(57)【要約】      （修正有）【課題】封止膜の形成過程で有機発光層が熱や高エネルギーの電子によりダメージを受けてしまうことを防止でき、しかも低コストで、前記有機発光層を水分や酸素から保護するための封止膜を形成することができる有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に形成された少なくとも第１の電極２、有機発光層５、及び第２の電極８を含む積層体の上に、高い正孔移動度（正孔を輸送する機能）を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層９が形成され、この電子ブロック層の上に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜１０が形成されている有機ＥＬ素子、及びこれを製造するための方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体の上に、正孔輸送性を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層が形成され、この電子ブロック層及び前記積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜が形成されている、ことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、
前記第２の電極の上に、正孔輸送性を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、
スパッタ装置により、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットをスパッタして叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、
前記第２の電極の上に、正孔輸送性を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、
真空容器内に配置される一対の金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットと前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石とを含むミラートロンスパッタ装置の前記真空容器内に、前記基板を、前記電子ブロック層が前記各ターゲット間の空間の側方に対向するように、配置する工程と、
前記各ターゲット間に不活性ガスを供給すると共に前記各ターゲットにスパッタ電力を供給して前記ターゲットをスパッタし、このスパッタされて叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、
前記第２の電極の上に、正孔輸送性を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、
電子ビーム蒸着装置により、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とする蒸着源に電子ビームを入射させて蒸発させ、前記蒸着源から蒸発した蒸着材料を、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に被着させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成された少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体とそれを大気中の水分や酸素から封止するための封止膜とを含む有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）から成る透明電極（陽極）、有機発光層、金属層から成る陰極などが積層されて構成されている。そして、前記有機発光層は大気中の水分（水蒸気）や酸素によりダメージを受けるため、前記陰極形成後に、前記有機発光層を大気中の水分や酸素から封止するための方法が、種々提案されている。
【０００３】
従来は、例えば特許文献１に示すように、ガラス基板上に陽極、有機発光層、及び陰極などから成る積層体を形成した後、乾燥窒素雰囲気や乾燥アルゴン雰囲気下で、前記積層体を、ガラス製キャップ又は金属製封止缶（キャップ）により気密に封止すること（さらに、残存する水分や封止樹脂から放出される水分を除去するために前記封止缶の内壁に乾燥剤を取り付けること）が行われていた（図５参照。なお、図５は平成１６年８月２０日に株式会社オーム社より発行された「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士など著）の１３１頁より引用）。
【０００４】
また、例えば特許文献２に示すように、ガラス基板上に陽極、有機発光層、及び陰極などから成る積層体を形成した後、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ内で、前記積層体の露出面に、プラズマＣＶＤ法により窒化ケイ素や酸化ケイ素などの薄膜を形成し、これにより前記積層体を封止することが行われていた。
【０００５】
また、例えば、ガラス基板上に陽極、有機発光層、及び陰極などから成る積層体を形成した後、スパッタ装置のチャンバ内で、前記積層体の上に、スパッタリング法により窒化ケイ素や酸化ケイ素などの薄膜を形成し、これにより前記積層体を封止することも提案されていた。
【特許文献１】特開平０９−１４８０６６号公報
【特許文献２】特開２００５−２８５６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述のような有機発光層を含む積層体をガラス製又は金属製のキャップを使用して気密に封止して内部に乾燥剤を配置する方法においては、製造コストが増大してしまう、有機ＥＬ素子の薄型化が困難になってしまう、などの問題があった。また、前述のような有機発光層を含む積層体の上にプラズマＣＶＤ法により窒化ケイ素や酸化ケイ素などの薄膜を形成する方法においては、基板温度が高温になるため有機発光層が変質してしまうなどの問題があった。また、前述のような有機発光層を含む積層体の上にスパッタリング法により窒化ケイ素や酸化ケイ素などの薄膜を形成する方法においては、封止膜の形成過程でスパッタプラズマからの高エネルギー電子が基板方向に飛散・衝突することにより有機発光層がダメージを受けてしまうなどの問題があった。
【０００７】
本発明はこのような従来技術の問題点に着目してなされたものであって、封止膜の形成過程で有機発光層が熱や高エネルギー電子によりダメージを受けてしまうことを防止することができ、しかも低コストで、前記有機発光層を水分や酸素から保護するための封止膜を形成することができる、有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上のような課題を解決するための本発明による有機ＥＬ素子は、基板上に形成された少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体の上に、高い正孔移動度（正孔を輸送する機能）を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層が形成され、この電子ブロック層及び前記積層体の露出面（上及び側面）に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜が形成されている、ことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、前記第２の電極の上に、高い正孔移動度（正孔を輸送する機能）を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、スパッタ装置により、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットをスパッタして叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、前記第２の電極の上に、高い正孔移動度（正孔を輸送する機能）を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、真空容器内に配置される一対の金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットと前記各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石とを含むミラートロンスパッタ装置を用意し、前記真空容器内の前記各ターゲット間の空間の側方に前記電子ブロック層が対向するように前記基板を配置する工程と、前記各ターゲット間に不活性ガスを供給すると共に前記各ターゲットにスパッタ電力を供給して前記ターゲットをスパッタし、このスパッタされて叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体を形成する工程と、前記第２の電極の上に、高い正孔移動度（正孔を輸送する機能）を有し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有する材料から成る電子ブロック層を形成する工程と、電子ビーム蒸着装置により、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とする蒸着源に電子ビームを入射させて前記蒸着源から蒸発させた蒸着材料を、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に被着させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、少なくとも第１の電極、有機発光層、及び第２の電極を含む積層体の上に、イオン化ポテンシャルが小さく高い正孔移動度を示す材料（正孔輸送性材料）から成る電子ブロック層を形成し、この電子ブロック層及び前記積層体の露出面に封止膜を形成するようにしている。よって、本発明においては、前記封止膜をスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成する過程で、高エネルギーの電子が前記積層体の方向に飛散・衝突したとしても、前記電子ブロック層により、前記の高エネルギー電子が前記有機発光層にダメージを与えてしうことが防止されるようになる（これに対して、もし本発明のような電子ブロック層が無い場合は、前記封止膜をスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により形成する過程で、高エネルギーの電子が積層体の方向に飛散・衝突して前記有機発光層に大きなダメージを与えてしまう結果になる）。
【００１３】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記積層体の上に電子ブロック層を形成してから、スパッタリング法により前記電子ブロック層及び積層体の露出面に封止膜を形成するようにしているので、前記封止膜を形成する過程でスパッタプラズマからの高エネルギーの電子が前記積層体の方向に飛散・衝突したとしても、前記電子ブロック層により、前記の高エネルギー電子が前記有機発光層にダメージを与えてしまうことが防止されるようになる。
【００１４】
また、特に、本発明によるときは、前記封止膜をスパッタリング法で形成する場合の従来の問題点（有機発光層にダメージを与えてしまうこと）を克服できるので、前記封止膜をスパッタリング法により効率よく形成することが可能になると共に、スパッタリング法によるときは大面積の封止膜を均一に形成することができるため有機ＥＬ素子を利用した大型ディスプレイを実現することが可能になる。
【００１５】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法の一つにおいては、前記積層体の上に電子ブロック層を形成してから、ミラートロンスパッタリング法により前記電子ブロック層及び積層体の露出面に封止膜を形成するようにしている。このようにミラートロンスパッタ法により前記封止膜を形成するときは、スパッタプラズマ内の高エネルギー電子は両ターゲット間の磁場空間内に閉じ込められるので高エネルギー電子が前記積層体の方向に飛散・衝突することがほとんど防止される。また、仮にこの封止膜の形成過程で幾らかの高エネルギー電子が磁場空間から飛び出して前記積層体の方向に飛散・衝突したとしても、前記電子ブロック層により、前記の高エネルギー電子が前記有機発光層にダメージを与えてしまうことが確実に防止されるようになる。
【００１６】
また、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記積層体の上に電子ブロック層を形成してから、電子ビーム蒸着法により前記電子ブロック層及び積層体の露出面に封止膜を形成するようにしているので、前記封止膜を形成する過程で高エネルギーの電子が積層体の方向に飛散・衝突したとしても、前記電子ブロック層により、前記の高エネルギー電子が前記有機発光層にダメージを与えてしまうことが確実に防止されるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明を実施するための最良の形態について説明する。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、例えば陽極、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極という従来の積層体の上に、さらに電子ブロック層を形成し、前記電子ブロック層と積層体の露出面（上及び側面）に、前記有機発光層を外部の水分や酸素から保護するための封止膜を形成するようにしたものである。
【００１８】
本実施形態において、前記電子ブロック層は、その上に形成される封止膜をスパッタリング法又は電子ビーム蒸着法で形成するときに、高エネルギーの電子が有機発光層にダメージを与えてしまうことを防止するためのものである。このような電子ブロック層は、前記正孔輸送層の形成に使用される正孔輸送性材料（イオン化ポテンシャルが小さく高い正孔移動度を示し外部から入ってきた電子を移動させ難くする機能を有している材料）を使用して形成される。
【００１９】
前記電子ブロック層を形成する材料（正孔輸送性材料）としては、例えば、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、α−ＮＰＤ、ＴＰＴＲ、ＴＰＴＥ、ＴＰＰＥ、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＦＬなどのような、従来より正孔輸送層の材料として使用される公知の材料が選択可能である。また、前記電子ブロック層を形成する材料（正孔輸送性材料）は、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他の既存・公知の正孔輸送材料の中から任意に選ぶことができる。また、前記電子ブロック層を形成する方法は、材料に応じて、真空蒸着法その他の公知の方法を用いることができる。
【００２０】
また、前記封止膜の材料としては、金属窒化物、金属酸化物、金属酸窒化物のいずれかが望ましい。また、前記封止膜の形成方法としては、高効率化、低コスト化、及び大面積化が可能なスパッタリング法や電子ビーム蒸着法が望ましい（詳細は後述する）。
【００２１】
本実施形態の有機ＥＬ素子を製造するときは、基板上に前記積層体と前記電子ブロック層を形成した後、スパッタ装置により、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットをスパッタし、叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に前記封止膜を形成する。この場合、もし前記電子ブロック層がなければ、前記積層体中の有機発光層がスパッタプラズマからの高エネルギー電子によりダメージを与えられてしまう。しかし、本実施形態においてはスパッタプラズマからの高エネルギー電子は前記電子ブロック層により前記有機発光層への移動が阻止されるので、前記有機発光層が前記電子によりダメージを受けることが無くなる。
【００２２】
また、特に、前記封止膜を形成する工程をミラートロンスパッタリング法により行う場合、すなわち、真空容器内に、一対の金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とするターゲットを配置すると共に、この各ターゲット間の空間を磁場空間とするための磁石を配置しておき、前記磁場空間の側方に前記電子ブロック層が対向するように前記基板を配置し、前記各ターゲット間に不活性ガスを供給すると共に前記各ターゲットにスパッタ電力を供給して前記ターゲットをスパッタし、このスパッタされて叩き出された原子又は粒子を前記電子ブロック層及び積層体の露出面に付着・堆積させることにより前記封止膜を形成するようにした場合は、スパッタプラズマ内の高エネルギー電子は前記磁場空間に閉じ込められるので、前記の高エネルギー電子が前記基板の方向に飛散・衝突することはほとんど無くなる。また、この場合において、仮に前記の高エネルギー電子が前記基板の方向に飛散・衝突したとしても、この飛散・衝突した高エネルギー電子は前記電子ブロック層により前記有機発光層への移動が阻止されるので、前記有機発光層が前記電子によりダメージを受けることは確実に防止される。
【００２３】
さらに、前記封止膜を形成する工程を電子ビーム蒸着法により行う場合、すなわち、真空容器内において、金属窒化物、金属酸化物、及び金属酸窒化物の少なくともいずれかを材料とする蒸着源に電子ビームを入射させて蒸発させ、前記蒸着源から蒸発した蒸着材料を、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に被着させることにより、前記電子ブロック層及び積層体の露出面に前記封止膜を形成するようにした場合でも、前記スパッタリング法による場合と同様に、前記有機発光層が蒸着材料中からの二次電子によりダメージを受けることが防止される。すなわち、この場合、もし前記電子ブロック層がなければ、前記積層体中の有機発光層が蒸着材料中からの二次電子によりダメージを与えられてしまう。しかし、本実施形態においては、蒸着材料中からの二次電子は、前記電子ブロック層により、前記有機発光層へ移動することが防止されるので、前記有機発光層が前記の高エネルギー電子によりダメージを受けることが無くなる。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明の実施例１による有機ＥＬ素子を示す模式図である。図１において、１はガラス基板、２はこのガラス基板１の上に形成された例えばＩＴＯなどから成る陽極（例えば１５０ｎｍ厚）、３はこの陽極２の上に形成された例えば２−ＴＮＡＴＡなどから成る正孔注入層（例えば３０ｎｍ厚）、４はこの正孔注入層３の上に形成された例えばα−ＮＰＤなどから成る正孔輸送層（例えば３０ｎｍ厚）、５はこの正孔輸送層４の上に形成された例えばＡｌｑ３とＣ５４５Ｔなどから成る有機発光層（例えば３０ｎｍ厚）、６はこの有機発光層５の上に形成された例えばＡｌｑ３などから成る電子輸送層、７はこの電子輸送層６の上に形成された例えばＬｉＦなどから成る電子注入層（例えば０．８ｎｍ厚）、８はこの電子注入層７の上に形成された例えばＡｌなどから成る陰極（例えば１５０ｎｍ厚）、９はこの陰極８の上に形成された例えばα−ＮＰＤなどから成る電子ブロック層（例えば８０ｎｍ厚）、である。また、１０は、前記電子ブロック層９の上及び前記の符号１〜８の各層（積層体）の側面（電子ブロック層９及び積層体の露出面）を前記ガラス基板１との間で封止するように形成された封止膜（例えば５００ｎｍ厚）である。
【００２５】
本実施例１において、前記陽極２はミラートロンスパッタ法により形成し、前記正孔注入層３、前記正孔輸送層４、有機発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極８、及び電子ブロック層９は真空蒸着法により形成し、前記封止膜１０はミラートロンスパッタ法により形成して、有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ＋ＢＫ）を得た。
【００２６】
なお、比較例として、前記の電子ブロック層９が無いだけで、それ以外の積層体などは実施例１と同一の構成を有する有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ）を製作した。また、他の比較例として、積層体などは実施例１と同一の構成を有し、その積層体を従来の封止缶（図５参照）で封止した有機ＥＬ素子（ｓｔｄ）を製作した。
【００２７】
図２は、本実施例１による有機ＥＬ素子であって電子ブロック層９を形成した後に封止膜をミラートロンスパッタ法により形成した有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ＋ＢＫ）と、本実施例１と同様の積層体の上に前記電子ブロック層９を形成しないまま前記封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した比較例としての有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ）と、本実施例１と同様の積層体の上に従来の封止缶を装着した他の比較例としての有機ＥＬ素子（ｓｔｄ）との、それぞれの輝度−電圧特性を測定した結果を示すグラフである。この測定結果からは、本実施例１のように前記電子ブロック層９を形成した場合は、前記封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した場合であっても、従来の封止缶を装着した場合（ｓｔｄ）とほぼ同様の高い輝度が得られた。また、本実施例１のような電子ブロック層９を形成しないまま前記封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した場合（ＭＴＳＰ）は、十分な輝度が得られなかった。以上より、前記電子ブロック層９を形成しないまま前記封止膜１０をスパッタ法により形成した場合は有機発光層へのスパッタダメージにより発光特性が低下したが、前記電子ブロック層９を形成した後に前記封止膜１０をスパッタ法により形成した場合は有機発光層へのスパッタダメージを有効に防止できることが確認できた。
【００２８】
また、図３は、本実施例１による有機ＥＬ素子であって電子ブロック層９を形成した後に封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ＋ＢＫ）と、本実施例１と同様の積層体の上に電子ブロック層９を形成しないまま封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した比較例としての有機ＥＬ素子（ＭＴＳＰ）と、本実施例１と同様の積層体の上に従来の封止缶を装着した他の比較例としての有機ＥＬ素子（ｓｔｄ）との、それぞれの電流密度−電圧特性を測定した結果を示すグラフである。この測定結果からは、本実施例１のように電子ブロック層９を形成したときは、その後に封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した場合であっても、従来の封止缶を装着した場合（ｓｔｄ）と同様の高い電流密度が得られた。また、本実施例１のような電子ブロック層９を形成しないまま封止膜１０をミラートロンスパッタ法により形成した場合（ＭＴＳＰ）は、十分な電流密度が得られなかった。以上より、電子ブロック層９を形成しないまま封止膜１０をスパッタ法により形成した場合は、有機発光層への高エルネギー電子によるダメージが生じていたが、電子ブロック層９を形成した後に封止膜１０をスパッタ法により形成した場合は有機発光層への高エルネギー電子によるダメージがほとんど無いことが確認できた。
【実施例２】
【００２９】
次に、本発明の実施例２として、電子ブロック層９をＴＰＤを材料として真空蒸着法により形成した後、封止膜１０をミラートロンスパッタリング法により形成して有機ＥＬ素子を作成した（本実施例２においては、電子ブロック層９の材料が前記実施例１と異なっているだけで、それ以外は前記実施例１と同じである）。この実施例２による有機ＥＬ素子について、その輝度−電圧特性と電流密度−電圧特性を測定したところ、前記実施例１と同様の結果が得られた。
【実施例３】
【００３０】
次に、本発明の実施例３として、電子ブロック層９をＭｏＯ３（三酸化モリブデン）を材料として真空蒸着法により形成した後、封止膜１０をミラートロンスパッタリング法により形成して有機ＥＬ素子を作成した（本実施例３においては、電子ブロック層９の材料が前記実施例１と異なっているだけで、それ以外は前記実施例１と同じである）。この実施例３による有機ＥＬ素子について、その輝度−電圧特性と電流密度−電圧特性を測定したところ、前記実施例１と同様の結果が得られた。
【実施例４】
【００３１】
次に、本発明の実施例４として、電子ブロック層９をα−ＮＰＤを材料として真空蒸着法により形成した後、封止膜１０を電子ビーム真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を作成した（本実施例４においては、封止膜１０の形成方法が前記実施例１と異なっているだけで、それ以外は前記実施例１と同じである）。この実施例４による有機ＥＬ素子について、その輝度−電圧特性と電流密度−電圧特性を測定したところ、前記実施例１と同様の結果が得られた。
【実施例５】
【００３２】
次に、本発明の実施例５として、電子ブロック層９をＴＰＤを材料として真空蒸着法により形成した後、封止膜１０を電子ビーム真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を作成した（本実施例５においては、封止膜１０の形成方法が前記実施例１と異なっているだけで、それ以外は前記実施例１と同じである）。この実施例５による有機ＥＬ素子について、その輝度−電圧特性と電流密度−電圧特性を測定したところ、前記実施例１と同様の結果が得られた。
【実施例６】
【００３３】
次に、本発明の実施例６として、電子ブロック層９をＭｏＯ３（三酸化モリブデン）を材料として真空蒸着法により形成した後、封止膜１０を電子ビーム真空蒸着法により形成して有機ＥＬ素子を作成した（本実施例６においては、封止膜１０の形成方法が前記実施例１と異なっているだけで、それ以外は前記実施例１と同じである）。この実施例６による有機ＥＬ素子について、その輝度−電圧特性と電流密度−電圧特性を測定したところ、前記実施例１と同様の結果が得られた。
【００３４】
なお、ここで、上記の各実施例において封止膜１０の形成に使用するミラートロンスパッタ装置について図４を参照して簡単に説明しておく。図４において、１１は例えば金属窒化物、金属酸化物又は金属酸窒化物から成り平面が略円板状に形成された一対のターゲットである。前記各ターゲット１１は、互いに所定の距離を介して対向配置されている。また、１２は前記各ターゲット１１の外周部に沿うように断面が略円形に形成されている略リング状の磁石である。前記磁石１２は、互いに対向する部分が対極となるように、前記各ターゲット１１の背面側にそれぞれ配置されている。前記磁石１２は、前記一対のターゲット１１間の空間Ｈを、その周辺部（前記略円板状のターゲット１１の外周に対向する略リング状部分＝前記各磁石１２に対向する略リング状部分）が磁束密度が高く、その内側の中央部が磁束密度が低い状態となる磁場空間を形成するためのものである。前記のような積層体が形成された基板１は、前記各ターゲット１１間の空間Ｈの側方（図示上方）に配置されている。なお、前記のターゲット１１、及び基板１などはいずれも、図示しない真空容器内に収容されている。また、図４において、１５は前記真空容器側をアノード（陽極）に前記ターゲット１１をカソード（陰極）にしてスパッタ電力を供給するためのスパッタ電源、１６は図示しないスパッタガス導入口から前記真空容器内の前記各ターゲット１１の側方近傍に導入されるアルゴンなどの不活性ガス（スパッタガス）、１７は前記基板１の近傍に向けて必要に応じて酸素ガスや窒素ガスなどの反応性ガスを導入するための反応性ガス導入口、である。
【００３５】
装置の動作時には、前記真空容器内を真空排気した後、アルゴンガスを導入し、前記各ターゲット１１を陰極とすべく電圧を印加すると、前記両ターゲット１１間に存在するアルゴンなどのスパッタガスはイオン化してプラズマとなり、またこれによって生じたＡｒ＋などの陽イオンがターゲット１１に入射してスパッタを起こす。このとき、前述のように、前記両ターゲット１１間はスパッタ面と略垂直な磁界が印加された磁場空間となっているので、前記各ターゲット１１間の空間Ｈ内では、高エネルギー電子が閉じ込められ、この高エネルギー電子が前記スパッタガスとの衝突を繰り返すことにより前記スパッタガスのイオン化が促進され、その結果、スパッタイオン数の増大化により前記ターゲット１１のスパッタ速度が高められる。前記各ターゲット１１からスパッタされて叩き出された原子又は粒子は、前記基板１の前記積層体及び電子ブロック層の露出部分に付着・堆積し、封止膜を形成する。
【００３６】
このようなミラートロンスパッタ装置を使用して積層体及び電子ブロック層の露出面に封止膜を形成するとき、スパッタプラズマ内の高エネルギー電子は両ターゲット間の磁場空間内に閉じ込められているので、前記の高エネルギー電子が有機発光層に衝突してこれを破壊してしまうことがほぼ防止され、封止膜の形成過程で有機発光層にダメージを与える恐れは極めて少なくなる（また、仮に前記封止膜の形成過程で前記高エネルギー電子が積層体の方向に飛散したとしても、前記電子ブロック層により、前記高エネルギー電子が有機発光層に移動することが阻止されるので、前記有機発光層がダメージを受けてしまうことが確実に防止される）。
【００３７】
以上、本発明の各実施例について説明したが、本発明はこれらの各実施例に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。例えば、前記各実施例では、前記電子ブロック層９の構成材料としてそれぞれα−ＮＰＤ、ＴＰＤ、ＭｏＯ３を採用したが、本発明はこれらに限られるものではなく従来より正孔輸送性を有すると認められている材料が含まれることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施例１による有機ＥＬ素子の構成を示す模式図。
【図２】本発明の実施例１による有機ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示すグラフ。
【図３】本発明の実施例１による有機ＥＬ素子の電流密度−電圧特性を示すグラフ。
【図４】本発明の実施例において封止膜の形成に使用したミラートロンスパッタ装置の構成を説明するための概略図。
【図５】有機発光層を大気中の水分や酸素から封止するために従来より使用されている封止缶を説明するための図。
【符号の説明】
【００３９】
１         ガラス基板
２         陽極
３         正孔注入層
４         正孔輸送層
５         有機発光層
６         電子輸送層
７         電子注入層
８         陰極
９         電子ブロック層
１０     封止膜
１１     ターゲット
１２     磁石
１５     スパッタ電源
１６     不活性ガス
１７     反応性ガス導入口
１８   スパッタされて叩き出された原子又は粒子
Ｈ         両ターゲット間の磁場空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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