(57)【要約】【課題】アイソレーションを向上させたマイクロ波伝送回路を提供する。【解決手段】グランド層１１と、誘電体基板４０と、誘電体基板４０に挟まれた伝送線路３０とを備え、誘電体基板４０とグランド層１１とを貫通し、内部がグランド層に電気的に接続するようにメッキされ、伝送線路３０のアイソレーションを得ようとする範囲Ｌ０の任意の点における垂直線に少なくとも一つが交わるように配置された複数のスリット２０を有する。誘電体基板４０に挟まれる中間グランド層１３をさらに有するように構成することもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド層と、
誘電体基板と、
前記誘電体基板に挟まれた伝送線路と、を備えるマイクロ波伝送回路であって、
前記マイクロ波伝送回路が、
前記誘電体基板と前記グランド層とを貫通し、内部が前記グランド層に電気的に接続するようにメッキされ、前記伝送線路のアイソレーションを得ようとする範囲の任意の点における前記伝送線路の垂線に少なくとも一つが交わるように配置された複数のスリットを有することを特徴とするマイクロ波伝送回路。
【請求項２】
グランド層と、
誘電体基板と、
前記誘電体基板に挟まれた伝送線路と、を備えるマイクロ波伝送回路であって、
前記マイクロ波伝送回路が、
前記誘電体基板と前記グランド層とを貫通し、内部が前記グランド層に電気的に接続するようにメッキされ、前記伝送線路のアイソレーションを得ようとする範囲の任意の点を通る直線に少なくとも一つが交わるように配置された複数のスリットを有することを特徴とするマイクロ波伝送回路。
【請求項３】
前記マイクロ波伝送回路の、前記グランド層及び前記伝送線路の外部装置への接続部を有する面以外の面のうち、少なくとも１つの面に接地するメッキ層を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロ波伝送回路。
【請求項４】
前記マイクロ波伝送回路の、前記グランド層及び前記伝送線路の外部装置への接続部を有する面以外の面のうち、少なくとも１つの面に接地する金属板を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロ波伝送回路。
【請求項５】
前記複数のスリットが、前記伝送線路を挟むように複数設けられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のマイクロ波伝送回路。
【請求項６】
前記誘電体基板に挟まれるグランド層をさらに有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のマイクロ波伝送回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路のアイソレーションを高めたマイクロ波伝送回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波伝送回路においては、伝送線路からの高周波の漏洩が問題となる。例えば、伝送線路から漏洩した高周波が回路内において増幅され、予期せぬ発振をしてしまい、機器の性能に悪影響を及ぼすことがある。このため、伝送線路のアイソレーションを高める必要があった。
【０００３】
この点に関し、マイクロ波伝送回路の伝送線路に接触しない位置にスルーホールを設け、このスルーホールの内部をメッキして接地する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−６４７３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の技術において、スルーホールだけによるアイソレーション効果は限られているという問題点があった。
【０００５】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、アイソレーションを向上させたマイクロ波伝送回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために本発明は、グランド層と、誘電体基板と、誘電体基板に挟まれた伝送線路と、を備えるマイクロ波伝送回路であって、マイクロ波伝送回路が、誘電体基板とグランド層とを貫通し、内部がグランド層に電気的に接続するようにメッキされ、伝送線路のアイソレーションを得ようとする範囲の任意の点における垂直線に少なくとも一つが交わるように配置された複数のスリットを有することを特徴とするマイクロ波伝送回路を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、アイソレーションを高めることができると同時に、折り曲げ強度を維持することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明によるマイクロ波伝送回路の一実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。なお、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の斜視図である。また、図２は本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の図１のＡＡ線における断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０は、グランド層１１と、誘電体基板４０と、誘電体基板４０に挟まれた伝送線路３０と、を備え、複数のスリット２０を有する。
【００１０】
この複数のスリット２０は、誘電体基板４０とグランド層１１とを貫通し、内部がグランド層１１に電気的に接続するようにメッキされている。なお、図１においてはメッキ層２１を省略してある。
【００１１】
ここで、マイクロ波伝送回路１０に複数のスリット２０を設ける理由について説明する。空気は絶縁抵抗が高いため、アイソレーションを向上させるために用いることができる。しかし、１本の長いスリットを用いた場合、マイクロ波伝送回路に力が加わると誘電体基板４０が割れてしまうことがある。そこで、折り曲げ強度を高めるために、スリットの長さを短くし、スリットを複数設けることとした。
【００１２】
伝送線路３０から漏洩した高周波は、伝送線路３０から放射状に伝播し、各スリット２０のメッキ層２１に伝わり、グランド層１１を介してグランドに伝わる。これによりアイソレーションが向上する。
【００１３】
図２に示すように、伝送線路３０からスリット２０への最短距離ｄ１は伝送線路３０からグランド層１１までの最短距離ｄ０以上であることが望ましい。また、スリット２０と他のスリット２０との最短距離ｄ２は、伝送線路３０を伝わる高周波の波長をλとするとき、λ／２０±１０％であることが望ましい。
【００１４】
図３は本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の上面図である。図３に示すように、複数のスリット２０は、伝送線路３０のアイソレーションを得ようとする範囲Ｌ０の任意の点Ｐ１における伝送線路３０の垂線Ｘ１に少なくとも一つのスリット２０が交わるように配置されている。このとき、各スリット２０の長手方向の長さＬ１の総和はＬ０より長くなる。また、Ｌ１はλ／２以上であることが望ましい。
【００１５】
この場合、各スリット２０は、各スリットの長手方向の辺が伝送線路３０とほぼ並行となるように、伝送線路３０側から見て互いに所定の長さ分重なるように、交互に配置される。
【００１６】
（第２の実施形態）
図４は本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の斜視図である。図４に示すように、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０は、第１の実施形態におけるマイクロ波伝送回路１０の、グランド層１１及び伝送線路３０の外部装置への接続部を有する面以外の面のうち、少なくとも１つの面に、接地するメッキ層である側面メッキ層１２を設けるように構成する。また、側面メッキ層１２に代えて、銅などの金属からなる金属板を設けることもできる。
【００１７】
マイクロ波伝送回路１０の、グランド層１１及び伝送線路３０の外部装置への接続部を有する面以外の面とは、いずれかのグランド層１１を下にした場合、側面のうち伝送線路３０の外部装置への接続部を有する面以外の側面を指す。側面メッキ層１２を設ける面は、通常伝送線路３０と平行な面である。
【００１８】
（第３の実施形態）
図５は、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の上面図である。図５に示すように、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０においては、第１の実施形態のマイクロ波伝送回路１０において、複数のスリット２０が伝送線路２０を挟むように複数設けられる。
【００１９】
また、伝送線路３０と伝送線路３０との間に複数のスリット２０の列を複数設けてもよい。
【００２０】
（第４の実施形態）
図６は、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の上面図である。図６に示すように、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０は、グランド層１１と、誘電体基板４０と、誘電体基板４０に挟まれた伝送線路３０と、を備え、複数のスリット２０を有する。
【００２１】
この複数のスリット２０は、誘電体基板４０とグランド層１１とを貫通し、内部がグランド層１１に電気的に接続するようにメッキされ、伝送線路３０のアイソレーションを得ようとする範囲Ｌ０の任意の点ｐ２における直線ｘ２に少なくとも一つのスリット２０が交わるように配置される。また、Ｌ１はλ／２以上であることが望ましい。
【００２２】
この場合、各スリット２０は、各スリットの長手方向の辺が伝送線路３０とほぼ並行となるように、伝送線路３０側から見て互いに所定の長さ分重なるように、交互に配置される。
【００２３】
さらにスリット２０はこの配置された伝送線路３０のアイソレーションを得ようとするもう一つの伝送線路３０側に、すでに配置されたスリット２０と平行になるように、伝送線路３０側から見て互いに所定の長さ分重なるように、交互に配置される。
【００２４】
（第５の実施形態）
図７は、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０の斜視図である。図７に示すように、本応用例のマイクロ波伝送回路１０は、誘電体基板４０に挟まれるグランド層である中間グランド層１３をさらに有することを特徴とする。
【００２５】
例えば、誘電体基板４０と伝送線路３０とからなる基本層を、中間グランド層１３が挟まれるように複数層積層させる。さらに、この積層した基本層の上面と底面とにそれぞれグランド層１１を設ける。
【００２６】
図８は、マイクロ波伝送回路１０の図７のＢＢ線における断面図である。図８に示すように、スルーホール２０は中間グランド層１３も貫通する。また、伝送線路３０とスリット２０との最短距離ｄ１及びｄ２は、それぞれ伝送線路３０から最も近いグランド層１１までの距離ｄ３、及び伝送線路３０から最も近い中間グランド層１２までの距離ｄ０以上であることが望ましい。
【００２７】
伝送線路３０から漏洩した高周波は、伝送線路３０から放射状に伝播し、各スリット２０のメッキ層２１及び中間グランド層１３に伝わり、グランド層１１を介してグランドに伝わる。これによりマイクロ波伝送回路内に上下に配置された伝送線路３０の間のアイソレーションをも向上させることができる。
【００２８】
＜本実施形態の効果＞
以上述べたように、本実施形態のマイクロ波伝送回路１０は、誘電体基板４０とグランド層１１とを貫通し、内部がグランド層１１に電気的に接続するようにメッキされ、伝送線路３０のアイソレーションを得ようとする範囲Ｌ０の任意の点における直線に少なくとも一つが交わるように配置された複数のスリットを有する。このため、本実施形態のマイクロ波伝送回路は、アイソレーションを高めることができると同時に、折り曲げ強度を維持することができるという効果がある。
【００２９】
＜本発明の具体化における可能性＞
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１の実施形態のマイクロ波伝送回路の斜視図である。
【図２】第１の実施形態のマイクロ波伝送回路の図１のＡＡ線における断面図である。
【図３】第１の実施形態のマイクロ波伝送回路の上面図である。
【図４】第２の実施形態のマイクロ波伝送回路の斜視図である。
【図５】第３の実施形態のマイクロ波伝送回路の上面図である。
【図６】第４の実施形態のマイクロ波伝送回路の上面図である。
【図７】第５の実施形態のマイクロ波伝送回路の斜視図である。
【図８】マイクロ波伝送回路の図７のＢＢ線における断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０：マイクロ波伝送回路、
１１：グランド層、
１３：中間グランド層、
２０：スリット、
３０：伝送線路、
４０：誘電体基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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