(57)【要約】【課題】  ＣＭＯＳセンサで高輝度被写体時に発生する横帯を抑制する。【解決手段】  ＣＭＯＳセンサ撮像素子及びＨＤ単位でクランプ時定数を可変可能な黒補正回路を有した撮像装置において、高輝度被写体検出時にクランプ時定数を小さくする制御を行うことを特徴とした撮像装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＯＳセンサ撮像素子及びＨＤ単位でクランプ時定数を可変可能な黒補正回路を有した撮像装置において、高輝度被写体検出時にクランプ時定数を小さくする制御を行うことを特徴とした撮像装置。
【請求項２】
上記撮像装置は、ＡＧＣゲインに応じてクランプ時定数制御を行うか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記撮像装置は、ＯＢ領域の変動を検出して、クランプ時定数を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置の黒レベル補正回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤの代わりにＣＭＯＳセンサを用いた撮像装置の実用化が進んでいる。ＣＭＯＳセンサは構造上ＣＣＤで問題となる高輝度被写体時の垂直方向のスミアは発生しないが、替わりに同一ラインの横方向に帯状のレベル変動をおこすことが問題となる。これを本明細書ではこの現象を横スミアと呼ぶ。
【０００３】
本発明はこの横スミアを黒補正回路のＯＢクランプ時定数を変化させ緩和させるものであるが、ＯＢクランプ時定数の制御の従来技術は、ＡＧＣの変化に応じてクランプ時定数を変化させるものがある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２０５６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術ではＯＢクランプ時定数の制御はＶＤ（垂直同期信号）単位であり、本発明で解決しようとする横スミアのようなＨＤ（水平同期信号）単位の変動には効果を発揮しない。
【０００５】
本発明ではＯＢクランプの時定数制御をＨＤ単位で行うことで、横スミア変動を抑圧可能とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の撮像装置は、ＣＭＯＳセンサ撮像素子及びＨＤ単位でクランプ時定数を可変可能な黒補正回路を有した撮像装置において、高輝度被写体検出時にクランプ時定数を小さくする制御を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように、本発明によれば、ＣＭＯＳ撮像素子を用いた撮像装置において、高輝度被写体撮影時の横帯（横スミア）を、被写体レベルに応じてＯＢクランプ時定数を制御することで抑制する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施例１）
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態の具体例を示す。
【０００９】
本発明は例えば、図１に示すような撮像装置に適用される。本実施の形態の撮像装置はＣＭＯＳセンサ１０１ａから得られた画像をＡＦＥ１１０ａに入力し、ＡＧＣ１０２ａ後に水平ＯＢを用いて黒レベル補正１０４ａを行う。その後ＡＤＣ１０３ａでデジタル変換された信号は、信号処理回路１０６ａを通してビデオ信号として出力される。
【００１０】
次にＣＭＯＳセンサの横スミア現象について図２を用いて述べる。
【００１１】
高輝度被写体２０４が写った場合、ＣＭＯＳセンサは同一ラインのＧＮＤレベル変動等により、横方向に帯２０３（横スミア）を引く。
【００１２】
この横スミア現象は水平ＯＢ部も同様に変動（２０１）するため、高輝度検出回路１０７ａで高輝度部を検出したラインについてクランプ時定数を小さくすることで、横スミア変動を抑圧できる。
【００１３】
高輝度検出時（２０６）はクランプ時定数を小さくすることにより、ＯＢ変動をすばやく吸収できるが、画面に横引きノイズが発生するため、高輝度部検出以外（２０５，２０７）は、充分に大きな時定数を用いることで、画面全体の品位を損なうことはない。
【００１４】
また横スミアは図３に示すように高輝度被写体のレベル及び横幅に依存するため、高輝度検出には高輝度被写体のレベル及び横幅を検出方法が効果的である。
【００１５】
図４は高輝度部検出回路の例である。１画素遅延素子４０１及びそれらの和を閾値検波４０４することで、高輝度被写体の幅及びレベルの検波に用いることが可能である。
【００１６】
また横スミアはＡＧＣゲインが高い（低照度）ほど影響が大きいため、ＡＧＣゲインが低い充分照度の撮影時はクランプ時定数制御を行わないものとする。
【００１７】
図５に制御のフローチャートを示す。
Ｓ１０１ａ：本制御は１Ｈ毎に制御を行う。
Ｓ１０２ａ：ＡＧＣゲインが所定の値より高いときにのみ、クランプ時定数制御を行う。ＡＧＣゲインが所定の値より低い場合は通常のクランプ時定数制御とする。
Ｓ１０３ａ：高輝度被写体のレベル及び横幅を検出する。閾値を超えていればクランプ時定数小を設定。閾値を超えていなければ、通常のクランプ時定数設定とする。
Ｓ１０４ａ：通常のクランプ時定数を設定する。
【００１８】
（実施例２）
実施例１では高輝度部検出をトリガーとしてクランプ時定数制御を実施したが、実施例２では、ＯＢ部の変動をクランプ時定数制御のトリガーとする。
【００１９】
本発明は例えば、図６に示すような撮像装置に適用される。
ＣＭＯＳセンサ１０１ａから得られた画像をＡＦＥに入力し、ＡＧＣ１１０ｂ後に水平ＯＢを用いて黒レベル補正１０４ｂを行う。その後ＡＤＣ１０３ｂでデジタル変換された信号は、信号処理回路１０６ｂを通してビデオ信号として出力される。
【００２０】
ＯＢ変動検出回路１０７ｂは、図２に示すＯＢ変動２０１を検出し、変動があった時、横スミアが発生したものとし、クランプ時定数小を設定する。実施例１同様に、横スミアはＡＧＣゲインが高い（低照度）ほど影響が大きいため、ＡＧＣゲインが低い充分照度の撮影時はクランプ時定数制御を行わないものとする。
【００２１】
本実施例では、ＣＭＯＳセンサ撮像素子及びＨＤ単位でクランプ時定数を可変可能な黒補正回路を有した撮像装置において、高輝度被写体検出時にクランプ時定数を小さくする制御を行うことを特徴とした撮像装置を特徴とする。また、上記撮像装置は、ＡＧＣゲインに応じてクランプ時定数制御を行うか否かを判断することを特徴とする。また、上記撮像装置は、ＯＢ領域の変動を検出して、クランプ時定数を制御することを特徴とする。
【００２２】
以上説明したように、本実施例によれば、ＣＭＯＳ撮像素子を用いた撮像装置において、高輝度被写体撮影時の横帯（横スミア）を、被写体レベルに応じてＯＢクランプ時定数を制御することで抑制する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態において、本発明を適用した撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図２】横スミア及びクランプ時定数制御を示した概念図である。
【図３】高輝度被写体の横幅と横スミアレベルの関係を示した図である。
【図４】高輝度検出部の回路例である。
【図５】第１の実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】第２の実施の形態において、本発明を適用した撮像装置の構成を示すブロック図である。
【図７】第２の実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００２４】
２０１  ＯＢ部変動
２０２  ＯＢ領域
２０３  横スミア
２０４  高輝度被写体
４０１  １画素遅延素子
４０２  高輝度被写体の横幅指定
４０３  足し算回路
４０４  閾値検波回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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