(57)【要約】【課題】部品点数を削減でき、かつ、ワイヤーグリッド型偏光素子を形成した時点で、ワイヤーグリッド型偏光素子の表面が平坦化され、かつ、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上可能な液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の対向基板５０には、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７が形成されており、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７は、透光性基板１０の一方の基板面１５に形成された複数列の溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれた構成を有している。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７において、透光性基板１０の基板面１５は、金属格子２０が形成されている領域、および金属格子２０が形成されていない領域の双方が連続した平滑面を構成している。【選択図】図２
2009080387.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置において、
前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、基板面に複数列の溝状凹部が形成されているとともに、当該溝状凹部内に埋め込まれた金属格子によってワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記溝状凹部は、前記金属格子によって完全に埋め込まれて、
前記基板面では、前記溝状凹部の形成領域および前記溝状凹部により挟まれた領域が連続した平坦面を形成していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記金属格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側の基板に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記対向基板に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置を用いた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に光を入射させる光源部と、
前記液晶装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項７】
画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置の製造方法において、
前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方に対して、その基板面に複数列の金属格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子を形成するにあたって、
前記基板面に対して、前記金属格子を形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記基板面にエッチングを施して当該基板面において前記溝状開口部と重なる領域に溝状凹部を形成するエッチング工程と、
前記金属格子を形成すべき金属膜により前記溝状凹部を埋める金属膜形成工程と、
前記基板面に研磨処理を施して、前記溝状凹部に前記金属膜を残す一方、前記溝状凹部からはみ出た前記金属膜を除去する研磨工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記マスク形成工程では、前記基板面に感光性樹脂を塗布した後、露光および現像を行なって前記エッチングマスクを形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記マスク形成工程では、前記基板面にマスク材料層を形成した後、型部材において前記溝状開口部に対応する部分に突起を備えた成形面を押し付けて前記突起の形成パターンを前記マスク材料層に転写し、前記溝状開口部が薄くなった前記エッチングマスクを形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記研磨工程では、前記研磨処理として化学機械研磨処理を行なうことを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ライトバルブを用いた投射型表示装置は、図９に示すように、光源部から出射された白色光を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の色光に分離した後、各色の液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に入射させ、各液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から出射された変調光をクロスダイクロイックプリズム１１９によって合成した後、投射光学系によって投射する。ここで、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の両側に貼られた防塵ガラス１０３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、１０４（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、入射側に位置する入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、出射側に位置する出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）とを有している。
【０００３】
また、投射型表示装置では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に対して、図１０（ａ）、（ｂ）に示すような反射型無機偏光板を接合して一体化したものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図１０（ａ）、（ｂ）に示す反射型無機偏光板は、透光性基板１０Ａの基板面に複数列の金属格子２０Ａを備えており、金属格子２０Ａのピッチ（周期）が入射光の波長より短ければ、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子２０Ａの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。かかるワイヤーグリッド型偏光素子１０７Ａは、従来、透光性基板１０Ａの基板面に金属膜を形成した後、金属膜の表面に、金属格子２０Ａを形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成し、この状態で、金属膜をパターニングすることにより、製造される。
【０００５】
また、エッチングマスクを形成するにあたっては、金属膜の表面に樹脂を塗布した後、型部材に形成した凹凸パターンを転写して、金属格子２０Ａを形成すべき領域に溝状開口部を備えたレジストマスクを得る方法もある。
【０００６】
ワイヤーグリッド型偏光素子１０７Ａでは、金属格子２０Ａは入射光の一部を吸収するため、金属格子２０Ａのピッチが入射光の波長より短い場合でも、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分を１００％透過することができない。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７Ａの性能は、「透過率（Transmittance）」および「コントラスト（Contrast）」で表される。「透過率」は、金属格子２０Ａの長手方向に対し垂直な方向に振動する偏光成分の透過率であり、「コントラスト」は、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子２０Ａの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値である。
【０００７】
ここで、「コントラスト」を高めるには、金属格子２０のピッチが入射光の波長に比べてかなり短くなければならず、「透過率」を高めるには、金属格子２０の幅寸法を狭くし、かつ、金属格子２０の幅寸法と厚さ寸法とが所定の条件を満たす必要がある。
【特許文献１】特開２００４−２４５８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来技術では、以下の問題点がある。まず、特許文献１のように、液晶パネルに対して反射型無機偏光板を接合して一体化したものでは、部品点数の削減を図ることができない。
【０００９】
また、図１０（ａ）、（ｂ）に示す反射型無機偏光板のように、透光性基板１０Ａの基板面に複数列の金属格子２０Ａを形成したものでは、表面に多数の凹凸があるため、表面を平坦化するには、別途、分厚い保護膜を形成した後、研磨するなどの工程が必要である。
【００１０】
さらに、図１０（ａ），（ｂ）に示す反射型無機偏光板では、金属膜に対するエッチングにより金属格子２０Ａを形成する必要があり、かかる方法では、金属格子２０Ａの幅寸法や厚さ寸法が金属膜に対するエッチング精度、金属膜を成膜した際の膜厚精度の双方の影響を受ける。このため、例えば、金属格子２０Ａのピッチを１４０ｎｍ程度とするのが限界であるなどの制約があるため、「透過率」および「コントラスト」については、図１１に示す性能を得るのが限界であり、「透過率」は、可視光帯域内で大きな差があるなどの問題点がある。それ故、従来のワイヤーグリッド型偏光素子１０７Ａを用いた液晶装置を投射型表示装置において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光に対するライトバルブとして用いた場合、赤色（Ｒ）の光については光量が低下するなどの問題点がある。
【００１１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、部品点数を削減可能な液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の課題は、ワイヤーグリッド型偏光素子を形成した時点で、ワイヤーグリッド型偏光素子の表面が平坦化されている液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
さらに、本発明の課題は、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上可能な液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置において、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、基板面に複数列の溝状凹部が形成されているとともに、当該溝状凹部内に埋め込まれた金属格子によってワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明では、素子基板および対向基板のうちの少なくとも一方にワイヤーグリッド型偏光素子が形成されているため、偏光板を少なくとも１枚省略でき、部品点数の削減を図ることができる。また、ワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の溝状凹部が形成され、当該複数列の溝状凹部内に金属格子が埋め込まれているため、ワイヤーグリッド型偏光素子を構成した時点で既に基板面が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子を形成した後、厚い透光膜を形成した後、その表面を研磨する必要がない。また、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の溝状凹部が形成され、当該複数列の溝状凹部内に金属格子が埋め込まれているため、金属膜に対するエッチングにより、金属格子を形成する必要がない。このため、金属格子の幅寸法およびピッチは、透光性基板の基板面に形成した溝状凹部の幅寸法およびピッチにより規定され、金属膜に対するエッチング精度の影響を受けないので、金属格子の幅寸法を７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍまで小さくでき、金属格子のピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。また、金属格子の厚さ寸法は、透光性基板の基板面に形成した溝状凹部の深さにより規定され、金属膜を成膜した際の膜厚精度の影響を受けないので、金属格子の厚さ寸法と幅寸法の比を例えば正確に１：１に設定することもできる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。
【００１６】
本発明では、画素電極および画素スイッチング素子が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを有する液晶装置の製造方法において、前記素子基板および前記対向基板のうちの一方に対して、その基板面に複数列の金属格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子を形成するにあたって、前記基板面に対して、前記金属格子を形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記基板面にエッチングを施して当該基板面において前記溝状開口部と重なる領域に溝状凹部を形成するエッチング工程と、前記金属格子を形成すべき金属膜により前記溝状凹部を埋める金属膜形成工程と、前記基板面に研磨処理を施して、前記溝状凹部に前記金属膜を残す一方、前記溝状凹部からはみ出た前記金属膜を除去する研磨工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
このような製造方法によれば、前記溝状凹部は、前記金属格子によって完全に埋め込まれて、前記基板面では、前記溝状凹部の形成領域および前記溝状凹部により挟まれた領域が連続した平坦面を形成している構成となる。
【００１８】
本発明において、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記金属格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上であることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側の基板に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が形成されていることが好ましい。この場合、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記対向基板に形成されていることが好ましい。言い換えれば、前記素子基板および前記対向基板のうち、前記液晶層によって変調される光が入射される側に対向基板が配置されていることが好ましい。
【００２０】
本発明に係る液晶装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部として用いることができるとともに、投射型表示装置においてライトバルブとして用いることができる。投射型表示装置は、前記液晶装置に光を入射させる光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、を有しており、光源部から出射された光を液晶装置によって光変調し、投射光学系により拡大投射することができる。この場合、３つの液晶装置を各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応するライトバルブとして用いた投射型表示装置に用いた構成を採用できる他、光源部から出射された光を、カラーフィルタを内蔵の液晶装置で光変調して投射光学系により拡大投射する構成を採用することもできる。これらいずれの投射型表示装置の場合でも、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子を用いれば、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
【００２１】
本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記マスク形成工程では、前記基板面に感光性樹脂を塗布した後、露光および現像を行なって前記エッチングマスクを形成する。本発明において、「露光」とは、紫外光による露光に限らず、極端紫外光（EUV：Extreme Ultra Violet）、電子線、Ｘ線などによる露光も含む意味である。
【００２２】
本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記マスク形成工程では、前記基板面にマスク材料層を形成した後、型部材において前記溝状開口部に対応する部分に突起を備えた成形面を押し付けて前記突起の形成パターンを前記マスク材料層に転写し、前記溝状開口部が薄くなった前記エッチングマスクを形成する構成を採用してもよい。かかる構成によれば、露光、現像などといった多大な手間や硬化な装置を用いなくてもエッチングマスクを形成することができる。
【００２３】
本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記研磨工程では、前記研磨処理として化学機械研磨処理を行なうことが好ましい。このように構成すると、溝状凹部からはみ出た金属膜を除去できるとともに、基板面自身も研磨できるため、基板面を平滑面に仕上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、以下の説明においては、図９〜図１１を参照して説明した構成との対比が分りやすいように、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００２５】
［投射型表示装置の構成例］
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した投射型表示装置（液晶プロジェクタ）の概略構成図、および液晶ライトバルブの概略構成図である。図１（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１（被投射面）に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する投影型の液晶プロジェクタである。投射型表示装置１１０は、光源１１２およびダイクロイックミラー１１３、１１４などを備えた光源部１５０と、後述する液晶装置からなる液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（色合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００２６】
光源部１５０において、光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００２７】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００２８】
液晶ライトバルブ１００（Ｒ）は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、λ／２位相差板１０２（Ｒ）、液晶パネル１０１（Ｒ）および出射側偏光板１０５（Ｒ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｒ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｒ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｒ）が各々貼り付けられている。なお、防塵ガラスは投射画像に対する塵などの写り込みを防止する。
【００２９】
本形態では、後述するように、液晶パネル１０１（Ｒ）自身に、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）は、入射側偏光板を備えていない。
【００３０】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｒ）に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。λ／２位相差板１０２（Ｒ）は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。液晶パネル１０１（Ｒ）は、それ自身に形成された偏光素子によってｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させ、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する。出射側偏光板１０５（Ｒ）は、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００３１】
液晶ライトバルブ１００（Ｇ）は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）と同様に、液晶パネル１０１（Ｇ）および出射側偏光板１０５（Ｇ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｇ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｇ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｇ）が各々貼り付けられている。
【００３２】
本形態では、後述するように、液晶パネル１０１（Ｇ）自身に、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ１００（Ｇ）は、入射側偏光板を備えていない。
【００３３】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｇ）に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。液晶パネル１０１（Ｇ）は、それ自身に形成された偏光素子によってｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させ、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。出射側偏光板１０５（Ｇ）は、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｇ）は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００３４】
液晶ライトバルブ１００（Ｂ）は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置であり、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）と同様に、λ／２位相差板１０２（Ｂ）、液晶パネル１０１（Ｂ）および出射側偏光板１０５（Ｂ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｂ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｂ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｂ）が各々貼り付けられている。
【００３５】
本形態では、後述するように、液晶パネル１０１（Ｂ）自身に、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光素子が形成されているため、液晶ライトバルブ１００（Ｂ）は、入射側偏光板を備えていない。
【００３６】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。λ／２位相差板１０２（Ｂ）は、液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。液晶パネル１０１（Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。出射側偏光板１０５（Ｂ）は、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｂ）は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００３７】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に向けて反射するように配置されている。
【００３８】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００３９】
なお、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｂ）からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１００（Ｇ）からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００４０】
［液晶ライトバルブの構成］
図２は、図１に示す投射型表示装置１１０において液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として用いた液晶装置の素子基板の画素１つ分の平面図、およびそのＣ−Ｃ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。なお、各液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の基本的な構成は略同一であるため、以下の説明では、対応する色の種類が関係ない場合には、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を単に「液晶ライトバルブ１００」とし、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を単に「液晶パネル１０１」として説明する。
【００４１】
図１（ｂ）に示す液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、全透過型の液晶装置１００であり、液晶パネル１０１では、石英基板や耐熱ガラス基板などを基材とする素子基板４０と、石英基板や耐熱ガラス基板などを基材とする透光性の対向基板５０とがシール材１０９によって所定の隙間を介して貼り合わされ、その隙間内に液晶層７０が封入されている。液晶層７０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、素子基板４０および対向基板５０に形成された配向膜により所定の配向状態をとる。液晶層７０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。対向基板５０は、光源部１５０から色光が入射する側に配置され、素子基板４０は、変調光の出射側に配置される。
【００４２】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板４０には、透光性基板４０ｂの表面側に透光性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ｃが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ｃは各々、直線的に延びている。また、データ線６ａと走査線３ｃとが交差する領域に薄膜トランジスタ４５が形成されている。また、素子基板４０上には、走査線３ｃと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ｃと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ｃとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４３】
素子基板４０は、表面に下地保護膜４０ｃが形成された石英基板やガラス基板などの透光性基板４０ｂ、その液晶層７０側の表面に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ４５、および配向膜４６を主体として構成されている。薄膜トランジスタ４５は、ＬＤＤ構造を有しており、半導体層１ａには、走査線３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。半導体層１ａは、多結晶シリコン層によって構成され、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａに対する熱酸化膜により形成されている。走査線３ｃは、不純物を含有する導電性の多結晶シリコン膜からなる。半導体層１ａは、例えば、透光性基板４０ｂに対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化された低温ポリシリコン膜（低温ポリシリコン膜）、１０００°を超える温度でアモルファスシリコン膜を多結晶化させた高温ポリシリコン膜、あるいは単結晶シリコン層である。なお、透光性基板４０ｂと下地保護膜４０ｃとの層間には、薄膜トランジスタ４５と重なる領域に遮光層が形成されることが好ましく、かかる遮光層を形成すれば、液晶パネル１０１から出射した光が反射して、薄膜トランジスタ４５のチャネル領域１ｇに入射するのを防止することができる。
【００４４】
走査線３ｃの上層側には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３を備えたシリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１の上層には中継電極４ａ、４ｂが形成されている。中継電極４ａは、走査線３ｃとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ｃおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されており、中継電極４ｂは、中継電極４ｂと離間した位置において、データ線６ａに沿うように形成されている。中継電極４ａは、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され、中継電極４ｂは、コンタクトホール８２を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００４５】
中継電極４ａ、４ｂの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜４２が形成されており、この誘電体膜４２を介して、中継電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、蓄積容量４７が形成されている。中継電極４ａ、４ｂは導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。
【００４６】
容量線５ｂの上層側には、中継電極４ａへ通じるコンタクトホール８７、および中継電極４ｂへ通じるコンタクトホール８１を備えたシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３が形成されている。第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール８１を介して中継電極４ｂに電気的に接続し、中継電極４ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール８７を介して中継電極４ａに電気的に接続し、中継電極４ａを介して、高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。
【００４７】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４４が形成され、第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール８６が形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ膜などからなる透光性の画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。画素電極９ａの表面には配向膜４６が形成されている。
【００４８】
（対向基板５０およびワイヤーグリッド型偏光素子の構造）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。
【００４９】
対向基板５０では、透光性基板１において液晶層７０が位置する側には、素子基板４０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３ａが形成され、その表面側には、平坦化膜２４、ＩＴＯ膜からなる対向電極２５、および配向膜２６が形成されている。
【００５０】
また、対向基板５０では、透光性基板１０において光源部１５０からの光が入射する側の基板面１５には、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７（反射型無機偏光板）が構成されている。さらに、対向基板５０には、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７を覆うように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる表面保護層３１が形成されている。さらにまた、対向基板５０には、表面保護層３１を覆うように反射防止層３２が形成され、かかる反射防止層３２は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば５層、積層された構造を備えている。
【００５１】
図２（ｂ）および図３（ａ）、（ｂ）において、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７は、透光性基板１０の一方の基板面１５に複数列の金属格子２０を備えている。金属格子２０は、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、タングステン、インジウム、ビスマス、それらの合金の単層膜あるいは多層膜などからなる遮光性の金属膜から構成されている。
【００５２】
また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７において、基板面１５には、金属格子２０に沿って複数列の溝状凹部１１が形成されており、複数列の溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれている。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７において、透光性基板１０の基板面１５は、金属格子２０が形成されている領域、および金属格子２０が形成されていない領域（溝状凹部１１で挟まれた領域）の双方が連続した平滑面を構成している。
【００５３】
本形態において、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７は、金属格子２０の幅寸法（溝状凹部１１の開口幅寸法）および金属格子２０の間隔がいずれも３５ｎｍであり、金属格子２０のピッチは７０ｎｍである。また、金属格子２０の厚さ寸法（溝状凹部１１の深さ寸法）も３５ｎｍであり、金属格子断面のアスペクト比（溝状凹部１１のアスペクト比）は１：１である。
【００５４】
なお、本形態では、透光性基板１０の基板面１５に、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７を覆うように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる表面保護層３１が形成され、その上層には、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば５層、積層された構造の反射防止層３２が形成されている。このような反射防止層３２を形成すると、反射損失を低くできるので、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７の「透過率」を向上することができる。
【００５５】
このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子１０７では、金属格子２０のピッチ（周期）は入射光の波長より短い場合、金属格子２０の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子２０の長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。
【００５６】
（ワイヤーグリッド型偏光素子１０７の製造方法）
以下、図４（ａ）〜（ｇ）を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７の製造方法を説明しながら、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７の構成を詳述する。図４（ａ）〜（ｇ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１０７の製造方法を示す工程断面図である。
【００５７】
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７を製造するには、まず、図４（ａ）に示すように、両面が平滑な透光性基板１０を準備する。
【００５８】
次に、透光性基板１０の両面のうち、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７の光入射面となる側の基板面１５にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。
【００５９】
それには、図４（ｂ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５に感光性樹脂６０を塗布した後、図４（ｃ）に示すように、露光マスク６４を介して感光性樹脂６０を露光させる。次に、感光性樹脂６０を現像し、しかる後に、ベーク処理を行なって、図４（ｄ）に示すように、金属格子２０を形成すべき領域に溝状開口部６２を備えたエッチングマスク６１（レジストマスク）を形成する。ここで、溝状開口部６２の開口幅寸法は３５ｎｍであり、溝状開口部６２の間に位置する部分の間隔は３５ｎｍであるため、溝状開口部６２のピッチは７０ｎｍである。なお、図４（ｃ）では、露光マスク６４を介してポジ型の感光性樹脂６０に紫外光を照射してエッチングマスク６１を形成したが、紫外光としては極端紫外光を用いてもよく、紫外光に代えて、電子線やＸ線などを感光性樹脂を露光してもよく、この場合、露光マスク６４を用いずに直接描画を行なってもよい。
【００６０】
次に、図４（ｅ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５にエッチングマスク６１を形成した状態のままで、透光性基板１０の基板面１５にエッチングを行い、溝状凹部１１を形成する。本形態では、かかるエッチングとして、フッ素および酸素を含有するエッチングガスを用いて異方性ドライエッチング、例えば、反応性イオンエッチング（ Reactive Ion Etching）を行なう。その結果、基板面１５において、エッチングマスク６１の溝状開口部６２において露出していた部分が３５ｎｍの深さにエッチングされて溝状凹部１１が形成される一方、エッチングマスク６１もエッチングされて薄くなる。
【００６１】
次に、図４（ｆ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５からエッチングマスク６１を除去した後、図４（ｇ）に示すように、基板面１５の全面に金属格子２０を形成すべき金属膜２１を形成し、金属膜２１によって、溝状凹部１１を完全に埋める。その際、金属膜２１は溝状凹部１１の外側にも形成される。本形態では、金属膜２１として、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、タングステン、インジウム、ビスマス、それらの合金の単層膜、あるいはこれらの金属の多層膜を真空蒸着法やスパッタ法などにより、３５ｎｍ以上の膜厚に形成する。
【００６２】
次に、透光性基板１０の基板面１５に研磨工程を行なって、溝状凹部１１に金属膜２１を残す一方、溝状凹部１１からはみ出た金属膜２１を除去し、図２（ｂ）および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、金属格子２０を形成する。本形態では、研磨工程において化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板１０を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板１０の基板面１５との間に供給する。なお、本形態では、透光性基板１０の基板面１５が露出するまで研磨を行なった後、透光性基板１０の基板面１５もわずかに研磨する。
【００６３】
次に、透光性基板１０の基板面１５に対して表面保護層３１を形成する。本形態では、表面保護層３１として、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などをＣＶＤ法やスパッタ法などにより形成する。また、透光性基板１０に対して、表面保護層３１を覆うように反射防止層３２を形成する。本形態では、反射防止層３２として、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とを交互に形成する。
【００６４】
その結果、透光性基板１０の基板面１５に形成された溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれているとともに、透光性基板１０の基板面１５に表面保護層３１および反射防止層３２が形成されたワイヤーグリッド型偏光素子１０７が完成する。
【００６５】
そして、透光性基板１０の反対側の基板面１６に遮光層２３ａや対向電極２５などを形成し、対向基板５０を得る。しかる後には、対向基板５０と素子基板４０とを貼り合わせた後、液晶層７０を封入し、液晶パネル１０１を得る。
【００６６】
（ワイヤーグリッド型偏光素子１０７の別の製造方法）
図５（ａ）〜（ｇ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１０７の別の製造方法を示す工程断面図である。
【００６７】
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７を製造するには、まず、図５（ａ）に示すように、両面が平滑な透光性基板１０を準備する。
【００６８】
次に、透光性基板１０の両面のうち、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７の光入射面となる側の基板面１５にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。
【００６９】
それには、図５（ｂ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５にマスク材料層６５としての感光性樹脂層を塗布した後、図５（ｃ）に示すように、ナノプリント用の型部材７０において突起７１を備えた成形面をマスク材料層６５に押し付けて突起７１の形成パターンをマスク材料層６５に転写する。その間、透光性基板１０の側からマスク材料層６５に紫外光を照射してマスク材料層６５を硬化させる。次に、型部材７０を透光性基板１０の側から引き離す。その結果、図５（ｄ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５には、突部７１に押圧されて薄くなった溝状開口部６７を備えたエッチングマスク６６が形成される。ここで、型部材７０の突起７１およびエッチングマスク６６の溝状開口部６７はいずれも、図２（ｂ）および図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１０７の溝状凹部１１に対応する寸法を有している。すなわち、型部材７０における突起７１の高さ、幅寸法、間隔はいずれも３５ｎｍであり、エッチングマスク６６の溝状開口部６２の深さ寸法、開口幅寸法、間隔はいずれも３５ｎｍである。
【００７０】
このような方法によれば、エッチングマスク６６を形成する際、露光、現像などといった多大な手間や高価な装置が必要な工程を必要としないという利点がある。なお、マスク材料層６５として熱硬化性樹脂層を形成した場合には、マスク材料層６５に型部材７０を押し付けている間に加熱し、マスク材料層６５を硬化させる。
【００７１】
次に、透光性基板１０の基板面１５にエッチングマスク６６を形成した状態のままで、透光性基板１０の基板面１５にエッチングを行い、溝状凹部１１を形成する。本形態では、かかるエッチングとして、フッ素および酸素を含有するエッチングガスを用いて異方性ドライエッチングを行なう。その結果、エッチングマスク６６がエッチングされていくうちに、エッチングマスク６６の溝状開口部６７に相当する部分では透光性基板１０の基板面１５が部分的に露出し、さらにエッチングを続けていくと、透光性基板１０の露出した部分が３５ｎｍの深さにエッチングされて、溝状凹部１１が形成される。
【００７２】
次に、図５（ｆ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５からエッチングマスク６６を除去した後、図５（ｇ）に示すように、基板面１５の全面に金属格子２０を形成すべき金属膜２１を形成し、金属膜２１によって、溝状凹部１１を完全に埋める。その結果、金属膜２１は溝状凹部１１の外側にも形成される。
【００７３】
次に、透光性基板１０の基板面１５に研磨工程を行なって、溝状凹部１１に金属膜を残す一方、溝状凹部１１からはみ出た金属膜２１を除去し、図２（ｂ）および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、金属格子２０を形成する。本形態でも、研磨工程において化学機械研磨を行ない、透光性基板１０の基板面１５が露出するまで研磨を行なった後、透光性基板１０の基板面１５もわずかに研磨する。
【００７４】
次に、透光性基板１０の基板面１５に対して表面保護層３１を形成する。本形態では、表面保護層３１として、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などをＣＶＤ法などにより、形成する。その結果、透光性基板１０の基板面１５に形成された溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれているとともに、透光性基板１０の基板面１５に表面保護層３１が形成されたワイヤーグリッド型偏光素子１０７が完成する。
【００７５】
（本形態の効果）
図６は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【００７６】
以上説明したように、本発明を適用した液晶装置１００では、対向基板５０の光入射側の基板面１５にワイヤーグリッド型偏光素子１０７が形成されているため、入射側偏光板を省略でき、部品点数の削減を図ることができる。
【００７７】
また、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７では、透光性基板１０の基板面に複数列の溝状凹部１１が形成され、複数列の溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれているため、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７を構成した時点で既に基板面１５が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子１０の表面に厚い透光膜を形成した後、その表面を研磨しなくても、平滑な基板面１５に表面保護層３１や反射防止層３２を均一な厚さに容易に形成することができる。
【００７８】
また、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１０７では、透光性基板１０の基板面１５に複数列の溝状凹部１１が形成され、複数列の溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれているため、金属膜に対するエッチングにより、金属格子２０を形成する必要がない。このため、金属格子２０の幅寸法およびピッチは、透光性基板１０の基板面１５に形成した溝状凹部１１の幅寸法およびピッチにより規定され、金属膜に対するエッチング精度の影響を受けないので、金属格子２０の幅寸法を７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍにまで小さくすることができ、金属格子２０のピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。
【００７９】
また、金属格子２０の厚さ寸法は、透光性基板１０の基板面１５に形成した溝状凹部１１の深さにより規定され、金属膜２１を成膜した際の膜厚精度の影響を受けないので、金属格子２０の厚さ寸法と幅寸法の比を例えば正確に１：１に設定することもできる。
【００８０】
それ故、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７は、図６に示すような透過率特性、およびコントラスト特性を備えており、金属格子２０の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の「透過率」が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上である。また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７は、金属格子２０の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子２０の長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値（コントラスト）が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって１７００００以上である。
【００８１】
よって、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１０７を備えた液晶装置１００を、図１を参照して説明したカラー表示用の投射型表示装置のライトバルブに用いると、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
【００８２】
（別の実施の形態）
上記形態では、対向基板５０において、光源部１５０からの光が入射する側の基板面１５にワイヤーグリッド型偏光素子１０７を形成したが、図７に示すように、対向基板５０において、光源部１５０からの光が出射する側の基板面１６（液晶層７０が位置する側の基板面）にワイヤーグリッド型偏光素子１０７を形成してもよい。この場合には、透光性基板１０の基板面１６に複数列の溝状凹部１１が形成され、複数列の溝状凹部１１内に金属格子２０が埋め込まれることになる。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子１０７を構成した時点で既に基板面１５が平坦である。従って、ワイヤーグリッド型偏光素子１０の表面に表面保護膜２２を形成した後、研磨などを行なわなくても、遮光層２３ａや対向電極２５などを形成することができる。
【００８３】
なお、透光性基板１０において光が入射する側の基板面１６には反射防止層３２を形成するのが好ましく、かかる反射防止層３２は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とが例えば５層、積層された構造を備えている。
【００８４】
また、図１（ａ），（ｂ）を参照して説明した液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１の両側に入射側防塵ガラス１０３および出射側防塵ガラス１０４が各々貼り付けられている構成であったが、図８に示すように、素子基板４０を構成する透光性基板４０ｂ、および対向基板５０を構成する透光性基板１０が各々、防塵ガラスとして機能するほど厚い基板を用いてもよく、この場合にも、厚い透光性基板１０にワイヤーグリッド型偏光素子１０を形成すればよい。
【００８５】
さらに、上記形態では、対向基板５０にワイヤーグリッド型偏光素子１０を形成したが、素子基板４０の方に形成してもよく、また、対向基板５０および素子基板４０の双方にワイヤーグリッド型偏光素子１０を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した投射型表示装置（液晶プロジェクタ）の概略構成図、および液晶ライトバルブの概略構成図である。
【図２】図１に示す投射型表示装置において液晶ライトバルブ（液晶装置）に用いた素子基板の画素１つ分の平面図、およびそのＣ−Ｃ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。
【図４】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の別の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【図７】図１に示す投射型表示装置に用いられる別の液晶ライトバルブ（液晶装置）の断面図である。
【図８】本発明を適用した投射型表示装置（液晶プロジェクタ）に用いられる別の液晶ライトバルブの概略構成図である。
【図９】従来の投射型表示装置（液晶プロジェクタ）に用いられる別の液晶ライトバルブの概略構成図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、従来のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。
【図１１】従来のワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８７】
１０・・透光性基板、１１・・溝状凹部、１５・・基板面、２０・・金属格子、４０・・素子基板、５０・・対向基板、１００・・液晶装置、１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・液晶ライトバルブ、１０７・・ワイヤーグリッド型偏光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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