(57)【要約】【課題】本発明は、従来と比べ、生産性が高く低コストであるとともに、低オン抵抗でかつ放熱性のよいコネクター接合型複合半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】樹脂製外囲器内に封止された複数の半導体素子のペレット２２，２３とこれらのペレット２２，２３に接続するリード端子２４〜２６を備えたコネクター接合型複合半導体装置において、夫々のペレット２２，２３とリード端子２６とを金属製のコネクター２７により接続したことを特徴とするコネクター接合型複合半導体装置。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製外囲器内に封止された複数の半導体素子のペレットとこれらのペレットに接続するリード端子を備えたコネクター接合型複合半導体装置において、
夫々のペレットとリード端子とを金属製のコネクターにより接続したことを特徴とするコネクター接合型複合半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばインバータ蛍光灯、液晶モニター／ＴＶ等のバックライトに適用可能なコネクター接合型複合半導体装置に関する。本発明は、特にプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）のように大電流を流す関係でパワー半導体を並列で多数使用する場合に有効である。
【背景技術】
【０００２】
従来、図２に示すようなフルブリッジ・コンバータと呼ばれるスイッチング電源の回路方式が知られている。図２中の符番１は、第１のＭＯＳ型電界効果トランジスタ（electric effect transistor、ＦＥＴ）であり、第１のダイオード２と並列に設けられている。同様に、第２のＭＯＳ型ＦＥＴ３は、第２のダイオード４と並列に設けられている。また、符番５はリアクタンス（Ｌ）、符番６は負荷を示す。
【０００３】
上記回路では、第１のＦＥＴ１がＯＮ状態になると電流７が矢印Ａに示すように負荷６に流れ、第２のＦＥＴ３がＯＮ状態なると逆向き（矢印Ｂ）に電流８が流れる動作を繰り返す。ここで、ＯＮ状態のＦＥＴが第１のＦＥＴ１から第２のＦＥＴ３に切り替わる際、リアクタンス５により逆起電力が発生するため、この逆起電力をダイオード２，４を通して回生させている。なお、上記回路は、ＭＯＳＦＥＴを事例に説明したが、バイポーラトランジスタ及びＩＧＢＴでも同様である。
【０００４】
図３は、上述した第１のＦＥＴ１のペレット１’及び第１のダイオード２のペレット２’を樹脂製外囲器（図示せず）に封止した複合半導体装置を示す。図３において、符番１１〜１３は夫々リード端子を示し、符番１４は第１のＦＥＴ１及び第１のダイオード２の各ペレットと前記リード端子１１〜１３を接続するＡｌまたはＡｕからなるボンディングワイヤを示す。
【０００５】
図３の複合半導体装置は、次のようにして製造される。まず、ＦＥＴ１のペレット１’とダイオード２のペレット２’を順次リードフレーム上に搭載する。次に、ペレット１’とリード端子１１を接続するボンディングワイヤ１４、ペレット２’とリード端子１２，１３を接続するボンディングワイヤ１４，１４を順次形成する。つづいて、ペレット１’、２’及びボンディングワイヤ１４を封止する外囲器を形成して複合半導体装置を製造する。
【０００６】
このように、複合半導体装置の集積率を上げるため、複数の半導体ペレットを１つの外囲器内に搭載した製品が作られている。従来、このような複合半導体装置は複数のペレットをボンディングワイヤ１４で一本一本接続している。そのため、製造インデックスが遅く、生産性を上げることができないので、コスト高を招いていた。また、複合製品の場合、許容損失的には不利になることから損失は極力低く抑えたいが、特に高電流域ではワイヤの電気抵抗によるドロップ分も無視できず、極低抵抗の製品を作ることができない。
【０００７】
従来、ボンディングワイヤを用いて電子部品と配線層とを接続する技術としては、例えば特許文献１が知られている。また、コネクターを用いて電子部品とリード端子を接続する技術としては、本出願人が既に出願した例えば特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開２００５−１０１３３１号公報
【特許文献２】特開２００６−４１１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は従来の課題を解決するためになされたもので、従来と比べ、生産性が高く低コストであるとともに、低オン抵抗でかつ放熱性のよいコネクター接合型複合半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るコネクター接合型複合半導体装置は、樹脂製外囲器内に封止された複数の半導体素子のペレットとこれらのペレットに接続するリード端子を備えたコネクター接合型複合半導体装置において、夫々のペレットとリード端子とを金属製のコネクターにより接続したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の半導体素子のペレットとリード端子とを金属製のコネクターにより接続した構成にすることにより、従来と比べ、生産性が高く低コストであるとともに、低オン抵抗でかつ放熱性のよいコネクター接合型複合半導体装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明のコネクター接合型複合半導体装置について更に詳しく説明する。  
本発明において、複数の半導体素子としては、ＭＯＳ型ＦＥＴ，バイポーラトランジスタ，ＩＧＢＴのいずれかと、ダイオードの組み合わせが一般的であるが、これに限定されず、例えばトランジスター同士の組み合わせ等でもよい。また、ペレットとリード端子との接続は、全て平板状の金属製のコネクターを用いてもよいし、ペレットとリード端子の接続の一部をボンディングワイヤで行ってもよい。
【００１２】
以下、本発明の一実施例に係るコネクター接合型複合半導体装置について図１を参照して説明する。  
図中の符番２１は、コネクター接合型複合半導体装置を示す。この半導体装置２１は、樹脂製外囲器（図示せず）内に封止されたＭＯＳ型ＦＥＴのペレット２２及びダイオードのペレット２３と、これらのペレット２２，２３と接続するリード端子２４，２５，２６を備えている。前記ペレット２２，２３とリード端子２６は、金属（例えばＣｕ）製のコネクター２７により接続されている。ペレット２２とリード端子２４はボンディングワイヤ２８により接続されている。
【００１３】
こうした構成の半導体装置は、次のようにして製造される。まず、ＦＥＴのペレット２２とダイオードのペレット２３を順次リードフレーム上に搭載する。次に、ペレット２２とリード端子２４を接続するボンディングワイヤ２８を形成する。つづいて、ペレット２２，２３とリード端子２５，２６を夫々接続するコネクター２７をリフローにより形成する。この後、ペレット２２，２３及びコネクター２７を封止する外囲器を形成して複合半導体装置を製造する。
【００１４】
上記実施例によれば、ＭＯＳ型ＦＥＴのペレット２２及びダイオードのペレット２３と、リード端子２６を１つのコネクター２７で接続した構成であるため、従来のボンディングワイヤで接続する装置に比べて低オン抵抗であるとともに、放熱性が優れている。即ち、図３のような従来の装置の場合、高電流を流した場合、ボンディングワイヤ自体の電圧ドロップ分が大きくなり、無視できない。これに対し、図１の本発明の装置の場合、平板状の金属製のコネクター２７を用いるので、その電気抵抗の違いから電圧ドロップを小さくすることができる。従って、ＭＯＳ型ＦＥＴの重要な特性であるオン抵抗を低減することができる。また、コネクター２７を通したペレット上部からの放熱を得られるので、熱的にも有利な製品とすることができる。
【００１５】
また、１つのコネクター２７で複数のペレット２２，２３とリード端子２６を接続できるので、従来のボンディングワイヤを用いた場合と比べ、生産性を飛躍的に向上でき、コスト低減を図ることができる。このことは、多数のＭＯＳＦＥＴやダイオードの多数の各ペレットとリード端子を接続する場合に有効である。
【００１６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。具体的には、上記実施形態では、ペレットとリード端子の接続の一部をボンディングワイヤで接続する場合について述べたが、これに限定されず、ペレットとリード端子の接続を全てコネクターで行ってもよい。また、コネクターの材質もＣｕ製に限らず、Ａｌ，Ａｕなどの他の金属材料でもよい。更に、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更には、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施例に係るコネクター接合型複合半導体装置の概略的な平面図を示す。
【図２】図２は、一般的なスイッチング電源の回路図の一例を示す。
【図３】従来の複合半導体装置の概略的な平面図を示す。
【符号の説明】
【００１８】
２１…コネクター接合型複合半導体装置、２２，２３…ペレット、２４〜２６…リード端子、２７…コネクター、２８…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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