(57)【要約】【課題】電源の異常遮断等からの復帰後にログが破壊されている可能性を排除して、管理情報の信頼性を高めることができるメモリシステムを提供すること。【解決手段】管理情報復元部１５５はＮＡＮＤメモリ１２中の前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂを参照して、瞬断が発生したか否かを判定する。前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂが存在する場合には瞬断が発生したと分かり、その場合は、瞬断の発生したタイミングを判定し、復元に用いる前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂを選択した後、これらのログをスナップショット２１０に反映させて管理情報の復元を行なう。その後、ＮＡＮＤメモリ２１２内の全ての追記用ブロックに対してリカバリ処理を行い、さらに、スナップショット２１０を取り直して、過去のスナップショットとログを開放する。【選択図】        図１４
2009211213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性の第１の記憶部と、
多値データを記憶可能なメモリセルからなる不揮発性の第２の記憶部と、
前記第１の記憶部を介してホスト装置と前記第２の記憶部との間のデータ転送を行なうとともに、起動時に前記第２の記憶部に記憶された前記データの格納位置を含む管理情報を前記第１の記憶部に取込み、該取り込んだ管理情報を更新しながら管理情報に基づいて前記第１および第２の記憶部でのデータ管理を行なうコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
所定の条件が成立したときに前記第１の記憶部に記憶された管理情報をスナップショットとして前記第２の記憶部に保存するとともに、前記管理情報の更新差分情報であるログを前記第２の記憶部に保存する管理情報保存部と、
起動時に前記ログが存在する場合には、前記スナップショットと前記ログとに基づいて前記第１の記憶部にて管理情報の復元を行った後に、前記スナップショットを取り直して前記第２の記憶部に保存する管理情報復元部と、
を有することを特徴とするメモリシステム。
【請求項２】
前記ログは、前記管理情報に変更が生じる前に取得される更新前ログと、前記管理情報に変更が生じた後に取得される更新後ログと、からなることを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置を用いて構成されるメモリシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置を２次記憶装置として用いたパーソナルコンピュータにおいては、ハードディスク装置に格納されるデータが何らかの障害によって無効なデータとなってしまうことを防ぐためにバックアップをとる技術が知られている。たとえば、ハードディスク装置中のデータの変更を検出すると、そのデータの変更前のバックアップコピーであるスナップショットをとり、そのデータに対する更新を記録したログをとる。その後、所定の時間ごとにスナップショットをとるとともに、スナップショットをとる前の過去のログを無効にし、新しいログを生成するという処理が繰り返し行われる（たとえば、特許文献１参照）。そして、データが無効になってしまった場合には、スナップショットとログを基にそのデータを復元することができる。
【０００３】
ところで、近年では、不揮発性半導体記憶装置であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの大容量化が進行し、このＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリシステムを２次記憶装置とするパーソナルコンピュータが製品化されている。しかし、このようなＮＡＮＤ型フラッシュメモリを２次記憶装置とするパーソナルコンピュータに格納されるデータのバックアップに対して、ハードディスク装置を２次記憶装置とするパーソナルコンピュータに格納されるデータのバックアップの場合と同様に上記特許文献１の技術を適用することはできない。それは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの大容量化には、１つのメモリセルに２ビット以上の複数のデータ（多値データ）を記憶することが可能な多値メモリ技術が使用されているからである。
【０００４】
多値メモリを構成するメモリセルは、チャネル領域上にゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、ゲート間絶縁膜および制御ゲート電極が順に積層された積層ゲート構造を有する電界効果型トランジスタ構造を有し、浮遊ゲート電極に蓄積される電子の数に応じて、複数の閾値電圧を設定可能な構成を有している。そして、この複数の閾値電圧によって、多値記憶を可能とするために、１つのデータに対応する閾値電圧の分布を非常に狭く制御する必要がある。
【０００５】
たとえば、４値を記憶することができる多値メモリでは、１つのメモリセルに第１（下位）ページと第２（上位）ページを設け、それぞれのページに１ビットのデータを書き込むことによって、２ビット（４値）を記憶することが可能となっている。このような多値メモリのデータ書込方法は、第１のメモリセルの第１ページにデータを書き込んだ後、隣接メモリセル（第２のメモリセル）の第１ページにデータを書き込む。そして、この隣接メモリセルへの書き込み後に、第１のメモリセルの第２ページにデータを書き込んでいる。（たとえば、特許文献２参照）
【０００６】
しかし、このような多値メモリでは、先に書き込んだメモリセルの閾値電圧が、このメモリセルと隣接し、後に書き込まれるメモリセルの閾値電圧によって変動してしまう。このため、多値メモリでは、あるメモリセルの第２ページの書き込み中に、たとえば電源の異常遮断などによって書き込みが中断されると、先に書き込んだ第１ページのデータも破壊される下位ページデータ破壊が生じてしまうという問題がある。
【０００７】
このため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを採用したパーソナルコンピュータでは、電源の異常遮断などからメモリシステムを復帰させる際に、中断のタイミングを判別し、ログの書き込み中に中断した場合にはログ破壊の有無を判別するとともに、中断の影響を受けていないログを選択してスナップショットに反映させることで、メモリシステムを異常遮断が起きる前の状態に復帰させる必要がある。しかしながら、このような復元処理を行なったとしても、破壊されたログは依然として存在することになるので、復帰後に破壊されたログを誤って読み取ってしまう可能性など排除できず、メモリシステムの信頼性が確保されていないという問題がある。
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０２２４６３６号明細書
【特許文献２】特開２００４−１９２７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電源の異常遮断等からの復帰後にログが破壊されている可能性を排除して、管理情報の信頼性を高めることができるメモリシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明の一態様によれば、揮発性の第１の記憶部と、多値データを記憶可能なメモリセルからなる不揮発性の第２の記憶部と、前記第１の記憶部を介してホスト装置と前記第２の記憶部との間のデータ転送を行なうとともに、起動時に前記第２の記憶部に記憶された前記データの格納位置を含む管理情報を前記第１の記憶部に取込み、該取り込んだ管理情報を更新しながら管理情報に基づいて前記第１および第２の記憶部でのデータ管理を行なうコントローラと、を備え、前記コントローラは、所定の条件が成立したときに前記第１の記憶部に記憶された管理情報をスナップショットとして前記第２の記憶部に保存するとともに、前記管理情報の更新差分情報であるログを前記第２の記憶部に保存する管理情報保存部と、起動時に前記ログが存在する場合には、前記スナップショットと前記ログとに基づいて前記第１の記憶部にて管理情報の復元を行った後に、前記スナップショットを取り直して前記第２の記憶部に保存する管理情報復元部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、電源の異常遮断からの復帰後にログが破壊されている可能性を排除して、管理情報の信頼性を高めることができる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明に係るメモリシステムおよび管理情報の保存方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
（実施の形態）
このメモリシステムは、不揮発性半導体記憶装置を含み、たとえば、パーソナルコンピュータなどのホスト装置の２次記憶装置（ＳＳＤ：Solid  State  Drive）として使用され、ホスト装置から書込要求を出されたデータを記憶し、またホスト装置から読出要求のあったデータを読み出してホスト装置に出力する機能を有する。図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるメモリシステムの構成の一例を示すブロック図である。このメモリシステム１０は、第１の記憶部としてのＤＲＡＭ（Dynamic  Random  Access  Memory）１１と、第２の記憶部としてのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、ＮＡＮＤメモリという）１２と、電源回路１３と、ドライブ制御部１４と、を備える。
【００１４】
ＤＲＡＭ１１は、データ転送用、管理情報記録用または作業領域用の記憶部として使用される。具体的には、データ転送用の記憶部としては、ホスト装置から書込要求があったデータをＮＡＮＤメモリ１２に書き込む前に一時的に保存したり、ホスト装置から読出要求があったデータをＮＡＮＤメモリ１２から読み出して一時的に保存したりするために使用される。また、管理情報記録用の記憶部としては、ＤＲＡＭ１１およびＮＡＮＤメモリ１２に記憶されるデータの格納位置を管理するための管理情報を格納するために使用される。さらに、作業領域用の記憶部としては、管理情報を復元する際に用いる前後ログ（更新前ログおよび更新後ログ）の展開時などに使用される。
【００１５】
ＮＡＮＤメモリ１２は、データ保存用の記憶部として使用される。具体的には、ホスト装置側によって指定されたデータを記憶したり、ＤＲＡＭ１１で管理される管理情報をバックアップ用に記憶したりする。この図１では、ＮＡＮＤメモリ１２が４つのチャネル１２０Ａ〜１２０Ｄによって構成されている場合が示されている。１つのチャネル１２０Ａ〜１２０Ｄは、所定のサイズの記憶容量を有する８個のチップ１２２が１つにまとめられたパッケージ１２１を２つ含んでいる。また、各チャネル１２０Ａ〜１２０Ｄは、ドライブ制御部１４とバス１５を介して接続されている。
【００１６】
電源回路１３は、外部電源を受け、この外部電源を用いてメモリシステム１０の各部に供給するための複数の内部電源を生成する。また、電源回路１３は、外部電源の立ち上がりまたは立ち下りを検知して、パワーオンリセット信号を生成する。このパワーオンリセット信号は、ドライブ制御部１４に送られる。
【００１７】
ドライブ制御部１４は、ＤＲＡＭ１１とＮＡＮＤメモリ１２を制御する。詳細は後述するが、たとえば、電源回路１３からのパワーオンリセット信号に応じて、管理情報の復元処理や管理情報の保存処理を行う。また、ドライブ制御部１４は、ＡＴＡインタフェース（図中では、ＡＴＡ  Ｉ／Ｆと表記）を介して、ホスト装置との間でデータを送受信し、ＲＳ２３２Ｃインタフェース（図中では、ＲＳ２３２Ｃ  Ｉ／Ｆと表記）を介して、デバッグ用機器との間でデータを送受信する。さらに、ドライブ制御部１４は、メモリシステム１０の外部に設けられる状態表示用ＬＥＤを制御するための制御信号を出力する。
【００１８】
ここで、ＮＡＮＤメモリ１２の構成について説明する。ＮＡＮＤメモリ１２は、データ消去の単位であるブロック（消去単位領域）を基板上に複数配列して構成される。図２は、ＮＡＮＤメモリに含まれる１個のブロックの構成の一例を示す回路図である。なお、この図２において、紙面上の左右方向をＸ方向とし、紙面上のＸ方向に垂直な方向をＹ方向としている。
【００１９】
ＮＡＮＤメモリ１２の各ブロックＢＬＫは、Ｘ方向に沿って順に配列された（ｍ＋１）個（ｍは０以上の整数）のＮＡＮＤストリングＮＳを備えている。各ＮＡＮＤストリングＮＳは、Ｙ方向に隣接するメモリセルトランジスタＭＴ間で拡散領域（ソース領域またはドレイン領域）を共有してＹ方向に直列に接続された（ｎ＋１）個（ｎは０以上の整数）のメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴｎと、この（ｎ＋１）個のメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴｎの列の両端に配置される選択トランジスタＳＴ１，ＳＴ２と、を有する。
【００２０】
各メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴｎは、半導体基板上に形成された積層ゲート構造を有するＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）から構成される。ここで、積層ゲート構造には、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層（浮遊ゲート電極）と、この電荷蓄積層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲート電極と、が含まれる。メモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴｎは、浮遊ゲート電極に蓄えられる電子の数に応じて閾値電圧が変化し、この閾値電圧の違いに応じて２ビット以上のデータを記憶することができる多値メモリである。なお、以下に示す実施の形態では、メモリセルトランジスタＭＴはこの多値メモリである場合を例に挙げて説明する。
【００２１】
ＮＡＮＤストリングＮＳを構成するメモリセルトランジスタＭＴ０〜ＭＴｎの制御ゲート電極には、それぞれワード線ＷＬ０〜ＷＬｎが接続されており、また各ＮＡＮＤストリングＮＳ中のメモリセルトランジスタＭＴｉ（ｉ＝０〜ｎ）間は、同一のワード線ＷＬｉ（ｉ＝０〜ｎ）によって共通接続されている。つまり、ブロックＢＬＫ内において同一行にあるメモリセルトランジスタＭＴｉの制御ゲート電極は、同一のワード線ＷＬｉに接続される。この同一のワード線ＷＬｉに接続される（ｍ＋１）個のメモリセルトランジスタＭＴｉの群は１つのページを構成する単位となる。ＮＡＮＤメモリ１２では、このページ単位でデータの書き込みと読み出しが行われる。
【００２２】
１つのブロックＢＬＫ内の（ｍ＋１）個の選択トランジスタＳＴ１のドレインにはそれぞれビット線ＢＬ０〜ＢＬｍが接続され、ゲートには選択ゲート線ＳＧＤが共通接続されている。また、選択トランジスタＳＴ１のソースはメモリセルトランジスタＭＴ０のドレインと接続されている。同様に、１つのブロックＢＬＫ内の（ｍ＋１）個の選択トランジスタＳＴ２のソースにはソース線ＳＬが共通接続され、ゲートには選択ゲート線ＳＧＳが共通接続されている。また、選択トランジスタＳＴ２のドレインはメモリセルトランジスタＭＴｎのソースと接続されている。
【００２３】
なお、図示されていないが、１つのブロックＢＬＫ内のビット線ＢＬｊ（ｊ＝０〜ｍ）は、他のブロックＢＬＫのビット線ＢＬｊとの間で、選択トランジスタＳＴ１のドレインを共通に接続している。つまり、複数のブロックＢＬＫ内において同一列にあるＮＡＮＤストリングＮＳ間は、同一のビット線ＢＬｊによって接続される。
【００２４】
つぎに、ＤＲＡＭ１１とＮＡＮＤメモリ１２の機能構成について説明する。図３は、ＤＲＡＭとＮＡＮＤメモリの機能構成を模式的に示す図であり、（ａ）はＤＲＡＭ１１の機能構成を示し、（ｂ）はＮＡＮＤメモリ１２の機能構成を示している。
【００２５】
図３（ａ）に示されるように、ＤＲＡＭ１１は、ホスト装置から書込要求のあったデータが記憶されるライトキャッシュ領域ＷＣと、ホスト装置から読出要求のあったデータが記憶されるリードキャッシュ領域ＲＣと、ＤＲＡＭ１１およびＮＡＮＤメモリ１２に記憶されるデータの格納位置を管理するための管理情報が記憶される一時記憶領域１１１と、管理情報を復元する際に使用される作業領域１１２と、を有する。
【００２６】
図３（ｂ）に示されるように、ＮＡＮＤメモリ１２は、ホスト装置から書込要求のあったデータが格納されるデータ格納領域１２５と、ＤＲＡＭ１１の一時記憶領域１１１で管理される管理情報が保存される管理情報保存領域１２６と、を有する。この例では、ＮＡＮＤメモリ１２でのデータの書込／読出単位をページサイズ単位とし、消去の単位をブロックサイズ単位とするものとする。そのため、ブロックサイズ単位で管理されるＮＡＮＤメモリ１２の各ブロックを記憶するための領域を、さらにページサイズ単位の領域に分割する。
【００２７】
ここで、ＤＲＡＭ１１の一時記憶領域１１１で管理される管理情報について説明する。図４は、メモリシステムで記憶されるデータを管理する層構造の一例を示す図である。なお、ここで、データとは、ホスト装置から書込要求／読出要求のあったデータのことをいうものとする。このメモリシステム１０では、キャッシュの役割をするＤＲＡＭ１１でのデータ管理を行なうＤＲＡＭ管理層３１と、ＮＡＮＤメモリ１２での論理的なデータ管理を行なう論理ＮＡＮＤ管理層３２と、ＮＡＮＤメモリ１２での物理的なデータ管理やＮＡＮＤメモリ１２の延命処理などを行なう物理ＮＡＮＤ管理層３３の３層構造でデータ管理が行われる。
【００２８】
ＤＲＡＭ１１のライトキャッシュ領域ＷＣとリードキャッシュ領域ＲＣでは、ホスト装置のアドレス管理方法によって管理される論理アドレス（以下、ＬＢＡ（Logical  Block  Address）という）で指定されたデータが、ＤＲＡＭ１１上の所定の範囲の物理アドレス（以下、ＤＲＡＭ内物理アドレスという）に記憶される。また、ＤＲＡＭ管理層３１内でのデータは、格納されるデータのＬＢＡとＤＲＡＭ内物理アドレスとの対応関係と、ページ中のセクタサイズ単位のデータの有無を示すセクタフラグと、を含むキャッシュ管理情報４１によって管理される。
【００２９】
図５は、キャッシュ管理情報テーブルの一例を示す図である。ここでは、キャッシュ管理情報４１は、ＤＲＡＭ１１の１ページサイズの領域１つに対して１エントリとし、エントリ数はライトキャッシュ領域ＷＣとリードキャッシュ領域ＲＣに収まるページ数以下とする。各エントリには、ページサイズのデータのＬＢＡと、ＤＲＡＭ内物理アドレスと、このページをセクタサイズで分割した各領域における有効データの位置を示すセクタフラグと、が関連付けられている。
【００３０】
ＮＡＮＤメモリ１２では、ＤＲＡＭ１１からのデータがＮＡＮＤメモリ１２上の所定の範囲の物理アドレス（以下、ＮＡＮＤ内物理アドレスという）に格納される。また、多値メモリからなるＮＡＮＤメモリ１２では、書換可能回数に制約があるため、ＮＡＮＤメモリ１２を構成する各ブロック間での書換回数が均等化するようにドライブ制御部１４で制御されている。つまり、ドライブ制御部１４は、ＮＡＮＤメモリ１２内のあるＮＡＮＤ内物理アドレスに書き込まれたデータの更新を行なう場合に、そのデータが含まれるブロックのうち更新が必要な部分を反映させたデータを、元のブロックとは異なるブロックに書き込み、元のブロックは無効化するようにして、ＮＡＮＤメモリ１２を構成するブロック間での書換回数が均等化するように制御している。
【００３１】
このように、ＮＡＮＤメモリ１２では、データの書込／読出処理と消去処理とでは処理単位が異なるとともに、データの更新処理においては、更新前のデータの位置（ブロック）と更新後のデータの位置（ブロック）とが異なるため、この実施の形態では、ＮＡＮＤ内物理アドレスのほかにＮＡＮＤメモリ１２内で独自に使用されるＮＡＮＤ内論理アドレス（以下、ＮＡＮＤ内論理アドレスという）を設けることにする。
【００３２】
そこで、論理ＮＡＮＤ管理層３２内でのデータは、ＤＲＡＭ１１から受け取ったページサイズ単位のデータのＬＢＡと、受け取ったデータを格納するＮＡＮＤメモリ１２の論理的なページ位置を示すＮＡＮＤ内論理アドレスとの間の関係と、ＮＡＮＤメモリ１２における消去単位のブロックとサイズが一致する論理的なブロック（以下、論理ブロックという）のアドレス範囲を示す関係と、を示す論理ＮＡＮＤ管理情報４２によって管理される。なお、この論理ブロックを複数まとめたものを論理ブロックとしてもよい。また、物理ＮＡＮＤ管理層３３でのデータは、ＮＡＮＤメモリ１２におけるＮＡＮＤ内論理アドレスとＮＡＮＤ内物理アドレスとの対応関係を含むＮＡＮＤ内論理アドレス−物理アドレス変換情報（以下、論物変換情報という）４３によって管理される。
【００３３】
図６は、論理ＮＡＮＤ管理情報テーブルの一例を示す図であり、図７は、ＮＡＮＤ内論物変換情報テーブルの一例を示す図である。図６に示されるように、論理ＮＡＮＤ管理情報４２は、論理ページ管理情報４２ａと論理ブロック管理情報４２ｂとを含む。論理ページ管理情報４２ａは、１ページサイズの論理的な領域１つに対して１エントリとし、各エントリには、１ページサイズのデータのＬＢＡと、ＮＡＮＤ内論理アドレスと、このページが有効か否かを示すページフラグと、を含む。また、論理ブロック管理情報４２ｂは、ＮＡＮＤメモリ１２の１ブロックサイズの領域に対して設定されるＮＡＮＤ内物理アドレスを含む。また、図７に示されるように、ＮＡＮＤ内論物変換情報４３は、ＮＡＮＤメモリ１２のＮＡＮＤ内物理アドレスとＮＡＮＤ内論理アドレスとが対応付けられている。
【００３４】
これらの管理情報によって、ホスト装置で使用されるＬＢＡと、ＮＡＮＤメモリ１２で使用されるＮＡＮＤ内論理アドレスと、ＮＡＮＤメモリ１２で使用されるＮＡＮＤ内物理アドレスとの間を対応付けることができ、ホスト装置と当該メモリシステム１０との間のデータのやり取りを行なうことが可能となる。
【００３５】
なお、以下では、ＤＲＡＭ管理層３１で管理される管理情報は、電源オフなどによって消失するので、揮発性テーブルともいい、論理ＮＡＮＤ管理層３２および物理ＮＡＮＤ管理層３３で管理される管理情報は、電源オフなどによって消失した際にメモリシステム１０の次回起動時に支障を与え、保存しておくことが必要なので、不揮発性テーブルともいう。
【００３６】
この不揮発性テーブルは、ＮＡＮＤメモリ１２に格納されているデータを管理するものであり、この不揮発性テーブルがなければＮＡＮＤメモリ１２に格納されている情報にアクセスできなかったり、既に記憶した領域内のデータを消してしまったりするので、不意の電源オフなどに備えて最新の情報に保存しておく必要がある。そのため、この実施の形態では、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６には、少なくとも不揮発性テーブルを含む管理情報が最新の状態で保存されている。そこでつぎに、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存される管理情報保存情報について説明する。なお、以下では、不揮発性テーブルのみを管理情報保存領域１２６に保存する場合を例に挙げる。
【００３７】
図８は、管理情報保存領域に記憶される管理情報保存情報の内容の一例を模式的に示す図である。この管理情報保存領域１２６には、ある時点における不揮発性テーブルの内容であるスナップショット２１０と、次にスナップショットを取るまでの不揮発性テーブルの内容の更新差分情報であるとともに更新前に取得された更新前ログ（以下、前ログという）２２０Ａと、この前ログ２２０Ａと同一の内容のログ情報であるとともに更新後に保存された更新後ログ（以下、後ログという）２２０Ｂと、スナップショット２１０の位置（ブロック）、このスナップショット２１０に対して取得された前ログ２２０Ａの位置（ブロック）、およびこのスナップショット２１０に対して取得された後ログ２２０Ｂの位置（ブロック）を示すセカンドポインタ２３０と、セカンドポインタ２３０が格納される位置（ブロック）を示すルートポインタ２４０と、を含む管理情報保存情報が格納される。ここで、スナップショット２１０とは、ＤＲＡＭ１１の一時記憶領域１１１に記憶される管理情報のうち、少なくとも不揮発性テーブルを含む管理情報を所定の時点で保存した情報のことをいう。
【００３８】
この図８において、スナップショット２１０、前ログ２２０Ａ、後ログ２２０Ｂ、セカンドポインタ２３０、およびルートポインタ２４０は、それぞれ異なるブロックに格納される。また、これらのブロックの大きさは、消去単位である物理ブロックと同じ大きさとする。スナップショット２１０は、スナップショット格納用ブロックに格納される。スナップショット２１０には、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６内の不揮発性テーブルである論理ＮＡＮＤ管理情報４２とＮＡＮＤ内論物変換情報４３とが含まれる。新しいスナップショット２１０が保存されると、以前に保存されていたスナップショット２１０とは別のブロックに保存される。
【００３９】
前ログ２２０Ａおよび後ログ２２０Ｂは、データ書き込み処理等に伴い不揮発性テーブルの内容に変更があった場合の内容更新後の不揮発性テーブルとスナップショット２１０（またはスナップショット２１０と既に取られたログ）との差分情報である。具体的には、スナップショット２１０が取られた後の最初の前ログ２２０Ａまたは最初の後ログ２２０Ｂは、不揮発性テーブルとスナップショット２１０との差分情報である。また、スナップショット２１０が取られた後の２番目以降の前ログ２２０Ａは、既に取られた前ログ２２０Ａとスナップショット２１０とを合わせたものと、不揮発性テーブルとの差分情報である。また、スナップショット２１０が取られた後の２番目以降の後ログ２２０Ｂは、既に取られた後ログ２２０Ｂとスナップショット２１０とを合わせたものと、不揮発性テーブルとの差分情報である。
【００４０】
前ログ２２０Ａは、管理情報が実際に更新される前に生成しておく情報である。このため、データの書き込み処理などが行なわれることによって管理情報が実際に更新される前に、管理情報がどのように更新されるかの更新計画に基づいて、前ログ２２０Ａは生成される。また、後ログ２２０Ｂは、管理情報が実際に更新された後に生成される情報である。このため、データの書き込み処理などが行なわれることによって管理情報が実際に更新された後に、実際の管理情報などを用いて後ログ２２０Ｂは生成される。
【００４１】
前ログ２２０Ａおよび後ログ２２０Ｂは、それぞれログ格納用ブロックに格納される。前ログ２２０Ａおよび後ログ２２０Ｂは、スナップショットの世代が変わっても、同じログ格納用ブロックに追記される。
【００４２】
図９は、ログの一例を示す図である。なお、前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂは、同一の情報を有しているので、ここでは前ログ２２０Ａをログの一例として説明する。ログ２２０Ａは、変更対象の管理情報となる対象情報と、その対象情報中の変更対象となるエントリである対象エントリと、その対象エントリ中の変更対象となる項目である対象項目と、その対象項目の変更の内容である変更内容と、を含む。前ログ２２０Ａおよび後ログ２２０Ｂはスナップショット２１０に対する更新差分情報であるため、新たなスナップショット２１０の保存に伴い刷新される。
【００４３】
セカンドポインタ２３０は、セカンドポインタ格納用ブロックに格納される。セカンドポインタ２３０は、スナップショット２１０、前ログ２２０Ａ、後ログ２２０Ｂの格納位置を示すブロックの先頭アドレスを示すものであればよい。また、セカンドポインタ２３０は、スナップショット２１０が新たに保存された場合や、スナップショット格納用ブロックとログ格納用ブロックが変更された場合に更新される。なお、前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂのポインタは、セカンドポインタ格納用ブロック内ではなく、スナップショット２１０の中に格納されていてもよい。
【００４４】
セカンドポインタ２３０は、スナップショット格納用ブロックへアクセスするためのスナップショットアクセス情報と、前ログ２２０Ａおよび後ログ２２０Ｂの各ログ格納用ブロックへアクセスするためのログアクセス情報と、次のセカンドポインタが格納されるページ位置を示すネクストポインタと、を含む。このネクストポインタによって、セカンドポインタ２３０はリンクドリスト方式の情報となり、ルートポインタ２４０で指示されたセカンドポインタ格納用ブロックの先頭ページからネクストポインタをたどることによって、最新のセカンドポインタ２３０へとたどり着くことが可能となる。なお、リンクドリスト方式ではなく、セカンドポインタ格納用ブロックの先頭ページからセカンドポインタ２３０を順に追記的に格納してもよい。
【００４５】
ルートポインタ２４０は、ルートポインタ格納用ブロックに格納される。ルートポインタ２４０は、セカンドポインタ２３０が格納されているセカンドポインタ格納用ブロックへアクセスするための情報であり、メモリシステム１０の起動時に、管理情報を復元するための処理の際に最初に読み込まれる情報である。このルートポインタ２４０は、セカンドポインタ格納用ブロックが変更された場合に変更される。ルートポインタ２４０は、ルートポインタ格納用ブロックに、例えば、ブロックの先頭ページから順に追記的に格納される。このような場合には、ルートポインタ格納用ブロック内の未書込ページの１つの前のページが最新情報を有することになるので、未書込ページの最上位のページを検索することで、最新のルートポインタ２４０を検索することができる。また、セカンドポインタ２３０の場合のように、リンクドリスト方式を用いることもできる。
【００４６】
ここで、ルートポインタ２４０はＮＡＮＤメモリ１２内の固定領域１２６１に格納され、スナップショット２１０、前ログ２２０Ａ、後ログ２２０Ｂおよびセカンドポインタ２３０はＮＡＮＤメモリ１２内の可変領域１２６２に格納される。固定領域１２６１とは、ＮＡＮＤメモリ内において、論理ＮＡＮＤ管理層３２で管理される論理ブロックと、物理ＮＡＮＤ管理層３３で管理される物理ブロックとの関係が固定化している保護領域であり、書換えや書き込みがほとんど発生しない更新頻度の低い、メモリシステム１０を稼動させるのに必要な情報が格納される領域である。
【００４７】
一方の可変領域１２６２とは、固定領域１２６１を除くＮＡＮＤメモリ１２の領域において、論理ＮＡＮＤ管理層３２で管理される論理ブロックと、物理ＮＡＮＤ管理層３３で管理される物理ブロックとの関係が可変な領域であり、ウェアレベリングの対象となる領域である。
【００４８】
つぎに、ドライブ制御部１４の機能について説明する。図１０は、ドライブ制御部の機能構成の一例を示すブロック図である。ドライブ制御部１４は、ＤＲＡＭ１１−ＮＡＮＤメモリ１２間のデータ転送やＮＡＮＤメモリ１２に関する各種機能の制御を行なうデータ管理部１４１と、ＡＴＡインタフェースから受けた指示に基づいてデータ管理部１４１と協働してデータ転送処理を行なうＡＴＡコマンド処理部１４２と、データ管理部１４１およびＡＴＡコマンド処理部１４２と協動して各種のセキュリティ情報を管理するセキュリティ管理部１４３と、電源オン時に、各管理プログラム（ＦＷ）をＮＡＮＤメモリ１２から図示しないメモリ（たとえば、ＳＲＡＭ（Static  RAM））にロードするブートローダ１４４と、ドライブ制御部１４内の各コントローラや回路の初期化を行なう初期化管理部１４５と、外部からＲＳ２３２Ｃインタフェースを介して供給されたデバッグ用データを処理するデバッグサポート部１４６と、を備える。
【００４９】
図１１は、本実施の形態に係るデータ管理部の機能構成の一例を示すブロック図である。データ管理部１４１は、ＤＲＡＭ１１とＮＡＮＤメモリ１２との間でデータ転送を行なうデータ転送処理部１５１と、ＤＲＡＭ１１およびＮＡＮＤメモリ１２に記憶されるデータの変更に伴って管理情報の変更や保存を行なう管理情報管理部１５２と、電源オン時などに保存された管理情報に基づいて最新の管理情報を復元する管理情報復元部１５５と、をさらに備える。
【００５０】
また、管理情報管理部１５２は、管理情報書込部１５３と、管理情報保存部１５４と、をさらに備える。管理情報書込部１５３は、データ転送処理部１５１によるＤＲＡＭ１１またはＮＡＮＤメモリ１２で記憶されるデータの変更処理によって管理情報の更新が必要な場合に、ＤＲＡＭ１１に記憶されている管理情報の更新を行なう。
【００５１】
管理情報保存部１５４は、メモリシステム１０が所定の条件を満たしたとき、管理情報をスナップショット２１０として、管理情報中の更新される分の情報を前ログ２２０Ａとして、管理情報中の更新された分の情報を後ログ２２０Ｂとして、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存する。また、このスナップショット２１０、前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂの保存に伴ってセカンドポインタ２３０の書き込まれる位置が変更される場合には、このセカンドポインタ２３０に対する更新処理も行なう。
【００５２】
管理情報保存部１５４によるスナップショット２１０は、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６中のログ２２０（前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂ）を記憶するために設けられたログ記憶領域が埋まってしまった（領域がデータで満杯になった）場合など、本メモリシステムの所定の状況に応じて実行される。
【００５３】
また、管理情報管理部１５２によるログ２２０（前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂ）の保存は、ＤＲＡＭ１１に記憶されている管理情報（不揮発性テーブル）の更新を伴うＮＡＮＤメモリ１２上のデータ更新時（ＮＡＮＤメモリ１２へのデータ書込みが必要な場合）に行われる。
【００５４】
また、管理情報保存部１５４が前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂを保存するタイミングは、管理情報書込部１５３によってＤＲＡＭ１１に記憶されている管理情報（不揮発性テーブル）の更新が行われた場合である。具体的には、データの書き込みなどを行なう処理の前と後とに、前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂとが保存される。
【００５５】
管理情報復元部１５５は、メモリシステム１０に電源がオンされると、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存されている管理情報保存情報に基づいた管理情報の復元処理を行なう。具体的には、固定領域１２６１の中のルートポインタ２４０、可変領域１２６２の中のセカンドポインタ２３０、スナップショット２１０、前ログ２２０Ａ、後ログ２２０Ｂへと順にたどっていき、最新のスナップショット２１０に対する前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂが存在するか否かを判定する。前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂが存在しない場合には、スナップショット格納用ブロックのスナップショット２１０を管理情報としてＤＲＡＭ１１に復元する。また、前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂが存在する場合には、プログラムエラーや瞬断（電源の異常遮断）などの異常終了であった場合であるので、スナップショット格納用ブロックからスナップショット２１０を取得し、ログ格納用ブロックから前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂを取得して、ＤＲＡＭ１１上でスナップショット２１０に前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂを反映させて管理情報（不揮発性テーブル）の復元を行なう。
【００５６】
ここで、管理情報管理部１５２によるメモリシステム１０の管理情報の保存の処理について説明する。図１２は、メモリシステムの管理情報の保存処理手順の一例を示すフローチャートである。また、図１３は、前ログと後ログの保存処理を説明するための図である。なお、ここでは、メモリシステム１０がホスト装置と接続され、ホスト装置の２次記憶装置として動作しているとともに、ホスト装置（メモリシステム１０）が起動状態にあり、また、この起動状態の前のメモリシステム１０の停止前にスナップショット２１０が保存されているものとする。
【００５７】
まず、ホスト装置（メモリシステム１０）の前回終了時に保存されたスナップショット２１０を基に、ホスト装置（メモリシステム１０）が起動された状態にある（ステップＳ１１）。この後、必要に応じてホスト装置からＮＡＮＤメモリ１２へデータの読み書きが行なわれる。管理情報管理部１５２は、スナップショット保存条件（ログ記憶領域が埋まってしまった（領域がログデータで満杯）になった）を満たすか否かを判定する（ステップＳ１２）。スナップショット保存条件を満たさない場合（ステップＳ１２でＮｏの場合）には、管理情報の更新を伴う指示（ＮＡＮＤメモリへのデータ書込み指示など）を受けたか否かを判定する（ステップＳ１３）。管理情報の更新を伴う指示を受けなかった場合（ステップＳ１３でＮｏの場合）には、ステップＳ１２へと戻る。
【００５８】
また、管理情報の更新を伴う指示を受けた場合（ステップＳ１３でＹｅｓの場合）には、その指示を実行することによって管理情報がどのように更新されるか更新計画を決定し（ステップＳ１４）、その更新計画をＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６のログ格納用ブロックに前ログ２２０Ａとして保存する（ステップＳ１５）。
【００５９】
この更新計画（前ログ）は、ログ格納用ブロックに前ログ２２０Ａが格納されていない場合には、管理情報が更新された場合の不揮発性テーブルとスナップショット格納用ブロックに保存されているスナップショット２１０との間の差分情報であり、ログ格納用ブロックに前ログ２２０Ａ（以下、過去の前ログ２２０Ａという）が既に格納されている場合には、管理情報が更新された場合の不揮発性テーブルと、スナップショット２１０と過去の前ログ２２０Ａとを合わせたものと、の間の差分情報である。具体的には、図１３に示すように、Ｘ番目のデータの書き込み処理としてデータ書き込み（Ｘ）を行なう前に、このデータ書き込み（Ｘ）に対応する前ログ（Ｘ）がＮＡＮＤメモリ１２内に前ログ２２０Ａとして保存される。このとき、前ログ２２０Ａとして例えば情報ｙ１が保存される。なお、ここでの前ログ２２０Ａは、たとえば、前ログ２２０Ａ（更新計画）をＤＲＡＭ１１上に記録した後、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存される。
【００６０】
ついで、論理ＮＡＮＤ管理層は、ステップＳ１３で受けた指示（たとえばユーザデータのＮＡＮＤメモリ１２のデータ格納領域１２５への書き込み（Ｘ）処理）を実行する（ステップＳ１６）。
【００６１】
この後、実行した処理に応じて、ＤＲＡＭ１１に記憶されている管理情報が更新される。そして、管理情報保存部１５４は、管理情報中の更新された分の情報を後ログ２２０Ｂとして、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存する。ここでの後ログ２２０Ｂは、ログ格納用ブロックに後ログ２２０Ｂが格納されていない場合には、現時点の不揮発性テーブルとスナップショット格納用ブロックに保存されているスナップショット２１０との間の差分情報であり、ログ格納用ブロックに後ログ２２０Ｂ（以下、過去の後ログ２２０Ｂという）が既に格納されている場合には、現時点の不揮発性テーブルと、スナップショット２１０と過去ログとを合わせたものと、の間の差分情報である。
【００６２】
これにより、データ書き込み（Ｘ）に対応する後ログ２２０Ｂ（Ｘ）がＮＡＮＤメモリ１２内に後ログ２２０Ｂとして保存される（ステップＳ１７）。このとき、後ログ２２０Ｂとして例えば情報ｙ１が保存される。このように、後ログ２２０Ｂとして保存される情報ｙ１は、前ログ２２０Ａとして保存される情報ｙ１と同じ情報である。その後、ステップＳ１２へと戻る。
【００６３】
スナップショット保存条件を満たさない場合（ステップＳ１２でＮｏの場合）であって、管理情報の更新を伴う指示を受けた場合（ステップＳ１３でＹｅｓの場合）には、ステップＳ１４〜Ｓ１７の処理が行なわれる。すなわち、Ｘ番目のデータの書き込み処理と同様に（Ｘ＋１）番目のデータの書き込み処理が行なわれる。このとき、（Ｘ＋１）番目のデータの書き込み処理としてデータ書き込み（Ｘ＋１）を行なう前に、このデータ書き込み（Ｘ＋１）に対応する前ログ（Ｘ＋１）がＮＡＮＤメモリ１２内に前ログ２２０Ａとして保存される。このとき、前ログ２２０Ａとして例えば情報ｙ２が保存される。そして、ＮＡＮＤメモリ１２内のデータ格納領域１２５にデータ書き込み（Ｘ＋１）が行なわれる。さらに、データ書き込み（Ｘ＋１）に対応する後ログ（Ｘ＋１）がＮＡＮＤメモリ１２内に後ログ２２０Ｂとして保存される。このとき、後ログ２２０Ｂとして例えば情報ｙ２が保存される。このように、後ログ２２０Ｂとして保存される情報ｙ２は、前ログ２２０Ａとして保存される情報ｙ２と同じ情報である。
【００６４】
また、ステップＳ１２でスナップショット保存条件を満たす場合（ステップＳ１２でＹｅｓの場合）には、ＤＲＡＭ１１の一時記憶領域１１１内の少なくとも不揮発性テーブルを含む管理情報をスナップショット２１０としてＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６に保存する（ステップＳ１８）。そして、メモリシステム１０の終了指示があるか否かを判定し（ステップＳ１９）、終了指示がない場合にはステップＳ１２へと戻り、終了指示がある場合には、そのまま処理が終了する。
【００６５】
つぎに、管理情報復元部１５５によるメモリシステム１０の管理情報の復元処理について説明する。図１４は、メモリシステムの管理情報の復元処理手順の一例を示すフローチャートである。なお、ここでも、メモリシステム１０がホスト装置と接続され、ホスト装置の２次記憶装置として動作しているものとする。
【００６６】
まず、瞬断からの回復などによってホスト装置の電源がオンされ、メモリシステム１０に対して起動指示が出されると（ステップＳ３１）、管理情報復元部１５５は、ＮＡＮＤメモリ１２の管理情報保存領域１２６中のルートポインタ２４０、セカンドポインタ２３０を順に読込み（ステップＳ３２）、スナップショット２１０と前後ログ（前ログ２２０Ａ、後ログ２２０Ｂ）が格納されているそれぞれのブロックのアドレスを取得し（ステップＳ３３）、スナップショット２１０を取得する（ステップＳ３４）。
【００６７】
その後、管理情報復元部１５５は、ＮＡＮＤメモリ１２中の前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂを参照して、瞬断が発生したか否かを判定する（ステップＳ３５）。例えば、前ログ２２０Ａや後ログ２２０ＢがＮＡＮＤメモリ１２中に存在する場合は、瞬断が発生したと判断される。また、瞬断が発生したか否かの判断は、例えば前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂを比較することによって行なってもよい。本実施の形態では、前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂとが同じ情報を保存している。このため、例えば、前ログ２２０Ａとして保存されているページの数と後ログ２２０Ｂとして保存されているページの数とが一致しない場合には、瞬断が発生したと判断できる。また、ＥＣＣエラーの有無や、前ログ２２０Ａとして保存されているページのデータ、後ログ２２０Ｂとして保存されているページのデータに基づいて瞬断の有無を判断してもよい。
【００６８】
瞬断が発生した場合（ステップＳ３５でＹｅｓの場合）、ＮＡＮＤメモリ１２内の最新の前ログ２２０Ａと最新の後ログ２２０Ｂとに基づいて、瞬断の発生したタイミングを確認する（ステップＳ３６）。
【００６９】
さらに、管理情報復元部１５５は、ＮＡＮＤメモリ１２内の最新の前ログ２２０Ａと最新の後ログ２２０Ｂとに基づいて、瞬断の発生したタイミングを確認し（ステップＳ３６）、瞬断の発生したタイミングが後ログ２２０Ｂの保存中であったか否かを判断する（ステップＳ３７）。例えば、後ログ２２０Ｂ内の最後のページが書き込み途中である場合、この最後のページを読み出すことはできないので、後ログ２２０Ｂの保存中に瞬断が発生したと判断される。さらに、後ログ２２０Ｂの保存中に瞬断が発生しているので、後ログ２２０Ｂは、瞬断に起因して下位ページデータ破壊されている場合がある。また、前ログ２２０Ａ内の最後のページが書き込み途中である場合、この最後のページを読み出すことはできないので、前ログ２２０Ａの保存中に瞬断が発生したと判断される。さらに、前ログ２２０Ａの保存中に瞬断が発生しているので、前ログ２２０Ａは、瞬断に起因して下位ページデータ破壊されている場合がある。また、前ログ２２０Ａ内の最後のページにはログが書き込まれており、かつ後ログ２２０Ｂ内の最後のページにはログが書き込まれていない場合には、データの書き込み途中で瞬断が発生したと判断される。（ＩＤ３９の図１２およびその説明をどこかに追加）
【００７０】
管理情報復元部１５５は、瞬断の発生したタイミングが後ログ２２０Ｂの保存中であったと判断した場合（ステップＳ３７でＹｅｓの場合）に、最新の前ログ２２０Ａを選択する（ステップＳ３８）。一方、管理情報復元部１５５は、瞬断の発生したタイミングが後ログ２２０Ｂの保存中でなかったと判断した場合（ステップＳ３７でＮｏの場合）に、保存の完了している最新の後ログ２２０Ｂを選択する（ステップＳ３９）。換言すると、前ログ２２０Ａ内の最後のページが書き込み途中であった場合や前ログ２２０Ａ内の最後のページにはログが書き込まれており、かつ後ログ２２０Ｂ内の最後のページにはログが書き込まれていない場合に、最新の後ログ２２０Ｂが選択される。
【００７１】
この後、選択したログ（前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂ）をログ格納用ブロックから取得し、ＤＲＡＭ１１の作業領域１１２に展開する（ステップＳ４０）。そして、スナップショット２１０に対して、古いログから順にログを反映させて管理情報（不揮発性テーブル）を復元する（ステップＳ４１）。次に、ＮＡＮＤメモリ１２内の追記用ブロック（ログ格納用ブロック）等を対象にリカバリ処理を行なう（ステップＳ４２）。すなわち、ＮＡＮＤメモリ１２内の追記用ブロック等に対して、破壊の有無を判定し、リカバリ処理を行なうことで中断した処理による影響を排除する。破壊の有無は、追記用ブロック等に対して、追記の状態と管理情報の内容とを比較することによって行なう。管理情報の復元、リカバリ処理が終了した段階で、さらに、スナップショット２１０を取り直して管理情報保存領域１２６に保存し（ステップＳ４３）、過去のスナップショットとログをフリーブロックにして(開放／破棄して)、管理情報の復元処理が完了する。なお、フリーブロックとは、用途未割り当てのブロックのことであり、用途を割り当てる際に消去してから使用する。
【００７２】
一方、瞬断が発生していない場合（ステップＳ３５でＮｏの場合）には、ＤＲＡＭ１１の管理情報格納領域１１１に、管理情報を復元し（ステップＳ４４）、管理情報復元処理が終了する。
【００７３】
なお、管理情報復元部１５５は、瞬断に起因するログの破壊の有無に関わらず、前ログ２２０Ａとして保存されているページの数と、後ログ２２０Ｂとして保存されているページの数と、に基づいて、前ログ２２０Ａと後ログ２２０Ｂの何れか一方を選択して管理情報を復元してもよい。例えば、管理情報復元部１５５は、前ログ２２０Ａとして保存されているページの数と、後ログ２２０Ｂとして保存されているページの数が同じ場合に、前ログ２２０Ａを選択して管理情報を復元する。また、管理情報復元部１５５は、前ログ２２０Ａとして保存されているページの数が、後ログ２２０Ｂとして保存されているページの数よりも多い場合に、後ログ２２０Ｂを選択して管理情報を復元する。
【００７４】
図１５は、メモリセルのデータとメモリセルの閾値電圧の関係とＮＡＮＤメモリに対する書き込み順序の一例を示す図である。まず、消去動作を行なうとメモリセルのデータは“０”となる。つぎに、図１５（ａ）に示されるように、下位ページの書き込みを行なうと、メモリセルのデータはデータ“０”とデータ“２”になる。ついで、図１５（ｂ）に示されるように、上位ページの書き込み前に隣接セルに実際のデータの閾値電圧以下のデータが書き込まれる。すると、このセルに書き込まれたデータにより、データ“２”の閾値電圧の分布が大きくなる。この後、上位ページのデータが書き込まれると、メモリセルのデータは、図１５（ｃ）に示されるように、本来の閾値電圧を有するデータ“０”〜“３”となる。本実施の形態では、メモリセルのデータは閾値電圧の低いほうから高い方へと、定義されている。
【００７５】
つぎに、ＮＡＮＤメモリ１２への書込み処理について説明する。図１５（ｄ）に示されるように、ブロック内において、ソース線に近いメモリセルからページごとに書き込み動作が行なわれる。なお、図１５（ｄ）では、説明の便宜上、ワード線を４本としている。
【００７６】
第１番目の書き込みは、メモリセル１の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第２番目の書き込みは、メモリセル１とワード方向に隣接したメモリセル２の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第３番目の書き込みは、メモリセル１とビット方向に隣接したメモリセル３の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第４番目の書き込みは、メモリセル１と対角に隣接したメモリセル４の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。
【００７７】
第５番目の書き込みは、メモリセル１の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第６番目の書き込みは、メモリセル１とワード方向に隣接したメモリセル２の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第７番目の書き込みは、メモリセル３とビット方向に隣接したメモリセル５の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第８番目の書き込みは、メモリセル３と対角に隣接したメモリセル６の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。
【００７８】
第９番目の書き込みは、メモリセル３の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１０番目の書き込みは、メモリセル３とワード方向に隣接したメモリセル４の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１１番目の書き込みは、メモリセル５とビット方向に隣接したメモリセル７の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１２番目の書き込みは、メモリセル５と対角に隣接したメモリセル８の下位ページに１ビットのデータが書きこまれる。
【００７９】
第１３番目の書き込みは、メモリセル５の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１４番目の書き込みは、メモリセル５とワード方向に隣接したメモリセル６の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１５番目の書き込みは、メモリセル７の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。第１６番目の書き込みは、メモリセル７とワード方向に隣接したメモリセル８の上位ページに１ビットのデータが書きこまれる。
【００８０】
つぎに、管理情報の復元に用いるログの選択方法の具体例について説明する。図１６、図１７は、管理情報の復元に用いるログの選択方法を説明するための図である。図１６、図１７では、前ログや後ログが、それぞれ前ログ用のブロック（各図の左側のブロック）、後ログ用のブロック（各図の右側のブロック）にページ毎に格納された状態を示している。図１６、図１７での１つの物理ブロック内のページは、図１５に対応しているものとする。つまり、１〜４、７〜８、１１〜１２ページは図１５の下位ページであり、５〜６、９〜１０、１３〜１６ページは図１５の上位ページである。また、前ログ用のブロックや後ログ用のブロックでは、ブロック内の各行が１ページに対応している。なお、図１６、図１７では、下位ページと上位ページに説明上分離して表示しているが、これらの下位ページと上位ページとを合わせたものが１つの物理ブロックを構成するものとする。
【００８１】
図１６、図１７では、正常に保存されたログをログｘ１で示し、瞬断に起因して破壊されたログをログｙ１で示し、書き込み中のログをログｚ１で示している。ログｚ１の書き込み中に瞬断が発生してログｙ１が破壊されているので、ログｚ１のページに対応するメモリセルとログｙ１のページに対応するメモリセルは、同一のメモリセルである。そして、ログｙ１のページが下位側のページ（下位ページ）であり、ログｚ１のページが上位側のページ（上位ページ）である。また、各ブロックのログ（ページ）のうち、円で囲まれたログが、管理情報の復元に用いるログとして選択されるログである。
【００８２】
図１６（ａ）は、通常時（電源の異常遮断が発生せずに電源オフとなった場合）の前ログと後ログを示す図であり、図１６（ｂ）〜（ｄ）、図１７（ｅ）〜（ｇ）は、瞬断が発生した場合の前ログと後ログを示す図である。
【００８３】
図１６（ａ）では、スナップショット２１０を保存することなくメモリシステム１０の電源をオフにした場合に、ＮＡＮＤメモリ１２に保存されている前ログおよび後ログを示している。図１６（ａ）の場合、下位ページ（１〜４ページ）にのみデータを書込んでいるので、下位ページの書込中に瞬断が発生しても、下位ページデータ破壊は発生しない。図１６（ａ）に示すように、本実施の形態では前ログと後ログと、をそれぞれ異なるブロックの同一ページに保存しているので、通常時に電源がオフにされると、前ログの最後のページと後ログの最後のページとは、同じページ位置となる。したがって、この場合は前ログを用いて管理情報が復元されることとなる。なお、図１６（ａ）に示す通常時の場合は、前ログの代わりに後ログを用いて管理情報を復元させてもよい。
【００８４】
図１６（ｂ）は、前ログとして「ログ書き込み（１）」を行なっている間に、瞬断が発生した場合を示している。図１６（ｂ）に示すように、前ログの上位ページ（６ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（前ログの２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１６（ｂ）の場合、前ログの保存中に瞬断が発生しているので、前ログ側のブロックにログｙ１が発生する。この場合において、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｚ１（保存途中のログ）が保存される。一方、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応する後ログが保存されることはない。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、異なるページとなり、後ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００８５】
図１６（ｃ）は、後ログとして「ログ書き込み（１）」を行なっている間に、瞬断が発生した場合を示している。図１６（ｃ）に示すように、後ログの上位ページ（６ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（後ログの２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１６（ｃ）の場合、後ログの保存中に瞬断が発生しているので、後ログ側のブロックにログｙ１が発生する。この場合において、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｚ１が保存される。また、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応する前ログが既に保存されている。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、同じページとなり、前ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００８６】
図１６（ｄ）では、前ログとして「ログ書き込み（１）」を行なった後、前ログに対応するデータ書き込み時にエラーが発生し、データ書き込みの再書き込み処理に対応する前ログとして「ログ書き込み（２）」を行なっている間に瞬断が発生した場合を示している。図１６（ｄ）に示すように、前ログの上位ページ（６ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（前ログの２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１６（ｄ）の場合、前ログの保存中に瞬断が発生しているので、前ログ側のブロックにログｙ１が発生する。この場合において、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｘ１と、「ログ書き込み（２）」に対応するログｚ１と、が保存される。一方、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応する後ログや「ログ書き込み（２）」に対応する後ログが保存されることはない。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、異なるページとなり、後ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００８７】
図１７（ｅ）では、前ログとして「ログ書き込み（１）」を行なった後、前ログに対応するデータ書き込み時にエラーが発生し、データ書き込みの再書き込み処理に対応する前ログとして「ログ書き込み（２）」が行なわれている。さらに、図１７（ｅ）では、データ書き込みの再書き込み処理に対応する後ログとして「ログ書き込み（２）」を行なった後、最初のデータ書き込みに対応する後ログとして「ログ書き込み（１）」を行なっている間に瞬断が発生している。図１７（ｅ）に示すように、後ログの上位ページ（６ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（後ログの２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１７（ｅ）の場合、後ログの保存中に瞬断が発生しているので、後ログ側のブロックにログｙ１が発生する。この場合において、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｘ１と、「ログ書き込み（２）」に対応するログｘ１と、が保存される。一方、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（２）」に対応するログｘ１と「ログ書き込み（１）」に対応するログｚ１が保存される。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、同じページとなり、前ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００８８】
図１７（ｆ）は、前ログとして２ページに渡る「ログ書き込み（１）」を行なっている間に、瞬断が発生した場合を示している。図１７（ｆ）に示すように、前ログの上位ページ（６ページと７ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（後ログの１ページと２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１７（ｅ）の場合、前ログの保存中に瞬断が発生しているので、前ログ側のブロックにログｙ１（例えば２ページ）が発生する。この場合において、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｘ１（前段ページ）とログｚ１（後段ページ）とが保存される。一方、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応する後ログが保存されることはない。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、異なるページとなり、後ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００８９】
図１７（ｇ）は、後ログとして２ページに渡る「ログ書き込み（１）」を行なっている間に、瞬断が発生した場合を示している。図１７（ｇ）に示すように、後ログの上位ページ（６ページと７ページ）への書込中に瞬断が発生すると、書込中の上位ページに対応する下位ページ（後ログの１ページと２ページ）で下位ページデータ破壊が発生する。すなわち、図１７（ｇ）の場合、後ログの保存中に瞬断が発生しているので、後ログ側のブロックにログｙ１（例えば２ページ）が発生する。この場合において、後ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応するログｘ１とログｚ１とが保存される。また、前ログ側のブロックには、「ログ書き込み（１）」に対応する後ログが２ページに渡って既に保存されている。このため、前ログの最後のページと、後ログの最後のページとは、同じページとなり、前ログを用いて管理情報が復元されることとなる。
【００９０】
本実施の形態においては、電源の異常遮断等からメモリシステム１０を復帰させる場合に、管理情報復元部１５５は、管理情報の復元およびリカバリ処理を終了した段階で、さらにスナップショットを取り直して保存する。これにより、過去のログは開放されるので、瞬断等の影響により破壊されたログが残ることなく、メモリシステム１０の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態にかかるメモリシステムの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】ＮＡＮＤメモリに含まれる１個のブロックの構成の一例を示す回路図である。
【図３】ＤＲＡＭとＮＡＮＤメモリの機能構成を模式的に示す図である。
【図４】メモリシステムで記憶されるデータを管理する層構造の一例を示す図である。
【図５】キャッシュ管理情報の一例を示す図である。
【図６】論理ＮＡＮＤ管理情報の一例を示す図である。
【図７】ＮＡＮＤ内論物変換情報の一例を示す図である。
【図８】管理情報保存領域に記憶される管理情報保存情報の内容の一例を模式的に示す図である。
【図９】ログの一例を示す図である。
【図１０】ドライブ制御部の機能構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】実施の形態にかかるデータ管理部の機能構成の一例を示すブロック図である。
【図１２】メモリシステムの管理情報の保存処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図１３】前ログと後ログの保存処理を説明するための図である。
【図１４】メモリシステムの管理情報の復元処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図１５】メモリセルのデータとメモリセルの閾値電圧の関係とＮＡＮＤメモリに対する書き込み順序の一例を示す図である。
【図１６】管理情報の復元に用いるログの選択方法を説明するための図（１）である。
【図１７】管理情報の復元に用いるログの選択方法を説明するための図（２）である。
【符号の説明】
【００９２】
１０…メモリシステム、１１…ＤＲＡＭ、１２…ＮＡＮＤメモリ、１３…電源回路、１４…ドライブ制御部、１５…バス、３１…ＤＲＡＭ管理層、３２…論理ＮＡＮＤ管理層、３３…物理ＮＡＮＤ管理層、４１…キャッシュ管理情報、４２…管理情報、４２ａ…論理ページ管理情報、４２ｂ…論理ブロック管理情報、４３…ＮＡＮＤ内論物変換情報、４５，４６，５０，５１，６０，６１…ログ格納用ブロック、１１１…一時記憶領域、１１２…作業領域、１２５…データ格納領域、１２６…管理情報保存領域、１４１…データ管理部、１５１…データ転送処理部、１５２…管理情報管理部、１５３…管理情報書込部、１５４…管理情報保存部、１５５…管理情報復元部、１５６…ログ格納ブロック開放部、２１０…スナップショット、２２０…ログ、２２０Ａ…前ログ、２２０Ｂ…後ログ、２３０…セカンドポインタ、２４０…ルートポインタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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