(57)【要約】【課題】  ランドと基材、およびランドとコンタクト部材の接合強度を向上させることができ、かつ衝撃に対する信頼性が従来よりも優れた半導体装置やマザーボード、電子装置を提供する。【解決手段】  配線基板１の基材１３には、有限の回転対称となるように配置された凸部／凹部を備えたランド９が設けられ、ランド９の側面及び上面の外周近傍は、一部がソルダーレジスト２１ｂで覆われている。ソルダーレジスト２１ｂはランド９と接触する接触部と、接触しない非接触部を有している。非接触部は、切り欠き部によって形成され、ランド９とソルダーレジスト２１ｂが接触しないＮＳＭＤ構造を形成する。ＮＳＭＤ構造はランド９の中心から外周に向けて放射状に設けられている。  他方、ソルダーレジスト２１ｂの接触部は、ランド９と接触するＳＭＤ構造を形成する。  即ち、配線基板１はＮＳＭＤ構造とＳＭＤ構造の両方を有する。【選択図】      図３
2009111279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に設けられ、コンタクト部材を搭載するランドと、
前記基材の表面、前記ランドの側面、および前記ランドの上面の外周近傍を覆うように設けられたソルダーレジストと、
を有し、
前記ソルダーレジストは、
前記ランドと接触する接触部と、
前記ランドと接触しない非接触部と、
を有することを特徴とする半導体装置の配線基板。
【請求項２】
前記非接触部は、前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の配線基板。
【請求項３】
前記非接触部は、前記ランドの中心に対して、放射状に延在する複数の切り欠き部を含んでいることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の配線基板。
【請求項４】
前記ランド上に搭載された前記コンタクト部材は、前記ソルダーレジストの前記非接触部において前記ランドの側面と接触している部分を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の配線基板。
【請求項５】
前記ランドは、表面に設けられた複数の凹部および／または凸部を備え、前記凹部および／または凸部は、前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の配線基板。
【請求項６】
前記凹部および／または凸部は、前記ランドの中心から外周に向けて放射状に設けられていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の配線基板。
【請求項７】
前記凹部および／または凸部は、円形、矩形、多角形のいずれかの平面形状を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の配線基板。
【請求項８】
基材と、前記基材の一方の面に設けられた接続パッドと、前記基材の他の面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続されたランドと、少なくとも前記ランドの一部が露出するように前記基材の他の面に設けられたソルダーレジストと、からなる配線基板と、
前記配線基板の一面に搭載され、前記接続パッドと電気的に接続された半導体チップと、少なくとも前記配線基板の一面と半導体チップの一部や全面を覆う封止体とを有する半導体装置において、
前記配線基板は、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の配線基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の配線基板の特徴を有するマザーボード。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置を実装したマザーボードを備えていること、または請求項９記載のマザーボードを備えていることを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
基材の表面、基材上のランドの側面および上面の外周近傍を部分的に覆うようにソルダーレジストを設ける工程を含む半導体装置の配線基板の製造方法において、
前記工程は、前記ランドと接触する接触部と前記ランドと接触しない非接触部とを有するように、前記ソルダーレジストを加工する工程であることを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記工程は、前記ランドと接触しない前記ソルダーレジストの前記非接触部を、前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設ける工程であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記工程は、前記ランドと接触しない前記ソルダーレジストの前記非接触部を、前記ランドの中心から外周に向けて放射状に複数設ける工程であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
基材上に金属薄膜を形成した後に、前記金属薄膜を選択的にエッチングすることによりランドを形成し、
さらに前記金属薄膜の表面を選択的にエッチングすることにより、前記ランド上に前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設けた凹部および／または凸部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記工程は、前記ランド上に前記ランドの中心から外周に向けて放射状に複数設けた凹部および／または凸部を形成する工程を有することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の配線基板上に半導体チップを搭載し、前記接続パッドと半導体チップを電気的に接続し、少なくとも前記半導体装置の配線基板の一面と半導体チップの一部や全面を封止体で覆って半導体装置を製造する工程と、
前記半導体装置をマザーボード上に実装する工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の配線基板の特徴を有するマザーボードの製造工程と、前記マザーボード上に半導体装置や電子部品を実装する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載する半導体装置の配線基板、半導体装置の配線基板を搭載した半導体装置、半導体装置を用いた電子装置、本発明の特徴を有するマザーボード、半導体装置の配線基板の製造方法、半導体装置の配線基板を用いた半導体装置と半導体装置を搭載した電子装置の製造方法、マザーボードの製造方法とマザーボード上に半導体や電子部品を搭載する電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い、電子機器に用いられる半導体素子の高集積化、小型化が進んでいる。
【０００３】
そのため、半導体素子と基板との接続構造として、基材上にランドと呼ばれる導電体の台座を設け、ランド上に設けたハンダボール等のコンタクト部材を他の基板等と接続する構造が用いられる場合がある。
【０００４】
このような構造では、半導体素子のさらなる高集積化、多端子化を図るためには、ランドおよびコンタクト部材を小型化する必要がある。
【０００５】
しかしながら、小型化はランドと基材、もしくはランドとコンタクト部材の接触部分の面積の縮小を伴うため、接合強度が低下するという問題がある。
【０００６】
そのため、小型化に伴う接合強度の低下を防ぐための構造が必要となる。
【０００７】
ランドと基材間の接合強度の低下を防ぐ構造としてはＳＭＤ（Solder Mask Defined）構造が知られている。
【０００８】
ＳＭＤ構造は、ランドの側面および上面の外周近傍を覆うようにソルダーレジストを設けた構造であり、ソルダーレジストがランドを固定することにより、接合強度を向上させている。
【０００９】
しかし、ＳＭＤ構造はランドの上面の一部がソルダーレジストに覆われるため、ランドとコンタクト部材との接触面積が減少し、ランドとコンタクト部材の接合強度が低下するという問題がある。
【００１０】
一方、ランドとコンタクト部材間の接合強度の低下を防ぐ構造としてはＮＳＭＤ（Non Solder Mask Defined）構造が知られている。
【００１１】
ＮＳＭＤ構造は、ランドとソルダーレジスト間に隙間を設けた構造であり、コンタクト部材がランドの上面だけでなく、ランドの側面とも接触することにより、ランドとコンタクト部材間の接合強度を向上させている。
【００１２】
しかし、ＮＳＭＤ構造はランドとソルダーレジストが接触しないため、ランドと基材間の接合強度が低下するという問題がある。
【００１３】
ランドとコンタクト部材間の接合を強化するために、ランドの表面に凹凸形状を設けて接合強度を向上させる構造が知られている。
【００１４】
例えば、特許文献１には、素子本体上に凹部および凸部を有する台座が設けられ、台座上にハンダボールが設けられた半導体装置が開示されている。特許文献１では、凹部および凸部の形状として、帯状、市松形状、および同心円状の形状が提案されている。
【００１５】
また、特許文献２には、基材上にランド部を形成すると共に、当該ランド部に凸部を設けたボールグリッドアレイ型半導体装置が開示されている。
【００１６】
しかし、凹凸形状を設ける構造ではランドと基材間の接合強度を向上することは望めない。
【００１７】
【特許文献１】特開平１１−２９７８７３号公報
【特許文献２】特開２００１−２２３２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
特許文献１及び２のように、ランドの表面に凹凸形状を設けた構造は、ランドとボール等のコンタクト部材間の接合強度を向上させることができるという点では有用な構造である。
【００１９】
しかしながら、特許文献１及び２では、ランドと、当該ランドを支持する基材間の接合強度において不十分であることが判明した。このため、ランドとコンタクト材間のみでなく、ランドと基材間の接続強度の向上が望まれる。また、特許文献１のように、帯状、市松形状、および同心円状の形状にランド上に凹凸を設けただけでは、特定の方向からの衝撃に対する強度が不足する場合があり、衝撃に対する信頼性を高めるのに不十分であった。このことは、特許文献２においても同様である。
【００２０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ランドと基材、およびランドとコンタクト部材の接合強度を従来よりも向上させることができ、かつ、衝撃に対する信頼性が従来よりも優れた配線基板及び当該配線基板を搭載した半導体装置、もしくは当該配線基板の特徴を有したマザーボードを提供することにある。
【００２１】
本発明のさらに他の目的は、上記半導体装置をマザーボードに実装した電子装置や、上記マザーボード上に種々の半導体装置や電子部品を搭載した電子装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前述した目的を達成するために、第１の発明は、基材と、前記基材上に設けられ、コンタクト部材を搭載するランドと、前記基材の表面、前記ランドの側面、および前記ランドの上面の外周近傍を覆うように設けられたソルダーレジストと、を有し、前記ソルダーレジストは、前記ランドとの接触する接触部と、前記ランドとの接触しない非接触部と、を有することを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２３】
第２の発明は、第１の発明記載の半導体装置の配線基板の非接触部が、ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設けられていることを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２４】
第３の発明は、第２の発明記載の半導体装置の配線基板の非接触部が、ランドの中心に対して、放射状に延在する複数の切り欠き部を含んでいることを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２５】
第４の発明は、ランド表面に複数の凹部および／または凸部を備え、前記凹部および／または凸部は、前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数配置されていることを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２６】
第５の発明は、第４の発明記載の凹部および／または凸部は、ランドの中心から外周に向けて放射状に設けられていることを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２７】
第６の発明は、第５の発明記載の凹部および／または凸部は、円形、矩形、多角形のいずれかの平面形状を有することを特徴とする半導体装置の配線基板である。
【００２８】
第７の発明は、第１から第６の発明記載の半導体装置の配線基板と、前記配線基板の少なくとも一方の面に搭載された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置である。
【００２９】
第８の発明は、第１から第６の発明記載の半導体装置の配線基板のいずれかの特徴を備えていることを特徴とするマザーボードである。
【００３０】
第９の発明は、第７の発明に記載の半導体装置を実装したマザーボードを備えていること、または第８の発明に記載のマザーボードを備えていることを特徴とする電子装置である。
【００３１】
第１０の発明は、基材の表面、基材上のランドの側面および上面の外周近傍を部分的に覆うようにソルダーレジストを設ける工程を含む半導体装置の配線基板の製造方法において、
前記工程は、前記ランドと接触する接触部と前記ランドと接触しない非接触部とを有するように、前記ソルダーレジストを加工する工程であることを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法である。
【００３２】
第１１の発明は、第１０の発明記載のランドと接触しないソルダーレジストの前記非接触部を、前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設ける工程であることを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法である。
【００３３】
第１２の発明は、第１１の発明記載のランドと接触しない前記ソルダーレジストの前記非接触部を、前記ランドの中心から外周に向けて放射状に複数設ける工程であることを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法である。
【００３４】
第１３の発明は、基材上に金属薄膜を形成した後に、前記金属薄膜を選択的にエッチングすることによりランドを形成し、
さらに前記金属薄膜の表面を選択的にエッチングすることにより、前記ランド上に前記ランドの中心に対して３回以上の有限の回転対称となるように複数設けた凹部および／または凸部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法である。
【００３５】
第１４の発明は、第１３の発明記載のランド上に前記ランドの中心から外周に向けて放射状に複数設けた凹部および／または凸部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の配線基板の製造方法である。
【００３６】
第１５の発明は、第１から第６の発明に記載の半導体装置の配線基板上に半導体チップを搭載し、前記接続パッドと半導体チップを電気的に接続し、少なくとも前記半導体装置の配線基板の一面と半導体チップの一部や全面を封止体で覆って半導体装置を製造する工程と、前記半導体装置をマザーボード上に実装する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法である。
【００３７】
第１６の発明は、第１から第６のいずれかに記載の半導体装置の配線基板の特徴を有するマザーボードの製造工程と、前期マザーボード上に半導体装置や電子部品を実装する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、ランドと基材、およびランドとコンタクト部材の接合強度を従来よりも向上させることができ、かつ、衝撃に対する信頼性が従来よりも優れた配線基板及び半導体装置、マザーボード、またそれらを搭載した電子装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施例を詳細に説明する。
【００４０】
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態に係る配線基板１及び当該配線基板を含む半導体装置３の概略構成を説明する。
【００４１】
図１および図２に示すように、半導体装置３は、平面形状が略四角形の板状の配線基板１と、半導体チップ５とを有している。図示された半導体チップ５は配線基板１の一方の面に搭載されている。
【００４２】
半導体チップ５は、シリコンやゲルマニウムなどの半導体チップの材料からなる基板の一面に、例えばマイクロプロセッサ等のような論理回路またはＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）やＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のような記憶回路等を備えている。
【００４３】
配線基板１の他の面には、半導体装置３を他の装置と接続するためのハンダボール１１がコンタクト部材として設けられている。
【００４４】
図１および図２を参照して、配線基板１及び半導体装置３の構成をさらに詳細に説明する。
【００４５】
図１および図２に示すように、配線基板１は、基材１３、半導体チップ５を搭載した基材１３の面側に設けられたソルダーレジスト２１ａ、他の面側に設けられたソルダーレジスト２１ｂ、他の面側に設けられたランド９、半導体チップ５が設けられた面側に設けられた接続パッド１５、基材１３の内部に設けられた配線２５を有している。
【００４６】
具体的に説明すると、配線基板１の基材１３はガラスエポキシ等で構成され、接続パッド１５は、基材１３の一方の面の外周の近傍に複数個設けられている。
【００４７】
半導体チップ５を搭載した面側に設けられたソルダーレジスト２１ａは、接続パッド１５の形成領域以外の領域に設けられている。
【００４８】
半導体チップ５は、絶縁性の材料からなる接着剤２３を介してソルダーレジスト２１ａ上に設けられている。
【００４９】
半導体チップ５の表面には接続パッド１５との接続用の電極パッド１９が複数設けられており、接続パッド１５と電極パッド１９はワイヤ１７によって電気的に接続されている。
【００５０】
なお、電極パッド１９を除く、半導体チップ５の表面には図示しないパッシベーション膜が形成され、回路形成面を保護している。
【００５１】
また、少なくとも半導体チップ５、接続パッド１５、電極パッド１９、ワイヤ１７を覆うように封止部７が設けられている。
【００５２】
封止部７はエポキシ樹脂等の絶縁性の熱硬化樹脂からなり、半導体チップ５や、電気的接続部位である接続パッド１５、電極パッド１９、ワイヤ１７を保護している。
【００５３】
一方、基材１３の他の面側に設けられたランド９は、図２に示されるように、所定の間隔で格子状に複数個配置されている。また、各ランド９は、基材１３内に設けられた配線２５を介して接続パッド１５と電気的に接続されている。
【００５４】
即ち、各ランド９は、配線２５および接続パッド１５を介して半導体チップ５の電極パッド１９と電気的に接続されている。
【００５５】
また、ソルダーレジスト２１ｂは、後述するように、基材１３の他の面に、ランド９の中央領域と周囲の一部領域を部分的に覆うように設けられている。さらに、コンタクト部材としてのハンダボール１１はランド９上に設けられている。
【００５６】
ハンダボール１１は、他の装置のランド等の接続部分と接続されることにより、他の装置と半導体チップ５とを電気的に接続する。
【００５７】
次に、図３〜図５を参照して、配線基板１のランド９付近の構造について説明する。
【００５８】
なお、図３において、点描した部分は、ソルダーレジスト２１ｂに覆われていないランド９部分であり、点線で示した部分は、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂによって覆われた部分である。
【００５９】
ランド９は、後述するように、Ｃｕ等からなる導電体の薄膜を所望のパターン形状にエッチングすることで形成したものであり、図３に示すように、第１の実施形態では略円形状に形成されている。
【００６０】
また、基材１３の表面（図１参照）及びランド９の側面および上面の外周近傍の大部分はソルダーレジスト２１ｂで覆われている。また、ソルダーレジスト２１ｂの、ランド９の側面および上面の外周近傍を覆っている部分、即ち、ランド９と接触する部分は、接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを形成している。
【００６１】
一方、ソルダーレジスト２１ｂにおいて、ランド９と接触しない部分は、非接触部としての切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを形成している。
【００６２】
ここで、図４および図５に示されたランド９付近の断面図を見ると、図４（ａ）のように、切り欠き部２７ａ、２７ｃを設けた部分では、ソルダーレジスト２１ｂがランド９と接触しておらず、所謂、ＮＳＭＤ（Non Solder Mask Defined）構造を形成している。
【００６３】
そのため、ハンダボール１１を設けると、図５（ａ）のように、ハンダボール１１がランド９の上面だけでなく、側面とも接触することになり、上面だけが接触する場合と比べてランド９とハンダボール１１の接合強度が向上する。
【００６４】
切り欠き部２７ｂ、２７ｄが設けられた部分も、切り欠き部２７ａ、２７ｃが設けられた部分と同様である。
【００６５】
一方、接触部２８ａ、２８ｂが設けられている部分は、図４（ｂ）のように、ランド９の側面および上面の外周近傍がソルダーレジスト２１ｂと接触しており、所謂、ＳＭＤ（Solder Mask Defined）構造を形成している。そのため、基材１３とランド９の接合強度が向上する。接触部２８ｃ、２８ｄが設けられている部分も接触部２８ａ、２８ｂが設けられている部分と同様である。
【００６６】
このように、図示された配線基板１はＮＳＭＤ構造とＳＭＤ構造の両方の構造を有しており、ランド９とハンダボール１１の接合強度を向上させることができるだけでなく、ランド９と基材１３の接合強度をも向上させることができる。
【００６７】
なお、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄは、安定した接合強度の確保のため、また、平面方向において、いずれの方向からの衝撃に対しても接合強度を向上する為、ランド９の中心２０に対して等間隔に並べられた３回以上の有限の回転対称となるように配置するのが望ましく、図示されているように、４回以上の有限の回転対称となるように配置するのがより望ましい。また、回転対称のうちでも、図３（ａ）に示すように、ランド９の中心２０から放射状に切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを設けるのが好ましい。なお、図３（ａ）では４回の回転対称となるように、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄが配置されている。
【００６８】
また、ランド９に接続される配線２５は、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを避けた位置でランド９と接続されるのが好ましい。これは、配線２５を切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄと重なる位置に配置すると、配線２５が外部に露出してしまうからである。
【００６９】
さらに、図３及び図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ランド９の上面には、複数の凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈ（ここでは、８個）が、ランド９とハンダボール１１との接触面積を拡大するために形成されている。図３に示されているように、凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈはランド９の中心２０に対して８回の回転対称となるように、ランド９の中心に対して放射状に配置されている。
【００７０】
なお、凸部はランド９の中心２０に対して、少なくとも等間隔に並べられた３回以上、好ましくは、４回以上の有限の回転対称となるように配置されるのが望ましい。さらに、図３に示すように、ランド９の中心２０に対して放射状に配置されるのがより望ましい。
【００７１】
図示された凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈは平面形状が長方形であり、長手方向がランド９の中心２０から径方向を向くように設けられている。
【００７２】
このように、ランド９の上面に、凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈを設けることにより、ランド９とハンダボール１１の接触面積を大きくすることができ、ランド９とハンダボール１１の接合強度を向上させることができる。
【００７３】
また、凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈをランド９の中心２０に対して等間隔に並べられた３回以上（好ましくは、４回以上）の有限の回転対称となるように放射状に配置することにより、平面方向において、いずれの方向からの衝撃に対してもランド９とハンダボール１１の接合強度を向上させることができ、従来よりも衝撃に対する信頼性を高めることができる。
【００７４】
次に、図６〜図１０を参照して、上記した配線基板１を含む半導体装置３の製造工程を説明する。
【００７５】
半導体装置３は、複数の配線基板１を含む配線母基板３５をまず製造し、次に配線母基板３５上に半導体チップ５等を配置することにより製造される。
【００７６】
まず、図６〜図８を参照して配線母基板３５の製造の手順について説明する。
【００７７】
最初に、配線母基板３５の構造について図６を参照して説明する。
【００７８】
図６に示すように、配線母基板３５は、矩形の製品形成領域３７を複数有している。
【００７９】
製品形成領域３７はマトリックス配置されており、製品形成領域３７の間には切り取り線としてのダイシングライン４１が形成されている。
【００８０】
配線基板１は、製品形成領域３７に後述する所定の処理（ランド９、ソルダーレジスト２１ｂの形成）を行うことにより、形成される。
【００８１】
また、製品形成領域３７の周囲には枠部３９が形成されており、配線母基板３５を移動する際は、図示しない搬送機器を枠部３９と接触させて搬送する。
【００８２】
このように、枠部３９を形成することにより、製品形成領域３７に触れることなく、配線母基板３５を移動させることができる。
【００８３】
また、枠部３９には位置決め孔４３が複数設けられており、移動の際の位置決めとして用いられる。
【００８４】
次に、配線母基板３５を形成する手順について図１、図３および図６〜図８を参照して説明する。
【００８５】
まず、ガラスエポキシ等からなる基材１３を用意し、配線母基板３５（図６）と同様の平面形状になるように成形する。
【００８６】
次に、図７（ａ）に示すように、基材１３上に、ランド９の形成用の銅層４５を貼り付ける。次に、レジスト膜であるフォトレジスト４７を銅層４５の表面に塗布し、フォトレジスト４７を塗布した後、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト４７をパターニングして、ランド９を形成する部分以外のフォトレジスト４７を除去して、銅層４５の除去部分を露出させる。さらに、銅層４５の露出部分をエッチングして、所望のランドの平面形状と図示しない配線パターンを形成する。
【００８７】
さらに、銅層４５上のフォトレジスト４７を所望の形状にパターニングし、図７（ｃ）に示すように、凸部を形成する部分にのみフォトレジスト４７を残す。
【００８８】
次に、図８（ａ）に示すように、銅層４５を選択的にエッチングして、凸部２９ｂ、２９ｃ、２９ｄを形成し、残ったフォトレジスト４７を除去する。なお、図示はしないが、凸部２９ａ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈも同様に形成する。
【００８９】
以上の工程により、基材１３上に凸部を有するランド９が形成される。
【００９０】
ランド９が形成されると、次に、図８（ｂ）に示すように、基材１３およびランド９の全面に、紫外線硬化型のソルダーレジスト２１ｂを塗布する。
【００９１】
ソルダーレジスト２１ｂの塗布が終了すると、ソルダーレジスト２１ｂを残したい部分のみ紫外線を照射して硬化させる。
【００９２】
ここで、ソルダーレジスト２１ｂは、前述のように、ランド９の側面および上面の外周近傍と接触する接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと、ランド９と接触しない非接触部（切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ）を有する。
【００９３】
そのため、接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを設ける領域に紫外線を照射し、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを設ける領域には紫外線を照射しない。
【００９４】
なお、ランド９が設けられていない領域にも紫外線を照射する。
【００９５】
紫外線を照射した後、基材１３およびランド９の全面を洗浄することにより、硬化されていない部分のソルダーレジスト２１ｂが除去され、図８（ｃ）に示すような構造が形成される。
【００９６】
即ち、ソルダーレジスト２１ｂは、ランド９の側面および上面の外周近傍の大部分を覆うように形成され、ランド９と接触する接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと、ランド９と接触しない切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄとを有している（図３参照）。
【００９７】
ここで、上記工程においては、銅層４５からエッチングにて凸部２９ｂ、２９ｃ、２９ｄを形成するため、凸部２９ｂ、２９ｃ、２９ｄはランド９と一体に形成される。
【００９８】
そのため、ランド９とは別に後付けで凸部を積層形成する場合に比べ、良好な接合強度が確保される。
【００９９】
次に、必要に応じて、基材１３の反対側の面に、図１に示すようなソルダーレジスト２１ａ、接続パッド１５を形成し、基材１３内に、接続パッド１５とランド９を接続する配線２５を設けて配線母基板３５が完成する。
【０１００】
なお、ランドや接続パッドの表面には必要に応じてメッキ処理を行い、酸化防止やバリア等の効果を持たせる。
【０１０１】
次に、図９および図１０を参照して配線母基板３５上に半導体チップ５を配置して半導体装置３を製造する手順について説明する。
【０１０２】
まず、図９（ａ）に示すように、配線母基板３５を、接続パッド１５が上になるように図示しないチップマウンター装置に載置する。
【０１０３】
配線母基板３５の載置が完了すると、図９（ｂ）に示すように、図示しないチップマウンター装置を用いてソルダーレジスト２１ａ上に塗布された接着材の上に半導体チップ５を載置したのち、熱を加えて接着材を硬化してチップマウントを完了する。
【０１０４】
半導体チップ５の載置が完了すると、図示しないワイヤーボンダー装置に載置する。
【０１０５】
ワイヤーボンダー装置により、ワイヤ１７の一端を電極パッド１９（図１参照）に超音波熱圧着により接続し、その後、所定のループ形状を描きながら他端を接続パッド１５上に超音波熱圧着により接続する。
【０１０６】
次に、半導体チップ５を載置した配線母基板３５を図示しないモールド装置に載置する。
【０１０７】
配線母基板３５の載置が完了すると、図示しないモールド装置の上型と下型により配線母基板３５を型閉めした状態で、溶融された封止樹脂、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等を充填させ、充填させた状態でキュアする。
【０１０８】
すると、封止樹脂が熱硬化し、図９（ｃ）に示すように複数の製品形成領域３７（図６参照）を一括的に覆う封止部７が形成される。一括モールドを用いたことにより、効率よく封止部７を形成することができる。
【０１０９】
次に、前記配線母基板３５を、ランド９が上になるようにして、図示しないボールマウント装置上に載置する。
【０１１０】
配線母基板３５の載置が完了すると、図１０（ａ）に示すように、例えば、ボールマウント装置のマウントツール５３にハンダボール１１を真空吸着し、フラックスを介してハンダボール１１をランド９上に搭載する。
【０１１１】
その後、配線母基板３５をリフローすることで、ハンダボール１１がランド９と接続される。
【０１１２】
このように、配線母基板３５のランド９上にハンダボール１１を搭載することで、外部端子（コンタクト部材）が形成される。
【０１１３】
次に、配線母基板３５を、図示しない基板ダイシング装置に載置する。
【０１１４】
具体的には、図１０（ｂ）に示すように、封止部７をダイシングテープ５５に貼着固定する。
【０１１５】
次に、貼着固定された配線母基板３５のダイシングライン４１（図６参照）を図示しないダイシングブレードにより、回転研削することで、配線母基板３５を個々の製品形成領域３７（図６参照）毎に切断・分離する。
【０１１６】
最後に、分離された個々の製品形成領域３７をダイシングテープ５５からピックアップすることで、図１に示すような半導体装置３が得られる。
【０１１７】
このように、第１の実施形態によれば、半導体装置３の配線基板１が、基材１３、ソルダーレジスト２１ｂ、ランド９を有し、ソルダーレジスト２１ｂは、ランド９と接触する接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄおよびランド９と接触しない切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを有している。
【０１１８】
そのため、配線基板１はＮＳＭＤ構造とＳＭＤ構造の両方の構造を有しており、ランド９とハンダボール１１の接合強度の向上、およびランド９と基材１３の接合強度の向上を両立させることができる。
【０１１９】
また、ランド９と接触しない切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄがランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称となるように放射状に設けられていることにより、平面方向において、いずれの方向からの衝撃に対してもランド９とハンダボール１１の接合強度を向上させることができ、従来よりも衝撃に対する信頼性を高めることができる。
【０１２０】
さらに、第１の実施形態では、ランド９は表面に、ランド９の中心２０に対して３回以上の（ここでは、８回）の回転対称となるように放射状に設けられた凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈを有している。
【０１２１】
そのため、ランド９とハンダボール１１の接触面積を大きくすることができ、従来よりも接合強度を向上させることができる。
【０１２２】
また、凸部２９ａ、２９ｂ、２９ｃ、２９ｄ、２９ｅ、２９ｆ、２９ｇ、２９ｈがランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称（ここでは８回）となるように放射状に設けられていることにより、平面方向において、いずれの方向からの衝撃に対してもランド９とハンダボール１１の接合強度を向上させることができ、従来よりも衝撃に対する信頼性を高めることができる。
【０１２３】
次に、第２の実施形態に係る電子装置１０１について、図１１を参照して説明する。
【０１２４】
第２の実施形態に係る電子装置１０１は、第１の実施形態に係る半導体装置３をマザーボード６５上に実装したものである。
【０１２５】
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１２６】
図１１に示すように、電子装置１０１はマザーボード６５と半導体装置３を有している。
【０１２７】
マザーボード６５はガラスエポキシ等で構成される基材７１を有し、基材７１の一方の面には複数のランド６９が所定の間隔で格子状に配置されている。
【０１２８】
また、基材７１の一方の面には、ランド６９の中央領域と周囲の一部を除き、ソルダーレジスト６７ａが設けられ、他の面にはソルダーレジスト６７ｂが設けられている。
【０１２９】
ソルダーレジスト６７ａおよびランド６９の構造は、半導体装置３の配線基板１のソルダーレジスト２１ｂおよびランド９の構造と同様である。
【０１３０】
即ち、ソルダーレジスト６７ａは、ランド６９と接触する接触部と、ランド６９と接触しない切り欠き部とが設けられている。第１の実施形態に関連して説明したように、切り欠き部は、ランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称となるように放射状に複数配置されている。
【０１３１】
また、ランド６９の上面には複数の凸部が形成されており、複数の凸部はランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称となるように放射状に配置されている。
【０１３２】
マザーボード６５のランド６９は、コンタクト部材としてのハンダボール７３によって、半導体装置３の配線基板１のランド９と電気的に接続されている。
【０１３３】
このように、半導体装置３だけでなく、接続対象であるマザーボード６５にも、配線基板１と同様の構造のランド６９およびソルダーレジスト６７ａを設けてもよい。
【０１３４】
このような構造とすることにより、マザーボード６５においても、ランド６９と基材７１、もしくはランド６９とハンダボール７３の間の接合強度を従来よりも向上させることができ、かつ水平方向からの衝撃に対する信頼性の向上を提供することができる。
【０１３５】
このように、第２の実施形態によれば、電子装置１０１はマザーボード６５と半導体装置３を有している。
【０１３６】
従って、第１の実施形態と同等以上の効果を奏する。
【０１３７】
次に、第３の実施形態に係る配線基板１ａについて、図１２を参照して説明する。
【０１３８】
第３の実施形態に係る配線基板１ａは、第１の実施形態において、ランド９の上面に凸部ではなく、凹部を設けたものである。
【０１３９】
なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１４０】
図１２に示すように、配線基板１ａのランド９は、表面に凹部６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ、６１ｇ、６１ｈが形成されている。
【０１４１】
凹部６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ、６１ｇ、６１ｈはランド９の中心２０に対して８回の回転対称となるように放射状に配置されている。
【０１４２】
このように、ランド９の表面に凸部ではなく、凹部を設けてもよい。
【０１４３】
このように、第３の実施形態によれば、配線基板１ａは、ランド９とソルダーレジスト２１ｂを有し、ソルダーレジスト２１ｂは接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄおよび切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを有している。
【０１４４】
また、ランド９は、表面に凹部６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ、６１ｇ、６１ｈが形成されている。
【０１４５】
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１４６】
次に、第４の実施形態に係る配線基板１ｂについて、図１３を参照して説明する。
【０１４７】
第４の実施形態に係る配線基板１ｂは、第１の実施形態において、切り欠き部の数を増やしたものである。
【０１４８】
なお、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１４９】
図１３に示すように、配線基板１ｂ上のソルダーレジスト２１ｂは、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄに加え、さらにランド９と接触しない非接触部としての切り欠き部７７ａ、７７ｂ、７７ｃ、７７ｄを有している。
【０１５０】
切り欠き部７７ａ、７７ｂ、７７ｃ、７７ｄは、切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄと同様に、ランド９の中心２０から外周に向けて放射状に設けられている。
【０１５１】
また、ソルダーレジスト２１ｂは、ランド９の側面および上面の外周近傍と接触する接触部７８ａ、７８ｂ、７８ｃ、７８ｄ、７８ｅ、７８ｆ、７８ｇ、７８ｈを有している。
【０１５２】
接触部７８ａは切り欠き部７７ｂと切り欠き部２７ｂの間に設けられ、接触部７８ｂは切り欠き部７７ｃと切り欠き部２７ｂの間に設けられている。接触部７８ｃは切り欠き部７７ｃと切り欠き部２７ｃの間に設けられ、接触部７８ｄは切り欠き部７７ｄと切り欠き部２７ｃの間に設けられている。接触部７８ｅは切り欠き部７７ｄと切り欠き部２７ｄの間に設けられ、接触部７８ｆは切り欠き部７７ａと切り欠き部２７ｄの間に設けられている。接触部７８ｇは切り欠き部７７ａと切り欠き部２７ａの間に設けられ、接触部７８ｈは切り欠き部７７ｂと切り欠き部２７ａの間に設けられている。
【０１５３】
このように、切り欠き部の数を第１の実施形態よりも増やしてもよく、このような構造とすることにより、ランド９とハンダボール１１の間の接合強度をさらに向上させることができる。
【０１５４】
このように、第４の実施形態によれば、切り欠き部の数を第１の実施形態よりも増やしてもよく、ソルダーレジスト２１ｂは切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄに加え、さらに切り欠き部７７ａ、７７ｂ、７７ｃ、７７ｄを有し、切り欠き部全体として、ランド９の中心２０に対して８回の回転対称となるように放射状に配置されている。このような構造とすることにより、ランド９とハンダボール１１の間の接合強度をさらに向上させることができ、かつ水平方向からの衝撃に対する信頼性がさらに優れた半導体装置を提供することができる。
【０１５５】
従って、第１の実施形態と同等以上の効果を奏する。
【０１５６】
次に、第５の実施形態に係る配線基板１ｃについて、図１４を参照して説明する。
【０１５７】
第５の実施形態に係る配線基板１ｃは、第１の実施形態において、ランド９の表面に平面形状が長方形ではなく、矩形（正方形）の凸部を設けたものである。
【０１５８】
なお、第５の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１５９】
図１４（ａ）に示すように、配線基板１ｃのランド９は、表面に、平面形状が長方形ではなく、矩形（正方形）の凸部８１が複数設けられている。
【０１６０】
凸部８１は配列形状が、ランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称（ここでは４回）となるようになるように配置されている。
【０１６１】
このように、ランド９の表面に、平面形状が長方形ではなく、矩形（正方形）の凸部８１を設けてもよい。
【０１６２】
なお、図１４（ａ）では凸部８１は角部が切り欠き部と対向するように設けられているが、図１４（ｂ）のように、辺が切り欠き部と対向するように設けられていてもよい。
【０１６３】
このように、第５の実施形態によれば、配線基板１ｃは、ランド９とソルダーレジスト２１ｂを有し、ソルダーレジスト２１ｂは接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄおよび切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを有している。
【０１６４】
また、ランド９の表面には凸部８１が形成されている。
【０１６５】
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１６６】
次に、第６の実施形態に係る配線基板１ｄについて、図１５を参照して説明する。
【０１６７】
第６の実施形態に係る配線基板１ｄは、第１の実施形態において、ランド９の表面に平面形状が長方形ではなく、円形の凸部を設けたものである。
【０１６８】
なお、第６の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素には同一の番号を付し、説明を省略する。
【０１６９】
図１５に示すように、配線基板１ｄのランド９は、表面に、平面形状が長方形ではなく、円形の凸部８１ａが複数設けられている。
【０１７０】
凸部８１ａは配列形状が、ランド９の中心２０に対して３回以上の有限の回転対称（ここでは８回）となるように配置されている。
【０１７１】
このように、ランド９の表面に、平面形状が長方形ではなく、円形の凸部８１ａを設けてもよい。
【０１７２】
このように、第６の実施形態によれば、配線基板１ｄは、ランド９とソルダーレジスト２１ｂを有し、ソルダーレジスト２１ｂは接触部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄおよび切り欠き部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄを有している。
【０１７３】
また、ランド９は、表面に凸部８１ａが形成されている。
【０１７４】
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
上記した実施形態では、本発明を半導体装置３または半導体装置３が実装されるマザーボード６５に適用した場合について説明したが、本発明は、何等、これに限定されることなく、コンタクト部材を用いて電気的に接続する必要があるすべての構造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】半導体装置３を示す断面図である。
【図２】図１のＡ方向矢視図である。
【図３】図２のＢ領域の拡大図であって、ハンダボール１１は記載を省略し、ランド９の露出部分は点描により表示し、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂに覆われた部分は点線で表示している。
【図４】図４（ａ）は図３のＣ１−Ｃ１断面図であって、図４（ｂ）は図３のＣ２−Ｃ２断面図である。
【図５】図５（ａ）は図３のハンダボール１１を含む場合のＣ１−Ｃ１断面図であって、図５（ｂ）は図３のハンダボール１１を含む場合のＣ２−Ｃ２断面図である。
【図６】配線母基板３５を示す平面図である。
【図７】配線母基板３５の製造の手順を示す図である。
【図８】配線母基板３５の製造の手順を示す図である。
【図９】配線母基板３５を用いた半導体装置３の製造の手順を示す図である。
【図１０】配線母基板３５を用いた半導体装置３の製造の手順を示す図である。
【図１１】電子装置１０１を示す断面図である。
【図１２】配線基板１ａを示す平面図であって、ハンダボール１１は記載を省略し、ランド９の露出部分は点描により表示し、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂに覆われた部分は点線で表示している。
【図１３】配線基板１ｂを示す平面図であって、ハンダボール１１は記載を省略し、ランド９の露出部分は点描により表示し、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂに覆われた部分は点線で表示している。
【図１４】図１４（ａ）は配線基板１ｃを示す平面図であって、ハンダボール１１は記載を省略し、ランド９の露出部分は点描により表示し、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂに覆われた部分は点線で表示しており、図１４（ｂ）は図１４（ａ）の変形例を示す平面図である。
【図１５】配線基板１ｄを示す平面図であって、ハンダボール１１は記載を省略し、ランド９の露出部分は点描により表示し、ランド９の外周のうち、ソルダーレジスト２１ｂに覆われた部分は点線で表示している。
【符号の説明】
【０１７７】
１…………配線基板
３…………半導体装置
５…………半導体チップ
７…………封止部
９…………ランド
１１………ハンダボール
１３………基材
１５………接続パッド
１７………ワイヤ
１９………電極パッド
２１ａ……ソルダーレジスト
２１ｂ……ソルダーレジスト
２３………接着剤
２５………配線
２７ａ……切り欠き部
２９ａ……凸部
３５………配線母基板
３７………製品形成領域
３９………枠部
４１………ダイシングライン
４３………位置決め孔
４５………銅層
４７………フォトレジスト
５３………マウントツール
６１ａ……凹部
６５………マザーボード
６７ａ……ソルダーレジスト
６９………ランド
７１………基材
７３………ハンダボール
７７ａ……切り欠き部
８１………凸部
８１ａ……凸部
１０１……電子装置
【図１】
2009111279.tif 000003
【図２】
2009111279.tif 000004
【図３】
2009111279.tif 000005
【図４】
2009111279.tif 000006
【図５】
2009111279.tif 000007
【図６】
2009111279.tif 000008
【図７】
2009111279.tif 000009
【図８】
2009111279.tif 000010
【図９】
2009111279.tif 000011
【図１０】
2009111279.tif 000012
【図１１】
2009111279.tif 000013
【図１２】
2009111279.tif 000014
【図１３】
2009111279.tif 000015
【図１４】
2009111279.tif 000016
【図１５】
2009111279.tif 000017