(57)【要約】【課題】層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させる。【解決手段】ベース基板２上における下層配線５の形成位置のうち下層配線５と上層配線６との接続部分に相当する位置に、配線基台層９を形成し、ベース基板２上に、下層配線５を形成するとともに、下層配線５の表面に桶おる任意の部分にキャップメタル層１０を形成し、下層配線５を被覆するようにベース基板２上に層間絶縁層１２を形成し、層間絶縁層１２の表面を研磨して層間絶縁層１２の表面を平滑にするとともに任意の下層配線５におけるキャップメタル層１０の表面を露出させ、露出したキャップメタル層１０に積層して上層配線６を形成する。【選択図】図１
2009193976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層配線と上層配線とが層間接続される多層配線基板の製造方法において、
ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に、配線基台層を形成する配線基台層形成工程と、
前記ベース基板上に、前記下層配線を形成する下層配線形成工程と、
前記下層配線を被覆するように前記ベース基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層の表面を研磨して前記層間絶縁層の表面を平滑にするとともに任意の前記下層配線の表面を露出させる層間絶縁層研磨工程と、
露出した前記下層配線に積層して前記上層配線を形成する上層配線形成工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記下層配線形成工程の後であって前記層間絶縁層形成工程の前に、前記下層配線の表面にキャップメタル層を形成し、前記層間絶縁層研磨工程において、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記下層配線の前記キャップメタル層を露出させることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
ベース基板上に形成されている下層配線と、前記下層配線間に形成されている層間絶縁層と、前記下層配線に積層して形成され前記下層配線と層間接続されている上層配線とを有する多層配線基板であって、
前記ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に配線基台層を形成し、前記下層配線の表面と前記層間絶縁層の表面とを面一かつ平坦に形成することを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層配線基板の製造方法および多層配線基板に係り、特に、任意の下層配線および上層配線の層間接続とともに、層間絶縁層の平坦化に好適な多層配線基板の製造方法および多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線基板を用いた素子の高性能化や、これにともなう配線基板の配線の微細化により、配線基板における配線の多層化が進んでいる。
【０００３】
このような多層配線基板には、下層配線と上層配線基板との間に下層配線と上層配線とを絶縁するための層間絶縁層が設けられており、そして、この多層配線基板においては、従来より、層間絶縁層の表面に上層配線を安定して形成するために、層間絶縁層の表面を研磨して平坦にすることが行われている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
図９（ａ）〜（ｃ）は、従来の多層配線基板の製造工程の一例を示す概念図である。従来の多層配線基板２１の製造方法において、下層配線２２の形成位置における任意の部分に上層配線２５を形成して下層配線２２と上層配線２５とを層間接続するには、図９（ａ）に示すように、まず、下層配線２２を被覆するように形成された層間絶縁層２３の表面にレジスト２４を塗布し、下層配線２２の形成位置における上層配線２５との接続部分のレジスト２４を除去する。続いて、図９（ｂ）に示すように、レジスト２４が除去された部分の層間絶縁層２３をエッチングにより除去して下層配線２２の表面を露出させることによりコンタクトホール２６を形成する。さらに、層間絶縁層２３の表面に塗布されたレジスト２４を除去した後、ＣＭＰ法やエッチバック法等の既知の研磨工程によって、層間絶縁層２３の表面を研磨して平坦化する。そして、図９（ｃ）に示すように、層間絶縁層２３におけるコンタクトホール２６が形成された部分に上層配線２５を形成することにより、下層配線２２と上層配線２５とを層間接続するようになっている。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１３５２５２号公報
【特許文献２】特開２００１−１６０５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前述した従来の多層配線基板２１の製造工程において下層配線２２と上層配線２５とを層間接続するには、レジスト２４を用いて層間絶縁層２３にコンタクトホール２６を形成し、前記レジスト２４を除去した後、層間絶縁層２３の表面を研磨する等、作業工程数が多い。また、下層配線２２のうち上層配線２５との接続部分のみを露出させる工程は、手間がかかり、このため、層間接続工程の作業性が低くなってしまうという問題を有していた。
【０００７】
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる多層配線基板の製造方法および多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明に係る多層配線基板の製造方法の特徴は、下層配線と上層配線とが層間接続される多層配線基板の製造方法において、ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に、配線基台層を形成する配線基台層形成工程と、前記ベース基板上に、前記下層配線を形成する下層配線形成工程と、前記下層配線を被覆するように前記ベース基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記層間絶縁層の表面を平滑にするとともに任意の前記下層配線の表面を露出させる層間絶縁層研磨工程と、露出した前記下層配線に積層して前記上層配線を形成する上層配線形成工程とを有する点にある。
【０００９】
この本発明に係る多層配線基板の製造方法によれば、下層配線と上層配線との接続部分に配線基台層が形成されており、下層配線を配線基台層に積層して形成することにより、下層配線における上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、多層配線基板の製造方法のうち下層配線と上層配線とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
【００１０】
本発明に係る他の多層配線基板の製造方法の特徴は、前記下層配線形成工程の後であって前記層間絶縁層形成工程の前に、前記下層配線の表面にキャップメタル層を形成し、前記層間絶縁層研磨工程において、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記下層配線の前記キャップメタル層を露出させる点にある。
【００１１】
この本発明に係る他の多層配線基板の製造方法によれば、下層配線の表面にキャップメタル層を形成することにより、下層配線が層間絶縁層に被覆されるまでの間、さらには層間絶縁層から露出された下層配線上に上層配線が形成されるまでの間等に発生する下層配線に対する損傷等のダメージを軽減することができる。また、下層配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制し、下層配線と上層配線との導電接続性を良好に保つことができる。
【００１２】
さらに、本発明に係る多層配線基板の特徴は、ベース基板上に形成されている下層配線と、前記下層配線間に形成されている層間絶縁層と、前記下層配線に積層して形成され前記下層配線と層間接続されている上層配線とを有する多層配線基板であって、前記ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に配線基台層を形成し、前記下層配線の表面と前記層間絶縁層の表面とを面一かつ平坦に形成する点にある。
【００１３】
本発明に係る多層配線基板によれば、下層配線と上層配線との接続部分に配線基台層が形成されており、下層配線を配線基台層に積層して形成することにより、下層配線のうち上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、多層配線基板の製造方法のうち下層配線と上層配線とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
【００１４】
さらに、層間絶縁層と下層配線の表面とが面一かつ平坦に形成されており、上層配線を形成する際に層間絶縁層とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線を形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上述べたように、本発明に係る多層配線基板の製造方法および多層配線基板によれば、容易に、下層配線における上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置と比較して高くすることができる。このため、層間絶縁層研磨工程において、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線の表面における上層配線との接続部分のみを容易かつ確実に露出させることができる。
【００１６】
また、層間絶縁層を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等の手間をかけずに下層配線の任意の部分を露出させることができるので、層間接続工程における作業の容易化を図ることができる。また、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができるので、これにより、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る多層配線基板の製造方法および多層配線基板の一実施形態を図１（ａ）〜（ｃ）から図８（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る多層配線基板を示す概念図であり、図１に示すように、本実施形態に係る多層配線基板１は、ベース基板２を有し、ベース基板２としては、例えば、シリコン基板や、ガラス基板、有機フィルム等を用いることができる。ベース基板２の一面には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁材料等からなるベース絶縁層３が設けられており、このベース絶縁層３は、ベース基板２として絶縁性のないシリコン基板等を用いたときに設けられる。
【００１９】
ベース絶縁層３の表面であって上層配線６と層間接続される下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分に相当する位置には、配線基台層９が形成されており、この配線基台層９は、例えば、マスクを介して容易にパターン形成が可能な感光性や熱硬化性の有機材料からなる絶縁材料、あるいはエッチングによりパターン形成可能な導電性材料、さらには無機材料からなる絶縁材料等により構成されている。多層配線基板１の作成上、制限がない場合には、容易な工程によってパターン形成が可能な有機材料を用いて配線基台層９を形成することが好ましい。一方、多層配線基板１の信頼性等の問題によって多層配線基板１中に有機材料を用いることができない場合には、無機材料の絶縁材料や導電材料を用いて配線基台層９を形成する。
【００２０】
ベース絶縁層３の表面における任意の位置には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、さらにはＡｌやＣｕの合金等の導電性材料からなる下層配線５がパターン形成されており、配線基台層９は下層配線５により被覆されている。下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分の表面、および上層配線６と層間接続されない下層配線５ｂの表面には、例えば、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）等の導電材料からなるキャップメタル層１０が形成されている。
【００２１】
さらに、ベース絶縁層３の表面には、絶縁材料からなる層間絶縁層１２が形成されており、層間絶縁層１２の構成材料としては、絶縁抵抗の高い、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を用いることが好ましい。層間絶縁層１２は、下層配線５のうち配線基台層９に積層せずに形成された部分を被覆するように設けられているとともに、その表面および配線基台層９に積層して形成された下層配線５のキャップメタル層１０の表面が面一でありかつ平坦となるように形成されている。
【００２２】
層間絶縁層１２の表面における任意の位置および下層配線５ａのキャップメタル層１０の表面には、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウムや銅の合金等の導電性材料、さらには、ＧＭＲ膜等の磁気抵抗膜や例えばＮｉＦｅ等からなる軟磁性の磁性膜等の薄膜素子として必要な機能を有する機能性材料からなる上層配線６がパターン形成されている。この上層配線６のうち下層配線５ａのキャップメタル層１０に積層して形成された上層配線６は、キャップメタル層１０を介して下層配線５ａと層間接続されている。
【００２３】
次に、本実施形態に係る多層配線基板１の製造方法について説明する。
【００２４】
まず、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、シリコン基板からなるベース基板２の一面にシリコン酸化膜からなるベース絶縁層３を形成する。続いて、ベース絶縁層３の表面に、感光性有機材料を形成し、マスクを介して任意の部分を感光した後、不要な部分を除去して、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分に相当する位置に、配線基台層９を形成する配線基台層形成工程を行う。本実施形態においては、図３に示すように、配線基台層９の高さ寸法は、１．９７μｍに形成する。
【００２５】
次に、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の表面における任意の部分に、銅からなる下層配線５をパターン形成する下層配線形成工程を行う。このとき、下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分は、配線基台層９に積層して形成されるとともに、下層配線５ａのうち上層配線６との非接続部分、および上層配線６と層間接続されない下層配線５ｂは、配線基台層９に積層せずに形成される。本実施形態においては、図３に示すように、下層配線５のうち配線基台層９に積層せずに形成された部分の高さ寸法は、２．０μｍ、配線基台層９の表面から下層配線５ａのうち配線基台層９に積層して形成された部分の表面までの寸法は１．９μｍとされている。
【００２６】
さらに、下層配線５の表面における所定の部分に、チタンからなるキャップメタル層１０を形成する。
【００２７】
続いて、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の表面に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる層間絶縁層１２を、下層配線５を被覆するように形成する層間絶縁層形成工程を行う。層間絶縁層形成工程においては、層間絶縁層１２の表面高さ位置を、配線基台層９の表面高さ位置よりも高くなるように層間絶縁層１２を形成する。この層間絶縁層１２は、本実施形態の構成に限定されず、例えば、まず、各下層配線５の層間に下層配線５の厚さ寸法と同程度の厚さ寸法に形成された第１層間絶縁層１２と、下層配線５と第１層間絶縁層１２とを被覆するように形成された第２層間絶縁層１２とにより構成してもよい。
【００２８】
さらに、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２の表面をＣＭＰ法により研磨して、層間絶縁層１２の表面を平坦化するとともに、上層配線６に層間接続される下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分に形成されたキャップメタル層１０を露出させる層間絶縁層研磨工程を行う。このとき、キャップメタル層１０の表面における露出面積が、上層配線６と十分に導電接続可能な面積となるまで層間絶縁層１２を研磨する。これにより、層間絶縁層１２の表面と前記下層配線５ａのキャップメタル層１０の表面とを、面一かつ平坦に形成する。
【００２９】
また、層間絶縁層研磨工程において層間絶縁層１２の研磨量を均一にすることができず、例えば、この層間絶縁層研磨工程において配線基台層９を露出させる程に研磨してしまうことが考えられる場合には、下層配線５と上層配線６との導通を確実に確保するために、配線基台層９を導電材料により形成することが好ましい。
【００３０】
そして、層間絶縁層１２の表面における任意の部分およびキャップメタル層１０の表面に、銅からなる上層配線６を形成する上層配線形成工程を行う。このとき、露出されたキャップメタル層１０の表面に積層して上層配線６を形成することにより、下層配線５ａと上層配線６とを層間接続させる。
【００３１】
次に、本実施形態の作用について説明する。
【００３２】
本実施形態によれば、下層配線５ａと上層配線６との接続部分に配線基台層９が形成されており、下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分を配線基台層９に積層して形成することにより、下層配線５ａにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線５における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。
【００３３】
また、多層配線基板１の製造方法のうち下層配線５ａと上層配線６とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層１２にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層１２の表面を研磨することにより、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層１２の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
【００３４】
したがって、下層配線５の形成位置のうち下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分に相当する位置に、配線基台層９を形成することにより、容易に、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線５における他の部分の表面の高さ位置と比較して高く形成することができる。このため、層間絶縁層研磨工程において、層間絶縁層１２の表面を研磨することにより、下層配線５ａの表面における上層配線６との接続部分のみを容易かつ確実に露出させることができる。
【００３５】
また、層間絶縁層１２を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等の手間をかけずに下層配線５の任意の部分を露出させることができるので、層間接続工程における作業の容易化を図ることができる。また、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層１２の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができるので、これにより、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。
【００３６】
さらに、層間絶縁層１２とキャップメタル層１０が形成された下層配線５ａの表面とが面一かつ平坦に形成されており、上層配線６を形成する際に層間絶縁層１２と下層配線５のキャップメタル層１０との表面に段差が形成されていないので、上層配線６のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線６を形成することができる。
【００３７】
さらにまた、下層配線５の所定の部分にキャップメタル層１０を形成することにより、下層配線５が層間絶縁層１２に被覆されるまでの間、さらには層間絶縁層１２から露出された下層配線５上に上層配線６が形成されるまでの間等の下層配線５に対する損傷等のダメージを軽減することができる。また、下層配線５のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制し、下層配線５ａと上層配線６との導電接続性を良好に保つことができる。
【００３８】
なお、前記本実施形態に係る多層配線基板１の製造方法においては、前記本実施形態に係る多層配線基板１において記載した構成材料のうち所定の構成材料を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、種々の構成材料を用いることが可能である。
【００３９】
例えば、配線基台層の高さ寸法や下層配線５の高さ寸法等は、本実施形態に記載した寸法に限定されるものではなく、この多層配線基板１が用いられる装置毎に、各寸法は異なる。
【００４０】
また、多層配線基板１の製造方法における各工程においても、本実施形態に限定されず、種々の方法を用いてベース絶縁層３、下層配線５、メタルキャップ層、層間絶縁層１２、上層配線６を形成することができ、さらに、種々の研磨方法を用いて、層間絶縁層１２の表面を研磨することができる。
【００４１】
続いて、本発明に係る多層配線基板１の第２の実施形態について説明する。ここで、第１の実施形態における多層配線基板１と同一の構造については、同一の符号を用いて説明し、詳説を省略する。
【００４２】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態に係る多層配線基板１は、ベース基板２の一面に形成されたベース絶縁層３の表面に、配線基台層９が形成されており、この配線基台層９は、下層配線５の形成位置のうち、下層配線５ａにおける上層配線６との複数の接続部分に共通するように棒状に形成されている。また、ベース絶縁層３には、下層配線５および層間絶縁層１２が形成されており、下層配線５ａの表面に形成されたメタルキャップ層１０の表面と、層間絶縁層１２の表面は面一かつ平坦に形成されている。そして、層間絶縁層１２の表面における任意の位置および下層配線５ａのキャップメタル層１０の表面には、上層配線６が形成されており、このキャップメタル層１０の表面に積層して形成された上層配線６は、キャップメタル層１０を介して下層配線５ａと層間接続されている。
【００４３】
第２の実施形態に係る多層配線基板１の製造方法については、第１の実施形態に係る多層配線基板１の製造方法とほぼ同一であり、説明を省略する。
【００４４】
次に、第２の実施形態の作用について説明する。
【００４５】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、下層配線５ａと上層配線６との接続部分に配線基台層９が形成されており、下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分を配線基台層９に積層して形成することにより、下層配線５ａにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線５における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。これとともに、層間絶縁層１２を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等、手間をかけずに下層配線５の任意の部分を露出させることができ、かつ下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層１２の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
【００４６】
したがって、層間接続工程における作業の容易化を図ることができるとともに、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。また、上層配線６を形成する際に層間絶縁層１２とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線６のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線６を形成することができる。
【００４７】
また、配線基台層９が下層配線５の形成位置のうち、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分のみではなく、複数の接続部分に共通するような棒状に形成されている。このため、配線基台層９を形成するにあたり、配線基台層９を前記接続部分に相当する位置のみに形成する場合と比較して、形成位置の微細な寸法精度が要求されず、作業の容易化、さらには作業効率の向上を図ることができる。
【００４８】
次に、本発明に係る多層配線基板１の製造方法の第３の実施形態について説明する。ここで、第１の実施形態における多層配線基板１と同一の構造については、同一の符号を用いて説明し、詳説を省略する。
【００４９】
まず、ベース基板２の一面にシリコン酸化膜からなるベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３のうち下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分に相当する位置に、配線基台層９を形成する。次に、ベース絶縁層３の表面に、下層配線５をパターン形成し、下層配線５の表面における所定の部分に、キャップメタル層１０を形成する。続いて、ベース絶縁層３の表面に、層間絶縁層１２を下層配線５を被覆するように形成する。さらに、層間絶縁層１２の表面を研磨して、層間絶縁層１２の表面を平坦化するとともに、上層配線６に層間接続される下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分に形成されたキャップメタル層１０を露出させて、層間絶縁層１２の表面とキャップメタル層１０の表面とを、面一かつ平坦に形成する。
【００５０】
次に、図８（ａ）に示すように、層間絶縁層１２の表面およびキャップメタル層１０の表面に、例えば絶縁材料等からなる被覆絶縁層１４を形成する。
【００５１】
続いて、図８（ｂ）に示すように、被覆絶縁層１４におけるキャップメタル層１０に相当する位置を除去して、キャップメタル層１０を露出させる。
【００５２】
そして、図８（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２の表面における任意の部分およびキャップメタル層１０の表面に上層配線６を形成する。このとき、露出されたキャップメタル層１０の表面に積層して上層配線６を形成することにより、下層配線５ａと上層配線６とを層間接続させる。
【００５３】
第３の実施形態に係る多層配線基板１の製造方法によって製造された多層配線基板１は、ベース基板２の一面にベース絶縁層３が形成されており、ベース絶縁層３の表面における下層配線５の形成位置のうち、下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分に相当する位置には、それぞれ配線基台層９が形成されている。また、ベース絶縁層３には、下層配線５および層間絶縁層１２が形成され、下層配線５ａの表面に形成されたメタルキャップ層１０の表面と、層間絶縁層１２の表面は面一かつ平坦に形成されており、さらに、層間絶縁層１２の表面のうち下層配線５ａと上層配線６との接続部分に相当する位置を除く部分には、被覆絶縁層１４が形成されている。そして、層間絶縁層１２の表面における任意の位置および下層配線５ａのキャップメタル層１０の表面には、上層配線６が形成されており、キャップメタル層１０の表面に積層して形成された上層配線６は、キャップメタル層１０を介して下層配線５ａと層間接続されている。
【００５４】
次に、第３の実施形態の作用について説明する。
【００５５】
第３の実施形態によれば、第１および第２の実施形態と同様に、下層配線５ａと上層配線６との接続部分に配線基台層９が形成されており、下層配線５ａのうち上層配線６との接続部分を配線基台層９に積層して形成することにより、下層配線５ａにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線５における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、層間絶縁層１２を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等、手間をかけずに下層配線５の任意の部分を露出させることができ、かつ下層配線５ａにおける上層配線６との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層１２の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
【００５６】
したがって、層間接続工程における作業の容易化を図ることができるとともに、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。また、上層配線６を形成する際に層間絶縁層１２とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線６のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線６を形成することができる。
【００５７】
また、層間絶縁層１２の表面を研磨してキャップメタル層１０の表面を露出させた後、キャップメタル層１０に積層して上層配線６を形成するまでの間に、フォトリソやエッチング、剥離などのガスおよび薬液等に多層配線基板１の表面がさらされてしまう工程がある場合であっても、キャップメタル層１０を被覆絶縁層１４により被覆するので、キャップメタル層１０が露出した状態が長時間継続してしまうのを防止することができる。これにより、キャップメタル層１０が露出していることによる損傷や酸化等のダメージを軽減し、キャップメタル層１０を介して下層配線５ａと上層配線６との良好な導通を図ることができる。さらに、ウェットエッチング、剥離などの工程でキャップメタル層１０が微量溶出することによる液特性の変化が生じたり、ドライエッチング等の工程でキャップメタル層１０が露出していることによるプラズマ特性が変化が生じたりするなど、キャップメタル層１０自体が悪影響を及ぼす工程がある場合であっても、キャップメタル層１０を被覆絶縁層１４により被覆するので、キャップメタル層によるこれらの工程への悪影響を押さえることが可能となり、工程の安定化が図ることができる。
【００５８】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の一実施形態の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａにおける断面図、（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図
【図２】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施形態のうち配線基台層を形成する工程の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃにおける断面図、（ｃ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄにおける断面図
【図３】図１における多層配線基板の配線基台層および下層配線を示す拡大断面図
【図４】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施形態のうち下層配線およびメタルキャップ層を形成する工程の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｅにおける断面図、（ｃ）は、図４（ａ）のＦ−Ｆにおける断面図
【図５】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施形態のうち層間絶縁層を形成する工程の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図５（ａ）のＧ−Ｇにおける断面図、（ｃ）は、図５（ａ）のＨ−Ｈにおける断面図
【図６】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の一実施形態のうち層間絶縁層を研磨する工程の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図６（ａ）のＩ−Ｉにおける断面図、（ｃ）は、図６（ａ）のＪ−Ｊにおける断面図
【図７】（ａ）は、本発明に係る多層配線基板の他の実施形態の要部を示す概念平面図、（ｂ）は、図７（ａ）のＫ−Ｋにおける断面図、（ｃ）は、図７のＬ−Ｌにおける断面図
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る多層配線基板の製造方法の他の実施形態における各工程を示す概念断面図
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、従来の多層配線基板の製造方法の各工程の一例を示す概念断面図
【符号の説明】
【００６０】
１  多層配線基板
２  ベース基板
３  ベース絶縁層
５  下層配線
６  上層配線
９  配線基台層
１０  キャップメタル層
１２  層間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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