(57)【要約】【課題】相変化メモリが高温度の環境におかれた場合でも誤動作などが発生しない携帯電話機などの電子機器を提供する。【解決手段】記憶手段（たとえば、フラッシュメモリ２４又はＲＡＭ２２）に記憶されている初期化制御プログラムに基づいて、処理手段（たとえば、ＣＰＵ２１）により、相変化メモリ２３に記憶されているデータが読み出されて同データの有効／無効が電子機器の起動前に判定され、同データが有効なときに同電子機器が起動される一方、同データが無効なときに相変化メモリ２３が初期化されてから同電子機器が起動される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御を行う制御手段とを有する電子機器であって、
当該電子機器の起動前に前記相変化メモリを初期化する相変化メモリ初期化手段が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御動作を行う制御手段とを有する電子機器であって、
前記相変化メモリに記憶されているデータを読み出して該データの有効／無効を当該電子機器の起動前に判定し、該データが有効なときに当該電子機器を起動する一方、前記データが無効なときに前記相変化メモリを初期化してから当該電子機器を起動する相変化メモリ初期化手段が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
前記相変化メモリ初期化手段は、
前記相変化メモリを初期化するための初期化制御プログラムを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されている前記初期化制御プログラムに基づいて前記相変化メモリを初期化する処理手段とから構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子機器。
【請求項４】
前記記憶手段は、
前記相変化メモリに記憶されている前記データのチェックサムを格納する構成とされ、
前記処理手段は、
該記憶手段に格納された前記チェックサムと、前記相変化メモリに記憶されている前記データのチェックサムとを比較し、この比較結果が一致を示すときに前記相変化メモリに記憶されている前記データを有効と判定する一方、不一致を示すときに前記データを無効と判定する構成とされていることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【請求項５】
前記記憶手段は、
前記初期化制御プログラムと共に前記動作プログラムを記憶する構成とされ、
前記相変化メモリは、
初期化されたとき、前記記憶手段に記憶されている前記動作プログラムを記憶する構成とされていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子機器。
【請求項６】
前記記憶手段は、
フラッシュメモリで構成されていることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一に記載の電子機器。
【請求項７】
相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御を行う制御手段とを有する電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法であって、
当該電子機器の起動前に前記相変化メモリを初期化することを特徴とする相変化メモリ初期化方法。
【請求項８】
相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御動作を行う制御手段とを有する電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法であって、
前記相変化メモリに記憶されているデータを読み出して該データの有効／無効を当該電子機器の起動前に判定し、該データが有効なときに当該電子機器を起動する一方、前記データが無効なときに前記相変化メモリを初期化してから当該電子機器を起動することを特徴とする相変化メモリ初期化方法。
【請求項９】
前記相変化メモリを初期化するための初期化制御プログラムを記憶する記憶手段を設けておき、
該記憶手段に記憶されている前記初期化制御プログラムに基づいて前記相変化メモリを初期化することを特徴とする請求項７又は８記載の相変化メモリ初期化方法。
【請求項１０】
前記記憶手段を、前記相変化メモリに記憶されている前記データのチェックサムを格納する構成としておき、
該記憶手段に格納された前記チェックサムと、前記相変化メモリに記憶されている前記データのチェックサムとを比較し、この比較結果が一致を示すときに前記相変化メモリに記憶されている前記データを有効と判定する一方、不一致を示すときに前記データを無効と判定することを特徴とする請求項９記載の相変化メモリ初期化方法。
【請求項１１】
前記記憶手段を、前記初期化制御プログラムと共に前記動作プログラムを記憶する構成としておき、
前記相変化メモリが、初期化されたとき、前記記憶手段に記憶されている前記動作プログラムを記憶することを特徴とする請求項９又は１０記載の相変化メモリ初期化方法。
【請求項１２】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか一に記載の電子機器を制御させるためのコンピュータ読み取り可能な初期化制御プログラム。
【請求項１３】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の電子機器の機能を備えたことを特徴とする携帯用電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器に係り、特に、相変化メモリを有し、同相変化メモリにアクセスすることにより所定の動作を行う電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などのような携帯用電子機器は、近年では、データの記憶手段の一部に相変化メモリ（Phase change Randam Access Memory 、ＰＲＡＭ）が用いられるものが多くなっている。相変化メモリは、相変化材料が記憶素子として用いられる不揮発性メモリであり、その製造工程が比較的簡単であり、低価格で大容量のメモリが実現する。
【０００３】
この種の関連する技術としては、たとえば、特許文献１に記載された相変化メモリを用いる装置がある。
この装置は、たとえば、携帯電話機であり、制御部と、Ｉ／Ｏ部と、相変化メモリと、無線インタフェースとを備え、これらがバスを介して接続されている。この携帯電話機では、制御部により、所定の動作プログラムに基づいて相変化メモリに対してアクセスされることにより、所定の動作が行われる。
【特許文献１】特開２００６−０７９６０９号公報（第８頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記文献を含む上記の技術では、次のような問題点があった。
すなわち、相変化メモリは、メモリ材料として相変化材料が用いられ、同メモリ材料に高温度が印加されたときに相変化により抵抗値が変化する現象を利用したメモリである。このため、相変化メモリは、たとえば修理時など、半田が溶融するほどの高温度の環境におかれたとき、メモリ材料の相状態が乱れ、格納されているデータの信頼性が低下するという問題点がある。この場合、高温度の環境におかれた相変化メモリをそのまま用いると、誤ったデータに基づいて機器が動作し、予期しない誤動作が発生するという問題点がある。
【０００５】
また、携帯電話機のような携帯用電子機器では、小型化のために高密度実装を行う必要があるため、ＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッケージなどの部品が用いられ、同ＢＧＡパッケージ内に相変化メモリが内蔵されている。ＢＧＡパッケージは、携帯中に機器全体が大きな力で押されることや、落下による衝撃により、基板の曲げなどのストレスで半田ボールに半田クラックが発生することがあり、これを修理するには、半田ボールが溶融する温度になるまで再加熱する必要がある。半田ボールを再加熱する場合、基板全体を加熱することが好ましいが、このとき、高温度の環境でデータ変化の可能性がある相変化メモリも同時に加熱され、データの信頼性が低するという問題点がある。また、ＢＧＡパッケージを用いない場合でも、多くの場合、製造工程の平易さから、基板と部品との接続が半田付けにより行われている。このため、ＢＧＡパッケージを用いる場合と同様の問題点がある。
【０００６】
また、特許文献１に記載された装置では、相変化メモリのデータの信頼性が低下した場合の対策については述べられていないので、上記の問題点は、改善されない。
【０００７】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、相変化メモリが高温度の環境におかれた場合でも、誤動作などが発生しない電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明の第１の構成は、相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御を行う制御手段とを有する電子機器に係り、当該電子機器の起動前に前記相変化メモリを初期化する相変化メモリ初期化手段が設けられていることを特徴としている。
【０００９】
この発明の第２の構成は、相変化メモリと、所定の動作プログラムに基づいて、該相変化メモリに対してアクセスすることにより所定の制御を行う制御手段とを有する電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法に係り、当該電子機器の起動前に前記相変化メモリを初期化することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の構成によれば、相変化メモリ初期化手段により、当該電子機器の起動前に相変化メモリが初期化されるので、修理などにより相変化メモリが高温の環境下に置かれた場合でも、データの異常による当該電子機器の誤動作を確実に防止できると共に、人為的に初期化する作業を削減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
相変化メモリに記憶されているデータを読み出して同データの有効／無効を当該電子機器の起動前に判定し、同データが有効なときに当該電子機器を起動する一方、同データが無効なときに相変化メモリを初期化してから当該電子機器を起動する相変化メモリ初期化手段が設けられている電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器を提供する。
【００１２】
また、この発明では、相変化メモリ初期化手段は、相変化メモリを初期化するための初期化制御プログラムを記憶する記憶手段と、同記憶手段に記憶されている初期化制御プログラムに基づいて相変化メモリを初期化する処理手段とから構成されている。
【００１３】
また、この発明では、記憶手段は、相変化メモリに記憶されているデータのチェックサムを格納する構成とされ、処理手段は、記憶手段に格納されたチェックサムと、相変化メモリに記憶されているデータのチェックサムとを比較し、この比較結果が一致を示すときに相変化メモリに記憶されているデータを有効と判定する一方、不一致を示すときにデータを無効と判定する構成とされている。
【００１４】
また、この発明では、記憶手段は、初期化制御プログラムと共に動作プログラムを記憶する構成とされ、相変化メモリは、初期化されたとき、記憶手段に記憶されている動作プログラムを記憶する構成とされている。
【００１５】
また、この発明では、記憶手段は、フラッシュメモリで構成されている。
【実施例１】
【００１６】
図１は、この発明の第１の実施例である電子機器の要部の電気的構成を示すブロック図である。
この例の電子機器は、同図に示すように、携帯電話機１０であり、アンテナ１１と、送受信部１２と、制御部１３と、スピーカ１４と、マイクロフォン１５と、表示部１６と、操作部１７と、電源部１８とから構成されている。送受信部１２は、アンテナ１１を介して図示しない無線基地局との間で無線電波を送受信する。制御部１３は、所定の動作プログラムに基づいて、この携帯電話機１０全体の制御を行う。スピーカ１４は、着信時や通話時の音声を出力する。マイクロフォン１５は、通話時の音声を入力する。表示部１６は、たとえば液晶表示装置などで構成され、通話時の所定の表示を行う他、メールなどを表示する。操作部１７は、たとえば、送信キー、英字／カナ／漢字／数字の変換キー、電源のオン／オフキー、カーソル操作を行うための十文字キー、及び終了キーなどから構成され、ユーザにより所定の操作が行われる。電源部１８は、この携帯電話機１０の各部に電源を供給する。
【００１７】
この携帯電話機１０では、たとえば着信時において、アンテナ１１で受信された電波が送受信部１２に送出されて復調され、制御部１３で解析される。制御部１３では、着信であることが認識され、送受信部１２に送信データが送出されると共に表示部１６に着信表示が出力される。また、スピーカ１４から着信音が発生し、ユーザに着信が通知される。ユーザは、着信を認識し、操作部１７を操作すると、制御部１３で検出されてマイクロフォン１５で音声が入力される。
【００１８】
図２は、図１中の制御部１３の要部の電気的構成を示すブロック図である。
この制御部１３は、同図２に示すように、ＣＰＵ（中央処理装置）２１と、ＲＡＭ（Random Access Memory）２２と、相変化メモリ２３と、フラッシュメモリ２４とから構成されている。フラッシュメモリ２４は、たとえばＮＯＲ型のフラッシュメモリで構成され、所定の動作プログラムを格納し、特に、この実施例では、相変化メモリ２３を初期化するための初期化制御プログラムを記憶する。また、フラッシュメモリ２４は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリで構成されることもある。ＲＡＭ２２は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ２４からＣＰＵ２１を経て送出された動作プログラム及び初期化制御プログラムを格納する。相変化メモリ２３は、動作プログラムに基づいてＣＰＵ２１によりデータの書込み／読出しが行われる。
【００１９】
ＣＰＵ２１は、携帯電話機１０全体を制御するコンピュータであり、フラッシュメモリ２４に格納された動作プログラムを実行、あるいは、フラッシュメモリ２４からＲＡＭ２２にコピーされた動作プログラムを実行することにより、携帯電話機１０の動作を制御する。特に、この実施例では、ＣＰＵ２１は、動作プログラムに基づいて、相変化メモリ２３に対してアクセス（データの書込み／読出し）することにより所定の制御動作を行う他、上記初期化制御プログラムに基づいて相変化メモリ２３を初期化する。この場合、ＣＰＵ２１は、相変化メモリ２３に記憶されているデータを読み出して同データの有効／無効を携帯電話機１０の起動前に判定し、同データが有効なときに同携帯電話機１０を起動する一方、同データが無効なときに相変化メモリ２３を初期化してから同携帯電話機１０を起動する。
【００２０】
図３は、図２の制御部１３がＢＧＡパッケージとして構成されている場合の実装状態を示す図である。
この制御部１３は、携帯電話機１０の小型軽量化のため、同図３に示すように、ＢＧＡパッケージとして構成され、半田ボール３１を介して基板３２上に実装されている。
【００２１】
図４は、図２中の相変化メモリ２３及びフラッシュメモリ２４のデータ配置例を示すアドレスマップであり、同図（ａ）はフラッシュメモリ２４に記憶されているプログラムの配置例を示す図、及び同図（ｂ）が相変化メモリ２３に記憶されているデータの配置例を示す図である。
フラッシュメモリ２４では、図４（ａ）に示すように、アドレス“0000000h”乃至アドレス“0FFFFFFh”が付され、プログラムＰ２４が同アドレス“0000000h”から同プログラムＰ２４の容量に対応したアドレスまでの領域に格納されている。プログラムＰ２４には、動作プログラム及び初期化制御プログラムが含まれている。相変化メモリ２３では、図４（ｂ）に示すように、データＤ２３がアドレス“1000000h”乃至アドレス“1FFFFFFh”までの領域に格納されている。ＣＰＵ２１は、たとえば、リセット時にアドレス“0000000h”をアクセスして動作を開始する場合、まず、アドレス“0000000h”のプログラムＰ２４により携帯電話機１０を起動させ、この後、相変化メモリ２３のアドレス“1000000h”乃至アドレス“1FFFFFFh”のデータを参照して動作する。
【００２２】
図５は、図２の制御部１３の動作を説明するフローチャートである。
この図を参照して、この例の携帯電話機１０に用いられる相変化メモリ初期化方法の処理内容について説明する。
この携帯電話機１０では、フラッシュメモリ２４又はＲＡＭ２２に記憶されている初期化制御プログラムに基づいて、ＣＰＵ２１により、相変化メモリ２３に記憶されているデータが読み出されて同データの有効／無効が同携帯電話機１０の起動前に判定される。そして、同データが有効なときに同携帯電話機１０が起動される一方、同データが無効なときに相変化メモリ２３が初期化されてから同携帯電話機１０が起動される。
【００２３】
すなわち、制御部２１が修理時の半田の溶融などにより高温の環境下に置かれると、熱により同制御部２１内の相変化メモリ２３のデータＤ２３の信頼性が低下する。ＣＰＵ２１により、この信頼性の低下を検出する手順が開始（“ＳＴＡＲＴ”）される（ステップＡ１）。ＣＰＵ２１により、相変化メモリ２３のデータＤ２３が読み出され（ステップＡ２）、有効か否かが判定される（ステップＡ３）。この判定の方法は、データＤ２３全体のチェックサムを相変化メモリ２３以外のメモリ（フラッシュメモリ２４又はＲＡＭ２２）に保存しておき、データＤ２３のチェックサムと比較するか、あるいは、同データＤ２３のチェックサムを同データＤ２３の中に含めておき、それと比較するなどの方法がある。データＤ２３が有効と判定された場合、修理などにより相変化メモリ２３の初期化が必要な状態になっていないと判断され、装置起動（ステップＡ５）されて処理が終了（“ＥＮＤ”）する（ステップＡ６）。一方、ステップＡ３でデータＤ２３が無効と判定された場合、ＣＰＵ２１により相変化メモリ２３が初期化（ステップＡ４）されてからステップＡ５へ進む。
【００２４】
以上のように、この第１の実施例では、フラッシュメモリ２４又はＲＡＭ２２に記憶されている初期化制御プログラムに基づいて、ＣＰＵ２１により、相変化メモリ２３に記憶されているデータが読み出されて同データの有効／無効が携帯電話機１０の起動前に判定され、同データが有効なときに同携帯電話機１０が起動される一方、同データが無効なときに相変化メモリ２３が初期化されてから同携帯電話機１０が起動されるので、相変化メモリ２３が高温の環境下に置かれた場合でも、データの異常による携帯電話機１０の誤動作が確実に防止される。また、相変化メモリ２３がデータの記憶用に使用されているので、相変化メモリ２３の初期化が必要となった場合でも、ＣＰＵ２１は、フラッシュメモリ２４又はＲＡＭ２２に記憶されている動作プログラムに基づいて動作できる。また、相変化メモリ２３がＣＰＵ２１により初期化されるので、高温の環境下に置いて修理した場合でも、後で人為的に初期化する必要がない。
【実施例２】
【００２５】
図６は、この発明の第２の実施例である相変化メモリ２３及びフラッシュメモリ２４の他のデータ配置例を示すアドレスマップであり、第１の実施例を示す図４中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この例のフラッシュメモリ２４では、図６（ａ）に示すように、データＤ２４として、相変化メモリ２３に記憶されているデータＤ２３ａのチェックサムが格納されている。ＣＰＵ２１では、フラッシュメモリ２４のデータＤ２４として格納されたチェックサムと、相変化メモリ２３に記憶されているデータのチェックサムとが比較され、この比較結果が一致を示すときに相変化メモリ２３に記憶されているデータが有効と判定される一方、不一致を示すときに同データが無効と判定される。この場合、フラッシュメモリ２４は、修理などによる高温の環境下に置かれても、データの信頼性を保てるため、データの有効／無効が確実に判定される。
【００２６】
また、相変化メモリ２３は、ＣＰＵ２１により初期化されたとき、図６（ｂ）に示すように、フラッシュメモリ２４に記憶されている動作プログラムがＣＰＵ２１によりコピーされてプログラムＰ２３として記憶する。この場合、フラッシュメモリ２４に圧縮状態でプログラムＰ２４を格納しておき、初期化で相変化メモリ２３に展開されるので、フラッシュメモリ２４の容量が限られている場合に特に有効である。このように、フラッシュメモリ２４及び相変化メモリ２３のデータ配置が柔軟に設計変更できるので、携帯電話機１０の特性や性能に合わせて短期間に開発できる。
【００２７】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成は同実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあっても、この発明に含まれる。
たとえば、上記実施例では、制御部１３がＢＧＡパッケージとして構成されているが、制御部１３内部のＣＰＵ２１、ＲＡＭ２２、相変化メモリ２３及びフラッシュメモリ２４が個別に基板上に半田付けされている場合でも、上記実施例とほぼ同様の作用、効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
この発明は、携帯電話機に限らず、たとえば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants ）、ポータブル音楽プレーヤ、電子手帳、ラップトップパソコン、トランシーバなどの携帯機器全般に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の第１の実施例である電子機器の要部の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１中の制御部１３の要部の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図２の制御部１３がＢＧＡパッケージとして構成されている場合の実装状態を示す図である。
【図４】図２中の相変化メモリ２３及びフラッシュメモリ２４のデータ配置例を示すアドレスマップである。
【図５】図２の制御部１３の動作を説明するフローチャートである。
【図６】この発明の第２の実施例である相変化メモリ２３及びフラッシュメモリ２４の他のデータ配置例を示すアドレスマップである。
【符号の説明】
【００３０】
１０      携帯電話機（電子機器、携帯用電子機器）
１３      制御部（電子機器の一部）
２１      ＣＰＵ（中央処理装置）（制御手段の一部、相変化メモリ初期化手段の一部、処理手段）
２２      ＲＡＭ（Random Access Memory）（制御手段の一部、相変化メモリ初期化手段の一部、記憶手段）
２３      相変化メモリ
２４      フラッシュメモリ（制御手段の一部、相変化メモリ初期化手段の一部、記憶手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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