(57)【要約】【課題】発光層に燐光発光材料を含有する「燐光発光材料を用いた有機電界発光素子」の、発光効率および耐久性を向上させることを目的とする。【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む機能層を挟持してなる有機電界発光素子であって、前記発光層は燐光発光材料を含有し、前記機能層のいずれかの層は、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有する、有機電界発光素子。【化１】2009170813.tif 000040【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む機能層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
前記発光層は燐光発光材料を含有し、
前記機能層のいずれかの層は、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有する、有機電界発光素子。
【化１】
2009170813.tif 000039
［式（１）において、
Ａｒは、置換または未置換のベンゼンの３価基を表し、
Ｙ１およびＹ２は、それぞれ独立に、置換または未置換のアリーレン基を表し、
Ｚ１〜Ｚ６は、それぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、
Ｚ１とＺ２、Ｚ３とＺ４およびＺ５とＺ６はそれぞれ、置換する窒素原子と共に含窒素複素環を形成していてもよい］
【請求項２】
前記燐光発光材料は、遷移金属錯体である、請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記遷移金属は、イリジウムまたは白金である、請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
一般式（１）で表される化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
一般式（１）で表される化合物を含有する層が、発光層である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光現象を利用する電界発光素子は、液晶表示に比べて自発光型であるために視認性が高く、さらに高速な応答性が得られるため、ディスプレイ等に使用すると鮮明な画像表示が可能であり、また、全固体型素子であるために耐衝撃性に優れている等の特徴を有している。そのため、近年、薄型ディスプレイ、液晶ディスプレイのバックライト、あるいは平面光源などに広く使用されることが期待されている。
【０００３】
電界発光素子は、構成する材料により無機電界発光素子と、有機電界発光素子とに大別することができる。無機電界発光素子は硫化亜鉛等の無機材料を用いた分散型電界発光素子であるが、この分散型電界発光素子の駆動方式は高電界の印加により、加速された電子が発光中心を衝突励起して発光させるという所謂「衝突励起型発光」であるため、高い交流電圧で駆動させる必要がある。そのため、駆動回路が複雑であったり、また、輝度が低い等の課題を有している。
【０００４】
一方、有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）は、電極から注入された電荷（正孔および電子）が有機化合物からなる発光層中で再結合して発光するという所謂「注入型発光」であるため、低電圧駆動することが可能である（非特許文献１及び特許文献１）。また、有機化合物の分子設計を変更することによって、任意の発光色、特性を容易に変化させることが可能であるという利点もある。このため現在では、種々の材料や素子構成等が提案され、研究開発が活発化している。
【０００５】
その一方で、これまでに提案された材料を用いる有機電界発光素子には、まだ様々な問題・課題が残されている。例えば、駆動状態、あるいは非駆動状態にも関わらず、保存するだけで素子の機能が劣化して発光輝度が低下するという発光寿命上の問題が存在する。また、一般的に発光輝度がまだ低く、実用上充分ではない。
【０００６】
発光輝度を向上させる方法として発光層にホスト材料としてトリス（８−キノリノラート）アルミニウム等を使用し、ゲスト化合物としてクマリン誘導体、ピラン誘導体を使用した有機電界発光素子（非特許文献２）、ゲスト化合物としてＮ，Ｎ−ジメチルキナクリドンを使用した有機電界発光素子（例えば、非特許文献３）、ゲスト化合物としてルブレンを使用した有機電界発光素子（例えば、非特許文献４）が提案されている。
【０００７】
これらの有機電界発光は、有機分子が電場より注入されたキャリア電子及び正孔の再結合により励起状態を形成し、基底状態に落ちる際に発光が生じる。この場合、励起された有機分子は高いエネルギーの励起一重項状態（電子が逆スピン）と低いエネルギーの励起三重項状態（電子が同スピン）をとる。
【０００８】
さらに近年、有機電界発光素子の研究において、発光効率を高める材料として、有機燐光発光物質が注目されている。そして有機ＥＬ素子の発光層のゲスト材料として、燐光材料を利用することも提案されている（非特許文献５、非特許文献６）。一般に燐光の発光過程は、基底状態から一重項励起状態に有機分子が励起され、続いて一重項励起状態から三重項励起状態へ項間交差（intersystem  crossing）と称される無放射遷移が起こり、燐光発光は三重項励起状態→基底状態の発光を示す。
【０００９】
有機電界発光素子の発光層において、有機燐光発光物質の一重項励起状態と三重項励起状態とを利用すれば、高い発光効率が達成されると予想されている。三重項励起状態を利用する理由としては、有機電界発光素子内で電子と正孔が再結合する際にはスピン多重度の違いから一重項励起子と三重項励起子とが３：１の割合で生成すると考えられているので、蛍光を使った素子の３倍の発光効率の達成が考えられているためである。
【００１０】
近年、燐光発光を用いた有機電界発光素子の発光効率および耐久性を向上させる目的で、有機発光層のホスト材料や、発光層に隣接する層の材料の改良が盛んに行われている。例えば、燐光発光材料を含む発光層に、４,４'-ビス（Ｎ-カルバゾリル）-１,１'-ビフェニル（「ＣＢＰ」ともいう）や、１,３-ビス（Ｎ-カルバゾリル）ベンゼン（「ｍ-ＣＰ」ともいう）に代表されるカルバゾール誘導体をホスト材料として用いることがよく知られている。しかしながら、まだ十分な性能を有しているとは言い難く、さらなる高効率化および耐久性の向上が望まれている（例えば、特許文献２及び３参照）。
【００１１】
さらに、有機電界発光素子の発光層などにトリアミノベンゼン化合物を含有させる技術も知られている（例えば、特許文献４参照）。
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.,51,913（1987）
【非特許文献２】J.Appl.Phys.,65,3610（1989）
【非特許文献３】Appl.Phys.Lett.,70,1665（1997）
【非特許文献４】Jpn.J.Appl.Phys.,34,L824(1995)
【非特許文献５】Appl.Phys.Lett.,74,442（1999）
【非特許文献６】Appl.Phys.Lett.,75,4（1999）
【特許文献１】特開昭６３−２６４６９２号公報
【特許文献２】国際公開第０３／８０７６０号パンフレット
【特許文献３】国際公開第０４／７４３９９号パンフレット
【特許文献４】特開２００５−１１６２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、発光層に燐光発光材料を含有する「燐光発光材料を用いた有機電界発光素子」の、発光効率および耐久性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、発光層に燐光発光材料を含有する「燐光発光材料を用いた有機電界発光素子」において、特定の化合物を、発光層に含まれるホスト化合物として含有させるか、または発光層の陽極側に隣接する正孔注入輸送層に含有させると、有機電界発光素子の発光効率や耐久性が向上することを見出した。
【００１４】
すなわち、本発明は以下に示す有機電界発光素子に関する。
［１］一対の電極間に、発光層を含む機能層を挟持してなる有機電界発光素子であって、
前記発光層は燐光発光材料を含有し、
前記機能層のいずれかの層は、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有する、有機電界発光素子。
【００１５】
【化１】
2009170813.tif 000002
【００１６】
［式（１）において、
Ａｒは、置換または未置換のベンゼンの３価基を表し、
Ｙ１およびＹ２は、それぞれ独立に、置換または未置換のアリーレン基を表し、
Ｚ１〜Ｚ６は、それぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、
Ｚ１とＺ２、Ｚ３とＺ４およびＺ５とＺ６はそれぞれ、置換する窒素原子と共に含窒素複素環を形成していてもよい］
【００１７】
［２］一般式（１）で表される化合物を含有する層が、正孔注入輸送層または発光層である、［１］に記載の有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、発光効率や耐久性などが優れた、燐光発光材料を用いた有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の有機電界発光素子は一対の電極を有し、前記一対の電極間に少なくとも発光層を有する機能層が狭持される。前記発光層には、燐光発光材料が含有される。前記一対の電極間に狭持される機能層には、発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能、および電子注入機能や電子輸送機能に応じて、電荷注入輸送層が含まれうる。電荷注入輸送層とは、正孔注入成分を含有する正孔注入輸送層（発光層の陽極側に配置される）や、電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層（発光層の陰極側に配置される）などである。
【００２０】
発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能、および電子注入機能や電子輸送機能が高い場合には、発光層だけの一層型素子（電子注入輸送層がない）とすることができる。一層型素子では、発光層が正孔注入輸送層および／または電子注入輸送層の機能を兼ね備える。
また、発光層に含まれる化合物の正孔注入機能や正孔輸送機能が十分でない場合には、発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた二層型の素子とすることが好ましい。一方、発光層に含まれる化合物の電子注入機能や電子輸送機能が十分でない場合には、発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた二層型の素子とすることができる。もちろん、発光層を、正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ三層型の素子とすることもできる。
【００２１】
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層、および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよい。正孔注入輸送層および電子注入輸送層はそれぞれ、注入機能を有する層と、輸送機能を有する層とを別々に有していてもよい。
【００２２】
より具体的に、本発明の有機発光素子の構造の例が図１〜図８に示されるが、特にこれらに限定されるわけではない。
図１には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−１）が；図２には、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−２）が；図３には、基板１／陽極２／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−３）が；図４には、基板１／陽極２／発光層４／陰極型６と、電源７を含む素子（ＥＬ−４）が示される。
【００２３】
図５Ａには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ａ）が示される。
【００２４】
一方、図５Ｂには、基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｂ）が示される。
【００２５】
さらに、図５Ｃには、基板１／陽極２／正孔注入層３’／正孔輸送層３”／発光層４／正孔阻止層（電子輸送層）５’／電子注入輸送層５／陰極６と、電源７を含む素子（ＥＬ−５Ｃ）が示される。
【００２６】
また、図６〜図８には、ＥＬ−４に類似する素子が示される。つまり、図６には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａと、電子注入成分５ａとを混合させた発光層を一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−６）が；図７には、正孔注入輸送成分３ａと、発光成分４ａとを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−７）が；図８には、発光層として発光成分４ａと、電子注入輸送成分５ａを混合させた発光層を、一対の電極間に挟持させた型の素子（ＥＬ−８）が示される。
【００２７】
本発明の有機電界発光素子の好ましい素子構成は、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−３）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子、（ＥＬ−６）型素子または（ＥＬ−７）型素子であり、より好ましくは、（ＥＬ−１）型素子、（ＥＬ−２）型素子、（ＥＬ−５Ａ）型素子、（ＥＬ−５Ｂ）型素子、（ＥＬ−５Ｃ）型素子または（ＥＬ−７）型素子である。
【００２８】
もちろん、本発明の有機電界発光素子の素子構成は、これらに限定されるものではない。それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層をそれぞれ、複数設けてもよい。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、発光成分と正孔注入輸送成分の混合層を設けてもよく、電子注入輸送層と発光層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けてもよい。
【００２９】
燐光発光材料
本発明の有機発光素子の発光層は、燐光発光材料を含む。燐光発光材料は、発光層においてドーパント材料（またはゲスト材料）として作用することが好ましい。発光層に含有される燐光発光材料は、一種単独でも、二種以上の組合せでもよい。燐光発光材料は、特に限定されないが、遷移金属錯体であることが好ましい。遷移金属錯体の例には、下記一般式（ａ−１）または一般式（ａ−２）で表される化合物が含まれる。
【００３０】
【化２】
2009170813.tif 000003
【００３１】
一般式（ａ−１）におけるＭ１は、ｍ価の金属原子を表し、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金を表す。
【００３２】
一般式（ａ−１）におけるＡ１は、５員または６員の含窒素複素環を形成するための原子群を表す。形成される含窒素複素環は、置換基を有していてもよい。含窒素複素環の好ましい例には、ピリジル、ピリミジル、ピラジン、トリアジン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、キノリル、イソキノリル、キノキサリン、およびフェナントリレンなどが含まれる。
【００３３】
一般式（ａ−１）におけるＡ２は、５員または６員の環状構造を形成するための原子群を表す。形成される環状構造は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環であり、置換基を有していてもよい。芳香族炭化水素環または芳香族複素環の好ましい例には、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントリル、チエニル、ピリジル、キノリル、およびイソキノリルなどが含まれる。
【００３４】
一般式（ａ−１）におけるＡ１またはＡ２が有する置換基の例には、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基などが含まれる。
【００３５】
ＬおよびＬ’はＭ１に配位可能な原子を表し、ＬおよびＬ’を繋ぐ点線は結合を形成していても、分離していてもよいことを表す。また、ｎｄは１〜ｍの整数を表す。
【００３６】
一方、一般式（ａ−２）において、Ｖ１〜Ｖ８は水素原子または、アルキル基、あるいは、アリール基から選ばれる置換基を表し；Ｙ１〜Ｙ４は、Ｃ−Ｖ９（Ｖ９は水素原子、アルキル基、またはアリール基を表す）、あるいは窒素原子を表し；Ｍ２は金属原子を表す。
【００３７】
一般式（ａ−１）または一般式（ａ−２）で表される燐光発光材料の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない。
【００３８】
【化３】
2009170813.tif 000004
【００３９】
燐光材料を含む発光層に、ホスト化合物として一般式（１）で表される化合物および／または一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物が含まれる場合には、燐光発光材料の含有量は、ホスト化合物に対して、０．００１から４０重量％であることが好ましく、０．０１〜３０重量％であることがより好ましく、０．１〜２０重量％であることがさらに好ましい。
【００４０】
発光層における一般式（１）以外の発光機能を有する化合物の含有量は、一般式（１）で表される化合物に対して、０．００１〜４０重量％であることが好ましく、０．０５〜３０重量％であることがより好ましく、０．１〜２０重量％であることがさらに好ましい。
【００４１】
一般式（１）で表される化合物
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極に狭持される機能層の、少なくともいずれかの一層に、一般式（１）で表される化合物を含む。一般式（１）で表される化合物は、正孔注入輸送層および／または発光層に含まれることが好ましく、発光層に含まれることがより好ましい。発光層に含まれる一般式（１）で表される化合物は、ホスト材料として作用することが好ましい。
【００４２】
【化４】
2009170813.tif 000005
【００４３】
一般式（１）におけるＡｒは、置換または未置換のベンゼンの３価基を表す。Ａｒは、未置換であっても、置換基を有していてもよい。Ａｒが有する置換基の例には、ハロゲン原子；直鎖、分岐または環状のアルキル基；直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；あるいは置換または未置換のアリール基が含まれる。置換基は、単置換でも多置換されていてもよい。Ａｒは、未置換のベンゼンの３価基であることがより好ましい。
【００４４】
一般式（１）におけるＡｒには、−ＮＺ３Ｚ４基、−Ｙ１−ＮＺ１Ｚ２基、および−Ｙ２−ＮＺ５Ｚ６基が結合している。これらの結合位置は、−ＮＺ３Ｚ４の結合位置を１位としたときに、−Ｙ１−ＮＺ１Ｚ２基とＹ２−ＮＺ５Ｚ６基は、２位と４位、２位と５位、あるいは３位と５位に結合していることが好ましく、３位と５位に結合していることがより好ましい。
【００４５】
一般式（１）におけるＡｒが有する置換基のうち、ハロゲン原子の例にはフッ素原子、塩素原子、臭素原子などが含まれる。
【００４６】
Ａｒが有する置換基のうちアルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、２-エチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ-ヘキシル基、２-エチルブチル基、３,３-ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ-オクチル基、１,１-ジメチルヘキシル基、２-エチルヘキシル基、ｎ-ノニル基、ｎ-デシル基、ｎ-ドデシル基、ｎ-テトラデシル基、ｎ-ヘキサデシル基などが含まれる。
【００４７】
Ａｒが有する置換基のうちアルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルコキシ基の例には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−エチルブトキシ基、３，３−ジメチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基などが含まれる。
【００４８】
Ａｒが有するアリール基は炭素環式芳香族基であっても、複素環式芳香族基でもよい。Ａｒが有する置換基のうちアリール基の第一の例はフェニル基である。フェニル基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。
【００４９】
アルキル基を有するフェニル基の例には、４-メチルフェニル基、３-メチルフェニル基、２-メチルフェニル基、４-エチルフェニル基、３-エチルフェニル基、２-エチルフェニル基、４-ｎ-プロピルフェニル基、４-イソプロピルフェニル基、２-イソプロピルフェニル基、４-ｎ-ブチルフェニル基、４-イソブチルフェニル基、４-sec-ブチルフェニル基、２-sec-ブチルフェニル基、４-tert-ブチルフェニル基、３-tert-ブチルフェニル基、２-tert-ブチルフェニル基、４-ｎ-ペンチルフェニル基、４-イソペンチルフェニル基、２-イソペンチルフェニル基、４-tert-ペンチルフェニル基、４-（２'-エチルプロピル）フェニル基、４-ヘキシルフェニル基、４-（２'-エチルブチル）フェニル基、４-ｎ-ヘプチルフェニル基、４-ｎ-オクチルフェニル基、４-（２'-エチルヘキシル）フェニル基、４-シクロペンチルフェニル基、４-シクロヘキシルフェニル基、４-（４'-メチルシクロヘキシル）フェニル基、３-シクロヘキシルフェニル基、２-シクロヘキシルフェニル基、２,４-ジメチルフェニル基、２,５-ジメチルフェニル基、３,４-ジメチルフェニル基、３,５-ジメチルフェニル基、２,６-ジメチルフェニル基、２,４-ジエチルフェニル基、２,３,５-トリメチルフェニル基、２,３,６-トリメチルフェニル基、３,４,５-トリメチルフェニル基、２,６-ジエチルフェニル基、２,５-ジイソプロピルフェニル基、２,６-ジイソブチルフェニル基、２,４-ジ（tert-ブチル）フェニル基、２,５-ジ（tert-ブチル）フェニル基、４,６-ジ（tert-ブチル）-２-メチルフェニル基、５-（tert-ブチル）-２-メチルフェニル基、４-（tert-ブチル）-２,６-ジメチルフェニル基などが含まれる。
【００５０】
アルコキシ基を有するフェニル基の例には、４-メトキシフェニル基、３-メトキシフェニル基、２-メトキシフェニル基、４-エトキシフェニル基、３-エトキシフェニル基、２-エトキシフェニル基、４-ｎ-プロポキシフェニル基、３-ｎ-プロポキシフェニル基、４-イソプロポキシフェニル基、２-イソプロポキシフェニル基、４-ｎ-ブトキシフェニル基、４-イソブトキシフェニル基、２-sec-ブトキシフェニル基、４-ｎ-ペンチルオキシフェニル基、４-イソペンチルオキシフェニル基、２-イソペンチルオキシフェニル基、４-ネオペンチルオキシフェニル基、２-ネオペンチルオキシフェニル基、４-ｎ-ヘキシルオキシフェニル基、２-（２'-エチルブチル）オキシフェニル基、４-ｎ-オクチルオキシフェニル基、２-メチル-４-メトキシフェニル基、２-メチル-５-メトキシフェニル基、３-メチル-５-メトキシフェニル基、３-エチル-５-メトキシフェニル基、２-メトキシ-４-メチルフェニル基、３-メトキシ-４-メチルフェニル基、２,４-ジメトキシフェニル基、２,５-ジメトキシフェニル基、２,６-ジメトキシフェニル基、３,４-ジメトキシフェニル基、３,５-ジメトキシフェニル基、３,５-ジエトキシフェニル基、３,５-ジ-ｎ-ブトキシフェニル基、２-メトキシ-４-エトキシフェニル基、２-メトキシ-６-エトキシフェニル基、３,４,５-トリメトキシフェニル基などが含まれる。
【００５１】
アリール基を有するフェニル基の例には、１,１'-ビフェニル-４-イル基、１,１'-ビフェニル-３-イル基、１,１'-ビフェニル-２-イル基、４'-メチル-１,１'-ビフェニル-４-イル基、３'-メチル-１,１'-ビフェニル-４-イル基、４'-メトキシ-１,１'-ビフェニル-４-イル基、４'-ｎ-ブトキシ-１,１'-ビフェニル-４-イル基、２'-メトキシ-１,１'-ビフェニル-２-イル基、３-フルオロ-１,１'-ビフェニル-４-イル基、４'-クロロ-１,１'-ビフェニル-４-イル基、２-メチル-１,１'-ビフェニル-２-イル基、２-メトキシ-１,１'-ビフェニル-２-イル基などが含まれる。
【００５２】
ハロゲン原子を有するフェニル基の例には、４-フルオロフェニル基、３-フルオロフェニル基、２-フルオロフェニル基、４-クロロフェニル基、３-クロロフェニル基、２-クロロフェニル基、４-ブロモフェニル基、２-ブロモフェニル基、２,３-ジフルオロフェニル基、２,４-ジフルオロフェニル基、２,５-ジフルオロフェニル基、２,６-ジフルオロフェニル基、３,４-ジフルオロフェニル基、３,５-ジフルオロフェニル基、２,３-ジクロロフェニル基、２,４-ジクロロフェニル基、２,５-ジクロロフェニル基、３,４-ジクロロフェニル基、３,５-ジクロロフェニル基、２,５-ジブロモフェニル基、２,４,６-トリクロロフェニル基、２-フルオロ-４-メチルフェニル基、２-フルオロ-５-メチルフェニル基、３-フルオロ-２-メチルフェニル基、３-フルオロ-４-メチルフェニル基、２-メチル-４-フルオロフェニル基、２-メチル-５-フルオロフェニル基、３-メチル-４-フルオロフェニル基、２-クロロ-４-メチルフェニル基、２-クロロ-５-メチルフェニル基、２-クロロ-６-メチルフェニル基、２-メチル-３-クロロフェニル基、２-メチル-４-クロロフェニル基、３-メチル-４-クロロフェニル基、２-クロロ-４,６-ジメチルフェニル基、２-メトキシ-４-フルオロフェニル基、２-フルオロ-４-メトキシフェニル基、２-フルオロ-４-エトキシフェニル基、２-フルオロ-６-メトキシフェニル基、３-フルオロ-４-エトキシフェニル基、３-クロロ-４-メトキシフェニル基、２-メトキシ-５-クロロフェニル基、３-メトキシ-６-クロロフェニル基、５-クロロ-２,４-ジメトキシフェニル基などが含まれる。
【００５３】
Ａｒが有する置換基のうちアリール基の第二の例はナフチル基である。ナフチル基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。ナフチル基の例には、１-ナフチル基、２-ナフチル基、２-メチル-１-ナフチル基、４-メチル-１-ナフチル基、４-エチル-１-ナフチル基、４-ブチル-１-ナフチル基、５-エチル-１-ナフチル基、６-メチル-２-ナフチル基、６-エチル-２-ナフチル基、６-ｎ-ブチル-２-ナフチル基、６-ｎ-ヘキシル-２-ナフチル基、７-メチル-２-ナフチル基、７-ｎ-ブチル-２-ナフチル基、１,４-ジメチル-２-ナフチル基、２-メトキシ-１-ナフチル基、４-メトキシ-１-ナフチル基、４-ｎ-ブトキシ-１-ナフチル基、５-エトキシ-１-ナフチル基、６-メトキシ-２-ナフチル基、６-エトキシ-２-ナフチル基、６-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、６-ｎ-ヘキシルオキシ-２-ナフチル基、７-メトキシ-２-ナフチル基、７-ｎ-ブトキシ-２-ナフチル基、４-フェニル-１-ナフチル基、２-フェニル-１-ナフチル基、６-フェニル-２-ナフチル基、４-クロロ-１-ナフチル基、４-クロロ-２-ナフチル基、６-ブロモ-２-ナフチル基、２,４-ジクロロ-１-ナフチル基、１,６-ジクロロ-２-ナフチル基、４-フルオロ-１-ナフチル基、５-フルオロ-１-ナフチル基、６-フルオロ-２-ナフチル基、２-フルオロ-４-メチル-１-ナフチル基などが含まれる。
【００５４】
Ａｒが有する置換基のうちアリール基の第三の例はアントリル基である。アントリル基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。アントリル基の例には、１-アントリル基、２-アントリル基、９-アントリル基、１-メチル-９-アントリル基、２-メチル-９-アントリル基、３-メチル-９-アントリル基、４-メチル-９-アントリル基、１０-メチル-９-アントリル基、１０-エチル-９-アントリル基、１０-ｎ-ブチル-９-アントリル基、１０-（tert-ブチル）-９-アントリル基、９,１０-ジメチル-２-アントリル基、９,１０-ジエチル-２-アントリル基、１０−フェニル−９−アントリル基などが含まれる。
【００５５】
Ａｒが有する置換基のうちアリール基の第四の例はフルオレニル基である。フルオレニル基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。フルオレニル基の例には、２-フルオレニル基、９-フルオレニル基、９-メチル-２-フルオレニル基、９-エチル-２-フルオレニル基、９,９-ジメチル-２-フルオレニル基、７,９,９-トリメチル-２-フルオレニル基、９,９-ジエチル-２-フルオレニル基、９-メチル-９-フルオレル基、７-フェニル-２-フルオレニル基、９-フェニル-９-フルオレニル基、７-フルオロ-２-フルオレニル基、７-フルオロ-９,９-ジメチル-２-フルオレニル基、７-クロロ-９,９-ジメチル-２-フルオレニル基などが含まれる。
【００５６】
Ａｒが有する置換基のうちアリール基の他の例には、フェナントリル基（９-フェナントリル基、１０-メチル-９-フェナントリル基、１０-エチル-９-フェナントリル基、１０-ｎ-ブチル-９-フェナントリル基など）、４-キノリル基、４-ピリジル基、３-ピリジル基、２-ピリジル基、３-フリル基、２-フリル基、３-チエニル基、２-チエニル基、２-オキサゾリル基、２-チアゾリル基、２-ベンゾオキサゾリル基、２-ベンゾチアゾリル基、２-ベンゾイミダゾリル基などが含まれる。
【００５７】
一般式（１）におけるＹ１およびＹ２は、置換または未置換のアリーレン基を表す。アリーレン基とは、炭素環式芳香族の２価基、複素環式芳香族の２価基を表す。Ｙ１およびＹ２で表されるアリーレン基は、未置換のアリーレン基であっても、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子；直鎖、分岐または環状のアルキル基；直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；あるいは置換または未置換のアリール基が含まれる。置換基は単置換または多置換されていてもよい。Ｙ１およびＹ２で表されるアリーレン基は、総炭素数６〜２１の炭素環式芳香族の２価基、または総炭素数３〜２０の複素環式芳香族の２価基であることが好ましい。
【００５８】
Ｙ１およびＹ２で表されるアリーレン基は、未置換のアリーレン基であるか、あるいはハロゲン原子、炭素数１〜１４の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１４の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１２の置換または未置換のアリール基などを１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、総炭素数６〜２１の炭素環式芳香族の２価基であることが好ましい。
【００５９】
Ｙ１およびＹ２で表されるアリーレン基は、未置換のアリーレン基であるか、あるいはフッ素原子、炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１２の置換または未置換のアリール基などを１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、総炭素数６〜２１の１,４-フェニレン基、１,３-フェニレン基、１,４-ナフタレンジイル基、１,５-ナフタレンジイル基、２,６-ナフタレンジイル基、あるいは９,１０-アントラセンジイル基であることがさらに好ましい。特に好ましくは、未置換の１,４-フェニレン基または１,４-ナフタレンジイル基である。
【００６０】
Ｙ１およびＹ２で表されるアリーレン基が有する置換基の具体例は、Ａｒの置換基の具体例であるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、およびアリール基などと同様であるが、特にこれらに限定されるわけではない。
【００６１】
一般式（１）におけるＺ１〜Ｚ６は、それぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表す。Ｚ１〜Ｚ６は、未置換のアリール基であるか；あるいはハロゲン原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、直鎖、分岐もしくは環状のアルコキシ基、または置換もしくは未置換のアリール基を１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、総炭素数６〜２１の炭素環式芳香族基、または総炭素数３〜２１の複素環式芳香族基であることが好ましい。
【００６２】
一般式（１）におけるＺ１〜Ｚ６は、未置換であるか；あるいは、ハロゲン原子、直鎖、分岐もしくは環状の炭素数１〜１４のアルキル基、直鎖、分岐もしくは環状の炭素数１〜１４のアルコキシ基、または置換または未置換の炭素数６〜１２のアリール基を１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、総炭素数６〜２１の炭素環式芳香族基であることがより好ましい。
一般式（１）におけるＺ１〜Ｚ６は、未置換であるか；あるいは、フッ素原子、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜４のアルキル基、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜４のアルコキシ基、または置換もしくは未置換の炭素数６〜１２のアリール基を１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、総炭素数６〜１８のフェニル基、１-ナフチル基、２-ナフチル基、または２-フルオレニル基であることがさらに好ましい。
【００６３】
Ｚ１〜Ｚ６のアリール基が有する置換基の具体的例は、Ａｒの置換基の具体例であるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、またはアリール基と同様であるが、これらに限定されるわけではない。
【００６４】
一般式（１）における−NＺ１Ｚ２、−NＺ３Ｚ４、および−NＺ５Ｚ６は、窒素原子と共に含窒素複素環を形成していてもよい。−ＮＺ１Ｚ２、−ＮＺ３Ｚ４および−ＮＺ５Ｚ６が形成する含窒素複素環は、置換または未置換の−Ｎ−カルバゾリル基、置換または未置換の−Ｎ−フェノキサジニル基、あるいは置換または未置換の−Ｎ−フェノチアジニル基であることが好ましい。
【００６５】
−ＮＺ１Ｚ２、−ＮＺ３Ｚ４および−ＮＺ５Ｚ６が形成する含窒素複素環は、未置換であるか；あるいはハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基などを１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、−Ｎ−カルバゾリル基、−Ｎ−フェノキサジニル基、あるいは−Ｎ−フェノチアジニル基であることがより好ましい。
【００６６】
−ＮＺ１Ｚ２、−ＮＺ３Ｚ４および−ＮＺ５Ｚ６が形成する含窒素複素環は、未置換であるか；あるいはハロゲン原子、炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基などを１つ（単置換）または２つ以上（多置換）有する、−Ｎ−カルバゾリル基、−Ｎ−フェノキサジニル基、あるいは−Ｎ−フェノチアジニル基であることがさらに好ましい。
【００６７】
−ＮＺ１Ｚ２、−ＮＺ３Ｚ４および−ＮＺ５Ｚ６が形成する含窒素複素環は、未置換の−Ｎ−カルバゾリル基であるか、３位および６位に炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル基を有する−Ｎ−カルバゾリル基であるか、３位および６位に炭素数６〜１０の置換または未置換のアリール基を有する−Ｎ−カルバゾリル基であるか、未置換の−Ｎ−フェノキサジニル基であるか、未置換の−Ｎ−フェノチアジニル基であることが特に好ましい。
【００６８】
さらに、−ＮＺ１Ｚ２、−ＮＺ３Ｚ４および−ＮＺ５Ｚ６のうちの１以上が、−Ｎ−カルバゾリル基を形成していることが好ましい。
【００６９】
一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７０】
【化５】
2009170813.tif 000006
【００７１】
【化６】
2009170813.tif 000007
【００７２】
【化７】
2009170813.tif 000008
【００７３】
【化８】
2009170813.tif 000009
【００７４】
【化９】
2009170813.tif 000010
【００７５】
【化１０】
2009170813.tif 000011
【００７６】
【化１１】
2009170813.tif 000012
【００７７】
【化１２】
2009170813.tif 000013
【００７８】
【化１３】
2009170813.tif 000014
【００７９】
【化１４】
2009170813.tif 000015
【００８０】
【化１５】
2009170813.tif 000016
【００８１】
【化１６】
2009170813.tif 000017
【００８２】
【化１７】
2009170813.tif 000018
【００８３】
【化１８】
2009170813.tif 000019
【００８４】
【化１９】
2009170813.tif 000020
【００８５】
【化２０】
2009170813.tif 000021
【００８６】
【化２１】
2009170813.tif 000022
【００８７】
【化２２】
2009170813.tif 000023
【００８８】
【化２３】
2009170813.tif 000024
【００８９】
【化２４】
2009170813.tif 000025
【００９０】
【化２５】
2009170813.tif 000026
【００９１】
【化２６】
2009170813.tif 000027
【００９２】
【化２７】
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【００９３】
【化２８】
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【００９４】
【化２９】
2009170813.tif 000030
【００９５】
一般式（１）で表される化合物は、公知の方法に従って製造することができ、例えば特開２００５−１１６２４７号明細書を参照すればよい。例えば、一般式（４）で表される化合物と、一般式（５）および一般式（６）で表される化合物を、パラジウム触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）〕存在下で反応させることにより、一般式（１）で表される化合物を製造することができる。
【００９６】
【化３０】
2009170813.tif 000031
【００９７】
式（４）〜（６）におけるＡｒ、Ｙ１、Ｙ２およびＺ１〜Ｚ６は、一般式（１）のそれと同様に定義される。Ｘ１およびＸ２は。それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子を表す。
【００９８】
また、一般式（７）で表される化合物と、一般式（８）および一般式（９）で表される化合物を、銅触媒〔例えば、金属銅粉、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、あるいは硫酸銅（ＩＩ）など〕またはパラジウム触媒〔例えば、酢酸パラジウム（ＩＩ）、あるいはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）など〕存在下で反応させることにより、一般式（１）で表される化合物を製造することもできる。
【００９９】
【化３１】
2009170813.tif 000032
【０１００】
式（７）〜（９）におけるＡｒ、Ｙ１、Ｙ２およびＺ１〜Ｚ６は、一般式（１）のそれと同様に定義される。Ｘ３およびＸ４はそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子を表す。
【０１０１】
さらに、一般式（１０）で表される化合物と、一般式（８）、一般式（１１）、および一般式（９）で表される化合物とを、銅触媒〔例えば、金属銅粉、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、もしくは硫酸銅（ＩＩ）など〕、またはパラジウム触媒〔例えば、酢酸パラジウム（ＩＩ）、もしくはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）など〕存在下で反応させることにより、一般式（１）で表される化合物を製造することもできる。
【０１０２】
【化３２】
2009170813.tif 000033
【０１０３】
式（８）〜（１１）におけるＡｒ、Ｙ１、Ｙ２およびＺ１〜Ｚ６は、一般式（１）とのそれ同様に定義される。Ｘ5〜Ｘ７はそれぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子を表す。
【０１０４】
前述の通り、有機電界発光素子は、一対の電極と、当該電極対に狭持された機能層を有する。機能層には、少なくとも発光層が含まれ、さらに正孔注入輸送層や電子注入輸送層などが含まれていてもよい。
【０１０５】
有機電界発光素子の各構成要素について、図１に示された基板１／陽極２／正孔注入輸送層３／発光層４／電子注入輸送層５／陰極６を有する（ＥＬ−１）型素子を参照して説明する。図１において７は電源を示す。
【０１０６】
本発明の有機電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましい。基板は、透明ないし半透明であることが好ましい。基板の材質の例には、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどのガラス、およびポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの透明性高分子が含まれる。
【０１０７】
また基板は、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなる基板であってもよい。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【０１０８】
陽極２の電極材料は、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陽極２の電極材料の例には、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド：Indium Tin Oxide）、ポリチオフェン、ポリピロールなどが含まれる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１０９】
また、陽極は一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。陽極の厚みは、使用する電極材料の材質にもよるが、一般に約５〜１０００ｎｍ、好ましくは約１０〜５００ｎｍである。
【０１１０】
陽極２は、電極材料を蒸着法、スパッタリング法などの方法により、基板の上に形成することができる。
【０１１１】
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する。本発明の電界発光素子の正孔注入輸送層３は、一般式（１）で表される化合物および／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物を含む。他の正孔注入輸送機能を有する化合物の例には、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールなどが含まれる。正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、または複数併用してもよい。
【０１１２】
一般式（１）で表される化合物以外の、正孔注入輸送機能を有する化合物の具体例には、トリアリールアミン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体が含まれる。
【０１１３】
トリアリールアミン誘導体の例には、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（４’’-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３’’-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３’’-メトキシフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（１’’-ナフチル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、３,３'-ジメチル-４,４'-ビス〔Ｎ-フェニル-Ｎ-（３''-メチルフェニル）アミノ〕-１,１'-ビフェニル、１,１-ビス〔４'-［Ｎ,Ｎ-ジ（４''-メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９,１０-ビス〔Ｎ-（４'-メチルフェニル）-Ｎ-（４''-ｎ-ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３,８-ビス（Ｎ,Ｎ-ジフェニルアミノ）-６-フェニルフェナントリジン、４-メチル-Ｎ,Ｎ-ビス〔４'',４'''-ビス［Ｎ',Ｎ'-ジ（４-メチルフェニル）アミノ］ビフェニル-４-イル〕アニリン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,３-ジアミノベンゼン、Ｎ,Ｎ'-ビス〔４-（ジフェニルアミノ）フェニル〕-Ｎ,Ｎ'-ジフェニル-１,４-ジアミノベンゼン、５,５''-ビス〔４-（ビス［４-メチルフェニル］アミノ〕フェニル-２,２’：５',２’’-ターチオフェン、１,３,５-トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４,４',４''-トリス（Ｎ-カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４,４',４''-トリス〔Ｎ,Ｎ-ビス（４'''-tert-ブチルビフェニル-４''''-イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１,３,５-トリス〔Ｎ-（４'-ジフェニルアミノ〕ベンゼンなどが含まれる。
【０１１４】
一般式（１）で表される化合物と、その他の正孔注入機能を有する化合物を併用する場合には、正孔注入輸送層中に占める一般式（１）で表される化合物の含有量は、０．１重量％以上であることが好ましく、０．５〜９９．９重量％であることがより好ましく、３〜９７重量％であることがさらに好ましい。
【０１１５】
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
【０１１６】
発光層は、前述の燐光発光材料（燐光発光機能を有する化合物）の少なくとも一種を含む。さらに発光層は、一般式（１）で表される化合物か、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物の、いずれか一方または両方を含む。本発明の有機電界発光素子の発光層は、一般式（１）で表される化合物を含有していることが好ましい。
【０１１７】
発光層において、燐光発光材料はドーパント材料（またはゲスト材料）として機能する。一方、一般式（１）で表される化合物および／または一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物はホスト材料として機能する。
【０１１８】
一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物の例には、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などが含まれる。
【０１１９】
一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物は、トリアリールアミン誘導体および有機金属錯体が好ましい。トリアリールアミン誘導体の例には、正孔注入輸送機能を有する化合物として例示した化合物が含まれる。有機金属策体の例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、２-（２'-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩などが含まれる。
【０１２０】
有機電界発光素子の発光層に、一般式（１）で表される化合物と、一般式（１）で表される化合物以外の発光機能を有する化合物との両方が含有される場合には、両方の化合物の合計に占める一般式（１）で表される化合物の割合は、６０〜９９．９９９重量％であることが好ましい。
【０１２１】
本発明の有機電界発光素子の発光層の陰極側には電子注入輸送層が形成される。電子注入輸送層は、発光層に隣接して形成されてもよく、または発光層と電子注入輸送層との間に電子輸送層（正孔阻止層）が形成されていてもよい。
【０１２２】
正孔阻止層は、発光層に注入された正孔を発光層中に効率よく蓄積する。それにより、正孔と電子とが再結合する確立を向上させて、発光の高効率化を達成する。正孔阻止層には、例えば、フェアントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、ビス（２-メチルキノリノラト）（４-フェニルフェノラート）アルミニウムなどが含まれる。
【０１２３】
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および／または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
【０１２４】
本発明の有機電界発光素子の電子注入輸送層には、一般式（１）の化合物が含まれていてもよく、他の電子注入輸送機能を有する化合物が含まれていてもよい。他の電子注入輸送機能を有する化合物の例には、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などが含まれる。電子注入輸送層には、電子注入機能を有する化合物の一種が含まれていてもよく、また複数種が含まれていてもよい。
【０１２５】
有機金属錯体の例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス（１０-ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、５-ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５-ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩などが含まれる。
【０１２６】
電子注入輸送層は、好ましくは一般式（１）で表される化合物または有機アルミニウム錯体を含む。ここで有機アルミニウム錯体とは、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体である。置換または未置換の８-キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の例には、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物が含まれる。
【０１２７】
（Ｑ）３−Ａｌ  ・・・（ａ）
（式（ａ）におけるＱは、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）２−Ａｌ−Ｏ−Ｌ’  ・・・（ｂ）
（式（ｂ）におけるＱは、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌ’はフェノラート配位子を表し、Ｌ’はフェニル基を有する炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）２−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）２  ・・・（ｃ）
（式（ｃ）におけるＱは、置換または未置換の８-キノリノラート配位子を表す）
【０１２８】
電子注入輸送層に含まれる置換または未置換の８-キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例には、トリス（８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（５-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（３,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,５-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、トリス（４,６-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,３-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,４-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,６-ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,６-トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２,４,５,６-テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（１-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）（２-ナフトラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（２-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（４-フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）（３,５-ジ-tert-ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２,４-ジメチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-エチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-４-メトキシ-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-シアノ-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウム-μ-オキソ-ビス（２-メチル-５-トリフルオロメチル-８-キノリノラート）アルミニウムなどが含まれる。
【０１２９】
陰極６の電極材料は、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物であることが好ましい。陰極６の電極材料の例には、リチウム、リチウム−インジウム合金、リチウムフルオライド、有機酸リチウム塩（安息香酸リチウム、酢酸リチウムなど）、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄などが含まれる。これらの電極材料を単独で使用しても、また複数種を併用してもよい。
【０１３０】
陰極は、一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／□以下であることが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍである。有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明または半透明であることが好ましい。陽極または陰極の発光光の透過率が、７０％以上となるように、電極材料、電極の厚みを設定することが好ましい。
【０１３１】
陰極は、これらの電極材料の層を蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプ
レーティング法、クラスターイオンビーム法などにより電子注入輸送層の上に形成することによって、作製することができる。
【０１３２】
正孔注入輸送層、発光層または電子注入輸送層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法）を使用して形成することができるが、特にこれらの手段に限定されない。
【０１３３】
真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着の条件は通常、１０−３Ｐａ程度以下の真空下で、ボート温度（蒸着源温度）を約５０〜５００℃、基板温度を−５０〜３００℃程度、蒸着速度を約０．００５〜５０ｎｍ／secとすることが好ましいが、特に限定されない。
【０１３４】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を真空蒸着法で形成する場合は、真空下で、各層を連続して形成することが好ましい。連続で形成することにより諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して真空蒸着法により形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、蒸着することが好ましい。
【０１３５】
溶液塗布法により各層を形成する場合、各層を形成する成分、および必要に応じてバインダー樹脂などを、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。
【０１３６】
溶媒は、有機溶媒でも水でもよい。有機溶媒の例には、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１-メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチルなどのエステル系溶媒；メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソールなどのエーテル系溶媒；Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ-ジメチルアセトアミド、１-メチル-２-ピロリドン、１,３-ジメチル-２-イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒が含まれる。溶媒は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【０１３７】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させるには、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなどを使用して、各成分を微粒子状に分散させることができる。
【０１３８】
溶液塗布法に用いる塗布液に含まれるバインダー樹脂の例には、ポリ-Ｎ-ビニルカルバゾール、ポリアリーレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物が含まれる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、また、複数併用してもよい。
【０１３９】
塗布液の固体成分濃度は特に限定されず、所望の厚みを得るために適した濃度範囲に設定する。通常は０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３０重量％である。
バインダー樹脂を使用する場合、塗布液におけるその含有量は特に限定されない。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分の合計に対するバインダー樹脂の含有率は、通常は５〜９９．９重量％であり、好ましくは１０〜９９重量％である。
【０１４０】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【０１４１】
有機電界発光素子は、酸素や水分などの浸入を防止する目的で、保護層（封止層）を有することが好ましい。保護層の材質は、有機高分子材料または無機材料などである。有機高分子材料の例には、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイドなどが含まれ、光硬化性樹脂であってもよい。無機材料の例には、ダイアモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが含まれる。保護層に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
【０１４２】
また有機電界発光素子は、不活性物質中に封入されて、保護されてもよい。不活性物質の例には、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油などが含まれる。
【０１４３】
有機電界発光素子の電極に、保護膜として金属酸化物膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けてもよい。
【０１４４】
有機電界発光素子の陽極の表面に界面層（中間層）を設けることもできる。界面層の材質の例には、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体などが含まれる。さらに、電極（例えば陽極）の表面は、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理してもよい。
【０１４５】
有機電界発光素子は、通常、直流駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動型の素子として使用してもよい。また、本発明の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリックス駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆動電圧は通常、２〜３０Ｖである。有機電界発光素子は、パネル型光源（例えば、時計、液晶パネル等のバックライト）、各種の発光素子（例えば、ＬＥＤ等の発光素子の代替）、照明装置（平面照明、特殊照明等）、各種の表示素子〔例えば、情報表示素子（パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示素子）〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【実施例】
【０１４６】
［実施例１］
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０−５Ｐａに減圧した。
【０１４７】
先ず、ＩＴＯ透明電極上にビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕−４，４’−ジアミノー１，１’−ビフェニルを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０１４８】
次に、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（以下、ｍ−ＣＰと略記する）を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０１４９】
【化３３】
2009170813.tif 000034
【０１５０】
例示化合物Ａ−２２と、式（ａ１−１）で表される燐光発光材料であるトリス（フェニルピリジル）イリジウム錯体〔以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と略記する〕をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。
【０１５１】
【化３４】
2009170813.tif 000035
【０１５２】
さらに、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと略記する）を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。
【０１５３】
【化３５】
2009170813.tif 000036
【０１５４】
その上に、さらにトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。
【０１５５】
引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着し、最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
【０１５６】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度２５００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４１００時間であった。
【０１５７】
［比較例１］
実施例１において、発光層の形成に際して例示化合物Ａ−２２の化合物を使用する代わりに、下記の化合物（ＣＢＰ）を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１５８】
【化３６】
2009170813.tif 000037
【０１５９】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．２Ｖであり、輝度１８００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は６００時間であった。
【０１６０】
［実施例２］
実施例１において、例示化合物Ａ−２２の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ａ−２３の化合物を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１６１】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度２４００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４４００時間であった。
【０１６２】
［比較例２］
実施例１において、発光層の形成に際して例示化合物Ａ−２２の化合物を使用する代わりに、下記の４,４'−ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１６３】
【化３７】
2009170813.tif 000038
【０１６４】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．１Ｖであり、輝度９００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は１２０時間であった。
【０１６５】
［実施例３］
実施例１において、例示化合物Ａ−２２の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ａ−２４の化合物を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１６６】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．４Ｖであり、輝度２５００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４２００時間であった。
【０１６７】
［実施例４］
実施例１において、例示化合物Ａ−２２の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ａ−３０の化合物を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１６８】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度２３００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４１００時間であった。
【０１６９】
［実施例５］
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０−５Ｐａに減圧した。
【０１７０】
先ず、ＩＴＯ透明電極上に銅フタロシアニンを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を成膜した。ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕−４，４’−ジアミノー１，１’−ビフェニルを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０１７１】
次に、ｍ−ＰＣを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０１７２】
例示化合物Ａ−２９と、上記式（ａ１−１３）で表される燐光発光材料であるイリジウム錯体をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。
【０１７３】
さらに、ＢＰｈｅｎを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。
【０１７４】
さらにトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。
【０１７５】
引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着し、最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
【０１７６】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．２Ｖであり、輝度１３００ｃｄ／ｍ２の赤色の発光が確認された。輝度の半減期は３０００時間であった。
【０１７７】
［実施例６］
実施例５において、例示化合物Ａ−２９の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ｂ−１６の化合物を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度１２００ｃｄ／ｍ２の赤色の発光が確認された。輝度の半減期は３２００時間であった。
【０１７８】
［実施例７］
実施例５において、例示化合物Ａ−２９の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ａ−２３の化合物を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１７９】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度１３００ｃｄ／ｍ２の赤色の発光が確認された。輝度の半減期は３１００時間であった。
【０１８０】
［実施例８］
実施例５において、例示化合物Ａ−２９の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ａ−３０の化合物を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１８１】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．３Ｖであり、輝度１３５０ｃｄ／ｍ２の赤色の発光が確認された。輝度の半減期は３０００時間であった。
【０１８２】
［実施例９］
実施例５において、例示化合物Ａ−２９の化合物を使用する代わりに、例示化合物Ｃ−９の化合物を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０１８３】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は６．４Ｖであり、輝度１３００ｃｄ／ｍ２の赤色の発光が確認された。輝度の半減期は３１００時間であった。
【０１８４】
［実施例１０］
厚さ１１０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０−５Ｐａに減圧した。
【０１８５】
先ず、ＩＴＯ透明電極上にビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕−４，４’−ジアミノー１，１’−ビフェニルを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０１８６】
次に、ｍ−ＣＰを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０１８７】
上記ＣＢＰと、式（ａ１−１）で表される燐光発光材料であるＩｒ（ｐｐｙ）３をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。
【０１８８】
その後、例示化合物Ａ−２４を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。
【０１８９】
さらにトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。
【０１９０】
引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着した。最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
【０１９１】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は５．７Ｖであり、輝度２０００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は１３００時間であった。
比較例１の有機電界発光素子と比較して本発明の化合物を正孔阻止層（電子輸送層）に使用することで、駆動電圧が低電圧化し、発光輝度が向上し、輝度の半減期も永くなることが分かる。
【０１９２】
［実施例１１］
厚さ１１０ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、イソプロパノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスにより乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を１×１０−５Ｐａに減圧した。
【０１９３】
先ず、ＩＴＯ透明電極上にビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）〕−４，４’−ジアミノー１，１’−ビフェニルを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０１９４】
次に、例示化合物Ａ−１７を蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
【０１９５】
上記ＣＢＰと、式（ａ１−１）で表される燐光発光材料であるＩｒ（ｐｐｙ）３をそれぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１６ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を設けた。
【０１９６】
その後、ＢＰｈｅｎを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、で前記発光層の上に蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層（電子輸送層）を設けた。
【０１９７】
さらにトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層の上に蒸着して厚さ２５ｎｍの電子輸送層を設けた。なお蒸着時の基板温度は室温であった。
【０１９８】
引き続き、リチウムフルオライドを蒸着速度０．０２ｎｍ／ｓｅｃで０．５ｎｍの厚さに蒸着した。最後に陰極としてアルミニウムを蒸着速度２．０ｎｍ／ｓｅｃで１００ｎｍの厚さに蒸着して有機電界発光素子を作製した。蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
【０１９９】
作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、室温、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度で連続駆動させた。初期には、電圧値は５．８Ｖであり、輝度２１００ｃｄ／ｍ２の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は１３００時間であった。
比較例１の有機電界発光素子と比較して本発明の化合物を正孔輸送層に使用することで、駆動電圧が低電圧化し、発光輝度が向上し、輝度の半減期も永くなることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２００】
本発明により、燐光発光材料からの発光を利用した有機電界発光素子の、発光効率や安定性、耐久性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０１】
【図１】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図２】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図３】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図４】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ａ】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ｂ】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図５Ｃ】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図６】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図７】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【図８】有機電界発光素子の層構造の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２０２】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入輸送層
３’  正孔注入層
３”  正孔輸送層
３ａ  正孔注入輸送成分
４  発光層
４ａ  発光成分
５  電子注入輸送層
５’  正孔阻止層（電子輸送層）
５ａ  電子注入輸送成分
６  陰極
７  電源
【図１】
2009170813.tif 000041
【図２】
2009170813.tif 000042
【図３】
2009170813.tif 000043
【図４】
2009170813.tif 000044
【図５Ａ】
2009170813.tif 000045
【図５Ｂ】
2009170813.tif 000046
【図５Ｃ】
2009170813.tif 000047
【図６】
2009170813.tif 000048
【図７】
2009170813.tif 000049
【図８】
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