(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、ＯＬＥＤ素子の温度特性の検出と焼き付き特性の検出を回路規模および消費電力の増大を伴うことなく行う。【解決手段】図１の検出部３００において、ＯＬＥＤ素子の温度特性と焼き付き特性の検出を行う。温度によるＯＬＥＤ素子の端子電圧の変化は数Ｖと大きく、焼き付きによるＯＬＥＤ素子の端子電圧の変化は数ｍＶ〜十数ｍＶと小さい。焼き付き特性の検出データは第１経路３１０を通過させ、温度特性の検出データは第２経路３２０を通過させて減衰させることによって、温度検出も焼き付き検出も同一のアナログデジタルコンバータＡＤＣを使用できるようにする。これによって検出回路の回路規模の増大と消費電力の増大を防止する。本発明によって、温度特性と焼き付き特性を補正した画像を得ることが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の発光特性を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記検出部は、検出した特性値を通過させる第１の経路と、検出された特性値を減衰させる第２の経路を有し、
前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、
前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１の経路または前記第２の経路と、前記アナログデジタルコンバータの間にはバッファアンプが設置されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２の経路は、第１の抵抗を有し、前記検出特性値の減衰は、前記第２の経路外で、前記第１の抵抗と直列に接続された第２の抵抗と、前記第１の抵抗の比によって規定されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の温度特性値と前記ＯＬＥＤ素子の焼き付き特性値を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記検出部は、前記焼き付き特性値を通過させる第１の経路と前記温度特性値を減衰させて通過させる第２の経路とを有し、
前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、
前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第１の経路または前記第２の経路と、前記アナログデジタルコンバータの間にはバッファアンプが設置されていることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記温度特性値の検出は、前記焼き付き特性値の検出に先だって行われ、前記焼き付き特性の検出条件は、前記アナログデジタルコンバータによってデジタル化された前記温度特性値によって決定されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記焼き付き特性の測定は、前記マトリクス状に配置された前記画素の行方向の複数の画素について行われることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記焼き付き特性の測定は、前記マトリクス状に配置された前記画素の列方向の複数の画素について行われることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された定電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であり、
前記焼き付き特性を検出するときの前記定電流源から供給する電流値は、前記温度特性を検出するときに前記定電流源から供給される電流値とは異なることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の温度特性値と前記ＯＬＥＤ素子の焼き付き特性値を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であり、
前記画素には、前記電流源から、前記ＯＬＥＤ素子への電流の流入を制御する検出スイッチが前記ＯＬＥＤ素子と接続して設置され、
前記検出部は、前記焼き付き特性値を通過させる第１の経路と前記温度特性値を減衰させて通過させる第２の経路とを有し、
前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、
前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に温度特性に対する補正と画面焼付に対する補正を可能にするシステムを有する有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、液晶と比較して、自発光型であるのでバックライトが不要である、応答時間が数マイクロ秒と短く、動画特性がすぐれている、発光に必要な電圧が１０Ｖ以下と低く、消費電力を小さくできる可能性がある等の特徴がある。また、プラズマ表示装置やＦＥＤ表示装置と比較して、真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適している、等の特徴がある。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の画面である有機ＥＬ表示パネルを構成するＯＬＥＤ素子は温度特性を有している。ＯＬＥＤ素子は同じ電圧を印加しても低温では、電流が小さく、高温では電流が大きい。したがって、同じ明るさを得るためには、外部環境の温度によって、電源電圧を変える必要がある。「特許文献１」には、有機ＥＬ表示パネルの温度変動を検出するため、パネル内の各ＯＬＥＤ素子に電流源から電流を流すことによって得られた検出電圧結果をＡ／Ｄ変換し、得られたデジタルデータを基に、表示用の電圧源を変化させる技術が記載されている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置のもう一つの問題はいわゆる焼き付きの問題である。これはＯＬＥＤ素子が動作時間とともに発光輝度が低下するという現象である。ＯＬＥＤ素子の特性変化はＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性の変化となって現れる。すなわち、動作時間とともに、同じ電圧を印加しても流れる電流が小さくなる。ＯＬＥＤ素子の時間的な特性の変化は画素毎に異なる。したがって、正しい画像表示を行うためには、各画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を検出して、その結果をホストから入力される入力信号にフィードバックする必要がある。したがって、正しい画像表示を行うためには、各画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を検出して、その結果をホストから入力される入力信号にフィードバックする必要がある。
【０００５】
「特許文献２」には、有機ＥＬ表示パネルを焼き付きのない安定した発光をさせるために、電流計測によって得られた測定結果をＡ／Ｄ変換し、得られたデジタルデータを基に、ＯＬＥＤ素子の駆動信号にフィードバックを行う技術が記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−４８０１１号公報
【特許文献２】特開２００５−１５６６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
「特許文献１」に記載の技術は、有機ＥＬ表示パネル全体の特性を電源電圧を変化させることによって調整するために、温度特性による影響を補償することは可能であるが、焼き付きのような、局所的な劣化を補正することは不可能である。「特許文献２」に記載の技術では、電流計測によって得られた隣接画素同士の結果を比較するために、パネル内部の温度変動の情報をＡ／Ｄ変換することは出来ない。
【０００８】
有機ＥＬ表示パネルに焼き付きが発生する時のＯＬＥＤ素子の電圧変化は微小であり、温度変動による電圧変化は大きいために、ＡＤコンバータの電圧範囲を温度変動も含めたシステムに生成しようとすると、精度の高い比較器の数が多く必要となるために、回路規模の増大と、消費電力が大きくなる。
【０００９】
本発明の課題は、回路規模の増大や消費電力の増大を伴うことなく、ＯＬＥＤ素子の温度特性の補償と焼き付きに対する補償を同時に行うことが出来るシステムを実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は以上述べた課題を解決するものであり、温度補償をする電圧変動と、焼き付きを補正する電圧変動を同一の電圧レンジに変換して検出する系を有する有機ＥＬ表示装置である。すなわち、温度特性による電圧変化を測定する経路と焼き付きによる電圧変化を測定する経路とを有する。さらに、例えば、温度による特性変化を検出した測定電圧をフィードバックして、焼き付きを検出する画素の数、あるいは、焼き付きを検出する電流源の電流値を変化させることで、温度特性と、焼き付き特性を検出する電圧レンジをそろえる。具体的な手段は下記のとおりである。
【００１１】
（１）複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の発光特性を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記検出部は、検出した特性値を通過させる第１の経路と、検出された特性値を減衰させる第２の経路を有し、前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１２】
（２）前記第１の経路または前記第２の経路と、前記アナログデジタルコンバータの間にはバッファアンプが設置されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
（３）前記特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（４）前記第２の経路は、第１の抵抗を有し、前記検出特性値の減衰は、前記第２の経路外で、前記第１の抵抗と直列に接続された第２の抵抗と、前記第１の抵抗の比によって規定されることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（５）複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の温度特性値と前記ＯＬＥＤ素子の焼き付き特性値を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記検出部は、前記焼き付き特性値を通過させる第１の経路と前記温度特性値を減衰させて通過させる第２の経路とを有し、前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（６）前記第１の経路または前記第２の経路と、前記アナログデジタルコンバータの間にはバッファアンプが設置されていることを特徴とする（５）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（７）前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であることを特徴とする（５）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１８】
（８）前記温度特性値の検出は、前記焼き付き特性値の検出に先だって行われ、前記焼き付き特性の検出条件は、前記アナログデジタルコンバータによってデジタル化された前記温度特性値によって決定されることを特徴とする（５）に記載の表示装置。
【００１９】
（９）前記焼き付き特性の測定は、前記マトリクス状に配置された前記画素の行方向の複数の画素について行われることを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２０】
（１０）前記焼き付き特性の測定は、前記マトリクス状に配置された前記画素の列方向の複数の画素について行われることを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２１】
（１１）前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された定電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であり、前記焼き付き特性を検出するときの前記定電流源から供給する電流値は、前記温度特性を検出するときに前記定電流源から供給される電流値とは異なることを特徴とする（５）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２２】
（１２）複数の画素がマトリクス状に配置された表示部と、前記画素内のＯＬＥＤ素子の温度特性値と前記ＯＬＥＤ素子の焼き付き特性値を検出する検出部とを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記温度特性値および前記焼き付き特性値は、検出部に設置された電流源から前記ＯＬＥＤ素子に電流を供給したことによって生ずる前記ＯＬＥＤ素子の端子部の電圧値であり、前記画素には、前記電流源から、前記ＯＬＥＤ素子への電流の流入を制御する検出スイッチが前記ＯＬＥＤ素子と接続して設置され、前記検出部は、前記焼き付き特性値を通過させる第１の経路と前記温度特性値を減衰させて通過させる第２の経路とを有し、前記第１の経路には第１のスイッチが設置され、前記第２の経路には第２のスイッチが設置され、前記第１のスイッチが閉じている時は前記第２のスイッチが開いており、前記第１の経路または前記第２の経路を通過した前記検出した特性値は同一のアナログデジタルコンバータに入力されてデジタル量に変換されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によって、ＯＬＥＤ素子の温度特性の検出値と焼き付き特性の検出値を同じアナログデジタルコンバータによってデジタル化することが出来るので、検出回路の規模が大きくなることを防止することが出来る。また、アナログデジタルコンバータの回路規模と消費電力を抑えることが出来る。
【００２４】
本発明によって、ＯＬＥＤ素子の温度特性と焼き付き特性を補償した高画質の有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。また、ＯＬＥＤ素子の温度特性と焼き付き特性を検出するための回路規模の増大を抑制できるので、有機ＥＬ表示装置の製造コスト、有機ＥＬ表示装置の消費電力を抑えることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の具体的な実施例を説明する前に、有機ＥＬ表示パネルの焼き付きと温度特性について説明する。図１１は個々のＯＬＥＤ素子の特性が動作時間によって変化する様子を示すグラフである。図１１において、横軸はＯＬＥＤ素子に印加される電圧、縦軸はＯＬＥＤ素子に流れる電流である。図１１において、劣化前は初期状態のＯＬＥＤ素子の特性であり、劣化後は、特定時間動作した後のＯＬＥＤ素子の特性である。劣化前と劣化後を比較すると、同じ電流Ｉを流すためには、劣化後は劣化前よりもＶ１だけ大きな電圧を印加する必要がある。逆に言えば、同じ電圧をＯＬＥＤ素子に印加すると劣化後は輝度が低下する。
【００２６】
このようなＯＬＥＤ素子の特性の劣化は、画面全体のＯＬＥＤ素子に同時に生ずれば影響は比較的小さい。しかし、現実には、画像によって、画面には、明るい部分と暗い部分が生じ、明るい部分のＯＬＥＤ素子にはより多くの電流が流れるので劣化が進む。図１２はこの様子を示すものである。
【００２７】
図１２（ａ）は暗い画面に文字Ａが表示されている様子を示す。この画面では、文字Ａの部分のＯＬＥＤ素子に多くの電流が流れる。図１２（ａ）の状態で一定時間経過後、例えば、全面白の画面を表示した状態が図１２（ｂ）である。図１２（ｂ）は全面白が正しい表示であるが、図１２（ａ）の状態の表示によって文字Ａの部分のＯＬＥＤ素子が劣化したために、文字Ａの部分で輝度が低下している。これが焼き付きである。焼き付きを補正するためには、対応するＯＬＥＤ素子に印加する電圧を上げてやる必要がある。このためには、焼き付きによって劣化したＯＬＥＤ素子の位置と劣化量を検出してフィードバックする必要がある。
【００２８】
図１３は焼き付きを検出するための、各ＯＬＥＤ素子の電圧−電流特性を測定する回路である。図１３において、中央部には、Ｒ、Ｇ、Ｂで表す多くのＯＬＥＤ素子からなる表示部が形成されている。Ｒは赤発光ＯＬＥＤ素子、Ｇは緑発光ＯＬＥＤ素子、Ｂは青発光ＯＬＥＤ素子を示す。表示部の左側には、表示のための走査信号を発生する表示用走査回路２００が設置されている。表示部の右側には、各ＯＬＥＤ素子の特性を検出するための検出用走査回路３００が設置されている。また、表示部の上側には、各ＯＬＥＤ素子に映像信号を供給するための信号駆動回路１００が設置されている。信号駆動回路１００には外部から信号入力線１００１を通して画像信号が入力される。
【００２９】
図１３の左上には、表示用走査回路２００、検出用走査回路３００、信号駆動回路１００等からのパルス信号を制御するためのタイミングコントローラ１１０が設置されている。図１３の右上には、ＯＬＥＤ素子の特性を測定し、記録する検出部３００が設置されている。また、信号駆動回路１００と表示部の間には、ＯＬＥＤ素子に画像信号を供給するスイッチＳＷＳ、ＯＬＥＤ素子の特性を検出するスイッチＳＷＲ、ＳＷＧ、ＳＷＢ、および、どの色のＯＬＥＤ素子を測定するかを決めるＲ制御線ＲＳＣＬ、Ｇ制御線ＧＳＣＬ、Ｂ制御線ＢＳＣＬ等が設置されている。
【００３０】
図１３において、画像を表示するときは、信号線スイッチＳＷＳは閉じられており、検出線スイッチＳＷＲ１、ＳＷＧ１、ＳＷＢ１等は開かれている。この状態で表示用走査回路２００によって、ＯＬＥＤ素子が走査され、画像信号にしたがって、表示部に画像が表示されることになる。
【００３１】
図１３において、画像が１フレーム分表示されると、信号線スイッチＳＷＳが開き、検出線スイッチＳＷＲ１等が閉じて検出を開始する。検出用走査回路３００から１行目に存在するＯＬＥＤ素子を検出するために、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１がＯＮになり、他の検出スイッチ制御線はＯＦＦとなっている。検出は各色毎に行われる。したがって、Ｒ検出線スイッチＳＷＲ１等が閉じる時は、Ｒ制御線ＲＳＣＬがＯＮになる。検出用走査回路３００によって特定の行のＯＬＥＤ素子が選択されると、検出線スイッチＳＷＲ１等が順に開閉され、各ＯＬＥＤ素子の電圧電流特性が測定される。
【００３２】
ＯＬＥＤ素子の特性測定は、検出部３００の定電流源１１２からの電流を各ＯＬＥＤ素子に流し、各ＯＬＥＤ素子の端子電圧を測定することによって行われる。各ＯＬＥＤ素子の端子電圧はバッファアンプによって増幅され、アナログデジタルコンバータＡＤＣに入力する。アナログデジタルコンバータＡＤＣからの出力はメモリに蓄積され、フィードバックデータとして利用される。補正制御部１２０は、メモリに蓄積された各ＯＬＥＤ素子の特性を信号駆動回路１００にフィードバックし、各ＯＬＥＤ素子の焼き付きによる劣化を補正した画像信号とする。
【００３３】
このようにして、第１行の赤発光ＯＬＥＤ素子の測定が終了すると、第１行の緑発光ＯＬＥＤ素子を測定し、その後、第１行の青発光ＯＬＥＤ素子を測定する。そして、１行分のＯＬＥＤ素子の特性が測定されると、第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２がＯＮになり、第２行のＯＬＥＤ素子が測定される。以後、第ｍ検出スイッチ制御線ＴＳＣｍまで同様にして測定される。
【００３４】
図１４は、ＯＬＥＤ素子の温度特性の影響を示すグラフである。図１４において、横軸はＯＬＥＤ素子に印加される電圧であり、縦軸はＯＬＥＤ素子に流れる電流である。図１４においいて、高温特性はＯＬＥＤ素子が高温の時の電圧−電流特性であり、低温特性はＯＬＥＤ素子が低温に時の電圧−電流特性である。図１４に示すように、同じ電流Ｉを流すのに、低温時のほうがＶ２だけ大きな電圧を印加する必要がある。言い換えれば、同じ電圧をＯＬＥＤ素子に印加すれば、低温時は電流が小さくなり、輝度が低下する。
【００３５】
図１５はこの様子を示すものである。図１５は白表示をするために、同じ電圧をＯＬＥＤ素子に印加した場合である。図１５（ａ）は低温の時の画面であり、図１５（ｂ）は高温の時の画面である。同じ白表示をする画像信号を供給しても、高温時のほうが輝度が大きい。これでは、正確な画像の再現ができないので、ＯＬＥＤ素子の温度を検出して、温度特性を電源にフィードバックする必要がある。
【００３６】
図１６はＯＬＥＤ素子の温度特性を検出し、これを電源にフィードバックして、温度特性による輝度変化を補償する回路である。図１６において、温度測定用の基準素子が設けられている。基準素子に検出用電流源から定電流を流し、基準素子の端子電圧を測定する。これによってＯＬＥＤ素子の温度がわかる。端子電圧はバッファアンプによって増幅され、アナログデジタルコンバータに入力されてＡＤ変換される。変換されたデジタルデータに基づき、表示用電圧源の電圧を変化させることによって輝度を一定とすることが出来る。
【００３７】
本発明の目的は、以上に述べた、焼き付きの検出と温度検出の機能を
両方兼ね備えたシステムを実現することである。これを実現するための問題点は、図１１に示す焼き付きによる電圧の変動量Ｖ１と温度変化による電圧の変動量Ｖ２が大きく異なることである。具体的には、Ｖ１は数ｍＶ〜十数ｍＶ程度であり、Ｖ２は、温度が−２０℃から８０℃まで変化すると、数Ｖの範囲で変動する。
【００３８】
この場合、図１３の回路をシステムに適用すると、Ｖ１の精度を持ち、動作範囲がＶ２であるＡＤＣを用意する必要が生ずる。この場合、数十〜数百単位で構成されるアナログデジタルコンバータとなるため、検出部が非常に大きくなり、かつ、消費電力も大きくなる。一方、図１６に示すシステムでは、パネル内の各ＯＬＥＤ素子の特性検出は出来ないので、温度特性と焼き付き特性の両方を検出するシステムの構築は不可能である。
【００３９】
以下に述べる本発明によれば、以上に述べた、焼き付きの検出と温度検出の機能を両方兼ね備えたシステムを実現することが出来る。実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
【実施例１】
【００４０】
図１は本発明による有機ＥＬ表示装置の構成である。図１において、中央部には、Ｒ、Ｇ、Ｂで表す多くのＯＬＥＤ素子マトリクス状に配列して表示部が形成されている。表示部の左側に設置されている表示用走査回路２００、表示部の右側に配置されている検出用走査回路３００、表示部の上側に配置されている信号駆動回路１００等は、図１３で説明したと同様である。また、これらの信号のタイミングを制御するタイミングコントローラ１１０が図１の左上に設置されていることも同様である。さらに、表示部と信号駆動回路１００の間に、信号線スイッチＳＷＳ、検出線スイッチＳＷＲ１、Ｒ制御線ＲＳＣＬ、Ｇ制御線ＧＳＣＬ、Ｂ制御線ＢＳＣＬ等が設置されていることも図１３と同様である。
【００４１】
本発明の特徴は、ＯＬＥＤ素子の温度特性、焼き付き特性を測定する検出部３００である。温度検出も、焼き付き検出もＯＬＥＤ素子の電圧−電流特性を測定することによって行われる。電圧−電流特性は定電流源１１２から電流を各ＯＬＥＤ素子に供給し、ＯＬＥＤ素子の端子電圧を測定することによって行われる。図１において、ＯＬＥＤ素子の端子電圧は、第１バッファアンプＢＵ１に入力し、第１バッファアンプＢＵ１からＡ点に出力される。焼き付きによって生ずる端子電圧の変化、すなわち、Ａ点の電圧変化は数ｍＶから数十ｍＶである。一方、温度変化による端子電圧の変化、すなわちＡ点の電圧変化は、温度が−２０℃から８０度まで変化すると、数Ｖの単位で変動する。
【００４２】
この問題を対策するために、本発明では、検出部３００に経路選択部３３０を有する。図１１において、ＯＬＥＤ素子の温度特性を検出する場合は、ＳＷＴスイッチを閉じ、ＳＷＹスイッチは開放されたままである。ＯＬＥＤ素子の温度特性を検出する場合は、Ａ点に生ずる電圧の変化は数Ｖに達し、焼き付き検出を行った場合と比べて桁違いに大きい変動である。したがって、Ｂ点に生ずる変動も、焼き付き検出の場合に比較してはるかに大きい。焼き付き検出の場合の出力と温度検出の場合の出力をそのまま、アナログデジタルコンバータＡＤＣによってデジタルデータに変換しようとすると、回路規模が非常に大きくなり、かつ、消費電力も大きくなる。
【００４３】
本発明では、温度検出する場合は、第１バッファアンプＢＵ１からの出力すなわち、Ｂ点の電圧をそのまま第２バッファアンプＢＵ２に加えず、抵抗分割によって電圧を下げたあと、第２バッファアンプＢＵ２に供給する。この経路を第２経路３２０とする。このようにすることによって、アナログデジタルコンバータＡＤＣに入力する電圧の範囲を抑え、アナログデジタルコンバータＡＤＣの規模を小さくすることが出来、消費電力の増加も抑えることが出来る。図１におけるＢ点の電位に対するＣ点の電位は第１抵抗ＲＥＳ１と第２抵抗ＲＥＳ２の比によって決めることが出来る。Ｂ点の電圧変動が数Ｖの場合、Ｃ点の電圧変動が数十ｍＶ程度となるように第１抵抗ＲＥＳ１と第２抵抗ＲＥＳ２の比が選択される。多くの場合は、Ｃ点の電位がＢ点の電位の１／１０以下となるように、第１抵抗ＲＥＳ１と第２抵抗ＲＥＳ２の比が選択される。
【００４４】
温度検出の結果得られたＣ点の電位はＳWＴスイッチを介して第２バッファアンプＢＵ２に入力し、さらにアナログデジタルコンバータＡＤＣでデジタルデータに変換される。このデジタルデータをもとに、電流源１１２や検出用走査回路３００の制御や、焼き付き検出するときの素子の数をいくつにするか等の選択等にフィードバックを行い、また、焼き付き検出時のＯＬＥＤ素子の検出電圧を調整する。バイアス回路１３０は、C点における電位をアナログデジタルコンバータＡＤＣのデータに基づき、調整して、アナログデジタルコンバータＡＤＣの入力範囲に設定する。これによって温度検出と焼き付き検出を同じシステムにおいて、アナログデジタルコンバータＡＤＣの回路規模の増大を伴うことなく行うことが出来る。
【００４５】
ＯＬＥＤ素子の焼き付き特性の検出を行う場合は、ＳＷＹスイッチは閉じ、ＳＷＴスイッチは開放されたままである。したがって、この場合は、第１経路３１０で測定されることになる。ＯＬＥＤ素子の焼き付き測定を行った場合は、Ｂ点の電位は、ＳＷＹスイッチを介してそのまま、第２バッファアンプＢＵ２に入力する。そして、第２バッファアンプＢＵ２で増幅されて、アナログデジタルコンバータＡＤＣに入力され、デジタルデータに変換され、メモリに記録される。焼き付き特性は、隣り同士の画素の電圧−電流特性を比較することによって行われる。すなわち、各ＯＬＥＤ素子には同じ電流を流しているので、端子電圧が高い方のＯＬＥＤ素子に焼き付きが生じていると判断する。そして、焼き付きが生じているＯＬＥＤ素子に供給される画像信号はその分高く設定されて供給されることになる。
【００４６】
図２は本発明における有機ＥＬ表示装置の表示、温度検出、焼き付き検出のフローチャートである。図２において、表示開始は１フレーム分の表示開始であり、表示終了は１フレーム分の表示が終了するという意味である。表示終了後、温度特性を検出する。まず、電流源１１２を設定する。すなわち、定電流源１１２からどの程度の電流を流すかを設定する。そして、温度検出を行う画素を選定する。温度測定の画素としては任意の画素を選定することが出来る。
【００４７】
検出部３００を第２経路３２０に設定して、選択したＯＬＥＤ素子の温度特性を検出する。その後、焼き付き検出が開始される。実際に焼き付き検出を行う前に、アナログデジタルコンバータＡＤＣ変換された温度検出データに基づいて、電流源１１２の値の設定、あるいは、一回の検出で、行方向にいくつのＯＬＥＤ素子を纏めて検出するか、あるいは、列方向にいくつのＯＬＥＤ素子を纏めて検出するか等の決定を行う。焼き付きの測定は、ＯＬＥＤ素子を一個ずつ測定してもよいし、測定時間等の関係から複数まとめで測定しても良い。ただし、複数まとめて測定すると一個ずつ測定する場合に比較してＯＬＥＤ素子の端子部における電圧−電流特性が異なってくるので、温度特性に応じて焼き付き特性を纏めて行うことが出来るＯＬＥＤ素子の数が制限される。
【００４８】
焼き付き検出をスタートする画素が選択されて焼き付き検出がスタートする。一般には、温度特性を検出したＯＬＥＤ素子から焼き付き特性の検出をスタートする。このとき、図１の検出部３００における測定経路は第１経路３１０に設定される。各ＯＬＥＤ素子の焼き付き検出を行い、その結果がメモリに格納される。検出は一ライン毎に、かつ、各色毎に行われる。一ライン分測定を終了すると、補正動作を行う。すなわち、焼き付きがおこって電圧−電流特性が劣化したＯＬＥＤ素子に加えられる画像信号は劣化した分高い信号電圧が加えられるように、補正がなされる。
【００４９】
一ライン分、所定の時間内に検出が終了しない場合は、次のフレームにおいて、続きの検出が行われる。次のフレームにおいて、一ライン分の検出が完了した時点で、焼き付きに対する補正が行われる。このように、複数のフレームにわたって、全てのＯＬＥＤ素子に対する焼き付き検出と焼き付きに対する補正がなされることになる。そしてこの温度検出と焼き付き検出は有機ＥＬ表示装置が動作するたびに繰り返される。
【００５０】
図３は、１フレーム内での動作割り当てを示す例である。図３は、１フレーム内で、水平方向の画素を全て検出する場合である。図３において、表示期間が終了すると検出期間が始まる。検出期間は表示期間に比べて短い。検出期間において、先ず、温度特性を測定し、焼き付き検出条件を定めた上で、第１ラインから順に測定する。図３においては、第１ライン上で、先ず、赤画素が全て測定され、その後、緑画素が全て測定され、その後、青画素が全て測定される。第１ラインにおいて、全ての画素の測定が終わると、第２ラインの測定が行われ、最後の第ｍラインまで測定が繰り返される。図３は１フレームにおいて、一ラインの同じ色の画素の測定を全て終了する場合である。
【００５１】
図４は、１フレーム内での動作割り当てを示す他の例である。図４は１フレーム内では一ライン全ての画素を検出しきれない場合であり、１フレーム内では、一ラインの同じ色の画素の１／４だけ検出する場合である。すなわち、画面には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各画素が各ｎ個並んでいるが、１フレームにおいて、ｎ／４だけの画素の焼き付き特性を検出する。
【００５２】
この場合、各フレームにおいて、焼き付き特性の検出前に常に温度特性の検出を行う。前フレームで測定した最後の画素と、次のフレームで測定する最初の画素が同じ画素であることによって、隣同士の画素を比較する場合において、周囲の温度変化等の環境変化の問題を排除することが出来る。
【００５３】
図５は、本実施例における有機ＥＬ表示装置のタイムチャートの例である。図５は温度特性を検出して条件を算出した後、検出用走査回路３００からの検出スイッチ制御線ＴＳＣを複数ＯＮにすることによって、ＯＬＥＤ素子の検出電圧を調整している例である。先に説明したように、ＯＬＥＤ素子を複数同時に測定することによって、ＯＬＥＤ素子端子における電圧−電流特性を変えることが出来る。すなわち、ＯＬＥＤ素子をどの程度纏めるかによっても、アナログデジタルコンバータＡＤＣに入力する電圧変動値を変えることが出来る。すなわち、温度が低く、ＯＬＥＤ素子の抵抗が高いような場合は、より多くのＯＬＥＤ素子を纏めて検出することによって、アナログデジタルコンバータＡＤＣへの入力電圧を規定の範囲内に設定することが出来る。
【００５４】
図５に示す記号は図１に示す記号と対応している。図５において、まず、ＳＷＴを閉じ、ＳＷＹを開放して、ＯＬＥＤ素子の温度特性を測定する。つまり、図１に示す検出部３００において、第２経路３２０が選択される。このとき、温度特性を想定する画素は第１ラインに存在しているので、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１はＯＮになっている。その後、ＳＷＴをＯＦＦし、ＳＷＹをＯＮして、図１に示す第１経路３１０が選択され、焼き付き特性の検出が開始される。
【００５５】
図５において、焼き付き特性の開始時点において、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１と第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２がＯＮになっている。この場合、第３検出スイッチ制御線ＴＳＣ３以後はＯＦＦである。この状態で例えば、ＳＷＲ１をＯＮすると、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１と第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２上の赤発光ＯＬＥＤ素子が検出される。そして、ＳＷＲｎまで検出をすると、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１と第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２の赤発光ＯＬＥＤ素子の全ての焼き付き特性が検出されることになる。本実施例においては、電流源１１２の値は最初に設定されたままの値となっている。
【００５６】
そして、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１および第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２上の全てのＯＬＥＤ素子の焼き付き検出測定が終了したところで、検出用走査回路３００によって、第３検出スイッチ制御線ＴＳＣ３および第４検出スイッチ制御線ＴＳＣ４が選択され、第３検出スイッチ制御線ＴＳＣ３および第４検出スイッチ制御線ＴＳＣ４上のＯＬＥＤ素子の焼き付き検出が行われる。このように、２本の検出スイッチ制御線ごとに、ＯＬＥＤ素子の焼き付き検出が行われ、全てのＯＬＥＤ素子の焼き付き検出が行われる。
【００５７】
以上の説明では、同時検出は第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１と第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２のＯＬＥＤ素子を同時に測定するとしたが、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１〜第３検出スイッチ制御線ＴＳＣ３までのＯＬＥＤ素子を同時に検出することも出来るし、それ以上の数の検出スイッチ制御線上のＯＬＥＤ素子を検出しても良い。なお、本実施例では、同時に焼き付き検出されるＯＬＥＤ素子は複数であるとしたが、条件によっては、１個のＯＬＥＤ素子を焼き付き検出してもよいことは言うまでも無い。
【実施例２】
【００５８】
本実施例は、有機ＥＬ表示装置の構成は実施例１と同様であるが、焼き付き検出の方法が実施例１と異なる。図６は本実施例における焼き付き検出のタイムチャートである。図６において、表示が終わった後、まず、温度検出を行うことは実施例１と同様である。本実施例においては、温度検出を行った後、２個のＯＬＥＤ素子を同時に焼き付き検出を行うことを決定している。しかし、この場合は、実施例１の場合と異なり、同一検出スイッチ制御線ＳＣＬ上の２個のＯＬＥＤ素子を焼き付き検出する。
【００５９】
図６において、温度検出が行われたあと、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１のみがＯＮになっている。この状態で、まず、ＳＷＲ１とＳＷＲ２が同時にＯＮになる。したがって、第１番目の赤発光ＯＬＥＤ素子と第２番目の赤発光ＯＬＥＤ素子が焼き付き検出される。その後、ＳＷＲ３、ＳＷＲ４がＯＮして、第３番目の赤発光ＯＬＥＤ素子と第４番目の赤発光ＯＬＥＤ素子が焼き付き検出される。このようにして、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１上の赤発光ＯＬＥＤ素子が２個ずつ順に焼き付き検出される。第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１上の赤発光ＯＬＥＤ素子が全て測定された後。第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１上の緑発光ＯＬＥＤ素子が、続いて青発光ＯＬＥＤ素子が測定される。そして、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１上のＯＬＥＤ素子全ての測定が終わると、第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２上のＯＬＥＤ素子の温度検出、焼き付き検出が行われる。
【００６０】
以上の説明では、同一検出スイッチ制御線ＳＣＬ上で同時に焼き付き検出されるＯＬＥＤ素子は2個であるとしたが、条件によっては、同一検出スイッチ制御線ＳＣＬ上で同時に焼き付き検出されるＯＬＥＤ素子は３個以上であるとしても良い。
【実施例３】
【００６１】
本実施例は有機ＥＬ表示装置の構成は実施例１と同様であるが、焼き付き検出における電流源１１２の電流設定を変化させる点が実施例１と異なる。図７は本実施例における焼き付き検出のタイムチャートである。図７において、表示が終わった後、まず、温度検出を行うことは実施例１と同様である。温度検出を行った後、第１検出スイッチ制御線ＴＳＣ１および第２検出スイッチ制御線ＴＳＣ２上の画素の焼き付き検出を同時に行うことを決定している。図７において、第３検出スイッチ制御線ＴＳＣ３以後はＯＦＦ状態である。
【００６２】
本実施例においては、ＯＬＥＤ素子の温度検出後、焼き付き検出をおこなうための電流源１１２の電流値を下げるという決定をしている。すなわち、ＯＬＥＤ素子の抵抗が大きくなっていることが温度検出によってわかったからである。ＯＬＥＤ素子の抵抗が大きくなっている場合としては、周囲温度が低い場合である。この場合、電流源１１２の電流値を下げて、焼き付き検出におけるＯＬＥＤ素子の端子電圧の変動がアナログデジタルコンバータＡＤＣの入力範囲に入るように設定される。
【００６３】
本実施例では、温度が低温になった場合、焼き付き検出におけるＯＬＥＤ素子の抵抗が大きくなったことに伴い、電流源１１２を下げているが、電流源１１２を下げる代わりに、焼き付き検出における同時に測定するＯＬＥＤ素子の数を増やしても良い。この場合は、検出の速度は増すが、検出の解像度が低下する。したがって、検出の速度と解像度を勘案して、電流源１１２を下げるか否かを判断すれば良い。
【実施例４】
【００６４】
図８は、以上で説明した、温度検出および焼き付き検出が行われる画素の構成の一例である。図８は最も一般的な画素構造である。図８において、電源線５１からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１が直列に接続している。図８において、まず、画像を表示する動作から説明する。図８において、表示用走査回路２００から延在するセレクト制御線５５がＯＮになると、セレクトスイッチ６がＯＮになって、この画素が選択される。セレクトスイッチ６がＯＮになると信号線５４からの画像信号に応じた電荷が保持容量４に蓄積される。その後、セレクト制御線５５をＯＦＦして、セレクトスイッチ６を開き、点灯スイッチ線５３をＯＮにして点灯ＴＦＴスイッチ２を閉じる。そうすると、保持容量４の電荷に応じたゲート電位に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３に電源線５１からの電流が流れ、ＯＬＥＤ素子１を発光させる。
【００６５】
１フレーム分の表示が終了すると、ＯＬＥＤ素子１の温度検出および焼き付き検出が行われる。図８において、温度検出あるいは焼き付き検出を行う場合は、検出スイッチ制御線ＴＳＣをONにして、検出スイッチ７を閉じる。このとき、図１に示すＳＷＳは開かれて、信号線５４には、信号駆動回路１００からの信号ではなく、検出部３００の電流源１１２からの検出電流が供給される。検出スイッチ７が閉じると、ＯＬＥＤ素子１に検出電流が流れ、図１に示す検出部３００では、ＯＬＥＤ素子１の端子電圧を測定する。
【００６６】
図８におけるＯＬＥＤ素子１の温度検出あるいは、焼き付き検出を終了すると、検出スイッチ制御線ＴＳＣがＯＦＦになり、検出スイッチ７が開く。温度検出データが焼き付き検出のための、条件設定に使用され、焼き付き検出データが画像信号にフィードバックされることは実施例１で説明したとおりである。温度検出および、焼き付き検出は同様に行われるが、温度検出は、１フレームにおいて、一回のみ行われるので、一般の画素が温度検出と焼き付き検出が同時に行われる確率は小さい。
【実施例５】
【００６７】
図９は、実施例１〜実施例３で説明した、温度検出および焼き付き検出が行われる画素の回路構成の他の例である。図９は電圧プログラム方式の一つである発光期間変調方式の画素回路に検出スイッチ７と、検出スイッチ制御線ＴＳＣを追加した構成である。発光期間変調方式は、１フレームを書き込み期間と発光期間に分け、書き込み期間に画像信号に応じた電荷を保持容量４に蓄積する。発光期間において、保持容量４に蓄積された電荷に応じてＯＬＥＤ素子１の発光期間を制御することによって画像を形成する方式である。
【００６８】
図９に示す画素は次のように駆動される。図９において、電源線５１から、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３、点灯ＴＦＴスイッチ２、ＯＬＥＤ素子１が直列に接続している。上述のように、表示期間は書き込み期間と発光期間に分けられる。書き込み期間において、セレクト制御線５５がＯＮになると、この画素が選択され、保持容量４に書き込みが開始される。その後点灯ＴＦＴスイッチ２を短時間ＯＮにして、ＯＬＥＤ素子１に短時間電流を流すことによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位は電源電圧−ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈに設定される。そうすると、蓄積容量に蓄積される電荷はＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきをキャンセルした値となり、正確な階調表示が可能になる。画素に対する書き込みが終了すると、発光期間となり、信号線５４には三角波が供給される。そうすると保持容量４に蓄積された電荷に応じてＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３の動作時間が決定され、ＯＬＥＤ素子１に電流が流れ、画像を形成することになる。
【００６９】
以上のようにして、表示期間が終了すると、ＯＬＥＤ素子１の温度検出および焼き付き検出を行う。ＯＬＥＤ素子１の特性検出を行う時は、信号線５４には図１に示す検出部３００の定電流源１１２からの電流が供給される。この状態で、図９における検出スイッチ制御線ＴＳＣをＯＮして、検出スイッチ７を閉じるとＯＬＥＤ素子１に電流が流れ、図１に示す検出部３００において、ＯＬＥＤ素子１の端子電圧が測定される。以後は実施例４において説明したと同様である。本実施例による画素回路においても、検出スイッチ７および検出スイッチ制御線ＴＳＣを設けることによって、ＯＬＥＤ素子１の温度検出、焼き付き検出をおこなうことが出来る。
【実施例６】
【００７０】
図１０は、実施例１〜実施例３で説明した、温度検出および焼き付き検出が行われる画素の回路構成のさらに他の例である。図１０は電圧プログラミング方式で、ＴＦＴのばらつきを緩和させる最も一般的な回路に、検出スイッチ７と検出スイッチ制御線ＴＳＣを追加した構成である。図１０の画素回路は次のようにして駆動される。図１０において、電源線５１からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３３、点灯ＴＦＴスイッチ２とＯＬＥＤ素子１１とが直列に接続されている。点灯ＴＦＴスイッチ２によって、ＯＬＥＤ素子１１の発光可否を制御する。セレクト線５５がＯＮになるとセレクトスイッチ６が閉じ、信号線５４から画像信号が供給され、直列に接続された保持容量４２および保持容量４１に画像信号に応じた電荷が蓄積される。図１０において、リセット線５２をＯＮしてリセットＴＦＴスイッチ５と点灯スイッチ制御線５３をＯＮして点灯ＴＦＴスイッチ２を短時間、同時に閉じることによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のゲート電位をＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３のスレッショルド電圧Ｖｔｈのばらつきをキャンセルした電位に設定することが出来、正確な階調表示を行うことが出来る。図１０の画素回路において、以上のようにして画像データを書き込み後、リセットスイッチ、セレクトスイッチ６を開放し、点灯ＴＦＴスイッチ２をＯＮしてＯＬＥＤ素子１を発光させ、画像が形成される。
【００７１】
以上のようにして動作をする表示期間が終了すると、ＯＬＥＤ素子１の温度検出および焼き付き検出を行う。ＯＬＥＤ素子１の特性検出を行う時は、信号線５４には図１に示す検出部３００の定電流源１１２からの電流が供給される。この状態で、図１０における検出スイッチ制御線ＴＳＣをＯＮして、検出スイッチ７を閉じるとＯＬＥＤ素子１に電流が流れ、図１に示す検出部３００において、ＯＬＥＤ素子１の端子電圧が測定される。以後は実施例４において説明したと同様である。本実施例による画素回路においても、検出スイッチ７および検出スイッチ制御線ＴＳＣを設けることによって、ＯＬＥＤ素子１の温度検出、焼き付き検出をおこなうことが出来る。
【００７２】
実施例４〜実施例６において、３種類の画素回路に対して本発明を適用する例を説明したが、本発明は、実施例４〜実施例６に限らずに適用することが出来る。他の回路構成を持つ画素に対しても、実施例４〜実施例６で説明したような、検出スイッチ制御線ＴＳＣあるいは検出スイッチ７あるいはそれらの均等物を用いることによって本発明の実施をすることが出来る。
【００７３】
図１７は本発明による有機ＥＬ表示装置が適用される製品の例である。図１７（ａ）は本発明の有機ＥＬ表示装置が携帯電話に利用される例である。携帯電話は広い温度範囲で使用されるために、本発明を適用した温度特性検出と補正機能を持つ有機ＥＬ表示装置は好適である。図１７（ｂ）は本発明の有機ＥＬ表示装置をテレビジョンに使用にした例である。テレビジョンは長時間使用されるために、ＯＬＥＤ素子１の焼き付きによる影響が生じ易い。本発明は焼き付きに対して効果的に補正できるので、テレビジョン用の有機ＥＬ表示装置には好適である。
【００７４】
図１８は本発明による有機ＥＬ表示装置が適用される製品の他の例である。図１８（ａ）は本発明による有機ＥＬ表示装置をデジタル携帯端末ＰＤＡに適用した例であり、図１８（ｂ）はビデオカメラＣＡＭのヴューファインダに適用した例である。ＰＤＡもビデオカメラも屋外で使用され、環境温度の変化が激しいので、本発明のように、ＯＬＥＤ素子１の温度補償と焼き付き補償を効果的に行う有機ＥＬ表示装置はこれらの製品に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】実施例１の有機ＥＬ表示装置の回路構成図である。
【図２】ＯＬＥＤ素子の温度特性および焼き付き特性の検出流れ図である。
【図３】実施例１の１フレーム内の動作割り当て図である。
【図４】実施例１の１フレーム内の動作割り当ての他の例の図である。
【図５】実施例１のタイムチャートである。
【図６】実施例２のタイムチャートである。
【図７】実施例３のタイムチャートである。
【図８】実施例４の画素回路である。
【図９】実施例５の画素回路である。
【図１０】実施例６の画素回路である。
【図１１】ＯＬＥＤ素子の焼き付きによる劣化特性を示すグラフである。
【図１２】画面の焼き付きを示す模式図である。
【図１３】本発明を適用しない場合のＯＬＥＤ素子の検出回路である。
【図１４】ＯＬＥＤ素子の温度特性を示すグラフである。
【図１５】画面の明るさが温度によって変化することを示す模式図である。
【図１６】ＯＬＥＤ素子の温度特性を検出する回路例である。
【図１７】本発明による有機ＥＬ表示装置を適用した製品の例である。
【図１８】本発明による有機ＥＬ表示装置を適用した製品の他の例である。
【符号の説明】
【００７６】
１…ＯＬＥＤ素子、２…点灯ＴＦＴスイッチ、  ３…ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ、  ４…保持容量、  ５…リセットＴＦＴスイッチ、  ６…セレクトスイッチ、  ７…検出スイッチ、  ４１…第１保持容量、  ４２…第２保持容量、  ５１…電源線、  ５２…リセット線、  ５３…点灯スイッチ線、  ５４…信号線、  ５５…セレクトスイッチ線、  １００…信号駆動回路、  １１０…タイミングコントローラ、  １１２…定電流源、  １１６…検出線、  １２０…補正制御部、  １３０…バイアス回路、  １５０…検出用走査回路、  ２００…表示用走査回路、  ３００…検出部、  ３１０…第１経路、  ３２０…第２経路、  ３３０…経路選択部、  ＡＤＣ…アナログデジタルコンバータ、  ＴＳＣ…検出スイッチ制御線、  ＲＳＣＬ…Ｒ制御線、  ＧＳＣＬ…Ｇ制御線、  ＢＳＣＬ…Ｂ制御線、  ＲＥＳ１…第１抵抗、  ＲＥＳ２…第２抵抗、  １００１…信号入力線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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