(57)【要約】【課題】真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いることなく、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができる導電膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板の上に、導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成した後、インクジェット方式によって導電膜用インクを塗布して高濡れ性領域の上に導電膜を形成する。【選択図】図２
2009071037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にインクジェット方式によって導電膜用インクを塗布することにより導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、
前記基板の上に、前記導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程と、
前記濡れ性パターンが形成された基板の上にインクジェット方式によって前記導電膜用インクを塗布し、前記高濡れ性領域の上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【請求項２】
基板の上にインクジェット方式によってシード層用インクを塗布してメッキ用シード層パターンを形成した後、メッキ処理を行うことにより導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、
前記基板の上に、前記シード層用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程と、
前記濡れ性パターンが形成された基板の上にインクジェット方式によって前記シード層用インクを塗布し、前記高濡れ性領域の上にメッキ用シード層を形成する工程と、
メッキ処理によって前記メッキ用シード層の上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記基板は、有機素材からなる基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記濡れ性パターンは、前記基板を大気圧プラズマ又はコロナ放電によって処理することで形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記高濡れ性領域の算術平均粗さ（Ｒａ）が、前記低濡れ性領域の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも１０ｎｍ以上大きいことを特徴とする請求項４に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記濡れ性パターンを形成する工程に先立って、予め基板の全面に対して濡れ性を低下させる処理を行う工程を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記濡れ性を低下させる処理は、シランカップリング剤による表面処理であることを特徴とする請求項６に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記導電膜を形成した後、前記低濡れ性領域に付着した付着物を除去する洗浄工程を有することを特徴とする請求項１に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記メッキ用シード層を形成した後、前記低濡れ性領域に付着した付着物を除去する洗浄工程を有することを特徴とする請求項２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記洗浄工程は、前記メッキ処理よりも後に行うことを特徴とする請求項９に記載の導電膜パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に導電膜パターンを形成する方法に関し、特に、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に用いられるＴＦＴアレイなどの微細な導電膜パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置には、ＴＦＴアレイなど微細な導電膜パターンを有する基板が用いられている。このような微細な導電膜パターンは、スパッタリングや真空蒸着など真空下での成膜工程を経た後、フォトリソグラフィー法によって形成することが一般的である。
【０００３】
しかし、この方法は真空下での成膜工程が必要であることから高い生産性を得ることが困難という問題があった。また、基板上に成膜した導電膜（金属膜）の大部分をフォトリソグラフィーによって除去するため、金属材料の多くを無駄にするだけでなく、現像液やエッチング液といった化学薬品を大量に消費するという問題があった。
【０００４】
そのため、真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いずに、微細な導電膜パターンを形成するための方法として、インクジェット法を用いた方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００５】
特許文献１には、インクジェット法により直接絶縁基板上に下地導電パターン（メッキ用シード層パターン）を形成し、焼成した後、電解メッキ処理して該下地導電パターン上に導電パターンを形成する方法が記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、インクジェット法によって絶縁基板にエッチング液を塗布し、エッチングによって形成された回路パターンにメタルインクを塗布することにより導電膜パターンを形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−２０９３４１号公報
【特許文献２】特開２００７−７３９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１又は２に記載の方法によって形成される導電パターンの精度は、インクジェット法における液滴の着弾精度に大きく左右される。しかしながら、インクジェット法における液滴の着弾精度は、求められている微細な導電膜パターンが得られるレベルには至っていないのが現状であり、特許文献１又は２に記載の方法では、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができないという問題があった。
【０００８】
また、樹脂基板やガラス基板など、インクの溶媒成分を吸収しにくい基板を用いる場合、着弾したインクジェットの液滴は、射出されたインク粒子径よりも大きくなり、基板表面の状態の影響を大きく受けて、変形したり流動したりする。更に、先に着弾した液滴が乾ききらないうちに次の液滴が着弾した場合、後から着弾した液滴の形状は、先の液滴の形状に大きく影響を受ける。そのため、このようなインクの溶媒成分を吸収しにくい基板を用いる場合には高精度な導電膜パターンの形成が特に困難であり問題となっていた。
【０００９】
本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いることなく、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができる導電膜パターンの形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の特徴を有するものである。
【００１１】
１．  基板の上にインクジェット方式によって導電膜用インクを塗布することにより導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、前記基板の上に、前記導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程と、前記濡れ性パターンが形成された基板の上にインクジェット方式によって前記導電膜用インクを塗布し、前記高濡れ性領域の上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【００１２】
２．  基板の上にインクジェット方式によってシード層用インクを塗布してメッキ用シード層パターンを形成した後、メッキ処理を行うことにより導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、前記基板の上に、前記シード層用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域と、濡れ性が低い低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する工程と、前記濡れ性パターンが形成された基板の上にインクジェット方式によって前記シード層用インクを塗布し、前記高濡れ性領域の上にメッキ用シード層を形成する工程と、メッキ処理によって前記メッキ用シード層の上に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【００１３】
３．  前記基板は、有機素材からなる基板であることを特徴とする前記１又は２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１４】
４．  前記濡れ性パターンは、前記基板を大気圧プラズマ又はコロナ放電によって処理することで形成することを特徴とする前記１乃至３の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１５】
５．  前記高濡れ性領域の算術平均粗さ（Ｒａ）が、前記低濡れ性領域の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも１０ｎｍ以上大きいことを特徴とする前記４に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１６】
６．  前記濡れ性パターンを形成する工程に先立って、予め基板の全面に対して濡れ性を低下させる処理を行う工程を有することを特徴とする前記１乃至５の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１７】
７．  前記濡れ性を低下させる処理は、シランカップリング剤による表面処理であることを特徴とする前記６に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１８】
８．  前記導電膜を形成した後、前記低濡れ性領域に付着した付着物を除去する洗浄工程を有することを特徴とする前記１に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１９】
９．  前記メッキ用シード層を形成した後、前記低濡れ性領域に付着した付着物を除去する洗浄工程を有することを特徴とする前記２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００２０】
１０．  前記洗浄工程は、前記メッキ処理よりも後に行うことを特徴とする前記９に記載の導電膜パターンの形成方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、インクジェット法によるインクの塗布に先立って、基板の上に高濡れ性領域と低濡れ性領域とからなる濡れ性パターンを形成する。そのため、着弾したインクは、濡れ性の差によって高濡れ性領域に引き込まれ、インクジェット法における液滴の着弾精度よりも高い精度でパターニングを行うことが可能となる。従って、真空下での成膜工程やフォトリソグラフィー法を用いることなく、微細な導電膜パターンを高精度に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図１〜図４を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
本発明の導電膜パターンの形成方法の第１の実施形態について、図１及び図２を用いて説明する。図１は本実施形態における工程を示すフローチャートであり、図２は各工程における基板の状態を模式的に示す図である。図２の左側の列（図２（ａ））は基板１０をパターン形成面側から見た図を、右側の列（図２（ｂ））はＡ−Ａ断面図をそれぞれ示している。
【００２４】
先ず、基板１０の上に、導電膜用インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域１１と、濡れ性が低い低濡れ性領域１２とからなる濡れ性パターンを形成する（工程Ｓ１１）。濡れ性パターンは、作製する導電膜パターンの形状に対応させ、導電膜を形成しようとする領域が高濡れ性領域１１、それ以外の領域が低濡れ性領域１２となるように形成する。
【００２５】
このような濡れ性パターンを形成する方法としては、例えば、フォトマスクを用いて高濡れ性領域１１を形成する領域に紫外線を照射する方法が挙げられる。基板１０に紫外線を照射すると、化学結合の一部が切れる等の現象によって表面が活性化して表面エネルギーが高くなり、その結果濡れ性を高くすることができる。また、レーザー描画装置によって基板に強いレーザー光を照射したり、マスクを用いて大気圧プラズマやコロナ放電による処理を行う等の方法によっても、基板の濡れ性を高くすることができ、濡れ性パターンを形成することができる。
【００２６】
高濡れ性領域１１と低濡れ性領域１２の濡れ性の差は大きい方が好ましい。導電膜用インクの乾燥速度等の条件によって異なるが、高精度な導電膜パターンを形成するためには、通常、導電膜用インクの接触角の差が５°以上あることが好ましく、接触角の差が１０°以上あることがより好ましい。
【００２７】
また、高濡れ性領域１１の算術平均粗さ（Ｒａ）が、低濡れ性領域１２の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい方が、着弾した導電膜用インク１４が高濡れ性領域１１に引き込まれやすくなり、より高精度の導電膜パターンを形成できる。このような観点から、高濡れ性領域１１の算術平均粗さ（Ｒａ）が、低濡れ性領域１２の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも１０ｎｍ以上大きいことが好ましい。ここで、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１において規定されている。
【００２８】
高濡れ性領域１１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、濡れ性を高めるための紫外線の照射、大気圧プラズマ処理等によって大きくなる。特に、大気圧プラズマやコロナ放電による処理の場合には、高濡れ性領域１１の算術平均粗さ（Ｒａ）を容易に大きくすることができる。従って、これらの処理条件を適宜設定することにより、高濡れ性領域１１の算術平均粗さ（Ｒａ）を、低濡れ性領域１２の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも１０ｎｍ以上大きくすることができる。
【００２９】
濡れ性パターンを形成する前には、予め基板を十分に洗浄し、最外層に付着したカーボン等の異物を除去して表面状態を均一化させておくことが好ましい。それによって、高精度な濡れ性パターンを安定して形成することができる。
【００３０】
また、濡れ性パターンを形成する前に、予め基板の全面に対して濡れ性を低下させるための処理を行っておいてもよい。そのような処理を行っておくことにより、紫外線の照射等によって処理層を破壊することで容易に濡れ性を高めることができる。そのため、紫外線の照射等によって濡れ性を高めることが比較的難しい基板（例えば、石英基板、セラミック基板など）であっても容易に濡れ性パターンを形成することができる。更に、高濡れ性領域１１と低濡れ性領域１２との濡れ性の差を大きくすることができるため、より微細で高精度な濡れ性パターンを形成することができる。
【００３１】
基板の全面に対して濡れ性を低下させるための処理としては、例えば、ＯＴＳ（オクタデシルトリクロロシラン）等のシランカップリング剤による表面処理や、真空下でのプラズマ処理等が挙げられる。中でも、シランカップリング剤による表面処理は、大型の処理装置を必要とせず、容易に処理することが可能であることから特に好ましい。
【００３２】
なお、本発明で用いる基板１０の材質に特に制限はなく、各種樹脂、セラミック、ガラス等、種々の基板の中から用途に応じて適宜選択すればよい。特に、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴなど、有機素材からなる基板は紫外線の照射、大気圧プラズマやコロナ放電による処理等によって表面の分子の結合を切ることができ、容易に濡れ性を高めることができることから好ましく用いることができる。
【００３３】
次に、インクジェット方式によって導電膜用インクを塗布し、高濡れ性領域１１の上に導電膜１３を形成する（工程Ｓ１２）。
【００３４】
濡れ性パターンの上に着弾した導電膜用インク１４（Ｓ１２−１）は、高濡れ性領域１１と低濡れ性領域１２との濡れ性の差によって高濡れ性領域１１に引き込まれ、濡れ性パターンの形状に対応して、高濡れ性領域１１の上に導電膜１３が形成される（Ｓ１２−２）。この場合、着弾した導電膜用インク１４の一部が高濡れ性領域１１にかかっていればよいことから、濡れ性パターンが高精度に形成されていれば、インクジェット方式の着弾精度よりも高い精度で導電膜パターンを形成することができる。
【００３５】
例えば、ライン幅及びライン間隔が１０μｍレベルの導電膜パターンを形成する場合、導電膜用インク１４が着弾時に広がることを考慮に入れると、インクジェット方式の着弾精度は半径４０μｍ程度であっても十分に対応することができる。
【００３６】
導電膜用インク１４は、乾燥によって導電膜１３が形成されるものであればよい。例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル等の金属やこれらの合金からなる金属ナノ粒子を分散させたインク等が挙げられる。
【００３７】
導電膜用インク１４が濡れ性の差によって高濡れ性領域１１に引き込まれる際、低濡れ性領域１２に上に導電膜用インク１４の一部が取り残される場合がある。そのため、インクジェット方式によって導電膜用インク１４を塗布した後、取り残されて低濡れ性領域１２に付着した付着物１５を除去するための洗浄を行うことが好ましい（工程Ｓ１３）。
【００３８】
一般に、基板の上に形成される導電膜は、基板の濡れ性が高い方が密着性が高く、基板の濡れ性が低い方が密着性が低い。そのため、低濡れ性領域１２に付着した付着物１５は、高濡れ性領域１１の上に形成された導電膜１３よりも密着性が低い。従って、導電膜パターンの形成された基板全体を洗浄することにより、必要な導電膜１３には影響を与えずに不要な部分（低濡れ性領域１２に付着した付着物１５）のみを確実に除去することができる。
【００３９】
洗浄の方法に特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択すればよい。例えば、超音波洗浄、ＨＰＭＪ（高圧ミストジェット）、粉体ドライアイスジェットによる洗浄、スクラブ洗浄などの機械的な洗浄が挙げられる。
【００４０】
（第２の実施形態）
本発明の導電膜パターンの形成方法の第２の実施形態について、図３及び図４を用いて説明する。図３は本実施形態における工程を示すフローチャートであり、図４は各工程における基板の状態を模式的に示す図である。図４の左側の列（図４（ａ））は基板２０をパターン形成面側から見た図を、右側の列（図４（ｂ））はＢ−Ｂ断面図をそれぞれ示している。
【００４１】
本実施形態においては、上述の第１の実施形態と異なり、基板の上に濡れ性パターンを形成した後、インクジェット方式によりシード層用インクを塗布してメッキ用シード層パターンを形成し、その上にメッキ処理を行うことによって導電膜パターンを形成する。
【００４２】
一般的に、作製される導電膜の電気抵抗を十分に低くするためには、導電膜の厚みを厚くする必要がある。そのため、導電膜の厚みは、通常、５０ｎｍ以上とすることが好ましく、１μｍ以上とすることが更に好ましい。しかし、インクジェット方式によって分厚く塗布したインクを乾燥させてこのような厚い導電膜を作製すると、パターンの角部にインク溜まりが発生したり、サドル現象と呼ばれるコーヒーの染み状の断面形状が発生したりする場合がある。ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）などのように導電膜パターンの上部に機能層が形成される配線基板の場合、上記のインク溜まりやサドル現象といった異常が存在すると上部の機能層に悪影響を与えるおそれがある。
【００４３】
そこで、本実施形態では、インクジェット方式によって薄いメッキ用シード層を形成し、メッキ処理によってこのメッキ用シード層を起点とした厚い導電膜を形成する。それによって、サドル現象等の異常の発生を防止することができ、高精度で且つ電気抵抗の低い導電膜パターンを形成することができる。
【００４４】
先ず、基板２０の上に、インクに対する濡れ性が高い高濡れ性領域２１と、濡れ性が低い低濡れ性領域２２とからなる濡れ性パターンを形成する（工程Ｓ２１）。濡れ性パターンを形成する工程の詳細については、第１の実施形態の場合と同様であるためここでは説明を省略する。
【００４５】
次に、インクジェット方式によってシード層用インクを塗布し、高濡れ性領域２１の上にメッキ用シード層２３を形成する（工程Ｓ２２）。
【００４６】
第１の実施形態において導電膜用インク１４を塗布する場合と同様に、濡れ性パターンの上に着弾したシード層用インク２４（Ｓ２２−１）は、高濡れ性領域２１と低濡れ性領域２２との濡れ性の差によって高濡れ性領域２１に引き込まれる。そして、濡れ性パターンの形状に対応して、高濡れ性領域２１の上にメッキ用シード層２３が形成される（Ｓ２２−２）。着弾したシード層用インク２４の一部が高濡れ性領域２１にかかっていればよいことから、インクジェット方式の着弾精度よりも高い精度で導電膜パターンを形成することができる。
【００４７】
シード層用インク２４は、次のメッキ処理の際にメッキの起点となり得るものであればよい。例えば、金属ナノ粒子や金属塩を溶媒に分散させたインクが挙げられる。メッキのための触媒を含有していることも好ましい。また、シード層用インク２４が基板に塗布された後、基板の成分や雰囲気中のガス成分等と反応することによって、メッキの起点となる成分が形成されるものであってもよい。
【００４８】
形成するメッキ用シード層２３の膜厚は、３ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００４９】
次に、メッキ処理によってメッキ用シード層２３の上に導電膜２６を形成する（工程Ｓ２３）。メッキ処理を用いることでメッキ用シード層２３の上に、膜厚の厚い導電膜２６を容易に形成することができ、高精度で且つ電気抵抗の低い導電膜パターンを形成することができる。
【００５０】
メッキの種類は、パラジウムメッキやニッケルメッキなど公知の種類の中から適宜選択すればよい。導電膜２６をより低抵抗化するために、ニッケルメッキの後、ニッケルを金に置換メッキすることも好ましい。また、その他の無電解メッキや置換メッキを用いてもよいし、電気メッキを用いてもよい。
【００５１】
メッキ処理によって形成する導電膜２６の膜厚は、上述のように電気抵抗を低く抑えるため、通常、５０ｎｍ以上とすることが好ましく、１μｍ以上とすることが更に好ましい。
【００５２】
最後に、低濡れ性領域２２に付着した付着物２５を除去するための洗浄を行う（工程Ｓ２４）。シード層用インク２４が濡れ性の差によって高濡れ性領域２１に引き込まれる際に取り残され、低濡れ性領域２２に付着した付着物２５を本工程で除去することで、短絡等の発生を防止して高精度の導電膜パターンを得ることができる。
【００５３】
第１の実施形態の場合と同様に、低濡れ性領域２２に付着した付着物２５は、高濡れ性領域２１の上に形成された導電膜２６よりも密着性が低い。従って、導電膜パターンの形成された基板全体を洗浄することにより、必要な導電膜２６には影響を与えずに不要な部分（低濡れ性領域２２に付着した付着物２５）のみを確実に除去することができる。
【００５４】
洗浄は、インクジェット方式によってシード層用インク２４を塗布（工程Ｓ２２）した後、メッキ処理（工程Ｓ２３）の前に行ってもよいし、メッキ処理によって導電膜２６を形成した後に行ってもよい。洗浄によって、メッキの起点となるメッキ用シード層２３の状態に影響を与えることを防止する（例えば、メッキ用シード層２３の触媒活性の低下を防止する）観点からは、メッキ処理によって導電膜２６を形成した後に洗浄を行うことが好ましい。
【実施例】
【００５５】
市販のＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルムを中性洗剤で洗浄後、純水リンスし、８０℃で１５分間乾燥させた。ＰＥＮフィルムの厚みは２００μｍとした。
【００５６】
次に、ＰＥＮフィルムの導電膜を形成する領域に、石英マスクを用いて紫外線を照射して濡れ性パターンを形成した。石英マスクは、幅１０μｍのライン状の開口部を、１０μｍ間隔で平行に２０本配置したものを用いた。照射した紫外線の波長は２００ｎｍ〜３００ｎｍ、照射量は４００ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００５７】
シード層用インクを用いて接触角を測定したところ、紫外線を照射した領域（高濡れ性領域）は５°〜６°、紫外線を照射していない領域（低濡れ性領域）の接触角は１５°〜２０°であり、良好な濡れ性パターンが形成されていることが確認された。なお、接触角は、シード層用インク５μｌをシリンジから基板上に乗せ、自動接触角測定装置（協和界面化学社製：ＤＭ５００）を用いて測定した。測定温度は２５℃であった。
【００５８】
次に、インクジェット方式によって、ニッケル−パラジウム微粉末を拡散したインク（シード層用インク）を塗布し、高濡れ性領域の上にメッキ用シード層を形成した。
【００５９】
メッキ用シード層を十分に乾燥させた後、ＰＥＮフィルムをニッケルメッキ溶液に浸漬し、メッキ用シード層の上にニッケル膜を形成した。更に、ニッケルを金に置換する置換メッキを行い、導電膜としての金膜を形成した。
【００６０】
最後に、４５ｋＨｚの純水超音波洗浄によって、低濡れ性領域に付着した付着物（メッキ用シード層及び金膜）を除去し、導電膜パターンの形成が完成した。得られた導電膜パターンは、ライン幅及びライン間隔がそれぞれ１０μｍ±２μｍ、膜厚３００ｎｍで、短絡や極端な膜厚ムラのない高精度な導電膜パターンであった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施形態における工程を示すフローチャートである。
【図２】第１の実施形態の各工程における基板の状態を模式的に示す図である。
【図３】第２の実施形態における工程を示すフローチャートである。
【図４】第２の実施形態の各工程における基板の状態を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  基板
１１  高濡れ性領域
１２  低濡れ性領域
１３  導電膜
１４  導電膜用インク
１５  付着物
２０  基板
２１  高濡れ性領域
２２  低濡れ性領域
２３  メッキ用シード層
２４  シード層用インク
２５  付着物
２６  導電膜
【図１】
2009071037.tif 000003
【図２】
2009071037.tif 000004
【図３】
2009071037.tif 000005
【図４】
2009071037.tif 000006