(57)【要約】【課題】低電圧の直流駆動が可能で製造効率及び製造コストの良好な、蛍光体、無機ＥＬ表示素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】蛍光体は、ＺｎＳ１１を母体材料とする発光粒子１０を備え、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に賦活材が局在している。【選択図】図２
2009163886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を備え、該発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材が局在している蛍光体。
【請求項２】
請求項１に記載された蛍光体において、
上記II族元素はＺｎ又はＳｒであり、上記VI族元素はＳ又はＳｅである蛍光体。
【請求項３】
請求項１に記載された蛍光体において、
上記賦活材は、遷移金属元素、III属元素、V属元素、VII族元素及び希土類金属元素のうちの少なくとも１種の元素を構成元素として含む蛍光体。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された蛍光体において、
上記母体材料はＺｎＳであり、
上記賦活材は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうちの１種の元素と、Ｎ及びＰのうちの１種の元素と、Ｃｌ及びＦのうちの１種の元素又はＡｌ及びＧａのうちの１種と、を構成元素として含む蛍光体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載された蛍光体を発光層に備えた無機ＥＬ表示素子。
【請求項６】
II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、該発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させる蛍光体の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された蛍光体の製造方法において、
上記賦活材を構成する元素のイオンを、イオンビーム照射によって上記発光粒子表面に注入することにより該発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に該賦活材を局在させる蛍光体の製造方法。
【請求項８】
第１電極が形成された絶縁性基板を準備するステップと、
II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、該発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するステップと、
上記蛍光体を有機バインダーに混合してペースト材を形成するステップと、
上記ペースト材を上記絶縁性基板の第１電極上に塗布して発光層を形成するステップと、
上記発光層上に第２電極を形成するステップと、
を備えた無機ＥＬ表示素子の製造方法。
【請求項９】
第１電極が形成された絶縁性基板を準備するステップと、
II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、該発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するステップと、
上記蛍光体を焼結させて固形化するステップと、
上記固形化した蛍光体を用いて、蒸着又はスパッタリングにより上記絶縁性基板の第１電極上に発光層を形成するステップと、
上記発光層上に第２電極を形成するステップと、
を備えた無機ＥＬ表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体、無機ＥＬ表示素子、及び、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マトリクス表示を行うエレクトロルミネセンス（ＥＬ：Electroluminescence）表示装置において、ガラス基板上でパターニングされた透明電極（第１電極）上に、絶縁膜／発光層／絶縁膜のいわゆる二重絶縁構造を有する多層膜を形成した後、多層膜上に下層の第１電極と直交する第２電極をパターニングすることでＥＬ表示素子を構成している。
【０００３】
このような技術として、例えば、特許文献１には、第一の絶縁層と第二の絶縁層の間に発光層を有する二重絶縁層型の無機ＥＬ素子であって、第一の絶縁層の誘電率が５００以上であり、第一の絶縁層のキャパシター容量Ｃ１と、第二の絶縁層のキャパシター容量Ｃ２の関係が１．５＞Ｃ１／Ｃ２＞０．５である無機ＥＬ表示素子が開示されている。
【特許文献１】特開2001-250691号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、二重絶縁構造を有するＥＬ表示素子は、駆動電圧が２５０Ｖ程度と非常に高く、高耐圧表示回路で構成する必要がある。このため、多大な製造コストがかかるという問題がある。
【０００５】
上述の問題に対し、二重絶縁構造とせず、発光層を第１及び第２電極で直接挟持することで発光させることが可能となれば、直流駆動型のＥＬ表示素子を低電圧で発光させることができる。このような技術は、例えば、特開2005-290038号公報に開示されているが、発光材料として一般的に用いられる材料（例えば、酸化物、硫化物又は窒化物等）は、絶縁性が高く、直接電流注入を行うことが困難である。このため、導電性を良好に保持した発光材料は、これまでに薄膜の作製において実現されていない。
【０００６】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、低電圧の直流駆動が可能で製造効率及び製造コストの良好な、蛍光体、無機ＥＬ表示素子及びそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る蛍光体は、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を備え、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材が局在していることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る無機ＥＬ表示素子は、上述の蛍光体を発光層に備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る蛍光体の製造方法は、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させることを特徴とする。
【００１０】
蛍光体の母体材料（例えば、酸化物、硫化物又は窒化物等）に対して、図１に示すような粉末材料の電流測定を直接行っても、検出される電流は１×１０−１０（Ａ）以下であり、絶縁性が非常に高いことがわかる。
【００１１】
これに対し、本発明の構成によれば、蛍光体は、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を備え、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材が局在しているため、発光粒子の電気抵抗を下げて、半導体として物性制御を行うことができる。具体的には、賦活材の異なる微結晶領域が不均一に形成されるために、発光粒子の表面近傍にはｐ型ＺｎＳ領域とｎ型ＺｎＳ領域とが点在している。その結果としてｐｎ接合が形成されており、これによってこのような発光粒子を備えた蛍光体の電気抵抗が下がる。したがって、高耐圧表示回路で蛍光体を構成する必要がなく、低電圧の直流駆動が可能で製造効率及び製造コストも良好となる。
【００１２】
本発明に係る無機ＥＬ表示素子の製造方法は、第１電極が形成された絶縁性基板を準備するステップと、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するステップと、蛍光体を有機バインダーに混合してペースト材を形成するステップと、ペースト材を絶縁性基板の第１電極上に塗布して発光層を形成するステップと、発光層上に第２電極を形成するステップと、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するため、無機ＥＬ表示素子に対して低電圧の直流駆動が可能となり、さらに製造効率及び製造コストも良好となる。また、蛍光体を有機バインダーに混合してペースト材を形成し、ペースト材を絶縁性基板の第１電極上に塗布して発光層を形成するため、いわゆる分散型ＥＬ表示素子を形成することができる。このため、より低電圧で素子を駆動することができる。
【００１４】
本発明に係る無機ＥＬ表示素子の製造方法は、第１電極が形成された絶縁性基板を準備するステップと、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するステップと、蛍光体を焼結させて固形化するステップと、固形化した蛍光体を用いて、蒸着又はスパッタリングにより絶縁性基板の第１電極上に発光層を形成するステップと、発光層上に第２電極を形成するステップと、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、II族元素とVI族元素との化合物を母体材料とする発光粒子を準備し、発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成するため、無機ＥＬ表示素子に対して低電圧の直流駆動が可能となり、さらに製造効率及び製造コストも良好となる。また、発光層の形成を、蒸着又はスパッタリングにより行うため、発光層を薄膜に形成することができ、多結晶ベースの半導体制御による発光層の大面積化が可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、低電圧の直流駆動が可能で製造効率及び製造コストの良好な、蛍光体、無機ＥＬ表示素子及びそれらの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る蛍光体及び無機ＥＬ表示素子の構成、及び、それらの製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
（実施形態１）
（蛍光体の構成）
図２に、蛍光体を構成する発光粒子１０の模式図を示す。
【００１９】
発光粒子１０は、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ蛍光体の母体であるＺｎＳ１１で構成されている。発光粒子１０はＣｕＳを内部に含有している。ＣｕＳ界面ではＺｎＳ−ＣｕＳのヘテロ接合が生じている。このため、発光粒子１０の内部に発光箇所１３が存在する。発光箇所１３は、例えば、図３に示すようにＺｎＳ粉末断面にマイクロプローブで電流を印加することにより確認することができる。このように内部に導電性を有する接合箇所が存在する。このため、外層の絶縁性のＺｎＳを介してキャリア注入が行われるために電力効率が悪い。
【００２０】
本発明の場合、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２には、賦活材（Ｃｕ、Ｃｌ、Ｎ）が局在している。このため、発光粒子１０をｎ型・ｐ型半導体として制御することができ、電流の注入を直接行うことが可能となる。
【００２１】
また、発光粒子１０の母体材料は、II族元素とVI族元素との化合物であればよく、ＺｎＳに限られず、ＺｎＳｅ、ＳｒＳ、又は、ＳｒＳｅ等であってもよい。
【００２２】
さらに、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に局在する賦活材は、遷移金属元素、III属元素、V属元素、VII族元素及び希土類金属元素のうちの少なくとも１種の元素を構成元素として含んでいてもよい。また、賦活材は、遷移金属元素としてＣｕ、Ａｇ又はＡｕと、V属元素としてＮ又はＰと、VII族元素としてＣｌ又はＦ又はIII属元素としてＡｌ又はＧａと、を構成元素として含んでいてもよい。
【００２３】
（蛍光体の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る蛍光体の製造方法について説明する。まず、蛍光体原料として、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｎで構成された粉末材料を準備する。
【００２４】
続いて、粉末材料に超音波振動器等を用いて振動を与えながら、粉末材料表面に賦活材（Ｃｕ，Ｃｌ,Ｎ）の構成元素のイオン注入を行う。イオン注入は、まず、Ｃｕイオンビームを、粉末材料表面から１００〜２００ｎｍ程度の深さ位置であって、Ｃｕ原子の添加密度が１．０×１０１６〜１８ｃｍ−３程度となるように照射し、続いて、Ｃｌイオンビームを、粉末材料表面から１００〜２００ｎｍ程度の深さ位置であって、Ｃｌ原子の添加密度が１．０×１０１６〜１８ｃｍ−３程度となるように照射することにより行う。Ｎ（窒素）も同様に注入する
次に、賦活材を局在させた粉末材料を、例えば、８００〜１１００℃程度の温度条件下、且つ、窒素等の不活性ガス雰囲気下で、熱焼成処理を施す。
【００２５】
以上により、表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に、賦活材（Ｃｕ，Ｃｌ,Ｎ）が局在したＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｎの発光粒子１０が完成し、これを用いて所望の蛍光体を作製する。
【００２６】
また、イオン注入工程における他の実施形態として、遷移金属元素としてＣｕ、Ａｇ又はＡｕと、V属元素としてＮ又はＰと、VII族元素としてＣｌ又はＦ（又は、III属元素としてＡｌ又はＧａ）と、をそれぞれ賦活材の構成元素とする場合について説明する。
【００２７】
この場合、まず、遷移金属元素であるＣｕ、Ａｇ又はＡｕのイオンビームを、粉末材料表面から１００〜２００ｎｍ程度の深さ位置であって、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕ原子の添加密度が１．０×１０１６〜１８ｃｍ−３程度となるように照射する。次に、ドナー準位を形成するようなIII属元素であるＡｌ又はＧａのイオンビームを、粉末材料表面から１００〜２００ｎｍ程度の深さ位置であって、Ａｌ又はＧａ原子の添加密度が１．０×１０１６〜１８ｃｍ−３程度となるように照射する。続いて、VII族元素としてＣｌ又はＦ（又は、III属元素としてＡｌ又はＧａ）のイオンビームを、粉末材料表面から１００〜２００ｎｍ程度の深さ位置であって、Ｃｌ又はＦ（又は、Ａｌ又はＧａ）原子の添加密度が１．０×１０１６〜１８ｃｍ−３程度となるように照射する。これにより、粉末材料を構成するＺｎＳの発光粒子１０表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に、賦活材を局在させる。
【００２８】
なお、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に賦活材を局在させる方法としては、上述のイオンビーム照射によるものに限らず、発光粒子と賦活材との混合粉体の焼成によるものであってもよい。
【００２９】
（実施形態２）
（無機ＥＬ表示素子２０の構成）
次に、上述の実施形態１で作製した蛍光体を用いた無機ＥＬ表示素子２０の構成について説明する。図４は、本発明の実施形態に係る無機ＥＬ表示素子２０の断面図を示す。
【００３０】
無機ＥＬ表示素子２０は、基板２１、基板２１上に形成された透明導電膜２２、透明導電膜２２上に形成された発光層２３（蛍光体）、発光層２３上に形成された導電体２４、透明導電膜２２上に形成された電極取り出し部２５、及び、導電体２４上に形成された電極取り出し部２６を備えている。また、図４において、無機ＥＬ表示素子２０の発光表示面は下側である。
【００３１】
基板２１は、ガラス又は樹脂等の絶縁性透明基材を用いて形成されている。ガラス基材としては、例えばコーニング社製♯１７３７材等が熱変形が少なく好ましい。また、乾燥温度が１２０℃程度であれば、安価なソーダ材を用いても良い。
【００３２】
透明導電膜２２は、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウムと酸化スズとの化合物であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、及び酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物であるＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等で構成されている。特に、ＩＴＯ及びＩＺＯは、可視光に対する透明性に優れ、また、良好な導電性を有するため、透明導電膜材料として好ましい。
【００３３】
発光層２３は、実施形態１で作製した発光粒子１０を備えている。発光粒子１０を備えた発光層２３は、有機バインダ等を含有することにより定形化されている。
【００３４】
導電体２４は、カーボン、銀、アルミニウム等の導電材料で構成されている。導電体２４は、透明である必要はないが、もちろん上述したＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電材料を用いて構成してもよい。導電体２４は、厚さが１０μｍ程度であるのが好ましい。厚さが１０μｍ以上であると、オーブン等で乾燥させる際に発光層２３との膨張率の差によってクラックが発生する可能性が高まるためである。また、特に基板２１がガラス基材ではなく、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）基材等で形成されている場合は、膨張率が大きくクラックの発生する可能性がより高くなる。なお、導電体２４は、発光層２３に対して、発光表示面とは反対に配置される背面側電極であるため、透明である必要はない。
【００３５】
電極取り出し部２５、２６は、透明導電膜２２及び導電体２４上にそれぞれ形成されており、カーボン、銀、銅、アルミニウム等の導電材料で構成されている。電極取り出し部２５、２６は、透明導電膜２２及び導電体２４上に直接銅箔テープ等を貼り付けてそれぞれ形成してもよい。また、透明導電膜２２及び導電体２４上に直接銀ペースト等を行うことによりそれぞれ形成してもよい。さらに、透明導電膜２２及び導電体２４上に直接カーボンインク等を塗布してそれぞれ形成してもよい。この中で、透明導電膜２２上には、密着性の点から銀ペーストを行うことにより電極取り出し部２５を形成するのがより好ましい。また、導電体２４上には、直接銅箔テープ等を用い、下側の発光層２３全周に対応するように貼り付けて電極取り出し部２６を形成すると、発光ムラの抑制の点から好ましい。
【００３６】
無機ＥＬ表示素子２０は、図４に示すように直流駆動型である。ここで、直流電源は極性があるため、透明導電膜２２側（発光面側）がプラス（＋）端子に、導電体２４側（背面側）がマイナス（−）端子にそれぞれ接続される。
【００３７】
（無機ＥＬ表示素子２０の製造方法）
次に、上述の実施形態１で作製した蛍光体を用いた無機ＥＬ表示素子２０の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、ＩＴＯ等の透明導電膜２２（膜厚２００ｎｍ程度）が形成された基板２１を準備する。基板２１はガラス基材等で構成されている。
【００３９】
次に、実施形態１において作製した発光粒子１０に、有機バインダ等を混入して発光粒子含有印刷用インクペーストを作製する。このとき、有機バインダとしてシアノ系化合物を使用するのが好ましい。また、配合は、重量比で、発光粒子：有機バインダ＝１：１．６とするのが好ましい。
【００４０】
続いて、印刷機を用いて、発光粒子含有印刷用インクペーストを透明導電膜２２上に印刷することにより、発光層２３を作製する。このとき、好ましくは、スクリーンメッシュ等により３層重ね印刷（総膜厚２５μｍ程度）を行う。このとき、各回の印刷後、その都度オーブンにて完全に処理基板を乾燥させてから次の印刷に移る。乾燥は、各回１９０℃で１０分間程度行うのが好ましい。ここで、１９０℃は、不要な有機バインダ成分を処理基板から完全に除去するための温度である。
【００４１】
次に、発光層２３上に、例えば銀ペーストを行うことで、導電体２４を形成する。導電体２４は、好ましくは膜厚を１０μｍ程度に形成する。
【００４２】
次いで、透明導電膜２２上の周辺部に銀ペーストにより電極取り出し部２５を形成する。
【００４３】
続いて、導電体２４上に、直接銅箔テープ等を下側の発光層２３全周に対応するように貼り付けて、電極取り出し部２６を形成する。以上により、無機ＥＬ表示素子２０が完成する。
【００４４】
（無機ＥＬ表示素子２０の他の構成及び製造方法）
本発明の実施形態に係る無機ＥＬ表示素子２０の他の構成としては、発光層２３の形成工程の違いによるものがある。具体的には、発光層２３は、実施形態１で作製した発光粒子１０を備えており、有機バインダ等の各種ペーストを含有せず、半導体特性を有したままで直接透明導電膜２２上に形成されていてもよい。
【００４５】
このような無機ＥＬ表示素子２０の発光層２３の製造工程は、電子ビーム等による蒸着やスパッタリング等により行う。
【００４６】
電子ビーム等による蒸着法としては、まず、実施形態１で作製した発光粒子１０の粉体を、１０００℃以下のホットプレスで固形化し、これをそのまま蒸着源材料として用いて、基板２１の透明導電膜２２上に電子ビーム等によって蒸着させる。これにより、透明導電膜２２上に、半導体特性を有したままの発光層２３を薄膜として形成することができる。
【００４７】
また、スパッタリング法としては、まず、実施形態１で作製した発光粒子１０の粉体を、１０００℃以下のホットプレスで固形化し、これをそのまま蒸着源材料とする。次に、透明導電膜２２を備えた基板２１を、Ａｒガス雰囲気下のチャンバ内に設ける。続いて、グロー放電によりＡｒイオンをターゲットである発光粒子１０で構成された蒸着材料に衝突させ、発光粒子１０をたたき出して透明導電膜２２上に堆積させる。これにより、透明導電膜２２上に、半導体特性を有したままの発光層２３を薄膜として形成することができる。
【００４８】
（作用効果）
次に、本発明の実施形態に係る蛍光体、無機ＥＬ表示素子２０及びそれらの製造方法の作用効果について説明する。
【００４９】
本実施形態に係る蛍光体は、ＺｎＳ１１を母体材料とする発光粒子１０を備え、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域１２に賦活材が局在している。また、本発明の実施形態に係る無機ＥＬ表示素子２０は、前記蛍光体を発光層２３に備えている。
【００５０】
このため、発光粒子１０の電気抵抗を下げて、半導体として物性制御を行うことができる。具体的には、発光粒子１０の表面近傍にはｐｎ接合が形成されており、これによってこのような発光粒子１０を備えた蛍光体の電気抵抗が下がる。したがって、高耐圧表示回路で蛍光体を構成する必要がなく、低電圧の直流駆動が可能で製造効率及び製造コストも良好となる。
【００５１】
また、賦活材は、遷移金属元素、III属元素、V属元素、VII族元素及び希土類金属元素のうちの少なくとも１種の元素を構成元素として含み、より好ましくは、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕのうちの１種の元素と、Ｎ及びＰのうちの１種の元素と、Ｃｌ及びＦのうちの１種の元素又はＡｌ及びＧａのうちの１種と、を構成元素として含んでいる。
【００５２】
このため、発光粒子１０の表面近傍に、よりｐｎ接合が形成されやすく、これによってこのような発光粒子１０を備えた蛍光体の電気抵抗がより良好に抑制される。
【００５３】
さらに、蛍光体の製造方法において、賦活材を構成する元素のイオンを、イオンビーム照射によって発光粒子１０表面に注入することにより１０発光粒子の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させる。
【００５４】
このため、無機ＥＬ表示素子２０に対して低電圧の直流駆動が可能となり、さらに製造効率及び製造コストも良好となる。さらに、賦活材を構成する元素のイオンを、イオンビーム照射によって発光粒子１０表面に注入することで、発光粒子１０を備えた粉末材料を焼成により加工するのに比べて、より定量的に注入イオンのドーパント濃度の制御を行うことができる。
【００５５】
また、無機ＥＬ表示素子２０の製造方法は、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成した後、蛍光体を有機バインダーに混合してペースト材を形成し、次いでペースト材を基板２１の透明導電膜２２上に塗布して発光層２３を形成する。
【００５６】
このため、無機ＥＬ表示素子２０に対して低電圧の直流駆動が可能となり、さらに製造効率及び製造コストも良好となる。また、蛍光体を有機バインダーに混合してペースト材を形成し、ペースト材を基板２１の透明導電膜２２上に塗布して発光層２３を形成するため、いわゆる分散型ＥＬ表示素子を形成することができる。このため、より低電圧で素子を駆動することができる。
【００５７】
さらに、無機ＥＬ表示素子２０の製造方法は、発光粒子１０の表面から５００ｎｍ以下までの領域に賦活材を局在させて蛍光体を形成した後、蛍光体を焼結させて固形化し、固形化した蛍光体を用いて蒸着又はスパッタリングにより基板２１の透明導電膜２２上に発光層２３を形成する。
【００５８】
このため、無機ＥＬ表示素子２０に対して低電圧の直流駆動が可能となり、さらに製造効率及び製造コストも良好となる。また、発光層２３の形成を、蒸着又はスパッタリングにより行うため、発光層２３を薄膜に形成することができ、多結晶ベースの半導体制御による発光層２３の大面積化が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上説明したように、本発明は、蛍光体、無機ＥＬ表示素子及びそれらの製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】ＺｎＳ蛍光粉末の電気特性評価のためのプロービング実験形態を示す図である。
【図２】実施形態１に係る蛍光体を構成する発光粒子の模式図である。
【図３】ＺｎＳ蛍光粉末の構成粒子断面の電流注入時の発光状態を示す図である。
【図４】実施形態２に係る無機ＥＬ表示素子の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０      発光粒子
１１      ＺｎＳ
１２      領域
１３      発光箇所
２０      無機ＥＬ表示素子
２１      基板
２２      透明導電膜
２３      発光層
２４      導電体
２５、２６      電極取り出し部
【図２】
2009163886.tif 000003
【図４】
2009163886.tif 000004
【図１】
2009163886.tif 000005
【図３】
2009163886.tif 000006