(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子の劣化を検出する時間を短縮し、稼動効率を向上させる。【解決手段】先ず、モード選択スイッチ４３をすべてオフとし、検出線２を信号線１１と信号駆動回路１６から切り離す。この状態でスイッチＳＷＤをオンとして電流源２５から有機ＥＬ素子２０に電流を供給し、バッファアンプ２１の入力に発生した電圧を基準電圧とする。次に、検出用走査回路３２とモード選択スイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎによって選択された画素の有機ＥＬ素子に電流源２５から定電流を流して有機ＥＬ素子の定電流に対する電圧を検出する。検出した電圧をバッファアンプ２１を介してＡＤ変換器２２によってデジタル値に変換し、信号補正制御部３４に送信する。劣化した場合は、検出されたデジタル値は先の基準電圧との間に差が生じる。信号補正制御部３４はこの電圧差に基づいて表示信号を補正する。【選択図】図３
2009025741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子からなる複数の画素をマトリクス配置した表示領域と、表示用走査回路と、信号駆動回路と、電源回路とを有する表示部と、
検出用走査回路と、補正基準電圧を検出すると共に検出値を前記信号駆動回路にフィードバックして劣化した画素に供給する表示信号を補正する劣化検出補正部と、
前記表示領域に対して、前記信号駆動回路と前記劣化検出補正部とを択一的に接続するモード選択スイッチとを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示部は、
前記表示用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択するセレクトスイッチ線および点灯スイッチ線と、
前記信号駆動回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの列方向の画素に表示信号電圧を供給するための信号線と、
前記電源回路から前記表示領域に延びて前記画素に電流を供給する電源線とを有し、
前記劣化検出補正部は、
検出用走査回路と、
前記検出用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択する検出制御線と、
電流源と、
前記電流源とスイッチを介して直列接続された前記自発光素子と同じ構成の基準自発光素子と、
前記電流源とスイッチの接続点と前記モード選択スイッチを接続する検出線と、
前記検出線の検出信号に基づいて前記信号駆動回路に対して前記画素に供給する表示信号に劣化補正のための信号を印加する信号補正制御部と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記モード選択スイッチは、前記信号駆動回路と前記信号線の間をオン／オフする一方のスイッチと、前記検出線と前記信号線の間をオン／オフする他方のスイッチとからなり、
前記一方のスイッチと前記他方のスイッチとは排他的にオン／オフすることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記検出線と前記信号補正制御部の間に、バッファアンプとアナログ・デジタル・コンバータの直列回路を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記表示部は、
前記表示用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択するセレクトスイッチ線および点灯スイッチ線と、
前記信号駆動回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの列方向の画素に表示信号電圧を供給するための信号線と、
前記電源回路から前記表示領域に延びて前記画素に電流を供給する電源線を有し、
前記劣化検出補正部は、
検出用走査回路と、
前記検出用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択する検出制御線と、
電流源と、
前記電流源と前記モード選択スイッチを接続する検出線と、
前記検出線の検出信号に基づいて前記信号駆動回路に対して前記画素に供給する表示信号に劣化補正のための信号を印加する信号補正制御部と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記モード選択スイッチは、前記信号駆動回路と前記信号線の間をオン／オフする一方のスイッチと、前記検出線と前記信号線の間をオン／オフする他方のスイッチとからなり、
前記一方のスイッチと前記他方のスイッチとは排他的にオン／オフすることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記検出線と前記信号補正制御部の間に、バッファアンプとアナログ・デジタル・コンバータの直列回路を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
自発光素子からなる複数の画素をマトリクス配置した表示領域と、表示用走査回路と、信号駆動回路と、電源回路とを有する表示部と、
検出用走査回路と、補正基準電圧を検出すると共に検出値を前記信号駆動回路にフィードバックして劣化した画素に供給する表示信号を補正する劣化検出補正部と、
前記表示領域に対して、前記信号駆動回路と前記劣化検出補正部とを択一的に接続するモード選択スイッチとを有する画像表示装置の画素劣化補正方法であって、
前記表示部は、
前記表示用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択するセレクトスイッチ線および点灯スイッチ線と、
前記信号駆動回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの列方向の画素に表示信号電圧を供給するための信号線と、
前記電源回路から前記表示領域に延びて前記画素に電流を供給する電源線を有し、
前記劣化検出補正部は、
検出用走査回路と、
前記検出用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択する検出制御線と、
電流源と、
前記電流源とスイッチを介して直列接続された前記自発光素子と同じ構成の基準自発光素子と、
前記電流源とスイッチの接続点と前記モード選択スイッチを接続する検出線と、
前記検出線の検出信号に基づいて前記信号駆動回路に対して前記画素に供給する表示信号に劣化補正のための信号を印加する信号補正制御部と、
を有し、
前記モード選択スイッチは、
前記表示部の画像表示モードでは、前記信号線を前記信号駆動回路に接続して該信号駆動回路からの表示信号を前記画素に供給して画像表示を行い、
前記表示部の画素劣化検出補正モードでは、前記信号線を前記信号駆動回路と前記検出線の両方から切り離した後、前記基準自発光素子と直列接続されたスイッチをオンとして該基準自発光素子に前記電流源から定電流を供給して該電流の供給による電圧を検出して基準電圧とし、その後、前記基準自発光素子と直列接続されたスイッチをオフとして該基準自発光素子を前記電流源から切り離し、前記信号線を前記電流源に接続して前記検出用走査回路で選択される画素に前記電流源から定電流を供給し、該電流の供給により検出した電圧を前記基準電圧と比較した差分を前記信号補正制御部に与えて前記信号駆動回路を制御して前記画素の劣化を補正することを特徴とする画像表示装置の画素劣化補正方法。
【請求項９】
自発光素子からなる複数の画素をマトリクス配置した表示領域と、表示用走査回路と、信号駆動回路と、電源回路とを有する表示部と、
検出用走査回路と、補正基準電圧を検出すると共に検出値を前記信号駆動回路にフィードバックして劣化した画素に供給する表示信号を補正する劣化検出補正部と、
前記表示領域に対して、前記信号駆動回路と前記劣化検出補正部とを択一的に接続するモード選択スイッチとを有する画像表示装置の画素劣化補正方法であって、
前記表示部は、
前記表示用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択するセレクトスイッチ線および点灯スイッチ線と、
前記信号駆動回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの列方向の画素に表示信号電圧を供給するための信号線と、
前記電源回路から前記表示領域に延びて前記画素に電流を供給する電源線を有し、
前記劣化検出補正部は、
検出用走査回路と、
前記検出用走査回路から前記表示領域に延びて前記マトリクスの行方向の画素を選択する検出制御線と、
電流源と、
前記電流源とスイッチの接続点と前記モード選択スイッチを接続する検出線と、
前記検出線の検出信号に基づいて前記信号駆動回路に対して前記画素に供給する表示信号に劣化補正のための信号を印加する信号補正制御部と、
を有し、
前記モード選択スイッチは、
前記表示部の画像表示モードでは、前記信号線を前記信号駆動回路に接続して該信号駆動回路からの表示信号を前記画素に供給して画像表示を行い、
前記表示部の画素劣化検出補正モードでは、表示信号の垂直帰線期間において、前記信号線を前記電流源に接続して前記検出用走査回路で選択される画素の一つに前記電流源から定電流を供給し、該電流の供給により検出した電圧を基準電圧とし、その後前記検出用走査回路で選択される画素に順次前記電流源から定電流を供給し、該電流の供給により検出した電圧を前記基準電圧と比較した差分を前記信号補正制御部に与えて前記信号駆動回路を制御して前記画素の劣化を補正することを特徴とする画像表示装置の画素劣化補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光素子をマトリクス配置した表示パネルを用いた画像表示装置に係り、特に該自発光素子の劣化を検出して輝度ムラを補正することにより画質の維持を可能とした画像表示装置とその画素劣化補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode、ＯＬＥＤ素子とも称する）などの自発光素子で構成した自発光型の表示パネルを用いた画像表示装置が実用化段階にある。自発光型の表示素子を用いた画像表示装置は、視認性が高く、液晶表示装置におけるバックライトのような補助照明装置を要せず、応答速度が速いという特徴を有する。電流駆動の自発光型の表示素子の典型である有機ＥＬ素子は経年変化や局所での長時間の高輝度表示等で劣化し（焼き付きが起こり）、局所的に輝度が低下して周囲画素との顕著な輝度差発生の原因となり、表示画像の輝度ムラとなる。有機ＥＬ素子を画素とした画像表示装置では、このような劣化による輝度ムラを補正する必要がある。有機ＥＬ素子の劣化を検出と輝度ムラ補正に関しては、特許文献１、特許文献２を挙げることができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５‐１５６６９７号公報
【特許文献１】特開２００２‐３４１８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１、特許文献２では、有機ＥＬ表示パネルが焼付きのない安定した発光をするために、電流計測によって得られた測定結果をＡ／Ｄ変換し、得られたデジタルデータを基に、有機ＥＬ発光素子の駆動信号にフィードバックを行うようにしている。この劣化すなわち焼き付き現象は局所的な劣化であるため、劣化検出は個々の画素もしくは極力小さい単位でまとめた画素について行う。そのため、検出作業の回数が多く、検出に要する時間が膨大となり、製品の稼動効率の低下、所謂ユーザビリティが低下する。
【０００５】
図１は、有機ＥＬ素子の劣化による電流―電圧特性の変化を説明する図である。横軸は電圧（Voltage[Ｖ]）を、縦軸は所定の輝度表示に必要な電流密度(Current Destiny[ｍＡ／ｃｍ2])を取って示す。有機ＥＬ素子が劣化すると、図１に示すように、そのＩ‐Ｖ特性が[特性１]から矢印で示すように［特性２]に向かって変化する。これは、有機ＥＬ素子の劣化に伴い、所定の輝度表示に必要な電流を流すための電圧値が大きくなるので、有機ＥＬ素子の抵抗が大きくなることを示している。
【０００６】
図２は、有機ＥＬ素子の時間経過による電圧変化を説明する図である。横軸には時間（Time[ｓ]）を、縦軸には電圧（Voltage[Ｖ]）取って示す。定電流を有機ＥＬ素子に流し続けると、時間が経つにしたがって劣化し、図２の[特性３]に示したように、有機ＥＬ素子の電圧値が上昇していく。前記の有機ＥＬ素子の劣化補正では、一定の電流を流した時の電圧上昇のレベルを検出し、検出した電圧値の情報を補正信号生成部にフィードバックするような動作を行っている。
【０００７】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の劣化を検出する時間を短縮し、稼動効率を向上させた画像表示装置とその画素劣化補正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、基準となる有機ＥＬ素子の電流値に基づく電圧を検出して基準電圧とし、画素を構成する有機ＥＬ素子の電圧との差分を信号駆動回路にフィードバックすることで、劣化した画素の有機ＥＬに供給する表示信号を補正する構成としたことにより達成される。
【０００９】
すなわち、本発明の画像表示装置は、自発光素子からなる複数の画素をマトリクス配置した表示領域と、表示用走査回路と、信号駆動回路と、電源回路とを有する表示部と、
検出用走査回路と、補正基準電圧を検出すると共に検出値を前記信号駆動回路にフィードバックして劣化した画素に供給する表示信号を補正する劣化検出補正部と、
前記表示領域に対して、前記信号駆動回路と前記劣化検出補正部とを択一的に接続するモード選択スイッチとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、画素を構成する有機ＥＬ素子の劣化を検出する時間が短縮され、画像表示装置の稼動効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図３は、本発明の画像表示装置の実施例１を説明する素子劣化補正システムを搭載した表示パネルの構成図である。図３において、この画像表示装置は、表示部１００と検出/補正部２００から構成される。表示部１００では、表示パネルには表示領域１５は、有機ＥＬ素子で形成した画素１０をマトリクス配列した表示領域１５を有する。表示領域１５の周囲には、画素に表示信号を供給する信号駆動回路１６（デジタル・アナログ・コンバータ：ＤＡＣを有する。図３には、信号駆動回路／ＤＡＣと表記）、表示用走査回路１７、電源回路１８、および劣化検出補正部２００を構成する検出用走査回路３２が設けられている。信号駆動回路１６と表示用走査回路１７には外部信号源（ホスト）から表示信号とタイミング信号２９が入力する。この構成では、表示領域１５、表示用走査回路１７、電源回路１８、検出用走査回路３２が図示しないガラス基板の上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴからなる回路で構成される。
【００１３】
信号駆動回路１６からはモード選択スイッチ４３の一方（ＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎ）を通して表示領域１５に信号線１１が配線され、各画素に表示信号が供給される。表示用走査回路１７からはセレクトスイッチ線１２と点灯スイッチ線１３が表示領域１５に設置され、画素１０の選択と点灯の制御を行う。電源回路１８からは、電源線１４が表示領域１５に伸び、画素に有機ＥＬ素子を発光させるための電流を供給する。
【００１４】
劣化検出補正部２００は、基準となる有機ＥＬ素子２０、バッファアンプ２１、アナログ・デジタル・コンバータ（ＡＤＣ）２２、電流源２５、信号補正制御部３４、および検査時の最初にオンとするスイッチＳＷＤから構成される。そして、モード選択スイッチ４３の他方（ＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎ）を通して信号線１１が電流源２５に選択的に接続するように構成される。
【００１５】
このような構成において、通常の表示状態では、表示用走査回路１７とモード選択スイッチ４３の一方（ＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎ）によって選択された画素に対して、信号駆動回路１６から映像信号を送信する。その後、送信された信号に相応する電流を電源回路１８から画素１０に供給する。画素内に配置されている有機ＥＬ素子が駆動され、発光することによって、画像表示が行われる。
【００１６】
有機ＥＬ素子の劣化の検出と補正に関しては、先ず、モード選択スイッチ４３をすべてオフとし、検出線２を信号線１１と信号駆動回路１６から切り離す。この状態でスイッチＳＷＤをオンとして電流源２５から有機ＥＬ素子２０に電流を供給する。この電流に応じてバッファアンプ２１の入力に電圧が発生する。この電圧が基準電圧となる。次に、モード選択スイッチ４３の他方（ＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎ）をオンとして検出線２と信号線１１を接続し、検出用走査回路３２で検出制御線Ａ、検出制御線Ｂ、・・・検出制御線Ｎを順次選択する。検出用走査回路３２とモード選択スイッチ４３の他方（ＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎ）によって選択された個々の画素の有機ＥＬ素子に電流源２５から定電流を流すことによって、有機ＥＬ素子の該定電流に対する電圧を検出する。
【００１７】
検出した電圧は、バッファアンプ２１を介してＡＤ変換器（ＡＤＣ）２２によってデジタル値に変換され、信号補正制御部３４に送信される。その有機ＥＬ素子が劣化している場合は、検出されたデジタル値は先の基準電圧との間に差が生じる。信号補正制御部３４は、この電圧差に基づいて信号駆動回路１６に対して信号線１１に出力すべき表示信号を補正するように制御を施す。信号駆動回路１６はモード選択スイッチ４３の一方のスイッチ（ＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎ）がオンとなって表示モードで上記の補正を施した表示信号を信号線１１を通して該当する画素に供給する。信号駆動回路１６は、そのデジタル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）で画素駆動用のデジタルデータを作成する。これによって、当該画素を構成する有機ＥＬ素子の劣化分が補正される。
【００１８】
図４は、図３における表示パネルの表示領域に形成される画素の回路構成の第１例を説明する回路図である。図４に示した画素は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）３５、セレクトスイッチ３６、保持容量３７、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３８、点灯ＴＦＴスイッチ３９、検出スイッチ４０を図示したように結線して構成される。
【００１９】
この画素回路は、最も一般的な電圧プログラム式の画素回路に検出スイッチ４０を追加したものである。画像表示時（表示モード時）は検出スイッチ４０を常にＯＦＦにする。表示モードでは、まず、セレクトスイッチ３６をオン、点灯ＴＦＴスイッチ３９をオフすることによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３８のゲート電極に接続される保持容量３７に信号駆動回路１６から表示電圧（表示データ）を書き込む。その後、セレクトスイッチ３６をオフ、点灯ＴＦＴスイッチ３９をオンすることによって、有機ＥＬ素子３５に電源線１４から電流を流して発光させる。一方、劣化の検出／補正モード時は、検出スイッチ４０のみをオンにして、有機ＥＬ素子３５の特性検出を行う。
【００２０】
図５は、図３における表示パネルの表示領域に形成される画素の回路構成の第２例を説明する回路図である。図５は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のバラツキをキャンセルするような電圧プログラム式の画素回路である。表示モード時は、図４と同様に、検出スイッチ４０を常にオフにする。先ず、セレクトスイッチ３６をオン、点灯ＴＦＴスイッチ３９をオフの状態にすることによって、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３８のゲート電極に接続される保持容量３７に電源電圧からＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ３８の閾値Ｖｔｈを引いた電圧を、信号線１１に供給する映像信号電圧として記憶させる。
【００２１】
この動作により、ＴＦＴの閾値Ｖｔｈばらつきはキャンセルされる。その後、セレクトスイッチ３６をオフ、点灯ＴＦＴスイッチ３９をオンすることによって、ＯＬＥＤ素子３５に電流を流し、発光させる。一方、劣化の検出/補正モード時には、図４の回路と同様に、検出スイッチ４０のみをオンにして、ＯＬＥＤ素子３５の特性検出を行う。
【００２２】
図６は、本発明の実施例１にかかる有機ＥＬ表示パネルの劣化検出を行う経路の等価回路と検出電圧の収束波形である。本発明は、劣化補正システムの検出動作の検出時間の短縮を目的とするものなので、有機ＥＬ素子の特性検出動作のみに着目する。図３の検出用走査回路３２とモード選択スイッチ４３の他方（ＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎ）によって選択された画素のＯＬＥＤ素子が検出される経路を回路図で表すと図６（ａ）のように表される。
【００２３】
モード選択スイッチ４３の他方のスイッチＳＷＢは、図３における他方のスイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎの何れかのスイッチである。スイッチＳＷＢがオフからオンになった時、図６（ａ）のように電流源２５とＯＬＥＤ素子が接続される。ＯＬＥＤ素子の抵抗成分に比べて、スイッチＳＷＢのＯＮ抵抗や図４、図５に示した検出スイッチ４０のオン抵抗は十分に小さいので無視する。また、信号線の配線抵抗（Ｒ）と寄生容量（Ｃ）をこのモデルに組み込んでいる。
【００２４】
この図６(ａ)に示した回路のスイッチＳＷＢがオンになった時点からの小信号等価回路を書くと図６（ｂ）に示したようになる。図中のｉはスイッチＳＷＢがオンになったことによる電流量の変化（交流信号）を表す。ＯＬＥＤ素子を抵抗としてｒで表し、図６(ｂ)の回路を解くと、（ｄｑ／ｄｔ）＋（ｑ／ｒＲ）＝iとなるため、電流変化の収束時間、つまり検出電圧が収束するための時定数τは、ｒ×Ｃで表される。ここで、τで検出すると、収束の６０％程度で検出することになるので、図６(ｃ)のＶoled１、Ｖoled２に示すように、初期電圧差が大きいと、検出電圧に差が出る。検出電圧を一定にするためには、３×τ〜５×τが必要となるが、検出時間が増大する。
【００２５】
図７は、本発明との対比説明のための従来の検出動作をする時の駆動波形図である。各波形は図３における対応部分の波形を示す。モード選択スイッチ４３の一方のスイッチＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎを全てオフした状態で、画素内の有機ＥＬ素子をモード選択スイッチ４３の他方のスイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎで順次選択することによってモニターする。検出電圧の初期値は、画像表示で行われていた輝度によって画素によってばらつきを持つので、該スイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎのそれぞれをオンする時間は、検出電圧が一定になるように、３×τ〜５×τを確保するため、大きく設定しなければならない。これにより、従来の構成ではトータルの検出時間は増大し、製品のユーザビリティが低下する。
【００２６】
図８は、本発明の実施例１における検出動作をする時の第１例の駆動波形図である。各波形は図３における対応部分の波形を示す。本発明は、有機ＥＬ素子の劣化検出時間を短縮し、製品のユーザビリティを向上するため、図８に示すような駆動を行う。先ず、図３のスイッチＳＷＤをオンにし、検出基準となる有機ＥＬ素子２０に電流源２５から電流を供給することで、当該有機ＥＬ素子２０の端子電圧を検出し、ＡＤ変換器（ＡＤＣ）２２でデジタル信号化する。次に、このデジタル信号を信号補正制御部３４に与える。信号補正制御部３４は検出基準データとしてこれを保持する。
【００２７】
次に、モード選択スイッチ４３の一方のスイッチＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎをオンとして信号駆動回路（ＤＡＣ）１６から各信号線１１を通じて検出した電圧を信号線１１にチャージする。信号駆動回路（ＤＡＣ）１６は、検出電圧をアナログ化して信号船１１に送出する。これをプリチャージと呼ぶ。
【００２８】
この後、検出用走査回路３２の順次走査とモード選択スイッチ４３の他方のスイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎで順次選択することによって画素をモニターするが、各信号線１１は検出された電圧にプリチャージされているので、検出時間によらず、検出電圧は一定となる。これにより、等価的に短い時間で、一定に収束したとみなされ、ＡＤ変換器（ＡＤＣ）２２の精度によっては、検出時間がτ以内であっても、劣化判定を行うことができるため、トータルの検出時間を短縮できる。
【００２９】
また、図８に示すように、検出制御線Ａ、Ｂ、・・・、Ｎにより画素１０内の検出スイッチ４０（図４、図５参照）をオンしながら、ＬＳＩスイッチである一方のスイッチＳＷＡ１、ＳＷＡ２、・・・、ＳＷＡｎと他方のスイッチＳＷＢ１、ＳＷＢ２、・・・、ＳＷＢｎのオン／オフを繰り返すことでも検出時間を短縮することができる。画素１０内の検出スイッチ４０は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成されており、ＴＦＴのゲート幅＞ＬＳＩのゲート幅であるため、チャージインジェクションによる電圧変動が小さいＬＳＩスイッチの方のスイッチング動作が多くなるように設定する。
【００３０】
図９は、本発明の実施例１における検出動作をする時の第２例の駆動波形図である。図９では、映像信号のブランキング期間に1水平期間毎に画素の有機ＥＬ素子の劣化を検出する例を示す。この第２例は、基本的には図８と同様であり、そのプリチャージにより、検出時間が短くて済むので、1フレームの１／１０程度の時間で劣化を検出することが可能となる。
【００３１】
図１０は、本発明の実施例１における有機ＥＬ表示パネルの検出時間が短縮される効果を説明する図である。図１０には、プリチャージ電圧を４．７２Ｖとした時の検出電圧の画素の劣化前と劣化後の収束波形を示している。初期電圧が４．７２Ｖと揃うので、検出動作に移行した時の初期電圧が映像信号等によって不定になったとしても、全ての素子が図１０に示すような収束波形を取ることになる。この電圧差が、図３のＡＤＣ２２の１ビットを示す電圧よりも大きくなれば、劣化として検出できる。例えば、検出開始後のτにおいて劣化前後の電圧差が約４０ｍＶ出ており、ＡＤＣ２２の１ビットが４０ｍＶ以下であれば、τにおいても十分に検出が可能となる。
【００３２】
実施例１により、有機ＥＬ素子の劣化を検出する時間が短縮され、画像表示装置の稼動効率が向上する。
【実施例２】
【００３３】
図１１は、本発明の画像表示装置の実施例２を説明する素子劣化検出補正システムを搭載した表示パネルの構成図である。図３で説明した実施例１においては、プリチャージ電圧を決定する基準となる画素を表示部位外に設置したが、実施例２は、プリチャージ電圧を決定するためのＯＬＥＤ素子をパネル表示部内の画素内の素子とした実施例である。図３に示した実施例１と比較するとスイッチＳＷＤとこのスイッチＳＷＤに接続される有機ＥＬ素子が存在しない点で異なる。図３と同一符号は同一機能部分に対応する。検出時を除く全体の動作は実施例１と同様であるので、繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
図１２は、図１１に示した本発明の実施例２における有機ＥＬ表示パネルの画素劣化検出動作の駆動波形図である。図１２に示したように、プリチャージ基準用素子のみ、検出時間を長く取るように設定している。他の動作は実施例１と同様である。
【００３５】
実施例２によっても、有機ＥＬ素子の劣化を検出する時間が短縮され、画像表示装置の稼動効率が向上する。
【００３６】
図１３および図１４は、本発明の画像表示装置を搭載した電子機器用の具体例を説明する図である。図１３の（ａ）は携帯電話機５０の表示部５１に本発明の画像表示装置を搭載している。図１３の（ｂ）はテレビ受像機６０の画面６１に本発明の画像表示装置を搭載している。図１４の（ａ）は携帯情報端末７０の表示部７１に本発明の画像表示装置を搭載している。この携帯情報端末７０はＰＤＡとも称し、表示部にタッチセンサを具備して入力スティック７２で直接手入力できる。図１４の（ｂ）はビデオカメラ８０のモニター表示部８１と電子ファインダ８２に本発明の画像表示装置を搭載している。
【００３７】
これら本発明の画像表示装置を搭載した電子機器によれば、その有機ＥＬ素子の劣化の検出時間を早くできるため、製品として高いユーザビリティを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】有機ＥＬ素子の劣化による電流―電圧特性の変化を説明する図である。
【図２】有機ＥＬ素子の時間経過による電圧変化を説明する図である。
【図３】本発明の画像表示装置の実施例１を説明する素子劣化補正システムを搭載した表示パネルの構成図である。
【図４】図３における表示パネルの表示領域に形成される画素の回路構成の第１例を説明する回路図である。
【図５】図３における表示パネルの表示領域に形成される画素の回路構成の第２例を説明する回路図である。
【図６】本発明の実施例１にかかる有機ＥＬ表示パネルの劣化検出を行う経路の等価回路と検出電圧の収束波形である。
【図７】本発明との対比説明のための従来の検出動作をする時の駆動波形図である。
【図８】本発明の実施例１における検出動作をする時の第１例の駆動波形図である。
【図９】本発明の実施例１における検出動作をする時の第２例の駆動波形図である。
【図１０】本発明の実施例１における有機ＥＬ表示パネルの検出時間が短縮された効果を説明する図である。
【図１１】本発明の画像表示装置の実施例２を説明する素子劣化補正システムを搭載した表示パネルの構成図である。
【図１２】図１１に示した本発明の実施例２における有機ＥＬ表示パネルの画素劣化検出動作の駆動波形図である。
【図１３】本発明の画像表示装置を搭載した電子機器用の具体例を説明する図である。
【図１４】本発明の画像表示装置を搭載した電子機器用の具体例を説明する図である。
【符号の説明】
【００３９】
１００・・・表示部、２００・・・劣化検出補正部、１０・・・画素、１１・・・信号線、１２・・・セレクトスイッチ線、１３・・・点灯スイッチ線、１４・・・電源線、１５・・・表示領域、１６・・・信号駆動回路、１７・・・表示用走査回路、１８・・・電源回路、２０・・・基準となる有機ＥＬ素子、２１・・・バッファアンプ、２２・・・アナログ・デジタル・コンバータ（ＡＤＣ）、２５・・・電流源、２９・・・表示信号とタイミング信号、３２・・・検出用走査回路、３４・・・信号補正制御部、４３・・・モード選択スイッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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