(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタと端子部間の接続の信頼性を確保し、高品位の画像表示装置を可能とする。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電圧を供給する端子部と有し、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と前記ゲート電極と同じ材質で形成されたゲート配線とを有し、前記端子部には、金属配線が接続され、前記ゲート配線の上層には、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜とは材質が異なる第２の絶縁膜とが順に積層され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、前記ゲート配線を露出する開口を有し、前記開口の側壁面は、保護膜と、第１の透明導電膜と、第３の絶縁膜とで順に覆われており、前記ゲート配線の露出部の上層には、前記第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが順に積層され、前記第２の透明導電膜は、前記金属配線と接続されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電圧を供給する端子部と有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と前記ゲート電極と同じ材質で形成されたゲート配線とを有し、
前記端子部には、金属配線が接続され
前記ゲート配線の上層には、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜とは材質が異なる第２の絶縁膜とが順に積層され、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、前記ゲート配線を露出する開口を有し、
前記開口の側壁面は、保護膜と、第１の透明導電膜と、第３の絶縁膜とで順に覆われており、
前記ゲート配線の露出部の上層には、前記第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが順に積層され、
前記第２の透明導電膜は、前記金属配線と接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、どちらか一方が酸化シリコン膜で、他方が窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ゲート配線は、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、或いはこれらの金属の何れかを含む合金からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属配線は、アルミニウム或いはアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタの半導体層は、多結晶シリコン或いは、多結晶シリコンとその上層に形成された非晶質シリコンの積層体からなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁基板と所定の間隙を介して接合した対向基板と、前記間隙に保持された液晶層とを有し、
前記液晶層に電圧を印加する画素電極と対向電極とが、前記絶縁基板上に形成され、
前記第１の透明導電膜は、前記対向電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁基板は、表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有し、
前記周辺領域には駆動回路が形成され、
前記薄膜トランジスタは、前記駆動回路の構成要素であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタを有する表示装置に係り、特に薄膜トランジスタと端子間の接続の信頼性を向上した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極及びゲート電極から引き出されたゲート配線は、薄膜トランジスタの特性確保の観点から、例えばモリブデンータングステン（Ｍｏ―Ｗ）合金が用いられている。一方、絶縁基板の端部に形成される端子部及び端子部から引き出された金属配線は、配線抵抗低減などの観点から、アルミニウム或いはアルミニウム合金が用いられている。ゲート配線と端子部から引き出された金属配線との接続は、ゲート配線上に設けたコンタクトホールと金属配線上に設けたコンタクトホール間に連続した導電膜を形成し、この導電膜を介して行われている。
【０００３】
また、薄膜トランジスタの、特に逆スタガ型（ボトムゲート型）薄膜トランジスタのゲート電極及びゲート配線の上層に形成される絶縁膜は、電気的特性の確保の観点から材質の異なる多層の絶縁膜を積層した構成が用いられている。この多層の絶縁膜は、ゲート配線上のコンタクトホールの側壁面にも位置する。多層の絶縁膜の材質が異なるといくことは、エッチングレートも異なることになる。よって、コンタクトホール形成時のエッチングにおいて、絶縁膜各層のエッチングの程度が異なり、コンタクトホールの側壁面に凹凸による段差が形成される。コンタクトホールの側壁面に凹凸による段差が存在すると、コンタクトホールを介する導通の確保が困難となる。よって、ゲート配線と端子部から引き出された金属配線との接続の信頼性が低下する。
【０００４】
逆スタガ型薄膜トランジスタを用いた表示装置の従来技術として、特許文献１には、背面基板側に配置される薄膜トランジスタとしてチャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタと、チャネル領域が単層非晶質シリコン構造でかつ逆スタガ構造の第２の薄膜トランジスタを備えた構成が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−５５５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のような従来の構成では、ゲート配線上に開口配置するコンタクトホールは前述した絶縁膜構成から側壁面に凹凸による段差が発生する恐れがある。この段差によって、コンタクトホールの上層に形成される配線、導電膜の断線が発生し、導通の確保に問題がある。この問題の解決のためには、それぞれの絶縁膜毎に最適なエッチングを行い、側壁面を平坦化させる方法も考えられる。しかし、これではホト工程追加など工数の増加を招き、又プロセスが複雑になり、量産性を損ない、表示装置の製造コストの引き下げを阻害する要因の一つとなっている。
【０００７】
本発明の目的は、ゲート配線上のコンタクトホールにおける側壁面の凹凸による段差の発生を無くし、ゲート配線と端子部から引き出された金属配線との導通の信頼性を確保して、高品質の画像表示を可能とした表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電圧を供給する端子部と有し、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と前記ゲート電極と同じ材質で形成されたゲート配線とを有し、前記端子部には、金属配線が接続され、前記ゲート配線の上層には、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜とは材質が異なる第２の絶縁膜とが順に積層され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、前記ゲート配線を露出する開口を有し、前記開口の側壁面は、保護膜と、第１の透明導電膜と、第３の絶縁膜とで順に覆われており、前記ゲート配線の露出部の上層には、前記第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが順に積層され、前記第２の透明導電膜は、前記金属配線と接続されている。
【０００９】
（２）（１）において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は、どちらか一方が酸化シリコン膜で、他方が窒化シリコン膜である。
（３）（１）または（２）において、前記ゲート配線は、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、或いはこれらの金属の何れかを含む合金からなる。
（４）（１）から（３）において、前記金属配線は、アルミニウム或いはアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金からなる。
（５）（１）から（４）において、前記薄膜トランジスタの半導体層は、多結晶シリコン或いは、多結晶シリコンとその上層に形成された非晶質シリコンの積層体からなる。
（６）（１）から（５）において、前記絶縁基板と所定の間隙を介して接合した対向基板と、前記間隙に保持された液晶層とを有し、前記液晶層に電圧を印加する画素電極と対向電極とが、前記絶縁基板上に形成され、前記第１の透明導電膜は、前記対向電極と同層に形成されている。
（７）（１）から（６）において、前記絶縁基板は、表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有し、前記周辺領域には駆動回路が形成され、前記薄膜トランジスタは、前記駆動回路の構成要素である。
【発明の効果】
【００１０】
ゲート配線上のエッチングレートの異なる絶縁膜の積層膜を何れかの絶縁膜に適した条件で同時にエッチングして開口することにより、ホト工程追加の必要が無く、又プロセスも簡便となり、表示装置の製造コストの引き下げが可能となる。又、コンタクトホール内に多層膜を配置して側壁面の凹凸を軽減できるため、ゲート配線と端子部から引き出された金属配線の接続の信頼性を確保できる。
【００１１】
なお、本発明は、液晶表示装置に限らず、有機ＥＬ表示装置、その他、所謂アクティブ駆動型の各種表示装置に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の表示装置の最良の実施形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１（ａ）、（ｂ）は、本発明による表示装置の実施例１を説明する図で、図１（ａ）は模式側面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の模式平面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、符号１はガラス板などの絶縁基板１ａを有する背面基板である。この背面基板１は、前記絶縁基板１ａ上にチャネル領域が、多結晶シリコン、または多結晶シリコンと非晶質シリコンとのの積層構造で、かつ逆スタガ構造の薄膜トランジスタと、対向電極（コモン電極）と、前記薄膜トランジスタと接続された端子部等を備えている。符号２はガラス板などの透明板２ａを有する前面基板である。前面基板２は、上記の背面基板１と対向配置されている。符号３はシール材であり、シール材３は前記背面基板１と前面基板２間に密封配置され、両基板１、２間に配置された、例えば液晶層を囲繞している。符号４は端子部で、この端子部４から引き出された金属配線が、前記薄膜トランジスタのゲート配線等とせつぞくされている。この端子部４は、背面基板１の一端面或は複数端面に形成されている。
【００１４】
図２は、背面基板１の要部の模式断面図であり、前記薄膜トランジスタＴＦＴ１を含む図１（ｂ）の断面を示し、かつ前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。図２において、絶縁基板１ａの表面には下地バリア膜１０が形成され、その上側にゲート電極及びゲート配線１１、第１の絶縁膜１２、多結晶シリコン層１３、非晶質シリコン層１４、ソース及びドレイン電極１５、端子部４から引き出された金属配線１６、第２の絶縁膜１７、有機保護膜１８、第１の透明導電膜１９、２０、第３の絶縁膜２１、第２の透明導電膜２２等が積層或は並設されている。又、符号２３は第１のコンタクトホール、２４は第２のコンタクトホールである。
【００１５】
図２において、ゲート配線１１上に配置する第１のコンタクトホール２３は、このゲート配線１１上に積層配置された絶縁膜、例えばＳｉＯ2膜からなりゲート絶縁膜を構成する第１の絶縁膜１２と、この第１の絶縁膜１２とはエッチングレートの異なる例えばＳｉＮ膜からなる第２の絶縁膜１７との積層膜を略同軸で貫通する開口２３１を備えている。この開口２３１は穿孔完了時点ではその側壁面の前記第１の絶縁膜１２と第２の絶縁膜１７との境界部分にエッチングレートの差に起因する段差が存在している。又、第２のコンタクトホール２４は、前記第２の絶縁膜１７を貫通する開口２４１を備えている。この開口２４１の側壁面は略平滑である。これらの開口２３１、２４１は同一工程で穿孔されている。
【００１６】
前記第１のコンタクトホール２３を構成する開口２３１は、先ずゲート配線１１の表面に接する底面から開口の側壁面を通り頂面を経由して前記第２の絶縁膜１７上迄を覆う有機保護膜１８を備えている。この有機保護膜１８では、上記側壁面の段差による信頼性低下は解消されていない。
【００１７】
次に、前記開口２３１内の有機保護膜１８を覆って、例えばＩＴＯからなる第１の透明導電膜１９が配置される。この第１の透明導電膜１９は一端側を前記開口２３１の底面でゲート配線１１と導通し、他端側を前記頂面方向に延在して有機保護膜１８の一部を覆う構成となっている。
【００１８】
一方、第２のコンタクトホール２４は、開口２４１内の有機保護膜１８を覆って前記第１の透明導電膜１９と同時に形成される第１の透明導電膜２０が配置される。この第１の透明導電膜２０は一端側を前記開口２４１の底面で金属配線１６と導通し、他端側を前記頂面方向に延在して有機保護膜１８の一部を覆う構成となっている。
【００１９】
又、前記第１の透明導電膜１９、２０の底面の一部を除く表面は、例えばＳｉＮ膜からなる第３の絶縁膜２１で覆われた構成となっている。更に、前記第１の透明導電膜１９、２０のそれぞれの底面の一部の前記第３の絶縁膜２１から露呈した部分には、この露呈部分にそれぞれ接し、前記第１の透明導電膜１９、２０を導通する連続した第２の透明導電膜２２が積層配置されている。この第２の透明導電膜２２は例えばＩＴＯ膜から構成されている。
【００２０】
このように、第１のコンタクトホール２３内の第１の透明導電膜１９と第２のコンタクトホール２４内の第１の透明導電膜２０に接する連続した第２の透明導電膜２２によりゲート電極１１と引き出し端子１６とが導通接続されている。
上記の通り、第１のコンタクトホール２３の開口２３１に形成された段差を、第１の透明導電膜１９、及び第３の絶縁膜２１で覆うことにより、段差を解消し、第２の透明導電膜２２の断線防止、接続の信頼性向上が実現できる。
尚、上記構成によって形成された薄膜トランジスタは、表示装置の表示領域にて画素を構成する薄膜トランジスタとして用いてもよい。また、表示領域を囲む周辺領域において、駆動回路を構成する薄膜トランジスタとして用いてもよい。
【実施例２】
【００２１】
次に、本発明の製造方法の実施例を実施例２として説明する。図３〜図２２は、本発明の表示装置の製造方法を説明する工程図で、各図（ａ）は模式平面図、各図（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。なお、これら各図において前述した図と同じ部分には同一記号を付してある。以下、図３〜図２２を基に本発明の製造方法を説明する。以下の説明では、特に図２に対応する部分の実施例について説明する。
【００２２】
先ず、図３に示すように絶縁基板１ａ上を下地バリア膜１０で被覆する。この下地バリア膜１０は必須ではない。次に、この下地バリア膜１０上にゲート電極及びゲート配線１１を構成するゲート電極膜１１ａを図４に示すようにをスパッタにより成膜し、この電極膜１１ａをホトマスクを介して露光し、その後現像して図５に示すようにゲート電極及びゲート配線１１を形成する。電極膜材料としては例えば、クロム、モリブデン、タングステン、チタン、或いはこれらの金属の何れかを含む合金が用いられる。
【００２３】
次に、図６に示すように、前記ゲート配線１１を含む表面を第１の絶縁膜１２で被覆する。この第１の絶縁膜１２はＳｉＯ2（酸化シリコン）膜から構成され、ゲート絶縁膜となる。次に、多結晶シリコン層１３を構成するために、アモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１３ａを図７に示すように成膜する。成膜方法は例えばプラズマＣＶＤ法による。
【００２４】
次に、アモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１３ａの一部で前記ゲート電極に対応する部分に図８に示すようにレーザ１３１を照射し、この被照射部に多結晶シリコン層１３を形成し、残部のアモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１３ａは除去する（図９参照）。レーザとしては例えばエキシマレーザを用いる。
【００２５】
次に、非晶質シリコン層（アモルファスシリコン層）１４を構成するために、アモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１４ａを図１０に示すように前記多結晶シリコン層１３を含む表面に成膜する。
【００２６】
次に、アモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１４ａをホトマスクを介して露光し、エッチングして前記多結晶シリコン層１３上に前記非晶質シリコン層１４を積層形成し、残部のアモルファスシリコン（a-Ｓｉ）層１４ａは除去する（図１１参照）。尚、薄膜トランジスタの半導体層は、多結晶シリコン層の単層構造としてもよい。
【００２７】
次に、ソース及びドレイン電極１５並びに引き出し端子１６を構成するアルミニウム膜１６ａを図１２に示すように前記非晶質シリコン層１４を含む表面にスパッタにより成膜する。この材料はアルミニウムを主成分とするアルミニウム合金でも良い。
【００２８】
次に、前記アルミニウム膜１６ａを加工し、ソース及びドレイン電極１５並びに端子部から引き出された金属配線１６をそれぞれ形成する。この形成は、図１３に示すように前記非晶質シリコン層１４に接してゲート電極を挟んだ位置にソース及びドレイン電極１５を形成し、又、金属配線１６は一端側をゲート配線１１の端部に隣接させ、他端側を絶縁基板１ａ端面まで、即ち図１に示す端子部４まで延在させてそれぞれ形成している。
【００２９】
次に、図１４に示すように前記電極１５及び引き出し端子１６を含む表面を第２の絶縁膜１７で覆う。この第２の絶縁膜１７はＳｉＮ（窒化シリコン）膜からなる絶縁膜である。
【００３０】
次に、ゲート配線１１及び金属配線１６のそれぞれの上部に第１のコンタクトホール２３及び第２のコンタクトホール２４を設ける。この第１及び第２のコンタクトホール２３、２４は、前記ゲート配線１１側では、先ず第１のコンタクトホール２３を前記第１及び第２の絶縁膜１２，１７の積層膜にエッチングにより開口２３１を穿孔して設ける。一方、金属配線１６側の第２のコンタクトホール２４では第２の絶縁膜１７にエッチングにより開口２４１を穿孔して設ける。これらの開口２３１，２４１は同じ工程で穿孔する。
【００３１】
このエッチングは、第２の絶縁膜１７（この実施例ではＳｉＮ膜）に適したエッチング条件が採用される。これに伴い第１の絶縁膜１２がオーバエッチングされて開口２３１の側壁面には段差が形成される（図１５参照）。
【００３２】
次に、前記開口２３１、２４１の側壁面を含む表面を有機保護膜１８で覆う（図１６参照）。
【００３３】
次に、有機保護膜１８を加工し、開口２３１、２４１の底面にそれぞれゲート配線１１と金属配線１６の一部がそれぞれ露呈する寸法の孔１８１、１８２を設ける（図１７参照）。
【００３４】
次に、前記有機保護膜１８上を覆う透明導電膜１９ａを成膜する。この透明導電膜１９ａはＩＴＯ膜から構成されている。この透明導電膜１９ａは図１８に示すように前記孔１８１、１８２の部分でゲート配線１１と金属配線１６にそれぞれ導通する構成となっている。
【００３５】
次に、この透明導電膜１９ａを加工し、図１９に示すように、前記開口２３１に断面が略Ｕ字状の第１の透明導電膜１９を、又、開口２４１には断面が略Ｕ字状の第１の透明導電膜２０をそれぞれ形成する。残部の透明導電膜１９ａは除去する。尚、絶縁基板１ａ上に、画素電極及び対向電極が形成される表示装置においては、この透明導電膜１９ａから、第１の透明導電膜１９、２０と同時に、対向電極或いは画素電極の何れかを同時に形成してもよい。
【００３６】
次に、前記第１の透明導電膜１９、２０を含む表面を第３の絶縁膜２１で覆う。この第３の絶縁膜２１はＳｉＮ（窒化シリコン）膜からなる絶縁膜である（図２０参照）。
【００３７】
次に、この第３の絶縁膜２１を加工し、コンタクトホール２３及びコンタクトホール２４内の開口２３１、２４１の底面にそれぞれ第１の透明導電膜１９、２０の一部がそれぞれ露呈する寸法の孔２１１、２１２を設ける（図２１参照）。
【００３８】
次に、前記第３の絶縁膜２１上のコンタクトホール２３からコンタクトホール２４間を連続して覆う第２の透明導電膜２２を形成する。この第２の透明導電膜２２はＩＴＯ膜から構成されている（図２２参照）。この第２の透明導電膜２２は、図２２に示すように、前記孔２１１、２１２の部分で第１の透明導電膜１９、２０にそれぞれ導通しており、この導通を含めゲート配線１１―第１の透明導電膜１９―第２の透明導電膜２２―第１の透明導電膜２０―金属配線１６の経路でゲート配線１１と金属配線１６とが接続される構成となっている。
【００３９】
このような構成により、エッチングレートの差に起因するコンタクトホール内の段差を量産性を損なうことなく解消でき、高品質の画像表示を可能とした表示装置とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による表示装置の一実施例を示す模式図であり、図１（ａ）は側面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の平面図である。
【図２】図１（ｂ）の要部模式断面図である。
【図３】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図３（ａ）は模式平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図４】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図４（ａ）は模式平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図５】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図５（ａ）は模式平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図６】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図６（ａ）は模式平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図７】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図７（ａ）は模式平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図８】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図８（ａ）は模式平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図９】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図９（ａ）は模式平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１０】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１０（ａ）は模式平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１１】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１１（ａ）は模式平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１２】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１２（ａ）は模式平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１３】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１３（ａ）は模式平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１４】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１４（ａ）は模式平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１５】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１５（ａ）は模式平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１６】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１６（ａ）は模式平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１７】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１７（ａ）は模式平面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１８】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１８（ａ）は模式平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図１９】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図１９（ａ）は模式平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図２０】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図２０（ａ）は模式平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図２１】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図２１（ａ）は模式平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図２２】本発明による表示装置の製造方法を説明する工程図であり、図２２（ａ）は模式平面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１・・・背面基板、１ａ・・・絶縁基板、２・・・前面基板、３・・・シール材、４・・・端子部、１１・・・ゲート配線、１２・・・第１の絶縁膜、１３・・・多結晶シリコン層、１４・・・非晶質シリコン層、１５・・・ソース・ドレイン電極、１６・・・金属配線、１７・・・第２の絶縁膜、１８・・・有機保護膜、１９、２０・・・第１の透明導電膜、２１・・・第３の絶縁膜、２２・・・第２の透明導電膜、２３・・・第１のコンタクトホール、２４・・・第２のコンタクトホール、ＴＦＴ・・・薄膜トランジスタ。
【図１】
2009122376.tif 000003
【図２】
2009122376.tif 000004
【図３】
2009122376.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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