(57)【要約】 【課題】光硬化性樹脂によって全体の機械的強度を高めた半導体のパッケージング方法を提供する。【解決手段】基板２０の頂面に配置された少なくとも一つの遮蔽ユニット１０により形成された収容空間１２内の基板２０上にチップ３０を配置するステップと、収容空間１２に光硬化性樹脂層４０を形成することよってチップ３０を完全に遮蔽するステップと、露光及び現像処理によって光硬化性樹脂層４０の一部分を硬化させ、完全硬化の非犠牲部位４２と未硬化の犠牲部位を形成し、前記犠牲部位をチップ３０に対応させるステップと、前記犠牲部位を除去することによりチップ３０の作用区３２を外部に露出させるステップと、を含む。この方法によると、光硬化性樹脂層は、良好な剛性と付着力を有し、パッケージ全体の機械的強度を高めることができる。従って、チップを確実に保護することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの遮蔽ユニットを基板の頂面に配置し、前記遮蔽ユニットによって収容空間を形成し、前記基板に配置されるチップを前記収容空間に位置付けるステップａと、
前記収容空間に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層によって前記チップを完全に遮蔽するステップｂと、
露光及び現像処理によって前記光硬化性樹脂層の一部分を硬化させ、完全硬化の非犠牲部位と未硬化の犠牲部位を形成し、かつ前記犠牲部位を前記チップに対応させるステップｃと、
前記犠牲部位を除去することにより前記チップの作用区を外部に露出させるステップｄと、を含むことを特徴とする半導体のパッケージング方法。
【請求項２】
前記ステップｃは、さらに、
治具を前記光硬化性樹脂層の頂面に配置し、前記治具によって垂直方向上の前記チップの頂部を遮蔽するステップｃ１と、
前記光硬化性樹脂層に露光処理を行うことにより、露光処理を受けて硬化した部分が前記非犠牲部位を形成し、露光処理を受けていない部分が前記犠牲部位を形成するステップｃ２と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体のパッケージング方法。
【請求項３】
前記ステップｄは、前記治具を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体のパッケージング方法。
【請求項４】
前記ステップｄは、前記犠牲部位をエッチング法によって除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体のパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体のパッケージング方法に関し、特に光硬化性樹脂による半導体のパッケージング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のパッケージング方法による構成を図６に示す。従来のパッケージング方法は、次のステップを含む。第１ステップは、少なくとも一つの遮蔽ユニット１を基板２の頂面に配置し、遮蔽ユニット１によって収容空間３を形成し、基板２に配置されるチップ４を収容空間３に位置付ける。第２ステップは、遮蔽ユニット１の頂部に光硬化性樹脂５を塗布する。第３ステップは、遮蔽ユニット１の頂部に透光性のある蓋体６を被せることにより収容空間３を密閉する。第４ステップは、露光処理によって光硬化性樹脂５を硬化させて遮蔽ユニット１と蓋体６に固着する。
【０００３】
しかしながら、蓋体６は、一般的にガラス材質から構成されるため、外力の衝撃によって破損を受けてしまう。言い換えれば、この従来のパッケージング方法は、構成全体の機械的強度が限られるため、チップ４を確実に保護できないという問題を抱える。このとき蓋体６の機械的強度を高めるために蓋体６の厚さを増やすと、チップ４の動作機能に影響を与えてしまうという問題が生じる。また同時に遮蔽ユニット１の厚さを増やすことにより機械的強度を高めると、全体の体積とコストを増加させてしまうという問題が生じる。この様に、従来のパッケージング方法は上述の欠点を抱えており改善の余地がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主な目的は、光硬化性樹脂によって全体の機械的強度を高め、チップを確実に保護可能な半導体のパッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の目的を達成するために、本発明による半導体のパッケージング方法は、次のステップを含む。ステップａは、少なくとも一つの遮蔽ユニットを基板の頂面に配置し、遮蔽ユニットによって収容空間を形成し、基板に配置されるチップを収容空間に位置付ける。ステップｂは、収容空間に光硬化性樹脂層を形成し、光硬化性樹脂層によってチップを完全に遮蔽する。ステップｃは、露光及び現像処理によって光硬化性樹脂層の一部分を硬化させ、完全硬化の非犠牲部位と未硬化の犠牲部位を形成し、かつ犠牲部位をチップに対応させる。ステップｄは、犠牲部位を除去することによりチップの作用区を外部に露出させる。
【０００６】
本発明による半導体のパッケージング方法によると、上述したステップを利用するため、光硬化性樹脂層は、従来のものと比べて良好な剛性と付着力を有し、全体の機械的強度を高めることができる。従って、チップを確実に保護することができる。
また本発明によると、光硬化性樹脂層によってチップの作用区を直接遮蔽することなしにチップの保護効果を果たすため、従来のものと比べて、チップの動作機能をより良好にすることができる。
また従来の蓋体の多くはガラス材質から構成されていることに対し、本発明における光硬化性樹脂層は、コストがガラス材質よりも安いため、コストを削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法は、図１から図５に示すように、次のステップを含む。
【０００８】
ステップａは、図２に示すように、遮蔽ユニット１０を基板２０の頂面に配置し、遮蔽ユニット１０によって収容空間１２を形成し、基板２０に配置されるチップ３０を収容空間１２に位置付ける。
ステップｂは、図３に示すように、収容空間１２に光硬化性樹脂を注入し、光硬化性樹脂層４０を形成し、光硬化性樹脂層４０によってチップ３０を完全に遮蔽する。このとき、光硬化性樹脂層４０は膠状である。
【０００９】
ステップｃは、図４に示すように、露光及び現像処理によって光硬化性樹脂層４０の一部分を硬化させ、完全に硬化した非犠牲部位４２と未硬化の犠牲部位４４を形成し、かつ犠牲部位４４をチップ３０に対応させる。ステップｃは、さらに次に示すステップｃ１およびステップｃ２の工程を含む。
ステップｃ１は、治具５０を光硬化性樹脂層４０の頂面に配置し、治具５０によって垂直方向上のチップ３０の頂部を遮蔽する。
ステップｃ２は、光硬化性樹脂層４０に露光処理を行うことにより、露光処理を受けて硬化した部分が非犠牲部位４２を形成し、露光処理を受けていない部分が犠牲部位４４を形成する。
【００１０】
ステップｄは、図５に示すように、まず治具５０を除去し、続いて光硬化性樹脂層４０の犠牲部位（図中未表示）を除去することにより孔４６が形成され、チップ３０の作用区３２を外部に露出させる。本実施形態において、犠牲部位４４はエッチング法によって除去される。
【００１１】
本実施形態による半導体のパッケージング方法は、上述したステップを利用するため、光硬化性樹脂層４０は、従来のものと比べて良好な剛性と付着力を有し、全体の機械的強度が足りないという従来の問題を克服することができる。つまり、本実施形態によると、全体の機械的強度を確実に高め、チップ３０を確実に保護することができる。
また本実施形態は、光硬化性樹脂層４０によってチップ３０の作用区３２を直接遮蔽することなくチップ３０の保護効果を果たすため、従来のものと比べて、チップ３０の動作機能をより良好にすることができる。
また従来の蓋体の多くはガラス材質から構成されるのに対し、本実施形態における光硬化性樹脂層４０は、コストがガラス材質よりも安いため、コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法において、光硬化性樹脂層を形成する前の状態を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法において、光硬化性樹脂層を形成した後の状態を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法において、光硬化性樹脂層に露光処理を行う状態を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体のパッケージング方法において、治具と犠牲部位を除去した後の状態を示す模式図である。
【図６】従来のパッケージング方法による構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００１３】
１０：遮蔽ユニット、１２：収容空間、２０：基板、３０：チップ、３２：作用区、４０：光硬化性樹脂層、４２：非犠牲部位、４４：犠牲部位、４６：孔、５０：治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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