(57)【要約】【課題】本発明は、ナノメートルサイズの細孔を有し、該細孔内壁面上に所望の機能性高分子が存在する多孔質膜、および該多孔質膜を大面積で簡便に作製できる製造方法を提供する。【解決手段】水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢを主成分とし、前記連続相中に分布し膜表面に対して垂直方向に配向するシリンダー状ミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有し、前記シリンダー状ミクロドメイン内に平均孔径１〜２００ｎｍのシリンダー状構造の細孔が存在する多孔質膜。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢを主成分とし、前記連続相中に分布し膜表面に対して垂直方向に配向するシリンダー状ミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有し、前記シリンダー状ミクロドメイン内に平均孔径１〜２００ｎｍのシリンダー状構造の細孔が存在する多孔質膜。
【請求項２】
前記細孔の細孔密度が、２〜２５００個／μｍ２である請求項１に記載の多孔質膜。
【請求項３】
前記水溶性ポリマーＢが、生体適合性ポリマーである請求項１または２に記載の多孔質膜。
【請求項４】
前記水不溶性ポリマーＡが、ポリスチレン類、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリブタジエン類、またはポリイソプレン類である請求項１〜３のいずれかに記載の多孔質膜。
【請求項５】
基板をエッチング加工する際に、マスクとして用いられる請求項１〜４のいずれかに記載の多孔質膜。
【請求項６】
下記式（１）および式（２）を満足する、互いに非相溶な水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を、水に対する接触角が４０°〜１１０°である基板表面に塗布して膜を形成する工程（工程１）と、該膜中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程（工程２）とを備える、請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質膜を製造する多孔質膜の製造方法。
５＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２５０    式（１）
０．６０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．９０    式（２）
（式（１）中、Ｍ（ｂ１）はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの重量平均分子量を表す。Ｍ（ｂ２）は、水溶性ホモポリマーＢの重量平均分子量を表す。
式（２）中、ａ１は膜中におけるブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡの体積を表す。ｂ１は、膜中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの体積を表す。ｂ２は、膜中における水溶性ホモポリマーＢの体積を表す。）
【請求項７】
前記溶液中における前記ブロック共重合体と前記水溶性ホモポリマーＢとの合計濃度が、前記溶液全量に対して、０．１〜２０質量％である請求項６に記載の多孔質膜の製造方法。
【請求項８】
下記式（１）および式（２）を満足する、互いに非相溶な水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を、水に対する接触角が４０°〜１１０°である基板表面に塗布して膜を形成する工程（工程１）と、該膜中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程（工程２）とを含む方法により得られる多孔質膜。
５＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２５０    式（１）
０．６０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．９０    式（２）
（式（１）中、Ｍ（ｂ１）はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの分子量を表す。Ｍ（ｂ２）は、水溶性ホモポリマーＢの分子量を表す。
式（２）中、ａ１は膜中におけるブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡの体積を表す。ｂ１は、膜中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの体積を表す。ｂ２は、膜中における水溶性ホモポリマーＢの体積を表す。）
【請求項９】
基板上に請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、
前記多孔質膜形成工程後、前記多孔質膜をマスクとして用い、前記基板をエッチングして、前記基板表面上に凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後、残存する前記多孔質膜を除去する除去工程とを備える、表面上に凹部を有する基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板が、石英基板または半導体基板である請求項９に記載の表面上に凹部を有する基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多孔質膜およびその製造方法に関するものであり、詳しくは膜中の細孔内壁面上に所定のポリマー層が存在する多孔質膜、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ナノメートルレベル程度の微細なサイズ（細孔径、幅や膜厚など）で構造制御された構造体への関心が高まっている。こうした構造体の中でも、ナノメーターサイズの細孔を有する構造体、特に細孔が規則正しく配列した構造体（例えば、多孔質膜）は、磁気記録媒体、太陽電池、発光素子、分離膜などに応用可能であると考えられている。さらに、これらの構造体の細孔内を機能化することにより、従来にない機能を有する材料の創製が可能と期待され、エネルギー・環境・生命科学などの先端分野において重要な材料の一つと位置づけられている。
【０００３】
１００ｎｍ程度以下の均一な細孔を有する構造体の作製方法としては、例えば、界面活性剤を鋳型として合成したメソポーラスシリカ（非特許文献１）や、陽極酸化アルミナ（非特許文献２）などが挙げられる。特に、陽極酸化アルミナの場合、細孔が非常に均一な孔径を持つという特徴を有している。しかし、いずれも得られる構造体は無機化合物であるため硬くて脆く、可撓性がなく、実用上の用途が限られる。また、作製の際に、無欠陥で大面積化することが本質的に困難であった。さらに、細孔の孔径が非常に小さいため、化学的手法により細孔内壁面などを特定の機能性化合物で被覆することは困難であった。
【０００４】
一方、ポリマー成分Ａとポリマー成分Ｂとが結合したブロック共重合体は、自己組織化によって規則的なナノパターンを有するミクロ相分離構造を形成することが知られている。ブロック共重合体を適当な溶媒に溶かして被加工体上に塗布すると、規則配列したパターンを有する膜を簡便に、かつ大面積で形成することが可能であり、様々な試みがなされている。
例えば、液晶性側鎖を有するメタクリル酸エステルからなるポリマーとポリエチレングリコールとからなるブロック共重合体を用いると、膜表面に対して垂直方向に配向したシリンダー構造が形成されることが報告されている（特許文献１）。また、ポリスチレン−ポリメタクリル酸メチルからなるブロック共重合体に、ポリメタクリル酸メチルホモポリマーを加えることにより、広い範囲にわたってシリンダー状のミクロドメインが基板に対して垂直方向に配向することが報告されている（非特許文献３および４）。また、非特許文献５では、ポリスチレンとポリエチレンオキサイドとからなる両親媒性のブロック共重合体を用いたミクロ相分離構造の形成について開示されている。特に、非特許文献４においては、得られた膜からポリメタクリル酸メチルホモポリマーを酢酸によって除去することにより、ナノメートルレベルの細孔を有する多孔質膜が得られることが開示されている。
【０００５】
【非特許文献１】C. T. Kresge, et. al. “Ordered mesoporous molecular sieves synthesized by a liquid crystal template mechanism” Nature 1992, 359, 710.
【非特許文献２】H. Masuda, et. al. “Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina" Science, 1995, 268, 1466.
【非特許文献３】U. Jeong, et. al. “Enhancement in the orientation of the microdomain in block copolymer thin films upon the addition of homopolymer” Adv. Mater., 2004, 16, 533.
【非特許文献４】S. Y. Yang, et. al. “Nanoporous membranes with ultrahigh selectivity and flux for the filtration of virus” Adv. Mater., 2006, 18, 709.
【非特許文献５】L. Huang, et. al. “Controlled microphase separated morphology of block polymer thin film and an approach to prepare inorganic nanoparticles” Applied Surface Science, 2004, 225, 39.
【特許文献１】特許第３９７９４７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、用いられるブロック共重合体が液晶性という特殊な構造を有する必要があり、手法の汎用性に乏しく、他のポリマーへの応用が制限される。また、非特許文献３および４では、細孔を有する多孔質膜が得られているものの、使用されているブロック共重合体は疎水性ポリマー同士からなる特定の種類のものだけである。例えば、両親媒性のブロック共重合体を使用した非特許文献５では、水溶性ポリマー部のエチレングリコール部分のみが選択的に基板に吸着してしまい、規則的な配列パターンを有するミクロ相分離構造が得られていない。
このように、水溶性（親水性）ポリマーと水不溶性（疎水性）ポリマーからなるブロック共重合体を用いた場合は、ポリマー中の構成成分の性質が全く異なるため配向制御されたミクロ相分離構造が得られにくく、未だ十分な知見は得られていないのが現状である。
【０００７】
また、ナノメートルサイズの細孔を有する構造体を得るために、ブロック共重合体から得られるシリンダー構造のシリンダー部のみをイオンビームエッチングなどを用いて除去する試みがなされている。しかし、これらの方法では、シリンダー部のみではなく構造体全体がダメージを受けるため、細孔の大きさにばらつきが生じると共に、細孔の配列の規則性が失われるという問題があった。さらに、得られた細孔内壁面を親水性化など表面修飾しようとしても、細孔のサイズが非常に小さいため表面修飾が十分には進行せず、かつ、修飾できても表面修飾層が容易に剥離してしまうという問題もあった。
【０００８】
そこで、本発明は、水溶性ポリマーと水不溶性ポリマーとからなるブロック共重合体を用いて形成され、ナノメートルサイズの細孔を有し、該細孔内壁面上に所望の機能性高分子、特に水溶性ポリマーが存在する多孔質膜、および該多孔質膜を大面積で簡便に作製できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、ブロック共重合体を構成する水溶性ポリマーおよび水不溶性ポリマーと基板との親和性に着目し、水溶性ポリマーと水不溶性ポリマーから構成されるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーの混合物から薄膜を作製し、表面自由エネルギーの異なる種々の基板上で相分離挙動の詳細な検討を行った結果、特定の表面自由エネルギーを有する基板、つまり比較的疎水性の高い基板を用いた場合に、基板に対して垂直に配向したシリンダー状ミクロドメインが選択的に形成されることを見出した。さらにこの薄膜を水洗することで、水溶性ホモポリマーのみが除去され、膜面を貫通したシリンダー状構造の細孔が形成されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
つまり、本発明者らは、鋭意検討を行った結果、上記課題が下記の＜１＞〜＜１０＞の構成により解決されることを見出した。
【００１１】
＜１＞  水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢを主成分とし、前記連続相中に分布し膜表面に対して垂直方向に配向するシリンダー状ミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有し、前記シリンダー状ミクロドメイン内に平均孔径１〜２００ｎｍのシリンダー状構造の細孔が存在する多孔質膜。
＜２＞  前記細孔の細孔密度が、２〜２５００個／μｍ２である＜１＞に記載の多孔質膜。
＜３＞  前記水溶性ポリマーＢが、生体適合性ポリマーである＜１＞または＜２＞に記載の多孔質膜。
＜４＞  前記水不溶性ポリマーＡが、ポリスチレン類、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリブタジエン類、またはポリイソプレン類である＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の多孔質膜。
＜５＞  基板をエッチング加工する際に、マスクとして用いられる＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の多孔質膜。
＜６＞  下記式（１）および式（２）を満足する、互いに非相溶な水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を、水に対する接触角が４０°〜１１０°である基板表面に塗布して膜を形成する工程（工程１）と、該膜中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程（工程２）とを備える、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の多孔質膜を製造する多孔質膜の製造方法。
５＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２５０    式（１）
０．６０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．９０    式（２）
（式（１）中、Ｍ（ｂ１）はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの重量平均分子量を表す。Ｍ（ｂ２）は、水溶性ホモポリマーＢの重量平均分子量を表す。
式（２）中、ａ１は膜中におけるブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡの体積を表す。ｂ１は、膜中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの体積を表す。ｂ２は、膜中における水溶性ホモポリマーＢの体積を表す。）
＜７＞  前記溶液中における前記ブロック共重合体と前記水溶性ホモポリマーＢとの合計濃度が、前記溶液全量に対して、０．１〜２０質量％である＜６＞に記載の多孔質膜の製造方法。
＜８＞  下記式（１）および式（２）を満足する、互いに非相溶な水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を、水に対する接触角が４０°〜１１０°である基板表面に塗布して膜を形成する工程（工程１）と、該膜中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程（工程２）とを含む方法により得られる多孔質膜。
５＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２５０    式（１）
０．６０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．９０    式（２）
（式（１）中、Ｍ（ｂ１）はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの分子量を表す。Ｍ（ｂ２）は、水溶性ホモポリマーＢの分子量を表す。
式（２）中、ａ１は膜中におけるブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡの体積を表す。ｂ１は、膜中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの体積を表す。ｂ２は、膜中における水溶性ホモポリマーＢの体積を表す。）
＜９＞  基板上に＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、
前記多孔質膜形成工程後、前記多孔質膜をマスクとして用い、前記基板をエッチングして、前記基板表面上に凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後、残存する前記多孔質膜を除去する除去工程とを備える、表面上に凹部を有する基板の製造方法。
＜１０＞  前記基板が、石英基板または半導体基板である＜９＞に記載の表面上に凹部を有する基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、水溶性ポリマーと水不溶性ポリマーとからなるブロック共重合体を用いて形成され、ナノメートルサイズの細孔を有し、該細孔内壁面上に所望の機能性高分子、特に水溶性ポリマーが存在する多孔質膜、および該多孔質膜を大面積で簡便に作製できる製造方法を提供することができる。
さらには、この多孔質膜をエッチング処理の際のマスクとして用いる、凹部を有する基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的態様について説明する。
本発明にかかる多孔質膜は、水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢを主成分とし、連続相中に分布し膜表面に対して垂直方向に配向するシリンダー状ミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有する。さらに、分散相であるシリンダー状ミクロドメイン内に平均孔径１〜２００ｎｍのシリンダー状構造の細孔が存在する。
まず、本発明の多孔質膜を製造するために使用される材料（ブロック共重合体、水溶性ホモポリマー）について説明し、その後、製造方法および多孔質膜について説明する。
【００１４】
＜ブロック共重合体＞
本発明に係るブロック共重合体は、水不溶性ポリマーＡと該水不溶性ポリマーＡと非相溶である水溶性ポリマーＢとが化学結合して形成されたポリマーをいう。ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体またはマルチブロック共重合体のいずれの態様であってもよい。具体的には、水不溶性ポリマーＡからなる部分および水溶性ポリマーＢからなる部分をそれぞれＡブロックおよびＢブロックとすると、−Ａ−Ｂ−という構造を有する一つのＡブロックと一つのＢブロックとが結合したＡ−Ｂ型ブロック共重合体や、−Ａ−Ｂ−Ａ−という構造を有するＢブロックの両端にＡブロックが結合したＡ−Ｂ−Ａ型ブロック共重合体や、−Ｂ−Ａ−Ｂ−という構造を有するＡブロックの両端にＢブロックが結合したＢ−Ａ−Ｂ型ブロック共重合体などが挙げられる。さらに、−(Ａ−Ｂ)n−という構造を有する複数のＡブロックとＢブロックからなるブロック共重合体を用いてもよい。なかでも、入手のしやすさ、合成のしやすさの観点から、Ａ−Ｂ型ブロック共重合体（ジブロック共重合体）が好ましい。なお、ポリマー同士を接続する化学結合は、共有結合が好ましく、特に炭素―炭素結合がより好ましい。
【００１５】
ブロックコポリマー（ブロック共重合体）は、ランダムコポリマーと異なり、Ａポリマー鎖が凝集したＡ相とＢポリマー鎖が凝集したＢ相とが空間的に分離した構造（ミクロ相分離構造）を形成することが知られている。一般のポリマーブレンドで得られる相分離（マクロ相分離）では、２種のポリマー鎖が完全に分離できるため最終的に完全に２相に分かれ、その単位セルの大きさは１μｍ以上である。これに対して、ブロックコポリマーで得られるミクロ相分離構造における単位セルの大きさは、数ｎｍ〜数十ｎｍのオーダーである。なお、ミクロ相分離構造は、構成成分の組成によって、球状ミセル構造、シリンダー構造、ラメラ構造などの構造を示すことが知られている。
【００１６】
本発明における水不溶性ポリマーＡとは、２５℃において１００ｇの蒸留水に対するポリマーの溶解度が１ｇ以下であるポリマーとして定義される。具体的には、特開平１１−１５０９１号公報の段落番号[００６１]〜[００６９]や、POLYMER HANDBOOK FOURTH EDITION Volume 1&2 (J.Brandrup, E.H.Immergut, E.A.Grulkeら著  INTERSCIENCE発行)
VII章499〜532頁に記載のポリマーから、２５℃において１００ｇの蒸留水に対するポリマーの溶解度が１ｇ以下であるポリマーを選択し、使用できる。
なかでも、分子量の揃ったポリマーの合成が容易であるという観点から、ポリアルキレン類、ポリビニルエステル類、ポリビニルハロゲン化物類、ポリスチレン類、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリシロキサン類、ポリエステル類、ポリブタジエン類、ポリイソプレン類が好ましい。なかでも、室温より高いガラス転移温度を有するという観点から、ポリスチレン類（例えば、ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリジメチルスチレン、ポリトリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリイソプロピルスチレン、ポリクロルメチルスチレン、ポリメトキシスチレン、ポリアセトキシスチレン、ポリクロルスチレン、ポリジクロルスチレン、ポリブロムスチレン、ポリトリフルオロメチルスチレン等）、ポリ（メタ）アクリレート類（例えば、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート、ポリブチル（メタ）アクリレート、ポリヘキシル（メタ）アクリレート、ポリ−２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ポリフェニル（メタ）アクリレート、ポリメトキシエチル（メタ）アクリレート、ポリグリシジル（メタ）アクリレート等）、ポリブタジエン類（例えば、１，２−ポリブタジエン、１，４−ポリブタジエン等）、ポリイソプレン類（例えば、ポリイソプレン等）がさらに好ましく、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、１，４−ポリブタジエン、ポリイソプレンが特に好ましい。
【００１７】
ブロック共重合体中の水不溶性ポリマーＡの重量平均分子量（Ｍｗ）は、得られる多孔質膜の細孔の大きさや、後述する水溶性ホモポリマーＢの分子量との関係で適宜選択されるが、１．０×１０４〜１．０×１０６が好ましく、５．０×１０４〜５．０×１０５がより好ましい。上記範囲内であれば、多孔質膜製造の際に溶媒に溶解しやすく、かつ得られる細孔の配列がより規則正しくなる。
なお、上記重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの重量平均分子量である。
【００１８】
本発明における水溶性ポリマーＢとは、２５℃において１００ｇの蒸留水に対するポリマーの溶解度が１ｇを超えるポリマーとして定義される。例えば、特開２００５−１０７５２号公報の段落番号[００３８]〜[００５３]や、POLYMER HANDBOOK FOURTH EDITION Volume 1&2 (J.Brandrup, E.H.Immergut, E.A.Grulkeら著  INTERSCIENCE発行) VII章499〜532に記載のポリマーから、２５℃において１００ｇの蒸留水に対するポリマーの溶解度が１ｇを超えるポリマーを選択し、使用できる。
なかでも、分子量の揃ったポリマーの合成が容易であるという観点から、カルボキシル基を有するポリマーおよびその塩、スルホン酸基を有するポリマーおよびその塩、リン酸基を有するポリマーおよびその塩、ホスホリルコリン基を有するポリマー、アミノ基を有するポリマー（ポリアリルアミン、ポリエチレンイミン等）、アミド基を有するポリマー、エーテル基を有するポリマーなどが挙げられる。
なかでも、エーテル基を有するポリマー（例えば、ポリメチルビニルエーテル、ポリエチレングリコールなどのポリアルキレングリコール、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート等）、ホスホリルコリン基を有するポリマー（例えば、ポリ−２−メタクリルオキシエチルホスホリルコリン、ポリ−４−（メタ）アクリルオキシブチルホスホリルコリン、ポリ−６−（メタ）アクリルオキシヘキシルホスホリルコリン等）がより好ましい。タンパク質吸着抑制能に優れ、タンパク質の分離膜として好適に利用できる点からは、生体適合性ポリマー、例えば、ポリエチレングリコール、またはホスホリルコリン基を有するポリマー（ＭＰＣポリマーとも称する）が好ましく挙げられる。特に、原料の入手性の観点から、ポリエチレングリコールが特に好ましい。
【００１９】
ブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢの重量平均分子量（Ｍｗ）は、得られる多孔質膜の細孔の大きさや、後述する水溶性ホモポリマーＢの分子量との関係で適宜選択されるが、１．０×１０３〜１．０×１０５が好ましく、５．０×１０３〜５．０×１０４がより好ましい。上記範囲内であれば、多孔質膜製造の際に溶媒に溶解しやすく、かつ得られる細孔の配列がより規則正しくなる。
なお、上記重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの重量平均分子量である。
【００２０】
本発明にかかるブロック共重合体は、互いに非相溶である水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとから構成され、上述の各ポリマーを組み合わせて合成される。ブロック共重合体の好ましい態様としては、水不溶性ポリマーＡがポリスチレンであり、水溶性ポリマーＢがポリエチレングリコールであるブロック共重合体や、水不溶性ポリマーＡがポリブタジエンであり、水溶性ポリマーＢがポリエチレングリコールであるブロック共重合体や、水不溶性ポリマーＡがポリメチルメタクリル酸であり、水溶性ポリマーＢがポリ（２−メタクリルオキシエチルホスホリルコリン）であるブロック共重合体などが挙げられる。中でも、タンパク質吸着抑制能に優れ、タンパク質の分離膜として好適に利用できる点から、ポリスチレンとポリエチレングリコールのブロック共重合体が挙げられる。
【００２１】
本発明にかかるブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、得られる多孔質膜の細孔の大きさや、後述する水溶性ホモポリマーＢの分子量との関係で適宜選択されるが、１．１×１０４〜１．１×１０６が好ましく、５．５×１０４〜５．５×１０５がより好ましい。上記範囲内であれば、多孔質膜製造の際に溶媒に溶解しやすく、かつ得られる細孔の配列がより規則正しくなる。
なお、上記重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの重量平均分子量である。
【００２２】
本発明にかかるブロック共重合体は、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的には、重量平均分子量（Ｍｗ）と数重量平均分子量（Ｍｎ）とで表される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が、１．００〜１．３０であることが好ましく、１．００〜１．１５であることがより好ましい。Ｍｗ／Ｍｎの値が上記範囲内であれば、より均一なサイズを有するミクロ相分離構造を形成することができる。
【００２３】
本発明にかかるブロック共重合体の共重合比率は、後述する式（１）および（２）を満たし、シリンダー状のミクロ相分離構造が得られるように適宜選択されるが、好ましくは水不溶性ポリマーＡ／水溶性ポリマーＢ＝０．９／０．１〜０．６５／０．３５（体積比）であり、より好ましくは０．８／０．２〜０．７／０．３（体積比）である。上記範囲内であれば、より配列の整ったシリンダー状のミクロ相分離構造が得られる。
【００２４】
本発明にかかるブロック共重合体は、公知の方法で合成することができる。例えば、アニオンリビング重合、カチオンリビング重合、リビングラジカル重合、グループトランスファー重合、開環メタセシス重合等の手法を利用することが可能である（Nikos Hadjichristidisら著,  "Block Copolymers : Synthetic Strategies, Physical Properties, and Applications", Wiley-Interscience (2002)）。また、Polymer  Source社（Canada）等が製造している市販品を使用することも可能である。
【００２５】
＜水溶性ホモポリマーＢ＞
本発明にかかる水溶性ホモポリマーＢは、上述のブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢと構成成分（モノマー）が同じポリマーをさす。水溶性ホモポリマーＢの定義は、上述のブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢと同一である。
【００２６】
本発明にかかる水溶性ホモポリマーＢの重量平均分子量（Ｍｗ）は、得られる多孔質膜の細孔の大きさや、上述のブロック共重合体の分子量との関係で適宜選択されるが、５０〜１．０×１０４が好ましく、５０〜５．０×１０３がより好ましい。
なお、上記重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を用いて測定し、標準ポリスチレンに換算したときの重量平均分子量である。
【００２７】
本発明にかかる水溶性ホモポリマーＢは、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的には、重量平均分子量（Ｍｗ）と数重量平均分子量（Ｍｎ）とで表される分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜１．５であることがより好ましい。Ｍｗ／Ｍｎの値が上記範囲内であれば、より均一なサイズを有するミクロ相分離構造を形成することができる。
【００２８】
＜式（１）＞
次に、本発明で用いられる水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と、水溶性ホモポリマーＢとの分子量の関係について説明する。本発明においてブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとは、上述したブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢの重量平均分子量をＭ（ｂ１）、水溶性ホモポリマーＢの重量平均分子量をＭ（ｂ２）とした場合、下記式（１）の関係を満たす。
５＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２５０    式（１）
（式（１）中、Ｍ（ｂ１）はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの重量平均分子量を表す。Ｍ（ｂ２）は、水溶性ホモポリマーＢの重量平均分子量を表す。）
【００２９】
上記Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）の値が５以下の場合は、ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとがマイクロメートルレベルで相分離し、目的とする規則性のあるミクロ相分離構造が得られない場合がある。また、この値が２５０以上の場合は、水溶性ホモポリマーＢの分子量が小さすぎて、もはやポリマーとしては機能せず水溶性低分子化合物として振舞うため、得られる多孔質膜の細孔サイズの制御が困難になる。
なお、得られるミクロ相分離構造の規則性がより向上する点で、Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）の好適な範囲としては、１０＜Ｍ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）＜２００がより好ましい。
【００３０】
＜式（２）＞
次に、本発明に用いられる、水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとの混合比について説明する。本発明においてブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとは、薄膜中におけるブロック共重合体中の水不溶性ポリマーＡが占める体積をａ１、ブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢが占める体積をｂ１、水溶性ホモポリマーＢが占める体積をｂ２とした場合、下記式（２）の関係を満たす。
０．６０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．９０    式（２）
（式（２）中、ａ１は膜中におけるブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡの体積を表す。ｂ１は、膜中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢの体積を表す。ｂ２は、膜中における水溶性ホモポリマーＢの体積を表す。）
【００３１】
上記ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）の値が０．６０より小さい場合、ミクロ相分離構造がラメラ構造となり目的とするシリンダー構造を得ることができない。また、ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）の値が０．９０より大きいと、水不溶性ポリマーＡ成分の中で水溶性ポリマーＢが球状構造をとり、目的とするシリンダー構造を得ることができない。なお、体積はそれぞれのポリマーの密度と質量を用いて導かれる。それぞれのポリマーの密度は、Polymer Handbook Fourth Edition Volume２（A John Wiley ＆ Sons，Inc.，Publication）、J．BRANDRUP、E．H．IMMERGUT、and E．A．GRULKE（1999）などに記載される数値を用いることができる。
【００３２】
上記ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）の値が０．６０〜０．９０の場合、ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとによりシリンダー構造のミクロ相分離が形成される。より詳細には、ブロック共重合体中の水溶性ポリマーＢと水溶性ホモポリマーＢとにより、ミクロ相分離中の棒状領域であるシリンダー部が構成され、膜表面に対して垂直方向に配向する。後述する水洗処理を経ることにより、水溶性ホモポリマーＢが選択的に除去され、目的とする膜表面に対して垂直方向に配列した複数のシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜が得られる。
なお、得られるミクロ相分離構造の規則性がより向上する点で、上記ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）の好適範囲としては、０．７０≦ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）≦０．８５がより好ましい。
【００３３】
＜基板＞
次に、ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとの混合薄膜が堆積される基板について説明する。本発明で使用される基板としては、基板表面の水に対する接触角が４０°〜１１０°を示す基板であり、好ましく水に対する接触角が５０°〜１０５°を示す基板である。例えば、表面修飾された石英、ポリマー、ガラス、セラミックなどが挙げられる。なお、接触角は、静的な接触角をいい、液滴法による接触角測定装置を使用して２３℃において測定する。ここで「静的な接触角」とは、流動等による時間に伴う状態変化が生じない条件における接触角をいう。
水溶性ポリマーと水不溶性ポリマーとからなるブロック共重合体は、その構成成分の性質が全く異なるため、ミクロ相分離構造の配向制御が非常に困難であった。本発明においては、基板とポリマーとの親和性に着目し、上述のように基板表面の表面エネルギーを特定の範囲に制御することにより、より規則性が向上するという知見を見出している。
【００３４】
上記基板のなかで好適な実施態様の一つとして、膜表面に対してミクロドメインが垂直に配向して得られるシリンダー構造の規則性がより良い点で、表面上にシランカップリング剤層を備える基板（特に、石英基板）が好ましい。シランカップリング剤層を備える基板は、シランカップリング剤で基板を表面処理することにより得られる。
より具体的には、基板上にシランカップリング剤を塗布、加熱することによりシランカップリング剤の層が形成される。シランカップリング剤の塗布は、シランカップリング剤単独の液体あるいはシランカップリング剤を有機溶媒に溶解させた溶液を用い、浸漬法、スピンコーティング、スプレー塗布、気相蒸着などで行うことができる。本発明では、浸漬またはスピンコーティングが好ましい。なお、塗布後、適宜溶媒などで得られた基板の洗浄を行ってもよい。また、シランカップリング剤の塗布の後、適宜加熱してもよい。加熱は、ホットプレート、熱風乾燥機などの加熱手段を用い、２０〜２００℃で行うことが好ましく、より好ましくは２０〜１５０℃である。
【００３５】
＜シランカップリング剤＞
本発明で使用されるシランカップリング剤の種類としては、適宜選択されるが、ブロック共重合体層のミクロ相分離構造の規則性がより高まるという点で、以下一般式（１）で表されるシランカップリング剤が好適に用いられる。
【００３６】
【化１】
2009256592.tif 000002
【００３７】
（一般式（１）中、Ｘは官能基を表す。Ｌは、連結基または単なる結合手を表す。Ｒは、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｙは加水分解基を表す。ｍは０〜２の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表し、ｎ＋ｍ＝３の関係を満たす。）
【００３８】
一般式（１）中、Ｘは官能基を表し、具体的には、水素原子、アミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルデヒド基、チオール基、イソシアネート基、イソチオシアネート基、エポキシ基、シアノ基、ヒドラジノ基、ヒドラジド基、ビニルスルホン基、ビニル基、アルキル基（炭素数１〜２０が好ましく、炭素数６〜１８がより好ましい）などが挙げられる。なかでも、アルキル基が好ましい。
【００３９】
一般式（１）中、Ｒは水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。なかでも、メチル基、エチル基が好ましい。一般式（１）中、Ｒが複数ある場合は、同一であっても異なっていてもよい。
【００４０】
一般式（１）中、Ｌは連結基を表し、具体的には、アルキレン基（炭素数１〜２０が好ましく、炭素数２〜１０がより好ましい）、−Ｏ−、−Ｓ−、アリーレン基、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、またはこれらを組み合わせた基が挙げられる。なかでも、アルキレン基が好ましい。Ｌが単なる結合手の場合、一般式（１）のＸがＳｉと直接結合することをさす。
【００４１】
一般式（１）中、Ｙは加水分解基を表す。具体的には、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基など）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキシ基など）などが挙げられ、なかでも反応性が良好な点で、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子が好ましい。
【００４２】
一般式（１）中、ｍは０〜２の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表し、ｎ＋ｍ＝３の関係を満たす。なかでも、ｍは１〜２が好ましい。ｎは、１〜２が好ましい。
【００４３】
本発明で使用されるシランカップリング剤としては、オクタデシルトリメトキシシラン、エチルジメチルクロロシラン、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、クロロトリメチルシラン、ジクロロジメチルシラン、フェニルジメチルクロロシラン、ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ｐ−メトキシフェニルプロピルメチルジクロロシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ-β（アミノエチル）γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【００４４】
上記基板のなかで他の好適な実施態様の一つとして、膜表面に対してミクロドメインが垂直に配向して得られるシリンダー構造の規則性がより良い点で、表面上にポリヒドロキシスチレンなどの層を備える基板（特に、石英基板）が好ましい。該層は、スピンコートなど公知の方法により形成される。
なお、このようなポリヒドロキシスチレンなどの層は、剥離層として作用する。ここで剥離層とは、多孔質膜と基板との間に設けられる層であり、例えば、該剥離層が溶解する特定の溶媒と接触させることにより、基板から容易に多孔質膜を剥離することができる。
【００４５】
本発明の好ましい実施態様の一つとして、上記の一般式（１）で表されるシランカップリグ剤層を備える基板（好ましくは、一般式（１）中、Ｘがメチル基で、Ｌがアルキレン基の場合）と、水不溶性ポリマーＡがポリスチレン類（好ましくは、ポリスチレン）で水溶性ポリマーＢがポリアルキレングリコール（好ましくは、ポリエチレングリコール）とを使用する場合が挙げられる。上記組み合わせの場合、得られるシリンダー構造のミクロ相分離の規則性がより向上し、シリンダー部が膜表面に対してほぼ垂直に配向する。
【００４６】
＜多孔質膜の製造方法＞
本発明の多孔質膜の製造方法は特に制限されないが、主に、以下の２つの工程を備える製造方法が好ましい。
＜１＞  上記の式（１）および式（２）を満足する、互い非相溶な水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとからなるブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を、水に対する接触角が４０°〜１１０°である基板表面に塗布して膜を形成する工程（工程１）
＜２＞  工程１で得られた膜中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程（工程２）
以下、各工程について詳細に説明する。
【００４７】
＜工程１＞
工程１は、上述のブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を基板表面に塗布して膜を形成する工程である。この工程により、ミクロ相分離構造を有する膜を基板上に形成することができる。
【００４８】
ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を作製する際に使用される溶媒は、ブロック共重合体が溶解すればよく、両者のポリマーの種類により適宜選択される。例えば、POLYMER HANDBOOK FOURTH EDITION Volume 1&2 (J.Brandrup, E.H.Immergut, E.A.Grulkeら著  INTERSCIENCE発行) VII章266〜285に記載の溶剤から、ブロック共重合体が溶解するものを適宜選択すればよい。
より具体的には、アルコール類、多価アルコール類、多価アルコールエーテル類、アミン類、アミド類、複素環類、スルホキシド類、スルホン類、エステル類、エーテル類、ケトン類、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、ニトリル類、ハロゲン類などが挙げられる。なかでも、芳香族炭化水素類（例えば、トルエン、キシレン、クメン等）、ハロゲン類（例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタン、四塩化炭素等）、アミド類（例えば、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルドデカンアミド等）、エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等）、ケトン類（例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ベンジルメチルケトン、ベンジルアセトン、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノン、アセトン、尿素等）が好ましく、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンがより好ましい。
溶液中のブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとの合計濃度は、溶液全量に対して、０．１〜２０質量％が好ましく、０．２５〜１５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、後述する塗布の際に取り扱いやすく、均一な膜が得られやすい。なお、上記溶媒は、単独で使用してもよく、併用してもよい。
【００４９】
上記溶媒とブロック共重合体、水溶性ポリマーＢとの好ましい組み合わせとしては、水不溶性ポリマーＡがポリスチレンで、水溶性ポリマーＢがポリエチレングリコールである場合、トルエン、クロロホルムなどが特に好ましい。
【００５０】
ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液には、本発明の効果を損なわない範囲で、任意の成分（例えば、ＵＶ吸収剤や酸化防止剤など）を加えることもできる。
【００５１】
上述の溶液の塗布方法としては、厚みが均一でかつ表面が平滑になるものであれば特に限定されず、例えば、スピンコート法、スプレー法、ロールコート法、インクジェット法などの方法を採用することができる。中でも、生産性の観点から、スピンコート法が好ましい。
スピンコート法の条件は、使用するブロック共重合体などにより適宜選択される。塗布後に、必要に応じて、乾燥工程を設けてもよい。溶媒を除去するための乾燥条件としては、適用される基板、および使用するブロック共重合体などに応じて適宜選択されるが、２０〜２００℃の温度で、０．５〜３３６時間の処理を行うことが好ましい。特に好ましい温度としては、２０〜１８０℃であり、さらに好ましくは２０〜１６０℃である。乾燥処理は数回に分けて行ってもよい。この乾燥処理は、窒素雰囲気下、低濃度酸素下または大気圧１０トール以下で行うことが特に好ましい。
【００５２】
工程１後、必要に応じて、工程１で得られた塗膜を加熱する処理（加熱工程）を施してもよい。加熱工程により、得られるミクロ相分離構造の規則性がより向上する。加熱温度および時間は、使用するブロック共重合体や膜厚などにより適宜選択されるが、上述の水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢのガラス転移温度以上であることが好ましい。例えば、６０〜３００℃が好ましく、８０〜２７０℃がより好ましい。温度が低すぎると、本工程の効果が小さく、温度が高すぎるとポリマーの分解などが誘発され好ましくない。加熱時間は、１０秒以上が適当であり、０．５〜１４４０分が好ましく、１〜６０分がさらに好ましい。時間が短すぎると、本工程の効果が小さく、時間が長すぎると、本工程の効果が飽和しているため、不経済である。
また、本工程は、真空中、不活性ガス雰囲気下、または、有機溶媒の蒸気雰囲気下の、いずれの条件下で行ってもよい。
【００５３】
工程１により得られる塗膜の斜視断面図を図１に示す。図１に示すように、連続相１０と、シリンダー状ミクロドメイン１２とからなるミクロ層分離構造を有し、基板１６の表面に配置されている。上述のように、本発明において、連続相１０はブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡを主成分として構成され、シリンダー状ミクロドメイン１２はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢと水溶性ホモポリマーＢとを主成分として構成されている。シリンダー状ミクロドメイン１２は、連続相１０中に分布するとともに、図１（ａ）中のＺ軸方向である基板１６に対して垂直方向（略垂直）に配向している。そして、図１（ｂ）に示すようにシリンダー状ミクロドメイン１２は、塗膜の水平面（図中ＸＹ平面）において、千鳥配置をなすことが好ましく、特に六方格子状となるように規則配列パターンを形成していることが好ましい。ここで、六方格子状とは、ミクロドメインの一つと、これに隣接する２つのミクロドメインがなす角度θが略６０度（略６０度とは、５０〜７０度、好ましくは５５〜６５度をさす）となるような構造をさす。なお、規則配列パターンは、六方格子状をとるものを例示したが、これに限定されることなく、例えば、正方配列をとる場合もある。また、規則配列パターンを有している場合に限定されるわけでなく、不規則配列パターンである場合も含まれる。
【００５４】
シリンダー状ミクロドメイン１２の大きさ（平均直径）は、使用するブロック共重合体や水溶性ホモポリマーＢなどの分子量などにより適宜制御することができ、１〜２５０ｎｍが好ましく、１０〜１００ｎｍがより好ましい。楕円などの場合は、長径が上記範囲内であればよい。隣り合うミクロドメイン間の距離（中心軸間の距離）は、使用するブロック共重合体や水溶性ホモポリマーＢなどの分子量などにより適宜制御することができ、１〜３００ｎｍが好ましく、１０〜１５０ｎｍがより好ましい。ミクロドメインの大きさやミクロドメイン間の距離は、顕微鏡による観察、例えば原子間力顕微鏡観察などによって測定することができる。
なお、ミクロドメインという用語はマルチブロックコポリマー中のドメインを表すのに一般に使用されており、ドメインのサイズを規定するものではない。
【００５５】
シリンダー状ミクロドメインは、膜表面に対して垂直方向に配向しており、好ましくは略垂直である。より具体的に略垂直とは、膜表面に対する法線に対するシリンダー状ミクロドメインの中心軸の傾斜角度が±４５度以内、好ましくは±３０度以内であることを指す。傾斜角度は、超薄切片のＴＥＭ解析や、小角Ｘ線散乱解析などによって測定することができる。
【００５６】
膜１４において、連続相１０はブロック共重合体の水不溶性ポリマーＡを主成分として構成されている。ここで主成分とは、具体的には、連続相１０中における水不溶性ポリマーＡの占める比率が、連続相１０の全質量に対して、８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上である。上限としては、１００質量％である。
一方、連続相中に分布しているシリンダー状ミクロドメイン１２はブロック共重合体の水溶性ポリマーＢと水溶性ホモポリマーＢとを主成分として構成されている。ここで主成分とは、具体的には、シリンダー状ミクロドメイン中におけるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢと水溶性ホモポリマーＢの占める比率が、シリンダー状ミクロドメインの全質量に対して、８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上である。上限としては、１００質量％である。
【００５７】
＜工程２＞
工程２は、工程１で得られた膜（塗膜）中の水溶性ホモポリマーＢを水を用いて除去する工程である。本工程により、工程１で得られた塗膜から水溶性ホモポリマーＢのみが除去されることにより、膜表面に対して垂直方向に配向した複数のシリンダー状構造の細孔をもつ多孔質膜が得られる。
【００５８】
水溶性ホモポリマーＢを取り除くための水による洗浄方法としては、水溶性ホモポリマーＢが除去できれば特に限定されない。例えば、工程１で得られた塗膜の上からシャワーにより水をふりかける方法や、水中に工程１で得られた塗膜を浸漬させる方法などが挙げられる。洗浄工程は、複数回行ってもよい。洗浄時間に関しては、使用する材料などにより適宜最適な条件が選択される。なお、工程２後に、得られた多孔質膜を適宜基板から取り外してもよい。
【００５９】
＜多孔質膜＞
上述の製造工程を経て、水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相と、水溶性ポリマーＢを主成分として、連続相中に分布し、膜表面に対して垂直方向に配向するシリンダー状ミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有する多孔質膜が得られる。この多孔質膜のシリンダー状ミクロドメイン内には、平均孔径１〜２００ｎｍのシリンダー状構造の細孔が存在する。図２に、本発明で得られる多孔質膜の模式図が示され、より詳細には基板１６と上記多孔質膜１４ａとを備える積層体が記載されている。水不溶性ポリマーＡを主成分とする連続相１０と、シリンダー状ミクロドメイン１２とのミクロ相分離構造において、シリンダー状ミクロドメイン１２内に細孔１８がある。図２より分かるように、細孔１８の壁面にはシリンダー状ミクロドメイン１２を形成する水溶性ポリマーＢが存在する。なお、図２では、細孔は貫通孔として記載されているが、これに限定されない。
【００６０】
多孔質膜は、水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢとから構成されているが、細孔内壁面には主成分として水溶性ポリマーＢが存在する。つまり、多孔質膜の連続相を構成する水不溶性ポリマーＡとは機能の異なる水溶性ポリマーＢにより細孔内壁面が被覆されており、細孔内壁面が水溶性ポリマーＢにより機能化されている。
従来使用されていたイオンエッチングなどにより一方のミクロドメイン部を分解して多孔質膜を得る方法では、ミクロドメインを構成する成分がすべて分解・除去されてしまい、連続相を構成する成分のみが残ることになる。つまり、細孔内壁面上には連続相を構成する成分が存在することになる。そのため、連続相を構成する成分が有する性質と異なる性質・機能を壁面内に持たせる場合には、新たに細孔内壁面を化学修飾する手間を伴う。また、細孔が非常に小さいため、壁面全体を完全に化学修飾することは非常に困難である。一方、本発明にかかる方法によれば、機械的強度に優れる水不溶性ポリマーＡを多孔質膜の連続相（支持部）として使用し、かつ、用いるブロック共重合体の水溶性ポリマーＢに所望の機能性分子を担持させることにより、細孔内壁面を容易に、かつ任意に機能化することが可能となる。
【００６１】
上記のように本発明は、膜表面に対して垂直方向に配列した複数の柱状構造の細孔を有し、互いに非相溶である水不溶性ポリマーＡと水溶性ポリマーＢより構成される多孔質膜であって、細孔内壁面に水溶性ポリマーＢを主成分として含む層が存在する多孔質膜である。水溶性ポリマーＢを主成分として含む層の厚さは、ミクロドメインの大きさと後述する細孔の大きさにより適宜制御することができる。
【００６２】
＜細孔の大きさ＞
本発明にかかる多孔質膜中の細孔の平均孔径（平面形状が円の場合は直径）は、ブロック共重合体と水溶性ポリマーＢとの割合などにより適宜制御することができるが、通常１〜２００ｎｍであり、５〜１５０ｎｍがより好ましく、１０〜１００ｎｍがさらに好ましい。上記範囲内であれば、タンパク質の分離膜や、エッチング用のマスクとして使用するのにより好適である。楕円などの場合は、長径部が上記範囲内であればよい。
なお、通常、細孔の平均孔径は、上述したミクロドメインの大きさ（平均直径）より小さく、細孔内壁面上には水溶性ポリマーＢが存在する。両者（細孔とミクロドメイン）の大きさの差は、１０〜２００ｎｍであるのが好ましい。平均孔径とは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真（約１０００ｎｍ×１０００ｎｍの範囲）で観察される多孔質膜表面上の少なくとも２個以上、好ましくは１０個以上の任意の細孔の直径を測定して、数平均して求めた値である。コンピューターによる画像処理して、導入される値でも構わない。
【００６３】
＜細孔密度＞
本発明にかかる多孔質膜の細孔密度は、使用するブロック共重合体、水溶性ポリマーＢなどの量を変えることにより適宜制御することができるが、２〜２５００個／μｍ２が好ましく、１０〜１５００個／μｍ２がより好ましい。上記範囲内であれば、得られる細孔の規則性がより向上する。
本発明で規定する多孔質膜における細孔密度とは、多孔質膜の表面を細孔が明瞭に確認できる倍率で走査型電子顕微鏡等を用いて写真を撮り、その写真の中の細孔を数えて、１μｍ２当たりの細孔数に換算したものを細孔密度と定義する。複数の領域など、出来るだけ広域について数えて平均することが好ましい。なお、ミクロドメイン内にある細孔の数は特に限定されないが、各ミクロドメイン内にひとつの細孔が存在するのが好ましい。
【００６４】
＜細孔の深さ＞
本発明にかかる多孔質膜の細孔の深さ（膜表面からの深さ）は、上述の水洗する工程での水洗方法により適宜制御することができるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、上限は多孔質膜の膜厚であり、細孔が貫通孔の場合がもっとも好ましい。ここで細孔の深さとは、多孔質膜表面からの深さを指し、断面のＳＥＭ解析などによって測定することができる。
【００６５】
＜配向＞
本発明にかかる多孔質膜の細孔は、分離膜やエッチング用マスクなどの応用の観点からは、膜表面に対して垂直方向に配向していることが好ましく、より好ましくは略垂直である。より具体的に略垂直とは、細孔の中心軸の膜表面に対する法線に対する傾斜角度が±４５度以内、好ましくは±３０度以内であることを指す。傾斜角度は、超薄切片のＴＥＭ解析や、小角Ｘ線散乱解析によって測定することができる。
【００６６】
＜膜厚＞
本発明にかかる多孔質膜の平均膜厚は、使用するブロック共重合体、水溶性ホモポリマーＢなどの量を変えることにより適宜制御することができるが、１０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜５００ｎｍがより好ましい。上記範囲内であれば、得られる細孔の規則性がより向上する。膜厚の測定方法としては、プロファイラ装置(ＫＬＡ−Ｔｅｃｎｏｒ社製)により、膜表面上の任意の点を３ヵ所以上測定して数平均して求めた値である。
【００６７】
＜配置＞
本発明にかかる多孔質膜の細孔の配置は、使用するブロック共重合体や水溶性ホモポリマーＢの種類や分子量などにより適宜制御することが可能であるが、それぞれ隣り合う細孔と千鳥配置をなすことが好ましい。千鳥配置としては、なかでも、細孔の一つと、これに隣接する二つの細孔がなす角度θ（図２参照）を略６０度になるよう配置されるのが好ましい。ここで、略６０度とは、５０〜７０度をさし、好ましくは５５〜６５度である。なお、多孔質膜において細孔が上述の規則的な配列構造をとっている場合は、細孔の全てがこれらの規則的な配列構造である必要はない。すなわち、細孔は、ヘキサゴナル（六角格子状）等の規則的な細孔配列構造と不規則な細孔配列構造の両方を有していてもよい。全ての細孔のうち５０％以上、好ましくは６０％以上が規則的な細孔配列構造となっていることが好ましい。
隣り合う細孔間の平均間隔（細孔中心軸間の距離）は、使用するブロック共重合体や水溶性ホモポリマーＢの種類や分子量などにより適宜制御することが可能であるが、１〜３００ｎｍが好ましく、１０〜１５０ｎｍがより好ましい。平均間隔は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真（約約１０００ｎｍ×１０００ｎｍの範囲）で観察される多孔質膜表面上の少なくとも２個以上、好ましくは１０個以上の任意の細孔から隣り合う細孔までの間隔を測定して、数平均して求めた値である。
【００６８】
＜用途＞
本発明にかかる多孔質膜は、多様な用途に応用することが可能である。例えば、電子情報記録媒体、吸着剤、ナノ反応場膜、分離膜、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどの偏光板保護フィルムなどが挙げられる。
なかでも、本発明により得られた多孔質膜は、表面が水溶性（親水性）ポリマーで被覆された貫通孔を有するという特徴を持つため、水溶媒中の物質を分離するための機能性分離膜として好適に使用することが出来る。特に、タンパク質等に対する吸着抑制能を有するポリマーを水溶性ポリマー成分として用いた場合、タンパク質等の生体高分子や細胞等に対する吸着抑制能を有する分離膜として、好ましく用いることが可能となる。タンパク質等に対する吸着抑制能を有するポリマーとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリ（２−メタクリルオキシエチルホスホリルコリン）などのリン脂質類似構造を有するリン酸基含有ポリメタクリレートが好適に挙げられる。
【００６９】
タンパク質の分離法としては、従来からゲル電気泳動法が知られている（「タンパク質ハンドブック」G.Walsh著、平山ら訳(丸善)ｐ１６７）。しかしこの手法では、タンパク質が変性してしまう場合が多く、また、ゲルからタンパク質を取り出すことも容易ではない。
その他の方法としては中空糸膜を用いて、タンパク質を分離する手法も報告されている（特開２００６−８９４６８号公報）。この手法を用いることにより、マーカータンパク質として有用な分子量６０ｋＤａ以下のタンパク質を選択的に濃縮可能であることが報告されている。しかしこの手法では大掛かりな装置を必要とするため、コスト・工業性の点から好ましくなく、また、タンパク質を簡便に分離することが出来ない。さらに、この手法で使用されている中空糸膜表面は、タンパク質の吸着抑制能に関しては特に考慮されておらず、使用とともにタンパク質が吸着してしまう。
【００７０】
タンパク質のような生体高分子を、そのサイズの違いにより分離しようとする場合、分離膜の孔径はナノメートルサイズ（具体的には、２００ｎｍ以下程度が好ましく、特に１００ｎｍ以下がより好ましい）であり、かつ、細孔表面はタンパク質等の吸着抑制能を有する化合物で被覆されていることが望ましい。しかしながら、現在までこのような分離膜は得られていない。上述の本発明にかかる多孔質膜の製造方法を用いることにより、ナノメートルサイズの細孔内壁面はタンパク質等の吸着抑制能を有する化合物（例えば、生体適合性ポリマー、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリ（２−メタクリルオキシエチルホスホリルコリン）などのリン脂質類似構造を有するリン酸基含有ポリメタクリレート）で被覆された多孔質膜を容易に得ることができる。多孔質膜の連続相（支持部）には、医療用材料としての好適な機械的特性を付与するために機械的強度に優れたポリマー（例えば、ポリスチレン）などを使用することができる。
従来の手法においては、多孔質膜を作製後、特定の機能を有した化合物で細孔を被覆するという工程が必要であった。また、細孔の開口部の大きさが小さいため、化学修飾を完全に進行させるのは困難であった。さらに、一旦被覆されたとして分離膜として使用中に細孔内の被膜が剥がれてくる場合もあった。本発明においては、上述のように細孔内を所望の機能性化合物で被覆することができ、該化合物は多孔質膜の連続相と共有結合されているため使用に際しても剥離などが起こることはほとんどない。
【００７１】
また、本発明の多孔質膜の他の好適な用途として、基板に所定のパターンを形成するためのエッチング加工の際のマスク（エッチング用マスク）としての使用が挙げられる。本発明の多孔質膜をエッチング用マスクとして使用することにより、基板表面上にナノレベルで制御された所定のパターン状の凹凸構造を形成することができる。
【００７２】
より詳細には、本発明の多孔質膜を用いた凹部を表面上に有する基板の製造方法としては、特に制限はされないが、主に、以下の３つの工程を含むことが好ましい。
＜工程１＞  基板上に本発明の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程
＜工程２＞  多孔質膜形成工程後、多孔質膜をマスクとして用い、基板をエッチングして、基板表面上に凹部を形成するエッチング工程
＜工程３＞  エッチング工程後、残存する多孔質膜を除去する除去工程
上記の各工程について、図１４に従って、以下に説明する。
【００７３】
（多孔質膜形成工程）
多孔質膜形成工程は、基板上に上述したナノサイズの細孔を有する多孔質膜を形成する工程である。この工程により、図１４（ａ）に示すように、基板２２上に細孔２６を有する多孔質膜２４が形成される。なお、細孔２６の大きさは、上述のように１〜２００ｎｍ程度である。多孔質膜２４の厚みは特に制限されないが、除去が容易で、基板のエッチング量を制御しやすい点から、３０〜１０００ｎｍが好ましく、５０〜７５０ｎｍがより好ましい。
基板上に多孔質膜を形成する方法は特に限定されず、上記の多孔質膜の製造方法で説明したように、ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を基板上へ塗布し、その後水溶性ホモポリマーＢを水で取り除くことにより形成することができる。また、他の形成方法としては、作製した多孔質膜を基板上へ直接堆積させてもよい。
【００７４】
エッチング処理される基板は特に限定されず、使用目的に応じて適宜最適な基板が選択される。具体的には、ポリマー基板、ガラス基板、石英基板、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＩｎＮＡｓなどのIII-V族化合物半導体基板、シリコン、ドープシリコンなど）などが挙げられる。なかでも、石英基板、半導体基板が好ましい。
なお、ブロック共重合体と水溶性ホモポリマーＢとを含む溶液を基板上に塗布して多孔質膜を作製する場合は、基板表面の水に対する接触角は４０°〜１１０°を示す。
基板の形状は特に限定されないが、寸度的に安定な板状物であることが好ましい。板状物である場合の厚みは、特に制限されない。
【００７５】
（エッチング工程）
多孔質膜形成工程後に実施されるエッチング工程では、多孔質膜をマスクとして用い、基板を選択的にエッチングして、基板表面上に凹部を形成する。この工程により、図１４（ｂ）に示すように、細孔部に位置する基板がエッチングされ、凹部２８を複数有する基板２２ａが得られる。
凹部２８の開口部の形状は、特に限定されないが、細孔の開口部の形状と同じく円形状であることが好ましい。図１４（ｂ）において、凹部２８の形状は円柱状（シリンダー状）に記載されているが、これに限定されず、円錐状であってもよい。
【００７６】
凹部２８の開口部の平均直径は、エッチング処理条件を制御することにより適宜調整されるが、得られる基板（例えば、半導体基板）からの光取り出し効率向上の点からは、５０〜２００ｎｍが好ましく、７５〜２００ｎｍがより好ましい。凹部２８においては、凹部２８の側壁（内壁）は、基板２２の厚さ方向に対して略平行に形成されることが好ましい。凹部２８の深さ（高さ）ｈは、エッチング処理条件を制御することにより適宜調整されるが、各種用途などの応用の点からは、１０〜１０００ｎｍが好ましく、３０〜７５０ｎｍがより好ましい。
凹部２８の数は、特に限定されないが、通常、多孔質膜２４の細孔２６の数に対応しており、２〜２５００個／μｍ２が好ましく、１０〜１５００個／μｍ２がより好ましい。
【００７７】
エッチング条件としては、基板をエッチングできれば特に限定されず、基板の種類に応じて最適な処理が実施される。例えば、硫酸、硝酸、リン酸、フッ酸などの薬液で腐食を行うウェットエッチング、または、反応性イオンエッチングや反応性ガスエッチングなどのドライエッチングなどが挙げられる。なかでも、エッチング量の制御が容易という点から、ドライエッチングが好ましい。なお、エッチングガスは、基板に応じて適宜選択すればよく、ＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6などのフッ素系、Ｃｌ2、ＢＣｌ3などの塩素系のエッチングガスを用いて行うことができる。
エッチングの処理時間は、基板の用途などに応じて適宜調整することができるが、エッチング量の制御がよりし易い点で、５〜３００秒が好ましく、１０〜２００秒がより好ましい。
なお、エッチングの際に基板を選択的にエッチングするためには、基板と多孔質膜とのドライエッチング速度の差、エネルギー線に対する分解性の差、または、熱分解性の差を利用する。また、エッチングの際に多孔質膜の一部がエッチングされてもよい。
【００７８】
（除去工程）
エッチング工程後に実施される除去工程では、マスクとして使用され、残存する多孔質膜が除去され、凹部を有する基板が得られる。図１４（ｃ）に示すように、多孔質膜が除去され、凹部２８を複数有する基板２２ａが得られる。
多孔質膜の除去の方法は、特に限定されないが、多孔質膜が溶解する溶媒で処理する方法やエッチングにより除去する方法などが挙げられる。
【００７９】
上述の方法により得られた表面に凹部を有する基板は、種々の用途に応用することができる。例えば、基板として半導体基板を用いた場合は、凹部が設けられた基板側（光取り出し面）からの光取り出し効率が向上し、各種照明部材などへ応用することができる。
【実施例】
【００８０】
以下に本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限定されない。
【００８１】
後述する原子間力顕微鏡（ＡＦＭとも称する）観察は、セイコーインスツルメンツ社製ＳＰＡ−４００装置のタッピングモードを用いて実施した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭとも称する）観察は、日立ハイテク社製Ｓ５２００装置を用いて実施した。得られる多孔質膜の膜厚は、プロファイラ装置（ＫＬＡ−Ｔｅｃｎｏｒ社製）により測定した。
【００８２】
＜実施例１＞
本実施例は、基板の接触角と、シリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜作製可否の関係を示すものである。
＜サンプル１の作製＞
ブロック共重合体として、Polymer Source社より購入したポリスチレン（水不溶性ポリマーＡ）とポリエチレングリコール（水溶性ポリマーＢ）からなるブロック共重合体（Ａ−Ｂ型）、Ｐ３７９９−ＳＥＯを用いて検討した。Ｐ３７９９−ＳＥＯでは、ポリスチレン部分の重量平均分子量（Ｍｗ）が２２５，０００、ポリエチレングリコール部分の重量平均分子量（Ｍｗ）が２６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１２であった。水溶性ホモポリマーＢとして、ポリエチレングリコールのホモポリマー（重量平均分子量（Ｍｗ）：６００）（以下、ＰＥＧ６００と記載）を、東京化成社より購入した。
エチルジメチルクロロシラン（Ｇｅｌｅｓｔ社）の１質量％トルエン溶液に、石英基板を２４時間浸漬した後、得られた石英基板をトルエン２ｍＬで３回洗浄、乾燥（圧縮空気吹き付けによる）して本実験に用いた。シランカップリング処理前後の基板表面の水に対する接触角を測定することで、表面修飾ができているかどうかの評価を行った。未修飾石英基板の接触角が１８±７°であるのに対し、シランカップリング処理後の接触角は９３±６°であり、アルキル化後の標準的な接触角値であることから、表面修飾ができていることを確認した。
Ｐ３７９９−ＳＥＯ（２５０ｍｇ）とＰＥＧ６００（８０ｍｇ）をトルエン（９．６７ｇ）に溶解した混合溶液（２００μＬ）を、上記基板上に滴下し、ｓｌｏｐｅ：５秒、３０００ｒｐｍ：９０秒の条件でスピンコートすることにより塗膜を得た。なお、「ｓｌｏｐｅ  ５秒」とは、回転数が３０００ｒｐｍになるまでの時間を意味する。この塗膜に対し、室温、飽和トルエン条件下で７２時間エージングを行った。ＡＦＭ測定などを実施したところ、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が得られていることが確認された。その後、塗膜を２ｍＬの脱イオン水で５回洗浄することにより、サンプル１を得た。式１および式２の定義により、サンプル１のＭ（ｂ１）／Ｍ（ｂ２）（以後、ｒと称する）値は４３であり、ａ１／（ａ１＋ｂ１＋ｂ２）（以後、ｆ（ａ）と称する）値は０．７１であった。
サンプル１の表面構造を確認するために、ＡＦＭ観察を行った（図３（ａ））。平均孔径５０ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状（六角形状）に分布しているのが観察された。さらに、３次元構造を確認するために液体窒素中でサンプル１を割断し、ＳＥＭ観察を行ったところ、石英基板まで到達する貫通孔が得られていることが確認された（図３（ｂ））。細孔密度は８４個／μｍ２であり、隣接する細孔間の平均間隔は１０６ｎｍであった。サンプル１の平均膜厚は、２８０ｎｍであった。
【００８３】
＜サンプル２の作製＞
オクタデシルトリメトキシシラン（Ｇｅｌｅｓｔ社）の１質量％トルエン溶液に、石英基板を２４時間浸漬した後、トルエン２ｍＬで３回洗浄、乾燥（乾燥条件  圧縮空気を用いた）し、得られた基板を本実験に用いた。未修飾石英基板の接触角が１８±７°で、シランカップリング後の接触角は１０３±６°であり、アルキル化後の標準的な接触角値であることから、表面修飾ができていることを確認した。上記基板を用いる以外は、サンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル２を得た。
サンプル２のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径６１ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図４）。
【００８４】
＜サンプル３の作製＞
スライドガラス基板上にポリヒドロキシスチレン（２００ｍｇ（以下、ＰＨＳとも記載））をエタノール（９．８ｇ）に溶解した溶液を、２００μＬ滴下し、ｓｌｏｐｅ：５秒、３０００ｒｐｍ：９０秒の条件でスピンコートした。なお、得られた基板の接触角は、６０±７°であった。上記基板を用いる以外は、サンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル３を得た。
サンプル３のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径８０ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図５）。
【００８５】
＜サンプル４の作製＞
未修飾石英基板（接触角：１８±５°）を用いる以外は、サンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル４を得た。液体窒素中でサンプル４を割断し、ＳＥＭ観察を行った結果、マクロスケールの孔が存在し、目的とする多孔質膜は得られなかった（図６）。
【００８６】
＜サンプル５の作製＞
ペルフルオロデシルトリエトキシシラン（Ｇｅｌｅｓｔ社）の１質量％トルエン溶液に、石英基板を２４時間浸漬した後、トルエン２ｍＬで３回洗浄、乾燥（乾燥条件  圧縮空気を用いた）し、得られた基板を本実験に用いた。未修飾石英基板の接触角が１８±７°で、シランカップリング後の接触角は１１２°であり、フッ素化後の標準的な接触角値であることから、表面修飾ができていることを確認した。上記基板を用いる以外は、サンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル５の作製を行った。塗布時に、溶液がはじいてしまい、均一に塗布できず、目的とする多孔質膜は得られなかった。
【００８７】
サンプル１〜３の接触角依存性に関する結果を下記表１に示す。
【００８８】
【表１】
2009256592.tif 000003
所望のシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜が作製できている場合は○、そうでない場合は×とした。
以上の結果より、基板の水に対する接触角が一定の範囲内であれば、細孔がヘキサゴナル状にパッキングし、膜表面に対して垂直方向に配向している多孔質膜を作製できた。
【００８９】
＜実施例２＞
本実施例は、ｒ値とシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜の作製可否との関係を示すものである。
【００９０】
＜サンプル６の作製＞
ＰＥＧ６００を、ポリエチレングリコールのホモポリマー（重量平均分子量（Ｍｗ）：４００）（以下、ＰＥＧ４００と記載）に変更にした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル６を得た。式１および式２の定義により、ｒの値は６５であり、ｆ（ａ）の値は０．７１であった。
サンプル６のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径４２ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図７）。
【００９１】
＜サンプル７の作製＞
ＰＥＧ６００を、ポリエチレングリコールのホモポリマー（重量平均分子量（Ｍｗ）：２００）（以下、ＰＥＧ２００と記載）に変更にした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル７を得た。式１および式２の定義により、ｒの値は１３０であり、ｆ（ａ）の値は０．７１であった。
サンプル７のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径３８ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図８）。
【００９２】
＜サンプル８の作製＞
ＰＥＧ６００を、ポリエチレングリコールのモノマーであるジメトキシエタン（和光純薬）に変更した以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル８を得た。式１および式２の定義により、ｒの値は２８９であり、ｆ（ａ）の値は０．６９であった。
サンプル８のＡＦＭ観察を行った結果、目的とする多孔質膜は得られなかった（図９）。
【００９３】
＜サンプル９の作製＞
Ｐ３７９９−ＳＥＯを、Ｐ１２３−２ＳＥＯ１（ポリスチレン部分の重量平均分子量（Ｍｗ）が３６，０００、ポリエチレングリコール部分の重量平均分子量（Ｍｗ）が１，４００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１２）に変更した以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル９の作製を行った。式１および式２の定義により、ｒの値は２．３であり、ｆ（ａ）の値は０．７５であった。
サンプル９のＡＦＭ観察を行った結果、サンプル４のように、マクロスケールの相分離が起こり、目的とする多孔質膜は得られなかった。
【００９４】
サンプル１、６〜９のｒ値依存性に関する結果を下記表２に示す。
【００９５】
【表２】
2009256592.tif 000004
所望のシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜が作製できている場合は○、そうでない場合は×とした。
以上の結果から、ｒ値が、所定の範囲内であれば、細孔がヘキサゴナル状にパッキングし、膜表面に対して垂直方向に配向している多孔質膜を作製できた。
【００９６】
＜実施例３＞
本実施例は、ｆ（ａ）値とシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜の作製可否との関係を示すものである。
【００９７】
＜サンプル１０の作製＞
ＰＥＧ６００の量を４０ｍｇにした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル１０を得た。式１および式２の定義により、サンプル１０のｒ値は４３であり、ｆ（ａ）値は０．８０であった。
サンプル１０のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径４２ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図１０）。さらに、３次元構造を確認するために、液体窒素中でサンプル１０を割断し、ＳＥＭ観察を行った。ＳＥＭ観察より、石英基板まで到達する貫通孔が得られていることが確認された。本発明の範囲内でホモポリマーの添加量を制御することで、貫通孔の孔径制御が可能であることが証明された。細孔密度は１５６個／μｍ２であり、隣接する細孔間の平均間隔は９２ｎｍであった。サンプル１０の平均膜厚は、２７１ｎｍであった。
【００９８】
＜サンプル１１の作製＞
ＰＥＧ６００の量を２０ｍｇにした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル１１を得た。式１および式２の定義により、サンプル１１のｒ値は４３であり、ｆ（ａ）値は０．８５であった。
サンプル１１のＡＦＭ観察結果などから、シリンダー状ミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が確認された。さらに、平均孔径３５ｎｍの細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された（図１１）。さらに、３次元構造を確認するために、液体窒素中でサンプル１１を割断し、ＳＥＭ観察を行った。ＳＥＭ観察より、石英基板まで到達する貫通孔の生成が確認された。本発明の範囲内でホモポリマーの添加量を制御することで、貫通孔の孔径制御が可能であることが証明された。細孔密度は２２５個／μｍ２であり、隣接する細孔間の平均間隔は８２ｎｍであった。サンプル１１の平均膜厚は、２６０ｎｍであった。
【００９９】
＜サンプル１２の作製＞
ＰＥＧ６００の量を５００ｍｇにした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル１２を得た。式１および式２の定義により、サンプル１２のｒ値は４３であり、ｆ（ａ）値は０．３２であった。
サンプル１２のＡＦＭ観察結果などからは、サンプル１、２などで観察された比較的揃った直径を有する孔のヘキサゴナルパッキングではなく、平均孔径３００ｎｍ程度の細孔が不規則に存在する表面が観察され、目的とする多孔質膜は得られなかった（図１２）。
【０１００】
＜サンプル１３の作製＞
ＰＥＧ６００の量を０．５ｍｇにした以外はサンプル１の作製方法と同様の操作を行い、サンプル１３を得た。式１および式２の定義により、サンプル１３のｒ値は４３であり、ｆ（ａ）値は０．９１であった。
サンプル１３のＳＥＭ観察結果などから、孔が観察されず、目的とする多孔質膜は得られなかった。
【０１０１】
サンプル１、１０〜１３のｆ（ａ）値依存性に関する結果を下記表３に示す。
【０１０２】
【表３】
2009256592.tif 000005
所望のシリンダー状構造の細孔を有する多孔質膜が作製できている場合は○、そうでない場合は×とした。
以上の結果から、ｆ（ａ）値が所定の範囲内であれば、細孔がヘキサゴナル状にパッキングし、膜表面に対して垂直方向に配向している多孔質膜を作製できた。
【０１０３】
＜実施例４＞
本実施例は、サンプル３を、エタノール中に浸漬することで、ＰＨＳを溶かし、多孔質膜を基板から剥離した例を示すものである。
剥離後の表面（大気面側）、裏面（基板側）のＡＦＭ像を、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示す。ＡＦＭ観察結果からは、表面・裏面とも同程度の平均孔径（７８ｎｍ）の細孔が、ヘキサゴナル状に配置されていることが観察された。
以上の結果から、表面（大気面側）から裏面（基板側）まで孔が貫通していることが分かった。
【０１０４】
＜実施例５＞
実施例５では、本発明の多孔質膜を基板のエッチングの際のマスクとして使用した例を示す。
【０１０５】
＜サンプル１４および基板１の作製＞
ＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡ（Polymer Source社製、Ｐ３４３７−ＳＭＭＡｒａｎＯＨＴ）の１質量％トルエン溶液をシリコンウエハ上にスピンコート塗布して、１４０℃で１日アニールすることで、修飾シリコンウエハを作製した。修飾シリコンウエハの水に対する接触角は８２±８°であった。
Ｐ３７９９−ＳＥＯを０．５質量％とＰＥＧ６００を０．１６質量％含むトルエン溶液（２００μＬ）を、上記基板上に滴下し、ｓｌｏｐｅ：５秒、３０００ｒｐｍ：９０秒の条件でスピンコートすることにより塗膜を得た。この塗膜に対し、室温、飽和トルエン条件下で７２時間エージングを行った。ＡＦＭ測定などを実施したところ、シリンダー状のミクロドメインが膜表面に対して垂直方向に配向したミクロ相分離構造が得られていることが確認された。その後、塗膜を２ｍＬの脱イオン水で５回洗浄することにより、サンプル１４を得た。式１および式２の定義により、サンプル１４のｒ値は４３であり、ｆ（ａ）値は０．７１であった。
サンプル１４の表面構造を確認するためにＡＦＭ観察を行ったところ、平均孔径７０ｎｍの細孔が観察された（図１５）。さらに、３次元構造を確認するために、ＳＥＭ観察を行ったところ、シリコンウエハ表面まで到達する貫通孔が得られていることが確認された（図１６）。細孔密度は約８３個／μｍ２であり、隣接する細孔間の平均間隔は１３０ｎｍであった。サンプル１４の平均膜厚は、８０ｎｍであった。
得られたサンプル１４をＲＩＥドライエッチング装置にてエッチング処理した。処理条件としては、エッチングガス：ＳＦ６、出力：１５０Ｗ、エッチング時間：３２秒であった。処理後に、トルエンに得られたサンプルを浸漬し超音波洗浄を行うことで、多孔質膜を除去して、表面上に凹部を有する基板１を作製した。得られた基板１のＡＦＭ観察（図１７）を行ったところ、基板表面上に、穴の深さ６５ｎｍ、開口部の平均孔径８０ｎｍの凹部が８０個／μｍ２形成されていることが確認された。
【０１０６】
＜基板２の作製＞
エッチング時間を１６秒に変更した以外は、基板１の製造方法と同じ手順で、表面に凹部を有する基板２を作製した。得られた基板２のＡＦＭ観察（図１８）を行ったところ、基板表面上に、穴の深さ４２ｎｍ、開口部の平均孔径１５０ｎｍの凹部が２０個／μｍ２形成されていることが確認された。
【０１０７】
＜基板３の作製＞
エッチング時間を６５秒に変更した以外は、基板１の製造方法と同じ手順で、表面に凹部を有する基板３を作製した。得られた基板３のＡＦＭ観察（図１９）を行ったところ、基板表面上に、穴の深さ３５ｎｍ、開口部の平均孔径１７６ｎｍの凹部が３３個／μｍ２形成されていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施形態に係る塗膜を示す斜視断面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図２】図２（ａ）は本発明に係る多孔質膜を示す斜視断面図であり、（ｂ）はその上面図である。
【図３】図３（ａ）は、サンプル１の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。（ｂ）は、サンプル１の割断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図４】図４は、サンプル２の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図５】図５は、サンプル３の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図６】図６は、サンプル４の割断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図７】図７は、サンプル６の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図８】図８は、サンプル７の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図９】図９は、サンプル８上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１０】図１０は、サンプル１０の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１１】図１１は、サンプル１１の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１２】図１２は、サンプル１２の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１３】図１３（ａ）は、基板から剥離されたサンプル３の大気面側の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。（ｂ）は、基板から剥離されたサンプル３の基板側の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は、表面上に凹部を有する基板の製造方法を工程順に示す基板および多孔質膜の模式的断面図である。
【図１５】図１５は、サンプル１４の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１６】図１６は、サンプル１４の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図１７】図１７は、基板１の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１８】図１８は、基板２の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【図１９】図１９は、基板３の上面からの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）写真である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  連続相
１２  シリンダー状ミクロドメイン
１４  膜
１４ａ、２４  多孔質膜
１６、２２  基板
２２ａ  表面上に凹部を有する基板
１８、２６  細孔
２８  凹部
【図１】
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【図２】
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【図１４】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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