(57)【要約】【課題】発光色が異なる複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイにおいて、表示装置の複雑化と高価格化を招くことなく良好なホワイトバランス特性を得ることができるＴＦＴアレイを提供する。【解決手段】発光色が異なる複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、ＴＦＴのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を、表示素子の発光色に応じて異ならせることを特徴とするＴＦＴアレイ。【選択図】図１
2009080258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光色が異なる複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、
前記ＴＦＴのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を、前記表示素子の発光色に応じて異ならせることを特徴とするＴＦＴアレイ。
【請求項２】
前記表示素子の発光効率は、前記発光色により異なるものであって、
前記発光効率の高い表示素子を駆動するＴＦＴは、前記発光効率の低い表示素子を駆動するＴＦＴよりも、そのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を低くすることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項３】
前記ＴＦＴの半導体膜の材料は、有機材料であることを特徴とする請求項１または２に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項４】
前記有機材料を前記表示素子の発光色に応じた材料にすることにより、前記キャリア移動度を異ならせることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項５】
成膜後の前記半導体膜を前記表示素子の発光色に応じて加熱または光照射することにより、前記キャリア移動度を異ならせることを特徴とする請求項３または４に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項６】
前記ＴＦＴのゲート絶縁膜の材料を前記表示素子の発光色に応じた材料にすることにより、前記ゲート絶縁膜容量を異ならせることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項７】
前記ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚みを前記表示素子の発光色に応じた厚みにすることにより、前記ゲート絶縁膜容量を異ならせることことを特徴とする請求項３または６に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項８】
前記発光色は、赤色、緑色、青色であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項９】
前記表示素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴアレイに関し、特に発光色が異なる複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等を必要としない自発光素子として、近年、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記する）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極間に有機ＥＬ層、すなわち発光素子を備えて構成されたものであり、フルカラー表示を行う有機ＥＬ装置は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する発光波長帯域を有する発光素子を備えている。対向する一対の電極間に電圧が印加されると、注入された電子と正孔とが発光素子内で再結合し、これより発光素子が発光する。このような有機ＥＬ装置に形成される発光素子は、通常１μｍを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機ＥＬ装置は、発光素子そのものが発光するため、従来の液晶表示装置に用いられているようなバックライトも必要ない。したがって、有機ＥＬ装置は、その厚みを極めて薄型化することができるという利点を有する。さらに、有機ＥＬ装置は、発光素子そのものが発光することにより、優れた視野角特性や応答性を得ることができるという利点を有している。これらの利点により、有機ＥＬ装置は、次世代の表示装置として種々研究開発が行われ、最近では、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の表示装置として搭載され、実用化が始まっている。
【０００３】
一方、有機ＥＬ装置において、発光素子の発光感度や発光効率は、その発光色（赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ））により異なる。このため、各色を発光する発光素子を同じ値の駆動信号で駆動しても、発光色により発光強度は異なったものとなる。すなわち、ホワイトバランスがずれ、ＣＩＥ（国際照明委員会）標準座標系上で目標座標点の白色を得ることができないという問題がある。
【０００４】
そこで、このようなホワイトバランスのずれを抑える方法が種々検討されている。
【０００５】
例えば、一般的な方法として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色を発光する発光素子に対してそれぞれ異なる電圧を印加して輝度を調整する方法がある。
【０００６】
また、各色を発光する発光素子毎に発光素子を駆動するＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）の大きさや、発光素子の発光面積を異ならせる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３９７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の各色を発光する発光素子毎に異なる電圧を印加して輝度を調整する一般的な方法は、発光素子を駆動する駆動回路のダイナミックレンジが異なることになり、階調数の低下や駆動回路の複雑化、高価格化を招くといった問題がある。
【０００８】
また、各色を発光する発光素子毎にＴＦＴの大きさを異ならせる方法や、特許文献１に記載の発光面積を異ならせる方法は、各色毎に画素の大きさが異なり不均一になる。このためザラザラした表示となり、品位を大きく損なうといった問題がある。
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、発光色が異なる複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイにおいて、表示装置の複雑化と高価格化を招くことなく良好なホワイトバランス特性を得ることができるＴＦＴアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的は、下記の１乃至９いずれか１項に記載の発明によって達成される。
【００１１】
１．発光色が異なる複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、
前記ＴＦＴのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を、前記表示素子の発光色に応じて異ならせることを特徴とするＴＦＴアレイ。
【００１２】
２．前記表示素子の発光効率は、前記発光色により異なるものであって、
前記発光効率の高い表示素子を駆動するＴＦＴは、前記発光効率の低い表示素子を駆動するＴＦＴよりも、そのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を低くすることを特徴とする前記１に記載のＴＦＴアレイ。
【００１３】
３．前記ＴＦＴの半導体膜の材料は、有機材料であることを特徴とする前記１または２に記載のＴＦＴアレイ。
【００１４】
４．前記有機材料を前記表示素子の発光色に応じた材料にすることにより、前記キャリア移動度を異ならせることを特徴とする前記３に記載のＴＦＴアレイ。
【００１５】
５．成膜後の前記半導体膜を前記表示素子の発光色に応じて加熱または光照射することにより、前記キャリア移動度を異ならせることを特徴とする前記３または４に記載のＴＦＴアレイ。
【００１６】
６．前記ＴＦＴのゲート絶縁膜の材料を前記表示素子の発光色に応じた材料にすることにより、前記ゲート絶縁膜容量を異ならせることを特徴とする前記３に記載のＴＦＴアレイ。
【００１７】
７．前記ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚みを前記表示素子の発光色に応じた厚みにすることにより、前記ゲート絶縁膜容量を異ならせることことを特徴とする前記３または６に記載のＴＦＴアレイ。
【００１８】
８．前記発光色は、赤色、緑色、青色であることを特徴とする前記１乃至７のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【００１９】
９．前記表示素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする前記１乃至８のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、発光色が異なる複数の表示素子のそれぞれの発光色に応じて表示素子を駆動するＴＦＴのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を異ならせる構成とした。これにより、発光色により発光効率の高い表示素子を駆動するＴＦＴは、そのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を低くすることにより表示素子に流れる電流を減少させ、一方、発光効率の低い表示素子を駆動するＴＦＴは、そのキャリア移動度またはゲート絶縁膜容量を高くすることにより表示素子に流れる電流を増加させることができる。その結果、発光色の違いによる発光効率のばらつきを補正することができ、良好なホワイトバランス特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下図面に基づいて、本発明に係るＴＦＴアレイの実施の形態を説明する。尚、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。
【００２２】
最初に本発明に係るＴＦＴアレイの構成を図１を用いて説明する。図１は、ＴＦＴアレイ１の概略構成図である。
【００２３】
ＴＦＴアレイ１は、表示素子をそれぞれ備え、２次元マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｘに対してそれぞれ２つのトランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１、Ｔｒ２を配置する構成としている。
【００２４】
図１に示すように、各画素Ｐｘには、映像信号に基づき画像を表示する画素Ｐｘを駆動するための図示しない行ドライバ、列ドライバがそれぞれ行選択線ＨＬ、列信号線ＶＬを介して接続されている。１つの行選択線ＨＬには、該当する行の画素Ｐｘがすべて接続され、１つの列信号線ＶＬには該当する列の画素Ｐｘがすべて接続されている。
【００２５】
また、画素Ｐｘには、画素電極Ｅが設けられている。画素電極Ｅの上には、例えば有機ＥＬ層からなる後述の表示層ＥＦが形成され表示素子が構成されている。表示素子は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する発光波長帯域を有し、例えば画素Ｐｘ１１、Ｐｘ１２、Ｐｘ１３には、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光色の表示素子が配置されている。このようにして、各発光色の表示素子は、２次元マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｘに対応して、市松状に配置されている。尚、画素の配列は、本実施形態に限られることなく、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する画素が、３つ単位で三角形状に配置された所謂デルタ配列であってもよい。
【００２６】
ここで、ＴＦＴアレイ１で行われる表示動作の流れの概要を説明する。
【００２７】
最初に、行ドライバにより映像信号を設定すべき行を１つだけ選択する。行の選択は、選択する行の行選択線ＨＬを介して、該行選択線ＨＬに接続されている全ての画素ＰｘのトランジスタＴｒ１をオンさせることで行われる。次に映像信号を列ドライバから、列信号線ＶＬ、及びオンされたトランジスタＴｒ１を介してトランジスタＴｒ２に伝達する。ここで、行ドライバにより行選択線ＨＬを介してトランジスタＴｒ１をオフさせると、トランジスタＴｒ２に伝達された映像信号は、トランジスタＴｒ２に設けられた図示しない電気容量（コンデンサ）に記憶される。トランジスタＴｒ２は記憶された映像信号に基づき、画素電極Ｅに構成される表示素子を駆動し表示させる。この一連の動作を全ての行について行うことにより、１画面の表示がなされる。
【００２８】
次に、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の等価回路、及び構造を図２、図３を用いて説明する。図２は、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の等価回路の一例を示す図である。図３は、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の概略構造を示す断面図である。但し、図３において配向膜、偏光板等の図示は省略した。
【００２９】
画素Ｐｘには、図２、図３に示すように、２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が設けられている。トランジスタＴｒ１のゲート電極Ｇ１が行選択線ＨＬに、ソース電極Ｓ１が列信号線ＶＬに接続されている。トランジスタＴｒ１のドレイン電極Ｄ１は、図３に示すように、コンタクトホールＨを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に接続されている。トランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２は電源線ＶｃＬに接続され、ドレイン電極Ｄ２は、表示層ＥＦの電極、すなわち画素電極Ｅに接続されている。尚、トランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２とゲート電極Ｇ２の間には図示しない電気容量（コンデンサ）が形成されている。表示層ＥＦは、例えば有機ＥＬ層からなっている。画素電極Ｅと対向して対向電極Ｆが設けられている。トランジスタＴｒ２の電気容量に蓄積された電圧に依存してトランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２、ドレイン電極Ｄ２間に電流が流れ、この電流が画素電極Ｅから表示層ＥＦを通して対向電極Ｆに流れることで、表示層ＥＦの状態が変化し発光する。対向電極Ｆは、行選択線ＨＬ、列信号線ＶＬ、電源線ＶｃＬとは異なる基板に配置されており、全ての画素Ｐｘで共通となっている。
【００３０】
次に、このような構成のＴＦＴアレイ１の製造工程を図４に示す。図４（ａ）乃至図４（ｇ）は、図１におけるＡ−Ａ′断面を示し、ＴＦＴアレイ１の製造工程の一例を示す模式図である。
【００３１】
最初に、基板Ｐに第１電極層ＧＦを形成し（図４（ａ））、所定の形状にパターニングしゲート電極Ｇ１、Ｇ２、及び図示しない行選択線ＨＬを形成する（図４（ｂ））。次に絶縁膜ＩＦを形成し（図４（ｃ））、コンタクトホールＨを設けるためのパターニングを行う（図４（ｄ））。次に、第２電極層ＳＤＦを形成した後、所定の形状にパターニングしソース電極Ｓ１、Ｓ２、ドレイン電極Ｄ１、Ｄ２、画素電極Ｅ、及び図示しない列信号線ＶＬ、電源線ＶｃＬを形成する（図４（ｅ）、（ｆ））。このとき、ドレイン電極Ｄ１とゲート電極Ｇ２は、コンタクトホールＨを介して接続される。最後に半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２を所定位置に形成し（図４（ｇ））、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２等からなるＴＦＴアレイ１が完成する。なお図示しないが、必要に応じて半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２を外部雰囲気から遮断するための保護膜ＰＦを形成する。
【００３２】
基板Ｐの材料としては、ガラス、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）などを用いる。
【００３３】
第１電極層ＧＦは、蒸着、スパッタ技術などを用いて形成される。材料としては、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌやこれらの合金など、通常有機ＴＦＴに用いられる電極材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
【００３４】
絶縁膜ＩＦは、スピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法などを用いて形成される。材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘなどの無機絶縁材料やポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの有機絶縁材料など、通常有機ＴＦＴに用いられる絶縁材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
【００３５】
第２電極層ＳＤＦは、蒸着、スパッタ技術などを用いて形成される。材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの無機導電材料やＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機導電材料など、通常有機ＴＦＴに用いられる電極材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
【００３６】
半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２は、インクジェット法やディスペンサ法による液滴塗布法を用いて形成される。材料としては、ペンタセン、ＴＩＰＳペンタセン、ポリチオフェン、テトラベンゾポルフィリンなどの有機材料を溶媒に溶解したものを用いる。液滴塗布後、乾燥させて得た膜をそのまま半導体膜としたり、あるいは、加熱処理などを行ったりして半導体膜を得る。
【００３７】
尚、画素電極Ｅの上に積層する表示素子は、有機ＥＬ、エレクトロクロミック、エレクトロデポジションなどの電流駆動の表示素子であればいずれでもよい。
【００３８】
このような構成のＴＦＴアレイ１において、本発明は、表示素子の発光色の違いによる発光効率のばらつきにより発生するホワイトバランスのずれを抑えるために、表示素子を駆動するトランジスタＴｒ２の特性を発光色（発光効率）に応じて異ならせるものである。以下にその詳細を説明する。
【００３９】
表示素子に流れる電流は、電源線ＶｃＬからトランジスタＴｒ２を介して供給される。トランジスタＴｒ２は、表示素子に流れる電流を所望の大きさに制御する。トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧（映像信号）に応じて、トランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２の抵抗値が変化し、流れる電流が変化する。
【００４０】
画素Ｐｘ毎に、表示素子の発光効率が異なる場合、ゲート電極Ｇ２に同じ電圧が印加されているにもかかわらず、各色の発光強度がばらつき、ホワイトバランスが崩れる。このため、発光効率に応じてトランジスタＴｒ２の特性を適正化する。
【００４１】
トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧（映像信号）は、列信号線ＶＬからトランジスタＴｒ１を介して入力される。トランジスタＴｒ１のゲート電極Ｇ１に行選択線ＨＬからの走査パルスが入ると、トランジスタＴｒ１の半導体膜ＳＦ１の抵抗値が低くなり、映像信号（トランジスタＴｒ２のゲート電圧）が画素Ｐｘに入力される。画素Ｐｘに入力された映像信号は、トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２と電源線ＶｃＬからなる電気容量（コンデンサ）に蓄積される。この映像信号は、次回の走査パルスが入るまで保持される。
【００４２】
トランジスタＴｒ２を流れる電流Ｉは、下記（式１）で表される。
【００４３】
【数１】
2009080258.tif 000003
【００４４】
（式１）において、Ｉ：電流、μ：キャリア移動度、Ｃ：ゲート絶縁膜容量／ｃｍ2、Ｗ：チャネル幅、Ｌ：チャネル長、Ｖｇ：ゲート電圧、Ｖｔ：閾値電圧、とする。
【００４５】
（式１）から、同じ値のゲート電圧Ｖｇで電流Ｉを異ならせるようにするには、キャリア移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃ、チャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌを調整すればよい。しかしながらチャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌを変化させると各色毎に画素Ｐｘの大きさが異なり不均一になる。このためザラザラした表示となり、品位を大きく損なうといった問題がある。そこで、本発明は、キャリア移動度μ、またはゲート絶縁膜容量ＣをトランジスタＴｒ２が駆動する表示素子の発光色（発光効率）に応じて適正化するものである。
【００４６】
すなわち、発光効率の高い表示素子を駆動する場合は、キャリア移動度μまたはゲート絶縁膜容量Ｃを低くすることにより表示素子に流れる電流を減少させ、一方、発光効率の低い表示素子を駆動場合は、キャリア移動度μまたはゲート絶縁膜容量Ｃを高くすることにより表示素子に流れる電流を増加させる。その結果、発光色の違いによる発光効率のばらつきを補正することができ、良好なホワイトバランス特性を得ることができる。
【００４７】
キャリア移動度μは、トランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２に用いる材料や成膜後の半導体膜ＳＦ２に加熱または光照射などの処理を施すことにより適正化する。
【００４８】
また、ゲート絶縁膜容量Ｃは、トランジスタＴｒ２の絶縁膜ＩＦに用いる材料や絶縁膜ＩＦの厚みにより適正化する。尚、キャリア移動度μ、ゲート絶縁膜容量Ｃの適正化の詳細については、（実施例）にて後述する。
（実施例１）
発光色が、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴアレイを製作した。各発光色の有機ＥＬ素子の発光強度を等しくするのに必要とする電流量の比が、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝３：２：１である有機ＥＬ素子を用いた。
【００４９】
本実施例は、キャリア移動度μをトランジスタＴｒ２が駆動する有機ＥＬ素子の発光色（発光効率）に応じて適正化するものである。
【００５０】
ゲート絶縁膜ＩＦは、誘電率が３．３のアクリル樹脂を用いて、５００ｎｍの厚みに形成した。
【００５１】
トランジスタＴｒ２のチャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌは、それぞれ１００μｍ、１０μｍとした。
【００５２】
発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２の材料には、ＴＩＰＳペンタセンを用いた。
【００５３】
発光色が緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２の材料には、テトラベンゾポルフィリンを用いた。それぞれの半導体膜ＳＦ２は、インクジェット法による液滴塗布法を用いて成膜した。
【００５４】
また、発光色が緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２は、成膜後の熱処理によりキャリア移動度μに差を発生させた。
【００５５】
具体的には、先ず、テトラベンゾポルフィリンを発光色が青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２に塗布し１９０℃で１０分間加熱した。その後、発光色が緑（Ｇ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２に塗布し２３０℃で１０分間加熱した。その後、ＴＩＰＳペンタセンを発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２に塗布し８０℃で１０分間加熱した。
【００５６】
このようにして製作した各発光色の有機ＥＬ素子を駆動するそれぞれのトランジスタＴｒ２のキャリア移動度μの比は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝１：０．６７：０．３３となり、同じ値のゲート電圧を印加した時のそれぞれの電流量の比は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝１：０．６７：０．３３になった。
【００５７】
また、それぞれのトランジスタＴｒ２に、トランジスタＴｒ１を介して同じ値のゲート電圧を入力し、各発光色の有機ＥＬ素子を発光させたところ、それぞれの発光強度の比は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝１：１：１となり、理想的な発光特性が得られた。さらに、各画素Ｐｘの見かけ上の大きさが等しいため、ザラツキがなく高品位な画像を得ることができた。
【００５８】
尚、成膜後の熱処理は、光照射による加熱を用いても同様の効果が得られる。
（実施例２）
発光色が、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するＴＦＴアレイを製作した。各発光色の有機ＥＬ素子の発光強度を等しくするのに必要とする電流量の比が、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝３：２：１である有機ＥＬ素子を用いた。
【００５９】
本実施例は、ゲート絶縁膜容量ＣをトランジスタＴｒ２が駆動する有機ＥＬ素子の発光色（発光効率）に応じて適正化するものである。
【００６０】
トランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２の材料には、キャリア移動度μが１のＴＩＰＳペンタセンを用いた。半導体膜ＳＦ２は、インクジェット法による液滴塗布法を用いて成膜した。
【００６１】
トランジスタＴｒ２のチャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌは、それぞれ１００μｍ、１０μｍとした。
【００６２】
発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜ＩＦは、誘電率が４のポリイミド樹脂を用いて、６０６ｎｍの厚みに形成した。
【００６３】
発光色が赤色（Ｇ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜ＩＦは、誘電率が３．３のアクリル樹脂を用いて、７５０ｎｍの厚みに形成した。
【００６４】
発光色が赤色（Ｂ）の有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタＴｒ２のゲート絶縁膜ＩＦは、誘電率が３．３のアクリル樹脂を用いて、１５００ｎｍの厚みに形成した。それぞれのゲート絶縁膜ＩＦは、インクジェット法による液滴塗布法を用いて成膜した。
【００６５】
このようにして製作した各発光色の有機ＥＬ素子を駆動するそれぞれのトランジスタＴｒ２に、同じ値のゲート電圧を印加した時のそれぞれの電流量の比は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝１：０．６７：０．３３になった。
【００６６】
それぞれのトランジスタＴｒ２に、トランジスタＴｒ１を介して同じ値のゲート電圧を入力し、各発光色の有機ＥＬ素子を発光させたところ、それぞれの発光強度の比は、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝１：１：１となり、理想的な発光特性が得られた。さらに、各画素Ｐｘの見かけ上の大きさが等しいため、ザラツキがなく高品位な画像を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイの概略構成図である。
【図２】ＴＦＴアレイの１画素分の等価回路を示す図である。
【図３】ＴＦＴアレイの１画素分の構造を示す断面図である。
【図４】ＴＦＴアレイの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  ＴＦＴアレイ
Ｄ  ドレイン電極
Ｅ  画素電極
ＥＦ  表示層
Ｆ  対向電極
Ｇ  ゲート電極
ＧＦ  第１電極層
Ｈ  コンタクトホール
ＨＬ  行選択線
ＩＦ  絶縁膜
Ｐ  基板
ＰＦ  保護膜
Ｐｘ  画素
Ｓ  ソース電極
ＳＦ  半導体膜（半導体層）
ＳＤＦ  第２電極層
Ｔｒ  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
ＶｃＬ  電源線
ＶＬ  列信号線
【図１】
2009080258.tif 000004
【図２】
2009080258.tif 000005
【図３】
2009080258.tif 000006
【図４】
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