(57)【要約】【課題】不良の表示画素の効率的な修復が可能であり、製造歩留まりを向上でき、階調再現性に優れたアクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型表示装置は、複数の映像信号線ＶＬと、複数の表示画素ＰＸと、を備えている。各表示画素ＰＸは、駆動トランジスタと、表示素子と、出力スイッチと、接続部と、を含んだ複数の画素回路１８ａ、１８ｂと、上記接続部より複数の駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のドレイン側で、複数の駆動トランジスタのドレイン間に接続され、複数のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換える少なくとも１つの切換えスイッチＸＴと、複数の駆動トランジスタのゲートに接続された容量部とを有している。【選択図】      図２
2009122264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の表示画素と、を備え、
前記各表示画素は、
それぞれ表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタと、前記駆動信号が与えられ、前記駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、前記駆動トランジスタのドレイン及び表示素子に接続され、前記駆動信号を前記表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン及び出力スイッチ間並びに前記出力スイッチ及び表示素子間の少なくとも一方に電気的に切断可能に形成された接続部と、を含んだ複数の画素回路と、
前記複数の接続部より前記複数の駆動トランジスタのドレイン側で、前記複数の駆動トランジスタのドレイン間に接続され、前記複数のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換える少なくとも１つの切換えスイッチと、
前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された容量部と、を有しているアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記各出力スイッチは、
前記駆動トランジスタのドレインに接続されたソースと、
前記表示素子に接続されたドレインと、を有し、
前記各出力スイッチのソース又はドレインは、不純物が高濃度に添加されたポリシリコン薄膜又は金属薄膜で形成され、かつ、前記接続部を有している請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記接続部は、他の配線及び電極から外れている請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記接続部の長さは、２μｍ以上である請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記各表示画素の前記複数の駆動トランジスタは同一導電型である請求項５に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記切換えスイッチを導通状態又は非導通状態に切換える駆動部をさらに備え、
前記接続部が切断された表示画素を有し、
前記駆動部は、表示期間に、前記切換えスイッチを導通状態に切換え、かつ、前記接続部が切断されていない画素回路の表示素子に同一の前記画素回路の駆動トランジスタから駆動信号を出力させるとともに、前記接続部が切断された画素回路の前記駆動トランジスタから他の駆動信号を前記切換えスイッチを介して出力させる請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
前記各表示画素の前記複数の出力スイッチは同一に形成され、
前記駆動部は、前記各表示画素の前記複数の出力スイッチを共通の制御信号により同時に開閉制御する請求項６に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の表示画素と、を備え、前記各表示画素は、それぞれ表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタと、前記駆動信号が与えられ、前記駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、前記駆動トランジスタのドレイン及び表示素子に接続され、前記駆動信号を前記表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン及び出力スイッチ間並びに前記出力スイッチ及び表示素子間の少なくとも一方に電気的に切断可能に形成された接続部と、を含んだ複数の画素回路と、前記複数の接続部より前記複数の駆動トランジスタのドレイン側で、前記複数の駆動トランジスタのドレイン間に接続され、前記複数のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換える少なくとも１つの切換えスイッチと、前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された容量部と、を有しているアクティブマトリクス型表示装置の製造方法において、
前記複数の表示素子に駆動信号を出力し、前記表示素子に不良が生じているかどうか検査し、
前記表示素子に不良が生じている場合、不良の前記表示素子を含んだ画素回路の前記接続部を切断するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記接続部を切断する際、前記接続部にレーザ光を照射し、切断する請求項８に記載のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置等が用いられている。有機ＥＬ表示装置は液晶表示装置に用いられるバックライトが不要であるため、製品の薄型化、軽量化、低消費電力化、低コスト化、及び水銀レス化が可能である。有機ＥＬ表示装置は自発光型の表示装置であることから、高視野角及び高速応答といった特徴を有している。上記したことから、有機ＥＬ表示装置は、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、モニタ、及びビューワ等の静止画向け製品だけでなく、ＴＶ（テレビジョン）受像機等の動画向け製品としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板を備えている。アレイ基板は、ガラス基板と、このガラス基板上にマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子とを有している。各有機ＥＬ素子は、１つの画素を形成している。各有機ＥＬ素子は、陽極と、陽極に対向した陰極と、これら陽極及び陰極間に狭持されたＥＬ層とを有している。ＥＬ層は、発光機能を有する有機化合物を含み、赤色、緑色、及び青色の何れかの発光色に発光可能である。
【０００４】
ところで、陽極及び陰極の間隔は、約１μｍと非常に狭い。このため、有機ＥＬ表示装置の製造過程において、陽極及び陰極間で短絡が発生する場合がある。陽極及び陰極間の短絡は、陽極及び陰極間に異物が付着した場合に生じる。異物が付着した画素は滅点となり、発光不能である。滅点の画素が多いと、画質や表示品位が著しく悪化するため、製品を出荷することができない。このため、滅点の画素はリペアする必要がある。
【０００５】
リペア方法としては、陽極及び陰極間の短絡個所にレーザを照射して陽極及び陰極間に高抵抗領域を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、滅点の画素は良点化され、正常な画素として機能する。その他、異物にレーザを照射して異物を除去し、画素を良点化することも可能である。
【特許文献１】特開２００４−２２７８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、異物の形状やサイズは様々であるため、従来のリペア方法では、リペアの成功率が変動し、滅点の画素を良点化できる場合とできない場合とがあった。上記したように、画素の効率的な良点化が困難であるため、安定した製品の生産が困難であった。また、表示品位を向上させるため、画素毎に階調再現性を高める必要がある。
【０００７】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、不良の表示画素の効率的な修復が可能であり、製造歩留まりを向上でき、階調再現性に優れたアクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の表示画素と、を備え、
前記各表示画素は、
それぞれ表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタと、前記駆動信号が与えられ、前記駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、前記駆動トランジスタのドレイン及び表示素子に接続され、前記駆動信号を前記表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン及び出力スイッチ間並びに前記出力スイッチ及び表示素子間の少なくとも一方に電気的に切断可能に形成された接続部と、を含んだ複数の画素回路と、
前記複数の接続部より前記複数の駆動トランジスタのドレイン側で、前記複数の駆動トランジスタのドレイン間に接続され、前記複数のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換える少なくとも１つの切換えスイッチと、
前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された容量部と、を有している。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の表示画素と、を備え、前記各表示画素は、それぞれ表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタと、前記駆動信号が与えられ、前記駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、前記駆動トランジスタのドレイン及び表示素子に接続され、前記駆動信号を前記表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン及び出力スイッチ間並びに前記出力スイッチ及び表示素子間の少なくとも一方に電気的に切断可能に形成された接続部と、を含んだ複数の画素回路と、前記複数の接続部より前記複数の駆動トランジスタのドレイン側で、前記複数の駆動トランジスタのドレイン間に接続され、前記複数のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換える少なくとも１つの切換えスイッチと、前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された容量部と、を有しているアクティブマトリクス型表示装置の製造方法において、
前記複数の表示素子に駆動信号を出力し、前記表示素子に不良が生じているかどうか検査し、
前記表示素子に不良が生じている場合、不良の前記表示素子を含んだ画素回路の前記接続部を切断する。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、不良の表示画素の効率的な修復が可能であり、製造歩留まりを向上でき、階調再現性に優れたアクティブマトリクス型表示装置及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながらこの発明に係るアクティブマトリクス型表示装置、アクティブマトリクス型表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法を、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の駆動方法に適用した実施の形態について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルＤＰおよび有機ＥＬパネルを制御するコントローラ１２を備えている。
【００１３】
有機ＥＬパネルＤＰは、ガラス板等の光透過性を有する絶縁基板８、この絶縁基板上にマトリクス状に配列され表示領域１１を構成したｎ×ｍ個の表示画素ＰＸ、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してｎ本ずつ設けられた走査線ＳＬ１（１〜ｎ）、走査線ＳＬ２（１〜ｎ）、走査線ＳＬ３（１〜ｎ）、走査線ＳＬ４（１〜ｎ）、走査線ＳＬ５（１〜ｎ）、走査線ＳＬ６（１〜ｎ）、表示画素ＰＸの列毎に接続されたｍ本の映像信号線ＶＬ（１〜ｍ）、走査線ＳＬ１（１〜ｎ）、ＳＬ２（１〜ｎ）、ＳＬ３（１〜ｎ）、ＳＬ４（１〜ｎ）、ＳＬ５（１〜ｎ）、ＳＬ６（１〜ｎ）を表示画素ＰＸの行毎に順次駆動する走査線駆動回路１４、及び複数の映像信号線ＶＬ（１〜ｍ）を駆動する信号線駆動回路１５を備えている。
【００１４】
走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５は、表示領域１１の外側で絶縁基板８上に一体的に形成されている。コントローラ１２、走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５は駆動部１０を形成している。  
その他、有機ＥＬパネルＤＰは、絶縁基板８上に形成された電圧電源線ＳＬａ及び基準電圧電源線ＳＬｂを備えている。電圧電源線ＳＬａ及び基準電圧電源線ＳＬｂには、それぞれ定電圧が印加されている。電圧電源線ＳＬａの電位及び基準電圧電源線ＳＬｂの電位を比べた場合、電圧電源線ＳＬａの電位は相対的にハイレベルであり、基準電圧電源線ＳＬｂの電位は相対的にローレベルである。このため、電圧電源線ＳＬａの節点ＮＤ１は高電位電源端子であり、基準電圧電源線ＳＬｂの節点ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００１５】
図２に表示画素ＰＸの等価回路を示す。各表示画素ＰＸは、複数の画素回路１８ａ、１８ｂと、少なくとも１つの切換えスイッチＸＴと、容量部と、リセットスイッチＲＳＴと、書込みスイッチＳＳＴとを備えている。ここで、各表示画素ＰＸは、画素回路を２つ、切換えスイッチＸＴを１つ備えている。
【００１６】
画素回路１８ａは、表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタＤＲＴ１と、駆動信号が与えられ、駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、駆動トランジスタＤＲＴ１のドレイン及び表示素子に接続され、駆動信号を表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチＢＣＴ１と、駆動トランジスタＤＲＴ１のドレイン及び出力スイッチＢＣＴ１間に切断可能に形成された接続部２１と、出力スイッチＢＣＴ１及び表示素子間に切断可能に形成された接続部２３と、キャンセルスイッチＴＣＴ１とを含んでいる。  
なお、画素回路１８ａの表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機ＥＬ素子ＥＬ１である。
【００１７】
出力スイッチＢＣＴ１のソース及びドレインは、不純物が高濃度に添加されたポリシリコン薄膜又は金属薄膜で形成されている。出力スイッチＢＣＴ１のソースは接続部２１を有し、出力スイッチＢＣＴ１のドレインは接続部２３を有している。そして、接続部２１及び接続部２３の少なくとも一方が切断可能に形成されていれば良い。
【００１８】
画素回路１８ｂは、表示させる画像に対応した駆動信号を出力する駆動トランジスタＤＲＴ２と、駆動信号が与えられ、駆動信号に対応した画像を表示する表示素子と、駆動トランジスタＤＲＴ２のドレイン及び表示素子に接続され、駆動信号を表示素子に出力するかどうか切換える出力スイッチＢＣＴ２と、駆動トランジスタＤＲＴ２のドレイン及び出力スイッチＢＣＴ２間に切断可能に形成された接続部２２と、出力スイッチＢＣＴ２及び表示素子間に切断可能に形成された接続部２４と、キャンセルスイッチＴＣＴ２とを含んでいる。  
なお、画素回路１８ｂの表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機ＥＬ素子ＥＬ２である。
【００１９】
出力スイッチＢＣＴ２のソース及びドレインは、不純物が高濃度に添加されたポリシリコン薄膜又は金属薄膜で形成されている。出力スイッチＢＣＴ２のソースは接続部２２を有し、出力スイッチＢＣＴ２のドレインは接続部２４を有している。そして、接続部２２及び接続部２４の少なくとも一方が切断可能に形成されていれば良い。
【００２０】
切換えスイッチＸＴは、接続部２１、２２、２３、２４より駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のドレイン側で、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のドレイン間に接続され、上記ドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換えるものである。すなわち、接続部２１、２２、２３、２４の何れかが切断された場合であっても、切換えスイッチＸＴは、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換えることができる。
【００２１】
容量部は、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲートに接続されている。容量部は、第１容量部Ｃｋ及び第２容量部Ｃｓを有している。ここでは、第１容量部Ｃｋ及び第２容量部Ｃｓはキャパシタである。
【００２２】
書込みスイッチＳＳＴ、切換えスイッチＸＴ、リセットスイッチＲＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ１、出力スイッチＢＣＴ１、キャンセルスイッチＴＣＴ１、駆動トランジスタＤＲＴ２、出力スイッチＢＣＴ２及びキャンセルスイッチＴＣＴ２は、ここでは同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。
【００２３】
書込みスイッチＳＳＴ、切換えスイッチＸＴ、リセットスイッチＲＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ１、出力スイッチＢＣＴ１、キャンセルスイッチＴＣＴ１、駆動トランジスタＤＲＴ２、出力スイッチＢＣＴ２及びキャンセルスイッチＴＣＴ２をそれぞれ構成した薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００２４】
駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のソースは、それぞれ電圧電源線ＳＬａの節点ＮＤ１に接続されている。
【００２５】
キャンセルスイッチＴＣＴ１は、駆動トランジスタＤＲＴ１のゲート及びドレイン間に接続されている。キャンセルスイッチＴＣＴ２は、駆動トランジスタＤＲＴ２のゲート及びドレイン間に接続されている。キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２のゲートは、それぞれ走査線ＳＬ５に接続されている。キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２は、走査線ＳＬ５から供給される制御信号ＣＧに応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。
【００２６】
出力スイッチＢＣＴ１において、ソースは駆動トランジスタＤＲＴ１のドレインに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子ＥＬ１に接続されている。出力スイッチＢＣＴ２において、ソースは駆動トランジスタＤＲＴ２のドレインに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子ＥＬ２に接続されている。出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２のゲートは、それぞれ走査線ＳＬ１に接続されている。出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、走査線ＳＬ１から供給される制御信号ＢＧに応答してオン、オフされる。
【００２７】
有機ＥＬ素子ＥＬ１は、出力スイッチＢＣＴ１のドレイン及び基準電圧電源線ＳＬｂの節点ＮＤ２と接続されている。有機ＥＬ素子ＥＬ２は、出力スイッチＢＣＴ２のドレイン及び基準電圧電源線ＳＬｂと接続されている。
【００２８】
切換えスイッチＸＴは、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のドレイン間に接続され、そのゲートは走査線ＳＬ４に接続されている。切換えスイッチＸＴは、走査線ＳＬ４から供給される制御信号ＸＧに応答してオン、オフされる。
【００２９】
書込みスイッチＳＳＴは、映像信号線ＶＬと第１容量部Ｃｋとの間に接続され、そのゲートは走査線ＳＬ２に接続されている。書込みスイッチＳＳＴは、走査線ＳＬ２から供給される制御信号ＳＧに応答してオン、オフされる。書込みスイッチＳＳＴは、映像信号線ＶＬを介して伝送される基準電圧Ｖｓｉｇ０又は映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を出力させるかどうか切換えるものである。
【００３０】
リセットスイッチＲＳＴは、走査線ＳＬ３及び駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲートの間に接続されている。リセットスイッチＲＳＴのゲートは、走査線ＳＬ６に接続されている。リセットスイッチＲＳＴは、走査線ＳＬ６から供給される制御信号ＲＧに応答してオン、オフされる。リセットスイッチＲＳＴは、走査線ＳＬ３を介して伝送されるリセット電圧ＲＳを出力させるかどうか切換えるものである。
【００３１】
第１容量部Ｃｋは、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート及び書込みスイッチＳＳＴの間に接続されている。より詳しくは、第１容量部Ｃｋの上部電極が駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲートに接続されている。第１容量部Ｃｋの下部電極が書込みスイッチＳＳＴに接続されている。第１容量部Ｃｋは、基準電圧Ｖｓｉｇ０及び映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を保持（記憶）するものである。
【００３２】
第２容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴ１のゲート及びソース間、かつ、駆動トランジスタＤＲＴ２のゲート及びソース間に接続されている。より詳しくは、第２容量部Ｃｓの上部電極が駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲートに接続されている。第２容量部Ｃｓの下部電極が駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のソースに接続されている。第２容量部Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート及びソース間の電位差を保持するものである。
【００３３】
次に図３を参照して、駆動トランジスタＤＲＴ１および有機ＥＬ素子ＥＬ１の構成を詳細に説明する。図３は、有機ＥＬ素子ＥＬ１を含む表示画素ＰＸの断面を示している。  
駆動トランジスタＤＲＴ１を構成したＰチャネル型の薄膜トランジスタは、絶縁基板８上に形成されたポリシリコンからなるチャネル層５０を備え、このチャネル層はソース領域５０ａ、ドレイン領域５０ｂ、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域５０ｃを有している。
【００３４】
チャネル層５０に重ねてゲート絶縁膜５２が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Ｇが設けられチャネル領域５０ｃと対向している。ゲート電極Ｇに重ねて層間絶縁膜５４が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極（ソース）Ｓおよびドレイン電極（ドレイン）Ｄが設けられている。
【００３５】
ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、それぞれ層間絶縁膜５４およびゲート絶縁膜５２に貫通形成されたコンタクトを介してチャネル層５０のソース領域５０ａおよびドレイン領域５０ｂにそれぞれ接続されている。駆動トランジスタＤＲＴ１のドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜５４上に形成された配線（接続部２１等）を介して出力スイッチＢＣＴ１に接続されている。
【００３６】
なお、書込みスイッチＳＳＴ、切換えスイッチＸＴ、リセットスイッチＲＳＴ、出力スイッチＢＣＴ１、キャンセルスイッチＴＣＴ１、駆動トランジスタＤＲＴ２、出力スイッチＢＣＴ２及びキャンセルスイッチＴＣＴ２を構成する各薄膜トランジスタも上記駆動トランジスタＤＲＴ１と同一の構造に形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜５４上には映像信号線ＶＬを含む複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜５４上にはソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、配線を覆って保護膜５６が形成されている。保護膜５６上には、親水膜５８、隔壁膜６０が順に積層されている。
【００３８】
有機ＥＬ素子ＥＬ１は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層６４を陽極６２および陰極６６間に挟持した構造を有している。陽極６２は、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明電極材料から形成され、保護膜５６上に設けられている。親水膜５８および隔壁膜６０の内、陽極６２と対向した部分はエッチングにより除去されている。そして、陽極６２上に陽極バッファ層６３および有機発光層６４が形成され、更に、有機発光層６４および隔壁膜６０に重ねて銀・アルミ合金から成る陰極６６が積層されている。
【００３９】
このような構造の有機ＥＬ素子ＥＬ１では、陽極６２から注入されたホールと、陰極６６から注入された電子とが有機発光層６４の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層６４から透明な陽極６２および絶縁基板８を介して外部へ放出される。
【００４０】
ここで、陰極６６に光透過性をもたせ、絶縁基板８と対向する面から光を外部に取り出してもよい。また、陽極６２を陰極６６に対して絶縁基板８側に配置した逆積層型を採用してもよい。いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えば陰極６６を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。
【００４１】
一方、図１に示すコントローラ１２は有機ＥＬパネルＤＰの外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、及び水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。そして、コントローラ１２は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５に供給すると共に、水平及び垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路１５に供給する。
【００４２】
走査線駆動回路１４は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、図１および図２に示すように、出力バッファを介して各行の表示画素ＰＸにリセット電圧ＲＳ及び５種類の制御信号、すなわち、制御信号ＢＧ、ＳＧ、ＸＧ、ＣＧ、ＲＧを供給する。制御信号ＢＧ、ＳＧ、ＸＧ、ＣＧ、ＲＧは、走査線ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ５、ＳＬ６に供給される。リセット電圧ＲＳは走査線ＳＬ３に供給される。
【００４３】
信号線駆動回路１５は、基準電圧Ｖｓｉｇ０及び映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を映像信号線ＶＬに供給する。  
上述したように、走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５は、絶縁基板８上に実装している。走査線駆動回路１４及び信号線駆動回路１５は、ＣＯＧ（chip on glass）実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００４４】
次に、上記のように構成された有機ＥＬパネルＤＰ（有機ＥＬ表示装置）の製造装置７０について詳述する。この製造装置７０は、不良の表示画素ＰＸの有無を検査し、良点化（リペア）するための装置である。
【００４５】
図４に示すように、製造装置７０は、防振機能を有する本体７１と、この本体によりそれぞれ直交する第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚに移動可能なステージ７２と、レーザ発振器本体７３と、本体７１及びレーザ発振器本体７３を制御可能な制御部７４と、ＣＣＤ７５と、モニタ７６とを有している。レーザ発振器本体７３は、光学系としての対物レンズ７３ａを有している。レーザ発振器本体７３は、レーザを照射することが可能である。レーザ発振器本体７３によって取得されるレーザ照射個所の画像の情報は、ＣＣＤ７５を介してモニタ７６に伝送される。そして、モニタ７６にレーザ照射個所の画像が表示される。
【００４６】
次に、上記のように構成された製造装置７０を用い、不良の表示画素の良点化を図るため、不良の表示画素ＰＸの有無を検査し、不良を生じさせている個所を切断する方法について説明する。
【００４７】
まず、処理対象としての有機ＥＬパネルＤＰを用意する。図５に示すように、この実施の形態において、有機ＥＬパネルＤＰの１つ又は複数の表示画素ＰＸの有機ＥＬ素子ＥＬ２に異物１００が存在する場合について説明する。異物１００は、陽極６２及び陰極６６間に存在している。異物１００は、陽極６２及び陰極６６の短絡に寄与するものであり、異物の存在する有機ＥＬ素子ＥＬ２は発光不能である。この場合、表示画素ＰＸは有機ＥＬ素子ＥＬ１による発光のみとなり、輝度レベル（階調再現性）の低下を招き、不良の表示画素となる。
【００４８】
異物１００としては、陽極６２、陽極バッファ層６３、有機発光層６４及び陰極６６の形成時等、製造工程中に付着した金属や有機物である。また、異物１００が付着した付近では膜の薄い個所や膜の欠落が発生してしまう。すなわち、有機発光層６４が薄く形成される個所や欠落した個所が発生する。上記したことから、異物１００が導電性を有しているか否かを問わず陽極６２及び陰極６６は短絡してしまう。
【００４９】
次に、有機ＥＬパネルＤＰを搬送し、この有機ＥＬパネルＤＰをステージ７２上に配置する。このとき、レーザ発振器本体７３が絶縁基板８に対向するように有機ＥＬパネルＤＰを配置する。その後、有機ＥＬパネルＤＰを駆動して全ての有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２を発光させる。そのため、全ての有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２に駆動信号を出力させる。すると、異物１００が存在する有機ＥＬ素子は表示不良（非発光）となり、表示不良の有機ＥＬ素子は例えば目視により検出される。
【００５０】
次いで、ステージ７２を移動させて表示不良となった有機ＥＬ素子ＥＬ２を含んだ画素回路１８ｂの接続部２２と対物レンズ７３ａとを対向させる。  
図６に示すように、接続部２２は、他の配線及び電極から外れている。より詳しくは、接続部２２は、出力スイッチＢＣＴ２のソースで形成され、第１方向Ｘに、出力スイッチＢＣＴ２、キャンセルスイッチＴＣＴ２、切換えスイッチＸＴ及び駆動トランジスタＤＲＴ２から外れている。第１方向Ｘにおいて、接続部２２の長さＬは２μｍである。なお、接続部２２の長さＬが２μｍ以上であれば、レーザ光による切断を良好に行うことができる。第２方向Ｙにおいて、接続部２２は、他の配線及び電極に間隔を置いて配置されている。
【００５１】
図７に示すように、続いて、レーザ発振器本体７３を用い、対物レンズ７３ａを介して異物１００に所定のレーザ光を照射する。  
図８に示すように、これにより、レーザ光が照射された個所の接続部２２は切断される。そして、接続部２２に切断部２２ａが形成され、接続部２２を電気的に絶縁している。なお、不良の表示画素ＰＸが複数個検出された場合は、それぞれレーザの照射を行なえば良い。
【００５２】
次に、有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２に発光（画像を表示）させる場合の表示画素ＰＸの動作について説明する。ここでは、特に、表示不良となった有機ＥＬ素子ＥＬ２及び切断された接続部２２を含んだ表示画素ＰＸを用いて説明する。
【００５３】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置において、表示画素ＰＸの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、１垂直走査期間に行われる。
【００５４】
ここで、図９は、制御信号ＢＧ、ＲＧ、ＣＧ、ＳＧ、ＸＧのオン、オフタイミングと、基準電圧Ｖｓｉｇ０と、映像信号電圧Ｖｓｉｇ１と、リセット電圧ＲＳとを示すタイミングチャートである。
【００５５】
まず、リセット動作について説明する。  
リセット動作は、リセット期間ｔ１行われる。  
図１０には、リセット期間ｔ１における表示画素ＰＸを示している。
【００５６】
図１、図２、図９及び図１０に示すように、リセット動作では、走査線駆動回路１４から、キャンセルスイッチＴＣＴ１及びキャンセルスイッチＴＣＴ２をオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここでは、ハイレベルの制御信号ＣＧが出力されている状態で、出力スイッチＢＣＴ１及び出力スイッチＢＣＴ２をオフ状態とするオフ電位の制御信号ＢＧが出力される。
【００５７】
同時に、走査線駆動回路１４から、切換えスイッチＸＴをオン状態とするレベル（オン電位）、ここでは、ローレベルの制御信号ＸＧが出力されている状態で、書込みスイッチＳＳＴ及びリセットスイッチＲＳＴをオン状態とするオン電位の制御信号ＳＧ、ＲＧが出力される。
【００５８】
このため、出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２がオフ、書込みスイッチＳＳＴ及びリセットスイッチＲＳＴがオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート電位がオン電位に設定されるとともに第１容量部Ｃｋの書込みスイッチＳＳＴ側の電極（下部電極）が、走査線駆動回路１４から、映像信号線ＶＬ及び書込みスイッチＳＳＴを介して供給される基準電圧Ｖｓｉｇ０により基準電位(Ｖｓｉｇ０)に設定される。
【００５９】
次に、キャンセル動作について説明する。  
キャンセル動作は、リセット期間ｔ１に続くキャンセル期間ｔ２に行われる。  
図１１には、キャンセル期間ｔ２における表示画素ＰＸを示している。
【００６０】
図１、図２、図９及び図１１に示すように、キャンセル動作では、走査線駆動回路１４から、出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２にオフ電位の制御信号ＢＧの出力が維持され、書込みスイッチＳＳＴ及び切換えスイッチＸＴにオン電位の制御信号ＳＧ、ＸＧの出力が維持され、リセットスイッチＲＳＴにオフ電位の制御信号ＲＧが出力され、キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２にオン電位の制御信号ＣＧが出力される。
【００６１】
このため、リセットスイッチＲＳＴがオフ、キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２がオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート及びドレインの電位は同電位になり、その状態を保ったまま駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２にキャンセル電流が流れ、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート及びソースの間の電圧は閾値電圧に徐々に近づいて行くことになる。
【００６２】
この実施の形態において、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート及びソースの間の電圧は閾値電圧に到達し、第１容量部Ｃｋには閾値電圧に相当する電位差が保持（記憶）される。
【００６３】
次に、書込み動作について説明する。  
書込み動作は、キャンセル期間ｔ２に続く書込み期間ｔ３に行われる。ここで、リセット期間ｔ１、キャンセル期間ｔ２及び書込み期間ｔ３の合計の長さは、１水平走査期間（１Ｈ）である。  
図１２には、書込み期間ｔ３における表示画素ＰＸを示している。
【００６４】
図１、図２、図９及び図１２に示すように、書込み動作では、走査線駆動回路１４から、出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２及びリセットスイッチＲＳＴにオフ電位の制御信号ＢＧ、ＲＧの出力が維持され、書込みスイッチＳＳＴにオン電位の制御信号ＳＧの出力が維持され、キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２にオフ電位の制御信号ＣＧが出力される。
【００６５】
このため、キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２がオフに切換えられる。これにより、第１容量部Ｃｋの書込みスイッチＳＳＴ側の電極（下部電極）の電位は、信号線駆動回路１５から、映像信号線ＶＬ及び書込みスイッチＳＳＴを介して供給される映像信号電圧Ｖｓｉｇ１により、基準電位（Ｖｓｉｇ０）から映像信号電位（Ｖｓｉｇ１）に変位される。
【００６６】
すなわち、有機ＥＬ素子ＥＬ１に表示させる画像の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を書込みスイッチＳＳＴを介して第１容量部Ｃｋに印加し第１容量部Ｃｋに記憶させる。
【００６７】
このため、画像の階調を得るための電位だけ駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート電位を変位させることができる。言い換えると、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２のゲート電位は、所望の発光電流を流すことができる状態に設定される。
【００６８】
なお、表示画素ＰＸが表示不良でない場合、有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２に表示させる画像の階調に対応させた映像信号電圧Ｖｓｉｇ１を第１容量部Ｃｋに印加し第１容量部Ｃｋに記憶させる。
【００６９】
次に、発光動作について説明する。  
発光動作は、書込み期間ｔ３に続く表示期間としての発光期間ｔ４に行われる。発光期間ｔ４の長さは、例えば、リセット期間ｔ１の開始から１垂直走査期間が終了するまでの間である。  
図１３には、発光期間ｔ４における表示画素ＰＸを示している。
【００７０】
図１、図２、図９及び図１３に示すように、発光動作では、走査線駆動回路１４から、キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２及びリセットスイッチＲＳＴにオフ電位の制御信号ＣＧ、ＲＧの出力が維持され、切換えスイッチＸＴにオン電位の制御信号ＸＧの出力が維持され、書込みスイッチＳＳＴにオフ電位の制御信号ＳＧが出力され、出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２にオン電位の制御信号ＢＧが出力される。
【００７１】
このため、書込みスイッチＳＳＴがオフ、出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２がオンに切換えられる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴ１から駆動信号を有機ＥＬ素子ＥＬ１に出力させ、駆動トランジスタＤＲＴ２から駆動信号を切換えスイッチＸＴを介して有機ＥＬ素子ＥＬ１に出力させる。言い換えると、有機ＥＬ素子ＥＬ１に、表示画素ＰＸに表示させる画像の階調に応じた駆動電流が与えられる。
【００７２】
なお、表示画素ＰＸが表示不良でない場合、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２からの駆動信号は有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２に出力される。言い換えると、有機ＥＬ素子ＥＬ１、ＥＬ２に、表示画素ＰＸに表示させる画像の階調に応じた駆動電流が与えられる。
【００７３】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の駆動方法によれば、表示画素ＰＸは、２つの画素回路１８ａ、１８ｂ及び１つの切換えスイッチＸＴを備えている。有機ＥＬ素子ＥＬ２の不良に起因した表示不良の表示画素ＰＸがある場合、不良の有機ＥＬ素子ＥＬ２を含んだ画素回路１８ｂの接続部２２を切断し、電気的に絶縁している。
【００７４】
このため、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２から有機ＥＬ素子ＥＬ２への駆動信号の流れ込みを防止することができる。これにより、駆動トランジスタＤＲＴ１、ＤＲＴ２からの駆動信号を全て有機ＥＬ素子ＥＬ１に出力することができる。すなわち、表示画素ＰＸに表示させる画像の階調に応じた駆動電流が有機ＥＬ素子ＥＬ１に与えられる。上記したように、不良の有機ＥＬ素子ＥＬ２を有した表示画素ＰＸであっても、この表示画素ＰＸの階調再現性を高めることができる。
【００７５】
接続部２１、２２、２３、２４は、不純物が高濃度に添加されたポリシリコン薄膜又は金属薄膜で形成されている。このため、レーザ光により容易に接続部を切断することができる。
【００７６】
接続部２２は、他の配線及び電極から外れている。このため、レーザ光による切断を良好に行うことができる。なお、接続部２１、２３、２４も、接続部２２と同様、他の配線及び電極から外れ設けられていても良い。
【００７７】
出力スイッチＢＣＴ１、ＢＣＴ２は、それぞれＰチャネル型のトランジスタで形成され、共通の制御信号ＢＧにより開閉制御される。制御信号の数を削減できるため、消費電力の削減を図ることができる。  
キャンセルスイッチＴＣＴ１、ＴＣＴ２は、それぞれＰチャネル型のトランジスタで形成され、共通の制御信号ＣＧにより開閉制御される。制御信号の数を削減できるため、消費電力の削減を図ることができる。
【００７８】
上記したことから、不良の表示画素の効率的な修復が可能であり、製造歩留まりを向上でき、階調再現性に優れた有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の駆動方法を得ることができる。
【００７９】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００８０】
例えば、図１４に示すように、リセット期間ｔ１、キャンセル期間ｔ２及び書込み期間ｔ３に、切換えスイッチＸＴをオフ状態とするレベル（オフ電位）の制御信号ＸＧを出力しても良い。
【００８１】
図１５に示すように、出力スイッチＢＣＴ１及び出力スイッチＢＣＴ２は、独立して開閉制御されても良い。この場合、有機ＥＬパネルＤＰは、走査線駆動回路１４に接続された走査線ＳＬ７を備えている。出力スイッチＢＣＴ２のゲートは、走査線ＳＬ７に接続されている。出力スイッチＢＣＴ１は、走査線ＳＬ１から供給される制御信号ＢＧ１に応答してオン、オフされる。出力スイッチＢＣＴ２は、走査線ＳＬ７から供給される制御信号ＢＧ２に応答してオン、オフされる。  
上記したように有機ＥＬパネルＤＰを構成することで、例えば、不良の有機ＥＬ素子の検出に効果的である。
【００８２】
画素回路１８ａは、接続部２１又は接続部２３を有していれば良い。画素回路１８ｂは、接続部２２又は接続部２４を有していれば良い。有機ＥＬ素子ＥＬ１が不良の場合、不良の有機ＥＬ素子ＥＬ１を含んだ画素回路１８ａの接続部２１及び接続部２３の少なくとも一方を切断すれば良い。有機ＥＬ素子ＥＬ２が不良の場合、不良の有機ＥＬ素子ＥＬ２を含んだ画素回路１８ｂの接続部２２及び接続部２４の少なくとも一方を切断すれば良い。
【００８３】
図１６に示すように、表示画素ＰＸは、３つ以上の画素回路及び２つ以上の切換えスイッチＸＴを有していても良い。例えば、表示画素ＰＸが３つの画素回路１８ａ、１８ｂ、１８ｃを有している場合、表示画素ＰＸは、２つの切換えスイッチＸＴを有している。
【００８４】
画素回路１８ｃは、画素回路１８ａ、１８ｂと同様に形成され、駆動トランジスタＤＲＴ３、出力スイッチＢＣＴ３、キャンセルスイッチＴＣＴ３及び接続部２５、２６を有している。
【００８５】
画素回路１８ｂ及び画素回路１８ｃを接続する切換えスイッチＸＴは、接続部２２、２４、２５、２６より駆動トランジスタＤＲＴ２、ＤＲＴ３のドレイン側で、駆動トランジスタＤＲＴ２、ＤＲＴ３のドレイン間に接続され、上記ドレイン間を導通状態又は非導通状態に切換えるものである。
【００８６】
また、表示画素ＰＸの回路構成は上述した実施の形態に限定されるものではなく、上述した実施の形態と同様の電圧信号方式の表示画素ＰＸに上述した有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の駆動方法を適用しても、上述した実施の形態と同様の効果を得ることが期待できる。
【００８７】
書込みスイッチＳＳＴ、切換えスイッチＸＴ、リセットスイッチＲＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ１、出力スイッチＢＣＴ１、キャンセルスイッチＴＣＴ１、駆動トランジスタＤＲＴ２、出力スイッチＢＣＴ２及びキャンセルスイッチＴＣＴ２等は、Ｐチャネル型のトランジスタに限らず、Ｎチャネル型のトランジスタにより構成してもよい。  
この発明は、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の駆動方法に限定されるものではなく、アクティブマトリクス型表示装置、アクティブマトリクス型表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法であれば適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】上記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す図。
【図３】上記有機ＥＬ表示装置の駆動トランジスタ及び有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図４】上記有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す概略構成図。
【図５】上記有機ＥＬ素子に異物が存在した状態を示す有機ＥＬ表示装置の拡大断面図。
【図６】上記有機ＥＬ素子の一部を示す拡大平面図であり、特に、接続部を示す図。
【図７】上記接続部にレーザ光を照射している状態を示す有機ＥＬ表示装置の断面図。
【図８】上記接続部に切断部が形成されている状態を示す表示画素の等価回路を示す図。
【図９】上記有機ＥＬ表示装置の駆動方法における制御信号のオン、オフ（ｈｉｇｈ、ｌｏｗ）タイミングを示すタイミングチャートであり、基準電圧、映像信号電圧及びリセット電圧を併せて示す図。
【図１０】上記有機ＥＬ表示装置のリセット動作における表示画素の等価回路を示す図。
【図１１】上記有機ＥＬ表示装置のキャンセル動作における表示画素の等価回路を示す図。
【図１２】上記有機ＥＬ表示装置の書込み動作における表示画素の等価回路を示す図。
【図１３】上記有機ＥＬ表示装置の発光動作における表示画素の等価回路を示す図。
【図１４】上記有機ＥＬ表示装置の駆動方法における制御信号のオン、オフ（ｈｉｇｈ、ｌｏｗ）タイミングの変形例を示すタイミングチャートであり、基準電圧、映像信号電圧及びリセット電圧を併せて示す図。
【図１５】上記有機ＥＬ表示装置の表示画素の変形例を示す図であり、表示画素を等価回路で示す図。
【図１６】上記有機ＥＬ表示装置の表示画素の他の変形例を示す図であり、表示画素を等価回路で示す図。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＰ…有機ＥＬパネル、１０…駆動部、１４…走査線駆動回路、１５…信号線駆動回路、ＶＬ…映像信号線、ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＬ３，ＳＬ４，ＳＬ５，ＳＬ６，ＳＬ７…走査線、ＳＬａ…電圧電源線、ＳＬｂ…基準電圧電源線ＳＬ、ＰＸ…表示画素、ＸＴ…切換えスイッチ、ＲＳＴ…リセットスイッチ、１８ａ，１８ｂ，１８ｃ…画素回路、ＳＳＴ…書込みスイッチ、ＥＬ１，ＥＬ２…有機ＥＬ素子、Ｃｋ…第１容量部、Ｃｓ…第２容量部、ＤＲＴ１，ＤＲＴ２，ＤＲＴ３…駆動トランジスタ、ＢＣＴ１，ＢＣＴ２，ＢＣＴ３…出力スイッチ、ＴＣＴ１，ＴＣＴ２，ＴＣＴ３…キャンセルスイッチ、２１，２２，２３，２４，２５，２６…接続部、２２ａ…切断部、６２…陽極、６４…有機発光層、６６…陰極、７０…製造装置、１００…異物、ｔ１…リセット期間、ｔ２…キャンセル期間、ｔ３…書込み期間、ｔ４…発光期間、ＢＧ，ＢＧ１，ＢＧ２，ＲＧ，ＣＧ，ＳＧ，ＸＧ…制御信号、ＲＳ…リセット電圧、Ｖｓｉｇ０…基準電圧、Ｖｓｉｇ１…映像信号電圧。
【図１】
2009122264.tif 000003
【図２】
2009122264.tif 000004
【図３】
2009122264.tif 000005
【図４】
2009122264.tif 000006
【図５】
2009122264.tif 000007
【図６】
2009122264.tif 000008
【図７】
2009122264.tif 000009
【図８】
2009122264.tif 000010
【図９】
2009122264.tif 000011
【図１０】
2009122264.tif 000012
【図１１】
2009122264.tif 000013
【図１２】
2009122264.tif 000014
【図１３】
2009122264.tif 000015
【図１４】
2009122264.tif 000016
【図１５】
2009122264.tif 000017
【図１６】
2009122264.tif 000018