(57)【要約】【課題】本発明は冷却装置としてヒートパイプを用いた電子装置に関し、小型化を図りつつ電子素子を効率よく冷却することを課題とする。【解決手段】半導体チップ２１と、この半導体チップ２１を冷却する冷却装置とを備えた電子装置であって、冷却装置として密閉容器２８及びパイプ部３０内にウイック３１及び動作液を設けたヒートパイプ２２を用い、半導体チップ２１をこのヒートパイプ２２の内部に配設し、かつ、半導体チップ２１を密閉容器２８の外部と接続する閉塞板２３Ｂを設ける。【選択図】図３
2009026818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、該電子素子を冷却する冷却装置とを備えた電子装置であって、
前記冷却装置としてウイック及び動作液を設けたヒートパイプを用い、
前記電子素子を該ヒートパイプの内部に配設し、
かつ、前記ヒートパイプ内に、前記電子素子と前記ウイックとを熱的に接続するヒートスプレッダを設け
かつ、前記電子素子を前記ヒートパイプの外部と接続する接続手段を設けた電子装置。
【請求項２】
前記ヒートスプレッダを前記電子素子の両面に配設した請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記ヒートスプレッダは、バッファプレートと、凹凸部又はフィンとにより構成される請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記接続手段は、光学的な接続手段を有することを請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置に係り、特に冷却装置としてヒートパイプを用いた電子装置に関する。
に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子に代表される電子素子は、ますます高機能化，高速化が追求されている。ところが、半導体素子を高速化するためにクロック周波数を上げると、半導体素子の消費電力が増大し、これに伴い発熱量も増大する。
【０００３】
一方、半導体素子が搭載される電子機器は小型及び薄型化が図られており、半導体素子から発生した熱の放熱エリアを電子機器内に設けることが困難となり、この熱が電子機器内に溜まりやすくなる。この熱を放置すると、半導体素子の温度が上昇し適正な動作を行うことができなくなる。そこで、例えば特許文献１に開示されるように、半導体素子をヒートパイプを用いて冷却する冷却装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２６１２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体チップ１の面積は小さいため、単に半導体チップ１をヒートパイプ２と熱的に接続した場合には、半導体チップ１とヒートパイプ２との接触面積（熱の伝導面積）が小さくなり、半導体チップ１を十分に冷却することができない。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図りつつ電子素子を効率よく冷却しうる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
電子素子と、該電子素子を冷却する冷却装置とを備えた電子装置であって、
前記冷却装置としてウイック及び動作液を設けたヒートパイプを用い、
前記電子素子を該ヒートパイプの内部に配設し、
かつ、前記ヒートパイプ内に、前記電子素子と前記ウイックとを熱的に接続するヒートスプレッダを設け
かつ、前記電子素子を前記ヒートパイプの外部と接続する接続手段を設けた電子装置により解決することができる。
【０００７】
また、上記発明において、前記ヒートスプレッダを前記電子素子の両面に配設した構成としもよい。
【０００８】
また、上記発明において、前記ヒートスプレッダを、バッファプレートと、凹凸部又はフィンとにより構成してもよい。
【０００９】
また、上記発明において、前記接続手段は、光学的な接続手段を有する構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電子素子をヒートパイプの密閉容器の内部に配設したことにより、電子素子をウイックに直接接触させることができる。このため、電子素子とウイック間の熱抵抗を極めて小さくすることができ、よって冷却効率を高めることができる。また、密閉容器が電子素子のパッケージとしても機能するため、冷却装置となるヒートパイプを含めた電子装置全体の形状を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００１２】
図３及び図４は、本発明の第１実施例である電子装置２０Ａを示している。図３は電子装置２０Ａの縦断面図であり、図４は電子装置２０Ａの底面図である。尚、図３は図４におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１３】
本実施例では、電子素子として半導体チップ２１を用い、冷却装置としてヒートパイプ２２を用いている。半導体チップ２１は高密度化及び高速化された素子であり、よって稼動する際に発熱するものである。半導体チップ２１は、封止樹脂等によりパッケージされることなく、ベアチップ状で閉塞板２３Ａに搭載されている。
【００１４】
閉塞板２３Ａは、セラミック基板であり多層構造とされている。閉塞板２３Ａの上面（図３における上方の面）に半導体チップ２１が搭載され、下面には外部接続端子となる内部配線３４が配設されている。また、閉塞板２３Ａの内部には内部配線３４が積層されており、内部配線３４により半導体チップ２１と内部配線３４は電気的に接続されている。尚、図３では、はんだボール２４が実装基板２５に接合された状態を示している。
【００１５】
また、半導体チップ２１の背面側（図３における上方の面）にヒートスプレッダ５０Ａが設けられている。ヒートスプレッダ５０Ａは熱伝導性の良好な銅により形成されており、図５に拡大して示すように、バッファプレート２６とフィン２７Ａとにより構成されている。バッファプレート２６が半導体チップ２１と熱的に接続され、フィン２７Ａがヒートパイプ２２のウイック３１と接触する。
【００１６】
ヒートスプレッダ５０Ａは種々の形状を取ることが可能であるが、本実施例ではバッファプレート２６を直方体形状とし、このバッファプレート２６の上部に三角柱からなる複数の凹凸部２７Ａを形成した構成としている。
【００１７】
本実施例では、バッファプレート２６の底面積は、半導体チップ２１の面積の約２倍程度としているが、これに限定されるもではない。また、三角柱形状の凹凸部２７Ａの代わりにフィンを用いることも可能であり、フィンを用いた場合には若干の熱抵抗の増加を代償にコストを下げることができる。尚、ヒートスプレッダ５０Ａの詳細構造については、説明の便宜上、後述するものとする。
【００１８】
ヒートパイプ２２は、大略すると密閉容器２８と複数のパイプ部３０とにより構成されている。密閉容器２８及びパイプ部３０は、いずれも熱伝導性の高い銅により形成されている。密閉容器２８は筐体形状を有し、各パイプ部３０は図４に示されるように、本体部２９を横断するよう配設されている。また、密閉容器２８の底面部には開口部３５が形成されており、閉塞板２３Ａに搭載された半導体チップ２１は、開口部３５を介して密閉容器２８内に挿入される。
【００１９】
パイプ部３０は密閉容器２８と連通しており、密閉容器２８から外側に向けてパイプ部３０が複数本延出した構成とされている。このようにパイプ部３０を複数使用することにより、熱輸送量を増加させることができる。各パイプ部３０の内部には、ウイック３１が配設されている。本実施例では、ウイック３１としてヒートスプレッダ５０Ａの形状に合わせたフェルト材（例えば、ポリエステルよりなる）を使用している。
【００２０】
なお、ウイック３１はフェルト材に限定されるものではなく、メッシュ材や金属細線（例えば、銅細線）を用いることも可能である。更に、フェルト材等に代えてパイプ部３０にグルーブ（微細な溝）を形成し、これをウイックとして用いることも可能である。この際、ヒートスプレッダ５０Ａを構成する凹凸２７Ａ又はフィンの間隔は、動作液の表面張力を利用するグルーブより十分に大きくすることが望ましい。また、凹凸２７Ａ又はフィンの表面にグルーブを形成し、これにより作動液の還流を良好に行う構成とすることも可能である。
【００２１】
ヒートパイプ２２の動作液は、本実施例ではフロンHFC152a(CH3−CHF2)を使用している。なお、動作液はフロンに限定されるものではなく、水，メタノール，ナフタレン等を用いることも可能である。
【００２２】
半導体チップ２１は、次の手順でヒートパイプ２２に装着される。先ず、閉塞板２３Ａに搭載された半導体チップ２１の上面にヒートスプレッダ５０Ａを固定する。ヒートスプレッダ５０Ａの半導体チップ２１への固定は、例えば熱伝導性の高い接着剤を用いて行う。
【００２３】
続いて、ヒートスプレッダ５０Ａが固定された半導体チップ２１を開口部３５からヒートパイプ２２密閉容器２８内に挿入する。この際、密閉容器２８及びパイプ部３０には、予め動作液を充填しておく。
【００２４】
閉塞板２３Ａの面積は、開口部３５の面積よりも大きく設定されている。このため、半導体チップ２１を密閉容器２８内に挿入することにより、閉塞板２３Ａは密閉容器２８の開口部３５の外周縁と当接する。密閉板２３Ａと密閉容器２８との当接位置を接着剤等により気密に封止することにより、開口部３５は閉塞板２３Ａにより気密に閉塞され、よって密閉容器２８は外部に対して気密に密閉された状態となる。
【００２５】
気密密閉された状態において、半導体チップ２１は密閉容器２８（ヒートパイプ２２）の内部に配設された状態（密閉された状態）となる。よって、ヒートパイプ２２は、半導体チップ２１を保護するパッケージとしても機能する。
【００２６】
また、半導体チップ２１はヒートパイプ２２の内部に配設されるが、半導体チップ２１は閉塞板２３Ａに形成された内部配線３４を介してはんだボール２４と接続されている。即ち、閉塞板２３Ａは、半導体チップ２１（電子素子）を密閉容器２８（ヒートパイプ２２）の外部と接続するための接続手段として機能する。よって、半導体チップ２１を密閉容器２８内に配設しても、半導体チップ２１と外部機器（本実施例では実装基板２５）との電気的な接続を確実に行うことができる。
【００２７】
また、閉塞板２３Ａの密閉容器２８との当接位置は、絶縁性を有したセラミックの面が密閉容器２８に当接するよう構成されている。よって、閉塞板２３Ａが内部配線３４を有した多層配線基板構造であっても、半導体チップ２１とヒートパイプ２２が短絡するようなことはない。
【００２８】
更に、本実施例では半導体チップ２１にヒートスプレッダ５０Ａが固定されているため、半導体チップ２１を密閉容器２８内に装着した状態で、ヒートスプレッダ５０Ａのバッファプレート２６及びフィン２７Ａはウイック３１に食い込んだ状態となる。これにより、ヒートスプレッダ５０Ａとウイック３１の接触面積を広くすることができ、半導体チップ２１からウイック３１に至る熱抵抗を低減することができる。
【００２９】
次に、上記構成とした電子装置２０Ａの動作について説明する。
【００３０】
半導体チップ２１が稼動し熱が発生すると、半導体チップ２１からの熱はヒートスプレッダ５０Ａ（バッファプレート２６，凹凸部２７Ａを介してウイック３１に至る。ウイック３１には毛細管現象により動作液が浸透した状態となっており、前記のようにヒートスプレッダ５０Ａはウイック３１に食い込んだ状態となっている。このため、半導体チップ２１の熱により動作液は気化し、潜熱として半導体チップ２１の熱を受け取る。
【００３１】
気化した動作液は、蒸気圧の差により冷却部３２へと移動する。冷却部３２では気化した動作液が液化し、潜熱として冷却部３２に熱を与える。液化した動作液はウイック３１及び密閉容器２８との表面張力により、半導体チップ２１（ヒートスプレッダ５０Ａ）の付近まで輸送される。このように、動作液は重力によらずに輸送されるため、半導体チップ２１はヒートパイプ２２の任意の位置に配置することが可能である（本実施例では、冷却効率を考慮して、半導体チップ２１の配設位置をヒートパイプ２２の中央位置としている）。尚、図３に破線で示す矢印は、気体となった動作液の流れを示しており、実線で示す矢印は液化しウイック３１内を移動する動作流体の流れを示している。
【００３２】
ここで、本実施例に係る電子装置２０Ａと、図１及び図２を用いて説明する冷却装置（ピラミッドバッファ６を用いた構成）とを比較する。尚、以下の比較説明においては、比較を簡単化するために本実施例で用いているヒートスプレッダ５０Ａに代えて、ピラミッドバッファ６を電子装置２０Ａに組み込んだ構成を想定し、これと図１及び図２を用いて説明する冷却装置とを比較するものとする。
【００３３】
図１に示される比較例では、半導体チップ１をヒートパイプ２を用いて冷却している。半導体チップ１はパッケージ３内に配設されており、またパッケージ３内に設けられた配線によりはんだボール４と接続されている。また、パッケージ３は実装基板５にはんだボール４により実装されており、これにより半導体チップ１は実装基板５と電気的に接続される。
【００３４】
ヒートパイプ２は、密閉容器８の内部にウイック９及び動作液が設けられている。半導体チップ１はヒートパイプ２の中央位置と熱的に接続されるよう構成されており、よってヒートパイプ２の両側部が、半導体チップ１の発熱により気化した作動液を再び液化する冷却部１０とされている。
図１の例ではさらに、銅製のピラミッド型のバッファプレート６（以下、ピラミッドバッファという）を用いて半導体チップ１とヒートパイプ２とを熱的に接続している。ピラミッドバッファ６は、図２に拡大して示すように、第１面６ａと、この第１面６ａよりも面積が広い第２面６ｂとを有しており、第１面６ａを半導体チップ１と熱的に接続すると共に、第２面６ｂをヒートパイプ２と熱的に接続する。これにより、半導体チップ１で発生した熱は、ピラミッドバッファ６を介してヒートパイプ２の広い面積に熱伝導される。
【００３５】
図１及び図２の冷却装置では、ピラミッドバッファ６の第２面６ｂのみがヒートパイプ２２と接触し、よってこの第２面６ｂの面積がヒートパイプ２（ウイック９）と熱的に接触する面積となる。これに対して本実施例に係る構成によれば、ピラミッドバッファ６の全面がウイック３１に食い込んだ状態となるため、ピラミッドバッファ６の側面６ｃもウイック３１と接触する。このため、ピラミッドバッファ６のウイック３１に対する接触面積が図１の例に比べて広くなり、よってより有効な冷却が可能となる。特に本実施例では、上記の例におけるピラミッドバッファ６と等価なヒートスプレッダ５０Ａが、三角柱形状の複数の凹凸部２７Ａを設けた構成であるため、表面積を更に増大することができ、更に有効な冷却を行うことが可能となる。
【００３６】
また本実施例では、半導体チップ２１を密閉容器２８内に直接配設するため、ヒートスプレッダ５０Ａのサイズや重量を小さくしても、半導体チップ２１とウイック３１をヒートスプレッダ５０Ａを介して良好に熱的に接続することができる。また、上記したようにヒートスプレッダ５０Ａ（バッファプレート２６，凹凸部２７Ａ）とウイック３１との接触面積を広くすることができ、またウイック３１としてグルーブを用いた場合にはグルーブを刻むことができる面積を増加することができ、効率的な冷却を行うことが可能となる。
【００３７】
更に、図１の例では、半導体チップ１を保護するために、パッケージ３の内部に半導体チップ１を封止する構成とされていた。パッケージ３は樹脂により形成され、よって半導体チップ１からヒートパイプ２に至る熱抵抗が大きくなる。これに対し、上記したように本実施例では、半導体チップ２１が密閉容器２８内に配設されているため、図１の例で存在するパッケージによる熱抵抗を無くすことができ、これによっても半導体チップ２１を効率的に冷却することができる。
【００３８】
次に、ヒートスプレッダ５０Ａの詳細構造について説明する。
【００３９】
ヒートスプレッダ５０Ａは、前記のようにウイック３１との有効接触面積を増加させることで、冷却能力を向上しようとするものである。ヒートスプレッダ５０Ａでは、半導体チップ２１を数ミリ厚のバッファプレート２６と熱的に結合させることで熱を分散させている。
【００４０】
このように熱を分散させることにより、半導体チップ２１の上面の面積と比べ、三角柱形状の凹凸部２７Ａを設置する面積を増加させることができる。ウイック３１との有効接触面積は、三角柱の凹凸部２７Ａの設置間隔が狭くなるほど増加する。しかしながら、三角柱の凹凸部２７Ａの表面にウイック３１を接触させたり、グルーブを刻んだりする必要性から、三角柱の凹凸部２７Ａの設置間隔はおおよそ数ミリメートル程度の間隔を空けて設置することが望ましい。
【００４１】
また、ヒートスプレッダ５０Ａの表面積の合計は、断面三角形状である凹凸部２７Ａの高さを高くするほど増加するが、銅の熱抵抗のために凹凸部２７Ａの高さを高くすると実効表面積は次第に増加しなくなる。コストパフォーマンスの点からは、凹凸部２７Ａの実効効率が0.7程度になるよう、即ち次式（１）が成立する前後の値に凹凸部２７Ａの断面の三角形の高さを決めるのが適当である。
【００４２】
2llh/bλ=1・・・・・・・（１）
l:断面の三角形の高さ
h:動作液への熱伝達率
b:三角柱の設置間隔
λ:銅の熱伝導率
図６は、図５に示したヒートスプレッダ５０Ａの変形例であるヒートスプレッダ５０Ｂを示している。このヒートスプレッダ５０Ｂは、図１及び図の冷却装置より軽量化を図ったものである。
【００４３】
本変形例に係るヒートスプレッダ５０Ｂと、図２に示したピラミッドバッファ６とを比較する。いま仮に、ヒートスプレッダ５０Ｂの三角柱形状の凹凸部２７Ｂを設置する面積を、半導体チップ２１の面積と等しい16mm×16mmとした場合を想定する。
【００４４】
この想定では、凹凸部２７Ｂを設置する面積を半導体チップ２１の面積より増加させていないため、バッファプレート２６は薄くてもよい。具体的には、バッファプレート２６の厚みは1mm厚程度としている。また凹凸部２７Ｂを高さ13mm程度の三角柱形状とした場合、凹凸部２７Ｂを4mm間隔に4列設置することが適当である。
【００４５】
この構成とした場合、三角柱形状の凹凸部２７Ｂの有効な表面積の合計はおおよそ1200mm平方となり、動作液への熱伝達率を5000W/m平方Kとすると、動作液への熱抵抗はおおよそ0.17K/Wとなる。また、本変形例のバッファプレートの重量は、4mmの角錐部３３の部分加えると略22グラムとなる。
【００４６】
これに対して図２のピラミッドバッファ６を用いて、動作液への熱抵抗を同等とするためには、高さ10mmの程度のピラミッドバッファ６では、16mm×16mm〜38mm×38mm程度の面積が必要となる。この場合のピラミッドバッファ６の重量は、おおよそ67グラムとなり、本変形例によるヒートスプレッダ５０Ａの重さ（略22グラム）に比べて大幅に重くなってしまう。よって、本変形例のヒートスプレッダ５０Ｂを用いることにより、電子装置２０Ａの軽量化を図ることができる。
【００４７】
図７及び図８は、本発明の第２実施例である電子装置２０Ｂを説明するための図である。尚、図７及び図８において、図３〜図６に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、その説明を省略するものとする。
【００４８】
前記した第１実施例に係る電子装置２０Ａは、図３に示すように、ヒートスプレッダ５０Ａが半導体チップ２１の片面（図中、上面）とのみ接触する構成を示した。これに対して本実施例に係る電子装置２０Ｂは、半導体チップ２１の両面にヒートスプレッダ５０Ｃを設けたことを特徴とするものである。この構成とすることにより、半導体チップ２１の表からに加えて裏からも熱輸送が可能となり、更にウイック３１との有効接触面積を増加させることができる。
【００４９】
また本実施例では、図８に示すように、半導体チップ２１の両面にヒートスプレッダ５０Ｃを設ける構成としたことにより、密閉容器２８内における半導体チップ２１の配設位置が第１実施例に比べて上方位置となる。具体的には、半導体チップ２１は密閉容器２８の略中央位置に配置されることとなる。
【００５０】
このため本実施例では、半導体チップ２１を密閉容器２８の外部と接続する接続手段として、閉塞板２３Ｂに加えて中間基板３７を設けた構成としている。閉塞板２３Ｂは、外部接続用のはんだボール２４が配設されると共に、電気的接続端子３８及び光学的接続端子４１が設けられる。
【００５１】
また、中間基板３７には、半導体チップ２１が搭載されると共に、電気的接続端子３９及び光学的接続端子４２が設けられる。更に、電気的接続端子３８と電気的接続端子３９との間には電気的接続ピン４０が配設され、光学的接続端子４１と光学的接続端子４２との間には光ファイバ４３が配設される。
【００５２】
これにより、電気的接続端子３８，３９及び電気的接続ピン４０により閉塞板２３Ｂと中間基板３７は電気的に接続され、かつ、光学的接続端子４１，４２及び光ファイバ４３により閉塞板２３Ｂと中間基板３７は光学的にも接続された構成となる。更に、電気的接続ピン４０は剛性の高い材質が選定されており、これにより中間基板３７は閉塞板２３Ｂ上に支持される。
【００５３】
よって、閉塞板２３Ｂを開口部３５を閉塞するよう密閉容器２８に配設した際、半導体チップ２１は電気的接続ピン４０等により支持されることにより、密閉容器２８の中央位置に位置した状態となる。また、ヒートスプレッダ５０Ｃは、断面三角形状の凹凸部２７Ａ，２７Ｂに代えてフィン２７Ｃ（断面矩形状）が形成されており、所定一対のフィン２７Ｃ間に電気的接続ピン４０及び光ファイバ４３が通れるよう構成されている。
【００５４】
上記した本実施例に係る電子装置２０Ｂによれば、半導体チップ２１の両面にヒートスプレッダ５０Ｃを設けたことにより、ウイック３１との有効接触面積を増加させることができ、半導体チップ２１の冷却効率をより高めることができる。更に、光学的な接続手段（光学的接続端子４１，４２及び光ファイバ４３）を設けたことにより、他の接続部品と放熱部との距離を長くできるため、放熱部の設計の自由度が大きくなる。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【００５６】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
電子素子と、該電子素子を冷却する冷却装置とを備えた電子装置であって、
前記冷却装置としてウイック及び動作液を設けたヒートパイプを用い、
前記電子素子を該ヒートパイプの内部に配設し、
かつ、前記ヒートパイプ内に、前記電子素子と前記ウイックとを熱的に接続するヒートスプレッダを設け
かつ、前記電子素子を前記ヒートパイプの外部と接続する接続手段を設けた電子装置。
（付記２）
前記ヒートスプレッダを前記電子素子の両面に配設した付記１に記載の電子装置。
（付記３）
前記ヒートスプレッダは、バッファプレートと、凹凸部又はフィンとにより構成される付記１又は２に記載の電子装置。
（付記４）
前記接続手段は、光学的な接続手段を有することを付記１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
（付記５）
前記接続手段は、電気的な接続手段を有することを付記１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置。
（付記６）
前記ヒートパイプは前記電子素子を装着するための開口部を有し、
前記電子素子は前記開口部を気密に閉塞する閉塞部材に配設され、
該閉塞部材を前記開口部に配設することにより、前記電子素子が前記ヒートパイプの内部に配設される付記１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置。
（付記７）
前記接続手段は、前記閉塞部材に設けられている付記６記載の電子装置。
（付記８）
密閉容器及びパイプ部内にウイック及び動作液を設けたヒートパイプにおいて、
前記密閉容器内部に電子素子とヒートスプレッダとを設けたヒートパイプ。
（付記９）
前記ヒートスプレッダは、バッファプレートと、凹凸部又はフィンとにより構成される付記８記載のヒートパイプ。
（付記１０）
前記ヒートスプレッダを前記電子素子の両面に設けた付記８又は９に記載のヒートパイプ。
（付記１１）
前記電子素子を前記密閉容器の外部と接続させる接続手段を設けた付記８乃至１０のいずれか一項に記載のヒートパイプ。
（付記１２）
回路基板と、
前記回路基板上に搭載される電子素子と、
その内部にウイックと、動作媒体とが設けられたヒートパイプと、
前記電子素子と前記ウイックとの間に介在し、前記電子素子の一面に取り付けられると共に、前記ウイックと接触するように配置されたヒートスプレッダと、
を備えたことを特徴とする電子装置。
（付記１３）
前記ヒートパイプには開口部が形成され、
前記開口部は、前記回路基板により閉塞されるよう構成されるとともに、
前記電子素子および前記ヒートスプレッダは、前記開口部の内部に設けられていることを特徴とする付記１２に記載の電子装置。
（付記１４）
前記電子装置において、
前記回路基板は、実装基板に対して接合されていることを特徴とする付記１２に記載の電子装置。
（付記１５）
ヒートスプレッダの前記ウイックと接触する面は、凹凸上に形成されていることを特徴とする付記１２に記載の電子装置。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、ヒートパイプを用いた半導体素子の冷却構造例を説明するための図である。
【図２】図２は、半導体チップとヒートパイプを熱的に接続するピラミッドバッファを拡大して示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施例である電子装置の構成を示す縦断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施例である電子装置の構成を示す底面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施例である電子装置に適用されるバッファプレート及びフィンを拡大して示す図である。
【図６】図６は、図５に示すフィンの変形例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施例である電子装置の構成を示す底面図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施例である電子装置に適用されるバッファプレート及びフィンを拡大して示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
２０Ａ，２０Ｂ  電子装置
２１  半導体チップ
２２  ヒートパイプ
２３Ａ，２３Ｂ  閉塞板
２５  実装基板
２６，２６Ａ，２６Ｂ  バッファプレート
２７Ａ，２７Ｂ  凹凸部
２７Ｃ  フィン
２８  密閉容器
３１  ウイック
３２  冷却部
３５  開口部
３８，３９  電気的接続端子
４０  電気的接続ピン
４１，４２  光学的接続端子
４３  光ファイバ
４４  光コネクタ
５０Ａ〜５０Ｃ  ヒートスプレッダ
【図１】
2009026818.tif 000003
【図２】
2009026818.tif 000004
【図３】
2009026818.tif 000005
【図４】
2009026818.tif 000006
【図５】
2009026818.tif 000007
【図６】
2009026818.tif 000008
【図７】
2009026818.tif 000009
【図８】
2009026818.tif 000010