(57)【要約】【課題】低温環境下における磁気ディスク装置の記録再生品質を簡易に確保することができる試験方法を提供すること。【解決手段】任意の温度環境で磁気ディスク装置の記録再生におけるビットエラーの測定を行い、温度Ｔ1とビットエラー数ＥＣ1を記録するステップ１、磁気ディスク装置の発熱を制御することにより、磁気ディスク装置内の温度を変化させるステップ２、温度を上昇あるいは下降させた状態で記録再生におけるビットエラーの測定を行い、その温度Ｔ2とビットエラー数ＥＣ2を記録するステップ３、記録された温度Ｔ1、Ｔ2とビットエラー数ＥＣ1、ＥＣ2を用いて、低温状態でのデータ読み出し不良の発生度合いを計算するステップ４を含む。【選択図】図２
2009163847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを自己診断する磁気ディスク装置であって、
第１の内部温度から、それよりも高温の第２の内部温度に上昇させる制御を行う制御部と、
前記第１の内部温度時における記録再生系についての第１のビットエラー数を算出するとともに、前記第２の内部温度時における記録再生系についての第２のビットエラー数を算出する算出部と、
前記第１および第２の内部温度と、前記第１および第２のビットエラー数とに基づいて、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを診断する診断部と、
を含む磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記磁気ディスク装置は、各種モータを含んでおり、
前記制御部は、前記第２の内部温度に上昇させる場合、前記各種モータの発熱を生じさせるように当該各種モータを制御する、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の内部温度をＴ1、前記第２の内部温度をＴ2、前記第１のビットエラー数をＥＣ1、前記第２のビットエラー数をＥＣ2、前記発生度合いをＦＲで表した場合、
前記診断部は、
ＦＲ＝（ＥＣ1−ＥＣ2）／(Ｔ2−Ｔ1)×｛（Ｔ2＋Ｔ1）／２｝α（ただし、α＝２〜４）
の関係式で算出して診断する、
請求項１または２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記第１の内部温度をＴ1、前記第２の内部温度をＴ2、前記第１のビットエラー数をＥＣ1、前記第２のビットエラー数をＥＣ2、低温時の絶対温度をｔ／Ｋ、当該絶対温度時のビットエラー数をＥＣtで表した場合、
前記診断部は、
ｔ1／Ｋ＝Ｔ1／℃＋２７３．１５
ｔ2／Ｋ＝Ｔ2／℃＋２７３．１５
ａ＝ｌｏｇ（ＥＣ1／ＥＣ2）Ｘ｛ｔ1Ｘｔ2／（ｔ2−ｔ1）｝
ｂ＝｛ｌｏｇ（ＥＣ2）Ｘｔ2−ｌｏｇ（ＥＣ1）Ｘｔ1｝／（ｔ2−ｔ1）
ＥＣt＝１０＾（ａＸｔ-1＋ｂ）
の関係式で算出して診断する、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
磁気ディスク装置の試験方法であって、
第１の内部温度から、それよりも高温の第２の内部温度に上昇させる制御を行うステップと、
前記第１の内部温度時における記録再生系についての第１のビットエラー数を算出するとともに、前記第２の内部温度時における記録再生系についての第２のビットエラー数を算出するステップと、
前記第１および第２の内部温度と、前記第１および第２のビットエラー数とに基づいて、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを診断するステップと、
を含む磁気ディスク装置の試験方法。
【請求項６】
請求項１ないし４に記載の磁気ディスク装置の制御部、算出部および診断部をコンピュータに機能させるための試験プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に係り、特に低温環境下のデータ読み出しに不良が発生する度合いを診断する磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般には、磁気ディスク装置は、図１５に示すように、アルミ合金等の金属製の筐体８内に、磁気ヘッド１とサスペンション３とから構成される磁気ヘッドアセンブリ４と、磁気ディスク２とを有する。さらに、磁気ディスク装置は、スピンドルモータ６等の磁気ディスク回転駆動部と、磁気ヘッドアセンブリ４を磁気ディスク２の情報記録面に沿って移送するボイスコイルモータ５等のアクチュエータ機構とを有する。
【０００３】
磁気ヘッド１は、磁気ディスク２への記録・再生を行う記録再生素子を有する。この記録再生素子は、サスペンション３上の配線を介して、電気回路ブロック７に接続されている。
【０００４】
記録再生素子中の記録素子部（不図示）は、記録コアと導電体コイルから構成される。記録コアは、ニッケル鉄合金などに代表される高透磁率材料からなり、導電体コイルは、記録コアの周囲に巻かれた比抵抗の小さい銅等の材料からなる。上記導電体コイルに電流が流れると、磁界が生じ、記録コアのギャップ部から生じた漏洩磁界を利用することにより、磁気ディスクへのデータ記録が行われる。実際の記録時には、記録素子部（不図示）では、ＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）からのユーザデータが、不図示のスクランブル回路や変調／符号化回路、パラレル・シリアル変換回路、記録補償回路等を経た後、高速のシリアルデータとして、擬似ＥＣＬ（Emitter Coupled Logic）ドライバでプリアンプに送られる。そして、プリアンプに送られた高速のシリアルデータは、プリアンプで最適記録電流値になるまで増幅補正された後、プリアンプが、記録素子の導電体コイルを駆動し記録を行う。
【０００５】
記録再生素子中の再生素子は、磁界変化を磁気抵抗変化として検出する素子などで構成されている。このような素子として、ニッケル鉄合金などに代表されるＡＭＲ(Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ)素子や、スピンバルブで代表されるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等がある。
【０００６】
プリアンプは、再生素子部に定電圧もしくは定電流のセンス電流が流れると、磁気ディスクからの漏洩磁界を再生素子部の抵抗変化として検知し、その抵抗変化を増幅した後、リードライトチャンネルへ送る。リードライトチャンネルでは、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、波形等化回路、ＣＴＦ(Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｔｉｍｅ  Ｆｉｌｔｅｒ)、Ａ／Ｄ変換機、ＦＩＲ(Ｆｉｎｉｔｅ  Ｉｍｐｕｌｓｅ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ)フィルタ、ビタビ複号器、復調回路、シリアル・パラレル変換素子等で構成されている。リードライトチャンネルに送られた増幅信号は、上記リードライトチャンネルを経てデータが復元され、復号された情報がＨＤＣへ送られる。
【０００７】
近年、磁気ディスク装置の容量増加に伴い、トラック密度が高くなり、記録素子のコア幅は小さくなる一方である。また、磁気ディスクに関し、温度によって記録磁性層の保磁力が変化することが知られている（例えば、非特許文１）。さらに、磁気ヘッドの機械的加工寸法のばらつきにより、磁気ヘッドの浮上量がばらつくとともに、各部材の熱膨張係数の違いなどから、温度変化にともない磁気ヘッドの浮上量、すなわち記録再生素子と磁気ディスクとの間の磁気的スペーシングも変化する（例えば、特許文献１）。
【０００８】
このような磁気ディスクの保磁力の変化や、磁気的スペーシングの変動などにより、相対的に磁気ディスクに対する記録再生素子の書き込み能力が過剰となり、隣接トラックのデータに影響を及ぼしたりする。あるいは逆に、記録再生素子の書き込み能力が不足し、十分な書き込み磁界が得られず、書き込み信号にひずみを発生したりする。このため、データ読み出し時に不良が発生し得る。
【０００９】
温度環境による磁気ディスクの保磁力の変化を相殺するための方法として、次のような方法がある。すなわち、磁気ディスク装置内で、温度に対する最適記録電流を記憶し、温度センサによる磁気ディスク装置内の温度に対して書き込み電流値を補正する。これにより、データ読み出し不良を低減させる。（例えば、特許文献２）。
【００１０】
また、実際の磁気ディスク装置製造においては、部品単体の特性のばらつきや、磁気ディスク装置の様々な製造上の変動に起因するデータ読み出し不良を低減させるため、杉のような調整を行っている。具体的には、製造工程中において個々の磁気ディスク装置の特性にあわせて、記録電流量などの磁気ディスク装置の動作パラメータを調整する。さらに、温度センサによって感知された温度に基づき、動的に動作パラメータを調整する（例えば、特許文献３、４）。
【００１１】
また、近年、磁気ディスクは、磁気ディスク装置の容量の増加に伴い、記録ビッドのサイズが小さくかつ熱的に不安定になることを防ぐために、保磁力を向上させる方向で、磁気ディスク装置としての最適化が行われてきた。さらに、磁気ディスク装置の記録密度の向上あるいはデータアクセス速度の向上を目的とした磁気ディスク装置の回転数の増加などにより、データアクセスの周波数も著しく増加の一途をたどっている。
【００１２】
これに対して、このような高保磁力の磁気ディスクが、より高周波でかつ十分な飽和書き込みを可能にするため、記録素子部の記録コアの材料として、より高飽和磁束密度をもつ材料を用いるように開発が進められてきた。このとき、記録コアの最大磁束密度は、材料物性的な制限から、２．４テスラとなった。
【００１３】
しかし、上記磁気ディスクの高保磁力化、記録周波数の増大、記録コアの材料的な制限から、近年、磁気ディスクの保磁力が大きくなる低温環境の条件下で、十分な飽和磁気記録が行えないという問題がある。そこで、このような状況下において、磁気ディスク装置の低温・高温下でデータの記録再生の品質を確保するには、磁気ディスク装置内部の記録電流の最適化だけでは不十分となっている。つまり、低温／高温でのスクリーニング試験が不可欠な状況になってきている。（例えば、特許文献５）。
【００１４】
このように、磁気ディスク装置は、パーソナルコンピュータ・ワークステーション・サーバなどのデータ記録装置として主に利用され、温度環境が管理された状況で利用されていたので、温度変化の激しい広範な温度環境下での動作が要求されていなかった。しかし、近年、磁気ディスク装置が、ハードディスク内蔵テレビレコーダ、携帯音楽再生装置、携帯電話などのコンシューマエレクトロニクス、カーナビゲーション、カーオーディオなどの車載装置に使用され、その用途が広がってきている。このため、磁気ディスク装置は、これまで以上の広範な温度環境下において、データを記録再生する品質を確保することが要求されている。
【特許文献１】特開２００４−１８５７３５号公報（明細書１９頁、図１０参照）
【特許文献２】特開平１−３１７２０８号公報
【特許文献３】特開２０００−４８３１２号公報
【特許文献４】特開２００２−２３７００４号公報
【特許文献５】特開２００２−２８６６２０号公報
【非特許文献１】Tao Pan, Geoffrey W.D. Spratt, Li Tang, Li-Lien Lee, Yongchang Feng, and David E. Laughlin. "Temperature dependence of coercivity in Co-based longtitudinal thin-film recording media": J. Appl. Phys. 81 (8), 15 April 1997 P3952-3954.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献１ないし４に記載の方法では、上記従来の構成では、磁気ディスク装置毎に記録電流の最適化を行ったり、動的に動作パラメータを調整したりしている。しかし、記録密度の向上により記録ビッドが微小化し、それに伴う熱揺らぎによるデータの消失を低減するため高保磁力の磁気ディスクが使用されるようになっているので、記録素子部の記録コアの材料物性的な限界からも、低温環境で十分な記録マージンを取ることが困難となる。よって、低温環境での読み出し不良発生が増大してきている。さらに、磁気ディスク装置は、より広範な温度環境で使用する用途が広がってきているが、このような用途では、低温での磁気ディスク装置の十分な記録再生品質の保証がより困難となる。
【００１６】
また、特許文献５に記載の方法では、磁気ディスク装置の低温・高温での記録再生品質を保証するために高低温環境で試験を行うこととなり、その結果、均一な温度にコントロール可能な温度環境槽等の試験設備が必要となるだけでなく工数が増大し、磁気ディスク装置のコストが増大する。
【００１７】
本発明は、このような状況下においてなされたものであり、低温環境下における磁気ディスク装置の記録再生品質を簡易に確保することができる試験方法およびその試験方法を用いて自己診断を行うことにより比較的低コストのディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記課題を解決するために、本発明に係る磁気ディスク装置は、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを自己診断する磁気ディスク装置であって、第１の内部温度から、それよりも高温の第２の内部温度に上昇させる制御を行う制御部と、前記第１の内部温度時における記録再生系についての第１のビットエラー数を算出するとともに、前記第２の内部温度時における記録再生系についての第２のビットエラー数を算出する算出部と、前記第１および第２の内部温度と、前記第１および第２のビットエラー数とに基づいて、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを診断する診断部と、を含むものである。
【００１９】
この場合、前記磁気ディスク装置は、各種モータを含んでおり、前記制御部は、前記第２の内部温度に上昇させる場合、前記各種モータの発熱を生じさせるように当該各種モータを制御するようにしてもよい。
【００２０】
また、前記第１の内部温度をＴ1、前記第２の内部温度をＴ2、前記第１のビットエラー数をＥＣ1、前記第２のビットエラー数をＥＣ2、前記発生度合いをＦＲで表した場合、前記診断部は、ＦＲ＝（ＥＣ1−ＥＣ2）／(Ｔ2−Ｔ1)×｛（Ｔ2＋Ｔ1）／２｝α（ただし、α＝２〜４）の関係式で算出して診断するようにしてもよい。あるいは、前記第１の内部温度をＴ1、前記第２の内部温度をＴ2、前記第１のビットエラー数をＥＣ1、前記第２のビットエラー数をＥＣ2、低温時の絶対温度をｔ／Ｋ、当該絶対温度時のビットエラー数をＥＣtで表した場合、前記診断部は、ｔ1／Ｋ＝Ｔ1／℃＋２７３．１５、ｔ2／Ｋ＝Ｔ2／℃＋２７３．１５、ａ＝ｌｏｇ（ＥＣ1／ＥＣ2）Ｘ｛ｔ1Ｘｔ2／（ｔ2−ｔ1）｝、ｂ＝｛ｌｏｇ（ＥＣ2）Ｘｔ2−ｌｏｇ（ＥＣ1）Ｘｔ1｝／（ｔ2−ｔ1）、ＥＣt＝１０＾（ａＸｔ-1＋ｂ）の関係式で算出して診断するようにしてもよい。
【００２１】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る磁気ディスク装置の試験方法は、第１の内部温度から、それよりも高温の第２の内部温度に上昇させる制御を行うステップと、
前記第１の内部温度時における記録再生系についての第１のビットエラー数を算出するとともに、前記第２の内部温度時における記録再生系についての第２のビットエラー数を算出するステップと、前記第１および第２の内部温度と、前記第１および第２のビットエラー数とに基づいて、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを診断するステップと、
を含む。
【００２２】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る試験プログラムは、前記磁気ディスク装置の制御部、算出部および診断部をコンピュータに機能させる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、低温環境での磁気ディスク装置の記録再生品質を簡易に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施例１および２について図面を参照しながら説明する。
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１における磁気ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
図１において、磁気ディスク装置１００は、上位のホスト１０１に接続するＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）１０２、ＣＰＵ１０３、リードライトチャンネル１０４、プリアンプ１０５および温度センサ１０６を有する。また、磁気ディスク装置１００は、Ａ／Ｄ（アナログデジタル）変換器１０７、モータ駆動回路１０８、ＳＤＲＡＭ(Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ ＤＲＡＭ)１０９、ＳＲＡＭ１１０およびフラッシュＲＯＭ１１１を有する。さらに、磁気ディスク装置１００は、磁気記録再生素子１１２を搭載した磁気ヘッド１、磁気ディスク２、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５およびスピンドルモータ（ＳＰＭ）６を有する。
【００２５】
ＨＤＣ１０２は、エラー訂正回路、バッファコントロール回路、キャッシュコントロール回路、インターフェース制御回路、サーボ回路などの公知の回路で構成され、バッファＲＡＭとしてのＳＤＲＡＭ１０９に接続されている。
【００２６】
リードライトチャンネル１０４は、ユーザデータ（読み込みまたは書き込み用のデータ）を変調してプリアンプ１０５に出力したり、プリアンプ１０５の出力波形すなわち再生波形からデータを検出してコード復調を行ったりする。リードライトチャンネル１０４は、ディジタル・サーボ回路などから構成されている。ディジタル・サーボ回路は、波形干渉を利用して高記録密度を実現するＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）方式の信号処理回路・グレイコードで書かれているサーボのアドレス・コードをＰＬＬに同期させて取り出す。
【００２７】
プリアンプ１０５は、データ記録のためのライトドライバと、データ再生のためのリード・アンプとを内蔵している。そして、プリアンプ１０５は、磁気記録再生素子１１２から読み出した信号を増幅したり、書き込み用信号の電流を増幅したりする。
【００２８】
スピンドルモータ（ＳＰＭ）６は、磁気記録再生素子１１２を搭載した磁気ヘッド１を保持する。そして、スピンドルモータ６は、磁気ディスク２上を移送するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５などのアクチュエータ機構や磁気ディスク２を固定し、所望の回転数で磁気ヘッド１を回転させる。スピンドルモータ６は、上記回転の際、モータ駆動回路１０８からの制御信号を入力し、その制御信号に基づいて当該回転速度を制御する。
【００２９】
モータ駆動回路１０８は、ＶＣＭドライバ回路、ＳＰＭドライバ回路、電源監視装置、電源レギュレータ回路、衝撃センサ回路などの公知の回路を内蔵する。
【００３０】
温度センサ１０６は、磁気ディスク装置１００の筐体（不図示）内に取り付けられ、その周辺の温度（動作温度）を検出する。そして、温度センサ１０６は、検出した温度データをＡ／Ｄ変換機１０７を介してＣＰＵ１０３へ送る。なお、本実施例では温度センサ１０６を用いて動作温度を検出する場合について説明するが、例えば、ボイスコイルモータ６のコイル（不図示）を用いて動作温度を検出するようにしてもよい。この場合、ボイスコイルモータ６のコイルに使用されるワイヤの導電率は、コイルの温度に従って変化するので、コイルの電圧あるいはコイルに流れる電流を測定し、その測定値から、当該コイルのワイヤの導電率を算出する。そして、その導電率および公知の計算式から、動作温度を導き出すようにする。
【００３１】
ＣＰＵ１０３は、磁気ディスク装置全体の制御を行う。ＣＰＵ１０３は、主として、磁気ヘッド１のポジショニング、インターフェース制御、各周辺ＬＳＩの初期化・設定、ディフェクトの管理などを行う。そして、ＣＰＵ１０３には、フラッシュＲＯＭ１１１とデータ記録用のＳＲＡＭ１１０が接続されている。フラッシュＲＯＭ１１１には、磁気ディスク装置のファームウエアなどのプログラムが記憶される。
【００３２】
さらに、本実施例のＣＰＵ１０３（制御部）は、第１の内部温度（例えば常温環境下の温度）から、それよりも高温の第２の内部温度（高温環境下の温度）に上昇させる制御を行う。また、ＣＰＵ１０３（算出部）は、第１の内部温度時における記録再生系についての第１のビットエラー数を算出するとともに、第２の内部温度時における記録再生系についての第２のビットエラー数を算出する。さらに、ＣＰＵ１０３（診断部）は、第１および第２の内部温度と、第１および第２のビットエラー数とに基づいて、低温時のデータの読み出し不良の発生度合いを診断する。
【００３３】
さらに、本実施例のＣＰＵ１０３は、エラー測定モジュール１２１、パラメータ記録モジュール１２２、発熱制御モジュール１２３および自己判断モジュール１２４を有する。なお、本実施例では、これら各モジュール１２１、１２２、１２３、１２４を総称して試験プログラムという。
【００３４】
エラー測定モジュール１２１は、データの読み出し不良を検出するためのプログラムであり、フラッシュＲＯＭ１１１に格納されている。ＣＰＵ１０３は、フラッシュＲＯＭ１１１からエラー測定モジュール１２１を読み出して、次のような処理を行う。すなわち、ＣＰＵ１０３は、モータ駆動回路１０８やリードライトチャンネル１０４などを制御し、所望のテストパターンのライトを複数のセクタに対して行う。その後、ＣＰＵ１０３は、ＥＣＣ(Error Correction Cord)によるエラー補正を行わずリード動作を行う。そして、ＣＰＵ１０３は、ビット単位で書き込みデータと再生データとを比較し、ＥＣＣを含まない磁気ヘッド１・磁気ディスク２の記録再生系のビットエラーの測定を行う。このとき、ビットエラーレートは、測定されたビットエラー数から、サンプル数（セクタあたりのビット数×測定セクタ数）で除算したものとなる。
【００３５】
パラメータ記録モジュール１２２は、エラー測定モジュール１２１に基づき測定された記録再生系のビットエラー数と、エラー測定中（エラー測定モジュール１２１の処理時）での平均温度（温度センサ１０６の検出値の平均値）とをＳＲＡＭ１１０に記録させるためのプログラムである。このパラメータ記録モジュール１２２は、フラッシュＲＯＭ１１１上に格納され、ＣＰＵ１０３上で実行される。
【００３６】
発熱制御モジュール１２３は、スピンドルモータ６などの機構部で生じる発熱量を制御するためのプログラムであり、フラッシュＲＯＭ１１１上に格納されている。具体的には、発熱制御モジュール１２３は、次のようにしてＣＰＵ１０３上で実行される。すなわち、ＣＰＵ１０３が、モータ駆動回路・リードライトチャンネル１０４などへ命令を送ることにより、各周辺ＩＣへの負荷を制御し各周辺ＩＣでの発熱量を制御すると共に、モータ駆動回路を介して、スピンドルモータ６・ボイスコイルモータ５を駆動したりあるいは停止させたりすることにより、実行される。
【００３７】
自己診断モジュール１２４は、ＳＲＡＭ１１０上に記録されている各温度値および当該各温度値のビットエラー数を用いて、低温状態でのデータ読み出し不良の発生の度合いを後述する計算方法で算出して出力するためのプログラムである。自己診断モジュール１２４は、フラッシュＲＯＭ１１１上に格納され、ＣＰＵ１０３上で実行される。
【００３８】
図２は、磁気ディスク装置１００が低温状態のときにデータの読み出し不良を生じ易いか否かを試験する試験方法を示すフローチャートである。
ステップ１（２０１）において、まず、温度センサ１０６が磁気ディスク装置１００の内部温度Ｔ1（第１の内部温度）を測定する。次に、ＣＰＵ１０３は、フラッシュＲＯＭ１１１からエラー測定モジュール１２１を読み出し、エラー測定モジュール１２１に従って、次のような処理を行う。すなわち、ＣＰＵ１０３（算出部）は、現在（動作時）の温度環境における記録再生系のビットエラー数ＥＣ1の測定（算出）を行う。次に、ＣＰＵ１０３（算出部）は、フラッシュＲＯＭ１１１からパラメータ記録モジュール１２２を読み出し、パラメータ記録モジュール１２２に従って、次のような処理を行う。すなわち、ＣＰＵ１０３は、温度センサ１０６に測定された内部温度Ｔ1と、上記測定されたビットエラー数（第１のビットエラー数）ＥＣ1とをＳＲＡＭ１１０上に記録する。
【００３９】
ステップ２（２０２）では、まず、ＣＰＵ１０３（制御部）は、フラッシュＲＯＭ１１１から発熱制御モジュール１２３を読み出し、発熱制御モジュール１２３に従って、次のような処理を行う。すなわち、ＣＰＵ１０３は、磁気ディスク装置１００の内部温度を変化させる。このときの発熱制御モジュールによる処理の詳細は、後述の図３および図４を参照して説明する。
【００４０】
ステップ３（２０３）では、まず、温度センサ１０６が、再度、磁気ディスク装置１００の内部温度Ｔ2（第２の内部温度）を測定する。次に、ＣＰＵ１０３（算出部）は、フラッシュＲＯＭ１１１に格納されているエラー測定モジュール１２１に従って、現在の温度環境における記録再生系のビットエラー数ＥＣ2の測定（算出）を行う。次に、ＣＰＵ１０３（算出部）は、フラッシュＲＯＭ１１１に格納されているパラメータ記録モジュール１２２に従って、温度センサ１０６に測定された内部温度Ｔ2と、上記測定されたビットエラー数（第２のビットエラー数）ＥＣ2とをＳＲＡＭ１１０上に記録する。
ステップ４（２０４）では、まず、ＣＰＵ１０３（診断部）は、ＳＲＡＭ１１０から、各内部温度Ｔ1、Ｔ2および各ビットエラー数ＥＣ1、ＥＣ2を読み出す。次に、ＣＰＵ１０３（診断部）は、フラッシュＲＯＭ１１１から自己判断モジュール１２４を読み出し、自己判断モジュール１２４に従って、次のような診断処理を行う。すなわち、ＣＰＵ１０３は、Ｔ1、Ｔ2、ＥＣ1およびＥＣ2に基づいて、低温環境（低温時）でのデータ読み出しの不良の発生度合いを算出して、その結果を不図示の表示部（例えばコンピュータディスプレイ等の表示装置）に出力する。なお、このときの発生度合いの算出方法については、後述の図５〜図１２を参照して説明する。
【００４１】
このようにして、磁気ディスク装置１００は、ドライブ内部の発熱を制御し、例えば、Ｔ1、Ｔ2、ＥＣ1およびＥＣ2に基づいて、低温環境（低温時）でのデータ読み出しの不良の発生度合いを算出する。このため、磁気ディスク装置１００が、上記不良の発生度合いを自己診断することができる。したがって、特別な温度設定設備を準備した試験や、特別なスクリーニング試験が必要なくなる。低温環境での磁気ディスク装置の記録再生品質を生産性・生産コストへの影響なしに確保することができる。
【００４２】
［発熱制御モジュール処理］
次に、発熱制御モジュール１２３による処理について図３および図４を参照して詳述する。本実施例では、発熱制御モジュール１２３による処理（図２のステップ２）では、スピンドルモータ６、ボイスコイルモータ５および各ＩＣ（不図示）への電流供給を最小とし、その状態を１時間保持することとした。これにより、低温状態を実現することとした。なお、この発熱制御モジュール１２３の処理時においては、実際の磁気ディスク装置の製造・試験環境下でテストチャンバー内部を略２５度に制御していたが、個々の磁気ディスク装置の温度制御を積極的に行わなかった。このようなことにした理由は、次のとおりである。
【００４３】
すなわち、通常、磁気ディスク装置の製造工程中の各種試験では、サーボ特性やリードライト特性の最適化のために、磁気ディスク装置は１００％近いデューティーで稼動させている。このため、試験スタートの開始後、数十分の時間で磁気ディスク装置の内部温度がほぼ飽和状態となり、磁気ディスク装置の外部温度が、＋１５度〜＋２０度程度の高温で安定するからである。
【００４４】
図３は、ＣＰＵ１０３が、発熱制御モジュール１２３に従い温度制御を行った場合の磁気ディスク装置の内部温度の測定例を示すグラフである。図３のグラフの縦軸は、各高温安定時のドライブ内部温度（磁気ディスク装置の内部温度）と、降温後のドライブ内部温度とを表す。降温後のドライブ内部温度は、高温安定時のドライブ内部温度を発熱制御モジュールによる処理に基づき降温し低温としたときのものである。図３のグラフの横軸は、高温安定時のドライブ内部温度と降温後のドライブ内部温度との温度差を表している。
【００４５】
図３によると、発熱制御モジュール１２３による温度制御により、高温安定時と低温時の温度差は、７度〜１５度程度になることがわかる。なお、テスト時の装置内は、厳格な温度コントロールを行わなかった。このため、通常の方法で温度を測定すれば、高温安定時になると、磁気ディスク装置のテストチャンバー内の温度分布は、３７度から５２度までの広範囲の温度分布となる。
【００４６】
図４は、温度制御モジュール１２３処理の前後における磁気ディスク装置内部の温度差のヒストグラムを示すグラフである。図４のグラフの縦軸は、磁気ディスク装置台数を表し、横軸は温度制御モジュール１２３による温度変化ΔＴ、すなわち温度制御モジュール１２３による処理により磁気ディスク装置の内部温度が変化した温度差を表す。
図４のグラフから、ほとんどの磁気ディスク装置が、８度〜１３度程度の温度差となったことがわかる。
【００４７】
［データ読み出しエラーの発生頻度の算出処理］
次に、本実施例のデータ読み出しエラーの発生頻度の算出処理について説明する。
本実施例では、回転数が５４００ＲＰＭ、記録面密度が約６５Ｇｂｉｔ/ｉｎ２相当の磁気ディスク装置を用いた。この磁気ディスク装置に用いた磁気ディスクの特性は次のとおりである。保磁力（Ｈｃ）が約４５００Ｏｅ、ＭｒＴが約０．３２ｍｅｍｕ／ｃｍ２である。磁気ヘッドのライトトラック幅は０．２８μｍで、リードトラック幅は０．１８μｍである。なお、再生素子はＧＭＲ素子を用いた。磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の浮上高さは約１１ｎｍである。
【００４８】
図５は、磁気ヘッドの書き込み電流を３２ｍＡから６０ｍＡまで変化させた場合のオーバーライトの特性変化を示すグラフである。ここでは、１２℃、２３℃、５５℃の３種類の温度条件で測定を行った。オーバーライトの測定は、磁気ディスクの外周部で行った。具体的には、１Ｔ＝２４０ＭＨｚとし、始めに測定対象データトラックの前後５トラックをＤＣイレースした後、１２Ｔ（２０ＭＨＺ）のパターンを測定対象トラックに書き、１２Ｔの出力（ＴＡＡ１）を測定した。次に、測定対象トラックに２Ｔ（１２０ＭＨＺ）のパターンで上書きを行う。ここで、上書き後の残存１２Ｔの出力（ＴＡＡ２）を測定し、オーバーライト（ＯＷ）は、次式（１）で求めた。
【００４９】
（数１）
ＯＷ＝２０ｌｏｇ（ＴＡＡ２）−２０ｌｏｇ（ＴＡＡ１）      ・・・（１）
【００５０】
図５から、３種類の温度条件においても磁気ヘッドの書き込み電流を上げることによりオーバーライト特性は向上し、ある程度以上の書き込み電流に達するとオーバーライト特性は飽和状態にあることがわかる。
【００５１】
また、２３℃および５５℃の温度条件では、４０ｍＡ〜４５ｍＡ程度の書き込み電流で−３０ｄＢのオーバーライト特性を確保できていることがわかる。
１２℃の温度条件では、書き込み電流を約６０ｍＡまで大きくしても、−２８ｄＢ程度のオーバーライト特性しか確保できず、オーバーライト特性は飽和状態になることがわかる。つまり、書き込み電流を約６０ｍＡ以上にしてもオーバーライト特性の向上が期待できない。
【００５２】
このように本実施例の磁気ヘッド１・磁気ディスク２系では、低温状態において、磁気ディスク２の保磁力が高くなり、書き込み電流を温度に応じて調整して改善しようとしても、十分な書き込みが行えないことがわかった。
【００５３】
次に、磁気ヘッド・磁気ディスクのパフォーマンスについて検討する。一般的には、磁気ディスク装置内部における磁気ヘッド・磁気ディスクのパフォーマンスを測る指標として、ビットエラーが用いられる。
【００５４】
そこで、本実施例でも、室温環境（約３０度のチャンバー内）および低温環境（約０度のチャンバー内）の下、３５２台の磁気ディスク装置を用いて、ビットエラーを測定した。
【００５５】
この測定結果を図６に示す。なお、図６のグラフの横軸は、室温環境でのエラーレートを表し、縦軸は低温環境でのエラーレートを表す。ここで用いた磁気ディスク装置は、温度による磁気ディスクの保磁力の増減変化の影響を低減するため、書き込み電流と、プリアンプのライトドライバのオーバーシュートとを磁気ディスク装置の内部温度により変化させた。
【００５６】
このため、例えば、ある室温環境では、書き込み電流４０ｍＡ、オーバーシュート５３％となったのに対して、低温環境においては、書き込み電流５６ｍＡ、オーバーシュート７３％となった。
【００５７】
図６をみると、磁気ディスク装置毎に厳密な温度コントロールを行っていないということもあり（図３で説明したとおり）、多少のばらつきは見られる。しかし、低温環境では、室温環境に比べて、ビットエラーレートが０．５桁程度悪化していることがわかる。
【００５８】
次に、室温環境（約３０度のチャンバー内）および高温環境（約６０度のチャンバー内）でのビットエラーレートの測定結果を図７に示す。なお、図７のグラフの横軸は、室温環境（約３０℃）でのビットエラーレート、縦軸は高温環境（約６０℃）でのビットエラーレートを表す。
【００５９】
図７の高温環境では、書き込み電流３８ｍＡ、オーバーシュート５３％となった。この結果をみると、図６とは異なり、室温環境および高温環境でのビットエラーレートの比較に顕著な違いがなかった。
【００６０】
したがって、図５に示したオーバーライト特性の結果も踏まえて考察すると、低温環境では、磁気ディスクの保磁力が強くなり、磁気ディスクの保磁力に対して、磁気ヘッドの書き込み能力が不足する。その結果、磁気ディスク装置のデータ読み出しが不良になる傾向が強くなることがわかる。
【００６１】
次に、温度変化による磁気ディスクの保磁力の増加と、磁気ヘッドの書き込み能力のマージンとをより詳細に検証するために、特性差のある６個のサンプル（サンプルＡ〜サンプルＦ）の磁気ディスク装置を用いて、温度とビットエラー数の関係を検討した。
【００６２】
この検討結果を図８に示す。なお、図８の横軸は温度、縦軸はビットエラー数を表す。図８のビットエラーの測定では、内周、中周および外周のシリンダー毎に７３１２８０００ビットの測定を行った。そして、内周、中周および外周のビットエラー数を平均して算出した。
【００６３】
図８から、測定温度が低くなるにつれ、すべてのサンプルでビットエラー数が増加していることがわかる。
また、図８をみると、サンプルＡについては、３０℃を超える高温では、６サンプル中、中間の特性となり、比較的良好な特性を示している。しかし、低温になるにつれ、特性が悪化している。このため、サンプルＡのような特性をもつサンプルの存在から、単一の温度条件下でビットエラーの測定を行ったとしても、低温での特性を推測することができないことがわかる。
【００６４】
さらに、実際の磁気ディスク装置の製造環境およびテスト環境では、厳密な温度環境とするコントロールがし難い。このため、強制対流等の方式で温度コントロールを行ったとしても、磁気ディスク装置の内部温度のばらつきが５℃程度生じることになる。
【００６５】
仮に、強制対流等の温度コントロールを行わなかった場合には、磁気ディスク装置の内部温度のばらつきが２０℃程度生じることになる。
したがって、磁気ディスク装置の製造や試験現場のような多数の磁気ディスク装置を取り扱う温度環境の制御が困難な現場では、低温でのデータ読み出し不良の発生度合いを厳密に検出することはより難しくなる。
【００６６】
そこで、本実施例では、磁気ディスク装置について厳密な環境温度のコントロールを行わずに、２つの異なる温度条件（常温、高温）下でビットエラー数を測定した。このときの、低温でのデータ読み出し不良の発生度合い（ＦＲ：Ｆａｉｌｕｒｅ  Ｒａｔｅ）を次式（２）で算出した。
【００６７】
（数２）
ＦＲ＝（ＥＣ1−ＥＣ2）／（Ｔ2−Ｔ1）Ｘ｛（Ｔ1＋Ｔ2）／２｝α      ・・・（２）
【００６８】
式（２）中、ＥＣ1は温度Ｔ1でのビットエラー数、ＥＣ2は温度Ｔ2でのビットエラー数を表す。
一般的には、通常の環境においては、磁気ディスク装置の内部温度は、３０℃〜５５℃程度となりばらつく。このため、本実施例では、５２７台の磁気ディスク装置について、３０℃〜５５℃の温度環境でテストを行った。そして、このテストの結果に基づき、各温度でのビットエラーの測定を行った後、式（２）の最小二乗法を行った。これにより得られた上記式（２）の係数αの分布を図９に示す。
【００６９】
図９をみると、係数αは、２〜４の間に分布し、α＝３のときにピークになることがわかる。したがって、式（２）のαをα＝２〜４とし、低温でのデータ読み出し不良の発生度合いを算出すると、測定温度にかかわらず、低温でのデータの読み出し不良の検出が行える。
【００７０】
また、図９のαの分布によると、α＝３のときにピークをもつので、α＝３として、低温でのデータの読み出し不良の発生度合いを算出するのが最適であることがわかる。
そこで、α＝３とした上で、３０℃〜６０℃の温度範囲で変化させながら、異なる６つのサンプル（サンプルａ〜サンプルｅ）の磁気ディスク装置を使用して、低温でのデータ読み出し不良の発生度合いＦＲを求めた。このときのＦＲの算出式は、次式（３）のとおりである。
【００７１】
（数３）
ＦＲ＝（ＥＣ1−ＥＣ2）／（Ｔ2−Ｔ1）Ｘ｛（Ｔ1＋Ｔ2）／２｝3      ・・・（３）
【００７２】
式（３）中のＥＣ1はある温度Ｔ1におけるビットエラー数、ＥＣ2は異なる温度Ｔ2におけるビットエラー数を表す。
式（３）のＦＲの算出結果を図１０に示す。なお、図１０のグラフの縦軸は、式（３）により求められたＦＲ（低温でのデータ読み出し不良の発生度合）を表す。横軸は、平均温度（Ｔ1＋Ｔ2）／２を表す。
【００７３】
６つのサンプルは、どの温度条件でＦＲを算出しても、各ＦＲは、ほぼ一定の値をとることがわかった。
本実施例の磁気ディスク装置においても、常温・高温の２種類の温度条件（３０℃〜６０℃程度）でビットエラー数を測定したが、式（３）を用いることにより、測定温度にばらつきがあっても、各磁気ディスク装置の低温でのデータ読み出し不良の発生度合いを予測することが可能となる。
【００７４】
［信頼性試験］
次に、本実施例の磁気ディスク装置の試験方法（図２のステップ１〜４）により得られる効果を検証するために、次のような信頼性試験を行った。すなわち、５８５台のサンプルの磁気ディスク装置を準備し、これらの磁気ディスク装置を試験対象として、まず、式（３）から、低温でのデータ読み出し不良発生度合いＦＲを算出した。次に、実際に、低温環境で信頼性試験を行い、低温でのデータ読み出し不良の発生の有無を調べた。そして、上記５８５台のサンプルの磁気ディスク装置について、常温の温度制御を行わない環境下でテストを行い、式（３）から低温でのデータ読み出し不良発生度合い（ＦＲ）を求めた。この算出の結果から得られた全体分布を図１１に示す。
【００７５】
図１１をみると、９５％以上の磁気ディスク装置で、低温でのデータ読み出し不良発生度合いは、３０Ｘ１０6以下で分布することがわかる。
【００７６】
他方、図１１の場合とは異なる次のような方法で、データ読み出し不良発生度合いＦＲの分布を調べた。具体的には、この方法では、上記５８５台のサンプルの磁気ディスク装置を０℃の環境において、シーケンシャルおよびランダムでライト／リード試験を行った。このとき、低温での書き込みマージンが低く、低温でデータの読み出しが不良になりそうな磁気ディスク装置を調べた。その結果、データ読み出しの不良が発生した度合いをまとめた。その度合いの全体分布を図１２に示す。
【００７７】
図１２をみると、低温でのデータ読み出し不良については、低温でのデータ読み出し不良発生度合いが、３０×１０6以上の磁気ディスク装置からしか発生していないことがわかる。このことは、次のようなことを意味する。すなわち、本実施例の試験方法によれば、低温でのデータ読み出し不良発生度合いの低い下位５％の磁気ディスク装置から、低温でのデータ読み出し不良が発生していることを意味する。
【００７８】
以上から、本実施例では、ＦＲの式（３）を用いることにより、実際に低温で発生するデータ読み出し不良が、厳密な温度制御を行わない室温環境での試験で予測可能なことが確認できた。
【００７９】
なお、本実施例では、低温でのデータ読み出し発生度合いの係数αを算出し、式（３）から、ＦＲを求めた場合について説明したが、本発明は、式（３）で用いた係数α＝３や式（３）の近似式に限定されるものではない。
【００８０】
例えば、磁気ディスク装置の温度ｔ／Ｋ（絶対温度）とビットエラー数ＥＣの関係は、磁気ディスク装置を使用する温度域においては、次式（４）を適用してもよい。式（４）も実験的に検証されているからである。
【００８１】
（数４）
ｌｏｇ（ＥＣt）＝ａＸｔ-1＋ｂ      ・・・（４）
【００８２】
図８で示したサンプルＡ〜Ｅを用いた場合のｌｏｇ（ＥＣt）とＴ-1の関係を図１３に示す。
図１３をみると、ｌｏｇ（ＥＣt）とＴ-1とは、式（４）と同様の比例関係にあるので、温度とビットエラー数の関係は、式（４）で近似できることがわかる。ここで、２つの温度条件で測定した絶対温度を（ｔ1，ｔ2）とし、ビットエラー数を（ＥＣ1、ＥＣ2）とすると、式（４）のａは次式（５）で求めることができ、式（４）のｂは次式（６）で求めることができる。
【００８３】
（数５）
ａ＝ｌｏｇ（ＥＣ1／ＥＣ2）Ｘ｛ｔ1Ｘｔ2／（ｔ2−ｔ1）｝      ・・・（５）
【００８４】
（数６）
ｂ＝｛ｌｏｇ（ＥＣ2）Ｘｔ2−ｌｏｇ（ＥＣ1）Ｘｔ1｝／（ｔ2−ｔ1）      ・・・（６）
【００８５】
以上から、絶対温度ｔ／Ｋを用いて予測されるビットエラー数ＥＣtは、次式（７）で表される。
【００８６】
（数７）
ＥＣt＝１０＾（ａＸｔ-1＋ｂ）      ・・・（７）
【００８７】
図１３のｌｏｇ（ＥＣt）とＴ-1の関係からみて、ＣＰＵ１０３が、自己判断モジュール１２４を用いて、式（５）、（６）、（７）の算出を行っても、低温でのデータ読み出し不良発生度合いを算出することができることがわかる。
【００８８】
このように、本発明の試験方法は、式（３）あるいは式（５）〜（７）で用いた関係式や係数に限定されない。本発明の試験方法は、２温度条件（Ｔ1とＴ2）でビットエラー数（ＥＣ1とＥＣ2）を測定し、その測定値を用いて、低温でのデータ読み出し不良発生度合いを算出することに意義がある。
【００８９】
なお、本実施例では、磁気ディスク装置は、発熱制御モジュール１２３を用いて、周辺ＩＣやスピンドルモータ、ボイスコイルモータでの発熱を低減し、高温状態から、低温状態へ移行させる制御を行った。具体的には、図２のステップ１を高温状態としてから、ステップ２で降温し、ステップ３で低温状態とした。しかし、ステップ１を低温状態としてから、ステップ２で昇温し、ステップ３で高温状態にしてもよい。このようにしても、実施例１と同様の効果が得られる。
【００９０】
（実施例２）
図１４は、本発明の実施例２における磁気ディスク装置が低温状態のときにデータの読み出し不良を生じ易いか否かを試験する試験方法を示すフローチャートである。なお、実施例２において、実施例１と同様の部分については実施例１と同様の符号・用語を用いて説明する。実施例２の磁気ディスク装置の構成も、図１の実施例１の磁気ディスク装置１００の構成と同様である。
【００９１】
図１４の試験方法は、図２のステップ１〜４をステップａ〜ｄに代えた点が、図２の実施例１と異なる。なお、各ステップａ、ｂは、図２の各ステップ１、２と同様であるので、以下、ステップｃ、ｄについて詳述する。
【００９２】
ステップｃにおいて、ステップａおよびステップｂの処理を２回以上繰り返す。繰り返す回数は、あらかじめ設定されており、本実施例では例えば２回とする。この場合、ＣＰＵ１０３は、ステップｂが終了するたびに、カウントを１つ増やす。このときのカウント値が、ステップａおよびステップｂの処理の繰り返し回数を表す。そして、ＣＰＵ１０３は、例えばＳＲＡＭ１１０に格納されている繰り返し値（例えば２回）と、上記カウントした値とを比較し、双方の値が一致した場合に、ステップｄに移行する。
【００９３】
ステップｄにおいて、ＣＰＵ１０３は、ステップａで記録した内部温度およびビットエラー数をＳＲＡＭ１１０から読み出す。次に、ＣＰＵ１０３は、フラッシュＲＯＭ１１１から読み出した自己判断モジュール１２４に従って、低温環境でのデータ読み出し不良発生度合いを算出する。そして、ＣＰＵ１０３は、その算出結果を出力する。このデータ読み出し不良発生度合いの算出方法は、実施例１で説明したとおりであるので、説明を省略する。
【００９４】
なお、本発明は、上記実施例１、２に限定されない。例えば、実施例１では、２種類（常温・高温）の温度条件を用いて、低温でのデータ読み出し不良発生度合いを算出した。しかし、これはプロセスを単純化するためであり、これら２種類の温度条件に限られない。例えば、磁気ディスク装置は、実施例２の場合と同様、３温度条件以上でビットエラー数を測定し、低温での読み出し不良度合いの算出を行ってもよい。
【００９５】
また、実施例１、２の温度（低温、常温、高温）は、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、変更してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明に係る磁気ディスク装置の試験方法は、特別な環境試験設備を設けることなく、通常有する磁気ディスク装置の製造環境下で、低温環境でのデータ読み出し不良発生度合いを検出することができる。このため、生産性や生産コストへの影響がなく、より信頼性の高い磁気ディスク装置を製造できる磁気ディスク装置の試験方法として用いるのは有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施例１における磁気ディスク装置の構成例を示すブロック図
【図２】本発明の実施例１における試験方法を示すフローチャート
【図３】発熱制御モジュールによる温度変化と磁気ディスク装置の内部温度の変動との関係を示す図
【図４】温度制御モジュールによる温度変化と磁気ディスク装置台数との関係を示す図
【図５】書き込み電流とオーバーライトとの関係を示す図
【図６】室温環境および低温環境での各エラーレートの関係を示す図
【図７】室温環境および高温環境での各エラーレートの関係を示す図
【図８】各サンプルの温度とビットエラー数との関係を示す図
【図９】αの分布と磁気ディスク台数との関係を示す図
【図１０】各サンプルの温度とデータ読み出し不良発生度合いとの関係を示す図
【図１１】データ読み出し不良発生度合いと磁気ディスク装置台数との関係を示す図
【図１２】データ読み出し不良発生度合いと発生した不良の磁気ディスク装置台数との関係を示す図
【図１３】各サンプルのビットエラー数（ｌｏｇ（ＥＣ））と温度（Ｔ-1）との関係を示す図
【図１４】本発明の実施例２における試験方法を示すフローチャート
【図１５】従来の磁気ディスク装置の概略図
【符号の説明】
【００９８】
１  磁気ヘッド
２  磁気ディスク
３  サスペンション
４  磁気ヘッドアセンブリ
５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
６  スピンドルモータ（ＳＰＭ）
７  電気回路ブロック
８  金属製の筐体
９  磁気ディスク装置
１０１  ホスト
１０２  ＨＤＣ
１０３  ＣＰＵ
１０４  リードライトチャンネル
１０５  プリアンプ
１０６  温度センサ
１０７  Ａ／Ｄ変換機
１０８  モータ駆動回路
１０９  ＳＤＲＡＭ
１１０  ＳＲＡＭ
１１１  フラッシュＲＯＭ
１１２  磁気記録再生素子
１２１  エラー測定モジュール
１２２  パラメータ記録モジュール
１２３  発熱制御モジュール
１２４  自己判断モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2009163847.tif 000012
【図１１】
2009163847.tif 000013
【図１２】
2009163847.tif 000014
【図１３】
2009163847.tif 000015
【図１４】
2009163847.tif 000016
【図１５】
2009163847.tif 000017