(57)【要約】【課題】高精細なパターン表示が可能な表示装置であって、バンクを安定して形成でき、噴射された機能液が混ざり合うことなく画素領域に正しく塗布されて表示素子を形成することができる表示装置を実現する。【解決手段】隣接する画素間におけるバンクの沿面距離を長くするため、バンクの高さをＢＨ分高くしている。そして、１画素おきに画素領域の基板１０からの高さをＲＨ１分高くなるようにバンクを延在形成し、隣接する画素領域間において、互いに画素領域の基板１０からの高さが異なるようにしている。従って、Ｇ機能液とＲ機能液が混ざり合うことがない。また、バンク幅が狭い部分のバンク高さが低く抑制されるので、バンクが安定して形成できる。【選択図】図６
2009071019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、バンクによって行列状に区画された画素領域が設けられ、所定の機能層から成る表示素子が前記画素領域に形成される表示装置であって、
前記機能層のうち少なくとも１つは機能液の塗布によって形成される機能層であり、
少なくとも前記区画された行もしくは前記区画された列のいずれかの画素領域において、隣接する前記画素領域に形成される前記表示素子の前記基板に対向する面は、当該基板からの高さが互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記隣接する画素領域間に位置する前記バンクの沿面において、前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域の周辺には、当該画素領域に塗布される前記機能液に対して撥液処理が行われ、前記基板からの高さが低い方の前記表示素子が形成される画素領域の周辺には、前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域に塗布される前記機能液に対して親液処理が行われていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の表示装置であって、
前記バンクの沿面形状は、前記基板からの高さが低い方の前記表示素子が形成される画素領域の開口面積が、前記基板に近づくほど大きくなる逆テーパ形状を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域には、当該表示素子の前記基板に対向する面と当接するように前記バンクが延在していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記機能液の塗布によって形成される機能層は、エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光層であり、前記機能液は、当該発光層を形成する発光材料を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および当該表示装置を備えた電子機器に関し、特に、基板上に、バンクによって行列状に区画された画素領域が設けられ、所定の機能層から成る表示素子が前記画素領域に形成される表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板上に形成された所定の領域に、インクジェット方式を利用して機能液を塗布し、所定のパターンの機能層を形成する場合、塗布等のプロセス精度に起因して、基板上で異なる機能液が混合するという問題が発生することが知られている。特に、機能液を塗布する領域間の基板面に沿う距離が短い高精細なパターンの機能層を形成する場合は、このような問題が発生しやすくなる。
【０００３】
そこで、通常は機能層が形成される領域間に、それぞれの領域を仕切るバンクを設け、このバンクによって機能液の混合を防止しようとする技術が多く開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、通常インクジェット方式では、機能液の液滴をノズルから噴射し、基板上にバンクによって形成された所定の領域に機能液を塗布するとき、ノズルの位置精度や形状誤差、あるいは噴射条件の違いなどによって、噴射された液滴の着弾位置が基板面に沿った方向において少なからずバラツキが生ずることがある。
【０００６】
このため、このようなバラツキが生じても、噴射された機能液の液滴がバンクを乗り越えて隣接する領域に流出することなく、所定の領域内にきちんと留まるようにするためには、バンク幅を、液滴の着弾位置のバラツキを考慮した幅以上に設定する必要がある。従って、バンク幅は、基板面に沿う方向において、着弾位置のバラツキを考慮した幅よりも狭くすることができず、その結果、高精細なパターンを形成することができないという課題が生じてしまうことになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］基板上に、バンクによって行列状に区画された画素領域が設けられ、所定の機能層から成る表示素子が前記画素領域に形成される表示装置であって、前記機能層のうち少なくとも１つは機能液の塗布によって形成される機能層であり、少なくとも前記区画された行もしくは前記区画された列のいずれかの画素領域において、隣接する前記画素領域に形成される前記表示素子の前記基板に対向する面は、当該基板からの高さが互いに異なることを特徴とする。
【０００９】
画素が高密度になると、画素領域を区画するバンクが狭くなってしまうため、画素領域に形成された表示素子間の平面（沿面）距離が短くなってしまう。そこで、この構成によれば、隣接する表示素子の基板からの高さを異ならしめることによって、表示素子間に存在するバンクの沿面距離を長くすることができる。この結果、表示素子間の平面距離が短くなってもバンクの沿面距離が短くなることを抑制することができるので、表示素子を形成するために画素領域に塗布された機能液が、隣接する画素領域間で混ざり合うことを抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］上記表示装置であって、前記隣接する画素領域間に位置する前記バンクの沿面において、前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域の周辺には、当該画素領域に塗布される前記機能液に対して撥液処理が行われ、前記基板からの高さが低い方の前記表示素子が形成される画素領域の周辺には、前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域に塗布される前記機能液に対して親液処理が行われていることを特徴とする。
【００１１】
隣接する画素領域間に位置するバンク沿面において、基板からの高さが高い位置に表示素子が形成される画素領域に塗布する機能液が、重力によって低い方の表示素子が形成される画素領域に流れ易い。そこで、高い方の表示素子が形成される画素領域の周辺を撥液性を呈するようにすることで、低い方の表示素子が形成される画素領域へ機能液が流れにくくする。また、流れたとしても、低い方の表示素子が形成された画素領域まで流れないようにするため、低い方の表示素子が形成される画素領域の周辺のバンク沿面を親液性を呈するようにすることで、塗布された機能液をバンクの沿面に留めることができる。この結果、高い方の表示素子が形成される画素領域に塗布された機能液が、低い方の表示素子が形成される画素領域に塗布される機能液と混ざり合うことを抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］上記表示装置であって、前記バンクの沿面形状は、前記基板からの高さが低い方の前記表示素子が形成される画素領域の開口面積が、前記基板に近づくほど大きくなる逆テーパ形状を含むことを特徴とする。
【００１３】
隣接する画素領域間に位置するバンク沿面において、基板面からの高さが高い方の表示素子が形成される画素領域に塗布する機能液が、重力によって低い方の表示素子が形成される画素領域に流れ易い。そこで、低い方の表示素子が形成される画素領域を区画するバンク沿面に逆テーパ部を形成する。こうすれば、この逆テーパ部に高い方の表示素子が形成される画素領域からこぼれて流れた機能液を留めて、低い方の表示素子が形成される画素領域に入り込まないようにすることができる。この結果、高い方の表示素子が形成される画素領域に塗布された機能液が、低い方の表示素子が形成される画素領域に塗布される機能液と混ざり合うことを抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］上記表示装置であって、前記基板からの高さが高い方の前記表示素子が形成される画素領域には、当該表示素子の前記基板に対向する面と当接するように前記バンクが延在していることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、バンクの形成と同時に、高い方の表示素子が形成される画素領域を形成することができるので、互いに高さの異なる表示素子を形成するための画素領域を容易に形成することが可能となる。また、高い方の表示素子が形成される画素領域をバンク材料で形成するため、行列状に画素領域を区画するバンクについて、バンク幅が狭い領域の発生を抑制することができる。この結果、バンクの形成が容易となる。
【００１６】
［適用例５］上記表示装置であって、前記機能液の塗布によって形成される機能層は、エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光層であり、前記機能液は、当該発光層を形成する発光材料を含むことを特徴とする。
【００１７】
このように隣接する画素領域間において、形成される表示素子の基板からの高さを異ならしめることによって、形成される機能層間の距離が長くなる。この結果、隣接する画素領域間におけるバンクの沿面距離を大きくすることができるので、それぞれの画素領域に発光材料を含む機能液を噴射して塗布することによって発光層を形成しても、機能液が混入することを抑制することができる。従って、エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光層を、機能液の塗布によって形成することが可能となる。
【００１８】
［適用例６］上記［適用例１］ないし［適用例５］のいずれか一つの適用例に記載の表示装置を備えた電子機器であることを特徴とする。
【００１９】
上記表示装置によれば、高密度の画素を有することができるので、この表示装置を備えた電子機器は、高解像度の文字や画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例となる表示装置１００を搭載した電子機器としての携帯電話１を示した説明図である。本実施例の表示装置１００は、エレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬを表示素子とするものであり、バックライトが不要で薄型化が可能であることから、画像や文字を高解像で表示する薄型の電子機器には好適な表示装置である。従って、本実施例の如く、携帯電話に搭載する表示装置として有効な表示装置の一つである。
【００２１】
表示装置１００には、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各画素が複数形成され、カラー画像など所定の画像や文字を表示するように構成されている。なお、本実施例では、以降の説明を簡単にするために、図１に示すように、表示装置１００は、列方向（図面縦方向）に４画素、行方向（図面横方向）に６画素の計２４個の画素が形成されているものとする。もとより、実際には、行列それぞれの方向に数百画素といった多くの画素が形成されていることは言うまでもない。
【００２２】
次に、本実施例の表示装置１００について、その表示原理を図２を用いて、また表示素子となる有機ＥＬの構造を図３を用いて、順次説明する。
【００２３】
図２は、表示装置１００の全体のレイアウトを回路構成とともに示した模式図である。表示装置１００は、図示するように画素ごとに表示駆動されるアクティブマトリックス型の装置である。各画素はバンクによって長円形状に区画された領域を有し、基板１０の中央部分に行列状に規則正しく配置され、基板１０上に形成されている。もとより、各画素はバンクによって長円形状以外の形状に区画されてもよいし、配列も不規則であってもよいことは勿論である。
【００２４】
各画素には、後述する有機ＥＬが表示素子として、また、有機ＥＬを表示（つまり発光）駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４，１５と保持容量１６とが駆動素子として形成されている。なお、本実施例では有機ＥＬはトップエミッション構造を有している。従って、駆動素子は表示素子と平面的に重なる位置であって、基板１０と表示素子との間に形成されている。
【００２５】
基板１０の外周部分には、走査駆動回路１１とデータ駆動回路１２、および給電端子１３とが形成されている。走査駆動回路１１からは走査線Ｇａｔｅが、データ駆動回路１２からはデータ線Ｓｉｇが、また、給電端子１３からはこれに接続された電源供給線Ｃｏｍが、それぞれ各画素に形成された駆動素子に対して図２に示したように配線され、表示素子を発光駆動する。
【００２６】
まず、走査線Ｇａｔｅは、ＴＦＴ１４のゲートに接続され、走査線Ｇａｔｅを介して供給される電流信号に応じて、ＴＦＴ１４をオン／オフ制御する。そしてＴＦＴ１４がオンすると、ＴＦＴ１４のソースに接続されたデータ線Ｓｉｇから供給される画像信号に応じて、電源供給線Ｃｏｍから供給される電源によって保持容量１６に所定の電圧が保持される。すると、保持容量１６に保持された電圧は、ＴＦＴ１５のゲートに印加され、ＴＦＴ１５をオン状態にする。ＴＦＴ１５のソースおよびドレインはそれぞれ電源供給線Ｃｏｍと陽極１２０に接続され、保持容量１６に保持された電圧に応じた、つまり画像信号に応じた電流が、電源供給線Ｃｏｍを介して陽極１２０に印加される。
【００２７】
各画素に形成される表示素子は、陽極１２０と陰極１８０（図３参照）との間に電流を流すことによって発光する。従って、陽極１２０に印加された電流が、総ての画素の表面に渡って形成された陰極１８０（不図示）に流れることによって、画像信号に応じた明るさで発光する。表示装置１００は、こうして画像を表示する。
【００２８】
次に、表示装置における具体的な画素構成について図３を用いて説明する。図３は、本実施例の適用前における表示装置の画素構成を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示した各画素のうち、行方向（図面横方向）に並んだ任意の３つの画素を示した平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面を示した模式断面図で、表示素子の形成が終了した状態を示している。また、図３（ｃ）は、有機ＥＬの機能層を機能液の噴射によって塗布して形成する様子を示した模式図である。なお、各寸法は、説明の都合上必要に応じて誇張しているため、実際の寸法とは必ずしも一致していないことは言うまでもない。
【００２９】
各画素は、図３（ａ）に示したように、エッチングによって形成された絶縁有機材料（例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂）からなるバンク（図中ハッチング部分）によって区画された画素領域を有し、それぞれ長円形状を呈している。そして各画素の画素領域には、ＲＧＢの各発光色が所定の配列で並ぶように表示素子が形成されている。本実施例では、各画素は、行方向にＲ、Ｇ、Ｂの順で繰り返し配列されているものとする。従って、図３（ａ）は、配列された複数の画素から、行方向について、順にＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素が並んだ３つの画素部分を取り出した状態を示している。
【００３０】
また、表示素子は、図３（ｂ）に示したように、陽極１２０と陰極１８０との間に、正孔注入層１４０と各発光層（Ｒ発光層１５０、Ｇ発光層１６０、Ｂ発光層１７０）とが形成されたものである。従って、形成される発光層が異なることによって、それぞれ発光色の異なるＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素となる。
【００３１】
本実施例では、正孔注入層１４０は、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）用機能液（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ重量比＝１：５０、固形分濃度０．５％、溶媒：ジエチレングリコール５０％、残量純水）を画素領域に噴射後、真空乾燥および熱処理（２００℃、１０分間）を行い、５０ｎｍの厚さのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ膜を形成したものである。また、各発光層は、ＲＧＢの各色を示す蛍光材料を溶質とし、シクロヘキシルベンゼン１００％を溶媒とした機能液を、各画素領域における機能液の重量が同じになるように噴射し、以降真空乾燥および窒素雰囲気中での熱処理（１３０℃、１時間）を行って、それぞれ１００ｎｍの厚さの膜を形成したものである。
【００３２】
バンクと陽極１２０との間には、長円形状の画素領域の外周に沿って所定幅が画素領域内に露出するように、無機絶縁膜１３０が形成されている。これは、正孔注入層１４０や発光層１５０，１６０，１７０を形成する機能液との親液性を高め、正孔注入層１４０や各発光層（１５０，１６０，１７０）がバンク近傍まできちんと形成されることによって、陽極１２０と陰極１８０との短絡を防止するようにするためである。もとより、正孔注入層１４０や発光層１５０，１６０，１７０がバンク近傍まできちんと形成できる場合は、無機絶縁膜１３０は形成する必要はない。
【００３３】
また、本実施例の表示素子は、トップエミッション方式の有機ＥＬであることから、発光光が陰極１８０側から射出するように、陽極１２０の基板１０と対向する面側には、反射層１１０が形成されている。もとより、陽極１２０が反射層１１０を兼ねる場合は、反射層１１０を形成する必要はない。
【００３４】
反射層１１０としては、例えばＡｌが好適である。陽極１２０としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のように光透過性のある材料に限らず、酸化錫や金、銀、銅などの非光透過性のない材料であっても使用可能である。また、陰極１８０はＩＴＯなどの光透過性を有する材料で形成されている。もとより、金属材料であっても光が透過する程度に薄く形成されたものであれば陰極材料として使用してもよい。本実施例では、陰極１８０は電子注入層と兼ねており、ＬｉＦ（厚さ５ｎｍ）とＡｌ（厚さ５ｎｍ）を蒸着して形成したものである。
【００３５】
ここで本実施例においては、図３の説明からわかるように、表示素子は、例えばＧ画素であれば、反射層１１０、陽極１２０、正孔注入層１４０、Ｇ発光層１６０、陰極１８０の各機能層から構成される。なお、表示素子となる有機ＥＬを形成する正孔注入層１４０や各発光層（１５０，１６０，１７０）など、各機能層に関する層の形成方法や、このような各機能層として使用可能な他の材料については、例えば前述した特許文献１などにおいて開示されている形成方法や材料を適用することができるため、ここでは説明を省略する。
【００３６】
ところで、前述したように表示素子を発光駆動するための駆動素子は、表示素子と平面的に重なる位置であって、基板１０と表示素子との間に形成されている。本実施例では、図３（ｂ）に示したように、駆動素子であるＴＦＴ１４，１５や保持容量１６は、基板１０との間に位置し、表面全体が平坦化されたデバイス層２０の内部に形成されている。そして、ＴＦＴ１５のドレイン電極は、デバイス層２０において形成された図示しないスルーホールによって、各発光層の膜厚に影響を与えないように画素領域以外の部分において陽極１２０（または反射層１１０）と結線されている。
【００３７】
デバイス層２０については本実施例としての本質ではないので、ここでは具体的な構成説明を省略する。また、以降の説明に用いる図面においては基板１０に含まれるものとして扱うこととする。従って、以降の説明における基板１０からの高さとは、平坦化されたデバイス層２０からの高さを示すものとする。もとより、デバイス層２０が平坦でない場合は、基板１０の平面上からの高さを意味するものとする。
【００３８】
本実施例では正孔注入層１４０と各発光層（１５０，１６０，１７０）を、画素領域に機能液を噴射して塗布することによって形成する。このとき、図３（ｃ）に示したように、例えばＧ機能液滴を噴射ヘッドから噴射する場合、正しい着弾位置（例えば画素領域の中心）から噴射ヘッドが位置ずれを生じても、バンクの沿面距離によって、塗布されたＲ機能液（またはＢ機能液）とＧ機能液との間に充分な距離が確保されていれば、塗布されたＧ機能液が図中破線で示したように位置ずれを起こしても、Ｒ機能液と混ざることが抑制される。また、バンクの沿面には、撥液処理が施されており、表面張力によってＧ機能液は自ら正しい着弾位置に戻るように工夫されている。こうして、基板１０上に、ＲＧＢの各画素に対応した有機ＥＬが表示素子として形成される。
【００３９】
さて、このように形成される表示素子について、画素密度を上げ高精細なパターンを有する画素配列の一例として、行方向の画素間隔を狭めた場合について、表示素子の形成において発生する不具合を、図４を用いて説明する。
【００４０】
図４（ａ）は図３（ａ）に示した画素配列について、行方向（図面横方向）における画素間隔を減少した場合を示したものである。図示するように、バンクによって区画されたＲＧＢの各画像領域は、行方向において、介在するバンクが互いにＢＷの幅に近接する。そしてこのような場合において、形成すべきバンク形状を図４（ｂ）に示した。
【００４１】
図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す模式図である。図示するように、バンクは図３に示した形状に比べて、バンクの高さをＢＨ分高く形成している。こうすることによって、平面方向においてバンク幅が狭くなることによって減少した沿面距離を、高さ方向において増やすことになるので、例えば噴射ヘッドから噴射されるＧ機能液の着弾位置がずれた場合においても、図示するように沿面距離が確保され、Ｇ機能液がＲ機能液と混ざり合うことを抑制することが期待できるのである。
【００４２】
しかしながら、図４（ｂ）に示したバンク形状では、次のような不具合を生じる可能性がある。例えば、バンクの幅に対してバンクの壁面の高さが相当に高いために、バンクが折れるなどの破壊が生ずる。また、噴射される機能液をバンクがナイフのように切断してしまう。この結果、バンクに撥液処理が施されていても、表面張力によって機能液が一体にかたまることが阻害され、噴射された機能液総てが画素領域位置に塗布されない状況が起こり得る。あるいは、バンクをエッチングで形成する場合、エッチング量のバラツキによってバンクが残らなかったり、バンクの壁面高さが低くなったりしてしまう。このような場合は、噴射される機能液をそれぞれの画素領域に留めることが出来ず、機能液が互いに混ざり合ってしまう。
【００４３】
そこで、本実施例の表示装置は、高精細なパターン表示が可能な表示装置であって、バンクを安定して形成でき、噴射された機能液が混ざり合うことなく画素領域に正しく塗布されて表示素子を形成することができる表示装置を実現するものである。これを、図５および図６を用いて説明する。
【００４４】
図５は、図３（ａ）に示した画素配列について、画素密度を上げるべく行方向（図面横方向）における画素間隔を減少した場合に形成されるバンクの様子を示したものである。バンクによって区画されたＲＧＢの各画像領域は、図４（ａ）と同様に、行方向においてバンク間隔が互いにＢＷの幅に近接したものとする。このとき図５に示すように、Ｒ画素領域とＢ画素領域は図４（ａ）と同じく周囲がバンクによって区画された画素領域とし、Ｇ画素領域（およびＢ画素領域の隣（図面右側）のＲ画素領域）については、図４（ａ）の場合とは異なり、画素領域全体にバンクを延在形成するのである。
【００４５】
図６は、図５におけるＣ−Ｃ断面を示す模式図である。図示するように、隣接する画素間におけるバンクの沿面距離を長くするため、図４（ｂ）と同様に、バンクの高さをＢＨ分高くしている。そして、図４（ｂ）とは異なり、Ｇ画素領域（および隣のＲ画素領域）の基板１０からの高さが、Ｒ画素領域およびＢ画素領域に対してＲＨ１分高くなるように形成している。もとより、本実施例では、行方向において１画素おきに画素領域の基板１０からの高さをＲＨ１分高くなるようにバンクを延在形成し、隣接する画素領域間において、互いに画素領域の基板１０からの高さが異なるようにしている。従って、図５においては、Ｒ画素とＢ画素が画素領域の基板１０からの高さが低い方の画素領域となり、Ｇ画素（および隣のＲ画素）が、画素領域の基板１０からの高さが高い方の画素領域となる。
【００４６】
この結果、バンクの幅がＢＷと狭くなった部分についてのバンクの高さ寸法を、図４（ｂ）に示した形状に比べて短くすることができる。従って、バンク幅が狭い部分の高さが低くなることによってバンクに加わる曲げ応力が緩和されるので、バンクが折れるなどの破壊が抑制される。また、バンクをエッチングで形成する場合、エッチング量のバラツキがあっても、一方の画素領域を形成するためのエッチング深さが少ないことから、バンクの片側の壁面を形成するためのエッチング量が少なくなるので、バンクの両側を深くエッチングする場合に比べてバンクが残る確率が高くなる。また、幅が狭いバンクの高さが低く抑制されるので、噴射される機能液をバンクがナイフのように切断する可能性も低くなる。この結果、バンクの沿面に施された撥液処理にともなう表面張力によって機能液が一体にかたまることができるので、互いに機能液が混ざり合うことなく、噴射された総ての機能液が本来の画素領域位置に留まり、その結果、表示素子が正しく形成されることになる。
【００４７】
基板１０からの高さ寸法ＲＨ１は、画素間のバンクの幅ＢＷや、高くしたバンク寸法ＢＨに応じて決定することが好ましい。例えば、高くしたバンク寸法ＢＨを高さ寸法ＲＨ１の値としてもよい。あるいは、基板１０からの高さが高い画素領域に噴射される機能液を総て溜めるために、画素領域を区画するバンク壁面に要求される高さ寸法を求め、求めたバンク壁面の高さから、高さ寸法ＲＨ１の値を算出するようにしてもよい。また、高さ寸法ＲＨ１の値は、１画素ずつ異なることとしても差し支えない。画素領域に噴射される機能液について、その総量が異なったり表面張力の値が異なったりする場合は、要求される壁面の高さが異なることになるからである。
【００４８】
ここで、本実施例の表示装置では、図６に示したように、バンクが延在した画素領域においては、反射層１１０と陽極１２０、および無機絶縁膜１３０は延在するバンク上に形成することになる。つまり、画素領域の高さの高い方のＧ画素領域（および隣のＲ画素領域）のように、行方向において１画素置きにバンク上に反射層１１０、陽極１２０、無機絶縁膜１３０を形成する。従って、本実施例の場合は、Ｒ画素領域とＢ画素領域に対応する反射層１１０、陽極１２０、無機絶縁膜１３０を基板１０上にまず形成し、その後バンクを全面形成した後、バンクをエッチングして各画素領域を形成する。その際、Ｒ画素領域とＢ画素領域はフルエッチングを行いバンクを完全に除去する一方、Ｇ画素領域（および隣のＲ画素領域）はハーフエッチングを行い、基板１０からの高さがＲＨ１となるバンク面を残すことによって形成する。そして、形成したＧ画素領域（および隣のＲ画素領域）に再び反射層１１０、陽極１２０、無機絶縁膜１３０をバンク上に形成するのである。
【００４９】
従って本実施例では、基板１０からの高さが高い方の画素領域（例えばＧ画素領域）に形成される反射層１１０および陽極１２０は、画素領域とほぼ同形状の長円形状を呈する。また、ＴＦＴ１５との接続は、詳細な説明を省略するが、バンクと、長円形状を呈する陽極１２０（または反射層１１０）内にスルーホール（不図示）を設けて行うことが可能である。
【００５０】
以上、説明したように、本実施例の表示装置によれば、隣り合う画素領域間におけるバンクの沿面距離を確保することができるので、表示素子を形成するために画素領域に塗布された機能液が、隣接する画素領域間で混ざり合うことを抑制することができる。また、画素間隔が狭い場合であっても、幅の狭いバンクの高さを低く抑制することができるので、バンクを安定して形成することが可能となる。
【００５１】
本発明について、上述したように一実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００５２】
（第１変形例）
上記実施例では、例えば図６に示したように、画素間のバンク形状は、基板１０側に近づくほど幅が広くなる正テーパ形状を有しているものとして説明した。本変形例では、画素領域の基板１０からの高さが低い方の画素領域を区画するバンクの壁面形状のうち、少なくとも画素間が狭くなった方向（上記実施例では行方向）について画素領域を区画するバンクの壁面形状を基板１０に近づくほど画素領域の開口部面積が大きくなる逆テーパ形状に形成することとしてもよい。こうすることで、画素領域に噴射された機能液の一部が、隣接する画素領域に流れ込んでも、流れ込んだ機能液が、形成された逆テーパ形状を有するバンクの壁面部分に留まる確率を高めることができる。この結果、隣接する画素領域に噴射される機能液と混ざり合うことが抑制されることが期待できる。
【００５３】
本変形例について、具体的に図７を用いて説明する。図７（ａ）は、図５と同様、行方向（図面横方向）における画素間隔を減少した場合に形成されるバンクの様子を示したものである。ここで、本変形例は、バンクによって区画されたＲＧＢの各画像領域のうち、行方向において、少なくとも各画素領域が互いに近接する領域（図中一点鎖線で囲んだ領域Ｔ）に位置するバンクの壁面形状を逆テーパとするのである。逆テーパ形状について、図７（ｂ）を用いて説明する。
【００５４】
図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＤ−Ｄ断面を示す模式図である。図示するように、Ｒ画素領域とＢ画素領域について、行方向におけるバンクの壁面は、基板１０に近づくにつれて画素領域の開口面積が大きくなる（幅が広くなる）逆テーパに形成されている。逆テーパ形状は、異方性エッチングや、エッチング液の濃度制御、あるいはプラズマエッチング等など周知の技術によって形成することが可能である。なお、隣接する画素領域の一方を基板１０からの高さが高くなるようにバンクを延在させているがゆえに、バンクに逆テーパを形成できることは言うまでもない。
【００５５】
この結果、例えば、図示するように、Ｇ機能液の噴射位置がずれて、隣接のＲ画素領域に一部が流れ込んでも、逆テーパ部分の壁面と基板１０の面とがなす角度が鋭角であることから、流れ込んだＧ機能液が表面張力によって逆テーパ部分に留まる確率が高くなる。従って、噴射されたＲ機能液と混ざり合うことを抑制することができる。また仮に混ざり合ったとしても、混ざり合う領域は画素領域の端部に留まることが期待できるので、形成される表示素子の表示性能に対する影響を抑制することが可能となる。
【００５６】
さらに、本変形例において、基板１０からの高さが低い方の画素領域を区画するバンクの壁面であって、その画素領域との境界近傍に、隣接する基板１０からの高さが高い方の画素領域に噴射される機能液に対して、親液性処理を施すようにしてもよい。こうすれば、流れ込んだ機能液が親液性処理されたバンク壁面に付着し易くなるので、画素領域の周辺近傍に留まる確率をさらに高めることができる。
【００５７】
この変形例についての一例を、図７（ｃ）に示した。図示するように、バンクを上バンクと下バンクの２層にて形成し、基板１０側に形成される下バンクについて、例えば基板１０からの高さが高い方のＧ画素領域に噴射されるＧ機能液に対して親液性を有する材料もしくは親液性処理が可能な材料で形成する。もとより上バンクは、Ｇ画素領域に噴射されるＧ機能液に対して撥液性を有する材料もしくは撥液性処理が可能な材料で形成する。例えば、上バンクはポリイミド樹脂で形成し、下バンクは無機絶縁膜１３０と同じ材料で形成することとしてもよい。
【００５８】
なお、第１変形例において、陰極１８０（図３参照）を形成する際、形成を蒸着によって行う場合は、この逆テーパが形成されたバンク部分においては、陰極１８０が寸断されることが生じ得る。従って、第１変形例において陰極１８０が蒸着で形成される場合は、基板１０からの高さが低い方の画素領域を区画するバンクの壁面の少なくとも一部は、正テーパになるようにすることが好ましい。もとより、画素領域の全周において逆テーパを形成する場合は、陰極１８０の形成は蒸着以外の方法（例えば厚膜印刷など）を用い、形成される高さが異なることによって段差が生ずる陰極間を電気的に接続できるようにすることが好ましい。
【００５９】
（第２変形例）
上記実施例では、図６において説明したように、基板１０からの高さが高い方の画素領域をバンクのハーフエッチングによって形成することとした。従って、幅が狭いバンク部分の高さ寸法が短くなることによってバンクが破壊される確率は低くなるものの、幅が狭いバンクが画素領域間に残って形成されることになり、バンクが破壊するリスクは存続する。そこで、本変形例は、幅の狭いバンクを形成することなく画素領域を区画するものである。こうすることで、バンクの破壊を回避するとともに、バンクの形成を容易にするものである。本変形例について、図８を用いて説明する。
【００６０】
図８（ａ）は、図６に示した上記実施例の表示装置の模式断面図と同じ図である。図示するように、上記実施例では、前述したようにバンクの沿面距離を増やすため、画素間のバンクをＢＨ分高くした。このため、幅が狭い（図５、ＢＷ）バンクが、隣接する画素領域間に存在することになった。
【００６１】
これに対して、本変形例は、図８（ｂ）に示すように、基板１０からの画素領域の高さをバンクの高さと等しい高さＲＨ２にする。具体的には、前述したハーフエッチングを行わないようにすればよい。こうすることで、幅の狭いバンクは形成されないので、バンクが破壊されるリスクを回避することが可能である。
【００６２】
なお、本変形例の場合は、基板１０からの高さが高い方の画素領域についてはバンクの壁面によって区画する替わりに、無機絶縁膜１３０によって画素領域を区画形成することが好ましい。こうすれば、無機絶縁膜１３０の親液性によって、例えば図示するように、バンク沿面に施された撥液処理と親液性を有する無機絶縁膜１３０によって、Ｇ画素領域に噴射されたＧ機能液が、区画されたＧ画素領域内に留まるようにすることが可能である。従って、例えば隣のＲ画素領域に噴射されたＲ機能液と混ざり合うことなく、表示素子を形成することができる。
【００６３】
（第３変形例）
上記実施例では、行方向において画素間隔を狭くして画素密度を上げ高精細なパターンを有する表示装置として説明したが、列方向において画素間隔を狭くして画素密度を上げることとしてもよい。この場合は、説明は省略するが、列方向において１画素置きにバンクを延在させ、基板１０からの画素領域の高さを高くすればよい。
【００６４】
さらに、行方向および列方向同時に画素間隔を狭くして画素密度を上げることとしてもよい。この場合の一例を図９に示した。図示するように、バンクによって区画される画素領域について、基板１０からの高さが高い画素領域と低い画素領域が、行方向および列方向において、互い違いとなる千鳥状に配置されるようにすればよい。
【００６５】
（その他の変形例）
上記実施例では、携帯電話に搭載される表示装置として説明したが、これに限らず携帯電話以外の電子機器に搭載されることとしてもよい。例えばビデオカメラやデジタルカメラ、あるいは携帯型パーソナルコンピュータなど、高精細なパターンを表示することが所望される電子機器には本実施例および変形例の表示装置は好適である。
【００６６】
また、上記実施例では、表示素子の発光光の射出方向を陰極側とするトップエミッション方式であることとして説明したが、これに限らず、表示素子の発光光の射出方向を基板側とするボトムエミッション方式であることとしてもよい。この場合、基板の材料は光透過性を有する材料（例えばガラス）とすればよい。また、ＴＦＴなどの駆動素子は、発光素子と平面的に重ねることが出来ないため、基板と表示素子との間にデバイス層が介在しないことになる。従って、ボトムエミッションの場合は、画素領域の基板からの高さは、デバイス層を含まないことになる。
【００６７】
また、上記実施例では、バンク幅が狭くなったときにバンクの高さを一律にＢＨ分高くすることとしたが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、ＲＧＢの各機能液が有する表面張力に応じて、隣接する画素領域間のバンクに必要な沿面距離が異なる場合、その沿面距離に合わせて、隣接する画素領域間に必要な段差を形成するように、それぞれの画素領域についてバンクの高さを決定することとしてもよい。
【００６８】
また、上記実施例では、エレクトロルミネッセンス素子として有機ＥＬを形成することとし、液滴の噴射によって塗布して形成する機能層が、正孔注入層と発光層であることとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、陰極とは別に電子注入層を形成する場合は、この電子注入層を液滴の噴射によって形成する機能層としてもよい。あるいは発光層が正孔注入層を兼用する場合は、発光層のみが液滴の噴射によって塗布形成される機能層であることとしてもよい。また、エレクトロルミネッセンス素子として有機ＥＬに限らず、無機ＥＬであっても差し支えない。要は、表示素子を構成する機能層において、液滴の噴射によって塗布形成する機能層であればよい。
【００６９】
また、上記実施例では、表示素子としてエレクトロルミネッセンス素子を形成する場合を説明したが、表示素子として機能するものであれば、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、画素領域に発光ダイオードを形成する場合としてもよいし、あるいは、表示素子として画素領域にＲＧＢのカラーフィルタ層を形成する場合としても差し支えない。勿論このような場合は、形成される機能層は上記実施例とは異なることは言うまでもない。
【００７０】
また、上記実施例では、バンクを画素領域に延在させて、基板１０からの画素領域の高さが高くなるようにしたが、バンク以外を用いて画素領域の高さを高くすることとしてもよい。例えば、基板１０からの高さが低い方の画素領域において形成する無機絶縁膜１３０を用いてもよい。この場合、無機絶縁膜１３０は、基板からの高さが低い方の画素領域を区画するバンクとしても機能する。
【００７１】
また、上記第１変形例において、基板１０からの高さが低い方の画素領域との境界近傍のバンク壁面に、隣接する基板１０からの高さが高い方の画素領域に噴射される機能液に対して親液性処理を呈するようにしたが、上記実施例や第２変形例などにおいて実施することとしてもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施例となる表示装置を搭載した携帯電話を示した説明図。
【図２】表示装置の全体のレイアウトを回路構成とともに示した模式図。
【図３】本実施例の適用前における表示装置の画素構成を示す模式図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図、（ｃ）は機能液を噴射するときの様子を示す模式図。
【図４】本実施例の適用前において、画素間隔を減少した場合に形成されるバンクの説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図。
【図５】本実施例において、画素間隔を減少した場合に形成されるバンクの説明図。
【図６】本実施例の表示装置の一部の断面を示す模式図。
【図７】第１変形例の表示装置の画素構成を示す模式図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図、（ｃ）は第１変形例のさらに変形例を示す模式断面図。
【図８】第２変形例の表示装置の画素構成を示す模式図で、（ａ）は本変形例の適用前の画素構造を示す断面図、（ｂ）は本変形例を適用した画素構造を示す断面図。
【図９】第３変形例の表示装置の画素構成を示す模式図。
【符号の説明】
【００７３】
１…携帯電話、１０…基板、１１…走査駆動回路、１２…データ駆動回路、１３…給電端子、１４，１５…ＴＦＴ、１６…保持容量、２０…デバイス層、１００…表示装置、１１０…反射層、１２０…陽極、１３０…無機絶縁膜、１４０…正孔注入層、１５０…Ｒ発光層、１６０…Ｇ発光層、１７０…Ｂ発光層、１８０…陰極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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