(57)【要約】【課題】土壌に含まれる有機ハロゲン化合物を無害化する土壌の処理方法を提供する。【解決手段】有機ハロゲン化合物を含有する土壌を有機ハロゲン化合物の沸点以上の所定温度に間接的に加熱して水分と有機ハロゲン化合物を揮発させ、水分を含まない乾燥した浄化土壌とし、揮発した有機ハロゲン化合物を前記水分とともに所定の温度域に加熱して該有機ハロゲン化合物を熱分解し、熱分解工程から出てくる排ガスを水の沸点以下の所定の温度に急冷して排ガス中に含まれる水分を凝縮させ、凝縮水に含まれる浮遊粒子の濃度が１０００ｍｇ／Ｌ以下となるように前記凝縮水から浮遊粒子を除去する水処理をおこない、前記処理水を前記浄化土壌に湿潤水として戻して再利用する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
土壌に含まれる有機ハロゲン化合物を無害化する土壌の処理方法において、
（ａ）有機ハロゲン化合物を含有する土壌を前記有機ハロゲン化合物の沸点以上の所定温度に間接的に加熱して水分と有機ハロゲン化合物を揮発させ、水分を含まない乾燥した浄化土壌とし、
（ｂ）揮発した有機ハロゲン化合物を前記水分とともに所定の温度域に加熱して該有機ハロゲン化合物を熱分解し、
（ｃ）前記工程（ｂ）から出てくる排ガスを水の沸点以下の所定の温度に急冷して排ガス中に含まれる水分を凝縮させ、
（ｄ）前記凝縮水に含まれる浮遊粒子の濃度が１０００ｍｇ／Ｌ以下となるように前記凝縮水から浮遊粒子を除去する水処理をおこない、
（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた処理水を、前記工程（ａ）で得られた浄化土壌に湿潤水として戻して再利用することを特徴とする土壌の処理方法。
【請求項２】
前記工程（ｄ）において、膜分離法または重力沈降法または遠心分離法を用いて前記凝縮水から直径１００μｍ以下の浮遊粒子を除去することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）において、間接熱脱着法を用いて土壌を４００℃以上６００℃以下の温度に間接的に加熱し、かつ、
前記工程（ｂ）において、水蒸気分解法または燃焼分解法のいずれかを用いて前記揮発物を９００℃以上の温度に加熱することを特徴とする請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ハロゲン化合物により汚染された土壌の処理方法に係り、特に含有物の少なくとも一部としてＰＣＢ類（ポリクロロビフェニル類）もしくはダイオキシン類などのような有機ハロゲン化合物を含有する土壌の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＣＢ類およびダイオキシン類は、難分解性の物質であり、人体に悪影響を及ぼす有害な物質であることから、これまで生産しもしくは副生成物として生成したこれらの有機ハロゲン化合物の処理が急がれている。これらの物質が純粋な形態で保管されている場合には比較的簡単に処理を行うことができるが、これらの物質が低濃度で土壌中に含まれている場合には、このような汚染された土壌を処理することは、極めて困難であった。これまで、ＰＣＢ類およびダイオキシン類などの有機ハロゲン化合物を含有する汚染土壌の処理方法としては、最終埋立地に搬送し埋設するか、コンクリートなどで囲い込みをする手段が一般的であった。これらの手段はＰＣＢ類やダイオキシン類を一般環境から隔離するための緊急手段としては効果があるが、ＰＣＢ類やダイオキシン類は難分解性物質であるため、長期にわたり分解されずに安定的に存在することになる。そのためこれらの物質が最終埋立地やコンクリートから溶出し、一般環境中へ浸出する危険性がある。
【０００３】
有機ハロゲン化合物を無害化処理する他の方法として、加熱によりＰＣＢ類、ダイオキシン類を土壌から分離抽出して処理するいくつかの方法が提案されている。例えば特許文献１には、抽出されたＰＣＢ類、ダイオキシン類の分解方法として、ガス状のＰＣＢ類、ダイオキシン類を触媒で分解する方法が記載されている。また、特許文献２には、ガス状のＰＣＢ類、ダイオキシン類を１０００℃前後のアフターバーナーで２次燃焼する分解方法が記載されている。さらに特許文献３には、ガス状のＰＣＢ類、ダイオキシン類を凝縮回収し、化学的分解法で分解する方法が記載されている。
【特許文献１】特開平０７−３２８５９５号公報
【特許文献２】特開平１１−１４８６３１号公報
【特許文献３】特開２００１−９４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般に土壌中には１０質量％以上の水分が含まれているため、加熱によりPCB類やダイオキシン類を分離するときに、土壌中の水分もＰＣＢ、ダイオキシン類とともに蒸発する。また水分が３０重量％以上含まれている場合は事前に乾燥することが望まれるが、その場合も微量にＰＣＢやダイオキシン類が含まれた排水が発生する。これらの排水は産業廃棄物として廃棄されており、その有効な活用法がないという問題がある。
【０００５】
また、間接熱脱着装置から排出される浄化土壌に銅や鉄が含まれていると冷却段階でダイオキシン類が再合成するという問題がある。
【０００６】
さらに、間接熱脱着工程から排出された浄化土壌は水分が含まれていないため、粉塵が発生するという問題もある。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、汚染土壌に含まれていた水分を排水基準値以下に水処理して、間接熱脱着装置から排出された浄化土壌に湿潤水として有効活用するとともに、間接熱脱着装置から排出された浄化土壌に湿潤水で急冷することでダイオキシン類の再合成を抑制して、さらに粉塵の発生を抑制する土壌の処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る土壌の処理方法は、土壌に含まれる有機ハロゲン化合物を無害化する土壌の処理方法において、（ａ）有機ハロゲン化合物を含有する土壌を前記有機ハロゲン化合物の沸点以上の所定温度に間接的に加熱して水分と有機ハロゲン化合物を揮発させ、水分を含まない乾燥した浄化土壌とし、（ｂ）揮発した有機ハロゲン化合物を前記水分とともに所定の温度域に加熱して該有機ハロゲン化合物を熱分解し、（ｃ）前記工程（ｂ）から出てくる排ガスを水の沸点以下の所定の温度に急冷して排ガス中に含まれる水分を凝縮させ、（ｄ）前記凝縮水に含まれる浮遊粒子の濃度が１０００ｍｇ／Ｌ以下となるように前記凝縮水から浮遊粒子を除去する水処理をおこない、（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた処理水を、前記工程（ａ）で得られた浄化土壌に湿潤水として戻して再利用することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ＰＣＢ汚染土壌等を間接的に加熱してＰＣＢやダイオキシン類を揮発させ、ＰＣＢやダイオキシン類とともに揮発した水分をＳＳ濃度１０００ｍｇ／Ｌ以下にしてＰＣＢやダイオキシン類が分離された浄化土壌に湿潤水として再利用する。一般に土壌中には１０質量％以上の水分が含まれているが、従来の処理方法では処理中に土壌から分離した水分を産業廃棄物として廃棄しており、その有効な活用法がないという問題があったが、本発明を用いることにより土壌から分離した水分の有効利用を図ることができる。また、処理後の浄化土壌に銅や鉄が含まれていると冷却段階でダイオキシン類が再合成するという問題があったが、ＳＳ濃度１０００ｍｇ／Ｌ以下に処理した後に水を土壌に戻し、４００℃前後の浄化土壌を１００℃以下に急冷しているため、冷却段階でダイオキシン類が再合成することがなくなる。さらに、間接熱脱着工程から排出された浄化土壌は水分が含まれていないため、粉塵が発生するという問題もあったが、土壌から分離した水分を湿潤水として活用することにより粉塵の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明に係る土壌の処理方法は、土壌に含まれる有機ハロゲン化合物を無害化する土壌の処理方法において、（ａ）有機ハロゲン化合物を含有する土壌を前記有機ハロゲン化合物の沸点以上の所定温度に間接的に加熱して水分と有機ハロゲン化合物を揮発させ、水分を含まない乾燥した浄化土壌とし、（ｂ）揮発した有機ハロゲン化合物を前記水分とともに所定の温度域に加熱して該有機ハロゲン化合物を熱分解し、（ｃ）前記工程（ｂ）から出てくる排ガスを水の沸点以下の所定の温度に急冷して排ガス中に含まれる水分を凝縮させ、（ｄ）前記凝縮水に含まれる浮遊粒子の濃度が１０００ｍｇ／Ｌ以下となるように前記凝縮水から浮遊粒子を除去する水処理をおこない、（ｅ）前記工程（ｄ）で得られた処理水を、前記工程（ａ）で得られた浄化土壌に湿潤水として戻して再利用する。
【００１１】
上記工程（ａ）では、間接熱脱着法を用いて土壌を４００℃以上の温度域に間接的に加熱することができる。ここで、土壌の間接加熱とは、汚染土壌に火炎が直接接触することなく、汚染土壌を収容している装置の外部の熱源から伝熱によって加熱する方式で、土壌中に含まれる水分とＰＣＢやダイオキシン類を揮発させる方法をいう。本発明で処理する有機ハロゲン化合物としては、難分解性化合物であるＰＣＢ類、ダイオキシン類、及び揮発性化合物であるトリクロロエチレンなど種々の化合物が挙げられる。
【００１２】
本発明において、汚染土壌から有機ハロゲン化合物を揮発させる間接熱脱着工程の温度は、４００〜６００℃とすることが好ましい。４００℃未満の温度で汚染土壌の処理を行うと、汚染土壌に含まれているＰＣＢ類やダイオキシン類が完全に揮発せずに土壌中に残留してしまう恐れがある。また、６００℃以上に加熱すると土壌の質が変化してしまうため、この土壌を再生することが困難になる場合がある。そのため汚染土壌からＰＣＢ類やダイオキシン類を揮発させる加熱温度は、４００〜６００℃で処理を行うことが好ましい。さらに、この工程の温度は高いほど短時間で処理することができるが、一時間以内の加熱時間で有機ハロゲン化合物を９９％揮発させるには、４００〜６００℃の温度範囲が望ましい。
【００１３】
また、間接熱脱着工程の後段に揮発した有機ハロゲン化合物を分解する工程（ｂ）として水蒸気分解法または燃焼分解法のいずれかを用いることが望ましい。また、この分解工程（ｂ）の加熱温度を９００℃以上に保持することで、ＰＣＢやダイオキシン類を水蒸気や熱分解反応や酸化反応により二酸化炭素や塩化水素に分解することができる。分解工程（ｂ）の設定温度は高いほど有機ハロゲン化合物の分解率が向上する。温度と分解率の関係は、ガスの滞留時間に依存するが、滞留時間が５秒の場合、加熱温度６００℃では分解率１２％、温度７００℃では分解率１５％、温度８００℃では分解率３１％、温度９００℃では分解率８３％、１０００℃では分解率９９．９９％、１１００℃では分解率９９．９９９％である。従って、分解工程（ｂ）におけるガスの滞留時間を５秒程度とし、有機ハロゲン化合物の分解率を９９％以上とするには、１０００〜１２００℃の温度範囲が望ましい。
【００１４】
さらに、分解工程（ｂ）の後段にガスを冷却するガス冷却工程（ｃ）を設けることで、間接熱脱着工程（ａ）で揮発した土壌中の水分を凝縮させ、効率よく回収することができる。この凝縮水のＰＣＢやダイオキシン類は分解工程（ｂ）の分解性能により含有量が異なるが、本発明者らは凝縮水のＳＳ濃度を１０００ｍｇ／Ｌ以下に処理することで排水基準値以下にできることを見出した。すなわち、水処理工程（ｄ）において、膜分離法または重力沈降法または遠心分離法を用いて凝縮水から直径１００μｍ以下の浮遊粒子を除去することができる。本発明によれば、ＳＳ濃度を１０００ｍｇ／Ｌ以下に処理した凝縮水を、間接熱脱着工程（ａ）から排出される無害化された浄化土壌に湿潤水として再利用することで、廃水の削減による水の有効活用だけでなく、さらに粉塵発生の削減と、ダイオキシン類の再合成防止との３つの効果が得られる。
【００１５】
以下、添付の図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態について説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１を参照して本発明の第１の実施の形態に係る土壌の処理方法を説明する。
【００１７】
本実施形態では、汚染土壌Ｃから間接熱脱着工程Ｓ１→分解工程Ｓ２→ガス冷却工程Ｓ３→水処理工程Ｓ４の各処理を経て得た水分を間接熱脱着工程Ｓ１で得た浄化土壌Ｐに戻し、汚染土壌Ｃに元々含まれていた初期の水分を有効に再利用する。
【００１８】
先ず、間接熱脱着工程Ｓ１では、有機ハロゲン化合物を含有している汚染土壌Ｃを間接加熱装置により４００〜６００℃の温度範囲に加熱し、有機ハロゲン化合物を揮発させて浄化土壌Ｐを得る。工程Ｓ１で用いる間接加熱装置は、土壌加熱部本体と、該土壌加熱部本体内に土壌を供給する土壌投入部と、該土壌加熱部本体の外部に設けられる加熱手段と、該土壌加熱部本体の温度を測定する温度測定部と、該温度測定部から出力される温度情報に基づいて土壌加熱部本体を加熱する加熱手段を制御する温度制御装置と、該土壌加熱部本体において処理した土壌を排出する土壌排出部と、該土壌加熱部本体において加熱された結果生成するガスを排出する生成ガス排出口とを少なくとも備えている。
【００１９】
前記土壌加熱部本体は、回転式スクリューフィーダーや回転式キルンなどの装置を用いることができる。これらの装置を用いることにより火炎が土壌に直接接触することなく土壌を間接的に加熱し、生成ガス量を均一化しながら、ＰＣＢ類やダイオキシン類などの有機ハロゲン化合物を効果的に揮発させることができる。また、加熱手段として、電気抵抗加熱装置または燃焼加熱装置などの公知の汎用加熱装置を用いることができるが、経済性の観点から燃焼加熱装置が最も適している。さらに、温度測定装置としては、熱電対などの公知の汎用計測器を用いることができる。
【００２０】
次に、分解工程Ｓ２では、間接熱脱着工程Ｓ１によって揮発した有機ハロゲン化合物を含有するガスを所定の温度に加熱することによって反応させ、有機ハロゲン化合物を少なくともハロゲン化水素と二酸化炭素を含む物質に分解し、有機ハロゲン化合物を無害化する。このような分解工程Ｓ２には水蒸気分解炉や燃焼分解炉などを用いることができる。加熱手段は前述の間接熱脱着工程Ｓ１と同様に、電気抵抗加熱装置や燃焼加熱装置を用いることができる。有機ハロゲン化合物の分解率は加熱温度と滞留時間によって定められるが、滞留時間が５秒間の場合、加熱温度６００℃では分解率１２％、温度７００℃では分解率１５％、温度８００℃では分解率３１％、温度９００℃では分解率８３％、１０００℃では分解率９９．９９％、１１００℃では分解率９９．９９９％である。従って、分解工程におけるガスの滞留時間を５秒間程度とし、前記有機ハロゲン化合物の分解率を９９％以上とするには、１０００〜１２００℃の温度範囲が望ましい。
【００２１】
分解工程Ｓ２において生成したハロゲン化水素と二酸化炭素を含むガスは、次のガス冷却工程Ｓ３に導かれる。ガス冷却手段は、ガス中に水を噴霧してガスを急冷するクエンチャー装置、あるいは冷却水が循環している間接熱交換プレートにガスを導いて急冷する間接熱交換装置を用いることができる。汚染土壌Ｃに含まれていた水分は、間接熱脱着工程Ｓ１で揮発し、ガス冷却工程Ｓ３において凝縮して水に戻る。また、分解工程Ｓ２で有機炭化水素と酸素との反応、あるいは二酸化炭素と水素との均一水性ガス反応で水蒸気が生成する。この水蒸気もガス冷却工程Ｓ３で凝縮されて水に戻る。
【００２２】
ガス冷却工程Ｓ３における水の発生量は、汚染土壌Ｃの含水率にほぼ等しい。例えば、汚染土壌Ｃの含水率が２０質量％、汚染土壌Ｃの投入速度が２０００ｋｇ／時間の場合は、ガス冷却工程Ｓ３における水の発生量は約４００ｋｇ／時間になる。
【００２３】
ガス冷却工程Ｓ３で発生した水のＰＣＢ濃度やダイオキシン類の濃度は、分解工程Ｓ２の分解性能と、間接熱脱着工程Ｓ１から飛散する土壌微粒子の量に依存する。分解工程Ｓ２の温度が１１００℃、滞留時間が５秒間の場合は、ＰＣＢ濃度は排出基準値（0.003mg/L）を常に下回る。ダイオキシン類濃度は、間接熱脱着工程Ｓ１から飛散する土壌微粒子の量に依存する。土壌微粒子のダイオキシン類濃度は浄化土壌Ｐと同じレベルであり10pg-TEQ/g程度であり、ガス冷却工程Ｓ３で発生した水に含まれる土壌微粒子の量が１リットルあたり３グラムの場合は、ガス冷却工程Ｓ３で発生した水のダイオキシン類濃度は約３０pg-TEQ/Lとなる。
【００２４】
ガス冷却工程Ｓ３で発生した水は、次の水処理工程Ｓ４に導かれる。水処理工程Ｓ４ではダイオキシン類を排水基準値の１０pg-TEQ/L以下にする。そのためには間接熱脱着工程Ｓ１から飛散する微粒子（ＳＳ濃度）を1000mg/L以下にすればよい。ＳＳを除去する手段としては、膜分離法または重力沈降法または遠心分離法またはフィルタープレスを用いることができる。ＳＳ中のダイオキシン類濃度は、浄化土壌Ｐと同レベルの１０pg-TEQ./g程度であるので、浄化土壌Ｐと同じ扱いにすることができる。ＳＳを１０００mg/L以下にした水は、間接熱脱着工程Ｓ１から排出される浄化土壌Ｐの湿潤水として用いることができる。
【００２５】
間接熱脱着工程Ｓ１から排出される浄化土壌Ｐの温度は、５００℃前後と高く、含水率は０質量％である。含水率が０質量％の土壌を取扱うと、粉塵が空中に舞い上がり作業環境を悪化させるので好ましくない。また、土壌中に銅や鉄などの金属が含まれると、浄化土壌２の冷却段階でダイオキシン類が再合成する可能性がある。したがって、ガス冷却工程Ｓ３で発生した水を水処理工程Ｓ４でＳＳ濃度を１０００mg/L以下にして、浄化土壌Ｐの湿潤水に用いることは、廃水の削減による水の有効活用だけでなく、粉塵発生の削減、ダイオキシン類の再合成防止の３つの効果がある。
【００２６】
以下、本発明を実施例によってさらに説明する。
【００２７】
（実施例１）  
ＰＣＢ濃度が１４，０００ｍｇ／ｋｇ、ダイオキシン類濃度が２８０，０００ｐｇ−ＴＥＱ／ｇ、含水率が１５％の土壌を対象とし、土壌加熱手段は回転式スクリューフィーダーで燃焼方式の間接熱脱着装置を採用した。汚染土壌１の投入速度を３００ｋｇ／ｈｒとして図１に示す処理装置を用いて処理を行った例を示す。
【００２８】
土壌温度として６００℃となるよう温度制御装置により土壌加熱部本体の温度をコントロールし、土壌加熱部本体における土壌の滞留時間が６０分程度となるように汚染土壌Ｃを間接熱脱着処理した。間接熱脱着工程Ｓ１から発生するガス量は９０Ｎｍ３／ｈｒ程度で水蒸気が主な組成あった。浄化土壌ＰのＰＣＢとダイオキシン類の濃度を測定した結果、ＰＣＢ濃度は＜０．０５ｍｇ／ｋｇとなり、９９．９９９９％以上のＰＣＢを土壌から分離することができた。また、ダイオキシン類濃度は１２ｐｇ−ＴＥＱ／ｇであり、９９．９９５％のダイオキシン類を土壌から分離することができた。
【００２９】
前記間接熱脱着工程Ｓ１で生成したガスを、分解工程Ｓ２で加熱した。加熱手段は電気抵抗加熱装置で間接的にガスを加熱した。ガスの加熱温度は１１００℃、ガスの滞留時間は５秒間とした。分解工程Ｓ２の出口ガスのＰＣＢ濃度とダイオキシン類濃度を測定した結果、ＰＣＢ濃度は０．０００３ｍｇ／Ｎｍ3、ダイオキシン類濃度は０．０１３ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ3であり、９９．９９９９％以上のＰＣＢとダイオキシン類を分解することができた。
【００３０】
次いで、分解工程Ｓ２の排ガスをガス冷却工程Ｓ３でガス温度３５℃に急冷した。ガスの急冷は、ガス中に水を噴霧するクエンチャー方式を採用した。また、噴霧する水は循環するとともに、水温の上昇を抑制するためにプレート熱交換器でクエンチャー循環水も冷却した。ガス冷却工程Ｓ３の水は土壌処理とともに増え続け、増加速度は４５Ｌ／ｈｒで、汚染土壌の投入速度３００ｋｇ／ｈｒと含水率１５％から計算される水分量４５Ｌ／ｈｒと同じであった。クエンチャー水のＰＣＢとダイオキシン類を測定した結果、ＰＣＢ濃度は排出基準値以下の＜０．００３ｍｇ／Ｌであった。ダイオキシン類は２４ｐｇ−ＴＥＱ／Ｌで排水基準値の１０ｐｇ−ＴＥＱ／Ｌを超過していた。また、ＳＳ濃度は２０００ｍｇ／Ｌであった。
【００３１】
ガス冷却工程Ｓ３の発生量と同等の４５Ｌ／ｈｒで水処理工程Ｓ４に導いた。ＳＳの除去手段として重力沈降方式を採用した。ＳＳの沈降速度は約１０m/hrであり、高さ１メートルの沈降槽に１時間放置することにより、２０００mg/LのＳＳ濃度であったガス冷却工程の水を、ＳＳ濃度３００mg/Lに低減された。また、ＳＳを除去したあとのダイオキシン類濃度を測定した結果、３．６pg-TEQ/Lであり、排水基準の１０pg-TEQ/Lを充分に下回っていた。さらに、ＳＳを乾燥してダイオキシン類濃度を測定した結果、浄化土壌Ｐと同レベルの１１pg-TEQ/gであった。
【００３２】
上記条件によって回収した水処理工程Ｓ４の水は、間接熱脱着工程Ｓ１から排出される浄化土壌Ｐの湿潤水として噴霧した。浄化土壌Ｐの排出速度は含水率０重量％のため約２５０ｋｇ／ｈｒであり、これに湿潤水を約４０Ｌ／ｈｒを噴霧しており、浄化土壌Ｐの含水率は１４質量％で、汚染土壌Ｃの含水率１５質量％とほぼ同じであった。湿潤化は浄化土壌Ｐをミキサーで攪拌している上部から湿潤水を噴霧して実施した。また、湿潤化した後の浄化土壌のＰＣＢとダイオキシン類濃度を測定した結果、ＰＣＢ濃度は＜０．０５ｍｇ／ｋｇ、ダイオキシン類は１２pg-TEQ/gで、湿潤水を添加することにより廃水の削減による水の有効活用だけでなく、粉塵発生の削減、ダイオキシン類の再合成防止の３つの効果が得られた。
【００３３】
（第２の実施形態）  
次に、本発明の第２の実施形態について図２を参照して説明する。なお、本実施形態が上記の第１の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００３４】
本実施形態は、上記第１の実施形態に比べて含水率が高い汚染土壌Ｃを処理する。含水率が高いと間接熱脱着工程Ｋ４におけるＰＣＢやダイオキシン類の除去効率が低減するため、事前に乾燥工程Ｋ１で含水率を低減することが好ましい。乾燥工程Ｋ１で蒸発した水分はガス冷却工程Ｋ２で凝縮して水となる。この凝縮水のＰＣＢ濃度やダイオキシン類濃度は、乾燥工程Ｋ１の加熱温度に依存し、加熱温度を高くするとＰＣＢやダイオキシン類の排水基準を超過する場合がある。そのため凝縮水は水処理工程Ｋ３において、凝集沈殿などの一般的な手段により非水溶性のＰＣＢやダイオキシン類を凝集沈殿により除去することができる。凝集沈殿したスラッジは汚染土壌Ｃに混入させて無害化処理すればよい。
【００３５】
以下、本発明を実施例によってさらに説明する。
【００３６】
（実施例２）
実施例２では、含水率が５０質量％、ＰＣＢ濃度が8,000mg/kg、ダイオキシン類濃度が180,000pg-TEQ/gの汚染土壌を用いた。乾燥工程Ｋ１の加熱は０．５ＭＰａの高圧水蒸気を熱源に用い、高圧水蒸気で間接的に加熱する乾燥装置を採用した。ガス冷却工程Ｋ６にはプレート熱交換装置を採用し、乾燥工程Ｋ１で発生した蒸気を凝縮水として回収した。凝縮水中のＰＣＢを測定した結果、ＰＣＢは0.0023mg/Lで排水基準を超過していた。また、ダイオキシン類は４３pg-TEQ/Lで排水基準を超過していた。この凝縮水は水処理工程Ｋ３で高分子凝集剤を添加して凝集沈澱処理を施した。その結果、ＰＣＢは0.003mg/L以下、ダイオキシン類は３．１pg-TEQ/Lとなり排水基準を下回った。凝集沈殿したスラリーは汚染土壌Ｃとともに間接熱脱着工程Ｋ４に投入して無害化処理を施した。また、水処理工程Ｋ３で処理した水は浄化土壌Ｐの湿潤水として、ガス処理工程Ｋ６で発生して水処理工程Ｋ７で処理した水とともに、浄化土壌Ｐの湿潤水として活用した。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る汚染土壌の処理方法を示す工程図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る汚染土壌の処理方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００３８】
Ｃ…汚染土壌、Ｐ…浄化土壌。
【図１】
2009208053.tif 000003
【図２】
2009208053.tif 000004