(57)【要約】【課題】照明装置から射出され、反射層の照明装置側の面で反射された光が、配線層の液晶層側の面に反射されて発生する光漏れを低減し、コントラストを向上することができる液晶装置とその製造方法及び電子機器を提供する。【解決手段】反射層２９の照明装置６１側に光吸収層２８が形成されていることを特徴とする。【選択図】図４
2009145836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側に照明装置が配置された液晶装置であって、
前記反射層の前記照明装置側に光吸収層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記光吸収層は、前記反射層の前記照明装置側の面に形成されていること特徴とする請求項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記光吸収層は、インジウムの低級酸化物を含むインジウム錫酸化物により形成されていること特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側に照明装置が配置された液晶装置の製造方法であって、
前記第一基板の前記配線層よりも前記液晶層側に前記光吸収層の前駆体層を形成する前駆体層形成工程と、
前記前駆体層の前記液晶層側に前記反射層を形成する反射層形成工程と、
前記前駆体層を大気圧よりも小さい圧力または還元ガス雰囲気下で加熱して前記光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層形成工程において前記反射層をパターニングし、前記反射層をマスク材として用いて前記前駆体層をパターニングすることを特徴とする請求項４記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記前駆体層を非晶質のインジウム錫酸化物により形成し、前記反射層をアルミニウムにより形成することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記光吸収層形成工程において、前記前駆体層を２００℃以上４００℃以下の温度範囲で加熱することを特徴とする請求項６記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶装置とその製造方法及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、反射層と光拡散性を有する膜を備えた反射半透過型の液晶装置が知られている。このような液晶装置として、透明段差膜を備え、反射表示の際の光の干渉色の発生と透過表示の際の表示品質の低下を防止するものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１７１４２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の液晶装置では、図８に示すように、バックライト６１等の照明装置から射出され、反射層２９の裏面（照明装置６１側の面）で反射された光Ｌが、データ線６ａ等の配線層の液晶層５０側の面によって再度反射され、反射光ＲＬが反射層２９と遮光部２２４との隙間等から視認側に射出される。このような光の回り込みによる光漏れが発生すると、液晶装置のコントラストが低下するという課題がある。
【０００４】
そこで、この発明は、照明装置から射出され、反射層の裏面で反射された光が、配線層の液晶層側の面に反射されて発生する光漏れを低減し、コントラストを向上することができる液晶装置とその製造方法及び電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置は、第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側に照明装置が配置された液晶装置であって、前記反射層の前記照明装置側に光吸収層が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
このように構成することで、照明装置から射出されて反射層の裏面、すなわち、液晶層とは反対側の面に入射すると、光吸収層によって吸収される。そのため、照明装置から射出された光が反射層により反射して配線層の液晶層側の面に入射することが防止される。したがって、照明装置から射出された光が配線層により液晶層側に反射されることが防止され、液晶装置の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、光漏れが低減され、液晶装置のコントラストを向上させることができる。
【０００７】
また、本発明の液晶装置は、前記光吸収層は、前記反射層の前記照明装置側の面に形成されていること特徴とする。
【０００８】
このように構成することで、照明装置から射出された光は、反射層の照明装置側の面に到達する前に光吸収層に入射して、光吸収層によって吸収される。
【０００９】
また、本発明の液晶装置は、前記光吸収層は、インジウムの低級酸化物を含むインジウム錫酸化物により形成されていること特徴とする。
【００１０】
このように構成することで、光吸収層に光が入射すると、光吸収層に含まれる黒色のインジウムの低級酸化物によって吸収される。
【００１１】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側に照明装置が配置された液晶装置の製造方法であって、前記第一基板の前記配線層よりも前記液晶層側に前記光吸収層の前駆体層を形成する前駆体層形成工程と、前記前駆体層の前記液晶層側に前記反射層を形成する反射層形成工程と、前記前駆体層を大気圧よりも小さい圧力または還元ガス雰囲気下で加熱して前記光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
このように製造することで、前駆体層を加熱して光吸収層を形成することができる。そして、この光吸収層によって照明装置から射出された光が吸収され、反射層の裏面で反射されることが防止される。そのため、照明装置から射出された光が反射層により反射して配線層の液晶層側の面に入射することが防止される。
したがって、照明装置から射出された光が配線層により液晶層側に反射されることが防止され、液晶装置の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、光漏れが低減され、液晶装置のコントラストを向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記反射層形成工程において前記反射層をパターニングし、前記反射層をマスク材として用いて前記前駆体層をパターニングすることを特徴とする。
【００１４】
このように製造することで、反射層のパターニングと前駆体層のマスク材の形成を一括して行うことができる。また、前駆体層のパターニング後にマスク材を剥離する必要が無い。したがって、製造工程を簡略化させ、液晶装置の生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記前駆体層を非晶質のインジウム錫酸化物により形成し、前記反射層をアルミニウムにより形成することを特徴とする。
【００１６】
このように製造することで、前駆体層のパターニングに、例えば、シュウ酸等を用いることで、マスク材として用いる反射層に影響を与えることなく前駆体層を加工することができる。また、前駆体層を所定の条件で加熱することで、前駆体層中に光を吸収する黒色のインジウムの低級酸化物が生成される。
【００１７】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、前記光吸収層形成工程において、前記前駆体層を２００℃以上４００℃以下の温度範囲で加熱することを特徴とする。
【００１８】
このように製造することで、吸収層形成工程において、前駆体層中にインジウムの低級酸化物を確実に生成させることができる。
【００１９】
また、本発明の電子機器は、上記のいずれかの液晶装置を備えている。したがって、表示の際の光漏れが低減されてコントラストが向上し、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を適宜変更している。
【００２１】
図１は、この実施の形態の液晶装置１００を構成する画素２００の回路構成図である。図１に示すように、画素２００はマトリックス状に多数配置されており、それぞれの画素２００には、画素電極９とＴＦＴ３０とが形成されている。ＴＦＴ３０は、画素２００のスイッチング制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ３０のソースには、データ線駆動回路（図示略）から延びるデータ線（配線層）６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには画素電極９が電気的に接続されている。データ線駆動回路は、データ線６ａを介して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素２００に供給する。
なお、フルカラー表示の電気光学装置の場合には、フルカラー表示の最小単位が複数の単色表示単位、例えば赤、青、緑からなっている。この場合には、単色表示単位と対応する画素がサブ画素と称される。すなわち、フルカラー表示の液晶装置である場合には、画素２００はサブ画素と称される。
【００２２】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路（図示略）から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。ＴＦＴ３０のゲートに走査信号Ｇ１〜Ｇｍが印加されると、ＴＦＴ３０のゲートとソースの間が一定期間オンとなり、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが、所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。
【００２３】
画素電極９は、後述する共通電極と対向しており、画素電極９と共通電極との間には液晶容量が形成される。また、画素２００には、走査線３ａに平行して設けられた容量線３ｂに接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極９との間に接続された蓄積容量７０が設けられている。上記の液晶容量と蓄積容量７０は並列接続となっており、画素電極９に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、液晶容量と蓄積容量７０とに一定期間保持される。蓄積容量７０が併設されていることにより、液晶容量に保持された画像信号がリークしないようになっている。
【００２４】
図２は、画素２００を拡大して示す平面構成図である。画素２００は、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれる略長方形形状の領域であり、ここではその短辺に平行な方向をＸ方向とし、その長辺に平行な方向をＹ方向とする。画素２００は、Ｙ方向に順に並んだ透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒを有している。ここでは、いずれの領域も略長方形状となっており、Ｙ方向のうち反射表示領域Ｒが位置する側をＹ正方向、透過表示領域Ｔが位置する側をＹ負方向とする。
画素２００は、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔにわたって設けられた画素電極９と、反射表示領域Ｒに設けられた反射層２９と、を備えている。また、画素２００の間隙には、後述する第一基板と第二基板とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。
【００２５】
また、画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなるものであり、反射層２９は、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜や、屈折率の異なる誘電体膜（ＳｉＯ２とＴｉＯ２等）を積層した誘電体積層膜（誘電体ミラー）からなるものである。
画素２００に近接して、Ｙ方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース６ｂと、ドレイン３２と、を備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲートとして機能する。
【００２６】
ＴＦＴ３０のソース６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形状となっており、ドレイン３２は、半導体層３５上から画素電極９側に延びて矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１上には、画素電極９のコンタクト部が配置されており、双方が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また容量電極３１は、容量線３ｂの平面領域内に配置されており、この位置で厚さ方向に対向する容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量が形成されている。
【００２７】
図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う部分断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向して配置された第一基板１０及び第二基板２０と、これらの基板間に挟持された液晶層５０と、を備えて構成されている。第一基板１０の端部と第二基板２０の端部とは、シール材（図示略）によって貼り合わせられており、液晶層５０は、これらの基板間に封止されている。第一基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、位相差板７１、及び偏光板１４が設けられており、第二基板２０の外面側には位相差板７２、及び偏光板２４が設けられている。偏光板１４の外面側には、光源、導光板、及び反射板等からなるバックライト（照明装置）６１が設けられている。
【００２８】
第一基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板１１を基体としてなり、透明基板１１の内面側には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１２が形成されている。また、ゲート絶縁膜１２上には、選択的に半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース６ｂ及びドレイン３２が形成されている。また、ドレイン３２におけるソース６ｂの反対側には、ドレイン３２と一体に容量電極３１が形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向配置されており、該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートとして機能するようになっている。容量電極３１は、ゲート絶縁膜１２を介して容量線３ｂと対向配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１２を誘電体膜とする蓄積容量が構成されている。
【００２９】
また、ＴＦＴ３０を覆って、層間絶縁膜１３が設けられており、容量電極３１上の層間絶縁膜１３を貫通して画素コンタクトホール４５が設けられている。画素コンタクトホール４５の内側、及び画素コンタクトホール４５周辺における層間絶縁膜１３上に中継電極１５が設けられている。中継電極１５は、容量電極３１と直接接触してこれと導通するようになっている。また、本例の中継電極１５は、上面側から順にＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層の３層構造となっている。なお、ソース電極の材料としては、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（タンタルナイトライド）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）等を用いることもでき、単層構造や２層構造、４層以上の多層構造としてもよい。
【００３０】
また、層間絶縁膜１３及び中継電極１５を覆って、保護膜１６が設けられている。保護膜の材料としては、ＳｉＮ（シリコン窒化物）やＳｉＯ２（シリコン酸化物）等を用いることができ、ここではＳｉＮからなり、厚さが１００ｎｍ程度の保護膜１６を採用している。また、保護膜１６を覆って、凹凸形成層１７が設けられている。凹凸形成層の材料としては、ポジ型の感光性樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂等が挙げられる。凹凸形成層１７の上面側は、反射表示領域Ｒにおいて滑らかな波面状となっており、この部分を覆って反射層２９が設けられている。反射層２９の上面側も波面状となっており、反射層２９は、第二基板２０側から入射した光を反射するとともに散乱するようになっている。これにより、反射光の強度が均一化され、表示ムラを減らすことができる。
【００３１】
図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図である。図３及び図４に示すように、反射層２９の裏面（液晶層５０と反対側の面）、すなわち反射層２９のバックライト６１側の面に、光吸収層２８が形成されている。光吸収層２８は、例えば、非晶質のＩＴＯにより形成され、層中に光を吸収する黒色のＩｎ（インジウム）の低級酸化物を含んでいる。ここで、光吸収層２８の厚さｔは、例えば、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍ程度の設計上許される範囲内で、なるべく厚くすることが好ましい。また、反射層２９の厚さＴは３０ｎｍ以上とすることが好ましい。また、光吸収層２８の光透過率は、例えば、約２０％〜約３０％程度である。
【００３２】
また、図３に示すように、中継電極１５上の凹凸形成層１７を貫通して開口部１８が設けられており、開口部１８の内壁、開口部１８内側の中継電極１５、及び凹凸形成層１７を覆って、画素電極９が設けられている。画素電極９は、中継電極１５と接触してこれと導通するようになっている。すなわち、画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレイン３２と導通するようになっている。また、画素電極９を覆って、例えばポリイミド等からなる配向膜１９が設けられている。
【００３３】
第二基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板２１を基体としてなり、透明基板２１の内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２と、共通電極２３と、配向膜２５とが積層形成されている。共通電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、複数の画素２００を覆って平面ベタ状に形成されたものである。配向膜２５は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極２３を覆って形成されている。
【００３４】
この実施の形態のカラーフィルタ２２は、遮光部２２４、色材部２２２、及び平坦化層２２３を備えて構成されている。遮光部２２４は、遮光性を有する材料からなるものであり、具体的にはＣｒやＣｕ等の無機材料や、黒色に着色されたアクリル系樹脂等の有機材料等からなるものである。遮光部２２４は、ＴＦＴ３０や、走査線３ａ、データ線６ａ等が配置されている領域に設けられ、この領域が非表示領域ＢＭとなっている。色材部２２２は、ここを通る光を所望の色光として射出するためのものであり、フルカラー表示の液晶装置にあっては画素（サブ画素）ごとに、例えば赤、緑、青と対応するものが周期的に配置されている。平坦化層２２３は、色材部２２２と遮光部２２４との段差等を埋めて、カラーフィルタ２２の液晶層５０側を平坦化するものである。
なお、色材部は、その厚さを反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで変化させてもよく、これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで色味を均一にすることができる。
【００３５】
以上のような構成の液晶装置１００は、データ線６ａからの画像信号をＴＦＴ３０でスイッチング制御することにより、複数の画素２００の画素電極９に個別に画像信号を伝達できるようになっている。画素電極９に画像信号が伝達されると、画素電極９と共通電極２３との間に所定の電界が印加されて、これら電極間の液晶分子は、電界に応じた方向を向くようになる。透過表示領域Ｔではバックライト６１からの光が、第一基板１０側から第二基板２０側に向かう間に、液晶層５０により画像信号に応じて変調される。また、反射表示領域Ｒでは第二基板２０側からの光が、反射層２９に向かう間、及びこれに反射されて第一基板１０側に向かう間に、液晶層５０により画像信号に応じて変調される。そして、変調された光が、偏光板２４等でフィルタリングされることにより、階調表示が可能となっている。
【００３６】
このとき、図４に示すように、バックライト６１から射出された光のうち、一部の光Ｌは反射層２９の裏面に形成された光吸収層２８に入射する。光吸収層２８に入射した光は、層中のインジウムの低級酸化物によって吸収される。ここで、この実施の形態の光吸収層２８の光透過率は、例えば、約２０％〜約３０％程度であるため、光吸収層２８を透過して反射層２９の裏面に到達する光Ｌは、光吸収層２８がない場合と比較して約７０％〜約８０％程度減少する。
【００３７】
さらに、反射層２９の裏面に到達して反射された光Ｌは、再び光吸収層２８を透過する際に吸収されて減少する。これにより、反射層２９の裏面により反射され、データ線６ａの内面側（液晶層５０側）に到達する光を、光吸収層２８により約９０％以上吸収して著しく減少させることができる。そのため、データ線６ａの内面側に入射して液晶層５０側に反射され、遮光部２２４と反射層２９との間から視認側に射出される光が減少する。
【００３８】
また、上述のように光吸収層２８の厚さｔを設計上許される範囲でなるべく厚くすることで、光吸収層２８の光透過率をより低下させることができる。また、反射層２９の厚さを３０ｎｍ以上とすることで、反射層２９の液晶層５０側から入射した光に対する反射率が低下することを防止できる。
【００３９】
以上説明したように、この実施の形態の液晶装置１００によれば、バックライト６１から射出され、反射層２９の裏面で反射された光が、データ線６ａの液晶層５０側の面に反射されて発生する光漏れを低減し、液晶装置１００のコントラストを向上させることができる。
【００４０】
（液晶装置の製造方法）
次に、この実施の形態の液晶装置１００の製造方法について説明する。以下の説明では、光吸収層２８の製造工程を中心に説明し、その他の工程の説明は省略する。なお、光吸収層２８の製造工程以外の工程については、公知のものを採用することができる。
【００４１】
まず、図５（ａ）に示すように、第一基板１０の透明基板１１の内面側に、走査線３ａ、容量線３ｂ、ゲート絶縁膜１２、データ線６ａ、層間絶縁膜１３、保護膜１６及び凹凸形成層１７等を形成する。次いで、凹凸形成層１７上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い、ＩＴＯにより光吸収層２８の前駆体層２８ａを形成する（前駆体層形成工程）。このときの成膜条件として、例えば、温度を室温、圧力（ゲージ圧）を１．０Ｐａよりも大とし、成膜時にＨ２（水素）もしくはＨ２Ｏ（水）を添加して酸素流量を０ｓｃｃｍとすることで、前駆体層２８ａが非晶質のＩＴＯにより形成される。
【００４２】
次に、前駆体層２８ａ上に、例えば、ＣＶＤ法を用いて室温でＡｌ（アルミニウム）により反射層２９を形成する（反射層形成工程）。次いで、図５（ｂ）に示すように、反射層２９上にフォトレジストＭを形成し、反射層２９の所定の形状に合わせてパターニングする。次いで、例えば、燐硝酢酸等を用いて、図５（ｃ）に示すように、反射層２９を選択的にエッチングしてパターニングする。
【００４３】
次に、フォトレジストＭを剥離させ、パターニングした反射層２９をマスク材として利用し、シュウ酸等を用いて、図６（ａ）に示すように、前駆体層２８ａを選択的にエッチングしてパターニングする。
次いで、パターニングした前駆体層２８ａを加熱して、図６（ｂ）に示すように、反射層２９の裏面に光吸収層２８を形成する（光吸収層形成工程）。このときの前駆体層２８ａの加熱条件は、圧力（ゲージ圧）を−４．０Ｐａ以下とし、温度を約２００℃〜約４００℃程度の温度範囲とする。あるいは、温度を上記の温度範囲とし、Ｈ２、Ａｒ（アルゴン）等の還元ガス雰囲気下で加熱するようにしてもよい。
【００４４】
次に、反射層２９及び凹凸形成層１７を覆うように画素電極９を形成し、フォトリソグラフィ法、エッチング法等により、図６（ｂ）に示すようにパターニングする。次いで、図６（ｃ）に示すように、画素電極９及び凹凸形成層１７を覆うように配向膜１９を形成する。
【００４５】
この実施の形態の液晶装置１００の製造方法によれば、上述のように非晶質のＩＴＯにより前駆体層２８ａを形成して加熱することで、前駆体層２８ａ中に光を吸収する黒色のインジウムの低級酸化物を生成させ、光吸収層２８を形成することができる。また、上述の条件で加熱することで、光吸収層２８中にインジウムの低級酸化物を確実に生成することができる。
【００４６】
また、反射層２９をＡｌにより形成し、前駆体層２８ａをパターニングする際にＡｌに影響を与えないシュウ酸を用いることで、反射層２９を前駆体層２８ａのマスク材として用いることができる。このため、反射層２９のパターニングと前駆体層２８ａのマスク材の形成を一括して行うことができる。また、前駆体層２８ａのパターニング後にマスク材を剥離する必要が無い。したがって、製造工程を簡略化させ、液晶装置１００の生産性を向上させることができる。
【００４７】
以上説明したように、この実施の形態の液晶装置１００の製造方法によれば、反射層２９のバックライト６１側の面に光吸収層２８を形成することができる。そして、上述のように光吸収層２８によってバックライト６１から射出された光Ｌが吸収され、反射層２９の裏面で反射されることが防止される。そのため、バックライト６１から射出された光Ｌが反射層２９により反射してデータ線６ａの液晶層５０側の面に入射することが防止される。
したがって、バックライト６１から射出された光Ｌデータ線６ａにより液晶層５０側に反射されることが防止され、液晶装置１００の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、光漏れが低減され、液晶装置１００のコントラストを向上させることができる。
【００４８】
（電子機器）
次に、上述の実施形態で説明した液晶装置１００を備えた電子機器について説明する。
図７示すように、電子機器の実施の形態の一例である携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、上述の液晶装置１００からなる表示部とを有している。このように、携帯電話機９０は、上述の液晶装置１００を備えているので、光漏れが防止され、表示部のコントラストが向上された携帯電話となる。したがって、上述の液晶装置１００を備えることで、携帯電話機９０の表示部のコントラストが向上されて、表示部の表示品質の高い携帯電話機９０を提供することができる。
【００４９】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、光吸収層は反射膜の照明装置側に反射層から離間させて形成してもよい。
また、前駆体層形成工程において、非晶質のＩＴＯではなく、結晶性のＩＴＯを用いて前駆体層を形成してもよい。前駆体層の成膜条件としては、温度を室温、圧力を１．０Ｐａ以上のゲージ圧として成膜し、成膜後に還元焼成することで結晶性のＩＴＯにより前駆体層を形成することができる。
また、上述の実施の形態では、反射層を前駆体層のマスク材として利用する方法について説明したが、これらを別々に形成するようにしてもよい。例えば、前駆体層を加熱して光吸収層を形成して王酸等によりパターニングした後、光吸収層上に反射層を成膜してパターニングするようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態における液晶装置の画素の等価回路図である。
【図２】本発明の実施の形態における画素を拡大して示す平面構成図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図である
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿う矢視断面図である
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態における液晶装置の製造工程を説明する断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、同、液晶装置の製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における携帯電話機の斜視図である。
【図８】従来の液晶装置における図４に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
６ａ  データ線（配線層）、１０  第一基板、２０  第二基板、２８  光吸収層、２８ａ  前駆体層、２９  反射層、５０  液晶層、６１  バックライト（照明装置）、９０  携帯電話機（電子機器）、１００  液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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