(57)【要約】【課題】熱電効果を利用して平板ディスプレイ装置の前面部で発生する熱を平板ディスプレイ装置の背面に円滑に放出させる構造を持つ平板ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】画像を具現するディスプレイ部と、ディスプレイ部と電気的に連結されている第１半導体及び第２半導体と、第１半導体及び第２半導体と電気的に連結されているヒートシンクと、を備える平板ディスプレイ装置。【選択図】図３
2009211075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を具現するディスプレイ部と、
前記ディスプレイ部と電気的に連結されている第１半導体及び第２半導体と、
前記第１半導体及び第２半導体と電気的に連結されているヒートシンクと、を備える平板ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ヒートシンクは、前記ディスプレイ部と対向する側に配されていることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、前記ディスプレイ部で発生する熱を前記平板ディスプレイ装置の背面に放出することを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記ディスプレイ部から発生する光は、前記ヒートシンクと反対側の方向に出射されることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１半導体はＰ型半導体であり、前記第２半導体はＮ型半導体であることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記ディスプレイ部と前記ヒートシンクとは、相異なる導電性物質で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記ディスプレイ部と前記第１半導体、及び前記ディスプレイ部と前記第２半導体は、金属導線によって連結されていることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記金属導線は、前記ディスプレイ部で画像が具現されない非有効領域に連結されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項９】
背面基板、前記背面基板上に形成される第１電極、前記第１電極と電気的に絶縁されるように配された第２電極、及び前記第１電極に電気的に連結されて形成された電子放出源を備える電子放出素子と、
前面基板、前記前面基板上に形成されて前記電子放出素子の電子放出源と対向する位置に配された蛍光体層、及び前記蛍光体層に向かって前記電子放出素子から放出された電子を加速させる第３電極を備える前面パネルと、
前記前面パネルと電気的に連結されている第１半導体及び第２半導体と、
前記第１半導体及び第２半導体と電気的に連結されているヒートシンクと、を備える平板ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ヒートシンクは、前記前面パネルと対向する側に配されていることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第３電極で発生する熱は、前記ヒートシンクを通じて放出されることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記蛍光体層から放射される光は、前記ヒートシンクと反対側の方向に出射されることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第１半導体はＰ型半導体であり、前記第２半導体はＮ型半導体であることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記第３電極と前記ヒートシンクとは、相異なる導電性物質で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記前面パネルと前記第１半導体、及び前記前面パネルと前記第２半導体とは金属導線によって連結されていることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記金属導線は、前記第３電極で光が透過されない領域に連結されていることを特徴とする請求項１５に記載の平板ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板ディスプレイ装置に係り、詳細には熱電効果を利用して平板ディスプレイ装置の前面部で発生する熱を平板ディスプレイ装置の背面に円滑に放出させる構造を持つ平板ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、平板ディスプレイ装置が活発に開発されている。これらの平板ディスプレイ装置には、液晶ディスプレイ素子、プラズマディスプレイ装置、電界放出ディスプレイ装置、真空蛍光ディスプレイ素子などがある。
【０００３】
このうち、電子放出素子は、電子放出源として熱陰極を利用する方式と冷陰極を利用する方式とがある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子には、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）型、ＳＣＥ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｍｉｔｔｅｒ）型、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）型及びＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、ＢＳＥ（Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ）型などが知られている。
【０００４】
前記ＦＥＤ型は、仕事関数が低いか、またはβ関数の高い物質を電子放出源として使用する場合、真空中で電界差によって容易に電子が放出される原理を利用したものであって、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）などを主材質とする先端のとがっているチップ（ｔｉｐ）構造物やグラファイト、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）などの炭素系物質、そして最近ナノチューブやナノワイヤーなどのナノ物質を電子放出源に適用した素子が開発されている。
【０００５】
前記ＦＥＤ型電子放出素子は、カソード電極とゲート電極との配置形態によってトップゲート型とアンダーゲート型とに大別でき、使われる電極の数によって２極管、３極管または４極管に分けることができる。これらの従来の電子放出素子では、カソード電極とゲート電極との間に形成される電界により電子放出源から電子が放出される。カソード電極及びゲート電極のうち、負極として作用する電極の周囲に配された電子放出源から電子が放出される。放出された電子は初期段階で正極として作用する電極に向かって進みながら、アノード電極の強い電界に引かれて蛍光体層に向かって加速される。
【０００６】
これらの従来のＦＥＤ型電子放出素子のアノード電極では多くの電流量によって高い熱が発生する。この発生した熱によってパネル全体の温度が上昇し、これによって色々な問題点が発生する。すなわち、前記アノード電極で発生する熱は１００℃以上の高温であるため、ガラス基板が熱膨張によって破壊されるという問題点が発生した。また、平板ディスプレイ装置内の熱に弱いいろいろな構成要素にも影響を与えて、製品の不良率が高くなる問題点が存在した。特に、アノード電極及びアノード電極が設置された前面基板は光が出射される方向であるため、放熱板などを直接設置できず、したがって、円滑な冷却がなされないという問題点が存在している。
【０００７】
これらの問題点を解決するために、従来には外部冷却ファンを備える方式によって発生した熱を冷却させたが、この場合、冷却のための別途の構成要素が追加されるにつれてコストアップになり、冷却が効率的に行われないという問題点が存在した。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記のような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、アノード電極及び前記アノード電極が設置された前面基板で発生する熱を円滑に冷却できる平板ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、画像を具現するディスプレイ部と、前記ディスプレイ部と電気的に連結されている第１半導体及び第２半導体と、前記第１半導体及び第２半導体と電気的に連結されているヒートシンクと、を備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【００１０】
本発明において、前記ヒートシンクは、前記ディスプレイ部と対向する側に配されている。
【００１１】
本発明において、前記ヒートシンクは、前記ディスプレイ部で発生する熱を前記平板ディスプレイ装置の背面に放出する。
【００１２】
本発明において、前記ディスプレイ部から発生する光は、前記ヒートシンクと反対側の方向に出射される。
【００１３】
本発明において、前記第１半導体はＰ型半導体であり、前記第２半導体はＮ型半導体である。
【００１４】
本発明において、前記ディスプレイ部と前記ヒートシンクとは、相異なる導電性物質で形成されている。
【００１５】
本発明において、前記ディスプレイ部と前記第１半導体、及び前記ディスプレイ部と前記第２半導体は、金属導線によって連結されている。ここで、前記金属導線は、前記ディスプレイ部で画像が具現されない非有効領域に連結されうる。
【００１６】
本発明の他の側面において、背面基板、前記背面基板上に形成される第１電極、前記第１電極と電気的に絶縁されるように配された第２電極、及び前記第１電極に電気的に連結されて形成された電子放出源を備える電子放出素子と、前面基板、前記前面基板上に形成されて前記電子放出素子の電子放出源と対向する位置に配された蛍光体層、及び前記蛍光体層に向かって前記電子放出素子から放出された電子を加速させる第３電極を備える前面パネルと、前記前面パネルと電気的に連結されている第１半導体及び第２半導体と、前記第１半導体及び第２半導体と電気的に連結されているヒートシンクと、を備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【００１７】
本発明において、前記ヒートシンクは、前記前面パネルと対向する側に配されている。
【００１８】
本発明において、前記第３電極で発生する熱は、前記ヒートシンクを通じて放出される。
【００１９】
本発明において、前記蛍光体層から放射される光は、前記ヒートシンクと反対側の方向に出射される。
【００２０】
本発明において、前記第１半導体はＰ型半導体であり、前記第２半導体はＮ型半導体である。
【００２１】
本発明において、前記第３電極と前記ヒートシンクとは、相異なる導電性物質で形成されている。
【００２２】
本発明において、前記前面パネルと前記第１半導体、及び前記前面パネルと前記第２半導体は、金属導線によって連結されている。
【００２３】
本発明において、前記金属導線は、前記第３電極で光が透過されない領域に連結されている。
【発明の効果】
【００２４】
本発明による平板ディスプレイ装置によって、アノード電極及び前記アノード電極が設置された前面基板で発生する熱が円滑に冷却される効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電子放出素子を備えた電子放出型バックライトユニットの概略的な構成を示す部分斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に関する平板ディスプレイ装置の概略的な構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２７】
図１には、電子放出素子を備えた電子放出型バックライトユニットの概略的な構成を示す部分斜視図が図示されており、図２には、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図が図示されている。
【００２８】
図１及び図２に示したように、電子放出型バックライトユニット１００は、平行に配されて真空の発光空間１０３を形成する電子放出素子１０１及び前面パネル１０２と、前記電子放出素子１０１と前面パネル１０２との間隔を保持するスペーサ６０とを備える。
【００２９】
前記電子放出素子１０１は、第１基板１１０、第１電極１２０、絶縁体層１３０、第２電極１４０及び電子放出源１５０を備える。
【００３０】
ここで、前記第１電極１２０と第２電極１４０とは、前記第１基板１１０上に交差するように配され、絶縁体層１３０は、前記第２電極１４０と前記第１電極１２０との間に配されて前記第２電極１４０と前記第１電極１２０とを電気的に絶縁する。そして、前記第２電極１４０と前記第１電極１２０とが交差する領域には電子放出源ホール１３１が形成されており、その内部に電子放出源１５０が配されている。
【００３１】
前記第１基板１１０は所定の厚さを持つ板状の部材であって、石英ガラス、少量のＮａのような不純物を含有したガラス、板ガラス、ＳｉＯ２がコーティングされたガラス基板、酸化アルミニウムまたはセラミック基板が使われうる。また、フレキシブルディスプレイ装置を具現する場合には柔軟な材質が使われてもよい。
【００３２】
前記第１電極１２０及び第２電極１４０は、通常の電気導電物質からなりうる。例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属またはその合金、ガラス及びＰｄ、Ａｇ、ＲｕＯ２、Ｐｄ−Ａｇなどの金属または金属酸化物で構成された印刷導体、Ｉｎ２Ｏ３またはＳｎＯ２などの透明導電体、または多結晶シリコンなどの半導体物質からなりうる。
【００３３】
前記絶縁体層１３０は、第１基板１１０と第２電極１４０とを絶縁させる役割を果たす。前記絶縁体層１３０は通常の絶縁物質からなりうる。例えば、前記絶縁物質は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、またはフリットでありうる。前記フリットの非制限的な例には、ＰｂＯ−ＳｉＯ２系フリット、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系フリット、ＺｎＯ−ＳｉＯ２系フリット、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系フリット、Ｂｉ２Ｏ３−ＳｉＯ２系フリット及びＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系フリットなどがあるが、これに限定されるものではない。
【００３４】
前記電子放出源１５０には電子放出物質が含まれるが、電子放出物質としては、仕事関数が小さくてβ関数の大きいカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）が使われることが望ましい。特に、ＣＮＴは電子放出特性に優れて低電圧駆動が容易であるので、これを電子放出源として使用する装置の大面積化に有利である。しかし、ＣＮＴに限定されず、グラファイト、ダイアモンド及びダイアモンド状カーボンなどのカーボン系物質や、またはナノチューブ、ナノワイヤー、ナノロッドなどのナノ物質が使われうる。または電子放出物質としてカーバイド誘導炭素を含んで形成されてもよい。
【００３５】
前記前面パネル１０２は、可視光線を透過できる第２基板９０、前記第２基板９０に配されて前記電子放出素子１０１から放出された電子により励起されて可視光線を発生させる蛍光体層７０、及び前記蛍光体層に向かって前記電子放出素子１０１から放出された電子を加速させる第３電極８０を備える。
【００３６】
前記第２基板９０は、前述した第１基板１１０と同じ材質で形成され、可視光線を透過する性質を持つことが望ましい。
【００３７】
前記第３電極８０は、前述した第１電極１２０や第２電極１４０と同じ材質で作られる。
【００３８】
前記蛍光体層７０は、加速された電子により励起されて可視光線を発生させるＣＬ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）型蛍光体で形成される。前記蛍光体層７０に使われうる蛍光体には、例えば、ＳｒＴｉＯ３：Ｐｒ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３Ｓ：Ｅｕなどを含む赤色光用蛍光体や、Ｚｎ（Ｇａ，Ａｌ）２Ｏ４：Ｍｎ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｌなどを含む緑色光用蛍光体や、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、ＺｎＧａ２Ｏ４、ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃｌなどを含む青色光用蛍光体がある。もちろん、ここで言及した蛍光体に限定されるものではない。
【００３９】
本発明による電子放出型バックライトユニット１００が正常に作動するためには、前記蛍光体層７０と前記電子放出素子１０１との間の空間は真空で保持されねばならない。このために、前記蛍光体層７０と前記電子放出素子１０１との間の間隔を保持するスペーサ６０と、真空空間を密封するガラスフリット（図示せず）とがさらに使用されうる。前記ガラスフリットは、前記真空空間の周囲に配されて真空空間を密封する機能を有する。
【００４０】
以上のような構造を持つ電子放出型バックライトユニット１００は、次のような方式で動作する。前記電子放出素子１０１に配された第１電極１２０には（−）電圧が印加され、第２電極１４０には（＋）電圧が印加され、前記第１電極１２０と第２電極１４０との間に形成された電界により、電子放出源１５０からは第２電極１４０に向かって電子が放出される。この時、前記第３電極８０に前記第２電極１４０に印加された（＋）電圧よりはるかに大きい（＋）電圧が印加されれば、前記電子放出源１５０から放出された電子は前記第３電極８０に向かって加速される。電子は、第３電極８０と隣接した蛍光体層７０を励起させて可視光線が発生する。これらの電子の放出は、前記第２電極１４０に印加される電圧により制御できる。
【００４１】
もちろん第１電極１２０に必ずしも（−）電圧が印加されるべきものではなく、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電子放出に必要な適切な電位差が形成できさえすればよい。
【００４２】
図１及び図２に示した電子放出型バックライトユニット１００は、面光源であって、ＴＦＴ−ＬＣＤのような無発光表示素子のバックライトユニットとして使われうる。また、単純に面光源として可視光線を発生させるものではなく画像を具現するために、またはディミング機能を持つバックライトユニットを構成するためには、前記電子放出素子１０１の第１電極１２０と第２電極１４０とが互いに交差するように配されることが望ましい。このために、第１電極１２０と第２電極１４０のうち一つが主電極部と枝電極部とを持つ形態で設けられて、主電極部は他の電極と互いに交差し、枝電極部は主電極部から突出して他の電極と対向するように配され、電子放出層は、枝電極部または主電極部と枝電極部とが対向する部分に形成されるように設けられうる。
【００４３】
図３は、本発明の一実施形態に関する平板ディスプレイ装置の概略的な構成を示す平面図である。
【００４４】
図３を参照すれば、本発明の一実施形態に関する平板ディスプレイ装置１は、電子放出型バックライトユニット１００、第１半導体１０、第２半導体２０、ヒートシンク３０及び金属導線４０を備える。
【００４５】
従来のＦＥＤ型電子放出素子の第３電極（アノード電極）では、多くの電流量によって高熱が発生する。この発生した熱によってパネル全体の温度が上昇し、これによって色々な問題点が発生する。すなわち、前記アノード電極で発生する熱は１００℃以上の高温であるため、ガラス基板が熱膨張によって破壊されるという問題点が発生した。また、平板ディスプレイ装置内の熱に弱いいろいろな構成要素にも影響を与えるようになって、製品の不良率が高くなるという問題点が存在した。特に、アノード電極及びアノード電極が設けられた前面基板は光が出射される方向であるため、放熱板などを直接設置できず、したがって、円滑に冷却されないという問題点が存在している。
【００４６】
これらの問題点を解決するために、本発明では、熱電素子を利用して平板ディスプレイ装置の前面で発生する熱を平板ディスプレイ装置の背面に円滑に放出させることを特徴とする。
【００４７】
これを詳細に説明すれば、熱電素子はｎ、ｐ型熱電半導体を電気的には直列に、熱的には並列になるようにΓ型に連結したモジュールの形態で使われる。すなわち、ｐ型素子とｎ型素子とを金属電極に接合させたΓ型直列回路で、ｐ−ｎ対（ｃｏｕｐｌｅ）両分枝端の電極をそれぞれ−＋になるように電流をｎ型からｐ型に流せば、ｐ型素子内の正孔は−電極に、ｎ型素子内の電子は＋電極に引かれる。この時、正孔と電子いずれも一側のｐ−ｎ接合部電極から熱を持って他側の両分枝端の電極に移動するため、上部の接合部は冷却されて周囲から熱を吸収し、下部の両分枝端は熱を放出する。これらの現象をペルチエ効果といい、電子冷却の原理になるだけではなくヒートパイプの役割も行う。
【００４８】
すなわち、ペルチエ効果は同じ形状を持つ二つの相異なる金属で形成された回路に直流電気を流せば、一接合部では吸熱が起き、他の接合部では発熱が起き、電流の方向を逆にすれば、吸熱と発熱とが逆に起きる現象を意味する。これは、両端面が連結された二つの異なる金属に電気的負荷をかけた時、金属のそれぞれ他の両端面で発熱と冷却が同時に起きる現象であって、数式で整理すれば、下記の通りである。
｜Ｑｐ｜＝αａｂ＊Ｔｊ＊Ｉ＝π＊Ｉ
【００４９】
ここで、｜Ｑｐ｜＝単位時間に発生する熱量の絶対値、αａｂ＝周囲温度によるａ、ｂ二つの金属の相対熱電能、π＝αａｂ＊Ｔｊ＝ペルチエ係数、Ｉ＝電流を表す。
【００５０】
結局ペルチエ効果は、２種の異なる物質間の接合を経て電流が流れる時に起きる熱の放出と吸収を意味する。電流がいずれかの一方向に流れる時に熱が発生すれば、電流がその逆方向に流れれば熱を吸収するため、ペルチエ効果は可逆的である。接合に電流が流れれば、導体に電流が流れる時に生じるジュール熱効果に追加して、ペルチエ効果による熱発生や吸収が発生する。
【００５１】
再び図３を参照すれば、電子放出型バックライトユニット１００の前面パネル１０２の第３電極８０は、前述したように通常の電気導電物質からなりうる。例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄなどの金属またはその合金、ガラス及びＰｄ、Ａｇ、ＲｕＯ２、Ｐｄ−Ａｇなどの金属または金属酸化物で構成された印刷導体、Ｉｎ２Ｏ３またはＳｎＯ２などの透明導電体、または多結晶シリコンなどの半導体物質からなりうる。前記第３電極８０では、多くの電流量によって高熱が発生する。
【００５２】
ヒートシンク３０は平板ディスプレイ装置１の背面に形成される。これを詳細に説明すれば、前記ヒートシンク３０は、平板ディスプレイ装置１の電子放出型バックライトユニット１００で発生する光が出射される方向（図３の矢印Ａ参照）と対向する側に形成される。すなわち、本発明のように電子放出型バックライトユニット１００で発生した光が前面パネル１０２を通過して出射される透過型平板ディスプレイ装置１の場合、前面パネル１０２の第３電極８０で発生する熱を放出するために別途のヒートシンクを第３電極８０に取り付けることができないため、第３電極８０で発生する熱を冷却させることが容易でなかった。これらの問題点を解決するために、本発明では、ヒートシンク３０を平板ディスプレイ装置１の背面に配置し、前面パネル１０２とヒートシンク３０との間に第１半導体１０、第２半導体２０及びこれらそれぞれを連結するための金属導線４０を備える。ここで、ヒートシンク３０は、ペルチエ効果の発生のために、第３電極８０と異なる導電性物質で形成できる。
【００５３】
前記第１半導体１０は、金属導線４０によって、前面パネル１０２の第３電極８０の一端部及び平板ディスプレイ装置１の背面に形成されているヒートシンク３０の一端部にそれぞれ連結されるように形成される。
【００５４】
前記第２半導体２０は、金属導線４０によって、前面パネル１０２の第３電極８０の他端部及び平板ディスプレイ装置１の背面に形成されているヒートシンク３０の他端部にそれぞれ連結されるように形成される。
【００５５】
金属導線４０が連結される第３電極８０の一端部及び他端部は、光が透過されない領域、例えば、ブラックマトリックスなどの領域でありうる。このような構成によって、出射される光の損失なしに第３電極８０で発生する熱を冷却させる効果を得ることができる。
【００５６】
ここで、一例として、前記第１半導体１０はＰ型半導体で形成され、前記第２半導体２０はＮ型半導体で形成される。この時、前記第２半導体２０から前記第１半導体１０に電流を印加すれば、ペルチエ効果によって、前記第３電極８０は冷却部の役割を行い、前記ヒートシンク３０は発熱部の役割を行う。したがって、前記第３電極８０で発生する熱は前記ヒートシンク３０に伝えられて、平板ディスプレイ装置１の外部に放出される。
【００５７】
ここで、前記第１半導体１０及び第２半導体２０は図示したように、平板ディスプレイ装置１の両側面にそれぞれ配されうる。
【００５８】
このような本発明の構成によって、第３電極８０及び前記第３電極８０が設置された前面基板で発生する熱が円滑に冷却される。また、これによってデバイスの寿命及び各種特性が向上する。また、電子素子を利用した熱の制御であるため、精密な温度制御が可能になる。また、電源供給後に急速な冷却が可能になり、局部冷却が可能になる。また、重力の方向と関係なく、いかなる位置や方向でも作動できる。また、冷却部の小型化及び軽量化が可能であり、低騷音及び低振動冷却が具現される。
【００５９】
図面では、所定の光が発生する発光部として電子放出型バックライトユニット１００を例示しているが、本発明の思想はこれに制限されない。すなわち、液晶ディスプレイ素子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ、ＰＤＡ）など熱が発生する平板ディスプレイ装置、特に透過型平板ディスプレイ装置にはいずれも本発明の適用ができるといえる。
【００６０】
本発明は、図面に図示された実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、ＬＣＤ、ＰＤＡなど熱が発生する平板ディスプレイ装置、特に透過型平板ディスプレイ装置に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００６２】
１  平板ディスプレイ装置
１０  第１半導体
２０  第２半導体
３０  ヒートシンク
４０  金属導線
６０  スペーサ
７０  蛍光体層
８０  第３電極
９０  第２基板
１００  電子放出型バックライトユニット
１０１  電子放出素子
１０２  前面パネル
１１０  第１基板
１２０  第１電極
１３０  絶縁体層
１４０  第２電極
１５０  電子放出源
【図１】
2009211075.tif 000003
【図２】
2009211075.tif 000004
【図３】
2009211075.tif 000005