(57)【要約】【課題】静電吸着する被吸着部材の温度を高精度に調整できる静電チャック、マスク保持装置、基板保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】レチクルステージに設けられた静電チャック２１は、誘電体からなるチャック本体３０を備え、チャック本体３０に形成された各挿通穴３３内の内周面には、導電層３９が形成されている。また、各挿通穴３３内には、ヒートパイプ３４がそれぞれ配設されている。そして、各直流電源４０，４１から各導電層３９に電圧が個別に印加されることにより、チャック本体３０の吸着面３２にレチクルＲが静電吸着される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に設けられた電極部に電圧が印加されることによって、被吸着部材を静電吸着する吸着面を有するチャック本体と、
該チャック本体内に配置され、当該チャック本体の熱を輸送する熱輸送部材とを備え、
前記電極部は、前記吸着面と前記熱輸送部材との間に配置された静電チャック。
【請求項２】
前記電極部は、前記熱輸送部材の外殻を形成する請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記電極部は、前記熱輸送部材の外周側で、且つ前記吸着面側に形成された導電層を含む請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記熱輸送部材と前記導電層との間には、熱伝導性を有する粘性体が充填されている請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記熱輸送部材の外周面には、導電性材料が設けられており、該導電性材料により前記電極部が構成される請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記熱輸送部材は、その一部が前記チャック本体外に位置するように配置されると共に、
前記熱輸送部材のうち前記チャック本体外に位置する部位を介して前記チャック本体の温度を調整する温度調整機構をさらに備えた請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記チャック本体内には、複数の電極部が設けられており、該各電極部のうち一部の電極部には正の電荷が帯電される一方、残りの電極部には負の電荷が帯電される請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記熱輸送部材は、ヒートパイプである請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の静電チャック。
【請求項９】
所定のパターンが形成されたマスクを保持するマスク保持装置であって、
請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の静電チャックを備え、
該静電チャックの前記吸着面には、前記マスクが前記被吸着部材として静電吸着されるマスク保持装置。
【請求項１０】
感光性材料が塗布された基板を保持する基板保持装置であって、
請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の静電チャックを備え、
該静電チャックの前記吸着面には、前記基板が前記被吸着部材として静電吸着される基板保持装置。
【請求項１１】
光源から射出された光が照射され、パターンが形成されたマスクを保持するマスク保持装置と、
前記パターンの像を感光性材料が塗布された基板上に投影するための投影光学系とを備え、
前記マスク保持装置は、請求項９に記載のマスク保持装置である露光装置。
【請求項１２】
マスクに形成されたパターンの像を感光性材料が塗布された基板上に投影するための投影光学系と、
前記基板を保持する基板保持装置とを備え、
該基板保持装置は、請求項１０に記載の基板保持装置である露光装置。
【請求項１３】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１１又は請求項１２に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被吸着部材を静電吸着する静電チャック、該静電チャックを備えるマスク保持装置、静電チャックを備える基板保持装置、リソグラフィ工程に用いられる露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光やＥＢ（Electron Beam ）などを用いて、基板にパターン像を転写する露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ内に設置される。このような露光装置は、所定のパターンが形成されたマスクを静電吸着するための静電チャックを有するマスク保持装置を備えている。また、マスク保持装置は、マスクの温度を調整するための温度調整機構を備え、該温度調整機構は、マスクを静電吸着する静電チャックの吸着面とは反対側に配置されている。
【０００３】
そのため、静電チャックに静電吸着されるマスクに露光光を照射した場合、その露光光の照射に基づきマスクが発熱するが、温度調整機構によってマスクの温度上昇が抑制される。すなわち、温度調整機構が設けられていない場合とは異なり、マスクの発熱に起因したマスクの変形やマスクに形成されたパターンの変形が抑制される。したがって、感光性材料が塗布されたウエハなどの基板には、適切な形状のパターン像が転写することが可能になる（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２８６１９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、半導体集積回路の高集積化、即ちウエハに形成する回路パターンの更なる微細化に対応するために、露光光が照射されるマスクの温度の調整をより精密に行うことが要望されている。しかしながら、静電チャックにおける吸着面の反対側に温度調整機構を設けた構成では、温度調整機構がマスクから遠く離間した位置に配置されるため、露光光の照射に基づくマスクの発熱に対する温度調整機構の応答速度が遅く、マスクの温度を高精度に調整できないおそれがあった。特にマスク保持装置の周囲が真空雰囲気である場合には、周囲に気体が存在する場合とは異なり、気体を介した放熱が殆どないため、マスクで発熱した熱を静電チャック側に速やかに放熱させる必要があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電吸着する被吸着部材の温度を高精度に調整できる静電チャック、マスク保持装置、基板保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図７に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の静電チャックは、内部に設けられた電極部（３９、３４ａ）に電圧が印加されることによって、被吸着部材（Ｒ、Ｗ）を静電吸着する吸着面（３２）を有するチャック本体（３０）と、該チャック本体（３０）内に配置され、当該チャック本体（３０）の熱を輸送する熱輸送部材（３４）とを備え、前記電極部（３９、３４ａ）は、前記吸着面（３２）と前記熱輸送部材（３４）との間に配置されたことを要旨とする。
【０００７】
上記発明によれば、電極部に電圧が印加されてチャック本体の吸着面に被吸着部材が静電吸着された場合には、熱輸送部材がチャック本体における吸着面の反対側に配置された場合に比して熱輸送部材が吸着面に近い位置に配置された分だけ、被吸着部材の温度変化に速やかに対応できる。したがって、静電チャックの吸着面に静電吸着される被吸着部材の温度を高精度に調整できる。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、静電吸着する被吸着部材の温度を高精度に調整できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図４に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図１では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、露光光源１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを保持するウエハステージ１７とを備えている。なお、本実施形態の露光光源１３としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を出力する。
【００１１】
照明光学系１４は、露光光源１３側から順に配置された反射型のコリメート用ミラー１８及びコンデンサミラー１９を備えている。これら各ミラー１８，１９の反射面には、露光光ＥＬを反射する複数の反射層がそれぞれ形成されている。そして、コンデンサミラー１９に反射された露光光ＥＬは、コンデンサミラー１９よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２０により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１４は、不図示の一対のフライアイ反射鏡を備えた構成であってもよい。
【００１２】
レチクルステージ１５は、後述する投影光学系１６の物体面側に配置され、レチクルＲを静電吸着する双極型の静電チャック２１と、該静電チャック２１を介してレチクルＲの温度を調整するための冷却装置２２（図２参照）と、レチクルＲを、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるための図示しない移動機構とを備えている。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された被照射面（即ち、図１における下面）で反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６に導かれる。なお、本実施形態のレチクルＲは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄板、該薄板の裏面側に形成された導電層、該薄板の表面側に形成された反射層及び該反射層上に形成された吸収層を備え、該吸収層に上記パターンが形成されている。
【００１３】
投影光学系１６は、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２３，２４，２５，２６，２７，２８を備えている。そして、レチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２３、第２ミラー２４、第３ミラー２５、第４ミラー２６、第５ミラー２７、第６ミラー２８の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー２３〜２８のうち第１ミラー２３、第２ミラー２４、第４ミラー２６及び第６ミラー２８は凹面鏡である一方、第３ミラー２５及び第５ミラー２７は凸面鏡である。
【００１４】
ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着する双極型の静電チャック２９と、該静電チャック２９を介してウエハＷの温度を調整するための図示しない冷却装置と、ウエハＷをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるための図示しない移動機構とを備えている。このウエハステージ１７の静電チャック２９及び冷却装置は、レチクルステージ１５の静電チャック２１及び冷却装置２２とそれぞれ略同一構成である。そして、投影光学系１６から射出された露光光ＥＬがウエハＷの表面を照射することにより、ウエハＷには、レチクルＲ上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影される。
【００１５】
次に、レチクルステージ１５の静電チャック２１について図２〜図４に基づき説明する。なお、レチクルステージ１５の静電チャック２１とウエハステージ１７の静電チャック２９とは、略同一構成であるため、ウエハステージ１７の静電チャック２９の説明は省略するものとする。
【００１６】
図２及び図３に示すように、静電チャック２１には、誘電体などの絶縁性材料（例えばセラミック）からなる略直方体状のチャック本体３０を備え、該チャック本体３０の−Ｚ方向側（図２における紙面手前側であって、図３における下側）には吸着面３２が形成されている。この吸着面３２には、円柱状をなす複数の突起３１が所定間隔をおいて規則的に形成されている。そして、レチクルＲは、これら各突起３１の先端部に支持された状態で吸着面３２に対して静電吸着される。
【００１７】
また、チャック本体３０内には、該チャック本体３０の−Ｘ方向側（図２における下側であって、図３における左側）の側面からＸ方向に延びる複数（本実施形態では６つ）の挿通穴３３がＹ方向に所定間隔をおいて形成されている。これら各挿通穴３３は、それぞれの中心線３３ａ（図３にて一点鎖線で示す。）がチャック本体３０の厚み方向（図３における上下方向）の中心よりも吸着面３２側に位置するようにそれぞれ配置されている。
【００１８】
また、各挿通穴３３内の内周面のうち、吸着面３２側の面には、該吸着面３２と平行な平面部が形成されている。そして、この各挿通穴３３内には、挿通穴３３と相似形状を有する棒状のヒートパイプ３４がそれぞれ収容されている。すなわち、ヒートパイプ３４には、挿通穴３３の平面部に対向する平面状の部位が設けられている。また、各ヒートパイプ３４の外周面には、導電性材料（例えば銅）によるメッキ処理がそれぞれ施されている。また、各ヒートパイプ３４は、それぞれのＸ方向側の第１端部（図２における上端部）３５がチャック本体３０内に位置すると共に、それぞれの−Ｘ方向側の第２端部（図２における下端部）３６がチャック本体３０外に位置するようにそれぞれ配置されている。
【００１９】
チャック本体３０には、各挿通穴３３の内周面のうち、平面部に薄膜状の導電層３９（例えば銅薄膜）が設けられている。この導電層３９は、各ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０内に配置された部位、即ち、平面部に対向する。
【００２０】
各ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０内に位置する部位の外周面と、挿通穴３３の内周面との間の隙間には、熱導電性を有するグリース３７（例えば、金属酸化物などの熱導電性の微粒子を含有するシリコーングリース）がそれぞれ充填されている。このグリース３７は、ヒートパイプ３４の平面部の表面と、導電層３９の表面との間の隙間にも充填されることになる。また、各挿通穴３３の開口近傍には、グリース３７の挿通穴３３外への露出を規制するためのエポキシ樹脂製のシール部材３８がそれぞれ設けられている。
【００２１】
なお、ヒートパイプ３４は、挿通穴３３内において多少しなり、その一部が導電層３９の一部分に接触していてもよい。また、ヒートパイプ３４と導電層３９との隙間が一定の間隔になっていなくてよい。このような場合であっても、ヒートパイプ３４と導電層３９との間にグリース３７が介在しているため、チャック本体３０の熱を効率良くヒートパイプ３４に伝導することができる。
【００２２】
また、各ヒートパイプ３４のうち−Ｙ方向側（図２における左側）に位置する３つのヒートパイプ３４に対応する導電層３９には、負の電荷を供給するための第１直流電源４０がそれぞれ電気的に接続されている。一方、各ヒートパイプ３４のうちＹ方向側（図２における右側）に位置する３つのヒートパイプ３４に対応する導電層３９には、正の電荷を供給するための第２直流電源４１がそれぞれ電気的に接続されている。したがって、各導電層３９に直流電源４０，４１から電圧がそれぞれ印加された場合には、各導電層３９が電極部としてそれぞれ機能し、静電チャック２１の吸着面３２にレチクルＲが静電吸着される。
【００２３】
ヒートパイプ３４は、図４に示すように、中空状のパイプ本体４５と、該パイプ本体４５の内周面に沿うように配置された筒状の網状体４６とを備え、パイプ本体４５内には、水や代替フロンなどの液体が減圧された状態で封入されている。そして、ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０内に位置する部位が吸熱した場合、該熱は、パイプ本体４５内の液体の蒸発により発生した蒸気がパイプ本体４５内を第１端部３５側から第２端部３６側に移動することにより、ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０外に位置する部位に輸送されることになる。
【００２４】
また、各ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０外に位置する部位の外周面の一部分は、図２及び図３に示すように、冷却装置２２に連結される冷却用配管４７にそれぞれ接触しており、該各冷却用配管４７内には、冷却装置２２から冷却用流体がそれぞれ供給されている。すなわち、ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０外に位置する部位は、冷却装置２２によって冷却されている。なお、冷却用配管４７は、熱伝導性を有する材料（例えば銅）から形成されている。
【００２５】
次に、露光光ＥＬがレチクルＲ及びウエハＷにそれぞれ照射される際におけるレチクルステージ１５及びウエハステージ１７の作用を中心に説明する。
さて、レチクルステージ１５にて保持されるレチクルＲは、照明光学系１４から射出された露光光ＥＬが照射されると、該露光光ＥＬの一部を投影光学系１６側に反射する一方で、残りの露光光ＥＬを吸収する。すると、レチクルＲでは、露光光ＥＬの吸収によって発熱し、該熱は、吸着面３２を介してチャック本体３０側に移動する。そして、レチクルＲからチャック本体３０側に移動した熱、及び、各導電層３９に電圧が印加されることによりチャック本体３０内で発生した熱は、各ヒートパイプ３４内に吸熱される。すると、各ヒートパイプ３４は、吸収した熱を第１端部３５側から第２端部３６側に輸送し、その後、第２端部３６側に輸送された熱は、冷却用配管４７側に放熱される。
【００２６】
すなわち、本実施形態では、レチクルＲで発熱した熱を吸熱する機構がチャック本体３０において吸着面３２とは反対側に設けられた従来の場合に比して、各ヒートパイプ３４がレチクルＲに接近した位置に配置される。そのため、レチクルＲにて発生した熱は、速やかにチャック本体３０及び各ヒートパイプ３４を介して静電チャック２１外に速やかに放熱される。その結果、レチクルＲの発熱に起因したレチクルＲの変形やレチクルＲに形成されたパターンの変形が抑制される。
【００２７】
また、ウエハＷを保持するウエハステージ１７においても、レチクルステージ１５と同様に、露光光ＥＬが照射されることによってウエハＷで発生した熱は、静電チャック２９側に移動し、該静電チャック２９から各ヒートパイプ３４を介してウエハステージ１７外に速やかに放熱される。そのため、露光光ＥＬの照射に起因したウエハＷの変形も抑制される。
【００２８】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）レチクルＲを静電吸着する静電チャック２１のチャック本体３０内には、ヒートパイプ３４と導電層３９とが複数設けられている。そして、これらヒートパイプ３４は、吸着面３２に接近した位置に配置される。その結果、露光光ＥＬが照射されるレチクルＲ内で発熱しても、ヒートパイプ３４がチャック本体３０内における吸着面３２の反対側に配置された場合に比して、レチクルＲの熱を速やかに静電チャック２１外に放熱できる。したがって、レチクルＲの温度変化に速やかに対応できる。
【００２９】
（２）ウエハＷを静電吸着する静電チャック２９についても、上記静電チャック２１と同様の構成をしているため、露光光ＥＬが照射されることによるウエハＷの温度変化に速やかに対応できる。
【００３０】
（３）ヒートパイプ３４とチャック本体３０の挿通穴３３の内周面との間には熱伝導性を有するグリース３７が介在しているため、レチクルＲ（又はウエハＷ）が静電吸着されるチャック本体３０内に熱が蓄熱されることを回避できる。したがって、ヒートパイプ３４と挿通穴３３の内周面との間に空洞がある場合に比して、レチクルＲ（又はウエハＷ）の温度を確実に調整できる。
【００３１】
（４）本実施形態では、ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０外に位置する部位を内部に冷却流体が流動する冷却用配管４７を介して冷却することにより、レチクルＲやウエハＷの温度調整が行われる。そのため、冷却用配管４７がチャック本体３０内に埋設される場合とは異なり、冷却用配管４７内を流動する冷却流体の脈動が静電チャック２１，２９を介してレチクルＲ及びウエハＷに伝達されることを抑制できる。したがって、より微細なパターン像がウエハＷに投影転写されることに貢献できる。
【００３２】
（５）チャック本体３０から熱を輸送する熱輸送部材がヒートパイプ３４であるため、レチクルＲやウエハＷで発生した熱を静電チャック２１，２９外に速やかに放熱できる。
（６）挿通穴３３の開口近傍にシール部材３８を設けることにより、グリース３７の挿通穴３３外への露出を規制できる。そのため、挿通穴３３外に露出したグリース３７が揮発することによるアウトガスの発生を回避でき、レチクルステージ１５近傍やウエハステージ１７近傍の雰囲気の汚染を回避できる。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図５に従って説明する。なお、第２の実施形態は、静電チャック２１，２９の構成が第１の実施形態と多少異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。なお、本実施形態の各静電チャック２１，２９は略同一構成であるため、ウエハＷを静電吸着する静電チャック２９の構成のみ説明し、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２１については、その説明を省略するものとする。
【００３４】
図５に示すように、静電チャック２９は、チャック本体３０を備え、該チャック本体３０の吸着面３２には、複数の突起３１が所定間隔をおいて規則的に形成されている。そして、ウエハＷは、これら各突起３１の先端部で支持された状態で、吸着面３２により静電吸着される。また、チャック本体３０内には、複数（本実施形態では６つ）の挿通穴３３がＹ方向に所定間隔をおいて形成されており、該各挿通穴３３内には、ヒートパイプ３４がそれぞれ収容されている。各ヒートパイプ３４の外周面には、導電性材料３４ａ（例えば銅）が設けられている。なお、導電性材料３４ａは、メッキ処理等によってヒートパイプ３４に直接施される。
【００３５】
そして、各挿通穴３３の内周面とヒートパイプ３４の外周面（導電性材料３４ａの表面）との間の隙間には、グリース３７がそれぞれ充填されている。また、各挿通穴３３の開口近傍には、シール部材３８がそれぞれ設けられている。
【００３６】
また、各ヒートパイプ３４のうちチャック本体３０外に位置する部位の外周面の一部分は、冷却装置２２Ａに連結される冷却用配管４７Ａにそれぞれ接触している。また、各ヒートパイプ３４のうち−Ｙ方向側に位置する３つのヒートパイプ３４の第２端部３６には、第１直流電源４０がそれぞれ電気的に接続される一方、Ｙ方向側に位置する３つのヒートパイプ３４の第２端部３６には、第２直流電源４１がそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、本実施形態では、各ヒートパイプ３４の導電性材料３４ａに電圧がそれぞれ印加された場合、各ヒートパイプ３４がそれぞれ電極部として機能し、チャック本体３０の吸着面３２にウエハＷが静電吸着される。
【００３７】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（３）（４）（５）（６）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（７）チャック本体３０内に配置されたヒートパイプ３４は、熱輸送部材としてだけではなく、電極部としても機能する。そのため、熱輸送部材と電極部が別体構成の場合とは異なり、熱輸送部材を吸着面３２に接近した位置に配置できる。そのため、露光光ＥＬの照射によってウエハＷが発熱しても、ヒートパイプ３４を吸着面３２に接近させた分だけ、該熱を速やかに静電チャック２９外に放熱できる。したがって、熱輸送部材がチャック本体３０における吸着面３２の反対側に配置された場合に比してウエハＷの温度変化に速やかに対応できる。
【００３８】
（８）レチクルＲを静電吸着する静電チャック２１についても、上記静電チャック２９と同様の構成をしているため、露光光ＥＬが照射されることによるレチクルＲの温度変化に速やかに対応できる。
【００３９】
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態の静電チャック２１，２９をレチクルステージ１５及びウエハステージ１７のうち何れか一方にのみ設けてもよいし、両方に設けてもよい。
【００４０】
・第１の実施形態において、導電層３９とヒートパイプ３４の外周面の一部を接触させることによって、ヒートパイプ３４を介して導電層３９に電圧を印加するようにしてもよい。
【００４１】
・第１の実施形態において、導電層３９をチャック本体３０にメッキ処理によって設ける構成について説明したが、ヒートパイプ３４と電極部とを一体に構成にしてもよい。すなわち、ヒートパイプ３４の外周面に対して気密シールを介して金属材料（例えば銅板）を固定し、このヒートパイプ３４及び金属材料を挿通穴３３内に挿入する。そして、ヒートパイプ３４及び金属材料と挿通穴３３の内周面との間に介在する隙間内にグリースを充填させ、金属材料に電極部として機能させる。このようにヒートパイプ３４と電極部とを一体に構成した場合、電極部がヒートパイプ３４の外殻を構成することになる。
【００４２】
なお、ヒートパイプ３４と金属材料とを一体に形成した際において、ヒートパイプ３４と金属材料との間に隙間が介在する場合には、該隙間にグリースを介在させてもよい。
・各実施形態において、静電チャック２１，２９は、それぞれのチャック本体３０内に６本以外の任意の本数（例えば４本）のヒートパイプ３４が配置された構成であってもよい。なお、チャック本体３０内に配置されるヒートパイプ３４の本数は、正の電荷が供給される電極部と負の電荷が供給される電極部との数を合わせるために、偶数本であることが望ましい。
【００４３】
・各実施形態において、静電チャック２１，２９は、双曲型ではなく単極型の静電チャックであってもよい。この場合、吸着面３２にて静電吸着するレチクルＲ又はウエハＷをグランドに接地させる構成を設けることが望ましい。
【００４４】
・各実施形態において、チャック本体３０内には、ヒートパイプ３４の代わりに、金属棒などの他の熱輸送部材を配置してもよい。
また、チャック本体３０内には、熱輸送部材として、内部に冷却装置２２，２２Ａから冷却用流体が供給される管路を配置してもよい。ただし、このような管路は、銅などの金属製の管路であることが望ましい。また、管路が金属製ではない場合には、管路の外周面に導電性材料（例えば銅）によるメッキ処理を施すことが望ましい。
【００４５】
・各実施形態において、ヒートパイプ３４と挿通穴３３の内周面との間の隙間を埋める熱伝導性を有する粘性体としては、グリース３７の代わりに、熱伝導性のゲルやオイルなどの他の粘性体であってもよい。また、粘性体としては、熱伝導性だけではなく導電性をも有する粘性体であることがさらに望ましい。
【００４６】
・各実施形態の静電チャック２１，２９を、ウエハステージ１７上に搬送される前のウエハＷを冷却しつつ保持するクールプレートとして用いてもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００４７】
・各実施形態の露光装置１１は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。
【００４８】
・各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な露光光源１３として、放電型プラズマ光源を用いてもよい。
・各実施形態において、露光装置１１は、ＥＢ（Electron Beam ）を露光光ＥＬとして用いる露光装置であってもよい。
【００４９】
・各実施形態において、露光光源１３は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源１３は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。これらのような露光光源１３を用いた場合には、露光装置１１を、非真空雰囲気内に設置してもよい。
【００５０】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図６は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００５１】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００５２】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００５３】
図７は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００５４】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態における露光装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態における静電チャックの概略平面図。
【図３】第１の実施形態における静電チャックの一部を示す概略側断面図。
【図４】ヒートパイプを一部破断した概略側面図。
【図５】第２の実施形態における静電チャックの一部を示す概略側断面図。
【図６】デバイスの製造例のフローチャート。
【図７】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００５６】
１１…露光装置、１３…露光光源、１５…マスク保持装置としてのレチクルステージ、１６…投影光学系、１７…基板保持装置としてのウエハステージ、２１，２９…静電チャック、２２，２２Ａ…温度調整機構としての冷却装置、３０…チャック本体、３２…吸着面、３４…熱輸送部材としてのヒートパイプ、３４ａ…電極部としての導電性材料、３７…粘性体としてのグリース、３９…電極部としての導電層、ＥＬ…露光光、Ｒ…被吸着部材、マスクとしてのレチクル、Ｗ…被吸着部材、基板としてのウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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