(57)【要約】【課題】凹凸の陰に当たる領域にも配向規制力が付与され、スプレイ配向への逆転移が起きにくい液晶装置、電子機器、及び液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】液晶装置は、素子基板１０と、対向基板３０と、素子基板１０と対向基板３０との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０とを備える。素子基板１０の液晶層４０側の表面は、矢印５Ａの向きに配向規制力を付与された後に、矢印５Ａの向きとは異なる矢印５Ｂの向きに配向規制力が付与されている。対向基板３０の液晶層４０側の表面は、矢印５Ｂの向きと一致する矢印５Ｄの向きの配向規制力が付与されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された一対の基板と、
前記一対の基板の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層と、を備え、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の表面は、第１の向きに配向規制力を付与した後に、該第１の向きの配向規制力が付与された表面を前記第１の向きとは異なる第２の向きに配向規制力を付与しており、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域と、前記第２の向きに配向させる領域と、が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２の向きは、前記第１の向きとは１８０度異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
前記一方の基板の前記液晶層側の表面には配向膜が形成されており、
少なくとも前記第１の向きへの配向規制力の付与と前記第２の向きへの配向規制力の付与のいずれか一方は、前記配向膜にラビング処理を施すことによって配向規制力が付与されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
少なくとも前記第１の向きへの配向規制力の付与と前記第２の向きへの配向規制力の付与のいずれか一方は、前記一方の基板の前記液晶層側の表面に無機物質を斜方蒸着することによって配向規制力が付与されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域は、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域であって、前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域に重なる領域に遮光層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記一対の基板のうち他方の前記基板の前記液晶層側の表面は、前記第２の向きに配向規制力が付与されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層側のうち、平面視で、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域、又は当該領域に沿った領域に重なる領域に初期配向転移構造を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の液晶装置であって、
前記他方の基板の前記液晶層側の表面は、前記第２の向きに配向規制力を付与する前に、前記第２の向きとは異なる向きの配向規制力が付与されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の液晶装置であって、
前記一方の基板のうち、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域の少なくとも一部と、
前記他方の基板のうち、前記第２の向きとは異なる向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域の少なくとも一部とが、平面視で重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
対向して配置された一対の基板を有する液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の表面に第１の向きの配向規制力を付与する工程Ａと、
前記工程Ａの後に、前記一方の基板のうち前記工程Ａにおいて配向規制力が付与された表面に、前記第１の向きとは異なる第２の向きの配向規制力を付与する工程Ｂと、
前記一方の基板を、前記配向規制力が付与された面が対向するように、前記一対の基板のうち他方の前記基板とシール材を介して貼り合わせて前記一対の基板を形成する工程と、
前記一対の基板の間に、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層を封入する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２の向きは、前記第１の向きとは１８０度異なる向きであることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記工程Ａの前に、前記一方の基板の表面に配向膜を形成する工程を有し、
前記工程Ａ及び前記工程Ｂは、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１又は１２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記工程Ａ及び前記工程Ｂは、前記一方の基板の表面に無機物質を斜方蒸着する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に係る一態様は、液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一般に、一対の基板と、当該基板の間に封入された液晶層とを有して構成される。ここで、基板の対向面には配向規制力が付与されており、液晶層の液晶分子はこの配向規制力の向きに沿って配向する。配向規制力は、例えば図１７（ａ）に示すように、基板の表面に形成された配向膜１９の表面をラビングローラー７０によってラビング処理することにより与えられる。
【０００３】
ラビング処理の際に、配向膜１９の表面に段差ｂがあると、ラビングローラー７０が触れずに配向規制力の付与が不十分となる領域ｕが生じることがある。このような領域ｕを生じにくくさせる方法として、特許文献１には、１回目のラビング処理をした後に、１回目とは逆の向きに２回目のラビング処理を行う方法が開示されている。
【０００４】
ところで、液晶装置の一例として、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードの液晶装置が知られている。ＯＣＢモードの液晶装置は、例えば図１７（ｂ）の断面図に示すように、素子基板１０と対向基板３０との間に液晶層４０が封入された構成を有しており、液晶層４０は、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうるように構成される。そして、この液晶層４０は、初期状態ではスプレイ配向となっており、表示を行う際には、転移電圧を印加することによってベンド配向に転移させて使用する。また、一度液晶層４０をベンド配向へ転移させた後は、スプレイ配向へ逆転移させないような工夫が必要となる。液晶層４０が一部でもスプレイ配向へ逆転移すると、その箇所で光漏れが生じ、輝点不具合となるためである。以上から、ＯＣＢモードの液晶装置は、ベンド配向へ転移しやすく、かつスプレイ配向への逆転移が起きにくい構成であることが好ましい。
【０００５】
スプレイ配向への逆転移を防止する方法として、特許文献２には、液晶表示素子の外周の非視認領域にＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子等を配置し、非視認領域の液晶層を駆動させてベンド配向状態に保つ方法が開示されている。これにより、視認領域の液晶層もベンド配向状態を維持しやすくなる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２７４７７０号公報
【特許文献２】特開２００２−３１１４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＯＣＢモードの液晶装置では、配線等により生じる段差ｂ（図１７（ｂ））の陰になって配向規制力の付与が不十分な領域ｕが生じると、この領域ｕではベンド配向への転移が起きにくくなり、またスプレイ配向への逆転移が起きやすくなるという課題がある。これは、領域ｕにおける配向規制力が不十分な結果、液晶分子４０ａのプレチルト角が得られなくなり、電界を印加しても液晶分子４０ａが基板表面に対して立ちにくくなるためである。
【０００８】
このとき、スプレイ配向への逆転移を防止するために非視認領域に新たなＴＦＴ素子等を形成すると、製造工程が長くなり、またこれらの素子を駆動するためにドライバの構成がより複雑になるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板の間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層と、を備え、前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の表面は、第１の向きに配向規制力を付与した後に、該第１の向きの配向規制力が付与された表面を前記第１の向きとは異なる第２の向きに配向規制力を付与しており、前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記液晶層側の表面には、前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域と、前記第２の向きに配向させる領域と、が設けられている液晶装置。
【００１１】
このような構成によれば、基板の表面に対する２回の配向規制力の付与の向き（第１の向き及び第２の向き）が異なるため、一方の配向規制力付与の際に、突起状の構成要素の陰になること等に起因して配向規制力の付与が不完全となる領域があっても、当該領域は他方の配向規制力付与の際には陰にならず、適切に配向規制力の付与が行われる。このため、２回目の配向規制力の付与が一部の領域で不完全であったとしても、当該領域に対しては、これに先立つ１回目の配向規制力付与の際に配向規制力が付与される。よって、上記構成の液晶装置は、一方の基板上の略全面において配向規制力が付与されている。これにより、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【００１２】
［適用例２］上記液晶装置であって、前記第２の向きは、前記第１の向きとは１８０度異なっている液晶装置。
【００１３】
このような構成によれば、２回の配向規制力付与のうち一方において陰になる領域に対し、他方において効果的に配向規制力の付与を行うことができる。
【００１４】
［適用例３］上記液晶装置であって、前記一方の基板の前記液晶層側の表面には配向膜が形成されており、少なくとも前記第１の向きへの配向規制力の付与と前記第２の向きへの配向規制力の付与のいずれか一方は、前記配向膜にラビング処理を施すことによって配向規制力が付与されている液晶装置。
【００１５】
このような構成によれば、配向膜の表面にラビング処理によって微細な傷を付けることにより、一方の基板の表面に、ラビング処理の向きに沿った向きの配向規制力を付与することができる。
【００１６】
［適用例４］上記液晶装置であって、少なくとも前記第１の向きへの配向規制力の付与と前記第２の向きへの配向規制力の付与のいずれか一方は、前記一方の基板の前記液晶層側の表面に無機物質を斜方蒸着することによって配向規制力が付与されている液晶装置。
【００１７】
このような構成によれば、一方の基板の表面に、斜方蒸着された無機物質の配列方向に沿った向きの配向規制力を付与することができる。
【００１８】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域は、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域であって、前記液晶層の液晶分子を前記第１の向きに配向させる領域に重なる領域に遮光層が形成されている液晶装置。
【００１９】
第１の向きに配向規制力が付与され、かつ第２の向きに配向規制力が付与されない領域は、第２の向きに配向規制力が付与される領域とは液晶分子の配向状態が異なっているため、良好な光学特性が得られにくい。上記構成によれば、遮光層によって当該領域から射出される光を遮光できるため、光学特性の低下を抑制することができる。
【００２０】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記一対の基板のうち他方の前記基板の前記液晶層側の表面は、前記第２の向きに配向規制力が付与されている液晶装置。
【００２１】
このような構成によれば、一対の基板の双方に第２の向きの配向規制力が付与された領域は、パラレル配向となり、ＯＣＢモードに好適な配向状態を得ることができる。
【００２２】
［適用例７］上記液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の前記液晶層側のうち、平面視で、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域、又は当該領域に沿った領域に重なる領域に初期配向転移構造を備える液晶装置。
【００２３】
一方の基板のうち第１の向きに配向規制力が付与され、かつ第２の向きに配向規制力が付与されない領域は、他方の基板における第２の向きの配向規制力との関係でアンチパラレル配向となっている。アンチパラレル配向では、パラレル配向と比較して、電界の印加によって液晶分子が立ちやすいため、ベンド配向への転移が起きやすい。このため、上記領域又はその領域に沿った領域に初期配向転移構造を設けることにより、初期配向転移構造の周辺において、容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
【００２４】
［適用例８］上記液晶装置であって、前記他方の基板の前記液晶層側の表面は、前記第２の向きに配向規制力を付与する前に、前記第２の向きとは異なる向きの配向規制力が付与されている液晶装置。
【００２５】
このような構成によれば、他方の基板における第２の向きの配向規制力の付与が一部の領域で不完全であったとしても、当該領域に対しては、これに先立って第２の向きとは異なる向きの配向規制力の付与を行うことができる。このため、他方の基板上の略全面において配向規制力の付与が行われることとなり、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。なお、他方の基板における２回の配向規制力付与の向きは、互いに１８０度異なる向きであってもよい。また、他方の基板の液晶層側の表面に配向膜を形成した上で、上記２回の配向規制力付与を、当該配向膜に対するラビング処理によって行ってもよい。また、上記２回の配向規制力付与は、他方の基板の液晶層側の表面に無機物質を斜方蒸着することによって行ってもよい。
【００２６】
［適用例９］上記液晶装置であって、前記一方の基板のうち、前記第１の向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域の少なくとも一部と、前記他方の基板のうち、前記第２の向きとは異なる向きに配向規制力が付与され、かつ前記第２の向きに配向規制力が付与されない領域の少なくとも一部とが、平面視で重なっている液晶装置。
【００２７】
一方の基板のうち、第１の向きに配向規制力が付与され、かつ第２の向きに配向規制力が付与されない領域、及び他方の基板のうち、第２の向きとは異なる向きに配向規制力が付与され、かつ第２の向きに配向規制力が付与されない領域は、他の領域とは配向方向が異なっているため光学特性が低下しやすい。上記構成によれば、これらの領域の一部を重ねることとなるため、光学特性が低下しやすい領域の面積を低減させることができ、ひいては液晶装置全体の光学特性の低減を抑制することができる。
【００２８】
［適用例１０］上記液晶装置を表示部に備える電子機器。
【００２９】
このような構成によれば、表示部の液晶装置を容易にベンド配向に維持可能な電子機器が得られる。
【００３０】
［適用例１１］対向して配置された一対の基板を有する液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の前記基板の表面に第１の向きの配向規制力を付与する工程Ａと、前記工程Ａの後に、前記一方の基板のうち前記工程Ａにおいて配向規制力が付与された表面に、前記第１の向きとは異なる第２の向きの配向規制力を付与する工程Ｂと、前記一方の基板を、前記配向規制力が付与された面が対向するように、前記一対の基板のうち他方の前記基板とシール材を介して貼り合わせて前記一対の基板を形成する工程と、前記一対の基板の間に、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層を封入する工程と、を有する液晶装置の製造方法。
【００３１】
このような方法によれば、工程Ａにおいて配向規制力が付与される向き（第１の向き）と、工程Ｂにおいて配向規制力が付与される向き（第２の向き）とが異なるため、一方の工程において、突起状の構成要素の陰になること等に起因して配向規制力の付与が不完全となる領域があっても、当該領域は他方の工程においては陰にならず、適切に配向規制力の付与が行われる。このため、工程Ｂにおける配向規制力の付与が一部の領域で不完全であったとしても、当該領域に対しては、これに先立つ工程Ａにおいて配向規制力の付与が行われる。よって、上記方法によれば、一方の基板上の略全面において配向規制力の付与を行うことができ、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【００３２】
［適用例１２］上記液晶装置の製造方法であって、前記第２の向きは、前記第１の向きとは１８０度異なる向きである液晶装置の製造方法。
【００３３】
このような方法によれば、工程Ａ及び工程Ｂのうち一方の工程において陰になる領域に対し、他方の工程において効果的に配向規制力の付与を行うことができる。
【００３４】
［適用例１３］上記液晶装置の製造方法であって、前記工程Ａの前に、前記一方の基板の表面に配向膜を形成する工程を有し、前記工程Ａ及び前記工程Ｂは、前記配向膜に対してラビング処理を行う工程である液晶装置の製造方法。
【００３５】
このような方法によれば、配向膜の表面にラビング処理によって微細な傷を付けることにより、一方の基板の表面に、ラビング処理の向きに沿った向きの配向規制力を付与することができる。
【００３６】
［適用例１４］上記液晶装置の製造方法であって、前記工程Ａ及び前記工程Ｂは、前記一方の基板の表面に無機物質を斜方蒸着する工程である液晶装置の製造方法。
【００３７】
このような方法によれば、一方の基板の表面に、斜方蒸着された無機物質の配列方向に沿った向きの配向規制力を付与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照し、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００３９】
（第１の実施形態）
＜Ａ．液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置１の構成を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図である。液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子２０（図４）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＯＣＢモードの液晶装置である。液晶装置１は、枠状のシール材４１を介して対向して貼り合わされた、一対の基板としての素子基板１０及び対向基板３０を有している。本実施形態では、素子基板１０が一方の基板に対応し、対向基板３０が他方の基板に対応する。素子基板１０、対向基板３０、シール材４１によって囲まれた空間には、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０が封入されている。素子基板１０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５１が配置されており、対向基板３０の液晶層４０とは反対側の面には、偏光板５３が配置されている。素子基板１０は、対向基板３０より大きく、一部が対向基板３０に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部位には、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。
【００４０】
液晶装置１は、液晶層４０が封入された表示領域４３において表示を行う。液晶層４０は、初期的には図２（ａ）に示すようなスプレイ配向となっており、表示を行う際には、図２（ｂ）に示すようなベンド配向に転移させて使用する。スプレイ配向からベンド配向への転移は、液晶層４０に転移電圧を印加することによって行う。ベンド配向においては、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａが弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がりの度合いを変えることで透過率を変調して表示を行う。
【００４１】
図３は、表示領域４３の拡大平面図である。この図に示すように、液晶装置１は、赤、緑、青に対応した画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂ（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素４とも呼ぶ）を多数有している。画素４は、マトリクス状に配置されており、ある列に配置される画素４の色は全て同一である。すなわち、画素４は、対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。隣り合う画素４の間の領域には、遮光層３４が形成されている。換言すれば、遮光層３４に囲まれた領域が１つの画素４の占める領域となる。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂからなる画素群が、表示の最小単位（ピクセル）となる。液晶装置１は、各画素群において、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの輝度バランスを調節することによって、種々の色の表示を行うことができる。
【００４２】
＜Ｂ．等価回路＞
図４は、液晶装置１の表示領域４３における各種素子、配線等の等価回路図である。表示領域４３においては、複数のゲート線１２と複数のソース線１４とが交差するように形成されている。画素４は、ゲート線１２とソース線１４との交差に対応して設けられており、画素４ごとに画素電極１６が形成されている。また、ゲート線１２に沿って、容量線１５が形成されており、画素電極１６と容量線１５との間に補助容量１５ａが形成されている。
【００４３】
ゲート線１２とソース線１４との交差に対応する位置には、画素電極１６への通電制御を行うための、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子２０が画素４ごとに形成されている。ＴＦＴ素子２０のソース端子には、ソース線１４が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のゲート端子には、ゲート線１２が電気的に接続されている。ＴＦＴ素子２０のドレイン端子には、画素電極１６が電気的に接続されている。
【００４４】
＜Ｃ．画素構造＞
図５（ａ）は、画素４の構成を示す平面図である。この図は、画素４を対向基板３０側から、より詳しくは対向基板３０の法線方向から見た図である。本明細書では、対向基板３０の法線方向から見ることを「平面視」とも呼ぶ。また、図５（ａ）では、説明の便宜上、ソース線１４が左右方向に延在するように描かれている。本明細書では、ソース線１４の延在方向をＹ軸、ゲート線１２の延在方向をＸ軸、Ｘ−Ｙ平面に直交する方向をＺ軸と定義する。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図である。以下では、図５（ａ），（ｂ）を用いて、画素４及びその周辺部の構成について説明する。
【００４５】
図５（ｂ）に示すように、素子基板１０は、基板１１を基体として構成される。基板１１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板１１の液晶層４０側には、ゲート線１２と容量線１５が形成されている。基板１１と、ゲート線１２及び容量線１５との間には、さらに酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる絶縁層が設けられていてもよい。ゲート線１２の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる層間絶縁層２３を挟んで半導体層２０ａが形成されている。半導体層２０ａは、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等から構成することができる。また、半導体層２０ａに一部が重なる状態で、ソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄが形成されている。ソース電極２０ｓは、ソース線１４（図５（ａ））と一体で形成することができる。半導体層２０ａ、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ゲート線１２等からＴＦＴ素子２０が構成される。ゲート線１２は、ＴＦＴ素子２０のゲート電極の役割を兼ねる。ゲート線１２（ゲート電極）、ソース電極２０ｓ、ドレイン電極２０ｄ、ソース線１４、容量線１５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも１つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコン等から構成することができる。
【００４６】
ＴＦＴ素子２０の上層には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる層間絶縁層２４を挟んで画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、例えば透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いて構成することができる。画素電極１６は、層間絶縁層２４に設けられたコンタクトホール２１を介してドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。画素電極１６は、一部が容量線１５と対向しており、容量線１５との間で補助容量１５ａ（図４）を構成する。画素電極１６上には、ポリイミドからなる配向膜１９が形成されている。素子基板１０は、基板１１から配向膜１９までの要素により構成される。
【００４７】
対向基板３０は、基板３１を基体として構成される。基板３１としては、ガラス基板や石英基板等を用いることができる。基板３１の液晶層４０側には、カラーフィルタ３２が形成されている。カラーフィルタ３２は、赤、緑、青の各色に対応する３種の色要素を含んで構成され、これらの色要素はそれぞれ画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂに配置されている。また、カラーフィルタ３２と同一の層には、遮光性を有する樹脂からなる遮光層３４が形成されている。遮光層３４は、平面視で隣り合う画素電極１６の間の領域を覆う位置に形成されており、当該領域からの光漏れを防止して表示のコントラストを向上させる役割を果たす。
【００４８】
カラーフィルタ３２上には、ＩＴＯからなる共通電極３６が形成されている。共通電極３６は、表示領域４３（図１）の略全体にわたって形成されている。共通電極３６上には、ポリイミドからなる配向膜３９が形成されている。対向基板３０は、基板３１から配向膜３９までの要素により構成される。
【００４９】
素子基板１０と対向基板３０とは、互いに対向してシール材４１（図１（ｂ））を介して貼り合わされている。ここで、素子基板１０と対向基板３０とは、対向基板３０上に配置されたフォトスペーサ２６によって支えられており、素子基板１０と対向基板３０との間隔が一定に保たれるようになっている。フォトスペーサ２６は、例えば対向基板３０上に一定の厚さに形成された樹脂層をフォトリソグラフィーによってパターニングすることにより得られる。フォトスペーサ２６は、必要に応じて素子基板１０側に形成してもよい。
【００５０】
素子基板１０と対向基板３０との間には、上述のように液晶層４０が配置されている。液晶層４０には、ネマチック液晶を用いることができる。一例として、液晶層４０の厚さは５μｍ、液晶層４０に含まれる液晶分子４０ａのΔｎ（屈折率異方性）は０．１５とすることができる。
【００５１】
素子基板１０の液晶層４０側の表面、及び対向基板３０の液晶層４０側の表面には、配向規制力が付与されている。液晶分子４０ａは、素子基板１０、対向基板３０の表面付近においては、この配向規制力の向きに沿って、所定のプレチルト角を有して配向する。本明細書では、配向規制力の向きを以下のように定義する。すなわち、基板表面における液晶分子４０ａの長軸の延在方向のうち、液晶分子４０ａが所定のプレチルト角で立ち上がっていく向き（すなわち、液晶分子４０ａの長軸方向の両端のうち、基板表面に近い端から他方の端へ向かう向き）を平面視で見た向きを、配向規制力の向きと定義する。
【００５２】
素子基板１０の液晶層４０側の表面は、より詳しくは、−Ｙ方向の配向規制力を付与する工程Ａと、工程Ａの後に、−Ｙ方向とは１８０度異なる向き（すなわち＋Ｙ方向）の配向規制力を付与する工程Ｂとによって配向規制力が付与されている。図５（ａ），（ｂ）中の矢印５Ａ，５Ｂは、それぞれ工程Ａ、工程Ｂにおける配向規制力付与の向きを示している。本実施形態では、−Ｙ方向が第１の向きに対応し、＋Ｙ方向が第２の向きに対応する。また、対向基板３０の液晶層４０側の表面は、＋Ｙ方向の配向規制力を付与する工程Ｄによって配向規制力が付与されている。図５（ｂ）中の矢印５Ｄは、工程Ｄにおける配向規制力付与の向きを示している。
【００５３】
本実施形態では、素子基板１０、対向基板３０の液晶層４０側の表面には配向膜１９，３９が形成されており、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｄにおける配向規制力の付与は、配向膜１９，３９に対するラビング処理によって行われる。ラビング処理は、布等を巻きつけたラビングローラー７０（図１７（ａ））を回転させながら配向膜１９，３９に当接させ、ラビングローラー７０と配向膜１９，３９とを相対移動させることによって行われる。このラビング処理によれば、ラビングローラー７０と配向膜１９，３９との相対移動の方向に沿って、配向膜１９，３９に配向規制力が付与される。すなわち、上記相対移動の方向が、配向規制力付与の向きとなる。
【００５４】
素子基板１０の配向膜１９に対しては、矢印５Ａの向きに１回目のラビング処理をした後に、これと逆方向の矢印５Ｂの向きに２回目のラビング処理がなされている。ここで、配向膜１９には、ゲート線１２やＴＦＴ素子２０の厚さに起因する段差ｂが生じている。このとき、矢印５Ａの向きに沿った１回目のラビング処理によれば、段差ｂの下段から上段へ向かう向きでの処理であるため、段差ｂの前後にわたって隙間なくラビング処理を行うことができる。一方、矢印５Ｂの向きに沿った２回目のラビング処理では、段差ｂの上段から下段へ向かう向きでの処理であるため、下段のうち段差ｂ近傍の一定の領域ｕ（すなわち段差ｂの陰になる領域）においてラビングローラー７０と配向膜１９とが当接せず、配向規制力の付与が不十分となる。仮に、１回目のラビング処理を行わなかったとすると、領域ｕは配向規制力が十分でない状態となるが、本実施形態では、領域ｕに対しては１回目のラビング処理により矢印５Ａの向きの配向規制力があらかじめ付与されている。したがって、段差ｂが存在しても、配向膜１９の略全面に、１回目及び２回目のラビング処理の少なくとも一方によって配向規制力を付与することができる。ここで、１回目と２回目のラビングの向きを１８０度異ならせるようにすることで、工程Ａ及び工程Ｂのうち一方の工程において陰になる領域に対し、他方の工程において効果的に配向規制力の付与を行うことができる。
【００５５】
複数回のラビング処理を行った場合は、最後に行われたラビング処理の向きに配向規制力が付与される。領域ｕでは、１回目のラビング処理によってのみ配向規制力が付与されるので、配向規制力の向きは矢印５Ａの向き（−Ｙ方向）である。その他の領域ｖでは、矢印５Ｂの向きの２回目のラビング処理が最後の処理であるため、配向規制力の向きは矢印５Ｂの向き（＋Ｙ方向）となる。このように、素子基板１０の配向膜１９の表面には、液晶層４０の液晶分子４０ａを矢印５Ａの向きに配向させる領域ｕと、矢印５Ｂの向きに配向させる領域ｖとが設けられている。一方、対向基板３０の配向膜３９に対しては、矢印５Ｄの向きのラビング処理が１回だけ行われているため、配向規制力の向きは矢印５Ｄの向き（＋Ｙ方向）である。以上から、領域ｕでは、両基板表面の配向規制力の向きが互いに１８０度異なるアンチパラレル配向となっており、領域ｖでは、両基板表面の配向規制力の向きが互いに等しいパラレル配向となっている。
【００５６】
素子基板１０の外側には偏光板５１が、また対向基板３０の外側には偏光板５３が、それぞれ配置されている。偏光板５１，５３の透過軸は、相互に略直交するように、かつ配向膜１９，３９の領域ｖにおけるラビング処理の向き（＋Ｙ方向）と略４５度の角度をなすように配置されている。偏光板５１と素子基板１０との間、及び偏光板５３と対向基板３０との間の少なくとも一方に、必要に応じて光学補償フィルムを配置してもよい。光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させてなるフィルム（例えば、富士写真フィルム製のＷＶフィルム）、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させてなるフィルム（例えば、新日本石油製のＮＨフィルム）、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体等を使用することができる。
【００５７】
さらに、偏光板５１の外側には、光源、リフレクタ、導光板等を有するバックライト（不図示）が設置されている。
【００５８】
上記偏光板５１，５３や光学補償フィルムは、液晶層４０がパラレル配向となっている領域に対して好適な光学特性が得られるように調整されている。このため、領域ｖでは良好な光学特性が得られるものの、領域ｖとは配向状態が異なっている領域ｕでは十分な光学特性が得られない場合がある。このため、図５（ｂ）に示すように、遮光層３４は、平面視で領域ｕに重なる領域にも配置されていることが好ましい。このような構成によれば、遮光層３４によって領域ｕから射出される光を遮光できるため、光学特性の低下を抑制することができる。なお、遮光層は、素子基板１０及び対向基板３０の少なくとも一方の液晶層４０側に配置されていればよく、例えば素子基板１０の液晶層４０側に遮光層を設けることもできる。
【００５９】
＜Ｄ．転移動作＞
以上の構成を有する液晶装置１は、次のように動作させることによって、液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させることができる。
【００６０】
まず、第１の工程では、ゲート線１２と画素電極１６との間に転移電圧を印加する。この転移電圧は、例えば１０〜１５Ｖ程度の交流の矩形波とすることができ、印加時間は例えば０．５秒とする。この工程は、ゲート線１２へ転移のための信号を印加するとともに、ＴＦＴ素子２０をオン状態とした状態でソース線１４に転移のための信号を印加することで当該信号を画素電極１６へ供給することにより行われる。
【００６１】
ゲート線１２と画素電極１６との間に上記転移電圧が印加されると、ゲート線１２と画素電極１６との間に電界が生じる。液晶層４０の液晶分子４０ａは、この電界の方向に沿って配向方向を変え、一部がベンド配向に転移する。こうして、ゲート線１２と画素電極１６との間、又はその近傍の領域に、ベンド配向の転移核が発生する。
【００６２】
続く第２の工程では、画素電極１６と共通電極３６との間に転移電圧を印加する。この転移電圧は、例えば５Ｖの交流の矩形波とすることができる。この工程においては、画素電極１６上の液晶層４０に、基板１１の法線方向の成分を有する電界（縦電界）が生じる。この電界により画素電極１６上の広い範囲で液晶分子４０ａが駆動される。この結果、第１の工程において発生した転移核を起点として、ベンド配向領域が画素電極１６上に広がっていく。以上の工程を経て、液晶層４０をスプレイ配向からベンド配向へ転移させることができる。
【００６３】
上記転移動作において、配向規制力が不十分な領域があると、当該領域ではベンド配向への転移が起きにくい。これは、配向規制力が不十分な領域では液晶分子４０ａのプレチルト角がほとんどなく、配向方位が安定しないため、電界を印加しても液晶分子４０ａが基板表面に対して立ちにくいためである。
【００６４】
これに対し、本実施形態では、配向膜１９，３９に対して、段差ｂの陰になりやすい領域ｕを含めた略全面に配向規制力が付与されているため、液晶分子４０ａは、どの領域でも所定のプレチルト角を有して配向しており、ベンド配向へ転移しやすい。特に、液晶層４０は、領域ｕにおいてはアンチパラレル配向となっている。アンチパラレル配向では、パラレル配向と比較して、液晶層４０の中間層付近の液晶分子４０ａが立ちやすいため、ベンド配向の転移核がより発生しやすい。さらに、本実施形態では、領域ｕが、第１の工程において電界が生じるゲート線１２の近傍に位置するため、領域ｕの近傍において転移核が発生しやすくなっている。
【００６５】
このように、配向膜１９に対して１８０度異なる向きに２回のラビング処理が行われている本実施形態の構成によれば、段差ｂの近傍の領域ｕを含むすべての領域の液晶層４０がベンド配向に転移しやすい状態となっている。このため、短時間にベンド配向への転移を行うことができる。あるいは、より低い転移電圧によってベンド配向への転移を行うことができる。
【００６６】
＜Ｅ．表示動作＞
続いて、液晶層４０をベンド配向へ転移させた後の表示動作について説明する。
【００６７】
図４に示すように、各ゲート線１２には、走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎが供給される。また、各ソース線１４には、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが供給される。ゲート線１２が選択電位となると、当該ゲート線１２に接続されたＴＦＴ素子２０がオン状態となる。ＴＦＴ素子２０がオン状態となっている期間においては、ソース線１４に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍが、ＴＦＴ素子２０を介して画素電極１６に印加される。画素電極１６に印加された所定のレベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｍと、共通電極３６（図５（ｂ））の共通電位とで定まる電圧が駆動電圧となり、液晶層４０に印加される。上記駆動電圧は、液晶層４０の容量及び補助容量１５ａにより一定時間保持される。液晶層４０に駆動電圧が印加されると、印加された電圧レベルに応じて液晶分子４０ａの配向状態が変化する。これによって、液晶層４０に入射された光が変調されて階調表示が可能となる。
【００６８】
ここで、上記駆動電圧の実効値は、液晶層４０がベンド配向を維持するための臨界電圧より大きくなるように設定される。駆動電圧の実効値が臨界電圧より小さくなると、液晶層４０の一部がスプレイ配向へ逆転移してしまい、その部位の表示が乱れて輝点不具合が生じてしまうためである。
【００６９】
このとき、配向規制力が不十分な領域があると、当該領域ではスプレイ配向への逆転移がより起きやすくなる。これは、上記したように、配向規制力が不十分な領域では液晶分子４０ａのプレチルト角がほとんどなく、配向方位が安定しないため、液晶分子４０ａが基板表面に対して立ちにくいためである。
【００７０】
これに対し、本実施形態では、配向膜１９，３９に対して、段差ｂの近傍の領域ｕを含めた略全面に配向規制力が付与されているため、液晶分子４０ａは、どの領域でも所定のプレチルト角を有して配向しており、ベンド配向を維持しやすくなっている。このため、スプレイ配向への逆転移が起きにくい。このため、臨界電圧が小さくなり、より低い電圧を表示に用いることができる。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合には、白表示の電圧を下げることによって、より高輝度の表示を行うことができる。また、ベンド配向の維持のために黒表示を挿入する「擬似インパルス表示方式」が採用されている場合には、黒表示の挿入頻度を低減させることができ、ひいては表示品位を向上させることができる。
【００７１】
＜Ｆ．液晶装置の製造方法＞
続いて、液晶装置１の製造方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態の液晶装置１の製造方法を示すフローチャートである。図６において、工程Ｐ１１からＰ１４が素子基板１０を形成するための工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３が対向基板３０を形成するための工程である。工程Ｐ３１から工程Ｐ３３は、素子基板１０及び対向基板３０を組み合わせて液晶装置１を完成させるための工程である。工程Ｐ１１からＰ１４と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３とは、それぞれ独立に行われる。
【００７２】
工程Ｐ１１では、素子基板１０を構成する基板１１上に、ゲート線１２、ソース線１４、容量線１５、ＴＦＴ素子２０、層間絶縁層２３，２４、画素電極１６等を含む回路素子層を形成する。この工程は、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法、スパッタ法、フォトリソグラフィー法等の各種の成膜手法を用いて行われる。
【００７３】
工程Ｐ１２では、工程Ｐ１１において形成された回路素子層に重ねて、スピンコート法又はフレキソ印刷法等によってポリイミドからなる配向膜１９を形成する。
【００７４】
工程Ｐ１３では、素子基板１０の表面、すなわち工程Ｐ１２において形成された配向膜１９に対して１回目のラビング処理を行う。より詳しくは、配向膜１９の表面に対して矢印５Ａ（図５（ａ），（ｂ））に示すように−Ｙ方向のラビング処理を行う。工程Ｐ１３は、第１の向きに配向規制力を付与する工程Ａに対応し、−Ｙ方向が第１の向きに対応する。この工程Ｐ１３により、素子基板１０の表面のうち、段差ｂの近傍の領域ｕを含む領域に配向規制力が付与される。
【００７５】
工程Ｐ１４では、素子基板１０の表面（配向膜１９）に対して２回目のラビング処理を行う。より詳しくは、配向膜１９の表面に対して矢印５Ｂ（図５（ａ），（ｂ））に示すように＋Ｙ方向のラビング処理を行う。工程Ｐ１４は、第２の向きの配向規制力を付与する工程Ｂに対応し、＋Ｙ方向が第２の向きに対応する。工程Ｐ１４により、素子基板１０の表面のうち、領域ｖを含む領域に配向規制力が付与される。
【００７６】
この結果、素子基板１０の表面（すなわち配向膜１９の表面）のうち、段差ｂの陰になっている領域ｕには工程Ｐ１３において配向規制力が付与され、その他の領域ｖには工程Ｐ１３，１４によって配向規制力が付与される。以上の工程Ｐ１１から工程Ｐ１４を経て、素子基板１０が完成する。
【００７７】
工程Ｐ２１では、対向基板３０を構成する基板３１上に、カラーフィルタ３２、遮光層３４、共通電極３６、フォトスペーサ２６等を形成する。この工程は、例えばスピンコート法、スパッタ法、フォトリソグラフィー法等の各種の成膜手法を用いて行われる。
【００７８】
工程Ｐ２２では、工程Ｐ２１において形成された共通電極３６に重ねて、スピンコート法又はフレキソ印刷法等によってポリイミドからなる配向膜３９を形成する。
【００７９】
工程Ｐ２３では、対向基板３０の表面、すなわち工程Ｐ２２において形成された配向膜３９に対してラビング処理を行う。より詳しくは、配向膜３９の表面に対して矢印５Ｄ（図５（ｂ））に示すように＋Ｙ方向のラビング処理を行う。工程Ｐ２３は、工程Ｄに対応する。この工程Ｐ２３により、対向基板３０の表面の全面に＋Ｙ方向の配向規制力が付与される。工程Ｐ２１から工程Ｐ２３を経て、対向基板３０が完成する。
【００８０】
工程Ｐ３１では、素子基板１０と対向基板３０とを、シール材４１（図１（ｂ））を介して配向規制力が付与された面（すなわち配向膜１９，３９が形成された面）が対向するように貼り合わせる。より詳しくは、素子基板１０又は対向基板３０の表面にディスペンサ塗布法又はスクリーン印刷法等によってシール材４１を枠状に塗布し、素子基板１０と対向基板３０との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で接触、圧着させ、その後シール材４１を乾燥させて両基板を貼り合わせる。
【００８１】
工程Ｐ３２では、素子基板１０、対向基板３０、及びシール材４１によって囲まれた領域に液晶を注入し、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層４０を形成する。この工程は、真空下においてシール材４１に設けられた注入口から毛細管現象によって上記領域に液晶を導入し、注入口を紫外線硬化性樹脂等により封止することによって行う。なお、液晶層４０を素子基板１０、対向基板３０の間に封入する方法としては、素子基板１０又は対向基板３０の表面に液晶を滴下した状態で貼り合わせ（工程Ｐ３１）を行う方法を採用することもできる。
【００８２】
工程Ｐ３３では、素子基板１０、対向基板３０の外側に、それぞれ偏光板５１，５３を貼り付ける。素子基板１０、対向基板３０が、これらを複数含むマザー基板に形成される場合には、工程Ｐ３３又は工程Ｐ３２の前に、マザー基板を適宜ブレイク（切断）する。以上の工程を経て、液晶装置１が製造される。
【００８３】
以上に説明したような液晶装置１の製造方法によれば、素子基板１０の液晶層４０側の表面に段差ｂが生じていても、素子基板１０の略全面において配向規制力の付与を行うことができる。このため、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合の少ない液晶装置１が得られる。
【００８４】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。本実施形態は、配向膜１９，３９の構成及び形成方法が第１の実施形態と異なり、その他の点は第１の実施形態と同様である。
【００８５】
＜Ａ．液晶装置の構成＞
本実施形態の液晶装置１の画素４及びその周辺部の構成は、第１の実施形態と同様であり、その平面図及び断面図は、図５（ａ），（ｂ）に示されている。本実施形態の液晶装置１は、配向膜１９，３９が、斜方蒸着によって形成された無機物質５５（図７（ｂ），（ｃ））から構成される点に特徴がある。この無機物質５５としては、例えばＳｉＯ2を用いることができる。
【００８６】
図７（ａ）は、斜方蒸着による配向膜１９，３９の形成方法を示す図である。蒸着装置６０の内部には、素子基板１０（又は対向基板３０）が配置されており、その鉛直下方に、無機物質５５の蒸気流を発生させる蒸着源６１が配置されている。蒸着装置６０内において、素子基板１０は、その法線方向が、蒸着源６１と素子基板１０の基板面重心位置とを結ぶ線に対して所定の角度θをなすように保持されている。角度θは、換言すれば、蒸着源６１において発生した無機物質５５の蒸気流が素子基板１０の表面に入射する角度である。
【００８７】
図７（ｂ），（ｃ）は、蒸着装置６０によって無機物質５５が蒸着された面の断面図である。図中の矢印は、無機物質５５が入射した向きを示しており、その入射角は基板の法線方向に対して角度θをなしている。図７（ｂ），（ｃ）は、角度θの絶対値が等しく、符号を反転させた場合に対応する。基板表面には、柱状の無機物質５５が、基板の法線方向から角度θだけ傾いた状態で多数形成されている。図７（ｂ），（ｃ）を比較すれば分かるように、角度θを変化させることによって、素子基板１０上に蒸着される無機物質５５の方向を制御することができる。
【００８８】
配向膜１９，３９は、この無機物質５５から構成される。配向膜１９，３９の近傍に位置する液晶分子４０ａは、柱状の無機物質５５の長手方向が延在する方向に沿って配向する。したがって、無機物質５５から構成される配向膜１９，３９は、それ自体が配向規制力を有しており、無機物質５５を斜方蒸着する工程が、配向規制力を付与する工程に対応する。また、斜方蒸着がなされる向き（図７（ｂ），（ｃ）中の矢印の向き）を基板表面に投影させた向きを、配向規制力の向きと定義する。したがって、図７（ｂ）では、矢印５Ｂ，５Ｄの向きが配向規制力の向きであり、図７（ｃ）では、矢印５Ａの向きが配向規制力の向きである。
【００８９】
基板表面に段差ｂ（図５（ｂ）、図７（ｂ），（ｃ））がある場合は、図７（ｂ）のように、段差ｂの上段から下段に向かう向きで配向規制力を付与すると（すなわち無機物質５５を斜方蒸着させると）、段差ｂの陰になる領域ｕには無機物質５５が形成されず、この領域ｕの配向規制力が不十分となる。一方で、図７（ｃ）のように、段差ｂの下段から上段に向かう向きで配向規制力を付与すると、領域ｕにも無機物質５５が形成され、配向規制力が付与される。
【００９０】
本実施形態では、素子基板１０の配向膜１９の形成に際しては、まず図５（ｂ）中の矢印５Ａの向きに１回目の斜方蒸着を行い、次に、矢印Ａの向きとは１８０度異なる矢印５Ｂの向きに２回目の斜方蒸着を行う。これにより、段差ｂの陰になる領域ｕについては１回目の斜方蒸着によって配向規制力が付与され、その他の領域ｖについては２回目の斜方蒸着によっても配向規制力が付与される。なお、領域ｖにおいては、１回目、２回目のいずれの斜方蒸着によっても無機物質５５が形成されるが、液晶層４０の配向に寄与するのは２回目の斜方蒸着によって形成された無機物質５５である。これにより、第１の実施形態と同様に、素子基板１０上の略全面において配向規制力の付与が行われるため、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【００９１】
＜Ｂ．液晶装置の製造方法＞
続いて、第２の実施形態に係る液晶装置１の製造方法について、図８を参照しながら説明する。図８は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図８において、工程Ｓ１１からＳ１３が素子基板１０を形成するための工程であり、工程Ｓ２１、工程Ｓ２２が対向基板３０を形成するための工程である。工程Ｓ３１から工程Ｓ３３は、素子基板１０及び対向基板３０を組み合わせて液晶装置１を完成させるための工程である。工程Ｓ１１からＳ１３と、工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２とは、それぞれ独立に行われる。
【００９２】
工程Ｓ１１では、素子基板１０に回路素子層を形成する。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ１１と同一の工程である。
【００９３】
工程Ｓ１２では、素子基板１０の表面に、１回目の無機物質５５（図７（ｂ），（ｃ））の斜方蒸着を行う。ここで、素子基板１０の表面とは、工程Ｓ１１において形成された回路素子層の表面、特に画素電極１６の表面を指す。この工程では、より詳しくは、素子基板１０の表面に対して矢印５Ａ（図５（ａ），（ｂ））の向き（すなわち−Ｙ方向）に沿って無機物質５５（例えばＳｉＯ2）を斜方蒸着する。斜方蒸着の方法は、既に詳述しているため省略する。工程Ｓ１２は、第１の向きに配向規制力を付与する工程Ａに対応し、−Ｙ方向が第１の向きに対応する。この工程Ｓ１２により、素子基板１０の表面のうち、段差ｂの近傍の領域ｕを含む領域に配向規制力が付与される。
【００９４】
工程Ｓ１３では、素子基板１０の表面に対して２回目の無機物質５５の斜方蒸着を行う。より詳しくは、素子基板１０の表面に対して矢印５Ｂ（図５（ａ），（ｂ））の向き（すなわち＋Ｙ方向）に沿って無機物質５５（例えばＳｉＯ2）を斜方蒸着する。工程Ｓ１３は、第２の向きの配向規制力を付与する工程Ｂに対応し、＋Ｙ方向が第２の向きに対応する。工程Ｓ１３により、素子基板１０の表面のうち、領域ｖを含む領域に配向規制力が付与される。
【００９５】
この結果、素子基板１０の表面のうち、段差ｂの陰になっている領域ｕには工程Ｓ１２において配向規制力が付与され、その他の領域ｖには工程Ｓ１２，１３によって配向規制力が付与される。以上の工程Ｓ１１から工程Ｓ１３を経て、素子基板１０が完成する。
【００９６】
工程Ｓ２１では、対向基板３０を構成する基板３１上に、カラーフィルタ３２、遮光層３４、共通電極３６、フォトスペーサ２６等を形成する。この工程は、第１の実施形態の工程Ｐ２１と同一の工程である。
【００９７】
工程Ｓ２２では、対向基板３０の表面に対して無機物質５５の斜方蒸着を行う。ここで、対向基板３０の表面とは、工程Ｓ２１において形成された共通電極３６の表面を指す。より詳しくは、対向基板３０の表面に対して矢印５Ｄ（図５（ｂ））の向き（すなわち＋Ｙ方向）に沿って無機物質５５（例えばＳｉＯ2）を斜方蒸着する。工程Ｓ２２は、工程Ｄに対応する。この工程Ｓ２２により、対向基板３０の表面の全面に＋Ｙ方向の配向規制力が付与される。工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２を経て、対向基板３０が完成する。
【００９８】
工程Ｓ３１から工程Ｓ３３は、第１の実施形態の工程Ｐ３１から工程Ｐ３３と同一の工程であるので説明は省略する。以上の工程を経て、液晶装置１が製造される。
【００９９】
このような液晶装置１の製造方法によれば、素子基板１０上の略全面において配向規制力の付与を行うことができる。このため、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合の少ない液晶装置１が得られる。
【０１００】
（電子機器）
上述した液晶装置１は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。図１６は、電子機器としての携帯電話機１００の斜視図である。携帯電話機１００は、表示部１１０及び操作ボタン１２０を有している。表示部１１０は、内部に組み込まれた液晶装置１によって、操作ボタン１２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。携帯電話機１００は、搭載する液晶装置１においてスプレイ配向への逆転移が生じにくいことに起因して、高品位な表示を行うことができる。
【０１０１】
なお、液晶装置１は、上記携帯電話機１００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。また、液晶装置１は、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして組み込んで用いることができる。
【０１０２】
以上、種々の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、例えば以下のような変形を加えることが可能である。なお、以下の説明においては、１回目の配向規制力付与工程（工程Ａ）において配向規制力が付与され、かつ２回目の配向規制力付与工程（工程Ｂ）において配向規制力が付与されない領域を領域ｕと呼ぶ。
【０１０３】
（変形例１）
素子基板１０及び対向基板３０の少なくとも一方の液晶層４０側のうち、平面視で領域ｕ、又は当該領域ｕに沿った領域に重なる領域に、初期配向転移構造を配置してもよい。
【０１０４】
図９は、初期配向転移構造としての屈曲部を有する液晶装置１の画素４の平面図である。この図においては、ゲート線１２、及び画素電極１６のうちゲート線１２に沿った辺は、いずれも初期配向転移構造としてのくの字状の屈曲部を有している。このような構成によれば、転移動作の際に、屈曲部の屈曲点の近傍で互いに方向の異なる電界が発生する。これらの電界により、液晶層４０は、部分的に異なる方向にツイストされて、その境界にディスクリネーションが生じる。スプレイ配向の液晶層４０は、このようにツイストされることによってベンド配向への転移のエネルギー障壁が下がり、上記ディスクリネーションをきっかけとして、ベンド配向の転移核が発生する。このように、ゲート線１２及び画素電極１６の屈曲部は、ベンド配向の転移核を誘発させる初期配向転移構造の一種である。
【０１０５】
上記屈曲部は、領域ｕに沿った領域に配置されている。上述したように、領域ｕはアンチパラレル配向となっている。アンチパラレル配向では、パラレル配向と比較して、液晶層４０の中間層領域に位置する液晶分子４０ａが電界の印加によって立ちやすいため、ベンド配向への転移が起きやすい。このため、領域ｕに沿った領域に屈曲部を設けることにより、屈曲部の周辺（特に領域ｕ）において、容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
【０１０６】
図１０（ａ）は、画素電極１６に初期配向転移構造としてのスリット１６ａを有する液晶装置１の画素４の平面図である。より詳しくは、画素電極１６は、領域ｕにおいて、矩形波状のスリット１６ａを有している。このような構成によっても、転移動作の際に、スリット１６ａの屈曲点の近傍で互いに方向の異なる電界が発生するため、当該屈曲点の近傍でベンド配向の転移核が発生しやすくなる。スリット１６ａは、領域ｕに設けられており、領域ｕでは上記のようにベンド配向への転移が起きやすいため、図１０（ａ）の構成によれば、スリット１６ａの近傍において、容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
【０１０７】
画素電極１６に形成するスリット１６ａの形状は、図１０（ａ）に示したものに限られず、例えば図１０（ｂ）のように直角の屈曲部を複数有して渦を巻いた形状や、図１０（ｃ），（ｄ）のように屈曲部を繰り返し有する折れ線形状としてもよい。これらの形状のスリット１６ａによっても、図１０（ａ）と同様の作用により、容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
【０１０８】
図１１は、初期配向転移構造としてのダブルソース構造のＴＦＴ素子２０を有する液晶装置１の画素４の平面図であり、（ａ）は画素４の全体図、（ｂ）はＴＦＴ素子２０の拡大図である。このＴＦＴ素子２０は、ソース線１４から延設されたソース電極２０ｓの先端部が２つに分かれてコの字状となっており、ドレイン電極２０ｄの一部が、２つのソース電極２０ｓ先端部の間に挟まれるような位置に配置されている。このような構成によれば、ソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとの間には、図１１（ｂ）中の矢印に示すように、互いに逆方向の２種類の電界が発生する。これらの電界により、液晶層４０は、部分的に異なる方向にツイストされて、その境界にディスクリネーションが生じる。そして、当該ディスクリネーションをきっかけとして、ベンド配向の転移核が発生する。このように、ダブルソース構造のＴＦＴ素子２０は、ベンド配向の転移核を誘発させる初期配向転移構造の一種である。
【０１０９】
上記ダブルソース構造のＴＦＴ素子２０は、領域ｕに沿った領域に配置されている。上述したように、領域ｕではベンド配向への転移が起きやすいため、領域ｕに沿った領域にＴＦＴ素子２０を設けることにより、ＴＦＴ素子２０の周辺（特に領域ｕ）において、容易にベンド配向の転移核を発生させることができる。
【０１１０】
上記の他にも、例えば突起状構造物、窪み状構造物、転移用電極等の構造物や、ツイスト配向の領域、垂直配向の領域等を初期配向転移構造として領域ｕ又は領域ｕに沿った領域に配置してもよい。
【０１１１】
（変形例２）
工程Ａにおいて配向規制力の付与（ラビング処理又は斜方蒸着。以下の各変形例において同様）が行われる第１の向きは、−Ｙ方向と異なる向きとしてもよい。同様に、工程Ｂにおいて配向規制力の付与が行われる第２の向きは、＋Ｙ方向と異なる向きとしてもよい。例えば、図１２に示すように、工程Ａにおいて矢印５Ａの向きに沿って−Ｘ方向の配向規制力を付与し、その後工程Ｂにおいて矢印５Ｂの向きに沿って＋Ｘ方向の配向規制力を付与してもよい。この場合は、工程Ｂの配向規制力の付与の際に、ソース線１４に沿った領域ｕが陰になって配向規制力が十分に付与されないが、この領域には工程Ａにおいて配向規制力を付与することができる。したがって、領域ｕと、その他の領域ｖとは、工程Ａ及び工程Ｂの少なくとも一方の配向規制力付与工程によって配向規制力が付与される。これにより、基板上の略全面に配向規制力が付与され、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【０１１２】
また、工程Ａと工程Ｂの配向規制力付与の向きを、１８０度とは異なる角度だけ変えるようにしてもよい。例えば図１３では、工程Ａの配向規制力付与の向きは、矢印５Ａに示すように、Ｘ軸に対して略４５度の角度をなす向きであり、その後の工程Ｂの配向規制力付与の向きは、矢印５Ｂに示すように、＋Ｙ方向に沿った向きである。このような方法によっても、工程Ａにおいて領域ｕに配向規制力を付与することができる。また、対向基板３０の配向規制力付与の向きが＋Ｙ方向である場合には、領域ｕの液晶層４０はツイスト配向となる。このような配向状態は、スプレイ配向と比較してベンド配向への転移のエネルギー障壁が低いため、領域ｕにおいてより容易にベンド配向への転移を行うことができる。液晶層４０がツイスト配向となっている場合には、光学特性が得られにくいため、遮光層３４（図５（ｂ））等で遮光することが好ましい。
【０１１３】
なお、工程Ａと工程Ｂの配向規制力付与の向きを９０度異ならせてもよい。この場合は、いずれの配向規制力の付与もゲート線１２又はソース線１４に沿った向きで行われるため、ゲート線１２又はソース線１４の陰になって配向規制力が不十分になる領域を最小限に抑えることができる。また、領域ｕにおけるツイスト角を最も大きく（９０度）することができ、ベンド配向への転移のエネルギー障壁をより小さくすることができる。
【０１１４】
（変形例３）
素子基板１０（一方の基板）側と同様に、対向基板３０（他方の基板）の液晶層４０側の表面に対して、１回目の配向規制力の付与を行い（工程Ｃ）、次に、２回目の配向規制力の付与を行う（工程Ｄ）ようにしてもよい。ここで、工程Ｄの配向規制力付与の向きは、工程Ｃとは異なる向きとし、好ましくは１８０度異なる向きとする。図１４は、本変形例に係る画素４の構成を示す断面図である。断面の位置は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線の位置に対応する。例えば、図１４に示すように、工程Ｃにおいて配向規制力を矢印５Ｃの向き（−Ｙ方向）に沿って付与し、その後工程Ｄにおいて配向規制力を矢印５Ｄの向き（＋Ｙ方向）に付与する。一例として、素子基板１０にフォトスペーサ２６が形成されている場合には、工程Ｄの配向規制力の付与の際にはフォトスペーサ２６の陰になる領域ｗにはラビング処理がなされず、又は無機物質の斜方蒸着が行われないため配向規制力が不十分となるが、これに先立つ工程Ｃの配向規制力の付与工程において配向規制力を付与することができる。このため、対向基板３０の表面にフォトスペーサ２６等の凹凸が存在する場合であっても、略全面に配向規制力を付与することができ、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【０１１５】
また、図１４に示すように、素子基板１０のうち、工程Ａにおいて配向規制力が付与され、かつ工程Ｂにおいて配向規制力が付与されない領域ｕの少なくとも一部と、対向基板３０のうち、工程Ｃにおいて配向規制力が付与され、かつ工程Ｄで配向規制力が付与されない領域ｗの少なくとも一部とが、平面視で重なっていることが好ましい。領域ｕ，ｗは、その他の領域とは配向状態が異なり、ドメインとなって光学特性が低下しやすいが、上記構成によれば、領域ｕ，ｗの一部を重ねることとなるため、光学特性が低下しやすい領域の面積を低減させることができる。これにより、液晶装置１全体の光学特性の低減を抑制することができる。なお、領域ｕ，ｗが平面視で重なっている領域は、通常のＯＣＢモードと同様にパラレル配向とすることができる。
【０１１６】
（変形例４）
液晶装置１は、半透過反射型としてもよい。図１５（ａ）は、半透過反射型を採用した場合の画素４の平面図であり、図１５（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図である。画素４は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを有している。反射表示領域Ｒには、図１５（ｂ）に示すように、層間絶縁層２４と画素電極１６との間に、アルミニウム等からなる反射膜１８が形成されている。反射表示領域Ｒにおいては、対向基板３０側から入射した外光を反射膜１８によって反射させることによって表示を行う。層間絶縁層２４の表面には凹凸が形成されており、反射膜１８にも当該凹凸形状が反映されている。あるいは、層間絶縁層２４と反射膜１８との間に、凹凸形状を有する樹脂をさらに積層させた構造とすることもできる。このようにして反射膜１８の表面に凹凸を設けることにより、反射膜１８での反射光を広範囲に散乱させることができ、表示の視認性を向上させることができる。反射表示領域Ｒにおいては、対向基板３０のカラーフィルタ３２と共通電極３６との間に、液晶層厚調整層３５が形成されている。液晶層厚調整層３５は、透光性を有する樹脂等から構成することができる。液晶層厚調整層３５の厚さを調整することで、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で、液晶層４０の厚さを変えることができる。本変形例における液晶層４０の厚さは、反射表示領域Ｒでは２．５μｍ、透過表示領域Ｔでは５μｍである。このようにすることで、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で、液晶層４０を透過する光の光路長を略等しくすることができ、表示品位を向上させることができる。また、素子基板１０と偏光板５１との間、及び対向基板３０と偏光板５３との間には、それぞれ１／４波長板５２，５４が配置されている。
【０１１７】
対向基板３０の表面に配向規制力を付与するに際しては、図１５（ｂ）に示すように、１回目に矢印５Ｃの向きに沿って−Ｙ方向の配向規制力を付与（工程Ｃ）した後に、２回目に矢印５Ｄの向きに沿って＋Ｙ方向の配向規制力の付与（工程Ｄ）を行う。対向基板３０の表面には、液晶層厚調整層３５の影響によって段差ｄが生じるが、上記のような配向規制力の付与方法によれば、工程Ｄにおいて、段差ｄの陰になって配向規制力が付与されない領域ｗが生じるとしても、これに先立つ工程Ｃにおいて領域ｗに配向規制力を付与することができる。これにより、対向基板３０上の略全面に配向規制力が付与され、配向規制力が弱いためにベンド配向からスプレイ配向への逆転移が生じる不具合を抑制することができる。
【０１１８】
（変形例５）
上記実施形態及び変形例では、素子基板１０を一方の基板、対向基板３０を他方の基板として説明したが、対向基板３０を一方の基板、素子基板１０を他方の基板としてもよい。よって、例えば対向基板３０側のみ複数回の配向規制力の付与を行い、素子基板１０側の配向規制力の付与を１回のみとしてもよい。
【０１１９】
（変形例６）
上記実施形態及び変形例では、工程Ａ及び工程Ｂ、又は工程Ｃ及び工程Ｄを、それぞれ同種の配向規制力付与方法（ラビング処理、又は無機物質の斜方蒸着）によって行うものであるが、これに限定する趣旨ではなく、工程Ａと工程Ｂ、又は工程Ｃと工程Ｄは、それぞれ別種の配向規制力付与方法によって行ってもよい。
【０１２０】
なお、上記各変形例は、任意の他の変形例と組み合わせて実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】液晶装置の構成を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線における断面図。
【図２】スプレイ配向及びベンド配向における液晶分子の配向状態を示す模式図。
【図３】表示領域の拡大平面図。
【図４】液晶装置の表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】画素の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線における断面図。
【図６】第１の実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】（ａ）は、斜方蒸着による配向膜の形成方法を示す図、（ｂ），（ｃ）は、蒸着装置によって無機物質が蒸着された面の断面図。
【図８】第２の実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図９】初期配向転移構造としての屈曲部を有する液晶装置の画素の平面図。
【図１０】（ａ）は、画素電極に初期配向転移構造としてのスリットを有する液晶装置の画素の平面図、（ｂ）から（ｄ）は、スリットの形状を示す平面図。
【図１１】初期配向転移構造としてのダブルソース構造のＴＦＴ素子を有する液晶装置の画素の平面図であり、（ａ）は画素の全体図、（ｂ）はＴＦＴ素子の拡大図。
【図１２】配向規制力付与の向きのバリエーションを示す平面図。
【図１３】配向規制力付与の向きのバリエーションを示す平面図。
【図１４】変形例３に係る画素の断面図。
【図１５】（ａ）は、半透過反射型を採用した場合の画素の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図１６】電子機器としての携帯電話機の斜視図。
【図１７】（ａ）は、ラビング処理方法を示す断面図、（ｂ）は、従来の構成のＯＣＢモードの液晶装置の断面図。
【符号の説明】
【０１２２】
１…液晶装置、４…画素、５Ａ…配向規制力付与の向き（第１の向き）、５Ｂ…配向規制力付与の向き（第２の向き）、５Ｃ，５Ｄ…配向規制力付与の向き、１０…素子基板、１１…基板、１２…ゲート線、１４…ソース線、１５…容量線、１５ａ…補助容量、１６…画素電極、１６ａ…スリット、１８…反射膜、１９，３９…配向膜、２０…ＴＦＴ素子、２３，２４…層間絶縁層、２６…フォトスペーサ、３０…対向基板、３１…基板、３２…カラーフィルタ、３４…遮光層、３５…液晶層厚調整層、３６…共通電極、４０…液晶層、４０ａ…液晶分子、４１…シール材、４２…ドライバＩＣ、４３…表示領域、５１，５３…偏光板、５５…無機物質、６０…蒸着装置、６１…蒸着源、７０…ラビングローラー、１００…携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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