(57)【要約】【課題】鋳型工程を行うときにリードフレームの底面を確実に遮蔽可能な半導体のパッケージング方法を提供する。【解決手段】リードフレーム１０の底面に形成した光硬化性樹脂層２０を硬化するステップａと、リードフレーム１０の頂面にチップ１２を電気的に固着するステップｂと、ワイヤボンディングによって複数の錫線１４でチップ１２とリードフレーム１０とを電気的に接続するステップｃと、鋳型工程によってチップ１２、錫線１４およびリードフレーム１０の頂面にパッケージング材１６を充填するステップｄと、リードフレーム１０の底面の光硬化性樹脂層２０を除去するステップｅとを含む。このような方法によると、鋳型工程を行うとき、リードフレームの底面を確実に遮蔽することができ、パッケージング材がリードフレームにはみだすことを防止することができる。【選択図】  図８
2009170855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの底面に光硬化性樹脂層を形成し、光照射によって前記光硬化性樹脂層を硬化するステップａと、
前記リードフレームの頂面にチップを電気的に固着するステップｂと、
前記チップと前記リードフレームとをワイヤボンディングによって複数の錫線で電気的に接続するステップｃと、
前記チップ、前記錫線および前記リードフレームの頂面にパッケージング材を充填するステップｄと、
前記リードフレームの底面の前記光硬化性樹脂層を除去するステップｅと、
を含むことを特徴とする半導体のパッケージング方法。
【請求項２】
請求項１記載の前記ステップａに代えて、
光硬化性樹脂を塗布するための収容空間を設けた透光性を有する治具を用意するステップａ１と、
リードフレームの底面を前記治具に取り付け、前記リードフレームの底面に光硬化性樹脂層を形成するステップａ２と、
前記光硬化性樹脂層を、光照射によって硬化するステップａ３と、
前記治具を除去するステップａ４と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体のパッケージング方法。
【請求項３】
請求項１記載の前記ステップａに代えて、
収容空間を設けた透光性を有する治具を用意するステップａ´１と、
リードフレームの底面を前記治具に取り付け、前記収容空間に光硬化性樹脂を注入し、前記リードフレームの底面に光硬化性樹脂層を形成するステップａ´２と、
前記光硬化性樹脂層を光照射によって硬化するステップａ´３と、
前記治具を除去するステップａ´４と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体のパッケージング方法。
【請求項４】
前記ステップｅにおいて前記光硬化性樹脂層を、エッチング法、機械研磨法または化学機械研磨法などのいずれか一つによって除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体のパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体のパッケージング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体のパッケージング方法において、鋳型（molding）工程を行うときに樹脂がリードフレームの底面にはみだすという現象を防止するためのステップは、次の通りである。まずリードフレームの底面に接着テープを貼る。これにより、リードフレームに鋳型工程を行うとき、接着テープはリードフレームの底面をパッケージング材に接触させないように保護することができる。従って、リードフレームに鋳型工程を行うとき、パッケージング材がリードフレームの底面の接着テープに覆われた部分に染み込むという現象を防止することができ、樹脂がはみだすという現象を防止することができる。
【０００３】
しかしながら、接着テープは、伸張可能な特性を有する。そのため、リードフレームに鋳型工程を行うとき、接着テープはパッケージング材の圧迫を受けてリードフレームから剥離してしまうという現象が起こる。つまり、接着テープを採用する従来の方法は、パッケージング材がリードフレームの底面に染み込むという現象を確実に防止することができず、樹脂がはみだすという現象が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主な目的は、鋳型工程を行うときに、リードフレームの底面を確実に遮蔽し、樹脂がはみだすという現象を防止可能な半導体のパッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の目的を達成するために、本発明による半導体のパッケージング方法は、次のステップを含む。ステップａは、リードフレームの底面に光硬化性樹脂層を形成し、光照射によって光硬化性樹脂層を硬化する。ステップｂは、チップを配置する工程によって、リードフレームの頂面にチップを電気的に固着する。ステップｃは、ワイヤボンディングによって、複数の錫線でチップとリードフレームとを電気的に接続する。ステップｄは、鋳型工程によって、チップ、錫線およびリードフレームの頂面にパッケージング材を充填する。ステップｅは、リードフレームの底面の光硬化性樹脂層を除去する。
【０００６】
本発明による半導体のパッケージング方法は、上述したステップによってリードフレームの底面を確実に遮蔽することができる。リードフレームに鋳型工程を行うとき、光硬化性樹脂層は、パッケージング材がリードフレームの底面に染み込むという現象を防止することができる。つまり、パッケージング材がリードフレームの上の光硬化性樹脂層に覆われた部分に染み込むという現象を防止することにより、樹脂がはみだすという現象を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１から図９に示すように、本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法は、次のステップを含む。
【０００８】
ステップａは、リードフレーム１０の底面に光硬化性樹脂層２０を形成し、光照射によって光硬化性樹脂層２０を硬化する。ステップａは、次に示すステップａ１からａ４を含む。
【０００９】
ステップａ１は、図２に示すように、透光性がある治具３０を用意する。治具３０は光硬化性樹脂を塗布するために開放的な収容空間３２を有する。
ステップａ２は、図３に示すように、リードフレーム１０の底面を治具３０に取り付け、光硬化性樹脂をリードフレーム１０の底面に均質に付着する。このようにして、リードフレーム１０の底面に光硬化性樹脂層２０を形成する。
ステップａ３は、図４に示すように、光照射によって光硬化性樹脂層２０を硬化させ、光硬化性樹脂層２０をリードフレーム１０の底面に付着する。
ステップａ４は、図５に示すように、治具３０（図中未表示）を除去する。
【００１０】
ステップｂは、図６に示すように、チップ１２を配置する工程であり、リードフレーム１０の頂面に銀ペーストを塗布する。そののちリードフレーム１０の頂面にチップ１２を電気的に固着する。
ステップｃは、図７に示すように、ワイヤボンディング工程であり、ワイヤボンディング機を使用し、複数の錫線１４でチップ１２とリードフレーム１０とを電気的に接続する。
ステップｄは、図８に示すように、鋳型工程であり、鋳型装置を使用して、チップ１２、錫線１４およびリードフレーム１０の頂面にパッケージング材１６を充填する。
【００１１】
ステップｅは、図９に示すように、リードフレーム１０の底面の光硬化性樹脂層２０を除去する。光硬化性樹脂層２０は、エッチング法、機械研磨法または化学機械研磨法などのいずれか一つによって除去する。本実施形態では、光硬化性樹脂層２０はエッチング法によって除去する。
【００１２】
上述したステップにより、光硬化性樹脂層２０は、従来のものと比べて良好な剛性と付着力を有することができる。リードフレーム１０に鋳型工程を行うとき、光硬化性樹脂層２０は、パッケージング材１６の圧迫を受けてもリードフレーム１０の底面から剥離するという現象が発生しない。
つまり、本実施形態における光硬化性樹脂層２０は、パッケージング材１６がリードフレーム１０の底面に染み込むという現象を確実に防止することができる。このように、本実施形態による半導体のパッケージング方法によると、鋳型工程に行うときに樹脂がはみだすという現象を確実に防止することができる。
【００１３】
また、このような本実施形態による半導体のパッケージング方法によると、上述したステップによってリードフレーム１０の底面を確実に遮蔽することができる。リードフレーム１０に鋳型工程を行うとき、光硬化性樹脂層２０はパッケージング材１６がリードフレーム１０の底面に染み込むという現象を防止することができる。
つまり、パッケージング材１６がリードフレーム１０の上の光硬化性樹脂層２０に覆われた部分に染み込むという現象を防止し、樹脂がはみだすという現象を防止することができる。
【００１４】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態による半導体のパッケージング方法は、第１実施形態と異なるステップａと、第１実施形態と同様のステップｂからステップｅを含む。本実施形態と第１実施形態との違いは、ステップａにおいて光硬化性樹脂層を形成する工程が異なる点である。本実施形態のステップａは、リードフレーム５０の底面に光硬化性樹脂層６０を形成し、光照射によって光硬化性樹脂層６０を硬化する。
本実施形態のステップａは、図１０から図１２に示すように、ａ´１からａ´４の工程を含む。
【００１５】
ステップａ´１は、図１０に示すように、透光性がある治具７０を用意する。治具７０は開放的な収容空間７２を有する。
ステップａ´２は、図１１に示すように、リードフレーム５０の底面を治具７０に取り付け、収容空間７２に光硬化性樹脂を注入する。光硬化性樹脂は、リードフレーム５０の底面に接触するまで注入する。光硬化性樹脂は、図１２に示すように、リードフレーム５０の底面に均質に付着し、リードフレーム５０の底面に光硬化性樹脂層６０を形成する。
ステップａ´３は、光硬化性樹脂層６０を光照射によって硬化し、光硬化性樹脂層６０をリードフレーム５０の底面に付着する。
ステップａ´４は、治具７０を除去する。
【００１６】
本実施形態のステップｂからステップｅまでの工程は、第１実施形態のステップｂからステップｅまでの工程と同じであるため、説明を省略する。
本実施形態は、第１実施形態のステップａの別の実施形態を提示するためのものである。このように本実施形態による半導体のパッケージング方法は、第１実施形態と同じ目的を達成することができるだけではなく、上述したステップにより、要件を制限することなく、別の実施形態を提供することができる。
【００１７】
本発明による半導体のパッケージング方法は、上述したステップによってリードフレームの底面を確実に遮蔽することができる。リードフレームに鋳型工程を行うとき、光硬化性樹脂層は、パッケージング材がリードフレームの底面に染み込むという現象を防止することができる。つまり、パッケージング材がリードフレームの上の光硬化性樹脂層に覆われた部分に染み込むという現象を防止することにより、樹脂がはみだすという現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法を示す説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、治具に光硬化性樹脂を塗布する状態を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームを治具に被せて光硬化性樹脂に接触させる状態を示す模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、光硬化性樹脂を硬化させる状態を示す模式図である。
【図５】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、治具を除去した後の状態を示す模式図である。
【図６】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームの頂面にチップを配置した後の状態を示す模式図である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームの頂面にワイヤボンディング工程を行った後の状態を示す模式図である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームの頂面に鋳型工程を行った後の状態を示す模式図である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームの底面の光硬化性樹脂層を除去した後の状態を示す模式図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半導体のパッケージング方法において、治具を示す模式図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による半導体のパッケージング方法において、リードフレームが治具に被さる状態を示す模式図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による半導体のパッケージング方法において、光硬化性樹脂が治具の収容空間に注入されてリードフレームの底面に接触する状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０：リードフレーム、１２：チップ、１４：錫線、１６：パッケージング材、２０：光硬化性樹脂層、３０：治具、３２：収容空間、５０：リードフレーム、６０：光硬化性樹脂層、７０：治具、７２：収容空間
【図１】
2009170855.tif 000003
【図２】
2009170855.tif 000004
【図３】
2009170855.tif 000005
【図４】
2009170855.tif 000006
【図５】
2009170855.tif 000007
【図６】
2009170855.tif 000008
【図７】
2009170855.tif 000009
【図８】
2009170855.tif 000010
【図９】
2009170855.tif 000011
【図１０】
2009170855.tif 000012
【図１１】
2009170855.tif 000013
【図１２】
2009170855.tif 000014