(57)【要約】【課題】低コスト化と画質品質とが両立するＥＬ表示パネルモジュール又はＥＬ表示パネルを実現する。【解決手段】ＥＬ表示パネルモジュールを、（ａ）基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、（ｂ）１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する駆動回路とで構成する。【選択図】図２２
2009204882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する駆動回路と
を同一基体上に実装したことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記駆動回路は、
ＥＬ薄膜層の膜厚が厚い画素回路から順番に信号電位の書き込みを開始する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項３】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記駆動回路は、
ＥＬ発光素子のリーク電流が大きい方の画素回路から順番に信号電位の書き込みを開始する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項４】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記駆動回路は、
発光色間で定めた優先順位の順番に信号電位の書き込みを開始する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項５】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記駆動回路は、
同じ発光色については、閾値補正動作の終了から信号電位の書き込みまでの時間が同じになるように、１本の信号線に接続された複数個の画素回路への信号電位の書き込み順序を制御する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項６】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記複数個の画素回路は、異なる水平ライン上に位置する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項７】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルモジュールにおいて、
前記複数個の画素回路は、同じ水平ライン上に位置する
ことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項８】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に開始する駆動回路と
を同一基体上に実装したことを特徴とするＥＬ表示パネルモジュール。
【請求項９】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する駆動回路と
を同一基体上に形成したことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に開始する駆動回路と
を同一基体上に形成したことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部を駆動制御する集積回路装置であって、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する
ことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部を駆動制御する集積回路装置であって、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に開始する
ことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する駆動回路と、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に開始する駆動回路と、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部の駆動制御方法であって、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路の全てについての閾値補正動作を同時に実行する処理と、
各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に実行する処理と
を有することを特徴とする駆動制御方法。
【請求項１６】
基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部の駆動制御方法であって、
１本の信号線に接続された複数個の画素回路の全てについての閾値補正動作を同時に実行する処理と、
各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に実行する処理と
を有することを特徴とする駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動方式で駆動制御されるＥＬ表示パネルの製造コストと画像品質とを最適化する技術に関する。なお、この明細書で提案する発明は、ＥＬ表示パネルモジュール、ＥＬ表示パネル、集積回路装置、電子機器及び駆動制御方法としての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
図１に、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルモジュールに一般的な回路ブロック構成を示す。図１に示すように、有機ＥＬパネルモジュール１は、画素アレイ部３と、その駆動回路であるライトスキャンドライバ５、給電スキャンドライバ７、水平セレクタ９で構成する。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子は電流発光素子である。このため、有機ＥＬパネルモジュールでは、各画素の発色階調の制御に、有機ＥＬ素子に流れる電流量を制御する駆動方式を採用する。図２に、この種の画素回路のうち最も単純な回路構成の一つを示す。この画素回路は、スキャントランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２及び保持容量Ｃｓで構成される。
【０００４】
なお、スキャントランジスタＴ１は、対応画素の階調に対応する信号電圧を保持容量Ｃｓに書き込むのに使用される。また、駆動トランジスタＴ２は、保持容量Ｃｓの保持電圧により定まるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに基づいた電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給するのに使用される。
【０００５】
ところで、駆動トランジスタＴ２がｐチャネル型薄膜トランジスタで構成される場合、そのソース電極は電源線に接続されている。すなわち、駆動トランジスタＴ２は、常に飽和領域で動作するように設計される。従って、駆動トランジスタＴ２は、定電流源として動作する。この際、電流Ｉｄｓは次式で与えられる。
Ｉｄｓ＝ｋ・μ・（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2
【０００６】
因みに、μは、駆動トランジスタＴ２の多数キャリアの移動度である。また、Ｖｔｈは、駆動トランジスタＴ２の閾値電圧である。また、ｋは、（Ｗ／Ｌ）・Ｃox／２で与えられる係数である。ここで、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃoxは単位面積当たりのゲート容量である。
【０００７】
なお、この画素回路の構成の場合、図３に示す有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って、駆動トランジスタＴ２のドレイン電圧が変化する。しかし、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは一定に保たれるので、有機ＥＬ素子に供給される電流量には変化が無く、発光輝度が一定に保たれる。
【０００８】
以下に、アクティブマトリクス駆動方式を採用する有機ＥＬパネルディスプレイに関する文献を例示する。
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、駆動トランジスタＴ２をｎチャネル型薄膜トランジスタに置き換えると、図４に示すように、今度はソース電位が有機ＥＬ素子に接続される。この画素回路の場合、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って電流量が変化し、発光輝度が変化してしまう。
【００１０】
また、画素毎に駆動トランジスタＴ２の閾値及び移動度が異なるため、前式に応じて電流値にバラツキが生じ、発光輝度も画素毎に変化してしまう。
このため、駆動トランジスタＴ２をｎチャネル型薄膜トランジスタで構成する場合にも、経時変化によらず安定した発光特性を得られる画素回路と駆動方法の確立が求められている。また同時に、有機ＥＬパネルモジュールの普及には、製造コストの更なる低減が要求される。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、発明者らは、（ａ）基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、（ｂ）１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちでＥＬ発光素子に寄生する容量成分が最も小さい画素回路から順番に開始する駆動回路とを同一基体上に実装したＥＬ表示パネルモジュール又はＥＬ表示パネルを提案する。
【００１２】
また、発明者らは、（ａ）基体とするパネル上に、画素回路と発光領域とで構成される画素をマトリクス状に形成した画素アレイ部と、（ｂ）１本の信号線に接続された複数個の画素回路についての閾値補正動作を共通化する一方で、各階調値に対応する信号電位の書き込みを、各信号線に接続された複数個の画素回路のうちＥＬ発光素子のリーク電流が大きい画素回路から順番に開始する駆動回路とを同一基体上に実装したＥＬ表示パネルモジュール又はＥＬ表示パネルを提案する。
【発明の効果】
【００１３】
発明者らの提案する発明の場合、低コスト化と画質品質とが両立するＥＬ表示パネルモジュール又はＥＬ表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルモジュール又は有機ＥＬパネルに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１５】
（Ａ）外観構成
この明細書では、例えば特定用途向けＩＣとして製造された駆動回路を画素アレイ部の形成された基板上に実装したものを有機ＥＬパネルモジュールと呼び、画素アレイ部と駆動回路とを同じプロセスを用いて同じ基板上に形成したものを有機ＥＬパネルと呼ぶ。
【００１６】
以下では、有機ＥＬパネルモジュールについて説明する。図５に、有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す。有機ＥＬパネルモジュール１１は、支持基板１３のうち画素アレイ部の形成領域に対向部１５を貼り合わせた構造を有している。
【００１７】
対向部１５は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜等が配置される。なお、有機ＥＬパネルモジュール１１には、外部から支持基板１３に信号等を入出力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７が配置される。
【００１８】
（Ｂ）形態例１
（Ｂ−１）システム構成
図６に、形態例１に係る有機ＥＬパネルモジュール１１のシステム構成の概略を示す。図６に示すように、有機ＥＬパネルモジュール１１は、画素アレイ部２１と、その駆動回路であるライトスキャンドライバ２３、給電スキャンドライバ２５、オフセットスキャンドライバ２７、リセットスキャンドライバ２９、水平セレクタ３１、タイミングジェネレータ３３で構成される。
【００１９】
画素アレイ部２１は、有機ＥＬ素子と画素回路とで構成されるサブ画素がマトリクス状に配置される。因みに、サブ画素は１画素を構成する画素構造の最小単位である。ホワイトユニットとしての１画素は有機ＥＬ材料の異なる３つのサブ画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）で構成される。
【００２０】
図７に、サブ画素に対応する画素回路と各駆動回路との接続関係を示す。図８に、形態例で提案する画素回路の内部構成を示す。図８に示す画素回路は、５つの薄膜トランジスタと１つの保持容量Ｃｓとで構成される。
【００２１】
５つの薄膜トランジスタのうちスキャントランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ２の構成は図４の構成と共通である。ただし、図８に示す画素回路では、保持容量Ｃｓを駆動トランジスタＴ２のゲート電極と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極との間に接続する。この部分が図４に示す画素回路との基本的な違いである。勿論、スキャントランジスタＴ１は、ライトスキャンドライバ２３が駆動制御する。
【００２２】
この他、図８に示す画素回路では、駆動トランジスタＴ２の特性補正用に専用の３つの薄膜トランジスタを使用する。このうち、給電制御トランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ２に対する高電位電源Ｖccの供給を制御する薄膜トランジスタである。給電制御トランジスタＴ３の駆動は、給電スキャンドライバ２５が実行する。
【００２３】
オフセット制御トランジスタＴ４は、駆動トランジスタＴ２のゲート電極に対するオフセット電圧Ｖofs の供給を制御する薄膜トランジスタである。オフセット制御トランジスタＴ４の駆動は、オフセットスキャンドライバ２７が実行する。
リセット制御トランジスタＴ５は、駆動トランジスタＴ２に対する低電位電源Ｖssの供給を制御する薄膜トランジスタである。リセット制御トランジスタＴ５の駆動は、リセットスキャンドライバ２９が実行する。
【００２４】
また、水平セレクタ３１は、信号線ＤＴＬに各画素データの階調値に対応する信号電位Ｖsig を印加する回路デバイスである。
タイミングジェネレータ３３は、ライトスキャンドライバ２３、給電スキャンドライバ２５、オフセットスキャンドライバ２７、リセットスキャンドライバ２９の駆動パルスを生成する回路デバイスである。
【００２５】
（Ｂ−２）駆動動作例
図９に、図８に示す画素回路の駆動動作例を示す。なお、図９は、１水平走査期間を利用して駆動トランジスタＴ２の閾値補正を実行する場合の駆動動作例である。もっとも、閾値補正動作から信号電位Ｖsig の書き込みまでの動作を２水平走査期間以上の期間に分散して実行することもできる。
【００２６】
まず、発光状態における画素回路内の動作状態を図１０に示す（図９（Ｔ１））。このとき、スイッチングトランジスタＴ１はオフ状態である（図９（Ａ））。一方、駆動トランジスタＴ２のドレイン電極は高電位電源Ｖccに接続された状態にあり（図９（Ｂ））、飽和領域で動作する。
【００２７】
これにより、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じて定まる電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる。この際、オフセットトランジスタＴ４及びリセットトランジスタＴ５はオフ制御される（図９（Ｃ）、（Ｄ））。
【００２８】
次に、非発光状態の動作状態を説明する。まず、給電制御トランジスタＴ３がオフ制御され（図９（Ｔ２））、続いてオフセット制御トランジスタＴ４とリセット制御トランジスタＴ５が共にオン制御される（図９（Ｔ３））。
【００２９】
このとき、駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇはオフセット電位Ｖofs になり、駆動トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓは低電位電源Ｖssに制御される。この場合における画素回路内の動作状態が図１１である。この際、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはＶofs −Ｖssで与えられる。
【００３０】
ここで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを消灯させるには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電圧Ｖelが有機ＥＬ素子の閾値Ｖthelとカソード電位Ｖcathとの和よりも小さくなるように、低電位電源Ｖssとオフセット電位Ｖofs を設定する必要がある。因みに、オフセット制御トランジスタＴ４とリセット制御トランジスタＴ５のいずれを先にオン動作させても良い。
【００３１】
この後、駆動トランジスタＴ２の閾値補正期間が開始される（図９（Ｔ４））。このとき、リセット制御トランジスタＴ５はオフ制御される（図９（Ｄ））。同時に、給電制御トランジスタＴ３が再びオン制御される（図９（Ｂ））。この場合における画素回路内の動作状態が図１２である。
【００３２】
なお、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはＶofs-Ｖssで与えられる。この電圧は、駆動トランジスタＴ２の閾値電圧Ｖthよりも大きく設定されている。従って、駆動トランジスタＴ２はオン動作する。
【００３３】
このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図１３に示すようにダイオード接続された薄膜トランジスタと寄生容量Ｃelとで表される。
【００３４】
因みに、駆動トランジスタＴ２から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと流れるリーク電流は非常に小さい。従って、Ｖel≦Ｖcath＋Ｖthelを満たす限り、駆動トランジスタＴ２に流れる電流は、保持容量Ｃｓと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寄生容量Ｃelを充電するのに用いられる。
【００３５】
なお、電流の一部は寄生容量Ｃelを充電するのに用いられる。因みに、前式におけるＶelは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電圧であり、Ｖcathは共通カソード電位であり、Ｖthelは有機ＥＬ素子の閾値電圧である。
【００３６】
結果的に、有機ＥＬ素子のアノード電圧Ｖelは、図１４に示すように、時間の経過と共に上昇する。やがて、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは閾値Ｖthに収束する。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電圧Ｖelは、以下の条件を満たすものとする。
Ｖel＝Ｖofs −Ｖth≦Ｖcath＋Ｖthel
【００３７】
このように閾値補正期間が終了すると、給電制御トランジスタＴ３及びオフセット制御トランジスタＴ４が順番にオフ制御される（図９（Ｂ）、（Ｃ））。給電制御トランジスタＴ３を先にオフ制御することによって、駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇの変動を抑制することができる。
【００３８】
これらの制御が完了すると、スイッチングトランジスタＴ１がオン制御され（図９（Ａ））、信号電位Ｖsig の書き込みが開始される（図９（Ｔ５））。
このとき、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、次式で与えられる。
【００３９】
Ｖｇｓ＝（Ｃel／（Ｃel+Ｃｓ＋Ｃt2））・（Ｖsig −Ｖofs）＋Ｖth
ただし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寄生容量Ｃelは、保持容量Ｃｓや駆動トランジスタＴ２の寄生容量Ｃt2に比べて大きいため、前式で与えられる駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、ほぼＶsig −Ｖofs ＋Ｖthとなる。
【００４０】
この状態で、給電制御トランジスタＴ３がオン制御される（図９（Ｔ６））。なお、この状態でも、駆動トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧Ｖthelとカソード電位Ｖcathとの和を超えなければ、図１５に示すように、駆動トランジスタＴ２の電流は保持容量Ｃｓと寄生容量Ｃelを充電するのに用いられる。
【００４１】
なおこの時点では、駆動トランジスタＴ２の閾値補正動作が既に完了している。従って、駆動トランジスタＴ２が流す電流は移動度μを反映したものになる。具体的には、移動度μが大きいほど駆動トランジスタＴ２の電流量は大きくなり、ソース電位Ｖｓの上昇も早くなる。逆に移動度μが小さい駆動トランジスタＴ２の電流量は小さいので、ソース電位Ｖｓの上昇は遅くなる（図１６）。
【００４２】
これにより、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは移動度μを反映して小さくなる。結果的に、一定時間が経過した時点で、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、移動度μを補正した電圧に収束する。
【００４３】
最後に、スキャントランジスタＴ１がオフ制御されると、有機ＥＬ素子の発光期間が開始する（図９（Ｔ７））。図１７に、この場合における画素回路内の動作状態を示す。なお、発光期間が開始すると、駆動トランジスタＴ２は一定の電流Ｉｄｓ’を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。
【００４４】
これに伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電圧Ｖelは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流Ｉｄｓ’を流す電位Ｖx まで上昇する。この際、駆動トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓとゲート電位Ｖｇも上昇することになる。
ところで、この形態例で提案する駆動回路の場合も、発光時間が長くなると、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が変化してしまう。
【００４５】
このため、駆動トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓも変化する。しかし、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、保持容量Ｃｓにより一定に保たれるので有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流量は変化しない。このように、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化したとしても、一定の電流Ｉｄｓが常に流れ続け、有機ＥＬ素子の輝度が変化することはない。
【００４６】
（Ｂ−３）まとめ
この形態例で説明した構成の画素回路の採用により、駆動トランジスタＴ２をｎチャネル型の薄膜トランジスタで構成する場合にも、画素毎に輝度バラツキのない有機ＥＬパネルモジュールを実現することができる。
【００４７】
（Ｃ）形態例２
ここでは、更なる低コスト化に好適な有機ＥＬパネルモジュールの形態例を示す。このため、この形態例では、１つの水平ライン上で隣り合う複数画素で信号線を共通化する場合について説明する。ただし、各画素に対応する信号電位Ｖsig は異なるのが前提である。従って、各画素に対する信号電位Ｖsig の書き込みは、閾値補正期間の終了後に時間順次に実行する。
【００４８】
（Ｃ−１）システム構成
図１８に、形態例２に係る有機ＥＬパネルモジュール４１のシステム構成の概略を示す。なお、図１８には図６との対応部分に同一符号を付して示す。
図１８に示すように、有機ＥＬパネルモジュール４１は、画素アレイ部２１と、その駆動回路であるライトスキャンドライバ４３、給電スキャンドライバ２５、オフセットスキャンドライバ２７、リセットスキャンドライバ２９、水平セレクタ３１と、並替処理部４５とで構成される。なお、並替処理部４５の動作については後述する。
【００４９】
図１９に、画素アレイ部２１を構成する画素回路と各配線との接続関係を示す。図１９は、１つの水平ライン上で隣り合う２つの画素が１本の信号線に共通に接続する場合を表している。例えば画素アレイ部２１の製造にアモルファスシリコンを用いるプロセスを採用する場合、薄膜トランジスタの移動度μのバラツキは大きくない。
【００５０】
このような場合、移動度補正の必要がないので、１本の信号線を２つの画素回路で共用することが可能になる。
なお、個々の画素回路の構成は、図８に示す回路構成と同じものとする。すなわち、５つの薄膜トランジスタと１つの保持容量Ｃｓとで構成されるものとする。
【００５１】
（Ｃ−２）基本とする駆動動作
図２０に、この形態例に対応する基本動作例を示す。なお、図２０は、１本の信号線ＤＴＬを共用する２つの画素回路のうち信号電位Ｖsig の書き込み順位が固定されている場合であって、相対的に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのリーク電流が小さい画素回路への信号電位Ｖsig の書き込みが最初に実行される場合を表している。
【００５２】
図２０（Ａ）及び（Ｂ）が、２つの画素回路にそれぞれ対応するライトスキャン線ＷＳＬの駆動波形である。なお、信号電位Ｖsig の書き込み順序が早い方に添え字の「１」を付し、書き込み順序が後の方に添え字の「２」を付して示している。図１９の場合も同様である。また、図２０（Ｆ）が、１本の信号線ＤＴＬに印加される電位を表している。
【００５３】
図２０（Ｆ）の場合も、先に書き込まれる信号電Ｖsig に添え字の「１」を付し、書き込み順序が後の方に添え字の「２」を付して表している。なお、図２０の場合には、１本の信号線ＤＴＬを共用する２つの画素回路に対応する信号電位Ｖsig が異なる場合を表しているが、いずれも同じ電位を採っても良い。
【００５４】
ところで、これら２つの画素回路では、閾値補正動作までの動作が、図２０（Ｃ）〜（Ｅ）に示すように同じタイミングで実行される。すなわち、２つの画素回路については閾値補正動作が完了するまでの動作が共通となる。
【００５５】
一方、信号電位Ｖsig1及びＶsig2の書き込みが開始されるタイミングは、２つの画素回路間で時間差が発生する。図２０（Ｇ）及び（Ｈ）では、先に書き込みが開始する画素回路の電位変化を実線で示し、後で書き込みが開始する画素回路の電位変化を破線で示す。
【００５６】
図２０に示すように、信号電位Ｖsig の書き込みタイミングが異なると、書き込みが開始するまでに流れるリーク電流量の違いによる電位変動により、書き込み開始時におけるゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓが２つの画素回路間で異なってしまう。特に、リーク電流が大きい画素回路に対する信号電位Ｖsig の書き込みが遅れて実行される場合、その発光輝度が本来の発光輝度と異なることを意味する。
【００５７】
ところが、この発光輝度の変化は画質の低下をもたらす可能性がある。図２１に、一例を示す。図２１は、２画素単位で１本の信号線ＤＴＬを共用する場合に、３つの基本発光色に対応する画素がＲ、Ｇ、Ｂの順番に配列される場合の書き込み順序の関係を表している。
【００５８】
図２１に示すように、奇数列目の画素の信号電位Ｖsig1を先に偶数列目の画素の信号電位Ｖsig2を後に書く場合、同じ基本発光色であっても閾値補正動作の完了から書き込みまでの時間が異なってしまう。すなわち、同じ発光色に同じ信号電位Ｖsig を書き込む場合でも、リーク電流の影響により発光輝度にバラツキが発生する。このことは、ベタ画面であっても、画面横方向に輝度の異なる縦縞が現れることを意味する。
【００５９】
（Ｃ−３）駆動動作の改善例
そこで、発明者らは、リーク電流の大きさに着目し、相対的にリーク電流の大きい画素回路に対する信号電位Ｖsig の書き込みを先に行う手法を提案する。
図２２に、適用例を示す。図２２は、図２１と同じ画素配列の場合の例であり、有機ＥＬ素子のリーク電流はＲ画素が最も大きく、次にＧ画素が大きく、Ｂ画素が最も小さいものとする。
【００６０】
従って、信号電位Ｖsig の書き込み順序は、Ｒ画素の優先順位が最も高く、Ｇ画素の優先順位が次に高く、Ｂ画素の優先順位が最も低くなる。図２２は、この書き込み規則を表しており、信号線毎に優先順位の高い画素回路への信号電位Ｖsig の書き込みが優先するように、信号電位Ｖsig の並び替えとライトスキャンパルスの供給タイミングが制御される。
【００６１】
因みに、信号電位Ｖsig の入力は、一般に水平ラインを構成する画素の配列順に従って有機ＥＬパネルモジュール４１に与えられる。そこで、並列処理部４５が信号電位Ｖsig の並び替え処理を実行する。ここでの、並び替えは、画素アレイ部２１の画素配列及びリーク電流の大きさに関する情報に基づいて事前に設定される。
【００６２】
同様に、信号電位Ｖsig の書き込みタイミングを与えるライトスキャンパルスも、画素アレイ部２１の画素配列及びリーク電流の大きさに関する情報に基づいてライトスキャンドライバ４３に事前に設定される。
【００６３】
図２３に、改善後の駆動動作例を示す。図２３は、図２０に対応する。図２３と図２０とを比較して分かるように、図２３に示す改善駆動例では、リーク電流の大きい画素回路への信号電位Ｖsig の書き込みがまず最初に実行されるので、基本動作のような大きな電位変動は発生させずに済む。
【００６４】
一方、リーク電流の小さい画素回路への信号電位Ｖsig の書き込み開始は遅れることになるが、もともとリーク電流が小さいので閾値補正動作の完了から信号電位Ｖsig の書き込み開始までの時間が長くなったとしてもその影響は限定的である。
【００６５】
結果的に、リーク電流の影響による書き込み開始時までの電位変動のバラツキが輝度差として知覚されない範囲内に抑制することができる。結果的に、ムラやスジが画面上に現れるのを有効に防ぐことができる。
【００６６】
（Ｃ−４）まとめ
この形態例で説明した駆動方式の採用により、信号線数の削減を図りながらも、リーク電流を原因とする画質の低下のおそれのない有機ＥＬパネルモジュールを実現することができる。
【００６７】
なお、リーク電流は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寄生容量Ｃelが大きいほど小さくなる。一般に、寄生容量Ｃelの大きさは有機ＥＬ層の膜厚に依存する。すなわち、膜厚が薄いほど寄生容量Ｃelは大きい。従って、有機ＥＬ層の膜厚が厚い発光色の画素回路から順番に信号電位Ｖsig を書き込むことにする。
【００６８】
もっとも、有機ＥＬ層を構成する材料によっては、膜厚が厚くても寄生容量Ｃelが大きくなる可能性もある。このような場合には、膜厚ではなく寄生容量Ｃelの大きさに着目して信号電位Ｖsig の書き込み順序を設定することが望ましい。
【００６９】
（Ｄ）他の形態例
（Ｄ−１）他のパネル構造例１
前述した形態例の場合には、１本の信号線を同じ水平ライン上に位置する２つの画素回路で共用する場合について説明した。
しかし、図２４に示すように、１本の信号線を同じ水平ライン上に位置する３つの画素回路で共用しても良い。
【００７０】
なお、図２４に示す有機ＥＬパネルモジュール５１は、画素アレイ部２１と、その駆動回路であるライトスキャンドライバ５３、給電スキャンドライバ５５、水平セレクタ５７と、並替処理部５９と、不図示のオフセットスキャンドライバ、リセットスキャンドライバで構成される。
【００７１】
この場合、ライトスキャンドライバ５３と並列処理部５９が、３画素間で設定された画素配列とは別に設定された優先順位の順番に信号電位Ｖsig の書き込みタイミングを設定する。
図２５に、有機ＥＬパネルモジュール５１の駆動動作例を示す。なお、図２５は、Ｇ画素、のリーク電流が最も大きく、次に、Ｂ画素、Ｒ画素が続く場合について表している。
【００７２】
特に、図２４及び図２５の場合には、閾値補正完了から信号電位Ｖsig の書き込みが開始されるまでの時間を発光色毎に揃えることができる。これにより、ホワイトユニット間の輝度変動も効果的に抑制することが可能となる。
【００７３】
（Ｄ−２）他のパネル構造例２
前述した形態例の場合には、１本の信号線を同じ水平ライン上に位置する２つの画素回路で共用する場合について説明した。
しかし、１本の信号線を異なる水平ライン上に位置する２つの画素回路で共用し、閾値補正動作を複数の水平ライン間で共用する場合にも同様に適用できる。
【００７４】
（Ｄ−３）他のパネル構造例３
前述の形態例の説明では、画素回路が５つの薄膜トランジスタで構成される場合について説明した。
しかし、画素回路の構成は他の回路構成を採用しても良い。図２６に、画素回路が２つの薄膜トランジスタで構成される場合のパネル構造例を示す。
【００７５】
図２６に示す有機ＥＬパネルモジュール６１は、画素アレイ部２１と、その駆動回路であるライトスキャンドライバ６３、給電スキャンドライバ６５、水平セレクタ６７と、並替処理部６９とで構成される。
【００７６】
この回路構成の場合、信号線ＤＴＬをオフセット電位Ｖofs と信号電位Ｖsig とで駆動すると共に、給電線ＤＳＬを高電位電源Ｖccと低電位電源Ｖssとで駆動制御することにより、前述した形態例と同様の駆動動作を実現できる。
【００７７】
（Ｄ−４）他の優先順位
前述した形態例の説明では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのリーク電流を考慮したが、駆動トランジスタＴ２のリーク電流の大きさに基づいて書き込み順位を設定しても良い。この場合も、リーク電流の大きい画素回路から順番に信号電位Ｖsig の書き込みが開始されるように設定すれば良い。
【００７８】
（Ｄ−５）製品例
（ａ）電子機器
前述の形態例では、有機ＥＬパネルモジュールについての形態例を説明した。しかし、前述した有機ＥＬパネルモジュールは、各種の電子機器に実装した商品形態でも流通される。以下、他の電子機器への実装例を示す。
【００７９】
図２７に、電子機器７１の概念構成例を示す。電子機器７１は、前述した有機ＥＬパネルモジュール７３及びシステム制御部７５で構成される。システム制御部７５で実行される処理内容は、電子機器７１の商品形態により異なる。
【００８０】
なお、電子機器７１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
図２８に、その他の電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。テレビジョン受像機８１の筐体正面には、フロントパネル８３及びフィルターガラス８５等で構成される表示画面８７が配置される。表示画面８７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８１】
また、この種の電子機器７１には、例えばデジタルカメラが想定される。図２９に、デジタルカメラ９１の外観例を示す。図２９（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図２９（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【００８２】
デジタルカメラ９１は、保護カバー９３、撮像レンズ部９５、表示画面９７、コントロールスイッチ９９及びシャッターボタン１０１で構成される。このうち、表示画面９７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する
【００８３】
また、この種の電子機器７１には、例えばビデオカメラが想定される。図３０に、ビデオカメラ１１１の外観例を示す。
ビデオカメラ１１１は、本体１１３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１１５、撮影のスタート／ストップスイッチ１１７及び表示画面１１９で構成される。このうち、表示画面１１９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８４】
また、この種の電子機器７１には、例えば携帯端末装置が想定される。図３１に、携帯端末装置としての携帯電話機１２１の外観例を示す。図３１に示す携帯電話機１２１は折りたたみ式であり、図３１（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図３１（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【００８５】
携帯電話機１２１は、上側筐体１２３、下側筐体１２５、連結部（この例ではヒンジ部）１２７、表示画面１２９、補助表示画面１３１、ピクチャーライト１３３及び撮像レンズ１３５で構成される。このうち、表示画面１２９及び補助表示画面１３１の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８６】
また、この種の電子機器７１には、例えばコンピュータが想定される。図３２に、ノート型コンピュータ１４１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１４１は、下型筐体１４３、上側筐体１４５、キーボード１４７及び表示画面１４９で構成される。このうち、表示画面１４９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８７】
これらの他、電子機器７１には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【００８８】
（Ｄ−６）他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述した駆動技術は、その他のＥＬ表示装置に対しても適用することができる。例えばＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
【００８９】
（Ｄ−７）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】有機ＥＬパネルモジュールの回路ブロック構成を説明する図である。
【図２】画素回路例を示す図である。
【図３】有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時変化を説明する図である。
【図４】他の画素回路例を示す図である。
【図５】有機ＥＬパネルモジュールの外観構成例を示す図である。
【図６】有機ＥＬパネルモジュールのシステム構成例を示す図である。
【図７】画素回路と各駆動回路との接続関係を示す図である。
【図８】形態例に係る画素回路例を示す図である。
【図９】形態例に係る駆動動作例を示す図である。
【図１０】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１１】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１２】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１３】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１４】ソース電位の経時変化を示す図である。
【図１５】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１６】移動度の違いによる経時変化の違いを示す図である。
【図１７】画素回路の動作状態を説明する図である。
【図１８】形態例に係る有機ＥＬパネルモジュールの他のシステム構成例を示す図である。
【図１９】画素回路と各駆動回路との接続関係を示す図である。
【図２０】形態例に係る他の基本動作例を示す図である。
【図２１】基本動作での信号電位の書き込み順序を説明する図である。
【図２２】改善駆動例での信号電位の書き込み順序を説明する図である。
【図２３】形態例に係る他の駆動動作例を示す図である。
【図２４】形態例に係る有機ＥＬパネルモジュールの他のシステム構成例を示す図である。
【図２５】形態例に係る他の駆動動作例を示す図である。
【図２６】他の画素回路例を示す図である。
【図２７】電子機器の概念構成例を示す図である。
【図２８】電子機器の商品例を示す図である。
【図２９】電子機器の商品例を示す図である。
【図３０】電子機器の商品例を示す図である。
【図３１】電子機器の商品例を示す図である。
【図３２】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【００９１】
１１        有機ＥＬパネルモジュール
２１        画素アレイ部
２３        ライトスキャンドライバ
２５        給電スキャンドライバ
２７        オフセットスキャンドライバ
２９        リセットスキャンドライバ
３１        水平セレクタ
３３        タイミングジェネレータ
４１        有機ＥＬパネルモジュール
４３        ライトスキャンドライバ
４５        並替処理部
５１        有機ＥＬパネルモジュール
５３        ライトスキャンドライバ
５５        給電スキャンドライバ
５７        水平セレクタ
５９        並替処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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