(57)【要約】【課題】チップサイズを大きくせずに、内部コア領域を拡大することが可能なプローブ針をあてる領域とボンディングする領域とを有するパッド構造を提供する。【解決手段】半導体装置の内部コア領域１０の外周に沿って長方形状の複数の第１及び第２のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２を隣接して設け、複数の第１及び第２のパッド２１−１、２１−２を第１及び第２のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２の長辺方向に沿って隣接して設けて第１及び第２のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２と接続してなり第１及び第２のパッド２１−１、２１−２は内部コア領域に対して水平方向に段差を有するように千鳥状に配置され、プローブ針の針あて部２１ａと、これと連接するボンディング部２１ｂとを有し針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの一方は、台形もしくは５角形以上の多角形状を有し、同一のＩ／Ｏ部２０の長辺方向において少なくとも一部が重なって配置されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2009111026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の内部コア領域と、
前記内部コア領域の外周に沿って互いに隣接して設けられた長方形状の複数の第１及び第２のＩ／Ｏ部と、
前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられ、前記第１及び第２のＩ／Ｏ部にそれぞれ接続され、かつ互いに隣接して設けられた複数の第１及び第２のパッドとを具備し、
前記第１及び第２のパッドは、前記内部コア領域に対して水平方向に段差を有するように千鳥状に配置され、プローブ針を当てるための領域である針あて部と、前記針あて部と連接するボンディングのための領域であるボンディング部とを有し、
前記針あて部と前記ボンディング部の一方は、台形、もしくは、５角形以上の多角形状を有し、同一の前記Ｉ／Ｏ部の長辺方向において少なくとも一部が重なって配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のパッドは、前記第１のＩ／Ｏ部上に設けられ、第１の接続部、配線、第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第２のパッドは、前記第２のＩ／Ｏ部上に設けられ、第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１及び第２のパッドの前記針あて部と前記ボンディング部は、それぞれ前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の長辺方向において一部重なり、かつ前記針あて部の中心と前記ボンディング部の中心とが前記Ｉ／Ｏ部の長辺方向に対して傾斜した直線上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のパッドの前記針あて部は、前記第１のＩ／Ｏ部上に設けられ、前記第１の接続部、前記配線、前記第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第１のパッドのボンディング部は、互いに隣接する前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界を跨いで設けられ、
前記第２のパッドの前記針あて部は、前記第２のＩ／Ｏ部上に設けられ、前記第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第２のパッドの前記ボンディング部は、互いに隣接する前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界を跨いで設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のパッドの前記針あて部の中心と、前記第１のパッドの前記ボンディング部の中心とを通る直線と、
前記第２のパッドの前記針あて部の中心と、前記第２のパッドの前記ボンディング部の中心とを通る直線と
が平行であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のパッドの前記ボンディング部は、前記第１のＩ／Ｏ部上に設けられ、前記第１の接続部、前記配線、前記第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第１のパッドの前記針あて部は、前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界を跨いで設けられ、
前記第２のパッドの前記針あて部は、前記第２のＩ／Ｏ部上に設けられ、前記第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、第２のパッドの前記ボンディング部は、前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界を跨いで設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のパッドの前記針あて部の中心と、前記第１のパッドの前記ボンディング部の中心とを通る直線と、
前記第２のパッドの前記針あて部の中心と、前記第２のパッドの前記ボンディング部の中心とを通る直線と
が交差することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１及び第２のパッドが、前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の外側のパッド領域で、前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の長辺方向の延長線上にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のパッドは、前記第１の接続部、前記配線、前記第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部に電気的に接続され、前記第２のパッドは、前記第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２のパッドの前記針あて部と前記ボンディング部は、それぞれ前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の長辺方向に沿って一部重なり、かつ前記針あて部の中心と前記ボンディング部の中心とが前記Ｉ／Ｏ部の長辺方向に対して傾斜した直線状に位置するように配置されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１のパッドの針あて部は、前記第１のＩ／Ｏ部の外側のパッド領域で、前記第１のＩ／Ｏ部の長辺方向の延長線上に設けられ、前記第１の接続部、前記配線、前記第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第１のボンディング部は、前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界の延長線を跨いで設けられ、
前記第２のパッドの針あて部は、前記第２のＩ／Ｏ部の外側の前記パッド領域で、前記第２のＩ／Ｏ部の長辺方向の延長線上に設けられ、前記第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第２のパッドの前記ボンディング部は、前記第１のパッドの前記針あて部と前記第１のＩ／Ｏ部を接続する配線上に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１のパッドの前記ボンディング部は、前記第１のＩ／Ｏ部の外側の前記パッド領域で、前記第１のＩ／Ｏ部の長辺方向の延長線上に設けられ、前記第１の接続部、前記配線、前記第２の接続部を介して前記第１のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第１の針あて部は、前記第１のＩ／Ｏ部と前記第２のＩ／Ｏ部の境界の延長線を跨いで設けられ、
前記第２のパッドの前記針あて部は、前記第２のＩ／Ｏ部の外部の前記バッド領域で、前記第２のＩ／Ｏ部の長辺方向の延長線上に設けられ、前記第３の接続部を介して前記第２のＩ／Ｏ部と電気的に接続され、前記第２のパッドの前記ボンディング部は、前記第１のＩ／Ｏ部と前記第１のパッドを接続する前記配線上に設けられるていことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、例えば、パッド構造の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は小型多機能化され、それに伴い、外部入出力用のピンは多ピン化されている。そのため、限られたチップサイズの中に多数のピンを効率よく配置する必要がある。このための対策として、隣り合うＩ／Ｏ部に接続された各パッドを千鳥状に配置し、かつ、パッドの形状を多角形にし、パッドの配置効率を向上させた半導体装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、パッドにおいて、リードをボンディングする領域と、半導体装置のテストの際にプローブ針をあてる領域とを共用すると、パッドとＩ／Ｏ部が剥がれる場合があるという問題があり、最近では、パッドを、プローブ針をあてる領域とボンディングする領域に同一平面状で分けることにより、剥がれの問題を解決する技術がある。
【０００４】
また、今後、半導体装置に求められる機能はより多機能化すると考えられる。そのためには、半導体装置の機能を司る内部コア領域を拡大する必要がある。しかし、そのまま内部コア領域を拡大した場合、チップサイズが大きくなってしまうという問題がある。
【特許文献１】特開平２００４−８７７６４号公報（第７頁  図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、チップサイズを大きくせずに、内部コア領域を拡大することが可能なプローブ針をあてる領域とボンディングする領域とを有するパッド構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、半導体装置の内部コア領域と、前記内部コア領域の外周に沿って互いに隣接して設けられた長方形状の複数の第１及び第２のＩ／Ｏ部と、前記第１及び第２のＩ／Ｏ部の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられ、前記第１及び第２のＩ／Ｏ部にそれぞれ接続され、かつ互いに隣接して設けられた複数の第１及び第２のパッドとを具備し、前記第１及び第２のパッドは、前記内部コア領域に対して水平方向に段差を有するように千鳥状に配置され、プローブ針を当てるための領域である針あて部と、前記針あて部と連接するボンディングのための領域であるボンディング部とを有し、前記針あて部と前記ボンディング部の一方は、台形、もしくは、５角形以上の多角形状を有し、同一の前記Ｉ／Ｏ部の長辺方向において少なくとも一部が重なって配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、チップサイズを大きくせずに、内部コア領域を拡大することが可能なプローブ針をあてる領域とボンディングする領域とを有するパッド構造を備えた半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップの平面図、図２は第１の実施の形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【０００９】
図１及び図２に示すように、本実施の形態の半導体装置では、半導体チップ１は、半導体基板５の主面に設けられた内部コア領域１０と、内部コア領域１０の外周に設けられたパッド領域１１と、パッド領域１１に内部コア領域１０の外周の全てと対応し、かつ互いに隣接して設けられる長方形状の複数のＩ／Ｏ部２０と、各Ｉ／Ｏ部２０上に、そのＩ／Ｏ部２０の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられ、かつＩ／Ｏ部２０に電気的にそれぞれ接続された複数のパッド２１とを具備する。また、この半導体チップ１は、各パッド２１と各リード２８とがワイヤ２９を介して電気的にそれぞれ接続され、図示略のパッケージ内に封止されてなる。
【００１０】
各パッド２１は、テストの際にプローブ針をあてるための領域である針あて部２１ａと、この針あて部２１ａと連接するボンディングのための領域であるボンディング部２１ｂとをそれぞれ有する。
【００１１】
各パッド２１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂは、少なくとも一方が台形、もしくは、５角形以上の多角形状にそれぞれ構成される。本実施の形態においては、それぞれ８角形をなし、特にボンディング部２１ｂは正８角形をなし、針あて部２１ａはＩ／Ｏ部２０の長辺方向に細長い８角形をなす。針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの境界には、くびれが形成され、針あて部２１ａとボンディング部２１ｂは、Ｉ／Ｏ部２０の長辺方向に沿って重なって配置される。くびれは、針あて位置及びボンディング位置を区別するための目印となる。
【００１２】
各パッド２１は、隣り合う各パッド２１と、内部コア領域１０に対して水平方向に段差を有するように千鳥状に配置されている。ここにおいて、「段差」とは、隣り合うパッド２１のうち、一方のパッド２１の最下位置の内部コア領域１０からの高さと、他方のパッド２１の最下位置の内部コア領域１０からの高さとが異なることを意味する。そして、一方のパッド２１の最下位置と内部コア領域１０との間の距離Ｘと、他方のパッド２１最上位置と、内部コア領域１０との間の距離Ｙとの差Ｄ（Ｘ−Ｙ＝Ｄ）が正の場合は、パッド領域１１が占める面積を小さくすることができる。
【００１３】
図３は、図１に示す半導体チップ１のパッド領域１１付近の拡大図である。
【００１４】
図３に示すように、複数のＩ／Ｏ部２０は、複数の第１のＩ／Ｏ部２０−１と、複数の第２のＩ／Ｏ部２０−２とを有する。第１のＩ／Ｏ部２０−１と第２のＩ／Ｏ部２０−２とは、矩形状の内部コア領域１０の各辺に沿って、交互に隣接して配置されている。本実施の形態においては、第１のＩ／Ｏ部２０-１は、各辺において図面の左から奇数番目に配置され、第２のＩ／Ｏ部２０−２は、図面の左から偶数番目にそれぞれ配置されている。
【００１５】
この複数のＩ／Ｏ部２０上には、複数のパッド２１がそのＩ／Ｏ部２０の長辺方向に沿ってそれぞれ設けられている。この複数のパッド２１は、複数の第１のパッド２１−１と、複数の第２のパッド２１−２とを有する。
【００１６】
各第１のパッド２１−１は、各第１のＩ／Ｏ部２０−１上に、内部コア領域１０に隣接してそれぞれ配置され、第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して各第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続されている。
【００１７】
具体的には、各第１のパッド２１−１は、ボンディング部２１ｂが第１のＩ／Ｏ部２０−１の内部コア領域１０側の第１の端部側に内部コア領域１０と隣接してそれぞれ配置され、かつ針あて部２１ａがその第１の端部と反対の第１のＩ／Ｏ部２０−１の第２の端部側にそれぞれ配置され、互いに連接されている。この針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとは、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸上にそれらの中心が位置するように配置され、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向において全体的に重なっている。また、針あて部２１ａが第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１に電気的に接続されている。
【００１８】
一方、各第２のパッド２１−２は、各第２のＩ／Ｏ部２０−２上の、内部コア領域１０から離隔した位置にそれぞれ配置され、第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続されている。
【００１９】
具体的には、各第２のパッド２１−２は、ボンディング部２１ｂが内部コア領域１０側にそれぞれ配置され、針あて部２１ａが第２のＩ／Ｏ部２０−２の内部コア領域１０側の第１の端部と反対の第２の端部側にその端部と接してそれぞれ配置され、互いに連接されている。この針あて部２１ａとボンディング部２１ｂは、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の中心軸上にそれらの中心が位置するように配置され、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向において全体的に重なっている。また、針あて部２１ａが第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２に電気的に接続されている。なお、接続部２３はコンタクトホールにより形成される。
【００２０】
また、各第２のパッドの２１−２のボンディング部２１ｂは、その先端部が隣接する第１のパッド２１−１の針あて部２１ａ間に食い込むようにそれぞれ配置されている。つまり、第２のパッド２１−２の最下位置と内部コア領域１０との間の距離Ｙが第１のパッド２１−１の最上位置と内部コア領域１０との間の距離Ｘよりも差Ｄ（Ｘ−Ｙ＝Ｄ）分、小さくなるように、隣接する第１のパッド２１−１の針あて部２１ａ間に食い込ませて配置されている。
【００２１】
次に、図１０（Ａ）及び図１０（Ｄ）を参照して第１の実施の形態のパッド構造と従来のパッド構造との比較をする。なお、図１０（Ａ）は第１の実施の形態の千鳥状に配置されたパッド構造を示し、図１０（Ｄ）は従来の千鳥状に配置された四角形状のパッド構造を示す。また、図中Ｌ０は、従来の第１のパッド２７−１と内部コア領域１０の境界２４ａから、第２のパッド２７−２の外周側の端部（最上位置）２４ｃまでの間の長さ、すなわちパッド領域の長さをあらわす。また、Ｌ１は、第１のパッド２１−１と内部コア領域１０の境界２４ｂから、第２のパッド２１−２の外周側の端部（最上位置）２４ｃまでの長さ、すなわちパッド領域の長さをあらわし、Ｚ０はＬ０とＬ１の差をあらわす。
【００２２】
図１０（Ａ）に示す通り、本実施の形態のパッド領域１１の長さＬ１は、２つのパッド２１−１、２１−２の長さの合計から、パッド２１の重なり部分（食い込み部分）ａを引いた長さになる。１つのパッド２１の長さは、針あて部２１ａの長さｌ１及びボンディング部２１ｂの長さｌ２の合計になるので、本実施の形態のパッド領域１１の長さＬ１は、次式（１）となる。
【００２３】
Ｌ１＝２ｌ１＋２ｌ２−ａ      ・・・（１）
一方、図１０（Ｄ）に示す通り、従来のパッド領域の長さＬ０は、従来の１つのパッド２７の長さをｌ１とｌ２の合計とすると、２つの従来のパッド２７の長さの合計に、それぞれの従来のパッド２７間の長さｃを足した長さになるので、次式（２）となる。
【００２４】
Ｌ０＝２ｌ１＋２ｌ２＋ｃ      ・・・（２）
従って、上記（１）及び（２）式より、従来のパッド構造に対して本実施の形態のパッド構造によるパッド領域１１の長さは、次式（３）の通りＺ０分縮小される。
【００２５】
Ｚ０＝Ｌ０−Ｌ１＝ｃ＋ａ      ・・・（３）
例えば、内部コア領域１０の1辺が５ｍｍの場合、1辺の片側でＺ０の有効利用ができるようになり、Ｚ０が５０μｍの場合、内部コア領域１０は、次式（４）により、約４％大きく利用できる。
【００２６】
５．１×５．１［ｍｍ２］／５×５［ｍｍ２］×１００［％］≒４［％］・・・（４）
本実施の形態によれば、パッド領域、すなわちパッドの占有面積を縮小でき、その分、内部コア領域を拡大できる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっており、かつ、それらの領域の境界がくびれた形状になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００２７】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域１１付近の拡大図である。本実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、第１のパッド２５−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとの内部コア領域１０に対する配置が逆になっていること、つまり、第１のパッド２５−１の針あて部２１ａが内側（内部コア領域１０に近い側）に、ボンディング部２１ｂが外側（内部コア領域１０より遠い側）に配置されていることである。
【００２８】
また、第１及び第２のパッド２５−１、２５−２の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの一方が、Ｉ／Ｏ部２０の長辺方向の中心軸に対して傾斜した直線上に配置されていることである。本実施の形態では、ボンディング部２１ｂが傾斜した直線上に配置されている。
【００２９】
言いかえると、第１のパッド２５−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂが、Ｉ／Ｏ部２０−１の長辺方向に沿って一部重なって配置されるが、針あて部２１ａの中心を通る長辺方向の軸とボンディング部２１ｂの中心を通る長辺方向の軸とが異なることにある。
【００３０】
具体的には、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａは、第１のＩ／Ｏ部２０−１上にそれぞれ設けられ、第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続され、各第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂは、第１のＩ／Ｏ部２０−１と図面上で右側に隣接する第２のＩ／Ｏ部２０−２との境界上に、その両方のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２に跨ってそれぞれ設けられ、第１のＩ／Ｏ部２０−１上で、第１のパッド２５−１の針あて部２１ａの一部とそれぞれ重なっている。
【００３１】
また、各第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂは、そのボンディング部２１ｂの１つの傾斜面と針あて部２１ａの１つの傾斜面とを接触させることにより、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸に対して、針あて部２１ａの中心を通り右肩下がりに傾斜する直線上にボンディング部２１ｂの中心が位置するようにそれぞれ配置されている。
【００３２】
また、各第２のパッド２５−２の針あて部２１ａは、第２のＩ／Ｏ部２０−２上に設けられ、第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続され、各第２のパッド２５−２のボンディング部２１ｂは、第１のＩ／Ｏ部２０−１と第２のＩ／Ｏ部２０−２との境界上に、その両方のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２に跨ってそれぞれ設けられ、第２のＩ／Ｏ部２０−２上で、第２のパッド２５−２の針あて部２１ａの一部とそれぞれ重なっている。
【００３３】
また、各第２のパッド２５−２のボンディング部２１ｂは、そのボンディング部２１ｂの１つの傾斜面と針あて部２１ａの１つの傾斜面とを接触させることにより、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の中心軸に対して、針あて部２１ａの中心を通り右肩下がりに傾斜する直線上にそのボンディング部２１ｂの中心が位置するようにそれぞれ配置されている。その他の構成については、第１の実施の形態と同様である。
【００３４】
これにより、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線と、第２のパッド２５−２の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線とは、互いに平行となっている。その他の構成については、第１の実施の形態と同様である。
【００３５】
この構成によって、図４のパッド領域１１の長さは、第１の実施の形態のパッド領域１１の長さよりも更に縮小できる。ここで、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）を参照して説明する。図１０において、本実施の形態によるパッド領域の長さＬ２は、２つの第１及び第２のパッド２５−１、２５−２の長さの合計から、それぞれのパッド２５における針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの重なり部分ａを引き、２つのパッド２５−１、２５−２間の長さｂを足した長さになるので、次式（５）となる。
【００３６】
Ｌ２＝２ｌ１＋２ｌ２−２ａ＋ｂ      ・・・（５）
従って、第１の実施の形態のパッド領域の長さＬ１と第２の実施の形態のパッド領域の長さＬ２との差Ｚ１は、次式（６）となる。
【００３７】
Ｚ１＝Ｌ１−Ｌ２＝ａ−ｂ            ・・・（６）
従って、本実施の形態によれば、パッド領域１１を、第１の実施の形態よりも更にＺ１分縮小することができる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂと第２のパッド２５−２のボンディング部２１ｂとの配置が、第１の実施の形態と比較して、接近しており、Ｉ／Ｏ部２０の長辺方向に沿って一部重なるが、ワイヤ２９は、３次元的に配線されるので、隣接するボンディング部２１ｂのそれぞれのワイヤ２９同士が接触することは無い。
【００３９】
（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域１１付近の平面図である。本実施の形態が第２の実施の形態と異なる点は、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとの内部コア領域１０に対する配置が逆になっていること、つまり、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａが内部コア領域１０に対して内側に、ボンディング部２１ｂが外側にそれぞれ配置されていることと、各第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂが第２の接続部２３ｂとそれぞれ接続されていることである。
【００４０】
また、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂが、その針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心を結ぶ直線が第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向に対して傾斜し、かつ第２のパッド２５−２の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心を結ぶ直線と交差するように配置されていることにある。
【００４１】
具体的には、各第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂは、第１のＩ／Ｏ部２０−１上にそれぞれ設けられ、第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続され、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａは、第１のＩ／Ｏ部２０−１と図面上で左側に隣接する第２のＩ／Ｏ部２０−２の境界上に、その両方のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２に跨ってそれぞれ設けられ、第１のＩ／Ｏ部２０−１上で、第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂの一部とそれぞれ重なっている。
【００４２】
また、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａは、その針あて部２１ａの１つの傾斜面とボンディング部２１ｂの１つの傾斜面とをに接触させることにより、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸に対して、ボンディング部２１ｂの中心を通り右肩上がりに傾斜する直線上にその針あて部２１ａの中心が位置するように配置される。
【００４３】
一方、各第２のパッド２５−２は、第２の実施の形態と同様に、針あて部２１ａが、第２のＩ／Ｏ部２０−２上にそれぞれ設けられ、第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続され、ボンディング部２１ｂが第２のＩ／Ｏ部２０−２と図面上で左側に隣接する第１のＩ／Ｏ部２０−１との境界上に、その両方のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２に跨ってそれぞれ設けられている。  これにより、本実施の形態では、第１のパッド２６−１の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線と、第２のパッド２５−２の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線とは、互いに交差している。その他の構成については、第１、２の実施の形態と同様である。
【００４４】
この構成によって、図５のパッド領域１１の長さは、第２の実施の形態のパッド領域１１の長さよりも更に縮小できる。ここで、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）を参照して説明する。本実施の形態のパッド領域の長さＬ３は、第２のパッド２５−２と第１のパッド２６−１の長さの合計から、第１のパッド２６−１の重なり部分ａ及び第２のパッド２５−２の重なり部分ａ及び、第１のパッド２６−１の針あて部２１ａと第２のパッド２５−２のボンディング部２１ｂの重なり部分ａを引いた長さになるので、次式（７）となる。
【００４５】
Ｌ３＝２ｌ１＋２ｌ２−３ａ       ・・・（７）
従って、第２の実施の形態のパッド領域の長さＬ２と本実施の形態のパッド領域の長さＬ３との差Ｚ２は、次式（８）となる。
【００４６】
Ｚ２＝Ｌ２−Ｌ３＝ａ＋ｂ        ・・・（８）
従って、本実施の形態によれば、パッド領域１１を、第２の実施の形態よりも更にＺ２分縮小することができる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００４７】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態は、Ｉ／Ｏ部の外側のパッド領域にパッドを設けた構造の半導体装置に本発明を適用した例で、図６は本発明による第４の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップの平面図、図７は、図６に示す半導体チップ１のパッド領域１１付近の拡大図である。本実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、第１及び第２のパッド２１−１、２１−２が、Ｉ／Ｏ部２０−１、２０−２の外側のパッド領域１１で、Ｉ／Ｏ部２０−１、２０−２の長辺方向の延長線上にそれぞれ配置されていることである。
【００４８】
具体的には、各第１のパッド２１−１は、第１のＩ／Ｏ部２０−１の外側のパッド領域１１で、第１のＩ／Ｏ部２０−１から離れて第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の延長上にそれぞれ設けられている。各第１のパッド２１−１は、針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとを有し、針あて部２１ａが内部コア領域１０に対して内側、ボンディング部２１ｂが外側にそれぞれ配置され、互いに連接されている。各第１及び第２のパッド２１-１、２１-２の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとは、それらの中心が第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸の延長線上に位置するようにそれぞれ配置され、この第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向において全体的に重なっている。
【００４９】
そして、各第１のパッド２１−２の針あて部２１ａが第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１に電気的にそれぞれ接続される。
【００５０】
また、各第２のパッド２１−２は、第２のＩ／Ｏ部２０−２の外側のパッド領域１１で第２のＩ／Ｏ部２０−２と隣接して第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の延長線上にそれぞれ設けられている。各第２のパッド２１−２は、針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとを有し、針あて部２１ａが内部コア領域１０に対して内側、ボンディング部２１ｂが外側にそれぞれ配置され、互いに連接されている。各第２のパッド２１-２の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとは、それらの中心が第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の中心軸の延長線上に位置するようにそれぞれ配置され、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向において全体的に重なっている。
【００５１】
そして、各第２のパッド２１-２の針あて部２１ａが第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続されている。その他の構成については、第１の実施の形態と同様である。
【００５２】
この構成によって、図７のパッド領域１１の長さＬ１は、従来のパッド２７の構造によるパッド領域１１の長さＬ０よりも、第１の実施の形態と同様に、Ｚ０縮小できる。
【００５３】
例えば、内部コア領域１０の1辺が５ｍｍの場合、1辺の片側でＺ０の有効利用ができるようになり、Ｚ０が５０μｍの場合、内部コア領域１０は、式（４）により、約４％大きく利用できる。
【００５４】
本実施の形態によれば、パッドの占有面積を縮小でき、その分内部コア領域を拡大できる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっており、かつ、それらの領域の境界がくびれた形状になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００５５】
（第５の実施の形態）
図８は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。本実施の形態が第４の実施の形態と異なる点は、第１のパッド２６−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとの内部コア領域１０に対する配置が逆になっていること、つまり、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａが内部コア領域１０に対して内側に、ボンディング部２１ｂが外側にそれぞれ配置されていることである。
【００５６】
また、第１及び第２のパッド２６−１、２６−２の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの一方が、Ｉ／Ｏ部２０の長辺方向の中心軸の延長線に対して傾斜した直線上に配置されていることである。本実施の形態では、各第１及び第２のパッド２６−１、２６−２のボンディング部２１ｂが傾斜した直線上にそれぞれ配置されている。
【００５７】
言いかえると、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂが、Ｉ／Ｏ部２０−１の長辺方向に沿って一部重なってそれぞれ配置されるが、針あて部２１ａの中心を通る長辺方向の軸とボンディング部２１ｂの中心を通る長辺方向の軸とが異なることにある。
【００５８】
具体的には、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａは、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の延長上にそれぞれ設けられ、第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続され、各第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂは、第１のＩ／Ｏ部２０−１と図面上で右側に隣接する第２のＩ／Ｏ部２０−２の境界上に、その両方のＩ／Ｏ部２０−１、２０−２に跨ってそれぞれ設けられ、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の延長上で、第１のパッド２６−１の針あて部２１ａの一部と重なっている。
【００５９】
また、各第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂは、そのボンディング部２１ｂの１つの傾斜面と針あて部２１ａの１つの傾斜面とを接触させることにより、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸に対して、針あて部２１ａの中心を通り右肩上がりに傾斜する直線上に中心が位置するようにそれぞれ配置されている。
【００６０】
また、各第２のパッド２６−２の針あて部２１ａは、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の延長上にそれぞれ設けられ、第３の接続部２３ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続され、各第２のパッド２６−２のボンディング部２１ｂは、第２のＩ／Ｏ部２０−２と図面上で左側に隣接する第１のＩ／Ｏ部２０−１との境界線の延長線上に跨り、かつ、第１のパッド２６−１と第１のＩ／Ｏ部２０−１とを接続する配線２２上にそれぞれ設けられて、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の延長上で、第２のパッド２６−２の針あて部２１ａの一部とそれぞれ重なっている。
【００６１】
また、各第２のパッド２６−２のボンディング部２１ｂは、そのボンディング部２１ｂの１つの傾斜面と針あて部２１ａの１つの傾斜面とを接触させることにより、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の中心軸の延長線に対して、針あて部２１ａの中心を通り右肩上がりに傾斜する直線上にそのボンディング部２１ｂの中心が位置するようにそれぞれ配置されている。その他の構成については、第１乃至３の実施の形態と同様である。
【００６２】
これにより、各第１のパッド２６−１の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線と、第２のパッド２６−２の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線とは、互いに平行となっている。その他の構成については、第１乃至３の実施の形態と同様である。
【００６３】
本実施の形態によれば、パッド領域１１の長さＬ２は、第２の実施の形態と同様に、第４の実施の形態のパッド領域１１の長さＬ１よりも更にＺ１分縮小できる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００６４】
また、第１のパッド２６−１のボンディング部２１ｂと第２のパッド２６−２のボンディング部２１ｂとの配置が、第４の実施の形態と比較して、接近しており、Ｉ／Ｏ部２０の長辺方向に沿って一部重なるが、ワイヤ２９は、３次元的に配線されるので、隣接するボンディング部２１ｂのそれぞれのワイヤ２９同士が接触することは無い。
【００６５】
（第６の実施の形態）
図９は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。本実施の形態が第５の実施の形態と異なる点は、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂとの内部コア領域１０に対する配置が逆になっていること、つまり、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａが内部コア領域１０に対して内側に、ボンディング部２１ｂが外側にそれぞれ配置されていることと、各第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂが第２の接続部２３ｂ、配線２、第１の接続部２３ａを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続されていることである。
【００６６】
また、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａが、その針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心を結ぶ直線が第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向に対して傾斜し、かつ各第２のパッド２６−２の針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの中心を結ぶ直線と互いに交差するように配置されていることにある。
【００６７】
具体的には、各第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂは、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の延長線上にそれぞれ設けられ、第１の接続部２３ａ、配線２２、第２の接続部２３ｂを介して第１のＩ／Ｏ部２０−１と電気的にそれぞれ接続され、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａは、第１のＩ／Ｏ部２０−１と図面上で左側に隣接する第２のＩ／Ｏ部２０−２の境界線の延長線上に跨ってそれぞれ設けられ、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の延長上で、ボンディング部２１ｂの一部とそれぞれ重なっている。
【００６８】
また、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａは、ボンディング部２１ｂの１つの傾斜面と針あて部２１ａの１つの傾斜面とを接触させることにより、第１のＩ／Ｏ部２０−１の長辺方向の中心軸の延長線に対して、ボンデイング部２１ｂの中心を通り右肩下がりに傾斜する直線上にその針あて部２１ａの中心が位置するように配置されている。
【００６９】
一方、各第２のパッド２６−２の針あて部２１ａは、第５の実施の形態と同様に、第２のＩ／Ｏ部２０−２の長辺方向の延長上にそれぞれ設けられ、第３の接続部２１ｃを介して第２のＩ／Ｏ部２０−２と電気的にそれぞれ接続され、各第２のパッド２６−２のボンディング部２１ｂは、第２のＩ／Ｏ部２０−２と図面上で左側に隣接する第１のＩ／Ｏ部２０−１との境界線の延長線上に跨り、かつ、第１のパッド２５−１のボンディング部２１ｂと第１のＩ／Ｏ部２０−１とを接続する配線２２上にそれぞれ設けられている。  これにより、各第１のパッド２５−１の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線と、第２のパッド２６−２の針あて部２１ａの中心とボンディング部２１ｂの中心とを結ぶ直線とは、互いに交差している。その他の構成については、第１乃至３の実施の形態の各部と同様である。
【００７０】
本実施の形態によれば、パッド領域１１の長さＬ３は、第３の実施の形態と同様に、第５の実施の形態のパッド領域１１の長さＬ２よりも更にＺ２分縮小できる。さらに、針あて部とボンディング部とが別領域になっているため、誤ってボンディング領域にプローブ針があてられる恐れがなく、ボンディング領域の剥離を防止できる。
【００７１】
本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々、変更して実施しても良い。例えば、針あて部２１ａとボンディング部２１ｂはどちらかが台形、もしくは、５角形以上の多角形であればよく、８角形に限らない。例えば、図１１に示すように、第１の実施の形態において、各第１及び第２のパッド２１の針あて部２１ａを長方形状に、ボンディング部２１ｂを台形状にしても良い。また、図１２に示すように、第１の実施の形態において、各第１及び第２のパッド２１の針あて部２１ａを長方形状に、ボンディング部２１ｂを６角形状にしても良い。また、図１３に示すように、第１の実施の形態において、各第１及び第２のパッドの針あて部２１ａを長方形状に、ボンディング部２１ｂを８角形状にしても良い。図１４に示すように、第２の実施の形態において、各針あて部２１ａを５角形状、ボンディング部２１ｂを８角形状にしても良い。
【００７２】
また、上述した各実施の形態では、針あて部２１ａは、ボンディング部２１ｂよりも大きく形成したが、ボンディング部２１ｂが、針あて部２１ａよりも大きくてもよい。
【００７３】
また、針あて部２１ａとボンディング部２１ｂの配置は、上述した実施の形態に限定されず、逆にしてもよく、要はＩ／Ｏ部２０と、針あて部２１ａもしくはボンディング部２１ｂとが接続できる配置であればよい。
【００７４】
また、パッド２１、２５、２６の千鳥状の配置は、２段に限らず、例えば、３段でも良い。
【００７５】
また、上述した各実施の形態では、Ｉ／Ｏ部２０が内部コア領域１０の四辺に設けられているが、四辺全てに設けられていなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップの平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図３】図１に示す半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップの平面図である。
【図７】図６に示す半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図１０】本発明の各実施の形態のパッド構造と従来のパッド構造との占有面積の状態を説明するための図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図１２】本発明の更に他の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図１３】本発明の更に他の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【図１４】本発明の更に他の実施の形態に係る半導体装置における半導体チップのパッド領域付近の拡大図である。
【符号の説明】
【００７７】
１  半導体チップ
１０  内部コア領域
１１  パッド領域
２０  Ｉ／Ｏ部
２０−１  第１のＩ／Ｏ部
２０−２  第２のＩ／Ｏ部
２１、２５、２６  パッド
２１−１、２５−１、２６−１、２７−１  第１のパッド
２１−２、２５−２、２６−２、２７−２  第２のパッド
２１ａ  針あて部
２１ｂ  ボンディング部
２２  配線
２３ａ  第１の接続部（Ｉ／Ｏ部と配線間）
２３ｂ  第２の接続部（配線とパッド間）
２３ｃ  第３の接続部（Ｉ／Ｏとパッド間）
２４ａ  従来のパッド２７と内部コア領域１０の境界
２４ｂ  パッド２１と内部コア領域１０の境界
２４ｃ  パッド（従来のパッド２７及びパッド２１）の半導体装置１に対する外周側の端部
２７  従来のパッド
２８  リード
２９  ワイヤ
【図１】
2009111026.tif 000003
【図２】
2009111026.tif 000004
【図３】
2009111026.tif 000005
【図４】
2009111026.tif 000006
【図５】
2009111026.tif 000007
【図６】
2009111026.tif 000008
【図７】
2009111026.tif 000009
【図８】
2009111026.tif 000010
【図９】
2009111026.tif 000011
【図１０】
2009111026.tif 000012
【図１１】
2009111026.tif 000013
【図１２】
2009111026.tif 000014
【図１３】
2009111026.tif 000015
【図１４】
2009111026.tif 000016