(57)【要約】【課題】発光素子に接続される配線の自由度を向上させる技術を提供する。【解決手段】結像光学系ＬＳと、結像光学系ＬＳにより結像される光を発光する第１の発光素子Ｅa1〜Ｅa4、Ｅb1〜Ｅb4と、結像光学系ＬＳにより結像される光を発光する第２の発光素子Ｅc5〜Ｅc8、Ｅd5〜Ｅd8と、第１の発光素子Ｅa1〜Ｅa4、Ｅb1〜Ｅb4に配線ＷＬを介して接続される第１のＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4と、第２の発光素子Ｅc5〜Ｅc8、Ｅd5〜Ｅd8に配線ＷＬを介して接続される第２のＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣc8、ＴＣd5〜ＴＣd8とを備え、第１のＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4と第２のＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣc8、ＴＣd5〜ＴＣd8との間に、第１の発光素子Ｅa1〜Ｅa4、Ｅb1〜Ｅb4および第２の発光素子Ｅc5〜Ｅc8、Ｅd5〜Ｅd8が配設されてる。【選択図】図１７
2009160915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結像光学系と、
前記結像光学系により結像される光を発光する第１の発光素子と、
前記結像光学系により結像される光を発光する第２の発光素子と、
前記第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路と、
前記第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路と
を備え、
前記第１のＴＦＴ回路と前記第２のＴＦＴ回路との間に、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が配設されることを特徴とする露光ヘッド。
【請求項２】
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、前記第１のＴＦＴ回路および前記第２のＴＦＴ回路が第１面に配設された基板を有する請求項１に記載の露光ヘッド。
【請求項３】
前記基板は光透過性部材であり、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子からの光は、前記第１の面から前記第１の面と異なる第２の面に前記基板を透過して前記結像光学系に入射する請求項２に記載の露光ヘッド。
【請求項４】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子からの光を検知する検知部を備えた請求項２または３に記載の露光ヘッド。
【請求項５】
前記検知部は前記基板に配されている請求項４に記載の露光ヘッド。
【請求項６】
前記検知部は複数配されている請求項４または５に記載の露光ヘッド。
【請求項７】
前記検知部は前記発光素子からの光を受光する受光面を有する光センサである請求項４ないし６のいずれか一項に記載の露光ヘッド。
【請求項８】
前記受光面が光学接着剤により前記基板に接着されている請求項７に記載の露光ヘッド。
【請求項９】
前記第１のＴＦＴ回路は前記検知部の検知結果に基づいて前記第１の発光素子を駆動させ、前記第２のＴＦＴ回路は前記検知部の検知結果に基づいて前記第２の発光素子を駆動させる請求項４ないし８のいずれか一項に記載の露光ヘッド。
【請求項１０】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は有機ＥＬ素子である請求項９に記載の露光ヘッド。
【請求項１１】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子からの光を前記結像光学系へ通過させる導光孔を設けた遮光部材を備えた請求項４ないし１０のいずれか一項に記載の露光ヘッド。
【請求項１２】
結像光学系、前記結像光学系により被露光面に結像される光を発光する第１の発光素子、前記結像光学系により前記被露光面に結像される光を発光する第２の発光素子、前記第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路、および、前記第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路と、を有し、
前記第１のＴＦＴ回路と前記第２のＴＦＴ回路との間に、前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が配されている露光ヘッドにより、前記被露光面を露光する露光工程を備える露光ヘッドの制御方法。
【請求項１３】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の発光光量を検知する検知工程を備え、前記露光工程は前記検知工程の検知結果に基づいて前記第１の発光素子および第２の発光素子を駆動させる請求項１２に記載の露光ヘッドの制御方法。
【請求項１４】
潜像担持体と、
結像光学系、前記結像光学系により前記潜像担持体に結像される光を発光する第１の発光素子、前記結像光学系により前記潜像担持体に結像される光を発光する第２の発光素子、前記第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路、および前記第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路を有し、前記第１のＴＦＴ回路と前記第２のＴＦＴ回路との間に前記第１の発光素子および前記第２の発光素子が配設される露光ヘッドと
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光素子から射出された光を結像光学系により結像する露光ヘッド、該露光ヘッドの制御方法および該露光ヘッドを用いた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような露光ヘッドとしては、例えば特許文献１に記載のように、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を、基板上に複数並べたラインヘッドが知られている。これらの発光素子の駆動は、いわゆるＴＦＴ（Thin film transistor）と称される薄膜トランジスタで構成された回路により制御することができる。つまり、発光素子は、ＴＦＴ回路による駆動を受けて、光ビームを射出する。こうして発光素子から射出された光ビームはレンズにより結像されて、感光体等の潜像担持体の表面が露光される。
【０００３】
【特許文献１】平２−４５４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のようなラインヘッドでは、ＴＦＴ回路からの信号を発光素子に与えるために、発光素子とＴＦＴ回路とが配線により接続される。しかしながら、このＴＦＴ回路の配設態様が適切でないことに起因して、各発光素子に接続される配線の全部を、同じ側に引き出す必要がある場合があり、その結果、配線の自由度が低下してしまう場合があった。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、発光素子に接続される配線の自由度を向上させる技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる露光ヘッドは、上記目的を達成するために、結像光学系と、結像光学系により結像される光を射出する第１の発光素子と、結像光学系により結像される光を射出する第２の発光素子と、第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路と、第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路とを備え、第１のＴＦＴ回路と第２のＴＦＴ回路との間に、第１の発光素子および第２の発光素子が配設されていることを特徴としている。
【０００７】
また、この発明にかかる露光ヘッドの制御方法は、上記目的を達成するために、結像光学系、結像光学系により被露光面に結像される光を射出する第１の発光素子、結像光学系により被露光面に結像される光を射出する第２の発光素子、第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路、および、第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路とを有し、第１のＴＦＴ回路と第２のＴＦＴ回路との間に、第１の発光素子および第２の発光素子が配設されている露光ヘッドにより、被露光面を露光する露光工程を備えることを特徴としている。
【０００８】
また、この発明にかかる画像形成装置は、上記目的を達成するために、潜像担持体と、結像光学系、結像光学系により潜像担持体に結像される光を射出する第１の発光素子、結像光学系により潜像担持体に結像される光を射出する第２の発光素子、第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路、および、第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路を有し、第１のＴＦＴ回路と第２のＴＦＴ回路との間に第１の発光素子および第２の発光素子が配設されている露光ヘッドとを備えたことを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明（露光ヘッド、露光ヘッドの制御方法、画像形成装置）では、第１の発光素子に配線を介して接続される第１のＴＦＴ回路と、第２の発光素子に配線を介して接続される第２のＴＦＴ回路とが設けられている。そして、第１のＴＦＴ回路と第２のＴＦＴ回路との間に第１の発光素子および第２の発光素子が配設されている。したがって、配線を第１の発光素子および第２の発光素子の両側に引き出すことが可能となっており、配線の自由度の向上が図られている。
【００１０】
なお、第１の発光素子、第２の発光素子、第１のＴＦＴ回路および第２のＴＦＴ回路が基板の第１の面に設けることができる。さらに、第１の発光素子および第２の発光素子からの光は、第１の面から第１の面と異なる第２の面に基板を透過して結像光学系に入射するように構成することができる。
【００１１】
ところで、第１の発光素子および第２の発光素子からの光を検知する検知部を備えるように露光ヘッドを構成することができる。この際、検知部を基板に配設することで次のような効果が奏される。つまり、発光素子が射出した光のうち基板の内部で反射された光を検知部により検知することが可能となる。しかも、本発明では基板にＴＦＴ回路が設けられており、このＴＦＴ回路が発光素子からの光を反射するため、より多くの光量を検知部により検知することができ、検知結果の精度を向上させることができる。
【００１２】
検知部は複数配設されているように構成しても良い。これにより、多くの光量を検知することが可能となり、検知結果の精度を向上させることができる。
【００１３】
また、検知部として受光面で光を検知する光センサを用いることができる。この際、受光面を光学接着剤により基板に接着しても良い。このような構成では、基板と受光面との界面が光学接着剤により取り除かれるため、基板と受光面での不要な光の反射を抑制することが可能となる。その結果、受光面に入射する光が増大して、検知結果の精度を向上させることができる。
【００１４】
また、第１のＴＦＴ回路は検知部の検知結果に基づいて第１の発光素子を駆動し、第２のＴＦＴ回路は検知部の検知結果に基づいて第２の発光素子を駆動するように構成しても良い。このように構成することで、適切な光量で発光素子を駆動することができ、良好な露光動作が可能となる。
【００１５】
また、第１の発光素子および第２の発光素子は有機ＥＬ素子である露光ヘッドに対しては、検知部の検知結果に基づいて発光素子を駆動するように構成することが特に好適である。つまり、有機ＥＬ素子は比較的寿命が短いため、各有機ＥＬ素子間で発光頻度にばらつきがあると、各有機ＥＬ素子の光量にもばらつきが発生する場合がある。したがって、有機ＥＬ素子を用いた構成に対しては、検知部を備えた本発明を適用して、適切な光量で発光素子を駆動することが好適である。
【００１６】
また、第１の発光素子および第２の発光素子から結像光学系に向けて導光孔を設けた遮光部材を備えるように構成しても良い。後述するように、このような構成では、遮光部材によりゴースト光の結像光学系への入射が抑制されて、良好な露光が可能となる。
【００１７】
また、上述した露光ヘッドの制御方法においては、第１の発光素子および第２の発光素子の光量を検知する検知工程を備え、露光工程は検知工程の検知結果に基づいて第１の発光素子および第２の発光素子を駆動するように構成しても良い。このように構成することで、適切な光量で発光素子を駆動することができ、良好な露光動作が可能となる。
【００１８】
この発明にかかるラインヘッドは、上記目的を達成するために、複数の発光素子をグループ化した発光素子グループを一方面に複数配するとともに、発光素子から射出された光が一方面から他方面へ向けて透過可能であるヘッド基板と、ヘッド基板に配されるとともに、発光素子が射出した光を検知する検知手段とを備え、ヘッド基板の一方面には、発光素子の駆動を制御するＴＦＴ回路と、発光素子とＴＦＴ回路とを接続する配線とが配され、発光素子グループでは、複数の発光素子を第１方向に並べた発光素子行が設けられており、第１方向に直交もしくは略直交する第２方向における発光素子グループの両側にＴＦＴ回路が配されていることを特徴としている。
【００１９】
また、この発明にかかる画像形成装置は、上記目的を達成するために、複数の発光素子をグループ化した発光素子グループを一方面に複数配するとともに、発光素子から射出された光が一方面から他方面へ向けて透過可能であるヘッド基板と、ヘッド基板に配されるとともに、発光素子が射出した光を検知する検知手段とを有するラインヘッドと、ラインヘッドにより露光される潜像担持体とを備え、ヘッド基板の一方面には、発光素子の駆動を制御するＴＦＴ回路と、発光素子とＴＦＴ回路とを接続する配線とが配され、発光素子グループでは、複数の発光素子を第１方向に並べた発光素子行が設けられており、第１方向に直交もしくは略直交する第２方向における発光素子グループの両側にＴＦＴ回路が配されていることを特徴としている。
【００２０】
このように構成された発明（ラインヘッド、画像形成装置）では、第２方向における発光素子グループの両側にＴＦＴ回路が配されている。したがって、発光素子グループの各発光素子に接続される配線を、第２方向の両側に引き出すことが可能となっており、配線の自由度の向上が実現されている。
【００２１】
また、この発明では、発光素子が射出した光を検知する検知手段が、ヘッド基板に配されている。かかる検知手段は、主として、各発光素子の光量を制御する目的で設けられたものである。つまり、例えば、この検知手段の検知結果に基づいて、ＴＦＴ回路が発光素子を駆動制御することで、高精度の発光駆動制御が可能となる。ところで、このような発光駆動制御を高精度に行うという観点からは、検知手段に入射する光量はなるべく多いことが望ましい。これに対して、本発明では、ヘッド基板の一方面にＴＦＴ回路が配されている。したがって、後述するように、このＴＦＴ回路が、光を反射する反射膜として機能するため、検知手段に入射する光量の増大が可能となる。よって、この発明は、発光駆動制御を高精度に実行することができ、好適である。
【００２２】
また、ＴＦＴ回路は、検知手段の検知結果に基づいて、各発光素子が射出する光の光量が均一となるように、発光素子の駆動を制御するように構成しても良い。このように構成した場合、各発光素子が射出する光の光量が均一となり、良好な露光が可能となる。
【００２３】
また、検知手段は、ヘッド基板に複数配されるように構成しても良い。このように構成することで、高精度に発光素子の光量を検知することが可能となる。
【００２４】
また、発光素子は、有機ＥＬ素子であるように構成しても良い。つまり、かかる有機ＥＬ素子は比較的寿命が短いため、複数の有機ＥＬ素子間で発光頻度にばらつきがあると、各有機ＥＬ素子の光量にもばらつきが発生する場合がある。したがって、有機ＥＬ素子を用いた構成に対しては、検知手段を備えた本発明を適用して、高精度の発光駆動制御を行なうことが好適である。
【００２５】
また、検知手段は受光面で光を検知する光センサであり、受光面が光学接着剤によりヘッド基板に取り付けられているように構成しても良い。このように構成することで、ヘッド基板と受光面との界面を取り除いて、ヘッド基板と受光面での不要な反射を抑制することが可能となる。その結果、受光面に入射する光が増大して、より高精度な発光駆動制御が可能となる。
【００２６】
また、ヘッド基板の他方面側から発光素子グループに対向するレンズを、発光素子グループ毎に設けたレンズアレイと、ヘッド基板とレンズアレイとの間に設けられた遮光部材とを備え、遮光部材は、発光素子グループからレンズに向う導光孔を発光素子グループ毎に有するように構成しても良い。つまり、このようなレンズアレイを備える構成では、発光素子グループから射出された光ビームが、この発光素子グループに対応して設けられたレンズにより結像されることで、露光動作が実行される。したがって、良好な露光動作を実行するとの観点からは、各レンズに対しては、該レンズに対応する発光素子グループから射出された光ビームのみが入射することが望ましく、これ以外の光ビーム（ゴースト光）の入射は極力抑制されることが望ましい。これに対して、上記構成では、発光素子グループからレンズに向う導光孔を発光素子グループ毎に有する遮光部材が設けられている。したがって、このようなゴースト光は、遮光部材により遮光することが可能である。その結果、ゴースト光のレンズへの入射が抑制されて、良好な露光動作が可能となっている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
Ａ．用語の説明
本発明の実施形態を説明する前に、本明細書で用いる用語について説明する。
【００２８】
図１および図２は、本明細書で用いる用語の説明図である。ここで、これらの図を用いて本明細書において用いる用語について整理する。本明細書では、感光体ドラム２１の表面（像面ＩＰ）の搬送方向を副走査方向ＳＤと定義し、該副走査方向ＳＤに直交あるいは略直交する方向を主走査方向ＭＤと定義している。また、ラインヘッド２９は、その長手方向ＬＧＤが主走査方向ＭＤに対応し、その幅方向ＬＴＤが副走査方向ＳＤに対応するように、感光体ドラム２１の表面（像面ＩＰ）に対して配置されている。
【００２９】
レンズアレイ２９９が有する複数のレンズＬＳに一対一の対応関係でヘッド基板２９３に配置された、複数（図１および図２においては８個）の発光素子２９５１の集合を、発光素子グループ２９５と定義する。つまり、ヘッド基板２９３において、複数の発光素子２９５１からなる発光素子グループ２９５は、複数のレンズＬＳのそれぞれに対して配置されている。また、発光素子グループ２９５からの光ビームを該発光素子グループ２９５に対応するレンズＬＳにより像面ＩＰに向けて結像することで、像面ＩＰに形成される複数のスポットＳＰの集合を、スポットグループＳＧと定義する。つまり、複数の発光素子グループ２９５に一対一で対応して、複数のスポットグループＳＧを形成することができる。また、各スポットグループＳＧにおいて、主走査方向ＭＤおよび副走査方向ＳＤに最上流のスポットを、特に第１のスポットと定義する。そして、第１のスポットに対応する発光素子２９５１を、特に第１の発光素子と定義する。
【００３０】
また、図２の「像面上」の欄に示すように、スポットグループ行ＳＧＲ、スポットグループ列ＳＧＣを定義する。つまり、主走査方向ＭＤに並ぶ複数のスポットグループＳＧをスポットグループ行ＳＧＲと定義する。そして、複数行のスポットグループ行ＳＧＲは、所定のスポットグループ行ピッチＰsgrで副走査方向ＳＤに並んで配置される。また、副走査方向ＳＤにスポットグループ行ピッチＰsgrで且つ主走査方向ＭＤにスポットグループピッチＰsgで並ぶ複数（同図においては３個）のスポットグループＳＧをスポットグループ列ＳＧＣと定義する。なお、スポットグループ行ピッチＰsgrは、副走査方向ＳＤに互いに隣接する２つのスポットグループ行ＳＧＲそれぞれの幾何重心の、副走査方向ＳＤにおける距離である。また、スポットグループピッチＰsgは、主走査方向ＭＤに互いに隣接する２つのスポットグループＳＧそれぞれの幾何重心の、主走査方向ＭＤにおける距離である。
【００３１】
同図の「レンズアレイ」の欄に示すように、レンズ行ＬＳＲ、レンズ列ＬＳＣを定義する。つまり、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数のレンズＬＳをレンズ行ＬＳＲと定義する。そして、複数行のレンズ行ＬＳＲは、所定のレンズ行ピッチＰlsrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤにレンズ行ピッチＰlsrで且つ長手方向ＬＧＤにレンズピッチＰlsで並ぶ複数（同図においては３個）のレンズＬＳをレンズ列ＬＳＣと定義する。なお、レンズ行ピッチＰlsrは、幅方向ＬＴＤに互いに隣接する２つのレンズ行ＬＳＲそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、レンズピッチＰlsは、長手方向ＬＧＤに互いに隣接する２つのレンズＬＳそれぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００３２】
同図の「ヘッド基板」の欄に示すように、発光素子グループ行２９５Ｒ、発光素子グループ列２９５Ｃを定義する。つまり、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数の発光素子グループ２９５を発光素子グループ行２９５Ｒと定義する。そして、複数行の発光素子グループ行２９５Ｒは、所定の発光素子グループ行ピッチＰegrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤに発光素子グループ行ピッチＰegrで且つ長手方向ＬＧＤに発光素子グループピッチＰegで並ぶ複数（同図においては３個）の発光素子グループ２９５を発光素子グループ列２９５Ｃと定義する。なお、発光素子グループ行ピッチＰegrは、幅方向ＬＴＤに互いに隣接する２つの発光素子グループ行２９５Ｒそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、発光素子グループピッチＰegは、長手方向ＬＧＤに互いに隣接する２つの発光素子グループ２９５それぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００３３】
同図の「発光素子グループ」の欄に示すように、発光素子行２９５１Ｒ、発光素子列２９５１Ｃを定義する。つまり、各発光素子グループ２９５において、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数の発光素子２９５１を発光素子行２９５１Ｒと定義する。そして、複数行の発光素子行２９５１Ｒは、所定の発光素子行ピッチＰelrで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤに発光素子行ピッチＰelrで且つ長手方向ＬＧＤに発光素子ピッチＰelで並ぶ複数（同図においては２個）の発光素子２９５１を発光素子列２９５１Ｃと定義する。なお、発光素子行ピッチＰelrは、幅方向ＬＴＤに互いに隣接する２つの発光素子行２９５１Ｒそれぞれの幾何重心の、幅方向ＬＴＤにおける距離である。また、発光素子ピッチＰelは、長手方向ＬＧＤに互いに隣接する２つの発光素子２９５１それぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００３４】
同図の「スポットグループ」の欄に示すように、スポット行ＳＰＲ、スポット列ＳＰＣを定義する。つまり、各スポットグループＳＧにおいて、長手方向ＬＧＤに並ぶ複数のスポットＳＰをスポット行ＳＰＲと定義する。そして、複数行のスポット行ＳＰＲは、所定のスポット行ピッチＰsprで幅方向ＬＴＤに並んで配置される。また、幅方向ＬＴＤにスポットピッチＰsprで且つ長手方向ＬＧＤにスポットピッチＰspで並ぶ複数（同図においては２個）のスポットをスポット列ＳＰＣと定義する。なお、スポット行ピッチＰsprは、副走査方向ＳＤに互いに隣接する２つのスポット行ＳＰＲそれぞれの幾何重心の、副走査方向ＳＤにおける距離である。また、スポットピッチＰspは、主走査方向ＭＤに互いに隣接する２つのスポットＳＰそれぞれの幾何重心の、長手方向ＬＧＤにおける距離である。
【００３５】
Ｂ．第１実施形態
図３は本発明にかかる画像形成装置の一例を示す図である。また、図４は図３の画像形成装置の電気的構成を示す図である。この装置は、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の４色のトナーを重ね合わせてカラー画像を形成するカラーモードと、ブラック（Ｋ）のトナーのみを用いてモノクロ画像を形成するモノクロモードとを選択的に実行可能な画像形成装置である。なお図３は、カラーモード実行時に対応する図面である。この画像形成装置では、ホストコンピューターなどの外部装置から画像形成指令がＣＰＵやメモリなどを有するメインコントローラＭＣに与えられると、このメインコントローラＭＣはエンジンコントローラＥＣに制御信号などを与えるとともに画像形成指令に対応するビデオデータＶＤをヘッドコントローラＨＣに与える。また、このヘッドコントローラＨＣは、メインコントローラＭＣからのビデオデータＶＤとエンジンコントローラＥＣからの垂直同期信号Ｖsyncおよびパラメータ値とに基づき各色のラインヘッド２９を制御する。これによって、エンジン部ＥＧが所定の画像形成動作を実行し、複写紙、転写紙、用紙およびOHP用透明シートなどのシートに画像形成指令に対応する画像を形成する。
【００３６】
画像形成装置が有するハウジング本体３内には、電源回路基板、メインコントローラＭＣ、エンジンコントローラＥＣおよびヘッドコントローラＨＣを内蔵する電装品ボックス５が設けられている。また、画像形成ユニット７、転写ベルトユニット８および給紙ユニット１１もハウジング本体３内に配設されている。また、図３においてハウジング本体３内右側には、２次転写ユニット１２、定着ユニット１３、シート案内部材１５が配設されている。なお、給紙ユニット１１は、装置本体１に対して着脱自在に構成されている。そして、該給紙ユニット１１および転写ベルトユニット８については、それぞれ取り外して修理または交換を行うことが可能な構成になっている。
【００３７】
画像形成ユニット７は、複数の異なる色の画像を形成する４個の画像形成ステーションＹ（イエロー用）、Ｍ（マゼンダ用）、Ｃ（シアン用）、Ｋ（ブラック用）を備えている。また、各画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋは、主走査方向ＭＤに所定長さの表面を有する円筒形の感光体ドラム２１を設けている。そして、各画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋそれぞれは、対応する色のトナー像を、感光体ドラム２１の表面に形成する。感光体ドラムは、軸方向が主走査方向ＭＤに略平行となるように配置されている。また、各感光体ドラム２１はそれぞれ専用の駆動モータに接続され図中矢印Ｄ２１の方向に所定速度で回転駆動される。これにより感光体ドラム２１の表面が、主走査方向ＭＤに直交もしくは略直交する副走査方向ＳＤに搬送されることとなる。また、感光体ドラム２１の周囲には、回転方向に沿って帯電部２３、ラインヘッド２９、現像部２５および感光体クリーナ２７が配設されている。そして、これらの機能部によって帯電動作、潜像形成動作及びトナー現像動作が実行される。したがって、カラーモード実行時は、全ての画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋで形成されたトナー像を転写ベルトユニット８が有する転写ベルト８１に重ね合わせてカラー画像を形成するとともに、モノクロモード実行時は、画像形成ステーションＫで形成されたトナー像のみを用いてモノクロ画像を形成する。なお、図３において、画像形成ユニット７の各画像形成ステーションは構成が互いに同一のため、図示の便宜上一部の画像形成ステーションのみに符号をつけて、他の画像形成ステーションについては符号を省略する。
【００３８】
帯電部２３は、その表面が弾性ゴムで構成された帯電ローラを備えている。この帯電ローラは帯電位置で感光体ドラム２１の表面と当接して従動回転するように構成されており、感光体ドラム２１の回転動作に伴って感光体ドラム２１に対して従動方向に周速で従動回転する。また、この帯電ローラは帯電バイアス発生部（図示省略）に接続されており、帯電バイアス発生部からの帯電バイアスの給電を受けて帯電部２３と感光体ドラム２１が当接する帯電位置で感光体ドラム２１の表面を帯電させる。
【００３９】
ラインヘッド２９は、その長手方向が主走査方向ＭＤに対応するとともに、その幅方向が副走査方向ＳＤに対応するように、感光体ドラム２１に対して配置されており、ラインヘッド２９の長手方向は主走査方向ＭＤと略平行となっている。ラインヘッド２９は、長手方向に並べて配置された複数の発光素子を備えるとともに、感光体ドラム２１から離間配置されている。そして、これらの発光素子から、帯電部２３により帯電された感光体ドラム２１の表面に対して光が照射されて、該表面に静電潜像が形成される。
【００４０】
現像部２５は、その表面にトナーが担持する現像ローラ２５１を有する。そして、現像ローラ２５１と電気的に接続された現像バイアス発生部（図示省略）から現像ローラ２５１に印加される現像バイアスによって、現像ローラ２５１と感光体ドラム２１とが当接する現像位置において、帯電トナーが現像ローラ２５１から感光体ドラム２１に移動してラインヘッド２９により形成された静電潜像が顕在化される。
【００４１】
このように上記現像位置において顕在化されたトナー像は、感光体ドラム２１の回転方向Ｄ２１に搬送された後、後に詳述する転写ベルト８１と各感光体ドラム２１が当接する１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１に１次転写される。
【００４２】
また、この実施形態では、感光体ドラム２１の回転方向Ｄ２１の１次転写位置ＴＲ1の下流側で且つ帯電部２３の上流側に、感光体ドラム２１の表面に当接して感光体クリーナ２７が設けられている。この感光体クリーナ２７は、感光体ドラムの表面に当接することで１次転写後に感光体ドラム２１の表面に残留するトナーをクリーニング除去する。
【００４３】
転写ベルトユニット８は、駆動ローラ８２と、図３において駆動ローラ８２の左側に配設される従動ローラ８３（ブレード対向ローラ）と、これらのローラに張架され図示矢印Ｄ８１の方向（搬送方向）へ循環駆動される転写ベルト８１とを備えている。また、転写ベルトユニット８は、転写ベルト８１の内側に、感光体カートリッジ装着時において各画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋが有する感光体ドラム２１各々に対して一対一で対向配置される、４個の１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃ，８５Ｋを備えている。これらの１次転写ローラ８５は、それぞれ１次転写バイアス発生部（図示省略）と電気的に接続される。そして、後に詳述するように、カラーモード実行時は、図３に示すように全ての１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃ，８５Ｋを画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋ側に位置決めすることで、転写ベルト８１を画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋそれぞれが有する感光体ドラム２１に押し遣り当接させて、各感光体ドラム２１と転写ベルト８１との間に１次転写位置ＴＲ1を形成する。そして、適当なタイミングで上記１次転写バイアス発生部から１次転写ローラ８５に１次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム２１の表面上に形成されたトナー像を、それぞれに対応する１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１表面に転写してカラー画像を形成する。
【００４４】
一方、モノクロモード実行時は、４個の１次転写ローラ８５のうち、カラー１次転写ローラ８５Ｙ，８５Ｍ，８５Ｃをそれぞれが対向する画像形成ステーションＹ，Ｍ，Ｃから離間させるとともにモノクロ１次転写ローラ８５Ｋのみを画像形成ステーションＫに当接させることで、モノクロ画像形成ステーションＫのみを転写ベルト８１に当接させる。その結果、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋと画像形成ステーションＫとの間にのみ１次転写位置ＴＲ1が形成される。そして、適当なタイミングで前記１次転写バイアス発生部からモノクロ１次転写ローラ８５Ｋに１次転写バイアスを印加することで、各感光体ドラム２１の表面上に形成されたトナー像を、１次転写位置ＴＲ1において転写ベルト８１表面に転写してモノクロ画像を形成する。
【００４５】
さらに、転写ベルトユニット８は、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋの下流側で且つ駆動ローラ８２の上流側に配設された下流ガイドローラ８６を備える。また、この下流ガイドローラ８６は、モノクロ１次転写ローラ８５Ｋが画像形成ステーションＫの感光体ドラム２１に当接して形成する１次転写位置ＴＲ1での１次転写ローラ８５Ｋと感光体ドラム２１との共通内接線上において、転写ベルト８１に当接するように構成されている。
【００４６】
駆動ローラ８２は、転写ベルト８１を図示矢印Ｄ８１の方向に循環駆動するとともに、２次転写ローラ１２１のバックアップローラを兼ねている。駆動ローラ８２の周面には、厚さ３mm程度、体積抵抗率が１０００ｋΩ・ｃｍ以下のゴム層が形成されており、金属製の軸を介して接地することにより、図示を省略する２次転写バイアス発生部から２次転写ローラ１２１を介して供給される２次転写バイアスの導電経路としている。このように駆動ローラ８２に高摩擦かつ衝撃吸収性を有するゴム層を設けることにより、駆動ローラ８２と２次転写ローラ１２１との当接部分（２次転写位置ＴＲ２）へのシートが進入する際の衝撃が転写ベルト８１に伝達しにくく、画質の劣化を防止することができる。
【００４７】
給紙ユニット１１は、シートを積層保持可能である給紙カセット７７と、給紙カセット７７からシートを一枚ずつ給紙するピックアップローラ７９とを有する給紙部を備えている。ピックアップローラ７９により給紙部から給紙されたシートは、レジストローラ対８０において給紙タイミングが調整された後、シート案内部材１５に沿って２次転写位置ＴＲ２に給紙される。
【００４８】
２次転写ローラ１２１は、転写ベルト８１に対して離当接自在に設けられ、２次転写ローラ駆動機構（図示省略）により離当接駆動される。定着ユニット１３は、ハロゲンヒータ等の発熱体を内蔵して回転自在な加熱ローラ１３１と、この加熱ローラ１３１を押圧付勢する加圧部１３２とを有している。そして、その表面に画像が２次転写されたシートは、シート案内部材１５により、加熱ローラ１３１と加圧部１３２の加圧ベルト１３２３とで形成するニップ部に案内され、該ニップ部において所定の温度で画像が熱定着される。加圧部１３２は、２つのローラ１３２１，１３２２と、これらに張架される加圧ベルト１３２３とで構成されている。そして、加圧ベルト１３２３の表面のうち、２つのローラ１３２１，１３２２により張られたベルト張面を加熱ローラ１３１の周面に押し付けることで、加熱ローラ１３１と加圧ベルト１３２３とで形成するニップ部が広くとれるように構成されている。また、こうして定着処理を受けたシートはハウジング本体３の上面部に設けられた排紙トレイ４に搬送される。
【００４９】
また、この装置では、ブレード対向ローラ８３に対向してクリーナ部７１が配設されている。クリーナ部７１は、クリーナブレード７１１と廃トナーボックス７１３とを有する。クリーナブレード７１１は、その先端部を転写ベルト８１を介してブレード対向ローラ８３に当接することで、２次転写後に転写ベルトに残留するトナーや紙粉等の異物を除去する。そして、このように除去された異物は、廃トナーボックス７１３に回収される。また、クリーナブレード７１１及び廃トナーボックス７１３は、ブレード対向ローラ８３と一体的に構成されている。したがって、次に説明するようにブレード対向ローラ８３が移動する場合は、ブレード対向ローラ８３と一緒にクリーナブレード７１１及び廃トナーボックス７１３も移動することとなる。
【００５０】
図５は、本発明にかかるラインヘッドの概略を示す斜視図である。また、図６は、図５に示したラインヘッドの幅方向断面図である。上述の通り、その長手方向ＬＧＤが主走査方向ＭＤに対応するとともに、その幅方向ＬＴＤが副走査方向ＳＤに対応するように、ラインヘッド２９は感光体ドラム２１に対して配置されている。なお、長手方向ＬＧＤと幅方向ＬＴＤは、互いに略直交する。ラインヘッド２９は、ケース２９１を備えるとともに、かかるケース２９１の長手方向ＬＧＤの両端には、位置決めピン２９１１とねじ挿入孔２９１２が設けられている。そして、かかる位置決めピン２９１１を、感光体ドラム２１を覆うとともに感光体ドラム２１に対して位置決めされた感光体カバー（図示省略）に穿設された位置決め孔（図示省略）に嵌め込むことで、ラインヘッド２９が感光体ドラム２１に対して位置決めされる。そして更に、ねじ挿入孔２９１２を介して固定ねじを感光体カバーのねじ孔（図示省略）にねじ込んで固定することで、ラインヘッド２９が感光体ドラム２１に対して位置決め固定される。
【００５１】
ケース２９１は、感光体ドラム２１の表面に対向する位置にレンズアレイ２９９を保持するとともに、その内部に、該レンズアレイ２９９に近い順番で、遮光部材２９７及びヘッド基板２９３を備えている。ヘッド基板２９３は、光ビームを透過可能な材料（例えばガラス）により形成されている。また、ヘッド基板２９３の裏面（ヘッド基板２９３が有する２つの面のうちレンズアレイ２９９と逆側の面）には、複数の発光素子をグループ化した発光素子グループ２９５が複数並んで配置されており、各発光素子グループ２９５を構成する発光素子は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子である。また、詳細は後述するが、ヘッド基板２９３の裏面には、発光素子グループ２９５の発光素子の駆動を制御するＴＦＴ回路ＴＣが設けられている。そして、各発光素子グループ２９５から射出された光ビームは、ヘッド基板２９３の裏面から表面へと透過して、遮光部材２９７へ向う。
【００５２】
遮光部材２９７には、複数の発光素子グループ２９５に対して一対一で複数の導光孔２９７１が穿設されている。また、後述するように、レンズアレイ２９９では、発光素子グループ２９５毎にレンズＬＳが対応して設けられており、各導光孔２９７１は、発光素子グループ２９５からレンズＬＳに向けて穿設して形成されている。このように、ヘッド基板２９３とレンズアレイ２９９との間に遮光部材２９７が設けられているため、発光素子グループ２９５から射出された光ビームのうち、該発光素子グループ２９５に対応する導光孔２９７１以外に向う光ビームは、遮光部材２９７により遮光される。こうして、１つの発光素子グループ２９５から出た光は全て同一の導光孔２９７１を介してレンズアレイ２９９へ向うとともに、異なる発光素子グループ２９５から出た光ビーム同士の干渉が遮光部材２９７により防止される。そして、遮光部材２９７に穿設された導光孔２９７１を通過した光ビームは、レンズアレイ２９９により、感光体ドラム２１の表面にスポットとして結像されることとなる。
【００５３】
図６に示すように、固定器具２９１４によって、裏蓋２９１３がヘッド基板２９３を介してケース２９１に押圧されている。つまり、固定器具２９１４は、裏蓋２９１３をケース２９１側に押圧する弾性力を有するとともに、かかる弾性力により裏蓋を押圧することで、ケース２９１の内部を光密に（つまり、ケース２９１内部から光が漏れないように、及び、ケース２９１の外部から光が侵入しないように）密閉している。なお、固定器具２９１４は、ケース２９１の長手方向に複数箇所設けられている。また、発光素子グループ２９５は、封止部材２９４により覆われている。
【００５４】
図７はレンズアレイの概略を示す平面図であり、像面側（つまり、感光体ドラム２１表面側）からレンズアレイを見た場合に相当する。同図に示すように、このレンズアレイ２９９では、長手方向ＬＧＤに沿って複数のレンズＬＳが並んでレンズ行ＬＳＲが構成されるとともに、このレンズ行ＬＳＲが幅方向ＬＴＤに３行並んでいる。これら３行のレンズ行ＬＳＲは、各レンズＬＳの位置が長手方向ＬＧＤにおいて互いに異なるように、長手方向ＬＧＤに互いにずれている。その結果、各レンズＬＳの長手方向ＬＧＤにおける位置は互いに異なっている。
【００５５】
図８はレンズアレイの長手方向の断面図であり、各レンズの光軸ＯＡを含む断面でレンズアレイを見た場合に相当する。同図において、上側が像面側であり、下側が発光素子グループ側である。レンズアレイ２９９では、ガラスにより形成されたレンズ基板ＬＢが１枚設けられており、このレンズ基板ＬＢを挟むようにして光軸ＯＡ方向に並ぶ２枚のレンズ面ＬＳＦ1、ＬＳＦ2によりレンズＬＳが構成されている。これらのレンズ面ＬＳＦ1、ＬＳＦ2は例えば光硬化性樹脂により形成できる。２枚のレンズ面のうちレンズ面ＬＳＦ1はレンズ基板ＬＢの裏面ＬＢＦ1に形成されており、レンズ面ＬＳＦ2はレンズ基板ＬＢの表面ＬＢＦ2に形成されている。そして、このレンズＬＳが長手方向ＬＧＤに並んで、上述のレンズ行ＬＳＲが構成されている。
【００５６】
図９はヘッド基板の裏面の構成を示す図であり、ヘッド基板の表面から裏面を見た場合に相当する。なお、図９において、レンズＬＳが二点鎖線で示されているが、これはレンズＬＳに対して発光素子グループ２９５が一対一で設けられていることを示すためのものであり、レンズＬＳがヘッド基板裏面に配置されていることを示すものではない。図９に示すように、ヘッド基板２９３裏面には、複数の発光素子２９５１をグループ化した発光素子グループ２９５が設けられている。より詳しく説明すると、長手方向ＬＧＤに沿って複数の発光素子グループ２９５を並べた発光素子グループ行２９５Ｒが、幅方向ＬＴＤに３行（２９５Ｒ_A，２９５Ｒ_B，２９５Ｒ_C）並んでいる。各発光素子グループ行２９５Ｒ_A〜２９５Ｒ_Cでは、複数の発光素子グループ２９５が並んでいる。また、各発光素子グループ行２９５Ｒは長手方向ＬＧＤに相互にずれており、各発光素子グループ２９５の位置は長手方向ＬＧＤにおいて互いに異なる。具体的に説明すると、発光素子グループ２９５Ａ1，２９５Ｂ1，２９５Ｃ1の長手方向ＬＧＤにおける位置ＬＣＡ，ＬＣＢ，ＬＣＣは、互いに異なっている。なお、同図において、位置ＬＣＡ，ＬＣＢ，ＬＣＣは、各発光素子グループ２９５Ａ1，２９５Ｂ1，２９５Ｃ1の重心位置から長手方向ＬＧＤ軸に下ろした垂線の足で代表して示されている。
【００５７】
各発光素子グループ２９５では、４個の発光素子２９５１を長手方向ＬＧＤに並べた発光素子行２９５１Ｒが、幅方向ＬＴＤに並んで配置されている。また、これらの発光素子行２９５１Ｒは長手方向ＬＧＤに発光素子ピッチＰelだけずらして配置されており、各発光素子２９５１の位置は長手方向ＬＧＤにおいて互いに異なる。このように、発光素子グループ２９５において、２列の発光素子行２９５１Ｒが千鳥状に配置されている。
【００５８】
図１０は、第１実施形態における、発光素子グループとＴＦＴ回路との配置関係を示す図であり、ヘッド基板２９３の裏面を表している。なお、同図においても、レンズＬＳが二点鎖線で示されているが、これはレンズＬＳに対して発光素子グループ２９５が一対一で設けられていることを示すためのものであり、レンズＬＳがヘッド基板裏面に配置されていることを示すものではない。同図が示すように、ヘッド基板２９３の裏面には、発光素子グループ２９５以外に、ＴＦＴ回路および配線ＷＬが形成されている。つまり、幅方向ＬＴＤにおいて各発光素子グループ２９５の両側には、ＴＦＴ回路ＴＣが形成されている。換言すれば、発光素子グループ２９５を幅方向ＬＴＤから挟むようにして、２つのＴＦＴ回路ＴＣが配置されており、これら２つのＴＦＴ回路は発光素子グループ２９５に隣接して設けられている。
【００５９】
そして、発光素子グループ２９５と、該発光素子グループ２９５に対して設けられたＴＦＴ回路ＴＣは配線ＷＬにより接続されている。発光素子グループ２９５Ａ1で代表して、詳述すると、発光素子グループ２９５Ａ1を構成する発光素子行２９５１Ｒのうち、幅方向ＬＴＤの一方側の発光素子行２９５１Ｒ_aに接続される配線ＷＬ_aは、該発光素子行２９５１Ｒ_aの一方側に引き出される。このように引き出された配線ＷＬ_aは、発光素子グループ２９５Ａ1の一方側に設けられたＴＦＴ回路ＴＣ_aに接続される。また、発光素子グループ２９５Ａ1を構成する発光素子行２９５１Ｒのうち、幅方向ＬＴＤの他方側の発光素子行２９５１Ｒ_bに接続される配線ＷＬ_bは、該発光素子行２９５１Ｒ_bの一方側に引き出される。このように引き出された配線ＷＬ_bは、発光素子グループ２９５Ａ1の一方側に設けられたＴＦＴ回路ＴＣ_bに接続される。
【００６０】
ＴＦＴ回路ＴＣは、発光素子２９５１の発光駆動を制御可能に構成されている。つまり、各ＴＦＴ回路ＴＣは、対応する発光素子グループ２９５の各発光素子２９５１に対して、ビデオデータＶＤに応じた駆動信号を与える。駆動信号が与えられた各発光素子２９５１は互いに等しい波長の光ビームを射出する。この発光素子２９５１の発光面はいわゆる完全拡散面光源であり、発光面から射出される光ビームはランバートの余弦則に従う。そして、かかる光ビームがレンズＬＳによりスポットとして形成されて、感光体ドラム２１の表面に潜像が形成される。
【００６１】
図１１は、上述のラインヘッドによるスポット形成動作を示す図である。以下に、図９〜図１１を用いて本実施形態におけるラインヘッドによるスポット形成動作を説明する。また、発明の理解を容易にするため、ここでは主走査方向ＭＤに伸びる直線状に複数のスポットを並べてライン潜像を形成する場合について説明する。概略としては、かかる潜像形成動作では、感光体ドラム２１の表面を副走査方向ＳＤ（幅方向ＬＴＤ）に搬送しながら、ヘッドコントローラＨＣより出力されるビデオデータＶＤに従って、複数の発光素子を所定のタイミングで発光させることで、主走査方向ＭＤ（長手方向ＬＧＤ）に伸びる直線状に複数のスポットが並べて形成される。以下に、詳細について説明する。
【００６２】
まず、幅方向ＬＴＤに最上流の発光素子グループ２９５Ａ1，２９５Ａ2，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち、幅方向ＬＴＤの下流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより、感光体ドラム表面に結像される。なお、本実施形態では、レンズＬＳは倒立特性を有し、発光素子２９５１からの光ビームは倒立して結像される。こうして、図１１の「１回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。なお、同図において、白抜きの丸印は、未だ形成されておらず今後形成される予定のスポットを表す。また、同図において、符号２９５Ｃ1，２９５Ｂ1，２９５Ａ1，２９５Ｃ2でラベルされたスポットは、それぞれに付された符号に対応する発光素子グループ２９５により形成されるスポットであることを示す。
【００６３】
次に、同発光素子グループ２９５Ａ1，２９５Ａ2，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち、幅方向ＬＴＤの上流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより感光体ドラム表面に結像される。こうして、図１１の「２回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。ここで、幅方向ＬＴＤの下流側の発光素子行２９５１Ｒから順番に発光させたのは、レンズＬＳが倒立特性を有することに対応するためである。
【００６４】
次に、幅方向上流側から２番目の発光素子グループ２９５Ｂ1，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち幅方向ＬＴＤの下流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより感光体ドラム表面に結像される。こうして、図１１の「３回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。
【００６５】
次に、幅方向上流側から２番目の発光素子グループ２９５Ｂ1，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち幅方向ＬＴＤの上流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより感光体ドラム表面に結像される。こうして、図１１の「４回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。
【００６６】
次に、幅方向上流側から３番目の発光素子グループ２９５Ｃ1，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち幅方向ＬＴＤの下流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより感光体ドラム表面に結像される。こうして、図１１の「５回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。
【００６７】
そして最後に、幅方向上流側から３番目の発光素子グループ２９５Ｃ1，…に属する発光素子行２９５１Ｒのうち幅方向ＬＴＤの上流側の発光素子行２９５１Ｒを発光させる。そして、かかる発光動作により射出される複数の光ビームは、レンズＬＳにより感光体ドラム表面に結像される。こうして、図１１の「６回目」のハッチングパターンの位置にスポットが形成される。このように、１〜６回目までの発光動作を実行することで、長手方向ＬＧＤ（主走査方向ＭＤ）に伸びる直線状に複数のスポットが並べて形成される。
【００６８】
ところで、上述のようなラインヘッド２９では、複数の発光素子２９５１の間で光量がばらつくとの問題が発生する場合がある。かかる光量ばらつきの原因としては、例えば、複数の発光素子２９５１の間における発光頻度のばらつきが挙げられる。つまり、複数の発光素子２９５１の間で発光頻度にばらつきがあると、一部の発光素子２９５１が比較的早く寿命に達して、他の発光素子２９５１に比べてその光量が低下してしまう場合がある。特に、有機ＥＬ素子はＬＥＤ素子等と比べて寿命が短いため、上記実施形態のように発光素子２９５１として有機ＥＬを用いたような場合、かかる問題が顕著となる。これに対して、本実施形態のラインヘッド２９は、発光素子２９５１から射出される光ビームの光量を検出する光センサを備える。
【００６９】
図１２及び図１３は、第１実施形態での光センサの配置を示す図である。なお、図１２は長手方向ＬＧＤからラインヘッド２９を見た図であり、図１３はヘッド基板２９３の斜視図である。図１３が示すように、ヘッド基板２９３は、主走査方向ＭＤに対応する長手方向ＬＧＤを長軸方向と、副走査方向ＳＤに対応する幅方向ＬＴＤを短軸方向としている。上述の通り、ヘッド基板２９３の裏面２９３Ｂには、複数の発光素子グループ２９５と、各発光素子グループ２９５の発光駆動を制御するＴＦＴ回路ＴＣとが設けられている。なお、図１３において、ＴＦＴ回路ＴＣの記載は省略されている。
【００７０】
また、同図に示すように、ヘッド基板２９３の表面２９３Ａには、長手方向ＬＧＤに等ピッチで並んで、複数の光センサＳＣが設けられている。各光センサＳＣは、幅方向ＬＴＤにおいて遮光部材２９７の下流側に設けられている。この光センサＳＣの受光面ＳＣＦは、ヘッド基板２９３の表面２９３Ａに対向するとともに、透明な光学接着剤によりヘッド基板表面２９３Ａに接着されている。そして、このように設けられた光センサＳＣにより、各発光素子２９５１から射出された光ビームが検出可能である。つまり、発光素子２９５１から射出された光ビームの全てがヘッド基板２９３の表面２９３Ａから射出するわけでなく、該光ビームの一部は表面２９３Ａで裏面２９３Ｂ側に向けて反射される。更に、かかる反射光ビームの一部は、再び裏面２９３Ｂで表面２９３Ａに向けて反射される。特に、第１実施形態では、ヘッド基板裏面２９３ＢにＴＦＴ回路ＴＣが設けられているため、このＴＦＴ回路ＴＣが反射膜として機能する。したがって、ヘッド基板裏面２９３Ｂでは、高い反射率でもって光ビームを反射することが可能となっている。
【００７１】
このように、発光素子２９５１から射出された光ビームの一部は、ヘッド基板２９３の表面２９３Ａと裏面２９３Ｂとの間で反射を繰り返しながら、ヘッド基板２９３の内部を進行して光センサＳＣに入射する（図１２の破線で示す光ビームＬＢ）。こうして受光面ＳＣＦに入射した光ビームが光センサＳＣにより検出され、この検出値は光センサＳＣからエンジンコントローラＥＣへと出力される。
【００７２】
そして、第１実施形態では、光センサＳＣの検出結果に基づいて、各発光素子２９５１の光量が均一となるように、各発光素子２９５１の駆動が制御される。そこで、この駆動制御動作の具体的内容について以下に説明するが、駆動制御動作は、予め求められた補正係数に基づいて実行される。なお、この補正係数は、例えばラインヘッド２９の組立時や出荷時等のタイミングで予め求められる。したがって、以下の説明では、まず、補正係数の求め方について説明した後に、駆動制御動作について説明する。
【００７３】
補正係数を求めるために、例えばラインヘッド２９の組立時や出荷時等のタイミングで、発光素子２９５１から光ビームが射出されて、感光体ドラム２１の表面に相当する位置に形成されるスポットの光量が測定される。この光量測定は、各発光素子２９５１について実行される。具体的には、ラインヘッド２９が検査ジグに取り付けられる。検査ジグには、ラインヘッド２９の各発光素子２９５１から射出された光ビームの光量を、感光体ドラム２１の表面に対応する像面位置で検出する光量検出器が装備されている。この光量検出器は、１個の検出器を移動させつつ各発光素子２９５１からの光ビームの光量を検出するものでも良いし、発光素子２９５１毎に検出器を配置したものでも良い。そして、各発光素子２９５１が順次発光されながら、検査ジグの光量検出器の検出値Ｐｇｎと、ラインヘッド２９の光センサＳＣの検出値Ｐｈｎ（ｎはｎ番目の発光素子を表す）とが得られる。こうして、各発光素子２９５１について補正係数Ｐｇｎ／Ｐｈｎが算出することができる。このようにして求めた補正係数Ｐｇｎ／Ｐｈｎは、例えば図４に示すエンジンコントローラＥＣに記憶される。そして、次に説明するように、補正係数Ｐｇｎ／Ｐｈｎに基づいて駆動制御動作が実行される。
【００７４】
駆動制御動作では、まず発光素子２９５１の光量ばらつきが検出される。かかる光量ばらつき検出は、画像形成装置の電源投入時、画像形成動作開始前、或いは紙間等の、通常の画像形成動作が実行されていない間に行なわれる。具体的には、各発光素子２９５１が順番に発光されながら、光センサＳＣの検出値が測定される。そして、このときの測定値に補正係数Ｐｇｎ／Ｐｈｎを乗じることによって、各発光素子２９５１により感光体ドラム２１の表面で形成されるスポットの光量が算出される。
【００７５】
そして、算出された光量がばらついており、所望の光量が実現されていない場合は、所望の光量が得られるように発光素子２９５１の駆動を制御する。つまり、所望の光量と算出された光量とを比較して、算出された光量が所望の光量となるように、発光素子２９５１に流す駆動電流を調整する。そして、ＴＦＴ回路ＴＣがこのようにして調整された駆動電流を各発光素子２９５１に供給する。このようにＴＦＴ回路ＴＣが発光素子２９５１を駆動することで、各発光素子２９５１から射出される光ビームの光量が均一となる。なお、所望の光量に関する情報や、駆動制御動作を実行させるプログラム等は、例えばエンジンコントローラＥＣに予め記憶しておいても良い。
【００７６】
図１０を用いて説明したとおり、第１実施形態では、幅方向ＬＴＤにおける発光素子グループ２９５の両側にＴＦＴ回路ＴＣが配されている。したがって、発光素子グループ２９５の各発光素子２９５１に接続される配線ＷＬを、幅方向ＬＴＤの両側に引き出すことが可能となっており、配線ＷＬの自由度の向上が実現されている。
【００７７】
また、第１実施形態では、ＴＦＴ回路は発光素子グループ２９５に隣接して設けられている（図１０）。したがって、ＴＦＴ回路から発光素子グループ２９５に繋がる配線ＷＬの長さを短くすることが可能となり、浮遊容量等に起因した鈍りの少ない駆動信号を、発光素子２９５１に供給することが可能となっている。
【００７８】
また、第１実施形態では、ヘッド基板２９３の一方面にＴＦＴ回路ＴＣが配置されている。したがってこのＴＦＴ回路ＴＣが光を反射する反射膜として機能するため、光センサＳＣに入射する光量の増大が可能となる。よって、第１実施形態では、発光駆動制御を高精度に実行することが可能となっている。
【００７９】
また、第１実施形態では、発光素子グループ２９５からレンズに向う導光孔２９７１を発光素子グループ２９５毎に有する遮光部材２９７が設けられており（図５、図６）、良好な露光動作が実現されている。つまり、第１実施形態では、発光素子グループ２９５から射出された光ビームが、この発光素子グループ２９５に対応して設けられたレンズＬＳにより結像されることで、露光動作が実行される。したがって、良好な露光動作を実行するとの観点からは、各レンズＬＳに対しては、該レンズＬＳに対応する発光素子グループ２９５から射出された光ビームのみが入射することが望ましく、これ以外の光ビーム（ゴースト光）の入射は極力抑制されることが望ましい。これに対して、第１実施形態では、このようなゴースト光は、遮光部材２９７により遮光することが可能である。その結果、ゴースト光のレンズＬＳへの入射が抑制されて、良好な露光動作が実行可能となっている。
【００８０】
また、第１実施形態では、光センサＳＣの受光面ＳＣＦは、ヘッド基板表面２９３Ａに対向するとともに、ヘッド基板表面２９３Ａに対して、透明な光学接着剤により接着されている。したがって、ヘッド基板表面２９３Ａから受光面ＳＣＦに向って出た光ビームは、光学接着剤を介して受光面ＳＣＦに入射できる。このように光学接着剤により接着することでヘッド基板表面２９３Ａと光センサＳＣとの界面を取り除き、ヘッド基板表面２９３Ａと光センサＳＣとの間での不要な光ビームの反射が抑制される。その結果、受光面ＳＣＦに入射する光が増大して、より高精度な発光駆動制御が可能となっている。
【００８１】
また、第１実施形態では、複数の光センサＳＣが、ヘッド基板２９３に配置されている。したがって、高精度に発光素子の光量を検知することが可能となっている。
【００８２】
Ｃ．第２実施形態
図１４は、第２実施形態におけるラインヘッドの構成を示す図である。また、図１５は、図１４における右側からラインヘッドを見た場合に相当する部分側面図である。なお、以下では、第１実施形態との差異点について主に説明することとし、第１実施形態と同一部分については相当符号を付して説明を省略する。同図が示すように、第２実施形態においても、ヘッド基板２９３の裏面には、発光素子グループ２９５が形成されるとともに、幅方向における各発光素子グループ２９５の両側には、ＴＦＴ回路ＴＣが配置されている。したがって、第１実施形態と同様に、発光素子グループ２９５の各発光素子２９５１に接続される配線を、幅方向ＬＴＤの両側に引き出すことが可能となっており、配線ＷＬの自由度の向上が実現されている。
【００８３】
第２実施形態で注目すべきは、光センサＳＣの配置である。図１４、図１５に示すように、第２実施形態では、遮光部材２９７の幅方向ＬＴＤの一端側に、貫通孔２９７９が形成されている。この貫通孔２９７９は、遮光部材２９７の外側から導光孔２９７１に向けて貫通形成されており、光センサＳＣはこの貫通孔２９７９の内部に配置されている。しかも、光センサＳＣは、一部が導光孔２９７１の内部に位置するように配置されている（図１４）。したがって、光センサＳＣは導光孔２９７１を通過する光ビームを直接検知することができる。その結果、第２実施形態では、光ビームの検出精度が向上しており、より高精度の光量検出が可能となっている。
【００８４】
Ｄ．  第３実施形態
図１６は第３実施形態でのヘッド基板裏面の構成を示す部分平面図であり、図１７は図１６の発光素子グループ近傍の構成を拡大した構成を示す部分平面図である。これらの図では、レンズＬＳが一点鎖線で示されているが、これは発光素子グループ２９５とレンズＬＳとが一対一の対応関係で設けられていることを示すものであり、ヘッド基板裏面にレンズＬＳが配されていることを示すものではない。
【００８５】
図１７に示すように、１６個の発光素子Ｅa1〜Ｅa4、Ｅb1〜Ｅb4、Ｅc5〜Ｅc8、Ｅd5〜Ｅd8から１個の発光素子グループ２９５が構成されている。そして、これら１６個の発光素子は次のように配置されている。つまり、４個の発光素子（例えば、発光素子Ｅa1〜Ｅa4）が長手方向ＬＧＤに直線状に並んで１行の発光素子行（例えば、発光素子行２９５１Ｒ_a）が構成されている。そして、４行の発光素子行２９５１Ｒ_a〜２９５１Ｒ_dがこの順番で幅方向ＬＴＤに並んでいる。しかも、発光素子行２９５１Ｒ_a〜２９５１Ｒ_dは長手方向ＬＧＤに互いにシフトしており、各発光素子の位置は長手方向ＬＧＤにおいて互いに異なっている。
【００８６】
また、第３実施形態では、１個の発光素子に対して１個のＴＦＴ回路（例えば、発光素子Ｅa1に対してＴＦＴ回路ＴＣa1）が設けられている。図示は省略するが、このＴＦＴ回路には電源ラインが接続されている。また、同じ発光素子行（例えば、発光素子行２９５１Ｒ_a）に対して設けられたＴＦＴ回路（例えば、ＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa2）は、長手方向ＬＧＤに直線状に並んでいる。発光素子行２９５１Ｒ_a、２９５１Ｒ_bの各発光素子に対して設けられたＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4は、発光素子グループ２９５対して幅方向ＬＴＤの一方側に設けられている。発光素子行２９５１Ｒ_c、２９５１Ｒ_dの各発光素子に対して設けられたＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣa8、ＴＣd5〜ＴＣd8は、発光素子グループ２９５対して幅方向ＬＴＤの他方側に設けられている。このように、ＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4と、ＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣa8、ＴＣd5〜ＴＣd8との間に、発光素子グループ２９５が配置されている。
【００８７】
そして、互いに対応する発光素子とＴＦＴ回路（例えば、発光素子Ｅa1とＴＦＴ回路ＴＣa1）が配線ＷＬにより接続されている。つまり、発光素子行２９５１Ｒ_a、２９５１Ｒ_bの各発光素子から幅方向ＬＴＤの一方側に引き出された配線ＷＬが、ＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4に接続されている。また、発光素子行２９５１Ｒ_c、２９５１Ｒ_dの各発光素子から幅方向ＬＴＤの他方側に引き出された配線ＷＬが、ＴＦＴ回路ＴＣa5〜ＴＣa8、ＴＣb5〜ＴＣb8に接続されている。
【００８８】
このように本実施形態では、ＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4と、ＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣa8、ＴＣd5〜ＴＣd8との間に、発光素子グループ２９５が配置されている。したがって、配線ＷＬを幅方向ＬＴＤの両側（一方側および他方側）に引き出すことが可能となっており、配線の自由度の向上が図られている。
【００８９】
ＴＦＴ回路には、データ線とセレクト線とが接続されている。つまり、長手方向ＬＧＤに平行もしくは略平行である８本のデータ線Ｌd1〜Ｌd8が、発光素子およびＴＦＴ回路の形成領域の幅方向ＬＴＤ両側に設けられている（図１６）。また、２個のＴＦＴ回路が１本のデータ線を共用しており、例えば、ＴＦＴ回路ＴＣa1およびＴＦＴ回路ＴＣb1の両方がデータＬd1に配線により接続されている。また、発光素子グループ２９５に対して４本のセレクト線Ｌsa〜Ｌsdが設けられている。これらのセレクト線Ｌsa〜Ｌsdは発光素子行２９５１Ｒ_a〜２９５１Ｒ_dに対応して設けられており、例えば、セレクト線Ｌsaは発行素子行２９５１Ｒaに対応するＴＦＴ回路ＴＣa1からＴＣa4のそれぞれに接続されている。
【００９０】
これらデータ線Ｌd1〜Ｌd8とセレクト線Ｌsa〜Ｌsbとを用いた発光素子の駆動制御を、発光素子Ｅa1を駆動する場合を例示して説明する。まず、データ線Ｌd1には、ビデオデータＶＤに対応するデータ情報が入力される。そして、セレクト線Ｌsaをアクティブにすることでデータ情報がＴＦＴ回路ＴＣa1に書き込まれる。また、ＴＦＴ回路ＴＣa1は書き込まれた情報を保持し、この情報に基づいて発光素子Ｅa1を駆動する。
【００９１】
Ｅ．  第４実施形態
図１８は第４実施形態での発光素子と光センサとの関係を示す幅方向部分断面図である。図１９は第４実施形態での発光素子と光センサとの関係を示す平面図であり、ヘッド基板裏面の構成を示している。なお、図１９では、レンズＬＳが一点鎖線で示されているが、これは発光素子グループ２９５とレンズＬＳとが一対一の対応関係で設けられていることを示すものであり、ヘッド基板裏面にレンズＬＳが配されていることを示すものではない。
【００９２】
ヘッド基板２９３の裏面２９３−tには、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）から成る陽極ＡＤと、ＴＦＴとが幅方向ＬＴＤに隣接して形成されている。ＴＦＴにはスイッチング電極ＳＷが積層して形成されている。また、ＴＦＴ、スイッチング電極ＳＷおよび陽極ＡＮに積層して絶縁層ＩＬが形成されている。絶縁層ＩＬには陽極ＡＮに対向して開口部ＡＰが形成されている。この開口部ＡＰでは、正孔輸送層ＨＩＬが陽極ＡＮに積層して形成され、さらに、有機ＥＬ材料からなる発光層ＥＭが陽極ＡＮに積層して形成されている。そして、発光層ＥＭおよび絶縁層ＩＬの略全面に積層して、陰極ＣＡが形成されている。このように形成された有機ＥＬ素子は、次のようにして発光する。つまり、スイッチング電極ＳＷにオン電圧が印加されると、ＴＦＴがＯＮして、正孔輸送層ＡＮから発光層ＥＭに正孔が注入される。これと同時に、陰極ＣＡから発光層ＥＭに電子が注入される。そして、発光層ＥＭにおいて正孔と電子が結合することで、発光層ＥＭが発光する。発光層ＥＭからの光ＬＢは、絶縁層ＩＬの開口部ＡＰを介してヘッド基板裏面２９３−ｔに入射した後、光透過性部材であるヘッド基板２９３を透過して、ヘッド基板表面２９３−hから射出する。このように有機ＥＬ材料からなる発光層ＥＭが、発光素子として機能する。
【００９３】
陰極ＣＡの形成領域の幅方向ＬＴＤ両側のそれぞれに、複数の光センサＳＣが長手方向ＬＧＤに並んで配置されている。光センサは受光面ＳＣＦに入射する光を検知する。この受光面ＳＣＦはヘッド基板裏面２９３−tに光学接着剤で固定されている。図１９に示すように、１列の発光素子グループ列２９５Ｃに対して、当該発光素子グループ列２９５Ｃを幅方向ＬＴＤから挟むように２個の光センサＳＣが設けられている。この光センサＳＣにはセンサ用配線Ｗscが接続されており、光センサＳＣの検知信号は、センサ用配線Ｗscを介してヘッドコントローラＨＣに出力される。これらの光センサＳＣは発光素子の光量補正に用いられるものであるが、この点については上述と同様であるので説明を省略する。
【００９４】
このように、この実施形態では、ヘッド基板２９３に光センサＳＣが設けられている。したがって、発光層ＥＭからの光のうち、ヘッド基板２９３の内部で反射した光ＬＢr（図１８）を光センサＳＣにより検知することが可能となる。しかも、本実施形態では、ヘッド基板２９３にＴＦＴが設けられており、このＴＦＴが発光層ＥＭからの光を反射するため、より多くの光量を光センサＳＣにより検知することができ、検知結果の精度を向上させることができる。
【００９５】
また、この実施形態では、複数の光センサＳＣが設けられている。したがって、多くの光量を検知することが可能となり、検知結果の精度を向上させることが可能となっている。
【００９６】
また、この実施形態では、光センサＳＣの受光面ＳＣＦが光学接着剤によりヘッド基板２９３に接着されている。したがって、ヘッド基板２９３と受光面ＳＣＦとの界面が光学接着剤により取り除かれて、ヘッド基板２９３と受光面ＳＣＦとの境界での不要な光の反射を抑制することが可能となっている。その結果、受光面ＳＣＦに入射する光量が増大して、検知結果の精度を向上させることができる。
【００９７】
Ｆ．その他
このように上記第１・第２実施形態では、ヘッド基板２９３の裏面２９３Ｂが本発明の「一方面」に相当し、ヘッド基板２９３の表面２９３Ａが本発明の「他方面」に相当する。また、光センサＳＣが本発明の「検知部」または「検知手段」に相当する。長手方向ＬＧＤが本発明の「第１方向」に相当し、幅方向ＬＴＤが本発明の「第２方向」に相当し、感光体ドラム２１が本発明の「潜像担持体」に相当している。
【００９８】
また、上記第３・第４実施形態では、ラインヘッド２９が本発明の「露光ヘッド」に相当している。発光素子行２９５１Ｒ_a、２９５１Ｒ_bが、本発明の「第１の発光素子」に相当し、発光素子行２９５１Ｒ_c、２９５１Ｒ_dが、本発明の「第２の発光素子」に相当している。また、ＴＦＴ回路ＴＣa1〜ＴＣa4、ＴＣb1〜ＴＣb4が本発明の「第１のＴＦＴ回路」に相当し、ＴＦＴ回路ＴＣc5〜ＴＣc8、ＴＣd5〜ＴＣd8が本発明の「第２のＴＦＴ回路」に相当している。また、レンズＬＳが本発明の「結像光学系」に相当している。また、ヘッド基板２９３が本発明の「基板」に相当し、ヘッド基板裏面２９３−tが本発明の「基板の第１の面」に相当し、ヘッド基板２９３表面２９３−hが本発明の「基板の第２の面」に相当する。また、光センサＳＣが本発明の「検知手段」に相当している。
【００９９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第１・第２実施形態では、光センサＳＣはヘッド基板２９３の表面２９３Ａに配置されているが、光センサＳＣの配置位置はこれに限られず、次のように光センサＳＣを配置することもできる。なお、以下の説明では、既に上述した実施形態と共通する部分については、相当符号を付して説明を省略する。図２０は光センサの別の配置態様を示す図である。図２０が示す例では、光センサＳＣはヘッド基板２９３の裏面２９３Ｂに配置されている。また、図２１は光センサの更に別の配置態様を示す図である。図２１に示す例では、ヘッド基板２９３の幅方向ＬＴＤにおける端部面２９３Ｃに配置されている。
【０１００】
また、上記第１・第２実施形態では、光センサＳＣは、幅方向ＬＴＤの一方側にのみ設けられている。しかしながら、例えば、図２２に示すように、幅方向ＬＴＤの両側に光センサＳＣを設けても良い。ここで、図２２は、光センサを幅方向の両側に配置した場合を示す図である。
【０１０１】
また、上記第１・第２実施形態では、長手方向ＬＧＤに並ぶ４個の発光素子２９５１から発光素子行２９５１Ｒが構成されているが（図１０）、発光素子行２９５１Ｒを構成する発光素子２９５１の個数は４個に限られない。また、発光素子グループ２９５は２個の発光素子行２９５１Ｒから構成されているが（図１０）、発光素子グループ２９５を構成する発光素子行２９５１Ｒの個数はこれに限られない。つまり、次のように発光素子行２９５１Ｒおよび発光素子グループ２９５を構成することもできる。
【０１０２】
図２３は、発光素子グループの別の構成を示す図である。同図が示すように、発光素子行２９５１Ｒは、長手方向ＬＧＤに並ぶ１６個の発光素子２９５１から構成されている。発光素子グループ２９５は、幅方向に並ぶ４個の発光素子行２９５１Ｒから構成されている。また、発光素子グループ２９５において、長手方向ＬＧＤにおいて各発光素子２９５１の位置が異なるように、各発光素子行２９５１Ｒは相互にずれている。そして、同図に示す例においても、幅方向ＬＴＤにおける発光素子グループ２９５の両側にＴＦＴ回路ＴＣが配されている。したがって、発光素子グループ２９５の各発光素子２９５１に接続される配線ＷＬを、幅方向ＬＴＤの両側に引き出すことが可能となっており、配線ＷＬの自由度の向上が実現されている。
【０１０３】
また、上記実施形態では、３個の発光素子グループ行２９５Ｒが幅方向ＬＴＤに並んでいるが、発光素子グループ行２９５Ｒの個数は３個に限られない。
【０１０４】
また、上記実施形態では、発光素子２９５１として有機ＥＬ素子を用いた場合について説明した。しかしながら、発光素子２９５１の構成はこれに限られず、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本明細書で用いる用語の説明図。
【図２】本明細書で用いる用語の説明図。
【図３】本発明にかかる画像形成装置の一例を示す図。
【図４】図３の画像形成装置の電気的構成を示す図。
【図５】本発明にかかるラインヘッドの概略を示す斜視図。
【図６】図５に示したラインヘッドの幅方向断面図。
【図７】レンズアレイの概略を示す平面図。
【図８】レンズアレイの長手方向の断面図。
【図９】ヘッド基板の裏面の構成を示す図。
【図１０】第１実施形態における発光素子グループとＴＦＴ回路との配置を示す図。
【図１１】上述のラインヘッドによるスポット形成動作を示す図。
【図１２】第１実施形態での光センサの配置を示す図。
【図１３】第１実施形態での光センサの配置を示す図。
【図１４】第２実施形態におけるラインヘッドの構成を示す図。
【図１５】図１４における右側からラインヘッドを見た場合に相当する部分側面図。
【図１６】第３実施形態でのヘッド基板裏面の構成を示す部分平面図。
【図１７】図１６の発光素子グループ近傍の構成を拡大した構成を示す部分平面図。
【図１８】第４実施形態での発光素子と光センサとの関係を示す幅方向部分断面図。
【図１９】第４実施形態での発光素子と光センサとの関係を示す平面図。
【図２０】光センサの別の配置態様を示す図。
【図２１】光センサの更に別の配置態様を示す図。
【図２２】光センサを幅方向の両側に配置した場合を示す図。
【図２３】発光素子グループの別の構成を示す図。
【符号の説明】
【０１０６】
２１Ｙ、２１Ｋ…感光体ドラム（潜像担持体）、  ２９…ラインヘッド、  ２９３…ヘッド基板、  ２９５…発光素子グループ、  ２９５Ｒ…発光素子グループ行、  ２９５１…発光素子、  ２９５１Ｒ…発光素子行、  ２９９…レンズアレイ、  ＬＳ…レンズ、  ＭＤ…主走査方向、  ＳＤ…副走査方向、  ＬＧＤ…長手方向（第１方向）、  ＬＴＤ…幅方向（第２方向）、  ＷＬ…配線、  ＴＣ…ＴＦＴ回路、  ＳＣ…光センサ（検知手段）、Ｅa1〜Ｅa4，Ｅb1〜Ｅb4…発光素子（第１の発光素子）、Ｅc5〜Ｅc8，Ｅd5〜Ｅd8…発光素子（第２の発光素子）、  ＴＣa1〜ＴＣa4，ＴＣb1〜ＴＣb4…ＴＦＴ回路（第１のＴＦＴ回路）、  ＴＣc5〜ＴＣc8、ＴＣd5〜ＴＣd8…ＴＦＴ回路（第２のＴＦＴ回路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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