(57)【要約】【課題】ノイズによる誤検出を防止し得る温度検出回路を提供する。【解決手段】温度検出回路２０では、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen を検出する検出回路２２は、その駆動電源をロジック電圧Ｖccとし、また検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’をいずれもアースＧndにすることなく、電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。これにより、コンパレータＣｐ２に入力される検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’は、アースＧndから切り離されているので、例えば、バッテリ電圧ＶＢまたはそのアースＧndを経由して外来ノイズＮＥが侵入しても、その影響を直接受けることなく、定電圧回路２１による定電圧動作に加えて、検出電圧Ｖsen や基準電圧Ｖref2の揺らぎを防止することができる。したがって、ノイズによる誤検出を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出対象に熱結合可能に設けられ電流が流れるとこの被検出対象の温度に依存して増減する検出電圧を発生する検出素子と、
所定の温度における前記検出電圧を比較基準電圧として発生する電圧源と、
差動増幅回路を含んで構成され一方の差動入力に入力される前記検出電圧と他方の差動入力に入力される前記比較基準電圧との大小関係を示す電圧を出力する比較手段と、
前記比較手段の動作電圧よりも低くかつこの動作電圧の基準電位よりも高い電圧で周囲温度に依存しない定電圧を入力する電圧フォロア回路を構成しこの定電圧を前記検出電圧および前記比較基準電圧の基準電位として出力する差動増幅手段と、
を備えることを特徴とする温度検出回路。
【請求項２】
前記差動増幅手段に入力される定電圧は、バンドギャップ電圧源により供給されるバンドギャップ電圧であり、
前記検出素子は、高電位側が前記比較手段の一方の差動入力に接続され、低電位側が前記差動増幅手段の出力に接続されることを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。
【請求項３】
被検出対象が構成される半導体基板に請求項１または２記載の温度検出回路も構成される場合において、
前記検出素子は、前記電流が流れる方向を順方向とする前記半導体基板に形成されるダイオードであり、前記検出電圧は、このダイオードによる順方向降下電圧であることを特徴とする請求項１または２記載の温度検出回路。
【請求項４】
前記ダイオードは、２以上のダイオードを直列接続して構成され、前記検出電圧は、これらのダイオードによる順方向降下電圧の総和であることを特徴とする請求項３記載の温度検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
温度検出回路に関するものとして、例えば下記特許文献１に開示される技術がある。この種の温度検出回路では、下記特許文献１の図２６に開示されるように、ダイオードの順方向電圧降下値は、周囲温度の上昇に伴って減少し周囲温度の降下に伴って増加するといった「負の温度依存性」を有し、また順方向電流値が一定であればその増減は直線性を有することから、検出素子としてダイオードが用いられていることが多い。
【０００３】
例えば、ダイオードの順方向電圧（検出電圧）と所定の比較基準電圧とをコンパレータ等の比較手段により比較して、両者の大小関係に従って比較手段より出力される電圧値に基づいて検出温度が比較基準電圧に対応する所定温度に到達しているか否かを判断する。
【特許文献１】特開平６−２４２１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このようなダイオード等の検出素子は、回路構成上、一般に、定電流源を介して当該回路の駆動電源とアースと間に接続されていることから、例えば、当該回路の駆動電源またはアースを経由して外部からノイズ（以下「外来ノイズ」）が侵入するような場合には、ダイオードの順方向電圧降下値が外来ノイズによって揺らいでしまい、検出電圧の誤差、ひいては誤検出を招き得るという問題がある。
【０００５】
このような問題は、例えば、比較手段をコンパレータ等の差動増幅回路で構成することにより、その一方の差動入力にダイオードによる検出電圧を入力し、他方の差動入力に所定の比較基準電圧を入力することによって、差動増幅回路の特性からノイズを相殺することでそのような揺らぎを除去することが可能となる。
【０００６】
ところが、例えば、コンパレータ等の入力に配線される信号線とアースパターンとの間に浮遊容量が存在するような場合には、差動入力に入力される外来ノイズに時間的なズレが生じるため、たとえ差動増幅回路であってもノイズを相殺できない。このため、このような場合には、比較手段をコンパレータ等で構成しても、ダイオードの順方向電圧降下値がノイズで揺らいでしまい、誤検出を招き得るという問題がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ノイズによる誤検出を防止し得る温度検出回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の温度検出回路では、被検出対象に熱結合可能に設けられ電流が流れるとこの被検出対象の温度に依存して増減する検出電圧を発生する検出素子と、所定の温度における前記検出電圧を比較基準電圧として発生する電圧源と、差動増幅回路を含んで構成され一方の差動入力に入力される前記検出電圧と他方の差動入力に入力される前記比較基準電圧との大小関係を示す電圧を出力する比較手段と、前記比較手段の動作電圧よりも低くかつこの動作電圧の基準電位よりも高い電圧で周囲温度に依存しない定電圧を入力する電圧フォロア回路を構成しこの定電圧を前記検出電圧および前記比較基準電圧の基準電位として出力する差動増幅手段と、を備えることを技術的特徴とする。
【０００９】
特許請求の範囲に記載の請求項２の温度検出回路では、請求項１記載の温度検出回路において、前記差動増幅手段に入力される定電圧は、バンドギャップ電圧源により供給されるバンドギャップ電圧であり、前記検出素子は、高電位側が前記比較手段の一方の差動入力に接続され、低電位側が前記差動増幅手段の出力に接続されることを技術的特徴とする。
【００１０】
特許請求の範囲に記載の請求項３の温度検出回路では、請求項１または２記載の温度検出回路で、被検出対象が構成される半導体基板に請求項１または２記載の温度検出回路も構成される場合において、前記検出素子は、前記電流が流れる方向を順方向とする前記半導体基板に形成されるダイオードであり、前記検出電圧は、このダイオードによる順方向降下電圧であることを技術的特徴とする。
【００１１】
特許請求の範囲に記載の請求項４の温度検出回路では、請求項３記載の温度検出回路において、前記ダイオードは、２以上のダイオードを直列接続して構成され、前記検出電圧は、これらのダイオードによる順方向降下電圧の総和であることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１の発明では、差動増幅手段により、比較手段の動作電圧よりも低くかつこの動作電圧の基準電位よりも高い電圧で周囲温度に依存しない定電圧を入力する電圧フォロア回路を構成し、この定電圧を検出電圧および比較基準電圧の基準電位として出力する。これにより、検出電圧および比較基準電圧の基準電位は、差動増幅手段により構成される電圧フォロア回路から出力される定電圧になるため、たとえ当該温度検出回路にノイズが侵入しても、このようなノイズを差動増幅手段の特性から相殺することができ、当該ノイズによる検出電圧または比較基準電圧の揺らぎを除去することが可能となる。したがって、ノイズによる誤検出を防止することができる。
【００１３】
請求項２の発明では、差動増幅手段に入力される定電圧は、バンドギャップ電圧源により供給されるバンドギャップ電圧である。これにより、検出電圧の基準電位や比較基準電圧の基準電位が温度による影響を受け難いものとなるため、これらが温度による影響を受ける場合に比べて検出誤差を抑制することができる。検出素子は、高電位側が比較手段の一方の差動入力に接続され、低電位側が差動増幅手段の出力に接続される。これにより、検出素子により発生する検出電圧は、差動増幅手段から出力される基準電位、つまりバンドギャップ電圧を基準として発生するため、このような基準電圧を基準としない場合に比べて電圧的に安定したものとなる。したがって、ノイズおよび温度による誤検出を防止することができる。
【００１４】
請求項３の発明では、検出素子は、電流が流れる方向を順方向とする半導体基板に形成されるダイオードであり、検出電圧は、このダイオードによる順方向降下電圧である。これにより、被検出対象の近傍に検出素子であるダイオードを構成することができることに加えて、ダイオードの順方向電流を一定にすることで、当該ダイオードの周囲温度の上昇に伴って減少し周囲温度の降下に伴って増加するといった「負の温度依存性」を利用した温度検出が可能となる。
【００１５】
請求項４の発明では、ダイオードは、２以上のダイオードを直列接続して構成され、検出電圧は、これらのダイオードによる順方向降下電圧の総和であることから、検出電圧が高くなるとともに温度変動に対する電圧変動幅を大きくすることができる。これにより、検出精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の温度検出回路の実施形態について図を参照して説明する。まず、図１〜図３に基づいて、本実施形態に係る温度検出回路２０の構成を説明する。なお、図１には、本実施形態に係る温度検出回路２０の構成例を示す回路図が図示されている。また、図２には、図１に示す温度検出回路２０の基本構成を示す回路図が図示されており、さらに図３には、温度検出回路の他の基本構成を示す回路図が図示されている。
【００１７】
図１に示すように、温度検出回路２０は、定電圧回路２１、検出回路２２および電圧フォロア回路２３から構成されており、例えば、車両搭載型のアクチュエータを駆動するパワートランジスタＴｒ（被検出対象）の発熱温度が、所定の温度を超えているか否かを検出し得るものである。このため、温度検出回路２０は、このようなパワートランジスタＴｒとともに駆動ＩＣに内蔵されて当該車両に搭載されており、バッテリＢatt から供給されるバッテリ電圧ＶＢを受けて駆動し得るように構成されている。またこの駆動ＩＣは、ＥＣＵ（Electronic Control Unit ）を構成するマイクロコンピュータ（以下「マイコン」）と電気的に接続されて、温度検出回路２０から出力される検出情報（出力電圧Ｖout ）を当該マイコンが取得し得るように構成されている。
【００１８】
定電圧回路２１は、バッテリＢatt から供給されるバッテリ電圧ＶＢ（ＤＣ１２Ｖ）を、例えば、ＤＣ５Ｖに降圧してロジック電圧Ｖcc（ＤＣ５Ｖ）を安定供給する安定化電源回路で、オペアンプＯＰ１、トランジスタＱ11、抵抗Ｒ11，Ｒ12およびバンドギャップ電圧源から構成されている。
【００１９】
オペアンプＯＰ１は、反転入力(−)と非反転入力(＋)とに入力される各電圧を比較して両電圧差をゲインＧ倍して出力する差動増幅器で、本実施形態では、出力電圧を抵抗Ｒ11，Ｒ12により分圧して得られる１／Ｇの電圧を反転入力(−)に入力するとともに、この電圧と比較する基準電圧Ｖref1を非反転入力(＋)に入力可能に構成されている。また、オペアンプＯＰ１の出力は、トランジスタＱ11のベースに接続されてトランジスタＱ11のベース電圧を制御し得るように構成されている。
【００２０】
なお、基準電圧Ｖref1は、例えば、１．２Ｖを出力し得るバンドギャップ電圧源により供給されている。またこのオペアンプＯＰ１は、バッテリＢatt から供給されるバッテリ電圧ＶＢによって動作する。
【００２１】
トランジスタＱ11は、オペアンプＯＰ１から出力される電圧（ベース電圧）に従ってエミッタ電流を制御し得る電流制御素子で、コレクタがバッテリＢatt 、エミッタが抵抗Ｒ11にそれぞれ接続されている。
【００２２】
抵抗Ｒ11，Ｒ12は、オペアンプＯＰ１のゲインＧを決定する抵抗で、本実施形態では、出力電圧として５Ｖのロジック電圧Ｖccを出力可能にするため、例えば、基準電圧Ｖref1が１．２Ｖに設定されている場合には、オペアンプＯＰ１の反転入力(−)に１．２Ｖが入力されてゲインＧが４．１７（＝５／１．２）になるように、抵抗Ｒ11，Ｒ12の各抵抗値が設定されている。
【００２３】
このように定電圧回路２１を構成することによって、トランジスタＱ11のエミッタ電圧がロジック電圧Ｖccを超えると、オペアンプＯＰ１の非反転入力(＋)に入力されるロジック電圧Ｖccの分圧も反転入力(−)の基準電圧Ｖref1を超えることから、オペアンプＯＰ１からの出力電圧が減少してトランジスタＱ11のベース電圧が下がって、トランジスタＱ11のエミッタ電圧がロジック電圧Ｖccに向けて降下する。
【００２４】
これに対し、エミッタ電圧がロジック電圧Ｖccを下回ると、オペアンプＯＰ１の非反転入力(＋)に入力されるロジック電圧Ｖccの分圧も反転入力(−)の基準電圧Ｖref1を下回ることから、オペアンプＯＰ１からの出力電圧が増加してトランジスタＱ11のベース電圧が上がって、エミッタ電圧がロジック電圧Ｖccに向けて上昇する。これにより、トランジスタＱ11のエミッタ、つまり定電圧回路２１の出力から、安定したロジック電圧Ｖccが供給される。また、定電圧回路２１は、このような定電圧動作によって、後述するような外来ノイズＮＥを除去することが可能となる。
【００２５】
次に検出回路２２について説明する。図１および図２に示すように、検出回路２２は、パワートランジスタＴｒの温度を検出して、その温度が所定温度を超えていればＨレベルの５Ｖを出力し、所定温度以下であければＬレベルの０Ｖを出力する回路で、コンパレータＣｐ２、定電流源Ｃur、センサー素子Ｓen、抵抗Ｒ21，Ｒ22から構成されている。
【００２６】
コンパレータＣｐ２は、反転入力(−)と非反転入力(＋)とに入力される電圧を比較してその結果をＨレベルまたはＬレベルのロジック信号として出力する差動増幅回路からなる比較器で、本実施形態では、センサー素子Ｓenから出力される検出電圧Ｖsen を非反転入力(＋)に入力するとともに、この検出電圧Ｖsen と比較する基準電圧Ｖref2を反転入力(−)に入力可能に構成されている。
【００２７】
これにより、検出電圧Ｖsen が基準電圧Ｖref2を超える場合には、コンパレータＣｐ２からＨレベルの出力電圧Ｖout が出力され、検出電圧Ｖsen が基準電圧Ｖref2以下である場合には、コンパレータＣｐ２からＬレベルの出力電圧Ｖout が出力される。なお、このコンパレータＣｐ２は、バッテリＢatt から供給されるバッテリ電圧ＶＢによって動作する。
【００２８】
定電流源Ｃurは、一定の電流を供給し得るもので、例えば、カレントミラー回路により構成されている。本実施形態では、ロジック電圧Ｖccからフォロア回路２３の出力電圧Ｖref3に向け、例えば１００μＡの定電流をセンサー素子Ｓenに流し得るように構成されている。なお、この定電流源Ｃurは、定電圧回路２１からのロジック電圧Ｖccの供給を受けてこのような定電流を出力する。
【００２９】
センサー素子Ｓenは、定電流源Ｃurとフォロア回路２３の出力側の間に、複数のダイオードを順方向を揃えて直列に接続したもので、本実施形態では４本のダイオードＤ21，Ｄ22，Ｄ23，Ｄ24（以下「ダイオードＤ21〜Ｄ24」）を直列に接続している。ダイオードは、［背景技術］の欄で述べたように、その順方向電圧降下値が周囲温度の上昇に伴って減少し周囲温度の降下に伴って増加するといった「負の温度依存性」を有し、また順方向電流値が一定であればその増減は直線性を有することから、被検出対象であるパワートランジスタＴｒに対して熱結合可能な位置に、センサー素子Ｓenを配置して「被検出対象の温度に依存して増減する検出電圧を発生する検出素子」として用いる。
【００３０】
本実施形態の場合、１本当たりの順方向降下電圧ＶＦの４倍（ＶＦ×４）が、センサー素子Ｓenの検出電圧Ｖsen としてコンパレータＣｐ２に入力されるため、センサー素子Ｓenを１本のダイオードで構成した場合に比べて、検出電圧Ｖsen が高くなるとともに温度変動に対する電圧変動幅を大きくすることができる。これにより、検出精度の向上を可能にしている。パワートランジスタＴｒに対して熱結合可能な位置にセンサー素子Ｓenを配置するとは、例えば、パワートランジスタＴｒと近接するように駆動ＩＣの半導体基板にレイアウトして当該半導体基板にダイオードＤ21〜Ｄ24を形成する場合が挙げられる。
【００３１】
抵抗Ｒ21，Ｒ22は、ロジック電圧Ｖccとフォロア回路２３の出力側の間に、直列に接続されてコンパレータＣｐ２の反転入力(−)に入力する基準電圧Ｖref2を決定する抵抗である。本実施形態では、パワートランジスタＴｒの発熱温度が所定の温度を超えているか否かを検出するので、当該所定の温度におけるセンサー素子Ｓenの検出電圧Ｖsen を基準電圧Ｖref2として設定する。例えば、１５０℃（所定の温度）におけるダイオードＤ21〜Ｄ24の順方向降下電圧ＶＦの４倍が基準電圧Ｖref2に設定される。
【００３２】
このように検出回路２２を構成することによって、パワートランジスタＴｒの発熱温度が所定の温度を超えると、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen が基準電圧Ｖref2を超えるため、所定の温度以下のときにＬレベルであったコンパレータＣｐ２の出力電圧Ｖout は、Ｈレベルに変化して当該コンパレータＣｐ２から出力される。これにより、これを受けたＥＣＵのマイコン等は、被検出対象であるパワートランジスタＴｒの発熱温度が、所定の温度を超えていることを検出することが可能となる。
【００３３】
また、検出回路２２は、前述したように、定電流源Ｃurとフォロア回路２３の出力側との間にセンサー素子Ｓenを介在させ、またロジック電圧Ｖccとフォロア回路２３の出力側との間に抵抗Ｒ21，Ｒ22を介在させている。即ち、検出電圧Ｖsen の基準電位Ｇnd’および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’を、アースＧndにすることなく、次に説明する電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。
【００３４】
図１および図２に示すように、電圧フォロア回路２３は、オペアンプＯＰ３（差動増幅器）により構成されている。即ち、このオペアンプＯＰ３の非反転入力(＋)に所定の基準電圧Ｖref3を入力し、反転入力(−)にオペアンプＯＰ３の出力を入力することによって、非反転入力(＋)に入力された基準電圧Ｖref3をゲイン１でそのまま出力する差動増幅手段を構成する。基準電圧Ｖref3は、例えば、１．２Ｖを出力し得るバンドギャップ電圧源により供給されている。またこのオペアンプＯＰ３は、バッテリＢatt から供給されるバッテリ電圧ＶＢによって動作する。
【００３５】
このように本実施形態に係る温度検出回路２０では、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen を検出する検出回路２２は、その駆動電源をロジック電圧Ｖccとし、また検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’をいずれもアースＧndにすることなく、電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。これにより、コンパレータＣｐ２に入力される検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’は、アースＧndから切り離されているので、例えば、図１に示すように、バッテリ電圧ＶＢまたはそのアースＧndを経由して外来ノイズＮＥが侵入しても、その影響を直接受けることなく、前述した定電圧回路２１による定電圧動作に加えて、検出電圧Ｖsen や基準電圧Ｖref2の揺らぎを防止することができる。なお、図１の回路図では、外来ノイズＮＥが侵入し得る箇所が太線で表されている。
【００３６】
また、定電圧回路２１を構成するオペアンプＯＰ１、検出回路２２を構成するコンパレータＣｐ２および電圧フォロア回路２３を構成するオペアンプＯＰ３は、いずれも差動増幅回路により構成されている。これにより、これらにアースＧndを基準電位としたバッテリ電圧ＶＢが供給されてもこのような外来ノイズＮＥを差動増幅回路の特性から相殺することができ、外来ノイズＮＥによる検出電圧Ｖsen や基準電圧Ｖref2の揺らぎを除去することが可能となる。したがって、外来ノイズＮＥによる誤検出を防止することができる。
【００３７】
さらに、本実施形態に係る温度検出回路２０の検出回路２２では、電圧フォロア回路２３を設けることによって外来ノイズＮＥの侵入を防ぐことから、コンパレータＣｐ２の非反転入力(＋)や反転入力(−)の配線パターンの引き回しにおいて、浮遊容量の非形成や配線長の相違等を考慮する必要がない。したがって、半導体基板における半導体素子のレイアウト設計や配線パターン設計等を容易にすることができる。
【００３８】
なお、本実施形態に係る温度検出回路２０に対する比較例として、電圧フォロア回路２３を備えることなく、コンパレータＣｐ２に入力される検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位をアースＧndにした構成例を図４に示す。図４において、図１に示す構成と実質的に同一の構成部分には同一符号を付すものとする。
【００３９】
図４に示す温度検出回路１２０では、検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位を電圧フォロア回路２３の出力電圧Ｖref3で受けることなく、外来ノイズＮＥが侵入し得るアースＧndに直接接続されているため、外来ノイズＮＥの侵入によって（図４に示す二点鎖線円内）、検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2が揺れてしまう。このため、［発明が解決しようとする課題］の欄で述べたように、検出電圧Ｖsen の誤差、ひいては誤検出を招き得るという問題があるが、本実施形態に係る温度検出回路２０では、前述した構成を採ることによってこのような問題を解消している。
【００４０】
なお、上述した温度検出回路２０は、センサー素子ＳenにダイオードＤ21〜Ｄ24を用いたが、周囲温度で抵抗値が変化するサーミスタを用いて構成しても良い。ただし、サーミスタの場合には、その抵抗値が周囲温度の上昇に伴って増加し周囲温度の降下に伴って減少するといった「正の温度依存性」を有する点で、コンパレータＣｐ２の基準電圧Ｖref2等の設定条件がダイオードＤ21〜Ｄ24で構成した場合と異なるが、基本的には図１に示す回路とほぼ同様に構成できる。
【００４１】
また、上述した温度検出回路２０は、センサー素子Ｓenとして４本のダイオードＤ21〜Ｄ24を直列接続して構成したが、ダイオードの数を５本以上にしても良いし、また３本以下であっても良い。ダイオードの本数が増えるほど順方向降下電圧ＶＦが上がるため検出精度が向上するメリットがある一方で、ダイオードの本数が減るほどセンサー素子Ｓenとして半導体基板の占有面積を削減でき小型化に寄与できるメリットがある。
【００４２】
さらに、上述した温度検出回路２０では、図２に示すように、センサー素子ＳenとしてダイオードＤ21〜Ｄ24のカソード側を電圧フォロア回路２３のバンドギャップ電圧による基準電位Ｇnd’で固定する回路構成（カソード側基準）を採っていることから、例えば、図３に示すように、定電圧回路２１によるロジック電圧ＶccでダイオードＤ21〜Ｄ24のアノード側を固定する回路構成（アノード側基準）に比べて、温度的にも電圧的にも検出電圧Ｖsen の基準電位を安定にすることができる。したがって、ノイズおよび温度による誤検出を防止することができる。図３において、図２に示す構成と実質的に同一の構成部分には同一符号を付している。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係る温度検出回路の構成例を示す回路図である。
【図２】図１に示す温度検出回路の基本構成を示す回路図である。
【図３】本実施形態に係る温度検出回路の他の基本構成を示す回路図である。
【図４】温度検出回路の比較例の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４４】
２０…温度検出回路
２１…定電圧回路
２２…検出回路
２３…電圧フォロア回路
Ｂatt …バッテリ
Ｃｐ２…コンパレータ（比較手段）
Ｃur…定電流源
Ｄ21，Ｄ22，Ｄ23，Ｄ24…ダイオード（検出素子）
Ｇnd…アース（動作電圧の基準電位）
Ｇnd’…基準電位（検出電圧および比較基準電圧の基準電位）
ＮＥ…外来ノイズ
ＯＰ１…オペアンプ
ＯＰ３…オペアンプ（差動増幅手段）
Ｒ11，Ｒ12，Ｒ21，Ｒ22…抵抗（電圧源）
Ｓen…センサー素子（検出素子）
Ｔｒ…パワートランジスタ（被検出対象）
ＶＢ…バッテリ電圧（動作電圧）
Ｖcc…ロジック電圧
Ｖsen …検出電圧
Ｖout …出力電圧
Ｖref2…基準電圧（所定の比較基準電圧）
Ｖref3…基準電圧（定電圧、バンドギャップ電圧）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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