(57)【要約】【課題】電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して成膜を行うことができる堆積膜形成装置を提供する。【解決手段】堆積膜形成装置は、排気配管２０５及び原料ガス導入管２０６を備え、内部に複数の円筒状基体２０７を配置可能であり、かつ真空気密可能な反応容器２００と、反応容器２００内に電力を供給する高周波電源２０９とを有している。堆積膜形成装置は、反応容器２００内に配置された各々の円筒状基体２０７同士を仕切り、かつ反応容器２００の側壁２０１に電気的に接続された仕切板２１１を備えている。高周波電源２０９は、仕切板２１１に隣接する各々の円筒状基体２０７から等しい距離にある給電点Ｘに接続されている。【選択図】図２
2009024238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気部及びガス導入部を備え、内部に複数の円筒状基体を配置可能であり、かつ真空気密可能な反応容器と、
該反応容器内に電力を供給する電力供給手段と、
を有し、前記複数の円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記反応容器内に配置された各々の前記円筒状基体同士を仕切り、かつ前記反応容器の側壁に電気的に接続された仕切板を備え、該仕切板に隣接する各々の前記円筒状基体から等しい距離にある給電点に前記電力供給手段が接続されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記複数の円筒状基体が前記反応容器内に直線状に配置されている、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
互いに隣接する前記円筒状基体同士の間にそれぞれ設置された複数の前記仕切板が備えられており、前記電力供給手段は前記複数の仕切板に接続されている、請求項２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記反応容器が矩形の断面形状を有している、請求項２または３に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記複数の円筒状基体が前記反応容器内に同心円状に配置されており、
前記仕切板は前記複数の円筒状基体の配置円の中心から放射状に延びた形状に形成され、前記仕切板の前記中心の部分に電力供給手段が接続されている、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記反応容器が円筒状の断面形状を有している、請求項５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記仕切板は平面部材で構成されている、請求項１から６のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記円筒状基体を前記円筒状基体の中心軸周りに回転させながら成膜を行う、請求項１から７のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記電力は１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の高周波電力である、請求項１から８のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記堆積膜は少なくとも水素を含有したシリコンを母体とする非単結晶材料からなる、請求項１から９のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グロー放電プラズマＣＶＤ法により基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置、とりわけ電子写真感光体の製造に用いられる堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体に用いる素子部材の技術としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、フタロシアニン、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」と記す）等、各種の材料が提案されている。中でもａ−Ｓｉに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶質堆積膜、例えば水素及び／又はハロゲン（例えばフッ素、塩素等）で補償されたａ−Ｓｉ等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久、無公害な感光体として提案されている。そして、そのいくつかは実用化されている。こうした堆積膜の形成法として従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する熱ＣＶＤ法、光により原料ガスを分解する光ＣＶＤ法、プラズマにより原料ガスを分解するプラズマＣＶＤ法等、多数知られている。中でもプラズマＣＶＤ法、即ち原料ガスを直流又は高周波（ＲＦ、ＶＨＦ）、マイクロ波などのグロー放電等によって分解し、ガラス、石英、耐熱性合成樹脂フィルム、ステンレス、アルミニウム等の導電性基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法が知られている。この方法は、電子写真用ａ−Ｓｉ堆積膜の形成方法等において現在、実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００３】
例えば、光導電層の上に表面保護層を設けた光導電部材の例が知られている。ここで、光導電層はシリコン原子を主体とし、水素原子またはハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料で構成されており、表面保護層はシリコン原子及び炭素原子を母体とし、水素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成されている。
【０００４】
これらの従来の技術によりａ−Ｓｉ等の堆積膜を形成する方法は、例えば次のように行われる。
【０００５】
図６は、電子写真感光体を作成するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例を模式的に示した図である（特許文献１参照）。
【０００６】
この装置は、反応容器５００と、反応容器５００内を減圧するための排気装置（不図示）とを備えている。反応容器５００内にはアースに接続された導電性受け軸５０５の上に円筒状基体５０７が設置され、更に円筒状基体の基体加熱ヒーター５０８、原料ガス導入管５０６が設置されている。又、放電電極５０１は導電性材料からなり、絶縁体の碍子５０４によって絶縁されている。放電電極５０１にはマッチングボックス５１０を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源５０９が接続されている。不図示の原料ガス供給手段が、原料ガス導入バルブ５０９を介して反応容器５００内のガス導入管５０６に接続されている。
【０００７】
以下、図６の装置を用いた、電子写真感光体の形成方法の一例について説明する。
【０００８】
例えばアルミシリンダーの表面を、旋盤を用いて鏡面加工を施した基体５０７を導電性受け軸５０５に取りつけ、反応容器５００内の基体加熱ヒーター５０８を包含するように取りつける。
【０００９】
次に、メインバルブ５１５を開いて反応容器５００及び原料ガス導入管５０６内を排気する。真空計５１０の読みが０．６７Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ５０９を開き、加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原料ガス導入管５０６より反応容器５００に導入する。そして、反応容器５００内が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、メインバルブ５１５の開口あるいは排気装置の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体５０７を基体加熱ヒーター５０８により加熱し、円筒状基体５０７の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。円筒状基体５０７が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと同時に、成膜用の所定の原料ガス、例えばＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などの材料ガス、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3などのドーピングガスを不図示のガス供給手段により混合した後に、反応容器５００内に徐々に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器５００内が０．１Ｐａから数１００Ｐａの所望の圧力に維持するよう真空計５１０を見ながらメインバルブ５１５の開口あるいは排気装置（不図示）の排気速度を調整する。
【００１０】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体５０７上への堆積膜の形成を開始する。まず、内圧が安定したのを確認後、高周波電源５０９を所望の電力に設定して高周波電力を放電電極５０１に供給し高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス５１０を調整し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。この放電エネルギーによって、反応容器５００内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体５０７上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は円筒状基体５０７を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させても良い。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器５００への各原料ガスの流入を止めて反応容器内を一旦高真空に引き上げた後に膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって電子写真感光体は形成される。
【００１１】
これらの技術により、電気的、光学的特性が向上し、更に、電子写真の画像品位の向上も可能になっている。
【特許文献１】特開平１０−６３０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このような従来の電子写真感光体の製造装置により、ある程度実用的な特性と均一性を持つ感光体を得ることが可能になった。特に、プラズマＣＶＤ法による成膜方法の中でも、高周波電力としてＲＦ帯を用いるＲＦプラズマＣＶＤ法は、良好な特性の膜を容易に得られるため、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体の製造などに広く用いられている。
【００１３】
しかし、近年、市場からの要求スペックも年々厳しくなり、さらなる高画質化、高速化、高耐久性、高機能化はもとより、本体価格やランニングコストといった価格競争も激化している。これに伴って、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体にも、従来のような電気特性の向上や画像品質の向上にとどまらず、よりコストの低い、安価な部材が要求されるようになってきた。
【００１４】
ところが、ａ−Ｓｉを用いた電子写真感光体は、ａ−Ｓｉの持つ誘電率の高さゆえに、充分な帯電能を得るためにはどうしても厚膜にならざるを得ず、場合によっては１０μｍ〜１００μｍもの堆積膜を形成しなければならない場合があった。従って、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた製造方法では、成膜時間に長時間を要し、生産コストが上昇しがちであった。
【００１５】
従来のプラズマＣＶＤ装置は、図６に示したとおり、同軸型の成膜装置が多く、この場合、円筒状基体の周囲の環境が対称であり、均一な膜厚、膜質が得られる。しかし、その反面で、成膜炉１炉当たり１本の電子写真感光体しか得ることができず、成膜炉１炉当たりの生産量がどうしても低くならざるを得なかった。
【００１６】
成膜炉１炉当たりの生産量を増やす一つの試みとして、堆積速度の向上が従来から検討されてきた。しかし、堆積速度を速めるとどうしても堆積膜の膜質が低下して電子写真感光体としての特性が低下する傾向にあり、生産能力と特性のトレードオフが発生し、充分に満足する結果が得られない場合があった。
【００１７】
そこで本発明は、上述のごとき従来の電子写真感光体における諸問題を解決し、具体的には電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して成膜を行うことができる堆積膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の堆積膜形成装置は、排気部及びガス導入部を備え、内部に複数の円筒状基体を配置可能であり、かつ真空気密可能な反応容器と、該反応容器内に電力を供給する電力供給手段と、を有し、前記複数の円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器内に配置された各々の前記円筒状基体同士を仕切り、かつ前記反応容器の側壁に電気的に接続された仕切板を備え、該仕切板に隣接する各々の前記円筒状基体から等しい距離にある給電点に前記電力供給手段が接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電気的特性を犠牲にすることなく、製造コストを下げ、歩留まりよく安定して成膜を行うことができる堆積膜形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明者らは、当初、鋭意検討を行った結果、一度の成膜で多数の電子写真感光体を製造できる装置を用いることを考えた。すなわち、従来の同軸型の堆積膜形成装置に替えて、図１に示すように、複数の円筒状基体４０７を単一の反応容器４００内に配置した電子写真感光体の製造装置を用いた。図１（ａ）はその装置の概略縦断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
【００２１】
図１に示す電子写真感光体の製造装置において、複数の円筒状基体４０７は同一円周上に等間隔に配置されている。これらの円筒状基体４０７を取り囲むように、側壁４０１が設置されている。側壁４０１は、ベースプレート４０２および上蓋４０３と共に反応容器４００を形成しており、ベースプレート４０２、上蓋４０３は碍子４０４によって側壁４０１と絶縁されている。反応容器４００には、排気配管４０５が接続されている。側壁４０１近傍には、周方向に均等に間隔をおいて原料ガス導入管（ガス導入部）４０６が配置されている。側壁４０１には、マッチングボックス４１０を経て高周波電源４０９が接続されており、高周波電力を印加することにより側壁４０１は放電電極となる。
【００２２】
この構成では、成膜装置１台当たりの感光体の製造数量が大幅に増加するため、結果的に大幅なコストダウンが見込めることになる。ところが、実際に実験を行ってみると、得られた電子写真感光体の電気特性は、何れも図６で示すような同軸型の１本取り炉よりは狭い処方範囲でしか同軸型の１本取り炉と同等の特性が得られなかった。このように処方の選択可能範囲が狭いために、生産性としては必ずしも十分に良好とはならなかった。
【００２３】
この原因を探るために、図１に示した装置において、円筒状基体を静止した状態で、同軸型の１本取り炉に比べて十分な特性とはならなかった処方で成膜を行い、周方向の特性のムラを調べた。その結果、反応容器の外側に向いた面（図１（ｂ）中のＡ面）、すなわち放電電極４０１と対向する面での堆積膜の特性は、同軸型の１本取り炉の場合と同等かそれ以上の良好な結果が得られた。しかし、それ以外の面では、同軸型の１本取り炉の場合に比べて劣っていることが判明した。特に、円筒状基体と円筒状基体が向き合っている方向に向いた面（図１（ｂ）中のＢ面及びＣ面）での堆積膜の特性は、同軸型の１本取り炉の場合に比べてかなり劣っていることが判明した。
【００２４】
この原因として、本発明者らは以下のように考えている。図１に示した電子写真感光体の製造装置の場合では、側壁４０１に高周波電力を印加して、放電電極となる。この放電電極の対向電極として機能しているのは内部に複数配置されている接地された円筒状基体４０７である。つまり、円筒状基体４０７の周方向において、放電電極と対向する表面には十分な高周波電界が働いており、良好な膜質の堆積膜が形成される。その一方で、円筒状基体４０７同士が向き合う方向に面した表面、すなわち接地面同士が向き合う領域には、放電電極からの高周波電力が充分に働いておらず、弱電界になる。そのため、原料ガスの分解および励起が不充分になり、堆積膜の膜特性が悪化したものと考えられる。
【００２５】
本発明者らは、この問題を解決する方法として、円筒状基体同士が向き合う位置に仕切板を設けて、いわゆる目隠しをすればよいのではないかと考えた。そこで、図２に示すように、反応容器２００内に仕切板２１１を設け、円筒状基体２０７は、仕切板２１１によって仕切られた空間に夫々配置する構成の装置を考案した。図２（ａ）は他の電子写真感光体の製造装置の概略縦断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
【００２６】
図２に示す電子写真感光体の製造装置は、側壁２０１及び、ベースプレート２０２、上蓋２０３によって反応容器２００を形成し、ベースプレート２０２、上蓋２０３は碍子２０４によって側壁２０１から絶縁されている。反応容器２００は内部に複数の円筒状基体２０７を配置可能であり、かつ真空気密可能である。複数の円筒状基体２０７が、断面形状が円筒状の反応容器２００内に反応容器２００の中心と同心円状に配置されており、仕切板２１１により仕切られた各エリアに円筒状基体２０７がそれぞれ１本ずつ配置されている。
【００２７】
各円筒状基体２０７は基体加熱用ヒーターを内蔵した回転軸２０８によって各々保持されている。回転軸２０８は不図示の駆動装置により回転可能になっている。円筒状基体２０７は、回転軸２０８によって円筒状基体２０７の中心軸周りに回転させられる。排気部を構成する排気配管２０５が排気装置（不図示）に接続され、反応容器２００内を排気することができる構成となっている。側壁２０１近傍には、周方向に均等に間隔をおいて原料ガス導入管（ガス導入部）２０６が配置されている。仕切板２１１は、側壁２０１と電気的に導通するように接触させられている。側壁２０１には、電力供給手段である高周波電源２０９がマッチングボックス２１０を介して接続され、反応容器２００内に高周波電力が供給される。
【００２８】
仕切板２１１は側壁２０１と接触させて電気的に導通させられているので、円筒状基体２０７同士が向き合っている面にも効果的に高周波電界を印加できるようになる。すなわち、円筒状基体２０７の周囲を見渡したときの周囲の全てに高周波電力が印加されており、アース面が存在しないようになる構成となる。その結果、円筒状基体２０７の全周に渡って、同軸型の電子写真感光体製造装置（１本取り炉）の場合と何ら見劣りしない特性が得られることが判明した。
【００２９】
このように仕切板２１１を用いることにより、円筒状基体２０７の周方向の特性は全周に渡りほぼ均一な特性が得られるようになった。
【００３０】
仕切板２１１は複数の円筒状基体２０７の配置円の中心から平面部材が放射状に延びた形状に形成され、仕切板２１１の中心の部分に高周波電源２０９からの電力供給線が接続されている。このようにして、高周波電力を、図２中のＸの位置、すなわち、仕切板２１１の隣接する各円筒状基体２０７に対して等しい距離となる位置に給電することにより、同一ロット内で作成したドラム特性のばらつきを減少させることが可能となった。
【００３１】
図１に示す電子写真感光体の製造装置では、高周波電力の給電点が反応容器の側壁となっている。我々はこのような構成の反応容器にてａ−Ｓｉ感光体を作成したところ、同一反応炉内で同時に作成したドラム特性にばらつきが生じることを確認していた。
【００３２】
そこで、我々は同一ロット内での特性のばらつき原因を解明するため、反応容器内のプラズマ観察を行った。
【００３３】
図１に示した電子写真感光体の製造装置に、アルミ製の円筒状基体を設置し、上プレート４０３に石英ガラス製のプレートを用い反応容器内の観察ができるようにした。手順としては、反応容器４００内を充分排気した後、Ｈ2ガス８００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）を反応容器内に導入し、内圧を３０Ｐａに調整した。その後、高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）４００Ｗを印加してプラズマを生成させ、上プレートよりプラズマの様子を目視にて観察した。
【００３４】
上記の手順にてプラズマ観察を行ったところ、高周波電力の給電点に近い部分と遠い部分とでプラズマの強度に若干の違いがあることが確認できた。このようなプラズマ強度のばらつきが、同一ロット内で作成した電子写真感光体の特性のばらつき要因であると我々はこの実験結果より推察している。そして、図２に示すように、高周波電力を仕切板２１１のＸの位置より給電することにより、すべてのエリアにおいて、均一なプラズマ強度が得られることが判った。
【００３５】
高周波電力の給電点を仕切板２１１のＸの位置とすることにより、反応容器２００内における高周波電力の給電点から隣接する各円筒状基体２０７までの距離が等しくなり、各エリアへの高周波電力の伝達状況が均一となる。そのため、すべてのエリアにおいて、均一なプラズマ強度が得られると推測している。
【００３６】
更に、上述した構成とすることにより、堆積膜形成後の反応容器内の副生成物（ポリシラン）の処理も効率的に行えるという副次的な効果をもたらした。こうした効果も、高周波電力の給電点と各円筒状基体との位置関係が関係しているものと推察している。
【００３７】
以下、図面を用いて本発明の電子写真感光体の製造装置について詳細に説明する。
【００３８】
図３は本発明の一実施形態に係る電子写真感光体の製造装置で、複数の電子写真用感光体を同時に形成できる生産性の極めて高い装置の一例を模式的に示したものである。図３（ａ）はその装置の概略縦断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略横断面図である。
【００３９】
図３に示す電子写真感光体の製造装置は、導電性材料で形成された側壁１０１及び、ベースプレート１０２、上蓋１０３によって反応容器１００が形成されている。ベースプレート１０２、上蓋１０３は絶縁性材料で形成された碍子１０４によって側壁１０１と絶縁されている。反応容器１００内には、側壁１０１に電気的に接続された仕切板１１１により仕切られた各エリアに円筒状基体１０７がそれぞれ１本ずつ配置されている。仕切板１１１には、隣接する円筒状基体１０７と等しい距離にある図３（ｂ）のＸ点を給電点として高周波電力が印加される。本実施形態では、仕切板１１１に接続される高周波電力の給電点は、仕切板１１１の隣接する各円筒状基体１０７から等しい距離にあることが重要である。高周波電源１０９は、マッチングボックス１１０を経て、仕切板１１１の給電点に接続され、仕切板１１１及び側壁１０１に高周波電力が印加されることとなり、反応容器１００内に高周波電力が供給される。仕切板１１１及び側壁１０１は、実質的に円筒状基体１０７の放電電極となる。したがって、仕切板１１１及び側壁１０１は、ベースプレート１０２に設置した円筒状基体１０７とは電気的に絶縁する必要がある。
【００４０】
各円筒状基体１０７は基体加熱用ヒーターを内蔵した回転軸１０８によって各々保持されている。回転軸１０８は不図示の駆動装置により回転可能になっている。
【００４１】
本実施形態の図３に示す側壁１０１や、仕切板１１１、ベースプレート１０２、上蓋１０３は導電性材料で構成されている。導電性材料なら何でも使用できるが、アルミニウム、鉄、ステンレス、金、銀、銅、ニッケル、クロム、チタンなど金属材料の場合、加工が容易で耐久性が高く、また再利用の利便性などの点でも好ましい。また、これらの材料中の２種以上からなる複合材料なども好適に用いられる。
【００４２】
本実施形態ではいかなる周波数帯の高周波電力でも用いることができるが、良好な電子写真特性が得られやすいのは１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯、代表的には１３．５６ＭＨｚである。これは、分解種として良好な膜質を得やすいＳｉＨ3が安定的に得られることや、プラズマ均一性や安定性と関係しているのではないかと推測される。また、高周波電源１０９は、装置に適した高周波電力を発生することが出来ればいかなるものでも好適に使用出来る。さらに、高周波電源１０９の出力変動率には特に制限は無い。
【００４３】
マッチングボックス１１０は高周波電源１０９と負荷の整合を取ることができるものであればいかなる構成のものでも好適に使用出来る。また、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、手動で調整されるものであってもよい。マッチングボックス１１０が配置される位置に関しては整合が取れる範囲においてどこに設置してもなんら問題はない。しかし、マッチングボックス１１０から放電電極となる仕切板１１１までの配線のインダクタンスを出来るだけ小さくするような配置とした方が広い負荷条件で整合を取ることが可能になるため望ましい。
【００４４】
本実施形態の円筒状基体１０７は、使用目的に応じた材質を有するものであれば良い。材質においては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が電気伝導が良好のため好適である。さらに、これらの材料中の２種以上からなる複合材料も耐熱性が向上するために望ましい。また、円筒状基体１０７は、電子写真感光体の製造時には、１５０℃〜３５０℃に維持されることが好ましい。
【００４５】
次に、図１により本発明による電子写真感光体の製造方法の概略を説明する。
【００４６】
反応容器１００内の仕切板１１１で区切られた各エリアに円筒状基体１０７を設置し、反応容器１００内を排気した後、円筒状基体１０７を円筒状基体内部の加熱用ヒーター（不図示）等により所望の温度に加熱する。
【００４７】
次に、原料ガス（例えばシラン等）を原料ガス導入手段１０６より反応容器１００内に導入する。そして、高周波電源１０９から供給される高周波電力をマッチングボックス１１０にて調整し、仕切板１１１の各給電点に印加することによって、仕切板１１１及び側壁１０１に高周波電力が印加される。これにより、原料ガスが分解され、円筒状基体１０７表面に堆積膜が形成される。このとき、円筒状基体１０７は、回転機構（不図示）に接続された回転軸１０８により自転することによって、周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００４８】
所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器１００内へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００４９】
所望の堆積膜特性を得ることを目的として、基体上に複数の層からなる堆積膜を形成する場合には、上記の操作を繰り返す。
【００５０】
本実施形態の装置によれば、図４に示すようなａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材が形成可能である。図４は本実施形態の装置により作製される電子写真用感光体の層構成を示した図である。図４に示す電子写真用感光体６００は、支持体６０１の上に、アモルファスシリコン系の下部電荷注入阻止層６０２と、ａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）からなり光導電性を有する光導電層６０３とが設けられている。その上には、アモルファスシリコン系（又はアモルファス炭素系）の表面層６０４がさらに設けられている。このように、電子写真用感光体（堆積膜）は、少なくとも水素を含有したシリコンを母体とする非単結晶材料からなる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例により本発明の効果を具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１）
本実施例では、図３に示したプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いた。断面形状が矩形の反応容器１００内に、円筒状基体１０７として、外径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本用意し、回転軸１０８に設置した。これらの円筒状基体１０７は反応容器１００内に直線状に配置されている。そして、円筒状基体１０７を５ｒｐｍで回転させながら、表１に示す条件下で、下部電荷注入阻止層６０２、光導電層６０３、および表面層６０４から成る電子写真感光体を同時に４本形成した。
【００５３】
仕切板１１１が、互いに隣接する円筒状基体１０７同士の間に複数設置されている。高周波電源１０９から延びた電力供給線は、複数の仕切板１１１の給電点Ｘの位置に接続されている。仕切板１１１には、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源からの高周波電力を印加した。
【００５４】
【表１】
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【００５５】
＜比較例１＞
本比較例では、図５に示すプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いた。図５に示す装置は、仕切板が備えられておらず、側壁３０１に高周波電力が供給されるように構成されている点において、図３に示す装置と相違している。図５に示す装置のその他の構成は、図３に示す装置と同様である。
【００５６】
図５に示す装置の反応容器３００内に、円筒状基体３０７として、外径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本用意し、回転軸３０８に設置した。そして、円筒状基体３０７を５ｒｐｍで回転させながら表１に示す条件下で、下部電荷注入阻止層６０２、光導電層６０３、および表面層６０４から成る電子写真感光体を同時に４本形成した。
【００５７】
本比較例では、高周波電源からの給電点は側壁３０１の任意の点とし、側壁３０１には、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源からの高周波電力を印加した。
【００５８】
実施例１と比較例１でそれぞれ作製した電子写真感光体は、下記の方法で評価を行った。
【００５９】
［帯電能］
得られた電子写真感光体を電子写真装置にセットし、主帯電器に一定の電流（例えば７００μＡ）を流し、現像器位置にセットした表面電位計の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好である。本実施例では、電子写真装置として、キヤノン株式会社製の複写機ＧＰ５５（商品名）を実験用に改造したものを用い、表面電位計として、米国のトレック・インコーポレーテッド社製のＭｏｄｅｌ３４４（商品名）を用いた。帯電能測定は感光体の母線方向中央部で行った。
【００６０】
なお、同時に作成する４本の感光体について上記の測定を行い、その平均値を帯電能として用いた。
【００６１】
帯電能の評価結果は、比較例１の結果を基準とし、下記のようにランク付けを行った。
【００６２】
◎      …  ２０％以上の良化
○〜◎  …  １５％以上２０％未満の良化
○      …  １０％以上１５％未満の良化
△〜○  …  ５％以上１０％未満の良化
△      …  比較例と同等
×      …  悪化
［感度］
上記の電子写真装置において、現像器位置での暗部電位が一定値（本発明では４５０Ｖ）となるように主帯電器への電流を調整した後に、原稿として反射濃度０．１以下の所定の白紙を用いて感度を求めた。具体的には、現像器位置での明部電位が所定の値（本発明では５０Ｖ）となるように像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を調整した際の像露光量によって感度を評価した。したがって、像露光量が少ないほど感度が良好である。感度測定は感光体の母線方向の中央部で行った。
【００６３】
なお、同時に作成する４本の感光体について上記の測定を行い、その平均値を感度として用いた。求められた感度の評価結果は、比較例１の結果を基準とし、下記のようにランク付けを行った。
【００６４】
◎      …  ４０％以上の良化
○〜◎  …  ３０％以上４０％未満の良化
○      …  ２０％以上３０％未満の良化
△〜○  …  １０％以上２０％未満の良化
△      …      比較例と同等
×      …      悪化
［同一ロットの特性ばらつき］
帯電能ばらつき：前述の帯電能の評価で得られた同一ロット４本の結果から、最大値と最小値の差を求め、実施例１で得られた値（Ａ）と比較例１で得られた値（Ｂ）から、Ａ／Ｂ値を求めた。この値が少ないほど、比較例１に比べばらつきが少ない。
【００６５】
感度のばらつき：前述の感度の評価で得られた同一ロット４本の結果から、最大値と最小値の差を求め、実施例１で得られた値（Ａ）と比較例１で得られた値（Ｂ）から、Ａ／Ｂ値を求めた。この値が少ないほど、比較例１に比べばらつきが少ない。
【００６６】
各項目の特性ばらつき（帯電能、感度）を、上記の値より以下のランク付けを行って判定した。
【００６７】
◎      …  ３０％未満
○〜◎  …  ３０％以上５０％未満
○      …  ５０％以上７０％未満
△〜○  …  ７０％以上９０％未満
△      …  比較例と同等（９０％以上１１０％未満）
×      …  悪化（１１０％以上）
実施例１及び比較例１の評価結果を表２に示す。
【００６８】
【表２】
2009024238.tif 000004
【００６９】
表２から分かるように、本実施例において、帯電能、感度、ロット間差の全ての項目において比較例に比べて改善が見られることが判明した。
【００７０】
（実施例２）
本実施例では、図２に示すプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いた。反応容器２００内に、円筒状基体２０７として、外径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本用意し、回転軸２０８に設置した。そして、円筒状基体２０７を５ｒｐｍで回転させながら、実施例１と同様に表１に示す条件下で、下部電荷注入阻止層６０２、光導電層６０３、および表面層６０４から成る電子写真感光体を同時に４本形成した。
【００７１】
本実施例では、高周波電源からの給電点は仕切板２１１のＸ点とし、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源からの高周波電力を印加した。
【００７２】
＜比較例２＞
本比較例では、図１に示したプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の製造装置を用いた。反応容器４００内に、円筒状基体４０７として、外径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを４本用意し、回転軸４０８に設置した。そして、円筒状基体４０７を５ｒｐｍで回転させながら表１に示す条件下で、下部電荷注入阻止層６０２、光導電層６０３、および表面層６０４から成る電子写真感光体を同時に４本形成した。
【００７３】
本比較例では、高周波電源からの給電点は側壁４０１の任意の点とし、側壁４０１には周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源からの高周波電力を印加した。
【００７４】
実施例２と比較例２でそれぞれ作製した電子写真感光体を、実施例１と同様に帯電能及び感度の評価ならびに、帯電能及び感度のばらつきの評価を行った。
【００７５】
［帯電能、感度、帯電能及び感度ばらつき］
実施例１と同様の手順で評価を行い、比較例１の電子写真感光体の結果を基準として、実施例１と同様にランク付けを行った。以上の評価結果を表３に示す。
【００７６】
【表３】
2009024238.tif 000005
【００７７】
実施例２において作製した電子写真感光体は、全ての評価結果について良好な結果が得られている。特に、本実施例においては、高周波電力の給電点が放射状に広がる仕切板２１１の中心となることにより、より均一に高周波電力が広がると推察され、実施例１の結果よりも更に良好な結果が得られた。
【００７８】
（実施例３）
実施例１，２及び比較例１，２において、電子写真感光体を作製した後、反応容器内のポリシランを除去するためにドライエッチングを行った。
【００７９】
ドライエッチングの手順は以下のように行った。電子写真感光体作成後、電子写真感光体を取り出して、代わりにドライエッチング用のダミーシリンダー（アノード電極）を設置し、反応容器内を排気する。反応容器内を充分に排気した後、エッチングガスを反応容器内に導入し、所定の圧力に調整した後、放電電極に高周波電力を印加しプラズマを生成する。なお、ドライエッチング条件は表４に示す。
【００８０】
【表４】
2009024238.tif 000006
【００８１】
表４に示した条件で、それぞれの反応容器のドライエッチングを行った。このとき、１時間経過毎に反応容器内のポリシランの様子を確認し、ポリシランの処理速度を評価した。反応容器内のポリシラン量により、以下の判定を行った。
【００８２】
◎      …  ポリシランは残っていない。
○      …  わずかにポリシランは残っている。
△      …  少しポリシランは残っている。
×      …  かなりポリシランは残っている。
【００８３】
１時間毎に観察した各反応容器内のポリシランの様子を表５に示す。
【００８４】
【表５】
2009024238.tif 000007
【００８５】
表５に示すように、実施例２、実施例１、比較例１及び比較例２（比較例１，２は同等）の順で、反応容器内のポリシランは処理が短時間で終了されることがわかる。実施例１，２の構成により、反応容器内にバランスよく高周波が伝達され、ポリシランの処理にかかるコストを抑えることができることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】複数の円筒状基体を単一の反応容器内に配置した電子写真感光体の製造装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子写真感光体の製造装置を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子写真感光体の製造装置を示す図である。
【図４】電子写真用感光体の層構成を示した図である。
【図５】比較例に係る電子写真感光体の製造装置を示す図である。
【図６】従来技術による、電子写真感光体を作成するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００８７】
１００，２００  反応容器
１０１，２０１  側壁
１０５，２０５  排気配管
１０６，２０６  原料ガス導入管
１０７，２０７  円筒状基体
１０９，２０９  高周波電源
１１１，２１１  仕切板
【図１】
2009024238.tif 000008
【図２】
2009024238.tif 000009
【図３】
2009024238.tif 000010
【図４】
2009024238.tif 000011
【図５】
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【図６】
2009024238.tif 000013