(57)【要約】【課題】発光効率が高く、耐久性に優れ、且つノイズの少ない放射線用シンチレータパネルおよびフラットパネルディテクターを提供することにある。【解決手段】放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングにより構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングにより構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【請求項２】
放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板に前記蛍光体層の反対側に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングにより構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【請求項３】
前記反射層が３５０〜８００ｎｍの光を選択的に反射することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線用シンチレータパネル。
【請求項４】
前記反射層が４００〜７００ｎｍの光を選択的に反射することを特徴とする請求項３に記載の放射線用シンチレータパネル。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項に記載の放射線用シンチレータパネルを用いたことを特徴とするフラットパネルディテクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を受けて蛍光を発する放射線用シンチレータパネルに関し、特に反射効率の高い反射層を用いた放射線用シンチレータパネルおよびフラットパネルディテクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像撮影装置は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−Ｘ線フィルムによる放射線画像撮影装置は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
近年では、フラットパネル型放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出手段も登場しており、放射線画像をデジタル情報として取得して自由に画像処理を行い、画像情報を直ちに電送することが可能となっている。
【０００４】
放射線画像検出手段は放射線を蛍光に変換する所謂「シンチレータパネル」を有している。シンチレータパネルは、被写体を通過した放射線を受けて、その放射線量に対応した強度で蛍光体層による蛍光を瞬時に発光するものであり、基板上に蛍光体層を形成した構成を有する。
【０００５】
図２は、従来の技術のシンチレータパネル６を有するフラットパネルディテクター（ＦＰＤ）断面構成図である。シンチレータパネルは、放射線透過性の基板１と、該基板の一方の表面上に形成された反射金属層２と、該金属反射膜を覆う保護膜３と、金属反射膜上の保護膜上に蒸着によって多数の針状結晶として形成されたアルカリハライド系（例えば、発光中心としてＴｌをドープしたＣｓＩ：Ｔｌ）の蛍光体層と、該蛍光体層を覆う防湿層として、外部保護膜５Ａ，５Ｂを備えたものである。
【０００６】
ＦＰＤ内部では図２に示すように、シンチレータパネル６を光電変換素子アレイ７に密着させるように、緩衝材８で押圧し、電磁シールド用の前面板９を載せた後、ＡＢＳ樹脂等からなるハウジング１０で密封されている。
【０００７】
患者の患部を透過したＸ線はＦＰＤの前面板９側から入射し、蛍光体４で光に変換される。この光を光電変換素子アレイ７で読み取り画像を得るが、蛍光体４の光は等方的に発光するため、光電変換素子アレイ側に行く光と同じ量の光が前面板側にも発光している。この発光を無駄にしないよう、反射金属層２が光を光電変換素子アレイ側に反射させる働きをしている。
【０００８】
なお、図２では保護膜３は反射金属層の一方の面を覆っており、全体を覆っていないが、一方、反射金属層だけでなく、基板の少なくとも側壁まで覆う保護膜を有する構造が挙げられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
図３に特許文献１に記載のシンチレータパネルの断面図を示す。反射板と基板を含めて保護膜で覆う例が示されている。
【００１０】
これは次のような理由による。ＦＰＤ内部のシンチレータパネルは高温、高湿度（例えば６０℃、湿度７０％）に数日間さらされる可能性がある。この時、蛍光体はハロゲン元素を含むので、ハロゲン元素が水分の浸入により、ＣｓＩ＋Ｉ2＝Ｃｓ+＋Ｉ3-とＩ3-イオンを作り、通常Ａｌで構成されている金属反射膜と反応してＡｌを＋にイオン化し、反射金属層から溶け出させてしまうと考えられる。あるいはＩがイオン化して水分子と反応することによりＨ2Ｏ＋Ｉ-→ＨＩ＋ＯＨ-と水酸化イオンを発生時、Ａｌ＋３ＯＨ-＝Ａｌ（ＯＨ）3となって溶解するという可能性も考えられる。
【００１１】
腐食が発生した部分では、光の反射強度が落ちるので、画像に強度むらが発生するという問題が発生する。
【００１２】
また、フラットパネルディテクターの内部ではシンチレータ以外で発生した光がシンチレータパネル内に迷い込み（迷光）ノイズとなる可能性や、Ｔｌ以外の不純物による蛍光が生じる可能性がある。これらの光は診断画像に対してはノイズとなるので、シンチレータ本来の発光ＣｓＩ：Ｔｌでは図４に示すように、４００〜７００ｎｍの波長領域であり、それ以外の光を反射層で反射しないようにすればノイズを抑えることができると考えられる。
【特許文献１】特開２００３−２６２６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、放射線用シンチレータパネルとして発光効率が高く、且つ、構造が単純で、製造が容易であるが耐久性が高く、ノイズの少ないフラットパネルディテクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題は、以下の構成により解決することができた。
【００１５】
１．放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングにより構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【００１６】
２．放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板に前記蛍光体層の反対側に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングにより構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネル。
【００１７】
３．前記反射層が３５０〜８００ｎｍの光を選択的に反射することを特徴とする前記１又は２に記載の放射線用シンチレータパネル。
【００１８】
４．前記反射層が４００〜７００ｎｍの光を選択的に反射することを特徴とする前記３に記載の放射線用シンチレータパネル。
【００１９】
５．前記１〜３の何れか１項に記載の放射線用シンチレータパネルを用いたことを特徴とするフラットパネルディテクター。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の放射線用シンチレータパネルにより、反射層を誘電体膜のみで構成されているため、金属に起因する腐食が発生する心配がなく、高耐久性を維持し、且つ蛍光体の発光のみを反射するので、迷い込み（迷光）ノイズや、Ｔｌ以外の不純物による蛍光によるノイズが反射層で反射されないので、画像ノイズを抑えることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明を更に詳細に説明する。
【００２２】
先ず、図１に本発明の放射線用シンチレータパネルの断面構成図を示す。
【００２３】
図１（ａ）は、請求項１に記載の構成であり、放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜により構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネルである。
【００２４】
一方、図１（ｂ）は、請求項２に記載の構成であり、放射線透過性の基板と、前記基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層と、前記基板に前記蛍光体層の反対側に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜により構成されていることを特徴とする放射線用シンチレータパネルである。
【００２５】
図に示す如く、本発明に係る反射層は誘電体多層膜によるところから、反射層と蛍光体とを分離、保護する必要が無く、構成が単純で、製造が容易となったものである。
【００２６】
本発明では、金属反射層と保護膜の代わりに、誘電体多層膜により反射ミラーを形成する。反射ミラーの構造を図５に示す。ここでは、ガラス基板１１上に複数のＴｉＯ2層１２とＳｉＯ2層１３が積層されている。これは高屈折率と低屈折率の２種類の薄膜を交互にλ０／４の光学的厚さで蒸着して作製する。ここでλ０＝λ／ｎであり、λ０は屈折率ｎの蒸着物質内における光の波長を表す。垂直入射を考えるとき、図５に示すような高屈折率（ここではＴｉＯ2：２．３５）と低屈折率（ここではＳＩＯ2：１．４２）を交互に配置する。ここに波長λの光が入射すると、高屈折率の物質から低屈折率の物質に入射する境界面で反射光の位相が反転する。逆に低屈折率から高屈折率側に入射するときの境界面では同位相で反射するため、各境界でのＦｒｅｓｎｅｌ反射係数は交互に正、負となり、それぞれの膜の光路差がπとなる。この結果一つの波長λの光に対しては、全ての境界での反射光が同位相となり、それらの重ねあわされた反射光は高い反射率となる。反射率は総数を十数層とすれば、理論上は９９．９９％程度の高い値が得られる。
【００２７】
今、屈折率２．３５のＴｉＯ2と１．４２のＳｉＯ2の二つを用いて上記の反射ミラー構造を作製することを考える。仮にλをＣｓＩの中心発光波長：５５０ｎｍと考えて、ＴｉＯ2のλ０／４の厚さはλ／４ｎ＝５５０／（４×２．３５）＝５９ｎｍ、ＳｉＯ2のλ０／４の厚さはλ／４ｎ＝５５０／（４×１．４２）＝９７ｎｍとなるので、ＴｉＯ2：５９ｎｍ、ＳｉＯ2：９７ｎｍを積層していけばよい。実際には５５０ｎｍだけでなく４００〜７００ｎｍについて反射率が最大になるようにＴＦＣａｌｃなどのシミュレーションソフトにより、各層の膜厚を最適化する。その結果の例を表１に示す。
【００２８】
【表１】
2009025075.tif 000003
【００２９】
この例は屈折率２．３５と１．４２の材料を用いて反射ミラーを構成している。高反射率を得る波長域は４００〜７００ｎｍである。３１層で構成される多層膜構造となっている。ＴｉＯ2（屈折率２．３５）の層の厚さ，ＳｉＯ2（屈折率１．４２）の層の厚さもそれぞれ、５９ｎｍ、９７ｎｍを中心としてそれぞれ異なった膜厚に設定されている。基板はガラス、媒体は空気ではあるが、図６にこの多層膜についての強度反射率の計算結果を示す。４００〜７００ｎｍの波長内で高い反射率が得られていることがわかる。
【００３０】
上記のような方法で、金属反射膜の代わりに、２層以上の誘電体多層膜の高反射コーティングを形成し、反射層用の保護膜を省略するのが本発明である。
【実施例】
【００３１】
［第１の実施形態（請求項１）］
図７は、本発明の実施の形態に係る放射線用シンチレータパネルの製造方法の工程断面図である。図７（ａ）を用いて説明する。まず、基板として１２５μｍ厚さのポリイミド基板１４を選択した。ポリイミド基板は樹脂であり、Ｘ線透過が大きいという利点がある。
【００３２】
次に、図７（ｂ）のように多層誘電体層からなる反射層を蒸着法やイオンプレーティング法を用いて形成する。ＴｉＯ2：２．３５とＳｉＯ2：１．４２の積層膜を表１で示すような膜厚に積層する。具体的には３１層とし、奇数層すなわち１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，２１，２３，２５，２７，２９，３１層を屈折率２．３５のＴｉＯ2層とし、それぞれ、２３５，６０，６５，１４５，１３０，５０，６０，５０，５５，７５，５０，４０，４０，５０，５０，６０ｎｍとする。また、偶数層すなわち、２，４，６，８，１０，１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８，３０層を屈折率１．４２のＳｉＯ2層とし、それぞれ、７５，７０，８０，１００，９５，１２０，９５，１０５，１２５，１００，６５，８０，１０５，１８５，８０ｎｍとした。
【００３３】
次に、図７（ｃ）に示すように、基板上に蛍光体材料としてＣｓＩ：Ｔｌを蒸着法で成膜する。まず、ボートに蛍光体原料ＣｓＩとＴｌＩを例えば１：０．０３ｍｏｌ％の比率で充填する。次に、真空チャンバー内部を一旦排気したのち、Ａｒガスを導入して、真空チャンバー内部を０．５Ｐａの真空度にする。ここで、基板を２００℃程度で加熱、回転させ、ボートを７１０℃程度まで加熱し、ＣｓＩとＴｌＩを蒸発させる。これにより、基板の上に直径数μｍ、厚さ６００μｍのＣｓＩの柱状結晶が成膜できる。
【００３４】
最後に図７（ｄ）に示すように、外部保護膜１５Ａ，１５Ｂとしては合計５０μｍの厚さのＰＥＴ２０μｍ／アルミナ蒸着０．２μｍ／ポリプロピレン３０μｍ積層膜を用いる。１７Ａと１７Ｂは端部で熱圧着を行い接着する。接着した場所を外部保護膜接続部１６に示す。
【００３５】
本発明が解決する腐食の問題は以下の通りである。高温、高湿環境下（６０℃、７０％）で水分の侵入により、ＣｓＩ＋Ｉ2＝Ｃｓ+＋Ｉ3-とＩ3-イオンを作り、通常Ａｌで構成されている金属反射膜と反応してＡｌを＋にイオン化し、反射金属層から溶け出させてしまう。あるいはＩがイオン化して水分子と反応することによりＨ2Ｏ＋Ｉ-→ＨＩ＋ＯＨ-と水酸化イオンを発生時、Ａｌ＋３ＯＨ-＝Ａｌ（ＯＨ）3となって溶解するという可能性も考えられる。しかし本発明に係る反射層は誘電体の多層膜であり、金属ではないので、腐食は発生しない。
【００３６】
また、本発明では、反射層（ＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜）は蛍光体の発光のみを反射するので、迷い込み（迷光）ノイズや、Ｔｌ以外の不純物による蛍光によるノイズが反射層で反射されない。これにより、画像ノイズをおさえることができる。また、本発明では保護膜（もともと金属反射層を蛍光体のハライド原子の拡散による腐食から守るために設置されていた）の成膜が不要になるという利点もある。
【００３７】
本発明に係る反射層の反射率は図６に示すようにほぼ１００％であり、金属で実現できる反射率Ａｌ：８７％、Ａｇ：９４％の場合よりも反射率を高くできるという利点もある。
【００３８】
本実施例では、反射層として、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の積層構造を用いたが、高屈折率と低屈折率の物質の組み合わせならなにを用いてもよい。また、層数は最低ＴｉＯ2とＳｉＯ2それぞれ最低１層あればよい。また、ＴｉＯ2とＳｉＯ2のそれぞれの層の膜厚はＣｓＩの屈折率１．８、ポリイミドの屈折率１．７８を用いてそれぞれ最適化すればよい。また、本実施例では基板としてポリイミドを用いたが、放射線透過性であれば、他の基板例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂基板や、Ａｌ等の金属基板であってもよい。また、樹脂基板の上にＡｌ，Ａｇ等の金属反射層を設けた基板の上に、本実施例で述べた誘電体積層膜を設け、その上に蛍光体層を成膜してもよい。これら金属基板や金属反射層を用いた場合は腐食に対して弱くなる面があるが、反射層（ＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜）は蛍光体の発光のみを反射するので、迷い込み（迷光）ノイズや、Ｔｌ以外の不純物による蛍光によるノイズが反射層で反射されない。これにより、画像ノイズをおさえることができるという利点がある。
【００３９】
なお、本実施例ではＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜１５とポリイミド基板１４は直接接しているが、Ａｌ膜等の金属反射膜を１５と１４の間に挿入してもよい。この場合、さらに、ＣｓＩ：Ｔｌ１６の発光の反射率を上げることができる可能性がある。
【００４０】
［第２の実施形態（請求項２）］
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る放射線用シンチレータパネルの製造方法の工程断面図である。図８（ａ）を用いて説明する。まず、基板として７５μｍ厚さのポリイミド基板１４を選択した。ポリイミド基板は蛍光体から発する光を透過できるという特徴もある。
【００４１】
次に図８（ｂ）のように、ポリイミド基板１４上に多層誘電体層からなる反射層を蒸着法やイオンプレーティング法を用いて形成する。今回はＴｉＯ2：２．３５とＳｉＯ2：１．４２の積層膜を表１で示したような膜厚に積層する。具体的には３１層とし、奇数層すなわち１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，２１，２３，２５，２７，２９，３１層を屈折率２．３５のＴｉＯ2層とし、それぞれ、２３５，６０，６５，１４５，１３０，５０，６０，５０，５５，７５，５０，４０，４０，５０，５０，６０ｎｍとする。また、偶数層すなわち、２，４，６，８，１０，１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８，３０層を屈折率１．４２のＳｉＯ2層とし、それぞれ、７５，７０，８０，１００，９５，１２０，９５，１０５，１２５，１００，６５，８０，１０５，１８５，８０ｎｍとした。
【００４２】
その後、屈折率１．５２のＡｌ蒸着膜付ＰＥＴフィルム１９（厚さ１２５μｍ）をＡｌ蒸着膜が表面側になるように貼り付けを行った。
【００４３】
次に図８（ｃ）のように、基板を上下逆にし、蒸着装置の静電チャック付基板ホルダーに取り付ける。静電チャック付基板ホルダーでは、静電気を利用するのでＡｌ膜が基板ホルダーを接していた方が、基板が吸着しやすいという利点がある。蒸着装置内に基板をセットした後、基板上に蛍光体材料としてＣｓＩ：Ｔｌを蒸着法で成膜する。まず、ボートに蛍光体原料ＣｓＩとＴｌＩを例えば１：０．０３ｍｏｌ％の比率で充填する。次に、真空チャンバー内部を一旦排気したのち、Ａｒガスを導入して、真空チャンバー内部を０．５Ｐａの真空度にする。ここで、基板を２００℃程度で加熱、回転させ、ボートを７１０℃程度まで加熱し、ＣｓＩとＴｌＩを蒸発させる。これにより、基板の上に直径数μｍ、厚さ６００μｍのＣｓＩの柱状結晶が成膜できる。本実施例では、基板を蛍光体の光を透過する性質があるものとし、誘電体積層膜の上ではなく、ポリイミド基板上にＣｓＩ：Ｔｌを蒸着している。ＴｉＯ2等の誘電体の上にＣｓＩ：Ｔｌを蒸着すると誘電体とＣｓＩ：Ｔｌの密着性が問題となる。これに対し、誘電体をプラズマ処理、あるいは粗面化処理を行い、密着性をあげることが考えられるが、誘電体ミラー面にこれらの処理を行うと、面に凹凸が発生し、光路差が一定でなくなり、干渉効果がなくなり、高い反射率が得られなくなる。これを防ぐために、本発明では、光透過性の基板の逆側に反射層を設け、ＣｓＩ：Ｔｌを形成する側を逆側のポリイミド基板表面とし、プラズマ処理あるいは粗面化処理を行うことで、ＣｓＩ：Ｔｌと基板との密着性を高める。すると反射層表面を損なうことがないので、反射層の高い反射率も維持することが出来る。
【００４４】
最後に図８（ｄ）に示すように、外部保護膜１５Ａ，１５Ｂとしては合計５０μｍの厚さのＰＥＴ２０μｍ／アルミナ蒸着０．２μｍ／ポリプロピレン３０μｍ積層膜を用いる。１５Ａと１５Ｂは端部で熱圧着を行い接着する。接着した場所を外部保護膜接続部１６に示す。
【００４５】
本発明が解決する腐食の問題も第１の実施例と同じである。ＣｓＩ蛍光体は、蒸着時に原料中に余剰に含まれているＩにより、ＣｓＩ以外にも基板付近にＩ2が成膜される。基板付近にＩ2が成膜されるのは、Ｉ2の融点１１４℃がＣｓＩの融点６２１℃よりも低いからである。ＣｓＩとＩ2は、高温、高湿環境下（６０℃、７０％）で水分の侵入により、ＣｓＩ＋Ｉ2＝Ｃｓ＋Ｉ3-とＩ3-イオンを作り、通常Ａｌで構成されている金属反射膜と反応してＡｌを＋にイオン化し、反射金属層から溶け出させてしまう。あるいはＩがイオン化して水分子と反応することによりＨ2Ｏ＋Ｉ-→ＨＩ＋ＯＨ-と水酸化イオンを発生時、Ａｌ＋３ＯＨ-＝Ａｌ（ＯＨ）3となって溶解するという可能性も考えられる。しかし本発明に係る反射層は誘電体の多層膜であり、Ａｌ等の金属ではないので、腐食は発生しない。
【００４６】
また、本発明では、反射層（ＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜）は蛍光体の発光のみを反射するので、迷い込み（迷光）ノイズや、Ｔｌ以外の不純物による蛍光によるノイズが反射層で反射されない。これにより、画像ノイズをおさえることができる。また、本発明では保護膜（もともと金属反射層を蛍光体のハライド原子の拡散による腐食から守るために設置されていた）の成膜が不要になるという利点もある。
【００４７】
本実施例では、反射層として、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の積層構造を用いたが、高屈折率と低屈折率の物質の組み合わせならなにを用いてもよい。また、層数は最低ＴｉＯ2とＳｉＯ2それぞれ最低１層あればよい。また、ＴｉＯ2とＳｉＯ2のそれぞれの層の膜厚はポリイミドの屈折率１．７８、ＰＥＴの屈折率１．５２を用いてそれぞれ最適化すればよい。また、本実施例では基板としてポリイミドを用いたが、蛍光体の光を透過しかつ放射線透過性であれば、他の基板例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂基板であってもよい。また、樹脂基板の上にＡｌ蒸着ＰＥＴの代わりにＡｌ等の金属基板を用いてもよい。これら金属基板や金属反射層を用いた場合は腐食に対して弱くなる面があるが、反射層（ＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜）は蛍光体の発光のみを反射するので、迷い込み（迷光）ノイズや、Ｔｌ以外の不純物による蛍光によるノイズが反射層で反射されない。これにより、画像ノイズを抑えることができるという利点がある。また、金属層単独よりも高い反射率を得られ、高感度の画像が得られるという利点がある。
【００４８】
また、従来の金属板を反射層に用いた放射線用シンチレータパネルに比べ本発明の放射線用シンチレータパネルは構成が単純となり、製造上も非常に有利である。
【００４９】
本発明の放射線用シンチレータパネルを用いることにより、優れた変換効率を示し、且つ耐久性に優れ、ノイズの少ないフラットパネルディテクターを形成することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の誘電体反射層を用いた放射線用シンチレータパネルの断面図。
【図２】従来のフラットパネルディテクターの説明図。
【図３】従来技術の放射線用シンチレータパネルの断面構造図。
【図４】ＣｓＩシンチレータの発光スペクトル。
【図５】誘電体反射層の構造図。
【図６】図５の誘電体反射層の反射スペクトル。
【図７】本発明の放射線用シンチレータパネルの第１の実施の形態による製造方法の工程断面図。
【図８】本発明の放射線用シンチレータパネルの第２の実施の形態による製造方法の工程断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１  基板
２  反射金属層
３  保護膜
４  蛍光体
５Ａ  外部保護膜
５Ｂ  外部保護膜
６  シンチレータパネル
７  光電変換素子アレイ
８  緩衝材
９  前面板
１０  ハウジング
１１  ガラス基板
１２  ＴｉＯ2層
１３  ＳｉＯ2層
１４  ポリイミド基板
１５  ＴｉＯ2／ＳｉＯ2積層膜
１６  ＣｓＩ：Ｔｌ
１７Ａ  外部保護膜
１７Ｂ  外部保護膜
１８  外部保護膜接続部
１９  Ａｌ蒸着膜付ＰＥＴフィルム
２０  Ａｌ蒸着膜付ＰＥＴフィルムのＡｌ蒸着膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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