(57)【要約】      （修正有）【課題】光磁気記録媒体に対して外部から印加する磁界を低減、もしくは、不要とする。【解決手段】基板２１上に、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すために複数の磁性層が積層されていると共に、レーザービームスポットＬＢが入射する側の第１磁性層２８と、この第１磁性層２８の下層に位置する第２磁性層２６との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２７，２７が形成された光磁気記録媒体２０において、複数の磁性層は５層積層されており、第１磁性層２８から第３磁性層２５までは記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層であり、且つ、第４磁性層２４及び第５磁性層２３は第３磁性層２５に光変調記録される情報信号に対して記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であることを特徴とする光磁気記録媒体２０を提供する。【選択図】図１
2009080887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からレーザービームを照射して情報信号を記録再生するための光磁気記録媒体において、
前記レーザービームが照射される側から最も離れた位置に配置され、且つ、前記レーザービームが照射される側に向かって凸状とされたランドと凹状とされたグルーブとが螺旋状又は同心円状に交互に形成された基板と、
前記基板上に形成されて垂直磁気異方性を有する第５の磁性層と、
前記第５の磁性層上に形成されて前記第５の磁性層よりも大きい垂直磁気異方性を有する第４の磁性層と、
前記第４の磁性層上に形成され、前記情報信号を磁区として記録保持する第３の磁性層と、
前記第３の磁性層上に形成された第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に前記グルーブに対応して形成されて面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層と、
前記レーザービームが照射される側から最も近い位置に配置され、且つ、前記面内磁気異方性層及び前記第２の磁性層上に形成され、前記磁区が前記第２の磁性層を介して転写される第１の磁性層と、
を有し、
前記第５の磁性層及び前記第４の磁性層は、前記情報信号を前記第３の磁性層に記録する際に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であり、
前記第２の磁性層は、前記磁区が前記第３の磁性層から前記第１の磁性層に転写される際の交換結合力を制御する交換結合力制御層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第５の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、
前記第４の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
外部からレーザービームを照射して情報信号を記録再生するための光磁気記録媒体において、
前記レーザービームが照射される側から最も離れた位置に配置され、且つ、前記レーザービームが照射される側に向かって凸状とされたランドと凹状とされたグルーブとが螺旋状又は同心円状に交互に形成された基板と、
前記基板上に形成された垂直磁気異方性を有する第６の磁性層と、
前記第６の磁性層上に形成されて前記第６の磁性層よりも大きい垂直磁気異方性を有する第５の磁性層と、
前記第５の磁性層上に形成され、前記情報信号を磁区として記録保持する第４の磁性層と、
前記第４の磁性層上に形成された第３の磁性層と、
前記第３の磁性層上に形成され、前記第３の磁性層よりも薄い第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に前記グルーブに対応して形成された面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層と、
前記レーザービームが照射される側から最も近い位置に配置され、且つ、前記面内磁気異方性層及び前記第２の磁性層上に形成され、前記磁区が前記第３の磁性層及び前記第２の磁性層を介して転写される第１の磁性層と、
を有し、
前記第６の磁性層及び前記第５の磁性層は、前記情報信号を前記第４の磁性層に記録する際に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であり、
前記第３の磁性層及び前記第２の磁性層のうち、少なくとも前記第３の磁性層は、前記磁区が前記第４の磁性層から前記第１の磁性層に転写される際の交換結合力を制御する交換結合力制御層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第６の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、
前記第５の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことを特徴とする請求項３記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁壁移動を生じさせながら情報信号の記録再生を行う光磁気記録媒体において、短波長のレーザービームを用いた時に、光磁気記録媒体に対して外部から印加する磁界を低減、もしくは、不要とし、光変調だけで情報信号を超高密度に記録でき、且つ、記録トラックのトラック幅が極めて狭く設定されていても超解像再生技術を適用できる光磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリー点又は補償温度近傍にまで昇温して、この部分の保磁力を減少させ、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カー効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録ビット長（記録マーク長）の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。
【０００３】
この際、信号の再生分解能は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となるが、光源の波長λや対物レンズの開口数ＮＡによる記録密度の向上には限界がある。
【０００４】
そこで、このような再生時の条件から規定される記録密度の問題点を解決するために、
下記の特許文献１（特開平１１−８６３７２号公報）には、少なくとも第１〜第３磁性層が室温において交換結合して順次積層されており、第１磁性層は第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性層からなり、第２磁性層は第１磁性層及び第３磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体を用いて、再生磁界を印加しつつ波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームによる光磁気記録媒体への加熱によって良好な高密度記録信号が得られる磁壁移動検出型の再生方法が開示されている。
【０００５】
一方、最近、波長が４５０ｎｍ以下の青色のレーザービームを出射する青色半導体レーザーが開発されているので、下記の特許文献２（特開２００３−５１１４３号公報）には、青色半導体レーザーと、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズとを用いて、情報信号を超高密度に記録再生ができる光磁気記録媒体が開示されている。
【０００６】
上記した引用文献１，２に対してより一層高密度化を図るために、本出願人は、引用文献１，２に対して改良を図った下記の特許文献３（特開２００７−１０２８２９号公報）を提案しており、この特許文献３にて、短波長のレーザービームを用いた時に、記録トラックのトラックピッチを狭めても超高密度で記録再生できる光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法を開示している。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−８６３７２号公報
【特許文献２】特開２００３−５１１４３号公報
【特許文献３】特開２００７−１０２８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、引用文献１，２に対して改良を図った特許文献３の技術的思想について、図８を用いて簡略に説明する。
【０００９】
図８は従来の光磁気記録媒体の一例を示した縦断面図である。
【００１０】
図８に示した従来の光磁気記録媒体１０は、上記した特許文献３（特開２００７−１０２８２９号公報）に開示されたものであり、この従来の光磁気記録媒体１０では、情報信号を記録再生するための記録トラックＴと対応する凸状のランド１１ａがレーザービームスポットＬＢの入射側に向かって突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、ランド１１ａの両側に凹状のグルーブ１１ｂ，１１ｂが形成された基板上１１に、第２誘電体層１２と、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すための磁性層１３，１４，１６と、第１誘電体層１７とがこの順で積層して成膜され、更に、第１誘電体層１７上に厚みが０．１ｍｍ程度で光透過性を有するカバー層１８が取り付けられて、カバー層１８側から波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが記録トラックＴに向かって照射されるように構成されていると共に、レーザービームスポットＬＢが入射する側の第１磁性層１６と、この第１磁性層１６の下層に位置する第２磁性層１４との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５，１５が形成されている。
【００１１】
そして、光磁気記録媒体１０に情報信号を記録する時には、波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢを透明なカバー層１８側から照射して、不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって磁界変調をかけながら情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第３磁性層１３に磁区の形態で記録した後に磁区が第２磁性層１４を介して第１磁性層１６に交換結合されている。
【００１２】
一方、記録済みの光磁気記録媒体１０を再生する時には、不図示の磁気ヘッドからの再生磁界Ｆｒを印加しつつレーザースポットＬＢの照射による昇温で第２磁性層１４の磁化が消失されて第１磁性層１６内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ている。
【００１３】
この際、第１磁性層１６と、この第１磁性層１６の下層に位置する第２磁性層１４との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層１５，１５を形成し、且つ、記録トラックＴに対して狭トラック化を図ることで、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらずジッター量が小さいので再生信号が良好に得られるものである。
【００１４】
しかしながら、上記のように構成した従来の光磁気記録媒体１０では、記録又は再生の際に例えば磁気ヘッドなどを用いて外部から磁界を与える必要があり、今後、光磁気記録媒体記録再生装置を開発するにあたって、光磁気記録媒体記録再生装置への小型化の要求に伴うスペース効率や消費電力の問題に対して、外部から印加する磁界に対する改良が必要である。
【００１５】
そこで、光磁気記録媒体に対して外部から印加する磁界を低減、もしくは、不要とし、光変調だけで情報信号を超高密度に記録でき、且つ、記録トラックのトラック幅が極めて狭く設定されていても超解像再生技術を適用できる光磁気記録媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、（１）の発明は、外部からレーザービームを照射して情報信号を記録再生するための光磁気記録媒体において、
前記レーザービームが照射される側から最も離れた位置に配置され、且つ、前記レーザービームが照射される側に向かって凸状とされたランドと凹状とされたグルーブとが螺旋状又は同心円状に交互に形成された基板と、
前記基板上に形成されて垂直磁気異方性を有する第５の磁性層と、
前記第５の磁性層上に形成されて前記第５の磁性層よりも大きい垂直磁気異方性を有する第４の磁性層と、
前記第４の磁性層上に形成され、前記情報信号を磁区として記録保持する第３の磁性層と、
前記第３の磁性層上に形成された第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に前記グルーブに対応して形成されて面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層と、
前記レーザービームが照射される側から最も近い位置に配置され、且つ、前記面内磁気異方性層及び前記第２の磁性層上に形成され、前記磁区が前記第２の磁性層を介して転写される第１の磁性層と、
を有し、
前記第５の磁性層及び前記第４の磁性層は、前記情報信号を前記第３の磁性層に記録する際に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であり、
前記第２の磁性層は、前記磁区が前記第３の磁性層から前記第１の磁性層に転写される際の交換結合力を制御する交換結合力制御層であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１７】
また、（２）の発明は、上記した（１）の発明の光磁気記録媒体において、
前記第５の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、
前記第４の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１８】
また、（３）の発明は、外部からレーザービームを照射して情報信号を記録再生するための光磁気記録媒体において、
前記レーザービームが照射される側から最も離れた位置に配置され、且つ、前記レーザービームが照射される側に向かって凸状とされたランドと凹状とされたグルーブとが螺旋状又は同心円状に交互に形成された基板と、
前記基板上に形成された垂直磁気異方性を有する第６の磁性層と、
前記第６の磁性層上に形成されて前記第６の磁性層よりも大きい垂直磁気異方性を有する第５の磁性層と、
前記第５の磁性層上に形成され、前記情報信号を磁区として記録保持する第４の磁性層と、
前記第４の磁性層上に形成された第３の磁性層と、
前記第３の磁性層上に形成され、前記第３の磁性層よりも薄い第２の磁性層と、
前記第２の磁性層上に前記グルーブに対応して形成された面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層と、
前記レーザービームが照射される側から最も近い位置に配置され、且つ、前記面内磁気異方性層及び前記第２の磁性層上に形成され、前記磁区が前記第３の磁性層及び前記第２の磁性層を介して転写される第１の磁性層と、
を有し、
前記第６の磁性層及び前記第５の磁性層は、前記情報信号を前記第４の磁性層に記録する際に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であり、
前記第３の磁性層及び前記第２の磁性層のうち、少なくとも前記第３の磁性層は、前記磁区が前記第４の磁性層から前記第１の磁性層に転写される際の交換結合力を制御する交換結合力制御層であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１９】
また、（４）の発明は、上記した（３）の発明の光磁気記録媒体において、
前記第６の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、
前記第５の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００２０】
（１），（２）の発明の光磁気記録媒体によると、とくに、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すために磁性層を５層積層した際に、第１磁性層から第３磁性層までは記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層であり、且つ、第４磁性層及び第５磁性層は第３磁性層に光変調記録される情報信号に対して記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であるので、この光磁気記録媒体上に情報信号を高密度に記録する場合には、外部磁界が全く必要なく、バイアス層及びバイアス補助層によって生じる浮遊磁界に基づくバイアス磁界で情報信号を記録できるので、光磁気記録媒体記録装置内は光変調記録構成部材のみとなるので構造が簡単になる。また、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成しているので、記録トラックに対して狭トラック化を図った場合には、再生時に再生磁界を印加することなく、記録トラックのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらずジッター量が小さいので再生信号が良好に得られる。この際、第５の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、第４の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことにより、この第４の磁性層（バイアス層）と飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が大きい第５の磁性層（バイアス補助層）とで協調して必要な値のバイアス磁界を得ることができる。
【００２１】
また、（３），（４）の発明の光磁気記録媒体によると、とくに、磁壁移動により磁区を拡大して読み出すために磁性層を６層積層した際に、第１磁性層から第４磁性層までは記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層であり、且つ、第５磁性層及び第６磁性層は第４磁性層に光変調記録される情報信号に対して記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するバイアス層及びバイアス補助層であるので、この光磁気記録媒体上に情報信号を高密度に記録する場合には、外部磁界が全く必要なく、バイアス層及びバイアス補助層によって生じる浮遊磁界に基づくバイアス磁界で情報信号を記録できるので、光磁気記録媒体記録装置内は光変調記録構成部材のみとなるので構造が簡単になる。また、レーザービームスポットが入射する側の第１磁性層と、この第１磁性層の下層に位置する第２磁性層との間で、且つ、記録トラックの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層を形成し、且つ、記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層を４層とすることで、記録トラックのトラック幅に依存することなく再生時に外部からの再生磁界を省略できるので、光磁気記録媒体再生装置内の再生構成部材が簡単になるとともに、記録トラックのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、ジッター量が小さいので再生信号が良好に得られる。この際、第６の磁性層は、ガドリニウム（Ｇｄ）元素を含み、第５の磁性層は、テルビウム（Ｔｂ）元素またはジスプロシウム（Ｄｙ）元素と、鉄（Ｆｅ）元素とを含むことにより、この第５の磁性層（バイアス層）と飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が大きい第６の磁性層（バイアス補助層）とで協調して必要な値のバイアス磁界を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例について図１〜図７を参照して実施例１，実施例２の順に詳細に説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図２は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図、
図３は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体において、第３〜第５磁性層の磁性特性を示した特性図、
図４（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体上に情報信号を記録する動作を説明するために摸式的に示した図、
図５は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【００２４】
図１に示した如く、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体２０では、基板２１がレーザービームスポットＬＢが照射される側から最も離れた位置に配置されている。また、この基板２１は、ポリカーボネイト樹脂などを用いて厚み１．１ｍｍ，外径１２０ｍｍ，中心孔径１５ｍｍで円盤状に形成されており、且つ、この基板２１上に記録トラックＴと対応する凸状のランド２１ａがレーザービームスポットＬＢの入射側に向かって僅かな高さで突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、凸状のランド２１ａの両側に凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂが形成されており、言い換えると、基板２１上では凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂとが交互に形成されている。
【００２５】
この際、基板２１上に僅かな高さで突出形成した凸状のランド２１ａと対応して形成される記録トラックＴのピッチＰは、最近開発されたＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍに対して半分程度（１６０ｎｍ程度）に設定されており、且つ、記録トラックＴのトラック幅Ｗは５０ｎｍ程度に設定されて狭トラック化が図られている。
【００２６】
また、厚みが１．１ｍｍの基板２１上には、第２誘電体層２２と、第５磁性層２３と、第４磁性層２４と、第３磁性層２５と、第２磁性層２６と、記録トラックＴの両側のみに配置される面内磁気異方性層２７，２７と、第１磁性層２６と、第１誘電体層２９とがこの順で積層して成膜され、更に、第１誘電体層２９上に厚みが０．１ｍｍ程度で光透過性を有するカバー層３０が取り付けられて、カバー層３０側から波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが記録トラックＴに向かって照射されるように構成されている。
【００２７】
そして、この実施例１では、波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが照射される側から最も近い位置に配置されている第１磁性層２９と、この第１磁性層２９の下層に位置する第２磁性層２６との間で、且つ、基板２１に形成した凸状のランド２１ａと対応する記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２７，２７が基板２１に形成した凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂと対応して形成された上で記録トラックＴに対して狭トラック化を図ることで、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号をジッターなく良好に得られように構成されていると共に、更に、レーザービームスポットＬＢが入射する側から遠い第４磁性層２４及び第５磁性層を第３磁性層２５に光変調記録される情報信号に対して記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するためのバイアス層及びバイアス補助層とすることで、記録時に外部から磁界を印加する必要なくして、光変調だけで記録可能にしたことを特徴とするものである。
【００２８】
更に、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体２０は、工場出荷時に第１〜第５磁性層が全て一方向に磁化されて初期化が図られて、情報信号を１回だけ書き込み可能なライトワンス型として構成されており、情報信号の重ね書きは不能であるが、情報信号を記録した後に強い磁界を外部から印加することで記録済みの情報信号を消去することが可能になっている。
【００２９】
ここで、上記した各層について成膜順に説明すると、まず、基板２１上に最初に成膜される第２誘電体層２２は、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような光透過性を有する誘電材料を用いて成膜されている。この際、第２誘電体層２２は、基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって凸状と凹状に交互に成膜されている。
【００３０】
次に、第２誘電体層２２上に成膜される第５磁性層２３は、この実施例１の要部の一部となるもので、高温で大きな磁化を持つことが必要なバイアス補助層であり、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用している。
【００３１】
この際、上記したバイアス補助層（第５磁性層）２３は、垂直磁気異方性の小さなＧｄＦｅ系合金の薄膜を使用することで、下記するバイアス層２４よりも磁気異方性が１桁小さく、且つ、後述の図３に示すように５５０Ｋ以上の高温でバイアス層２４よりも飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が大きく設定されたものである。
【００３２】
次に、第５磁性層２３上に成膜される第４磁性層２４もこの実施例１の要部の一部となるもので、垂直磁気異方性が大きなバイアス層であり、上記したバイアス補助層２３とは異なる磁性材料としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用している。
【００３３】
この際、上記したバイアス層（第４磁性層）２４は、ＴｂＦｅ系合金又はＤｙＦｅ系合金の薄膜を使用することで垂直磁気異方性が大きいために、後述するように記録層となる第３磁性層２５と安定に交換結合して垂直磁気異方性を保てるものの、高温時に飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が小さいために、情報信号を記録するために必要な後述するバイアス磁界がこのバイアス層２４だけでは得られないために、このバイアス層２４と飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が大きいバイアス補助層２３とで協調して必要な値のバイアス磁界を得るようになっている。
【００３４】
次に、第４磁性層２４上に成膜される第３磁性層２５は、記録時に青色のレーザービームスポットＬＢを照射しながら情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した記録マーク（磁区）を安定に保持するために充分な保磁力を有して記録層（メモリ層）として機能している。
【００３５】
この第３磁性層２５は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用して成膜されており、更に、後述の図３に示したように補償温度が室温（３００Ｋ）の近傍である。
【００３６】
次に、第３磁性層２５上に成膜される第２磁性層２６は、第３磁性層２５から第１磁性層２８に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２磁性層２６も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）に成膜されている。
【００３７】
次に、第２磁性層２６上に成膜される面内磁気異方性層２７は、周知の磁気テープの長手方向に磁化されて成膜される磁性層と同様であり、Ｆｅ，Ｃｏ単体，希土類金属とＦｅの合金，希土類金属とＣｏの合金のいずれかが薄膜に成膜されている。この際、面内磁気異方性層２７は、基板２１上に交互に形成された凸状のランド２１ａと凹状のグルーブ２１ｂにならって第２誘電体層２２，第５磁性層２３，第４磁性層２４，第３磁性層２５，第２磁性層２６を順に成膜した後に、凸状のランド２１ａの両側に位置する凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂと対応する部位に成膜されている。
【００３８】
ここで、面内磁気異方性層２７を成膜した後に、イオンミリング処理を図２（ａ），（ｂ）に示したように行っている。
【００３９】
まず、図２（ａ）に示した如く、不図示のイオンミリング装置内に面内磁気異方性層２７を成膜した基板２１を挿入し、面内磁気異方性層２７の上方から加速したキセノンイオンビームをこの面内磁気異方性層２７上に照射し、このキセノンイオンビームによって基板２１の凸状のランド２１ａにならって凸状に成膜された面内磁気異方性層部位が第２磁性層２６に到達するまで除去されるものの、基板２１の凹状のグルーブ２１ｂにならって凹状に成膜された面内磁気異方性層部位は凸状に成膜された面内磁気異方性層部位よりも低いのでそのまま残る。
【００４０】
そして、イオンミリング処理が終了すると、図２（ｂ）に示したように、基板２１の凸状のランド２１ａと対応する部位は記録トラックＴ（図１，図５）と対応した第２磁性層２６が露出し、且つ、この左右で基板２１の凹状のグルーブ２１ｂ，２１ｂと対応する各部位は面内磁気異方性層２７，２７が残り、且つ、第２磁性層２６とこの左右の面内磁気異方性層２７，２７は略同じ高さの平坦面となる。
【００４１】
図１に戻り、イオンミリングが終了した後、記録トラックＴと対応した第２磁性層２６上及びこの第２磁性層２６の左右に位置する面内磁気異方性層２７，２７上に平坦に成膜される第１磁性層２８は、４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが照射される側から最も近い位置に配置されており、青色のレーザービームスポットＬＢの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００４２】
また、上記した第１磁性層２８は、室温において、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用して成膜されている。
【００４３】
尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００４４】
次に、第１磁性層２８上に成膜される第１誘電体層２９は、記録層となる第３磁性層２５に用いるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ金属膜の熱伝導率２８．８Ｗ／ｍＫに近い熱伝導率で、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような光透過性を有する誘電材料を用いて成膜されており、この上に厚さ０．１ｍｍ程度の光透過性を有するカバー層３０が取り付けられている。
【００４５】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３，第４，及び第５磁性層２８，２６，２５，２４，及び２３に対して青色のレーザービームスポットＬＢによる記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４，及び第５磁性層２８，２６，２５，２４，及び２３の各キュリー温度Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４，及びＴｃ５は、それぞれ約５６３Ｋ，約４３３Ｋ，約５８３Ｋ，約５３３Ｋ，及び約６７３Ｋ近傍に設定している。
【００４６】
この際、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、上記からＴｃ５＞Ｔｃ３＞Ｔｃ１＞Ｔｃ４＞Ｔｃ２になるように設定している。
【００４７】
また、第１，第２，第３，第４，及び第５磁性層２８，２６，２５，２４，及び２３の各膜厚ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，及びｔ５は、それぞれ約３０ｎｍ，約１０ｎｍ，約５０ｎｍ，約３０ｎｍ，及び約７０ｎｍ近傍に設定している。
【００４８】
そして、上記のように構成した実施例１の光磁気記録媒体２０では、記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層は３層からなる、第１磁性層（磁壁移動層）２８，第２磁性層（交換結合力制御層）２６，及び第３磁性層（記録層，メモリ層）２５であり、且つ、記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成する磁性層は２層からなる、第４磁性層（バイアス層）２４及び第５磁性層（バイアス補助層）２３である。
【００４９】
ここで、上記のように構成した実施例１の光磁気記録媒体２０上に情報信号を記録する動作について、図３及び図４を用いて説明する。
【００５０】
尚、図３及び図４（ｂ）〜（ｄ）中では、記録動作のみを説明する都合上、先に説明した第１，第２磁性層２８，２６の図示を省略し、積層された第３，第４，及び第５磁性層２５，２４，及び２３についてのみ図示している。
【００５１】
まず、図３中では、記録層である第３磁性層２５と、バイアス層である第４磁性層２４と、バイアス補助層である第５磁性層２３とに対して、第３磁性層２５，第４磁性層２４，及び第５磁性層２３の各キュリー温度Ｔｃ３＝約５８３Ｋ，Ｔｃ４＝約５３３Ｋ，及びＴｃ５＝約６７３Ｋをそれぞれ起点として室温（３００Ｋ）側に向かって、自発磁化の強さを示す飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）と、磁化された磁性層を磁化されない状態に戻すための抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）とを図示している。
【００５２】
この際、バイアス補助層２３の飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値は、前述したように、５５０Ｋ以上の高温でバイアス層２４の飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値よりも大きく設定されている。
【００５３】
また、抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）は、図３中で縦軸への数値の図示を省略しているが、各層の補償温度近傍で無限大となるものであり、ここでは記録層２５の補償温度が室温よりも僅かに大きく、且つ、バイアス層２４及びバイアス補助層２５の各補償温度が室温以下であるので抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）は図示したようになる。
【００５４】
更に、バイアス層２４のキュリー温度Ｔｃ４＝約５３３Ｋ以上で且つ記録層２５のキュリー温度Ｔｃ３＝約５８３Ｋよりも小さい温度範囲内で、記録層２５の抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の値がバイアス補助層２３の抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の値よりも大きくなっている。
【００５５】
次に、上記した図３の磁性特性を有する記録層（第３磁性層）２５上に情報信号を記録する場合には、図４（ａ）に示した如く、光磁気記録媒体２０の記録層（第３磁性層）２５上に記録すべき情報信号が、レーザービームスポットＬＢよって光変調されてＯＮ，ＯＦＦを交互に繰り返しながら図４（ｂ）に示したＰ点を含む局部領域まで順次照射されるので、レーザービーム移動方向に対してＰ点を含む局部領域より前は記録済み領域となり、且つ、Ｐ点を含む局部領域よりも後は未記録領域となっている。
【００５６】
この際、光磁気記録媒体２０は、記録前の初期状態が未記録領域と同じ状態であり、記録層である第３磁性層２５と、バイアス層である第４磁性層２４と、バイアス補助層である第５磁性層２３とが工場出荷時に例えば上向き矢印方向に予め着磁されている。
【００５７】
尚、矢印の向きで磁化された情報信号の「０」と「１」とを示しており、初期化時の着磁方向は上向き矢印方向又は下向き矢印方向のいずれかであれば良く、且つ、矢印の長さで磁界の大きさを示している。
【００５８】
そして、図４（ｂ）〜図４（ｄ）中の記録済み領域内において、レーザービームスポットＬＢが照射されない場合には記録層２５，バイアス層２４，及びバイアス補助層２３内が昇温されないので、レーザービームスポットＬＢが照射されなかったＯＦＦ時に対応した局部領域では初期状態と同じ状態を保って記録層２５，バイアス層２４，及びバイアス補助層２３内が全て上向き矢印方向に磁化されている。
【００５９】
一方、レーザービームスポットＬＢが照射されるときには、レーザービームスポットＬＢの温度が記録層２５のキュリー温度Ｔｃ３＝約５８３Ｋ以上で且つバイアス補助層２３のキュリー温度Ｔｃ５＝約６７３Ｋ以下に昇温され、レーザービームスポットＬＢを照射したＯＮ時に対応した局部領域ではレーザービームスポットＬＢの照射による昇温中に後述するバイアス磁界ＢＭＦにより記録層２５の磁化が上記とは逆に反転されて下向き矢印方向に磁化されると共に、レーザービームスポットＬＢが通りすぎて温度が降下したときに交換結合により記録層２５，バイアス層２４，及びバイアス補助層２３内が全て下向き矢印方向に磁化されている。
【００６０】
この後、図４（ｂ）に示した如く、レーザービームスポットＬＢがＰ点を含む局部領域を照射した直後では、レーザービームスポットＬＢによる昇温で記録層２５及びバイアス層２４の磁化が消滅され、一方、バイアス補助層２３は上向き矢印方向の磁化が僅かに残されている。また、バイアス層２４及びバイアス補助層２３によってＰ点を含む局部領域の両サイド近傍に浮遊磁界が発生しているものの、この段階では浮遊磁界で情報信号を記録するために必要なバイアス磁界ＢＭＦが記録層２５上のＰ点を含む局部領域に印加される前の状態である。
【００６１】
その後、図４（ｃ）に示した如く、レーザービームスポットＬＢがＰ点を含む局部領域を続けて照射している最中に、バイアス層２４及びバイアス補助層２３によって生じたバイアス磁界ＢＭＦによる静磁エネルギーにより記録層２５上でＰ点を含む局部領域の磁化が下向き矢印方向に磁化されることで、記録層２５上に情報信号が記録される。この段階では、バイアス層２４の磁化は依然として消滅されているものの、バイアス補助層２３の磁化は図４（ｂ）に示したよりも僅かに大きく上向き矢印方向に磁化されている。
【００６２】
この際、前述したように、５５０Ｋ以上の高温でバイアス層２４の飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｃ）の値が小さいために、このバイアス層２４と飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｃ）の値が大きいバイアス補助層２３とで協調して必要な値のバイアス磁界ＢＭＦを得ている。
【００６３】
更にその後、図４（ｄ）に示したように、記録層２５上でＰ点を含む局部領域に情報信号の記録が完了すると、レーザービームスポットＬＢはＰ点を含む局部領域の右方に移動してＯＦＦ状態となるために、記録層２５，バイアス層２４，及びバイアス補助層２３内の温度が下がり、バイアス層２５のキュリー温度Ｔｃ４＝約５３３Ｋ以下に達すると、記録層２５上のＰ点を含む局部領域内の磁化がバイアス層２５と交換結合されるので、Ｐ点を含む局部領域内のバイアス層２５が磁化を取り戻す。この交換結合時に、図３に示したように、記録層２５の抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の値がバイアス層２４の抗磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の値よりも十分大きいことが必要条件である。
【００６４】
そして、情報信号の記録が完了した段階では、記録層２５，バイアス層２４，及びバイアス補助層２３内が交換結合により全て上向き矢印方向に磁化されており、この際、前述したように、バイアス層２４はバイアス補助層２３よりも垂直磁気異方性が１桁大きいために両者２３，２４間で安定な交換結合が得られる。
【００６５】
従って、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体２０の記録層２５上に情報信号を高密度に記録する場合には、外部磁界が全く必要なく、バイアス層２４及びバイアス補助層２３によってＰ点を含む局部領域の両サイド近傍に生じる浮遊磁界に基づくバイアス磁界ＢＭＦで情報信号を記録できるので、不図示の光磁気記録媒体記録装置内は光変調記録構成部材のみとなるので構造が簡単になる。
【００６６】
次に、上記のようにして情報信号を記録した記録済みの光磁気記録媒体２０を再生する動作について図１及び図５を併用して説明する。
【００６７】
図１に示した如く、記録済みの光磁気記録媒体２０から情報信号を超解像度で再生する場合に、波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢを光透過性があるカバー層３０側から照射すると、青色のレーザービームスポットＬＢの照射による昇温で第２磁性層２６の磁化が消失されて第１磁性層２８内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動が生じることで再生マークを得ている。
【００６８】
この実施例１ではとくに、図５に拡大して示した如く、記録トラックＴのトラック幅Ｗを５０ｎｍ程度と狭トラック化を図り、且つ、トラックピッチＰを１６０ｎｍ程度に設定すると共に、青色のレーザービームスポットＬＢが入射する側の第１磁性層２８と、この第１磁性層２８の下層に位置する第２磁性層２６との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２７，２７を形成したために、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶ。
【００６９】
この際、面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層２７が記録トラックＴの両側にのみ存在しており、各磁性層の磁化方向を矢印で示した時に、この記録トラックＴの両側に設けた面内磁気異方性層２７，２７と交換結合し且つ面内磁気異方性層２７，２７上の第１磁性層２８は、図５に示す如く、磁気スピンが面内方向を向いた面内磁化膜となっているため、第３磁性層２５から第２磁性層２６を介して第１磁性層２８に転写された記録マークの記録トラックＴの両側の境界は、面内から垂直へスピン回転する領域いわゆる９０°磁壁となっている。
【００７０】
従って、この９０°磁壁に蓄えられる磁壁エネルギーは、トラック方向に存在する垂直磁化膜内の１８０°磁壁（磁気スピンが１８０°回転する領域）に蓄えられるエネルギーより小さいので、レーザービームスポットＬＢの照射によって作り出された温度勾配の下、よりエネルギー的に安定な低温側へ移動することが容易となり、この結果、狭トラック化を図った再生時に外部磁界を印加することなく、磁壁移動検出動作をスムーズに実現できることになる。
【００７１】
即ち、記録トラック幅Ｔが約５０ｎｍと極めて幅狭いために、最小記録マークとして想定している最小記録マーク長の直径を例えば７０ｎｍ程度に設定できるので、最小記録マーク長２Ｔから最大マーク長８Ｔ（又は９Ｔ）とするような１−７変調記録再生が可能になる。
【００７２】
但し、実施例１の光磁気記録媒体２０において、記録トラック幅Ｔを幅広く設定した場合には、再生時に最小記録マーク長の直径を大きくしなければならないので図８に示した従来例と同様に外部から再生磁界を印加する必要があるので、この実施例１では記録トラック幅Ｔのトラック幅Ｗを極めて狭く設定する条件下で外部からの再生磁界を省略できるので、不図示の光磁気記録媒体再生装置内の再生構成部材が簡単になる。
【００７３】
ここで、下記の表１に、比較例としてトラックピッチを３２０ｎｍに設定して面内磁気異方性層を設けない場合と、実施例１のようにトラックピッチを１６０ｎｍに設定して面内磁気異方性層２７を設けた場合について、再生信号のジッター特性を比較した。
【００７４】
更に、比較例では再生時に外部から再生磁界を印加しているが、実施例１の場合には狭トラック化を図っているので再生磁界を印加せずにレーザービームスポットの照射のみで再生を行っている。
【００７５】
【表１】
2009080887.tif 000003
【００７６】
この表１から明らかなように、比較例に比べて実施例１では、極めて狭いトラックピッチにもかかわらず、再生マーク長が１５０ｎｍ，１００ｎｍ，９０ｎｍ，８０ｎｍ，７０ｎｍのいずれの場合でも比較例よりもジッター量が小さいので、再生信号が良好に得られることが確認できた。
【実施例２】
【００７７】
図６は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図７は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【００７８】
図６に示した如く、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体４０では、基板４１がレーザービームスポットＬＢが照射される側から最も離れた位置に配置されている。また、この基板４１上に記録トラックＴと対応する凸状のランド４１ａがレーザービームスポットＬＢの入射側に向かって僅かな高さで突出して所定のトラックピッチＰで螺旋状又は同心円状に形成され、且つ、凸状のランド４１ａの両側に凹状のグルーブ４１ｂ，４１ｂが形成されており、この際、凸状のランド４１ａと対応して形成される記録トラックＴのピッチＰは、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃのトラックピッチ３２０ｎｍに対して半分程度（１６０ｎｍ程度）に設定されており、且つ、記録トラックＴのトラック幅Ｗは５０ｎｍ程度に設定されて狭トラック化が図られている。
【００７９】
また、厚みが１．１ｍｍの基板４１上には、第２誘電体層４２と、第６磁性層４３と、第５磁性層４４と、第４磁性層４５と、第３磁性層４６と、第２磁性層４７と、記録トラックＴの両側のみに配置される面内磁気異方性層４８，４８と、第１磁性層４９と、第１誘電体層５０とがこの順で積層して成膜され、更に、第１誘電体層５０上に厚みが０．１ｍｍ程度で光透過性を有するカバー層５１が取り付けられて、カバー層５１側から波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが記録トラックＴに向かって照射されるように構成されている。
【００８０】
そして、この実施例２では、波長４００〜４５０ｎｍの青色のレーザービームスポットＬＢが照射される側から最も近い位置に配置されている第１磁性層４９と、この第１磁性層４９の下層に位置する第２磁性層４７との間で、且つ、基板４１に形成した凸状のランド４１ａと対応する記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層４８，４８が基板４１に形成した凹状のグルーブ４１ｂ，４１ｂと対応して形成された上で記録トラックＴに対して狭トラック化を図ることで、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、狭トラック記録にもかかわらず再生信号をジッターなく良好に得られように構成されていると共に、更に、レーザービームスポットＬＢが入射する側から遠い第５磁性層４４及び第６磁性層４３を第４磁性層４５に光変調記録される情報信号に対して記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成するためのバイアス層及びバイアス補助層とすることで、記録時に外部から磁界を印加する必要なくして、光変調だけで記録可能にしたことを特徴とするものである。
【００８１】
更に、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体４０は、工場出荷時に第１〜第６磁性層が全て一方向に磁化されて初期化が図られて、情報信号を１回だけ書き込み可能なライトワンス型として構成されており、情報信号の重ね書きは不能であるが、情報信号を記録した後に強い磁界を外部から印加することで記録済みの情報信号を消去することが可能になっている。
【００８２】
ここで、実施例２の光磁気記録媒体４０では、記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層が実施例１よりも１層増加されて４層からなる、第１磁性層（磁壁移動層）４９，第２，第３磁性層（交換結合力制御層）４７，４６，及び第４磁性層（記録層，メモリ層）４５であり、一方、記録に必要なバイアス磁界を浮遊磁界により生成する磁性層は実施例１と同様に２層からなる、第５磁性層（バイアス層）４４，及び第６磁性層（バイアス補助層）４３である。
【００８３】
従って、実施例２では、実施例１における第２磁性層２６（図１）に代えて第２，第３磁性層４７，４６が交換結合力制御層として成膜されている点が実施例１に対して異なるだけであり、第２，第３磁性層４７，４６を除いた他の層は全て実施例１と略同様な順に成膜され且つ略同様の機能を有しているのでここでの説明を省略し、第２，第３磁性層４７，４６についてのみ説明する。
【００８４】
即ち、記録層となる第４磁性層４５上に成膜される第３磁性層４６及びこの第３磁性層４６上に成膜される第２磁性層４７は、前述した実施例１の光磁気記録媒体２０（図１）に成膜した第２磁性層２６とは異なって２層に成膜されており、第２，第３磁性層４７，４６のうちで第２磁性層４７を極めて薄膜に成膜することで、この第２磁性層４７は磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）の青色のレーザービームスポットＬＢの移動方向前方からの磁壁移動性能を向上させる機能を備えているので、従来例で説明したような再生磁界の印加を省略できる。
【００８５】
また、第２，第３磁性層４７，４６のうちで少なくとも第３磁性層４６は、第４磁性層４５から第１磁性層４９に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２，第３磁性層４７，４６も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて希土類金属優勢（ＲＥ−ｒｉｃｈ）に成膜されている。
【００８６】
そして、上記のように構成した第１，第２，第３，第４，第５，及び第６磁性層４９，４７，４６，４５，４４，及び４３に対して青色のレーザービームスポットＬＢに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４，第５，及び第６磁性層４９，４７，４６，４５，４４，及び４３の各キュリー温度Ｔｃ１’，Ｔｃ２’，Ｔｃ３’，Ｔｃ４’，Ｔｃ５’，及びＴｃ６’は、約５６３Ｋ，約４５３Ｋ，約４３３Ｋ，約５８３Ｋ，約５３３Ｋ，及び約６７３Ｋ近傍にそれぞれ設定している。
（※以下の段落の日本語が変です。修正願います。）
この際、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して、上記からＴｃ６’＞Ｔｃ４’＞Ｔｃ１’＞Ｔｃ５’＞Ｔｃ２’＞Ｔｃ３’になるように設定している。
【００８７】
また、第１，第２，第３，第４，第５，及び第６磁性層４９，４７，４６，４５，４４，及び４３の各膜厚ｔ１’，ｔ２’，ｔ３’，ｔ４’，ｔ５’，及びｔ６’は、それぞれ約３０ｎｍ，約１５ｎｍ，約１０ｎｍ，約５０ｎｍ，約３０ｎｍ，及び約７０ｎｍ近傍に設定している。
【００８８】
そして、上記のように構成した実施例２の光磁気記録媒体２０上に波長が４５０ｎｍ以下の青色のレーザービームスポットＬＢを用いて情報信号を超高密度に記録する場合には、先に図４を用いて説明した実施例１と略同様に、第５磁性層（バイアス層）４４及び第６磁性層（バイアス補助層）４３によって生じる浮遊磁界に基づくバイアス磁界ＢＭＦ（図４）で第４磁性層（記録層，メモリ層）４５に情報信号を記録しているので、この実施例２でも記録時に外部磁界が全く必要なく、光変調のみで情報信号を高密度に記録できるので、不図示の光磁気記録媒体記録装置内は光変調記録構成部材のみとなるので構造が簡単になる。
【００８９】
次に、実施例２において、情報信号を記録した記録済みの光磁気記録媒体４０を再生する場合には、図７に拡大して示した如く、実施例１と略同様に、記録トラックＴのトラック幅Ｗを５０ｎｍ程度と狭トラック化を図り、且つ、トラックピッチＰを１６０ｎｍ程度に設定すると共に、青色のレーザービームスポットＬＢが入射する側の第１磁性層４９と、この第１磁性層４９の下層に位置する第２磁性層４７との間で、且つ、記録トラックＴの両側のみに面内磁気異方性を有する面内磁気異方性層４８，４８を形成している。
【００９０】
ここで、実施例２において、実施例１と異なる点は、前述したように、記録情報の保持と磁壁移動に関与する磁性層が実施例１よりも１層増加されて４層からなっているので、第４磁性層４５に磁区の形態で記録した後に磁区が第３，第２磁性層４６，４７を介して第１磁性層４９に交換結合され、再生時に青色のレーザービームスポットＬＢの照射による昇温で少なくとも第３磁性層４６の磁化が消失されて第１磁性層４９内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ており、この際に、この実施例２でも実施例１と同様に狭トラック化を図っているものの、実施例１よりも磁性層を１層増加させることで記録トラックＴのトラック幅Ｗに依存することなく再生時に外部からの再生磁界を省略できるので、不図示の光磁気記録媒体再生装置内の再生構成部材が簡単になる。
【００９１】
これにより、実施例２でも実施例１と略同様に、記録トラックＴのマーク拡大方向がトラック方向のみならず、半径方向にもおよぶことによって、再生信号をジッターなく良好に得られる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図２】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を製造する際に、第２磁性層上に成膜した面内磁気異方性層に対してイオンミリング処理を施す工程を摸式的に示した縦断面図であり、（ａ）はイオンミリング開始状態を示し、（ｂ）はイオンミリング終了状態を示した図である。
【図３】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体において、第３〜第５磁性層の磁性特性を示した特性図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体上に情報信号を記録する動作を説明するために摸式的に示した図である。
【図５】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【図６】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図７】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体の再生状態を摸式的に示した斜視図である。
【図８】従来の光磁気記録媒体の一例を示した縦断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
２０…実施例１の光磁気記録媒体、
２１…基板、２１ａ…ランド、２１ｂ…グルーブ、
２２…第２誘電体層、２３…第５磁性層（バイアス補助層）、
２４…第４磁性層（バイアス）、２５…第３磁性層（記録層，メモリ層）、
２６…第２磁性層（交換結合力制御層）、２７…面内磁気異方性層、
２８…第１磁性層（磁壁移動層）、２９…第１誘電体層、３０…カバー層、
４０…実施例２の光磁気記録媒体、
４１…基板、４１ａ…ランド、４１ｂ…グルーブ、
４２…第２誘電体層、４３…第６磁性層（バイアス補助層）、
４４…第５磁性層（バイアス）、４５…第４磁性層（記録層，メモリ層）、
４６…第３磁性層（交換結合力制御層）、４７…第２磁性層（交換結合力制御層）、
４８…面内磁気異方性層、４９…第１磁性層（磁壁移動層）、
５０…第１誘電体層、５１…カバー層、
ＢＭＦ…バイアス磁界、
Ｔ…記録トラック、Ｐ…トラックピッチ、Ｗ…トラック幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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