(57)【要約】【課題】コアと磁極との距離をより近づける事が可能であり、かつ、コアと磁極との間の距離を所定の範囲内に制御することが容易な熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】第１クラッド層３８Ａ上に、第１クラッド層３８Ａ側から順にコア層３５及び第１研磨停止層ＳＴ１を含む第１積層体Ｌ１を形成する第１積層体形成工程と、第１積層体Ｌ１をパターニングし、パターニングされた第１積層体Ｌ１の周囲に第１クラッド層Ｌ２を露出させる第１積層体パターニング工程と、露出された第１クラッド層３８Ａ及びパターニングされた第１積層体Ｌ１上に、第１クラッド層３８Ａ側から順に、第２クラッド層３８Ｂ及び第２研磨停止層ＳＴ２を含む第２積層体Ｌ２を形成する第２積層体形成工程と、第２積層体Ｌ２における第１積層体Ｌ１上に形成された突出部Ｌ２Ｐを研磨により除去する除去工程と、を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッド層上に、前記第１クラッド層側から順にコア層及び第１研磨停止層を含む第１積層体を形成する第１積層体形成工程と、
前記第１積層体をパターニングし、パターニングされた前記第１積層体の周囲に前記第１クラッド層を露出させる第１積層体パターニング工程と、
前記露出された第１クラッド層及び前記パターニングされた第１積層体上に、前記第１クラッド層側から順に、第２クラッド層及び第２研磨停止層を含む第２積層体を形成する第２積層体形成工程と、
前記第２積層体における第１積層体上に形成された部分を研磨により除去する除去工程と、
を備える熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第２積層体形成工程において、前記第２クラッド層の厚みを、前記第１積層体におけるコア層の厚み以上とする請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記除去工程の後に、前記第１研磨停止層及び前記第２研磨停止層を除去し、前記コア層及び前記第２クラッド層上に第３クラッド層を形成する工程をさらに備える請求項１又は２記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録が可能な熱アシスト磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置のさらなる高記録密度化の一手段として、ＫＵの大きな磁性材料を記録媒体として用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。
【０００３】
このような熱アシスト磁気記録方式に用いる熱アシスト磁気ヘッドとして、特許文献１のように、スライダ内にコア層及びコア層を取り囲むクラッド層を設け、クラッド層の上に電磁コイル素子を積層し、さらに、コア層の媒体対向面にプラズモンプローブを設けたものが知られている。コア層に光を供給することによってプラズモンプローブから生ずる近接場光と、電磁コイル素子の磁極から生ずる磁場とにより、媒体に対して書き込みがなされる。
【特許文献１】特開２００７−２５７７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような熱アシスト磁気ヘッドにおいて、書き込み能力を十分に高めるには、媒体対向面から見てコア層と電磁コイル素子の磁極とを十分に接近させる必要がある。しかしながら、従来のように、コア層取り囲むクラッド層を形成し、クラッド層を平坦化して、クラッド層の平坦化された面上に電磁コイル素子を形成するだけでは、コア層と磁極とを十分近づけることは困難である。なぜなら、コア層上のクラッド層の研磨をコア層の直前で止めることは困難であり、コア層上のクラッド層の厚みを十分薄くしようとしてコア層まで研磨してしまう虞や、素子間でクラッド層の厚み、すなわち、コア層と磁極との間隔が大きくばらつく虞があるからである。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、コアと磁極との距離をより近づける事が可能であり、かつ、コアと磁極との間の距離を所定の範囲内に制御することが容易な熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、
第１クラッド層上に、第１クラッド層側から順にコア層及び第１研磨停止層を含む第１積層体を形成する第１積層体形成工程と、
第１積層体をパターニングし、パターニングされた第１積層体の周囲に第１クラッド層を露出させる第１積層体パターニング工程と、
露出された第１クラッド層及びパターニングされた第１積層体上に、第１クラッド層側から順に、第２クラッド層及び第２研磨停止層を含む第２積層体を形成する第２積層体形成工程と、
第２積層体における第１積層体上に形成された部分を研磨により除去する除去工程と、を備える。
【０００７】
本発明によれば、除去工程の実行時に、第２積層体における第１積層体上に形成された部分（以下、第２積層体の突出部と呼ぶことがある）は、第２積層体における第１積層体の周囲に形成された部分に比べて相対的に突出しているので、この除去工程によって第２積層体の突出部は容易に除去される。そして、この第２積層体の突出部が研磨される際に、コア層が研磨されることが第１積層体中の第１研磨停止層により抑制され、これにより、コア層上の第２クラッド層の膜厚を、コア層を研磨しないようにかつゼロにすることが容易であり、しかも、多数の素子を一度に形成する場合であっても、コア層を研磨しないようにかつそれぞれ第２クラッド層の厚みをゼロにすることが容易である。また、この研磨の際に、第２クラッド層におけるコア層の周囲の部分が第２研磨停止層によって覆われているので、この第２クラッド層におけるコア層の周囲の部分の不要な研磨も抑制され、この第２クラッド層におけるコア層の周囲の部分の厚みを所望の厚みに維持することが容易である。したがって、除去工程の後に、コア層及びその周囲の第２クラッド層上に、さらなる研磨工程を行うことなく比較的平坦な第３クラッド層を所定の微小な厚みで形成することができる。さらに、第３クラッド層上に磁極を形成すれば、コアと磁極との距離をより近づける事が可能であり、かつ、複数のヘッドについて同一の工程を同時に行う場合であっても、複数のヘッド間でそれぞれコアと磁極との間の距離を所定の範囲内に制御することも容易となる。
【０００８】
ここで、第２積層体形成工程において、第２クラッド層の厚みを、第１積層体におけるコア層の厚み以上とすることが好ましい。
【０００９】
これによれば、第２研磨停止層の下面がコア層の上面以上の高さとなるので、第２研磨停止層によっても、コア層が研磨されることが抑制される。
【００１０】
また、除去工程の後に、第１研磨停止層及び第２研磨停止層を除去し、コア層及び第２クラッド層上に第３クラッド層を形成する工程をさらに備えることが好ましい。
【００１１】
これによれば、研磨することなく第３クラッド層の表面を平坦にすることが容易である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コアと磁極との距離をより近づける事が可能であり、かつ、コアと磁極との間の距離を所定の範囲内に制御することが容易な熱アシスト磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００１４】
（ハードディスク装置）
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【００１５】
ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１のライト及びリード動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するためのリードライト制御回路１３を備えている。
【００１６】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
【００１７】
（ＨＧＡ）
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
【００１８】
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
【００１９】
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００２０】
（熱アシスト磁気ヘッド）
図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【００２１】
熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３とが、スライダ基板２２０の背面２２０１及び光源支持基板２３０の接着面２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１がフレクシャ２０１のタング部２０４に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。
【００２２】
（スライダ）
スライダ２２は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を備えている。
【００２３】
スライダ基板２２０は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Ｓを有する。スライダ基板２２０は、例えば、導電性のアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されている。
【００２４】
磁気ヘッド部３２は、図３及び図４に示すように、スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に形成されている。磁気ヘッド部３２は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのＭＲ効果素子３３、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直（面内でも良い）磁気記録素子としての電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている平面導波路のコアとしてのコア層３５、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブとも呼ばれる）３６、及び、これらＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、コア層３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成されたクラッド層として機能する絶縁層３８とを備えている。
【００２５】
更に、磁気ヘッド部３２は、図３に示すように、絶縁層３８の露出面上に形成され、ＭＲ効果素子３３の入出力端子にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７１、３７１、電磁コイル素子３４の両端にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７３、３７３、及び、スライダ基板２２０と電気的に接続されたグランド用の電極パッド３７５を備えている。図４に示すように、ビアホール３７５ａを介して、スライダ基板２２０と電気的に接続された電極パッド３７５は、フレクシャ２０１の電極パッド２４７と、ボンディングワイヤにより接続されており、スライダ基板２２０の電位は電極パッド２４７により、例えばグラウンド電位に制御されている。
【００２６】
ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の各端面は、媒体対向面Ｓ上に露出している。
【００２７】
ＭＲ効果素子３３は、図４に示すように、ＭＲ積層体３３２と、このＭＲ積層体３３２を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ０．５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。
【００２８】
ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。
【００２９】
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０．５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
【００３０】
ＭＲ効果素子３３とコア層３５との間には、下部シールド層３３０と同様の材料からなる素子間シールド層１４８が形成されている。素子間シールド層１４８は、ＭＲ効果素子３３を、電磁コイル素子３４より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。
【００３１】
ＭＲ積層体３３２の媒体対向面Ｓとは反対側のシールド層３３０、３３４間、シールド層３３０、３３４、１４８の媒体対向面Ｓとは反対側、下部シールド層３３０とスライダ基板２２０との間、及び、素子間シールド層１４８とコア層３５との間にはアルミナ等から形成された絶縁層３８が形成されている。
【００３２】
なお、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とＭＲリード導体層とは不要であって省略される。
【００３３】
ＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、ＣｏＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料からなるハードバイアス層（不図示）が形成される。
【００３４】
電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用が好ましく、図４に示すように、主磁極層３４０、ギャップ層３４１ａ、コイル絶縁層３４１ｂ、コイル層３４２、及び補助磁極層３４４を備えている。
【００３５】
主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク（媒体）の記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部のトラック幅方向（図４の紙面奥行き方向）の幅及び積層方向（図４の左右方向）の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。
【００３６】
主磁極層３４０に磁気的に結合した補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４は、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層３４１ａ，コイル絶縁層３４１ｂを介して対向している。
【００３７】
補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０．５〜約５μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
【００３８】
ギャップ層３４１ａは、コイル層３４２と主磁極層３４０とを離間しており、例えば、厚さ約０．０１〜約０．５μｍの、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成されたＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等から構成されている。
【００３９】
コイル層３４２は、例えば、厚さ約０．５〜約３μｍの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたＣｕ等から構成されている。主磁極層３４０の後端と補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓから離れた部分とが結合され、コイル層３４２はこの結合部分を取り囲むように形成されている。なお、コイル層３４２は、図４等において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
【００４０】
コイル絶縁層３４１ｂは、コイル層３４２と、補助磁極層３４４とを離間し、例えば、厚さ約０．１〜約５μｍの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。
【００４１】
図５は、媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。
【００４２】
リーディング側すなわちスライダ基板２２０側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように、媒体対向面Ｓ側の主磁極層３４０の先端は、先細り形状にされている。
【００４３】
主磁極層３４０の媒体対向面側の端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミナントの場合には、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
【００４４】
ここで、主磁極層３４０は、例えば、媒体対向面Ｓ側の端部での全厚が約０．０１〜約０．５μｍであって、この端部以外での全厚が約０．５〜約３．０μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。また、トラック幅は、例えば、１００ｎｍとすることができる。
【００４５】
コア層３５は、図４に示すように、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に延びており、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓから、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａまで延びており、本例では矩形の板状のものである。図５に示すように、コア層３５の、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１ａ，３５１ｂ、及び、集積面２２０２と平行な２つの側面３５２ａ、側面３５２ｂは、コア層３５よりも屈折率が小さくコアとしてのコア層３５に対するクラッド層として機能する絶縁層３８と接している。
【００４６】
図４に戻って、コア層３５の厚み方向をＸ軸、コア層３５の幅方向をＹ軸、コア層３５の長手方向（媒体に垂直な方向）をＺ軸とした場合、レーザダイオード４０の発光面からＺ軸に沿って出射された光は、光入射面３５４に入射する。コア層３５は、光入射面３５４から入射した光を、その側面で反射させつつ、媒体対向面Ｓ側の端面である光出射面３５３に導くことが可能となっている。図５に示す、コア層３５のトラック幅方向の幅Ｗ３５は例えば、０．０５〜２００μｍとすることができるが、０．０５〜１０μｍとすることが好ましい。厚みＴ３５は例えば０．５〜１０μｍとすることができ、図４に示す高さＨ３５は１０〜３００μｍとすることができる。特に、本実施形態では、媒体対向面から見て（図５参照）、主磁極３４０とコア層３５との距離ＷＷＧは、好ましくは、０．０５〜０．５μｍである。
【００４７】
コア層３５は、何れの部分においても、クラッド層として機能する絶縁層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、クラッド層としての絶縁層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１．５）から形成されている場合、コア層３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されていてもよい。さらに、絶縁層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されている場合、コア層３５は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２．１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２．３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２．３〜２．５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）から形成されていてもよい。コア層３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。
【００４８】
近接場光発生部３６は、図５に示すように、コア層３５の光出射面３５３に配置されている板状部材である。近接場光発生部３６は、図４に示すように、その端面が媒体対向面Ｓに露出するようにコア層３５の光出射面３５３に埋設されている。近接場光発生部３６は、図５に示すように、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。導電材料としては、Ａｕ等の金属や合金等が挙げられる。
【００４９】
本例では、三角形の底辺３６ｄがスライダ基板２２０の集積面２２０２と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺３６ｄと向き合う尖った尖端部３６ｃが底辺３６ｄよりも電磁コイル素子３４の主磁極層３４０側に配置されており、具体的には、尖端部３６ｃが主磁極層３４０のリーディング側エッジと対向するように配置されている。近接場光発生板３６の好ましい形態は、底辺３６ｄの両端の２つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。
【００５０】
近接場光発生部３６の三角形の高さＨ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。底辺３６ｄの幅Ｗ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。先端３６ｃを与える頂点の角度は例えば６０度である。
【００５１】
近接場光発生部３６の厚みは１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。このようなコア層３５、近接場光発生部３６等は、リフトオフ法等のフォトリソグラフィー技術等を用いて容易に形成できる。
【００５２】
そして、レーザダイオード４０からの光が近接場光発生部３６に照射されることで主として尖端部３６ｃから近接場光が発生する。これは、近接場光発生部３６に光を照射すると、近接場光発生部３６を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じるためと考えられる。
【００５３】
このような近接場光発生部３６から発生する近接場光は、入射されるレーザ光の波長及びコア層３５の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Ｓから見て近接場光発生部３６の境界で最も強い強度を有する。例えば、したがって、先端３６１ｃ近傍にて最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この先端３６１ｃ近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱することができる。
【００５４】
（光源ユニット）
次いで、図３、図４及び図６を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。光源ユニット２３は、光源支持基板２３０、及び、外形形状が板状のレーザダイオード（光源）４０を主として備えている。
【００５５】
光源支持基板２３０は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板であり、図４に示すように、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。接着面２３００には、好ましくは、アルミナ等の断熱層２３０ａが形成されている。
【００５６】
この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、絶縁材料から形成された絶縁層４１が設けられており、この絶縁層４１の上に、図３に示すように、電極パッド４７、４８が形成され、電極パッド４７上にレーザダイオード４０が固定されている。絶縁層４１の材料は、特に限定されないが、熱伝導性が高い電気絶縁材料であることが好ましく、例えば、ＡｌＮ，ダイアモンドライクカーボン、ＳｉＣ等が挙げられる。
【００５７】
電極パッド４７は、図４に示すように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ａにより光源支持基板２３０と電気的に接続されている。また、電極パッド４７は、レーザダイオード４０駆動時の熱をビアホール４７ａを介して光源支持基板２３０側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。また、電極パッド４７は光源支持基板２３０と電気的に接続されているため、電極パッド２４７により光源支持基板２３０の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となっている。
【００５８】
電極パッド４７は、図３に示すように、絶縁層４１の面４１１の中央部にトラック幅方向に延びて形成されている。一方、電極パッド４８は、電極パッド４７からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。各電極パッド４７、４８は、半田リフローによるフレクシャ２０１との接続のために、さらに、フレクシャ２０１側に向かって延びている。
【００５９】
電極パッド４７、４８は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層から形成することができ。
【００６０】
そして、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の上にＡｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２（図４参照）により電気的に接続されている。本実施例では、レーザダイオード４０は、いわゆる端面発光型のレーザダイオードである。レーザダイオード４０の構成は特に限定されないが、例えば、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ、ＧａＡｌ／ＧａＡｌＡｓ）等からなる活性層を有するレーザダイオードを使用できる。このようなレーザダイオード４０は、電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光を出射する。なお、レーザダイオード４０の固定方法は特に限定されず、例えば、光源支持基板２３０の底面に溝を設け、この溝内にレーザダイオード４０を設けることも可能であり、基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
【００６１】
放射されるレーザ光の波長λＬに関しては、上述のように近接場光発生部３６の形状及び金属材料、及びコア層３５を構成する材料の屈折率ｎを考慮して、適当な波長λＬのレーザ光を出射するレーザダイオードを選択する。
【００６２】
レーザダイオード４０の一端の電極面が電極パッド４７にＡｕＳｎ等の半田層４２（図４参照）により固定されている。ここで、レーザダイオード４０の出光端（光出射面）４００が図４の下向き（−Ｚ方向）、すなわち出光端４００が接着面２３００と平行になるようにレーザダイオード４０が光源支持基板２３０に固定されており、出光端４００はスライダ２２のコア層３５の光入射面３５４と対向している。レーザダイオード４０の固定においては、例えば、電極パッド４７の表面に厚さ０．７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定すればよい。
【００６３】
また、図３に示すように、例えば、電極パッド４８と、レーザダイオード４０の他端の電極面と、がボンディングワイヤにより電気的に接続されている。
【００６４】
そして、上述のスライダ２２の背面２２０１と光源ユニット２３の接着面２３００とが、例えば、ＵＶ硬化型接着剤やＡｕＳｎ等の半田層等の接着剤層４４（図４参照）により接着されている。
【００６５】
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。
【００６６】
また、コア層３５の光入射面３５４に達したレーザ光の遠視野像（ファーフィールドパターン）のスポットにおいて、トラック幅方向の径を、例えば０．５〜１．０μｍ程度とし、この径に直交する径を、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。これに対応して、このレーザ光を受け取るコア層３５の厚みＴ３５（図５参照）を、例えばスポットよりも大きな２〜１０μｍ程度とし、コア層３５のトラック幅方向の幅（Ｗ３５）を、例えば１〜２００μｍ程度とすることが好ましい。
【００６７】
（熱アシスト磁気ヘッドとフレクシャとの電気的接続関係）
図３に示すように、配線部材２０３を構成する配線の１つは電極パッド２４７に接続され、電極パッド２４７は光源ユニット２３の電極パッド４７とリフロー半田Ｒを介して接続されている。また、別の配線は電極パッド２４８に接続され、電極パッド２４８は電極パッド４８とリフロー半田Ｒにより接続されている。電極パッド２４７，２４８間に駆動電流を供給するとレーザダイオード４０が発光する。
【００６８】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３７及びボンディングワイヤを介して電極パッド３７１に接続されており、電磁コイル素子３４（図４等参照）の両端に電圧の印加が可能となっている。一対の電極パッド３７１間に電圧を印加すると、磁気記録素子としての電磁コイル素子３４に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。
【００６９】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３８及びボンディングワイヤを介して電極パッド３７３に接続されており、ＭＲ効果素子３３（図４参照）の両端に電圧を印加可能となっている。一対の電極パッド３７３に電圧を印加するとＭＲ効果素子３３にセンス電流が流れる。記録媒体に書き込まれた情報は、ＭＲ効果素子３３にセンス電流を流すことで読み出すことができる。
【００７０】
続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。
【００７１】
書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク（媒体）１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
【００７２】
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３からコア層３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６に到達し、近接場光発生部３６から近接場光が発生する。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の所定の記録領域の温度が上昇し、記録領域の保磁力が一時的に低下する。この保磁力の低下期間内に電磁コイル素子３４に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。
【００７３】
熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２級の記録密度を達成することも可能となり得る。
【００７４】
そして、特に、本実施形態では、図５に示す、媒体対向面から見た、主磁極３４０とコア層３５との距離ＷＷＧは、きわめて微小な値とされているので、近接場光発生部３６により加熱された磁気記録媒体の記録領域に対して迅速に主磁極３４０から磁界を印加できるので、効率のよい書込みが可能となる。
【００７５】
（製造方法）
次に、上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法の内、特に、コア層及びクラッドとなる絶縁層３８の形成方法について詳しく説明する。
【００７６】
図６の（Ａ）〜図７の（Ａ）、及び、図８の（Ａ）〜図９の（Ｂ）は、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。なお、斜視図で示される素子の周辺にも他の要素が存在するが、同図中では特徴部の明確化のため、その記載を省略している。また、これらの図において、手前左側の面が、媒体対向面に相当する面である。また、図７の（Ｂ）は、図７の（Ａ）の媒体対向面側に相当する面の拡大図である。
【００７７】
まず、図６の（Ａ）に示すように、基板２２０上に、絶縁層（クラッド層）３８の一部となる第１クラッド層３８Ａを形成する。続いて、第１クラッド層３８Ａ上にコア層３５を形成し、その後コア層３５上に第１研磨停止層ＳＴ１を形成する（第１積層体形成工程）。ここで、コア層３５及び第１研磨停止層ＳＴ１が、第１積層体Ｌ１を構成する。これらの層は、スパッタリング法等の公知の方法により形成できる。なお、コア層３５内には、図５に示す近接場光発生部３６が含まれるが図６以降での図示は省略する。また、近接場光発生部３６も、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等により形成できる。
【００７８】
ここで、第１研磨停止層ＳＴ１は、後述する研磨により第２クラッド層３８Ｂの一部を除去する際に、コア層３５よりも研磨され難い、すなわち研磨速度が遅い材料により形成された層である。例えば、研磨方法としてはＣＭＰ研磨を用い、コア層３５の材料style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>としてＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＴｉＯ２等の金属酸化物を採用する場合には、第１研磨停止層ＳＴ１の材料として、style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>Ｔａ，Ｔｉ，ＴｉＮ、ＡｌＮ、Ｒｕ等の材料を使用することができる。また、第１研磨停止層ＳＴ１の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０〜１００ｎｍ程度とすることができる。  
【００７９】
続いて、第１研磨停止層ＳＴ１上にレジスト材料からなる例えば幅Ｗ３５のマスクＭ１を形成し、図６の（Ｂ）に示すように、マスクＭ１を介して第１積層体Ｌ１の一部を除去し、第１積層体Ｌ１のパターニングを行う（第１積層体パターニング工程）。これにより、図３〜図５に示すコア層３５の幅Ｗ３５が規定される。また、第１クラッド層３８Ａの表面が露出する。なお、パターニングされたコア層３５の側面が第１クラッド層３８Ａとなす角φ（図６の（Ｂ）参照）は、９０°でもよいし、９０°未満、すなわち、側面がオーバーハングしてコア層３５の断面が逆台形型となってもよいし、９０°以上、すなわち、下方が広がるように側面が傾斜してコア層３５の断面が台形型となっても構わない。特に、φは７０°以上１１０°以下が好ましい。  
【００８０】
続いて、好ましくは、マスクＭ１を、公知の方法により除去する。その後、パターニングされた第１積層体Ｌ１、及び、その両側に露出された第１クラッド層３８Ａ上にわたって、絶縁層（クラッド層）３８の一部をなす第２クラッド層３８Ｂを形成し、さらに、第２クラッド層３８Ｂの上に第２研磨停止層ＳＴ２を形成する（第２積層体形成工程）。ここで、第２クラッド層３８Ｂ及び第２研磨停止層ＳＴ２が第２積層体Ｌ２を構成する。        
【００８１】
ここで、第２クラッド層３８Ｂの厚さＴ３８Ｂは特に限定されないが、後述する研磨による除去工程において、第１研磨停止層ＳＴ１が第２研磨停止層ＳＴ２よりも突出して第１研磨停止層ＳＴ１が過度に研磨されることを抑制すべく、図７の（Ｂ）に示されるように、第２クラッド層３８Ｂの厚さＴ３８Ｂは、コア層３５の厚みＴ３５以上であることが好ましく、Ｔ３５超であることがより好ましい。  
また、第２研磨停止層ＳＴ２は、後述する研磨により第２クラッド層３８Ｂの一部を除去する際に、第２クラッド層３８Ｂよりも研磨され難い、すなわち研磨速度が遅い材料により形成された層である。例えば、研磨方法としてはＣＭＰ研磨を用い、第２クラッド層３８Ｂとして、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の金属酸化物を採用する場合には、style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>第２研磨停止層ＳＴ２の材料として、"ＭＳ 明朝"'>Ｔａ，Ｔｉ，ＴｉＮ、ＡｌＮ、Ｒｕ等の材料を使用することができる。また、第２研磨停止層ＳＴ２の厚みも、特に限定されないが、例えば、１０〜１００ｎｍ程度とすることができる。本工程により、図７の（Ｂ）に示すように、パターニングされた第１積層体Ｌ１上に、第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐが形成される。
【００８２】
続いて、"ＭＳ 明朝"'>第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐを研磨により除去する（図８の（Ａ）参照）。ここでは、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いた平坦化手法を用いることが好ましい。ＣＭＰ法は、研磨すべき表面に、回転するポリシングパッドを押し付けると共に、この研磨面にスラリー化された研磨剤を供給することにより行われる。研磨剤は、機械的研磨作用を担うアルミナやシリカ等の微粒子と、化学的研磨作用を担う酸化剤を含んでおり、ＣＭＰ法では、機械的及び化学的研磨作用が行われる。
【００８３】
この除去工程では、図７の（Ｂ）に示すように、第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐが、他の部分に比して突出しているので、突出部Ｌ２Ｐが第２研磨停止層ＳＴ２に覆われていても、応力集中等によりこの第２研磨停止層ＳＴ２は容易に除去され、従って、突出部Ｌ２Ｐの第２クラッド層３８Ｂも研磨により除去され、図８の（Ａ）のように表面が平坦化された状態となる。ここで、コア層３５の表面が第１研磨停止層ＳＴ１に覆われているので、コア層３５を研磨することなく第１研磨停止層ＳＴ１上の第２クラッド層３８Ｂを厚みがゼロとなるまで研磨することができる。さらに、コア層３５の周囲の第２クラッド層３８Ｂは、第２研磨停止層ＳＴ２に覆われているので、コア層３５の周囲の第２クラッド層３８Ｂの厚みの維持も容易である。
【００８４】
ここで、効率よく図７の突出部Ｌ２Ｐを除去するには、コア層の幅Ｗ３５を、例えば、１０μｍ以下と十分に細くすることが好ましく、スライダとした状態で、図３のＸ方向から見たコア層３５の面積を、予めスライダ基板２２０の面積の１０％以下としておくことが好ましい。
【００８５】
続いて、第１研磨停止層ＳＴ１及び第２研磨停止層ＳＴ２を除去する（図８の（Ｂ）参照）。なお、第１研磨停止層ＳＴ１及び第２研磨停止層ＳＴ２を除去しても、コア層３５の厚みＴ３５に比較して表面は十分に平坦化された状態となる。除去方法は特に限定されず、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング法等の公知のドライエッチング法等を用いることができる。なお、第１研磨停止層ＳＴ１や第２研磨停止層ＳＴ２の材料によっては、これらを除去しなくても本発明の実施は可能である。
【００８６】
続いて、図９の（Ａ）に示すように、コア層３５上及び第２クラッド層３８Ｂ上に、絶縁層（クラッド層）３８の一部となる第３クラッド層３８Ｃを形成する。第３クラッド層３８Ｃの膜厚は、例えば、０．０５〜０．５ｎｍとすることができる。第３クラッド層３８Ｃの形成は、微細な膜厚の制御が容易な方法を用いることが好ましく、金属酸化物を形成する場合には特にスパッタリング法を用いることが好ましい。  
なお、絶縁層３８を構成する、第１クラッド層３８Ａ、第２クラッド層３８Ｂ、第３クラッド層３８Ｃ等には同一の屈折率を有する材料を用いることが好ましいが、それぞれ、異なる材料のものを用いた多層構造でも実施は可能である。
【００８７】
続いて、図９の（Ｂ）に示すように、第３クラッド層３８Ｃ上に、フォトリソグラフィー法等の公知の方法により主磁極層３４０を形成し、その後、更に、図示は省略するが、コイル層等を形成して電磁コイル素子を完成させ、更に、絶縁層の一部となる例えば第３クラッド層３８Ｂと同様の誘電材料からなる絶縁層をオーバーコート層として形成し、その後、媒体対向面のラッピング等の公知の工程を経ることによりスライダ２２が完成する。なお、第３クラッド層３８Ｃがほぼ平坦であると、主磁極のＹ方向の幅を制御することは容易である。  
【００８８】
本発明によれば、除去工程の実行時に、第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐ（図７の（Ｂ）参照）は、第２積層体Ｌ２における第１積層体Ｌ１の周囲に形成された部分に比べて相対的に突出しているので、この除去工程によって第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐは容易に除去される。そして、この第２積層体Ｌ２の突出部Ｌ２Ｐが研磨される際に、第１積層体Ｌ１中の第１研磨停止層ＳＴ１によりコア層３５が研磨されることが抑制され、これにより、コア層３５上の第２クラッド層３８Ｂの膜厚を、コア層３５を研磨しないようにかつゼロにすることが容易である。これにより、基板２２０上において、多数の素子を一度に形成する場合であっても、コア層３５を研磨しないようにかつそれぞれの素子において第２クラッド層３８Ｂの厚みをゼロにすることが容易となる。
【００８９】
また、この研磨による除去工程の際に、第２クラッド層３８Ｂにおけるコア層３５の周囲の部分が第２研磨停止層ＳＴ２によって覆われているので、この第２クラッド層３８Ｂにおけるコア層３５の周囲の部分の不要な研磨も抑制され、この第２クラッド層３８Ｂにおけるコア層３５の周囲の部分の厚みＴ３８を所望の厚みに維持することが容易である。したがって、除去工程の後に、図９に示すように、コア層３５及びその周囲の第２クラッド層３８Ｂ上に、さらなる研磨工程を行うことなく比較的平坦な第３クラッド層３８Ｃを所定の微小な厚みで形成することができる。さらに、第３クラッド層３８Ｃ上に主磁極層３４０を形成すれば、コア層３５と主磁極層３４０との距離ＷＷＧを従来に比してより近づける事が可能である。また、複数の磁気ヘッド部を同一の工程で多数製造する場合であっても、複数の磁気ヘッド部間でそれぞれコア３５と主磁極層３４０との間の距離ＷＷＧを、バラツキを抑えて所定の範囲内に制御することも容易となる。
【００９０】
さらに、第２積層体形成工程において、第２クラッド層の厚みＴ３８Ｂ（図７の（Ｂ）参照）を、第１積層体Ｌ１におけるコア層３５の厚みＴ３５以上、好ましくは、Ｔ３５超の厚みとすることにより、第２研磨停止層ＳＴ２の下面がコア層３５の上面以上、好ましくは上面超の高さとなるので、第２研磨停止層ＳＴ２によっても、コア層３５が研磨されることが抑制される。なお、研磨停止層ＳＴ１が存在するので、第２クラッド層の厚みＴ３８Ｂが、第１積層体Ｌ１におけるコア層３５の厚みＴ３５未満となっても実施は可能である。
【００９１】
本発明は上記実施形態に限定されずに様々な変形態様が可能である。
【００９２】
例えば、上記実施形態では光源としてレーザダイオードを採用しているが、ＬＥＤ等の他の発光素子でも実施可能である。
【００９３】
また、電磁コイル素子３４が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面Ｓ側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。
【００９４】
また、近接場光発生部３６の形状は、上述のものに限定されず、様々な変形が可能である。例えば、三角形状または台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。また、近接場光発生部として、板に替えて微小開口にしてもよく、近接場光発生部を設けずに直接レーザ光をコア層を介して記録媒体に当てる形態でも実施は可能である。また、図５では、近接場光発生部の先端部３６ｃが主磁極層３４０の方向（−Ｘ方向）を向いているが、±Ｙ方向を向いていても構わない。
【００９５】
また、上述の例では、コア層３５の形状として直線コア層を用いたが、これはＹＺ平面内における外形形状が放物線を描くパラボラ型のコア層とし、その焦点位置に近接場光発生部を配置してもよく、また、ＹＺ平面内における外形形状を楕円形状などとしてもよく、媒体に近い側の先端が先細となるテーパ形状でもよい。なお、上記熱アシスト磁気ヘッド及びＨＧＡを備えたハードディスク装置では、書き込み動作中記録媒体の加熱不足による書き込み不良の発生が十分に防止され、また、サイドイレーズの発生が十分に防止される。
【００９６】
また、熱アシスト磁気ヘッドは、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。そして、磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。そして、本発明は、いずれの方式の熱アシスト磁気ヘッドの製造にも対応可能である。
【００９７】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【図２】ＨＧＡ１７の斜視図である。
【図３】図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。
【図４】図３に示した熱アシスト磁気ヘッド２１のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
【図５】媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ熱アシスト磁気ヘッドの製造方法をこの順に説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>
【図７】（Ａ）は熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための図６の（Ａ）に続く熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の媒体対向面の拡大図である。style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、図７の（Ａ）に続いて、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法をこの順に説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。style='font-family:"ＭＳ 明朝"'>
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は、図８の（Ｂ）に続いて、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法をこの順に説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【符号の説明】
【００９９】
１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンション、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２２０２…集積面、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３３…ＭＲ効果素子（磁気検出素子）、３４…電磁コイル素子（磁気記録素子）、３４０…主磁極層、３５…コア層、３５３…光出射面、３５４…光入射面（端面）、３６…近接場光発生部、３８…絶縁層、３８Ａ…第１クラッド層、３８Ｂ…第２クラッド層、３８Ｃ…第３クラッド層、４０…レーザダイオード（光源）、２６０…測温抵抗体（温度センサ）、４００…出光端、Ｓ…媒体対向面、Ｌ１…第１積層体、Ｌ２…第２積層体、ＳＴ１…第１研磨停止層、ＳＴ２…第２研磨停止層。
【図１】
2009181611.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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