(57)【要約】      （修正有）【課題】連続駆動時の表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬパネルを得る。【解決手段】一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層３８を含む機能層４０を挟持してなる有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子１００の光射出面の反対側の面に配置された冷却手段６と、を備え、基板１１の温度を測定する温度測定手段８と、ペルチェモジュール駆動手段７が、ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部５とをさらに備え、制御部は、温度測定手段から得られる温度情報に基づき、有機ＥＬ素子が発光している間は基板の温度が第１の温度以下に保たれ、有機ＥＬ素子が発光していない間は、基板の温度が第１の温度よりも低い第２の温度以下に保たれるように、電流量が決定されることを特徴とする有機ＥＬパネル。【選択図】図３
2009193801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の光射出面の反対側の面に配置された冷却手段と、
を備える有機ＥＬパネル。
【請求項２】
基板と、
前記基板の第１の面に、光射出面の反対側の面が対向するように配置された一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、
前記基板の第２の面に配置された冷却手段と、
前記冷却手段の駆動手段と、
を備える有機ＥＬパネル。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬパネルであって、前記冷却手段は２次元的に配置された複数のペルチェ素子を含むペルチェモジュールであり、前記駆動手段はペルチェモジュール駆動手段であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記基板の温度を測定する温度測定手段と、
前記ペルチェモジュール駆動手段が前記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記温度測定手段から得られる温度情報に基づき、前記有機ＥＬ素子が発光している間は前記基板の温度が第１の温度以下に保たれ、前記有機ＥＬ素子が発光していない間は、前記基板の温度が前記第１の温度よりも低い第２の温度以下に保たれるように前記電流量が決定されることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項５】
請求項３に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記基板の温度を測定する温度測定手段と、
前記ペルチェモジュール駆動手段が前記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、
前記有機ＥＬ素子の発光が停止した時点からの経過時間を計測する計時部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記温度測定手段から得られる温度情報及び前記計時部から得られる情報に基づき、前記有機ＥＬ素子が発光している間は前記基板の温度が第１の温度以下に保たれ、前記有機ＥＬ素子の発光が停止した時から所定の時間は、前記基板の温度が第２の温度以下に保たれ、前記所定の時間の経過後は前記基板の温度が前記第１の温度より低く前記第２の温度より高い温度である第３の温度以下に保たれるように前記電流量が決定されることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記所定の時間は１時間であり前記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記第１の温度は略２５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項８】
請求項４又は５に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機ＥＬパネルであって、
前記有機ＥＬパネルの完成後、有機ＥＬパネルとしての使用が開始されるまでの間に少なくとも１回は、所定の時間は第４の温度以下に保たれることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬパネルであって、
該有機ＥＬパネルを、所定の時間、前記第４の温度以下に保つ手段は、前記ペルチェモジュールであることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１１】
基板と、前記基板の第１の面に光射出面の反対側の面が対向するように配置された、一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、を備える有機ＥＬパネルと、
前記基板の第２の面に対向するように配置されたパネル冷却手段と、
を備える有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ装置であって、前記パネル冷却手段は２次元的に配置された複数のペルチェ素子を含むペルチェモジュールであり、駆動手段はペルチェモジュール駆動手段であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機ＥＬ装置であって、前記ペルチェモジュールは、前記基板の前記第２の面に密着するように配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬパネルの温度を測定するパネル温度測定手段と、
前記ペルチェモジュール駆動手段が前記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記パネル温度測定手段から得られる温度情報に基づき、前記有機ＥＬパネルが画像を表示している間は前記有機ＥＬパネルの温度が第１の温度以下に保たれ、前記有機ＥＬパネルが画像を表示していない間は前記有機ＥＬパネルの温度が第２の温度以下に保たれるように前記電流量を決定することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１５】
請求項１２又は１３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬパネルの温度を測定するパネル温度測定手段と、
前記ペルチェモジュール駆動手段が前記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、
前記有機ＥＬパネルの発光が停止した時点からの経過時間を計測する計時部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記パネル温度測定手段から得られる温度情報及び前記計時部から得られる情報に基づき、前記有機ＥＬパネルが発光している間は前記有機ＥＬパネルの温度が第１の温度以下に保たれ、前記有機ＥＬパネルの発光が停止した時から所定の時間は、前記有機ＥＬパネルの温度が第２の温度以下に保たれ、前記所定の時間の経過後は前記有機ＥＬパネルの温度が前記第１の温度より低く前記第２の温度より高い温度である第３の温度以下に保たれるように前記電流量を決定することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記所定の時間は１時間であり前記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１７】
請求項１４又は１５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の温度は略２５℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１８】
請求項１４又は１５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１９】
請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬパネルは、完成後使用が開始される前に、所定の時間、第４の温度以下に冷却する処理がなされていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２０】
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの駆動方法であって、
前記有機ＥＬ層が発光している間は、前記有機ＥＬ素子を第１の温度以下に保ち、
前記有機ＥＬ層が発光していない間は、前記有機ＥＬ素子を第２の温度以下に保つことを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【請求項２１】
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの駆動方法であって、
前記有機ＥＬ層が発光している間は、前記有機ＥＬ素子を第１の温度以下に保ち、
前記有機ＥＬ層の発光が停止した時から所定の時間は、前記有機ＥＬ素子を第２の温度以下に保ち、
前記所定の時間の経過後は、前記有機ＥＬ素子を第３の温度以下に保つことを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の有機ＥＬパネルの駆動方法であって、前記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【請求項２３】
請求項２１又は２２に記載の有機ＥＬパネルの駆動方法であって、前記第１の温度は略２５℃であり、前記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬパネル、有機ＥＬ装置、及び有機ＥＬパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルは、少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層陽極と陰極との一対の電極で挟み込んだ有機ＥＬ素子を基板上に形成し、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とを有機ＥＬ層内で再結合して、励起状態から失括する際に発光する現象を利用したものである。かかる有機ＥＬパネルは次世代ディスプレイとして注目され、数多くのメーカーにおいて研究がなされている。現段階における有機ＥＬパネルの課題の一つとして、連続駆動（発光）時における経時的な（輝度等の）表示品質の劣化が挙げられている。
【０００３】
かかる劣化の要因として、機能層と電極との界面状態が変化して（電子、正孔等の）キャリア輸送・注入性が悪化することが考えられている。そしてかかる現象の対策として、例えば特許文献１には、スパッタ法により電極（電極層）を形成する際に、ターゲットと基板との間に接地電位ないし正電位のグリッド電極を介在させることにより、電離したスパッタガス等に由来する電子等が基板上に飛来するのを抑制して、電極と機能層との界面の密着性を改善する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５８８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述の成膜方法は初期的な電極と機能層との界面の密着性を向上させることはできるが経時的な界面変化を抑制できず、連続駆動時の表示品質の劣化の抑制することは困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、上記有機ＥＬ素子の光射出面の反対側の面に配置された冷却手段と、を備える有機ＥＬパネル。
【０００８】
このような構成であれば、上記有機ＥＬ素子が発光中、及び／又は発光が終了した状態において、該有機ＥＬ素子を冷却できる。したがって、発光による機能層と電極との界面状態の変化を抑制、及び／又は回復させることができ、有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【０００９】
［適用例２］
基板と、上記基板の第１の面に、光射出面の反対側の面が対向するように配置された一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、上記基板の第２の面に配置された冷却手段と、上記冷却手段の駆動手段と、を備える有機ＥＬパネル。
【００１０】
このような構成であれば、上記基板を介して上記有機ＥＬ素子を冷却できる。したがって、基板上に有機ＥＬ素子を配置して形成された有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【００１１】
［適用例３］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記冷却手段は２次元的に配置された複数のペルチェ素子を含むペルチェモジュールであり、上記駆動手段はペルチェモジュール駆動手段であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１２】
ペルチェ素子は温度制御性が高いため、上記有機ＥＬ素子の温度を細かく設定できる。したがってこのような構成であれば、上記有機ＥＬ素子の、発光時及び非発光時の温度を精密に管理でき、有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化をより一層抑制できる。
【００１３】
［適用例４］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記基板の温度を測定する温度測定手段と、上記ペルチェモジュール駆動手段が上記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、をさらに備え、上記制御部は、上記温度測定手段から得られる温度情報に基づき、上記有機ＥＬ素子が発光している間は上記基板の温度が第１の温度以下に保たれ、上記有機ＥＬ素子が発光していない間は、上記基板の温度が上記第１の温度よりも低い第２の温度以下に保たれるように上記電流量が決定されることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１４】
このような構成であれば、上記有機ＥＬ素子の発光中は、上記第１の温度まで冷却することにより発光を損なわない範囲内において機能層と電極との界面状態の変化を抑制できる。そして、非発光時は第２の温度まで冷却することにより、発光により生じた上記変化を回復させることができる。したがって、機能層と電極との界面状態の変化をより一層抑制でき、有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化をより一層抑制できる。
【００１５】
［適用例５］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記基板の温度を測定する温度測定手段と、上記ペルチェモジュール駆動手段が上記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、上記有機ＥＬ素子の発光が停止した時点からの経過時間を計測する計時部と、をさらに備え、上記制御部は、上記温度測定手段から得られる温度情報及び上記計時部から得られる情報に基づき、上記有機ＥＬ素子が発光している間は上記基板の温度が第１の温度以下に保たれ、上記有機ＥＬ素子の発光が停止した時から所定の時間は、上記基板の温度が第２の温度以下に保たれ、上記所定の時間の経過後は上記基板の温度が上記第１の温度より低く上記第２の温度より高い温度である第３の温度以下に保たれるように上記電流量が決定されることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１６】
このような構成であれば、上記有機ＥＬ素子の発光により生じた上記界面の変化を上記第２の温度まで冷却することで回復させることができる。そして回復後の界面を、上記第２の温度よりも高い上記第３の温度により維持できる。したがって、表示品質の劣化を抑制するための電力が抑制され、かつ、非発光状態から発光状態への移行がスムーズな有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００１７】
［適用例６］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記所定の時間は１時間であり上記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００１８】
有機ＥＬ層の発光時には略２０℃以上となり、又、２０℃以下を保てば上記第２の温度まで冷却することにより回復させた上記界面の状態を維持できる。したがってこのような構成であれば、操作性等を損ねることなく、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００１９】
［適用例７］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記第１の温度は略２５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００２０】
このような構成であれば、発光を維持しつつ発光中の上記界面の劣化を最低限に保つことができる。したがって、表示品質を損なうことなく、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００２１】
［適用例８］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００２２】
略−４０℃まで冷却することにより、発光により生じた上記界面の変化を充分に回復させることができる。したがって、このような構成であれば、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００２３】
［適用例９］
上述の有機ＥＬパネルであって、上記有機ＥＬパネルの完成後、有機ＥＬパネルとしての使用が開始されるまでの間に少なくとも１回は、所定の時間は第４の温度以下に保たれることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００２４】
かかる処理により、有機ＥＬ素子の形成過程で加えられた熱処理による上記界面状態の変化を回復させることができる。したがって、このような構成であれば、表示品質が向上した有機ＥＬパネルを得ることができる。なお、上記「使用」とは、有機ＥＬ素子を発光させることにより画像を表示することである。
【００２５】
［適用例１０］
上述の有機ＥＬパネルであって、該有機ＥＬパネルを、所定の時間、上記第４の温度以下に保つ手段は、上記ペルチェモジュールであることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【００２６】
このような構成であれば、別途冷却手段を用意することなく、有機ＥＬ素子の形成過程で生じた上記界面状態の変化を回復させることができる。したがって、製造コストの増加を抑制しつつ、表示品質が向上した有機ＥＬパネルを得ることができる。
【００２７】
［適用例１１］
基板と、上記基板の第１の面に光射出面の反対側の面が対向するように配置された、一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子と、を備える有機ＥＬパネルと、上記基板の第２の面に対向するように配置されたパネル冷却手段と、を備える有機ＥＬ装置。
【００２８】
このような構成であれば、上記有機ＥＬパネルが画像を表示中、及び／又は該画像の表示が終了した状態において、上記有機ＥＬ素子を冷却できる。したがって、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の機能層と電極との界面状態の変化を抑制、及び／又は回復させることができ、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００２９】
［適用例１２］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記パネル冷却手段は２次元的に配置された複数のペルチェ素子を含むペルチェモジュールであり、上記駆動手段はペルチェモジュール駆動手段であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００３０】
ペルチェ素子は温度制御性が高いため、上記有機ＥＬ素子の温度を細かく設定できる。したがってこのような構成であれば、経時的な表示品質の劣化をより一層抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３１】
［適用例１３］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記ペルチェモジュールは、上記基板の上記第２の面に密着するように配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００３２】
このような構成であれば、上記有機ＥＬ素子の冷却を効率的に行うことができる。したがって、コストの増加を抑制しつつ、有機ＥＬ装置の経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【００３３】
［適用例１４］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記有機ＥＬパネルの温度を測定するパネル温度測定手段と、上記ペルチェモジュール駆動手段が上記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、をさらに備え、上記制御部は、上記パネル温度測定手段から得られる温度情報に基づき、上記有機ＥＬパネルが画像を表示している間は上記有機ＥＬパネルの温度が第１の温度以下に保たれ、上記有機ＥＬパネルが画像を表示していない間は上記有機ＥＬパネルの温度が第２の温度以下に保たれるように上記電流量を決定することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００３４】
このような構成であれば、画像表示中は、上記第１の温度まで冷却するにより発光を損なわない範囲内において機能層と電極との界面状態の変化を抑制できる。そして、画像を表示していない間は上記第２の温度まで冷却することにより、画像表示により生じた上記変化を回復させることができる。したがって、機能層と電極との界面状態の変化をより一層抑制でき、経時的な表示品質の劣化がより一層抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３５】
［適用例１５］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記有機ＥＬパネルの温度を測定するパネル温度測定手段と、上記ペルチェモジュール駆動手段が上記ペルチェモジュールに供給する電流量を決定する制御部と、上記有機ＥＬパネルの発光が停止した時点からの経過時間を計測する計時部と、をさらに備え、上記制御部は、上記パネル温度測定手段から得られる温度情報及び上記計時部から得られる情報に基づき、上記有機ＥＬパネルが発光している間は上記有機ＥＬパネルの温度が第１の温度以下に保たれ、上記有機ＥＬパネルの発光が停止した時から所定の時間は、上記有機ＥＬパネルの温度が第２の温度以下に保たれ、上記所定の時間の経過後は上記有機ＥＬパネルの温度が上記第１の温度より低く上記第２の温度より高い温度である第３の温度以下に保たれるように上記電流量を決定することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００３６】
このような構成であれば、画像表示中に生じた上記界面の変化を上記第２の温度まで冷却することで回復させることができる。そして回復後の界面を、上記第２の温度よりも高い上記第３の温度により維持できる。したがって、表示品質の劣化を抑制するための電力が抑制され、かつ、非表示状態から表示状態への移行がスムーズな有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３７】
［適用例１６］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記所定の時間は１時間であり上記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００３８】
有機ＥＬ層の発光には略２０℃以上が必要であり、又、該２０℃以下を保てば上記第２の温度まで冷却することにより回復させた上記界面の状態を維持できる。したがってこのような構成であれば、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３９】
［適用例１７］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記第１の温度は略２５℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００４０】
このような構成であれば、画像表示中における上記界面の劣化を最低限に保つことができる。したがって、表示品質を損なうことなく、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００４１】
［適用例１８］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００４２】
略−４０℃まで冷却することにより、発光により生じた上記界面の変化を充分に回復させることができる。したがって、このような構成であれば、経時的な表示品質の劣化が抑制された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００４３】
［適用例１９］
上述の有機ＥＬ装置であって、上記有機ＥＬパネルは、完成後使用が開始される前に、所定の時間、第４の温度以下に冷却する処理がなされていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【００４４】
かかる処理により、有機ＥＬパネルの形成過程で加えられた熱処理による上記界面状態の変化を回復させることができる。したがって、このような構成であれば、表示品質が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００４５】
［適用例２０］
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの駆動方法であって、上記有機ＥＬ層が発光している間は、上記有機ＥＬ素子を第１の温度以下に保ち、上記有機ＥＬ層が発光していない間は、上記有機ＥＬ素子を第２の温度以下に保つことを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【００４６】
このような駆動方法によれば、上記有機ＥＬ層の発光中は、第１の温度以下に保つことにより、有機ＥＬ層の発光による上記機能層と上記電極との界面の状態の変化を抑制できる。そして、上記有機ＥＬ層の発光が終了した後に、上記有機ＥＬ層の温度を第２の温度以下に保つことにより、上記界面状態の変化を回復させることができる。したがって、有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化を抑制しつつ画像を表示できる。
【００４７】
［適用例２１］
一対の電極間に少なくとも有機ＥＬ層を含む機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネルの駆動方法であって、上記有機ＥＬ層が発光している間は、上記有機ＥＬ素子を第１の温度以下に保ち、上記有機ＥＬ層の発光が停止した時から所定の時間は、上記有機ＥＬ素子を第２の温度以下に保ち、上記所定の時間の経過後は、上記有機ＥＬ素子を第３の温度以下に保つことを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【００４８】
このような駆動方法によれば、上記有機ＥＬ層の発光中における上記界面の状態の変化を抑制し、発光が終了した後の上記界面の状態の変化を回復させることができる。そして、かかる回復させた界面を、次の発光が開始されるまでの間、上記第３の温度以下に保つことにより維持できる。したがって、冷却に要するコスト等を低減しつつ、有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【００４９】
［適用例２２］
上述の有機ＥＬパネルの駆動方法であって、上記第３の温度は略１５℃であることを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【００５０】
略１５℃に保つことで、一度回復させた上記界面の状態を維持できる。したがって、このような駆動方法によれば、冷却コストを低減しつつ有機ＥＬパネルの経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【００５１】
［適用例２３］
上述の有機ＥＬパネルの駆動方法であって、上記第１の温度は略２５℃であり、上記第２の温度は略−４０℃であることを特徴とする有機ＥＬパネルの駆動方法。
【００５２】
上記有機ＥＬ層の温度を略２５℃以下に保つことにより、画像表示中における上記界面の変化を最低限に保つことができる。また、略−４０℃まで冷却することにより、有機ＥＬ層の発光により生じた上記界面の変化を充分に回復させることができる。したがって、このような構成であれば、有機ＥＬパネルにより画像表示を行う場合の経時的な表示品質の劣化を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態、及び後述する各実施形態に共通する、有機ＥＬパネルの全体構成を示す回路構成図である。規則的に配置された個々の有機ＥＬ素子１００の発光を個別に制御して、表示領域Ｂに画像を形成するアクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルを例にしている。表示領域Ｂには、複数の走査線１０２と、走査線１０２と直交する複数の信号線１０４と、信号線１０４と平行に延びる複数の電源供給線１０６が形成されている。上記３種類の配線で囲まれる方形の区画が画素領域Ａである。
【００５４】
各々の画素領域Ａには、走査線１０２を介して走査信号が供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１００が形成されている。後述するように、有機ＥＬ素子１００は、陽極３２（図２参照）と表示領域Ｂの全範囲に渡って共通電位となる陰極４２（図３参照）と、該双方の電極で挟持される有機ＥＬ層３８を含む機能層４０（図２参照）等からなる。そして、上記駆動電流は陽極３２に供給される。
【００５５】
表示領域Ｂの周辺には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４には信号線駆動回路１３０から画像信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。
【００５６】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から陽極３２に駆動電流が流れ、さらに機能層４０を介して陰極４２に駆動電流が流れる。その結果、有機ＥＬ層３８は駆動電流の大きさに応じて発光する。個々の有機ＥＬ素子が独立に制御され、駆動電流の大きさに応じて発光することで表示領域Ｂに画像が形成される。そして各々の画素領域Ａ毎にカラーフィルタを配置すれば、表示領域Ｂにカラー画像を形成できる。なお、本実施形態及び第２以降の各実施形態では、カラーフィルタについての図示及び説明の記載は省略する。
【００５７】
図２、及び図３は、本実施形態の有機ＥＬパネル、及びその製造工程を模式的に示す工程断面図である。以下、各工程について記載する。なお、本実施形態の有機ＥＬパネルは、（図示する）下側に向けて表示光を射出するボトムエミッション型の有機ＥＬパネルである。また、図２及び図３においては、スイッチング用ＴＦＴ１０８等の素子群及び、走査線駆動回路１２０等の表示領域Ｂに形成される回路群については図示及び説明の記載を省略する。
【００５８】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス等からなる透光性基板１０上に、ＩＴＯ（酸化インジウム・錫）膜からなる陽極３２を形成する。該陽極は、透光性基板１０の全面にスパッタ法で形成したＩＴＯ膜を公知技術であるフォトリソグラフィー法とエッチング法とによって島状にパターニングして形成する。かかる工程により、表示領域Ｂに陽極３２が２次元的かつ規則的に配置される。
なお、上述したように、本実施形態の有機ＥＬパネル１（図３（ｃ）参照）はボトムエミッション型であり陽極３２側が光射出面である。したがって、陽極３２、及び陽極３２が形成される側の基板は透光性を有することが必要である。
【００５９】
次に、図２（ｂ）に示すように、陽極３２が形成された透光性基板１０の表面を洗浄した後、該透光性基板の全面に対して、Ｏ2プラズマ処理を行う。かかる処理により、有機系の不純物が除去されて、陽極３２の表面が親液性となる。
【００６０】
次に、図２（ｃ）に示すように、陽極３２が形成された透光性基板１０上にＳｉＯ2等の絶縁材料からなる隔壁層（図示せず）を形成した後、該隔壁層を公知技術であるフォトリソグラフィー法とエッチング法とによりパターニングして、隔壁３４を形成する。かかる工程により、透光性基板１０上に、陽極３２を底部として格子状の隔壁３４を側部とする凹部が形成される。
【００６１】
次に、図２（ｄ）に示すように、陽極３２上、すなわち上述の凹部内に正孔注入輸送層３６を形成する。正孔注入輸送層３６の形成材料としては３，４ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の混合物を用いることができる。かかる混合物を溶媒に分散させた液体材料をスピンコーティング法により所定の膜厚（２０ｎｍ〜１００ｎｍ）に成膜し、焼成・乾燥（略２００℃で１０分間）を行うことで、上述の材料からなる正孔注入輸送層３６を形成できる。
【００６２】
次に、図２（ｅ）に示すように、正孔注入輸送層３６上に有機ＥＬ層３８を形成する。有機ＥＬ層３８の形成材料としては、フルオレン（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ペリレン系色素、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の有機材料を用いることができる。かかる材料をトルエン等の溶媒に溶解して得られる液体材料をスピンコーティング法により所定の膜厚（５０ｎｍ〜１００ｎｍ）に成膜し、窒素雰囲気中で焼成（略１３０℃で３０分間）を行い、上記溶媒を蒸発させることで、上述の材料からなる有機ＥＬ層３８を形成できる。なお、正孔注入輸送層３６と有機ＥＬ層３８との積層体が機能層４０である。
【００６３】
次に、図３（ａ）に示すように、透光性基板１０上全面、すなわち機能層４０上及び隔壁３４上に陰極４２を形成する。かかる工程により、一対の電極、すなわち陽極３２と陰極４２との間に有機ＥＬ層３８を含む機能層４０を挟持してなる有機ＥＬ素子１００が形成される。
本実施形態における陰極４２は膜厚５ｎｍのカルシウムと膜厚３００ｎｍのアルミニウムとの積層体である。本実施形態の有機ＥＬパネルはボトムエミッション型であるため、陰極４２は透過性（透光性）は必要としない。一方で、有機ＥＬ層３８で生じた光のうち上方すなわち陰極４２に向かう光を陽極３２の側に反射するために反射性を有することが好ましい。
【００６４】
次に、図３（ｂ）に示すように、封止接着層４４を介して基板１１を接着する。基板１１が封止接着層４４と対向する面が第１の面であり、図３（ｂ）における上側の面が第２の面である。基板１１の形状は、後述する有機ＥＬ素子１００は形成されている領域よりも広い（大きい）ものであることが好ましい。
【００６５】
以上の工程により、有機ＥＬパネル２０が形成される。封止接着層４４は熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂が好ましい。上述したように、本実施形態の有機ＥＬパネルはボトムエミッション型であるため、基板１１は透光性を必要としない。したがって、基板１１の形成材料は、ガラスではなく金属板等を用いることもできる。
【００６６】
次に、図３（ｃ）に示すように、基板１１の第２の面に、冷却手段としてのペルチェモジュール６と、温度測定手段としてのサーミスタ８を配置する。ペルチェモジュール６は有機ＥＬ素子１００が形成されている領域と平面視で重なる領域に形成することが好ましい。
さらに、基板１１の、有機ＥＬ素子１００（図１参照）が形成されている領域と平面視で重ならない領域に、ペルチェモジュール６に駆動電流を供給するペルチェモジュール駆動回路７と、ペルチェモジュール６に供給する電流量を決定する制御部５とを配置する。上述の符号５〜８の各要素は、図示しない接続配線により、後述する図８に示すように接続されている。以上の工程により本実施形態の有機ＥＬパネル１が形成される。なお、上記の双方の要素は、基板１１の第１の面と第２の面のどちらに形成してもかまわない。
【００６７】
本実施形態の有機ＥＬパネル１は、電源に接続されている場合、使用状況に応じて所定の温度に保たれる。具体的には、駆動されている間すなわち画像を表示している間は第１の温度である略２５℃に保たれ、非駆動時すなわち画像を表示していない間は第２の温度である略−４０℃に保たれる。
【００６８】
制御部５は制御プログラムを内蔵しており、サーミスタ８から得られる温度情報、すなわち基板１１の温度の測定値と、予め記録された上記所定の温度（第１の温度である略２５℃及び第２の温度である略−４０℃）とに基づき、ペルチェモジュール６を駆動する。
【００６９】
具体的には、上述の（サーミスタ８による）測定値が上記所定の温度を上回っているときは、ペルチェモジュール駆動回路７に指示してペルチェモジュール６に駆動電流を供給させて基板１１を冷却する。その結果、有機ＥＬパネル１は、有機ＥＬ素子１００に電流を供給することによる温度上昇、あるいは周辺温度の変動等にもかかわらず、画像表示時及び非画像表示時の双方において所定の温度に保たれる。なお、上記第２の温度は略−３０℃以下であれば効果が期待でき、−３０℃〜−５０℃の範囲内であることが好ましい。
【００７０】
（本実施形態の効果）
上述したように、本実施形態の有機ＥＬパネル１は、駆動中、すなわち有機ＥＬ素子１００が備える機能層４０を、駆動電流を流すことにより発光させて、該発光により画像を表示している間は、該有機ＥＬ素子１００の温度が第１の温度である略２５℃に保たれ、画像を表示していない間は第２の温度である略−４０℃に保たれている。
【００７１】
有機ＥＬ層３８を含む機能層４０の温度は、上述の通電により上昇する。そしてかかる温度上昇は、該機能層を挟持する一対の電極の温度も上昇させる。ここで、有機材料からなる機能層４０と無機材料からなる一対の電極との間には、比較的大きい熱膨張係数差がある。具体的には、電極の形成材料である（Ａｌ、ＩＴＯ等の）金属材料の熱膨張係数は２０×１０-6℃に対して機能層４０の形成材料である有機材料の膨張係数は６０×１０-5℃と一桁以上大きい。したがって機能層４０の温度が上昇すると、機能層４０と該機能層を挟持する一対の電極（陽極３２及び陰極４２）との間に応力が生じて、機能層４０と上記一対の電極との界面（以下、単に「界面」と称する。）の状態が不安定になる。そして、かかる界面の状態が維持されると、表示品質を劣化させることとなる。
【００７２】
本実施形態の有機ＥＬパネル１は、上述の表示品質の劣化を、画像表示中及び画像表示の終了後の双方において有機ＥＬ素子１００の温度を制御することにより抑制している。すなわち有機ＥＬ素子１００が発光している間は、該有機ＥＬ素子１００の温度を略２５℃に保ち、上述の熱膨張係数の差による応力の増大を抑制し、界面状態の変化が進むことを抑制している。そして有機ＥＬ素子１００の発光が終了した後は、該有機ＥＬ素子の温度を略−４０℃まで冷却することで、発光中とは逆方向の応力を発生させて、通電による温度上昇により変化した界面状態を良好な状態に戻している。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル１は、冷却手段を有しない有機ＥＬパネルに比べて界面状態が良好な状態に保たれることとなり、経時的な表示品質の劣化が抑制される。
【００７３】
本実施形態の有機ＥＬパネル１は、図３（ｄ）に示すように、電源に接続することにより、有機ＥＬパネル１単体として有機ＥＬ素子１００を第４の温度まで冷却できる。まず、電源５５に制御部５を接続する。そして、ペルチェモジュール駆動回路７を介してペルチェモジュール６に電流を供給する。その結果、該ペルチェモジュールにより基板１１を介して、有機ＥＬ素子１００が冷却される。上記第４の温度は、−３０℃乃至−５０℃が好ましく、特に略−４０℃が好ましい。また冷却の時間は、１０時間以上連続して行うことが好ましい。
【００７４】
上記の冷却温度は、サーミスタ８による測定結果を基に制御部５が、ペルチェモジュール駆動回路７のＯＮ／ＯＦＦを制御することで、所定の範囲内に維持される。かかる冷却工程、すなわち有機ＥＬパネルとしての使用が開始された後の冷却とは別の、初期冷却工程を実施することで、本実施形態の有機ＥＬパネル１の連続駆動時における表示品質の劣化は一層抑制される。
【００７５】
上述の熱膨張係数差による界面状態の変化は駆動時（画像表示時）だけではなく有機ＥＬパネル１の製造時にも発生している。例えば、封止接着層４４を硬化させる際の加熱工程等でも、機能層４０及び該機能層を挟持する一対の電極の温度を上昇させて、界面に応力を発生させ得る。したがって、有機ＥＬパネル１は完成した段階すなわち未使用の段階においても上述の界面状態の変化は生じている。
【００７６】
上述の有機ＥＬパネル１として使用が開始された後の冷却に加えて初期冷却工程を実施すると、製造中の加熱工程の実施にもかかわらず、界面状態も良好に保つことができ、表示品質の経時的な劣化がより一層抑制される。例えば初期冷却工程として−３０℃で１０時間冷却した場合、５００時間の連続画像表示後の輝度は初期輝度の略９０％を維持できる。一方、初期冷却工程を実施しない場合は、５００時間の連続画像表示後の輝度は初期輝度の略６０％となり、初期冷却の効果が確認できる。なお上述の初期冷却工程は、有機ＥＬパネル１に備えられたペルチェモジュール６を用いずに、該有機ＥＬパネルとは無関係の冷却手段、例えば冷蔵庫等を用いて行ってもよい。
【００７７】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態の有機ＥＬパネル２を示す模式断面図である。図３（ｃ）に示す第１の実施形態の有機ＥＬパネル１に計時部９を付加した構成であり、他の構成要素は共通している。そこで、かかる共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略する。
【００７８】
本実施形態の有機ＥＬパネル２は、使用状況に応じてのみではなく、計時部９が算出する経過時間に応じての温度管理もなされることが特徴である。制御部５は、画像表示中（駆動中）は、内蔵する制御プログラムに基づき、有機ＥＬパネル２の温度（具体的には基板１１の温度）が第１の温度に保たれるようにペルチェモジュール駆動回路７に指示してペルチェモジュール６に駆動電流を供給させる。そして画像表示が終了すると同時に、有機ＥＬパネル２の温度が第２の温度に保たれるようにペルチェモジュール駆動回路７に指示してペルチェモジュール６に駆動電流を供給させるとともに、計時を開始する。なお、上記第１の実施形態と同様に、第１の温度は略２５℃が好ましく、第２の温度は略−４０℃が好ましい。
【００７９】
そして所定の時間が経過後は、有機ＥＬパネル２の温度が第１の温度より低く第２の温度よりは高い第３の温度に保たれるように、ペルチェモジュール駆動回路７に指示してペルチェモジュール６に駆動電流を供給させる。その結果、有機ＥＬパネル２は、周辺温度の変動にもかかわらず、駆動が終了後所定の時間内は第２の温度で冷却され、該所定の時間が経過後は再度の駆動が開始されるまで第３の温度に保たれる。
なお、上記所定の時間は１乃至１０時間であればよい。また、上述の第３の温度は室温程度であればよく、略１５℃から略２５℃の範囲に定めることができる。
【００８０】
（本実施形態の効果）
本実施形態の有機ＥＬパネル２は、第１の実施形態の有機ＥＬパネルとは異なり、画像表示が終了後所定の時間、略−４０℃で冷却された後、一般的な室温より若干低い温度である略１５℃で維持される。上述したように、略−４０℃の環境に置かれた有機ＥＬパネルは、機能層４０に通電することにより生じた界面状態の変化が元の良好な状態に戻る。そして良好になった界面は、略１５℃まで上昇しても元の劣化した状態には戻ることはなく、良好な状態で維持される。画像表示が終了後、次の画像表示が開始されるまでの間、連続して略−４０℃の環境に置かれる有機ＥＬパネルに比べて表示品質の経時的な劣化は殆んど変わらない。
【００８１】
したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル２は、過度に冷却することなく表示品質が維持されることとなり、冷却に要するコスト等を低減できる。又、上記所定の時間経過後は有機ＥＬ層が発光する際の温度よりも低い温度で維持されるため、画像表示開始直後の表示品質が低下することも回避できる。
【００８２】
（第３の実施形態）
図５に第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置３の模式断面図を示す。図５（ａ）は、第３の実施形態の有機ＥＬ装置３を示す模式断面図であり、矢印の方向が光（表示光）を射出する方向である。図５（ｂ）は、有機ＥＬ装置３の上ケース５１と下ケース５２とを分離して展開させた態様を示す模式断面図である。なお、有機ＥＬ装置とは、有機ＥＬパネル２０単体すなわち図３（ｂ）に示す有機ＥＬパネル２０を構成要素として含む表示装置を示す概念である。
【００８３】
有機ＥＬ装置３の構成要素は、上ケース５１と下ケース５２とを除くと第１の実施形態の有機ＥＬパネル１と略共通している。すなわち、有機ＥＬ装置３は、有機ＥＬパネル２０と、制御部５と、パネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６と、ペルチェモジュール駆動回路７と、パネル温度測定手段としてのサーミスタ１８と、からなっている。有機ＥＬパネル２０を除く４つの要素は下ケース５２に備えられており、互いに、図示しない配線で接続されている。そして、ペルチェモジュール１６とサーミスタ１８とは、図５（ｂ）に示すように、下ケース５２に上部が同一平面に位置するように配置されている。したがって、有機ＥＬパネル２０を光射出面ではない方の面を下にして、図５（ｂ）の矢印に示す様に下ケース５２上に配置すると、ペルチェモジュール１６とサーミスタ１８とが上述の光射出面ではない方の面に密着する。有機ＥＬパネル２０が配置された下ケース５２上に、上ケース５１を矢印に示す様に配置して、本実施形態の有機ＥＬ装置３が得られる。なお、ペルチェモジュール１６及び／又はサーミスタ１８は、有機ＥＬパネル２０に密着させずに、熱伝導性の高いシート状部材を介して配置してもよい。
【００８４】
上述したように、有機ＥＬ装置３は第１の実施形態の有機ＥＬパネル１と略同一の構成であり、機能及び得られる効果も同様である。有機ＥＬパネル２０が備える有機ＥＬ素子１００（図３等参照）の温度は、有機ＥＬ装置３が画像を表示している間は第１の温度である略２５℃に保たれ、画像を表示していない間は第２の温度である略−４０℃に保たれている。そして、かかる温度管理により、熱膨張係数の差による界面状態の変化が抑制され、表示品質の経時的な劣化を抑制されている。
【００８５】
本実施形態の有機ＥＬ装置３は、有機ＥＬパネル２０を構成要素の一つとしたことにより、以下の効果が生じている。第１の効果は、パネル冷却手段としてペルチェモジュール１６以外の手段を採ることが容易となることである。パネル冷却手段を有機ＥＬパネル２０と一体化させる必要がないため、ヒートパイプ、あるいは通常の水冷等を用いることが容易である。
【００８６】
第２の効果は、有機ＥＬパネル２０のみを着脱できることである。通電による加熱により生じた界面の劣化を回復させるための温度は略−４０℃で一応足りるが、上述の劣化が大きい場合、より低い温度で冷却することが好ましい場合もあり得る。そしてかかる場合の冷却温度が、有機ＥＬ装置３の冷却手段の能力を超える場合もあり得る。本実施形態の有機ＥＬ装置３は、かかる場合に有機ＥＬパネル２０を取り外して、ペルチェモジュール１６以上の冷却能力を持つ他の冷却手段を用いて、上記界面の状態を回復させることができる。
【００８７】
（第４の実施形態）
図６に第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置４の模式断面図を示す。有機ＥＬ装置４は、有機ＥＬパネル２０と、上ケース５１と、下ケース５２と、計時部９と、制御部５と、パネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６と、ペルチェモジュール駆動回路７と、パネル温度測定手段としてのサーミスタ１８と、からなっている。かかる構成要素は、計時部９を除くと、第３の実施形態の有機ＥＬ装置３と略共通している。また、有機ＥＬパネル２０単体が構成要素であり、上ケース５１と下ケース５２とが備えられている点を除くと、第２の実施形態の有機ＥＬパネル２とも略共通している。したがって有機ＥＬ装置４は、第２の実施形態の有機ＥＬパネル２と略同一の機能を有し、得られる効果も略同一である。そして、第３の実施形態の有機ＥＬ装置と同様の効果も得られている。
【００８８】
有機ＥＬパネル２０が備える有機ＥＬ素子１００（図３等参照）の温度は、有機ＥＬ装置４が画像を表示している間は第１の温度である略２５℃に保たれている。そして、画像表示が終了後所定の時間、略−４０℃で冷却された後、次の画像表示が開始されるまでは室温より若干低い温度である略１５℃で維持される。そして、かかる温度管理により、熱膨張係数の差による界面状態の変化が抑制され、表示品質の経時的な劣化を抑制されている。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置４が備える有機ＥＬパネル２０は、過度に冷却されることなく表示品質が維持されており、冷却に要するコスト等を低減されている。また本実施形態の有機ＥＬ装置４は、第３の実施形態の有機ＥＬ装置と同様に、ペルチェモジュール１６以外のパネル冷却手段を用いることができ、有機ＥＬパネル２０の着脱も容易である。
なお、上記所定の時間は１乃至１０時間が好ましく、上記第３の温度は、略１５℃から略２５℃の範囲に定めることができる点も第２の実施形態と同様である。
【００８９】
（第５の実施形態）
次に第５の実施形態としての、有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法について、図７、及び図８を用いて述べる。本実施形態の対象となる装置は、第１の実施形態の有機ＥＬパネル１、及び第３の実施形態の有機ＥＬ装置３である。図７は、有機ＥＬパネル１、及び有機ＥＬ装置３の駆動方法を示すフローチャートである。図８（ａ）は有機ＥＬパネル１の冷却機構を有機ＥＬ素子１００等と共に示す電気ブロック図であり、図８（ｂ）は有機ＥＬ装置３の冷却機構を有機ＥＬパネル２０と共に示す電気ブロック図である。
【００９０】
有機ＥＬパネル１の冷却機構は、図８（ａ）に示すように、制御部５と、冷却手段としてのペルチェモジュール６と、該ペルチェモジュールを駆動するペルチェモジュール駆動回路７と、温度測定手段としてのサーミスタ８と、で構成されている。また、有機ＥＬ装置３の冷却機構は、図８（ｂ）に示すように、制御部５と、パネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６と、該ペルチェモジュールを駆動するペルチェモジュール駆動回路７と、パネル温度測定手段としてのサーミスタ１８と、で構成されている。
【００９１】
図８に示すように、有機ＥＬパネル１と有機ＥＬ装置３の違いは、ペルチェモジュール等の要素を冷却手段としてのペルチェモジュール６等として有機ＥＬパネル１の構成要素とするか、パネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６等として有機ＥＬ装置３の構成要素とするか、の違いである。そして、上記双方の構成要素は有機ＥＬ素子１００（図３等参照）を冷却することにより、該素子の界面の経時劣化を抑制することを目的としており、機能、あるいは動作は共通している。そこで、図７に示す駆動方法のフローチャートを用いて、有機ＥＬパネル１と有機ＥＬ装置３とに共通する駆動方法について説明する。
【００９２】
なお、冷却手段としてのペルチェモジュール６とパネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６との総称としてペルチェモジュール６／１６を用い、温度測定手段としてのサーミスタ８とパネル温度測定手段としてのサーミスタ１８との総称としてサーミスタ８／１８を用いる。制御部５、ペルチェモジュール駆動回路７、及び計時部９は共通である。
【００９３】
まず、ステップＳ１１で、制御部５が、有機ＥＬ素子１００が駆動中（有機ＥＬ層３８が発光中）であるか否か、すなわち有機ＥＬパネル１又は有機ＥＬ装置３が画像を表示中であるか否かを判断する。本実施形態の駆動方法は、有機ＥＬ素子１００を、駆動中であれば第１の温度Ｔ１以下に冷却し、駆動中でない場合は第２の温度Ｔ２以下に冷却するものである。したがって、駆動中であると判断されればステップＳ１２に進み、駆動中ではないと判断されればステップＳ１５に進む。
【００９４】
ステップＳ１２では、制御部５が、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下であるか否かを判断する。Ｔ１は略２５℃が好ましい。有機ＥＬ素子１００の温度を２５℃以下に維持すれば、界面の状態が良好に保たれ、表示品質の経時劣化が抑制される。一方で、駆動中であれば２５℃よりも低い温度であると、有機ＥＬ素子１００の発光が抑制されて表示品質が損なわれる。
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下である場合、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＦＦとしてペルチェモジュール６／１６への電流の供給を停止する。
【００９５】
なお、ステップＳ１４及び後述するステップＳ１７で、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７に指示する場合、指示内容と指示時のペルチェモジュール駆動回路７の状態（ＯＮ／ＯＦＦ状態）が一致している場合は、該状態はそのまま維持され、異なっている場合に指示内容の動作が行われる。したがって、ステップＳ１１からステップＳ１２へ進む段階で、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下であり、かつペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦであった場合、ステップＳ１４では動作は行われない。したがって、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下である場合、ステップＳ１１とステップＳ１２とステップＳ１４とからなるループが繰り返される。サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以上である場合、ステップＳ１３に進む。
【００９６】
ステップＳ１３では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＮにして、ペルチェモジュール６／１６に電流を供給する。その結果、基板１１を介して有機ＥＬ素子１００が冷却される。そして、冷却が開始された後、再度ステップＳ１１に進む。したがって、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以上である場合、ステップＳ１１とステップＳ１２とステップＳ１３とからなるループが繰り返される。
以上の結果、駆動中、すなわち画像を表示している間の有機ＥＬ素子１００の温度はＴ１である略２５℃に維持される。
【００９７】
ステップＳ１５では、制御部５が、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以下であるか否かを判断する。Ｔ２は略−４０℃が好ましい。サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以下である場合、ステップＳ１７に進む。ステップＳ１７では、ペルチェモジュール駆動回路７がＯＮであった場合、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＦＦとしてペルチェモジュール６／１６への電流の供給を停止する。上述したように、ステップＳ１７でペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦであった場合は、該状態はそのまま維持される。そして、ペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦとされた後（あるいはＯＦＦであることが確認された後）後、再度ステップＳ１１に進む。したがって、非駆動中、すなわち画像を表示していない間においては、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以下である場合、ステップＳ１１ステップＳ１５とステップＳ１７とからなるループが繰り返される。なお、この段階で画像の表示が開始されれば上述のループからステップＳ１２に進む。
【００９８】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以上である場合、ステップＳ１６に進む。ステップＳ１６では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＮにして、ペルチェモジュール６／１６に電流を供給する。その結果、基板１１を介して有機ＥＬ素子１００が冷却される。そして、冷却が開始された後、再度ステップＳ１１に進む。したがって、非駆動中、すなわち画像を表示していない間においては、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以上である場合、ステップＳ１１ステップＳ１５とステップＳ１６とからなるループが繰り返される。なお、この段階で画像の表示が開始されれば上述のループからステップＳ１２に進む。
以上の結果、非駆動中、すなわち画像を表示していない間の有機ＥＬ素子１００の温度はＴ２である略−４０℃に維持される。
【００９９】
（本実施形態の効果）
本実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法によれば、有機ＥＬ素子１００の温度は、画像が表示されている間、すなわち該有機ＥＬ素子に駆動電流が流れている間は第１の温度である略２５℃に保たれ、画像が表示されていない間は第２の温度である略−４０℃に保たれる。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法によれば、有機ＥＬ素子１００の界面状態が良好な状態に保たれることとなり、有機ＥＬパネル又は有機ＥＬ装置の表示品質の経時的な劣化が抑制される。
【０１００】
（第６の実施形態）
次に第６の実施形態としての、有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法について、図９、及び図１０を用いて述べる。本実施形態の対象となる装置は、第２の実施形態の有機ＥＬパネル２、及び第４の実施形態の有機ＥＬ装置４である。図９は、有機ＥＬパネル２、及び有機ＥＬ装置４の駆動方法を示すフローチャートである。図１０（ａ）は有機ＥＬパネル２の冷却機構の電気ブロック図であり、図１０（ｂ）は有機ＥＬ装置４の冷却機構の電気ブロック図である。上述の第５の実施形態にかかる図８（ａ）、（ｂ）に示すブロック図とは、計時部９の有無以外は同一である。そこで個々の構成要素についての記載は省略する。
【０１０１】
図１０に示すように、有機ＥＬパネル２と有機ＥＬ装置４の違いは、ペルチェモジュール等の要素を冷却手段としてのペルチェモジュール６等として有機ＥＬパネルの構成要素とするか、パネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６等として有機ＥＬ装置の構成要素とするか、の違いである。また、第５の実施形態と同様に、上記双方（有機ＥＬパネル２と有機ＥＬ装置４）の構成要素は有機ＥＬ素子１００（図３等参照）を冷却することにより、該有機ＥＬ素子の界面の経時劣化を抑制することを目的としており、機能、あるいは動作は共通している。そこで、図９に示す駆動方法のフローチャートを用いて、有機ＥＬパネル２と有機ＥＬ装置４とに共通する駆動方法について説明する。
【０１０２】
なお、上述の第５の実施形態と同様に、冷却手段としてのペルチェモジュール６とパネル冷却手段としてのペルチェモジュール１６との総称としてペルチェモジュール６／１６を用い、温度測定手段としてのサーミスタ８とパネル温度測定手段としてのサーミスタ１８との総称としてサーミスタ８／１８を用いる。
【０１０３】
ステップＳ２１〜２４については上述の第５の実施形態の駆動方法と同一である。まず、ステップＳ２１で、制御部５が、画像表示中か否かすなわち有機ＥＬ素子１００が通電中であるか否かを判断する。画像表示中であると判断されればステップＳ２２に進み、制御部５が、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１より高いか否かを判断する。Ｔ１は、第５の実施形態と同様に略２５℃が好ましい。
【０１０４】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下である場合、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＦＦとしてペルチェモジュール６／１６への電流の供給を停止する。
なお、ステップＳ２４及び後述するステップＳ２３等で、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７に指示する場合、指示内容と指示時のペルチェモジュール駆動回路７の状態（ＯＮ／ＯＦＦ状態）が一致している場合は、該状態はそのまま維持され、異なっている場合に指示内容の動作が行われる。したがって、ステップＳ２１からステップＳ２２へ進む段階で、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１以下であり、かつペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦであった場合、ステップＳ２４では動作は行われない。
【０１０５】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ１より高い場合、次のステップＳ２３に進む。ステップＳ２３では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＮにして、ペルチェモジュール６／１６に電流を供給する。その結果、基板１１を介して有機ＥＬ素子１００が冷却される。以上の結果、画像表示中の有機ＥＬ素子１００の温度はＴ１である略２５℃以下に維持される。
【０１０６】
ステップＳ２１で、制御部５が画像表示中ではないと判断すると、次のステップＳ２５に進む。ステップＳ２５では、制御部５が、計時部９の測定結果に基づき画像表示が終了してからの経過時間が１時間を超えているか否かを判断する。制御部５が（上記経過時間が）１時間以下であると判断すると、ステップＳ２６に進む。
【０１０７】
ステップＳ２６では、制御部５が、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２より高いか否かを判断する。Ｔ２は略−４０℃が好ましい。サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２以下である場合、ステップＳ２８に進む。ステップＳ２８では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＦＦとしてペルチェモジュール６／１６への電流の供給を停止する。なお、上述したように、ステップＳ２８に進んだときにペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦであった場合、ステップＳ２８では動作は行われない。
【０１０８】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ２より高い場合、ステップＳ２７に進む。ステップＳ２７では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＮにして、ペルチェモジュール６／１６に電流を供給する。その結果、有機ＥＬ素子１００の冷却が開始される。そして、冷却が開始された後、再度ステップＳ２１に進む。
【０１０９】
以上述べたように、画像の表示の終了後、すなわち有機ＥＬ素子１００の駆動が停止した後１時間は、ステップＳ２１とステップＳ２５とステップＳ２６とステップＳ２８とを順次行うループ、又はステップＳ２１とステップＳ２５とステップＳ２６とステップＳ２７とを順次行うループが繰り返される。その結果、有機ＥＬ素子１００が駆動を停止してから１時間を経過するまでの間は、該有機ＥＬ素子の温度はＴ２である略−４０℃以下に維持される。
【０１１０】
ステップＳ２５で、制御部５が、画像表示が終了してからの経過時間が１時間を超えていると判断すると、ステップＳ２９に進む。ステップＳ２９では、制御部５が、サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ３より高いか否かを判断する。Ｔ３は略１５℃が好ましい。
【０１１１】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ３以下である場合、ステップＳ３１に進む。ステップＳ３１では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＦＦとしてペルチェモジュール６／１６への電流の供給を停止する。なお、上述したように、ステップＳ３１に進んだときにペルチェモジュール駆動回路７がＯＦＦであった場合、ステップＳ３１では動作は行われない。
【０１１２】
サーミスタ８／１８の測定値ＴがＴ３よりも高い場合、ステップＳ３０に進む。ステップＳ３０では、制御部５がペルチェモジュール駆動回路７をＯＮにして、ペルチェモジュール６／１６に電流を供給する。その結果、有機ＥＬ素子１００の冷却が開始される。そして、冷却が開始された後、再度ステップＳ２１に進む。
【０１１３】
以上述べたように、画像表示の終了後、すなわち有機ＥＬ素子１００の駆動が停止した後１時間経過した後は、再度画像の表示が開始されるまでの間は、１時間は、ステップＳ２１とステップＳ２５とステップＳ２９とステップＳ３１を順次行うループ、又はステップＳ２１とステップＳ２５とステップＳ２９とステップＳ３０とを順次行うループが繰り返される。その結果、有機ＥＬ素子１００が駆動を停止してから１時間を経過した後は、再度画像の表示が開始されるまで、有機ＥＬ素子１００の温度はＴ３である略１５℃以下に維持される。
【０１１４】
（本実施形態の効果）
上述したように、本実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法によれば、有機ＥＬ素子（図３等参照）の温度は、画像が表示されている間は第１の温度である略２５℃に保たれ、画像表示が終了後所定の時間、第２の温度である略−４０℃に保たれる。そして、上記所定の時間の経過後は、第３の温度である略１５℃で維持される。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法、及び有機ＥＬ装置の駆動方法によれば、過度に冷却することなく界面状態が良好な状態に保たれることとなり、冷却に要するコスト等を増加させずに有機ＥＬパネル又は有機ＥＬ装置の経時的な表示品質の劣化が抑制される。
なお、上記所定の時間は１乃至１０時間が好ましいが、１０時間を越えても問題はない。また、上述の第３の温度は室温程度であればよく、略１５℃から略２５℃の範囲に定めることができる。
【０１１５】
（変形例１）
上述の第１〜６の実施形態の有機ＥＬパネル又は有機ＥＬ装置が備える有機ＥＬ素子１００は、ボトムエミッション型であった。しかし変形例１に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬパネル又は有機ＥＬ装置においても実施可能である。陽極３２（図３参照）が形成される側の基板が透光性基板となり、該基板の反対側にペルチェモジュール６（又は１６）を配置すれば、上述の第１〜６の実施形態で示したものと同様の、経時的な表示品質の劣化を抑制する効果を得ることができる。
【０１１６】
（変形例２）
上述の第１〜６の実施形態の有機ＥＬパネル又は有機ＥＬ装置では、温度測定手段（又はパネル温度測定手段）として、サーミスタを用いている。しかし変形例２に示すように、サーミスタ以外の温度測定手段、例えば熱電対等を用いても実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】有機ＥＬパネルの全体構成を示す回路構成図。
【図２】有機ＥＬパネル、及びその製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図３】有機ＥＬパネル、及びその製造工程を模式的に示す工程断面図。
【図４】第２の実施形態の有機ＥＬパネルを示す模式断面図。
【図５】（ａ）は第３の実施形態の有機ＥＬ装置の模式断面図、（ｂ）は、有機ＥＬ装置の上ケースと下ケースとを分離して展開させた態様を示す模式断面図。
【図６】第４の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図７】第５の実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法及び有機ＥＬ装置の駆動方法を示すフローチャート。
【図８】第５の実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法及び有機ＥＬ装置の電気ブロック図。
【図９】第６の実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法及び有機ＥＬ装置の駆動方法を示すフローチャート。
【図１０】第６の実施形態の有機ＥＬパネルの駆動方法及び有機ＥＬ装置の電気ブロック図。
【符号の説明】
【０１１８】
１…有機ＥＬパネル、２…有機ＥＬパネル、３…有機ＥＬ装置、４…有機ＥＬ装置、５…制御部、６…冷却手段としてのペルチェモジュール、７…ペルチェモジュール駆動回路、８…温度測定手段としてのサーミスタ、９…計時部、１０…透光性基板、１１…基板、１６…パネル冷却手段としてのペルチェモジュール、１８…パネル温度測定手段としてのサーミスタ、２０…有機ＥＬパネル、３２…陽極、３４…隔壁、３６…正孔注入輸送層、３８…有機ＥＬ層、４０…機能層、４２…陰極、４４…封止接着層、５１…上ケース、５２…下ケース、５５…電源、１００…有機ＥＬ素子、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、Ａ…画素領域、Ｂ…表示領域。
【図１】
2009193801.tif 000003
【図２】
2009193801.tif 000004
【図３】
2009193801.tif 000005
【図４】
2009193801.tif 000006
【図５】
2009193801.tif 000007
【図６】
2009193801.tif 000008
【図７】
2009193801.tif 000009
【図８】
2009193801.tif 000010
【図９】
2009193801.tif 000011
【図１０】
2009193801.tif 000012