(57)【要約】【課題】ガスセンサの故障原因の特定を容易にする【解決手段】ガス検出装置１は、ガスセンサ制御装置２と、ＮＯｘガスセンサ３とを備えており、コネクタ４１とコネクタ５１とが嵌合されることにより、ガスセンサ制御装置２とＮＯｘガスセンサ３とが電気的に接続される。またコネクタ５１には、半導体記録媒体が内蔵されている。そしてガスセンサ制御装置２は、ガスセンサ制御装置２に異常があるか否かを検出し、異常を検出した場合に、検出された異常の内容を示す装置異常情報を、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体に記憶する。またガスセンサ制御装置２は、ガスセンサ制御装置２の電源投入時に、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報を、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体に記憶する。【選択図】図１
2009150774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶するための記憶媒体を備えて検出対象ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサが着脱可能に装着され、前記ガスセンサを制御するセンサ制御装置であって、
当該センサ制御装置の異常を検出する異常検出手段と、
前記異常検出手段により検出された異常の内容を示す異常情報を、前記ガスセンサの前記記憶媒体に記憶させる第１記憶手段を備える
ことを特徴とするセンサ制御装置。
【請求項２】
前記異常検出手段により異常が検出されたときの当該センサ制御装置の状態を示す情報を前記ガスセンサの前記記憶媒体に記憶させる第２記憶手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサ制御装置。
【請求項３】
当該センサ制御装置を識別するための識別情報を前記ガスセンサの前記記憶媒体に記憶させる第３記憶手段を備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサ制御装置。
【請求項４】
前記ガスセンサは、
周囲の少なくとも一部が固体電解質体で形成された第１測定室と第２測定室を有し、前記第１測定室から前記第２測定室に流入する被測定ガスの酸素濃度を一定濃度となるように前記第１測定室に設けられた第１酸素ポンピングセルを使って酸素を汲み出しあるいは汲み入れ、また、前記第２測定室内の酸化物を解離させて酸素を発生させ、この酸素を前記第２測定室内の第２酸素ポンピングセルを使って前記第２測定室から汲み出すことにより、特定ガス成分の濃度を検出する
ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載のセンサ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
検出対象ガス中の特定ガス成分濃度（例えば車両の内燃機関の排気ガス中のＮＯｘ濃度）を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置が知られている。このセンサ制御装置は、一般にガスセンサが着脱可能に接続されており、特定ガス成分濃度に応じたガス検出信号をガスセンサから取得するために、例えば、ガスセンサに印加される電圧や、ガスセンサを加熱するヒータに印加される電圧を制御する。
【０００３】
このようなセンサ制御装置の中には、ガスセンサにより測定されるパラメータの変移を、ガスセンサ側（詳細には、ガスセンサのコネクタ）に備えられた記憶媒体に記憶するように構成されたものが知られている（例えば特許文献１を参照）。このように構成されたセンサ制御装置によれば、ガスセンサが故障などにより使用不能な状態になった場合に、この記憶媒体に記憶されたデータを用いて、故障原因を追究することができる。
【特許文献１】特開平１１−６４２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ガスセンサ以外（例えば、ガスセンサが取り付けられた車両やセンサ制御装置）の異常により、ガスセンサが故障する場合がある。このような場合には、このガスセンサが取り付けられた車両やセンサ制御装置の動作を確認することが、故障原因の特定に有効である。しかし、ガスセンサが故障したという理由で、ガスセンサがセンサ制御装置から取り外された状態で例えば市場から製造元に返却された場合には、製造元は、返却されたガスセンサの特性しか確認することができない。このため、ガスセンサの故障原因の特定が困難になるという問題があった。
【０００５】
また、ガスセンサの故障原因を特定するには、故障が発生したときのガスセンサとセンサ制御装置とを組合せた状態で、これらの動作を確認することが有効である。しかし、ガスセンサが故障したという理由で、複数のガスセンサと、このガスセンサが装着されていた複数のセンサ制御装置とが、互いに取り外された状態で同時に返却されることがある。この場合には、ガスセンサとセンサ制御装置との組合せが特定できず、故障原因の特定が困難になるという問題があった。
【０００６】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、ガスセンサの故障原因の特定を容易にする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、データを記憶するための記憶媒体を備えて検出対象ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサが着脱可能に装着され、ガスセンサを制御するセンサ制御装置であって、当該センサ制御装置の異常を検出する異常検出手段と、異常検出手段により検出された異常の内容を示す異常情報を、ガスセンサの記憶媒体に記憶させる第１記憶手段を備えることを特徴とするセンサ制御装置である。
【０００８】
このように構成されたセンサ制御装置では、まず、異常検出手段が当該センサ制御装置の異常を検出する。そして第１記憶手段が、異常検出手段により検出された異常の内容を示す異常情報を、ガスセンサの記憶媒体に記憶する。尚、この異常情報としては、例えば、センサ制御装置の電源電圧異常や、センサ制御装置とガスセンサとを接続するケーブルの断線が挙げられる。
【０００９】
即ち、センサ制御装置に対して着脱可能なガスセンサの記憶媒体にセンサ制御装置の異常情報が記憶される。
従って、請求項１に記載のセンサ制御装置によれば、センサ制御装置から取り外された状態であるガスセンサの故障原因を特定する作業を行う者は、ガスセンサの記憶媒体に記憶されたセンサ制御装置の異常情報を参照することができる。このため、ガスセンサの故障原因がセンサ制御装置側にある場合に、その故障原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００１０】
また請求項１に記載のセンサ制御装置においては、請求項２に記載のように、異常検出手段により異常が検出されたときの当該センサ制御装置の状態を示す情報をガスセンサの記憶媒体に記憶させる第２記憶手段を備えるようにするとよい。尚、この「当該センサ制御装置の状態を示す情報」としては、例えば、センサ制御装置の電源電圧値あるいはガスセンサに対する積算通電（駆動）時間が挙げられる。
【００１１】
このように構成されたセンサ制御装置によれば、ガスセンサの記憶媒体にされている当該センサ制御装置の状態を示す情報を参照することにより、センサ制御装置の異常の原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００１２】
尚、上記の「異常検出手段により異常が検出されたときの当該センサ制御装置の状態を示す情報」としては、異常が検出された時点での当該センサ制御装置の状態を示す情報のみでもよいが、異常が検出された時点の前及び後の少なくとも一方における当該センサ制御装置の状態を示す情報を含めてもよい。
【００１３】
また請求項１または請求項２に記載のセンサ制御装置においては、請求項３に記載のように、当該センサ制御装置を識別するための識別情報をガスセンサの記憶媒体に記憶させる第３記憶手段を備えるようにするとよい。
【００１４】
このように構成されたセンサ制御装置によれば、センサ制御装置に対して着脱可能なガスセンサの記憶媒体に、当該センサ制御装置を識別するための識別情報が記憶される。このため、ガスセンサが故障したという理由で、複数のガスセンサと、このガスセンサが装着されていた複数のセンサ制御装置とが、互いに取り外された状態で同時に返却された場合に、ガスセンサとセンサ制御装置との組合せを特定することができ、ガスセンサの故障原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００１５】
尚、上記の識別情報は、センサ制御装置自体の識別情報に限られず、センサ制御装置を識別できるものであればよい。例えば、センサ制御装置が車両に取り付けられている場合には、その車両を識別する情報であってもよい。その車両を特定できれば、センサ制御装置を特定できるからである。
【００１６】
また請求項１〜請求項３の何れかに記載のセンサ制御装置においては、請求項４に記載のように、ガスセンサは、周囲の少なくとも一部が固体電解質体で形成された第１測定室と第２測定室を有し、第１測定室から第２測定室に流入する被測定ガスの酸素濃度を一定濃度となるように第１測定室に設けられた第１酸素ポンピングセルを使って酸素を汲み出しあるいは汲み入れ、また、第２測定室内の酸化物を解離させて酸素を発生させ、この酸素を第２測定室内の第２酸素ポンピングセルを使って第２測定室から汲み出すことにより、特定ガス成分の濃度を検出するようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施形態を図面とともに説明する。
図１は本発明が適用されたガスセンサ制御装置２を備えるガス検出装置１の概略構成を示す構成図、図２は半導体記録媒体６の配置を示す雄型コネクタ５１の正面図、図３は半導体記録媒体６の配置を示す雌型コネクタ５１の正面図、図４はガス検出装置１の内部構成を示す構成図である。
【００１８】
ガス検出装置１は、図１に示すように、ガスセンサ制御装置２と、ＮＯｘガスセンサ３とを備えており、自動車の内燃機関やボイラ等の各種燃焼機器の排気ガス中の特定ガス（本実施形態では、ＮＯｘ）の濃度を検出する用途などに用いられる。
【００１９】
また、先端にコネクタ４１を有する接続用ケーブル４がガスセンサ制御装置２に接続されるとともに、先端にコネクタ５１を有する接続用ケーブル５がＮＯｘガスセンサ３に接続されている。そして、コネクタ４１とコネクタ５１とが嵌合されることにより、ガスセンサ制御装置２とＮＯｘガスセンサ３とが電気的に接続される。このため、コネクタ４１，５１を外せばＮＯｘガスセンサ３を容易に交換することができる。なお、ＮＯｘガスセンサ３は、後述するＮＯｘガスセンサ素子３１、同素子３１を収容するハウジング、同素子３１と電気的に接続される接続用ケーブル５及びコネクタ５１を含む公知の構成からなる。
【００２０】
またコネクタ５１には、図２，図３に示すように、半導体記録媒体６（例えば、ダラス・セミコンダクター・コーポレーション製の商品名タッチメモリプローブ（ＤＳ９０９２）、商品名アッドオンリメモリ（ＤＳ２５０５））が内蔵されている。この半導体記録媒体６は、ＮＯｘガスセンサ３のコネクタ５１が雄型の場合には図２のように取り付け、雌型の場合には図３のように取り付ける。いずれの場合も、コネクタ５１に設けられた複数のピン（図示せず）のうち、未使用のピンに接続して、コネクタ５１を介してガスセンサ制御装置２に電気的に接続されるように取り付けられている。この場合、半導体記録媒体６はＮＯｘガスセンサ３のコネクタ５１に一体化されている。
【００２１】
またガスセンサ制御装置２は、図４に示すように、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１９１、ＲＡＭ１９２、ＲＯＭ１９３、信号入出力部１９４等を備えるマイクロコンピュータを主要部として構成されている。これらのうち信号入出力部１９４は、半導体記録媒体６と、後述の第１ポンプ用第１電極１３５，第１ポンプ用第２電極１３７，検知用電極１５５，基準用電極１５７，第２ポンプ用第１電極１４５，第２ポンプ用第２電極１４７，ヒータ１７５に接続される。
【００２２】
そして、ガスセンサ制御装置２は、ＮＯｘガスセンサ素子３１を駆動制御する処理や、ＮＯｘガスセンサ素子３１による検出信号（詳細には、後述する第２ポンプ電流Ｉｐ２）に基づき排気ガス中のＮＯｘ濃度を検出する処理や、ガスセンサ制御装置２の電源投入時に半導体記録媒体６を制御する電源投入時メモリ制御処理や、ガスセンサ制御装置２の異常発生時に半導体記録媒体６を制御する異常時メモリ制御処理などを実行する。
【００２３】
次に、ＮＯｘガスセンサ素子３１について説明する。なお図４では、ＮＯｘガスセンサ素子３１については、内部構造を示す断面図として記載している。以下の説明では、図４に示すＮＯｘガスセンサ素子３１のうち左側を先端側として、右側を後端側として説明する。また図４では、ＮＯｘガスセンサ素子３１のうち先端側部分における内部構成を示しており、後端部分は図示を省略している。
【００２４】
ＮＯｘガスセンサ素子３１は、第１ポンプセル１１１，酸素分圧検知セル１１２，第２ポンプセル１１３を、アルミナを主体とする絶縁層１１４，１１５を介して積層した構造を有する。また、ＮＯｘガスセンサ素子３１においては、第２ポンプセル１１３側に、ヒータ部１８０が積層されている。
【００２５】
このうち第１ポンプセル１１１は、酸素イオン伝導性を有するジルコニアからなる第１固体電解質層１３１と、第１固体電解質層１３１を挟み込むように配置された第１ポンプ用第１電極１３５及び第１ポンプ用第２電極１３７からなる第１多孔質電極１２１とを備えて形成されている。なお、第１ポンプ用第１電極１３５及び第１ポンプ用第２電極１３７は、白金、白金合金、白金とセラミックス（例えば、固体電解質体）を含むサーメットなどで形成されており、それぞれの表面には、多孔質体からなる保護層１２２が形成されている。
【００２６】
酸素分圧検知セル１１２は、酸素イオン伝導性を有するジルコニアからなる検知用固体電解質層１５１と、検知用固体電解質層１５１を挟み込むように配置された検知用電極１５５及び基準用電極１５７からなる検知用多孔質電極１２３とを備えて形成されている。なお、検知用電極１５５及び基準用電極１５７は、白金、白金合金、白金とセラミックス（例えば、固体電解質体）を含むサーメットなどで形成されている。
【００２７】
第２ポンプセル１１３は、酸素イオン伝導性を有するジルコニアからなる第２固体電解質層１４１と、第２固体電解質層１４１の表面のうち絶縁層１１５に面する表面に配置された第２ポンプ用第１電極１４５及び第２ポンプ用第２電極１４７からなる第２多孔質電極１２５とを備えて形成されている。なお、第２ポンプ用第１電極１４５及び第２ポンプ用第２電極１４７は、白金、白金合金、白金とセラミックス（例えば、固体電解質体）を含むサーメットなどで形成されている。
【００２８】
そしてＮＯｘガスセンサ素子３１の内部には、測定対象ガスが導入される第１測定室１５９が形成されている。第１測定室１５９には、第１ポンプセル１１１と酸素分圧検知セル１１２との間に配置された第１拡散抵抗体１１６を介して、外部から測定対象ガスが導入される。
【００２９】
第１拡散抵抗体１１６は、多孔質体で構成されており、ＮＯｘガスセンサ素子３１のうち先端側開口部から第１測定室１５９に至る測定対象ガスの導入経路１４に配置されて、第１測定室１５９への単位時間あたりの測定対象ガスの導入量（通過量）を制限している。
【００３０】
なお導入経路１４は、第１ポンプセル１１１および酸素分圧検知セル１１２に包囲される空間のうち、第１測定室１５９よりも先端側（図における左側）の領域である。また、第１ポンプセル１１１の第１ポンプ用第１電極１３５（詳細には、保護層１２２で覆われた第１ポンプ用第１電極１３５）、及び酸素分圧検知セル１１２の検知用電極１５５は、第１測定室１５９に対面するように配置されている。
【００３１】
また、第１測定室１５９の後端側（図における右側）には、多孔質体からなる第２拡散抵抗体１１７が備えられており、第２ポンプ用第１電極１４５と第２拡散抵抗体１１７との間には、第２測定室１６１が形成されている。なお第２測定室１６１は、酸素分圧検知セル１１２を積層方向に貫通する状態で形成される。
【００３２】
さらに、ＮＯｘガスセンサ素子３１の内部のうち、酸素分圧検知セル１１２の検知用固体電解質層１５１と第２ポンプセル１１３の第２固体電解質層１４１との間には、第２測定室１６１の他に多孔質体にて構成された基準酸素室１１８が形成されている。なお、第２測定室１６１、基準酸素室１１８は、この順に後端側から先端側にかけて第２ポンプセル１１３に沿って形成されている。また、酸素分圧検知セル１１２に対してガスセンサ制御装置２から微小電流が供給されることで、酸素が第１測定室１５９から検知用固体電解質層１５１を介して基準酸素室１１８に送り込まれるため、この基準酸素室１１８は、所定の酸素分圧雰囲気（濃度検知の基準となる酸素分圧雰囲気）に設定される。
【００３３】
そして、酸素分圧検知セル１１２の基準用電極１５７と、第２ポンプセル１１３の第２ポンプ用第２電極１４７とが、基準酸素室１１８に対面するように配置されている。
ヒータ部１８０は、アルミナ等の絶縁性セラミックスからなるシート状の絶縁層１７１，１７３を積層することにより構成されている。そして、このヒータ部１８０は、各絶縁層１７１，１７３の間に、Ｐｔを主体とするヒータ１７５を備えている。
【００３４】
このように構成されたＮＯｘガスセンサ素子３１は、第１ポンプセル１１１により第１測定室１５９の内部に存在する酸素のポンピング（汲み出し、汲み入れ）が可能であり、酸素分圧検知セル１１２により、酸素濃度（酸素分圧）を一定に制御された基準酸素室１１８と第１測定室１５９との酸素濃度差（酸素分圧差）、つまり第１測定室１５９の内部の酸素濃度（酸素分圧）を測定可能である。
【００３５】
なお、このＮＯｘガスセンサ素子３１は、ガスセンサ制御装置２により駆動されるものであり、ガスセンサ制御装置２がヒータ１７５を駆動することにより、各セル（第１ポンプセル１１１、第２ポンプセル１１３、酸素分圧検知セル１１２の）を活性化温度まで加熱する。
【００３６】
そしてガスセンサ制御装置２は、ヒータ１７５を駆動制御してＮＯｘガスセンサ素子３１を活性化温度（例えば７５０℃）まで加熱し、この状態で、酸素分圧検知セル１１２の両端電圧Ｖｓが予め設定された一定電圧（例えば４２５ｍＶ）となるように、第１ポンプセル１１１に流れる第１ポンプ電流Ｉｐ１を制御する。
【００３７】
またガスセンサ制御装置２は、第２ポンプセル１１３に対して、予め定められた制御電圧値Ｖ０（例えば４５０ｍＶ）の第２ポンプ電圧Ｖｐ２を印加する。これにより、第２測定室１６１では、第２ポンプセル１１３を構成する第２多孔質電極１２５の触媒作用によって、ＮＯｘが解離（還元）され、その解離により得られた酸素イオンが第２ポンプ用第１電極１４５と第２ポンプ用第２電極１４７との間の第２固体電解質層１４１を移動することにより第２ポンプ電流Ｉｐ２が流れる。つまり、第２ポンプセル１１３は、第２測定室１６１に存在する検出すべき特定ガス成分（ＮＯｘ（窒素酸化物））を解離させて、第２測定室１６１から基準酸素室１１８に酸素を汲み出す。
【００３８】
なお、第２測定室１６１の第２ポンプ用第１電極１４５で解離された酸素イオン（Ｏ2-）は、第２固体電解質層１４１を介して第２ポンプ用第２電極１４７に移動し、第２ポンプ用第２電極１４７において酸素（Ｏ2 ）として基準酸素室１１８に放出される。
【００３９】
つまりガスセンサ制御装置２は、ＮＯｘガスセンサ素子３１にコネクタ５１及び接続用ケーブル５を介して接続された状態で、第１ポンプセル１１１のポンピング動作により第１測定室１５９の酸素濃度（酸素分圧）を調整し、第２測定室１６１の酸素濃度（酸素分圧）をＮＯｘ検知が可能なＮＯｘ検知用濃度に設定して、第２ポンプ電流Ｉｐ２の大きさに基づいてＮＯｘ濃度を検出する処理を行う。そして、ガスセンサ制御装置２にて検出されたＮＯｘ濃度情報は、図１や図４に示していない外部装置（例えば、エンジンＥＣＵ）に送出される。
【００４０】
次に、ガスセンサ制御装置２が実行する電源投入時メモリ制御処理の手順を、図５を用いて説明する。図５は電源投入時メモリ制御処理を示すフローチャートである。この電源投入時メモリ制御処理は、ガスセンサ制御装置２が起動したときに１度のみ実行される処理である。
【００４１】
この電源投入時メモリ制御処理が開始されると、ガスセンサ制御装置２は、まずＳ１０にて、半導体記録媒体６に記憶されているデータを読み込む。そしてＳ２０にて、読み込んだデータの中に、ガスセンサ制御装置を識別するための制御装置識別情報が含まれているか否かを判断する。
【００４２】
ここで、制御装置識別情報が含まれていない場合には（Ｓ２０：ＮＯ）、Ｓ４０に移行する。一方、制御装置識別情報が含まれている場合には（Ｓ２０：ＹＥＳ）、Ｓ３０にて、読み込んだデータに含まれている制御装置識別情報が、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報（以下、現制御装置識別情報ともいう）と一致しているか否かを判断する。
【００４３】
ここで、現制御装置識別情報と一致している場合には（Ｓ３０：ＹＥＳ）、電源投入時メモリ制御処理を終了する。一方、現制御装置識別情報と一致していない場合には（Ｓ３０：ＮＯ）、Ｓ４０に移行する。
【００４４】
そしてＳ４０に移行すると、半導体記録媒体６内にデータを記憶するための空き容量が残っているか否かを判断する。
ここで、空き容量が残っていない場合には（Ｓ４０：ＮＯ）、電源投入時メモリ制御処理を終了する。一方、空き容量が残っている場合には（Ｓ４０：ＹＥＳ）、Ｓ５０にて、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報（現制御装置識別情報）を半導体記録媒体６に書き込み、電源投入時メモリ制御処理を終了する。
【００４５】
次に、ガスセンサ制御装置２が実行する異常時メモリ制御処理の手順を、図６を用いて説明する。図６は異常時メモリ制御処理を示すフローチャートである。この異常時メモリ制御処理は、ガスセンサ制御装置２が起動している間に繰り返し実行される処理である。
【００４６】
この異常時メモリ制御処理が開始されると、ガスセンサ制御装置２は、まずＳ２１０にて、ガスセンサ制御装置２に異常があるか否かを検出する異常検出処理を実行する。尚、ガスセンサ制御装置２の異常としては、例えば、ガスセンサ制御装置２の電源電圧異常や、接続用ケーブル４，５の断線が挙げられる。そして異常検出処理は、これらの異常を周知の手法を用いて検出する。
【００４７】
その後Ｓ２２０にて、Ｓ２１０での検出結果に基づいて、ガスセンサ制御装置２が正常であるか否かを判断する。ここで、ガスセンサ制御装置２が正常である場合には（Ｓ２２０：ＹＥＳ）、異常時メモリ制御処理を終了する。一方、ガスセンサ制御装置２が正常でない、即ち異常である場合には（Ｓ２２０：ＮＯ）、Ｓ２３０にて、半導体記録媒体６に記憶されているデータを読み込む。
【００４８】
そしてＳ２４０にて、Ｓ２３０で読み込んだデータの中に含まれる、ガスセンサ制御装置２の異常の内容を示す情報（以下、装置異常情報ともいう）のうち、Ｓ２１０で検出された異常と同じ内容の異常を示すものがあるか否かを判断する。
【００４９】
ここで、読み込んだデータの中に同一の装置異常情報がある場合には（Ｓ２４０：ＹＥＳ）、異常時メモリ制御処理を終了する。一方、読み込んだデータの中に同一の装置異常情報がない場合には（Ｓ２４０：ＮＯ）、Ｓ２５０にて、半導体記録媒体６内にデータを記憶するための空き容量が残っているか否かを判断する。
【００５０】
ここで、空き容量が残っていない場合には（Ｓ２５０：ＮＯ）、異常時メモリ制御処理を終了する。一方、空き容量が残っている場合には（Ｓ２５０：ＹＥＳ）、Ｓ２６０にて、Ｓ２１０で検出された異常の内容を示す情報（装置異常情報）を半導体記録媒体６に書き込む。更にＳ２７０にて、Ｓ２１０で異常が検出された時点のガスセンサ制御装置２の状態（例えば、ガスセンサ制御装置２の電源電圧値）を示す情報（以下、装置状態情報ともいう）を半導体記録媒体６に書き込み、異常時メモリ制御処理を終了する。
【００５１】
このように構成されたガスセンサ制御装置２では、まず、ガスセンサ制御装置２の異常を検出する（Ｓ２１０）。そして、検出された異常の内容を示す装置異常情報を、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６に記憶する（Ｓ２６０）。
【００５２】
即ち、ガスセンサ制御装置２に対して着脱可能なＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６にガスセンサ制御装置２の装置異常情報が記憶される。
従って、ガスセンサ制御装置２によれば、ガスセンサ制御装置２から取り外された状態であるＮＯｘガスセンサ３の故障原因を特定する作業を行う者は、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６に記憶されたガスセンサ制御装置２の装置異常情報を参照することができる。このため、ＮＯｘガスセンサ３の故障原因がガスセンサ制御装置２側にある場合に、その故障原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００５３】
またガスセンサ制御装置２では、Ｓ２１０で異常が検出された時点のガスセンサ制御装置２の状態を示す情報（装置状態情報）を、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６に記憶する（Ｓ２７０）。
【００５４】
このため、ＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６にされている装置状態情報を参照することにより、ガスセンサ制御装置２の異常の原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００５５】
またガスセンサ制御装置２では、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報（現制御装置識別情報）をＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６（詳細には、ＮＯｘガスセンサ３のコネクタ５１に一体化された半導体記録媒体６）に記憶する（Ｓ５０）。
【００５６】
即ち、ガスセンサ制御装置２に対して着脱可能なＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６に、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報（現制御装置識別情報）が記憶される。このため、ＮＯｘガスセンサ３が故障したという理由で、複数のＮＯｘガスセンサ３と、このＮＯｘガスセンサ３が装着されていた複数のガスセンサ制御装置２とが、互いに取り外された状態で同時に返却された場合に、ＮＯｘガスセンサ３とガスセンサ制御装置２との組合せを特定することができ、ＮＯｘガスセンサ３の故障原因の特定が容易になるという効果を奏する。
【００５７】
以上説明した実施形態において、ガスセンサ制御装置２は本発明におけるセンサ制御装置、ＮＯｘガスセンサ３は本発明におけるガスセンサ、半導体記録媒体６は本発明における記憶媒体、Ｓ２１０の処理は本発明における異常検出手段、Ｓ２６０の処理は本発明における第１記憶手段、装置異常情報は本発明における異常情報である。
【００５８】
また、Ｓ２７０の処理は本発明における第２記憶手段、装置状態情報は本発明における当該センサ制御装置の状態を示す情報、Ｓ５０の処理は本発明における第３記憶手段、現制御装置識別情報は本発明における識別情報である。
【００５９】
また、第１ポンプセル１１１は本発明における第１酸素ポンピングセル、第２ポンプセル１１３は本発明における第２酸素ポンピングセルである。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
【００６０】
例えば上記実施形態では、ガスセンサ制御装置２を示す制御装置識別情報（現制御装置識別情報）を半導体記録媒体６に記憶するものを示したが、制御装置識別情報に限られるものではなく、ガスセンサ制御装置２を識別できるものであればよい。例えば、ガスセンサ制御装置２が車両に取り付けられている場合には、その車両を識別する情報であってもよい。
【００６１】
また上記実施形態では、異常が検出された時点のガスセンサ制御装置２の状態を示す情報（装置状態情報）を半導体記録媒体６に記憶するものを示したが、異常が検出された時点の前及び後の少なくとも一方における装置状態情報を含めてもよい。
【００６２】
また上記実施形態では、ガスセンサ制御装置２の異常情報や装置状態情報を半導体記録媒体６に記憶するものを示したが、これに加えて、ＮＯｘガスセンサ３の異常の内容を示す情報や、車両の状態を示す情報（例えば、ガスセンサ制御装置２の異常が検出されたときの積算走行距離や、車両の異常判断コード）を半導体記録媒体６に記憶するようにしてもよい。
【００６３】
また上記実施形態では、半導体記録媒体６としてタッチメモリプローブを用いたものを示したが、これに限られるものではなく、例えばＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリであればよい。
【００６４】
また上記実施形態では、ガスセンサ制御装置２の異常が検出されたときにガスセンサ制御装置２の異常情報を半導体記録媒体６に記憶するものを示したが、これに限られるものではない。例えば、ガスセンサ制御装置２が車両に取り付けられている場合には、その車両の走行中に検出したガスセンサ制御装置２の異常情報を、車両を停止させてイグニッション・スイッチをオフにすることによりガスセンサ制御装置２やＮＯｘガスセンサ３の動作が停止する直前に、半導体記録媒体６に記憶するようにしてもよい。
【００６５】
これにより、ガスセンサ制御装置２の異常を車両の走行中に複数回検出した場合に、これら複数の異常情報を、異常検出時毎に半導体記録媒体６に記憶することなく、イグニッション・スイッチのオフ時に一括して記憶することができる。
【００６６】
また上記実施形態では、読み込んだデータの中に同一の装置異常情報がある場合にこの装置異常情報を半導体記録媒体６に記憶しないようにしたものを示したが、異常発生回数を記憶する領域を半導体記録媒体６に設け、同一の異常が発生した場合にはこの異常発生回数を更新するようにしてもよい。
【００６７】
また、ＮＯｘガスセンサ３が故障したという理由で、ＮＯｘガスセンサ３がガスセンサ制御装置２から取り外された状態で製造元に返却された際に、このＮＯｘガスセンサ３の半導体記録媒体６に記憶されているデータ（装置異常情報や装置状態情報）を確認する場合には、半導体記録媒体６に記憶されているデータを保護するために、現制御装置識別情報などの情報を半導体記録媒体６に記憶させる処理を禁止するようにするとよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ガス検出装置１の概略構成を示す構成図である。
【図２】半導体記録媒体６の配置を示す雄型コネクタ５１の正面図である。
【図３】半導体記録媒体６の配置を示す雌型コネクタ５１の正面図である。
【図４】ガス検出装置１の内部構成を示す構成図である。
【図５】電源投入時メモリ制御処理を示すフローチャートである。
【図６】異常時メモリ制御処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６９】
１…ガス検出装置、２…ガスセンサ制御装置、３…ＮＯｘガスセンサ、４，５…接続用ケーブル、６…半導体記録媒体、３１…ＮＯｘガスセンサ素子、４１，５１…コネクタ、１１１…第１ポンプセル、１１２…酸素分圧検知セル、１１３…第２ポンプセル、１１８…基準酸素室、１２１…第１多孔質電極、１２３…検知用多孔質電極、１２５…第２多孔質電極、１３１…第１固体電解質層、１３５…第１ポンプ用第１電極、１３７…第１ポンプ用第２電極、１４１…第２固体電解質層、１４５…第２ポンプ用第１電極、１４７…第２ポンプ用第２電極、１５１…検知用固体電解質層、１５５…検知用電極、１５７…基準用電極、１５９…第１測定室、１６１…第２測定室、１９１…ＣＰＵ、１９２…ＲＡＭ、１９３…ＲＯＭ、１９４…信号入出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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