(57)【要約】【課題】半導体回路の設計データを用いても、検査時間を短くすることができるデータ管理装置を提供する。【解決手段】ウェハ上の欠陥候補を検出し欠陥候補の座標を取得する外観検査装置１０４ａと、半導体回路の設計データを記憶する設計データサーバ１０２と、座標に基づいて欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して、欠陥を特定する欠陥レビュー装置１０８ａとに接続するデータ管理装置１００であって、外観検査装置１０４ａが座標の取得を実施していることを検知する第１検知部１と、検知によって座標の外観検査装置１０４ａから記憶部２ａへの書き込みをスタートさせる記憶制御部２と、設計データの一部から、座標が含まれるように参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する欠陥周辺設計データ取得部３とを有し、記憶制御部２は、欠陥周辺設計データを座標と関係付けて記憶部２ａへ記憶する。【選択図】図１
2009071136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補を検出し、前記欠陥候補それぞれの位置する座標を取得する外観検査装置と、
前記半導体回路の設計データを記憶する設計データサーバと、
前記座標に基づいて前記欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、前記欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して、前記欠陥を特定する欠陥レビュー装置とに接続するデータ管理装置であって、
前記外観検査装置が前記座標の取得を実施していることを検知する第１検知部と、
前記第１検知部の検知によって、前記座標の前記外観検査装置から記憶部への書き込みをスタートさせる記憶制御部と、
前記設計データの一部から、前記座標が含まれるように前記参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する欠陥周辺設計データ取得部とを有し、
前記記憶制御部は、前記欠陥周辺設計データを同一の欠陥候補について対応する前記座標と関係付けて記憶部へ記憶することを特徴とするデータ管理装置。
【請求項２】
前記記憶制御部は、前記欠陥レビュー装置へ前記欠陥周辺設計データと前記座標を読み出し、
前記欠陥レビュー装置は、前記欠陥周辺設計データに基づいて前記参照画像を取得することを特徴とする請求項１に記載のデータ管理装置。
【請求項３】
前記外観検査装置は、前記欠陥候補それぞれのサイズを取得し、
データ管理装置は、前記サイズに基づいて前記欠陥候補画像の撮像する範囲を決定する撮像範囲決定部を有し、
前記欠陥候補画像の撮像する範囲は、前記参照画像が生成可能な範囲に、一致した広さであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のデータ管理装置。
【請求項４】
前記欠陥レビュー装置が前記ウェハまたは前記露光用マスクを取り込んだことを検知する第２検知部を有し、
前記記憶制御部は、前記第２検知部の検知によって、前記欠陥レビュー装置への前記欠陥周辺設計データと前記座標の記憶部からの読み出しをスタートさせることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のデータ管理装置。
【請求項５】
前記欠陥周辺設計データに基づいて、前記欠陥レビュー装置における前記欠陥候補画像と前記参照画像との比較に、ダイツウダイ比較とセル比較のどちらかを選択する選択部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のデータ管理装置。
【請求項６】
前記選択部では、前記欠陥周辺設計データが、同一の形状のパターンを複数有するか否かの判定と、前記同一の形状のパターンが周期性を持って出現するか否かの判定をすることを特徴とする請求項５に記載のデータ管理装置。
【請求項７】
前記記憶制御部は、
複数の前記外観検査装置からの複数の前記ウェハ上または前記露光用マスク上の複数の前記欠陥候補の前記座標を記憶部に書き込み、
複数の前記欠陥レビュー装置に対して、取り込まれた複数の前記ウェハまたは前記露光用マスク毎の前記欠陥候補の前記座標を記憶部から読み出すことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のデータ管理装置。
【請求項８】
半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補を検出し、前記欠陥候補それぞれの位置する座標を取得する外観検査装置と、
前記半導体回路の設計データを記憶する設計データサーバと、
前記座標に基づいて前記欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、前記欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して、前記欠陥を特定する欠陥レビュー装置とを有する検査システムであって、
前記外観検査装置が前記座標の取得を実施していることを検知する検知部と、
前記検知によって、前記座標の前記外観検査装置から記憶部への書き込みをスタートさせる記憶制御部と、
前記設計データの一部から、前記座標が含まれるように前記参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する欠陥周辺設計データ取得部とを有するデータ管理装置を有し、
前記記憶制御部は、前記欠陥周辺設計データを同一の欠陥候補について対応する前記座標と関係付けて記憶部へ記憶することを特徴とする検査システム。
【請求項９】
半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補を検出し、前記欠陥候補それぞれの位置する座標を取得する外観検査装置と、
前記半導体回路の設計データを記憶する設計データサーバとに接続され、
前記座標に基づいて前記欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、前記欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して、前記欠陥を特定する欠陥レビュー装置であって、
前記外観検査装置が前記座標の取得を実施していることを検知する検知部と、
前記検知によって、前記座標の前記外観検査装置から記憶部への書き込みをスタートさせる記憶制御部と、
前記設計データの一部から、前記座標が含まれるように前記参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する欠陥周辺設計データ取得部とを有するデータ管理装置を有し、
前記記憶制御部は、前記欠陥周辺設計データを同一の欠陥候補について対応する前記座標と関係付けて記憶部へ記憶することを特徴とする欠陥レビュー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥を特定する欠陥レビュー装置に関し、また、前記欠陥レビュー装置を有する検査システムに関し、さらに、前記欠陥レビュー装置に接続するデータ管理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路では、販売価格の低価格化と、少量多品種化、短納期化が進められている。このため、半導体回路の製造工程では、歩留まりの向上と、微細加工によるチップ面積の縮小による製造コストの低減が求められている。そして、これらを達成するために、製造工程毎に早期に断線、短絡、異物付着などの欠陥を発見してその対策が講じられている。
【０００３】
しかし、半導体回路の微細加工が進むことで、半導体回路に組み込まれる素子数が増加増大し、また、半導体回路の動作不良を起こす断線箇所、短絡箇所、異物のサイズは微小となることで、欠陥を発見するための検査に要する時間は増加している。検査時間の増大は、製造コストの上昇を招くので、検査時間の短縮が求められている。
【０００４】
欠陥を発見するための検査としては、まず、半導体回路を配列した半導体ウェハに対して、 ウェハ全面の外観検査装置を用いて、半導体ウェハ上の欠陥の候補と考えられる欠陥候補の欠陥候補座標を検出する。次に、自動の欠陥レビュー装置を用いて、半導体ウェハの欠陥候補座標上を低倍率で拡大して撮像し欠陥候補画像を取得する。欠陥候補画像を欠陥の無い参照画像と比較して欠陥の正確な欠陥座標を特定し、この正確な欠陥座標に基づいてこの欠陥を高倍率で拡大して撮像し欠陥画像を取得する。最後に、この高倍率の欠陥画像に対してレビューと呼ばれる観察を行い、欠陥の発生した要因を分析し、要因別に分類することで、欠陥を特定する。
【０００５】
従来技術としては、欠陥画像を取得する方法として、走査型電子顕微鏡を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、低倍率の欠陥候補画像から欠陥を含まない合成参照画像を作成し、参照画像の撮像回数を減らすことにより、検査時間を短縮する欠陥レビュー装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、ＣＡＤデータ等の半導体回路の設計データを格納し、この設計データに基づいて半導体ウェハの検査すべき領域を含む撮影／検査条件を設定するナビゲーションシステムと、この撮影／検査条件に従って実際に半導体ウェハの撮影を行い、測長検査を実行する走査型電子顕微鏡を備えた検査システムが提案されている。（例えば、特許文献３参照）
【特許文献１】特開２０００−３０６５２号公報
【特許文献２】特開２００７−４０９１０号公報
【特許文献３】特開２００２−３２８０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記従来技術では、低倍率の欠陥候補画像と参照画像を比較して欠陥の正確な欠陥座標を特定しようとすると、半導体回路の特定のパターンを欠陥と誤認し、その特定のパターンを欠陥として高倍率で撮影する場合があり、レビューにおいて、欠陥画像に撮影された欠陥は真の欠陥でないと判定される場合があった。半導体回路の特定のパターンを欠陥と誤認しないように、半導体回路の設計データが用いられたが、設計データの容量は非常に大きく、必要なデータの検索に長い時間を要した。このため検査時間が長くなる場合があった。
【０００７】
本発明は、以上のような問題点に着目し、半導体回路の設計データを用いても、検査時間を短くすることができるデータ管理装置、検査システムおよび欠陥レビュー装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補を検出し、前記欠陥候補それぞれの位置する（欠陥候補）座標を取得する外観検査装置と、
前記半導体回路の設計データを記憶する設計データサーバと、
前記（欠陥候補）座標に基づいて前記欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、前記欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して、前記欠陥を特定する欠陥レビュー装置とに接続するデータ管理装置であって、
前記外観検査装置が前記（欠陥候補）座標の取得を実施していることを検知する第１検知部と、
前記第１検知部の検知によって、前記（欠陥候補）座標の前記外観検査装置から記憶部への書き込みをスタートさせる記憶制御部と、
前記設計データの一部から、前記（欠陥候補）座標が含まれるように前記参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する欠陥周辺設計データ取得部とを有し、
前記記憶制御部は、前記欠陥周辺設計データを同一の欠陥候補について対応する前記（欠陥候補）座標と関係付けて記憶部へ記憶することを特徴とする。また、前記データ管理装置を有する検査システムおよび欠陥レビュー装置であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体回路の設計データを用いても、検査時間を短くすることができるデータ管理装置、検査システムおよび欠陥レビュー装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。
【００１１】
図１（ａ）に、本発明の実施形態に係る検査システム１０の構成図を示す。データ管理装置１００と、複数の（自動）欠陥レビュー装置１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃと、設計データサーバ１０２と、複数の（ウェハ全面）外観検査装置１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃとは、ネットワーク１０６を介して接続されている。
【００１２】
複数の外観検査装置１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃのそれぞれは、半導体回路の製造に用いられるウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補を検出し、前記欠陥候補それぞれの位置する欠陥候補座標を取得する。また、外観検査装置１０４ａは、欠陥候補の欠陥候補座標に合わせて、欠陥候補それぞれのサイズを取得する。
【００１３】
設計データサーバ１０２は、半導体回路の設計データを記憶している。
【００１４】
複数の欠陥レビュー装置１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃのそれぞれは、前記欠陥候補座標に基づいて前記欠陥候補を撮像して欠陥候補画像を取得し、前記欠陥候補画像と欠陥の無い参照画像とを比較して欠陥の正確な欠陥座標を特定する。そして、この欠陥座標に基づいてこの欠陥を高倍率で拡大して撮像し欠陥画像を取得する。この高倍率の欠陥画像に対してレビューと呼ばれる観察を行い、欠陥の発生した要因を分析し、要因別に分類することで、欠陥を特定する。
【００１５】
データ管理装置１００は、外観検査装置１０４ａ等を常時サーチ１１７し、外観検査装置１０４ａ等が欠陥候補の欠陥候補座標を含む欠陥候補情報１１８を生成すると、迅速に、その欠陥候補情報１１８を取得する。そして、データ管理装置１００は、半導体回路の設計データの中から欠陥候補座標を中心とする欠陥候補周辺の欠陥周辺設計データ１１６だけを切り出して読み出せるように、読み出し要求情報１２２を設計データサーバ１０２に送信する。
【００１６】
半導体回路の設計データの容量は大きく、設計データサーバ１０２での欠陥周辺設計データ１１６の切り出しには長い時間を要するが、設計データサーバ１０２での欠陥周辺設計データ１１６の切り出しの最中には、欠陥レビュー装置１０８ａでの検査が始まっていないので、欠陥レビュー装置１０８ａにおける検査時間が長くなることは無い。また、切り出された欠陥周辺設計データ１１６は、容量が小さいので、欠陥レビュー装置１０８ａで、欠陥周辺設計データ１１６を用いた検査を行っても、用いない検査の検査時間と比較して検査時間が長くなることは無い。
【００１７】
さらに具体的に説明すると、半導体回路の製造工程では、ウェハが、１０枚程度の単位でロットを構成し、このロット単位にキャリアケースに収納されて製造工程間を移動する。このことは外観検査装置１０４ａと欠陥レビュー装置１０８ａでも同じであり、ロットは、外観検査装置１０４ａに全てのウェハの検査が終了するまで留まることになる。全ウェハの検査終了の後、ロットは、キャリアケースごと外観検査装置１０４ａから搬送機構を経由して欠陥レビュー装置１０８ａへ移動され、欠陥レビュー装置１０８ａに取り込まれることではじめて、ロットの欠陥レビュー装置１０８ａでの検査がスタートすることになる。このため、従来であれば、このロットの移動に伴って、欠陥候補情報１１８もロット単位で、外観検査装置１０４ａから欠陥レビュー装置１０８ａへ移動していた。ロット単位で移動した欠陥候補情報１１８を用いて、欠陥レビュー装置１０８ａが欠陥周辺設計データ１１６の切り出しを行うので、欠陥周辺設計データ１１６を用いた検査の検査時間は長くなってしまう。なお、欠陥候補情報１１８の移動を詳細に検討すると、たとえば外観検査装置１０４ａで、ロット内の１枚目に検査されたウェハの欠陥候補情報１１８は、ロット内の全てのウェハの検査が終了するまで、外観検査装置１０４ａ内に留まっていることになる。
【００１８】
本実施形態では、データ管理装置１００が、外観検査装置１０４ａ等を常時サーチ１１７し、外観検査装置１０４ａ等が欠陥候補の欠陥候補座標を含む欠陥候補情報１１８を生成すると、迅速に、その欠陥候補情報１１８を、ロット単位ではなく、ウェハ単位、さらには、チップ（半導体回路）単位で取得する。このため、外観検査装置１０４ａでのロットの検査終了まで、欠陥候補情報１１８の取得を待つ必要が無い。このため、たとえば外観検査装置１０４ａで、ロット内の１枚目に検査されたウェハの欠陥候補情報１１８は、２枚目以降の外観検査装置１０４ａでの検査中に、データ管理装置１００に取得され、データ管理装置１００では、欠陥周辺設計データ１１６の切り出しを実施することができる。また、たとえば外観検査装置１０４ａでロット内の最後に検査されたウェハの欠陥候補情報１１８を用いた欠陥周辺設計データ１１６の切り出しは、ロットが外観検査装置１０４ａから欠陥レビュー装置１０８ａへ移動する際と、ロット内の最後以外の他のウェハを、欠陥レビュー装置１０８ａで検査している際とに、実施することができる。前記によれば、欠陥周辺設計データ１１６を用いた検査であっても、用いない検査の検査時間に比べて、外観検査装置１０４ａにおける検査時間を長くすること無く、また、欠陥レビュー装置１０８ａの検査時間を長くすることも無い。
【００１９】
読み出した欠陥周辺設計データ１１６は、データ管理装置１００内に記憶される。データ管理装置１００は、欠陥レビュー装置１０８ａからの読み出し要求情報１２８に応じて、欠陥レビュー装置１０８ａへ、欠陥候補座標と欠陥周辺設計データを有する欠陥捕捉情報１２０を送信する。欠陥レビュー装置１０８ａでは、欠陥捕捉情報１２０に基づいて検査が行われ、欠陥が特定される。欠陥レビュー装置１０８ａでは、検査に欠陥周辺設計データを用いているので、半導体回路の特定のパターン、たとえば、折曲点を、欠陥と誤認する失敗を低減できる。
【００２０】
データ管理装置１００は、オペレータによる入出力が容易なようにＧＵＩを備えており、そのＧＵＩを実現するために、ディスプレイ１１０、キーボード１１２とマウス１１４を備えている。
【００２１】
なお、図１（ａ）では、データ管理装置１００は、欠陥レビュー装置１０８ａと分かれて記載されているが、これに限らず、欠陥レビュー装置１０８ａが、データ管理装置１００を含んでいてもよい。
【００２２】
図１（ｂ）に、本発明の実施形態に係るデータ管理装置１００の構成図を示している。データ管理装置１００は、第１検知部１と、記憶制御部２と、欠陥周辺設計データ取得部３と、撮像範囲決定部４と、第２検知部５と、選択部６とを有している。
【００２３】
第１検知部１は、前記外観検査装置１０４ａが前記欠陥候補座標の取得を実施していることを検知する。
【００２４】
記憶制御部２は、第１検知部１の検知によって、欠陥候補座標の外観検査装置１０４ａからの書き込みをスタートさせる。記憶制御部２は、複数の外観検査装置１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃからの複数のウェハ上または露光用マスク上の複数の欠陥候補座標と欠陥周辺設計データを記憶部２ａへ書き込む。また、記憶制御部２は、複数の欠陥レビュー装置１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃに対して、取り込まれた複数のウェハまたは露光用マスク毎の欠陥候補座標や欠陥周辺設計データを記憶部２ａから読み出す。
【００２５】
欠陥周辺設計データ取得部３は、設計データサーバ１０２に記憶された前記設計データの一部から、欠陥候補座標が含まれるように前記参照画像を生成可能な欠陥周辺設計データを取得する。
【００２６】
前記記憶制御部２は、欠陥周辺設計データを同一の欠陥候補について対応する欠陥候補座標と関係付けて記憶部２ａに記憶する。記憶制御部２は、前記欠陥レビュー装置１０８ａへ欠陥周辺設計データと欠陥候補座標を記憶部２ａから読み出すことで、欠陥レビュー装置１０８ａは、欠陥周辺設計データと欠陥候補座標とに基づいて前記参照画像を取得する。
【００２７】
前記外観検査装置１０４ａは、欠陥候補座標に合わせて、欠陥候補それぞれのサイズを取得しており、撮像範囲決定部４は、このサイズに基づいて欠陥候補画像の撮像するウェハ上の範囲を決定する。この欠陥候補画像の撮像する範囲の広さに一致するように、前記参照画像の範囲の広さが決定されることにより、お互いの比較を容易にすることができる。
【００２８】
第２検知部５は、前記欠陥レビュー装置１０８ａがウェハまたは露光用マスクを取り込んだことを検知する。欠陥レビュー装置１０８ａでの検査が可能になるので、記憶制御部２は、第２検知部５の検知によって、欠陥レビュー装置１０８ａへの欠陥周辺設計データと欠陥候補座標の読み出しをスタートさせる。
【００２９】
選択部６は、欠陥周辺設計データに基づいて、欠陥レビュー装置１０８ａにおける欠陥候補画像と参照画像との比較に、ダイツウダイ（ｄｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ）比較とセル（Ｃｅｌｌ）比較のどちらかを選択する。選択部６では、欠陥周辺設計データが、複数の同一の形状を有するか否か、又は、複数の形状が周期性を有するか否かの判定をすることにより前記選択を行う。
【００３０】
図２に、実施形態に係る検査システム１０における処理の流れを説明するフローチャートを示す。
【００３１】
まず、外観検査装置１０４ａで、複数のウェハで構成されたロットの検査をする。第１検知部１では、一定の周期で、外観検査装置１０４ａから、外観検査装置１０４ａのステイタスを取得する。第１検知部１は、ステイタスが検査中であれば、検査中のロットのロットＩＤと検査工程名とロットを構成するウェハの枚数を取得する。第１検知部１は、記憶部２ａに、同一のロットＩＤと、同一の検査工程名とに関係付けられた欠陥捕捉情報１２０が記憶されているか否か判定する。記憶されていれば、ステイタス取得のステップに戻り、記憶されていなければ、第１検知部１は、送信依頼信号を、外観検査装置１０４ａに送信する。
【００３２】
ステップＳ２０２で、外観検査装置１０４ａは、送信依頼信号を受信すると、データ管理装置１００へ、ウェハ毎の欠陥候補情報１１８をロットＩＤと検査工程名とウェハＩＤとに関係付けて送信する。なお、欠陥候補情報は、欠陥候補のウェハ上の座標（欠陥候補座標）と、欠陥候補のＩＤと、欠陥候補のサイズと、欠陥候補が含まれるチップ（半導体回路）のＩＤ（ウェハ上のチップの列番号（ＣＨＩＰ  Ｘ）と行番号（ＣＨＩＰ  Ｙ）とを有している。
【００３３】
ステップＳ２０４で、記憶制御部２は、ウェハ毎の欠陥候補情報１１８を、受信し、ロットＩＤと検査工程名とウェハＩＤとに関係付けて記憶部２ａに記憶する。
【００３４】
また、ステップＳ２０４で、撮像範囲決定部４は、ロットＩＤと検査工程名とに基づいて、設計データサーバ１０２から、ロットＩＤに対応する半導体回路名を抽出し、この半導体回路名と検査工程名とに基づいて設計データを抽出し、この設計データに基づいてラインアンドスペースのデザインルールを抽出する。撮像範囲決定部４は、欠陥候補のサイズと、デザインルールに基づいて、欠陥レビュー装置１０８ａで欠陥候補を撮像する低倍率の倍率、および、撮像する欠陥候補画像の画素数を決定する。なお、この決定には、欠陥候補のサイズとデザインルールが大きくなるほど、倍率が小さくなり、画素数が大きくまるように設定された倍率・画素数データベースを用いてもよい。そして、撮像範囲決定部４は、この倍率と画素数に基づいて、欠陥レビュー装置１０８ａで撮像する欠陥候補画像のウェハ上の範囲の広さを決定する。
【００３５】
ステップＳ２０６で、欠陥周辺設計データ取得部３は、設計データサーバ１０２において、ロットＩＤと、検査工程名とに基づいて、対応する半導体回路の対応するレイヤの設計データを特定する。欠陥周辺設計データ取得部３は、設計データサーバ１０２から、欠陥候補画像を撮像する広さより大きい広さを有し欠陥候補座標を含むように、特定した設計データの一部を切り出して抽出し、欠陥周辺設計データ１１６を生成する。欠陥周辺設計データ取得部３は、ネットワーク１０６を経由して、設計データサーバ１０２から、欠陥周辺設計データ１１６を受信する。記憶制御部２は、欠陥周辺設計データ１１６を、欠陥候補のＩＤと関係付けて記憶部２ａに記憶する。記憶制御部２は、欠陥周辺設計データ１１６と欠陥候補情報１１８とからなる欠陥捕捉情報１２０を記憶部２ａに生成する。欠陥周辺設計データ１１６と欠陥候補情報１１８とからなる欠陥捕捉情報１２０の構成要素それぞれは、欠陥候補のＩＤにより互いに関係付けられている。
【００３６】
ステップＳ２０８で、欠陥周辺設計データ取得部３は、ウェハ内の全ての欠陥候補について欠陥周辺設計データが取得できたか否か判定する。取得できていればステップＳ２１０へ進み（ステップＳ２０８、Ｙｅｓ）、取得できていなければ、ステップＳ２０４に戻る（ステップＳ２０８、Ｎｏ）。
ステップＳ２１０で、第２検知部５では、一定の周期で、欠陥レビュー装置１０８ａから、欠陥レビュー装置１０８ａのステイタスを取得する。第２検知部５は、ステイタスがロットの取り込みを示すものであれば、欠陥レビュー装置１０８ａからそのロットのロットＩＤと検査工程名を取得する。第２検知部５は、記憶部２ａから、同一のロットＩＤと、同一の検査工程名とに関係付けられた欠陥捕捉情報１２０を抽出し、欠陥レビュー装置１０８ａに送信する。欠陥レビュー装置１０８ａは、欠陥捕捉情報１２０を用いてウェハの検査を行う。なお、欠陥レビュー装置１０８ａが、十分な記憶容量を有しているならば、該当するロットが取り込まれるのを待つことなく、欠陥捕捉情報１２０が生成されると、無条件に、データ管理装置１００から欠陥レビュー装置１０８ａへ送信してもよい。
【００３７】
最後に、ステップＳ２１２で、第２検知部５が、欠陥捕捉情報１２０を欠陥レビュー装置１０８ａへ送信したウェハの枚数が、ロットを構成するウェハの枚数に達したか否か判定する。このことにより、データ管理装置１００での１ロットの処理が終了したか否かを判定することができる。ウェハの枚数に達していれば、１ロットの処理を終了する（ステップＳ２１２、Ｙｅｓ）。ウェハの枚数が達していなければ、１ロットの処理は終了せず、ステップＳ２０２に戻り（ステップＳ２１２、Ｎｏ）、ウェハの枚数が達するまでステップＳ２０２からステップＳ２１０を繰り返す。
【００３８】
欠陥レビュー装置１０８ａでは、欠陥捕捉情報１２０に従い欠陥候補を低倍率で撮像して真の欠陥を検出し、欠陥の分類を行う。欠陥捕捉情報１２０をデータ管理装置１００から欠陥レビュー装置１０８ａへ送る単位は必ずしもウェハ単位でなくともよく、欠陥レビュー装置１０８ａでの検査スタート時にウェハ１枚分の欠陥捕捉情報１２０の生成が間に合わないときは欠陥候補毎に送ってもよく、逆に、検査スタート時に１ロット分の欠陥捕捉情報１２０の生成がすんでいるときはロット毎に送ってもよい。
【００３９】
なお、欠陥レビュー装置１０８ａはウェハを撮像した欠陥候補画像をデータ管理装置１００の記憶部２ａへ送る。記憶制御部２は、欠陥捕捉情報１２０と欠陥候補画像とを欠陥候補毎に関連付けて記憶部２ａに記憶する。オペレータは、ＧＵＩを介して、欠陥周辺設計データに基づいて生成した設計パターンと欠陥候補画像を見比べることにより、欠陥レビュー装置１０８ａの欠陥検出が正常に動作していることを確認できる。
【００４０】
図３（ａ）に、データ管理装置１００のＧＵＩ表示画面３００を表した図を示す。ＧＵＩ表示画面３００は、欠陥候補情報３１０において、（図１（ａ）の１１８に相当）を欠陥候補のＩＤ、サイズ（ＳＩＺＥ）、欠陥候補が含まれるチップ（半導体回路）の列番号（ＣＨＩＰ  Ｘ）と行番号（ＣＨＩＰ  Ｙ）などを一覧の形で表示する機能を有する。さらに、欠陥候補情報３１０では、図３（ｅ）に示すように、欠陥候補のウェハ上の座標Ｘ、座標Ｙ（欠陥候補座標）、欠陥候補画像を撮像する倍率、撮像する画像サイズ（画素数）、欠陥候補画像と参照画像との比較に用いる検査方法などを一覧の形で表示する機能を有する。
【００４１】
また、ＧＵＩ表示画面３００によれば、オペレータは、欠陥候補の存在するチップの位置をウェハの形をしたチップロケーション図３０２で確認することが可能である。
【００４２】
データ管理装置１００では欠陥レビュー装置１０８ａの撮像した欠陥候補画像が管理され、オペレータは、欠陥候補情報３１０で対象とする欠陥候補（図３（ａ）におけるＩＤ０００００３）の対応する行を反転させて選択することで、当該欠陥候補の欠陥候補画像３２０と当該欠陥候補に対応する欠陥周辺設計データから生成した設計パターン３２２を見比べることができる。また、ＧＵＩ表示画面３００では、図３（ｂ）に示すように、欠陥候補画像３２０と設計パターン３２２の重ね合わせ図３２４を生成することができる。見比べや、重ね合わせ図３２４の生成により、欠陥レビュー装置１０８ａで欠陥検出が正常に行われていることを確認できる。また、ＧＵＩ表示画面３００では、図３（ｃ）に示すように、欠陥周辺設計データの設計パターン３２２の元となった線分で構成された数値情報のテキスト表示３２６も可能である。
【００４３】
オペレータは、ＧＵＩを使用して欠陥レビュー装置１０８ａの欠陥候補画像を撮像する倍率や、撮像する画像サイズ（画素数）や、欠陥候補画像と参照画像との比較に用いる検査方法などを指定することが可能である。欠陥レビュー装置１０８ａの撮像倍率を指定するには、欠陥候補情報３１０で対象とする欠陥候補の対応する行を反転させて選択した後に、倍率タブ３０４で選択すればよい。欠陥レビュー装置１０８ａが撮像する画像の画素数を指定するには、同様に欠陥候補を選択した後に、画像サイズタブ３０６で選択すればよい。比較に用いる検査方法を指定するには、同様に欠陥候補を選択した後に、検査方法タブ３０８で選択すればよい。
【００４４】
なお、比較に用いる検査方法としては、図３（ｄ）に示すように、セル（Ｃｅｌｌ）比較、ダイツウダイ（ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ）比較、ｃ／ｄ自動切替、設計パターン比較の中から、欠陥候補毎に、選択することができる。なお、セル比較は、欠陥候補画像内にセルと呼ばれる繰り返しパターンがある場合に有効な検査方法である。ダイツウダイ比較は、その繰り返しパターンが欠陥候補画像内に無い場合に有効な検査方法である。ｃ／ｄ自動切替は、詳細は後記するが、欠陥候補毎に、欠陥候補画像を解析して、セル比較かダイツウダイ比較かを決定して、決定した検査方法を実施する検査方法である。設計パターン比較は、参照画像の生成に欠陥周辺設計データを用いる検査方法である。
【００４５】
図４（ａ）に、半導体回路のあるレイヤの設計データから生成した設計パターンを示している。設計データは半導体回路の設計パターンの線分を線分の始点と終点のＸ座標とＹ座標で表したものである。設計パターンは線分の集合で表される。その線分は、線分の始点と終点のＸ座標とＹ座標で定義される。図４（ａ）の左下を設計データ原点（４０１）とする（Ｘ（座標）＝０、Ｙ（座標）＝０）。半導体回路４００のチップサイズの横の長さはＸ方向チップサイズ４０３（Ｘ＝ＸＳＩＺＥ）、縦の長さはY方向チップサイズ４０４（Ｙ＝ＹＳＩＺＥ）とする。欠陥候補の欠陥候補座標４０２を＋印で示す。欠陥周辺設計データ１１６に対応する設計パターン４０７は、欠陥候補座標４０２を中心とする四角形になる。この四角形の広さは、図３（ａ）のＧＵＩ表示画面３００の倍率タブ３０４で設定可能な撮像の倍率と、画像サイズタブ３０６で設定可能な撮像する画像サイズによって決定される。
【００４６】
図４（ｂ）に、欠陥周辺設計データ１１６に対応する設計パターン４０７の一例を示す。設計パターン４０７は、８本の線分４１２、４１３、４１４、４１５、４１６、４１７、４１８、４１９で構成されている。線分４１２は、始点Ｐ１のＸ座標、Ｙ座標と、終点Ｐ２のＸ座標、Ｙ座標とで定義される。線分４１２に続く線分４１３は、始点Ｐ２のＸ座標、Ｙ座標と、終点Ｐ３のＸ座標、Ｙ座標とで定義される。線分４１２と線分４１３が連続して線分であることは、線分４１２の終点と線分４１３の始点が同じＰ２であり、Ｘ座標、Ｙ座標とが一致することで判断できる。同様に点Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、原点４１１を経由して点Ｐ１に戻る。こうしてできた閉曲線の内側をたとえばラインと定義し、外側をスペースと定義する。
【００４７】
データ管理装置１００は、Ｘ座標、Ｙ座標の値が図４（ａ）では設計データの原点４０１からの距離であるので、欠陥レビュー装置１０８ａが設計データと同様に欠陥周辺設計データ１１６を扱えるように、図４（ｂ）に示すように欠陥周辺設計データ１１６の設計パターン内に原点４１１を設け、欠陥周辺設計データ１１６は、この原点４１１からの座標系に置き換えられている。この置き換えの処理は、データ管理装置１００が行っている。
【００４８】
図５に、比較例として、欠陥レビュー装置１０８ａにおいて設計データを用いずに実施される欠陥検出方法を説明するフローチャートを示す。なお、この欠陥検出方法は、前記特許文献２に記載されている。そして、まず、外観検査装置１０４ａで検出された欠陥候補情報１１８から欠陥候補の欠陥候補座標を読み出して、その欠陥候補座標までステージを移動する（ステップＳ５００）。
【００４９】
ステージが移動した後、半導体ウェハを撮像するが、欠陥候補が欠陥候補画像内に存在させるために、視野を大きくして、見たい欠陥候補が確実に視野に入るように低倍率で撮像する（ステップＳ５０２）。この低倍率で撮像した欠陥候補画像を低倍欠陥画像と呼ぶ。
【００５０】
欠陥の無い部分を撮像して得られる参照画像に相当する画像を、低倍欠陥画像から欠陥候補と思われる部分を除去することにより作成する。この参照画像を合成参照画像と呼ぶ（ステップＳ５０４）。
【００５１】
次に、低倍欠陥画像と合成参照画像の差分を求める欠陥候補抽出を行う（ステップＳ５０６）。
【００５２】
差分として求めた欠陥が、真の欠陥であるのかを判断する欠陥判定を行う（ステップＳ５０８）。
【００５３】
真の欠陥と判定した場合（ステップＳ５０８、欠陥検出可）は、ステップＳ５０８で得られた真の欠陥の欠陥座標に焦点を合わせ直してから倍率を高倍率に切り替えて撮像を行う（ステップＳ５１８）。この高倍率で撮像した欠陥の欠陥画像を高倍欠陥画像と呼ぶ。
【００５４】
真の欠陥と判定できなかった場合（ステップＳ５０８、欠陥検出不可）は、隣接するチップへステージを移動する（ステップＳ５１０）。
【００５５】
隣接するチップにおいて、低倍率で撮像を行い撮像された画像を参照画像とする（ステップＳ５１２）。
【００５６】
低倍欠陥画像とこの参照画像を比較検査することで真の欠陥の欠陥座標を特定する（ステップＳ５１４）。
【００５７】
元のチップのステップＳ５１４で求めた真の欠陥の欠陥座標までステージを移動する（ステップＳ５１６）。
【００５８】
真の欠陥の欠陥座標に焦点を合わせてから倍率を高倍率に切り替えて高倍欠陥画像を撮像する（ステップＳ５１８）。
【００５９】
比較例の欠陥検出方法の場合、ステップＳ５０８の欠陥判定で欠陥検出不可であると、ステージ移動がステップＳ５１０とＳ５１６において実行される。ステージ移動には時間がかかるので、欠陥検出方法自体が長時間化する場合が考えられた。
【００６０】
図６に、実施形態に係る検査システム１０が有する欠陥レビュー装置１０８ａにおける欠陥検出方法を説明するフローチャートを示す。
【００６１】
まず、外観検査装置１０４ａで検出された欠陥候補情報１１８から欠陥候補の欠陥候補座標を読み出して、その欠陥候補座標までステージを移動する（ステップＳ６００）。
【００６２】
ステージが移動した後、半導体ウェハを低倍率で撮像し、たとえば、図７（ａ）に示すような低倍欠陥画像（欠陥候補画像）７０１を取得する（ステップＳ６０２）。低倍欠陥画像７０１は、繰り返しパターン内のパターンに折曲点７００を有しているとする。
【００６３】
欠陥の無い部分を撮像して得られる参照画像に相当する画像を、低倍欠陥画像から欠陥と思われる部分を除去することにより作成する。図７（ｂ）に示すような合成参照画像７０２が作成される（ステップＳ６０４）。
【００６４】
図７（ｃ）に示すような低倍欠陥画像と合成参照画像の差分を求める欠陥候補抽出を行う（ステップＳ６０６）。欠陥候補７０５だけでなく、折曲点７０４も抽出される。折曲点７０４は正常なパターンであり欠陥（候補）では無い。なお、ステップＳ６００からステップＳ６０６までは、比較例のステップＳ５００からステップＳ５０６までと同様である。
【００６５】
欠陥判定（ステップＳ６１２）の前に、データ管理装置１００から送られた欠陥周辺設計データ１１６から生成した設計パターン６０８（図４（ａ）の４０７に相当）を使用して欠陥（候補）と判断してはいけない領域を欠陥判定から除外する正常部除外処理を行う（ステップＳ６１０）。図７（ｄ）に設計パターン７０３（図６の６０８に相当）を示す。  設計パターン７０３中の○印は、パターンを表す線分の始点と終点を表している。点７１１乃至７１４を始点と終点とする線分により、折曲点７０４に相当するパターンが形成されている。
【００６６】
この正常部除外処理には、低倍欠陥画像と欠陥周辺設計データ１１６から生成した設計パターン４０７とのＡＮＤ論理を用いることができる。図７においては、図７（ａ）の低倍欠陥画像７０１と、図７（ｄ）の設計パターン７０３とのＡＮＤ論理が実行され、一致度を満足するパターンは除去される。この結果、図７（ｅ）に示すように、折曲点７０４は除去され、欠陥候補７０５のみが残る。なお、折曲点７０４は、正常部除外（ステップＳ６１０）により、欠陥（候補）と判定しない領域になったと考えられる。
【００６７】
正常部除外処理で除外されなかった欠陥候補が、真の欠陥であるのかを判断する欠陥判定を行う（ステップＳ６１２）。折曲点７０４が除去されたことにより、ステップＳ６１２おいて欠陥検出不可となることを低減するために、欠陥レビュー装置が正常なパターンを欠陥と誤認して、高倍欠陥画像に正常なパターンを撮像し、欠陥が撮像されていないという失敗を低減することが可能となる。
【００６８】
真の欠陥と判定した場合（ステップＳ６１２、欠陥検出可）は、ステップＳ６１８で得られた真の欠陥の欠陥座標に焦点を合わせ直してから倍率を高倍率に切り替えて撮像を行う（ステップＳ６１８）。この高倍率で撮像した欠陥の欠陥画像を高倍欠陥画像と呼ぶ。
【００６９】
真の欠陥と判定できなかった場合（ステップＳ６１２、欠陥検出不可）は、欠陥周辺設計データ１１６から生成した設計パターン６０８から擬似的に参照画像を作成する擬似参照画像作成を行う（ステップＳ６１４）。
【００７０】
擬似参照画像と低倍欠陥画像を比較検査する（ステップＳ６１６）。
【００７１】
比較検査で検出した真の欠陥の欠陥座標に焦点を合わせ直して高倍欠陥画像を撮像する（ステップＳ６１８）。
【００７２】
実施形態の欠陥検出方法では、ステージ移動を多用することが無いので、欠陥検出方法が長時間化することはない。また、実施形態の欠陥検出方法では、欠陥周辺設計データ１１６から生成した設計パターン６０８を用いているので、容易に欠陥（候補）を検出でき、欠陥（候補）の座標を特定することができる。そして、欠陥周辺設計データ１１６は、データ管理装置１００にすでに生成されてあるので、半導体回路の設計データから欠陥周辺設計データ１１６を抽出する手間を省くことができる。
【００７３】
なお、図８（ａ）に示すように、欠陥検出不可となる大きな欠陥８０１の画像が撮像された場合には、パターンを読み取ることが困難になるので、図６のＳ６１２の判定結果は欠陥検出不可になる。このような場合であっても、図６の実施形態の欠陥検出方法が有効であることを説明する。図８（ｂ）は設計パターン６０８に基づいて生成される擬似参照画像８０２である。擬似参照画像８０２は、図８（ａ）の低倍欠陥画像（欠陥候補画像）８００とのパターンマッチングが行えればよく、基本的には、設計パターン６０８そのものでよい。欠陥レビュー装置１０８ａは欠陥を高倍率で撮像できればよいのであるから、低倍欠陥画像８００と擬似参照画像８０２と比較して（ステップＳ６１６）、図８（ｃ）に示すように、パターンマッチングを適用できないパターンの隠れた範囲８０４を認識して、範囲８０４の重心８０６を、真の欠陥の欠陥座標として高倍欠陥画像撮像（ステップＳ６１８）すればよい。
【００７４】
図６の実施形態の欠陥検出方法によれば、半導体回路がＣＰＵのようなロジック回路であり、繰り返しの少ないパターンの低倍欠陥画像により、ステップＳ６１２の欠陥判定で欠陥検出不可となる場合においても、図５に比較例のようにステージ移動をすることなく、擬似参照画像を作成し（ステップＳ６１４）て、低倍欠陥画像と比較検査（ステップＳ６１６）するので、短時間に検査を実行することができる。
【００７５】
次に、図３（ｄ）で説明したｃ／ｄ自動切替について詳細に説明する。一般的に欠陥レビュー装置１０８ａの欠陥を検出する検査方式としては、ダイツウダイ（Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ）比較とセル（Ｃｅｌｌ）比較の二つの検査方式がある。
【００７６】
Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較は、欠陥の含まれた低倍欠陥画像と隣接するチップの欠陥を含まない参照画像の２つの画像を撮像したのちに、低倍欠陥画像と参照画像との差分を算出して得られる差分画像から欠陥（候補）の正確な座標を特定する方法である。
【００７７】
Ｃｅｌｌ比較は、半導体メモリのように同じパターンの繰り返しで構成される場合において、検査時間を短縮する目的で参照画像を低倍欠陥画像の撮像毎には撮像せずに、１回撮像した参照画像を同一のパターンを検査する間は、何回も繰り返して使用しながら低倍欠陥画像との差分を算出して得られる差分画像から欠陥（候補）の正確な座標を特定する方法である。
【００７８】
欠陥レビュー装置１０８ａにＤｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較とＣｅｌｌ比較のどちらの検査方式で欠陥検出を行うべきかを選択し指示するのは、一般的にオペレータである。オペレータは、検査対象の半導体ウェハに形成されているパターンを確認したり、予め半導体ウェハのロットのＩＤや製造工程を示した情報を確認または読み取り装置によって読み取って機械的に２つの検査方式のいずれか一方を選択するのが一般的である。
【００７９】
１枚の半導体ウェハの検査は、欠陥がどのようなパターン上に存在するかに関係無く、オペレータに指定されたＤｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較またはＣｅｌｌ比較のいずれか一方で処理される。このため、Ｃｅｌｌ比較で短時間に処理できる欠陥のみであっても、オペレータがＤｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較を選択する場合や、逆にＣｅｌｌ比較では正しく欠陥を検出できないパターンに対してＣｅｌｌ比較を選択する場合が有る。
【００８０】
実施形態では、データ管理装置１００の選択部６（図１（ｂ）参照）において、欠陥レビュー装置１０８ａの欠陥を検出する検査方式をＤｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較とＣｅｌｌ比較のどちらにするのかを、欠陥周辺設計データに基づいて選択して自動的に切り替えるものである。
【００８１】
実施形態では、欠陥周辺設計データから設計パターンに、パターンの繰り返しが有るか無いかの両方を判断するのでは無く、基本的に繰り返しであることを検出してゆく結果として、繰り返しが検出できない場合に繰り返しが無いと判断している。繰り返しを判断する要素としては、２つの要素があり、１つの要素はパターンの形状が同じであること。もう１つの要素はその同じ形状のパターンが一定の繰り返し（周期性）を持って出現することである。
【００８２】
図９（ａ）に示すような、半導体回路の設計パターン（設計データ）９００において、原点９０６に対して欠陥候補座標９０２が取得され、欠陥候補座標９０２を中心として含む設計パターン９０４に対応する欠陥周辺設計データを切り出す（図１０のステップＳ１０００）。
【００８３】
図９（ｂ）と図９（ｃ）は、設計データ中の一部のパターンを示したもので、設計データから同一形状を抽出する方法を示している。設計データは線分で表現されており、線分の始点と終点の座標が半導体デバイス９００上の原点９０６に対する相対座標として表現できる。
【００８４】
図９（ｂ）は、線分で表される形状が四角形の例であり、パターン形状９１１とパターン形状９１２は同じ形状の場合である。互いに対応する線分が存在し、構成する線分が同じ辺において方向と長さが同じであることを確認することになる（ステップＳ１００２）。そして、同一形状であると判断されることになる（ステップＳ１００４、Ｙｅｓ）。  
【００８５】
図９（ｃ）は、パターン形状の異なる四角形の例であり、パターン形状９１１とパターン形状９１３は同じ四角形であり、対応する線分は存在するが、各辺を構成する線分の方向と長さが違うことが確認され（ステップＳ１００２）、違う形状と判断される（ステップＳ１００４、Ｎｏ）。
【００８６】
設計パターン９０４内の全ての形状について、互いの形状が同一形状か否か判断する。
【００８７】
図９（ｄ）は、設計パターン９０４を模式図にしたもので、設計データから繰り返しを判断する判断方法を示している。繰り返しの判断方法を、四角形パターンが連続している場合を例に説明する。
【００８８】
まず、線分９２１と線分９２２の距離９３１と、線分９２２と線分９２３の距離９３２とが等しいかを確認することにより、縦方向の繰り返しを確認する（ステップＳ１００６）。
【００８９】
繰り返しが存在するなら（ステップＳ１００８、Ｙｅｓ）、ステップＳ１０１４に進み、Ｃｅｌｌ比較を、欠陥候補座標９０２に位置する欠陥候補の検査方式として、図３（ｅ）の欠陥候補情報３１０に設定する。繰り返しが無いなら（ステップＳ１００８、Ｎｏ）、ステップＳ１０１０に進む。
【００９０】
次に、線分９２４と線分９２５の距離９３３と、線分９２５と線分９２６の距離９３４とが等しいかを確認することにより、横方向の繰り返しを確認する（ステップＳ１０１０）。
【００９１】
繰り返しが存在するなら（ステップＳ１０１２、Ｙｅｓ）、ステップＳ１０１４に進み、Ｃｅｌｌ比較を、欠陥候補座標９０２に位置する欠陥候補の検査方式として、欠陥候補情報３１０に設定する。繰り返しが無いなら（ステップＳ１０１２、Ｎｏ）、ステップＳ１０１６に進む。ステップＳ１０１６では、繰り返しは存在しない立場で、Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較を、欠陥候補座標９０２に位置する欠陥候補の検査方式として、欠陥候補情報３１０に設定する。
【００９２】
実施形態では、欠陥検出の最も効率的な検査方式を自動的に設定するためオペレータの作業負担を軽減し作業時間も短縮でき、効率的な検査方式が欠陥候補毎に設定できることで精度の高い欠陥検査が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る検査システムの構成図であり、（ｂ）は、本発明の実施形態に係るデータ管理装置の構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る検査システムにおける処理の流れを説明するフローチャートである。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態に係るデータ管理装置のＧＵＩ表示画面を表した図であり、（ｂ）は、欠陥候補画像と擬似参照画像とを重ね合わせた重ね合わせ図であり、（ｃ）は、欠陥周辺設計データを表示した図であり、（ｄ）は、検査方法タグに収められた検査方法の一覧表であり、（ｅ）は、欠陥候補情報が有するデータの項目の一覧表である。
【図４】（ａ）は、半導体回路の設計パターン図であり、（ｂ）は、欠陥周辺設計データを示す図である。
【図５】比較例である欠陥レビュー装置において実施される欠陥検出方法を説明するフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態に係る検査システムが有する欠陥レビュー装置における欠陥検出方法を説明するフローチャートである。
【図７】（ａ）は、欠陥候補画像であり、（ｂ）は、合成参照画像であり、（ｃ）は、欠陥候補画像と合成参照画像との差分を表す画像であり、（ｄ）は、設計パターンであり、（ｅ）は、欠陥候補画像と設計パターンとの差分を表す画像である。
【図８】（ａ）は、欠陥候補画像であり、（ｂ）は、擬似参照画像であり、（ｃ）は、欠陥候補画像と擬似参照画像との差分を表す画像である。
【図９】（ａ）は、半導体回路の設計パターン図であり、（ｂ）は、欠陥周辺設計データに含まれる同一形状の設計パターンを示す図であり、（ｃ）は、欠陥周辺設計データに含まれる異なる形状の設計パターンを示す図であり、（ｄ）は、欠陥周辺設計データに含まれ周期的に配置された同一形状の設計パターンを示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るデータ管理装置が、欠陥レビュー装置の検査方式を、Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較とＣｅｌｌ比較とのどちらにするか選択をする方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００９４】
１      第１検知部
２      記憶制御部
２ａ    記憶部
３      欠陥周辺設計データ取得部
４      撮像範囲決定部
５      第２検知部
６      選択部
１０    検査システム
１００  データ管理装置
１０２  設計データサーバ
１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ  （ウェハ全面）外観検査装置
１０６  ネットワーク
１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ  （自動）欠陥レビュー装置
１１６  欠陥周辺設計データ（設計パターン）
１１８  欠陥候補情報
１２０  欠陥捕捉情報
１２２  要求情報
１２８  欠陥候補の画像
３００  ＧＵＩ表示画面
３０２  チップロケーション図
３０４  倍率タブ
３０６  画像サイズタブ
３０８  検査方法タブ
３２０  欠陥候補画像
３２２  擬似参照画像
３２４  重ね合わせ図  
３２６  欠陥周辺設計データ
【図１】
2009071136.tif 000003
【図２】
2009071136.tif 000004
【図３】
2009071136.tif 000005
【図４】
2009071136.tif 000006
【図５】
2009071136.tif 000007
【図６】
2009071136.tif 000008
【図７】
2009071136.tif 000009
【図８】
2009071136.tif 000010
【図９】
2009071136.tif 000011
【図１０】
2009071136.tif 000012