(57)【要約】【課題】  液体の供給および回収に伴う液圧の変動により、基板ステージ上に配置される基準マークまたは計測部の計測精度が劣化することを低減する液浸露光装置を提供する。【解決手段】  液体を介して原版のパターンを基板上に露光する露光装置において、前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記基板の間に前記液体を供給する液体供給手段と、前記投影光学系と前記基板の間から前記液体を回収する液体回収手段と、前記基板を保持し移動させる基板ステージと、前記基板ステージ上に構成され前記原版と前記基板の位置合わせの基準となる基準マーク、または前記基板ステージ上に構成され前記投影光学系の特性を計測する計測部と、を備え、前記液体の供給および回収を停止する際には、前記液体回収手段の停止後に、前記液体供給手段を停止することを特徴とする。【選択図】  図１
2009111189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して原版のパターンを基板上に露光する露光装置において、
前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記基板の間に前記液体を供給する液体供給手段と、
前記投影光学系と前記基板の間から前記液体を回収する液体回収手段と、
前記基板を保持し移動させる基板ステージと、
前記基板ステージ上に構成され前記原版と前記基板の位置合わせの基準となる基準マーク、または前記基板ステージ上に構成され前記投影光学系の特性を計測する計測部と、を備え、
前記液体の供給および回収を停止する際には、前記液体回収手段の停止後に、前記液体供給手段を停止することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記液体回収手段の停止後であって前記液体回収手段の内部の残圧による前記液体の回収が停止した後に、前記液体供給手段を停止することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記液体供給手段は、前記液体を供給する液体供給口を備え、
前記液体回収手段は、前記液体を回収する液体回収口を備え、
前記液体回収手段の内部の残圧による前記液体の回収により、前記液体の界面が前記液体供給口に到達しない量の前記液体を前記液体供給手段で供給した後に前記液体供給手段を停止することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記液体供給手段は、前記液体を供給する液体供給口を備え、
前記液体回収手段は、前記液体を回収する液体回収口を備え、
前記液体供給口の外側に前記液体回収口が配置され、
前記液体回収手段の内部の残圧による前記液体の回収により、前記液体の界面が前記液体回収口に到達し、気体が吸い込まれることがない量の前記液体を前記液体供給手段で供給した後に前記液体供給手段を停止することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記液体の供給および回収の停止は、前記基準マークの計測あるいは前記計測部での計測を実施する時であることを特徴とする請求項1から４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
液体を介して原版のパターンを基板上に露光する露光装置において、
前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記基板の間に液体を供給する液体供給手段と、
前記投影光学系と前記基板の間から前記液体を回収する液体回収手段と、
前記基板を保持し移動させる基板ステージと、
前記基板ステージ上に構成され前記原版と前記基板の位置合わせの基準となる基準マーク、または前記基板ステージ上に構成され前記投影光学系の特性を計測する計測部と、を備え、
前記液体供給手段は、前記基板露光時と前記基準マークまたは前記計測部での計測時において前記液体の供給の流量を切り換え、
前記液体回収手段は、前記基板露光時と前記基準マークまたは前記計測部での計測時において前記液体の回収の流量を切り換えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記液体の供給および回収の流量は、前記基板露光時よりも前記基準マークまたは前記計測部での計測時のほうが少ないことを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記基板ステージは複数構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に原版のパターンを転写する液浸法を用いた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造工程において、マスクに形成されたパターンを感光剤が塗布された基板上に縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。
半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴いパターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。
露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とが一般的である。
露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行しつつあり、更には１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が進んでいる。
更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発も行なわれている。
【０００３】
一方、これらとは別な解像力向上技術として液浸法を用いた投影露光方法が注目されつつある。
従来は、投影光学系の最終面と露光対象である基板であるウェハ面との間の空間は気体で満たされていたが、液浸法では、この空間を液体で満たして投影露光を実施する。
液浸法の利点は、従来と同一波長の光源を用いても、解像力が従来法よりも向上することである。
例えば、投影光学系とウェハとの間の空間に提供される液体を純水（屈折率１．３３）とし、ウェハに結像する光線の最大入射角が液浸法と従来法で等しいと仮定した場合において、液浸法の解像力は従来法の１．３３倍に向上する。
これは従来法の投影光学系のＮＡを１．３３倍にすることと等価であり、液浸法によれば、従来法では不可能なＮＡ＝１以上の解像力を得ることが可能である。
例えば、特開２００５−１９８６４号公報（特許文献１）において、この投影光学系の最終面とウェハ面との間の空間を液体で満たす方法が開示される。
この方式は、液浸法を適用した露光装置において、投影光学系の最終面と基板との間隙をより確実に液体で満たすことを目的としている。
露光装置には、投影光学系の周辺かつ投影光学系から見て第１方向に配置された液体供給ノズルを備える。
基板ステージが基板を第１方向の反対方向である第２方向に向かって移動させる際に、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が供給され表面上に液膜が形成される。
ここで、基板の移動に伴って液膜が連続的に広がるように、液体供給ノズルを通して基板の表面上に液体が連続的に供給されるものである。
基板ステージ上には液浸領域を保持するために基板とほぼ同一な高さに配置された平面板（以降同面板）が構成されている。
【０００４】
例えば、特開２００５−１１６５７０号公報（特許文献２）において、液浸方式の露光装置で、ウェハステージ上に受光器を構成する方法が開示されている。
この方式は、受光器の受光結果に基づいて露光状態を最適化するための処理を良好に行い、高精度に露光できる露光装置を提供することを目的としている。
露光装置は、投影光学系の像面側に配置された基板に対して投影光学系と液体とを介して露光光を照射することによって基板を露光する。
投影光学系の像面側に配置されたスリット板を介して投影光学系を通過した光を受光する受光器と、投影光学系とスリット板との間に満たされた液体の温度情報を検出する温度センサとを備えている。
受光器の検出結果と、温度センサの計測結果より結像性能を含む性能情報を算出し露光時に反映するものである。
また、例えば、ＷＯ２００５／０４３６０７国際公開公報（特許文献３）において、同様にウェハステージ上に計測部を構成する方法が開示されている。
この方式では、計測部として投影光学系の波面収差計測器を構成している。
波面収差計測時に露光用の液体が漏洩し、波面収差計測器内部に浸入することを防止している。
具体的には波面収差計測器は着脱可能に構成され、計測器部の検出光の光路上に光透過性部材を構成し液体を介して計測が可能な構成としている。
さらに計測器の構成に応じて、計測時には液体の供給、回収を停止あるいは断続的に実施してもかまわないことが開示されている。
【０００５】
例えば、特開２００５−２２３３１５号公報（特許文献４）において、液浸方式の露光装置で、液浸用液体の圧力を調整可能とした方式が開示されている。
この方式は、ウェハ表面（液体接触面）の材料特性に応じて液体がウェハに及ぼす力が変化し露光性能、計測精度を劣化させることに対応するために液浸領域の液体の圧力調整を可能としている。
また、例えば、特開２００５−２３６１２１号公報（特許文献５）において、同様に液体の圧力の影響を低減する方法が開示されている。
この方式では、投影光学系の液体に接する光学部材の側面と、液体の供給あるいは回収部との間の隙間に浸入する液体の高さを検出し、液浸領域の液体の圧力を調整している。
例えば、特開２００７−３５７７６号公報（特許文献６）の液浸露光装置において、液中の気泡による不良を防止する方法が開示されている。
この方式では、基板露光時に、液体中に気泡が存在することで発生するパターンの不良、露光不良を防止するために、液体中に存在する帯電した気泡を捕集する捕集装置を備えた露光装置が提案されている。
また、液体中の気泡に帯電している電気を取り除く除電装置を備えた露光装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−１９８６４号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６５７０号公報
【特許文献３】ＷＯ２００５／０４３６０７国際公開公報
【特許文献４】特開２００５−２２３３１５号公報
【特許文献５】特開２００５−２３６１２１号公報
【特許文献６】特開２００７−３５７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液浸露光装置において、液浸用液の中に気泡が存在すると、露光時のパターンの不良、露光不良となることは、特許文献６に開示されている。特許文献６では、発生した気泡の除去方法が開示されている。
パターンの不良、露光不良を低減するためには気泡の発生を防止することが重要な課題である。
液浸露光装置では、投影光学系とウェハの間に液を満たすために液体供給回収部が構成されている。
液体供給回収部にて液の循環を行うと、液体の圧力が変動する。液体の圧力が変化すると、液体に接しているウェハステージ、ウェハ、基準マークあるいは計測部に加わる圧力が変動する。
基準マークあるいは計測部に加わる圧力が変動すると、基準マークあるいは計測部の変形量が変化する。この変化が計測値の誤差となるという課題がある。
基準マーク上の計測マークあるいは計測光透過用開口部が構成された硝子材の厚さを厚くすることで変位量を減少させることは可能である。
しかし、硝子材を厚くすることにより、基準マークに構成される光電センサあるいは撮像素子と基準マークの距離が離れることになる。
距離が離れることで、計測光が広がり光電センサあるいは撮像素子の受光部必要面積が拡大する。
このため、基準マークが大型化する。基準マークの大型化に伴いウェハステージの基準マーク搭載部も大型化する。
また、ウェハステージの必要ストロークも拡大する必要がある。この結果、装置の大型化、重量の増大、消費電力の増大という課題ある。
特許文献３では、ウェハステージに構成された波面収差計測器での計測時に、液の供給、回収を停止することが開示されている。
【０００７】
液体の供給回収部を図２、図３、図４、図５に示す。投影光学系１３はウェハＷ側についてのみ示している。投影光学系１３の周囲に液体供給回収部ＮＯＺが構成されている。
液体供給回収部ＮＯＺは、液体を供給する液体供給口ＳＵＰ、液体を回収する液体回収口ＲＥＴを有する。
液体供給回収部ＮＯＺから供給された液浸用液である液体５０により、投影光学系１３とウェハＷの間は満たされる。
液浸部ＩＭＬの中心に対して液体供給口ＳＵＰが配置され、その外側に液体回収口ＲＥＴが構成されている。
以上の構成で、特許文献３に開示されたように液体の供給および回収を停止する場合について説明する。
図２に示される状態から、液体の供給および回収が停止されると、回収側は回収用配管系の残圧により一定量の液が回収される。
図３、図４、図５を参照して、この時の状態を説明する。
図３、図４、図５においては、投影光学系１３の半分のみを示している。
供給が停止された状態で、液体回収口ＲＥＴより液体が回収されるため、液浸部ＩＭＬの液体５０ａは図３に示されるように減少する。
さらに、液体５０が回収されると図４に示される液体５０ｂのように、液浸部ＩＭＬの界面は液体供給口ＳＵＰまで減少し、この状態で回収が停止する。
次に、液体の供給を再開すると、図５に示されるように部分Ａに気泡が発生する場合がある。気泡が発生すると、パターンの不良あるいは露光不良の原因となる。
図４では液体回収口ＲＥＴは液体５０ｂで満たされている場合を示したが、液浸部ＩＭＬの外側の気体を吸い込む場合もある。
この場合、液体回収口ＲＥＴ内部が気化熱により温度低下し、液体供給回収部ＮＯＺの温度も低下する。
液体供給回収部ＮＯＺの温度低下により液体５０，５０ａ，５０ｂあるいは投影光学系１３にも影響を与える。
そこで、本発明は、液体の供給および回収に伴う液圧の変動により、基板ステージ上に配置される基準マークまたは計測部の計測精度が劣化することを低減する液浸露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための本発明の露光装置は、液体を介して原版のパターンを基板上に露光する露光装置において、前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記基板の間に前記液体を供給する液体供給手段と、前記投影光学系と前記基板の間から前記液体を回収する液体回収手段と、前記基板を保持し移動させる基板ステージと、前記基板ステージ上に構成され前記原版と前記基板の位置合わせの基準となる基準マーク、または前記基板ステージ上に構成され前記投影光学系の特性を計測する計測部と、を備え、前記液体の供給および回収を停止する際には、前記液体回収手段の停止後に、前記液体供給手段を停止することを特徴とする。
さらに、本発明の露光装置は、液体を介して原版のパターンを基板上に露光する露光装置において、前記パターンを前記基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系と前記基板の間に液体を供給する液体供給手段と、前記投影光学系と前記基板の間から前記液体を回収する液体回収手段と、前記基板を保持し移動させる基板ステージと、前記基板ステージ上に構成され前記原版と前記基板の位置合わせの基準となる基準マーク、または前記基板ステージ上に構成され前記投影光学系の特性を計測する計測部と、を備え、前記液体供給手段は、前記基板露光時と前記基準マークまたは前記計測部での計測時において前記液体の供給の流量を切り換え、前記液体回収手段は、前記基板露光時と前記基準マークまたは前記計測部での計測時において前記液体の回収の流量を切り換えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、液体の供給および回収に伴う液圧の変動により、基板ステージ上に配置される基準マークまたは計測部の計測精度が劣化することを低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例】
【００１１】
図１、図２を参照して、本発明の実施例の液浸露光装置について説明する。
本実施例の露光装置は、液体を介して原版であるレチクルＲのパターンを基板上であるウェハＷの上に投影し転写する液浸露光装置である。
レチクルＲは光源１と、照明光学系および長方形のスリット状の照明領域２１により均一な照度で照明される。
照明光学系は、照明光整形光学系２、フライアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、視野絞り５、可動ブラインド（可変視野絞り）７およびリレーレンズ８から成る。
スリット状照明領域２１内のレチクルＲの回路パターン像が投影光学系１３を介してウェハＷ上に投影され転写される。
光源１は、Ｆ２エキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザあるいはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源などから成る。
また、光源１は、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源も使用できる。
パルス光源の場合、露光のオン又はオフはパルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられ、連続光源の場合、露光のオン又はオフは照明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。
但し、本実施例では後述のように可動ブラインド、すなわち、可変視野絞りである羽根７Ａ，７Ｂが設けられているため、羽根７Ａ，７Ｂの開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよい。
光源１からの照明光は、照明光整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定されてフライアイレンズ３に達する。
フライアイレンズ３の射出面には多数の２次光源が形成され、これら２次光源からの照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞り５を経て羽根７Ａ，７Ｂに達する。
【００１２】
視野絞り５は、羽根７Ａ，７Ｂよりもコンデンサーレンズ５側に配置されているが、その逆のリレーレンズ系８側へ配置してもよい。
視野絞り５には、長方形のスリット状の開口部が形成され、この視野絞り５を通過した光束は、長方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレンズ系８に入射する。スリットの長手方向は紙面に対して垂直な方向である。
リレーレンズ系８は可動ブラインドである羽根７Ａ，７ＢとレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系である。
可動ブラインドは、後述の走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する２枚の羽根から成る遮光板である羽根７Ａ，７Ｂ及び走査方向に垂直な非走査方向の幅を規定する２枚の羽根（不図示）より構成されている。
走査方向の幅を規定する羽根７Ａ、７Ｂはそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独立に走査方向に移動できるように支持され、不図示の非走査方向の幅を規定する２枚の羽もそれぞれ独立に駆動できるように支持されている。
本実施例では、固定の視野絞り５により設定されるレチクルＲ上のスリット状照明領域２１内において、更に羽根７Ａ、７Ｂにより設定される所望の露光領域内にのみ照明光が照射される。
リレーレンズ系８は両側テレセントリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１ではテレセントリック性が維持されている。レチクルＲはレチクルステージＲＳＴに保持されている。
レチクルステージＲＳＴは干渉計２２で位置を検出しレチクルステージ駆動部１０により駆動される。
レチクルステージＲＳＴ上には基準マークが構成された基準プレートＳＰが構成されている。
基準プレートＳＰは、装置校正用の基準マークが配置されている。
スリット状の照明領域２１内で且つ羽根７Ａ、７Ｂにより規定されたレチクルＲ上の回路パターンの像が、投影光学系１３を介してウェハＷ上に投影露光される。
投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内で、スリット状の照明領域２１に対するレチクルＲの走査方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）として、投影光学系１３の光軸に平行な方向をＺ方向とする。
この場合、レチクルステージＲＳＴはレチクルステージ駆動部１０に駆動されてレチクルＲを走査方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に走査し、羽根７Ａ、７Ｂの駆動部６Ａ，６Ｂ、及び非走査方向用の駆動部の動作は可動ブラインド制御部１１により制御される。
レチクルステージ駆動部１０及び可動ブラインド制御部１１の動作は、装置全体の動作を制御する主制御系１２で制御される。
【００１３】
一方、ウェハＷは不図示のウェハ搬送装置により搬送され、ウェハステージＷＳＴ上に構成されるウェハチャックＷＣに真空吸着保持される。
ウェハステージＷＳＴは、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウェハＷの位置決めを行うと共にウェハＷを±Ｘ方向に走査するＸＹステージ、及びＺ方向にウェハＷの位置決めを行うＺステージ等より構成されている。
ウェハステージＷＳＴの位置は干渉計２３により検出される。
図１には一方向しか示していないがＸ、ＹおよびＸ軸まわりの回転方向、Ｙ軸まわりの回転方向が検出される構成となっている。
ウェハステージＷＳＴ上には装置校正用あるいはウェハ位置合わせ用に使用する基準マークＦＭが構成されている。
基準マークＦＭは、硝子材に、計測用マークあるいは計測光透過用開口部が構成されている。
計測用マークあるいは計測光透過用開口部を透過した計測光は、不図示の光電センサあるいは撮像素子に受光され、計測が行なわれる。
また、投影光学系１３の波面収差、結像性能あるいは照度等の特性を計測する計測部４０が構成されている。
ウェハＷの周辺にはウェハＷの表面とほぼ同じ高さに構成された同面板Ｐが構成され、ウェハステージＷＳＴに真空吸着で保持されている。
ウェハＷの上方、投影光学系１３の像面側には液体供給回収部ＮＯＺが構成される。
図２、図６に示されるように液体供給回収部ＮＯＺは、液体を供給する液体供給口ＳＵＰ、液体を回収する液体回収口ＲＥＴを有する。
液体供給口ＳＵＰは液体供給ラインＳＵＰＢ，ＳＵＰＣに接続され、液体回収口ＲＥＴは液体回収ラインＲＥＴＢ，ＲＥＴＣに接続される。
投影光学系１３と基板の間に液体を供給する液体供給手段は、液体供給口ＳＵＰおよび液体供給ラインＳＵＰＢ，ＳＵＰＣから成る。
投影光学系１３と基板の間から前記液体を回収する液体回収手段は、液体回収口ＲＥＴおよび液体回収ラインＲＥＴＢ，ＲＥＴＣから成る。  
液体供給回収部ＮＯＺへの液体の供給および回収は液浸制御部１４で行われる。
図２では投影光学系１３と液体供給回収部ＮＯＺの間に隙間が構成され大気開放となっている。しかし、この隙間から液浸部ＩＭＬの液体へ気泡が入るのを防ぐため、機密性を有したシール材をその隙間に配置してもかまわない。シール材は、液体供給回収部ＮＯＺで発生した外力を投影光学系１３に加えないために柔軟性を有する材質が好ましい。
【００１４】
図６を参照して、液浸制御部１４を説明する。
液体供給ラインＳＵＰＢ，ＳＵＰＣにはバルブ３０が接続され、液体回収ラインＲＥＴＢ，ＲＥＴＣにはバルブ３１が接続され、液浸制御部１４はバルブ３０、３１を有する。
バルブ３０、３１は、液浸制御部１４により制御され、液体供給ラインＳＵＰＢ，ＳＵＰＣおよび液体回収ラインＲＥＴＢ，ＲＥＴＣはバルブ３０、３１により開閉可能に構成される。
また、不図示の液体供給用配管、ポンプ、温調部、フィルタより構成される供給部が構成されている。
また、液体回収用配管、ポンプ、気液分離機、タンクより構成される回収部も構成されている。
液浸制御部１４は、主制御部１２により液体の供給、回収、停止、気液分離および温調制御がされている。
ウェハＷ上方には、オフアクシス方式のアライメントセンサ１６が構成されている。
アライメントセンサ１６により、ウェハ上のアライメントマークが検出され、制御部１７により処理され、主制御系１２に送られる。
主制御系１２は、ウェハステージ駆動部１５を介してウェハステージＷＳＴの位置決め動作及び走査動作を制御する。
レチクルＲ上のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介してウェハＷ上の各ショット領域に露光する際には、図１の視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域２１に対して−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に、レチクルＲを速度ＶＲ
で走査する。
投影光学系１３の投影倍率をβとすると、レチクルＲの走査と同期して、＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に、ウェハＷを速度ＶＷ(＝β・ＶＲ)で走査する。
これにより、ウェハＷ上のショット領域にレチクルＲの回路パターン像が逐次転写される。
液体供給回収部ＮＯＺにより液の供給回収が行われると、液の圧力は１００〜２００ｐａ程度変動する。
この液圧変動により基準マークあるいは計測部が変位し計測誤差となる。
計測誤差の発生を防止するために、液圧変動の原因となる液の供給回収を停止する。
【００１５】
図６を参照して、液体の供給回収の停止動作について説明する。
まず、液体の回収系に構成されたバルブ３１を閉じる。バルブ３１が閉じられると、回収系内の残圧により液体が残圧に相当する量の分が回収される。
この回収により投影光学系１３とウェハＷ間の液体の量が減少する。図４に示されるように液体５０ｂの量の減少により液体５０ｂと液体の周囲の気体との界面が、液体供給口ＳＵＰに到達する。
その後、液体の供給を再開すると気泡が発生する恐れがある。このため、界面が供給口ＳＵＰに到達する液量を供給した後に、供給系のバルブ３０を閉じる。このことにより、液体供給再開時に気泡の発生を防止出来る。
回収系を停止した時の残圧量はほぼ一定であり、界面が液体供給口ＳＵＰに到達する液量もほぼ一定であるため、予め求めておけば良い。
また、液量の減少により、界面が液体回収口ＲＥＴに到達すると、回収口ＲＥＴより気体が吸い込まれる可能性がある。このことにより、回収系が気化熱により温度低下してしまう。
このため、界面が液体回収口ＲＥＴに到達する液量を供給した後に、供給系のバルブ３０を閉じる。
このことにより、液体回収口ＲＥＴより気体が吸い込まれることを防止出来る。回収系を停止した時の残圧量はほぼ一定であり、界面が回収口ＲＥＴに到達する液量もほぼ一定であるため、予め求めておけば良い。回収系内の残圧により液が回収されても、液体量の減少が防止出来る。
【００１６】
次に、図７を参照して、本発明の実施例２について説明する。
図６の本実施例１のと違いは、液浸制御部１４に供給系、回収系、それぞれに２系統の流量が異なるラインを構成したことである。
液体供給系には、流量の異なる液体供給ラインＳＵＰＢおよびＳＵＰＣが接続されている。液体供給ラインＳＵＰＢの流量に対して液体供給ラインＳＵＰＣは少ない流量である。
液体供給ラインＳＵＰＢおよびＳＵＰＣラインは、電磁弁３２に接続され、切替可能に構成されている。
電磁弁３２の出力側には配管が接続され、バルブ３1を介して、液体供給回収部ＮＯＺに接続されている。
液体回収系には、液体供給回収部ＮＯＺより回収用配管が接続され、液浸制御部１４に接続される。
液浸制御部１４内でバルブ３０を介して電磁弁３３に接続されている。電磁弁３３には流量の異なる液体回収ラインＲＥＴＢ、ＲＥＴＣが接続されている。
液体回収ラインＲＥＴＢ、ＲＥＴＣは電磁弁３３により切り替え可能な構成となっている。液体回収ラインＲＥＴＢの流量に対して液体回収ラインＲＥＴＣが少ない流量である。
【００１７】
次に、本実施例の動作について説明する。
ウェハＷ露光時は、液体供給ラインＳＵＰＢは電磁弁３２を介して接続されている。
液体回収ラインＲＥＴＢは電磁弁３３を介して接続されている。
基準マークＦＭあるいは計測部４０での計測時には、電磁弁３２、３３が切り替わり、液体供給ラインＳＵＰＣ、液体回収ラインＲＥＴＣが接続される。
液体供給ラインＳＵＰＣ、液体回収ラインＲＥＴＣの流量は、液体供給ラインＳＵＰＢ、液体回収ラインＲＥＴＢに対して少ない流量であるため、液圧の変動が小さくなる。
液圧の変動が小さくなることで、基準マークＦＭあるいは計測部４０の変形も少なくなり、計測誤差は低減される。
さらに、液体の供給回収を停止しないため、液体の供給再開時の気泡の発生や、気化熱による温度低下の恐れが無い。
液体供給ラインＳＵＰＣ、液体回収ラインＲＥＴＣの流量は、基準マークＦＭあるいは計測部４０の変形量が許容される値になるように設定すれば良い。
また、電磁弁３２、３３の切り替えのタイミングは、同時である必要は無く、残圧を考慮して決定すれば良い。
また、本実施例では２系統の流量を切り換える構成としたが、複数の系統を切り換えてもかまわない。
更に、可変的に流量を調整する機構が構成されていてもよい。
本実施例２では、ウェハステージＷＳＴが１ケ構成された場合について説明したが、複数構成されてもよい。
特に、２つのウェハステージが構成された場合、投影光学系、液体供給回収部が構成された側に、液浸制御部を構成すれば良い。
また、液体は純水より屈折率の高い炭化水素系有機液体を使用してもよい。
この場合、液体の気化量および残圧による液量の減少量に伴って、液体供給ラインを停止すれば良い。
減少量は同様に予め求めておけば良い。
また、流量を切り換える場合も同様に基準マークＦＭの計測時と、ウェハ露光時で切り換えれば良い。  
以上説明したように、本実施例１および２によれば、液体の供給系の停止は、回収系統を停止後に回収系統内の残圧による液の回収が停止した後に停止するため、液体量の減少が防止する。
また、液体の供給系の停止は、回収系統を停止後に回収系統内の残圧による液体の回収により、液体の界面が液体供給口に到達しない量の液体を供給した後に停止するため、液体の供給を再開した場合に、液体供給口で気泡の発生を防止出来る。
また、液体の供給系の停止は、回収系統を停止後に回収系統内の残圧による液体の回収により、液体の界面が液体回収口に到達し、気体が吸い込まれることがない量の液体を供給した後に停止する。
このため、液体回収口より気体を吸い込むことを防止し、気化熱による温度低下を防止する。
また、液体の供給および回収の停止は、基準マークの計測あるいは計測部での計測を実施する時に行うため、基準マークあるいは計測部での計測時に、液圧の変動による計測誤差の発生を防止する。
また、液体の供給および回収による液圧の変動を防止するため、液体の供給および回収を停止しても、気化熱による温度低下の影響を防止する。
また、液体の供給および回収による液圧の変動を防止するために液体の供給および回収を停止した後、液体の供給を再開しても、気泡の発生を防止し、露光時のパターンの不良、露光不良を防止する。
また、液体の供給回収による液圧の変動を防止するため、液体の供給回収を停止する必要が無いため、気泡が発生を防止し、露光時のパターンの不良、露光不良を防止出来る。
【００１８】
次に、図８及び図９を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００１９】
図９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１の液浸露光装置の概略構成図である。
【図２】本実施例１および従来例の液体供給回収部の構成図である。
【図３】従来例の液体供給回収部の構成図である。
【図４】従来例の液体供給回収部の構成図である。
【図５】従来例の液体供給回収部の構成明図である。
【図６】本実施例１の部分構成図である。
【図７】本発明の実施例２の部分構成図である。
【図８】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００２１】
１：光源  ２：照明系整形光学系  ３：フライアイレンズ
４：コンデンサーレンズ  ５：視野絞り
６Ａ、６Ｂ：駆動部  ７Ａ、７Ｂ：羽根
８：リレーレンズ    １０：レチクルステージ制御部
１１：可動ブラインド制御部  １２：主制御部  １３：投影光学系
１４：液浸制御部  １５：ウェハステージ制御部  
１６：アライメントセンサ  １７：制御部  
２１：照明領域    ２２，２３：干渉計  ３０、３１：バルブ
３２、３３：電磁弁  ＲＳＴ：レチクルステージ  ＷＳＴ：ウェハステージ
Ｒ：レチクル  Ｗ：ウェハ  ＳＰ：基準プレート
Ｗ：ウェハ  ＷＣ：ウェハチャック  
Ｐ：同面板  ＦＭ：基準マーク  ＩＭＬ：液浸領域
ＮＯＺ：液体供給回収部  ＳＵＰＢ、ＳＵＰＣ：液体供給ライン
ＲＥＴＢ、ＲＥＴＣ：液体回収ライン  
ＳＵＰ：液体供給口  ＲＥＴ：液体回収口  Ａ：気泡発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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