(57)【要約】【課題】第１基板１１の端子領域１３を分断せずに第２基板母材３２の対向領域のみをレーザー分断する。【解決手段】第１基板１１の外形を形成するための第１分断ライン４１に沿って、第１基板母材３１及び第２基板母材３２を同時にレーザー分断する第１分断工程と、対向領域と第２基板１２との境界である第２分断ラインに沿って、第２基板母材３２をレーザー分断する第２分断工程とを具備する。第２分断工程では、レーザー光を反射する反射膜１４を、第２基板母材３２の表面の法線方向から見て第２分断ラインに重なるように、第１基板母材３１と第２基板母材３２との間に配置した状態で、第２基板母材３２をレーザー分断する。【選択図】図１
2009122282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１基板を有する第１基板母材と、該第１基板母材に貼り合わされて対向すると共に、各上記第１基板にそれぞれ対向する複数の第２基板を有する第２基板母材とを備えた貼合せ基板母材を、互いに対向している上記第１基板及び上記第２基板の組毎に分断して複数の表示装置を製造する方法であって、
上記第１基板は、複数の端子が形成された端子領域を有する一方、
上記第２基板母材は、一部の隣り合う上記第２基板同士の間に、上記端子領域に対向する対向領域を有し、
上記第１基板の外形を形成するための第１分断ラインに沿って、上記第１基板母材及び上記第２基板母材を同時にレーザー分断する第１分断工程と、
上記対向領域と上記第２基板との境界である第２分断ラインに沿って、上記第２基板母材をレーザー分断する第２分断工程とを具備し、
上記第２分断工程では、レーザー光を反射する反射膜を、上記第２基板母材の表面の法線方向から見て上記第２分断ラインに重なるように、上記第１基板母材と上記第２基板母材との間に配置した状態で、上記第２基板母材をレーザー分断する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記反射膜は、上記第１基板母材に形成されている
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記反射膜は、上記第２基板母材に形成されている
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー光の波長は、２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザー及びＮｄ：ＹＡＧ ＦＨＧレーザーの何れか一つによって行われる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーによって行われ、
上記反射膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザーによって行われ、
上記反射膜は、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
複数の端子が形成された端子領域を有する第１基板と、
上記第１基板に対向して配置された第２基板と、
上記第１基板及び上記第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置であって、
上記端子領域は、上記第２基板の側端よりも側方に突出した領域に形成され、
上記第２基板の表面の法線方向から見て、上記第２基板における上記端子領域側の側端に重なるように、上記第１基板と上記第２基板との間に配置され、レーザー光を反射する反射膜を備えている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置において、
上記反射膜は、上記第１基板に形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項８に記載された表示装置において、
上記反射膜は、上記第２基板に形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項８に記載された表示装置において、
上記レーザー光の波長は、２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項８に記載された表示装置において、
上記反射膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項８に記載された表示装置において、
上記反射膜は、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項８に記載された表示装置において、
上記表示媒体層は液晶層である
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の表示装置、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等の表示装置は、複数のスイッチング素子が形成された第１基板と、それに対向する第２基板と、これら第１基板及び第２基板の間に介装された液晶層等の表示媒体層とを備えている。第１基板及び第２基板は、例えばガラス基板により構成されている。そして、第１基板は、第２基板よりも側方に延出されると共に複数の端子が形成された端子領域を有している。端子領域には、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）やＩＣチップ等が実装される。
【０００３】
また、複数の第１基板を有する第１基板母材と、複数の第２基板を有する第２基板母材とが貼り合わされた貼合せ基板母材を分断することによって、複数の液晶表示装置を製造することが知られている。すなわち、貼合せ基板母材には、液晶表示装置となる領域が複数マトリクス状に配置されている。そうして、各領域毎に貼合せ基板母材を分断すると共に、端子領域に対向する第２基板母材の領域（以下、対向領域と称する）を分断することにより、各液晶表示装置を製造する。
【０００４】
上記第１基板母材及び第２基板母材を分断する方法として、分断ラインに沿ってスクライブ溝を形成した後に、その基板に応力を加えることが知られている。特許文献１には、カッターホイールによって上記スクライブ溝を形成することが開示されている。また、特許文献２には、レーザースクライバーによって上記スクライブ溝を形成することが開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２１９５２７号公報
【特許文献２】特表平８−５０９９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、波長が２００〜１２００ｎｍであるレーザーによってガラス基板を分断することが考えられる。上記レーザーを２枚の重ね合わされたガラス基板に照射すると、レーザーのエネルギーは各ガラス基板に数％吸収され、残りのエネルギーはガラス基板を透過する。この特性を利用して、互いに重なっている第１基板母材及び第２基板母材にそれぞれレーザーエネルギーを吸収させることにより、これら第１基板母材及び第２基板母材を同時に分断することが可能である。
【０００６】
レーザーによって分断すれば、上記従来のように、まずスクライブ溝を形成した後に、応力を加えて分断するといった２段階の工程を要しないので、工程数を低減することが可能になる。
【０００７】
しかしながら、上述のように上記レーザーは第１基板母材及び第２基板母材の双方を透過するため、第１基板母材又は第２基板母材の一方のみを上記レーザによって分断することはできない。したがって、第１基板の端子領域を分断せずに、第２基板母材の対向領域のみを分断することができないという問題がある。
【０００８】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第１基板の端子領域を分断せずに第２基板母材の対向領域のみをレーザー分断しようとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、この発明では、反射膜を設けることによって、対向領域のみをレーザ分断するようにした。
【００１０】
具体的に、本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の第１基板を有する第１基板母材と、該第１基板母材に貼り合わされて対向すると共に、各上記第１基板にそれぞれ対向する複数の第２基板を有する第２基板母材とを備えた貼合せ基板母材を、互いに対向している上記第１基板及び上記第２基板の組毎に分断して複数の表示装置を製造する方法であって、上記第１基板は、複数の端子が形成された端子領域を有する一方、上記第２基板母材は、一部の隣り合う上記第２基板同士の間に、上記端子領域に対向する対向領域を有し、上記第１基板の外形を形成するための第１分断ラインに沿って、上記第１基板母材及び上記第２基板母材を同時にレーザー分断する第１分断工程と、上記対向領域と上記第２基板との境界である第２分断ラインに沿って、上記第２基板母材をレーザー分断する第２分断工程とを具備し、上記第２分断工程では、レーザー光を反射する反射膜を、上記第２基板母材の表面の法線方向から見て上記第２分断ラインに重なるように、上記第１基板母材と上記第２基板母材との間に配置した状態で、上記第２基板母材をレーザー分断する。
【００１１】
上記反射膜は、上記第１基板母材に形成されていてもよい。
【００１２】
上記反射膜は、上記第２基板母材に形成されていてもよい。
【００１３】
上記レーザー光の波長は、２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザー及びＮｄ：ＹＡＧ ＦＨＧレーザーの何れか一つによって行うようにしてもよい。
【００１５】
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーによって行われ、上記反射膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜であってもよい。
【００１６】
上記レーザー分断は、Ｎｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザーによって行われ、上記反射膜は、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜であってもよい。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置は、複数の端子が形成された端子領域を有する第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板と、上記第１基板及び上記第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置であって、上記端子領域は、上記第２基板の側端よりも側方に突出した領域に形成され、上記第２基板の表面の法線方向から見て、上記第２基板における上記端子領域側の側端に重なるように、上記第１基板と上記第２基板との間に配置され、レーザー光を反射する反射膜を備えている。
【００１８】
上記反射膜は、上記第１基板に形成されていてもよい。
【００１９】
上記反射膜は、上記第２基板に形成されていてもよい。
【００２０】
上記レーザー光の波長は、２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
上記反射膜は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜であってもよい。
【００２２】
上記反射膜は、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜であってもよい。
【００２３】
上記表示媒体層は液晶層であってもよい。
【００２４】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００２５】
表示装置は、第１基板と、第２基板と、これらの間に設けられた表示媒体層とを備えている。第１基板には、第２基板の側端よりも側方に突出した端子領域が形成されている。この表示装置を製造する場合には、第１基板母材と第２基板母材とが互いに貼り合わされた貼合せ基板母材を、分断することによって複数の表示装置を製造する。
【００２６】
すなわち、まず、第１基板母材と、第２基板母材とを互いに貼り合わせる。そのことにより、第１基板母材に含まれる複数の第１基板が、第２基板母材に含まれる複数の第２基板に、それぞれ対向する。
【００２７】
次に、第１分断工程又は第２分断工程を行う。第１分断工程では、第１基板の外形を形成するための第１分断ラインに沿って、第１基板母材及び第２基板母材を同時にレーザー分断する。
【００２８】
第２基板母材に入射したレーザー光は、当該第２基板母材において所定の吸収率でエネルギーが吸収されて透過する。第２基板母材を透過したレーザ光は、第１基板母材に入射して、さらに所定の吸収率でエネルギーが吸収されて透過する。その結果、第１基板母材及び第２基板母材は、それぞれ第１分断ラインにおいて吸熱し、熱応力が発生して同時に分断されることとなる。
【００２９】
一方、第２分断工程では、対向領域と第２基板との境界である第２分断ラインに沿って、第２基板母材をレーザー分断する。この第２分断工程では、レーザー光を反射する反射膜を、第２基板母材の表面の法線方向から見て第２分断ラインに重なるように、第１基板母材と第２基板母材との間に配置した状態で、第２基板母材をレーザー分断する。
【００３０】
すなわち、第２基板母材に入射したレーザー光は、当該第２基板母材において所定の吸収率でエネルギーが吸収される。その後にレーザー光は、反射膜によって反射されるため、第１基板母材に入射されない。その結果、第２基板母材は、第２分断ラインにおいて吸熱し、熱応力が発生して分断される。一方、第１基板母材は、反射膜によって遮光されるために、レーザー光が入射せず、第２分断ライン上で分断されない。したがって、本発明によれば、第１基板の端子領域が分断されずに、第２基板母材の対向領域のみがレーザー分断されることとなる。
【００３１】
反射膜は、第１基板母材に形成することが可能である。この場合には、第２分断ラインにおいて第２基板母材を透過したレーザー光は、第１基板母材上の反射膜によって第２基板母材側へ反射される。また、反射膜は、第２基板母材に形成することが可能である。この場合には、第２分断ラインにおいて第２基板母材に入射したレーザー光は、第２基板母材上の反射膜によって、第２基板母材の第１基板母材とは反対側に反射される。
【００３２】
レーザー光の波長は、例えば２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下であることが好ましい。レーザーがＮｄ：ＹＡＧレーザーである場合には、レーザー光の波長が１０６４ｎｍであり、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜により構成された反射膜によって、そのレーザー光を好適に反射することが可能である。
【００３３】
また、レーザーがＮｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザーである場合には、レーザー光の波長が３５５ｎｍであり、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜により構成された反射膜によって、そのレーザー光を好適に反射することが可能である。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、レーザー光を反射する反射膜を、第２基板母材の表面の法線方向から見て、第１基板の端子領域に対向する対向領域と第２基板との境界である第２分断ラインに重なるように、第１基板母材と第２基板母材との間に配置することにより、第１基板の端子領域を分断せずに第２基板母材の対向領域のみをレーザー分断することができる。その結果、貼合せ基板母材の全ての分断ラインをレーザー分断することができるため、従来のように、まずスクライブ溝を形成した後に、応力を加えて分断するといった２段階の工程が不要となり、工程数を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
《発明の実施形態１》
図１〜図５は、本発明の実施形態１を示している。本実施形態１では、本発明に係る表示装置の実施形態として、液書表示装置を例に挙げて説明する。
【００３７】
図１は、本実施形態１における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す平面図である。図２は、本実施形態１における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す正面図である。図３は、本実施形態１における液晶表示装置の概観を模式的に示す側面図である。図４は、本実施形態１における分断前の貼合せ基板母材を示す平面図である。図５は、本実施形態１における分断後の貼合せ基板を示す平面図である。
【００３８】
液晶表示装置Ｓは、第１基板であるＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１に対向して配置された第２基板である対向基板１２と、上記対向基板１２及びＴＦＴ基板１１の間に設けられた表示媒体層である液晶層（図示省略）とを備えている。対向基板１２は、ガラス基板２２上に、図示省略のカラーフィルタ、共通電極及びブラックマトリクス等が形成されて構成されている。
【００３９】
一方、ＴＦＴ基板１１は、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。ＴＦＴ基板１１には、図示省略の画素が複数マトリクス状に配置されている。さらに、ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板２１上に、図示を省略するが、複数のゲート配線が互いに平行に延びて形成されると共に、複数のソース配線が互いに平行に形成されている。上記ソース配線はゲート配線と直交するように配置されている。そのことにより、ＴＦＴ基板１１には、ゲート配線及びソース配線からなる配線が格子状にパターン形成されている。
【００４０】
各画素には、液晶層を駆動するための画素電極と、画素電極をスイッチング駆動するスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がそれぞれ設けられている。ＴＦＴは、上記ゲート配線及びソース配線に接続されている。これらゲート配線及びソース配線の一端は、ＴＦＴ基板１１の一辺側に形成された端子領域１３に引き出されており、その先端に端子１６が形成されている。
【００４１】
ＴＦＴ基板１１の端子領域１３は、例えば図１に示すように、対向基板１２の側端よりも側方に突出した領域に形成されている。すなわち、ＴＦＴ基板１１及び対向基板１２は、それぞれ矩形板状に形成されると共に、対向基板１２の表面の法線方向から見て、その三辺が重なる一方、残りの一辺については、ＴＦＴ基板１１の一辺が対向基板の一辺よりも外側に配置されている。そのことにより、矩形状の端子領域１３が、対向基板に重ならないように形成されている。端子領域１３には、上述のように、複数の端子１６が形成されている。端子領域１３には、図示省略の例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）やＩＣチップ等が実装される。
【００４２】
また、ＴＦＴ基板１１は、図３に示すように、ガラス基板２１上に絶縁膜１５が形成されると共に、絶縁膜１５を覆う高分子樹脂層１７が形成されている。上記端子１６は、絶縁膜１５上に形成されている。
【００４３】
液晶層は、ＴＦＴ基板１１と対向基板１２との間において枠状のシール部材１０に囲まれて封入されている。この液晶層が封入されている領域に表示領域２５が形成される一方、その外側に非表示領域である額縁領域２６が形成されている。上記端子領域１３は、額縁領域２６に含まれている。
【００４４】
そして、本実施形態１の液晶表示装置Ｓは、対向基板１２の表面の法線方向から見て、対向基板１２における端子領域１３側の側端２７に重なるように、ＴＦＴ基板１１と対向基板１２との間に配置され、レーザー光を反射する反射膜１４を備えている。
【００４５】
本実施形態１における反射膜１４は、ＴＦＴ基板１１に形成されている。すなわち、反射膜１４は、ＴＦＴ基板１１における高分子樹脂層１７の表面に設けられると共に、対向基板１２における端子領域１３側の側端２７に沿って延びる帯状に形成されている。対向基板１２の側端２７は、図１に示すように、反射膜１４の幅方向中央に配置されることが好ましい。反射膜１４は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜により構成されている。
【００４６】
そうして、上記液晶表示装置Ｓでは、端子領域１３に実装されたＦＰＣ等から供給される制御信号（例えば走査信号及びデータ信号）が、端子１６、上記ゲート配線及びソース配線を介して各画素のＴＦＴに供給される。そのことにより、各画素毎に液晶層を駆動して、所望の表示を行うようになっている。
【００４７】
−製造方法−
次に、上記液晶表示装置Ｓの製造方法について説明する。
【００４８】
まず、複数のＴＦＴ基板１１を有する第１基板母材３１と、複数の対向基板１２を有する第２基板母材３２とをそれぞれ形成する。
【００４９】
第１基板母材３１は、ガラス基板２１の集合体である大判のガラス基板母材上にＴＦＴ、配線及び端子１６等を形成することにより、ＴＦＴ基板１１となる領域が複数マトリクス状に配置されるように形成する。上記ガラス基板母材には、絶縁膜１５及びこれを覆う高分子樹脂層１７を形成し、図１〜図３に示すように、その高分子樹脂層１７の表面に反射膜１４を形成する。反射膜１４は、高分子樹脂層１７の表面にスパッタリングした例えばＡｌ等の金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングし、第１基板母材３１の表面の法線方向から見て、端子１６を形成した端子領域１３と第１基板１１の他の領域との境界に沿って延びる帯状に形成する。また、図４に示すように、端子領域１３は、第１基板母材３１において行方向に連続して並んでいる。
【００５０】
第２基板母材３２は、ガラス基板２２の集合体である大判のガラス基板母材上に、カラーフィルタ、共通電極及びブラックマトリクス等を形成することにより、対向基板１２となる領域が複数マトリクス状に配置されるように形成する。
【００５１】
次に、第１基板母材３１と第２基板母材３２とをシール部材１０を介して貼り合わせることにより、図１及び図２に示すように、貼合せ基板母材３０を形成する。
【００５２】
すなわち、第１基板母材３１又は第２基板母材３２に対し、各液晶表示装置Ｓとなる領域毎にシール部材を枠状に描画して形成する。一方、第１基板母材３１又は第２基板母材３２に対し、シール部材１０の内側領域、又はそれに対応するシール部材１０が形成されていない側の基板母材の領域に、液晶材料を滴下する。
【００５３】
その後、第１基板母材３１及び第２基板母材３２を貼り合わせて、各シール部材１０内に液晶を封入することにより、貼合せ基板母材３０を形成する。第１基板母材３１及び第２基板母材３２は、ＴＦＴ基板１１になる領域と、対向基板１２になる領域とがそれぞれ対向するように貼り合わせる。このとき、第１基板母材３１の端子領域１３に対向する第２基板母材３２の領域が、対向領域１９となる。すなわち、第２基板母材３２は、図４に示すように、一部の隣り合う対向基板１２（対向基板１２となる領域）同士の間に、端子領域１３に対向する対向領域１９を有することとなる。
【００５４】
本実施形態１の製造方法では、貼合せ基板母材３０を互いに対向しているＴＦＴ基板１１及び対向基板１２の組毎に分断することにより、複数の液晶表示装置Ｓを製造する。
【００５５】
第１分断工程では、図４に示すように、ＴＦＴ基板１１の外形を形成するための第１分断ライン４１に沿って、第１基板母材３１及び第２基板母材３２を同時にレーザー分断する。レーザー分断は、レーザー光の波長が１０６４ｎｍであるＮｄ：ＹＡＧレーザーによって行う。
【００５６】
第２基板母材３２に入射したレーザー光は、この第２基板母材３２において所定の吸収率でエネルギーが吸収されて透過する。第２基板母材３２を透過したレーザ光は、第１基板母材３１に入射して、さらに所定の吸収率でエネルギーが吸収されて透過する。その結果、第１基板母材３１及び第２基板母材３２は、それぞれ第１分断ライン４１において吸熱し、熱応力が発生して同時に分断される。
【００５７】
また、第２分断工程では、図４に示すように、対向領域１９と対向基板１２（対向基板１２となる領域）との境界である第２分断ライン４２に沿って、第２基板母材３２をレーザー分断する。レーザー分断は上記と同じＮｄ：ＹＡＧレーザーによって行う。この第２分断工程では、上記レーザー光を反射する反射膜１４を、第２基板母材３２の表面の法線方向から見て第２分断ライン４２に重なるように、第１基板母材３１と第２基板母材３２との間に配置した状態で、第２基板母材３２をレーザー分断する。
【００５８】
第２基板母材３２に入射したレーザー光は、この第２基板母材３２において所定の吸収率でエネルギーが吸収されて透過する。透過したレーザー光は、反射膜１４によって反射されるため、第１基板母材３１に入射されない。その結果、第２基板母材３２は、第２分断ライン４２において吸熱し、熱応力が発生して分断される。一方、第１基板母材３１は、反射膜１４によって遮光されるために、レーザー光が入射せず、第２分断ライン４２上で分断されない。したがって、本実施形態１によれば、ＴＦＴ基板１１の端子領域１３が分断されずに、第２基板母材３２の対向領域１９のみがレーザー分断されることとなる。
【００５９】
こうして、上記第１分断工程及び第２分断工程を行うことにより、図５に示すように、貼合せ基板母材３０を液晶表示装置Ｓを構成する各領域毎に分断する。その後、点灯検査等の工程を経て、液晶表示装置Ｓを製造する。
【００６０】
−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、レーザー光を反射する反射膜１４を、第２基板母材３２の表面の法線方向から見て、ＴＦＴ基板１１の端子領域１３に対向する対向領域１９と対向基板１２との境界である第２分断ライン４２に重なるように、第１基板母材３１と第２基板母材３２との間に配置するようにしたので、ＴＦＴ基板１１の端子領域１３を分断せずに第２基板母材３２の対向領域１９のみをレーザー分断することができる。その結果、貼合せ基板母材３０の全ての分断ライン４１，４２をレーザー分断することができるため、従来のように、まずスクライブ溝を形成した後に、応力を加えて分断するといった２段階の工程が不要となり、工程数を低減することができる。
【００６１】
さらに、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーによって好適に第１基板母材３１及び第２基板母材３２をレーザー分断できると共に、そのレーザー光を、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕからなる金属膜、又はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ若しくはＣｕを含む合金からなる金属膜によって構成された反射膜１４によって、好適に反射することができる。
【００６２】
《発明の実施形態２》
図６及び図７は、本発明の実施形態２を示している。
【００６３】
図６は、本実施形態２における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す正面図である。図７は、本実施形態２における液晶表示装置の概観を模式的に示す側面図である。尚、以降の実施形態では、図１〜図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６４】
上記実施形態１では、反射膜１４を第１基板母材３１又はＴＦＴ基板１１に形成したのに対し、本実施形態２では、反射膜１４を第２基板母材３２又は対向基板１２に形成している。
【００６５】
本実施形態２の液晶表示装置Ｓは、図６及び図７に示すように、対向基板１２におけるＴＦＴ基板１１側の表面に反射膜１４が形成されている。反射膜１４は、対向基板１２におけるＴＦＴ基板１１側の側端２７に沿って延びている。対向基板１２の表面の法線方向から見て、上記側端２７は反射膜１４の幅方向中央に重なっている。すなわち、反射膜１４の一方の側端部は、対向基板１２の側端２７よりも外側の側方に突出している。
【００６６】
本実施形態２の液晶表示装置Ｓを製造する場合には、上記実施形態１の製造方法において、第１基板母材３１を形成する工程の代わりに、第２基板母材３２を形成する工程で、反射膜１４を形成する。
【００６７】
すなわち、第２基板母材３２を構成する大判のガラス基板母材に対し、上記実施形態１と同様に、カラーフィルタ等を形成すると共に、第２分断ライン４２に重なる領域に反射膜１４を帯状に形成する。反射膜１４は、上記実施形態１と同様に、Ａｌ等の金属膜を上記ガラス基板母材上にスパッタリングした後に、これをフォトリソグラフィによってパターニングして形成する。
【００６８】
したがって、第２分断工程では、第２分断ライン４２に沿って第２基板母材３２を分断するが、このとき、第２基板母材３２に入射したレーザー光は、この第２基板母材３２において所定の吸収率でエネルギーが吸収される。その後、レーザー光は、第１基板母材３１側の第２基板母材３２の表面に形成された反射膜１４によって反射されるため、第１基板母材３１に入射されない。その結果、第２基板母材３２は、第２分断ライン４２において吸熱し、熱応力が発生して分断される。一方、第１基板母材３１は、反射膜１４によって遮光されるために、レーザー光が入射せず、第２分断ライン４２上で分断されない。したがって、本実施形態２によっても、ＴＦＴ基板１１の端子領域１３が分断されずに、第２基板母材３２の対向領域１９のみがレーザー分断されることとなる。
【００６９】
したがって、この実施形態２によっても、ＴＦＴ基板１１の端子領域１３を分断せずに第２基板母材３２の対向領域１９のみをレーザー分断することができるため、貼合せ基板母材３０の全ての分断ライン４１，４２をレーザー分断することができ、工程数を低減することができる。
【００７０】
《その他の実施形態》
上記実施形態１及び２では、レーザー光の波長が１０６４ｎｍであるＮｄ：ＹＡＧレーザーによってレーザー分断する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、レーザー光の波長は、２００ｎｍ以上且つ１２００ｎｍ以下であってもよい。また、その波長のレーザー光を好適に反射する金属膜を反射膜１４に適用すればよい。
【００７１】
例えば、レーザー光の波長が１０６４ｎｍであるＮｄ：ＹＡＧ ＴＨＧレーザーによってレーザー分断するようにしてもよい。この場合、反射膜１４は、Ａｌ若しくはＡｇからなる金属膜、又はＡｌ若しくはＡｇを含む合金からなる金属膜であることが好ましい。また、Ｎｄ：ＹＡＧ ＦＨＧレーザーによって上記レーザー分断することも可能である。このようにしても、上記実施形態１及び２と同様に、対向領域１９のみを好適にレーザ分断することができる。
【００７２】
また、上記実施形態１及び２では、液晶表示装置Ｓを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、表示媒体層が有機ＥＬ発光層である有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置についても、同様に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上説明したように、本発明は、例えば液晶表示装置等の表示装置、及びその製造方法にについて有用であり、特に、第１基板の端子領域を分断せずに第２基板母材の対向領域のみをレーザー分断しようとする場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１は、本実施形態１における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、本実施形態１における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す正面図である。
【図３】図３は、本実施形態１における液晶表示装置の概観を模式的に示す側面図である。
【図４】図４は、本実施形態１における分断前の貼合せ基板母材を示す平面図である。
【図５】図５は、本実施形態１における分断後の貼合せ基板を示す平面図である。
【図６】図６は、本実施形態２における貼合せ基板母材の一部を模式的に示す正面図である。
【図７】図７は、本実施形態２における液晶表示装置の概観を模式的に示す側面図である。
【符号の説明】
【００７５】
Ｓ      液晶表示装置
１０      シール部材
１１      ＴＦＴ基板（第１基板）
１２      対向基板（第２基板）
１３      端子領域
１４      反射膜
１５      絶縁膜
１６      端子
１７      高分子樹脂層
１９      対向領域
２１      ガラス基板
２２      ガラス基板
２５      表示領域
２６      額縁領域
２７      側端
３０      貼合せ基板母材
３１      第１基板母材
３２      第２基板母材
４１      第１分断ライン
４２      第２分断ライン
【図１】
2009122282.tif 000003
【図２】
2009122282.tif 000004
【図３】
2009122282.tif 000005
【図４】
2009122282.tif 000006
【図５】
2009122282.tif 000007
【図６】
2009122282.tif 000008
【図７】
2009122282.tif 000009