(57)【要約】【課題】  半導体プロセスで直接基板に駆動回路を作り込むことなく金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により圧力発生手段との間の配線を形成することで高密度化に資することができ、また基板の構造破壊も回避し得る液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  液体を噴射するノズル開口２１に連通する圧力発生室１２が形成された流路形成基板１０と、前記圧力発生室１２に圧力変化を生じさせることによりノズル開口２１を介して液滴を吐出させるよう流路形成基板１０の一方面側に配設された圧電素子３００と、前記一方面側に形成した凹部１２６に埋設されるとともに、圧電素子３００が駆動されるように金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により圧電素子３００との間の配線が形成されている駆動回路１２０とを有する。【選択図】  図１
2009073144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせることにより前記ノズル開口を介して液滴を吐出させるよう前記流路形成基板の一方面側に配設された圧力発生手段と、前記一方面側に形成された凹部に埋設されるとともに、前記圧力発生手段が駆動されるように金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により前記圧力発生手段との間の配線が形成されている駆動回路とを有することを特徴とする特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載する液体噴射ヘッドにおいて、
前記駆動回路はその表面が前記流路形成基板の表面と面一になるように埋設したものであることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載する液体噴射ヘッドにおいて、
前記駆動回路と前記流路形成基板との間隙がＣＶＤ法で形成された充填部材で充填されていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせることにより前記ノズル開口を介して液滴を吐出させるよう前記流路形成基板の一方面側に配設された圧力発生手段と、前記圧力発生手段を駆動する駆動回路とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板の前記一方面側に凹部を形成する工程と、前記凹部に前記駆動回路を埋設する工程と、金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により前記圧力発生手段を駆動するための配線を前記圧力発生手段と前記駆動回路との間に形成する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載する液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記凹部の形成は前記圧力発生手段を形成した後、ドライエッチング法により行なうようにしたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載する液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記駆動回路の埋設は、前記駆動回路の表面が前記流路形成基板の表面と面一になるように行なうことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６に記載する何れか一つの液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記駆動回路を前記凹部に埋設した後、前記駆動回路と前記流路形成基板との間隙をＣＶＤ法で形成する充填部材で充填する工程をさらに有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３に記載する液体噴射ヘッドを有することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置に関し、特に液体噴射ヘッドの高密度化を達成する場合に適用して有用なものである。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通すると共に隔壁により区画された圧力発生室と、延設された隔壁により区画された圧力発生室に連通するインク供給路及びインク供給路に連通する連通路と、連通路に連通すると共に複数の圧力発生室に連通する連通部とが形成された流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側の面に接着剤を介して接合されると共に、連通部と共にリザーバの一部を構成するリザーバ部を有するリザーバ形成基板（保護基板）とを具備するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかるリザーバ形成基板を有するインクジェット式記録ヘッドにおいて、前記圧電素子を駆動する駆動回路は、通常リザーバ基板上に固着してあり、圧電素子との間はワイヤボンディング法により接続配線で接続されている。
【０００４】
ところが、ワイヤボディング法による接続では、段差部が大きいこととも相俟って高密度化に難がある。さらに、前記駆動回路はインク室等が形成された脆弱な基板上への実装であるため、構造破壊が起こりやすい。
【０００５】
そこで、ワイヤボンディング法によらずに駆動回路と圧電素子との間の配線を形成すべく、半導体基板である流路形成基板に半導体プロセスにより直接駆動回路を作り込む方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７２９１３号公報（図１〜図５、第４〜１０頁）
【特許文献２】特開２００１−２８７３６２号公報（図３、段落〔００３９〕参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の如く半導体プロセスで直接駆動回路を作り込む方法では、工程が長く、圧電素子の形成時の条件（例えば焼成温度等）と駆動回路の形成時の条件が異なるので、何れを先に形成しても後工程で形成する圧電素子乃至駆動回路との間での形成条件の調整が難しいという問題を有している。
【０００８】
なお、このような問題は、インクを吐出するインクジェット式記録ヘッドだけではなく、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。
【０００９】
本発明は、上記従来技術に鑑み、半導体プロセスで直接基板に駆動回路を作り込むことなく金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により圧力発生手段との間の配線を形成することで高密度化に資することができ、また基板の構造破壊も回避し得る液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明の態様は、
ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせることにより前記ノズル開口を介して液滴を吐出させるよう前記流路形成基板の一方面側に配設された圧力発生手段と、前記一方面側に形成された凹部に埋設されるとともに、前記圧力発生手段が駆動されるように金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により前記圧力発生手段との間の配線が形成されている駆動回路とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
本態様によれば、駆動回路が圧力発生手段と同じ側の流路形成基板に埋設されているので、駆動回路と圧力発生手段とを金属膜のパターニングにより形成した配線により接続することができる。この結果、圧力発生手段の高密度化、延いては液体噴射ヘッドの高密度化を容易に図ることができる。この際、駆動回路は部品としての完成品を凹部に埋設するだけであるので、工程が複雑になることもない。
【００１１】
ここで、前記駆動回路はその表面が前記流路形成基板の表面と面一になるように埋設したものであることが望ましい。このように、面一に形成することで段部を可及的に少なくした平坦なリード電極を形成することができるからである。また、前記駆動回路と前記流路形成基板との間隙がＣＶＤ法で形成された充填部材で充填されていることが望ましい。このように、充填部材で間隙を充填した場合、間隙に対する異物の混入を防止し得るばかりでなく、駆動回路の固定もより強固に行うこともできるからである。
【００１２】
本発明の他の態様は、
ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせることにより前記ノズル開口を介して液滴を吐出させるよう前記流路形成基板の一方面側に配設された圧力発生手段と、前記圧力発生手段を駆動する駆動回路とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板の前記一方面側に凹部を形成する工程と、前記凹部に前記駆動回路を埋設する工程と、金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により前記圧力発生手段を駆動するための配線を前記圧力発生手段と前記駆動回路との間に形成する工程とを有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
本態様によれば、駆動回路と圧力発生手段とを金属膜のパターニングにより形成した配線により接続することができるので、ワイヤボンディング法で前記配線を形成する場合に較べ圧力発生手段の高密度化、延いては液体噴射ヘッドの高密度化を容易に達成することができる。この際、駆動回路は部品としての完成品を凹部に埋設するだけであるので、工程が複雑になることもない。
【００１３】
ここで、前記凹部の形成は前記圧力発生手段を形成した後、ドライエッチング法により行なうのが好ましい。前記凹部は機械的な脆弱部となるため、圧力発生手段を形成した後の方が望ましく、またドライエッチング法であれば先に形成されている圧力発生手段に対する影響を考慮する必要がないからである。また、前記駆動回路の埋設は、前記駆動回路の表面が前記流路形成基板の表面と面一になるように行なうことが望ましい。このように、面一に形成することで段部を可及的に少なくした平坦なリード電極を形成することができるからである。また、前記駆動回路を前記凹部に埋設した後、前記駆動回路と前記流路形成基板との間隙をＣＶＤ法で形成する充填部材で充填する工程をさらに有するのが望ましい。充填部材で間隙を充填した場合、間隙に対する異物の混入を防止し得るばかりでなく、駆動回路の固定もより強固に行うこともできるからである。
【００１４】
本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを有することを特徴とする液体噴射装置にある。本態様によれば、上述のごとき液体噴射ヘッドが有する効果を液体噴射ヘッドとしても具備させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図、図２（ａ）は図１の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ´線断面図及び図３は図２（ｂ）の一部を抽出して示す拡大断面図である。
【００１６】
これらの図に示すように、流路形成基板１０は、本実施形態では板厚方向の結晶面方位が（１１０）面のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１７】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。
【００１８】
インク供給路１４は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。
【００１９】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００２０】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、二酸化シリコンからなり厚さが例えば、約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）等からなり厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が積層形成されている。また、この絶縁体膜５５上には、厚さが約０．１〜０．５μｍの下電極膜６０と、圧電体膜の一例であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなり厚さが例えば、約１．１μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部３２０という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエータ装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０及び絶縁体膜５５が振動板として作用するが、弾性膜５０又は絶縁体膜５５の何れか一方のみを振動板として設けるようにしてもよい。
【００２１】
このような圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。
【００２２】
本実施形態における流路形成基板１０の圧電素子３００と同じ側には凹部１２６が形成されており、この凹部１２６に接着剤１２１を介して圧電素子３００を駆動する駆動回路１２０が埋設・固着されている。駆動回路１２０は回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等で好適に形成することができる。ここで、圧電素子３００の個別電極である各上電極膜８０には、駆動回路１２０との間を接続する引き出し配線として、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が設けられている。さらに詳言すると、リード電極９０は金属薄膜形成工程及びフォトリソグラフィ工程により形成され、各圧電素子３００に対応させて駆動回路１２０に設けた各端子１２４と各上電極膜８０との間及び下電極膜６０との間を電気的に接続している。外部入力端子１２５は外部からの信号等を取り込むように駆動回路１２０に設けてある。
【００２３】
ここで駆動回路１２０はその表面が流路形成基板１０の表面と面一になるように埋設してある。このように面一に形成することは必須ではないが、面一に形成することで段部を可及的に少なくした平坦なリード電極９０を形成することができる。
【００２４】
また、駆動回路１２０と流路形成基板１０との間隙はＣＶＤ法で形成された充填部材１２２，１２３で充填されている。このように充填部材１２２，１２３で間隙を充填することも必須ではないが、充填部材１２２，１２３で間隙を充填した場合、間隙に対する異物の混入を防止し得るばかりでなく、接着剤１２１の接着力を補完して駆動回路１２０の固定をより強固に行うこともできる。
【００２５】
保護基板３０には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。なお、圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００２６】
保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２７】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２８】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出される。
【００２９】
ここで、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。なお、図４〜図７は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、流路形成基板１０が複数個一体的に形成されるシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。
【００３１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００３２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。なお、下電極膜６０は、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを積層したものに限定されず、これらを合金化させたものを用いるようにしてもよい。また、下電極膜６０として、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）の何れか一方の単層として用いるようにしてもよく、さらに、これらの材料以外の金属又は金属酸化物等を用いるようにしてもよい。
【００３３】
次に、図５（ａ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板１０の全面に形成後、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を構成する。圧電素子３００を構成する圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層７０の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。なお、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ法やスパッタリング法等を用いるようにしてもよい。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００と同じ面側に凹部１２６を形成する。凹部１２６はドライエッチング法により好適に形成し得る。なお、凹部１２６の形成は圧電素子３００の形成前に形成しておいても良い。ただ、凹部１２６が機械的な脆弱部となることを考慮すれば圧電素子３００を形成した後の方が好適である。また、凹部１２６の深さは、次工程で駆動回路１２０を埋設した際、駆動回路１２０の表面と流路形成基板用ウェハ１１０の表面とが面一になるような深さに形成しておく。また駆動回路１２０を、あらかじめ好適な厚さになるように裏面を研磨しておいてもよい。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示すように、駆動回路１２０を接着剤１２１を介して凹部１２６の埋設・固定する。
【００３６】
次に、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０と駆動回路１２０との間の間隙にＳｉＯ2膜を充填する。かかる充填はＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成することにより容易に実現できる。ＣＶＤ法による成膜においては僅かな間隙にもＳｉＯ2が容易に回りこんで付着されるからである。
【００３７】
次に、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って金（Ａｕ）からなる薄膜を形成し、その後各圧電素子３００毎にパターニングすることにより各圧電素子３００とそれぞれに対応する各端子１２４との間を電気的に接続する配線であるリード電極９０を形成する。
【００３８】
次に、図６（ｃ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５を介して接着する。ここで、この保護基板用ウェハ１３０は、保護基板３０が複数一体的に形成されたものであり、保護基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１及び圧電素子保持部３２が予め形成されている。
【００３９】
次いで、図７（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みに薄くする。
【００４０】
次に、図７（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上にマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図７（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）を行なうことにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２を形成する。
【００４１】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０表面のマスク膜５２を除去し、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００４２】
このように形成された複数のインクジェット式記録ヘッドでは、駆動回路１２０が圧電素子３００と同じ側の流路形成基板１０に埋設されているので、各圧電素子３００と駆動回路１２０の対応する各端子１２４とを金属膜のパターニングにより形成したリード電極９０により接続することができる。この結果、圧電素子３００の高密度化、延いてはインクジェット式記録ヘッドの高密度化を容易に図ることができる。この際、駆動回路１２０は部品としての完成品を凹部１２６に埋設するだけであるので、工程が複雑になることもない。
【００４３】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態１では、ジルコニウムをスパッタリングにより形成した後、ジルコニウムを熱酸化することで、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成するようにしたが、絶縁体膜５５の製造方法は、特にこれに限定されず、例えば、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成してもよい。
【００４４】
さらに、上述した実施形態１では、流路形成基板１０としてシリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス基板、ＭｇＯ基板等においても本発明は有効である。
【００４５】
上述の如きインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図８は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。同図に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００４６】
そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上を搬送されるようになっている。
【００４７】
なお、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】図２（ｂ）の一部を抽出して示す拡大図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図８】インクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １２０  駆動回路、  １２１  接着剤、  １２２，１２３  充填部材、  １２４  端子、  １２６  凹部、  ３００  圧電素子
【図１】
2009073144.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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