(57)【要約】【課題】  形成される回折格子のさらなる微細化が図られた回折格子の形成方法を提供する。【解決手段】  本発明は、フォトマスク５０を用いて光導波路層１４に回折格子４０を形成する方法であって、光導波路層１４上に、フット部端面５４ａの幅ｗ１がヘッド部端面５６ａの幅Ｗ２よりも狭い断面形状を有する複数のマスク部５２が周期的に並んだフォトマスク５０を形成し、そのフォトマスク５０をマスクとして光導波路層１４をエッチングした後、光導波路層１４の上面１４ａを樹脂７０で覆ってフット部５４を樹脂７０で囲む。そして、フォトマスク５０を除去して、光導波路層１４の上面領域１４ａのうち、マスク部５２のフット部端面５４ａに対応する領域１４ｂを樹脂７０から露出させ、今度は樹脂７０をマスクとして、光導波路層１４の上面１４ａの露出領域１４ｂをエッチングし、最後に光導波路層１４の上面１４ａから樹脂７０を除去する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィー法により形成されたフォトマスクを用いて半導体層に回折格子を形成する回折格子の形成方法であって、
前記半導体層上に、下部端面の幅が上部端面の幅よりも狭い断面形状を有する複数のマスク部が周期的に並んだ前記フォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、
前記フォトマスクをマスクとして、前記半導体層をエッチングする第１のエッチング工程と、
前記半導体層の上面を被覆材で覆い、前記フォトマスクの前記マスク部の下部を前記被覆材で囲む被覆工程と、
前記フォトマスクを除去して、前記半導体層の上面領域のうち、前記マスク部の下部端面に対応する領域を前記被覆材から露出させるフォトマスク除去工程と、
前記被覆材をマスクとして、前記半導体層の上面の露出領域をエッチングする第２のエッチング工程と、
前記半導体層の上面から前記被覆材を除去する被覆材除去工程と
を備えた、回折格子の形成方法。
【請求項２】
前記フォトマスク形成工程が、
前記半導体層上に、上部の露光感度と下部の露光感度とが異なるレジスト膜を形成する工程と、
前記半導体層上に形成した前記レジスト膜を、前記回折格子に対応するパターンを用いて露光する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を含む、請求項１記載の回折格子の形成方法。
【請求項３】
前記フォトマスク形成工程が、
前記半導体層上に形成されたレジスト膜を、前記回折格子に対応するパターンを用いてデフォーカスで露光する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を含む、請求項１記載の回折格子の形成方法。
【請求項４】
隣り合う前記マスク部の上部の離間距離が、前記マスク部の下部端面の幅と同一である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回折格子の形成方法。
【請求項５】
前記マスク部の断面における下部端面の中心線と上部端面の中心線とが重なっており、前記マスク部の下部端面の幅が上部端面の幅の１／３である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回折格子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回折格子の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体の回折格子を形成する方法として、フォトレジストによる形成方法が知られており、他にもＥＢ露光や干渉露光といった方法が知られている。
【０００３】
このうち、ＥＢ露光や干渉露光では、露光領域が制限されることから、スループット（形成効率）が悪く、高い量産性を実現することは極めて難しい。
【０００４】
一方、フォトレジストを用いる方法では、所謂フォトリソグラフィー法を用いて、レチクルに形成された回折格子のパターンを紫外線を用いて、感光性フォトレジストに露光し、このフォトレジストに回折格子のパターンを転写することによりフォトマスクが形成される。従って、ＥＢ露光法や干渉露光法のように、露光領域の制限はなく、広範囲に亘って高い精度で回折格子を形成することができ、良好なスループットを実現することができる。
【特許文献１】特開平５−１４２４０６号公報
【特許文献２】特開２０００−１８１０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フォトレジストを用いる回折格子の形成方法では、紫外光等の利用する光の波長により形成可能なピッチの下限値が決まってしまう。そのため、例えばピッチが０．２μｍ以下の超微細回折格子を、従来のフォトレジストを用いた方法によって形成ことは非常に困難であった。
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、フォトレジストを用いる回折格子の形成方法であって、形成される回折格子のさらなる微細化が図られた回折格子の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る回折格子の形成方法は、フォトリソグラフィー法により形成されたフォトマスクを用いて半導体層に回折格子を形成する回折格子の形成方法であって、半導体層上に、下部端面の幅が上部端面の幅よりも狭い断面形状を有する複数のマスク部が周期的に並んだフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、フォトマスクをマスクとして、半導体層をエッチングする第１のエッチング工程と、半導体層の上面を被覆材で覆い、フォトマスクのマスク部の下部を被覆材で囲む被覆工程と、フォトマスクを除去して、半導体層の上面領域のうち、マスク部の下部端面に対応する領域を被覆材から露出させるフォトマスク除去工程と、被覆材をマスクとして、半導体層の上面の露出領域をエッチングする第２のエッチング工程と、半導体層の上面から被覆材を除去する被覆材除去工程とを備える。
【０００８】
この回折格子の形成方法においては、第１のエッチング工程の際、フォトマスクのマスク部が形成された領域（すなわち、上部端面に対応する領域）の残余領域がエッチングされる。そして、第２のエッチング工程の際には、フォトマスクのマスク部の下部端面に対応する領域がエッチングされる。従って、本発明に係る回折格子の形成方法においては、フォトマスクを用いた第１のエッチング工程の後に、さらに被覆材を用いた第２のエッチング工程がおこなわれるため、形成される回折格子の微細化を実現することができる。
【０００９】
また、フォトマスク形成工程が、半導体層上に、上部の露光感度と下部の露光感度とが異なるレジスト膜を形成する工程と、半導体層上に形成したレジスト膜を、回折格子に対応するパターンを用いて露光する工程と、レジスト膜を現像する工程とを含む態様であってもよい。この場合、上記断面を有するマスク部を、レジスト膜の露光光に対する感度の差、つまり露光感度の差を利用して形成することができる。
【００１０】
また、フォトマスク形成工程が、半導体層上に形成されたレジスト膜を、回折格子に対応するパターンを用いてデフォーカスで露光する工程と、レジスト膜を現像する工程とを含む態様であってもよい。この場合、上記断面を有するマスク部を、デフォーカス露光を利用して形成することができる。
【００１１】
また、隣り合うマスク部の上部の離間距離が、マスク部の下部端面の幅と同一である態様であってもよい。この場合、均一な溝幅を有する回折格子を形成することができる。
【００１２】
また、マスク部の断面における下部端面の中心線と上部端面の中心線とが重なっており、マスク部の下部端面の幅が上部端面の幅の１／３である態様であってもよい。この場合、デューティ比（周期幅に対する溝幅の比）が５０％となり、均一回折格子が形成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フォトレジストを用いる回折格子の形成方法であって、形成される回折格子のさらなる微細化が図られた回折格子の形成方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１５】
図１に示すように、本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢレーザ）素子である。この半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０上に、ｎ型クラッド層１２、光導波路層１４、ｐ型第１クラッド層１６、ｐ型第２クラッド層１８及びｐ型コンタクト層２０が順次積層されて構成されている。
【００１６】
光導波路層１４は、活性層及び光ガイド層（ＳＣＨ層）を含んでおり、光導波路層１４とｐ型第１クラッド層１６との界面には、半導体レーザ素子１００の反射面１００ａ，１００ｂの対面方向に沿って回折格子４０が設けられている。半導体レーザ素子１００は、この回折格子４０のピッチに応じて定まる発振波長のレーザ光を生成する。本実施例においては、ＤＦＢレーザの発振波長は１３１０ｎｍであり、回折格子４０のピッチは、２０２．４ｎｍとなるように形成される。
【００１７】
上述した光導波路層１４及びｐ型第１クラッド層１６はメサ構造となっており、その両側には電流狭窄用の埋め込み層３０が形成されている。この埋め込み層３０は、第１埋め込み層３２、第２埋め込み層３４及び第３埋め込み層３６からなる３層構造となっている。
【００１８】
そして、コンタクト層２０上には、上記メサ構造の部分に対応した開口を有する絶縁層２１が形成されており、また、絶縁層２１の開口を介してコンタクト層２０と電気的に接続される電極層２２が形成されている。さらに、基板１０の裏面には電極層２４が形成されている。
【００１９】
続いて、上述した半導体レーザ素子１００の回折格子４０を形成する方法について、図２〜図５を参照しつつ説明する。図２は、回折格子４０の形成に用いるフォトマスク５０を示した断面図である。
【００２０】
図２に示すように、光導波路層（半導体層）１４上に形成されるフォトマスク５０は、周期的に並んだ複数のマスク部５２を有している。各マスク部５２は、紙面に対して垂直な方向に沿って延在しており、隣り合うマスク部５２とは均一な距離Ｄだけ互いに離間している。
【００２１】
複数のマスク部５２は、マッシュルーム状の同一断面形状を有しており、幅狭のフット部５４と、フット部５４に支持された幅広のヘッド部５６とによってそれぞれ構成されている。フット部５４は、その下端面５４ａの幅がｗ１であり、厚さ方向に亘って均一幅ｗ１となっている。フット部５４上にあるヘッド部５６は、その上端面５６ａの幅がＷ２であり、厚さ方向に亘って均一幅（Ｗ２）となっている。
【００２２】
フット部５４の幅ｗ１は、ヘッド部５６の幅Ｗ２よりも狭く、幅Ｗ２の１／３となるように設計されている。また、このフット部５４の幅ｗ１は、マスク部５２同士の離間距離Ｄと同一となるように設計されている。
【００２３】
さらに、フット部５４とヘッド部５６とは軸合わせされており、フット部端面５４ａの中心線Ｃとヘッド部端面５６ａの中心線Ｃとが重なっている。
【００２４】
ここで、紫外光によるフォトリソグラフィー法を用いて上記断面形状を有するマスク部５２を形成する方法として、以下に２つの方法を例示する。
【００２５】
（レジスト膜の感度差を利用する方法）
１つ目の方法は、フォトマスク５０となるべきレジスト膜として、上部の露光感度と下部の露光感度とが露光光に対して異なる複合レジスト膜を用いる方法である。例えば、図３に示すように、光導波路層１４上に、上層６２と下層６４の２層からなるポジ型レジスト膜６０Ａを形成する。このレジスト膜６０Ａにおいては、上層６２のレジスト露光感度が下層６４のレジスト露光感度よりも低く設定されている。このようなレジスト膜６０Ａの上下層それぞれに同じ露光量の紫外光を照射した後、現像をおこなった場合には、上層６２よりも下層６４のほうの開口度合いが大きくなる。そのため、所望の回折格子パターンに対応するパターンを用いてレジスト膜６０Ａの露光をおこなうことで、上層６２（ヘッド部５６に対応）が下層６４（フット部５４に対応）から張り出した逆テーパ形状となり、上述した断面形状のマスク部５２を有するフォトマスク５０を形成することができる。なお、ネガ型レジスト膜を用いる場合には、上層６２のレジスト露光感度を下層６４のレジスト露光感度よりも高く設定することで、上述した断面形状を有するマスク部５２を備えたフォトマスク５０を形成することができる。なお、露光に用いる露光光としては、２００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長の紫外光を用いることができる。特に３００ｎｍ以上の波長の紫外光を好適に用いることができる。
【００２６】
（デフォーカス露光を利用する方法）
２つ目の方法は、フォトマスク５０となるべきレジスト膜の露光をデフォーカスでおこなう方法である。例えば、図４に示すように、光導波路層１４上に形成したポジ型レジスト膜６０Ｂに対し、所望の回折格子パターンに対応するパターンを用いて、焦点位置（Ｆ）をベストフォーカスの焦点位置（ｆ）よりも上側にずらして紫外光で露光し、下部の露光領域を上部の露光領域よりも広くする。この露光の後に現像をおこなった場合には、下部の抜け性がよくなり、上部が下部から張り出した逆テーパ形状となり、上述した断面形状のマスク部５２を有するフォトマスク５０を形成することができる。好適なフォーカスステップ量は、レジスト膜６０Ｂの構成材料や膜厚に応じて変更されるが、例えばレジストとしてＰＦＩ−３８Ａ（住友化学製）を膜厚１μｍ程度で使用する場合には、数μｍ程度のフォーカスステップ量となる。なお、ネガ型レジスト膜を用いる場合には、露光の焦点位置を、ベストフォーカスの焦点位置（ｆ）よりも下側にずらすことで、レジスト膜６０Ｂの上部の露光領域が下部の露光領域よりも狭くなり、上述した断面形状のマスク部５２を有するフォトマスク５０を形成することができる。なお、露光に用いる露光光としては、２００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長の紫外光を用いることができる。特に３００ｎｍ以上の波長の紫外光を好適に用いることができる。
【００２７】
続いて、図５を参照しつつ、上記フォトマスク５０を用いて回折格子４０を形成する手順について説明する。図５の（ａ）〜（ｅ）は、フォトマスク５０を用いて回折格子４０を形成する手順を示したフロー図である。
【００２８】
まず、図５（ａ）に示すように、光導波路層１４の上面１４ａに形成されたフォトマスクをマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）をおこなう（第１のエッチング工程）。それにより、フォトマスク５０の隣り合うマスク部５２同士の間隙それぞれに、その間隙の幅Ｄと同じ幅の凹部４０ａが形成される。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示すように、光導波路層１４に対してスピンコートをおこない、光導波路層１４の上面１４ａ及びフォトマスク５０上を樹脂（被覆材）７０で覆う（被覆工程）。それにより、上記第１のエッチング工程において形成された凹部４０ａに樹脂７０が充填される。また、フォトマスク５０のマスク部５２のフット部５４の周囲が、樹脂７０によって完全に囲まれる。なお、樹脂７０は、ドライエッチング耐性を有しており、非感光性で、且つ、スピンコートが可能であることが好ましく、例えばＢＣＢ樹脂やポリイミド等を樹脂７０として採用することができる。
【００３０】
その後、図５（ｃ）に示すように、リフトオフをおこない、光導波路層１４上のフォトマスク５０を除去する（フォトマスク除去工程）。それにより、フォトマスク５０上の樹脂７０も除去され、光導波路層１４の上面１４ａにおいてフット部５４を囲んでいた樹脂７０のみが残留する。このとき光導波路層１４上に残留している樹脂７０は、光導波路層１４の上面領域１４ａのうちのマスク部５２のフット部端面５４ａに対応する領域１４ｂが露出したパターンとなっている。
【００３１】
そして、図５（ｄ）に示すように、光導波路層１４上に残留する樹脂７０をマスクとして、再度反応性イオンエッチングをおこなう（第２のエッチング工程）。それにより、樹脂７０の露出領域１４ｂに凹部４０ｂが形成される。この凹部４０ｂは、フット部端面５４ａの形状に対応しているため、その幅はフット部端面５４ａの幅ｗ１と同じである。
【００３２】
最後に、図５（ｅ）に示すように、光導波路層１４の上面１４ａから、残留する樹脂７０を除去することで、回折格子４０が形成された光導波路層１４が得られる（被覆材除去工程）。すなわち、第１のエッチング工程で形成された凹部４０ａ（幅Ｄ）と、第２のエッチング工程で形成された凹部４０ｂ（幅ｗ１）とが交互に配置されて構成された回折格子４０が形成される。
【００３３】
なお、上述したとおり、フット部端面５４ａの幅ｗ１は、マスク部５２同士の離間距離Ｄと同一となるように設計されているため、凹部４０ａの幅と凹部４０ｂの幅も同一となっており、均一な溝幅を有する回折格子４０が形成されることとなる。
【００３４】
その上、マスク部５２の断面におけるフット部端面５４ａの中心線Ｃとヘッド部端面５６ａの中心線Ｃとが重なっており、且つ、マスク部５２のフット部端面５４ａの幅ｗ１がヘッド部端面５６ａの幅Ｗ２の１／３となるように設計されているため、凹部４０ａと凹部４０ｂとの離間距離も凹部４０ｂの幅と同一となっている。その結果、回折格子４０においては、均一幅の凹部４０ａ，４０ｂが連続し、その幅と同じ長さだけ隣り合う凹部４０ａ，４０ｂ同士が離間する規則的な周期構造となっており、デューティ比（周期幅に対する溝幅の比）が５０％である均一回折格子となっている。
【００３５】
以上で詳細に説明したように、本発明の実施形態に係る回折格子４０の形成方法においては、第１のエッチング工程の際、フォトマスク５０のマスク部５２が形成された領域（すなわち、ヘッド部端面５６ａに対応する領域）の残余領域がエッチングされる。そして、第２のエッチング工程の際には、フォトマスク５０のマスク部５２のフット部端面５４ａに対応する領域１４ｂがエッチングされる。
【００３６】
つまり、フォトマスク５０を用いた第１のエッチング工程の後に、さらに樹脂７０を用いた第２のエッチング工程をおこなうため、フォトマスク５０のピッチよりも狭いピッチの回折格子４０を形成することができる。なお、フォトマスク５０のピッチをＰとすると、上記実施形態ではその半分のピッチ（Ｐ／２）の回折格子４０が形成される。従って、上述した方法により回折格子４０を形成することで、回折格子４０の微細化を実現することができる。
【００３７】
上述した実施形態では、均一回折格子を形成するために、フット部の幅ｗ１とヘッド部の幅Ｗ２との比率が（Ｗ２：ｗ１＝３：１）となるようにマスク部を設計しているが、不均一回折格子を形成する場合には、この比率を適宜変更することも可能である。フット部の幅ｗ１とヘッド部の幅Ｗ２との比率を変更した場合には、回折格子のデューティ比が変更されて、上下層の間の体積比が変わる。その結果、例えば利得結合型ＬＤにおいては、低電流動作や高効率、高速動作といった伝送特性の向上が見込まれ、より高性能なデバイスを得ることができるようになる。
【００３８】
なお、従来の回折格子の形成方法（例えば、特開２０００−１８１０７７号公報）の中には、回折格子のライン幅及びスペース幅のどちらか一方のみを微細化する技術はあったものの、その両方を微細化する技術はなかった。すなわち、従来技術では、回折格子を全体的に縮小して、そのピッチ（ラインとスペースの組）を微細化することはできなかった。
【００３９】
ここで、光学的に一定のＮＡ・σにおいては、回折格子のピッチは、レイリーの式：Ｗ＝（ｋ１×λ）／ＮＡが関係してくる。この式において、Ｗは解像度、ｋ１はプロセスファクター、λは露光波長、ＮＡはレンズ開口数を示している。この式で示されるように、解像度Ｗを改善するには、プロセスファクター（ｋ１）の低減、露光波長（λ）の短縮、若しくはレンズ開口数（ＮＡ）の増大のいずれかをおこなう必要がある。
【００４０】
ただし、プロセスファクター（ｋ１）は０．３〜０．４が実用限界であり、レンズ開口数（ＮＡ）についても空気中の最大値が理論上１．０までであり、実用限界は０．９程度であることが知られている。従って、実際に世代ギャップが起きるほどの回折格子ピッチの微細化を実現するため、露光波長（λ）を短縮するか、液浸技術等を用いてレンズ開口数（ＮＡ）を大きくするか、この２つの方法での研究が進められてきた。
【００４１】
ただし、従来のフォトマスクを用いる方法では、解像力や焦点深度余裕度（ＤＯＦ）の不足により、回折格子レベルのパターニングを安定しておこなうことが難しく、より短波長のステッパを用いた場合、位相シフト回折格子やデューティ比をずらした回折格子の形成は可能ではあるものの、化学増幅型レジスト材料への変更やそれに伴うクリーンルーム環境の整備などコスト及び労力の面でデメリットが多かった。
【００４２】
また、干渉露光で回折格子を形成する方法では、レジストの形状が制御できず、回折格子が形成できない。これは、露光波長に対して回折格子の干渉縞のピッチが小さすぎて、光の干渉コントラストが低下し、解像力低下となってしまうためである。また、ウエハ面内でのレジスト線幅の均一性が悪いという問題もあった。そのため、回折格子の形成に必要な１００ｎｍオーダーの微細加工が正確に制御できず、また、光の干渉を用いているため、特異的に線幅やピッチを変える位相シフト回折格子は形成できないという問題もあった。ＥＢ露光で回折格子を形成する方法では、回折格子レベルの微細パターンを形成すること自体は可能であるが、フォトマスクに比べてスループットが悪く、短時間で形成できないため、量産レベルの使用ができない。加えて、ＥＢ露光や干渉露光に用いられる装置は非常に高価であるため、微細な回折格子を容易に形成することはできないという問題もあった。ナノインプリントでは、利得結合型ＤＦＥ−ＬＤの回折格子を形成する際に、使用するモールドが直接活性層に圧力を加えてしまうため、ダメージの問題があった。
【００４３】
そこで、発明者らは、鋭意研究の末に、露光波長を短縮するでもレンズ開口数を大きくするでもなく、上述した方法によって回折格子を形成することで、ピッチの微細化が実現できることを新たに見いだした。すなわち、上述のフォトマスク５０を用いて、回折格子のライン（上記凹部に相当）を形成するエッチング工程を２段階に分けておこなうことで、回折格子のピッチを半分に短縮できることを見いだした。
【００４４】
この方法は、通常のフォトリソプロセスでパターニングが可能であるため、セルフアライン加工により、非常に周期性の良い回折格子を形成することができる。また、λ／４などの位相シフト部を有する回折格子を形成する場合には、ステッパで使用するレチクルに位相シフト分のオフセットを入れるだけで形成することができるため、別途のプロセスを追加する必要がない。
【００４５】
さらに、必要に応じて、フォトマスクのマスク部の幅ｗ１，Ｗ２を調整したり、マスク部の離間距離Ｄを変えたりすることで、容易にデューティ比を変更することができる。また、ステッパの光源世代によらず、より短波長の光源を使用した場合でも、従来の解像限界以上の回折格子を形成することができる。
【００４６】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、フォトマスク５０のマスク部５２の断面形状は、下部端面の幅が上部端面の幅よりも狭い断面形状であれば適宜変更することができる。例えば、図６に示すような断面形状を有するマスク部５２Ａであってもよい。このマスク部５２Ａは、上面端面５６ａが曲面であるヘッド部５６Ａを有しており、そのヘッド部５６Ａをフット部５４Ａが支持している。このような断面形状を有するマスク部５２Ａのフォトマスクであっても、上述したマスク部５２のフォトマスク５０と同様の寸法設定（ヘッド部の幅Ｗ２、フット部の幅ｗ１、マスク部同士の離間距離Ｄ）とすることで、回折格子４０と同一（若しくは同等）の回折格子を形成することができる。ただし、ヘッド部の断面及びフット部の断面はともに矩形性を有しているほうがドライエッチング加工時のレジスト耐性の点で好ましい。
【００４７】
また、フォトマスクを所望の断面形状にする方法は、上記２つの方法に限定されず、レジストのベーキング温度を変更する方法（塗布後ベークや露光後ベーク、ポストベークなどの各熱処理工程の処理温度を変更する方法）等を利用することもできる。さらに、回折格子は、必ずしも光導波路層に形成する必要はなく、その形成位置は、デバイス等の要求特性に合わせて適宜変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の内部構造を示した図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ素子の回折格子の形成に用いるフォトマスクを示した図である。
【図３】図２に示したフォトマスクを形成する方法の一つを示した図である。
【図４】図２に示したフォトマスクを形成する方法の一つを示した図である。
【図５】図１に示した半導体レーザ素子の回折格子を形成する手順を示した図である。
【図６】異なる態様のフォトマスクを示した図である。
【符号の説明】
【００４９】
１４…光導波路層、１４ａ…上面、４０…回折格子、４０ａ，４０ｂ…凹部、５０…フォトマスク、５２，５２Ａ…マスク部、５４，５４Ａ…フット部、５４ａ…端面、５６，５６Ａ…ヘッド部、５６ａ…端面、６０Ａ，６０Ｂ…レジスト膜、７０…樹脂、Ｃ…中心線、Ｄ…離間距離、ｗ１，Ｗ２…幅、１００…半導体レーザ素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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