(57)【要約】【課題】画像表示装置の表示切替速度を十分に確保しつつ、従来よりも部品コストや製造コストを抑えることである。【解決手段】直列データからなる表示制御信号に基づいてアクティブマトリクス回路基板１１００上の各ＴＦＴ１００１それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成する駆動部は、表示制御信号１４０２を、入力段のシリコンＩＣチップで並列化した後、更に次段の有機シフトレジスタ１３５１でそれぞれ並列化することで、各ＴＦＴに入力する駆動電圧信号を生成する。この有機シフトレジスタは、これと同様に有機半導体で構成されたＴＦＴ１００１を搭載するアクティブマトリクス回路基板上に作製する。【選択図】図１
2009098538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、
各画素に対してそれぞれ設けられた有機半導体からなるアクティブ素子を介して、該移動材を移動させるための駆動電圧信号を該表示部へ出力するアクティブマトリクス回路を有する回路部と、
直列データからなる表示制御信号に基づいて該アクティブマトリクス回路の各アクティブ素子それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成し、生成した選択信号及び駆動電圧信号を出力する駆動部とを備えており、
該アクティブマトリクス回路は、各アクティブ素子の選択端子に対し、アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力し、非アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力しないように動作する画像表示装置において、
上記駆動部は、前段のデータ並列化素子からの各出力データをその出力データの個数に応じた数の次段のデータ並列化素子でそれぞれ並列化するという複数段のデータ並列化素子で構成されたデータ並列化手段を用いて、表示制御信号の直列データを並列化することにより、各画素に設けられたアクティブ素子それぞれに対応する選択信号及び駆動電圧信号の少なくとも一方を生成するものであり、
該複数段のデータ並列化素子のうち、入力側のデータ並列化素子を無機半導体で構成するとともに、出力側のデータ並列化素子を有機半導体で構成し、かつ、該有機半導体で構成されるデータ並列化素子を上記アクティブマトリクス回路の基板上に配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１の画像表示装置において、
上記無機半導体で構成されるデータ並列化素子は、上記アクティブマトリクス回路の基板とは別の基板上に配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２の画像表示装置において、
上記駆動部は、上記選択信号を生成するためのデータ並列化処理については、無機半導体で構成されるデータ並列化素子を使用せずに有機半導体で構成されるデータ並列化素子を使用して行うことを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置において、
上記アクティブマトリクス回路の基板上に配置される有機半導体からなるアクティブ素子及びデータ並列化素子を、印刷工程によって該基板上に作製したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部に設けられる該移動材を移動させるため駆動電圧信号を、各画素に対してそれぞれ設けられた有機半導体からなるアクティブ素子を介して該表示部へ出力するアクティブマトリクス回路を有する回路部と、
直列データからなる表示制御信号に基づいて該アクティブマトリクス回路の各アクティブ素子それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成し、生成した選択信号及び駆動電圧信号を出力する駆動部とを備えており、
該アクティブマトリクス回路は、各アクティブ素子の選択端子に対し、アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力し、非アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力しないように動作し、
該駆動部は、前段のデータ並列化素子からの各出力データをその出力データの個数に応じた数の次段のデータ並列化素子でそれぞれ並列化するという複数段のデータ並列化素子で構成されたデータ並列化手段を用いて、表示制御信号の直列データを並列化することにより、各画素に設けられたアクティブ素子それぞれに対応する選択信号及び駆動電圧信号の少なくとも一方を生成するように構成された画像表示装置用駆動装置の製造方法であって、
上記複数段のデータ並列化素子のうち、入力側のデータ並列化素子を無機半導体で作製するとともに、出力側のデータ並列化素子を上記アクティブマトリクス回路の基板上に有機半導体で作製することを特徴とする画像表示装置用駆動装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示画像を構成する複数の画素ごとに配置された各移動材をそれぞれ移動させるための駆動電圧信号を制御するためのアクティブマトリクス回路を備えた、電子ペーパー、フレキシブル表示装置、電子本、可搬型表示装置などの画像表示装置、及び、これに搭載される画像表示装置用駆動装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の画像表示装置としては、例えば、透明な表示基板と背面基板との間の各画素対応部分に着色粒子（移動材）を封入し、各画素対応部分の着色粒子を表示基板側又は背面基板側に移動させることで、表示基板側に移動した着色粒子の発色を利用して画像を表示するものが知られている。この画像表示装置では、基板間の各画素部分に印加する各駆動電圧信号を個々に制御して着色粒子に作用する電界を変化させ、着色粒子を移動させる。
【０００３】
図８は、アクティブマトリクス回路を用いた回路部の一部（１画素分）を拡大した模式図である。
図中縦方向に延びる信号ラインを選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍとし、図中横方向に延びる信号ラインを信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎとする。図示された１つの画素の座標（選択線番号，信号線番号）は、（ｍ，ｎ）である。以下、（ｍ，ｎ）の画素を例に挙げて画素の構成について説明する。アースに接続されている共通電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５との間には、移動材としての電気泳動材である着色粒子１０１４が配置されている。本例では、所定極性に帯電した着色粒子１０１４を移動させることで、表示面側の各画素の色や濃度（明るさ）などを調整して、画像を表示する。また、画素電極１００５には、アクティブ素子としての電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）１００１のドレイン端子が接続されている。このＴＦＴ１００１は、そのソース端子に信号線ｎが接続されており、そのゲート端子に選択線ｍが接続されている。
【０００４】
このようなアクティブマトリクス回路においては、どの画素について駆動電圧信号の印加を可能とするかは、どの選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍにアクティブ状態選択信号（ＯＮ信号）を送るかによって制御する。すなわち、例えば（ｍ，ｎ）の画素において、選択線ｍにアクティブ状態選択信号を印加すると、そのアクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のドレイン端子に印加される駆動電圧信号が、ドレイン端子に接続された画素電極１００５に入力される。一方、選択線ｍに非アクティブ状態選択信号（ＯＦＦ信号）を印加すると、その非アクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎから駆動電圧信号がＴＦＴ１００１のドレイン端子に印加されても、ソース端子に接続された画素電極１００５には駆動電圧信号が入力されない。
各画素の電極１００５，１００６間に発生させる電界の向きは、信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎに印加する駆動電圧信号の正負により決定する。この駆動電圧信号の印加により所定極性に帯電した着色粒子１０１４を表示面側又はその反対側に移動させることで、表示面側の各画素の色や濃度（明るさ）などを調整して画像を表示する。
【０００５】
図９は、従来の画像表示装置用駆動装置の一般的な構成を示す説明図である。
上述したアクティブマトリクス回路の回路基板（背面基板）１１００は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などのフレキシブルな基板（可撓性基板）で構成されており、その上には同様に可撓性基板で構成された透明な表示基板１２００が配置されている。これらの基板間には着色粒子１０１４を封入されている。
信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎは、多数（図示の例では６個）の可撓性基板１３００に分けて配線されており、各可撓性基板１３００にはそれぞれシリコンＩＣチップ（無機半導体素子）１３０１が少なくとも１個実装されている。シリコンＩＣチップ１３０１は、シフトレジスタやラッチなどとして動作し、表示制御回路１５００から送られてくる直列データからなる表示制御信号１３０２を並列化する。これにより、アクティブマトリクス回路基板１１００上の各ＴＦＴ１００１に印加する駆動電圧信号が生成され、各信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎに駆動電圧信号が印加される。
選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍも、同様に、多数（図示の例では４個）の可撓性基板１４００に分けて配線されており、各可撓性基板１４００にはそれぞれシリコンＩＣチップ（無機半導体素子）１４０１が少なくとも１個実装されている。シリコンＩＣチップ１４０１は、シフトレジスタやラッチなどとして動作し、表示制御回路１５００から送られてくる直列データからなる表示制御信号１４０２を並列化する。これにより、アクティブマトリクス回路基板１１００上の各ＴＦＴ１００１に印加する選択信号が生成され、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに選択信号が印加される。
【０００６】
可撓性基板１３００，１４００には、シリコンＩＣチップ１３０１，１４０１のほか、各種電源部や電源平滑用のコンデンサなども搭載されている。可撓性基板１３００，１４００は、表示制御回路１５００との間を、可撓性基板用のいわゆるＦＰＣコネクタなどで接続されている。また、アクティブマトリクス回路基板１１００との間は、アクティブマトリクス回路基板１１００上に作製された図示しない多数の電極パッドに、いわゆるＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）などによって接続されている。
【０００７】
特許文献１には、アクティブマトリクス回路上のスイッチング素子（アクティブ素子）として有機半導体で構成された素子を用いる画像表示装置が開示されている。この画像表示装置では、選択信号や駆動電圧信号を生成してアクティブマトリクス回路上のスイッチング素子に印加する駆動回路（駆動部）に用いる素子には、無機半導体を用いる。これは、表示画像の切り替えをスムーズに行うためには、駆動回路の動作が高速であることが要求されるところ、無機半導体が有機半導体よりも動作速度に優れていることを理由としている。
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００４／０９０８４７号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図９に示した画像表示装置用駆動装置において、アクティブマトリクス回路基板１１００に接続されるシリコンＩＣチップ１３０１，１４０１の数が多いのは、シリコンＩＣチップの応答速度が不十分であることが原因ではない。これは、例えば６００×８００の表示サイズのように選択線や信号線が多い場合、単体又は数個のシリコンＩＣチップ１３０１，１４０１から多数の選択線や信号線を引き出すことが困難となるためである。図９に示した画像表示装置用駆動装置では、多数の選択線や信号線を多くのシリコンＩＣチップで分担し、個々のシリコンＩＣチップから引き出す線の数を少なくして、配線を容易にしているのである。
【００１０】
ところが、このようにシリコンＩＣチップ１３０１，１４０１を搭載した可撓性基板１３００，１４００の数が多くなると、シリコンＩＣチップの必要数が多くなるため、部品コストが高くなる。また、多くの可撓性基板１３００，１４００をアクティブマトリクス回路基板１１００に接続する必要があるため、その接続工程が煩雑となり、製造コストも高くなる。このように部品コストや製造コストが高くなると、画像表示装置を安価に提供することが困難となるという問題が生じる。
【００１１】
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、画像表示装置の表示切替速度を十分に確保しつつ、従来よりも部品コストや製造コストを抑えることが可能な画像表示装置及び及び画像表示装置用駆動装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、各画素に対してそれぞれ設けられた有機半導体からなるアクティブ素子を介して、該移動材を移動させるための駆動電圧信号を該表示部へ出力するアクティブマトリクス回路を有する回路部と、直列データからなる表示制御信号に基づいて該アクティブマトリクス回路の各アクティブ素子それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成し、生成した選択信号及び駆動電圧信号を出力する駆動部とを備えており、該アクティブマトリクス回路は、各アクティブ素子の選択端子に対し、アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力し、非アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力しないように動作する画像表示装置において、上記駆動部は、前段のデータ並列化素子からの各出力データをその出力データの個数に応じた数の次段のデータ並列化素子でそれぞれ並列化するという複数段のデータ並列化素子で構成されたデータ並列化手段を用いて、表示制御信号の直列データを並列化することにより、各画素に設けられたアクティブ素子それぞれに対応する選択信号及び駆動電圧信号の少なくとも一方を生成するものであり、該複数段のデータ並列化素子のうち、入力側のデータ並列化素子を無機半導体で構成するとともに、出力側のデータ並列化素子を有機半導体で構成し、かつ、該有機半導体で構成されるデータ並列化素子を上記アクティブマトリクス回路の基板上に配置したことを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の画像表示装置において、上記無機半導体で構成されるデータ並列化素子は、上記アクティブマトリクス回路の基板とは別の基板上に配置したことを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、請求項１又は２の画像表示装置において、上記駆動部は、上記選択信号を生成するためのデータ並列化処理については、無機半導体で構成されるデータ並列化素子を使用せずに有機半導体で構成されるデータ並列化素子を使用して行うことを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置において、上記アクティブマトリクス回路の基板上に配置される有機半導体からなるアクティブ素子及びデータ並列化素子を、印刷工程によって該基板上に作製したことを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、移動材を移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部に設けられる該移動材を移動させるため駆動電圧信号を、各画素に対してそれぞれ設けられた有機半導体からなるアクティブ素子を介して該表示部へ出力するアクティブマトリクス回路を有する回路部と、直列データからなる表示制御信号に基づいて該アクティブマトリクス回路の各アクティブ素子それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成し、生成した選択信号及び駆動電圧信号を出力する駆動部とを備えており、該アクティブマトリクス回路は、各アクティブ素子の選択端子に対し、アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力し、非アクティブ状態選択信号が入力されているときには該アクティブ素子の駆動入力端子に入力される駆動電圧信号を該アクティブ素子の駆動出力端子から該表示部へ出力しないように動作し、該駆動部は、前段のデータ並列化素子からの各出力データをその出力データの個数に応じた数の次段のデータ並列化素子でそれぞれ並列化するという複数段のデータ並列化素子で構成されたデータ並列化手段を用いて、表示制御信号の直列データを並列化することにより、各画素に設けられたアクティブ素子それぞれに対応する選択信号及び駆動電圧信号の少なくとも一方を生成するように構成された画像表示装置用駆動装置の製造方法であって、上記複数段のデータ並列化素子のうち、入力側のデータ並列化素子を無機半導体で作製するとともに、出力側のデータ並列化素子を上記アクティブマトリクス回路の基板上に有機半導体で作製することを特徴とするものである。
【００１３】
有機半導体で構成されたデータ並列化素子は、一般に、無機半導体で構成されたデータ並列化素子に比べて動作速度が遅いという欠点がある。そのため、選択信号や駆動電圧信号を生成するための全データ並列化素子を有機半導体で構成すると、動作速度が遅いために画像表示装置の表示切替速度が遅くなってしまう。一方、有機半導体で構成されたデータ並列化素子は、一般に、無機半導体で構成されたデータ並列化素子に比べてずっと安価であるという利点がある。
本発明においては、選択信号や駆動電圧信号を生成するためのデータ並列化素子を複数段構成とし、入力側のデータ並列化素子は無機半導体で作製し、出力側のデータ並列化素子は有機半導体で作製する。出力側では、上流側のデータ並列化素子で並列化された各データを更に並列化するという処理を、複数のデータ並列化素子で並列処理することになる。よって、出力側の段を構成するデータ並列化素子ほどその数が多く必要となる。そこで、本発明では、多くの数が必要となる出力側の段を構成するデータ並列化素子については、安価な有機半導体を用いる。従来は、データ並列化素子として動作速度が遅い有機半導体を用いると画像表示装置の表示切替速度が遅くなるとしていたが、有機半導体で構成されたデータ並列化素子であっても、その出力数（並列化数）が少ない場合には入力から出力までの動作時間は十分に短いものである。よって、有機半導体で構成されたデータ並列化素子であっても、アクティブマトリクス回路に直近の並列化に対して個々の出力数が少ないデータ並列化素子で並列に処理する構成とすれば、画像表示装置の表示切替速度を十分に確保することが可能となる。ただし、この場合、並列処理する複数のデータ並列化素子（有機半導体）のそれぞれに入力する入力データを生成する入力側の段を構成するデータ並列化素子については高速な動作が要求される。よって、本発明では、入力側の段を構成するデータ並列化素子については高速な無機半導体で構成されたデータ並列化素子を用いる。このような複数段のデータ並列化素子で構成されるデータ並列化手段を用いて表示制御信号の直列データを並列化することにより、有機半導体で構成されたデータ並列化素子を利用しつつも、画像表示装置の表示切替速度を十分に確保することが可能となる。
しかも、このようにデータ並列化素子の一部を安価な有機半導体で構成することで、その分だけ高価な無機半導体のデータ並列化素子の数を減らすことができる。よって、部品コストを抑えることが可能となる。また、無機半導体のデータ並列化素子をアクティブマトリクス回路基板とは別の基板上に作製してこれをアクティブマトリクス回路基板に接続する場合には、当該別の基板が数が少なくなるため、製造工程を簡素化できる。
更に、本発明では、アクティブマトリクス回路基板上のアクティブ素子が有機半導体で構成されているため、有機半導体で構成されるデータ並列化素子は、アクティブ素子と同じプロセスでアクティブマトリクス回路基板上に作製することが可能である。そこで、本発明では、有機半導体で構成される出力側のデータ並列化素子、すなわち、アクティブマトリクス回路基板上のアクティブ素子側のデータ並列化素子については、アクティブマトリクス回路基板上に配置する。これにより、例えばアクティブマトリクス回路基板上にアクティブ素子を直接作製する際には、アクティブ素子と同様、有機半導体のデータ並列化素子も印刷などの低コストな方法で作製することが可能となる。よって、大幅に製造工程を増やすことなく駆動部のデータ並列化素子の一部も作製することが可能となる。また、例えばアクティブマトリクス回路基板上にアクティブ素子を実装する場合でも、アクティブ素子と同様の実装方法が採用可能なので、低コスト化が図られる。しかも、有機半導体のデータ並列化素子をアクティブマトリクス回路基板上に配置するため、有機半導体のデータ並列化素子を別基板上に配置してこれをアクティブマトリクス回路基板に接続する場合に比べて、製造工程数を減らすことができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上、本発明によれば、画像表示装置の表示切替速度を十分に確保しつつ、従来よりも部品コストや製造コストを抑えることが可能となるという優れた効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を、画像表示装置である電子ペーパーに適用した一実施形態について説明する。
図１は、本電子ペーパーにおける駆動装置の構成を示す説明図である。
図２は、駆動装置の回路部を構成するアクティブマトリクス回路の一部（１画素分）を拡大した模式図である。
なお、本実施形態の説明では、１つのアクティブマトリクス回路基板１１００上における表示部の表示サイズは６００×８００（選択線数×信号線数）である場合を例に挙げて説明する。また、本実施形態における電子ペーパーの各部材の符号については、図８及び図９に示した従来のものと同様の部材については同じ符号を付すこととする。
【００１６】
本実施形態のアクティブマトリクス回路は、アクティブ素子として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）１００１を用いている。（ｍ，ｎ）座標に配置されたＴＦＴ１００１を例に挙げて説明すると、ＴＦＴ１００１のドレイン端子（駆動出力端子）１００４には画素電極１００５が接続されている。また、ＴＦＴ１００１は、そのソース端子（駆動入力端子）１００３に、対応する信号線ｎが接続されており、そのゲート端子（状態選択端子）１００２に、対応する選択線ｍが接続されている。本実施形態のＴＦＴ１００１は、有機半導体で構成されたｐチャネルのＴＦＴであるが、適切に電圧を設定し直すことで、ｎチャネルのＴＦＴであってもよい。
【００１７】
図３は、本電子ペーパーの表示部及び回路部の一部を切断した断面を模式的に示した説明図である。
表示部の表示面１２０１は透明な表示基板１２００の一方の面で構成され、その表示基板１２００の他方の面上には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明な共通電極１００６が形成されている。共通電極１００６と、これに対向して配置される画素電極１００５との間には、移動材としての電気泳動材である白と黒の２色の着色粒子（電気泳動粒子）１０１４Ｗ，１０１４Ｂを内包した複数のカプセル１２０３が配置されている。なお、本実施形態においては、カプセル１２０３の寸法が表示画素よりも大きいものであるが、カプセル１２０３の寸法が表示画素と同じであったり小さいものであったりしてもよい。本実施形態では、互いに逆極性に帯電した各色の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂを電界の作用により移動させることで、表示面１２０１側の各表示画素の色や濃度（明るさ）などを調整して、画像を表示する。なお、共通電極１００６は、各画素電極に対して共通の電極であり、アースに接続されている。
【００１８】
画素電極１００５と共通電極１００６との間に発生する電界の向きは、対応する信号線ｎに印加する駆動電圧信号の極性により決定する。また、どの画素電極１００５に対して駆動電圧信号の印加を可能とするかは、対応する選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍに印加される選択信号によって制御する。具体的に（ｍ，ｎ）の画素を例に挙げて説明する。選択線ｍにアクティブ状態選択信号を印加すると、そのアクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＮ状態（アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎを通じてＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加される駆動電圧信号がドレイン端子１００４を通じて画素電極１００５に入力される。一方、選択線ｍに非アクティブ状態選択信号を印加すると、その非アクティブ状態選択信号がＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に印加され、ＴＦＴ１００１がＯＦＦ状態（非アクティブ状態）になる。これにより、信号線ｎから駆動電圧信号がＴＦＴ１００１のソース端子１００３に印加されても、ドレイン端子１００４に接続された画素電極１００５には駆動電圧信号が入力されない。そして、画素電極１００５の電位はＯＦＦ状態になる直前に入力されていた駆動電圧信号による電位に維持される。
【００１９】
カプセル１２０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは、外部電界が無い状態ではカプセル１２０３内で分散した状態となる。一方、駆動電圧信号の印加によって外部電界が発生した状態では、図３に示すように、カプセル１２０３内の着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂは外部電界の向きに応じてカプセル１２０３内を移動する。これにより、カプセル１２０３内を表示面１２０１側に移動した着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂの色に応じて各画素の色や濃度（明るさ）が決定し、表示面全体として白黒の画像が表示される。
【００２０】
次に、本実施形態における画像表示動作について説明する。
表示部に新たな画像を表示する場合、図示しない操作部において表示切替開始信号が生成され、その表示切替開始信号が駆動部としての表示制御回路１５００へ送信されることにより表示切替処理が開始する。表示制御回路１５００は、表示切替開始信号に従い、アクティブマトリクス回路上の各ＴＦＴ１００１に印加する選択信号及び駆動電圧信号を制御するための表示制御信号を生成する。選択信号用の表示制御信号は、各選択信号を特定するためのデータが時系列で直列に配置された直列データで構成されている。また、駆動電圧信号用の表示制御信号も、各駆動電圧信号を特定するためのデータが時系列で直列に配置された直列データで構成されている。
【００２１】
選択信号用の表示制御信号は、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化手段としてのデータ並列化回路１４５０に入力される。そして、このデータ並列化回路１４５０からの各出力信号は、選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍを通じて各ＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に所定のタイミングで所定の選択信号（アクティブ状態選択信号又は非アクティブ状態選択信号）として順次入力される。
【００２２】
一方、駆動電圧信号用の表示制御信号は、アクティブマトリクス回路基板１１００とは別の基板で構成された可撓性基板１３００上のデータ並列化素子であるシリコンＩＣチップ１３０１に入力される。このシリコンＩＣチップ１３０１の出力データは、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化手段としてのデータ並列化回路１３５０に入力される。そして、このデータ並列化回路１３５０からの各出力信号は、信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎを通じて各ＴＦＴ１００１のソース端子１００３に所定のタイミングで駆動電圧信号として入力される。なお、駆動電圧信号は、図示しないメモリ内から画像フレームの各表示画素の表示データを抽出し、その表示データに基づく各表示画素の表示パターンに対応したものである。
【００２３】
各ＴＦＴ１００１では、ゲート端子１００２にアクティブ状態選択信号が印加されている期間（ＯＮ状態の期間）にソース端子１００３へ入力された駆動電圧信号がドレイン端子１００４を通じて画素電極１００５へ伝達される。これにより、その画素電極１００５が駆動電圧信号に応じてプラス電位又はマイナス電位になり、画素電極１００５と共通電極１００６との間に電位差が生じて電界が発生する。これにより、その画素電極１００５と共通電極１００６との間に位置する着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂのいずれか一方が共通電極１００６側に移動する。これにより、その表示画素の色が、共通電極１００６側に移動した着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂの色となる。このようにして、各表示画素の色を順次制御していき、すべての表示画素についての制御が終了した時点で、画像フレームの表示切り替えが完了する。
【００２４】
次に、本発明の特徴部分である、駆動電圧信号用の表示制御信号（直列データ）から並列化された駆動電圧信号を生成するデータ並列化手段の構成及び動作について説明する。
図４は、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１４５０の概略構成を示す説明図である。
表示制御回路１５００とアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１４５０との間は、表示制御信号１４０２を伝送する１本の信号ラインと、クロック信号およびラッチ信号を伝送する信号ラインとによって、１つの可撓性基板１４００を介して接続されている。表示制御回路１５００と可撓性基板１４００との接続は例えば電極の直接接着またはコネクタによる接続で実現される。また、可撓性基板１４００とアクティブマトリクス回路基板１１００との接続は例えば電極の直接接着で実現される。データ並列化回路１４５０は、有機半導体で構成された有機シフトレジスタ１４５１及びラッチ回路１４５２、駆動ドライバー等で構成されている。データ並列化回路１４５０では、１本の信号ラインから入力される直列データからなる表示制御信号１４０２を、有機シフトレジスタ１４５１で並列信号に展開する。データ並列化回路１４５０は、一般的なラッチ機能を有するシフトレジスタの動作と同様のものであり、クロックＣＬＫに同期してクロックの分割数分の１のクロック周波数で並列にした信号を出力し、ラッチによって次のデータサイクルまで保持する機能を有する。そして、その出力信号を、各選択線１，２，・・・，ｍ−１，ｍ，ｍ＋１，・・・，Ｍを通じて各ＴＦＴ１００１のゲート端子１００２に所定のタイミングで順次入力する。
本実施形態では、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１４５０によって、表示制御回路１５００から出力される１つの表示制御信号１４０２を並列化し、これを選択信号として６００［本］の選択線に分配する。
【００２５】
図５は、可撓性基板１３００上のシリコンＩＣチップ１３０１及びアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０の概略構成を示す説明図である。
図６は、データ並列化回路１３５０の論理回路構成を示す説明図である。なお、データ並列化回路１４５０としても同様の構成を採用できる。
表示制御回路１５００とアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０との間は、１つの可撓性基板１３００を介して接続されている。表示制御回路１５００と可撓性基板１３００との接続は例えば電極の直接接着またはコネクタによる接続で実現される。また、可撓性基板１３００とアクティブマトリクス回路基板１１００との接続は例えば電極の直接接着で実現される。この可撓性基板１３００は、無機半導体で構成されるシリコンＩＣチップ１３０１を実装している。シリコンＩＣチップ１３０１は、表示制御信号１３０２を伝送する１本の信号ラインと、図示しないクロック信号およびラッチ信号を伝送する数本の信号ラインとによって表示制御回路１５００に接続されている。このシリコンＩＣチップ１３０１は、シフトレジスタおよびラッチ回路として機能し、表示制御信号１３０２を、直列データで構成される複数の出力信号１３０３に並列化し、これをアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０に出力する。データ並列化回路１３５０は、有機半導体で構成された有機シフトレジスタ１３５１及びラッチ回路１３５２、駆動ドライバー等で構成されている。なお、データ並列化回路１３５０は、シリコンＩＣチップ１３０１の出力信号をそれぞれ伝送する２００本の信号ラインによってシリコンＩＣチップ１３０１に接続されており、また、図示しないクロック信号およびラッチ信号を伝送する信号ラインによって１つの可撓性基板１３００を介して表示制御回路１５００に接続されている。
【００２６】
データ並列化回路１３５０では、シリコンＩＣチップ１３０１に接続された２００本の信号ラインからそれぞれ入力されるシリコンＩＣチップ１３０１の各出力信号１３０３を、有機シフトレジスタ１３５１によって並列信号に展開する。具体的には、図６に示すように、有機シフトレジスタ１３５１はＤ型ＦＦ（遅延型フリップフロップ）２００１で構成されている。このＤ型ＦＦ２００１には、クロックＣＬＫに同期してシフトした内容を４個ずつに区切って保持するためのラッチ２００２が接続されている。ラッチ２００２は、ラッチ信号ＬａｔｃｈをＬｏｗにすることで、そのときのデータをホールドし、ラッチ信号ＬａｔｃｈをＨｉｇｈにすることで、データを増幅器ＴＦＴ２００３へ出力する。この増幅器ＴＦＴ２００３は、駆動能力を増幅するためのもので、そのＴＦＴチャネル幅をかなり大きくしたものである。そして、この有機シフトレジスタ１３５１の出力信号を、各信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎを通じて各ＴＦＴ１００１のソース端子１００３に所定のタイミングで入力する。
【００２７】
本実施形態では、可撓性基板１３００上のシリコンＩＣチップ１３０１によって、表示制御回路１５００から出力される１つの表示制御信号１４０２を並列化して、まず２００個の出力信号に分配する。そして、この２００個の出力信号を、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０によって、それぞれ４個の出力信号に更に並列化し、これを駆動電圧信号として８００［本］の信号線に分配する。よって、本実施形態のデータ並列化回路１３５０は、有機シフトレジスタ１３５１を２００個備えている。
【００２８】
本実施形態の電子ペーパーは、１００［ｍｓ］で６００［本］の選択線を１回走査するものである。よって、１本の選択線の選択時間は１６７［μｓ］であり、データ並列化回路１４５０の有機シフトレジスタ１４５１に入力するクロックパルス周波数は６ｋ［Ｈｚ］である。
一方で、この１６７［μｓ］の期間内に、データ並列化回路１３５０の有機シフトレジスタ１３５１は４回シフト動作する必要があるため、１回のシフト動作が１６７／４＝４１．７５［μｓ］で完了する必要がある。よって、有機シフトレジスタ１３５１に入力するクロックパルス周波数は２４ｋ［Ｈｚ］としている。このとき、可撓性基板１３００上のシリコンＩＣチップ１３０１では、４１．７［μｓ］の期間内に、データ並列化回路１３５０の各有機シフトレジスタ１３５１に入力する２００個の信号を生成して出力する必要がある。よって、シリコンＩＣチップ１３０１は、１回のシフト動作が４１．７／２００＝２０８．３［ｎｓ］で完了する必要がある。よって、シリコンＩＣチップ１３０１に入力するクロックパルス周波数は４．８Ｍ［Ｈｚ］としている。
【００２９】
本実施形態において、データ並列化回路１３５０を構成する有機シフトレジスタ１３５１等の有機半導体素子の材料として、移動度が約１［ｃｍ2／Ｖｓ］であるペンタセン、ポリフィリン系等のｐチャネル材料を活性層に用いた場合、シリコンＩＣチップ１３０１の応答速度は自身のゲート−ソース間容量によってほぼ決定付けられ、ファンアウトとして１０［μｓ］以下の十分な応答速度が得られる。データ並列化回路１３５０については、電流を大きくしなければならないので、いわゆるトーテムポール型のｐチャネルだけによるプッシュプル回路を組むようにする。データ並列化回路１３５０の電源電圧については、駆動電圧信号として必要な電圧が本実施形態では±１５［Ｖ］であるため、ＴＦＴ１００１での電圧損失分を考慮して４０［Ｖ］とする。
【００３０】
選択信号については、１６７［μｓ］の選択時間内に略方形波信号となるように十分応答できることが望まれる。一方、駆動電圧信号については、画素電極１００５に規定値以上の電圧を送り込めればよい。よって、駆動電圧信号については、上述したように有機シフトレジスタ１３５１の動作時間が４１．７５［μｓ］に制限されているが、信号波形としての制約は緩い。したがって、本実施形態において、駆動電圧信号用のデータ並列化回路１３５０を構成する有機シフトレジスタ１３５１の仕様は、選択信号用のデータ並列化回路１４５０を構成する有機シフトレジスタ１４５１の仕様と同様でよい。ただし、ＴＦＴ１００１のチャネル幅は極めて大きいため、応答速度を落とさないように、選択線側、信号線側を問わず、有機シフトレジスタ１３５１，１４５１の出力から、ラッチ回路１３５２，１４５２、ＴＦＴ１００１にかけて、徐々に駆動能力が大きくなるように、有機シフトレジスタ１３５１，１４５１（Ｄ型ＦＦ２００１）、ラッチ回路１３５２，１４５２（ラッチ２００２）、増幅器２００３の順に、これらを構成するＴＦＴの幅を徐々に大きくして、応答速度への影響をなくすのが好ましい。
【００３１】
本実施形態によれば、駆動電圧信号用の表示制御信号を、１回の走査時間（１００［ｍｓ］）の期間内で、高速なシリコンＩＣチップ１３０１により十分多数（２００個）に分配することで、低速な有機シフトレジスタ１３５１によって分配可能なパルス周波数まで周波数を下げた後、低速な有機シフトレジスタ１３５１で更に４個に分配する構成としている。このような構成とすることで、８００本の信号線に分配するために８００／２００＝４個程度のシリコンＩＣチップが必要であった従来構成に比べて、シリコンＩＣチップを１個だけに減らせる構成が可能になった。
なお、本実施形態では、選択信号用の表示制御信号の６００本の選択線への分配を、データ並列化回路１４５０の有機シフトレジスタ１４５１で行い、シリコンＩＣチップを用いていない。しかし、駆動電圧信号用の表示制御信号をシリコンＩＣチップ１３０１及び有機シフトレジスタ１３５１を用いて８００本の信号線に分配する構成を、データ並列化と同程度かそれ以下でよく、選択信号用の表示制御信号の６００本の選択線への分配に適用することは可能である。
【００３２】
〔変形例〕
次に、上記実施形態の駆動装置の変形例について説明する。
なお、本変形例と上記実施形態との違いは、表示サイズが上記実施形態では６００×８００であったのに対し、本変形例では１２００×１６００である点である。また、この相違点に伴い、表示制御回路１５００から出力する駆動電圧信号用の表示制御信号の数が１本から４本に変わっており、これに応じてシリコンＩＣチップ及び有機シフトレジスタの数も変わっている。
以下、上記実施形態との相違点を中心に説明する。
【００３３】
図７は、本変形例に係る電子ペーパーにおける駆動装置の構成を示す説明図である。
選択信号についての構成については、選択線数が６００本から１２００本に変更されているものの、その基本構成は上記実施形態の場合と同様であるので説明を省略する。
一方、表示制御回路１５００とアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０との間は、４つの可撓性基板１３００を介して接続されている。これらの可撓性基板１３００は、それぞれ、無機半導体で構成されるシリコンＩＣチップ１３０１を実装している。表示制御回路１５００は、各可撓性基板１３００上のシリコンＩＣチップ１３０１に対し、それぞれ、表示制御信号１３０２を伝送する１本の信号ラインと、図示しないクロック信号およびラッチ信号を伝送する数本の信号ラインとによって接続されている。各シリコンＩＣチップ１３０１は、シフトレジスタおよびラッチ回路として機能し、表示制御信号１３０２を、直列データで構成される複数の出力信号１３０３に並列化し、これをアクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０に出力する。データ並列化回路１３５０は、有機半導体で構成された有機シフトレジスタ１３５１及びラッチ回路１３５２、駆動ドライバー等で構成されている。なお、データ並列化回路１３５０は、各シリコンＩＣチップ１３０１の出力信号をそれぞれ伝送する合計８００本の信号ラインによって各シリコンＩＣチップ１３０１に接続されており、また、図示しないクロック信号およびラッチ信号を伝送する信号ラインによって可撓性基板１３００を介して表示制御回路１５００に接続されている。
【００３４】
データ並列化回路１３５０では、４個のシリコンＩＣチップ１３０１に接続された合計８００本の信号ラインからそれぞれ入力されるシリコンＩＣチップ１３０１の各出力信号１３０３を、有機シフトレジスタ１３５１によって並列信号に展開する。そして、この有機シフトレジスタ１３５１の出力信号を、各信号線１，２，・・・，ｎ−１，ｎ，ｎ＋１，・・・，Ｎを通じて各ＴＦＴ１００１のソース端子１００３に所定のタイミングで入力する。
本変形例では、可撓性基板１３００上の各シリコンＩＣチップ１３０１によって、表示制御回路１５００から出力される４つの表示制御信号１４０２をそれぞれ２００個に並列化して、まず合計８００個の出力信号に分配する。そして、この８００個の出力信号を、アクティブマトリクス回路基板１１００上のデータ並列化回路１３５０によって、それぞれ２個の出力信号に更に並列化し、これを駆動電圧信号として１６００［本］の信号線に分配する。よって、本変形例のデータ並列化回路１３５０は、有機シフトレジスタ１３５１を８００個備えている。
【００３５】
本変形例の電子ペーパーは、６０［ｍｓ］で１２００［本］の選択線を１回走査するものである。よって、１本の選択線の選択時間は５０［μｓ］であり、これは上記実施形態で用いた有機シフトレジスタ１４５１でも十分に動作させることが可能である。
一方で、この５０［μｓ］の期間内に、データ並列化回路１３５０の有機シフトレジスタ１３５１は２回シフト動作する必要があるため、１回のシフト動作が５０／２＝２５［μｓ］で完了する必要がある。このとき、可撓性基板１３００上の各シリコンＩＣチップ１３０１では、２５［μｓ］の期間内に、それぞれ、データ並列化回路１３５０の各有機シフトレジスタ１３５１に入力する２００個の信号を生成して出力する必要がある。よって、シリコンＩＣチップ１３０１は、１回のシフト動作が２５／２００＝１２５［ｎｓ］で完了する必要がある。
【００３６】
本変形例においては、４つの駆動電圧信号用の表示制御信号を、１回の走査時間（６０［ｍｓ］）の期間内で、高速なシリコンＩＣチップ１３０１により十分多数（２００個）に分配することで、低速な有機シフトレジスタ１３５１によって分配可能なパルス周波数まで周波数を下げた後、低速な有機シフトレジスタ１３５１で更に２個に分配する構成としている。このような構成とすることで、１６００本の信号線に分配するために、１６００／２００＝８個程度のシリコンＩＣチップが必要であった従来構成に比べて、シリコンＩＣチップを４個だけに減らせる構成が可能になった。また、選択信号用の表示制御信号を分配するデータ並列化手段についてもシリコンＩＣチップを採用していた従来構成と比べれば、従来構成では更に１２００／２００＝６個のシリコンＩＣチップを用いていたところ、本変形例ではその分がすべて有機半導体素子に置き換わっているので、更に６個分のシリコンＩＣチップも省略できる。
【００３７】
なお、有機シフトレジスタとしてより早い応答速度のものを用いれば、有機シフトレジスタの並列化数を多くすることで、シリコンＩＣチップの応答速度に余裕がある限り、シリコンＩＣチップの数を更に減らすことが可能になる。例えば、上記変形例において、有機シフトレジスタの並列化数を４つにできれば、シリコンＩＣチップ１３０１の数を４個から２個に減らすことができる。
【００３８】
以上、本実施形態（変形例を含む。以下同じ。）の電子ペーパーは、移動材としての電気泳動材である着色粒子（電気泳動粒子）１０１４Ｗ，１０１４Ｂを移動させることにより表示画像を構成する複数の画素それぞれの表示状態が変化する表示部と、着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂに対し、各画素に対してそれぞれ設けられた有機半導体からなるアクティブ素子としてのＴＦＴ１００１を介して駆動電圧信号を印加するアクティブマトリクス回路を有する回路部と、直列データからなる表示制御信号１３０２，１４０２に基づいてアクティブマトリクス回路の各ＴＦＴ１００１それぞれに入力する選択信号及び駆動電圧信号を生成し、生成した選択信号及び駆動電圧信号を出力する駆動部とを備えており、アクティブマトリクス回路は、各ＴＦＴ１００１のゲート端子（選択端子）１００２に対し、アクティブ状態選択信号が入力されているときにはＴＦＴ１００１のソース端子（駆動入力端子）１００３に入力される駆動電圧信号をＴＦＴ１００１が設けられた画素に対応する着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂに印加し、非アクティブ状態選択信号が入力されているときにはＴＦＴ１００１のソース端子１００３に入力される駆動電圧信号をＴＦＴ１００１が設けられた画素に対応する着色粒子１０１４Ｗ，１０１４Ｂに印加しないように動作するように構成された画像表示装置である。そして、上記駆動部は、前段のデータ並列化素子からの各出力データをその出力データの個数に応じた数の次段のデータ並列化素子でそれぞれ並列化するという複数段のデータ並列化素子で構成されたデータ並列化手段を用いて、表示制御信号１３０２の直列データを並列化することにより、各画素に設けられたＴＦＴ１００１それぞれに対応する駆動電圧信号を生成するものであり、複数段のデータ並列化素子のうち、入力側のデータ並列化素子を無機半導体で構成されたシリコンＩＣチップ１３０１で構成するとともに、出力側のデータ並列化素子を有機半導体で構成された有機シフトレジスタ１３５１で構成し、かつ、その有機シフトレジスタ１３５１をアクティブマトリクス回路基板１１００上に配置している。これにより、従来構成に比べて、高価なシリコンＩＣチップ１３０１の数を減らすことができるとともに、シリコンＩＣチップ１３０１を搭載した可撓性基板１３００の数が少なくなるため可撓性基板１３００をアクティブマトリクス回路基板１１００に接続する作業工程を簡素化できる。更には、有機シフトレジスタ１３５１がアクティブマトリクス回路基板１１００上に配置されているので、有機シフトレジスタ１３５１を別基板上に作製してこれをアクティブマトリクス回路基板１１００に接続する場合に比べて製造工程数を減らすことができる。加えて、アクティブマトリクス回路基板上に有機半導体からなるＴＦＴ１００１を作製する際に有機シフトレジスタ１３５１も印刷などの低コストな方法で作製することが可能となり、製造工程を増やすことなく有機シフトレジスタ１３５１の作製が可能となる。以上より、電子ペーパーの表示切替速度を十分に確保しつつ、従来よりも部品コストや製造コストを抑えることができる。
特に、本実施形態では、シリコンＩＣチップ１３０１については、アクティブマトリクス回路基板１１００とは別の可撓性基板１３００上に配置している。シリコンＩＣチップ１３０１もアクティブマトリクス回路基板１１００上に搭載してもよいが、この場合、シリコンＩＣチップ１３０１が原因で、アクティブマトリクス回路基板１１００及び表示基板１２００で構成される画像表示エリアの薄型化が妨げられる。本実施形態のように、アクティブマトリクス回路基板１１００とは別の基板である可撓性基板１３００上にシリコンＩＣチップ１３０１を搭載することで、画像表示エリアの薄型化を実現できる。
また、本実施形態において、上記駆動部は、選択信号を生成するためのデータ並列化処理については、無機半導体で構成されるデータ並列化素子を使用せずに、有機半導体で構成されるデータ並列化素子としての有機シフトレジスタ１４５１を使用して行う。一般に、選択信号を生成するためのデータ並列化処理については無機半導体素子ほどの高速動作が要求されないことが多く、有機半導体素子の動作速度でも十分な場合が多い。よって、選択信号を生成するためのデータ並列化処理を有機シフトレジスタ１４５１で行うことで、高価なシリコンＩＣチップの数を更に減らすことができる。
また、本実施形態では、アクティブマトリクス回路基板１１００上に配置される有機半導体からなるＴＦＴ１００１及び有機シフトレジスタ１３５１，１４５１を、印刷工程によってその基板上に作製する。これにより、低コストでかつ容易にＴＦＴ１００１及び有機シフトレジスタ１３５１，１４５１を作製できる。
【００３９】
なお、本実施形態では、１段のシリコンＩＣチップ１３０１と１段の有機シフトレジスタ１３５１とから構成される２段構成のデータ並列化手段を例に挙げて説明したが、３段以上の構成としてもよい。この場合、何段目以降のデータ並列化素子を有機半導体で構成するかは適宜設定される。
また、本実施形態では、電子ペーパーを例に挙げて説明したが、各画素ごとに配置される移動材の移動により各画素の表示状態が変化させることで画像を表示する画像表示装置であれば、フレキシブル表示装置、電子本、可搬型表示装置など、あらゆる画像表示装置に応用することができる。
また、本実施形態では、移動材である着色粒子を電界の力で移動させる場合を例に挙げて説明したが、他の外力、例えば磁界の力で移動させる場合であっても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態に係る電子ペーパーの駆動装置の構成を示す説明図である。
【図２】同駆動装置の回路部を構成するアクティブマトリクス回路の一部（１画素分）を拡大した模式図である。
【図３】同電子ペーパーの表示部及び回路部の一部を切断した断面を模式的に示した説明図である。
【図４】アクティブマトリクス回路基板上における選択信号用のデータ並列化回路の概略構成を示す説明図である。
【図５】可撓性基板上のシリコンＩＣチップ及びアクティブマトリクス回路基板上における駆動電圧信号用のデータ並列化回路の概略構成を示す説明図である。
【図６】同データ並列化回路の論理回路構成を示す説明図である。
【図７】変形例に係る電子ペーパーにおける駆動装置の構成を示す説明図である。
【図８】アクティブマトリクス回路を用いた回路部の一部（４画素分）を拡大した模式図である。
【図９】従来の画像表示装置用駆動装置の一般的な構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００１  ＴＦＴ
１００２  ゲート端子
１００３  ソース端子
１００４  ドレイン端子
１００５  画素電極
１００６  共通電極
１０１４Ｗ，１０１４Ｂ  着色粒子
１１００  アクティブマトリクス回路基板
１２００  表示基板
１２０１  表示面
１３００，１４００  可撓性基板
１３０１，１４０１  シリコンＩＣチップ
１３０２，１４０２  表示制御信号
１３５０，１４５０  データ並列化回路
１３５１，１４５１  有機シフトレジスタ
１３５２，１４５２  ラッチ回路
１５００  表示制御回路
【図１】
2009098538.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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