(57)【要約】【課題】電極パターンを形成するためのフォトマスクを大型化することなく、大型の表示パネルにおける電極パターンを良好に形成できるようにする。【解決手段】表示パネルの基板上に形成される電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って複数の分割パターンに分割し、該分割パターンの露光時だけ露光される露光パターンが形成された非重ね露光部と、隣接する分割パターンの一部と重ね合わされる露光パターンが形成された重ね露光部とを有し、重ね露光部における露光パターンが非重ね露光部における露光パターンよりも低い透過率のフォトマスクを用いて多重露光することで、形成される電極パターンにおける線幅の変動を抑制し、良好な電極パターンを形成できるようにする。【選択図】図１
2009080312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの基板上に形成される電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って複数に分割した分割パターンを、前記基板上に形成するための露光に用いるフォトマスクであって、
該分割パターンの露光時だけ露光される露光パターンが形成された非重ね露光部と、
隣接する分割パターンとの接続領域に対応し、前記隣接する分割パターンにおける該接続領域内の露光パターンと同じ露光パターンが形成された重ね露光部とを有し、
前記重ね露光部における露光パターンは、前記非重ね露光部における露光パターンよりも透過率が低いことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記非重ね露光部と前記重ね露光部との間に、前記非重ね露光部における露光パターンの透過率から前記重ね露光部における露光パターンの透過率へ露光パターンの透過率を可変する透過率可変部をさらに有することを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記透過率可変部における露光パターンの透過率は、連続的に変化することを特徴とする請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記重ね露光部の長さに対する前記透過率可変部の長さの比が、０．１〜２であることを特徴とする請求項２又は３記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記重ね露光部における露光パターンの透過率が３０％〜７０％であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記フォトマスクは、前記電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って２分割した分割パターンの露光に用いるフォトマスクであって、
前記非重ね露光部の大きさは、他の分割パターンの露光に用いるフォトマスクにおける非重ね露光部の大きさと等しく、
前記非重ね露光部における露光パターンの透過率が、前記重ね露光部における露光パターンの透過率の略（１／２）であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のフォトマスク。
【請求項７】
表示パネルの基板上に形成される電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って複数に分割して露光を行う表示パネルの製造方法であって、
分割された電極パターンの第１露光パターンが形成された非重ね露光部と、前記非重ね露光部における露光パターンよりも低い透過率を有する、分割された電極パターンの第２露光パターンが形成された非重ね露光部とを設けたフォトマスクを複数用い、隣り合う分割された電極パターンにおける前記第２露光パターンを重ねて各フォトマスクでの露光を順次行うことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及び表示パネルの製造方法に関し、特に、大型の表示パネルにおける電極のパターンニングに用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの需要が高まりつつある。特に、プラズマディスプレイは、１００インチを越える大型のものが製品として販売され、大型化が一段と進展する様相を見せている。一般に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）は、交流駆動型（ＡＣ−ＰＤＰ）と直流型（ＤＣ−ＰＤＰ）の２つの駆動方式がある。
【０００３】
図１２は、代表的な交流駆動型ＰＤＰの１つである三電極面放電型ＰＤＰ１の構成を示す分解斜視図である。以下、図１２を参照して交流駆動型ＰＤＰの構成について説明する。
三電極面放電型のＰＤＰ１は、前面板１０と背面板２０が放電空間を介して封着剤で封着されている。放電空間には、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）とを混合した放電ガスが封入されている。
【０００４】
前面板１０は、前面ガラス基板１１上に、表示電極（サステイン電極ともいう。）Ｘ，Ｙが形成されている。表示電極Ｘ、Ｙは、面放電ギャップを形成する透明電極４１と電気抵抗を下げる金属電極（バス電極）５１とからなる。透明電極４１は、一定幅の帯状の薄い導体膜で形成される。表示電極Ｘ，Ｙを覆うように、低融点ガラス等からなる誘電体層１７が表示電極Ｘ，Ｙ上に被着されている。さらに誘電体層１７を覆うように、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）からなる保護層１８が誘電体層１７上に被着されている。
【０００５】
背面板２０は、背面ガラス基板２１上に、表示電極Ｘ，Ｙと直交する方向に（交差するように）アドレス電極Ａが形成されている。アドレス電極Ａを覆うように、低融点ガラス等からなる誘電体層２４がアドレス電極Ａ上に被着されている。さらに誘電体層２４上には、紫外線により励起されて赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の可視光を発光する蛍光体２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが被着されている。アドレス電極配列の電極間隙毎に、放電空間をマトリクス表示の列毎に区画する隔壁（リブ）２９が配置される。隔壁２９は、平面形状が真っ直ぐな帯状の構造体である。隔壁２９の内面（側壁）には、蛍光体２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが各色毎に塗布されている。
【０００６】
ここで、前面ガラス基板１１上には、ＩＴＯ等の透明な金属膜をフォトリソグラフィ、エッチングにより形成した透明導電膜（透明電極４１）と、Ｃｒ（クロム）−Ｃｕ（銅）−Ｃｒ（クロム）の３層からなる金属膜をスパッタ装置などにより成膜した後フォトリソグラフィ、エッチングにより形成したバス導電膜（バス電極５１）とからなる積層構造の表示電極Ｘ，Ｙを作製する（例えば、特許文献１，２参照。）。また、感光性銀などの感光性材料を前面ガラス基板１１上の全面に塗布して乾燥させ、所望のマスクを用いて露光し電極パターンを転写した後、現像を行い焼成により形成したバス電極を積層して表示電極Ｘ，Ｙを作製する方法も一般的に用いられている。
【０００７】
例えば、１００インチを越えるような大型のＰＤＰの製造において、表示電極Ｘ，Ｙは、フォトリソグラフィ、エッチングによって電極構造を形成する。表示電極Ｘ，Ｙの形成におけるフォトリソグラフィ工程においてフォトマスクが用いられるが、大型化に対応するためには大型（大面積）のフォトマスクが必要になる。しかしながら、フォトマスクの大型化については、マスクブランクスメーカーにおいて大型のマスクブランクスを製造するための新たな設備投資が必要となりコストが増大することが予想される。また、一般にマスクブランクスは、金属錫のフロート法により製造されているが、大型化によりマスクブランクス中の錫由来の内泡が抜けにくくなる。その結果、マスク露光時に泡が遮光することで転写パターンの欠陥増加が予想され、フォトマスクの品質低下が懸念される。また、フォトマスクの大型化に伴い表示パネルの製造設備としても、露光に使用する露光装置の大型化が必要になる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１１４５２０号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、表示パネルにおける電極などの配線は、通常、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成されるが、パネルサイズの大型化に伴ってフォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスクも大型化する必要がある。しかしながら、フォトマスクを大型化することは、コスト的にも技術的にも困難である。
【００１０】
本発明は、電極パターンを形成するためのフォトマスクを大型化することなく、大型の表示パネルにおける電極パターンを良好に形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のフォトマスクは、表示パネルの基板上に形成される電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って複数に分割した分割パターンを、前記基板上に形成するための露光に用いるフォトマスクであって、該分割パターンの露光時だけ露光される露光パターンが形成された非重ね露光部と、隣接する分割パターンとの接続領域に対応し、前記隣接する分割パターンにおける該接続領域内の露光パターンと同じ露光パターンが形成された重ね露光部とを有し、前記重ね露光部における露光パターンは、前記非重ね露光部における露光パターンよりも透過率が低いことを特徴とする。
本発明の表示パネルの製造方法は、表示パネルの基板上に形成される電極パターンを該電極パターンが延びる方向に沿って複数に分割して露光を行う表示パネルの製造方法であって、分割された電極パターンの第１露光パターンが形成された非重ね露光部と、前記非重ね露光部における露光パターンよりも低い透過率を有する、分割された電極パターンの第２露光パターンが形成された非重ね露光部とを設けたフォトマスクを複数用い、隣り合う分割された電極パターンにおける前記第２露光パターンを重ねて各フォトマスクでの露光を順次行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数に分割した電極パターンに係るフォトマスクを用いて多重露光することで、表示パネルサイズが大きくとも、フォトマスクを大型化することなく良好な電極パターンを基板上に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、表示パネルとしてプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）を一例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば液晶パネル等のフラットディスプレイパネルに適用可能である。
【００１４】
以下に説明する本発明の実施形態では、大型の表示パネルにおける電極パターン（配線パターンであっても良い）を基板上に形成する際、電極パターンをそれが延びる方向に沿って複数の分割パターンに分割し、各分割パターンに対応する複数枚のフォトマスクを用いた多重露光を行うことにより電極パターンを形成する。このとき、フォトマスクにおけるパターン端を隣接する分割パターンの対応するパターン端に重ねるようにして露光することで、一続きの電極パターンを形成する。
【００１５】
単にフォトマスクにおけるパターン端を重ねるようにして露光すると、露光パターンにおいて重ね合わさる部分は、二重に露光されることにより、ネガ型レジストを用いた場合には線幅が太くなり、ポジ型レジストを用いた場合には線幅が細くなる。この線幅の変動、すなわち電極パターンにおける線幅の変動は、表示動作時における表示面でのムラ（表示欠陥）を発生させ、表示品質の低下を招くおそれがある。
【００１６】
そこで、本実施形態におけるフォトマスクでは、他のフォトマスクと重なる部分（重ね露光部）における露光パターンは、他のフォトマスクとは重ならない部分（非重ね露光部）における露光パターンよりも露光光（例えば、紫外線）の透過率を低くしている。これにより、感光されるレジスト膜への光照射量を制限し、多重露光により発生する線幅変動を抑制することができ、良好な電極パターンを形成することができる。また、フォトマスクの重ね露光部における露光パターンの透過率を低くすることで、仮に重ね合わせ時のパターンずれが生じたとしても、露光量が抑制されていることで過剰な露光を回避することができる。
【００１７】
なお、以下では電極パターンにおいて、それが延びる方向に沿った大きさを長さとし、延びる方向に垂直な方向の大きさを幅とする。
【００１８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態におけるＰＤＰの製造方法を説明するための図である。
図１（ａ）は、第１のフォトマスク４４ａを用いて行われる第１の露光処理を示しており、図１（ｂ）は、第１の露光処理後に第２のフォトマスク４４ｂを用いて行われる第２の露光処理を示している。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）において、前面ガラス基板１１上に、Ｃｒ（クロム）−Ｃｕ（銅）−Ｃｒ（クロム）の３層の金属膜からなるバス電極材料膜４２が形成されている。さらに、バス電極材料膜４２上に感光性材料膜（レジスト膜）４３が形成されている。なお、図１（ａ）、（ｂ）において、透明電極については図示していない。
【００２０】
バス電極材料膜４２は、スパッタ装置などを用いて、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）の順に各金属層を順次積層し形成（成膜）される。また、感光性材料膜（レジスト膜）４３は、バス電極材料膜４２上に液状の感光性材料（液状レジスト）をスリットコーターにより全面に塗布することにより形成される。なお、予めシート状に形成した感光性材料（一般にドライフィルムレジスト、略してＤＦＲと呼ばれる。）をバス電極材料膜４２上に積層することにより感光性材料膜（レジスト膜）４３を形成するようにしても良い。
【００２１】
感光性材料膜（レジスト膜）４３に用いられる感光性材料については、特に限定されず、ネガ型レジスト又はポジ型レジストなど公知の材料を使用することができる。例えば、ネガ型レジストとしては、分子内に少なくとも１つの重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物（アクリレート、メタクリレート、ウレタンジアクリレート、ウレタンジメタクリレート等）、光重合開始剤、バインダー樹脂等を含む感光性材料が用いられる。
【００２２】
また、フォトマスク４４ａ、４４ｂは、重ね露光部２と非重ね露光部とを有する。非重ね露光部は、そのフォトマスクの露光時のみ露光される露光パターンが形成される。重ね露光部２は、隣接するパターンとの接続領域、すなわち他のフォトマスクと重なる部分である。重ね露光部２は、重なる他のフォトマスクにおける重ね露光部と同じ露光パターンが形成される。ここで、重ね露光部２の長さは、最大でもセル間隔よりも短いことが好ましい。
【００２３】
重ね露光部２における露光パターンは、非重ね露光部における露光パターンよりも露光光に対して低い透過率を有する。例えば、重ね露光部２における露光パターンの透過率は、非重ね露光部における露光パターンの透過率の略半分とする。本発明は、これに限定されず、重ね露光部２における露光パターンの透過率は３０％〜７０％が望ましい。なお、以下では、重ね露光部２における露光パターンの透過率を５０％として説明する。
【００２４】
図１（ａ）に示すように第１の露光処理においては、基準線Ｄ（例えば、電極パターンを２分割した場合には、前面ガラス基板１１の中心線）に第１のフォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の中心線を重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第１のフォトマスク４４ａを配置する。その後、上部より紫外光の照射を行うことでフォトマスク４４ａにおける開口部（非マスク部）からの紫外光により、領域Ａ内の感光性材料膜（レジスト膜）４３が露光パターンに従って感光される。
【００２５】
具体的には、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの非重ね露光部に対応する部分が、フォトマスク４４ａにおける通常の開口部から入射した紫外光の露光量で露光される（領域７）。また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの重ね露光部２に対応する部分が、フォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の開口部を透過した５０％の光量の紫外光で露光される（領域４）。なお、領域６として示す感光性材料膜（レジスト膜）４３の一部は、第２の露光処理によって露光される領域であり、第１の露光処理においては紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００２６】
次に、第２の露光処理では、第１の露光処理において露光されていない感光性材料膜（レジスト膜）４３の領域６に対して露光を行って電極パターンを形成するとともに、第１の露光処理で形成した電極パターンとの接続を行う。図１（ｂ）に示すように第２の露光処理においては、基準線Ｄに第２のフォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の中心線を重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第２のフォトマスク４４ｂを配置する。その後、上部より紫外光の照射を行うことでフォトマスク４４ｂにおける開口部（非マスク部）からの紫外光により、領域Ｂ内の感光性材料膜（レジスト膜）４３が露光パターンに従って感光される。
【００２７】
すなわち、第１の露光処理と同様に、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ｂの非重ね露光部に対応する部分が、フォトマスク４４ｂにおける通常の開口部から入射した紫外光の露光量で露光される（領域７）。また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ｂの重ね露光部２に対応する部分が、フォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の開口部を透過した５０％の光量の紫外光で露光される（領域４）。なお、第１の露光処理にて露光されたフォトマスク４４ａの非重ね露光部に対応する一部の感光性材料膜（レジスト膜）４３は、第２の露光処理においては紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００２８】
以上のようにして、第１及び第２の露光処理を行うことで、領域４として示す感光性材料膜（レジスト膜）４３は、２回の露光により１００％の光量の紫外光で露光されたこととなる。したがって、複数のフォトマスクを用いて多重露光を行っても、他のフォトマスクと重なる部分（重ねるパターン端）も含めて全体が同じ光量の紫外光で露光されることとなるので、線幅の変動が抑制された良好な電極パターンを形成することができる。
【００２９】
図２は、第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を工程順に示す概略断面図であり、前面ガラス基板１１上に表示電極（特に、バス電極）を形成する工程について示している。なお、図２においては、前面ガラス基板１１上に形成される表示電極の電極パターンが延びる方向に沿った断面を示している。
【００３０】
まず、前面ガラス基板１１上に、スパッタ装置を用いてＩＴＯをスパッタリングして透明電極材料膜を形成（成膜）する。さらに、透明電極材料膜上に感光性材料膜（レジスト膜）を形成し、フォトマスクを介して露光し現像することで透明電極を形成するためのレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、透明電極に対応する部位を除く透明電極材料膜をエッチングにより除去した後、レジスト膜を除去する。このようにして、図２（ａ）、及び図３に断面を示すように所定のストライプ状の透明電極４１を前面ガラス基板１１上に形成する。図３は、図２（ａ）におけるＩ−Ｉ間の断面を模式的に示した図である。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、透明電極４１を覆うように、バス電極を構成するＣｒ（クロム）−Ｃｕ（銅）−Ｃｒ（クロム）の３層の金属膜からなるバス電極材料膜４２をスパッタリング法により透明電極４１上に形成する。さらに、バス電極材料膜４２上に感光性材料膜（レジスト膜）４３を形成する。図４に、図２（ｂ）におけるＩ−Ｉ間の断面を模式的に示す。
【００３２】
続いて、図２（ｃ）に示すように、第１のフォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第１のフォトマスク４４ａを配置し露光する。図５に、図２（ｃ）におけるＩ−Ｉ間の断面を模式的に示す。図５において、４４はフォトマスクにおけるマスク部（遮光部）であり、４５はフォトマスクにおける非マスク部（開口部、重ね露光部を含む）である。
【００３３】
図２（ｃ）に示すようにして第１のフォトマスク４４ａを用いた露光を行うことで、感光性材料膜（レジスト膜）４３は、フォトマスク４４ａにおける非重ね露光部の開口部４５に対応する領域７が、通常の開口部から入射される光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の開口部４５に対応する領域４が、５０％の光量の紫外光で露光される。なお、領域６は、第１のフォトマスク４４ａを用いた露光では紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００３４】
次に、図２（ｄ）に示すように、第２のフォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第２のフォトマスク４４ｂを配置し露光する。これにより、感光性材料膜（レジスト膜）４３は、フォトマスク４４ｂにおける非重ね露光部の開口部４５に対応する領域７が、通常の開口部から入射される光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の開口部４５に対応する領域４が、５０％の光量の紫外光で露光される。なお、フォトマスク４４ａの非重ね露光部に対応する領域は、第２のフォトマスク４４ｂを用いた露光では紫外光が照射されないよう遮光されている。以上のようにして、バス電極材料膜４２上に形成されている感光性材料膜（レジスト膜）４３において、露光すべき領域のすべてが同じ光量の紫外光で露光される。
【００３５】
そして、すべてのフォトマスクでの露光が終了した後、現像することで、バス電極を形成するためのレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、図２（ｅ）に示すように、バス電極に対応する部位を除くバス電極材料膜４２をエッチングにより除去する。図６に、図２（ｅ）におけるＩ−Ｉ間の断面を模式的に示す。
【００３６】
その後、バス電極を形成するためのレジストパターン（レジスト膜４３）を除去することで、図７に断面を示すように所定のストライプ状のバス電極５１が形成される。
なお、図２においては、感光性材料としてネガ型レジストを用いた場合を一例として説明したが、ポジ型レジストを用いた場合でもフォトマスクにおけるマスク部（遮光部）と非マスク部（開口部）とが反転する点が異なるだけで同様である。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図８は、第２の実施形態におけるＰＤＰの製造方法を説明するための図である。図８において、図１に示した構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。図８（ａ）は、第１のフォトマスク４４ａを用いて行われる第１の露光処理を示しており、図８（ｂ）は、第１の露光処理後に第２のフォトマスク４４ｂを用いて行われる第２の露光処理を示している。
【００３８】
第２の実施形態は、フォトマスク４４ａ、４４ｂが、重ね露光部２と非重ね露光部とに加え、さらに重ね露光部２と非重ね露光部との間に透過率可変部３を有する点が、上述した第１の実施形態とは異なる。透過率可変部３は、重ね露光部２における露光パターンの透過率から非重ね露光部における露光パターンの透過率へ露光パターンの透過率を可変する部分である。透過率可変部３には、そのフォトマスクの露光時のみ露光される露光パターンが形成される。
【００３９】
具体的には、透過率可変部３では、重ね露光部２から非重ね露光部に向けて、すなわち重ね露光部２との距離が増大するにつれて、露光パターンの透過率が高くなっていく。なお、透過率可変部３における露光パターンの透過率の変化は、図８に一例を示すように連続的に変化するようにしても良いし、段階的に（ステップ状に）変化するようにしても良い。
【００４０】
ここで、透過率可変部３は、重ね露光部２の長さに対し相対比として０．１〜２の長さを有し、例えば重ね露光部２の長さを２００μｍとすると透過率可変部３は２０μｍ〜４００μｍの長さで透過率を可変にすることができる。なお、透過率可変部３の長さは、最大でもセル間隔よりも短いことが好ましい。
【００４１】
図８（ａ）に示すように第１の露光処理においては、第１のフォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第１のフォトマスク４４ａを配置する。その後、上部より紫外光の照射を行うことでフォトマスク４４ａにおける開口部からの紫外光により、領域Ａ内の感光性材料膜（レジスト膜）４３が露光パターンに従って感光される。
【００４２】
具体的には、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの非重ね露光部に対応する部分が、フォトマスク４４ａにおける通常の開口部から入射した紫外光の露光量で露光される（領域７）。また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの重ね露光部２に対応する部分が、フォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の開口部を透過した５０％の光量の紫外光で露光される（領域４）。
【００４３】
また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの透過率可変部３に対応する部分が、フォトマスク４４ａにおける透過率可変部３の開口部を透過した光量の紫外光で露光される（領域５）。すなわち、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ａの透過率可変部３に対応する部分は、基準線Ｄ（重ね露光部２）側から非重ね露光部に向けて増大する異なる光量の紫外光で露光される。なお、領域６として示す感光性材料膜（レジスト膜）４３の一部は、第２の露光処理によって露光される領域であり、第１の露光処理においては紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００４４】
次に、第２の露光処理では、感光性材料膜（レジスト膜）４３の領域６における電極パターンの形成と、第１の露光処理で形成した電極パターンとの接続を行う。図８（ｂ）に示すように第２の露光処理においては、第２のフォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第２のフォトマスク４４ｂを配置する。その後、上部より紫外光の照射を行うことでフォトマスク４４ｂにおける開口部からの紫外光により、領域Ｂ内の感光性材料膜（レジスト膜）４３が露光パターンに従って感光される。
【００４５】
具体的には、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ｂの非重ね露光部に対応する部分が、フォトマスク４４ｂにおける通常の開口部から入射した紫外光の露光量で露光される（領域７）。また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ｂの重ね露光部２に対応する部分が、フォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の開口部を透過した５０％の光量の紫外光で露光される（領域４）。
【００４６】
また、感光性材料膜（レジスト膜）４３のうち、フォトマスク４４ｂの透過率可変部３に対応する部分が、フォトマスク４４ｂにおける透過率可変部３の開口部を透過した光量の紫外光で露光される（領域５）。なお、第１の露光処理にて露光されたフォトマスク４４ａの非重ね露光部及び透過率可変部３に対応する一部の感光性材料膜（レジスト膜）４３は、第２の露光処理においては紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００４７】
以上のようにして、第１及び第２の露光処理を行うことで、領域４として示す感光性材料膜（レジスト膜）４３は、２回の露光により１００％の光量の紫外光で露光されたこととなる。したがって、複数のフォトマスクを用いて多重露光を行う際、他のフォトマスクと重なる部分（重ねるパターン端）が通常の開口部と同じ光量の紫外光で露光され、線幅の変動が抑制された良好な電極パターンを形成することができる。また、フォトマスクにおける重ね露光部２と非重ね露光部との間に透過率可変部３を設けることで、重ね露光部２により露光される領域と透過率可変部３により露光される領域との境界をぼかすことでムラとして認識されることを防止することができる。
【００４８】
図９は、第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を工程順に示す概略断面図であり、前面ガラス基板１１上に表示電極（特に、バス電極）を形成する工程について示している。なお、図９においては、前面ガラス基板１１上に形成される表示電極の電極パターンが延びる方向に沿った断面を示している。
【００４９】
第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第１のフォトマスク４４を用いて露光を行うまでの工程（図９（ａ）、（ｂ））は、第１の実施形態における工程（図２（ａ）、（ｂ））と同様であるので説明は省略する。
【００５０】
感光性材料膜（レジスト膜）４３を形成した後、図９（ｃ）に示すように、第１のフォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第１のフォトマスク４４ａを配置し露光する。これにより、感光性材料膜（レジスト膜）４３は、フォトマスク４４ａにおける非重ね露光部の開口部に対応する領域７が通常の開口部から入射される光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ａにおける透過率可変部３の開口部に対応する領域５が透過率に応じた光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ａにおける重ね露光部２の開口部に対応する領域４が５０％の光量の紫外光で露光される。なお、領域６は、第１のフォトマスク４４ａを用いた露光では紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００５１】
次に、図９（ｄ）に示すように、第２のフォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の中心線を基準線Ｄに重ねるようにして、前面ガラス基板１１上に第２のフォトマスク４４ｂを配置し露光する。これにより、感光性材料膜（レジスト膜）４３は、フォトマスク４４ｂにおける非重ね露光部の開口部に対応する領域７が通常の開口部から入射される光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ｂにおける透過率可変部３の開口部に対応する領域５が透過率に応じた光量の紫外光で露光され、フォトマスク４４ｂにおける重ね露光部２の開口部に対応する領域４が５０％の光量の紫外光で露光される。なお、フォトマスク４４ａの非重ね露光部及び透過率可変部３に対応する領域は、第２のフォトマスク４４ｂを用いた露光では紫外光が照射されないよう遮光されている。
【００５２】
そして、すべてのフォトマスクでの露光が終了した後、現像することで、バス電極を形成するためのレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、図９（ｅ）に示すように、バス電極に対応する部位を除くバス電極材料膜４２をエッチングにより除去した後、レジストパターンを除去することでストライプ状のバス電極が形成される。
【００５３】
なお、図９においては、感光性材料としてネガ型レジストを用いた場合を一例として説明したが、ポジ型レジストを用いた場合でもフォトマスクにおけるマスク部（遮光部）と非マスク部（開口部）とが反転する点が異なるだけで同様である。
【００５４】
次に、本発明の実施形態におけるフォトマスクについて説明する。なお、以下では、第２の実施形態におけるフォトマスク、すなわち重ね露光部２、非重ね露光部、及び透過率可変部３を有するフォトマスクを一例として説明するが、第１の実施形態におけるフォトマスクは透過率可変部３を設けないようにするだけで同様に構成される。
【００５５】
図１０（ａ）は、本発明の実施形態におけるフォトマスクの構成例を示す平面図である。なお、図１０（ａ）には大型のＰＤＰにおける電極パターンを形成するためのフォトマスクを示しており、電極パターンの延びる方向に沿って２分割した場合を一例として示している。また、図１０（ｂ）は、本発明の実施形態におけるフォトマスク内の電極パターン端部を重ね合わせた状態を説明する平面図である。
【００５６】
図１０（ａ）、（ｂ）において、４４ａ、４４ｂは、前面ガラス基板上にバス電極を形成するために２分割されたフォトマスクである。第１のフォトマスク４４ａは、バス電極の電極パターン５１ａとなる開口部と重ね露光部２と透過率可変部３とが設けられており、その重ね露光部２の領域をＣとする。また、第２のフォトマスク４４ｂは、バス電極の電極パターン５１ｂとなる開口部と重ね露光部２と透過率可変部３とが設けられており、その重ね露光部２の領域をＣとする。
【００５７】
前面ガラス基板の中心を通る中間線を基準線Ｄとして、前面ガラス基板を露光ステージに設置後、フォトマスク４４ａ上部から紫外光を照射して露光を行うことで、前面ガラス基板上に電極パターン５１ａに対応した前面ガラス基板左側（領域Ａ）のバス電極パターンが形成される。さらに前面ガラス基板の中心を通る中間線を基準線Ｄとして、フォトマスク４４ｂ上部から紫外光を照射して露光を行うことで、前面ガラス基板上に電極パターン５１ｂに対応した前面ガラス基板右側（領域Ｂ）のバス電極パターンが形成される。フォトマスク４４ａと４４ｂとの重ね合わせは、領域Ｃを利用して行うことで電極パターンが前面ガラス基板の中心線Ｄからずれたとしても、透過率可変部３によって緩和され、表示面でのムラが発生するのを低減することができる。
【００５８】
次に、本発明の実施形態におけるフォトマスクが有する重ね露光部及び透過率可変部について説明する。
【００５９】
図１１（ａ）は、本実施形態におけるフォトマスクの一例を示す図であり、フォトマスク４４上に透過率調整フィルムを貼り付けて構成する例を示している。図１１（ａ）において、フォトマスク４４における開口部の重ね露光部２Ａにおいて、透過率５０％のフィルムをフォトマスク上に貼り付け、透過率可変部３において、段階的に（連続的であっても良い）透過率を可変させたフィルムをフォトマスク上に貼り付ける。これにより、重ね露光部２、透過率可変部３、及び非重ね露光部を有し、この順で透過率が変化していくフォトマスクを構成することができる。
【００６０】
また、図１１（ｂ）及び（ｃ）は、本実施形態におけるフォトマスクの他の例を示す図であり、フォトマスクの作製時に、描画するパターン形状により透過率を低減して構成する例を示している。
【００６１】
図１１（ｂ）、（ｃ）において、電極パターンのレジストパターンの設計寸法に応じて、フォトマスク４４における開口部の重ね露光部２での透過率を５０％にし、かつ透過率可変部３での透過率を変更するために、開口部に図１１（ｂ）、（ｃ）に示すような微小な遮光パターンを配置する。そして、この遮光パターンの配置数や面積（サイズ）を制御することで透過率を変更する。これにより、開口部と遮光部の面積比によって透過率を算出でき、所望の光量で露光されるように透過率を調整することができる。なお、遮光に用いられる微小パターンの形状は、電極パターンの端の重ね合わせの部分で透過率を調整できれば良く、特に電極パターンの形状に影響を及ぼさない限り形状は限定されない。
【００６２】
なお、上述した第１及び第２の実施形態では、前面ガラス基板上に形成される表示電極に係る電極パターンを形成する場合を一例として説明したが、それ以外のパターン（例えば、背面ガラス基板に形成されるアドレス電極に係る電極パターン）についても適用することができる。
【００６３】
また、前記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図３】図２（ａ）に示したＩ−Ｉ間の断面を模式的に示した図である。
【図４】図２（ｂ）に示したＩ−Ｉ間の断面を模式的に示した図である。
【図５】図２（ｃ）に示したＩ−Ｉ間の断面を模式的に示した図である。
【図６】図２（ｅ）に示したＩ−Ｉ間の断面を模式的に示した図である。
【図７】図６に示したプラズマディスプレイパネルのレジスト除去後の断面を模式的に示した図である。
【図８】第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための図である。
【図９】第２の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１０】本発明の実施形態におけるフォトマスクの構成例を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態におけるフォトマスクの例を示す図である。
【図１２】三電極面放電型プラズマディスプレイパネルの構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
２  重ね露光部
３  透過率可変部
１１  前面ガラス基板
４１  透明電極
４２  バス電極材料膜
４３  感光性材料膜
４４ａ、４４ｂ  フォトマスク
５１  バス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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