(57)【要約】  【課題】効率良く除害を行えるようにするとともに、水の無駄使いを防止する。  【解決手段】本体１の底部に、水を収容する液体室３を設け、該液体室３の上方に、ガス室１０を介してシャワー室１２を設けた有害ガスの除害装置において、前記液体室３内の水は、亜硫酸塩７を含有する還元水ｗであり、前記ガス室１０には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスＧが導入され、前記液体室３内の還元水ｗは、循環路２２を介して前記シャワー室１２のシャワー１２ａに供給される。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の底部側に、水を収容する液体室を設け、該液体室の上方に、ガス室を介してシャワー室を設けた有害ガスの除害装置において、
前記液体室内の水は、亜硫酸塩を含有する還元水であり、
前記ガス室には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスが導入され、
前記液体室内の還元水は、循環路を介して前記シャワー室のシャワーに供給されることを特徴とする有害ガスの除害装置。
【請求項２】
前記液体室の水中には、水に難溶性の亜硫酸塩が沈められ配置されていることを特徴とする請求項１記載の有害ガスの除害装置。
【請求項３】
前記水に難溶性の亜硫酸塩は、亜硫酸カルシウム、亜硫酸マグネシウム、又は、亜硫酸バリウムであることを特徴とする請求項２記載の有害ガスの除害装置。
【請求項４】
前記水に難溶性の亜硫酸塩は、溶解度が約０．００４％であることを特徴とする請求項２、又は、３記載の有害ガスの除害装置。
【請求項５】
前記シャワー室とガス室とが、充填材により仕切られていることを特徴とする請求項１記載の有害ガスの除害装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体製造装置や液晶製造装置等から排出される、遊離残留塩素などの酸化性ガスを含有する排ガスを除害するための、有害ガスの除害装置 に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造ラインや液晶製造ラインから排出されるガスには、ＳｉＯ2 やＷＯ3 等の微細な粉体と同時に遊離残留塩素などの有害なガスが含まれている。そのため、従来、このガスを次のような方式により除害している（例えば、特許文献１、参照）。
【０００３】
水に難溶性の亜流酸塩を充填した充填室と、該充填室の下方に設けられたガス室と、該充填室の上方に設けられたシャワー室と、を備え、酸化性ガスを含む排ガスを、水を前記シャワー室のシャワーから連続的に導入し、上記亜硫酸塩を硫酸塩に変化させて、上記酸化性ガスを還元すると共に、上記硫酸塩を上記シャワーからの水により洗浄、除去して上記亜硫酸塩において新たな濡れ表面を露出させる、酸化性ガス含有排ガスの処理方法。
【０００４】
【特許文献１】特許第３６９９８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来例には、次の様な問題がある。
（１）硫酸塩をシャワー水で洗浄除去し、亜硫酸塩において新たな濡れ表面を露出させるので、例えば、粒径4mmであった亜硫酸塩の粒子は次第に小さくなり、ガスの透過率が低下すると共に、小さくなった粒子が亜硫酸塩を保持している支持板（パンチングプレート）の隙間から落下する恐れがある。又、更に粒径が小さくなると、隣り合う亜硫酸塩は、互いに密着して固まり、ガスが通り抜けることが出来なくなってしまうので、遊離残留塩素の還元を効果的に行えなくなる。
【０００６】
（２）シャワーから噴出された水は、ガスと接触後、硫酸塩とともに落下し、器外に排出される。そのため、シャワーに、常に新しい水を供給することになるので、多量の水が必要となるとともに、排水を器外に排出する場合には、無害化処理をしなければならない。
【０００７】
（３）亜硫酸塩は、粒状であり、ガスの通る通路（隣り合う粒子と粒子との隙間）は、全体にわたって均一に発生しない。そのため、全部の亜硫酸塩の粒子の全表面に、ガスが接触しないので、還元効率がよくない。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑み、効率良く除害を行えるようにすることを目的とする。他の目的は、水の無駄使いを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、本体の底部側に、水を収容する液体室を設け、該液体室の上方に、ガス室を介してシャワー室を設けた有害ガスの除害装置において、前記液体室内の水は、亜硫酸塩を含有する還元水であり、前記ガス室には、遊離残留塩素ガスを含む排ガスが導入され、前記液体室内の還元水は、循環路を介して前記シャワー室のシャワーに供給されることを特徴とする。
【００１０】
この発明の前記液体室の水中には、水に難溶性の亜硫酸塩が沈められていることを特徴とする。この発明の前記水に難溶性の亜硫酸塩は、亜硫酸カルシウム、亜硫酸マグネシウム、又は、亜硫酸バリウムであることを特徴とする。この発明の前記水に難溶性の亜硫酸塩は、溶解度が約０．００４％であることを特徴とする。この発明の前記シャワー室とガス室とが、充填材により仕切られていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明は、液体室内の還元水をシャワーに供給して噴霧させ、遊離残留塩素ガスを含有する排ガスと接触させるので、効率良く除害することができる。
又、シャワーから放出された還元水は、液体室に落下するとともに、更に還元水としてシャワーに送られる。そのため、水の無駄使いを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明者は、前記課題を解決するためには、亜硫酸塩にシャワー水をかける代わりに、液体室内で亜硫酸塩を含有する水、即ち、還元水、を生成させ、この還元水をシャワーから噴出させて排ガスと接触させれば良い、と考えた。
【００１３】
又、この亜硫酸塩は、水に難溶性のもの、例えば、溶解率０．００４％、又は、それと略同程度のもの、を用いると、液体室内の水に該亜硫酸塩を沈めて溶解させても良いことが解った。更に、シャワー室とガス室とを充填材で仕切ると、還元水が満遍なく広がりよりガスとの接触率が向上することが解った。この発明は、前記知見に基づいてなされたものである。
【実施例】
【００１４】
この発明の実施例を図１により説明する。
筒状の本体１の底部には、液体室３が設けられ、その中には、所定水位を保つためにオーバーフロー管５が立設されている。
【００１５】
この液体室３内には、所定量、例えば、１５Lの水が張られ、水中には所定量、例えば、５００ｇの亜硫酸塩７が沈められている。この亜硫酸塩７として、水に難溶性の亜硫酸塩７、例えば、亜硫酸カリウム、亜硫酸マグネシウム、亜硫酸バリウム、が用いられるが、この亜硫酸塩７の溶解度は、例えば、０．００４％、であり、極めて水に溶けにくい特性を有している。
【００１６】
液体室３の上方には、ガス室１０を介してシャワー室１２が設けられている。このガス室１０には、入口１４が設けられ、この入口１４は半導体装置などの排気管１６に接続されている。この排気管１６からは、遊離残留塩素ガス（酸化性ガス）を含む有害ガスＧが排出される。
【００１７】
ガス室１０とシャワー室１２は、充填材１８により仕切られているが、この充填材１８はパンチングプレート２０の上に載置されている。シャワー室１２内には、複数のシャワー１２ａが配設されているが、このシャワー１２ａは循環路２２を介して液体室３の底部に連通している。この循環路２２には、上流から下流に沿って順次、ポンプ２４、バルブ２５、流量計２６、が配設されている。
【００１８】
シャワー室１２の上部には、水切部２８が設けられ、その上には、ファン３０を内蔵する排気室３１が設けられている。この排気室３１には、排気口３３が設けられ、この排気口３３は除害排気管３５に連結されている。
【００１９】
次に、本実施例の作動について説明する。
ファン３０を駆動すると、排気管１６から遊離残留塩素ガスを含む排ガスＧが入口１４からガス室１０内に導入される。
この時、液体室３内では、亜硫酸塩７が水に溶け一定濃度の還元水ｗとなっており、ポンプ２４が駆動されると、前記還元水ｗは、シャワー室１２のシャワー１２ａに圧送されので、該シャワー１２ａから充填材１８に向かって還元水ｗが噴霧される。
【００２０】
この噴霧された還元水ｗは、充填材１８を通り抜けてきた排ガスＧに衝突すると共に、充填材１８にしみこむようにしながら流下し、ガス室１０から上昇して前記充填材１８中を通り抜ける排ガスＧとも接触し、亜硫酸塩７の成分を硫酸塩に変化させて該排ガス中の遊離残留塩素ガスを還元させ、除害されたきれいな排ガスＧ１にする。
【００２１】
前記きれいになった排ガスＧ１は、水切部２８を通って排気口３３から除害排気管３５に送出される。
【００２２】
この発明の実施例は、上記に限定されるものではなく、例えば、次の様にしても良い。  （１）充填材及びパンチングプレートを省略する。
（２）液体室の水の中に、亜硫酸塩を沈めて還元水を生成する代わりに、器外で還元水を生成し、その還元水を液体室に充填しても良い。
（３）亜硫酸塩は、必ずしも水に難溶性の亜硫酸塩を用いる必要はなく、通常の溶解率をもつ亜硫酸塩でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本件発明の実施例を示す縦断面である。
【符号の説明】
【００２４】
１      本体
３      液体室
７      亜硫酸塩
１０    ガス室
１２    シャワー室
１２ａ  シャワー
１８    充填材
２２    循環路
ｗ      還元水
【図１】
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