(57)【要約】  【課題】気相成長装置の反応炉内の洗浄等のメンテナンスの際に異臭の発生を抑止する。  【解決手段】シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱されたウェハ１５０に供給し、ウェハ１５０上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置１００であって、反応炉１０１と、プロセスガス供給部１０３と、第１排気部１２０と、第１排気部１２０から分岐して設けられ、反応炉１０１から大気を排出するバイパス管１３０とを備えることを特徴とする。これにより、メンテナンス時に反応炉１０１内から排出される大気と、第１排気部１２０に堆積する副生成物とを接触させないため、異臭の発生を抑止することができる。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱された半導体基板に供給し、前記半導体基板上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置であって、
前記半導体基板を収納する反応炉と、
前記反応炉内へプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、
前記反応炉に接続して設けられ、前記反応炉から排気ガスを排出する第１排気部と、
前記第１排気部から分岐して設けられ、前記反応炉から大気を排出する分岐管と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記反応炉から排出する排気ガスあるいは大気を、前記第１排気部と前記分岐管とを切り換えて排出する切り換え手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記反応炉と隣接して配置されるロードロック室と、
前記ロードロック室にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記ロードロック室の排気ガスを排出する第２排気部と、
をさらに備え、
前記分岐管は、前記第１排気部と前記第２排気部とを連通する配管によって構成されることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記分岐管は、前記第１排気部の前記反応炉との接続部の近傍から分岐されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の気相成長装置。
【請求項５】
気相成長装置の反応炉から排出される排気ガスあるいは大気に応じて、前記反応炉に接続された第１排気部と、前記第１排気部から分岐される分岐管とを切り換えて排出することを特徴とする排気方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長を行なって、半導体基板上に気相成長膜を成膜する気相成長装置及び排気方法にかかり、特に、気相成長を行なう反応炉に接続された排気管内に堆積する副生成物に起因する異臭の発生を抑止する気相成長装置及び排気方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
超高速バイポーラ、超高速ＣＭＯＳ、或いはパワーＭＯＳ等の高性能な半導体素子の製造には、膜厚や不純物濃度を制御することができるエピタキシャル成長技術が用いられており、素子の性能を向上させる上で不可欠である。
シリコンウェハ等の半導体基板に単結晶膜を成膜させるエピタキシャル成長には、一般に常圧化学気相成長法が用いられ、場合によっては減圧化学気相成長(ＬＰＣＶＤ)法が用いられている。
これらの気相成長方法は、シリコンウェハ等の半導体基板が配置された反応炉内を、常圧(0.1MPa（760Torr））、或いは減圧に保持し、半導体基板を加熱し回転させた状態で、シリコン源となる原料ガスと、ドーパントガスとを混合したプロセスガスを気相成長反応炉内に供給する。上述の原料ガスとしては、モノシラン（SiH4)、ジクロロシラン（SiH2Cl2)、トリクロロシラン（SiHCl3)等が用いられる。
【０００３】
図５は、従来の気相成長装置３００を示す概念図である。
反応炉３０１内に収納された半導体基板(以下ウェハと言う)上でプロセスガスの熱分解反応或いは水素還元反応が行なわれ、気相成長膜がウェハに成膜される。このとき、反応炉３０１内のガスは、排気部３２０から排出され、図示しない除害装置によって有害成分が取り除かれ、外部へと排出される。
【０００４】
気相成長が行なわれた後の反応炉３０１内のガスには、気相成長に関与しなかったプロセスガスの未反応成分や、成膜時の化学反応によって生じた不安定な中間体の成分等が存在している。これらの成分は、冷却されることによって反応炉３０１の内面や排気部３２０の配管の内面に徐々に副生成物を堆積させる。そのため、温度が高い反応炉３０１内においては、比較的温度が低い排気ガスの出口付近に副生成物が堆積し易い。また、排気部３２０の配管内においては、反応炉３０１から下流側に離れた圧力調整バルブ３０５付近に副生成物が堆積し易い。
副生成物の堆積によって反応炉３０１内の排気ガスの出口付近および排気部３２０の配管内の空間の断面積が小さくなると、反応炉３０１内からスムーズな排気ガスの排出が阻害され、反応炉３０１内のプロセスガスの流量が変動する。そして、プロセスガスの流量が変動すれば、反応炉３０１内の圧力或いは真空度に不規則な影響を与え、気相成長が行なわれる反応条件の不安定化を招く。ひいてはウェハ上に成膜される気相成長膜の膜厚や不純物濃度を不均一にし品質の低下を引き起こす。
これを防止するため、従来の気相成長装置３００では、例えば一月に１回の頻度で、或いは必要に応じて気相成長装置を分解し、反応炉３０１の内部の洗浄等のメンテナンスを行なっている。また、排気部３２０では、反応炉３０１に比べて副生成物の堆積量が少ないので、反応炉３０１のメンテナンス頻度に比べて数倍少ない頻度で洗浄等のメンテナンスを行なっている。
【０００５】
この反応炉３０１のメンテナンスでは、反応炉３０１を大気に開放した状態で内部の洗浄を行うため、反応炉３０１を再度密封した際に内部に大気が充満している。この大気を、排気部３２０から排出すると、未だメンテナンスを行なっていない排気部３２０の圧力調整バルブ３０５付近に堆積している副生成物と大気とが接触することにより、異臭を発生させ、環境へ悪影響を及ぼしてしまう。そのため、反応炉３０１内の大気を排出させる場合には、圧力調整バルブ３０５の開度を調整して徐々に少量ずつ排出させる、或いはパージガス等と徐々に置換しながら排出させることで、急激に大気と副生成物とを接触させないように対処する必要があった。また、反応炉３０１に開閉バルブ３２１を有する細い排気配管３２２を設け、大気と副生成物を接触させずに大気を排出する形態も試みられていた。
しかし、これらの様態では、異臭の発生を完全に抑止することはできず、且つ大気の排出が迅速に行なわれないため、気相成長装置３００の稼働環境の再調整に長時間を要し、量産性を低下させる。
また、従来の気相成長装置等においては、大気開放時における反応炉内の化学汚染の回避等に関しては様々な技術が開示され、改善が試みられていたが、反応炉から排気配管に流入する大気と副生成物の反応により生じる異臭には対策が行なわれていなかった（特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、上述のようなシラン化合物を含有するプロセスガスを用いて気相成長を行なう装置においては、内部への副生成物の堆積は不可避であった。そのため、大気との接触により副生成物が発生させる異臭の抑止及び気相成長の反応条件の安定化を同時に達成した上で、気相成長装置の量産性を向上させることが、切望されている。
【特許文献１】特開平９−３３０８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、従来の気相成長装置３００は、反応炉３０１のメンテナンスに伴って反応炉３０１内から流出する大気と、排気部３２０内に堆積する副生成物とが接触し、反応することで異臭が発生してしまう問題があった。そのため、異臭の発生を抑止するように、排気部３２０に設けられた圧力調整バルブ３０５の開度を調整する等の手段によって、徐々に反応炉３０１内から大気を排出させていた。
しかし、このように反応炉３０１から徐々に大気を排出させても異臭を十分に抑止することが難しく、且つメンテナンスには長時間を要し、気相成長装置３００の量産性を損なっていた。
【０００８】
本発明は、かかる問題点を克服するためになされたもので、メンテナンスに伴って反応炉内から大気を排出する際に異臭の発生を抑止できるとともに、且つメンテナンスの所要時間を短縮することができる気相成長装置及び排気方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の気相成長装置は、
シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱された半導体基板に供給し、半導体基板上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置であって、
半導体基板を収納する反応炉と、
反応炉内へプロセスガスを供給するプロセスガス供給部と、
反応炉内に接続して設けられ、反応炉の排気ガスを排出する第１排気部と、
第１排気部から分岐して設けられ、反応炉からの大気を排出する分岐管と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
上述の反応炉から排出する排気ガスあるいは大気を、第１排気部と分岐管とを切り換えて排出する切り換え手段を備えることが好ましい。
【００１１】
上述の反応炉と隣接して配置されるロードロック室と、
ロードロック室にパージガスを供給するパージガス供給部と、
ロードロック室の排気ガスを排出する第２排気部と、
をさらに備え、
上述の分岐管は、第１排気部と第２排気部とを連通する配管によって構成されることが好ましい。
【００１２】
さらに、上述の分岐管は、第１排気部の反応炉との接続部の近傍から分岐されることが好ましい。
【００１３】
本発明の気相成長方法は、
気相成長装置の反応炉から排出される排気ガスあるいは大気に応じて、前記反応炉に接続された第１排気部と、前記第１排気部から分岐される分岐管とを切り換えて排出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、メンテナンスに伴って反応炉内から大気を排出しても異臭が発生せず、且つ気相成長装置のメンテナンスの所要時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施形態１
以下、ウェハ上に気相成長によって成膜させる気相成長装置の形態について、図に基づいて詳細に説明する。
図１は、実施形態１の気相成長装置１００を示す概念図である。また、図２は、反応炉１０１及びロードロック室１０２を模式的に示す構成断面図である。
図１に示すように、本実施形態の反応炉１０１には、反応炉１０１にプロセスガス及び H2等のパージガスを供給するプロセスガス供給部１０３、反応炉１０１内の排気ガスの排出を行なう第１排気部１２０が設けられる。第１排気部１２０には、反応炉１０１から排出される流体を遮断する第１アイソレーションバルブ１０４、反応炉１０１内に供給されるプロセスガスの圧力或いは流量を調整する第１圧力調整バルブ１０５及び第１真空ポンプ１０６が連係して接続されている。
【００１６】
そして、本実施形態の気相成長装置１００には、第１排気部１２０から分岐し、ロードロック室１０２に設けられた第２排気部１２１へと連通する分岐管であるバイパス管１３０が設けられる。
バイパス管１３０は、第１排気部１２０の反応炉１０１との接続部の近傍から分岐され、その下流にバイパスバルブ１３１が設けられている。
そして、反応炉１０１から排出される排気ガスと大気の排出経路をバイパスバルブ１３１と第１アイソレーションバルブ１０４を用いて、排気ガスあるいは大気に応じて第１排気部１２０とバイパス管１３０とを切り換えることができる。
【００１７】
また、第１アイソレーションバルブ１０４は、バイパス管１３０が分岐した部分の直近の第１排気部１２０の下流に設けられる。このため、反応炉１０１から排出される排気ガスと常に接触する第１排気部１２０の領域を最小限にする。また、この部分は反応炉１０１に至近であるため温度が高く、第１排気部１２０のうち副生成物を最も堆積させにくい領域である。
【００１８】
図２に示すようにロードロック室１０２は、図示しないI/O（Input/Output）チャンバから搬送されたウェハ１５０を収納する。ロードロック室１０２内は、パージガス供給部１０７から供給された例えばH2等のパージガス雰囲気に保持されている。このため、収納されたウェハ１５０の表面は、酸化やパーティクル汚染が抑止される。そして、ロードロック室１０２がパージガス雰囲気に保持されているため、隣接する反応炉１０１は大気から遮断される。このとき、ロードロック室１０２に供給されるパージガスは、第２排気部１２１を経由し、第２真空ポンプ１１０によって気相成長装置１００の外部へと排出される。
そして、ロードロック室１０２内のウェハ１５０は、図示しないトランスファーモジュールによって反応炉１０１内に搬入される。
【００１９】
反応炉１０１は、プロセスガス供給部１０３からプロセスガスが供給され、第１圧力調整バルブ１０５及び第１真空ポンプ１０６によって所定の真空度に保持される。このとき、第１アイソレーションバルブ１０４は、開である。
ここで供給されるプロセスガスは、例えばシリコン源となるモノシラン（SiH4）、ジクロロシラン（SiH2Cl2）、トリクロロシラン（SiHCl3）と、キャリアガスとなるH2とを混合した原料ガスに、所定のドーパントガスを添加することにより構成される。例えばドーパントガスにはジボラン（B2H6）、ホスフィン（PH3）、アルシン（AsH3）等が知られている。
【００２０】
図２に示すように、反応炉１０１に収納されたウェハ１５０は、支持台１５１に載置され、所定の回転数で回転させられながら、ヒータ１５２によって加熱される。そして、ウェハ１５０上で上述のプロセスガスの熱分解反応或いは水素還元反応が行なわれ、所定の気相成長膜が成膜される。このとき、ジボランが添加されればｐ型、ホスフィン或いはアルシンが添加されればｎ型の導電性を示す気相成長膜が成膜される。そして、成膜後の未反応ガスを含む反応炉１０１内の排気ガスは、第１真空ポンプ１０６によって第１排気部１２０から気相成長装置１００外へ排出され、図示しない除害装置によって有害成分が取り除かれた状態で放出される。
【００２１】
気相成長膜の成膜が完了したウェハ１５０は、反応炉１０１に搬入される場合とは逆に、トランスファーモジュールによってロードロック室１０２へと抜き出され、外部へ搬出される。そしてまた、新たなウェハ１５０がロードロック室１０２からトランスファーモジュールによって反応炉１０１へ搬入され、同様の工程で次々にウェハ１５０が製造される。
上述のような、ウェハ１５０に気相成長膜を成膜する気相成長装置１００の通常の稼動時には、第１排気部１２０と第２排気部１２１とを連通させないように、バイパス管１３０に設けられたバイパスバルブ１３１は常時閉の状態にされる。
そのため、気相成長装置１００の通常の稼動時に排出される気相成長後の排気ガスは、バイパス管１３０内を流れない。
【００２２】
上述した気相成長装置１００の通常の稼動を繰り返し行なうと、やがて反応炉１０１内及び第１排気部１２０の配管内には、シリコンハイドライド等を主成分とする副生成物が堆積する。この副生成物は、気相成長に関与しなかった未反応ガスの成分や、成膜時の化学変化によって生じた不安定な中間体等の成分を含む排気ガスが配管等の壁面に接触し、冷却されることで凝結し、堆積する。これにより、反応炉１０１内の排気ガスの出口付近および第１排気部１２０を構成する配管の空間の断面積が小さくなり、反応炉１０１からのスムーズな排気ガスの排出が阻害される。
その結果、反応炉１０１内に供給するプロセスガスの所望の流量や圧力を設定することができなくなり、気相成長の反応条件を維持できなくなる。
そのため、気相成長装置１００を継続的に稼動させ、所定の気相成長膜が成膜されたウェハ１５０を製造するためには、定期的に内部の洗浄等のメンテナンスを行なう必要がある。
【００２３】
本実施形態でのメンテナンスは、例えば、概ね次のような手順で行なわれる。
まず、気相成長後の反応炉１０１の排気ガスを排出するために、第１真空ポンプ１０６を用いて反応炉１０１を真空にする。このとき、排気部１２０に接続された図示しない除害装置によって気相成長後の排気ガスから有害成分が取り除かれる。またこのとき、第１アイソレーションバルブ１０４、第１圧力調整バルブ１０５はともに開であり、バイパスバルブ１３１は閉である。
次に、第１アイソレーションバルブ１０４を閉にし、プロセスガス供給部１０３からH2等を供給することで、反応炉１０１を常圧に戻す。そして、反応炉１０１を開放し、所定の薬品等を用いて内部の洗浄を行なう。このとき、第１アイソレーションバルブ１０４までの配管内及びバイパスバルブ１３１までのバイパス管１３０内も同時に洗浄されることが望ましい。これらの部分は、第１アイソレーションバルブ１０４とバイパスバルブ１３１が至近に設けられているため、配管内に副生成物が堆積しにくい構成になっている。しかし、僅かでも副生成物が残らないようにするために、反応炉１０１内と同時に洗浄されることが望ましい。
このとき、反応炉１０１を大気開放したことで、反応炉１０１内に大気が流入する。
【００２４】
次いで、洗浄が完了し大気が満たされた状態で反応炉１０１を密閉する。このとき、通常の稼動時と同様に第１排気部１２０を経由して大気を排出させると、大気と第１圧力調整バルブ１０５付近に堆積した副生成物とが接触することで反応し、異臭を発生させてしまう。
そのため、反応炉１０１内から大気を排出する場合には、まず、第１アイソレーションバルブ１０４を閉にし、第１排気部１２０に大気が流れない状態にする。次に、第２アイソレーションバルブ１０８を閉にする。これにより、バイパス管１３０から第２排気部１２１へ流れる大気をロードロック室１０２へ逆流させず、且つ第２真空ポンプ１１０が稼動したときの吸引力を反応炉１０１内の大気の排出に集中させることができる。そして、バイパスバルブ１３１、第２圧力調整バルブ１０９を開にした状態で、第２真空ポンプ１１０を稼動させる。これにより、反応炉１０１内の大気は、バイパス管１３０、第２排気部１２１を経由して外部へ迅速に排出される。
【００２５】
第２排気部１２１内は、気相成長装置１００の通常の稼動時にはロードロック室１０２に供給されたパージガスの排出経路であるため、副生成物は堆積していない。また、バイパス管１３０内も、気相成長装置１００の通常の稼動時にはバイパスバルブ１３１を閉にしているため、副生成物は堆積していない。
そのため、メンテナンス時に反応炉１０１から大気を外部に排出する場合、上述のような排出経路に切り換えれば、大気は第１排気部１２０の副生成物が最も多く堆積している第１圧力調整バルブ１０５付近を通ることがない。
【００２６】
反応炉１０１内の大気が外部へと完全に排出された後、バイパスバルブ１３１を閉にし、反応炉１０１にH2等を供給しながら、ロードロック室１０２、第１排気部１２０、第２排気部１２１を通常の稼動時と同様の状態に戻す。これにより、反応炉１０１内の洗浄のメンテナンスが完了する。
このような手順により、気相成長装置１００の反応炉１０１を洗浄するメンテナンスを迅速に行なうことができる。
【００２７】
上述のように、本実施形態では、反応炉１０１から排出される排気ガスあるいは大気に応じて第１排気部１２０とバイパス管１３０とを切り換えて排出させることで、第１排気部１２０の第１圧力調整バルブ１０５付近に堆積した副生成物と大気との接触を防止する。
この排気方法により、気相成長装置１００のメンテナンス中に大気と副生成物との反応による異臭の発生を抑止することができる。
【００２８】
また、本実施形態では、大気と副生成物が接触しないため、第２真空ポンプ１１０を最大出力で稼動させることができ、メンテナンスの所要時間を大幅に短縮することもできる。
【００２９】
実施形態２
図３は、本発明の実施形態２の気相成長装置１００を示す概念図である。
本実施形態では、反応炉１０１に接続された第１の排気部１２０から第２の排気部１２１を経由せずに、気相成長装置１００の外部へと大気を直接排気する分岐管１３２が、第１の排気部１２０から分岐されている。
【００３０】
分岐管１３２は、図１のバイパス管１３０と略同様の位置で第１排気部１２０から分岐されている。また、分岐管１３２へのガスの流れを制御する分岐管バルブ１３３は、分岐管１３２の第１排気部１２０からの分岐点の近傍の下流に設けられる。
【００３１】
この様態の気相成長装置１００において、反応炉１０１の洗浄等のメンテナンスを行なった際、大気開放によって反応炉１０１に流入した大気は、分岐管１３２に接続された分岐管真空ポンプ１３４により排出され、図示しない除害装置を経て気相成長装置１００外へ放出される。
これにより、第１排気部１２０の第１圧力調整バルブ１０５付近に堆積している副生成物と接触させずに大気を気相成長装置１００の外部へ排出することができる。
【００３２】
上述した実施形態１においては、第２排気部１２１を経由して反応炉１０１内の大気を排出したが、本実施形態では、反応炉１０１から第２排気部１２１を経由せずに分岐管１３２から直接外部へと大気を排出するため、ロードロック室１０２の稼動環境に影響を与えない。
【００３３】
例えばロードロック室１０２内に未処理のウェハが収納されている場合、ロードロック室１０２内は、ウェハの酸化やパーティクル汚染を防止するため、H2雰囲気に保持されていることが望ましい。このためには、第２圧力調整バルブ１０９を調整し、第２真空ポンプ１１０を稼動させていなければならない。
本実施形態では、反応炉１０１の稼動状態にかかわらず、ロードロック室１０２には、 H2等のパージガスを継続して供給することができる。
よって、反応炉１０１のメンテナンス中にも未処理のウェハ１５０をロードロック室１０２に待機させておくことができ、気相成長装置１００の再稼動時に、迅速にウェハを搬入することができる。したがって、メンテナンスの所要時間の更なる短縮に寄与することができる。
【００３４】
実施形態３
図４は、本発明の実施形態３の気相成長装置２００を示す概念図である。
本実施形態は、ウェハの搬出及び搬入を行なうI/O（Input/Output）モジュール２１２が設けられた気相成長装置２００である。
【００３５】
I/Oモジュール２１２には、ロードロック室２０２と同様に、パージガス供給部２１３が設けられており、I/Oモジュール２１２内はH2等でパージされる。また、I/Oモジュール２１２には第３アイソレーションバルブ２１４、第３圧力調整バルブ２１５、第３真空ポンプ２１６が連係して設けられた第３排気部２２２が備えられる。
【００３６】
本実施形態の気相成長装置２００には、第１排気部２２０から分岐し、I/Oモジュール２１２に設けられた第３排気部２２２へと連通する分岐管であるバイパス管２３０が設けられる。バイパス管２３０は、バイパスバルブ２３１を有し、反応炉２０１から排出される排気ガスあるいは大気に応じて排出経路を切り換えることができる。
【００３７】
反応炉２０１のメンテナンスを行なう際に反応炉２０１に流入する大気は、バイパス管２３０と第３排気部２２２を経由させることで、第１排気部２２０の第１圧力調整バルブ２０５付近に堆積する副生成物と接触させずに外部へと排出することができる。
本実施形態においては、I/Oモジュール２１２、第３排気部２２２、パージガス供給部２１３、第３アイソレーションバルブ２１４、第３圧力調整バルブ２１５、第３真空ポンプ２１６、バイパス管２３０およびバイパスバルブ２３１のそれぞれが、上述の実施形態１のロードロック室１０２、第２排気部１２１、パージガス供給部１０７、第２アイソレーションバルブ１０８、第２圧力調整バルブ１０９、第２真空ポンプ１１０、バイパス管１３０およびバイパスバルブ１３１のそれぞれに対応する。
それゆえ、本実施形態におけるメンテナンスの手順については、上述の実施形態１の手順に、本実施形態のそれぞれの構成を対応させて読みかえることにより、その詳細な説明を省略する。
【００３８】
なお、本実施形態においては、実施形態２と同様に、ロードロック室２０２の第２排気部１２１を経由して排気ガスを排出させないため、ロードロック室２０２の稼働環境に影響を与えない。そのため、ロードロック室２０２に次に反応炉２０１に搬入するウェハを収納しておくことができ、メンテナンスの所要時間をさらに短縮させることができる。
【００３９】
ここで、他の実施形態において説明した内容と重複する、副生成物の特徴や、反応炉２０１内に供給するプロセスガスの特徴等については、説明を省略する。
【００４０】
以上、具体例を参照しながら実施形態について説明した。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが可能である。
本発明は枚葉式の気相成長装置について説明したが、所定のシリコン源を含有するプロセスガスを用いてウェハ上に気相成長を行ない、気相成長反応後の排気ガスを排出する機構を有する装置であれば、バッチ式の装置やその他の装置などであっても構わない。
【００４１】
さらに、装置の構成や制御の手法等、本発明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置の構成や制御の手法等を適宜選択して用いることができる。
【００４２】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうるすべての気相成長装置、及び各部材の形状は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態１の気相成長装置を示す概念図である。
【図２】実施形態１における反応炉及びロードロック室を模式的に示す構成断面図である。
【図３】本発明の実施形態２の気相成長装置を示す概念図である。
【図４】本発明の実施形態３の気相成長装置を示す概念図である。
【図５】従来の気相成長装置を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４４】
１００…気相成長装置
１０１…反応炉
１０２…ロードロック室
１０３…プロセスガス供給部
１０４…第１アイソレーションバルブ
１０５…第１圧力調整バルブ
１０６…第１真空ポンプ
１０７…パージガス供給部
１０８…第２アイソレーションバルブ
１０９…第２圧力調整バルブ
１１０…第２真空ポンプ
１２０…第１排気部
１２１…第２排気部
１３０…バイパス管
１３１…バイパスバルブ
１３２…分岐管
１３３…分岐管バルブ
１３４…分岐管真空ポンプ
１５０…ウェハ
１５１…支持台
１５２…ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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