(57)【要約】【課題】発光装置（例えばＣＯＢモジュール）において、温度変化に伴う蛍光体からの発光色度の変化を抑え、高輝度・高演色性で発光色度の温度によるばらつきが少ない白色発光を得る。【解決手段】本発明の発光装置（ＣＯＢモジュール）１０は、装置基板１上に搭載された複数の青色ＬＥＤチップ２と、この青色ＬＥＤチップ２からの光で励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する１種類または２種類以上の蛍光体を含み、かつ通常動作状態において蛍光体が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層を備えている。そして、この発光装置は平均演色評価数Ｒａが７０以上の白色光を発光する。【選択図】図２
2009111273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に配置された複数の発光素子と；
前記発光素子により励起される蛍光体層であり、前記発光素子から放射された光により励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する１種類の蛍光体を含有し、かつ通常動作状態において前記蛍光体の少なくとも一部が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層と；を備え、
平均演色評価数Ｒａが７０以上の白色光を発光することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板と；
前記基板上に配置された複数の発光素子と；
前記発光素子により励起される蛍光体層であり、前記発光素子から放射された光により励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する２種類以上の蛍光体をそれぞれ含有し、かつ通常動作状態において前記２種類以上の蛍光体の少なくとも一部が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層と；を備え、
平均演色評価数Ｒａが７５以上の白色光を発光することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記発光素子は、青色光を放射する発光ダイオードチップであることを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードランプなどの発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いたＬＥＤランプは、液晶ディスプレイ、携帯電話、情報端末などのバックライト、屋内外広告など、多方面への展開が飛躍的に進んでいる。さらに、ＬＥＤランプは、長寿命で信頼性が高く、また低消費電力、耐衝撃性、高純度表示色、軽薄短小化の実現などの特徴を有することから、産業用途のみならず一般照明用途への適用も試みられている。このようなＬＥＤランプを一般照明用途に適用する場合、白色発光を得ることが重要となる。
【０００３】
ＬＥＤランプで白色発光を実現する代表的な方式としては、（１）青、緑および赤の各色に発光する３つのＬＥＤチップを使用する方式、（２）青色発光のＬＥＤチップと黄色ないし橙色発光の蛍光体を組合せる方式、（３）紫外線発光のＬＥＤチップと青色、緑色および赤色発光の三色混合蛍光体を組合せる方式、の３つが挙げられる。これらのうち、一般的には（２）の方式が広く実用化されている。そして、上記した（２）の方式を適用したＬＥＤランプの高輝度化を目的として、基板（ボード）上に搭載された多数のＬＥＤチップの上に、蛍光体を混合した透明樹脂を塗布し蛍光体含有樹脂層を形成したチップオンボード（ＣＯＢ）構造が開発されている。
【０００４】
一般照明用のＬＥＤランプには、高い発光効率に加え、色の見え方の指標としての演色性の良さが求められる。演色性は、自然光に近い照明を基準光にして光源による色の見え方を評価したものであり、ＪＩＳに定められている試験色を、試料光源と基準光でそれぞれ照明したときの色ずれの大きさを数値化したものが演色評価数である。演色評価数には、平均演色評価数Ｒａと特殊演色評価数Ｒｉがあり、平均演色評価数Ｒａは、試験Ｎｏ．１〜８の演色評価数の平均値として表され、原則として１００に近いほど演色性が良い。
【０００５】
平均演色評価数Ｒａの高い、いわゆる高演色タイプの白色ＬＥＤランプは、ＬＥＤチップからの青色発光によって波長５４０ｎｍ〜５６０ｎｍの光を発光する黄色系蛍光体からの黄色発光に、波長６２０ｎｍ程度の光を発光する赤色発光体からの赤色発光や、波長５２０ｎｍ程度の光を発光する緑色発光体からの緑色発光を加えることで、演色性に優れた白色光を合成している。また従来から、発光効率を高めるために、半値幅が狭い（例えば１１０ｎｍ以下）可視光を発光する２種類以上の蛍光体を組み合わせて使用し、発光効率の低下が少なくかつ高演色性の白色光を得る提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、このようなＬＥＤランプに使用されている半値幅が狭い蛍光体は、発光の温度特性が良好といえず、蛍光体の温度が変化した場合の色度の変化が大きかった。特に、前記ＣＯＢ構造を有するＬＥＤランプ（ＣＯＢモジュール）やパワーＬＥＤチップを有するＬＥＤランプにおいては、ＬＥＤチップに供給される電流が増大しそれに伴って蛍光体の温度が上昇した場合に、蛍光体からの発光の色度が大きく変化するため、ＬＥＤランプから発光される白色光の色度にずれ（色ずれ）が生じるという問題があった。
【特許文献１】特願２００６−２９６８０１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、蛍光体からの発光の温度による色度の変化を抑え、高輝度・高演色性で発光色度の温度によるばらつきが少ない白色発光を得ることが可能な発光装置、例えばＣＯＢモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発光装置は、基板と；前記基板上に配置された複数の発光素子と；前記発光素子により励起される蛍光体層であり、前記発光素子から放射された光により励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する１種類の蛍光体を含有し、かつ通常動作状態において前記蛍光体の少なくとも一部が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層と；を備え、平均演色評価数Ｒａが７０以上の白色光を発光することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２記載の発光装置は、基板と；前記基板上に配置された複数の発光素子と；前記発光素子により励起される蛍光体層であり、前記発光素子から放射された光により励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する２種類以上の蛍光体をそれぞれ含有し、かつ通常動作状態において前記２種類以上の蛍光体の少なくとも一部が９０〜１４０℃の温度を示す蛍光体層と；を備え、平均演色評価数Ｒａが７５以上の白色光を発光することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３記載の発光装置は、請求項1または２記載の発光装置において、前記発光素子は、青色光を放射する発光ダイオードチップであることを特徴とする。
【００１１】
上記した請求項１ないし請求項３記載の発明において、特に指定しない限り、用語の定義および技術的意味は以下の通りである。
【００１２】
基板は、例えば回路パターンやリード端子のような配線部を有する基板であり、その上に発光素子が搭載される。基板上には、外部に開口した凹部を有するフレームを配置してもよく、さらにフレームを使用せずに直接基板上に凹部を形成してもよい。
【００１３】
発光素子は、放射した光により蛍光体を励起して可視光を発光させるものである。本発明で用いられる発光素子としては、主波長が４２０〜４８０ｎｍ（例えば４６０ｎｍ）の青色光を放射するＬＥＤチップや、主波長が３８０〜４１０ｎｍの近紫外光を放射するＬＥＤチップなどが挙げられる。ただし、これらに限定されるものではなく、蛍光体を励起して可視光を発光させることが可能な発光素子であれば、発光装置の用途や目的とする発光色などに応じて種々の発光素子を使用することができる。
【００１４】
蛍光体は、このような発光素子から放射された光（例えば青色光）により励起されて可視光を発し、この可視光と発光素子から放射される光との混色によって所望の発光色を得るものである。
【００１５】
蛍光体の少なくとも一部が示す温度（以下、蛍光体温度と記す。）は、蛍光体が封止用などの樹脂に含有されており、蛍光体含有樹脂層が半導体素子を覆っている場合は、半導体素子に直接接する周辺部材の最高温度であるジャンクション温度を指すものとする。また、蛍光体層が半導体素子と離れて配置される場合には、蛍光体温度は前記ジャンクション温度ではなく、蛍光体を直接測定した温度とする。
【００１６】
本発明の発光装置は、前記蛍光体温度が９０℃〜１４０℃の範囲において、色ずれのない良好な白色光を発光する。蛍光体温度が９０℃未満である使用態様では、主波長の半値幅が１２０ｎｍ未満の蛍光体を使用しても、半値幅が１２０〜１５０ｎｍの蛍光体を使用した場合と発光色度の温度特性にほとんど差が生じない。また、蛍光体温度が１４０℃を超える態様は、発光素子や封止樹脂などの使用限界温度を超えており、これらの材料に劣化が生じるため、十分な発光特性を得ることができない。
【００１７】
本発明における蛍光体としては、主波長が５４５〜５７５ｎｍで主波長の半値幅が１２０〜１５０ｎｍの発光スペクトルを有する蛍光体を１種類単独で、あるいは２種類以上を混合して使用する。半値幅は、発光ピークの１／２の高さにおけるスペクトルの広がり幅（波長）をいう。半値幅が１２０ｎｍ未満と狭い発光スペクトルを有する蛍光体（例えばシリケート系蛍光体あるいはサイアロン系蛍光体）は、温度変化（上昇）に伴う発光の色度の変化が大きいので、この蛍光体を１種類あるいは２種類以上混合して使用した場合には、蛍光体温度が９０〜１４０℃の態様において、より低い温度の使用態様に比べて白色光の色度の変化（色ずれ）が大きくなる。
【００１８】
半値幅が１５０ｎｍを超える発光スペクトルを有する蛍光体を１種類あるいは２種類以上使用した場合には、高い発光効率を実現することが難しい。
【００１９】
蛍光体層は、蛍光体を保持する層であり、前記１種類または２種類以上の蛍光体を、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂のような透明樹脂に混合・分散させた層として形成することができる。蛍光体層は、発光素子の外側を直接覆うように形成することができるが、発光素子を直接覆うように透明樹脂層を形成し、その上に前記した蛍光体を含む層を設けることも可能である。さらに、蛍光体含有樹脂をシート状に成形し加熱硬化させた蛍光体シートを、発光素子を直接覆うように形成された透明樹脂層の上に配置することもできる。
【００２０】
平均演色評価数Ｒａは、試験色を試料光源と基準光で照明したときの色ずれの大きさを数値化したものである。Ｒａが７０以上で一般照明装置として十分に高い演色性を有する。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１記載の発光装置によれば、主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する１種類の蛍光体を含有しており、かつこの蛍光体が９０〜１４０℃の高い温度範囲で使用されるので、高演色性で温度変化による色度の変化・ばらつきが抑制された、すなわち黒体輻射の軌跡からの偏差（ｄｕｖ）の小さい白色発光を得ることができる。また、基板上に配置された複数の発光素子から成る発光素子群を覆うように、前記蛍光体を含む蛍光体層が配設されているので、輝度が高い（発光量が大きい）発光装置を得ることができる。
【００２２】
請求項２記載の発光装置によれば、主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの可視光を発光する２種類以上の蛍光体を含有しており、かつこれらの蛍光体が９０〜１４０℃の高い温度範囲で使用されるので、高輝度で温度変化による色度の変化・ばらつきが抑制され、さらに演色性の向上した白色発光を得ることができる。
【００２３】
請求項３記載の発光装置によれば、高輝度・高演色性で温度変化による色度の変化・ばらつきが抑制された白色発光を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１および図２は、本発明の一実施形態に係わる発光装置を示している。図１はこの発光装置の平面図であり、図２は図１に示す発光装置をＦ−Ｆ線に沿って切断した縦断面図である。
【００２５】
図１および図２に示す発光装置（ＣＯＢモジュール）１０は、パッケージ基板、例えば装置基板１と、この装置基板１上に搭載された複数好ましくは多数の半導体発光素子である青色ＬＥＤチップ２と、回路パターン３と、蛍光体含有樹脂層４と、反射層３１と、接着層３２と、光拡散部材３３と、リフレクタ３４とを備えている。蛍光体含有樹脂層４は封止部材としても機能する。
【００２６】
半導体発光素子である青色ＬＥＤチップ２は、例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型の青色ＬＥＤチップからなり、透光性を有する素子基板２ｂ一面に半導体発光層２aを積層して形成されている。素子基板２ｂは、例えばサファイア基板で作られている。この素子基板２ｂの厚みは、回路パターン３より厚く、例えば９０μｍとする。
【００２７】
半導体発光層２ａは、素子基板２ｂの主面上に、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型半導体層を順次積層して形成されている。発光層は、バリア層とウェル層を交互に積層した量子井戸構造をなしている。ｎ型半導体層にはｎ側電極が設けられ、ｐ型半導体層上にはｐ側電極が設けられている。この半導体発光層２ａは、反射膜を有しておらず、厚み方向の双方に光を放射できる。
【００２８】
このような青色ＬＥＤチップ２は、回路パターン３を有する装置基板１上に反射層３１および接着層３２を介して搭載されている。装置基板１は、金属または絶縁材、例えば合成樹脂製の平板からなり、発光装置１０に必要とされる発光面積を得るために、所定形状、例えば長方形状をなしている。装置基板１を合成樹脂製とする場合、例えば、ガラス粉末入りのエポキシ樹脂などで形成することができる。装置基板１を金属製とする場合は、この装置基板１の裏面からの放熱性が向上し、装置基板１の各部温度を均一にすることができ、同じ波長域の光を発する半導体発光素子である青色ＬＥＤチップ２の発光色のばらつきを抑制することができる。なお、このような作用効果を奏する金属材料としては、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性に優れた材料、具体的にはアルミニウムまたはその合金を例示することができる。
【００２９】
この装置基板１上に反射層３１を介して陰極側と陽極側の回路パターン３がそれぞれ形成されている。回路パターン３は、ＣｕとＮｉの合金やＡｕなどから構成されている。そして、青色ＬＥＤチップ２の上部および周辺部に、透明樹脂に後述する蛍光体を混合し分散させた蛍光体含有樹脂が塗布・充填されており、青色ＬＥＤチップ２はこのような蛍光体含有樹脂層４により覆われている。透明樹脂としては、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられる。
【００３０】
蛍光体としては、青色ＬＥＤチップ２から放射される青色光により励起されて、主波長が５４５〜５７５ｎｍで主波長の半値幅が１２０〜１５０ｎｍの発光スペクトルを有する蛍光体を、１種類単独であるいは２種類以上混合して使用される。半値幅が１２０ｎｍ未満とより狭い発光スペクトルを有する蛍光体を、１種類あるいは２種類以上混合して使用した場合には、蛍光体温度が９０〜１４０℃と高い温度を示す場合に、より低い温度で使用する場合に比べて発光色度の偏差（ｄｕｖ）が増大し、色ずれが大きくなる。また、半値幅が１５０ｎｍを超える発光スペクトルを有する蛍光体を１種類あるいは２種類以上使用した場合には、高い発光効率を実現することが難しい。
【００３１】
青色光により励起されて主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの発光ピークを有する蛍光体としては、例えばＲＥ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体（ＲＥは、Ｙ、ＧｄおよびＬａから選ばれる少なくとも１種を示す。）などのＹＡＧ蛍光体、およびＣａ３Ｓｃ２Ｏ４：Ｃｅ蛍光体などの酸化物蛍光体がある。また、ＡＥ２ＳｉＯ４：Ｅｕ蛍光体（ＡＥは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａなどのアルカリ土類元素を示す。）蛍光体などのケイ酸塩蛍光体の中で、前記範囲の主波長および半値幅を有する蛍光体を使用することも可能である。
【００３２】
反射層３１は、所定数の青色ＬＥＤチップ２を配設し得る大きさであって、例えば装置基板１の表面全体に被着されている。反射層３１は、４００〜７４０ｎｍの波長領域で８５％以上の反射率を有する白色の絶縁材料により構成することができる。このような白色絶縁材料としては、接着シートからなるプリプレグ（pre-preg）を使用することができる。このようなプリプレグは、例えば、酸化アルミニウムなどの白色粉末が混入された熱硬化性樹脂をシート基材に含浸させて形成することができる。反射層３１はそれ自体の接着性により、装置基板１の表面となる一面に接着される。
【００３３】
回路パターン３は、各青色ＬＥＤチップ２への通電要素として、反射層３１の装置基板１が接着された面とは反対側の面に接着されている。この回路パターン３は、例えば各青色ＬＥＤチップ２を直列に接続するために、装置基板１および反射層３１の長手方向に所定間隔ごとに点在して２列に形成されている。一方の回路パターン３の列の一端側に位置する端側回路パターン３ａには、給電パターン部３ｃが一体に連続して形成され、同様に他方の回路パターン３の列の一端側に位置する端側回路パターン３ａには、給電パターン部３ｄが一体に連続して形成されている。給電パターン部３ｃ，３ｄは反射層３１の長手方向一端部に並べて設けられ、互いに離間して反射層３１により絶縁されている。これらの給電パターン部３ｃ，３ｄのそれぞれに、電源に至る図示しない電線が個別に半田付けなどで接続されるようになっている。
【００３４】
各青色ＬＥＤチップ２は、装置基板１の長手方向に隣接した回路パターン３間にそれぞれ配置され、白色の反射層３１の同一面上に接着層３２により接着されている。具体的には、半導体発光層２ａが積層された素子基板２ｂの一面と平行な他面が、接着層３２により反射層３１に接着されている。この接着により、回路パターン３および青色ＬＥＤチップ２は反射層３１の同一面上で直線状に並べられるので、この並び方向に位置した青色ＬＥＤチップ２の側面と回路パターン３とは、近接して対向するように設けられている。接着層３２の厚みは、例えば５μｍ以下とすることができる。接着層３２には、例えば５μｍ以下の厚みで光透過率が７０％以上の透光性を有した接着剤、例えばシリコーン樹脂系の接着剤を好適に使用できる。
【００３５】
各青色ＬＥＤチップ２の電極と青色ＬＥＤチップ２の両側に近接配置された回路パターン３とは、ボンディングワイヤ５で接続されている。さらに、前記２列の回路パターン３列の他端側に位置された端側回路パターン３ｂ同士も、ボンディングワイヤ５で接続されている。したがって、この実施形態の場合、各青色ＬＥＤチップ２は直列に接続されている。以上の装置基板１、反射層３１、回路パターン３、各青色ＬＥＤチップ２、接着層３２、蛍光体含有樹脂層４およびボンディングワイヤ６などにより、発光装置１０の面発光源が形成されている。
【００３６】
リフレクタ３４は、一個ないし数個の青色ＬＥＤチップ２ごとに個別に設けられるものではなく、反射層３１上の全ての青色ＬＥＤチップ２を包囲する単一のものであり、例えば長方形の枠で形成されており、青色ＬＥＤチップ２は前記枠で形成された凹部６内に配置されている。リフレクタ３４は反射層３１に接着止めされていて、その内部に複数の青色ＬＥＤチップ２および回路パターン３が収められているとともに、前記一対の給電パターン部３ｃ、３ｄはリフレクタ３４の外部に位置されている。リフレクタ３４は、例えば合成樹脂で形成することができ、その内周面は反射面となっている。リフレクタ３４の反射面は、ＡｌやＮｉなどの反射率の高い金属材料を蒸着またはメッキして形成することができるほか、可視光の反射率の高い白色塗料を塗布して形成することができる。あるいは、リフレクタ３４の成形材料中に白色粉末を混入して、リフレクタ３４自体を可視光の反射率が高い白色にすることもできる。前記白色粉末としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、硫酸バリウムなどの白色フィラーを用いることができる。なお、リフレクタ３４の反射面は、発光装置１０の照射方向に徐々に拡開するように形成することが望ましい。
【００３７】
蛍光体含有樹脂層４は、前記した所定の蛍光体を所定の配合量で混合した液状の熱硬化性樹脂を、ディスペンサなどの注入装置を用いて、反射層３１の表面および一直線上に配列された各青色ＬＥＤチップ２およびボンディングワイヤ５などを満遍なく埋めるようにして塗布、充填し、加熱により熱硬化性樹脂を硬化させることにより形成されている。
【００３８】
このように構成される実施形態の発光装置（ＣＯＢモジュール）１０においては、電流の供給により印加された電気エネルギーが、青色ＬＥＤチップ２で青色光（例えば主波長４６０ｎｍ）に変換されて放射され、放射された青色光は、蛍光体含有樹脂層４中に含有された９０〜１４０℃の高い温度を示す蛍光体により、より長波長（主波長５４５〜５７５ｎｍ）で半値幅の広い（半値幅１２０〜１５０ｎｍ）光に変換される。そして、青色ＬＥＤチップ２から放射される青色光とこれらの蛍光体の発光色とが混色された色である白色光が、発光装置１０から放出される。
【００３９】
こうして実施形態の発光装置（ＣＯＢモジュール）１においては、Ｒａが７０以上と演色性が高く、かつ温度変化による色度の変化が抑制された白色発光を得ることができる。また、装置基板１上に搭載された複数の青色ＬＥＤチップ２から成る発光素子群を覆うように、前記蛍光体を含む蛍光体層が配設されているので、輝度が高い（発光量が大きい）発光装置を得ることができる。
【００４０】
なお、本発明の実施形態の発光装置（ＣＯＢモジュール）１０は、以下に示す理由により、蛍光体温度が９０〜１４０℃を示すような態様で使用されるものである。すなわち、主波長５６５ｎｍで半値幅１３０ｎｍの１種類の蛍光体（後述する実施例１の蛍光体）と、主波長５４０ｎｍで半値幅１２０ｎｍの蛍光体と主波長５７５ｎｍで半値幅１０５ｎｍの蛍光体との混合物（後述する比較例の蛍光体）を、それぞれシリコーン樹脂に混合・分散させて得られた蛍光体含有樹脂を、波長４６０ｎｍの青色光を発光するＬＥＤチップが配置された深さ１．０ｍｍ、開口径３ｍｍのカップ内に充填した後、シリコーン樹脂を硬化させた。これらのＬＥＤランプを、蛍光体温度を２５℃から２２５℃の範囲で変化させて発光させ、ゴニオ法を用いて発光効率（輝度）を測定した。測定結果を図３に示す。なお、蛍光体温度は、青色ＬＥＤチップに直接接する蛍光体含有樹脂層の最高温度であるジャンクション温度を指すものとする。また、発光効率（輝度）は、各蛍光体について、蛍光体温度が２５℃のときの発光効率を１００％としたときの相対値である。
【００４１】
図３のグラフからわかるように、蛍光体温度が９０℃未満である使用態様では、半値幅が狭い蛍光体の混合物である比較例の蛍光体を使用した場合も、半値幅が広い実施例１の蛍光体を使用した場合も、発光効率（輝度）の温度特性にほとんど差がない。したがって、蛍光体温度が９０℃未満の場合には、半値幅が広い（１２０〜１５０ｎｍ）蛍光体を１種類あるいは２種類以上使用することによる効果（色ずれの抑制およびそれによる輝度低下の防止）がほとんど現出しない。
【００４２】
また、蛍光体温度が１４０℃を超える態様は、発光素子および封止樹脂などの使用限界温度を超えるので、これらの材料が劣化し十分な発光特性を得ることができない。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明の実施例および比較例について記載する。
【００４４】
実施例１〜６、比較例
青色ＬＥＤチップ（主波長４６０ｎｍ）による発光の主波長および半値幅が、表１および表２に示す値を有する１種類または２種類の蛍光体を使用し、以下に示すようにして図１の発光装置（ＣＯＢモジュール）１０を作製した。
【００４５】
まず、各蛍光体をシリコーン樹脂中に所定の割合で混合し、分散させた。そして、得られた蛍光体含有シリコーン樹脂を、開口部の大きさが６０ｍｍ×６０ｍｍのリフレクタ３４内にディスペンサで充填した後、シリコーン樹脂を硬化させた。こうして、光路長１．０ｍｍの蛍光体含有樹脂層４を形成した。なお、光路長とは、青色ＬＥＤチップ２（主波長４６０ｎｍ、１６列配置、４直）の上面より光取り出し側の蛍光体含有樹脂層４の厚さを意味する。
【００４６】
こうして作製された発光装置（ＣＯＢモジュール）１０について、青色ＬＥＤチップ２に供給する電流値を２０ｍＡとして発光させた。このときの発光スペクトルを、分光光度計（大塚電子社製、瞬間分光光度計ＭＣＰＤ−７０００）を用いて測定し、発光スペクトルから色温度と、色の偏差（ｄｕｖ）および平均演色評価数Ｒａをそれぞれ算出した。これらの測定結果を表１および表２に示す。また、このとき（供給電流値２０ｍＡ）の蛍光体温度に相当するジャンクション温度を測定したところ、９０℃であった。
【００４７】
さらに、青色ＬＥＤチップ２に供給する電流値を３０ｍＡおよび４０ｍＡとし、それぞれの電流値における発光スペクトルを測定し、発光スペクトルから色温度と色の偏差（ｄｕｖ）および平均演色評価数Ｒａをそれぞれ算出した。そして、各供給電流値において、供給電流値２０ｍＡにおける偏差（ｄｕｖ）からの変動値Δｄｕｖを、以下の式により求めた。
Δｄｕｖ＝（３０ｍＡまたは４０ｍＡにおける偏差（ｄｕｖ））−（２０ｍＡにおける偏差（ｄｕｖ））
【００４８】
これらの測定結果を表１および表２にそれぞれ示す。また、このときの蛍光体温度に相当するジャンクション温度を測定したところ、供給電流値が３０ｍＡのときジャンクション温度は１１５℃であり、供給電流値が４０ｍＡのときジャンクション温度は１３０℃であった。
【００４９】
【表１】
2009111273.tif 000003
【００５０】
【表２】
2009111273.tif 000004
【００５１】
表１から明らかなように、実施例１〜３で得られた発光装置（ＣＯＢモジュール）は、主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの光（黄色光）を発光する１種類の蛍光体を有しているので、青色ＬＥＤチップに供給する電流値が２０ｍＡから３０ｍＡおよび４０ｍＡに増大して、蛍光体温度が９０℃以上に上昇した場合も、Ｒａが７０〜７５の高い演色性を示すとともに、発光色度の温度による変化が極めて少なく、偏差（ｄｕｖ）の変動値Δｄｕｖが極めて小さかった。
【００５２】
それに対して、比較例のＣＯＢモジュールは、青色ＬＥＤチップに供給する電流値が２０ｍＡでは発光色度の偏差（ｄｕｖ）が０．００００であったが、供給電流値が３０ｍＡおよび４０ｍＡに増大して蛍光体温度が９０℃以上に上昇した場合には、発光色度が大きく変化し、偏差の変動値Δｄｕｖが色変化許容値（±０．００２０）を超えた。
【００５３】
また、表２から明らかなように、実施例４〜６で得られた発光装置（ＣＯＢモジュール）は、主波長が５４５〜５７５ｎｍで半値幅が１２０〜１５０ｎｍの光（黄色光）を発光する２種類の蛍光体をそれぞれ有しているので、青色ＬＥＤチップに供給する電流値が２０ｍＡから３０ｍＡおよび４０ｍＡに増大して、蛍光体温度が９０℃以上に上昇した場合も、Ｒａが７５〜８０を示し、実施例１〜３と比べてさらに高い演色性を示した。また、発光色度の温度による変化が少なく、偏差（ｄｕｖ）の変動値Δｄｕｖが小さかった。
【００５４】
さらに、実施例１で使用された蛍光体（主波長５６５ｎｍで半値幅１３０ｎｍの１種類の蛍光体）と比較例で使用された蛍光体（主波長５４０ｎｍで半値幅１２０ｎｍの蛍光体と主波長５７５ｎｍで半値幅１０５ｎｍの蛍光体との混合物）のそれぞれについて、蛍光体温度（ジャンクション温度）を２５℃から１２０℃に上昇させたときの発光色のずれ（主波長の変化）を求めたところ、実施例１の蛍光体では−１ｎｍであるのに対して、比較例の蛍光体では発光の色ずれが−２ｎｍとなり、実施例１の蛍光体層の方が色ずれが少ないことが確かめられた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の発光装置をＣＯＢモジュールに適用した実施形態の構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すＣＯＢモジュールのＦ−Ｆ線断面図である。
【図３】実施例１の蛍光体と比較例の蛍光体とのそれぞれについて、蛍光体温度を変化させて発光効率（輝度）を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５６】
１０…ＣＯＢモジュール、１…基板、２…青色ＬＥＤチップ、３…回路パターン、４…蛍光体含有樹脂層、５…ボンディングワイヤ、３１…反射層、３２…接着層、３３…光拡散部材、３４…リフレクタ。
【図１】
2009111273.tif 000005
【図２】
2009111273.tif 000006
【図３】
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