(57)【要約】【課題】凹凸パターンの記録層の凹部がＤＬＣの充填材で充填され、充填材が剥離しにくい信頼性が高い磁気記録媒体、これを備えた磁気記録再生装置及びこのような磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、凹凸パターンの凹部１６の底面に形成された充填材下地膜１８と、充填材下地膜１８の上に充填材下地膜１８に接して形成されて凹部１６を充填するＤＬＣの充填材２０と、を備え、充填材下地膜１８の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記凹凸パターンの凹部の底面に形成された充填材下地膜と、該充填材下地膜の上に該充填材下地膜に接して形成されて前記凹部を充填するＤＬＣの充填材と、を含み、前記充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記充填材下地膜が前記凹部の側面にも形成され、該凹部の側面の充填材下地膜にも前記充填材が接していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記充填材下地膜の材料はＳｉを含有する材料及びＧｅを含有する材料のいずれかであり、前記記録層と前記充填材下地膜との間にこれらを隔てるＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜が備えられたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記記録層の上に形成された保護層を更に含み、該保護層に前記記録層の上面が接していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体と、磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項６】
基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体における前記凹凸パターンの少なくとも凹部の底面及び凸部の上面に充填材下地膜を成膜する充填材下地膜成膜工程と、前記被加工体の上に前記充填材下地膜に接してＤＬＣの充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材のうち前記記録要素の上の余剰の部分をエッチングして表面を平坦化する平坦化工程と、を含み、前記充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記充填材下地膜成膜工程の前に前記被加工体の上にＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜を前記凹凸パターンに倣って成膜する隔膜成膜工程が設けられ、前記充填材下地膜成膜工程において前記隔膜で前記記録層を前記充填材下地膜から隔てつつ該充填材下地膜としてＳｉを含有する膜及びＧｅを含有する膜のいずれかを成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記平坦化工程において前記充填材と共に除去される前記充填材下地膜に含まれる成分の検出結果に基づいて前記エッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記平坦化工程において前記充填材下地膜に含まれる成分の検出量の極大値を検出したことに基づいて前記エッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれかにおいて、
前記充填材下地膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるように前記平坦化工程のエッチング条件を設定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項６乃至９のいずれかにおいて、
前記平坦化工程は、前記充填材のエッチングレートが前記充填材下地膜のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された前段平坦化工程と、前記充填材下地膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された後段平坦化工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項７において、
前記平坦化工程は、前記充填材のエッチングレートが前記充填材下地膜のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された前段平坦化工程と、前記隔膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された後段平坦化工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体、これを備えた磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、凹凸パターンの凸部が記録要素を構成するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、記録要素の間の凹部を充填材で充填し、記録層の上の余剰の充填材を除去して記録要素及び充填材の上面を平坦化することが好ましい。充填材としては非磁性で硬度が高いＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）を用いることが好ましい（例えば、特許文献１参照）。尚、ＤＬＣは磁気記録媒体の保護膜の材料としても用いられている。ＤＬＣを成膜する手法としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を利用しうる。又、余剰の充填材を除去して表面を平坦化する手法としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法やドライエッチングを利用しうる（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０９２１０号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＤＬＣの充填材は硬度が高いというメリットがある反面、剥離しやすく信頼性という点で問題があった。尚、上記のようにＤＬＣは保護膜の材料としても用いられているが保護膜についてはこのような問題は生じていない。保護膜は数ｎｍ程度であるのに対し、記録要素の間の凹部を充填する充填材はこのような保護層よりも厚いため、充填材の材料としてＤＬＣを用いた場合、剥離の問題が生じやすいと考えられる。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの記録層の凹部がＤＬＣの充填材で充填され、充填材が剥離しにくい信頼性が高い磁気記録媒体、これを備えた磁気記録再生装置及びこのような磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、凹凸パターンの凹部の底面に形成された充填材下地膜と、該充填材下地膜の上に該充填材下地膜に接して形成されて凹部を充填するＤＬＣの充填材と、を含み、充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料である磁気記録媒体により上記目的を達成したものである。
【０００８】
又、本発明は、基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体における前記凹凸パターンの少なくとも凹部の底面及び凸部の上面に充填材下地膜を成膜する充填材下地膜成膜工程と、被加工体の上に充填材下地膜に接してＤＬＣの充填材を成膜し該充填材で凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、充填材のうち記録要素の上の余剰の部分をエッチングして表面を平坦化する平坦化工程と、を含み、充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料である磁気記録媒体の製造方法により上記目的を達成したものである。
【０００９】
ＤＬＣは、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料に強く密着する性質がある。従って、凹部の少なくとも底面にＳｉを含有する材料等の充填材下地膜を形成し、充填材を充填材下地膜に接して形成することで、凹部を充填するＤＬＣの充填材が剥離しにくい信頼性が高い磁気記録媒体が得られる。
【００１０】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１１】
（１）基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記凹凸パターンの凹部の底面に形成された充填材下地膜と、該充填材下地膜の上に該充填材下地膜に接して形成されて前記凹部を充填するＤＬＣの充填材と、を含み、前記充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１２】
（２）  （１）において、前記充填材下地膜が前記凹部の側面にも形成され、該凹部の側面の充填材下地膜にも前記充填材が接していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１３】
（３）  （１）又は（２）において、前記充填材下地膜の材料はＳｉを含有する材料及びＧｅを含有する材料のいずれかであり、前記記録層と前記充填材下地膜との間にこれらを隔てるＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜が備えられたことを特徴とする磁気記録媒体。
【００１４】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記記録層の上に形成された保護層を更に含み、該保護層に前記記録層の上面が接していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１５】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体と、磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００１６】
（６）基板及び該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層を有する被加工体における前記凹凸パターンの少なくとも凹部の底面及び凸部の上面に充填材下地膜を成膜する充填材下地膜成膜工程と、前記被加工体の上に前記充填材下地膜に接してＤＬＣの充填材を成膜し該充填材で前記凹凸パターンの凹部を充填する充填材成膜工程と、前記充填材のうち前記記録要素の上の余剰の部分をエッチングして表面を平坦化する平坦化工程と、を含み、前記充填材下地膜の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】
（７）  （６）において、前記充填材下地膜成膜工程の前に前記被加工体の上にＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜を前記凹凸パターンに倣って成膜する隔膜成膜工程が設けられ、前記充填材下地膜成膜工程において前記隔膜で前記記録層を前記充填材下地膜から隔てつつ該充填材下地膜としてＳｉを含有する膜及びＧｅを含有する膜のいずれかを成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
（８）  （６）又は（７）において、前記平坦化工程において前記充填材と共に除去される前記充填材下地膜に含まれる成分の検出結果に基づいて前記エッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
（９）  （８）において、前記平坦化工程において前記充填材下地膜に含まれる成分の検出量の極大値を検出したことに基づいて前記エッチングを停止することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（１０）  （６）乃至（９）のいずれかにおいて、前記充填材下地膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるように前記平坦化工程のエッチング条件を設定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（１１）  （６）乃至（９）のいずれかにおいて、前記平坦化工程は、前記充填材のエッチングレートが前記充填材下地膜のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された前段平坦化工程と、前記充填材下地膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された後段平坦化工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（１２）  （７）において、前記平坦化工程は、前記充填材のエッチングレートが前記充填材下地膜のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された前段平坦化工程と、前記隔膜のエッチングレートが前記充填材のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件が設定された後段平坦化工程と、を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
尚、本出願において、「凹凸パターンで形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され、凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。
【００２４】
又、本出願において「ＤＬＣ」という用語は、炭素を主成分としＳＰ３混成軌道の炭素結合を有する材料という意義で用いることとする。「炭素を主成分とする材料」とは、材料を構成する総ての原子の原子数に対する炭素の原子数の比率が５０％以上である材料であることを意味する。
【００２５】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、凹凸パターンの記録層の凹部がＤＬＣの充填材で充填され、充填材が剥離しにくい信頼性が高い磁気記録媒体、これを備えた磁気記録再生装置及びこのような磁気記録媒体の製造方法を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置２は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０に対して磁気信号の記録／再生を行うために磁気記録媒体１０の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッド４と、を備えている。
【００２９】
尚、磁気記録媒体１０は中心孔１０Ａを有し、中心孔１０Ａにおいてチャック６に固定され、該チャック６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド４は、アーム８の先端近傍に装着され、アーム８はベース９に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド４は磁気記録媒体１０の表面に近接して磁気記録媒体１０の径方向に沿う円弧軌道で可動とされている。
【００３０】
磁気記録媒体１０は垂直記録型のディスクリートトラックメディアであり、図２及び３に示されるように、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、凹凸パターンの凹部１６の底面に形成された充填材下地膜１８と、充填材下地膜１８の上に充填材下地膜１８に接して形成されて凹部１６を充填するＤＬＣの充填材２０と、を備えている。充填材下地膜１８の材料は、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料である。尚、充填材下地膜１８は凹部１６の側面（記録要素１４Ａの側面）にも形成され、凹部１６の側面の充填材下地膜１８にも充填材２０が接している。更に、磁気記録媒体１０は、記録層１４と充填材下地膜１８との間にこれらを隔てＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜２２を備えている。磁気記録媒体１０は、これら充填材下地膜１８、充填材２０及び隔膜２２に特徴を有している。他の構成については本第１実施形態の理解のために重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００３１】
磁気記録媒体１０は、軟磁性層２４、配向層２６、前記記録層１４、保護層２８、潤滑層３０を備え、これらの層がこの順で前記基板１２の上に形成されている。
【００３２】
基板１２は、中心孔を有する略円板形状である。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００３３】
記録層１４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層１４の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。記録層１４の凸部である記録要素１４Ａの上面は保護層２８に接している。記録要素１４Ａは、データ領域において径方向に微細な間隔で多数の同心の円弧形状で分離されて形成されており、図２及び３はこれを示している。尚、記録要素１４Ａはサーボ領域において、所定のサーボパターンで分離されて形成されている（図示省略）。
【００３４】
充填材下地膜１８は、厚さが０．１〜６ｎｍである。充填材下地膜１８の具体的な材料としてはＳｉの他に、例えばＳｉＯ２等のＳｉの酸化物、ＳｉＣ等のＳｉの炭化物、Ｓｉ３Ｎ４等のＳｉの窒化物、ＴａＳｉ等のＳｉを含有する材料を用いることができる。又、充填材下地膜１８の材料として、ＧｅやＧｅの化合物のようなＧｅを含有する材料を用いてもよい。更に、充填材下地膜１８の材料として、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含む炭化物を用いてもよい。
【００３５】
充填材２０は上記のようにＤＬＣである。尚、ＤＬＣには、例えば、水素を含有しないテトラヘドラルアモルファスカーボン、水素を含むアモルファスカーボンやこれらが混在したもの、更に部分的又は局所的にポリエチレンやポリアセチレンのような構造をもつものなどが存在する。
【００３６】
隔膜２２は、厚さが１〜１０ｎｍである。隔膜２２の材料としてはＴａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ等の非磁性金属やこれらを含む合金、或いはこれらの酸化物や窒化物であって、Ｓｉ及びＧｅのいずれも含有しない材料を用いることができる。隔膜２２も充填材下地膜１８と同様に凹部１６の底面及び側面（記録要素１４Ａの側面）に形成されており、充填材下地膜１８と記録要素１４Ａとを隔てている。
【００３７】
軟磁性層２４は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層２４の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００３８】
配向層２６は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層２６の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００３９】
保護層２８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層２８の材料としてはＤＬＣを用いることができる。尚、保護層２８を構成するＤＬＣと充填材２０を構成するＤＬＣは同じ種類でもよく、異なる種類でもよい。例えば、ＳＰ３混成軌道の炭素結合の割合が相互に異なるＤＬＣでもよい。
【００４０】
潤滑層３０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４１】
次に、磁気記録媒体１０の作用について説明する。
【００４２】
ＤＬＣは、Ｓｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料に強く密着する性質がある。磁気記録媒体１０は、凹部１６の底面に充填材下地膜１８が形成され、充填材下地膜１８の材料はＳｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される１種の材料であり、ＤＬＣの充填材２０は充填材下地膜１８に接して形成されているので、充填材２０が剥離しにくく信頼性が高い。
【００４３】
更に、充填材下地膜１８は、凹部１６の底面だけでなく凹部１６の側面にも形成され、該凹部１６の側面の充填材下地膜１８にも充填材２０が接しているので、ＤＬＣの充填材２０は凹部１６の側面においても充填材下地膜１８に強く密着している。これにより信頼性が一層高められている。
【００４４】
又、ＳｉやＧｅはＣｏと化学的に反応しやすい傾向があり、充填材下地膜１８がＳｉやＧｅを含有し記録層１４がＣｏを含有する場合、充填材下地膜１８が記録層１４に接触すると、充填材下地膜１８に含まれるＳｉやＧｅと記録層１４に含まれるＣｏとが化合して記録層１４の磁気特性が変化することが懸念される。しかしながら、磁気記録媒体１０は、記録層１４と充填材下地膜１８とを隔てＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜２２を有しているので、充填材下地膜１８に含まれるＳｉやＧｅと記録層１４に含まれるＣｏとの化合が防止又は抑制され、これにより記録層１４の磁気特性の変化が防止又は抑制される。従って、磁気記録媒体１０は、この点でも信頼性が高められている。
【００４５】
又、記録層１４の凸部である記録要素１４Ａの上面は保護層２８に接しており、記録要素１４Ａの上に充填材下地膜１８や隔膜２２が存在しないので、充填材下地膜１８や隔膜２２のために記録要素１４Ａと磁気ヘッド４との磁気的ギャップは大きくなっていない。従って、磁気記録再生装置２は、良好な記録／再生特性が得られる。
【００４６】
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について図４に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００４７】
まず、図５に示されるような被加工体４０の加工出発体を用意する（Ｓ１０２）。被加工体４０の加工出発体は基板１２の上に、軟磁性層２４、配向層２６、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４、第１マスク層４２、第２マスク層４４をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。
【００４８】
第１マスク層４２は、厚さが３〜５０ｎｍで、材料はＴｉＮ等である。第２マスク層４４は、厚さが３〜３０ｎｍで、材料はＮｉ等である。
【００４９】
次に、図６に示されるように、被加工体４０の第２マスク層４４の上にスピンコート法により樹脂材料を塗布し、更に図示しないスタンパを用いてインプリント法により樹脂材料に記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写し、凹凸パターンの樹脂層４６を形成する（Ｓ１０４）。インプリント法としては、紫外線等による光学インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光学インプリントの場合、樹脂層４６の材料としては紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、熱インプリントの場合、樹脂層４６の材料としては熱可塑性樹脂等を用いることができる。樹脂層４６の厚さ（凸部の厚さ）は、例えば、３０〜３００ｎｍである。尚、樹脂材料として感光性レジスト又は電子線レジストを用い、光リソグラフィ又は電子線リソグラフィの手法で記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンの樹脂層４６を形成してもよい。
【００５０】
次に、必要に応じてアッシングにより凹部底部の樹脂層４６を除去してから、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底部の第２マスク層４４を除去し、更に、ＳＦ６（６フッ化硫黄）ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、凹部底部の第１マスク層４２を除去し、ＣＯガス及びＮＨ３ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部底部の記録層１４を除去する（Ｓ１０６）。これにより、図７に示されるように多数の記録要素１４Ａに分割された前記凹凸パターンの記録層１４が形成される。尚、第１マスク層４２が記録要素１４Ａの上面に残存することがあるので、ＳＦ６ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録要素１４Ａ上に残存する第１マスク層２２を完全に除去し、ＮＨ３ガス等の還元性のガスを供給して被加工体４０の表面のＳＦ６ガス等を除去する。
【００５１】
次に、図８に示されるようにスパッタリング法等により、凹凸パターンの記録層１４を有する被加工体４０の上に隔膜２２を成膜する（Ｓ１０８）。隔膜２２は、記録層１４の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成される。これにより隔膜２２は、凹部１６の底面及び側面に形成される。尚、隔膜２２は、記録要素１４Ａの上にも形成される。
【００５２】
次に、図９に示されるようにスパッタリング法等により、隔膜２２の上に充填材下地膜１８を成膜する（Ｓ１１０）。充填材下地膜１８も、記録層１４の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成される。この際、隔膜２２が記録層１４を充填材下地膜１８から隔てつつ充填材下地膜１８が成膜される。充填材下地膜１８も、凹部１６の底面及び側面に形成される。又、充填材下地膜１８も記録要素１４Ａの上（凸部の上面）にも形成される。
【００５３】
次に、図１０に示されるようにＣＶＤ法等により、被加工体４０の上に充填材下地膜１８に接してＤＬＣの充填材２０を成膜し充填材２０で凹部１６を充填する（Ｓ１１２）。ところで、成膜された充填材２０の凹凸の段差が大きいと、余剰の充填材２０を除去しても表面を充分に平坦化できないことがある。凹凸パターンの記録層１４の上に成膜される充填材２０は膜厚が厚くなるにつれて次第に表面の凹凸の段差が減少する傾向があるが、充填材２０はＤＬＣであるので表面の凹凸の段差が減少しにくいという事情がある。充填材２０の表面の凹凸を小さく抑制するためには充填材２０を厚く成膜することが好ましい。充填材２０の成膜厚さは５０〜３００ｎｍであることが好ましく、２００〜３００ｎｍであることがより好ましい。尚、図１０は本第１実施形態の理解のため、凹凸形状を実際よりも強調して描いている。一方、このようにＤＬＣの充填材２０を厚く成膜しようとすると、充填材２０が被加工体４０の表面に付着しにくくなることがあり、被加工体４０の表面の一部又は全部に充填材４０を成膜できないことがあるが、ＤＬＣはＳｉを含有する材料、Ｇｅを含有する材料、及びＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆの中の１種以上の金属元素を含有する炭化物の材料のグループから選択される材料に強く密着する性質があり、このような材料で構成された充填材下地膜１８に接して充填材２０を形成するので、被加工体４０の全面に充填材２０が確実に成膜される。更に、成膜された充填材２０の剥離も生じにくい。ＣＶＤの原料のガスとしては、メタン、エチレン、トルエン等を用いることができる。膜厚の増加に伴って表面の凹凸の段差が減少する効果が高いという点では、メタンを用いることが好ましい。
【００５４】
次に、被加工体４０の表面を２段階で平坦化する。具体的には、まずＩＢＥ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により被加工体４０の表面に加工用ガスとしてＯ２ガス及びＡｒガスの混合ガスを照射し、図１１に示されるように記録要素１４Ａの上の余剰の充填材２０をエッチングする（Ｓ１１４）。ここで、「余剰の充填材２０」とは、記録層１４の上面よりも上側（基板１２と反対側）の、記録要素１４Ａの上に存在する充填材２０という意義で用いることとする。尚、加工用ガスの入射角は例えば表面に対して垂直な９０°に設定する。図１１中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。
【００５５】
この工程では、充填材２０のエッチングレートが充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件を設定することが好ましい。ＤＬＣの充填材２０は高い硬度を有しているが、Ｏ２ガスと化学的に反応することにより脆くなりエッチングレートが高くなる。一方、Ｔａ等の金属材料やＳｉはＯ２ガスが照射されてもＤＬＣのように脆くならないので、エッチングレートはＤＬＣよりも低くなる。従って、例えば、充填材下地膜１８がＳｉであり隔膜２２がＴａであれば上記のエッチング条件は満たされる。
【００５６】
又、この工程では、充填材２０と共に除去される充填材下地膜１８に含まれる成分の検出結果に基づいてエッチングを停止することが好ましい。尚、隔膜２２に含まれる成分の検出結果に基づいてエッチングを停止してもよい。例えば、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ−Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）やＱＭＳ（Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により、充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分の検出量が極大値に達したことを検出した直後にエッチングを停止する。充填材下地膜１８や隔膜２２が飛散し始めた直後は充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分の飛散量が少ないため、ＳＩＭＳやＱＭＳでは充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分が検出され始めたことを示すデータとノイズとの差異が明確でないことがあり、充填材下地膜１８や隔膜２２にエッチングが及んだ時点を明確に検出することが困難な場合があるが、充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分の検出量が極大値に達したことや、一旦検出された充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分が実質的に消失したことを判定することは比較的容易である。これにより、記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８や隔膜２２が充填材２０から露出した時点から若干遅れてエッチングが停止される。充填材２０のエッチングレートを充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートよりも高くすることで、記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８の上面又は隔膜２２の上面よりも、凹部１６の充填材２０の上面が数ｎｍ程度凹んだ状態でエッチングが停止される。尚、充填材下地膜１８や隔膜２２が飛散し始めた直後に充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分が検出され始めたことを明確に検出できる場合には、充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分が検出され始めたことに基づいてエッチングを停止してもよい。
【００５７】
次に、ＩＢＥにより被加工体４０の表面に加工用ガスとしてＡｒガスを照射して記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８、隔膜２２を除去し、図１２に示されるように記録要素１４Ａの上面及び凹部１６内の充填材２０の上面を平坦化する（Ｓ１１６）。「余剰の充填材下地膜１８、隔膜２２」とは、「余剰の充填材２０」と同様、記録要素１４Ａの上に存在する充填材下地膜１８、隔膜２２という意義で用いる。尚、この工程でも加工用ガスの入射角を例えば表面に対して垂直な９０°に設定する。図１２中の矢印は、加工用ガスの入射方向を模式的に示したものである。この工程ではＲＩＥ装置を用いてＡｒガスを照射してもよい。
【００５８】
又、この工程では、充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートが充填材２０のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件を設定することが好ましい。Ａｒガスは化学的な反応を生じさせないので、材料によるエッチングレートの差が一般的に小さいが、ＤＬＣ（充填材２０）は硬度が高いため、他の材料と比べてＡｒガスを用いたＩＢＥに対するエッチングレートが低い。従って、上記のエッチング条件は満たされている。
【００５９】
充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートを充填材２０のエッチングレートよりも高くすることで、凹部１６を充填する充填材２０のエッチングよりも、記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８や隔膜２２のエッチングが速く進行し、凹凸の段差が減少する。記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８及び隔膜２２を除去した時点でエッチングを停止する。これにより、記録要素１４Ａの上面と凹部１６を充填する充填材２０の上面の高さ（厚さ方向の位置）がほぼ等しくなり、表面が平坦化される。尚、記録層１４は記録層１４を凹凸パターンに分割する加工やマスク層を除去する加工等の影響で上面近傍の部分が変質することがある。このような場合、記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８及び隔膜２２を除去してから更にエッチングを継続し、記録要素１４Ａにおける上面近傍の変質した部分を除去してもよい。
【００６０】
次に、ＣＶＤ法により記録要素１４Ａ及び充填材２０の上に保護層２８を形成する（Ｓ１１８）。更に、ディッピング法により保護層２８の上に潤滑層３０を塗布する（Ｓ１２０）。これにより、前記図２及び３に示される磁気記録媒体１０が完成する。
【００６１】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０は、記録層１４と充填材下地膜１８との間にこれらを隔てＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない隔膜２２を備えているのに対し、図１３に示されるように、本第２実施形態に係る磁気記録媒体６０は、隔膜２２を備えておらず、記録層１４と充填材下地膜１８とが接している。他の構成については前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０と同様であるので、同様の構成については図１〜１２と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６２】
充填材下地膜１８がＳｉ及びＧｅのいずれも含有しない場合や記録層１４がＣｏを含有しない場合、このように隔膜２２が省略されて記録層１４と充填材下地膜１８とが接していても、充填材下地膜１８に含有されるＳｉやＧｅによる記録層１４の磁気特性の変化の問題は生じない。又、充填材下地膜１８がＳｉやＧｅを含有し記録層１４がＣｏを含有する場合でも、充填材下地膜１８に含有されるＳｉやＧｅによる記録層１４の磁気特性の変化が実質的に問題とされない程小さいような場合には、このように隔膜２２を省略してもよい。尚、磁気記録媒体６０の製造方法は、磁気記録媒体１０の製造方法に対して、隔膜成膜工程（Ｓ１０８）を省略すればよい。
【００６３】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０は、充填材下地膜１８が凹部１６の底面及び側面の全面に形成されているのに対し、図１４に示されるように、本第３実施形態に係る磁気記録媒体７０は、充填材下地膜７２が、凹部１６の側面の全面には形成されていない。又、磁気記録媒体７０は、隔膜２２を備えていない。他の構成については前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０と同様であるので、同様の構成については図１〜１２と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６４】
このように、充填材下地膜７２が、凹部１６の側面の全面には形成されていない場合も、ＤＬＣの充填材２０は凹部１６の底面の充填材下地膜７２に接して形成され、凹部１６の底面の充填材下地膜７２に強く密着するので、充填材２０の剥離を抑制する効果が得られる。
【００６５】
又、充填材下地膜７２と記録層１４が主として凹部１６の底面付近の狭い領域だけで接触し、他の領域では接触しない場合には、充填材下地膜１８がＳｉやＧｅを含有し記録層１４がＣｏを含有する場合でも、充填材下地膜１８に含有されるＳｉやＧｅと記録層１４に含有されるＣｏとの化合が生じにくい。従って、充填材下地膜１８に含有されるＳｉやＧｅによる記録層１４の磁気特性の変化は実質的に問題とされない程度に小さく抑制される。一方、充填材下地膜７２が、凹部１６の側面の多くの部分に形成される場合には、前記第１実施形態の隔膜２２のような隔膜を備えるとよい。
【００６６】
磁気記録媒体７０の製造方法は、磁気記録媒体１０の製造方法に対して、充填材下地膜成膜工程（Ｓ１１０）において、例えばＩＢＤ（イオンビームデポジション）法のような成膜される粒子の直進性が高い成膜法を用い、被加工体の表面に対して略垂直に粒子を照射して充填材下地膜７２を成膜すればよい。
【００６７】
尚、前記第１実施形態において、前段平坦化工程（Ｓ１１４）においてＯ２ガス及びＡｒガスの混合ガスを用いているが、充填材２０のエッチングレートが充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件を設定できれば、前段平坦化工程（Ｓ１１４）で用いるガスの種類は特に限定されない。例えば、加工用ガスとしてＯ２ガスのみを用いてもよい。又、Ｈ２ガスやＮＨ３ガス等の水素元素を含むガスを用いてもよい。前記第２実施形態、第３実施形態についても同様である。
【００６８】
又、前記第１実施形態において、後段平坦化工程（Ｓ１１６）においてＡｒガスを用いているが、充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートが充填材２０のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件を設定できれば、後段平坦化工程（Ｓ１１６）で用いるガスの種類も特に限定されない。例えば、Ｋｒ、Ｘｅ等の他の希ガスを用いてもよい。前記第２実施形態、第３実施形態についても同様である。
【００６９】
又、前記第１実施形態において、後段平坦化工程（Ｓ１１６）において、記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８、隔膜２２を除去しているが、記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８は、前段平坦化工程（Ｓ１１４）において完全に除去してもよい。この場合、後段平坦化工程（Ｓ１１６）では隔膜２２のエッチングレートが充填材２０のエッチングレートよりも高くなるようにエッチング条件を設定することが好ましい。隔膜２２のエッチングレートを充填材２０のエッチングレートよりも高くすることで、凹部１６を充填する充填材２０のエッチングよりも、記録要素１４Ａの上の隔膜２２のエッチングが速く進行し、凹凸の段差が減少する。
【００７０】
又、前記第１実施形態において、前段平坦化工程（Ｓ１１４）及び後段平坦化工程（Ｓ１１６）における加工用ガスの入射方向として被加工体４０の表面に対して垂直な方向が例示されているが、被加工体４０の表面に対して傾斜した入射角で被加工体４０の表面に加工用ガスを照射してもよい。前記第２実施形態、第３実施形態についても同様である。
【００７１】
又、前記第１実施形態において、前段平坦化工程（Ｓ１１４）において、充填材２０と共に除去される充填材下地膜１８や隔膜２２に含まれる成分の検出結果に基づいてエッチングを停止する例が示されているが、例えば、所定の加工時間が経過したことに基づいてエッチングを停止してもよい。前記第２実施形態、第３実施形態についても同様である。
【００７２】
又、前記第１実施形態において、記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８、隔膜２２、充填材２０を２段の平坦化工程（前段平坦化工程（Ｓ１１４）及び後段平坦化工程（Ｓ１１６））で除去して平坦化しているが、図１５のフローチャートに示される本発明の第４実施形態のように、記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８、隔膜２２、充填材２０を１段の平坦化工程（Ｓ２０２）だけで除去して平坦化してもよい。この場合、後段平坦化工程（Ｓ１１６）と同様に、充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートが充填材２０のエッチングレートよりも高くなるように平坦化工程（Ｓ２０２）のエッチング条件を設定することが好ましい。仮に、記録要素１４Ａの上に充填材２０を直接成膜し、余剰の充填材２０をエッチングして平坦化する場合、表面の凹凸の段差を充分に減少させることは困難である。一方、記録要素１４Ａの上に隔膜２２、充填材下地膜１８、充填材２０を成膜し、余剰の充填材２０、充填材下地膜１８、隔膜２２をエッチングして平坦化する場合は、充填材下地膜１８のエッチングレートや隔膜２２のエッチングレートを充填材２０のエッチングレートよりも高くすることで、記録要素１４Ａの上の充填材下地膜１８、隔膜２２が高いエッチングレートでエッチングされるため、表面の凹凸の段差を充分に減少させることができ、平坦性の向上に寄与する。
【００７３】
又、前記第１実施形態において、第１マスク層４２、第２マスク層４４、樹脂層４６を連続膜の記録層１４の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層１４を凹凸パターンに分割しているが、記録層１４を高精度で分割できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。前記第２〜第４実施形態についても同様である。
【００７４】
又、前記第１実施形態において、記録層１４の下に軟磁性層２４、配向層２６が形成されているが、記録層１４の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層２４と基板１２との間に下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層２４、配向層２６の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。前記第２〜第４実施形態についても同様である。
【００７５】
又、前記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体１０は記録層１４がトラックの径方向に微細な間隔で分割された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割されたパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹部が厚さ方向の途中まで形成されて底部において連続した記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクにも本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。前記第４実施形態についても同様である。
【実施例１】
【００７６】
前記第１実施形態のとおり、磁気記録媒体１０を作製した。具体的には、まず、記録層１４を次の凹凸パターンに加工した（Ｓ１０６）。
【００７７】
記録要素１４の径方向のピッチ：２００ｎｍ
記録要素１４の上面の径方向の幅：１００ｎｍ
凹部の深さ：２４ｎｍ
【００７８】
尚、記録層１４の厚さは２０ｎｍだった。又、記録層１４の材料はＣｏＣｒ合金だった。
【００７９】
次に、スパッタリング法により凹凸パターンの記録層１４が露出した被加工体４０の上に隔膜２２を次の成膜条件で成膜した（Ｓ１０８）。隔膜２２は記録層１４の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。
【００８０】
隔膜２２の材料：Ｔａ
隔膜２２の成膜厚さ：２ｎｍ
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
チャンバー内圧力：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体４０との距離：３００ｍｍ
【００８１】
次に、同じ成膜装置を用いてスパッタリング法により隔膜２２の上に充填材下地膜１８を次の成膜条件で成膜した（Ｓ１１０）。充填材下地膜１８も記録層１４の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜された。
【００８２】
充填材下地膜１８の材料：Ｓｉ
充填材下地膜１８の成膜厚さ：２ｎｍ
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
チャンバー内圧力：０．３Ｐａ
ターゲットと被加工体４０との距離：３００ｍｍ
【００８３】
次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により充填材下地膜１８の上に充填材２０を次の成膜条件で成膜し、凹部１６を充填材２０で充填した（Ｓ１１２）。充填材２０も、記録層１４の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで成膜されたが、充填材２０の凹凸の段差は、記録層１４の凹凸の段差よりも減少した。
【００８４】
充填材２０の材料：ＤＬＣ
充填材２０の成膜厚さ：２２１ｎｍ
原料ガス：メタン
原料ガスの流量：２００ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：１．３３Ｐａ
マイクロ波パワー：２００Ｗ
ＲＦ電力：３００Ｗ
Ｖｄｃ（被加工体に実効的に印加される直流電圧）：−４６０Ｖ
【００８５】
尚、成膜に要した時間は２３分２８秒だった。又、充填材２０の上面の凹凸の段差は４ｎｍだった。
【００８６】
次に、ＩＢＥによりＯ２ガス及びＡｒガスの混合ガスを加工用ガスとして用いて、次の条件で記録要素１４Ａの上の余剰の充填材２０を除去した（Ｓ１１４）。尚、ＳＩＭＳによりＳｉ（充填材下地膜１８）を検出しつつエッチングを行い、Ｓｉの検出量が極大値となった直後にエッチングを停止した。
【００８７】
Ｏ２ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
Ａｒガスの流量：３ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０８Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：４００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
【００８８】
エッチングに要した時間は２分３９秒だった。尚、このエッチング条件におけるＤＬＣの充填材２０のエッチングレートは１．２６ｎｍ／ｓｅｃだった。
【００８９】
次に、ＩＢＥによりＡｒガスを加工用ガスとして用いて、次の条件で記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８及び隔膜２２を除去した（Ｓ１１６）。エッチングを１１秒間行った時点でエッチングを停止した。記録要素１４Ａの上の余剰の充填材下地膜１８及び隔膜２２は完全に除去された。
【００９０】
Ａｒガスの流量：１６ｓｃｃｍ
チャンバー内圧力：０．０５Ｐａ
加工用ガスの入射角：９０°
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：４００Ｖ
【００９１】
尚、この条件における充填材２０、充填材下地膜１８、隔膜２２のエッチングレートは以下のとおりであった。
【００９２】
充填材２０（ＤＬＣ）：０．０８ｎｍ／ｓｅｃ
充填材下地膜１８（Ｓｉ）：０．４０ｎｍ／ｓｅｃ
隔膜２２（Ｔａ）：０．３５ｎｍ／ｓｅｃ
【００９３】
この時点で被加工体４０の表面に粘着テープを貼り付け、更に被加工体４０の表面から粘着テープを剥がして被加工体４０の表面を観察した。粘着テープは次の２種類を用いた。
【００９４】
Scotchpro(登録商標)375No.375（住友３Ｍ社製）、粘着力：５．８８Ｎ／ｃｍ
ラミクロステープYR-3738（住友３Ｍ社製）、粘着力：２．７４Ｎ／ｃｍ
【００９５】
いずれの粘着テープの場合も、充填材２０の剥離等の異常は観察されなかった。図１６は、後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した直後において、被加工体４０の表面に上記の２種類の粘着テープを貼り付け、被加工体４０の表面からこれらの粘着テープを剥がした後の被加工体４０の表面を示す写真である。尚、図１６における試料の左上の色が薄い部分は、初めから充填材２０が成膜されていない部分であり、充填材２０の剥離を示すものではない。
【００９６】
更に、後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した後２４時間が経過した時点で、再度被加工体４０の表面に上記の２種類の粘着テープを貼り付け、被加工体４０の表面からこれらの粘着テープを剥がして被加工体４０の表面を観察した。この場合も、充填材２０の剥離等の異常は観察されなかった。
【実施例２】
【００９７】
前記第２実施形態のとおり、磁気記録媒体６０を作製した。具体的には、上記実施例１に対し、隔膜２２の成膜を省略した。他の条件は上記実施例１と同じ条件に設定した。
【００９８】
実施例１と同様に、後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した時点、及び後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した後２４時間が経過した時点で、被加工体４０の表面に上記の２種類の粘着テープを貼り付け、更に被加工体４０の表面からこれらの粘着テープを剥がして被加工体４０の表面を観察した。いずれの場合も、充填材２０の剥離等の異常は観察されなかった。
【００９９】
[比較例１]
上記実施例１に対し、隔膜２２の成膜及び充填材下地膜１８の成膜を省略した。他の条件は上記実施例１と同じ条件に設定し、記録層１４の上に充填材２０を実施例１と同じ２２１ｎｍの厚さに成膜しようと試みた。しかしながら、充填材２０が被加工体４０から剥がれてしまい、実施例１のようにＤＬＣの充填材２０を成膜することはできなかった。図１７は、充填材成膜工程（Ｓ１１２）を試みた直後の被加工体４０の表面を示す写真である。尚、図１７における試料の左下や右上の色が薄い部分は、初めから充填材２０が成膜されていない部分であり、充填材２０の剥離を示すものではない。
【０１００】
[比較例２]
上記比較例１と同様に実施例１に対し、隔膜２２の成膜及び充填材下地膜１８の成膜を省略した。又、記録層１４の上に充填材２０を実施例１よりも薄い１６１ｎｍの厚さで成膜した。他の条件は上記実施例１と同じ条件に設定した。充填材２０は被加工体４０から剥がれることなく成膜された。一方、成膜された充填材２０の上面の凹凸の段差は実施例１よりも大きい７ｎｍだった。
【０１０１】
更に、実施例１と同様に、前段平坦化工程（Ｓ１１４）、後段平坦化工程（Ｓ１１６）を実行した。後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した時点で、被加工体４０の表面を観察したところ、充填材２０が部分的に剥がれていた。
【０１０２】
更に、実施例１と同様に、後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した時点、及び後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した後２４時間が経過した時点で、被加工体４０の表面に上記の２種類の粘着テープを貼り付け、更に被加工体４０の表面からこれらの粘着テープを剥がして被加工体４０の表面を観察した。いずれの場合も、充填材２０の一部が粘着テープに付着して被加工体４０から剥離した。図１８は、後段平坦化工程（Ｓ１１６）が終了した直後において、被加工体４０の表面に粘着力が小さい方のテープ（ラミクロステープYR-3738）を貼り付けてから、被加工体４０の表面からこの粘着テープを剥がした後の被加工体４０の表面を示す写真である。尚、図１８における試料の左上の色が薄い部分は、初めから充填材２０が成膜されていない部分であり、充填材２０の剥離を示すものではない。
【０１０３】
このように、充填材下地膜を成膜しないでＤＬＣの充填材を成膜した比較例１、２では、充填材の剥離が生じたのに対し、充填材下地膜を成膜してから充填材下地膜に接して充填材を成膜した実施例１、２では充填材の剥離が生じなかった。即ち、充填材下地膜を成膜してから充填材下地膜に接して充填材を成膜することで、充填材の剥離を防止できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明は、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアのような凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置の概略構造を模式的に示す斜視図
【図２】同磁気記録再生装置の磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す側断面図
【図４】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図５】同製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図６】凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】記録層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】同記録層の上に隔膜が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】同隔膜の上に充填材下地膜が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１０】同充填材下地膜の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１１】前段平坦化により記録要素の上の充填材下地膜が露出した同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】後段平坦化により全面が平坦化された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す側断面図
【図１４】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の記録層の周辺の構造を拡大して示す側断面図
【図１５】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図１６】実施例１における粘着テープを剥がした後の被加工体の表面を示す写真
【図１７】比較例１における充填材成膜工程直後の被加工体の表面を示す写真
【図１８】比較例２における粘着テープを剥がした後の被加工体の表面を示す写真
【符号の説明】
【０１０６】
２…磁気記録再生装置
４…磁気ヘッド
１０、６０、７０…磁気記録媒体
１２…基板
１４…記録層
１４Ａ…記録要素
１６…凹部
１８、７２…充填材下地膜
２０…充填材
２２…隔膜
２４…軟磁性層
２６…配向層
２８…保護層
３０…潤滑層
４０…被加工体
４２…第１マスク層
４４…第２マスク層
４６…樹脂層
Ｓ１０２…被加工体の加工出発体用意工程
Ｓ１０４…樹脂層形成工程
Ｓ１０６…記録層加工工程
Ｓ１０８…隔膜成膜工程
Ｓ１１０…充填材下地膜成膜工程
Ｓ１１２…充填材成膜工程
Ｓ１１４…前段平坦化工程
Ｓ１１６…後段平坦化工程
Ｓ１１８…保護層成膜工程
Ｓ１２０…潤滑層成膜工程
Ｓ２０２…平坦化工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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