(57)【要約】  【課題】本発明は、ウェット工程で用いられる水、水蒸気（蒸気）、薬液などがウェーハ裏面又は真空吸着ステージ表面に残留することによる諸問題を回避できる真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】ウェーハ裏面と対向すべきウェーハ対向面と、該ウェーハ対向面に形成され不活性ガスを送り出すガス噴出口と、該ウェーハ対向面に形成され吸気を行う吸引口とを備える。そして、該吸引口は、該ガス噴出口よりも該ウェーハ対向面の縁側に該ガス噴出口を囲むように形成される。  【選択図】図１
2009070996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ裏面と対向すべきウェーハ対向面と、
前記ウェーハ対向面に形成され不活性ガスを送り出すガス噴出口と、
前記ウェーハ対向面に形成され吸気を行う吸引口とを備え、
前記吸引口は、前記ガス噴出口よりも前記ウェーハ対向面の縁側に前記ガス噴出口を囲むように形成されることを特徴とする真空吸着ステージ。
【請求項２】
前記ウェーハ対向面の縁又はその近傍に、ウェーハが搭載されるべき領域を挟むように形成される前記ウェーハ対向面から垂直方向に突出したガイド部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空吸着ステージ。
【請求項３】
前記ウェーハ対向面は、前記真空吸着ステージが備える他の面より粗い表面であることを特徴とする請求項１に記載の真空吸着ステージ。
【請求項４】
前記ウェーハ対向面の表面粗度は１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の真空吸着ステージ。
【請求項５】
前記ウェーハ対向面に、前記ウェーハ対向面の内側から外側に向かい、一端が前記ウェーハ対向面の縁に形成される溝を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空吸着ステージ。
【請求項６】
前記ガス噴出口から送り出される不活性ガスの流量を調整するガス流量計および圧力レギュレータと、
前記吸引口の吸引圧力を調整するレギュレータとを備えることを特徴とする請求項１に記載の真空吸着ステージ。
【請求項７】
ウェーハのウェット処理後に、真空吸着ステージとウェーハ裏面の間全体に渡ってウェーハ中心側からウェーハ端側に向かう気流を発生させる気流発生工程を備えることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項８】
真空吸着ステージとウェーハ裏面の間全体に渡ってウェーハ中心側からウェーハ端側に向かう気流を発生させながらウェット処理を行う気流併用ウェット工程を備えることを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法に係り、ウェット処理工程で使用する水蒸気や液体などのウェーハ裏面への回り込みにより引き起こされる諸問題を解決した真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスでは、水、水蒸気、薬液などを使用したウェット処理が行われる。このようなウェット処理においては一般に、真空吸着ステージが用いられる。真空吸着ステージは、その表面に、真空ポンプと接続された孔又は溝を備える。よって前述の孔又は溝が吸気することによりウェーハを真空吸着ステージに吸着させることができる。そして、前述の方法でウェーハを吸着し、水、水蒸気、薬液などを塗布したり、真空吸着ステージを回転したりといった所望のウェット処理が行われる。ウェット処理では、ウェーハ裏面に水、水蒸気、薬液などが付着することがある。ウェーハ裏面に水、水蒸気、薬液などが付着したままにすると、ウェーハが真空吸着ステージと密着し、両者を離脱させることが困難となったり、ウェーハ裏面が変質し歩留まりが低下したりする弊害が起こり得る。
【０００３】
特許文献１に開示される半導体製造装置は、ウエハスピンナチャックと呼ばれる真空吸着口を有する部品がウェーハ裏面の一部と接しウェーハを吸着する。そしてウェーハ裏面のウエハスピンナチャックと接しない部分にガスを噴射した上でウェーハを回転させウェーハ裏面に付着した薬液等を吹き飛ばす。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９２７１２号公報
【特許文献２】特開平１０−２５６３３０号公報
【特許文献３】特開２００３−１５２０６１号公報
【特許文献４】特開２００３−１９７７２５号公報
【特許文献５】特開２００４−２９６８９８号公報
【特許文献６】特表２００２−５１１５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した特許文献１に開示される半導体装置は、ウェーハ裏面に付着した薬液等の除去、あるいはウェーハ裏面への薬液等の付着防止に一定の効果がある。しかしながら、特許文献１に開示の半導体装置では、ウエハスピンナチャック（真空吸着ステージ）とウェーハ裏面の一部とは接触している。そして前述の、ウエハスピンナチャック（真空吸着ステージ）とウェーハ裏面との接触部分にまで浸入した薬液等は、特許文献１の構成では除去できない。よって真空吸着ステージとウェーハとの離脱が困難となる問題や、ウェーハ裏面に残留した薬液等による歩留まり低下が起こるという問題があった。また、ウェット処理工程により真空吸着ステージの表面にも薬液等が残留し、後続のウェーハの裏面を汚染するという問題も考えられる。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、ウェット工程で用いられる水、水蒸気（蒸気）、薬液などがウェーハ裏面又は真空吸着ステージ表面に残留することによる問題を回避できる真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる真空吸着ステージは、ウェーハ裏面と対向すべきウェーハ対向面と、該ウェーハ対向面に形成され不活性ガスを送り出すガス噴出口と、該ウェーハ対向面に形成され吸気を行う吸引口とを備える。そして、該吸引口は、該ガス噴出口よりも該ウェーハ対向面の縁側に該ガス噴出口を囲むように形成される。
【０００８】
本発明にかかる真空吸着ステージを用いた半導体製造方法は、ウェーハのウェット処理後に、真空吸着ステージとウェーハ裏面の間全体に渡ってウェーハ中心側からウェーハ端側に向かう気流を発生させる気流発生工程を備える。
【０００９】
また、本発明にかかる真空吸着ステージを用いた半導体製造方法は、真空吸着ステージとウェーハ裏面の間全体に渡ってウェーハ中心側からウェーハ端側に向かう気流を発生させながらウェット処理を行う気流併用ウェット工程を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、半導体プロセスにおけるウェット処理工程に伴う弊害を除くことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態1
図１は本実施形態の真空吸着ステージ２４の平面図である。図１で示されている真空吸着ステージの表面（以後、ウェーハ対向面１１と称する）はウェーハ裏面と対向すべき面である。そして、本実施形態の真空吸着ステージ２４は半導体プロセスにおけるウェット処理を行う際に用いられるものである。本実施形態の真空吸着ステージ２４はパージ配管孔１０を備える。パージ配管孔１０はウェーハ対向面１１の３箇所に直線的に形成されている。パージ配管孔１０は後述する不活性ガスの噴出のために形成されるガス噴出口である。前述した３箇所のパージ配管孔１０の内、２のパージ配管孔１０を含んで内周環状溝１６が形成されている。内周環状溝１６は前述の配管孔１０から噴出される不活性ガスの通路となる。
【００１２】
前述の内周環状溝１６よりウェーハ対向面１１の縁側にはリフトピン１２が形成されている。リフトピン１２は通常は真空吸着ステージ内に収納されている。そして、ウェット処理開始前にリフトピン１２を真空吸着ステージ２４から突出させ、ウェーハを受け取る。リフトピン１２がウェーハを受け取ると、リフトピンは再び真空吸着ステージに収納される。この動作によりウェーハはウェーハ対向面１１に搭載される。また、ウェット処理終了後には、ウェーハを搬送する機構へとウェーハを受け渡すべくウェーハをウェーハ対向面１１と離隔する方向へ持ち上げる。そして、リフトピン１２は３箇所に３角形の頂点を形成するように配置されている。さらに、このように配置されたリフトピン１２がウェーハ対向面１１に対して垂直に運動でき、かつ、リフトピン１２が真空吸着ステージ２４内部に収納されることができるようにリフトピン収容孔がリフトピン１２の配置される位置に設けられている。
【００１３】
前述のリフトピン１２よりさらにウェーハ対向面１１の縁側には、真空パージ配管孔１４が形成されている。真空パージ配管孔１４は目的に応じて真空引きとパージとを行うことができる。本実施形態では真空パージ配管孔１４は２箇所形成されている。さらに、前述の２箇所の真空パージ配管孔１４を含むように外周環状溝１８が形成されている。
【００１４】
円を形成しているウェーハ対向面１１の側壁にはウェーハ対向面１１を囲むようにガイド部材２０が形成されている。本実施形態ではガイド部材２０は円柱状のピンである。ガイド部材２０は４箇所に形成されている。前述した通り、ウェーハ対向面１１はウェーハ裏面と対向すべき面である。そして、ガイド部材２０はウェーハがウェーハ対向面１１から脱落しないようにウェーハの位置を規定するものである。
【００１５】
図２は、図１における一点鎖線Ｂ−Ｂ’沿いの断面図である。図２から明らかなように、ウェーハ対向面１１の３箇所に形成されたパージ配管孔１０は真空吸着ステージ２４の内部まで伸び一本の管に集約される配管の一部である。そして、この配管はパージ配管３２である。パージ配管３２はその一部においてバルブ２９と接続されている。そして、図示しないが、パージ配管３２は不活性ガス供給源と接続される。さらに、パージ配管３２は不活性ガスの流量を示すガス流量計および圧力レギュレータと接続されており、その流量を任意に調節できる。
【００１６】
同じく図２には、真空パージ配管孔１４も示されている。図２から明らかなように、ウェーハ対向面１１の２箇所に形成された真空パージ配管孔１４は真空吸着ステージ２４の内部で一本の管に集約される配管の一部である。この一本に集約された配管はバルブ２８と接続される。バルブ２８は真空配管２６を開放し真空パージ配管孔１４から吸気を行うか、パージ配管３０を開放し、真空パージ配管孔１４から不活性ガスの供給を行うかの切り替えを行う。そして、図示しないが、真空配管２６には排気ポンプからなる真空源が備わっている。よって真空配管２６側が開放されるときの、真空パージ配管孔１４は吸引口となる。そして、前述の真空源による真空パージ配管孔１４の吸引圧力は、真空配管２６に搭載されるレギュレータ（不図示）により調節される。また、図示しないが、パージ配管３０には不活性ガス供給源が備わっている。そして、パージ配管３０もパージ配管３２と同様の構成で不活性ガスの流量を任意に調節できる。
【００１７】
同じく図２にはガイド部材２０の断面図が示されている。ガイド部材２０は図２に示すようにウェーハ対向面１１と水平な平面から所定の高さだけ突出して配置される。ガイド部材２０の高さは後述する本実施形態のウェット処理の処理内容を考慮して定められる。前述の通り、ガイド部材２０はウェーハが真空吸着ステージ２４から脱落することを防止するために形成されている。よって、ガイド部材２０はウェーハの側壁と接しうるように配置されるものである。本実施形態の真空吸着ステージは上述してきた構成である。
【００１８】
次いで、本実施形態のウェット処理工程の処理方法について説明する。まず、ウェット処理を行うべきウェーハが、例えば搬送アームなどによって真空吸着ステージ２４の上に運ばれる。そして前述のウェーハは、ウェーハ対向面１１から垂直方向に突出（上昇）させたリフトピン１２によって受け取られる。リフトピン１２はウェーハ受け取り後、ウェーハ対向面１１に対して下降を始めウェーハ対向面１１にウェーハを置く。ウェーハがウェーハ対向面１１に搭載された後、処理シーケンスと呼ばれる処理が行われる。
【００１９】
本実施形態において処理シーケンスは以下の手順で行われる。まず、バルブ２８の真空配管２６側を開放しウェーハをウェーハ対向面１１に吸着させる。次いで、真空吸着ステージ２４を回転させることによりウェーハを回転させる。この状態で、例えば図３に示すノズル３４から薬液等を、所望の量と時間だけウェーハ表面に塗布する。このときのウェーハの回転数は、６インチのウェーハで１０rpm〜１００rpm程度が標準的である。このようにしてウェーハ表面に所望の処理を行った後は、乾燥シーケンスに処理が進められる。
【００２０】
乾燥シーケンスはウェーハ裏面に回りこんだ薬液等を除去することを主な目的とする。以下乾燥シーケンスについて説明する。まず、バルブ２９を開放し、パージ配管孔１０から不活性ガスを噴出させる。それと同時にバルブ２８の真空配管２６側が開放され真空パージ配管孔１４から吸気を行う。このようにすると、ウェーハ裏面とウェーハ対向面１１との間に、パージ配管孔１０から真空パージ配管孔１４に向かう不活性ガスの気流が発生する。同様に内周環状溝１６から外周環状溝１８に向かう不活性ガスの気流も発生する。この様子は図３の矢印に示されている。本実施形態ではこれらの気流がウェーハ裏面全体を覆うように不活性ガスの流量が調節される。このとき、ウェーハは前述の気流により浮上しており、ウェーハ対向面１１と接触しない。このようにしてウェーハを浮上させる力を揚力と称する。安定した揚力をウェーハに及ぼすために本実施形態では以下の条件が採用されている。すなわち、パージ配管孔１０から送り出される不活性ガスの流量は０．５Ｌ／ｍｉｎ〜５．０Ｌ／ｍｉｎである。また真空パージ配管孔１４で吸気する真空引きの圧力は−１０ｋＰ〜−４０ｋＰである。本実施形態では上述の条件でウェーハをウェーハ対向面１１から０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度浮上させる。
【００２１】
ここで、前述の通りパージ配管孔１０から送り出される不活性ガスの流量はガス流量計および圧力レギュレータで制御され、真空パージ配管孔１４で吸気する真空引きの圧力はレギュレータにより制御される。パージ配管孔１０から送り出される不活性ガスの流量と真空パージ配管孔１４で吸気する真空引きの圧力は、浮上させるべきウェーハの質量を考慮して、前述の揚力が安定して得られるように定められるものである。
【００２２】
乾燥シーケンスはさらに、ウェーハ対向面１１に付着した薬液等を除去する。前述の気流によってウェーハ裏面の薬液等が除去されるのに伴い、ウェーハ対向面１１の薬液等もある程度除去される。しかし、ウェーハ対向面１１において、外周環状溝１８よりウェーハ対向面１１の縁側（以後、最外周部分と称する）には気流は発生しないから薬液等が残留しえる。そこで、最外周部分に付着した薬液等を除去すべく、以下の処理（ウェーハ対向面乾燥工程）が行われる。
【００２３】
まず、パージ配管孔１０から不活性ガスを供給しながら、バルブ２８を真空源側から不活性ガス供給源を開放するように切り替える。これにより、前述の最外周部分に付着した薬液等をウェーハ対向面１１外部にはき出す方向に不活性ガスが流れる。これと同時に真空吸着ステージ２４を回転させる。この回転による遠心力と不活性ガスの流れとによって、最外周部分に付着した薬液等も除去される。この処理によって最外周部分だけでなくウェーハ対向面全体の薬液等の除去ができる。乾燥シーケンスでは上述のような処理が行われ、処理シーケンスにおいて薬液等がウェーハ裏面に回り込んだ場合でも、ウェーハ裏面とウェーハ対向面１１を清浄化できる。
【００２４】
乾燥シーケンスを終えると、ウェーハはリフトピン１２によってウェーハ対向面１１と離隔する方向に持ち上げられ、ウェーハを搬送する機構などへ受け渡されウェット工程を終了する。
【００２５】
ここで、本実施形態の特徴を理解するための比較例について説明する。比較例は図４から図１１を用いて説明する。図４は比較例の真空吸着ステージ１００の平面図である。比較例の真空吸着ステージ１００のウェーハと対向すべき面を吸着面１０６とする。吸着面１０６には２の環状溝１０２が形成されている。環状溝１０２から吸着面外周側にはガイドピン１０４が形成されている。
【００２６】
図５は、図４に記載されたＡ−Ａ’における断面図である。図５に示されるとおり、環状溝１０２は真空吸着ステージ内で一本の配管に集約される。そしてその配管はバルブ１０８と接続されている。バルブ１０８は、パージ配管１１０と真空配管１１２の一方を開放するように切り替えが可能である。パージ配管１１０は不活性ガス供給源を備え不活性ガスを送り出す。一方真空配管１１２は排気ポンプからなる真空源を備え、吸気が可能である。
【００２７】
図６から図１１は、図４に記載された一点鎖線Ａ−Ａ’における断面図である。そして、図６から図１１は比較例におけるウェット処理工程を説明する図である。以後、図６から図１１を用いて比較例のウェット処理工程について説明する。まず、図６に示すようにリフトピン１０４を用いてウェット処理を行うべきウェーハ１１４を受け取る。次いで、図７に示されるようにリフトピン１０４が吸着面１０６方向に下降しウェーハ１１４が吸着面１０６と接触する。そしてバルブ１０８の真空配管１１２側が開放され、ウェーハ１１４が吸着面１０６に吸着させられる。次いで、図８に示す工程に処理が進められる。ウェーハ１１４表面に対して任意の量の薬液１２２が供給される。薬液１２２はノズル１２０から送り出される。このとき真空吸着ステージ１００は所定の速度で回転させられている。  
【００２８】
続いて、図９に示す工程へ処理が進められる。図９においても真空吸着ステージ１００は回転させられたままであり、任意の時間だけ回転を継続することで薬液１２２による処理が行われる。次いで図１０に示す工程に処理が進められる。図１０ではウェーハ１１４表面の薬液がスピン乾燥されるまで真空吸着ステージ１００を回転させる。次いで、バルブ１０８を真空配管１１２側からパージ配管１１０側を開放するように切り替えられる。これによりウェーハ１１４の吸着面１０６への真空吸着を終える。そして、図１１に示すようにウェーハ１１４をウェーハ搬送システムへ受け渡すべくリフトピン１０４によりウェーハ１１４が持ち上げられる。比較例のウェット処理は上述の装置を用いた上述の工程により行われる。
【００２９】
比較例のように行われるウェット処理では以下の三つの問題がある。第一に薬液等によりウェーハ表面を処理することに伴い、該薬液等がウェーハ裏面に付着し、ウェーハ裏面と吸着面１０６とが密着してしまうことである。このような状態でリフトピンなどを用いてウェーハ裏面と吸着面を離隔させようとするとウェーハ割れなどの破損が起こる問題があった。また、リフトピン等に強い力をかけてウェーハを吸着面から離すことができても、ウェーハの位置がずれてしまい、ウェーハがリフトピン又は吸着面から落下してしまう問題もあった。特に前述の問題はウェーハ厚が薄いときに顕著である。すなわち、一般にウェーハ厚は６００−７００μｍ程度であることが多いが、２００μｍ程度にまで薄いウェーハを用いると前述のウェーハ割れ、落下の問題がさらに深刻になる。
【００３０】
第二の問題はウェーハ裏面に残留する薬液等によってウェーハ裏面が変質する問題である。ウェーハ裏面に残留した薬液はウェーハ裏面にしみを生じさせるなどの悪影響を及ぼすことがある。そして、裏面の変質により、裏面電極形成が困難となったり、裏面膜はがれの原因となったりする問題があった。そして、第一の問題と第二の問題を起すウェーハ裏面への薬液等の付着は、その薬液等の粒子が小さい場合に特に顕著である。すなわち、薬液等の粒子が小さい時は、その粒子がウェーハ裏面と吸着面の間に容易に入り込むためウェーハ裏面に付着しやすい。粒子の小さいものの一例としては水蒸気が挙げられる。
【００３１】
第三の問題はウェーハ裏面に回り込んだ薬液等が真空吸着ステージの吸着面に残留する問題である。吸着面に薬液等が残留したまま後続のウェーハを処理すると該後続のウェーハに該薬液等が付着し、前述の第一の問題、第二の問題を起す事がある。
【００３２】
前述の第一、第二、第三の問題は、比較例のようにウェーハ裏面および吸着面に付着した薬液等を除去すべく真空吸着ステージ１００を回転させるだけで解決できるものではない。また、特許文献１に開示されるようにウェーハ裏面の一部に不活性ガスを吹き付けても、ウェーハ裏面と吸着面（もしくは真空吸着ステージ）とが接触している部分の薬液等の除去は不十分であるから依然として前述の問題を抱えたままである。
【００３３】
本実施形態の真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法によれば上述の諸問題を起すこと無くウェット処理を行うことができる。すなわち本実施形態によれば、乾燥シーケンスで、ウェーハ裏面はその全体において、中心部から縁部に向かう気流と接しているためウェーハ裏面全体の薬液等除去ができる。換言すると、ウェーハ裏面はウェーハ対向面１１から浮上させるように発生させられた気流によって浮上させられ、真空吸着ステージと接しない状態で薬液の除去が行われる。よってウェーハ裏面全面に渡って、付着した薬液等の除去を行うことが可能である。故にウェーハ裏面の薬液等に起因する、前述の第一の問題と第二の問題を回避できる。また、裏面が清浄化されたあとにウェーハ対向面乾燥工程を実施するためウェーハ対向面に薬液等が残留しない。よって後続のウェーハを処理する際にも、歩留まりを落とす事無くウェット処理が可能となる。故に前述の第三の問題は起こらない。本実施形態の真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法はウェーハ裏面を清浄化できるから歩留まり向上が可能である。
【００３４】
また、本実施形態はウェーハの浮上を伴う処理工程を有するが、ウェーハ浮上時にウェーハが位置ずれしないようにガイド部材２０が形成されている。よってウェーハの位置ずれはウェーハ側面がガイド部材２０に当たることにより抑制される。つまりガイド部材２０はウェーハの位置を制限する。よって、ウェーハが所定の位置からずれてウェーハ対向面１１から脱落することを防止できる。
【００３５】
本発明は本実施形態で示した処理シーケンスに限定されるものではない。処理シーケンスは、ウェーハ裏面に薬液等が付着しえる処理であれば、本実施形態の乾燥シーケンスの効果が得られる。
【００３６】
本実施形態ではパージ配管孔１０を３箇所、真空パージ配管孔１４を２箇所に配置し、それぞれに環状溝を設ける構成としたが本発明はこれに限定されない。すなわち、ウェーハ裏面の内側から縁側に気流を生成できるようにパージ配管孔と真空パージ配管孔および環状溝が配置されている限り本発明の効果を得ることができるから、パージ配管孔、真空パージ配管孔および環状溝の数、形状、配置については様々な変形が可能である。
【００３７】
本実施形態においては処理シーケンスと乾燥シーケンスを別個に記載したが本発明はこれに限定されない。すなわち、乾燥シーケンスで説明したようにウェーハを浮上させながら処理シーケンスを実施できるようなウェット処理においては、ウェーハを浮上させながら処理シーケンスを実施しても良い。これにより、ウェーハ裏面への薬液の回り込みそのものを抑制できる。
【００３８】
本実施形態においては、ノズルから薬液等を塗布したが、本発明はノズルから供給される薬液等以外でもその効果を得ることができる。すなわち、高圧スプレーで水、水蒸気、薬液等をウェーハ表面に吹き付けても、裏面に付着した水、水蒸気、薬液等を除去する本発明の効果は失われない。よって、ウェット処理で用いる薬液等の種類やウェーハ表面への供給方法はどのようなものであっても良い。
【００３９】
乾燥シーケンスにウェーハ対向面乾燥工程を含むこととしたが本発明はこれに限定されない。すなわちウェット工程終了後、換言すればウェーハがウェーハ対向面にない状態で前述の対向面乾燥工程を行ってもウェーハ対向面の乾燥が可能であるから本発明の効果を得られる。
【００４０】
本実施形態のガイド部材２０は円柱のピンとしたが本発明はこれに限定されない。ウェーハのウェーハ対向面からの落下を防止できる限りにおいて、ガイド部材２０の形状、配置等は任意である。
【００４１】
実施の形態２
本実施形態はウェット処理によってウェーハ対向面に付着した薬液等の除去を容易に行うことが出来る真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法に関する。本実施形態の真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法は以下の二点を除いて実施の形態１と同様である。一点目は、本実施形態の真空吸着ステージにおいて、ウェーハと対向すべき面であるウェーハ対向面は、他の面より表面が粗く加工されるウェーハ対向粗面である点である。本実施形態におけるウェーハ対向粗面の表面粗度は１０μｍ以上のいずれかの値である。二点目はウェーハ対向粗面に中心部から縁部に向かう放射状の溝が切られている点である。
【００４２】
上述した二点について図１２、１３を用いて説明する。図１２は本実施形態の真空吸着ステージの断面図である。図１３は本実施形態の真空吸着ステージの平面図である。なお、図１３のＢ−Ｂ’における断面図が図１２である。図１２に示されるように本実施形態のウェーハ対向粗面４０は、真空吸着ステージの他の面より表面が粗く形成されている。これは、ウェーハ対向面材質の粗さを粗くすることで行われる。ウェーハ対向粗面４０の表面粗さは、ウェーハをウェーハ対向粗面４０に搭載したときに、両者の接触面積を低減するように定められる。より具体的には、ウェーハ対向粗面４０は表面粗度が１０μｍ以上のいずれかの値となるように定められる。一般に、半導体製造装置のウェーハステージの平坦度（表面粗度）は１０μｍより小さい。よって、本実施形態のウェーハ対向粗面４０の表面粗度は１０μｍ以上のいずれかの値であるから、表面が粗く形成されていることになる。
【００４３】
次いで、前述した二点目の特徴については図１３を用いて説明する。本実施形態のウェーハ対向粗面４０は、実施形態１の構成に加えて、放射状溝５６が形成されていることが特徴である。この放射状溝５６はウェーハ対向面中心部から縁部に向かって伸びる複数の溝からなる。そして、溝の一端は、ウェーハ対向粗面４０の縁に形成されている。
【００４４】
本実施形態では上述の二点の特徴により、ウェーハ対向粗面４０に付着した薬液等を容易に除去することができる。まず、一点目の特徴であるウェーハ対向粗面４０が粗く形成されていることにより、ウェーハ対向面と薬液等の接触面積が低減されるため薬液等の表面張力が弱くなる。これにより真空吸着ステージを回転させた際のウェーハ対向粗面４０の薬液等の除去が容易となる。またこの効果によりウェーハとウェーハ対向粗面４０の張り付きを抑制できるからウェーハをウェーハ対向面から離脱させることが容易になる。さらに、二点目の特徴であるウェーハ対向粗面に形成された放射状溝５６により、真空吸着装置を回転させる際の遠心力により、ウェーハ対向粗面４０に付着した薬液等の除去が容易になる。
【００４５】
本実施形態においては、ウェーハ対向粗面４０はウェーハ対向面材質の粗さを粗くすることとしたが本発明はこれに限定されない。すなわち真空吸着ステージ作成後にウェーハ対向粗面４０の粗度を粗くする加工を行っても本発明の効果は得られるから上述の構成に限定されない。
【００４６】
本実施形態のウェーハ対向粗面４０に形成された溝は放射状溝５６で無くても良い。すなわち、一端がウェーハ対向粗面４０の縁に形成されている溝を備える限りにおいては、真空吸着ステージの回転によるウェーハ対向粗面４０に付着した薬液等の吐き出し効果を得られるので溝は他の形状であっても良い。
【００４７】
本実施形態においては、ウェーハ対向粗面４０と、放射状溝５６との両方を備える構成としたが本発明はこれに限定されない。すなわち、ウェーハ対向粗面若しくは放射状溝の一方によりウェーハ対向面の付着薬液等の除去が十分行い得るときはどちらか一方を備えていれば本発明の効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施の形態１の真空吸着ステージの平面図である。
【図２】図１の一端鎖線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【図３】実施の形態１の真空吸着ステージを用いた半導体製造方法（ウェット処理）を説明する断面図である。
【図４】実施の形態１における比較例の真空吸着ステージの平面図である。
【図５】図４の一点鎖線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図６】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図７】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図８】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図９】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図１０】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図１１】実施の形態１における比較例のウェット処理方法について説明する断面図である。
【図１２】実施の形態２の真空吸着ステージについて説明する、図１３のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１３】実施の形態２の真空吸着ステージの平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１１  ウェーハ対向面
１０  パージ配管孔（ガス噴出口）
１４  真空パージ配管口（吸引口）
２０  ガイド部材
２４  真空吸着ステージ
４０  ウェーハ対向粗面
５６  放射状溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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