(57)【要約】【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続されたゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。【選択図】図５
2009122256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた走査線と、
該走査線の上層側に設けられ、前記走査線と交差するデータ線と、
該データ線の上層側に、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して規定される画素毎に設けられた画素電極と、
該画素電極の下層側に、該画素電極に容量絶縁膜を介して対向するように設けられた容量電極と、
前記走査線の上層側且つ前記データ線の下層側に設けられ、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域、及び前記データ線と同一層からなると共に前記走査線に電気的に接続されたゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域を有する半導体層と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記走査線は、前記基板側から入射される光を遮光する遮光膜として機能することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記データ線及び前記ゲート電極は、導電性のポリシリコン膜と金属膜とを含む２以上の膜が積層された積層膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記容量電極は、前記画素電極と前記容量電極の下層側とのカップリングを防止するシールド層として機能することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記半導体層と同一層からなり、前記データ線を第１のデータ線とし、該第１のデータ線が延在する方向に沿って該第１のデータ線に対して並走すると共に該第１のデータ線と電気的に接続された第２のデータ線を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１及び第２のデータ線は、前記基板上の積層構造における前記第１及び第２のデータ線間に設けられた層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１及び第２のデータ線は、互いに重なり且つ互いに接するように形成されることで互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板の前記画素電極が形成される側に対向配置されており、前記基板との間に電気光学物質を挟持する対向基板を更に備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等を含んでおり、これに加えて薄膜からなるデータ線や走査線等の種々の配線や電極が積層されて構成されている。
【０００３】
上述したような積層構造をとることにより、液晶装置は、小型でありながらも高精細な画像を表示することを可能としている。例えば特許文献１では、８層の導電層からなる積層構造によって液晶装置を実現するという技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８１６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のような積層構造をとる液晶装置においては、層の数が増加することにより装置構成が複雑化してしまい、製造工程の複雑高度化、製造期間の長期化及びコストの増大等を招いてしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、アクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、比較的少ない層で構成されており、高品質な表示を可能とする電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に設けられた走査線と、該走査線の上層側に設けられ、前記走査線と交差するデータ線と、該データ線の上層側に、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して規定される画素毎に設けられた画素電極と、該画素電極の下層側に、該画素電極に容量絶縁膜を介して対向するように設けられた容量電極と、前記走査線の上層側且つ前記データ線の下層側に設けられ、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域、及び前記データ線と同一層からなると共に前記走査線に電気的に接続されたゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域を有する半導体層とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上に、走査線が延在するように設けられており、データは走査線の上層側に、データ線と交差して延在するように設けられている。即ち、データ線と走査線は互いに交差するように設けられている。
【０００９】
そして、データ線の上層側には画素電極が設けられている。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。更に、画素電極の下層側には、容量絶縁膜を介して画素電極と対向するように容量電極が設けられている。容量電極は、典型的には、画素電極と同様に、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。容量電極は、容量線に接続されていてもよいし、容量線の一部が容量電極であってもよい。容量電極は、容量線を介して、所定電位の電源又は配線に接続されている。
【００１０】
また、走査線の上層側且つデータ線の下層側には半導体層が設けられており、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に接続されたゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域を有している。ここで、本発明に係る「同一層」とは、同一の成膜工程によって形成される層或いは膜を意味しており、例えばデータ線及びゲート電極の膜厚等は、互いに同一でなくともよい。尚、「同一層からなる」とは、一つの層或いは膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、同一層のうち相互に分断されている層部分或いは膜部分でも足りる趣旨である。
【００１１】
ゲート電極は、データ線と同一層からなるので、ゲート電極及びデータ線を同一の成膜工程で形成することが可能となる。よって、製造工程の長期化及び複雑高度化等を防止することが可能となる。尚、ゲート電極は、例えば、半導体層の脇に設けられたコンタクトホールを介して走査線に電気的に接続される。
【００１２】
上述した半導体層に加え、ゲート電極及びゲート絶縁膜から、基板上には、容量電極の下層側に、薄膜トランジスタが構築されている。ここで、薄膜トランジスタは、半導体層が更にＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を有することで、ＬＤＤ型の薄膜トランジスタとして構築されてもよい。また、薄膜トランジスタは、典型的には、半導体層と、該半導体層よりもゲート絶縁膜を介して上層側にチャネル領域に対向するように配置されたゲート電極とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタとして構築される。
【００１３】
本発明では特に、上述したように、５層の導電層（即ち、下層側から順に、走査線、半導体層、データ線、容量電極及び画素電極）により電気光学装置を構成している。尚、各導電層間には、上述した容量絶縁膜やゲート絶縁膜等の絶縁膜が設けられている。また、上述した導電層及び絶縁膜に加えて、他の配線や電極等が設けられていてもよい。
【００１４】
上述したように構成することで、本発明の電気光学装置は、その動作時に、例えばデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続された半導体層からなる薄膜トランジスタが、走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から薄膜トランジスタを介して画素電極に供給される。即ち、薄膜トランジスタは、画素電極をスイッチング制御する。また、容量電極を設けることにより、画素電極に印加される電圧が減衰してしまうことを防止し、高コントラストな表示等を実現している。
【００１５】
ここで、例えば、走査線、データ線及び半導体層は、基板上で平面的に見て、画素電極に対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線、データ線及び半導体層は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置される。尚、容量電極は、上述したように典型的には透明導電材料からなり、開口領域内に配置されても、表示の妨げとはならない。
【００１６】
更に、本発明では特に、上述したように、半導体層は、データ線の下層側に設けられる。言い換えれば、データ線は、半導体層よりも上層側に設けられる。よって、データ線を、半導体層に対する高温処理が行われた後に、例えばアルミニウム等の比較的低抵抗な金属を含んでなるように形成できる。従って、仮に、データ線が、半導体層よりも下層側に設けられ、例えばチタン、タングステン等の高融点金属からなるように形成された場合と比較して、データ線の電気的な抵抗を容易に低減すること（即ち、データ線を容易に低抵抗化すること）ができる。このため、データ線の配線幅を狭めることにより、開口領域を広げる即ち各画素の開口率（即ち、各画素における全領域に対する開口領域の比率）を向上させることも可能となる。つまり、各画素の高開口率化も可能となる。更に、データ線を低抵抗化することで、所定期間内にデータ線を介して画素電極に書き込むべき画像信号を、画素電極に十分に書き込むことができる。よって、コントラストの向上も可能となる。
【００１７】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、限られた数の導電層によって、高精細な画像を表示することを可能としている。従って、導電層の増加による、例えば深いコンタクトホールの形成などの製造工程の複雑高度化、製造期間の長期化やコストの増大等を防止することが可能である。更に、データ線を例えばアルミニウム等の比較的低抵抗な金属を含んでなるように形成でき、各画素の高開口率化やコントラストの向上も可能である。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記走査線は、前記基板側から入射される光を遮光する遮光膜として機能する。
【００１９】
この態様によれば、基板側から入射される光は、基板上に設けられた走査線によって遮光される。尚、遮光膜としては、半導体層に対する高温処理に耐え得ると共に導電性に優れたチタン、タングステン等の高融点金属を用いるとよい。或いは、半導体層に対して低温処理で済む場合には、高融点金属に限らず、導電性に優れたアルミニウム等を用いてもよい。
【００２０】
仮に、基板側から入射される光が遮光されないとすると、入射した光によって、半導体層に光リーク電流が生じ、表示不良等が発生してしまうおそれがある。
【００２１】
しかるに本発明では特に、走査線を遮光膜として機能させるため、別途遮光膜を設けなくとも、上述した光リーク電流の発生を抑制することが可能である。即ち、装置構成を複雑化させることなく遮光を実現することができる。従って、製造期間の長期化やコストの増大等を防止することが可能となる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線及び前記ゲート電極は、導電性のポリシリコン膜と金属膜とを含む２以上の膜が積層された積層膜からなる。
【００２３】
この態様によれば、この種の電気光学装置において伝統的な或いは従来の典型的な薄膜トランジスタである、導電性のポリシリコン膜からなるゲート電極を有する薄膜トランジスタを製造する製造プロセスを殆ど或いは完全にそのまま利用して、薄膜トランジスタを形成することができる。即ち、薄膜トランジスタのトランジスタ特性(例えば、閾値電圧）に関する設計変更を少なくすることができる。このように設計変更を少なくすることができるので、実践上大変有利である。
【００２４】
更に、データ線と薄膜トランジスタとの電気的な接続を、該データ線を構成する導電性のポリシリコン膜と、薄膜トランジスタを構成する半導体層との接触により実現することができ、両者間の電気的な接続を良好にすることが可能となる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、前記画素電極と前記容量電極の下層側とのカップリングを防止するシールド層として機能する。
【００２６】
この態様によれば、容量電極は、画素電極より下層側に設けられているため、画素電極と容量電極の下層側とのカップリング（即ち、容量カップリングの如き、電気的或いは電磁気的なカップリング）を防止するシールド層、即ち電磁シールドを行う導電層として機能する。尚、「容量電極の下層側」とは、例えば上述したデータ線、走査線、及び半導体層等である。また、他の導電層が存在する場合は、それらの層であってもよい。
【００２７】
カップリングを防止することによって、画素電極における電位変動等が生じる可能性を低減することが可能となる。従って、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記半導体層と同一層からなり、前記データ線を第１のデータ線とし、該第１のデータ線が延在する方向に沿って該第１のデータ線に対して並走すると共に該第１のデータ線と電気的に接続された第２のデータ線を備える。
【００２９】
この態様によれば、第１及び第２のデータ線が二重配線されるため、データ線の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１及び第２のデータ線の一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。
【００３０】
上述した第２のデータ線を備える態様では、前記第１及び第２のデータ線は、前記基板上の積層構造における前記第１及び第２のデータ線間に設けられた層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３１】
この場合には、第１及び第２のデータ線をコンタクトホールに介して容易に且つ確実に互いに電気的に接続させることができる。
【００３２】
上述した第２のデータ線を備える態様では、前記第１及び第２のデータ線は、互いに重なり且つ互いに接するように形成されることで互いに電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３３】
この場合には、基板上の積層構造における第１及び第２のデータ線の間には例えば絶縁膜等は設けられず、第１及び第２のデータ線は互いに重なり且つ互いに接するように形成される。言い換えれば、データ線は、第２のデータと第１のデータ線とが下層側から順に積層された２層構造を有する配線として形成される。よって、例えば仮に、第１及び第２のデータ線間を、基板上における第１及び第２のデータ線間に設けられた絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続する場合と比較して、第１及び第２のデータ線間の電気的な抵抗を確実に低くすることができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板の前記画素電極が形成される側に対向配置されており、前記基板との間に電気光学物質を挟持する対向基板を更に備える。
【００３５】
この態様によれば、基板の画素電極が形成されている側に対向基板が配置されており、基板と対向基板との間には電気光学物質が挟持されている。電気光学物質は、画素電極から電圧を印加することで制御することが可能である。よって、例えば縦電界又は横電界をこれら一対の基板間に印加することにより、電気光学物質を制御しつつ、光を入射させることで、画像を表示させることが可能となる。
【００３６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、製造期間の長期化やコストの増大等を防止しつつ、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３９】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図５を参照して説明する。
【００４０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４１】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００４２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成される。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００４７】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４８】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００４９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜１６が形成されている。
【００５０】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００５１】
液晶層５０は、本発明に係る「電気光学物質」の一例としての例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００５２】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００５３】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。
【００５４】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５５】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「半導体層」及び「ゲート電極」の一例を含んで構築されるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５６】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５７】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。蓄積容量７０の具体的構成については後に詳述する。
【００５９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。
【００６０】
図４は、第１実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図４においては、走査線１１等の一部の配線や電極を透過的に図示している。
【００６１】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０（図２参照）上に、マトリクス状に複数設けられており、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明電極である。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１の上層側には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が画素電極９ａ毎に設けられている。
【００６２】
走査線１１、データ線６ａ、ＴＦＴ３０及び後述する中継電極６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、データ線６ａ、ＴＦＴ３０及び中継電極６０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００６３】
本実施形態に係る液晶装置の動作時には、上述したデータ線６ａから画素電極９ａへの画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に電気的に接続されたスイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査線１１から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線６ａからＴＦＴ３０を介して画素電極９ａに供給される。
【００６４】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述した画素電極９ａ等の各種構成要素が積層構造をなしている。各種構成要素は、下から順に、走査線１１等を含む第１層（即ち、第１の導電層）、半導体層１ａ等を含む第２層（即ち、第２の導電層）、データ線６ａ等を含む第３層（即ち、第３の導電層）、容量電極７１等を含む第４層（即ち、第４の導電層）、画素電極９ａ等を含む第５層（第５の導電層）からなる。また、第１の導電層及び第２の導電層間には下地絶縁膜１２、第２の導電層及び第３の導電層間には第１層間絶縁膜４１、第３の導電層及び第４の導電層間には第２層間絶縁膜４２、第４の導電層及び第５の導電層間には容量絶縁膜７５がそれぞれ設けられ、各種構成要素間が短絡することを防止している。第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００６５】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。
【００６６】
半導体層１ａは、ポリシリコンからなり、Ｘ方向に沿って設けられたチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。データ線側ソースドレイン領域１ｄは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８１を介してデータ線６ａと電気的に接続されている。画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３、後述する中継電極６０及びコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。
【００６７】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６８】
図４及び図５において、ゲート電極３ａは、半導体層１ａよりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に対向するように形成されている。第１層間絶縁膜４１は、ＴＦＴアレイ基板１０上のほぼ全面に亘って形成されている。第１層間絶縁膜４１のうちＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造におけるチャネル領域１ａ’とゲート電極との間に形成された部分が、ゲート電極３ａ及びチャネル領域１ａ’間を絶縁するゲート絶縁膜として機能する。
【００６９】
本実施形態では特に、ゲート電極３ａは、図５に示すように、下層に導電性のポリシリコンからなる層３ａ１、上層にアルミニウムを含む層３ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。よって、この種の液晶装置において伝統的な或いは従来の典型的なＴＦＴである、導電性のポリシリコン膜からなるゲート電極を有するＴＦＴを製造する製造プロセスを殆ど或いは完全にそのまま利用して、ＴＦＴ３０を形成することができる。即ち、ＴＦＴの特性(例えば、閾値電圧）に関する設計変更を少なくすることができる。このように設計変更を少なくすることができるので、実践上大変有利である。
【００７０】
尚、アルミニウムを含む層３ａ２は、アルミニウム膜のみから形成されてもよいし、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、チタンナイトライド（ＴｉＮ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜及び窒化チタン（ＴｉＮ）膜がこの順に下層側から積層されてなる多層膜から形成されてもよい。言い換えれば、ゲート電極３ａは、導電性のポリシリコン膜とアルミニウム膜とがこの順に下層側から積層されることにより形成されてもよいし、例えば、導電性のポリシリコン膜、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、Ａｌ膜及びＴｉＮ膜がこの順に下層側から積層されることにより形成されてもよい。
【００７１】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えばタングステン（Ｗ）、Ｔｉ、ＴｉＮ等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。走査線１１は、図４のＸ方向に沿って延びるように、且つ、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対向する領域を含むように形成されている。
【００７２】
このような走査線１１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、走査線１１は、ＴＦＴ３０に走査信号Ｇｉを供給する走査線としての機能に加えて、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射される光を遮光する遮光膜としても機能することが可能である。更に、このような走査線１１によれば、走査線１１の形成後に、高温プロセスを行うことが可能である。即ち、例えば、第２層としてＴＦＴ３０の一部を構成する半導体層１ａを形成する際、半導体層１ａを、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の比較的高温な環境下で行われるプロセスで形成することが可能である。
【００７３】
図５において、下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜１２は、走査線１１から半導体層１ａを層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等によるＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００７４】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層１ａよりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、上述したゲート電極３ａに加えて、データ線６ａ及び中継電極６０が設けられている。
【００７５】
データ線６ａは、ゲート電極３ａ（及び中継層６０）と同一層からなる。即ち、データ線６ａは、ゲート電極３ａと同様に、下層に導電性のポリシリコンからなる層６ａ１、上層にアルミニウムを含む層６ａ２の二層構造を有する膜として形成されている。データ線６ａは、図４のＹ方向に沿って延びるように形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域１ｄに電気的に接続されている。コンタクトホール８１は、一層の層間絶縁膜（即ち、第１層間絶縁膜４１）のみを貫通するので、その深さは、相対的に短くて済み、その開孔は、エッチング等により容易である。また、そのアスペクト比も小さいので底部にても良好なコンタクトを取り易い。更に、データ線６ａとＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域１ｄとの電気的な接続は、データ線６ａを構成する導電性のポリシリコンからなる層６ａ１と、ポリシリコンからなるデータ線側ソースドレイン領域６ａ１との接触により実現されており、両者間の電気的な接続を良好にすることができる。
【００７６】
ここで、本実施形態では特に、データ線６ａは、上述したように、半導体層１ａよりも上層側に設けられており、アルミニウムを含む膜として形成されている。言い換えれば、データ線６ａが半導体層１ａよりも上層側に設けられているが故に、半導体層１ａを減圧ＣＶＤ法等の比較的高温な環境下で行われるプロセスで形成した後に、データ線６ａを例えばアルミニウム等の比較的低抵抗であると共に融点が比較的低い金属膜を含んでなるように形成できる。従って、仮に、データ線６ａが、半導体層１ａよりも下層側に設けられ、例えばチタン、タングステン等の高融点金属からなるように形成された場合と比較して、データ線６ａを容易に低抵抗化することができる。このため、データ線６ａの配線幅を狭めることにより、各画素の開口率を向上させることも可能となる。更に、データ線６ａを低抵抗化することで、所定期間（即ち、ＴＦＴ３０が走査信号Ｇｉに基づいてオン状態とされる一定期間）内にデータ線６ａを介して画素電極９ａに書き込むべき画像信号Ｓｉを、画素電極９ａに十分に書き込むことができる。よって、コントラストの向上も可能となる。
【００７７】
中継電極６０は、ゲート電極３ａ（及びデータ線６ａ）と同一層からなる。即ち、中継電極６０は、ゲート電極３ａと同様に、下層に導電性のポリシリコンからなる層６１、上層にアルミニウムを含む層６２の二層構造を有する膜として形成されている。中継電極６０は、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されると共に、第２層間絶縁膜４２及び容量絶縁膜７５を貫通して開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。よって、中継電極６０は、画素電極９ａとＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅとの電気的接続を中継する。従って、中継電極６０及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。更に、中継電極６０によって、画素電極９ａ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間の電気的な抵抗を低減することが可能となる。
【００７８】
図４及び図５に示すように、ゲート電極３ａ、データ線６ａ及び中継電極６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。これにより、ゲート電極３ａ、データ線６ａ及び中継電極６０は、互いに電気的に第２層間絶縁膜４２により絶縁されている。このようにゲート電極３ａ、データ線６ａ及び中継電極６０を互いに同一層から形成することで、これらを別個に別々の材料から形成する場合と比較して、画素の構成を簡略化すると共に、製造プロセスにおける工程数も削減して簡略化することができる。
【００７９】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａよりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、容量電極７１が設けられている。容量電極７１は、画素電極９ａと中継電極６０とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５が設けられた部分を除いて、開口領域及び非開口領域を共に覆うように設けられている。
【００８０】
容量電極７１は、画素電極９ａと容量絶縁膜７５を介して対向配置されており、蓄積容量７０を形成している。
【００８１】
容量電極７１は、例えば容量線を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。容量電極７１は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から形成されている。
【００８２】
容量絶縁膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００８３】
上述したように、蓄積容量７０が形成されることによって、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。また本実施形態では特に、画素電極９ａと容量電極７１とによって蓄積容量７０を形成しているため、例えば画素電極９ａの他に、上部電極及び下部電極を設けて蓄積容量を形成する場合と比較して、装置構成を単純化させることが可能である。
【００８４】
更に、本実施形態では特に、容量電極７１は、画素電極９ａより下層側に設けられているため、画素電極９ａと容量電極７１の下層側（例えば、データ線６ａなど）との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止するシールド層として機能することもできる。よって、画素電極９ａにおける電位変動等が生じる可能性を低減することも可能となる。従って、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００８５】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００８６】
上述したように構成することで、本実施形態に係る液晶装置は、その動作時に、高品質な画像を表示することが可能である。また、比較的少ない数の導電層（即ち、第１から第５の導電層）によって構成することができるため、各種配線や電極等の積層構造が複雑化してしまうことを防止することができる。従って、製造期間の長期化やコストの増大等を防止することが可能である。更に、データ線６ａを例えばアルミニウム等の比較的低抵抗な金属を含んでなるように形成でき、各画素の高開口率化も可能である。
【００８７】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図６を参照して説明する。
【００８８】
図６は、第２実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。尚、図６において、図１から図５に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８９】
図６において、第２実施形態に係る液晶装置は、半導体層１ａと同一層からなるデータ線６ｂを更に備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００９０】
図６において、本実施形態では特に、データ線６ｂを備えている。
【００９１】
データ線６ｂは、半導体層１ａと同一層からなると共に、半導体層１ａから連続的にデータ線６ａが延在する方向（即ちＹ方向）に沿ってデータ線６ａに対して並走するように形成されている。データ線６ｂは、第１層間絶縁膜４１（図５参照）に開孔されたコンタクトホール８９を介してデータ線６ａに電気的に接続されている。即ち、本実施形態では、データ線は、データ線６ａ及び６ｂからなる二重配線として形成されている。よって、データ線６ａ及び６ｂの電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、データ線６ａ及び６ｂの一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、本実施形態に係る液晶装置の信頼性を向上させることができる。更に、データ線６ｂは、半導体層１ａと同一層から形成されているので、製造工程の長期化及び複雑高度化を殆ど或いは全く招かない。
【００９２】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る液晶装置について、図７及び図８を参照して説明する。
【００９３】
図７は、第３実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図であり、図８は、図７のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図７及び図８において、図１から図５に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９４】
図７及び図８において、第３実施形態に係る液晶装置は、半導体層１ａと同一層からなるデータ線６ｃを更に備える点、及び上述した第１層間絶縁膜４１に代えてチャネル領域１ａ’を覆うように島状に形成されたゲート絶縁膜１４を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００９５】
図７及び図８において、本実施形態では特に、データ線６ｃを備えている。
【００９６】
データ線６ｃは、半導体層１ａと同一層からなると共に、半導体層１ａから連続的にデータ線６ａが延在する方向（即ちＹ方向）に沿ってデータ線６ａに対して並走するように形成されている。更に、データ線６ａ及び６ｃは、互いに重なるように且つ互いに接するように形成されることで互いに電気的に接続されている。本実施形態では、上述した第１実施形態における第１層間絶縁膜４１（図５参照）に代えてチャネル領域１ａ’を覆うように島状に形成されたゲート絶縁膜１４は、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造におけるデータ線６ａ及び６ｃ間には形成されない。
【００９７】
即ち、本実施形態では、データ線は、データ線６ａ及び６ｃが下層側から順に積層された積層構造を有する配線として形成されている。よって、例えば仮に、データ線６ａ及び６ｃ間が、データ線６ａ及び６ｃ間に設けられた層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続された場合と比較して、データ線６ａ及び６ｃの電気的な抵抗を確実に低くすることができる。更に、データ線６ｃは、半導体層１ａと同一層から形成されているので、製造工程の長期化及び複雑高度化を殆ど或いは全く招かない。
【００９８】
また、本実施形態では、中継電極６０及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、互いに重なるように且つ互いに接するように形成されることで互いに電気的に接続されている。よって、中継電極６０及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間（言い換えれば、画素電極９ａ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間）の電気的な抵抗を低くすることができる。
【００９９】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１００】
図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１０１】
図９に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１０２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０４】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０５】
尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０６】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１０７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。
【図７】第３実施形態に係る液晶装置の画素部の平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、３ａ…ゲート電極、６ａ、６ｂ、６ｃ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２…下地絶縁膜、３０…ＴＦＴ、７１…容量電極、６０…中継電極、７５…容量絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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