(57)【要約】【課題】  異なるインチサイズのプラズマディスプレイでは出力半導体素子の外形が異なることで外部リードのピッチが異なることと出力半導体素子の個数が異なることで、各インチサイズごとに異なる設計のプリント基板が必要となる問題点がある。【解決手段】放電維持回路の少なくとも出力半導体素子を表面を絶縁処理した金属基板３０上の導電路２６から形成されるマウント部分２２、２３に組み込み、一定のピッチの外部端子を備えた混成集積回路で構成し、プラズマディスプレイのインチサイズが変更になっても、マウント部分２２、２３を一番大きなインチサイズの出力半導体素子の大きさに対応できる大きさに設計して、同じ混成集積回路を共用することを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイに接続される各セルの放電維持回路を備えたプラズマディスプレイ表示装置において、
前記放電維持回路の少なくとも出力半導体素子を表面を絶縁処理した金属基板上の導電路から形成されるマウント部分に組み込み、一定のピッチの外部端子を備えた混成集積回路で構成し、前記プラズマディスプレイのインチサイズが変更になり前記出力半導体素子の大きさが変更になっても、前記マウント部分を一番大きなインチサイズの前記出力半導体素子の大きさに対応できる大きさに設計し、インチサイズに応じた前記出力半導体素子を前記マウント部に固着し、前記外部端子は前記一定のピッチを維持することを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項２】
前記混成集積回路は前記プラズマディスプレイの異なるインチサイズでも外形同一に形成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項３】
前記混成集積回路は前記プラズマディスプレイの異なるインチサイズでもSIP構造で形成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は大型平面テレビ用のプラズマディスプレイの放電維持回路を組み込んだ混成集積回路を用いたプラズマディスプレイ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型平面テレビ等ではプラズマディスプレイが用いられている。
【０００３】
図４に示すようにプラズマディスプレイの画像制御回路は、アドレスドライバとスキャンドライバに制御信号を送り、発光単位（セル）をマッピングする。次に、駆動回路１２Ａ、１２Ｂに図５Ａに示すように、制御信号を送りセルを4μ秒間隔で放電させる。マッピングは、明るさの諧調(サブフィールド＝1ｍ秒)毎に行われ放電により1コマの画像を実現し、秒６０コマを繰り返す事により動画になる。（特許文献１参照）
図６に示すように、放電維持回路１２Ａ、１２Ｂは電源回路１０からの電源電圧がブートストラップコンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４に加えられる。またドライバーＩＣ１７の端子ＨＩＮおよび端子ＬＩＮに画像制御回路１３より２５０ＫＨｚのパルス信号が加えられる。それによりドライバーＩＣ１７の端子ＨＯおよび端子ＬＯから２５０ＫＨｚのパルス信号が発生する。
【０００４】
ドライバーＩＣ１７の端子ＨＯから発生したハイレベルのパルス信号はプリドライバー１８のスイッチングトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに加わり、これらスイッチングトランジスタＱ１をＯＮさせ、トランジスタＱ２をＯＦＦさせる。それによりスイッチングトランジスタQ１を介して電源電圧にスイッチングトランジスタＱ１がＯＦＦの間にブートストラップコンデンサＣ１、Ｃ３に充電されていた電荷の放電電圧が重畳され、スイッチングトランジスタＱ１を介してドライバー１９のＩＧＢＴ１、２のゲートに加わり、ドライバー１９の出力半導体素子であるＩＧＢＴ１、２をＯＮさせる。一方、ドライバー１９の放電用のＩＧＢＴ３、４はＯＦＦさせている。
【０００５】
このように画像制御回路１３から発生される２５０ＫＨｚのパルス信号を１ＫＨＺと６０Ｈｚの周期で駆動しプラズマディスプレイの放電制御を行う。
【０００６】
かかるプラズマディスプレイではインチサイズにより各セルの電極の大きさが異なるので、放電させる電荷の大きさも異なり、ドライバー１９ＩＧＢＴ１、２及びＩＧＢＴ３、４も出力容量を変化させる必要がある。
【０００７】
上述したドライバー１９をディスクリートの出力半導体素子で構成する場合を図８に示す。回路上は１個の出力半導体素子であっても流れる電流の大きさにより並列に複数の出力半導体素子を接続する。３７インチのプラズマディスプレイでは外形がＴＯ−２２０の半導体素子を５個ほど放熱器に取り付けてプリント基板の設計を行う。４２インチのプラズマディスプレイでは外形がＴＯ−２２０の半導体素子を４個とこれより大型のＴＯ−３Ｐの半導体素子を１個ほど放熱器に取り付けてプリント基板を設計する。５０インチのプラズマディスプレイでは外形がＴＯ−２２０の半導体素子を５個とこれより大型のＴＯ−３Ｐの半導体素子を１個ほど放熱器に取り付けてプリント基板を設計する。ＴＯ−２２０は外部リード間隔が２．５４ｍｍであり、ＴＯ−３Ｐは５．４５ｍｍと規格化されている。
【特許文献１】特開２００６−１７１１８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、異なるインチサイズのプラズマディスプレイでは出力半導体素子の外形が異なることで外部リードのピッチが異なることと出力半導体素子の個数が異なることで、各インチサイズごとに異なる設計のプリント基板が必要となる問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は斯かる問題点に鑑みて為されたものであり、プラズマディスプレイに接続される各セルの放電維持回路を備えたプラズマディスプレイ表示装置において、前記放電維持回路の少なくとも出力半導体素子を表面を絶縁処理した金属基板上の導電路から形成されるマウント部分に組み込み、一定のピッチの外部端子を備えた混成集積回路で構成し、前記プラズマディスプレイのインチサイズが変更になり前記出力半導体素子の大きさが変更になっても、前記マウント部分を一番大きなインチサイズの前記出力半導体素子の大きさに対応できる大きさに設計し、インチサイズに応じた前記出力半導体素子を前記マウント部に固着し、前記外部端子は前記一定のピッチを維持することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は前記混成集積回路は前記プラズマディスプレイの異なるインチサイズでも外形同一に形成することを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明は前記混成集積回路は前記プラズマディスプレイの異なるインチサイズでもＳＩＰ構造で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、プラズマディスプレイに接続される各セルの放電維持回路の少なくとも出力半導体素子を表面を絶縁処理した金属基板上の導電路から形成されるマウント部分を有する混成集積回路に組み込むことで、マウント部を最大インチサイズの出力半導体素子のベアチップが実装できる大きさに設計すれば、それ以下のインチサイズのプラズマディスプレイの放電維持回路を共通の混成集積回路に組み込むことができ、混成集積回路は同じ間隔の外部端子を有するので混成集積回路を実装するプリント基板はインチサイズの異なるプラズマディスプレイに対してプリント基板は同じものを使用できる利点がある。
【００１３】
また、混成集積回路は金属基板を使用するので放熱性も良好であり、あらゆるインチサイズのプラズマディスプレイの放電維持回路を共通な１種類に混成集積回路で実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図４は本発明を適用するプラズマディスプレイの画像制御回路のブロック図である。
【００１５】
プラズマディスプレイのスキャンドライバーは電源回路１０と駆動回路１２Ａ、１２Ｂおよびプラズマディスプレイイ１５よりなる。
【００１６】
図５Ａに示すように、画像制御回路１３より制御電圧が放電維持回路１２Ａ、１２Ｂに加わると、放電維持回路１２Ａ、１２Ｂから１サブフィールド(１ｍ秒)間に２５０ＫＨｚのパルス信号を発生と、アドレススキャンマッピングを行う。
【００１７】
図５Ｂに示すように斯かる動作を繰返し１秒間に６０枚の動画を表示する。
【００１８】
図６は本発明の混成集積回路に形成する放電維持回路１２Ａ、１２Ｂの回路図である。
【００１９】
駆動回路１２Ａ、１２ＢはドライバーＩＣ１７と、スイッチングトランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４とブートストラップコンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４とよりなるプリドライバー１８と、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）１、２、３、４とよりなるドライバー１９とよりなる。ブートストラップコンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４はセラミックコンデンサである。
【００２０】
次に駆動回路１２Ａ、１２Ｂの動作を説明する。電源回路１０からの電源電圧はブートストラップコンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４に加えられる。またドライバーＩＣ１７の端子ＨＩＮおよび端子ＬＩＮに画像制御回路１３より２５０ＫＨｚのパルス信号が加えられる。それによりドライバーＩＣ１７の端子ＨＯおよび端子ＬＯから電圧変換された２５０ＫＨｚのパルス信号が発生する。
【００２１】
ドライバーＩＣ１７の端子ＨＯから発生したハイレベルのパルス信号はプリドライバー１８のスイッチングトランジスタＱ１、Ｑ２のベースに加わり、これらスイッチングトランジスタＱ１をＯＮさせ、トランジスタＱ２をＯＦＦさせる。それによりスイッチングトランジスタＱ１を介して電源電圧にスイッチングトランジスタＱ１がＯＦＦの間にブートストラップコンデンサＣ１に充電されていた電荷の放電電圧が重畳され、スイッチングトランジスタＱ１を介してドライバー１９のＩＧＢＴ１、２のゲートに加わり、ドライバー１９のＩＧＢＴ１、２をＯＮさせる。
【００２２】
このようにドライバーＩＣ１７から前記プリドライバー１８のベースに加わるパルス信号は５Ｖであったのが、プリドライバー１８でドライバー１９のＩＧＢＴ１、２のドライブ電圧が１５Ｖ〜１８Ｖに昇圧される。ドライブ電圧を１５Ｖ〜１８Ｖに昇圧することによりＩＧＢＴ１、２は損失が少なくなる。
【００２３】
ＩＧＢＴ１、２がＯＮすることにより、端子ＶＳからの電源電圧がＩＧＢＴ１、２を介して端子ＳＵＳ＿ＯＵＴに出力される。
【００２４】
このように画像制御回路１３から発生される２５０ＫＨｚのパルス信号と１ＫＨＺ、６０Ｈｚのパルス信号をプラズマディスプレイ１５の端子ＳＵＳ＿ＯＵＴに加え、１フィールド６０枚/秒の動画と１サブフィールドの放電を行う。
【００２５】
同様にドライバーＩＣ１７の端子ＬＯから発生したローレベルのパルス信号はプリドライバー１８のスイッチングトランジスタＱ３、Ｑ４のベースに加わり、トランジスタＱ４をＯＮさせ、トランジスタＱ３をＯＦＦさせる。それによりスイッチングトランジスタＱ４を介してスイッチングトランジスタＱ４がＯＦＦの間にブートストラップコンデンサＣ３、Ｃ４に充電されていた電荷の放電電圧が重畳され、スイッチングトランジスタＱ４を介してドライバー１９のＩＧＢＴ３、４のゲートに加わり、ドライバー１９のＩＧＢＴ３、４をＯＮさせる。
【００２６】
ＩＧＢＴ３、４はＩＧＢＴ１、２がＯＦＦするとＯＮされるようになっているので、ＩＧＢＴ１、２がＯＮされている間に蓄積された電荷をＩＧＢＴ３、４を介してＣＨＧＮＤ端子へ流しＧＮＤレベルへ落とす。
【００２７】
図１〜図３は本発明の混成集積回路を示す上面図で、プラズマディスプレイの放電維持回路が組み込まれている。
【００２８】
図１は３７インチのプラズマディスプレイの放電維持回路を組みこんだ混成集積回路の上面図である。上端には外部端子を半田付けして接続する外部端子パッド２１が一定の間隔で並べて配置されている。中央部分にマウント部２２、２３が設けられ、マウント部２２には上述したＩＧＢＴ１、２が実装され、マウント部２３には上述したＩＧＢＴ３、４が実装される。マウント部２２、２３は予め３７〜５０インチの大きさのプラズマディスプレイの放電維持回路のＩＧＢＴ１，２及びＩＧＢＴ３、４が組み込める大きさに設計されている。３７インチの混成集積回路ではマウント部２２、２３にはそれぞれ１個のＩＧＢＴのベアチップ２５が固着され、対応する電極と金属細線２４で接続される。
【００２９】
図２は４２インチのプラズマディスプレイの放電維持回路を組みこんだ混成集積回路の上面図である。マウント部２２、２３にはそれぞれ２個のＩＧＢＴのベアチップ２５が固着され、対応する電極と金属細線で接続される。
【００３０】
図３は５０インチのプラズマディスプレイの放電維持回路を組みこんだ混成集積回路の上面図である。マウント部２２、２３にはそれぞれ３個のＩＧＢＴのベアチップ２５が固着され、対応する電極と金属細線で接続される。
【００３１】
以上の実施例では同じ大きさのＩＧＢＴのベアチップを用いているが、ＩＧＢＴのチップサイズを変えても良い。マウント部２２、２３が最大のインチサイズのプラズマディスプレイの放電維持回路の出力半導体素子が組み込めるサイズに設計される。
【００３２】
次に、図７を参照して混成集積回路の構造を説明する。混成集積回路はアルミニウムよりなる金属基板３０の表面を絶縁処理して酸化アルミニウム層３１で覆い、その上に銅箔を貼り付けてエッチングして外部端子パッド２１、導電路２６、マウント部２２、２３を形成する。マウント部はＩＧＢＴのベアチップが３個以上固着できる大きさに設計され、ヒートシンク３２を介して半田によりＩＧＢＴのベアチップ２５を必要な電流容量を確保できる個数を固着する。ＩＧＢＴのエミッタ電極、ゲート電極と導電路２６とを金属細線２４でボンディングにより接続する。ＩＧＢＴの固着や金属細線２４のボンディングはパターン認識を用いて行うので、自由度は極めて高い。従って、ＩＧＢＴはマウント部２２、２３に自由に固着でき、導電路２６との接続は金属細線２４で接続するので、マウント部２２、２３に任意の個数を固着しても導電路２６との接続が可能となる。
【００３３】
更に、金属基板３０を採用するので、放熱性は良好であり、３７〜５０インチのプラズマディスプレイの放電維持回路であっても放熱に問題はない。だから、外形が同一の混成集積回路であってもよく、更に外部端子を一方向に出すＳＩＰ（Single Inline Package）構造を採用しても外部端子の間隔は一定にできる。そのために混成集積回路を実装するプリント基板は混成集積回路の外形が同一であり、外部端子の間隔も変更が無いので同じものを利用できる。なお、混成集積回路は金属基板３０全体をトランスファーモールドによるエポキシ樹脂などのモールド樹脂３３で金属基板３０の裏面を露出して全体を封止する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に用いる混成集積回路を説明する上面図である。
【図２】本発明に用いる混成集積回路を説明する上面図である。
【図３】本発明に用いる混成集積回路を説明する上面図である。
【図４】本発明の混成集積回路に組み込まれるプラズマディスプレイの放電制御回路のブロック図である。
【図５】図４のパルス信号波形図で、図５Ａは１サブフィールドの信号波形図、図５Ｂは１フレームの信号波形図である。
【図６】本発明の混成集積回路のパルス駆動部分を説明する駆動回路図である。
【図７】本発明に用いる混成集積回路を示す断面図である。
【図８】従来のプラズマディスプレイの放電制御回路を実装したプリント基板を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｃ１    ブートスラップコンデンサとして用いられたセラッミックコンデンサ
Ｃ３    ブートスラップコンデンサとして用いられたセラッミックコンデンサ
Ｃ４    ブートスラップコンデンサとして用いられたセラッミックコンデンサ
Ｑ１    スイッチングトランジスタ
Ｑ２    スイッチングトランジスタ
Ｑ３    スイッチングトランジスタ
Ｑ４    スイッチングトランジスタ
ＩＧＢＴ１〜４      出力半導体素子
１０          電源回路
１２ＡＢ      駆動回路
１３          画面制御回路
１５          プラズマディスプレイ
１８          プリドライバー
１９          ドライバー
２１          外部端子パッド
２２、２３    マウント部
２４          金属細線
２５          ＩＧＢＴのベアチップ
２６          導電路
３０          金属基板
３１          酸化アルミニウム層
３２          ヒートシンク
３３          モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009080361.tif 000008
【図７】
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【図８】
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