(57)【要約】【課題】合成樹脂製成形体表面へ金属メッキを施すに当っての、その下地基盤を効率良く形成させる。【解決手段】合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程１と、除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入し、処理槽内を１〜１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程２と、処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素等のガスを導入するガス導入工程３と、ガスの導入された処理槽内へ高周波電圧を印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程４と、プラズマ処理の施された後に処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程５と、真空圧状態に保持された合成樹脂製成形体の表面に金属製の皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程６と、からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程と、当該除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入するとともに、当該処理槽内を密閉状態とした後に当該処理槽内を１Ｐａないし１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程と、このような真空引きの成された処理槽内へ酸素または乾燥空気を導入して処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ所定のガスを導入するガス導入工程と、このように所定のガスの導入された処理槽内へ所定周波数の高周波電圧を所定時間印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程と、当該プラズマ処理工程によるプラズマ処理の施された合成樹脂製成形体の存在する処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程と、このような真空圧状態において上記合成樹脂製成形体の表面に所定の金属からなる導電性皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程と、からなることを特徴とする合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法において、上記プラズマを発生させるための高周波電圧の値を、その周波数の値が１３ＭＨｚないし１４ＭＨｚの範囲内に入るようにするとともに、このような値の高周波電圧を３０秒ないし１８００秒間上記合成樹脂製成形体表面へ照射させるようにしたことを特徴とする合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法において、上記第二の真空引き工程における真空圧の値を、７×１０−２Ｐａないし１×１０−３Ｐａの範囲内に設定するようにしたことを特徴とする合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法において、上記導電性皮膜形成工程に用いられる金属を銅またはニッケルからなるようにしたことを特徴とする合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、合成樹脂製成形体の表面に金属メッキを施す場合において、金属メッキの基礎となる金属イオンが付着することのできるようにした基盤層を形成させる、その方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、合成樹脂製成形体の表面に電気メッキを施す場合においては、不導体である合成樹脂製成形体の表面に導電性の皮膜を形成させる必要がある。これに関する従来技術としては、例えば特開２００５−０３６２９０号公報記載のものの如く、合成樹脂製成形体の表面にクロム酸にてエッチング処理を施し、その後パラジウム触媒等を用いて還元反応によりニッケルまたは銅等の導電性皮膜を形成させるようにしたものが挙げられる。
【特許文献１】特開２００５−０３６２９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記従来の方法においては、前処理工程においてクロム酸等を用いることにより、処理廃液中に有害な６価クロム等を有することとなり、これが社会問題となっていた。このような問題点を解決するために、６価クロム等の有害物質を排出することの無いようにした、金属メッキ処理の基礎となる導電性皮膜の形成方法を提供しようとするのが、本発明の目的（課題）である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明においては次のような手段を講ずることとした。すなわち、請求項１記載の発明である第一の発明においては、合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法に関して、合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程と、当該除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入するとともに、当該処理槽内を密閉状態とした後に当該処理槽内を１Ｐａないし１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程と、このような真空引きの成された処理槽内へ酸素または乾燥空気を導入して処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素または乾燥空気等のガスを導入するガス導入工程と、このように所定のガスの導入された処理槽内へ所定周波数の高周波電圧を所定時間印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程と、当該プラズマ処理工程によるプラズマ処理の施された合成樹脂製成形体の存在する処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程と、このような真空圧状態において上記合成樹脂製成形体の表面に所定の金属からなる導電性皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程と、からなるようにした。
【０００５】
次に、請求項２記載の発明である第二の発明について説明する。このものも、その基本的な点は上記第一の発明と同じである。すなわち、本発明においては、請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法に関して、上記プラズマを発生させるための高周波電圧の値をその周波数の値が１３ＭＨｚないし１４ＭＨｚの範囲内に入るようにするとともに、このような値の高周波電圧を３０秒ないし１８００秒間、上記合成樹脂製成形体表面へ照射させるようにした工程を採ることとした。
【０００６】
次に、請求項３記載の発明である第三の発明について説明する。このものも、その基本的な点は上記第一の発明と同じである。すなわち、本発明においては、請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法に関して、上記第二の真空引き工程における真空圧の値を、７×１０−２Ｐａないし１×１０−３Ｐａの範囲内に設定するようにした工程を採ることとした。
【０００７】
次に、請求項４記載の発明である第四の発明について説明する。このものも、その基本的な点は上記第一の発明と同じである。すなわち、本発明においては、請求項１記載の合成樹脂製成形体表面への導電性皮膜の形成方法に関して、上記導電性皮膜形成工程に用いられる金属を銅またはニッケルからなるようにした。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１記載の発明である第一の発明によれば、合成樹脂製成形体の表面に金属メッキを施すに当っての、その下地形成を、６価クロム等の有害物質を用いないですむようになり、金属メッキ処理のための下地処理作業を、安全に、かつ、効率良く行なうことができるようになった。
【０００９】
また、請求項２記載の発明である第二の発明のものについても、基本的には上記第一の発明のものと同様、金属メッキ処理のための下地の形成作業を、効率良く、かつ、安全に進めることができるようになった。これに加えて、本発明のものにおいては、高周波プラズマの照射時間及び照射されるプラズマの周波数を所定の値に特定することによって、金属メッキのための下地処理である導電性皮膜の形成を、より効率良く進めることができるようになった。
【００１０】
また、請求項３記載の発明である第三の発明においても、上記請求項１記載の発明と同様、導電性皮膜の形成を効率良く進めることができるようになった。これに加えて、本発明のものにおいては、真空引き工程における真空圧の値を特定の値に設定することによって、導電性皮膜の形成を、より効率良く行なうことができるようになった。
【００１１】
また、請求項４記載の発明である第四の発明においても、上記請求項１記載の発明と同様、導電性皮膜の形成を効率良く進めることができるようになった。これに加えて、本発明のものにおいては、導電性皮膜形成に用いられる金属を、銅またはニッケル等一般市場にて入手可能な金属からなるようにしたので、導電性皮膜の形成を、より効率良く進めることができるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明を実施するための最良の形態について、図１を基に説明する。このものは、合成樹脂製成形体表面へ金属メッキを施すに当っての、その下地処理方法に関するものである。具体的には、図１に示す如く、合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程１と、当該除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入するとともに、当該処理槽内を密閉状態とした後に当該処理槽内を１Ｐａないし１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程２と、このような真空引きの成された処理槽内へ酸素または乾燥空気を導入して処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素または乾燥空気等のガスを導入するガス導入工程３と、このように所定のガスの導入された処理槽内へ所定周波数の高周波電圧を所定時間印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程４と、当該プラズマ処理工程４によるプラズマ処理の施された合成樹脂製成形体の存在する処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程５と、このような真空圧状態において上記合成樹脂製成形体の表面に所定の金属からなる導電性皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程６と、からなることを基本とするものである。
【００１３】
このような基本工程からなるものにおいて、上記除電ブロー工程１は、後に導電性皮膜の形成される合成樹脂製成形体表面に付着しているゴミあるいは埃等をエアブローを施すことによって除去するものである。これによって、合成樹脂製成形体表面を綺麗にし、導電性皮膜が一様に形成されるようにするものである。なお、この除電ブロー工程に関しては、上記ゴミあるいは埃等の再付着を阻止するために除電ガンを用いた処理が施される場合もある。
【００１４】
次に、このようにエアブローの施されて表面が綺麗になった合成樹脂製成形体からなるワークは、所定の処理槽内へ投入される。そして、このような処理槽は密閉状態に保持される。そして更に、このような処理槽内は、１Ｐａ〜１００Ｐａの真空圧状態に、好ましくは１.５Ｐａ〜１０Ｐａの真空圧状態に保持される。すなわち、第一の真空引き工程２にて処理槽内は上記真空圧状態に保持されることとなる。そして、このような処理槽内へは酸素または乾燥空気等の所定のガスが投入されることとなる。すなわち、処理槽内へのガス導入工程３へと移行する。このように処理槽内へ乾燥空気を初めとした所定のガスを導入することによって、後の工程であるプラズマ処理工程４におけるプラズマの発生を安定化させることができるようになる。
【００１５】
次に、プラズマ処理工程４について説明する。この工程は、上記ガス導入工程３にて所定のガスの導入された処理槽内へ１３ＭＨｚから１４ＭＨｚの高周波電圧、本実施の形態においては、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を３０秒から１８００秒間印加させて、上記処理槽内にプラズマを発生させる。このプラズマ照射にて上記合成樹脂製成形体表面を改質させ、導電性皮膜の密着性を向上させる。
【００１６】
次に、このようなプラズマ処理の行なわれた処理槽内を再度真空圧状態に保持する。すなわち、第二の真空引き工程５へと進む。この第二の真空引き工程５における処理槽内の真空度は、７×１０−２Ｐａないし１×１０−３Ｐａ内に設定されることとなる。なお、上記真空度は１．５×１０−２Ｐａ以下であることが好ましい。
【００１７】
次に、このような状態において、上記合成樹脂製成形体の表面へ銅またはニッケル等の金属を蒸着させ、導電性皮膜を形成させる。すなわち、最終の工程である導電性皮膜形成工程６が遂行されることとなる。本実施の形態においては、上記処理槽内の圧力が１．５×１０−２Ｐａ以下に設定された状態で５０Åないし１０００Åの厚さの導電性皮膜が形成されることとなる。このように、本実施の形態のものにおいては、合成樹脂製成形体表面上に所定の導電性皮膜を形成させ、後の工程である金属メッキ処理を円滑に行なわせるようにしているものである。
【００１８】
なお、このような金属の蒸着による導電性皮膜の形成方法としては、タングステンフィラメントへの通電による発熱によって、または所定の金属片への電子線照射によって行なわれる方法が挙げられる。更には、スパッタリング法あるいはイオンプレーティング法等も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明における導電性皮膜の形成方法を示す工程説明図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  除電ブロー工程
２  第一の真空引き工程
３  ガス導入工程
４  プラズマ処理工程
５  第二の真空引き工程
６  導電性皮膜形成工程
【図１】
2009074153.tif 000003