(57)【要約】【課題】部品点数を削減したパワーモジュール構造を提供し、且つ、ヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保したとしても、製品の大型化を抑制した。【解決手段】セラミック等の絶縁体からなる基材板２１ａの表裏両面にそれぞれ銅等導体からなる導体接合層２１ｂ、２１ｃを形成して構成されるパワーモジュール基板２１を構成し、パワーモジュール基板２１における一面側導体接合層２１ｂにパワー半導体素子２２および外部接続端子２３、２４の取付け台座部２３ａ、２４ａを接続実装すると共に、両外部接続端子２３、２４の端子本体部２３ｂ、２４ｂを、パワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂに対して交差する方向に起立するように接続実装して、封止樹脂層２５の上面側より端子本体部２３ｂ、２４ｂを表出させて構成した。【選択図】図２
2009071102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック等の絶縁体からなる基材板の表裏両面にそれぞれ銅等の導体からなる導体接合層を形成してパワーモジュール基板を構成し、該パワーモジュール基板における一面側導体接合層にパワー半導体素子および一対の外部接続端子を接続実装すると共に、前記両外部接続端子の一端側および前記パワーモジュール基板の他面側導体接合層を表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子及び外部接続端子を封止樹脂層により封止して構成されたことを特徴とするパワーモジュール構造。
【請求項２】
前記両外部接続端子は、前記パワーモジュール基板の一面側導体接合層に対して交差する方向に起立するように接続実装して、前記封止樹脂層の上面側より一端側を表出させた状態で構成したことを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール構造。
【請求項３】
前記封止樹脂層の側壁部を、階段状に形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール構造。
【請求項４】
前記封止樹脂層の側壁部を、傾斜面に形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール構造。
【請求項５】
前記封止樹脂層における前記両外部接続端子の外側において、前記外部接続端子の延在する方向に沿って溝部を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール構造。
【請求項６】
前記封止樹脂層における前記両外部接続端子の外側において、前記外部接続端子の延在する方向に沿って隔壁片を突設形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパワーモジュール構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソリットステートリレーに組み込むためのパワーモジュール構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路の集積化に伴い発熱する電子部品の放熱にはヒートシンクを用いることが一般的である。そのために、電子部品或いは基板とヒートシンクとの密着度は、放熱性に対し非常に重要性を持つようになってきている。
【０００３】
この種のパワーモジュール構造は、図２１に示すように、一面側に図示しない電子部品を実装されるセラミック等の絶縁板ｆとヒートシンクｂに面接触する銅合金製のベース板ｃとを有して構成しており、これら絶縁板ｆとベース板ｃとは、半田付けにて互いに接合されていることから、絶縁板ｆとベース板ｃとの間或いはベース板ｃとヒートシンクｂとの間における熱膨張係数の差を有していることになり、このような熱膨張係数の差によって互いに発生する応力に違いが生じて、図２１に示すように、ベース板ｃ及び絶縁板ｆに反りが発生してしまい、これが原因で、絶縁板ｆの割れや、半田接合部の割れ等が引き起こされ、製品としての信頼性を劣化させてしまう。
【０００４】
そこで、本願出願人は、先に、当該反りの問題を解決すべく、図２２及び図２３に示すようなパワーモジュール構造およびこれを用いたソリッドステートリレーを提案している（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−６１５６号公報。
【０００５】
図２２及び図２３によれば、ソリッドステートリレーａは、ヒートシンクｂと、ヒートシンクｂに面接合するベースｃ(ヒートプレート)と、ベースｃ上に設置されるパワーモジュール構造ｄと、パワーモジュール構造ｄを収容した状態でヒートシンクｂに装着されたるケースｅとを有して構成している。
【０００６】
パワーモジュール構造ｄは、絶縁板ｆの一方の面に沿って添設するように一方の外部接続端子ｇを実装すると共に、一方の外部接続端子ｇ上にパワー半導体素子ｈを実装し、さらに、パワー半導体素子ｈの上に他方の外部端子ｉを実装し、且つ、絶縁板ｆの他方の面にベース板ｃの一面側を接合配設した上で、両外部接続端子ｇ、ｉの一端側、及びベース板ｃの他面側を表出させた状態で封止樹脂層ｋにより封止して構成している。
【０００７】
かかる構成を有するパワーモジュール構造ｄは、ベース板ｃの他面側をヒートシンクｂに接合すると共にビスｎ等を用いてベース板ｃをヒートシンクｂに装着し、且つ、ヒートシンクｂに装着されたケースｅによりカバーされた状態でユニット化されている。
【０００８】
そして、ヒートシンクｂには、応力緩和部としての分割部ｏが形成されて、図示しないが、分割部ｏを半田付けすることにより応力の束縛を分散するように構成している。
【０００９】
かかる構成を採用することにより、先ず、ベース板ｃはその外端側がビスｍによりヒートシンクｂに固着されていると共に、ベース板ｃに分割部ｏを形成したことにより、図２４に示すように互いの熱膨張係数の違いから生ずるヒートシンクｂに対するベース板ｃの反りやベース板ｃに対する絶縁板ｆの反り（矢印参照)を吸収しようとしたものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図２２に戻って説明すると、絶縁板ｆとヒートシンクｂとの間にベース板ｃが介在すると共に、両外部接続端子ｇ、ｉは、パワー半導体素子ｈが介在した上で、互いに重合した状態で絶縁板ｆ上に配設されていることから、部品点数が多く、しかも、厚さ方向(ズ中、上下方向)において大型化すると共に、組立て工数を増大させていた。
【００１１】
又、両外部接続端子ｇ、ｉは、共に、絶縁板ｆに沿って添設するように配設された後、絶縁板ｆに対して縦方向に起立し、その後、再び絶縁板ｆに添設する方向に折曲されて横方向に延在して、ケースｅに設けた側部側凹部ｐから表出するようになっていることから、外部接続端子ｇ、ｉの外部表出端ｇ−１、ｉ―１とヒートシンクｂとの絶縁距離ｋを十分確保するためには大型化を避けられず、結果として製品の大型化や高価な製品となってしまう等の課題が未解決である。
【００１２】
そこで、本発明は、第１に、部品点数を削減することにより安価で小型でしかも信頼性の高いパワーモジュール構造を提供することを目的としている。
【００１３】
第２に、本発明は、ヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保したとしても、製品の小型化が達成可能なパワーモジュール構造を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るパワーモジュール構造は、セラミック等の絶縁体からなる基材板の表裏両面にそれぞれ銅等の導体からなる導体接合層を形成してパワーモジュール基板を構成し、該パワーモジュール基板における一面側導体接合層にパワー半導体素子および外部接続端子を接続実装すると共に、前記両外部接続端子の一端側および前記パワーモジュール基板の他面側導体接合層を表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子及び外部接続端子を封止樹脂層により封止して構成されたことを特徴とする。
【００１５】
かかる構成を有することにより、パワーモジュール基板としてセラミック等の絶縁体からなる基材板の表裏両面にそれぞれ銅等の導体からなる導体接合層を形成することによって構成し、当該パワーモジュール基板における一面側導体接合層にパワー半導体素子および両外部接続端子を接続実装するようにして、従来のように外部接続端子同士をパワー半導体素子を介在させて重合するという構成を採らないことから、薄型化が可能となり、しかも、パワーモジュール基板の他面側導体接合層を封止樹脂層から表出させてヒートシンクに直接接合できるように構成することにより、従来のヒートプレートを廃止することができて、部品点数の軽減及びこれに伴う組立て工数の節減を果たし、ヒートプレートの廃止に関連してこの面からも製品の薄型化を達成することができる。
【００１６】
又、本発明は、上記発明において、両外部接続端子をパワーモジュール基板の表面側導体接合層に対して交差する方向に起立するように接続実装して、封止樹脂層の上面側より一端側を表出させて構成するものである。
【００１７】
かかる構成により、パワー半導体素子と共に両外部接続端子を直接パワーモジュール基板の表面側導体層に接続実装しており、しかも、両外部接続端子を起立状態でパワーモジュール基板の一面側導体接合層に交差し、封止樹脂層の上面側から外部に表出する構成を採ることにより、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保しやすくなり、結果的に製品の小型化を達成できることになる。
【００１８】
また、本発明に係るパワーモジュール構造は、前記発明において、封止樹脂層の側壁部を、階段状に形成して構成してもよい。
【００１９】
かかる構成により、封止樹脂層の側壁部を階段状に形成したことから、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離をさらに大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成できることになり、しかも、階段状形状を利用してソリッドステートリレーのケース体への取付が容易となる。
【００２０】
また、本発明に係るパワーモジュール構造は、封止樹脂層の側壁部を傾斜面に形成するようにしてもよく、この結果、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成でき、しかも、封止樹脂層の形状に成形上若干バラツキがあったとしても、ソリッドステートレーレーのケース体への取付けが容易であると共に、封止樹脂層の成形性に富んでいる。
【００２１】
また、本発明に係るパワーモジュール構造は、封止樹脂層における外部接続端子の外側において、外部接続端子の延在する方向に沿って溝部を形成するようにしてもよく、これにより、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離をさらに大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成できることになる。
【００２２】
また、本発明に係るパワーモジュール構造は、封止樹脂層における外部接続端子の外側において、外部接続端子の延在する方向に沿って隔壁片を突設形成するようにしてもよく、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離をさらに大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成できることになる。
【発明の効果】
【００２３】
上記のように構成する本発明によれば、パワーモジュール基板としてセラミック等の絶縁体からなる基材板の表裏両面にそれぞれ銅等導体からなる導体接合層を形成することによって構成し、当該パワーモジュール基板における一面側導体接合層にパワー半導体素子および外部接続端子を接続実装するようにして、従来のように外部接続端子同士をパワー半導体素子を介在させて重合するという構成を採らないことから、薄型化が可能となり、しかも、パワーモジュール基板の他面側導体接合層を封止樹脂層から表出させてヒートシンクに直接接合できるように構成することにより、従来のヒートプレートを廃止することができて、部品点数の軽減及びこれに伴う組立て工数の節減を果たし、ヒートプレートの廃止に関連してこの面からも製品の薄型化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、本発明に係る実施の形態について、図を用いて説明する。
【００２５】
先ず、図１及び図２に用いて、本発明の第１の実施例を採用したパワーモジュール構造について説明する。
【００２６】
図１は本発明に係る第１の実施例におけるパワーモジュール構造を備えたソリッドステートリレーの縦断面図、図２は、図１におけるパワーモジュール構造の縦断面図である。
【００２７】
先ず、図１に示すように、ソリッドステートリレー１は、本発明に係るパワーモジュール構造２をケース体１ａに収容すると共に、ケース体の下面側にヒートシンク３を装着することにより構成している。
【００２８】
そして、パワーモジュール構造２は、図２に示すように、パワーモジュール基板２１を有して構成している。
【００２９】
パワーモジュール基板２１は、セラミック等の絶縁板からなる基材板２１ａと基材板２１ａの表裏両面にその端部がはみ出た状態でそれぞれ銅板を接合することによって形成した導体接合層２１ｂ、２１ｃとをから構成している。
【００３０】
なお、モジュール基板２１は、セラミックからなる絶縁板の表裏両面に銅からなる導体接合層を接合することにより構成するＤＣＢ(Direct Copper Bonding)基板を使用してもよい。
【００３１】
パワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂには、その略中央部にパワー半導体素子２２と、パワー半導体素子を挟んだ外端側に一対の外部接続端子２３、２４とが接続実装されている。
【００３２】
パワー半導体素子２２は、パワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂに対して表面実装となっている。
【００３３】
外部接続端子２３、２４は、それぞれ取付け台座部２３ａ、２４ａと取付け台座部２３ａ、２４ａの一端側にそれぞれ略直交する状態で一体形成された端子本体部２３ｂ、２４ｂとを有して構成している。
【００３４】
従って、外部接続端子２３、２４は、台座部２３ａ、２４ａを、その他端側同士がパワー半導体素子２２側に対向した状態で、パワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂに接続実装されて、結果的に、端子本体部２３ｂ、２４ｂがパワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂに交差する方向に起立した状態で配設されていることになる。
【００３５】
さらに、パワーモジュール構造２は、外部接続端子２３、２４における取付け台座部２３ａ、２４ａ側とは反対側の一端部及びパワーモジュール基板２１の他面側導体接合層２１ｃを表出させた状態で、外部接続端子２３、２４、パワー半導体素子２２及びパワーモジュール基板２２をトランスファー成形等により成形された封止樹脂層２５により封止することにより構成している。
【００３６】
封止樹脂層２５の側壁部２５ａは、段部２５ｂが形成されるように、下部側が広くなった階段状に成形されている。
【００３７】
この結果、外部接続端子２３、２４の端子本体部２３ｂ、２４ｂの一端側は、封止樹脂層２５の上面より突出した状態で表出していることになる。
【００３８】
又、パワーモジュール基板２１は、表出した他面側導体接合層２１ｃがヒートシンク３に面接触するように接続されており、ヒートシンク３はケース本体１ａの下面側に装着されている。
【００３９】
従って、封止樹脂層２５の段部２５ｂが、ケース体１ａの内壁に形成した鉤状の係止片１ｂとヒートシンク３との間で係合挟着されていることになり、パワーモジュール構造２はケース本体１ａ内で装着固定されていることになる。
【００４０】
この時、外部接続端子２３、２４の端子本体部２３ｂ、２４ｂは、ケース本体１ａの対向内壁同士に形成した段部１ａ−１間に掛け渡し状態で設けられた回路基板１ｃに実装されている。
【００４１】
以上のように構成する本発明の第１の実施例においては、パワーモジュール基板２１としてＤＢＣ基板を使用し、パワーモジュール基板２１における一面側導体接合層２１ｂにパワー半導体素子２２および外部接続端子２３、２４の取付け台座部２３ａ、２４ａをそれぞれ接続実装して、従来のように外部接続端子ｇ、ｉ同士をパワー半導体素子ｈを介在させて重合するという構成を採らないことから、薄型化が可能となる。
【００４２】
しかも、パワーモジュール基板２１の他面側導体接合層２１ｃを封止樹脂層２５から表出させてヒートシンク３に直接接合するようにして構成していることにより、従来のベース板ｃを廃止することができて、部品点数の軽減及びこれに伴う組立て工数の節減を果たし、ヒートプレートの廃止に関連してやはりこの面からの製品の薄型化を達成することができる。
【００４３】
又、外部接続端子２３、２４の端子本体部２３ｂ、２４ｂを起立状態でパワーモジュール基板２１の一面側導体接合層２１ｂ、２１ｃに交差し、封止樹脂層２５より外部に表出する構成を採ることにより、端子本体部２３ｂ、２４ｂの一端側は封止樹脂層２５の上面側より表出することになって、外部接続端子２３、２４とヒートシンク３との絶縁距離を大きく確保しやすくなり、結果的に製品の小型化を達成できることになる。
【００４４】
さらに、封止樹脂層２５の側壁部２５ａが段部２５ｂを有する階段状に形成されていることから、ケース体１ａへの係止片１ｂの取付が容易となる。
【００４５】
さらに、封止樹脂層２５の側壁部２５ａの下端部を突出させることによって階段状に形成して段部２５ｂが形成されることから、沿面距離を延ばすことができ、この点からも、図３の両端矢印で示すように、外部接続端子２３、２４とヒートシンク３との絶縁距離を大きく確保しやすくなり、更なる製品の小型化を達成できることになる。
【００４６】
このように封止樹脂層２５の沿面距離を延ばす方式として、側壁部２５ａの下端部を突出させて階段状に形成する場合に他、例えば、図４ないし図８に示すような実施例が考えられる。
【００４７】
図４に示す実施例は、封止樹脂層２５の側壁部２５ａにおける上下方向中央部を膨出することにより段部２５ｂを形成して、側壁部２５ａを階段状に形成したものである。
【００４８】
図５に示すものは、封止樹脂層２５の側壁部２５ａの上端部を突出させることによって階段状に形成している。
【００４９】
図６に示すものは、封止樹脂層２５の側壁部２５ａの下端部について、その下端部が末広がり状になるように傾斜面に形成することによって、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成したものであり、しかも、封止樹脂層２５の形状に成形上若干バラツキが生じたとしても、ケース体１ａへの取付が可能となり、成形性に富んでいることになる。
【００５０】
図７に示すものは、封止樹脂層２５における各外部接続端子２３、２４の外側において、それぞれ、外部接続端子２３、２４の延在する方向に沿って溝部２６を形成することにより、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子２３、２４とヒートシンク３との絶縁距離をさらに大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成したものである。
【００５１】
図８に示すものは、封止樹脂層２５における外部接続端子２３、２４の外側において、それぞれ、外部接続端子２３、２４の延在する方向に沿って隔壁片２７を突設形成することにより、必要な沿面距離が確保でき、外部接続端子２３、２４とヒートシンク３との絶縁距離をさらに大きく確保することができ、結果的に製品の小型化を達成できるようにしてもよい。
【００５２】
また、図９ないし図２０は、本発明に係るパワーモジュール構造２をケース本体１ａに設置する他の実施例を示すものである。
【００５３】
すなわち、図９に示す場合には、図１に示すケース体１ａの内壁に形成した鉤状の係止片１ｂの他に、係止片１ｂとケース体１ａの側壁との間に、突っ張り片１ｄを配設して、パワーモジュール構造２のケース体１ａへの装着をさらに確実にしたものである。そして、外部接続端子２３、２４は、それぞれ一対ずつ設けている。
【００５４】
図１０においては、図５に示すような封止樹脂層２５の側壁部２５ａにおける上端部を突出させることによって階段状に形成した場合の、ケース本体１ａへのパワーモジュール構造２を装着する例であり、ケース本体１ａ側に鉤状の係止片１ｅを形成しておき、係止片１ａが封止樹脂層２５の下向きの段部２５ｂに係合させることによって、パワーモジュール構造２をケース体１ａに装着したものである。
【００５５】
図１１においては、図６に示す封止樹脂層２５の側壁部２５ａについて、その下端部が末広がり状になるように傾斜面に形成した場合の、ケース本体１ａへのパワーモジュール構造２を装着する例であり、ケース体１ａに形成した係止片１ｂにおける先端部を、側壁部２５ａの傾斜面に沿うように逆の傾斜面に形成して、当接係合するように構成したものである。
【００５６】
図１２において、封止樹脂層２５の側壁部２５ａをストレート形状に形成した場合において、係止片１ｂを略Ｚ状に折曲形成して、側壁部２５ａの他に、封止樹脂層２５の上面部２５ｂをも係合するように構成したものである。
【００５７】
図１３において、封止樹脂層２５の側壁部２５ａをストレート形状に形成した場合において、やはり係止片１ｂを略Ｚ状に折曲形成して、封止樹脂層２５の上面部２５ｂを係合すると共に、側壁部２５ａの上部側を係合するように構成したものである。
【００５８】
図１４においては、封止樹脂層２５の側壁部２５ａをストレート形状に形成した場合において、係止片１ｂにおける側壁部２５ａ全体を係合すべく板厚形状に構成すると共に、その上端部に突起１１ｂ−１を一体に形成して、封止樹脂層２５の上面部２５ｂをも係合するように構成したものである。
【００５９】
図１５においては、係止片１ｂについて、封止樹脂層２５の上面部２５ｂに沿うような水平状に形成して、封止樹脂層２５の上面部２５ｂ側のみを係合するように構成したものである。
【００６０】
図１６においては、係止片１ｂについて、封止樹脂層２５の上面部２５ｂに対して交差するように垂直状に形成して、封止樹脂層２５の上面部２５ｂ側のみをやはり係合するように構成したものである。
【００６１】
図１７においては、図１６に示す係止片１ｂを変形して、係止片１ｂの先端部を段状に形成して、封止樹脂層２５の上面部２５ｂと共に側壁部２５ａをも係合するように構成したものである。
【００６２】
図１８ないし図２０は、図９に示す実施例の変形例であって、係止片１ｂの他に、第２の係止片１ｂ−１を加えて、封止樹脂層２５の中央部をも係合して、ケース体１ａへの係合強度を高めたものである。
【００６３】
上記各実施例における係止片１ｂ或いは係止片１ｂ−１は、適度な弾性を持たせるようにして、パワーモジュール構造２をヒートシンク３側に押し付けることによって、パワーモジュール基板２１の他面側導体接合層２１ｃにおけるヒートシンク３への密着度を選択することによって、良好な放熱効果を得られことになる。
【００６４】
そして、パワーモジュール基板２１の他面側導体接合層２１ｃにおけるヒートシンク３への密着度は、製品形状によって変わることから、上記の実施例のように、係止片１ｂ、１ｂ−１の形状を選択する他、製品に合わせた係止片１ｂ、１ｂ−１の材質、厚み等を考慮して、最適な密着度になるように設計することになる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上説明したように、本発明は、一対の外部接続端子を共にセラミック等の絶縁体からなる基材板の表裏両面にそれぞれ銅等導体からなる導体接合層を形成して構成したパワーモジュール基板の一面側導体接合層に直接接続実装すると共にパワーモジュール基板の他面側導体接合層を表出させてヒートシンクに直接接合できるように構成していることによって、部品点数の低減、組立て工数の軽減、延いては製品の小型化を図ることができ、しかも、外部接続端子をパワーモジュール基板の一面側導体接合層に起立状態で接続実装させることによって、外部接続端子の一端側を封止樹脂層の上面側から表出させることになり、外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離を大きく確保しやすして、結果的に製品の小型化を達成できるようにしたために、ソリットステートリレーに組み込むためのパワーモジュール構造等に好適であるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係る第１の実施例におけるパワーモジュール構造を備えたソリッドステートリレーの縦断面図である。
【図２】図１におけるパワーモジュール構造の縦断面図である。
【図３】第１の実施例における外部接続端子とヒートシンクとの絶縁距離を描画した説明図である。
【図４】本発明に係る第２の実施例におけるパワーモジュール構造を描画した正面図である。
【図５】本発明に係る第３の実施例におけるパワーモジュール構造を描画した正面図である。
【図６】本発明に係る第４の実施例におけるパワーモジュール構造を描画した正面図である。
【図７】本発明に係る第５の実施例におけるパワーモジュール構造を描画した正面図である。
【図８】本発明に係る第６の実施例におけるパワーモジュール構造を描画した正面図である。
【図９】本発明に係るパワーモジュール構造をケース体に取付ける場合の取付け構造の他の実施例よるソリッドステートリレーの縦断面図である。
【図１０】本発明に係るパワーモジュール構造をケース体に取付ける場合の取付け構造の別の実施例の概略図である。
【図１１】同じく、さらに別の実施例の概略図である
【図１２】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１３】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１４】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１５】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１６】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１７】同じく、さらに別の実施例の概略図である。
【図１８】本発明に係るパワーモジュール構造をケース体に取付ける場合の取付け構造のさらに別の実施例よるソリッドステートリレーの縦断面図である。
【図１９】同じく、横断面図である。
【図２０】同じく平面図である。
【図２１】従来技術におけるパワーモジュール構造のヒートプレート、パワーモジュール基板およびヒートシンクの熱膨張係数の違いから生じた反りについて説明する図である。
【図２２】反りの問題を解決した従来の技術におけるソリットステートリレーの外観を描画した斜視図である。
【図２３】図２２に使用するパワーモジュール構造の縦断面図である。
【図２４】同じくパワーモジュール構造のヒートプレート、パワーモジュール基板およびヒートシンクにおける熱膨張係数の違いから生ずる反りを阻止するメカニズムを説明する図である。
【符号の説明】
【００６７】
１    ソリットステートリレー
２    パワーモジュール構造
２１  パワーモジュール基板
２２  パワー半導体素子
２３、２４  外部接続端子
２５    封止樹脂層
２５ａ  側壁部
３    ヒートシンク
【図１】
2009071102.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009071102.tif 000008
【図７】
2009071102.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2009071102.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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