(57)【要約】【課題】  ファザースタンパからマザースタンパを剥離して得られるスタンパ（マザースタンパ）の欠陥を少なく抑える。【解決手段】  ファザースタンパ１０６上に形成したレジスト１１１の表面をＵＶ／Ｏ３ランプ１によってＵＶ／Ｏ３表面処理することで洗浄し、レジスト洗浄されたファザースタンパ１１２を得る。次いで、レジスト洗浄されたファザースタンパ１１２の表面をＵＶ／Ｏ３ランプ１によってＵＶ／Ｏ３表面処理することで、ファザースタンパ１１２の表面に酸化膜１１３を形成する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してレジスト洗浄処理を施し、また、前記ファザースタンパの表面上に酸化膜処理を施すためのＵＶ／Ｏ３表面処理工程と、
前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程により前記ファザースタンパの表面に形成された酸化膜上に、マザースタンパ用のニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、
前記電鋳膜形成工程で形成されたマザースタンパ用のニッケル電鋳膜を前記ファザースタンパから剥離し、マザースタンパを形成する剥離工程と、
を有していることを特徴とするスタンパ製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程は、紫外線波長が２５４ｎｍの波長の紫外線と１８５ｎｍの波長の紫外線とを用いて行うことを特徴とするスタンパ製造方法。  
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理は、ＵＶ／Ｏ３ランプ下でなされ、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、ＵＶ／Ｏ３ランプの管壁温度を３０℃〜５０℃の範囲内にすることを特徴とするスタンパ製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、照射ステージ（光量センサー付き）がＵＶ／Ｏ３ランプ下で、前後左右と動きスタンパ外径の端から端まで移動し、その時の検出光量値が５０００ｍＪ／ｃｍ２〜３００００ｍＪ／ｃｍ２であることを特徴とするスタンパ製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のスタンパ製造方法によって製造されるスタンパ。
【請求項６】
請求項５記載のスタンパによって製造される光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパ製造方法、スタンパおよび光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ビームを照射して情報の記録再生を行う光記録媒体（例えば、光ディスクなど）は幅広く利用されており、今後もその記録密度の向上に期待が集まっている。
【０００３】
そこで近年、大容量の画像・音声データ，デジタルデータを再生可能な種々の光ディスクが開発され、高密度化するような研究開発が進められている。
【０００４】
従来のスタンパとしては、レーザ光などの光学手段によって情報の記録再生が行われる光記録媒体成形用のスタンパが知られている。この光記録媒体成型用のスタンパには、光記録媒体のトラッキング用溝，情報用ピットなどに対応する凹凸パターンが形成されており、この凹凸パターンを熱可塑性樹脂（例えばポリカーボネート樹脂）に転写することで、前記光記録媒体の溝部を形成することができる。
【０００５】
図７は、従来のスタンパ製造方法を説明するための図である。図７に示すように、従来のスタンパ製造方法は、ガラス基板２０１上に形成された原盤２０３の凹凸パターン２０２面上に、ニッケル（Ｎｉ）をスパッタして導電化処理を施すことで導電化膜２０４を形成する（図７（Ａ））。その後、ニッケルを導電化膜２０４上に電鋳して電鋳膜（Ｉ）２０５を形成する（図７（Ｂ））。次に、導電化膜２０４と電鋳膜（Ｉ）２０５とを一体に、原盤２０３から剥離してファザースタンパ２０６を得る（図７（Ｃ））。光ディスクに用いる凹凸パターン付き基板は多数複製されるために、実際には、ファザースタンパ２０６の表面に電鋳を行い、電鋳膜（ＩＩ）２０７を形成し（図７（Ｄ））、電鋳膜（ＩＩ）２０７をファザースタンパ２０６から剥離してマザースタンパ２０８を得る（図７（Ｅ））。このマザースタンパ２０８を用いて、射出成形などの方法により光ディスク基板２１０が大量に生産される。上記のスタンパ製造方法においては、導電化膜および電鋳膜の材料としてニッケル（Ｎｉ）が使用されている。
【０００６】
上述の工程で問題となるのは、図７（Ｄ）の電鋳膜（ＩＩ）２０７を形成する電鋳形成工程において、ファザースタンパ２０６のニッケルからなる導電化膜２０４の表面にニッケル電鋳を行なって電鋳膜（ＩＩ）２０７を形成しているため、電鋳膜（ＩＩ）２０７をファザースタンパ２０６から剥離しようとするときに、電鋳膜（ＩＩ）２０７と導電化膜２０４とはニッケルで同じ金属同士であるために、電鋳膜（ＩＩ）２０７と導電化膜２０４とが一体化して剥離できなくなることである。
【０００７】
これらの問題を改良するために、例えば、以下の手法が提案されている。
【０００８】
すなわち、第１の手法として、特許文献１に示されているように、導電化膜２０４のニッケル膜に相当する表面を次亜ハロゲン酸で酸化膜処理することが提案されている。
【０００９】
また、第２の手法として、特許文献２、３に示されているように、導電化膜２０４のニッケル膜に相当する表面を酸素プラズマ処理及びＡｒプラズマ処理することが提案されている。
【特許文献１】特開昭５４−４０２３９号公報
【特許文献２】特開昭５９−１７３２８８号公報
【特許文献３】特開２００５−１００５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の改良方法は、いずれも導電化膜２０４のニッケル膜の表面を酸化処理する方法であるが、以下の（１）〜（５）の問題点が発生する。  
（１）ニッケル膜の伝導度が低下し、電鋳時の電鋳膜（ＩＩ）２０７の成膜速度が遅い。
（２）ニッケル膜面の酸化膜処理が不均質であると、電鋳膜（ＩＩ）２０７の成膜速度が面内で変動し、得られるスタンパの厚みが変動する。  
（３）導電化膜２０４のニッケル膜面から電鋳膜（ＩＩ）２０７を剥離したときに、酸化処理の不均質に起因して、電鋳膜（ＩＩ）２０７の一部がニッケル膜の表面に残り、残渣が発生する。
（４）上記１）の酸化処理は酸化膜処理液が環境問題の原因となる。
（５）プラズマ処理でのレジスト除去及び酸化膜処理では、酸素及びＡｒガスでのプラズマ酸化膜形成は、繰返し処理していくとＮｉ表面がプラズマによる原子衝突にて、表面の荒れや溝形状が崩れていく。
【００１１】
本発明は、ファザースタンパからマザースタンパを剥離して得られるスタンパ（マザースタンパ）の欠陥を少なく抑えることの可能なスタンパ製造方法、スタンパおよび光記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してレジスト洗浄処理を施し、また、前記ファザースタンパの表面上に酸化膜処理を施すためのＵＶ／Ｏ３表面処理工程と、
前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程により前記ファザースタンパの表面に形成された酸化膜上に、マザースタンパ用のニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、
前記電鋳膜形成工程で形成されたマザースタンパ用のニッケル電鋳膜を前記ファザースタンパから剥離し、マザースタンパを形成する剥離工程と、
を有していることを特徴とするスタンパ製造方法である。
【００１３】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程は、紫外線波長が２５４ｎｍの波長の紫外線と１８５ｎｍの波長の紫外線とを用いて行うことを特徴としている。
【００１４】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理は、ＵＶ／Ｏ３ランプ下でなされ、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、ＵＶ／Ｏ３ランプの管壁温度を３０℃〜５０℃の範囲内にすることを特徴としている。
【００１５】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のスタンパ製造方法において、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、照射ステージ（光量センサー付き）がＵＶ／Ｏ３ランプ下で、前後左右と動きスタンパ外径の端から端まで移動し、その時の検出光量値が５０００ｍＪ／ｃｍ２〜３００００ｍＪ／ｃｍ２であることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のスタンパ製造方法によって製造されるスタンパである。
【００１７】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載のスタンパによって製造される光記録媒体である。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１乃至請求項４記載の発明によれば、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してレジスト洗浄処理を施し、また、前記ファザースタンパの表面上に酸化膜処理を施すためのＵＶ／Ｏ３表面処理工程と、
前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程により前記ファザースタンパの表面に形成された酸化膜上に、マザースタンパ用のニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、
前記電鋳膜形成工程で形成されたマザースタンパ用のニッケル電鋳膜を前記ファザースタンパから剥離し、マザースタンパを形成する剥離工程と、
を有しているので、ファザースタンパからマザースタンパを剥離して得られるスタンパ（マザースタンパ）の欠陥を少なく抑えることができる。
【００１９】
請求項５記載の発明によれば、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のスタンパ製造方法によって製造されるスタンパであるので、欠陥の少ないスタンパを提供できる。
【００２０】
請求項６記載の発明によれば、請求項５記載のスタンパによって製造される光記録媒体であるので、欠陥の少ない高品質の光記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
図１は本発明に係るスタンパを製造するための製造装置の構成例を示す図である。図１を参照すると、この製造装置は、ＵＶ／Ｏ３表面処理を行うためのＵＶ／Ｏ３ランプ１と、前後左右に可動な照射ステージ（光量センサー付き）２とを備えている。
【００２３】
図２は本発明に係るスタンパ製造方法を説明するための図である。図２を参照すると、このスタンパ製造方法は、ガラス基盤１０１上にレジスト１０９を形成する（図２（Ａ））。そして、このレジスト１０９を所定パターンのマスクでレーザ露光し、現像して、凹凸パターンのレジスト１０２とする（図２（Ｂ））。次いで、凹凸パターンのレジスト１０２上に導電化膜１０４を形成し（図２（Ｃ））、しかる後、導電化膜１０４上にニッケル電鋳膜（Ｎｉ電鋳膜）１０５を形成する（図２（Ｄ））。そして、図２（Ｄ）の状態からガラス基盤１０１を剥離する（図２（Ｅ））。このとき、導電化膜１０４およびニッケル電鋳膜（Ｎｉ電鋳膜）１０５が、ファザースタンパ１０６となる。
【００２４】
次いで、ファザースタンパ１０６上にレジスト１１１を形成し（図３（Ｆ））、しかる後、レジスト１１１の表面をＵＶ／Ｏ３ランプ１によってＵＶ／Ｏ３表面処理することで、洗浄（レジスト洗浄）し（図３（Ｇ））、レジスト洗浄されたファザースタンパ１１２が得られる（図３（Ｈ））。
【００２５】
このように、レジスト洗浄工程は、ＵＶ／Ｏ３表面処理工程を導入することによって行われることが好ましい。これにより、従来の酸素及びＡｒガスによる問題点を改善することができる。すなわち、ＵＶ／Ｏ３は紫外線にオゾンによる有機物洗浄であるので、プラズマ処理のような表面を原子でたたくことがなく、ファザースタンパの表面荒れを防止できる。
【００２６】
次いで、レジスト洗浄されたファザースタンパ１１２の表面をＵＶ／Ｏ３ランプ１によってＵＶ／Ｏ３表面処理することで、ファザースタンパ１１２の表面に酸化膜１１３を形成する（図３（Ｉ））。
【００２７】
このように、酸化膜工程は、ＵＶ／Ｏ３表面処理工程を導入することによって行われることが好ましい。これにより、従来の酸素及びＡｒガスによる問題点を改善することができる。すなわち、ＵＶ／Ｏ３は、紫外線にオゾンによる酸化膜形成であるので、プラズマ処理のような表面を原子でたたくことがなく、ファザースタンパの表面荒れが少なくなり、その結果、ファザースタンパ表面の劣化が低減する上、さらに、剥離性が向上する。
【００２８】
次いで、上記のように酸化膜１１３が形成されたファザースタンパ１１４上に、マザースタンパとなるべきニッケル電鋳膜（Ｎｉ電鋳膜）１１５を形成する（図４（Ｊ））。
【００２９】
しかる後、上記ニッケル電鋳膜（Ｎｉ電鋳膜）１１５をファザースタンパ１１４から剥離して、マザースタンパ１１５を作製することができる（図４（Ｋ））。
【００３０】
本発明では、上記のようにして、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面上のダメージがなく、その後複製を繰返し作製しても、表面ダメージのない酸化膜形成状態で電鋳ができ、これにより、マザースタンパの溝形状は再現性がよく溝形状及び信号特性の経時変化が少ないスタンパが得られる。
【００３１】
そして、図４（Ｋ）のようにして作製されたマザースタンパ１１５を用いて、光記録媒体（例えば、光ディスクなど）１２０を作製することができる（図４（Ｌ））。
【００３２】
上述したように、本発明のスタンパ製造方法は、凹凸パターンが形成されたファザースタンパの表面に対してレジスト洗浄処理を施し、また、前記ファザースタンパの表面上に酸化膜処理を施すためのＵＶ／Ｏ３表面処理工程と、
前記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程により前記ファザースタンパの表面に形成された酸化膜上に、マザースタンパ用のニッケル電鋳膜を形成する電鋳膜形成工程と、
前記電鋳膜形成工程で形成されたマザースタンパ用のニッケル電鋳膜を前記ファザースタンパから剥離し、マザースタンパを形成する剥離工程と、
を有していることを特徴としている。
【００３３】
これにより、ファザースタンパからマザースタンパを剥離して得られるスタンパ（マザースタンパ）の欠陥を少なく抑えることができる。
【００３４】
ここで、上記ＵＶ／Ｏ３表面処理工程は、紫外線波長が２５４ｎｍの波長の紫外線と１８５ｎｍの波長の紫外線とを用いて行うのが好ましい。
【００３５】
すなわち、紫外線波長が２５４ｎｍの波長の紫外線と１８５ｎｍの波長の紫外線とを用いてＵＶ／Ｏ３表面処理工程を行うことにより、１８５ｎｍ波長でレジスト洗浄力効果が得られ、また、２５４ｎｍ波長で表面性のダメージのない良質な酸化膜を形成できる。
【００３６】
ここで、ＵＶ／Ｏ３表面処理を学術的な見解から説明する。波長が２５４ｎｍの紫外線の持つエネルギーは１１３Ｋｃａｌ／ｍｏｌになり、同様に、波長が１８５ｎｍの紫外線の持つエネルギーは１５５Ｋｃａｌ／ｍｏｌになり、化学結合エネルギーを解離するには、十分なエネルギーをもっている。また、１８５ｎｍの紫外線は、大気中の酸素に反応し吸収されオゾンＯ３を発生する。Ｏ３はさらに反応し続けて２５４ｎｍの紫外線を吸収して原子状の酸素（Ｏ）を生成する（ラジカル酸素）。このように、原子状の酸素（Ｏ）が生成されることから、単層構造かつ界面剥離ができ、表面性のダメージのない良質な酸化膜を形成できる。
【００３７】
また、上記ＵＶ／Ｏ３表面処理は、ＵＶ／Ｏ３ランプ下でなされ、前記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、ＵＶ／Ｏ３ランプの管壁温度を３０℃〜５０℃の範囲内にするのが好ましい。
【００３８】
上記ＵＶ／Ｏ３表面処理のランプ管壁温度を３０℃〜５０℃の範囲内で行う理由は、図５に示すように、この範囲内が最もＯ３酸素濃度が高く得られる上、常に安定した酸素濃度（酸化膜）が得られるためである。
【００３９】
また、上記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、照射ステージ（光量センサー付き）２がＵＶ／Ｏ３ランプ１下で、前後左右と動きスタンパ外径の端から端まで移動し、その時の検出光量値が５０００ｍＪ／ｃｍ２〜３００００ｍＪ／ｃｍ２であるのが好ましい。
【００４０】
上記ＵＶ／Ｏ３表面処理中は、照射ステージ２がＵＶ／Ｏ３ランプ１下で前後左右と動き、ＵＶ照射光量値が５０００ｍＪ／ｃｍ２〜３００００ｍＪ／ｃｍ２の理由としては、図６に示すように、実際のスタンパとスタンパの剥離強度と欠陥率を見ると、５０００ｍＪ／ｃｍ２以下では、酸化膜厚み不足が想定され、３００００ｍＪ／ｃｍ２以上では、酸化膜厚みが厚すぎると酸化膜（ＮｉＯｘは最適膜厚が数十Å）の物わかれ現象が起きるものと想定されるためである。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、光記録媒体のスタンパの製造、また、電鋳で製造される金型の製造等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係るスタンパを製造するための製造装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明に係るスタンパ製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明に係るスタンパ製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明に係るスタンパ製造方法を説明するための図である。
【図５】ランプ温度とＯ３濃度との相関図である。
【図６】ＵＶ照射光量値が５０００ｍＪ／ｃｍ２〜３００００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい理由を説明するための図である。
【図７】従来のスタンパ製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４３】
１          ＵＶ／Ｏ３ランプ
２          照射ステージ（光量センサー付き）
１０１          ガラス基盤
１０２          レジスト
１０４          導電化膜
１０５          ニッケル電鋳膜（Ｎｉ電鋳膜）
１０６        ファザースタンパ
１１１        レジスト
１１２        ファザースタンパ
１１３        酸化膜
１１４        ファザースタンパ
１１５        マザースタンパ
１２０        光記録媒体
【図１】
2009070454.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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