(57)【要約】【課題】  サイズが異なる複数の必要半導体装置形成領域２２ａおよび複数の不必要半導体装置形成領域２２ｂを有する半導体ウエハを、必要半導体装置形成領域２２ａの４辺に沿うダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断することにより、必要半導体装置形成領域２２ａを有する半導体装置を得る半導体装置の製造方法において、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じないようにする。【解決手段】  不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいては、ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ銅からなる柱状電極１０を形成し、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１０は形成しない。これにより、ダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断するとき、不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいて、柱状電極１０を切断することはないので、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じることはない。【選択図】  図７
2009289866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の前記半導体装置形成領域が必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とからなる半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハ上の前記必要半導体装置形成領域に複数の第１の柱状電極を形成し、且つ、前記半導体ウエハ上の前記不必要半導体装置形成領域において前記必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートの直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に複数の第２の柱状電極を形成する工程と、
前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記第２の柱状電極は、前記半導体ウエハ上の前記不必要半導体装置形成領域における、前記ダイシングストリートの直上に対応する領域以外の領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記第１、第２の柱状電極を形成する工程は、前記半導体ウエハ上の前記必要半導体装置形成領域および前記不必要半導体装置形成領域以外の余剰領域において前記必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートの直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に複数のダミー柱状電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記ダミー柱状電極は、前記半導体ウエハ上の前記余剰領域における、前記ダイシングストリートの直上に対応する領域以外の領域に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の発明において、前記ダイシングストリートの幅方向一方側における前記必要半導体装置形成領域の前記ダイシングストリート側に形成すべき前記第１の柱状電極と、前記ダイシングストリートの幅方向他方側における前記余剰領域の前記ダイシングストリート側に形成すべき前記ダミー柱状電極とは、前記ダイシングストリートを中心にして対称となる位置に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記必要半導体装置形成領域の周囲における前記不必要半導体装置形成領域の少なくとも１つに形成すべき前記第２の柱状電極により、当該必要半導体装置形成領域を識別可能とするマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記マークは前記第２の柱状電極の上面からなる点状の矢印であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれかに記載の発明において、前記第１、第２の柱状電極および前記ダミー柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記第１の柱状電極上のみに半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、半導体基板上に配線が設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられ、配線を含む絶縁膜の上面に封止膜がその上面が柱状電極の上面と面一となるように設けられ、柱状電極の上面に半田ボールが設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２２０８７０号公報
【０００４】
ところで、上記のような半導体装置の製造に際し、開発実験用あるいは少量生産用の半導体装置を製造する場合には、１枚の半導体ウエハ上に回路構成、サイズ、機能等が異なる多種類の集積回路を形成し、必要な集積回路のみを半導体装置にして取り出すことがある。このような場合には、半導体ウエハはサイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の半導体装置形成領域は必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とからなっている。
【０００５】
すなわち、必要半導体装置形成領域は、今回必要とされ、半導体ウエハから取り出そうとする集積回路が形成された領域であり、それ以外の不必要半導体装置形成領域は、今回は半導体装置にして取り出す必要がない集積回路が形成された領域である。そして、必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートに沿って半導体ウエハを切断すると、必要半導体装置形成領域を有する半導体装置が得られる。
【０００６】
ところで、例えば、本願の図７に示す場合において、必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３は不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２と重なり合ってしまう。この結果、必要半導体装置形成領域２２ａ−１を半導体装置として取り出すために、必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３に沿って切断すると、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２の途中を切断することになる。この場合、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２の途中をただ単に切断するだけであれば、別に問題はない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２上に電解銅メッキからなる複数の柱状電極が形成されている場合において、これらの柱状電極のうち必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３上に形成された柱状電極をダイシングブレードで切断すると、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じ、ダイシングブレードの寿命が短くなってしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明は、銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を確実に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、サイズが異なる複数の半導体装置形成領域を有し、且つ、複数の前記半導体装置形成領域が必要半導体装置形成領域と不必要半導体装置形成領域とからなる半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハ上の前記必要半導体装置形成領域に複数の第１の柱状電極を形成し、且つ、前記半導体ウエハ上の前記不必要半導体装置形成領域において前記必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートの直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に複数の第２の柱状電極を形成する工程と、前記半導体ウエハを前記ダイシングストリートに沿って切断することにより、前記必要半導体装置形成領域を有する半導体装置を得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２の柱状電極は、前記半導体ウエハ上の前記不必要半導体装置形成領域における、前記ダイシングストリートの直上に対応する領域以外の領域に形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１、第２の柱状電極を形成する工程は、前記半導体ウエハ上の前記必要半導体装置形成領域および前記不必要半導体装置形成領域以外の余剰領域において前記必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートの直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に複数のダミー柱状電極を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記ダミー柱状電極は、前記半導体ウエハ上の前記余剰領域における、前記ダイシングストリートの直上に対応する領域以外の領域に形成することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項３または４に記載の発明において、前記ダイシングストリートの幅方向一方側における前記必要半導体装置形成領域の前記ダイシングストリート側に形成すべき前記第１の柱状電極と、前記ダイシングストリートの幅方向他方側における前記余剰領域の前記ダイシングストリート側に形成すべき前記ダミー柱状電極とは、前記ダイシングストリートを中心にして対称となる位置に形成することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記必要半導体装置形成領域の周囲における前記不必要半導体装置形成領域の少なくとも１つに形成すべき前記第２の柱状電極により、当該必要半導体装置形成領域を識別可能とするマークを形成することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記マークは前記第２の柱状電極の上面からなる点状の矢印であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項３〜７のいずれかに記載の発明において、前記第１、第２の柱状電極および前記ダミー柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記第１の柱状電極上のみに半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、半導体ウエハ上の不必要半導体装置形成領域において必要半導体装置形成領域の周辺に沿うダイシングストリートの真上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に複数の第２の柱状電極を形成しているので、不必要半導体装置形成領域において、第２の柱状電極をダイシングブレードで切断することはなく、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じることはなく、したがって銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１（Ａ）はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図を示し、図１（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、平面正方形状のシリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部には、２個のみを図示するが実際には多数の、アルミニウム系金属等からなる接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１２】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１３】
保護膜５の上面には複数の配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１４】
配線７の平面円形状の接続パッド部上面には銅からなる平面円形状の柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１がその上面が柱状電極１０の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。この場合、複数の半田ボール１２つまり柱状電極１０はマトリクス状に配置されている。
【００１５】
（製造方法の一例）
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。この場合、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の一部の長方形状の領域２２内は、平面形状（正方形状あるいは長方形状）およびサイズが異なる複数の必要半導体装置形成領域２２ａ、複数の不必要半導体装置形成領域２２ｂおよびそれ以外の余剰領域２２ｃとなっている。
【００１６】
そして、半導体ウエハ２１の上面において各半導体装置形成領域２２ａ、２２ｂには多種類の集積回路（図示せず）が形成されている。このことについて付言すると、この半導体ウエハ２１は、開発実験用あるいは少量生産用の半導体装置を製造するために、１枚の半導体ウエハ２１に回路構成、サイズ、機能等が異なる多種類の集積回路を形成したものであり、必要な集積回路のみを半導体装置にして取り出すものである。
【００１７】
ここで、符号２２ａで示す３つの必要半導体装置形成領域は、今回必要とされ、この半導体ウエハ２１から取り出そうとする集積回路が形成された領域であり、それ以外の符号２２ｂで示す不必要半導体装置形成領域は、今回は半導体装置にして取り出す必要がない集積回路が形成された領域であるとする。
【００１８】
このような条件下では、最終的には、符号２２ａで示す３つの必要半導体装置形成領域を個片化して分離し、それ以外の符号２２ｂで示す不必要半導体装置形成領域および余剰領域２２ｃは無視することになる。この結果、図３において二点鎖線で示すように、直線状のダイシングストリート２３は、３つの必要半導体装置形成領域２２ａの各４辺に沿った領域とし、不必要半導体装置形成領域２２ｂおよび余剰領域２２ｃと重なり合っても別に支障はない。
【００１９】
この場合、図３において、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３は、左上の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２と重なり合っている。右上の左右の２つの必要半導体装置形成領域２２ａ−２、２２ａ−３間の共通辺に沿うダイシングストリート２３は、右下の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−３、２２ｂ−４と重なり合っている。
【００２０】
さて、半導体ウエハ２１の必要半導体装置形成領域２２ａから図１（Ａ）、（Ｂ）に示すような半導体装置を製造する場合には、まず、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すものを準備する。この場合、図４（Ａ）は図３のIVA−IVA線に沿う部分における必要半導体装置形成領域２２ａ−２の部分の断面図であり、図４（Ｂ）は図３のIVB−IVB線に沿う部分における不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１の部分の断面図である。
【００２１】
ここで、図４（Ａ）において、符号２３で示す領域は必要半導体装置形成領域２２ａ−２の左右辺に沿うダイシングストリートに対応する領域であるが、図４（Ｂ）において、符合２４で示す領域は不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１の左右辺に沿う仮想のダイシングストリートに対応する領域である。そして、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１の部分では、上述の如く、図３に示す必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３と重なり合っている。
【００２２】
この準備したものでは、必要半導体装置形成領域２２ａの部分および不必要半導体装置形成領域２２ｂの部分のいずれにおいても、半導体ウエハ２１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド部２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されている。
【００２３】
さて、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すものを準備したら、次に、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００２４】
次に、下地金属層８の上面にメッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、必要半導体装置形成領域２２ａ−２においては、すべての上部金属層形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２５に開口部２６が形成されている。一方、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域に上部金属層９が形成されないようにするために、それ以外の領域における上部金属層９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２５に開口部２６が形成されている。
【００２５】
次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２５の開口部２６内の下地金属層８の上面に上部金属層９を形成する。この状態では、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１においては、ダイシングストリート２３（および必要に応じてその両側）に対応する領域に上部金属層９は形成されていない。次に、メッキレジスト膜２５を剥離する。
【００２６】
次に、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にメッキレジスト膜２７をパターン形成する。この場合、上部金属層９の平面円形状の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分におけるメッキレジスト膜２７には平面円形状の開口部２８が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、メッキレジスト膜２７の開口部２８内の上部金属層９の接続パッド部上面に平面円形状の柱状電極１０を形成する。
【００２７】
ここで、この状態における平面図を図７に示す。図７に示すように、３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３においては、柱状電極１０が所期の通り形成されている。左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の上側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいても、柱状電極１０が所期の通り形成されている。
【００２８】
また、右上の左側の必要半導体装置形成領域２２ａ−２の左側、左下側、下側および右下側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいても、柱状電極１０が所期の通り形成されている。この場合、必要半導体装置形成領域２２ａ−２の左下側、下側および右下側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいては、柱状電極１０が千鳥状に配置されている。
【００２９】
一方、左上の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２においては、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１０が所期の通り形成され、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１０は形成されていない。
【００３０】
また、右下の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−３、２２ｂ−４においては、右上の左右の２つの必要半導体装置形成領域２２ａ−２、２２ａ−３間の共通辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１０が所期の通り形成され、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域には柱状電極１０は形成されていない。
【００３１】
ここで、余剰領域２２ｃの所定の箇所には、平面十字形状のアライメントマーク２９が形成されている。このアライメントマーク２９は、詳細には図示していないが、下地金属層８の上面に上部金属層９の形成と同時に形成された平面十字形状の上部金属層の上面に、柱状電極１０の形成と同時に形成されたものからなっている。なお、以下の工程では、アライメントマーク２９の部分の説明は省略する。
【００３２】
図６に戻って説明を続けると、次に、メッキレジスト膜２７を剥離し、次いで、上部金属層９をマスクとして下地金属層８の不要な部分をエッチングして除去すると、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９およびその下に残存された下地金属層８により、２層構造の配線７が形成されている。
【００３３】
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面にエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００３４】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研削し、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、必要半導体装置形成領域２２ａ−２においては、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成するが、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１においては、柱状電極１０の上面に半田ボール１２は形成しない。
【００３５】
次に、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、封止膜１１、保護膜５、絶縁膜３および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２３に沿って切断する。すると、必要半導体装置形成領域２２ａ−２の部分から図１（Ａ）、（Ｂ）に示す半導体装置が得られ、不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１の部分からは不要な半導体装置が得られる。
【００３６】
ここで、封止膜１１、保護膜５、絶縁膜３および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２３に沿って切断する場合について、図７を参照して説明する。まず、左上の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２においては、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域に柱状電極１０を形成していないので、当該不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２において、柱状電極１０およびその台座となる配線７の接続パッド部をダイシングブレード（図示せず）で切断することはない。
【００３７】
また、右下の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−３、２２ｂ−４においては、右上の左右の２つの必要半導体装置形成領域２２ａ−２、２２ａ−３間の共通辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域に柱状電極１０を形成していないので、当該不必要半導体装置形成領域２２ｂ−３、２２ｂ−４において、柱状電極１０およびその台座となる配線７の接続パッド部をダイシングブレードで切断することはない。
【００３８】
このように、上記半導体装置の製造方法では、ダイシングストリート２３に沿ってダイシングブレードで切断するとき、不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいて、柱状電極１０およびその台座となる配線７の接続パッド部を切断することはないので、ダイシングブレードに銅の目詰まりが生じることはなく、この銅の目詰まりに起因するダイシングブレードの短寿命化を確実に防止することができる。
【００３９】
なお、ダイシングブレードの目詰まりを防止するために、不必要半導体装置形成領域２２ｂ全体に柱状電極１０を１本も形成しないことが考えられる。しかしながら、このようにした場合には、不必要半導体装置形成領域２２ｂ全体に柱状電極１０を１本も形成しないため、必要半導体装置形成領域２２ａのみに柱状電極１０を形成するための電解メッキを行なうとき、メッキ電流が必要半導体装置形成領域２２ａに集中して増大し、柱状電極１０の高さや形状の均一性が損なわれるので好ましくない。
【００４０】
これに対し、図７に示すように、例えば、左上の上下の２つの不必要半導体装置形成領域２２ｂ−１、２２ｂ−２においては、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にのみ柱状電極１０を所期の通り形成し、当該ダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域に柱状電極１０を形成しないようにすると、メッキの均一性を向上することができる。
【００４１】
なお、上記において、不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいて柱状電極１０を形成しない範囲は、必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングライン２３の直上に対応する領域のみでなく、電解メッキにより形成する柱状電極１０の高さ、形状等の均一性が維持されることを前提に必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングライン２３の直上に対応する領域から所定の範囲に亘って形成しないようにしてもよい。すなわち、不必要半導体装置形成領域２２ｂにおける、必要半導体装置形成領域２２ａの周辺に沿うダイシングストリート２３の直上に対応する領域を含む非形成領域を除く領域に柱状電極１０を形成すればよい。
【００４２】
ところで、図７では、説明の都合上、必要半導体装置形成領域２２ａおよび不必要半導体装置形成領域２２ｂの範囲を示す方形枠を図示しているが、実際には、図１３に示すように、封止膜１１の上面と面一とされた柱状電極１０およびアライメントマーク２９の上面が見えるだけであり、特に、３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３の範囲を示す方形枠が見えるわけではない。
【００４３】
したがって、３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３の各４辺に沿うダイシングストリート２３に沿って切断する場合には、アライメントマーク２９を基準にして３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３の範囲を予め記載した仕様書に基づいて、３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３の範囲を確認し、それに応じたダイシングストリート２３を確認することになる。
【００４４】
しかしながら、必要半導体装置形成領域２２ａの範囲を誤認することがあり、また必要半導体装置形成領域２２ａの範囲を確認しても、それに応じたダイシングストリート２３を誤認することがある。また、図７に示すように、余剰領域２２ｃに柱状電極１０を１本も形成していないので、メッキの均一性の向上にも限界がある。そこで、次に、このような不都合を解消することができる製造方法について説明する。
【００４５】
（製造方法の他の例）
まず、図１４に示すものを準備する。この場合、図１４では、説明の都合上、必要半導体装置形成領域２２ａおよび不必要半導体装置形成領域２２ｂの範囲を示す方形枠を図示している。図１４に示す状態は、図１０に示す場合と同様に、封止膜１１の上面側を適宜に研削して、柱状電極１０（後述するダミー柱状電極３１）およびアライメントマーク２９の上面を露出され、且つ、この露出された柱状電極１０（後述するダミー柱状電極３１）およびアライメントマーク２９の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化した状態である。
【００４６】
さて、図１４において、図７に示す場合と異なる点は、第１に、必要半導体装置形成領域２２ａの周囲における不必要半導体装置形成領域２２ｂの少なくとも１つに形成すべき柱状電極１０により、当該必要半導体装置形成領域２２ａを識別可能とするマークを形成した点であり、第２に、余剰領域２２ｃにダミー柱状電極３１を形成した点である。
【００４７】
まず、図１４において、図７に示す場合と異なる上記第１の点（必要半導体装置形成領域２２ａ識別可能マーク）について説明する。左下の必要半導体装置形成領域２２ａの上側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいては、そのうちの下側の柱状電極１０は、その下側の必要半導体装置形成領域２２ａ−１を指す点状の矢印となるように配置されている。左上の右側の不必要半導体装置形成領域２２ｂ−２においては、全体の柱状電極１０は、その右側の必要半導体装置形成領域２２ａ−２を指す点状の矢印となるように配置されている。
【００４８】
右上の左側の必要半導体装置形成領域２２ａ−２の下側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいては、全体の柱状電極１０は、その上側の必要半導体装置形成領域２２ａ−２を指す点状の矢印となるように配置されている。右上の右側の必要半導体装置形成領域２２ａ−３の下側の不必要半導体装置形成領域２２ｂにおいては、全体の柱状電極１０は、その上側の必要半導体装置形成領域２２ａ−３を指す点状の矢印となるように配置されている。
【００４９】
次に、図１４において、図７に示す場合と異なる上記第２の点（ダミー柱状電極３１）について説明する。余剰領域２２ｃにおいてダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にはダミー柱状電極３１が形成されている。このダミー柱状電極３１は、詳細には図示していないが、下地金属層８の上面に上部金属層９の形成と同時に形成された上部金属層の上面に、柱状電極１０の形成と同時に形成されたものからなっている。
【００５０】
この場合、例えば、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺に沿うダイシングストリート２３の幅方向右側および左側において、必要半導体装置形成領域２２ａ−１のダイシングストリート２３側に形成すべき柱状電極１０ａと、余剰領域２２ｃのダイシングストリート２３側に形成すべきダミー柱状電極３１ａとは、その間のダイシングストリート２３を中心にして対称となる位置に形成されている。
【００５１】
さて、図１４では、説明の都合上、必要半導体装置形成領域２２ａおよび不必要半導体装置形成領域２２ｂの範囲を示す方形枠を図示しているが、実際には、図１５に示すように、柱状電極１０、ダミー柱状電極３１およびアライメントマーク２９の周囲に形成された封止膜１１の上面と面一とされた柱状電極１０、ダミー柱状電極３１およびアライメントマーク２９の上面が見えるだけである。
【００５２】
この場合、柱状電極１０の上面からなる点状の矢印により、３つの必要半導体装置形成領域２２ａ−１、２２ａ−２、２２ａ−３の範囲を確認することができ、したがって必要半導体装置形成領域２２ａの範囲を誤認しにくいようにすることができる。また、例えば、左下の必要半導体装置形成領域２２ａ−１の左辺の部分において、柱状電極１０ａとダミー柱状電極３１ａとの間の中心がダイシングストリート２３に対応する領域であるので、当該ダイシングストリート２３を誤認しにくいようにすることができる。
【００５３】
また、余剰領域２２ｃにおいてダイシングストリート２３およびその両側に対応する領域を除く領域にはダミー柱状電極３１を形成しているので、余剰領域２２ｃにダミー柱状電極３１を形成しない場合と比較して、柱状電極１０、ダミー柱状電極３１およびアライメントマーク２９を電解メッキにより形成するとき、メッキ電流が集中して極端に増大する領域が生じにくくなり、メッキの均一性をより一層向上することができる。
【００５４】
ところで、図１５に示す工程後に、必要半導体装置形成領域２２ａにおいては、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成するが、不必要半導体装置形成領域２２ｂおよび余剰領域２２ｃにおいては、柱状電極１０およびダミー柱状電極３１の上面に半田ボール１２は形成しない。
【００５５】
このようにすると、半田ボール１２の存在により、必要半導体装置形成領域２２ａの範囲を確認しやすくすることができ、したがって必要半導体装置形成領域２２ａの範囲をより一層誤認しにくいようにすることができる。また、半田ボール１２の使用量を最小限とすることができ、その分、コストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（Ａ）はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図、（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図。
【図２】開発実験用等の半導体ウエハの一部の平面状態を説明するために示す平面図。
【図３】図２に示す半導体ウエハに対するダイシングストリートを説明するために示す平面図。
【図４】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初準備したものの断面図を示し、（Ａ）は図３のIVA−IVA線に沿う部分における必要半導体装置形成領域の部分の断面図、（Ｂ）は図３のIVB−IVB線に沿う部分における不必要半導体装置形成領域の部分の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に示す状態における平面図。
【図８】図６に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１０に示す状態における実際の平面図。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例において、所定の工程を説明するために示す平面図。
【図１５】図１４に示す状態における実際の平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  配線
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２２ａ  必要半導体装置形成領域
２２ｂ  不必要半導体装置形成領域
２２ｃ  余剰領域
２３  ダイシングストリート
２９  アライメントマーク
３１  ダミー柱状電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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