(57)【要約】【課題】              負荷に流れる電流の値を一定とすることができる電源装置等を提供する。【解決手段】電源装置１は、電源１０、および、電源１０から負荷２０に電力を供給する電力供給回路３０を備える。電力供給回路３０は、電界効果トランジスタ３１、電流値検出部３２およびゲート電圧制御部３３を含む。電界効果トランジスタ３１は、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路にソース端子およびドレイン端子が接続されて挿入されている。電流値検出部３２は、電力供給経路に設けられ、この経路に流れる電流の値を検出する。ゲート電圧制御部３３は、電流値検出部３２により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与える電圧値を制御する。【選択図】図１
2009098888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から負荷に電力を供給する電力供給回路であって、
ゲート端子，ソース端子およびドレイン端子を含み、前記電源と前記負荷との間の電力供給経路に前記ソース端子および前記ドレイン端子が接続されて挿入された電界効果トランジスタと、
前記電力供給経路に流れる電流の値を検出する電流値検出部と、
前記電流値検出部により検出された電流値が一定となるように、前記電界効果トランジスタの前記ゲート端子に与える電圧値を制御するゲート電圧制御部と、
を備えることを特徴とする電力供給回路。
【請求項２】
前記電力供給経路の一部が複数本の分岐経路とされ、
複数本の前記分岐経路それぞれに前記電界効果トランジスタが設けられ、
前記ゲート電圧制御部が、前記電流値検出部により検出された電流値が一定となるように、複数の前記電界効果トランジスタそれぞれの前記ゲート端子に与える電圧値を制御する、
ことを特徴とする請求項１記載の電力供給回路。
【請求項３】
前記ゲート電圧制御部から複数の前記電界効果トランジスタそれぞれの前記ゲート端子への経路に設けられたバッファ部を更に備える、
ことを特徴とする請求項２記載の電力供給回路。
【請求項４】
前記電力供給経路の一部が複数本の分岐経路とされ、
複数本の前記分岐経路それぞれに前記電界効果トランジスタおよび前記電流値検出部が設けられ、
前記ゲート電圧制御部が、複数の前記電流値検出部により検出された電流値の和が一定となるように、複数の前記電界効果トランジスタそれぞれの前記ゲート端子に与える電圧値を制御する、
ことを特徴とする請求項１記載の電力供給回路。
【請求項５】
複数の電流値検出部それぞれにより検出された電流値の異常を検出する異常検出部を更に備えることを特徴とする請求項４記載の電力供給回路。
【請求項６】
前記異常検出部により異常が検出されたときに前記電源からの電力供給を停止させる制御部を更に備えることを特徴とする請求項５記載の電力供給回路。
【請求項７】
電源と、前記電源から負荷に電力を供給する請求項１〜６の何れか１項に記載の電力供給回路と、を備えることを特徴とする電源装置。
【請求項８】
電源と、電磁石と、前記電源から負荷としての前記電磁石に電力を供給する請求項１〜６の何れか１項に記載の電力供給回路と、を備えることを特徴とする磁場発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力供給回路、この電力供給回路および電源を含む電源装置、ならびに、この電力供給回路，電源および電磁石を含む磁場発生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示された電源装置が知られている。この文献に開示された電源装置は、電源から負荷に電力を供給されるものであって、負荷に印加される電圧の値を検出して、その検出した電圧値が一定となるように制御を行う。
【特許文献１】特開平９−３１１７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記特許文献１に開示されたものを含めて従来の電源装置は、負荷に流れる電流の値を一定とすることは困難である。すなわち、負荷に印加される電圧の値が一定となるように制御しても、負荷や電力供給回路（電源と負荷との間の回路）の温度変動等に因って抵抗値が変動すると、負荷に流れる電流の値も変動してしまう。負荷としての電磁石と電源装置とを組み合わせて構成される磁場発生装置では、温度が変動すると、抵抗値が変動し、電流値が変動して、電磁石で発生する磁場の大きさも変動してしまう。したがって、従来の電源装置は、磁場発生装置において用いるには不適切であり、特に電磁石に大電流を流して大きな磁場を発生させる場合には、温度変動が大きく、磁場の大きさの変動も大きい。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、負荷に流れる電流の値を一定とすることができる電源装置および電力供給回路、ならびに、このような電源装置を含み磁場の大きさを一定とすることができる磁場発生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電力供給回路は、電源から負荷に電力を供給する電力供給回路であって、(1) ゲート端子，ソース端子およびドレイン端子を含み、電源と負荷との間の電力供給経路にソース端子およびドレイン端子が接続されて挿入された電界効果トランジスタと、(2) 電力供給経路に流れる電流の値を検出する電流値検出部と、(3) 電流値検出部により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタのゲート端子に与える電圧値を制御するゲート電圧制御部と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電源装置は、電源と、電源から負荷に電力を供給する上記の本発明に係る電力供給回路と、を備えることを特徴とする。また、本発明に係る磁場発生装置は、電源と、電磁石と、電源から負荷としての電磁石に電力を供給する上記の本発明に係る電力供給回路と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、電源から負荷に電力を供給する電力供給回路において、電源と負荷との間の電力供給経路に電界効果トランジスタおよび電流値検出部が設けられていて、電力供給経路に流れる電流の値が電流値検出部により検出され、この検出された電流値が一定となるようにゲート電圧制御部により電界効果トランジスタのゲート端子に与えられる電圧値が制御される。したがって、温度変動等があっても負荷に流れる電流の値は一定とされ得る。また、負荷が電磁石である場合に、この負荷（電磁石）および電源装置を含んで構成される磁場発生装置では、温度変動等があっても磁場の大きさが一定とされ得る。また、負荷に流れる電流の値を一定に制御するために低抵抗の電界効果トランジスタが設けられていることにより、電源から負荷へ電力が高効率に供給される。また、電界効果トランジスタにおける発熱量が小さく、また、それ故に水冷等により容易に電界効果トランジスタが一定温度に維持され得る。
【０００８】
本発明に係る電力供給回路は、電力供給経路の一部が複数本の分岐経路とされ、複数本の分岐経路それぞれに電界効果トランジスタが設けられ、ゲート電圧制御部が、電流値検出部により検出された電流値が一定となるように、複数の電界効果トランジスタそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御するのが好適である。また、本発明に係る電力供給回路は、ゲート電圧制御部から複数の電界効果トランジスタそれぞれのゲート端子への経路に設けられたバッファ部を更に備えるのが好適である。
【０００９】
この場合には、電源と負荷との間の電力供給経路の一部において複数個の電界効果トランジスタが並列的に設けられていることにより、より大きな値の電流を負荷に流すことができる。また、ゲート電圧制御部から複数の電界効果トランジスタそれぞれのゲート端子への経路にバッファ部が設けられていることにより、相互干渉が低減されて各電界効果トランジスタの動作が安定し、また、インピーダンスを低くすることができて外来ノイズの影響を受け難い。
【００１０】
本発明に係る電力供給回路は、電力供給経路の一部が複数本の分岐経路とされ、複数本の分岐経路それぞれに電界効果トランジスタおよび電流値検出部が設けられ、ゲート電圧制御部が、複数の電流値検出部により検出された電流値の和が一定となるように、複数の電界効果トランジスタそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御するのが好適である。本発明に係る電力供給回路は、複数の電流値検出部それぞれにより検出された電流値の異常を検出する異常検出部を更に備えるのが好適である。また、本発明に係る電力供給回路は、異常検出部により異常が検出されたときに電源からの電力供給を停止させる制御部を更に備えるのが好適である。
【００１１】
この場合には、電源と負荷との間の電力供給経路の一部において複数個の電界効果トランジスタが並列的に設けられていることにより、より大きな値の電流を負荷に流すことができる。また、各電界効果トランジスタに流れる電流の値が個々に電流検出部により検出されて、その検出された電流値の異常が異常検出部により検出される。この異常検出部により、電界効果トランジスタが破壊される危険があるか否かが判定されて、その判定結果が表示され、電界効果トランジスタを保護するための信号が制御部へ出力される。そして、異常検出部から出力された信号が電界効果トランジスタの破壊の危険を示している場合には、制御部による制御により、電源からの電力供給が停止される。これにより、各電界効果トランジスタの破壊が回避され得る。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る電源装置および電力供給回路は、温度変動等があっても負荷に流れる電流の値を一定とすることができる。また、本発明に係る磁場発生装置は、温度変動等があっても磁場の大きさを一定とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
【００１５】
先ず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る電源装置１および電力供給回路３０の構成を示す図である。この図に示される電源装置１は、電源１０、および、電源１０から負荷２０に電力を供給する電力供給回路３０を備える。また、電力供給回路３０は、電界効果トランジスタ３１、電流値検出部３２およびゲート電圧制御部３３を含む。なお、負荷２０が電磁石である場合には、この負荷（電磁石）２０および電源装置１を含む構成のものは磁場発生装置となる。
【００１６】
電界効果トランジスタ３１は、ゲート端子，ソース端子およびドレイン端子を含む。電界効果トランジスタ３１は、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路にソース端子およびドレイン端子が接続されて挿入されている。電界効果トランジスタ３１は、ゲート電圧に印加される電圧の値に応じて、ソース端子とドレイン端子との間の抵抗値が変化する。
【００１７】
電流値検出部３２は、電力供給経路に設けられ、この経路に流れる電流の値を検出する。より具体的には、図示のとおり、電流値検出部３２としてシャント抵抗器が用いられ、その抵抗器の一端が接地されていて、その抵抗器の他端がゲート電圧制御部３３の入力端に接続されている。したがって、電流値検出部３２からゲート電圧制御部３３の入力端に入力される電圧値は、電流値検出部３２に流れる電流（すなわち、負荷２０に流れる電流）の値に比例する。
【００１８】
ゲート電圧制御部３３は、電流値検出部３２により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与える電圧値を制御する。より具体的には、ゲート電圧制御部３３は、アンプＡ３、抵抗器Ｒ３１、抵抗器Ｒ３２、抵抗器Ｒ３３および帰還部Ｚ３を含む。
【００１９】
アンプＡ３の反転入力端子は、抵抗器Ｒ３１を介して基準電位が入力される。アンプＡ３の非反転入力端子は、抵抗器Ｒ３２を介して電流値検出部３２と接続されていて、電流値検出部３２により検出された電流値に応じた電圧値が入力される。アンプＡ３の出力端子は、抵抗器Ｒ３３を介して電界効果トランジスタ３１のゲート端子に接続されている。また、アンプＡ３の反転入力端子と出力端子との間に帰還部Ｚ３が接続されている。帰還部Ｚ３は、抵抗器およびコンデンサを含み、複素インピーダンスを有する。
【００２０】
このように構成されるゲート電圧制御部３３は、反転入力端子および非反転入力端子それぞれに入力される電圧値の差に応じた電圧値を電界効果トランジスタ３１のゲート端子へ出力することで、電流値検出部３２により検出される電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与える電圧値を制御することができる。また、ゲート電圧制御部３３は、帰還部Ｚ３の複素インピーダンスの値に応じて位相補償を行うことができる。
【００２１】
本実施形態に係る電力供給回路１および電力供給回路３０では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路に電界効果トランジスタ３１および電流値検出部３２が設けられていて、電力供給経路に流れる電流の値が電流値検出部３２により検出され、この検出された電流値が一定となるようにゲート電圧制御部３３により電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与えられる電圧値が制御される。したがって、温度変動等があっても負荷２０に流れる電流の値は一定とされ得る。また、負荷２０が電磁石である場合に、この負荷（電磁石）２０および電源装置１を含んで構成される磁場発生装置では、温度変動等があっても磁場の大きさが一定とされ得る。
【００２２】
また、一般に、バイポーラトランジスタにおけるコレクタ端子とエミッタ端子との間の抵抗値と比べて、電界効果トランジスタにおけるソース端子とドレイン端子との間の抵抗値は小さい。すなわち、バイポーラトランジスタにおける電圧降下量と比較して、電界効果トランジスタにおける電圧降下量は小さい。したがって、本実施形態では、負荷２０に流れる電流の値を一定に制御するために電界効果トランジスタ３１が設けられていることにより、電源１０から負荷２０へ電力が高効率に供給される。また、電界効果トランジスタ３１における発熱量が小さく、また、それ故に水冷等により容易に電界効果トランジスタ３１が一定温度に維持され得る。
【００２３】
（第２実施形態）
【００２４】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２は、第２実施形態に係る電源装置２および電力供給回路４０の構成を示す図である。この図に示される電源装置２は、電源１０、および、電源１０から負荷２０に電力を供給する電力供給回路４０を備える。また、電力供給回路４０は、Ｍ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍ、電流値検出部４２、ゲート電圧制御部４３およびＭ個のバッファ部４４１〜４４Ｍを含む。なお、負荷２０が電磁石である場合には、この負荷（電磁石）２０および電源装置２を含む構成のものは磁場発生装置となる。ここで、Ｍは２以上の整数である。また、以下に登場するｍは１以上Ｍ以下の各整数である。
【００２５】
本実施形態では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部がＭ本の分岐経路Ｐ１〜ＰＭとされていて、各分岐経路Ｐｍに電界効果トランジスタ４１ｍが設けられている。すなわち、Ｍ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍは、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部において並列的に設けられている。各電界効果トランジスタ４１ｍは、ゲート端子，ソース端子およびドレイン端子を含んでおり、共通の特性を有している。各電界効果トランジスタ４１ｍは、分岐経路Ｐｍにソース端子およびドレイン端子が接続されて挿入されている。各電界効果トランジスタ４１ｍは、ゲート電圧に印加される電圧の値に応じて、ソース端子とドレイン端子との間の抵抗値が変化する。
【００２６】
電流値検出部４２は、電力供給経路に設けられ、この経路に流れる電流の値を検出する。より具体的には、図示のとおり、電流値検出部４２としてシャント抵抗器が用いられ、その抵抗器の一端が接地されていて、その抵抗器の他端がゲート電圧制御部４３の入力端に接続されている。したがって、電流値検出部４２からゲート電圧制御部４３の入力端に入力される電圧値は、電流値検出部４２に流れる電流（すなわち、負荷２０に流れる電流）の値に比例する。
【００２７】
ゲート電圧制御部４３は、電流値検出部４２により検出された電流値が一定となるように、Ｍ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御する。より具体的には、ゲート電圧制御部４３は、アンプＡ３、抵抗器Ｒ３１、抵抗器Ｒ３２、抵抗器Ｒ３３および帰還部Ｚ３を含む。
【００２８】
アンプＡ３の反転入力端子は、抵抗器Ｒ３１を介して基準電位が入力される。アンプＡ３の非反転入力端子は、抵抗器Ｒ３２を介して電流値検出部４２と接続されていて、電流値検出部４２により検出された電流値に応じた電圧値が入力される。アンプＡ３の出力端子は、抵抗器Ｒ３３およびバッファ部４４ｍを介して電界効果トランジスタ４１ｍのゲート端子に接続されている。また、アンプＡ３の反転入力端子と出力端子との間に帰還部Ｚ３が接続されている。帰還部Ｚ３は、抵抗器およびコンデンサを含み、複素インピーダンスを有する。
【００２９】
このように構成されるゲート電圧制御部４３は、反転入力端子および非反転入力端子それぞれに入力される電圧値の差に応じた電圧値をＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれのゲート端子へ出力することで、電流値検出部４２により検出される電流値が一定となるように、Ｍ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御することができる。また、ゲート電圧制御部４３は、帰還部Ｚ３の複素インピーダンスの値に応じて位相補償を行うことができる。
【００３０】
本実施形態に係る電力供給回路２および電力供給回路４０では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部においてＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍが並列的に設けられ、また、電力供給経路に電流値検出部４２が設けられていて、電力供給経路に流れる電流の値が電流値検出部４２により検出され、この検出された電流値が一定となるようにゲート電圧制御部４３によりＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれのゲート端子に与えられる電圧値が制御される。したがって、温度変動等があっても負荷２０に流れる電流の値は一定とされ得る。また、負荷２０が電磁石である場合に、この負荷（電磁石）２０および電源装置２を含んで構成される磁場発生装置では、温度変動等があっても磁場の大きさが一定とされ得る。
【００３１】
また、本実施形態でも、負荷２０に流れる電流の値を一定に制御するために低抵抗のＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍが設けられていることにより、電源１０から負荷２０へ電力が高効率に供給される。また、Ｍ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれにおける発熱量が小さく、また、それ故に水冷等により容易にＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍが一定温度に維持され得る。
【００３２】
また、本実施形態では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部においてＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍが並列的に設けられていることから、より大きな値の電流を負荷２０に流すことができる。
【００３３】
また、本実施形態では、ゲート電圧制御部４３から各電界効果トランジスタ４１ｍのゲート端子への経路にバッファ部４４ｍが設けられていることから、以下のような効果もある。すなわち、仮に、バッファ部４４１〜４４Ｍを設けないとした場合、すなわち、ゲート電圧制御部４３の出力端とＭ個の電界効果トランジスタ４１１〜４１Ｍそれぞれのゲート端子とが直接に接続されているとした場合、各電界効果トランジスタ４１ｍのゲート端子に与えられる電圧値が相互干渉を起こして各電界効果トランジスタ４１ｍの動作が安定しない可能性があり、また、インピーダンスを高く維持する必要があることから外来ノイズの影響を受け易い可能性がある。これに対して、本実施形態では、バッファ部４４１〜４４Ｍが設けられていることにより、上記の相互干渉が低減されて各電界効果トランジスタ４１ｍの動作が安定し、また、インピーダンスを低くすることができて外来ノイズの影響を受け難い。
【００３４】
（第３実施形態）
【００３５】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図３は、第３実施形態に係る電源装置３および電力供給回路５０の構成を示す図である。この図に示される電源装置３は、電源１０、電源１０から負荷２０に電力を供給する電力供給回路５０、制御部８０およびスイッチ９０を備える。また、電力供給回路５０は、Ｍ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍ、Ｍ個の電流値検出部５２１〜５２Ｍ、ゲート電圧制御部５３、Ｍ個のバッファ部５４１〜５４Ｍ、加算部５５および異常検出部５６を含む。なお、負荷２０が電磁石である場合には、この負荷（電磁石）２０および電源装置３を含む構成のものは磁場発生装置となる。ここで、Ｍは２以上の整数である。また、以下に登場するｍは１以上Ｍ以下の各整数である。
【００３６】
本実施形態では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部がＭ本の分岐経路Ｐ１〜ＰＭとされていて、各分岐経路Ｐｍに電界効果トランジスタ５１ｍおよび電流値検出部５２ｍが設けられている。すなわち、電界効果トランジスタ５１ｍおよび電流値検出部５２ｍを１組として、Ｍ組が電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部において並列的に設けられている。
【００３７】
各電界効果トランジスタ５１ｍは、ゲート端子，ソース端子およびドレイン端子を含んでおり、共通の特性を有している。各電界効果トランジスタ５１ｍは、分岐経路Ｐｍにソース端子およびドレイン端子が接続されて挿入されている。各電界効果トランジスタ５１ｍは、ゲート電圧に印加される電圧の値に応じて、ソース端子とドレイン端子との間の抵抗値が変化する。
【００３８】
各電流値検出部５２ｍは、分岐経路Ｐｍに設けられ、この経路に流れる電流の値を検出するものであり、共通の特性を有している。より具体的には、図示のとおり、各電流値検出部５２ｍとしてシャント抵抗器が用いられ、その抵抗器の一端が接地されていて、その抵抗器の他端が加算部５５の入力端に接続されている。したがって、各電流値検出部５２ｍから加算部５５の入力端に入力される電圧値は、該電流値検出部５２ｍに流れる電流（すなわち、分岐経路Ｐｍに流れる電流）の値に比例する。
【００３９】
加算部５５は、Ｍ個の電流値検出部５２１〜５２Ｍそれぞれにより検出された電流値の和に応じた値をゲート電圧制御部５３へ出力する。すなわち、加算部５５の出力値は、負荷２０に流れる電流の大きさを表す。より具体的には、図４に示されるように、加算部５５は、アンプＡ５、抵抗器Ｒ５１、抵抗器Ｒ５２、抵抗器Ｒ５３およびＭ個の抵抗器Ｒ５４,１〜Ｒ５４,Ｍを含む。アンプＡ５の非反転入力端子は、抵抗器Ｒ５１を介して接地されている。アンプＡ５の反転入力端子と出力端子との間に抵抗器Ｒ５２が接続されている。アンプＡ５の反転入力端子は、抵抗器Ｒ５３および抵抗器Ｒ５４,ｍを介して、電界効果トランジスタ５１ｍと電流値検出部５２ｍとの接続点に接続されている。Ｍ個の抵抗器Ｒ５４,１〜Ｒ５４,Ｍそれぞれの抵抗値は互いに等しい。このように構成される加算部５５は、Ｍ個の電流値検出部５２１〜５２Ｍそれぞれにより検出された電流値の和に応じた電圧値をアンプＡ５の出力端子から出力することができる。
【００４０】
ゲート電圧制御部５３は、加算部５５の出力値が一定となるように、Ｍ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御する。より具体的には、ゲート電圧制御部５３は、アンプＡ３、抵抗器Ｒ３１、抵抗器Ｒ３２、抵抗器Ｒ３３および帰還部Ｚ３を含む。
【００４１】
アンプＡ３の反転入力端子は、抵抗器Ｒ３１を介して基準電位が入力される。アンプＡ３の非反転入力端子は、抵抗器Ｒ３２を介して加算部５５の出力端と接続されていて、加算部５５から出力される電圧値が入力される。アンプＡ３の出力端子は、抵抗器Ｒ３３およびバッファ部５４ｍを介して電界効果トランジスタ５１ｍのゲート端子に接続されている。また、アンプＡ３の反転入力端子と出力端子との間に帰還部Ｚ３が接続されている。帰還部Ｚ３は、抵抗器およびコンデンサを含み、複素インピーダンスを有する。
【００４２】
このように構成されるゲート電圧制御部５３は、反転入力端子および非反転入力端子それぞれに入力される電圧値の差に応じた電圧値をＭ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍそれぞれのゲート端子へ出力することで、加算部５５の出力値が一定となるように、Ｍ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍそれぞれのゲート端子に与える電圧値を制御することができる。また、ゲート電圧制御部５３は、帰還部Ｚ３の複素インピーダンスの値に応じて位相補償を行うことができる。
【００４３】
異常検出部５６は、Ｍ個の電流値検出部５２１〜５２Ｍそれぞれにより検出された電流値の異常を検出するものである。異常検出部５６は、各電流値検出部５２ｍにより検出された電流値（すなわち、分岐経路Ｐｍに流れる電流の値）に基づいて、電界効果トランジスタ５１ｍが破壊される危険があるか否かを判定して、その判定結果を表示し、電界効果トランジスタを保護するための信号を制御部８０へ出力する。
【００４４】
より具体的には、図５に示されるように、異常検出部５６は、Ｍ個の部分検出回路５７１〜５７Ｍ、抵抗器Ｒ６０およびフォトカプラＰＣを備える。Ｍ個の部分検出回路５７１〜５７Ｍは共通の構成を有する。各部分検出回路５７ｍは、発光ダイオードＬＥＤ、抵抗器Ｒ７１、抵抗器Ｒ７２、抵抗器Ｒ７３、サイリスタＴＨＹおよびコンデンサＣを含む。
【００４５】
発光ダイオードＬＥＤのアノード端子は、高電位の電圧値（＋１５Ｖ）が入力される。サイリスタＴＨＹのアノード端子は、抵抗器Ｒ７１を介して発光ダイオードＬＥＤのカソード端子と接続され、また、ダイオードＤのカソード端子とも接続されている。サイリスタＴＨＹのカソード端子は、接地されている。サイリスタＴＨＹのゲート端子は、互いに並列的に接続された抵抗器Ｒ７２およびコンデンサＣを介して接地されている。また、サイリスタＴＨＹのゲート端子は、抵抗器Ｒ７３を介して、電界効果トランジスタ５１ｍと電流値検出部５２ｍとの接続点に接続されている。
【００４６】
フォトカプラＰＣは、発光ダイオードおよびフォトトランジスタを含む。フォトカプラＰＣに含まれる発光ダイオードのアノード端子は、高電位の電圧値（＋１５Ｖ）が入力される。フォトカプラＰＣに含まれる発光ダイオードのカソード端子は、抵抗器Ｒ６０を介して、Ｍ個の部分検出回路５７１〜５７ＭそれぞれのダイオードＤのアノード端子と接続されている。フォトカプラＰＣに含まれる発光ダイオードの発光の有無に応じて、フォトカプラＰＣに含まれるフォトトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子との間はオープンおよびショートの何れかの状態となる。フォトカプラＰＣは、このフォトトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子との間の状態を出力信号として制御部８０へ出力する。
【００４７】
このように構成される異常検出部５６では、分岐回路Ｐｍに流れる電流が大きくなって電流値検出部５２ｍから出力される電圧値が大きくなると、対応する各部分検出回路５７ｍにおいて直列的に接続された抵抗器Ｒ７２と抵抗器Ｒ７３との間の電位（すなわち、サイリスタＴＨＹのゲート端子の電位）が高くなる。すると、サイリスタＴＨＹのアノード端子からカソード端子へ流れる電流が大きくなり、発光ダイオードＬＥＤに流れる電流も大きくなって、発光ダイオードＬＥＤが発光する。このように、分岐回路Ｐｍに流れる電流が大きくなって電流値検出部５２ｍから出力される電圧値が大きくなると、発光ダイオードＬＥＤが発光する。したがって、各部分検出回路５７ｍに含まれる発光ダイオードＬＥＤの発光により、対応する分岐回路Ｐｍに流れる電流の値の異常が検出され、この分岐回路Ｐｍに設けられた電界効果トランジスタ５１ｍの破壊の危険の有無が判定され得る。
【００４８】
また、Ｍ個の部分検出回路５７１〜５７Ｍのうちの何れの部分検出回路において、サイリスタＴＨＹのアノード端子からカソード端子へ流れる電流が大きくなると、ダイオードＤのアノード端子の電位が低くなる。これにより、フォトカプラＰＣに含まれる発光ダイオードに流れる電流が大きくなって、この発光ダイオードが発光し、フォトカプラＰＣに含まれるフォトトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子との間がショート状態となる。すなわち、このフォトトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子との間がショート状態であることは、Ｍ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍのうち少なくとも１個の電界効果トランジスタに流れる電流が大きく破壊の危険があることを示している。
【００４９】
制御部８０は、異常検出部５６から出力された信号（カプラＰＣに含まれるフォトトランジスタのエミッタ端子とコレクタ端子との間がオープンおよびショートの何れかの状態であるか）を入力して、その信号が電界効果トランジスタの破壊の危険を示している場合には、電力供給経路上に設けられているスイッチ９０を開かせて、電源１０からの電力供給を停止させる。
【００５０】
本実施形態に係る電力供給回路３および電力供給回路５０では、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部において、電界効果トランジスタ５１ｍおよび電流値検出部５２ｍを１組として、Ｍ組が並列的に設けられていて、各電界効果トランジスタ５１ｍに流れる電流の値が電流値検出部５２ｍにより検出される。そして、Ｍ個の電流値検出部５２１〜５２Ｍそれぞれにより検出された電流値の和に応じた電圧値が加算部５５から出力され、この加算部５５の出力値が一定となるようにゲート電圧制御部５３によりＭ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍそれぞれのゲート端子に与えられる電圧値が制御される。したがって、温度変動等があっても負荷２０に流れる電流の値は一定とされ得る。また、負荷２０が電磁石である場合に、この負荷（電磁石）２０および電源装置３を含んで構成される磁場発生装置では、温度変動等があっても磁場の大きさが一定とされ得る。
【００５１】
また、本実施形態でも、負荷２０に流れる電流の値を一定に制御するために低抵抗のＭ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍが設けられていることにより、電源１０から負荷２０へ電力が高効率に供給される。また、Ｍ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍそれぞれにおける発熱量が小さく、また、それ故に水冷等により容易にＭ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍが一定温度に維持され得る。
【００５２】
また、本実施形態でも、電源１０と負荷２０との間の電力供給経路の一部においてＭ個の電界効果トランジスタ５１１〜５１Ｍが並列的に設けられていることから、より大きな値の電流を負荷２０に流すことができる。
【００５３】
また、本実施形態でも、ゲート電圧制御部５３から各電界効果トランジスタ５１ｍのゲート端子への経路にバッファ部５４ｍが設けられていることから、各電界効果トランジスタ５１ｍのゲート端子に与えられる電圧値の相互干渉が低減されて各電界効果トランジスタ５１ｍの動作が安定し、また、インピーダンスを低くすることができて外来ノイズの影響を受け難い。
【００５４】
また、本実施形態では、各電界効果トランジスタ５１ｍに流れる電流の値が電流検出部５２ｍにより検出されて、その検出された電流値の異常が異常検出部５６により検出される。この異常検出部５６により、電界効果トランジスタ５１ｍが破壊される危険があるか否かが判定されて、その判定結果が表示され、電界効果トランジスタ５１ｍを保護するための信号が制御部８０へ出力される。そして、異常検出部５６から出力された信号が電界効果トランジスタ５１ｍの破壊の危険を示している場合には、制御部８０による制御によりスイッチ９０が開いて、電源１０からの電力供給が停止される。これにより、各電界効果トランジスタ５１ｍの破壊が回避され得る。
【００５５】
（第４実施形態）
【００５６】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図６は、第４実施形態に係る電源装置４の構成を示す図である。図３に示された第３実施形態に係る電源装置３の構成と比較すると、この図６に示される第４実施形態に係る電源装置４は、電源１０から負荷２０に電力を供給する電力供給回路としてＮ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎを備える点で相違し、これらＮ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎそれぞれの異常検出部５６から出力される信号を制御部８０が入力する点で相違する。ここで、Ｎは２以上の整数である。
【００５７】
第４実施形態におけるＮ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎそれぞれは、第３実施形態における電力供給回路５０と同じ構成を有していて、互いに並列的に設けられている。したがって、Ｍ個の電界効果トランジスタが並列的に設けられている第３実施形態と比較して、Ｍ×Ｎ個の電界効果トランジスタが並列的に設けられている第４実施形態では、更に大きな電流を負荷２０に流すことができる。
【００５８】
制御部８０は、Ｎ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎそれぞれの異常検出部５６から出力される信号を入力して、その信号が電界効果トランジスタの破壊の危険を示している場合には、電力供給経路上に設けられているスイッチ９０を開かせて、電源１０からの電力供給を停止させる。このとき、制御部８０は、Ｎ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎのうち１つでも電力供給回路の異常検出部５６から出力される信号が電界効果トランジスタの破壊の危険を示している場合に、スイッチ９０を開かせて、電源１０からの電力供給を停止させてもよい。また、制御部８０は、Ｎ個の電力供給回路５０１〜５０Ｎのうちの所定数以上の電力供給回路の異常検出部５６から出力される信号が電界効果トランジスタの破壊の危険を示している場合に、スイッチ９０を開かせて、電源１０からの電力供給を停止させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１実施形態に係る電源装置１および電力供給回路３０の構成を示す図である。
【図２】第２実施形態に係る電源装置２および電力供給回路４０の構成を示す図である。
【図３】第３実施形態に係る電源装置３および電力供給回路５０の構成を示す図である。
【図４】加算部５５の回路図である。
【図５】異常検出部５６の回路図である。
【図６】第４実施形態に係る電源装置４の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１〜４…電源装置、１０…電源、２０…負荷、３０…電力供給回路、３１…電界効果トランジスタ、３２…電流値検出部、３３…ゲート電圧制御部、４０…電力供給回路、４１１〜４１Ｍ…電界効果トランジスタ、４２…電流値検出部、４３…ゲート電圧制御部、４４１〜４４Ｍ…バッファ部、５０，５０１〜５０Ｎ…電力供給回路、５１１〜５１Ｍ…電界効果トランジスタ、５２１〜５２Ｍ…電流値検出部、５３…ゲート電圧制御部、５４１〜５４Ｍ…バッファ部、５５…加算部、５６…異常検出部、８０…制御部、９０…スイッチ。
【図１】
2009098888.tif 000003
【図２】
2009098888.tif 000004
【図３】
2009098888.tif 000005
【図４】
2009098888.tif 000006
【図５】
2009098888.tif 000007
【図６】
2009098888.tif 000008