(57)【要約】【課題】Ｘ線等の放射線を照射せずにフォトダイオードの機能検査を行うことができ、しかも、コンパクト化を図ることが可能な放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】放射線検出器４０の撮像部１は、入射面３ａ側から入射する放射線を、可視光を含む別の波長の電磁波に変換するシンチレータ３と、シンチレータ３により変換された電磁波を電気信号に変換する複数のフォトダイオード７と、フォトダイオード７が感知可能な波長の光を透過する絶縁基板４とを備えたセンサ部２と、を備え、複数のフォトダイオード７は絶縁基板４のシンチレータ３側の面４ａ上に形成され、かつ、フォトダイオード７の絶縁基板４側の電極７１はフォトダイオード７が感知可能な波長の光を透過するように形成されている。【選択図】図１
2009145053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射面側から入射する放射線を、可視光を含む別の波長の電磁波に変換するシンチレータと、
前記シンチレータにより変換された電磁波を電気信号に変換する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を透過する絶縁基板とを備えたセンサ部と、
を備え、
前記複数のフォトダイオードは前記絶縁基板の前記シンチレータ側の面上に形成され、かつ、前記フォトダイオードの前記絶縁基板側の電極は前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を透過するように形成されていることを特徴とする放射線検出器の撮像部。
【請求項２】
前記電極は、透明導電性酸化物で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器の撮像部。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の放射線検出器の撮像部の前記センサ部を構成する前記絶縁基板の前記シンチレータ側の面とは反対側の面側から前記複数のフォトダイオードに対して前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を光源から照射して、前記複数のフォトダイオードが正常に機能するか否かの検査を行う検査工程を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法に係り、特に、照射された放射線をシンチレータで電磁波に変換してフォトダイオードで検出する放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の電磁波に変換し、変換された電磁波を複数のフォトダイオード（画素）で受光して電荷を発生させ、発生した電荷を各フォトダイオードごとに取り出して放射線画像を撮像する放射線検出器（ＦＰＤ（Flat Panel Detector））が種々開発されている（例えば特許文献１、２等参照）。
【０００３】
ところで、このような放射線検出器の製造段階においては、通常、各フォトダイオードが正常に機能しているか否かの検査を行う検査工程が行われる。
【０００４】
放射線検出器には、予め正常に機能することが確認されたフォトダイオードが用いられるが、製造段階において、例えば、シンチレータが形成されたシンチレータ基板が絶縁基板上に配置された複数のフォトダイオードに貼付されるような場合に静電気が発生することがある。そして、この静電気のために、フォトダイオードや、フォトダイオードから電荷を取り出すためのスイッチ素子である薄膜トランジスタ等が損傷したり動作電圧が変動してしまい、フォトダイオードが正常に機能しなくなる場合がある。
【０００５】
そのため、上記の検査工程は、通常、絶縁基板上に複数のフォトダイオードが配置されたセンサ部にシンチレータ基板等の比較的大きな面積を有する部材が接近されたり貼付されたりして静電気が発生する可能性がある工程の後に行われる。
【特許文献１】特開２００７−２２５５９８号公報
【特許文献２】特開２００７−１８５４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、フォトダイオードが正常に機能しているか否かの検査は、放射線検出器のシンチレータに実際にＸ線等の放射線を照射して行わなければならず、放射線を照射させたり、放射線源を調整したり、光源の交換等のメンテナンスを行うためにコストがかかる。
【０００７】
また、放射線検出器や、その製造途中の、センサ部にシンチレータが貼付された状態の撮像部を、Ｘ線照射器等が設置された検査場所に搬送したり、検査場所から製造ラインに戻したりせねばならず、搬送の際の振動や衝突等によりセンサ部に故障が生じる可能性があった。
【０００８】
その点、特許文献１、２では、フォトダイオードのゲイン補正等のためではあるが、Ｘ線等の放射線ではなくフォトダイオードが感知可能な波長の光をフォトダイオードに照射する光源をセンサ部やシンチレータの近傍に新たに設けるように構成された放射線検出器が記載されている。そして、このような光源を用いれば、Ｘ線等の放射線を照射しなくても、新たに設けられた光源を点灯させることで、各フォトダイオードが正常に機能しているか否かを検査することが可能であると考えられる。
【０００９】
しかし、このように新たに光源を設けると、特許文献２には光源を追加してもコンパクトなサイズにすることができる旨記載されているが、光源を発光させるための電極等を設けなければならないこともあり、やはりセンサ部付近が大きくなり、放射線検出器が大型化してしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、Ｘ線等の放射線を照射せずにフォトダイオードの機能検査を行うことができ、しかも、コンパクト化を図ることが可能な放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出器の撮像部は、
入射面側から入射する放射線を、可視光を含む別の波長の電磁波に変換するシンチレータと、
前記シンチレータにより変換された電磁波を電気信号に変換する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を透過する絶縁基板とを備えたセンサ部と、
を備え、
前記複数のフォトダイオードは前記絶縁基板の前記シンチレータ側の面上に形成され、かつ、前記フォトダイオードの前記絶縁基板側の電極は前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を透過するように形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の放射線検出器の製造方法は、
本発明の放射線検出器の撮像部の前記センサ部を構成する前記絶縁基板の前記シンチレータ側の面とは反対側の面側から前記複数のフォトダイオードに対して前記フォトダイオードが感知可能な波長の光を光源から照射して、前記複数のフォトダイオードが正常に機能するか否かの検査を行う検査工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のような方式の放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法によれば、撮像部の絶縁基板やフォトダイオードの電極が、フォトダイオードが感知可能な波長の光を透過するように形成されているため、絶縁基板の裏面側からフォトダイオードが感知可能な波長の光を照射すると、その光はそれらの部材を透過してフォトダイオードに到達する。そして、各フォトダイオードは前記光の照射を受けて電荷を発生させて蓄積させるため、各フォトダイオードから電荷を取り出した際に電荷が正常に取り出せるか否かを判定して、各フォトダイオードが正常に機能するか否かの機能検査を容易かつ的確に検査することが可能となる。
【００１４】
その際、撮像部や放射線検出器の製造ライン上で容易に検査を行うことができるため、検査にかかるコストを大幅に低減することが可能となり、撮像部を検査場所に搬送する際の振動や衝突等により故障が生じることを確実に防止することが可能となる。また、完成した放射線検出器には検査に用いられた光源が組み込まれないため、放射線検出器の大型化を防止して、放射線検出器のコンパクト化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る放射線検出器の撮像部および放射線検出器の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
［放射線検出器の撮像部］
まず、本実施形態に係る放射線検出器の撮像部の構成について説明する。放射線検出器の撮像部１は、図１に示すように、主に、絶縁基板４上に後述する複数のフォトダイオード７が配置された検査部Ｄを有するセンサ部２と、シンチレータ３とで構成されている。
【００１７】
センサ部２は、図２に示すように、絶縁基板４の一方の面（以下、表面という。）４ａ上に、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されており、複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域Ｒにそれぞれフォトダイオード７が配設されて構成されている。
【００１８】
また、フォトダイオード７が設けられた領域Ｒ全体、すなわち図２の１点鎖線で示す領域でセンサ部２の検出部Ｄが形成されている。
【００１９】
各フォトダイオード７は、電磁波の照射を受けると光エネルギを吸収して電子正孔対を発生させて光エネルギを電荷に変換するようになっている。また、図３の拡大図に示すように、各領域Ｒには、それぞれフォトダイオード７の第１電極７１（後述する図４参照）と、信号線６と、走査線５とがソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄおよびゲート電極１０ｇにそれぞれ接続された薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）１０が設けられている。ＴＦＴ１０は、フォトダイオード７から電荷を取り出すためのスイッチ素子である。
【００２０】
ここで、本実施形態におけるフォトダイオード７およびＴＦＴ１０等の構造について、図４に示す拡大された断面図を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。
【００２１】
センサ部２の基台となる絶縁基板４は、フォトダイオード７が感知可能な波長の光（例えば可視光）を透過する材料で形成されており、本実施形態では、ガラスで形成されている。
【００２２】
まず、ＴＦＴ１０の部分から説明すると、ガラスからなる絶縁基板４の面４ａ上に、ＴＦＴ１０のＡｌやＣｒ等からなるゲート電極１０ｇが走査線５（図３参照）と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極１０ｇ上および絶縁基板４の面４ａ上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層１０１が積層されている。本実施形態では、ゲート絶縁層１０１はＴＦＴ１０の部分にのみ形成されており、フォトダイオード７と絶縁基板４との間にまでは延設されていない。
【００２３】
なお、図５に示すように、ゲート絶縁層１０１をフォトダイオード７側に延設してフォトダイオード７の絶縁層７６とし、ゲート絶縁層１０１と絶縁層７６とを共通の層として形成することも可能である。この場合には、ゲート絶縁層１０１と絶縁層７６とは窒化シリコンや酸化シリコン、酸窒化シリコン等のフォトダイオード７が感知可能な波長の光を透過する材料で形成されることが好ましい。また、この場合、フォトダイオード７は絶縁層７６上に後述する第１電極７１が積層されるように形成される。
【００２４】
図４に示すように、ゲート絶縁層１０１上のゲート電極１０ｇの上方部分には、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層１０２が積層されており、その上方には、フォトダイオード７の第１電極７１に接続されたソース電極１０ｓと、信号線６に接続されたドレイン電極１０ｄとが分割された状態で積層されている。また、半導体層１０１とソース電極１０ｓやドレイン１０ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層１０３ａ、１０３ｂがそれぞれ積層されている。
【００２５】
続いて、フォトダイオード７の部分について説明すると、絶縁基板４の面４ａ上には、本実施形態ではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる第１電極７１が積層されている。つまり、本実施形態では、フォトダイオード７の第１電極７１は、絶縁基板４の表面４ａ上に直接形成されている。また、本実施形態では、第１電極７１は、ＴＦＴ１０のソース電極１０ｓと一体的に形成されているが、両者を別体として形成して接続するように構成することも可能である。
【００２６】
第１電極７１は、本実施形態のようなＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のような透明導電性酸化物で構成されていれば、フォトダイオード７が感知可能な波長の光を透過することが可能となり好ましい。しかし、第１電極７１を、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、またはＡｌ合金で構成してもよい。ただし、この場合、第１電極７１はフォトダイオード７が感知可能な波長の光が透過できる程度に薄膜状に形成される。
【００２７】
第１電極７１の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたいわゆるｎ層７２、水素化アモルファスシリコンで形成され電磁波の照射を受けて電子正孔対を発生させる変換層であるいわゆるｉ層７３、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたいわゆるｐ層７４が下方から順に積層されて形成されている。
【００２８】
すなわち、本実施形態では、フォトダイオード７は、いわゆるＰＩＮ型のフォトダイオードとして形成されている。なお、ｎ層７２、ｉ層７３、ｐ層７４の上下の順はこの逆であってもよい。また、フォトダイオード７はＰＩＮ型のフォトダイオードに限定されず、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型等の他の形式のフォトダイオード等で構成することも可能である。
【００２９】
ｐ層７４の上には、ＩＴＯ等で形成され透明電極とされた第２電極７５が積層されて形成されており、第２電極７５の上面には、バイアス線８が接続されている。本実施形態のフォトダイオード７は、バイアス線８から第２電極７５に電圧が印加され逆方向バイアスがかけられて駆動するようになっている。また、フォトダイオード７に蓄積された電荷はＴＦＴ１０がオン状態とされると、第１電極７１やソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄを介して信号線６に取り出されるようになっている。
【００３０】
また、図２に示すように、センサ部２の絶縁基板４の表面４ａ上の検出部Ｄの外側の部分には、各走査線５上および各信号線６上にそれぞれ入出力端子１１が形成されている。後述するように、放射線検出器の製造工程において、入出力端子１１には、ＣＯＦ（Chip On Film）が圧着され、走査線５、信号線６および結線９がＣＯＦを介してバイアス電圧印加回路や走査駆動回路、信号読み出し回路等に接続されるようになっている。
【００３１】
なお、図２〜図５では、シンチレータ３の図示が省略されている。また、図４および図５では、フォトダイオード７やＴＦＴ１０に比べて絶縁基板４の厚さが実際よりも薄く表現されている。
【００３２】
図１に示すように、シンチレータ３は、センサ部２の検出部Ｄに貼付されて形成されている。シンチレータ３は、入射面３ａ側から入射するＸ線等の放射線を別の波長の電磁波に変換するようになっており、Ｘ線等の放射線が入射すると、可視光を含む例えば３００〜８００ｎｍの波長の電磁波に変換して出力する蛍光体を主成分として構成されている。
【００３３】
本実施形態では、センサ部２の絶縁基板４とは別体のガラス基板３１の下面に予め上記の蛍光体等を塗布したり蒸着させたりしてシンチレータ３を層状に形成したシンチレータ基板３２を検出部Ｄの上面に貼り合わせることによってセンサ部２の検出部Ｄにシンチレータ３が貼付されるようになっている。
【００３４】
なお、シンチレータ３の形成手法としては、この他にも、例えばセンサ部２の検出部Ｄに上記の蛍光体等を直接塗布しまたは蒸着させてシンチレータ３を層状に形成おき、その上面を、ガラス基板や樹脂の薄膜等で構成される図示しないカバー部材でカバーするようにして貼り合せるように形成することも可能である。
【００３５】
［放射線検出器の製造方法］
次に、上記の放射線検出器の撮像部１を用いた放射線検出器の製造方法について説明する。本実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、図６に示すフローチャートに従って行われるようになっている。以下、このフローチャートに従って説明する。
【００３６】
放射線検出器の製造においては、図１に示したように、まず、センサ部２の検出部Ｄにシンチレータ３を貼り合わせるシンチレータ貼り合わせ工程が行われて（図６のステップＳ１）、放射線検出器の撮像部１が形成されるようになっている。
【００３７】
続いて、この状態で、撮像部１の検出部Ｄの各フォトダイオード７が正常に機能するか否かの検査を行う検査工程が行われるようになっている（ステップＳ２）。
【００３８】
本実施形態の検査工程では、図１の状態の撮像部１のセンサ部２を構成する絶縁基板４のシンチレータ３側の面とは反対側の面すなわち裏面４ｂ側から、検出部Ｄの複数のフォトダイオード７に対してフォトダイオード７が感知可能な波長の光を照射してフォトダイオード７の機能検査が行われるようになっている。
【００３９】
フォトダイオード７が感知可能な波長の光としては、例えば放射線の照射を受けてシンチレータ３が発光する緑色の光と同じ波長帯域の波長の光が採用される。以下、フォトダイオード７が感知可能な波長の光を、可視光と略称する。
【００４０】
フォトダイオード７に対して可視光を照射する手法としては、種々の手法を採用することができる。
【００４１】
第１の手法としては、図７（ａ）に示すように、撮像部１のセンサ部２の絶縁基板４の裏面４ｂ側から検出部Ｄの複数のフォトダイオード７に可視光を照射する光源２０を、検出部Ｄと同程度の面積を有する例えばＥＬ（electroluminescence）シート２０ａ等の面光源として構成して、可視光を複数のフォトダイオード７の全部に対して一度に照射するように構成することができる。
【００４２】
この場合、ＥＬシート２０ａのセンサ部２に対向する面とは反対側の面側に反射板２１を設けて、ＥＬシート２０ａから外部に漏れる光を遮光してセンサ部２側に反射するように構成することが好ましい。
【００４３】
また、第２の手法としては、図７（ｂ）に示すように、複数のフォトダイオード７に可視光を照射する光源２０として、検出部Ｄの図中の奥行き方向の長さを有する棒状の光源２０ｂを用い、可視光を照射させながら棒状の光源２０ｂを絶縁基板４に沿って移動させることで全てのフォトダイオード７に可視光を照射するように構成することができる。
【００４４】
さらに、第３の手法としては、図７（ｃ）に示すように、点光源または面光源である単数または複数の光源２０から照射した可視光を、拡散板２２によって拡散させて、上記の図７（ａ）や図７（ｂ）のように絶縁基板４の裏面４ｂ側から拡散された可視光を検出部Ｄの複数のフォトダイオード７に照射するように構成することができる。
【００４５】
なお、図７（ａ）〜図７（ｃ）において、光源２０を単数または複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）で構成してもよい。すなわち、図７（ａ）に示した第１の手法では複数のＬＥＤを検出部Ｄと同程度の面積を有するように配置し、図７（ｂ）に示した第２の手法では複数のＬＥＤを検出部Ｄの奥行き方向の長さになるように１列または数列並べて配置し、図７（ｃ）では単数または複数のＬＥＤから照射した可視光を拡散板２２により拡散させるように構成される。
【００４６】
このようにして、絶縁基板４の裏面４ｂ側から可視光が照射されると、前述したように絶縁基板４や第１電極７１（および絶縁層７６）が可視光を透過する材料で構成され、或いは可視光を透過するように構成されているため、それらは可視光を透過し、検出部Ｄの複数のフォトダイオード７に可視光すなわちフォトダイオード７が感知可能な波長の光が照射される。
【００４７】
各フォトダイオード７では、可視光の照射を受けると、変換層であるｉ層７３で電子正孔対が発生し、本実施形態では、正孔はバイアス線８を介して流出し電子がフォトダイオード７内に蓄積する。そこで、検査工程では、各フォトダイオード７に対応するＴＦＴ１０のゲートをそれぞれ開き、各フォトダイオード７から電子を取り出せるか否かを判定して各フォトダイオード７が正常に機能するか否かが検査されるようになっている。
【００４８】
続いて、ＣＯＦによるタブ接続のために、入出力端子１１にＣＯＦを圧着するＣＯＦ圧着工程が行われるようになっている（図６のステップＳ３）。ＣＯＦ圧着工程では、ＣＯＦリールからの打ち抜きにより形成されたＣＯＦ２３を、図８に示すように撮像部１のセンサ部２の入出力端子１１に異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料２４を介して圧着させて接続されるようになっている。
【００４９】
そして、ＣＯＦ２３の通電検査が行われた後、ＣＯＦ２３上のＩＣ２５等を駆動するためのＰＣＢ基板をＣＯＦ２３に圧着するＰＣＢ基板圧着工程が行われるようになっている（図６のステップＳ４）。ＰＣＢ基板圧着工程では、図９に示すように、入出力端子１１に圧着されたＣＯＦ２３が、絶縁基板４の裏面４ｂ側に引き回されて、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板２６とＣＯＦ２３とが圧着されるようになっている。
【００５０】
なお、上記の検査工程（図６のステップＳ２）の後、ＰＣＢ基板圧着工程（ステップＳ４）までのいずれかの段階で、絶縁基板４の裏面４ｂを図示しない遮光膜等で遮蔽し、外光が絶縁基板４や第１電極７１等を透過してフォトダイオード７に到達しないようにする処置が施される。
【００５１】
ＰＣＢ基板２６が取り付けられ、金属製の部材の露出部分等に対する腐食防止処理等の処理が適宜行われた後、ＣＯＦ２３やＰＣＢ基板２６等が取り付けられた撮像部１が図１０に示すような筐体４１に収納されて、最終的に放射線検出器４０が完成される
【００５２】
なお、図１０に示した放射線検出器４０の筐体４１は、カーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。また、筐体４１の側面部等には、例えばＬＥＤ等で構成され図示しない充電池の充電状況や各種の操作状況等を表示するインジケータ４２や、充電池等の取り出し口に嵌め込まれる蓋部材４３、外部の機器と電気的に接続するための端子４４、電源スイッチ４５等が設けられている。また、筐体４１や蓋部材４３等にアンテナ装置等を設けて、外部の機器との間で無線により情報の送受信を行うように構成することも可能である。
【００５３】
以上のように、本実施形態に係る放射線検出器４０の撮像部１および放射線検出器４０の製造方法によれば、撮像部１の絶縁基板４やフォトダイオード７の第１電極７１（および絶縁基板４と第１電極７１の間に絶縁層７６を形成する場合には絶縁層７６）が、フォトダイオード７が感知可能な波長の光を透過する材料で構成され、或いはフォトダイオード７が感知可能な波長の光が透過し得るように構成されているため、絶縁基板４の裏面４ｂ側からフォトダイオード７が感知可能な波長の光を照射すると、その光がそれらの部材を透過して検出部Ｄのフォトダイオード７に到達する。
【００５４】
そして、各フォトダイオード７は前記光の照射を受けて電荷を発生させて蓄積させるため、各フォトダイオード７から電荷を取り出した際に電荷が正常に取り出せるか否かを判定することで、各フォトダイオード７が正常に機能するか否かの機能検査を容易かつ的確に検査することが可能となる。
【００５５】
このように、本実施形態に係る放射線検出器４０の撮像部１および放射線検出器４０の製造方法では、撮像部１に可視光等のフォトダイオード７が感知可能な波長の光を照射すればよいから、撮像部１をＸ線照射装置等が設置された検査場所に搬送する必要はなく、撮像部１や放射線検出器４０の製造ライン上で容易に検査を行うことができる。そのため、検査にかかるコストを大幅に低減することが可能となるとともに、撮像部１を検査場所に搬送する際の振動や衝突等により故障が生じることを確実に防止することが可能となる。
【００５６】
さらに、完成した放射線検出器４０には検査に用いられた光源が組み込まれないため、放射線検出器４０の大型化を防止して、放射線検出器４０のコンパクト化を図ることが可能となる。
【００５７】
なお、放射線検出器４０は、稼動時には、図９に示すシンチレータ基板３２の上面側から放射線を受光し、その放射線をシンチレータ３で別の波長の電磁波に変換してセンサ部２の検出部Ｄに照射し、上記のように正常に機能することが確認された各フォトダイオード７がその電磁波を受光して電荷を発生させて電気信号に変換するといった通常の放射線検出動作が行われる。
【００５８】
その際、各フォトダイオード７のゲイン調整を行う必要が生じる場合があるが、本実施形態に係る放射線検出器４０では、撮像部１の絶縁基板４の裏面４ｂに貼付される等した遮光膜等を除去して裏面４ｂ側から可視光等を照射して、容易かつ的確にゲイン調整を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施形態に係る放射線検出器の撮像部を示す概略図である。
【図２】図１の撮像部のセンサ部の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるフォトダイオードと薄膜トランジスタ等の拡大図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。
【図５】センサ部の構成の変形例を示す模式断面図である。
【図６】本実施形態に係る放射線検出器の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】フォトダイオードに光を照射する手法を説明する図であり、（ａ）は第１の手法、（ｂ）は第２の手法、（ｃ）は第３の手法を示す。
【図８】入出力端子に圧着されたＣＯＦを説明する図である。
【図９】図８のＣＯＦが絶縁基板の裏面側に引き回されてＰＣＢ基板に圧着されることを説明する図である。
【図１０】完成された放射線検出器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  撮像部
２  センサ部
３  シンチレータ
３ａ  入射面
４  絶縁基板
４ａ  表面（絶縁基板の面）
４ｂ  裏面（絶縁基板のシンチレータ側の面と反対側の面）
７  フォトダイオード
１０  薄膜トランジスタ
２０  光源
２０ａ  ＥＬシート
２２  拡散板
４０  放射線検出器
７１  第１電極（絶縁基板側の電極）
７６  絶縁層
１０１  ゲート絶縁層
【図１】
2009145053.tif 000003
【図２】
2009145053.tif 000004
【図３】
2009145053.tif 000005
【図４】
2009145053.tif 000006
【図５】
2009145053.tif 000007
【図６】
2009145053.tif 000008
【図７】
2009145053.tif 000009
【図８】
2009145053.tif 000010
【図９】
2009145053.tif 000011
【図１０】
2009145053.tif 000012