(57)【要約】【課題】処理ムラの発生を防ぐことが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。【解決手段】処理層が形成された基板を支持部によって支持し、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記所定の処理を行っているときに前記支持部の支持位置を変更する。所定の処理を行っているときに支持部の支持位置を変更することとしたので、支持部と基板との接触位置を分散させることができる。これにより、支持部による基板の温度差の発生及び気化熱による基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理層が形成された基板を支持部によって支持し、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
前記所定の処理を行っているときに前記支持部の支持位置を変更する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記支持部は、前記基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、
前記基板に当接させる前記支持部材を切り替えながら前記複数の支持部材によって前記基板を支持する
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
所定の時間ごとに前記支持位置を変更する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記処理層は、前記基板上に塗布された液状体であり、
前記液状体が揮発する前に前記支持位置を変更する
ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記基板の表面に対して平行な方向に前記支持位置を変更する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の表面に対して垂直な方向に前記支持位置を変更する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記所定の処理は、前記基板の周囲を減圧する減圧処理を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記所定の処理は、前記基板を加熱する加熱処理を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
処理層が塗布された基板を収容し、前記基板に所定の処理を行う基板収容部と、
前記基板収容部内に設けられ、前記基板を支持する支持部と、
前記所定の処理が行われているときに前記支持部の支持位置を変更させる制御手段と
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記支持部は、前記基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、
前記制御手段は、前記基板に当接させる前記支持部材を切り替えながら前記複数の支持部材に前記基板を支持させる
ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、所定の時間ごとに前記支持位置を変更させる
ことを特徴とする請求項９又は請求項１０のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理層は、前記基板上に塗布された液状体であり、
前記制御手段は、前記液状体が揮発する前に前記支持位置を変更させる
ことを特徴とする請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記基板の表面に対して平行な方向に前記支持位置を変更させる
ことを特徴とする請求項９から請求項１２のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記制御手段は、前記基板の表面に対して垂直な方向に前記支持位置を変更させる
ことを特徴とする請求項９から請求項１３のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記所定の処理は、前記基板収容部内を減圧する減圧処理を含む
ことを特徴とする請求項９から請求項１４のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記所定の処理は、前記基板を加熱する加熱処理を含む
ことを特徴とする請求項９から請求項１５のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。基板上にレジスト膜を形成する工程では、基板の表面上に液状体のレジストを塗布した後、この液状体のレジストの減圧乾燥が行われる。レジストを減圧乾燥した後、当該基板に加熱処理を行うことによってレジスト膜が形成される。
【０００３】
レジストの減圧乾燥を行うユニットとして、例えば液状体のレジストが形成された基板を密閉可能なチャンバ内に収容しピンなどの支持部材によって基板を支持しながらチャンバ内を減圧する減圧乾燥ユニットが知られている（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開２００３−１６８６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のユニットでは、減圧乾燥中、基板のうちピンによって支持される部分とその他の部分とで温度差が発生し、当該温度差によってレジストの乾燥速度に差がついてしまうことがある。また、レジストが乾燥する際には基板から気化熱を奪うことが知られており、ピンによって支持される部分とその他の部分とでは奪われる気化熱に差がついてしまう。これらの現象によってレジストに乾燥ムラが生じてしまうことになる。特に大型の基板に減圧乾燥を行う場合、この乾燥ムラは一層顕著になる。レジストの乾燥ムラは、例えば液晶ディスプレイなどにピン跡が形成される一因となる。また、レジストの乾燥ムラに限られず、例えば基板を加熱する場合においても同様に加熱ムラによってピン跡が形成されることもあり、他の基板処理においても、処理ムラによってピン跡が形成される可能性もある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、処理ムラの発生を抑えることが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理方法は、処理層が形成された基板を支持部によって支持し、前記基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記所定の処理を行っているときに前記支持部の支持位置を変更することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、所定の処理を行っているときに支持部の支持位置を変更することとしたので、支持部と基板との接触位置を分散させることができる。これにより、支持部による基板の温度差の発生及び気化熱による基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【０００８】
上記の基板処理方法は、前記支持部は、前記基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、前記基板に当接させる前記支持部材を切り替えながら前記複数の支持部材によって前記基板を支持することを特徴とする。  
本発明によれば、支持部が基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、基板に当接させる支持部材を切り替えながら複数の支持部材によって基板を支持することとしたので、当該支持部材の切り替えによって支持部と基板との接触位置を分散させることができる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【０００９】
上記の基板処理方法は、所定の時間ごとに前記支持位置を変更することを特徴とする。
本発明によれば、所定の時間ごとに支持位置を変更することとしたので、支持部と基板との接触位置が所定時間毎に変化することになる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００１０】
上記の基板処理方法は、前記処理層は、前記基板上に塗布された液状体であり、前記液状体が揮発する前に前記支持位置を変更することを特徴とする。  
本発明によれば、処理層が基板上に塗布された液状体であり、液状体が揮発する前に支持位置を変更することとしたので、基板の温度変化による液状体の揮発時間に差が生じるのを極力抑えることができる。
【００１１】
上記の基板処理方法は、前記基板の表面に対して平行な方向に前記支持位置を変更することを特徴とする。  
本発明によれば、前記基板の表面に対して平行な方向に支持位置を変更することとしたので、支持部と基板との接触位置を基板の表面に対する平行方向に分散させることができる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００１２】
上記の基板処理方法は、前記基板の表面に対して垂直な方向に前記支持位置を変更することを特徴とする。  
本発明によれば、基板の表面に対して垂直な方向に支持位置を変更することとしたので、基板を当該垂直方向に移動させることができる。これにより、処理層の周囲の温度環境を変化させることができるので、処理ムラの発生を抑えることができる。
【００１３】
上記の基板処理方法は、前記所定の処理は、前記基板の周囲を減圧する減圧処理を含むことを特徴とする。  
本発明によれば、減圧処理において基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理層の乾燥速度に差が発生するのを抑えることができ、乾燥ムラの発生を抑えることができる。
【００１４】
上記の基板処理方法は、前記所定の処理は、前記基板を加熱する加熱処理を含むことを特徴とする。  
本発明によれば、加熱処理において基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、基板の温度差の発生をより確実に抑えることができる。これにより、加熱ムラの発生を抑えることができる。
【００１５】
本発明に係る基板処理装置は、処理層が塗布された基板を収容し、前記基板に所定の処理を行う基板収容部と、前記基板収容部内に設けられ、前記基板を支持する支持部と、前記所定の処理が行われているときに前記支持部の支持位置を変更させる制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、所定の処理を行っているときに制御手段によって支持部の支持位置を変更することができるので、支持部と基板との接触位置を分散させることができる。これにより、支持部による基板の温度差の発生及び気化熱による基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００１７】
上記の基板処理装置は、前記支持部は、前記基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、前記制御手段は、前記基板に当接させる前記支持部材を切り替えながら前記複数の支持部材に前記基板を支持させることを特徴とする。  
本発明によれば、支持部が基板のうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持部材を有し、制御手段が基板に当接させる支持部材を切り替えながら複数の支持部材に基板を支持させることとしたので、当該支持部材の切り替えによって支持部と基板との接触位置を分散させることができる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００１８】
上記の基板処理装置は、前記制御手段は、所定の時間ごとに前記支持位置を変更させることを特徴とする。  
本発明によれば、制御手段によって所定の時間ごとに支持位置を変更させることができるので、支持部と基板との接触位置を所定時間毎に変化させることができる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００１９】
上記の基板処理装置は、前記処理層は、前記基板上に塗布された液状体であり、前記制御手段は、前記液状体が揮発する前に前記支持位置を変更させることを特徴とする。  
本発明によれば、処理層が基板上に塗布された液状体であり、制御手段によって液状体が揮発する前に支持位置を変更させることができるので、液状体の揮発時間に差が生じるのを極力抑えることができる。
【００２０】
上記の基板処理装置は、前記制御手段は、前記基板の表面に対して平行な方向に前記支持位置を変更させることを特徴とする。  
本発明によれば、制御手段が基板の表面に対して平行な方向に支持位置を変更させることができるので、支持部と基板との接触位置を基板の表面に対する平行方向に分散させることができる。これにより、基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００２１】
上記の基板処理装置は、前記制御手段は、前記基板の表面に対して垂直な方向に前記支持位置を変更させることを特徴とする。  
本発明によれば、制御手段が基板の表面に対して垂直な方向に支持位置を変更させることができるので、処理層の周囲の温度環境を変化させることができる。これにより、処理ムラの発生を効率的に抑えることができる。
【００２２】
上記の基板処理装置は、前記所定の処理は、前記基板収容部内を減圧する減圧処理を含むことを特徴とする。  
本発明によれば、減圧処理において基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、処理層の乾燥速度に差が発生するのを抑えることができる。これにより、乾燥ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００２３】
上記の基板処理装置は、前記所定の処理は、前記基板を加熱する加熱処理を含むことを特徴とする。  
本発明によれば、加熱処理において基板の温度差の発生を最小限に抑えることができるので、基板の温度差の発生をより確実に抑えることができる。これにより、加熱ムラの発生を抑えることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、処理ムラの発生を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。  
図１は本実施形態に係る減圧乾燥ユニット１の概略構成を示す図である。  
同図に示すように、減圧乾燥ユニット１は、チャンバ２と、第１支持部材３と、第２支持部材４と、制御部５と、減圧機構６と、天板８とを備えており、基板Ｓの表面上に塗布された液体状のレジストＲを減圧下で乾燥させるユニットである。
【００２６】
チャンバ２は、内部に基板Ｓを収容可能な大きさを有する筐体であり、その内部は密閉可能に設けられている。チャンバ２の上方には開口部２ａが設けられており、チャンバ２内が開口部２ａを介して減圧機構６に接続された状態になっている。チャンバ２の上方には当該開口部２ａを覆うように天板８が設けられている。チャンバ２内には、基板Ｓを支持するための第１支持部３及び第２支持部材４が設けられている。第１支持部材３及び第２支持部材４はそれぞれ複数の支持ピン３ａ及び支持ピン４ａを有しており、当該第１支持部材３及び第２支持部材４が図中上下方向にそれぞれ独立して移動可能に（昇降可能に）設けられている。
【００２７】
各支持ピン３ａは一体的に昇降するように互いに連結されていると共に、各支持ピン４ａについても一体的に昇降するように互いに連結されている。各支持ピン３ａの上端同士及び各支持ピン４ａの上端同士はそれぞれ面一状態になっている。基板Ｓは、この支持ピン３ａ及び支持ピン４ａの上端に支持されるようになっている。
【００２８】
制御部５は、主として第１支持部材３及び第２支持部材４の昇降移動の移動量や移動のタイミングなどを制御する。また、減圧機構６による減圧のタイミング等についても制御可能になっている。減圧機構６はチャンバ２内を吸引するポンプ６ａと、当該ポンプ６ａの吸引量を調節するバルブ６ｂとを有しており、チャンバ２の開口部２ａからチャンバ２内を減圧するようになっている。
【００２９】
図２は支持ピン３ａの配置を示す平面図であり、図３は支持ピン４ａの配置を示す平面図である。  
図２に示すように、第１支持部材３には、基板Ｓを支持する７つの支持ピン３ａが設けられている。例えば、基板Ｓの平面視中央部を支持するように１つ配置されていると共に、当該中央部から所定の距離を置いて左右にそれぞれ１列（３つ）ずつ縦方向に支持するように配列されている。支持ピンの材質は特に限定されないが、ピーク、ベスペル、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ＰＰＳ−Ｃ（ポリフェニレンスルフィド−カーボン繊維）、ポリエチレン等を用いることができる。
【００３０】
また、図３に示すように、第２支持部材４は、基板Ｓを支持する例えば６つの支持ピン４ａが設けられている。第２支持部材４の６つの支持ピン４ａは、第１支持部材３の支持ピン３ａとは異なる位置を支持するように配列されている。例えば基板Ｓの中央部を図中左右方向に挟むように１つずつ配置されていると共に、基板Ｓの４つの角部を支持するように１つずつ配置されている。
【００３１】
次に、上記のように構成された減圧乾燥ユニット１の動作を説明する。本実施形態では、基板Ｓ上に塗布されたレジストＲが液状体であり、当該液状体がほとんど揮発していない状態で減圧乾燥する場合を例に挙げて説明する。  
まず、図４に示すように、第１支持部材３を所定の位置に上昇させた状態で、レジストＲが塗布された基板Ｓを支持ピン３ａの上端に載置する。なお、第１支持部材３ではなく第２支持部材４を上昇させた状態であっても構わない。以下、第１支持部材３上に基板Ｓを載置したものとして説明する。
【００３２】
第１支持部材３の支持ピン３ａ上に基板Ｓを載置した後、チャンバ２内を密閉し、減圧機構６によってチャンバ２内を所定の圧力まで減圧する。チャンバ２内では、基板Ｓが第１支持部材３の支持ピン３ａによって支持された状態で減圧乾燥処理が開始されることになる。この工程では第１支持部材３と天板８との間に気流ムラが発生しないように当該第１支持部材３と天板８との間が比較的狭くなるように配置される。
【００３３】
第１支持部材３の支持ピン３ａによって基板Ｓを支持した状態で一定時間減圧処理が行われた後、図５に示すように、基板Ｓを支持する支持部材を第１支持部材３から第２支持部材４へと切り替える。この切り替えにおいては、基板Ｓの高さ位置が変化しないように、例えば第１支持部材３の支持ピン３ａによって支持された状態で第２支持部材４を上昇させ、第２支持部材４の支持ピン４ａの上端に基板Ｓを当接させる。支持ピン４ａの上端に基板Ｓが当接したことを確認した後、第１支持部材３を下降させるようにする。この切り替えにより、当該基板Ｓの基板面に平行な方向に基板Ｓの支持位置が変更されることになる。
【００３４】
なお、第１支持部材３から第２支持部材４への切り替えを行う際に、第１支持部材３を下降させるようにしてもよい。基板Ｓが大型の場合、基板Ｓと天板８との間隔が狭いと当該基板Ｓの平面視中央部に塗布されたレジストＲが乾燥しにくくなる。そこで第１支持部材３を下降させ基板Ｓと天板８との間を広げることで基板Ｓの平面視中央部に塗布されたレジストＲが乾燥しやすい状態にする。この場合、第１支持部材３の支持ピン３ａ上に基板Ｓを載置させたまま第１支持部材３を下降させるようにする。この下降により、基板Ｓの支持位置が基板面に対して垂直な方向に変更されることになり、当該垂直方向に支持位置が変更されることで基板Ｓ自体も移動することになる。このため、チャンバ２内における基板Ｓの周囲の環境が変化し、レジストＲの乾燥速度が均一化されることになる。
【００３５】
チャンバ２内で減圧乾燥処理を行いながら、上記の図４、図５又は図６の動作を所定時間ずつ繰り返すようにする。この動作により、減圧乾燥処理の間、基板Ｓの支持位置が所定の時間ごとに変更されることになる。減圧乾燥処理が終了したら、チャンバ２内を大気圧に戻し、基板Ｓをチャンバ２内から取り出す。
【００３６】
このように、本実施形態では、減圧乾燥処理を行っているときに基板Ｓの支持位置を変更することとしたので、第１支持部材３の支持ピン３ａ及び第２支持部材４の支持ピン４ａと基板Ｓとの接触位置を基板Ｓの表面全体に分散させることができる。これにより、支持ピン３ａ及び支持ピン４ａによって基板Ｓに温度差が発生するのを最小限に抑えることができると共に気化熱による基板Ｓの温度差の発生を抑えることができるので、レジストＲに乾燥ムラが発生するのを抑えることが可能となる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、基板Ｓのうちそれぞれ異なる位置に当接する複数の支持ピン３ａ若しくは４ａ部材を有する第１支持部材３と第２支持部材４とを切り替えながら基板Ｓを支持することとしたので、当該支持部材の切り替えによって基板Ｓ上の接触位置を容易に分散させることができる。
【００３８】
また、本実施形態では、所定の時間ごとに基板Ｓの支持位置を変更することとしたので、基板Ｓ上の接触位置が所定時間毎に変化することになる。これにより、基板Ｓの温度差の発生が最小限に抑えられるよう制御することができるので、効率的に乾燥ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態では、液状体のレジストＲが揮発する前に減圧乾燥処理を行う場合において、基板Ｓの支持位置を変更することとしたので、基板Ｓの温度変化によるレジストＲの揮発時間に差が生じるのを効果的に抑えることができる。
【００４０】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、基板Ｓに形成されたレジストＲを減圧下で乾燥させる減圧乾燥ユニットを例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、基板Ｓに形成されたレジストＲに加熱処理を施す加熱ユニットについて本発明を適用させることも可能である。具体的には、図７に示すように、加熱ユニット１１は、チャンバ１２と、第１支持部材１３と、第２支持部材１４と、制御装置１５と、減圧機構１６と、加熱機構１７とを備えている。加熱機構１７としては、ここでは電熱線１７ａが内部に設けられたホットプレートが用いられている。他の構成は、上記実施形態の減圧乾燥ユニット１と同様である。このような加熱ユニット１１において、第１支持部材１３の支持ピン１３ａと第２支持部材１４の支持ピン１４ａとによって基板Ｓを交互に支持しながら加熱処理を行うことができる。このようにすることで、基板Ｓを支持する支持位置が変化するため、基板Ｓに加熱ムラが生じるのを抑えることができる。
【００４１】
また、上記実施形態では、第１支持部材３及び第２支持部材４によって基板Ｓを交互に支持しながら処理（減圧乾燥処理）を行うようにしたが、これに限られることは無く、例えば３種類以上の支持部材を設け、基板Ｓを支持する支持部材を適宜切り替えながら処理を行うようにしても構わない。支持部材の数、すなわち、基板Ｓ上の支持位置が分散されればされるほど、温度差の発生を最小限に抑えることができ、処理ムラの発生を抑えることが可能となる。
【００４２】
また、上記実施形態では、所定の時間ごとに支持部材を切り替えながら（支持位置を変更しながら）処理を行うようにしたが、これに限られることは無く、各支持部材による支持期間をランダムにしながらあるいは所定の周期で変更させながら基板を支持するようにしても構わない。
【００４３】
また、上記実施形態では、チャンバ２の上方に開口部２ａを配置し当該チャンバ２の上方から排気する構成であったが、これに限られることは無く、例えば図８に示すようにチャンバ２の下方に開口部２ａを配置し当該チャンバ２の下方から排気する構成であっても構わない。この場合、同図に示すように天板８を配置する必要が無い。図示を省略するが、加熱ユニット１１についても同様の構成とすることができる。
【００４４】
また、上記実施形態では、第１支持部材３の支持ピン３ａ及び第２支持部材４の支持ピン４ａが基板Ｓの全面に亘って配置されるように構成したが、これに限られることは無く、例えばレジストＲが形成される領域（例えば基板Ｓにパターンを形成する領域）を外して配置されるように構成しても構わない。これにより、基板Ｓのパターン形成領域にピン跡がついてしまうのを回避することができる。
【００４５】
また、上記実施形態では、第１支持部材３の支持ピン３ａ及び第２支持部材４の支持ピン４ａが一体的に昇降するように互いに連結されている構成としたが、これに限られることは無く、例えば支持ピン３ａ及び支持ピン４ａのそれぞれが独立して昇降可能となるように構成しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る減圧乾燥ユニットの構成を示す模式図。
【図２】減圧乾燥ユニットの一部の構成を示す平面図。
【図３】減圧乾燥ユニットの一部の構成を示す平面図。
【図４】減圧乾燥ユニットを用いた減圧乾燥の過程を示す工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】本発明に係る加熱ユニットの構成を示す模式図。
【図８】本発明の減圧乾燥ユニットの他の構成を示す模式図。
【符号の説明】
【００４７】
１…減圧乾燥ユニット  ２…チャンバ  ３…第１支持部材  ３ａ…支持ピン  ４…第２支持部材  ４ａ…支持ピン  ５…制御部  ６…減圧機構  Ｓ…基板  Ｒ…レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009111234.tif 000005
【図４】
2009111234.tif 000006
【図５】
2009111234.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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