(57)【要約】【課題】  複数のステージを有する露光装置を用いて基板を露光する場合に、あるステージが正常に動けない状態であっても、他のステージのみを用いて露光装置を稼動し、生産性の低下を低減する露光方法を提供する。【解決手段】複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況に応じて、前記複数のステージの内の少なくとも１つのステージは用いず、他のステージを用いて露光する。複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、前記露光装置の稼動中に前記複数のステージのいずれかが破損し、または、精度が劣化した場合、露光シーケンスを止めずに、前記複数のステージの内、破損も精度劣化もしていないステージを用いて露光を行ない続ける。【選択図】図１
2009026910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、
前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況に応じて、前記複数のステージの内の少なくとも１つのステージは用いず、他のステージを用いて露光することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況を診断するステップと、
前記複数のステージの内、破損し、または、精度が劣化したステージと、破損していない、または、精度が劣化していないステージとを判断するステップと、
全ての前記複数のステージを用いて前記露光装置を稼動するか、前記破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを用いて前記露光装置を稼動するか、を選択するステップと、
前記破損していない、または、精度劣化していないステージのみでシーケンスを流すステップと、を有することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記露光装置のオペレータの入力情報を基に、前記破損し、または、精度劣化したステージを特定する請求項２記載の露光方法。
【請求項４】
最終の前記ステップ後の目標位置に対する位置偏差を基に、全ての前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況を診断する請求項２記載の露光方法。
【請求項５】
外部からの情報を基に、全ての前記複数のステージの内、前記破損し、または、精度が劣化したステージを特定する請求項２記載の露光方法。
【請求項６】
前記外部からの情報は、ホストからの情報である請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記外部からの情報は、コータデベロッパからの情報である請求項５記載の露光方法。
【請求項８】
前記破損し、または、精度が劣化したステージを、前記露光処理以外の処理に使用しながらシーケンスを流すステップを有することを特徴とする請求項２に記載の露光方法。
【請求項９】
前記露光処理以外の処理は、前記複数のステージに設けられているセンサによる計測処理である請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記露光処理以外の処理が必要かどうかを、前記複数のステージに設けられているセンサによる情報から判断する請求項８に記載の露光方法。
【請求項１１】
複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、
前記露光装置の稼動中に前記複数のステージのいずれかが破損し、または、精度が劣化した場合、露光シーケンスを止めずに、前記複数のステージの内、破損も精度劣化もしていないステージを用いて露光を行ない続けることを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
前記露光装置の稼動中に全ての前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況を判断するステップと、
前記破損状況または精度の劣化状況の判断によって使用するステージを決定するステップと、
全ての前記複数のステージを使用したシーケンスを、前記決定したステージを使用するシーケンスに切り替えるステップと、を有することを特徴とする請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記露光装置の稼動中に、前記複数のステージの内、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化したことを、露光シーケンス中の第１のタイミングで受取り、
第２のタイミングで前記複数のステージの内、破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスを流す請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記露光装置の稼動中に、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化したことは、前記露光シーケンス中のいつでも受取ることができ、
所定のタイミングで前記複数のステージの内、破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスを流す請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１５】
前記露光装置の稼動中に、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化した場合、前記露光シーケンス中の所定のタイミングで、前記破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスに切り替える請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１６】
前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況は、外部からの情報を基に判断を行なう請求項１２記載の露光方法。
【請求項１７】
前記外部からの情報は、ホストからの情報である請求項１６記載の露光方法。
【請求項１８】
前記外部からの情報は、コータデベロッパからの情報である請求項１６記載の露光方法。
【請求項１９】
前記複数のステージの内、前記破損し、または、精度が劣化したステージは、露光処理以外の処理に使用しながらシーケンスを流すステップを有することを特徴とする請求項１２に記載の露光方法。
【請求項２０】
前記露光処理以外の処理は、前記複数のステージに設けられているセンサによる計測処理である請求項１９に記載の露光方法。
【請求項２１】
前記露光処理以外の処理が必要かどうかを、前記複数のステージに設けられているセンサによる情報から判断する請求項２０に記載の露光方法。
【請求項２２】
請求項１から２１のいずれかに記載の露光方法により基板を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項２３】
請求項２３記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、
前記ウェハを現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のステージを有する露光装置を用いて基板を露光する露光方法、露光装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ステッパ、スキャン露光装置等の露光装置において、生産性の向上が強く望まれるようになってきている。
このため、露光装置において、露光に先立つ事前計測を行なうステーションと、露光を専用に行なうステーションを各々設ける露光装置が一般的になりつつある。  
露光に先立つ事前計測を行なうステーションは、ＭｅｔｒｏｌｏｇｙＳｔａｔｉｏｎ：ＭＳであり、露光を専用に行なうステーションは、ＥｘｐｏｓｕｒｅＳｔａｔｉｏｎ：ＥＳであり、ＴｗｏＷａｆｅｒＳｔａｇｅ構成の露光装置である。
ＴｗｏＷａｆｅｒＳｔａｇｅ構成の露光装置は、各々のステーションを自由に行き来できる高精度ステージを２つ設けるものである。
この２つの高精度ステージを設けた露光装置における生産性は、1つの高精度ステージを設けた露光装置に対し、１．５倍以上になる。
半導体素子技術は、高集積化、微細化の一途をたどり、半導体素子製造のリソグラフィ工程で使われる露光装置には、エキシマレーザのようなパルスレーザが遠紫外領域の光源として使用されている。
エキシマレーザを用いた露光装置は、エキシマレーザ光源と露光装置本体とで構成され、エキシマレーザ光源は、光ファイバー等によるインタフェースケーブルを介して露光装置本体と接続される。
このような露光装置における露光動作は、露光装置本体側に具備した制御装置の露光シーケンスに従い行なう。
すなわち、レジストが塗布されたウェハ上に、結像光学系を通してエキシマレーザ光源から発振されるパルスレーザを照射し、レチクル上に描かれた回路パターン像の結像投影を行なう。
【０００３】
エキシマレーザ光源は、一般にフッ素等のハロゲンガス、クリプトン、アルゴン等の不活性ガス、及びヘリウム、ネオン等の希ガスの３種の混合ガスをレーザチャンバー内に封入する。
さらに、チャンバー内の放電によりハロゲンガスと不活性ガスとが反応し、パルスレーザ光を発振する。
パルスレーザ光を繰り返し発振すると、ハロゲンガスがチャンバー内に発生する不純物と結合し、チャンバーの内側に吸着する。
このため、ハロゲンガスの濃度が低下してレーザのパルスエネルギーが低下してしまうと共に、レーザ光源の各構成部品に劣化が生じる。
エキシマレーザを光源として使用する露光装置の場合、パルスエネルギーの変動によって、感光基板上の露光量の制御精度が低下する。
従って、解像力や線幅の再現性を得るためには、パルス毎にパルスエネルギーをコントロールする露光量制御方法が必要となる。
そこで、解像力や線幅の再現性を得る方法として、例えば、特開平５−６２８７６号公報（特許文献１）に開示されるような露光量制御方法が提案されている。
【０００４】
ここで、図１（ａ）を参照して、本発明の実施例および従来例に使用される露光装置の構成を説明する。
パルスレーザ光源ＬＡは、例えばＫｒＦ等のガスが封入された、レーザ光を発光させる光源である。
照明光学系ＩＬは、不図示のビーム整形光学系、オプティカルインテグレータ、コリメータおよびミラーで構成されている。
レチクルＲＥＴまたはマスクは、焼き付けを行なう半導体素子の回路パターンが形成され、照明光学系ＩＬにより照射される。
縮小投影レンズＵＬでレチクルＲＥＴの回路パターン像を縮小して、Ｅｘｐｏｓｕｒｅ
Ｓｔａｔｉｏｎ  ＥＳ側にあるレジスト塗布済ウェハＷＥ上に結像投影するように配置されている。
照明光学系ＩＬからの光路上にはハーフミラーＨＭが配置され、レチクルＲＥＴを照明する露光光の一部がこのハーフミラーＨＭにより反射され取り出される。
ハーフミラーＨＭの反射光の光路上には紫外光用のフォトセンサＦＳが配置され、前記露光光の強度に対応した出力を発生する。
フォトセンサＦＳの出力は、パルスレーザ光源ＬＡのパルス発光毎に積分を行なう積分回路ＩＣによって、１パルスあたりの露光エネルギーに変換され、積算露光量の演算処理を行なう露光装置本体側の制御装置ＣＵに入力される。
制御装置ＣＵは演算結果に基づいて、レーザ出力制御装置ＥＩに適当な印加電圧値とレーザ発光指令信号を出力する。
ここで、各機器と制御装置ＣＵとは、不図示の通信ケーブルにつながれている。
パルスレーザ光源ＬＡの露光エネルギーは、レーザ出力制御装置ＥＩによる印加電圧値に応じて制御され、これらの動作を繰り返すことにより、ウェハＷＥ上に焼き付けられるレチクルＲＥＴの回路パターン像の積算露光量が制御される。
【０００５】
ここで、ウェハＷＥ上に焼き付けられるレチクルＲＥＴは、レチクルチェンジャＲＣに搭載されているレチクルチェンジャ−ロボット（不図示）によってプリアライメントステージＰＲＡに運ばれる。
プリアライメントステージに置かれたレチクルＲＥＴは、レチクルアライメントユニットＲＡによってレチクルステージＲＳ上に置かれている。
つまり、焼き付けられるレチクルＲＥＴは、事前にレチクルステージＲＳ上に置かれていることを想定している。
ウェハ搬送系ＷＦで、不図示のコータでレジスト塗布されたウェハは、ウェハ搬送系ＷＦによって露光に先立つ事前計測を行なうステーションＥＳへ運ばれる。
露光装置では、第１物体としてのレチクル回路パターンを投影レンズ系により第２物体としてのウェハ上に投影し露光する。
しかし、この投影露光に先立って観察装置ＯＡを用いてウェハ面を観察することによりウェハ上のアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいてレチクルとウェハとの位置整合、所謂アライメントを行なっている。
また、Ｔｗｏ Ｗａｆｅｒ Ｓｔａｇｅ構成のステージでは、ＭＳ側にあるフォーカスセンサＦ１／Ｆ２を用いて、予めウェハ表面形状を計測し、ＥＳで露光を行なう際は前記ウェハ表面形状を考慮してウェハ露光を行なう。
アライメントマーク位置の検出、ウェハ表面形状の計測に関しては、前記投影露光装置のステージを制御しながら、ウェハを任意の位置に移動させる必要がある。同様にウェハ露光に関しても、ステージを制御しながら、ウェハを任意の位置に移動させる必要がある。
前記高精度ステージは、レーザ干渉計ＩＦ−Ｍ／ＩＦ−ＥによりステージのＸＹθZ Ｔｉｌｔ方向位置を精密に計測することができ、ウェハの任意の位置にステージを移動させることができる。
【０００６】
更に、図１（ｂ）を用いて、２つのステージの構成を説明する。
ＷＳ−Ｌ／ＷＳ−Ｒは、露光に先立つ事前計測を行なうステーションＭＳと露光を行なうステーションＥＳを自由に行き来することができ、図１（ａ）はＭＳにＷＳ−Ｌ，ＥＳにＷＳ−Ｒがいる場合を示している。
図１（ｂ）は、図１（ａ）の状態を、上から見た図となっている。
まず、ＷＳ−Ｌ上のセンサは、ＵＬの収差を計測する為のセンサＳ１およびパルスレーザ光源ＬＡが、ＩＬとＵＬを通ったときの出力を計測する為にメインで使うセンサＭＳから成る。
さらに、レチクルとウェハをダイレクトに合わせるためのセンサＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２から構成されている。
一方、ＷＳ−Ｒのセンサは、ダミーユニットＧ１、パルスレーザ光源ＬＡが、ＩＬとＵＬを通ったときの出力を計測する為にサブで使うセンサＳＳ、レチクルとウェハをダイレクトにあわせるためのセンサＬＳ−Ｒ１/ＬＳ−Ｒ２から構成されている。
各センサの配置や種類については、フットプリントやコストの関係から、通常異なる構成になることが多い。
ここで、ＭＳとＳＳの出力結果は、共に不図示のパルス発光毎に積分を行なう積分回路によって、１パルスあたりの露光エネルギーに変換され、積算露光量の演算処理を行なう露光装置本体側の制御装置ＣＵに入力されることになる。
制御装置ＣＵは、ＭＳとＦＳの出力結果比率ＭＳ/ＦＳやＳＳとＦＳの出力結果比率ＳＳ/ＦＳを用いることで、よりウェハ面上のエネルギーに近い形で、レーザ出力制御装置ＥＩに電圧値とレーザ発光指令信号を出力することができる。
ＭＳとＳＳの差は、ＭＳを介して比率をもつことで、補正している。
ＭＳとＳＳにおける差分の内容は本特許とは直接関連性が無いので、説明を省略する。
また、ＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２，ＬＳ−Ｒ１/ＬＳ−Ｒ２は、同じ型のセンサである。
レチクルＲＥＴ上のマークを通して、ＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２，ＬＳ−Ｒ１/ＬＳ−Ｒ２を観察することでレチクルに対してステージをダイレクトにあわせることができる。
【０００７】
図２を参照して、従来の露光シーケンスの説明を行なう。
まず、この露光装置は、入力分ＯＰに入力された情報を基に制御機構ＣＵによって制御され、各機器とステッパ制御装置ＣＵとは、不図示の通信ケーブルでつながれている。
まず、ＭＳ側のフローを説明する。
以下の説明において、各ウェハは、ｎ=１，２，３，…として、ＷＭ（ｎ）， ＷＥ（ｎ）と表記するものとする。
つまり、例えば１枚目のウェハであれば、ＭＳ上にあるときはＷＭ(1)として表記し、ＥＳ上にあるときには ＷＥ（１）として表記するが、ＷＭ(１)もＷＥ（１）も  共に同じウェハを示していることになる。
ウェハＷＭ（１）は、不図示のコータから搬送系WFによって、ＭＳ上のステージＷＳ−Ｌへ搭載される（ＳＭ００１）。
次に、リセットや装置立ち上げで干渉計が切断された場合、ステージ位置が不定とならないようにするため、ＭＳ側でのＯＡを用いたステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為を行なう。（ＳＭ００２）
ＯＡは、常に固定された位置にあるので、ウェハＷＦ上のマークを観察位置に移動するのは、ステージのみを駆動する。
ウェハステージＷＳ−Ｌ載せられたウェハは、ＯＡによって不図示のウェハ上マーク(２ショット)が計られ、これにもとづいてステージを移動させることにより、ウェハの粗位置あわせ（プリアライメント）が行なわれる。（ＳＭ００３）
ウェハライメントのためのマーク（不図示）観察は、できるだけ検査ウェハへのダメージを小さくするために、非露光光を用いて行なう。ここでは、ＯＡで前記不図示のマークを観察する。
【０００８】
グローバルアライメント方式(ＡＧＡ)で定められた全てのショットの計測マークについてステージを移動し、計測を行ない、最後のマークを計測したときに、全ショットの計測値を用いてステージステップ移動補正量が算出される。(ＳＭ００４)
更に、Ｆ１/Ｆ２を用いて、予めウェハＷＭ（１）のウェハ表面の形状を計測しておく(ＳＭ００５)
一方、ＥＳ側では、前記ウェハＷＭ(１)上に焼き付けられるレチクルＲＥＴは、レチクルチェンジャＲＣに搭載されているレチクルチェンジャ−ロボット（不図示）によってプリアライメントステージＰＲＡに運ばれる。
プリアライメントステージに置かれたレチクルＲＥＴは、レチクルアライメントユニットＲＡによってレチクルステージＲＳ上に置かれる。(ＳＥ００１)
ステージスワップ(ＳＳ００１)が発生すると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換される。図２の例では  ＷＳ−ＬがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＲがＭＳ側へ移動する。(ＳＳ００１)
ＥＳ側では、レチクルＲＥＴを通してＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２を観察することで、ＥＳ側ステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為が行なわれる。（ＳＥ００２）
ステージＷＳ−Ｌを駆動し、ＵＬ下にセンサＭＳを配置させ、ＬＡからのレーザ光に対してＭＳ/ＦＳ比率を求める。制御装置ＣＵは、レーザ出力制御装置ＥＩに電圧値とレーザ発光指令信号を出力する際に、ＭＳ/ＦＳを考慮できるようにする。(ＳＥ００３)
上記条件が整ったところで、露光を行なう。(ＳＥ００４)
露光の際には、前記ＳＭ００４で求めたグローバルアライメント結果を反映する。
また、前記ＳＭ００５で求めたウェハ形状計測結果も反映する。
ＳＥ００４によって、レチクルＲＥＴに照射された露光光源の光は、ＵＬを通して１／４に縮小され、ウェハＷＥ(１)の上に塗布されているレジストを感光し重ね焼き露光が行なわれる。
【０００９】
一方、ＭＳ側では、ＥＳ側でＳＥ００２，ＳＥ００３，ＳＥ００４を行なっている間に、並行処理を行なう。
ＭＳ側では、ＳＳ００１であるステージスワップ後、ウェハ搬送系ＷＦから次のウェハＷＭ（２）を搬入する。（ＳＭ００６）
次のウェハＷＭ(２)は、ステージＷＳ−Ｒに載せられ、ＳＭ００７，ＳＭ００８，ＳＭ００９を行なう。
ＳＭ００７，ＳＭ００８，ＳＭ００９は、それぞれ、ＳＭ００２，ＳＭ００４，ＳＭ００５と同様の行為である。
ＭＳ側でＳＭ００９が終了し、ＥＳ側でＳＥ００４が終了すると、ＭＳのステージとＥＳのステージを交換するステージスワップが発生する。（ＳＳ００２）
ステージスワップすると、ＭＳ側にＷＳ−Ｌ、ＥＳ側にＷＳ−Ｒという状態にもどる。（図１の状態）
ＭＳ側では、ウェハ搬出を行ない、搬送系WFに対しＷＭ(１)を渡す。（ＳＭ０１０）
ＭＳ側では、引き続き次のウェハＷＭ(３)に対してＳＭ０１１，ＳＭ０１２，ＳＭ０１３，ＳＭ０１４が行なわれるが、それぞれＳＭ００１，ＳＭ００２，ＳＭ００４，ＳＭ００５と同じ処理である為、説明は省略する。
同様にＥＳ側でもウェハＷＭ(２)に対してＳＥ００５，ＳＥ００６，ＳＥ００７を行なうが、これもＳＥ００２，ＳＥ００３，ＳＥ００４と同じ処理である為、説明を省略する。
ＣＵは、ＭＳ側に最終ウェハが入ったかどうかを確認し（ＳＳ００３）、最終ウェハが搬入されるまで各ウェハに対してＳＳ００２からＳＳ００３の動き（ＳＭ０１０〜ＳＭ０１４及びＳＥ００５〜ＳＥ００７）を行なう。
ＭＳ側に最終ウェハが入ってきた後は、ステージスワップにすすむ（ＳＳ００４）
すると、ＭＳ側処理はウェハ搬送だけとなる。(ＳＭ０１５)
ＭＳ側では、ＳＥ００８，ＳＥ００９，ＳＥ０１０を行なう。
ＳＥ００８，ＳＥ００９，ＳＥ０１０の処理もＳＥ００２，ＳＥ００３，ＳＥ００４と同じ処理である為、説明は省略する。
ＳＳ００５であるステージスワップ後、最後のウェハを搬出したら（ＳＭ０１６）シーケンスは終了となる。（ＳＳ００６）
【特許文献１】特開平５−６２８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、高精度ステージを２つ設けたＴｏｗＷａｆｅｒＳｔａｇｅ構成の露光装置の場合、２つのステージが正常に動かなければ露光処理を行なうことができない。
半導体基板の要求精度からナノ単位以下での制御が必要とされ、両方のステージを調整するための微調整には数日かかる場合も発生してきている。
生産性の向上が求められる昨今、１つのステージでも生産に使用できる状態（微調整完了）にできるなら、そのステージを使用して少しでも先に生産を行なっておく。
その後、量産に耐えうるように２つのステージを使用したい、というニーズが強くなってきている。
つまり、ステージが片方だけでも正常に動き、もう片方も、精度は出せないが動作だけなら可能という状態であれば、正常に動くステージだけでも用いて生産を行ないたいニーズが強くなっている。
しかしながら、従来の露光装置は、両方のステージが正常に動かないかぎり露光装置として使用することができない。
また、２つのステージを用いて露光装置の稼動中に、片方のステージが正常に動けなくなった場合、従来の露光装置は停止してしまう。
露光装置稼動中に、ステージが正常に動かなくなったとしても「精度は出せないが、動作だけなら可能」という状態であれば、片方のステージだけを使って生産を続けたほうが生産計画に対するダメージは少ない。
ところが、露光装置稼動中に、ステージが正常に動かなくなったとしても「精度は出せないが、動作だけなら可能」という状態であっても従来の露光装置はシーケンスが止まってしまう。
このため、片方のステージが正常に動けない状態であっても、もう片方のステージだけを用いて露光装置を動かすことによって、生産に対するダメージを最小限にする必要がある。
そこで、本発明は、複数のステージを有する露光装置を用いて基板を露光する場合に、あるステージが正常に動けない状態であっても、他のステージのみを用いて露光装置を稼動し、生産性の低下を低減する露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための本発明の露光方法は、複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況に応じて、前記複数のステージの内の少なくとも１つのステージは用いず、他のステージを用いて露光することを特徴とする。
さらに、本発明の露光方法は、複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法であって、前記露光装置の稼動中に前記複数のステージのいずれかが破損し、または、精度が劣化した場合、露光シーケンスを止めずに、前記複数のステージの内、破損も精度劣化もしていないステージを用いて露光を行ない続けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況に応じて、前記複数のステージの内の少なくとも１つのステージは用いず、他のステージを用いて露光する。
このため、１つのステージが正常に動けない状態であっても、他のステージのみを用いて露光装置を稼動し、生産性の低下を低減する。
さらに、本発明によれば、露光装置の稼動中に複数のステージのいずれかが破損し、または、精度が劣化した場合、露光シーケンスを止めずに、前記複数のステージの内、破損も精度劣化もしていないステージを用いて露光を行ない続ける。
このため、あるステージが正常に動けない状態であっても、破損も精度劣化もしていないステージのみを用いて露光装置を稼動し、生産性の低下を低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施例の露光装置は、露光に先立つ事前計測を行なうステーション(ＭｅｔｒｏｌｏｇｙＳｔａｔｉｏｎ: ＭＳ)と露光を専用に行なうステーション(ＥｘｐｏｓｕｒｅＳｔａｔｉｏｎ: ＥＳ)を設ける。
さらに、それぞれのステーションを自由に行き来できる高精度ステージを２つ設けたＴｗｏＷａｆｅｒＳｔａｇｅ構成である。
ここで、本発明の実施例の露光方法は、複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法である。
さらに、前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況に応じて、前記複数のステージの内の少なくとも１つのステージは用いず、他のステージを用いて露光する。
次に、前記露光方法は、以下のステップを有する。
前記複数のステージのそれぞれの破損状況または精度の劣化状況を診断するステップと、前記複数のステージの内、破損し、または、精度が劣化したステージと、破損していない、または、精度が劣化していないステージとを判断するステップと、を有する。
さらに、全ての前記複数のステージを用いて前記露光装置を稼動するか、前記破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを用いて前記露光装置を稼動するか、を選択するステップを有する。
さらに、前記破損していない、または、精度劣化していないステージのみでシーケンスを流すステップを有する。
【００１４】
次に、前記露光装置のオペレータの入力情報を基に、前記破損し、または、精度劣化したステージを特定することが好適である。
次に、最終の前記ステップ後の目標位置に対する位置偏差を基に、全ての前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況を診断することが好適である。
次に、外部からの情報を基に、全ての前記複数のステージの内、前記破損し、または、精度が劣化したステージを特定することが好適である。
ここで、前記外部からの情報は、ホストからの情報またはコータデベロッパからの情報である。
次に、前記破損し、または、精度が劣化したステージを、前記露光処理以外の処理に使用しながらシーケンスを流すステップを有することが好適である。
ここで、前記露光処理以外の処理は、前記複数のステージに設けられているセンサによる計測処理である。
ここで、前記露光処理以外の処理が必要かどうかを、前記複数のステージに設けられているセンサによる情報から判断する。
【００１５】
次に、本発明の他の実施例の露光方法は、複数のステージを有する露光装置を用いて複数の基板を露光する露光方法である。
さらに、前記露光装置の稼動中に前記複数のステージのいずれかが破損し、または、精度が劣化した場合、露光シーケンスを止めずに、前記複数のステージの内、破損も精度劣化もしていないステージを用いて露光を行ない続ける。
次に、前記露光方法は、以下のステップを有する。
前記露光装置の稼動中に全ての前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況を判断するステップと、前記破損状況または精度の劣化状況の判断によって使用するステージを決定するステップと、を有する。
さらに、全ての前記複数のステージを使用したシーケンスを、前記決定したステージを使用するシーケンスに切り替えるステップを有する。
次に、前記露光方法は、前記露光装置の稼動中に、前記複数のステージの内、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化したことを、露光シーケンス中の第１のタイミングで受取る。
さらに、第２のタイミングで前記複数のステージの内、破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスを流すことが好適である。
次に、前記露光方法は、前記露光装置の稼動中に、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化したことは、前記露光シーケンス中のいつでも受取ることができる。
さらに、所定のタイミングで前記複数のステージの内、破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスを流すことが好適である。
次に、前記露光方法は、前記露光装置の稼動中に、いずれかのステージが破損し、または、精度が劣化した場合に関するものである。
ここで、前記露光シーケンス中の所定のタイミングで、前記破損していない、または、精度が劣化していないステージのみを使用したシーケンスに切り替えることが好適である。
さらに、前記複数のステージの破損状況または精度の劣化状況は、外部からの情報を基に判断を行なう。
ここで、前記外部からの情報は、ホストからの情報あるいはコータデベロッパからの情報である。
さらに、前記複数のステージの内、前記破損し、または、精度が劣化したステージは、露光処理以外の処理に使用しながらシーケンスを流すステップを有することが好適である。
ここで、前記露光処理以外の処理は、前記複数のステージに設けられているセンサによる計測処理である。
ここで、前記露光処理以外の処理が必要かどうかを、前記複数のステージに設けられているセンサによる情報から判断する。
【実施例１】
【００１６】
図１を参照して、本発明の実施例１に係るＴｗｏＷａｆｅｒＳｔａｇｅ構成の露光装置の構成を説明する。
図３、図４、図５、図６は、図１の装置における工程の流れを示すフローチャートである。
まず、フローがスタートする(ＳＡ００１)と、制御機構ＣＵは、ステージＷＳ−Ｌ/ＷＳ−Ｒに対し、診断処理を行ない(ＳＡ００２)、ステージの破損または精度劣化状態を確認する。
本実施例としては、オペレータが入力分ＯＰから、図６のような入力画面を用いて予めステージＲが使用不可能なことを入力し、ＣＵ内にステージ破損または精度劣化状態を保存しておき、ＣＵ内の情報を基に診断を行なう。
ここで、図６のような入力画面は一例であって他の入力手段画面を使用してもよい。
また、実施例１では、ステージＲが使用不可能なことを、オペレータが予めＯＰから入力することを前提にしている。
しかし、ＣＵ内に破損または精度劣化状態が保存されていなかったとしても、ステージを微小駆動させるなどして、その結果の特性などからＣＵ内で自己判断してもよい。
さて、診断処理を行ない(ＳＡ００２)、ステージの調子が一方だけ破損・精度劣化したかどうかを判断し(ＳＡ００３)、ＬＲ共に結果が所定以下で無い場合は、ＬＲを使ってシーケンスを流す。(ＳＡ００７)
ＳＡ００７の場合、図２で説明したフローとまったく同一になるので説明を省略する。
ステージの一方だけ破損・精度劣化したかどうかを判断した結果(ＳＡ００３)、一方だけが問題であり、そのステージがＲであった場合（ＳＡ００４）、Ｌだけを使ってシーケンスを流すフローとなる（ＳＡ００５）
また、ステージの一方だけ破損・精度劣化したかどうかを判断した結果（ＳＡ００３）、
一方だけ所定以下で、そのステージがＲで無かった場合（ＳＡ００４）、Ｒだけを使ってシーケンスを流すフローとなる（ＳＡ００６）
【００１７】
ここで、図４を用いて、Ｌを使ってシーケンスを流すフロー（ＳＡ００５）についてＭＳフローから説明する。
不図示のコータから搬送系ＷＦによって、ウェハＷＭ１は、ＭＳ上のステージＷＳ−Ｌへ搭載される（ＳＡＭ００１）。
次に、リセットや装置立ち上げで干渉計が切断された場合、ステージ位置が不定とならないようにするため、ＭＳ側でのＯＡを用いたステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為を行なう。（ＳＡＭ００２）
ＯＡは、常に固定された位置にあるので、ウェハＷＦ（１）上のマークを観察位置に移動するのは、ステージのみを駆動する。
ウェハステージＷＳ−Ｌ載せられたウェハは、ＯＡによって不図示のウェハ上マーク(２ショット)が計られ、これにもとづいてステージを移動させることにより、ウェハの粗位置あわせ（プリアライメント）が行なわれる。（ＳＡＭ００３）
ウェハライメントのためのマーク（不図示）観察は、できるだけ検査ウェハへのダメージを小さくするために、非露光光を用いて行なう。ここでは、ＯＡで前記不図示のマークを観察する。
グローバルアライメント方式(ＡＧＡ)で定められた全てのショットの計測マークについてステージを移動し、計測を行ない、最後のマークを計測したら、全ショットの計測値を用いてステージステップ移動補正量が算出される。（ＳＡＭ００４）
更に、Ｆ１/Ｆ２を用いて、予めウェハＷＭ（１）のウェハ表面の形状を計測しておく。（ＳＡＭ００５）
【００１８】
一方、ＥＳ側では、前記ウェハＷＭ（１）上に焼き付けられるレチクルＲＥＴは、レチクルチェンジャＲＣに搭載されているレチクルチェンジャ−ロボット（不図示）によってプリアライメントステージＰＲＡに運ばれる。
プリアライメントステージに置かれたレチクルＲＥＴは、レチクルアライメントユニットＲＡによってレチクルステージＲＳ上に置かれる（ＳＡＥ００１）
ステージスワップ（ＳＡＳ００１）が発生すると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、図２の例では  ＷＳ−ＬがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＲがＭＳ側へする。（ＳＡＳ００１）
この際、ＷＳ−Ｒは、ＷＳ−Ｌの邪魔にならないように移動しながらステージ交換が行なわれることになる。
ＥＳ側では、レチクルＲＥＴを通してＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２を観察することで、ＥＳ側ステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為が行なわれる。（ＳＡＥ００２）
ステージＷＳ−Ｌを駆動し、ＵＬ下にセンサＭＳを配置させ、ＬＡからのレーザ光に対してＭＳ/ＦＳ比率を求める。
制御装置ＣＵは、レーザ出力制御装置ＥＩに電圧値とレーザ発光指令信号を出力する際に、ＭＳ/ＦＳを考慮できるようにする。（ＳＡＥ００３）
上記条件が整ったところで、露光を行なう。（ＳＡＥ００４）
露光の際には、前記ＳＡＭ００４で求めたグローバルアライメント結果を反映する。
また、前記ＳＡＭ００５で求めたウェハ形状計測結果も反映する。
ＳＡＥ００４によって、レチクルＲＥＴに照射された露光光源の光は、ＵＬを通して１／４に縮小され、ウェハＷＥ（１）の上に塗布されているレジストを感光し重ね焼き露光が行なわれる。
【００１９】
一方、ＭＳ側では、ＥＳ側でＳＡＥ００２，ＳＡＥ００３，ＳＡＥ００４を行なっている間には、何も処理を行なわない。
ＥＳ側でＳＡＥ００４が終了すると、ＭＳのステージとＥＳのステージを交換するステージスワップが発生する。（ＳＡＳ００２）
ＷＳ−Ｒは、ＷＳ−Ｌの邪魔にならないように移動することになる。
ステージスワップすると、ＭＳ側にＷＳ−Ｌ、ＥＳ側にＷＳ−Ｒという状態にもどるが、ＷＳ−Ｒの上にはウェハがない。
ＭＳ側では、ウェハ搬出を行なう。（ＳＡＭ００６）
ＣＵは、ＭＳ側に最終ウェハを搬出したかどうかを確認し（ＳＡＳ００３）、最終ウェハが搬出されるまで各ウェハに対してＳＡＭ００１〜ＳＡＭ００６，ＳＡＳ００１〜ＳＡＳ００３，ＳＡＥ００２〜ＳＡＥ００４を行なう。
最後のウェハを搬出したら（ＳＡＳ００３）シーケンスは終了となる。（ＳＡＳ００４）
【００２０】
次に、図５を参照し、Ｒを使ってシーケンスを流すフロー（ＳＡ００６）について説明する。
まず、ＭＳフローから説明する。
ステージスワップ（ＳＢＳ００１）を行ない、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換する。
図５の例では  図１におけるＷＳ−ＬがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＲがＭＳ側へする。
この際、ＷＳ−Ｌは、ＷＳ−Ｒの邪魔にならないように移動しながらステージ交換が行なわれることになる。
不図示のコータから搬送系ＷＦによって、ウェハＷＭ（１）は、ＭＳ上のステージＷＳ-Ｒへ搭載される。（ＳＢＭ００１）
次に、リセットや装置立ち上げで干渉計が切断された場合、ステージ位置が不定とならないようにするため、ＭＳ側でのＯＡを用いたステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為を行なう。（ＳＢＭ００２）
ＯＡは、常に固定された位置にあるので、ウェハＷＭ（１）上のマークを観察位置に移動するのは、ステージのみを駆動する。
ウェハステージＷＳ−Ｒに載せられたウェハは、ＯＡによって不図示のウェハ上マーク(２ショット)が計られ、これにもとづいてステージを移動させることにより、ウェハの粗位置あわせ（プリアライメント）が行なわれる。（ＳＢＭ００３）
ウェハライメントのためのマーク（不図示）観察は、できるだけ検査ウェハへのダメージを小さくするために、非露光光を用いて行なう。
ここでは、ＯＡで前記不図示のマークを観察する。
グローバルアライメント方式(ＡＧＡ)で定められた全てのショットの計測マークについてステージを移動し、計測を行ない、最後のマークを計測したら、全ショットの計測値を用いてステージステップ移動補正量が算出される。（ＳＢＭ００４）
更に、Ｆ１/Ｆ２を用いて、予めウェハＷＭ（１）のウェハ表面の形状を計測しておく。（ＳＢＭ００５）
【００２１】
一方、ＥＳ側では、前記ウェハＷＭ（１）上に焼き付けられるレチクルＲＥＴは、レチクルチェンジャＲＣに搭載されているレチクルチェンジャ−ロボット（不図示）によってプリアライメントステージＰＲＡに運ばれる。
プリアライメントステージに置かれたレチクルＲＥＴは、レチクルアライメントユニットＲＡによってレチクルステージＲＳ上に置かれる。（ＳＢＥ００１）
ステージスワップ（ＳＢＳ００２）が発生すると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、図５の例では  ＷＳ−ＲがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＬがＭＳ側へする。（ＳＢＳ００２）
この際、ＷＳ−Ｌは、ＷＳ−Ｒの邪魔にならないように移動しながらステージ交換が行なわれることになる。
ＥＳ側では、レチクルＲＥＴを通してＬＳ−Ｌ１/ＬＳ−Ｌ２を観察することで、ＥＳ側ステージ精密原点出しであるＭＳステージ補正という行為が行なわれる。（ＳＢＥ００２）
ステージＷＳ−Ｌを駆動し、ＵＬ下にセンサＭＳを配置させ、ＬＡからのレーザ光に対してＭＳ/ＦＳ比率を求める。
制御装置ＣＵは、レーザ出力制御装置ＥＩに電圧値とレーザ発光指令信号を出力する際に、ＭＳ/ＦＳを考慮できるようにする。（ＳＢＥ００３）
上記条件が整ったところで、露光を行なう。（ＳＢＥ００４）
露光の際には、前記ＳＢＭ００４で求めたグローバルアライメント結果を反映する。
また、前記ＳＢＭ００５で求めたウェハ形状計測結果も反映する。
ＳＢＥ００４によって、レチクルＲＥＴに照射された露光光源の光は、ＵＬを通して１／４に縮小され、ウェハＷＭ（１）の上に塗布されているレジストを感光し重ね焼き露光が行なわれる。
【００２２】
一方、ＭＳ側では、ＥＳ側でＳＢＥ００２，ＳＢＥ００３，ＳＢＥ００４を行なっている間には、何も処理を行なわない。
ＥＳ側でＳＢＥ００４が終了すると、ＭＳのステージとＥＳのステージを交換するステージスワップが発生する。（ＳＢＳ００３）
ＷＳ−Ｌは、ＷＳ−Ｒの邪魔にならないように移動することになる。
ステージスワップすると、ＭＳ側にＷＳ−Ｒ、ＥＳ側にＷＳ−Ｌという状態になるが、ＷＳ-Ｌの上にはウェハがない。
ＭＳ側では、ウェハ搬出を行ない、搬送系WFに対しウェハＷＭ（２）を渡す。（ＳＢＭ００６）
ＣＵは、ＭＳ側に最終ウェハを搬出したかどうかを確認し（ＳＢＳ００４）、最終ウェハが搬出されるまで各ウェハに対してＳＢＭ００１〜ＳＢＭ００６，
ＳＢＳ００２〜ＳＢＳ００４， ＳＢＥ００２〜ＳＢＥ００４を行なう。
最後のウェハを搬出したら（ＳＢＳ００４）シーケンスは終了となる。（ＳＢＳ００５）
【実施例２】
【００２３】
次に、図３（ｂ）、図７、図８を参照して、本発明の実施例２を説明する。
本実施例２は、図３（ｂ）に記載してあるように、フローがスタートする（ＳＢ００１）と、使用するステージを切り替えてシーケンスを流す処理を行なう。（ＳＢ００２）
ＬＲのステージを使っている途中で、片方のステージだけを使用したシーケンスに切り替えるものである。
更に、ＳＢ００２の詳細について、図７、図８を用いて説明を行なう。
まず、図７を用いて説明する。
図７においてＳＭＭ００１〜ＳＭＭ００９、ＳＳＳ００１，ＳＥＥ００１〜ＳＥＥ００４の処理フローは、図２におけるＳＭ００１〜ＳＭ００９、ＳＳ００１，ＳＥ００１〜ＳＥ００４と同様なので省略する。
上記ＳＭＭ００１〜ＳＭＭ００９、ＳＳＳ００１，ＳＥＥ００１〜ＳＥＥ００４終了後、ＣＵはステージＲが破損または精度劣化したかどうかを判断する。（ＳＳＳ００２）
本実施例は、ステージが破損し、または、精度が劣化したかどうかを判断する手段を有する。
この判断する手段としては、ＳＭＭ００１〜ＳＭＭ００９、ＳＳＳ００１，ＳＥＥ００１〜ＳＥＥ００４のステージ駆動の中でステージのステップ後の目標位置に対する実際の位置偏差で判断を行なうものとする。
上記差分が特定のトレランスに入らなかった場合は、ステージはＣＵに対し破損または精度劣化したことを伝え、ＣＵは破損または精度劣化したステージをＬＲ別に記録に蓄えておく。
【００２４】
ＣＵはステージが破損または精度劣化したかどうかの判断を記録した情報を基に、どちらかのステージが破損または精度劣化したかどうかを判別する。（ＳＳＳ００２）
本実施例で用いた「前記ステージが破損または精度が劣化したかどうかを判断する手段」は、本発明を制限するものではない。
ステージのステップ以外にもステージのスキャン同期精度を利用するような自己判断手段も考えられる。
また、露光装置自身の自己判断以外の例としては、装置ログから露光装置外部のＰＣでステージの様子を前記焼き結果と比較分析する。
さらに、この分析結果から判断した結果をＣＵへ伝え、その結果を基にどちらのステージが破損し、または、精度が劣化したかどうかを判別する場合もある。
露光装置外部の情報をＣＵに伝える手段としては、例えば、ホストからオンラインを利用し、コータデベロッパからＬｉｎｋｅｄＬｉｔｈｏを利用する等により実現することができる。
ＳＳＳ００２のタイミングでは、前記手段を用いて「ステージが破損または精度劣化したか」を判別する。
ステージが破損または精度劣化したかどうかを判断し（ＳＳＳ００２）、破損または精度劣化したのがステージＲだった場合（ＳＳＳ０００３）は、ステージLのみのシーケンスにすすむ。（ＳＳＳ００４）
ここで、本実施例では、ＳＭＭ００１〜ＳＭＭ００９、ＳＳＳ００１，ＳＥＥ００１〜ＳＥＥ００４で発生した情報の記録をＳＳＳ００２のタイミングでのみＣＵに記録するように記載したが、ＣＵにおける情報の記録はいつやってもかまわない。
例えば、図２のフローをそのまま使用した場合は、図２のフロー中すべてのタイミングでステージが破損または精度劣化した情報を記憶して良い。
ステージが破損または精度劣化した場合の「１ステージのみのシーケンス切換」タイミングも、任意のタイミングで行なってかまわない。
ＳＳＳ００３で、破損または精度劣化したステージがＲではなかった場合は、ステージのみのシーケンスであるＳＳＳ００５へすすむ。
ステージＬＲのシーケンス（ＳＳＳ００６）のフローに入った場合は、図７のフローが図２のフローと同一フローになるので、ここでは省略する。
【００２５】
次に、ステージＬのみのシーケンスであるＳＳＳ００３について、図８を用いて説明する。
ステージスワップ（ＳＬＳ００１）が発生すると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、図８の例では  ＷＳ−ＲがＥＳ側へ移動し、ＷＳ-ＬがＭＳ側へする。（ＳＬＳ００１）
ＷＳ−Ｒは、ＷＳ−Ｌの邪魔にならないように駆動を行なう。
ＷＳ−Ｌは、ＳＬＭ００１〜ＳＬＭ００５へと処理をすすめる。
ＳＬＭ００１〜ＳＬＭ００５は、図２におけるＳＭ０１０〜ＳＭ０１４と同様なので説明は省略する。
ＥＳ側には破損または精度劣化したステージであるＷＳ−Ｒがあるので、ＥＳ側では  なにも処理を行なわないものとする。
ＭＳ側でＳＬＭ００５が終了すると、ＭＳのステージとＥＳのステージを交換するステージスワップが発生する。（ＳＬＳ００２）
ステージスワップすると、ＭＳ側にＷＳ−Ｒ、ＥＳ側にＷＳ−Ｌという状態になる。
ＷＳ−Ｌは、ＳＬＥ００１〜ＳＬＥ００３へと処理をすすめる。
ＳＬＥ００１〜ＳＬＥ００３は、図２におけるＳＥ００２〜ＳＥ００４と同様なので説明は省略する。
一方、ＭＳ側にいるＷＳ-Ｒは露光できなかったウェハを搬出する。（ＳＬＭ００６）
再び、ステージスワップする（ＳＬＳ００３）と、ＭＳ側にＷＳ−Ｌ、ＥＳ側にＷＳ−Ｒという状態になる。
ＣＵは、最終ウェハの処理が終わったかどうかを確認し（ＳＬＳ００４）、最終ウェハが処理終わるまで各ウェハに対してＳＬＭ００１〜ＳＬＭ００５，ＳＬＳ００２〜ＳＬＳ００３，ＳＬＥ００１〜ＳＡＥ００３を行なう。  
それぞれ、図２における対応する処理と同様である為、説明を省略する。
最後のウェハの処理が完了し（ＳＬＳ００４）、ウェハを搬出して（ＳＬＭ００７）シーケンスは終了となる。（ＳＬＳ００５）
【００２６】
最後に、ステージＲのみのシーケンスであるＳＳＳ００５について、図９を用いて説明する。
ステージスワップ（ＳＲＳ００１）が発生すると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、図９の実施例では、ＷＳ−ＲがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＬがＭＳ側へする。  
（ＳＳＲ００１）ＷＳ−Ｌは、ＷＳ−Ｒの邪魔にならないように駆動を行なう。
ＭＳ側は、ＷＳ−Ｌを用いてウェハ搬出を行なう。（ＳＲＭ００１）
ＳＲＭ００２〜ＳＲＭ００６は、図２におけるＳＭ０１０〜ＳＭ０１４と同様なので説明は省略する。
一方、ＥＳ側は、ＷＳ−Ｒを用いてＳＲＥ００１〜ＳＲＥ００３を行なう。
ＳＲＥ００１〜ＳＲＥ００３は、図２におけるＳＥ００５〜ＳＥ００７と同様なので説明は省略する。
ＭＳとＥＳの処理が終わると、ステージスワップが発生し、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、ＷＳ−ＬがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＲがＭＳ側へ移動する。（ＳＲＳ００２）
ＭＳ側は、ＳＲＭ００２〜ＳＲ００６へと処理をすすめる。
ＳＲＭ００２〜ＳＲ００６は、図２におけるＳＭ０１０〜ＳＭ０１４と同様なので説明は省略する。
ここで、ＥＳ側には破損または精度劣化したステージであるＷＳ−Ｌがある。ＷＳ−Ｌは、先に従来技術で説明したＭＳを構成している。
従来技術で述べたように、制御装置ＣＵは、ＭＳとＦＳの出力結果比率ＭＳ/ＦＳやＳＳとＦＳの出力結果比率ＳＳ/ＦＳを用いることで、よりウェハ面上のエネルギーに近い形で、レーザ出力制御装置ＥＩに電圧値とレーザ発光指令信号を出力する。
よって、ＭＳの出力結果だけは必要になるので、ＥＳ側では、ＭＳを用いた透過率計測を行なう。（ＳＲＥ００４）
ＳＲＥ００４が必要かどうかは、破損または精度劣化したステージがどちらであるかによって、ＣＵが自動で判断する。
ＭＳとＥＳの処理が終わると、ＭＳのステージとＥＳのステージを交換するステージスワップが発生する。（ＳＲＳ００３）
ステージスワップすると、ＭＳのステージとＥＳのステージが交換され、ＷＳ-ＲがＥＳ側へ移動し、ＷＳ−ＬがＭＳ側へ移動する。
ＭＳ側にいるＷＳ−Ｌは、処理をなにもしない。
【００２７】
一方、ＥＳ側にいるＷＳ−Ｒは、ＳＲＥ００５〜ＳＲＥ００７を行なう。
ＳＲＥ００５〜ＳＲＥ００７は、図２におけるＳＥ００５〜ＳＥ００７と同様なので説明は省略する。
最終ウェハであるかを確認し（ＳＲＳ００４）、最終ウェハでなければＳＲＳ００２からのフローを繰り返す。
最後のウェハの処理が完了したら（ＳＲＳ００４）、ウェハを搬出して（ＳＲＭ００７）シーケンスは終了する。（ＳＲＳ００５）
上記発明を実施するための最良の形態では、２つのステージを構成した露光装置を用いたが、２つ以上の複数ステージを構成している露光装置に対し、本発明を適用しても良い。
その場合、破損または精度劣化してないステージだけを用いて露光装置を動かすシーケンスとなる。
【００２８】
次に、図１０及び図１１を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図１０は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００２９】
図１１は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１（ａ）は、本発明に係る露光装置の概念図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるウェハステージの状態を、上から見た図である。
【図２】従来例を説明するフローチャートである。
【図３】図３（ａ）は、本発明の実施例１に係る処理を説明するフローチャートで、図３（ｂ）は、本発明の実施例２に係る処理を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の実施例１に係る処理の中で、露光シーケンスを説明するフローチャートであり、特にＬ側のステージのみを使用して露光シーケンスを処理するフローチャートである。
【図５】本発明の実施例１に係る処理の中で、露光シーケンスを説明するフローチャートであり、特にＲ側のステージのみを使用して露光シーケンスを処理するフローチャートである。
【図６】オペレータが、ステージの使用状態を入力する画面イメージ例である。
【図７】本発明の実施例２に係る処理を説明するフローチャートで、特にステージＬＲ同時に処理を行なう部分のフローチャートである。
【図８】本発明の実施例２に係る処理を説明するフローチャートで、特にステージＬのみで処理を行なう部分のフローチャートである。
【図９】本発明の実施例２に係る処理を説明するフローチャートで、特にステージＲのみで処理を行なう部分のフローチャートである。
【図１０】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００３１】
ＬＡ  パルスレーザ光源
ＩＬ  照明光学系
ＲＥＴ  レチクル
ＩＬ  照明光学系
ＵＬ  縮小投影レンズ
ＨＭ  ハーフミラー
ＦＳ  フォトセンサ
ＣＵ  制御装置
ＷＳ−Ｌ、ＷＳ−Ｒ  ステージ
ＭＳ、ＥＳ  ステーション
【図１】
2009026910.tif 000003
【図２】
2009026910.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009026910.tif 000008
【図７】
2009026910.tif 000009
【図８】
2009026910.tif 000010
【図９】
2009026910.tif 000011
【図１０】
2009026910.tif 000012
【図１１】
2009026910.tif 000013