(57)【要約】【課題】半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することが可能な欠陥評価装置を提供する。【解決手段】欠陥評価装置１０１は、半導体デバイス２１が載置され、半導体デバイス２１を傾斜させるために回動可能なステージ６と、半導体デバイス２１を撮影する撮影部７と、半導体デバイス２１から発する光または半導体デバイス２１に発生する電流に基づいて、半導体デバイス２１の欠陥位置を検出する欠陥位置検出部５とを備え、撮影部７の光軸がステージ６の回動中心を通る。【選択図】図１
2009145114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスが載置され、前記半導体デバイスを傾斜させるために回動可能なステージと、
前記半導体デバイスを撮影する撮影部と、
前記半導体デバイスから発する光または前記半導体デバイスに発生する電流に基づいて、前記半導体デバイスの欠陥位置を検出する欠陥位置検出部とを備え、
前記撮影部の光軸が前記ステージの回動中心を通る欠陥評価装置。
【請求項２】
前記欠陥評価装置は、さらに、
第１のレーザ光を前記半導体デバイスに照射する光源と、
前記第１のレーザ光により前記半導体デバイスに発生した電流を検出する第１の電流検出部とを備える請求項１記載の欠陥評価装置。
【請求項３】
前記光源は、さらに、波長が所定範囲で変化する第２のレーザ光を前記検出された前記半導体デバイスの欠陥位置に照射し、
前記欠陥評価装置は、さらに、
前記第２のレーザ光により前記半導体デバイスに発生した電流を検出する第２の電流検出部と、
前記第２の電流検出部が検出した電流に基づいて前記欠陥位置における光励起準位を検出する光励起準位検出部とを備える請求項２記載の欠陥評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥評価装置に関し、特に、半導体デバイスの欠陥評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置を構成するＴＦＴ（Thin Film Transistor）として、チャネルの下側と上側にゲートが形成されたダブルゲートＴＦＴの製造方法の一例が、特許文献１に示されている。
【０００３】
図７は、特許文献１記載のダブルゲートＴＦＴの構造を示す断面図である。
図７を参照して、ダブルゲートＴＦＴ６１は、ガラス基板５０と、下側ゲート電極５１と、下側ゲート絶縁膜５２と、ポリシリコン層５３と、上側ゲート絶縁膜５４と、上側ゲート電極５５とを有する。ガラス基板５０と、下側ゲート電極５１と、下側ゲート絶縁膜５２と、ポリシリコン層５３と、上側ゲート絶縁膜５４と、上側ゲート電極５５とは、この順番に積層される。ダブルゲートＴＦＴ６１は、単位面積当たりの電流を大きくできるという特長を有する。
【０００４】
このようなダブルゲートＴＦＴの欠陥位置を特定する方法（欠陥評価方法）として、エミッション解析法、ＯＢＩＣ（Optical  Beam  Induced  Current）解析法、およびＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ（Infra  Red-Optical  Beam  Induced  Resistance  Change）解析法等が挙げられる。
【０００５】
エミッション解析法は、キャリア再結合によりＴＦＴ等の半導体素子が発する光を検出する方法であり、ＴＦＴのゲート絶縁膜のリーク位置を特定することができる。
【０００６】
ＯＢＩＣ解析法では、レーザ光（例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、波長６３３ｎｍ）等を、サンプルである半導体素子にスキャン照射する。そして、半導体素子の半導体層に吸収された光によってキャリアが励起され、その結果半導体素子の外部へ流れる電流を検出することにより像を描く方法である。
【０００７】
ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ解析法は、赤外線レーザを半導体素子にスキャン照射することにより、照射部分の温度を上げ、この温度上昇に伴う半導体素子における電流変動を検出することにより像を描く方法である。これは、配線の抵抗異常位置の特定に特に有効である。
【０００８】
ここで、例えば、特許文献２には、シリコンウエハ上に作製したＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）ダイオードについて、絶縁破壊の原因であるゲート酸化膜の欠陥評価をＯＢＩＣ解析法等によって非破壊で実施する技術が開示されている。これにより、ＭＯＳダイオードのゲート酸化膜のリーク位置を検出することができる。
【０００９】
また、特許文献３では、半導体集積回路の内部相互配線に電流を流した状態でレーザ光を照射し、内部相互配線に流れる電流の変化を検知することで内部相互配線の欠陥を検出する装置が開示されている。より詳細には、チップに照射するレーザ光によって電子−正孔対が励起しないようなレーザ光の波長範囲を選択することにより、半導体素子の温度上昇に伴う電流変化のみが検出されるようにする技術が開示されている。これにより、半導体集積回路を破壊することなく内部相互配線の欠陥を短時間で検出することができる。
【００１０】
図８は、ダブルゲートＴＦＴの構造の一例を示す断面図である。
図８を参照して、ダブルゲートＴＦＴ６２は、ダブルゲートＴＦＴ６１と比べて、ポリシリコン層５３としてｎ＋型のポリシリコン層５８を備える。
【００１１】
ダブルゲートＴＦＴ６２では、ポリシリコン層５８においてチャネル５６が形成される。そして、チャネル５６の端部と下側ゲート電極５１の端部および上側ゲート電極５５の端部とがダブルゲートＴＦＴ６２の積層方向において略同じ軸上に存在する。
【００１２】
ここで、ダブルゲートＴＦＴ６２の欠陥は、チャネル５６のうちの最も電界が高くなるドレイン近傍チャネル５７、すなわちチャネル５６の端部のうちのダブルゲートＴＦＴ６２のドレイン側における端部で発生する。ダブルゲートＴＦＴ６２では、ドレイン近傍チャネル５７は、上側ゲート電極５５の端部付近に存在することから、ドレイン近傍チャネル５７から発する光をダブルゲートＴＦＴ６２の外部から検出したり、ドレイン近傍チャネル５７にダブルゲートＴＦＴ６２の外部から光を照射したりすることができるため、上述のような欠陥評価方法を用いて欠陥位置を特定することができる。
【００１３】
図９は、ダブルゲートＴＦＴの構造の一例を示す断面図である。
図９を参照して、ダブルゲートＴＦＴ６３では、ｎ＋型のポリシリコン層５８の一部が、ダブルゲートＴＦＴ６３の積層方向において上側ゲート電極５５の下部に形成されている。これにより、高電圧動作時にドレイン近傍チャネル５７における電界上昇を抑制することができる。
【００１４】
ここで、ダブルゲートＴＦＴ６３では、チャネル５６の端部がダブルゲートＴＦＴ６３の積層方向において上側ゲート電極５５より内側に形成されているので、ダブルゲートＴＦＴ６３を真上から観察したり、真上から光を照射したりする通常の方法では、ダブルゲートＴＦＴ６３の真上からの光が上側ゲート電極５５に遮られるために欠陥位置を検出することができない。
【００１５】
このような問題点を解決するために、図９で示すように上側ゲート電極５５と下側ゲート電極５１の間からレーザ光ＬＡをチャネル５６の端部に照射する方法が考えられる。たとえば、特許文献４では、球形ユニバーサルジョイントを用いて検査対象を傾斜させるステージを備える構成が開示されている。
【特許文献１】特開昭６３−２４６８７４号公報
【特許文献２】特開２０００−８８７８２号公報
【特許文献３】特開平７−１６７９２４号公報
【特許文献４】実開平１−１０５８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献４記載の構成では、ステージを傾斜させると顕微鏡等の観察領域から検査対象が外れてしまうため、半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することが困難であるという問題点があった。
【００１７】
それゆえに、本発明の目的は、半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することが可能な欠陥評価装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる欠陥評価装置は、半導体デバイスが載置され、半導体デバイスを傾斜させるために回動可能なステージと、半導体デバイスを撮影する撮影部と、半導体デバイスから発する光または半導体デバイスに発生する電流に基づいて、半導体デバイスの欠陥位置を検出する欠陥位置検出部とを備え、撮影部の光軸がステージの回動中心を通る。
【００１９】
好ましくは、欠陥評価装置は、さらに、第１のレーザ光を半導体デバイスに照射する光源と、第１のレーザ光により半導体デバイスに発生した電流を検出する第１の電流検出部とを備える。
【００２０】
より好ましくは、光源は、さらに、波長が所定範囲で変化する第２のレーザ光を検出された半導体デバイスの欠陥位置に照射し、欠陥評価装置は、さらに、第２のレーザ光により半導体デバイスに発生した電流を検出する第２の電流検出部と、第２の電流検出部が検出した電流に基づいて欠陥位置における光励起準位を検出する光励起準位検出部とを備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体デバイスの欠陥位置を正確に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２３】
図１は、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置の構成を示す図である。
図１を参照して、欠陥評価装置１０１は、波長可変レーザ（光源）１と、ＸＹスキャン光学系２と、コントローラ３と、電流検出増幅器４と、信号処理システム（欠陥位置検出部および光励起準位検出部）５と、傾斜機構付ステージ６と、光学顕微鏡システム（撮影部）７と、ハーフミラー８と、レンズ９とを備える。光学顕微鏡システム７は、光源１７と、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ１８と、レンズ１９と、ハーフミラー２０とを含む。信号処理システム５は、モニタ２７を含む。
【００２４】
波長可変レーザ１としては、たとえば、半導体レーザおよびＨｅ−Ｎｅレーザ等を用いることができる。
【００２５】
波長可変レーザ１、コントローラ３および電流検出増幅器４は、信号処理システム５に電気的に接続されている。ＸＹスキャン光学系２は、コントローラ３に電気的に接続されている。
【００２６】
波長可変レーザ１、ＸＹスキャン光学系２、ハーフミラー８、レンズ９および傾斜機構付ステージ６が、欠陥評価装置１０１の上方から下方へとこの順番に設けられている。
【００２７】
光源１７は、照明用の光源であればどんなものでもよく、たとえばハロゲンランプである。
【００２８】
ハーフミラー２０は、光源１７からの光をレンズ１９へ屈折させ、かつハーフミラー８からの光をレンズ１９に反射させる。
【００２９】
レンズ１９は、ハーフミラー２０の下方に設けられている。ＣＣＤカメラ１８は、レンズ１９の下方に設けられており、信号処理システム５に電気的に接続されている。
【００３０】
波長可変レーザ１は、信号処理システム５から受けた制御信号に基づく波長のレーザ光をＸＹスキャン光学系２に照射する。
【００３１】
コントローラ３は、信号処理システム５から受けた制御信号に基づいて、ＸＹスキャン光学系２内部のスキャン用ミラーをＸＹ平面内で移動させる。これにより、傾斜機構付ステージ６に載置されたＴＦＴ基板２１の全面にレーザ光を照射することができ、さらに、ＴＦＴ基板２１の任意の一点において移動を止め、その一点にレーザ光を照射することもできる。
【００３２】
ＸＹスキャン光学系２に入射したレーザ光は、ＸＹスキャン光学系２内を通り、ＸＹスキャン光学系２の下方のハーフミラー８へ照射される。ハーフミラー８に入射したレーザ光は、ハーフミラー８を透過してハーフミラー８の下方のレンズ９へ入射する。レンズ９に入射したレーザ光は、ＴＦＴ基板２１の解析領域に照射される。ＴＦＴ基板２１において反射した光は、レンズ９へ照射される。
【００３３】
レンズ９に入射したＴＦＴ基板２１からの反射光は、レンズ９を通り、ハーフミラー８で屈折してハーフミラー８の側方のハーフミラー２０へ照射される。ハーフミラー２０に入射したＴＦＴ基板２１からの反射光は、ハーフミラー２０で反射されてハーフミラー２０の下方のレンズ１９を通り、ＣＣＤカメラ１８へ照射される。
【００３４】
ＣＣＤカメラ１８は、レンズ１９から受けた光に基づいて、ＴＦＴ基板２１の解析領域の像を示す画像信号を生成して信号処理システム５へ出力する。
【００３５】
信号処理システム５は、ＣＣＤカメラ１８から受けた画像信号に基づいて、ＴＦＴ基板２１の解析領域の像をモニタ２７に表示する。
【００３６】
傾斜機構付ステージ６は、その表面に複数個の吸着孔が設けられている。傾斜機構付ステージ６は、この吸着孔からの負圧によって、ＴＦＴ基板２１を傾斜機構付ステージ６上に強固に保持する。傾斜機構付ステージ６は、ＴＦＴ基板２１を傾斜させるために回動可能である。
【００３７】
電流検出増幅器４は、バイアス印加機能を有する。電流検出増幅器４は、ＴＦＴ基板２１におけるＴＦＴのドレイン２４からの電流を受けて増幅し、信号処理システム５へ出力する。
【００３８】
図２は、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置における傾斜機構付ステージおよびＴＦＴの構成を示す平面図である。
【００３９】
図３は、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置における傾斜機構付ステージの構成を示す断面図である。
【００４０】
図２および図３を参照して、傾斜機構付ステージ６は、サンプルステージ１０と、サンプルステージ保持治具１１と、マニピュレータ台１２と、マニピュレータ１３Ａ〜１３Ｃと、プローブ針１４Ａ〜１４Ｃと、サンプルステージ傾斜機構１５と、ステージベース１６と、同軸ケーブル２５Ａ〜２５Ｃと、中継コネクタ２６とを含む。
【００４１】
以下、マニピュレータ１３Ａ〜１３Ｃの各々をマニピュレータ１３と称する場合がある。また、プローブ針１４Ａ〜１４Ｃの各々をプローブ針１４と称する場合がある。
【００４２】
マニピュレータ１３は、マニピュレータ台１２に磁石によって固定されており、着脱可能である。マニピュレータ１３にはプローブ針１４が取付けられている。マニピュレータ１３は、ｘ方向、ｙ方向およびｚ方向の移動機構を含む。
【００４３】
マニピュレータ１３は、この移動機構を用いて、プローブ針１４の位置を変更する。マニピュレータ１３Ａ〜１３Ｃは、それぞれ対応するプローブ針１４Ａ〜１４Ｃの一端を保持する。マニピュレータ１３Ａ〜１３Ｃを用いて、ＴＦＴのソース２３、ドレイン２４およびゲート電極２２のコンタクト箇所にプローブ針１４Ａ〜１４Ｃの他端をそれぞれ接触させることができる。
【００４４】
プローブ針１４Ａ〜１４Ｃにはそれぞれ同軸ケーブル２５Ａ〜２５Ｃが接続されている。プローブ針１４Ａ〜１４Ｃは、同軸ケーブル２５Ａ〜２５Ｃと、マニピュレータ台１２の端に設けられた中継コネクタ２６とを介して、電流検出増幅器４に接続されている。
【００４５】
このように、中継コネクタ２６を設ける構成により、傾斜機構付ステージ６を傾斜させても同軸ケーブル２５Ａ〜２５Ｃが動くことを防ぐことができるため、プローブ針１４Ａ〜１４ＣとＴＦＴのソース２３、ドレイン２４およびゲート電極２２との接触状態を維持することができる。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置を用いた半導体デバイスの欠陥評価方法について説明する。
【００４７】
ここでは、ＴＦＴ基板２１におけるＴＦＴは、たとえば図９に示したようなダブルゲートＴＦＴ６３と同じ構造を有すると仮定して説明する。
【００４８】
まず、ＴＦＴ基板２１を傾斜機構付ステージ６上に載せ、真空吸着法で固定する、すなわち、傾斜機構付ステージ６の吸着孔からの負圧によりＴＦＴ基板２１を強固に保持する。より詳細には、ゲート電極２２のゲート幅方向すなわちソース２３、ゲート電極２２およびドレイン２４の配置方向が図２のＸ軸方向に対して略垂直になるように、ＴＦＴ基板２１をサンプルステージ１０のほぼ中央に載せる。
【００４９】
ここで、サンプルステージ１０は円形であり、サンプルステージ保持治具１１の上に載せられており、ＸＹ平面上を回転させることができる。
【００５０】
すなわち、光学顕微鏡システム７の光源１７から光を照射して、ＣＣＤカメラ１８により撮影されたＴＦＴ基板２１の画像を信号処理システム５のモニタ２７で観察しながら、サンプルステージ１０を回転させて、ゲート電極２２のゲート幅方向がＸ軸方向すなわち傾斜機構付ステージ６の傾斜軸（回転軸）θに沿うように正確に位置合わせを行なう。これにより、傾斜機構付ステージ６を傾斜させるに従って、光学顕微鏡システム７の撮影領域をＴＦＴのゲート電極２２上で移動させることができる。
【００５１】
次に、マニピュレータ１３Ａ〜１３Ｃにより、プローブ針１４Ａ〜１４Ｃを、それぞれ対応するソース２３、ゲート電極２２およびドレイン２４に接触させる。
【００５２】
次に、光学顕微鏡システム７の光源１７から光を照射して、ＣＣＤカメラ１８により撮影されたＴＦＴ基板２１の画像を信号処理システム５のモニタ２７で観察しながら、ＴＦＴ基板２１の評価開始位置に波長可変レーザ１からのレーザ光が照射されるように傾斜機構付ステージ６を移動させる。
【００５３】
次に、欠陥評価装置１０１がユーセントリック機能を有するように、すなわち光学顕微鏡システム７の光軸ＡＸが傾斜機構付ステージ６の回動中心Ａを通るようにレンズ９のＹ軸方向位置を調整する。
【００５４】
そして、サンプルステージ保持治具１１の位置をＹ軸方向において調整することにより、光学顕微鏡システム７の視野の中央にＴＦＴ基板２１を位置させる。すなわち、ＴＦＴ基板２１の領域のうち、傾斜機構付ステージ６の回動中心Ａ上の領域を光学顕微鏡システム７の撮影領域が含むようにする。
【００５５】
これにより、傾斜機構付ステージ６を傾斜させても光学顕微鏡システム７の視野の中央に常にＴＦＴ基板２１を位置させることができる。
【００５６】
次に、サンプルステージ傾斜機構１５により、サンプルステージ１０、サンプルステージ保持治具１１およびマニピュレータ台１２を傾斜させる。
【００５７】
次に、電流検出増幅器４により、ＴＦＴのゲート電極２２、ソース２３およびドレイン２４に電圧を印加する。たとえば、電流検出増幅器４からｎチャネルＴＦＴ基板に−６Ｖのゲート電圧、０Ｖのソース電圧および５Ｖのドレイン電圧を印加してＴＦＴをオフ状態とする。
【００５８】
次に、波長可変レーザ１からレーザ光を照射する。このとき、レーザ光の波長は、バンド間準位を介した光励起キャリアが発生する波長、たとえば、シリコンのバンドギャップ１．１２ｅＶより少しエネルギーの高い値を有する波長である１．０３μｍ（１．２ｅＶ）に設定する。このとき、レーザ光の光線直径は、μｍオーダーからサブμｍオーダーに絞っている。
【００５９】
次に、ＸＹスキャン光学系２により、レーザ光をＴＦＴ基板２１の略全面にスキャン照射し、ＣＣＤカメラ１８を用いてＴＦＴ基板２１の反射像を撮影する。ＸＹスキャン光学系２から出射されたレーザ光の一部は下側ゲート電極５１と上側ゲート電極５５の間からチャネル５６の端部へ入射する。
【００６０】
図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置からダブルゲートＴＦＴに照射されるレーザ光の経路を示す図である。
【００６１】
図４（ａ）を参照して、ＴＦＴの上側ゲート絶縁膜５４が厚い場合には、ドレイン近傍チャネル５７に直接レーザ光ＬＡが照射される。
【００６２】
図４（ｂ）を参照して、ＴＦＴの上側ゲート絶縁膜５４が薄い場合には、ＸＹスキャン光学系２から出射されたレーザ光ＬＡが下側ゲート電極５１で反射され、この反射光がドレイン近傍チャネル５７に照射される。
【００６３】
次に、レーザ光をスキャン照射しながら、ＴＦＴ基板２１に発生する電流を、ドレイン２４に接続されたプローブ針１４Ａを介して電流検出増幅器４で検出する。電流検出増幅器４は、検出した電流を増幅して信号処理システム５へ出力する。
【００６４】
次に、信号処理システム５は、ＸＹスキャン光学系２を操作するためにコントローラ３へ出力する制御信号と、電流検出増幅器４から受けた電流とを同期させることにより、ＴＦＴ基板２１で発生した電流の変動を示す像をモニタ２７に描く。この電流変動の像を観察することにより、ＴＦＴ基板２１のどの箇所で電流が変動したかが分かる。
【００６５】
すなわち、ドレイン近傍チャネル５７の高電界領域でＯＢＩＣ信号が発生し、ＴＦＴ基板２１における電流の変動が検出される。このとき、欠陥に起因した準位が多く存在する箇所では、より多くの光励起キャリアが発生し、電流変動が大きくなる。したがって、ＴＦＴ基板２１の各箇所における電流の変動値を検討することにより、ＴＦＴ基板２１の欠陥位置、正確には傾斜軸θ方向におけるＴＦＴ基板２１の線状の欠陥位置を特定することができる。
【００６６】
次に、特定したＴＦＴ基板２１の欠陥位置の光励起準位を得る方法について説明する。
まず、コントローラ３によってＸＹスキャン光学系２を固定することにより、特定した欠陥領域の一点に、波長可変レーザ１からのレーザ光の照射位置を固定する。
【００６７】
次に、波長可変レーザ１からのレーザ光の波長をたとえば４μｍ〜０．２μｍまで変化させる。このとき、準位間遷移に対応する波長で電流が変化し、この変化により準位のエネルギーを確認することができる。
【００６８】
図５は、ＳｉとＳｉＯ２の界面準位間エネルギーを示す図である。
図５を参照して、ポリシリコンＴＦＴの場合、光励起準位は、ＳｉとＳｉＯ２の界面準位、ポリシリコン層中の欠陥準位、あるいは不純物準位等が考えられる。例えば、ＳｉとＳｉＯ２の界面準位が伝導帯の下０．１ｅＶの位置、及び価電子帯の上０．１ｅＶの位置にある場合、準位間のエネルギーは１．０２ｅＶ（１．２２μｍ）および０．９２ｅＶ（１．３５μｍ）である。
【００６９】
図６は、ＴＦＴ基板で発生する電流の光ビームフォトンエネルギー依存性の測定結果の一例を示す図である。
【００７０】
図６を参照して、特定された欠陥領域すなわちＯＢＩＣ信号発生箇所のうちの１箇所を選び、ＴＦＴ基板２１に照射するレーザ光の波長を変えた場合、ＴＦＴのドレイン電流は、０．９２ｅＶ、１．２２ｅＶ、及びＳｉのバンドギャップ１．１２ｅＶで変化が生じる。
【００７１】
このようにして光励起準位を得ることができるため、ＴＦＴ基板２１の欠陥箇所における欠陥状態を得ることができる。
【００７２】
なお、エネルギー準位は、フォトンエネルギーに対して微分をとるデータ処理を行なうことにより、さらに明確に得ることができる。
【００７３】
また、上記実施例では、波長可変レーザを用いたが、白色光源の光を分光器で分光した光ビームを用いてもよい。
【００７４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置における傾斜機構付ステージおよびＴＦＴの構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置における傾斜機構付ステージの構成を示す断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る欠陥評価装置からダブルゲートＴＦＴに照射されるレーザ光の経路を示す図である。
【図５】ＳｉとＳｉＯ２の界面準位間エネルギーを示す図である。
【図６】ＴＦＴ基板で発生する電流の光ビームフォトンエネルギー依存性の測定結果の一例を示す図である。
【図７】特許文献１記載のダブルゲートＴＦＴの構造を示す断面図である。
【図８】ダブルゲートＴＦＴの構造の一例を示す断面図である。
【図９】ダブルゲートＴＦＴの構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  波長可変レーザ（光源）、２  ＸＹスキャン光学系、３  コントローラ、４  電流検出増幅器、５  信号処理システム（欠陥位置検出部および光励起準位検出部）、６  傾斜機構付ステージ、７  光学顕微鏡システム（撮影部）、８  ハーフミラー、９  レンズ、１０  サンプルステージ、１１  サンプルステージ保持治具、１２  マニピュレータ台、１３，１３Ａ〜１３Ｃ  マニピュレータ、１４，１４Ａ〜１４Ｃ  プローブ針、１５  サンプルステージ傾斜機構、１６  ステージベース、１７  光源、１８  ＣＣＤカメラ、１９  レンズ、２０  ハーフミラー、２５Ａ〜２５Ｃ  同軸ケーブル、２６  中継コネクタ、２７  モニタ、５０  ガラス基板、５１  下側ゲート電極、５２  下側ゲート絶縁膜、５３  ポリシリコン層、５４  上側ゲート絶縁膜、５５  上側ゲート電極、５６  チャネル、５７  ドレイン近傍チャネル、５８  ポリシリコン層、６１〜６３  ダブルゲートＴＦＴ、１０１  欠陥評価装置。
【図１】
2009145114.tif 000003
【図２】
2009145114.tif 000004
【図３】
2009145114.tif 000005
【図４】
2009145114.tif 000006
【図５】
2009145114.tif 000007
【図６】
2009145114.tif 000008
【図７】
2009145114.tif 000009
【図８】
2009145114.tif 000010
【図９】
2009145114.tif 000011