(57)【要約】【課題】センサパッケージの薄型化及び小型化が可能であると共に、部品の取付工程を削減することができる地磁気センサを提供すること。【解決手段】基板１１０面上に互いに感度軸方向を直交させた３つのセンサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃを備えた地磁気センサ１００であって、前記センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃは、前記基板１１０面に取り付けられる少なくとも１つの取付面１３４と、ボンディング用電極１３１が形成された電極形成面１３２とを有する多面体からなり、少なくとも２つのセンサ素子１３０ａ,１３０ｂは前記電極形成面１３２を前記基板１１０面に対して傾斜させて取り付けられている。【選択図】図１
2009122049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面上に互いに感度軸方向を直交させた３つのセンサ素子を備えた地磁気センサであって、
前記センサ素子は、前記基板面に取り付けられる少なくとも１つの取付面と、ボンディング用電極が形成された電極形成面とを有する多面体からなり、少なくとも２つの前記センサ素子は前記電極形成面を前記基板面に対して傾斜させて取り付けられていることを特徴とする地磁気センサ。
【請求項２】
前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子を除く残りの１つの前記センサ素子は、前記電極形成面が前記基板面に対して水平に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の地磁気センサ。
【請求項３】
３つの前記センサ素子は、前記電極形成面が前記基板面に対して傾斜して取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の地磁気センサ。
【請求項４】
前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して４５度の角度をなす第２の取付面とからなる２つの取付面を有することを特徴とする請求項２に記載の地磁気センサ。
【請求項５】
前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して３０度の角度をなす第２の取付面と、前記電極形成面に対して６０度の角度をなす第３の取付面とからなる３つの取付面を有することを特徴とする請求項２に記載の地磁気センサ。
【請求項６】
前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して３０度の角度をなす第２の取付面と、当該第２の取付面に連接すると共に前記電極形成面に対して６０度の角度をなす第３の取付面とからなる３つの取付面を有することを特徴とする請求項２に記載の地磁気センサ。
【請求項７】
前記センサ素子は、第１の取付面と、該第１の取付面と隣接する第２の取付面とからなる２つの取付面を有し、前記第１の取付面及び前記第２の取付面は前記電極形成面に対してそれぞれ４５度の角度をなすことを特徴とする請求項３に記載の地磁気センサ。
【請求項８】
ボンディング用電極が形成された電極形成面と、
前記電極形成面の反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、
前記電極形成面に対して傾斜した傾斜面からなる第２の取付面と、を備えることを特徴とするセンサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、地磁気を検出する地磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の地磁気センサとして、感度軸方向が互いに直交する３つの磁気センサ素子を備えた地磁気センサが知られている（特許文献１参照）。図８は、特許文献１記載のような、感度軸方向が互いに直交する３つの磁気センサ素子を備えた一般的な地磁気センサを示す図である。この地磁気センサ１は、メイン基板２と、当該メイン基板２の主面（図８に示す上面）に平面実装された平面視四角形状の制御用ＩＣチップ３と、メイン基板２の主面に設けられた直方体形状の第１センサ素子４、第２センサ素子５及び第３センサ素子６とを備えており、これらがパッケージングされて構成されている。
【０００３】
制御用ＩＣチップ３の第１の辺に近接する位置には第１センサ素子４及び第３センサ素子６が設けられ、第１の辺に隣接した第２の辺に近接する位置には第２センサ素子５が設けられている。第３センサ素子６は、メイン基板２の主面に水平に取り付けられている。以下の説明では、第１センサ素子４の感度軸方向をＸ軸方向、第２センサ素子５の感度軸方向をＹ軸方向、第３センサ素子６の感度軸方向をＺ軸方向とし、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向は互いに直交するものとして説明する。なお、各センサ素子の感度軸方向は、図８に示す矢印方向を向いているものとする。
【０００４】
第３センサ素子６の上面に形成された複数のセンサ側電極パッド７と、制御用ＩＣチップ３の上面に形成された複数のＩＣ側電極パッド８ａとを、ワイヤボンディングして接続している。ボンディング面となる第３センサ素子６の電極形成面６ａと制御用ＩＣチップ３の電極形成面３ａとは、主に上を向いて水平になっているので、容易かつ確実にボンディングすることができる。
【０００５】
一方、第１センサ素子４の感度軸方向（Ｘ軸）及び第２センサ素子５の感度軸方向（Ｙ軸）をＺ軸方向とそれぞれ直交させるために、第１センサ素子４及び第２センサ素子５をメイン基板２の主面にそれぞれ垂直に立てて固定すると、そのままでは第１センサ素子４及び第２センサ素子５の電極形成面４ａ及び５ａと制御用ＩＣチップ３の電極形成面３ａとがそれぞれ垂直関係となるので、両者を直接ボンディングすることが困難であった。そこで、サブ基板１１,１２をメイン基板２の主面に垂直に配設し、第１センサ素子４及び第２センサ素子５と制御用ＩＣチップ３とをそれぞれ接続していた。すなわち、サブ基板１１の主面に第１センサ素子４を取り付け、メイン基板２の主面にサブ基板１１を取り付け、サブ基板１１側に形成したパターン１３とメイン基板２側に形成したパターン１４とを合わせた状態で、サブ基板１１をメイン基板２に垂直に取付け固定していた。同様に、サブ基板１２の主面に第２センサ素子５を取り付け、メイン基板２の主面にサブ基板１２を取り付け、サブ基板１２に形成したパターン１５とメイン基板２に形成したパターン１６とを合わせた状態で、サブ基板１２をメイン基板２に垂直に取付け固定していた。
【特許文献１】特開２００６−１６５０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の地磁気センサ１では、パッケージの高さとして、メイン基板２の主面に直立させたサブ基板１１,１２の高さを確保しなければならないので、サブ基板１１,１２の幅分だけ高さが増して地磁気センサ１を薄型化することの障害となっていた。また、サブ基板１１,１２の厚み分だけメイン基板２の平面積が大きくなると共に、メイン基板２の主面にサブ基板１１,１２を配置する関係上、メイン基板２の主面に設けられる各センサ素子４,５,６の配置の自由度が小さくなって、地磁気センサ１を簡単に小型化することの障害ともなる。
【０００７】
さらに、第１センサ素子４及び第２センサ素子５の電極形成面４ａ及び５ａと制御用ＩＣチップ３の電極形成面３ａとがそれぞれ垂直関係にあるので、各電極パッド１７,１８,８ｂ,８ｃを各基板２,１１,１２に形成されたパターン１３,１４,１５,１６に各々ボンディングする必要があるため、直接制御用ＩＣチップ３に接続する場合と比べて、パターン形成工程が増加すると共に、メイン基板２へのサブ基板１１,１２の取付け及びパターン１３,１４,１５,１６へのワイヤボンディング等の取付工程が増加する問題がある。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、センサパッケージの薄型化及び小型化が可能であると共に、部品の取付工程を削減することができる地磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の地磁気センサは、基板面上に互いに感度軸方向を直交させた３つのセンサ素子を備えた地磁気センサであって、前記センサ素子は、前記基板面に取り付けられる少なくとも１つの取付面と、ボンディング用電極が形成された電極形成面とを有する多面体からなり、少なくとも２つの前記センサ素子は前記電極形成面を前記基板面に対して傾斜させて取り付けられていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、少なくとも２つのセンサ素子は電極形成面を基板面に対して傾斜して取り付けられているため、従来の地磁気センサのように基板上に直立させたサブ基板の高さを確保する必要もないので、センサパッケージを薄型化することができる。また、サブ基板の厚みや配置位置を考慮する必要がないので、基板面内での各センサ素子の配置自由度を高め、センサパッケージを簡単に小型化することができる。さらに、従来の地磁気センサのようにセンサ素子及び制御用ＩＣチップを基板に形成されたパターンを介して各々ボンディングする必要がないので、パターン形成工程を削減することができ、メイン基板へのサブ基板の取付け及びパターンへのワイヤボンディング等の取付工程を削減することができる。
【００１１】
本発明は、上記地磁気センサにおいて、前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子を除く残りの１つの前記センサ素子は、前記電極形成面が前記基板面に対して水平に取り付けられてもよい。この場合、例えば、前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して４５度の角度をなす第２の取付面とからなる２つの取付面から構成することができる。また、例えば、前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して３０度の角度をなす第２の取付面と、前記電極形成面に対して６０度の角度をなす第３の取付面とからなる３つの取付面から構成することができる。さらに、例えば、前記基板面に対し前記電極形成面が傾斜して取り付けられる２つの前記センサ素子は、前記電極形成面に対して反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して３０度の角度をなす第２の取付面と、当該第２の取付面に連接すると共に前記電極形成面に対して６０度の角度をなす第３の取付面とからなる３つの取付面から構成することができる。
【００１２】
本発明は、上記地磁気センサにおいて、３つの前記センサ素子は、前記電極形成面が前記基板面に対して傾斜して取り付けられてもよい。この場合、例えば、前記センサ素子は、第１の取付面と、該第１の取付面と隣接する第２の取付面とからなる２つの取付面を有し、前記第１の取付面及び前記第２の取付面は前記電極形成面に対してそれぞれ４５度の角度をなす構成にすることができる。
【００１３】
本発明のセンサ素子は、ボンディング用電極が形成された電極形成面と、前記電極形成面の反対側の面であって該電極形成面と平行な第１の取付面と、前記電極形成面に対して傾斜した傾斜面からなる第２の取付面と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、センサパッケージの薄型化及び小型化が可能であると共に、部品の取付け工程を削減することができる地磁気センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る地磁気センサについて詳細に説明する。本実施の形態に係る地磁気センサは、互いに感度軸方向が直交する３つの磁気センサ素子（以下、「センサ素子」と言う）を備え、３つのセンサ素子が互いに直交するＸ、Ｙ及びＺ軸方向の磁場をセンシングするものである。
【００１６】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る地磁気センサを含むセンサパッケージの透視斜視図であり、同図（ｂ）は地磁気センサの上面図、同図（ｃ）は地磁気センサの側面図である。なお、以下の説明において、「上」、「下」は図１（ａ）に示す方向に従い、「左」、「右」、「手前」、「奥」は図１（ｂ）に示す方向に従うものとする。
【００１７】
地磁気センサ１００は、インターポーザとなる平面視矩形形状の基板１１０と、基板１１０の主面（図１に示す上面）に平面実装された制御用ＩＣチップ（以下、単に「ＩＣチップ」と言う）１２０と、基板１１０の主面に設けられ、互いに感度軸方向を直交させた第１センサ素子１３０ａ、第２センサ素子１３０ｂ及び第３センサ素子１３０ｃとを備えており、これらが樹脂性材料のパッケージ材１４０によりパッケージングされている。なお、図１に示す例では、第３センサ素子１３０ｃの感度軸方向（Ｚ軸方向）が基板１１０の主面に対して平行で、第１センサ素子１３０ａの感度軸方向（Ｘ軸方向）及び第２センサ素子１３０ｂの感度軸方向（Ｙ軸方向）がこれに直交するものとする。
【００１８】
基板１１０の主面の長辺部（図１（ａ）に示す手前側の辺部）には、ＩＣチップ１２０と接続するための複数のボンディング用電極パッド（以下、単に「電極パッド」と言う）１１１が左右方向に並んで形成されている。基板１１０の主面右側には、手前から奥に向かって順に、第２センサ素子１３０ｂ、第３センサ素子１３０ｃ、第１センサ素子１３０ａが配設されている。
【００１９】
ＩＣチップ１２０は、平面視四角形状に形成されており、ＩＣチップ１２０上面の第１の辺部（図示のものは手前側の辺部）には、基板１１０と接続するための複数の電極パッド１２１が形成されている。ＩＣチップ１２０の第１の辺部に隣接する第２の辺部（図示のものは右辺部）には、第１センサ素子１３０ａ、第２センサ素子１３０ｂ及び第３センサ素子１３０ｃの各電極パッド（詳細は後述する）１３１にそれぞれ接続するための複数の電極パッド１２２が、各センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃに対応して形成されている。すなわち、本実施の形態では、ＩＣチップ１２０の第２の辺部には、第２センサ素子１３０ｂの電極パッド１３１に接続するための４つの電極パッド１２２ａ、第３センサ素子１３０ｃの電極パッド１３１に接続する４つの電極パッド１２２ｂ、第１センサ素子１３０ａの電極パッド１３１に接続する４つの電極パッド１２２ｃが、手前から奥に向かって形成されている。
【００２０】
本実施の形態の第１、第２及び第３センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃは、基板１１０の主面に取り付けられる少なくとも１つの取付面と、電極パッド１３１が形成された電極形成面１３２とを有する同一形状の多面体で構成されており、２つのセンサ素子１３０ａ,１３０ｂは、電極形成面１３２を基板１１０の主面に対して傾斜させて取り付けられている。なお、各センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃの感度軸方向は、図１に示す矢印（Ａ,Ｂ及びＣ）方向を向いているものとする。
【００２１】
図２は、第１センサ素子１３０ａを示す斜視図である。同図に示すように、第１センサ素子１３０ａは、複数（４つ）の電極パッド１３１が形成された電極形成面１３２と、電極形成面１３２に対して反対側の面であって該電極形成面１３２と平行な第１の取付面１３３と、該第１の取付面１３３と連なる第２の取付面１３４とを有している。第２の取付面１３４は、電極形成面１３２に対して傾斜した傾斜面であって、電極形成面１３２と第２の取付面１３４とのなす角が４５度に形成されている。この電極形成面１３２に対して斜めに形成される第２の取付面１３４は、例えば、先端形状が所定の角度（ここでは４５度）のダイシングブレードを使用して切断することにより成形することができる。また、棒状のセンサアレイをダイシングにて成形し、所定の角度（ここでは４５度）にグラインドすることにより成形することができる。
【００２２】
具体的には、第１センサ素子１３０ａは、第２の取付面１３４が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２がＩＣチップ１２０側を向くように基板１１０の主面に取り付けられる。これにより、第１センサ素子１３０ａは、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して４５度傾いた状態で取り付けられ、図１の矢印Ａで示すように、感度軸（Ｘ軸）方向が基板１１０の主面に対して４５度の角度をなすことになる。すなわち、第１センサ素子１３０ａの第２の取付面１３４は、ＩＣチップ１２０の電極形成面１２０ａに対して垂直ではなく、この電極形成面１２０ａと同一方向（左上方）を向くように４５度傾いた状態で基板１１０の主面に取り付けられている。従って、ボンディング面同士が垂直だと困難であったワイヤボンディングが、電極形成面１３２を基板１１０に対して４５度傾けたことにより、ボンディング面同士（電極形成面１２０ａ,１３２）のなす角度が９０度よりも十分に大きくなって可能となる。これにより、従来の地磁気センサのように基板及びパターンを介することなく、第１センサ素子１３０ａの電極パッド１３１及びＩＣチップ１２０の電極パッド１２２ｃをワイヤボンディングでき、第１センサ素子１３０ａとＩＣチップ１２０とを電気的に接続することができる。
【００２３】
なお、第１センサ素子１３０ａとＩＣチップ１２０とは、上記状態のままでもボンディングは可能であるが、図３に示すように、電極パッド１３１上に予め略球形状の捨てバンプ１６０を形成し、この捨てバンプ１６０にワイヤボンディングするようにしてもよい。これにより、ワイヤボンディングをさらに確実にすることができる。
【００２４】
第２センサ素子１３０ｂは、第１センサ素子１３０ａと同様に第２の取付面１３４が基板１１０への取付面になっており、第１センサ素子１３０ａと１８０度反対向きで、即ち電極形成面１３２がＩＣチップ１２０と反対側（右上方）を向くように基板１１０の主面に取り付けられる。これにより、第２センサ素子１３０ｂは、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して４５度傾いた状態で取り付けられ、図１の矢印Ｂで示すように、感度軸（Ｙ軸）方向が基板１１０の主面に対して４５度の角度をなすことになる。第２センサ素子１３０ｂの第２の取付面１３４も、上記第１センサ素子１３０ａ同様に、ＩＣチップ１２０の電極形成面１２０ａに対して垂直ではなく、ＩＣチップ１２０の電極形成面１２０ａと同一方向を向くように４５度傾いた状態で基板１１０の主面に取り付けられている。従って、ボンディング面同士のなす角度が９０度よりも十分に大きくなって、各電極パッド１３１,１２２ａ同士をボンディングして、第２センサ素子１３０ｂとＩＣチップ１２０とを電気的に接続することができる。なお、第２センサ素子１３０ｂとＩＣチップ１２０とのボンディングも、上記第１センサ素子１３０ａ同様に、図３に示す捨てバンプ１６０を介してボンディングすることが好ましい。
【００２５】
第３センサ素子１３０ｃは、第１の取付面１３３が基板１１０への取付面になっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して平行に取り付けられている。これにより、矢印Ｃで示すように、第３センサ素子１３０ｃの感度軸（Ｚ軸）方向が基板１１０の主面に対して平行となって、上記第１及び第２センサの感度軸（Ｘ軸及びＹ軸）とそれぞれ直交する。なお、第３センサ素子１３０ｃの電極形成面１３２はＩＣチップ１２０の電極形成面１２０ａと平行であるため、各電極パッド１３１,１２２ｂが容易かつ確実にワイヤボンディングされ、第３センサ素子１３０ｃとＩＣチップ１２０とが電気的に接続されている。
【００２６】
このように、第１及び第２センサ素子１３０ａ,１３０ｂの各電極形成面１３２を基板１１０の主面に対して４５度傾斜させて取り付けると共に、第３センサ素子１３０ｃの電極形成面１３２を基板１１０の主面に水平に取り付けることにより、３つの感度軸方向を互いに直交させている。すなわち、基板１１０の主面に対して平行な第３センサ素子１３０ｃの電極形成面１３２に対して、第１及び第２の電極形成面１３２をそれぞれ逆方向に４５度傾けた状態で基板１１０の主面に取り付けることにより、３つのセンサ素子の感度軸方向を互いに直交させている。言いかえれば、各センサ素子の取付面１３３,１３４と電極形成面１３２とのなす角度を調整し、各センサ素子の基板１１０の主面に対する取り付け角度を変更させて、３つの感度軸方向が互いに直交するように構成している。これにより、３つのセンサ素子の感度軸方向の直交関係を維持した状態で、これらセンサ素子を基板１１０に直接取り付けることができるので、従来の地磁気センサで必要であったサブ基板及びパターン等の取付部品を排除でき、センサパッケージを薄型化及び小型化することができる。
【００２７】
（実施例）
次に、図８に示す地磁気センサ１を比較例として、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、実施例及び比較例に係る地磁気センサ１,１００において、基板２,１１,１２,１１０は厚み０．２ｍｍのものを、制御用ＩＣチップ１３,１２０は一辺を１．５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのものを、各センサ素子は電極形成面４ａ,５ａ,６ａ,１３２の一辺を０．４ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのものを用いて作製した。
【００２８】
図１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、実施例に係る地磁気センサ１００では、第１及び第２センサ素子１３０ａ,１３０ｂを、電極形成面１３２を基板１１０の主面に対してそれぞれ４５度傾いた状態で取り付け、第３センサ素子１３０ｃを電極形成面１３２を基板１１０の主面に対して水平に取り付け、互いの感度軸方向を直交させた。そして、各センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃを制御用ＩＣチップ１２０とそれぞれ直接ワイヤボンディングして、基板１１０の制御用ＩＣチップ１２０及び各センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃが取り付けられた側をパッケージ材１４０を用いてパッケージングして作製した。その結果、長辺方向の長さが２．３ｍｍ、短辺方向の長さが１．９ｍｍ、高さが０．７ｍｍのセンサパッケージ（実施例）が得られた。
【００２９】
一方、図８（ｂ）及び（ｃ）に示すように、第３センサ素子６をメイン基板２の主面に取り付けると共に、第１センサ素子４をサブ基板１１に取り付け、第２センサ素子５をサブ基板１２に取り付けた。そして、第１及び第２センサ素子４,５の感度軸方向が第３センサ素子６の感度軸方向と互いに直交するように、サブ基板１１,１２をメイン基板２の主面にそれぞれ垂直に固定した。第３センサ素子６は制御用ＩＣチップ３と直接ワイヤボンディングし、第１及び第２センサ素子４,５は、各基板２,１１,１２に形成されたパターン１３,１４,１５,１６を介してワイヤボンディングした。そして、メイン基板２の制御用ＩＣチップ３、各センサ素子４,５,６及びサブ基板１１,１２が取り付けられた側をパッケージ材を用いてパッケージングして作製した。その結果、長辺方向の長さが２．８ｍｍ、短辺方向の長さが２．６ｍｍ、高さが１．０ｍｍのセンサパッケージ（比較例）が得られた。このように、実施例に係る地磁気センサ１００は、比較例に係る地磁気センサ１に比べて、基板１１０におけるセンサ素子等の取付面積（フットプリント）が６０％、センサパッケージ１４０の体積が４２％となって、センサパッケージ１４０が薄型化及び小型化が図られている。
【００３０】
なお、本実施の形態では、上記第１、第２及び第３センサ素子１３０ａ,１３０ｂ,１３０ｃの形状を全て同一形状で構成したが、これに限定されるものではなく、例えば、図４に示す略直方体形状のセンサ素子１７０を組み合わせて地磁気センサを構成することも可能である。例えば、図１に示す地磁気センサ１００の第３センサ素子１３０ｃを、図４に示すセンサ素子１７０に替えて地磁気センサを構成してもよい。この場合、従来の略立方体形状のセンサ素子を有効利用することが可能である。
【００３１】
（変形例）
次に、図５乃至図７を参照して、本実施の形態の変形例１乃至３について説明する。変形例１乃至３に係る地磁気センサは、図１に示す地磁気センサ１００と比べて、センサ素子の形状及び基板への取付け態様が異なっており、その他の構成については図１に示す地磁気センサ１００と同じ構成であるので重複する説明を省略する。また、図５乃至図７では、センサ素子の形状及びセンサ素子の基板１１０への取付け状態のみを示して、制御用ＩＣチップ１２０及びワイヤ等を省略している。また、本変形例１乃至３においても、上記実施の形態同様に、第１センサ素子の感度軸方向をＸ軸方向、第２センサ素子の感度軸方向をＹ軸方向、第３センサ素子の感度軸方向をＺ軸方向とし、これら感度軸方向を矢印で示すものとする。
【００３２】
（変形例１）
図５（ａ）（ｂ）は変形例１に係る地磁気センサのセンサ素子を説明するための図である。変形例１に係る第１、第２及び第３センサ素子２００ａ,２００ｂ,２００ｃは同一形状の多面体で構成されており、第１及び第２のセンサ素子２００ａ,２００ｂは電極形成面１３２を基板１１０の主面に対して傾斜させて取り付けられ、第３センサ素子２００ｃは電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して水平に取り付けられている。
【００３３】
図５（ａ）に示すように、第１センサ素子２００ａは、電極パッド１３１が形成された電極形成面１３２に対して反対側の面であって電極形成面１３２と平行な第１の取付面２０１と、電極形成面１３２に対して３０度の角度をなす第２の取付面２０２と、電極形成面１３２に対して６０度の角度をなす第３の取付面２０３とからなる３つの取付面を有している。第２の取付面２０２は第１の取付面２０１の一端面に連なり、第３の取付面２０３は上記第１の取付面２０１の一端面と反対側の他端面に連なっている。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、第１センサ素子２００ａは、第３の取付面２０３が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して６０度傾いた状態で取り付けられている。一方、第２センサ素子２００ｂは、第２の取付面２０２が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して３０度傾いた状態で取り付けられている。これにより、第１センサ素子２００ａの感度軸（Ｘ軸）方向は基板１１０の主面に対して６０度の角度をなし、第２センサ素子２００ｂの感度軸（Ｙ軸）方向は基板１１０の主面に対して３０度の角度をなすことになる。従って、ボンディング面となる電極形成面同士のなす角度が９０度よりも十分に大きくなるので、第１及び第２センサ素子２００ａ,２００ｂとＩＣチップ１２０とを直接ボンディングすることが可能となる。また、第３センサ素子２００ｃは、第１の取付面２０１が基板１１０への取付面になっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して平行に取り付けられている。これにより、第３センサ素子２００ｃの感度軸（Ｚ軸）方向が基板１１０の主面に対して平行となって、第１及び第２センサ２００ａ,２００ｂの感度軸（Ｘ軸及びＹ軸）方向とそれぞれ直交する。
【００３５】
（変形例２）
図６（ａ）（ｂ）は変形例２に係る地磁気センサのセンサ素子を説明するための図である。変形例２に係る第１、第２及び第３センサ素子２１０ａ,２１０ｂ,２１０ｃは、上記変形例１と同様に同一形状の多面体で構成されており、第１及び第２のセンサ素子２１０ａ,２１０ｂは電極形成面１３２を基板１１０の主面に対して傾斜させて取り付けられ、第３センサ素子２１０ｃは電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して水平に取り付けられている。
【００３６】
図６（ａ）に示すように、第１センサ素子２１０ａは、電極パッド１３１が形成された電極形成面１３２に対して反対側の面であって電極形成面１３２と平行な第１の取付面２１１と、電極形成面１３２に対して３０度の角度をなす第２の取付面２１２と、電極形成面１３２に対して６０度の角度をなす第３の取付面２１２とからなる３つの取付面を有している。第２の取付面２１２は第１の取付面２１１の一辺に連なり、第３の取付面２１３は第２の取付面２１２の第１の取付面２１１と連なる一辺と反対側の他辺に連なっている。
【００３７】
図６（ｂ）に示すように、第１センサ素子２１０ａは、第２の取付面２１２が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して３０度傾いた状態で取り付けられている。一方、第２センサ素子２００ｂは、第３の取付面２１３が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して６０度傾いた状態で取り付けられている。これにより、第１センサ素子２１０ａの感度軸（Ｘ軸）方向は基板１１０の主面に対して３０度の角度をなし、第２センサ素子２１０ｂの感度軸（Ｙ軸）方向は基板１１０の主面に対して６０度の角度をなすことになる。従って、ボンディング面となる電極形成面同士のなす角度が９０度よりも十分に大きくなるので、第１及び第２センサ素子２１０ａ,２１０ｂとＩＣチップ１２０とを直接ボンディングすることが可能となる。また、第３センサ素子２１０ｃは、第１の取付面２１１が基板１１０への取付面になっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して平行に取り付けられている。これにより、第３センサ素子２１０ｃの感度軸（Ｚ軸）方向が基板１１０の主面に対して平行となって、第１及び第２センサ２１０ａ,２１０ｂの感度軸（Ｘ軸及びＹ軸）方向とそれぞれ直交する。
【００３８】
（変形例３）
図７（ａ）（ｂ）は変形例３に係る地磁気センサのセンサ素子を説明するための図である。変形例３に係る第１、第２及び第３センサ素子２２０ａ,２２０ｂ,２２０ｃは同一形状の多面体で構成されており、全てのセンサ素子の電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して傾斜して取り付けられている。
【００３９】
第１センサ素子２２０ａは、第１の取付面２２１と、第１の取付面２２１と隣接する第２の取付面２２２とからなる２つの取付面を有しており、第１の取付面２２１及び第２の取付面２２２は電極形成面１３２に対してそれぞれ４５度の角度をなしている。第１の取付面２２１は、電極形成面１３２に対して反対側の面であって電極形成面１３２と平行な裏面２２３の一辺と連なり、第２の取付面２２２は裏面２２３の一辺と隣接する他辺と連なっている。
【００４０】
図７（ｂ）に示すように、第１及び第２センサ素子２２０ａ,２２０ｂは、第１の取付面２２１がそれぞれ基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して４５度傾いた状態で取り付けられている。一方、第３センサ素子２２０ｃは、第２の取付面２２２が基板１１０への取付面となっており、電極形成面１３２が基板１１０の主面に対して４５度傾いた状態で取り付けられている。これにより、第１、第２及び第３センサ素子２２０ａ,２２０ｂ,２２０ｃの感度軸（Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸）方向は基板１１０の主面に対してそれぞれ４５度の角度をなすことになる。従って、ボンディング面となる電極形成面同士のなす角度が９０度よりも十分に大きくなるので、第１、第２及び第３センサ素子２２０ａ,２２０ｂ,２２０ｃとＩＣチップ１２０とを直接ボンディングすることが可能となる。
【００４１】
また、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態にて、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、小型の無線通信機器等に使用される地磁気センサに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態に係る地磁気センサを含むセンサパッケージの透視斜視図、（ｂ）は地磁気センサの上面図、（ｃ）は地磁気センサの側面図である。
【図２】本実施の形態に係るセンサ素子の外観斜視図である。
【図３】基板とセンサ素子の接続状態の一例を示す模式図である。
【図４】立方体形状のセンサ素子を示す外観斜視図である。
【図５】（ａ）は変形例１に係るセンサ素子の外観斜視図、（ｂ）はセンサ素子が基板に取り付けられた状態を示す図である。
【図６】（ａ）変形例２に係るセンサ素子の外観斜視図、（ｂ）はセンサ素子が基板に取り付けられた状態を示す図である。
【図７】（ａ）変形例３に係るセンサ素子の外観斜視図、（ｂ）はセンサ素子が基板に取り付けられた状態を示す図である。
【図８】（ａ）従来の地磁気センサを含むセンサパッケージの透視斜視図、（ｂ）は地磁気センサの上面図、（ｃ）は地磁気センサの側面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１００  地磁気センサ
１１０  基板
１２０  制御用ＩＣチップ
１３０ａ,２００ａ,２１０ａ,２２０ａ  第１センサ素子
１３０ｂ,２００ｂ,２１０ｂ,２２０ｂ  第２センサ素子
１３０ｃ,２００ｃ,２１０ｃ,２２０ｃ  第３センサ素子
１３１  電極パッド
１３２  電極形成面
１３３,２０１,２１１,２２１  第１の取付面
１３４,２０２,２１２,２２２  第２の取付面
１４０  パッケージ材
２０３  第３の取付面
【図１】
2009122049.tif 000003
【図２】
2009122049.tif 000004
【図３】
2009122049.tif 000005
【図４】
2009122049.tif 000006
【図５】
2009122049.tif 000007
【図６】
2009122049.tif 000008
【図７】
2009122049.tif 000009
【図８】
2009122049.tif 000010