(57)【要約】【課題】発光効率および輝度半減寿命を高く維持可能な有機電界発光素子の製造に用いられる転写用基板およびこの転写用基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】光透過性の支持基板１１と、支持基板１１上に形成される光熱変換層１３と、光熱変換層１３上に形成される転写層１７とを備えた転写用基板１において、転写層１７は、有機電界発光素子の発光層として転写される層であり、金属錯体、蛍光発光性ドーパント、および母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素を用いて構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の支持基板と、前記支持基板上に形成される光熱変換層と、前記光熱変換層上に形成される転写層とを備えた転写用基板において、
前記転写層は、有機電界発光素子の発光層として転写される層であり、金属錯体、蛍光発光性ドーパント、および母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素を用いて構成されている
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項２】
請求項１記載の転写用基板において、
前記金属錯体は、アルミニウム、ガリウム、もしくはインジウムから選択された金属にキノリノールを配位させた錯体である
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項３】
請求項１記載の転写用基板において、
前記転写層には、前記芳香族炭化水素が５０ｗｔ％以下の範囲で用いられている
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項４】
請求項１記載の転写用基板において、
前記転写層は、前記金属錯体と前記蛍光発光性ドーパントとの混合層と、前記芳香族炭化水素を用いた層との積層構造からなる
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項５】
請求項１記載の転写用基板において、
前記転写層は、前記金属錯体を用いた層と、前記前記蛍光発光性ドーパントを用いた層と、前記芳香族炭化水素を用いた層との積層構造からなる
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項６】
請求項１記載の転写用基板において、
前記蛍光発光性ドーパントは緑色発光材料または赤色発光材料である
ことを特徴とする転写用基板。
【請求項７】
装置基板上に下部電極をパターン形成した後、前記下部電極上に少なくとも発光層を含む有機層を成膜し、次に前記有機層を介して前記下部電極上に積層する状態で上部電極を形成する有機電界発光素子の製造方法において、
前記発光層を形成する際には、
光透過性の支持基板上に、光熱変換層と、ホスト材料と蛍光発光性ドーパントとを含む３種類の有機材料を用いて構成されている転写層とこの順に形成してなる転写用基板を用い、
前記転写層を前記装置基板側に向けた状態で前記転写用基板を当該装置基板に対向配置し、
前記支持基板側からの光照射によって前記転写層を昇華させて前記装置基板の上方に転写させる
ことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写用基板および有機電界発光素子の製造方法に関し、特には発光層のパターン形成に好適に用いられる転写用基板、およびこの転写基板を用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で高効率のフラットパネル型表示装置として、有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）を用いた表示装置が注目されている。
【０００３】
このような表示装置を構成する有機電界発光素子は、例えばガラス等からなる透明な基板上に設けられており、基板側から順にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：透明電極）からなる陽極、有機層、および陰極を積層してなる。有機層は、陽極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層および電子輸送性の発光層を順次積層させた構成を有している。このように構成された有機電界発光素子では、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが発光層において再結合し、この再結合の際に生じる光が陽極を介して基板側から取り出される。
【０００４】
このような有機電界発光素子を用いたフルカラーの表示装置は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の有機電界発光素子を基板上に配列形成してなる。このような表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、発光素子毎にパターン形成する必要がある。そして、発光層のパターン形成は、例えばシートに開口パターンを設けてなるマスクを介して発光材料を蒸着または塗布するシャドーマスキング法、さらにはインクジェット法によって行われている。
【０００５】
ところが、シャドーマスキング法によるパターン形成では、マスクに形成する開口パターンのさらなる微細化加工が困難であること、およびマスクの撓みや延びによって発光素子領域への位置精度の高いパターン形成が困難であること等から、さらなる有機電界発光素子の微細化および高集積化が困難となっている。また、開口パターンが形成されたマスクの接触により、先に形成された有機層を主体とした機能層に破壊が生じ易く、製造歩留まりを低下させる要因になっている。
【０００６】
また、インクジェット法によるパターン形成は、そのパターニング精度に限界から、発光素子の微細化および高集積化、および基板の大型化が困難となっている。
【０００７】
そこで、有機材料で構成された発光層やその他の機能層の新たなパターン形成方法として、エネルギー源（熱源）を用いた転写法（すなわち熱転写法）が提案されている。熱転写法を用いた表示装置の製造は、例えば次のように行う。先ず、表示装置の基板（以下、装置基板と称する）上に下部電極を形成しておく。一方、別の基板（以下、転写用基板と称する）上に、光熱変換層を介して発光層を成膜しておく。そして、発光層と下部電極とを対向させる状態で、装置基板と転写用基板とを配置し、転写用基板側からレーザ光を照射することにより、装置基板の下部電極上に発光層を熱転写させる。この際、スポット照射させたレーザ光を走査させることにより、下部電極上の所定領域のみに位置精度良好に発光層が熱転写される（以上下記特許文献１、２参照）。
【０００８】
また、熱転写法において作製された有機電界発光素子においては、発光層を熱転写する前に装置基板、及び転写用基板を加熱処理することにより、発光効率および輝度半減寿命を改善する方法が開示されている（下記特許文献３参照）。
【０００９】
また、レーザ誘導熱画像形成系の感度が高いドナーは昇華性化合物を使用することによりその感度が増加される方法が開示されている。（下記特許文献４参照）
【００１０】
一方，有機電界発光素子の発光層の構成において，縮合多環炭化水素が４つ以上の芳香環を有する化合物を発光層ドーパントとして用いる技術が開示されている（下記特許文献５参照）。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−１１０３５０号公報
【特許文献２】特開平１１−２６０５４９号公報
【特許文献３】特開２００３−２２９２５９号公報
【特許文献４】特開平１０−６６４３号公報
【特許文献５】特開平９−２４１６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した熱転写法を用いて得られた発光素子は、転写層に用いる有機材料によっては転写層がレーザに照射されることによって劣化してしまい、シャドウマスク法によって製造された発光素子と比較して、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、及び輝度半減寿命が短くなるという問題がある。上記技術を用いて改善処理を行なった場合においても、その効果は不十分である。
【００１３】
そこで本発明は、発光効率および輝度半減寿命を高く維持可能な有機電界発光素子の製造に用いられる転写用基板を提供すること、およびこの転写用基板を用いることによって発光効率および輝度半減寿命の向上を図ることが可能な有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するための本発明は、光透過性の支持基板と、支持基板上に形成される光熱変換層と、光熱変換層上に形成される転写層とを備えた転写用基板において、転写層の構成が特徴的である。すなわち転写層は、有機電界発光素子の発光層として転写される層であり、金属錯体、蛍光発光性ドーパント、および母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素を用いて構成されている。
【００１５】
また、本発明はこのような転写用基板を用いた有機電界発光素子の製造方法でもあり、発光層の形成に際してこの転写用基板を用いることを特徴としている。この場合、転写層を装置基板側に向けた状態で、転写用基板を装置基板に対向配置する。そして、支持基板側からの光照射によって転写層を昇華させ、装置基板の上方に転写させて発光層を形成する。
【００１６】
以上のような構成では、転写用基板の転写層が、金属錯体、蛍光発光性ドーパント、および母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素の３元系材料であるため、この転写層を昇華させて形成した発光層も、これらの３元系材料で構成されたものとなる。このような３元系材料で構成された発光層においては、芳香族炭化水素は発光には寄与しないが、芳香族炭化水素を含まない場合と比較して、高い発光効率が得られると共に輝度半減寿命が長くなることが確認された。さらに、このようにして得られる発光層は、共蒸着による形成方法よりも３種類の材料の混合状態の均一性が高く材料比が高成度に制御されたものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明によれば、高い発光効率が得られると共に輝度半減寿命の向上を図ることが可能な３元系材料からなる発光層を、均一性高く高精度な材料比で形成することが可能であり、これによりさらに発光効率および輝度半減寿命の向上が図られた有機電界発光素子を得ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態においては、基板上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機電界発光素子を配列してなるフルカラー表示の表示装置を製造する場合に用いる転写用基板と、この転写用基板を用いた転写方法を含む表示装置の製造方法を説明する。
【００１９】
≪転写用基板≫
図１は、実施形態の転写用基板１の構成を説明するための断面構成図である。この図に示す転写用基板１は、有機電界発光素子の発光層を形成するためのものであり、支持基板１１上に、光熱変換層１３、必要に応じて酸化保護膜１５、および転写層１７をこの順に形成してなる。
【００２０】
このうち支持基板１１は、この転写用基板１を用いて行う転写において照射される所定波長の光ｈνを透過する材料からなる。例えば、この光ｈνとして、固体レーザ光原からの波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる場合には、ガラス基板を支持基板１１として用いて良い。
【００２１】
光電変換層１３は、上記光ｈνを熱に変換する光熱変換効率が高く、かつ融点が高い材料を用いて構成される。例えば、光ｈνとして、先の波長８００ｎｍ程度のレーザ光を用いる場合には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）等の低反射率な高融点金属からなる光熱変換層１２が好ましく用いられるが、これらに限定されることは無い。またこの光熱変換層１２は、必要十分な光熱変換効率が得られるような膜厚に調整されていることとし、例えばモリブデン（Ｍｏ）膜を光熱変換層１２として構成する場合、膜厚２００ｎｍ程度で用いられることとする。ここでは例えば、スパッタリング法により、Ｍｏを２００ｎｍの膜厚に成膜してなる光熱変換層１３を形成することとする。
【００２２】
酸化保護層１５は、窒化シリコン（ＳｉＮX）や酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる。ここでは例えば、ＣＶＤ(chemical vapor deposition)法を用いてこれらの材料膜からなる酸化保護層１５を形成することとする。
【００２３】
転写層１７は、ａ金属錯体、ｂ蛍光発光性ドーパント、およびｃ母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素（ｃ芳香族炭化水素）を用いて構成されている。これらの材料の詳細は以降に説明する。
【００２４】
また、これらの３種類の材料は、全て混合されて単層構造の転写層１７を構成しても良く、ａ金属錯体＋ｂ蛍光発光性ドーパントの混合層と、ｃ芳香族炭化水素を用いた層との２層構造であっても良く、またそれぞれの材料を用いた３層構造であっても良い。
【００２５】
ただし、転写層１７の全体において、これらの３種類の材料の合計量に占めるｃ芳香族炭化水素の割合は５０ｗｔ％以下であることとする。
【００２６】
また、この転写層１７には、この転写層１７の形成の際に用いた溶媒など、上述の３種類以外の材料が含有されていても良い。
【００２７】
次に、ａ金属錯体、ｂ蛍光発光性ドーパント、およびｃ芳香族炭化水素の詳細を説明する。
【００２８】
ａ金属錯体
ａ金属錯体は、元素周期表１３族の金属のキノリラト錯体が好ましく、特にはアルミニウム、ガリウム、もしくはインジウムから選択された金属にキノリノールを配位させたキノリラト錯体、もしくはアルミニウム錯体が好ましい。尚、アルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８７４号等に開示されているものを挙げることができる。
【００２９】
このようなａ金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、等がある。
【００３０】
また、８−キノリノールないしその誘導体のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であってもよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(III)、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナフトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III)、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III)、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III)、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等がある。
【００３１】
このほか、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III)、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III)−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であってもよい。
【００３２】
ｂ蛍光発光性ドーパント、
ｂ蛍光発光ドーパントとしては、ａ金属錯体とエネルギー移動が可能な有機材料が好ましく、特に緑色発色材料もしくは赤色発色材料であることとする。そして、緑色発光材料を含有する転写層１７ｇを設けた転写用基板１が、緑色の発光層を形成するための転写用基板１ｇとして用いられる。また、赤色発光材料を含有する転写層１７ｒを設けた転写用基板１が、赤色の発光層を形成するための転写用基板１ｒとして用いられる。
【００３３】
緑色発光材料としては、発光の波長範囲が約４９０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲にピークを有する化合物を示す。このような化合物として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体，インデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体ピラン系色素等の有機物質が用いられる。なかでもアミノアントラセン誘導体，フルオランテン誘導体、クマリン誘導体，キナクリドン誘導体，インデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体から選択されることが好ましい。
【００３４】
赤色発光材料としては、次に説明する一般式（１）のペリレン誘導体、一般式（２）のジケトピロロピロール誘導体、一般式（３）のピロメテン錯体、一般式（４）のピラン誘導体、または一般式（５）のスチリル誘導体が用いられる。以下、赤色発光材料の詳細を説明する。
【００３５】
−ペリレン誘導体−
赤色発光材料として、例えば下記一般式（１）に示す化合物（ジインデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体）が用いられる。
【化１】
2009048811.tif 000003
【００３６】
ただし、一般式（１）中において、Ｘ1〜Ｘ20はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基，炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。
【００３７】
一般式（１）におけるＸ1〜Ｘ20が示すアリール基は、例えば，フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−クリセニル基，６−クリセニル基，２−フルオランテニル基，３−フルオランテニル基，２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【００３８】
またＸ1〜Ｘ20示す複素環基は、ヘテロ原子としてＯ、Ｎ、Ｓを含有する５員または６員環の芳香族複素環基、炭素数２〜２０の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。これらの芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては，１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、などが挙げられる。
【００３９】
Ｘ1〜Ｘ20が示すアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数１〜６の脂肪族及び／又は１〜４環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【００４０】
尚、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していても良い。
【００４１】
転写層１７の赤色発光材料として好適に用いられるジインデノ[1,2,3-cd]ペリレン誘導体の具体例として、以下の化合物（１）-1〜（１）-8が例示される。ただし本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【化２】
2009048811.tif 000004
【００４２】
−ジケトピロロピロール誘導体−
転写層１７の赤色発光材料として、例えば下記一般式（２）に示す化合物（ジケトピロロピロール誘導体）が用いられる。
【化３】
2009048811.tif 000005
【００４３】
ただし、一般式（２）中において、Ｙ1およびＹ2は、それぞれ独立に酸素原子、または置換もしくは未置換のイミノ基を表す。また、Ｙ3〜Ｙ8は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。
【００４４】
また一般式（２）中において、Ａｒ1およびＡｒ2は、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族複素環基より選ばれる２価の基を示す。
【００４５】
尚、一般式（２）における、Ｙ3〜Ｙ8が示す置換あるいは無置換のアリール基、Ｙ3〜Ｙ8が示す複素環基、さらにはＹ3〜Ｙ8が示すアミノ基は、一般式（１）のペリレン誘導体で示した基と同様である。また、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していても良いことも同様である。
【００４６】
転写層１７の赤色発光材料として好適に用いられるジケトピロロピロール誘導体の具体例として、以下の化合物（２）-1〜（２）-14が例示される。ただし本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【化４−１】
2009048811.tif 000006
【化４−２】
2009048811.tif 000007
【００４７】
−ピロメテン錯体−
転写層１７の赤色発光材料として、例えば下記一般式（３）に示す化合物（ピロメテン錯体）が用いられる。
【化５】
2009048811.tif 000008
【００４８】
ただし、一般式（３）中において、Ｚ1〜Ｚ9はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基，炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。
【００４９】
尚、一般式（３）における、Ｚ1〜Ｚ9が示す置換あるいは無置換のアリール基、Ｚ1〜Ｚ9が示す複素環基、およびＺ1〜Ｚ9が示すアミノ基は、一般式（１）のペリレン誘導体で示した基と同様である。また、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していても良いことも同様である。
【００５０】
転写層１７の赤色発光材料として好適に用いられるピロメテン錯体の具体例として、以下の化合物（３）-1〜（３）-33が例示される。ただし本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【００５１】
【化６−１】
2009048811.tif 000009
【化６−２】
2009048811.tif 000010
【化６−３】
2009048811.tif 000011
【化６−４】
2009048811.tif 000012
【化６−５】
2009048811.tif 000013
【００５２】
−ピラン誘導体−
転写層１７の赤色発光材料として、例えば下記一般式（４）に示す化合物（ピラン誘導体）が用いられる。
【化７】
2009048811.tif 000014
【００５３】
ただし、一般式（４）中において、Ｌ1〜Ｌ6はそれぞれ独立に、水素、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基，炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。また，Ｌ1とＬ4またはＬ2とＬ3は炭化水素を通じて環状構造をとってもよい。
【００５４】
尚、一般式（４）における、Ｌ1〜Ｌ6が示す置換あるいは無置換のアリール基、Ｌ1〜Ｌ6が示す複素環基、およびＬ1〜Ｌ6が示すアミノ基は、一般式（１）のペリレン誘導体で示した基と同様である。Ｌ1とＬ4またはＬ2とＬ3は炭化水素を通じて環状構造をとっても良い他、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していても良い。
【００５５】
転写層１７の赤色発光材料として好適に用いられるピラン誘導体の具体例として、以下の化合物（４）-1〜（４）-7が例示される。ただし本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【化８】
2009048811.tif 000015
【００５６】
−スチリル誘導体−
転写層１７の赤色発光材料として、例えば下記一般式（５）に示す化合物（スチリル誘導体）が用いられる。
【化９】
2009048811.tif 000016
【００５７】
ただし、一般式（５）中において、Ｔ1〜Ｔ3は炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基を示す。また、Ｔ4は、Ｔ2およびＴ3と環状構造を有してもよい置換あるいは無置換のフェニレン部位を示す。
【００５８】
一般式（５）における、Ｔ1〜Ｔ3が示す置換あるいは無置換のアリール基、Ｔ1〜Ｔ3が示す複素環基は、一般式（１）のペリレン誘導体で示した基と同様である。
【００５９】
尚、上記置換基の２種以上は縮合環を形成していても良く、さらに置換基を有していても良い。この場合に、さらにＴ1〜Ｔ4に置換される基としては、例えば、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基などが挙げられる。その他にも、アミノ基としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基等のいずれでもよい。これらは、総炭素数１〜６の脂肪族及び／又は１〜４環の芳香族炭素環を有することが好ましい。このような基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビスビフェニリルアミノ基、ジナフチルアミノ基が挙げられる。
【００６０】
転写層１７の赤色発光材料として好適に用いられるスチリル誘導体の具体例として、以下の化合物（５）-1〜（５）-35が例示される。ただし本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【化１０−１】
2009048811.tif 000017
【化１０−２】
2009048811.tif 000018
【化１０−３】
2009048811.tif 000019
【化１０−４】
2009048811.tif 000020
【００６１】
尚、以上説明したような、転写層１７の赤色発光材料として用いる一般式（１）のペリレン誘導体、一般式（２）のジケトピロロピロール誘導体、一般式（３）のピロメテン錯体、一般式（４）のピラン誘導体、または一般式（５）のスチリル誘導体は、分子量が２０００以下のものが好ましく、１５００以下がさらに好ましく、１０００以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きいと、蒸着によって素子を作成しようとした場合の蒸着性が悪くなるといった懸念が考えられるためである。
【００６２】
ｃ．芳香族炭化水素
母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素の具体例としては、ピレン、トリフェニレン、フルオランテン、クリセン、ナフタセン、ペンタセン、ペリレン、もしくはコロネンを骨格とするものであり、そのほかにはベンゼン環が増環した例えば以下のものがある。
【００６３】
ベンゾ[b]フルオレン，ベンゾ[c]フェナンスレン，ベンゾ[ghi]フルオランテン，ベンゾ[a]アントラセン，ベンゾ[a]ピレン，ベンゾ[e]ピレン，ベンゾ[j]フルオランテン，ベンゾ[a]ナフタセン，ベンゾ[b]クリセン，ベンゾ[c]クリセン，ベンゾ[ghi]ペリレン，ジベンゾ[a,c]アントラセン，ジベンゾ[a,h]アントラセン，ジベンゾ[a,j]アントラセン，ナフト[a]アントラセン，ジベンゾ[b,def]クリセン，ジベンゾ[b,k]ペリレン，ジベンゾ[cd,lm]ペリレン，ジベンゾ[g,p]クリセン，ナフト[bcd]ペリレン，フェナンスロ[3,4-c]フェナンスレン，ベンゾ[a]コロネン，ベンゾ[ghi]ナフト[cde]ペリレン，ジベンゾ[bc,ef]コロネン，ジナフト[defg,opqr]ペンタセン，ナフト[d]コロネン，ベンゾ[rst]ジナフト[defg,ijkl]ペンタフェン，ベンゾ[rst]フェナンスロ[1,10,9-cde]ペンタフェン，ジベンゾ[j,lm]ナフト[ab]ペリレン，テトラベンゾ[a,cd,f,lm]ペリレン，ペンタベンゾ[a,cd,f,j,lm]ペリレンなどが挙げられる．
【００６４】
さらに、これらの母骨格に対して置換基を有してもよく、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアミノ基を有してもよい。
【００６５】
母骨格に対して結合される置換基としての上記のアリール基は、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−クリセニル基，６−クリセニル基，２−フルオランテニル基，３−フルオランテニル基，２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【００６６】
また、母骨格に対して結合される置換基としての複素環基は、ヘテロ原子としてＯ、Ｎ、Ｓを含有する５員または６員環の芳香族複素環基、炭素数２〜２０の縮合多環芳香複素環基が挙げられる。
【００６７】
これらの芳香族複素環基及び縮合多環芳香複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾチアゾール基が挙げられる。代表的なものとしては，１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、などが挙げられる。
【００６８】
以上のようなａ金属錯体、ｂ蛍光発光性ドーパント、ｃ芳香族炭化水素を用いて構成された転写層１７の作製には、蒸着法のようなドライプロセスの他に、スピンコート法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法などの印刷法などのウエットプロセスを適用しても良い。またさらに、ａ金属錯体、ｂ蛍光発光性ドーパント、ｃ芳香族炭化水素として用いる各材料の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスとを併用しても構わない。
【００６９】
ウエットプロセスにおいては、各有機層や各部材の性質に応じて溶媒を選択する必要があるが、溶剤の具体例としては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶剤（１価のアルコール類）、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール系溶剤（２価のアルコール類）、１，２−ヘキサンジオール、２，４，６−ヘキサントリオール等のポリオール，アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−メトキシ−４−メチルペンタノン等のケトン系溶剤，ヘキサン、デカン、シクロヘキサン、デカリンなどの炭化水素系溶剤，酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル等のエステル系溶剤，Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ），Ｎ−メチルピロリドン、γ一ブチルラクトン，１，３-ジメチル-２-イミダゾリジノン，アセトニトリル，テトラヒドロフランなどの非プロトン性極性溶媒類、又は、及びベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン，クロロベンゼン，テトラリンなどの芳香族系溶媒類，クロロホルム，ジクロロメタン、ジクロロエタンなどのハロメタン系溶媒が挙げられる。
【００７０】
これらの溶媒は、単独で使用することのほかに、二種類以上の溶媒を混合して用いても良い。
【００７１】
≪表示装置の製造方法≫
図２〜図４は、上述した構成の転写用基板１を用いた有機電界発光素子の製造方法を含む表示装置の製造方法を示す断面工程図である。以下、これらの断面工程図に基づいて、工程手順を説明する。
【００７２】
先ず、図２（１）に示すように、有機電界発光素子が配列形成される装置基板２１を用意する。この装置基板２１は、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも、石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造、表面処理を行うことが必要である。また、さらには、これらの材料からなる支持基板上に、ＴＦＴ（thin film transistor）が形成されたＴＦＴ基板であっても良い。なお、特にここで作製する表示装置が装置基板２１側から発光を取り出す透過型である場合には、この装置基板２１は光透過性を有する材料で構成されることとする。
【００７３】
次に、この装置基板２１上に、例えば陽極として用いられる下部電極２３をパターン形成する。
【００７４】
下部電極２３としては、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の金属及びその合金さらにはこれらの金属や合金の酸化物等、または、酸化スズ（ＳｎＯ2）とアンチモン（Ｓｂ）との合金、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等が、単独または混在させた状態で用いられる。
【００７５】
また、下部電極２３は、光反射性に優れた第１層と、この上部に設けられた光透過性を有すると共に仕事関数の大きい第２層との積層構造であっても良い。
【００７６】
第１層は、アルミニウムを主成分とする合金からなる。その副成分は、主成分であるアルミニウムよりも相対的に仕事関数が小さい元素を少なくとも一つ含むものでも良い。このような副成分としては、ランタノイド系列元素が好ましい。ランタノイド系列元素の仕事関数は、大きくないが、これらの元素を含むことで陽極の安定性が向上し、かつ陽極のホール注入性も満足する。また副成分として、ランタノイド系列元素の他に、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）などの元素を含んでも良い。
【００７７】
第１層を構成するアルミニウム合金層における副成分の含有量は、例えば、アルミニウムを安定化させるＮｄやＮｉ、Ｔｉ等であれば、合計で約１０ｗｔ％以下であることが好ましい。これにより、アルミニウム合金層においての反射率を維持しつつ、有機電界発光素子の製造プロセスにおいてアルミニウム合金層を安定的に保ち、さらに加工精度および化学的安定性も得ることができる。また、下部電極２３の導電性および基板１との密着性も改善することが出来る。
【００７８】
また第２層は、アルミニウム合金の酸化物、モリブデンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、クロムの酸化物、およびタンタルの酸化物の少なくとも一つからなる層を例示できる。ここで、例えば、第２層が副成分としてランタノイド系元素を含むアルミニウム合金の酸化物層（自然酸化膜を含む）である場合、ランタノイド系元素の酸化物の透過率が高いため、これを含む第２層の透過率が良好となる。このため、第１層の表面において、高反射率を維持することが可能である。さらに、第２層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電層であっても良い。これらの導電層は、下部電極２３の電子注入特性を改善することができる。
【００７９】
また下部電極２３は、装置基板２１と接する側に、下部電極２３と装置基板２１との間の密着性を向上させるための導電層を設けて良い。このような導電層としては、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電層が挙げられる。
【００８０】
そして、この有機電界発光素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、下部電極２３は画素毎にパターニングされ、装置基板２１に設けられた駆動用の薄膜トランジスタに接続された状態で設けられている。
【００８１】
次に、以上のような下部電極２３（ここでは陽極）を形成した後、これらの下部電極２３の周縁を覆う状態で、絶縁膜２５をパターン形成する。これにより、この絶縁膜２５に形成された窓から下部電極２３を露出させた部分を、各有機電界発光素子が設けられる画素領域とする。この絶縁膜２５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて構成さることとする。
【００８２】
その後、下部電極２３および絶縁膜２５を覆う共通層として正孔注入層２７を形成し、次に、正孔注入層２７を覆う共通層として正孔輸送層２９を形成する。
【００８３】
正孔注入層２７および正孔輸送層２９は、それぞれ発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層２７もしくは正孔輸送層２９の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【００８４】
また、上記正孔注入層２７もしくは正孔輸送層２９のさらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７,７,８,８−-テトラシアノ - ２，３，５，６- テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
また以上の正孔注入層２７および正孔輸送層２９は、それぞれを複数層からなる積層構造として形成しても良い。
【００８６】
以上までの工程は、通常の有機電界発光素子を用いた表示装置の作製と同様に行って良い。そして、次の工程では、以上のようにして形成した正孔輸送層２９上に、熱転写法によって各色の発光層を形成する工程を行うが、この工程において、図1を用いて説明した転写用基板1を用いるところが本実施形態に特徴的な工程となる。
【００８７】
すなわち先ず、図２（２）に示すように、先に説明した構成の赤色の転写層１７ｒを有する転写用基板１ｒを用意する。そして、この転写用基板１ｒを、正孔輸送層２９が形成された装置基板２１に対向配置させる。
【００８８】
この際、転写層１７ｒと正孔輸送層２９とが向き合うように、転写用基板１ｒと装置基板２１とを配置する。また、装置基板２１と転写用基板１ｒとを密着させ、装置基板２１側の最上層を構成する正孔輸送層２９と、転写用基板１ｒ側の最上層を構成する転写層１７ｒとを接触させても良い。このようにした場合であっても、装置基板２１側の絶縁膜２５上に転写用基板１ｒが支持された状態となり、下部電極２３上の正孔輸送層２９の部分に転写用基板１ｒが接触することはない。
【００８９】
次に、このような状態で装置基板２１に対向配置された転写用基板１ｒ側から、例えば波長８００ｎｍのレーザ光ｈνを照射する。この際、赤色の発光素子の形成領域に対応する部分に、レーザ光ｈνを選択的にスポット照射する。
【００９０】
これにより、光電変換層１３にレーザ光ｈνを吸収させ、その熱を利用して転写層１７ｒを昇華させて装置基板２1側に熱転写させる。そして、装置基板２１上に成膜された正孔輸送層２９上に、転写層１７ｒを位置精度良好に熱転写させてなる赤色の発光層１７rrをパターン形成する。
【００９１】
このような熱転写においては、照射エネルギーを高めに設定することにより、転写層１７ｒを構成する各材料が略均一に混ざり合った混合層として発光層１７rrを形成する。
【００９２】
またここでは、発光素子の形成部分（画素領域）において絶縁膜２５から露出している下部電極２３上が、発光層１７rrによって完全に覆われるように、レーザ光ｈν照射に行うことが重要である。
【００９３】
次に、図３（１）に示すように、先に説明した構成の緑色の転写層１７ｇを有する転写用基板１ｇを用意する。そして、この転写用基板１ｇを、正孔輸送層２９が形成された装置基板２１に対向配置させ、上述したレーザ光ｈνを照射する熱転写の工程を繰り返し行うことで、緑色の発光素子の形成領域に対応する部分に、緑色の発光層１７ggを形成する。
【００９４】
その後、図３（２）に示すように、青色の発光素子の形成領域に対応する部分に、青色の発光層１７bbを形成する。青色の発光層１７bbの形成は、従来の熱転写法によって行っても良いし、蒸着法によって行っても良い。
【００９５】
尚、以上のように繰り返し行われる熱転写の工程は、大気圧中でも可能であるが、真空中で行うことが望ましい。真空中で熱転写を行うことにより、より低エネルギーでのレーザを使用した転写が可能になり、転写される発光層に与えられる熱的な悪影響を軽減することが出来る。さらに、熱転写の工程を真空中で行うことにより、基板同士の密着性が高まり、転写のパターン制度が良好になり、望ましい。しかも、全プロセスを連続して真空中で行うようにすることで、素子の劣化を防ぐことが可能である。
【００９６】
また、以上説明したレーザ光ｈνを選択的にスポット照射する工程においては、レーザ照射装置におけるレーザヘッドの駆動部分が精密なアライメント機構を備えている場合には、下部電極２３に沿って、レーザ光ｈνを適正なスポット径において転写用基板上に照射すればよい。この場合、基板１と転写用基板との位置合わせを厳密に行う必要はない。一方、レーザヘッドの駆動部分が精密なアライメント機構を備えていない場合には、転写用基板側にレーザ光ｈνが照射される領域を制限する遮光膜を形成しておく必要がある。具体的には、転写用基板１１の裏面に、レーザを反射する高反射金属層に開口部を設けた遮光膜を設ける。また、この上に低反射性金属を成膜しても良い。この場合、装置基板２１と転写用基板１との位置合わせを正確に行う必要が生じる。
【００９７】
以上の後、図４（１）に示すように、各色発光層１７rr，１７gg，１７bbが形成された装置基板２１上の全面を覆う状態で、蒸着成膜法により電子輸送層３１を成膜する。この電子輸送層３１は、装置基板２１上の全面に共通層として蒸着成膜される。
【００９８】
このような電子輸送層３１は、陰極から注入される電子を発光層１７rr，１７gg，１７bbに輸送するためのものである。電子輸送層３１の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【００９９】
以上までで成膜した正孔注入層２７、正孔輸送層２９、各色発光層１７rr，１７gg，１７bbおよび電子輸送層３１によって、有機層３３が構成される。
【０１００】
次に、図４（２）に示すように、有機層３３上に上部電極（ここでは陰極）３５を形成する。陰極として用いられる上部電極３５は、例えば、有機層３３側から順に第１層、第２層を積層させた２層構造で構成されている。
【０１０１】
第１層は、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。また、第１層１５ａは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物及び複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物及び複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
【０１０２】
第２層は、例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この第２層１５ｂは、さらに、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【０１０３】
このような上部電極３５は、ここで作製する表示装置がアクティブマトリックス方式である場合、有機層３３と絶縁膜２５とによって、下部電極２３と絶縁された状態で装置基板２１上にベタ膜状に形成され、各画素の共通電極として用いられる。
【０１０４】
そして、下部電極２３と上部電極３５との積層部において、各色発光層１７rr，１７gg，１７bbをそれぞれ含む有機層３３等が狭持された各部分に、各有機電界発光素子、すなわち赤色発光素子３７ｒ、緑色発光素子３７ｇ、および青色発光素子３７ｂがそれぞれ形成される。
【０１０５】
尚、上部電極３５は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取れば良いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態の上部電極３５の構成は、電極各層の機能分離、すなわち有機層３３への電子注入を促進させる無機層（第１層）と、電極を司る無機層（第２層）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層３３への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねても良く、これらの層を単層構造として構成しても良い。また、この単層構造上にＩＴＯなどの透明電極を形成した積層構造としても良い。
【０１０６】
そして上記した構成の各色発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂに印加する電流は、通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子が破壊されない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
【０１０７】
また、これらの有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂが、キャビティ構造となっている場合、上部電極３５が半透過半反射材料を用いて構成される。そして、下部電極２３側の光反射面と、上部電極３５側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が上部電極３５側から取り出される。この場合、下部電極２３側の光反射面と上部電極３５側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。そして、このような上面発光型の有機電界発光素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
【０１０８】
さらに、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂは、大気中の水分や酸素等による有機材料の劣化を防止するため保護層（パッシベーション層）で覆われた状態で用いることが好ましい。保護膜には、窒化珪素（代表的には、Ｓｉ3Ｎ4）、酸化珪素（代表的には、ＳｉＯ2）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ：組成比Ｘ＞Ｙ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ：組成比Ｘ＞Ｙ）膜、またはＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）のような炭素を主成分とする薄膜、ＣＮ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ）膜等が用いられる。これらの膜は、単層または積層させた構成とすることが好ましい。なかでも、窒化物からなる保護層は膜質が緻密であり、有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂに悪影響を及ぼす水分、酸素、その他不純物に対して極めて高いブロッキング効果を有するため好ましく用いられる。
【０１０９】
尚、以上の実施形態においては、有機電界発光素子が上面発光型である場合を例示して本発明を詳細に説明した。しかしながら、本発明の有機電界発光素子は、上面発光型への適用に限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる構成に広く適用可能である。したがって、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、基板側に位置する電極（陰極または陽極としての下部電極）を透明材料で構成し、基板と反対側に位置する電極（陰極または陽極としての上部電極）を反射材料で構成することによって、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型（いわゆる透過型）の有機電界発光素子にも適用可能である。
【０１１０】
さらにここで作製する有機電界発光素子とは、一対の電極（陽極と陰極）、およびその電極間に有機層が挟持されることによって形成される素子であれば良い。このため、一対の電極および有機層のみで構成されたものに限定されることはなく、本発明の効果を損なわない範囲で他の構成要素（例えば、無機化合物層や無機成分）が共存することを排除するものではない。
【０１１１】
尚、ここで作製する有機電界発光素子を用いた表示装置としては、図４（２）に示す断面構成のものに限定されることはない。例えば、図５に示す構成の表示装置４１であっても良い。尚、図４（２）の表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付している。
【０１１２】
すなわち、図５に示す表示装置４１のように、正孔注入層２７および正孔輸送層２９は、それぞれが素子毎にパターニングされていても良い。の正孔輸送層２９上に設けられる赤色の発光層１７rrおよび緑色の発光層１７ggが、図２および図３を用いて説明したと同様の転写用基板を用いて形成されることが重要である。尚、青色の発光層１７bbは、上述したと同様に転写法または蒸着法によって形成されることとする。
【０１１３】
そして、これらの発光層１７rr，１７gg，１７bb上の電子輸送層３１は、それぞれが素子毎にパターニングされていても良い。
【０１１４】
以上説明した発光層１７rr，１７gg，１７bb以外の、下部電極２３〜上部電極３５までの各層は、真空蒸着法、イオンビーム法（ＥＢ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、スパッタ法、Ｏrganic Ｖapor Ｐhase Ｄeposition（ＯＶＰＤ）法などのドライプロセスによって形成できる。
【０１１５】
また、有機層を構成する層であって発光層１７rr，１７gg，１７bb以外の層であれば、以上の方法に加えてレーザー転写法、スピンコート法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法、オフセット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法などの印刷法などのウエットプロセスによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。
【０１１６】
尚、図５で示したように、各有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂ毎にパターン形成された有機層の各部分は、例えばマスクを用いた蒸着法や転写法によって形成される。
【０１１７】
以上説明した実施形態の転写用基板１およびこれを用いた有機電界発光素子の製造方法によれば、転写用基板１ｒ，１ｇの転写層１７ｒ，１７ｇが、ａ金属錯体、ｂ蛍光発光性ドーパント、およびｃ母骨格が環員数４〜７の芳香族炭化水素の３元系材料であるため、この転写層１７を昇華させて形成した発光層１７rr，１７ggも、これらの３元系材料で構成されたものとなる。このような３元系材料で構成された発光層１７rr，１７ggにおいては、芳香族炭化水素は発光には寄与しないが、芳香族炭化水素を含まない場合と比較して、高い発光効率が得られると共に輝度半減寿命が長くなることが確認された。さらに、このようにして得られる発光層は、共蒸着による形成方法よりも３種類の材料の混合状態の均一性が高くｈν材料比が高成度に制御されたものとなる。
【０１１８】
この結果、高い発光効率が得られると共に輝度半減寿命の向上を図ることが可能な３元系材料からなる発光層１７rr，１７ggを、均一性高く高精度な材料比で形成することが可能であり、これによりさらに発光効率および輝度半減寿命の向上が図られた有機電界発光素子３７r，３７gを得ることが可能になる。
【０１１９】
また、発光効率の高い有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇを用いたことにより、表示装置４１における輝度寿命を改善できるとともに消費電力を低減させる効果をもたらす。したがって、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能となる。
【０１２０】
以上の例においては、アクティブマトリックス型の表示装置に本発明を適用した実施形態を説明した。しかしながら、本発明の表示装置は、パッシブマトリックス型の表示装置への適用も可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０１２１】
≪表示装置の概略構成≫
図６は、実施形態の表示装置に適用される表示パネルの一例を示す図であり、図６（Ａ）は概略構成図、図６（Ｂ）は画素回路の構成図である。ここでは、発光素子として有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂを用いたアクティブマトリックス方式の表示装置４１の表示パネルの構成を説明する。
【０１２２】
図６（Ａ）に示すように、この表示装置４１の装置基板２１上には、表示領域２１ａとその周辺領域２１ｂとが設定されている。表示領域２１ａは、複数の走査線４３と複数の信号線４５とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。これらの各画素ａに、有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂのうちの１つが設けられている。また周辺領域２１ｂには、走査線４３を走査駆動する走査線駆動回路ｂと、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４５に供給する信号線駆動回路ｃとが配置されている。
【０１２３】
図６（Ｂ）に示すように、各画素ａに設けられる画素回路は、例えば各有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂのうちの１つと、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタ（サンプリングトランジスタ）Ｔｒ２、および保持容量Ｃｓで構成されている。そして、走査線駆動回路ｂによる駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線４５から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が各有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子３７ｒ，３７ｇ，３７ｂが発光する。
【０１２４】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域２１ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【０１２５】
また、このような表示装置４１は、図７に示したように、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域２１ａを囲むようにシーリング部５１が設けられ、このシーリング部５１を接着剤として、透明なガラス等の対向部（封止基板５２）に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板５２には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。尚、表示領域２１ａが形成された表示モジュールとしての装置基板２１には、外部から表示領域２１ａ（画素アレイ部）への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板５３が設けられていても良い。
【０１２６】
≪適用例≫
また以上説明した本発明に係る表示装置は、図８〜図１２に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【０１２７】
図８は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
【０１２８】
図９は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１２９】
図１０は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【０１３０】
図１１は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【０１３１】
図１２は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【実施例】
【０１３２】
本発明の具体的な実施例および比較例の有機電界発光素子の製造手順を、図１〜３を参照して説明し、次にこれらの評価結果を説明する。
【０１３３】
＜実施例１＞
緑色発光の有機電界発光素子を次のようにして作製した。
【０１３４】
（１）先ず、３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる装置基板２１上に、下部電極（陽極）２３として、膜厚が１９０ｎｍのＡｇ合金（反射層）上に１２．５ｎｍのＩＴＯ透明電極を積層形成し、上面発光用の有機電界発光素子用のセルを作製した。次に下部電極２３の周縁を覆う状態で酸化シリコンの絶縁膜２５をスパッタリング法により約２μｍの厚さで成膜し、リソグラフィー法により下部電極２３を露出させ、画素領域とした。
【０１３５】
次に、真空蒸着法により、有機層の正孔注入層２７として、下記ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を１２ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、ｍ−ＭＴＤＡＴＡは、４、４'、４”−トリス（フェニル−ｍ−トリルアミノ）トリフェニルアミンである。
【０１３６】
【化１１】
2009048811.tif 000021
【０１３７】
次いで、正孔輸送層２９として、下記α−ＮＰＤよりなる膜を６ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、α−ＮＰＤは、Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル[１、１’-ビフェニル]−４、４’―ジアミンである。
【０１３８】
【化１２】
2009048811.tif 000022
【０１３９】
（２）一方、次のようにして、緑色の発光層を形成するための転写用基板１ｇを作製した。先ず、ガラスの支持基板２１の上に、膜厚２００ｎｍのモリブデンからなる光熱変換層１３を通常のスパッタリング法により成膜した。次いで、光熱変換層１３上に、膜厚１００ｎｍの窒化シリコンＳｉＮxからなる酸化保護層１５をＣＶＤ法によって成膜した。
【０１４０】
そして酸化保護層１５上に、膜厚２５ｎｍの転写層１７ｇを蒸着成膜した。転写層１７ｇは、ａ金属錯体として下記８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）を用い、ｂ蛍光発光性ドーパントとして下記緑色蛍光発光材料の10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl- 2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-benzo[l]pyrano[6,7, 8-ij] quinolizin-11-one (C-545T：アルドリッチ社製商品名）を用い、ｃ芳香族炭化水素には下記ジベンゾ[b,k]ペリレンを用い、それぞれ相対膜厚比で７９．５％，０．５％，２０％の割合で三元蒸着させた。
【０１４１】
【化１３】
2009048811.tif 000023
【０１４２】
（３）次に、正孔輸送層２９と転写層１７ｇとが向き合う状態で、装置基板２１に転写用基板１ｇを対向配置させ、真空中で密着させた。両基板は、絶縁膜２５の厚さによって、下部電極２３上において約２μｍの小さな間隙が維持されていた。この状態で、装置基板２１の画素領域に相対する配置において、転写用基板１ｇの裏側から波長８００ｎｍのレーザ光線を照射することにより、転写用基板１ｇから転写層１７ｇを昇華させて装置基板２１側に熱転写し、緑色の発光層１７ggを形成した。レーザ光線のスポットサイズは、３００μｍ×１０μｍとした。レーザ光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。エネルギー密度は、２．６E-3ｍＪ／μｍ2とした。
【０１４３】
（４）発光層１７ggが転写形成された装置基板２１を、１００℃にて３０分間、不活性ガスとして窒素雰囲気下にて加熱した。
【０１４４】
（５）加熱後、下記９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）をホスト材料として用い、これに下記スチリルアミン誘導体を青色の発光性ゲスト材料として相対膜厚比２．５％の割合で混合した青色発光層を、発光層１７ggの上部に真空蒸着により積層成膜した。この青色発光層は、フルカラー表示装置を作製する再に、赤色発光層、緑色発光層を転写法にてそれぞれの画素に形成した後に、各画素に共通層として形成される層であり、緑色画素および赤色画素の発光には影響しない層となる。
【０１４５】
【化１４】
2009048811.tif 000024
【０１４６】
（６）次に、電子輸送層３１として、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3）を２０ｎｍ程度の膜厚で蒸着成膜した。続いて、電子注入層(または上部電極の第１層）として、ＬｉＦを約０．３ｎｍ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で蒸着成膜した。次いで、上部電極３５となる陰極としてＭｇＡｇを１０ｎｍの膜厚で蒸着成膜し、緑色発光素子３７ｇを得た。
【０１４７】
＜実施例２，３、比較例１，２，３＞
実施例１の（２）における転写用基板１ｇの作製手順において、転写層１７ｇの形成材料として下記表１に示す材料を用いたこと以外は、実施例１と同様に行い緑色発光素子３７ｇを得た。尚、比較例３は、実施例１でホスト材料用いたａ金属錯体に換えて、９，１０−ジフェニルアミアントラセンを用いた。
【０１４８】
【表１】
2009048811.tif 000025
【０１４９】
＜評価結果−１＞
以上のようにして作製した実施例１〜３および比較例１〜３の有機電界発光素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率、および電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2印加させて得た輝度が９０％減少するまでの時間を寿命（Ｔ９０）として測定した。この結果を上記表１に合わせて示す。
【０１５０】
これらの測定結果から、転写層１７ｇに対して、ホスト材料となるａ金属錯体およびｂ蛍光発光性ドーパントと共に、ｃ芳香族炭化水素としてジベンゾ[b,k]ペリレンを含有させて作製された実施例１〜３の有機電界発光素子では、ｃ芳香族炭化水素を含まない転写層を用いて作製された比較例１，２の有機電界発光素子と比較して、発光効率を維持しつつ輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。また、実施例１，２と比較例１、実施例３と比較例２との対比から、含まれる緑色のｂ蛍光発光性ドーパントに依存せず、輝度寿命が大幅に改善されることが明らかである。
【０１５１】
また、比較例３は、実施例１でホスト材料用いたａ金属錯体に換えて、９，１０−ジフェニルアミアントラセンを用いたが、この場合、発光効率は維持されているものの実施例１〜３と比較して寿命が低かった。
【０１５２】
＜実施例４＞
実施例１の（２）における転写用基板１ｇの作製手順において、転写層１７ｇを２層構造としたこと以外は、実施例１と同様に行い緑色発光素子３７ｇを得た。転写層１７ｇの形成においては、ａ金属錯体（Ａｌｑ３）とｂ蛍光発光性ドーパント（Ｃ−５４５Ｔ）とを、相対膜厚比９９．５％：０．５％として膜厚１５ｎｍで共蒸着した。次に、ｃ芳香族炭化水素（ジベンゾ[b,k]ペリレン）を膜厚５ｎｍで蒸着して二層構造とした。
【０１５３】
得られた有機電界発光素子の電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率は７．５ｃｄ/Ａ、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2駆動による寿命（Ｔ９０）は１１０Ｈｒであった。実施例１の評価結果と比較し、転写用基板１ｇの転写層１７ｇとしてａ,ｂ,ｃの３種類の材料を用いていれば、転写層１７ｇを２層構造とした場合であっても、これを用いて作製された有機電界発光素子では、比較例１，２よりも輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。
【０１５４】
＜実施例５＞
実施例１の（２）における転写用基板１ｇの作製手順において、転写層１７ｇを３層構造としたこと以外は、実施例１と同様に行い緑色発光素子３７ｇを得た。転写層１７ｇの形成においては、先ずａ金属錯体（Ａｌｑ３）を膜厚１４ｎｍで蒸着し、続いてｂ蛍光発光性ドーパント（９，１０−ジフェニルアミノアントラセン）を膜厚１ｎｍで蒸着し、最後にｃ芳香族炭化水素（ジベンゾ[b,k]ペリレン）を膜厚５ｎｍで蒸着したて三層構造とした。
【０１５５】
得られた有機電界発光素子の電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率は７．５ｃｄ/Ａ、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2駆動による寿命（Ｔ９０）は１１０Ｈｒであった。実施例１の評価結果と比較し、転写用基板１ｇの転写層１７ｇとしてａ,ｂ,ｃの３種類の材料を用いていれば、転写層１７ｇを３層構造とした場合であっても、これを用いて作製された有機電界発光素子では、比較例１，２よりも輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。
【０１５６】
＜実施例６，７、比較例４＞
赤色発光の有機電界発光素子を次のようにして作製した。
【０１５７】
実施例１の（２）における転写用基板１ｇの作製手順における転写層１７ｇの形成材料を、下記表２に示すように赤色の発光層を形成するための転写層１７ｒの形成材料に変更した。これ以外は実施例１と同様に行い赤色発光素子３７ｒを得た。
【０１５８】
ただし、窒化シリコンＳｉＮxからなる酸化保護層１５は膜厚１２０ｎｍとし、転写層１７ｒは膜厚４０ｎｍとした。
【０１５９】
【表２】
2009048811.tif 000026
【０１６０】
＜評価結果−２＞
以上のようにして作製した実施例６，７および比較例４の有機電界発光素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率、および電流密度７０ｍＡ／ｃｍ2印加させて得た輝度が９０％減少するまでの時間を寿命（Ｔ９０）として測定した。この結果を上記表２に合わせて示す。
【０１６１】
これらの測定結果から、転写層１７ｒに対して、ホスト材料となるａ金属錯体およびｂ蛍光発光性ドーパントと共に、ｃ芳香族炭化水素を含有させて作製された実施例６，７有機電界発光素子では、ｃ芳香族炭化水素を含まない転写層を用いて作製された比較例４の有機電界発光素子と比較して、発光効率の向上および輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。また、実施例６，７から、含まれる赤色のｂ蛍光発光性ドーパントに依存せず、輝度寿命が大幅に改善されることが明らかである。
【０１６２】
＜実施例８＞
実施例６の（２）における転写用基板１ｒの作製手順において、転写層１７ｒを２層構造としたこと以外は、実施例６と同様に行い赤色発光素子３７ｒを得た。転写層１７ｒの形成においては、ａ金属錯体（Ａｌｑ３）とｂ蛍光発光性ドーパント（ＢＳＮ）とを、相対膜厚比８０．０％：２０．０％として膜厚２０ｎｍで共蒸着した。次に、ｃ芳香族炭化水素（３，１０−ビス（２−ナフチル）ペリレン）を膜厚２０ｎｍで蒸着して二層構造とした。
【０１６３】
得られた有機電界発光素子の電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率は６．０ｃｄ/Ａ、電流密度７０ｍＡ／ｃｍ2駆動による寿命（Ｔ９０）は９５Ｈｒであった。実施例６の評価結果と比較し、転写用基板１ｒの転写層１７ｒとしてａ,ｂ,ｃの３種類の材料を用いていれば、転写層１７ｒを２層構造とした場合であっても、これを用いて作製された有機電界発光素子では、比較例４よりも輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。
【０１６４】
＜実施例９＞
実施例７の（２）における転写用基板１ｒの作製手順において、転写層１７ｒを３層構造としたこと以外は、実施例７と同様に行い緑色発光素子３７ｒを得た。転写層１７ｒの形成においては、先ずａ金属錯体（Ａｌｑ３）を膜厚１６ｎｍで蒸着し、続いてｂ蛍光発光性ドーパント（ＢＳＮ）を膜厚４ｎｍで蒸着し、最後にｃ芳香族炭化水素（５，６，１１，１２−テトラフェニルテトラセン）を膜厚２０ｎｍで蒸着したて三層構造とした。
【０１６５】
得られた有機電界発光素子の電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率は８．５ｃｄ/Ａ、電流密度７０ｍＡ／ｃｍ2駆動による寿命（Ｔ９０）は１２５Ｈｒであった。実施例４の評価結果と比較し、転写用基板１ｒの転写層１７ｒとしてａ,ｂ,ｃの３種類の材料を用いていれば、転写層１７ｒを３層構造とした場合であっても、これを用いて作製された有機電界発光素子では、比較例４よりも輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。
【０１６６】
＜実施例１０，１１＞
赤色発光の有機電界発光素子を次のようにして作製した。
【０１６７】
実施例１の（２）における転写用基板１ｇの作製手順における転写層１７ｇの形成材料を、下記表３に示すように赤色の発光層を形成するための転写層１７ｒの形成材料に変更した。これ以外は実施例１と同様に行い赤色発光素子３７ｒを得た。
【０１６８】
ただし、窒化シリコンＳｉＮxからなる酸化保護層１５は膜厚１５０ｎｍとし、転写層１７ｒは膜厚４０ｎｍとした。
【０１６９】
【表３】
2009048811.tif 000027
【０１７０】
また、ｂ蛍光発光性ドーパントは、実施形態で例示した下記化合物（４）-2のピラン誘導体［4-(ジシアノメチレン)-2-t-ブチル-6-(1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル)-4H-ピラン(DCJTB)］および化合物（３）-21のピロメテン錯体である。
【０１７１】
【化１５】
2009048811.tif 000028
【０１７２】
＜評価結果−３＞
以上のようにして作製した実施例１０，１１の有機電界発光素子について、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2での駆動時の発光効率、および電流密度７０ｍＡ／ｃｍ2印加させて得た輝度が９０％減少するまでの時間を寿命（Ｔ９０）として測定した。この結果を上記表３に合わせて示す。
【０１７３】
これらの測定結果から、転写層１７ｒに対して、ホスト材料となるａ金属錯体およびｂ蛍光発光性ドーパントと共に、ｃ芳香族炭化水素を含有させて作製された実施例１０，１１の有機電界発光素子では、赤色のｂ蛍光発光性ドーパントに依存せず、先の表２に示したｃ芳香族炭化水素を含まない転写層を用いて作製された比較例４の有機電界発光素子と比較して、輝度寿命を大幅に改善させることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】実施形態の転写用基板の構成を示す断面図である。
【図２】実施形態の転写用基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を含む表示装置の製造方法を示す断面工程図（その1)である。
【図３】実施形態の転写用基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を含む表示装置の製造方法を示す断面工程図（その２）である。
【図４】実施形態の転写用基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を含む表示装置の製造方法を示す断面工程図（その３）である。
【図５】実施形態の製造方法によって得られる表示装置の他の構成例を示す断面図である。
【図６】実施形態の表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図７】本発明が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図８】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図９】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１０】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１２】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１７５】
１，１ｒ，１ｇ…転写用基板、１１…支持基板、１３…光熱変換層と、１７，１７ｇ，１７ｒ…転写層、１７rr，１７gg,１７bb…発光層、２１…装置基板、２３…下部電極、
３３…有機層、３５…上部電極、３７ｒ，３７ｇ，３７ｂ…有機電界発光素子、ｈν…光（レーザ光）
【図１】
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【図２】
2009048811.tif 000030
【図３】
2009048811.tif 000031
【図４】
2009048811.tif 000032
【図５】
2009048811.tif 000033
【図６】
2009048811.tif 000034
【図７】
2009048811.tif 000035
【図８】
2009048811.tif 000036
【図９】
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【図１０】
2009048811.tif 000038
【図１１】
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【図１２】
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