(57)【要約】【課題】基板を加熱させるための消費電力を低減できることができ、液滴吐出ヘッドへの放熱の影響を低減させることができる液滴吐出装置の液滴乾燥方法及び液滴吐出装置を提供する。【解決手段】配置位置ＰＦがノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに位置した時、半導体レーザと圧電素子ＰＺを駆動して、ノズルＮからの液滴Ｄが配置位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に着弾する直前に、その目標吐出位置Ｐにレーザ光Ｂを照射した。従って、基板Ｓ１は液滴Ｄが配置される配置位置ＰＦのみが加熱されるため、基板Ｓ１を加熱する際の消費電力の低減を図ることができる。しかも、基板Ｓ１全体の温度は抑えられるため、隣接する吐出ヘッド２０は基板Ｓ１から熱の影響が抑えられる。また、液滴Ｄが配置される前に、配置位置ＰＦがレーザ光Ｂにて加熱されるため、液滴Ｄはすみやかに乾燥する。【選択図】図３
2009072729.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成材料を含んだ液状体を吐出手段にて液滴にして基板に吐出し、該基板に配置された前記液状体を乾燥させて、前記パターン形成材料からなるパターンを形成する液滴吐出装置の液滴乾燥方法であって、
前記液滴が前記基板の配置位置に配置される前に、前記配置位置にレーザ光を照射して前記配置位置を加熱したことを特徴とする液滴吐出装置の液滴乾燥方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置の液滴乾燥方法において、
前記レーザ光の照射は、前記配置位置が吐出手段のノズル直下に位置し、前記ノズルからの液滴が前記配置位置に向かって飛行している時であることを特徴とする液滴吐出装置の液滴乾燥方法。
【請求項３】
描画データに基づいて液滴吐出ヘッドを駆動して、パターン形成材料を含んだ液状体を前記液滴吐出ヘッドにて液滴にして基板に吐出し、該基板に配置された前記液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成する液滴吐出装置であって、
前記基板にレーザ光を出射し前記基板を加熱するレーザ出力手段と、
前記基板に配置される液滴の配置位置に、前記液滴の着弾前に前記レーザ出力手段を駆動させ前記レーザ光を照射させて、着弾前に前記配置位置を加熱させるレーザ駆動制御手段と
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液滴吐出装置において、
前記レーザ駆動制御手段は、前記描画データに基づいて前記着弾前に、配置位置に前記レーザ出力手段を駆動してレーザ光を照射することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液滴吐出装置において、
前記レーザ駆動制御手段は、前記配置位置が前記液滴吐出ヘッドのノズル直下に位置し、前記ノズルからの液滴が前記配置位置に向かって飛行している時に、前記配置位置にレーザ光が照射するように前記レーザ出力手段を駆動することを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置の液滴乾燥方法及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液滴吐出装置を使用してパターン形成材料を含んだ液状体を液滴として吐出させて基板上に線状のパターンを形成することが知られている。
一般に、液滴吐出装置は、ステージに載置した基板と、パターン形成材料を含んだ液状体を液滴として基板に吐出する液滴吐出ヘッドと、基板（ステージ）と液滴吐出ヘッドを２次元的に相対移動させる機構を備えている。そして、液滴吐出ヘッドから吐出させた液滴を基板表面の任意の位置に配置させる。このとき、基板表面に順次配置される各液滴について、その液滴の濡れ拡がる範囲が互いに重なるように液滴を順次配置することにより、基板表面に隙間無く機能液で覆われた線状パターンを形成することができる。
【０００３】
ところで、基板に着弾した液滴は、速やかに乾燥されることが、生産性、高精細なパターンを形成する上で好ましい。
そこで、例えば、基板を６０℃以上加熱して吐出溶媒を速やかに乾燥させて液晶素子の基板間を調整するスペーサを配置することが提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平１１−２８１９８５号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板を搬送ステージ上でしかも基板全体を均一に加熱するため、搬送ステージに設けた加熱手段は大きな出力が必要になる。しかも、基板全体が加熱されるとともに基板以外に搬送ステージも加熱するため、その熱が液滴吐出ヘッドに伝わり同液滴吐出ヘッドが加熱され、液滴の吐出重量を不安定にする問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴吐出ヘッドへの放熱の影響を低減させることができるとともに、液滴を乾燥するための基板の加熱を低消費電力で実行できることができる液滴吐出装置の液滴乾燥方法及び液滴吐出装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液滴吐出装置の液滴乾燥方法は、パターン形成材料を含んだ液状体を吐出手段にて液滴にして基板に吐出し、該基板に配置された前記液状体を乾燥させて、前記パターン形成材料からなるパターンを形成する液滴吐出装置の液滴乾燥方法であって、前記液滴が前記基板の配置位置に配置される前に、前記配置位置にレーザ光を照射して前記配置位置を加熱した。
【０００７】
本発明の液滴吐出装置の液滴乾燥方法によれば、基板は液滴が配置される部分が事前に加熱されるだけなので、基板を加熱する際の消費電力の低減を図ることができる。しかも、基板全体の温度は抑えられるため、隣接する吐出ヘッドが基板から加熱される影響は抑えられる。
【０００８】
この液滴吐出装置の液滴乾燥方法において、前記レーザ光の照射は、前記配置位置が吐出手段のノズル直下に位置し、前記ノズルからの液滴が前記配置位置に向かって飛行している時であってもよい。
【０００９】
この液滴吐出装置の液滴乾燥方法によれば、ノズルからの液滴が配置位置に配置される直前に、レーザ光が配置位置に照射されるため、液滴が配置されるまでにレーザ光によって加熱された部分は冷めることはなく、液滴をすみやかに乾燥させることができる。
【００１０】
本発明の液滴吐出装置は、描画データに基づいて液滴吐出ヘッドを駆動して、パターン形成材料を含んだ液状体を前記液滴吐出ヘッドにて液滴にして基板に吐出し、該基板に配置された前記液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成する液滴吐出装置であって、前記基板にレーザ光を出射し前記基板を加熱するレーザ出力手段と、前記基板に配置される液滴の配置位置に、前記液滴の着弾前に、前記レーザ出力手段を駆動させ前記レーザ光を照射させて、着弾前に前記配置位置を加熱させるレーザ駆動制御手段とを備えた。
【００１１】
本発明の液滴吐出装置によれば、レーザ駆動制御手段によって、基板は、液滴が配置される部分が事前にレーザ照射されて加熱されるので、消費電力の低減を図ることができる。しかも、基板全体の温度は抑えられるため、隣接する吐出ヘッドは基板から加熱される影響は抑えられる。
【００１２】
この液滴吐出装置において、前記レーザ駆動制御手段は、前記描画データに基づいて前記着弾前に、配置位置に前記レーザ出力手段を駆動してレーザ光を照射してもよい。
この液滴吐出装置によれば、液滴が配置される位置のみが事前にレーザ照射されて加熱されるだけなので、より消費電力の低減を図ることができる。しかも、基板全体の温度は抑えられるため、隣接する吐出ヘッドは基板から加熱される影響はさらに抑えられる。また、レーザ駆動制御手段は液滴吐出ヘッドを駆動する描画データを利用してレーザ出力手段を駆動するため、簡単かつ確実に液滴が配置される位置のみを事前にレーザ照射することができる。
【００１３】
この液滴吐出装置において、前記レーザ駆動制御手段は、前記配置位置が前記液滴吐出ヘッドのノズル直下に位置し、前記ノズルからの液滴が前記配置位置に向かって飛行している時に、前記配置位置にレーザ光が照射するように前記レーザ出力手段を駆動してもよい。
【００１４】
この液滴吐出装置によれば、レーザ駆動制御手段によって、ノズルからの液滴が配置位置に配置される直前に、レーザ光が配置位置に照射されることから、液滴が配置されるまでにレーザ光によって加熱された部分は冷めることはなく、液滴をすみやかに乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態を図１〜図５に従って説明する。図１は、液滴吐出装置１０の全体斜視図である。
図１において、液滴吐出装置１０は、一つの方向に延びる基台１１と、基台１１の上に搭載されて基板Ｓ１を載置する移動部としてのステージ１２を有している。ステージ１２は、基板Ｓ１の一つの面を上に向けた状態で該基板Ｓ１を位置決め固定して、基台１１の長手方向に沿って基板Ｓ１を搬送する。
【００１６】
基板Ｓ１としては、グリーンシート、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板等の各種の基板が用いられる。
なお、本実施形態では、ステージ１２に基板Ｓ１を載置したときの基板Ｓ１の上面を吐出面ＳＡという。また、基板Ｓ１が搬送される方向であって、図１において左上方向に向かう方向を＋Ｙ方向という。また、＋Ｙ方向と直交する方向であって、図１において右下方向に向かう方向を＋Ｘ方向とし、基板Ｓ１の方向の法線をＺ方向という。
【００１７】
液滴吐出装置１０は、基台１１を跨ぐ門型のガイド部材１３と、ガイド部材１３の上側に配設されるインクタンク１４とを有する。インクタンク１４は、液状体としての所定のインクＩｋを貯留するとともに、貯留するインクＩｋを所定の圧力で導出する。インクＩｋとしては、パターン形成材料としての銀微粒子を含む銀インク、パターン形成材料としてのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）微粒子を含むＩＴＯインク、パターン形成材料としての顔料を含む顔料インク等の各種のインクが用いられる。
【００１８】
ガイド部材１３は、キャリッジ１５を＋Ｘ方向及び＋Ｘ方向の反対方向（−Ｘ方向）に沿って移動可能に支持している。キャリッジ１５は、下側に支持プレート１８が前記ステージ１２と平行に配設され、その支持プレート１８には液滴吐出ヘッド２０が取着されている。
【００１９】
尚、本実施例では、基板Ｓ１を＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に搬送する動作を主走査とし、キャリッジ１５を＋Ｘ方向及び−Ｘ方向に搬送する動作を副走査という。
次に、キャリッジ１５の下面に設けた支持プレート１８に取着された液滴吐出ヘッド２０について以下に説明する。
【００２０】
図２は、支持プレート１８に取着される液滴吐出ヘッド２０をステージ１２側から見た斜視図である。図３は、液滴吐出ヘッド２０の吐出動作を示す側面図である。
図３において、キャリッジ１５の下面に設けた支持プレート１８には、液滴吐出ヘッド２０（以下単に、「吐出ヘッド２０」という。）が支持固定されている。
【００２１】
吐出ヘッド２０には、その基板Ｓ１側に、ノズルプレート２１が備えられて、そのノズルプレート２１のノズル形成面２１ａには、Ｘ矢印方向に沿って等間隔（前記セル幅Ｗのピッチ幅）に配列された１６個の円形孔（ノズルＮ）が貫通形成されている。
【００２２】
図３において、各ノズルＮの上側には、それぞれインクタンク１４に連通するキャビティ２２が形成されている。各キャビティ２２は、それぞれインクタンク１４の導出するインクＩｋを対応するノズルＮ内に供給する。各キャビティ２２の上側には、それぞれ上下方向に振動可能な振動板２３が貼り付けられて、キャビティ２２内の容積を拡大・縮小する。振動板２３の上側には、各ノズルＮに対応する１６個の圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、それぞれ圧電素子ＰＺを駆動制御するための信号（圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１：図４参照）を受けるとき、上下方向に収縮・伸張して対応する振動板２３を上下方向に振動させる。振動板２３が上下方向に振動すると、対応するノズルＮは、その直下に位置（目標吐出位置Ｐ）する基板Ｓ１の着弾位置（配置位置）ＰＦに向かって液滴Ｄを吐出させる。
【００２３】
各圧電素子ＰＺは、配置位置ＰＦがノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに位置するタイミングで圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を受ける。圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を受ける圧電素子ＰＺは、対応するノズルＮから目標吐出位置Ｐに向かって液滴Ｄを吐出させる。吐出された液滴Ｄは、基板Ｓ１の吐出面ＳＡの目標吐出位置Ｐ（すなわち、配置位置ＰＦ）に着弾する。
【００２４】
図３に示すように、キャリッジ１５の下側であって前記吐出ヘッド２０の＋Ｙ矢印方向側に形成された傾斜面には、Ｘ矢印方向に延びるホルダ２５が凸設されている。ホルダ２５には、Ｘ矢印方向に延びる直方体形状のレーザヘッド２６が支持固定されている。
【００２５】
レーザヘッド２６の内部には、前記ノズルＮに対応する半導体レーザＬＤ（図４参照）が配設されている。各半導体レーザＬＤは、それぞれ半導体レーザＬＤを駆動制御するた
めの信号（レーザ駆動電圧ＣＯＭ２：図４参照）を受けるとき、基板Ｓ１を加熱することのできる波長領域のレーザ光を出射する。レーザヘッド２６の基板Ｓ１側の側面には、各ノズルＮに対応する１６個の照射口２７が、Ｙ矢印方向に沿って等間隔（前記セル幅Ｗの形成ピッチ）に配列形成されている。
【００２６】
各照射口２７は、図３に示すように、それぞれ対応する前記ノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに向かって延びる光軸を形成して、同光軸に沿うレーザ光Ｂを出射する。
そして、本実施形態では、レーザヘッド２６（半導体レーザＬＤ）は、エネルギー密度の高いレーザ光Ｂを常に液滴Ｄが目標吐出位置Ｐに着弾する前に、その目標吐出位置Ｐ（配置位置ＰＦ）に照射するようになっている。よって、レーザヘッド２６は、液滴Ｄが目標吐出位置Ｐで着弾する前にその液滴Ｄが着弾する目標吐出位置Ｐ（配置位置ＰＦ）を加熱し、着弾した液滴Ｄを速やかに乾燥させ、パターン形成材料かなる配線パターンＰＡを形成することができる。
【００２７】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図４に従って説明する。
図４において、制御装置５１は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備え、ＲＯＭ等に格納された各種データと各種制御プログラムに従って、基板ステージ１２を移動させて、吐出ヘッド２０及びレーザヘッド２６を駆動させる。
【００２８】
制御装置５１には、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有した入力装置５２が接続されている。制御装置５１には、基板Ｓ１に形成される配線の配線パターンＰＡの画像が既定形式の描画データＩａとして入力装置５２から入力される。制御装置５１は、入力装置５２からの描画データＩａを受けて、ビットマップデータＢＭＤ、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成する。
【００２９】
尚、ビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するものであり、基板Ｓ１の吐出面ＳＡ、即ち、二次元描画平面上における各位置に、液滴Ｄを吐出するか否かを規定するデータである。ここで、基板Ｓ１の吐出面ＳＡであって、液滴Ｄは配置される位置を配置位置ＰＦという。
【００３０】
制御装置５１には、Ｘ軸モータ駆動回路５３が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路５３に対応する駆動制御信号を出力する。Ｘ軸モータ駆動回路５３は、制御装置５１からの駆動制御信号に応答して、前記キャリッジ１５を副走査方向に往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。制御装置５１には、Ｙ軸モータ駆動回路５４が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路５４に対応する駆動制御信号を出力する。Ｙ軸モータ駆動回路５４は、制御装置５１からの駆動制御信号に応答して、ステージ１２を主走査方向に往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。
【００３１】
制御装置５１には、基板Ｓ１の端縁を検出可能な基板検出装置５５が接続されて、基板検出装置５５からの検出信号に基づいて、配置位置ＰＦがノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐを通過する基板Ｓ１の位置を算出する。
【００３２】
制御装置５１には、Ｘ軸モータ回転検出器５６が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器５６からの検出信号が入力される。制御装置５１は、Ｘ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に基づいて、基板ステージ１２（基板Ｓ１）の移動方向及び移動量を演算する。制御装置５１は、基板Ｓ１の吐出面ＳＡであって各配置位置ＰＦの中心位置がノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに位置するタイミングで、吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９に駆動タイミング信号ＬＰ１を出力する。
【００３３】
制御装置５１には、Ｙ軸モータ回転検出器５７が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器５
７からの検出信号が入力される。制御装置５１は、Ｙ軸モータ回転検出器５７からの検出信号に基づいて、液滴吐出ヘッド２０（レーザヘッド２６）のＸ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。制御装置５１は、各ノズルＮに対応する配置位置ＰＦを、それぞれ目標吐出位置Ｐの搬送経路上に配置する。
【００３４】
また、制御装置５１は、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を所定のクロック信号に同期させて、それぞれ対応する吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９に出力する。制御装置５１は、ビットマップデータＢＭＤに基づいて所定の基準クロック信号に同期した吐出制御信号ＳＩを生成し、その吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９にシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路５８は、制御装置５１からの吐出制御信号ＳＩを、それぞれ各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。
【００３５】
吐出ヘッド駆動回路５８は、制御装置５１からの駆動タイミング信号ＬＰ１を受けるとき、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択された圧電素子ＰＺに、それぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給する。また、レーザ駆動回路５９は、制御装置５１からの駆動タイミング信号ＬＰ１を受けるととき、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択された半導体レーザＬＤに、レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を入力する。レーザ駆動回路５９は、吐出制御信号ＳＩに対応した各半導体レーザＬＤを、レーザ駆動電圧ＣＯＭ２を使って駆動する。
【００３６】
このとき、制御装置５１が同時に吐出ヘッド駆動回路５８とレーザ駆動回路５９に対して駆動タイミング信号ＬＰ１と吐出制御信号ＳＩを出力し、同時に半導体レーザＬＤと圧電素子ＰＺを駆動させても、液滴Ｄが飛行して目標吐出位置Ｐに着弾するため、液滴Ｄより半導体レーザＬＤのレーザ光Ｂのほうが目標吐出位置Ｐに速く到達する。
【００３７】
すなわち、液滴Ｄがノズル直下の目標吐出位置Ｐに着弾する前に、その液滴Ｄが着弾する予定の配置位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に向かってレーザ光Ｂが先に照射される。
次に、液滴吐出装置１０を使って配線パターンを形成する方法について説明する。
【００３８】
まず、図２に示すように、基板ステージ１２に、吐出面ＳＡが上側になるように基板Ｓ１を配置固定する。このとき、基板Ｓ１は、ガイド部材１３（キャリッジ１５）よりも反＋Ｙ矢印方向側に配置されている。
【００３９】
この状態から、入力装置５２を操作して描画データＩａを制御装置５１に入力する。すると、制御装置５１は、描画データＩａに基づくビットマップデータＢＭＤを生成して格納し、圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成する。圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を生成すると、制御装置５１は、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御して、基板Ｓ１を＋Ｙ矢印方向に搬送するときに、各目標吐出位置Ｐが対応する配置位置ＰＦを通過するように、キャリッジ１５（各ノズルＮ）をセットする。
【００４０】
制御装置５１は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、基板Ｓ１の＋Ｙ矢印方向への搬送を開始し、基板検出装置５５及びＹ軸モータ回転検出器５７からの検出信号に基づいて、最もＹ矢印方向側に位置する配置位置ＰＦがノズルＮの直下（目標吐出位置Ｐ）まで搬送されたか否か判断する。
【００４１】
この間、制御装置５１は、吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９に吐出制御信号ＳＩを出力するとともに、吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９に、それぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を出力する。
【００４２】
そして、最も＋Ｙ矢印方向側に位置する配置位置ＰＦが目標吐出位置Ｐに到達すると、
制御装置５１は、レーザ駆動回路５９に駆動タイミング信号ＬＰ１、吐出制御信号ＳＩ及びレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を出力する。つまり、制御装置５１は、レーザ駆動回路５９を介して、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択された半導体レーザＬＤに、それぞれレーザ駆動電圧ＣＯＭ２を供給する。そして、制御装置５１は、選択された半導体レーザＬＤから、一斉にレーザ光Ｂを出射させる。
【００４３】
半導体レーザＬＤから出射されたレーザ光Ｂは、基板Ｓ１であって液滴Ｄが着弾する直前の配置位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に照射される。つまり、レーザ光Ｂが照射された配置位置ＰＦ、即ち、ノズルＮの直下に目標吐出位置Ｐが加熱される。
【００４４】
またこの時、最も＋Ｙ矢印方向側に位置する配置位置ＰＦが目標吐出位置Ｐに到達すると、制御装置５１は、吐出ヘッド駆動回路５８に駆動タイミング信号ＬＰ１、吐出制御信号ＳＩ及び圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を出力する。
【００４５】
つまり、制御装置５１は、吐出ヘッド駆動回路５８を介して、吐出制御信号ＳＩに基づいて選択された圧電素子ＰＺに、それぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭ１を供給し、選択されたノズルＮから、一斉に液滴Ｄを吐出させる。吐出された液滴Ｄは、それぞれ対応する目標吐出位置Ｐに着弾する。
【００４６】
このとき、吐出制御信号ＳＩを同時に吐出ヘッド駆動回路５８及びレーザ駆動回路５９に出力しているが、圧電素子ＰＺの駆動に基づいて液滴Ｄが目標吐出位置Ｐに着弾するよりも、半導体レーザＬＤの駆動に基づいてレーザ光Ｂが目標吐出位置Ｐに速く到達する。これは、液滴Ｄがプラテンギャップを飛行するのに時間を要するからである。そして、本実施形態では、液滴Ｄが目標吐出位置Ｐに着弾する時点で、レーザ光Ｂの照射は終了し、その目標吐出位置Ｐ（配置位置ＰＦ）は既に加熱された状態にある。
【００４７】
従って、目標吐出位置Ｐに着弾した液滴Ｄは、目標吐出位置Ｐ（配置位置ＰＦ）がレーザ光Ｂにて事前に加熱されているため速やかに乾燥する。
以後、同様に、制御装置５１は、基板Ｓ１をＹ矢印方向に搬送して、各配置位置ＰＦが目標吐出位置Ｐ（加熱位置ＰＨ）に到達するたびに、その配置位置ＰＦに液滴Ｄが着弾される前にレーザ光Ｂが照射され該配置位置ＰＦが事前に加熱される。
【００４８】
そして、レーザ光Ｂが照射された後、目標吐出位置Ｐに着弾する液滴Ｄは、レーザ光Ｂにて目標吐出位置Ｐ（配置位置ＰＦ）が加熱されているため速やかに乾燥され、パターン形成材料からなる配線パターンＰＡが形成される。
【００４９】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、液滴Ｄが配置される基板Ｓ１の配置位置ＰＦのみを加熱するようにした。従って、基板Ｓ１は液滴Ｄが配置される配置位置ＰＦのみが加熱されるだけなので、基板Ｓ１を加熱する際の消費電力の低減を図ることができる。しかも、基板Ｓ１全体の温度は抑えられるため、隣接する吐出ヘッド２０は基板Ｓ１から加熱される影響は抑えられる。
【００５０】
（２）上記実施形態によれば、配置位置ＰＦがノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに位置した時、半導体レーザＬＤと圧電素子ＰＺを駆動して、前記ノズルＮからの液滴Ｄが前記配置位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）に着弾する直前に、その配置位置ＰＦ（目標吐出位置Ｐ）をレーザ光Ｂにて加熱されるようにした。従って、レーザ光Ｂが配置位置ＰＦを照射してから液滴Ｄが配置されるまでの時間が非常に短いため、レーザ光によって加熱された部分は冷めることはなく、液滴Ｄをすみやかに乾燥させることができる。
【００５１】
（３）上記実施形態によれば、半導体レーザＬＤと圧電素子ＰＺの駆動は、共通の描画データＩａに基づくビットマップデータＢＭＤで制御されるようにした。従って、レーザ光Ｂを、事前に簡単かつ確実に液滴Ｄが配置される位置（配置位置ＰＦ）のみに照射することができる。
【００５２】
（４）上記実施形態によれば、各ノズルＮから吐出される液滴Ｄ毎に、半導体レーザＬＤを設けた。従って、各半導体レーザＬＤから出射するレーザ光Ｂの出力を、それぞれ互いに適宜変更することができる。
【００５３】
これにより、基板Ｓ１が場所によって、暖まり易い場所だったり、逆に暖まり難い場所だったりしたとき、各半導体レーザＬＤから出射するレーザ光Ｂの出力を、それぞれ適宜変更して各配置位置ＰＦを所望の温度に加熱することができる。
【００５４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、配置位置ＰＦがノズルＮの直下の目標吐出位置Ｐに位置したとき、該配置位置ＰＦにレーザ光Ｂを照射した。これを、図５に示すように、配置位置ＰＦが、目標吐出位置Ｐより予め定めた手前の位置に到達したとき、該配置位置ＰＦにレーザ光Ｂを照射するようにしてもよい。
【００５５】
○上記実施形態では、液滴Ｄが配置される基板Ｓ１の配置位置ＰＦのみにレーザ光Ｂを照射し加熱するようにした。これを、配置される、配置されないに関係なく、ノズルＮの直下の通過する基板上にレーザ光を連続して照射するようにして実施してもよい。
【００５６】
○上記実施形態では、各ノズルＮから吐出される液滴Ｄ毎に、半導体レーザＬＤを設けそれぞれの半導体レーザＬＤが対応する液滴Ｄが配置される配置位置ＰＦにレーザ光Ｂをそれぞれ照射するようにした。
【００５７】
これを、１つ半導体レーザから帯状のレーザ光をつくり、その帯状のレーザ光を、例えば、液晶素子を介して、各ノズルＮから吐出される液滴Ｄに対応するレーザビームを生成し、これらレーザビームを対応する配置位置ＰＦに照射するように実施してもよい。
【００５８】
○上記実施形態では、基板Ｓ１（グリーンシート、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、樹脂フィルム、紙等）に配線パターンを描画する液滴吐出装置に具体化したが、これに限定されるものではなく、例えば、絶縁層を形成する液滴吐出装置、カラーフィルタを形成するために液滴吐出装置、配向膜を形成する液滴吐出装置等、各種の液滴吐出装置に応用してもよい。
【００５９】
○上記実施形態では、液滴吐出手段を、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２０に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本実施形態における液滴吐出装置を示す概略斜視図。
【図２】液滴吐出ヘッドを示す概略斜視図。
【図３】液滴吐出ヘッドを説明する説明図。
【図４】液滴吐出装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図５】本発明の別例を示す図。
【符号の説明】
【００６１】
１０…液滴吐出装置、１１…基台、１２…ステージ、１５…キャリッジ、２０…液滴吐
出ヘッド、２１…ノズルプレート、Ｓ１…基板、ＳＡ…吐出面、Ｂ…レーザ光、ＬＤ…半導体レーザ、Ｉｋ…インク、Ｄ…液滴、Ｎ…ノズル、ＰＺ…圧電素子、Ｉａ…描画データ、ＰＦ…配置位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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