(57)【要約】【課題】ンプリントモールドによる繰り返しインプリント法を行っても、インプリントモールドと樹脂パターンの剥離性が低下することのないインプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法並びに光インプリント法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のインプリントモールド１００は、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０と第二モールドパターン５０が形成され、基板の他方の面に前記第一モールドパターン４０と相対するように第一位相差補正用パターン４５が、前記第二モールドパターン５０と相対するように第二位相差補正用パターン５５がそれぞれ形成されている。【選択図】図１
2009071229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細な凹凸パターンを転写するための光インプリント法に用いるインプリントモールドにおいて、
凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分が、光インプリント法に用いるコヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しいように基板に凹凸パターンが形成されており、基板（１１）の一方の面に第一モールドパターン（４０）と第二モールドパターン（５０）が形成され、基板（１１）の他方の面に前記第一モールドパターン（４０）と相対するように第一位相差補正用パターン（４５）が、前記第二モールドパターン（５０）と相対するように第二位相差補正用パターン（５５）がそれぞれ形成されていることを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
前記第一モールドパターン（４０）と第一位相差補正用パターン（４５）との間の光路長及び前記第二モールドパターン（５０）と第二位相差補用パターン（５５）との間の光路長は、露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しくなっていることを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールド。
【請求項３】
インプリントモールドの製造方法において、
基板（１１）の両面に犠牲膜（２１）を形成する工程と
基板（１１）の一方の面に第一モールドパターン（４０）と第二モールドパターン（５０）とを形成する工程と、
前記第一モールドパターン（４０）と第二モールドパターン（５０）とに保護材を充填し、保護層（３５）を形成する工程と、
基板（１１）の他方の面に第一位相差補正用パターン（４５）と第二位相差補正用パターン（５５）とを形成する工程と、
前記保護層（３５）を剥離する工程と、を具備していることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項４】
露光光によりインプリントモールドを介して樹脂を硬化させ、転写パターンを形成する光インプリント法において、
転写基板（１１１）に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化性樹脂膜（１２１）を形成する工程と、
請求項1または２に記載のインプリントモールド（１００）と光硬化性樹脂膜（１２１）が形成された転写基板（１１１）とを接合し、前記インプリントモールド（１００）側から光硬化性樹脂膜（１２１）に露光光を照射する工程と、
前記インプリントモールド（１００）を転写基板（１１１）から剥離する工程と、
露光光を照射した光硬化性樹脂膜（１２１）に硬化のための光照射を行う工程と、
残膜部（１４１）を除去する工程と、を備えていることを特徴とする光インプリント法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及び該インプリントモールドを用いた光インプリント法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイス、ディスプレイ、記録メディア、バイオチップ、光デバイスなどの製造工程における微細パターンの形成工程について、インプリント法を用いることが提案されている（例えば、非特許文献１及び非特許文献２参照）。
インプリント法において、ナノメーターレベルのものを特にナノインプリント法と呼ぶが、以降、単にインプリント法と称するときはナノインプリント法も含むものとする。
【０００３】
インプリント法は、最終的に転写すべきパターンのネガ、ポジ反転像に対応するパターンが形成されたインプリントモールド（テンプレートという場合もある）と呼ばれる金型を、樹脂に型押しし、その状態で樹脂を硬化させることにより、パターン転写を行うものである。このとき、露光光を照射することにより光硬化性樹脂を硬化させる光インプリント法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
インプリント法において、インプリントモールドと基板上に生成した樹脂パターンとの剥離性は極めて重要である。図１１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。一般的に、樹脂の硬化は樹脂収縮を引き起こし、インプリントモールドと樹脂パターンとの間に応力が発生し、さまざまなパターン剥離現象が発生する。
まず、インプリントモールド２０１を転写基板２１１上に形成されたフォトレジスト等からなる樹脂皮膜に型押しし、ＵＶ照射等を行って樹脂を硬化させ、樹脂パターン２２１を形成する（図１１（ａ）参照）。
次に、インプリントモールド２０１と樹脂パターン２２１とを引き離す工程において、インプリントモールド２０１側に樹脂パターンの一部２２１ａが移動する現象（図１１（ｂ）参照）や、樹脂パターン一部２２１ａがインプリントモールド２０１側に残留する現象（図１１（ｃ）参照）などが発生し、転写基板２１１上の樹脂パターン２２１に欠陥が発生することが知られている。
【０００５】
また、インプリントモールド２０１と樹脂パターン２２１とを引き離す工程において、図１１（ｄ）に示す樹脂パターン２２１ｂ及び樹脂パターン２２１ｃのような欠陥は、剥離時に応力が集中する樹脂パターン２２１の凸パターン部と凹パターン部の境界であるコーナー部で頻度よく発生することが報告されている（例えば、非特許文献３参照）。
【０００６】
また、インプリントモールド２０１の樹脂パターン２１１に対する剥離性を向上させる方法として、表面エネルギーの小さいフッ素ポリマーを剥離剤としてインプリントモールド２０１表面に塗布する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
一方、フォトリソグラフィの分野において、コヒーレントな露光光と、光路差が制御されたフォトマスクを用いることで露光強度を制御する露光方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２８３３５４号公報
【特許文献３】特開平４−３５９２５４号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６７，ｐ３３１４（１９９５）
【非特許文献２】ナノインプリント技術徹底回折  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００４年１１月２２日発行、ｐ２０−３８
【非特許文献３】Ｙ．Ｈｉｒａｉ，  ｅｔ  ａｌ．  Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．  Ｂ２１（６），  ２００３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、インプリントモールド表面に剥離剤を塗布したとしても、繰り返しインプリント法を行うと、剥離剤がインプリントモールド表面から徐々に剥がれ、インプリントモールドと樹脂パターンとの剥離性が低下してしまうという問題を有している。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、インプリントモールドによる繰り返しインプリント法を行っても、インプリントモールドと樹脂パターンの剥離性が低下することのないインプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法並びに光インプリント法を提供することを目的とする。特に、モールドパターンが２段階以上となる構造、例えば半導体デバイスでの配線構造の一種であるダマシン構造に類するパターンを形成するようなインプリントモールドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、微細な凹凸パターンを転写するための光インプリント法に用いるインプリントモールドにおいて、
凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分が、光インプリント法に用いるコヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しいように基板に凹凸パターンが形成されており、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０と第二モールドパターン５０が形成され、基板の他方の面に前記第一モールドパターン４０と相対するように第一位相差補正用パターン４５が、前記第二モールドパターン５０と相対するように第二位相差補正用パターン５５がそれぞれ形成されていることを特徴とするインプリントモールドとしたものである。
【００１１】
また、請求項２においては、前記第一モールドパターン４０と第一位相差補正用パターン４５との間の光路長及び前記第二モールドパターン５０と第二位相差補正用パターン５５との間の光路長は、露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しくなっていることを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールドとしたものである。
【００１２】
また、請求項３においては、インプリントモールドの製造方法において、
基板１１の両面に犠牲膜２１を形成する工程と
基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０と第二モールドパターン５０とを形成する工程と、
前記第一モールドパターン４０と第二モールドパターン５０とに保護層を充填する工程と、
基板１１の他方の面に第一位相差補正用パターン４５と第二位相差補正用パターン５５とを形成する工程と、
前記保護層３５を剥離する工程と、を具備していることを特徴とするインプリントモールドの製造方法としたものである。
【００１３】
さらにまた、請求項４においては、露光光によりインプリントモールドを介して樹脂を硬化させ、転写パターンを形成する光インプリント法において、
転写基板１１１に光硬化性樹脂を塗布し、光硬化性樹脂膜１２）を形成する工程と、
請求項1または2に記載のインプリントモールド１００と光硬化性樹脂膜１２１が形成された転写基板１１１とを接合し、前記インプリントモールド１００側から光硬化性樹脂膜１２１に露光光を照射する工程と、
前記インプリントモールド１００を転写基板１１１から剥離する工程と、
露光光を照射した光硬化性樹脂膜１２１に硬化のための光照射を行う工程と、
残膜部１４１を除去する工程と、を備えていることを特徴とする光インプリント法としたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のインプリントモールドを用いて光インプリントすることにより、凸モールドパターン部と凹モールドパターン部の境界において、露光光は１８０°位相が反転し、凸モールドパターン部と凹モールドパターン部の境界であるコーナー部において露光光の強度を低下させることが出来る。この結果、パターンコーナー部の光硬化性樹脂の硬化度合いを低くすることができ、樹脂収縮による応力の発生を低下させることが出来る。よって、インプリントモールドと樹脂パターンを剥離する工程において、樹脂パターンに欠陥が発生することを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、本発明のインプリントモールドの一実施例を示す模式構成断面図である。
本発明のインプリントモールド１００は、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０と第二モールドパターン５０が形成され、基板１１の他方の面に前記第一モールドパターン４０と相対するように第一位相差補正用パターン４５が、前記第二モールドパターン５０と相対するように第二位相差補正用パターン５５がそれぞれ形成されたものである。さらに、第一モールドパターン４０と第一位相差補正用パターン４５及び第二モールドパターン５０と第二位相差補正用パターン５５とは、露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しくなっていることを特徴とする。
【００１６】
図２は、本発明のインプリントモールドを用いた光インプリントの原理を説明するものであり、インプリントモールドにコヒーレントな露光光を照射した説明図である。
図２（ａ）でインプリントモールドに対して入射したコヒーレント光２００の波面Ａは４１０、４２０部で示したインプリントモールドの凹凸部間で距離Ａ、距離Ｂをそれぞれ通過する。この凸パターン部の断面寸法（距離Ａ）と凹パターン部の断面寸法（距離Ｂ）の差分距離Ｃをコヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長にすれば、波面Ｂは隣り合った４１０、４２０で相対して位相反転した光として射出される。
【００１７】
図２（ｂ）、（ｃ）を用いて光強度に関して説明する。４１０、４２０を透過した光において、光強度は同一である（ここでは説明の便宜上モールド１００自体の透過率減衰は無視する）。位相が反転していることから、波面Ｂにおける４１０と４２０の光振幅（強度）を便宜上分離して相対的に縦軸を図面上下に対向させて示す。このとき、角部Ｃ、Ｄによる回折影響により、すそ引き状の回折光４３０を生じる。回折光４３０において光強度は同一であり、図２（ｃ）に示す合成光強度４４０では反転した位相によって打ち消しあうため、角部Ｃでの光エネルギー強度はゼロに近くなる。この光エネルギーゼロの部分は、位相反転が発現する波面Ｂ位置で選択的に起こる。このため、剥離時に応力が集中する樹脂パターンの凸パターン部と凹パターン部の境界であるコーナー部（角部Ｃ）のみ選択的に光硬化性樹脂１２０が硬化しない部分が発生し、モールドの離型において光硬化し
た樹脂の収縮または膨張による密着力や摩擦力が作用しないことになる。
【００１８】
図２で示した位相反転に必要な距離Ｃについて説明する。位相反転のメカニズムは前述の通り、光路長で波長（λ）の２分の１または波長（λ）の２分の１の奇数倍変化をつければよい。光源波長をλ（ｎｍ）、インプリントモールド材質の屈折率をｎq、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分をＴ、大気の屈折率をｎairとした場合、関係式は下記の式１で表される。
【００１９】
【数１】
2009071229.tif 000003
具体例として、例えば、下記の条件の場合、位相反転に必要なＴは、式１より、１９３ｎｍとなる。
λ：１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザーの波長）
ｎq：１．５（石英ガラス基板の屈折率）
ｎair：１（大気の屈折率）
ｎ：１（整数）
また、本発明のインプリントモールドは基板の一方の面に第一モールドパターンと第二モールドパターンが形成され、基板の他方の面に前記第一モールドパターンと相対するように第一位相差補正用パターンが、前記第二モールドパターンと相対するように第二位相差補正用パターンがそれぞれ形成されている。
第一モールドパターンと相対するように形成することにより、第一位相差補正用パターンの凹部の深さを制御することで、凹パターン部の断面寸法を制御することが出来る。このため、第一モールドパターンの寸法によらず、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分が、コヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しくすることが出来る。このため、任意寸法の第一モールドパターンを形成する場合であっても、第一位相差補正用パターンの凹部の深度を制御することで、光路差を制御することが出来る。
【００２０】
図３に、第一位相差補正用パターンを形成した場合のインプリントモールドの一例を示す。図３において、第一モールドパターンの寸法をｔ1、第一位相差補正用パターンの寸法をｔ2とする。
この場合、式１において、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分に相当するＴが２層に分かれることになるため、Ｔとｎは別々のｔ1、ｔ2、ｎr，ｎqに分割される。さらにインプリントモールドの場合は位相反転を発現させる光の伝播媒体の屈折率が波面Ａの段階では一般に大気中（屈折率ｎair＝１）であり、波面Ｂでは光硬化性樹脂中（屈折率ｎr）となる。
【００２１】
式１を式２に変形する。
【００２２】
【数２】
2009071229.tif 000004
図３に示す場合、屈折率ｎと、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分に相当するＴが２分されるので、ｔ1、ｔ2、ｎr、ｎqについて下記に示す式３の関係式を満たせば良い。
【００２３】
【数３】
2009071229.tif 000005
具体例として、例えば、石英ガラス基板に１００ｎｍの凹凸パターンを形成したインプリントモールド１００（ｔ1、ｎq）の場合、必要な位相反転に必要な第一位相差補正用パターンの寸法ｔ2は、式３より、２３３ｎｍとなる。
λ：１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザーの波長）
ｔ1：１００ｎｍ（第一モールドターンの寸法）
ｎq：１．５（石英ガラス基板の屈折率）
ｎr：１．７（光硬化樹脂の屈折率）
ｎair：１（大気の屈折率）
ｎ：１（整数）
図４に、図３に示す場合における、光強度の分布を示す。インプリントモールドを透過した合成光強度は波面Ｂ位置で図４（ｂ）に示す分布となり、剥離時に応力が集中する樹脂パターンの凸パターン部と凹パターン部の境界であるコーナー部が、光エネルギーゼロ部に対応する部に対応する。このため、露光の工程において、剥離時に応力が集中する樹脂パターンの凸パターン部と凹パターン部の境界であるコーナー部が、未硬化の部位となり、樹脂収縮による応力の発生を低下させることが出来る。
以上で本発明の原理を説明した。
【００２４】
図５に、さらに位相反転を２回発現させる2段構成のモールドパターンの事例について説明する。便宜上前記した図２およびその説明を引用することとし、同じ記号を用いて説明する。図５では左半面（波面ＡからＢ）をインプリントモールド３００とし、図２と同一とする。従って位相反転の原理も前記の通りである。さらに２段目のモールドパターンの右半面（波面ＢからＣ）をインプリントモールド４００として追記の態様とした。
【００２５】
インプリントモールド４００の４２０、４１５部での位相反転はインプリントモールド３００での４１０、４２０部と同じく、波面Ｃで発現すればよく、波面Ｂ位置にコヒーレント光が入射したと考えればよい。その光路長はインプリントモールド３００での距離Ａ、Ｂ、Ｃと同じ関係となるＡ’、Ｂ’、Ｃ’を満たせばよいことは明らかである。インプリントモールド４００においても位相反転に必要な光路長が図２のｔ2と同じく位相差補正用パターンとして確保が必要な場合がある。この場合は既にインプリントモールド３００側の４１０，４２０部で位相反転が成立しているため、４１５部に形成すれば良い。
【００２６】
以下、本発明のインプリントモールド製造方法について説明を行う。
図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ｅ）〜（ｈ）及び図８（ｉ）〜（ｋ）は、本発明のインプリントモールド製造方法の一例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、基板１１の両面に犠牲膜２１を形成する（図６（ａ）参照）。
基板１１は、光インプリント法に用いる露光光を透過する材料であることが求められる。一般的な露光光を透過する材料としては、例えば、石英ガラスなどが挙げられる。
【００２７】
次に、基板１１の一方の面にフォトレジストを塗布し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００２８】
次に、レジストパターン３１をマスクにして犠牲膜２１をエッチングして犠牲膜パターン２１ａを形成し（図６（ｃ）参照）、さらに、基板１１をドライエッチング等の公知の微細加工技術を用いて所定の深さエッチングし、レジストパターン３１を剥離処理して、第一モールドパターン４０を形成する（図６（ｄ）参照）。
第一モールドパターン４０を形成する方法としては、所望するモールドパターンの寸法、形状に応じて適宜公知の微細加工技術を用いて形成してよい。例えば、フォトリソグラフィ法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、レーザ加工方法、微細機械加工方法、などを適宜組み合わせることにより形成することができる。
【００２９】
次に、第一モールドパターン４０に保護材を充填し、保護層３２を形成する（図７（ｅ）参照）。第一モールドパターン４０に保護材を充填することにより、既に形成したモールドパターン部の機械的強度を補強する利点もある。このため、後述する第二モールドパターンの加工による損傷を防ぐことが出来る。
保護材は、第一モールドパターン４０に対して程度良く充填される材料であれば良く、特に限定されるものではない。
【００３０】
次に、保護層３２及び犠牲膜２１ａ上にフォトレジストを塗布し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン３３を形成する（図７（ｆ）参照）。
【００３１】
次に、レジストパターン３３をマスクにして犠牲膜２１をエッチングして犠牲膜パターン２１ｂを形成して（図７（ｇ）参照）、レジストパターン３３及び犠牲膜パターン２１ｂをマスクにして基板１１をドライエッチング等の公知の微細加工技術を用いて所定の深さエッチングして、第二モールドパターン５０を形成する（図７（ｈ）参照）。
第二モールドパターン５０を形成する方法としては、所望するモールドパターンの寸法、形状に応じて適宜公知の微細加工技術を用いて形成してよい。例えば、フォトリソグラフィ法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、レーザ加工方法、微細機械加工方法、などを適宜組み合わせることにより形成することができる。
【００３２】
次に、犠牲膜パターン２１ｂ、レジストパターン３３及び保護層３２を剥離処理して、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０を形成する（図８（ｉ）参照）。
【００３３】
次に、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０に保護材を充填し、保護層３５を形成する（図８（ｊ）参照）。第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０に保護材を充填することにより、既に形成したモールドパターン部の機械的強度を補強する利点もある。
保護材は、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０に対して程度良く充填される材料であれば良く、特に限定されるものではない。
【００３４】
次に、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０が形成された基板１１の他方の面に、第一モールドパターン４０と相対する位置に第一位相差補正用パターン４５を、第二モールドパターン５０と相対する位置に第二位相差補正用パターン５５を、上記第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０と同じプロセスでそれぞれ形成し、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０が、他方の面に第一位相差補正用パターン４５及び第二位相差補正用パターン５５が形成された本発明のインプリントモールド１００を得ることができる（図８（ｋ）参照）。
ここでは、第一位相差補正用パターン４５及び第二位相差補正用パターン５５の凹部の深さを制御することで、凹パターン部の断面寸法を制御することが出来る。このため、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０の寸法によらず、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分が、コヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しくすることが出来る。
【００３５】
第一位相差補正用パターン４５及び第二位相差補正用パターン５５を形成する方法としては、上記第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０と同じプロセスが適用できるので、ここでは説明を省略する。
このとき、第一モールドパターン４０と相対する位置に第一位相差補正用パターン４５と、第二モールドパターン５０と相対する位置に第二位相差補正用パターン５５との位置合わせを精度良く行うことが必要である。
【００３６】
以下、本発明のインプリントモールド１００を用いて、感光性の樹脂膜が形成された転写基材に転写パターンを形成する光インプリント法について説明する。
図９（ａ）〜（ｂ）及び図１０（ｃ）〜（ｅ）は、本発明のインプリントモールド１００を用いた光インプリントの一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、本発明のインプリントモールド１００を準備し、転写基材１１１に光硬化性樹脂を塗布して、光硬化性樹脂膜１２１を形成する（図９（ａ）参照）。
【００３７】
次に、インプリントモールド１００と、光硬化性樹脂膜１２１が形成された転写基板１１１を大気中で接合し、樹脂硬化のためコヒーレントな露光光を照射し、インプリントモールド１００と転写基板１１１との間の光硬化性樹脂膜１２１を硬化する（図９（ｂ）参照）。
尚、インプリントモールド１００と転写基板１１１との接合は、第１モールドパターン４０、第２モールドパターン５０内の空気が気泡として滞留するのを防ぐために真空中で行っても良い。
【００３８】
次に、インプリントモールド１００を転写基板１１１の接合方向とは反対側に引き戻し、インプリントモールド１００を転写基板１１１から剥離し、転写基板１１１上に、光硬化性樹脂パターン１３１の角部Ｃで未硬化部が存在する光硬化性樹脂パターン１３１と残膜部１４１を形成する。（図１０（ｃ）参照）。
【００３９】
次に、光硬化性樹脂パターン１３１と光硬化性樹脂パターン１３１の角部Ｃの未硬化部を硬化するため光照射を行う（図１０（ｄ）参照）。この硬化では必ずしもコヒーレントな露光光である必要はなく、光硬化性樹脂パターン１３１が硬化可能であれば他の波長の光源でも良い。
【００４０】
最後に、残膜部１４１を酸素プラズマなどで灰化処理し、転写基板１１１上に、本発明の光インプリント法にて転写パターン１３２を形成する（図１０（ｅ）参照）。
【００４１】
本発明の光インプリント法は、凸パターン部の断面寸法と凹パターン部の断面寸法の差分が、コヒーレントな露光光の半波長または半波長の奇数倍に相当する光路長と等しいインプリントモールド１００を用いることにより、凸パターン部と凹パターン部の境界において、露光光は１８０°位相が反転し、凸パターン部と凹パターン部の境界であるコーナー部において露光光の強度を低下することが出来る。
このため、パターンコーナー部の光硬化性樹脂について硬化の度合いを低くすることが出来、樹脂収縮による応力の発生を低下させることが出来る。よって、インプリントモールドと樹脂パターンを剥離する工程において、樹脂パターンの欠陥が発生することを抑制することが可能となる。
【００４２】
本発明のインプリントモールドは、微細なパターン形成が所望される広範な分野に用いることが期待され、例えば、半導体デバイス、光導波路や回折格子等の光学部品、ハードディスクやＤＶＤなどの記録デバイス、ライフサイエンス分野でＤＮＡ分析等に用いるバイオチップ、ディスプレイ分野などで画像・映像表示器に用いる拡散板、および導光板、などの製品の製造工程に用いることが期待される。
【００４３】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００４４】
まず、石英ガラス基板からなる基板１１両面に導電性金属であるクロム（Ｃｒ）からなる犠牲膜２１を形成した（図６（ａ））。
【００４５】
次に、基板１１の一方の面にフォトレジストを塗布し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００４６】
次に、レジストパターン３１をマスクにして犠牲膜２１をエッチングし（図６（ｃ）参照）、さらに、塩素と酸素の混合ガスによるリアクティブエッチング（ＲＩＥ）法によるドライエッチング法を用いて基板１１を所定に深さエッチングし、レジストパターン３１
を剥離処理して、第一モールドパターン４０を形成した（図６（ｄ）参照）。
【００４７】
次に、第一モールドパターン４０に保護材を充填し、保護層３２を形成した（図７（ｅ）参照）。
【００４８】
次に、保護層３２及び犠牲膜２１ａ上にフォトレジストを塗布し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン３３を形成した（図７（ｆ）参照）。
【００４９】
次に、レジストパターン３３をマスクにして犠牲膜２１をエッチングし（図７（ｇ）参照）、レジストパターン３３及び犠牲膜パターン２１ｂをマスクにしてＣ2Ｆ6と酸素混合ガスによるリアクティブエッチング（ＲＩＥ）法によるドライエッチング法を用いて基板１１を所定の深さエッチングして、第二モールドパターン５０を形成した（図７（ｈ）参照）。
【００５０】
次に、犠牲膜パターン２１ｂ、レジストパターン３３及び保護層３２を剥離処理して、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０を形成した（図８（ｉ）参照）。
【００５１】
次に、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０に保護材を充填し、保護層３５を形成した（図８（ｊ）参照）。
【００５２】
次に、上記第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０と同じ作製プロセスで、第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０が形成された基板１１の他方の面に、第一モールドパターン４０と相対する位置に第一位相差補正用パターン４５を、第二モールドパターン５０と相対する位置に第二位相差補正用パターン５５を、それぞれ形成し、基板１１の一方の面に第一モールドパターン４０及び第二モールドパターン５０が、他方の面に第一位相差補正用パターン４５及び第二位相差補正用パターン５５が形成された本発明のインプリントモールド１００を得ることができた（図８（ｋ）参照）。
【実施例２】
【００５３】
まず、上記実施例１で作製した本発明のインプリントモールド１００を準備し、転写基材１１１に光硬化性樹脂を塗布して、光硬化性樹脂膜１２１を形成した（図９（ａ）参照）。
【００５４】
次に、インプリントモールド１００と、光硬化性樹脂膜１２１が形成された転写基板１１１を大気中で接合し、樹脂硬化のためコヒーレントな露光光を照射し、インプリントモールド１００と転写基板１１１との間の光硬化性樹脂膜１２１を硬化した（図９（ｂ）参照）。
【００５５】
次に、インプリントモールド１００を転写基板１１１の接合方向とは反対側に引き戻し、インプリントモールド１００を転写基板１１１から剥離し、転写基板１１１上に、光硬化性樹脂パターン１３１の角部Ｃで未硬化部が存在する光硬化性樹脂パターン１３１と残膜部１４１を形成した。（図１０（ｃ）参照）。
【００５６】
次に、光硬化性樹脂パターン１３１と光硬化性樹脂パターン１３１の角部Ｃの未硬化部を硬化するため光照射を行った（図１０（ｄ）参照）。
【００５７】
最後に、残膜部１４１を酸素プラズマなどで灰化処理し、転写基板１１１上に、本発明の光インプリント法にて転写パターン１３２を形成した（図１０（ｅ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明のインプリントモールドの一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】本発明のインプリントモールドの原理を説明する説明図である。
【図３】本発明のインプリントモールドの原理を説明する説明図である。
【図４】本発明のインプリントモールドにコヒーレントな露光光を照射した場合の光強度を示す説明図である。
【図５】本発明のインプリントモールドにコヒーレントな露光光を照射した場合の光強度を示す説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のインプリントモールドの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。
【図７】（ｅ）〜（ｈ）は、本発明のインプリントモールドの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。
【図８】（ｉ）〜（ｋ）は、本発明のインプリントモールドの製造方法の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のインプリントモールド１００を用いた光インプリント法の一実施例の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。
【図１０】（ｃ）〜（ｅ）は、本発明のインプリントモールド１００を用いた光インプリント法の一実施例の工程の一部を示す部分模式構成断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、従来のインプリントモールドを用いたインプリント法の一例を示す部分模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１……基板
２１……犠牲膜
２１ａ、２１ｂ……犠牲膜パターン
３１、３３……レジストパターン
３２、３５……保護層
４０……第一モールドパターン
４５……第一位相差補正用パターン
５０……第二モールドパターン
５５……第二位相差補正用パターン
１００、２０１……インプリントモールド
１１１……転写基材
１２１……光硬化性樹脂膜
１３１……光硬化性樹脂パターン
１３２……転写パターン
１４１……残膜部
２１１……転写基板
２２１……樹脂パターン
２２１ａ……樹脂パターンの一部
２２１ｂ、２２１ｃ……樹脂パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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