(57)【要約】 【課題】  原料の反応を良好なものとし、低消費電力で動作することが可能な反応器を提供する。【解決手段】  基体１の内外を挿通し、前記基体１とロウ材３を介して接合された導入管５ａおよび導出管５ｂに発熱抵抗体５ｃが設け、導入管５ａおよび導出管５ｂの接合時に、熱を局所的に加えることができるようにし、基体１からの不純物飛散等を抑制し、反応器１０に具備された部品の耐熱性が低い場合であっても、部品を熱によって破壊してしまったり、基体１からの不純物の飛散等によって内部の部品に飛散物が付着することを防止する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有する基体と、
誘電体からなり、前記基体の内外を挿通し、前記基体とロウ材を介して接合された導入管および導出管と、
前記導入管および導出管に設けられる加熱手段と、
を含むことを特徴とする反応器。
【請求項２】
前記加熱手段は、前記導入管および導出管の少なくとも一方の表面に設けられることを特徴とする請求項１に記載の反応器。
【請求項３】
前記加熱手段は、前記導入管および導出管の少なくとも一方の壁部の内部に設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反応器。
【請求項４】
前記加熱手段は、金属材料から成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の反応器。
【請求項５】
前記加熱手段は、メタライズされた材料から成ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の反応器。
【請求項６】
前記導入管および導出管の少なくとも一方は、セラミックから成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の反応器。
【請求項７】
前記ロウ材の表面に被着された保護層を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の反応器。
【請求項８】
前記導入管および導出管の少なくとも一方は、前記基体または前記基体内の内部空間に設けられる導体に電気的に接続される電極を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の反応器。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の反応器と、
前記反応器が収容され、該反応器と空間を介して配置された筺体と、
を具備し、
前記空間の圧力は、１００Ｐａ未満であることを特徴とする反応装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応器およびそれを用いた反応装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、原料を反応器に投入し、内部に形成された微細空間を流通する原料の加熱や混練等を行うことで、大量加工時とは異なる化学反応を示すような点に着目したマイクロ反応器に関する技術が注目されている。たとえば、２液の原料を混練する為に、微細流路を流れる２液が接触する部分で反応を起こし続けるため、非常に効率の良い加工が可能と成る。
【０００３】
さらに最近では、原料を入出力するパイプを具備させるだけでなく、原料を正確に、かつ、強度良く、入出力することができるような導入管および導出管構造が検討されている。
【０００４】
また、原料が流通するだけの流路を有するだけでなく、原料を加熱するための加熱手段などに通電するための電極も具備されており、いくつかの機能が統合された反応器が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記反応器の作製の過程において、原料を入出力する導入管および導出管に関しては、反応器全体を加熱する方法で、反応器本体と、導入管および導出管をロウ付けする。
【０００７】
反応器に具備された部品の耐熱性が低い場合、部品を破壊してしまったり、基体からの不純物飛散等が生じることから、原料の正しい反応が得られなかったり、原料を汚染するという問題があった。
【０００８】
そこで、原料の反応を良好なものとする反応器、およびそれを用いた反応装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態に係る反応器は、内部空間を有する基体と、誘電体からなり、前記基体の内外を挿通し、前記基体とロウ材を介して接合された導入管および導出管と、前記導入管および導出管に設けられる加熱手段と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態に係る反応器によれば、基体の内外を連通し、前記基体とロウ材を介して接合された導入管および導出管に加熱手段が設けられるので、パイプ接合時、反応器全体を加熱しなくとも、局所加熱による加熱が可能となる。
【００１１】
それゆえ、反応器に具備された部品の耐熱性が低い場合であっても、部品を熱によって破壊してしまったり、基体からの不純物の飛散等によって内部の部品に飛散物が付着することを抑制できるため、安定した化学反応を生じさせることができる。また、原料の反応前後で、原料によっては、前記導入管、排出管を前記基体に接続するロウ材の腐食有無などの特性が異なってくるような場合、反応前の原料が供給される導入管用、反応後の原料が排出される排出管用のロウ材など、それぞれ特性の異なるロウ材を選択的に使用することが可能となる。その結果、信頼性の高い反応器を構築することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本発明の実施の一形態を示す反応器１１を備える反応装置１２の断面図であり、図２は図１に示す反応器１１の断面図である。
【００１３】
本実施の形態の反応器１１は、ロウ材３、原料を供給する供給路である導入管５ａ、反応後の原料を排出する排出路である導出管５ｂ、発熱抵抗体層５ｃ、電極７および基体（反応器本体）１０を備える。
【００１４】
また、本実施の形態の反応装置１２は、上記反応器１１と、矩形板状の基板１と、直方体の箱状の蓋体４とからなる筺体９とを具備する。この場合、基板１に蓋体４が搭載され、且つ基板１に供給管５ａおよび排出管５ｂが接続されることによって、反応装置１２が構成される。
【００１５】
なお、本発明において、供給管５ａおよび排出管５ｂは、基板１に接続されるものに限定されるものではなく、蓋体４側に接続されるものであってもよい。
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係る反応器１１および反応装置１２について、各構成要素を説明する。
【００１７】
（反応器本体）
本実施の形態の反応器１１は、基体（反応器本体）１０の内部に原料を流通させるための溝や空隙等からなる反応路を有する。基体（反応器本体）１０の形状は、様々な形態を採用することができる。
【００１８】
たとえば、微小ケミカルデバイスとして基体（反応器本体）１０を作製することができる。基体（反応器本体）１０の製造方法は、まず、半導体製造技術等を適用して、シリコン等の半導体や、石英、ガラス、セラミックス等の無機材料、または金属等の基材に、切削法、エッチング法、またはブラスト法等によって細い溝を形成して、原料を反応させるための反応路を作製する。次に、この反応路を流動する液体等の蒸発防止等を目的としてガラス板、金属等のカバーを陽極接合、ロウ付け、溶接等で反応路を覆うように基材に接合する。また、セラミックスの積層構造のように、前記カバーの接合を後で行なわず、反応路とカバーとなる部分を一体化して作製しても構わない。以上のようにして、基体（反応器本体）１０を作製することができる。
【００１９】
基体（反応器本体）１０は、たとえば中空でかつ直方体状に形成される。また、基体（反応器本体）１０の材料としては、石英、ガラスまたはセラミックス等の無機材料もしくは金属から成ってもよく、その内面に原料を反応させるための触媒が担持されたものも挙げられる。
【００２０】
本発明の実施形態に係る反応器１１は、基体（反応器本体）１０の表面、または基体（反応器本体）１０内部において、原料を加熱して化学反応を起こすため、温度調整機構として発熱抵抗体層から成る薄膜ヒータや厚膜ヒータが形成されている。このような発熱抵抗体層への電力の供給は、たとえば、図１、２に示すように基体（反応器本体）１０の表面に端子として電極７が形成され、この電極７がボンディングワイヤ３や導電性接合材を介してリード端子８に電気的に接続されることによって、外部から電力供給が行なわれる。なお、図１では、リード端子８は、発熱抵抗体層５ｃを兼ねている。
【００２１】
この温度調節機構によって、原料反応条件に相当する温度、たとえば２０℃〜８００℃程度の温度条件に調整するによって、導入管５ａが接続された原料供給口から供給される原料を反応させて、原料排出口に接続された導出管５ｂから反応後の液体または、ガスを発生させる化学反応を良好に促進することができる。
【００２２】
また、発熱抵抗体層としては、電気抵抗の高いものが好ましく、たとえば、Ｍｏ−ＭｎやＷ、Ｐｔ等が用いられる。このような発熱抵抗体層に対して、基体（反応器本体）１０の表面は、少なくとも発熱抵抗体層と電気的に接する部位が絶縁体もしくは、半導体となっていればよい。よって、基体（反応器本体）１０としては、基体（反応器本体）１０全体が絶縁体もしくは、半導体で構成されていてもよく、一部だけが絶縁体もしくは、半導体によって構成されていてもよい。
【００２３】
（導入管および導出管）
導入管５ａおよび導出管５ｂは、種々の誘電体材料を用いることができる。
【００２４】
導入管５ａおよび導出管５ｂがガラスセラミックスからなる場合、ガラス成分とフィラー成分とから成る。ガラス成分としては、たとえばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ただし、Ｍは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は、同一または異なるＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は、同一または異なるＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３は、Ｌｉ、ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３は、Ｌｉ、ＮａまたはＫを示す）、Ｐｂ系ガラス、またはＢｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２５】
また、フィラー成分としては、たとえばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、またはＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、もしくはＡｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（たとえばスピネル、ムライト、コージェライト）等が挙げられる。
【００２６】
一方、導入管５ａおよび導出管５ｂが、たとえば相対密度が９５％以上の緻密質の酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合は、たとえば、まず酸化アルミニウム粉末に希土類酸化物粉末や酸化アルミニウム粉末等の焼結助剤を添加、混合して、酸化アルミニウム質焼結体の原料粉末を調製する。次いで、この原料粉末に有機バインダおよび分散媒を添加、混合してペースト化し、このペーストをドクターブレード法によって、あるいは原料粉末に有機バインダを加え、プレス成形、圧延成形等によって、所定の形状の導入管５ａおよび導出管５ｂを形成した後、たとえば非酸化性雰囲気中、焼成最高温度が１２００℃〜１５００℃の温度で焼成して、目的とするセラミック製の導入管５ａおよび導出管５ｂを得ることができる。なお、導入管５ａおよび導出管５ｂの成形は、粉末成形プレス法であっても、グリーンシートを積層した積層体で形成したものであってもよい。
【００２７】
また、導入管５ａおよび導出管５ｂが、金属材料からなる場合は、表面に酸化皮膜等を形成し誘電体化させておくことが好ましい。  たとえば、Ａｌを陽極とした電気化学手法で、人工的に酸化皮膜を成長させたり、酸性もしくは、アルカリ性水溶液を用いることにより、化学的にＡｌの表面に酸化皮膜を生成させても良い。
【００２８】
（加熱手段）
以下、加熱手段の一例として、発熱抵抗体層５ｃを設けた場合について説明する。
【００２９】
発熱抵抗体層５ｃは、反応器１１において導入管５ａおよび導出管５ｂの各外周面にそれぞれ密着して設けられる。これによって、本実施形態に係る反応器１１は、その製作時に、パイプ接合時、反応器全体を加熱しなくとも、熱を局所的に加えることができるだけではなく、以下に示す作用効果を有する。
【００３０】
また、反応器１１は、原料を導入管５ａに流通させる際、または原料反応後の生成物を導出管５ｂへ流通させる際に、その導入管５ａおよび導出管５ｂを加熱して原料の化学反応を起こすプレヒートまたはアフターヒート等、各発熱抵抗体層５ｃから発生する熱を効率的に原料の反応に用いることができる。
【００３１】
また、導入管５ａおよび導出管５ｂに発熱抵抗体層５ｃがそれぞれ設けられることによって、導入管５ａおよび導出管５ｂの各発熱抵抗体層５ｃが設けられている部位の断面剛性が向上され、導入管５ａおよび導出管５ｂが補強される。なお、発熱抵抗体層５ｃの厚みは、反応路に効率よく熱を供給するという観点と強度向上の観点からは、０．５μｍ〜５００μｍであることが好ましい。
【００３２】
また、このような発熱抵抗体層５ｃは、導入管５ａおよび導出管５ｂの壁部内に設けられてもよい。これによって、ガス等の原料を直接加熱することが可能となるため、原料が活性化し易い状態で反応器１１内に導入することができる。なお、発熱抵抗体層５ｃの厚みは、反応路に効率よく熱を供給するという観点と原料のスムーズな供給・排出という観点からは、０．５μｍ〜５００μｍであることが好ましく、導電性の原料を供給・排出する場合を考慮して、表面に電気絶縁体層を形成して導入管５ａおよび導出管５ｂに対して電気的に絶縁しておくことが好ましい。
【００３３】
また、このような発熱抵抗体層５ｃは、導入管５ａおよび導出管５ｂを形成する積層間に設けられ、必要に応じて各層をビア等で接続してもよい。これによって、発熱抵抗体がガス等の原料に対して、直接接触することがないことから、腐食するなどの影響を受けにくくなるため、発熱抵抗体が腐食し、オープンするなどの問題がなくなり、常に安定した発熱が可能となることから、原料が活性化し易い状態で反応器１１内に導入することができる。なお、発熱抵抗体層５ｃの厚みは、反応路に効率よく熱を供給するという観点と原料のスムーズな供給・排出という観点からは、０．５μｍ〜５００μｍであることが好ましい。また、導電性の原料を供給・排出する場合を考慮して、表面に電気絶縁体層を形成して導入管５ａおよび導出管５ｂに対して電気的に絶縁する必要がなくなるため、幅広い原料を反応させることが可能となることから、より、汎用性の高い反応器とすることができる。
【００３４】
さらに、発熱抵抗体層５ｃは、ガラスやセラミック等の非金属体をメタライズ化することによって形成してもよく、ガラスやセラミック等の非金属体からなる導入管５ａおよび導出管５ｂとの密着性をより高くし、導入管５ａおよび導出管５ｂを流れる原料のより効率の高い加熱が可能となり、加熱温度制御の応答性の高い反応器１１を実現することができる。
【００３５】
発熱抵抗体層５ｃが具備される導入管５ａおよび導出管５ｂは、たとえばＡｌ２Ｏ３質焼結体、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体、ＳｉＣ質焼結体、ＡｌＮ質焼結体、Ｓｉ３Ｎ４質焼結体、およびガラスセラミック焼結体等のいずれかのセラミック材料、またはポリイミド等の高耐熱の樹脂材料、もしくはガラスなどの材料、表面に誘電体形成されたＦｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、ＳＵＳ、Ａｌ、Ａｌ合金等の金属材料を適宜選択して用いることができる。
【００３６】
さらに、発熱抵抗体層５ｃとしては、金属部材であることが好ましく、導入管５ａおよび導出管５ｂとの密着性が優れたものとなり、伝熱による消費電力のロスを少なくして、導入管５ａおよび導出管５ｂ内を流れる原料の加熱が可能となり、より効率の良い反応器１１を実現することができる。金属材料には、電気抵抗の高いものが好ましく、たとえばＭｏ−Ｍｎ、ＷまたはＰｔ等が用いられる。金属製の導入管５ａおよび導出管５ｂにＭｏ−ＭｎやＷを使用する場合には、発熱抵抗体層５ｃをヒータとして機能させるため、ガラスやセラミック等の電気絶縁体を導入管５ａおよび導出管５ｂと発熱抵抗体層５ｃとの間に介在させるか、表面を酸化させるなどの絶縁処理を施しておくことが好ましい。
【００３７】
さらに、発熱抵抗体層５ｃは、導入管５ａおよび導出管５ｂへの形成が容易で、かつ発熱抵抗体層５ｃを発熱体として十分に機能させるために、電気絶縁体は、メタライズ化することが可能で、導入管５ａおよび導出管５ｂと発熱抵抗体層５ｃとの密着性に優れる絶縁材料を用いることが好ましい。このような絶縁材料としては、セラミックが好ましく、前述のような電気絶縁体を新たに設けることなく、発熱抵抗体層５ｃによって加熱手段を設けることが可能となる。セラミック材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体、およびガラスセラミックス等のいずれかを用いることができる。
【００３８】
このような発熱抵抗体層５ｃは、反応器１１において原料が流通する反応路の近傍に配置されることが好ましい。これによって、発熱抵抗体層５ｃから発生する熱を効率的に原料の反応に用いることができる。なお、反応路の近傍の位置としては、反応路に効率よく熱を供給するという観点からは、反応路からの距離が０．０１ｍｍ〜０．５０ｍｍの範囲が好ましい。
【００３９】
（ロウ材）
ロウ材３は、導入管５ａおよび導出管５ｂと基体（反応器本体）１０を気密に接続するためのものである。使用するロウ材３は、用途に応じて、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ−ＮｉおよびＡｕ−Ｓｎ等のいずれかを適宜選択すればよい。
【００４０】
ロウ材３によって導入管５ａおよび導出管５ｂを基体（反応器本体）１０に接続するにあたっては、導入管５ａおよび導出管５ｂに具備された発熱抵抗体層５ｃを発熱させて、局所的に加熱することによって、反応器１１全体を加熱せずにロウ材３だけを導入管５ａおよび導出管５ｂを介して加熱して溶融することが可能である。それゆえ、反応器１１に具備された高温によって劣化する可能性のある部材等のダメージを最小限に抑えることができる。
【００４１】
（保護層）
ロウ材３は、その表面に保護層を有することが好ましい。ロウ材３上に、少なくとも１層のコーティングがなされていることによって、温度に応じた各コーティング層間とロウ材３との相互拡散が生じる。相互拡散した場合、ロウ材３の表面の輻射率が異なるため、輻射率が変化した場合の消費電力や、輻射率をモニターすることによって、導入管５ａおよび導出管５ｂに想定以上の温度上昇または温度降下が生じていることを確認することが可能となる。その結果、安全に装置を停止したり、その後の経過をモニターすることができる。保護層は、相互拡散がなされるように、たとえばＡｕまたはＮｉのめっき処理や、Ａｌ等のコーティング処理が行なわれることが好ましい。たとえばＡｕめっき処理の場合であれば、その厚さは０．１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
【００４２】
（電極）
さらに、導入管５ａおよび導出管５ｂは、基体（反応器本体）１０と電気的に接続したり、基体（反応器本体）１０内の内部空間に設けられる配線等と電気的に接続したりするための電極７を備える。
【００４３】
導入管５ａおよび導出管５ｂに電極７を設けることにより、当該電極７と上述した発熱抵抗体層５ｃとを兼用することができる。また、発熱抵抗体層５ｃを外部電気回路に接続するためのリード端子８として兼用することができる。
【００４４】
発熱抵抗体層５ｃへの電力の供給は、たとえば図１および図２に示すように、供給管５ａおよび導出管５ｂの各表面に形成された発熱抵抗体層５ｃが、ボンディングワイヤ（図示せず）または導電性接合材を介して、たとえば温度制御装置などが搭載されたプリント配線板等の基板（図示せず）に電気的に接続することによって、外部から電力供給が行なわれる。
【００４５】
このような温度調節機構は、原料反応条件に応じて２０℃〜８００℃程度の温度範囲で発熱抵抗体５ｃを発熱させて導入管５ａおよび導出管５ｂ内を希望する温度条件に調整することができるように構成され、導入管５ａが接続された原料供給口から供給される原料をプレヒートして、基体（反応器本体）１０内で化学反応を良好に促進させ、または基体（反応器本体）１０内で反応後の原料の化学反応をさらに促進させて、導出管５ｂから排出することができる。
【００４６】
たとえば、基体（反応器本体）１０にヒータ等が内蔵され、このヒータに継続的に電力することで反応器１１を一定温度で維持するには、伝熱の経路長を少なくすることによって、低消費電力での動作が可能な反応器１１を実現することができる。伝熱を少なくするという観点からは、熱伝導率が低く、断面積が小さいことが好ましい。
【００４７】
（筺体）
本発明における筺体９は、基板１、蓋体４共に反応器１１を収納する容器としての役割を有する。
【００４８】
それらは、たとえば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等のＦｅ系合金や、無酸素銅等の金属材料、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミック材料、ポリイミド等の高耐熱の樹脂材料等によって形成される。
【００４９】
筺体９がセラミックスから成る場合、上述した導入管５ａおよび導出管５ｂと同様な材料・製法を用いることができる。
【００５０】
他方、筺体９が金属材料から成る場合は、切削法、プレス法、ＭＩＭ（Metal
Injection Mold）法等によって所定の形状に形成される。
【００５１】
また、筺体９が金属材料から成る場合には、腐食を防止するためにその表面は、たとえばＡｕ、Ｎｉのめっき処理や、ポリイミド等の樹脂コーティング等の被覆コーティング処理が行なわれることが好ましい。たとえばＡｕめっき処理の場合であれば、その厚さは０．１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
【００５２】
以上のような筺体９は、反応器１１の小型化、低背化を可能とするためには厚さを薄くすべきであるが、機械的強度に鑑み、曲げ強度は２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００５３】
そして、反応装置１２内の断熱性を得るために、反応器１１と筺体９との間に空間を設け、該空間を真空にすることが好ましい。たとえば、反応装置１２内の圧力を１００Ｐａ未満にすることが好ましい。
【００５４】
反応器１１と筺体９との間の圧力を１００Ｐａ未満にするためには以下の方法が挙げられる。すなわち、反応器１１を封止する際に、真空炉でのロウ材３による封止や真空チャンバー内でのシームウェルド法、電子ビーム溶接、プロジェクション溶接等で行なうか、事前に不活性雰囲気中でのシームウェルド法、プロジェクション溶接等で封止した後、反応装置１２に形成した真空引き用パイプ（図示せず）から真空引きを行い、真空引き用パイプを潰して圧着するなどの方法で反応装置１２内を上記圧力にすればよい。
【００５５】
図３は本発明の実施の他の形態を示す反応器１１ａを備える反応装置１２ａの断面図である。なお、前述の実施の形態と対応する部分に同一の参照符を付す。本実施の形態の反応器１１ａには、前述の実施の形態の反応器１１に比べて、導入管５ａにだけ加熱手段である発熱抵抗体５ｃが設けられ、導出管５ｂには発熱抵抗体５ｃが設けられていない点で相違する。このような構成を採用することによってもまた、前述の実施の形態と同様に、発熱抵抗体５ｃを発熱させて原料をプレヒートし、基体（反応器本体）１０内へ最適な温度に加熱して、たとえば活性した状態で原料を基体（反応器本体）１０に供給することができる。
【００５６】
また、本発明の実施のさらに他の形態では、前述の図３の反応器１１ａとは逆に、導出管５ｂにのみ加熱手段である発熱抵抗体５ｃを設けることによって、反応器から排出される反応後の原料をアフターヒートし、反応をさらに促進することできる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の一形態を示す反応器１１を備える反応装置１２の断面図である。
【図２】図１に示す反応器１１の断面図である。
【図３】本発明の実施の他の形態を示す反応器１１ａを備える反応装置１２ａの断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  基板
３  ロウ材
４  蓋体
５ａ  導入管
５ｂ  導出管
５ｃ  加熱手段（発熱抵抗体層）
７  電極
９  筺体
１０  基体（反応器本体）
１１，１１ａ  反応器
１２，１２ａ  反応装置
【図１】
2009241031.tif 000003
【図２】
2009241031.tif 000004
【図３】
2009241031.tif 000005