(57)【要約】【課題】隔壁部を有するパターン部材を積層して形成されたマイクロ流路デバイスであっても、隔壁の精度に優れるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】複数のパターン部材を積層して形成され、前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とするマイクロ流路デバイス。隣接する前記パターン部材は、前記連結部同士が重なり合わないように配置されていることが好ましい。また、前記パターン部材は、前記隔壁部の幅に対する、前記連結部の幅の比が０．１〜１であることが好ましく、前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が、１以上であることが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターン部材を積層して形成され、
前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とする
マイクロ流路デバイス。
【請求項２】
隣接する前記パターン部材は、前記連結部同士が重なり合わないように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項３】
前記パターン部材は、前記隔壁部の幅に対する、前記連結部の幅の比が０．１〜１であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項４】
前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が１以上であることを特徴とする、請求項１〜３いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項５】
マイクロ流路デバイスの各断面形状に対応した複数のパターン部材を形成する工程と、
前記複数のパターン部材の接合及び離間を繰り返すことにより前記複数のパターン部材を積層する工程とを含み、
前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とする
マイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記積層する工程は、隣接する前記パターン部材の前記連結部同士が重なり合わないように積層することを特徴とする、請求項５に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記パターン部材の積層方向において、前記隔壁部の厚さに対する、前記連結部の厚さの比が０．１〜１であることを特徴とする、請求項５又は６に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が１以上であることを特徴とする、請求項５〜７いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記複数のパターン部材を形成する工程は、電鋳法を用いて行うことを特徴とする、請求項５〜８いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記複数のパターン部材を形成する工程は、半導体プロセスを用いて行うことを特徴とする、請求項５〜８いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記接合は、常温接合により行われることを特徴とする、請求項５〜１０いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ流路デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化学工業、或いは医薬品、試薬等の製造に係る医薬品工業では、マイクロミキサー又はマイクロリアクターと呼ばれる微小容器を用いた新しいマイクロ流路デバイスの開発が進められている。マイクロ流路デバイスには、複数本のマイクロチャネル（マイクロ流路と繋がる微小空間（マイクロキャビティ）が設けられており、マイクロチャネルを通して複数の流体を微小空間に合流することで、複数の流体を混合し、又は混合と共に化学反応を生じさせる。ここで、「流体」とは、液体及び／又は気体を意味し、例えば反応原料を溶解した溶液が挙げられる。
【０００３】
マイクロ流路デバイスの積層造形方法は、コンピュータで設計された複雑な形状の３次元物体を短納期で形成する方法として近年急速に普及している。積層造形方法で作製された３次元物体は、種々の装置の部品モデル（プロトタイプ）として、部品の動作や形状の良否を調べるために利用される。この方法が適用される部品のサイズは、数ｃｍ以上の比較的大きな部品が多かったが、精密に加工して形成される微小光学部品や微小機械部品などの微小構造体の製造にも、この方法を適用したいという要求がある。
【０００４】
微小構造体の製造方法として、例えば、Ｓｉウェハ基板にポリイミドや熱酸化膜による離型層、及び導電層を順次形成し、この導電層上に断面パターンの反転パターンであるレジストパターン層を形成し、このレジストパターン層の空間内に、メッキにより断面パターン部材を形成し、更にレジストパターン層を除去してドナー基板を作製し、ドナー基板に、ターゲット基板を対向配置し、このターゲット基板を断面パターン部材に位置合わせして圧接した後、離間を行う処理を繰り返して、断面パターン部材をターゲット基板に転写ならびに積層して積層構造体を製造する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、積層構造体を製造する方法において、所定の硬度を有する第１の導電膜と、前記所定の硬度よりも低い硬度を有する第２の導電膜とを交互に積層した積層構造体の製造方法が知られている（特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３５８６０２号公報
【特許文献２】特開２００６−３４１５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ドナー基板を電鋳プロセスにより作製しようとすると、パターン部材の膜厚プロファイルが悪いという電鋳プロセスに固有の問題がある。膜厚プロファイルは、電鋳表面に傾斜が生じる、レジスト近傍の膜厚が厚くなる、電鋳表面がドーム状になる、レジストの間隔に疎密があると膜厚に差異が生じる、等の現象として現れる。
この現象は、ドナー基板の場所によって異なったり，作製ロットによっても異なる。例えば外周を構成する部分（外壁部）の内部に空間を隔てる部分（隔壁部）にパターンの膜厚の差が生じると、パターン部材をターゲット基板の表面に転写して積層する際に圧接が不十分となり、転写不良を生じ、マイクロ流路デバイスの歩留りが低下するという問題があった。
【０００８】
図７は、その問題点を示す従来からのパターン部材を示す参考図である。積層用のパターン部材は、流路を形成する空間を有するパターン（ａ）及び隔壁を形成するパターン（ｂ）からなる。パターン部材（ａ）のレイアウト内には、レイアウトの外周を構成する部分（外壁部）７０２の内部に空間を隔てる部分（隔壁部）７０１がある。これにより、隔壁部７０１の膜厚と外壁部７０２の膜厚との間に差異が生じ、パターン部材をターゲット基板の表面に転写して積層する際に、転写不良を生じてしまうということがあった。なお、パターン部材（ｂ）には、入り口７０３及び出口７０４を有している。
【０００９】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、隔壁部を有するパターン部材を積層して形成されたマイクロ流路デバイスであっても、隔壁の精度に優れるマイクロ流路デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は以下の＜１＞又は＜５＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞〜＜４＞、＜６＞〜＜１１＞と共に以下に記載する。
＜１＞  複数のパターン部材を積層して形成され、前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とするマイクロ流路デバイス、
＜２＞  隣接する前記パターン部材は、前記連結部同士が重なり合わないように配置されていることを特徴とする、＜１＞に記載のマイクロ流路デバイス、
＜３＞  前記パターン部材は、前記隔壁部の幅に対する、前記連結部の幅の比が０．１〜１であることを特徴とする、＜１＞又は＜２＞に記載のマイクロ流路デバイス、
＜４＞  前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が１以上であることを特徴とする、＜１＞〜＜３＞いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイス、
＜５＞  マイクロ流路デバイスの各断面形状に対応した複数のパターン部材を形成する工程と、前記複数のパターン部材の接合及び離間を繰り返すことにより前記複数のパターン部材を積層する工程とを含み、前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とするマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜６＞  前記積層する工程は、隣接する前記パターン部材の前記連結部同士が重なり合わないように積層することを特徴とする、＜５＞に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜７＞  前記パターン部材の積層方向において、前記隔壁部の厚さに対する、前記連結部の厚さの比が０．１〜１であることを特徴とする、＜５＞又は＜６＞に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜８＞  前記連結部の幅に対する積層方向の厚さの比が１以上であることを特徴とする、＜５＞〜＜７＞いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜９＞  前記複数のパターン部材を形成する工程は、電鋳法を用いて行うことを特徴とする、＜５＞〜＜８＞いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜１０＞  前記複数のパターン部材を形成する工程は、半導体プロセスを用いて行うことを特徴とする、＜５＞〜＜８＞いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法、
＜１１＞  前記接合は、常温接合により行われることを特徴とする、＜５＞〜＜１０＞いずれか１つに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
＜１＞に記載の発明によれば、隔壁部を有するパターン部材を積層して形成されたマイクロ流路デバイスであっても、隔壁の精度に優れる。
＜２＞〜＜４＞いずれか１つに記載の発明によれば、＜１＞の効果に加えて流路内の流体の流速をより均一化することができる。
＜５＞に記載の発明によれば、パターンの転写不良を抑制することができる。
＜６＞〜＜８＞いずれか１つに記載の発明によれば、＜５＞の効果に加えて流路内の流体の流速を均一化することが可能なマイクロ流路デバイスを提供することができる。
＜９＞〜＜１１＞いずれか１つに記載の発明によれば、パターンを積層してマイクロ流路デバイスを形成していないものに比して、精度の良いマイクロ流路デバイスを簡便に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本実施形態のマイクロ流路デバイス（以下、単に「デバイス」ともいう。）は、複数のパターン部材を積層して形成され、前記複数のパターン部材のうち、外周を構成する外壁部の内部に空間を隔てる隔壁部を有するパターン部材は、前記隔壁部がすべて前記外壁部と連結部を介して接続されていることを特徴とする。
以下、本発明のマイクロ流路デバイスについて詳細に説明する。
【００１３】
＜マイクロ流路＞
マイクロ流路とは、流路径が５，０００μｍ以下の流路をいう。なお、流路径とは、流路の断面積から求めた円相当径（直径）である。
マイクロ流路として、数〜数千μｍの流路径を有するデバイスが好ましく用いられる。該デバイスのマイクロ流路の流路径は、好ましくは５０〜５，０００μｍであり、更に好ましくは５００〜５，０００μｍである。マイクロ流路デバイスは、マイクロスケールの複数の流路（チャネル）を有する反応装置である。デバイスの流路は、マイクロスケールであるので、寸法及び流速がいずれも小さく、レイノルズ数は２，３００以下である。したがって、マイクロ流路を有するデバイスは、通常のデバイスのような乱流支配ではなく層流支配のデバイスである。
ここで、レイノルズ数（Ｒｅ）は、下記式で表されるものであり、２，３００以下のとき層流支配となる。
Ｒｅ＝ｕＬ／ν
（ｕ：流速、Ｌ：代表長さ、ν：動粘性係数）
【００１４】
なお、マイクロ流路の断面形状は特に限定されず、円形、楕円形、矩形、だるま形状等、目的に応じて適宜選択することができる。これらの中でも、マイクロ流路の断面形状は円形、楕円形又は矩形であることが好ましく、円形又は矩形であることがより好ましい。
【００１５】
＜パターン部材＞
本実施形態のマイクロ流路デバイスは、複数のパターン部材を積層して形成される。パターン部材は、外壁部を有し、隔壁部が該外壁部と連結部を介して接続される。ここで、外壁部とは、パターン部材のうちマイクロ流路デバイスの外周を構成する部分をいう。また、隔壁部とは、パターン部材のうち外壁部の内部に設けられ、空間を隔てる部分をいう。また、連結部とは、パターン部材のうち外壁部と隔壁部を接続する部分をいう。
【００１６】
図１（ａ）に、一実施態様で使用したパターン部材を示す。パターン部材１０４の隔壁部１０１は、外壁部１０２と連結部１０３を介して接続されている。したがって、パターン部材１０４は、孤立した部分のない、連続されたパターンとなる。従って、積層後に形成される隔壁の精度が高いものとなる。
【００１７】
また、図１（ｂ）に、他の一実施態様で使用したパターン部材を示す。パターン部材１０４の隔壁部１０１は、外壁部１０２と連結部１０３を介して接続されている。したがって、パターン部材１０４は、孤立した部分のない、連続されたパターンとなる。
【００１８】
隔壁部は外壁部と連結部を介して接続されている。接続方法は、直接又は間接的にされていればよく、直接的に接続されていることが好ましい。図１（ｃ）に、他の一実施態様で使用したパターン部材を示す。パターン部材１０４の隔壁部１０１は、外壁部１０２と複数の連結部１０３を介して間接的に接続されている。
【００１９】
また、図１（ｄ）に、他の一実施態様で使用したパターン部材を示す。パターン部材１０４の隔壁部１０１は、外壁部１０２と複数の連結部１０３を介して間接的に接続されている。
【００２０】
図２（ａ）は、マイクロ流路デバイスの斜視図である。
図２（ａ）に示すように、マイクロ流路デバイスは、複数のパターン部材を積層して形成される。パターン部材の層の厚さは、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。層の厚さが上記数値範囲内であれば、多数のパターン部材を積層することができることから好ましい。また、積層するパターン部材は、１０〜５０層であることが好ましく、１６〜２５層であることがより好ましい。積層するパターン部材が上記数値範囲内であれば、後述するターゲット基板への接合を良好に行うことができることから好ましい。
【００２１】
マイクロ流路デバイスは、積層方向に隣り合うパターン部材において、前記連結部同士が重なり合わないように配置されていることが好ましい。
図２（ａ）に示すように、ターゲット基板（不図示）上に、パターン部材１０４Ｂ1、１０４Ｂ2、１０４Ｂ3、１０４Ｂ4・・・の順に積層してマイクロ流路デバイスを作製する。また、図２（ｂ）は、後述する第１の基板（ドナー基板）上のパターン部材の平面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、隣り合うパターン部材の連結部同士は重なり合わないように配置されている。したがって、マイクロ流路デバイス内の流体は、流路抵抗の影響を受けることなく、均一に流れる。
【００２２】
また、図３（ａ）は、マイクロ流路デバイス２０５を上面から見た平面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。上述したとおり、パターン部材は、１０４Ｂ1、１０４Ｂ2、１０４Ｂ3、１０４Ｂ4・・・の順に積層されている。図３（ｂ）に示すように、Ａ−Ａ’線の断面は、積層方向に対して１０４Ｂ2及び１０４Ｂ4の両パターン部材中の連結部１０３が重なり合わないように配置されている。したがって、マイクロ流路デバイス内の流体は、流路抵抗の影響を受けることなく、均一に流れる。
【００２３】
マイクロ流路デバイスに用いるパターン部材において、隔壁部の幅に対する、連結部の幅の比は、０．１〜１であることが好ましく、０．３〜１であることがより好ましく、０．５〜１であることが更に好ましい。隔壁部の幅に対する連結部の幅の比が上記範囲内であれば、連結部が流路を流れる流体の妨げとならないことから好ましい。
【００２４】
連結部の幅に対する積層方向の厚さの比は、１以上であることが好ましい。また、幅に対する積層方向の厚さの比は、１〜３であることがより好ましく、１〜２であることが更に好ましい。幅に対する積層方向の厚さの比が上記数値範囲内であれば、連結部が流路を流れる流体の妨げとならないことから好ましい。
【００２５】
以下、本実施形態のマイクロ流路デバイスの製造方法について詳細に説明する。
マイクロ流路デバイスの製造方法は、第１の基板上に目的とするマイクロ流路デバイスの各断面形状に対応した複数のパターン部材を形成する工程と、前記パターン部材が形成された前記第１の基板と第２の基板との接合及び離間を繰り返すことにより前記第１の基板上の前記パターン部材を前記第２の基板上に積層する工程とを含み、隔壁部を有する前記パターン部材は、前記隔壁部が連結部を介して外壁部に接続されていることを特徴とする。
【００２６】
＜複数のパターン部材を形成する工程＞
図４（ａ）〜（ｅ）に、複数のパターン部材を形成する工程を示す。まず、ステンレス等の鉄系の金属、または銅等の非鉄系の金属からなる第１の金属基板であるドナー基板４０１を用意する。ドナー基板４０１の板厚は、０．１〜５ｍｍ、望ましくは０．５〜２ｍｍである。
【００２７】
次に、このドナー基板４０１の表面４０１ａを鏡面研磨する。この研磨は、電解研磨、遊離砥粒による機械研磨等を用いて、粗研磨から仕上げ研磨までを複数のステップで行う。最終的に、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を１０ｎｍ以下にするが、望ましくは５ｎｍ以下にする。表面粗さが小さいほど、パターン形成後のパターン部材とドナー基板との密着力が低くなり、後の接合転写の歩留まりが向上するからである。しかし、小さすぎると、電鋳の成長中や成長後の洗浄、レジスト剥離工程で、予期せぬ膜の脱離が発生することがある。従って、表面粗さは、３〜５ｎｍ程度が望ましい。
【００２８】
表面粗さの計測は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）、白色干渉計、触針式表面プロファイラ等を使用することができる。
【００２９】
次に、図４（ａ）に示すように、ドナー基板４０１の鏡面研磨された表面４０１ａに、例えば３０μｍの厚みに厚膜レジストを塗布してレジスト膜４０３を形成する。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、所定のパターンを有するフォトマスク４０４をレジスト膜４０３上に設置する。次に、図４（ｃ）に示すように、図示しない露光手段によりフォトマスク４０４の開口部を通してレジスト膜４０３を露光する。これにより、目的の構造体の断面パターンに対応してポジネガ反転によるレジストパターンが形成される。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示す状態のドナー基板４０１をめっき浴に浸し、図４（ｄ）に示すように、電解めっきにより、ニッケルによる第１の導電膜としての第１の電鋳膜４０２を、例えば２５μｍの厚みに成長させる。このとき、断面パターンの場所や形状によって、膜厚に２４〜２６μｍ程度のばらつきを生じることがある。例えば、図４（ｄ）に示すように、傾斜が生じた電鋳膜表面４０２ａ、レジスト膜４０３の近傍の膜厚が厚くなって凹状となった電鋳膜表面４０２ｂ、ドーム状になった電鋳膜表面４０２ｃなどが現れる。なお、第１の電鋳膜４０２のニッケルに代えて、ニッケル合金、銅、銅合金等を用いることもできる。
【００３２】
次に、レジスト膜４０３を剥離液で除去することにより、図４（ｅ）に示すように、ドナー基板４０１上に、マイクロ流路デバイスの各断面形状に対応した複数のパターン部材４０５を形成することができる。
【００３３】
＜パターン部材を積層してマイクロ流路デバイスを製造する工程＞
図５（ａ）〜（ｆ）は、パターン部材を積層してマイクロ流路デバイスを製造する工程を示す。このマイクロ流路デバイスは、図４の方法により作製したドナー基板４０１上のパターン部材を第２の金属基板であるターゲット基板５１０の表面に順次転写して、積層することにより製造される。
【００３４】
まず、下部ステージ及び上部ステージ(いずれも図示せず)を内蔵している真空槽（図示せず）の上部ステージにターゲット基板５１０をセットし、下部ステージ上にドナー基板４０１をセットする。ここで、ドナー基板４０１及びターゲット基板５１０の表面にＦＡＢ(Fast Atom Beam)等を照射し、両者の表面を清浄化する。
【００３５】
次に、真空槽内を排気し、高真空状態あるいは超高真空状態にする。この状態を維持したまま、下部ステージと上部ステージを相対的に移動させ、図５（ａ）に示すように、ターゲット基板５１０をドナー基板４０１上の１層目のパターン部材５０１Ａ上に位置させる。この状態のまま、上部ステージを降下させると、図５（ｂ）に示すように、ターゲット基板５１０の下面がパターン部材５０１Ａの上面に接触する。このとき、上部ステージは、所定の荷重を所定の時間にわたって下方に付与している。これによりドナー基板４０１の１層目のパターン部材５０１Ａとターゲット基板５１０が強固に常温接合される。
【００３６】
ここで、常温接合とは、室温で原子同士を直接接合することをいう。常温接合によれば、常温接合されるパターン部材の形状や厚みの変化が少なく、高精度なマイクロ流路デバイスが得られる。パターン部材を接合する前に、その表面に中性原子ビーム、イオンビーム等を照射して表面を清浄化するのが好ましい。清浄化により表面が活性化して強固な接合が得られる。したがって，常温接合は表面活性化接合と呼ばれることもある。
【００３７】
次に、上部ステージを上昇させると、図５（ｃ）に示すように、１層目のパターン部材５０１Ａはドナー基板４０１から剥離し、ターゲット基板５１０に転写する。このとき、ドナー基板４０１の表面４０１ａは、鏡面研磨されているので、パターン部材５０１Ａは容易にドナー基板４０１から剥離する。
【００３８】
次に、上部ステージを２層目のパターン部材５０１Ｂの上方へ相対的に移動させ、図５（ｄ）に示すように、ターゲット基板５１０上のパターン部材５０１Ａとパターン部材５０１Ｂを対向させる。この状態のまま、上部ステージを下降させると、図５（ｅ）に示すように、パターン部材５０１Ａがパターン部材５０１Ｂに接触する。この状態で、図５（ｂ）の工程と同様に、所定の荷重をパターン部材５０１Ｂに所定の時間付与する。
【００３９】
次に、上部ステージを上昇させると、図５（ｆ）に示すように、２層目のパターン部材５０１Ｂはドナー基板４０１から剥離し、１層目のパターン部材５０１Ａの下面に転写し、１層目のパターン部材５０１Ａと２層目のパターン部材５０１Ｂが積層される。以後、同様にして３層目以降のパターン部材５０１Ｃ、５０１Ｄ・・・を２層目のパターン部材５０１Ｂ側に転写して積層することにより、ターゲット基板５１０上にマイクロ流路デバイスが形成される。
【００４０】
この後、ターゲット基板５１０上に転写されたマイクロ流路デバイスを上部ステージから取り外し、ターゲット基板５１０を除去すると、マイクロ流路デバイスが得られる。
【００４１】
上記各実施の態様では、電鋳法を用いて第１の金属基板であるドナー基板を作製したが、半導体プロセスを用いて作製してもよい。例えば、シリコンウエハからなる基板を準備し、この基板上にポリイミドからなる離型層をスピンコーティング法により着膜し、この離型層の表面にマイクロ流路デバイスの薄層を構成するＡｌ薄膜をスパッタ法により着膜し、Ａｌ薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより、第１の金属基板であるドナー基板を作製することができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。
従来は、図７（参考図）に示すような隔壁部が外壁部の内部に孤立したパターン部材を使用していたのに対して、本実施例では図２に示すようなパターン部材を使用した。
（実施例１）
図２（ｂ）を用いて以下に説明する。
まず、マイクロ流路デバイスの作製に用いるドナー基板２０６を用意した。表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を５．０ｎｍとしたステンレス製のドナー基板２０６上に、上述した電鋳法を用いて、パターン材料の第１層１０４Ｂ1、第２層１０４Ｂ2、第３層１０４Ｂ3、第４層１０４Ｂ4を１周期分とするニッケルパターン部材を作製した。流路を構成する偶数層は、長さ６ｍｍ、幅７５μｍ、厚さ２５μｍの流路が幅２５μｍの隔壁部で隔てられることで、１層あたり８０本のチャネルを１００μｍピッチで作製した。さらに、隔壁部は、幅２５μｍの連結部を介して外壁部と接続させた。
その後、常温接合によりパターン部材を５周期分、合計２０層を積層して、マイクロ流路デバイスを作製した。
【００４３】
常温接合後のドナー基板を光学顕微鏡で確認したところ、隔壁部の転写不良は生じていなかった。
【００４４】
また、積層後のマイクロ流路デバイスの高さをレーザー顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ  ＶＫ８５５０）により評価したところ、設計値は２５μｍ×２０層＝５００μｍであるのに対して、実測値は５００μｍであった。また電子顕微鏡で隔壁部を観察したところ、隔壁部の転写不良による抜けは発生していなかった．
【００４５】
また、得られたマイクロ流路デバイスに、体積平均粒径：１０μｍのポリスチレン微粒子を５体積％含む水分散液（商品名：粒子径標準粒子４２１０Ａ、ＭＯＲＩＴＥＸ社製）を５時間送液したところ、詰まりの発生は見られなかった。流路内の流速が不均一であると、流速の遅い部分にポリスチレン粒子が偏在して詰まりを発生するが、上記結果から、流路内の流速が均一であることがわかった。
【００４６】
（実施例２）
図６を用いて以下に説明する。
図６の６０６は、半円形のマイクロ流路デバイスの作製に用いたドナー基板である。表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を５．０ｎｍとしたステンレス製のドナー基板６０６上に、上述した電鋳法を用いて、パターン部材の第１層６０４Ｂ1、第２層６０４Ｂ2、第３層６０４Ｂ3、第４層６０４Ｂ4を１周期分とするニッケル製のパターン部材を作製した。流路を構成する偶数層は、幅７５μｍ、厚さ２５μｍの流路が２５μｍの隔壁部で隔てられることで、１層あたり６本のチャネルを１００μｍピッチで作製した。さらに、隔壁部は、幅２５μｍの連結部を介して外壁部と接続させた。
その後、常温接合によりパターン部材を５周期分、２０層を積層して、本発明のマイクロ流路デバイスを作製した。常温接合時の転写不良は生じなかった。
【００４７】
常温接合後のドナー基板を顕微鏡で確認したところ、転写不良は生じていなかった。
【００４８】
また、積層後のマイクロ流路デバイスの高さをレーザー顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ  ＶＫ８５５０）により評価したところ、設計値は２５μｍ×２０層＝５００μｍであるのに対して、実測値は５００μｍであった。
【００４９】
また、得られたマイクロ流路デバイスに、体積平均粒径：１０μｍのポリスチレン微粒子を５体積％含む水分散液（商品名：粒子径標準粒子４２１０Ａ、ＭＯＲＩＴＥＸ社製）を５時間送液したところ、詰まりの発生は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】パターン部材の一実施態様を例示した図である。
【図２】（ａ）はマイクロ流路デバイスの一実施態様の斜視図であり、（ｂ）は第１の金属基板であるドナー基板上のパターン部材の一実施態様の平面図である。
【図３】（ａ）はマイクロ流路デバイスの一実施態様を上面から見た平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】パターン部材を形成する工程の一実施態様を示す断面図である。
【図５】パターン部材を転写してマイクロ流路デバイスを製造する工程の一実施態様を示す断面図である。
【図６】第１の金属基板であるドナー基板上のパターン部材の一実施態様の平面図である。
【図７】従来のマイクロ流路デバイスに係る、マイクロ流路を有するパターン部材を示した図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０１    隔壁部
１０２    外壁部
１０３    連結部
１０４    パターン部材
１０４Ａ1〜１０４Ｃ2    パターン部材
２０５    マイクロ流路デバイス
２０６    ドナー基板
４０１    ドナー基板
４０１ａ    金属基板表面
４０２    電鋳膜
４０２ａ〜ｃ    電鋳膜表面
４０３    レジスト膜
４０４    フォトマスク
４０５    パターン部材
５０１Ａ、５０１Ｂ    パターン部材
５１０    ターゲット基板
６０４Ａ1〜６０４Ｃ2    パターン部材
６０６    ドナー基板
７０１    隔壁部
７０２    外壁部
７０３    入り口
７０４    出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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