(57)【要約】【課題】  ピットの形状の乱れがない上に、ディフェクトが少ないため、ジッタ値が良く高品質で大容量の光ディスクを製造するための光ディスク原盤の製造方法を提供する。  【解決手段】  ガラス基板１上に、非感光性のアルカリ可溶性樹脂からなる溶液を塗布する第１の層２塗布工程と、塗布された溶液を加熱して第１の層２を形成する第１の層ベーキング工程と、第１の層２上に感光性樹脂からなる第２の層３を形成する第２の層３塗布工程と、第２の層３に所定のパターンを露光して、潜像６を形成する露光工程と、第２の層３に形成された潜像６をアルカリ現像液による現像にて除去すると共に、除去後に残され第２の層３をマスクとして第１の層２をアルカリ現像液で溶解し凹凸パターンを形成する現像工程とを有している。【選択図】      図２
2009080914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、非感光性のアルカリ可溶性樹脂を溶質としてなる溶液を塗布する第１の層塗布工程と、
前記塗布された溶液を加熱硬化して第１の層を形成する第１の層ベーキング工程と、
前記第１の層上に感光性樹脂からなる第２の層を形成する第２の層形成工程と、
前記第２の層に所定のパターンを露光して、潜像を形成する露光工程と、
前記第２の層に形成された前記潜像をアルカリ現像液にて除去すると共に、前記潜像の除去後に残された前記第２の層をマスクとして前記第１の層を前記アルカリ現像液で溶解し凹凸パターンを形成する現像工程と、
を有し、
前記第１の層ベーキング工程は、１２０℃以上で且つ１６０℃以下の条件で加熱硬化し前記第１の層を形成することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
少なくとも一面を研磨洗浄したガラス基板と、
前記ガラス基板の研磨面側に形成された非感光性のアルカリ可溶性樹脂からなる第１の層と、
前記第１の層上に形成された感光性樹脂からなる第２の層と、
を有する光ディスク原盤において、
前記第１の層及び前記第２の層に、この両層を貫く凹凸パターンが形成されており、
前記第１の層の膜厚が、前記凹凸パターンの凹パターンの幅の値の１／３以下の値であり、
前記第２の層の膜厚が、２０〜６０ｎｍの範囲内にある、
ことを特徴とする光ディスク原盤。
【請求項３】
電鋳によって形成された導電皮膜部と、
前記導電皮膜部を形成するための電極として、前記導電皮膜部に密着成膜された導電膜部と、
からなり、
前記導電膜部が、請求項２に記載の光ディスク原盤上に形成された凹凸パターンを転写  した凸凹パターンを有するスタンパ。
【請求項４】
請求項３記載のスタンパが組み込まれた成形金型を用いて、光透過性の合成樹脂を成形してなる、
表面に前記スタンパの凸凹パターンを転写した凹凸パターンを有する光ディスク基板。
【請求項５】
請求項４記載の光ディスク基板と、
前記光ディスク基板の凹凸形状が形成された側の面の表面に成膜された反射層と、
前記反射層上に形成された保護層と、
からなる光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、スタンパ、光ディスク基板、及び光ディスクに係り、特に、大容量の光ディスクを製造するための光ディスク原盤を高精度で簡便に製造することができる技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信技術および画像処理技術の急速な発展に伴い，光ディスクに対しても，更なる大容量化の要求がされている。この要求に応えるためには，プリピットの大きさを小さくすると共に、トラックピッチを狭め、それによって記録密度を高めるといった対応が必要である。
ここで、光ディスク原盤とは、平滑なガラス基盤上にフォトレジストを塗布し、情報に応じて変調された光で露光を行い、現像によって露光部を除去することによりガラス基盤上に凹凸形状のパターンを形成したものである。
また、スタンパとは、光ディスク原盤の凹凸パターン上に導電体を形成した後、剥離しパターンを転写してなる、凸凹パターン持つ導電体である。
更に、光ディスク基板とは、スタンパを組込んだ成形金型に、透明樹脂を原料にして、スタンパの凸凹パターンを転写して凹凸パターンを表面に形成した透明樹脂円盤である。
また更に、光ディスクとは、透明樹脂からなる光ディスク基板から情報を再生するための反射膜を光ディスク基板上に形成し、反射膜を保護するための保護膜を形成したものである。
【０００３】
このうち、小さなピットを形成する技術としては、露光する光の集光ビーム径を小さくしてピットを形成する技術と、露光する光の集光ビーム径以下のピットを形成する技術とがある。
露光する光の集光ビーム径を小さくするには、対物レンズのＮＡを大きくするか、露光する光の波長を短くする必要がある。
しかしながら、対物レンズのＮＡは、レンズの設計製作精度の面から既にほぼ限界であり、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃに用いられる対物レンズでは、ＮＡが０．８５まで高められている。また、露光する光は、遠紫外線レーザより短い波長では、光源が高価になる上に、フォトレジストの感度が悪くなるため生産性が落ちてしまう。その結果、簡便且つ経済的な方法で光の集光ビーム径を小さくすることは、困難になってきている。
一方、レーザの集光ビーム径以下のピットを形成する技術では、多層レジスト法が知られている。
この多層レジスト法により形成された光ディスク原盤の製造方法の１例が、特許文献１に記載されている。
【０００４】
特許文献１には、概略次のように記載されている。
すなわち、ガラス基盤上に直接フォトレジストを塗布するのではなく、ガラス基盤とその上に形成するフォトレジストとの間に水溶性樹脂からなる第１の層を形成し、この第１の層上に、膜厚１６０ｎｍのフォトレジストからなる第２の層を形成する。この第２の層を、波長が４００〜４２０ｎｍのレーザ光により露光し所定のパターンからなる潜像を形成し、形成された潜像をアルカリ現像液での現像にて除去する。現像後の残ったレジストパターンをマスクにして、純水によるエッチング（リンス洗浄を兼ねる）を行い、露光された第２の層の潜像のパターンを第１の層に転写する。その後、第２の層のレジストパターンを有機溶剤にて除去し、光ディスク原盤を得る。この光ディスク原盤に形成された第１の層のピットのパターンに基づき公知の方法により、スタンパを形成し、射出成型法等により光ディスク基板を形成するものである。
【０００５】
ところで、第２の層に露光を行う際、露光をおこなうレーザ光の強度分布はガウス分布をしており、露光時にフォトレジストからなる第２の層に形成される潜像は、レーザ光の強度分布であるガウス分布を反映して、第２の層の上部表面側が第２の層の下部第１の層側より広い逆台形形状となる。そのため、アルカリ現像液による現像にて潜像部分を除去することにより、上部の幅が下部の幅よりも広がった逆台形形状の開口部を持つレジストパターンが形成される。第１の層は、第２の層に形成されたレジストパターンの開口部の下部開口幅の形状をマスクとして、純水によりエッチングされる。この結果、第１の層にレーザ光の集光ビーム径より小さい、下部開口幅と同じサイズのピットが形成される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−５００８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された、第１の層に用いられる水溶性樹脂は、純水によるエッチング以外の工程において、第２の層の除去に用いる有機溶剤や、スタンパを形成するのに用いるメッキ液によっても溶け出してしまうため、必要以上にエッチングが進んでしまい、ピットの形状が乱れる問題が発生することがあった。
同時に、第１の層に水溶性樹脂を用いることは、現像後の純水によるエッチングの際に、エッチングの時間を長くすると必要以上に第１の層の溶解が進んでしまい、プリピットの形状が乱れてしまう。そのため、ディフェクト除去の目的で、さらに純水でのリンス洗浄を行うことができず、ディフェクトが除去できない場合があった。
ディフェクトの低減等を考慮すると、純水によるリンス洗浄（特許文献１ではエッチングを兼ねる）は少なくとも３０秒以上必要であるが、トラックピッチが０．３２μｍで５０％幅の溝をカッティングする場合、３０秒以上のリンス洗浄を行うと、第１の層が極端に溶出してしまい、第１の層に形成されたパターンのパターン倒れが発生してしまうことがあった。
結果として、特許文献１に記載の従来の光ディスク原盤の製造方法で形成された光ディスク原盤から製造された光ディスクでは、ピットの形状の乱れとディフェクトとによってジッタ値が増加し、それによって再生品位が低下する場合があった。
【０００８】
また、露光時にレーザ光の強度分布を用いて上部開口幅と下部開口幅に差を付けるためには、第２の層のフォトレジスト厚を１６０ｎｍと厚くする必要があり、フォトレジストの使用量が多かった。
更に、第１の層の厚さで光ディスク基板のピットの深さを規定しているため、第１の層に用いる水溶性樹脂の使用量も多くする必要があった。
更にまた、この第２の層は、スタンパ形成のためには必要ないため、第１の層にパターン形成の後に除去する工程が必要であった。
そのため、従来の光ディスク原盤の製造方法では、光ディスク原盤の形成に用いる材料の使用量が多く、その製造工程も多いことから、生産性改善の要望があった。
【０００９】
そこで、本発明は、ピットの形状の乱れがなく、ディフェクトが少なく、ジッタ値が良い高品質な光ディスクを製造するための光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的とする。
また、材料の使用量が少なく、簡便な工程で生産可能な光ディスク原盤を提供することを目的とする。
更に、材料の使用量が少なく、簡便な工程で生産された光ディスク原盤を用いて生産可能なスタンパ、光ディスク基板、及び光ディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は、手段として次の１）に記載の手順、及び２）乃至５）の構成を有する
１）ガラス基板１上に、非感光性のアルカリ可溶性樹脂からなる溶液を塗布する第１の層塗布工程と、塗布された溶液を加熱して第１の層２を形成する第１の層ベーキング工程と、第１の層２上に感光性樹脂からなる第２の層３を形成する第２の層形成工程と、第２の層３に所定のパターンを露光して、潜像６を形成する露光工程と、第２の層３に形成された潜像６をアルカリ現像液にて除去すると共に、潜像６の除去後に残され第２の層３をマスクとして第１の層２をアルカリ現像液で溶解し凹凸パターンを形成する現像工程とを有した光ディスク原盤７の製造方法であって、第１の層ベーキング工程は、１２０℃で且つ１６０℃の条件で加熱硬化し第１の層２を形成する特徴とする光ディスク原盤７の製造方法。
２）少なくとも一面を研磨洗浄したガラス基板１と、ガラス基板１の研磨面上に形成された非感光性のアルカリ可溶性樹脂からなる第１の層２と、第１の層２上に形成された感光性樹脂からなる第２の層３とを有する光ディスク原盤７において、第１の層２及び第２の層３にこの両層を貫く形で凹凸パターンが形成されており、第１の層２の膜厚が凹凸パターンの凹パターンの幅の値の１／３以下の値であり、第２の層３の膜厚が２０〜６０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光ディスク原盤７。
３）電鋳によって形成された導電皮膜部９と、導電皮膜部９を形成するための電極として、導電皮膜部９に密着成膜された導電膜部８とからなり、導電膜部８が、２）に記載の光ディスク原盤７上に形成された凹凸パターンを転写した凸凹パターンを有するスタンパ１０。
４）３）に記載のスタンパ１０が組み込まれた成形金型を用いて、光透過性の合成樹脂を成形してなる、表面にスタンパ１０の凸凹パターンを転写した凹凸パターンを有する光ディスク基板１１。
５）４）に記載の光ディスク基板１１と、光ディスク基板１１の凹凸形状が形成された側の面の表面に成膜された反射層１２と、反射層１２上に形成された保護層１３とからなる光ディスク。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ピットの形状の乱れがなく、ディフェクトが少ないため、ジッタ値が良く高品質な光ディスクを製造するための光ディスク原盤の製造方法を提供できる。
また、材料の使用量が少なく、簡便な工程で生産可能な光ディスク原盤を提供できる。
更に、材料の使用量が少なく、簡便な工程で生産された光ディスク原盤を用いて生産可能なスタンパ及び光ディスク基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明では、フォトレジストの膜厚を特許文献１に記載の従来例に比較して薄膜化している。そのことによって、遠紫外線レーザを用いた場合でもフォトレジスト内部での光の吸収が少なくなり、解像度が上がるため、レーザの集光ビームの中心付近のみの露光量でも記録が可能となる。それによって、レーザの集光ビーム径以下のサイズのパターン形成が可能となる。
つまり、本発明の多層レジスト法は、従来から行われていたフォトレジストに露光された潜像の上部と底部のサイズ差を利用する方法ではなく、レーザの集光ビームの中心付近だけを利用して記録するものである。
【００１３】
＜実施例１＞
以下に、本発明に係る実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の光ディスクの製造方法を示すフローチャートである。図２は、本発明の光ディスク原盤の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）は、本発明の光ディスク原盤の第１の層２に架橋剤が添加されていない場合の、現像後の光ディスク原盤の一部の拡大断面図を示す。また、図３（ｂ）は、本発明の光ディスク原盤の第１の層２に架橋剤が添加された場合の、現像後の光ディスク原盤の一部の拡大断面図を示す。図４は、本発明の光ディスク原盤の下層ベーキング温度を変化させた場合のジッタ値を示す図である。図５は、本発明の光ディスク原盤の下層ベーキング温度と上層膜厚とを変化させた場合のジッタ値を示す図である。図６は、本発明の光ディスク原盤の下層膜厚とピット幅とを変化させた場合のジッタ値を示す図である。
【００１４】
以下では、図１乃至図３を用いて、本発明の光ディスク原盤の製造方法を説明する。
（第１の層塗布工程）Ｓ１
ガラス基盤１の、少なくとも一面に研磨洗浄を行う。研磨洗浄を行い平滑化されたガラス基盤面に、３重量部の架橋剤（ヘキサメチレンテトラミン）を含んだクレゾールノボラック樹脂のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を回転塗布する。
ここで、クレゾールノボラック樹脂は、ｐＨ＝８以上のアルカリ性の溶液に溶解し、ｐＨ＝６〜８の水には溶解しない非感光性のアルカリ可溶性樹脂である。
また、架橋剤は、後述するように、アルカリ溶液に対する第１の層の溶解速度のコントロール性を高めるために添加するものである。
【００１５】
（第１の層ベーキング工程）Ｓ２
架橋剤を含んだクレゾールノボラック樹脂溶液が塗布されたガラス基盤１を、ホットプレートで６０秒間ベーキングすることによって、図２（ａ）に示すように、第１の層２を形成する。
【００１６】
（第２の層塗布工程）Ｓ３
次に，形成された第１の層２の上に、感光性であるポジ型のフォトレジスト（ＤＶＲ−３００，日本ゼオン株式会社 製）３を回転塗布する。
【００１７】
（第２の層ベーキング工程）Ｓ４
第１の層２上にフォトレジストが塗布されたガラス基盤を、８０℃に設定されたオーブンで４５分間ベーキングし、図２(ｂ)に示すように、第２の層３を形成する。
【００１８】
（露光工程）Ｓ５
図２(ｃ)に示すように、露光に用いるレーザ照射装置(図示せず)から出射された波長２６６ｎｍの遠紫外レーザ光４を対物レンズ５によってガラス基盤１上に形成された第２の層３上に集光することにより、第２の層３に露光記録を行い、トラックピッチ＝０．３２μｍ，最短ピット長＝０．１５μｍのピットに対応する潜像６を形成する。
なお，このレーザ光の波長は、パターンサイズに応じて選択することができ、最短ピット長が０．２μｍ以下の微細パターンの場合は、２００〜３００ｎｍの遠紫外線領域である必要がある。
【００１９】
（現像工程）Ｓ６
次に、ガラス基盤１上の第２の層３に対してアルカリ現像液である０．３Ｎ−ＯＦＰＲディベロッパーＮｏ．３（ＯＦＰＲは登録商標）（東京応化工業株式会社 製）で６０秒間の現像処理を行う。
この現像過程においては、第２の層３に形成された潜像６がアルカリ現像液に溶解し第２の層３に開口部を形成する。引き続きアルカリ現像液に浸漬することで、第２の層３に形成された開口部に接する第１の層２の領域がガラス基盤１方向に溶解し、図２(ｄ)に示すように、第１の層２にピットである凹凸パターンが形成され、光ディスク原盤７を得る。
【００２０】
第１の層２に架橋剤が添加されていない場合、第１の層２の溶解速度が速いため、図３（ａ）に示すように、第１の層２の現像が進みすぎて、第２の層３の最下部のパターン幅ＰＷよりも第１の層２の最下部のパターン幅Ｐｄの方が広くなった状態、すなわちアンダーカット状態になる。
第１の層２に架橋剤が添加することによって、第１の層２の溶解速度が適度になるため、図３（ｂ）に示すように、第１の層２にはアンダーカット状態は発生しない。
【００２１】
（リンス洗浄工程）Ｓ７
光ディスク原盤７の表面のディフェクト除去のため、純水によるリンス洗浄を１分間行う。
この際、第１の層２及び第２の層３は、純水に不溶な材質であるためリンス洗浄時間をより長く設定することも可能である。
【００２２】
（導電膜形成工程）Ｓ８
以上のようにして作製された光ディスク原盤７の凹凸パターンが形成された側の表面に、図２(ｅ)に示すように、スパッタ或いは無電解メッキ等の方法によりニッケル等の導電性膜８を成膜する。
【００２３】
（スタンパ作製工程）Ｓ９
導電膜形成工程Ｓ８で形成された導電性膜８を陰極とするとともに、陽極側にニッケルを配置して、スルファミン酸ニッケル溶液中で通電し、図２(ｆ)に示すように、光ディスク原盤上に所定の厚さのニッケル層９を析出する。
次に、この析出させたニッケル層９を光ディスク原盤７から剥離することにより、図２(ｇ)に示すように、信号パターンの形成された金属光ディスク原盤、すなわちスタンパ１０を得る。
【００２４】
（光ディスク基板成形工程）Ｓ１０
スタンパ作製工程Ｓ９で作製されたスタンパ１０を利用して、光ディスクの量産が行われる。
スタンパ１０は、内外径加工及び裏面研磨等の後処理が施された後、成形機に設置される成形金型に組み込まれる。光透過性を有するアクリル（ＰＭＭＡ）樹脂、ポリカーボネート樹脂等の合成樹脂を材料として、コンプレッション（圧縮成形）法，インジェクション（射出成形）法，或いはフォトポリマー（２Ｐ）法等の成形方法により、成形金型に組み込まれたスタンパ１０を雌型として、雄型の光ディスク基板１１を形成する。
【００２５】
（反射膜形成工程）Ｓ１１
光ディスク基板１１の凹凸形状が形成された側の面の表面に、アルミニウム等を成膜して反射層１２を形成する。なお、成膜方法としては蒸着やスパッタリング法等が用いられる。
次に、上記反射層１２を保護するために、アクリル系の紫外線硬化樹脂等をスプレー法，ロールコート法，或いはスピンコート法等により塗布した後に硬化し、保護層１３を形成する。
その次に、上記保護膜１３上に、紫外線硬化型インク等によりレーベル部１４を形成することにより、光ディスクが完成する。
【００２６】
ここで、光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２形成時のベーキング温度と光ディスクの再生信号の特性の品質との関係を評価するため、第１の層２の膜厚を３０ｎｍに、第２の層３の膜厚を５０ｎｍに固定すると共に、第１の層２形成時のベーキング温度を１００℃から１８０℃の範囲で１０℃刻みの温度にてそれぞれ光ディスクを作製した。それぞれの光ディスクのジッタ値の測定結果を、表１に示す。
なお、ジッタ値の測定は、波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８の光ピックアップを用い、リミットイコライジング後のジッタ値を測定したものである。このジッタ値は、規格値である６．５％以下の場合、光ディスクの信号再生特性として実用性がある。また、表１の判定の項は、作製された光ディスクのジッタ値が、規格値を満足している６．５％以下である場合を○で、規格値から外れた６．５％より高い値の場合を×で表している。
【００２７】
表１に示すように、光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２形成時のベーキング温度が１２０℃以上で且つ１６０℃以下において、光ディスクのジッタ値が規格値である６．５％以下を満足した。また、図４に示すように、１５０℃でジッタ値は最も低い値になっている。更に、ベーキング温度が１５０℃以下の場合に比べ１５０℃より高い場合のジッタ値が悪化する割合が大きくなっている。これは、高温でのベーキングによってアルカリ可溶性樹脂に化学変化がおき、急激にエッチング特性が変化し、ジッタ値が悪くなるものと推測される。このことから、第１の層のベーキング温度は、１２０℃以上で且つ１５５℃以下がより良い条件であると言える。更に、望ましくは１４５℃以上で且つ１５５℃以下の範囲が良いと言える。
【００２８】
【表１】
2009080914.tif 000003
【００２９】
＜実施例２＞
次に、＜実施例１＞と同様の工程にて光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２の膜厚を３０ｎｍに固定し、第１の層２形成時のベーキング温度と第２の層３の膜厚とを変化させて作製した光ディスクのジッタ値を、同様の方法で測定した結果を表２に示す。第１の層２のベーキング温度は、＜実施例１＞で求められたジッタ値が規格値である６．５％以下を満たすベーキング温度の最大側と最小側である１２０℃と１６０℃に加え、ジッタ値が最小になった１５０℃とした。第２の層３の膜厚は、１０ｎｍから８０ｎｍの範囲で１０ｎｍ刻みの厚さにてそれぞれ光ディスクを作製した。
【００３０】
表２に示すように、光ディスク原盤７を製造する際の第２の層３の膜厚が２０〜６０ｎｍにおいて光ディスクのジッタ値が規格値を満足した。また、図５に示すように、各ベーキング温度でジッタ値が最小になる第２の層３の膜厚は４０〜５０ｎｍになり、各ベーキング温度におけるジッタ値が最小になるピーク位置の差は少ないことがわかる。これは、フォトレジストの膜厚が６０ｎｍを超えた場合、フォトレジストによる内部吸収の影響で、レーザの集光ビーム径以下のサイズのパターン形成が難しくなり、ピット形状が乱れるためであると考えられる。また、フォトレジストの膜厚が、２０ｎｍ以下の場合、フォトレジスト分子の大きさの影響により、スピンコートによる均一なコーティングが難しくなり、フォトレジスト膜厚が不均一になったためと考えられる。このことから、第２の層３の膜厚は、４０ｎｍ以上で且つ５０ｎｍ以下がより良い条件であると言える。
【００３１】
【表２】
2009080914.tif 000004
【００３２】
＜実施例３＞
更に、＜実施例１＞と同様の工程にて光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２形成時のベーキング温度を１５０℃、第２の層３の膜厚を５０ｎｍに固定し、ピット幅と第１の層２の膜厚を変化させて光ディスクを作製し、同様に光ディスクのジッタ値を測定した結果を表３に示す。なお、ここで言うピット幅とは最長ピットである８Ｔピットの幅のことであり、図３に示す第２の層３のフォトレジストパターンの最下部の幅Ｐｗで定義したものである。また、ピット幅は、レーザ光の出力を変更することにより調整し、１２０ｎｍ，１５０ｎｍ，１８０ｎｍのピット幅を形成した。第２の層３の膜厚は、１０ｎｍから８０ｎｍの範囲で１０ｎｍ刻みの厚さにてそれぞれ光ディスクを作製した。
【００３３】
表３から、光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２の膜厚を変化させたときに光ディスクのジッタ値が規格値を満足する膜厚の最大値は、ピット幅によって変わり、第１の層２の膜厚を、ピット幅の値の１／３以下に設定することによって、ジッタ値が規格値を満足することがわかった。また、図６からピット幅もジッタ値に影響することがわかる。ピット幅が小さい場合は、レーザ光の出力が小さいため、形成されるピットの乱れが発生し、ジッタが悪化すると推測される。
【００３４】
【表３】
2009080914.tif 000005
【００３５】
以上、説明したように、従来、ピット長が０．２０μｍ未満のピット長を有する大容量の光ディスクを作製するために遠紫外線等のレーザ光での露光をする場合、再生品質の良い光ディスクを製造することは困難であったが、本発明によれば、光ディスク原盤７を作製する際に、第１の層２に水に不溶な非感光性のアルカリ可溶性樹脂を用いると共に、第２の層３のフォトレジストの膜厚を２０ｎｍ〜６０ｎｍに設定することにより、遠紫外線レーザ光による高精度のパターンニングが可能であり、ジッタ値が低く再生品質の良好な光ディスクを製造することができる。
また、光ディスク原盤７を製造する際に、露光を遠紫外線レーザ光で行うことにより、従来の生産設備を使用することができるため、高額な投資をすることない上に、生産性も落とすことなく、大容量の光ディスクを製造することができる。
更に、光ディスク原盤７を製造する際に、現像後に第２の層３を除去していた従来の生産工程に比べ、第２の層３と第１の層２の合計膜厚でピット深さを設定するため、現像後に第２の層３を除去する必要が無く、生産工程を簡略化することができるばかりでなく、第２の層３のフォトレジストの使用量及び第１の層２の使用量を少なくすることができる。
【００３６】
実施例では、光ディスク原盤７を製造する際の第１の層２の非感光性のアルカリ可溶性樹脂として、クレゾールノボラック樹脂を用いたが、これに限らず、フェノールノボラック樹脂，ポリヒドロキシスチレン樹脂，及びＰＭＭＡ樹脂等を用いることができる。それに加えて、半導体製造プロセスでよく用いられる、アルカリ現像液でのウェットエッチングが可能な反射防止膜［例えば商品名ＸＬ−２０、ＷｉＤＥ−１５(Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ製)等］を第１の層２として用いることもできる。
また、実施例では、再生専用の光ディスクに関して記載したが、ピットの代わりに案内溝を形成し、反射膜の代わりに記録膜及びそれに付随する膜を形成し、記録再生を行う記録再生可能な光ディスクについても同様であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の光ディスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の光ディスク原盤の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の現像後の光ディスク原盤の一部を示す拡大断面図であり、図３（ａ）は第１の層に架橋剤が添加されていない場合を示し、図３（ｂ）は第１の層に架橋剤が添加された場合を示す。
【図４】本発明の光ディスク原盤の下層ベーキング温度を変化させた場合のジッタ値を示す図である。
【図５】本発明の光ディスク原盤の下層ベーキング温度と上層膜厚とを変化させた場合のジッタ値を示す図である。
【図６】本発明の光ディスク原盤の下層膜厚とピット幅とを変化させた場合のジッタ値を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…ガラス基盤  、２…第１の層、３…第２の層、４…レーザ光、５…対物レンズ、６…潜像、７…光ディスク原盤、８…導電性膜、９…ニッケル層、１０…スタンパ、１１…光ディスク基板、１２…反射膜、１３…保護膜、１４…レーベル部
【図１】
2009080914.tif 000006
【図２】
2009080914.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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