(57)【要約】【課題】所望の実効電圧値を得る際、休止期間のない矩形波交流を生成し、脈動の重畳しない光学装置を提供することを目的とする。【解決手段】光束を出射するレーザ光源と、偏光ビームスプリッタと、レーザ光源と偏光ビームスプリッタとの間に、レーザ光源から出射される光束の偏光状態を変える、液晶層を透明電極で挟持する液晶光学素子と、電源からの出力電圧をパルス幅変調した変調電圧を液晶光学素子に供給する液晶駆動部と、を備え、液晶駆動部を制御することによって、偏光ビームスプリッタを透過する光束と、反射する光束との光量比を切り替える光学装置であって、上記変調電圧が、レーザ光源から出射される光束の波長λに対して位相差がλ／２となる第１の電圧と、液晶層でフレデリクス転移を起こさない第２の電圧であり、この第１の電圧を、休止期間を有さない矩形波出力の電圧とした。【選択図】図１
2009098597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光束を出射するレーザ光源と、
偏光ビームスプリッタと、
前記レーザ光源と前記偏光ビームスプリッタとの間に、前記レーザ光源から出射される光束の偏光状態を変える、液晶層を透明電極で挟持する液晶光学素子と、
電源からの出力電圧をパルス幅変調した変調電圧を、前記液晶光学素子に供給する液晶駆動部と、を備え、
前記液晶駆動部を制御することによって、前記偏光ビームスプリッタを透過する光束と、反射する光束との光量比を切り替える光学装置であって、
前記変調電圧は、前記レーザ光源から出射される光束の波長λに対して位相差がλ／２となる第１の電圧と、前記液晶層でフレデリクス転移を起こさない第２の電圧であり、
前記第１の電圧は、休止期間を有さない矩形波出力の電圧である
ことを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記第１の電圧である前記矩形波出力の電圧を、前記パルス幅変調した変調電圧を第１の抵抗体によって分圧して形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記第１の抵抗体は、前記液晶光学素子の前記透明電極に前記変調電圧を供給するための引出配線に形成される
ことを特徴とする請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記引出配線に形成される前記第１の抵抗体に、第２の抵抗体を直列に接続し、前記第１の抵抗体および第２の抵抗体の両側に電極端子部を配し、各電極端子部から前記液晶層に給電を行えるようにした
ことを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項５】
前記引出配線に形成される前記第１の抵抗体の抵抗接続部から、第２の抵抗体を引き出し、前記第１の抵抗体に給電を行うための電極端子部と、当該第２の抵抗体を介して前記第１の抵抗体に給電を行うための他の電極端子部をそれぞれ配した
ことを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項６】
前記引出配線に形成される前記第１の抵抗は、前記液晶層に位相変調を与えるための位相変調電極の最外周に設けられる
ことを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項７】
前記偏光ビームスプリッタから出射する光束を、対物レンズを介して光ディスクに集光し、
当該光ディスクからの反射光を、前記偏光ビームスプリッタで反射して受光器に導く様に構成し、
前記光ディスクへ照射される光束の光量を調整する
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光源と偏光ビームスプリッタと、レーザ光源と偏光ビームスプリッタとの間に、レーザ光源から出射される光束の偏光状態を変える液晶光学素子と、電源からの出力電圧をパルス幅変調した変調電圧を、液晶光学素子に供給する液晶駆動部とを備える光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光源は高輝度であり可干渉性を持つ高品質な光源であるが、出射される光束に雑音成分を持っている。この雑音成分は、レーザ光源から出射される光束の光量に依存しており、一般に出射される光束の光量が減少するにつれて、雑音成分の相対的な比率が増大することが知られている。特に、出力定格の大きなレーザ光源を用いて、小さな光量で情報の伝達を行う場合に、雑音成分により正確な情報伝達が行われない等、大きな影響が出る。
【０００３】
この光学装置の一構成例として光ピックアップ装置が挙げられる。この光ピックアップ装置は、複数の記録層を有する光ディスクの記録・再生が可能になっていて、複数の記録層を持つディスク記録時には、大きな光量が必要となるため出力定格の大きなレーザ光源が必要となる。一方、単層の記録層を有するディスク再生時には、小さな光量が必要となる。この場合、雑音成分が相対的に大きくなり、正確な再生ができなくなる。
【０００４】
そこで、雑音成分の比率を一定値以下に抑えるため、レーザ光源の光量を一定値以上に保ちつつ、さらに小さい光量を出射可能な光学装置が提案された。（例えば、特許文献１参照のこと）。
【０００５】
この従来の光学装置の構成について詳細に説明する。図１７は、従来の光学装置の構成を示す図面である。
【０００６】
図１７に示す従来の光学装置は、光束を出射するレーザ光源１、液晶光学素子２と、偏光ビームスプリッタ３とを備える。また、この従来の光学装置は、液晶光学素子２を駆動する液晶駆動部４とこの液晶駆動部４に電圧を供給する電源を備える。レーザ光源１、液晶光学素子２、偏光ビームスプリッタ３は、レーザ光源１から出射される光束の光軸を中心に配置される。
【０００７】
液晶光学素子２は、液晶駆動部４により生成された駆動電圧によりレーザ光源１から出射された光束の偏光状態を変化させる。この光束は、偏光ビームスプリッタ３に入射し、光束の偏光状態を反映して光束が分離され、その一方の光束は直進し、もう一方は偏光ビームスプリッタ内の反射面で反射され、レーザ光源１の光軸から外れる。
【０００８】
上記した偏光ビームスプリッタ３を直進する光束の光量を出射光量とし、この出射光量と液晶駆動部４から出力される実効電圧との関係を図１８に示す。以下、説明を明確にするために、液晶光学素子２の表面反射と光吸収を無視し、偏光ビームスプリッタ３は理想的であると仮定する。
【０００９】
図１８に示す様に、液晶光学素子２の液晶層がフレデリクス転移を起こす電圧Ｖｔｈ以下の実効電圧では、出射光量はレーザ光源１の出射する光束の光量に等しく、出射光量曲線１００１は直線となる。一方、液晶駆動部４から出力される実効電圧がＶｔｈより大きい場合、レーザ光源１から出射される光束の光量に比べて小さな出射光量となる。また、
この出射光量曲線１００１が最低値をとる実効電圧値をＶλ／２とすると、この実効電圧値において出射光量曲線１００１は極値となり、環境温度や電圧変化などに対して出射光量が変化し難い特性となる。このことから、Ｖｔｈ以下の実効電圧とＶλ／２を切り替えることにより、安定した２つの出射光量を得ることができる。
【００１０】
この従来の光学装置の構成によれば、レーザ光源１の光量を一定値以上に保ったまま、光学装置から出射する光束の光量をさらに小さくすることが可能であり、雑音成分の比率は一定値以上にはならない。 
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−３９００４号公報（第３−４頁、第１−２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載の光学装置における液晶駆動部４では、電源の出力電圧をパルス幅変調し、駆動電圧に休止期間を有する所望の駆動電圧を生成するため、駆動期間と休止期間との関係で、光学装置から出射される光束の光量が脈動してしまうという問題があった。
【００１３】
この休止期間と光量の脈動に関して図１８、図１９を用いて説明をする。図１９は、従来の光学装置に印加する駆動波形と、そのときの出射光量の時間変化を示す図面である。なお、以下の説明では、図１８中に示される出射光量曲線１００１上におけるＶｔｈ以下である実効電圧の一点をＡ１点、Ｖλ／２を極小値Ｂ１としている。また、このＡ１点における液晶駆動部から出力される電圧と出射光量との時間変化を図１９（Ａ）に示し、同様に極小値Ｂ１における液晶駆動部から出力される電圧と出射光量との時間変化を図１９（Ｂ）に示す。
【００１４】
図１９（Ａ）に示す、Ａ１点における電圧時間変化曲線１１１１は、正負電源出力電圧（±Ｖｏ）が印加される期間と休止期間とを含む矩形波出力の交流電圧である。このときのＡ１点における光量時間変化曲線１１０１は、時間に対して変化せず一定値を取る。これは、電圧変化曲線１１１１が示す実効電圧がＶｔｈ以下であるため、液晶光学素子２はレーザ光源１から出射される光束の偏光に変化を及ぼす機能が発現されていないためである。
【００１５】
それに対し、図１９（Ｂ）に示す、極小値Ｂ１における電圧時間変化曲線１１１２は、Ａ１点における電圧時間変化曲線１１１１と同様に、±Ｖｏが印加される期間と休止期間とを含む矩形波出力の交流電圧であるが、極小値Ｂ１の実効電圧がＡ１点より高いことから、極小値Ｂ１の休止期間はＡ１点より短くなる。そのときの極小値Ｂ１における光量時間変化曲線１１０２は、Ａ１点の光量時間変化曲線１１０１と大きく異なり、平均光量を中心にして光量が脈動していることが判る。この脈動は、電圧変化曲線１１１２と同期して起こっている。このとき電圧変化曲線１１１２が示す実効電圧値はＶｔｈを超えており、液晶光学素子２は、レーザ光源１から出射される光束の偏光に変化を及ぼす機能が発現されている。この場合、液晶光学素子２に含まれる液晶層は、実効電圧だけでなく瞬間的な電圧にも反応し、光量の脈動が重畳すると考えられる。
【００１６】
そこで、本発明の光学装置は上記課題を解決し、所望の駆動電圧を得る際、脈動の重畳しない光学装置を提供することを目的とする。 
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の光学装置は、基本的に下記記載の構成を有するものである。
【００１８】
本発明の光学装置は、光束を出射するレーザ光源と、偏光ビームスプリッタと、レーザ光源と偏光ビームスプリッタとの間に、レーザ光源から出射される光束の偏光状態を変える、液晶層を透明電極で挟持する液晶光学素子と、電源からの出力電圧をパルス幅変調した変調電圧を、液晶光学素子に供給する液晶駆動部とを備える。そして、この液晶駆動部を制御することによって、偏光ビームスプリッタを透過する光束と、反射する光束との光量比を切り替える。なお、このときの変調電圧は、レーザ光源から出射される光束の波長λに対して位相差がλ／２となる第１の電圧と、液晶層でフレデリクス転移を起こさない第２の電圧であり、第１の電圧は、休止期間を有さない矩形波出力の電圧とする。
【００１９】
また、前述した光学装置において、第１の電圧である矩形波出力の電圧を、パルス幅変調した変調電圧を第１の抵抗体によって分圧して形成することができる。
【００２０】
また、前述した第１の抵抗体が、液晶光学素子の透明電極に変調電圧を供給するための引出配線に形成されるのが好ましい。
【００２１】
また、前述した引出配線に形成される第１の抵抗体に、第２の抵抗体を直列に接続し、この第１の抵抗体および第２の抵抗体の両側に電極端子部を配し、各電極端子部から液晶層に給電を行えるようにしても良い。
【００２２】
また、上記引き出し配線に形成される第１の抵抗体の抵抗接続部から、第２の抵抗体を引き出し、第１の抵抗体に給電を行うための電極端子部と、当該第２の抵抗体を介して第１の抵抗体に給電を行うための他の電極端子部をそれぞれ配する構成としても良い。
【００２３】
また、本発明の光学装置は、前述した引出配線に形成される第１の抵抗体が、液晶層に位相変調を与えるための位相変調電極の最外周に設けられることを特徴とするものである。
【００２４】
また、本発明の光学装置は、前述した光学装置が偏光ビームスプリッタから出射する光束を、対物レンズを介して光ディスクに集光し、光ディスクからの反射光を、偏光ビームスプリッタで反射して受光器に導く様に構成し、光ディスクへ照射される光束の光量を調整することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の光学装置によれば、所望の実効電圧を得る際、休止期間のない実効電圧を生成しているので、脈動の重畳しない光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の光学装置の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
[本発明の光学装置の構成例の説明：図１]
図１に示す様に、本発明の光学装置１００は、レーザ光源１と、液晶光学素子２と、偏光ビームスプリッタ３とを備えている。この光学装置１００を構成する、レーザ光源１と、液晶光学素子２と、偏光ビームスプリッタ３は、レーザ光源１から出射される光束の光軸に沿って直線状に配置される。またこの光学装置１００は、液晶光学素子２を駆動する液晶駆動部４と、液晶駆動部４に電力を供給する電源を備える。
【００２８】
上記レーザ光源１は、３−５族化合物半導体レーザであり、ＧａＮ系、ＩｎＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系などを含む可視光から近赤外領域に発光帯を持つ光源である。
【００２９】
上記液晶光学素子２は、透明電極を有する平板状基板により液晶層を挟持したものであり、レーザ光源１から出射される直線偏光である光束の偏光状態を変化させる機能を持つ。この液晶光学素子２の構造と機能についての詳細は、後述する。
【００３０】
上記偏光ビームスプリッタ３は、２つの直角プリズムの間に誘電体多層膜を有するものであり、入射する光束をＰ波成分を透過し、Ｓ波成分を反射する機能を持つ。
【００３１】
上記液晶駆動部４には、パルス幅変調器と抵抗体４０１と抵抗体４０２とからなる抵抗分圧器４００を備える。この抵抗分圧器４００は、パルス幅変調器の出力電圧を抵抗分圧し、所望の実効電圧を得る際、休止期間のない矩形波出力の交流電圧を形成する。この液晶駆動部４の機能および具体的構成についての詳細は、後述する。
【００３２】
[液晶光学素子の構成の説明：図２〜図４]
まず、液晶光学素子２の構造と機能について図２を用いて説明する。図２（Ａ）は液晶光学素子２の平面図であり、図２（Ｂ）は液晶光学素子２の断面図である。
【００３３】
図２（Ａ）（Ｂ）に示す様に、液晶光学素子２は、透明性の平板状基板２１０で、シール材２４０を介して液晶層２５０を挟持して構成される。この液晶層２５０には、ネガ型またはポジ型のネマチック液晶を用いる。また、平板状基板２１０の液晶層側面には、透明電極膜２２０と、無機材料または有機材料からなる配向膜２３０が形成される。また、平板状基板２１０のどちらかに、図１で示した液晶駆動部４の電圧を供給するための電極端子部２２３を有する。
【００３４】
そして、透明電極膜２２０は、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛などからなり、蒸着法、またはスパッタ法等により形成される。透明電極膜２２０をパターン化することにより、位相変調電極２２１、および引出配線部２２２、電極端子部２２３が形成される。この電極端子部２２３を介して、この位相変調電極２２１に液晶駆動部４からの出力電圧を加えることにより、液晶層２５０に交流電場を印加することができる様になっている。
【００３５】
また、図２（Ｂ）に示したように、上記透明電極膜２２０上には、配向膜２３０が、例えば無機配向膜としてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などを用いて、斜方蒸着、スパッタ法、印刷法などを利用して形成されている。また、これに代えて、有機配向膜としてポリイミドなどを用いて、印刷法などにより形成することもできる。斜方蒸着以外の方法で形成された配向膜表面は、液晶分子の方位角およびプレチルト角を規制するため、所定の方向に配向処理される。配向処理としては、イオンビーム照射法、ラビング法などの手法を用いることができ、配向処理により液晶分子の方位角と配向処理方向は一致する。
【００３６】
また、液晶層２５０としてポジ型またはネガ型のネマチック液晶を用いることができる。特に、無機配向膜とネガ型のネマチック液晶を用い、液晶分子が配向膜面に対してほぼ垂直に配向するホメオトロピック配向となるものが適している。それは、有機配向膜とポジ型のネマチック液晶を用いるホモジニアス配向に比べ、青色可視光領域の光照射に対して極めて高い耐光性を示すからである。
【００３７】
また、液晶層２５０の液晶分子は、電極端子部２２３を介して印加される実効電圧の大きさにより、方位角を保ったままチルト角が大きく変化される。ホメオトロピック配向をとるネガ型のネマチック液晶の場合は、印加される実効電圧がない場合、液晶分子は平板状基板に対してほぼ垂直に配向するが、印加される実効電圧が高くなるにつれて水平方向に傾いていく。ホモジニアス配向をとるポジ型のネマチック液晶の場合は、印加される実効電圧がない場合、液晶分子は平板状基板に対してほぼ水平に配向するが、印加される実効電圧が高くなるにつれて垂直に立ち上がっていく。
【００３８】
上記のように液晶層２５０に実効電圧を印加することにより、液晶分子のチルト角を変化させることができ、これにより、液晶分子の方位角の屈折率が変化する。通常、液晶分子の方位角と配向処理方向は一致するため、実効電圧を印加することにより配向処理方向の屈折率が変化することとなる。
【００３９】
この作用により、液晶光学素子２に入射した光束は、配向処理方向の偏光成分と配向処理方向に垂直な偏光成分との間に、液晶光学素子２への印加される実効電圧により、設定された位相差を加えることができる。特に、この位相差がλ／２となる時の実効電圧値が重要であり、この実効電圧値をＶλ／２で表す。
【００４０】
次に、光学装置に備える抵抗分圧器の具体的な構成例について説明する。図３は、この液晶光学素子２に設ける抵抗分圧器の構成例を示す図面である。また、図４は、液晶光学素子２に設ける抵抗分圧器の他の構成例を示す図面である。
【００４１】
上述した説明では、抵抗分圧器４００と液晶光学素子２とを分離して取り扱われているが、液晶光学素子２に抵抗分圧器４００を内蔵しても良い。例えば、図３に示すように、引出配線部２２２の透明電極膜を微細にパターン化し、抵抗体４０１、４０２を形成しても良い。この様に構成すれば、複数の異なる設計の液晶光学素子２に対して、液晶駆動部４を共通部品として使用することができる。
【００４２】
また、図４に示すように、抵抗体４０１、４０２を、位相変調電極２２１の最外周に配した引出配線部２２２の途中に形成しても良い。この様に構成すれば、図３の形態と同様に、複数の異なる設計の液晶光学素子２に対して、液晶駆動部４を共通部品として使用することができる。
【００４３】
さらに、位相変調電極２２１の最外周に位置する引出配線部２２２を利用することにより、抵抗体４０１、４０２のパターンが微細でなく、比較的容易に形成できる。また、本形態によれば、ここで設定する抵抗設定の誤差が少なくなるという利点がある。
【００４４】
[液晶光学素子の機能の説明：図１、図５〜図７]
次に、液晶駆動部４の機能について詳細に説明する。液晶駆動部４は、電源からの出力電圧をパルス幅変調器により変調し、抵抗分圧器により適当な電圧値に分圧し、その出力電圧を液晶光学素子２へ供給する。この電源から液晶駆動部４の出力までを、順に図５に示した電圧時間変化曲線を用いて説明する。
【００４５】
図５（Ａ）に電源の電圧時間変化曲線５１１を示す。電源電圧は、通常直流３．３Ｖまたは直流５．０Ｖなどであるため、時間に対して変化せず一定値となる。図中では、電源の出力電圧をＶｏと表記した。
【００４６】
上記電源電圧Ｖｏは、パルス幅変調器により変調され、パルス幅変調器の電圧時間変化曲線５１２（図５（Ｂ））となる。パルス幅変調器の電圧時間変化曲線５１２は、一定の周期を持ち、その中に±Ｖｏの電圧が印加される期間と、電圧が印加されない休止期間を含む矩形波出力の交流電圧である。一般的にパルス幅変調器は、一定の周期に含まれる休止期間の比率を変化させることにより、実効電圧を０ＶからＶｏまで連続的に変化させることができる。休止期間と図中の周期が同じとき、すなわち全てが休止期間となるときに実効電圧０Ｖとなり、その状態からの休止期間の減少に伴い実効電圧が増加し、休止期間がないとき実効電圧がＶｏとなる。
【００４７】
ここでパルス幅変調器の出力電圧は、抵抗分圧器４００により分圧され、抵抗分圧器４
００の電圧時間変化曲線５１３（図５（Ｃ））となる。ただし、抵抗体４０１、４０２の電気抵抗（Ｒ４０１、Ｒ４０２）は、
Ｖλ／２＝Ｒ４０１／（Ｒ４０１＋Ｒ４０２）×Ｖｏ  ・・・（１）
を満たす抵抗値とした。
【００４８】
このように抵抗体４０１、４０２を決定すれば、パルス幅変調器の電圧時間変化曲線５１２では±Ｖｏであった電圧印加期間が、抵抗分圧器４００の電圧時間変化曲線５１３では±Ｖλ／２の電圧印加期間となる。この様に駆動することができる液晶駆動部４を用いれば、休止期間の比率を変化させることにより、実効電圧を０ＶからＶλ／２まで連続的に変化させることができる。また、上記の液晶駆動部４によれば、実効電圧Ｖλ／２を出力する電圧時間変化曲線中に休止期間を含まない。
【００４９】
なお、上記の抵抗体４０１、４０２の設定の際に、電気抵抗比Ｒ４０１／Ｒ４０２は決定できるが、合成抵抗Ｒ４０１＋Ｒ４０２は任意となる。合成抵抗Ｒ４０１＋Ｒ４０２は、パルス幅変調器の内部抵抗、液晶光学素子２の配線抵抗および容量などの影響を少なくするため、数十ｋΩから数ＭΩまでが適当である。この抵抗体４０１、４０２の具体的な抵抗値の設定方法については、後述する。
【００５０】
次に、上記の液晶光学素子２および液晶駆動部４を備えた光学装置の機能を、図１に基づき説明する。
図１に示した光学装置１００の一例として、レーザ光源１の偏光方向と、液晶光学素子２の配向処理方向とのなす角を２２．５度とし、レーザ光源１の偏光方向と偏光ビームスプリッタ３のＰ波方向とを一致させたものを用意する。なお、光学装置１００からの出射光として、偏光ビームスプリッタ３のＰ波成分とし、レーザ光源１から出射される光束の光量に対する出射光の光量の割合を、出射光量率とする。液晶層にはホメオトロピック配向をとるネガ型液晶であるとした。また簡単のため、偏光ビームスプリッタ３は理想的なものとし、液晶光学素子２に対しては表面反射と光吸収を無視した。
【００５１】
図６に、液晶駆動部４の出力実効電圧と、光学装置からの出射光量率との関係を示す。図中、液晶駆動部４の実効電圧をＶ１とし、液晶層がフレデリクス転移を起こす電圧をＶｔｈとした。
【００５２】
図６に示す様に、Ｖ１がＶｔｈより小さい場合、液晶分子はチルト角を変化させないため、出射光量率曲線６０１は変化せず１００％となる。一方、Ｖ１がＶｔｈより高い場合、液晶分子のチルト角が変化し、出射光量率曲線６０１が減少に転じる。そして、Ｖ１＝Ｖλ／２のとき、液晶光学素子２はλ／２波長板と同等な機能となり、出射光量率が最低値である５０％となる。
【００５３】
また、Ｖ１＝Ｖλ／２では出射光量率曲線６０１が極小値をとり、環境温度の変化や液晶層厚み誤差による影響が極めて小さくなる。従って、光学装置１００から出射する光束の光量が安定化する。
【００５４】
ここで、出射光量率曲線６０１上におけるＶｔｈ以下である実効電圧の一点をＡ２点、Ｖλ／２を極小値Ｂ２とする。Ａ２点における液晶駆動部４から出力される電圧と、出射光量との時間変化の関係を図７（Ａ）に示し、同様に、極小値Ｂ２における、液晶駆動部から出力される電圧と、出射光量との時間変化の関係を図７（Ｂ）に示す。
【００５５】
図７（Ａ）に示す様に、Ａ２点における電圧時間変化曲線７１１は、±Ｖλ／２が印加される期間と休止期間とを含む矩形波出力の交流電圧である。このとき、Ａ２点における光量時間変化曲線７０１は、時間に対して変化せず一定値を取る。
【００５６】
それに対し、極小値Ｂ２点における電圧時間変化曲線７１２は、±Ｖλ／２が印加される期間のみであり休止期間がない。従って、極小値Ｂ２においても光量時間変化曲線７０２は時間に対して変化せず、脈動のない一定値を取る。
【００５７】
上記に示した本光学装置の一例では、出射光量率を５０％と１００％とで切り替えが可能で、かつ休止期間のない矩形波交流を生成し、脈動の重畳しない光学装置について説明したが、レーザ光源１の光束の偏光方向と液晶光学素子２の配向処理方向とのなす角（=θ）を０度から９０度まで変化させることにより、出射光量率１００×ｃｏｓ２（２θ）％と、１００％の光量とに切り替え可能となる。
【００５８】
なお、本形態では抵抗分圧器４００を用いたが、抵抗分圧器４００を用いず、Ｖｏ＝Ｖλ／２を満たす電源を用いても同様な効果を得ることができる。
【００５９】
[光学装置の構成の説明：図８]
ここで、上述した光学装置１００を備えた光ピックアップ装置の構成について説明する。図８は、本発明の光学装置を組み込んだ光ピックアップ装置の構成を示す図面である。
【００６０】
図８に示す様に、前述した光学装置１００を組み込んだ光ピックアップ装置は、光学装置１００から出射する光束を、コリメートレンズ５により平行光化し、λ／４板６を透過し対物レンズ７を介して光ディスク８に集光し、光ディスク８からの反射光を、偏光ビームスプリッタ３で反射し、集光レンズ９を介して受光器１０に導く様に構成される。
【００６１】
特に、多層記録再生可能な光ピックアップ装置では、高出力のレーザ光源１を用いる場合が多く、小さな光量が必要な再生時に雑音成分が大きくなり正確な再生ができない問題がある。この様なときに、本光学装置１００の構成を適用すれば、レーザ光源１の光量を一定値以上に保ちつつ、再生時の小さな光量を得ることが可能となる。
【００６２】
なお、本発明の光学装置は、上述した光アッテネータとしての使い方だけでなく、液晶光学素子２と偏光ビームスプリッタ３により光路を切り替える使い方（以下、光スイッチという。）にも適用できる。この様な使い方をすれば、ブルーレイ（登録商標）ディスクとＨＤ−ＤＶＤ（登録商標）との互換性を持つ光ピックアップ装置に対して有用となる。
【００６３】
[液晶光学素子における抵抗分圧器の設定について]
次に、図３で示した、抵抗分圧器４００を内蔵した液晶光学素子２における、抵抗体４０１、４０２の抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の具体的な設定方法について説明する。
【００６４】
上記図３に示した液晶光学素子２の構成によれば、抵抗分割方式を用いて光学的な脈動のない光学アッテネータや偏光方向切り替えを行なうことが可能となるが、実際の素子製作上では透明導電膜のよる抵抗体４０１、４０２の抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗値バラツキや、液晶層の厚み精度などの誤差成分を考慮する必要がある。この抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗バラツキや、液晶層の厚み誤差は、素子に入力される一定の入力電圧に対して、正確なλ／２板として動作させる上で障害となる。
【００６５】
まず、抵抗体４０１、４０２における抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗バラツキについて説明する。
この抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗値のバラツキについては、現在の工業的に利用可能な成膜工程では、シート抵抗値の絶対値で±２５〜５０％程度、１枚の大判のガラス内の相対値で、±５〜１０％程度の誤差がある。また、光学ピックアップ装置などで使用される液晶光学素子における抵抗バラツキは、１０ｍｍ角以下のサイズの小さな面積内で±５
％程度の誤差が残る。この±５％程度の誤差は、先に示した抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗分割の分割精度の悪化を招く。
【００６６】
この抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗分割の分割比は、図３に示したＲ４０１、Ｒ４０２の設定で決まり、Ｒ４０１両端より出力を得る回路での分割比Ｐは、
Ｐ＝Ｒ４０１／（Ｒ４０１＋Ｒ４０２）  ・・・（２）
となる。
【００６７】
これに対して、ワーストケースの誤差となるＲ４０２が＋Ｎ％、Ｒ４０１が−Ｎ％変化した時の分割比をＰ１とし、Ｒ４０２が−Ｎ％、Ｒ４０１が＋Ｎ％変化した時の分割比をＰ２としたとき、
Ｐ１＝Ｒ４０２（（１００＋Ｎ）／１００）／（Ｒ４０２（（１００＋Ｎ）／１００）＋Ｒ４０１（（１００−Ｎ）／１００））  ・・・（３）
Ｐ２＝Ｒ４０２（（１００−Ｎ）／１００）／（Ｒ４０２（（１００−Ｎ）／１００）＋Ｒ４０１（（１００＋Ｎ）／１００））  ・・・（４）
となる。
【００６８】
ここで抵抗バラツキが±５％の場合（Ｎが５）での、元の分圧比ＰとＰ１、Ｐ２の誤差を計算した結果を、図９に示す。図９は、本発明に係る２つの抵抗体４０１、４０２における抵抗Ｒ４０１、Ｒ４０２の抵抗誤差と分割誤差との関係を示す図面である。
【００６９】
図９に示すように、元の分圧比Ｐの分割誤差が５０％付近で最も大きくなり、それ以上と、それ以下としたときに、分割誤差が少なくなる傾向になっていることが判る。ここで、分圧比を１０％以下または９０％以上にすれば、分割誤差が±１％以下となり、さらに５％以下または９５％以上にすれば、±０．５％以下の分割誤差が達成されていることが判る。
【００７０】
これより、本発明の光学装置を、上述した高精度の光アッテネータや光スイッチとして使用し、上記抵抗分割方式を利用する場合は、分割比を０％又は１００％に近い値に設定することが望ましく、またその分圧比で、λ／２波長板として機能するような液晶光学素子、及び電源電圧の設定が必要となる。
【００７１】
次に、上記の望ましい設定例について説明する。
分圧抵抗で電圧が供給される液晶光学素子２の特性は、先に示したように、液晶特性及びその液晶層の厚さにより変化する。ここで、図２を用いて説明した本発明に係る液晶光学素子２を、ホメオトロピック配向をとるネガ型液晶で液晶層を構成し、液晶層の厚さを４μｍ及び７μｍギャップに設定した際の、印加電圧に対する透過率特性を、図１１、図１２に示す。なお、図１１、図１２に示す透過率特性は、図１０に示す光学系において、レーザの出射光の偏光方向に対して、液晶光学素子２の偏光方向を４５℃とした場合の、受光器１０ｂの受光強度を測定したものである。
【００７２】
図１０に示す光学装置は、本発明の図１に示した装置構成と基本的に同じであって、レーザ光源１と、コリメートレンズ２と、偏光ビームスプリッタ３と、集光レンズ９、液晶駆動部４、電源とを有する。また、本装置は、液晶光学素子２を制御することによって、偏光ビームスプリッタ３を通過する透過光量を受光器１０ｂで測定し、偏光ビームスプリッタ３で光路が変えられた反射光量を受光器１０ａで測定する。また、本発明の出射光量の評価においては、受光器１０ｂの光量を測定して評価すれば良いが、液晶光学素子２を制御することにより、透過光量が減衰した際に、無駄に光量損失が起こっていないのか、または本発明の光学装置を２経路に振り分ける等の光スイッチとして使用する場合の、光学系の評価の判断のために、受光器１０ａを使う。
【００７３】
まず、図１０に示すように、液晶光学素子２を液晶駆動部４でもって制御することにより、受光器１０ｂの受光強度を測定する。ここで、液晶光学素子２に印加する実効電圧が、フレデリクス転移を起こすＶｔｈ以下では、実際には光束が透過する各光学部材の透過損失により、受光器１０ｂでの若干受光量が低下してしまうが、図１１、図１２に示したように、入射光束を、ほぼ１００％透過させることができる。また、実効電圧を上記Ｖｔｈから更に増加させていくと、液晶光学素子２の持つ屈折率異方性により、入射光束の偏光が回転され、受光器１０ｂ方向への光強度は低下してゆき、極小値Ｂ２をとる。なおこの現象は、先に図６を用いて説明した、実効電圧と出射光量率との関係と同じである。
【００７４】
この極小値Ｂ２となる点で、液晶光学素子２はλ／２波長板として機能しており、光スイッチ的な使用方法では、この極小値Ｂ２での位相差がλ／２となるときの実効電圧値Ｖλ／２と、フレデリクス転移を起こすＶｔｈ以下の電圧を切り替えることにより、図１０の受光器１０ａ方向、及び受光器１０ｂ方向への光方向切り替えを行うことができる。
【００７５】
ここで、上記極小値Ｂ２（図６参照）となる点での実効電圧値Ｖλ／２を、図１１、図１２で比較すると、図１１の４μｍギャップの液晶層を備えた液晶光学素子では、３．１０Ｖ程度、図１２の７μｍギャップの液晶層を備えた液晶光学素子では、２．６０Ｖ程度で透過率が０となる。
【００７６】
一般に、光ピックアップ装置内で使用する電源の電圧として、３．３Ｖ、５．０Ｖ、１２Ｖが主に使われるため、ここでは、液晶光学素子２の極小値Ｂ２での実効電圧に近い３．３Ｖから、上記極小値Ｂ２を得る実効電圧値Ｖλ／２を発生させる為に、必要な抵抗分圧比を求める。
【００７７】
まず、液晶層が７μｍギャップのときには、２．６／３．３で約０．７８となり、液晶層が４μｍギャップのときには、３．１／３．３で約０．９４となる。
【００７８】
この２点での抵抗バラツキによる誤差を比較すると、図９に示した抵抗誤差及び分割誤差のデータ、及び式（３）、式（４）により、液晶層を７μｍギャップとしたときの液晶光学素子では、希望分割比に対して−１．７７％〜１．６７％の誤差が発生することとなる。それに対して、液晶層を４μｍギャップとしたときの液晶光学素子は、希望の抵抗分割比に対して、−０．５９％〜０．５４％の誤差発生に抑えることが出来る。
【００７９】
この様に、液晶光学素子２の形態、及び波長板としての作用に準じて、抵抗分割の分圧比を設定すれば、形成した抵抗体４０１、４０２（図３参照）にバラツキが生じたとしても、高精度な光アッテネータや、光スイッチとして、作用する透過光量を狙いのものとすることができ、高精度な動作を実現する。
【００８０】
次に、上記図３に示した液晶光学素子２の構成において、抵抗分割方式を用いて光学的脈動をなくし、さらに高精度な減衰率を得る光アッテネータや、光スイッチを構成する上でのもう一つの重要な要素となり得る、液晶光学素子の製造上の誤差の一つである液晶層の厚さ誤差の弊害について説明する。
【００８１】
例えば、この液晶層の厚さ誤差は、液晶層を３〜１０μｍギャップ程度の液晶光学素子においては、通常±０．３μｍ程度の誤差を生じる。これだけの液晶層の厚さの誤差が生じるということは、素子に入射する光束に対してλ／２板として動作するときの印加電圧を、変化させなくてはならない。
【００８２】
ここで、液晶層の厚さとλ／２板として動作するときの印加電圧の関係は、実験より図
１３のように求められる。図１３は、本発明に係る液晶光学素子のλ／２板として機能させる際に用いる、駆動電圧とギャップ幅（液晶層の厚さ）との関係を示す図面である。
【００８３】
図１３に示すプロファイルから、液晶層が４μｍギャップ付近では、０．２５Ｖ／μｍ程度の変化となることが判る。これより、液晶層の厚さが製造誤差などにより、±０．３μｍの誤差を持った場合、λ／２板として動作するのに要求される印加電圧は、その誤差内で、０．２５×０．３＝±０．０７５Ｖ  程度変化することになる。この値は、液晶層を４μｍギャップとしたときの必要電圧３．１０Ｖに対して、±２．４％程度の誤差発生となる。
【００８４】
そして、光スイッチとして光ピックアップ装置で使用する場合には、効率の良い光切り替えが要求され、特に光の出射を無くしたい方向への漏れは、光ピックアップ装置内で不必要な光となり、それが光ピックアップ装置の性能を下げる要因となる。そのため、通常３％以下に漏れ光を下げることが必要であるとされており、高速の書き込み機能も併せ持つ光ピックアップ装置では、レーザ光源から出射される光束の光量も大きくなる。以上の理由から、漏れる光の量を一定以下に下げるために、光スイッチとしての漏れ光の割合を１％以下に下げる必要がある。
【００８５】
ここで、図１１で示した液晶層を４μｍギャップとした液晶光学素子における透過率特性の極小値Ｂ２部分を拡大した図を、図１４に示す。
【００８６】
本図より、一般的な用途で必要とされる光の透過率を３％以下とする為には、図１４中の電圧範囲９００の矢印の幅に相当する電圧値（２．９５〜３．２５Ｖ）が要求され、電圧値では±０．１５Ｖ以下、必要電圧３．１０Ｖでの割合としては０．１５／３．１０の計算値から、±４．８％程度の誤差まで許されることになる。
【００８７】
このとき、上記の液晶厚さ誤差が±２．４％、及び抵抗分割誤差が±０．５％程度あるため、これら液晶厚さ誤差と抵抗分割誤差を重畳したワーストケースが、合計で±２．９％となってしまうが、この値は、上述した誤差許容範囲±４．８％には至っておらず、本発明に適用でき得る液晶光学素子となる。
【００８８】
一方、高精度が要求される、高速書き込み機能を持つ光ピックアップ装置において、光の透過率１％以下を達成する為には、図１４の電圧範囲９０１の矢印の幅に相当する電圧値（３．０３〜３．１７Ｖ）が要求され、電圧値では±０．０７５Ｖ以下、必要電圧３．１０Ｖでの割合としては０．０７５／３．１０の計算値から、±２．４％以下の誤差とすることが要求される。
【００８９】
ところが、上記の液晶層の厚さ誤差が±２．４％、抵抗分割誤差が０．５％程度あるため、これら液晶厚さ誤差と抵抗分割誤差を重畳したワーストケースが、合計で±２．９％となってしまう。この±２．９％の誤差範囲に入る素子は、一旦素子を製造してから、光学測定等の手段により良品を選別する必要が生じ、生産が極端に悪化する。
【００９０】
ここで、光の透過率１％以下とするために、±２．９％以下の誤差範囲に設定することができる液晶光学素子の形態について説明する。なお、以下の説明で使用する液晶光学素子２は、上記実施形態で説明した液晶層を４μｍギャップとして、液晶層の厚さによる誤差、及び抵抗分圧誤差による総合誤差が、上記の２．９％から若干余裕を見て３．０％として説明する。図１５は、総合誤差が３．０％以下を達成するための、本発明に係る液晶光学素子の構成を示す図面である。
【００９１】
図１５に示すように、液晶光学素子２は、図３に対した素子に、更に電極端子部を２本
追加した構成とし、追加した２本の電極端子部から液晶光学素子への抵抗分割比を、基準となる９４％に対して±１．５％なるように設定してある。
【００９２】
図１５に示した４０１、４０２、４０３、４０４は、分圧回路を構成する抵抗体で、２２３ａ、２２３ｂ、２２３ｃ、２２３ｄは、電極端子部である。液晶を挟持する対向電極には、抵抗体４０１の両端から給電される。言い換えれば、本形態は、入力される電圧を分圧して素子内に供給するための抵抗体４０１、４０２（第１の抵抗体という。）に対し、抵抗体４０３および４０４（第２の抵抗体という。）を直列に配置し、これら第１と第２の抵抗体の両側のそれぞれに、電極端子部を配した構成としてある。この様にして、本実施例での抵抗分圧器は、３つ以上の抵抗体からなり、当該抵抗体を介して液晶層に給電を行うための電極端子部を、第１、第２の抵抗体の両側のそれぞれに設けた形態としてある。
【００９３】
ここで、抵抗体４０１、４０２、４０３、４０４の抵抗値を、それぞれＲ４０１、Ｒ４０２、Ｒ４０３、Ｒ４０４とする。また、電極端子部２２３ａ、２２３ｃ間に電圧印加した場合には、抵抗体４０１の両端に発生する電圧は、電極端子部２２３ａ、２２３ｃ間に印加した電圧に対して、
Ｒ４０１／（Ｒ４０１＋Ｒ４０２＋Ｒ４０３）
となり、これを基準の９４％になるように設定する。
【００９４】
また、電極端子部２２３ａ、２２３ｂ間に印加した電圧に対して、
Ｒ４０１／（Ｒ４０１＋Ｒ４０２）
となり、これを基準の９４％に対して＋１．５％となる、９５．５％になるように設定する。
【００９５】
更に、電極端子部２２３ａ、２２３ｄ間に印加した電圧に対して、
Ｒ４０１／（Ｒ４０１＋Ｒ４０２＋Ｒ４０３＋Ｒ４０４）
となり、これを基準の９４％に対して−１．５％となる、９２．５％になるように設定する。
【００９６】
ここでの具体的な抵抗としては、Ｒ４０１を１００とした場合、Ｒ４０２は４．７１、Ｒ４０３は１．６７、Ｒ４０４は１．７３になるような抵抗比にすることができる。
【００９７】
次に、上述した構成とした液晶光学素子を測定光学系にセットし、素子に対して基準電圧（本実施例では３．３Ｖ）を、電極端子部２２３ａ、２２３ｂ間、電極端子部２２３ａ、２２３ｃ間、及び電極端子部２２３ａ、２２３ｄ間にそれぞれ印加して、そのときの光学的特性が最も良い端子間の組み合わせを求める。そして、電極端子部２２３ａ、２２３ｂ間が最良の素子をＡランク、電極端子部２２３ａ、２２３ｃ間が最良の素子をＢランク、電極端子部２２３ａ、２２３ｄ間が最良の素子をＣランクと層別しておく。
【００９８】
ここで、上記手法で求めた組み合わせに準じ、外部から電圧を供給する為に各組み合わせ用に層別したＡ、Ｂ、Ｃランクに対応する３種類の本体接続用のＦＰＣ（フレキシブル回路基板）を用意する。
【００９９】
層別されたＡ、Ｂ、Ｃランクの液晶光学素子に対して対応するＦＰＣは、Ａランクの液晶光学素子に対応するＦＰＣが、素子の電極端子部２本に対して、液晶光学素子側の接続を電極端子部２２３ａ及び２２３ｂに接続する配線とする。また、Ｂランクの液晶光学素子に対応するＦＰＣが、素子の電極端子部２本に対して、液晶光学素子側の接続を電極端子部２２３ａ及び２２３ｃに接続する配線とする。また、Ｃランクの液晶光学素子に対応するＦＰＣが、素子の電極端子部２本に対して、液晶光学素子側の接続を電極端子部２２
３ａ及び２２３ｄに接続する配線とする。
【０１００】
そして、これら層別ランクに対応したＦＰＣを素子の対応する電極端子部に接続することで、目的の抵抗値に設定された液晶光学素子２を得ることができる。
【０１０１】
尚、本体接続用の３種のＦＰＣは、外形形状を同一とすることが可能であり、素子側に設ける電極端子部の形態は、共通の部材、及び電気的仕様での使用が可能である。
【０１０２】
この様にして、一旦製造された液晶光学素子２の液晶層の厚さ誤差、及び抵抗分圧器における抵抗体４０１、４０２の抵抗分割誤差が±３％あった場合でも、図１５に示した素子形態を適用すれば、さらに±１．５％の誤差の吸収能力がるため、最悪でも誤差を半分の±１．５％に抑えることができ、目標である±２．４％の生産性が向上する。
【０１０３】
また、図１５で示した液晶光学素子の構成に代えて、抵抗体４０１〜４０４を、図１６に示す様に、引出配線に形成される第１の抵抗体の抵抗接続部（抵抗体４０１、４０２の接続部分）から、抵抗体４０３、４０４からなる第２の抵抗体をそれぞれ引き出し、第１の抵抗体に給電を行うための電極端子部と、当該第２の抵抗体を介して前記第１の抵抗体に給電を行うための他の電極端子部に代えた形態としても良い。
【０１０４】
抵抗分割比９４％±１．５％を得るための抵抗比率は、図１５の形態では、先に示したように、Ｒ４０１を１００とした場合、Ｒ４０２が４．７１で、Ｒ４０３が１．６７で、Ｒ４０４が１．７３となり、抵抗値の比率がやや大きくなる。ここで、シート抵抗の高い透明導電膜を用いて素子を構成すると、抵抗体４０１〜４０４以外の引き回し部分の抵抗分の影響により、抵抗値のバラツキが生じやすくなる。
【０１０５】
それに対して、図１６の形態では、Ｒ４０１を１００としたとき、Ｒ４０２が４．７１で、Ｒ４０３が６．３８で、Ｒ４０４が８．１１となり、抵抗値の比率が図１５の形態に比べてやや小さくすることができる。そして、図１６に示す形態では、全体の抵抗体の面積が、図１５に示した形態よりもやや大きく、シート抵抗の低い透明導電膜による実施の場合には全体の面積問題がやや大きくなるが、シート抵抗の高い透明導電膜を使用したとしても、抵抗値のバラツキを極力低く抑えることができる。
【０１０６】
以上示した様に、図１５に示した形態と図１６に示した形態は、透明導電膜の抵抗値特性や、量産工程における生産性を考慮して選定すれば良い。いずれの形態であっても、先に示したように、目的の抵抗値から抵抗バラツキにより分割抵抗値がずれてしまったとしても、その目的の抵抗値に合わせこんだ液晶光学素子２とすることができる。
【０１０７】
尚、本実施形態では抵抗体を４個、電極端子部を４本設け、３段階の層別できる構成を示したが、この抵抗体の数、および電極端子部の数を増やして、層別数を増加させて、更に抵抗体の製造誤差の吸収能力を高める形態としてよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の光学装置の構成を示す図面である。
【図２】本発明に係る液晶光学素子の構成を示す平面図と断面図である。
【図３】本発明に係る液晶光学素子における、引出配線部に抵抗分圧器を有する透明電極パターンを示す図面である。
【図４】本発明に係る液晶光学素子における、位相変調電極の最外周に抵抗分圧器を有する透明電極パターンを示す図面である。
【図５】本発明に係る電源および液晶駆動部の出力電圧を示す図面である。
【図６】本発明の光学装置の出射光量率と実効電圧との関係を示す図面である。
【図７】本発明の光学装置の出射光量率および液晶駆動部からの電圧の時間に対する変化を示す図面である。
【図８】本発明の光学装置を組み込んだ光ピックアップ装置の構成を示す図である。
【図９】本発明に係る抵抗分圧器を構成する抵抗体を配した場合の、抵抗誤差と分割誤差の関係を示す図である。
【図１０】本発明の光学装置の評価測定系の構成を示す図面である。
【図１１】本発明に係る液晶光学素子の液晶層の厚みを４μｍに設定した場合の、印加電圧と透過率との関係を示す特性図である。
【図１２】本発明に係る液晶光学素子の液晶層の厚みを７μｍに設定した場合の、印加電圧と透過率との関係を示す特性図である。
【図１３】本発明に係る液晶光学素子をλ／２板として機能させる際の、駆動電圧と液晶層厚さの関係を示す図面である。
【図１４】図１１で示した特製図における、極小値付近のみを拡大した図面である。
【図１５】本発明に係る、抵抗分割を内蔵した液晶光学素子の構成を示す図面である。
【図１６】本発明に係る、抵抗分割を内蔵した液晶光学素子の構成を示す図面である。
【図１７】従来の光学装置の構成を示す図面である。
【図１８】従来の光学装置の液晶駆動部からの電圧と出射光量の変化を示す図面である。
【図１９】従来の光学装置に印加する駆動波形と、出射光量の時間変化を示す図面である。
【符号の説明】
【０１０９】
１  レーザ光源
２  液晶光学素子
３  偏光ビームスプリッタ
４  液晶駆動部
５  コリメートレンズ
６  λ／４板
７  対物レンズ
８  光ディスク
９  集光レンズ
１０、１０ａ、１０ｂ  受光器
１００  光学装置
２１０  平板状基板
２２０  透明電極膜
２２１  位相変調電極
２２２  引出配線部
２２３、２２３ａ〜２２３ｄ  電極端子部
２３０  配向膜
２４０  シール材
２５０  液晶層
４００  抵抗分圧器
４０１〜４０４  抵抗体
５１１〜５１３  電圧時間変化曲線
６０１  出射光量率曲線
７０１、７０２  光量時間変化曲線
７１１、７１２  電圧時間変化曲線
９００、９０１  電圧範囲
【図１】
2009098597.tif 000003
【図２】
2009098597.tif 000004
【図３】
2009098597.tif 000005
【図４】
2009098597.tif 000006
【図５】
2009098597.tif 000007
【図６】
2009098597.tif 000008
【図７】
2009098597.tif 000009
【図８】
2009098597.tif 000010
【図９】
2009098597.tif 000011
【図１０】
2009098597.tif 000012
【図１１】
2009098597.tif 000013
【図１２】
2009098597.tif 000014
【図１３】
2009098597.tif 000015
【図１４】
2009098597.tif 000016
【図１５】
2009098597.tif 000017
【図１６】
2009098597.tif 000018
【図１７】
2009098597.tif 000019
【図１８】
2009098597.tif 000020
【図１９】
2009098597.tif 000021