(57)【要約】【課題】一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離の相関を明らかにしてインダクタのＱ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現させる。【解決手段】受動部品のうち、第１インダクタＬ１を構成する一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａ、一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａ及び一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａにおいて、各一対のインダクタ形成用電極を構成する２つの電極間の距離Ｄａと、積層方向に隣接する各一対のインダクタ形成用電極間の距離Ｄｂとの関係を０＜Ｄａ≦Ｄｂ、且つ、０＜Ｄａ≦２０μｍとする。【選択図】図７
2009111284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内において誘電体層を間に挟んで形成され、且つ、ビアホールにて電気的に接続された一対のインダクタ形成用電極が２つ以上、誘電体層の積層方向に配列され、
前記各一対のインダクタ形成用電極間に形成されたビアホールにて電気的に接続されることで１つのインダクタが形成された電子部品であって、
前記一対のインダクタ形成用電極におけるインダクタ形成用電極間の最短距離をＤａ、隣接する前記各一対のインダクタ形成用電極間の最短距離をＤｂとしたとき、
０＜Ｄａ≦Ｄｂ
を満足することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品において、
前記Ｄａは、
０＜Ｄａ≦２０μｍ
を満足することを特徴とする電子部品。
【請求項３】
複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板を有する受動部品において、
前記誘電体基板は、１以上のインダクタが前記誘電体層の積層方向と直交する方向に配列形成されるインダクタ形成領域と、前記１以上のインダクタのうち、１以上のインダクタが電気的に接続される１以上のキャパシタが形成されるキャパシタ形成領域とを有し、
前記インダクタ形成領域に形成される前記１以上のインダクタはそれぞれ、前記誘電体基板内において誘電体層を間に挟んで形成され、且つ、ビアホールにて電気的に接続された一対のインダクタ形成用電極が２つ以上、誘電体層の積層方向に配列され、さらに、前記各一対のインダクタ形成用電極間に形成されたビアホールにて電気的に接続されることで構成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項４】
請求項３記載の受動部品において、
前記一対のインダクタ形成用電極におけるインダクタ形成用電極間の最短距離をＤａ、隣接する前記各一対のインダクタ形成用電極間の最短距離をＤｂとしたとき、
０＜Ｄａ≦Ｄｂ
を満足することを特徴とする受動部品。
【請求項５】
請求項４記載の受動部品において、
前記Ｄａは、
０＜Ｄａ≦２０μｍ
を満足することを特徴とする受動部品。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記誘電体基板内に形成され、前記誘電体基板の表面に形成されたアース端子に電気的に接続される内層アース電極を有し、
積層方向に、前記内層アース電極、前記キャパシタ形成領域、前記インダクタ形成領域が配列されていることを特徴とする受動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内にインダクタが形成された電子部品及び該電子部品の構成を利用した受動部品に関し、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタ、ハイパスフィルタ等のフィルタや、これらのフィルタを用いたトリプレクサ等に用いて好適な電子部品及び受動部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内にインダクタが形成された電子部品があり、特に、インダクタのＱ特性向上としては例えば特許文献１〜４が提案されている。
【０００３】
特許文献１記載の電子部品は、誘電体基板内に形成されたほぼ同一形状の３つの導体パターンを間に誘電体層を挟んで積層し、それぞれ電気的に接続して１つの信号用線路を構成するようにしている。これにより、インダクタとして機能する信号用線路の抵抗成分を低減することができ、インダクタのＱ特性を向上させることができる。
【０００４】
特許文献２には、特定の複数の誘電体層上にそれぞれコイル電極を形成して、誘電体層の積層方向とほぼ直交する方向を軸心方向とするコイルを構成する例が記載されており、特に、同じパターンのコイル電極を複数の誘電体層に形成する例が開示されている。この特許文献２記載の積層コイル部品によれば、コイルの軸心方向に沿って隣接しあうビアホール同士の離間間隔が狭くなることを防止しながら各ビアホールの内容積をより大きくすることが可能となる。
【０００５】
特許文献３には、誘電体基板内に形成されたほぼ同一形状の２つの渦巻状のコイルパターンを間に誘電体層を挟んで積層し、それぞれ電気的に接続して１つのコイルを構成するようにしている。この特許文献３記載の基板内層型コイルによれば、小型で高いＱ値の基板内層型コイルを提供することができる。
【０００６】
特許文献４には、誘電体基板内に形成されたほぼ同一形状の２つの第１コイルパターンを間に誘電体層を挟んで積層し、それぞれ電気的に接続して１つの第１コイルを構成し、第１コイルの下層にほぼ同一形状の２つの第２コイルパターンを間に誘電体層を挟んで積層し、それぞれ電気的に接続して１つの第２コイルを構成するようにしている。この特許文献４記載の積層インダクタによれば、絶縁層の剥離を発生させることなく、また、基板の平面面積を増加させることなく、導体損失を極小化することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１８６０３８号公報
【特許文献２】国際公開第２００５／０２４８６３号パンフレット
【特許文献３】特開平６−１４０２５０号公報
【特許文献４】特開平８−１８６０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した特許文献１〜４からもわかるように、縦巻き（特許文献２参照）、横巻き（特許文献１、３及び４参照）のインダクタ構造において、一対の同一パターンを設けることは公知である。
【０００９】
しかし、一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離の相関によるインダクタンス値の変化及びインダクタのＱ値のさらなる向上効果については何ら記載がなく、ただ単に一対の同一パターンを形成した構造だけでは、１つのパターンでインダクタを構成する場合よりも逆にインダクタンス値の低下やインダクタのＱ値を劣化させる場合もある。インダクタンス値の低下を抑えるには、インダクタパターンのターン数及び／又はターン径の増大が必要となり、インダクタが大型化するという問題がある。
【００１０】
近年の通信端末機器において、使用するアプリケーション（ＧＰＳ、テレビジョン、無線通信等）の使用周波数帯が隣接してきており、干渉が問題となる。
【００１１】
従って、フィルタに要求される項目としては、隣接する周波数帯での減衰の確保と、低損失による低消費電力である。当然、小型化の要求も強い。これらの要求項目を実現するためには、上述した特許文献１〜４の記載内容では不十分であり、さらなる検討が必要となる。
【００１２】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離の相関を明らかにしてインダクタの小型化を確保しつつインダクタのＱ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現することができる電子部品及び受動部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１の本発明に係る電子部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板と、前記誘電体基板内において誘電体層を間に挟んで形成され、且つ、ビアホールにて電気的に接続された一対のインダクタ形成用電極が２つ以上、誘電体層の積層方向に配列され、前記各一対のインダクタ形成用電極間に形成されたビアホールにて電気的に接続されることで１つのインダクタが形成された電子部品であって、前記一対のインダクタ形成用電極におけるインダクタ形成用電極間の最短距離をＤａ、隣接する前記各一対のインダクタ形成用電極間の最短距離をＤｂとしたとき、
０＜Ｄａ≦Ｄｂ
を満足することを特徴とする。
【００１４】
この場合、前記Ｄａは、
０＜Ｄａ≦２０μｍ
を満足することが好ましい。
【００１５】
次に、第２の本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板を有する受動部品において、前記誘電体基板は、１以上のインダクタが前記誘電体層の積層方向と直交する方向に配列形成されるインダクタ形成領域と、前記１以上のインダクタのうち、１以上のインダクタが電気的に接続される１以上のキャパシタが形成されるキャパシタ形成領域とを有し、前記インダクタ形成領域に形成される前記１以上のインダクタはそれぞれ、前記誘電体基板内において誘電体層を間に挟んで形成され、且つ、ビアホールにて電気的に接続された一対のインダクタ形成用電極が２つ以上、誘電体層の積層方向に配列され、さらに、前記各一対のインダクタ形成用電極間に形成されたビアホールにて電気的に接続されることで構成されていることを特徴とする。
【００１６】
この場合、前記一対のインダクタ形成用電極におけるインダクタ形成用電極間の最短距離をＤａ、隣接する前記各一対のインダクタ形成用電極間の最短距離をＤｂとしたとき、
０＜Ｄａ≦Ｄｂ
を満足することが好ましい。
【００１７】
また、前記Ｄａは、
０＜Ｄａ≦２０μｍ
を満足することがさらに好ましい。
【００１８】
また、第２の本発明において、前記誘電体基板内に形成され、前記誘電体基板の表面に形成されたアース端子に電気的に接続される内層アース電極を有し、積層方向に、前記内層アース電極、前記キャパシタ形成領域、前記インダクタ形成領域が配列されていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明に係る電子部品及び受動部品によれば、一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離の相関を明らかにしてインダクタのＱ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る電子部品を受動部品に適用した実施の形態例を図１〜図１８を参照しながら説明する。
【００２１】
本実施の形態に係る受動部品１０は、図１に示すように、トリプレクサ（ｔｒｉｐｌｅｘｅｒ）であって、１つの入力端子１２と３つの出力端子（第１出力端子１４ａ〜第３出力端子１４ｃ）を有する。
【００２２】
入力端子１２と第１出力端子１４ａとの間にはハイパスフィルタ１６が接続され、入力端子１２と第２出力端子１４ｂとの間には第１ローパスフィルタ１８ａとＳＡＷフィルタ２０が直列に接続され、入力端子１２と第３出力端子１４ｃとの間には第１ローパスフィルタ１８ａと第２ローパスフィルタ１８ｂが直列に接続されている。
【００２３】
この受動部品１０の回路構成例を図２に示す。ハイパスフィルタ１６は、入力端子１２と第１出力端子１４ａ間に接続された第１キャパシタＣ１と、第１出力端子１４ａとＧＮＤ（グランド）間に接続された第１インダクタＬ１と第２キャパシタＣ２の直列回路とで構成されている。
【００２４】
第１ローパスフィルタ１８ａは、入力端子１２と接点２２（第１ローパスフィルタ１８ａとＳＡＷフィルタ２０との接点）間に接続された第２インダクタＬ２と、該第２インダクタＬ２と接点２２間のラインとＧＮＤとの間に接続された第３インダクタＬ３と第３キャパシタＣ３の直列回路とで構成されている。
【００２５】
第２ローパスフィルタ１８ｂは、接点２２と第３出力端子１４ｃ間に接続された第４インダクタＬ４と第４キャパシタＣ４の並列回路と、接点２２とＧＮＤ間に接続された第５キャパシタＣ５と、第３出力端子１４ｃとＧＮＤ間に接続された第６キャパシタＣ６とで構成されている。
【００２６】
この受動部品１０の外観は、図３に示すように、後述するように複数の誘電体層が積層されて構成され、且つ、内部に複数の電極が形成された誘電体基板２４と、該誘電体基板２４上に実装されたＳＡＷフィルタ２０とを有する。
【００２７】
端子構造としては、例えば図４に示すように、例えば側面端子構造を採用することができ、この場合、例えば誘電体基板２４の第１側面２４ａに形成された３つの端子のうち、中央の端子を入力端子、両側の２つの端子をそれぞれアース端子（第１アース端子２６ａ及び第２アース端子２６ｂ）とし、誘電体基板２４の第２側面２４ｂ（第１側面２４ａと対向する側面）に形成された３つの端子のうち、中央の端子を第３出力端子１４ｃ、両側の２つの端子をそれぞれアース端子（第３アース端子２６ｃ及び第４アース端子２６ｄ）とし、誘電体基板２４の第３側面２４ｃに形成された１つの端子を第１出力端子１４ａとし、誘電体基板２４の第４側面２４ｄ（第３側面２４ｃと対向する側面）に形成された１つの端子を第２出力端子１４ｂとすることができる。
【００２８】
その他の端子構造としては、例えば図５に示すように、例えば誘電体基板２４の下面２４ｕのみに全ての端子を形成する、いわゆる下面端子構造を採用することができ、この場合、例えば誘電体基板２４の下面であって第１側面２４ａに近接して形成された３つの端子のうち、中央の端子を入力端子１２、両側の２つの端子をそれぞれアース端子（第１アース端子２６ａ及び第２アース端子２６ｂ）とし、誘電体基板２４の下面２４ｕであって第２側面２４ｂに近接して形成された３つの端子のうち、中央の端子を第３出力端子１４ｃ、両側の２つの端子をそれぞれアース端子（第３アース端子２６ｃ及び第４アース端子２６ｄ）とし、誘電体基板２４の下面２４ｕであって第３側面２４ｃに近接して形成された１つの端子を第１出力端子１４ａとし、誘電体基板２４の下面２４ｕであって第４側面２４ｄに近接して形成された１つの端子を第２出力端子１４ｂとするようにしてもよい。
【００２９】
なお、図４及び図５においては、ＳＡＷフィルタ２０が実装される部分の電極構造（電極の個数や配列等）については省略して図示してある。
【００３０】
そして、誘電体基板２４内には、ＳＡＷフィルタ２０を除く、ハイパスフィルタ１６、第１ローパスフィルタ１８ａ及び第２ローパスフィルタ１８ｂをそれぞれ構成する複数の電極が形成されている。
【００３１】
その電極構造の一例を図６を参照しながら説明する。図６では、端子構造として下面端子構造（図５参照）を採用している。
【００３２】
図６に示すように、誘電体基板２４は、上から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第１３誘電体層Ｓ１３が積み重ねられて構成されている。これらの第１誘電体層Ｓ１〜第１３誘電体層Ｓ１３は、１枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【００３３】
第１誘電体層Ｓ１の主面及び第２誘電体層Ｓ２の主面には、ＳＡＷフィルタ２０（図６では図示せず）を実装するための複数の電極が形成されている。
【００３４】
第１２誘電体層Ｓ１２の主面には、ビアホール３０を介して第１アース端子２６ａ〜第４アース端子２６ｄと電気的に接続される内層アース電極３２が形成されている。
【００３５】
特に、この受動部品１０においては、誘電体層の積層方向（下から上に向かって）、内層アース電極３２、キャパシタ形成領域３４、インダクタ形成領域３６が配列されて構成されている。インダクタ形成領域３６は、第３誘電体層Ｓ３〜第８誘電体層Ｓ８の範囲であり、キャパシタ形成領域３４は、第９誘電体層Ｓ９〜第１１誘電体層Ｓ１１の範囲である。各誘電体層の材料は、インダクタ形成領域３６を低誘電率材、キャパシタ形成領域３４を高誘電率材として、異種材接合構造とするのが好適である。
【００３６】
そして、インダクタ形成領域３６の第３誘電体層Ｓ３の主面には、４つのインダクタ形成用電極（第１ａ電極４０ａ１〜第４ａ電極４０ａ４）が形成されている。第４誘電体層Ｓ４の主面にも、４つのインダクタ形成用電極（第１ｂ電極４０ｂ１〜第４ｂ電極４０ｂ４）が形成されている。
【００３７】
このうち、第１ａ電極４０ａ１と第１ｂ電極４０ｂ１は、各パターン形状が実質的に同じとされ、第３誘電体層Ｓ３を間に挟んで互いに対向しており、第１ビアホール４２ａにて電気的に接続されている。第２ａ電極４０ａ２と第２ｂ電極４０ｂ２のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第２ビアホール４２ｂにて電気的に接続されている。同様に、第３ａ電極４０ａ３と第３ｂ電極４０ｂ３のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第３ビアホール４２ｃにて電気的に接続されている。第４ａ電極４０ａ４と第４ｂ電極４０ｂ４のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第４ビアホール４２ｄにて電気的に接続されている。
【００３８】
つまり、第１ａ電極４０ａ１と第１ｂ電極４０ｂ１は一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａを構成し、第２ａ電極４０ａ２と第２ｂ電極４０ｂ２は一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂを構成し、第３ａ電極４０ａ３と第３ｂ電極４０ｂ３は一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃを構成し、第４ａ電極４０ａ４と第４ｂ電極４０ｂ４は一対の第４インダクタ形成用電極４０Ｄを構成している。
【００３９】
また、第２ａ電極４０ａ２、第３ａ電極４０ａ３及び第４ａ電極４０ａ４は、各一端部が互いに接続されて形成され、同様に、第２ｂ電極４０ｂ２、第３ｂ電極４０ｂ３及び第４ｂ電極４０ｂ４も、各一端部が互いに接続されて形成されている。さらに、これら接続部分がビアホール４４を介して第１誘電体層Ｓ１に形成されたＳＡＷフィルタ２０の実装用電極４６に電気的に接続されている。すなわち、上述の接続部分は、一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂと、一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃと、一対の第４インダクタ形成用電極４０Ｄとの接続部分を構成する。
【００４０】
同様に、第５誘電体層Ｓ５の主面には、４つのインダクタ形成用電極（第１１ａ電極４８ａ１〜第１４ａ電極４８ａ４）が形成されている。第６誘電体層Ｓ６の主面にも、４つのインダクタ形成用電極（第１１ｂ電極４８ｂ１〜第１４ｂ電極４８ｂ４）が形成されている。
【００４１】
このうち、第１１ａ電極４８ａ１と第１１ｂ電極４８ｂ１は、各パターン形状が実質的に同じとされ、第５誘電体層Ｓ５を間に挟んで互いに対向しており、第１１ビアホール５０ａにて電気的に接続されている。第１２ａ電極４８ａ２と第１２ｂ電極４８ｂ２のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第１２ビアホール５０ｂにて電気的に接続されている。同様に、第１３ａ電極４８ａ３と第１３ｂ電極４８ｂ３のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第１３ビアホール５０ｃにて電気的に接続されている。第１４ａ電極４８ａ４と第１４ｂ電極４８ｂ４のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第１４ビアホール５０ｄにて電気的に接続されている。
【００４２】
つまり、第１１ａ電極４８ａ１と第１１ｂ電極４８ｂ１は一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａを構成し、第１２ａ電極４８ａ２と第１２ｂ電極４８ｂ２は一対の第１２インダクタ形成用電極４８Ｂを構成し、第１３ａ電極４８ａ３と第１３ｂ電極４８ｂ３は一対の第１３インダクタ形成用電極４８Ｃを構成し、第１４ａ電極４８ａ４と第１４ｂ電極４８ｂ４は一対の第１４インダクタ形成用電極４８Ｄを構成している。
【００４３】
同様に、第７誘電体層Ｓ７の主面には、４つのインダクタ形成用電極（第２１ａ電極５２ａ１〜第２４ａ電極５２ａ４）が形成されている。第８誘電体層Ｓ８の主面にも、４つのインダクタ形成用電極（第２１ｂ電極５２ｂ１〜第２４ｂ電極５２ｂ４）が形成されている。
【００４４】
このうち、第２１ａ電極５２ａ１と第２１ｂ電極５２ｂ１は、各パターン形状が実質的に同じとされ、第７誘電体層Ｓ７を間に挟んで互いに対向しており、第２１ビアホール５４ａにて電気的に接続されている。第２２ａ電極５２ａ２と第２２ｂ電極５２ｂ２のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第２２ビアホール５４ｂにて電気的に接続されている。同様に、第２３ａ電極５２ａ３と第２３ｂ電極５２ｂ３のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第２３ビアホール５４ｃにて電気的に接続されている。第２４ａ電極５２ａ４と第２４ｂ電極５２ｂ４のパターン形状も実質的に同じとされ、互いに対向しており、第２４ビアホール５４ｄにて電気的に接続されている。
【００４５】
つまり、第２１ａ電極５２ａ１と第２１ｂ電極５２ｂ１は一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａを構成し、第２２ａ電極５２ａ２と第２２ｂ電極５２ｂ２は一対の第２２インダクタ形成用電極５２Ｂを構成し、第２３ａ電極５２ａ３と第２３ｂ電極５２ｂ３は一対の第２３インダクタ形成用電極５２Ｃを構成し、第２４ａ電極５２ａ４と第２４ｂ電極５２ｂ４は一対の第２４インダクタ形成用電極５２Ｄを構成している。
【００４６】
さらに、一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａと一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａとが第４誘電体層Ｓ４に形成された第３１ビアホール５６ａにて電気的に接続され、一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂと一対の第１２インダクタ形成用電極４８Ｂとが第４誘電体層Ｓ４に形成された第３２ビアホール５６ｂにて電気的に接続され、一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃと一対の第１３インダクタ形成用電極４８Ｃとが第４誘電体層Ｓ４に形成された第３３ビアホール５６ｃにて電気的に接続され、一対の第４インダクタ形成用電極４０Ｄと一対の第１４インダクタ形成用電極４８Ｄとが第４誘電体層Ｓ４に形成された第３４ビアホール５６ｄにて電気的に接続されている。
【００４７】
同様に、一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａと一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａが第６誘電体層Ｓ６に形成された第４１ビアホール５８ａにて電気的に接続され、一対の第１２インダクタ形成用電極４８Ｂと一対の第２２インダクタ形成用電極５２Ｂとが第６誘電体層Ｓ６に形成された第４２ビアホール５８ｂにて電気的に接続され、一対の第１３インダクタ形成用電極４８Ｃと一対の第２３インダクタ形成用電極５２Ｃとが第６誘電体層Ｓ６に形成された第４３ビアホール５８ｃにて電気的に接続され、一対の第１４インダクタ形成用電極４８Ｄと一対の第２４インダクタ形成用電極５２Ｄとが第６誘電体層Ｓ６に形成された第４４ビアホール５８ｄにて電気的に接続されている。
【００４８】
ここで、一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａ、第３１ビアホール５６ａ、一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａ、第４１ビアホール５８ａ及び一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａによって図２の第１インダクタＬ１が構成され、一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂ、第３２ビアホール５６ｂ、一対の第１２インダクタ形成用電極４８Ｂ、第４２ビアホール５８ｂ及び一対の第２２インダクタ形成用電極５２Ｂによって図２の第２インダクタＬ２が構成され、一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃ、第３３ビアホール５６ｃ、一対の第１３インダクタ形成用電極４８Ｃ、第４３ビアホール５８ｃ及び一対の第２３インダクタ形成用電極５２Ｃによって図２に示す第３インダクタＬ３が構成され、一対の第４インダクタ形成用電極４０Ｄ、第３４ビアホール５６ｄ、一対の第１４インダクタ形成用電極４８Ｄ、第４４ビアホール５８ｄ及び一対の第２４インダクタ形成用電極５２Ｄによって図２に示す第４インダクタＬ４が構成される。
【００４９】
また、第７誘電体層Ｓ７の主面には、第２出力端子１４ｂとＳＡＷフィルタ用実装電極との接続位置を調整するための接続電極６０が形成されている。
【００５０】
第９誘電体層Ｓ９の主面には、２つのキャパシタ形成用電極（第１ａキャパシタ電極６２ａ１及び第５キャパシタ電極６２ｅ）が形成されている。このうち、第１ａキャパシタ電極６２ａ１は、第３誘電体層Ｓ３〜第８誘電体層Ｓ８に形成されたビアホール６４を介して一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａと電気的に接続されると共に、第７誘電体層Ｓ７〜第１３誘電体層Ｓ１３に形成されたビアホール６６を介して一対の第２２インダクタ形成用電極５２Ｂ及び入力端子１２と電気的に接続されている。第５キャパシタ電極６２ｅは、第３誘電体層Ｓ３〜第８誘電体層Ｓ８に形成されたビアホール６８を介して上述した接続部分（一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂと、一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃと、一対の第４インダクタ形成用電極４０Ｄとの接続部分）と電気的に接続されている。
【００５１】
また、第１０誘電体層Ｓ１０の主面には、２つのキャパシタ形成用電極（第１ｂキャパシタ電極６２ａ２及び第４キャパシタ電極６２ｄ）が形成されている。このうち、第１ｂキャパシタ電極６２ａ２は、第９誘電体層Ｓ９を間に挟んで第１ａキャパシタ電極６２ａ１と対向した位置に形成され、第１０誘電体層Ｓ１０〜第１３誘電体層Ｓ１３に形成されたビアホール７０を介して第１出力端子１４ａに電気的に接続されている。第４キャパシタ電極６２ｄは、第９誘電体層Ｓ９を間に挟んで第５キャパシタ電極６２ｅと対向した位置に形成され、第７誘電体層Ｓ７〜第１３誘電体層Ｓ１３に形成されたビアホール７２を介して一対の第２４インダクタ形成用電極５２Ｄに電気的に接続されると共に、第３出力端子１４ｃに電気的に接続されている。
【００５２】
第１１誘電体層Ｓ１１の主面には、３つのキャパシタ形成用電極（第２キャパシタ電極６２ｂ、第３キャパシタ電極６２ｃ及び第６キャパシタ電極６２ｆ）が形成されている。第２キャパシタ電極６２ｂは、第１１誘電体層Ｓ１１を間に挟んで下層の内層アース電極３２と対向すると共に、第７誘電体層Ｓ７〜第１０誘電体層Ｓ１０に形成されたビアホール７４を介して一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａに電気的に接続されている。第３キャパシタ電極６２ｃは、第１１誘電体層Ｓ１１を間に挟んで下層の内層アース電極３２と対向すると共に、第７誘電体層Ｓ７〜第１０誘電体層Ｓ１０に形成されたビアホール７６を介して一対の第２３インダクタ形成用電極５２Ｃに電気的に接続されている。第６キャパシタ電極６２ｆは、第１０誘電体層Ｓ１０を間に挟んで上層の第４キャパシタ電極６２ｄと対向すると共に、第１１誘電体層Ｓ１１を間に挟んで下層の内層アース電極３２と対向し、さらに、第７誘電体層Ｓ７〜第１３誘電体層Ｓ１３に形成されたビアホール７２を介して一対の第２４インダクタ形成用電極５２Ｄに電気的に接続されると共に、第４キャパシタ電極６２ｄ及び第３出力端子１４ｃに電気的に接続されている。
【００５３】
そして、第１ａキャパシタ電極６２ａ１と第１ｂキャパシタ電極６２ａ２にて図２に示す第１キャパシタＣ１が構成され、第２キャパシタ電極６２ｂと内層アース電極３２にて第２キャパシタＣ２が構成され、第３キャパシタ電極６２ｃと内層アース電極３２にて第３キャパシタＣ３が構成され、第４キャパシタ電極６２ｄと第６キャパシタ電極６２ｆにて第４キャパシタＣ４が構成され、第５キャパシタ電極６２ｅと内層アース電極３２にて第５キャパシタＣ５が構成され、第６キャパシタ電極６２ｆと内層アース電極３２にて第６キャパシタＣ６が構成される。
【００５４】
ここで、１つの実験例を示す。この実験例は、上述した本実施の形態に係る受動部品１０において、一対の同一パターンにおけるパターン間の距離と積層方向に隣接する各一対の同一パターン間の距離によるＱ値の変化を測定したものである。具体的には、図７に模式的に示すように、受動部品１０のうち、第１インダクタＬ１を構成する一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａ、一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａ及び一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａについて、周波数１ＧＨｚに対するＱ値とインダクタンス値（ｎＨ）を測定した。測定結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2009111284.tif 000003
【００５６】
表１において、距離Ｄａは、一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａを構成する第１ａ電極４０ａ１と第１ｂ電極４０ｂ１間の距離、一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａを構成する第１１ａ電極４８ａ１と第１１ｂ電極４８ｂ１間の距離、一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａを構成する第２１ａ電極５２ａ１と第２１ｂ電極５２ｂ１間の距離をそれぞれ示す。距離Ｄｂは、一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａの第１ｂ電極４０ｂ１と一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａの第１１ａ電極４８ａ１間の距離、並びに一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａの第１１ｂ電極４８ｂ１と一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａの第２１ａ電極５２ａ１間の距離をそれぞれ示す。
【００５７】
なお、距離Ｄａ＝０は、図８に示すように、第１インダクタ形成用電極４０Ａ、第１１インダクタ形成用電極４８Ａ、第２１インダクタ形成用電極５２Ａがそれぞれ一対構成となっていない構造を示し、これは従来構造に相当する。
【００５８】
従来構造の受動部品は、図９に示すように、上から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第１０誘電体層Ｓ１０が積み重ねられて構成された誘電体基板２４を有する。このうち、インダクタ形成領域３６は、第５誘電体層Ｓ５〜第７誘電体層Ｓ７の範囲である。なお、説明を簡単にするために、キャパシタ形成領域並びにビアホールの説明は省略する。
【００５９】
従来構造において、第５誘電体層Ｓ５の主面には、第１インダクタ形成用電極４０Ａ〜第４インダクタ形成用電極４０Ｄがそれぞれ１つずつ形成され、第６誘電体層Ｓ６の主面には、第１１インダクタ形成用電極４８Ａ〜第１４インダクタ形成用電極４８Ｄがそれぞれ１つずつ形成され、第７誘電体層Ｓ７の主面には、第２１インダクタ形成用電極５２Ａ〜第２４インダクタ形成用電極５２Ｄがそれぞれ１つずつ形成されている。
【００６０】
さらに、第１インダクタ形成用電極４０Ａ、第１１インダクタ形成用電極４８Ａ及び第２１インダクタ形成用電極５２Ａがビアホールを介して電気的に接続されることで、図２の第１インダクタＬ１が構成され、第２インダクタ形成用電極４０Ｂ、第１２インダクタ形成用電極４８Ｂ及び第２２インダクタ形成用電極５２Ｂがビアホールを介して電気的に接続されることで、第２インダクタＬ２が構成され、第３インダクタ形成用電極４０Ｃ、第１３インダクタ形成用電極４８Ｃ及び第２３インダクタ形成用電極５２Ｃがビアホールを介して電気的に接続されることで、第３インダクタＬ３が構成され、第４インダクタ形成用電極４０Ｄ、第１４インダクタ形成用電極４８Ｄ及び第２４インダクタ形成用電極５２Ｄがビアホールを介して電気的に接続されることで、第４インダクタＬ４が構成されている。
【００６１】
そして、この実験例の結果として、距離Ｄａを増加させた際のＱ値の変化を図１０に示し、距離Ｄａを増加させた際のインダクタンス値の変化を図１１に示し、距離Ｄｂを増加させた際のＱ値の変化を図１２に示し、距離Ｄｂを増加させた際のインダクタンス値の変化を図１３に示す。図１０及び図１２から、距離Ｄａ及びＤｂが大きくなるほどＱ値が向上する傾向にあり、図１１及び図１３から、距離Ｄａ及びＤｂが大きくなるほどインダクタンス値が減少する傾向にあることがわかる。
【００６２】
そこで、Ｑ値とインダクタンス値の双方を加味するため、Ｑ値×インダクタンス値（図面では、Ｑ＊Ｌと表記した）の変化をみた。距離Ｄａを増加させた際のＱ値×インダクタンス値の変化を図１４に示し、距離Ｄｂを増加させた際のＱ値×インダクタンス値の変化を図１５に示す。
【００６３】
図１５の枠Ａ及び枠Ｂで示すように、０＜Ｄａ≦Ｄｂの範囲であれば、Ｑ値×インダクタンス値は増加傾向にあることがわかる。
【００６４】
また、図１４に示すように、０＜Ｄａ≦２０μｍの範囲であれば、従来の値（＝５００）よりも高い値を得ることができることがわかる。
【００６５】
また、本実施の形態に係る受動部品１０は、図６に示すように、誘電体層の積層方向（下から上に向かって）、内層アース電極３２、キャパシタ形成領域３４、インダクタ形成領域３６が配列されている。
【００６６】
上述した距離Ｄａ＝０とした場合に、キャパシタ形成領域３４とインダクタ形成領域３６との層間距離を狭くしていくと、Ｑ値が劣化し、図１６及び図１７に示すように、挿入損失が大きくなり、また、減衰特性も緩やかになるという問題がある。これを解決するには、キャパシタ形成領域３４とインダクタ形成領域３６との層間距離を大きくすればよいが、受動部品の低背化に限界が生じるおそれがある。
【００６７】
一方、本実施の形態に係る受動部品１０では、インダクタ形成用電極を一対構造とすることから、インダクタ形成領域３６の厚み（高さ）は大きくなるが、Ｑ値を向上させることができることから、インダクタ形成領域３６とキャパシタ形成領域３４との層間距離を狭くすることが可能となり、受動部品１０の高さを従来構造と同レベルにすることができ、インダクタ形成用電極を一対構造にすることによる不利な点（低背化阻害）を解消させることができる。
【００６８】
このように、本実施の形態に係る受動部品１０においては、インダクタのＱ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現することができる。
【００６９】
上述の例では、１つの誘電体基板２４内に複数のフィルタを混在させた受動部品１０を示したが、その他、複数のインダクタと複数のキャパシタにて１つのフィルタを構成するようにしてもよい。図１８にその一例を示す。
【００７０】
図１８に示すフィルタは、ローパスフィルタ８０であって、複数の誘電体層（第１誘電体層Ｓ１〜第１６誘電体層Ｓ１６）が積層されて構成された誘電体基板２４のうち、第１誘電体層Ｓ１〜第１０誘電体層Ｓ１０の範囲がインダクタ形成領域３６、第１１誘電体層Ｓ１１〜第１４誘電体層Ｓ１４がキャパシタ形成領域３４となっている。なお、説明を簡単にするために、ビアホールの説明並びにキャパシタ形成領域３４の説明を省略して示す。
【００７１】
このローパスフィルタ８０においも、上述した受動部品１０と同様に、第１ａ電極４０ａ１と第１ｂ電極４０ｂ１が一対の第１インダクタ形成用電極４０Ａを構成し、第２ａ電極４０ａ２と第２ｂ電極４０ｂ２が一対の第２インダクタ形成用電極４０Ｂを構成し、第３ａ電極４０ａ３と第３ｂ電極４０ｂ３が一対の第３インダクタ形成用電極４０Ｃを構成している。
【００７２】
また、第１１ａ電極４８ａ１と第１１ｂ電極４８ｂ１が一対の第１１インダクタ形成用電極４８Ａを構成し、第１２ａ電極４８ａ２と第１２ｂ電極４８ｂ２が一対の第１２インダクタ形成用電極４８Ｂを構成し、第１３ａ電極４８ａ３と第１３ｂ電極４８ｂ３が一対の第１３インダクタ形成用電極４８Ｃを構成している。
【００７３】
また、第２１ａ電極５２ａ１と第２１ｂ電極５２ｂ１が一対の第２１インダクタ形成用電極５２Ａを構成し、第２２ａ電極５２ａ２と第２２ｂ電極５２ｂ２が一対の第２２インダクタ形成用電極５２Ｂを構成し、第２３ａ電極５２ａ３と第２３ｂ電極５２ｂ３が一対の第２３インダクタ形成用電極５２Ｃを構成している。
【００７４】
同様に、第３１ａ電極８２ａ１と第３１ｂ電極８２ｂ１が一対の第３１インダクタ形成用電極８２Ａを構成し、第３２ａ電極８２ａ２と第３２ｂ電極８２ｂ２が一対の第３２インダクタ形成用電極８２Ｂを構成し、第３３ａ電極８２ａ３と第３３ｂ電極８２ｂ３が一対の第３３インダクタ形成用電極８２Ｃを構成している。
【００７５】
また、第４１ａ電極８４ａ１と第４１ｂ電極８４ｂ１が一対の第４１インダクタ形成用電極８４Ａを構成し、第４２ａ電極８４ａ２と第４２ｂ電極８４ｂ２が一対の第４２インダクタ形成用電極８４Ｂを構成し、第４３ａ電極８４ａ３と第４３ｂ電極８４ｂ３が一対の第４３インダクタ形成用電極８４Ｃを構成している。
【００７６】
このローパスフィルタ８０においても、受動部品１０と同様に、一対のインダクタ形成用電極を構成する２つの電極間の距離Ｄａと、一対のインダクタ形成用電極間の距離Ｄｂとの関係を０＜Ｄａ≦Ｄｂ、且つ、０＜Ｄａ≦２０μｍとしている。
【００７７】
そのため、インダクタのＱ値のさらなる向上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損失による低消費電力を実現することができる。
【００７８】
なお、本発明に係る電子部品及び受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本実施の形態に係る受動部品の一構成例を示すブロック図である。
【図２】本実施の形態に係る受動部品の一構成例を示す回路図である。
【図３】本実施の形態に係る受動部品の外観を示す斜視図である。
【図４】本実施の形態に係る受動部品の端子構造の一例（側面端子構造）を一部省略して示す斜視図である。
【図５】本実施の形態に係る受動部品の端子構造の他の例（下面端子構造）を一部省略して示す斜視図である。
【図６】本実施の形態に係る受動部品の一構成例を示す分解斜視図である。
【図７】実験例で用いた受動部品の一部のモデル（実施の形態）を示す説明図である。
【図８】実験例で用いた受動部品の一部のモデル（従来構造）を示す説明図である。
【図９】従来構造に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図１０】距離Ｄａを増加させた際のＱ値の変化を示す特性図である。
【図１１】距離Ｄａを増加させた際のＬ値の変化を示す特性図である。
【図１２】距離Ｄｂを増加させた際のＱ値の変化を示す特性図である。
【図１３】距離Ｄｂを増加させた際のＬ値の変化を示す特性図である。
【図１４】距離Ｄａを増加させた際のＱ値×Ｌ値の変化を示す特性図である。
【図１５】距離Ｄｂを増加させた際のＱ値×Ｌ値の変化を示す特性図である。
【図１６】キャパシタ形成領域とインダクタ形成領域との層間距離と挿入損失の関係を示す特性図である。
【図１７】キャパシタ形成領域とインダクタ形成領域との層間距離と減衰量の関係を示す特性図である。
【図１８】本実施の形態時係るローパスフィルタの一構成例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０…受動部品                            １２…入力端子
１４ａ〜１４ｃ…出力端子                  ２４…誘電体基板
２６ａ〜２６ｄ…アース端子                ３２…内層アース電極
３４…キャパシタ形成領域                  ３６…インダクタ形成領域
４０Ａ…一対の第１インダクタ形成用電極
４０Ｂ…一対の第２インダクタ形成用電極
４０Ｃ…一対の第３インダクタ形成用電極
４０Ｄ…一対の第４インダクタ形成用電極
４８Ａ…一対の第１１インダクタ形成用電極
４８Ｂ…一対の第１２インダクタ形成用電極
４８Ｃ…一対の第１３インダクタ形成用電極
４８Ｄ…一対の第１４インダクタ形成用電極
５２Ａ…一対の第２１インダクタ形成用電極
５２Ｂ…一対の第２２インダクタ形成用電極
５２Ｃ…一対の第２３インダクタ形成用電極
５２Ｄ…一対の第２４インダクタ形成用電極
【図１】
2009111284.tif 000004
【図２】
2009111284.tif 000005
【図３】
2009111284.tif 000006
【図４】
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【図５】
2009111284.tif 000008
【図６】
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【図７】
2009111284.tif 000010
【図８】
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【図９】
2009111284.tif 000012
【図１０】
2009111284.tif 000013
【図１１】
2009111284.tif 000014
【図１２】
2009111284.tif 000015
【図１３】
2009111284.tif 000016
【図１４】
2009111284.tif 000017
【図１５】
2009111284.tif 000018
【図１６】
2009111284.tif 000019
【図１７】
2009111284.tif 000020
【図１８】
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