(57)【要約】【課題】  補助容量電極の欠陥に起因する線欠陥による表示不良の発生を皆無にすることができるＴＦＴ基板および表示素子を提供する。また、補助容量電極の欠陥に起因する点欠陥が発生しても、他の配線等との干渉による不具合を引き起こすことのない、ＴＦＴ基板および表示素子のリペア方法を提供する。【解決手段】  ＴＦＴ基板１５は、ゲート線１およびソース線４により、複数の画素領域Ｒを形成している。補助容量を形成する補助容量電極３は複数の画素領域Ｒに形成される画素電極７のそれぞれに対応して設けられ、互いに独立して形成されている。また、補助容量電極部３は画素電極７との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部３ａと、カラーフィルタ基板２５の対向電極２３との接続部３ｂとを有しており、補助容量形成部３ａに欠陥部４１が発生した場合、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断部４２で切断するリペアを行う。【選択図】        図１
2009025357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数のゲート線および補助容量電極と、
第１の絶縁膜を介して、前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に、第２の絶縁膜を介して設けられた複数の画素電極と、
前記ゲート線および前記ソース線の交差部付近に設けられるスイッチング素子と、を備えたＴＦＴ基板であって、
前記補助容量電極は、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して設けられ、独立して形成されたことを特徴とするＴＦＴ基板。
【請求項２】
基板上に形成された複数のゲート線および補助容量電極と、
第１の絶縁膜を介して、前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に、第２の絶縁膜を介して設けられた複数の画素電極と、
前記ゲート線および前記ソース線の交差部付近に設けられるスイッチング素子と、を備えたＴＦＴ基板であって、
前記補助容量電極は、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して設けられ、かつ、少なくとも隣接する２つの前記補助容量電極を互いに連結させたことを特徴とするＴＦＴ基板。
【請求項３】
前記請求項１または２に記載のＴＦＴ基板と、カラーフィルタおよび対向電極を備えたカラーフィルタ基板とを、液晶を介して対向配置した表示素子であって、
前記補助容量電極は、前記画素電極および前記ソース線のいずれにも重ならない領域に前記対向電極との接続部を有していることを特徴とする表示素子。
【請求項４】
前記補助容量電極は、前記接続部に積層された第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール上に設けられた接続膜を介して前記対向電極と接続されたことを特徴とする請求項３記載の表示素子。
【請求項５】
前記接続膜は、前記画素電極と同一層で設けられたことを特徴とする請求項４記載の表示素子。
【請求項６】
前記接続膜は、前記画素領域から前記ゲート線上にまで延在して設けられるとともに、前記ゲート線上で前記対向電極と接続されたことを特徴とする請求項４または５記載の表示素子。
【請求項７】
基板上に形成された複数のゲート線と、
前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のそれぞれに対応して独立して形成され、かつ、前記画素電極との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部とカラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続される接続部とを有する補助容量電極と、を備えたＴＦＴ基板のリペア方法であって、
前記補助容量電極の欠陥部を検出する工程、
前記補助容量電極に欠陥部を検出した場合、前記補助容量形成部および前記接続部間であって、前記画素電極および前記ソース線のいずれにも重ならない領域を切断する工程、を含むことを特徴とするＴＦＴ基板のリペア方法。
【請求項８】
基板上に形成された複数のゲート線と、
前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に設けられた複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のそれぞれに対応して設けられ、かつ、前記画素電極との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部とカラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続される接続部とを有し、少なくとも隣接する２つを連結させた補助容量電極と、を備えたＴＦＴ基板のリペア方法であって、
前記補助容量電極の欠陥部を検出する工程、
前記補助容量電極に欠陥部を検出した場合、前記補助容量形成部および前記接続部間であって、前記画素電極および前記ソース線のいずれにも重ならない領域を切断する工程、を含むことを特徴とするＴＦＴ基板のリペア方法。
【請求項９】
基板上に形成された複数のゲート線と、
前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に設けられた複数の画素電極と、を備えたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板と対向配置され、対向電極を有するカラーフィルタ基板と、
前記ＴＦＴ基板上に、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して独立して形成され、かつ、前記画素電極との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部と前記対向電極に接続される接続部とを有する補助容量電極と、を備えた表示素子のリペア方法であって、
前記補助容量電極の欠陥部を検出する工程、
前記補助容量電極に欠陥部を検出した場合、前記補助容量形成部および前記接続部間であって、前記画素電極および前記ソース線のいずれにも重ならない領域を切断する工程、を含むことを特徴とする表示素子のリペア方法。
【請求項１０】
基板上に形成された複数のゲート線と、
前記複数のゲート線と交差する複数のソース線と、
前記ゲート線と前記ソース線とで形成された複数の画素領域内に設けられた複数の画素電極と、を備えたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板と対向配置され、対向電極を有するカラーフィルタ基板と、
前記ＴＦＴ基板上に、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して設けられ、かつ、前記画素電極との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部と前記対向電極に接続される接続部とを有し、少なくとも隣接する２つを連結させた補助容量電極と、を備えた表示素子のリペア方法であって、
前記補助容量電極の欠陥部を検出する工程、
前記補助容量電極に欠陥部を検出した場合、前記補助容量形成部および前記接続部間であって、前記画素電極および前記ソース線のいずれにも重ならない領域を切断する工程、を含むことを特徴とする表示素子のリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示パネル等を形成するＴＦＴ基板、表示素子およびそれらのリペア方法に関するもので、特に画素電極に補助容量を形成する補助容量電極に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な表示素子である液晶表示パネルは、スイッチング素子および画素電極等が形成されたＴＦＴ（Thin  Film  Transistor：以下ＴＦＴと称する）基板と、カラーフィルタおよび対向電極等が形成されたカラーフィルタ基板とで液晶を挟持している。この液晶に保持特性を補い、表示品位を向上させる目的で、ＴＦＴ基板の画素電極に補助容量を形成する補助容量電極を設けている。補助容量電極は、ＴＦＴ基板端部まで延在させる共通配線方式とし、ＴＦＴ基板の周囲で接続させ、カラーフィルタ基板上の対向電極から電位を印加させている。表示素子である液晶表示パネルの一例が下記特許文献に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９６６９８号公報（第２−４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のＴＦＴ基板は、補助容量を形成する共通配線とスイッチング素子を構成しているゲート線とが同じ層で形成されているため、製造時のＴＦＴ基板上に異物が付着すると、成膜欠陥が発生し、共通配線とゲート線とが小さな抵抗で接続されてしまうパターンショートを引き起こし線欠陥となる。また、異物によっては、共通配線と画素電極とのパターンショートを引き起こし、パターンショート部を通じて対向電極から画素電極に電位が印加されてしまうことにより、画素電極と対向電極が同電位となり、輝点欠陥を引き起こす。また、共通配線が断線してしまうオープン欠陥を引き起こした場合は、共通配線の配線抵抗により上下に隣り合っている画素との駆動条件がずれ、断線した共通配線にかかわるゲートライン上の画素をもつラインが線欠陥として視認されてしまう。また、共通配線はＴＦＴ基板の周囲で接続されていることから、製造時に静電気の充放電が発生しやすく、絶縁破壊を引き起こし様々な欠陥が発生することがあった。
【０００５】
上記のように「パターンショート」を引き起こした場合は、レーザ光を照射してパターンショート部を切断するリペア（修復）を行う必要がある。また、「オープン欠陥」を引き起こした場合は、レーザ光を照射して、共通配線を溶解接続するリペアを行う必要がある。リペアを行う位置の選定は欠陥発生位置によって異なるが、リペアを行う位置によっては、共通配線と、スイッチング素子を構成しているソース線等とが干渉してしまい不具合を引き起こしてしまう。このため、リペア自体を行うことができない場合も多く、歩留まりの低下を引き起こしていた。
【０００６】
このような問題を解決するために、上記特許文献１では、共通電極（共通配線）上にキャパシタを設け、キャパシタの両端の共通電極に冗長パターンを接続させる構造としている。この構造により、キャパシタに欠陥が発生した場合に欠陥キャパシタを切り離したとしても、共通電極の連続性に影響を与えることがないため、開路とならない、としている。しかしながら、キャパシタ以外の共通電極上に欠陥が発生した場合、上記同様、リペアを行う位置によっては、共通電極と他の配線および透明電極等とが干渉してしまい不具合を引き起こしてしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記のような、共通配線に起因する欠陥およびその欠陥のリペアによる歩留まり低下を解消するためになされたもので、第１の目的は、補助容量電極の欠陥に起因する線欠陥による表示不良の発生を皆無にすることである。
【０００８】
また、第２の目的は、補助容量電極の欠陥に起因する点欠陥が発生した場合であっても、他の配線等との干渉による不具合を引き起こすことなく、リペア可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＴＦＴ基板は、基板上に形成された複数のゲート線および補助容量電極と、第１の絶縁膜を介して、複数のゲート線と交差する複数のソース線とで形成された複数の画素領域内に、第２の絶縁膜を介して設けられた複数の画素電極と、ゲート線およびソース線の交差部付近に設けられるスイッチング素子と、で構成されており、補助容量電極は、前記複数の画素電極のそれぞれに対応して設けられ、独立して形成されたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のＴＦＴ基板のリペア方法は、複数の画素電極のそれぞれに対応して独立して形成され、かつ、画素電極との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部とカラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続される接続部とを有する補助容量電極を備えたＴＦＴ基板のリペア方法であって、補助容量電極の欠陥部を検出する工程、補助容量電極に欠陥部を検出した場合、補助容量形成部および接続部間であって、画素電極およびソース線のいずれにも重ならない領域を切断する工程、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のＴＦＴ基板によれば、補助容量電極の欠陥に起因する線欠陥による表示不良の発生を皆無にすることができる。
【００１２】
また、本発明のＴＦＴ基板のリペア方法によれば、補助容量電極の欠陥に起因する点欠陥が発生した場合であっても、他の配線等との干渉による不具合を引き起こすことなく、リペアを行うことができる。
【００１３】
以下、本発明のＴＦＴ基板および表示素子の構成について一実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を用いたものは、実質的に同様の構成を示す。
実施の形態１．
図１は、本発明に係るＴＦＴ基板の一画素を形成する部分平面図、図２は図１に示すＴＦＴ基板をカラーフィルタ基板と対向して配置した状態（表示素子）において、図１の矢視Ａ−Ａ方向から見た断面図、図３は本発明の表示素子の等価回路図、図４は本発明のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【００１４】
図１〜図３に示すように、ＴＦＴ基板１５は、絶縁性基板１０上に、ゲート線１およびゲート線１に接続されているゲート電極２と、液晶３０に電位を保持させるための補助容量電極３とを形成しており、この上層に第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜１１が積層される。ゲート電極２上にはゲート絶縁膜１１を介して、半導体膜１３、オーミックコンタクト膜１４が設けられ、さらに、ソース線４およびソース線４に接続されたソース電極５と、ドレイン電極６とが設けられており、各部材により液晶３０を駆動するためのスイッチング素子９を構成している。この上層には第２の絶縁膜である保護膜１２が成膜され、ゲート線１とマトリクス状に交差して配置されるソース線４で囲まれた複数の画素領域Ｒには、画素電極７が設けられる。なお、本発明のＴＦＴ基板１５は、複数のゲート線１および複数のソース線４により、複数の画素領域Ｒを形成している。補助容量電極３は複数の画素領域Ｒに形成される画素電極７のそれぞれに対応して設けられており、互いに独立して形成されている。補助容量電極３は画素電極７の周辺部に沿って形成し、少なくとも一部が画素電極７と重なることで補助容量を形成する補助容量形成部３ａを有している。また、終端部には後述するカラーフィルタ基板２５上の対向電極２３と補助容量電極３を接続させるための接続部３ｂを有している。接続部３ｂは、積層されるゲート絶縁膜１１、保護膜１２にコンタクトホール１８を設け、このコンタクトホール１８上に導電膜からなる接続膜８を形成し、接続膜８を介して補助容量電極３と対向電極２３とを接続させている。なお、補助容量電極３は、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとの間に、画素電極７およびソース線４のいずれにも重ならない領域３ｃを有している。
【００１５】
図２において、ＴＦＴ基板１５に対向して配置されるカラーフィルタ基板２５は、絶縁性基板２０上に、色材２１が設けられる。また、前述したとおり、ＴＦＴ基板１５上に設けられた接続部３ｂに対応する位置に柱状スペーサ２２が設けられており、全面に対向電極２３が形成されている。このカラーフィルタ基板２５とＴＦＴ基板１５とを重ねあわせ、２枚の基板間に液晶３０を注入することで表示素子である液晶表示パネル３１が構成される。
【００１６】
次に、図３を用いて、本発明の液晶表示パネル３１の動作を説明する。図３の等価回路図に示すように、液晶表示パネル３１は複数のゲート線１および複数のソース線４の交差部にスイッチング素子９が形成されている。このゲート線１およびソース線４に電位が印加されるとスイッチング素子９がＯＮされ、液晶３０に電位が印加されることにより画像が表示される。本発明の液晶表示パネル３１においては、複数の画素領域Ｒに設けられた画素電極７のそれぞれに対応して互いに独立して設けられる補助容量電極３を形成しており、各補助容量電極３に対向電極２３から電位を印加させて、画素電極７に保持特性を補い、表示品位を向上させている
【００１７】
次に、図４（ａ）〜（ｅ）に基づいて、本発明のＴＦＴ基板の製造方法の一実施例を説明する。
【００１８】
図４（ａ）において、絶縁性基板１０上にＣｒなどの金属材料を用いて、スパッタリング法を用いて成膜した後、レジストパターン（図示せず）を用いた写真製版工程により、ゲート電極２と補助容量電極３を同時に形成する。
【００１９】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いて、ゲート絶縁膜１１としてＳｉＮ等を成膜する。
【００２０】
次に、図４（ｃ）に示すように、ゲート電極２上に半導体膜１３として、ａ−Ｓｉ、オーミックコンタクト層１４としてｎ+−ａ−Ｓｉを順次成膜して、写真製版工程により、半導体１３、オーミックコンタクト膜１４を形成する。続いて、Ｃｒなどの金属薄膜をスパッタリング法を用いて成膜した後、写真製版工程によりソース電極５、ドレイン電極６を形成する。次にＣＶＤ法などを用いて保護膜１２としてＳｉＮを成膜する。
次に、図４（ｄ）に示すように、写真製版工程により、ドレイン電極６上の保護膜１２にコンタクトホール１７を、補助容量電極３上の絶縁膜１１、保護膜１２にコンタクトホール１８をそれぞれ形成する。
【００２１】
続いて、図４（ｅ）に示すように、透明導電膜として、ＩＴＯなどをスパッタリング法などにより成膜し、写真製版工程により、画素電極７およびカラーフィルタ基板上の対向電極と（図示せず）と接続するための接続膜８を形成することでＴＦＴ基板１５が完成する。ここで、接続膜８は画素電極７と同一層で同材料のもので構成したが、別の材料で構成してもよい。接続膜８を画素電極７と同一層で設けることで、製造工程を簡略化することができる
【００２２】
ここで、完成したＴＦＴ基板１５は、検査装置（図示せず）に搬送され、光学的な検査を行う。図１に示すように、ＴＦＴ基板１５上の補助容量電極３に欠陥部４１が検出された場合、ＴＦＴ基板１５はリペア装置へ搬送され、前述した検査装置から送られた検査情報をもとに検査者が目視確認を行い、リペアを行う。
【００２３】
図１、図２に示すように、補助容量電極３に欠陥部４１として「パターンショート」が確認された場合、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとをレーザ光を照射して切断する。切断部４２は、補助容量電極部３ａおよび接続部３ｂ間であって、画素電極７およびソース線４のいずれにも重ならない領域３ｃに設ける。
【００２４】
ここで、欠陥部４１が補助容量電極３と画素電極７とが接続されてしまう「パターンショート」である場合、液晶表示パネルの状態において、画素電極７に補助容量電極７の「パターンショート」を介して対向電極２３から電位が印加されてしまい、画素電極７と対向電極２３が同電位となることにより、液晶３０に電位を印加できなくなるため、輝点欠陥となってしまう。しかし、補助容量電極３の補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断部４２で切断するリペアを行うことによって、補助容量電極３が対向電極２３と切断されるため、対向電極２３から電位が印加されなくなり、スイッチング素子９から画素電極７へ正常な電位が印加されるようになる。なお、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとの切断部４２は、画素電極７およびソース線４のいずれにも重ならない領域３ｃに設けられているため、リペアを行っても補助容量電極３と画素電極７やソース線４とが誤って接続されることがない。
【００２５】
なお、補助容量電極３の欠陥部４１が「オープン欠陥」である場合は、断線した面積分補助容量が減るが、上記で補助容量電極３を切り離した場合と同様、スイッチング素子９から画素電極７へ正常な電位が印加されるため、リペアを行う必要はない。
【００２６】
上記の通り、検査、リペアが終了したＴＦＴ基板１５は、ポリイミドなどの配向膜を転写した後、基板表面に回転するラビング布を接触させラビング処理を行う（図示せず）。
【００２７】
次に、完成したＴＦＴ基板１５は、図２に示すように、カラーフィルタ基板２５と重ね合わせられる。このとき、ＴＦＴ基板１５上に設けられた接続膜８とカラーフィルタ基板２５上に設けられた柱状スペーサ２２とが重なるように両基板の位置合わせを行う。次に、両基板（１５、２５）を、貼り合わせて液晶３０を注入することによって、液晶表示パネル３１が完成する。次に、液晶表示パネル３１の表示を確認する点灯検査が行われる。
【００２８】
点灯検査により、補助容量電極３以外に起因する欠陥が発見された場合、レーザリペアなどにより欠陥の修正が行われる。液晶表示パネル３１の状態で補助容量電極３以外に起因する輝点欠陥が発生している場合は、輝点が発生している画素に形成されているゲート電極２とドレイン電極６とに、ＴＦＴ基板１５の裏面側よりレーザ光などを照射する。これによって、ゲート電極２とドレイン電極６とを溶融接続し、画素電極７へゲート電極２より送られる電位を印加することで黒点化とするリペアを行う。なお、補助容量電極３に欠陥部４１がありながら、ＴＦＴ基板１５製造時の目視検査により見落としがあった場合、この時点でリペアを行うことも可能である。リペアを行う場合は、ＴＦＴ基板１５の裏面側より切断部４２にレーザ光などを照射し、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断する。
【００２９】
リペアが完了もしくは良品と判定された液晶表示パネル３１は、偏向板、駆動ＩＣなどがアセンブリされる。
【００３０】
上記説明した通り、本発明のＴＦＴ基板１５に形成された補助容量電極３は複数の画素電極７のそれぞれに対応して互いに独立して形成されているため、補助容量電極３に起因する線欠陥が発生しない。なお、補助容量電極３に欠陥部４１が発生しても、他の画素領域Ｒに形成されている補助容量電極３に影響を及ぼすことがない。
【００３１】
また、従来の共通配線の構成による、ソース線４と補助容量電極３との重なり部で発生していた膜欠損などに起因する線欠陥が発生しない。
【００３２】
さらに、それぞれの補助容量電極３の静電容量が小さくなるため、静電気が蓄積することがほとんどない。よって、製造時（特にラビング工程）に発生する静電気などの影響を受けにくくなるため、補助容量電極３からの放電も防止され、静電気による絶縁破壊によって発生していた、輝点欠陥も大幅に減少することから歩留が向上する。
【００３３】
また、補助容量電極部３は画素電極７との重なり部で補助容量を形成する補助容量形成部３ａと、カラーフィルタ基板２５の対向電極２３との接続部３ｂとを有しており、補助容量形成部３ａに欠陥部４１が発生した場合、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断部４２で切断するリペアを行う。補助容量形成部３ａと接続部３ｂとの切断部４２は、画素電極７およびソース線４のいずれにも重ならない領域３ｃに設けられているため、リペアを行ったとしても補助容量電極３と画素電極７やソース線４などの他の配線とが誤って接続されることがない。さらに、補助容量電極３に起因する欠陥部４１を発見した場合、ＴＦＴ基板１５状態でも、液晶表示パネル３１の状態のいずれにおいても、リペア出来るようになることから、製造ロスの減少、歩留まりの向上、表示品位の大幅な向上が図られる。補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断部４２で切断するリペアを行うことで、輝点欠陥と視認されていた画素電極７に正常な電位を印加できるようになり、表示品位が向上した液晶表示パネル３１が得られる。
【００３４】
図５は本発明の変形例を示す図である。上述した補助容量電極３は、複数の画素電極７のそれぞれに対応して互いに独立して形成させたが、隣接する画素領域Ｒに形成される補助容量電極３を少なくとも２つ連結させてもよい。このような構成とすることによって、一方の補助容量電極３と対向電極２３との接続不良（導通不良）が発生しても、他方の補助容量電極３と対向電極２３とが接続されているため、導通不良による欠陥の発生を防止することができる。
【００３５】
実施の形態２．
図６は実施の形態２のＴＦＴ基板の一画素を形成する部分平面図、図７は図６に示すＴＦＴ基板をカラーフィルタ基板と対向して配置した状態（表示素子）において、図６の矢視Ｂ−Ｂ方向から見た断面図である。図６、図７に示すように、実施の形態１においては画素領域Ｒ内に接続膜８を設けて、補助容量電極８とカラーフィルタ基板２５上の対向電極２３とを接続する構成としたが、本実施の形態２においては、接続膜５２をゲート線１上にまで延在させて、ゲート線１上でカラーフィルタ基板２５上の対向電極２３と接続させる構成とした。なお、ゲート線１上にまで延在させて接続膜５２を形成する構成としたところのみが実施の形態１との相違点であり、その他の構成、作用・効果は実施の形態１と同様である。
【００３６】
図６、図７に示すように、補助容量電極３は画素電極７の周辺部を取り囲むように形成された補助容量形成部３ａと、終端部にカラーフィルタ基板２５上の対向電極２３と補助容量電極３を接続させる接続部３ｂとを形成している。接続部３ｂは、積層されるゲート絶縁膜１１、保護膜１２にコンタクトホール５１を設け、このコンタクトホール５１上に導電膜からなる接続膜５２を形成している。さらに、接続膜５２は、画素領域Ｒからゲート線１上にまで延在して形成されており、このゲート線１上の接続膜５２に対向電極２３が重なって設けられる構造となっており、接続膜５２を介して補助容量電極３の接続部３ｂと対向電極２３とが接続している。
【００３７】
実施の形態１の構造においては、柱状スペーサ２２に設けられた対向電極２３と接続するために、ＴＦＴ基板１５に形成された接続部３ｂ上に柱状スペーサ２２の径以上のコンタクトホール１８を形成する必要があったが、本実施の形態２において、接続部３ｂ上に形成するコンタクトホール５１は、接続膜５２と接続部３ｂとが接続できる程度の大きさで形成すればよいため、実施の形態１と比較して、小さな径でよい。このため、画素領域Ｒの開口率を向上させることができる。また、ゲート線１上で対向電極２３と接続膜５２とを接続させることができるため、柱状スペーサ２２の高さを低く形成することができる。
【００３８】
なお、接続膜５２はゲート線１上に延在するように形成したが、ソース線４上に延在させて形成することも可能である。ただし、一般的には、ソース線４よりもゲート線１の線幅を広く形成するため、ゲート線１上に延在させる接続膜５２も広く形成させることができ、対向電極２３との導通不良が発生しにくい構造となる。
【００３９】
また、この構成で補助容量電極３に欠陥部４３が発生した場合、補助容量形成部３ａと接続部３ｂとを切断部４４で切断する。切断部４４は画素電極７およびソース線４のいずれにも重ならない領域３ｃに設けているため、リペアを行っても補助容量電極３と画素電極７やソース線４とが誤って接続されることがない。なお、リペアは、補助容量電極３と対向電極２３とを切断すればよいため、接続膜５２を切断することによって、補助容量電極３と対向電極２３とを切断してもよい。図６、７に示すように、接続膜５２を切断する場合、切断部４５を補助容量電極３、ゲート線１およびソース線４のいずれにも重ならない領域である５２ａに設けることで、リペアを行っても補助容量電極３、ゲート線１およびソース線４等が誤って接続されることがない。
【００４０】
上記の各実施の形態について、補助容量電極３は、画素電極７の周辺部を取り囲むように形成された補助容量形成部３ａ、終端部にカラーフィルタ基板２５上の対向電極２３と補助容量電極３を接続させる接続部３ｂ、を形成したが、補助容量形成部３ａは画素電極７と一部が重なるように形成すればよく、形状や画素電極７との重なり量は適宜変更可能である。また、対向電極２３との接続部３ｂは補助容量電極３の終端部に設けたが、本発明の効果を奏する範囲内であれば、補助容量電極７の中央部に設けるなど、適宜変更可能である。また、カラーフィルタ基板２５上に設けた柱状スペーサ２２によって、対向電極２３とＴＦＴ基板１５上の補助容量電極２３とを接続させる構成としているが、柱状スペーサ２２をＴＦＴ基板１５に設けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係るＴＦＴ基板の一画素を形成する部分平面図である。
【図２】図１に示すＴＦＴ基板をカラーフィルタ基板と対向して配置した状態（液晶表示パネル）において、矢視Ａ−Ａ方向から見た断面図である。
【図３】本発明の等価回路図である。
【図４】本発明のＴＦＴ基板の製造方法について説明するための工程図である。
【図５】実施の形態１の変形例を示す等価回路図である。
【図６】実施の形態２のＴＦＴ基板の一画素を形成する部分平面図である。
【図７】図６に示すＴＦＴ基板をカラーフィルタ基板と対向して配置した状態（液晶表示パネル）において、矢視Ｂ−Ｂ方向から見た断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ゲート線、２  ゲート電極、３  補助容量電極、３ａ  補助容量形成部、３ｂ  接続部、４  ソース線、５  ソース電極、６  ドレイン電極、７  画素電極、８、５２  接続膜、９  スイッチング素子、１０  絶縁性基板、１１  ゲート絶縁膜、１２  保護膜、  １３  半導体膜、１４  オーミックコンタクト膜、１５  ＴＦＴ基板、１７、１８、５１  コンタクトホール、２０  絶縁性基板、２１  カラーフィルタ、  ２２  柱状スペーサ、  ２３  対向電極、２５  カラーフィルタ基板、３０  液晶、３１  液晶表示パネル、４１、４３  欠陥部、４２、４４、４５  切断部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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