(57)【要約】      （修正有）【課題】被加工基材の端部から表面への微小粉末の回り込みが抑制されるレジストパターン形成方法等の提供。【解決手段】レジストパターン形成方法は、被加工基材１０の少なくとも端部１１の微小粉末を除去するクリーニング工程と、端部の微小粉末が除去された被加工基材の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する凹凸型の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを前記被加工基材の表面に形成するレジストパターン形成工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基材の少なくとも端部の微小粉末を除去するクリーニング工程と、
端部の微小粉末が除去された被加工基材の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する凹凸型の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを前記被加工基材の表面に形成するレジストパターン形成工程と、を有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
被加工基材が原板であり、凹凸型が原盤である、請求項１に記載のレジストパターン形成方法を含み、
該レジストパターン形成方法によって該原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該原板をエッチングし、該原板を掘り込んで、該原板の表面を掘り下げてなる基板の表面に凸部を有するモールド構造体を得る、原板エッチング工程を有することを特徴とするモールド構造体の製造方法。
【請求項３】
被加工基材が磁性層と該磁性層を支える支持板とを含む磁性原板であり、凹凸型がモールド構造体である、請求項１に記載のレジストパターン形成方法を含み、
該レジストパターン形成方法によって該磁性原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該磁性原板をエッチングし、該磁性層を掘り込んで、該支持板の表面に磁性凸部を有する磁気記録媒体を得る、磁性層エッチング工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン形成方法、該レジストパターン形成方法を含むモールド構造体の製造方法、及び該レジストパターン形成方法を含む磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク、光ディスク、半導体等の微細加工技術として、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）がある。該ナノインプリントリソグラフィは、表面に凹凸部を有するモールドを、インプリントレジスト層が形成された被加工基材に接触させ、レジストパターンを形成する工程を有する。この工程において、微小粉末等の異物が、モールドと被加工基材との接触箇所に混入することが問題となっている。
【０００３】
特許文献１は、モールド、及び被加工基材の表裏面に付着する異物の影響を低減できる技術を開示する。
しかしながら、僅かな微小粉末等の異物が、被加工基材の加工面に侵入しただけでも、ナノインプリントリソグラフィにおいては、パターンの欠落、モールドの凹凸部の破損の原因となり、問題となる。
【０００４】
ナノインプリントリソグラフィにおいては、一般的に、使用する装置環境、モールド及び被加工基材の表面（加工面）の浄化の検討は、なされている。
【０００５】
しかしながら、被加工基材の端部に付着している微小粉末等の異物の対策は、全くなされていない。
【０００６】
また、モールドを用いて多数の被加工基材の表面にパターンを形成する場合に、加工面へ侵入する異物量を低減させる検討が全くなされておらず、問題となっている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，４８２，７４２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、被加工基材の端部から表面への微小粉末の回り込みが抑制されるレジストパターン形成方法、該レジストパターン形成方法を含むモールド構造体の製造方法、及び該レジストパターン形成方法を含む磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞  被加工基材の少なくとも端部の微小粉末を除去するクリーニング工程と、
端部の微小粉末が除去された被加工基材の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する凹凸型の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを前記被加工基材の表面に形成するレジストパターン形成工程と、を有することを特徴とするレジストパターン形成方法である。
該＜１＞に係るレジストパターン形成方法は、インプリントレジスト層を形成する前に、被加工基材の少なくとも端部の微小粉末を除去するため、被加工基材の端部から表面への微小粉末の回り込みが抑制される。
＜２＞  被加工基材が原板であり、凹凸型が原盤である、前記＜１＞に記載のレジストパターン形成方法を含み、
該レジストパターン形成方法によって該原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該原板をエッチングし、該原板を掘り込んで、該原板の表面を掘り下げてなる基板の表面に凸部を有するモールド構造体を得る、原板エッチング工程を有することを特徴とするモールド構造体の製造方法である。
＜３＞  被加工基材が磁性層と該磁性層を支える支持板とを含む磁性原板であり、凹凸型がモールド構造体である、前記＜１＞に記載のレジストパターン形成方法を含み、
該レジストパターン形成方法によって該磁性原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該磁性原板をエッチングし、該磁性層を掘り込んで、該支持板の表面に磁性凸部を有する磁気記録媒体を得る、磁性層エッチング工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、被加工基材の端部から表面への微小粉末の回り込みが抑制されるレジストパターン形成方法、該レジストパターン形成方法を含むモールド構造体の製造方法、及び該レジストパターン形成方法を含む磁気記録媒体の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
〔レジストパターン形成方法〕
本発明のレジストパターン形成方法は、クリーニング工程と、インプリントレジスト層形成工程と、レジストパターン形成工程と、を有する。以下、各工程を、説明する。
【００１２】
（クリーニング工程）
前記クリーニング工程は、被加工基材の少なくとも端部の微小粉末を除去する工程である。
【００１３】
被加工基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。例えば、モールド構造体を製造するための材料とされるシリコン等からなる原板、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体を製造するための材料とされる磁性原板等が挙げられる。該磁性原板は、少なくとも、磁性層と、該磁性層を支持する支持板とを有する。
被加工基材の形状、大きさ、厚み等は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。
被加工基材としては、具体的には、ガラス、石英、アルミニウム、シリコン、炭化ケイ素、及びポリカーボネートやアモルファスポリオレフィン等のプラスチックからなる基材（基板）が挙げられる。
【００１４】
被加工基材の端部には、通常、該基材の製造工程及び該基材の表面に形成した機能膜の製造工程にて発生した微小粉末が付着している。そのため、たとえ、被加工基材の表面がクリーニングされ、該表面に微小粉末が付着していなくても、被加工基材の搬送時、所定の容器内に収納時等において、端部の微小粉末が表面に移動し、回り込むことがある。そのため、クリーニング工程において、微小粉末の表面への回り込みを抑制するために、被加工基材の端部の微小粉末を除去する。
【００１５】
図１は、被加工基材１０の端部１１を、除去手段３０を用いてクリーニングする方法を示す説明図である。ここで、図１を用いて、被加工基材１０の端部をクリーニングする方法を説明する。
図１に示される被加工基材１０は、モールド構造体の材料とされる円盤状の原板１０ａである。除去手段３０は、ワイピングテープ３１と、スポンジローラ３２とからなる。
図１に示されるように、被加工基材１０（１０ａ）の端部（外周端部）１１の表面に、ワイピングテープ３１がスポンジローラ３２によって押し当てられる。つまり、ワイピングテープ３１は、被加工基材１０（１０ａ）の端部１１と、スポンジローラ３２とによって挟まれた状態にある。なお、スポンジローラ３２は、回転可能に固定されている。
【００１６】
被加工基材１０（１０ａ）は、図１の矢印Ａの向きに回転され、ワイピングテープ３１がスポンジローラ３２により一定の押し当て面圧で押し当てられる接触部（図１の矢印Ｂ）において、端部１１の表面の微小粉末がワイピングテープ３１により拭き取られる。
なお、ワイピングテープ３１は、接触部において常に新しい面が利用できるように、適宜、巻き取られる。
【００１７】
必要に応じて、被加工基材１０の表面１２及び裏面１３の微小粉末を除去してもよい。
図２は、被加工基材１０（１０ａ）の表面１２を、除去手段３３を用いてクリーニングする方法を示す説明図である。図２に示されるように、被加工基材１０（１０ａ）の表面１２（上面）には、ワイピングテープ３４が、スポンジパッド３５により、押し当てられている。図２の矢印Ｃの向きに円盤状の被加工基材１０（１０ａ）は回転され、スポンジパッド３２によりワイピングテープ３４が押し当てられた箇所（接触部）において、表面１２の微小粉末がワイピングテープ３４により拭き取られる。ワイピングテープ３１を表面１２に押し当てるスポンジパッド３２の位置は、適宜、調整される。
【００１８】
なお、被加工基材の端部１１等の「微小粉末」には、微小粉末（粉塵、パーティクル）以外に、被加工基材の表面に存在する微小な突起（微小突起）も含まれるものとする。
【００１９】
（インプリントレジスト層形成工程）
前記インプリントレジスト層形成工程は、端部の微小粉末が除去された被加工基材の表面に、インプリントレジスト層を形成する工程である。
【００２０】
前記インプリントレジスト層の組成、厚み、形成方法（塗布方法）等の条件は、特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択される。
【００２１】
（レジストパターン形成工程）
前記レジストパターン形成工程は、複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する凹凸型の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを前記被加工基材の表面に形成する工程である。
【００２２】
前記凹凸型は、いわゆる、ナノインプリントリソグラフィにおいて用いられるものである。該凹凸型としては、複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する限り、特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択される。例えば、モールド構造体を製造する際に用いられる原盤、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドパターンドメディア等の磁気記録媒体の製造に用いられるモールド構造体等が挙げられる。
前記凹凸型としては、具体的には、ニッケルモールド、シリコンモールド、石英モールド、アモルファスポリオレフィンやポリジメチルシロキサン等のプラスチックモールド等の公知のモールド構造体を適用できる。
なお、凹凸型の押圧力、押圧時間等の条件は、目的に応じて、適宜選択される。
【００２３】
前記レジストパターン形成工程には、具体的には、熱インプリント、ホットエンボッシング、ＵＶインプリント、室温インプリント、ソフトリソグラフィー等の各種方法を適用できる。
【００２４】
被加工基材の表面に形成されたインプリントレジスト層に、凹凸型の凹凸部が押し当てられると、インプリントレジスト層が該凹凸型の凹部内に進入し、該凹部の形状に沿った形となり、レジストパターンが形成される。該レジストパターンは、凹凸型の凹凸部のパターン（凹凸パターン）が反転したパターン（反転凹凸パターン）を有する。
【００２５】
本発明のレジストパターン形成工程は、以上のように、クリーニング工程において少なくとも端部の微小粉末が除去された被加工基板の表面に、レジストパターンを形成するため、被加工基材の移送等に伴って、端部から微小粉末が表面に移動することが抑制される。そのため、被加工基材の表面と、凹凸型の表面（凸部の先端面）との間に微小粉末が挟まった状態で、凹凸型が被加工基材上のインプリント層に押し付けられることが抑制され、凹凸型の凸部等の破損が抑制される。
更には、凹凸型の凹凸部の精度の低下が抑制されるため、レジストパターンのパターン精度の低下も抑制される。
【００２６】
本発明のレジストパターン形成方法は、インプリント用のモールド構造体の製造方法におけるナノインプリントプロセス、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体の製造方法におけるナノインプリントプロセス、データグルーブ等を有する高密度光ディスクの製造方法におけるナノインプリントプロセス、メモリー用途の半導体の製造方法におけるナノインプリントプロセス、光デバイスの製造方法におけるナノインプリントプロセス等に利用できる。
【００２７】
〔モールド構造体の製造方法〕
以下、本発明のレジストパターン形成方法を含むモールド構造体の製造方法について説明する。
【００２８】
本発明のモールド構造体の製造方法は、被加工基材が原板であり、凹凸型が原盤である、前記レジストパターン形成方法を含む。
本発明のモールド構造体の製造方法は、該レジストパターン形成方法によって該原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該原板をエッチングし、該原板を掘り込んで、該原板の表面を掘り下げてなる基板の表面に凸部を有するモールド構造体を得る、原板エッチング工程を有する。
【００２９】
つまり、本発明のモールド構造体の製造方法は、原板の少なくとも端部の微小粉末を除去するクリーニング工程と、
端部の微小粉末が除去された原板の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する原盤の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを該原板の表面に形成するレジストパターン形成工程と、
該レジストパターンをマスクとして該原板をエッチングし、該原板を掘り込んで、該原板の表面を掘り下げてなる基板の表面に凸部を有するモールド構造体を得る、原板エッチング工程と、を有する。
なお、作製するモールド構造体の表面硬度や微細加工精度が要求されず、レジストパターンをそのままモールド構造体の一部として使用できる場合には、前記エッチング工程を省略することも可能である。
【００３０】
＜クリーニング工程＞
前記クリーニング工程は、原板の少なくとも端部の微小粉末を除去する工程である。該原板は、例えば、石英からなる。
なお、該クリーニング工程の内容は、前記レジストパターン形成方法におけるクリーニング工程の内容と同様である。
【００３１】
＜インプリントレジスト層形成工程＞
前記インプリントレジスト層形成工程は、端部の微小粉末が除去された原板の表面に、インプリントレジスト層を形成する工程である。
【００３２】
図３は、モールド構造体の製造方法の概略を示す説明図である。図３（ａ）に示されるように、クリーニング工程において、端部の微小粉末が除去された、原板１０ａの表面に、インプリントレジスト液が塗布され、インプリントレジスト層２０が形成される。該インプリントレジスト液は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を含んでもよい。
【００３３】
＜レジストパターン形成工程＞
前記レジストパターン形成工程は、複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有する原盤の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを該原板の表面に形成する工程である。
【００３４】
（原盤）
前記原盤は、モールド構造体を製造するために用いられる凹凸型である。図４は、原盤の製造方法の概略を示す説明図である。以下、図４を参照して、原盤の製造方法を説明する。
【００３５】
図４（ｆ）に示されるように、シリコン基板４０上に、スピンコート等により、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等を含むフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層４１を形成する。
【００３６】
次いで、図４（ｇ）に示されるように、フォトレジスト層４１が形成されたシリコン基板４０を、回転型ＥＢマスタリング装置（図示せず）にセットし、該シリコン基板４０を回転させながら、該フォトレジスト層４１に、サーボ情報等に対応させて変調した電子ビーム４２を照射（露光）し、該フォトレジスト層４１に該サーボ情報等に基づく微細パターンを描画する。なお、図４（ｇ）において、露光部分は、符号４３で示される。
【００３７】
次いで、図４（ｈ）に示されるように、フォトレジスト層４１を現像処理し、露光部分４３を除去する。該露光部分４３が除去されると、シリコン基板４０上に、フォトレジスト層４１からなるレジストパターンが現れる。
【００３８】
その後、図４（ｉ）に示されるように、該レジストパターンをマスクとして、反応性エッチング（ＲＩＥ）等の選択エッチングを行う。該選択エッチングにより、該レジストパターン（フォトレジスト層４１）が形成されていない部分４４のシリコン基板４０の表面が掘り下げられる。選択エッチング後、該シリコン基板４０の掘り下げられた表面に、複数の凸部４５が形成され、該凸部４５の間には、凹部４６が形成される。
【００３９】
その後、図４（ｊ）に示されるように、凸部４５上に残存しているレジストパターン（フォトレジスト層４１）を、除去すると、原盤４７が得られる。該原盤４７には、凸部４５と、凹部４６とからなる凹凸部が形成されている。
以上のようにして、原盤４７が製造される。
【００４０】
再び、図３に戻る。図３（ｂ）に示されるように、原板１０ａ上のインプリントレジスト層２０に、原盤４７の凸部４５及び凹部４６からなる凹凸部が押し当てられる。該インプリントレジスト層２０は、原盤４７の凹部４６内に進入し、該凹部４６の形状に沿った形となり、インプリントレジスト層２０からなるレジストパターン２１が形成される。該レジストパターン２１は、原盤４７の凹凸部のパターン（凹凸パターン）が反転したパターン（反転凹凸パターン）を有する。
【００４１】
なお、該レジストパターン２１は、硬化される。例えば、該レジストパターン２１が光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト層２０からなる場合、該原板１０ａ越しに、紫外線等の光が照射され、該インプリントレジスト層２０が硬化される。
【００４２】
その後、図３（ｃ）に示されるように、原盤４７を取り除くと、該原板１０ａの表面に、硬化したインプリントレジスト層２０からなるレジストパターン２１が現れる。
【００４３】
＜原板エッチング工程＞
前記原板エッチング工程とは、該レジストパターンをマスクとして該原板をエッチングし、該原板を掘り込んで、該原板の表面を掘り下げてなる基板の表面に凸部を有するモールド構造体を得る工程である。
【００４４】
図３（ｄ）に示されるように、レジストパターン２１をマスクとして、原板１０ａを、ＲＩＥ等の選択エッチングを行い、該レジストパターン２１によりマスクされていない箇所から該原板１０ａの表面を掘り下げる。すると、該原板１０ａの表面が掘り下げられてなる基板２の表面に、凸部３が形成される。該凸部３の間には、凹部４が形成される。このようにして、基板２の表面に、凸部３と、凹部４とからなる凹凸部を有する、モールド構造体１が得られる。
なお、凸部３の先端面にレジストパターン２１が残存している場合、図３（ｅ）に示されるように、該レジストパターン２１は、適宜、除去される。
【００４５】
本発明のモールド構造体１の製造方法は、以上のように、クリーニング工程において少なくとも端部の微小粉末が除去された原板１０ａの表面に、レジストパターン２１を形成するため、原板１０ａの移送等に伴って、端部から微小粉末が表面に移動することが抑制される。そのため、原板１０ａの表面と、原盤４７の表面（凸部４５の先端面）との間に微小粉末が挟まった状態で、原盤４７が原板１０ａ上のインプリントレジスト層２０に押し付けられることが抑制され、原盤４７の凸部４５等の破損が抑制される。
更には、原盤４７の凹凸部の精度の低下が抑制されるため、レジストパターン２１のパターン精度の低下も抑制される。
【００４６】
〔磁気記録媒体の製造方法〕
以下、本発明のレジストパターン形成方法を含む磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００４７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、被加工基材が磁性層と該磁性層を支える支持板とを含む磁性原板であり、凹凸型がモールド構造体である、前記レジストパターン形成方法を含む。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、該レジストパターン形成方法によって該磁性原板の表面に形成されたレジストパターンをマスクとして該磁性原板をエッチングし、該磁性層を掘り込んで、該支持板の表面に磁性凸部を有する磁気記録媒体を得る、磁性層エッチング工程を有する。
【００４８】
つまり、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、磁性層と該磁性層を支える支持板とを含む磁性原板の少なくとも端部の微小粉末を除去するクリーニング工程と、
端部の微小粉末が除去された磁性原板の表面に、インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト層形成工程と、
複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有するモールド構造体の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを該磁性原板の表面に形成するレジストパターン形成工程と、
該レジストパターンをマスクとして該磁性原板をエッチングし、該磁性層を掘り込んで、該支持板の表面に磁性凸部を有する磁気記録媒体を得る、磁性層エッチング工程と、を有する。
【００４９】
更に、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、支持板の表面に形成される磁性凸部間の隙間に、非磁性材料を充填する非磁性材料充填工程を有してもよい。
【００５０】
＜クリーニング工程＞
前記クリーニング工程は、磁性原板の少なくとも端部の微小粉末を除去する工程である。該磁性原板は、磁性層と該磁性層を支える支持板とを含む。該磁性層は、例えば、Ｃｏ又はＣｏ合金、Ｆｅ又はＦｅ合金等からなる。更に、具体的には、ＣｏＰｔＣｒを主体とし、これに非磁性酸化物や非磁性窒化物が使用される。磁性層上には、ダイヤモンドライクカーボン等の保護膜が形成されていてもよい。磁性層と、支持体との間には、Ｒｕ等の中間層、軟磁性下地層等が形成されてもよい。
該支持板は、例えば、アルミニウム、ガラス、カーボン、シリコン等からなり、一般的には、外径５０ｍｍ〜１００ｍｍの中心穴を有する円盤状の形態であり、厚みは、０．３ｍｍ〜１．０ｍｍであるが、本発明は特にこれらに限定されるものではない。
なお、該クリーニング工程の内容は、前記レジストパターン形成方法におけるクリーニング工程の内容と同様である。
【００５１】
＜インプリントレジスト層形成工程＞
前記インプリントレジスト層形成工程は、端部の微小粉末が除去された磁性原板の表面に、インプリントレジスト層を形成する工程である。
【００５２】
図５は、磁気記録媒体の製造方法の概略を示す説明図である。図５（ｋ）に示されるように、クリーニング工程において、端部の微小粉末が除去された、磁性原板１０ｂの表面に、インプリントレジスト液が塗布され、インプリントレジスト層２３が形成される。
該インプリントレジスト液は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を含んでもよい。
【００５３】
＜レジストパターン形成工程＞
前記レジストパターン形成工程は、複数の凸部と、該凸部の間に形成される凹部とからなる凹凸部を表面に有するモールド構造体の該凹凸部を押し当て、該凹凸部のパターンが反転した、レジストパターンを該磁性原板の表面に形成する工程である。
【００５４】
前記モールド構造体は、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体を製造するために用いられる凹凸型である。
該モールド構造体は、いわゆる、ナノインプリントリソグラフィに用いられるものであり、その構造、材質等、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。
なお、本実施形態においては、前記モールド構造体の製造方法で製造されたモールド構造体１を用いる。
【００５５】
図５（ｌ）に示されるように、磁性原板１０ｂ上のインプリントレジスト層２３に、モールド構造体１の凸部３及び凹部４からなる凹凸部が押し当てられる。該インプリントレジスト層２３は、モールド構造体１の凹部４内に進入し、該凹部４の形状に沿った形となり、インプリントレジスト層２３からなるレジストパターン２４が形成される。
該レジストパターン２４は、モールド構造体１の凹凸部のパターン（凹凸パターン）が反転したパターン（反転凹凸パターン）を有する。
【００５６】
なお、該レジストパターン２４は、硬化される。例えば、該レジストパターン２４が光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト層２３からなる場合、石英からなる該モールド構造体１越しに、紫外線等の光が照射され、該インプリントレジスト層２３が硬化される。
【００５７】
その後、図５（ｍ）に示されるように、該モールド構造体１を取り除くと、該磁性原板１０ｂの表面に、硬化したインプリントレジスト層２３からなるレジストパターン２４が現れる。
【００５８】
＜磁性層エッチング工程＞
前記磁性層エッチング工程とは、該レジストパターンをマスクとして該磁性原板をエッチングし、該磁性層を掘り込んで、該支持板の表面に磁性凸部を有する磁気記録媒体を得る工程である。
【００５９】
図６は、磁気記録媒体の製造工程の概略を示す説明図である。
図６（ｎ）に示されるように、レジストパターン２４をマスクとして、磁性原板１０ｂを、Ａｒイオンビームエッチング等の選択エッチングを行い、該レジストパターン２４によりマスクされていない箇所から該磁性原板１０ｂの磁性層１１０を掘り込む。すると、支持板１００の表面に、磁性凸部１１１が形成される。該磁性凸部１１１の間には、凹部１１２が形成される。このようにして、支持板１００の表面に、磁性凸部１１１を有する磁気記録媒体５０が得られる。
なお、磁性凸部１１１の先端面にレジストパターン２４が残存している場合、図６（ｏ）に示されるように、該レジストパターン２４は、適宜、除去される。
【００６０】
＜非磁性材料充填工程＞
前記非磁性材料充填工程は、支持板の表面に形成される磁性凸部間の隙間に、非磁性材料を充填する工程である。
図６（ｐ）に示されるように、磁性凸部間の隙間である凹部１１２には、ＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等の樹脂、円滑油等の非磁性材料１２０が充填されてもよい。
充填される非磁性材料の厚みは、通常、磁性凸部１１１の高さと同じに設定される。
このようにして、凹部１１２に非磁性材料１２０が充填された磁気記録媒体３０Ａが得られる。
【００６１】
なお、更に、必要に応じて、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等からなる保護層、及びフッ素樹脂等からなる潤滑剤層を、該磁性凸部１１１及び非磁性材料１２０の表面に形成してもよい。
【００６２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、以上のように、クリーニング工程において少なくとも端部の微小粉末が除去された磁性原板１０ｂの表面に、レジストパターン２４を形成するため、磁性原板１０ｂの移送等に伴って、端部から微小粉末が表面に移動することが抑制される。そのため、磁性原板１０ｂの表面と、モールド構造体１の表面（凸部３の先端面）との間に微小粉末が挟まった状態で、モールド構造体１が磁性原板１０ｂ上のインプリントレジスト層２３に押し付けられることが抑制され、モールド構造体１の凸部３等の破損が抑制される。
更には、モールド構造体１の凹凸部の精度の低下が抑制されるため、レジストパターン２４のパターン精度の低下も抑制される。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は以下に示される実施例に限定されるものではない。
【００６４】
〔実施例１〕
（モールド構造体の作製）
＜原盤＞
図４に示される方法で、フォトレジスト層が形成されたシリコン基板に、ハードディスク（ディスクリートトラックメディア）用のサーボ情報、及びデータトラックに基づく微細パターンを描画し、現像、エッチング等を行って、原盤を作製した。
この原盤の描画領域は、半径が２５ｍｍ〜３０ｍｍ、トラックピッチが９０ｎｍ、データトラック間を分離するためのグループ構造の幅が３０ｎｍ、該グループ構造の深さが６０ｎｍである。
なお、該原盤を、フッ素溶剤溶液（ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ、ソルベイソレクシス社製）に浸漬し、アニール及びリンスして、該原盤に離型処理を施した。フッ素溶剤溶液（Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ）の平均吸着膜厚は、１．０ｎｍとした。
【００６５】
＜モールド構造体＞
該原盤を用いて、ＵＶナノインプリント方式で、石英モールド構造体を作製した（図１及び図３参照）。
先ず、石英基板（原板）として、直径６インチ、厚み０．７ｍｍの合成石英からなるものを用意し、該石英基板を、図１に示される除去手段を用いて、該石英基板の端部の微小粉末の除去を行なった（クリーニング工程）。
なお、ワイピングテープとして、クラウゼン（ＥＷ−ＮＣ−３１０、テクノス社製）を使用した。  スポンジローラの硬度は１５°であり、該スポンジローラの押し当て圧力は、４０ｇｆに設定した。
該石英基板の回転数は、２００ｒｐｍに設定し、処理時間は２秒とした。
【００６６】
クリーニング工程後、石英基板の表面に、２５ｎｍの厚みで、インプリントレジスト層を形成した（インプリントレジスト層形成工程）。
【００６７】
その後、流体加圧方式のＵＶナノインプリント装置を用いて、インプリントレジスト層に、前記原盤を用いて、石英基板の表面に、原盤の凹凸パターンが反転したレジストパターンを形成した（レジストパターン形成工程）。該レジストパターンの凹部の厚みは、１７ｎｍであった。
【００６８】
以上の工程を、前記原盤を用いて、１００枚の石英基板（原板）に対し、行なった。
【００６９】
〔評価１〕
（レジストパターンの評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の石英基板の表面に形成されたレジストパターンの評価を行った。
評価方法は、強力ハロゲン光をレジストパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。パターン領域において、白く光る点を、欠陥と判断した。
その結果、いずれのレジストパターンにおいても、欠陥は見られなかった。
【００７０】
〔評価２〕
（原盤の凹凸部の評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の石英基板の表面にレジストパターンを形成した時点の原盤の凹凸部の状態を評価した。
評価方法は、上記レジストパターンの欠陥の計測方法と同様、強力ハロゲン光を原盤の凹凸部からなるパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、いずれの時点においても、原盤の凹凸部に欠陥は見られなかった。
【００７１】
〔評価３〕
（モールド構造体の凹凸部の評価）
その後、図３（ｄ）及び（ｅ）に示される方法で、１００枚目の石英基板から石英モールド構造体を得た。つまり、酸素ガスを含むアッシング（エッチング）工程でレジストの凹部相当の厚みのレジストを除去し、その後露出した石英基板を、ＣＦｘガスを含む反応性イオンエッチング工程でエッチングし、レジストパターンに相当する凹凸形状を石英基板に加工した。その後、石英基板の凸部上に残存するレジストを除去して、石英モールド構造体を得た。石英モールド構造体の凹凸のパターン深さは７０ｎｍであった。
【００７２】
１００枚目に作製した、石英モールド構造体の凹凸部（パターン領域）に、強力ハロゲン光を照射し、そのパターン領域に発生している欠陥数を計測した。パターン領域において、白く光る点を、欠陥と判断した。
その結果、該石英モールド構造体のパターン領域に発生した欠陥は、２箇所のみであった。
【００７３】
〔実施例２〕
（磁気記録媒体の作製）
＜モールド構造体＞
前記実施例１で作製した、１００枚目の石英基板からなる石英モールド構造体を用いて、磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）を作製した。
先ず、作製した石英モールド構造体の表面に、前記実施例１におけるシリコン原盤と同様な方法により、該石英モールド構造体の表面に、Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬによる離型処理を施した。
【００７４】
＜磁性原板＞
２．５ｉｎｃｈサイズの結晶化ガラス基板（支持板）上に、スパッタ法にてＦｅＣｏ合金からなる軟磁性層を１００ｎｍ、Ｒｕからなる中間層を２０ｎｍ、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２合金からなる磁性層を１５ｎｍ、カーボンからなる保護層を５ｎｍ、この順に形成したものを磁性原板とした。
【００７５】
前記磁性原板の端面を、図１に示される除去手段を用い、クリーニング処理を施した。
ワイピングテープとして、クラウゼン（ＥＷ−ＮＣ−３１０、テクノス社製）を使用した。スポンジローラの硬度は１５°であり、該スポンジローラの押し当て圧力は、４０ｇｆに設定した。前記磁性原板の回転数は、２００ｒｐｍに設定し、処理時間は２秒とした。
【００７６】
図５（ｋ）に示されるように、この磁性原板上に、３０ｎｍの膜厚となるようにＵＶ硬化型インプリント用レジストを塗布（インプリントレジスト層形成工程）して、ナノインプリントを実施した（レジストパターン形成工程、図５（ｌ）参照）。
ナノインプリントは、１００枚の磁性原板に対して行なった。
磁性原板上に作製されたレジスト構造物（レジストパターン）は、石英モールド構造体の凹凸構造（凹凸部のパターン）が反転した、凹凸構造となっており、凹部のレジスト膜厚は１５ｎｍであった。
【００７７】
〔評価４〕
（レジストパターンの評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の磁性原板の表面に形成されたレジストパターンの評価を行った。
評価方法は、強力ハロゲン光をレジストパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、欠陥数は、２個（１枚目）、５個（１０枚目）及び５個（１００枚目）であった。
【００７８】
〔評価５〕
（モールド構造体の凹凸部の評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の磁性原板の表面にレジストパターンを形成した時点のモールド構造体の凹凸部の状態を評価した。
評価方法は、上記レジストパターンの欠陥の計測方法と同様、強力ハロゲン光をモールド構造体の凹凸部からなるパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、欠陥数は、３個（１枚目）、５個（１０枚目）及び６個（１００枚目）であった。
【００７９】
〔評価６〕
（磁気記録媒体の凹凸部の評価）
その後、図６（ｎ）及び（ｏ）に示される方法で、１００枚目の磁性原板をディスクリートトラックメディアとして加工した。
つまり、先ず、酸素ガスを含むアッシング（エッチング）工程でレジストの凹部相当の厚みのレジストおよびカーボン保護膜を除去し、その後露出した磁性層を、Ａｒガスを含むエッチング工程でエッチング（磁性層エッチング工程）し、レジストパターンに対応する凹凸形状を磁性層に加工した。その後、磁性層凸部上に残存するレジストを除去して、磁気記録媒体を得た。磁性層の加工深さは１２ｎｍであった。
【００８０】
１００枚目に作製した磁気記録媒体の凹凸部（パターン領域）に、強力ハロゲン光を照射し、そのパターン領域に発生している欠陥数を計測した。パターン領域において、白く光る点を、欠陥と判断した。
その結果、該磁気記録媒体のパターン領域に発生した結果は、５箇所のみであった。
【００８１】
〔比較例１〕
（モールド構造体の作製）
＜原盤＞
実施例１と同じ条件で、原盤を作製した。
【００８２】
＜モールド構造体＞
クリーニング工程を行わないこと以外は、実施例１と同様にして、該原盤を用いて、石英基板の表面にレジストパターンを形成した。
その後、該レジストパターンをマスクとして、該石英基板より、実施例１と同様にして、モールド構造体を作製した。
以上の工程を、前記原盤を用いて、１００枚の石英基板（原板）に対し、行なった。
【００８３】
〔評価１〕
（レジストパターンの評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の石英基板の表面に形成されたレジストパターンの評価を行った。
評価方法は、実施例１と同様、強力ハロゲン光をレジストパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、５個（１枚目）、１４個（１０枚目）、及び４５個（１００枚目）の欠陥が見られた。
【００８４】
〔評価２〕
（原盤の凹凸部の評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の石英基板の表面にレジストパターンを形成した時点の比較例１における原盤の凹凸部の状態を評価した。
評価方法は、上記レジストパターンの欠陥の計測方法と同様、強力ハロゲン光を原盤の凹凸部からなるパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、２個（１枚目）、１７個（１０枚目）、及び５１個（１００枚目）の欠陥が見られた。
【００８５】
〔評価３〕
（モールド構造体の凹凸部の評価）
その後、実施例１と同様にして、１００枚目の石英基板から石英モールド構造体を得た。石英モールド構造体の凹凸のパターン深さは７０ｎｍであった。
【００８６】
１００枚目に作製した、石英モールド構造体の凹凸部（パターン領域）に、実施例１と同様、強力ハロゲン光を照射し、そのパターン領域に発生している欠陥数を計測した。パターン領域において、白く光る点を、欠陥と判断した。
その結果、該石英モールド構造体のパターン領域に発生した欠陥は、４９箇所であった。
【００８７】
〔比較例２〕
（磁気記録媒体の作製）
＜モールド構造体＞
前記比較例１で作製した石英モールド構造体を用い、磁性原板の端面をクリーニングしなかったこと以外は、前記実施例２と同様にして、磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）の加工を行なった。
前記実施例２と同様、１００枚の磁性原板に対し、ナノインプリントを行なった。該磁性原板上に作製されたレジスト構造物（レジストパターン）は、石英モールド構造体の凹凸構造（凹凸部のパターン）が反転した、凹凸構造となっており、凹部のレジスト膜厚は１５ｎｍであった。
【００８８】
〔評価４〕
（レジストパターンの評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の磁性原板の表面に形成されたレジストパターンの評価を行った。
評価方法は、前記実施例２と同様、強力ハロゲン光をレジストパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、欠陥数は、１０個（１枚目）、３０個（１０枚目）及び１０９個（１００枚目）であった。
【００８９】
〔評価５〕
（モールド構造体の凹凸部の評価）
１枚目、１０枚目、及び１００枚目の磁性原板の表面にレジストパターンを形成した時点のモールド構造体の凹凸部の状態を評価した。
評価方法は、上記レジストパターンの欠陥の計測方法と同様、強力ハロゲン光をモールド構造体の凹凸部からなるパターンに照射し、そのパターンに発生している欠陥数を計測した。
その結果、欠陥数は、３個（１枚目）、２５個（１０枚目）及び８８個（１００枚目）であった。
【００９０】
〔評価６〕
（磁気記録媒体の凹凸部の評価）
その後、実施例２と同様にして、１００枚目の磁性原板から、ディスクリートトラックメディア（磁気記録媒体）を作製した。磁性層の加工深さは１２ｎｍであった。
【００９１】
作製した磁気記録媒体の凹凸部（パターン領域）に、強力ハロゲン光を照射し、そのパターン領域に発生している欠陥数を計測した。パターン領域において、白く光る点を、欠陥と判断した。
その結果、該磁気記録媒体のパターン領域に発生した結果は、１２０箇所であった。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】図１は、被加工基材の端部を、除去手段を用いてクリーニングする方法を示す説明図である。
【図２】図２は、被加工基材の表面を、除去手段を用いてクリーニングする方法を示す説明図である。
【図３】図３は、モールド構造体の製造方法の概略を示す説明図である。
【図４】図４は、原盤の製造方法の概略を示す説明図である。
【図５】図５は、磁気記録媒体の製造方法の概略を示す説明図である。
【図６】図６は、磁気記録媒体の製造工程の概略を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０      被加工基材
１０ａ    原板
１１      端部
１２      表面
１３      裏面
３０      除去手段
３１      ワイピングテープ
３２      スポンジローラ
３３      除去手段
３４      ワイピングテープ
３５      スポンジパッド
１        モールド構造体
２        基板
３        モールド構造体の凸部
４        モールド構造体の凹部
２０      インプリントレジスト層
２１      レジストパターン
４７      原盤
４５      原盤の凸部
４６      原盤の凹部
１０ｂ    磁性原板
１００    支持板
１１０    磁性層
１１１    磁性凸部
１１２    凹部
１２０    非磁性材料
２３      インプリントレジスト層
２４      レジストパターン
【図１】
2009241513.tif 000003
【図２】
2009241513.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009241513.tif 000006
【図５】
2009241513.tif 000007
【図６】
2009241513.tif 000008