(57)【要約】【課題】  リード線が断線することなく小型化が可能なスタックタイプの半導体装置を提供することである。【解決手段】  複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、該複数のデバイスは絶縁性接着剤で階段状に積層されて樹脂封止され、且つ各デバイスに形成された電極が露出した斜面を有しており、該電極と前記アウターリード端子とが斜面に沿ってリード線で接続されていることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、
該複数のデバイスは絶縁性接着剤で階段状に積層されて樹脂封止され、且つ各デバイスに形成された電極が露出した斜面を有しており、
該電極と前記アウターリード端子とが斜面に沿ってリード線で接続されていることを特徴とするスタックタイプの半導体装置。
【請求項２】
半導体装置の製造方法であって、
それぞれ電極を有する複数のデバイスを絶縁性接着剤で階段状にフレーム基板に積層する積層工程と、
積層された複数のデバイスを樹脂封止する樹脂封止工程と、
階段状の端部を研削して斜面を形成し、各デバイスに形成された電極を斜面に露出させる電極露出工程と、
斜面に露出した電極とフレーム基板に形成されたアウターリード端子とを斜面に沿ってリード線で接続する接続工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタックタイプの半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器、特に携帯電話市場における小型化の要求に伴い、搭載される半導体装置に対しても小型化が要求されている。この要求を満たすために、複数のデバイスを積層し更に樹脂封止したスタックタイプの半導体装置が開発されている（例えば、特開２００１−１１８８７７号参照）。
【０００３】
代表的なスタックタイプの半導体装置は、デバイスを支持するデバイス支持領域とデバイスの外周に形成された複数の電極と電気的に接続されるアウターリード端子とを有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層され、各デバイスの電極とアウターリード端子とが金線によって連結され、エポキシ樹脂等でパッケージングされて構成されている。
【特許文献１】特開２００１−１１８８７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のスタックタイプの半導体装置では、金線が下層デバイスのコーナーに接触して断線する恐れがあることから金線はアーチ状に湾曲して接続されており、比較的多くの金線が必要となりコスト高になるという問題がある。
【０００５】
また、アーチ状に湾曲した金線が樹脂でモールドされてパッケージングされるため、外径が比較的大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リード線が下層のデバイスのコーナーに接触して断線することがなく、樹脂モールドでのパッケージングを小型化できるスタックタイプの半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明によると、複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、該複数のデバイスは絶縁性接着剤で階段状に積層されて樹脂封止され、且つ各デバイスに形成された電極が露出した斜面を有しており、該電極と前記アウターリード端子とが斜面に沿ってリード線で接続されていることを特徴とするスタックタイプの半導体装置が提供される。
【０００８】
請求項２記載の発明によると、半導体装置の製造方法であって、それぞれ電極を有する複数のデバイスを絶縁性接着剤で階段状にフレーム基板に積層する積層工程と、積層された複数のデバイスを樹脂封止する樹脂封止工程と、階段状の端部を研削して斜面を形成し、各デバイスに形成された電極を斜面に露出させる電極露出工程と、斜面に露出した電極とフレーム基板に形成されたアウターリード端子とを斜面に沿ってリード線で接続する接続工程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、斜面に露出した各デバイスの電極とアウターリード端子とを斜面に沿ってリード線で接続するようにしたので、リード線が下層のデバイスのコーナーに接触して断線することがないと共に、使用するリード線を少なくできるので、コストの低減を図ることができる。更に、リード線がアーチ状に湾曲していないので、樹脂モールドでのパッケージングを小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、複数のバンプ電極４ａ，４ｂ，４ｃを有する第１デバイス２上にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）等の絶縁性接着剤１０を介して複数のバンプ電極８ａ，８ｂ，８ｃを有する第２デバイス６が階段状に積層され、更に第２デバイス６上にＤＡＦ等の絶縁性接着剤１６を介して複数のバンプ電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃを有する第３デバイス１２が階段状に積層されて積層デバイス１８を構成する。
【００１１】
２０はフレーム基板であり、デバイス支持領域２２と複数のアウターリード端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有している。積層デバイス１８をＤＡＦ等の絶縁性接着剤２６を介して、矢印Ａに示すようにフレーム基板２０のデバイス支持領域２２上に搭載することにより、図２に示す構成が得られる。
【００１２】
次いで、図３に示すように、エポキシ樹脂等で樹脂封止（パッケージング）２８した後、図４に示すように端部を研削して樹脂封止２８の端部に斜面３０を形成し、第１〜第３デバイス２，６，１２のバンプ電極４ａ〜４ｃ、８ａ〜８ｃ、１４ａ〜１４ｃを斜面３０に露出させる。
【００１３】
すなわち、樹脂封止２８と共に各バンプ電極４ａ〜４ｃ、８ａ〜８ｃ、１４ａ〜１４ｃを研削することにより、各バンプ電極を斜面３０に沿って削ぎ落として各バンプ電極４ａ〜４ｃ、８ａ〜８ｃ、１４ａ〜１４ｃを斜面３０に露出させることができる。
【００１４】
このように各バンプ電極を斜面３０に露出させた後、図５に示すようにリード線３２ａをバンプ電極４ａ，８ａ、１４ａにボンディング接続すると共に、アウターリード端子２４ａにボンディング接続することにより、各バンプ電極４ａ，８ａ，１４ａがリード線３２ａを介してアウターリード端子２４ａに接続される。
【００１５】
同様に、バンプ電極４ｂ，８ｂ，１４ｂがリード線３２ｂを介してアウターリード端子２４ｂに接続され、バンプ電極４ｃ，８ｃ，１４ｃがリード線３２ｃを介してアウターリード端子２４ｃに接続され、スタックタイプの半導体装置３４が完成する。尚、リード線３２ａ〜３２ｃとしては金線を採用するのが好ましい。
【００１６】
スタックタイプの半導体装置３４は以上詳述したように構成されているので、リード線３２ａ〜３２ｃが下層のデバイスのコーナーに接触して断線する恐れがないと共に、使用するリード線を少なくできるので、半導体装置のコストの低減を図ることができる。
【００１７】
また、リード線３２ａ〜３２ｃは斜面３０に沿って各バンプ電極にボンディング接続できるので、リード線３２ａ〜３２ｃを湾曲する必要がなく樹脂封止でのパッケージングを小型化できる。尚、リード線３２ａ〜３２ｃを樹脂で封止することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】積層デバイスをフレーム基板に搭載する様子を示す斜視図である。
【図２】フレーム基板に搭載された積層デバイスの斜視図である。
【図３】樹脂封止された状態の半導体装置の斜視図である。
【図４】端部に斜面を形成して各バンプ電極を斜面に露出させた状態の半導体装置の斜視図である。
【図５】各バンプ電極をアウターリード端子に接続した状態の半導体装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００１９】
２    第１デバイス
４ａ〜４ｃ    バンプ電極
６    第２デバイス
８ａ〜８ｃ    バンプ電極
１０，１６，２６    絶縁性接着剤
１２    第３デバイス
１４ａ〜１４ｃ    バンプ電極
２０    フレーム基板
２２    デバイス支持領域
２４ａ〜２４ｃ    アウターリード端子
２８    樹脂封止
３０    斜面
３２ａ〜３２ｃ    リード線
３４    スタックタイプの半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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