(57)【要約】【課題】凸形スパイラル状接触子のへたりが無い製造方法を提供する。【解決手段】  凸形スパイラル状接触子２が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ１の製造方法であって、スパイラル状接触子２を一方から凸形工具１４で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１１工程と、半田ペースト１０を上面に載せたプレート１３を設け、凸形スパイラル状接触子２を支持する支持部２ａの下面に転写する第１２′工程と、上面にＣｕ製のランド１５を配設した実装基板６を設け、凸形スパイラル状接触子２の接合面２ａに転写された半田ペースト１０をランド１５に位置決めする第１３′工程と、半田ペースト１０による半田リフローによって前記ランド（１５）に固着する第１４′工程と、Ｃｕ箔３をエッチングで除去する第１５′工程と、を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法である。【選択図】図３
2009026565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸形スパイラル状接触子が複数配置された凸形スパイラルコンタクタの製造方法であって、
Ｃｕ箔を用意する第１工程と、
前記Ｃｕ箔の表面にフォトレジストを貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子のパターンを有するフォトマスクを被せる第２工程と、
前記フォトマスクに対して露光・現像を行う第３工程と、
前記Ｃｕ箔の露出面にＮｉの金属メッキを施し、スパイラル状接触子を成形する第４工程と、
前記フォトレジストを除去する第５工程と、
前記Ｃｕ箔の裏面にフォトレジストを貼付もしくは塗布し、穴を開けるためのフォトマスクを被せる第６工程と、
前記Ｃｕ箔の裏面の前記フォトマスクに対して露光・現像を行う第７工程と、
前記Ｃｕ箔の裏面からＣｕ箔にエッチングで穴を開ける第８工程と、
前記Ｃｕ箔の裏面の前記フォトレジストを除去する第９工程と、
前記スパイラル状接触子の一方に凸形工具を配置する第１０工程と、
前記スパイラル状接触子を一方から凸形工具で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１１工程と、
上面にＣｕ製のランドを配設した実装基板を設け、前記ランドの上面にＢｉ−Ｓｎの中間材の粉末を塗布する第１２工程と、
前記実装基板のＣｕ製のランドの上面に前記凸形スパイラル状接触子を位置決めする第１３工程と、
温度を恒温〜融点未満とし、押圧力を１．０ＫＰａ〜１０ＭＰａとして、前記実装基板及び前記凸形スパイラル状接触子を押圧して固相拡散接合させ、前記ランドと前記凸形スパイラル状接触子の接合面とが接合した接合部以外に残留した中間材を取り除く第１４工程と、
前記Ｃｕ箔をエッチングで除去する第１５工程と、
を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された前記第１１工程の後に、
半田ペーストを上面に載せたプレートを設け、凸形スパイラル状接触子の接合面に、前記半田ペーストを転写する第１２′工程と、
上面にＣｕ製のランドを配設した実装基板を設け、前記凸形スパイラル状接触子の接合面に転写された半田ペーストを前記ランドに位置決めする第１３′工程と、
前記半田ペーストによる半田リフローによって前記ランドに固着する第１４′工程と、
前記Ｃｕ箔をエッチングで除去する第１５′工程と、
を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型化、軽量化、小型化、高密度化に対応可能な凸形スパイラル状接触子を複数配置した凸形スパイラルコンタクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＩＣ）の多機能化、高性能化に伴い、ＩＣを搭載する電子部品は、軽量化、縮小化、高精度化、高密度化等さまざまなニーズにより変遷し、進化してきた。
図５は、従来の凸形スパイラルコンタクタの拡大平面図である。図５に示すように、凸形スパイラルコンタクタ２０は、格子状に凸形スパイラル状接触子２，２…が狭ピッチで複数配置されて構成されている。凸形スパイラルコンタクタ２０を構成する凸形スパイラル状接触子２は、平面視ではスパイラル形状であり、側面視では凸形をしており、複数の凸形スパイラル状接触子２，２…が絶縁基板上に配置されている。この凸形スパイラル状接触子２は渦巻き状に接点を有し、円錐形で断面が角形のコイルばねのように形成し、先端をフリーとした１本からなり、先端から根元に近づくにしたがって凸形スパイラル状接触子２の渦巻き部の幅が広くなるように形成されている。
【０００３】
図６は、図５に示す凸形スパイラルコンタクタのＡ−Ａ線の断面図であり、形状の異なる２つの接続端子を接近させた状態を示し、図６の（ａ）は、凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続する前の状態を示す断面図である。
図６の（ａ）に示すように、実装（プリント）基板６にはスルーホール６ａが形成され、このスルーホール６ａを埋めるようにしてエラストマー６ｂが充填されている。実装基板６の両面には、凸形スパイラル状接触子２，２…が配置されている。さらに、実装基板６の表面（上面）には、ガイドフレーム１２がポリイミド１８を介して形成されている。上方から球状接続端子２１ａを有する半導体デバイス２１がガイドフレーム１２に接近すると、このガイドフレーム１２は、球状接続端子２１ａをガイドフレーム１２内に落とし込む際のガイドとなり、さらに、半導体デバイス２１のストッパになり、半導体デバイス２１を支持する。
一方、実装基板６の裏面（下面）には、パッド状接続端子２２ａを有する半導体デバイス２２が配置されている。
【０００４】
図６の（ｂ）は、凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続した状態を示す断面図である。図６の（ｂ）に示すように、凸形スパイラル状接触子２の各断面は、金属メッキ工法の特性により、中央がくぼみ、角が鋭角に形成されている。凸形スパイラル状接触子２は、球状接続端子（以下、ボールという）２１ａの押圧により、凸形スパイラル状接触子２は、この付勢力に抗して、中央部から外側に接触点から接触線に広げ、フラット状に変形する。そして、信頼性の高い電気的接続をする。また、凸形スパイラル状接触子２は螺旋状のため、球状接続端子２１ａの球径のバラツキや球状接続端子２１ａの出入りの浅いもの、深いものにも柔軟に対応する適合性を有している。
【０００５】
一方、下部に配置したパッド状接続端子２２ａ（以下、パッドという）を有する半導体デバイス２２側でも、凸形スパイラル状接触子２は、パッド２２ａの押圧により、凸形スパイラル状接触子２は、この付勢力に抗して、中央部から外側に接点を広げ、フラット状に変形する。そして、前記同様に、信頼性の高い電気的接続をする。また、パッド２２ａの高さの出入りのバラツキにも柔軟に対応する適合性を有しているため、スパイラル状接触子２は凸形の方が有利である（特許文献１参照）。
【０００６】
従来の凸形スパイラルコンタクタの製造方法の前半（図示せず）から概略を説明する（特許文献２参照）。
第１工程は、例えば、ＳＵＳ（ステンレス）の金属板の表面に、例えば、厚み２０〜６０μｍ程の銅メッキにより金属膜を形成し、第２工程は、銅メッキの金属膜の上にフォトレジスト膜を塗布し、フォトマスクを重ねる。
第３工程は、フォトレジスト膜に凸形スパイラル状接触子のパターンを有するフォトマスクに対して露光・現像をし、第４工程は、露出した銅メッキの金属膜に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）メッキを施して凸形スパイラル状接触子を形成する。
第５工程は、ＳＵＳの金属板を剥がし取り、下面に円錐状の凸部が形成したフォーミング用のパレットを用意し、第６工程は、パレットの凸部に凸形スパイラル状接触子を真空吸着にて当接し、凸型に成形する。
第７工程は、平面研削用の砥石を用意し、第８工程は、凸形スパイラル状接触子の凸部を砥石にて研磨し、削除する。
第９工程は、パレットを取り外し、凸形スパイラル状接触子の研磨面に金メッキを施し、第１０工程は、フォトレジスト膜を除去する。
第１１工程は、穴明け加工が施されたポリイミドフィルムによるガイドフレームを用意し、加熱圧着し、第１２工程は、銅メッキの金属膜の下面にフォトレジスト膜を塗布し、フォトマスクを重ねる。
第１３工程は、露光・現像し、第１４工程は、ニッケルメッキの後、金メッキを施す。
第１５工程は、フォトレジスト膜を除去し、第１６工程は、銅メッキの金属膜をエッチングにて除去する。
【０００７】
図７は、従来の凸形スパイラルコンタクタの製造方法の後半である第１７〜２２工程を示す工程図である。図７に示すように、第１７工程は、ガイドフレーム１２の上面に型崩れのないようにパレット２３を貼付する。
第１８工程は、中心に位置決め用の心棒１４ａを形成し、その心棒１４ａの外周に１回転分の螺旋状の肩部１４ｂを設けた凸形工具１４を凸形スパイラル状接触子２の下方に配置する。
第１９工程は、前記凸形パイラル状接触子２を下方から凸形工具１４により所定量押圧して塑性加工を行う。
第２０工程は、前記凸形スパイラル状接触子２から凸形工具１４を抜き取り、パレット２３を取り外す。
第２１工程は、スルーホールのない絶縁基板６に導電接着剤１１を塗布する。
第２２工程は、絶縁基板６に凸形スパイラルコンタクタ２０の凸形スパイラル状接触子２を導電接着剤１１で接着する。
以上の加工手順により、スルーホールがない実装（プリント）基板６に、凸形の膨らみを有する凸形スパイラル状接触子２が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ２０を製造することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２０９４１９号公報（００２９、００３０、図３）
【特許文献２】特開２００４−１２３５７号公報（００２３、００２４、図２、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の凸形スパイラルコンタクタ２０の製造方法は、図７の第１９工程に示すように、時間の経過と共にフラット状のスパイラル状接触子２を凸形工具１４により所定量押し上げて塑性加工を行うため、残留応力によりへたりが生じ、付勢力が減少し、凸形スパイラル状接触子２の山の高さが次第に低くなるという問題があった。
また、従来の接合方法では、中間材が硬化性の導電接着剤であるため、押圧すると、導電接着剤である中間材が接合面からはみ出し、必要な所以外の周辺に流れ出した状態で固着するため、接合不良やショートを起こすという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、凸形スパイラル状接触子２が時間の経過とともに発生するへたりや付勢力の減少を防止すると共に、中間材が接触子の接合面と基板のランドとが接合する接合部からはみ出さず、接触子と基板を好適に接合する製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に係る発明は、凸形スパイラル状接触子（２）が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、Ｃｕ箔（３）を用意する第１工程と、前記Ｃｕ箔（３）の表面にフォトレジスト（７）を貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子（２）のパターンを有するフォトマスク（８）を被せる第２工程と、前記フォトマスク（８）に対して露光・現像を行う第３工程と、前記Ｃｕ箔（３）の露出面にＮｉの金属メッキ（５）を施し、スパイラル状接触子（２）を成形する第４工程と、前記フォトレジスト（７）を除去する第５工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面にフォトレジスト（７）を貼付もしくは塗布し、穴（３ａ）を開けるためのフォトマスク（９）を被せる第６工程と、
前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記フォトマスク（９）に対して露光・現像を行う第７工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面からＣｕ箔（３）にエッチングで穴（３ａ）を開ける第８工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記フォトレジスト（７）を除去する第９工程と、前記スパイラル状接触子（２）の一方に凸形工具（１４）を配置する第１０工程と、前記スパイラル状接触子（２）を一方から凸形工具（１４）で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１１工程と、上面にＣｕ製のランド（１５）を配設した実装基板（６）を設け、前記ランド（１５）の上面にＢｉ−Ｓｎの中間材（１６）の粉末を塗布する第１２工程と、前記実装基板（６）のＣｕ製のランド（１５）の上面に前記凸形スパイラル状接触子（２）を位置決めする第１３工程と、温度を恒温〜融点未満とし、押圧力を１．０ＫＰａ〜１０ＭＰａとして、前記実装基板（６）及び前記凸形スパイラル状接触子（２）を押圧して固相拡散接合させ、前記ランド（１５）と前記凸形スパイラル状接触子（２）の接合面（２ａ）とが接合した接合部以外に残留した中間材（１６）を取り除く第１４工程と、前記Ｃｕ箔（３）をエッチングで除去する第１５工程と、を含むことを特徴とする。
なお、アニールフォーミングとは、個々の凸形スパイラル状接触子（２）を凸形にフォーミング（形成）させた状態で、例えば、２５０〜３００℃に加熱してアニール（焼きなまし）処理を行い、内部応力を除去し、凸形を維持する方法をいう。ただし、この温度範囲に限定するものではない。
また、固相拡散接合とは、拡散接合の一種であり、接合面間を固相状態で接合する方法をいう。
【００１２】
請求項２に係る発明は、凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、請求項１に記載された前記第１１工程の後に、半田ペースト（１０）を上面に載せたプレート（１３）を設け、凸形スパイラル状接触子（２）を支持する支持部（２ａ）の下面に、前記半田ペースト（１０）を転写する第１２′工程と、上面にＣｕ製のランド（１５）を配設した実装基板（６）を設け、前記凸形スパイラル状接触子（２）の接合面（２ａ）に転写された半田ペースト（１０）を前記ランド（１５）に位置決めする第１３′工程と、半田ペースト（１０）による半田リフローによって前記ランド（１５）に固着する第１４′工程と、前記Ｃｕ箔（３）をエッチングで除去する第１５′工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る発明によれば、従来、ポリイミドなどの有機材料ではその耐熱性より２００℃までしか加熱できなかったが、有機材料を使わないため実現した２５０〜３００℃の高温で、第１１工程のアニールフォーミングをすることができるため、凸形スパイラル状接触子が有していた残留応力をより高い効率で除去でき、凸形スパイラル状接触子の山の高さを、時間が経過しても維持する凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。
また、Ｃｕ製のランドを配設した実装基板と、Ｎｉ製の凸形スパイラル状接触子の間にＢｉ−Ｓｎからなる中間材の粉末を塗布し、所定の温度と、押圧力により実装基板と凸形スパイラル状接触子を固相拡散接合をすることができることから、中間材が接触子の接合面と基板のランドとが接合する接合部からはみ出さず、接触子と基板とを好適に接合する接合方法を提供することができる。
【００１４】
請求項２に係る発明によれば、半田ペーストを上面に載せたプレートを設け、凸形スパイラル状接触子の接合面に、半田ペーストを転写する第１２′工程を設けたことにより、最小限の半田ペーストを凸形スパイラル状接触子の接合面に転写することができることから、中間材が接触子の接合面と基板のランドとが接合する接合部からはみ出さず、接触子と基板を好適に接合する接合方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施の形態については、図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、図５は、従来のスパイラル状接触子で示した平面図であるが、平面視した形状は、本実施形態と同様であるため、本実施形態の説明に用いる。
＜第１実施の形態＞
図１は、本発明の第１実施の形態を説明するための前半の工程図であり、図２は後半の工程図である。図５に示す凸形のスパイラル状接触子２，２…が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ１の製造方法は、図１に示すように、
第１工程（ａ）は、Ｃｕ箔３を用意する。Ｃｕ箔３の厚みは、例えば０．０３〜０．１０ｍｍである。
第２工程（ｂ）は、Ｃｕ箔３の表面にフォトレジスト７を貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子２のパターンを有するフォトマスク８を被せる。このフォトマスク８のパターン形状は、図５に示すスパイラル形状接触子２の部分を除き、黒塗りにした模様になっている。
第３工程（ｃ）は、フォトマスク８に対して露光・現像を行う。そうすると、フォトレジスト７の感光部が除去され、パターンのフォトマスク８に覆われた部分が残る。
第４工程（ｄ）は、Ｃｕ箔３の露出面にＡｕ金、Ｎｉニッケルの順に金属メッキ５を施す。この金属メッキ５はＮｉだけであってもよいが、表面に導電性のよいＡｕのメッキを施すとよい。また、Ａｕの代わりにＰｄパラジウムであってもよい。Ｐｄのメッキであれば、耐食性、耐磨耗性が向上する。このメッキ層の厚みの比率は１：９としてもよい。
第５工程（ｅ）は、フォトレジスト７を有機溶剤で除去する。
第６工程（ｆ）は、Ｃｕ箔３の裏面にフォトレジスト７を貼付もしくは塗布し、穴３ａを開けるためのフォトマスク９を被せる。
第７工程（ｇ）は、Ｃｕ箔３の裏面のフォトマスク９に対して、露光・現像を行う。
第８工程（ｈ）は、Ｃｕ箔３の裏面からＣｕ箔３にエッチングで穴３ａを開ける。
第９工程（ｉ）は、Ｃｕ箔３の裏面のフォトレジスト７を有機溶剤で除去する。
第１０工程（ｊ）は、スパイラル状接触子２の一方の側に、つまり、Ｃｕ箔３を反転し、その下方に凸形工具１４を配置する。
【００１６】
つづけて、図２に示すように、第１１工程（ａ）は、スパイラル状接触子２の一方である下方から凸形工具１４を押し上げ、凸形スパイラル状接触子２を変形させた状態で、アニールフォーミングする。このアニールフォーミングは、２５０〜３００℃で加熱と焼きなまし処理を行い、凸形スパイラル状接触子２の内部応力を除去する。
なお、この凸形工具１４には、複数個の凸形の工具が形成されている。
第１２工程（ｂ）は、上面にＣｕ製のランド１５を配設した実装基板６を設け、このランド１５の上面にＢｉ−Ｓｎの中間材１６の粉末を塗布する。
なお、ランド（land）とは、実装基板上に部品の端子やＩＣなどのリード線の接続をする金属の導体部分をいう。
中間材１６の粉末はＢｉ−Ｓｎの他に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂが好適である。
粉末の粒子は、例えば、３〜１０μｍである。
第１３工程（ｃ）は、実装基板６のＣｕ製のランド１５の上面に前記凸形スパイラル状接触子２を位置決めする。
第１４工程（ｄ）は、温度を恒温〜融点未満とし、押圧力を１．０ＫＰａ〜１０ＭＰａとして、実装基板６及び凸形スパイラル状接触子２を押圧し、固相拡散接合をする。
温度は１４０℃であり、接合の押圧時間は、およそ３秒間である。
固相拡散接合した後は、ランド１５と凸形スパイラル状接触子２の接合面２ａとが接合した接合部以外に残留した中間材１６を高圧エアで吹き飛ばすか、または、負圧のエアで残留した中間材１６を吸い込み、除去する。
第１５工程（ｅ）は、Ｃｕ箔３をエッチングで除去し、完成となる。
このような工程に従えば、凸形スパイラルコンタクタ１の製造は、アニールフォーミングにより焼きなまし処理を行うため、凸形スパイラル状接触子２は、時間が経過してもへたりが抑制できる凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。
また、ランド１５と接合面２ａとの接合部以外に残留した中間材１６を容易に除去することができるため、中間材１６が接合面２ａからはみ出すことがない。そのため、接合不良やショートを起こすことも防止できる。さらに、中間材１６は粉末状であるため、塗布が容易であり、除去も容易である。また、過不足なく接合でき、回収した粉末は再利用ができるため、経済的である。
【００１７】
なお、固相拡散接合は、拡散溶接とも言われ、母材を被接合材に密着させて加圧することにより接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合する拡散接合である。
中間材１６を介して押圧し温度を上げると、温度に比例して原子の振幅が増大し、原子の振幅による空孔ができる。例えば、Ｃｕ製のランド１５とＮｉ製のスパイラル状接触子２の間に中間材１６（Ｂｉ−Ｓｎ）の粉末を塗布して押圧し、所望の温度まで上昇させると、Ｃｕのランド１５とＮｉのスパイラル状接触子２に温度の上昇に伴い原子の振幅が増大して空孔が発生する。同様に、粉末の中間材１６（Ｂｉ−Ｓｎ）にも空孔が発生する。これらの空孔にお互いの原子が入れ乱れて飛び込むことによって、Ｃｕのランド１５とＮｉのスパイラル状接触子２が固相拡散接合する。この拡散現象は、圧力よりも温度に関係する。固相拡散とは、溶けない状態で、固体の中で、形が変らない状態で起こる。金属は全く動かないように見えるが、原子レベルのミクロの世界では、絶対温度から温度が上昇（熱膨張）すると、空孔が増えるため、絶対温度の融点の１／２である１／２Ｔｍ（ケルビン）を越えると盛んに拡散が起きる。ただし、温度を上げすぎると酸化皮膜ができるので、この酸化皮膜が悪影響して接着しにくくなる。したがって、温度は恒温（２０℃）から融点未満以下の範囲で一番好ましい温度の範囲は、１／２Ｔｍ〜Ｔｍ（融点：Ｋ）である。粉末状の粒子は３〜１０μｍである。
押圧力は、中間材１６を粉末状としたため、ある程度の押圧力で押圧することが必要であり、ここでは１．０ＫＰａ〜１０ＭＰａとしたが、押圧力を２．０〜５００ＫＰａとしてもよい。
【００１８】
各中間材の加熱温度は、つぎの通りである。
中間材１６（Ｂｉ−Ｓｎの粉末）の温度は、恒温２０℃〜融点未満１４５℃である。
中間材１６ａ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの粉末）の温度は、恒温２０℃〜融点未満２１７℃である。
中間材１６ｂ（Ｓｎ−Ｐｂの粉末）は、恒温２０℃〜融点未満１８３℃である。
これを１／２Ｔｍ〜Ｔｍ（融点：Ｋ）で表すと、Ｋ（ケルビン）の０度は、−２７３℃であるから、中間材１６の上限は１４５＋２７３＝４１８Ｋ、下限は４１８Ｋ×（１／２）＝２０９Ｋとなるから、中間材１６（Ｂｉ−Ｓｎの粉末）の温度範囲（ケルビン）は、２０９〜４１８Ｋである。
同様に、中間材１６ａ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの粉末）の温度範囲（ケルビン）は、２４５〜４９０Ｋである。
同様に、中間材１６ｂ（Ｓｎ−Ｐｂの粉末）の温度範囲（ケルビン）は、２２８〜４５６Ｋである。なお、加熱は炉で行っても構わない。
【００１９】
＜第２実施の形態＞
凸形スパイラル状接触子２が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ１′のもう１つの製造方法を説明する。図３は、図２に示す後半の１１〜１５工程に代わるもう１つの製造方法を示す工程図である。この１１工程は、第１実施の形態と同様であるため、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
第１２′工程（ｃ）は、凸形スパイラル状接触子２の接合面２ａに、半田ペースト１０を付着させるために、半田ペースト１０を上面に載せたプレート１３にスタンプのように押して転写する。このプレート１３は、スタンプ台のような役目を果たし、材質はステンレス板が好適であるが、他の材質であってもよい。
第１３′工程（ｃ）は、上面にＣｕ製のランド１５を配設した実装基板６を設け、前記凸形スパイラル状接触子２の接合面２ａに転写された半田ペースト１０を前記ランド１５に位置決めする。
第１４′工程（ｄ）は、半田リフローによって固着する。つまり、加熱により前記半田ペースト１０を溶融させて前記ランド１５に固着する。
第１５′工程（ｅ）は、Ｃｕ箔３をエッチングで除去する。これらの工程を含む製造方法であっても構わない。なお、凸形スパイラル状接触子２の断面形状は、図３の（ｅ）に示すように、矩形である。
【００２０】
図４は、図５に示すＡ−Ａ線の断面図であり、図２，３に示す凸形スパイラルコンタクタの動作を示し、（ａ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続した後の状態を示す断面図である。
また、図４の（ａ）の上部に示す球状接続端子２１ａは、図２に示す中間材１６によって接合した凸形スパイラル状接触子２であり、図４の（ａ）の下部に示すパッド状接続端子２２ａの接続には、図３に示す中間材の半田ペースト１０によって接合した凸形スパイラル状接触子２（以下、ボール２１ａという）を用いた場合である。図４に示すボール２１ａとボール２１ａとの間隔は、前記した特許文献２よりさらに狭いピッチ０．１５ｍｍで配列されている。したがって、凸形スパイラル状接続端子２同士の間隔もピッチ０．１５ｍｍで配列されている。凸形スパイラル状接触子２は、自然体では凸（円錐）状のスパイラル（渦巻き）であり、厚みが一定で根元に近づくにしたがい幅が広くなっている。
半導体デバイス２１のボール２１ａが凸形スパイラル状接触子２を押圧すると、スパイラル状接触子２の中央部から外側に接触を広げ、凸形スパイラル状接続端子２はフラット状にたわみ、変形する。そして、凸形スパイラル状接触子２はボール２１ａに螺旋状に巻き付くことから、接触長さが長く、また、異物の付着があってもボール２１ａの球面に沿って摺動作用により異物を除去し、ボール２１ａの表面の酸化膜を切り込んで、安定した電気的接続ができる。
図４の（ｂ）に両者が接続した状態を示す。上部は半導体デバイス２１の一面がガイドフレーム１２に当接することにより、押圧量が規制されている。
【００２１】
図４の（ａ）に示すように、上部は球状としたが、下部のようにパッド状でもよい。半導体デバイス２２のパッド状接続端子２２ａ（以下、パッド２２ａという）を採用しても凸形スパイラル状接触子２の凸形スパイラルコンタクタ１であれば、フラット形の接触子よりも確実に接触できる。
つまり、パッド２２ａが接近して凸形スパイラル状接触子２を押圧すると、凸形スパイラル状接触子２の中央部から外側に接触を広げ、凸形スパイラル状接続端子２はフラット状に変形する。そして、凸形スパイラル状接触子２はパッド２２ａに螺旋状に接触することから、接触する長さが長く、また、異物の付着があってもパッド２２ａ表面に沿って摺動作用により異物を除去し、パッド２２ａの表面の酸化膜を切り込んで、安定した電気的接続ができる。
図４の（ｂ）に示すように、半導体デバイス２２の一面にはストッパの役目をするガイドフレームは不要であり、半導体デバイス２２の一面が直接ポリイミド１８に当接することにより、押圧量が規制される。パッド状接続端子２２ａにすることにより、半導体デバイス２２の厚みを薄くできることから、薄型化には有効である。
【００２２】
なお、本発明はその技術思想の範囲内で種々の改造、変更が可能である。例えば、Ｃｕ箔３はＣｕ薄板としてもよい。また、Ｃｕ箔３は、金属箔であればよく、Ｃｕ箔以外の金属であっても構わない。凸形工具１４は、１個のみを加工する凸形工具であってもよいし、複数個を同時に加工する複数個を一体にした凸形工具としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施の形態を説明するための前半の第１〜１０工程を示す工程図である。
【図２】後半の第１１〜１５工程を示す工程図である。
【図３】本発明の第２実施の形態を示し、図２に示す後半の第１１〜１５工程を示す工程図である。
【図４】図５に示すＡ−Ａ線の断面図であり、図２，３に示す凸形スパイラルコンタクタの動作を示し、（ａ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続する前の状態を示す断面図、（ｂ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続した後の状態を示す断面図である。
【図５】従来の凸形スパイラル状接触子が複数配置された凸形スパイラルコンタクタの拡大平面図である。
【図６】従来の図５に示す凸形スパイラルコンタクタのＡ−Ａ線の拡大断面図であり、（ａ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続する前の状態を示す拡大断面図、（ｂ）は凸形スパイラルコンタクタが球状接続端子とパッド状接続端子に接続した後の状態を示す拡大断面図である。
【図７】従来の凸形スパイラルコンタクタの第１７工程以降の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００２４】
１，２０  凸形スパイラルコンタクタ
２    凸形スパイラル状接触子
２ａ  接合面
３    Ｃｕ箔
３ａ  穴
５    金属メッキ（Ｎｉ）
６    実装（プリント）基板
７    フォトレジスト
８，９  フォトマスク
１０  半田ペースト
１１  導電接着剤
１３  プレート
１４  凸形工具
１５  ランド
１６，１６ａ，１６ｂ  中間材
１８  ポリイミド
２１，２２  半導体デバイス
２１ａ  球状接続端子（ボール）
２２ａ  パッド状接続端子（パッド）
【図１】
2009026565.tif 000003
【図２】
2009026565.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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