(57)【要約】      （修正有）【課題】高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができ、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供すること。【解決手段】検出機構によって蒸発材料Ｍの蒸着位置とは異なる検出位置において収容器４から蒸発した蒸着材料Ｍの付着量を検出し、しかも収容器内の蒸着材料Ｍの残量に応じて当該検出位置を変化させることとしたので、蒸発した蒸着材料Ｍの分布密度の変化に追従するように検出位置を移動させることができる。このため、分布密度が変化する場合であっても、蒸着位置に付着する蒸着材料Ｍの付着量と検出位置に付着する蒸着材料Ｍの付着量とが異なる値になってしまうのを防ぐことができる。これにより、高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができ、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し蒸着材料を収容する収容器と、
前記蒸着材料の蒸着位置とは異なる検出位置において前記収容器から蒸発した前記蒸着材料の付着量を検出する検出機構と、
前記収容器内の前記蒸着材料の残量に応じて前記検出位置を移動させる制御機構と
を備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記検出機構は、前記付着量を検出する移動可能なセンサを前記検出位置に有し、
前記制御機構は、前記センサを移動させることで前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記制御機構は、前記検出機構の検出結果に基づいて判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記制御機構は、蒸着時間の経過によって判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記制御機構は、前記収容器内の前記蒸着材料の上面と前記開口部との距離によって判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記距離を非接触で測定する測定機構を更に備える
ことを特徴とする請求項５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記制御機構は、前記残量の変化と前記検出位置の変化とを相関させた相関データを記憶し、当該相関データに基づいて前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
開口部を有する収容器に収容された蒸着材料の蒸着位置とは異なる検出位置において前記収容器から蒸発した前記蒸着材料の付着量を検出しながら前記蒸着材料を蒸発させ、
前記収容器内の前記蒸着材料の残量に応じて前記検出位置を移動させる
ことを特徴とする蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置及び蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
蒸着装置を用いた蒸着法は、デバイスの製造過程における電極や配線パターン等の形成に広く用いられている。このような蒸着法の一つに、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、収容器に収容された蒸着材料を減圧下で蒸発させ、当該蒸着材料を対象物に付着させることによって対象物上に蒸着材料の薄膜を形成する手法である。このような真空蒸着法は、例えば低分子型の有機ＥＬ装置に設けられる有機層などを基板上に作製する際に好適に用いられている。
【０００３】
有機層を形成する際には、基板上に付着させる蒸着材料の膜厚が本来必要とされる膜厚に対して異なってしまった場合、その差が僅かであっても当該有機層の特性が所期のものとは異なるものになってしまう。このため、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成することが製造上の課題となっている。
【０００４】
このような製造上の課題に対し、蒸着材料の付着量を検出するセンサを基板の近傍に固定し、当該センサによって検出される付着量の検出結果に基づいて蒸着膜の膜厚を算定することで、より所望の膜厚の蒸着膜を形成する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開２００７−２２４３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、収容器から蒸発される蒸着材料は蒸着時間の経過に伴って減少し、蒸着材料の上面と収容器の開口部との距離が大きくなるため、蒸着材料の蒸発方向が開口部によって規制されるようになり、当該蒸着材料の分布が垂直方向上の領域に偏ってしまう。このため、上記手法においては、蒸着時間の経過に伴い、基板上の蒸着材料の分布密度とセンサによる検出位置での蒸着材料の分布密度との間にズレが生じてしまう。この結果、当該検出結果に基づく膜厚の算定結果が実際の膜厚とは異なる値となってしまい、所望の膜厚の蒸着膜を形成することが困難になってしまう。有機ＥＬ素子に限られず、蒸着装置によって蒸着膜を形成する他のデバイスにおいても同様の問題が考えられる。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができ、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る蒸着装置は、開口部を有し蒸着材料を収容する収容器と、前記蒸着材料の蒸着位置とは異なる検出位置において前記収容器から蒸発した前記蒸着材料の付着量を検出する検出機構と、前記収容器内の前記蒸着材料の残量に応じて前記検出位置を移動させる制御機構とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、検出機構によって蒸発材料の蒸着位置とは異なる検出位置において収容器から蒸発した蒸着材料の付着量を検出し、しかも収容器内の蒸着材料の残量に応じて当該検出位置を変化させることとしたので、蒸発した蒸着材料の分布密度の変化に追従するように検出位置を移動させることができる。このため、分布密度が変化する場合であっても、蒸着位置に付着する蒸着材料の付着量と検出位置に付着する蒸着材料の付着量とが異なる値になってしまうのを防ぐことができる。これにより、高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができ、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成することができる。
【０００９】
上記の蒸着装置は、前記検出機構は、前記分布密度を検出する移動可能なセンサを前記検出位置に有し、前記制御機構は、前記センサを移動させることで前記検出位置を移動させることを特徴とする。  
本発明によれば、検出機構が分布密度を検出する移動可能なセンサを検出位置に有し、制御機構がセンサを移動させることで検出位置を移動させることとしたので、分布密度の検出位置を容易に変化させることができる。
【００１０】
上記の蒸着装置は、前記制御機構は、前記検出機構の検出結果に基づいて判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させることを特徴とする。  
本発明によれば、制御機構が検出機構の検出結果に基づいて判別される残量に応じて検出位置を移動させることとしたので、検出機構の検出結果に対して検出位置をリアルタイムで追従するように移動させることができる。これにより、蒸着材料の分布密度を高精度に検出することができる。
【００１１】
上記の蒸着装置は、前記制御機構は、蒸着時間の経過によって判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させることを特徴とする。  
収容器内の蒸着材料は、蒸着時間の経過と共に徐々に減少していく。本発明によれば、制御機構が蒸着時間の経過によって判別される残量に応じて検出位置を移動させることとしたので、検出位置の移動の制御を容易に行うことができる。
【００１２】
上記の蒸着装置は、前記制御機構は、前記収容器内の前記蒸着材料の上面と前記開口部との距離によって判別される前記残量に応じて前記検出位置を移動させることを特徴とする。  
収容器内の蒸着材料は、収容器内に満量収容されている場合には開口部からの距離が小さいため蒸発時に開口部の領域の外側へ拡散しやすい。一方、蒸着材料の残量が少なくなると開口部からの距離が大きくなるため、開口部によって蒸着材料の蒸発方向が規制されてしまい、開口部の領域の外側へは拡散しにくくなる。このような蒸発の特性に鑑み、本発明では、制御機構が収容器内の蒸着材料の上面と開口部との距離によって判別される残量に応じて検出位置を移動させることとした。これにより、蒸着材料の拡散の程度に応じて検出位置を移動させることができるため、蒸着材料の分布密度を高精度に検出することが可能となる。
【００１３】
上記の蒸発装置は、前記距離を非接触で測定する測定機構を更に備えることを特徴とする。  
本発明によれば、上記の距離を非接触で測定する測定機構を更に備えることとしたので、蒸着材料を蒸発させながら、収容器内の蒸着材料の上面と開口部との距離を非接触で測定することができる。これにより、収容器内の蒸着材料の分布状態に影響を及ぼすことなく上記距離を測定することができる。
【００１４】
上記の蒸着装置は、前記制御機構は、前記残量の変化と前記検出位置の変化とを相関させた相関データを記憶し、当該相関データに基づいて前記検出位置を移動させることを特徴とする。  
本発明によれば、制御機構が残量の変化と検出位置の変化とを相関させた相関データを記憶し、当該相関データに基づいて検出位置を移動させることとしたので、記憶されたデータに基づいて検出位置を決定することができる。これにより、検出位置の移動の制御を一層容易に行うことができる。
【００１５】
本発明に係る蒸着方法は、開口部を有する収容器に収容された蒸着材料の蒸着位置とは異なる検出位置において前記収容器から蒸発した前記蒸着材料の付着量を検出しながら前記蒸着材料を蒸発させ、前記収容器内の前記蒸着材料の残量に応じて前記検出位置を移動させることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、開口部を有する収容器に収容された蒸着材料の蒸発位置とは異なる検出位置において収容器から蒸発した蒸着材料の付着量を検出しながら蒸着材料を蒸発させ、収容器内の蒸発材料の残量に応じて検出位置を移動させることとしたので、分布密度の変化に追従するように検出位置を移動させることができる。このため、分布密度が変化する場合であっても、蒸着位置に付着する蒸着材料の付着量と検出位置に付着する蒸着材料の付着量とが異なってしまうのを防ぐことができる。これにより、高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができ、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係る蒸着装置１の構成を示す図である。  
蒸着装置１は、基板１１の表面（蒸着位置）に薄膜を蒸着形成するための装置であり、チャンバ２と、基板保持部３と、収容器４と、加熱装置５と、センサ６と、制御機構７とを備えている。
【００１８】
チャンバ２は、外部との間を密閉可能に形成されており、図示しないポンプなどの減圧装置によって内部が減圧可能になっている。  
基板保持部３は、チャンバ２内の天井側（図中上側）に設けられており、基板１１を保持可能になっている。
【００１９】
収容器４は、内部に蒸着材料Ｍを収容可能な容器であり、例えば円筒状に設けられている。収容器４の図中上端部には開口部４ａが設けられており、収容器４の内部とチャンバ２内とが連通された状態になっている。収容器４の内部の蒸着材料Ｍは当該開口部４ａを介して外部へ蒸発するようになっている。収容器４の近傍には、レーザ距離計８が設けられている。レーザ距離計８は、蒸着材料Ｍの上面Ｍａの位置を測定することで上面Ｍａと開口部４ａとの間の距離を測定するレーザセンサである。なお、図面ではレーザ距離計８が開口部４ａと基板１１との間に設けてあるように図示してあるが、実際には開口部４ａから蒸発した材料Ｍが基板１１へと到達するまでに障害とならないような位置に配置される。
【００２０】
加熱装置５は、収容器４の外周を覆うように設けられており、例えば電熱線などの加熱機構が設けられている。この加熱装置５は、温度差により収容部４の内壁に蒸着材料Ｍが付着するのを防ぐため、収容器４の上部と下部に独立して設けても構わない。
【００２１】
センサ６は、チャンバ２内の蒸着材料Ｍの付着量を検出するセンサであり、収容器４の外部であって基板保持部３の側方に配置されている。センサ６の配置される領域が付着量の検出位置となる。このセンサ６は、チャンバ２内の所定の領域を移動可能に設けられており、例えば基板１１の基板面に沿った方向上に検出位置Ｐ１と検出位置Ｐ５との間を移動可能に設けられている。
【００２２】
検出位置Ｐ１は例えば収容器４の垂直方向上の位置Ｒから最も離れた位置に設けられており、検出位置Ｐ５は例えば収容器４の垂直方向上の位置Ｒから最も近づいた位置に設けられている。センサ６が移動することにより、当該センサ６による蒸着材料Ｍの付着量の検出位置が移動するようになっている。図１においては、検出位置Ｐ１及び検出位置Ｐ５のちょうど中間位置である検出位置Ｐ３上にセンサ６が配置された状態を示している。センサ６には不図示のモニタが設けられており、当該モニタにはセンサ６の検出情報が表示されるようになっている。
【００２３】
制御機構７は、蒸着装置１の動作を統括的に制御する。制御部７は、加熱装置制御部７１と、センサ位置制御部７２と、膜厚算定部７３と、残量算定部７４と、記憶部７５と、ＣＰＵ７６とを有しており、これらの各部がバスライン７７を介して接続されている。
【００２４】
加熱装置制御部７１は、加熱装置５による加熱温度や、加熱開始及び加熱停止のタイミングを制御する。センサ位置制御部７２は、移動可能に設けられたセンサ６のチャンバ２内での位置を制御する。当該センサ位置制御部７２の制御によりセンサ６が所定の位置に移動するようになっており、この移動に伴って検出位置が移動するようになっている。
【００２５】
膜厚算定部７３は、センサ６によって検出された蒸着材料Ｍの付着量に基づいて、基板１１上に形成されている蒸着膜の膜厚の推定値を算定する。例えばセンサ６に付着した蒸着材料Ｍの重量を体積に変換し、当該体積の値に基づいて膜厚を算定するようになっている。この算定値は、例えばセンサ６に設けられたモニタに表示されるようになっている。残量算定部７４は、レーザ距離計８の計測結果に基づいて収容器４内の蒸着材料Ｍの残量を算定する。
【００２６】
記憶部７５は、センサ６の検出位置に関する位置データが記憶されている。この位置データは、残量算定部７４によって測定されるデータ（残量データ）に相関された状態で記憶されている。この位置データと残量データとの相関は、実験やシミュレーションなどによって予め行っておく。以下、上記相関データを得るための実験の一例を説明する。ここでは、例えば基板１１上に膜厚１００ｎｍの薄膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
【００２７】
まず、本実験を行う上での基本的な考え方を説明する。蒸着材料Ｍが満量の状態においては、収容器４の開口部４ａ付近の深さ位置まで蒸着材料Ｍが配置されているため、蒸発した蒸着材料Ｍは開口部４ａの垂直方向のみならず開口部４ａの平面視外側にも拡散する。この場合、基板１１上及びセンサ６の検出位置における蒸着材料Ｍの分布密度はほぼ同一になるため、センサ６の検出結果に基づく膜厚算定値は基板１１上に形成される薄膜の実際の膜厚値とほぼ同一になると推定できる。
【００２８】
一方、蒸着材料Ｍの残量が減少するのに伴って蒸着材料Ｍの上面Ｍａは収容器４の開口部４ａから底部側へ移動していき、開口部４ａ及び収容器４の内壁によって蒸着材料Ｍの拡散方向が規制されやすくなる。このため、蒸発した蒸着材料Ｍは開口部４ａの平面視外側へは拡散しにくくなり、開口部４ａの垂直方向上に蒸発材料Ｍが分布しやすくなる。この場合、基板１１上とこれまでの検出位置との間で蒸着材料Ｍの分布密度が異なる、すなわち、開口部４ａの垂直方向上に配置される基板１１上の分布密度の方がこれまでの検出位置の分布密度よりも高くなるため、センサ６によって得られる膜厚推定値よりも実際の膜厚値の方が大きくなるものと推定できる。
【００２９】
そこで、この実験においては、センサ６の検出結果に基づく膜厚算定値と実際の膜厚値とがほぼ同一になっているか否かを確認しながら蒸着を行うようにし、膜厚算定値と実際の膜厚値との間にずれが生じた場合には、収容器４内の蒸着材料Ｍの残量を測定して記憶するようにする。以下、本実験の具体的な手順を説明する。
【００３０】
まず、図３に示すように、例えば収容器４の垂直方向上の位置Ｒから最も離れた検出位置Ｐ１にセンサ６を配置し、収容器４内に蒸着材料Ｍを満量（１００％）充填させる。その後、チャンバ２内を減圧し、加熱装置５を稼動させて真空蒸着を開始する。真空蒸着が開始されると、収容器４内の蒸着材料Ｍが蒸発し、開口部４ａからチャンバ２内へ拡散する。このとき、センサ６の位置を検出位置Ｐ１に固定させた状態で、当該センサ６のモニタに膜厚値１００ｎｍと表示されるまで基板１１上に薄膜を形成する。
【００３１】
センサ６のモニタに表示される膜厚値が１００ｎｍになったら蒸着を停止し、基板１１上に形成された薄膜の膜厚を実際に測定する。この測定の結果、測定値が１００ｎｍであった場合には、センサ６による検出結果が実際の膜厚値と等しいものであり検出値が正常であったと判断できる。この場合、基板１１を交換してモニタの膜厚値を０ｎｍにリセットした後、センサ６の位置を検出位置Ｐ１としたまま再度センサ６のモニタの表示値が１００ｎｍとなるまで蒸着動作を行い、基板１１上に形成された薄膜の膜厚を測定する。
【００３２】
基板１１上の薄膜の膜厚測定の結果、測定値が１００ｎｍを超える値である場合には、その時点で開口部４ａから蒸発される蒸着材料Ｍの分布密度が開口部４ａ側へ偏っているため検出値がずれていると判断できる。この場合には、蒸着材料Ｍの上面Ｍａと収容器４の開口部４ａとの間の距離を計測し、蒸着材料Ｍが満量（１００％）からどの程度消費した状態であるか、すなわち、蒸着材料Ｍの残量を算定する。算定した残量は、制御機構７の記憶部７５に記憶させておく。
【００３３】
次に、例えば検出位置Ｐ３にセンサ６を配置し、収容器４内に蒸着材料Ｍを満量（１００％）充填させる。その後、上記同様に真空蒸着を開始し、センサ６の位置を検出位置Ｐ３に固定させた状態でセンサ６のモニタに膜厚値１００ｎｍと表示されるまで基板１１上に薄膜を形成し、モニタの表示値が１００ｎｍになったら蒸着を停止して基板１１上に形成された薄膜の膜厚を実際に測定する。
【００３４】
膜厚測定の結果、検出位置Ｐ１での考察と同様、測定値が１００ｎｍであった場合にはセンサ６による検出値が正常であったと判断でき、測定値が１００ｎｍを超える値である場合にはセンサ６による検出値がずれていると判断できる。検出値が正常と判断した場合には、基板１１を交換してモニタの膜厚値を０ｎｍにリセットする。リセット後、センサ６の位置を検出位置Ｐ３としたまま再度センサ６のモニタの表示値が１００ｎｍとなるまで蒸着動作を行い、基板１１上に形成された薄膜の膜厚を測定する。検出値がずれていると判断した場合には、蒸着材料Ｍの上面Ｍａと収容器４の開口部４ａとの間の距離を計測し、蒸着材料Ｍの残量を算定する。算定した残量は、制御機構７の記憶部７５に記憶させておく。
【００３５】
同様の手順を例えば図５に示す検出位置Ｐ５においても行い、蒸着材料Ｍの残量を算定して検出位置Ｐ５と相関させた状態で記憶部７５に記憶させる。また、検出位置Ｐ１と検出位置Ｐ３との間の検出位置Ｐ２（図１参照）や、検出位置Ｐ３と検出位置Ｐ５との間の検出位置Ｐ４（図１参照）など、上記検出位置Ｐ１、Ｐ３、Ｐ５の間の位置においては、上記検出位置Ｐ１、Ｐ３、Ｐ５の結果に基づくシミュレーションなどによって蒸着材料Ｍの残量を算定し、検出位置と相関させた状態で記憶部７５に記憶させる。
【００３６】
上記実験の結果、検出位置Ｐ１においてセンサ６の検出値がずれるときの蒸着材料Ｍの残量がＭ１であったとし、検出位置Ｐ２においては残量がＭ２であったとし、検出位置Ｐ３においては残量がＭ３であったとし、検出位置Ｐ４においては残量がＭ４であったとし、検出位置Ｐ５においては残量がＭ５であったとする。なお、検出位置はＰ１からＰ５に至るにつれて徐々に基板１１に近づいた位置であり、残量はＭ１からＭ５にかけて徐々に減少した値である。
【００３７】
この結果から、センサ６による検出値が正常であるように維持するには、センサ６が検出位置Ｐ１にある場合には蒸着材料Ｍの残量がＭ１になったときに検出位置をＰ２に移動させる必要がある、ということがわかる。同様に、検出位置がＰ２にある場合には蒸着材料Ｍの残量がＭ２になったときに検出位置をＰ３に移動させる必要がある。検出位置がＰ３〜Ｐ５にある場合についても同様である。
【００３８】
これらの値は、図６に示すようにデータテーブルとして記憶させるようにする。図６に示すデータテーブルＴ１では、上記の実験結果が相関された状態で記憶されている。具体的には、検出位置Ｐ１〜Ｐ５と残量Ｍ１〜Ｍ５とがそれぞれ相関された状態で記憶されている。なお、図６に示すように、異なる材料についても同様の実験を行い、材料毎にデータテーブルＴ２、Ｔ３を生成して記憶部７５に記憶させておいても構わない。
【００３９】
このように構成された蒸着装置１を用いて基板１１上に薄膜を蒸着形成する場合、レーザ距離計８によって蒸着材料Ｍの上面Ｍａと開口部４ａとの間の距離を測定しながら蒸着を行い、測定された距離に基づく蒸着材料Ｍの残量に応じてセンサ６の検出位置を移動させるようにする。その際に、上記実験によって得られたデータテーブルＴ１の情報を用いるようにする。
【００４０】
具体的には、まずセンサ６を検出位置Ｐ１（データテーブルＴ１上では検出位置Ｐ１）に配置し、収容器４内に蒸着材料Ｍを満量（１００％）収容させた状態で蒸着を開始する。蒸着開始と共に、レーザ距離計８によって蒸着材料Ｍの上面Ｍａと開口部４ａとの間の距離を測定し、当該距離に基づいて蒸着材料Ｍの残量を算定する。
【００４１】
蒸着開始後、レーザ距離計８の測定により収容器４内の蒸着材料Ｍの残量がＭ１になったら、制御機構７の制御によってセンサ６を検出位置Ｐ２へ移動する。この動作により、検出位置Ｐ１における蒸着材料Ｍの分布密度が減少してもセンサ６による検出値は正常のまま保持されることになる。
【００４２】
センサ６を検出位置Ｐ２へ移動させた後、レーザ距離計８の測定により収容器４内の蒸着材料Ｍの残量がＭ２になったら、制御機構７の制御によってセンサ６を検出位置Ｐ３へ移動する。この動作により、検出位置Ｐ２における蒸着材料Ｍの分布密度が減少してもセンサ６の検出値は正常のまま保持されることになる。
【００４３】
以降、同様に、蒸着材料Ｍの残量がＭ３、Ｍ４になったら、制御機構７の制御によってセンサ６をそれぞれ検出位置Ｐ４、Ｐ５にそれぞれ移動する。センサ６を検出位置Ｐ５に移動させた後、蒸着材料Ｍの残量がＭ５になった場合には、蒸着動作を終了させるようにする。このようにして、基板１１上に薄膜を蒸着形成する。
【００４４】
このように、本実施形態によれば、センサ６によって収容器４の外部の検出位置Ｐ１〜Ｐ５において蒸着材料Ｍの付着量を検出することとし、しかも収容器４内の蒸着材料Ｍの残量の変化に応じて当該検出位置を変化させることとしたので、蒸着材料Ｍの残量の減少に伴って分布密度が変化した場合であっても、当該変化に追従して蒸着材料Ｍの付着量を検出することができる。この結果、検出位置での付着量と蒸着位置（基板１１表面）での付着量との間にズレが生じにくくなるため、高い検出精度で蒸着膜の膜厚を検出することができる。これにより、所望の膜厚の蒸着膜を安定的に形成することができる。
【００４５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態では、蒸着材料Ｍの残量を測定する手段としてレーザ距離計８を備える構成としたが、これに限られることは無い。蒸着材料Ｍの残量は蒸着時間の経過に伴って変化するものであるため、例えば実験によって収容器４内の蒸発材料Ｍの残量と蒸着時間との相関を求めるようにしても構わない。この場合、実験によって求められる蒸着時間を時間データとして記憶部７５に記憶させ、当該時間データと位置データとが相関された状態にしておくようにする。このように、蒸着材料Ｍの残量の変化を蒸着時間の変化で置き換えたデータを用いて検出位置を移動させる構成であっても、上記効果を得ることができる。加えて、蒸着動作において残量を測定する代わりに蒸着時間のデータが得られれば済むため、装置構成を簡単にすることができる。
【００４６】
また、蒸着材料Ｍの残量は収容器４内に当初収容した量から蒸発した量を減算した量になるため、例えば実験によって蒸着材料Ｍの蒸発量と残量との相関を求めるようにしても構わない。この場合、実験によって求められる蒸発量を蒸発量データとして記憶部７５に記憶させ、当該蒸発量データと位置データとを相関させた状態にする。このように、蒸着材料の残量の変化を蒸発量の変化で置き換えたデータを用いて検出位置を移動させる構成であっても、上記効果を得ることができる。なお、蒸着量を算定する手法としては、例えば膜厚算定部７３によって算定された膜厚の積算値を求め、当該積算値から蒸発量を計算させる構成にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係る蒸着装置の構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る蒸着装置の制御機構の構成を示すブロック図。
【図３】本実施形態に係る蒸着装置を用いた実験の様子を示す図。
【図４】同、実験図。
【図５】同、実験図。
【図６】本実施形態に係る蒸着装置の記憶部に記憶されたデータテーブル図。
【符号の説明】
【００４８】
１…蒸着装置  ２…チャンバ  ３…基板保持部  ４…収容器  ４ａ…開口部  ５…加熱装置  ６…センサ（検出機構）  ７…制御機構  ８…レーザ距離計（測定機構）  Ｍ…蒸着材料  Ｍａ…上面  Ｔ１〜Ｔ３…データテーブル（相関データ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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