(57)【要約】      （修正有）【課題】セル領域及び周辺回路領域のコンタクトプラグ形成工程の単純化及びコスト削減をする方法を提供する。【解決手段】セル領域Ａ及び周辺回路領域Ｂが定義され、上記周辺回路領域Ｂに第１のコンタクトプラグ１１０が形成された半導体基板１００上に第１の絶縁膜１０８を形成する段階と、上記第１の絶縁膜をエッチングして上記セル領域Ａには接合領域１０４が露出され、上記周辺回路領域Ｂでは上記第１のコンタクトプラグが露出される第２のコンタクトホールを形成する段階と、上記第２のコンタクトホール内に第２のコンタクトプラグ１１６を形成する段階と、上記周辺回路領域Ｂの上記第２のコンタクトホール内に形成された上記第２のコンタクトプラグを除去する段階と、上記第２のコンタクトホール側壁にスペーサ１２０を形成する段階と、上記第２のコンタクトホール内に第３のコンタクトプラグ１２４を形成する段階を含む。【選択図】図１ｉ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル領域及び周辺回路領域が定義され、上記周辺回路領域に第１のコンタクトプラグが形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階;
エッチング工程で上記第１の絶縁膜をエッチングして上記セル領域には接合領域が露出され、上記周辺回路領域では上記第１のコンタクトプラグが露出される第２のコンタクトホールを形成する段階;
上記第２のコンタクトホール内に第２のコンタクトプラグを形成する段階;
エッチング工程で上記周辺回路領域の上記第２のコンタクトホール内に形成された上記第２のコンタクトプラグを除去する段階;
上記第２のコンタクトホール側壁にスペーサを形成する段階;及び
上記第２のコンタクトホール内に第３のコンタクトプラグを形成する段階を含む半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項２】
上記第１のコンタクトプラグは、タングステン膜で形成する請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項３】
上記第１の絶縁膜は、酸化物で形成する請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項４】
上記第２のコンタクトホールを形成する前に、
上記第１の絶縁膜の上部にドレインコンタクトホールサイズを焦点にマスクを形成する段階をさらに含む請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項５】
上記第２のコンタクトホールは、上記マスクを用いて形成する請求項４に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項６】
上記セル領域に形成された上記第２のコンタクトホールの幅に比べて上記周辺回路領域に形成された上記第２のコンタクトホールの幅がさらに広い請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項７】
上記第２のコンタクトプラグは、ポリシリコン膜で形成する請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項８】
上記周辺回路領域の上記第２のコンタクトホール内に形成された上記第２のコンタクトプラグ除去工程時に上記セル領域の上記第２のコンタクトホール内に形成された上記第２のコンタクトプラグも一部除去される請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項９】
上記スペーサ形成工程は、
上記第１の絶縁膜及び第２のコンタクトホールの上部に第２の絶縁膜を形成する段階;及び
エッチング工程で上記第１の絶縁膜の上部と上記第２のコンタクトホールの下部に形成された上記第２の絶縁膜を除去して上記第２のコンタクトホール側壁に上記スペーサを形成する段階をさらに含む請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１０】
上記スペーサは、窒化物で形成される請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１１】
上記スペーサは、上記セル領域の上記第２のコンタクトホールに比べて上記周辺回路領域の上記第２のコンタクトホール内に、さらに厚く形成される請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【請求項１２】
上記第３のコンタクトプラグは、タングステン膜で形成する請求項１に記載の半導体素子のコンタクトプラグ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法に関するものであり、特に、コンタクトプラグ形成工程時に工程を単純化させて原価を節減するための半導体素子のコンタクトプラグ形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
素子が60nm以下に縮小化されるにつれてセル領域のドレインコンタクトプラグと周辺回路領域の高電圧素子用コンタクトプラグ形成工程時、フォトマスク工程を同時に進行することができない問題が発生する。
【０００３】
その理由は、ドレインコンタクトホール及び高電圧素子用コンタクトホールの形状とサイズが互いに異なるためである。もし、どちらか一方に焦点を合せてマスク形成工程を進行する場合、他方に形成されるマスクパターンがそのスペック(spec)から外れて所望のサイズのドレインコンタクトホール及び高電圧素子用コンタクトホールを形成するのが困難である。また、ドレインコンタクトホールにはポリシリコン膜が満たされ、高電圧素子用コンタクトホールにはタングステン(W)膜が満たされるため、ドレインコンタクトプラグと高電圧素子用コンタクトプラグ形成工程を同時に行うことができない。
【０００４】
上記のように、マスク形成工程の問題とドレインコンタクトホールと高電圧素子用コンタクトホールに満たされる物質の差により、ドレインコンタクトプラグと高電圧素子用コンタクトプラグ形成工程を同時に行えず、それぞれのマスク形成工程で分離して行っている。この時、ArF光源を用いてフォトマスク工程を行うため、後続工程が追加される。追加される後続工程によりマスクパターンを形成する工程条件比製造原価の側面で費用の増加が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、セル領域及び周辺回路領域のコンタクトホールを定義するためのマスク形成工程を同時に行い、同一の物質を用いてセル領域のコンタクトホールと周辺回路領域のコンタクトホールを満たすことにより工程の単純化及びコスト削減の効果が得られる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法は、セル領域及び周辺回路領域が定義され、周辺回路領域に第１のコンタクトプラグが形成された半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する。エッチング工程で第１の絶縁膜をエッチングしてセル領域には接合領域が露出され、周辺回路領域では第１のコンタクトプラグが露出される第２のコンタクトホールを形成する。第２のコンタクトホール内に第２のコンタクトプラグを形成する。エッチング工程で周辺回路領域の第２のコンタクトホール内に形成された第２のコンタクトプラグを除去する。第２のコンタクトホール側壁にスペーサを形成する。第２のコンタクトホール内に第３のコンタクトプラグを形成する。
【０００７】
上記において、第１のコンタクトプラグは、タングステン膜で形成する。第1の絶縁膜は、酸化物で形成する。第２のコンタクトホールを形成する前に、第１の絶縁膜の上部にドレインコンタクトホールサイズを焦点としてマスクを形成する。第２のコンタクトホールは、マスクを用いて形成する。セル領域に形成された第２のコンタクトホールの幅に比べて周辺回路領域に形成された第２のコンタクトホールの幅がさらに広い。第２のコンタクトプラグは、ポリシリコン膜で形成する。
【０００８】
周辺回路領域の第２のコンタクトホール内に形成された第２のコンタクトプラグ除去工程時にセル領域の第２のコンタクトホール内に形成された第２のコンタクトプラグも一部除去される。スペーサ形成工程は、第１の絶縁膜及び第２のコンタクトホールの上部に第２の絶縁膜を形成した後、エッチング工程で第１の絶縁膜の上部と第２のコンタクトホールの下部に形成された第２の絶縁膜を除去して第２のコンタクトホール側壁にスペーサを形成する。
【０００９】
スペーサは、窒化物で形成される。スペーサは、セル領域の第２のコンタクトホールに比べて周辺回路領域の第２のコンタクトホール内に、さらに厚く形成される。第３のコンタクトプラグは、タングステン膜で形成する。
【発明の効果】
【００１０】
上述したように、本発明の効果は、次の通りである。
【００１１】
第１に、セル領域及び周辺回路領域の第２のコンタクトホールを定義するためのマスク形成工程を同時に行うことにより、工程の進行による製造費用及び製造時間を短縮することができる。
【００１２】
第２に、第２のコンタクトホールを定義するためのマスク形成工程を同時に行うことにより、ハードマスク膜形成工程及びエッチング工程を同時に進めることができる。
【００１３】
第３に、第２のコンタクトホール形成工程時に周辺回路領域に形成される第２のコンタクトホールの臨界寸法(Critical Dimension; CD)が広くなるのをスペース形成工程で防止することができる。
【００１４】
第４に、スペーサを用いて第２のコンタクトホールの臨界寸法(CD)が広くなるのを防止することにより、第３のコンタクトプラグ間のブリッジ(bridge)も防止することができる。
【００１５】
第５に、第２のコンタクトホール内にスペーサを形成して第２のコンタクトホールの臨界寸法(CD)を減少させることにより、金属配線と第３のコンタクトプラグ間のブリッジも防止することができる。
【００１６】
第６に、セル領域の第２のコンタクトホールと周辺回路領域の第２のコンタクトホールに同一の物質を満たすことにより、工程を単純化させることができる。
【００１７】
第７に、セル領域及び周辺回路領域の第２のコンタクトホールを定義するためのマスク形成工程を同時に行い、セル領域の第２のコンタクトホールと周辺回路領域の第２のコンタクトホールに同一の物質を満たすことにより、工程の単純化及びコスト削減の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付した図面を参照し、本発明の実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。
【００１９】
図１ａ〜図１ｉは、本発明の一実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図であり、Aはセル領域のドレインコンタクトプラグが形成される領域を、Bは周辺回路領域の低電圧及び高電圧素子用コンタクトプラグが形成される領域を示したものである。
【００２０】
図１ａを参照すれば、多数のセレクトライン(図示せず)、多数のワードライン(図示せず)及び多数のゲート(図示せず)が形成された半導体基板(100)が提供される。多数のゲートを含む半導体基板(100)の上部にバッファ絶縁膜(102)を形成した後、イオン注入工程を行って半導体基板(100)に接合領域(104)を形成する。この時、バッファ絶縁膜(102)は酸化物で形成する。
【００２１】
その後、ゲート側壁にスペーサ(図示せず)を形成する。この時、スペーサは、絶縁物質で形成する。ゲート側壁にスペーサを形成する前に半導体基板(100)の全体表面にバッファ絶縁膜(102)をまず形成することにより、スペーサを形成するためのエッチング工程時に半導体基板(100)が損傷するのを防止することができる。ゲート及びスペーサを含む半導体基板(100)の上部にSAC(Self Align Contact)絶縁膜(106)を形成する。その時、SAC絶縁膜(106)は窒化物で形成する。
【００２２】
その後、SAC絶縁膜(106)の上部に第１の絶縁膜(108)を形成した後、平坦化工程を行う。この時、第１の絶縁膜(108)は、酸化物で形成する。エッチング工程で接合領域(104)が露出されるように第１の絶縁膜(108)、SAC絶縁膜(106)及びバッファ絶縁膜(102)をエッチングして第１のコンタクトホールを形成した後、第１のコンタクトホールの上部領域の第１の絶縁膜(108)をエッチングして第１のトレンチを形成する。この時、第１のコンタクトホールは、セル領域(A)でのソースコンタクト(Source Contact;図示せず)領域と周辺回路領域(B)での低電圧及び高電圧トランジスタが形成される領域に形成される。これにより、第１のコンタクトホールと第１のトレンチからなるデュアルダマシンパターンが形成される。
【００２３】
その後、デュアルダマシンパターン内に第１の導電膜を形成して第１のコンタクトプラグ(110)を形成する。この時、第１の導電膜は、タングステン(W)膜で形成する。第１のコンタクトプラグ(110)形成工程時のセル領域(A)では、ソースコンタクトプラグ(図示せず)が形成され、周辺回路領域(B)では低電圧及び高電圧素子用コンタクトプラグ(110)が形成される。
【００２４】
図１ｂを参照すれば、第１の絶縁膜(108)及び第１のコンタクトプラグ(110)の上部に第２の絶縁膜(112)、アモルファスカーボン膜(図示せず)、シリコン酸化窒化膜(図示せず)、下部反射防止膜(Bottom Anti Reflective Coating; BARC;図示せず)及びフォトレジストパターンを形成する。この時、フォトレジストパターンはArF光源を用いて形成する。アモルファスカーボン膜、シリコン酸化窒化膜及び下部反射防止膜(BARC)は、ハードマスクの役割をする。フォトレジストパターンはフォトレジスト膜を形成した後、露光及び現像工程を行って形成する。この時、露光工程は、後続に形成されるコンタクトホールを定義するためのものであり、ドレインコンタクトホールのサイズに焦点を合せて露光工程を行う。
【００２５】
その後、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして下部反射防止膜(BARC)及びシリコン酸化窒化膜をパターニングする。パターニングされたシリコン酸化窒化膜をエッチングマスクとしてアモルファスカーボン膜をエッチングする。この時、アモルファスカーボン膜エッチング工程時に残留するフォトレジストパターン及び下部反射防止膜(BARC)は除去される。アモルファスカーボン膜をエッチングマスクとして第２の絶縁膜(112)及び第１の絶縁膜(108)をエッチングして第２のコンタクトホール(114)を形成する。この時、第２の絶縁膜(112)及び第１の絶縁膜(108)エッチング工程に酸化物が窒化物に対するエッチング選択比が高いエッチングガスを用いてSAC絶縁膜(106)でエッチング工程が止めるようにする。このように、エッチング工程時にSAC絶縁膜(106)でエッチング工程が止めるようにすることにより、後続工程であるSAC絶縁膜(106)の除去工程時に半導体基板(100)が損失するのを最小化することができる。第２の絶縁膜(112)及び第１の絶縁膜(108)のエッチング工程時に酸化物が窒化物に対するエッチング選択比が高いエッチングガスであるC4F8、C4F6、Ar及びO2を混合した混合ガス、C4F6、Ar及びO2を混合した混合ガスまたはC4F8、Ar及びO2を混合した混合ガスを用いて窒化物より酸化物に対するエッチング選択比が10倍〜20倍速くする。第２のコンタクトホール(114)は、セル領域(A)ではドレインコンタクト(Drain Contact)領域とソースコンタクトプラグが形成された領域に形成され、周辺回路領域(B)では、第１のコンタクトプラグ(110)が形成された領域に形成されて第１のコンタクトプラグ(110)を露出させる。このように、マスク工程を用いてセル領域(A)のドレインコンタクト領域及びソースコンタクトプラグが形成された領域と周辺回路領域(B)に第２のコンタクトホール(114)を同時に形成する。この時、第２のコンタクトホール(114)を定義するためにドレインコンタクトホールのサイズに焦点を合せて露光工程を行った後、現像工程でセル領域(A)及び周辺回路領域(B)にフォトレジストパターンを形成する。このように形成されたフォトレジストパターンを用いてエッチング工程を行うことにより、セル領域(A)のドレインコンタクト領域及びソースコンタクトプラグが形成された領域と周辺回路領域(B)に第２のコンタクトホール(114)が同時に形成される。ドレインコンタクトホールサイズで第２のコンタクトホール(114)を形成するため、周辺回路領域に形成される第２のコンタクトホール(114)のサイズがさらに大きく定義される。第２のコンタクトホール(114)を既存のようにそれぞれ形成することに比べて第２のコンタクトホール(114)をセル領域(A)と周辺回路領域(B)に同時に形成することにより、工程が単純化される。第２の絶縁膜(112)及び第１の絶縁膜(108)エッチング工程時に残留するシリコン酸化窒化膜及びアモルファスカーボン膜が除去される。
【００２６】
その後、SAC絶縁膜(106)を除去する。この時、SAC絶縁膜(106)エッチング工程時に半導体基板(100)の損失を最小化させるため、半導体基板(100)より窒化物を10倍〜20倍さらに多くエッチングするCF4、CH2F2、Ar及びO2を混合した混合ガス、C4F6、CH2F2、Ar及びO2を混合した混合ガスまたはC4F8、CH2F2、Ar及びO2を混合した混合ガスを用いる。
【００２７】
その後、PET(Post Etch Treatment)処理を施して第２のコンタクトホール(114)を形成するためのエッチング工程時に発生するポリマー(polymer)を除去した後、半導体基板(100)の表面を酸化させる。湿式クリーニング工程で酸化した半導体基板(100)の表面を除去して純粋な半導体基板(100)が示されるようにする。これにより、コンタクト抵抗(Rc)を向上させる。
【００２８】
図１ｃを参照すれば、第２のコンタクトホールが満たされるように、第２のコンタクトホール内に第２の導電膜を形成する。この時、第２の導電膜は、ポリシリコン膜で形成する。第２の絶縁膜(112)が露出されるまで化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing; CMP)工程を行って第２の導電膜(116)を形成する。第２の導電膜(116)は、セル領域(A)でドレインコンタクトプラグとなり、周辺回路領域(B)で低電圧及び高電圧素子用コンタクトプラグとなる。
【００２９】
図１ｄを参照すれば、エッチング工程で周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホール(114)内に形成された第２の導電膜(116)を除去する。この時、エッチング工程は、乾式エッチバック(etch back)工程で行う。周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホール(114)内に形成された第２の導電膜除去工程時にセル領域(A)の第２のコンタクトホール(114)内に形成された第２の導電膜(116)も一部除去される。その結果、第２の導電膜(116)がセル領域(A)の第２のコンタクトホール(114)の下部にのみ残留する。
【００３０】
図１ｅを参照すれば、第２の絶縁膜(112)及び第２のコンタクトホール(114)の上部に第３の絶縁膜(118)を形成する。この時、第３の絶縁膜(118)は窒化物で形成する。セル領域(A)に形成された第２のコンタクトホール(114)の幅及び深さに比べて周辺回路領域(B)に形成された第２のコンタクトホール(114)の幅が広く、深さが低いため、第３の絶縁膜(118)は周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホール(114)に、さらに厚く形成される。第２のコンタクトホール(114)内に第３の絶縁膜(118)を形成することは、第２のコンタクトホール(114)を定義するためのマスク形成工程時にドレインコンタクトホールの臨界寸法(Critical Dimension; CD)をターゲットとして行ったため、周辺回路領域(B)に形成される第２のコンタクトホールの臨界寸法(CD)が大きく形成されるため、これを減少させるためである。第２のコンタクトホール(114)内に第３の絶縁膜(118)を形成することにより、第２のコンタクトホール(114)の臨界寸法(CD)が減少するだけでなく、後続工程である湿式エッチング工程時に第２の絶縁膜(112)の上部が一部損失して発生するブリッジ(bridge)も防止することができる。
【００３１】
図１ｆを参照すれば、エッチング工程で第２の絶縁膜(112)の上部と第２のコンタクトホール(114)の下部に形成された第３の絶縁膜をエッチングして第２のコンタクトホール(114)の側壁にスペーサ(120)を形成する。この時、スペーサ(120)形成工程により第２のコンタクトプラグ(116)と第１のコンタクトプラグ(110)が露出される。
【００３２】
図１ｇを参照すれば、第２のコンタクトホールが満たされるように第２のコンタクトホール内に第３の導電膜(122)を形成する。この時、第３の導電膜(122)はタングステン(W)膜で形成する。セル領域(A)の第２のコンタクトホールの下部にはポリシリコン膜からなる第２のコンタクトプラグ(116)が形成されていて、第２のコンタクトホールの幅に比べて深さが深くないため、第２のコンタクトホール内に第３の導電膜(122)(即ち、タングステン(W)膜)を満たしてもボイド(void)が発生することなく完全にギャップフィルすることができる。
【００３３】
図１ｈを参照すれば、第２の絶縁膜(112)が露出されるまで化学的機械的研磨(CMP)工程で第３の導電膜をエッチングして第３のコンタクトプラグ(124)を形成する。第２のコンタクトホール内にスペーサ(120)を形成して第２のコンタクトホールの臨界寸法(CD)を減少させることにより、第３のコンタクトプラグ(124)を形成しても第３のコンタクトプラグ(124)間にブリッジが発生しない。また、同一の物質(即ち、タングステン膜)を用いてセル領域(A)及び周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホールを満たすことにより、セル領域(A)及び周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホールに互いに異なる物質を満たすためのマスク工程を用いなくてもよいため、工程が単純化される。
【００３４】
図１ｉを参照すれば、第２の絶縁膜(112)及び第３のコンタクトプラグ(124)の上部に金属配線(126)を形成する。金属配線(126)はダマシン方式で形成することもできる。例えば、第２の絶縁膜(112)及び第３のコンタクトプラグ(124)の上部に第４の絶縁膜(図示せず)を形成した後、エッチング工程で第３のコンタクトプラグ(124)が露出されるように第４の絶縁膜をエッチングして第２のトレンチを形成する。第２のトレンチを第４の導電膜で満たして第３のコンタクトプラグ(124)と連結される金属配線(126)を形成する。この時、金属配線(126)はタングステン(W)膜で形成する。金属配線(126)は、セル領域(A)ではビットラインとなる。第２のコンタクトホール内にスペーサ(120)を形成して第２のコンタクトホールの臨界寸法(CD)を減少させることにより、金属配線(126)と第３のコンタクトプラグ(124)間のブリッジも防止することができる。
【００３５】
上記のように、セル領域(A)及び周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホール(114)を定義するためのマスク形成工程を同時に行うことにより、工程進行による製造費用及び製造時間を短縮することができる。第２のコンタクトホール(114)を定義するためのマスク形成工程を同時に行うことにより、ハードマスク膜形成工程及びエッチング工程を同時に進めることができる。
【００３６】
また、第２のコンタクトホール(114)形成工程時に周辺回路領域(B)に形成される第２のコンタクトホール(114)の臨界寸法(CD)が広くなるのをスペーサ(120)形成工程で防止することができる。スペーサ(120)を用いて第２のコンタクトホール(114)の臨界寸法(CD)が広くなるのを防止することにより、第３のコンタクトプラグ(124)間のブリッジも防止することができる。第２のコンタクトホール(114)内にスペーサ(120)を形成して第２のコンタクトホール(114)の臨界寸法(CD)を減少させることにより、金属配線(126)と第３のコンタクトプラグ(124)間のブリッジも防止することができる。
【００３７】
また、セル領域(A)の第２のコンタクトホール(114)と周辺回路領域(B)の第２のコンタクトホール(114)に同一の物質を満たすことができ、工程を単純化させることができる。
【００３８】
本発明の技術思想は、上記好ましい実施例により具体的に記述されたが、上記実施例はその説明のためのものであり、その制限のためのものではないことを周知しなければならない。また、本発明の技術分野において通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な実施例が可能であることを理解することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１ａ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｂ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｃ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｄ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｅ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｆ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｇ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｈ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【図１ｉ】本発明の実施例による半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を説明するために示した素子の断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
100 :半導体基板 
102 :バッファ絶縁膜
104 :接合領域 
106 :SAC絶縁膜
108 :第１の絶縁膜 
110 :第１のコンタクトプラグ
112 :第２の絶縁膜 
114 :第２のコンタクトホール
116 :第２のコンタクトプラグ 
118 :第３の絶縁膜
120 :スペーサ 
122 :第３の導電膜
124 :第３のコンタクトプラグ 
126 :金属配線
【図１ａ】
2009071276.tif 000003
【図１ｂ】
2009071276.tif 000004
【図１ｃ】
2009071276.tif 000005
【図１ｄ】
2009071276.tif 000006
【図１ｅ】
2009071276.tif 000007
【図１ｆ】
2009071276.tif 000008
【図１ｇ】
2009071276.tif 000009
【図１ｈ】
2009071276.tif 000010
【図１ｉ】
2009071276.tif 000011