(57)【要約】【課題】外光の照度を正確に感知でき、表示画像の輝度レベルを制御できる表示装置及び表示装置の制御方法を提供する。【解決手段】表示装置は、画像を表示する表示パネルと、表示パネルに設けられ、トランジスタ構造を有した光感知部Ｔｒ１と、を備えている。光検出期間に、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスを印加し、外光Ｌの照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、非光検出期間に第２電圧ストレスを印加し上記第１電圧ストレスを打ち消す。【選択図】      図６
2009098512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、トランジスタ構造を有した光感知部と、
光検出期間に、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、外光の照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、非光検出期間に、前記光感知部に第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す制御機構と、を備えた表示装置。
【請求項２】
前記制御機構は、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記制御機構は、前記光検出期間における前記第１電圧ストレスと、前記非光検出期間における前記第２電圧ストレスとを交互に印加し、前記非光検出期間と前記光検出期間との間の待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記制御機構は、前記待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に同一の電圧を印加する請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記制御機構は、前記待機期間に、前記光感知部に相対的に互いに異なる極性の電圧ストレスを交互に印加する請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記制御機構は、前記光検出期間における前記第１電圧ストレスと、前記非光検出期間における前記第２電圧ストレスとを交互に印加し、前記光検出期間、非光検出期間、並びに前記非光検出期間及び前記光検出期間の間の待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記光感知部は、ゲート電極、絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層、前記チャネル層の一方の領域に電気的に接続されたソース電極、及び前記チャネル層の他方の領域に電気的に接続されたドレイン電極を備えている請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、ゲート電極、絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層、前記チャネル層の一方の領域に電気的に接続されたソース電極、及び前記チャネル層の他方の領域に電気的に接続されたドレイン電極を有し、前記チャネル層の受ける外光の輝度レベルに応じて前記ソース電極及びドレイン電極間の導電性を変化させる光感知部と、
前記光感知部のドレイン電極に接続された光検出信号取出し線と、
前記光検出信号取出し線に接続され、リセット電圧を前記光検出信号取出し線に出力させ、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせるかどうか切替える切替えスイッチと、
前記光検出信号取出し線に接続され、前記光検出信号取出し線に出力されたリセット電圧を記憶する記憶部と、
前記光検出信号取出し線に接続され、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を出力させるかどうか切替える出力スイッチと、
制御機構と、を備え、
前記制御機構は、
前記リセット期間に、前記光感知部のゲート電極に第１ゲート電圧を印加し、かつ、前記切替えスイッチを導通状態にさせ、かつ、前記出力スイッチを非導通状態にさせ、前記切替えスイッチから前記光検出信号取出し線にリセット電圧を印加し、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせ、かつ、前記記憶部にリセット電圧を記憶させ、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、
前記リセット期間に続く前記保持期間に、前記切替えスイッチを非導通状態に切替え、前記記憶部にリセット電圧を保持させ、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記保持期間に続く光検出信号取出し期間に、前記出力スイッチを導通状態に切替え、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を前記出力スイッチから取出し、取り出した前記光検出信号に応じて画像の輝度レベルを制御し、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記リセット期間、保持期間及び光検出信号取出し期間を含んだ光検出期間に続く非光検出期間に、前記出力スイッチを非導通状態に切替え、前記光感知部のゲート電極に前記第１ゲート電圧と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧を印加し、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す表示装置。
【請求項９】
画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、トランジスタ構造を有した光感知部と、を備えた表示装置の制御方法において、
光検出期間に、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、外光の照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、
非光検出期間に第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す表示装置の制御方法。
【請求項１０】
前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項９に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１１】
前記光検出期間における前記第１電圧ストレスと、前記非光検出期間における前記第２電圧ストレスとを交互に印加し、
前記非光検出期間と前記光検出期間との間の待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項９に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１２】
前記待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に同一の電圧を印加する請求項１１に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１３】
前記待機期間に、前記光感知部に相対的に互いに異なる極性の電圧ストレスを交互に印加する請求項１１に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１４】
前記光検出期間における前記第１電圧ストレスと、前記非光検出期間における前記第２電圧ストレスとを交互に印加し、
前記光検出期間、非光検出期間、並びに前記非光検出期間及び前記光検出期間の間の待機期間に、前記光感知部のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させる請求項９に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１５】
画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、ゲート電極、絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層、前記チャネル層の一方の領域に電気的に接続されたソース電極、及び前記チャネル層の他方の領域に電気的に接続されたドレイン電極を有し、前記チャネル層の受ける外光の輝度レベルに応じて前記ソース電極及びドレイン電極間の導電性を変化させる光感知部と、前記光感知部のドレイン電極に接続された光検出信号取出し線と、前記光検出信号取出し線に接続され、リセット電圧を前記光検出信号取出し線に出力させ、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせるかどうか切替える切替えスイッチと、前記光検出信号取出し線に接続され、前記光検出信号取出し線に出力されたリセット電圧を記憶する記憶部と、前記光検出信号取出し線に接続され、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を出力させるかどうか切替える出力スイッチと、を備えた表示装置の制御方法において、
前記リセット期間に、前記光感知部のゲート電極に第１ゲート電圧を印加し、かつ、前記切替えスイッチを導通状態にさせ、かつ、前記出力スイッチを非導通状態にさせ、前記切替えスイッチから前記光検出信号取出し線にリセット電圧を印加し、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせ、かつ、前記記憶部にリセット電圧を記憶させ、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、
前記リセット期間に続く前記保持期間に、前記切替えスイッチを非導通状態に切替え、前記記憶部にリセット電圧を保持させ、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記保持期間に続く光検出信号取出し期間に、前記出力スイッチを導通状態に切替え、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を前記出力スイッチから取出し、取り出した前記光検出信号に応じて画像の輝度レベルを制御し、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記リセット期間、保持期間及び光検出信号取出し期間を含んだ光検出期間に続く非光検出期間に、前記出力スイッチを非導通状態に切替え、前記光感知部のゲート電極に前記第１ゲート電圧と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧を印加し、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す表示装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置として液晶表示装置が使用されている。液晶表示装置は、例えば携帯電話の表示部に用いられている。携帯電話などは、外光の照度の異なる環境で使用されている。このため、昨今、携帯電話などでは周辺の環境光を測光し、これに併せて表示の輝度を変えたり、画像変調を実施したりすることにより、セット全体の消費電力を抑えたり、表示画面の視認性を向上したりするのに活用されている（例えば、非特許文献１参照）。これを合理化し使いやすくするために光センサを液晶表示装置のアレイ基板に内蔵した技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【非特許文献１】Ｐ９０３ｉＴＶカタログ、パナソニックモバイルコミュニケーション株式会社
【特許文献１】特開２００７−７２２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記光センサは、トランジスタ構造を有している。ところが、トランジスタ構造の光センサを用いた場合、長期間に亘る測光駆動を行っていると、光センサにかかる電圧ストレスで光電流特性がシフトしてしまい受光感度が変化するという課題がある。より詳しくは、トランジスタのゲート電極には常に片極性の電圧が印加され続けられているため、トランジスタには常に片極性の電圧ストレスが印加され続けられることになる。このような状況でしかも外光照射も加わる環境で使い続けるとトランジスタは閾値シフトを起こしてしまい光電流特性がシフトしてしまう。
【０００４】
上記したことは、光電流の小さい低照度領域（低照度環境）で特に問題となる。また、アモルファスシリコン薄膜を用いてトランジスタを形成した場合に非常に大きな課題となる。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、外光の照度を正確に感知でき、表示画像の輝度レベルを制御できる表示装置及び表示装置の制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る表示装置は、
画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、トランジスタ構造を有した光感知部と、
光検出期間に、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、外光の照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、非光検出期間に、前記光感知部に第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す制御機構と、を備えている。
【０００６】
また、本発明の他の態様に係る表示装置は、
画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに設けられ、ゲート電極、絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層、前記チャネル層の一方の領域に電気的に接続されたソース電極、及び前記チャネル層の他方の領域に電気的に接続されたドレイン電極を有し、前記チャネル層の受ける外光の輝度レベルに応じて前記ソース電極及びドレイン電極間の導電性を変化させる光感知部と、
前記光感知部のドレイン電極に接続された光検出信号取出し線と、
前記光検出信号取出し線に接続され、リセット電圧を前記光検出信号取出し線に出力させ、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせるかどうか切替える切替えスイッチと、
前記光検出信号取出し線に接続され、前記光検出信号取出し線に出力されたリセット電圧を記憶する記憶部と、
前記光検出信号取出し線に接続され、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を出力させるかどうか切替える出力スイッチと、
制御機構と、を備え、
前記制御機構は、
前記リセット期間に、前記光感知部のゲート電極に第１ゲート電圧を印加し、かつ、前記切替えスイッチを導通状態にさせ、かつ、前記出力スイッチを非導通状態にさせ、前記切替えスイッチから前記光検出信号取出し線にリセット電圧を印加し、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせ、かつ、前記記憶部にリセット電圧を記憶させ、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、
前記リセット期間に続く前記保持期間に、前記切替えスイッチを非導通状態に切替え、前記記憶部にリセット電圧を保持させ、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記保持期間に続く光検出信号取出し期間に、前記出力スイッチを導通状態に切替え、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を前記出力スイッチから取出し、取り出した前記光検出信号に応じて画像の輝度レベルを制御し、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記リセット期間、保持期間及び光検出信号取出し期間を含んだ光検出期間に続く非光検出期間に、前記出力スイッチを非導通状態に切替え、前記光感知部のゲート電極に前記第１ゲート電圧と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧を印加し、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す。
【０００７】
また、本発明の他の態様に係る表示装置の制御方法は、
画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、トランジスタ構造を有した光感知部と、を備えた表示装置の制御方法において、
光検出期間に、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、外光の照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、
非光検出期間に第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す。
【０００８】
また、本発明の他の態様に係る表示装置の制御方法は、
画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルに設けられ、ゲート電極、絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層、前記チャネル層の一方の領域に電気的に接続されたソース電極、及び前記チャネル層の他方の領域に電気的に接続されたドレイン電極を有し、前記チャネル層の受ける外光の輝度レベルに応じて前記ソース電極及びドレイン電極間の導電性を変化させる光感知部と、前記光感知部のドレイン電極に接続された光検出信号取出し線と、前記光検出信号取出し線に接続され、リセット電圧を前記光検出信号取出し線に出力させ、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせるかどうか切替える切替えスイッチと、前記光検出信号取出し線に接続され、前記光検出信号取出し線に出力されたリセット電圧を記憶する記憶部と、前記光検出信号取出し線に接続され、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を出力させるかどうか切替える出力スイッチと、を備えた表示装置の制御方法において、
前記リセット期間に、前記光感知部のゲート電極に第１ゲート電圧を印加し、かつ、前記切替えスイッチを導通状態にさせ、かつ、前記出力スイッチを非導通状態にさせ、前記切替えスイッチから前記光検出信号取出し線にリセット電圧を印加し、前記光検出信号取出し線の電圧をリセットさせ、かつ、前記記憶部にリセット電圧を記憶させ、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスを印加し、
前記リセット期間に続く前記保持期間に、前記切替えスイッチを非導通状態に切替え、前記記憶部にリセット電圧を保持させ、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記保持期間に続く光検出信号取出し期間に、前記出力スイッチを導通状態に切替え、前記記憶部に記憶されたリセット電圧及び光感知部から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号を前記出力スイッチから取出し、取り出した前記光検出信号に応じて画像の輝度レベルを制御し、かつ、前記ゲート電極への第１ゲート電圧の印加及び前記光感知部への第１電圧ストレスの印加を維持し、
前記リセット期間、保持期間及び光検出信号取出し期間を含んだ光検出期間に続く非光検出期間に、前記出力スイッチを非導通状態に切替え、前記光感知部のゲート電極に前記第１ゲート電圧と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧を印加し、かつ、前記光感知部に第１電圧ストレスと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスを印加し前記第１電圧ストレスを打ち消す。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、外光の照度を正確に感知でき、表示画像の輝度レベルを制御できる表示装置及び表示装置の制御方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながらこの発明の表示装置及び表示装置の制御方法を液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法に適用した実施の形態について詳細に説明する。  
図１、図２、図３、図４及び図５に示すように、液晶表示装置は、表示パネルとしての液晶表示パネル１、光センサ２、駆動回路（ＬＳＩ）３、バックライトユニット４、基板５、記憶部６及び処理部７を備えている。駆動回路３、記憶部６及び処理部７は、制御機構８を形成している。
【００１１】
液晶表示パネル１は、アレイ基板１０と、表示面Ｓ１を有した対向基板３０と、液晶層４０とを備えている。アレイ基板１０および対向基板３０は、それぞれ矩形状に形成されている。アレイ基板１０は、対向基板３０よりも大きな寸法に形成されている。
【００１２】
アレイ基板１０および対向基板３０は、各々の３辺がほぼ重なるように配置されている。アレイ基板１０の残る一辺において、アレイ基板１０は、対向基板３０よりも外側へ延出している。より詳しくは、第１方向ｄ１において、アレイ基板１０および対向基板３０はほぼ重なるように配置されている。第１方向ｄ１と直交した第２方向ｄ２において、アレイ基板１０は、対向基板３０よりも外側へ延出している。液晶表示パネル１は、アレイ基板１０および対向基板３０に重なった矩形状の表示領域Ｒ１を有している。
【００１３】
アレイ基板１０は、透明な絶縁基板として、矩形状のガラス基板１１を有している。ガラス基板１１は、対向基板３０から外れた延出部１１ａを有している。表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上に、複数の画素１２が配置されている。画素１２は、表示面Ｓ１に沿った第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に沿ってマトリクス状に設けられている。なお、表示面Ｓ１は表示領域Ｒ１に重なっている。
【００１４】
表示領域Ｒ１において、ガラス基板１１上には、複数の走査線１５及びこれら走査線に直交した複数の信号線２２が配置されている。ガラス基板１１上には、走査線１５に平行な複数の補助容量下部配線１６が形成されている。この実施の形態において、画素１２は、隣合う２本の補助容量下部配線１６及び隣合う２本の信号線２２で囲まれた領域に形成されている。
【００１５】
次に、画素１２を１つ取り出して詳述する。  
画素１２は、画素電極２５、この画素電極に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３及び補助容量素子１４を有している。ＴＦＴ１３はＮチャネル型である。なお、ＴＦＴ１３は、後述する光センサ２の光感知部Ｔｒ１と同様に形成されている。
【００１６】
ガラス基板１１上に、走査線１５、走査線１５の一部を延出したゲート電極１５ａ及び補助容量下部配線１６が形成されている。走査線１５、ゲート電極１５ａ及び補助容量下部配線１６は、同一の材料で形成されている。ガラス基板１１、走査線１５、ゲート電極１５ａ及び補助容量下部配線１６上に、ゲート絶縁膜１７が成膜されている。ゲート絶縁膜１７上に、チャネル層１８及び補助容量電極１９が形成されている。この実施の形態において、チャネル層１８及び補助容量電極１９は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜で形成されている。
【００１７】
チャネル層１８は、ゲート電極１５ａに重ねて形成されている。補助容量電極１９は、補助容量下部配線１６に重ねて形成されている。補助容量下部配線１６及び補助容量電極１９は補助容量素子１４を形成している。チャネル層１８上に、絶縁層２０が形成されている。
【００１８】
チャネル層１８及び補助容量電極１９が形成されたゲート絶縁膜１７上に、信号線２２及び接続配線２３が形成されている。信号線２２及び接続配線２３は、同一の材料で形成されている。信号線２２のソース電極２２ａは、チャネル層１８のソース領域ＲＳに電気的に接続されている。接続配線２３のドレイン電極２３ａは、チャネル層１８のドレイン領域ＲＤに電気的に接続されている。また、接続配線２３は補助容量電極１９に電気的に接続されている。
【００１９】
チャネル層１８と、ソース電極２２ａおよびドレイン電極２３ａとは、それぞれ接続されているが、これらはｎ＋ａ−Ｓｉ膜２１を介して接続される。ａ−Ｓｉからなるチャネル層１８で構成されたＴＦＴ１３において、このｎ＋ａ−Ｓｉ膜２１は必須の層である。
【００２０】
信号線２２及び接続配線２３が形成されたガラス基板１１上に、層間絶縁膜２４が形成されている。層間絶縁膜２４上には画素電極２５が形成されている。画素電極２５は、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電材料で形成されている。画素電極２５は、層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール２４ｈを介して接続配線２３に電気的に接続されている。画素電極２５は、隣合う２本の補助容量下部配線１６及び隣合う２本の信号線２２に周縁を重ねて形成されている。
【００２１】
層間絶縁膜２４及び画素電極２５上には配向膜２６が形成されている。  
上記したように、ガラス基板１１上にアレイパターン１０ｐが形成され、アレイ基板１０を形成している。
【００２２】
対向基板３０は、透明な絶縁基板として、例えばガラス基板３１を備えている。ガラス基板３１上には、赤色、緑色及び青色の複数の着色層３２が形成されている。着色層３２上には、対向電極３３及び配向膜３４が順に形成されている。  
上記したように、ガラス基板３１上に対向パターン３０ｐが形成され、対向基板３０を形成している。対向基板３０は、アレイ基板１０に対して反対側に表示面Ｓ１を含んでいる。
【００２３】
アレイ基板１０及び対向基板３０間の隙間はスペーサとして、例えばアレイ基板１０に形成された柱状スペーサ３５により保持されている。アレイ基板１０及び対向基板３０は、表示領域Ｒ１の周縁部である両基板の周縁部に配置された矩形枠状のシール材３６により互いに接合されている。
【００２４】
液晶層４０は、アレイ基板１０及び対向基板３０間に挟持され、シール材３６で囲まれている。シール材３６の一部に形成された液晶注入口３７は、封止材３８により封止されている。
【００２５】
駆動回路３は、延出部１１ａ上に実装されている。ここで、延出部１１ａ上に、複数の走査線１５、複数の補助容量下部配線１６及び複数の信号線２２のそれぞれの一端部が設けられている。すなわち、複数の走査線１５、複数の補助容量下部配線１６及び複数の信号線２２のそれぞれの一端部は、シール材３６を越え、シール材３６の外側の延出部１１ａ上に位置している。駆動回路３は、複数の走査線１５、複数の補助容量下部配線１６及び複数の信号線２２に電気的に接続されている。
【００２６】
バックライトユニット４は、アレイ基板１０の外面側に配置されている。バックライトユニット４は、アレイ基板１０に対向配置された導光体４ａと、この導光体の一側縁に対向配置された光源４ｂ及び反射板４ｃとを有している。
【００２７】
図１、図３、図６及び図７に示すように、光センサ（光感知器）２は液晶表示パネル１に設けられ、より詳しくは表示領域Ｒ１から外れたガラス基板１１上に形成されている。光センサ（光感知器）２は、トランジスタ構造を有した光感知部Ｔｒ１と、記憶部として、例えばキャパシタからなる保持容量Ｃと、切替えスイッチＴｒ２とを有している。光感知部Ｔｒ１及び切替えスイッチＴｒ２は、それぞれＮチャネル型のトランジスタにより形成されている。光感知部Ｔｒ１は、ＴＦＴ１３と同時に同一材料で形成されている。保持容量Ｃは、補助容量素子１４と同時に同一材料で形成されている。
【００２８】
光感知部Ｔｒ１は、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極に対向配置され、アモルファスシリコンで形成されたチャネル層ＣＨ、チャネル層のソース領域に電気的に接続されたソース電極Ｓ、及びチャネル層のドレイン領域に電気的に接続されたドレイン電極Ｄを有している。
【００２９】
ゲート電極Ｇは、チャネル層ＣＨ全体に重なり、チャネル層ＣＨへのバックライト光の照射を防止している。光感知部Ｔｒ１は、チャネル層ＣＨの受ける外光Ｌの輝度レベルに応じてソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄ間の導電性を変化させるものである。  
保持容量Ｃは、光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと接続されている。  
光センサ２は、制御機構８、より詳しくは駆動回路３と電気的に接続されている。
【００３０】
光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓは、駆動回路３の入力パッドＰ１と電気的に接続されている。ソース電極Ｓには、入力パッドＰ１を介してソース電圧Ｖ１が入力される。光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇは、駆動回路３の入力パッドＰ２と電気的に接続されている。ゲート電極Ｇには、入力パッドＰ２を介してゲート電圧Ｖ２が入力される。
【００３１】
光感知部Ｔｒ１のドレイン電極Ｄは、光検出信号取出し線Ｗを介して駆動回路３の出力パッドＰｏｕｔに電気的に接続されている。出力パッドＰｏｕｔには、光検出信号取出し線Ｗを介して光検出信号（出力電圧）Ｖｏｕｔが出力される。
【００３２】
切替えスイッチＴｒ２のゲート電極は、駆動回路３の入力パッドＰ３と電気的に接続されている。上記ゲート電極には、入力パッドＰ３を介してゲート電圧Ｖ３が入力される。このため、切替えスイッチＴｒ２は、ゲート電圧Ｖ３に応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。
【００３３】
切替えスイッチＴｒ２のソース電極は、駆動回路３の入力パッドＰ４と電気的に接続されている。上記ソース電極には、入力パッドＰ４を介してソース電圧Ｖ４が入力される。切替えスイッチＴｒ２のドレイン電極は、光検出信号取出し線Ｗ及び保持容量Ｃと電気的に接続されている。
【００３４】
駆動回路３は、出力スイッチＴｒ３及び出力バッファＢを有している。出力スイッチＴｒ３は、例えばＮチャネル型のトランジスタにより形成されている。出力スイッチＴｒ３のソース電極は、出力パッドＰｏｕｔを介して光検出信号取出し線Ｗに電気的に接続されている。出力スイッチＴｒ３のドレイン電極は、出力バッファＢの入力端子と電気的に接続されている。出力スイッチＴｒ３は、処理部７からの制御信号に応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。
【００３５】
記憶部６及び処理部７は、基板５上に実装されている。記憶部６には、光検出信号Ｖｏｕｔの値に対応した外光の照度の情報が予め格納されている。この実施の形態において、記憶部６は、読み出し専用に形成されたＲＯＭである。
【００３６】
処理部７は、光センサ２から出力される光検出信号Ｖｏｕｔを検出し、記憶部６の情報と照し合せる。これにより、処理部７は、外光Ｌの照度の情報を検出することができる。処理部７は、検出された外光Ｌの照度の情報に応じて画像の輝度レベルを制御する。画像の輝度レベルの制御は、例えば、バックライトユニット４からの光放出量を制御することにより行われる。
【００３７】
処理部７は、タイミングコントローラ７ａを有している。このため、処理部７は、タイミングコントローラ７ａの指示に基づき、光センサ２に連続的又は断続的に光感知を行わせることができる。すなわち、処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを連続的又は断続的に検出することができる。
【００３８】
基板５及び液晶表示パネル１はフレキシブルケーブル５０で接続されている。フレキシブルケーブル５０は、駆動回路３及び処理部７と電気的に接続されている。このため、上記光検出信号Ｖｏｕｔ等はフレキシブルケーブル５０を介して伝送される。
【００３９】
その他、基板５上には、電源部６０が実装されている。基板５及びバックライトユニット４は、ケーブル７０で接続されている。ケーブル７０は、電源部６０及びバックライトユニット４と電気的に接続されている。このため、処理部７の制御の基、電源部６０から直流の電流は、ケーブル７０を介してバックライトユニット４に与えられる。
【００４０】
次に、液晶表示装置の制御方法について説明する。特に、外光Ｌの照度を検出するための液晶表示装置の制御方法について説明する。図１２乃至図１５に示すように、外光Ｌの照度を検出するための動作は、光検出期間ｔ１に行われる光検出動作と、非光検出期間ｔ２に行われる非光検出動作とに分けられる。  
この実施の形態において、液晶表示パネル１が画像を表示している間、光検出動作と、非光検出動作とが交互に連続的に行われる。言い換えると、処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを連続的に検出する。
【００４１】
光検出動作は、リセット期間ｔ１ａに行われるリセット動作と、保持期間ｔ１ｂに行われる保持動作と、光検出信号取出し期間ｔ１ｃに行われる光検出信号取出し動作とに分けられる。
【００４２】
まず、リセット動作について説明する。  
図８及び図１，６，７，１２−１５に示すように、リセット期間ｔ１ａにおいて、駆動回路３から、光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓに第１ソース電圧Ｖ１、ゲート電極Ｇに第１ゲート電圧Ｖ２が印加される。
【００４３】
同時に、駆動回路３から、切替えスイッチＴｒ２を導通状態（オン状態）とするレベル（オン電位）の第１ゲート電圧Ｖ３が切替えスイッチＴｒ２のゲート電極に印加され、切替えスイッチＴｒ２のソース電極にハイレベルの第１ソース電圧であるリセット電圧Ｖ４が印加される。リセット電圧Ｖ４は、第１ソース電圧Ｖ１に比べて十分に大きい。  
そして、出力スイッチＴｒ３には、駆動回路３から非導通状態（オフ状態）とするレベル（オフ電位）の制御信号が与えられる。
【００４４】
これにより、切替えスイッチＴｒ２から光検出信号取出し線Ｗにリセット電圧Ｖ４を印加し、光検出信号取出し線Ｗの電圧をリセットさせる。同時に、保持容量Ｃにリセット電圧Ｖ４が保持される。言い換えれば、保持容量Ｃにリセット電圧Ｖ４を記憶させる。
【００４５】
上記したリセット動作において、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαを印加することになる。上記したことは、光感知部Ｔｒ１において、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖｏｕｔ（Ｖ４）−Ｖ２）が、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖ１−Ｖ２）が、それぞれ生じるためである。  
以下、本実施の形態では、第１電圧ストレスαとは、ゲート電極Ｇの電位Ｖ２を基準として、ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの電位差（α１）、及び、ソース電極Ｓとゲート電極Ｇとの電位差（α２）を指す。
【００４６】
以上で、リセット動作が終了する。
【００４７】
次に、保持動作について説明する。  
図９及び図１，６，７，１２−１５に示すように、リセット期間ｔ１ａに続く保持期間ｔ１ｂにおいて、出力スイッチＴｒ３をオフ状態に維持したまま、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態に切替える。すなわち、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態とするレベル（オフ電位）の第２ゲート電圧Ｖ３を切替えスイッチＴｒ２のゲート電極に印加する。  
これにより、保持容量Ｃは書き込まれたリセット電圧Ｖ４を保持する。上記した際、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇへの第１ゲート電圧Ｖ２の印加は維持される。
【００４８】
上記した保持動作において、光感知部Ｔｒ１への第１電圧ストレスαの印加を維持することになる。上記したことは、保持容量Ｃによるリセット電圧Ｖ４の保持に起因し、光感知部Ｔｒ１において、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖｏｕｔ−ｖ２）が、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖ１−Ｖ２）が、それぞれ生じるためである。  
以上で、保持動作が終了する。
【００４９】
次に、光検出信号取出し動作について説明する。  
図１０及び図１，６，７，１２−１５に示すように、保持期間ｔ１ｂに続く光検出信号取出し期間ｔ１ｃにおいて、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態に維持したまま、出力スイッチＴｒ３をオン状態に切替える。すなわち、出力スイッチＴｒ３をオン状態とする制御信号を出力スイッチＴｒ３に印加する。
【００５０】
これにより、保持容量Ｃに記憶されたリセット電圧Ｖ４及び光感知部Ｔｒ１から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号Ｖｏｕｔは光検出信号取出し線Ｗを介して出力スイッチＴｒ３に伝送される。上記光検出電圧の値がチャネル層ＣＨに照射される外光Ｌの照度に応じて変化することは言うまでもない。
【００５１】
処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを出力バッファＢを介して出力スイッチＴｒ３から取出す。処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを検出し、記憶部６の情報と照し合せ、外光Ｌの照度の情報を検出する。そして、処理部７は、取り出した光検出信号Ｖｏｕｔに応じて画像の輝度レベルを制御する。画像の輝度レベルの制御は、バックライトユニット４からの光放出量を制御することにより行う。
【００５２】
また、上記した際、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇへの第１ゲート電圧Ｖ２の印加は維持される。  
上記した光検出信号取出し動作において、光感知部Ｔｒ１への第１電圧ストレスαの印加を維持することになる。上記したことは、保持容量Ｃによるリセット電圧Ｖ４の保持に起因し、光感知部Ｔｒ１において、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖｏｕｔ−ｖ２）が、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖ１−Ｖ２）が、それぞれ生じるためである。
【００５３】
以上で、光検出信号取出し動作が終了する。
【００５４】
次に、非光検出動作について説明する。  
図１１及び図１，６，７，１２−１５に示すように、光検出信号取出し期間ｔ１ｃに続く非光検出期間ｔ２において、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態に維持したまま、出力スイッチＴｒ３をオフ状態に切替える。すなわち、出力スイッチＴｒ３をオフ状態とする制御信号を出力スイッチＴｒ３に印加する。
【００５５】
そして、切替えスイッチＴｒ２のソース電極にリセット電圧Ｖ４と相対的に異なる極性の非リセット電圧Ｖ４を印加する。同時に、光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓに第１ソース電圧Ｖ１と相対的に異なる極性の第２ソース電圧Ｖ１を印加する。また、同時に、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇに第１ゲート電圧Ｖ２と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧Ｖ２を印加する。
【００５６】
これにより、上記した非光検出動作において、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスβを印加し、第１電圧ストレスαを打ち消すことができる。上記したことは、光感知部Ｔｒ１において、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖｏｕｔ（Ｖ１）−Ｖ２）と、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖ１−Ｖ２）と、がそれぞれ光検出期間ｔ１とは逆の極性になるためである。
【００５７】
前記第２電圧ストレスβとは、ゲート電極Ｇの電位Ｖ２を基準として、ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの電位差（β１）、及び、ソース電極Ｓとゲート電極Ｇとの電位差（β２）を指す。
【００５８】
第１電圧ストレスαを打ち消すため、光検出期間ｔ１及び非光検出期間ｔ２において、制御機構８は、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させている。
【００５９】
なお、この実施の形態のように、非光検出期間ｔ２全てにおいて、光感知部Ｔｒ１に第２電圧ストレスβを印加する必要はなく、第２電圧ストレスβの印加は、第１電圧ストレスαの打消しに必要な期間だけ行えば良い。
【００６０】
若しくは、非光検出期間ｔ２自体の長さを第１電圧ストレスαの打消しに必要な長さに調整すれば良い。非光検出期間ｔ２自体の長さは、電圧設定やトランジスタ特性に応じた最適値に設定するのが好ましい。
【００６１】
以上で、非光検出動作が終了する。  
そして、上記した光検出動作及び非光検出動作は、液晶表示パネル１が画像を表示している間、交互に連続的に行われる。
【００６２】
上記のように構成された液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法によれば、光検出期間ｔ１に、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαを印加し、外光Ｌの照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、非光検出期間ｔ２に、光感知部Ｔｒ１に第２電圧ストレスβを印加し第１電圧ストレスαを打ち消している。
【００６３】
上記したように、電圧ストレスの極性を次々と転換して駆動することにより、ゲート絶縁膜１７へのキャリアの注入や光感知部Ｔｒ１内の固定電荷の移動等が抑制される。このため、光感知部Ｔｒ１の閾値シフトを抑制し光電流特性シフトを大幅に改善することができる。光感知部Ｔｒ１のチャネル層ＣＨがアモルファスシリコンで形成されている場合には、アモルファスシリコンのダングリングボンドによりゲート絶縁膜に電荷の注入が起き易いので特に効果的である。
【００６４】
画素１２を形成する際、同一材料で同時に光センサ２を形成することができる。このため、製造コストの削減、ひいては製品価格の高騰を抑制することができる。  
上記したことから、外光Ｌの照度を正確に感知でき、表示画像の輝度レベルを制御できる液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法を得ることができる。
【００６５】
次に、この発明の表示装置及び表示装置の制御方法を液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法に適用した他の実施の形態について詳細に説明する。この実施の形態において、液晶表示装置の駆動回路３は切替えスイッチＴｒ４を有している。液晶表示装置の他の構成は上述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００６６】
図１６に示すように、切替えスイッチＴｒ４は、例えばＮチャネル型のトランジスタにより形成されている。切替えスイッチＴｒ４のソース電極は、パッドＧＮＤを介して接地されている。切替えスイッチＴｒ４のドレイン電極は、出力パッドＰｏｕｔと出力スイッチＴｒ３との間に電気的に接続されている。切替えスイッチＴｒ４は、処理部７からの制御信号に応答してオン（導通状態）、オフ（非導通状態）される。
【００６７】
次に、液晶表示装置の制御方法について説明する。特に、外光Ｌの照度を検出するための液晶表示装置の制御方法について説明する。図２２乃至２５に示すように、外光Ｌの照度を検出するための動作は、光検出期間ｔ１に行われる光検出動作と、非光検出期間ｔ２に行われる非光検出動作と、待機期間ｔ３に行われる待機動作とに分けられる。  
この実施の形態において、液晶表示パネル１が画像を表示している間、光検出動作と、非光検出動作とが交互に断続的に行われる。言い換えると、処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを断続的に検出する。
【００６８】
まず、リセット動作について説明する。  
図１７及び図１，７，１６，２２−２５に示すように、リセット期間ｔ１ａにおいて、駆動回路３から、光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓに第１ソース電圧Ｖ１、ゲート電極Ｇに第１ゲート電圧Ｖ２が印加される。
【００６９】
同時に、駆動回路３から、切替えスイッチＴｒ２を導通状態（オン状態）とするレベル（オン電位）の第１ゲート電圧Ｖ３が切替えスイッチＴｒ２のゲート電極に印加され、切替えスイッチＴｒ２のソース電極にハイレベルの第１ソース電圧であるリセット電圧Ｖ４が印加される。リセット電圧Ｖ４は、第１ソース電圧Ｖ１に比べて十分に大きい。  
そして、出力スイッチＴｒ３及び切替えスイッチＴｒ４には、駆動回路３から非導通状態（オフ状態）とするレベル（オフ電位）の制御信号が与えられる。
【００７０】
これにより、切替えスイッチＴｒ２から光検出信号取出し線Ｗにリセット電圧Ｖ４を印加し、光検出信号取出し線Ｗの電圧をリセットさせる。同時に、保持容量Ｃにリセット電圧Ｖ４を記憶させる。
【００７１】
上記したリセット動作において、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαを印加することになる。
【００７２】
前記第１電圧ストレスαとは、ゲート電極Ｇの電位Ｖ２を基準として、ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの電位差（α１）、及び、ソース電極Ｓとゲート電極Ｇとの電位差（α２）を指す。  
以上で、リセット動作が終了する。
【００７３】
次に、保持動作について説明する。  
図１８及び図１，７，１６，２２−２５に示すように、リセット期間ｔ１ａに続く保持期間ｔ１ｂにおいて、出力スイッチＴｒ３及び切替えスイッチＴｒ４をオフ状態に維持したまま、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態に切替える。すなわち、切替えスイッチＴｒ２をオフ状態とするレベル（オフ電位）の第２ゲート電圧Ｖ３を切替えスイッチＴｒ２のゲート電極に印加する。  
これにより、保持容量Ｃは書き込まれたリセット電圧Ｖ４を保持する。上記した際、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇへの第１ゲート電圧Ｖ２の印加は維持される。
【００７４】
上記した保持動作において、光感知部Ｔｒ１への第１電圧ストレスαの印加を維持することになる。  
以上で、保持動作が終了する。
【００７５】
次に、光検出信号取出し動作について説明する。  
図１９及び図１，７，１６，２２−２５に示すように、保持期間ｔ１ｂに続く光検出信号取出し期間ｔ１ｃにおいて、切替えスイッチＴｒ２及び切替えスイッチＴｒ４をオフ状態に維持したまま、出力スイッチＴｒ３をオン状態に切替える。すなわち、出力スイッチＴｒ３をオン状態とする制御信号を出力スイッチＴｒ３に印加する。
【００７６】
これにより、保持容量Ｃに記憶されたリセット電圧Ｖ４及び光感知部Ｔｒ１から出力される光検出電圧に基づいた光検出信号Ｖｏｕｔは光検出信号取出し線Ｗを介して出力スイッチＴｒ３に伝送される。
【００７７】
処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを出力バッファＢを介して出力スイッチＴｒ３から取出す。処理部７は、光検出信号Ｖｏｕｔを検出し、記憶部６の情報と照し合せ、外光Ｌの照度の情報を検出する。そして、処理部７は、取り出した光検出信号Ｖｏｕｔに応じて画像の輝度レベルを制御する。画像の輝度レベルの制御は、バックライトユニット４からの光放出量を制御することにより行う。
【００７８】
また、上記した際、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇへの第１ゲート電圧Ｖ２の印加は維持される。  
上記した光検出信号取出し動作において、光感知部Ｔｒ１への第１電圧ストレスαの印加を維持することになる。  
以上で、光検出信号取出し動作が終了する。
【００７９】
次に、非光検出動作について説明する。  
図２０及び図１，７，１６，２２−２５に示すように、光検出信号取出し期間ｔ１ｃに続く非光検出期間ｔ２において、切替えスイッチＴｒ２及び切替えスイッチＴｒ４をオフ状態に維持したまま、出力スイッチＴｒ３をオフ状態に切替える。すなわち、出力スイッチＴｒ３をオフ状態とする制御信号を出力スイッチＴｒ３に印加する。
【００８０】
そして、切替えスイッチＴｒ２のソース電極にリセット電圧Ｖ４と相対的に異なる極性の非リセット電圧Ｖ４を印加する。同時に、光感知部Ｔｒ１のソース電極Ｓに第１ソース電圧Ｖ１と相対的に異なる極性の第２ソース電圧Ｖ１を印加する。また、同時に、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇに第１ゲート電圧Ｖ２と相対的に異なる極性の第２ゲート電圧Ｖ２を印加する。
【００８１】
これにより、上記した非光検出動作において、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαと相対的に異なる極性の第２電圧ストレスβを印加し、第１電圧ストレスαを打ち消すことができる。上記したことは、光感知部Ｔｒ１において、ドレイン電極Ｄ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖｏｕｔ（Ｖ１）−Ｖ２）と、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ間に電位差（Ｖ１−Ｖ２）と、がそれぞれ光検出期間ｔ１とは逆の極性になるためである。
【００８２】
前記第２電圧ストレスβとは、ゲート電極Ｇの電位Ｖ２を基準として、ドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇとの電位差（β１）、及び、ソース電極Ｓとゲート電極Ｇとの電位差（β２）を指す。
【００８３】
第１電圧ストレスαを打ち消すため、光検出期間ｔ１及び非光検出期間ｔ２において、制御機構８は、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させている。非光検出期間ｔ２自体の長さは、第１電圧ストレスαの打消しに必要な長さに調整されている。非光検出期間ｔ２の長さは、数ミリ秒乃至数十ミリ秒程度である。  
以上で、非光検出動作が終了する。
【００８４】
次に、待機動作について説明する。待機期間ｔ３は、非光検出期間ｔ２に続く同電位化期間ｔ３ａを有している。  
図２１及び図１，７，１６，２２−２７に示すように、待機期間ｔ３の同電位化期間ｔ３ａにおいて、出力スイッチＴｒ３をオフ状態に維持したまま、切替えスイッチＴｒ４をオン状態に切替える。すなわち、切替えスイッチＴｒ４をオン状態とする制御信号を切替えスイッチＴｒ４に印加する。
【００８５】
そして、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ及びソース電極Ｓと、切替えスイッチＴｒ２のゲート電極及びソース電極とにそれぞれ同一の電圧を印加する。この実施の形態において、パッドＧＮＤは接地されているため（電圧Ｖ５＝０Ｖ）、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ及びソース電極Ｓと、切替えスイッチＴｒ２のゲート電極及びソース電極とにそれぞれ０Ｖの電圧を印加する。すなわち、ソース電圧Ｖ１、ゲート電圧Ｖ２、ゲート電圧Ｖ３及びソース電圧Ｖ４を０Ｖとする。
【００８６】
このため、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、切替えスイッチＴｒ２のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とは、同電位となる。
【００８７】
続いて、同電位化期間ｔ３ａ終了後の待機期間ｔ３において、切替えスイッチＴｒ４をオン状態に切替える。上記したように、待機期間ｔ３において、光感知部Ｔｒ１に電圧ストレスがかからないようにする。なお、この実施の形態において、待機期間ｔ３において、切替えスイッチＴｒ２、出力スイッチＴｒ３及び切替えスイッチＴｒ４にも電圧ストレスがかからないようにしている。待機期間ｔ３の長さは、１秒乃至数秒程度である。  
以上で、待機動作が終了する。  
上記した待機期間ｔ３において、制御機構８は、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値を一致させている。また、光検出期間ｔ１、非光検出期間ｔ２及び待機期間ｔ３において、制御機構８は、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させている。
【００８８】
そして、上記した光検出動作、非光検出動作及び待機動作は、液晶表示パネル１が画像を表示している間、順番に繰り返し行われる。
【００８９】
上記のように構成された液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法によれば、光検出期間ｔ１に、光感知部Ｔｒ１に第１電圧ストレスαを印加し、外光Ｌの照度の情報を検出し、検出された情報に応じて画像の輝度レベルを制御し、非光検出期間ｔ２に、光感知部Ｔｒ１に第２電圧ストレスβを印加し第１電圧ストレスαを打ち消している。
【００９０】
上記したように、電圧ストレスの極性を転換して駆動することにより、ゲート絶縁膜１７へのキャリアの注入や光感知部Ｔｒ１内の固定電荷の移動等が抑制される。このため、光感知部Ｔｒ１の光電流特性シフトを大幅に改善することができる。
【００９１】
待機期間ｔ３において、制御機構８は、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値を一致させている。このため、光感知部Ｔｒ１の光電流特性シフトを一層改善することができる。  
上記したことから、外光Ｌの照度を正確に感知でき、表示画像の輝度レベルを制御できる液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法を得ることができる。
【００９２】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００９３】
例えば、図２８に示すように、制御機構８は、待機期間ｔ３に、光感知部Ｔｒ１に相対的に異なる極性の電圧ストレスを交互に印加しても良い。これにより、待機期間ｔ３において、光感知部Ｔｒ１のゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに印加させる電圧の時間平均値をほぼ一致させても良い。
【００９４】
光感知部Ｔｒ１、切替えスイッチＴｒ２、出力スイッチＴｒ３、切替えスイッチＴｒ４及びＴＦＴ１３は、Ｐチャネル型のトランジスタであっても良い。この場合、各トランジスタのゲート電極に印加する電圧を調整することにより、上述した効果を得ることができる。
【００９５】
また、薄膜トランジスタに用いるアモルファスシリコンをポリシリコンに置き換えても、上述した効果と略同様な効果を得ることができる。
【００９６】
切替えスイッチＴｒ２、出力スイッチＴｒ３、切替えスイッチＴｒ４及びＴＦＴ１３は、トランジスタ構造を有しているが、これに限定されるものではなく、スイッチング機能を有していれば良い。
【００９７】
切替えスイッチＴｒ２は、光センサ２に設けられているが、これに限定されるものではなく、駆動回路３（制御機構８）に設けられていても良い。  
この発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の制御方法に限定されるものではなく、表示装置及び表示装置の制御方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】この発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示す概略図。
【図２】上記液晶表示装置を示す断面図。
【図３】図１に示した液晶表示パネルを示す平面図。
【図４】図１乃至図３に示したアレイ基板の一部を示す拡大平面図。
【図５】図４に示した液晶表示装置の線Ａ−Ａ断面図。
【図６】上記液晶表示装置の光センサ及び制御機構を示す回路構成図。
【図７】上記光センサの光感知部を示す断面図。
【図８】上記液晶表示装置の光検出動作のリセット動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図９】上記液晶表示装置の光検出動作の保持動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図１０】上記液晶表示装置の光検出動作の光検出信号取出し動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図１１】上記液晶表示装置の非光検出動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図１２】この発明の実施の形態の光検出期間及び非光検出期間におけるソース電圧、ゲート電圧及び光検出信号（出力電圧）の変化を示すタイミングチャート。
【図１３】図１２に示した光検出期間及び非光検出期間におけるソース電圧、ゲート電圧及び光検出信号（出力電圧）の変化を個別に示すタイミングチャート。
【図１４】上記光検出期間及び非光検出期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差の変化を示すタイミングチャート。
【図１５】図１４に示した光検出期間及び非光検出期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差の変化を個別に示すタイミングチャート。
【図１６】この発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の光センサ及び制御機構を示す回路構成図。
【図１７】図１６に示した液晶表示装置の光検出動作のリセット動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図１８】図１６に示した液晶表示装置の光検出動作の保持動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図１９】図１６に示した液晶表示装置の光検出動作の光検出信号取出し動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図２０】図１６に示した液晶表示装置の非光検出動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図２１】図１６に示した液晶表示装置の待機動作における光センサ及び制御機構を示す等価回路。
【図２２】この発明の他の実施の形態の光検出期間、非光検出期間及び待機期間におけるソース電圧、ゲート電圧及び光検出信号（出力電圧）の変化を示すタイミングチャート。
【図２３】図２２に示した光検出期間、非光検出期間及び待機期間におけるソース電圧、ゲート電圧及び光検出信号（出力電圧）の変化を個別に示すタイミングチャート。
【図２４】図２２及び図２３に示した光検出期間、非光検出期間及び待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差の変化を示すタイミングチャート。
【図２５】図２４に示した光検出期間、非光検出期間及び待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差の変化を個別に示すタイミングチャート。
【図２６】図２４に示したタイミングチャートであり、特に待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差が一定となる状態を示すタイミングチャート。
【図２７】図２５に示したタイミングチャートであり、特に待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差が一定となる状態を個別に示すタイミングチャート。
【図２８】この発明の他の実施の形態の変形例の光検出期間、非光検出期間及び待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差の変化を示すタイミングチャートであり、特に待機期間における光検出信号（出力電圧）及びゲート電圧の電位差、並びにソース電圧及びゲート電圧の電位差が変化している状態を示すタイミングチャート。
【符号の説明】
【００９９】
１…液晶表示パネル、２…光センサ、３…駆動回路、４…バックライトユニット、６…記憶部、７…処理部、７ａ…タイミングコントローラ、８…制御機構、１０…アレイ基板、１２…画素、１３…ＴＦＴ、１４…補助容量素子、２５…画素電極、３０…対向基板、４０…液晶層、５０…フレキシブルケーブル、６０…電源部、７０…ケーブル、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向、Ｒ１…表示領域、Ｔｒ１…光感知部、Ｇ…ゲート電極、Ｓ…ソース電極、Ｄ…ドレイン電極、ＣＨ…チャネル層、Ｃ…保持容量、Ｔｒ２…切替えスイッチ、Ｔｒ３…出力スイッチ、Ｔｒ４…切替えスイッチ、Ｗ…光検出信号取出し線、Ｂ…出力バッファ、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…電圧、Ｌ…外光、ｔ１…光検出期間、ｔ１ａ…リセット期間、ｔ１ｂ…保持期間、ｔ１ｃ…光検出信号取出し期間、ｔ２…非光検出期間、ｔ３…待機期間、ｔ３ａ…同電位化期間、α…第１電圧ストレス、β…第２電圧ストレス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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