(57)【要約】【課題】  表面における光反射が防止されるインプリント用透明モールド構造体等の提供。【解決手段】  本発明のインプリント用透明モールド構造体１は、透明基板２と、前記透明基板２の一方の表面５に配設される複数個の凸部３と、前記透明基板２の他方の表面７に形成される反射防止層４と、を備える。該反射防止層４は、例えば、ＭｇＦ２などからなる。該インプリント用透明モールド構造体１は、波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対する全光線透過率が８５％以上であることが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の一方の表面に配設される複数個の凸部と、
前記透明基板の他方の表面に形成される反射防止層と、を備えることを特徴とするインプリント用透明モールド構造体。
【請求項２】
波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対する全光線透過率が８５％以上である請求項１に記載のインプリント用透明モールド構造体。
【請求項３】
加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリント層に、請求項１又は２に記載のインプリント用透明モールド構造体の凸部を押し当てつつ、反射防止層を介して光を照射し、該インプリント層を硬化させて、前記加工基材の表面にパターンを形成することを特徴とするインプリント方法。
【請求項４】
インプリント層に照射される光の波長のピークが、２５０ｎｍ〜４００ｎｍにある請求項３に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高記録密度化可能な磁気記録媒体として、ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアが注目されている。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性領域を備え、個々のトラックが磁気的に分離されている。そのため、記録密度を高めるために、トラック間隔を狭く設定しても、隣接トラック間の磁気的干渉（クロストーク）を非磁性領域によって抑制できるという特徴を有する。
パターンドメディアは、一定の距離を保って規則的に配列した、信号記録のためのビットを有する。個々のビットは独立しているため、ビット間隔を狭く設定して記録密度を高めても、熱揺らぎの影響を受け難いという特徴を有する。
【０００３】
前記ディスクリートトラックメディア及びビットパターンドメディアの製造において、インプリント用透明モールド構造体が用いられる。該透明モールド構造体は、石英等の透明材料かならなり、磁性材料からなる加工基材の表面にレジストパターンを形成するために用いられる。
該レジストパターンは、前記加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリントレジスト層に、該透明モールド構造体の有する凸部を押し当て、該透明モールド構造体越しに、外部から光を照射し、該インプリントレジスト層を硬化することによって、得られる。
【０００４】
前記透明モールド構造体は、インプリントレジスト層の硬化において、外部より照射された光の一部を、表面で反射してしまう。該透明モールド構造体の表面で反射された光は、該インプリント層の硬化に利用されず、浪費されており、問題となっている。
【０００５】
例えば、特許文献１は、表面に微細パターンを有し、波長２００ｎｍ〜５００ｎｍにおける透過率が９０％以上である透明モールド構造体を開示する。しかしながら、該透明モールド構造体は、照射された光のうち、３〜４％の光が表面で反射されてしまい、問題である。
【０００６】
特許文献２は、ダイヤモンド状薄膜が表面に形成された成形用スタンパーを開示する。しかしながら、該ダイヤモンド状薄膜は、反射防止機能を有しておらず、照射された光のうち、３〜４％の光は該スタンパー表面で反射されてしまい、問題である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１８２０１１号公報
【特許文献２】特許第２８２６８２７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、表面における光反射が防止されるインプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞  透明基板と、前記透明基板の一方の表面に配設される複数個の凸部と、前記透明基板の他方の表面に形成される反射防止層と、を備えることを特徴とするインプリント用透明モールド構造体である。
該＜１＞に係るインプリント用透明モールド構造体は、透明基板の表面に備えられた反射防止層によって、光の反射を防止する。
＜２＞  波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対する全光線透過率が８５％以上である前記＜１＞に記載のインプリント用透明モールド構造体である。
＜３＞  加工基材の表面に形成された光硬化性樹脂からなるインプリント層に、前記＜１＞又は＜２＞に記載のインプリント用透明モールド構造体の凸部を押し当てつつ、反射防止層を介して光を照射し、該インプリント層を硬化させて、前記加工基材の表面にパターンを形成することを特徴とするインプリント方法である。
＜４＞  インプリント層に照射される光の波長のピークが、２５０ｎｍ〜４００ｎｍにある前記＜３＞に記載のインプリント方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、表面における光反射が防止されるインプリント用透明モールド構造体、及び該インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明のインプリント用透明モールド構造体について、図面を参照して説明する。
〔インプリント用透明モールド構造体〕
図１は、本発明の一実施形態に係るインプリント用透明モールド構造体の概略を示す部分断面斜視図である。該透明モールド構造体１は、透明基板２と、凸部３と、反射防止層５とを備える。該透明モールド構造体１は、例えば、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体を製造する際に用いられる。
【００１２】
（透明基板）
前記透明基板２は、波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対する全光線透過率が８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが特に好ましい。
該透過率が８５％未満であると、光硬化性樹脂を硬化させるために光量の増加や光照射時間を長くする必要があり、光源の寿命低下やスループットが低下するといった問題が発生することがある。
前記透過率は、分光光度計を用いて測定できる。
該透過率の測定方法は、バックグラウンド補正を行った後、サンプルをセットし、垂直に光を入射させて、サンプルを透過した後の透過光量を測定し、入射光量と比較することにより、以下の式より求められる。
透過率（％）＝透過光量／入射光量×１００
【００１３】
前記透明基板２の材料としては、前記透過率を満足し、適度な強度を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、石英（ＳｉＯ２）、サファイア、ダイヤモンド、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂等の透明樹脂等が用いられる。該透明基板２としては、石英が最も好ましい。
なお、前記「適度な強度」とは、例えば、該透明基板２を含む該透明モールド構造体１が、加工基材上のインプリントレジスト層に押し当てられ、加圧された際に、耐え得る強度を意味する。
【００１４】
前記透明基板２の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、０．１ｍｍ〜３．０ｍｍが好ましく、０．３ｍｍ〜１．５ｍｍがより好ましい。
前記透明基板２の厚みが０．１ｍｍ未満であると、インプリント時の圧力で割れることがあり、３．０ｍｍを超えると、硬化した光硬化性樹脂をモールドから剥離する際に難しくなることがある。
【００１５】
前記透明基板２の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアの製造に用いられるインプリント用透明モールド構造体１においては、円板状の透明基板２が好ましく用いられる。なお、他の実施形態においては、角型であって構わない。
【００１６】
（凸部）
前記凸部３は、前記透明基板２の一方の表面５において、複数個配設されている。前記凸部３は、所定の間隔をおいて、前記表面５上に形成されている。該凸部３間には、凹部６がある。
前記透明モールド構造体１が、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体の製造に用いられるものである場合、該凸部３は、該磁気記録媒体のデータ部、アライメント部分、サーボ部等に対応している。該凸部３が、データ部に対応する場合、該凸部３は、円板状の透明基板２の表面５において、同心円状に配設される。また、該凸部３が、サーボ部に対応する場合、該凸部３は、円板状の透明基板２の表面５において、放射状に配設される。
【００１７】
前記凸部３の高さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、１０ｎｍ〜８００ｎｍが好ましく、３０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。なお、該凸部３の高さとは、前記透明基板２の表面５（基準面）からの高さである。
【００１８】
前記凸部３の幅は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、１ｎｍ以上が好ましく、２ｎｍがより好ましい。なお、該凸部３の幅とは、表面５に沿った方向において、該凸部３の厚みが最も小さい部分である。したがって、ディスクリートトラックメディア等を製造するためのインプリント用透明モールド構造体１においては、通常、円板状の透明基板２上に配設された凸部３の半径方向の厚みが、該凸部３の幅となる。
【００１９】
前記凸部３は、前記透明基板２に延設されており、該透明基板２と一体的に形成されていることが好ましい。
【００２０】
（反射防止層）
前記反射防止層４は、前記透明基板２の他方の表面７上に形成される。
前記反射防止層４の材料としては、ＳｉＯ２、Ｚｒ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物、ＭｇＦ２、ＢａＦ２、ＣａＦ２、ＧｄＦ３、ＤｙＦ３、ＹＦ３、ＰｂＦ３、ＡｌＦ３、ＬａＦ３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＳｒＦ２、Ｎａ３ＡｌＦ６、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４等の無機ハロゲン化物等を使用できる。
【００２１】
前記反射防止層４の厚みとしては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択され、１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。
【００２２】
前記反射防止層４の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の公知の薄膜形成法を適用できる。
【００２３】
前記反射防止層４の反射率は、３％以下が好ましく、２％以下がより好ましく、１％以下が更に好ましい。
該反射防止層４の反射率は、分光光度計によって測定できる。該分光光度計としては、例えば、島津製作所製、ＵＶ−３１００ＰＣ等を用いることができる。
【００２４】
前記反射防止層４の屈折率、厚み等は、特開昭５８−４６３９１号公報、特開昭５９−４９５０１号公報等に記載の公知技術を基にして、適宜、設計できる。
なお、反射防止層を形成する前に、モールドを洗浄することが好ましい。
【００２５】
前記反射防止層４は、帯電によるゴミ付着防止のため、ＩＴＯ等の導電物質を、含んでもよい。前記反射防止層４は、単層であってもよいし、多層であってもよい。
【００２６】
前記反射防止層４が、該透明モールド構造体１の表面７に形成されていると、外部から照射された光を、反射させることなく、内部に導くことができる。なお、本発明の反射防止層４は、耐擦傷性を向上させるという機能も有する。
【００２７】
〔インプリント用透明モールド構造体の製造方法〕
以下、一実施形態に係るインプリント用透明モールド構造体の製造方法を、図面を参照して説明する。
【００２８】
（原盤の作製）
図２は、インプリント用透明モールド構造体の製造に用いられる原盤の製造方法を示す説明図である。
図２（ａ）に示されるように、Ｓｉ基板１０上に、スピンコート等によりポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のフォトレジスト液を塗布して、フォトレジスト層２１を形成する。
【００２９】
その後、図２（ｂ）に示されるように、Ｓｉ基板１０を回転させながら、該フォトレジスト層２１に、サーボ信号等に対応させて変調したレーザー光１１（又は電子ビーム）を照射（露光）し、フォトレジスト層２１に所定のパターン(例えば、サーボパターン)を形成する。なお、図２（ｂ）において、露光部分は、符号１２で示される。
【００３０】
その後、図２（ｃ）に示されるように、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分１２を除去する。該露光部分１２が除去されると、該Ｓｉ基板１０上に、フォトレジスト層２１からなるレジストパターンが現れる。
【００３１】
その後、図２（ｄ）に示されるように、該レジストパターンをマスクとして、反応性エッチング（ＲＩＥ）等の選択エッチング行う。該選択エッチングにより、該レジスト層２１が形成されていない部分１３は、掘り下げられる。該選択エッチング後、該Ｓｉ基板１０の表面に、複数の凸部１４が形成される。該凸部１４の間には、凹部１５が形成される。
【００３２】
その後、図２（ｅ）に示されるように、前記凸部１４上に残存している該レジスト層２１を除去すると、表面に凸部１４が形成された原盤１６が得られる。
【００３３】
（インプリント用透明モールド構造体の作製）
次いで、前記原盤１６を用いたインプリント用透明モールド構造体の製造方法を説明する。図３は、インプリント用透明モールド構造体の製造方法を示す説明図である。
図３（ｆ）に示されるように、石英基板（透明原基板）１７の表面に、インプリントレジスト液を塗布し、インプリントレジスト層２２を形成する。インプリントレジスト液は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有する。
【００３４】
その後、図３（ｇ）に示されるように、前記インプリントレジスト層２２に、前記原盤１６の凸部１４が押し当てられる。該インプリントレジスト層２２は、該凸部１４の間の凹部１５内に存在している。
その後、該インプリントレジスト層２２の硬化が硬化される。例えば、該インプリントレジスト層２２が光硬化性樹脂からなる場合、該石英基板（透明原基板）を介して、紫外線等の光が照射され、該インプリントレジスト層２２が硬化される。
【００３５】
その後、図３（ｈ）に示されるように、原盤１６を取り除くと、該石英基板（透明原基板）の表面に、硬化したインプリントレジスト層２２からなるレジストパターンが現れる。
その後、該レジストパターンをマスクとして、該石英基板（透明原基板）に、ＲＩＥ等の選択エッチングを行い、該石英基板（透明原基板）の表面を掘り下げる。すると、図３（ｉ）に示されるように、透明基板２の表面５に、凸部３が形成される。
【００３６】
その後、図３（ｊ）に示されるように、凸部３の表面に残存する該レジスト層２２を除去する。
【００３７】
その後、図３（ｋ）に示されるように、透明基板２の凸部３が形成されていない、他の表面７に、ＭｇＦ２からなる反射防止層４を、スパッタリング法により形成する。このようにして、反射防止層４を備えるインプリント用透明モールド構造体を製造できる。
【００３８】
〔磁気記録媒体の製造方法〕
以下、前記インプリント用透明モールド構造体を用いた、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【００３９】
（インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法）
図４は、磁気記録媒体の製造工程における、インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント工程を示す説明図である。
図４（ｌ）に示されるように、加工基材としての磁性層１８の表面に、光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト液を塗布し、インプリントレジスト層２３を形成する。前記磁性層１８は、例えば、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等からなる。なお、該磁性層１８は、アルミニウム、ガラス、石英等からなる基板１９上に形成されている。
【００４０】
その後、図４（ｍ）に示されるように、前記インプリントレジスト層２３に、インプリント用透明モールド構造体１の凸部３を押し当てる。該インプリント用透明モールド構造体１の凸部３が押し当てられると、該インプリントレジスト層２３は、該凸部３間の凹部６に充填される。
【００４１】
その後、図４（ｎ）に示されるように、該透明モールド構造体１の反射防止層４を介して、光２０が照射され、該凹部６内のインプリントレジスト層２３が硬化される。該光２０は、図示されない光照射手段より、照射される。
該光照射手段（光源）としては、例えば、水銀ランプ、キセノン光、ＵＶレーザー、ＵＶ−ＬＥＤ等が挙げられる。
なお、該光源に偏光がある場合は、光路に４／λ波長板を設定してもよい。
【００４２】
前記インプリントレジスト層２３のλｍａｘとしては、２５０ｎｍ〜４００ｎｍが好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍが更に好ましい。
なお該λｍａｘとは、該インプリントレジスト層２３に用いられる光硬化性樹脂中に含まれる光重合開始剤の最大吸収波長のことである。
【００４３】
該透明モールド構造体１は、反射防止層４を備えているため、表面７における反射が抑制される。その結果、前記光照射手段からの光を無駄なく、前記インプリントレジスト層２３の硬化に利用でき、該光照射手段の長寿命化、スループット低減、製造コスト削減を図れる。
【００４４】
その後、図４（ｏ）に示されるように、該透明モールド構造体１を取り除くと、加工基材としての磁性層１８の表面に、硬化したインプリントレジスト層２３からなるレジストパターンが形成される。
【００４５】
図５は、磁気記録媒体の製造工程を示す説明図である。
図５（ｐ）に示されるように、前記インプリントレジスト層２３からなるレジストパターンをマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、イオントリミング法等により、加工基材である磁性層１８の所定箇所の表面を掘り下げる。
【００４６】
その後、図５（ｑ）に示されるように、磁性層１８の表面に残存するインプリントレジスト層２３を除去する。
【００４７】
その後、図５（ｒ）に示されるように、磁性層１８の間の隙間を、非磁性材料２０で充填する。該非磁性材料２０としては、例えば、ＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等の樹脂、円滑油等がある。
なお、必要に応じて、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等からなる保護層、及びフッ素樹脂等からなる潤滑剤層を、該磁性層１８及び非磁性材料２０の表面に形成してもよい。
以上のようにして、磁気記録媒体３０が得られる。  
【実施例】
【００４８】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００４９】
〔実施例１〕
＜インプリント用透明モールド構造体１の作製＞
（原盤の作製）
円板状のＳｉ基板を用意し、該Ｓｉ基板上に、電子線レジストをスピンコート法により塗布し、該Ｓｉ基板上に、厚み１００ｎｍのレジスト層を形成した。その後、回転式電子線露光装置を用いて該レジスト層を露光し、現像した。このようにして、Ｓｉ基板の表面にレジストパターンを形成した。
【００５０】
その後、該レジストパターンをマスクとして用い、以下の条件で、反応性イオンエッチングを行い、該Ｓｉ基板の表面を掘り下げ、凸部からなるパターンを形成した。
＜反応性エッチングの条件＞
プラズマ源：ＩＣＰ型（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）
ガス：ＣＦ系ガス、及び微量の水素ガス
圧力：０．５Ｐａ
投入電力：ＩＣＰ＝３００Ｗ、Ｂｉａｓ＝５０Ｗ
【００５１】
その後、残存するレジストを、可溶溶剤を用いて洗浄除去し、前記Ｓｉ基板を乾燥して、原盤を得た。
原盤に形成されたパターンは、大別すると、データ部と、サーボ部とからなる。
該データ部は、凸幅：１２０ｎｍ、凹幅：３０ｎｍ（ＴＰ＝１５０ｎｍ）のパターンからなる。
該サーボ部は、最内周でのサーボ基本ビット長が９０ｎｍ、総セクタ数が２４０、プリアンブル（４５ｂｉｔ）／サーボマーク（１０ｂｉｔ）／ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ（３２ｂｉｔ）／Ｂｕｒｓｔパターンで構成される。
該サーボマーク部は、“００００１０１０１１”であり、ＳｅｃｔｏｒがＢｉｎａｒｙ、ＣｙｌｉｎｄｅｒはＧｒａｙ変換を用いる。Ｂｕｒｓｔ部は一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
【００５２】
（モールド構造体の作製）
石英基板（透明原基材）の表面に、光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社：ＰＡＫ−０１）を、スピンコート法により塗布し、該石英基板の表面に、インプリントレジスト層を形成した。
次いで、該インプリントレジスト層に、前記原盤を押し当てた状態で、紫外線を照射し、該インプリントレジスト層を硬化して、該原盤のパターンが転写されたインプリントレジスト層を、該石英基板の表面に形成した。
【００５３】
その後、該原盤を取り除き、原盤のパターンが転写されたインプリントレジスト層からなるパターンを、マスクとして用いて、以下の条件で、反応性イオンエッチングを行い、該石英基板（透明原基板）の表面を掘り下げ、一方の表面に凸部が配設された透明基板２を得た。
＜反応性エッチングの条件＞
プラズマ源：ＩＣＰ型（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）
ガス：ＣＦ系ガスとＡｒガスの１：１混合ガス、及び微量の水素ガス
圧力：０．５Ｐａ
投入電力：ＩＣＰ＝３００Ｗ、Ｂｉａｓ＝６０Ｗ
【００５４】
その後、凸部に残存するレジストを、可溶溶剤を用いて洗浄除去した。
【００５５】
その後、凸部が形成されていない側の表面に、反射防止層４としてのＭｇＦ２等からなる膜（４層：第１層４ａ、第２層４ｂ、第３層４ｃ、及び第４層４ｃ）を、図６に示されるように、スパッタリング法により形成した。
形成された反射防止層４等の屈折率、厚み及び組成を、表１に示した。
【００５６】
【表１】
2009241308.tif 000003
【００５７】
以上のようにして、反射防止層４を備えたインプリント用透明モールド構造体１を得た。なお、図６における符号Ａで示される矢印は、光源が入射される様子を表す。
【００５８】
〔評価〕
分光光度計を用いて、透過率の評価を行った。
前記分光光度計を用いて、波長２００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対する全光線透過率を求めた。
その結果、透明基板２（石英モールド）及び反射防止膜４からなるインプリント用透明モールド構造体１の透過率は、８５％であった。
また、反射防止膜４自身の反射率は、０．５％であった。
【００５９】
〔比較例〕
反射防止膜を形成しないこと以外は、前記実施例と同様にして、インプリント用透明モールド構造体（透明基板２）を得た。
また、実施例１と同様にして、透過率の評価を行った。
その結果、透明基板２（石英モールド）からなる透明モールド構造体の透過率は、８２．５％であった。
また、該透明モールド構造体の表面の反射率は、３％であった。
【００６０】
以上より、実施例１のインプリント用透明モールド構造体１は、反射防止膜４を備えたことにより、比較例の透明モールド構造体と比べて、表面の反射率を低減できることが確かめられた。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、インプリント用透明モールド構造体の概略を示す部分断面斜視図である。
【図２】図２は、インプリント用透明モールド構造体の製造に用いられる原盤の製造方法を示す説明図である。
【図３】図３は、インプリント用透明モールド構造体の製造方法を示す説明図である。
【図４】図４は、インプリント用透明モールド構造体を用いたインプリント方法を示す説明図である。
【図５】図５は、磁気記録媒体の製造方法を示す説明図である。
【図６】図６は、インプリント用透明モールド構造体の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１        インプリント用透明モールド構造体
２        透明基板
３        凸部
４        反射防止層
５        凹部
６        透明基板の一方の表面
７        透明基板の他方の表面
【図１】
2009241308.tif 000004
【図２】
2009241308.tif 000005
【図３】
2009241308.tif 000006
【図４】
2009241308.tif 000007
【図５】
2009241308.tif 000008
【図６】
2009241308.tif 000009