(57)【要約】【課題】選択した信号にスパイク状のノイズが重畳されることがなく、且つコストを低減することができる信号選択装置、及び当該信号選択装置を備える半導体試験装置を提供する。【解決手段】信号選択装置１は、論理パターンＰ１と固定パターンＰ２との何れか一方を選択するマルチプレクサ２３ａと、高電圧論理パターンＰ３と固定パターンＰ４との何れか一方を選択するマルチプレクサ２３ｂと、出力端が出力リレー１３に接続されてマルチプレクサ２３ａで選択されたパターンＰ１１に基づいて信号Ｓ１１を生成する信号生成部１２ａと、出力端が高電圧出力リレー１４に接続されてマルチプレクサ２３ｂで選択されたパターンＰ１２に基づいて高電圧信号Ｓ１２を生成する信号生成部１２ｂとを備えており、出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４の開閉状態を切り替えて信号Ｓ１１及び高電圧信号Ｓ１２の何れか一方を信号Ｓ１３として出力する。【選択図】図１
2009025129.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１信号の信号経路上に設けられた第１半導体スイッチと、第２信号の信号経路上に設けられた第２半導体スイッチとを備え、当該第１，第２半導体スイッチの開閉状態を切り替えて前記第１，第２信号の何れか一方を選択して出力する信号選択装置において、
所定の論理パターンと論理レベルが固定された第１固定パターンとの何れか一方を選択する第１選択器と、
所定の論理パターンと論理レベルが固定された第２固定パターンとの何れか一方を選択する第２選択器と、
出力端が前記第１半導体スイッチに接続され、前記第１選択器で選択されたパターンに基づいて前記第１信号を生成する第１信号生成部と、
出力端が前記第２半導体スイッチに接続され、前記第２選択器で選択されたパターンに基づいて前記第２信号を生成する第２信号生成部と
を備えることを特徴とする信号選択装置。
【請求項２】
前記第１信号生成部は、前記第１信号の上限電圧値及び下限電圧値をそれぞれ設定する第１電圧設定部と、
前記第１選択器で選択されたパターンのレベルに応じて、前記第１電圧設定部で設定された上限電圧値又は下限電圧値を出力する第１ドライバとを備え、
前記第２信号生成部は、前記第２信号の上限電圧値及び下限電圧値をそれぞれ設定する第２電圧設定部と、
前記第２選択器で選択されたパターンのレベルに応じて、前記第２電圧設定部で設定された上限電圧値又は下限電圧値を出力する第２ドライバとを備える
ことを特徴とする請求項１記載の信号選択装置。
【請求項３】
前記第１選択器で選択される前記所定の論理パターンと前記第２選択器で選択される前記所定の論理パターンとは異なるパターンであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の信号選択装置。
【請求項４】
前記第１選択器には前記所定の論理パターンとして第１論理パターンが入力され、
前記第１論理パターンと、前記第１論理パターンとは異なる第２論理パターンとの何れか一方を選択して前記第２選択器に出力する論理パターン選択器を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の信号選択装置。
【請求項５】
第１論理レベルに固定された第１レベル固定パターンと、前記第１論理レベルとは異なる第２論理レベルに固定された第２レベル固定パターンとの何れか一方を選択して前記第１固定パターンとして前記第１選択器に出力する第１固定パターン選択器と、
前記第１レベル固定パターンと前記第２レベル固定パターンとの何れか一方を選択して前記第２固定パターンとして前記第２選択器に出力する第２固定パターン選択器と
を備えることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の信号選択装置。
【請求項６】
少なくとも前記第１信号生成部及び前記第２信号生成部は組となって集積化されていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の信号選択装置。
【請求項７】
被測定デバイスに試験信号を印加して得られる信号に基づいて前記被測定デバイスの試験を行う半導体試験装置において、
前記被測定デバイスに対する入出力インターフェイスとしてのピンエレクトロニクス部に請求項１から請求項６の何れか一項に記載の信号選択装置を備えており、当該信号選択装置で選択された信号を前記試験信号として前記被測定デバイスに印加することを特徴とする半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の信号から１つの信号を選択して出力する信号選択装置、及び当該信号選択装置を備える半導体試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号選択装置は複数の信号のうちの１つを選択して出力する必要のある様々な用途に用いられる。例えば、被測定デバイス（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）という）の試験を行う半導体試験装置では、ＤＵＴに対する入出力インターフェイスとしてのピンエレクトロニクス部において、電圧が異なる複数の信号から１つの信号を選択してＤＵＴに印加するために多用されている。
【０００３】
図３は、半導体試験装置のピンエレクトロニクス部に設けられる従来の信号選択装置の構成を示すブロック図である。図３に示す信号選択装置１００は、レベル発生器１０１ａ，１０１ｂ、ドライバ１０２、出力リレー１０３、高電圧切替リレー１０４、高電圧出力リレー１０５、及び高電圧発生用アンプ１０６を備えており、パターン発生器１１０から出力される所定のパターンＰ１０１から得られる信号Ｓ１０１及び高電圧信号Ｓ１０２の何れか一方の信号を選択して信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加する。
【０００４】
ドライバ１０２は、パターン発生器１１０から出力されるパターンＰ１０１に応じて、レベル発生器１０１ａで設定される上限電圧値とレベル発生器１０１ｂで設定される下限電圧値とによって規定される電圧範囲内において増幅した信号Ｓ１０１を生成する。或いは、パターン発生器１１０から出力されるパターンＰ１０１のレベルに応じて、レベル発生器１０１ａで設定される上限電圧値とレベル発生器１０１ｂで設定される下限電圧値との何れか一方を出力することにより信号Ｓ１０１を生成する。
【０００５】
出力リレー１０３はドライバ１０２の出力端とＤＵＴ１１１との間を接続又は遮断する。高電圧切替リレー１０４はドライバ１０２の出力端と高電圧発生用アンプ１０６の入力端との間を接続又は遮断し、高電圧出力リレー１０５は高電圧発生用アンプ１０６の出力端とＤＵＴ１１１との間を接続又は遮断する。高電圧発生用アンプ１０６は、ドライバ１０２から出力される信号Ｓ１０１を所定の増幅率で増幅（例えば、ｎ倍）した高電圧信号Ｓ１０２を生成する。
【０００６】
上記構成の信号選択装置１００において、パターン発生器１１０からパターンＰ１０１が出力されると、ドライバ１０２においてパターンＰ１０１に応じた増幅等がなされて信号Ｓ１０１が生成される。ここで、出力リレー１０３が閉状態である場合には、信号Ｓ１０１が出力リレー１０３を介して信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される。これに対し、高電圧切替リレー１０４及び高電圧出力リレー１０５が閉状態である場合には、ドライバ１０２で生成された信号Ｓ１０１が高電圧切替リレー１０４を介して高電圧発生用アンプ１０６に入力されて高電圧信号Ｓ１０２が生成される。そして、この高電圧信号Ｓ１０２が高電圧出力リレー１０５を介して信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される。このようにして、信号Ｓ１０１及び高電圧信号Ｓ１０２の何れか一方が選択されて信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される。尚、出力リレー１０３は信号Ｓ１０３として高速な信号をＤＵＴ１１１に印加する場合に閉状態とされ、高電圧切替リレー１０４及び高電圧出力リレー１０５は比較的低速で高電圧の信号をＤＵＴ１１１に印加する場合に閉状態とされる。
【０００７】
図４は、半導体試験装置のピンエレクトロニクス部に設けられる従来の信号選択装置の他の構成を示すブロック図である。尚、図４においては、図３に示した構成と同一の構成には同一の符号を付してある。図４に示す信号選択装置２００は、図３に示す信号選択装置１００が備える高電圧切替リレー１０４を省略してレベル発生器２０１を設け、このレベル発生器２０１を高電圧発生用アンプ１０６の入力端に接続した構成である。レベル発生器２０１は所定の直流電圧を発生するものであり、この直流電圧が高電圧発生用アンプ１０６に入力されると高電圧直流信号Ｓ１１０が生成される。
【０００８】
上記構成の信号選択装置２００において、パターン発生器１１０からパターンＰ１０１が出力されると、ドライバ１０２においてパターンＰ１０１に応じた増幅等がなされて信号Ｓ１０１が生成される。ここで、出力リレー１０３が閉状態である場合には、信号Ｓ１０１が出力リレー１０３を介して信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される。これに対し、高電圧出力リレー１０５が閉状態である場合には、高電圧発生用アンプ１０６で生成された高電圧直流信号Ｓ１１０が高電圧出力リレー１０５を介して信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される。尚、図４に示す信号選択装置の詳細については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
【特許文献１】特開平１１−３２６４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、半導体試験装置のピンエレクトロニクス部に設けられる信号選択装置１００，２００が備える各種リレー（出力リレー１０３、高電圧切替リレー１０４、高電圧出力リレー１０５）は、フォトモスリレー等の半導体スイッチが用いられることが多い。かかる半導体スイッチは、機械式のリレーとは異なり、開状態のときにその両端を電気的に完全に分離するのは困難である。このため、選択する信号の切り替え時、或いは信号選択装置１００，２００の動作時に、ＤＵＴ１１１に印加される信号Ｓ１０３にスパイク状のノイズが重畳されてしまうという問題があった。
【００１０】
図５は、信号選択装置１００によってＤＵＴ１１１に印加される信号Ｓ１０３の波形の一例を示す図であって、（ａ）は信号Ｓ１０３が高速な信号である場合の図であり、（ｂ）は信号Ｓ１０３が低速で高電圧の信号である場合の図である。信号Ｓ１０３が高速な信号である場合には、出力リレー１０３が閉状態にされて高電圧切替リレー１０４及び高電圧出力リレー１０５が開状態にされるが、信号Ｓ１０１の一部が高電圧切替リレー１０４を通り抜けて高電圧発生用アンプ１０６で増幅されて高電圧信号Ｓ１０２が生成される。そして、この高電圧信号Ｓ１０２が高電圧出力リレー１０５を通り抜け、出力リレー１０３を介した信号Ｓ１０１と重畳される。この結果として、図５（ａ）に示す通り、信号Ｓ１０３の波形は、信号Ｓ１０１に対してスパイク状のノイズＮ１が重畳された波形になってしまう。
【００１１】
他方、信号Ｓ１０３が低速で高電圧の信号である場合には、高電圧切替リレー１０４及び高電圧出力リレー１０５が閉状態にされて出力リレー１０３が開状態にされるが、信号Ｓ１０１の一部が出力リレー１０３を通り抜け、高電圧出力リレー１０５を介した高電圧信号Ｓ１０２と重畳される。この結果として、図５（ｂ）に示す通り、信号Ｓ１０３の波形は、高電圧信号Ｓ１０２にスパイク状のノイズＮ２が重畳された波形になってしまう。
【００１２】
図６は、信号選択装置２００によって高電圧直流信号Ｓ１１０を信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加する場合の波形の一例を示す図である。高電圧直流信号Ｓ１１０が信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加される場合には、出力リレー１０３が開状態にされて高電圧出力リレー１０５が閉状態にされる。高電圧直流信号Ｓ１１０を印加する場合においてもドライバ１０２からは信号Ｓ１０１が出力され続けるため、信号Ｓ１０１の一部が出力リレー１０３を通り抜け、高電圧出力リレー１０５を介した高電圧直流信号Ｓ１１０と重畳される。この結果として、図６に示す通り、信号Ｓ１０３の波形は、高電圧直流信号Ｓ１１０にスパイク状のノイズＮ３が重畳された波形になってしまう。
【００１３】
更に、図３，図４に示す信号選択装置１００，２００においては、ドライバ１０２及びレベル発生器１０１ａ，１０１ｂを含むアンプ部のみが半導体集積回路に集積されることが多く、このアンプ部とは別に集積化されない高電圧発生用アンプ１０６を独立に実装する必要があった。このため、信号選択装置１００，２００は、半導体集積回路とは別に高電圧発生用アンプ１０６を実装する必要があり、これがコスト上昇の一因になっていたという問題があった。
【００１４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、選択した信号にスパイク状のノイズが重畳されることがなく、且つコストを低減することができる信号選択装置、及び当該信号選択装置を備える半導体試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の信号選択装置は、第１信号（Ｓ１１）の信号経路上に設けられた第１半導体スイッチ（１３）と、第２信号（Ｓ１２）の信号経路上に設けられた第２半導体スイッチ（１４）とを備え、当該第１，第２半導体スイッチの開閉状態を切り替えて前記第１，第２信号の何れか一方を選択して出力する信号選択装置（１、２）において、所定の論理パターン（Ｐ１）と論理レベルが固定された第１固定パターン（Ｐ２）との何れか一方を選択する第１選択器（２３ａ）と、所定の論理パターン（Ｐ３）と論理レベルが固定された第２固定パターン（Ｐ４）との何れか一方を選択する第２選択器（２３ｂ）と、出力端が前記第１半導体スイッチに接続され、前記第１選択器で選択されたパターンに基づいて前記第１信号を生成する第１信号生成部（１２ａ）と、出力端が前記第２半導体スイッチに接続され、前記第２選択器で選択されたパターンに基づいて前記第２信号を生成する第２信号生成部（１２ｂ）とを備えることを特徴としている。
この発明によると、第１半導体スイッチが閉状態で第２半導体スイッチが開状態である場合には、第１選択器で所定の論理パターンが選択されるとともに第２選択器で第２固定パターンが選択され、選択された所定の論理パターンに基づいて第１信号が生成されるとともに選択された第２固定パターンに基づいて第２信号が生成され、第１信号が閉状態である第１半導体スイッチを介して出力される。他方、第２半導体スイッチが閉状態で第１半導体スイッチが開状態である場合には、第２選択器で所定の論理パターンが選択されるとともに第１選択器で第１固定パターンが選択され、選択された所定の論理パターンに基づいて第２信号が生成されるとともに選択された第１固定パターンに基づいて第１信号が生成され、第２信号が閉状態である第２半導体スイッチを介して出力される。
また、本発明の信号選択装置は、前記第１信号生成部が、前記第１信号の上限電圧値及び下限電圧値をそれぞれ設定する第１電圧設定部（２５ａ、２５ｂ）と、前記第１選択器で選択されたパターンのレベルに応じて、前記第１電圧設定部で設定された上限電圧値又は下限電圧値を出力する第１ドライバ（２６）とを備え、前記第２信号生成部が、前記第２信号の上限電圧値及び下限電圧値をそれぞれ設定する第２電圧設定部（２７ａ、２７ｂ）と、前記第２選択器で選択されたパターンのレベルに応じて、前記第２電圧設定部で設定された上限電圧値又は下限電圧値を出力する第２ドライバ（２８）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の信号選択装置は、前記第１選択器で選択される前記所定の論理パターンと前記第２選択器で選択される前記所定の論理パターンとは異なるパターンであることを特徴としている。
また、本発明の信号選択装置は、前記第１選択器には前記所定の論理パターンとして第１論理パターンが入力され、前記第１論理パターンと、前記第１論理パターンとは異なる第２論理パターンとの何れか一方を選択して前記第２選択器に出力する論理パターン選択器を備えることを特徴としている。
また、本発明の信号選択装置は、第１論理レベルに固定された第１レベル固定パターン（Ｐ２２）と、前記第１論理レベルとは異なる第２論理レベルに固定された第２レベル固定パターン（Ｐ２１）との何れか一方を選択して前記第１固定パターンとして前記第１選択器に出力する第１固定パターン選択器（３４ａ）と、前記第１レベル固定パターンと前記第２レベル固定パターンとの何れか一方を選択して前記第２固定パターンとして前記第２選択器に出力する第２固定パターン選択器（３４ｂ）とを備えることを特徴としている。
また、本発明の信号選択装置は、少なくとも前記第１信号生成部及び前記第２信号生成部は組となって集積化されていることを特徴としている。
本発明の半導体試験装置は、被測定デバイス（４０）に試験信号（Ｓ１３）を印加して得られる信号に基づいて前記被測定デバイスの試験を行う半導体試験装置において、前記被測定デバイスに対する入出力インターフェイスとしてのピンエレクトロニクス部に上記の何れかに記載の信号選択装置を備えており、当該信号選択装置で選択された信号を前記試験信号として前記被測定デバイスに印加することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第２半導体スイッチが開状態の場合には第２選択器で第２固定パターンを選択して第２信号生成部に出力し、第１半導体スイッチが開状態の場合には第１選択器で第１固定パターンを選択して第１信号生成部に出力しているため、時間とともに電圧値が変化する信号が開状態にある第１半導体スイッチ又は第２半導体スイッチを通り抜けることはなく、この結果として、選択した信号がスパイク状のノイズが重畳された信号となることはないという効果がある。
また、本発明によれば、少なくとも第１信号生成部及び第２信号生成部が、第１，第２半導体スイッチとともに集積化されているためコストを低減することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態による信号選択装置及び半導体試験装置について詳細に説明する。尚、以下の説明では、半導体試験装置のピンエレクトロニクス部（被測定デバイス（ＤＵＴ）に対する入出力インターフェイス）に設けられる信号選択装置を例に挙げて説明する。また、以下では、説明を簡単にするため、ＤＵＴの１つのピンに印加する信号を選択する信号選択装置のみについて説明するが、半導体試験装置のピンエレクトロニクス部にはＤＵＴの他のピンに印加する信号を選択する信号選択装置が複数設けられている。
【００１８】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態による信号選択装置の要部構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の信号選択装置１は、パターン選択部１１ａ，１１ｂ、信号生成部１２ａ（第１信号生成部）、信号生成部１２ｂ（第２信号生成部）、出力リレー１３（第１半導体スイッチ）、及び高電圧出力リレー１４（第２半導体スイッチ）を備えており、信号生成部１２ａで生成される信号Ｓ１１（第１信号）及び信号生成部１２ｂで生成される高電圧信号Ｓ１２（第２信号）の何れか一方の信号を選択して信号Ｓ１３として出力する。この信号選択装置１で選択された信号Ｓ１３が信号出力端１０を介してＤＵＴ４０の１つのピンに印加される。
【００１９】
パターン選択部１１ａは、論理パターン発生器２１ａ、固定パターン発生器２２ａ、マルチプレクサ２３ａ（第１選択器）、及び選択信号設定部２４ａを備える。論理パターン発生器２１ａは、ＤＵＴ４０に印加する高速な信号を生成するための論理パターンＰ１（所定の論理パターン）を発生する。固定パターン発生器２２ａは、「Ｈ（ハイ）」レベル（第１論理レベル）又は「Ｌ（ロー）」レベル（第２論理レベル）に固定された固定パターンＰ２（第１固定パターン）を発生する。上記の論理パターンＰ１及び固定パターンＰ２は共に差動信号である。
【００２０】
マルチプレクサ２３ａは、選択信号設定部２４ａから出力される選択信号ＳＬ１に応じて、論理パターン発生器２１ａから出力される論理パターンＰ１及び固定パターン発生器２２ａから出力される固定パターンＰ２の何れか一方を選択してパターンＰ１１として出力する。尚、マルチプレクサ２３ａから出力されるパターンＰ１１も差動信号である。選択信号設定部２４ａには、マルチプレクサ２３ａに入力される論理パターンＰ１及び固定パターンＰ２のうちの何れを選択するかを示す選択信号ＳＬ１が設定される。
【００２１】
パターン選択部１１ｂは、高電圧論理パターン発生器２１ｂ、固定パターン発生器２２ｂ、マルチプレクサ２３ｂ（第２選択器）、及び選択信号設定部２４ｂを備える。高電圧論理パターン発生器２１ｂは、ＤＵＴ４０に印加する低速で高電圧の信号を生成するための高電圧論理パターンＰ３（所定の論理パターン）を発生する。この高電圧論理パターンＰ３は、論理パターン発生器２１ａから出力される論理パターンＰ１とは異なるパターンである。尚、高電圧論理パターン発生器２１ｂが発生する高電圧論理パターンＰ３は、あくまでも後述する高電圧ドライバ２８に与える論理パターン（高電圧を発生させるための論理パターン）であって、これ自体が高電圧ではない点に注意されたい。固定パターン発生器２２ｂは、「Ｈ」レベル又は「Ｌ」レベルに固定された固定パターンＰ４（第２固定パターン）を発生する。尚、高電圧論理パターンＰ３及び固定パターンＰ４は共に差動信号である。
【００２２】
マルチプレクサ２３ｂは、選択信号設定部２４ｂから出力される選択信号ＳＬ２に応じて、高電圧論理パターン発生器２１ｂから出力される高電圧論理パターンＰ３及び固定パターン発生器２２ｂから出力される固定パターンＰ４の何れか一方を選択してパターンＰ１２として出力する。尚、マルチプレクサ２３ｂから出力されるパターンＰ１２も差動信号である。選択信号設定部２４ｂには、マルチプレクサ２３ｂに入力される高電圧論理パターンＰ３及び固定パターンＰ４のうちの何れを選択するかを示す選択信号ＳＬ２が設定される。
【００２３】
信号生成部１２ａは、Ｈレベル発生器２５ａ（第１電圧設定部）、Ｌレベル発生器２５ｂ（第１電圧設定部）、及びドライバ２６（第１ドライバ）を備えており、パターン選択部１１ａのマルチプレクサ２３ａで選択されたパターンＰ１１に基づいて信号Ｓ１１を生成する。具体的には、Ｈレベル発生器２５ａは信号Ｓ１１の上限電圧値を設定する信号を発生し、Ｌレベル発生器２５ｂは信号Ｓ１１の下限電圧値を設定する信号を発生する。ドライバ２６は、マルチプレクサ２３ａで選択されたパターンＰ１１のレベル（論理レベル）に応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定された上限電圧値とＬレベル発生器２５ｂで設定された下限電圧値との何れか一方を出力することにより信号Ｓ１１を生成する。或いは、マルチプレクサ２３ａで選択されたパターンＰ１１に応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定された上限電圧値とＬレベル発生器２５ｂで設定された下限電圧値とによって規定される電圧範囲内において増幅した信号Ｓ１１を生成する。尚、以下の説明では、ドライバ２６は前者の機能を有するものであるとする。
【００２４】
信号生成部１２ｂは、Ｈレベル発生器２７ａ（第２電圧設定部）、Ｌレベル発生器２７ｂ（第２電圧設定部）、及び高電圧ドライバ２８（第２ドライバ）を備えており、パターン選択部１１ｂのマルチプレクサ２３ｂで選択されたパターンＰ１２に基づいて高電圧信号Ｓ１２を生成する。具体的には、Ｈレベル発生器２７ａは高電圧信号Ｓ１２の上限電圧値を設定する信号を発生し、Ｌレベル発生器２７ｂは高電圧信号Ｓ１２の下限電圧値を設定する信号を発生する。高電圧ドライバ２８は、マルチプレクサ２３ｂで選択されたパターンＰ１２のレベル（論理レベル）に応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定された上限電圧値とＬレベル発生器２７ｂで設定された下限電圧値との何れか一方を出力することにより信号Ｓ１２を生成する。或いは、マルチプレクサ２３ｂで選択されたパターンＰ１２に応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定された上限電圧値とＬレベル発生器２７ｂで設定された下限電圧値とによって規定される電圧範囲内において増幅した高電圧信号Ｓ１２を生成する。尚、以下の説明では、高電圧ドライバ２８は前者の機能を有するものであるとする。
【００２５】
出力リレー１３は、ドライバ２６の出力端と信号選択装置１の信号出力端１０との間の接続又は遮断するものであり、フォトモスリレー等の半導体スイッチが用いられる。また、高電圧出力リレー１４は、高電圧ドライバ２８の出力端と信号選択装置１の信号出力端１０との間の接続又は遮断するものであり、フォトモスリレー等の半導体スイッチが用いられる。尚、選択信号設定部２４ａ，２４ｂに対する選択信号ＳＬ１，ＳＬ２の設定、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定、並びに出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４の開閉制御は、半導体試験装置に設けられる不図示の制御部によって行われる。
【００２６】
尚、図１に示す信号選択装置１において、信号生成部１２ａ，１２ｂは組となって集積され、更には出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４とともに集積化されている。これにより、図３，図４に示す従来の信号選択装置に比べてコストを低減することができる。また、更なるコストの低減を図るには、これら信号生成部１２ａ，１２ｂ並びに出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４に加えてパターン選択部１１ａ，１１ｂも集積化するのが望ましい。
【００２７】
上記構成の信号選択装置１において、ＤＵＴ４０に対して高速な信号を印加する場合には、出力リレー１３が閉状態にされるとともに、高電圧出力リレー１４が開状態にされる。また、かかる場合には、選択信号設定部２４ａには論理パターンＰ１を選択する旨を示す選択信号ＳＬ１が設定され、選択信号設定部２４ｂには固定パターンＰ４を選択する旨を示す選択信号ＳＬ２が設定される。尚、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定は、不図示の制御部によって適宜行われているとする。
【００２８】
以上の設定がなされた後に信号選択装置１の動作が開始されると、論理パターン発生器２１ａからは論理パターンＰ１が出力され、固定パターン発生器２２ｂからは固定パターンＰ４が出力される。論理パターン発生器２１ａから出力された論理パターンＰ１はマルチプレクサ２３ａで選択されてパターンＰ１１として信号生成部１２ａに出力される。他方、固定パターン発生器２２ｂから出力された固定パターンＰ４はマルチプレクサ２３ｂで選択されてパターンＰ１２として信号生成部１２ｂに出力される。
【００２９】
パターンＰ１１が信号生成部１２ａに入力されると、パターンＰ１１のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２５ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより信号Ｓ１１が生成される。同様に、パターンＰ１２が信号生成部１２ｂに入力されると、パターンＰ１２のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２７ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより高電圧信号Ｓ１２が生成される。
【００３０】
出力リレー１３は閉状態であるため、信号生成部１２ａで生成された信号Ｓ１１は、出力リレー１３を介して信号Ｓ１３として信号選択装置１の信号出力端１０から出力され、ＤＵＴ４０の１つのピンに印加される。これに対し、高電圧出力リレー１４は開状態であるため、高電圧信号Ｓ１２は遮断される。ここで、高電圧信号Ｓ１２は、固定パターン発生器２２ｂからの固定パターンＰ４がマルチプレクサ２３ｂで選択されて生成されたものであって、電圧値が一定の信号である。
【００３１】
このため、高電圧出力リレー１４が開状態のときにその両端が電気的に完全に分離されておらず、高電圧信号Ｓ１２の一部が高電圧出力リレー１４を通り抜けて出力リレー１３を介した信号Ｓ１１と重畳されても、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３は、スパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。尚、論理パターン発生器２１ａと高電圧論理パターン発生器２１ｂとを共に動作させ、論理パターンＰ１とともに高電圧論理パターンＰ３を発生させている場合にも、マルチプレクサ２３ｂで固定パターンＰ４を選択しているため、信号Ｓ１３はスパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。
【００３２】
次に、ＤＵＴ４０に対して低速で高電圧の信号を印加する場合には、高電圧出力リレー１４が閉状態にされるとともに、出力リレー１３が開状態にされる。また、かかる場合には、選択信号設定部２４ａには固定パターンＰ２を選択する旨を示す選択信号ＳＬ１が設定され、選択信号設定部２４ｂには高電圧論理パターンＰ３を選択する旨を示す選択信号ＳＬ２が設定される。尚、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定は、不図示の制御部によって適宜行われているとする。
【００３３】
以上の設定がなされた後に信号選択装置１の動作が開始されると、高電圧論理パターン発生器２１ｂからは高電圧論理パターンＰ３が出力され、固定パターン発生器２２ａからは固定パターンＰ２が出力される。高電圧論理パターン発生器２１ｂから出力された高電圧論理パターンＰ３はマルチプレクサ２３ｂで選択されてパターンＰ１２として信号生成部１２ｂに出力される。他方、固定パターン発生器２２ａから出力された固定パターンＰ２はマルチプレクサ２３ａで選択されてパターンＰ１１として信号生成部１２ａに出力される。
【００３４】
パターンＰ１２が信号生成部１２ｂに入力されると、パターンＰ１２のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２７ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより高電圧信号Ｓ１２が生成される。同様に、パターンＰ１１が信号生成部１２ａに入力されると、パターンＰ１１のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２５ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより信号Ｓ１１が生成される。
【００３５】
高電圧出力リレー１４は閉状態であるため、信号生成部１２ｂで生成された高電圧信号Ｓ１２は、高電圧出力リレー１４を介して信号Ｓ１３として信号選択装置１の信号出力端１０から出力され、ＤＵＴ４０の１つのピンに印加される。これに対し、出力リレー１３は開状態であるため、信号Ｓ１１は遮断される。ここで、信号Ｓ１１は、固定パターン発生器２２ａからの固定パターンＰ２がマルチプレクサ２３ａで選択されて生成されたものであって、電圧値が一定の信号である。
【００３６】
このため、出力リレー１３が開状態のときにその両端が電気的に完全に分離されておらず、信号Ｓ１１の一部が出力リレー１３を通り抜けて高電圧出力リレー１４を介した信号Ｓ１２と重畳されても、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３は、スパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。尚、高電圧論理パターン発生器２１ｂと論理パターン発生器２１ａとを共に動作させ、高電圧論理パターンＰ３とともに論理パターンＰ１を発生させている場合にも、マルチプレクサ２３ａで固定パターンＰ２を選択しているため、信号Ｓ１３はスパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。
【００３７】
以上の通り、本実施形態による信号選択装置１においては、出力端が出力リレー１３に接続されたドライバ２６に対し、論理パターンＰ１及び固定パターンＰ２の何れか一方を選択して出力するマルチプレクサ２３ａを設けるとともに、出力端が高電圧出力リレー１４に接続された高電圧ドライバ２８に対し、高電圧論理パターンＰ３及び固定パターンＰ４の何れか一方を選択して出力するマルチプレクサ２３ｂを設けている。そして、出力リレー１３が開状態の場合にはマルチプレクサ２３ａで固定パターンＰ２を選択してドライバ２６に出力し、高電圧出力リレー１４が開状態の場合にはマルチプレクサ２３ｂで固定パターンＰ４を選択して高電圧ドライバ２８に出力している。このため、時間とともに電圧値が変化する信号が開状態にある出力リレー１３又は高電圧出力リレー１４を通り抜けることはなく、この結果として、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３がスパイク状のノイズが重畳された信号となることはない。
【００３８】
尚、以上の実施形態においては、パターン選択部１１ａが論理パターン発生器２１ａ、固定パターン発生器２２ａ、及び選択信号設定部２４ａを備えており、パターン選択部１１ｂが高電圧論理パターン発生器２１ｂ、固定パターン発生器２２ｂ、及び選択信号設定部２４ｂを備えた構成である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、パターン選択部１１ａ，１１ｂの構成をこれらが省かれた構成とし、論理パターンＰ１、固定パターンＰ２、高電圧論理パターンＰ３、固定パターンＰ４、及び選択信号ＳＬ１，ＳＬ２を外部から入力する態様であっても良い。
【００３９】
〔第２実施形態〕
図２は、本発明の第２実施形態による信号選択装置の要部構成を示すブロック図である。尚、図２においては、図１に示したブロックと同一のブロックには同一の符号を付してある。図２に示す通り、本実施形態の信号選択装置２は、図１に示すパターン選択部１１ａ，１１ｂに代えてパターン選択部３１を備える点が相違する。このパターン選択部３１は、端的に言うと、図１に示すパターン選択部１１ａ，１１ｂの構成の一部を共通化したものである。
【００４０】
つまり、図１に示す信号選択装置１においては、マルチプレクサ２３ａに対して論理パターン発生器２１ａと固定パターン発生器２２ａとが設けられ、マルチプレクサ２３ｂに対して高電圧論理パターン発生器２１ｂと固定パターン発生器２２ｂとが設けられていた。しかしながら、図２に示す本実施形態の信号選択装置２においては、論理パターン発生器２１ａと高電圧論理パターン発生器２１ｂとを共通化し、固定パターン発生器２２ａ，２２ｂを共通化している。以下、信号選択装置２が備えるパターン選択部３１について詳細に説明する。
【００４１】
図２に示す通り、パターン選択部３１は、図１に示す論理パターン発生器２１ａ、マルチプレクサ２３ａ，２３ｂ、及び選択信号設定部２４ａ，２４ｂに加えて、Ｌ固定パターン発生器３２、Ｈ固定パターン発生器３３、マルチプレクサ３４ａ（第１固定パターン選択器）、マルチプレクサ３４ｂ（第２固定パターン選択器）、レベル選択信号設定部３５ａ，３５ｂを備える。論理パターン発生器２１ａから出力される論理パターンＰ１は、マルチプレクサ２３ａ，２３ｂの双方に入力されている。
【００４２】
Ｌ固定パターン発生器３２は、「Ｌ」レベルに固定された固定パターンＰ２１（第２レベル固定パターン）を発生する。Ｈ固定パターン発生器３３は、「Ｈ」レベルに固定された固定パターンＰ２２（第１レベル固定パターン）を発生する。尚、固定パターンＰ２１及び固定パターンＰ２２は共に差動信号であって、双方のパターンがマルチプレクサ３４ａ，３４ｂにそれぞれ入力される。
【００４３】
マルチプレクサ３４ａは、レベル選択信号設定部３５ａから出力されるレベル選択信号ＳＬ１１に応じて、Ｌ固定パターン発生器３２から出力される固定パターンＰ２１及びＨ固定パターン発生器３３から出力される固定パターンＰ２２の何れか一方を選択して固定パターンＰ２としてマルチプレクサ２３ａに出力する。同様に、マルチプレクサ３４ｂは、レベル選択信号設定部３５ｂから出力されるレベル選択信号ＳＬ１２に応じて、Ｌ固定パターン発生器３２から出力される固定パターンＰ２１及びＨ固定パターン発生器３３から出力される固定パターンＰ２２の何れか一方を選択して固定パターンＰ４としてマルチプレクサ２３ｂに出力する。尚、上記の固定パターンＰ２１，Ｐ２２は共に差動信号である。
【００４４】
レベル選択信号設定部３５ａには、マルチプレクサ３４ａに入力される固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちの何れを選択するかを示すレベル選択信号ＳＬ１１が設定される。また、レベル選択信号設定部３５ｂには、マルチプレクサ３４ｂに入力される固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちの何れを選択するかを示すレベル選択信号ＳＬ１２が設定される。尚、本実施形態においては、選択信号設定部２４ａ，２４ｂに対する選択信号ＳＬ１，ＳＬ２の設定、レベル選択信号設定部３５ａ，３５ｂに対するレベル選択信号ＳＬ１１，ＳＬ１２の設定、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定、並びに出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４の開閉制御は、半導体試験装置に設けられる不図示の制御部によって行われる。
【００４５】
また、本実施形態においても、信号生成部１２ａ，１２ｂは組となって集積され、更には出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４とともに集積化されている。これにより、図３，図４に示す従来の信号選択装置に比べてコストを低減することができる。また、更なるコストの低減を図るには、これら信号生成部１２ａ，１２ｂ並びに出力リレー１３及び高電圧出力リレー１４に加えてパターン選択部３１も集積化するのが望ましい。
【００４６】
上記構成の信号選択装置２において、ＤＵＴ４０に対して高速な信号を印加する場合には、第１実施形態と同様に、出力リレー１３が閉状態にされるとともに高電圧出力リレー１４が開状態にされ、選択信号設定部２４ａには論理パターンＰ１を選択する旨を示す選択信号ＳＬ１が設定され、選択信号設定部２４ｂには固定パターンＰ４を選択する旨を示す選択信号ＳＬ２が設定される。また、レベル選択信号設定部３５ａ，３５ｂには、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちの何れを選択するかを示すレベル選択信号ＳＬ１１，ＳＬ１２が設定される。
【００４７】
尚、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちの何れを選択するかは、波形の通り抜けを防ぐ目的以外に、単にＤＵＴ４０に固定レベルで出力したい場合を含めて任意であるが、例えば信号Ｓ３に生ずるオフセットの大きさ等が考慮されて選択することも可能である。ここでは説明を簡単にするために、マルチプレクサ３４ａ，３４ｂの何れにおいても、固定パターンＰ２１が選択されるものとする。尚、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定は、不図示の制御部によって適宜行われているとする。
【００４８】
以上の設定がなされた後に信号選択装置２の動作が開始されると、論理パターン発生器２１ａからは論理パターンＰ１が出力されるとともに、Ｌ固定パターン発生器３２からは固定パターンＰ２１が、Ｈ固定パターン発生器３３からは固定パターンＰ２２がそれぞれ出力される。論理パターン発生器２１ａから出力された論理パターンＰ１はマルチプレクサ２３ａに入力され、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちのマルチプレクサ３４ａで選択された固定パターンＰ２１が固定パターンＰ２としてマルチプレクサ２３ａに入力される。
【００４９】
マルチプレクサ２３ａでは、入力される論理パターンＰ１及び固定パターンＰ２のうちの論理パターンＰ１が選択されてパターンＰ１１として信号生成部１２ａに出力される。パターンＰ１１が信号生成部１２ａに入力されると、第１実施形態と同様に、パターンＰ１１のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２５ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより信号Ｓ１１が生成される。
【００５０】
他方、論理パターン発生器２１ａから出力された論理パターンＰ１はマルチプレクサ２３ｂにも入力され、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちのマルチプレクサ３４ｂで選択された固定パターンＰ２１が固定パターンＰ４としてマルチプレクサ２３ｂに入力される。マルチプレクサ２３ｂでは、入力される論理パターンＰ１及び固定パターンＰ４のうちの固定パターンＰ４が選択されてパターンＰ１２として信号生成部１２ｂに出力される。パターンＰ１２が信号生成部１２ｂに入力されると、パターンＰ１２のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２７ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより高電圧信号Ｓ１２が生成される。
【００５１】
出力リレー１３は閉状態であるため、信号生成部１２ａで生成された信号Ｓ１１は、出力リレー１３を介して信号Ｓ１３として信号選択装置２の信号出力端１０から出力され、ＤＵＴ４０の１つのピンに印加される。これに対し、高電圧出力リレー１４は開状態であるため、高電圧信号Ｓ１２は遮断される。ここで、高電圧信号Ｓ１２は、Ｌ固定パターン発生器３２からの固定パターンＰ２１がマルチプレクサ３４ｂ，２３ｂで選択されて生成されたものであって、電圧値が一定の信号である。このため、高電圧出力リレー１４が開状態のときにその両端が電気的に完全に分離されておらず、高電圧信号Ｓ１２の一部が高電圧出力リレー１４を通り抜けて出力リレー１３を介した信号Ｓ１１と重畳されても、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３は、僅かにオフセットが生ずるだけでスパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。
【００５２】
次に、ＤＵＴ４０に対して低速で高電圧の信号を印加する場合には、第１実施形態と同様に、高電圧出力リレー１４が閉状態にされるとともに出力リレー１３が開状態にされ、選択信号設定部２４ａには固定パターンＰ２を選択する旨を示す選択信号ＳＬ１が設定され、選択信号設定部２４ｂには論理パターンＰ１を選択する旨を示す選択信号ＳＬ２が設定される。また、レベル選択信号設定部３５ａ，３５ｂには、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちの何れを選択するかを示すレベル選択信号ＳＬ１１，ＳＬ１２が設定される。尚、ここではＤＵＴ４０に対して高速な信号を印加する場合と同様に、マルチプレクサ３４ａ，３４ｂの何れにおいても、固定パターンＰ２１が選択されるものとする。尚、Ｈレベル発生器２５ａ，２７ａにおける上限電圧値の設定、Ｌレベル発生器２５ｂ，２７ｂにおける下限電圧値の設定は、不図示の制御部によって適宜行われているとする。
【００５３】
以上の設定がなされた後に信号選択装置２の動作が開始されると、論理パターン発生器２１ａからは論理パターンＰ１が出力されるとともに、Ｌ固定パターン発生器３２からは固定パターンＰ２１が、Ｈ固定パターン発生器３３からは固定パターンＰ２２がそれぞれ出力される。論理パターン発生器２１ａから出力された論理パターンＰ１はマルチプレクサ２３ａ，２３ｂにそれぞれ入力され、固定パターンＰ２１，Ｐ２２のうちのマルチプレクサ３４ａで選択された固定パターンＰ２１が固定パターンＰ２としてマルチプレクサ２３ａに入力され、マルチプレクサ３４ｂで選択された固定パターンＰ２１が固定パターンＰ４としてマルチプレクサ２３ｂに入力される。
【００５４】
マルチプレクサ２３ｂでは、入力される論理パターンＰ１及び固定パターンＰ４のうちの論理パターンＰ１が選択されてパターンＰ１２として信号生成部１２ｂに出力される。パターンＰ１２が信号生成部１２ｂに入力されると、第１実施形態と同様に、パターンＰ１２のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２７ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２７ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより信号Ｓ１２が生成される。
【００５５】
他方、マルチプレクサ２３ａでは、入力される論理パターンＰ１及び固定パターンＰ２のうちの固定パターンＰ２が選択されてパターンＰ１１として信号生成部１２ａに出力される。パターンＰ１１が信号生成部１２ａに入力されると、パターンＰ１１のレベルに応じて、Ｈレベル発生器２５ａで設定される上限電圧値又はＬレベル発生器２５ｂで設定される下限電圧値が出力され、これにより信号Ｓ１１が生成される。
【００５６】
高電圧出力リレー１４が閉状態であるため、信号生成部１２ｂで生成された信号Ｓ１２は、高電圧出力リレー１４を介して信号Ｓ１３として信号選択装置２の信号出力端１０から出力され、ＤＵＴ４０の１つのピンに印加される。これに対し、出力リレー１３が開状態であるため、信号Ｓ１１は遮断される。ここで、信号Ｓ１１は、Ｌ固定パターン発生器３２からの固定パターンＰ２１がマルチプレクサ３４ａ，２３ａで選択されて生成されたものであって、電圧値が一定の信号である。このため、出力リレー１３が開状態のときにその両端が電気的に完全に分離されておらず、信号Ｓ１１の一部が出力リレー１３を通り抜けて高電圧出力リレー１４を介した高電圧信号Ｓ１２と重畳されても、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３は、僅かにオフセットが生ずるだけでスパイク状のノイズが重畳されたものとはならない。
【００５７】
以上の通り、本実施形態による信号選択装置２においては、出力端が出力リレー１３に接続されたドライバ２６に対し、論理パターンＰ１及びマルチプレクサ３４ａで選択された固定パターンＰ２の何れか一方を選択して出力するマルチプレクサ２３ａを設けるとともに、出力端が高電圧出力リレー１４に接続された高電圧ドライバ２８に対し、論理パターンＰ１及びマルチプレクサ３４ｂで選択された固定パターンＰ４の何れか一方を選択して出力するマルチプレクサ２３ｂを設けている。そして、出力リレー１３が開状態の場合にはマルチプレクサ２３ａで固定パターンＰ２を選択してドライバ２６に出力し、高電圧出力リレー１４が開状態の場合にはマルチプレクサ２３ｂで固定パターンＰ４を選択して高電圧ドライバ２８に出力している。このため、時間とともに電圧値が変化する信号が開状態にある出力リレー１３又は高電圧出力リレー１４を通り抜けることはなく、この結果として、ＤＵＴ４０に印加される信号Ｓ１３がスパイク状のノイズが重畳された信号となることはない。
【００５８】
尚、以上の実施形態においては、パターン選択部３１が論理パターン発生器２１ａ、選択信号設定部２４ａ，２４ｂ、Ｌ固定パターン発生器３２、Ｈ固定パターン発生器３３、レベル選択信号設定部３５ａ，３５ｂを備える構成である場合を例に挙げて説明した。しかしながら、パターン選択部３１の構成をこれらが省かれた構成とし、論理パターンＰ１、固定パターンＰ２１，Ｐ２２、選択信号ＳＬ１，ＳＬ２、及びレベル選択信号ＳＬ１１，ＳＬ１２を外部から入力する態様であっても良い。
【００５９】
また、以上説明した信号選択装置２においては、論理パターン発生器２１ａから出力される論理パターンＰ１をマルチプレクサ２３ａ，２３ｂの双方に入力させていた。しかしながら、第１実施形態の信号選択装置１と同様に、論理パターン発生器２１ａと高電圧論理パターン発生器２１ｂとを設けて、論理パターン発生器２１ａからの論理パターンＰ１をマルチプレクサ２３ａに入力させ、高電圧論理パターン発生器２１ｂからの高電圧論理パターンＰ３をマルチプレクサ２３ｂに入力させる構成であっても良い。
【００６０】
或いは、論理パターン発生器２１ａからの論理パターンＰ１をマルチプレクサ２３ａに入力させ、論理パターン発生器２１ａからの論理パターンＰ１と高電圧論理パターン発生器２１ｂからの高電圧論理パターンＰ３との何れか一方を選択してマルチプレクサ２３ｂに入力させる構成であってもよい。かかる構成の場合には、論理パターン発生器２１ａからの論理パターンＰ１と高電圧論理パターン発生器２１ｂからの高電圧論理パターンＰ３との何れか一方を選択するマルチプレクサ（論理パターン選択器）を更に設ける必要がある。
【００６１】
以上、本発明の実施形態による信号選択装置及び半導体試験装置について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、信号Ｓ１１と高電圧信号Ｓ１２との何れか一方を選択して信号Ｓ１３として出力する場合を例に挙げて説明したが、本発明は電圧の可変範囲が等しい２つの信号（Ｈレベルの電圧値とＬレベルの電圧値とが共に等しい２つの信号）から１つの信号を選択する場合にも適用することができる。また、２つの信号から１つの信号を選択する場合のみならず、３以上の複数の信号から１つの信号を選択する場合にも本発明を適用することができる。
【００６２】
また、上記実施形態においては、論理パターンＰ１、高電圧論理パターンＰ３、固定パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ２１，Ｐ２２が差動信号である場合を例に挙げて説明したが、これらはシングルエンド信号である場合にも本発明を適用することができる。尚、図１，図２に示すマルチプレクサ２３ａ，２３ｂ，３４ａ，３４ｂ等は、選択信号に応じて複数の信号から１つの信号を選択する機能を有するものであれば、任意の選択器、選択素子等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施形態による信号選択装置の要部構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２実施形態による信号選択装置の要部構成を示すブロック図である。
【図３】半導体試験装置のピンエレクトロニクス部に設けられる従来の信号選択装置の構成を示すブロック図である。
【図４】半導体試験装置のピンエレクトロニクス部に設けられる従来の信号選択装置の他の構成を示すブロック図である。
【図５】信号選択装置１００によってＤＵＴ１１１に印加される信号Ｓ１０３の波形の一例を示す図である。
【図６】信号選択装置２００によって高電圧直流信号Ｓ１１０を信号Ｓ１０３としてＤＵＴ１１１に印加する場合の波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，２            信号選択装置
１２ａ，１２ｂ    信号生成部
１３              出力リレー
１４              高電圧出力リレー
２３ａ，２３ｂ    マルチプレクサ
２５ａ            Ｈレベル発生器
２５ｂ            Ｌレベル発生器
２６              ドライバ
２７ａ            Ｈレベル発生器
２７ｂ            Ｌレベル発生器
２８              高電圧ドライバ
３４ａ，３４ｂ    マルチプレクサ
４０              ＤＵＴ
Ｐ１              論理パターン
Ｐ２              固定パターン
Ｐ３              高電圧論理パターン
Ｐ４              固定パターン
Ｐ２１，Ｐ２２    固定パターン
Ｓ１１            信号
Ｓ１２            高電圧信号
Ｓ１３            信号
【図１】
2009025129.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009025129.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2009025129.tif 000008