(57)【要約】【課題】画像における濃度むら、色むらの原因となる電子写真用感光体における光感度むら、残留電位むらを抑制し、全面に亘って良好で均一な光感度を有する電子写真装置用感光体を提供する。更に、水に対する安定性が極めて高く、環境変化に対する安定性を有し、高速で、種々の厚さや材質の記録材に反復回数を多くして画像形成を行う場合でも、表面の損傷を抑制でき、耐水性、耐候性、耐久性に優れる電子写真用感光体を提供する。【解決手段】円柱状の導電性基体上に、少なくとも光導電層と表面層とを有する電子写真用感光体において、表面層がマグネシウム原子、フッ素原子及び酸素原子を主要構成原子として含有し、該主要構成原子が組成式（１）  ＭｇＦxＯy    （１）（式中、ｘは１．３０以上２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上０．５００以下の数を示す。）を充たす。【選択図】図１
2009080266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に、少なくとも光導電層と表面層とを有する電子写真用感光体において、
表面層がマグネシウム原子、フッ素原子及び酸素原子を主要構成原子として含有し、該主要構成原子が組成式（１）
ＭｇＦxＯy    （１）
（式中、ｘは１．３０以上、２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上、０．５００以下の数を示す。）を充たすことを特徴とする電子写真用感光体。
【請求項２】
組成式（１）中、ｘは１．７０以上、２．００以下の数を示し、ｙは０．０７０以上、０．２００以下の数を示すことを特徴とする請求項１記載の電子写真用感光体。
【請求項３】
光導電層がアモルファスシリコンを主成分として含有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真用感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真装置に用いる電子写真用感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置に用いる電子写真用感光体（以下、感光体ともいう。）の感光性部材として、珪素原子を主要構成原子として含む非晶質堆積膜、例えば水素やハロゲンを含有するアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉともいう。）堆積膜は高性能、高耐久、無公害であり、実用化されている。このようなａ−Ｓｉ堆積膜を用いた感光体は、要求される性能に合わせて、種々の層構成を有するものが提案されている。そのうち表面層は、感光体に耐磨耗性、電荷保持性、耐環境性等の特性を付与する重要な層である。
【０００３】
電子写真装置の細密な画像形成が進むにつれ、画像露光の短波長化が図られ、表面層として、特に短波長光に対し吸収を少なく透過させる広いバンドギャップを有するものが要求されている。金属フッ化物、金属酸化物、金属窒化物は一般に高硬度であり、短波長光に対するバンドギャップも比較的大きいことから、表面層材料への利用が検討されている。
【０００４】
具体的には、フッ化マグネシウムを使用した表面層は、画像ボケや画像流れの発生が抑えられること、磨耗によっても電位変動がほとんどないこと（特許文献１）が報告されている。また、表面層におけるＦ／Ｍｇ（原子量比）を１．５０〜１．９５として、フッ化マグネシウムの化学量論組成比であるＦ／Ｍｇ＝２．００よりも相対的にＦ含有量を減らし残留電位の変動や傷の発生を防止する表面層（特許文献２）が報告されている。
【０００５】
また、電子写真装置のカラー化に伴い、更なる細密な画像形成への要求が高まり、電子写真画像に銀塩写真と同等の画質が求められ、従来以上に色むらに対する要求が厳しくなっている。感光体の光感度の不均一、即ち光感度むらは、得られる画像に、特に中間調部分に顕著な濃度むらとなって表れるが、カラー画像においては、濃度むらは色むらとなって顕在化するため、白黒画像よりもより高い基準で光感度むらがない感光体が要請される。また、プリント・オン・デマンドに代表される軽印刷分野への電子写真の進出も実用化されてきている昨今においては、上記のような高画質化に対する要求とあわせて、高速化への対応も求められている。
【０００６】
このような感光体の各層を堆積膜成長により製造する場合、比較的大面積で湾曲した表面を有する感光体においては、原料物質の発生源からの距離や角度が異なってしまうことも多く、成長過程を全域に亘って均一に制御することは、必ずしも容易ではない。このため、原子組成比は実質的に同等であるにも拘わらず、膜成長過程が膜全体において均一にならないことが多い。その結果、感光体に構造上の欠陥等の不均一に起因する光に対する透過等の光感度むらが生じ、場合によっては残留電位むらとなって現れ、良好な画像が得られない場合もある。
【０００７】
また、高速で画像形成を反復する場合、感光体表面からコピー用紙を分離する分離爪との摩擦や、まれに発生する異物の巻き込み、或いは厚さや紙質の異なる用紙を混合して使用する場合の負荷の変化等を原因とし、感光体表面に傷が発生する場合がある。この種の傷は、負荷が増加する高温高湿環境で発生する頻度が高まる。特に、高精細化に対応するため、画像露光の波長を短波長化したり、スポット径を小さくした光学系を有する電子写真装置においては、感光体に生じた傷が画像上に現れる傾向が高く、感光体に対し従来よりもより高い耐傷性、耐久性が求められている。このような背景のなかで、感光体に設けられる表面層に対し、耐久性の向上を図り、構造上の欠陥を有さず、短波長光に対する光吸収を抑制し、透過率を上昇させることが要請されている。
【特許文献１】特開２００３−２９４３７号公報
【特許文献２】特開２００６−１０６３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、画像における濃度むら、色むらの原因となる電子写真用感光体における光感度むら、残留電位むらを抑制し、全面に亘って良好で均一な光感度を有する電子写真装置用感光体を提供することにある。更に、水に対する安定性が極めて高く、環境変化に対する安定性を有し、高速で、種々の厚さや材質の記録材に反復回数を多くして画像形成を行う場合でも、表面の損傷を抑制でき、耐水性、耐候性、耐久性に優れる電子写真用感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、電子写真用感光体の表面層における、光感度むら、残留電位むら、傷の発生原因について鋭意研究を重ねた。上記のように、堆積膜成長により得られる表面層においては、原子組成に起因し、また、原子組成比は実質的に同じであっても構造上の欠陥から、光感度むら、残留電位むらが生じるが、この光感度むらや残留電位むらは、周方向にランダムに現れることが多い。このような現れ方をする原因は明らかではない。しかしながら、この現象は単一の化合物を原料物質として用いた場合、原料物質を問わずいずれの材料を用いた表面層であっても発生する場合があり、原料物質をフッ化マグネシウムに酸化マグネシウムを混合した２種以上の化合物としたとき、抑制されることの知見を得た。
【００１０】
そして、マグネシウム原子、フッ素原子、酸素原子が表面層に付与する特性について検証し、これらの原子の特性を奏する表面層とするためのこれらの原子比率を探索した。
【００１１】
傷に対しては、フッ素原子、酸素原子ともマグネシウム原子に対してある原子比率以上で含有されるとき向上するが、フッ素原子が支配的であり、マグネシウム原子に対するフッ素原子の原子比率が過少の場合に限らず過大の場合も、傷が発生する傾向を有する。一方、酸素原子については、マグネシウム原子に対しある程度以上の原子比率で含有されれば、それ以上の原子比率で含有されても傷に対する効果は向上しない。これは、マグネシウム原子とフッ素原子、マグネシウム原子と酸素原子の結合エネルギーの違いにより、フッ素原子の原子比率が多くなると、堆積膜が脆くなることによると思われる。
【００１２】
また、光感度むらについては、フッ素原子、酸素原子ともマグネシウム原子に対してある原子比率以上で含有されるとき効果が現れる。フッ素原子又は酸素原子いずれの原子比率が極端に少ない場合も光感度むらが悪化する傾向が見られる。また、酸素原子の原子比率が一定以上になった場合、光感度むらが現れやすい傾向がある。これは、構造上の欠陥を相殺するためにはフッ素原子と酸素原子はある程度以上の原子比率で含有されることが必要であり、マグネシウム原子に対するフッ素原子又は酸素原子の結合エネルギーの違いにより、酸素原子の原子比率が増加すると、却って欠陥を生じると思われる。
【００１３】
残留電位むらについては、マグネシウム原子に対しフッ素原子の原子比率量が多い場合に発生しやすい傾向が認められる。これは、フッ素原子が過剰に取り込まれることでキャリアの走行性が損なわれるためではないかと予想される。
【００１４】
これらの特性に対する影響の他に、マグネシウム原子に対する酸素原子の原子比率が一定以上になると水分に対する安定性が損なわれる傾向が現れる。これは、水との塩基性の反応を起こす酸化マグネシウムの特性が現れるためと考えられるが、フッ素原子が少量でも含有されることにより、マグネシウム原子に対して酸素原子が飽和する原子比率よりも極めて低い原子比率でもこのような傾向が現れる場合がある。具体的には、組成式（１）中のｙが０．２を超える領域でこの傾向が現れ始め、さらにｙが０．５を越える領域では、顕著に現れるようになる。この場合には感光体上に水滴に起因するシミが発生する。傷、光感度むらに対しては、マグネシウム原子に対するフッ素原子の原子比率が少ない場合、酸素原子の原子比率を増加させることで特性が向上するが、上記のシミの発生が問題とならない、組成式（１）中のｙが０．５以下の範囲では、顕著な効果は現れなかった。
【００１５】
このような各原子の特性が表面層において発揮される、マグネシウム原子に対するフッ素原子の含有量及び酸素原子の含有量の特定の範囲を見い出し、かかる知見に基づき、本発明を完成するに至った。
【００１６】
即ち、本発明は、導電性基体上に、少なくとも光導電層と表面層とを有する電子写真用感光体において、表面層がマグネシウム原子、フッ素原子及び酸素原子を主要構成原子として含有し、該主要構成原子が組成式（１）
ＭｇＦxＯy    （１）
（式中、ｘは１．３０以上、２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上、０．５００以下の数を示す。）を充たすことを特徴とする電子写真用感光体に関する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電子写真用感光体は、画像における濃度むら、色むらの原因となる光感度むら、残留電位むらを抑制し、全面に亘って良好で均一な光感度を有する。更に、本発明の電子写真用感光体は、水に対する安定性が極めて高く、環境変化に対する安定性を有し、高速で、種々の厚さや材質の記録材に反復回数を多くして画像形成を行う場合でも、表面の損傷を抑制でき、耐水性、耐候性、耐久性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の電子写真用感光体は、導電性基体上に、少なくとも光導電層と表面層とを有する。
【００１９】
本発明の電子写真用感光体に用いる導電性基体は、その上に設けられる光導電層及び表面層を支持し得る強度を有するものである。その材質としては、例えば、以下のものを挙げることができる。Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金、例えばＡｌ合金、ステンレス等。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のシート又はフィルム。ガラス、セラミック等の少なくとも光導電層を形成する面を導電処理したもの。
【００２０】
上記導電性基体は、例えば、外径３０ｍｍ、６０ｍｍ、８０ｍｍ、１００ｍｍ等を有する円筒状、若しくは、例えば長さ３００ｍｍ、４５０ｍｍ、５００ｍｍ等のシートをベルト状に加工したものを用いることができる。
【００２１】
本発明における光導電層は、電子写真特性上の性能を満足できる光導電特性を有する材料で形成されたものであれば、有機系、無機系等いずれであってもよいが、アモルファスシリコンを主成分とすることが好ましい。アモルファスシリコンは、硬度に優れ、その上に表面層を成膜する際、真空プロセスを使用した場合であっても、脱ガス等による層変化が少なく、表面層形成に悪影響を及ぼさず、好ましい。
【００２２】
上記光導電層は、アモルファスシリコンの未結合手と結合する水素原子、ハロゲン原子を含有することが好ましい。光導電層が水素原子や、ハロゲン原子を含有することにより、品質、特に光導電性及び電荷保持特性が向上する。水素原子及びハロゲン原子の含有量は、珪素原子、水素原子及びハロゲン原子の合計に対して１０原子％以上、特に１５原子％以上であることが好ましく、３０原子％以下、特に２５原子％以下であることが好ましい。
【００２３】
また、上記光導電層は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有することが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万偏なく均一な分布状態で含有されていてもよく、また、部分的に層厚さ方向に漸次変化する分布状態で含有されていてもよい。伝導性を制御する原子としては、半導体分野におけるいわゆる不純物として使用される原子を用いることができる。具体的には、ｐ型伝導特性を与える周期表１３族に属する原子（以後「第１３族原子」と略記する。）又はｎ型伝導特性を与える周期表１５族に属する原子（以後「第１５族原子」と略記する）を挙げることができる。伝導性を制御する原子の含有量は、珪素原子に対して１×10-2原子ｐｐｍ以上、特に５×10-2原子ｐｐｍ以上、更に１×10-1原子ｐｐｍ以上であることが好ましい。また、伝導性を制御する原子の含有量は１×104原子ｐｐｍ以下、特に５×103原子ｐｐｍ以下、更に１×103原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
更に、上記光導電層は、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有させることもできる。炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量（合計量）は、珪素原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して、１×10-5原子％以上、特に１×10-4原子％以上、更に１×10-3原子％以上であることが好ましい。また、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量は、シリコン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して、１０原子％以下、特に８原子％以下、更に５原子％以下であることが好ましい。
【００２５】
上記光導電層の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済性等の点から、例えば、１５μｍ以上、特に２０μｍ以上とすることが好ましく、また、６０μｍ以下、特に５０μｍ以下、更に４０μｍ以下とすることが好ましい。光導電層の層厚が１５μｍ以上であれば、帯電部材への通過電流量の増大を抑制し、劣化を抑制することができる。光導電層の層厚が６０μｍ以下であれば、アモルファスシリコンの異常成長部位が大きくなるのを抑制し、例えば水平方向で５０〜１５０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍとなるのを抑制することができる。これにより、感光体表面を摺擦して使用する部材の損傷を抑制し、欠陥画像の形成を抑制することができる。
【００２６】
このような光導電層は単一の層から形成されてもよいし、キャリア発生層とキャリア輸送層を分離した複数層構成としてもよい。
【００２７】
上記光導電層の形成はプラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の堆積膜の形成によることができる。
【００２８】
以下、プラズマＣＶＤ法を用いた光導電層の形成方法を細述する。珪素原子を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス及び水素原子を供給し得るＨ供給用の原料ガスやハロゲン原子を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧し得る反応容器内に所望のガス状態で導入する。このとき、必要に応じて伝導性を制御する原子を供給し得る原料ガスを共に導入することができる。該反応容器内にグロー放電を生起させ、導入した原料ガスを分解し、予め所定の位置に設置した導電性基体上に水素原子やその他の原子と共に珪素原子を堆積成長させ、アモルファスシリコン膜を形成する。Ｓｉ供給用原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）等のシラン類のガスを好適に使用することができる。また、Ｈ供給用原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、水素（Ｈ2）ガスも好適に使用できる。ハロゲン原子供給用原料ガスとしては、Ｆ2、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン化合物や、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のハロゲン原子を含む珪素化合物のガスを好ましいものとして挙げることができる。
【００２９】
第１３族原子供給用原料ガス又は第１５族原子供給用原料ガスとしては、常温常圧でガス状の原料物質又は少なくとも光導電層の成膜条件下で容易にガス化し得るものを原料物質として採用することが好ましい。第１３族原子供給用原料ガスとしては、具体的には、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）等の化合物のガスを例示することができ、特にＢ、Ａｌ、Ｇａの化合物のガスが好適である。第１５族原子供給用原料ガスとしては、具体的にはリン原子（Ｐ）、砒素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）等の化合物のガスを例示することができ、特にＰ、Ａｓの化合物のガスが好適である。具体的には、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、フォスフィン（ＰＨ3）等を挙げることができる。
【００３０】
また、炭素原子、酸素原子、窒素原子の供給用原料ガスとしては、メタン（CH4）、アセチレン（C2H2）、二酸化炭素（CO2）、Ｏ2、N2、アンモニア（NH3）、一酸化窒素（NO）等を使用することができる。
【００３１】
これらの原料ガスは必要に応じて水素ガスやヘリウムガス等により希釈して使用することができる。
【００３２】
その他の反応条件として、反応容器内のガス圧、放電電力等の条件は適宜最適範囲が選択される。ガス圧は、例えば１×１０-2〜１×１０3Ｐａ、好ましくは５×１０-2〜５×１０2Ｐａ、より好ましくは１×１０-1〜２×１０2Ｐａに設定することができる。放電電力としては、Ｓｉ供給用のガスの流量[ml/min(normal)]に対する放電電力[W]の比を、０．５〜８、好ましくは２〜６の範囲に設定することができる。基体の温度は、例えば２００〜３５０℃、好ましくは２１０〜３３０℃、より好ましくは２２０〜３００℃に設定することができる。これらの光導電層を形成するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる。これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【００３３】
［表面層］
本発明における表面層は、マグネシウム原子、フッ素原子及び酸素原子を主要構成原子として含有し、該主要原子が組成式（１）を充たす。
【００３４】
ＭｇＦｘＯｙ    （１）
式中、ｘは１．３０以上、２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上、０．５００以下の数を示す。
【００３５】
上記表面層は主要構成原子としてマグネシウム原子、フッ素原子、酸素原子を上記原子比率で含有することにより、表面層が比較的大面積で、湾曲した形状であっても全面に亘って光感度むら、残留電位むらが抑制された均一な光感度性を有する。短波長に対し吸収がなく、例えば、４０５ｎｍ等の露光光に対し高い光透過率を有する。また、外力に対する歪を分散させ、耐傷性を有し、耐久性が向上する。
【００３６】
表面層において光感度むらが抑制される理由として以下のことが考えられる。化合物の薄膜は総ての構成原子が化学量論組成に基づく結合形態をもつわけではなく、欠陥を含むことが普通である。こうした欠陥は、光吸収の原因となるが、これは必ずしも組成比に依存するものではなく、実質的に同等の組成比を有するものであっても欠陥の多い膜では、少ない膜よりも光吸収が多くなるのが一般的である。
【００３７】
表面層において欠陥をなるべく少なくすることが光吸収を低減させるためには重要である。
【００３８】
マグネシウム原子とフッ素原子とからなる層又は、マグネシウム原子と酸素原子とからなる層における光の吸収も欠陥において生じることが予測される。上記組成式（１）を充たす表面層においては、マグネシウム原子とフッ素原子との結合の欠陥に酸素原子が取り込まれ、又は、マグネシウム原子と酸素原子との結合の欠陥にフッ素原子が取り込まれる。これによりマグネシウム原子とフッ素原子から構成された層又はマグネシウム原子と酸素原子から構成された層における欠陥が相殺され、表面層において光の吸収が抑制されることが考えられる。
【００３９】
また、表面層中において、フッ素原子と酸素原子が互いに置換してマグネシウム原子と結合することは稀であると考えられる。このため、表面層におけるマグネシウム原子に対するフッ素原子と酸素原子の原子比率の制御が容易であり、特定の原子比率を有する目的の特性の表面層を容易に得ることができる。これらの原子の組成を組成式（１）の範囲内で変化させることによって表面層としての特性を制御しやすく、これらの原子を特定の比率で有し、且つ、構造上の欠損部が抑制された膜を成膜することができる。このため、均一な膜形成過程が困難な湾曲大面積面上であっても、構造上の欠陥が抑制された膜を成膜することができ、光感度むらが抑制された均一膜が得られるものと考えられる。
【００４０】
また、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムは結晶構造が、それぞれ岩塩構造、立方晶ルチル構造と異なるため、マグネシウム原子、フッ素原子、酸素原子を含有する膜中に一定の結合構造が現れにくいと考えられる。このため、外部からうけた圧力や応力に対し、その応力を有効に分散させ、苛酷な使用条件下の電子写真装置においても、膜の損傷を抑制することができると考えられる。
【００４１】
上記表面層に含まれる主要構成原子は組成式（１）を充たすものであり、
ＭｇＦｘＯｙ    （１）
組成式（１）中、ｘは１．３０以上、２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上、０．５００以下の数を示すが、ｘは１．７０以上、２．００以下の数を示し、ｙは０．０７０以上、０．２００以下の数を示すことが好ましい。主要構成原子が、組成式（１）中、ｘは１．３０以上２．１０以下の数を示し、ｙは０．０５０以上０．５００以下の数を示す原子比率であると、光感度むら、残留電位むらを低減すると共に、水分に対する安定性が極めて高い。更に、主要構成原子が、組成式（１）中、ｘは１．７０以上、２．００以下の数を示し、ｙは０．０７０以上、０．２００以下の数を示す原子比率であると、上記効果をより顕著に得ることができる。
組成式（１）中、化学量論的には、ｘ／２＋ｙ＝１である。しかし、上記表面層の主要構成原子においては、ｘ、ｙが化学量論的数値から外れていても、１．７０≦ｘ≦２．００、０．０７≦ｙ≦０．２００であれば、光感度むら、残留電位むら等の起因となる欠陥の低減を図ることができる。
【００４２】
上記表面層は上記主要構成原子の他、主要構成原子の機能を損なわない範囲で、他の原子、例えば、炭素原子、水素原子、窒素原子等を含有していてもよい。これらの原子の表面層中の含有量としては、その含有量の合計が酸素原子の含有量に対して、５０原子％以下であることが好ましい。
【００４３】
上記表面層の層厚は、所望の電子写真特性や充分な機械的強度が得られる範囲であればよく、具体的には０．１μｍ以上であることが好ましく、残留電位の発生を抑制するため、また、経済性の観点から３μｍ以下、特に１μｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
上記表面層を形成するには、いずれの方法によってもよいが、グロー放電（直流又は交流ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の堆積膜の形成方法を使用することが好ましい。特に、原料の調製、膜形成の条件制御が比較的容易で、目的とする原子比率を高精度に得られることから、スパッタリング法を好ましい方法として挙げることができる。
【００４５】
スパッタリング法による表面層の形成方法としては、ターゲットとしてマグネシウム金属を用い、反応ガスとして、フッ素ガス及び酸素ガスを用いて、マグネシウム原子、フッ素原子及び酸素原子を含有する堆積膜を成膜する方法を使用することができる。反応ガスの供給量を変えて供給することにより、表面層中のフッ素原子及び酸素原子の含有量を調整することができる。
【００４６】
また、ターゲットとして、酸化マグネシウム及びフッ化マグネシウムを、目的とする光導電層側領域の原子組成比となるように混合して用い、スパッタリングガスを用いて堆積膜を成膜してもよい。更に、スパッタリングガスと共に、フッ素ガス及び酸素ガスの反応ガスを用いて、堆積膜中の原子組成を、反応ガスの供給量を調整することにより調製することもできる。
【００４７】
成膜する堆積膜の原子組成を、供給する反応ガスの供給量により調整する場合、原子組成の広範囲の調整が可能であるが、厚い堆積膜を成膜する場合等、長時間に亘って安定した放電を継続することが困難となり堆積膜の組成にばらつきが生じる場合もある。特に、酸素ガスの供給量が多い場合、この傾向にある。成膜する堆積膜の原子組成を、ターゲットに用いる化合物の混合比により調整する場合、原子組成の広範囲の調整は困難であり、高周波を使用する必要があるものの、安定した放電を長時間に亘って継続することができ、組成の安定した堆積膜を形成することができる。また、いずれの場合も放電電力、圧力、温度等の条件を適宜調整して安定した組成の堆積膜を成膜することができ、目的とする堆積膜に応じて、ターゲットや、その他の条件を選択することが好ましい。
【００４８】
［感光体の形態］
本発明の電子写真用感光体の一例として、図１の概略構成図に示す層構造を有するものを挙げることができる。図１に示す電子写真用感光体は、導電性基体１３と導電性基体１３の表面に順次積層された光導電層１２及び表面層１１からなる。
【００４９】
また、本発明の電子写真用感光体は、上記の他、必要に応じて、導電性基体と光導電層間、光導電層と表面層間に、上記層の機能を阻害しない範囲で、感光体の特性に応じて他の層を有していてもよい。その一例として、電荷注入阻止層を挙げることができ、また、これらの層において、下層の組成から上層の組成へ移行させるため、組成を連続的に変化させた中間層を有していてもよい。
【００５０】
電荷注入阻止層は、導電性基体と光導電層間や、光導電層と表面層間に設けられ、導電性基体や表面層から光導電層への電荷の注入を阻止し、光導電層の光導電機能の保持機能を有する。電荷注入阻止層は、光導電層を構成する材料をベースに形成することが好ましい。例えば、上記光導電層に対する電荷注入阻止層としては、水素原子、ハロゲン原子等を含有するアモルファスシリコンをベースとし、第１３族元素、第１５族元素等の伝導性を制御する原子を含有し所望の伝導型に調製することができる。また、必要に応じて、炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１種の原子を含有させることにより、応力を調整し、導電性基体と光導電層、表面層との密着性の向上を図ることもできる。
【００５１】
［製造装置］
本発明の電子写真用感光体の製造、例えば導電層の製造に用いるＣＶＤ装置の一例について以下に説明する。図２の概略構成図に示すＣＶＤ装置は、大別して、堆積膜形成容器１００、排気装置２００、及び原料ガス供給手段３００から構成されている。原料ガス供給手段３００は、ボンベ３０１〜３０５、供給バルブ３０６〜３１０、圧力調整器３１１〜３１５、１次バルブ３１６〜３２０、マスフローコントローラー３２１〜３２５、２次バルブ３２６〜３３０を有する。ボンベ３０１〜３０５には真空処理プロセス用のガスが充填され、供給バルブ３０６〜３１０を介して、圧力調整器３１１〜３１５によって、例えば、０．２ＭＰａ程度の圧力に調整されたプロセス用のガスを供給可能となっている。
【００５２】
堆積膜形成容器１００には、排気配管４０５、スロットルバルブ４０６、排気バルブ４０７を介して排気装置２００が接続されている。排気装置２００はメカニカルブースターポンプ２０１とロータリーポンプ２０２より構成されており、堆積膜形成容器１００内部を真空排気するようになっている。
【００５３】
堆積膜形成容器は、例えば、図３の縦断面概略構成図、図４の横断面概略構成図に示すように、架台１２１上にベース板１３６、真空容器１０１を備えている。真空容器１０１内の略中央には被処理体１２２を保持するための保持部材１２３が設けられており、保持部材１２３の内側には、被処理体１２２を所望の温度に加熱するヒーター１２４が設けられている。また、保持部材１２３の内部のヒーターがプラズマに晒さらされないように、保持部材上部にキャップ１２５が設けられている。真空容器１０１は上蓋１２６、ベース板１３６とシール部材（図示せず）によって結合され、内部を気密に保持できるようになっている。真空容器１０１の周りには同心円上に複数の電極１２７が設けられ、分岐板１２８を介してマッチングボックス４２３が接続され、更に高周波導入ケーブル４２２及び高周波電源４２１へと接続される。真空容器１０１はアルミナ等のセラミックス部材で形成され、電極１２７から放射された高周波電力は、真空容器１０1を透過して真空容器１０1内にグロー放電を発生させる。また、電極１２７の周りには周囲に高周波が漏洩するのを防止する高周波シールド１２９が設けられている。ベース板１３６には排気口１３０が、被処理体１２２を概略中心とする同一円周上に設けられ、これらは集合した後排気配管４０５に接続される。ガス導入管１３１は、排気口１３０の配置円の外側に、やはり被処理体１２２を概略中心とする同一円周上に設けられ、ガス供給路４０４を介して原料ガス供給手段３００に接続される。なお、ガス導入管１３１には複数のガス放出穴（図示せず）が設けられ、真空容器１０１内に原料ガスを供給する。
【００５４】
このようなＣＶＤ装置を用いた光導電層の調製方法について具体的に説明する。架台１２１上に設置されたベース板１３６に真空容器１０１を、シール部材（図示せず）を介して固定する。脱脂洗浄した導電性基体１２２を保持部材１２３に設置し、同時にキャップ１２５を設置した後、上蓋１２６をシール部材（図示せず）を介して真空容器１０１に設置する。
【００５５】
次に、排気装置２００を可動し、バルブ４０７を開いて真空容器１０１内を排気する。真空計１１１の表示を見ながら、真空容器１０１内の圧力が例えば1Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、ヒーター１２４に電力を供給し、導電性基体１２２を例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、原料ガス供給手段３００より、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを真空容器１０１に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００５６】
次に、原料ガス供給手段３００より堆積膜形成に用いるガスを真空容器１０１に供給する。必要に応じ供給バルブ３０６〜３１０、１次バルブ３１６〜３２０、２次バルブ３２６〜３３０を開き、マスフローコントローラー３２１〜３２５に流量設定を行う。各マスフローコントローラーの流量が安定したところで、圧力計１１１の表示を見ながらスロットルバルブ４０６を操作し、真空容器１０１内の圧力が所望の圧力になるように調整する。圧力が安定したところで高周波電源４２１より高周波電力を印加すると同時にマッチングボックス４２３を操作し、真空容器１０１内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。堆積膜形成後、高周波電力の印加を停止し、原料ガスの供給を停止し、スロットルバルブ４０６を開き、真空容器１０１内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
【００５７】
以上で、堆積膜の形成を終了するが、例えば、下部電荷注入阻止層と光導電層等複数のを堆積膜を形成する場合、上記操作を反復してそれぞれの層を形成すればよい。中間層を有する場合は、原料ガス流量や、圧力等を一定の時間をかけて変化させ、上層の成膜条件へ移行させることもできる。総ての堆積膜形成が終了した後、リークバルブ（図示せず）を開き、真空容器１０１内を大気圧として、導電性基体１２２を取り出す。
【００５８】
次に本発明の電子写真用感光体の製造、例えば表面層の製造に用いるスパッタリング装置の一例について以下に説明する。図５の概略構成図に示すスパッタリング装置は、主として、反応炉５１００と、投入炉５２００とを有する。
【００５９】
反応炉５１００には反応容器５１０８、被処理体１２２、例えば光導電層を形成された導電性基体を支持するホルダー５１１３、反応ガスノズル５１０３、回転軸５１０４、スパッタガス導入管５１０５、カソード５１０２、ターゲット５１０６が設けられる。反応容器はバルブ５１１７を介して排気装置（図示せず）に接続される。ホルダーは、回転軸シール５１１９により回転可能に支持され、大気下で、モーター５１１８に接続される回転軸５１０４に設置され、内部に回転軸５１０４に巻回されたヒーター５１１４が設けられ、被処理体１２２を所望の温度に加熱することができる。被処理体１２２は、堆積膜形成中、モーター５１１８によって回転され、全周に亘って均一な堆積膜が形成されるようになっている。
【００６０】
反応性ガスノズル５１０３はガス放出孔５１１６を備え、バルブ５１１５を介して原料ガス供給手段（図示せず）に接続され、反応性ガスノズル５１０３からF2、O2等の反応性ガスが供給されるようになっている。原料ガス供給手段は、図２に示すＣＶＤ装置に設けられる原料ガス供給手段３００と同様のものを使用することができる。カソード５１０２は絶縁部材５１０７を介して反応容器５１０８に支持され、プラズマから隔離するシールド５１１１によって包囲されている。また、カソード５１０２には冷却水配管５１３１、５１３２が設けられ、スパッタリングプロセス中に冷却水を循環させ冷却されるようになっている。また、カソード５１０２は反応容器５１０８の反応容器外部で電源５１０９に接続され、例えば、直流電源、周期的に印加極性を反転する機能をもつ電源、高周波電源等が印加されるようになっている。
【００６１】
カソード５１０２近傍にはスパッタガス導入管５１０５が設置され、バルブ５１１０を介して、スパッタリングガス供給手段（図示せず）に接続され、アルゴン（Ａｒ）等のスパッタリング用のガスが放電領域に導入されるようになっている。
【００６２】
ターゲット５１０６には、永久磁石５１２９がターゲットに平行な磁界を形成するように対を成し、被処理体１２２の長さに対応するように配置され、マグネトロンスパッタリングにより被処理体１２２の母線方向に均一な堆積膜が成膜されるようになっている。
【００６３】
投入炉５２００は、真空容器５２０１、被処理体の搬送を行うアクチュエータ５２０３、扉５２０２を有する。真空容器５２０１は、バルブ５２０５を介して接続される排気装置によって、反応容器５１０８とは別個に真空が形成され、バルブ５２０４を介して空気を導入して真空の解除が可能であり、また、ゲートバルブ５１０１を介して反応容器５１０８に連通される。
【００６４】
アクチュエータ５２０３はシャフト５２０７が真空シール５２０６に支持されて真空容器５２０１に支持される。シャフト５２０７の先端には被処理体１２２を保持するチャッキング機構５２０８が設けられ、アクチュエータによりシャフト５２０７を伸縮させて、投入炉と反応炉間における被処理体１２２の搬入出を行うようになっている。
【００６５】
このようなスパッタリング装置を用いた表面層の調製方法について具体的に説明する。バルブ５１１７を開いて排気装置により反応容器５１０８内部を排気する。一方、光導電層を形成した被処理体１２２を扉５２０２より投入炉５２００に投入し、チャッキング機構５２０８にセットし扉５２０２を閉じ、バルブ５２０５を開いて投入炉５２００内部を排気する。反応容器５１０８、投入炉５２００内部が例えば０．１Ｐａ以下の真空度になったところで、バルブ５１０１を開き、アクチュエータ５２０３の駆動によりシャフト５２０７を伸長させ、被処理体１２２を反応容器５１０８内のホルダー５１１３に設置する。その後、アクチュエータの駆動によりシャフトを短縮させチャッキング機構を投入炉に後退させゲートバルブ５１０１を閉じる。
【００６６】
必要に応じヒーター５１１４に通電し被処理体１２２を加熱する。被処理体が所望の温度になったところで、スパッタガス及び反応性ガスをそれぞれバルブ５１１０、５１１５を開き反応容器５１０８へ導入し、反応容器５１０８内が所定の圧力になったところでカソード５１０２に電力を印加してグロー放電を生起させる。ターゲットをスパッタリングし、被処理体の母線方向に均一に堆積膜を成膜する。この際、モーター５１１８により回転軸５１０４を回転させ被処理体を回転させて、周方向に均一に堆積膜を成膜する。所望の堆積膜が形成されたところで、電源５１０９からの電力の供給を停止し、堆積膜の形成を終える。
【００６７】
複数の領域からなる表面層を形成するためには、所望のガス、圧力、基板温度等の条件を設定した上で、再度カソード５１０２に電力を印加してグロー放電を生起させればよい。同時にバルブ５１１０、５１１５を閉じ、反応性ガス、スパッタガスの供給を終えると同時に、ヒーター５１１４の通電を止め、一旦、反応容器５１０８内を例えば０．１Ｐａ以下の圧力まで排気し、ゲートバルブ５１０１を開く。アクチュエータ５２０３を駆動してシャフト５２０７を伸長させチャッキング機構５２０８により被処理体１２２を保持した後、シャフト５２０７を短縮させ、被処理体１２２を投入炉５２００内に搬出し、ゲートバルブ５１０１を閉じる。バルブ５２０４を開き、真空容器５２０１内をベントし、扉５２０２を開いて、被処理体１２２を取り出し、感光体を得る。
【００６８】
図２〜４に示したＣＶＤ装置と図５に示すスパッタリング装置とを気密搬送手段で接続し、光導電層及び表面層の形成を真空状態を維持して行うこともできる。
【実施例】
【００６９】
［実施例１〜３、比較例１］
導電性基体として直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製シリンダー表面を鏡面加工した導電性基体を用い、その上に図２〜４に示すＣＶＤ装置を用いて、表１に示した条件により、光導電層を成膜した。電源は、周波数１３．５６ＭＨｚを用いた。
【００７０】
【表１】
2009080266.tif 000003
【００７１】
光導電層を形成後、図５に示すスパッタリング装置を用いて、表面層の形成を行った。ターゲットにはマグネシウム金属を用いた。反応性ガスとしてＯ2、Ｆ2を用い、スパッタリングガスとしてＡｒを用い、組成式（１）のｙを略一定値とし、ｘの値を変化させ、表２、３に示す条件にて、マグネシウム原子、酸素原子及びフッ素原子からなる表面層を形成し、感光体１〜４を得た。
【００７２】
表３に示すフッ素ガス流量はＡｒで希釈する前のフッ素ガス単体の流量であり、実際にはフッ素ガス量の９倍のＡｒと共に導入した。
【００７３】
【表２】
2009080266.tif 000004
【００７４】
【表３】
2009080266.tif 000005
【００７５】
表３に示すｘ、ｙは、同一条件で形成した感光体をおよそ１２ｍｍ×１２ｍｍの大きさに切り出したサンプルを作製し、表面層の組成について測定した。測定装置はＥＳＣＡ（ＰＨＩ  Ｑｕａｎｔｕｍ  ２０００  Ｓｃａｎｉｎｇ  ＥＳＣＡ）を用い、２ｍｍ×２ｍｍの範囲を４ｋＶで５分間スパッタして、表面付着物の影響を取り除いた上でＭｇＦｘＯｙにおけるｘとｙの値を測定した。
【００７６】
得られた感光体について、以下の電子写真装置を用いて、帯電能、帯電能むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むら、傷、シミの特性評価を行なった。結果を表４に示す。
【００７７】
デジタル複写機（ｉＲ６０００：キヤノン（株）社製）のクリーニングローラーをマグネットローラーからウレタンゴムのスポンジローラーに変更した。スポンジローラーは感光体に５ｍｍのニップ幅をもって当接され、感光体回転に対して順方向、１２０％の周速差で回転するように改造した改造機（以下、改造機という、）を用いた。画像露光用レーザーの発信波長は４０５ｎｍとした。
【００７８】
［帯電能、帯電能むら］
この改造機に感光体を設置し、画像露光（レーザー）を行った上で、帯電器に＋6ｋＶの高電圧を印加してコロナ帯電を行った。この際の感光体上に発生する表面電位（即ち暗部帯電電位）を現像器に相当する位置に表面電位計（ＴＲＥＫ社製  Ｍｏｄｅｌ３３４）のセンサを設置して測定した。同様の測定を、感光体上の任意の２０点で行い、得られた値のうち、最も電位の低い値を帯電能として評価した。また、得られた測定値の中で最大値に対する最小値の割合を帯電能むらとして評価した。数値が大きいほど帯電能むらが大きいことを示している。
【００７９】
［光感度、光感度むら］
上記改造機に感光体を設置し、現像器位置での暗部帯電電位が４５０Ｖとなるように帯電器に印加する帯電電流を調整した。この帯電電流を維持したまま、画像露光光（レーザー）を照射し、現像器位置での明部表面電位が５０Ｖとなるように画像露光光の強度を調整した。このときの画像露光光強度を固定し、これを感光体の他の部位に照射したときの電位を感光体上の任意の２０点で測定した。得られた測定値の中で最も特性の悪い値、即ち、最大の電位の値を光感度とし、得られた測定値の中での最大値に対する最小値の割合を光感度むらとした。値が大きいほど光感度むらが大きいことを示している。
【００８０】
［残留電位、残留電位むら］
光感度の測定と同様に、感光体の現像器位置での暗部表面電位が４５０Ｖとなるように調整した後、強露光（例えば、１.２μJ／ｃｍ2）のレーザーを照射し、明部表面電位を測定した。同様の測定を感光体上の任意の２０点で行い、最も特性の低い値、即ち電位の高い値を残留電位として評価した。また、得られた測定値の中での最大値に対する最小値の割合を残留電位むらとして評価した。数値が大きいほど残留電位むらが大きいことを示している。
【００８１】
上記の評価の後、原稿台に６ポイント、全面ひらがな文字よりなるテスト用チャートを置き、気温３０℃、湿度８０％ＲＨの環境下でＡ４コピー用紙５０万枚の画像形成を繰り返す耐久試験を行った。この際、コピー用紙に秤量６４ｇ／ｍ2の上質紙と、秤量８０ｇ／ｍ2の上質紙を用い、各々１０枚づつ交互に流すシーケンスを用いて画像形成を行った。
【００８２】
［傷］
上記耐久試験を行った後、耐久試験と同一環境でハーフトーン画像を出力して、画像上に現れる傷の画像欠陥と、電子写真装置から取り出した感光体表面の画像形成範囲における傷の有無とを目視にて調べ、下記の基準で評価した。
◎：電子写真用感光体の表面に傷は見られない。
○：電子写真用感光体の表面に傷は見られるが、画像上には現れない。
△：画像上に傷が現れるが、微小かつ軽微で実用上問題ない。
×：画像上に傷が現れ、文字の誤読等の可能性があり、実用できない。
【００８３】
［シミ］
感光体をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に漬け、超音波洗浄にて、５分間表面を洗浄した後、表面に付着したＩＰＡを窒素ブローで飛ばし、１１０℃に設定した乾燥機を用いて、１時間以上乾燥させた。感光体の温度が２５℃になった後、表面の画像形成領域内に０．００３〜０．０１０ｍｌ程度の精製水（共栄製薬株式会社製  日本薬局方  精製水）を垂らし、３０秒経過した後、水滴を拭き取った。水滴を拭き取った後の表面でシミの有無を目視にて観察するとともに、この感光体を上記の改造機に設置して、前述の耐久試験と同一条件でハーフトーン画像を出力し、画像上に現れるシミの有無を目視にて観察し、以下の基準で評価を行なった。シミの評価は、他の評価を行った感光体と同一の処方で別の感光体を形成し、シミの評価のみを行った。
◎：電子写真用感光体の表面にシミは見られない。
○：電子写真用感光体の表面にシミは見られるが、画像上には現れない。
△：画像上にシミが現れるが、微小かつ軽微で実用上問題ない。
×：画像上にシミが顕著に現れ、文字の誤読等の可能性があり、実用できない。
【００８４】
【表４】
2009080266.tif 000006
【００８５】
表中、帯電能、帯電能むら、光感度、残留電位の値は感光体４におけるこれらの値を１．００とした相対比較で示した。
【００８６】
これらの評価において、帯電能は、０．９０以上であれば、良好な特性の感光体といえる。帯電能むらにおいては、３．７０以下では実用上問題のない画像が得られ、２．５０以下であれば濃度むらの軽微な良好な特性が得られる。また１．２０以下では画像上として実質的に濃度むらのない良好な特性とすることができる。
【００８７】
光感度においては、１．２０以下では実用上問題なく、１．１０以下では、幅広いプロセス条件に適応可能な良好な特性とすることができる。光感度むらの結果については図６に示す。図６において光感度むらの各値は、感光体４における値を１．００として相対比較で示している。光感度むらについては、３．７０以下では実用上問題のない画像が得られ、２．５０以下では濃度むらの軽微な良好な特性が得られる。また１．２０以下では画像上として実質的に濃度むらのない良好な特性とすることができる。
【００８８】
残留電位については、３．００以下であれば幅広いプロセス条件に適応可能な良好な特性とすることができる。残留電位むらの結果については図７に示す。図７において残留電位むらの各値は、感光体４における値を１．００として相対比較で示している。残留電位むらについては、画像特性に直接影響を与えるものではないが、多くの場合、帯電能むらに影響を与えるため、帯電能むらと同様３．７０以下では実用上問題なく、２．５０以下とすることが好ましい。１．２０以下がより好ましい。
【００８９】
結果から、Ｆ含有量によって、光感度むら、傷に変化が現れることが明らかになった。図６によれば、光感度むらが２．５０以下となるのは、Ｆ含有量が１．３０以上であり、また光感度むらが約１．２０以下となるのは、Ｆ含有量が約１．７０以上の範囲と判断できる。光感度むら、傷以外の特性については、明らかな変化は見られなかった。
【００９０】
［実施例４〜６、比較例２］
実施例１と同様にして、光導電層を調製し、表５、６に示した条件とした他は実施例１と同様にして、表面層を形成し、感光体５〜８を調製した。実施例４〜６及び比較例２では表面層の組成式（１）中ｙがほぼ一定となり、ｘが変化するようにフッ素ガス流量を変化させた。
【００９１】
表６に示すフッ素ガス流量はＡｒで希釈する前のフッ素ガス単体の流量であり、実際にはフッ素ガス量の４倍のＡｒと共に導入した。
【００９２】
【表５】
2009080266.tif 000007
【００９３】
【表６】
2009080266.tif 000008
【００９４】
得られた感光体について、実施例１と同様に、表面層の組成式（１）におけるｘ、ｙの値、感光体の特性の評価を行った。結果を表７に示す。光感度むらの結果については図８に、残留電位むらについては図９に示す。
【００９５】
【表７】
2009080266.tif 000009
【００９６】
表７中、帯電能、帯電むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むらは、感光体４のこれらの値を１．００とした相対値で示している。
【００９７】
結果より、Ｆ含有量によって、帯電能むら、傷、光感度むら、残留電位むらに変化が現れることが明らかとなった。ここで、帯電能むら、光感度むらは、残留電位むらと同様の変化をしていることから、帯電能むら、光感度むらは残留電位むらに影響を受けて変化しているものと考えられる。残留電位むらが２．５０以下となるＦ含有量が２．１０以下の範囲が濃度むらが軽微な好ましい範囲であり、残留電位むらが１．２０以下となるＦ含有量が２．００以下の範囲がより望ましく、濃度むらが実質的に発生しない範囲と判断できる。帯電能むら、光感度むら、残留電位むら、傷以外の特性については、顕著な変化は見られなかった。
［実施例７〜９、比較例３、４］
【００９８】
実施例１と同様にして、光導電層を調製し、表８、９に示した条件とした他は実施例１と同様にして、表面層を形成し、感光体９〜１３を調製した。実施例７〜９及び比較例３、４では表面層の組成式（１）中ｘがほぼ一定となり、ｙが変化するように酸素ガス流量を変化させた。
【００９９】
表９に示すフッ素ガス流量はＡｒで希釈する前のフッ素ガス単体の流量であり、実際にはフッ素ガス量の５倍のＡｒと共に導入した。
【０１００】
【表８】
2009080266.tif 000010
【０１０１】
【表９】
2009080266.tif 000011
【０１０２】
得られた感光体について、実施例１と同様に、表面層の組成式（１）におけるｘ、ｙの値、感光体の特性の評価を行った。結果を表１０に示す。光感度むらの結果については図１０に、残留電位むらについては図１１に示す。感光体９においては、フッ素原子の含有量は不純物程度の検出値を得ており、ｙ＝０とした。
【０１０３】
【表１０】
2009080266.tif 000012
【０１０４】
表１０中、帯電能、帯電むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むらは、感光体４のこれらの値を１．００とした相対値で示している。
【０１０５】
結果より、Ｏ含有量によって、傷、光感度むらに変化が現れることが明らかとなった。残留電位むらはＯ含有量が０．０４７を超えると急激に減少することがわかる。これは、Ｏ含有量がある程度以上にならないとＭｇとＦ、ＭｇとＯの欠陥を相殺する効果が必ずしも十分ではないことを示している。また、残留電位むらが２．５０以下となるＯ含有量が０．０５０以上の範囲が濃度むらが軽微な好ましい範囲であり、残留電位むらが１．２０以下となるＦ含有量が０．０７０以上の範囲がより好ましく、濃度むらが実質的に発生しない範囲と判断できる。傷、光感度むら以外の特性については、顕著な変化は見られなかった。
【０１０６】
［実施例１０〜１３］
実施例１と同様にして、光導電層を調製し、表１１、１２に示した条件とした他は実施例１と同様にして、表面層を形成し、感光体１４〜１７を調製した。実施例１０〜１３では表面層の組成式（１）中ｘがほぼ一定となり、ｙが変化するように酸素ガス流量を変化させた。
【０１０７】
表１２に示すフッ素ガス流量はＡｒで希釈する前のフッ素ガス単体の流量であり、実際にはフッ素ガス量の９倍のＡｒと共に導入した。
【０１０８】
【表１１】
2009080266.tif 000013
【０１０９】
【表１２】
2009080266.tif 000014
【０１１０】
得られた感光体について、実施例１と同様に、表面層の組成式（１）におけるｘ、ｙの値、感光体の特性の評価を行った。結果を表１３に示す。光感度むらの結果については図１２に、残留電位むらについては図１３に示す。
【０１１１】
【表１３】
2009080266.tif 000015
【０１１２】
表１３中、帯電能、帯電むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むらは、感光体４のこれらの値を１．００とした相対値で示している。
【０１１３】
結果より、Ｏ含有量が増加することによって、シミが生じる傾向を有することが明らかとなり、シミの発生の有無に対する酸素含有量の境界は０．２００程度であると判断できる。しかし実施例１２、１３のシミは、いずれも軽微で画像上では全く認識のできないものであった。また、他の特性については顕著な変化は見られなかった。
【０１１４】
［実施例１４〜１６、比較例５］
実施例１と同様にして、光導電層を調製し、表１４、１５に示した条件とした他は実施例１と同様にして、表面層を形成し、感光体１８〜２１を調製した。実施例１４〜１６及び比較例５では表面層の組成式（１）中ｘがほぼ一定となり、ｙが変化するように酸素ガス流量を変化させた。
【０１１５】
表１６に示すフッ素ガス流量はＡｒで希釈する前のフッ素ガス単体の流量であり、実際にはフッ素ガス量の４倍のＡｒと共に導入した。
【０１１６】
【表１４】
2009080266.tif 000016
【０１１７】
【表１５】
2009080266.tif 000017
【０１１８】
得られた感光体について、実施例１と同様に、表面層の組成式（１）におけるｘ、ｙの値、感光体の特性の評価を行った。結果を表１６に示す。光感度むらの結果については図１４に、残留電位むらについては図１５に示す。
【０１１９】
【表１６】
2009080266.tif 000018
【０１２０】
表１６中、帯電能、帯電むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むらは、感光体４のこれらの値を１．００とした相対値で示している。
【０１２１】
結果より、Ｏ含有量によって光感度むら、シミに変化が現れることが明らかとなった。また、光感度むらが１．２０以下になる領域、シミが○になる領域に対するＯ含有量の境界は０．５００程度以下と判断できる。すなわちＦを含有することによって、ＭｇＯの化学量論組成である１：１よりも少ないＯ含有量からＭｇＯ特性が強く現れシミが発生することが分かった。また、光感度については、Ｏ含有量の増加に伴って若干の悪化が見られたが、いずれも良好な特性の範囲内であった。光感度ムラ、シミ、光感度以外の特性については、顕著な変化は見られなかった。
【０１２２】
［実施例１７、１８］
実施例１と同様にして、光導電層を調製し、フッ素ガス、酸素ガスは用いず、反応ガスターゲットとしてマグネシウム金属に替えてＭｇＦ2、ＭｇＯをこれらの比率を表１８に示すように変化させて用い、表１７に示した条件とした。それ以外は実施例１と同様にして、表面層を形成し、感光体２２、２３を調製した。
【０１２３】
表１８に示すフッ化マグネシウム比率、酸化マグネシウム比率はそれぞれターゲット全体に占めるモル％を示している。
【０１２４】
【表１７】
2009080266.tif 000019
【０１２５】
【表１８】
2009080266.tif 000020
【０１２６】
得られた感光体について、実施例１と同様に、表面層の組成式（１）におけるｘ、ｙの値、感光体の特性の評価を行った。結果を表１９に示す。光感度むらの結果については図１６に、残留電位むらについては図１７に示す。
【０１２７】
【表１９】
2009080266.tif 000021
【０１２８】
表１９中、帯電能、帯電むら、光感度、光感度むら、残留電位、残留電位むらは、感光体４のこれらの値を１．００とした相対値で示している。
【０１２９】
結果より、スパッタリングのターゲットとしてＭｇＦ2、ＭｇＯを使用した場合も、優れた特性を有する感光体が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明の電子写真用感光体の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の電子写真用感光体の製造に用いるＣＶＤ装置の概略構成図を示す図である。
【図３】図２に示すＣＶＤ装置の縦断方向における概略構成図を示す図である。
【図４】図２に示すＣＶＤ装置の横断方向における概略構成図を示す図である。
【図５】本発明の電子写真用感光体の製造に用いるスパッタリング装置の概略構成図を示す図である。
【図６】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図７】図６に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【図８】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図９】図８に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【図１０】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図１１】図１０に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【図１２】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図１３】図１２に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【図１４】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図１５】図１４に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【図１６】本発明の電子写真用感光体の一例の光感度むらを示す図である。
【図１７】図１６に示す本発明の電子写真用感光体の一例の残留電位むらを示す図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１０  電子写真用感光体
１１  表面層
１２  光導電層
【図１】
2009080266.tif 000022
【図２】
2009080266.tif 000023
【図３】
2009080266.tif 000024
【図４】
2009080266.tif 000025
【図５】
2009080266.tif 000026
【図６】
2009080266.tif 000027
【図７】
2009080266.tif 000028
【図８】
2009080266.tif 000029
【図９】
2009080266.tif 000030
【図１０】
2009080266.tif 000031
【図１１】
2009080266.tif 000032
【図１２】
2009080266.tif 000033
【図１３】
2009080266.tif 000034
【図１４】
2009080266.tif 000035
【図１５】
2009080266.tif 000036
【図１６】
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【図１７】
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