(57)【要約】【課題】  本発明は、単結晶シリコン基板から作られるMEMS又はNEMS構造の機械部品の製造方法に関する。【解決手段】  当該方法は：前記機械部品を画定するために前記基板の一面に固定領域を形成する工程；シリコン以外の材料で作られ、かつ前記の基板の一面からのエピタキシャル成長によって得られる下部保護層を前記の基板の一面上に形成する工程；前記下部保護層からのエピタキシャル成長によって得られるシリコン層を前記下部保護層上に形成する工程；前記シリコン層上に上部保護層を形成する工程；前記機械部品を画定するパターンに従って、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層をエッチングし、前記基板に到達して、該基板へのアクセス路が供されるまで前記エッチングを行う工程；前記のエピタキシャル成長したシリコン層内に前記機械部品のパターンをエッチングすることによって形成される壁上に保護層を形成する工程；並びに、前記基板へのアクセス路から前記基板まで該基板を等方性エッチングすることによって、前記機械部品を分離する工程であって、前記等方性エッチングは、前記下部層、前記上部層、及び前記壁の保護層を侵襲しない、工程；を有する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板からMEMS又はNEMS構造の機械部品のうちの少なくとも1つを製造する方法であって：
a)前記機械部品を画定するために前記基板の一面に固定領域を形成する工程；
b)シリコン以外の材料で作られ、かつ前記の基板の一面からのエピタキシャル成長によって得られる下部保護層を前記の基板の一面上に形成する工程；
c)前記下部保護層からのエピタキシャル成長によって得られるシリコン層を前記下部保護層上に形成する工程；
d)前記シリコン層上に上部保護層を形成する工程；
e)前記機械部品を画定するパターンに従って、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層をエッチングし、前記基板に到達して、該基板へのアクセス路が供されるまで前記エッチングを行う工程；
f)前記のエピタキシャル成長したシリコン層内に前記機械部品のパターンをエッチングすることによって形成される壁上に保護層を形成する工程；並びに、
g)前記基板へのアクセス路から前記基板まで該基板を等方性エッチングすることによって、前記機械部品を分離する工程であって、前記等方性エッチングは、前記下部保護層、前記上部保護層、及び前記壁の保護層を侵襲しない、工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記工程e)の間、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層は、前記エピタキシャルした層内に絶縁領域を作製するのに適したパターンに従って、前記固定領域内でエッチングされる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記工程e)の前に、前記機械部品用の電気接触パッドを製造する工程が供される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記電気接触パッドを製造する工程が、導電性材料層の堆積及び該導電性材料層のエッチングを有する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記電気接触パッドは前記固定領域上に備えられている、請求項3又は4に記載の方法。
【請求項６】
前記機械部品が、工程c)とd)との間に、少なくとも2つの工程を挿入することによって製造され、かつ
該少なくとも2つの工程とは：
シリコン以外の材料で作製され、かつ直前に堆積されたシリコン層からエピタキシャル成長した中間層を工程c)で得られた構造物上に形成する工程であって、前記中間層は少なくとも前記固定領域の外側では単結晶である、工程；
前記中間層からエピタキシャル成長したシリコン層を、直前に堆積された前記中間層上に形成する工程であって、前記シリコン層は少なくとも前記固定領域の外側では単結晶である、工程；
である、
請求項1から5までのいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記固定領域は、前記の基板面内に溝を製造し、かつ該溝を固定材料によって埋めることによって形成される、請求項1から6までのいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記固定材料は、前記下部保護層と同時にエピタキシャル成長する一の層の形成、及び前記シリコン層と同時にエピタキシャル成長する他の層の形成を連続的に行うことのできる材料である、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記壁の保護層は、工程e)においてエッチングされた前記構造の浮き彫り部を緊密に覆う保護層を堆積又はエピタキシャル成長させ、その後前記保護層の異方性エッチングを行うことによって形成される、請求項1から8までのいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記固定領域は絶縁材料で作られる、請求項1から9までのいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記の基板面上に形成される固定領域はシリコン窒化物又はシリコン酸化物で作られる、請求項1から10までのいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
シリコン以外の材料で作られた前記保護層はSiGeである、請求項1から11までのいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記上部保護層はシリコン窒化物又はシリコン酸化物で作られる、請求項1から12までのいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記の壁上の保護層は、SiGe、シリコン酸化物、及びシリコン窒化物の中から選ばれる材料で作られる、請求項1から13までのいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記機械部品の分離工程後、前記上部停止層及び前記壁の保護層の除去工程が供される、請求項1から14までのいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記機械部品の分離工程後、前記下部停止層の除去工程が供される、請求項1から15までのいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコンから作られるMEMS（微小電気機械システム）又はNEMS（ナノ電気機械システム）構造の機械部品の製造方法に関する。これらの構造は特にセンサ及びアクチュエータの製造に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
MEMS又はNEMS部品の作製に単結晶シリコンを用いることは複数の点で興味深い。単結晶シリコンの機械的特性は、特に多結晶シリコンと比較して優れている。厚くしたものを用いることもできる（多結晶シリコンの場合、厚さは一般に20μmに制限される）。単結晶シリコンは非常に良好な圧電特性を有する。周知であり、かつ十分に制御された単結晶シリコンの半導体特性により、これらの機械部品と付属する電子機器との集積が可能となる。
【０００３】
従来技術では、単結晶シリコンで作られるMEMS/NEMS、換言すると外部の力が作用する状況下で変位可能なように分離された機械部品、を表面技術によって製造する方法には主に3つの方法が存在する。
【０００４】
SOI法は最も広く知られている。この場合では、部品はSOI基板の活性層上に作製され、かつ埋め込み酸化膜は、シリコンエッチング停止層と犠牲層の両方の役割を果たす。機械構造の分離は基板前面で行われる。第1の方法は、背面全体をエッチングして機械部品を分離し、埋め込み酸化膜で止める方法である。よって分離は基板背面で行われる。第2の方法は、シリコンを単純にエッチングすることによって、SOI基板へ空洞を転写してそのSOI基板を分離する方法である。
【０００５】
MEMSにとってのSOI法の関心は、
-シリコンのエッチングに対する停止層として機能することで、上に部品が形成されるシリコン層の厚さを厳密に画定すること（如何なる代替実施例でも）、
-犠牲層として機能すること（原則として前面法の場合）、
-MEMS/NEMS部品を支持する絶縁層を有すること（MEMS又はNEMSの全素子の短絡を防ぐため）、
を一度で同時に行うことを可能にする埋め込み酸化膜に基づいている。
【０００６】
他方、SOI法の主要な課題はその高コストにある。十分に制御されていないSOI内での応力が最近観測されるようになってきた。構成によっては、十分に制御されていないSOI内での応力はMEMS/NEMSにとって有害である。
【０００７】
SON（シリコン・オン・ナッシング）技術では、標準的なシリコン基板上にSiGe層が成長して、このSiGe層上に単結晶シリコン層が成長する。MEMS/NEMS部品はこの後者のシリコン層上で作製され、SiGeは犠牲層として機能する。分離を行うため、CF4に基づいたSiGeのドライエッチングが用いられる。このドライエッチングは、単結晶シリコンに対して選択性を有する。
【０００８】
SON法の主な関心は、その技術が低コストの方法であることである。またSON法は、たとえばMEMSが、厚さの非常に薄いシリコンへのアクセスを有することを可能に得する。他方SON法も複数の課題を有している。
【０００９】
SiGeの等方性エッチングはシリコンに対する選択性が非常に低いため、狭いパターン（典型的には1μm未満）の分離にSON法を用いることは制限される。SiGe上でエピタキシャル成長したシリコンの厚さは一般的に数百ナノメートルに制限される（シリコンを厚くしようとすると転位が現れる危険性がある）。SiGeは半導体である。MEMS/NEMS上に絶縁領域を有するためには、絶縁されなければならない領域内に（たとえばSiO2又はSiNのような）絶縁層を設ける必要がある。この絶縁層の上にエピタキシャル成長させようとしたシリコン層は多結晶である（単結晶ではない）。この点は非常に重要になると考えられる。なぜならこれらの領域は、材料が特に歪みを受けた状態で設けられる固定領域に相当するからである。これらの固定領域内に多結晶材料を有していることで、共鳴構造であれば劣悪な品質因子となり、又は機械的応力に対してより敏感になってしまう（たとえば衝撃耐性）。
【００１０】
SCREAM法では、MEMS部品を製造するのに標準的な基板が用いられ、かつ固体シリコンの“埋め込み”部分が犠牲層として用いられる。当該方法は以下のようにして実現される。MEMS構造のエッチング、熱酸化、酸化物の異方性エッチング、MEMSを分離するためのシリコンの等方性エッチング、（側部及び上部での）構造物のメタライゼーション。
【００１１】
SCREAM法の主な関心はその単純さと低コストにある。
【００１２】
その一方でSCREAM法は多くの課題を有している。絶縁固定部が存在しない。この結果、（分離された構造に熱酸化物と金属が存在するため）MEMS上に大きな機械的応力が生じる。単結晶シリコン上に酸化物と金属が加わることで、機械部品は劣悪になる（たとえば共振器であれば品質因子が悪化する）。構造物の分離後に行われるメタライゼーションでは、堆積中に機械的マスクを用いることが必要となる。この方法は全く産業向けではなく、得られるパターンの解像度もかなり劣っている。
【００１３】
SCREAM法では、シリコンの異方性エッチング中に酸化物マスクの下部がエッチングされてしまう（分離される構造物の下部に酸化物が失われる）ことで、十分に画定されない構造物しか得られない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は従来技術に係る上記課題を解決するために設計された。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明による方法は全てのMEMS及びNEMS応用に用いられて良い。当該方法は、携帯電話、自動車、ゲームなどの低コスト及び大規模の市場に適合した技術を用いる。例として以下のようなものを挙げることができる。
【００１６】
-自動車：MEMS又はNEMS機械共振器に基づく加速度計、ジャイロメータ、圧力センサ、化学センサ
-携帯電話：時間基準（RF共振器）、MEMS又はNEMSメカニカルフィルタ、加速度計、マイクロホン
-ゲーム：加速度計、ジャイロメータ
当該方法は：
a)前記機械部品を画定するために前記基板の一面に固定領域を形成する工程；
b)シリコン以外の材料で作られ、かつ前記の基板の一面からのエピタキシャル成長によって得られる下部保護層を前記の基板の一面上に形成する工程；
c)前記下部保護層からのエピタキシャル成長によって得られるシリコン層を前記下部保護層上に形成する工程；
d)前記シリコン層上に上部保護層を形成する工程；
e)前記機械部品を画定するパターンに従って、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層をエッチングし、前記基板に到達して、該基板へのアクセス路が供されるまで前記エッチングを行う工程；
f)前記のエピタキシャル成長したシリコン層内に前記機械部品のパターンをエッチングすることによって形成される壁上に保護層を形成する工程；並びに、
g)前記基板へのアクセス路から前記基板まで該基板を等方性エッチングすることによって、前記機械部品を分離する工程であって、前記等方性エッチングは、前記下部保護層、前記上部保護層、及び前記壁の保護層を侵襲しない、工程；
を有する。
【００１７】
有利となるように、固定領域は、機械部品が基板の他の部分から絶縁されるようにして良い。よってこれらの固定領域は誘電材料で作られる。
【００１８】
工程e)の間、前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層は、エピタキシャル層内に絶縁領域を作製するのに適したパターンに従って、前記固定領域内でエッチングされて良い。
【００１９】
特定の実施例によると、工程e)の前に、機械部品用の電気接触パッドを製造する工程が供される。この実施例は、導電性材料（たとえばAl又はAlSiからなる）層を堆積する工程、及び該層をエッチングする工程を有して良い。電気接触パッドは固定領域上に備えられて良い。
【００２０】
特定の実施例によると、前記機械部品は、工程c)とd)との間に少なくとも2つの工程を挿入することによって製造される。その少なくとも2つの工程とは：
-シリコン以外の材料で作製され、かつ直前に堆積されたシリコン層からエピタキシャル成長した中間層を工程c)で得られた構造物上に形成する工程であって、前記中間層は少なくとも前記固定領域の外側では単結晶である、工程；
-前記中間層からエピタキシャル成長したシリコン層を、直前に堆積された前記中間層上に形成する工程であって、前記シリコン層は少なくとも前記固定領域の外側では単結晶である、工程；
である。
【００２１】
前記固定領域は、前記の基板面内に溝を製造し、かつ該溝を固定材料によって埋めることによって形成されて良い。前記固定材料は、前記下部保護層と同時にエピタキシャル成長する一の層の形成、及び前記シリコン層と同時にエピタキシャル成長する他の層の形成を連続的に行うことのできる材料であって良い。
【００２２】
前記壁の保護層は、工程e)においてエッチングされた前記構造の浮き彫り部を緊密に覆う保護層を堆積又はエピタキシャル成長させ、その後前記保護層の異方性エッチングを行うことによって形成されて良い。
【００２３】
例として、前記の基板面内に形成される固定領域はシリコン窒化物又はシリコン酸化物で作られ、シリコン以外の材料で作られた前記保護層はSiGeであり、前記上部保護層はシリコン窒化物又はシリコン酸化物で作られ、かつ、前記の壁上の保護層は、SiGe、シリコン酸化物、及びシリコン窒化物の中から選ばれる材料で作られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以降に記載された非限定的例示である本発明の説明を読み、かつ添付の図面を参照することによって、本発明はより良く理解され、他の利点や詳細も明確になる。
【００２５】
本発明に従うと、SOI基板を使用しない平坦でCMOSとの相性が良い手法に基づいて、単結晶シリコン製のMEMS又はNEMS構造を作製することを可能にするため、複数の層の積層体を用いることが提案されている。前記提案の目的は、低コストでCOMSとの相性が良い方法を得ることであり、それにより単結晶シリコンで作られた広範囲のMEMS及びNEMSパターンの解決が可能となることである。
【００２６】
これを行うため、固体シリコンが、MEMS/NEMS構造の犠牲層を供するのに用いられる。エッチングに対する停止領域を形成し、機械部品を分離するように機能し、かつ必要な場合には絶縁材料で作られる固定材料が供される。MEMS又はNEMS部品がエピタキシャル成長したシリコン層から作製される。分離工程前においては、機械加工されたMEMS又はNEMS部品は、分離エッチング用の化学物質に対して耐性を有する層によって完全に保護される。前記耐性を有する層は、下部保護層（下から機械部品を保護する）、上部保護層（上から機械部品を保護する）、及び機械部品のエッチングによって形成される壁の保護層を有する。
【００２７】
下部保護層は、シリコン以外の単結晶材料で作られ、かつ単結晶シリコン製の基板からエピタキシャル成長する。下部保護層は以下の特徴を有する。下部保護層は、エピタキシャル成長によって単結晶シリコンが再成長することを可能にする。必要な場合にはエピタキシャル成長したシリコンのその場ドーピングも可能である。下部保護層は、侵襲されることなく、又はわずかにしか侵襲されずに、シリコンのドライエッチング又はウエットエッチング（選択エッチング）に耐える。必要な場合、下部保護層は、ドライエッチング又はウエットエッチング法によって、シリコンに対して選択的なエッチングが行われて良い。
【００２８】
上部保護層及び分離される部品の壁の保護層は以下の特徴を有する。
【００２９】
上部保護層及び部品の壁の保護層は、侵襲されることなく、又はわずかにしか侵襲されずに、シリコンのドライエッチング又はウエットエッチング（選択エッチング）に耐えることができる。必要な場合、上部保護層及び部品の壁の保護層は、ドライエッチング又はウエットエッチング法によって、シリコンに対して選択的なエッチングが行われて良い。選択的に、上部保護層（又は積層対中における停止層）は、壁の保護層に対して選択的である（換言すると、壁の保護層をエッチングしている間、上部保護層はエッチングされないか、又はわずかにしかエッチングされない）。
【００３０】
下部保護層はたとえば単結晶SiGeであって良い。壁の保護層は、たとえばSiGe（単結晶又は多結晶）、SiO2、SiN等であって良い。前記壁の保護層は、（前記壁を適切に覆うように）前記壁と一致していなければならない。上面（停止層）上の保護層、たとえばSiO2、SiN等であって良い。
【００３１】
下部保護層の堆積前に、絶縁性（及び/又はエッチング停止）固定材料が、シリコンをエッチングし、その後空洞を埋めることによって作製されて良い。空洞は、絶縁材料を堆積して、CMP平坦化又はリソグラフィエッチングとCMPのシーケンスによって余剰分を除去することによって生成される。前記固定材料がエッチング停止層としてしか機能しない場合、空洞を埋める材料は、絶縁体、導体、又は半導体であって良い。
【００３２】
図1Aから1Iは、本発明による製造方法の実施例を図示している。図1Aから1Iは横方向断面図である。
【００３３】
図1Aにおいて、参照番号1は単結晶シリコン製の固体基板を表す。基板1の上面2から、作製される機械部品を絶縁及び/又は画定する機能を果たす固定領域を受けるための溝3が作製される。
【００３４】
よって溝3は固定材料（たとえばSiN、SiO2等）が堆積されることによって埋められる。その後基板1の面2で停止する化学機械研磨（すなわちCMP）が行われる。得られた結果が図1Bに図示されている。参照番号4は得られた固定材料を表す。
【００３５】
続いて単結晶層のエピタキシャル成長が、基板1の面2上で行われる。その単結晶とはたとえば、下部保護層を得るための厚さ50nmのSiGe層5である（図1C参照）。基板1は単結晶なので、エピタキシャル層5も単結晶である。他方、エピタキシャル領域6は多結晶SiGeで作られる。
【００３６】
続いてシリコン層のエピタキシャル成長が、層5と領域6上で行われる。前記シリコン層の厚さは数十ナノメートルから数マイクロメートルである。層5上で単結晶シリコン層5が得られ、領域6上で多結晶シリコン領域8が得られる（図1D参照）。
【００３７】
図1Eに図示されているように、続いて上部保護層又は停止層9が、その時点より前に得られた構造上に堆積される。この停止層9は、機械部品の分離エッチングに対して選択的である。換言すれば停止層9は、基板の単結晶シリコン層に対して選択的であり、かつ下部保護層5に対しても選択的であることが好ましい。停止層9は、たとえばSiO2層である。続いて前記上部保護層、前記シリコン層、及び前記下部保護層の外側であって固定領域間においてDRIEリソグラフィエッチングが行われる。該DRIEリソグラフィエッチングは、前記機械部品を画定するパターンに従って、前記基板1に到達して、該基板1へのアクセス路10が供されるまで行われる。
【００３８】
続いて機械部品のパターンをエッチングすることによって形成される壁の保護層が、堆積又はエピタキシャル成長によって形成される。一旦形成されると、この保護層11は、上部保護層9、アクセス路10の壁、及び該アクセス路の下部に積層する。換言するとシリコン基板1は保護層11が重なる前には曝露されていた。このことは図1Fに図示されている。
【００３９】
続いて保護層11は、上部保護層9による停止により、異方性を有するような方法でエッチングされる。このエッチングにより、アクセス路10の壁上のみに保護層11を保つことが可能となる。繰り返すが基板1のシリコンは曝露されている（図1G参照）。
【００４０】
固定材料4間での基板1のシリコンの異方性エッチングが行われて良い。このエッチングは保護層5、9及び11に対して選択的である。機械部品のシリコン、つまり層7の材料、はそのまま残る。分離される機械部品の下に位置する空洞（図1H参照）が得られる。基板1のエッチングされた厚さは数百ナノメートルから数マイクロメートルの間であって良い。
【００４１】
単結晶シリコンに対する選択エッチングによる上部保護層又は停止層9及び壁の保護層11の除去が続いて行われて良い。得られた結果が図1Iに図示されている。必要な場合には、下部保護層5もまた選択エッチングによって除去されて良い。
【００４２】
シリコン内の固定材料は、一旦分離されるとMEMS/NEMS構造を絶縁する機能を果たすことができるが、分離工程中においてはエッチング停止層としても機能して良い。絶縁する必要がない場合、これらの固定材料は、必要であれば導体又は半導体であって良く、かつ単純に前記エッチング停止層の役割も果たして良い。明らかにこれは、固定材料に係る材料が前記分離工程中にエッチングされないことを前提としている。当業者はどの材料を用いるべきか分かっている。
【００４３】
この方法に追加工程が挿入されても良い。追加工程とはたとえば、MEMSのエッチング前に構造物のメタライゼーションを行うことでコンタクトを作り直す工程、又は一旦分離されたMEMSの堆積及び平坦化を行うことで、当該方法の終了時に他の工程を継続する工程である。追加材料及び工程は明らかに、前述の完結した方法との相性が良くなければならない。それでも当業者は追加材料及び工程を決定することができる。
【００４４】
例として図2Aから2Cは、接触パッドの製造するための追加工程を図示している。図2Aから2Cでは、図1Aから1Iに記載の素子と同一の素子には同一の参照番号が付されている。
【００４５】
シリコンをエピタキシャル成長させ、単結晶シリコン層7を供し、かつ多結晶シリコンの領域8を供した後、電気的接触パッドが領域8上に形成される。前記接触パッドは金属層の堆積及びリソグラフィエッチングによって形成される。図2Aは前記接触パッド13のうちの1つを図示している。
【００４６】
続いて上部保護層又は停止層9の堆積、並びに、シリコン製の基板1に到達して、該基板1へのアクセス路10が供されるまで上部保護層9、シリコン層7、及び下部保護層5のDRIEリソグラフィエッチングが行われる。これは図2Bに図示されている。
【００４７】
図2Cは、本発明による方法の終了時に得られる構造物を図示している。
【００４８】
図3A及び3Bは、機械部品の積層体の製造を可能にする本発明に従った製造方法の実施例を図示している。
【００４９】
この積層体は、シリコン以外の単結晶材料で作られた保護層5を繰り返すことによって得られる（図3A参照）。保護層5はたとえば、固定剤4が供された基板1上のエピタキシャル成長したSiGe及び単結晶シリコンである。それぞれ異なるエピタキシャル成長によって、多結晶SiGeで作られたエピタキシャル領域6、及び多結晶シリコンで作られたエピタキシャル領域8もが交互に作製される。
【００５０】
後続の工程は、前述の対応する工程と同一である。分離工程、並びに上部停止層及び壁の保護層の除去後、図3Bに図示された構造が得られる。
【００５１】
本発明はある特定の数の利点を与える。本発明は、従来のマイクロエレクトロニクス技術に基づき、かつ標準的な基板を用いることによって、低コスト技術による積層を可能にする。本発明の方法はCMOSとの相性も良いと考えられる。本発明は絶縁性の埋め込み体を与える。その埋め込み体は絶縁性であるため、SCREAM法で用いられるような追加の誘電体と金属堆積物よってMEMS又はNEMSを絶縁させる必要がない。シリコンの保護層がSiGeである場合、シリコンのエッチングは前記SiGeに対して高い選択性を有して良い。従って大きなパターンで分離することができる。大きなパターンは、この方法を用いて作製できるパターンへ柔軟性を与える。シリコン内に作製された固定材料は、絶縁性の有無にかかわらず、分離工程中にはエッチング停止層として機能して良い。その結果分離工程を良好に制御することが可能となり（たとえば過剰エッチングの心配がない）、かつ様々なパターンに対応することが可能になる。分離された構造の形状は、もはや分離工程の等方的性質によって制限されない。その結果、正方形や六角形に延びる膜を作製できる可能性が開け、円形しかできないということはなくなった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１Ａ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｂ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｃ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｄ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｅ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｆ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｇ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｈ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図１Ｉ】本発明による製造方法の実施例を図示している。
【図２Ａ】本発明による製造方法の追加工程を図示している。
【図２Ｂ】本発明による製造方法の追加工程を図示している。
【図２Ｃ】本発明による製造方法の追加工程を図示している。
【図３Ａ】機械部品の積層体の製造を可能にする本発明に従った製造方法の実施例を図示している。
【図３Ｂ】機械部品の積層体の製造を可能にする本発明に従った製造方法の実施例を図示している。
【符号の説明】
【００５３】
1  固体基板
2  上面
3  溝
4  固定材料
5  エピタキシャル層
6  エピタキシャル領域
7  単結晶シリコン層
8  多結晶シリコン層
9  上部保護層
10  アクセス路
11  保護層
12  空洞
13  接触パッド
【図１Ａ】
2009160728.tif 000002
【図１Ｂ】
2009160728.tif 000003
【図１Ｃ】
2009160728.tif 000004
【図１Ｄ】
2009160728.tif 000005
【図１Ｅ】
2009160728.tif 000006
【図１Ｆ】
2009160728.tif 000007
【図１Ｇ】
2009160728.tif 000008
【図１Ｈ】
2009160728.tif 000009
【図１Ｉ】
2009160728.tif 000010
【図２Ａ】
2009160728.tif 000011
【図２Ｂ】
2009160728.tif 000012
【図２Ｃ】
2009160728.tif 000013
【図３Ａ】
2009160728.tif 000014
【図３Ｂ】
2009160728.tif 000015