(57)【要約】【課題】高温域における弾性率が低い絶縁基板からなる配線基板を用いた部品実装において、部品実装性を向上し、さらには、高周波特性に優れた部品実装基板および複合基板を提供する。【解決手段】本発明の部品実装基板１０は、第一配線層１４、第二配線層１５を有する配線基板１１と、その一方の面１１ａに実装された電子部品１２とを備え、配線基板１１は、貫通孔１３ｃを有する絶縁体１３の両面に第一配線層１４、第二配線層１５が形成され、貫通孔１３ｃ内に第一配線層１４と第二配線層１５とを接続する接続体１６が設けられてなり、電子部品１２は、その端子１７が接続体１６に対向するように第一配線層１４に接続されたことを特徴とする。【選択図】図１
2009071036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部を有する配線基板と、該配線基板の少なくとも一方の面に実装された電子部品とを備えた部品実装基板であって、
前記配線基板は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられてなり、前記電子部品は、その端子が前記接続体に対向するように前記導電部に接続されたことを特徴とする部品実装基板。
【請求項２】
前記絶縁体は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下の絶縁材料からなることを特徴とする請求項１に記載の部品実装基板。
【請求項３】
導電部を有する一対の配線基板が、前記導電部を介して互いに接合された複合基板であって、
前記一対の配線基板の少なくとも一方は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられてなることを特徴とする複合基板。
【請求項４】
前記絶縁体は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下の絶縁材料からなることを特徴とする請求項３に記載の複合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装してなる部品実装基板、および、複数の基板を接合してなる複合基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の内部には、一般的に知られている硬質の配線基板の他に、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ＝Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が広く用いられている。
このＦＰＣは、柔軟性を有する絶縁基材の表面に、電流あるいは信号を通す配線層が形成され、可撓性を有する基板である。
【０００３】
近年、電子機器の小型化に伴う基板面積の縮小化、および、電子機器の高機能化に伴う配線数の増加により、絶縁層の両面に配線層が形成された両面ＦＰＣが多用されている（例えば、非特許文献１参照）。
この両面ＦＰＣでは、両面の配線層の間を電気的に接続する必要がある。一般的に、絶縁層に貫通穴を形成し、その貫通穴の内面にめっきを施すことにより、配線層間の導通を確保する方法が用いられている。通常、この貫通孔は、スルーホールと呼ばれている。
図１０は、従来の配線基板の一例を示す概略断面図であり、この配線基板１００は、貫通孔１０４を有する１０１の両面に、それぞれ第一配線層１０２および第二配線層１０３が形成されている。また、貫通孔１０４の内面、第一配線層１０２の表面および第二配線層１０３の表面には、めっき層１０５が形成され、このめっき層１０５により第一配線層１０２と第二配線層１０３とが互いに接続されている。
【０００４】
両面の配線層間を導通する方法としては、貫通孔を用いる方法の他に、貫通孔内に接続体を埋め込む方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
図１１は、従来の配線基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
図１１に示すように、貫通孔１１４を有する絶縁体１１１の両面に、サブトラクティブ法などにより配線層１１２，１１３を形成した後、貫通孔１１４内に接続体１１５を充填することにより、この接続体１１５によって配線層１１２，１１３が互いに接続された配線基板１１０が得られる。
【０００５】
また、硬質配線基板上に電子部品が実装されるように、電子部品が実装されたＦＰＣも多く存在し、多種の実装部品の中にはＩＣチップも実装されている。ＩＣチップの一方の面には電極が形成され、電極上には金、はんだなどからなるバンプと呼ばれる端子が形成されている。
ＩＣチップ実装工法の一例として、例えば、異方性導電膜（以下、「ＡＣＦ」と略す。）を用いる方法が挙げられる（例えば、非特許文献２参照）。
図１２は、ＩＣチップ実装工法の一例として、ＡＣＦを用いた方法を示す概略断面図である。
このＩＣチップ実装工法では、ＩＣチップ１２１と絶縁体１２２とが異方性導電膜１２６を介して接合されている。
ＩＣチップ１２１および絶縁体１２２は、その一方の面に、それぞれ端子（導電部）１２３、１２４が形成されている。異方性導電膜１２６は、導体粒子１２７を熱硬化性樹脂１２８に分散させたものである。この実装工法では、端子１２３上に形成したバンプ１２５と、端子１２４との間に介在する導電粒子１２７によって、端子１２３と端子１２４が電気的に接続される。
【非特許文献１】沼倉研史著、「高密度フレキシブル基板入門」、日刊工業新聞社、１９９８年、ｐ．１１９−１２７
【特許文献１】特開２００６−１７９８３３号公報
【非特許文献２】沼倉研史著、「高密度フレキシブル基板入門」、日刊工業新聞社、１９９８年、ｐ．９７−９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＦＰＣの絶縁体には、一般的にポリイミドフィルムが用いられているが、高周波特性や吸湿性に優れている液晶ポリマーからなるフィルムが用いられているＦＰＣも開発されている。また、液晶ポリマーの動的粘弾率は、一般的に常温で１０９〜１０１０Ｐａ程度であるが、ＡＣＦ実装に適用される２００℃以上という温度では、その値が１／１０程度に低下する。さらに、液晶ポリマーの液晶転移温度は、一般的に３５０℃以下である。
そのため、図１３の（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶ポリマーからなる基材１３１を用いたＦＰＣ１３０に、ＡＣＦまたははんだ接合によりＩＣチップ１３３を実装する場合、液晶ポリマーの弾性率が低下した状態にて、ＩＣチップ１３３を加圧して実装するため、基材１３１内に配線層（端子）１３２が沈み込んでしまう。これにより、ＩＣチップ１３３のエッジ１３４とＦＰＣ１３０の配線層１３２が接触するという不良が発生する上に、配線層１３２が変形して断線するおそれがあった。
また、液晶ポリマーの特徴の一つとしては、ポリイミドと比較して高周波特性に優れている点が挙げられる。一般的なポリイミドの比誘電率は３．５程度、誘電正接は０．００８程度であるのに対し、液晶ポリマーの比誘電率は２．８〜３．０程度、誘電正接は０．００２〜０．００３と低い。しかしながら、液晶ポリマーを用いたＦＰＣでは、加熱・加圧による部品実装が困難であることから、液晶ポリマーが高周波特性に優れているという特長を生かすことができなかった。
【０００７】
また、スルーホールまたはビアホールにより配線層間を導通する方法では、ＦＰＣの中央部に貫通孔が形成されるが、この貫通孔の直上にＩＣチップのバンプが配置されるような回路設計を行うことは通常不可能である。そこで、ＦＰＣにおいて、ＩＣチップが実装される面の配線層から裏面の配線層に回路を形成する場合、ＩＣチップが実装される部分の周囲に貫通孔が形成される。しかしながら、電子機器の高周波化が進むにつれて、このような配線の長さが増す回路設計は伝送特性の面で不利となるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高温域における弾性率が低い絶縁基板からなる配線基板を用いた部品実装において、部品実装性を向上し、さらには、高周波特性に優れた部品実装基板および複合基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の部品実装基板は、導電部を有する配線基板と、該配線基板の少なくとも一方の面に実装された電子部品とを備えた部品実装基板であって、前記配線基板は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられてなり、前記電子部品は、その端子が前記接続体に対向するように前記導電部に接続されたことを特徴とする。
【００１０】
前記絶縁体は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下の絶縁材料であることが好ましいが、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａを超える絶縁材料であってもよい。
【００１１】
本発明の複合基板は、導電部を有する一対の配線基板が、前記導電部を介して互いに接合された複合基板であって、前記一対の配線基板の少なくとも一方は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられてなることを特徴とする。
【００１２】
前記絶縁体は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下の絶縁材料であることが好ましいが、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａを超える絶縁材料であってもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の部品実装基板によれば、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、貫通孔内に導電部どうしを接続する接続体が設けられた配線基板に、電子部品が、その端子が接続体に対向するように、接続されているので、電子部品の端子の押圧により、絶縁体内に導電部が沈み込むことを防止できる。したがって、ＩＣチップなどの電子部品を良好に実装することができる。また、電子部品の端子にバンプを設け、そのバンプに対向する位置に、前記の接続体を配置すれば、配線基板の一方の面から他方の面に最短距離で接続体からなる配線層を形成することができるので、非常に高周波特性に優れた部品実装基板を実現することができる。
【００１４】
本発明の複合基板によれば、導電部を有する一対の配線基板が、導電部を介して互いに接合されてなり、一対の配線基板の少なくとも一方は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、貫通孔内に導電部どうしを接続する接続体が設けられてなるので、一対の配線基板端子どうしの押圧により、絶縁体内に導電部が沈み込むことを防止できる。したがって、一対の配線基板を良好に接合することができる。また、一方の配線基板の端子にバンプを設け、そのバンプに対向する位置に、前記の接続体を配置すれば、一方の配線基板の一方の面から他方の面に最短距離で接続体からなる配線層を形成することができるので、非常に高周波特性に優れた複合基板を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の部品実装基板および複合基板の最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
（部品実装基板）
図１は、本発明の部品実装基板の一実施形態を示す概略断面図である。
この実施形態の部品実装基板１０は、配線基板１１と、配線基板１１の一方の面１１ａ側に実装された電子部品１２とから概略構成されている。
配線基板１０は、絶縁体１３の一方の面１３ａに形成された第一配線層（導電部）１４と、絶縁体１３の他方の面１３ｂに形成された第二配線層（導電部）１５と、絶縁体１３内で第一配線層１４と第二配線層１５を互いに電気的に接続する接続体１６とから構成されている。
また、電子部品１２は、ＡＣＦまたははんだ接合により、その端子１７が、配線基板１３の接続体１６に対向するように第一配線層１４に接続されて、配線基板１１に実装されている。
【００１７】
絶縁体１３には、貫通孔１３ｃが形成され、この貫通孔１３ｃ内には、第一配線層１４と第二配線層１５を互いに接続する接続体１６が設けられている。
貫通孔１３ｃの形状は特に限定されず、例えば、断面円形状、断面多角形状とすることができる。
【００１８】
絶縁体１３は、絶縁材料からなり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ガラスエポキシ、アラミド繊維、テフロン（登録商標）などの熱可塑性樹脂から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、本発明では、絶縁材料としては、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下のものが好ましく用いられる。このような特性の絶縁材料の具体例としては、高周波特性に優れる液晶ポリマーが挙げられる。なお、本発明は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａを超える絶縁材料にも適用することができる。
【００１９】
第一配線層１４、第二配線層１５は、銅からなる。第一配線層１４、第二配線層１５は、できるかぎり純度が高い銅からなることが好ましく、例えば、純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、第一配線層１４、第二配線層１５は、少なくとも接続体１６に当接する部分において、第一配線層１４、第二配線層１５を構成する材料と同一の材料からなるめっきを施してもよい。
【００２０】
接続体１６は、銅からなる。接続体１６は、できるかぎり純度が高い銅からなることが好ましく、例えば、純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、接続体１６は、第一配線層１４、第二配線層１５に直接接合されている。すなわち、接続体１６と、第一配線層１４、第二配線層１５とは、ほぼ介在物なしに、金属結合などにより、強固に接合されている。
【００２１】
電子部品１２としては、ＩＣチップ、ＣＣＤ素子などの光素子、マイクロリレー、マイクロスイッチ、圧力センサ、加速度センサ、高周波フィルタ、マイクロミラー、マイクロリアクター、μ−ＴＡＳ、ＤＮＡチップ、ＭＥＭＳデバイス、マイクロ燃料電池などが挙げられる。
【００２２】
次に、図１〜図５を参照して、部品実装基板１０の製造方法について説明する。
レーザ加工（ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザなど）、ドリル加工などにより、貫通孔１３ｃを形成した絶縁体１３を用意する。
次いで、図２に示すように、この絶縁体１３の貫通孔１３ｃ内に、銅からなる接続粒子２６を配置する。
【００２３】
接続粒子２６は、後述する工程において圧力を加えることにより変形し、上記の接続体１６となる形状であればよく、例えば、略球状、略楕円体状、略円柱状、略多角柱状、略円錐状、略多角錘状のうちいずれかの形状とすることができる。
また、接続粒子２６は、貫通孔１３ｃより長く形成されているため、絶縁体１３の一方の面１３ａ、他方の面１３ｂのうち少なくともいずれか一方から突出した状態となっている。
接続粒子２６は、貫通孔１３ｃの容積より１０％以上（好ましくは１０〜３０％）大きい体積をもつものが好ましい。接続粒子２６の直径は、１０μｍ以上とするのが好ましい。
接続粒子２６は、これを構成する材料と同じ材料からなるメッキを施してもよい。
【００２４】
接続粒子２６は、銅（例えば純度９９％以上）からなり、例えば、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
接続粒子２６を貫通孔１３ｃに入れるには、絶縁体１３の一方の面１３ａ上に接続粒子２６を供給し貫通孔１３ｃ内に落とし込む方法をとってもよいし、マウンタを用いて接続粒子２６を把持して貫通孔１３ｃ内に供給してもよい。
貫通孔１３ｃは、接続粒子２６とほぼ同径にするか、または、この絶縁体１３の他方の面１３ｂ側に向けて徐々に径が小さくなるテーパ状に形成することによって、接続粒子２６が貫通孔１３ｃから脱落するのを防ぐことができる。
【００２５】
次いで、図２に示すように、押圧用プレート３０、３０を用いて、絶縁体１３、金属層２４、２５および接続粒子２６を挟み込み、矢印で示すように、押圧用プレート３０、３０を互いに接近する方向に押圧する。
この工程により、図３に示すように、略球状の接続粒子２６が押圧方向（絶縁体１３の厚み方向）に変形し、接続体１６が形成されるとともに、絶縁体１３の両面に金属層２４、２５が接合される。
この際、温度条件は２００℃以上（好ましくは２５０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上）が好適である。押圧力は３０ｋｇ／ｃｍ２以上（好ましくは５０ｋｇ／ｃｍ２以上）が好適である。これにより、熱可塑性樹脂からなる絶縁体１３に金属層２４、２５を十分に密着させることができる。
接続体１６は、ほぼ貫通孔１３ｃを満たすように、すなわち、貫通孔１３ｃの内側面のほぼ全域に接するように形成されており、貫通孔１３ｃに沿う形状（例えば円柱状）をなしている。
【００２６】
次いで、図４に示すように、サブトラクティブ法などにより金属層２４、２５にパターンを形成し、第一配線層１４、第二配線層１５とする。
これにより、貫通孔１３ｃ内の接続体１６によって第一配線層１４、第二配線層１５が互いに接続された配線基板１１が得られる。
配線基板１１では、第一配線層１４、第二配線層１５と、接続体１６との間の電気的抵抗を低減するとともに、第一配線層１４、第二配線層１５と、接続体１６とを強固に接合できる。
【００２７】
次いで、図５に示すように、電子部品１２の一方の面に設けられた端子１７が配線基板１３の接続体１６に対向するように、第一配線層１４に端子１７を当接する。
次いで、ＡＣＦまたははんだ接合により、第一配線層１４に端子１７を接続し、配線基板１１に電子部品１２を実装し、図１に示す部品実装基板１０が得られる。
【００２８】
この実施形態の部品実装基板１０によれば、貫通孔１３ｃを有する絶縁体１３の両面に第一配線層１４、第二配線層１５が形成され、貫通孔１３ｃ内に第一配線層１４と第二配線層１５とを接続する接続体１６が設けられた配線基板１１に、電子部品１２が、その端子１７が接続体１６に対向するように、接続されているので、電子部品１２の端子１７の押圧により、絶縁体１３内に第一配線層１４が沈み込むことを防止できる。したがって、電子部品１２を良好に実装することができる。また、電子部品１２の端子１７にバンプを設け、そのバンプに対向する位置に、接続体１６を配置すれば、配線基板１１の一方の面１１ａから他方の面に最短距離で接続体１６からなる配線層を形成することができるので、非常に高周波特性に優れた部品実装基板を実現することができる。
【００２９】
（複合基板）
図６は、本発明の複合基板の一実施形態を示す概略断面図である。
この実施形態の複合基板４０は、一対の配線基板４１、４２から概略構成されており、これらの配線基板４１、４２が、ＡＣＦまたははんだ接合により、それぞれの第二配線層（導電部）４５、４５を介して互いに接合されている。
【００３０】
配線基板４１、４２は、絶縁体４３の一方の面４３ａに形成された第一配線層（導電部）４４と、絶縁体４３の他方の面４３ｂに形成された第二配線層（導電部）４５と、絶縁体４３内で第一配線層４４と第二配線層４５を互いに電気的に接続する接続体４６と、絶縁体４３の一方の面４３ａおよび第一配線層４４を被覆する被覆層４７とから構成されている。
また、絶縁体４３には、貫通孔４３ｃが形成され、この貫通孔４３ｃ内には、第一配線層４４と第二配線層４５を互いに接続する接続体４６が設けられている。
貫通孔４３ｃの形状は特に限定されず、例えば、断面円形状、断面多角形状とすることができる。
【００３１】
絶縁体４３は、絶縁材料からなり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ガラスエポキシ、アラミド繊維、テフロン（登録商標）などの熱可塑性樹脂から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、本発明では、絶縁材料としては、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａ以下のもが好ましく用いられる。このような特性の絶縁材料の具体例としては、高周波特性に優れる液晶ポリマーが挙げられる。なお、本発明は、２００℃以上にて弾性率が１０９Ｐａを超える絶縁材料にも適用することができる。
【００３２】
第一配線層４４、第二配線層４５は、銅からなる。第一配線層４４、第二配線層４５は、できるかぎり純度が高い銅からなることが好ましく、例えば、純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、第一配線層４４、第二配線層４５は、少なくとも接続体４６に当接する部分において、第一配線層４４、第二配線層４５を構成する材料と同一の材料からなるめっきを施してもよい。
【００３３】
接続体４６は、銅からなる。接続体４６は、できるかぎり純度が高い銅からなることが好ましく、例えば、純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
また、接続体４６は、第一配線層４４、第二配線層４５に直接接合されている。すなわち、接続体４６と、第一配線層４４、第二配線層４５とは、ほぼ介在物なしに、金属結合などにより、強固に接合されている。
【００３４】
被覆層４７は、第一配線層４４に熱歪みなどによって生じる応力に対して緩衝材として機能するとともに、第一配線層４４が外気へ剥き出しにならないようにオーバーコートしたものであり、一般的に配線基板などの被覆に用いられる樹脂からなる。
【００３５】
次に、図６〜図９を参照して、部品実装基板４０の製造方法について説明する。
レーザ加工（ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザなど）、ドリル加工などにより、貫通孔４３ｃを形成した絶縁体４３を用意する。
次いで、この絶縁体４３の貫通孔４３ｃ内に、銅からなる接続粒子を配置する。
【００３６】
接続粒子は、後述する工程において圧力を加えることにより変形し、上記の接続体４６となる形状であればよく、例えば、略球状、略楕円体状、略円柱状、略多角柱状、略円錐状、略多角錘状のうちいずれかの形状とすることができる。
また、接続粒子は、貫通孔４３ｃより長く形成され、絶縁体４３の一方の面４３ａ、他方の面４３ｂのうち少なくともいずれか一方から突出した状態となっている。
接続粒子は、貫通孔４３ｃの容積より１０％以上（好ましくは１０〜３０％）大きい体積をもつものが好ましい。接続粒子の直径は、１０μｍ以上とするのが好ましい。
接続粒子は、これを構成する材料と同じ材料からなるメッキを施してもよい。
【００３７】
接続粒子は、銅（例えば純度９９％以上）からなり、例えば、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅から選択される１種または２種以上が用いられる。
接続粒子を貫通孔４３ｃに入れるには、絶縁体４３の一方の面４３ａ上に接続粒子を供給し貫通孔４３ｃ内に落とし込む方法をとってもよいし、マウンタを用いて接続粒子を把持して貫通孔４３ｃ内に供給してもよい。
貫通孔４３ｃは、接続粒子とほぼ同径にするか、または、この絶縁体４３の他方の面４３ｂ側に向けて徐々に径が小さくなるテーパ状に形成することによって、接続粒子が貫通孔４３ｃから脱落するのを防ぐことができる。
【００３８】
次いで、押圧用プレートを用いて、絶縁体４３、金属層５４、５５および接続粒子を挟み込み、押圧用プレートを互いに接近する方向に押圧する。
この工程により、図７に示すように、略球状の接続粒子が絶縁体４３の厚み方向に変形し、接続体４６が形成されるとともに、絶縁体４３の両面に金属層５４、５５が接合される。
この際、温度条件は２００℃以上（好ましくは２５０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上）が好適である。押圧力は３０ｋｇ／ｃｍ２以上（好ましくは５０ｋｇ／ｃｍ２以上）が好適である。これにより、熱可塑性樹脂からなる絶縁体４３に金属層５４、５５を十分に密着させることができる。
接続体４６は、ほぼ貫通孔４３ｃを満たすように、すなわち、貫通孔４３ｃの内側面のほぼ全域に接するように形成されており、貫通孔４３ｃに沿う形状（例えば円柱状）をなしている。
【００３９】
次いで、図８に示すように、サブトラクティブ法などにより金属層５４、５５にパターンを形成し、第一配線層４４、第二配線層４５とする。
これにより、貫通孔４３ｃ内の接続体４６によって第一配線層４４、第二配線層４５が互いに接続され、第一配線層４４、第二配線層４５と、接続体４６との間の電気的抵抗を低減するとともに、第一配線層４４、第二配線層４５と、接続体４６とを強固に接合できる。
【００４０】
次いで、図９に示すように、絶縁体４３の一方の面４３ａおよび第一配線層４４を、樹脂により被覆して被覆層４７を形成し、配線基板４１（４２）が得られる。
【００４１】
次いで、配線基板４１の第二配線層４５と、配線基板４２の第二配線層４５とを当接させる。
次いで、ＡＣＦまたははんだ接合により、配線基板４１、４２の第二配線層４５、４５を接続し、図６に示す複合基板４０が得られる。
【００４２】
この実施形態の複合基板４０によれば、第一配線層４４、第二配線層４５を有する一対の配線基板４１、４２が、第一配線層４４、４４を介して互いに接合されてなり、配線基板４１、４２は、貫通孔４３ｃ内に第一配線層４４と第二配線層４５とを接続する接続体４６が設けられてなるので、配線基板４１、４２どうしの押圧により、絶縁体４３内に第一配線層４４が沈み込むことを防止できる。したがって、配線基板４１、４２を良好に接合することができる。また、例えば、配線基板４１の第二配線層４５にバンプを設け、そのバンプに対向する位置に、接続体４６を配置することにより、配線基板４１、４２の一方の面から他方の面に最短距離で接続体４６からなる配線層を形成することができるので、非常に高周波特性に優れた複合基板を実現することができる。
【００４３】
なお、この実施形態では、絶縁体４３と、その両面にそれぞれ形成された第一配線層４４および第二配線層４５と、第一配線層４４と第二配線層４５を互いに電気的に接続する接続体４６と、絶縁体４３の一方の面４３ａおよび第一配線層４４を被覆する被覆層４７とから構成される配線基板４１、４２を、第二配線層４５、４５を介して互いに接合した複合基板４０を例示したが、本発明の複合基板はこれに限定されない。本発明の複合基板にあっては、配線基板の少なくとも一方が、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、貫通孔内に導電部どうしを接続する接続体が設けられてなるものであればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の部品実装基板または複合基板には、プリント配線基板などの回路基板を適用することができる。また、半導体基板を使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の部品実装基板の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の部品実装基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図３】本発明の部品実装基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図４】本発明の部品実装基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図５】本発明の部品実装基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図６】本発明の複合基板の一実施形態を示す概略断面図である。
【図７】本発明の複合基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図８】本発明の複合基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図９】本発明の複合基板の一実施形態の製造方法を示す概略断面図である。
【図１０】従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図１１】従来の配線基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１２】ＩＣチップ実装工法の一例として、ＡＣＦを用いた方法を示す概略断面図である。
【図１３】従来の部品実装基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０・・・部品実装基板、１１，４１，４２・・・配線基板、１２・・・電子部品、１３，４３・・・絶縁体、１３ｃ，４３ｃ・・・貫通孔、１４，４４・・・第一配線層、１５，４５・・・第二配線層、１６，４６・・・接続体、１７・・・端子、２４，２５・・・金属層、２６・・・接続粒子、４０・・・部品実装基板、４７・・・被覆層。
【図１】
2009071036.tif 000003
【図２】
2009071036.tif 000004
【図３】
2009071036.tif 000005
【図４】
2009071036.tif 000006
【図５】
2009071036.tif 000007
【図６】
2009071036.tif 000008
【図７】
2009071036.tif 000009
【図８】
2009071036.tif 000010
【図９】
2009071036.tif 000011
【図１０】
2009071036.tif 000012
【図１１】
2009071036.tif 000013
【図１２】
2009071036.tif 000014
【図１３】
2009071036.tif 000015