(57)【要約】【課題】従来の液晶表示装置では、表示品位を向上させることが困難である。【解決手段】第１基板５１と、第１基板５１に対向する第２基板８１と、第１基板５１及び第２基板８１間に介在する液晶１９と、第１基板５１及び液晶１９の間に介在し、第２基板８１を介して液晶１９に入射された光を第２基板８１側に反射させる反射膜６７と、第１基板５１及び反射膜６７の間に介在する複数の配線と、平面視で隣り合う前記配線同士の間に設けられ、前記配線による段差を緩和する緩和層６５と、を有し、緩和層６５は、第１基板５１及び反射膜６７の間に介在しており、且つ少なくとも反射膜６７に平面視で重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。【選択図】図４
2009276508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在し、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
前記第１基板及び前記反射膜の間に介在する複数の配線と、
前記第１基板及び前記反射膜の間であって、平面視で隣り合う前記配線同士の間において、少なくとも前記反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成され、前記配線による段差を緩和する緩和層と、を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
複数の画素が設定されており、
各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、
前記反射膜は、前記反射領域ごとに設けられているとともに、前記緩和層は前記反射領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層を有し、
前記凹凸形成層は、前記複数の配線及び前記反射膜の間に介在しており、
各前記反射膜は、各前記反射領域内で各前記凹凸部の前記液晶側に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記緩和層が、前記透過領域に平面視で重なる領域にも設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに厚みが異なることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記反射領域に対応する前記緩和層の厚みが、前記透過領域に対応する前記緩和層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに材質が異なることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
少なくとも前記透過領域に対応する前記緩和層は、光透過性を有する材質で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記反射領域に対応する前記緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子を有しており、
前記配線は、前記ＴＦＴ素子に駆動信号を供給するゲート線であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子を有しており、
前記配線は、前記ＴＦＴ素子に画像信号を供給するソース線であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、
透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定された複数の画素と、
前記第１基板及び前記液晶の間に介在し、前記画素ごとに前記反射領域に重なる領域に設けられた反射膜と、
前記第１基板及び前記反射膜の間に介在し、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層と、
前記第１基板及び前記凹凸形成層の間に介在する緩和層と、を有し、
前記凹凸部は、前記凹凸形成層の前記液晶側に設けられており、
前記反射膜は、前記凹凸部の前記液晶側に設けられており、
前記緩和層は、平面視で少なくとも前記凹凸部に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、反射表示を行うことができる液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３３３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された液晶装置では、反射表示を行う領域に凹凸パターンが設けられている。この液晶装置では、凹凸パターンが液晶層に反映され、凹凸パターンの凸部と凹部とで液晶の厚みが異なる。
液晶の厚みが異なることは、液晶のリタデーション（複屈折率と厚みとの積）が異なることを意味する。液晶のリタデーションが異なると、液晶によって変調される光の変調状態が異なる。
このため、上記特許文献１に記載された液晶装置では、液晶による光の変調状態がばらつきやすい。この結果、表示におけるコントラストが低下しやすい。
【０００５】
そこで、凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させ、液晶層への凹凸パターンの反映を軽減することが考えられる。
凹凸パターンと液晶との間に平坦化層を介在させた構成としては、例えば、図２４に示す素子基板６０１の構成が考えられる。
素子基板６０１では、基板６０３上に各画素６０５に対応して、ＴＦＴ素子６０７と、反射膜６０９と、画素電極６１１とが設けられる。
【０００６】
ＴＦＴ素子６０７は、基板６０３上に設けられており、絶縁膜６１３によって覆われている。絶縁膜６１３上には、樹脂層６１５が設けられている。この樹脂層６１５には、凹凸パターン６１７が設けられる。反射膜６０９は、凹凸パターン６１７上に設けられる。平坦化層６１９は、樹脂層６１５及び反射膜６０９上に設けられる。そして、画素電極６１１は、平坦化層６１９上に設けられる。画素電極６１１は、配向膜６２１によって覆われている。
上記の構成により、液晶層への凹凸パターン６１７の反映を軽減することができる。
【０００７】
ところで、図２４に示す素子基板６０１では、基板６０３と樹脂層６１５との間に、ゲート電極６２３につながるゲート線や、ソース電極６２５につながるソース線などの配線が介在している。
ゲート線６２７は、図２５に示すように、基板６０３上に設けられており、ゲート絶縁膜６２９によって覆われている。
ソース線６３１は、図２５中のＶ−Ｖ線における断面図である図２６に示すように、ゲート絶縁膜６２９上に設けられており、絶縁膜６１３によって覆われている。
【０００８】
ゲート絶縁膜６２９には、図２５に示すように、平面視でゲート線６２７に重なる部位に、ゲート線６２７の厚みが反映された凸部が形成される。ゲート絶縁膜６２９の凸部は、絶縁膜６１３、樹脂層６１５、平坦化層６１９及び配向膜６２１のそれぞれに反映される。この結果、配向膜６２１上の液晶の厚みがばらつくことになる。
【０００９】
また、絶縁膜６１３には、図２６に示すように、平面視でソース線６３１に重なる部位に、ソース線６３１の厚みが反映された凸部が形成される。絶縁膜６１３の凸部は、樹脂層６１５、平坦化層６１９及び配向膜６２１のそれぞれに反映される。この結果、配向膜６２１上の液晶の厚みがばらつくことになる。
【００１０】
つまり、従来の液晶装置では、液晶層に配線の厚みが反映されやすい。このため、従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【００１２】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在し、前記第２基板を介して前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記第１基板及び前記反射膜の間に介在する複数の配線と、前記第１基板及び前記反射膜の間であって、平面視で隣り合う前記配線同士の間において、少なくとも前記反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成され、前記配線による段差を緩和する緩和層と、を有していることを特徴とする液晶装置。
【００１３】
適用例１の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、反射膜と、複数の配線と、緩和層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。反射膜は、第１基板及び液晶の間に介在しており、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に反射させる。複数の配線は、第１基板及び反射膜の間に介在している。緩和層は、第１基板及び反射膜の間に設けられている。緩和層は、平面視で隣り合う配線同士の間において、少なくとも反射膜に平面視で重なる領域を含んでパターン形成されており、配線による段差を緩和する。このため、平面視で反射膜に重なる領域における液晶に配線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第２基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００１４】
［適用例２］上記の液晶装置であって、複数の画素が設定されており、各前記画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されており、前記反射膜は、前記反射領域ごとに設けられているとともに、前記緩和層は前記反射領域に対応して選択的に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【００１５】
適用例２では、複数の画素の各画素に、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されている。反射膜は、反射領域ごとに設けられている。そして、緩和層は反射領域に対応して選択的に形成されている。この構成により、この液晶装置では、透過表示と反射表示とを行うことができる。
【００１６】
［適用例３］上記の液晶装置であって、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層を有し、前記凹凸形成層は、前記複数の配線及び前記反射膜の間に介在しており、各前記反射膜は、各前記反射領域内で各前記凹凸部の前記液晶側に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００１７】
適用例３の液晶装置は、凹凸形成層を有している。凹凸形成層は、複数の配線及び反射膜の間に介在している。凹凸形成層には、凹凸部が設けられている。凹凸部は、平面視で各反射領域に重なる領域に設けられている。この液晶装置では、各反射膜は、各反射領域内で各凹凸部の液晶側に設けられている。このため、反射膜には、凹凸部の形状が反映され得る。これにより、反射膜で光を乱反射させることができる。
【００１８】
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記緩和層が、前記透過領域に平面視で重なる領域にも設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００１９】
適用例４では、緩和層が、透過領域に平面視で重なる領域にも設けられている。このため、透過表示における表示品位も向上させやすくすることができる。
【００２０】
［適用例５］上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに厚みが異なることを特徴とする液晶装置。
【００２１】
適用例５では、反射領域に対応する緩和層と、透過領域に対応する緩和層とは、互いに厚みが異なっている。これにより、反射領域及び透過領域のそれぞれに対して、各緩和層を適切な厚みに設定しやすくすることができる。
【００２２】
［適用例６］上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層の厚みが、前記透過領域に対応する前記緩和層の厚みよりも厚いことを特徴とする液晶装置。
【００２３】
適用例６では、反射領域に対応する緩和層の厚みが、透過領域に対応する緩和層の厚みよりも厚い。
ここで、凹凸形成層は、凹凸部の存在に起因して、反射領域における凹凸形成層の厚みが、透過領域における凹凸形成層の厚みよりも薄くなることがある。
このような場合でも、適用例６の液晶装置では、反射領域に対応する緩和層の厚みが、透過領域に対応する緩和層の厚みよりも厚いので、反射領域における液晶の厚みと、透過領域における液晶の厚みとをそろえやすくすることができる。
【００２４】
［適用例７］上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層と、前記透過領域に対応する前記緩和層とは、互いに材質が異なることを特徴とする液晶装置。
【００２５】
適用例７では、反射領域に対応する緩和層と、透過領域に対応する緩和層とは、互いに材質が異なっている。
ここで、例えば、反射領域に対応する緩和層の材質が遮光性を有していても、第１基板及び反射膜の間に緩和層が介在しているので、反射表示に支障がない。このため、反射領域に対応する緩和層は、遮光性を有する材質で構成され得る。他方で、透過領域に対応する緩和層は、光透過性を有する材質で構成され得る。
このように、反射領域と透過領域とで緩和層の材質が異なっていても反射表示と透過表示とを行うことができる。
【００２６】
［適用例８］上記の液晶装置であって、少なくとも前記透過領域に対応する前記緩和層は、光透過性を有する材質で構成されていることを特徴とする液晶装置。
【００２７】
適用例８では、少なくとも透過領域に対応する緩和層が、光透過性を有する材質で構成されているので、透過領域からの光で透過表示を行うことができる。
【００２８】
［適用例９］上記の液晶装置であって、前記反射領域に対応する前記緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されていることを特徴とする液晶装置。
【００２９】
適用例９では、反射領域に対応する緩和層が、光吸収性を有する材質で構成されている。これにより、第１基板を介して反射領域内に入射された光の少なくとも一部を緩和層で吸収することができる。このため、第１基板を介して反射領域内に入射された光が、反射膜で乱反射され、反射領域の外に射出されることを低く抑えることができる。この結果、第１基板を介して反射領域内に入射された光が漏れることを低く抑えることができる。
【００３０】
［適用例１０］上記の液晶装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子を有しており、前記配線は、前記ＴＦＴ素子に駆動信号を供給するゲート線であることを特徴とする液晶装置。
【００３１】
適用例１０の液晶装置は、各画素に対応して設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を有している。ＴＦＴ素子は、画素ごとに液晶の駆動を制御する。この液晶装置では、配線は、ＴＦＴ素子に駆動信号を供給するゲート線である。この構成により、平面視で反射膜に重なる領域における液晶にゲート線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第２基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３２】
［適用例１１］上記の液晶装置であって、各前記画素に対応して設けられ、前記画素ごとに前記液晶の駆動を制御するＴＦＴ素子を有しており、前記配線は、前記ＴＦＴ素子に画像信号を供給するソース線であることを特徴とする液晶装置。
【００３３】
適用例１１では、各画素に対応して設けられたＴＦＴ素子を有している。ＴＦＴ素子は、画素ごとに液晶の駆動を制御する。この液晶装置では、配線は、ＴＦＴ素子に画像信号を供給するソース線である。この構成により、平面視で反射膜に重なる領域における液晶にソース線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第２基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３４】
［適用例１２］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に介在する液晶と、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定された複数の画素と、前記第１基板及び前記液晶の間に介在し、前記画素ごとに前記反射領域に重なる領域に設けられた反射膜と、前記第１基板及び前記反射膜の間に介在し、平面視で各前記反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられた凹凸形成層と、前記第１基板及び前記凹凸形成層の間に介在する緩和層と、を有し、前記凹凸部は、前記凹凸形成層の前記液晶側に設けられており、前記反射膜は、前記凹凸部の前記液晶側に設けられており、前記緩和層は、平面視で少なくとも前記凹凸部に重なる領域に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【００３５】
適用例１２の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、凹凸形成層と、緩和層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。各画素には、透過表示を行う透過領域及び反射表示を行う反射領域が設定されている。反射膜は、第１基板及び液晶の間に介在しており、画素ごとに反射領域に重なる領域に設けられている。凹凸形成層は、第１基板及び反射膜の間に介在している。凹凸形成層には、平面視で各反射領域に重なる領域に凹凸部が設けられている。凹凸部は、凹凸形成層の液晶側に設けられている。反射膜は、凹凸部の液晶側に設けられている。緩和層は、第１基板及び凹凸形成層の間に介在している。
ここで、凹凸形成層は、凹凸部の存在に起因して、反射領域における凹凸形成層の厚みが、透過領域における凹凸形成層の厚みよりも薄くなることがある。
これに対し、この液晶装置では、緩和層は、平面視で少なくとも凹凸部に重なる領域に設けられている。このため、反射領域における液晶の厚みと、透過領域における液晶の厚みとをそろえやすくすることができる。これにより、反射領域における光の変調状態と、透過領域における光の変調状態とを、それぞれ適切な状態にしやすくすることができる。この結果、反射表示及び透過表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００３６】
［適用例１３］上記の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【００３７】
適用例１３の電子機器は、表示部としての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、反射膜と、複数の配線と、緩和層とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板間に介在している。反射膜は、第１基板及び液晶の間に介在しており、第２基板を介して液晶に入射された光を第２基板側に反射させる。複数の配線は、第１基板及び反射膜の間に介在している。緩和層は、平面視で隣り合う配線同士の間に設けられており、配線による段差を緩和する。この構成により、配線の厚みが液晶に反映されることを軽減することができる。
この液晶装置では、緩和層は、第１基板及び反射膜の間に介在しており、且つ少なくとも反射膜に平面視で重なる領域に設けられている。このため、平面視で反射膜に重なる領域における液晶に配線の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜によって第２基板側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射膜によって反射された光を利用する表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この電子機器は、上記の液晶装置を表示部として有しているので、表示部における表示品位を向上させやすくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
第１実施形態について、表示装置の１つである反射型の液晶装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第１実施形態における表示装置１は、図１に示すように、液晶パネル３と、位相差板５と、偏光板７とを有している。
【００３９】
ここで、表示装置１には、複数の画素９が設定されている。複数の画素９は、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１は、表示面１３から偏光板７を介して液晶パネル３に入射された光を、後述する反射膜で表示面１３側に反射させて、複数の画素９から選択的に表示面１３を介して液晶パネル３の外に射出することができる。これにより、表示装置１では、表示面１３に画像を表示することができる。なお、表示領域１１とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素９が誇張され、且つ画素９の個数が減じられている。
【００４０】
液晶パネル３は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１５と、対向基板１７と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板１５には、表示面１３側すなわち液晶１９側に、複数の画素９のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板１７は、素子基板１５よりも表示面１３側で素子基板１５に対向し、且つ素子基板１５との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板１７には、表示装置１における表示面１３の裏面に相当する面である底面２３側すなわち液晶１９側に、後述するカラーフィルタなどが設けられている。
【００４１】
液晶１９は、素子基板１５及び対向基板１７の間に介在しており、液晶パネル３の周縁よりも内側で表示領域１１を囲むシール材２１によって、素子基板１５及び対向基板１７の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。
【００４２】
位相差板５は、対向基板１７よりも表示面１３側、すなわち液晶１９側とは反対側に設けられている。偏光板７は、位相差板５よりも表示面１３側に設けられている。表示装置１では、位相差板５は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。偏光板７は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
【００４３】
なお、偏光板７よりも表示面１３側や、偏光板７と位相差板５との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶１９を表示面１３の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶１９の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
【００４４】
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
【００４５】
表示装置１に設定されている複数の画素９は、それぞれ、表示面１３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素９は、Ｒの光を射出する画素９ｒと、Ｇの光を射出する画素９ｇと、Ｂの光を射出する画素９ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素９という表記と、画素９ｒ、９ｇ及び９ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００４６】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００４７】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素９が、１つの画素列４１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素９が、１つの画素行４２を構成している。
１つの画素列４１内の各画素９は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素９ｒがＹ方向に配列した画素列４１ｒと、複数の画素９ｇがＹ方向に配列した画素列４１ｇと、複数の画素９ｂがＹ方向に配列した画素列４１ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列４１という表記と、画素列４１ｒ、画素列４１ｇ及び画素列４１ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
【００４８】
表示装置１では、表示面１３を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面１３側に反射させて、その反射光を表示面１３側に射出することによって、反射表示が行われる。なお、外光とは、表示装置１の表示面１３から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
【００４９】
ここで、液晶パネル３の素子基板１５及び対向基板１７のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１５は、図３中のＣ−Ｃ線における断面図である図４に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。
第１基板５１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面１３側に向けられた第１面５１ａと、底面２３側に向けられた第２面５１ｂとを有している。
【００５０】
素子層５２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。素子層５２には、ゲート絶縁膜５３と、樹脂層５５と、平坦化膜５７と、絶縁膜５９と、配向膜６１とが含まれている。また、素子層５２には、画素９ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６３と、緩和層６５と、反射膜６７と、共通電極６９と、画素電極７１とが含まれている。
【００５１】
ゲート絶縁膜５３は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられている。樹脂層５５は、ゲート絶縁膜５３の表示面１３側に設けられている。平坦化膜５７は、樹脂層５５の表示面１３側に設けられている。絶縁膜５９は、平坦化膜５７の表示面１３側に設けられている。配向膜６１は、絶縁膜５９の表示面１３側に設けられている。
ＴＦＴ素子６３と、緩和層６５と、反射膜６７と、共通電極６９と、画素電極７１とは、それぞれ、各画素９に対応して設けられている。
【００５２】
ＴＦＴ素子６３は、ゲート電極７２と、半導体層７３と、ソース電極７４と、ドレイン電極７５とを有している。ゲート電極７２は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面１３側から覆われている。なお、ゲート電極７２の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜５３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層７３は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜５３を挟んでゲート電極７２に対向する位置に設けられている。
【００５３】
ソース電極７４は、ゲート絶縁膜５３の表示面１３側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。ドレイン電極７５は、ゲート絶縁膜５３の表示面１３側に設けられており、一部が半導体層７３に重なっている。上記の構成を有するＴＦＴ素子６３は、半導体層７３がゲート電極７２と、ソース電極７４及びドレイン電極７５との間に位置する所謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するＴＦＴ素子６３は、樹脂層５５によって表示面１３側から覆われている。
【００５４】
緩和層６５は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面１３側から覆われている。緩和層６５は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート電極７２間に設けられている。緩和層６５とゲート電極７２とは、互いにＹ方向に間隔をあけた状態で設けられている。
緩和層６５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、緩和層６５としては、遮光性を有していても、光透過性を有していてもよい。
【００５５】
反射膜６７は、平面視で各画素９の領域に重なる領域に設けられている。反射膜６７は、樹脂層５５の表示面１３側に設けられている。なお、樹脂層５５の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
樹脂層５５及び反射膜６７は、平坦化膜５７によって表示面１３側から覆われている。平坦化膜５７の材料としては、例えば、アクリル系やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００５６】
共通電極６９は、平坦化膜５７の表示面１３側に設けられており、平面視で各画素９の領域に重なっている。共通電極６９の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。
共通電極６９は、絶縁膜５９によって表示面１３側から覆われている。絶縁膜５９の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
【００５７】
画素電極７１は、絶縁膜５９の表示面１３側に設けられている。画素電極７１は、絶縁膜５９、平坦化膜５７及び樹脂層５５に設けられたコンタクトホール７６を介して、ドレイン電極７５につながっている。画素電極７１の材料としては、例えばＩＴＯなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
配向膜６１は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁膜５９及び画素電極７１を表示面１３側から覆っている。なお、配向膜６１には、配向処理が施されている。
【００５８】
対向基板１７は、第２基板８１と、対向層８２とを有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面１３側に向けられた外向面８３ａと、底面２３側に向けられた対向面８３ｂとを有している。
対向層８２は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられている。対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、配向膜９７とが含まれている。
【００５９】
光吸収層８５は、第２基板８１の対向面８３ｂに設けられており、領域８６にわたっている。光吸収層８５は、平面視で格子状に設けられており、各画素９を区画している。表示装置１では、各画素９は、光吸収層８５によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層８５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
【００６０】
カラーフィルタ８７は、各画素９に対応して設けられている。カラーフィルタ８７は、第２基板８１の対向面８３ｂ側に設けられており、光吸収層８５によって囲まれた各領域、すなわち各画素９の領域を底面２３側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素９ｒ、画素９ｇ及び画素９ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素９ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素９ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素９ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。
【００６１】
オーバーコート層９１は、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７の底面２３側に設けられている。オーバーコート層９１は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７を底面２３側から覆っている。
配向膜９７は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。配向膜９７は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１を底面２３側から覆っている。配向膜９７には、底面２３側に配向処理が施されている。
素子基板１５及び対向基板１７の間に介在する液晶１９は、配向膜６１と配向膜９７との間に介在している。
【００６２】
ここで、各画素９におけるＴＦＴ素子６３、共通電極６９及び画素電極７１の配置について説明する。
画素電極７１は、平面図である図５に示すように、画素９の領域にわたって設けられており、複数のスリット部１１１を有している。図５では、構成をわかりやすく示すため、画素電極７１にハッチングが施されている。
複数のスリット部１１１は、Ｙ方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部１１１は、Ｙ方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部１１１が延びる方向は、Ｘ方向から傾斜している。
【００６３】
共通電極６９は、画素電極７１を覆う領域に設けられている。Ｘ方向に隣り合う画素９間において、共通電極６９同士は、共通線１１３によって接続されている。
各画素９において、共通電極６９及び画素電極７１は、それぞれの周縁部が領域８６に重なっている。
ＴＦＴ素子６３は、図５で見て画素９の領域の左側の領域８６内に設けられている。画素電極７１は、画素９の領域内から領域８６内に及んでおり、領域８６内に設けられたコンタクトホール７６を介してドレイン電極７５につながっている。Ｘ方向に隣り合う画素９間において、ゲート電極７２同士は、ゲート線１１７によって接続されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素９間において、ソース電極７４同士は、ソース線１１９によって接続されている。
【００６４】
反射膜６７は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１７と、Ｘ方向に隣り合う２つのソース線１１９とによって囲まれる領域内に設けられている。図５では、構成をわかりやすく示すため、反射膜６７の領域が共通電極６９の領域よりも外側に及んでいる。反射膜６７の領域は、これに限定されず、少なくとも画素９の領域内に及んでいればよい。
緩和層６５は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１７の間に設けられており、画素９ごとにパターン形成されている。緩和層６５は、共通電極６９の領域よりも外側の領域に及んでいる。つまり、緩和層６５は、反射膜６７の領域よりも広い領域にわたって設けられている。このため、緩和層６５とゲート線１１７との間の凹凸が反射膜６７に反映されにくい。
【００６５】
なお、緩和層６５は、厚みがゲート線１１７の厚みと略同等に設定されている。
また、図４におけるＴＦＴ素子６３、共通電極６９及び画素電極７１の断面は、図５中のＪ−Ｊ線における断面に相当している。
また、緩和層６５は、画素９ごとにパターン形成されている構成に限定されない。緩和層６５の構成としては、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート線１１７の間に、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で一連した状態でパターン形成されている構成も採用され得る。
【００６６】
共通電極６９と画素電極７１との間に電圧を印加すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。液晶パネル３では、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、共通電極６９と画素電極７１との間に電界が発生する。この電界によって液晶１９の配向状態を変化させることができる。
表示装置１では、液晶１９の配向状態を画素９ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６３のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
【００６７】
配向膜６１及び配向膜９７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜６１及び配向膜９７によって、液晶１９の初期的な配向状態が規制される。
図６（ａ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときの偏光状態を示す図であり、図６（ｂ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときの偏光状態を示す図である。
表示装置１では、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図６（ａ）に示すように、偏光板７の透過軸１２３に直交した方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態に切り替わると、液晶１９の配向方向１２１は、図６（ｂ）に示すように、平面視で偏光板７の透過軸１２３に直交する方向に対して、この図で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。なお、表示装置１では、液晶１９は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、入射光に１／４波長の位相差を付与する。
【００６８】
なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板７の透過軸１２３に直交した方向を示し、Ｙ'方向が偏光板７の透過軸１２３に沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
ここで、位相差板５の遅相軸１３１は、平面視でＸ'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板５に入射された直線偏光１２９は、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１３３として液晶１９に入射される。直線偏光１３３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して図６（ａ）及び図６（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に沿っている。
【００６９】
液晶１９に入射された直線偏光１３３は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときに、図６（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜６７に向けて射出される。
円偏光１３５は、反射膜６７で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として位相差板５に入射される。
【００７０】
位相差板５に入射された直線偏光１３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４１として偏光板７に入射される。
偏光板７に入射された直線偏光１４１は、偏光軸が偏光板７の透過軸１２３に対して直交しているため、偏光板７によって吸収される。
【００７１】
他方で、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、図６（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１３３として反射膜６７に向けて射出される。
反射膜６７に向けて射出された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま反射膜６７で反射され、液晶１９に入射される。
【００７２】
反射膜６７から液晶１９に入射された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま位相差板５に入射される。位相差板５に入射された直線偏光１３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４３として偏光板７に入射される。偏光板７に入射された直線偏光１４３は、偏光軸が偏光板７の透過軸１２３の方向に沿っているため、偏光板７を透過する。
このように、表示装置１では、ＴＦＴ素子６３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、表示が制御される。
【００７３】
第１実施形態において、ゲート線１１７（ゲート電極７２）が配線としてのゲート線に対応している。
第１実施形態の表示装置１では、画素９ごとに、第１基板５１と反射膜６７との間に緩和層６５が設けられている。各緩和層６５は、ゲート線１１７と同じ階層（第１基板５１の第１面５１ａ）に設けられており、隣り合う２つのゲート線１１７同士間に介在している。このため、液晶１９にゲート線１１７の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜６７によって第２基板８１側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【００７４】
なお、第１実施形態では、緩和層６５の厚みをゲート線１１７の厚みと略同等に設定されているが、緩和層６５の厚みはこれに限定されない。緩和層６５の厚みとしては、ゲート線１１７の厚みから反射膜６７の厚みを差し引いた値も採用され得る。これにより、樹脂層５５と反射膜６７との間の段差を軽減しやすくできるので、液晶１９に反射膜６７の厚みが反映されることを軽減することができる。このため、表示品位を一層向上させやすくすることができる。
【００７５】
また、第１実施形態では、緩和層６５をゲート線１１７と同じ階層（第１基板５１の第１面５１ａ）に設けた構成を例示したが、緩和層６５を設ける階層はこれに限定されない。緩和層６５を設ける階層としては、例えば、ソース線１１９（ソース電極７４）と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層６５は、画素９ごとに、平面視で画素９の領域に重なる領域に設けられ、画素９ごとにソース線１１９に隣り合う。この構成においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００７６】
第２実施形態について、半透過反射型の液晶装置を例に、図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、第１実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
第２実施形態における表示装置１０は、図７に示すように、表示パネル２０と、照明装置３０とを有している。
【００７７】
ここで、表示パネル２０には、複数の画素９が設定されている。複数の画素９は、第１実施形態と同様に、表示領域１１内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１０は、照明装置３０から表示パネル２０に入射された光を、複数の画素９から選択的に表示面１３を介して表示パネル２０の外に射出することで、表示面１３に画像を表示することができる。
【００７８】
表示パネル２０は、図７中のＤ−Ｄ線における断面図である図８に示すように、液晶パネル４０と、偏光板７ａ及び７ｂとを有している。
液晶パネル４０は、素子基板６０と、対向基板７０と、液晶１９と、シール材２１とを有している。
素子基板６０には、表示面１３側すなわち液晶１９側に、各画素９に対応して、ＴＦＴ素子６３などが設けられている。
【００７９】
対向基板７０は、素子基板６０よりも表示面１３側で素子基板６０に対向し、且つ素子基板６０との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７０には、底面２３側すなわち液晶１９側に、後述する位相差膜などが設けられている。
【００８０】
液晶１９は、素子基板６０及び対向基板７０の間に介在しており、液晶パネル４０の周縁よりも内側で表示領域１１を囲むシール材２１によって、素子基板６０及び対向基板７０の間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶１９の駆動方式として、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型の駆動方式が採用されている。
【００８１】
偏光板７ａは、対向基板７０よりも表示面１３側に設けられている。偏光板７ｂは、素子基板６０よりも底面２３側に設けられている。表示装置１０では、偏光板７ａ及び７ｂは、偏光板７ａにおける光の透過軸の方向と、偏光板７ｂにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交する方向に設定されている。
なお、偏光板７ａと対向基板７０との間や、偏光板７ｂと素子基板６０との間に、前述した光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。
【００８２】
照明装置３０は、表示パネル２０の底面２３側に設けられており、導光板３１と、光源３３とを有している。導光板３１は、図８で見て表示パネル２０の下側に設けられており、表示パネル２０の底面２３に対向する光射出面３５ｂを有している。
光源３３は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や冷陰極管などが採用され、図８で見て導光板３１の側面３５ａの左方に設けられている。
【００８３】
光源３３からの光は、導光板３１の側面３５ａに入射される。導光板３１に入射された光は、導光板３１の中で反射を繰り返しながら光射出面３５ｂから射出される。光射出面３５ｂから射出された光は、表示パネル２０の底面２３から、偏光板７ｂを介して表示パネル２０に入射される。なお、導光板３１には、必要に応じて、光射出面３５ｂに拡散板が設けられ、底面３５ｃに反射板が設けられる。
【００８４】
表示パネル２０に設定されている複数の画素９は、第１実施形態と同様に、画素９ｒと、画素９ｇと、画素９ｂとを含んでいる。
各画素９は、図３中のＥ部の拡大図である図９に示すように、透過領域Ｔと、反射領域Ｈとを有している。なお、図９では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Ｈにハッチングが施されている。
透過領域Ｔでは、図８に示す照明装置３０から底面２３を介して液晶１９に入射された光を表示面１３側に透過させることによって、透過表示が行われる。
【００８５】
反射領域Ｈでは、表示面１３を介して液晶１９に入射された外光を、後述する反射膜で表示面１３側に反射させて、その反射光を表示面１３側に射出することによって、反射表示が行われる。
ここで、液晶パネル４０の素子基板６０及び対向基板７０のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板６０は、図９中のＦ−Ｆ線における断面図である図１０に示すように、第１基板５１と、素子層５２とを有している。
【００８６】
緩和層６５は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面１３側から覆われている。緩和層６５は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート電極７２間に設けられており、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。緩和層６５とゲート電極７２とは、互いにＹ方向に間隔をあけた状態で設けられている。
緩和層６５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、緩和層６５としては、遮光性を有していても、光透過性を有していてもよい。表示装置１０では、緩和層６５は、光吸収性を有する材質で構成されている。このため、緩和層６５は、照明装置３０からの光に対して遮光性を有している。
【００８７】
照明装置３０から底面２３（図８）を介して第１基板５１に入射された光が、後述する反射膜６７によって乱反射することを軽減できる点で、緩和層６５が遮光性や光吸収性を有していることは、好ましい。これは、乱反射した光が透過領域Ｔに入射することによってコントラストが低下してしまうことを軽減しやすくできるためである。
【００８８】
ここで、樹脂層５５の表示面１３側には、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に凹凸部７９が設けられている。
反射膜６７は、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。反射膜６７は、凹凸部７９の表示面１３側に設けられている。このため、反射膜６７には、凹凸部７９の凹凸形状が反映されている。つまり、反射膜６７は、凹凸部７９の凹凸形状にならって凹凸状に設けられている。
このため、表示面１３側から液晶パネル４０に入射された光を、凹凸状に設けられた反射膜６７によって、液晶１９側に乱反射させることができる。
【００８９】
対向基板７０は、第２基板８１と、対向層８２とを有している。
対向層８２には、光吸収層８５と、カラーフィルタ８７と、オーバーコート層９１と、配向膜９３と、位相差膜９５と、配向膜９７とが含まれている。
配向膜９３は、オーバーコート層９１の底面２３側に設けられている。配向膜９３は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層９１を底面２３側から覆っている。配向膜９３には、底面２３側に配向処理が施されている。
【００９０】
位相差膜９５は、配向膜９３の底面２３側に設けられている。位相差膜９５は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられている。位相差膜９５は、この位相差膜９５に入射された光に、１／２波長の位相差を与える。
【００９１】
素子基板６０及び対向基板７０の間に介在する液晶１９は、配向膜６１と配向膜９７との間に介在している。液晶パネル４０では、各画素９において、透過領域Ｔと反射領域Ｈとで液晶１９の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Ｔにおいて、液晶１９は、Ｌ１なる厚みを有している。これに対し、反射領域Ｈでは、液晶１９の厚みＬ２が、Ｌ１＞Ｌ２となるように、位相差膜９５の厚みが設定されている。なお、液晶パネル４０では、Ｌ１は、Ｌ２の約２倍に設定されている。
【００９２】
ここで、位相差膜９５は、図１０中のＫ−Ｋ線における断面図である図１１に示すように、Ｘ方向に並ぶ複数の画素９間にわたって一連している。つまり、位相差膜９５は、Ｘ方向に並ぶ複数の反射領域Ｈに、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で重なっている。
【００９３】
ここで、反射膜６７及び位相差膜９５は、図１２に示す境界部１１５よりも反射領域Ｈ側で、共通電極６９に重なっている。従って、反射領域Ｈは、各画素９の領域において、反射膜６７と位相差膜９５とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。図１２では、構成をわかりやすく示すため、反射膜６７の領域が、反射領域Ｈ側で共通電極６９の領域よりも外側に及んでいる。反射膜６７の領域は、これに限定されず、反射領域Ｈ側で少なくとも画素９の領域内に及んでいればよい。
【００９４】
また、透過領域Ｔは、各画素９の領域から反射領域Ｈを除いた領域と、共通電極６９とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。
緩和層６５は、画素９ごとに、反射領域Ｈに対応して選択的に設けられている。緩和層６５は、反射領域Ｈ側で、共通電極６９の領域よりも外側の領域に及んでいる。つまり、緩和層６５は、反射膜６７の領域よりも広い領域にわたって設けられている。このため、緩和層６５とゲート線１１７との間の凹凸が反射膜６７に反映されにくい。
なお、緩和層６５は、画素９ごとにパターン形成されている構成に限定されない。緩和層６５の構成としては、図３に示すマトリクスＭの画素行４２単位で、複数の反射領域Ｈにわたって一連した状態でパターン形成されている構成も採用され得る。
【００９５】
ＴＦＴ素子６３は、図１２で見て反射領域Ｈの左側の領域８６内に設けられている。画素電極７１は、反射領域Ｈ内から領域８６内に及んでおり、領域８６内に設けられたコンタクトホール７６を介してドレイン電極７５につながっている。
【００９６】
表示装置１０では、照明装置３０から表示パネル２０に光を照射した状態で、液晶１９の配向状態を画素９ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶１９の配向状態は、ＴＦＴ素子６３のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
図１３（ａ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図であり、図１３（ｂ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときの透過領域Ｔにおける偏光状態を示す図である。
【００９７】
表示装置１０では、液晶１９の初期的な配向方向１２１は、図１３（ａ）に示すように、偏光板７ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向に設定されている。
ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態に切り替わると、液晶１９の配向方向１２１は、図１３（ｂ）に示すように、平面視で偏光板７ｂの透過軸１２３ｂに対してこの図で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に変化する。
【００９８】
図１４（ａ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図であり、図１４（ｂ）は、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときの反射領域Ｈにおける偏光状態を示す図である。
反射領域Ｈにおける液晶１９の配向方向１２１は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のそれぞれに示すように、透過領域Ｔと同様である。
【００９９】
なお、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）、並びに図１４（ａ）及び図１４（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向が偏光板７ｂの透過軸１２３ｂに沿った方向を示し、Ｙ'方向が偏光板７ａの透過軸１２３ａに沿った方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
【０１００】
透過領域Ｔでは、底面２３側から偏光板７ｂを経て入射された入射光は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、偏光板７ｂの透過軸１２３ｂに沿った偏光軸を有する直線偏光１２５として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された直線偏光１２５は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときに、図１３（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っている。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、偏光状態が維持されたまま直線偏光１２５として偏光板７ａに入射される。
偏光板７ａに入射された直線偏光１２５は、偏光軸が偏光板７ａの透過軸１２３ａに対して直交しているため、偏光板７ａによって吸収される。
【０１０１】
他方で、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、直線偏光１２５は、図１３（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１２５は、液晶１９によって１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１２５の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光１２７として偏光板７ａに入射される。
偏光板７ａに入射された直線偏光１２７は、偏光軸が偏光板７ａの透過軸１２３ａの方向に沿っているため、偏光板７ａを透過する。
このように、透過領域Ｔでは、ＴＦＴ素子６３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、透過表示が制御される。
【０１０２】
反射領域Ｈでは、表示面１３側から偏光板７ａを経て入射された入射光は、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、偏光板７ａの透過軸１２３ａに沿った偏光軸を有する直線偏光１２９として位相差膜９５に入射される。
ここで、位相差膜９５の遅相軸１３１は、平面視でＸ'方向に対してこれらの図で見て反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差膜９５に入射された直線偏光１２９は、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１３３として液晶１９に入射される。直線偏光１３３の偏光軸は、平面視でＸ'方向に対して図１４（ａ）及び図１４（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有する方向に沿っている。
【０１０３】
液晶１９に入射された直線偏光１３３は、ＴＦＴ素子６３がＯＦＦ状態のときに、図１４（ａ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１とは交差している。このため、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、１／４波長の位相差が与えられ、この図で見て左回りの円偏光１３５として反射膜６７に向けて射出される。
円偏光１３５は、反射膜６７で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光１３５とは逆回転の円偏光１３７として液晶１９に入射される。
液晶１９に入射された円偏光１３７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対してこの図で見て反時計方向に１３５度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１３９として位相差膜９５に入射される。
【０１０４】
位相差膜９５に入射された直線偏光１３９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４１として偏光板７ａに入射される。
偏光板７ａに入射された直線偏光１４１は、偏光軸が偏光板７ａの透過軸１２３ａに対して直交しているため、偏光板７ａによって吸収される。
【０１０５】
他方で、ＴＦＴ素子６３がＯＮ状態のときに、液晶１９に入射された直線偏光１３３は、図１４（ｂ）に示すように、偏光軸が液晶１９の配向方向１２１に沿っているため、偏光状態が維持されたまま直線偏光１３３として反射膜６７に向けて射出される。
反射膜６７に向けて射出された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま反射膜６７で反射され、液晶１９に入射される。
【０１０６】
反射膜６７から液晶１９に入射された直線偏光１３３は、偏光状態が維持されたまま位相差膜９５に入射される。位相差膜９５に入射された直線偏光１３３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光１４３として偏光板７ａに入射される。偏光板７ａに入射された直線偏光１４３は、偏光軸が偏光板７ａの透過軸１２３ａの方向に沿っているため、偏光板７ａを透過する。
このように、反射領域Ｈにおいても、透過領域Ｔと同様にＴＦＴ素子６３のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
【０１０７】
ここで、表示装置１０の製造方法について説明する。
表示装置１０の製造方法は、基板の製造工程と、液晶パネル４０の製造工程と、表示パネル２０の製造工程と、表示装置１０の製造工程とに大別される。
まず、基板の製造工程について説明する。
基板の製造工程は、素子基板６０の製造工程と、対向基板７０の製造工程とに大別される。なお、素子基板６０の製造工程と、対向基板７０の製造工程とは、いずれが先でも後でもかまわない。
【０１０８】
素子基板６０の製造工程では、図１５（ａ）に示すように、まず、第１基板５１の第１面５１ａに、ゲート電極７２（ゲート線１１７）と、緩和層６５とを形成する。
ゲート電極７２（ゲート線１１７）は、例えばスパッタリング技術を活用して第１面５１ａに金属膜を形成してから、金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【０１０９】
緩和層６５は、成膜工程と、パターニング工程とを含む工程によって形成され得る。
例えば緩和層６５が酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料で構成される場合、成膜工程では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術、蒸着技術などが活用され得る。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などが活用され得る。
また、例えば緩和層６５が樹脂材料で構成される場合、成膜工程では、スピンコート技術などを活用することによって、感光性を有する液状の樹脂材料で液状体膜が形成される。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、液状体膜が緩和層６５にパターニングされ得る。
【０１１０】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、ゲート電極７２（ゲート線１１７）及び緩和層６５を第１面５１ａ側から覆うゲート絶縁膜５３を形成する。ゲート絶縁膜５３は、例えば、ＣＶＤ技術、ＰＶＤ技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。
ここで、ゲート絶縁膜５３には、透過領域Ｔに段差１４７が形成される。これは、ゲート絶縁膜５３の下地側（図１５（ｂ）では第１基板５１側）の凹凸形状が反映されやすいためである。このため、ゲート絶縁膜５３には、透過領域Ｔを挟んで隣り合う緩和層６５とゲート線１１７との間に段差１４７が形成されやすい。
【０１１１】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５３上に、半導体層７３を形成してから、半導体層７３の一部に重なるソース電極７４とドレイン電極７５とを形成する。これにより、ＴＦＴ素子６３が形成される。
なお、ソース電極７４及びドレイン電極７５は、例えばスパッタリング技術を活用してゲート絶縁膜５３上に金属膜を形成してから、この金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【０１１２】
次いで、図１５（ｄ）に示すように、ＴＦＴ素子６３及びゲート絶縁膜５３上に、樹脂層５５を構成する材料を含む液状体５５ａで液状体膜５５ｂを形成する。液状体膜５５ｂは、ポジ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
ここで、液状体膜５５ｂには、透過領域Ｔに段差１４９が形成される。これは、液状体膜５５ｂに、ゲート絶縁膜５３の段差１４７（図１５（ｂ））が反映されやすいためである。
【０１１３】
次いで、図１６（ａ）に示すように、フォトマスク１５１を介して、液状体膜５５ｂを紫外光１５３で露光する。ここで、フォトマスク１５１には、反射領域Ｈに重なる領域に複数の開口部１５５が設けられている。液状体膜５５ｂには、複数の開口部１５５を介して紫外光１５３が照射される。
【０１１４】
このとき、液状体膜５５ｂのうちで、コンタクトホール７６を形成すべき部位７６ａにも紫外光１５３が照射される。
次いで、液状体膜５５ｂに現像処理を施す。これにより、液状体膜５５ｂのうちで、複数の開口部１５５を介して露光された部位、及び部位７６ａが除去される。
次いで、液状体膜５５ｂに焼成処理を施すことにより、図１６（ｂ）に示すように、凹凸部７９及びコンタクトホール７６を有する樹脂層５５が形成され得る。
【０１１５】
次いで、例えばスパッタリング技術を活用して、樹脂層５５上にアルミニウムなどの金属膜を形成する。
次いで、樹脂層５５上に形成された金属膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって、図１６（ｃ）に示す反射膜６７を形成する。
【０１１６】
ここで、フォトリソグラフィ技術を活用して樹脂層５５に凹凸部７９を形成する場合、樹脂層５５の表面と、凹凸部７９の凸部との間に、図１６（ｂ）に示すように段差１５７が形成されやすい。段差１５７は、段差１４９よりも大きく設定される。これは、凹凸部７９上に設ける反射膜６７の厚みを考慮するためである。
液晶パネル４０では、透過領域Ｔにおける樹脂層５５の表面と、凹凸部７９の凸部上に設けられた反射膜６７とは、図１６（ｃ）に示すように、略同等の水準に設定されている。つまり、段差１５７の量から反射膜６７の厚みを差し引いた量が、段差１４９の量と略同等に設定される。これは、緩和層６５の厚みを、段差１５７の量から反射膜６７の厚みを差し引いた量に設定することにより実現され得る。
【０１１７】
次いで、図１７（ａ）に示すように、樹脂層５５及び反射膜６７上に、平坦化膜５７を構成する材料を含む液状体５７ａで液状体膜５７ｂを形成する。液状体膜５７ｂは、ネガ型の感光性を有しており、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
次いで、液状体膜５７ｂを露光する。このとき、液状体膜５７ｂのうちで、平面視でコンタクトホール７６に重なる部位７６ｂには、露光光を遮光する。これにより、液状体膜５７ｂのうちで部位７６ｂを除く部位が硬化して、図１７（ｂ）に示す硬化層５７ｃが形成され得る。
【０１１８】
次いで、図１７（ｂ）に示すように、硬化層５７ｃ上に共通電極６９を形成する。共通電極６９は、例えばスパッタリング技術を活用して硬化層５７ｃ上にＩＴＯの膜を形成してから、このＩＴＯの膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、硬化層５７ｃ及び共通電極６９上に、硬化層５７ｃ及び共通電極６９を覆う絶縁膜５９を形成する。絶縁膜５９は、例えば、ＣＶＤ技術、ＰＶＤ技術、蒸着技術などを活用することによって、窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成され得る。また、絶縁膜５９は、例えば、スピンコート技術を活用することによって、アクリル系の樹脂などによっても形成され得る。
【０１１９】
次いで、絶縁膜５９に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用して、平面視でドレイン電極７５に重なるコンタクトホール７６を形成する。
次いで、硬化層５７ｃの部位７６ｂを除去することにより、図１７（ｃ）に示すように、平坦化膜５７が形成され得る。これにより、絶縁膜５９から、平坦化膜５７及び樹脂層５５を経て、ドレイン電極７５に至るコンタクトホール７６が形成され得る。
【０１２０】
次いで、図１０に示すように、絶縁膜５９上に画素電極７１を形成する。画素電極７１は、例えばスパッタリング技術を活用して絶縁膜５９上にＩＴＯの膜を形成してから、このＩＴＯの膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【０１２１】
次いで、絶縁膜５９及び画素電極７１上に、画素電極７１を覆う配向膜６１を形成する。配向膜６１は、画素電極７１及び絶縁膜５９上に、ポリイミドなどの樹脂で画素電極７１を覆う樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施すことによって形成され得る。画素電極７１を覆う樹脂膜は、例えば、スピンコート技術や印刷技術を活用することにより形成され得る。
これにより、素子基板６０が製造され得る。
【０１２２】
対向基板７０の製造工程では、図１８（ａ）に示すように、まず、第２基板８１の対向面８３ｂに、光吸収層８５を、平面視で格子状に形成する。光吸収層８５は、カーボンブラックやクロムなどを含有する樹脂膜を形成してから、この樹脂膜を、例えば、フォトリソグラフィ技術を活用してパターニングすることによって形成され得る。
【０１２３】
次いで、光吸収層８５によって囲まれる各画素９の領域内に、カラーフィルタ８７を形成する。カラーフィルタ８７は、Ｒ、Ｇ及びＢの各光に対応する着色剤が含有された樹脂を、各画素９の領域内に配置することによって形成され得る。なお、各画素９の領域内への樹脂の配置は、例えば、インクジェット技術や蒸着技術を活用することにより行われ得る。
次いで、光吸収層８５及びカラーフィルタ８７上にオーバーコート層９１を形成する。オーバーコート層９１は、例えばスピンコート技術を活用して、光透過性を有する樹脂で形成され得る。
【０１２４】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、オーバーコート層９１上に配向膜９３を形成する。配向膜９３の形成では、例えばスピンコート技術を活用して、ポリイミドなどの樹脂でオーバーコート層９１上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。これにより、配向膜９３が形成され得る。
【０１２５】
次いで、図１８（ｃ）に示すように、ネガ型の感光性を有する液晶化合物が含有された液状体９５ａで、配向膜９３上に液状体膜９５ｂを形成する。液状体膜９５ｂは、例えばスピンコート技術を活用することにより形成され得る。
なお、液状体９５ａとしては、液晶化合物と溶媒とを混合したものに光重合開始剤を添加した構成が採用され得る。
【０１２６】
液晶化合物としては、例えばＢＡＳＦ社製のＬＣ２４２などが採用され得る。溶媒としては、例えばＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）などが採用され得る。光重合開始剤としては、例えばチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製のイルガキュア９０７などが採用され得る。
ここで、液状体膜９５ｂに含まれる液晶化合物は、配向処理が施された配向膜９３によって分子の配向状態が規制される。これにより、液状体膜９５ｂには、屈折率に異方性が発現する。
【０１２７】
次いで、図１８（ｄ）に示すように、フォトマスク１６５を介して、液状体膜９５ｂを紫外光１６６で露光する。ここで、フォトマスク１６５には、反射領域Ｈに重なる領域に開口部１６７が設けられている。液状体膜９５ｂには、開口部１６７を介して紫外光１６６が照射される。そして、液状体膜９５ｂのうちで露光された部位が硬化する。
【０１２８】
次いで、液状体膜９５ｂに、例えばＰＧＭＥＡなどの現像液で現像処理を施す。これにより、フォトマスク１６５で遮光された領域内の液状体膜９５ｂが剥離され、図１０に示す位相差膜９５が形成され得る。
【０１２９】
次いで、図１０に示すように、配向膜９３及び位相差膜９５を底面２３側から覆う配向膜９７を形成する。
配向膜９７の形成では、ポリイミドなどの樹脂で配向膜９３及び位相差膜９５上に樹脂膜を形成してから、この樹脂膜にラビング処理などの配向処理を施す。
これにより、配向膜９７が形成され、対向基板７０が製造され得る。
【０１３０】
液晶パネル４０の製造工程では、まず、素子基板６０と、対向基板７０とを、平面視で環状のシール材２１（図８）を介して接合する。このとき、シール材２１は、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材２１の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶１９の注入口となる。
次いで、液晶１９を注入口から注入してから、注入口を塞いで液晶１９を封入する。これにより、図８に示す液晶パネル４０が製造され得る。
【０１３１】
表示パネル２０の製造工程では、図８に示す偏光板７ａ及び７ｂを液晶パネル４０に設ける。偏光板７ａは、第２基板８１の外向面８３ａ（図１０）に設けられ、偏光板７ｂは第１基板５１の第２面５１ｂ（図１０）に設けられる。これにより、図８に示す表示パネル２０が製造され得る。
なお、偏光板７ａや偏光板７ｂは、液晶パネル４０の製造工程の前に、第１基板５１や第２基板８１に設けられていてもよい。
表示装置１０の製造工程では、表示パネル２０と照明装置３０とを組み合わせることにより、表示装置１０が製造され得る。
【０１３２】
第２実施形態において、ゲート線１１７（ゲート電極７２）が配線としてのゲート線に対応し、樹脂層５５が凹凸形成層に対応している。
第２実施形態の表示装置１０では、画素９ごとに、平面視で反射領域Ｈに重なる緩和層６５が設けられている。各緩和層６５は、ゲート線１１７と同じ階層（第１基板５１の第１面５１ａ）に設けられており、画素９ごとにゲート線１１７に隣り合っている。このため、反射領域Ｈにおける液晶１９にゲート線１１７の厚みが反映されることを軽減することができる。これにより、反射膜６７によって第２基板８１側に反射された光の変調状態のばらつきを低減することができる。この結果、反射表示における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３３】
また、第２実施形態の表示装置１０では、緩和層６５の厚みの設定により、段差１５７が段差１４９（図１６（ｂ））よりも大きく設定されている。このため、凹凸部７９に設けられた反射膜６７と、透過領域Ｔにおける樹脂層５５の表面とを、略同等の水準に設定しやすくすることができる。これにより、透過領域Ｔにおける液晶１９のリタデーションと、反射領域Ｈにおける液晶１９のリタデーションとを、それぞれ、適正に設定しやすくすることができる。この結果、反射表示及び透過表示のそれぞれにおいて、表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１３４】
また、第２実施形態の表示装置１０では、緩和層６５が照明装置３０からの光に対して遮光性を有している。このため、照明装置３０から底面２３を介して第１基板５１に入射された光が、反射膜６７によって乱反射することを軽減できる。これにより、乱反射した光が透過領域Ｔに入射することを低く抑えることができる。この結果、透過表示におけるコントラストが低下してしまうことを低く抑えることができる。
【０１３５】
第３実施形態について説明する。
第３実施形態における表示装置１０は、図７中のＤ−Ｄ線における断面図である図１９に示すように、液晶パネル５０を有している。第３実施形態における表示装置１０は、第２実施形態における液晶パネル４０が液晶パネル５０に替えられていることを除いては、第２実施形態における表示装置１０と同様の構成を有している。
従って、以下の第３実施形態では、重複した説明を避けるため、第２実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第２実施形態と異なる点のみについて説明する。
【０１３６】
液晶パネル５０は、図９中のＦ−Ｆ線における断面図である図２０に示すように、第２実施形態における素子基板６０に替えて素子基板８０を有している。
液晶パネル５０では、反射領域Ｈに緩和層６５が設けられ、透過領域Ｔに緩和層１７１が設けられている。
緩和層１７１は、第１基板５１の第１面５１ａに設けられており、ゲート絶縁膜５３によって表示面１３側から覆われている。緩和層１７１は、Ｙ方向に隣り合う２つのゲート電極７２間に設けられており、平面視で透過領域Ｔに重なる領域に設けられている。緩和層６５と、緩和層１７１と、ゲート電極７２とは、相互にＹ方向に間隔をあけた状態で、同じ階層に設けられている。
【０１３７】
緩和層１７１の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル系やエポキシ系などの樹脂材料等の種々の材料が採用され得る。なお、液晶パネル５０では、緩和層１７１は、光透過性を有する材質で構成されている。このため、緩和層１７１は、照明装置３０からの光に対して光透過性を有している。
素子基板８０の製造工程では、図２１（ａ）に示すように、第１基板５１の第１面５１ａに、ゲート電極７２（ゲート線１１７）と、緩和層６５と、緩和層１７１とを形成する。
【０１３８】
緩和層１７１は、成膜工程と、パターニング工程とを含む工程によって形成され得る。
例えば緩和層１７１が酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料で構成される場合、成膜工程では、ＣＶＤ技術、ＰＶＤ技術、蒸着技術などが活用され得る。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などが活用され得る。
また、例えば緩和層１７１が樹脂材料で構成される場合、成膜工程では、スピンコート技術などを活用することによって、感光性を有する液状の樹脂材料で液状体膜が形成される。パターニング工程では、例えばフォトリソグラフィ技術などを活用することによって、液状体膜が緩和層６５にパターニングされ得る。
【０１３９】
なお、緩和層１７１の厚みは、緩和層６５の厚みよりも薄く設定されている。
次いで、図２１（ｂ）に示すように、ゲート電極７２（ゲート線１１７）、緩和層６５及び緩和層１７１を第１面５１ａ側から覆うゲート絶縁膜５３を形成する。
ここで、ゲート絶縁膜５３には、透過領域Ｔに段差１７３が形成される。これは、ゲート絶縁膜５３の下地側（図２１（ｂ）では第１基板５１側）の凹凸形状が反映されやすいためである。このため、ゲート絶縁膜５３には、透過領域Ｔを挟んで隣り合う緩和層６５と緩和層１７１との間、及びゲート線１１７と緩和層６５との間に段差１７３が形成されやすい。
【０１４０】
ＴＦＴ素子６３及びゲート絶縁膜５３上に液状体膜５５ｂを形成すると、液状体膜５５ｂには、図２１（ｃ）に示すように、透過領域Ｔに段差１７５が形成される。
液状体膜５５ｂに露光処理及び現像処理を施すことによって凹凸部７９及びコンタクトホール７６を形成すると、樹脂層５５には、図２２（ａ）に示すように、段差１７７が形成されやすい。段差１７７は、凹凸部７９上に設ける反射膜６７の厚みを考慮して、段差１７５よりも大きく設定される。
【０１４１】
そして、凹凸部７９上に反射膜６７を形成すると、透過領域Ｔにおける樹脂層５５の表面と、凹凸部７９の凸部上に設けられた反射膜６７とは、図２２（ｂ）に示すように、略同等の水準になる。
【０１４２】
ここで、ゲート線１１７（ゲート電極７２）厚みをＨ１とし、段差１７７の量をＨ２とし、反射膜６７の厚みをＨ３とすると、緩和層６５の厚みＨ４は、下記（１）式によって算出され得る。
緩和層６５の厚みＨ４＝Ｈ１＋Ｈ２−Ｈ３…（１）
また、緩和層１７１の厚みＨ５は、下記（２）式によって算出され得る。
緩和層１７１の厚みＨ５＝Ｈ４−Ｈ２＝Ｈ１−Ｈ３…（２）
【０１４３】
上記の（１）式及び（２）式に基づいて緩和層６５の厚みＨ４及び緩和層１７１の厚みＨ５を設定することによって、透過領域Ｔにおける樹脂層５５の表面と、凹凸部７９の凸部上に設けられた反射膜６７とを略同等の水準にすることができる。
【０１４４】
第３実施形態における表示装置１０においても、第１実施形態における表示装置１や、第２実施形態における表示装置１０と同様の効果が得られる。
透過領域Ｔに緩和層１７１を設けることは、樹脂層５５を構成する材料を含む液状体５５ａの粘度が低い場合に有効である。液状体５５ａの粘度が低い場合、液状体膜５５ｂに凹凸形状が顕著に反映されるからである。
【０１４５】
なお、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、緩和層６５をゲート線１１７と同じ階層（第１基板５１の第１面５１ａ）に設けた構成を例示したが、緩和層６５を設ける階層はこれに限定されない。緩和層６５を設ける階層としては、例えば、ソース線１１９（ソース電極７４）と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層６５は、画素９ごとに、平面視で反射領域Ｈに重なる領域に設けられ、画素９ごとにソース線１１９に隣り合う。この構成においても、第１実施形態及び第２実施形態のそれぞれと同様の効果が得られる。
【０１４６】
また、第３実施形態では、緩和層１７１をゲート線１１７と同じ階層（第１基板５１の第１面５１ａ）に設けた構成を例示したが、緩和層１７１を設ける階層はこれに限定されない。緩和層１７１を設ける階層としては、例えば、ソース線１１９（ソース電極７４）と同じ階層も採用され得る。この場合、緩和層１７１は、画素９ごとに、平面視で透過領域Ｔに重なる領域に設けられ、画素９ごとにソース線１１９に隣り合う。この構成においても、第３実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４７】
また、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、液晶１９の駆動方式としてＦＦＳ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶１９の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＶＡ（Vertical Alignment）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１４８】
また、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、位相差膜９５が対向基板７０側に設けられている場合を例に説明したが、位相差膜９５はこれに限定されず、素子基板６０，８０側に設けられていてもよい。
また、第１実施形態では、樹脂層５５に凹凸部７９を設けた構成も採用され得る。これにより、反射膜６７で反射した光を拡散させることができるので、表示装置１における表示品位を一層向上させることができる。
【０１４９】
また、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、配向膜９３及び位相差膜９５を有する構成を例に説明したが、これに限定されず、配向膜９３及び位相差膜９５に替えて位相差シート（位相差板）を貼り付けた構成も採用され得る。この構成では、配向膜９３が省略され、且つ位相差膜９５に替えて位相差シートが設けられる。この構成により、配向膜９３を省略することができるので、表示装置１０の薄型化が図られる。
【０１５０】
また、第２実施形態及び第３実施形態では、それぞれ、入射された光に対して１／２波長の位相差を与える位相差膜９５を例に説明したが、位相差膜９５が与える位相差はこれに限定されず、１／４波長、１／８波長などの種々の位相差が採用され得る。
【０１５１】
また、第１実施形態における表示装置１としては、照明装置３０を対向基板１７よりも表示面１３側に設けたフロントライト型の構成なども採用され得る。
【０１５２】
上述した表示装置１や表示装置１０は、例えば、図２３に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１又は表示装置１０が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
【０１５３】
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示装置１や、表示パネル２０、液晶パネル３，４０，５０は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】第１実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】第１実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】図３中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図５】第１実施形態におけるＴＦＴ素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。
【図６】第１実施形態における表示装置の偏光状態を説明する図。
【図７】第２実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。
【図８】図７中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図９】図３中のＥ部の拡大図。
【図１０】図９中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図１１】図１０中のＫ−Ｋ線における断面図。
【図１２】第２実施形態におけるＴＦＴ素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。
【図１３】第２実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。
【図１４】第２実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。
【図１５】第２実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１６】第２実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１７】第２実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図１８】第２実施形態における対向基板の製造工程を説明する図。
【図１９】第３実施形態における表示装置の図７中のＤ−Ｄ線における断面図。
【図２０】第３実施形態における液晶パネルの図９中のＦ−Ｆ線における断面図。
【図２１】第３実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２２】第３実施形態における素子基板の製造工程を説明する図。
【図２３】本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。
【図２４】従来の液晶装置の構成を説明する断面図。
【図２５】従来の液晶装置における課題を説明する断面図。
【図２６】従来の液晶装置における課題を説明する断面図。
【符号の説明】
【０１５５】
１，１０…表示装置、３，４０，５０…液晶パネル、９…画素、１１…表示領域、１３…表示面、１５，６０，８０…素子基板、１７，７０…対向基板、１９…液晶、２０…表示パネル、２３…底面、５１…第１基板、５１ａ…第１面、５１ｂ…第２面、５５…樹脂層、５５ａ…液状体、５５ｂ…液状体膜、６３…ＴＦＴ素子、６５，１７１…緩和層、６７…反射膜、７２…ゲート電極、７４…ソース電極、７５…ドレイン電極、７９…凹凸部、１１７…ゲート線、１１９…ソース線、５００…電子機器、Ｈ…反射領域、Ｔ…透過領域、Ｍ…マトリクス。
【図１】
2009276508.tif 000003
【図２】
2009276508.tif 000004
【図３】
2009276508.tif 000005
【図４】
2009276508.tif 000006
【図５】
2009276508.tif 000007
【図６】
2009276508.tif 000008
【図７】
2009276508.tif 000009
【図８】
2009276508.tif 000010
【図９】
2009276508.tif 000011
【図１０】
2009276508.tif 000012
【図１１】
2009276508.tif 000013
【図１２】
2009276508.tif 000014
【図１３】
2009276508.tif 000015
【図１４】
2009276508.tif 000016
【図１５】
2009276508.tif 000017
【図１６】
2009276508.tif 000018
【図１７】
2009276508.tif 000019
【図１８】
2009276508.tif 000020
【図１９】
2009276508.tif 000021
【図２０】
2009276508.tif 000022
【図２１】
2009276508.tif 000023
【図２２】
2009276508.tif 000024
【図２３】
2009276508.tif 000025
【図２４】
2009276508.tif 000026
【図２５】
2009276508.tif 000027
【図２６】
2009276508.tif 000028