(57)【要約】【課題】光硬化性樹脂層の厚さと面積を調整可能なチップの積層方法を提供する。【解決手段】基板２０の頂面に配置された第一チップ１０と基板２０とをワイヤボンディングによって電気的に接続する段階と、第一チップ１０の頂面に光硬化性樹脂層３０を形成する段階と、露光処理によって光硬化性樹脂層３０を固化させる段階と、光硬化性樹脂層３０を加熱して固体から半固体に変化させる段階と、第二チップ４０を光硬化性樹脂層３０の頂面に配置し、光硬化性樹脂層３０を加熱して半固体から固体に変化させ、第二チップ４０と基板２０とをワイヤボンディングによって電気的に接続する段階とを含む。このような方法によると、チップの規格と配線の需要に応じて光硬化性樹脂層の厚さと面積の大きさを調整することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一チップを基板の頂面に配置し、ワイヤボンディング法によって前記第一チップと前記基板とを電気的に接続するステップａと、
前記第一チップの頂面に光硬化性樹脂層を形成するステップｂと、
露光処理によって膠状の前記光硬化性樹脂層を固化させ、その固化の程度は７０％から８０％であるステップｃと、
前記光硬化性樹脂層を加熱することにより軟化させて固体から半固体に変化させ、粘性を生じさせ、その加熱温度は５０℃から８０℃の間であるステップｄと、
第二チップを前記光硬化性樹脂層の頂面に配置し、前記光硬化性樹脂層を加熱することにより半固体から固体に変化させ、そののち完全に固化させ、その加熱温度は１００℃から１５０℃の間であり、続いて、ワイヤボンディング法によって前記第二チップと前記基板とを電気的に接続するステップｅと、
を含むことを特徴とするチップの積層方法。
【請求項２】
前記ステップａにおいて、前記基板は硬性プリント回路板、セラミックス基板、またはリードフレームのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のチップの積層方法。
【請求項３】
前記ステップｄにおいて、前記光硬化性樹脂層を固体から半固体に変化させる加熱温度は、７５℃であることを特徴とする請求項１に記載のチップの積層方法。
【請求項４】
前記ステップｅにおいて、前記光硬化性樹脂層を半固体から固体に変化させる加熱温度は、１２０℃であることを特徴とする請求項１に記載のチップの積層方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップの積層方法に関し、特に光硬化性樹脂によるチップの積層方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１による「マルチチップモジュールの積層構造（Multichip module having stacked chip arrangement）は、互いに重なり合って上下が隣り合う二つのチップの間を一つのモジュールで仕切ることによってチップの間に収容空間が形成されることを開示している。これにより、チップを電気的に接続する多数の金線を収容空間の中に配置することができ、チップを積層する目的を達成することができる。
【０００３】
しかしながら、特許文献１におけるモジュールは、チップを積層する作業に用いられるため、予め所期の規格に従って製作する必要がある。すなわち、前記モジュールは、製作された後に適用することができる規格が限定されてしまうのである。規格が異なるチップを積層する場合、規格が異なるモジュールを用意しなければならない。従って、前記モジュールは適用性が低いという欠点を抱える。このように従来の積層方法は、上述の欠点を抱えるため、改善の余地がある。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５３２３０６０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、チップの規格に応じて光硬化性樹脂層の厚さと面積を調整可能な、チップの積層方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するために、本発明によるチップの積層方法は、次のステップを含む。
ステップａは、第一チップを基板の頂面に配置し、かつワイヤボンディング法によって第一チップと基板とを電気的に接続する。
ステップｂは、第一チップの頂面に光硬化性樹脂層を形成することにより第一チップの頂面に光硬化性樹脂層を被せる。
ステップｃは、露光処理によって光硬化性樹脂層を固化させることにより膠状の光硬化性樹脂層を固体に変化させる。光硬化性樹脂層の固化程度は、７０％から８０％である。
【０００７】
ステップｄは、光硬化性樹脂層を加熱することにより光硬化性樹脂層を軟化させ、固体から半固体に変化させ、粘性を生じさせる。加熱温度は、５０℃から８０℃の間である。
ステップｅは、第二チップを光硬化性樹脂層の頂面に配置し、そののち光硬化性樹脂層を加熱することにより半固体の光硬化性樹脂層を固体に変化させ、そして完全に固化させる。加熱温度は、１００℃から１５０℃の間である。最後にワイヤボンディング法によって第二チップと基板とを電気的に接続する。
【０００８】
本発明によるチップの積層方法は、上述したステップによってチップの規格と配線の需要に応じて、光硬化性樹脂層の厚さと面積の大きさを調整することができる。さらに予めチップを規格に応じて製作しなければならないという従来の問題を克服することができるため、汎用性が高いという特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（一実施形態）
図１から図５に示すように、本発明の一実施形態によるチップの積層方法は、次のステップを含む。
【００１０】
ステップａは、図２に示すように、第一チップ１０を基板２０の頂面に配置し、かつ複数の金線１２によってワイヤボンディング法で第一チップ１０と基板２０とを電気的に接続する。基板２０は、硬性プリント回路板、セラミックス基板、またはリードフレームなどのいずれか一つである。本実施形態では、基板２０はセラミックス基板を使用する。
【００１１】
ステップｂは、図３に示すように、第一チップ１０の頂面に光硬化性樹脂層３０を形成し、第一チップの頂面１０に光硬化性樹脂層３０を被せる。
ステップｃは、図４に示すように、露光処理によって膠状の光硬化性樹脂層３０を固化させる。光硬化性樹脂層３０の固化の程度は７０％から８０％である。本実施形態では、例として、光硬化性樹脂層３０の固化の程度を７５％としているが、これは説明のための一例に過ぎない。したがって要件を制限するものではない。
【００１２】
ステップｄは、光硬化性樹脂層３０を加熱することにより光硬化性樹脂層３０を軟化させ、固体から半固体に変化させ、粘性を生じさせる。その加熱温度は５０℃から８０℃の間であり、特に７５℃であることが好ましい。本実施形態では、例として、光硬化性樹脂層３０の加熱温度を７５℃としている。
【００１３】
ステップｅは、図５に示すように、第二チップ４０を光硬化性樹脂層３０の頂面に配置し、そののち光硬化性樹脂層３０を加熱することにより半固体の光硬化性樹脂層３０を固体に変化させ、そして完全に固化させる。その加熱温度は１００℃から１５０℃の間であり、特に１２０℃であることが好ましい。本実施形態では、例として、光硬化性樹脂層３０の加熱温度を１２０℃としている。
最後に光硬化性樹脂層３０が完全に固化して第二チップ４０に固着されたのち、複数の金線４２によってワイヤボンディング法で第二チップ４０と基板２０とを電気的に接続する。これにより、第一チップ１０と第二チップ４０を積層することができる。
【００１４】
本実施形態によるチップの積層方法は、上述したステップによって第一チップ１０と第二チップ４０の規格と配線の需要に応じて光硬化性樹脂層３０の厚さと面積の大きさを調整することができる。さらに、予めモジュールを製作しなければならずモジュールを規格に応じなければならないという従来の問題を解決することができるため、汎用性が高いという特徴を有する。
【００１５】
（他の実施形態）
前述の一実施形態において、第二チップ４０の上にさらに第三チップ（図中未表示）を重ねる必要がある場合、第二チップ４０にステップｂからステップｅまでの工程を繰り返すことにより、三つのチップを積層することができる。
【００１６】
以上の本発明の実施形態により開示された方法は説明のための一例に過ぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。従って、効果が同等な変更は本発明の特許請求の範囲に属すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態によるチップの積層方法を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施形態によるチップの積層方法において、基板と第一チップの構成を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態によるチップの積層方法において、光硬化層を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施形態によるチップの積層方法において、光硬化層の露光処理を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態によるチップの積層方法において、第二チップの構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０：第一チップ、１２：金線、２０：基板、３０：光硬化性樹脂層、４０：第二チップ、４２：金線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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