(57)【要約】【課題】透明有機導電膜を抵抗膜に使った座標入力装置において、透明有機導電膜の光透過率を劣化させることなく接触抵抗を低減する。【解決手段】座標入力装置は、１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取るものであって、少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、前記透明有機導電膜は、膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の大きさの空孔を含むことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、
第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、
を備え、
前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置において、
少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、
前記透明有機導電膜は、膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の大きさの空孔を含むことを特徴とする座標入力装置。
【請求項２】
前記空孔の、前記透明有機導電膜の断面構造中における面積割合が、５％〜７０％の範囲であることを特徴とする請求項１記載の座標入力装置。
【請求項３】
前記透明有機導電膜は、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１または２記載の座標入力装置。
【請求項４】
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記第１の抵抗膜として透明有機導電膜を塗布法により形成する工程と、
前記透明有機導電膜を所定の乾燥温度において加熱する工程と、
を少なくとも含み、
前記加熱工程は、前記透明有機導電膜の温度を前記所定の乾燥温度まで、６０秒以内に昇温させることを特徴とする座標入力装置の製造方法。
【請求項５】
前記所定の乾燥温度は、１１５℃以上で１３０℃を超えないことを特徴とする請求項４記載の座標入力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に座標入力装置に係り、特に抵抗膜を有する座標入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯型情報機器の普及および進展に伴い、電子手帳やＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、さらに携帯電話、ＰＨＳ、電卓、時計、ＧＰＳ（Global Positioning System, 全地球位置情報システム）などの携帯型あるいは移動式情報処理装置において、また銀行ＡＴＭシステムや自動販売機、ＰＯＳ（Point Of Sales）システムなど、固定式情報処理装置においても、データ入力を、画面をペンないし指で押圧することにより行う座標入力装置の、マン−マシンインターフェースへの採用が拡がっている。
【０００３】
これらの高機能情報処理装置では、半導体技術の進歩により、装置の小型化および多機能化が進んでおり、特に、携帯電話やＰＤＡ、ノートパソコンなどの携帯情報端末では、その入力装置または表示装置の、筐体中に占める割合が増加している。
【０００４】
このような座標入力装置として、第１の方向に対向する電極対を形成した第１の抵抗膜と、前記第１の方向に直交する第２の方向に対向する電極対を形成した第２の抵抗膜とを微少距離だけ離間して配設し、前記第１の抵抗膜と第２の抵抗膜を、入力面上の一点においてペンなどの押圧ツール、あるいは指などで押圧して接触させ、かかる接触点のＸ座標およびＹ座標を、前記第１の抵抗膜の抵抗値、および前記第２の抵抗膜の抵抗値を測定することで算出する構成の座標入力装置（座標入力装置）が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−１００２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特に有機導電膜を抵抗膜に使った座標入力装置では、有機導電膜の抵抗率が大きいため押圧点の接触抵抗が増加し、入力感度の低下や座標入力時間遅れなどの問題が発生することがある。
【０００６】
この問題を解決するには、抵抗膜として使われる有機導電膜の膜厚を増加させ、膜の抵抗率を低減させることが考えられる。しかし、有機導電膜の膜厚を増加させた場合には、有機導電膜による光吸収が増加し、座標入力装置に液晶表示装置などの表示装置を組み合わせている場合、表示が着色し、表示品位が低下する問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一の側面によれば座標入力装置は、第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置において、少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、前記透明有機導電膜は、膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の大きさの空孔を含む。
【０００８】
他の側面によれば座標入力装置の製造方法は、第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置を製造するものであり、前記第１の基板上に前記第１の抵抗膜として透明有機導電膜を塗布法により形成する工程と、前記透明有機導電膜を加熱する工程と、を少なくとも含み、前記加熱工程は、前記透明有機導電膜の温度を１１５℃以上で１３０℃を超えない温度範囲に６０秒以内に加熱する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、塗布された透明有機導電膜を、乾燥過程の温度プロファイルを制御して、６０秒以下、好ましくは４０秒以下の短時間で所定の乾燥温度まで加熱することにより、膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの大きさの、すなわち入射光波長の半波長以下の大きさの空孔を多量に発生させることができる。このようにして形成された空孔は、前記透明有機導電膜の見かけの膜厚を増大させ、その結果膜中の電流路が増大し、膜の比抵抗が低減される。このような透明有機導電膜では、膜厚は増大しても有機導電膜の質量は変化していないため、光吸収が増大することはなく、座標入力装置を液表表示装置と組み合わせても表示の着色により表示品位が低下することはない。また前記空孔は入射光波長の半波長以下の大きさを有しているため、表示に対して光学的な影響を及ぼすことはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、座標入力装置４０の構成を示す。
【００１１】
図１を参照するに、座標入力装置４０は、上面にＩＴＯよりなる透明導電膜３２を担持したガラス基板２１と、前記ガラス基板２１にスペーサ部材２３を介して対向して形成され、前記ガラス基板２１に面する側に透明有機導電膜４２を担持した例えばポリエチレンテレフタレート系の透明樹脂基板２２とより構成され、前記透明有機導電膜４２と透明導電膜３２とは、前記スペーサ部材２３により、例えば７００μｍ程度の間隔を隔てて配設されている。
【００１２】
さらに前記透明導電膜３２の、Ｙ軸方向に対向する一対の縁部には、Ｘ軸方向に連続的に延在する電極パターン３３Ａ，３４Ａが形成され、前記電極パターン３３Ａは前記ガラス基板２１上の配線パターン３３により、前記ガラス基板２１上の端子部３３Ｔ，３３Ｓに引き出される。同様に、前記電極パターン３４Ａは前記ガラス基板２１上の配線パターン３４により、前記ガラス基板２１上の端子部３４Ｔ，３４Ｓに引き出される。
【００１３】
また前記透明有機導電膜４２の、Ｘ軸方向に対向する一対の縁部には、Ｙ軸方向に連続的に延在する電極パターン４３Ａ，４４Ａが形成され、前記電極パターン４３Ａは前記透明樹脂基板２２上の配線パターン４３により、前記樹脂基板２２上の端子部４３Ｔおよび４３Ｓに引き出される。同様に、前記電極パターン４４Ａは前記透明樹脂基板２１上の配線パターン４４により、前記ガラス基板２１上の端子部４４Ｔおよび４４Ｓに引き出される。
【００１４】
さらに前記ガラス基板２１上には、前記透明樹脂基板２２上の端子部４３Ｔ，４３Ｓにコンタクトする配線パターン３５および３８が形成されており、前記配線パターン３５および３８は、前記透明樹脂基板４２上の電極パターン４３Ａを、それぞれ前記ガラス基板２１上の端子部３５Ｔ，３８Ｔへと、引き出す。同様に前記ガラス基板２１上には、前記透明樹脂基板２２上の端子部４４Ｔ，４４Ｓにコンタクトする配線パターン３６，３７が形成されており、前記配線パターン３６，３７は、前記透明樹脂基板４２上の電極パターン４４Ａを、それぞれ前記ガラス基板２１上の端子部３６Ｔ，３７Ｔへと引き出す。
【００１５】
図２，３は、図１の座標入力装置４０の動作を示す図である。
【００１６】
図２を参照するに、前記透明樹脂基板２２の表面が、ある押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてスタイラスペン４０Ｐにより押圧され、これにより前記透明樹脂基板２２に担持されている透明有機導電膜４２が、前記ガラス基板２１に担持されているＩＴＯ膜３２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトする。
【００１７】
そこで図２の状態では、前記電極４３Ａおよび４４Ａの一方、図２Ａの例では電極４３Ａに電源電圧Ｖｃｃを供給し、他方を接地して、前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）において抵抗分割（ＲＸ１，ＲＸ２）により生じる電圧降下を、前記透明有機導電膜４２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトするＩＴＯ膜３２の電位Ｖｓｘを測定することにより求める。これにより、前記押圧点のＸ座標が求められる。
【００１８】
次に図３の状態において、前記電極３３Ａおよび３４Ａの一方、図２Ｂの例では電極３３Ａに電源電圧Ｖｃｃを供給し、他方を接地して、前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）において抵抗分割（ＲＹ１，ＲＹＸ２）により生じる電圧降下を、前記透明有機導電膜４２に前記押圧点（Ｘ１，Ｙ１）においてコンタクトする透明有機導電膜４２の電位Ｖｓｙを測定することにより求める。これにより、前記押圧点のＹ座標が求められる。
【００１９】
図４Ａ，４Ｂは、前記透明樹脂基板２２上への透明有機導電膜４２の形成工程を示す図である。
【００２０】
図４Ａを参照するに、前記透明樹脂基板２２上に、溶媒中に溶解された透明有機導電膜４２のプリカーサー４２Ｐが塗布され、プリカーサー膜４２Ｑが形成される。さらにこのようにして形成されたプリカーサー膜４２Ｑに対し図４Ｂに示すように急速加熱処理を行い、これを膨張させると同時に乾燥させ、所望の透明有機導電膜４２を得る。
【００２１】
このようにして得られた透明有機導電膜４２では、前記急速加熱処理を適当に制御することにより、図５に概略的に示すように、前記透明有機導電膜４２の膜中に、１０ｎｍ〜５００ｎｍの大きさの、すなわち入射光の波長の半波長以下のサイズを有し、光学特性、すなわち透過率に影響を与えない多数の空孔４２ｐを形成することができる。このようにして得られた透明有機導電膜４２は、溶媒が除去される結果、前記塗布直後のプリカーサー膜４２Ｑの膜厚よりも遙かに小さい膜厚を有するが、熱処理を通常のレシピで実行した場合に比べれば、５％〜７０％増大した膜厚を有する。その結果、このようにして得られた透明有機導電膜４２では、光学特性、すなわち光透過率を減少させることなく接触抵抗を低減することが可能となり、座標入力装置において、入力感度を向上させ、また入力遅れの問題を抑制することが可能となる。
【００２２】
以下、本発明を実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
実施例１では、前記透明有機導電膜４２のプリカーサー４２Ｐとして水に溶解したチオフェン系プリカーサー（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用い、前記図４Ａで説明した手順に従って、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板２２上にこれを塗布し、前記プリカーサー膜４２Ｑを塗布法により、２５μｍの膜厚に形成した。さらにこのようにしてプリカーサー膜４２Ｑが形成されたＰＥＴ基板２２を１２０℃に保持されたホットプレート上に載置し、温度を図６に示す温度カーブＡに従って、１２０℃−５℃から１２０℃＋１０℃、すなわち１１５℃〜１３０℃の範囲に制御された目標温度まで、４０秒で急速昇温させた。さらに前記急速昇温の後、前記基板２２を同じ温度で３６０秒間保持して乾燥させ、膜厚が２００ｎｍのチオフェン系有機導電膜４２を得た。
【００２４】
図７は、このような急速熱処理を施されたチオフェン系誘導体よりなる透明有機導電膜４２の、電子顕微鏡により観察した断面構造を示す。図７中、透明有機導電膜４２中には大きな白っぽい領域が存在しているのが見えるが、これが前記図５の空孔４２ｐである。なお図７中の目盛りは５００ｎｍの大きさを示している。また図７の断面図において、膜中における前記空孔４２ｐの面積割合は、５％〜７０％の範囲にあることが確認された。実際には、前記空孔４２ｐの面積割合は３０％以下となる場合が多い。
【００２５】
さらに対向電極３２としてガラス基板２１上に表面抵抗率４００Ω／□のＩＴＯ膜を製膜し、図１に示す座標入力装置４０を作製した。
【００２６】
このようにして作製した座標入力装置４０に対し、先端曲率が０．８Ｒのスタイラスにより、４．９Ｎの荷重をかけ、スタイラスの押圧により座標入力が得られる最低荷重（入力荷重）を測定した。
【００２７】
表１に、前記実施例１の座標入力装置について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の光透過率の値を示す。光透過率は分光光度計で測定している。
【００２８】
【表１】
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表１に示すように、実施例１の座標入力装置では、入力荷重が０．２Ｎであり、光透過率は９６％であることが確認された。
【実施例２】
【００２９】
前記実施例１の座標入力装置４０において、前記ガラス基板２１上の抵抗膜３２を実施例１のＩＴＯ膜から、前記透明有機導電膜４２と同一の条件で形成した、従って同様な空孔４２ｐを含む厚さが２００ｎｍの透明有機導電膜に変更した。すなわち本実施例では抵抗膜３２および４２が、いずれも透明有機導電膜により構成されている。測定条件は実施例１の場合と同じである。
【００３０】
表１に、実施例２の座標入力装置４０について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した光透過率の値を示す。
【００３１】
表１示すように、実施例２の座標入力装置では、入力荷重が０．２Ｎであり、透過率が９６％であることが確認された。
【実施例３】
【００３２】
実施例３では、前記図４Ｂの工程におけるＰＥＴ基板２２上の透明有機導電膜４２の加熱および乾燥を、図６に示す温度カーブＢに従って、１２０℃−５℃から１２０℃＋１０℃の範囲に制御された目標温度まで、６０秒で急速昇温させた。さらに前記急速昇温の後、前記基板２２を１２０℃から１３０℃の間の温度で１６０秒間乾燥させている。
【００３３】
実施例３では、このようにして形成された透明有機導電膜４２を使って、座標入力装置４０を、先の実施例１と同様にして組み立てた。
【００３４】
表１に、実施例３の座標入力装置について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した光透過率の値を示す。
【００３５】
表１に示すように、実施例３の座標入力装置４０では、入力荷重が０．２Ｎであり、光透過率が９６％であることが確認された。
【実施例４】
【００３６】
実施例４では、前記実施例１の座標入力装置４０において前記透明有機導電膜４２の膜厚を４００ｎｍに増加させ、また温度カーブとして図６のカーブＢを使った。その他の構成および測定条件は実施例１と同じである。カーブＢでは、昇温開始から６０秒後に前記基板２２の温度が１２０℃に到達しており、その後温度が１２５℃まで昇温されて保持され、１６０秒間にわたり乾燥がなされる。このようにして形成された透明有機導電膜４２では、厚さが４００ｎｍの膜中に長径が３０ｎｍ〜３００ｎｍで短径が１０ｎｍ〜５０ｎｍの空孔が形成されていた。
【００３７】
実施例４では、このようにして形成された透明有機導電膜４２を使って、座標入力装置４０を、先の実施例１と同様にして組み立てた。
【００３８】
表１に、実施例４の座標入力装置について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した光透過率の値を示す。
【００３９】
表１に示すに、実施例４の座標入力装置では、入力荷重が０．２Ｎであり、光透過率が９４％であることが確認された。
【実施例５】
【００４０】
実施例５では、実施例１に示す座標入力装置４０のパネル構成において、ガラス基板２１上のＩＴＯ膜の表面抵抗率を１ｋΩ／□に変更し、同一の条件で入力加重の測定を行った。その結果を表１に示す。
【００４１】
表１よりわかるように、最低入力加重が０．４Ｎとなり、光透過率は９６％であることが確認された。
（比較例１）
比較例１では、透明有機導電膜として厚さが２００ｎｍのチオフェン系の膜を使い、実施例１と同様な構成の座標入力装置を作製したが、その際、図４Ｂの加熱処理工程で使われる温度カーブを図６に示す従来の温度カーブＣに変更している。カーブＣでは、加熱開始後１００秒間で基板２２の温度が１１０℃に到達するが、その後は１１０℃で保持され、約１７０秒間乾燥が行われる。このようにして得られた透明有機導電膜４２の断面を電子顕微鏡で観察したところ、厚さが２００ｎｍの透明有機導電膜４２中に長径が１０ｎｍ〜２０ｎｍで短径が１ｎｍ〜１０ｎｍの空隙構造が形成されているのが観察された。
【００４２】
このようにして得られた比較例１による座標入力装置に対して入力加重の測定を行った。その結果を表１に示す。
【００４３】
表１よりわかるように、最低入力加重は１．５Ｎまで増加しており、入力時間遅れが発生するのがわかる。また光透過率も９２％に低下しているのがわかる。
（比較例２）
比較例２では、実施例１に示す座標入力装置４０を、抵抗膜３２および４２を、共にチオフェン系誘導体を使って作製した。ただし温度カーブをカーブＣに変更している。
【００４４】
表１に、比較例２の座標入力装置４０について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した透過率の値を示す。
【００４５】
表１よりわかるように、比較例２の座標入力装置４０では、最低入力加重が１．５Ｎまで増加し入力時間遅れが発生するのがわかる。また光透過率も９２％に低下しているのがわかる。
（比較例３）
比較例３では、実施例１と同様な構成の座標入力装置４０を、実施例１と同様に透明有機導電膜４２としてチオフェン系誘導体を使って作製した。ただし温度カーブをカーブＣに変更し、また基板２１上のＩＴＯ膜の表面抵抗率を４００Ω／□に変更している。
【００４６】
表１に、比較例３の座標入力装置について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した光透過率の値を示す。
【００４７】
表１よりわかるように、比較例３の座標入力装置４０では、最低入力加重が４Ｎまで増加し入力時間遅れが発生するのがわかる。また光透過率も９２％に低下しているのがわかる。
（比較例４）
比較例４では、実施例１と同様な構成の座標入力装置４０を、実施例１と同様に透明有機導電膜４２としてチオフェン系誘導体を使って作製した。ただし温度カーブをカーブＣに変更し、また透明有機導電膜４２の厚さを４００ｎｍとしている。このようにして得られた透明有機導電膜４２の断面を電子顕微鏡で観察したところ、厚さが２００ｎｍの透明有機導電膜４２中に長径が１０ｎｍ〜２０ｎｍで短径が１ｎｍ〜１０ｎｍの空隙構造が形成されているのが観察された。
【００４８】
表１に、比較例４の座標入力装置４０について測定された入力加重と、前記透明有機導電膜４２の分光光度計で測定した光透過率の値を示す。
【００４９】
表１よりわかるように、比較例４の座標入力装置４０では、最低入力加重は０．５Ｎで入力時間遅れは低減されるものの、光透過率が８７％と著しく低下しているのがわかる。
【００５０】
このように、本発明によれば、透明有機導電膜を抵抗膜として使う座標入力装置において、前記透明有機導電膜の塗布膜を乾燥させるとき、１００秒未満、より好ましくは６０秒以下、さらに好ましくは４０秒以下の時間において約１２０℃、より具体的には１１５℃以上で１３０℃を超えない温度範囲まで基板温度を上昇させることにより、前記透明有機導電膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの大きさの空孔を形成することが可能となり、かかる空孔の形成の結果、透明有機導電膜の見かけの膜厚を増加させることが可能となる。これにより、透明有機導電膜の表面抵抗率が低下し、座標入力装置の入力加重を低減することが可能となる。また、このようにして膜厚が増大した透明有機導電膜では、膜の質量自体は変化していないため、光透過率が劣化する問題は生じない。
【００５１】
以上の説明では有機透明導電膜がチオフェン系誘導体よりなる場合を説明したが、本発明は有機透明導電膜が、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導遺体ポリマーより構成される場合においても有効である。
【００５２】
なお、前記透明有機導電膜４２の塗布成膜は、本実施形態ではブレードコーティングにより行ったが、ダイコーティング、グラビアコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティングなどの塗布成膜方法により行ってもよい。また、図４Ｂの加熱処理は、塗布直後に開始してもよいが、また適当なレベリング時間をおいた後、開始してもよい。
【００５３】
先の実施例では、前記透明有機導電膜４２の膜厚は２００ｎｍあるいは４００ｎｍとしたが、本発明の座標入力装置では、前記透明有機導電膜４２は１００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚に形成することが可能である。前記透明有機導電膜４２としてポリアセチレンを使う場合、プリカーサー４２Ｐを形成するにあたりトルエンあるいはキシレンを溶媒として使うことができる。ポリピロールを使う場合には、前記プリカーサー４２Ｐを形成するにあたり水、あるいはトルエン、キシレンを溶媒として使うことができる。ポリチオフェンを使う場合には、前記プリカーサー４２Ｐを形成するにあたり水を溶媒として使うことができる。ポリフェニレンビニレンを使う場合には、トルエンやキシレンを溶媒として使うことができる。
【００５４】
また空孔４２ｐは、空気の他、ポリエステル、エポキシ、アクリル、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニルなどの樹脂、あるいはこれらの樹脂にシランカップリング剤を添加した樹脂などにより充填することもできる。このような充填は、例えば図５の透明有機導電膜４２を、これらの樹脂のプリカーサー中に浸漬することにより実行することができる。前記空孔４２ｐは微細なクラックなどを介して相互に結合しており、そこで前記透明有機導電膜４２を上記プリカーサー中に浸漬しておくと、樹脂成分が毛管現象により透明有機導電膜４２中に前記クラックを伝って侵入し、空孔４２ｐを充填する。
【００５５】
また図４Ｂの熱処理工程は量産工程においては前記基板２２を、赤外線ヒータ上を順次通過させることにより実行することができる。
【００５６】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
(付記１)
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、
第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、
を備え、
前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置において、
少なくとも前記第１の抵抗膜は透明有機導電膜を含み、
前記透明有機導電膜は、膜中に１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲の大きさの空孔を含むことを特徴とする座標入力装置。
（付記２）
前記空孔は、前記透明有機導電膜の材料以外の材料により充填されていることを特徴とする付記１記載の座標入力装置。
（付記３）
前記空孔の、前記透明有機導電膜の断面構造中における面積割合が、５％〜７０％の範囲であることを特徴とする付記１または２記載の座標入力装置。
（付記４）
前記空孔の、前記透明有機導電膜の断面構造中における面積割合が、３０％以下であることを特徴とする付記３記載の座標入力装置。
（付記５）
前記透明有機導電膜は、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有することを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の座標入力装置。
（付記６）
前記第２の抵抗膜は、前記透明有機導電膜とは異なる材料よりなることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の座標入力装置。
（付記７）
第１の抵抗膜を担持する第１の基板と、第２の抵抗膜を担持し、前記第１の基板に対し、前記第２の抵抗膜が前記第１の抵抗膜から離間して対向するように配設された第２の基板と、を備え、前記第１および第２の基板の一方を、押圧点において押圧し、前記第１および第２の抵抗膜のうち、前記押圧点に対応するそれぞれの部分を接触させ、前記押圧点の座標を読み取る座標入力装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記第１の抵抗膜として透明有機導電膜を塗布法により形成する工程と、
前記透明有機導電膜を所定の乾燥温度において加熱する工程と、
を少なくとも含み、
前記加熱工程は、前記透明有機導電膜の温度を前記所定の乾燥温度まで、９０秒以内に昇温させることを特徴とする座標入力装置の製造方法。
（付記８）
前記所定の乾燥温度は、１１５℃以上で１３０℃を超えないことを特徴とする付記７記載の座標入力装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】座標入力装置の構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１の座標入力装置の動作を説明する図である。
【図３】図１の座標入力装置の動作を説明する図である。
【図４Ａ】図１の座標入力装置において透明有機導電膜を形成する図（その１）である。
【図４Ｂ】図１の座標入力装置において透明有機導電膜を形成する図（その２）である。
【図５】透明有機導電膜の概略的構造を示す図である。
【図６】本発明で使われる温度カーブを示す図である。
【図７】透明有機導電膜中に形成された空孔を示す電子顕微鏡写真の図である。
【符号の説明】
【００５８】
２１  ガラス基板
２２  樹脂基板
２３  スペーサ
３２  透明導電膜
３３Ａ，３４Ａ，４３Ａ，４４Ａ  電極
３３〜３８，４３，４４  配線パターン
４２  透明有機導電膜
４３Ｓ，４３Ｔ，４４Ｓ，４４Ｔ  端子部
【図１】
2009289037.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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