(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の配線基板を縦横に連続して配置し、これらを区画するブレーク溝に沿って複数の貫通孔とその内壁面ごとに形成した複数のメタライズ層を有し、メタライズ層ごとの表面にＡｕメッキ層などを確実に被覆できるメッキ用配線を配置した多数個取り配線基板を提供する。【解決手段】複数のセラミック層を積層し、複数の配線基板を縦横に連続して形成した製品エリアおよびその４辺に沿って配設した耳部を備え、製品エリアには隣接する２つの配線基板間を区画するブレーク溝に沿い、最接近する部分が０．４ｍｍ以下の間隙を有する複数の貫通孔と、貫通孔ごとの内壁面に形成されたメタライズ層と、隣接するメタライズ層の間を接続するメッキ用配線とを含み、メッキ用配線は隣接するメタライズ層における他方の基板側部分に接続されると共に、平面視でブレーク溝と交差する交差部の幅は、０．０５〜０．０７５ｍｍである、多数個取り配線基板。【選択図】図４
2009194000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層されてなり、複数の配線基板が縦横に連続して形成された製品エリア、および該製品エリアの少なくとも１辺に沿って配設された耳部を備え、
上記製品エリアには、隣接する２つの配線基板間を区画するブレーク溝に沿い、最接近する部分に０．４ｍｍ以下の間隙を有し、且つ上記複数のセラミック層の厚み方向に沿って形成された複数の貫通孔と、
上記貫通孔ごとの内壁面に形成されたメタライズ層と、
隣接する上記メタライズ層の間を接続するメッキ用配線と、を含み、
上記メッキ用配線は、上記メタライズ層にて隣接する２つの配線基板における一方の基板側部分から延出し、隣接するメタライズ層との間を通過すると共に、該隣接するメタライズ層における他方の基板側部分に接続されると共に、
上記メッキ用配線のうち、平面視で上記ブレーク溝と交差する交差部の幅は、０．０５〜０．０７５ｍｍである、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記メッキ用配線の幅は、０．０５〜０．２０ｍｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記メッキ用配線は、前記ブレーク溝に沿い、且つ前記間隙を置いて隣接する２つの貫通孔ごとの２つのメタライズ層間において、一方のメタライズ層における一方の基板側部分と、他方のメタライズ層における他方の基板側部分とを、前記複数のセラミック層間に沿い、且つ前記交差部を含んだ平面視がほぼＳ字形を呈して接続する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記メッキ用配線は、前記貫通孔およびメタライズ層を挟んで隣接する２つの配線基板を形成する複数のセラミック層間のうち、厚み方向で中間位置のセラミック層間、あるいは該中間位置に最接近するセラミック層間に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のセラミック層を積層してなり、縦横に複数の配線基板を連続して配置しており、分割後における配線基板の側面に複数の凹形端子電極が形成される多数個取り配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
分割後の側面に複数の凹部とその最深部に位置する外部電極とを有する積層電子部品を複数個得るため、複数のセラミック層を積層してなる親積層体における縦横の切断面に沿って、該切断面と直交する断面長方形のビアホールを複数穿孔し、ビアホールごとに導体を充填した後、断面長方形の当該導体の中央部で且つ切断面付近にスルーホールを穿孔して、該スルーホールの切断面から最も離れた最深部に上記導体の側面を露出させた後、縦横の切断面に沿って親積層体を切断・分割してなる積層電子部品およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−３７２５１号公報  （第１〜６頁、図１〜５）
【０００３】
また、分割後の側面に前記同様の凹部と導体部とを有する複数の配線基板を得るため、複数のセラミック層を積層してなり、複数の基板部分を区画する縦横の分割溝に沿って、該分割溝と長軸が平行な長孔を複数穿孔し、該長孔ごとで対向する一対の底面中央部に、複数のセラミック層の厚み方向に沿って、内部の配線パターンと接続する帯状の導体部を一対形成した配線基板集合体も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献２】特開平１１−２６６３９号公報  （第１〜８頁、図１〜５）
【０００４】
特許文献１の前記積層電子部品を得るための親積層体や、特許文献２の前記配線基板集合体では、切断面あるいは分割溝に沿って穿孔した複数の貫通孔の内壁面に、分割後に凹形端子電極となるメタライズ層を形成し、当該メタライズ層の表面にＮｉおよびＡｕメッキ層を被覆するようにしている。
ところで、配線基板の小型化や高性能化のニーズによって、配線基板の側面に形成する複数の凹形端子電極間のピッチを小さくしたり、個々の凹形端子電極の開口部の幅を大きくすることが求められている。しかし、凹形端子電極同士間が小ピッチ化したり、凹形端子電極の開口部の幅を大きくすると、これらの表面に前記ＮｉおよびＡｕメッキ層を被覆するためのメッキ用配線を配置すべきスペースが狭くなり、複数の凹形端子電極ごとに専用のメッキ用配線を配置できなくなるおそれがある。引いては、１個の多数個取り配線基板から得られる配線基板の数を低減せざるを得なくなる場合もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、縦横に複数の配線基板を連続して配置し、これらを区画するブレーク溝に沿って複数の貫通孔およびそれらの内壁面ごとに形成した複数のメタライズ層を有し、該メタライズ層ごとの表面にＮｉおよびＡｕメッキ層を確実に被覆できるメッキ用配線を配置した多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、複数の配線基板を区画するブレーク溝に沿って形成された複数の貫通孔ごとの内壁面に形成されたメタライズ層と、これら同士の間を接続し、且つこれらの間隙を通過するメッキ用配線との間隔を適正化する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、複数のセラミック層が積層されてなり、複数の配線基板が縦横に連続して形成された製品エリア、および該製品エリアの少なくとも１辺に沿って配設された耳部を備え、前記製品エリアには、隣接する２つの配線基板間を区画するブレーク溝に沿い、最接近する部分に０．４ｍｍ以下の間隙を有し、且つ上記複数のセラミック層の厚み方向に沿って形成された複数の貫通孔と、かかる貫通孔ごとの内壁面に形成されたメタライズ層と、隣接する上記メタライズ層の間を接続するメッキ用配線と、を含み、前記メッキ用配線は、上記メタライズ層にて隣接する２つの配線基板における一方の基板側部分から延出し、隣接するメタライズ層との間を通過すると共に、該隣接するメタライズ層における他方の基板側部分に接続されると共に、上記メッキ用配線のうち、平面視で上記ブレーク溝と交差する交差部の幅は、０．０５〜０．０７５ｍｍである、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、内壁面にメタライズ層が形成される貫通孔同士間において最接する部分である０．４ｍｍ以下の間隙に、メッキ用配線の交差部を、隣接する２つメタライズ層の何れとの間で、不用意な短絡を生じることなく、確実に配置することが可能となる。従って、ブレーク溝に沿った複数の貫通孔およびメタライズ層が小ピッチ化したり、かかる貫通孔やメタライズ層の内径または長径が大きくなっても、メタライズ層ごとの表面にＮｉおよびＡｕメッキ層が確実に被覆された多数個取り配線基板を提供することが可能となる。
尚、複数の前記貫通孔同士間において最接近する部分の前記間隙を０．４ｍｍ以下としたのは、かかる間隙が０．４ｍｍを越える場合には、本発明を適用する必要性が乏しい故である。一方、かかる間隙の下限値は、特に規定されないが、該間隙を通過するメッキ用配線に含まれる交差部の幅の上限値：０．０７５ｍｍに、短絡を防止できる距離をその両側に加えた値が推奨される。
また、前記交差部の幅が０．０５ｍｍ未満になると、該交差部における電気抵抗が高くなり過ぎるおそれが生じ、一方、交差部の幅が０．０７５ｍｍ超になると、前記間隔の０．４ｍｍ以下の範囲に配置することが困難となる。これらのため、交差部の幅を前記のような範囲としたものである。かかる交差部の厚みは、約５〜３０μｍである。
【０００８】
尚、前記セラミック層は、アルミナなどを主成分とする高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックから構成される。
また、前記貫通孔は、前記複数のセラミック層の厚み方向に沿った断面形状が長円形であり、かかる貫通孔の内壁面に形成される前記メタライズ層のうち、前記ブレーク溝によって区画されて隣接する２つの配線基板ごとの前記基板側部分は、断面が幅広のほぼＵ字形である。あるいは、前記複数のセラミック層の厚み方向に沿った断面形状が円形であり、かかる貫通孔の内壁面に形成される前記メタライズ層のうち、前記ブレーク溝によって区画されて隣接する２つの配線基板ごとの前記基板側部分は、断面がほぼ半円形である。
更に、前記ブレーク溝は、断面がほぼＶ字形を呈し、少なくとも最上層および最下層のセラミック層に、上下対称に一対が形成され、これらの間に切断予定面が位置しており、かかる一対のブレーク溝および切断予定面によって、製品エリアに配設された配線基板同士を区画し、且つ配線基板と耳部との間も区画される。
また、前記メタライズ層やメッキ用配線などの導体は、前記高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏなどからなり、前記低温焼成セラミックの場合には、ＣｕまたはＡｇなどからなる。
更に、前記メタライズ層には、隣接するセラミック層間に延びて、かかる位置ごとにおける配線基板の内部における配線層も接続される。
加えて、前記メタライズ層の最上部分および最下部分には、一対の前記ブレーク溝が通過している。
【０００９】
また、本発明には、前記メッキ用配線の幅は、０．０５〜０．２０ｍｍである、多数個取り配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、隣接する配線基板ごとの前記セラミック層間および前記間隙の直前付近において、電気的接続が確実に取れるメッキ用配線を容易に配設することが可能となる。尚、これらの位置におけるメッキ用配線の厚みも、約５〜３０μｍである。
【００１０】
更に、本発明には、前記メッキ用配線は、前記ブレーク溝に沿い、且つ前記間隙を置いて隣接する２つの貫通孔ごとの２つのメタライズ層間において、一方のメタライズ層における一方の基板側部分と、他方のメタライズ層における他方の基板側部分とを、前記複数のセラミック層間に沿い、且つ前記交差部を含んだ平面視がほぼＳ字形を呈して接続する、多数個取り配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記ブレーク溝に沿って形成された複数の貫通孔ごとのメタライズ層と、これらの間ごとの前記間隙とを１つの電気回路で容易に接続できる。このため、何れかのメッキ用配線と耳部の外側面に形成したメッキ用電極とを接続することで、複数のメタライズ層の表面にＮｉおよびＡｕメッキを確実に被覆させた多数個取り配線基板を提供することが可能となる。
【００１１】
加えて、本発明には、前記メッキ用配線は、前記貫通孔およびメタライズ層を挟んで隣接する２つの配線基板を形成する複数のセラミック層間のうち、厚み方向で中間位置のセラミック層間、あるいは該中間位置に最接近するセラミック層間に形成されている、多数個取り配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、表面側および裏面側から一対のブレーク溝が形成されても、これらのブレーク溝がメッキ用配線の前記交差部に達しにくくなる。このため、複数の配線基板ごとの側面に開口する凹形端子電極の表面ごとにＮｉおよびＡｕメッキを確実に被覆させた多数個取り配線基板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多数個取り配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中の一点鎖線部分Ｘの部分拡大図、図３は、図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分垂直断面図、図４は、図３中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分水平断面図である。
多数個取り配線基板１ａは、図１〜図３に示すように、平面視がほぼ長方形であるセラミック層ｓ１〜ｓ４が積層されてなり、表面２、裏面３、複数の配線基板ｐ１〜ｐ６が縦横に連続して形成された製品エリアａ、および該製品エリアａの４辺に沿って配接された平面視が矩形枠状の耳部ｍを備えている。長辺の耳部ｍの外側面には、断面ほぼ半円形の凹部５が厚み方向に沿って複数形成され、それらの内壁面ごとに断面ほぼ半円形のメッキ用電極４が形成されている。該メッキ用電極４は、後述する複数のメッキ用配線１０の何れかと電気的に接続されている。尚、表面２および裏面３は、製品エリアａと耳部ｍとに共通して用いる。
【００１３】
図１〜図３に示すように、製品エリアａと耳部ｍとの間、および製品エリアａ内で隣接する平面視がほぼ正方形の配線基板ｐ１〜ｐ６間は、表面２および裏面３から上下対称に形成され、断面ほぼＶ字形を呈する上下一対のブレーク溝ｖ，ｖによって区画されている。尚、上下一対のブレーク溝ｖ，ｖ間には、図３中で破線で示す仮想の切断予定面ｃが位置している。
上記ブレーク溝ｖに沿って、平面視が長円形の貫通孔６、およびその内壁面に形成された断面ほぼ長円形のメタライズ層７が複数個ずつ配設されている。各メタライズ層７の長軸方向の上・下部には、上下のブレーク溝ｖが一定の深さで喰い込んでいる。また、図３で例示するように、各メタライズ層７の長辺の背面から隣接する配線基板ｐ３，ｐ６内のセラミック層ｓ１，ｓ２間、あるいはセラミック層ｓ３，ｓ４間に沿って、それぞれ内部の配線層２０〜２３が延びている。
【００１４】
図３，図４で例示するように、前記貫通孔６ごとの内壁面に形成されたメタライズ層７は、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃによって区画される配線基板ｐ３，ｐ６内に個別に位置し、平面視が幅広いほぼＵ字形の一対の基板側部分８，９からなる。
また、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃに沿って隣接するメタライズ層７，７間は、同様に隣接する配線基板ｐ３，ｐ６ごとのセラミック層ｓ２，ｓ３間に形成されたメッキ用配線１０によって接続されている。
かかるメッキ用配線１０は、図４に示すように、１つのメタライズ層７における一方の基板側部分８の背面から一方の配線基板ｐ３内のセラミック層ｓ２，ｓ３間に延びる垂直部１２、切断予定面ｃと平行な平行部１３、および隣接する貫通孔６，６間に延びる垂直部１４と、貫通孔６，６間で最接近する間隙ｄおよび平面視で前記ブレーク溝ｖと交差する交差部１５と、他方の配線基板ｐ６内のセラミック層ｓ２，ｓ３間に延びる上記同様の垂直部１６、平行部１７、および隣接するメタライズ層７における他方の基板側部分９の背面に接続する垂直部１８と、を備えており、平面視がほぼＳ字形を呈する。
【００１５】
図４に示すように、隣接する貫通孔６，６間で最接近する部分には、０．４ｍｍ以下の間隙ｄが位置し、かかる間隙ｄを含み且つ平面視で前記ブレーク溝ｖと交差する長さの位置に、前記メッキ用配線１０の交差部１５が形成されている。かかる交差部１５の幅ｗは、０．０５〜０．０７５ｍｍに設定されている。
尚、メッキ用配線１０において、交差部１５を除いた前記垂直部１２，１４，１６，１８および平行部１３，１７の幅ｙは、０．０５〜０．２０ｍｍである。
図４で例示するように、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃに沿って隣接する複数のメタライズ層７同士の間には、隣接するメタライズ層７，７間ごとを接続する複数の前記メッキ用配線１０を介して、１つの電気回路が形成されている。
【００１６】
このため、前記耳部ｍのメッキ用電極４から延びる図示しない接続配線を、何れかのメッキ用配線１０の平行部１７に接続して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施すことで、複数のメタライズ層７の表面に所要の厚みを有するＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を確実に被覆することができる。しかも、隣接するメタライズ層７，７が形成された貫通孔６，６間で最接近する部分の間隙ｄが０．４ｍｍ以下と小ピッチであっても、かかる間隙ｄ付近を通過するメッキ用配線１０の交差部１５の幅ｗが０．０５〜０．０７５ｍｍの範囲内であるため、該メッキ用配線１０と隣接するメタライズ層７，７との間において、不用意な短絡を確実に防止できるので、前記各電解メッキを精度良く施すことができる。
以上のような多数個取り配線基板１ａによれば、ブレーク溝ｖに沿った複数の貫通孔６およびメタライズ層７が小ピッチ化したり、かかる貫通孔６やメタライズ層７の長径が大きくなっても、メタライズ層７ごとの表面に所要厚さのＮｉおよびＡｕメッキ層が確実に被覆された多数個取り配線基板１ａを提供可能となる。
【００１７】
前記多数個取り配線基板１ａは、次のようにして製造した。
予め、前記セラミック層ｓ１〜ｓ４となるアルミナを主成分とする大版サイズである複数のグリーンシートを製作し、該グリーンシートごとに、図示しないビアホールを形成し、それらの表面や上記ビアホール内に、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを印刷あるいは充填して、未焼成の前記メッキ用配線１０、配線層２０〜２３、ビア導体（図示せず）などとの導体を形成した。
次に、前記複数のグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を形成し、仮想の前記切断予定面ｃに沿って打ち抜き加工を施して、複数の貫通孔６および耳部ｍの各凹部５を穿設した。この際、隣接する貫通孔６，６間で最接近する部分の間隙ｄは、０．４ｍｍ以下（例えば、０．３６ｍｍ）とした。
【００１８】
次いで、上記貫通孔６および凹部５ごとの内壁面に対し、前記同様の導電性ペーストを吸引・塗布して、未焼成のメタライズ層７やメッキ用電極４を形成した。この際、メッキ用配線１０は、メタライズ層７、および配線基板ｐ１〜ｐ６ごとの配線層２０〜２３と導通可能となり、且つ接続配線（図示せず）を介して何れかのメッキ用電極４とも導通可能となった。尚、配線基板ｐ１〜ｐ６ごとの表面および裏面には、前記配線層２０〜２３と導通する図示しないパッドや接続端子も形成した。
更に、前記切断予定面ｃおよび複数の貫通孔６に沿って、最上層および最下層のグリーンシートに対し、図示しないブレードを垂直に挿入して、一対のブレーク溝ｖを上下対称に形成した。この際、メッキ用配線１０は、グリーンシート積層体において厚み方向で中間位置のグリーンシート間に形成されているので、上記ブレーク溝ｖによって切断されなかった。
【００１９】
次に、以上のようなグリーンシート積層体を所定温度帯で焼成して、前記セラミック層ｓ１〜ｓ４からなるセラミック積層体を形成した。
更に、焼成された複数のメッキ用電極４に図示しない電極棒を接触し、セラミック積層体を所要のメッキ液槽に浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施し、各メタライズ層７の表面にＮｉおよびＡｕメッキ層を所要の厚みごとに被覆した。この際、配線基板ｐ１〜ｐ６ごとの表面および裏面に形成された前記パッドや接続端子の表面にも、上記ＮｉおよびＡｕメッキ層が被覆された。
その結果、図１〜図４に示した前記多数個取り配線基板１ａが得られた。
尚、多数個取り配線基板１ａを前記ブレーク溝ｖに沿って切断・分割することで、複数の配線基板ｐ１〜ｐ６が同時に得られると共に、かかる配線基板ｐ１〜ｐ６の側面には、前記メタライズ層７が分割され且つ表面に前記ＮｉおよびＡｕメッキ層が被覆された幅広の凹部端子電極が、複数個ずつ形成される。
【００２０】
図５は、異なる形態の多数個取り配線基板１ｂを示す部分平面図、図６は、図５中の一点鎖線部分Ｒにおける前記図４と同様な部分水平断面図である。
多数個取り配線基板１ｂは、前記同様のセラミック層ｓ１〜ｓ４を積層してなり、図５，図６に示すように、平面視がほぼ正方形である複数の配線基板ｐ１〜ｐ６が縦横に連続して形成された前記同様の製品エリアａ、および該製品エリアａの４辺に沿って配接された前記同様の耳部ｍを備えている。対向する一対の耳部ｍの外側面には、前記同様の凹部５およびメッキ用電極４が形成されている。
図５に示すように、製品エリアａと耳部ｍとの間、および製品エリアａ内で隣接する配線基板ｐ１〜ｐ６間は、前記同様のブレーク溝ｖによって区画され、これらの間には、図６中で破線で示す仮想の切断予定面ｃが位置している。
【００２１】
前記ブレーク溝ｖに沿って、平面視が円形の貫通孔２６、およびその内壁面に形成された断面ほぼ円形のメタライズ層２７が複数個ずつ配設されている。各メタライズ層２７の上・下部には、上下のブレーク溝ｖが一定の深さで喰い込んでいる。また、前記同様に、各メタライズ層２７の背面から隣接する配線基板ｐ３，ｐ６内のセラミック層間に沿って、前記同様の配線層が延びている。
図６で例示するように、前記貫通孔２６ごとの内壁面に形成されたメタライズ層２７は、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃによって区画される配線基板ｐ３，ｐ６内に位置し、平面視がほぼ半円形の一対の基板側部分２８，２９からなる。
【００２２】
また、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃに沿って隣接するメタライズ層２７，２７間は、同様に隣接する配線基板ｐ３，ｐ６ごとの前記セラミック層ｓ２，ｓ３間に形成されたメッキ用配線３０によって接続されている。
かかるメッキ用配線３０は、図６に示すように、１つのメタライズ層２７における一方の基板側部分２８の背面から一方の配線基板ｐ３内のセラミック層間に延びる垂直部３２、切断予定面ｃと平行な平行部３３、および隣接する貫通孔２６，２６間に延びる垂直部３４と、貫通孔２６，２６間で最接近し且つ平面視で前記ブレーク溝ｖと交差する交差部３５と、他方の配線基板ｐ６内のセラミック層間に延びる上記同様の垂直部３６、平行部３７、および隣接するメタライズ層２７における他方の基板側部分２９の背面に接続する垂直部３８と、を備えており、平面視がほぼＳ字形を呈する。
【００２３】
図６に示すように、隣接する貫通孔２６，２６間で最接近する部分には、０．４ｍｍ以下の間隙ｄが位置し、かかる間隙ｄを含み且つ平面視で前記ブレーク溝ｖと交差する長さの位置に、前記メッキ用配線３０の交差部３５が形成されている。かかる交差部３５の幅ｗは、０．０５〜０．０７５ｍｍに設定されている。
尚、メッキ用配線３０において、交差部３５を除いた前記垂直部３２，３４，３６，３８および平行部３３，３７の幅ｙは、０．０５〜０．２０ｍｍである。
図６に示すように、前記ブレーク溝ｖおよび切断予定面ｃに沿って隣接する複数のメタライズ層２７同士の間には、隣接するメタライズ層２７，２７同士を接続する複数の前記メッキ用配線３０を介して、１つの電気回路が形成されている。
【００２４】
このため、前記耳部ｍのメッキ用電極４から延びる図示しない接続配線を、何れかのメッキ用配線３０の平行部３７に接続して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施すことで、複数のメタライズ層２７の表面に所要の厚みを有するＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を確実に被覆することができる。
しかも、隣接するメタライズ層２７，２７が形成された貫通孔２６，２６間で最接近する部分の間隙ｄが０．４ｍｍ以下の小ピッチになっても、かかる間隙ｄ付近を通過するメッキ用配線３０の交差部３５の幅ｗが０．０５〜０．０７５ｍｍの範囲内とされている。そのため、該メッキ用配線３０と隣接するメタライズ層２７，２７との間において、不用意な短絡を確実に防止できるため、前記各電解メッキを精度良く施すことができる。
【００２５】
以上のような多数個取り配線基板１ｂによれば、ブレーク溝ｖに沿った複数の貫通孔２６およびメタライズ層２７がそれぞれ小ピッチ化したり、かかる貫通孔２６の内径やメタライズ層２７の外径が大きくなっても、メタライズ層２７ごとの表面に所要厚さのＮｉおよびＡｕメッキ層が確実に被覆された多数個取り配線基板１ｂを提供可能となる。
尚、多数個取り配線基板１ｂも前記同様の方法で製造することができる。
また、多数個取り配線基板１ｂを前記ブレーク溝ｖに沿って切断・分割することで、複数の配線基板ｐ１〜ｐ６が同時に得られると共に、かかる配線基板ｐ１〜ｐ６の側面には、前記メタライズ層２７が分割され且つ表面に前記ＮｉおよびＡｕメッキ層が被覆された断面ほぼ半円形の凹部端子電極が、複数個ずつ形成される。
【００２６】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層は、ムライトや窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミックとしたり、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良く、後者の場合、前記メッキ用配線などの導体には、ＣｕまたはＡｇが適用される。
また、前記セラミック層は、２層、３層、あるいは５層以上を積層しても良い。
更に、前記貫通孔の断面は、各コーナにアールを付けた正方形または長方形やほぼ楕円形としても良く、その内壁面に形成されるメタライズ層の断面も、上記各形状に倣った形状としても良い。
また、メッキ用配線は、ブレーク溝および切断予定面に沿って隣接する２つのメタライズ層の背面から延出し、且つ前記間隙を通過する交差部を含む形態であれば、平面視がほぼＳ字形の前記形態に限らす、例えば、隣接するメタライズ層間において、前記切断予定面と斜めに交差する交差部を含む形態としても良い。
加えて、前記製品エリアで縦横に連続して形成される複数の配線基板は、それぞれ平面視でほぼ長方形を呈する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図２】図１中の一点鎖線部分Ｘの部分拡大図。
【図３】図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図４】図３中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分水平断面図。
【図５】異なる形態の多数個取り配線基板を示す部分平面図。
【図６】図５中の一点鎖線部分Ｒにおける図４と同様な部分水平断面図。
【符号の説明】
【００２８】
１ａ，１ｂ…多数個取り配線基板
６，２６……貫通孔
７，２７……メタライズ層
８，２８……一方の基板側部分
９，２９……他方の基板側部分
１０，３０…メッキ用配線
１５，３５…交差部
ａ……………製品エリア
ｍ……………耳部
ｐ１〜ｐ６…配線基板
ｖ……………ブレーク溝
ｄ……………間隙
ｗ……………交差部の幅
ｙ……………メッキ用配線の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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