(57)【要約】【課題】フルカラー対応の表示装置において、高強度のシャドーマスクを用いて画素の高開口率化を実現できるようにする。【解決手段】画素アレイ部は、垂直方向の２画素分を１組とし、組内の画素開口間隔Ｗ１よりも組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくする。対応するシャドーマスク６２０Ａは、表示パネル部の垂直方向２画素分のサブピクセルに対応する開口部６２２が設けられ、その開口部６２２の垂直方向のそれぞれの間に、水平方向の橋渡しをなす間隔部６２４を有する。垂直方向の開口部６２２の間の間隔部６２４は、全列同一の垂直位置に配置され、間隔部６２４が、水平方向に一列に並ぶように配置されている。間隔部６２４の存在によりマスクの強度が上がり撓みを改善できる高強度のマスクにすることができる。発光層を形成するための蒸着起因の開口率の低下を抑制でき、高精細パネルにて、高強度で高開口率が達成できる。【選択図】図６Ａ
2009111047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流れる電流によって発光層から発せられる光量が変化する電気光学素子を画素アレイ部に備え、カラー表示用の１画素が色別の前記電気光学素子の組合せで構成され、前記色別の電気光学素子の前記発光層は、所定形状の開口部が設けられた同一のシャドーマスクの前記開口部を所望色の前記発光層に対応させて配置して色別に塗り分けることで形成されるカラー画像表示装置であって、
前記画素アレイ部の一方の方向に、色それぞれについての隣接する複数の前記電気光学素子を１組とし、
組内の画素間隔が第１の距離に設定されており、
組同士の画素間隔が前記第１の距離よりも大きな第２の距離に設定されている
ことを特徴とするカラー画像表示装置。
【請求項２】
前記第２の距離に設定されている前記組同士の画素間隔の部分が、前記画素アレイ部の前記一方の方向と直交する他方の方向に一列に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載のカラー画像表示装置。
【請求項３】
前記第２の距離に設定されている前記組同士の画素間隔の部分が、１画素内では前記画素アレイ部の前記一方の方向と直交する他方の方向に一列に配置されており、さらに、画素単位で前記画素アレイ部の斜め方向に順次シフトして配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載のカラー画像表示装置。
【請求項４】
前記第２の距離に設定されている前記組同士の画素間隔の部分が、色に関わらず前記電気光学素子ごとに、前記画素アレイ部の斜め方向に順次シフトして配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載のカラー画像表示装置。
【請求項５】
流れる電流によって発光層から発せられる光量が変化する電気光学素子を具備した画素アレイ部であって、カラー表示用の１画素を構成する色別に前記発光層が塗り分けて形成された前記電気光学素子を具備する前記画素アレイ部を備えたカラー画像表示装置の製造に使用されるシャドーマスクであって、
前記画素アレイ部の一方の方向に、ある色についての隣接する複数の前記電気光学素子の前記発光層を１組として纏めた部分に対応する形状および大きさの開口部が設けられ、
前記開口部は、前記画素アレイ部の一方の方向に対応するように、当該開口部同士の間隔部を挟んで一列に配列されている
ことを特徴とするシャドーマスク。
【請求項６】
前記開口部および前記画素アレイ部の一方の方向に対応する前記開口部同士の間隔部が、前記画素アレイ部の前記一方の方向と直交する他方の方向に対応するように、一列に配置されている
ことを特徴とする請求項５に記載のシャドーマスク。
【請求項７】
前記開口部および前記画素アレイ部の一方の方向に対応する前記開口部同士の間隔部が、前記画素アレイ部の斜め方向に対応するように、画素単位で順次シフトして配置されている
ことを特徴とする請求項５に記載のシャドーマスク。
【請求項８】
流れる電流によって発光層から発せられる光量が変化する電気光学素子を画素アレイ部に備え、カラー表示用の１画素が色別の前記電気光学素子の組合せで構成され、前記色別の電気光学素子の前記発光層を、所定形状の開口部が設けられた同一のシャドーマスクの前記開口部を所望色の前記発光層に対応させて配置して色別に塗り分けることでカラー画像表示装置を製造する方法であって、
前記シャドーマスクは、前記画素アレイ部の一方の方向に、ある色についての隣接する複数の前記電気光学素子の前記発光層を１組として纏めた部分に対応する開口部が設けられ、かつ、前記開口部が、前記画素アレイ部の一方の方向に対応するように当該開口部同士の間隔部を挟んで一列に配列されており、
前記画素アレイ部の一方の方向に対応する前記シャドーマスクの前記開口部のそれぞれを、前記カラー表示用の１画素の所望色の前記電気光学素子の前記発光層の位置に対応させて配置し、前記所望色の色素を基板に付着させることで当該所望色の前記発光層を成膜する色別の成膜ステップを備え、
色別の前記成膜ステップにおいて、前記所望色を切り替えるごとに、前記画素アレイ部の一方の方向と直交する方向に前記電気光学素子の配列ピッチの分だけ前記シャドーマスクの前記開口部の位置をシフトする
ことを特徴とするカラー画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記シャドーマスクは、前記開口部および前記画素アレイ部の一方の方向に対応する前記開口部同士の間隔部が、前記画素アレイ部の斜め方向に対応するように、画素単位で順次シフトして配置されており、
色別の前記成膜ステップにおいて、前記所望色を切り替えるごとに、前記画素アレイ部の一方の方向にも、前記開口部の半分のピッチの分だけ前記シャドーマスクの前記開口部の位置をシフトする
ことを特徴とする請求項８に記載のカラー画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子（表示素子や発光素子とも称される）を具備する画素回路（画素とも称される）が行列状に配列された画素アレイ部を有するカラー画像表示装置とその製造方法およびこの製造方法に使用されるシャドーマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
画素の表示素子として、印加される電圧や流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子を用いた表示装置がある。たとえば、印加される電圧によって輝度が変化する電気光学素子としては液晶表示素子が代表例であり、流れる電流によって輝度が変化する電気光学素子としては、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescence, 有機ＥＬ, Organic Light Emitting Diode, OLED；以下、有機ＥＬと記す） 素子が代表例である。後者の有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、画素の表示素子として、自発光素子である電気光学素子を用いたいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ素子は有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した電気光学素子である。有機ＥＬ素子は比較的低い印加電圧（たとえば１０Ｖ以下）で駆動できるため低消費電力である。また有機ＥＬ素子は自ら光を発する自発光素子であるため、液晶表示装置では必要とされるバックライトなどの補助照明部材を必要とせず、軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度は非常に高速である（たとえば数μｓ程度）ので、動画表示時の残像が発生しない。これらの利点があることから、電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた平面自発光型の表示装置の開発が近年盛んになっているたとえば特許文献１〜６を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９７２０２号公報
【特許文献２】特開平０５−２９９１７７号公報
【特許文献３】特開２００６−１１３３７６号公報
【特許文献４】特開２００５−１５８５８３号公報
【特許文献５】特開２００３−３１６２９１号公報
【特許文献６】特開２００５−３４５７６６号公報
【０００５】
ところで、有機ＥＬ素子を代表例とする電流駆動型の電気光学素子を用いた表示装置において、フルカラー表示を行なうには、それぞれ白色で発光する各電気光学素子（サブピクセル）上にたとえば３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の色分離フィルタを形成してカラー表示用の１画素を形成する手法と、３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のそれぞれで発光する電気光学素子（サブピクセル）の組合せでカラー表示用の１画素を形成する手法に大別できる。
【０００６】
後者の手法の場合、色素（たとえばＲ，Ｇ，Ｂの３原色）を狭い範囲で塗り分けて発光層を色別に形成する必要がある。この色別の塗分けに当たっては、一般的には、開口部の設けられた薄い金属板（シャドーマスク）を基板の前に置いて、開口部にだけ色素を順番に蒸着させて色別に発光層を形成するシャドーマスク法が採用されている。
【０００７】
詳細は実施形態で説明するが、シャドーマスク法において用いられるマスクとしては、ある色の垂直方向の全てのサブピクセルを纏めてスリット状の開口部を設けその開口部を水平方向に画素ピッチで設けたマスク（以下スリットマスクとも称する）や、ある色の垂直方向のサブピクセルごとに開口部を設けて縦ストライプ状に配置し、その開口部を水平方向に画素ピッチで設けたマスク（以下縦ストライプ画素ごとマスクとも称する）が知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、スリットマスクでは、弛みが生じ易く、そのため水平方向の位置合わせ精度を出すのが困難になるという問題がある。この問題の対策のため、マスクズレを考慮して開口部を小さく設計してしまうと、画素開口率が低下してしまう。
【０００９】
一方、高精細化での高開口率を達成するためには、縦ストライプ画素ごとマスクが望ましい。このマスクでは、垂直方向のサブピクセルごとに設けられる開口部の間にそれぞれ間隔部が設けられるので、その間隔部が水平方向の橋渡しをなすようになりマスク強度はスリットマスクに比べて格段に増す半面、その間隔部が画素開口率を低下させてしまう難点がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、シャドーマスク法を採用して色別に発光層を形成して表示装置のフルカラー化を図る場合において、高強度のマスクを使用した製造方法にすることができるとともに、表示装置の画素開口率を向上させることのできる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るカラー画像表示装置の一形態は、画素アレイ部の一方の方向に、色それぞれについての隣接する複数の電気光学素子を１組として、組内の画素間隔が第１の距離に設定されており、それに対して組同士の画素間隔が第１の距離（たとえば水平方向）よりも大きな第２の距離（たとえば垂直方向）に設定されていることを特徴とする。つまり、複数画素を纏めた組同士の画素間隔よりも組内の画素開口間隔の方が小さく設定されている。
【００１２】
このようなカラー画像表示装置の発光層を色別に塗り分けるための対応するシャドーマスクは、画素アレイ部の一方の方向に、ある色についての隣接する複数の電気光学素子の発光層を１組として纏めた部分に対応する開口部が設けられており、その開口部は、画素アレイ部の一方の方向に対応するように、開口部同士の間隔部を挟んで一列に配列されていることを特徴とする。いわゆるストライプ状に開口部が設けられたマスクとなる点では、１つの開口部が１つの電気光学素子の開口部の大きさに対応する従前の縦ストライプ画素ごとマスクに類似するが、１つの開口部が隣接する複数の電気光学素子の発光層を一纏めにした大きさに対応する点で異なる。
【００１３】
このようなシャドーマスクを用いて電気光学素子の発光層を色別に塗り分ける際には、画素アレイ部の一方の方向に対応するシャドーマスクの開口部のそれぞれを、カラー表示用の１画素の所望色の電気光学素子の発光層の位置に対応させて配置し、所望色の色素を基板に付着させることで、その所望色の発光層を成膜する色別の成膜ステップにおいて、所望色を切り替えるごとに、画素アレイ部の一方の方向と直交する方向に電気光学素子の配列ピッチの分だけシャドーマスクの開口部の位置をシフトする。
【００１４】
画素アレイ部の一方の方向の画素開口間隔が組内における狭い部分と組同士の広い部分とが存在するようにし、対応するシャドーマスクの開口部を画素アレイ部の前記組に対応させて設けることで、画素アレイ部は全体としての画素開口間隔の広い部分の数を減らすことができる。加えて、シャドーマスクは開口部の間の間隔部の数が縦ストライプ画素ごとマスクに比べると減るものの、その間隔部を画素アレイ部の一方の方向と直交する方向への橋渡しをなすように機能させることができる。
【００１５】
ここで、画素アレイ部の一方の方向とこの画素アレイ部の一方の方向に直交する方向とは相対的なものであり、一般的に走査速度の低速な方向を列方向もしくは垂直方向と呼び、一般的に走査速度の高速な方向を行方向もしくは水平方向と呼ぶ。ただし、たとえば図面を９０度回転させると、上下左右の関係が変わり、行と列もしくは垂直と水平の関係が逆転すると同様に、絶対的なものではない。以下、画素アレイ部の一方の方向は垂直方向であるものとし、画素アレイ部の一方の方向に直交する方向は水平方向であるものとして代表記述する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のカラー画像表示装置の一形態によれば、画素アレイ部において、全体としての画素開口間隔の広い部分の数が減るので、その分画素開口率を大きくすることができる。本発明のシャドーマスクの一形態によれば、開口部の間の間隔部を水平方向への橋渡しをなすように機能させることができるので、マスク強度は、スリットマスクよりも強度の大きなものとすることができる。マスク強度と画素開口率の双方を満足できるものとすることができ、高強度のシャドーマスクを用いて画素の高開口率化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
＜表示装置の全体概要＞
図１および図１Ａは、本発明に係る表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すブロック図である。図１は、一般的なアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すブロック図であり、図１Ａは、そのカラー画像表示対応のものの概略を示すブロック図である。
【００１９】
ここで示す構成例では、たとえば画素の表示素子（電気光学素子、発光素子）として有機ＥＬ素子を、能動素子としてポリシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）をそれぞれ用い、薄膜トランジスタを形成した半導体基板上に有機ＥＬ素子を形成してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイ（以下「有機ＥＬ表示装置」と称する）に適用した場合を例に採って説明する。
【００２０】
なお、以下の全体構成の説明においては、画素の表示素子として有機ＥＬ素子を例に具体的に説明するが、これは一例であって、対象となる表示素子は有機ＥＬ素子に限らない。一般的に電流駆動で発光する表示素子の全てに、後述する全ての実施形態が同様に適用できる。
【００２１】
図１に示すように、表示装置１は、複数の表示素子としての有機ＥＬ素子（図示せず）を持った画素回路（画素とも称される）Ｐが表示アスペクト比である縦横比がＸ：Ｙ（たとえば９：１６）の有効映像領域を構成するように配置された表示パネル部１００と、この表示パネル部１００を駆動制御する種々のパルス信号を発するパネル制御部の一例である駆動信号生成部（いわゆるタイミングジェネレータ）２００と、映像信号処理部２２０を備えている。駆動信号生成部２００と映像信号処理部２２０とは、１チップのＩＣ（Integrated Circuit；半導体集積回路）に内蔵され、本例では、表示パネル部１００の外部に配置されている。
【００２２】
なお、製品形態としては、図示のように、表示パネル部１００、駆動信号生成部２００、および映像信号処理部２２０の全てを備えたモジュール（複合部品）形態の表示装置１として提供されることに限らず、たとえば、表示パネル部１００のみで表示装置１として提供することも可能である。
【００２３】
また、表示装置１は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。たとえば、画素アレイ部１０２に透明なガラスなどの対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜などが設けられてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部１０２への映像信号Ｖsig や各種の駆動パルスを入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）などが設けられていてもよい。
【００２４】
また、このような表示装置１は、様々な電子機器、たとえば半導体メモリやミニディスク（ＭＤ）やカセットテープなどの記録媒体を利用した携帯型の音楽プレイヤー、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話などの携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を、静止画像や動画像（映像）として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部に利用できる。
【００２５】
表示パネル部１００は、基板１０１の上に、画素回路Ｐがｎ行×ｍ列のマトリクス状に配列された画素アレイ部１０２と、画素回路Ｐを垂直方向に走査する垂直駆動部１０３と、画素回路Ｐを水平方向に走査する水平駆動部（水平セレクタあるいはデータ線駆動部とも称される）１０６と、各駆動部１０３，１０６と外部回路とのインタフェースをとるインタフェース（ＩＦ）部１３０と、外部接続用の端子部（パッド部）１０８などが集積形成されている。すなわち、垂直駆動部１０３や水平駆動部１０６やインタフェース部１３０などの周辺駆動回路が、画素アレイ部１０２と同一の基板１０１上に形成された構成となっている。
【００２６】
インタフェース部１３０は、垂直駆動部１０３と外部回路とのインタフェースをとる垂直ＩＦ部１３３と、水平駆動部１０６と外部回路とのインタフェースをとる水平ＩＦ部１３６を有する。
【００２７】
垂直駆動部１０３（書込走査部１０４および駆動走査部１０５）と水平駆動部１０６とで、信号電位の保持容量への書込みや、閾値補正動作や、移動度補正動作や、ブートストラップ動作を制御する制御部１０９が構成される。この制御部１０９とインタフェース部１３０（垂直ＩＦ部１３３や水平ＩＦ部１３６）を含めて、画素アレイ部１０２の画素回路Ｐを駆動する駆動回路を構成している。
【００２８】
垂直駆動部１０３としては、たとえば、書込走査部（ライトスキャナＷＳ；Write Scan）１０４や電源供給能力を有する電源スキャナとして機能する駆動走査部（ドライブスキャナＤＳ；Drive Scan）１０５を有する。画素アレイ部１０２は、一例として、図示する左右方向の一方側もしくは両側から書込走査部１０４および駆動走査部１０５で駆動され、かつ図示する上下方向の一方側もしくは両側から水平駆動部１０６で駆動されるようになっている。
【００２９】
端子部１０８には、表示装置１の外部に配された駆動信号生成部２００から、種々のパルス信号が供給されるようになっている。また同様に、映像信号処理部２２０から映像信号Ｖsig が供給されるようになっている。カラー表示対応の場合には、色別（本例ではＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色）の映像信号Ｖsig_Ｒ，Ｇ，Ｂが供給される。
【００３０】
一例としては、垂直駆動用のパルス信号として、垂直方向の書込み開始パルスの一例であるシフトスタートパルスSPDS，SPWSや垂直走査クロックCKDS，CKWS（必要に応じて位相反転した垂直走査クロックxCKDS ，xCKWS も）など必要なパルス信号が供給される。また、水平駆動用のパルス信号として、水平方向の書込み開始パルスの一例である水平スタートパルスSPH や水平走査クロックCKH （必要に応じて位相反転した水平走査クロックxCKHも）など必要なパルス信号が供給される。
【００３１】
端子部１０８の各端子は、配線１０９を介して、垂直駆動部１０３や水平駆動部１０６に接続されるようになっている。たとえば、端子部１０８に供給された各パルスは、必要に応じて図示を割愛したレベルシフタ部で電圧レベルを内部的に調整した後、バッファを介して垂直駆動部１０３の各部や水平駆動部１０６に供給される。
【００３２】
画素アレイ部１０２は、図示を割愛するが（詳細は後述する）、表示素子としての有機ＥＬ素子に対して画素トランジスタが設けられた画素回路Ｐが行列状に２次元配置され、この画素配列に対して行ごとに走査線が配線されるとともに、列ごとに信号線が配線された構成となっている。
【００３３】
たとえば、画素アレイ部１０２には、走査線（ゲート線）１０４WSと映像信号線（データ線）１０６HSが形成されている。両者の交差部分には図示を割愛した有機ＥＬ素子とこれを駆動する薄膜トランジスタが形成される。有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタの組み合わせで画素回路Ｐを構成する。
【００３４】
具体的には、マトリクス状に配列された各画素回路Ｐに対しては、書込走査部１０４によって書込駆動パルスWSで駆動されるｎ行分の書込走査線１０４WS_1〜１０４WS_nおよび駆動走査部１０５によって電源駆動パルスDSL で駆動されるｎ行分の電源供給線１０５DSL_1 〜１０５DSL_n が画素行ごとに配線される。
【００３５】
書込走査部１０４および駆動走査部１０５は、論理ゲートの組合せ（ラッチやシフトレジスタなども含む）によって構成され、画素アレイ部１０２の各画素回路Ｐを行単位で選択する、すなわち、駆動信号生成部２００から供給される垂直駆動系のパルス信号に基づき、書込走査線１０４WSおよび電源供給線１０５DSL を介して各画素回路Ｐを順次選択する。
【００３６】
水平駆動部１０６は、論理ゲートの組合せ（ラッチやシフトレジスタなども含む）によって構成され、画素アレイ部１０２の各画素回路Ｐを列単位で選択する、すなわち、駆動信号生成部２００から供給される水平駆動系のパルス信号に基づき、選択された画素回路Ｐに対し映像信号線１０６HSを介して映像信号Ｖsig の内の所定電位をサンプリングして保持容量に書き込ませる。
【００３７】
本実施形態の表示装置１は、線順次駆動や点順次駆動が可能になっており、垂直駆動部１０３の書込走査部１０４および駆動走査部１０５は線順次で（つまり行単位で）で画素アレイ部１０２を走査するとともに、これに同期して水平駆動部１０６が、画像信号を、１水平ライン分を同時に（線順次の場合）、あるいは画素単位で（点順次の場合）、画素アレイ部１０２に書き込む。
【００３８】
カラー画像表示対応をとるには、画素アレイ部１０２には、たとえば図１Ａに示すように、色別（本例ではＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３原色）のサブピクセルとして画素回路Ｐ_R，Ｐ_G，Ｐ_Bを所定の配列順で縦ストライプ状に設ける。１組の色別のサブピクセル（画素回路Ｐ_R，Ｐ_G，Ｐ_B）によりカラーの１画素が構成される。
【００３９】
ここでは、サブピクセルレイアウトの一例として縦ストライプ状に各色のサブピクセルを配置したストライプ構造のものを示しているが、サブピクセルレイアウトはこのような配列例に限定されるものではない。サブピクセルを垂直方向にシフトさせた形態を採用してもよい。本実施形態では、このサブピクセルの垂直方向シフトを利用して画素開口率の向上やシャドーマスク（塗分けマスク）の強度の改善を図る。このサブピクセルを垂直方向にシフトさせる形態およびそれを利用したシャドーマスクについては、後で詳しく説明する。
【００４０】
なお、図１および図１Ａでは、画素アレイ部１０２の一方側にのみ垂直駆動部１０３の各要素（書込走査部１０４や駆動走査部１０５）を配置する構成を示しているが、垂直駆動部１０３の各要素を画素アレイ部１０２を挟んで左右両側に配置する構成を採ることも可能である。また、図１Ａに示すように、垂直駆動部１０３の各要素の一方と他方を左右の各別に配置する構成を採ることも可能である。
【００４１】
同様に、図１および図１Ａでは、画素アレイ部１０２の一方側にのみ水平駆動部１０６を配置する構成を示しているが、画素アレイ部１０２を挟んで上下両側に水平駆動部１０６を配置する構成を採ることも可能である。
【００４２】
本例では、シフトスタートパルスSPDS，SPWS、垂直走査クロックCKDS，CKWSや水平スタートパルスSPH 、水平走査クロックCKH などのパルス信号を表示パネル部１００の外部から入力する構成としているが、これらの各種のタイミングパルスを生成する駆動信号生成部２００を表示パネル部１００上に搭載することも可能である。
【００４３】
＜画素回路＞
図２は、本実施形態の表示装置１の画素回路Ｐの一構成例と、当該画素回路Ｐを備えた有機ＥＬ表示装置の一実施形態を示す図である。図２に示す本実施形態の画素回路Ｐは、基本的にｎチャネル型の薄膜電界効果トランジスタでドライブトランジスタが構成されている。また、有機ＥＬ素子の経時劣化による当該有機ＥＬ素子への駆動電流Ｉdsの変動を抑制するための回路、すなわち電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子の電流−電圧特性の変化を補正して駆動電流Ｉdsを一定に維持する駆動信号一定化回路（その１）を備え、また駆動トランジスタの特性変動（閾値電圧ばらつきや移動度ばらつき）による駆動電流変動を防ぐ閾値補正機能や移動度補正機能を実現して駆動電流Ｉdsを一定に維持する駆動方式を採用する。
【００４４】
駆動トランジスタ１２１の特性変動（たとえば閾値電圧や移動度などのばらつきや変動）による駆動電流Ｉdsに与える影響を抑制する方法としては、２ＴＲ構成の駆動回路をそのまま駆動信号一定化回路（その１）として採用しつつ、各トランジスタ１２１，１２５の駆動タイミングを工夫することで対処する。
【００４５】
本実施形態の画素回路Ｐは、２ＴＲ駆動の構成であり、素子数や配線数が少ないため、高精細化が可能であることに加えて、映像信号Ｖsig の劣化なくサンプリングできるため、良好な画質を得ることができる。
【００４６】
また本実施形態の画素回路Ｐは、保持容量１２０の接続態様に特徴を有し、有機ＥＬ素子１２７の経時劣化による駆動電流変動を防ぐ回路として、駆動信号一定化回路（その２）の一例であるブートストラップ回路を構成している。有機ＥＬ素子の電流−電圧特性に経時変化があった場合でも駆動電流を一定にする（駆動電流変動を防ぐ）ブートストラップ機能を実現する駆動信号一定化回路（その２）を備えるのである。
【００４７】
また本実施形態の画素回路Ｐは、書込みゲインやブートストラップゲインや移動度補正期間に関係する補助容量を備える。ただし、この補助容量を備えることは必須ではない。本実施形態の画素回路Ｐを駆動するに当たっての基本的な制御動作は、補助容量を備えていない画素回路Ｐに対するものと同様である。
【００４８】
駆動トランジスタを始めとする各トランジスタとしてはＭＯＳトランジスタを使用する。この場合、駆動トランジスタについては、ゲート端を制御入力端として取り扱い、ソース端およびドレイン端の何れか一方（ここではソース端とする）を出力端として取り扱い、他方を電源供給端（ここではドレイン端とする）として取り扱う。
【００４９】
具体的には図２に示すように、本実施形態の画素回路Ｐは、それぞれｎチャネル型の駆動トランジスタ１２１およびサンプリングトランジスタ１２５と、電流が流れることで発光する電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子１２７とを有する。一般に、有機ＥＬ素子１２７は整流性があるためダイオードの記号で表している。なお、有機ＥＬ素子１２７には、寄生容量Ｃelが存在する。図では、この寄生容量Ｃelを有機ＥＬ素子１２７（ダイオード状のもの）と並列に示す。
【００５０】
駆動トランジスタ１２１は、ドレイン端が第１電源電位を供給する電源供給線DSL に接続され、ソース端（出力端）Ｓが、有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａに接続され（その接続点をノードＮＤ１２１とする）、有機ＥＬ素子１２７のカソード端Ｋが基準電位を供給する全画素共通の接地配線Ｖcath（GND ）に接続されている。
【００５１】
なお、接地配線Ｖcathは、それ用の単一層の配線（上層配線）のみとしてもよいし、たとえばアノード用の配線が形成されるアノード層に、カソード配線用の補助配線を設けてカソード配線の抵抗値を低減するようにしてもよい。この補助配線は、画素アレイ部１０２（表示エリア）内に格子状または列または行状に配線され、上層配線と同電位で固定電位である。
【００５２】
サンプリングトランジスタ１２５は、ゲート端Ｇが書込走査部１０４からの書込走査線１０４WSに接続され、ドレイン端が映像信号線１０６HSに接続され、ソース端Ｓが駆動トランジスタ１２１のゲート端Ｇに接続されている（その接続点をノードＮＤ１２２とする）。サンプリングトランジスタ１２５のゲート端Ｇには、書込走査部１０４からアクティブＨの書込駆動パルスWSが供給される。サンプリングトランジスタ１２５は、ソース端Ｓとドレイン端とを逆転させた接続態様とすることもできる。
【００５３】
駆動トランジスタ１２１のドレイン端は、電源スキャナとして機能する駆動走査部１０５からの電源供給線１０５DSL に接続されている。電源供給線１０５DSL は、この電源供給線１０５DSL そのものが、駆動トランジスタ１２１に対しての電源供給能力を備える。
【００５４】
駆動走査部１０５は、駆動トランジスタ１２１のドレイン端に対して、それぞれ電源電圧に相当する高電圧側の第１電位Ｖcc_Hと閾値補正に先立つ準備動作に利用される低電圧側の第２電位Ｖcc_L（初期化電圧もしくはイニシャル電圧Ｖini とも称される）とを切り替えて供給する。
【００５５】
駆動トランジスタ１２１のドレイン端側を第１電位Ｖcc_Hと第２電位Ｖcc_Lの２値をとる電源駆動パルスDSL で駆動することで、閾値補正に先立つ準備動作を行なうことを可能にしている。第２電位Ｖcc_Lとしては、映像信号線１０６HSにおける映像信号Ｖsig の基準電位Ｖｏ（オフセット電圧Ｖofs とも称する）より十分低い電位とする。具体的には、駆動トランジスタ１２１のゲート・ソース間電圧Ｖgs（ゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの差）が駆動トランジスタ１２１の閾値電圧Ｖthより大きくなるように、電源供給線１０５DSL の低電位側の第２電位Ｖcc_Lを設定する。なお、基準電位Ｖｏ（Ｖofs ）は、閾値補正動作に先立つ初期化動作に利用するとともに映像信号線１０６HSを予めプリチャージにしておくためにも利用する。
【００５６】
このような画素回路Ｐでは、有機ＥＬ素子１２７を駆動するときには、駆動トランジスタ１２１のドレイン端に第１電位Ｖcc_Hが供給され、ソース端Ｓが有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａ側に接続されることで、全体としてソースフォロワ回路を形成するようになっている。
【００５７】
このような画素回路Ｐを採用する場合、駆動トランジスタ１２１の他に走査用に１つのスイッチングトランジスタ（サンプリングトランジスタ１２５）を使用する２ＴＲ駆動の構成を採るとともに、各スイッチングトランジスタを制御する電源駆動パルスDSL および書込駆動パルスWSのオン／オフタイミングの設定により、有機ＥＬ素子１２７の経時劣化や駆動トランジスタ１２１の特性変動（たとえば閾値電圧や移動度などのばらつきや変動）による駆動電流Ｉdsに与える影響を防ぐ。
【００５８】
加えて、本実施形態の表示装置１においては、画素回路Ｐごとに、ノードＮＤ１２１（駆動トランジスタ１２１のソース端Ｓおよび保持容量１２０の一方の端子と有機ＥＬ素子１２７のアノード端Ａの接続点）に容量値Ｃsub の容量素子である補助容量３１０を追加し、補助容量３１０の他方の端子（ノードＮＤ３１０と称する）の接続箇所を自行（自段）の電源供給線１０５DSL とする。補助容量３１０は、有機ＥＬ素子１２７（その寄生容量Ｃel）と電気回路的に並列接続されたものとなる。
【００５９】
ノードＮＤ３１０は、たとえば、全ての有機ＥＬ素子１２７のカソード端Ｋが接続される全画素共通の接地配線Ｖcath（上層配線でもよいし補助配線でもよい）と接続する。なお、ノードＮＤ３１０の接続点は、これ以外にもたとえば自段（行）の電源供給線１０５DSL とすることや、自段（行）以外の電源供給線１０５DSL とすることや、任意の値（接地電位を含む）の固定電位とすることも考えられる。ノードＮＤ３１０の接続点が何れであるかによって、それぞれ長短（利点と欠点）があるが、ここではその説明を割愛する。
【００６０】
補助容量３１０の容量値Ｃsub を調整することで書込みゲインＧinput とブートストラップゲインＧbst を調整できるようになる。また、ＲＧＢ３画素間で容量値Ｃsub を相対的に調整することで、ホワイトバランスを取ることもできる。加えて、補助容量３１０を追加することで、閾値補正動作に影響を与えることなく、移動度μの補正に要する時間（移動度補正時間）を調整することができるようにもなる。
【００６１】
ところで、カラー画像表示対応の表示装置１において、画素アレイ部１０２における色別の開口部（実質的にはアノード電極、有機層、カソード電極の積層部分の色別の有機層）を形成する場合、当然のように色別に開口部を形成する必要がある。そのため、各サブピクセル用すなわち色別の有機層をなす有機材料などを、その色別に塗ることで開口部を色別に設ける。このようにサブピクセルを色別に塗り分ける際には一般的にシャドーマスクが使用される。しかしながら、従前のシャドーマスクにおける開口部の配列状態では、画素開口率が低下してしまう難点がある。以下、この問題点とその改善手法について、具体的に説明する。
【００６２】
＜＜画素開口の問題点について＞＞
図３〜図５Ｂは、画素アレイ部１０２の画素開口に関する問題点を説明する図である。ここで、図３は、有機ＥＬ素子１２７や補助容量３１０などの配置を説明する図である。詳しくは、図３は、一般的な有機ＥＬ表示装置における１画素分の層構造の概略を示した図である。ここで、図３（１）は１画素分の平面図であり、図３（２）は図３（１）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。図４は、有機ＥＬ素子１２７の下部電極と補助配線の第１比較例のレイアウトを示した図である。図４Ａは、図４に対する変形例である第２比較例のレイアウトを示した図である。
【００６３】
図５は、カラー画像表示用の３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブピクセルの色配置例と画素開口配置の一例を示す図である。図５Ａは、スリット状の開口部を設けたシャドーマスク（スリットマスク）の一例を示す図である。図５Ｂは、画素ごとに開口部を設けたシャドーマスク（縦ストライプ画素ごとマスク）の一例を示す図である。
【００６４】
図３（１）に示す１画素分の平面図のように、基板１０１上に下部電極（たとえばアノード電極）５０４が配置され、その下部電極５０４上に有機ＥＬ素子１２７の開口部（以下ＥＬ開口部と称する）１２７ａが形成されている。下部電極５０４には接続孔（たとえばＴＦＴ−アノードコンタクト）５０４ａが設けられ、この接続孔５０４ａを介して下部電極５０４下に配された駆動トランジスタ１２１の入出力端（本例ではソース電極）に下部電極５０４が接続されるようになっている。
【００６５】
下部電極５０４の周囲は絶縁膜パターン５０５で覆われて、有機ＥＬ素子１２７を構成する下部電極５０４、有機層５０６、上部電極５０８が積層されている部分のみが発光有効領域１２７ｂとなるように広く露出したＥＬ開口部１２７ａとされている。
【００６６】
図３（２）には、図３（１）におけるＡ−Ａ’線の断面図が示されている。図３（２）に示すように、基板１０１上の各画素回路Ｐに対応する位置に、画素回路を構成する駆動トランジスタ１２１やサンプリングトランジスタ１２５などの薄膜トランジスタＱや保持容量１２０（容量値Ｃｓ）や補助容量３１０（容量値Ｃsub ）などの回路素子は内部配線が配置され、その層（第１配線層Ｌ１）の上部に層間絶縁膜５０２ａ，５０２ｂ（酸化膜）が設けられる（図ではその回路素子の一部のみを示す）。
【００６７】
層間絶縁膜５０２のさらに上部には、薄膜トランジスタＱに接続されたソース電極線およびドレイン電極線が設けられる。また、各素子（薄膜トランジスタＱ，保持容量１２０）を構成する導電層、およびソース電極線およびドレイン電極線を構成する導電層により、画素回路Ｐを構成する他の配線が形成される。
【００６８】
そして、ソース電極線およびドレイン電極線などの層（第２配線層Ｌ２）を覆う状態で、さらに上層の平坦化膜として機能する層間絶縁膜５０３が設けられ、この層間絶縁膜５０３上に有機ＥＬ素子１２７が形成されている。有機ＥＬ素子１２７は、下層側から順に積層された下部電極（たとえばアノード電極）５０４、有機層５０６、および上部電極（たとえばカソード電極）５０８で構成されている。有機ＥＬ素子１２７は、下部電極５０４と上部電極５０８と間に誘電体である有機層５０６が挟まれた構造であるので、有機ＥＬ素子１２７は容量成分（寄生容量Ｃel）を持つことになる。
【００６９】
有機層５０６は、詳細には、たとえば、低分子系の材料で多層構造を採用しており、下部電極５０４側から上部電極５０８側に向かって順に、たとえば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層（電子注入層を兼ねる）を持つ。そして、カラー表示対応の場合は、発光層の有機材料として、表示色に適合したものを使用する。
【００７０】
下部電極５０４は、画素電極としてパターン形成されており、層間絶縁膜５０２に形成された接続孔５０４ａを介して駆動トランジスタ１２１のソース電極１２１ｓに接続されている。また、下部電極５０４と対向する上部電極５０８は全ての画素回路Ｐを覆うベタ膜として形成されている。
【００７１】
このような層構造を持つ有機ＥＬ表示装置１においては、有機ＥＬ素子１２７が配列形成された基板１０１と反対側から発光光Ｌ１を取り出すいわゆるトップエミッション方式として構成することが、有機ＥＬ素子１０１の開口率を確保する上で有効になる。また、このようなトップエミッション方式であれば、有機ＥＬ素子１２７の開口率が、画素回路Ｐを構成する薄膜トランジスタＱのレイアウトには依存しない。このため、さらに複数の薄膜トランジスタＱや保持容量１２０を用いた画素回路Ｐを各画素に対応させて配置することもできる。
【００７２】
下部電極５０４は、画素回路Ｐの配列に対応してマトリクス状に配置される（図４や図４Ａを参照）。そして、この下部電極５０４の隣接画素間には、下部電極５０４と同一層で構成された補助配線５０５（補助電極）が配線された構成となっている。補助配線５０５は、上部電極５０８のカソード配線と電気的な接続がとられる。
【００７３】
図示を割愛した基板１０１上の最初に設けられる第１配線層Ｌ１は、薄膜トランジスタＱ（駆動トランジスタ１２１やサンプリングトランジスタ１２５）などの回路素子を形成するレイヤとしても使用される。たとえば、保持容量１２０（容量値Ｃｓ）は、一方の電極が第１配線層Ｌ１に形成され、それに対向する電極がポリシリコンで層間絶縁膜５０２ａ，５０２ｂ間に形成されている。補助容量３１０（容量値Ｃsub ）は、一方の電極が第１配線層Ｌ１および第２配線層Ｌ２に形成され、それらに対向する電極がポリシリコンで層間絶縁膜５０２ａ，５０２ｂ間に形成されている。
【００７４】
第１配線層Ｌ１の電極とポリシリコンで第１の補助容量３１０ａが形成され、第２配線層Ｌ２の電極とポリシリコンで第２の補助容量３１０ｂが形成され、第１配線層Ｌ１の電極と第２配線層Ｌ１の電極とがコンタクトにより接続されることで、第１の補助容量３１０ａと第２の補助容量３１０ｂが並列接続された状態となっている。なお、補助容量３１０ｂを利用することは必須ではなく、保持容量１２０と同様に、第１配線層Ｌ１の電極とポリシリコンで構成される補助容量３１０ａのみとしてもよい。もちろん、この補助容量３１０自体を使用しない構成を採ることもできる。
【００７５】
この表示装置１は、基板１０１と反対側から発光光を取り出すトプエミッション型であるため、下部電極５０４は遮光性が高く、かつ反射率の高い材料で構成される。一方、上部電極５０８は、光透過性の高い材料を用いて構成される。したがって、上部電極５０８の配線抵抗が大きくなる。上部電極５０８をベタ配線としても抵抗値の低減には限界がある。補助配線５０５は、この高抵抗の上部電極５０８と電気回路的に並列に配線することで、カソード配線全体としての抵抗値を低減するのに寄与する。図示を割愛するが、基板１０１において、トランジスタＱや有機ＥＬ素子１２７が配置されている側と反対側の面には、光リークや温度拡散のために遮光メタル層が設けられる。
【００７６】
たとえば、有機ＥＬ素子１２７の下部電極と補助配線の第１比較例のレイアウトが図４に示されている。この図に示すように、下部電極５０４は、マトリクス状に配置された画素回路Ｐの配列に対応して、その画素回路Ｐを取り囲むように格子状に配置され、さらに外周にも画素アレイ部１０２の全体を取り囲むように配置されている。そして、この下部電極５０４間に、下部電極５０４と同一層で構成された補助配線５０５が配線された構成となっている。前述のように、下部電極５０４が形成されるアノード層Ｌ３の補助配線５０５は、適当な箇所にて（図の例では各画素間の中心および外周の画素と対応する中心に）、カソードコンタクトKCにより、その上層の上部電極５０８と接続される。
【００７７】
補助容量３１０のノードを有機ＥＬ素子１２７のカソード配線に接続するべく、第１配線層Ｌ１の電極と第２配線層Ｌ１の電極を、さらにコンタクトにより補助配線５０５に接続することで、最終的に上部電極５０８と接続されるようにしている。
【００７８】
また、図４Ａに示す第２比較例のレイアウトでは、トップエミッション方式での高精細画素構造とする場合において、画素開口率を稼ぐために、補助配線５０５を画素アレイ部１０２の全体を取り囲むように配置するだけで、画素アレイ部１０２（表示エリア）内に格子状または列または行状に配線するレイアウトを用いていない。
【００７９】
たとえば、図５に示すように、一般的なサブピクセルレイアウトとしては垂直方向に一列に同色のサブピクセルが画素開口間隔Ｗ０で配列されるストライプ構造が知られている。また、高精細画素では、開口率を稼ぐために、画素内の補助配線レイアウトを使用しないことがある。
【００８０】
補助配線のない構造でカラー画像表示用に色別のサブピクセルを形成したストライプ構造では、従来は一般的に、垂直方向に同列の各画素について何れか１色のサブピクセル分を全て纏めて長尺状の開口部６０２を画素ピッチで設けた図５Ａに示すようなスリットマスク６００が用いられている。しかしながら、このようなスリットマスク６００では、弛みなどが生じ易く強度の弱いマスクとなってしまい、特に横方向のマスク合わせ精度を出すのが困難である。この問題は、パネルサイズが大きくなるほど顕在化する。この問題を解消するために、マスクズレを考慮して設計してしまうと、サブピクセルをより細長い形状にする必要があり、その画素開口率は低下してしまう。
【００８１】
一方、高精細化で高開口率を達成するためには、図５Ｂに示すような１画素について１つのサブピクセル分ずつ開口部６１２を垂直方向には縦ストライプ状に設け水平方向には画素ピッチで設けた縦ストライプ画素ごとマスク６１０を使用することがある。このようなマスク構造は、垂直方向（上下方向）の各画素間に、水平方向（マスク横方向）の橋渡しをなす間隔部６１４を備える。垂直方向に画素ごとに間隔部６１４が設けられたマスク構造となり、スリットマスク６００において横方向に弛みが生じ易いと言った難点を解消でき、強度の強いマスクにすることができる。
【００８２】
しかしながら一方で、この縦ストライプ画素ごとマスク６１０では、垂直方向に画素ごとの間隔部６１４が必要であり、これにより、開口率の低下が発生してしまう。低開口率のサブピクセルでは開口密度が大きくなり、輝度を稼ぐため狭開口部に大電流を流さざるを得なくなり結果的には寿命劣化に繋がってしまう。
【００８３】
このように、従来のシャドーマスクでは、マスク強度と画素開口率の双方を満足できるものとすることができていない。高精細パネルにおいて、ＥＬ素子の寿命に十分な高開口率を確保できるような高強度のシャドーマスクの開発が求められている。
【００８４】
＜改善手法：第１実施形態＞
図６〜図６Ｂは、シャドーマスク（蒸着マスク）の強度と画素開口率を改善する手法の第１実施形態を説明する図である。ここで、図６は、第１実施形態の表示パネル部１００Ａにおけるカラー画像表示用の３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。図６Ａは、マスク強度と画素開口率を改善し得るようにした第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａを示す図である。図６Ｂは、第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａを使用して表示パネル部１００Ａ（特にＥＬ開口部１２７ａ）の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【００８５】
後述する第２、第３実施形態も含めて、本実施形態の表示パネル部１００における色配置および画素開口配置は、同色のサブピクセルを一列に配置し、その一列の各サブピクセルについて、隣接する複数のサブピクセルを１組とし、組内の画素開口間隔Ｗ１、組同士の画素開口間隔Ｗ２としたとき、組内においては画素開口率を従前よりも大きくするべく、組内の画素開口間隔Ｗ１よりも組同士の画素開口間隔Ｗ２の方を大きくする（Ｗ１＜Ｗ２）ことで、画素開口間隔の狭い所と広い所が散りばめられるように配置することを特徴とする。好ましい態様としては、垂直方向（列方向，縦方向，上下方向）の画素開口間隔Ｗ１，Ｗ２を、交互に、「狭い・広い」を繰り返すように配置する。組内では従来に比べて垂直方向（縦方向）に開口を拡大することができるので、全体としての開口部の間の間隔部の面積を減らすことができる。
【００８６】
なお、１列分の全てのサブピクセルを１組にすることは、画素開口間隔Ｗ１，Ｗ２を、交互に、「狭い・広い」を繰り返すように配置することができず、実質的にスリットマスク６００の使用と同様になるので、本実施形態の態様からは除く。
【００８７】
このような色配置と画素開口配置を有する本実施形態の表示パネル部１００を形成するためのシャドーマスク６２０は、垂直方向の複数のサブピクセルで構成される１組分に対応する開口部と、垂直方向の各開口部の間に水平方向の橋渡しをなす間隔部が設けられた構造をなす。各開口部は、画素アレイ部１０２の垂直方向に、ある色についての隣接する複数の有機ＥＬ素子１２７（詳細にはＥＬ開口部１２７ａ）を１組として纏めた部分に対応する形状および大きさを持ち、間隔部を挟んで縦ストライプ状に配列される。
【００８８】
こうすることで、従来は垂直方向の画素間ごとに水平方向の橋渡しをなす間隔部が設けられているのに対し、本実施形態では、垂直方向の組間ごとに水平方向の橋渡しをなす間隔部が設けられた構造となるので、その間隔部の数を従来よりも低減できる。スリットマスク６００とは異なり、水平方向の橋渡しをなす間隔部は従前の縦ストライプ画素ごとマスク６１０よりも少ないものの確実に存在するのでマスク強度の問題は起きず、縦ストライプ画素ごとマスク６１０と同等レベルにすることができると考えてよい。強度の大きな蒸着マスクを用いることができ、画素の高開口率化や高精細化を実現できるようになる。
【００８９】
なお、同列における各組内の画素数は、均等にすることが望ましいが、このことは必須ではない。また、各列の総組数やその列における組内の画素数も均等にすることが望ましいが、このことは必須ではない。最善の形態は、各列の各組の画素数を全て均等にすることで、シャドーマスクや画素開口の均一化を図ることである。そういった意味では、各列について、１組内の画素数を均等にする点も鑑みれば、１列分の総画素数ｎに対して、各列の各組の画素数（サブピクセル数）および組数は、２個およびｎ／２組〜ｎ／２個および２組の範囲となる。
【００９０】
そして、各列の各組の画素数が均等であればよく、その限りにおいて、各列の各組の開口部の間の間隔部の位置をどのように配置するかは様々な形態を採り得る。後述する第１〜第３実施形態はこの点に着目した各態様である。
【００９１】
たとえば、第１実施形態においては、後述する第２、第３実施形態との相違点として、画素開口間隔Ｗ１および画素開口間隔Ｗ２のそれぞれが水平方向（行方向，横方向，左右方向）に一列に並ぶように画素およびサブピクセルを配置する点に特徴を有する。もちろん、これに対応するシャドーマスク６２０Ａの間隔部も、水平方向に一列に並ぶように配置する。組同士の画素開口間隔Ｗ２は、好ましくは補助配線５０５を配置可能な幅にするのがよい。
【００９２】
たとえば、図６に示す例では、表示パネル部１００Ａにおける４行＊２列の計８画素分のサブピクセルの色配置例を示している。そして、垂直方向の２画素分を１組とした例を示しており、上側２画素の組および下側２画素の組における組内の画素開口間隔Ｗ１よりも、組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくしている。つまり、上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトしている。縦ストライプ画素ごとマスク６１０との対比では、垂直方向に２つのサブピクセルを纏めて１つの開口部６２２を縦ストライプ状に設け水平方向には画素ピッチで間隔部６２４を設けた縦ストライプ２画素マスク６１０と称することができる。ここでは２画素単位で１組を構成しているが、Ｎ画素単位で１組を構成したときには、縦ストライプＮ画素マスクと称することができる。
【００９３】
なお、組内の画素開口間隔Ｗ１を従来よりも狭くし、組同士の画素開口間隔Ｗ２を従来通りにする。こうすることで、垂直方向の画素間隔は、交互に、「狭い、従来通り、狭い、従来通り」の繰り返しになる。画素アレイ部１０２は全体としての画素開口間隔の広い部分の数を減らすことができる。考え方としては、組内の画素開口間隔Ｗ１を従来通りにし、組同士の画素開口間隔Ｗ２をよりも狭くする態様を採っているとも言える。上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトするので、何れも事実上同じになるからである。
【００９４】
図６に示す色配置および画素開口配置の表示パネル部１００Ａに対応した第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａの一例が図６Ａに示されている。この第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａは、表示パネル部１００Ａの垂直方向２画素分のサブピクセルに対応する開口部６２２が設けられ、その開口部６２２の垂直方向のそれぞれの間に、水平方向の橋渡しをなす間隔部６２４が設けられている。垂直方向の開口部６２２の間の間隔部６２４は、全列同一の垂直位置に配置され、間隔部６２４が、水平方向に一列に並ぶように配置されている。
【００９５】
第１実施形態の表示パネル部１００Ａの有機発光層を成膜する際には、色別の成膜ステップにおいて、色別に（たとえばＲ→Ｇ→Ｂの順に）、シャドーマスク６２０Ａの間隔部６２４の位置が表示パネル部１００Ａにおける組同士の画素開口間隔Ｗ２に対応するようにシャドーマスク６２０Ａを配置することで、換言すれば組内の画素開口間隔Ｗ１の部分が所望色のサブピクセル（本例では２画素分）の位置に対応するようにシャドーマスク６２０Ａをシフトさせて配置することで、所望色のＥＬ開口部１２７ａ（詳細には有機層５０６）を成膜していくことになる。別の色のＥＬ開口部１２７ａを形成する際には、対象色をたとえばＲ→Ｇ→Ｂの順に切り替える都度、サブピクセル（電気光学素子）の配列ピッチの分だけシャドーマスク６２０Ａの開口部６２２の位置を水平方向にシフトすればよい。
【００９６】
つまり、薄膜をつけていく段階で、有機ＥＬ素子１２７をなす有機層５０６の有機材料に低分子系を採用するので、注入層・輸送層・発光層などの膜を形成するために、ここでは真空蒸着法を採用する。真空蒸着法にも、詳細には抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法など各種の手法があるが、本例では比較的単純な方法である抵抗加熱蒸着法で説明する。
【００９７】
抵抗加熱蒸着法では、図６Ｂに示すように、蒸着機の真空チャンバの台（基板ホルダ）の上に、ＴＦＴや容量素子などの回路素子および下部電極５０４がパターニングされた中間基板Ｘをセット（通常は下向きに）し、薄膜形成用の低分子系材料をルツボ（坩堝）に入れてチャンバ内を真空状態にする。この後、フィラメントに通電してルツボを加熱して、低分子系材料を昇華（気化・ガス化）させて蒸着機の中を浮遊させ、上部にセットした中間基板Ｘに膜として付着させる。このとき、下部電極５０４から上部電極５０８に向けた積層順となるように、ホール注入層（Ｓ１１２）→ホール輸送層（Ｓ１１４）→発光層（Ｓ１１６）→電子輸送層（Ｓ１１８）を形成し、最後に上部電極５０８を形成する（Ｓ１２０）。
【００９８】
ここで、表示パネル部１００のフルカラー化を図る場合には、画素単位で開口部が設けられた第１のメタルマスク６２０Ｚを使用してホール注入層とホール輸送層を画素位置に蒸着させた後には、発光層に関しては、たとえばＲＧＢの３原色の有機色素を狭い範囲で塗り分けていく必要がある。このＲＧＢ塗分けのために、第１のメタルマスク６２０Ｚとは異なる本実施形態のシャドーマスク６２０Ａが使用される。シャドーマスク６２０Ａの開口部６２２の設けられた部分にだけ、Ｒ，Ｇ，Ｂの色素（有機材料＝発光層）を蒸着させていくのである。
【００９９】
具体的には、中間基板Ｘの前に開口部６２２の設けられた薄い金属板（シャドーマスク６２０Ａ）を置いて、表示パネル部１００ＡのＲ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ａの開口部６２２を配置し（Ｓ１１５Ｒ）、Ｒ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ１１６Ｒ）。これにより、画素アレイ部１０２の赤色用のサブピクセル部分に一括してＲ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１００】
この後、シャドーマスク６２０Ａをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらして、表示パネル部１００ＡのＧ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ａの開口部６２２を配置し（Ｓ１１５Ｇ）、Ｇ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ１１６Ｇ）。これにより、画素アレイ部１０２の緑色用のサブピクセル部分に一括してＧ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１０１】
この後、シャドーマスク６２０Ａをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらして、表示パネル部１００ＡのＢ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ａの開口部６２２を配置し（Ｓ１１５Ｂ）、Ｂ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ１１６Ｂ）。これにより、画素アレイ部１０２の青色用のサブピクセル部分に一括してＢ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１０２】
以上の説明から理解されるように、第１実施形態の表示パネル部１００Ａにおける画素アレイ部１０２の有機ＥＬ素子１２７を成膜するに当たっては、成膜用の窓（開口部６２２）の空いたシャドーマスク６２０Ａを少しずつ（サブピクセルピッチ分）水平方向にずらしながら、Ｒ，Ｇ，Ｂの低分子有機色素を付着させていくので、低分子系での一般的なフルカラーの手法と同様の成膜法とすることができる。
【０１０３】
このように、第１実施形態の表示パネル部１００Ａにおける色配置および画素開口配置とそれに対応した第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａによれば、従来のスリットマスク６００に比べると縦ストライプ画素ごとマスク６１０と同様に間隔部６２４の存在によりマスクの強度が上がり撓みを改善できる高強度のマスクにすることができる。また、図５Ｂに示した従来の縦ストライプ画素ごとマスク６１０に比べて、マスク横方向の橋渡しの本数を低減させることができる。上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトしている図６に示した例では縦ストライプ画素ごとマスク６１０に対して橋渡しの本数を半分にできる。
【０１０４】
これにより、ＥＬ開口部１２７ａを形成するための蒸着起因の開口率の低下を抑制でき、高精細パネルにて、高強度で高開口率が達成できる。強度の強いシャドーマスク６２０Ａを用いた上で、高開口率が可能となり、高精細パネルにおいても、ＥＬ素子の寿命に十分な開口率を確保することができ、パネルの高精細化が可能となる。
【０１０５】
また、第１実施形態においては、表示パネル部１００においては画素開口間隔Ｗ１および画素開口間隔Ｗ２のそれぞれが水平方向に一列に並ぶように画素およびサブピクセルを配置し、また対応するシャドーマスク６２０においては各列の各開口部６２２間の間隔部６２４が水平方向に一列に並ぶようにしているので、画素間隔が広い箇所となる組同士の画素開口間隔Ｗ２（つまり間隔部６２４）の幅を適度に広くとることで、この画素開口間隔Ｗ２（間隔部６２４）の部分に補助配線５０５を配置することも可能となる。
【０１０６】
大サイズのパネルにする際に、強度の強いシャドーマスク６２０Ａを用いた上で、高開口率が可能となり、大サイズ・高精細パネルにおいても、カソード配線の低抵抗化を図りつつ、ＥＬ素子の寿命に十分な開口率を確保することができる。
【０１０７】
補助配線本数は、図４に示した第１比較例のレイアウトでは、各画素間に配置しているのに対して、第１実施形態では間隔部６２４は各組間に設けられるので、画素アレイ部１０２内における補助配線５０５の本数が低減する。上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトしている図６に示した例では、図４Ａに示した第１比較例のレイアウトに対して補助配線５０５の本数を１／２に削減することができる。
【０１０８】
また、ＥＬ開口部１２７ａ（有機層５０６）の成膜時には、従前の縦ストライプ画素ごとマスク６１０を使用する場合と同様に水平方向のみにシャドーマスク６２０Ａをシフトすればよく、制御が簡単である。１枚のシャドーマスク６２０Ａにて、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光層の蒸着処理を行なうことができ、従来に比べてコストは同等である。また、水平方向だけでなく垂直方向へもシャドーマスク６２０をシフトすることが必要となる後述の第３実施形態よりも有利である。
【０１０９】
＜改善手法：第２実施形態＞
図７〜図７Ｂは、シャドーマスク（蒸着マスク）の強度と画素開口率を改善する手法の第２実施形態を説明する図である。ここで、図７は、第２実施形態の表示パネル部１００Ｂにおけるカラー画像表示用の３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。図７Ａは、マスク強度と画素開口率を改善し得るようにした第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂを示す図である。図７Ｂは、第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂを使用して表示パネル部１００Ｂ（特にＥＬ開口部１２７ａ）の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【０１１０】
第２実施形態においては、組同士の画素開口間隔Ｗ２の部分を、画素アレイ部１０２の斜め方向に順次シフトして配置する点に特徴を有する。つまり、画素開口間隔Ｗ１および画素開口間隔Ｗ２のそれぞれが水平方向（行方向，横方向，左右方向）に一列に配置されないように画素およびサブピクセルを（つまり画素単位で）ずらして配置する点に特徴を有する。もちろん、これに対応するシャドーマスク６２０Ｂの間隔部６２４も、水平方向に一列に配置されないように斜め方向に画素単位でシフトして配置する。
【０１１１】
たとえば、図７に示す例では、表示パネル部１００Ｂにおける４行＊２列の計８画素分のサブピクセルの色配置例を示している。そして、垂直方向の２画素分を１組とした例を示している。各列Ｈ_1，Ｈ_2については、上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトしている。たとえば、組内の画素開口間隔Ｗ１を従来よりも狭くし、組同士の画素開口間隔Ｗ２を従来通りにする。この点は、第１実施形態と同様である。
【０１１２】
たとえば、左側から１列目Ｈ_1では、最上部の第１組（図示が割愛されている１行目よりも上段の画素および１行目の２画素）、中央部の第２組（２行目および３行目の２画素）、最下部の第３組（４行目および図示が割愛されている４行目よりも下段の画素の２画素）における組内の画素開口間隔Ｗ１よりも、組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくしている。左側から２列目Ｈ_2では、最上部の第１組（１行目および２行目の２画素）と、下側の第２組（３行目および４行目の２画素）における組内の画素開口間隔Ｗ１よりも、組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくしている。
【０１１３】
ここで、第１実施形態の具体的な例である図６との比較では、１列目Ｈ_1における組内の画素開口間隔Ｗ１および組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置と、２列目Ｈ_2における組内の画素開口間隔Ｗ１および組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置を、横方向の画素にて、交互にずらしている。画素開口間隔Ｗ１，Ｗ２に関して、上下方向の画素間隔を交互に取りつつ、さらに、それを、左右に隣接する画素ごとに交互にシフトさせて配置している点に特徴を有する。組同士の画素開口間隔Ｗ２に着目したとき、組同士の画素開口間隔Ｗ２の部分が画素単位で市松状に配置されている、つまり、組同士の画素開口間隔Ｗ２の部分が水平方向に一列に並ばないようにされているのである。
【０１１４】
図７に示す色配置および画素開口配置の表示パネル部１００Ｂに対応した第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂの一例が図７Ａに示されている。この第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂは、表示パネル部１００Ｂの垂直方向２画素分のサブピクセルに対応する開口部６２２が設けられ、その開口部６２２の垂直方向のそれぞれの間に、水平方向の橋渡しをなす間隔部６２４が設けられている。この点は、第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａと同様である。開口部６２２や間隔部６２４に着目したとき、斜め方向に配置され、水平方向に一列に並ばないようにされているのである。
【０１１５】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、従来のスリットマスク６００に比べると縦ストライプ画素ごとマスク６１０と同様に間隔部６２４の存在によりマスクの強度が上がり撓みを改善できる高強度のマスクにすることができる。縦ストライプ画素ごとマスク６１０に比べて、マスク横方向の橋渡しの本数を低減させることができる。強度の強いシャドーマスク６２０Ｂを用いた上で、高開口率が可能となり、高精細パネルにおいても、ＥＬ素子の寿命に十分な開口率を確保することができ、パネルの高精細化が可能となる。
【０１１６】
図６Ａに示した第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａとの比較では、垂直方向の開口部６２２の間の間隔部６２４は、画素単位で（３列ごとに）、交互に配置され、間隔部６２４が画素単位で斜め方向にシフトされて配置されることで、間隔部６２４が水平方向に一列に並ばないようにされているのである。
【０１１７】
組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置つまり間隔部６２４の位置を水平方向に「画素ごとに交互」に配置することで、ＥＬ開口部１２７ａ（発光部）のズレを画素単位で市松状にすることができるので、よりユニフォーミティの高い画となる。第１実施形態では、組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置つまり間隔部６２４の位置を水平方向に一列にしているので、発光部のズレが一列に明暗となって視認される可能性があるが、第２実施形態のように発光部のズレを画素アレイ部１０２内に列をなさないように画素単位でシフトさせて散りばめることで視認され難くしているのである。
【０１１８】
第２実施形態の表示パネル部１００Ｂの有機発光層を成膜する際には、たとえばＲ→Ｇ→Ｂの順で色別に、所望色のＥＬ開口部１２７ａ（有機層５０６）を形成することになる。このとき、第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂは、水平方向だけでなく垂直方向にも開口部６２２、間隔部６２４がシフトしているのであるが、後述する第３実施形態とは異なり、水平方向に関してのシフトは画素単位であるので、別の色のＥＬ開口部１２７ａを形成する際には、第１実施形態と同様に、対象色をたとえばＲ→Ｇ→Ｂの順に切り替える都度、水平方向のサブピクセルの位置に合わせてシャドーマスク６２０Ａをずらして、Ｒ，Ｇ，Ｂの色素（有機材料＝発光層）を蒸着させていけばよい。
【０１１９】
以下、図７Ｂに基づき、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお図７Ｂに示すフローチャートにおいては、処理ステップを２００番台で示すとともに、第１実施形態での処理ステップと同様・類似のものには、第１実施形態での１０番台，１番台と同様の番号を付して示す。
【０１２０】
図７Ｂに示すように、中間基板Ｘの前に開口部６２２の設けられた薄い金属板（シャドーマスク６２０Ｂ）を置いて、表示パネル部１００ＢのＲ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｂの開口部６２２を配置し（Ｓ２１５Ｒ）、Ｒ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ２１６Ｒ）。これにより、画素アレイ部１０２の赤色用のサブピクセル部分に一括してＲ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１２１】
この後、シャドーマスク６２０Ｂをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらして、表示パネル部１００ＢのＧ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｂの開口部６２２を配置し（Ｓ２１５Ｇ）、Ｇ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ２１６Ｇ）。これにより、画素アレイ部１０２の緑色用のサブピクセル部分に一括してＧ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１２２】
この後、シャドーマスク６２０Ｂをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらして、表示パネル部１００ＢのＢ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｂの開口部６２２を配置し（Ｓ２１５Ｂ）、Ｂ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ２１６Ｂ）。これにより、画素アレイ部１０２の青色用のサブピクセル部分に一括してＢ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１２３】
以上の説明から理解されるように、第２実施形態の表示パネル部１００Ｂにおける画素アレイ部１０２の有機ＥＬ素子１２７を成膜するに当たっては、成膜用の窓（開口部６２２）の空いたシャドーマスク６２０Ｂを少しずつ（サブピクセルピッチ分）水平方向にずらしながら、Ｒ，Ｇ，Ｂの低分子有機色素を付着させていくので、第１実施形態と同様に、低分子系での一般的なフルカラーの手法と同様の成膜法とすることができる。
【０１２４】
このように、第２実施形態の表示パネル部１００Ｂにおける色配置および画素開口配置とそれに対応した第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂによれば、第１実施形態と同様に、スリットマスク６００に比べるとマスクの強度が上がり撓みの起き難いマスクとなり、さらに、水平方向の橋渡し数（組同士の画素開口間隔Ｗ２、間隔部６２４）を低減することができ、高精細パネルにて高開口率が達成できる。加えて、組同士の画素開口間隔Ｗ２（間隔部６２４）の垂直方向の位置が水平方向に一列に並ばないように、画素単位で（３列ごとに）、異なる位置に配置するようにしているので、より高いユニフォーミティを得ることができる。表示画像の均一性と、画素の高開口率化や高精細化を同時に実現可能となる。
【０１２５】
また、ＥＬ開口部１２７ａ（有機層５０６）の成膜時には、従前の縦ストライプ画素ごとマスク６１０を使用する場合と同様に水平方向のみにシャドーマスク６２０Ｂをシフトすればよく、制御が簡単である。１枚のシャドーマスク６２０Ｂにて、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光層の蒸着処理を行なうことができ、従来に比べてコストは同等である。また、水平方向だけでなく垂直方向へもシャドーマスク６２０をシフトすることが必要となる後述の第３実施形態よりも有利である。
【０１２６】
＜改善手法：第３実施形態＞
図８〜図８Ｂは、シャドーマスク（蒸着マスク）の強度と画素開口率を改善する手法の第３実施形態を説明する図である。ここで、図８は、第３実施形態の表示パネル部１００Ｃにおけるカラー画像表示用の３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。図８Ａは、マスク強度と画素開口率を改善し得るようにした第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃを示す図である。図８Ｂは、第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃを使用して表示パネル部１００Ｃ（特にＥＬ開口部１２７ａ）の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【０１２７】
第３実施形態においては、画素開口間隔Ｗ１および画素開口間隔Ｗ２のそれぞれが水平方向（行方向，横方向，左右方向）に一列に配置されないように、左右に隣接するサブピクセルごとに（サブピクセル単位で）ずらして配置する点に特徴を有する。もちろん、これに対応するシャドーマスク６２０Ｃの間隔部６２４も、水平方向に一列に配置されないようにずらして配置する。水平方向における画素アレイ部１０２の組内の画素開口間隔Ｗ１および組同士の画素開口間隔Ｗ２やシャドーマスク６２０における開口部６２２および間隔部６２４の位置が一列に並ばないようにするに当たり、第２実施形態では画素単位でシフトさていたのに対して、この第３実施形態ではサブピクセル単位でシフトさせる点が異なる。
【０１２８】
画素開口間隔Ｗ２や間隔部６２４が一列に並ばないようにすることで高いユニフォーミティを得て、同時に画素の高開口率化や高精細化が可能となるという点においては第２実施形態と同様の効果が得られる。加えて、画素内でも、組内の画素開口間隔Ｗ１と組同士の画素開口間隔Ｗ２が散りばめられるため、画素重心のズレが第２実施形態よりも小さくなるので、より一層高いユニフォーミティが得られる利点がある。
【０１２９】
たとえば、図７に示す例では、表示パネル部１００Ｂにおける４行＊２列の計８画素分のサブピクセルの色配置例を示している。そして、垂直方向の２画素分を１組とした例を示している。各列Ｈ_1，Ｈ_2については、上下２画素ごとに画素間隔を空けてレイアウトしている。たとえば、組内の画素開口間隔Ｗ１を従来よりも狭くし、組同士の画素開口間隔Ｗ２を従来通りにする。この点は、第１実施形態と同様である。
【０１３０】
たとえば、左側から１列目Ｈ_1のＲ色およびＢ色のサブピクセルや２列目Ｈ_2のＧ色のサブピクセルでは、最上部の第１組（図示が割愛されている１行目よりも上段の画素および１行目の２画素）、中央部の第２組（２行目および３行目の２画素）、最下部の第３組（４行目および図示が割愛されている４行目よりも下段の画素の２画素）における組内の画素開口間隔Ｗ１よりも、組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくしている。
【０１３１】
左側から１列目Ｈ_1のＧ色のサブピクセルや２列目Ｈ_2のＲ色およびＢ色のサブピクセルでは、最上部の第１組（１行目および２行目の２画素）と、下側の第２組（３行目および４行目の２画素）における組内の画素開口間隔Ｗ１よりも、組同士の画素開口間隔Ｗ２を大きくしている。
【０１３２】
ここで、第２実施形態の具体的な例である図７との比較では、サブピクセルの列ごとに、組内の画素開口間隔Ｗ１および組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置を、水平方向にて、交互にずらしている。画素開口間隔Ｗ１，Ｗ２に関して、上下方向の画素間隔を交互に取りつつ、さらに、それを、左右に隣接するサブピクセルごとに交互にシフトさせて配置している点に特徴を有する。組同士の画素開口間隔Ｗ２に着目したとき、組同士の画素開口間隔Ｗ２の部分がサブピクセル単位で市松状に配置されているのである。
【０１３３】
図８に示す色配置および画素開口配置の表示パネル部１００Ｃに対応した第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃの一例が図８Ａに示されている。この第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃは、表示パネル部１００Ｃの垂直方向２画素分のサブピクセルに対応する開口部６２２が設けられ、その開口部６２２の垂直方向のそれぞれの間に、水平方向の橋渡しをなす間隔部６２４が設けられている。この点は、第１、第２実施形態のシャドーマスク６２０Ａ、６２０Ｂと同様である。第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃは、第２実施形態のシャドーマスク６２０Ｂと全く同様のもので、開口部６２２や間隔部６２４に着目したとき、斜め方向に配置されているのである。
【０１３４】
第３実施形態においても、第１、第２実施形態と同様に、従来のスリットマスク６００に比べると縦ストライプ画素ごとマスク６１０と同様に間隔部６２４の存在によりマスクの強度が上がり撓みを改善できる高強度のマスクにすることができる。縦ストライプ画素ごとマスク６１０に比べて、マスク横方向の橋渡しの本数を低減させることができる。強度の強いシャドーマスク６２０Ｃを用いた上で、高開口率が可能となり、高精細パネルにおいても、ＥＬ素子の寿命に十分な開口率を確保することができ、パネルの高精細化が可能となる。
【０１３５】
図６Ａに示した第１実施形態のシャドーマスク６２０Ａとの比較では、垂直方向の開口部６２２の間の間隔部６２４は、サブピクセル単位で（１列ごとに）、交互に配置され、間隔部６２４が、水平方向に一列に並ばないようにされている。
【０１３６】
組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置つまり間隔部６２４の位置を水平方向に「サブピクセルごとに交互」に配置することで、ＥＬ開口部１２７ａ（発光部）のズレをサブピクセル位で市松状にすることができるので、第２実施形態よりユニフォーミティの高い画となる。第１実施形態では、組同士の画素開口間隔Ｗ２の位置つまり間隔部６２４の位置を水平方向に一列にしているので、発光部のズレが一列に明暗となって視認される可能性があるが、第３実施形態のように発光部のズレを画素アレイ部１０２内に列をなさないようにサブピクセル単位でシフトさせて散りばめることで視認され難くしているのである。
【０１３７】
第３実施形態の表示パネル部１００Ｃの有機発光層を成膜する際には、たとえばＲ→Ｇ→Ｂの順で色別に、所望色のＥＬ開口部１２７ａ（有機層５０６）を形成することになる。このとき、第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃは、水平方向だけでなく垂直方向にも開口部６２２、間隔部６２４がシフトしているのであるが、前述の第２実施形態とは異なり、水平方向に関してのシフトはサブピクセル単位であるので、水平方向にサブピクセルのピッチ分だけシャドーマスク６２０Ｃをシフトさせただけでは、画素内では、Ｗ１→Ｗ２→Ｗ１（あるいはＷ２→Ｗ１→Ｗ２）とすることができない。
【０１３８】
このため、別の色のＥＬ開口部１２７ａを形成する際には、第１、第２実施形態とは異なり、対象色をたとえばＲ→Ｇ→Ｂの順に切り替える都度、たとえば水平方向のサブピクセルの位置に合わせてシャドーマスク６２０Ａをサブピクセルのピッチ分だけずらすとともに、垂直方向へも開口部６２２の半分のピッチの分だけシャドーマスク６２０Ｃの開口部６２２の位置をシフトする。本例の場合は、組内の画素開口間隔Ｗ１から組同士の画素開口間隔Ｗ２へ（逆に組同士の画素開口間隔Ｗ２から組内の画素開口間隔Ｗ１へ）と１画素のピッチ分だけシフトさせて、Ｒ，Ｇ，Ｂの色素（有機材料＝発光層）を蒸着させていけばよい。
【０１３９】
以下、図８Ｂに基づき、第１、第２実施形態との相違点を中心に説明する。なお図８Ｂに示すフローチャートにおいては、処理ステップを３００番台で示すとともに、第１実施形態での処理ステップと同様・類似のものには、第１実施形態での１０番台，１番台と同様の番号を付して示す。
【０１４０】
図８Ｂに示すように、中間基板Ｘの前に開口部６２２の設けられた薄い金属板（シャドーマスク６２０Ｃ）を置いて、表示パネル部１００ＣのＲ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｃの開口部６２２を配置し（Ｓ３１５Ｒ）、Ｒ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ３１６Ｒ）。これにより、画素アレイ部１０２の赤色用のサブピクセル部分に一括してＲ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１４１】
この後、シャドーマスク６２０Ｃをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらすとともに、１画素のピッチ分だけ垂直方向へもシフトさせて、表示パネル部１００ＣのＧ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｃの開口部６２２を配置し（Ｓ３１５Ｇ）、Ｇ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ３１６Ｇ）。これにより、画素アレイ部１０２の緑色用のサブピクセル部分に一括してＧ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１４２】
この後、シャドーマスク６２０Ｃをサブピクセルピッチ分だけ水平方向にずらすとともに、１画素のピッチ分だけ垂直方向へもシフトさせて、表示パネル部１００ＣのＢ色の隣接する２画素分のサブピクセルの位置にシャドーマスク６２０Ｃの開口部６２２を配置し（Ｓ３１５Ｂ）、Ｂ色用の有機材料を蒸着させる（Ｓ３１６Ｂ）。これにより、画素アレイ部１０２の青色用のサブピクセル部分に一括してＢ色用の有機層５０６（発光層）が形成される。
【０１４３】
以上の説明から理解されるように、第３実施形態の表示パネル部１００Ｃにおける画素アレイ部１０２の有機ＥＬ素子１２７を成膜するに当たっては、第１、第２実施形態と同様に、１枚のシャドーマスク６２０Ｃにて、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光層の蒸着処理を行なうことができる。ただし、成膜用の窓（開口部６２２）の空いたシャドーマスク６２０Ｃを少しずつ（サブピクセルピッチ分）水平方向にずらすとともに画素ピッチで垂直方向にもずらすことで、Ｒ，Ｇ，Ｂの低分子有機色素を付着させていくので、第１、第２実施形態や低分子系での一般的なフルカラーの手法とは異なり水平・垂直の双方へマスクをシフトさせて位置合わせを行なう制御が必要となる難点がある。
【０１４４】
このように、第３実施形態の表示パネル部１００Ｃにおける色配置および画素開口配置とそれに対応した第３実施形態のシャドーマスク６２０Ｃによれば、第１、第２実施形態と同様に、スリットマスク６００に比べるとマスクの強度が上がり撓みの起き難いマスクとなり、さらに、水平方向の橋渡し数（組同士の画素開口間隔Ｗ２、間隔部６２４）を低減することができ、高精細パネルにて高開口率が達成できる。加えて、組同士の画素開口間隔Ｗ２（間隔部６２４）の垂直方向の位置が水平方向に一列に並ばないように、サブピクセル単位で（１列ごとに）、異なる位置に配置するようにしているので、第２実施形態よりも一層高いユニフォーミティを得ることができる。表示画像の均一性と、画素の高開口率化や高精細化を同時に実現可能となる点では第２実施形態と同様であるが、ユニフォーミティに関しての効果は第２実施形態よりも優れている。
【０１４５】
以上、本発明について実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１４６】
また、前記の実施形態は、クレーム（請求項）にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の発明を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０１４７】
たとえば、前記実施形態において、画素アレイ部１０２の垂直方向に、色それぞれについての隣接する２画素分の有機ＥＬ素子１２７を１組とする例について具体的に説明したが、２画素分を１組とする場合に限らず、隣接する３画素以上を１組とする場合であってもよい。
【０１４８】
また、前記実施形態では、画素回路Ｐの電気光学素子として、有機ＥＬ素子１２７を用いた例を説明したが、この例に限られず、素子に流れる電流値に応じて発光層から発せられる光量が変化する電流駆動型の電気光学素子を用いた表示装置全般に対してのカラー表示への対応に適用可能である。
【０１４９】
また、画素回路は、それを構成するトランジスタ数や回路構成としてｎチャネル型の薄膜電界効果トランジスタを２つ有する２ＴＲ構成を一例として示したが、回路理論上は「双対の理」が成立するので、画素回路Ｐに対しては、この観点からの変形を加えることができる。
【０１５０】
また、回路変更の手法はこれに限定されるものではない。２ＴＲ構成であるか否かは不問でありトランジスタ数が３個以上であってもよく、それらの全てに、前述の本実施形態の各改善手法を適用できる。こうすることで、高強度のシャドーマスクを用いて画素の高開口率化あるいはパネルの高精細化を図るという本実施形態の思想を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明に係る表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すブロック図である。
【図１Ａ】本発明に係る表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すブロック図（カラー表示態様の場合）である。
【図２】本実施形態の表示装置に使用される画素回路の一例を示す図である。
【図３】有機ＥＬ素子や補助容量などの配置を説明する図である。
【図４】有機ＥＬ素子の下部電極と補助配線の第１比較例のレイアウトを示した図である。
【図４Ａ】図４に対する変形例である第２比較例のレイアウトを示した図である。
【図５】カラー画像表示用の３原色のサブピクセルの色配置例と画素開口配置の一例を示す図である。
【図５Ａ】スリットマスクの一例を示す図である。
【図５Ｂ】縦ストライプ画素ごとマスクの一例を示す図である。
【図６】第１実施形態の表示パネル部におけるカラー画像表示用の３原色のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。
【図６Ａ】第１実施形態のシャドーマスクを示す図である。
【図６Ｂ】第１実施形態のシャドーマスクを使用して表示パネル部の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【図７】第２実施形態の表示パネル部におけるカラー画像表示用の３原色のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。
【図７Ａ】第２実施形態のシャドーマスクを示す図である。
【図７Ｂ】第２実施形態のシャドーマスクを使用して表示パネル部の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【図８】第３実施形態の表示パネル部におけるカラー画像表示用の３原色のサブピクセルの色配置と画素開口配置を示す図である。
【図８Ａ】第３実施形態のシャドーマスクを示す図である。
【図８Ｂ】第３実施形態のシャドーマスクを使用して表示パネル部の有機発光層を成膜する手順を説明する図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１…表示装置、１００…表示パネル部、１０１…基板、１０２…画素アレイ部、１０３…垂直駆動部、１０４…書込走査部、１０５…駆動走査部、１０６…水平駆動部、１０９…制御部、１２０…保持容量、１２１…駆動トランジスタ、１２５…サンプリングトランジスタ、１２７…有機ＥＬ素子、１２７ａ…ＥＬ開口部、１３０…インタフェース部、１３３…垂直ＩＦ部、１３６…水平ＩＦ部、２００…駆動信号生成部、２２０…映像信号処理部、３１０…補助容量、５０２…層間絶縁膜、５０３…層間絶縁膜、５０４…下部電極、５０５…補助配線、５０６…有機層、５０８…上部電極、６００…スリットマスク、６１０…縦ストライプ画素ごとマスク、６２０…シャドーマスク、６２２…開口部、６２４…間隔部
【図１】
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【図１Ａ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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