(57)【要約】【課題】レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができるモノリシック半導体レーザの製造方法を得る。【解決手段】素子間分離された第１，第２の半導体レーザ１９，２９を形成する。第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。レジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、第１，第２の半導体レーザ１９，２９に第１，第２のリッジ３２，３３を形成し、第２のリッジ３３の横の部分において第２のエッチングストッパ層２５が露出した時点でドライエッチングを停止する。レジスト３１をマスクとしたウェットエッチングにより、第１のリッジ３２の横の部分において第１のエッチングストッパ層１５上に残っている第２の上クラッド層１６を選択的に除去する。【選択図】図６
2009094289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１の半導体レーザの第１の下クラッド層、第１の活性層、第１の上クラッド層、第１のエッチングストッパ層、第２の上クラッド層及び第１のコンタクト層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザとは素子間分離された第２の半導体レーザの第２の下クラッド層、第２の活性層、第３の上クラッド層、第２のエッチングストッパ層、第４の上クラッド層及び第２のコンタクト層を、前記第４の上クラッドと前記第２のコンタクト層を合わせた膜厚が前記第２の上クラッド層と前記第１のコンタクト層を合わせた膜厚よりも薄くなるように形成する工程と、
全面にレジストを形成し、前記レジストをパターニングして前記第１，第２の半導体レーザ上に開口を形成する工程と、
前記レジストをマスクとしたドライエッチングにより、前記第２の上クラッド層及び前記第１のコンタクト層と、前記第４の上クラッド層及び前記第２のコンタクト層に、それぞれ第１，第２のリッジを同時に形成し、前記第２のリッジの横の部分において前記第２のエッチングストッパ層が露出した時点でドライエッチングを停止する工程と、
前記レジストをマスクとしたウェットエッチングにより、第１のリッジの横の部分において前記第１のエッチングストッパ層上に残っている前記第２の上クラッド層を選択的に除去する工程とを備えることを特徴とするモノリシック半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に、第１の半導体レーザの第１の下クラッド層、第１の活性層、第１の上クラッド層、第１のエッチングストッパ層、第２の上クラッド層及び第１のコンタクト層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザとは素子間分離された第２の半導体レーザの第２の下クラッド層、第２の活性層、第３の上クラッド層、第２のエッチングストッパ層、第４の上クラッド層及び第２のコンタクト層を、前記第４の上クラッドと前記第２のコンタクト層を合わせた膜厚が前記第２の上クラッド層と前記第１のコンタクト層を合わせた膜厚よりも厚くなるように形成する工程と、
全面にレジストを形成し、前記レジストをパターニングして前記第１，第２の半導体レーザ上に開口を形成する工程と、
前記レジストをマスクとしたドライエッチングにより、前記第２の上クラッド層及び前記第１のコンタクト層と、前記第４の上クラッド層及び前記第２のコンタクト層に、それぞれ第１，第２のリッジを同時に形成し、前記第１のリッジの横の部分において前記第１のエッチングストッパ層が露出した時点でドライエッチングを停止する工程と、
前記レジストをマスクとしたウェットエッチングにより、第２のリッジの横の部分において前記第２のエッチングストッパ層上に残っている前記第４の上クラッド層を選択的に除去する工程とを備えることを特徴とするモノリシック半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に、第１の半導体レーザの第１の下クラッド層、第１の活性層及び第１の上クラッド層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記第１の半導体レーザとは素子間分離された第２の半導体レーザの第２の下クラッド層、第２の活性層及び第２の上クラッド層を形成する工程と、
全面にエッチングストッパ層、第３の上クラッド層及びコンタクト層を形成し、パターニングにより前記第１の半導体レーザの部分と前記第２の半導体レーザの部分に分ける工程と、
全面にレジストを形成し、前記レジストをパターニングして前記第１，第２の半導体レーザ上に開口を形成する工程と、
前記レジストをマスクとしたドライエッチングにより、前記第１の半導体レーザと第２の半導体レーザの前記第３の上クラッド層及び前記コンタクト層にそれぞれ第１，第２のリッジを同時に形成する工程とを備えることを特徴とするモノリシック半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができるモノリシック半導体レーザの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光波長が異なるＣＤ用の半導体レーザとＤＶＤ用の半導体レーザを同一基板上に形成したモノリシック半導体レーザが用いられている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
従来のモノリシック半導体レーザの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図２４に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に、バッファ層１１、第１の下クラッド層１２、第１の活性層１３、第１の上クラッド層４０、第２の上クラッド層４１及び第１のコンタクト層１７を形成する。そして、全面にフォトレジスト１８を形成し、パターニングする。
【０００４】
次に、フォトレジスト１８をマスクとして用いて、バッファ層１１、第１の下クラッド層１２、第１の活性層１３、第１の上クラッド層４０、第２の上クラッド層４１及び第１のコンタクト層１７をエッチングする。その後、フォトレジスト１８は除去する。これにより、図２５に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９が形成される。
【０００５】
次に、全面に、バッファ層２１、第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７を形成する。そして、フォトリソグラフィにより、バッファ層２１、第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７をエッチングする。これにより、図２６に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９とは素子間分離されたＤＶＤ用の半導体レーザ２９が形成される。
【０００６】
次に、図２７に示すように、全面にフォトレジスト３１を形成し、パターニングする。そして、図２８に示すように、フォトレジスト３１をマスクとして用いて、ＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のコンタクト層１７、第２の上クラッド層４１及び第１の上クラッド層４０と、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のコンタクト層２７及び第４の上クラッド層２６とを同時にドライエッチングする。これにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９とＤＶＤ用の半導体レーザ２９にそれぞれ第１，第２のリッジ３２，３３が形成される。その後、図２９に示すように、フォトレジスト３１を除去する。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２４４０７３号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
第１，第２のリッジ３２，３３を形成する際に、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のエッチングストッパ層２５からの発光を検出してドライエッチングの終点としている。このため、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９については、第２の活性層２３上のエピ層の膜厚を高精度に制御することができる。一方、ＣＤ用の半導体レーザ１９はエッチングストッパ層を持たない。このため、本来エッチングの終点となる第１の上クラッド層４０でエッチングを止めようとしてもＤＶＤ用半導体レーザ２９のエッチングに影響されて、ＣＤ用半導体レーザ１９のエッチングの終点はばらついてしまう。そのため、ＣＤ用の半導体レーザ１９については、第１の活性層１３上のエピ層の膜厚を高精度に制御することはできなかった。これにより、レーザ特性のバラツキが生じて信頼性が低下するという問題があった。
【０００９】
また、特許文献１では、リッジ形成後にブロック層やコンタクト層を再成長しているため、活性層に余分な熱履歴が加わる。これにより、レーザ特性のバラツキが生じて信頼性が低下するという問題があった。
【００１０】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができるモノリシック半導体レーザの製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るモノリシック半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に、第１の半導体レーザの第１の下クラッド層、第１の活性層、第１の上クラッド層、第１のエッチングストッパ層、第２の上クラッド層及び第１のコンタクト層を形成する工程と、半導体基板上に、第１の半導体レーザとは素子間分離された第２の半導体レーザの第２の下クラッド層、第２の活性層、第３の上クラッド層、第２のエッチングストッパ層、第４の上クラッド層及び第２のコンタクト層を、第４の上クラッドと第２のコンタクト層を合わせた膜厚が第２の上クラッド層と第１のコンタクト層を合わせた膜厚よりも薄くなるように形成する工程と、全面にレジストを形成し、レジストをパターニングして第１，第２の半導体レーザ上に開口を形成する工程と、レジストをマスクとしたドライエッチングにより、第２の上クラッド層及び第１のコンタクト層と、第４の上クラッド層及び第２のコンタクト層に、それぞれ第１，第２のリッジを同時に形成し、第２のリッジの横の部分において第２のエッチングストッパ層が露出した時点でドライエッチングを停止する工程と、レジストをマスクとしたウェットエッチングにより、第１のリッジの横の部分において第１のエッチングストッパ層上に残っている第２の上クラッド層を選択的に除去する工程とを備える。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ＡＩＧａＡｓ又はＧａＡｓからなるバッファ層１１、ＡｌＧａＩｎＰからなるか又は下層のＡｌＧａＩｎＰと上層のＡｌＧａＡｓを有する多層構造の第１の下クラッド層１２、ＡｌＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の第１の活性層１３、ＡｌＧａＡｓからなる第１の上クラッド層１４、第１のエッチングストッパ層１５、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の上クラッド層１６、及び第１のコンタクト層１７を順番に形成する。そして、全面にフォトレジスト１８を形成し、パターニングする。
【００１４】
次に、フォトレジスト１８をマスクとしたエッチングにより、ＤＶＤ用の半導体レーザ（後述）の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層１１、第１の下クラッド層１２、第１の活性層１３、第１の上クラッド層１４、第１のエッチングストッパ層１５、第２の上クラッド層１６、及び第１のコンタクト層１７を除去する。その後、フォトレジスト１８は除去する。これにより、図２に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９（第１の半導体レーザ）が形成される。
【００１５】
次に、図３に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に、バッファ層２１、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、ＡｌＧａＩｎＰからなる第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、ＡｌＧａＩｎＰからなる第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７を順番に形成する。そして、全面にフォトレジスト２８を形成し、パターニングする。
【００１６】
次に、フォトレジスト２８をマスクとしたエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層２１、第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７を除去する。その後、フォトレジスト２８は除去する。これにより、図４に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９とは素子間分離されたＤＶＤ用の半導体レーザ２９（第２の半導体レーザ）が形成される。ここで、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚ＸがＣＤ用の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。
【００１７】
次に、図５に示すように、全面にフォトレジスト３１（レジスト）を形成し、フォトレジスト３１をパターニングしてＣＤ用の半導体レーザ１９とＤＶＤ用の半導体レーザ２９の上に開口を形成する。そして、図６に示すように、フォトレジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のコンタクト層１７及び第２の上クラッド層１６に第１のリッジ３２を形成し、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のコンタクト層２７及び第４の上クラッド層２６に第２のリッジ３３を同時に形成する。この際に、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のエッチングストッパ層２５からの発光を検出して、第２のリッジ３３の横の部分において第２のエッチングストッパ層２５が露出した時点でドライエッチングを停止する。これにより、第１のリッジ３２の底部においてＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のエッチングストッパ層１５上に第２の上クラッド層１６が残った状態となる。
【００１８】
次に、図７に示すように、フォトレジスト３１をマスクとして、酒石酸などを用いたウェットエッチングにより、第１のリッジ３２の横の部分においてＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のエッチングストッパ層１５上に残っている第２の上クラッド層１６を選択的に除去する。その後、図８に示すように、フォトレジスト３１を除去する。
【００１９】
上記の工程により、両半導体レーザにおいて、リッジ形成のためのエッチングをそれぞれエッチングストッパ層で停止させることができる。従って、活性層上のエピ層の膜厚を高精度に制御することができるため、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができる。
【００２０】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図９に示すように、ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ＡＩＧａＡｓ又はＧａＡｓからなるバッファ層１１、ＡｌＧａＩｎＰからなるか又は下層のＡＩＧａＩｎＰと上層のＡＩＧａＡｓを有する多層構造の第１の下クラッド層１２、ＡｌＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の第１の活性層１３、ＡｌＧａＡｓからなる第１の上クラッド層１４、第１のエッチングストッパ層１５、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の上クラッド層１６、及び第１のコンタクト層１７を順番に形成する。そして、フォトリソグラフィとエッチングにより、ＤＶＤ用の半導体レーザ（後述）の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層１１、第１の下クラッド層１２、第１の活性層１３、第１の上クラッド層１４、第１のエッチングストッパ層１５、第２の上クラッド層１６、及び第１のコンタクト層１７を除去する。これにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９（第１の半導体レーザ）が形成される。
【００２１】
次に、図１０に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に、バッファ層２１、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、ＡｌＧａＩｎＰからなる第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、ＡｌＧａＩｎＰからなる第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７を順番に形成する。そして、フォトリソグラフィとエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層２１、第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、第３の上クラッド層２４、第２のエッチングストッパ層２５、第４の上クラッド層２６、及び第２のコンタクト層２７を除去する。これにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９とは素子間分離されたＤＶＤ用の半導体レーザ２９（第２の半導体レーザ）が形成される。ここで、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚ＸがＣＤ用の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも厚くなるようにする。
【００２２】
次に、図１１に示すように、全面にフォトレジスト３１（レジスト）を形成し、フォトレジスト３１をパターニングしてＣＤ用の半導体レーザ１９とＤＶＤ用の半導体レーザ２９の上に開口を形成する。そして、図１２に示すように、フォトレジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のコンタクト層１７及び第２の上クラッド層１６に第１のリッジ３２を形成し、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のコンタクト層２７及び第４の上クラッド層２６に第２のリッジ３３を同時に形成する。この際に、ＣＤ用の半導体レーザ１９の第１のエッチングストッパ層１５からの発光を検出して、第１のリッジ３２の横の部分において第１のエッチングストッパ層１５が露出した時点でドライエッチングを停止する。これにより、第２のリッジ３３の底部においてＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のエッチングストッパ層２５上に第４の上クラッド層２６が残った状態となる。
【００２３】
次に、図１３に示すように、フォトレジスト３１をマスクとして、硫酸などを用いたウェットエッチングにより、第２のリッジ３３の横の部分においてＤＶＤ用の半導体レーザ２９の第２のエッチングストッパ層２５上に残っている第４の上クラッド層２６を選択的に除去する。その後、図１４に示すように、フォトレジスト３１を除去する。
【００２４】
上記の工程により、両半導体レーザにおいて、リッジ形成のためのエッチングをそれぞれエッチングストッパ層で停止させることができる。従って、活性層上のエピ層の膜厚を高精度に制御することができるため、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができる。
【００２５】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図１５に示すように、ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に、ＡＩＧａＡｓ又はＧａＡｓからなるバッファ層１１、ＡｌＧａＩｎＰからなるか又は下層のＡＩＧａＩｎＰと上層のＡＩＧａＡｓを有する多層構造の第１の下クラッド層１２、ＡｌＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓからなる多重量子井戸構造の第１の活性層１３、及びＡｌＧａＡｓからなる第１の上クラッド層１４を順番に形成する。そして、全面にフォトレジスト３４を形成し、パターニングする。
【００２６】
次に、フォトレジスト３４をマスクとしたエッチングにより、ＤＶＤ用の半導体レーザ（後述）の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層１１、第１の下クラッド層１２、第１の活性層１３、及び第１の上クラッド層１４を除去する。その後、フォトレジスト３４は除去する。これにより、図１６に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９（第１の半導体レーザ）の下層部分が形成される。
【００２７】
次に、図１７に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に、バッファ層２１、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、及びＡｌＧａＩｎＰからなる第２の上クラッド層３０を順番に形成する。そして、全面にフォトレジスト３５を形成し、パターニングする。
【００２８】
次に、フォトレジスト３５をマスクとしたエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９の形成領域と素子間分離領域において、バッファ層２１、第２の下クラッド層２２、第２の活性層２３、及び第２の上クラッド層３０を除去する。その後、フォトレジスト３５は除去する。これにより、図１８に示すように、ＣＤ用の半導体レーザ１９とは素子間分離されたＤＶＤ用の半導体レーザ２９（第２の半導体レーザ）の下層部分が形成される。
【００２９】
次に、図１９に示すように、全面にエッチングストッパ層３６と、第３の上クラッド層３７と、コンタクト層３８とを形成する。そして、全面にフォトレジスト３９を形成し、パターニングする。
【００３０】
次に、図２０に示すように、フォトレジスト３９をマスクとしたエッチング（パターニング）により、素子間分離領域においてエッチングストッパ層３６、第３の上クラッド層３７及びコンタクト層３８を除去して、ＣＤ用の半導体レーザ１９の部分とＤＶＤ用の半導体レーザ２９の部分とに分ける。その後、フォトレジスト３９は除去する。
【００３１】
次に、図２１に示すように、全面にフォトレジスト３１（レジスト）を形成し、フォトレジスト３１をパターニングしてＣＤ用の半導体レーザ１９とＤＶＤ用の半導体レーザ２９の上に開口を形成する。そして、図２２に示すように、フォトレジスト３１をマスクとしたドライエッチングにより、ＣＤ用の半導体レーザ１９のコンタクト層３８及び第３の上クラッド層３７に第１のリッジ３２を形成し、ＤＶＤ用の半導体レーザ２９のコンタクト層３８及び第３の上クラッド層３７に第２のリッジ３３を同時に形成する。その後、図２３に示すように、フォトレジスト３１を除去する。
【００３２】
上記の工程により、両半導体レーザにおいて、エッチングストッパ層上のエピ層が同じ厚みになるため、リッジ形成のためのエッチングをそれぞれエッチングストッパ層で停止させることができる。従って、活性層上のエピ層の膜厚を高精度に制御することができるため、レーザ特性のバラツキを抑えて信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態３に係るモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２７】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２８】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２９】従来のモノリシック半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  ＧａＡｓ基板
１２  第１の下クラッド層
１３  第１の活性層
１４  第１の上クラッド層
１５  第１のエッチングストッパ層
１６，３０  第２の上クラッド層
１７  第２のコンタクト層
１９  ＣＤ用の半導体レーザ（第１の半導体レーザ）
２２  第２の下クラッド層
２３  第２の活性層
２４，３７  第３の上クラッド層
２５  第２のエッチングストッパ層
２６  第４の上クラッド層
２７  第２のコンタクト層
２９  ＤＶＤ用の半導体レーザ（第２の半導体レーザ）
３１  フォトレジスト
３２  第１のリッジ
３３  第２のリッジ
３６  エッチングストッパ層
３８  コンタクト層
【図１】
2009094289.tif 000003
【図２】
2009094289.tif 000004
【図３】
2009094289.tif 000005
【図４】
2009094289.tif 000006
【図５】
2009094289.tif 000007
【図６】
2009094289.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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