(57)【要約】【課題】  リード線が断線することなく小型化が可能なスタックタイプの半導体装置を提供することである。【解決手段】  複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、外周に形成された斜面に電極が配設されたデバイスが絶縁性接着剤を介して該フレーム基板に複数積層されており、斜面に配設された前記電極と前記アウターリード端子とがリード線で接続されていることを特徴とする。【選択図】図３
2009193983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、
外周に形成された斜面に電極が配設されたデバイスが絶縁性接着剤を介して該フレーム基板に複数積層されており、
斜面に配設された前記電極と前記アウターリード端子とがリード線で接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスを積層するスタックタイプの半導体装置の製造方法であって、
デバイスの電極が形成された半導体基板の外周に斜面を形成し、
該斜面に沿ってデバイスの電極を折り曲げ、
該デバイスを絶縁性接着剤を介して前記フレーム基板に複数個積層し、
斜面に配設された前記電極と前記アウターリード端子とをリード線で接続する、
各工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタックタイプの半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器、特に携帯電話市場における小型化の要求に伴い、搭載される半導体装置に対しても小型化が要求されている。この要求を満たすために、複数のデバイスを積層し更に樹脂封止したスタックタイプの半導体装置が開発されている（例えば、特開２００１−１１８８７７号及び特開２００２−２２２９１３号参照）。
【０００３】
代表的なスタックタイプの半導体装置は、デバイスを支持するデバイス支持領域とデバイスの外周に形成された複数の電極と電気的に接続されるアウターリード端子とを有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層され、各デバイスの電極とアウターリード端子とが金線によって連結され、エポキシ樹脂等でパッケージングされて構成されている。
【特許文献１】特開２００１−１１８８７７号公報
【特許文献２】特開２００２−２２２９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のスタックタイプの半導体装置では、金線が下層デバイスのコーナーに接触して断線する恐れがあることから金線はアーチ状に湾曲して接続されており、比較的多くの金線が必要となりコスト高になるという問題がある。
【０００５】
また、アーチ状に湾曲した金線が樹脂でモールドされてパッケージングされるため、外径が比較的大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リード線が下層のデバイスのコーナーに接触して断線することがなく、且つ小型化可能なスタックタイプの半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明によると、複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、外周に形成された斜面に電極が配設されたデバイスが絶縁性接着剤を介して該フレーム基板に複数積層されており、斜面に配設された前記電極と前記アウターリード端子とがリード線で接続されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００８】
請求項２記載の発明によると、複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスを積層するスタックタイプの半導体装置の製造方法であって、デバイスの電極が形成された半導体基板の外周に斜面を形成し、該斜面に沿ってデバイスの電極を折り曲げ、該デバイスを絶縁性接着剤を介して前記フレーム基板に複数個積層し、斜面に配設された前記電極と前記アウターリード端子とをリード線で接続する、各工程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、外周に形成された斜面に電極が配設されたデバイスを絶縁性接着剤を介してフレーム基板に複数積層し、斜面に配設された電極とアウターリード端子とをリード線で接続して半導体装置を構成したので、リード線が下層のデバイスのコーナーに接触して断線することがないと共に、使用するリード線を少なくできるので、コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１（Ａ）を参照すると、シリコン基板等の半導体基板３上に図示しない電子回路が形成され、該電子回路に接続された複数の電極４が外周部に形成された半導体デバイス２の斜視図が示されている。
【００１１】
本実施形態では、電極４が形成された半導体基板３の両端部（外周部）３ａ，３ｂを研削して三角柱形状に取り除き、デバイス（第１デバイス）２の両端部に図１（Ｂ）に示すように斜面６を形成する。次いで、複数の電極４を斜面６に沿って折り曲げる。
【００１２】
このように構成されたデバイス２を図２に示すように複数積層する。即ち、第１デバイス２上にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）等の絶縁性接着剤８を介して第２デバイス１０を積層し、第２デバイス１０上にＤＡＦ等の絶縁性接着剤１６を介して第３デバイス１８を積層して、積層デバイス２４を形成する。
【００１３】
第２デバイス１０は、第１デバイス２と同様に外周部に形成された斜面１４と、斜面１４に沿って折り曲げられた複数の電極１２を有しており、第３デバイス１８も、外周部に形成された斜面２２と、斜面２２に沿って折り曲げられた複数の電極２０を有している。
【００１４】
２８はフレーム基板であり、デバイス支持領域３０と複数のアウターリード端子３２を有している。積層デバイス２４をＤＡＦ等の絶縁性接着剤２６を介して、矢印Ａに示すようにフレーム基板２８のデバイス支持領域３０上に搭載する。
【００１５】
次いで、図３に示すように第１、第２、第３デバイス２，１０，１８の電極４，１２，２０をリード線３４の一端にボンディング接続すると共に、リード線３４の他端をアウターリード端子３２にボンディング接続することにより、スタックタイプの半導体装置３６が完成する。特に図示しないが、半導体装置３６は次いで樹脂封止される。
【００１６】
スタックタイプの半導体装置３６は以上詳述したように構成されているので、リード線３４が下層のデバイスのコーナーに接触して断線する恐れがないと共に、各電極がデバイスの周辺部に形成された斜面に沿って折り曲げられているので、リード線を少なくすることができ、半導体装置のコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（Ａ）は半導体デバイスの斜視図であり、図１（Ｂ）は基板の両端部を斜めに削除して斜面を形成し、各電極を斜面に沿って折り曲げた状態の半導体デバイスの斜視図である。
【図２】積層デバイスをフレーム基板に搭載する様子を示す斜視図である。
【図３】各電極をアウターリード端子に接続した状態の半導体装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００１８】
２    デバイス（第１デバイス）
３    半導体基板
４，１２，２０    電極
６，１４，２２    斜面
８，１６，２６    絶縁性接着剤
１０    第２デバイス
１８    第３デバイス
２４    積層デバイス
２８    フレーム基板
３０    デバイス支持領域
３２    アウターリード端子
３４    リード線
３６    スタックタイプの半導体装置
【図１】
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【図２】
2009193983.tif 000004
【図３】
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