(57)【要約】【課題】シンチレータ層への水分侵入を防止してシンチレータ層の劣化を抑制することが可能な放射線検出器を提供する。【解決手段】可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、少なくとも前記シンチレータ層上に乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層して形成される保護膜とを備えたことを特徴とする放射線検出器。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、
少なくとも前記シンチレータ層上に乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層して形成される保護膜と
を備えたことを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記乾燥剤膜が第２族，第３族または第４族の金属のアルコキシドと有機ポリマーとの混合物から形成されることを特徴とする請求項１記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記有機ポリマーは、ケイ素含有ポリマーであることを特徴とする請求項２記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記ケイ素含有ポリマーは、３０〜３５モル％のメチルヒドロシロキサンと６５〜７０モル％のジメチルシロキサンの共重合体であることを特徴とする請求項２または３記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記有機ポリマーは、前記混合物中に２５体積％以上含むことを特徴とする請求項２ないし４いずれか記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記乾燥剤膜が酸化カルシウム，酸化マグネシウム、カルシウムまたはマグネシウムのいずれかから形成されることを特徴とする請求項１記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記防湿膜は，ポリパラキシレン，窒化シリコン、酸窒化シリコン酸化シリコン、アルミナおよび窒化アルミニウムの群から選ばれるいずれかの化合物から形成されることを特徴とする請求項１ないし６いずれか記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記保護膜は、前記シンチレータ層と前記乾燥剤膜の間にさらに形成された防湿膜を備えることを特徴とする請求項１ないし７いずれか記載の放射線検出器。
【請求項９】
可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、
前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、
少なくとも前記シンチレータ層上に形成された乾燥剤を分散した防湿膜と
を備えたことを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射する放射線を電気信号に変換する放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス型の平面検出器は、新世代のＸ線診断用画像検出器として開発されている。この平面検出器において、照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。
【０００３】
この種の平面検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との二通りの方式がある。直接方式は、Ｘ線をＸ線変換膜にて直接電荷信号に変換させることによって画像を取得する方式である。一方、間接方式はＸ線をシンチレータ層にて可視光に変化させてから、この可視光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオードやＣＣＤなどの光電変換素子で電荷信号に変換させて画像を取得する方式である。
【０００４】
間接方式の平面検出器に組み込まれるシンチレータ層は、ヨウ化セシウム：ナトリウム（ＣｓＩ：Ｎａ）や、ヨウ化セシウム：タリウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）などの材料が用いられている。このシンチレータ層は、ダイシングなどによって溝を形成するか、または柱状構造に堆積させたるか、いずれかにより柱状構造が形成されている。このような柱状構造を有するシンチレータ層は解像度特性が向上される。しかしながら、シンチレータ層に用いられる前記材料は強い吸湿性を示すものが多い。このため、大気雰囲気下に放置すると感度特性や解像度特性が劣化する。
【０００５】
このようなことから、大気や水分に対する遮蔽性を有するとともにＸ線に対する透過性を有する保護膜が間接方式の平面検出器のシンチレータ層上に形成して、そのシンチレータ層の特性の劣化を防ぐことが研究されている。例えば、特許文献１には真空あるいは不活性性ガス雰囲気下での蒸発堆積法によって形成したキシリレン系樹脂のような有機膜を防湿膜として用いることが開示されている。その他、ポリパラキシリレン膜、エポキシ樹脂膜を防湿膜として用いることも知られている。また、特許文献２には酸窒化珪素などの無機膜を防湿膜として用いることが開示されている。
【特許文献１】特公平５−３９５５８号公報（第２−３頁、第１図および第３図）
【特許文献２】特公平６−５８４４０号公報（第２−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、防湿膜によるシンチレータ層を含むＸ線検出器の保護において、防湿膜自体を通過した水分、防湿膜との密着界面から侵入する水分によりシンチレータ層が劣化する問題があった。
【０００７】
本発明は、シンチレータ層への水分侵入を防止してシンチレータ層の劣化を抑制することが可能な間接方式の放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１態様によると、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、少なくとも前記シンチレータ層上に乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層して形成される保護膜とを備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
【０００９】
本発明の第２態様によると、可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、少なくとも前記シンチレータ層上に形成された乾燥剤を分散した防湿膜とを備えたことを特徴とする放射線検出器が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シンチレータ層への水分侵入を防止してシンチレータ層の劣化を抑制でき、高い感度特性および解像度特性を長期間に亘って安定して維持することが可能な放射線検出器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係るＸ線検出器を図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は、実施形態に係る間接変換方式のＸ線検出器を示す要部断面図である。
【００１３】
間接変換方式のＸ線検出器１は、電極基板であるアクティブマトリクス光電変換基板２を備えている。光電変換基板２は、例えばコーニング社製商品名：コーニング１７３７からなるガラス板３（透光性板）と、このガラス板３の一主面上にマトリクス状に形成されたスイッチング素子としての複数の薄膜トランジスタ４および矩形平板状の複数の蓄積キャパシタ５と、これらの薄膜トランジスタ４および蓄積キャパシタ５上に形成された絶縁性平坦化樹脂層６と、この平坦化樹脂層６上に薄膜トランジスタ４と接続するように形成され、可視光を電気信号に変換する光電変換素子、例えばフォトダイオード７とを備えている。
【００１４】
前記薄膜トランジスタ４はガラス板３上に形成されたゲート電極１１を有し、前記蓄積キャパシタ５はガラス板３上に形成された第１電極１２を有する。ゲート絶縁膜および誘電体膜を兼ねる絶縁膜１３は、前記電極１１，１２を含む前記ガラス板３全面に形成されている。例えば不純物ドープ多結晶シリコンからなる活性層１４は、前記絶縁膜１３上に前記ゲート電極１１と対向するように形成されている。例えば金属またはＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）のような導電性薄膜からなる第２電極１５は、前記絶縁膜１３上に前記第１電極１２と対向するように形成されている。ソース電極１６は、前記活性層１４の一方の端部（例えば左端部）に重なるように前記絶縁膜１３上に形成されている。ドレイン電極１７は、前記活性層１４の他方の端部（例えば右端部）および前記第２電極１５の一端（例えば左端部）に重なるように前記絶縁膜１３上に形成されている。前記平坦化樹脂層６は、活性層１４、第２電極１５、ソース電極１６およびドレイン電極１７を含む前記絶縁膜１３全面に形成されている。
【００１５】
前記フォトダイオード７は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のｐｎダイオード構造あるいはｐｉｎダイオード構造として画素毎に前記平坦化樹脂層６上に形成されている。フォトダイオード７は、第１電極である集電電極２１および第２電極である例えばＩＴＯからなるバイアス電極２２を有する。集電電極２１は、平坦化樹脂層６のスルーホール２３を通して前記ドレイン電極１７に接続されている。バイアス電極２２は、バイアス電圧の印加により集電電極２１の間でバイアス電界が形成される。フォトダイオード７および集電電極２１、バイアス電極２２を除く平坦化樹脂層６上には絶縁樹脂層２４がバイアス電極２２と面一になるように形成されている。
【００１６】
ガラス板３の表面における行方向に沿った一側縁には、各薄膜トランジスタ４の動作状態、例えば各薄膜トランジスタ４のオンおよびオフを制御する細長矩形平板状の高速信号処理部（図示せず）が取り付けられている。この高速信号処理部は、信号の読み出しを制御したり、読み出された信号を処理したりするためのラインドライバである。高速信号処理部には、複数の制御ライン（図示せず）の一端が電気的に接続されている。各制御ラインは、各画素間に位置するようにガラス基板３の行方向に沿って配線されている。また、各制御ラインは同じの行の各画素を構成する薄膜トランジスタ４のゲート電極１１にそれぞれ電気的に接続されている。
【００１７】
ガラス板３の表面には、複数のデータライン（図示せず）が各画素間に位置するように列方向に沿って配線されている。各データラインは、同じ列の画素を構成する薄膜トランジスタ４のソース電極１６にそれぞれ電気的に接続され、同じ列の画素を構成する薄膜トランジスタ４から画像データ信号を受信する。各データラインの一端は、高速信号処理部に電気的に接続され、さらに高速信号処理部はデジタル画像処理部としてのデジタル画像伝送部（図示せず）と電気的に接続されている。このデジタル画像伝送部は、光電変換基板２の外側に導出された状態で取り付けられている。
【００１８】
入射するＸ線を可視光に変換するシンチレータ層３１は、バイアス電極２２を含む絶縁樹脂層２４上に形成されている。このシンチレータ層３１は、例えば蒸着法、エレクトロビーム法またはスパッタ法などの方法で、個別な柱状構造３１ａにヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）やヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などの蛍光体を堆積させて構成された柱状結晶である。したがって、シンチレータ層３１は柱状結晶によって発生した光の拡散が小さく、高い解像度を有する。
【００１９】
実施形態では、シンチレータ層３１表面に反射膜４１を形成している。但し、反射膜４１は必ずしも必須ではない。反射膜４１は、シンチレータ層３１が発する蛍光の内で光電変換素子と反対側に伝播する光を光電変換素子側に反射して、シンチレータ発光の利用効率を高めるものである。この効果により放射線検出器としての感度アップが図れる。一方、反射膜４２による反射光は光電変換素子までの伝播距離が長くなる分、シンチレータ層３１から光電変換素子に直接向かう直接光に対して広がりが大きい。このため、感度アップと引き換えに解像度の低下を招く恐れがある。保護膜４２は、反射膜４１上に形成されている。保護膜４２は、乾燥剤膜４３および防湿膜４４を有する。すなわち、乾燥剤膜４３反射膜４１上に形成されている。防湿膜４４は、乾燥剤膜４３上に形成されている。
【００２０】
反射膜４１は、例えばブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂のような熱可塑性高分子化合物に酸化チタン粉末を７０重量％以上含有する組成物を用いることができる。
【００２１】
乾燥剤膜４３は、例えば第２族，第３族または第４族の金属のアルコキシドと有機ポリマーとの混合物から形成される。
【００２２】
金属アルコキシドは、例えばアルミニウムアルコキシドを用いることができる。アルミニウムアルコキシドは、例えば双葉電子社製商品名；ＯｌｅＤｒｙ−Ｌ３（２５重量％のデカン溶媒を含む）を挙げることができる。
【００２３】
有機ポリマーは、ケイ素含有ポリマー、特にシリル基を持つケイ素含有ポリマーであることが好ましい。このようなケイ素含有ポリマーは、例えば３０〜３５モル％のメチルヒドロシロキサンと６５〜７０モル％のジメチルシロキサンの共重合体を用いることができる。有機ポリマーは、前記混合物に対して２５〜７０体積％含有することが好ましい。このような混合物からなる乾燥剤膜は、例えば前記混合物を溶剤に溶解した溶液を塗布する塗布法により形成することができる。
【００２４】
乾燥剤膜４３は、前記混合物の他に、例えば酸化カルシウム，酸化マグネシウム、カルシウムまたはマグネシウムのような材料から作ることができる。このような乾燥剤膜は蒸着法により形成することができる。
【００２５】
防湿膜４４は、（ａ）Ｘ線を透過し、（ｂ）透水性が低く、（ｃ）乾燥剤膜と反応しない，材料から作られることが好ましい。このような防湿膜４３は、例えば窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、アルミナ膜、窒化アルミニウム膜のような無機蒸着膜、または例えば蒸着により形成されるポリパラキシレン膜を用いることができる。防湿膜は、前記材料以外に、１００ｎｍ〜１００μｍのアルミニウム膜のような金属膜を用いることができる。
【００２６】
このような図１に示す構造の間接式Ｘ線検出器の作用を説明する。
【００２７】
Ｘ線は、防湿膜４４、乾燥剤膜４３および反射膜４１を通してシンチレータ層３１に入射されると、シンチレータ層３１で可視光を発生する。可視光は、反射膜４１側およびフォトダイオード７側に向けて放射される。反射膜４１に入射された可視光は、反射されてフォトダイオード７に向けて放射される。可視光は、フォトダイオード７で光電変換される。このとき、フォトダイオード７を挟んで上部側のバイアス電極２２にバイアス電圧を印加して集電電極２１にバイアス電界を発生させることにより、フォトダイオード７で生じた電荷（信号電荷）は、集電電極２１に移動し、この集電電極２１からドレイン電極１７などを通して蓄積キャパシタ５に蓄積される。
【００２８】
一方、この蓄積キャパシタ５に蓄積された信号電荷は、図示しない高速信号処理部で例えば画素単位の行ごとに順に制御されて読み出される。
【００２９】
すなわち、高速信号処理部から図示しないデータラインを通して第１行目に位置する画素単位のゲート電極１１にそれぞれ例えば１０Ｖのオン信号を入力して、第１行目の画素単位の薄膜トランジスタ４をそれぞれオン状態にする。薄膜トランジスタ４のオンにより第１行目の画素単位の蓄積キャパシタ５に蓄積された信号電荷は、ドレイン電極１７からソース電極１６に電気信号として出力される。ソース電極１６に出力した電気信号は、それぞれ高速信号処理部によって増幅される。増幅された電気信号は、デジタル画像伝送部（図示せず）に出力され、直列信号に変換され、さらにデジタル信号に変換されて図示しない次段の信号処理回路へと送られる。
【００３０】
第１行目に位置する画素単位の蓄積キャパシタ５の電荷の読み出しが終了すると、高速信号処理部からデータラインを通して第１行目の画素単位のゲート電極１１に対して、例えば−５Ｖのオフ信号が入力されて第１行目の画素単位の薄膜トランジスタ４をそれぞれオフ状態にする。
【００３１】
この後、上述した動作が第２行目以下の画素単位に対しても順になされる。全ての画素単位の蓄積キャパシタ５に蓄積した信号電荷が読み出され、順次デジタル信号に変換されて出力されて、１つのＸ線画面に対応する電気信号が図示しないデジタル画像伝送部から出力される。
【００３２】
以上説明したように、実施形態によればＸ線検出器１のシンチレータ層３１を含む電極基板（光変換基板）２上の反射膜４１に乾燥剤膜４３および防湿膜４４をこの順序で積層して保護膜４２を形成することによって、シンチレータ層３１への水分侵入を防止することが可能になる。すなわち、防湿膜４４自体を通過した水分や防湿膜４４と密着界面から浸入する水分が存在したとしても、その下層の乾燥剤膜４３によって水分を吸水してシンチレータ層３１が水分と反応するのを防止できる。
【００３３】
特に、乾燥剤膜４３を特定の金属のアルコキシドと有機ポリマーとの混合物から作ることによって、長期間に亘って優れた吸水性能を維持でき、シンチレータ層３１への水分侵入をより確実に防止することが可能になる。
【００３４】
事実、以下の実験で前記混合物からなる乾燥剤膜が優れた吸水性能を有することを確認した。
【００３５】
（実験例１）
気体導入ポートを有し、露点センサーが備えた密閉容器を用意した。４ｃｍ角サイズの無アルカリガラス板上に真空蒸着法でＣｓＩを成膜した。このガラス板をＨ2Ｏ濃度が１ｐｐｍ未満の環境下の前記密閉容器に入れ、気体導入ポートを開けて水分を含んだ空気を少量導入した後、再び密閉し、露点の時間変化を測定し、シンチレータ層の吸湿特性を調べた。その結果を図２に示す。
【００３６】
図２から露点変化が飽和してほぼ一定の露点になったところではＣｓＩが完全に吸水したと仮定して理想気体の状態方程式から算出して見積もった吸水量は０．２ｍｇである。この結果からＣｓＩのシンチレータ層が高い吸水性を有することがわかる。
【００３７】
（実験例２）
アルコキシアルミニウム［双葉電子社製商品名；ＯｌｅＤｒｙ−Ｌ３（２５重量％のデカン溶媒を含む）］とケイ素含有ポリマー［Gelest社製商品名；ＨＭＳ−３０１（３０−３５モル％のメチルヒドロシロキサンと６５−７０モル％のジメチルシロキサンの共重合体）］の加熱脱水物とを体積比が７０：３０になるように混合した混合物を塗布型乾燥剤（実験例２）として用意した。
【００３８】
なお、アルコキシアルミニウム［双葉電子社製商品名；ＯｌｅＤｒｙ−Ｌ３（２５重量％のデカン溶媒を含む）］のみを塗布型乾燥剤（比較例１）として用意した。
【００３９】
実験例２および比較例１の塗布型乾燥剤を同様なガラス板上にそれぞれ成膜して乾燥剤膜を形成し、これらの乾燥剤膜の吸水性能を調べた。その結果を図３にそれぞれ示す。
【００４０】
図３からは算出した実験例２および比較例１の乾燥剤膜は、吸水量が０．９６ｍｇで、ＣｓＩのシンチレータ層に比べて高い吸水性を有することがわかる。
【００４１】
しかしながら、比較例１の乾燥剤膜は顕微鏡による検査で吸水後にクラックが生じることを確認した。これは、乾燥剤の成分であるアルコキシアルミニウムが吸水するとアルミノールとなり低分子化するために、膜中に応力が発生し，クラックにつながったと考えられる。このようなクラックが発生すると、クラック部を通して水分が浸入し、Ｘ線検出器のシンチレータ層を劣化させる。
【００４２】
これに対し、ケイ素含有ポリマーが混合された実験例２の乾燥剤膜は吸水速度が遅くなるものの、トータルの吸水量は変わらず、吸水性能は維持できると共に、吸水時の膜中応力を緩和してクラック発生が防止された。
【００４３】
このようにアルコキシアルミニウムとケイ素含有ポリマーとの混合物からなる乾燥剤膜は、乾燥剤性能を損なうことなく、かつ吸水に伴うクラックなどを発生せず、長期間に亘って優れた吸水性能を維持できることが明らかとなった。
【００４４】
したがって、シンチレータ層３１への水分侵入を防ぎ、高温高湿条件の加速試験においてシンチレータ層３１の劣化を抑制して解像度および発光効率の低下を防止でき、高い感度特性および解像度特性を長期間に亘って維持することが可能なＸ線検出器を提供できる。
【００４５】
次に、乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層した保護膜を有するＸ線検出器の解像度を下記の実験例３により評価した。
【００４６】
（実験例３）
実験例３では、乾燥剤膜の有無によるシンチレータ層の解像度劣化を比較する目的に適したサンプルを作製した。すなわち、ガラス基板上に６００μｍのＣｓＩ:Ｔl蒸着膜をシンチレータ層として形成した。シンチレータ層上の保護膜は、ポリモノクロロパラキシリレン（パリレンｃ）からなる第１防湿膜、乾燥剤膜および同材料からなる第２防湿膜をこの順序で形成した３層構造を有する。
【００４７】
このような保護膜は、次のような方法により形成した。まず、前述した図１に示すＣｓＩからなるシンチレータ層３１上に化学蒸着法により厚さ５μmのポリモノクロロパラキシリレン（パリレンｃ）からなる第１防湿膜を直接形成した。つづいて，アルコキシアルミニウム［双葉電子社製商品名；ＯｌｅＤｒｙ−Ｔ０４９］とケイ素含有ポリマー［Gelest社製商品名；ＨＭＳ−３０１（３０−３５モル％のメチルヒドロシロキサンと６５−７０モル％のジメチルシロキサンの共重合体）］の加熱脱水物とを重量比が５０：５０になるように混合した混合物を第１防湿膜上に塗布し、１５０℃、１５分間焼成して乾燥剤膜を形成した。さらに乾燥剤膜上に化学蒸着法により厚さ２０μmのポリモノクロロパラキシリレン（パリレンｃ）からなる第２防湿膜を形成した。
【００４８】
また、比較例２のサンプルはガラス基板上に６００μｍのＣｓＩ:Ｔl蒸着膜をシンチレータ層として形成し、このシンチレータ層上に厚さ２５μｍのポリモノクロロパラキシリレン（パリレンｃ）からなる防湿膜を形成した構造を有する。すなわち、比較例２のサンプルは乾燥剤が防湿膜の間に介在されていない。
【００４９】
実験例３および比較例２のサンプルを６０℃、９０％の環境下に曝露しつつ、以下の方法で解像度を測定した。
【００５０】
解像度は、以下の試験装置に組み込み、各サンプルについて測定した。すなわち、サンプルをホルダ上にそのサンプルの防湿膜が上面に位置するように保持させた。Ｘ線源であるＸ線管は、ホルダの上方にサンプルのシンチレータ層とガラス基板の界面とＸ線の放射部の距離が１．０ｍになるように配置した。１．５ｍｍ厚さのアルミニウム薄膜からなるＸ線フィルタは、ホルダとＸ線管の間で、Ｘ線管側付近に配置した。解像度チャートはホルダとＸ線管の間で、サンプルのシンチレータ層とガラス基板の界面から約５ｍｍ離して配置した。ここで、解像度チャートは１ｍｍあたりに同じ幅のラインおよびスペースがそれぞれ２つ配列された２Ｌｐ／ｍｍの配列構造を有する。先端にタンデムレンズを取付けたＣＣＤカメラは、ホルダの背面側に配置した。
【００５１】
このような試験装置において、Ｘ線管を７０ｋＶ−１ｍＡの条件で作動し、Ｘ線をＸ線フィルタおよび解像度チャートを通してサンプルに照射し、シンチレータ層で光学画像に変換した。この光学画像をＣＣＤカメラで撮影して解像度チャート像を得た。ＣＣＤカメラの焦点は、サンプルのシンチレータ層とガラス基板の界面に合わせた。これは、ガラス基板による像のぼやけを避けて２Ｌｐ／ｍｍの解像度チャート像を撮影するためである。つづいて、ホルダとＸ線管の間の解像度チャートを取り除いてＸ線画像を同様に撮影した。このＸ線画像で解像度チャートを配置したときのＸ線画像を除算処理する等により測定サンプル自体の輝度むらを補正した。補正した解像度チャート像の明暗のコントラストより解像度の定量指標とする２Ｌｐ／ｍｍのＣＴＦ(Contrast Transfer Function)を計算した。得られた解像度結果から曝露時間に対する解像度の経時変化を図４に示す。
【００５２】
図４から明らかなように第１防湿膜、乾燥剤膜および第２防湿膜を積層した保護膜をシンチレータ層上に形成した実験例３のサンプルは、高温、高湿の環境下に４８時間曝露した後においても解像度の劣化は観察されず、高い解像度を維持できることを確認できた。
【００５３】
なお、保護膜は前述した乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層した２層構造、第１防湿膜、乾燥剤膜および第２防湿膜をこの順序で積層した３層構造に限らず、乾燥剤を分散した防湿膜であってもよい。また乾燥剤膜および乾燥剤分散膜の形態は、必ずしも連続膜に限らず断続的な膜や部分的な膜形態でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係るＸ線検出器を示す要部断面図。
【図２】ＣｓＩのシンチレータ層の吸水特性を示す図。
【図３】アルコキシアルミニウムとケイ素含有ポリマーの混合物からなる実験例２の乾燥剤膜、およびアルコキシアルミニウム単独からなる比較例１の乾燥剤膜の吸水特性を示す図。
【図４】乾燥剤膜および吸湿膜を有する保護膜がシンチレータ層上に形成された実験例３のＸ線検出器および吸湿膜のみがシンチレータ層上に形成された比較例２のＸ線検出器の６０℃、９０％の環境下に曝露したときの時間と解像度維持率の関係を示す図。
【符号の説明】
【００５５】
１…Ｘ線検出器、２…光変換基板、３…ガラス板、４…薄膜トランジスタ、５…蓄積キャパシタ、７…フォトダイオード、３１…シンチレータ層、４２…保護膜、４３…乾燥剤膜、４４…防湿層。
【図１】
2009098130.tif 000003
【図２】
2009098130.tif 000004
【図３】
2009098130.tif 000005
【図４】
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