(57)【要約】【課題】製造が容易で、さらには偏波面回転量の調整が可能な電磁波偏波面回転装置を提供する。【解決手段】平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１に、偏波面回転させたい対象電磁波２と、この電磁波とは周波数が異なり誘電体電磁波導波路にキャリアを生成させるためのキャリア発生用電磁波３とを同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路１の進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から供給することにより、対象電磁波２を偏波面回転させた目的電磁波４を誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２から出力する。【選択図】  図１
2009145744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路と、
この誘電体電磁波導波路に、偏波面回転させたい対象電磁波と、この電磁波とは周波数が異なり前記誘電体電磁波導波路にキャリアを発生させるためのキャリア発生用電磁波とを同時に導入する電磁波合波構造と、
前記誘電体電磁波導波路の進行方向に平行な磁場を前記誘電体電磁波導波路に供給する磁場供給構造と
を備えることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記誘電体電磁波導波路から出力された電磁波のうち、前記キャリア発生用電磁波の周波数を持つ電磁波を除外する周波数フィルターをさらに備えることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記誘電体電磁波導波路に対して、前記対象電磁波と同じ導波路端から前記キャリア発生用電磁波を導入することを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記誘電体電磁波導波路に対して、前記対象電磁波とは異なる導波路端から前記キャリア発生用電磁波を導入することを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記キャリア発生用電磁波の強度を制御可能なキャリア発生用電磁波供給構造を備えることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記磁場供給構造は、磁場の強さを制御可能な電磁石からなることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記誘電体電磁波導波路のコア部およびその周辺を構成する半導体材料が、珪素系半導体、ゲルマニウム系半導体、ガリウム砒素系半導体、インジウム燐系半導体、セレン化亜鉛系半導体、テルル化亜鉛であり、かつクラッド部が空気、真空、酸化珪素、酸窒化珪素、ガリウム砒素系化合物、インジウム燐系化合物、サファイア、酸化マグネシウムからなることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の電磁波偏波面回転装置おいて、
前記誘電体電磁波導波路のコア部が珪素により構成され、その断面寸法が縦横とも５００ｎｍ以下２００ｎｍ以上であることを特徴とする電磁波偏波面回転装置。
【請求項９】
平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路に、偏波面回転させたい対象電磁波と、この電磁波とは周波数が異なり前記誘電体電磁波導波路にキャリアを発生させるためのキャリア発生用電磁波とを同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路の進行方向に平行な磁場を前記誘電体電磁波導波路に供給することを特徴とする電磁波偏波面回転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体導波路を伝搬する電磁波の偏波面を回転させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光回路をはじめとする非常に波長の短い電磁波の信号処理には、誘電体導波路型平面電磁波回路が用いられている。平面電磁波回路化された偏波面回転装置は、アイソレーターや偏波面ダイバーシチ装置を構成するための重要な部品である。平面電磁波回路に偏波面回転装置を構築する場合、図５に示すように、導波路の断面構造を非対称にする技術（例えば、非特許文献１など参照）や、図６に示すように、磁性体のファラデー効果を用いた技術（例えば、非特許技術文献２等参照）がある。  
【０００３】
【非特許文献１】N. Somarisi et al., Journal of Lightwave Technology, vol.20, pp.751-757, 2002
【非特許文献２】R. Wolfe et al., Applied Physics Letters, vol.57, pp.960-962, 1990
【非特許文献３】R O. デンディ著、プラズマダイナミクス、p.54、講談社、1996
【非特許文献４】Y A. Vlasov et al., Optics Express, vol.12, p.1622, 2004
【非特許文献５】K. Yamada et al., 0ptics Letters, vol.28, pp.1663-1664, 2003
【非特許文献６】Haisheng Rong et al., letters to nature, Nature Publishing Group, pp.292-294, 2005
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来技術は、製造が非常に困難であり、さらに偏波回転量の調整ができないという問題点があった。
例えば、図５に示したような従来技術では、導波路断面形状を左右非対称に形成する必要があるが、通常の平面電磁波回路の製作プロセスでは厚さが一様な薄膜を２次元的にエッチングして導波路形成するため、薄膜の厚さ方向にそっての形状変化を精度良く作るのは困難である。また、たとえ形状が出来たとしても、偏波面回転量は固定であり、任意に調整することはできない。
【０００５】
また、図６に示したような従来技術では、材料に特殊な磁性体を用いるので、既存の平面電磁波回路の一部に選択的に磁性体膜を形成する必要があり、製作工程が非常に複雑になる。特に光回路の場合には構造がマイクロメータレベルと非常に小さいため、このような複合材料系の加工は困難を極める。また、磁性体の磁化は固定なので、偏波回転量も固定であり、任意に調整することはできない。さらには周囲の平面電磁波回路と損失なく接続できるよう特殊な設計も必要となる。
【０００６】
本発明はこのような課題を解決するためのものであり、製造が容易で、さらには偏波面回転量の調整が可能な電磁波偏波面回転装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明にかかる電磁波偏波面回転装置は、平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路と、この誘電体電磁波導波路に、偏波面回転させたい対象電磁波と、この電磁波とは周波数が異なり誘電体電磁波導波路にキャリアを発生させるためのキャリア発生用電磁波とを同時に導入する電磁波合波構造と、誘電体電磁波導波路の進行方向に平行な磁場を誘電体電磁波導波路に供給する磁場供給構造とを備えている。
【０００８】
この際、誘電体電磁波導波路から出力された電磁波のうち、キャリア発生用電磁波の周波数を持つ電磁波を除外する周波数フィルターをさらに設けてもよい。
【０００９】
また、誘電体電磁波導波路に対して、対象電磁波と同じ導波路端からキャリア発生用電磁波を導入してもよく、あるいは、誘電体電磁波導波路に対して、対象電磁波とは異なる導波路端からキャリア発生用電磁波を導入してもよい。
【００１０】
また、キャリア発生用電磁波の強度を制御可能なキャリア発生用電磁波供給構造をさらに備えてもよい。
【００１１】
また、磁場供給構造として、磁場の強さを制御可能な電磁石を設けてもよい。
【００１２】
また、誘電体電磁波導波路のコア部およびその周辺を構成する半導体材料として、珪素系半導体、ゲルマニウム系半導体、ガリウム砒素系半導体、インジウム燐系半導体、セレン化亜鉛系半導体、テルル化亜鉛であり、かつクラッド部として空気、真空、酸化珪素、酸窒化珪素、ガリウム砒素系化合物、インジウム燐系化合物、サファイア、酸化マグネシウムを用いてもよい。
【００１３】
また、誘電体電磁波導波路のコア部を珪素により構成し、その断面寸法が縦横とも５００ｎｍ以下２００ｎｍ以上としてもよい。
【００１４】
また、本発明にかかる電磁波偏波面回転方法は、平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路に、偏波面回転させたい対象電磁波と、この電磁波とは周波数が異なり誘電体電磁波導波路にキャリアを発生させるためのキャリア発生用電磁波とを同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路の進行方向に平行な磁場を誘電体電磁波導波路に供給する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、安価で製造容易、かつ任意に調整可能な電磁波偏波面回転装置が提供され、高度に集積化された光処理回路の実用的な産業利用が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明について図面を参照して説明する。
まず、図１を参照して、本発明にかかる電磁波偏波面回転装置の動作原理について説明する。図１は、本発明にかかる電磁波偏波面回転装置の動作原理を示す説明図である。
【００１７】
この電磁波偏波面回転装置は、平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１に、偏波面回転させたい対象電磁波２と、この電磁波とは周波数が異なり、かつ誘電体電磁波導波路にキャリアを生成させるためのキャリア発生用電磁波３とを同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路１の進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から供給することにより、対象電磁波２を偏波面回転させた目的電磁波４を誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２から出力する。
【００１８】
一般に、磁化プラズマの磁化軸に沿って電磁波を伝搬させると、磁化プラズマのファラデー効果により電磁波の偏波面が回転する（例えば、非特許文献３など参照）。
本発明にかかる電磁波偏波面回転装置では、誘電体電磁波導波路１に発生させたキャリア（自由キャリア）Ｃに対して、誘電体電磁波導波路１の進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から供給することにより、磁化プラズマを発生させている。
【００１９】
すなわち、半導体材料をコアとする誘電体電磁波導波路１に、偏波回転させたい対象電磁波２とは異なる周波数のキャリア発生用電磁波３を導入することにより、誘電体電磁波導波路１においてキャリアＣを発生させる。
この際、キャリア発生用電磁波３のエネルギーが、誘電体電磁波導波路１を構成する半導体材料のエネルギーバンドギャップより大きい場合、このキャリア発生用電磁波３は誘電体電磁波導波路１に容易に吸収され、多数のキャリアＣを発生させる。また、キャリア発生用電磁波３のエネルギーがバンドギャップよりも小さい場合でも、二光子吸収などの多光子過程によりキャリアＣを発生させる。
【００２０】
一方、この誘電体電磁波導波路１に、誘電体電磁波導波路１の電磁波進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から与える。
誘電体電磁波導波路１で発生したキャリアＣは、いわゆる自由空間中のプラズマと解釈でき、この場合は磁場Ｂが存在しているので、このプラズマは電磁波進行方向Ａに磁化した磁化プラズマとなる。
したがって、誘電体電磁波導波路１に対象電磁波２を導入して、この磁化プラズマの磁化軸に沿って対象電磁波２を伝搬させることにより、磁化プラズマのファラデー効果によって、対象電磁波２の偏波面を回転させることが可能となる。
【００２１】
［第１の実施の形態］
次に、図２を参照して、本発明の第１の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成について詳細に説明する。図２は、本発明の第１の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図であり、図１と同じまたは同等部分には同一符号を付してある。
【００２２】
図２において、誘電体電磁波導波路１は、平面基板上に構成されたコア部１Ａとクラッド部１Ｂとを有し、コア部１Ａが半導体からなる一般的な構造の導波路である。
誘電体電磁波導波路１の導波路構造としては、誘電体の電磁波導波路であればよく、例えば、通常の誘電体電磁波導波路に用いられている、チャンネル型導波路、リブ型導波路、２次元フォトニック結晶線欠陥導波路、ハイメサ構造導波路などが、誘電体電磁波導波路１として利用可能である。
【００２３】
また、誘電体電磁波導波路１の導波路材料のうち、コア部１Ａは、伝搬させる電磁波に対して透明な半導体材料である必要がある。例えば通信用の１５００ｎｍ帯赤外線に対しては、珪素系半導体、ゲルマニウム系半導体、ガリウム砒素系半導体、インジウム燐系半導体がある。また、テラヘルツ領域の電磁波に対しては、セレン化亜鉛系半導体、テルル化亜鉛系半導体材料がある。
クラッド部１Ｂは、電磁波に対して透明でかつ製造が容易である材料が好ましい。例えば通信用の１５００ｎｍ帯赤外線に対しては、空気、真空、酸化珪素、酸窒化珪素、ガリウム砒素系化合物、インジウム燐系化合物がある。またテラヘルツ領域の電磁波に対しては空気、真空、酸化珪素、サファイア、酸化マグネシウムがある。
【００２４】
前述した本実施の形態の動作原理は、誘電体電磁波導波路１が単一モードであるか否かには関係ないため、原理的には誘電体電磁波導波路１の寸法に制約はない。しかしながら、他の平面電磁波回路が通常単一モード条件を満たす構造になっているため、これにほぼ一致した形状にすることが好ましい。さらに、低消費電力化や高速化を考慮すると導波路断面は小さいほうが好ましい。最も導波路断面を小さくできるのは埋込型チャンネル導波路の場合であるので、この埋込型チャンネル導波路が断面寸法の参考になる。例えばシリコン細線導波路と呼ばれる埋込型チャンネル導波路の場合、非特許文献４には様々なシリコン細線導波路の例が記載されているが、これらから単一モード条件を満たすコア部の最大寸法は５００ｎｍと推測される。
【００２５】
また、キャリアと電磁波を効率良く相互作用させるには、電磁波の導波路コア部への閉じ込めが強くなければならない。また、偏波面回転以外の導波路回路においては、曲げ半径ができる限り小さいほうが良いが、これもまた強い閉じ込めを必要とする。非特許文献４では、数ミクロンの曲げ半径で偏向可能なシリコン細線導波路が多数列挙されているが、これらからコア部の最小寸法は２００ｎｍであることがわかる。すなわち、この値が十分な閉じ込めを得る最小の断面寸法と考えて良い。
【００２６】
磁場供給構造５は、原理的には磁場さえ発生させる構造であれば良く、磁場生成方法自体を限定する必要はない。したがって、磁場供給構造５としては、例えば、核融合炉や粒子検出器に使われている巨大なソレノイドコイルでも良いし、長さ１ｃｍにも満たないＳｍＣｏ棒磁石でも良い。また、磁極について、図２では、誘電体電磁波導波路１の導入端側をＮ極とし、出力端側をＳ極とした場合が記載されているが、これら磁極が入れ替わっても偏波回転方向が変わるだけであり、任意に選択すればよい。
【００２７】
電磁波合波構造６は、誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１に、対象電磁波２とキャリア発生用電磁波３とを同時に導入するための構造である。電磁波励起によりキャリアを生成する場合には、偏波面を回転させたい対象電磁波２とは異なる周波数の電磁波を同時に導入する方法が簡便であるが、そのためには２つの異なった電磁波を１本の導波路に導入する装置として、電磁波合波構造６が必要となる。
電磁波合波構造６の具体例としては、例えば１個の方向性結合器を用いることで実現できるが、複数の方向性結合器を用いたラティス形合波器（例えば、非特許文献５など参照）や、アレイ導波路格子のような波長合波フィルターを用いると、さらに効率良い電磁波の導入が可能となる。
【００２８】
キャリア発生用電磁波供給構造７は、キャリア発生用電磁波３を発生する構造である。キャリア発生用電磁波供給構造７については、誘電体電磁波導波路１でキャリアを発生させることが可能な電磁波を発生する構造であればよく、一般的な公知の構造を利用すればよい。
【００２９】
次に、図２の電磁波偏波面回転装置の具体的構成例について説明する。この電磁波偏波面回転装置で用いられる誘電体電磁波導波路１の導波路長、磁場供給構造５から供給される磁場Ｂの磁束密度、および誘電体電磁波導波路１に発生させるキャリアのキャリア濃度については、偏波回転量がこれらパラメータの積に比例する。このため、これらパラメータの値あるいは範囲を一意に決定することはできない。
以下では、理解を容易とするため、コア形状が４００（ｎｍ）×２００（ｎｍ）のシリコン細線導波路に、波長１５５０ｎｍ帯の信号光からなる対象電磁波２と、波長１５６０ｎｍ帯のキャリア発生用電磁波３とを導入する場合を例として、上記パラメータのとりうる値について説明する。なお、本実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置は、これらパラメータの値に限定されるものではない。
【００３０】
詳しい式の導出は省略するが、偏波の回転角度は、次の式（１）に示すように、キャリア密度ｎ（ｍ-3）、磁束密度Ｂ（Ｔ）および相互作用長Ｌ（ｍ）の積に比例する。
φ＝ｅ3ｎＬＢ／２ｃω2ｍ*2ε0εr  …（１）
但し、ｅ＝１．６０２×１０-19（Ｃ）：キャリアの持つ素電荷、ｃ＝２．９９８×１０-8（ｍ／ｓ）：光速、ω（ｒａｄ／ｓ）：偏波回転させる電磁波の角周波数、ｍ*（ｋｇ）：導波路コア材料中のキャリアの有効質量、ε0＝８．８５×１０-12（Ｆ／ｍ）：真空の誘電率、εr：導波路コア材料の比誘電率である。
【００３１】
次に、この式（１）に基づいて、例えば偏波を９０度（φ＝π／２）回転させる場合に必要なｎ，Ｌ，Ｂを求める場合を考える。
まず、式（１）のφ＝π／２とすると、ｎ，Ｌ，Ｂの積は、次の式（２）で求められる。
ｎＬＢ＝πｃω2ｍ*2ε0εr／ｅ3  …（２）
【００３２】
ここで、偏波回転させる電磁波は、ω＝１，２１×１０15（ｒａｄ／ｓ）、すなわち波長１．５５μｍとし、導波路コア材料をシリコンとすれば、ｍ*＝０．２６ｍe＝２．３７×１０-31（ｋｇ）、εr＝１２．１である。但し、ここでは単純化のためキャリアの種類は電子とし、ｍe＝９．１１×１０-31（ｋｇ）は電子の静止質量である。
これらの値を式（２）に代入し、さらに現実的な磁束密度としてネオジウム系永久磁石で実現可能なＢ＝１．５（Ｔ）を代入するとともに、相互作用長として現実的なシリコンチップサイズであるＬ＝０．０２ｍを代入すると、この系において偏波を９０度回転させるに必要なキャリア密度として、ｎ＝６．７×１０25（ｍ-3）が得られる。
【００３３】
次に、このキャリア密度を、例えば１．５６μｍの励起光による二光子吸収で実現する場合を考える。この場合、詳しい式の導出は省略するが、導波路内に蓄積される二光子吸収キャリアの密度ｎは、次の式（３）により求められる。
ｎ＝βＩ2τ／２Ｅp  …（３）
但しβ＝８×１０-12（ｍ／Ｗ）：二光子吸収係数、Ｉ（Ｗ／ｍ2）：励起光のパワー密度、τ（ｓｅｃ〉：導波路コア中でのキャリアの減衰時間、Ｅp＝１．２８×１０-19（Ｊ）：励起光の光子エネルギーである。
【００３４】
ここで用いているシリコン導波路中のキャリア減衰時間τは、非特許文献６によればτ＝６５（ｎｓ）である。これらの値を式（３）に代入すると、必要な励起光パワー密度はＩ＝５．７４×１０12（Ｗ／ｍ2）となる。実際に導波路に導入される励起光パワーは、パワー密度と導波路コア断面積との積にほぼ一致すると考えられる。近年開発されつつあるシリコン細線導波路ではコア断面積は４００（ｎｍ）×２００（ｎｍ）＝８×１０-14（ｍ2）程度であるので、必要な励起光パワーは０．４５９（Ｗ）となるが、これは市販の光デバイスで容易に実現可能な値である。
【００３５】
［第１の実施の形態の効果］
このように、本実施の形態では、平面基板上に構成された半導体コアを有する誘電体電磁波導波路１に、偏波面回転させたい対象電磁波２と、この電磁波とは周波数が異なり、かつ誘電体電磁波導波路にキャリアを生成させるためのキャリア発生用電磁波３とを、電磁波合波構造６により同時に導入するとともに、誘電体電磁波導波路１の進行方向Ａに平行な磁場Ｂを磁場供給構造５から供給している。これにより、誘電体電磁波導波路１内に発生した磁化プラズマの磁化軸に沿って対象電磁波２が伝搬することになり、磁化プラズマのファラデー効果により電磁波の偏波面が回転する。
【００３６】
このため、誘電体電磁波導波路１の導波路断面構造において非対称性が不要となり、さらに特殊な磁性体も不要であるという利点がある。また、半導体材料をコアとする電磁波導波路は、珪素系、ガリウム砒素系、あるいはインジウム燐系化合物を用いた既存のものを利用でき、特に珪素を用いた半導体導波路回路は微細加工性に優れ、量産性に富み、安価である利点がある。
【００３７】
また、偏波面回転量は、誘電体電磁波導波路１で発生するキャリアの密度と、誘電体電磁波導波路１に与える磁場の強度とに比例する。この際、キャリア発生用電磁波供給構造７において、キャリア発生用電磁波の強度を制御する機能を設けることにより、キャリア密度を極めて容易に調整できる。また、磁場供給構造５を磁場の強さを制御する機能を有する電磁石から構成することにより、磁場強度を極めて容易に調整できる。したがって、本実施の形態によれば、これら磁場強度とキャリア密度を制御することにより、対象電磁波２の偏波面を任意に回転させることが可能となる。
【００３８】
［第２の実施の形態］
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置について説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図であり、図２と同じまたは同等部分には同一符号を付してある。
【００３９】
第１の実施の形態と比較して、本実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置は、誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２に、周波数フィルター８が設けられている。その他の構成については、第１の実施の形態と同様であり、ここでの詳細な説明については省略する。
周波数フィルター８は、出力側導波路端１２から出力された電磁波のうち、キャリア発生用電磁波３の周波数の電磁波を除外する機能を有している。これにより、偏波回転させた目的電磁波４のみを容易に抽出することが可能となる。
【００４０】
［第３の実施の形態］
次に、図４を参照して、本発明の第３の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置について説明する。図４は、本発明の第３の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図であり、図２と同じまたは同等部分には同一符号を付してある。
【００４１】
第１および第２の実施の形態では、誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１から対象電磁波２とキャリア発生用電磁波３とを同時に導入する場合を例として説明した。本実施の形態では、誘電体電磁波導波路１の入力側導波路端１１から対象電磁波２を導入するともに、誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２からキャリア発生用電磁波３を導入する場合について説明する。その他の構成については、第１の実施の形態と同様であり、ここでの詳細な説明については省略する。
【００４２】
この場合、誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２に、電磁波合波構造６が設けられており、誘電体電磁波導波路１の出力側導波路端１２から出力された目的電磁波４は、電磁波合波構造６を介して出力される。一方、キャリア発生用電磁波供給構造７から供給されたキャリア発生用電磁波３は、電磁波合波構造６を介して出力側導波路端１２から誘電体電磁波導波路１へ導入される。
【００４３】
これにより、電磁波合波構造６において、目的電磁波４とキャリア発生用電磁波３の進行方向が逆方向となるため、これら目的電磁波４とキャリア発生用電磁波３とが電磁波合波構造６で容易に分離できる。このため、第２の実施の形態で用いた周波数フィルター８を省くことができ、あるいはフィルター特性の低い簡便な周波数フィルターでも適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の電磁波偏波面回転装置の動作原理を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかる電磁波偏波面回転装置の構成を示す説明図である。
【図５】従来の電磁波偏波面回転装置を示す説明図である。
【図６】従来の他の電磁波偏波面回転装置を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…誘電体電磁波導波路、１Ａ…コア部、１Ｂ…クラッド部、１１…入力側導波路端、１２…出力側導波路端、２…対象電磁波、３…キャリア発生用電磁波、４…目的電磁波、５…磁場供給構造、６…電磁波合波構造、７…キャリア発生用電磁波供給構造、８…周波数フィルター、Ｂ…磁場、Ｃ…キャリア。
【図１】
2009145744.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009145744.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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