(57)【要約】【課題】互いに配向規制力が異なる配向膜を効率よく形成する。【解決手段】本発明の液晶装置は、複数の有効画素領域Ｐと複数の有効画素領域Ｐの間に配置された非有効画素領域Ｄとを有する液晶装置１である。複数の有効画素領域Ｐの各々に配置された第１電極１１を有する第１基板１０と、第２電極２１を有する第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０との間に挟持された液晶層３０と、複数の有効画素領域Ｐにおいて第１電極１１と液晶層３０との間に形成された第１配向膜１４と、非有効画素領域Ｄにおいて第１配向膜１４の間に形成された第２配向膜１５と、を備えている。第１配向膜１４と第２配向膜１５とは、互いの表面硬さが異なる状態に形成された後に一括してラビング処理されたことにより、液晶層３０の液晶分子を配向させる配向規制力が互いに異なって形成されている。【選択図】図１
2009276675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有効画素領域と前記複数の有効画素領域の間に配置された非有効画素領域とを有する液晶装置であって、
前記複数の有効画素領域の各々に配置された第１電極を有する第１基板と、
第２電極を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記複数の有効画素領域において前記第１電極と前記液晶層との間に形成された第１配向膜と、
前記非有効画素領域において前記第１配向膜の間に形成された第２配向膜と、を備え、
前記第１配向膜と前記第２配向膜とは、互いの表面硬さが異なる状態に形成された後に一括してラビング処理されたことにより、前記液晶層の液晶分子を配向させる配向規制力が互いに異なって形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１配向膜が垂直配向膜であって、該第１配向膜は前記第２配向膜よりも表面硬さが高い状態に形成された後に前記ラビング処理されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１配向膜が水平配向膜で構成されたＯＣＢモードの液晶装置であって、前記第２配向膜は該第１配向膜よりも表面硬さが高い状態に形成された後に前記ラビング処理されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１配向膜の表面と前記第２配向膜の表面との前記液晶層側における段差高さが０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
複数の有効画素領域と前記複数の有効画素領域の間に配置された非有効画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記複数の有効画素領域の各々に配置された第１電極を有する第１基板を形成する工程と、
第２電極を有する第２基板を形成する工程と、
前記第１電極と前記第２電極を内側にして前記第１基板と前記第２基板とを対向配置するとともに、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する工程と、を有し、
前記第１基板を形成する工程は、
前記複数の有効画素領域の各々において前記第１電極を覆う第１材料膜を形成するとともに、前記非有効画素領域において前記第１材料膜の間に前記第１材料膜と表面硬さが異なる第２材料膜を形成する材料膜形成処理と、
前記第１材料膜と前記第２材料膜とに一括してラビング処理して、前記第１材料膜に前記液晶層の液晶分子を配向させる配向規制力を付与して第１配向膜を形成するとともに、前記第２材料膜に前記第１配向膜と異なる配向規制力を付与して第２配向膜を形成する配向処理と、を含んでいることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置で構成された光変調手段を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から液晶装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の表示部として、あるいはプロジェクタのライトバルブ等として幅広く用いられている。液晶装置は、例えば画素電極と共通電極との間に挟持された液晶層、液晶層の液晶分子の配向性を制御する配向膜等を備えている。液晶層に電界が印加されると液晶分子の方位角が変化し、液晶層を通る光の偏光状態が変化する。これにより、液晶層を通った光の一部が偏光板に吸収されて所定の階調の光となり液晶装置から射出される。
【０００３】
液晶装置には、表示品質を向上させる観点から広視野角の確保や応答速度の向上、高コントラスト化、高精細化、高輝度化等が期待されている。これらを実現する上で、液晶分子の配向を制御する技術は極めて重要である。例えば、ＶＡ方式では液晶分子が垂直配向しており、ＴＮ方式よりも高品質な黒表示又は白表示が可能になっている。これにより、高コントラスト化や高輝度化等が図られる。ＯＣＢモードでは液晶分子がベンド配向しており、ＴＮ方式に比べて応答速度が格段に速くなっている。これにより、動画の高品質な表示が可能になる。このような液晶装置において画素領域と画素領域間とで異なる特性の配向膜にする技術が提案されている（例えば特許文献１〜３）。
【０００４】
特許文献１には、ドットマトリクス型の液晶装置においてクロストークを低減することにより表示品質を向上させる技術が開示されている。第１の配列電極（セグメント電極）と第２の配列電極（コモン電極）とが重なる配列電極部よりも、非配列電極部で配向膜を厚くしている。これにより、第１の配列電極間の横電界による静電容量が小さくなるので、クロストーク等が低減される。
【０００５】
特許文献２には、垂直配向モード（ＶＡ方式）の液晶装置においてディスクリネーションを防止することにより良好に高コントラスト化を図る技術が開示されている。絵素（サブ画素）領域に垂直配向膜が設けられており、絵素領域の周辺領域に水平配向膜が設けられている。絵素領域と周辺領域とに垂直配向膜を一括して形成した後に、周辺領域と重なる部分に紫外線を照射することにより、これを水平配向膜にしている。液晶分子が周辺領域で水平配向しているので、電界印加時に絵素領域の液晶分子の倒れる方向が規制され、ディスクリネーションが防止される。
【０００６】
特許文献３には、ＯＣＢモードの液晶装置においてクロストークを防止することにより表示品質を向上させる技術が開示されている。画素領域に水平配向膜が設けられており、画素領域間にここの液晶分子の配向を歪ませる中間配向膜が設けられている。中間配向膜の形成方法としては、水平配向膜とこれに対して窪んだ凹部とに一括してラビング処理して凹部内を中間配向膜とする方法や、レジストで中間配向膜を覆うことによりこれを保護して水平配向膜をラビング処理する方法が挙げられている。中間配向膜により画素領域間の液晶分子にディスクリネーションを生じ、画素領域の液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に速やかに転移させることが可能になっている。
【特許文献１】特開平８−４３８２３号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３６５１号公報
【特許文献３】特開２０００−１０１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように、画素領域と画素領域間とで異なる特性の配向膜を設けることにより、良好な液晶装置とすることが可能になる。しかしながら、このような技術において良好な配向膜を効率よく形成することは、以下の理由により困難である。
特許文献２の技術で、紫外線照射のみにより垂直配向膜と水平配向膜とで配向規制力を明確に異ならせるためには、垂直配向材料の選択自由度が低くなると考えられる。材料の選択自由度が低くなると、垂直配向膜と水平配向膜とをともに良好に機能させることができなくなるおそれがある。
【０００８】
特許文献３の技術で、１回のラビング処理で水平配向膜と中間配向膜とを形成しようとすれば、これらの間に段差が必要となる。段差周辺では、液晶分子をベンド配向させた状態でもその配向が乱れるためこの部分の表示品質が低下するおそれや、ここを非表示領域にすることで開口率が低下するおそれがある。また、レジストで中間配向膜を保護した状態で水平配向膜をラビング処理すると、レジストと中間配向膜との位置合わせ精度が要求されるため、高精細化に対応できないおそれがある。また、レジストがラビング処理により中間配向膜に圧着され、その剥離時に中間配向膜に損傷を生じるおそれがある。
【０００９】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、画素領域と画素領域間とで配向規制力を異ならせた配向膜を備えた液晶装置を提供することを目的の１つとする。また、このような液晶装置を効率よく製造可能な方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の液晶装置は、複数の有効画素領域と前記複数の有効画素領域の間に配置された非有効画素領域とを有する液晶装置であって、前記複数の有効画素領域の各々に配置された第１電極を有する第１基板と、第２電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記複数の有効画素領域において前記第１電極と前記液晶層との間に形成された第１配向膜と、前記非有効画素領域において前記第１配向膜の間に形成された第２配向膜と、を備え、前記第１配向膜と前記第２配向膜とは、互いの表面硬さが異なる状態に形成された後に一括してラビング処理されたことにより、前記液晶層の液晶分子を配向させる配向規制力が互いに異なって形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このようにすれば、有効画素領域に設けられた第１配向膜と有効画素領域間の非有効画素領域間に設けられた第２配向膜とで配向規制力が異なっているので、有効画素領域と非有効画素領域とで液晶層の液晶分子の配向方向が異なるようになる。したがって、非有効画素領域の液晶層の配向性により有効画素領域の液晶層の配向性を制御することが可能になり、高品質な画像が得られる液晶装置とすることが可能になる。
【００１２】
一般にラビング処理においては、ラビング強度を調整することにより所定の配向規制力を配向膜に付与している。ラビング強度は、ラビング用ローラの回転数、配向膜が形成された被処理基板を載置したステージのラビング用ローラに対する移動速度、ラビング用ローラの配向膜への押し込み量等のパラメータを変化させることにより調整可能である。すなわち、ラビング強度は、前記回転数、移動速度、押し込み量を大きくするほど強くなる。有効画素領域と非有効画素領域とで配向膜に異なる配向規制力を付与するためには、配向規制力に応じて前記パラメータを異ならせて複数回数のラビング処理を行うことが考えられる。同じ形成材料からなる配向膜に、有効画素領域と非有効画素領域とで一括してラビング処理を行うと、有効画素領域又は非有効画素領域で所望の配向規制力にならなくなるからである。
【００１３】
本発明では、第１配向膜と第２配向膜とが互いの表面硬さが異なる状態に形成された後に一括してラビング処理されているので、第１配向膜及び第２配向膜のうちの表面硬さが高い方は、低い方よりもラビング処理により付与される配向規制力が弱くなる。このように、複数回数のラビング処理を行わなくとも配向規制力が互いに異なる第１配向膜及び第２配向膜が得られるので、高品質の画像が得られるとともに低コスト化が可能な良好な液晶装置になる。
【００１４】
また、前記第１配向膜が垂直配向膜であって、該第１配向膜は前記第２配向膜よりも表面硬さが高い状態に形成された後に前記ラビング処理されて形成されていてもよい。
このようにすれば、有効画素領域の液晶層が垂直配向するようになり、高コントラスト化や高輝度化が図られる。また、第１配向膜の表面硬さが第２配向膜よりも高くなっているので、第２配向膜は第１配向膜よりもラビング処理により付与される配向規制力が強くなる。ラビング処理により付与される配向規制力は、液晶分子を液晶層の厚み方向と直交する方向に倒す力であるから非有効画素領域の液晶層が水平配向するようになり、非有効画素領域の液晶層により電界印加時に有効表示領域の液晶分子が倒れる方向が規制される。よって、ディスクリネーションが防止され、ディスクリネーションによるコントラスト低下が防止されるので、高品質な画像が得られる液晶装置となる。
【００１５】
また、前記第１配向膜が水平配向膜で構成されたＯＣＢモードの液晶装置であって、前記第２配向膜は該第１配向膜よりも表面硬さが高い状態に形成された後に前記ラビング処理されて形成されてもよい。
ＯＣＢモードの液晶装置は、ＴＮ方式等に比べて応答速度が格段に速くなっており、動画の高品質な表示が可能になる。また、第２配向膜の表面硬さが第１配向膜よりも高くなっているので、第２配向膜は第１配向膜よりもラビング処理により付与される配向規制力が弱くなる。したがって、非有効画素領域の液晶層が有効画素領域よりも垂直配向に近くなり、非有効画素領域の液晶層によって電界印加時における有効表示領域の液晶分子のスプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。
【００１６】
また、前記第１配向膜の表面と前記第２配向膜の表面との前記液晶層側における段差高さが０．１μｍ以下であってもよい。
前記のように本発明では表面硬さの違いを利用して第１配向膜と第２配向膜とで配向規制力を異ならせているので、これら配向膜の間に段差を設けこの段差を利用してラビング強度を異ならせる必要がない。したがって、第１配向膜と第２配向膜とで配向規制力を異ならせるとともに、段差が不要であるので第１配向膜の表面と第２配向膜の表面との液晶層側における段差高さを０．１μｍ以下にすることができる。これにより、液晶層の配向性が段差により歪むことが防止され、高品質な画像が得られる液晶装置となる。
【００１７】
本発明の液晶装置の製造方法は、複数の有効画素領域と前記複数の有効画素領域の間に配置された非有効画素領域とを有する液晶装置の製造方法であって、前記複数の有効画素領域の各々に配置された第１電極を有する第１基板を形成する工程と、第２電極を有する第２基板を形成する工程と、前記第１電極と前記第２電極を内側にして前記第１基板と前記第２基板とを対向配置するとともに、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する工程と、を有し、前記第１基板を形成する工程は、前記複数の有効画素領域の各々において前記第１電極を覆う第１材料膜を形成するとともに、前記非有効画素領域において前記第１材料膜の間に前記第１材料膜と表面硬さが異なる第２材料膜を形成する材料膜形成処理と、前記第１材料膜と前記第２材料膜とに一括してラビング処理して、前記第１材料膜に前記液晶層の液晶分子を配向させる配向規制力を付与して第１配向膜を形成するとともに、前記第２材料膜に前記第１配向膜と異なる配向規制力を付与して第２配向膜を形成する配向処理と、を含んでいることを特徴とする。
【００１８】
第１基板を形成する工程において、材料膜形成工程で互いの表面硬さが異なる第１材料膜と第２材料膜とを形成しているので、配向処理で第１材料膜と第２材料膜とに一括してラビング処理すると、配向規制力が互いに異なる第１配向膜と第２配向膜とを一括して形成することができる。第１配向膜と第２配向膜とで配向規制力を異ならせることにより、有効画素領域と非有効画素領域とで液晶層の液晶分子の配向方向が異なるようになり、前記のように高品質な画像が得られる液晶装置となる。このように、本発明によれば、良好な液晶装置を効率よく製造することが可能になる。
【００１９】
本発明の電子機器は、前記の本発明の液晶装置で構成された光変調手段を備えていることを特徴とする。
本発明の液晶装置は高品質な画像が得られるとともに低コストになっているので、これを備えていることにより、本発明の電子機器も良好なものになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態は、プロジェクタ等に用いられる液晶ライトバルブに本発明を適用した例である。プロジェクタの一例としては、照明装置、照明装置から射出された照明光を変調する液晶ライトバルブ、変調された光を拡大投射する投射手段等を備えたものが挙げられる。プロジェクタは、拡大投射によって投射画像を得るものであるから、直視型の画像表示装置に比べて照明光の光強度が格段に強くなっている。一般にプロジェクタは、有機材料からなるカラーフィルタを用いることなくフルカラー画像が得られる構成になっている。カラーフィルタは照明光の一部を吸収することによりこれを通る光を着色するが、有機材料は光吸収や熱により化学的に不安定になりやすいためである。例えば、３種（赤・緑・青）の色光を互いに独立して供給する照明装置と、３種の色光の各々に対応して設けられた液晶ライトバルブと、３つの液晶ライトバルブから射出された３種の色光を合成する色合成手段等を備えている。３つの液晶ライトバルブはいずれも同様の構成となっており、ここではその１つの構成を説明する。
【００２２】
図１（ａ）は、第１実施形態の液晶装置１の画素を拡大して示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態の液晶装置１は、行列状に配置された複数の画素（有効画素領域）Ｐを有しており、複数の画素Ｐの間が非有効画素領域Ｄになっている。本実施形態では、複数の画素Ｐの各々が略長方形状になっている。
【００２３】
以下、図１（ａ）に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、これに基づいて部材の位置関係を説明する。このＸＹＺ直交座標系においてＸ方向及びＹ方向は、画素Ｐが配置された面に沿っており、画素Ｐの短辺方向をＸ方向、長辺方向をＹ方向としている。また、画素Ｐの配置面と直交する方向をＺ方向としている。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、液晶装置１は、画素電極（第１電極）１１を有する素子基板（第１基板）１０、素子基板１０と対向配置され共通電極（第２電極）２１を有する対向基板２０、及びこれら基板間に挟持された液晶層３０を備えている。
【００２５】
素子基板１０は、例えばアクティブマトリクス型のものであり、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板１０Ａを基体としている。透明基板１０Ａの液晶層３０側（Ｚ正方向側）には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子、データ線や走査線等の各種配線等を有する素子形成層１３が設けられている。データ線は画像信号を供給するデータ線駆動回路と電気的に接続されており、走査線は走査信号を供給する走査線駆動回路と電気的に接続されている。スイッチング素子や各種配線を覆って絶縁膜が設けられている。絶縁膜の液晶層３０側には画素Ｐごとに島状の画素電極１１が形成されており、画素電極１１の各々はスイッチング素子と電気的に接続されている。スイッチング素子は、走査信号に基づいて画像信号をスイッチングし、これを画素電極１１に所定のタイミングで供給するようになっている。
【００２６】
これらスイッチング素子や各種配線と重なる部分の素子形成層１３に遮光部１３ｄが形成されている。Ｚ方向において遮光部１３ｄと重なる領域が非有効画素領域Ｄとなっており、非有効画素領域Ｄは遮光部１３ｄにより規定されている。遮光部１３の非形成領域が画素Ｐになっており、照明光が画素Ｐを通るようになっている。ここでは、画素電極１１が画素Ｐからその周辺の非有効画素領域Ｄに張出して形成されている。透明基板１０Ａにおける液晶層３０と反対側（Ｚ負方向側）には、偏光板１２が設けられている。
【００２７】
画素Ｐにおける画素電極１１の液晶層３０側には第１配向膜１４が設けられており、ここでは画素Ｐと第１配向膜１４の形成領域とがほぼ一致している。非有効画素領域Ｄにおける第１配向膜１４の間、すなわち画素電極１１間の透明基板１０Ａと画素電極１１の周縁とを覆って第２配向膜１５が設けられている。なお、少なくとも画素Ｐの全体と重なるように第１配向膜１４が配置されていればよく、画素Ｐから画素Ｐ周辺の非有効画素領域Ｄに張出して第１配向膜１４が設けられていてもよい。
【００２８】
第１配向膜１４の形成材料としては、ポリイミド垂直配向材（例えば、日産化学工業製ＲＮ１７１９）、シリカゾルゲルやアルミナゾルゲルからなる酸化物ゾルゲル垂直配向材、長鎖アルキルシランカップリング剤等が挙げられる。長鎖アルキルシランカップリング剤としては、炭素数が６〜２０程度のアルキル基を有するもの、例えばオクタデシルトリエトキシシランやヘキシルジメチルエトキシシラン等が挙げられる。酸化物ゾルゲル垂直配向材や長鎖アルキルシランカップリング剤等の無機成分を含んだ第１配向膜を採用すれば、ここを通る光による光分解や光の吸収による熱分解等に対する化学的安定性が高くなる。第２配向膜１５の形成材料としては、公知の水平配向材を用いることができ、その一例としてはポリイミド水平配向材（例えば、日産化学工業製ＳＥ３１４０）が挙げられる。
【００２９】
本発明において第１配向膜１４及び第２配向膜１５は、各々の表面硬さが互いに異なる状態に形成された後、一括してラビング処理されて形成されている。本実施形態では、前記のような材料選択によって、形成材料を焼成した後の第１配向膜１４の表面硬さを第２配向膜１５よりも高くしており、形成後においても第１配向膜１４の表面硬さは第２配向膜１５よりも高くなっている。これにより第１配向膜１４と第２配向膜１５とで、液晶層３０の液晶分子を配向させる配向規制力が異なっている。配向規制力が異なって形成されるメカニズムについては、［第４実施形態］で説明する。ここでは、表面硬さの定義としてヤング率、剛性率等の弾性率を用いている。一般に、弾性率が高いものは硬度も高いので、弾性率の代わりにビッカーズ硬さ、ブリネル硬さ、ロックウェル硬さ等の硬度を硬さ定義に用いてもよい。各種定義のうちのいずれか１つに基づいて、第１配向膜１４と第２配向膜１５との相対的な表面硬さを評価すればよい。
【００３０】
本実施形態の液晶層３０は、誘電異方性が負の液晶材料からなっている。第１配向膜１４は、これとＺ正方向に重なる部分の液晶層３０において液晶分子を垂直配向させる配向規制力を有している。第２配向膜１５は、第１配向膜１４よりも液晶分子を水平配向させる配向規制力が強くなっている。本発明において、垂直配向とは液晶分子の極方向が透明基板１０Ａの法線方向（Ｚ方向）となす角度であるプレチルト角が４５°未満である配向状態を意味する。また、本発明はマルチドメインの液晶装置に関するものであり、水平配向とは、垂直配向の液晶層側よりもプレチルト角が大きい配向状態を意味する。ここでは、画素Ｐにおける液晶分子のプレチルト角を０〜３°程度にしており、非有効画素領域Ｄにおける液晶分子のプレチルト角を画素Ｐ側よりも大きくしている。
【００３１】
対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板２０Ａを基体としている。透明基板２０Ａの液晶層３０側（Ｚ負方向側）にはベタ状の共通電極２１が設けられており、その液晶層３０側には第３配向膜２２が設けられている。本実施形態の第３配向膜２２は、画素Ｐと非有効画素領域Ｄとにわたってベタ状に形成されており、画素Ｐと非有効画素領域Ｄとで配向規制力が同様になっている。透明基板２０Ａにおける液晶層３０と反対側（Ｚ正方向側）には、偏光板２３が設けられている。ここでは、偏光板１２と偏光板２３とで、各々の光学軸が直交するようになっている。
【００３２】
以上のような液晶装置１に、画素電極１１に画像信号が供給されていない状態でＺ方向の一方（例えば、Ｚ負方向）から照明光が供給されると、非有効画素領域Ｄでは照明光が遮光部１３ｄによって遮られる。また、画素Ｐに入射した照明光のうち偏光板１２の光学軸に直交する偏光が偏光板１２に吸収され、光学軸に沿った偏光が偏光板１２を通って液晶層３０に入射する。画素Ｐの液晶層３０で液晶分子が垂直配向しているので、ここに入射した光はその偏光状態がほとんど変化することなく対向基板２０に入射する。対向基板２０に入射した光は、偏光板２３の光学軸が偏光板１２と略直交しているので、そのほとんどが偏光板２３に吸収される。このようにして、高品質な黒表示が得られるようになっている。
【００３３】
また、画素電極１１に画像信号が供給された状態で照明光が供給されると、画素Ｐでは偏光板１２の光学軸に沿った偏光が液晶層３０に入射する。画素電極１１と共通電極２１との間には画像信号に応じた電界が印加されており、この電界に応じて画素Ｐにおける液晶分子の方位角が変化する。液晶分子の方位角が変化する向き（液晶分子が倒れる方向）は、非有効画素領域Ｄの液晶分子が水平配向しているので、この配向性により規制される。これにより、液晶分子が倒れる方向にばらつきを生じることによるディスクリネーションの発生が防止され、ディスクリネーションによるコントラスト低下が防止される。画素Ｐにおける液晶層３０に入射した光は、液晶分子の方位角に応じて偏光状態が変化して対向基板２０に入射する。対向基板２０に入射した光は、その偏光状態の変化に応じて偏光板２３の光学軸に直交する偏光が吸収され、対向基板２０から射出される。このように、画像信号に応じた階調の光が得られるようになっている。
【００３４】
なお、第１実施形態では、偏光板１２と偏光板２３とで光学軸が直交した構成を採用したが、これらの光学軸が互いに平行となる構成としてもよい。この場合には、画像信号が供給されていない状態で、液晶装置に供給された光がほとんど吸収されずに射出されるため、高品質な白表示が得られるようになる。
また、対向基板２０の第３配向膜２２が、素子基板１０側と同様に画素Ｐにおいて非有効画素領域Ｄよりも液晶分子を水平配向させる配向規制力が弱くなっている構成としてもよいし、第３配向膜を省いた構成を採用することもできる。非有効画素領域Ｄにおける対向基板２０側に遮光部１３ｄと同様の遮光部材を配置してもよい。
【００３５】
［第２実施形態］
次に、第１実施形態と異なる構成の液晶装置を説明する。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、直視型のフルカラー液晶表示装置に本発明を適用した点である。
【００３６】
図２（ａ）は、第２実施形態の液晶装置２の画素を拡大して示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図２（ａ）に示すように、液晶装置２は、行列状に配置された複数のサブ画素（有効画素領域）Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂを有しており、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの間が非有効画素領域Ｄになっている。
【００３７】
本実施形態の対向基板２０には、透明基板２０Ａと共通電極２１との間にカラーフィルタ層２４が設けられている。カラーフィルタ層２４には、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの各々に対応した色材部２４ｒ、２４ｇ、２４ｂが設けられている。色材部２４ｒ、２４ｇ、２４ｂの間に遮光部２４ｄが設けられており、遮光部２４ｄとＺ方向に重なる領域が非有効画素領域Ｄになっている。すなわち、非有効画素領域Ｄは遮光部２４ｄによって規定されている。なお、本実施形態の素子基板１０には遮光部が設けられていないが、第１実施形態と同様に遮光部が設けられていてもよい。
【００３８】
本実施形態の色材部２４ｒ、２４ｇ、２４ｂは、それぞれ赤色光、緑色光、青色光に対応している。例えば、色材部２４ｒを通る光は、その赤色光以外の波長帯域光が色材部２４ｒに吸収され、サブ画素Ｐｒから赤色光が射出される。このようにして、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂからそれぞれ赤色光、緑色光、青色光が射出され、これらが混ざり合って視認されることでフルカラーの１画素が構成される。第２実施形態の液晶装置２にあっても、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの各々における液晶層３０にディスクリネーションを生じることが防止され、高品質な画像が得られるようになっている
【００３９】
［第３実施形態］
次に、第１、第２実施形態と異なる構成の液晶装置を説明する。第３実施形態が第１、第２実施形態と異なる点は、ＯＣＢモードのフルカラー液晶表示装置に本発明を適用した点である。
【００４０】
図３（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態の液晶装置３の構成を示す要部断面図である。液晶装置３は、第２実施形態と画素の構成が同様になっており、図３（ａ）、（ｂ）には、図２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図に対応する部分を示している。図３（ａ）には液晶装置３の電源投入時の状態を示しており、図３（ｂ）には液晶装置３の表示動作時の状態を示している。
【００４１】
本実施形態でも第１、第２実施形態と同様に、第１配向膜１４及び第２配向膜１５は、各々の表面硬さが互いに異なる状態に形成された後、一括してラビング処理されて形成されている。本実施形態では、第１配向膜１４の表面硬さが第２配向膜１５よりも低くなっており、ラビング処理により付与された配向規制力、すなわち液晶分子を水平配向させる配向規制力が第１配向膜１４において第２配向膜１５よりも強くなっている。
【００４２】
第１配向膜１４は、例えばポリイミド水平配向材からなり、画素Ｐの液晶層３０において液晶分子を水平配向させる配向規制力を有している。また、第１配向膜１４と対向基板２０の第３配向膜２２とは、いずれも同じ方向（ここではＸ正方向）に向かってラビング処理されている。これにより、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの各々において液晶分子は、Ｘ正方向側に向かって扇状に開いたスプレイ配向になっている。第２配向膜１５は、例えばポリイミド垂直配向材からなり、第１配向膜１４よりも液晶分子を水平配向させる配向規制力が弱くなっている。これにより、非有効画素領域Ｄでは、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂよりも液晶分子の配向状態が垂直配向に近くなっている。
【００４３】
図３（ｂ）に示すように、液晶装置３の表示動作時には、液晶分子が基板間で弓なりに曲がって配向（ベンド配向）するようになっている。ベンド配向は、その曲がり度合いが画素電極１１と共通電極２１との間の電界に応じて変化する。これにより、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの各々における液晶層３０を通る光の偏光状態が画像信号に応じて変化し、画像信号に応じた階調の光が液晶装置３から射出されるようになっている。
【００４４】
このようなＯＣＢモードの液晶装置３に表示動作を行わせるためには、電源投入後に液晶層３０で液晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向に初期転移する必要がある。通常はこの初期転移において、ディスクリネーション等を核としてスプレイ配向から垂直配向に転移させ、さらに垂直配向からベント配向に転移させている。液晶装置３においては、非有効画素領域Ｄの液晶分子が、垂直配向あるいは画素Ｐよりも垂直配向に近い状態に配向しているので、サブ画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂにおける液晶分子のスプレイ配向から垂直配向への転移が促進され、良好に初期転移を行うことが可能になる。
【００４５】
［第４実施形態］
次に、第１実施形態の液晶装置１の構成に基づいて、本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態を説明する。本発明の液晶装置の製造方法は、素子基板（第１基板）１０を形成する工程と、対向基板（第２基板）２０を形成する工程と、素子基板１０と対向基板２０とを貼合せるとともにこれら基板間に液晶層３０を封止する工程とを有している。対向基板２０を形成する工程と、液晶層３０を封止する工程とは、公知の形成材料や公知の形成方法を用いることができる。以下、素子基板１０の形成する工程を中心に説明を行う。
【００４６】
図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｄ）は、第４実施形態の液晶装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。
まず、図４（ａ）に示すように、透明基板１０Ａ上に遮光部１３ｄを有する素子形成層１３を形成し、素子形成層１３上に島状の画素電極１１を形成する。具体的には、ガラスや石英、プラスチック等の透光性を有する透明基板１０Ａに、図示略の走査線、データ線等の各種配線やスイッチング素子等を形成する。こららは、適宜層間絶縁膜等を介して配置し、各種配線やスイッチング素子と重なる部分に遮光部１３ｄを形成しておく。そして、スイッチング素子と電気的に接続された島状の画素電極１１を形成する。画素電極１１は、画素Ｐとなる領域からその周辺に張出して形成する。以下、後に画素Ｐになる領域を単に画素Ｐと称し、後に非有効画素領域Ｄとなる領域を単に非有効画素領域Ｄと称する場合がある。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、透明基板１０Ａと画素電極１１とを覆って第１材料膜１４ａを形成する。第１材料膜１４ａは後に第１配向膜１４となる膜であり、形成材料の選択により第１材料膜１４ａと後述する第２材料膜１５ａとで表面硬さを異ならせる。本実施形態では、第１材料膜１４ａの表面硬さが、第２材料膜１５ａよりも高くなるようにする。ここでは、ポリイミド垂直配向材（例えば、日産化学工業製ＲＮ１７１９）を形成材料とし、これを塗布法で透明基板１０Ａ上と画素電極１１上とにベタ状に成膜する。そして、この膜を焼成して後述するポジ型フォトレジストに対して不溶な第１材料膜１４ａを形成する。
【００４８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、画素Ｐにおける第１材料膜１４ａを覆ってレジストパターンＲを形成する。ここでは、第１材料膜１４ａを覆ってポジ型フォトレジスト（例えば、住友化学株式会社製ＰＦＭ１２）をベタ状に成膜し、このフォトレジスト膜を１５０℃以下の基板温度で焼成する。そして、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３６５ｎｍ）を遮光する遮光部を有したフォトマスクを、その遮光部の全体が画素Ｐの全体に重なるように配置する。そして、フォトマスクを介してフォトレジスト膜にｇ線やｉ線を照射してこの膜を露光し、アルカリ現像液等を用いてこの膜を現像することにより、レジストパターンＲが得られる。
【００４９】
なお、前記の基板温度の設定は、以下のような理由に基づいている。本発明者は、後に行うプロセスでレジストパターンＲを第１材料膜１４ａから良好に剥離することが可能な条件について調査した。その結果、一般にフォトレジストには下地（ここでは第１材料膜１４ａ）との密着性を高めるカップリング剤等の成分が含まれており、基板温度を１５０℃以下にすればこの成分の化学反応が抑制されることが分かった。基板温度を調整することによりレジストパターンＲと第１材料膜１４ａとの密着性を制御することができ、特に基板温度を１５０℃以下にすれば第１材料膜１４ａに表面荒れを生じることなくレジストパターンＲを剥離することができる。
【００５０】
次いで、図４（ｄ）に示すように、レジストパターンＲをマスクとし、エッチング等により非有効画素領域Ｄの第１材料膜１４ａを除去してこれをパターニングする。エッチングにはドライエッチング法、ウエットエッチング法のいずれを用いてもよい。例えば、酸素プラズマによるアッシングをドライエッチング法として用いれば、パターニングが容易になる。
【００５１】
次いで、図５（ａ）に示すようにレジストパターンＲを除去する。１５０℃以下の基板温度で焼成してレジストパターンＲを形成しているので、レジストパターンＲを良好に剥離し除去することができる。なお、レジストパターンＲを除去せずに次の処理を行うこともでき、この手法については［第５実施形態］で説明する。
【００５２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、画素電極１１及び第１材料膜１４ａを隔壁として、非有効画素領域Ｄにおける透明基板１０Ａ上に、液滴吐出ヘッド２００を用いて第２材料膜１５ａの液状の形成材料を配置する。第２材料膜１５ａは、後に第２配向膜１５となる膜であり、ここでは液状の形成材料としてポリイミド垂直配向材を含んだ溶液を用いる。
【００５３】
次いで、図５（ｃ）に示すように、配置された液状体を乾燥・焼成等により固形状にして第２材料膜１５ａを形成する。ここでは、配置する液状体の体積、すなわち液滴吐出ヘッド２００からの吐出量を調整することにより第２材料膜１５ａの膜厚を制御し、第２材料膜１５ａの上面と第１材料膜１４ａと上面の段差高さを０．１μｍ以下にする。
【００５４】
次いで、図５（ｄ）に示すように第１材料膜１４ａと第２材料膜１５ａとに一括してラビング処理する。具体的には、第１材料膜１４ａ及び第２材料膜１５ａが形成された透明基板１０Ａを処理ステージに着脱可能に固定する。そして、表面にラビング布を配置したラビング用ローラ３００を第１材料膜１４ａの表面や第２材料膜１５ａの表面に接触させる。そして、接触した状態からさらにラビング用ローラ３００を処理ステージ側に所定の
高さ（押し込み量）だけ押し込むことにより、ラビング用ローラ３００で第１材料膜１４ａや第２材料膜１５ａを押圧する。そして、処理ステージをラビング用ローラ３００に対して所定の相対速度で移動させるとともに、ラビング用ローラ３００を所定の回転数で回転させる。前記の押し込み量、相対速度、回転数によりラビング強度が規定され、ラビング強度に応じて液晶分子を水平配向させる配向規制力が第１材料膜１４ａ、第２材料膜１５ａのそれぞれに付与される。
【００５５】
配向膜に配向規制力が付与されるメカニズムとしては、以下のようなことが考えられている。ラビング布の繊維によって配向膜表面にラビング強度に応じたずり応力がかかり、この応力と配向膜の表面硬さに応じて配向膜表層がラビング方向に延伸される。この繊維が他の位置に移動すると、延伸された配向膜表層は変形緩和していくが完全に元の状態に回復せず、ラビング方向に沿ったひずみが残留する。この残留ひずみによって配向膜に電気的な偏りや表面形状の偏りが生じ、この偏りによって液晶分子が配向するようになる。配向膜の表面硬さを高くすれば、ずり応力による変形量が小さくなるので配向規制力が弱くなる。
【００５６】
ラビング強度としては、以下のような方法により定めればよい。
１つの方法は、第１配向膜１４に所望の配向規制力を付与するラビング強度とする方法である。第１材料膜１４ａの表面硬さが第２材料膜１５ａよりも高い場合には、第２材料膜１５ａに対してラビング強度が過剰になり、ここにキズやスジ等を生じることがある。しかしながら、第２配向膜１５は非有効画素領域Ｄに設けられるので、キズ等が視認されないので画像の品質が低下することがない。また、第２配向膜１５にキズ等を生じていてもその配向規制力はほとんど低下しないので、液晶分子を水平配向させる配向規制力を有する第２配向膜１５となり、画素Ｐの液晶分子の配向方向を規制する機能が損なわれることもない。
【００５７】
もう１つの方法は、第２配向膜１５に所望の配向規制力を付与するラビング強度とする方法である。画素Ｐの液晶分子を透明基板１０Ａ、２０Ａに対して垂直配向させる場合には、液晶分子のプレチルト角を小さくする側に大きなマージンがある。すなわち、プレチルト角が０°より大きくなっていれば液晶分子の倒れる方向が揃いやすくなる効果が得られるため、第１配向膜１４において液晶分子を水平配向させる配向規制力を強くする必要がない。そのため、第２材料膜１５ａに適したラビング強度でラビング処理すれば第１材料膜１４ａに多少なりとも配向規制力を付与することができ、第１配向膜１４と第２配向膜１５とがともに良好に機能する程度に配向規制力が付与される。
【００５８】
このようしてラビング処理することにより、良好な第１配向膜１４及び第２配向膜１５が得られる。そして、透明基板１０Ａにおいて画素電極１１と反対側に、図１（ｂ）に示した偏光板１２を形成すること等により、素子基板１０が得られる。また、素子基板１０と独立してあるいは一部のプロセスを共通させて対向基板２０を形成する。そして、素子基板１０と対向基板２０とを、画素電極１１側と共通電極２１側とを内側にして対向配置し、これら基板間に液晶層３０を封止すること等により液晶装置１が得られる。
【００５９】
以上のような本発明の液晶装置の製造方法にあっては、表面硬さが互いに異なる第１材料膜１４ａと第２材料膜１５ａとを形成した後に、第１材料膜１４ａと第２材料膜１５ａとに一括してラビング処理しているので、配向規制力が互いに異なる第１配向膜１４と第２配向膜１５とを効率よく形成することができる。ラビング条件を異ならせて複数回数のラビング処理を行う必要がないので、良好な液晶装置を低コストで製造することが可能になる。
【００６０】
これにより得られた本発明の液晶装置にあっては、第１配向膜１４と第２配向膜１５とで配向規制力が異なるので、画素Ｐと非有効画素領域Ｄとで液晶層３０の液晶分子が異なる配向状態となる。したがって、非有効画素領域Ｄの液晶分子の配向性により画素Ｐの液晶分子の配向性を制御することが可能になり、高品質な画像が得られる液晶装置となる。また、効率よく製造することが可能になっているので、低コスト化が可能な液晶装置となる。
【００６１】
なお、第１実施形態の液晶装置１に基づいて説明したが、同様にして第２実施形態の液晶装置２を製造することもできる。また、第１配向膜の形成材料として前記の水平配向材を用いるとともに、第２配向膜材料として前記の垂直配向材を用いることにより、第３実施形態の液晶装置３を製造することもできる。
また、第４実施形態では、レジストパターンＲをマスクにして第１材料膜１４ａをパターニングしたが、光感光性の樹脂、例えば紫外線感光型のポジ型ポリイミド樹脂等を成膜して第１材料膜１４ａとし、これを露光・現像によりパターニングしてもよい。露光・現像によりパターニングすれば、プロセスが簡略化される。一方、第４実施形態のようにレジストパターンＲを用いてパターニングすれば、第１配向膜１４の位置精度が高くなり、これに伴って第２配向膜１５の位置精度も高くなる。
【００６２】
［第５実施形態］
次に、前記第４実施形態と異なる態様の液晶装置の製造方法を説明する。本実施形態が第４実施形態と異なる点は、第１材料膜よりも第２材料膜を先に形成する点と、レジストパターンを隔壁に用いて、液状の形成材料を配置する点である。
【００６３】
図６（ａ）〜（ｄ）は、第５実施形態の液晶装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。
まず、図６（ａ）に示すように、透明基板１０Ａ上に遮光部１３ｄを有する素子形成層１３や画素電極１１を形成し、透明基板１０Ａと画素電極１１とを覆ってベタ状の第２材料膜１５ａを形成した後、非有効画素領域Ｄにおける第２材料膜１５ａ上にレジストパターンＲを形成する。これらは、第４実施形態と同様の形成方法や形成材料を用いて形成することができる。
【００６４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、レジストパターンＲをマスクにして画素Ｐの第２材料膜１５ａを除去しこれをパターニングする。本実施形態では、パターニング後にレジストパターンＲを第２材料膜１５ａから剥離せずに保持しておく。
次いで、図６（ｃ）に示すように、画素電極１１上面とレジストパターンＲとの段差部分を隔壁にして、画素Ｐにおける画素電極１１上に第１材料膜１４ａの液状の形成材料を液滴吐出ヘッド２００により配置する。レジストパターンＲの膜厚だけ隔壁内側の容積が大きくなるので、ここに配置する液状の形成材料の量を調整することが容易になり、第１材料膜１４ａの膜厚制御が容易になる。また、隔壁の内側から液状の形成材料が溢れにくくなるので、液状の形成材料を配置する位置精度が高くなる。
【００６５】
そして、配置された液状体を乾燥・焼成することにより第１材料膜１４ａを形成する。１５０℃以下の基板温度で焼成することにより、第２材料膜１５ａとレジストパターンＲとの化学反応を抑制することができる。そして、第４実施形態と同様にして第２材料膜１５ａからレジストパターンＲを剥離し、適宜リンス処理等を行う。１５０℃以下の基板温度で焼成して第１材料膜１４ａを形成しているので、レジストパターンＲを良好に剥離することができる。また、非加熱で乾燥させた場合に比べて、第１材料膜１４ａと下地（ここでは画素電極１１）との密着性が強くなり、リンス処理等により第１材料膜１４ａが剥離することが防止される。
【００６６】
次いで、図６（ｄ）に示すように、前記第４実施形態と同様に第１材料膜１４ａと第２材料膜１５ａとを一括してラビング処理し第１配向膜１４及び第２配向膜１５を形成した後、後の工程を行うことにより液晶装置１が得られる。なお、本実施形態も第１実施形態の液晶装置１に基づいて説明したが、第４実施形態と同様に第２実施形態や第３実施形態に適用することも可能である。
【００６７】
［第６実施形態］
次いで、第４、第５実施形態と異なる態様の液晶装置の製造方法を説明する。本実施形態が第４実施形態と異なる点は、第１材料膜よりも第２材料膜を先に形成した後に、ＣＶＤ法で第１材料膜を形成する点である。
【００６８】
図７（ａ）〜（ｃ）は、第６実施形態の液晶装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。
まず、図７（ａ）に示すように第５実施形態と同様にして、透明基板１０Ａ上に素子形成層１３、画素電極１１、第２材料膜１５ａを形成する。そして、第２材料膜１５ａのパターニング後にレジストパターンＲを除去する。
【００６９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、画素Ｐにおける画素電極１１上にＣＶＤ法を用いて第１材料膜１４ａを形成する。具体的には、第１材料膜１４ａの形成材料４２０が入った容器４１０と、第２材料膜１５ａが形成された透明基板１０Ａとを密閉容器４００内に放置する。ここでは、第１材料膜１４ａの形成材料４２０として炭素数が６〜２０程度の長鎖アルキル基を有するシランカップリング剤を用いる。また、容器４１０を例えば１５０℃以上の温度で１時間程度加熱することによって、シランカップリング剤の蒸気を画素電極１１の表面に接触させる。シランカップリング剤は無機系の反応基を有しているので、有機材料からなる第２材料膜１５ａと結合せずに、無機材料からなる画素電極１１と選択的に結合する。
【００７０】
次いで、図７（ｃ）に示すように、前記第４実施形態と同様に第１材料膜１４ａと第２材料膜１５ａとを一括してラビング処理し第１配向膜１４及び第２配向膜１５を形成した後、後の工程を行うことにより液晶装置１が得られる。
なお、本実施形態も第１実施形態の液晶装置１に基づいて説明したが、第１配向膜の形成材料にシランカップリング剤を用いることにより、第２実施形態や第３実施形態に適用することも可能である。
【００７１】
［電子機器］
図８は、本発明の電子機器の一実施形態であるプロジェクタ５００の概略構成を示す模式図である。図８に示すように、プロジェクタ５００は、照明装置５１０、光変調手段（液晶ライトバルブ）５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂ、色合成手段（ダイクロイックプリズム）５６０、投射手段（投射レンズ）５７０等を備えている。
【００７２】
照明装置５１０は、高圧水銀ランプやメタルハライドランプ等の白色ランプ５１１と、白色ランプ５１１の光を反射させて前方に射出するリフレクタ５１２とから構成されている。照明装置５１０から射出された光は、フライアイレンズアレイ５２０、偏光変換素子５３０、色分離手段５４０を介して液晶ライトバルブ５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂに供給される。
【００７３】
フライアイレンズアレイ５２０は、照明装置５１０から射出された光の光強度の分布を均一化するものである。これにより、被照明領域である液晶ライトバルブ５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂにおいて照度分布が均一化される。
偏光変換素子５３０は、偏光ビームスプリッタアレイ、１／２波長板アレイ等からなり、照明光の光量を損なうことなく光源光の偏光方向を一方向に揃えるようになっている。
【００７４】
色分離手段５４０は、ダイクロイックミラー５４１ａ、５４１ｂ、反射ミラー５４２ａ〜５４２ｃ、平行化レンズ５４３ａ〜５４３ｅ等からなっている。ダイクロイックミラー５４１ａ、５４１ｂは、所定の波長帯域の色光が選択的に反射し、それ以外の波長帯域の色光が透過するようになっている。例えば、照明装置５１０から射出された照明光のうち、赤色光Ｌｒがダイクロイックミラー５４１ａを透過するとともに、緑色光Ｌｇ及び青色光Ｌｂがダイクロイックミラー５４１ａで反射する。また、ダイクロイックミラー５４１ａで反射した緑色光Ｌｇ及び青色光Ｌｂのうち、青色光Ｌｂがダイクロイックミラー５４１ｂを透過し、緑色光Ｌｇがダイクロイックミラー５４１ｂで反射する。
【００７５】
ダイクロイックミラー５４１ａを透過した赤色光Ｌｒは、反射ミラー５４２ａで反射し平行化レンズ５４３ａを経て赤色光用の液晶ライトバルブ５５０ｒに入射する。ダイクロイックミラー５４１ａで反射した緑色光Ｌｇは、平行化レンズ５４３ｂを経て緑色光用の液晶ライトバルブ５５０ｇに入射する。ダイクロイックミラー５４１ｂを透過した青色光Ｌｂは、平行化レンズ５４３ｃ、反射ミラー５４２ｂ、平行化レンズ５４３ｄ、反射ミラー５４２ｃ、平行化レンズ５４３ｅを経て青色光用の液晶ライトバルブ５５０ｂに入射する。
【００７６】
液晶ライトバルブ５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂは、いずれも本発明の液晶装置で構成されている。液晶ライトバルブ５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂの各々は、画像信号に基づいて光を変調して射出するようになっている。液晶ライトバルブ５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂで変調された赤色光Ｌｒ、緑色光Ｌｇ、青色光Ｌｂは、クロスダイクロイックプリズム５６０に入射するようになっている。
【００７７】
クロスダイクロイックプリズム５６０は、三角柱プリズムが貼り合わされた構造となっており、その内面に赤色光Ｌｒが反射し緑色光Ｌｇが透過するミラー面と、青色光Ｌｂが反射し緑色光Ｌｇが透過するミラー面とが互いに直交して形成されている。赤色光Ｌｒ、緑色光Ｌｇ、青色光Ｌｂは、これらのミラー面で選択的に反射あるいは透過して同じ側に射出される。これにより、３つの色光が重ね合わされて合成光となる。この合成光は投射レンズ５７０によってスクリーン５８０に拡大投射されるようになっている。
以上のようなプロジェクタ５００にあっては、光変調手段（液晶ライトバルブ）５５０ｒ、５５０ｇ、５５０ｂが本発明の液晶装置で構成されているので、高品質な投射画像が得られるとともに低コストなものになっている。
【００７８】
次に、本発明の液晶装置を光変調手段に用いた表示部を備えた電子機器の実施形態について説明する。
【００７９】
図９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話６００は表示部６１０を備えており、表示部６１０は本発明の液晶装置により構成されている。
図９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。情報処理装置７００は、キーボードなどの入力部７１０、表示部７２０、筐体７３０等を備えている。また、表示部７２０は、本発明の液晶装置により構成されている。
図９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。時計８００は表示部８１０を備えている。表示部８１０は、本発明の液晶装置により構成されている。
【００８０】
図９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器はいずれも、その表示部が本発明の液晶装置により構成されているので、良好な表示が可能でしかも低コストなものとなっている。
【００８１】
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】（ａ）は第１実施形態の画素平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】（ａ）は第２実施形態の画素平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態を示す要部断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、第４実施形態を概略して示す断面工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、図４（ｄ）から続く断面工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、第５実施形態を概略して示す断面工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第６実施形態を概略して示す断面工程図である。
【図８】電子機器の実施形態であるプロジェクタの概略構成を示す模式図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、他の電子機器の実施形態をそれぞれ示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
１、２、３・・・液晶装置、１０・・・素子基板（第１基板）、１１・・・画素電極（第１電極）、１４・・・第１配向膜、１４ａ・・・第１材料膜、１５・・・第２配向膜、１５ａ・・・第２材料膜、２０・・・対向基板（第２基板）、２１・・・共通電極（第２電極）、３０・・・液晶層、Ｐ・・・画素（有効画素領域）、Ｄ・・・非有効画素領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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