(57)【要約】【課題】ダイパッドとインナーリードとの間に封止樹脂クラックが発生するのを抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】インナーリード３の端部（インナーリード折り曲げ部３ａ）とダイパッド２の端部（ダイパッド折り曲げ部２ａ）を互いに逆方向に折り曲げ、インナーリード３とダイパッド２との間の距離を広げる。【選択図】図１
2009111104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載部と、前記素子搭載部の素子搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子に金属細線を介して電気的に接続する内部端子と、前記素子搭載部、前記半導体素子、前記金属細線および前記内部端子を樹脂封止する封止樹脂と、前記内部端子に電気的に接続する外部端子とを有する半導体装置であって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部は、互いに逆方向に折り曲げられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の素子搭載面側を上方向とした場合、前記内部端子は、その平坦部が前記素子搭載部の平坦部よりも上に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の素子搭載面側を上方向とした場合、前記素子搭載部の端部の折り曲げ方向は下方向であり、前記内部端子の端部の折り曲げ方向は上方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
素子搭載部と、一端が前記素子搭載部側に突出する内部端子とを有するリードフレームであって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部は、互いに逆方向に折り曲げられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
請求項４記載のリードフレームであって、前記素子搭載部の半導体素子が搭載される面側を上方向とした場合、前記内部端子は、その平坦部が前記素子搭載部の平坦部よりも上に位置していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
請求項４もしくは５のいずれかに記載のリードフレームであって、前記素子搭載部の半導体素子が搭載される面側を上方向とした場合、前記素子搭載部の端部の折り曲げ方向は下方向であり、前記内部端子の端部の折り曲げ方向は上方向であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
素子搭載部と、一端が前記素子搭載部側に突出する内部端子とを有するリードフレームの製造方法であって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部を互いに逆方向に折り曲げるに際し、折り曲げ前の状態では前記内部端子の端部と前記素子搭載部の端部はつながっており、前記内部端子の端部と前記素子搭載部の端部との間を切断すると同時に、それらの端部を互いに逆方向に折り曲げることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、リードフレームおよびリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の多機能化および小型化に伴い、半導体装置においても多機能化および薄型化が進んでいる。これに伴い、半導体装置の内部に搭載される半導体素子の微細化が進行してきており、半導体素子の発熱が問題となってきた。そのため、高い放熱性を有する半導体装置が必要となってきた。高い放熱性を有する従来の半導体装置としては、リードフレームのダイパッドの素子搭載面とは反対側の面を封止樹脂の表面から露出した構造や、半導体装置の表面に熱伝導率の高い金属板を貼り付けた構造、リードフレームのダイパッドの面積を大きくした構造のものが知られている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＰパッケージについて詳細に説明する。図３は従来の半導体装置（ＱＦＰパッケージ）の構成を示す図であり、（ａ）は該半導体装置を上面側から見た平面図、（ｂ）は該半導体装置の側面図、（ｃ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す断面図、（ｄ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す平面図である。
【０００４】
図３に示すように、該半導体装置は、リードフレームのダイパッド１２上に四辺形の半導体素子１１が載置されている。また、ダイパッド１２には、対角線方向に沿って外方に伸びる４本の吊りリード１７が接続されている。
【０００５】
また、隣り合う吊りリード１７の間には、一端がダイパッド１２側へ突出して配置されたリードフレームのインナーリード１３が設けられている。また、半導体素子１１とインナーリード１３とは金属細線１４により電気的に接続されている。
【０００６】
また、半導体素子１１、ダイパッド１２、金属細線１４、インナーリード１３および吊りリード１７はモールド樹脂体１６より樹脂封止されており、このモールド樹脂体１６により該半導体装置の外形が構成されている。また、リードフレームのアウターリード１５は、モールド樹脂体１６の側方に突出しており、ガルウィング状に折り曲げられている。
【０００７】
次に、該半導体装置の製造方法について説明する。
まず、導電性板状部材をエッチング加工またはプレス加工して、ダイパッド１２と、４本の吊りリード１７と、複数本のリード部とを一体として形成し、リードフレームを作製する。次に、吊りリード１７の曲げ部を形成するためのプレス加工を行う。次に、ダイパッド１２の素子搭載面に半導体素子１１を載置し、導電性接着剤を用いて固定する。
【０００８】
次に、半導体素子１１の電極パッド１１ａとインナーリード１３とを金属細線１４を用いて接続する。次に、半導体素子１１、ダイパッド１２、金属細線１４、インナーリード１３および吊りリード１７を、モールド樹脂体１６を用いて樹脂封止する。次に、アウターリード１５の先端部を切り離し、ガルウィング状に折り曲げて、ＱＦＰパッケージを得る。
【０００９】
以上のように、半導体素子を樹脂パッケージの中に搭載することにより、半導体素子を外部の環境から保護して、電気的な接続を構成することにより半導体素子を機能させることが可能となる。しかしながら、このような半導体装置は、半導体素子の動作時に発する熱を外部へ効率よく放散することが必要となる。
【００１０】
そこで、ダイパッドの面積を大きくして半導体素子が発する熱をダイパッドから効率よく封止樹脂へ伝達して放熱することで、半導体装置の外部に金属板を貼り付けて放熱性を向上させる高コストな構造や、半導体装置の封止樹脂の表面からダイパッドの素子搭載面とは反対側の面を露出させる電気的な絶縁性を損なう構造を採用する必要がなくなる。
【００１１】
しかしながら、このダイパッド面積を半導体素子よりも大きくした従来の半導体装置は、熱的ストレスや機械的なストレスを受けた際に封止樹脂とリードフレームの界面に発生するせん断などの応力により、ダイパッドの端部に大きな応力集中が発生して、ダイパッド端部や、ダイパッドに近接するインナーリードの端部の状態が不安定となってしまう。ダイパッドと封止樹脂の密着性が向上するようにダイパッドの端部を折り曲げた構成の半導体装置（例えば、特許文献１参照。）でも、ダイパッドとインナーリードとの間の距離が近い場合には、ダイパッドとインナーリードとの間の封止樹脂にクラックが発生する可能性がある。
【特許文献１】特開平５−３２６８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑み、ダイパッド面積を大きくした場合でも、ダイパッド端部に発生する応力によってダイパッドとインナーリードとの間に封止樹脂クラックが発生するのを抑制できる半導体装置、リードフレームおよびリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１記載の半導体装置は、素子搭載部と、前記素子搭載部の素子搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子に金属細線を介して電気的に接続する内部端子と、前記素子搭載部、前記半導体素子、前記金属細線および前記内部端子を樹脂封止する封止樹脂と、前記内部端子に電気的に接続する外部端子とを有する半導体装置であって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部は、互いに逆方向に折り曲げられていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の素子搭載面側を上方向とした場合、前記内部端子は、その平坦部が前記素子搭載部の平坦部よりも上に位置していることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項３記載の半導体装置は、請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体装置であって、前記素子搭載部の素子搭載面側を上方向とした場合、前記素子搭載部の端部の折り曲げ方向は下方向であり、前記内部端子の端部の折り曲げ方向は上方向であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項４記載のリードフレームは、素子搭載部と、一端が前記素子搭載部側に突出する内部端子とを有するリードフレームであって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部は、互いに逆方向に折り曲げられていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項５記載のリードフレームは、請求項４記載のリードフレームであって、前記素子搭載部の半導体素子が搭載される面側を上方向とした場合、前記内部端子は、その平坦部が前記素子搭載部の平坦部よりも上に位置していることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項６記載のリードフレームは、請求項４もしくは５のいずれかに記載のリードフレームであって、前記素子搭載部の半導体素子が搭載される面側を上方向とした場合、前記素子搭載部の端部の折り曲げ方向は下方向であり、前記内部端子の端部の折り曲げ方向は上方向であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項７記載のリードフレームの製造方法は、素子搭載部と、一端が前記素子搭載部側に突出する内部端子とを有するリードフレームの製造方法であって、前記内部端子の前記素子搭載部側の端部と前記素子搭載部の端部を互いに逆方向に折り曲げるに際し、折り曲げ前の状態では前記内部端子の端部と前記素子搭載部の端部はつながっており、前記内部端子の端部と前記素子搭載部の端部との間を切断すると同時に、それらの端部を互いに逆方向に折り曲げることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の好ましい形態によれば、放熱性を向上させるなどの目的でダイパッドの面積を大きくした場合であっても、ダイパッドの面積を損なうことなく、またリードフレームの製造コストや半導体装置の製造コストを増加させることなく、ダイパッド端部に発生する応力によってダイパッドとインナーリードとの間に封止樹脂クラックが発生するのを抑制することができ、安定した品質の半導体装置を実現することが可能となり、高い放熱性を有する半導体装置を安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態に係る半導体装置およびリードフレームについて、図面に基づいて説明する。図１は本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は該半導体装置を上面側から見た平面図、（ｂ）は該半導体装置の側面図、（ｃ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す断面図、（ｄ）は該半導体装置の内部構成の概略を示す平面図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、外形を構成するモールド樹脂体６の側面から側方に突出するリードフレームのアウターリード（外部端子）５が、パッケージ底面側にガルウィング状に折り曲げられたＱＦＰパッケージの構成をしている。
【００２３】
この半導体装置は、リードフレームのダイパッド（素子搭載部）２の素子搭載面に半導体素子１が搭載されている。また、ダイパッド２は、複数本の吊りリード７により支持されている。また、隣り合う吊りリードの間には、一端がダイパッド２側へ突出して配置されたリードフレームのインナーリード（内部端子）３が設けられている。
【００２４】
また、半導体素子１上に形成されている電極パッド１ａとインナーリード３とは金属細線４により電気的に接続されている。また、半導体素子１、ダイパッド２、インナーリード３、金属細線４および吊りリード７はモールド樹脂体６により樹脂封止されており、このモールド樹脂体６により半導体装置の外形が構成されている。
【００２５】
また、インナーリード３と一体形成されているアウターリード５は、上述したように、モールド樹脂体６の側面から側方に突出しており、パッケージ底面側にガルウィング状に折り曲げられている。
【００２６】
また、リードフレームのダイパッド２、吊りリード７、インナーリード３およびアウターリード５は導電性部材からなる。また、半導体素子１は、導電性または絶縁性の接着剤を用いてダイパッド２の素子搭載面に固着されている。
【００２７】
続いて、リードフレームの折り曲げ部について説明をする。
ダイパッド２の四辺の端部（ダイパッド折り曲げ部２ａ）は、半導体素子１を搭載するダイパッド２の素子搭載面に対して縦方向に折り曲げられている。また、インナーリード３のダイパッド２側の端部（インナーリード折り曲げ部３ａ）も、素子搭載面に対して縦方向に折り曲げられている。さらに、ダイパッド折り曲げ部２ａとインナーリード折り曲げ部３ａの折り曲げ方向は逆となっている。これにより、ダイパッド２の面積を損なうことなく、ダイパッド２とインナーリード３との間の距離を広げることができるため、高い放熱性を実現できるとともに、ダイパッド２とインナーリード３との間の封止樹脂クラックの発生を抑制することができる。
【００２８】
また、ダイパッド２の素子搭載面側を上方向とした場合、インナーリード３の平坦部がダイパッド２の平坦部よりも高くなるようにすれば、ダイパッド２とインナーリード３と間の距離をより広げることができ、封止樹脂クラックを抑制する効果をより高めることができる。
【００２９】
また、ダイパッド折り曲げ部２ａを素子搭載面側とは逆向きに折り曲げ、且つインナーリード折り曲げ部３ａを素子搭載面側に折り曲げれば、インナーリード３の平坦部をダイパッド２の平坦部よりも高くすることと合わせて、ダイパッド２とインナーリード３との間の距離をさらに広げることができ、封止樹脂クラックを抑制する効果をさらに高めることができる。
【００３０】
また、これらのダイパッド折り曲げ部２ａとインナーリード折り曲げ部３ａは、それぞれリードフレームを加工製造する際の折り曲げ加工により形成することが可能であり、本半導体装置に使用するリードフレームは、リードフレームの製造コストや半導体装置の製造コストを増加させることなく製造することができる。
【００３１】
続いて、本実施の形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。図２は、本半導体装置に使用するリードフレームの製造方法を説明するための図であり、（ａ）はインナーリードの端部をダイパッドの端部から切断する工程をリードフレームの上面側から見た平面図、（ｂ）はその工程の断面図である。
【００３２】
図２に示すように、ダイパッド２の端部とインナーリード３の端部が繋がっている部分を切断部８にて切断すると同時に、それらの端部を互いに逆方向に折り曲げることにより、ダイパッド折り曲げ部２ａとインナーリード折り曲げ部３ａを同時に形成する。このようにすれば、切断時に端材が発生しないため、単層のリードフレームから形成するダイパッドのサイズを最大にすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明にかかる半導体装置、リードフレームおよびリードフレームの製造方法は、ダイパッドの面積を大きくした場合であっても、ダイパッドとインナーリードとの間に封止樹脂クラックが発生するのを抑制でき、高機能で高速動作を要求される半導体デバイスや、高耐圧仕様の半導体デバイスに必要となる高い放熱性を必要とする半導体装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図
【図２】本発明の実施の形態に係るリードフレームの製造方法を説明するための図
【図３】従来の半導体装置の構成を示す図
【符号の説明】
【００３５】
１      半導体素子
１ａ    電極パッド
２      ダイパッド
２ａ    ダイパッド折り曲げ部
３      インナーリード
３ａ    インナーリード折り曲げ部
４      金属細線
５      アウターリード
６      モールド樹脂体
７      吊りリード
８      切断部
１１      半導体素子
１１ａ    電極パッド
１２      ダイパッド
１３      インナーリード
１４      金属細線
１５      アウターリード
１６      モールド樹脂体
１７      吊りリード
【図１】
2009111104.tif 000003
【図２】
2009111104.tif 000004
【図３】
2009111104.tif 000005