(57)【要約】【課題】  軟磁性層の交換結合磁界を増大させることによりＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることを目的とする。【解決手段】  本発明による垂直磁気記録ディスク１００の製造方法は、スパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも第１軟磁性層１１４ａと、非磁性のスペーサ層１１４ｂと、第１軟磁性層と反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造を形成する第２軟磁性層１１４ｃと、磁気記録層１２２と、をこの順に成膜し、スペーサ層１１４ｂは、アルゴンより原子半径の大きい希ガスを含む雰囲気中で成膜されることを特徴としている。【選択図】  図１
2009080897.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング装置を用いて、ディスク基体上に少なくとも第１軟磁性層と、非磁性のスペーサ層と、該第１軟磁性層と反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造を形成する第２軟磁性層と、磁気記録層と、をこの順に成膜する垂直磁気記録ディスクの製造方法において、
前記スペーサ層は、アルゴンより原子半径の大きい希ガスを含む雰囲気中で成膜されることを特徴とする、垂直磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記希ガスは、クリプトン、キセノン、ラドンのいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載の垂直磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記スペーサ層は、前記反強磁性交換結合の強さを示す交換結合磁界がピークとなる膜厚になるように成膜されることを特徴とする、請求項１または２に記載の垂直磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の垂直磁気記録ディスクの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする垂直磁気記録ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録ディスクの製造方法および垂直磁気記録ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径垂直磁気記録ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが必要となる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。垂直磁気記録方式は磁化容易軸がディスク基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内記録方式に比べ、磁性粒の微細化による保磁力Ｈｃの向上によって熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
上述した垂直磁気記録方式においては、単磁極型垂直ヘッドが用いられ、磁気記録層に対して垂直方向の磁界を生じさせていた。しかし、単に単磁極型垂直ヘッドを用いるのみでは、単磁極端部を出た磁束が直ぐに反対側のリターン磁極に戻ろうとするため十分な強度の磁界を磁気記録層に印加することができない。そこで、垂直磁気記録ディスクの磁気記録層の下に軟磁性層を設け、軟磁性層に磁路を形成することで磁気記録層に垂直方向の強い磁界を印加している。すなわち軟磁性層では、書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路が形成されている。このような軟磁性層、特に単層の軟磁性層を短時間に成膜する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
このように、軟磁性層は、情報を書き込む際に利用される層であり、書き込むときの磁場に沿って磁化方向が整列する。しかし読み出す際には軟磁性層に磁化方向を整列させる磁場はかからないので、磁化方向は基本的に不規則となる。この不規則となる磁化方向は３次元に渡るので、磁化方向に垂直成分が含まれていると、磁気ヘッドで読み出す際に磁気記録層の信号と共にノイズとして拾ってしまうおそれがある。
【０００６】
そこで軟磁性層については、軟磁性層を２つの層に分割し、間に非磁性のスペーサ層を介在させたＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）構造が提案され、実施されている。ＡＦＣ構造においては、下層と上層で磁化方向が逆転し、相互に引き合うことで結合して固定される（交換結合）。従って、磁場がかかっていないときの各軟磁性層の磁化方向は互いに反平行（平行かつ互いに逆向き）となり、基板主表面と平行になる。これにより、磁化の垂直成分が極めて少なくなることで軟磁性層から生じるノイズを低減することができる。
【０００７】
ＡＦＣ構造における交換結合の強さは、交換結合磁界（Ｈｅｘ）で表される。交換結合磁界が強いほど軟磁性層の磁化方向は外部磁場の影響を受けにくくなり、漏れ磁場による磁路形成を防止できるため、ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio：シグナルノイズ比）を向上させることができる。
【０００８】
また、ＡＦＣ構造を有していない単層の軟磁性層には磁区が形成されており、ＡＦＣ構造を有する軟磁性層においては磁区が形成されない。ここで、磁区（ドメイン）とは磁化方向が同じ方向を向いている領域であって、磁区が形成されると磁区間の境界には磁壁（ドメインウォール）が形成される。磁壁は磁化方向が反転しているため、磁気ヘッドが磁壁を通過する際には突発的に信号レベルが押し上げられ、スパイクノイズとして検出される。
【０００９】
ＡＦＣ構造を有する軟磁性層では、上下２層の軟磁性層がそれぞれ単磁区化し、磁壁の発生が妨げられるので、スパイクノイズを低減することができる。すなわちＡＦＣ構造を有する垂直磁気記録ディスクは、磁化方向の垂直成分（ノイズ）に加えて、スパイクノイズも低減されることとなる。
【特許文献１】特開２００４−２３４７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の如く、ＡＦＣ構造を有する垂直磁気記録ディスクにおいては、交換結合磁界が大きいほど軟磁性層の磁化安定性が増し、軟磁性層を起因としたノイズを抑制できる。従って、高記録密度化、再生信号品質向上のためには軟磁性層の交換結合磁界の増大が不可欠であるが、現在主流となっている軟磁性層のＡＦＣ構造において、交換結合磁界の大きさは必ずしも十分ではない。
【００１１】
本発明は、このような交換結合磁界が十分な強さに至っていない点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、軟磁性層の総合的な交換結合磁界を増大させることによりＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることが可能な垂直磁気記録ディスクの製造方法および垂直磁気記録ディスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
発明者が交換結合磁界の増大を阻害する要因を鋭意検討したところ、ＤＣマグネトロンスパッタリング（以下、単にスパッタリングと略称する）にて、２層の軟磁性層に介在するスペーサ層を交換結合磁界がピークとなる膜厚になるように成膜する際、現行のスパッタリングでは膜厚が均一にならず、所望する厚さより膜厚が厚いまたは薄いいずれの場合であっても交換結合磁界の劣化を招き、総合的な交換結合磁界が低下していることに想到し、かかる膜厚を均一化することで総合的な交換結合磁界の強さを向上することが可能なことを見出して本発明を完成するに到った。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、スパッタリング装置を用いて、ディスク基体上に少なくとも第１軟磁性層と、非磁性のスペーサ層と、第１軟磁性層と反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造を形成する第２軟磁性層と、磁気記録層と、をこの順に成膜する垂直磁気記録ディスクの製造方法において、スペーサ層は、アルゴンより原子半径の大きい希ガスを含む雰囲気中で成膜されることを特徴とする、垂直磁気記録ディスクの製造方法が提供される。
【００１４】
スパッタリングにおいて、ターゲットとしてのルテニウムに、アルゴンより原子半径の大きい希ガスをイオン化して衝突させることで、希ガスにアルゴンを用いたときよりターゲット表面から飛散した原子の運動エネルギーが高くなり、マイグレーションが促進され、膜厚の均一化および表面粗さの低減が図られる。こうして均一化された軟磁性層には磁壁が形成されず、磁化方向の垂直成分やスパイクノイズも低減され、高品質な再生信号を作出することができる。
【００１５】
希ガスは、クリプトン、キセノン、ラドンのいずれかであってもよい。クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドンは（Ｒｎ）は、いずれもアルゴンより原子半径の大きい希ガスであり、本発明のスパッタリング装置に適用することができる。
【００１６】
スペーサ層は、反強磁性交換結合の強さを示す交換結合磁界がピークとなる膜厚になるように成膜されてもよい。
【００１７】
スペーサ層の膜厚と交換結合磁界との間には相関があり、交換結合磁界は所定の膜厚に対して突出したピークを有する。従って、交換結合磁界がピークとなる膜厚を一意に選択できる。本発明による垂直磁気記録ディスクの製造方法では、スペーサ層の膜厚を均一に形成できるので、垂直磁気記録ディスク全面において交換結合磁界をピークにもってくることができる。従って、ＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることが可能となる。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の他の観点によれば、上述した垂直磁気記録ディスクの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする垂直磁気記録ディスクが提供される。
【００１９】
上述した垂直磁気記録ディスクの製造方法の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該垂直磁気記録ディスクにも適用可能である。
【発明の効果】
【００２０】
以上、説明したように、本発明の垂直磁気記録ディスクの製造方法によれば、軟磁性層の交換結合磁界を増大させることによりＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。なお、以下の実施例に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２２】
（垂直磁気記録ディスク１００）
図１は、本実施形態による垂直磁気記録ディスク１００の構造を示した断面図である。かかる垂直磁気記録ディスク１００は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、配向制御層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、微細化促進層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、連続層１２４、媒体保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４として機能し、第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８として機能し、第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２として機能する。
【００２３】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得た。
【００２４】
上記ディスク基体１１０は、非磁性のガラスであることが好ましい。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。アルミノシリケートガラスは、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、特に、磁気ヘッドの浮上量をより安定して低減できる。また、アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。軟磁性層１１４がアモルファスである場合には、ディスク基体１１０もアモルファスガラスとするのが好ましい。
【００２５】
続いて、得られたディスク基体１１０上に、真空成膜装置としてのスパッタリング装置２００としてＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行い、媒体保護層１２６は真空成膜装置としてのＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置により成膜した。この後、潤滑層１２８をディップコート法により形成した。なお、量産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、スパッタリング装置の構成と、各層の構成および製造方法について説明する。
【００２６】
図２は、本実施形態にかかるスパッタリング装置２００の構成を説明する説明図である。図２に示すスパッタリング装置２００は、真空室を形成するチャンバ２０２と、チャンバ２０２に設けられ外部から希ガスを導入する導入口２０４と、チャンバ２０２から真空排気を行うための排気口２０６と、ディスク基体１１０を保持するキャリア２０８と、ディスク基体１１０を成膜する成膜材料であるターゲット２１０と、ターゲット２１０から放出される成膜材料をディスク基体１１０にフォーカスし、ディスク基体１１０以外への飛散を防止するシールド２１２と、成膜速度を上げ、低温成膜を行うためのマグネット２１４と、を含んで構成される。
【００２７】
スパッタリング装置２００を用いた付着層１１２から連続層１２４までの成膜では、まず、チャンバ２０２内で、ターゲット２１０とシールド２１２の間にプラズマを発生させる。そして、プラズマにより発生した希ガスのイオンを電界で加速し、成膜材料からなるターゲット２１０に照射する。希ガスのイオンはターゲット２１０表面の原子または分子を表面から弾きだす。弾き出された成膜材料の原子および／または分子は、ディスク基体１１０に堆積し、薄膜（層）を形成する。
【００２８】
以下に、各層の構成および製造方法について詳述する。
【００２９】
上記付着層１１２は、１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１１２を形成することにより、ディスク基体１１０と軟磁性層１１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１１４の剥離を防止することができる。付着層１１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００３０】
上記軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができる。こうして、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することが可能となる。
【００３１】
図３は、ＡＦＣ構造による磁化特性を説明するための説明図である。かかる磁化特性を参照すると、ＡＦＣ構造をとらない軟磁性層が外部磁界Ｈを印加していないとき正負いずれかの磁化状態を維持するのに対して、ＡＦＣ構造を有する軟磁性層は、磁界Ｈを印加していないときには、第１軟磁性層1１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間で磁束が（ｂ）に示すように閉路を構成し、磁化Ｍが０になる。そして、いずれかの方向に磁界Ｈを印加すると、両軟磁性層１１４ａ、１１４ｃの磁束が矢印（ａ）、矢印（ｃ）のように同一方向に配向する。
【００３２】
上記ＡＦＣ構造の結合の強さは、図３に示した交換結合磁界（Ｈｅｘ）に基づいて決まり、交換結合磁界が大きいほどＡＦＣのカップリング（交換結合）が強いこととなる。かかる交換結合磁界は、対応する磁気記録層１２２の書き込みに対する磁界に対しては磁化され、隣接する磁気記録層１２２の書き込みに対する磁界に対しては反応しないように設定される。
【００３３】
本実施形態においては、第１軟磁性層１１４ａおよび第２軟磁性層１１４ｃの組成としてＦｅＣｏＴａＺｒを、スペーサ層１４ｂの組成としてはルテニウム（Ｒｕ）を用いたが、第１軟磁性層１１４ａおよび第２軟磁性層１１４ｃの組成は特に限定されず、例えば、ＣｏＦｅ系合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＣｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、Ｆｅ系合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ系合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）等を用いることができる。軟磁性層１１４の総膜厚は２０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００３４】
また、上述したように、軟磁性層１１４はスパッタリングにて成膜される。かかるスパッタリングでは、希ガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用いるのが一般的であるが、少なくともスペーサ層１１４ｂの成膜時においては、アルゴンより原子半径の大きいクリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ラドン（Ｒｎ）を用いる。従って、軟磁性層１１４を構成する第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ全ての成膜においてアルゴンより原子半径の大きい希ガスを用いてもよいし、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃにはアルゴン、スペーサ層１１４ｂのみにアルゴンより原子半径の大きい希ガスを用いるとしてもよい。
【００３５】
本実施形態の目的は、少なくともスペーサ層１１４ｂにアルゴンより原子半径の大きい希ガスを用いれば達成できるので、スペーサ層１１４ｂのみ希ガスを変更することで、無駄に高価な希ガスを放出することなく、コスト削減を図ることができる。
【００３６】
また、スペーサ層１１４ｂの膜厚と交換結合磁界との間には相関があり、交換結合磁界は所定の膜厚に対して突出したピークを有する。従って、スペーサ層１１４ｂは、交換結合磁界がピークとなる膜厚となるように成膜される。
【００３７】
図４は、スペーサ層１１４ｂの膜厚と交換結合磁界との関係を示した説明図である。交換結合磁界Ｈｅｘは、ＲＫＫＹ(Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida)相互作用により、ルテニウム（Ｒｕ）の膜厚に対して図４のような軌跡を描く。ここでは、交換結合磁界がピークＨｅｘｍａｘとなる膜厚ｔ０となるようにスペーサ層１１４ｂを成膜する。スペーサ層１１４ｂの膜厚は、成膜処理時間と膜厚とが比例関係にあることを利用して、例えば、６０ｎｍの膜厚を形成するのに１００秒を要した場合、０．６ｎｍの膜厚を形成するために成膜処理時間を１秒に調整する。
【００３８】
しかし、膜厚ｔ０となるようにスペーサ層１１４ｂを成膜したとしても、希ガスとしてアルゴンＡｒを用いると面方向の膜厚が不均一になり、例えば、図４の偏差ｔｄ分だけムラが生じる。
【００３９】
特に、図４のようにピーク周辺の軌跡が突出している場合、その偏差ｔｄに対する交換結合磁界のピークからの減衰は、所望する厚さより膜厚が厚いまたは薄いいずれの場合であっても大きく、総合的な交換結合磁界が著しく低下することとなる。
【００４０】
本実施形態では、スパッタリングにおいて、ターゲットとしてのルテニウムに、アルゴンより原子半径の大きい希ガス、例えば、クリプトンをイオン化して衝突させることで、希ガスにアルゴンを用いたときよりターゲット表面から原子が飛び出しやすく、原子の運動エネルギー（移動速度）が高くなり、ディスク基体１１０に堆積した原子がディスク基体１１０上を不規則に移動するマイグレーションが大きくなる。かかるマイグレーションによって原子が安定的な位置に移動し、膜厚の均一化および表面粗さの低減が図られる。
【００４１】
膜厚が均一化されると、図４の偏差ｔｄが縮小し、ディスク基体の全面において交換結合磁界がピークＨｅｘｍａｘに近くなる。従って、軟磁性層１１４は、総合的に交換結合磁界の強さが向上して磁壁が形成されず、磁化方向の垂直成分やスパイクノイズも低減され、高品質な再生信号を作出することができる。
【００４２】
上記配向制御層１１６は、軟磁性層１１４を防護する作用と、下地層１１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層１１６の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００４３】
上記下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。従って、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００４４】
本実施形態において下地層１１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００４５】
上記微細化促進層１２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００４６】
上記磁気記録層１２２は、膜厚の薄い第１磁気記録層１２２ａと、膜厚の厚い第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。
【００４７】
第１磁気記録層１２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。
【００４８】
上記第２磁気記録層１２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層１２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００４９】
ここで、第１磁気記録層１２２ａの雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とした。このように高圧の雰囲気ガスを用いて成膜することにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができた。第２磁気記録層１２２ｂの雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とした。このように低圧の雰囲気ガスを用いて成膜することにより、高い耐衝撃性を得ることができた。
【００５０】
本実施形態では、第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂで異なる材料（ターゲット）を用いているが、材料を相異させる必要性はなく、組成や種類が同じ材料であってもよい。なお非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯＸ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００５１】
上記連続層１２４は、グラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（補助記録層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高耐熱性を付け加えることができる。連続層１２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００５２】
上記媒体保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜し、ダイアモンドライクカーボンを含んで構成される。媒体保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。媒体保護層１２６には、例えば、Ｃ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の材料を用いることができる。また、高記録密度化の観点から、媒体保護層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
上記潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層１２８には、例えば、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸等の材料も用いることができる。潤滑層１２８の膜厚は約１ｎｍである。
【００５４】
（実施例）
以上の製造工程により、垂直磁気記録ディスク１００が得られた。以下、このような製造工程により生成された垂直磁気記録ディスク１００の実施例を用いて、本実施形態の有効性について説明する。ここでは、アルゴンＡｒおよびクリプトンＫｒそれぞれを希ガスとしてスパッタリングを行い、生成された垂直磁気記録ディスク１００の特性を比較した。
【００５５】
かかる垂直磁気記録ディスク１００の磁気記録層１２２の配向性をＸ線回折法にて分析したところ、垂直磁気記録ディスク面に対して垂直方向に配向していた。また、スペーサ層１１４ｂの表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）にて、垂直磁気記録ディスク１００の磁気特性、および軟磁性層１１４の交換結合磁界Ｈｅｘを横Ｋｅｒｒ効果による磁力計を用いてそれぞれ評価した。かかる評価結果を図５および図６に示す。図５には、交換結合磁界のスペーサ層の膜厚依存性を、図６には、垂直磁気記録ディスクの磁気特性および軟磁性層の交換結合磁界を示す。図６におけるアルゴンＡｒとクリプトンＫｒとを比較すると、クリプトンＫｒの方が軟磁性層１１４におけるスペーサ層１１４ｂの表面粗さおよび交換結合磁界Ｈｅｘが改善されているのが理解できる。
【００５６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、ＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録ディスクの製造方法および垂直磁気記録ディスクとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施形態による垂直磁気記録ディスクの構造を示した断面図である。
【図２】本実施形態にかかるスパッタリング装置の構成を説明する説明図である。
【図３】ＡＦＣ構造による磁化特性を説明するための説明図である。
【図４】スペーサ層の膜厚と交換結合磁界との関係を示した説明図である。
【図５】交換結合磁界のスペーサ層の膜厚依存性を示した説明図である。
【図６】垂直磁気記録ディスクの磁気特性および軟磁性層の交換結合磁界を示した評価図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  …垂直磁気記録ディスク
１１０  …ディスク基体
１１４  …軟磁性層
１１４ａ  …第１軟磁性層
１１４ｂ  …スペーサ層
１１４ｃ  …第２軟磁性層
１２２  …磁気記録層
１２２ａ  …第１磁気記録層
１２２ｂ  …第２磁気記録層
２００  …スパッタリング装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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