(57)【要約】【課題】薄い半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物を提供すること。【解決手段】本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、フェノール系硬化剤（Ｃ）、および硬化促進剤（Ｄ）を含有し、該硬化促進剤（Ｄ）の含有量がエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部に対して０．１〜０．９重量部であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、フェノール系硬化剤（Ｃ）、および硬化促進剤（Ｄ）を含有し、該硬化促進剤（Ｄ）の含有量がエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部に対して０．１〜０．９重量部である粘接着剤組成物。
【請求項２】
フェノール系硬化剤（Ｃ）が有するフェノール性水酸基数とエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が有するエポキシ基数との比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が、０．３〜０．９３である請求項１に記載の粘接着剤組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が基材上に形成されてなることを特徴とする粘接着シート。
【請求項４】
請求項３に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に該粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子（半導体チップ）を有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程、および半導体ウエハなどをダイシングしかつ半導体チップを有機基板やリードフレーム上にダイボンディングする工程で使用するのに特に適した粘接着剤組成物、および該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シート、ならびに該粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、この半導体ウエハは、素子小片（半導体チップ）に切断分離（ダイシング）された後に次の工程であるボンディング工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。
【０００３】
これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用粘接着シートが種々提案されている（たとえば、特許文献１〜４参照。）。
【０００４】
上記特許文献１〜４に開示されている粘接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。
一方、半導体装置の高速化および小型化を図るために半導体チップを三次元的に積層した「スタック型半導体装置」がある。このような装置としては、大きなチップ上に小さなチップを積層したタイプ（特許文献５参照）、周縁部に段差が形成されたチップを積層したタイプ（特許文献６参照）、２つのチップを背中合わせに接合し、一方のチップは基板に接合し、他方のチップはボンディングワイヤで基板に接合したタイプ（特許文献７参照）などが提案されている。
【０００５】
そしてこれらスタック型半導体装置の積層されるチップ同士の接着には、半導体装置の品質（チップ積層高さのバラツキやチップ傾き）および生産性の面から、液状のダイアタッチ用接着剤よりもダイシング・ダイボンディングシートが広く用いられている（特許文献８参照）。ダイシング・ダイボンディングシートの粘接着剤には、接着力を発現させる成分としてエポキシ樹脂系熱硬化樹脂、および該エポキシ樹脂用の硬化剤が含まれている場合が多く、シートの経時安定性や生産性の面から、硬化剤としてはアミン系硬化剤やフェノール樹脂系硬化剤が用いられている。
【特許文献１】特開平２−３２１８１号公報
【特許文献２】特開平８−２３９６３６号公報
【特許文献３】特開平１０−８００１号公報
【特許文献４】特開２０００−１７２４６号公報
【特許文献５】特開平７−３８０５３号公報
【特許文献６】特開平６−２４４３６０号公報
【特許文献７】特開平７−２７３２７５号公報
【特許文献８】特開２００７−５３２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体装置に対する要求特性は非常に厳しいものとなっている。たとえば、厳しい湿熱環境下におけるパッケージ信頼性が求められている。しかし、半導体チップ自
体が薄型化した結果、チップの強度が低下し、厳しい湿熱環境下におけるパッケージ信頼性は十分なものとは言えなくなってきた。
【０００７】
スタック型半導体装置パッケージには、基板とチップとを接着する層の接着信頼性だけでなく、積層するチップとチップとを接着する層の接着信頼性も要求される。一般に、下段のチップ表面は、回路面を保護するためにパッシベーション膜と呼ばれる保護膜が形成されており、この保護膜は、ポリイミド系樹脂がコーティングされている。一方、上段のチップの裏面は、ドライポリッシュ、ケミカルメカニカルポリッシュ（ＣＭＰ）など各種ストレスリリーフが施されており、これまでのウエハ研削面と比較して平滑度が格段に向上している。そのため従来の粘接着剤では、このようなチップ表面およびチップ裏面に対して十分な密着性を保つことが難しくなってきた。
【０００８】
その結果、高温度高湿度に曝された後のせん断強度不足により、または粘接着剤層とポリイミド系樹脂コーティング層との界面、あるいは粘接着剤層とチップ裏面との界面での剥離が起こりやすくなったことにより、厳格化する半導体パッケージの信頼性において要求されるレベルを満たせなくなってきた。
【０００９】
さらに近年、電子部品の接続において行われている表面実装法ではパッケージ全体が半田融点以上の高温下にさらされる表面実装法（リフロー）が行われている。最近では環境への配慮から鉛を含まない半田へ移行したことにより、実装時の最大温度が従来の230〜240℃から260〜265℃へと上昇し、半導体パッケージ内部で発生する応力が大きくなり、接着界面の剥離やパッケージクラックの危険性はさらに高くなっている。
【００１０】
以上のように、半導体チップの薄型化、それに伴うチップ研削面の平滑度の向上および実装温度の上昇がパッケージの信頼性低下を招いており、厳格化しつつある半導体パッケージの信頼性に対して、従来の粘接着剤では要求レベルを満たせなくなってきた。
【００１１】
このため、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を実現することが要求されている。
【００１２】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、高温度高湿度に曝された場合であってもチップ裏面への密着性が高く保たれた粘接着組成物および粘接着シート、ならびにこの粘接着組成物を用いたスタック型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題の解決を目的として鋭意研究し、粘接着剤組成物中に含まれるエポキシ系熱硬化性樹脂とフェノール系硬化剤に対する硬化促進剤の含有量を特定の範囲になるようにすることにより、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックが発生しないことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、フェノール系硬化剤（Ｃ）、および硬化促進剤（Ｄ）を含有し、該硬化促進剤（Ｄ）の含有量がエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部に対して０．１〜０．９重量部である粘接着剤組成物。
（２）フェノール系硬化剤（Ｃ）が有するフェノール性水酸基数とエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が有するエポキシ基数との比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が、０．３〜０．９３である上記（１）に記載の粘接着剤組成物。
（３）上記（１）または（２）に記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が基材上に形成されてなることを特徴とする粘接着シート。
（４）上記（３）に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に該粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、半導体チップや基板などとの接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物および該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートならびに該粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、フェノール系硬化剤（Ｃ）、および硬化促進剤（Ｄ）を必須成分として含有し、該硬化促進剤の含有量がエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部に対して０．１〜０．９重量部である粘接着剤組成物であることを特徴とする。さらに、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分を含んでいてもよい。以下、これら各成分について具体的に説明する。
【００１７】
（Ａ）アクリル重合体
粘接着剤組成物に十分な粘接着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）が用いられる。アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。
【００１８】
アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上２００万以下であることが望ましく、１０万以上１５０万以下であることがより望ましい。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量が低過ぎると粘接着剤層と基材との粘着力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎると基板の凹凸へ粘接着剤層が追従できないことがあり、ボイドなどの発生要因になることがある。
【００１９】
アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０℃以上３０℃以下、さらに好ましくは−５０℃以上２０℃以下、特に好ましくは−４０℃以上１０℃以下の範囲にある。アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度が低過ぎると粘接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。
【００２０】
上記アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、2-エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられ；水酸基を有する2-ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、2-ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、
グリシジルアクリレートなどが挙げられる。これらの中では、水酸基を有しているモノマーを重合して得られるアクリル重合体が、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリル重合体（Ａ）は、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン、ビニルアセテートなどが共重合されていてもよい。
【００２１】
本発明においては、加熱硬化後の粘接着剤層の架橋密度を低くすることで、粘接着剤層に柔軟性を付与し、接着界面に集中する負荷を緩和して安定した接着性能を維持するために、粘接着剤組成物には、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）以外にエポキシ基を有する成分を含まないことが好ましい。すなわち、アクリル重合体には、グリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有アクリルモノマーを含まないことが好ましい。
【００２２】
（Ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂
エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂（Ｂ）としては、具体的には、下記式（１）で表される多官能系エポキシ樹脂や、下記式（２）で表されるビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂（下記式（３））、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（下記式（４））、ビフェニル型エポキシ樹脂（下記式（５））、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（下記式（６））など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
【化１】
2009227892.tif 000002
【００２４】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００２５】
【化２】
2009227892.tif 000003
【００２６】
【化３】
2009227892.tif 000004
【００２７】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００２８】
【化４】
2009227892.tif 000005
【００２９】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００３０】
【化５】
2009227892.tif 000006
【００３１】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００３２】
【化６】
2009227892.tif 000007
【００３３】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
本発明の粘接着剤組成物には、アクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が、好ましくは１〜１５００重量部含まれ、より好ましくは３〜１２００重量部含まれ、さらに好ましくは５００〜１０００重量部含まれる。エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）の含有量が１重量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１５００重量部を超えると粘接着剤層と基材との剥離力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがある。
【００３４】
（Ｃ）フェノール系硬化剤
フェノール系硬化剤（Ｃ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）に対する硬化剤として機能する。好ましいフェノール系硬化剤（Ｃ）としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。硬化剤としては、厳しいリフロー条件が適用される場合においては、高温度高湿度下に曝されても接着特性が低下しないフェノール系硬化剤が好ましい。
【００３５】
フェノール系硬化剤（Ｃ）の具体的な例としては、下記式（７）で示される多官能系フェノール樹脂、下記式（８）で示されるビフェノール、下記式（９）で示されるノボラック型フェノール樹脂、下記式（１０）で示されるジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、下記式（１１）で示されるザイロック型フェノール樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００３６】
【化７】
2009227892.tif 000008
【００３７】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００３８】
【化８】
2009227892.tif 000009
【００３９】
【化９】
2009227892.tif 000010
【００４０】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００４１】
【化１０】
2009227892.tif 000011
【００４２】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
【００４３】
【化１１】
2009227892.tif 000012
【００４４】
（但し、式中ｎは０以上の整数を表す。）
フェノール系硬化剤（Ｃ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、０．１〜５００重量部であることが好ましく、１〜２００重量部であることがより好ましい。フェノール系硬化剤（Ｃ）の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると粘接着剤組成物の吸湿率が高まりパッケージ信頼性を低下させることがある。
【００４５】
また、本発明の粘接着剤組成物は、フェノール系硬化剤（Ｃ）が有するフェノール性水酸基数とエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が有するエポキシ基数との比（フェノール性水酸基数／エポキシ基数）が０．３〜０．９３になるように、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｃ）を含有することが好ましい。上記範囲になるように設定することにより、硬化後十分な接着性が得られ、また、吸水性が低くなるため、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を得ることができる。
【００４６】
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、粘接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。
好ましい硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００４７】
硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）およびフェノール系硬化剤（Ｃ）の合計１００重量部に対して、０．１〜０．９重量部、好ましくは０．２〜０．８重量部の量で含まれる。硬化促進剤（Ｄ）を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が少ないと硬化
不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で粘接着剤層中を接着界面側に移動し、偏析することによりパッケージの信頼性を低下させる。
【００４８】
本発明に係る粘接着剤組成物は、上記アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、フェノール系硬化剤（Ｃ）および硬化促進剤（Ｄ）を必須成分として含み、各種物性を改良するため必要に応じ下記の成分を含んでいてもよい。
【００４９】
（Ｅ）エネルギー線重合性化合物
粘接着剤組成物には、エネルギー線重合性化合物（Ｅ）が配合されていてもよい。エネルギー線重合性化合物（Ｅ）をエネルギー線照射によって硬化させることで、粘接着剤層の粘着力を低下させることができるため、半導体チップのピックアップ工程における基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。
【００５０】
エネルギー線重合性化合物（Ｅ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。このエネルギー線重合性化合物（Ｅ）として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。
【００５１】
エネルギー線重合性化合物（Ｅ）の粘接着剤組成物における含有量は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）およびフェノール系硬化剤（Ｃ）の合計１００重量部に対して通常１〜１００重量部、好ましくは２〜８０重量部、より好ましくは３〜５０重量部である。１００重量部を超えると、有機基板やリードフレームに対する粘接着剤層の接着性を低下させることがある。
【００５２】
（Ｆ）光重合開始剤
本発明の粘接着剤組成物はその使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、接着力を低下させることがある。この際、該組成物中に光重合開始剤（Ｆ）を含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
【００５３】
このような光重合開始剤（Ｆ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、-ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｆ）は１種類単
独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
光重合開始剤（Ｆ）の配合割合は、理論的には、粘接着剤組成物中に存在する不飽和結合量やその反応性および使用される光重合開始剤の反応性に基づいて決定されるべきであるが、複雑な混合物系においては必ずしも容易ではない。一般的な指針として、光重合開
始剤（Ｆ）は、エネルギー線重合性化合物（Ｅ）の合計１００重量部に対して０．１〜１０重量部含まれることが望ましく、１〜５重量部含まれることがより好ましい。０．１重量部未満であると光重合の不足で満足なピックアップ性が得られないことがあり、１０重量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、粘接着剤組成物の硬化性が不十分となることがある。
【００５５】
（Ｇ）カップリング剤
カップリング剤（Ｇ）は、粘接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｇ）を使用することで、粘接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
【００５６】
カップリング剤（Ｇ）としては、上記アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｇ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ-（メタクリロプロピル）トリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-（アミノエチル）-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-（アミノエチル）-γ-
アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（3-トリエトキシシリルプ
ロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００５７】
カップリング剤（Ｇ）は、アクリル重合体（Ａ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）の合計１００重量部に対して、通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．２〜１０重量部、より好ましくは０．３〜５重量部の割合で含まれる。カップリング剤（Ｇ）の含有量が０．１重量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０重量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。
【００５８】
（Ｈ）熱可塑性樹脂
粘接着剤組成物には、熱可塑性樹脂（Ｈ）を用いてもよい。熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、重量平均分子量が１０００以上１０万以下のものが好ましく、３０００以上８万以下のものがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂（Ｈ）を含有することにより、半導体チップのピックアップ工程における基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行うことができ、さらに基板の凹凸へ粘接着剤層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。
【００５９】
熱可塑性樹脂（Ｈ）のガラス転移温度は、好ましくは−３０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは−２０℃以上１２０℃以下の範囲にある。熱可塑性樹脂（Ｈ）のガラス転移温度が低過ぎると粘接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。
【００６０】
熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミドなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００６１】
熱可塑性樹脂（Ｈ）は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）およびフェノール系硬化剤（Ｃ）の合計１００重量部に対して、通常１〜３００重量部、好ましくは２〜１００重量部の割合で含まれる。熱可塑性樹脂（Ｈ）の含有量がこの範囲にあることにより、上記の効果を得ることができる。
【００６２】
（Ｉ）架橋剤
粘接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｉ）としては有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
【００６３】
上記有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物およびこれらの有機多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。
【００６４】
有機多価イソシアナート化合物としては、たとえば2,4-トリレンジイソシアナート、2,6-トリレンジイソシアナート、1,3-キシリレンジイソシアナート、1,4-キシレンジイソシアナート、ジフェニルメタン-4,4'-ジイソシアナート、ジフェニルメタン-2,4'-ジイソシアナート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン-2,4'-ジイソシアナート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアナートおよびリジンイソシアナートが挙げられる。
【００６５】
上記有機多価イミン化合物としては、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(１-アジリジ
ンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオナートおよびN,N'-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる。
【００６６】
架橋剤（Ｉ）はアクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．５〜３重量部の比率で用いられる。
（Ｊ）無機充填材
無機充填材（Ｊ）を粘接着剤組成物に配合することにより、該組成物の熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップや金属または有機基板に対して硬化後の粘接着剤層の熱膨張係数を最適化することでパッケージ信頼性を向上させることができる。また、粘接着剤層の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。
【００６７】
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｊ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６８】
無機充填材（Ｊ）の含有量は、粘接着剤組成物全体に対して、通常０〜８０重量％の範囲で調整が可能である。
（Ｋ）その他の成分
本発明の粘接着剤組成物には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料などが挙げられる。
【００６９】
（粘接着剤組成物）
上記のような各成分からなる粘接着剤組成物は、感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかもせん断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
【００７０】
本発明に係る粘接着剤組成物は、上記各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えてもよい。
【００７１】
（粘接着シート）
本発明に係る粘接着シートは、基材上に、上記粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が積層してなる。本発明に係る粘接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
【００７２】
粘接着シートの基材としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。
【００７３】
本発明に係る粘接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、粘接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。すなわち、粘接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の粘接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。下限値は通常２５ｍＮ／ｍ程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。
【００７４】
基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。
【００７５】
上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。
【００７６】
基材の厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
また、粘接着剤層の厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。
【００７７】
粘接着シートの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、粘接着剤層を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また粘接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、粘接着シートの使用前に、粘接着剤層を保護するために、粘接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。また、粘接着剤層の表面外周部には、リングフレームなどの他の治具を固定するために別途粘着剤層や粘着テープが設けられていてもよい。
【００７８】
次に本発明に係る粘接着シートの利用方法について、該粘接着シートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。
（半導体装置の製造方法）
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含む。
【００７９】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず、本発明に係る粘接着シートをダイシング装置上に、リングフレームにより固定し、半導体ウエハの一方の面を粘接着シートの粘接着剤層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウエハを固定する。粘接着剤層がエネルギー線重合性化合物（Ｅ）を含む場合には、粘接着剤層に基材側からエネルギー線を照射し、粘接着剤層の凝集力を上げ、粘接着剤層と基材との間の接着力を低下させておく。照射されるエネルギー線としては、紫外線（ＵＶ）または電子線（ＥＢ）等が挙げられ、好ましくは紫外線が用いられる。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の半導体ウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと、粘接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後、半導体チップの剥離（ピックアップ）前のいずれの段階で行ってもよく、たとえばダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。さらにエネルギー線照射を複数回に分けて行ってもよい。
【００８０】
次いで必要に応じ、粘接着シートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、粘接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、粘接着剤層と基材との間の接着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。
【００８１】
このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された粘接着剤層を半導体チップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。
次いで粘接着剤層を介して半導体チップを下段となる別の半導体チップ（下段チップ）表面に載置する。下段チップは、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０．１秒〜５分、好ましくは０．５秒〜３分であり、載置するときの圧力は、通常１ｋＰａ〜２００ＭＰａである。
【００８２】
半導体チップを下段チップに載置した後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。
【００８３】
また、載置後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、パッケージ製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して粘接着剤層を硬化させてもよい。
このような工程を経ることで、粘接着剤層が硬化し、半導体チップと下段チップとを強
固に接着することができる。粘接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、チップの凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。
【００８４】
すなわち、得られる実装品においては、半導体チップの固着手段である粘接着剤が硬化し、かつチップの凹凸にも十分に埋め込まれた構成となるため、過酷な条件下にあっても、十分なパッケージ信頼性が達成される。
【００８５】
なお、上記半導体チップを別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含む半導体チップ装置の製造方法には、有機基板またはリードフレーム上のダイパッド部に載置された別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して半導体チップを載置する工程、または有機基板またはリードフレーム上のダイパッド部に載置されていない別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して半導体チップを載置する工程を含むものとする。
【００８６】
また、半導体チップを別の半導体チップ上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含む半導体チップ装置の製造方法についてしたが、該半導体チップをダイパッド部上に該粘接着剤層を介して載置する工程を含む半導体チップ装置の製造方法についても同様である。
【００８７】
本発明の粘接着剤組成物および粘接着シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。
【実施例】
【００８８】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜せん断強度評価＞および＜表面実装性評価＞は次のように行った。
【００８９】
＜せん断強度評価＞
（１）上段チップの作成
ウエハグラインド装置（DISCO社製、DGP8760）により表面をドライポリッシュ処理し、表面粗さRaを0.006μｍにしたシリコンウエハ（２００ｍｍ径，厚さ３５０μｍ）の処理
面に、実施例および比較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製，Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製，Adwill RAD2000）を用いて粘接着シートの基材面から紫外線を照射（３５０ｍＷ／ｃｍ2，１９０ｍＪ／ｃｍ2）した。
【００９０】
次いで、ダイシング装置（東京精密社製，AWD-4000B）を使用してダイシングし、粘接
着シートの粘接着剤層とともにチップを基材からピックアップして、裏面に粘接着剤層が付いた５ｍｍ×５ｍｍサイズのチップを得、これを上段チップとした。ダイシングの際の切り込み量については、粘接着シートの基材を２０μｍ切り込むようにした。
【００９１】
（２）下段チップの作成
表面に保護層としてポリイミド系樹脂（日立化成デュポンマイクロシステムズ社製PLH708）がコーティングされたシリコンウエハ（２００ｍｍ径，厚さ７２５μｍ）を上記と同様にダイシングテープ（リンテック社製，Adwill D-650）に貼付し、ダイシングしてピックアップし、表面に粘接着剤層が付いていない１２ｍｍ×１２ｍｍサイズのチップを得、これを下段チップとした。
【００９２】
（３）測定試験片の作成
上記（１）で得た粘接着剤層が付いた上段チップを、上記（２）で得た下段チップのポリイミド系樹脂面に該粘接着剤層を介して１００℃，４０ｋＰａ，１秒間の条件で圧着し、次いで１２０℃で３０分、さらに１４０℃で３０分の条件で加熱し、粘接着剤層を十分
熱硬化させた。それから、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下に１６８時間放置し吸湿させた後、最高温度２６０℃で加熱時間１分間のＩＲリフロー(リフロー炉：相模理工製WL-15-20DNX型)を３回行い、試験片を得た。
【００９３】
（４）せん断強度の測定
上記（３）で得られた試験片の下段チップを固定し、プッシュプルゲージを用いて、上段チップをスピード５００μｍ／ｓで接着面に対し垂直方向（せん断方向）に応力をかけ、チップを剥がすときに必要な強度（せん断強度）を測定した。せん断強度は、２５０℃のヒートブロック上に３０秒間載置後に測定した。
【００９４】
＜表面実装性評価＞
（１０）半導体チップの製造
ドライポリッシュ処理したシリコンウエハ（１５０ｍｍ径，厚さ１５０μｍ）の処理面に、実施例および比較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製，Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製，Adwill RAD2000）を用いて粘接着シートの基材面から紫外線を照射（３５０ｍＷ／ｃｍ2，１９０ｍＪ／ｃｍ2）した。
【００９５】
次いで、ダイシング装置（東京精密社製，AWD-4000B）を使用してダイシングし、粘接
着シートの粘接着剤層とともにチップを基材からピックアップして、裏面に粘接着剤層が付いた８ｍｍ×８ｍｍサイズのチップを得た。ダイシングの際の切り込み量については、粘接着シートの基材を２０μｍ切り込むようにした。
【００９６】
（２０）半導体パッケージの製造
基板として銅箔張り積層板（三菱ガス化学株式会社製，CCL-HL830）の銅箔に回路パタ
ーンが形成され、パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ製  PSR4000 AUS5）を４０μｍ厚で有しているＢＴ基板を用いた（株式会社ちの技研製）。上記（１０）で得た粘接着シート上のチップ（１段目チップ）を粘接着剤層とともにピックアップし、ＢＴ基板上に、該粘接着剤層を介して１００℃，１２０ｋＰａ, １秒間の条件で圧着し、次いで１２０℃で３０分、さらに１４０℃で３０分加熱して、粘接着剤層を充分に熱硬化させた。
【００９７】
このマウント済みの１段目チップ上に、１段目チップと同様にして得られた粘接着剤層付きチップ（２段目チップ）を、１００℃，４０ｋＰａ，１秒間の条件で圧着し、次いで１２０℃で３０分、さらに１４０℃で３０分加熱して、２段目チップの粘接着剤層を十分に硬化させた。
【００９８】
その後、モールド樹脂（京セラケミカル株式会社製，KE-1100AS3）で封止厚７００μｍになるようにＢＴ基板を封止し（封止装置：アピックヤマダ株式会社製  MPC-06M Trial Press）、１７５℃で５時間かけてモールド樹脂を硬化させた。次いで、封止されたＢＴ
基板をダイシングテープ（リンテック株式会社製，Adwill D-510T）に貼付して、ダイシ
ング装置（東京精密社製, AWD-4000B）を使用して１２ｍｍ×１２ｍｍサイズにダイシン
グすることで表面実装性評価用の半導体パッケージを作成した。
【００９９】
（３０）半導体パッケージ表面実装性の評価
得られた半導体パッケージを８５℃、６０％ＲＨ条件下に１６８時間放置し、吸湿させた後、最高温度２６０℃、加熱時間１分間のＩＲリフロー（リフロー炉：相模理工製WL-15-20DNX型）を３回行った際に、接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生
の有無を走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック株式会社製Hye-Focus）により
評価した。
【０１００】
基板またはチップとの接合部に０．２５ｍｍ2以上の剥離を観察した場合を剥離してい
ると判断して、パッケージを２５個試験に投入したときの接合部の浮き・剥がれ、パッケージクラックなどが発生しなかった個数を数えた。
【０１０１】
＜粘接着剤組成物＞
粘接着剤組成物を構成する各成分は下記の通りであった。
（Ａ）アクリル重合体：メチルアクリレート８８重量％／2-ヒドロキシエチルアクリレート１２重量％からなるアクリル重合体（Ｍｗ：４０万，Ｔｇ：４℃）
（Ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂：
（Ｂ−１）液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂  （日本触媒製，BPA328，エポキシ基当量２３５ｇ／ｅｑ）
（Ｂ−２）オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製，EOCN104S，エポキシ基当量２１８ｇ／ｅｑ）
（Ｂ−３）ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業製，エピクロンHP-7200HH，エポキシ基当量２７８ｇ／ｅｑ）
（Ｃ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（昭和高分子株式会社製，ショウノールBRG-556，フェノール性水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）
（Ｄ）硬化促進剤：
（Ｄ−１）2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製
，キュアゾール2PHZ）
（Ｄ−２）2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製，キュアゾール2P4MHZ）
（Ｅ）エネルギー線重合性化合物：ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート（日本化薬株式会社製，KAYARAD R-684）
（Ｆ）光重合開始剤：α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・スペシャル
ティ・ケミカルズ株式会社製，イルガキュア184）
（Ｇ）カップリング剤：シランカップリング剤（三菱化学株式会社製，MKCシリケートMSEP2）
（Ｈ）熱可塑性樹脂：ポリエステル樹脂（東洋紡製，バイロン220）
（Ｊ）無機充填材：シリカフィラー（アドマテックス製，アドマファインSC2050）
＜基材＞
粘接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、表面張力３３ｍＮ／ｍ）を用いた。
【０１０２】
（実施例および比較例）
表１に記載の組成の粘接着剤組成物を使用した。表１中、数値は固形分（不揮発分）換算の重量部を示す。表１に記載の組成の粘接着剤組成物のメチルエチルケトン溶液（固形濃度６１重量％）を、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製，SP-PET3811(S)）上に乾燥後３０μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンに
て１００℃、１分間）した後に基材と貼り合せて、粘接着剤層を基材上に転写することで粘接着シートを得た。
【０１０３】
得られた粘接着シートを用いて、＜せん断強度評価＞および＜表面実装性評価＞を行った。結果を表２に示す。
【０１０４】
【表１】
2009227892.tif 000013
【０１０５】
【表２】
2009227892.tif 000014
【０１０６】
実施例の粘接着シートにおいては、高いせん断強度を有し、また優れた表面実装性を有しており、本発明の顕著な効果が認められた。比較例の粘接着シートにおいては、せん断強度が低く、表面実装性の評価が悪いものが認められた。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物および該粘接着組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートならびに該粘接着シートを用いた半導体装置（特にスタック型半導体装置）の製造方法が提供される。