(57)【要約】【課題】  発光素子の劣化を端子間電圧の上昇として検出し、その結果によって駆動電流を補正すると、輝度が増加して正確な補償ができない。【解決手段】  複数配置された画素ごとに備えられた発光素子と、  １フレーム期間に１より小さいデューティ比で前記発光素子に駆動電流を供給する駆動部と、  前記発光素子の端子間の電圧上昇を検出する電圧検出部と、  前記発光素子の駆動電流を補正する補正部と、  前記駆動部が前記補正された駆動電流を前記発光素子に供給するように前記駆動部を制御する制御部と、を有する表示装置であって、  前記補正部は、  前記検出された電圧上昇が基準値に達した画素に対して、一定の割合で前記駆動電流を増加させる補正を行うことを特徴とする表示装置。【選択図】  図１
2009276672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数配置された画素ごとに備えられた発光素子と、
１フレーム期間に１より小さいデューティ比で前記発光素子に駆動電流を供給する駆動部と、
前記発光素子の端子間の電圧上昇を検出する電圧検出部と、
前記発光素子の駆動電流を補正する補正部と、
前記駆動部が前記補正された駆動電流を前記発光素子に供給するように前記駆動部を制御する制御部と、
を有する表示装置であって、
前記補正部は、
前記検出された電圧上昇が基準値に達した画素に対して、一定の割合で前記駆動電流を増加させる補正を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記補正された駆動電流は、前記デューティ比で前記発光素子を連続駆動したときの輝度劣化を０に戻す電流であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記補正された駆動電流は、前記デューティ比で前記発光素子を連続駆動したときの輝度劣化を、もとの輝度より高い輝度にする電流であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電圧上昇の基準値は、デューティ比を変えて連続駆動したときの電圧上昇対輝度劣化の関係を、デューティ比０％に外挿したときの電圧上昇対輝度劣化の関係において、表示装置としての輝度劣化の許容限度を与える電圧上昇で決まる値であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光素子が異なる色の発光素子を含み、各色ごとに前記補正部を備える請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、詳しくは通電することで発光する有機ＥＬ素子等の発光素子を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル対応の自発光型デバイスが注目されている。自発光型デバイスとしては、プラズマ発光表示素子、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子等がある。
【０００３】
この中で、特に、有機ＥＬ素子に関しては、研究開発が精力的に進められており、緑単色や、青、赤等の色を加えたエリアカラータイプのアレイが製品化され、現在はフルカラー化への開発が活発化している。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子においては、発光することで輝度が低下し、電圧が上昇する変化が起こることが知られている。
【０００５】
複数の画素をマトリクス状に配置したディスプレイでは、例えば黒い背景に白い固定パターンが表示される場合、図２に示すように黒い部分は点灯していないので劣化しないが白い部分は輝度が低下する。
【０００６】
したがって、均一に全体が点灯する画像を表示する時、固定パターンを表示させていた部分は他より暗くなっており、これが文字や絵として認識される。
【０００７】
つまり、前記の輝度の低下は、焼きつきとして認識され画質を著しく悪化させてしまう。
【０００８】
このような有機ＥＬ素子の変化を補償する技術としては、例えば特許文献１においては、有機ＥＬ素子の駆動電圧を検出し、その電圧に応じて対応する画素データを補正し、これをもって各発光素子の輝度の低下を画素単位で補う表示装置を開示する。
【特許文献１】特開２００６−０９１７０９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の方法によって、駆動電圧を検出しその電圧変化に応じて画素データを補正すると、輝度の低下を補償するために、輝度劣化が無くとも輝度が低下したと判断し、より発光をするように動作するために、その部分だけより多く発光する場合があり、発光素子の電圧を検出しただけでは、輝度劣化を正確に補償することができないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、
複数配置された画素ごとに備えられた発光素子と、
１フレーム期間に１より小さいデューティ比で前記発光素子に駆動電流を供給する駆動部と、
前記発光素子の端子間の電圧上昇を検出する電圧検出部と、
前記発光素子の駆動電流を補正する補正部と、
前記駆動部が前記補正された駆動電流を前記発光素子に供給するように前記駆動部を制御する制御部と、
を有する表示装置であって、
前記補正部は、
前記検出された電圧上昇が基準値に達した画素に対して、一定の割合で前記駆動電流を増加させる補正を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、輝度の変化を抑制した表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本発明の一実施形態である表示装置の構成を説明するための概念図である。
図１の表示装置は、発光素子である有機ＥＬ素子１と、該有機ＥＬ素子に電力を供給する駆動部２と、入力信号に応じて前記駆動部を制御する制御部３と、前記有機ＥＬ素子の劣化を検出する劣化検出手段４と、前記有機ＥＬ素子１の劣化に伴って前記有機ＥＬ素子１に対する出力を補正する補正部５とを備えている。有機ＥＬ素子１はマトリクス形に複数配置され、各々が画素を構成している。
【００１３】
後述するように、前記補正部５においては、前記有機ＥＬ素子の端子間電圧を測定し、駆動開始からの電圧上昇が基準値に達したことでそのＥＬ素子が劣化したと判断し、外部から前記有機ＥＬ素子の表示信号が入力されると、それに応じた駆動電流が一定の割合で増加するように、入力信号を補正する。補正された信号は、前記制御部と駆動部を通じて、前記有機ＥＬ素子に駆動電流として出力される。
【００１４】
＜有機ＥＬ素子の劣化特性＞
有機ＥＬ素子の劣化による電圧上昇と輝度の低下の様子を図３に示す。
図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、有機ＥＬ素子を一定電流で連続して駆動し発光させた場合の、有機ＥＬ素子の輝度および端子間電圧の時間変化を示す。輝度は駆動を開始した時点（時刻０）の輝度を１として規格化した。電圧は初期（時刻０）の端子間電圧からの変化である。このように、有機ＥＬ素子の劣化は，輝度の低下と電圧上昇を伴って進行する。
【００１５】
図３（ｃ）は、図３（ａ）、（ｂ）から導かれる、輝度劣化（横軸）と電圧上昇（縦軸）の関係を示す。以下，この関係を劣化特性という。
【００１６】
図３（ｃ）の関係がわかっていると、端子間電圧の上昇値から輝度の低下量を推定し、駆動電流を補正することにより、輝度を一定に保つこと、すなわち劣化補償を行うことができる。０．１５Ｖの電圧上昇を検出した場合は、輝度が初期の９８％に劣化したとみなして、輝度を２％増加させるべく駆動電流を補正をすればよい。このように、連続的な発光継続に対しては、輝度劣化と電圧上昇量が一定の関係にあるため、輝度劣化を正確に補償することができる。
【００１７】
しかしながら、複数の画素が存在するテレビや携帯電話等の表示装置においては、すべての画素で発光が連続的に行われることはなく、表示する内容によって各画素は頻繁に輝度を変化させている。その結果、劣化の進み方も画素によって異なってくる。
【００１８】
有機ＥＬ素子に対して駆動と休止を繰り返した場合の輝度劣化と電圧上昇の時間変化を図４（ａ）、（ｂ）に示す。横軸は駆動している時間の累積を表している。時刻０から延びている分枝は１回目の駆動での電圧変化である。３３時間連続して駆動した後いったん駆動を停止し、その後再開したときの電圧上昇が第２の分枝に示されている。その後の第３の分枝は、６５時間後に休止してさらに再開したときの電圧上昇である。
【００１９】
図４（ａ）に示すように、輝度は駆動休止の前後で変化せず、駆動が再開されると、休止直前の輝度で再び発光する。輝度の低下量は累積駆動時間によって決まる。
【００２０】
これに対し、図４（ｂ）に示すように、駆動中に上昇した電圧は駆動休止によって少し下降し、駆動中の電圧上昇の一部が回復する。再開後は電圧が急速に上昇し、休止前の電圧に近くなると上昇が緩やかになり、休止前の電圧上昇速度に戻る。
【００２１】
図４（ｃ）は、図４（ａ）、（ｂ）に対応する輝度劣化と電圧上昇の関係を示す図である。各分枝は、図４（ｂ）の分枝にそれぞれ対応している。破線Ａは、駆動再開直後の電圧と輝度をプロットした点を結んで得られる曲線である。破線Ｂは、駆動再開後、十分に長い時間駆動を行なった後の電圧と輝度の関係から包絡線を作ったものである。いずれもほぼ直線になるが、これは本発明にとって本質的ではない。
【００２２】
破線ＡとＢの間隔の電圧ΔＶｏｓは休止による電圧の回復分である。この分の電圧変化は可逆であり、駆動休止中に回復して０になる。また、駆動再開直後に急速に休止前の値に戻る。
【００２３】
休止を経て再開した直後の電圧は、休止時間が十分長い場合は破線Ａの電圧にまで回復するが、短時間の休止では途中の値までしか回復せず、再開直後の電圧は休止期間の長さに依存する。
【００２４】
一般に有機ＥＬ素子の輝度の低下は、素子の内部の不可逆な変化すなわち劣化であると考えられている。しかし、図４（ｂ）（ｃ）の示すところによれば、駆動開始直後の一定期間、ほとんど輝度の低下を伴わない急速な電圧上昇があり、しかもこの電圧変化は、発光を停止すると元に戻る可逆な変化である。
【００２５】
何故このように、前述のような可逆な電圧変化が存在するかは十分には解明されていないが、可逆な電圧変化は、有機ＥＬ素子の両端子間の寄生容量を充放電する現象であると考えることができる。この寄生容量は、駆動期間中に充電され、休止期間中に放電される。駆動または休止の時間が十分長いと、寄生容量電圧は飽和するが、駆動期間が短いまたは休止期間が短い場合は充放電が飽和せず、中間的な電圧が現れる。
【００２６】
＜デューティ比に依存する劣化特性＞
上で述べたように、検出される有機ＥＬ素子の端子間電圧の時間変化は、不可逆変化分と可逆変化分ΔＶｏｓが足しあわされたものである。
【００２７】
本発明者らの実験で、１フレーム期間の間に有機ＥＬ素子に電流を供給する時間の割合（以下デューティ比という）を変えると、可逆電圧変化の大きさが変化することがわかった。図８にその結果を示す。
【００２８】
図８は、有機ＥＬ素子を１時間連続して点灯した際のデューティ比と可逆な電圧変化ΔＶｒの関係を示す。デューティ比１００％駆動時の△Ｖｒは、図４（ｃ）で説明したΔＶｏｓと同じものである。デューティ比を小さくしていくとΔＶｒが減少し、デューティ比０％に外挿するとΔＶｒはほぼ０Ｖになる。
【００２９】
図８の結果は、可逆電圧変化幅がデューティ比によってコントロールできることを示している。０％デューティで駆動すると可逆変化はなく、電圧は、図４（ｃ）の破線Ａに沿って増加する。このときは電圧上昇が輝度劣化に１対１に対応する。
【００３０】
図８の特性を測定するには、デューティ比を決めて長時間連続駆動し、電圧上昇を測定する。その後、十分長い時間駆動を休止させ、その後の電圧を測定する。２つの電圧の差が可逆変化分ΔＶｒである。
【００３１】
図８の特性を測定する別の方法は、長時間連続駆動したときの電圧上昇をデューティ比を変えて測定し、電圧上昇の値をデューティ比０％に外挿して得た値と各電圧上昇との差を可逆変化分ΔＶｒとする。
【００３２】
＜輝度劣化の補償＞
本発明は、画素によって劣化の程度が異なり、さらに、休止の時間と休止後の経過時間によっても電圧上昇が違っている表示装置の劣化による輝度劣化を、図８のデューティ比による可逆電圧の違いを利用して解決する。
【００３３】
図４（ａ）−（ｃ）を用いて説明したとおり、有機ＥＬ素子の端子間電圧を検出しただけでは、それが可逆電圧変化分を含んでいるため、輝度の低下（劣化）を決定することはできない。本発明においては、画素の電圧上昇を定期的にモニタし、その値があらかじめ定めた基準電圧（仮に０．１Ｖとする）を超えたところで劣化したとみなして入力信号に補正を加えるとする。検出した電圧だけで劣化を判断するので、当然、画素毎に劣化の程度は異なっているが、その違いは無視して、それらの画素にすべて同じ補正、例えば１０％の電流増加、を与える。
【００３４】
表示装置には外部から画素ごとに表示信号が入力される。駆動部は、入力信号に応じた駆動電流Ｉｓｉｇを有機ＥＬ素子に供給する。補正部は、これに一定係数ａをかけた駆動電流ａＩｓｉｇが有機ＥＬ素子に流れるように、入力信号を補正する。または、入力信号は補正せずに、駆動部のデータ信号出力源に補正信号を送り、駆動部が補正された電流を発生させてもよい。劣化特性が駆動電流の大きさごとに知られている場合は、補正係数ａは駆動電流によって異なっていてもよい。しかし、劣化が検出された画素ごとに係数ａが異なることはなく、一定の係数で補正される。
【００３５】
図４（ｃ）の劣化を示す有機ＥＬ素子では、電圧上昇（縦軸）が０．１Ｖのとき、輝度の低下（横軸）Ｌ／Ｌ０はおよそ０．９から０．９５の範囲に分布している。Ｌ／Ｌ０＝０．９に近い輝度劣化を呈する画素は、電圧上昇の大部分が不可逆な変化分であるから、劣化が進んでいる。これに対して、Ｌ／Ｌ０＝０．９５に近い輝度劣化を呈する画素は、電圧上昇のおよそ１／２が可逆変化分で、残りが不可逆な変化分であるから、Ｌ／Ｌ０＝０．９の画素よりは劣化の進行が遅い。電圧上昇を見ただけではこれらの違いはわからない。
【００３６】
これらにすべて一定の割合（１０％増）の電流補正を加えると、輝度も一律にほぼ１０％増加する。その結果、Ｌ／Ｌ０＝０．９の画素はちょうど劣化前の輝度に戻るが、Ｌ／Ｌ０＝０．９５の画素は１０５％の輝度になってしまう。したがって、画素によっては逆に明るくなってしまい、正しい補正ができないばかりでなく、電流が増加して劣化を早めることになる。
【００３７】
上の場合は、輝度劣化が０．９から０．９５の範囲に分布したが、これはデューティ１００％の駆動だったからである。輝度劣化の違いがもっと小さければ、補正後の輝度のばらつきも狭い範囲に分布する。
【００３８】
本発明は、補正後の輝度差が見た目にわからない程度になるように、デューティ比を１（１００％）より小さくして駆動する。図８に示したとおり、デューティ比を小さくしていくと可逆電圧変化の幅は小さくなるので、図４（ｃ）の破線Ａと破線Ｂの間隔も小さくなる。これは、同じ０．１Ｖの電圧上昇を持つ画素の輝度劣化のばらつきが小さくなることだから、補正後の輝度ばらつきも小さく抑えられる。デューティ比がある値以下の駆動では補正後の輝度差が見た目にわからない程度になると期待される。本発明は、そのようなデューティ比またはそれ以下のデューティ比で駆動することにより、同じ電圧上昇の画素の劣化程度の分布幅を狭くし、一定の割合で電流を増加させて輝度を補正する。劣化程度の分布が狭いので、補正後の輝度分布も小さくなり、見た目で区別がつかない程度、すなわち表示装置としての許容限度内に来るようにできる。これによって電圧上昇を検出するのみで輝度の低下を補償できる。
【００３９】
劣化程度の分布は、デューティ比を小さくすることにより狭くなる。あわせて、電圧上昇の基準値を小さくしてもよい。
【００４０】
以下、図を用いて本発明を詳しく説明する。
図５（ａ）は、あるデューティ比で駆動したときの電圧上昇と輝度劣化の関係（実線）と、それをデューティ比０％に外挿して得られる電圧上昇と輝度劣化の関係（一点鎖線）を表している。図４（ｃ）では両線は平行であるとしたが、図５（ａ）では両者は傾きが異なるとして描いている。一般にはこれらの特性は直線でもなく、平行でなくてもよい。
【００４１】
劣化を判定し補正を行う基準となる電圧を△Ｖｃとする。電圧上昇が△Ｖｃに達した画素の輝度劣化は、最大値がＬｂで、これは長く休止していた、あるいは長く黒表示を続けていた画素に対応する。また輝度劣化の最小値はＬｃで、これは長く白（最大輝度）表示が続いている画素についての輝度劣化である。その他の（電圧上昇が△Ｖｃに達した）画素は、輝度劣化がＬｂとＬｃの間にある。
【００４２】
実際の表示装置においては、図５（ａ）の２つの特性は、あらかじめ標準となる有機ＥＬ素子について測定し、記憶しておく。すなわち、決められたデューティで連続駆動しながら、電圧上昇と輝度劣化を測定する。これを実線でプロットする。デューティ比をそれより小さくして同じ測定を行い、いくつかのデューティ比での測定結果からデューティ比０％に外挿した電圧上昇対輝度劣化の特性を決め、これを一点鎖線でプロットする。
【００４３】
電圧上昇の基準値△Ｖｃは、許容される輝度のムラから決定される。輝度劣化は、図５（ａ）の２つの特性の間で進行するから、同じ電圧上昇の画素のうちで、最大の輝度劣化を示す画素の輝度劣化（一点鎖線）Ｌｂが輝度の不均一の幅を与える。これが許容限度範囲（それ以上輝度の違いがあると目に見えてしまう）を超えると輝度が表示装置のムラとなって視認されてしまうので、基準値は、Ｌｂが輝度劣化の許容限度に等しくなるところの電圧上昇の値として決定される。
【００４４】
電圧上昇が基準値に達した画素についての補正は、最小輝度劣化（図５（ａ）の実線）Ｌｃを示す画素がもとの輝度（輝度劣化０）に戻るように行う。すなわち、輝度補正量はＬｃとなる。このとき、最大輝度劣化Ｌｂを示した画素は補正後の輝度劣化がＬｂ−Ｌｃになる。
【００４５】
図５（ｂ）は、最大輝度劣化（一点鎖線）と最小輝度劣化（実線）が輝度ムラの許容限度を０．７５％として、基準値の電圧上昇△Ｖｃに達した画素を検出して、それに駆動電流補正を行ったときの輝度変化を表している。矢印の根元が補正前の輝度、矢先が補正後の輝度である。補正前の輝度は未知であるから、それらを個別に補正することはできない。輝度が一様にＬｃだけ上昇するように補正を行う。
【００４６】
図５（ｂ）の例では、電圧上昇△Ｖｃに対応する最大輝度劣化が許容限度１．５％に達したときに、補正量Ｌｃの補正を行うと、すべての画素が同時に補正を受け０．７５％輝度が上昇する。
【００４７】
補正後の輝度がもとの輝度を過ぎて、逆に明るいほうに補正されると、劣化していない素子に比べ輝度が高くなる。有機ＥＬ素子の輝度劣化は輝度が高いほど大きくなるため、輝度が補正後に初期値より高くなると、素子の輝度劣化を促進してしまう。したがって補正後の劣化量が０を下回らないように（つまり補正後の輝度が補正前の輝度を上回らないように）補正することが好ましい。すなわち、輝度補正量Ｌｃは、電圧上昇が基準値に達した画素のうち、実線上にある劣化がいちばん遅れている画素（つまりそれまで連続して駆動されて基準値に達した画素）の補正後の輝度が、ちょうど劣化前の輝度（輝度劣化０）に戻るように決定する。
【００４８】
図５（ｂ）の場合、実線上にある劣化がいちばん遅れている画素（つまりそれまで連続して駆動されて基準値に達した画素）の補正後の輝度が、逆に明るいほうに補正されないようにするには、最大デューティ比の輝度の補正が上の０％デューティ比の発光と同じＬｃとなるようにすればよい。この補正量Ｌｃは０．７５％である。
【００４９】
図５（ｂ）には、１回目の補正の後さらに駆動しつづけたときの電圧上昇と輝度劣化も描かれている。輝度劣化が１．５％ともっとも大きい画素は、１回目の補正で輝度劣化が０．７５％の状態に回復し、その後再び電圧上昇と輝度劣化が進行する（２番目の一点鎖線）。輝度劣化が０．７５％でもっとも小さい画素は、補正によって劣化前と同じ０％に戻り、再び（２番目の実線の）電圧上昇線をたどる。
【００５０】
図５（ｃ）は、図５（ｂ）における電圧変化と輝度変化および補正量との関係を明瞭に示すために、図５（ｂ）の各分枝を連続的につないだ表現にしたものである。
【００５１】
２回目の補正は、１回目の補正で輝度を回復した最大輝度劣化を呈する画素が、再び許容限度の１．５％を超えるときに行われる。これは図５（ｂ）の２番目の一点鎖線と輝度劣化量１．５％との交点であらわされる。最小輝度劣化を呈する画素は１回目の補正で元の輝度（劣化量０％）に戻り、その後の劣化（２番目の実線）で、輝度劣化Ｌｃ’＝０．３７５％の点に達している。２回目の補正も、最大輝度が元の輝度より高くならない範囲で行わなければならないので、２回目の補正量はＬｃ‘であり、１回目の補正量Ｌｃの半分である。
【００５２】
以下、３回目、４回目と補正を重ねていくことができる。今の例のように、最大輝度劣化を呈する画素の劣化（一点鎖線）と最小輝度劣化を呈する画素の劣化（実線）の間隔が一方的に広がっていくような劣化特性をもつ場合は、両者の間隔が輝度の許容限度範囲（１．５％）以上に広がると、補正によって両方の画素を許容限度範囲に収めることができなくなる。このときがこの方式の適用できる限界である。限界に達するまでの時間が機器の耐用年数と同程度に長くなるようにデューティ比を決定すればよい。
【００５３】
デューティ比が１に近いと、図５（ａ）の実践と一点差線の間隔が広いので、補正限界までの期間が短くなる。
【００５４】
図４（ｃ）のように、劣化特性の差が一方的に広がらず一定の間隔に収まる場合は、電圧上昇に上限がない限り、つねに最大輝度劣化を呈する画素（劣化特性Ａ、図５の一点鎖線）と最小輝度劣化を呈する画素（劣化特性Ｂ、図５の実線）の両方を許容範囲内におくことができる。図４（ｃ）の例では、ＡとＢの間隔は輝度で約５％あり、これは許容限度が１．５％であるとすると、その範囲を超えている。図４（ｃ）の劣化特性Ｂは、デューティ比１００％の特性であるから、デューティ比を小さくすることにより、間隔を１．５％にすることができる。図８のΔＶｒは図４（ｃ）のΔＶＯＳに相当する。図８から、デューティが２０％のとき、ΔＶｒはデューティ１００％の値のおよそ３割に減少するから、デューティ比２０％以下にすれば許容限度１．５％での劣化補正が可能になる。
【００５５】
図５（ｂ）（ｃ）の補正方式では、補正後の輝度が、劣化前つまり初期の輝度より高くならないように補正する例を述べたが、補正後の輝度が劣化前の輝度から一定の小さい範囲内にあればよいと考えることもできる。以下その場合を説明する。
【００５６】
図９（ａ）は、Ｌｂ＝１．５％（輝度劣化限度）、Ｌｄ＝０．５％（輝度増加限度）、Ｌｃ＝１％（輝度補正量）の際の電圧上昇量および輝度劣化量、補正量の関係を示したものである。補正後にＬｄを下回らないように補正される様子を示している。
【００５７】
図９（ｂ）は図５（ｃ）と同様に図９（ａ）を連続的に示したものである。
【００５８】
補正後の輝度が、劣化前の素子または劣化していない素子の輝度に比べＬｄだけ高くても許されるとすると、
△Ｖａ／（△Ｖｏ＋△Ｖａ）≧  Ｌｃ／（△Ｌｂ＋Ｌｄ）
の関係を満たせばＬｄを超えることなく補正が可能である。
【００５９】
また、焼きつきが許される範囲を１．５％としたが、これは同じ色として判断できる基準：ＡＳＴＭ許容色差分類によるものである。表１にこの基準を示す。
【００６０】
【表１】
2009276672.tif 000003
【００６１】
同じ色と判断されるということは、焼きつきがあると判断されないことになるため、このＡＳＴＭ許容色差分類で並べて判定した場合にほとんどの人が容易に色差を認めることができる値色差△Ｅ＝１．２以内である必要があり、さらに△Ｅ＝０．６以内におさまっていることが好ましい。
【００６２】
有機ＥＬ素子の色度が劣化によって変わらず輝度のみ劣化する場合、この色差△Ｅ＝１．２および０．６に対応する輝度劣化はそれぞれ３．０７２％および１．５４４％である。したがって、劣化量が３．０７２％におさまっていることが好ましく、１．５４４％以内に収まっていることがさらに好ましい。ここで色差とは、ＣＩＥＬＡＢ色空間における色差をさす。
ただし、この値に限るものではなく他の値であっても良い。
以上の説明に基いて、以下の表示装置が提案できる。
【００６３】
（１）有機ＥＬ素子の電圧変化が劣化による不可逆な電圧上昇と劣化を伴わない可逆な電圧上昇からなり、補正を行う際の電圧変化量を△Ｖｃ、補正量（劣化する前の輝度に対する補正する輝度の割合）をＬｃ、有機ＥＬ素子がＬｃ劣化した時の可逆電圧上昇、劣化による不可逆電圧上昇量をそれぞれ△Ｖｏ、△Ｖａ、△Ｖａが△Ｖｃと等しくなる時の輝度劣化量を△Ｌｂとした場合、補正量Ｌｃを
△Ｖａ／（△Ｖｏ＋△Ｖａ）≧  Ｌｃ／△Ｌｂ
の範囲に設定することを特徴とする表示装置。
【００６４】
また、
（２）有機ＥＬ素子の電圧変化が劣化による不可逆な電圧上昇と劣化を伴わない可逆な電圧上昇からなり、補正を行う際の電圧変化量を△Ｖｃ、補正量（劣化する前の輝度に対する補正する輝度の割合）をＬｃ、有機ＥＬ素子がＬｃ劣化した時の有機ＥＬ素子の劣化を伴わない電圧上昇量、輝度劣化を伴う電圧上昇量をそれぞれ△Ｖｏ、△Ｖａ、前記輝度劣化を伴う電圧上昇△Ｖａが△Ｖｃと等しくなる時の輝度劣化量を△Ｌｂとした場合、△Ｖｏが
△Ｖａ／（△Ｖｏ＋△Ｖａ）≧Ｌｃ／△Ｌｂ
の範囲に入るように前記１フレーム内の駆動電流供給時間を設定することを特徴とする表示装置。
【００６５】
さらに、
（３）上の（１）（２）の表示装置であって、
補正後の劣化量が０をＬｄ（劣化する前の輝度に対する０を下回る輝度の割合）だけ下回る場合、
△Ｖａ／（△Ｖｏ＋△Ｖａ）≧  Ｌｃ／（△Ｌｂ＋Ｌｄ）
Ｌｄが上記の関係を満たすことを特徴とする表示装置。
【００６６】
またさらに、
（４）上の（１）（２）の表示装置であって、
０  ＜  △Ｌｂ  ≦  ３．０７２％
であることを特徴とする表示装置、および
（５）上の（１）（２）の表示装置であって、
０  ＜  △Ｌｂ≦  １．５４４％
であることを特徴とする表示装置。
【００６７】
＜カラー表示装置＞
本発明の別の実施形態として、複数の異なる色の有機ＥＬ素子を含む表示装置において、色ごとに、補正係数を変えてもよい。これを図６に示す。
【００６８】
有機ＥＬ素子は、発光層、電荷注入層他の多層膜からなっており、異なる色の有機ＥＬ素子は、発光材料が異なるだけでなく、各膜の厚さが色ごとに異なっている。
【００６９】
Ｒ、Ｇ、Ｂのように色の異なる有機ＥＬ素子からなる表示装置においては、劣化量と表示しようとする輝度によって決まる補正量が、それぞれの色毎に異なっても良い。第一の色の有機ＥＬ素子１１（この場合、Ｒ）の劣化量は、第一の劣化検出手段４１によって検出され、第一の補正手段５１によって、劣化量と表示輝度から補正係数を決定する。同様に、第二、第三の色の有機ＥＬ素子１２、１３の劣化量と表示輝度から、それぞれ第二、第三の補正手段５２、５３によって補正係数を決める。この場合、それぞれの色に応じて異なる有機ＥＬ素子の劣化特性に合わせて補正することができるので、輝度の変化をより小さくすることができるため、好ましい。また、本実施形態においては劣化検出手段は異なる色毎に設けたが、一つの劣化検出手段で全ての色の素子の劣化量を検出してもよい。
【００７０】
劣化量を判断する手段は、必ずしも補正をかける画素そのものから検出する必要はない。該画素と同等の駆動を行なった別の画素での劣化量をもって、該画素の劣化量を推定してもよい。
【００７１】
電圧を検出する頻度は、各書き込みごとに行なっても良いし、一定回数書き込むごとに行なっても良い。一定回数書き込みごとに行なう場合、各有機ＥＬ素子の劣化量を記憶する部分をさらに設け、電圧を検出しない場合は記憶している各有機ＥＬ素子の劣化量から補正量を決定すればよい。
【００７２】
＜電圧検出方法＞
次に、所定の電流値を流した際に、素子にかかる電圧を読み取るための構成を図７によって説明する。
【００７３】
図７は複数の画素からなるマトリクス表示装置のうち、ある１画素のみを図示したものである。画素１００は第１、第２のＮ  型ＭＯＳトランジスター（ＮＭＯＳ）１０１、１０２、第１、第２のＰ型ＭＯＳトランジスター（ＰＭＯＳ）１０３、１０４、保持容量１０５、データ線１０６、電源供給線１０７、第１、第２、第３の選択線１０８、１０９、１１０と有機ＥＬ素子１、とを少なくとも含む。また、画素外で、データ線１０６は、データ信号出力源１１１と、電流源１１２および電圧検出部１１３との間で切り替えられるようになっている。
【００７４】
以下に本実施形態の動作について説明する。まずは、発光動作について説明する。画素への書き込み時には、第１の選択線をＨｉｇｈにし、第２、第３の選択線をＬｏｗにする。これにより、第１のＮＭＯＳはＯＮ、第２のＮＭＯＳはＯＦＦ、第２のＰＭＯＳはＯＮになる。同時に、データ線はデータ信号出力源に接続し、表示する輝度に応じたデータ信号を印加する。すると、データ信号は保持容量に保持され、第１のＰＭＯＳは電源供給線から有機ＥＬ素子に、データ信号に応じた電流を流し、所望の輝度で発光する。別の画素に書き込む際には、第１、第２、第３の選択線をＬｏｗにすれば、保持容量に保持された電圧によって、有機ＥＬ素子は書き込まれた輝度で発光し続ける。
【００７５】
次に、電圧検出動作について説明する。この場合、第１の選択線をＬｏｗにし、第２、第３の選択線をＨｉｇｈにする。また、データ線は電流源側に接続し所定の電流を流す。これによりデータ線の電位は、所定の電流を流した場合に有機ＥＬ素子にかかる電圧と等しくなる。この電位を電圧検出部で検出することで、所定の電流を流した際に、有機ＥＬ素子に係る電圧を検出することができる。
【００７６】
この電圧を、劣化量決定部１１４において該当画素の初期の電圧と比較し、劣化量を検出する。なお、この際、劣化量を検出した画素以外の画素については、第１、第２の選択線をＬｏｗにし、第３の選択線をＨｉｇｈにする。こうすることで、電流源からの電流が、劣化量を検出したい画素だけに流れるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施形態を説明するための概念図。
【図２】輝度劣化を説明するための概念図。
【図３】有機ＥＬ素子における輝度の経時変化の一例を表す図。
【図４】有機ＥＬ素子における駆動劣化中の輝度−電流効率の関係の一例を表す図。
【図５】表示輝度と劣化量とによって決まる電流の補正係数の決め方を表す図。
【図６】本発明の別の実施形態を説明するための概念図。
【図７】本発明の表示装置の回路図。
【図８】可逆電圧上昇のデューティ比依存性を説明するための概念図。
【図９】表示輝度と劣化量とによって決まる電流の補正係数の別の決め方を表す図。
【符号の説明】
【００７８】
１  有機ＥＬ素子
２  駆動部
３  制御部
４  劣化検出手段
５  劣化に応じて出力を補正するための手段
１１、１２、１３  色の異なる有機ＥＬ素子
４１、４２、４３  Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ素子の劣化検出手段
５１、５２、５３  Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ素子の補正手段
１００  画素
１０１  第１のＮ型トランジスタ
１０２  第２のＮ型トランジスタ
１０３  第１のＰ型トランジスタ
１０４  第２のＰ型トランジスタ
１０５  保持容量
１０６  データ線
１０７  電源供給線
１０８  第１の選択線
１０９  第２の選択線
１１０  第３の選択線
１１１  データ信号出力源
１１２  電流源
１１３  電圧検出部
１１４  劣化量決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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