(57)【要約】【課題】消費電力を抑えた傾斜波形電圧を発生させることが可能な駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】傾斜波形電圧発生回路８０が発生する電圧以下の電圧である第１の電源Ｖａと、傾斜波形電圧発生回路８０が発生する電圧以上の電圧である第２の電源Ｖｉ２とを備え、傾斜波形電圧発生回路８０はインダクタＬ８０とスイッチング素子Ｑ８０とダイオードＤ８０とスイッチ制御部８２とを有し、インダクタＬ８０の一方の端子を出力端子とし、インダクタＬ８０の他方の端子をスイッチング素子Ｑ８０を介して第１の電源Ｖａに接続するとともにダイオードＤ８０を介して第２の電源Ｖｉ２に接続し、スイッチ制御部８２で発生させた制御パルス信号でスイッチング素子Ｑ８０をオン・オフ制御する。【選択図】図５
2009122341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極対を有するプラズマディスプレイパネルと、前記表示電極対に印加する下り傾斜波形電圧を発生させる傾斜波形電圧発生回路と、前記傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以下の電圧である第１の電源と、前記傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以上の電圧である第２の電源とを備え、
前記傾斜波形電圧発生回路は、インダクタとスイッチング素子とダイオードとスイッチ制御部とを有し、前記インダクタの一方の端子を出力端子とし、前記インダクタの他方の端子を前記スイッチング素子を介して前記第１の電源に接続するとともに前記ダイオードを介して前記第２の電源に接続し、前記スイッチ制御部で発生させた制御パルス信号で前記スイッチング素子をオン・オフ制御することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記スイッチ制御部は、前記スイッチング素子のオン時間およびオフ時間の制御データをあらかじめ記憶したメモリを有し、前記メモリから前記制御データを順次読み出して前記制御パルス信号を発生することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧が高いときの前記スイッチング素子のオン時間の比は、前記傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧が低いときの前記スイッチング素子のオン時間の比よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記傾斜波形電圧発生回路は、あらかじめ定められたしきい値電圧と出力電圧とを比較する電圧検出部を有し、前記出力電圧が前記しきい値電圧に達したことを前記電圧検出部が検出すると、前記スイッチ制御部は前記スイッチング素子をオフにすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記傾斜波形電圧発生回路に並列に接続されたミラー積分回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記表示電極対に印加する上り傾斜波形電圧を発生させる第２の傾斜波形電圧発生回路をさらに備え、
前記第２の傾斜波形電圧発生回路は、第２のインダクタと第２のスイッチング素子と第２のダイオードと第２のスイッチ制御部とを有し、
前記第２のインダクタと前記第２のスイッチング素子とを直列に接続して所定の電源に接続し、前記第２のインダクタの端子のうち前記第２のスイッチング素子が接続された端子に前記第２のダイオードのアノードを接続し、前記第２のダイオードのカソードを出力端子とし、
前記第２のスイッチ制御部で発生させた制御パルス信号で前記第２のスイッチング素子をオン・オフ制御することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が複数形成された前面板と、複数の平行なデータ電極が形成された背面板とを対向配置し、その間に多数の放電セルが形成されている。そして放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールドを複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を形成する。書込み期間では、表示する画像に応じて選択的に放電セルで書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加して維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００４】
この駆動方法において、初期化期間に弱い初期化放電を発生させるために、また維持期間の最後に消去放電を発生させるために、緩やかに上昇または下降する傾斜波形電圧を表示電極対の一方または両方に印加する必要があった。この傾斜波形電圧を安定して発生させるために、従来は、主にミラー積分回路を用いていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１３３９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高い電圧を持つ電源を準備して、そこからミラー積分回路を用いて傾斜波形電圧を発生させると、消費電力が大きくなるという課題があった。さらに最近のパネルの大画面化にともない、この消費電力の増加が無視できなくなってきた。ミラー積分回路は半導体素子を能動領域で使用するため、特性の完全に一致した半導体素子を使用しない限り半導体素子を並列接続して消費電力を分散させるという使い方ができない。そのため電力が増加すると、使用できる半導体素子が限定され、またその放熱設計も難しくなる。
【０００６】
本発明は、これらの課題に鑑みなされたものであり、消費電力を抑えた傾斜波形電圧を発生させることが可能な駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、表示電極対を有するパネルと、表示電極対に印加する下り傾斜波形電圧を発生させる傾斜波形電圧発生回路と、傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以下の電圧である第１の電源と、傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以上の電圧である第２の電源とを備えたプラズマディスプレイ装置であって、傾斜波形電圧発生回路はインダクタとスイッチング素子とダイオードとスイッチ制御部とを有し、インダクタの一方の端子を出力端子とし、インダクタの他方の端子をスイッチング素子を介して第１の電源に接続するとともにダイオードを介して第２の電源に接続し、スイッチ制御部で発生させた制御パルス信号でスイッチング素子をオン・オフ制御することを特徴とする。この構成により、消費電力を抑えた傾斜波形電圧を発生させることが可能な駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供することができる。
【０００８】
また本発明のプラズマディスプレイ装置のスイッチ制御部は、スイッチング素子のオン時間およびオフ時間の制御データをあらかじめ記憶したメモリを有し、メモリから制御データを順次読み出して制御パルス信号を発生する構成であってもよい。この構成により回路を簡素化することができる。
【０００９】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧が高いときのスイッチング素子のオン時間の比は、傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧が低いときのスイッチング素子のオン時間の比よりも小さいことが望ましい。この構成により、傾斜波形電圧をほぼ一定の速度で低下させることができる。
【００１０】
また本発明のプラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路は、あらかじめ定められたしきい値電圧と出力電圧とを比較する電圧検出部を有し、出力電圧がしきい値電圧に達したことを電圧検出部が検出すると、スイッチ制御部はスイッチング素子をオフにする構成であってもよい。この構成により、傾斜波形電圧の到達する電圧の値を容易に変更することができる。
【００１１】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、傾斜波形電圧発生回路に並列に接続されたミラー積分回路をさらに備えていてもよい。この構成により、電力損失を低く抑えるとともに、リップルを抑制した傾斜波形電圧を発生させることができる。
【００１２】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、表示電極対に印加する上り傾斜波形電圧を発生させる第２の傾斜波形電圧発生回路をさらに備え、第２の傾斜波形電圧発生回路は、第２のインダクタと第２のスイッチング素子と第２のダイオードと第２のスイッチ制御部とを有し、第２のインダクタと第２のスイッチング素子とを直列に接続して所定の電源に接続し、第２のインダクタの端子のうち第２のスイッチング素子が接続された端子に第２のダイオードのアノードを接続し、第２のダイオードのカソードを出力端子とし、第２のスイッチ制御部で発生させた制御パルス信号で第２のスイッチング素子をオン・オフ制御する構成であってもよい。この構成により、上り傾斜波形電圧を発生させる電力も抑制することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、消費電力を抑えた傾斜波形電圧を発生させることが可能な駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面基板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして表示電極対２４を覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。背面基板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色、緑色および青色の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００１６】
これら前面基板２１と背面基板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンとの混合ガスが封入されている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００１７】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００１８】
図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。
【００１９】
なお、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間に大きな電極間容量が存在する。また走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間にも電極間容量が存在する。そのため走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎは大きな等価容量Ｃｐを持つ容量性の負荷となる。
【００２０】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって画像を表示する。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、サブフィールド毎にあらかじめ決められた輝度重みに応じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００２１】
サブフィールド構成としては、例えば、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つものとする。しかし、本発明はサブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。
【００２２】
図３は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形を示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。
【００２３】
第１ＳＦの初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００２４】
初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、初期化動作が終了する。
【００２５】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００２６】
次に、１行目の走査電極ＳＣ１に電圧Ｖａである負の走査パルスを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に電圧Ｖｄである正の書込みパルスを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００２７】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスＶｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を走査電極ＳＣｎのｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００２８】
続く維持期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに維持パルス電圧Ｖｓを印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。このとき走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。
【００２９】
ただし、書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００３０】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【００３１】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加することにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００３２】
そして、維持期間の最後には、消去波形を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加して、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｅｒｓまで緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で弱い放電が起こり、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との間の壁電圧が弱められる。こうして維持期間における維持動作が終了する。なお、本実施の形態においては、電圧Ｖｅｒｓは、例えば維持パルス電圧Ｖｓ以上の電圧に設定されている。
【００３３】
第２ＳＦの初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３’から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、直前のサブフィールドの維持期間において維持放電を行った放電セルにおいて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、第２ＳＦの初期化動作が終了する。
【００３４】
続く書込み期間および維持期間の動作は、第１ＳＦの書込み期間および維持期間の動作とほぼ同様であるため説明を省略する。続く第３ＳＦ〜第１０ＳＦの動作も維持パルスの数を除き第２ＳＦの動作とほぼ同様である。
【００３５】
次に、パネル１０を駆動するための駆動回路とその動作について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置４０は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。そして詳細は後述するが、走査電極駆動回路４３には表示電極対に印加する傾斜波形電圧を発生させる傾斜波形電圧発生回路を備え、電源回路には傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以下の電圧である第１の電源と、傾斜波形電圧発生回路が発生する電圧以上の電圧である第２の電源とを備えている。
【００３６】
画像信号処理回路４１は、入力された画像信号をサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路４２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する書込みパルスに変換し各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。タイミング発生回路４５は同期信号をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路４３は、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路４４は、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００３７】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０と、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路６０と、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路７０とを備えている。
【００３８】
維持パルス発生回路５０は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路５１と、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ５５と、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ５６とを有する。なおスイッチング素子Ｑ９１は分離スイッチであり、スイッチング素子Ｑ５５、Ｑ５６の寄生ダイオードを介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。そしてスイッチング素子Ｑ９１を導通させることで、図５に示した節点Ｃの電位と節点Ｂの電位とが等しくなる。
【００３９】
走査パルス発生回路７０は、電圧Ｖａである電源をもとにして走査パルスを発生し、書込み期間において走査パルスを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに順次印加する。なお、走査パルス発生回路７０は、初期化期間および維持期間では維持パルス発生回路５０または初期化波形発生回路６０の出力電圧をそのまま出力する。すなわち、図５に示した節点Ａの電位を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへ出力する。
【００４０】
初期化波形発生回路６０は、ミラー積分回路６１と、ミラー積分回路６２と、傾斜波形電圧発生回路８０とを備え、上述した初期化波形を発生させる。ミラー積分回路６１は、トランジスタＱ６１とコンデンサＣ６１と抵抗Ｒ６１とを有し、電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。ミラー積分回路６２は、トランジスタＱ６２とコンデンサＣ６２と抵抗Ｒ６２とを有し、電圧Ｖｅｒｓまでランプ状に緩やかに上昇する上り傾斜波形電圧を発生する。なおスイッチング素子Ｑ９２も分離スイッチであり、トランジスタＱ６２の寄生ダイオードを介して電流が逆流するのを防止するために設けられている。そしてスイッチング素子Ｑ９２を導通させることで、図５に示した節点Ｂの電位と節点Ａの電位とが等しくなる。
【００４１】
傾斜波形電圧発生回路８０は、インダクタＬ８０と、スイッチング素子Ｑ８０と、ダイオードＤ８０と、電圧検出部８１と、スイッチ制御部８２とを有し、電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに下降する下り傾斜波形電圧を発生する。電圧検出部８１は電圧Ｖｉ４を検出する。インダクタＬ８０の一方の端子は傾斜波形電圧発生回路８０の出力端子である節点Ａに接続され、他方の端子はスイッチング素子Ｑ８０を介して第１の電源、本実施の形態においては電圧Ｖａの電源に接続されている。また、インダクタＬ８０の端子のうちスイッチング素子Ｑ８０が接続されている端子に、さらにダイオードＤ８０のカソードが接続され、ダイオードＤ８０のアノードは第２の電源、本実施の形態においては電圧Ｖｉ２の電源に接続されている。
【００４２】
電圧検出部８１は、傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧とあらかじめ定められたしきい値電圧、本実施の形態においては電圧Ｖｉ４とを比較して傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧がしきい値電圧に達したことを検出する。スイッチ制御部８２はスイッチング素子Ｑ８０のオン時間およびオフ時間の制御データをあらかじめ記憶したメモリ８３を有し、メモリ８３に記憶された制御データを順次読み出して、スイッチング素子Ｑ８０をオン・オフ制御するための制御パルス信号を発生するとともに、電圧検出部８１の検出出力に従って制御パルス信号を停止させてスイッチング素子Ｑ８０をオフにする。
【００４３】
なお、インダクタＬ８０は、発生させるべき下り傾斜波形電圧の形状、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量Ｃｐ、インダクタＬ８０に電流を流すための第１の電源の電圧、スイッチング素子Ｑ８０の応答速度等を勘案して適切に選択することが望ましい。本実施の形態においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量Ｃｐがおよそ０．２μＦであり、インダクタＬ８０のインダクタンスを１８μＨに設定している。
【００４４】
次に、下り傾斜波形電圧を発生する傾斜波形電圧発生回路８０の動作について説明する。傾斜波形電圧発生回路８０は、図３において期間Ｔ１または期間Ｔ２（破線で囲った期間）で示した下り傾斜波形電圧を発生させることができるが、以下では、期間Ｔ１における下り傾斜波形電圧を発生させる動作について詳細に説明する。図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の傾斜波形電圧発生回路８０の動作を説明するためのタイミングチャートであり、図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置４０の傾斜波形電圧発生回路８０のスイッチング素子Ｑ８０のオン・オフ制御の詳細を示す図である。なお、以下の説明においてスイッチング素子およびダイオードを導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。また期間Ｔ１および期間Ｔ２では走査パルス発生回路７０は節点Ａの電圧をそのまま出力する。すなわち走査パルス発生回路７０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎへの各出力端子と節点Ａとを接続する各スイッチング素子がオンするので、傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧が走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される。またこのとき、スイッチング素子Ｑ９１はオフであり、さらにミラー積分回路６１、ミラー積分回路６２のトランジスタＱ６１、トランジスタＱ６２もオフである。
【００４５】
図６の時刻ｔ１において、スイッチング素子Ｑ８０をオンにする。するとインダクタＬ８０を介して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎから電圧Ｖａの電源に向かって電流が流れ始め、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低下し始める。
【００４６】
次に時刻ｔ２において、スイッチング素子Ｑ８０をオフにする。するとインダクタＬ８０を流れる電流はダイオードＤ８０を介して第２の電源である電圧Ｖｉ２の電源に流れこむ。このようにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量Ｃｐに蓄積された電力を電圧Ｖｉ２の電源に回収する。それとともにインダクタＬ８０を流れる電流が減少する。またこのときの電流によっても走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低下する。
【００４７】
次に時刻ｔ３において、スイッチング素子Ｑ８０をオンにする。すると再びインダクタＬ８０を介して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎから電圧Ｖａの電源に向かって電流が流れ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧がさらに低下する。
【００４８】
時刻ｔ４において、スイッチング素子Ｑ８０をオフにする。するとインダクタＬ８０を流れる電流はダイオードＤ８０を介して電圧Ｖｉ２の電源に流れこみ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量Ｃｐに蓄積された電力を電源に回収する。それとともにインダクタＬ８０に流れる電流が減少する。このときの電流によっても走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低下する。
【００４９】
以降同様に、スイッチング素子Ｑ８０をオンにしてインダクタＬ８０に電流を流し走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧を低下させる。その後、スイッチング素子Ｑ８０をオフにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに蓄積された電力を電源に回収する。なお、このとき電源に向かって流す電流が減少して０になった場合には、その後はダイオードＤ８０がオフになるので電流が逆流することはない。
【００５０】
そして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｉ４以下になると、電圧検出部８１は傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧が電圧Ｖｉ４以下になったことを検出し、検出信号をスイッチ制御部８２へ出力する。するとスイッチ制御部８２は制御パルス信号を停止してスイッチング素子Ｑ８０をオフにし、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が下降しないように制御する。このようにして、傾斜波形電圧発生回路８０は緩やかに下降する消去波形を発生させる。そしてスイッチング素子Ｑ８０をオンまたはオフのいずれかの状態で用いるため、傾斜波形電圧発生回路８０の電力損失を低く抑えることができる。さらに走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに蓄積された電力を電源に回収するため、効率よく駆動することができる。また、電圧検出部８１のしきい値を変更するだけで、傾斜波形電圧の到達する電圧Ｖｉ４の値を容易に変更することができる。
【００５１】
本実施の形態においては、スイッチング素子Ｑ８０のオン・オフ周期は０．８５μｓ〜２．１μｓまで変化させており、最初はオンの時間が短く、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が下降するにつれて徐々にオンの時間が長くなるように制御している。オンの時間を制御する方法としては、あらかじめ決められた理想的な下り傾斜波形電圧と実際の傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧とを比較してその差分値でオンの時間を決定するフィードバック型の制御を行うことも可能である。しかし本実施の形態においては、回路を簡素化するために、メモリ８３に記憶されたあらかじめ決められたタイミングに従ってスイッチング素子Ｑ８０の制御を行った。
【００５２】
上述したように、図７はスイッチング素子Ｑ８０のオン・オフの制御を示す図であり、メモリ８３に記憶されているタイミングである。電圧Ｖｉ２が１８０（Ｖ）、電圧Ｖｉ４が−１００（Ｖ）であるものとして、図７を用いて、さらに詳細に期間Ｔ１における動作について説明する。図７において周期とは、期間Ｔ１または期間Ｔ２の最初からスイッチング素子Ｑ８０をオン・オフの動作が何回目であるかを示し、Ｔｏｎはスイッチング素子Ｑ８０をオンさせる期間、またＴｏｆｆはスイッチング素子Ｑ８０をオフさせる期間、デューティーは、１周期に対するＴｏｎの期間の割合を記すものである。また図７の各行には複数の周期毎にＴｏｎ、Ｔｏｆｆ、およびデューティーが設定され、その際に、各周期毎に走査電極に印加される電圧の範囲を図７の右欄に記載している。
【００５３】
図７の２行目には、最初から３２周期目までは、スイッチング素子Ｑ８０をオンさせる時間Ｔｏｎは１００ｎｓ、オフさせる時間Ｔｏｆｆは７５０ｎｓであり、スイッチング素子Ｑ８０のオン・オフ周期に対する時間Ｔｏｎの割合（デューティー）は１１．８％であることを記している。この間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は１８０（Ｖ）から１３６（Ｖ）まで低下する。次の３３周期目から４８周期目の１６周期では、オンさせる時間Ｔｏｎは１５０ｎｓ、オフさせる時間Ｔｏｆｆは９００ｎｓであり、デューティーは１４．３％である。この間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は１３６（Ｖ）から１０８（Ｖ）まで低下する。次の２０周期では、オンさせる時間Ｔｏｎは１５０ｎｓ、オフさせる時間Ｔｏｆｆは８００ｎｓであり、デューティーは１５．８％である。この間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は１０８（Ｖ）から７７（Ｖ）まで低下する。以下、同様にして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が−１００（Ｖ）以下になるまで、図７に示したタイミングに従ってスイッチング素子Ｑ８０を制御する。
【００５４】
なお、ここでは期間Ｔ１において、電圧が１８０（Ｖ）から−１００（Ｖ）まで低下する下り傾斜波形電圧を発生させる動作について詳細に説明したが、期間Ｔ２において、例えば電圧が７７（Ｖ）から−１００（Ｖ）まで低下する下り傾斜波形電圧を発生させる場合には、図７に示した６９周期から１５６周期までのタイミングに従ってスイッチング素子Ｑ８０を制御すればよい。
【００５５】
図７に示したように、傾斜波形電圧発生回路８０が発生する電圧が高いときのスイッチング素子Ｑ８０のオン時間の比（デューティー）は、傾斜波形電圧発生回路８０が発生する電圧が低いときのスイッチング素子Ｑ８０のオン時間の比（デューティー）よりも小さくなるように制御している。そして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が高いときはデューティーを小さく、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低下するにつれてデューティーを大きくすることにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧をほぼ一定の速度で低下させることができる。本実施の形態においてはおよそ１．８（Ｖ／μｓ）の速度で低下させている。
【００５６】
なお、放電が発生しない電圧の範囲では、駆動時間を短縮するために電圧の変化の速度を大きめに設定してもよい。
【００５７】
また、本実施の形態においては、あらかじめ決められた時間に従ってスイッチング素子Ｑ８０のオン・オフ制御を行う例について説明したが、例えば維持放電を行う放電セルの数を全放電セルの数で除した値、すなわち点灯率に応じてスイッチング素子Ｑ８０のオンの時間を制御してもよい。点灯率が高いときはオンの時間を長く、点灯率が低いときはオンの時間を短く設定することで、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧の変化の速度を点灯率に依存することなく一定にすることができる。
【００５８】
また、本実施の形態においては、電圧検出部８１を設け、傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧が電圧Ｖｉ４以下になったことを電圧検出部８１が検出して制御パルス信号を停止させる構成について説明した。しかし、電圧検出部８１を設けず、傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧を電圧Ｖａ付近まで低下させる構成であってもよい。
【００５９】
なお、本実施の形態における傾斜波形電圧発生回路８０は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧をほぼ一定の速度で低下させることができるが、厳密には図６に示したようにスイッチング制御によるリップル成分が重畳している。傾斜波形電圧発生回路８０にミラー積分回路を追加することにより、このリップル成分を除去することができる。以下に、リップル成分を除去した構成について説明する。
【００６０】
（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路８０および追加したミラー積分回路８５の回路図であり、実施の形態１における傾斜波形電圧発生回路８０に並列に接続されたミラー積分回路８５をさらに備えている。実施の形態２に用いるパネルおよびパネルの各電極に印加する駆動電圧波形は実施の形態１と同様である。
【００６１】
実施の形態２における傾斜波形電圧発生回路８０は実施の形態１に記載の傾斜波形電圧発生回路８０と同じ構成であるので、同じ符号を付して説明を省略する。ミラー積分回路８５は、トランジスタＱ８５とコンデンサＣ８５と抵抗Ｒ８５とを有し、トランジスタＱ８５のドレイン−ゲート間にコンデンサＣ８５が接続され、ゲートには抵抗Ｒ８５が接続されている。
【００６２】
次に、実施の形態２における傾斜波形電圧発生回路８０およびミラー積分回路８５の動作について説明する。図９は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路８０およびミラー積分回路８５の動作を説明するための図であり、傾斜波形電圧発生回路８０およびミラー積分回路８５の出力電圧が時間とともに減少する様子を模式的に示している。図９のＡと記した破線は、ミラー積分回路８５を設けない場合の傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧、すなわち傾斜波形電圧発生回路８０を単独で用いた場合の出力電圧を示している。この場合には、図６に示したように、スイッチング素子Ｑ８０のオン・オフにともないインダクタＬ８０に流れる電流が増減するため、図９に示したように傾斜波形電圧発生回路８０の出力電圧にはリップルが重畳される。図９のＢと記した実線は、ミラー積分回路８５を設けた場合の傾斜波形電圧発生回路８０およびミラー積分回路８５の出力電圧を示している。トランジスタＱ８５を理想的なオペレーションアンプであると仮定すると、ミラー積分回路８５の出力電圧Ｖｏｕｔは、よく知られているように、
Ｖｏｕｔ＝−（∫Ｖｉｎ・ｄｔ）／ＣＲ
で表される。ここでＣはコンデンサＣ８５の容量、Ｒは抵抗Ｒ８５の抵抗値、Ｖｉｎは抵抗Ｒ８５に入力される電圧とトランジスタＱ８５のドレイン電圧との差である。
【００６３】
従って、電圧Ｖｉｎが一定であれば、ミラー積分回路８５の出力電圧Ｖｏｕｔは一定の速度で低下することがわかる。ここで、傾斜波形電圧発生回路８０を単独で用いた場合の出力電圧Ａよりもミラー積分回路８５の出力電圧が常に低くなるように設定すれば、傾斜波形電圧発生回路８０およびミラー積分回路８５の並列回路の出力電圧Ｂはミラー積分回路８５の出力電圧に等しくなり、リップルのない一定の速度で低下する下り傾斜波形電圧が得られる。しかも、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに蓄積された電力のほとんどは傾斜波形電圧発生回路８０を用いて電圧Ｖｉ２の電源に回収されるため、ミラー積分回路８５の消費電力は、図９の電圧Ａと電圧Ｂとの差に対応するわずかな電力だけである。
【００６４】
このように、実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置によれば、傾斜波形電圧発生回路８０を用いることにより電力損失を低く抑えるとともに、ミラー積分回路８５を用いることによりリップルを抑制した傾斜波形電圧を発生させることができる。
【００６５】
なお、本実施の形態においては、上り傾斜波形電圧はミラー積分回路を用いて発生させる例について説明した。しかし各サブフィールドの維持期間の最後の上り傾斜波形電圧をミラー積分回路を用いて発生させる電力も大きい。そこで下り傾斜波形電圧と同様に、上り傾斜波形電圧もインダクタとスイッチング素子とダイオードとを用いて発生させてもよい。
【００６６】
（実施の形態３）
図１０は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図であり、実施の形態１におけるミラー積分回路６１とミラー積分回路６２との代わりに、上り傾斜波形電圧を発生する第２の傾斜波形電圧発生回路９５を備えている。実施の形態３に用いるパネルおよびパネルの各電極に印加する駆動電圧波形は実施の形態１と同様である。実施の形態１と同一の回路については同一の符号を付して説明を省略する。
【００６７】
第２の傾斜波形電圧発生回路９５は、第２のインダクタＬ９５と、第２のスイッチング素子Ｑ９５と、第２のダイオードＤ９５と、Ｖｅｒｓ電圧検出部９６と、Ｖｉ２電圧検出部９７と、第２のスイッチ制御部９８とを有する。なお、以降はそれぞれ単に、傾斜波形電圧発生回路９５、インダクタＬ９５、スイッチング素子Ｑ９５、ダイオードＤ９５、スイッチ制御部９８と称する。
【００６８】
インダクタＬ９５とスイッチング素子Ｑ９５とを直列に接続して所定の電源に接続している。実施の形態３においては、具体的にはインダクタＬ９５の一方の端子を０（Ｖ）に接続し、スイッチング素子Ｑ９５の一方の端子を電圧Ｖａの電源に接続している。
【００６９】
さらにインダクタＬ９５の端子のうちスイッチング素子Ｑ９５が接続された端子にダイオードＤ９５のアノードを接続し、ダイオードＤ９５のカソードを傾斜波形電圧発生回路９５の出力端子として、維持パルス発生回路５０の出力（図１０に示した節点Ｃ）に接続している。
【００７０】
Ｖｅｒｓ電圧検出部９６は、傾斜波形電圧発生回路９５の出力電圧と電圧Ｖｅｒｓとを比較して傾斜波形電圧発生回路９５の出力電圧が電圧Ｖｅｒｓを超えたことを検出する。Ｖｉ２電圧検出部９７は、傾斜波形電圧発生回路９５の出力電圧と電圧Ｖｉ２とを比較して傾斜波形電圧発生回路９５の出力電圧が電圧Ｖｉ２を超えたことを検出する。スイッチ制御部９８はメモリ９９を有し、スイッチング素子Ｑ９５をオン・オフさせるための制御パルス信号を発生するとともに、各サブフィールドの維持期間においてはＶｅｒｓ電圧検出部９６の検出出力に従って、また第１ＳＦの初期化期間においてはＶｉ２電圧検出部９７の検出出力に従って制御パルス信号を停止させる。
【００７１】
なお、インダクタＬ９５は、発生させるべき傾斜波形電圧の形状、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量、インダクタＬ９５に電流を流すための電源の電圧、スイッチング素子Ｑ９５の応答速度等を勘案して適切に選択することが望ましい。実施の形態３においては、インダクタＬ９５のインダクタンスは４．７μＨに設定している。
【００７２】
次に、傾斜波形電圧発生回路９５の動作について説明する。なおここでは各サブフィールドの維持期間において消去波形を発生させる場合の動作について説明する。図１１は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路９５の動作を説明するためのタイミングチャートであり、図３において、消去波形を発生させる期間Ｔ３（破線で囲った期間）の詳細なタイミングチャートである。また期間Ｔ３では走査パルス発生回路７０は節点Ａの電圧をそのまま出力するので、傾斜波形電圧発生回路９５の出力は走査パルス発生回路７０を介して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに出力される。
【００７３】
時刻ｔ１１において、スイッチング素子Ｑ９５をオンにする。すると電圧Ｖａの電源に向かってインダクタＬ９５に電流が流れ始める。
【００７４】
次に時刻ｔ１２において、スイッチング素子Ｑ９５をオフにする。するとインダクタＬ９５を流れる電流はダイオードＤ９５を介して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに流れこみ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量を充電して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が上昇を始める。それとともに走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに流れこむ電流は徐々に減少する。
【００７５】
以降同様に、スイッチング素子Ｑ９５をオンにしてインダクタＬ９５に電流を流す。その後、スイッチング素子Ｑ９５をオフにして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電流を流し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの等価容量を充電して走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧を上昇させる。なお、このとき走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに流れこむ電流が減少して０になった場合には、その後はダイオードＤ９５がオフになるので電流が逆流することはない。
【００７６】
そして走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｅｒｓを超えると、Ｖｅｒｓ電圧検出部９６は傾斜波形電圧発生回路９５の出力電圧が電圧Ｖｅｒｓを超えたことを検出し、検出信号をスイッチ制御部９８へ出力する。するとスイッチ制御部９８は制御パルス信号を停止してスイッチング素子Ｑ９５をオフにし、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧がそれ以上上昇しないように制御する。このようにして、傾斜波形電圧発生回路９５は緩やかに上昇する消去波形を発生させる。そしてスイッチング素子Ｑ９５をオンまたはオフのいずれかの状態で用いるため、傾斜波形電圧発生回路９５の電力損失を低く抑えることができる。
【００７７】
図１２は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置のスイッチング素子Ｑ９５のオン・オフの制御を示す図であり、メモリ９９に記憶されているタイミングである。スイッチング素子Ｑ９５のオン・オフの周期は１ＭＨｚであり、消去波形として走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧を０（Ｖ）から２１０（Ｖ）まで上昇させるものとして説明する。最初の４周期では、スイッチング素子Ｑ９５をオンさせる時間Ｔｏｎは２００ｎｓ、オフさせる時間Ｔｏｆｆは８００ｎｓである。この間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は０（Ｖ）から６０（Ｖ）まで上昇する。次の２周期では、オンさせる時間Ｔｏｎは２５０ｎｓ、オフさせる時間Ｔｏｆｆは７５０ｎｓである。この間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は６０（Ｖ）から８０（Ｖ）まで上昇する。以下、同様にして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が２１０（Ｖ）以上になるまで、図１２に示したタイミングに従ってスイッチング素子Ｑ９５を制御する。
【００７８】
このように、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低いときはオンの時間を短く、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が上昇するにつれてオンの時間を長くすることにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧をほぼ一定の上昇率で上昇させることができる。
【００７９】
なお、本実施の形態においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が０（Ｖ）から６０（Ｖ）の間は放電が発生しないので、駆動時間を短縮するために電圧の上昇率をやや大きめに設定している。またこの間はインダクタＬ９５に流れる電流が０にならないが、これは走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が低く、インダクタＬ９５の端子間の電位差が小さいためである。
【００８０】
なお、実施の形態１、２、３において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、消費電力を抑えた傾斜波形電圧を発生させることが可能な駆動回路を備えたプラズマディスプレイ装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同プラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列図
【図３】同プラズマディスプレイ装置の各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】同プラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図
【図６】同プラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路の動作を説明するためのタイミングチャート
【図７】同プラズマディスプレイ装置のスイッチング素子のオン・オフの制御を示す図
【図８】本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路および追加したミラー積分回路の回路図
【図９】同プラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路およびミラー積分回路の動作を説明するための図
【図１０】本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の回路図
【図１１】同プラズマディスプレイ装置の傾斜波形電圧発生回路の動作を説明するためのタイミングチャート
【図１２】同プラズマディスプレイ装置のスイッチング素子のオン・オフの制御を示す図
【符号の説明】
【００８３】
１０    パネル
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
３２    データ電極
４０    プラズマディスプレイ装置
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０    維持パルス発生回路
５１    電力回収回路
６０    初期化波形発生回路
６１，６２，８５    ミラー積分回路
７０    走査パルス発生回路
８０，９５    傾斜波形電圧発生回路
８１，９６，９７    電圧検出部
８２，９８    スイッチ制御部
８３，９９    メモリ
Ｄ８０，Ｄ９５    ダイオード
Ｌ８０，Ｌ９５    インダクタ
Ｑ８０，Ｑ９５    スイッチング素子
Ｑ８５    トランジスタ
Ｒ８５    抵抗
Ｃ８５    コンデンサ
【図１】
2009122341.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009122341.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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