(57)【要約】【課題】受光部への入射光の入力低下を抑制し、かつコストを低減した半導体装置を提供する。【解決手段】受光部１１２を有する半導体基板１１１と、半導体基板１１１上に形成されたシリコン酸化膜１１４と、シリコン酸化膜１１４上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層１１６を含む配線層間膜１１５と、配線層間膜１１５上に形成された膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下のシリコン窒化膜１２１と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含む配線層間膜と、
前記配線層間膜上に形成された膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下のシリコン窒化膜と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
受光部を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１のシリコン酸化膜と、
前記第１のシリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含み、第２のシリコン酸化膜と前記第２のシリコン酸化膜上に積層された第１のシリコン窒化膜とを有する配線層間膜と、
前記配線層間膜上に形成された第２のシリコン窒化膜と、
を備え、
前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜の膜厚の合計が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項３】
受光部を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含む配線層間膜と、
前記配線層間膜上に形成されたシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜上に形成され、複数のカラーフィルタ及びマイクロレンズを有する上部層と、
を備え、
前記複数のカラーフィルタは赤と緑と青の３色のカラーフィルタからなり、前記赤のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚は１３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項４】
前記青のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚は１１０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記緑のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚は、前記赤のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚以下であり、かつ前記青のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚以上であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサといった固体撮像素子を備える半導体装置では多画素化・画素寸法の縮小化、光電変換された信号電子の読み出し回路（周辺回路）の縮小化が求められ、それに伴い使用される配線がＡｌ配線からＣｕ配線へと変更されてきている。
【０００３】
Ｃｕ配線の配線層間膜をＣｕ拡散防止膜のみで構成することは配線容量の増加等の問題が発生するため、Ｃｕ拡散防止膜と、それとは異なる膜とで配線層間膜が形成される。
【０００４】
受光部（フォトダイオード）への入射光路上に屈折率の異なる複数の膜が存在することは、界面での反射や、界面からの反射による干渉によって、受光部への入射光の劣化、光量の低下を生じる。
【０００５】
そのため、受光部上方のＣｕ拡散防止膜を除去したり、受光部上方領域を単一の膜で形成したりして、入射光の反射・多重干渉を低減する固体撮像素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
Ｃｕ拡散防止膜を除去する場合、除去領域が小さいと入射光路上のＣｕ拡散防止膜のエッジ部分で入射光の乱反射が発生し、受光部への光の入力が弱くなる。また、除去領域が大き過ぎるとＣｕ配線上のＣｕ拡散防止膜も除去してしまい、Ｃｕが拡散する。このようにＣｕ拡散防止膜は適切な領域を除去する必要があり、非常に高い加工制御性が求められる。
【０００７】
また、Ｃｕ拡散防止膜を除去する工程は、周辺回路の製造工程には無い固体撮像素子独自の工程であり、工程数が増加し、コストが増加するという問題を有する。
【特許文献１】特開２００３−３２４１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は受光部への入射光の入力低下を抑制し、かつコストを低減した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様による半導体装置は、受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含む配線層間膜と、前記配線層間膜上に形成された膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下のシリコン窒化膜と、を備えるものである。
【００１０】
また、本発明の一態様による半導体装置は、受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１のシリコン酸化膜と、前記第１のシリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含み、第２のシリコン酸化膜と前記第２のシリコン酸化膜上に積層された第１のシリコン窒化膜とを有する配線層間膜と、前記配線層間膜上に形成された第２のシリコン窒化膜と、を備え、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜の膜厚の合計が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であるものである。
【００１１】
また、本発明の一態様による半導体装置は、受光部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含む配線層間膜と、前記配線層間膜上に形成されたシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜上に形成され、複数のカラーフィルタ及びマイクロレンズを有する上部層と、を備え、前記複数のカラーフィルタは赤と緑と青の３色のカラーフィルタからなり、前記赤のカラーフィルタの下方の前記シリコン窒化膜の膜厚は１３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、受光部への入射光の入力低下を抑制し、かつコストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態による半導体装置を図面に基づいて説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）図１に本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す。シリコン基板１１１の表面部に光電変換を行うフォトダイオード（受光部）１１２が形成されている。フォトダイオードは例えば２次元アレイ状に複数形成される。
【００１５】
シリコン基板１１１上にシリコン窒化膜１１３及びシリコン酸化膜（ＰＭＤ膜：金属配線下層絶縁膜）１１４が形成されている。
【００１６】
シリコン酸化膜１１４上に第一配線層１１６、そのバリアメタル１１７、及び第一配線層間膜１１５が形成されている。
【００１７】
そして、その上に拡散防止膜１２１が形成され、拡散防止膜１２１上に第二配線層間膜１２２及び第二配線層１２４が形成される。また、第一配線層１１６と第二配線層１２４を接続するコンタクトプラグ１２３が形成され、第二配線層１２４及びコンタクトプラグ１２３のバリアメタル１２５が形成される。
【００１８】
そして、その上にパッシベーション膜１３１、カラーフィルタ１３２、マイクロレンズ１３３を有する。マイクロレンズ１３３は撮影対象物から発せられた光をフォトダイオード１１２の受光平面に結像する。カラーフィルタ１３２は特定の波長の光を通すものであり、例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色を１組とする。マイクロレンズ１３３、カラーフィルタ１３２を通過した光は、パッシベーション膜１３１、第二配線層間膜１２２、拡散防止膜１２１、第一配線層間膜１１５、ＰＭＤ膜１１４、シリコン窒化膜１１３を介してフォトダイオード１１２で受光される。
【００１９】
フォトダイオード１１２で受光された光は光電変換され、電荷が周辺回路（図示せず）により取り出される。
【００２０】
第一配線層１１６、第二配線層１２４、コンタクトプラグ１２３はＣｕで構成される。第一配線層間膜１１５、第二配線層間膜１２２はシリコン酸化膜であり、拡散防止膜１２１及びパッシベーション膜１３１はシリコン窒化膜である。バリアメタル１１７、１２５はタンタル及び窒化タンタルから構成される。
【００２１】
図２に屈折率が１．６以下の膜１５１からシリコン窒化膜１５２を介して屈折率が１．６以下の膜１５３へ光が入射する際の模式図を示す。光Ａ１はシリコン窒化膜１５２へ入射した光、光Ａ２はシリコン窒化膜１５２と膜１５３との界面での反射光、光Ａ３はシリコン窒化膜１５２と膜１５１との界面での反射光、光Ａ４はシリコン窒化膜１５２と膜１５３との界面で反射せずに膜１５３へ入射した光である。光Ａ３と光Ａ４との干渉により入射光の劣化が生じる。
【００２２】
なお、シリコン酸化膜の屈折率は約１．４５である。従って、図１に示す第二配線層間膜１２２、拡散防止膜１２１、第一配線層間膜１１５における光の透過のモデルと見なすことができる。
【００２３】
図３にシリコン窒化膜１５２の膜厚と赤、緑、青の各色の光の透過率との関係を表すグラフを示す。青色をひし形、緑色を四角形、赤色を三角形のマーカを用いてプロットしている。このグラフから光の透過率がシリコン窒化膜の膜厚によって変わることが分かる。つまりシリコン窒化膜の膜厚を調整することで入射光の減衰を抑制することができる。
【００２４】
本実施形態による半導体装置ではシリコン酸化膜（第一配線層間膜１１５と第二配線層間膜１２２）に挟まれたシリコン窒化膜（拡散防止膜１２１）の膜厚を図３に示すグラフに基づいて決定する。
【００２５】
赤、緑、青の各色の光の透過率は、周辺回路における感度むら補正機能等を考慮し、０．９５程度又はそれ以上（５％以下の透過率低下）とするのが好適である。従って、拡散防止膜１２１の膜厚は１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下が好適である。
【００２６】
拡散防止膜１２１の膜厚をこのような膜厚にすることで入射光の減衰を抑え、受光部１１２で十分な光量の光を受光することができる。また、拡散防止膜１２１を部分的に除去する必要がなく、工程数を減らし、コストを低減できる。
【００２７】
このような半導体装置の製造方法を図４〜図８を用いて説明する。
【００２８】
図４に示すように、シリコン基板１１１の表面部にフォトダイオード１１２を形成する。このフォトダイオード１１２と周辺回路部のトランジスタ（図示せず）の形成後に、シリコン基板１１１上に膜厚２０〜５０ｎｍ程度のシリコン窒化膜１１３が残るようにする。シリコン窒化膜１１３上にＴＥＯＳガスを用いたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１１４を形成し、シリコン酸化膜１１４上にシランガスを用いたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１１５を形成する。シリコン酸化膜１１４、１１５の膜厚の合計が約４００ｎｍとなるように成膜する。
【００２９】
図５に示すように、フォトリソグラフィ技術により配線溝を形成し、配線溝及びシリコン酸化膜１１５上にスパッタリングによりタンタル及び窒化タンタルからなるバリア膜１１７を形成する。そして電界めっきにより銅を埋め込み、ＣＭＰ（化学的機械研磨）により平坦化し、配線層１１６を形成する。
【００３０】
図６に示すように、配線層１１６及びシリコン酸化膜１１５上に銅の拡散防止膜となるシリコン窒化膜１２１を、ＣＶＤ法により膜厚が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下となるように形成する。
【００３１】
図７に示すように、シリコン酸化膜１２２をＣＶＤ法により形成する。そして、いわゆるビアファーストデュアルダマシンプロセス及びＣＭＰによる平坦化によりタンタル及び窒化タンタルからなるバリア膜１２５、銅からなるコンタクトプラグ１２３、銅からなる配線層１２４を形成する。
【００３２】
図８に示すように、配線層１２４及びシリコン酸化膜１２２上にＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３１を形成し、その上にカラーフィルタ１３２、マイクロレンズ１３３を形成する。
【００３３】
配線層１１６の銅の拡散防止膜となるシリコン窒化膜１２１の膜厚を入射光の減衰を抑えられる膜厚（１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下）とすることで、フォトダイオード１１２において十分な光量の光を受光することができる。
【００３４】
また、拡散防止膜となるシリコン窒化膜１２１を除去する工程が不要であり、高い加工制御が求められず、工程数を削減できるため、コストを低減することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）図９に本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す。シリコン基板２１１の表面部に光電変換を行うフォトダイオード（受光部）２１２が形成されている。フォトダイオードは例えば２次元アレイ状に複数形成される。
【００３６】
シリコン基板２１１上にシリコン窒化膜２１３及びシリコン酸化膜（ＰＭＤ膜：金属配線下層絶縁膜）２１４が形成されている。
【００３７】
シリコン酸化膜２１４上に第一配線層２１７、そのバリアメタル２１８、第一配線層間膜２１５及び第二配線層間膜２１６が形成されている。第一配線層間膜２１５はシリコン酸化膜であり、第二配線層間膜２１６はシリコン窒化膜である。
【００３８】
第一配線層２１７は銅であり、バリアメタル２１８はタンタル及び窒化タンタルで構成される。
【００３９】
そして、その上に拡散防止膜２２１が形成され、拡散防止膜２２１上に第三配線層間膜２２２及び第二配線層２２４が形成される。また、第一配線層２１７と第二配線層２２４を接続するコンタクトプラグ２２３が形成され、第二配線層２２４及びコンタクトプラグ２２３のバリアメタル２２５が形成される。
【００４０】
拡散防止膜２２１はシリコン窒化膜、第三配線層間膜２２２はシリコン酸化膜である。また、第二配線層２２４、コンタクトプラグ２２３は銅であり、バリアメタル２２５はタンタル及び窒化タンタルで構成される。
【００４１】
第二配線層間膜２１６と拡散防止膜２２１の膜厚の合計が１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下となっている。
【００４２】
そして、その上に上記第１の実施形態と同様にパッシベーション膜（シリコン窒化膜）２３１、カラーフィルタ２３２、マイクロレンズ２３３を有する。
【００４３】
図３に示すグラフから分かるように、シリコン酸化膜（第一配線層間膜２１５、第三配線層間膜２２２）に挟まれたシリコン窒化膜（第二配線層間膜２１６と拡散防止膜２２１）の膜厚を１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下とすることで、光の透過率の低減を抑え、入射光の減衰を抑制することができる。
【００４４】
従って、受光部２１２で十分な光量の光を受光することができる。また、拡散防止膜２２１を部分的に除去する必要がなく、工程数を減らし、コストを低減できる。
【００４５】
このような半導体装置の製造方法を図１０〜図１４を用いて説明する。
【００４６】
図１０に示すように、シリコン基板２１１の表面部にフォトダイオード２１２を形成する。このフォトダイオード２１２と周辺回路部のトランジスタ（図示せず）の形成後に、シリコン基板２１１上に膜厚２０〜５０ｎｍ程度のシリコン窒化膜２１３が残るようにする。シリコン窒化膜２１３上にＴＥＯＳガスを用いたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２１４を形成し、シリコン酸化膜２１４上にシランガスを用いたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２１５を形成する。
【００４７】
そして、シリコン酸化膜２１５上にＣＶＤ法によりシリコン窒化膜２１６を形成する。
【００４８】
図１１に示すように、フォトリソグラフィ技術により配線溝を形成し、配線溝及びシリコン窒化膜２１６上にスパッタリングによりタンタル及び窒化タンタルからなるバリア膜２１８を形成する。そして電界めっきにより銅を埋め込み、ＣＭＰにより平坦化し、配線層２１７を形成する。
【００４９】
図１２に示すように、配線層２１７及びシリコン窒化膜２１６上に銅の拡散防止膜となるシリコン窒化膜２２１を、ＣＶＤ法により形成する。シリコン窒化膜２１６とシリコン窒化膜２２１の膜厚の合計ｄが１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下となるように形成する。
【００５０】
図１３に示すように、シリコン酸化膜２２２をＣＶＤ法により形成する。そして、いわゆるビアファーストデュアルダマシンプロセス及びＣＭＰによる平坦化によりタンタル及び窒化タンタルからなるバリア膜２２５、銅からなるコンタクトプラグ２２３、銅からなる配線層２２４を形成する。
【００５１】
ビアファーストデュアルダマシンプロセスではまずシリコン窒化膜２２１をストッパ膜としてビアホール（接続孔）を開口する。そして、配線溝（トレンチ）を開口した後、ビアホールが配線層２１７上面を露出するまで全面エッチングを行う。
【００５２】
この全面エッチングを行う際、上記第１の実施形態（図７）では、シリコン窒化膜１２１の膜厚分を除去することになり、その間に配線溝が拡がり、所望の配線デザインから大きく異なるおそれがある。
【００５３】
本実施形態では、シリコン窒化膜２２１の膜厚分だけ除去すれば良く、全面エッチングの際の配線溝の拡大を抑制できる。
【００５４】
その後、図１４に示すように、配線層２２４及びシリコン酸化膜２２２上にＣＶＤ法によりシリコン窒化膜２３１を形成し、その上にカラーフィルタ２３２、マイクロレンズ２３３を形成する。
【００５５】
配線層間膜であるシリコン窒化膜２１６と配線層２１７の銅の拡散防止膜となるシリコン窒化膜２２１の膜厚の合計を、入射光の減衰を抑えられる膜厚（１１０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下）とすることで、フォトダイオード２１２において十分な光量の光を受光することができる。
【００５６】
また、拡散防止膜となるシリコン窒化膜２２１を除去する工程が不要であり、高い加工制御が求められず、工程数を削減できるため、コストを低減することができる。また、接続孔開口時における配線溝拡大を抑制し、所望の配線デザインを得ることができる。
【００５７】
（第３の実施形態）図１５に本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す。シリコン基板３１１の表面部に光電変換を行うフォトダイオード（受光部）３１２が形成されている。フォトダイオードは例えば２次元アレイ状に複数形成される。
【００５８】
シリコン基板３１１上にシリコン窒化膜３１３及びシリコン酸化膜（ＰＭＤ膜：金属配線下層絶縁膜）３１４が形成されている。
【００５９】
シリコン酸化膜３１４上に第一配線層３１６、そのバリアメタル３１７、及び第一配線層間膜３１５が形成されている。第一配線層間膜３１５はシリコン酸化膜である。第一配線層３１６は銅であり、バリアメタル３１７はタンタル及び窒化タンタルで構成される。
【００６０】
そして、その上に拡散防止膜３２１が形成され、拡散防止膜３２１上に第二配線層間膜３２２及び第二配線層３２４が形成される。また、第一配線層３１６と第二配線層３２４を接続するコンタクトプラグ３２３が形成され、第二配線層３２４及びコンタクトプラグ３２３のバリアメタル３２５が形成される。
【００６１】
拡散防止膜３２１はシリコン窒化膜、第二配線層間膜３２２はシリコン酸化膜である。また、第二配線層３２４、コンタクトプラグ３２３は銅であり、バリアメタル３２５はタンタル及び窒化タンタルで構成される。
【００６２】
そして、その上にパッシベーション膜（シリコン窒化膜）３３１が形成され、パッシベーション膜３３１上にカラーフィルタ（青色フィルタ３３２、緑色フィルタ３３３、赤色フィルタ３３４）、マイクロレンズ３３５を有する。
【００６３】
拡散防止膜３２１の膜厚は青色フィルタ３３２の下方が１１０ｎｍ、緑色フィルタ３３３の下方が１３０ｎｍ、それ以外の領域（赤色フィルタ３３４の下方含む）が１５０ｎｍとなっている。
【００６４】
図３に示すグラフから分かるように、シリコン窒化膜の膜厚が、青色の光は膜厚１１０ｎｍ、緑色の光は膜厚１３０ｎｍ、赤色の光は膜厚１５０ｎｍの時に透過率が最大となる。
【００６５】
本実施形態による半導体装置は、拡散防止膜３２１の膜厚を入射光の色に応じた値にすることで、入射光の減衰低減効果をさらに向上させることができる。
【００６６】
このような拡散防止膜を製造する場合は、まずＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化膜（拡散防止膜）３２１を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて青色フィルタが形成される領域のシリコン窒化膜３２１を膜厚１１０ｎｍに加工する。
【００６７】
続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて緑色フィルタが形成される領域のシリコン窒化膜３２１を膜厚１３０ｎｍに加工する。
【００６８】
拡散防止膜を除去し、膜厚を小さくする工程が必要になるが、所定の厚さの拡散防止膜を残すように加工するため、除去領域が大きくなっても銅が拡散することがない。従って、高い加工制御性は必要なく、コストを低減することができる。
【００６９】
本実施形態では拡散防止膜３２１の膜厚を赤、緑、青の各色で異なるものとしたが、例えば図１６に示すように、青色フィルタ３３２及び緑色フィルタ３３３の下方を１２０ｎｍ、それ以外の領域（赤色フィルタ３３４の下方含む）を１５０ｎｍとしても良い。膜厚１２０ｎｍは青色光、緑色光どちらも高い透過率を示す。また、拡散防止膜の除去工程を１回に削減することができる。
【００７０】
同様に、拡散防止膜の膜厚を青色フィルタの下方が１１０ｎｍ、それ以外の領域が１３０〜１５０ｎｍとしても良い。また、拡散防止膜の膜厚を赤色フィルタの下方が１５０ｎｍ、それ以外の領域が１１０〜１３０ｎｍとしても良い。
【００７１】
また、赤、青、緑以外の色フィルタを用いた場合も、光の透過率に基づき拡散防止膜の膜厚を制御することで同様の効果を得ることができる。
【００７２】
上述した実施の形態はいずれも一例であって限定的なものではないと考えられるべきである。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の概略構成図である。
【図２】光の入射と反射を示す模式図である。
【図３】シリコン窒化膜の膜厚と光の透過率の関係を示すグラフである。
【図４】同第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】同第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図６】同第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図７】同第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図８】同第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の概略構成図である。
【図１０】同第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１１】同第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１２】同第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１３】同第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１４】同第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の概略構成図である。
【図１６】変形例による半導体装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００７４】
１１１  シリコン基板
１１２  フォトダイオード
１１３  シリコン窒化膜
１１４  ＰＭＤ膜
１１５  第一配線層間膜
１１６  第一配線層
１１７、１２５  バリアメタル
１２１  拡散防止膜
１２２  第二配線層間膜
１２３  コンタクトプラグ
１２４  第二配線層
１３１  パッシベーション膜
１３２  カラーフィルタ
１３３  マイクロレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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