(57)【要約】【課題】可動部を気密封止する際の封止部材のアライメントを容易にする。【解決手段】ウェハ上の各ダイの周辺領域に第１のマスクパターンを形成するステップと、第１のマスクパターンから露出した第１の露出領域を所定深さだけ除去して、ダイの周辺領域に対応する部分を当該第１の露出領域よりも突出した段差形状に形成するステップと、第１の露出領域中の周辺部の全周に亘って第２のマスクパターンを形成するステップと、第２のマスクパターンから露出した第２の露出領域を除去して側壁部を形成するステップと、側壁部で規定される中空空間に可動部を形成するステップと、段差形状に所定の封止部材を当て付けて、当該封止部材が中空空間を閉塞するよう位置合わせするステップと、位置合わせされた封止部材を接合して中空空間を気密封止するステップと、を含む方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁部と、当該側壁部で規定される中空空間に可動部を有するよう構成されるマイクロデバイスを製造するマイクロデバイス製造方法において、
ウェハ上の各ダイの少なくとも一部の周辺領域に第１のマスクパターンを形成する第１のマスクパターン形成ステップと、
前記第１のマスクパターンから露出した第１の露出領域を所定深さだけ除去して、前記ダイの少なくとも一部の周辺領域に対応する部分を当該第１の露出領域よりも突出した段差形状に形成する段差形成ステップと、
前記第１の露出領域中の周辺部の全周に亘って第２のマスクパターンを形成する第２のマスクパターン形成ステップと、
前記第２のマスクパターンから露出した第２の露出領域を除去して側壁部を形成する側壁部形成ステップと、
前記側壁部で規定される中空空間に可動部を形成する可動部形成ステップと、
前記段差形状に所定の封止部材を当て付けて、当該封止部材が前記中空空間を閉塞するよう位置合わせする位置合わせステップと、
前記位置合わせされた封止部材を接合して前記中空空間を気密封止する封止ステップと、を含むマイクロデバイス製造方法。
【請求項２】
前記側壁部形成ステップにおいて、前記第２の露出領域に対応する部分を所定の膜厚となるように除去して前記側壁部を形成する場合、当該所定の膜厚を有する第２の露出領域の所定部分に第３のマスクパターンを形成する第３のマスクパターン形成ステップを更に含み、
前記可動部形成ステップにおいて前記第３のマスクパターンから露出した領域を除去することによって、前記可動部に対応した形状を前記中空空間に収まる位置に形成すること、を特徴とする請求項１に記載のマイクロデバイス製造方法。
【請求項３】
微細構造を有するマイクロデバイスにおいて、
可動部と、
前記可動部の側面全周を囲うように形成された側壁部と、
前記側壁部で規定される中空空間に前記可動部を支持した支持部と、
前記側壁部の上部、下部のそれぞれに接合されて前記可動部を前記中空空間に気密封止する２つの封止部材と、を備え、
前記側壁部上の、少なくとも一方の前記封止部材との接合箇所に、当該封止部材と前記側壁部とを位置決めする位置決め部が形成されたこと、を特徴とするマイクロデバイス。
【請求項４】
前記位置決め部は、前記側壁部と前記封止部材とを嵌合させる嵌合形状であること、を特徴とする請求項３に記載のマイクロデバイス。
【請求項５】
前記可動部、前記側壁部、および前記支持部を一体形成したこと、を特徴とする請求項３又は請求項４の何れかに記載のマイクロデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、側壁部と、当該側壁部で規定される中空空間に可動部を有するよう構成されるマイクロデバイス、およびこのようなマイクロデバイスを製造するマイクロデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術の発展に伴って、マイクロミラー装置等のマイクロデバイスが開発され実用に供されている。マイクロミラー装置は例えばバーコードリーダやレーザプリンタ等の種々の機器に実装され、被走査対象物上で走査光を走査する光スキャナとして利用される。マイクロミラー装置の一例として、ミラー部−電極間で発生する静電引力を利用してミラー部を振動させる静電駆動タイプのものが例えば下記特許文献１に開示されている。
【０００３】
マイクロミラー装置は微細構造であるため、ミラー部や電極に微小な塵やゴミ等が付着するだけでマイクロミラー装置の性能が低下することがある。例えばミラー部表面に塵やゴミ等が付着すると、ミラー部表面に入射する光源からの光がこれらの異物によって当該表面で散乱し、走査光が散乱光になることがある。この場合、走査光のエネルギー損失が大きい、走査光のスポット径が大きくなる、走査光が所望の位置で走査されない等の不都合がある。また、塵等が可動部分に詰まり、ミラー部等の動作を阻害する虞もある。また、電極表面に塵やゴミ等が付着すると、ミラー部−電極間で発生する静電引力が変化して、ミラー部の振れ角が所望の振れ角から変動する不都合がある。特に、静電駆動タイプのマイクロミラー装置では、大気中の粒子が静電引力によって電極上に集塵され易いといった不利な点がある。更には、塵等が電極間に溜まって電極同士を短絡させる懸念もある。また、ミラー部に塵やゴミ等が付着すると、その分だけミラー部が重くなるため、ミラー部の共振周波数が低下（すなわち走査速度が低下）したり、可動範囲が狭くなる虞がある。よって、ミラー部および電極をキャビティに収容して気密封止し、防塵性を高める構成が一般に採用される。
【特許文献１】特開２００３−５７５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、ミラー部等を収容したキャビティを例えば封止部材等で気密封止する際に、当該キャビティを規定する枠部と封止部材とをアライメントして接合する。しかし、枠部および封止部材は共に微細構造であるため、このときのアライメントには高い精度が要求される。よって、アライメントエラーが生じることがあり、歩留まりが低下するといった点が懸念される。
【０００５】
そこで、本発明は上記の事情に鑑みて、可動部を気密封止する際の封止部材のアライメントを容易に実現し、高い歩留まりを達成することが可能なマイクロデバイス、およびこのようなマイクロデバイスを製造するマイクロデバイス製造方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決する本発明の一態様に係るマイクロデバイス製造方法は、側壁部と、当該側壁部で規定される中空空間に可動部を有するよう構成されるマイクロデバイスを製造する方法であり、ウェハ上の各ダイの少なくとも一部の周辺領域に第１のマスクパターンを形成する第１のマスクパターン形成ステップと、第１のマスクパターンから露出した第１の露出領域を所定深さだけ除去して、ダイの少なくとも一部の周辺領域に対応する部分を当該第１の露出領域よりも突出した段差形状に形成する段差形成ステップと、第１の露出領域中の周辺部の全周に亘って第２のマスクパターンを形成する第２のマスクパターン形成ステップと、第２のマスクパターンから露出した第２の露出領域を除去して側壁部を形成する側壁部形成ステップと、側壁部で規定される中空空間に可動部を形成する可動部形成ステップと、段差形状に所定の封止部材を当て付けて、当該封止部材が中空空間を閉塞するよう位置合わせする位置合わせステップと、位置合わせされた封止部材を接合して中空空間を気密封止する封止ステップとを含む。
【０００７】
このようなマイクロデバイス製造方法によれば、段差形状を利用して封止部材を側壁部に対して容易に位置合わせできるため、封止部材と側壁部とのアライメントエラーが生じ難く、高い歩留まりが達成可能である。
【０００８】
また、上記マイクロデバイス製造方法は、側壁部形成ステップにおいて第２の露出領域に対応する部分を所定の膜厚となるように除去して側壁部を形成する場合に、当該所定の膜厚を有する第２の露出領域の所定部分に第３のマスクパターンを形成する第３のマスクパターン形成ステップを更に含む方法としても良い。この場合、可動部形成ステップにおいて第３のマスクパターンから露出した領域を除去することによって、可動部に対応した形状を中空空間に収まる位置に形成する。
【０００９】
また、上記の課題を解決する本発明の一態様に係るマイクロデバイスは、可動部と、当該可動部の側面全周を囲うように形成された側壁部と、当該側壁部で規定される中空空間に可動部を支持した支持部と、側壁部の上部、下部のそれぞれに接合されて可動部を中空空間に気密封止する２つの封止部材とを備えたデバイスであり、側壁部上の、少なくとも一方の封止部材との接合箇所に、当該封止部材と側壁部とを位置決めする位置決め部が形成されたことを特徴とする。
【００１０】
このようなマイクロミラー装置によれば、位置決め部によって封止部材を側壁部に対して容易に位置合わせできるため、封止部材と側壁部とのアライメントエラーが生じ難く、高い歩留まりが達成可能である。
【００１１】
ここで、上記位置決め部は、例えば側壁部と封止部材とを嵌合させる嵌合形状である。
【００１２】
また、上記マイクロデバイスは、可動部、側壁部、および支持部を一体形成した構成としても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のマイクロデバイスおよびマイクロデバイス製造方法によれば、段差形状又は位置決め部によって封止部材を側壁部に対して容易に位置合わせできるため、封止部材と側壁部とのアライメントエラーが生じ難く、高い歩留まりが達成可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態のマイクロミラー装置の構成及び作用について説明する。
【００１５】
図１に、本発明の実施の形態のマイクロミラー装置１の構成を分解斜視図で示す。また、図２に、マイクロミラー装置１の構成を切断面図で示す。なお、説明の便宜上、互いに直交するＸ、Ｙ、Ｚ軸を図１および２に付す。図２について説明を加えると、当該切断面図は、図１の軸Ａｘを含むＹＺ平面でマイクロミラー装置１を切断して示した図となっている。
【００１６】
マイクロミラー装置１は、例えばバーコードリーダやレーザプリンタ等の種々の機器に実装され、機器内部の支持基板（不図示）上に支持される。マイクロミラー装置１は、マイクロミラーデバイス部１００、蓋部２００および下部基板３００を備える。図１に示されるように、蓋部２００の形状は長さＬ１、幅Ｗ１、および厚みｔ１を有する直方体である。また、下部基板３００の形状は長さＬ２、幅Ｗ２、および厚みｔ２を有する直方体である。
【００１７】
マイクロミラーデバイス部１００は、略中空矩形に形成された枠部１１０を有する。枠部１１０の中空部分には、マイクロミラーデバイス部１００の可動部分が形成される。可動部分は、ミラー部１２０および、軸Ａｘを中心軸とした一対のトーションバー１３０を含む。各トーションバー１３０の一端は枠部１１０に支持され、他端はミラー部１２０を軸Ａｘ周りに揺動可能に支持する。
【００１８】
ここで、図３を参照して、マイクロミラーデバイス部１００の製造プロセスについて説明する。マイクロミラーデバイス部１００は、５層構造のウェハを用いて、以下の製造プロセスで形成される。
【００１９】
当該ウェハは、図３（ａ）に示されるように、単結晶シリコン層１０、ＳｉＯ２層２０、単結晶シリコン層３０、ＳｉＯ２層４０、単結晶シリコン層５０を順に堆積させた層構造を有する。なお、図３は説明の便宜上、ウェハ全体でなく単一のダイについてのみ図示する。また、図３（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、および（ｆ）はウェハの断面図を示し、図３（ｃ）および（ｅ）はウェハの斜視図を示す。また、図３の製造プロセス前のウェハのＺ軸方向の膜厚は図３（ａ）に示されるようにｔ０である。
【００２０】
図３の製造プロセスによれば、先ず、図３（ａ）のウェハに対して、例えば熱酸化によるＳｉＯ２膜の形成、当該ＳｉＯ２膜のパターニング等が施され、単結晶シリコン層１０上にマスクパターンが形成される。このマスクパターンは、図１および２に示される枠部１１０の最上面１１２ａに対応する領域に形成される。次いで、例えばＫＯＨ（水酸化カリウム）やＤｅｅｐ−ＲＩＥ等を用いてエッチング処理が施され、マスクパターンから露出した領域（以下、「第１の露出領域」という）に対応する部分の単結晶シリコン層１０が所定の深さｔ１まで除去される。
【００２１】
なお、第１の露出領域に対応する部分を除去することで、当該第１の露出領域と最上面１１２ａとの段差部分に４つの上側段差面１１２ｂが形成される。これらの上側段差面１１２ｂのうち、一対の上側段差面１１２ｂが軸Ａｘを挟んで対向離間し、もう一対の上側段差面１１２ｂが軸Ａｘと直交して対向離間する位置関係にある。附言するに、前者の上側段差面１１２ｂはＸ軸方向で距離Ｗ１離間し、後者の上側段差面１１２ｂはＹ軸方向で距離Ｌ１離間する。
【００２２】
また、単結晶シリコン層１０に施した上記一連の処理がウェハの裏面、つまり単結晶シリコン層５０に対しても施される。単結晶シリコン層５０上のマスクパターンは、図２に示される枠部１１０の最下面１１４ａに対応する領域に形成される。ここでも単結晶シリコン層１０上と同様の領域がマスクパターンから露出しており、当該露出領域（以下、「第２の露出領域」という）に対応する部分の単結晶シリコン層５０がエッチング処理によって所定の深さｔ２まで除去される。
【００２３】
また、ここでも上側段差面１１２ｂと同様に、第２の露出領域に対応する部分を除去することで、当該第２の露出領域と最下面１１４ａとの段差部分に４つの下側段差面１１４ｂが形成される。これらの下側段差面１１４ｂのうち、一対の下側段差面１１４ｂが軸Ａｘを挟んで対向離間し、もう一対の下側段差面１１４ｂが軸Ａｘと直交して対向離間する位置関係にある。また、前者の下側段差面１１４ｂはＸ軸方向で距離Ｗ２離間し、後者の下側段差面１１４ｂはＹ軸方向で距離Ｌ２離間する。
【００２４】
単結晶シリコン層１０と単結晶シリコン層５０の双方に上記一連の処理（ＳｉＯ２膜形成、パターニング、およびエッチング）を施すことにより、ウェハは図３（ｂ）および（ｃ）の状態、すなわち第１、第２の露出領域に対応する部分がそれぞれ深さｔ１、ｔ２だけ除去されて、当該部分の膜厚がｔ３となる。なお、除去深さｔ１およびｔ２はＳｉＯ２層２０、４０を露出させない程度の深さである。この工程でのエッチング処理における除去深さは、エッチングの時間を管理することでコントロール可能である。また、図面の簡略化のため、図３の各図においてマスクパターンの図示は省略する。
【００２５】
次に、枠部１１０の上側接合面１１２ｃに対応する単結晶シリコン層１０上の領域にマスクパターンが形成され、第１の露出領域のうち、当該マスクパターンから露出した領域（以下、「第１の中空領域」という）に対応する部分がエッチング処理で除去される。また、枠部１１０の下側接合面１１４ｃに対応する単結晶シリコン層５０上の領域にもマスクパターンが形成され、第２の露出領域のうち、当該マスクパターンから露出した領域（以下、「第２の中空領域」という）に対応する部分がエッチング処理で除去される。
【００２６】
ここで、ＳｉＯ２層２０および４０はエッチストップ層として機能する。すなわちこの工程では図３（ｄ）および（ｅ）に示されるように、第１、第２の中空領域に対応する部分の単結晶シリコン層１０、５０がエッチングで完全に除去された後、ＳｉＯ２層２０、４０の各面（ＳｉＯ２層２０と単結晶シリコン層１０との隣接面、およびＳｉＯ２層４０と単結晶シリコン層５０との隣接面）でエッチストップする。
【００２７】
更に、第１、第２の中空領域のうち、ミラー部１２０および一対のトーションバー１３０に対応する領域（以下、「可動部分領域」という）にマスクパターンが形成される。そして、第１および第２の中空領域のうち、可動部分領域以外の領域に対応する部分のＳｉＯ２層２０、４０が例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、単結晶シリコン層３０がＫＯＨ等によるエッチング処理で順次除去される。
【００２８】
次いで、可動部分領域のマスクパターン、ＳｉＯ２層２０および４０が除去されて、当該除去領域にメタライズ等によって金属膜が形成される。なお、図面の簡略化のため、各図面において金属膜の図示を省略する。また、金属膜形成後のＳｉＯ２層２０側の面を「ミラー面１２２」、ＳｉＯ２層４０側の面を「ミラー裏面１２４」と記す。最後に全てのマスクパターンが除去されると図３の製造プロセスが終了し、ウェハは図３（ｆ）および図１に示される状態になる。すなわちウェハは、各ダイが、枠部１１０と、その中空部分にミラー部１２０および一対のトーションバー１３０を有した形状に形成される。
【００２９】
ミラー面１２２−ミラー裏面１２４間の膜厚は、ＳｉＯ２層２０および４０のエッチストップにより、単結晶シリコン層３０およびその両面の金属膜の膜厚で精密に規定される。また、当該エッチストップにより、ミラー面１２２−ミラー裏面１２４間は優れた膜厚均一性を得られる。このためミラー面１２２−ミラー裏面１２４間の膜厚を薄肉に形成した場合であっても、ダイの歩留まりは比較的安定する。
【００３０】
次に、図１および２を用いた説明に戻る。以降の説明では、マイクロミラー装置１の構成を更に説明しつつ可動部分の動作についても併せて説明する。
【００３１】
図２に示されるように、枠部１１０の上面側には蓋部２００が接合される。具体的には、蓋部２００が、長さＬ１の辺を軸Ａｘと平行とし幅Ｗ１の辺を軸Ａｘと直交する方向に向けられた状態で枠部１１０の上側の段差部分に嵌め合わせられる。二対の上側段差面１１２ｂは既述の位置関係にあるため、蓋部２００の側面２０２と上側段差面１１２ｂとが隙間なくフィットする。更に、側面２０２と上側段差面１１２ｂとがフィットした状態で蓋部２００が押し込まれると、蓋部２００の底面と上側接合面１１２ｃとが密着する。そして、蓋部２００と枠部１１０は、側面２０２と上側段差面１１２ｂ、および蓋部２００の底面と上側接合面１１２ｃとが密着した状態で例えば陽極接合によって接合される。
【００３２】
また、枠部１１０の下面側には下部基板３００が接合される。枠部１１０と下部基板３００との接合方法も枠部１１０と蓋部２００との接合方法と同様である。すなわち下部基板３００が、長さＬ２の辺を軸Ａｘと平行とし幅Ｗ２の辺を軸Ａｘと直交する方向に向けられた状態で枠部１１０の下側の段差部分に嵌め合わせられる。二対の下側段差面１１４ｂは既述の位置関係にあるため、下部基板３００の側面３０２と下側段差面１１４ｂとが隙間なくフィットする。更に、側面３０２と下側段差面１１４ｂとがフィットした状態で下部基板３００が押し込まれると、下部基板３００の上面３１０と下側接合面１１４ｃとが密着する。そして、下部基板３００と枠部１１０も、側面３０２と下側段差面１１４ｂ、および下部基板３００の底面と下側接合面１１４ｃとが密着した状態で例えば陽極接合によって接合される。
【００３３】
すなわち本実施形態のマイクロミラー装置１は、枠部１１０と蓋部２００および下部基板３００とを上記のように嵌合可能に構成されるため、従来必要とされていた枠部（ここでは枠部１１０）と封止部材（ここでは蓋部２００、下部基板３００）とを精密な作業でアライメントする必要がなくなる。よって、アライメントエラーがなくなり、歩留まり改善の効果が期待される。
【００３４】
次に、上記接合処理後のマイクロミラー装置１について説明する。枠部１１０は図３の製造プロセスにあるように、ウェハ上で殆ど除去されない部分であり、上側接合面１１２ｃ−下側接合面１１４ｃ間の膜厚ｔ３はミラー部１２０およびトーションバー１３０よりも厚みがある。また、枠部１１０は、ミラー部１２０およびトーションバー１３０を四側面から覆うよう矩形に形成されている。よって、ミラー部１２０およびトーションバー１３０は、上記接合処理で枠部１１０の上面、下面それぞれに蓋部２００、下部基板３００が接合されると、図２に示されるように、枠部１１０、蓋部２００、および下部基板３００で規定されるキャビティに、ミラー部１２０、トーションバー１３０（および後述する電極３２２、３２４）が気密封止された状態となる。
【００３５】
また、膜厚ｔ３は、ミラー部１２０の可動範囲がキャビティに完全に収まるように設計されている。よって、本実施形態によれば、マイクロミラーデバイス部１００−蓋部２００間、およびマイクロミラーデバイス部１００−下部基板３００間にスペーサ等の別個の構成要素を介在させることなくキャビティを規定することが可能となる。これには、スペーサ等の別個の構成要素とマイクロミラーデバイス部１００との接合や当該接合のためのアライメント等の工程を削減するメリットがある。
【００３６】
なお、キャビティの雰囲気は真空とするとしてもよい。キャビティの雰囲気を真空とすることで、例えばミラー部１２０が可動した際に受ける空気の粘性抵抗を考慮する必要がない、ミラー部１２０のＱ値が安定する等の、マイクロミラー装置１の性能を安定させられる効果が得られる。
【００３７】
蓋部２００は光透過部材で形成されており、ミラー部１２０に対するレーザ光の入出射窓として機能する。このレーザ光は被走査物上を走査するための光であり、図示しない光源から射出される。蓋部２００を透過したレーザ光はミラー面１２２に入射して、当該ミラー面１２２の傾き角に応じた方向に反射する。反射光は蓋部２００を再び透過して射出し、マイクロミラー装置１からの走査光として被走査物上を走査する。
【００３８】
ここで、キャビティを規定するためにスペーサ等の別個の構成要素を必要としない構成として、例えば蓋部２００のような入出射窓として機能するパッケージング部材の周辺部に、スペーサの代替として壁部を形成したものが従来ある。しかしこのような構成では、例えばパッケージング部材が成型品の場合、当該パッケージング部材の肉厚が均一でないことから例えばひけやそりが発生し、パッケージング部材の光学的特性が所望の特性とならない不都合がある。これに対して本実施形態では、既述のように、蓋部２００の厚みを均一とした構成を採用するため、そのような不都合も起こらない。
【００３９】
下部基板３００の上面３１０には軸Ａｘを含むＹＺ平面を挟み、電極３２２、３２４が対向離間して配置される。電極３２２、３２４はそれぞれスルーホール３３２、３３４を介して、上面３１０の裏面から引き出される配線（不図示）と電気的に接続される。また、マイクロミラーデバイス部１００のミラー部１２０（単結晶シリコン層３０）からも配線が引き出される。これらの配線は、マイクロミラー装置１を駆動制御する駆動制御回路（不図示）と接続される。なお、単結晶シリコン層３０は、ＳｉＯ２層２０および４０により他の層と絶縁されている。
【００４０】
上記駆動制御回路がミラー部１２０と各電極間で非対称な電位差を生じさせるよう電圧を印加すると、ミラー部１２０が軸Ａｘ周りに傾く。例えば上記駆動制御回路がミラー部１２０および電極３２４をグランド、ミラー裏面１２４−電極３２２間に電位差Ｖが生じるよう駆動制御した場合、ミラー部１２０は、ミラー裏面１２４−電極３２２間で発生した静電引力によって軸Ａｘ周りの力のモーメントを受けて、軸Ａｘ周りを図１の矢印Ｒ方向に回転するように傾く。また、例えば上記駆動制御回路がミラー部１２０および電極３２２をグランド、ミラー裏面１２４−電極３２４間に電位差Ｖが生じるよう駆動制御した場合、ミラー部１２０は上記と同様の作用によって軸Ａｘ周りを矢印Ｒ方向と逆方向に回転するように傾く。この２パターンの電圧印加を交互に繰り返すことでミラー部１２０は振動し、走査光を被走査物上で走査することが可能となる。
【００４１】
以上が本発明の実施の形態である。本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく様々な範囲で変形が可能である。例えばＬ１、Ｌ２、Ｗ１、Ｗ２はそれぞれ異なる符号であるが、これらの符号が示す寸法や距離は同一の値であっても構わない。例えばＬ１とＷ１が同一の寸法や距離を示す値である場合、蓋部２００を枠部１１０に嵌合させる際、枠部１１０に対する長さＬ１と幅Ｗ１の辺の向きを考慮する必要がなくなるため、接合処理がより簡略化する。
【００４２】
また、本実施形態では最上面１１２ａと上側接合面１１２ｃ（又は最下面１１４ａと下側接合面１１４ｃ）との段差（換言すると、上側段差面１１２ｂ（又は下側段差面１１４ｂ））は枠部１１０の全周に亘って形成されるが、別の実施の形態では枠部１１０の一部分にこのような段差を形成する構成としても良い。この場合、蓋部２００の側面２０２（又は下部基板３００の側面３０２）を枠体１１０の一部分に形成された段差（上側段差面１１２ｂ（又は下側段差面１１４ｂ））に当て付けた状態で陽極接合等によって接合することとなる。この場合も枠部１１０と蓋部２００（又は下部基板３００）とを精密な作業でアライメントする必要がなく、歩留まり改善の効果が期待される。
【００４３】
また、本実施形態ではミラー部１２０およびミラー面１２２は矩形状であるが、別の実施形態では他の形状（例えば円状や楕円状等）であっても良い。ミラー面１２２に関しては、少なくとも光学素子面として利用する有効領域がエッチストップ等で高い面精度を有していればその機能は十分に果たされる。
【００４４】
また、本実施形態では一軸のマイクロミラー装置について説明したが、本実施形態のミラー部１２０と同様の構成は、二軸或いはより多軸のマイクロミラー装置のミラー部に対しても適用可能である。
【００４５】
また、ウェハは、ＳｉＯ２層を有さない１層の単結晶シリコン層であっても良く、或いは２層の単結晶シリコン層間にＳｉＯ２層を介在させたもの（以下、「ＳＯＩ基板」という）であっても良い。すなわち単結晶シリコン層のエッチング時間を精密に管理すれば、ミラー部１２０の膜厚を精密に規定でき、また、ミラー面１２２やミラー裏面１２４の面精度を高くすることも可能である。よって、ウェハが１層の単結晶シリコン層であってもＳＯＩ基板であっても本実施形態のマイクロミラー装置１と同等のものを製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態のマイクロミラー装置の構成を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態のマイクロミラー装置の構成を示す切断面図である。
【図３】本発明の実施の形態のマイクロミラーデバイス部の製造プロセスを説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  マイクロミラー装置
１００  マイクロミラーデバイス部
１１０  枠部
１２０  ミラー部
１２２  ミラー面
１２４  ミラー裏面
１３０  トーションバー
２００  蓋部
３００  下部基板
【図１】
2009122155.tif 000003
【図２】
2009122155.tif 000004
【図３】
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