出た光が、画像のコントラストを低下させてしまう。このような問題点を解決するための一例として、画素間から漏れ出る光、或いは液晶層を透過した後画素間に入射する透過光を遮光する遮光膜が画素間に形成された液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１０１３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、遮光膜が形成されていたとして、遮光膜及び画素電極のレイアウトに起因して三次元的に見て大なり小なり入射光の一部が、液晶装置内、より具体的にはＴＦＴアレイ基板上に形成された画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部に向かって照射されてしまう。回路部に光が照射された場合には、ＴＦＴ等の半導体素子に光リーク電流が発生してしまい、液晶装置の表示性能を低下させてしまう問題が生じる。このように回路部に照射される光は、画素電極及び遮光膜の存在によって、直接回路部に照射される光よりもむしろ半導体素子を含むＴＦＴアレイ基板の一部を構成する石英基板等の基板部の表面、或いは液晶装置を収納するケース部の表面で反射された光に起因するものが多い。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば当該液晶装置内の半導体素子に照射される光を低減可能な反射型液晶装置等の液晶装置、及びそのような液晶装置を具備してなるプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の発明に係る液晶装置は上記課題を解決するために、黒色の第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の両面のうち前記液晶層に臨む一方の面に設けられ、表示領域を構成する複数の画素の夫々に形成されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極とを備える。
【０００７】
本発明の第１の発明に係る液晶装置によれば、第２基板側から液晶層に入射し、当該液晶層を透過した透過光のうち複数の画素電極間に通り抜けた透過光は、黒色の第１基板によって吸収される。ここで、「黒色の第１基板」とは、当該第１基板に照射された光を吸収可能なように、即ち遮光可能なように構成されていることをいう。より具体的には、例えば、文字通り第１基板に対して黒色に着色が施されている場合、光吸収率を高めるように第１基板の表面に表面処理が施されている場合、或いは第１基板を構成する構成材料として光吸収率が高い材料を用いる場合等、何らかの処理、或いは製造プロセスによって第１基板における光吸収率の向上、言い換えれば遮光性能の向上が図られていることをいう。黒色の第１基板の好適な例としては、黒色石英基板が挙げられる。
【０００８】
したがって、本発明の第１の発明に係る液晶装置によれば、液晶層を透過し、画素電極間を通り抜けた透過光が、第１基板によって反射されること、及び第１基板を透過してケース部で反射されることを低減できる。したがって、第１基板によって反射される反射光、或いはケース部で反射される反射光が直接、或いは間接的に、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部に向かって照射されることを低減できる。よって、本発明の第１の発明に係る液晶装置によれば、第１基板上に形成された画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子に生じる光リーク電流を低減でき、液晶装置の表示性能を高めることが可能である。
【０００９】
本発明の第２の発明に係る液晶装置は上記課題を解決するために、黒色の下地基板及び該黒色の下地基板上に設けられた保護基板を有する第１基板と、前記第１基板に対向するように配置された第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の両面のうち前記液晶層に臨む一方の面の側における表示領域を構成する複数の画素領域の夫々に形成されており、前記第１基板から見て前記第２基板の側から前記画素領域に入射する光を前記第２基板の側に各々反射する複数の画素電極とを備える。
【００１０】
本発明の第２の発明に係る液晶装置によれば、第２基板側から液晶層に入射し、当該液晶層を透過した透過光のうち複数の画素電極間に通り抜けた透過光は、黒色の下地基板によって吸収される。ここで、「黒色の下地基板」とは、上述の第１の発明における第１基板と同様に、照射された光を吸収可能なように構成されていることをいう。このような第１基板によれば、上述の第１の発明に係る液晶装置と同様に、第１基板、及び液晶装置を収納するケース部による光の反射を低減でき、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子に発生する光リーク電流を低減可能である。
【００１１】
したがって、本発明の第２の発明に係る液晶装置によれば、液晶層を透過し、画素電極間を通り抜けた透過光が、間接的に、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部に向かって照射されることを低減可能になる。よって、本発明の第２の発明に係る液晶装置によれば、第１基板上に形成された画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子に生じる光リーク電流を低減でき、液晶装置の表示性能を高めることが可能である。
【００１２】
本発明の第２の発明に係る液晶装置によれば、下地基板上に保護基板が設けられている。このような保護基板は、例えば、下地基板と同種の基板材料である石英等の基板材料を用いて構成されており、下地基板とは別々に形成された後、当該下地基板に貼り付けられていてもよいし、石英基板のうちその一部を黒色に加工することに形成された下地基板を除く残りの部分であってもよい。
【００１３】
このように第１基板を複数の基板から構成することによって、一様な組成を有する基板材料を用いて形成された第１基板上に遮光性を有する金属膜を形成する場合に比べて、液晶装置の断面上で熱膨張係数の変化を緩やかにすることができ、熱膨張係数の急激な変化に起因するクラック等の欠陥の発生を抑制できる利点もある。
【００１４】
本発明の第２の発明に係る液晶装置の一の態様では、前記下地基板は、重金属を含んでおり、前記保護基板は、前記保護基板上に形成された回路部を前記重金属の拡散から保護してもよい。
【００１５】
この態様によれば、重金属とは、比重が比較的大きい金属であって、比重が４〜５以上のものをいう。保護基板は、マイクレーション現象によって下地基板から回路部に重金属が拡散しないように、回路部を保護する。したがって、この態様によれば、マイグレーション現象による回路部に生じる短絡不良、或いは半導体層に重金属等の不純物が拡散することによる素子性能の低下を抑制できる。
【００１６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の液晶装置を具備してなる。
【００１７】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る液晶装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００１８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下図面を参照しながら、本発明の第１の発明に係る液晶装置及び電子機器の各実施形態を説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
先ず、図１及び図２を参照しながら、本発明の第１の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動される反射型液晶装置である。
【００２１】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「第１基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と、本発明の「第２基板」の一例である対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、黒色の石英基板であり、光吸収性が高められている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素領域で構成された、本発明の「表示領域」の典型例である画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００２４】
液晶装置１は、データ線駆動回路１０１、及び走査線駆動回路１０４を備えている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域において、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるように形成された複数の配線１０５によって相互に電気的に接続されている。
【００２５】
対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。
【００２６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２７】
液晶装置１は、その動作時に、図中上側である対向基板２０側から液晶装置１に液晶層５０に入射した入射光を画素電極９ａによって対向基板２０側に向かって反射し、画像を表示する。尚、ＴＦＴアレイ基板１０の下面には、本発明の「熱伝導体」の一例である多結晶シリコン層２００が形成されている。
【００２８】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の回路部に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００２９】
尚、液晶装置１のパネル本体部分は、画像表示領域１０ａに対応する開口部を備えたケース１５０に収容されている。
【００３０】
次に、図３を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける回路構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【００３１】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々は、画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、及び液晶素子５０ａを備えている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３２】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００３３】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００３４】
次に、図４及び図５を参照しながら、液晶装置１の具体的な構成を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置１の一部における主要な部分を図式的に示した断面図である。図５は、本実施形態に係る液晶装置１の比較例における光の反射状態を図示的に示した断面図である。
【００３５】
図４において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された回路部６０、絶縁層４０、画素電極９ａ、液晶層５０、対向電極２１及び対向基板２０を備えて構成されている。
【００３６】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の両面のうち液晶層５０に臨む一方の面の側における画像表示領域１０ａを構成する複数の画素領域の夫々に形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０から見て対向基板２０の側から画素領域に入射する光を対向基板２０の側に各々反射することによって、画像表示領域１０ａに画像を表示する。
【００３７】
回路部６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を含んで構成されており、コンタクトホール８０を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。尚、図４では、図示していないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、回路部６０及び画素電極９ａの夫々に電気的に接続された蓄積容量７０も形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、黒色の石英基板であり、その下面にはケース１５０が接している。
【００３８】
液晶装置１の動作時には、対向基板２０側から液晶層５０に光が入射し、当該液晶層を透過した透過光のうち複数の画素電極９ａ間を通り抜けた透過光は、ＴＦＴアレイ基板１０によって吸収される。
【００３９】
したがって、液晶装置１によれば、液晶層５０を透過し、複数の画素電極９ａ間を通り抜けた透過光が、ＴＦＴアレイ基板１０によって反射されること、及びケース部１５０で反射されることを低減できる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０によって反射される反射光、或いはケース部１５０で反射される反射光が直接、或いは間接的に、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部６０に向かって照射されることを低減できる。
【００４０】
他方、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０が、黒色の基板でなかった場合、より具体的には、透明な、或いは表面における光反射率が低減されていない基板１０ｔであった場合、透過光のうち基板１０ｔの表面で反射された反射光、及びケース部１５０によって反射された反射光が、直接、或いは間接的に回路部６０に照射され、光リーク電流が発生してしまう。
【００４１】
そこで、液晶装置１によれば、上述したように、黒色のＴＦＴアレイ基板１０によって透過光が吸収されるため、回路部６０に含まれる画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子に照射される光を低減できる。よって、液晶装置１によれば、回路部６０に生じる光リーク電流を低減でき、液晶装置１の表示性能を高めることが可能である。
【００４２】
（第２実施形態）
次に、図６を参照しながら、本発明の第２の発明に係る液晶装置の一実施形態を説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置の一部における主要な部分の構成を図式的に示した断面図である。尚、本実施形態に係る液晶装置と、上述の液晶装置１との相違点は、ＴＦＴアレイ基板の構成の違いにあるため、本実施形態に係る液晶装置の全体構成及び電気的な接続構成に関する説明を省略する。加えて、以下では、上述の液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４３】
図６に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０が、黒色の下地基板１０ｂと、その上に設けられた保護基板１０ｃとから構成されている。
【００４４】
下地基板１０ｂは、重金属を含む石英基板であるため、重金属を含まない場合に比べて光吸収率が高められている。保護基板１０ｃは、黒色に処理されていない石英基板であり、保護基板１０ｃ上に形成された回路部６０に下地基板１０ｂから重金属が拡散しないように回路部６０を保護している。したがって、保護基板１０ｃによれば、マイクレーション現象によって下地基板１０ｂから回路部６０に重金属が拡散することを低減でき、マイグレーション現象による回路部に生じる短絡不良、或いは回路部６０内の半導体層に重金属等の不純物が拡散することによる素子性能の低下を抑制できる。
【００４５】
加えて、本実施形態に係る液晶装置が有するＴＦＴアレイ基板１０によれば、上述の液晶装置１と同様に、液晶層５０を透過した透過光が下地基板１０ｂによって吸収されるため、ケース１５０による光の反射を低減でき、回路部６０における画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子に発生する光リーク電流を低減可能である。
【００４６】
したがって、本実施形態に係る液晶装置によれば、液晶層５０を透過し、複数の画素電極９ａ間を通り抜けた透過光が、間接的に、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子を含む回路部６０に向かって照射されることを低減でき、液晶装置の表示性能を高めることが可能である。
【００４７】
加えて、本実施形態に係る液晶装置によれば、保護基板１０ｃは、下地基板１０ｂと同種の基板材料である石英を用いて構成されており、下地基板１０ｂとは別々に形成された後、当該下地基板１０ｂに貼り付けられていてもよいし、石英基板のうちその一部を黒色に加工することに形成された下地基板１０ｂを除く残りの部分であってもよい。
【００４８】
このようにＴＦＴアレイ基板１０を複数の基板から構成することによって、一様な組成を有する基板材料を用いて形成されたＴＦＴアレイ基板１０上に遮光性を有する金属膜を形成する場合に比べて、液晶装置の断面上で熱膨張係数の変化を緩やかにすることができ、熱膨張係数の急激な変化に起因するクラック等の欠陥の発生を抑制できる利点もある。
【００４９】
（電子機器）
次に、図７を参照しながら、上述の液晶装置をライトバルブとして用いた反射型プロジェクタを説明する。図７は、本実施形態に係る電子機器の一例である反射型プロジェクタの構成を示した図である。
【００５０】
図７において、プロジェクタ３００では、光源ランプ２００から出射された光（概ね白色光）は、クロスダイクロイックミラーからなる色分解ミラー２０１により青色光Ｂと赤色光Ｒ・緑色光Ｇに分光される。また、各光はミラー２０２を介して偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２０３に入射され、ＰＢＳ２０３によりＳ偏光光が色光変調用の反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇに入射される。入射された色光は、各ライトバルブによって変調された後、各ライトバルブから出射される。ＰＢＳ２０３では反射型液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから戻ってきたＳ偏光成分が反射しＰ偏光成分を透過する。従って、各ＰＢＳ２０３からは、液晶ライトバルブ１００Ｂ，１００Ｒ，１００Ｇから出射された光の偏光軸の回転程度に応じた光量の色光が透過してくる。この光量が、各色光に割り当てられた階調レベルに応じた光量（透過率）に相当する。各ＰＢＳ２０３を透過した色光は、色合成プリズム２０４内にＸ字状に形成された青色光反射・赤色光反射の波長選択反射層により、青色光Ｂと赤色光Ｒが反射され、緑色光Ｇが透過されて、カラー光が合成されて射出される。このカラー光を投射レンズ２０５によりスクリーン２０６に画像が投射される。本実施形態に係るプロジェクタ３００によれば、上述の液晶装置を具備してなるので、表示性能を向上可能に構成されていることになる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本発明の第１の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置の画像表示領域における回路構成を示した回路図である。
【図４】本発明の第１の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置の一部における主要な部分の断面構造を図式的に示した断面図である。
【図５】本発明の第１の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置の比較例における光の反射状態を図示的に示した断面図である。
【図６】本発明の第２の発明に係る液晶装置の一実施形態である液晶装置の一部における主要な部分の断面構造を図式的に示した断面図である。
【図７】本実施形態に係る電子機器の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・液晶装置、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、１０ｂ・・・下地基板、１０ｃ・・・保護基板、２０・・・対向基板、９ａ・・・画素電極、５０・・・液晶層
【図１】
2009115995.tif 000003
【図２】
2009115995.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009115995.tif 000006
【図５】
2009115995.tif 000007
【図６】
2009115995.tif 000008
【図７】
2009115995.tif 000009