(57)【要約】【課題】画像表示の最小単位となるサブ画素をより密に配置して、画素の高開口率化や表示の高精細化を図ることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置では、上部電極（共通電極）と下部電極（画素電極）の間に有機層を挟み込んだ構造の有機ＥＬ素子を含む複数のサブ画素１５を行列状に並べて配置するとともに、複数のサブ画素１５が行列状に並ぶ画素領域に、上部電極を下部電極と同層の補助配線２２に電気的に接続するための補助配線コンタクト部２４を形成し、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成している。【選択図】図５
2009122652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極と下部電極の間に表示機能層を挟み込んだ構造の電気光学素子を含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、
前記複数のサブ画素が行列状に並ぶ画素領域に、前記上部電極を補助配線に電気的に接続するための補助配線コンタクト部を形成し、
前記サブ画素の並び方向で隣り合うｍ個（ｍは２以上の整数）のサブ画素を１つの組として、各組ごとに前記補助配線コンタクト部をｎ個（ｎはｍよりも小さい自然数）ずつ形成してなる
表示装置。
【請求項２】
前記補助配線は前記下部電極と同層に形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記サブ画素は、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するための画素コンタクト部を含むものであって、
前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素を前記ｍ個１組として組み合わせるとともに、同一組に属する前記ｍ個のサブ画素に対して、前記第１の方向で位置を揃えて前記画素コンタクト部を設けてなる
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記サブ画素は、前記電気光学素子を画素回路に電気的に接続するための画素コンタクト部を含むものであって、
前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素を２個１組として組み合わせるとともに、同一組に属する２個のサブ画素に対して、前記第１の方向で向かい合わせて前記画素コンタクト部を設けてなる
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記サブ画素の並び方向となる行方向及び列方向のうち、第１の方向で隣り合うサブ画素をｍ個１組として組み合わせるとともに、
奇数列目と偶数列目で、サブ画素を組み合わせる位置が前記第１の方向で異なる
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記補助配線は前記上部電極より低い抵抗の材料で形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
上部電極と下部電極の間に表示機能層を挟み込んだ構造の電気光学素子を含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、
前記複数のサブ画素が行列状に並ぶ画素領域に、前記上部電極を前記下部電極と同層の補助配線に電気的に接続するための補助配線コンタクト部を形成し、
前記サブ画素の並び方向で隣り合うｍ個（ｍは２以上の整数）のサブ画素を１つの組として、各組ごとに前記補助配線コンタクト部をｎ個（ｎはｍよりも小さい自然数）ずつ形成してなる表示装置を有する
電子機器。
【請求項８】
前記補助配線は前記下部電極と同層に形成されている
請求項７記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置とこれを有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像の表示を行なう表示装置の分野では、発光素子を含む画素を行列状に配置した平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化や薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるため、動画を表示するときに残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため現在では、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子に対応する画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型の電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置が主流になっている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間にわたって発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
一般に、有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層をカソード電極とアノード電極でサンドイッチ状に挟み込んだ構造になっている。そして、有機ＥＬ素子を発光させる場合は、アノード電極に正の電圧、カソード電極に負の電圧をそれぞれ印加する。これにより、有機層に対して、アノード電極側から正孔が注入されるとともに、カソード電極側から電子が注入され、それらが有機層の内部（発光層）で再結合することにより発光する仕組みになっている。
【０００７】
有機ＥＬ表示装置で画像表示の最小単位となる画素（以下、「サブ画素」と記す）は、光の三原色であるＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の色ごとに区分して設けられる。各々のサブ画素（サブピクセル）は、電気光学素子となる有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を画素回路に電気的に接続するための画素コンタクト部とを含む。画素回路とは、電気光学素子（有機ＥＬ素子）に流れる電流を制御するための回路である。通常、画素回路はサブ画素と１：１の対応関係で設けられる。
【０００８】
アクティブマトリクス型の表示装置においては、有機ＥＬ素子の開口率を確保するために、画素回路が形成される透明絶縁基板と反対側から光を取り出す、いわゆる上面光取り出し構造（以下、「上面発光型」と記す）として構成することが有効になる。ただし、上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、下部電極との間で有機層を挟む上部電極が、光透過性を確保するために、例えば極薄の金属膜で形成される。このため、上部電極のシート抵抗が高くなり、上部電極に電圧を印加したときに電圧降下が生じやすくなる。
【０００９】
そこで従来においては、下部電極と同層に低抵抗の金属材料（例えば、銀、アルミニウム等）を用いて補助配線を形成し、この補助配線に補助配線コンタクト部を介して上部電極を電気的に接続することにより、上部電極の電圧降下を防止する構造が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図２４は上面発光型の有機ＥＬ表示装置におけるレイアウトを示す概略平面図である。有機ＥＬ素子を形成するための基板（以下、「素子形成用基板」と記す）５１には、透明絶縁基板として、透明なガラス基板が用いられる。素子形成用基板５１上には矩形の枠状に補助電極５２が形成されており、この補助電極５２に囲まれた領域（以下、「画素領域」と記す）内に複数のサブ画素５３が行列状に並べて配置されている。各々のサブ画素５３には画素コンタクト部５４が設けられている。
【００１２】
画素コンタクト部５４は、上述のように有機層を挟むカソード電極及びアノード電極のうち、サブ画素５３ごとに区画形成される画素電極を、図示しない画素回路に電気的に接続するために設けられるものである。画素電極は、これに対向する共通電極との間で有機層を挟み込むものである。共通電極は、すべてのサブ画素５３に共通するベタ状の電極層として形成されるものである。素子形成用基板５１を水平に配置した状態では、画素電極が下部電極、共通電極が上部電極として配置され、上部電極側が光取り出し側となる。
【００１３】
また、補助電極５２によって囲まれた画素領域には、各々のサブ画素５３の間を縫うようにして縦横に補助配線５５が形成されている。補助配線５５は、補助電極５２とともに、図示しない画素電極と同じ層に形成されるものである。上記上部電極（共通電極）は、複数の補助電極コンタクト部５６を介して補助電極５２に電気的に接続されている。さらに、上部電極は、複数の補助配線コンタクト部５７を介して補助配線５５に電気的に接続されている。
【００１４】
しかしながら、上記有機ＥＬ表示装置においては、行方向（垂直方向）で隣り合うすべてのサブ画素５３の間に補助配線コンタクト部５７が存在している。このため、製造プロセス上のルールや設計ルールなどにしたがって、行方向で隣り合うすべてのサブ画素５３の間に、補助配線５５や補助配線コンタクト部５７を形成するための領域を確保する必要があった。その結果、画素領域でサブ画素の配置が疎らな状態になっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る表示装置は、上部電極と下部電極の間に表示機能層を挟み込んだ構造の電気光学素子を含む複数のサブ画素を行列状に並べて配置するとともに、前記複数のサブ画素が行列状に並ぶ画素領域に、前記上部電極を補助配線に電気的に接続するための補助配線コンタクト部を形成し、前記サブ画素の並び方向で隣り合うｍ個（ｍは２以上の整数）のサブ画素を１つの組として、各組ごとに前記補助配線コンタクト部をｎ個（ｎはｍよりも小さい自然数）ずつ形成してなるものである。
【００１６】
本発明に係る表示装置及びこれを有する電子機器においては、サブ画素の並び方向で隣り合うｍ個のサブ画素を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部をｎ個ずつ形成することにより、サブ画素の並び方向で、従来よりも画素間隔を詰めてサブ画素を密に配置することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、上部電極を補助配線に電気的に接続して上部電極の低抵抗化を図る表示装置において、サブ画素の並び方向で、従来よりも画素間隔を詰めてサブ画素を密に配置することができる。このため、画素の高開口率化や表示の高精細化を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
＜表示装置の構成＞
図１は本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００２０】
有機ＥＬ表示装置１は複数（多数）の有機ＥＬ素子２を用いて構成されるものである。有機ＥＬ素子２は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色の違いでサブ画素ごとに区分されている。ただし、図１では、そのうちの１つだけを示している。
【００２１】
有機ＥＬ素子２は素子形成用基板３を用いて構成されている。素子形成用基板３上には、図示しない能動素子（例えば、薄膜トランジスタ）を含む画素回路とともに、下部電極４、絶縁層５、有機層６及び上部電極７が順に積層されている。さらに、上部電極７は保護層８によって覆われ、この保護層８の上に接着層９を介して対向基板１０が配置されている。有機ＥＬ素子２は、有機材料からなる有機層６を下部電極４と上部電極７でサンドイッチ状に挟み込んだ構造になっている。
【００２２】
素子形成用基板３と対向基板１０は、それぞれ透明なガラス基板（絶縁基板）によって構成されるものである。素子形成用基板３と対向基板１０は、それら２枚の基板の間に、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７、保護層８、接着層９を挟み込むかたちで、互いに対向する状態に配置されている。
【００２３】
下部電極４及び上部電極７は、一方がアノード電極となり、他方がカソード電極となる。下部電極４は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には高反射性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は透明材料で構成される。
【００２４】
ここでは、一例として、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がアノード電極、上部電極７がカソード電極である場合を想定している。この場合、下部電極４は、サブ画素ごとに区画形成されることから、画素電極に相当するものとなる。これに対して、上部電極７は、すべてのサブ画素に共通する共通電極となる。このため、上部電極７は、有機層６を覆う状態で素子形成用基板３の全面にベタ状に形成される。下部電極４は、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ)、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、又はその合金で構成される。
【００２５】
なお、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）,インジウム（Ｉｎ）,マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金,リチウム(Ｌｉ)−フッ素(Ｆ)化合物、リチウム-酸素（Ｏ）化合物のように、仕事関数が小さく、かつ、光反射率の高い導電性材料で構成される。
【００２６】
また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がアノード電極である場合は、下部電極４は、例えばＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で構成される。また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、仕事関数が小さく、かつ、光透過率の高い導電性材料で構成される。
【００２７】
絶縁層５は、下部電極４の周辺部を覆う状態で素子形成用基板３の上面に形成されている。絶縁層５にはサブ画素ごとに窓が形成されており、この窓の開口部分で下部電極４が露出している。絶縁層５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて形成されるものである。
【００２８】
有機層６は、下部電極４と上部電極７の間に表示機能層として形成されるものである。有機層６は、例えば図２に示すように、素子形成用基板３側から順に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３（６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ）及び電子輸送層６４を積層した４層の積層構造を有するものである。
【００２９】
正孔注入層６１は、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕によって形成されるものである。正孔輸送層６２は、例えば、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]によって形成されるものである。なお、材料はこれに限定されず、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料を用いることができる。また、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２は、それぞれ複数層からなる積層構造であってもよい。
【００３０】
発光層６３は、ＲＧＢの色成分ごとに異なる有機発光材料によって形成されるものである。具体的には、赤色発光層６３ｒは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成される。緑色発光層６３ｇは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料としてクマリン６を５重量％混合したものにより構成される。青色発光層６３ｂは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成される。各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂは、画素の色配列に応じて、サブ画素と同様の行列状、又はサブ画素の行方向に平行なスリット状に配置される。
【００３１】
電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）によって形成されるものである。なお、有機層６については、ここで例示する４層の構造に限らず、少なくとも発光層を含む層であればよい。具体的には、有機層６は、上述した４層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層）の構造以外にも、図示しない電子注入層を加えた５層の構造であってもよいし、それよりも層数が少ない又は多い構造であってもよい。
【００３２】
上部電極７は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合は、極薄の金属膜又はＩＴＯ、ＩＺＯ等により、透明又は半透明の導電性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、高反射性材料で構成される。特に、上面発光型の有機ＥＬ表示装置１の場合は、光の取り出し側となる上部電極７に光透過性と導電性を同時に持たせる必要があるため、アルミニウム、銀等の低抵抗材料で形成される下部電極４に比較して、上部電極７の電気抵抗値（シート抵抗）は高くなる。
【００３３】
以上のように素子形成用基板３上に形成される下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７により、有機ＥＬ素子２（赤色有機ＥＬ素子２ｒ、緑色有機ＥＬ素子２ｇ、青色有機ＥＬ素子２ｂ）が構成されている。
【００３４】
保護層８は、上部電極７や有機層６への水分の到達を防止するなどの目的で形成されるものである。このため、保護層８は、透水性及び吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成される。また、保護層８は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には、有機層６で発光させた光を透過させる必要があるため、例えば８０％程度の光透過率を有する材料で構成される。
【００３５】
また、上部電極７を金属薄膜で形成し、この金属薄膜の上に直接、絶縁性の保護層８を形成するものとすると、保護層８の形成材料として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）、さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護層８となる。
【００３６】
接着層９は、例えばＵＶ（紫外線）硬化型樹脂によって形成されるものである。接着層９は、対向基板１０を固着させるためのものである。
【００３７】
なお、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機ＥＬ表示装置１にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、ＲＧＢの各色に対応する有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂから発せられる発光のスペクトルのピーク波長近傍の光のみを透過するカラーフィルタを、各色の有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂの光取り出し面側に設けることになる。
【００３８】
＜駆動回路の構成＞
図３は有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。有機ＥＬ表示装置１の駆動回路は、素子形成用基板３上に形成されている。さらに詳述すると、素子形成用基板３上には、画素領域を含む表示領域１１とその周辺領域１２とが設定されている。表示領域１１には、複数の走査線１３と複数の信号線１４とが縦横に配線されている。走査線１３と信号線１４の各交差部にはサブ画素１５が１つずつ設けられている。表示領域１１内には複数（多数）のサブ画素１５が行列状に並べて配置されている。素子形成用基板３上におけるサブ画素１５の並び方向は、表示画面上で垂直方向に相当する行方向（図の上下方向）と、表示画面上で水平方向に相当する列方向（図の左右方向）に分けられる。各々のサブ画素１５は、上述した有機ＥＬ素子２を含むものである。周辺領域１２には、走査線１３を走査駆動する走査線駆動回路１６と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線１４に供給する信号線駆動回路１７とが配置されている。
【００３９】
＜画素回路の構成＞
図４は画素回路の構成例を示す図である。この画素回路１８は、有機ＥＬ素子２に流れる電流を制御する回路である。ここでは一例として、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２及び保持容量Ｃｓを用いて、１つのサブ画素に対応する画素回路１８が構成されている。この画素回路１８では、走査線駆動回路１６の駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線１４から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から有機ＥＬ素子２に供給され、この電流値に応じた輝度で有機ＥＬ素子２が発光する仕組みになっている。
【００４０】
なお、上記のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けたりして画素回路を構成してもよい。また、周辺領域１２には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加してもよい。
【００４１】
＜第１実施形態＞
図５は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。また、図６は本発明の第１実施形態に有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。
【００４２】
まず、画素回路１８は、有機ＥＬ素子２とともに素子形成用基板３上に形成されている。例えば、素子形成用基板３には公知の薄膜形成技術やパターニング技術等を用いて画素回路１８が形成され、この画素回路１８を覆う絶縁性の平坦化膜（層間絶縁膜）１９の上に有機ＥＬ素子２が形成されている。有機ＥＬ素子２の下部電極（本形態例ではアノード電極）４は画素コンタクト部２０を介して画素回路１８に電気的に接続されている。画素コンタクト部２０は、例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造工程のなかで、素子形成用基板３上に画素回路１８を覆うように平坦化膜１９を形成した後、画素回路１８に達するように平坦化膜１９に接続孔を形成し、この接続孔に導電性材料を埋め込むことにより形成されるものである。
【００４３】
また、素子形成用基板３上には補助電極２１が矩形の枠状に形成され、この補助電極２１の枠内、すなわち画素領域内に複数のサブ画素１５が行列状に並べて配置されるとともに、当該画素領域内に縦横に補助配線２２が形成されている。ここでは、説明の便宜上、画素領域内に４行×４列で合計１６個のサブ画素１５を配置し、一番上の行を１行目、一番左端の列を１列目とする。
【００４４】
各々のサブ画素１５には、上記画素回路１８との電気的な接続のための画素コンタクト部２０が１つずつ設けられている。画素コンタクト部２０は、サブ画素１５の平面的な大きさ（面積）を規定する下部電極４を平面視矩形状に形成した場合に、この矩形の一辺から部分的に突出する突出部１５Ａに形成されている。このように画素コンタクト部２０をサブ画素１５の突出部１５Ａに形成する理由は、次のような事情による。
【００４５】
すなわち、有機ＥＬ素子２に通電して発光させた場合、画素コンタクト部２０の形成部位は所望の発光状態とならない。このため、通常は画素コンタクト部２０の形成部位を遮蔽して非発光部としている。そうした場合、例えば突出部１５Ａを含むようにサブ画素１５の領域を拡大して、当該サブ画素１５の外形を矩形にすると、矩形の一部（画素コンタクト部２０の形成部位）が非発光部となり、発光画素の外形が、矩形の一部を切り欠いたような、いびつな形状になってしまう。これに対して、上述のようにサブ画素１５の突出部１５Ａに画素コンタクト部２０を形成すれば、発光画素の外形は矩形の整った形状となり、画像表示に適したものとなる。
【００４６】
補助電極２１及び補助配線２２は、上部電極７の低抵抗化（電圧降下の防止）を図るために、上記平坦化膜１９の上に下部電極４と同時に形成されるものである。このため、補助電極２１と補助配線２２は、下部電極４と同じ層に、下部電極４と同じ導電性材料を用いて形成されている。補助配線２２は、補助電極２１から画素領域内に向けて連続的につながった状態で形成されている。さらに詳述すると、行方向に沿う縦の補助配線２２は、列方向で隣り合うサブ画素１５の間に、１サブ画素置きに縦一直線状に形成されている。また、列方向に沿う横の補助配線２２は、行方向で隣り合うサブ画素１５の間で、２サブ画素置きに横一直線状に形成されている。
【００４７】
これに対して、各々のサブ画素１５は、補助電極２１及び補助配線２２に区画される矩形の領域内に、当該補助電極２１及び補助電極２２から分離した状態で形成されている。このため、補助電極２１と補助配線２２は互いに導通しているが、サブ画素１５ごとに形成される下部電極４は、補助電極２１及び補助配線２２と電気的に絶縁されている。
【００４８】
上部電極７は、複数の補助電極コンタクト部２３を介して補助電極２１に電気的に接続されている。また、上部電極７は、複数の補助配線コンタクト部２４を介して補助配線２２に電気的に接続されている。各々の補助電極コンタクト部２３は、画素領域を囲む補助電極２１の形成領域内に設けられている。各々の補助配線コンタクト部２４は、画素領域に配線された補助配線２２の形成領域内（配線幅内）に設けられている。このため、補助電極コンタクト部２３は、画素領域外に配置され、補助配線コンタクト部２４は、画素領域内に配置されている。
【００４９】
補助電極コンタクト部２３及び補助配線コンタクト部２４は、例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造工程のなかで、素子形成用基板３上に上部電極７を形成する前に、上記絶縁層５を貫通する状態で下部電極４に達する接続孔を形成し、この接続孔に上部電極７の形成材料（導電性材料）を埋め込むことにより形成されるものである。
【００５０】
本発明に係る表示装置は、サブ画素１５の並び方向となる行方向及び／又は列方向で隣り合うｍ個（ｍは２以上の整数）のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４をｎ個（ｎはｍよりも小さい自然数）ずつ形成するものである。この第１実施形態においては、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成している。すなわち、１列目のサブ画素１５に関しては、上２つのサブ画素１５からなる組と、下２つのサブ画素１５からなる組の間に補助配線２２が形成され、この補助配線２２上に１個の補助配線コンタクト部２４が設けられている。この点は、２列目、３列目及び４列目のサブ画素１５に関しても同様である。
【００５１】
ちなみに、図５においては、行方向に４つのサブ画素１５を並べた状態を示しているため、各列に横の補助配線２２が１本ずつしか形成されていないが、実際には行方向に多数のサブ画素１５が並ぶことになるため、それに応じて横の補助配線２２の本数も増える。例えば、図示はしないが、各列で行方向に１６個のサブ画素１５を並べた場合は、横の補助配線２２の本数が１列あたり合計７本になり、これに応じて補助配線コンタクト部２４の個数も１列あたり合計７個になる。
【００５２】
このようなレイアウトを採用することにより、例えば、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５の間には、補助配線コンタクト部２４を形成するための領域を確保する必要があるが、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５の間には、補助配線コンタクト部２４を形成するための領域を確保する必要がなくなる。このため、行方向で隣り合う各々のサブ画素１５のうち、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５の間隔よりも狭い間隔で、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５を配置することができる。
【００５３】
したがって、図２４のレイアウトと比較して、より密にサブ画素１５を行方向に並べて配置することができる。その結果、画素領域におけるサブ画素１５（下部電極４）の占有面積を広げることができる。このため、画素の高開口率化を実現することができる。画素の高開口率化は、各々の有機ＥＬ素子２に流す単位面積あたりの電流値（電流密度）を低く抑えることができるため、有機ＥＬ素子２の長寿命化に寄与するものとなる。また、同じ画素サイズで比較した場合は、より多くのサブ画素１５を画素領域内に配置することができる。このため、表示の高精細化を実現することができる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
図７は本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００５５】
この第２実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する点は共通しているが、各組のサブ画素１５に設けられた画素コンタクト部２０の位置関係が異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には左上に画素コンタクト部２０を設け、他方のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０を設けているが、本第２実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０を設け、他方のサブ画素１５にも左下に画素コンタクト部２０を設けている。
【００５６】
つまり、上記第１実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５に対して、画素コンタクト部２０の位置を行方向で反転（上下反転）した状態に配置しているが、本第２実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５に対して、画素コンタクト部２０の位置を行方向で反転せずに、位置を揃えて（つまりサブ画素１５の同じ位置に）配置している。このため、第２実施形態のレイアウトでは、上記第１実施形態と比較して、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間隔が広くなっている。
【００５７】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、上記第１実施形態の場合は、１行目と２行目のサブ画素１５の間隔に比較して、２行目と３行目のサブ画素１５の間隔が広くなっているため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列は、例えば図８に示すような配列となる。この場合は、行方向でＲＧＢの画素間隔が狭くなったり広くなったりする部分が、画素領域全体にわたって列方向に連続して存在することになる。このため、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる懸念がある。
【００５８】
これに対して、本第２実施形態の場合は、上記第１実施形態と比較して、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間隔（例えば、１行目と２行目のサブ画素１５の間隔）が広くなる。このため、行方向における画素間隔の格差が小さくなる。したがって、上記第１実施形態と比較して、画面の一様性が良好なものとなる。
【００５９】
＜第３実施形態＞
図９は本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６０】
この第３実施形態においては、上記第１実施形態と比較して、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する点は共通しているが、各組のサブ画素１５に設けられた画素コンタクト部２０の位置関係が異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には左上に画素コンタクト部２０を設け、他方のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０を設けているが、本第３実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５のうち、一方のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０を設け、他方のサブ画素１５には左上に画素コンタクト部２０を設けている。
【００６１】
つまり、上記第１実施形態及び本第３実施形態は、同一組に属する上下２つのサブ画素１５に対して、画素コンタクト部２０の位置を行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点は共通している。ただし、本第３実施形態においては、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０同士が、行方向で突き合わせた状態に向かい合って配置されており、この点が上記第１実施形態と異なっている。
【００６２】
このため、第３実施形態のレイアウトでは、上記第１実施形態と比較して、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間隔が広くなっている。また、上記第２実施形態では、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間に１個の画素コンタクト部２０を形成するための領域が確保され、第３実施形態では、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間に２個の画素コンタクト部２０を形成するための領域が確保されている。このため、第３実施形態のレイアウトでは、上記第２実施形態と比較しても、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間隔が広くなっている。
【００６３】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、本第３実施形態の場合は、上記第２実施形態と比較して、同一組に属する上下２つのサブ画素１５の間隔（例えば、１行目と２行目のサブ画素１５の間隔）が広くなる。このため、行方向における画素間隔の格差が小さくなり、行方向に均等な間隔でサブ画素１５を配置することができる。したがって、上記第２実施形態と比較して、画面の一様性がより一層良好なものとなる。
【００６４】
＜第４実施形態＞
図１０は本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６５】
この第４実施形態においては、上記第３実施形態と比較して、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する点や、同一組に属する上下２つのサブ画素１５に対して、画素コンタクト部２０の位置を行方向で反転（上下反転）した状態に配置する点、さらには同一組に属する上下２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０同士を、行方向で互いに向かい合わせて配置する点は共通しているが、行方向で隣り合うサブ画素を２個１組として組み合わせるにあたって、奇数列目と偶数列目で、上下２つのサブ画素１５を組み合わせる位置が行方向で異なっている。
【００６６】
すなわち、１列目と３列目では、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５を、それぞれ１つの組としているのに対して、２列目と４列目では、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５を１つの組としている。また、図示はしないが、例えば各列で行方向に１６個のサブ画素１５を並べた場合は、１列目と３列目で、１行目のサブ画素１５と２行目のサブ画素１５、３行目のサブ画素１５と４行目のサブ画素１５、・・・、１３行目のサブ画素１５と１４行目のサブ画素１５、１５行目のサブ画素１５と１６行目のサブ画素１５を、それぞれ１つの組とし、２列目と４列目では、２行目のサブ画素１５と３行目のサブ画素１５、４行目のサブ画素１５と５行目のサブ画素１５、・・・、１２行目のサブ画素１５と１３行目のサブ画素１５、１４行目のサブ画素１５と１５行目のサブ画素１５を、それぞれ１つの組とする。
【００６７】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第３実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果を得ることができる。すなわち、行方向で隣り合うサブ画素を２個１組として組み合わせる場合の組み合わせ位置を、奇数列目と偶数列目で、１サブ画素分ずつ行方向にずらしているため、画素領域全体に補助配線コンタクト部２４が千鳥状に配置される。このため、ＲＧＢの色ごとにサブ画素１５を並べて配置した場合の色配列として、行方向でＲＧＢの画素間隔が広くなったり狭くなったりする部分が、画素領域で列方向に連続せず、画素領域全体に均一に分散して存在することになる。したがって、画面の一様性が非常に良好なものとなる。
【００６８】
＜第５実施形態＞
図１１は本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００６９】
この第５実施形態においては、上記第１実施形態に比較して、同一組に属するサブ画素１５の個数が異なっている。すなわち、上記第１実施形態においては、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成しているが、本第５実施形態においては、行方向で隣り合う４個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する構成となっている。
【００７０】
同一組に属する上下４つのサブ画素１５のうち、内側（中央寄り）２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０同士は、行方向で突き合わせた状態に向かい合って配置されており、それら２つのサブ画素１５の間に補助配線２２の一部が延在し、当該延在した補助配線２２上に補助配線コンタクト部２４が設けられている。また、図示はしないが、例えば各列で行方向に１６個のサブ画素１５を並べた場合は、上述のように行方向で隣り合う４個のサブ画素１５を１つの組としたものが、各組の間に補助配線コンタクト部２４を設けない横の補助配線２２を介在させた状態で、行方向に４組分にわたって繰り返し展開される。このため、横の補助配線２２は、同一組に属する各々のサブ画素１５の間には介在せず、各組の間だけに形成されることになる。
【００７１】
このようなレイアウトを採用することにより、行方向には４個のサブ画素１５につき、１個の補助配線コンタクト部２４を設けるだけで済み、しかも当該補助配線コンタクト部２４が同一組に属するサブ画素１５の間に配置されているため、上記第１実施形態よりも密にサブ画素１５を行方向に並べて配置することができる。その結果、画素の高開口率化や表示の高精細化を図る上で有利になる。
【００７２】
なお、上記第１〜第５実施形態においては、行方向で隣り合う２個又は４個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成するものとしたが、これに限らず、例えば図示はしないが、行方向で隣り合う３個又は５個以上のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成してもよい。また、各組ごとに形成される補助配線コンタクト部２４の個数は、例えば、行方向で隣り合う４個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を２個ずつ形成する場合のように、同一組に属するサブ画素１５の個数よりも少ない個数であればよい。また、上記第４実施形態と同様に、行方向で隣り合うサブ画素１５を４個１組として組み合わせる場合に、奇数番目と偶数番目で、サブ画素１５を組み合わせる位置を行方向で異ならせることにより、画面の一様性を良好なものとすることができる。
【００７３】
＜第６実施形態＞
図１２は本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００７４】
この第６実施形態においては、列方向で隣り合う２個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成している。すなわち、１行目のサブ画素１５に関しては、１列目のサブ画素１５と２列目のサブ画素１５、３列目のサブ画素１５と４列目のサブ画素１５を、それぞれ１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成している。また、同一組に属する左右２つのサブ画素１５のうち、左側のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０が設けられ、右側のサブ画素１５には右下に画素コンタクト部２０が設けられている。
【００７５】
これに対して、補助配線コンタクト部２４は、同一組に属する左右２つのサブ画素１５の間を通る縦の補助配線２２上に形成されている。さらに詳述すると、同一組に属する左右２つのサブ画素１５の間では、縦横の補助配線２２の交差部で、当該補助配線２２の配線幅が部分的に拡大しており、そこに補助配線コンタクト部２４が設けられている。補助配線コンタクト部２４は、同一組に属する左右２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０の間（中間部）に配置されている。こうした点は、２行目、３行目及び４行目のサブ画素１５に関しても同様である。
【００７６】
このようなレイアウトを採用することにより、図２４のレイアウトと比較して、行方向で隣り合うサブ画素１５の間に形成される横の補助配線２２の配線幅を狭めて、より密にサブ画素１５を行方向に並べて配置することができる。このため、上記第１実施形態と同様に、画素の高開口率化と表示の高精細化を実現することができる。
【００７７】
＜第７実施形態＞
図１３は本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００７８】
この第７実施形態においては、行方向で隣り合う２個のサブ画素１５と、列方向で隣り合う２個のサブ画素１５を合わせた、合計４個のサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成している。すなわち、４行×４列のサブ画素１５のなかで、１行目と２行目でかつ１列目と２列目に属する４つのサブ画素１５、１行目と２行目でかつ３列目と４列目に属する４つのサブ画素１５、３行目と４行目でかつ１列目と２列目に属する４つのサブ画素１５、３行目と４行目でかつ３列目と４列目に属する４つのサブ画素１５を、それぞれ１つの組としている。
【００７９】
また、図示はしないが、例えば各列で行方向に１６個のサブ画素１５を並べた場合は、上述のように行方向及び列方向で隣り合う４つのサブ画素１５を１つの組としたものが、行方向に４組分にわたって繰り返し展開されるとともに、各組の間に補助配線コンタクト部２４が設けられた横の補助配線２２が形成される。
【００８０】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第６実施形態に比較して、横の補助配線２２の本数が少なくなるため、より密にサブ画素１５を行方向に並べて配置することができる。したがって、画素の高開口率化や表示の高精細化を図る上で有利になる。
【００８１】
＜第８実施形態＞
図１４は本発明の第８実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００８２】
この第８実施形態においては、上記第７実施形態と比較して、行方向及び列方向で隣り合う４つのサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する点は共通しているが、同一組に属する４つのサブ画素１５における画素コンタクト部２０の位置関係が異なっている。
【００８３】
すなわち、上記第７実施形態においては、同一組に属する４つのサブ画素１５のうち、行方向で隣り合う２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０の位置が、行方向で反転（上下反転）した状態に配置されているが、本第８実施形態においては、同一組に属する４つのサブ画素１５のうち、行方向で隣り合う２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０の位置が、行方向で反転せずに同じ位置（左下または右下）に揃えて配置されている。
【００８４】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第７実施形態と同様の効果に加えて、次のような効果が得られる。すなわち、上記第７実施形態に比較すると、行方向におけるサブ画素１５の間隔が均一化される。このため、画面の一様性が良好なものとなる。
【００８５】
＜第９実施形態＞
図１５は本発明の第９実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００８６】
この第９実施形態においては、上記第７実施形態と比較して、行方向及び列方向で隣り合う４つのサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を１個ずつ形成する点は共通しているが、同一組に属する４つのサブ画素１５に対応する画素コンタクト部２０を設ける位置が異なっている。
【００８７】
すなわち、上記第７実施形態においては、同一組に属する４つのサブ画素１５のうち、下側２つのサブ画素１５の画素コンタクト部２０の間に補助配線コンタクト部２４を配置しているが、本第９実施形態においては、同一組に属する４つのサブ画素１５の中央に補助配線コンタクト部２４を設けている。
【００８８】
さらに詳述すると、第９実施形態においては、同一組に属する４つのサブ画素１５のうち、左上のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０を設け、右上のサブ画素１５には右下に画素コンタクト部２０を設け、左下のサブ画素１５には左上に画素コンタクト部２０を設け、右下のサブ画素１５には右上に画素コンタクト部２０を設けることにより、当該４つのサブ画素１５に囲まれる領域で縦の補助配線２２の配線幅を部分的に拡大し、そこに補助配線コンタクト部２４を形成している。
【００８９】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第８実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
＜第１０実施形態＞
図１６は本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【００９１】
この第１０実施形態においては、列方向で隣り合う４つのサブ画素１５を１つの組として、各組ごとに補助配線コンタクト部２４を２個ずつ形成している。さらに詳述すると、同一組に属する左右４つのサブ画素１５を、左端から右端に向かって１番目のサブ画素１５、２番目のサブ画素１５、３番目のサブ画素１５、４番目のサブ画素１５と定義すると、１番目のサブ画素１５には左下に画素コンタクト部２０が設けられ、２番目のサブ画素１５には右下に画素コンタクト部２０が設けられ、３番目のサブ画素１５には左下に補助配線コンタクト部２４が設けられ、４番目のサブ画素１５には右下に補助配線コンタクト部２４が設けられている。つまり、列方向で隣り合うサブ画素１５の画素コンタクト部２０の位置が、列方向で反転した状態に配置されている。これにより、同一組に属する左右４つのサブ画素１５のうち、左側２つのサブ画素１５と右側２つのサブ画素１５は、左右対称な位置関係で配置されている。
【００９２】
また、図示はしないが、例えば各行で列方向に１６個のサブ画素１５を並べた場合は、上述のように列方向で隣り合う４つのサブ画素１５を１つの組としたものが、各組の間に補助配線コンタクト部２４を設けない縦の補助配線２２を介在させた状態で、列方向に４組分にわたって繰り返し展開される。このため、縦の補助配線２２は、同一組に属する各々のサブ画素１５の間には介在せず、各組の間だけに形成されることになる。
【００９３】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第６実施形態と比較して、縦の補助配線２２の本数が少なくなるため、より密にサブ画素１５を列方向に並べて配置することができる。したがって、画素の高開口率化や表示の高精細化を図る上で有利になる。
【００９４】
＜第１１実施形態＞
図１７は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。また、図１８は本発明の第１実施形態に有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。
【００９５】
上述の第１から第１０実施形態においては、図６に示すように上部電極７を下部電極４と同層の補助配線２２に電気的に接続するための補助配線コンタクト部２４を形成する場合について述べたが、この第１１実施形態においては図１８に示すように補助配線２２０が、素子形成用基板３上の画素回路１８と同層に形成されている。そして上部電極７を補助配線２２０に電気的に接続するための補助配線コンタクト部２４０が形成されている。補助配線２２０は、画素回路１８を構成する層の内、最も低い抵抗値を示す導電層、例えばアルミニウム材料で形成された層と同層に形成することが好ましい。アルミニウムで形成された補助配線２２０は上部電極７に比べシート抵抗値が十分低く（略１０００分の１）、上部電極７を補助配線２２０に電気的に接続して上部電極７の低抵抗化を図ることができる。
【００９６】
補助電極２１０及び補助配線２２０は、図１７に示すように、画素回路１８と同層に形成されている。このため、補助電極２１０と補助配線２２０は互いに導通しているが、サブ画素１５ごとに平坦化膜１９の上に形成される下部電極４は、補助電極２１０及び補助配線２２０と電気的に絶縁されている。
【００９７】
上部電極７は、複数の補助電極コンタクト部２３０を介して補助電極２１０に電気的に接続されている。また、上部電極７は、複数の補助配線コンタクト部２４０を介して補助配線２２０に電気的に接続されている。各々の補助電極コンタクト部２３０は、画素領域を囲む補助電極２１０の形成領域内に設けられている。各々の補助配線コンタクト部２４０は、画素領域に配線された補助配線２２０の形成領域内（配線幅内）に設けられている。このため、補助電極コンタクト部２３０は、画素領域外に配置され、補助配線コンタクト部２４０は、画素領域内に配置されている。
【００９８】
このようなレイアウトを採用することにより、上記第１実施形態と比較して、例えば画素回路１８を下部電極４より小さな領域に形成した場合に、隣接する画素回路１８の間に所定の幅の補助配線２２０を形成し、且つ、サブ画素１５間のピッチを小さくすることができる。
【００９９】
＜適用例＞
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１は、図１９〜図２３に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用可能である。
【０１００】
図１９は第１適用例となるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【０１０１】
図２０は第２適用例となるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【０１０２】
図２１は第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【０１０３】
図２２は第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【０１０４】
図２３は第５適用例となる携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明が適用される表示装置の主要部の構成を示す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層構造の一例を示す断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。
【図４】画素回路の構成例を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図８】画素の色配列の一例を示す概略図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１３】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１４】本発明の第８実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１５】本発明の第９実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１６】本発明の第１０実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１７】本発明の第１１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【図１８】本発明の第１１実施形態に有機ＥＬ表示装置の要部断面図である。
【図１９】第１適用例となるテレビを示す斜視図である。
【図２０】第２適用例となるデジタルカメラを示す図である。
【図２１】第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図２２】第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。
【図２３】第５適用例となる携帯端末装置を示す図である。
【図２４】有機ＥＬ表示装置のレイアウトを示す概略平面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１…有機ＥＬ表示装置、２…有機ＥＬ素子、３…素子形成用基板、４…下部電極、５…絶縁層、６…有機層、７…上部電極、１５…サブ画素、１８…画素回路、２０…画素コンタクト部、２１，２１０…補助電極、２２，２２０…補助配線、２３，２３０…補助電極コンタクト部、２４，２４０…補助配線コンタクト部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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