(57)【要約】【課題】  特に、導電層の膜強度を従来に比べて向上させることが出来る電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  パターン形成された導電層３は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉を含む。前記複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて前記導電層３の膜強度を向上させることが可能であり、転写板３０を剥離するときに、導電層３の一部も一緒に剥がれることなく安定して転写型基板を形成できる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、
前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、
前記導電性粒子は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記導電層は、前記基板内に埋設され、前記導電層の表面が前記基板の表面と同一面にて現れている請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記バインダー樹脂は、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを有して構成される請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記導電層内には、前記複合粉のほかに、カーボン粉が含まれる請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
以下の工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
（ａ）  溶媒内に、少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンとを有する複合粉を混合して成るペースト状の導電層を転写板上にパターン形成する工程、
（ｂ）  前記導電層を熱処理して、前記溶媒を除去するとともに前記バインダー樹脂を熱硬化させる工程、
（ｃ）  前記導電層を支持する基板を形成した後、前記転写板を剥離する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板とを有して構成される電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１，２には、エポキシ樹脂等の基板にカーボン粉とバインダー樹脂からなる抵抗体層を転写して形成した転写型基板が開示されている。
【０００３】
製造方法をもう少し詳しく説明すると、転写板上に抵抗体層を形成し、転写板を金型内に装着し、前記金型のキャビティ内にエポキシ樹脂などを射出して基板をインジェクション成形し、前記転写板を剥離する。これにより、転写型基板が完成する。転写型基板では、基板表面に前記抵抗体層の表面が露出している。
【０００４】
このように特許文献１，２では、前記抵抗体層の表面を前記基板の表面に露出させているが、例えば銀粉とバインダー樹脂からなる導電層（電極層）を、上記した転写にて基板に形成し、前記導電層の表面が前記基板の表面から露出する転写型基板を製造することも当然、可能である。
【特許文献１】特許第３３７２６３６号の特許公報
【特許文献２】特開２００４−５５９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
導電層が表面に露出する転写型基板の製造方法、及びその問題点について図面を用いて説明する。
【０００６】
図１１に示すように、まず転写板２０上に導電層２１をパターン形成する。前記導電層２１は、溶媒中にバインダー樹脂と銀粉とが混合されて成る導電ペーストを前記転写板２０上に所定のパターン形状にてスクリーン印刷し、熱処理して前記溶媒を除去するとともに前記バインダー樹脂を熱硬化させて成るものである。
【０００７】
次に図１２に示すように、前記転写板２０上から前記導電層２１上にかけてエポキシ樹脂等から成る基板２２を形成し、図１３に示すように、前記転写板２０を剥離する。
【０００８】
しかしながら図１３に示す転写板２０の剥離工程において、適切に前記導電層２１が前記基板２２側に転写されず、導電層２１の少なくとも一部が前記転写板２０と一緒に剥がれてしまうといった問題が生じた。
【０００９】
これは、前記バインダー樹脂を硬化させるための焼成時、前記導電層内に含まれる銀粒子の溶融発熱により、バインダー樹脂が分解され、導電層の膜強度が低下するための現象であると考えられる。
【００１０】
上記した転写型基板では、本来、前記導電層２１の表面を鏡面に形成できるはずであるが、上記のように、導電層２１が一部剥がれてしまうことで、基板２２に転写された導電層２１の表面は鏡面でなく凹凸面となってしまい、また膜強度が低下していることから前記導電層２１上を摺動子が摺動する電子部品において、摺動特性及び電気特性を向上できず、また高寿命を得ることが出来なかった。
【００１１】
特許文献１，２に記載された発明では、上記した問題点の認識がなく、当然、上記問題を解決するための手段も提示されていない。
【００１２】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、導電層の膜強度を従来に比べて向上させることが出来る電子部品およびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明における電子部品は、
パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、
前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、
前記導電性粒子は、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とするものである。
【００１４】
「複合粉」とは、複数種類の粒子を単に混ぜた「混合粉」や「合金」と異なり、粒子１個を取り出したときに、その粒に、銀と酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は、銀と酸化ビスマス及びカーボンを含んだものである。
【００１５】
上記銀を主成分とした複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて導電層の膜強度を向上させることが可能である。
【００１６】
本発明では、前記導電層は、前記基板内に埋設され、前記導電層の表面が前記基板の表面と同一面にて現れていることが好ましい。これは転写型基板として形成されたものであり、前記導電層の表面を鏡面形成でき、前記導電層の表面に摺動子が摺動する電子部品において、摺動特性の向上を図ることができて好ましい。
【００１７】
また本発明では、前記バインダー樹脂は、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを有して構成されることが好ましい。これにより、ガラス転移温度を高くでき耐熱性を向上させることが出来る。
【００１８】
また本発明では、前記導電層内には、前記複合粉のほかに、カーボン粉が含まれることが好ましい。これにより前記導電層の硬度を向上させることができ、前記導電層上に摺動子が摺動したときの耐摩耗性をより適切に向上させることが出来る。
【００１９】
本発明における電子部品の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２０】
（ａ）  溶媒内に、少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は、酸化ビスマス及びカーボンとを有する複合粉を混合して成るペースト状の導電層を転写板上にパターン形成する工程、
（ｂ）  前記導電層を熱処理して、前記溶媒を除去するとともに前記バインダー樹脂を熱硬化させる工程、
（ｃ）  前記導電層を支持する基板を形成した後、前記転写板を剥離する工程。
【００２１】
本発明では、前記（ｂ）工程で、ペースト状の前記導電層のバインダー樹脂を熱硬化させるための熱処理を行ったとき、複合粉は、銀粉に比べて溶融しにくく、前記バインダー樹脂の分解を抑制でき、前記導電層の膜強度を従来よりも適切に向上させることができる。
【００２２】
よって前記（ｃ）工程で、前記転写板を剥離するとき、前記転写板を導電層から適切に剥離でき、従来のように前記導電層の一部が前記転写板と一緒に剥がれてしまうといった不具合を抑制できる。このように、本発明では、簡単な製造方法で、転写型基板を安定して製造することが可能である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明における電子部品は、パターン形成された導電層と、前記導電層を支持する基板と、を有して構成され、前記導電層は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、前記導電性粒子は、少なくとも主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンを有してなる複合粉を含むことを特徴とするものである。
【００２４】
上記複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。したがって従来に比べて前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制できる。よって、従来に比べて導電層の膜強度を向上させることが可能である。
【００２５】
したがって本発明における電子部品が、摺動子が導電層上を摺動する基板であるとき、摺動特性及び電気特性に優れた高寿命の基板となる。また本発明の電子部品を転写型基板として製造するとき、転写板を剥離する際に、前記導電層の一部が前記転写板と一緒に剥がれるといったことがなく安定して転写型基板を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は本実施の形態としてのエンコーダの構成を示す部分平面図、図２は、図１に示すＡ−Ａ線から前記エンコーダを切断し、その切断面を矢印方向から見た断面図である。
【００２７】
図１に示す電子部品としての接点基板１は、エポキシ樹脂等で形成された絶縁性の成形基板２を有している。前記成形基板２の表面２ｂには、導電層３が所定パターンで形成されている。
【００２８】
図１に示すように、前記導電層３は、リング状にパターン形成されたコモン領域３ａと、前記コモン領域３ａの内周に沿って所定の間隔を置いて、内方向に凸状にパターン形成されたＡ相領域３ｂと、前記コモン領域３ａの外周に沿って所定の間隔を置いて外方向に凸状にパターン形成されたＢ相領域３ｃとで構成される。
【００２９】
図１に示すように、エンコーダには第１端子部５ｂ，第２端子部５ｃ及びコモン端子部５ａが回転しないように固定して取り付けられており、前記第１端子部５ｂ及び第２端子部５ｃの先端には第１摺動子４ｂ及び第２摺動子４ｃが一体形成されている。また前記コモン端子部５ａの先端にはコモン摺動子４ａが一体形成されている。
【００３０】
前記端子部５ａ，５ｂ，５ｃ及び摺動子４ａ，４ｂ，４ｃは、例えばりん青銅にニッケルめっき及び銀めっきが施されたもので、前記摺動子４ａ，４ｂ，４ｃの前記接点基板１と摺接する部分は前記接点基板１方向に突出するドーム状凸部として形成されている。
【００３１】
図１に示すエンコーダでは、前記接点基板１が中心１ａを軸として回転すると、前記コモン摺動子４ａは前記コモン領域３ａ上を常に摺動し、前記第１摺動子４ｂは、前記Ａ相領域３ｂ上と前記Ａ相領域３ｂ間の絶縁基板表面を交互に摺動し、また前記第２摺動子４ｃは、前記Ｂ相領域３ｃ上と前記Ｂ相領域３ｃ間の絶縁基板表面を交互に摺動する。
【００３２】
前記第１端子部５ｂ及び第２端子部５ｃにそれぞれプルアップ抵抗を接続し、所定電圧を印加した状態で、前記第１摺動子４ｂが接点基板１のＡ相領域３ｂ上を摺動すると、前記第１摺動子４ｂとコモン摺動子４ａとが電気的に接続され、オン（ＯＮ）信号が出力され、一方、前記第１摺動子４ｂが前記接点基板１の成形基板２上を摺動すると前記第１摺動子４ｂとコモン摺動子４ａが電気的に切断され、オフ（ＯＦＦ）信号が出力される。そして、このオン信号とオフ信号が交互に繰り返され、Ａ相パルス信号（ＶＡ）が出力される。
【００３３】
また、前記第２摺動子４ｃが前記接点基板１のＢ相領域３ｃ上を摺動すると、前記第２摺動子４ｃとコモン摺動子４ａとが電気的に接続され、オン（ＯＮ）信号が出力され、一方、前記第２摺動子４ｃが前記接点基板１の成形基板２上を摺動すると前記第２摺動子４ｃとコモン摺動子４ａが電気的に切断され、オフ（ＯＦＦ）信号が出力される。そして、このオン信号とオフ信号が交互に繰り返され、Ｂ相パルス信号（ＶＢ）が出力される。
【００３４】
図１に示すエンコーダでは、Ａ相パルス信号（ＶＡ）、Ｂ相パルス信号（ＶＢ）及びＡ相パルス信号（ＶＡ）とＢ相パルス信号（ＶＢ）の差信号（位相差）により、接点基板１の回転状態を検知できるようになっている。
【００３５】
本実施形態では、前記導電層３は、熱硬化性のバインダー樹脂と、前記バインダー樹脂内に分散した導電性粒子とを有し、前記導電性粒子には、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉が用いられている。ここで「複合粉」とは、単に銀粉と酸化ビスマス粉とを混ぜたような「混合粉」や複数種類の金属が溶け合った「合金」と異なり、粒子１個を取り出したときに、その粒に、銀と酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は銀と酸化ビスマス及びカーボンを含んだものである。
【００３６】
銀と酸化ビスマスからなる複合粉、銀とカーボンからなる複合粉であってもよいが、より好ましいのは、銀、酸化ビスマス及びカーボンを全て含んだ複合粉である。例えば主成分としてのＡｇは７９ａｔ％（原子％）程度、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）は１６ａｔ％程度、カーボンは５ａｔ％程度含有されている。
【００３７】
なお前記導電層３には前記複合粉とともに、前記複合粉以外の導電性粒子が含まれていてもよい。特にカーボンファイバーやカーボンビーズ等、硬度の高いカーボン粉が含まれていることが前記導電層３の膜強度を向上させることが出来る点で好ましい。前記複合粉は、前記導電層３中に５〜５０ｖｏｌ％含まれていることが好ましい。前記複合粉が５ｖｏｌ％より小さいと、比抵抗を十分に下げることができない。また前記複合粉が５０ｖｏｌ％より大きいと、前記バインダー樹脂の体積が小さくなりすぎ、膜強度が低下し好ましくない。したがって、前記複合粉は、５〜５０ｖｏｌ％含まれていることが好ましい。
【００３８】
前記バインダー樹脂は、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂から選択されるが、特に、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを含むことがガラス転移温度（Ｔｇ）を高くでき耐熱性を向上させる上で好ましい。
【００３９】
前記導電層３は、溶媒中に、前記バインダー樹脂及び複合粉が混合されて成る導電性ペーストを図１に示すパターン形状にスクリーン印刷し熱処理によって、前記溶媒を除去するとともに、前記バインダー樹脂を熱硬化したものである。
【００４０】
図２に示すように前記導電層３は、前記成形基板２内に埋設されているとともに、前記導電層３の表面３ｄは、前記成形基板２の表面２ｂと同一面を成している。図１，図２に示す接点基板１は、後述する製造方法で形成された転写型基板であり、前記導電層３の表面３ｄは、鏡面で形成されている。これにより、摺動特性及び電気特性の向上を図ることができる。
【００４１】
本実施形態では、前記導電層３に含有される導電性粒子が、主成分の銀と、酸化ビスマス、あるいは、銀とカーボン、又は銀と酸化ビスマス及びカーボンと、を有してなる複合粉である。前記複合粉は、銀粉に比べて、バインダー樹脂を硬化させるための焼成温度で溶融しにくい（あるいは不溶である）。
【００４２】
よって前記溶融による発熱を適切に抑制でき、この結果、前記バインダー樹脂の分解を抑制することが可能である。
したがって、前記導電層３の膜強度を従来に比べて向上できる。
【００４３】
前記膜強度の向上により、転写型基板の製造過程において、転写板を剥離するときに前記導電層３の一部が、前記転写板と一緒に前記成形基板２側から剥がれてしまうのを適切に抑制できる。これにより前記導電層３の表面３ｄを適切に鏡面で形成できる。
【００４４】
また前記導電層３の膜強度が向上したことと表面３ｄを鏡面で形成できることで、前記導電層３上に摺動子４ａ〜４ｃが摺動する際の耐摩耗性に代表される摺動特性及び電気特性を向上させることができ、長寿命の接点基板１にできる。
【００４５】
次に、前記接点基板１の製造方法について説明する。なおこの明細書において「ペースト」とはバインダー樹脂が熱硬化されていない状態を言う。
【００４６】
まず、溶媒中に、バインダー樹脂と主成分の銀と酸化ビスマス及び／またはカーボンとを有する複合粉とを混合して成る導電性ペーストを形成する。硬度を向上させるべくカーボンファイバー等のカーボン粉を混合してもよい。前記バインダー樹脂は、５０〜９５体積％程度、複合粉は、５〜５０体積％程度、カーボン粉は、０〜３０体積％であり、バインダー樹脂と複合粉とをあわせた合計、あるいはバインダー樹脂、複合粉及びカーボン粉とあわせた合計が１００体積％である。
【００４７】
たとえば黄銅板で形成された転写板３０（図３参照）を用意する。前記転写板３０の表面は鏡面加工されている。
【００４８】
前記転写板３０の表面に、導電層３のパターンの形状を製版するステンレス製のマスクを用い、前記転写板３０の表面にペースト状の前記導電層３をスクリーン印刷にてパターン形成する。
【００４９】
印刷後に、焼成炉を用いて、ペースト状の前記導電層３を１００〜２６０℃で１０〜６０分間乾燥させて、前記溶媒を蒸発させて除去する。さらに焼成炉において４００℃程度の焼成温度で１〜２時間加熱し、前記バインダー樹脂を熱硬化させる。これにより前記導電層３は熱硬化したバインダー樹脂中に複合粉が分散した膜構造になる。
【００５０】
ここで溶媒には、酢酸カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、メチルトリグライム等を使用できる。
【００５１】
またバインダー樹脂には、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂を選択できるが、これらに限定されるものでない。なお前記バインダー樹脂に、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを含むことがガラス転移温度（Ｔｇ）を高くでき耐熱性を向上させる上で好ましい。
【００５２】
前記導電層３に含まれる銀と、酸化ビスマス、あるいは、カーボン、又は酸化ビスマス及びカーボンとを有して成る複合粉の溶融温度は、前記バインダー樹脂の硬化温度より高くなっている。
【００５３】
本実施形態における前記複合粉からなる導電性ペーストは、４４０℃前後に溶融ピークを持つため４００℃前後の熱処理によっても溶融しにくい。ポリイミド樹脂の硬化温度は、３００℃〜３８０℃程度、ビスマレイミド樹脂の硬化温度は３５０℃程度、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーの硬化温度は、３００℃〜４００℃程度であるから、これらの熱硬化性樹脂の硬化温度にて熱処理を施しても、前記複合粉の溶融を適切に抑制することが出来る。
【００５４】
なおポリイミド樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、３００℃、ビスマレイミド樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、２５０〜３００℃程度、アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーのガラス転移温度Ｔｇは、３００℃〜３５０℃程度である。
【００５５】
次に図４工程では、転写板３０上に形成された導電層３に、端子６を接続する必要のある場合には、前記導電層３の表面に端子接着層（導電性接着層）７を形成する。すなわち、図１に示したエンコーダにおいては、接点基板１が回転し、固定された摺動子４ａ〜４ｃと一体の端子部５ａ〜５ｃより出力信号を取り出す構成のため、導電層３に端子を接続する必要はない。これに対し、接点基板が固定されており、摺動子側が回転する構成のエンコーダにおいては、接点基板側から出力信号を取り出すために、この接点基板に形成された導電層と導通する端子が設けられたものとなっている。
【００５６】
この工程では、前記導電層３の表面にスクリーン印刷によりペースト状の端子接着層７を形成する。例えば、ペースト状の前記端子接着層７は、酢酸カルビトールなどからなる溶剤に、２０体積％の銀粉と、硬化剤として２０体積％のフェノール樹脂とアミン化合物、主剤として６０体積％のエポキシ樹脂を混合させたものである（ただし、溶媒を除いた合計が１００体積％）。そして、乾燥炉において例えば８０℃で１０分間乾燥させ、端子接着層７内の溶媒を蒸発させて除去する。
【００５７】
次に図４に示すように、前記転写板３０上を金型４０で覆う。このとき導電層３の表面に前記端子接着層７を介して端子６を設置する。そして、前記金型４０のキャビティ４１に溶融状態のエポキシ樹脂成形材料を注入する。
【００５８】
金型４０の温度は１６０〜２００℃であり、この金型の熱によって前記端子接着層７の硬化剤であるフェノール樹脂およびアミン化合物と主剤のエポキシ樹脂とが熱硬化して、端子６が前記端子接着層７を介して導電層３に接着される。
【００５９】
また、前記エポキシ樹脂成形材料が硬化して成形基板２が形成される。そして、金型４０から抜き出して、図５に示すように、転写板３０を前記成形基板２から剥離することで、接点基板１が完成する。
【００６０】
なお、図４、図５では、摺動子側が回転し、接点基板に端子６を取り付けた構成のものを図示して説明したが、図１に示すような端子を必要としない形態の接点基板１を製造する場合には、図４、図５から端子６と端子接着層７とを無くした工程となる。
【００６１】
本実施形態の製造方法では、簡単な製造方法で、転写型基板を安定して製造することが可能である。すなわち従来では、前記導電層３の膜強度が低下しており、図５に示す前記転写板３０を剥離するときに、前記転写板３０と一緒に一部の導電層３が成形基板２側から剥がれてしまうといった問題があったが、本実施形態では、前記導電層３の膜強度を従来より向上させることができるので、前記転写板３０を剥離するとき、前記導電層３の一部が前記転写板３０と一緒に剥がれてしまうといった不具合を抑制でき、導電層３の表面３ｄが基板２の表面２ｂと同一面で、且つ前記表面３ｄが鏡面となる接点基板１を安定して製造することが出来る。
【００６２】
他の実施形態としては、図６に示すように、基板４２の平坦な表面に直接、所定のパターンにて導電層３がスクリーン印刷・焼成された構造を提示できる。図６では、前記導電層３を前記基板４２上に直接形成するものであり、転写型基板のように、導電層３の一部が転写板３０と一緒に剥がれてしまうといった不具合は元々生じ得ないが、本実施形態では、前記導電層３の膜強度を従来より向上させることが出来るため、図６のように、基板４２上に直接、導電層３をスクリーン印刷等でパターン形成した場合でも、耐摩耗性に代表される摺動特性及び電気特性を向上させることができ、長寿命の接点基板を形成できる。
【００６３】
また図１，図２の実施形態及び図６の実施形態の双方において、耐マイグレーション性、耐硫化性を向上させるために、導電層３の表面にカーボン層などからなる保護層を形成してもよい。
【００６４】
なお本実施形態の電子部品は、可変抵抗器の電極パターン等にも応用でき、特に用途を限定するものでない。
【実施例】
【００６５】
各黄銅板（転写板）上に実施例及び比較例のペースト状の導電層を夫々、所定のパターン形状でスクリーン印刷し、２０μｍ程度の膜厚で形成した。
【００６６】
まず比較例の導電層に使用したバインダー樹脂はアセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーであり、銀粉は、導電層中に３０体積％程度入っている。
【００６７】
一方、実施例の導電層に使用したバインダー樹脂もアセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーであり、主成分の銀、酸化ビスマス、及びカーボンから成る複合粉は、導電層中に３０体積％程度入っている。前記複合粉は、主成分としてのＡｇが７９ａｔ％（原子％）程度、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）が１６ａｔ％程度、カーボンが５ａｔ％程度含有されている。なお、本実施例では前記複合粉として、昭栄化学工業（株）社製の貴金属粉末ＡＧ−５２２を使用した。
【００６８】
図７は、比較例のペースト状導電層を２６０℃の温度下に曝して溶媒を蒸発させた乾燥工程後の膜表面の状態を示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
図７に示すように、黄銅板上は、導電層にて覆われ、前記黄銅板は見えない。
【００６９】
次に、実施例のペースト状導電層を２６０℃の温度下に曝して溶媒を蒸発させ、その後、実施例及び比較例ともに、３９０℃で２時間の熱処理を施し、各ペースト状導電層のバインダー樹脂を熱硬化させた。そして膜表面をＳＥＭ写真にて観察した。
【００７０】
図８は、比較例の導電層の膜表面の状態を示すＳＥＭ写真、図９は、実施例の導電層の膜表面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【００７１】
図８に示す比較例では、導電層は前記黄銅板上に部分的にしか残存しておらず、前記導電層の消滅した部分からは黄銅板が見えることがわかった。
【００７２】
図７に示す状態から３９０℃の焼成により、明らかに導電層の膜状態が変化したことがわかる。これは、焼成によって、前記導電層内に含まれている銀粉が溶融し、その溶融による発熱によって導電層を構成するバインダー樹脂が分解したためであると考えられる。
【００７３】
一方、図９に示す実施例では、導電層が緻密な膜を構成しており、前記導電層下にある黄銅板が見えないことがわかった。実施例の導電層に含まれる銀、酸化ビスマス及びカーボンよりなる複合粉は、３９０℃程度では溶融しにくく、そのため図８の比較例に比較して前記バインダー樹脂の分解が抑制されていると考えられる。
【００７４】
次に、上記した組成よりなる比較例及び実施例のペースト状導電層を、２０μｍの膜厚で黄銅板上に所定のパターン形状でスクリーン印刷し、２６０℃で乾燥させた乾燥工程、３９０℃で６０分の焼成を行った焼成工程、３９０℃で９０分の焼成を行った焼成工程の各工程時の膜厚を測定した。
【００７５】
乾燥工程後の導電層の膜厚を実施例、比較例ともに１００％であるとすると、実施例では、３９０℃で６０分の焼成工程後及び３９０℃で９０分の焼成工程後の導電層の膜厚がともに９０％を確保することがわかった。一方、比較例では、３９０℃で６０分の焼成工程後の導電層の膜厚が７０％に落ち、さらに３９０℃で９０分の焼成工程後の導電層の膜厚は６０％に落ちることがわかった。これは、比較例の場合、焼成工程にて、銀粉が溶融し、その溶融による発熱によってバインダー樹脂の分解が進んでいるからであると考えられる。
【００７６】
次に、実施例及び比較例ともに、３９０℃で９０分焼成した後、接着テープにて黄銅板から導電層を剥離したときの前記黄銅板上の状態を観察した。すると実施例では前記黄銅板上に導電層が全く残存せず、前記導電層が全て接着テープに転写されたが、比較例では、前記黄銅板上に一部、導電層が残存し、前記導電層が全て接着テープ側に転写されないことがわかった。これにより比較例では、導電層のバインダー樹脂の分解が進み、前記導電層の膜強度が低下していることがわかった。
【００７７】
図１０は、実施例及び比較例の導電性ペーストに対するＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分析）の実験結果である。ＴＧ−ＤＴＡ測定器にはＳＩＩナノテクノロジー社製のＴＧ／ＤＴＡ６２００を使用した。
【００７８】
また実験で使用した実施例及び比較例の導電性ペーストは、図７，図８，図９の実験で使用したものと同じである。
【００７９】
図１０に示すように、比較例の銀粉による導電性ペーストは、ＤＴＡ曲線、及びＴＧ曲線から約３８０℃前後に溶融ピークを持つとともに重量減少が見られた。
【００８０】
また図１０に示すように、実施例の複合粉による導電性ペーストは、ＤＴＡ曲線、及びＴＧ曲線から約４４０℃前後に溶融ピークを持つとともに重量減少が見られた。
【００８１】
実験で示された溶融ピークは、実施例では複合粉の溶融ピーク、比較例では銀粉の溶融ピークに相当する。
【００８２】
よって実施例の複合粉は、４００℃前後の熱処理によっても溶融しにくくあるいは不溶であることがわかった。またバインダー樹脂の熱硬化温度は高くても４００℃程度（アセチレン末端ポリイソイミドオリゴマーを使用したとき）であるので、硬化温度にて熱処理を施しても、前記複合粉の溶融を適切に抑制できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本実施形態のエンコーダの構成を示す部分平面図、
【図２】図１に示すＡ−Ａ線から前記エンコーダを切断し、その切断面を矢印方向から見た断面図、
【図３】接点基板の製造方法を示すものであり、転写板に導電層を形成した状態の断面図、
【図４】図３の次に行われる工程図であり、基板を形成する工程を示す断面図、
【図５】図４の次に行われる工程図であり、転写板を剥離する工程を示す断面図、
【図６】他の実施形態の接点基板の断面図、
【図７】黄銅板上に、銀粉を含む比較例のペースト状導電層をスクリーン印刷し、２６０℃の温度下に曝して溶媒を蒸発させた乾燥工程後の膜表面の状態を示すＳＥＭ写真、
【図８】図７に示す比較例の導電層を、３９０℃で２時間の熱処理を施して、バインダー樹脂を熱硬化させた後の膜表面の状態を示すＳＥＭ写真、
【図９】黄銅板上に、銀、酸化ビスマス及びカーボンからなる複合粉を含む実施例のペースト状導電層をスクリーン印刷し、３９０℃で２時間の熱処理を施して、バインダー樹脂を熱硬化させた後の膜表面の状態を示すＳＥＭ写真、
【図１０】実施例及び比較例の導電性ペーストに対するＴＧ−ＤＴＡ曲線、
【図１１】従来の転写型基板の製造方法を示す一工程図（断面図）、
【図１２】図１１の次の工程を示す一工程図（断面図）、
【図１３】図１２の次の工程を示す一工程図であり、従来技術の問題点を指摘するための断面図、
【符号の説明】
【００８４】
１  接点基板（電子部品）
２  成形基板
２ｂ  表面
３  導電層
３ａ  コモン領域
３ｂ  Ａ相領域
３ｃ  Ｂ相領域
３ｄ  表面
４ａ  コモン摺動子
４ｂ  第１摺動子
４ｃ  第２摺動子
３０  転写板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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