(57)【要約】      （修正有）【課題】発光プロファイルにおける明暗を生じなくする。【解決手段】少なくとも一つの半導体レーザチップを具備する半導体レーザ装置が提供され、半導体レーザチップは電磁放射を放出する活性層を含む。さらに、少なくとも一つのコーナーリフレクタ１が半導体レーザチップ中に形成される。コーナーリフレクタ１は第１と第２の反射面１４、１５を有し、第１と第２の反射面１４、１５は互いに対して９０度未満の角度で配置される。これにより、半導体レーザ装置により放出される放射の向上した発光特性がもたらされる。【選択図】図２ａ
2009071307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を放出する活性層を含む少なくとも一つの半導体レーザチップ（７）と、
第１と第２の反射面（１４、１５）を有する少なくとも一つのコーナーリフレクタ（１）とを具備し、
前記第１と第２の反射面（１４、１５）は、前記半導体レーザチップ（７）中に形成され互いに対して９０度未満の角度で配置される、半導体レーザ装置。
【請求項２】
活性層によって放出されたビームが、前記コーナーリフレクタ（１）の前記第１の反射面（１４）に入射ビーム（３）として入射し、前記第１の反射面（１４）から反射されて前記第２の反射面（１５）へ向かい、前記第２の反射面（１５）から発出ビーム（４）として反射され、前記入射ビーム（３）と前記発出ビーム（４）は互いに平行に進行しない、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記入射ビーム（３）と前記発出ビーム（４）はビーム経路（２）を形成し、前記入射ビーム（３）と前記発出ビーム（４）は互いに交差する、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記入射ビーム（３）と前記発出ビーム（４）は、前記コーナーリフレクタ（１）の前記第１と第２の反射面（１４、１５）の交点と交わらないビーム経路（２）を形成する、請求項２または請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記コーナーリフレクタ（１）の前記第１の反射面（１４）と前記入射ビーム（３）は、互いに対して２０度より大きく４５度未満の角度である、請求項２から請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザチップはエッジエミッタとして構成される、請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体レーザチップ（７）中に、前記コーナーリフレクタ（１）の反対側に形成される別のコーナーリフレクタ（１）をさらに具備し、前記別のコーナーリフレクタ（１）は互いに対して９０度未満の角度で配置された二つ反射面（１４，１５）を有し、これらのコーナーリフレクタ（１）は、活性層によって放出された放射に対する共振器（１０）を共同で構成する、請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記半導体レーザチップ（７）はポンプ放射源を構成し、活性層によって放出されたポンプ放射によって光学的にポンピングされる面発光垂直エミッタレーザ（８）がポンプ放射源（７）の上に配置される、請求項７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記垂直エミッタレーザ（８）は、少なくとも一つの垂直エミッタ層（１３）を有し、前記垂直エミッタ層（１３）は、垂直主放射方向に放射を放出し、ポンプ放射源の活性層から垂直主放射方向に一定距離だけ離れている、請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記半導体レーザチップ（７）は基板（６）の上に配置され、共振器反射鏡（９）が前記垂直エミッタ層（１３）と前記基板（６）の間に配置され、前記垂直エミッタ層（１３）によって発生された放射は、前記基板（６）とは反対側の前記垂直エミッタレーザ（８）の面で出射される、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記半導体レーザチップ（７）は基板（６）の上に配置され、共振器反射鏡（９）が前記基板（６）とは反対側の前記垂直エミッタ層（１３）の面に配置され、前記垂直エミッタ層（１３）によって発生された放射は、前記基板（６）内または前記基板（６）側で結合され出射される、請求項９に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記垂直エミッタ層（１３）には、前記共振器反射鏡（９）と共に前記垂直エミッタレーザ（８）用の共振器を構成する外部反射鏡が付与される、請求項１０または請求項１１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
複数のコーナーリフレクタ（１）が、垂直エミッタ層（１３）の周りに星型状に配置される、請求項８から請求項１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
活性層によって放出された放射が前記垂直エミッタ層（１３）の下で交差するように、各コーナーリフレクタ（１）は相対配置される、請求項１３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
各コーナーリフレクタ（１）は循環するビーム経路が内部に形成される共振器を構成するように、各コーナーリフレクタ１は相対配置される、請求項１３または請求項１４に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１に記載された、半導体レーザチップとコーナーリフレクタとを具備する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コーナーリフレクタを備えるレーザ装置は、例えば、特許文献１から知られている。これらの装置は、導波路と前記導波路の端部に配置されたコーナーリフレクタを有する。
【０００３】
コーナーリフレクタは、互いに対して９０°の角度に配置された少なくとも二つの反射面を備える。反射面の一つに入射する放射は、両方の反射面で２重反射により反射されて、放射が入射した方向へ返される。つまり、放射はコーナーリフレクタの第１の反射面に入射し、コーナーリフレクタの第１の反射面から反射されてコーナーリフレクタの第２の反射面へ向かい、発出ビームと入射ビームが互いに平行に進行するように第２の反射面から反射される。
【０００４】
さらに、特許文献２は、面発光垂直発光領域と垂直発光領域を光学的にポンピングするモノリシック集積型ポンプ放射源を有する、光学ポンピング式の半導体レーザ装置を記述している。ポンプ放射源は、互いに対して直角に配置された２個の直線共振器端反射鏡を有し得る。これらの装置には、しかし、コーナーリフレクタが直角であるために、装置によって放出された放射の乱分布がレーザ装置の発光プロファイルに現れるという欠点がある。乱分布は、コーナーリフレクタの二つの反射面の交点または交点付近に入射する放射は、上述したような２重反射のビーム経路をたどらないという事実により発生する。その結果、望ましくない強度極小がコーナーリフレクタの発光プロファイルに現れることがあり、その強度極小は、例えば暗縞として目に見える。
【０００５】
さらに、特許文献１に記載された装置には、インデックスガイド型構成にしかこれらの装置を使用できないという欠点がある。レーザモードを規定するためには、これらの装置はリッジ導波路を有さなければならない。
【特許文献１】米国特許第7,035,508号明細書
【特許文献２】国際公開第2005/048423号パンフレット
【発明の開示】
【０００６】
本発明は、装置によって放出される放射の発光特性を向上させた半導体レーザ装置を示すという目的に基づいている。
【０００７】
この目的は請求項１の特徴をもつ半導体レーザ装置によって達成される。従属請求項は、当該装置の有利な実施形態及び好適な実施形態に関する。
【０００８】
本発明は、少なくとも一つの半導体レーザチップを具備する半導体レーザ装置を提供し、この半導体レーザチップは電磁放射を放出する活性層を含む。さらに、少なくとも一つのコーナーリフレクタが、半導体レーザチップ中に形成される。コーナーリフレクタは第１と第２の反射面を有し、第１と第２の反射面は互いに対して９０度未満の角度で配置される。
【０００９】
好ましくは、第１と第２の反射面は、互いに対して７０度より大きく９０度未満の角度で配置される。
【００１０】
コーナーリフレクタの反射面のこの配置が、半導体レーザ装置により放出される放射の向上した発光特性をもたらす。コーナーリフレクタの直角において起こり得る強度極小は、反射面が互いに対して９０度未満の角度であることによって大部分避けられ、それにより、半導体レーザ装置の発光プロファイルにおける暗縞を大部分生じなくする。装置の効率と発光品質が、その結果増大する。向上した発光特性が有利に実現される。
【００１１】
半導体レーザ装置の少なくとも一つの実施形態によれば、コーナーリフレクタはドライエッチングによって製造される。コーナーリフレクタの反射面の被覆部は、有利には、限られた程度でのみ必要である。コーナーリフレクタの反射面の被覆部に必要とされる要件は、有利に減少される。一例として、反射を増加させる連続層の代わりに単一層を使用できる。これは、有利には、このような半導体レーザ装置の製造コストと製造時間を削減する。
【００１２】
半導体レーザ装置の少なくとも一つのさらに別の実施形態によれば、活性層によって放出されたビームが、コーナーリフレクタの第１の反射面に入射ビームとして入射し、第１の反射面から反射されて第２の反射面へ向かい、第２の反射面から発出ビームとして反射されるときに、入射ビームと発出ビームは互いに平行に進行しない。
【００１３】
好ましくは、入射ビームと発出ビームはビーム経路を形成し、入射ビームと発出ビームは互いに交差する。
【００１４】
入射及び発出ビームは、好ましくは、内蔵型のビーム経路を形成する。好ましくは、共振器中のすべてのビームが内蔵型のビーム経路を形成する。その結果、有利には、半導体レーザ装置により放出される放射が最大効率をもつ。
【００１５】
入射及び発出ビームの非平行なビーム経路によって、そして入射及び発出ビームの交点によって、レーザチップの効率を有利に増大させることができる。さらに、コーナーリフレクタの直角部において発生する強度極小は大部分避けられるので、レーザチップの向上した発光特性が、その結果、有利に生じる。
【００１６】
以下における交点という用語は、数学的に正しい意味の交点を意味するのではない。むしろ、以下における交点という用語は、例えば、活性層によって放出された放射のビームが互いに交差する交差面域または交差体積といった、二次元または三次元の領域を意味し得る。
【００１７】
最大放射強度が得られる入射及び発出ビームの交点が、半導体レーザチップから放射が発出する面域に配置されるように、コーナーリフレクタの反射面間の角度を好ましくは設定することができる。その結果、半導体レーザチップの放射の最大発光強度を実現することができる。
【００１８】
好ましくは、入射ビームと発出ビームは、コーナーリフレクタの第１と第２の反射面の交点と交わらないビーム経路を形成する。共振器中にこのように提供されたビーム経路は、コーナーリフレクタの直角部とそれに伴ってコーナーリフレクタの直角部で発生する強度極小が大部分避けられるので、レーザチップの発光プロファイルにおける暗縞を大部分生じなくすることを可能にする。したがって、レーザチップによって放出された放射の向上した大きな分布を得ることができる。
【００１９】
好ましくは、コーナーリフレクタの第１の反射面と入射ビームは、互いに対して２０度より大きく４５度未満の角度である。その結果、レーザチップの発光プロファイルにおける暗縞を除外することが、好ましくはさらに可能になる。
【００２０】
半導体レーザ装置の少なくとも一つの実施形態によれば、コーナーリフレクタの第１と第２の反射面は、入射ビームと発出ビームがこれらの反射面で全反射されるように互いに対して配置される。その結果、共振器中の光学的損失を大部分避けることができる。
【００２１】
少なくとも一つの実施形態によれば、半導体レーザチップはエッジエミッタとして構成される。エッジエミッタにおいて、コーナーリフレクタの反射面間の角度を減少させることより、その結果、エッジエミッタによって放出される放射の最大強度を放射の放出のために与えられたチップの縁部で得ることが可能である。さらに、エッジエミッタより放出される放射の向上した発光特性が実現される。放射の発光プロファイルにおける暗縞は、大部分が回避される。
【００２２】
半導体レーザ装置の少なくとも一つのさらに別の実施形態によれば、半導体レーザチップはポンプ放射源を構成し、活性層によって放出されたポンプ放射によって光学的にポンピングされる面発光垂直エミッタレーザがポンプ放射源の領域の上に配置される。
【００２３】
垂直エミッタレーザが、電気的にポンピングされるポンプ放射源の領域の上に配置されるように、半導体レーザ装置は好ましくは構成される。好ましくは、ポンプ放射源の活性層によって放出された放射に対する共振器を構成するポンプ放射源の領域が、電気的にポンピングされる。これは、ポンプ放射源のポンピングされない領域における吸収の結果として起こり得る、ポンプ放射源の活性層によって放出された放射の損失を有利に減少させる。さらに、ポンプ放射源の活性層によって放出された放射に対する共振器を構成するポンプ放射源の領域のみが電気的にポンピングされる。その結果、領域は垂直エミッタレーザを光学的にポンピングし、したがって半導体レーザ装置の光発生に寄与する。これにより、半導体レーザ装置により放出される放射の効率が全体的に増大される。
【００２４】
９０度未満であるコーナーリフレクタの反射面間の角度は、ポンプ放射源による垂直エミッタレーザの光学的ポンピングの向上をもたらす。さらに、ポンプ放射源の共振器における光学的損失を大部分避けることができる。
【００２５】
半導体レーザ装置の少なくとも一つのさらに別の実施形態によれば、コーナーリフレクタの反対側に、さらに別のコーナーリフレクタが半導体レーザチップ中に形成され、前記さらに別のコーナーリフレクタは互いに対して９０度未満の角度で配置された二つ反射面を有し、これらのコーナーリフレクタは活性層によって放出された放射に対する共振器を共同で構成する。
【００２６】
好ましくは、コーナーリフレクタ間のポンプ放射のビーム経路は、垂直エミッタレーザの下に有利には配置される交点をもつ。これにより、半導体レーザ装置の光学的ポンピングが生じるように好ましく意図される領域において、高い強度のポンプ放射が達成され得る。
【００２７】
好ましくは、垂直エミッタレーザは、少なくとも一つの垂直エミッタ層を有し、垂直エミッタ層は、垂直主放射方向に放射を放出し、ポンプ放射源の活性層から垂直主放射方向に一定距離だけ離れている。
【００２８】
好ましくは、ポンプ放射源と垂直エミッタレーザの間に中間層が配置され、中間層はポンプ放射源の共振器からポンプ放射を出力（couple out）し、それを垂直エミッタレーザに入力（couple in）する。
【００２９】
半導体レーザ装置の少なくとも一つの実施形態によれば、垂直エミッタレーザは、垂直主放射方向に直交するように配置された共振器反射鏡を有する。共振器反射鏡は、好ましくは、垂直エミッタ層と基板の間に配置される。この場合には、垂直エミッタ層によって発生された放射は、基板とは反対側の垂直エミッタレーザの面で出射される（上面エミッタ）。代替的に、基板とは反対側の垂直エミッタ層の面に共振器反射鏡を配置できる。この場合には、垂直エミッタ層によって発生された放射は、基板内または基板側で、例えば基板の開口内で結合され出射される（底面エミッタ）。
【００３０】
好ましくは、垂直エミッタ層には、共振器反射鏡と共に垂直エミッタレーザ用の共振器を構成する外部反射鏡が付与される。
【００３１】
共振器反射鏡は、好ましくはブラッグ反射鏡である。
【００３２】
半導体レーザ装置のさらに別の実施形態では、複数のコーナーリフレクタが垂直エミッタ層の周りに星型状に配置される。
【００３３】
好ましくは、いずれの場合もコーナーリフレクタの反対側にさらに別のコーナーリフレクタが形成されるように、各コーナーリフレクタは相対配置される。
【００３４】
好ましくは、活性層によって放出されたビームが、いずれの場合もコーナーリフレクタの第１の反射面に入射ビームとして入射し、第１の反射面から反射されて第２の反射面へ向かい、第２の反射面から反射されるときに、発出ビームと入射ビームが互いに平行に進行せずに互いに交差するように、各コーナーリフレクタは形成される。
【００３５】
コーナーリフレクタは好ましくは、個々のコーナーリフレクタの入射ビームと発出ビームの交点が重なり、交点が垂直エミッタ層の下に好ましくは配置されるように、相対配置される。
【００３６】
交点の領域において高いポンプ放射強度を得ることができる。これは、有利には、ポンプ放射源の発光特性の向上をもたらし、それによりポンプ放射源による均一な光学的ポンピングを可能にする。垂直エミッタ層の下に好ましくは配置される、個々のコーナーリフレクタの入射及び発出ビームの交点の領域は、垂直エミッタ層の光学的ポンピングが発生するように好ましくは意図される半導体レーザ装置の領域において高い強度のポンプ放射を提供する。
【００３７】
半導体レーザ装置の少なくとも一つのさらに別の実施形態によれば、各コーナーリフレクタは循環するビーム経路が内部に形成される共振器を構成するように、各コーナーリフレクタは相対配置される。
【００３８】
ポンプレーザの活性層は、放射を発生するために、好ましくはｐｎ接続、二重へテロ構造、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。本出願の文脈では、ここに挙げた量子井戸構造は、詳しく言えば、閉じ込めの結果として電荷キャリアがそのエネルギ状態の量子化を受けることができるいかなる構造をも含む。特に、ここに挙げた量子井戸構造は、量子化の大きさに関する指示を全く含まない。したがって、とりわけ、量子井戸、量子細線及び量子ドット及びこれらの構造のいずれかの組み合わせを包含する。
【００３９】
半導体レーザ装置のさらに他の特徴、有利な好適な実施形態及び適切性は、図面と併せて以下に説明する例示的な実施形態から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
同一のまたは同一の働きをする構成要素は、いずれの場合も、同一の参照符号が付けられる。図示した構成要素、さらには構成要素の相互間の大きさの関係は、必ずしも実寸大であるとみなすべきではない。
【００４１】
図１に示した半導体レーザ装置５の場合は、面発光垂直エミッタレーザ８が、ポンプ放射源として構成された半導体チップ７の上に配置される。半導体レーザ装置５は基板６の上に配置される。
【００４２】
ポンプ放射源７から遠い主面域に、基板６は、ポンプ放射源７との電気的接触を与えるコンタクト面域１２を有する。ポンプ放射源７との接触をさらに与えるために、電気的コンタクト層１１が基板６から遠い面に好ましくは被着される。コンタクト層１１は、垂直エミッタレーザ８が形成される領域に切り抜き部を有する。
【００４３】
面発光垂直エミッタレーザ８は、放射発生垂直エミッタ活性層１３を有する。ポンプ放射源７は、共振器１０を有し、共振器１０の内部には、主放射方向に電磁放射を放出する活性層が配置される。放射発生垂直エミッタ活性層１３は、ポンプ放射源７の共振器１０から垂直主放射方向に一定距離だけ離れている。
【００４４】
中間層１８が、ポンプ放射源７と垂直エミッタレーザ８の間に配置される。中間層１８は、ポンプ放射源７のポンプ共振器１０からポンプ放射源７のポンプ放射を出力（couple out）し、それを垂直エミッタレーザ８に入力（couple in）する。
【００４５】
ポンプ放射源７の共振器１０は、共振器１０の二つの対向配置された端部に各々コーナーリフレクタ１を有する。各コーナーリフレクタ１は、第１と第２の反射面を有し、第１と第２の反射面は互いに対して９０度未満の角度で配置される。好ましくは、第１と第２の反射面は、互いに対して７０度より大きく９０度未満の角度で配置される。
【００４６】
ポンプ放射源７は、垂直主放射方向を横切るポンプ主放射方向にポンプ放射を放出する。垂直エミッタレーザ８の活性層１３が、ポンプ放射源７のポンプ放射によって光学的にポンピングされる。
【００４７】
コーナーリフレクタの反射面間の角度が９０度未満であることが、ポンプ放射源７による垂直エミッタレーザ８の光学的ポンピングの向上をもたらす。
【００４８】
コーナーリフレクタ１の反射面は、ポンプ放射源７の共振器１０内に位置付けられた放射がコーナーリフレクタ１の反射面で全反射されるように相対配置される。ポンプ放射の低い光学的損失が、結果的に、有利に達成される。したがって、共振器１０における光学的損失を大部分避けることができる。
【００４９】
コーナーリフレクタは、好ましくは、ドライエッチングによって製造される。コーナーリフレクタ１の反射面の被覆部は、有利には、限られた程度でのみ必要である。コーナーリフレクタ１の反射面の被覆部に必要とされる要件は、有利に減少される。一例として、反射を増大させる連続層の代わりに単一の層を使用できる。これは、好ましくは、このような半導体レーザ装置５の製造コストと製造時間を削減する。
【００５０】
好ましくは、垂直エミッタレーザ８は、共振器反射鏡９、好ましくはブラッグ反射鏡を有する。共振器反射鏡９は、好ましくは、垂直主放射方向に直交するように配置される。図１では、共振器反射鏡９は、ポンプ放射源７と基板６の間に配置される。この場合には、垂直エミッタ層１３によって発生された放射は、基板６とは反対側の垂直エミッタレーザ８の面で出射される（上面エミッタ）。代替的に、基板６とは反対側の垂直エミッタ層１３の面に共振器反射鏡９を配置できる。この場合には、垂直エミッタ層１３によって発生された放射は、基板６内または基板の開口内で結合され出射される（底面エミッタ）。
【００５１】
好ましくは、垂直エミッタ層１３には、共振器反射鏡９と共に垂直エミッタレーザ８用の共振器を構成する外部反射鏡が付与される（図示せず）。
【００５２】
好ましくは、ポンプ放射源７の活性層は、放射を発生するために、ｐｎ接続、二重へテロ構造、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。本出願の文脈では、ここに挙げた量子井戸構造は、詳しく言えば、閉じ込めの結果として電荷キャリアがそのエネルギ状態の量子化を受けることができるいかなる構造をも含む。特に、ここに挙げた量子井戸構造は、量子化の大きさに関する指示を全く含まない。したがって、とりわけ、量子井戸、量子細線及び量子ドット及びこれらの構造のいずれかの組み合わせを包含する。
【００５３】
ポンプ放射源７の共振器１０及び共振器１０内に位置付けられた放射のビーム経路２の好適な例示的な実施形態が、図２ａ及び図４ａ〜４ｄに示される。
【００５４】
図２ａは、図１に示した半導体レーザ装置のポンプ放射源の共振器１０の例示的な実施形態を示す。各コーナーリフレクタ１は、共振器１０の二つの対向配置された端部に配置される。コーナーリフレクタ１の第１の反射面１４と第２の反射面１５は、互いに対して９０°未満の角度で配置される。
【００５５】
コーナーリフレクタ１の反射面１４、１５のこの配置は、半導体レーザ装置によって放出される放射の発光特性の向上をもたらす。互いに対する反射面１４、１５の９０°未満の角度は、直角で現れる強度極小が大部分避けられるので、半導体レーザ装置の発光プロファイルにおける暗縞を大部分生じなくする。装置の効率と発光品質が、その結果増大される。向上した発光特性が有利に実現される。
【００５６】
ビーム経路２が、共振器１０内に２個のコーナーリフレクタ１の間に形を成す。ビーム経路２は、好ましくは、放射の交点１６を有する。ビーム経路２の交点１６は、コーナーリフレクタ１の反射面１４、１５間の角度から生じる。
【００５７】
ビーム経路２の交点１６においてポンプ放射源の最大放射強度が有利に得られる。さらに、ポンプ放射源のポンプ放射による垂直エミッタレーザの向上した光学的ポンピングが、好ましくは、交点１６において生じる。
【００５８】
コーナーリフレクタ１は、好ましくは、活性層によって放出された放射が互いに交差し、その交点が垂直エミッタ層の下に配置されるように、相対配置される。これにより半導体レーザ装置の光学的ポンピングが生じるように好ましく意図される領域において、高い強度のポンプ放射が達成され得る。
【００５９】
好ましくは、ビーム経路２は、コーナーリフレクタ１の第１と第２の反射面１４、１５の交点と交わらない。共振器１０中にこのように提供されたビーム経路は、直角で発生する強度極小が避けられるので、ポンプ放射源の発光プロファイルにおける暗縞を大部分生じなくすることを可能にする。したがって、ポンプ放射源により放出される放射の向上した光分布を得ることができる。
【００６０】
図２ｂは、エッジエミッタとして構成される、半導体レーザチップの共振器１０の例示的な実施形態を示す。共振器１０の一端側に、互いに対して９０度未満の角度で配置された二つの反射面１４、１５をもつコーナーリフレクタ１が配置される。
【００６１】
第１の反射面１４に入射する入射ビーム３は、第１の反射面１４から反射されて第２の反射面１５へ向かい、第２の反射面１５から発出ビーム４として反射されるが、このとき発出ビーム４と入射ビーム３は互いに平行に進行しないようにされる。
【００６２】
入射ビーム３と発出ビーム４は、好ましくは互いに交差する。入射及び発出ビーム３、４の非平行なビーム経路によって、そして入射及び発出ビーム３、４の交点１６によって、交点１６においてエッジエミッタの効率を増大させることが有利に可能である。さらに、エッジエミッタの向上した発光特性が結果的に得られる。
【００６３】
コーナーリフレクタ１の反射面１４、１５間の角度は、最大放射強度が得られる入射及び発出ビーム３、４の交点１６が放射の放出側に与えられたチップ縁部１７に配置されるように、好ましくは配置される。その結果、エッジエミッタによって放出される放射の最大発光強度を放射の放出側に与えられたチップ縁部１７で得ることができる。さらに、エッジエミッタより放出される放射の向上した発光特性が実現される。放射の発光プロファイルにおける暗縞は、大部分回避される。
【００６４】
好ましくは、入射ビーム３と発出ビーム４は、コーナーリフレクタ１の第１と第２の反射面１４、１５の交点と交わらないビーム経路を形成する。共振器１０中にこのように提供されたビーム経路は、直角で発生する強度極小が大部分避けられるので、エッジエミッタの発光プロファイルにおける暗縞を大部分生じなくすることを可能にする。したがって、エッジエミッタによって放出される放射の向上した光分布を得ることができる。
【００６５】
好ましくは、コーナーリフレクタ１の第１の反射面１４と入射ビーム３は互いに対して４５度未満の角度である。エッジエミッタの発光プロファイルにおける暗縞を除外することが、好ましくはその結果さらに可能になる。
【００６６】
図３ａ及び３ｂは、従来の共振器１０の例示的な実施形態を示す。図３ａは、ポンプ放射源中に配置された従来の共振器１０を示す。従来のエッジエミッタとして設計された構成の共振器１０が、図３ｂに示される。
【００６７】
図３ａに示されたコーナーリフレクタ１は、互いに対して９０度の角度で配置された二つの反射面１４、１５を有する。９０度の角度であるために、活性層によって放出され、共振器１０中を伝播する放射２が平行なビーム経路２を進行することになる。
【００６８】
共振器１０は、共振器１０中を伝播する活性層より放出された放射から生じる入射ビーム３と発出ビーム４を有する。反射面１４に入射する放射は、両方の反射面１４、１５での２重の反射によって反射されて、放射が入射した方向に正にそのまま返される。つまり、放射はコーナーリフレクタ１の第１の反射面１４に入射ビーム３として入射し、コーナーリフレクタ１の第１の反射面１４から反射されてコーナーリフレクタ１の第２の反射面１５へ向かい、発出ビーム４と入射ビーム３が互いに平行に進行するように第２の反射面１５から反射される。
【００６９】
ビーム経路２は、コーナーリフレクタ１の第１と第２の反射面１４、１５の交点に交わる。しかし、コーナーリフレクタの直角部または直角部付近に入射する放射は、上述したような２重反射のビーム経路をたどらない。その結果、望ましくない強度極小が、コーナーリフレクタの直角箇所で半導体レーザチップの発光プロファイルに現れることがあり、その強度極小は、例えば暗縞として目に見える。半導体レーザチップにより放出される放射の不均一な発光特性が、その結果不都合にも生じる。
【００７０】
図４に示される、半導体レーザチップ中に配置された共振器の例示的な実施形態は、複数のコーナーリフレクタ１が配置されている点で図２ａの例とは異なる。コーナーリフレクタ１は、いずれの場合も、循環するビーム経路２を形成する。
【００７１】
コーナーリフレクタ１は、いずれの場合も、垂直エミッタ層の周りに星型状に配置される。図４ａ〜４ｄにおいて、活性層によって放出された放射が、いずれの場合もコーナーリフレクタ１の第１の反射面に入射し、第１の反射面から反射されて第２の反射面へ向かい、第２の反射面から反射されるときに、入射ビームと発出ビームが互いに平行に進行せずに互いに交差するように、コーナーリフレクタ１はいずれも形成される。
【００７２】
図４ａ〜４ｄにおいて、個々のコーナーリフレクタ１の入射ビームと発出ビームの交点が垂直エミッタ層の下で重なるように、各コーナーリフレクタ１は相対配置される。
【００７３】
交点１６の領域では、高いポンプ放射強度を得ることができる。これは、有利には、ポンプ放射源の発光特性の向上をもたらし、それによりポンプ放射源による均一な光学的ポンピングを可能にする。垂直エミッタ層の下に好ましくは配置される、個々のコーナーリフレクタ１の入射及び発出ビームの交点１６の領域は、垂直エミッタ層の光学的ポンピングが発生するように好ましくは意図される半導体レーザ装置の領域において高い強度のポンプ放射を提供する。
【００７４】
図４ａ〜４ｄにおいて、各コーナーリフレクタ１は、循環するビーム経路２が内部に形成される共振器を構成するように、各コーナーリフレクタ１は相対配置され、ここでは活性層によって放出された放射の内蔵型のビーム経路２が形成される。
【００７５】
本発明は例示的な実施形態に、前記の例示的な実施形態に基づいた説明によって限定されはしない。むしろ、本発明は、特許請求項における各特徴の任意の組み合わせを特に含んでなる、いずれかの新規な特徴及びいくつかの特徴のいずれかの組み合わせ（この特徴またはこの組み合わせ自体が特許請求項または例示的な実施形態に明示されていないとしても）を包含する。
【００７６】
本特許出願は、ドイツ特許出願10 2007 043 189.0及びドイツ特許出願10 2007 053 296.4の優先権を主張し、その開示内容は参照することにより本文書に援用される。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明による半導体レーザ装置の第１の例示的な実施形態の概略断面図
【図２ａ】ポンプ放射源として構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップの共振器の概略平面図
【図２ｂ】エッジエミッタとして構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップのさらに別の共振器の概略平面図
【図３ａ】ポンプ放射源として構成される、従来の半導体レーザチップの共振器の概略平面図
【図３ｂ】エッジエミッタとして構成される、従来の半導体レーザチップの共振器のさらに別の概略平面図
【図４ａ】ポンプ放射源として構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップの複数のコーナーリフレクタを有する共振器の概略平面図
【図４ｂ】ポンプ放射源として構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップの複数のコーナーリフレクタを有するさらに別の共振器の概略平面図
【図４ｃ】ポンプ放射源として構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップの複数のコーナーリフレクタを有するさらに別の共振器の概略平面図
【図４ｄ】ポンプ放射源として構成される、本発明による半導体レーザ装置の半導体レーザチップの複数のコーナーリフレクタを有するさらに別の共振器の概略平面図
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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