(57)【要約】【課題】チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置のレイアウト方法等を提供すること。【解決手段】本発明の集積回路装置のレイアウト方法は、機能セルが配置されていない未配置領域を探索するステップ（ステップＳ１４）と、未配置領域に、少なくとも一部が第１及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成された第１及び第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置するステップ（ステップＳ１６）と、を含む。ステップＳ１６において、第１及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、第２の方向に沿って、第１の電源補強線及び第２の電源補強線を介してそれぞれ２つの第１の電源供給線及び２つの第２の電源供給線を接続する２つの配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウト方法であって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索ステップと、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置ステップと、を含み、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部及び前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、コンタクトを介して前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンにそれぞれ接続された第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンにより形成され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように前記電源補強セルを配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記電源補強セルは、
前記第１のメタル配線パターン及び前記第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、
前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように前記電源補強セルを配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であることを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、  
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されるように、少なくとも３つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記機能セル及び前記電源補強セルは、
ゲートアレイの一単位であるベーシックセルと所定の配線パターンに基づいて実現されることを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項７】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトプログラムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段としてコンピュータを機能させ、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウトプログラム。
【請求項８】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトシステムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段と、を含み、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウトシステム。
【請求項９】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置であって、
前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない領域に配置され、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを含み、
少なくとも２つの前記電源補強セルが前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部及び前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、コンタクトを介して前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンにそれぞれ接続された第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンにより形成され、前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記電源補強セルは、
前記第１のメタル配線パターン及び前記第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれかにおいて、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれかにおいて、
少なくとも３つの前記電源補強セルが前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれかにおいて、
前記機能セル及び前記電源補強セルは、
ゲートアレイの一単位であるベーシックセルと所定の配線パターンに基づいて実現されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１４に記載された集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置のレイアウト方法、集積回路装置のレイアウトプログラム、集積回路装置のレイアウトシステム、集積回路装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩのプロセス微細化に伴い集積度が飛躍的に向上し、ＬＳＩを構成する各セルを安定的に動作させるために各セルに供給する電源を補強する必要性が高まっている。例えば、セルの配置領域において電源をメッシュ状に配線することにより電源補強が行われる。一般に、各セルには所定方向（例えば、横方向）に沿って電源用のメタル配線が敷設されているので、各セルを横方向に配置するだけで横方向の電源配線が形成される。すなわち、横方向の電源配線のために専用の領域を確保する必要はない。一方、レイアウト面積を小さくするために各セルには縦方向の電源配線が敷設されていない。従って、各セルを縦方向に配置するだけでは縦方向の電源配線は形成されない。そこで、例えば、消費電力を評価して縦方向の電源配線の必要数を決定し、一定間隔毎に縦方向の電源配線を敷設する必要がある。
【特許文献１】特開平８−２７２８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、セルが配置されている領域には縦方向の電源配線を敷設することができないため、縦方向の電源配線を敷設するための専用の領域を確保する必要がある。そのため、コストを犠牲にしてチップ面積を増加させなければ、十分な電源補強を実現することができなかった。
【０００４】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置のレイアウト方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウト方法であって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索ステップと、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置ステップと、を含み、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【０００６】
第１の電源供給線及び第２の電源供給線はそれぞれＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線であってもよい。
【０００７】
所定のメタル配線層は、例えば、最下層のメタル１配線層であってもよい。
【０００８】
複数の機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトは、複数の機能セルを所定の領域に配置した後複数の機能セルを接続するネットの配線を行う前のレイアウトであってもよいし、複数の機能セルの配置及び複数の機能セルを接続するネットの配線を行った後のレイアウトであってもよい。
【０００９】
本発明によれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置することにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置するだけで第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本発明によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【００１０】
また、本発明によれば、第１の電源供給線及び第２の電源供給線が所定のメタル配線層に敷設されるのに対して、電源補強セルに含まれる第１の電源補強線及び第２の電源補強線の少なくとも一部はメタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させるように電源補強セルが配置される。従って、本発明によれば、第１の電源供給線と第２の電源補強線、第２の電源供給線と第１の電源補強線をそれぞれショートさせることなく、第１の電源を補強するための配線パターン及び第２の電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【００１１】
（２）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部及び前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、コンタクトを介して前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンにそれぞれ接続された第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンにより形成され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように前記電源補強セルを配置するようにしてもよい。
【００１２】
電源補強セルを、第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンが敷設された所定のメタル配線層（第１の電源供給線及び第２の電源供給線が敷設されたメタル配線層）と同じメタル配線層に敷設され、第１のメタル配線パターンの一部及び第２のメタル配線パターンの一部とそれぞれ重複する第１の電源配線パターン及び第２の電源配線パターンを含むように構成し、第１の電源配線パターン及び第２の電源配線パターンが第１の電源供給線及び第２の電源供給線とそれぞれ重複するように電源補強セルを配置することにより、第１の電源補強線及び第２の電源補強線がそれぞれ第１の電源供給線及び第２の電源供給線と接続されるようにしてもよい。
【００１３】
また、電源補強セルはそのような第１の電源配線パターン及び第２の電源配線パターンを含まないが、第１のメタル配線パターンの一部及び第２のメタル配線パターンの一部が第１の電源供給線及び第２の電源供給線とそれぞれ重複するように電源補強セルを配置することにより、第１の電源補強線及び第２の電源補強線がそれぞれ第１の電源供給線及び第２の電源供給線と接続されるようにしてもよい。
【００１４】
本発明によれば、電源補強セルを配置するだけで第１の電源補強線を第１の電源供給線に接続し、第２の電源補強線を第２の電源供給線に接続することができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【００１５】
（３）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記電源補強セルは、
前記第１のメタル配線パターン及び前記第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、
前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように前記電源補強セルを配置するようにしてもよい。
【００１６】
本発明によれば、電源補強セルは第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺が第２の方向と直交するように電源補強セルを配置する。従って、２つの電源補強セルが第２の方向に沿って隣接するように配置された場合には、各電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士及び第２のメタル配線パターン同士が接続される。すなわち、本発明によれば、少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って隣接するように配置するだけで、第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本発明によれば、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【００１７】
（４）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であってもよい。
【００１８】
例えば、複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層がメタル２配線層〜メタル４配線層である場合には、所定のメタル配線層は、メタル１配線層であってもよい。
【００１９】
本発明によれば、第１の電源及び第２の電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層及びポリシリコン配線層において形成される。従って、機能セルを接続するネットの配線に電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本発明によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００２０】
（５）本発明の集積回路装置のレイアウト方法は、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されるように、少なくとも３つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置するようにしてもよい。
【００２１】
（６）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記機能セル及び前記電源補強セルは、
ゲートアレイの一単位であるベーシックセルと所定の配線パターンに基づいて実現されるようにしてもよい。
【００２２】
（７）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトプログラムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段としてコンピュータを機能させ、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【００２３】
（８）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトシステムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段と、を含み、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記電源補強セルを前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【００２４】
（９）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置であって、
前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない領域に配置され、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを含み、
少なくとも２つの前記電源補強セルが前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、所定の領域における機能セルが配置されていない領域に少なくとも２つの電源補強セルが第２の方向に沿って並んで配置されることにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されている。すなわち、本発明に係る集積回路装置は、機能セルの未配置領域を利用して少なくとも２つの電源補強セルが第２の方向に沿って並んで配置されることにより、第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方が補強されている。従って、本発明によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置を提供することができる。
【００２６】
（１０）本発明の集積回路装置において、
前記電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部及び前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、コンタクトを介して前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンにそれぞれ接続された第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンにより形成され、前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように配置されていてもよい。
【００２７】
（１１）本発明の集積回路装置において、
前記電源補強セルは、
前記第１のメタル配線パターン及び前記第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように配置されていてもよい。
【００２８】
（１２）本発明の集積回路装置において、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であってもよい。
【００２９】
（１３）本発明の集積回路装置は、
少なくとも３つの前記電源補強セルが前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。
【００３０】
（１４）本発明の集積回路装置において、
前記機能セル及び前記電源補強セルは、
ゲートアレイの一単位であるベーシックセルと所定の配線パターンに基づいて実現されるようにしてもよい。
【００３１】
（１５）本発明は、
上記に記載された集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３３】
１．集積回路装置
図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置について説明するための図である。図１（Ａ）の集積回路装置は、複数のセルにより構成される各行の間にセル間の配線領域３０を有するチャネル型のセルアレイを含んで実現されており、図１（Ｂ）の集積回路装置は各行の間にセル間の配線領域を有しないチャネルレス型のセルアレイを含んで実現されている。
【００３４】
集積回路装置１は、複数の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が機能セル配置可能領域２（所定の領域）においてＸ方向（第１の方向）及びＹ方向（第１の方向に直交する第２の方向）にアレイ状に配置され、複数の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）にＶＤＤ電源（第１の電源）及びＶＳＳ電源（第２の電源）をそれぞれ供給するＶＤＤ電源供給線（第１の電源供給線）１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線（第２の電源供給線）２０−１、２０−２、２０−３、・・・がＸ方向に沿って所定のメタル配線層に敷設されている。
【００３５】
ここで、所定のメタル配線層は、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）を接続するネットを配線するメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル配線層（例えば、最下層のメタル１配線層）であってもよい。
【００３６】
さらに、ＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル配線層と同じ配線層において、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の内部のネットの配線が行われている場合には、図１（Ｂ）の集積回路装置１のように配線領域３０を必要とせずに、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）を接続するネットの配線を機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の上を通して行うことができる。図１（Ｂ）の集積回路装置１は、配線領域３０がないので図１（Ａ）の集積回路装置１と比較してレイアウト面積をより小さくすることができる。
【００３７】
集積回路装置１は、電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）を含む。
【００３８】
電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成されたＶＤＤ電源補強線（第１の電源補強線）（図示せず）と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成されたＶＳＳ電源補強線（第２の電源補強線）（図示せず）と、を含む。
【００３９】
電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、機能セル配置可能領域２における機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が配置されていない領域に配置されている。
【００４０】
集積回路装置１は、少なくとも２つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０１とＰＣ２０１、又は、ＰＣ２０２とＰＣ３０１等）がＹ方向に沿って並んで配置されることにより、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させて、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線（例えば、１０−１と１０−２等）を接続する配線パターン（図示せず）及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線（例えば、２０−２と２０−３等）を接続する配線パターン（図示せず）の少なくとも一方が形成されている。
【００４１】
ここで、例えば、図１（Ａ）の集積回路装置１において、２つの電源補強セルＰＣ１０１及びＰＣ２０１の各ＶＤＤ電源補強線を接続するメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターンが形成されていてもよい。同様に、２つの電源補強セルＰＣ２０２及びＰＣ３０１の各ＶＳＳ電源補強線を接続するメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンが形成されていてもよい。また、例えば、図１（Ｂ）の集積回路装置１において、電源補強セルＰＣ１０１及びＰＣ２０１を配置するだけで、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターンが形成されていてもよい。同様に、電源補強セルＰＣ２０２及びＰＣ３０１を配置するだけで、２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンが形成されていてもよい。
【００４２】
また、集積回路装置１は、少なくとも３つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０３、ＰＣ２０３、ＰＣ３０３）がＹ方向に沿って並んで配置されることにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線（例えば、１０−１と１０−２等）を接続する配線パターン（図示せず）及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線（例えば、２０−２と２０−３等）を接続する配線パターン（図示せず）の両方が形成されていてもよい。
【００４３】
ここで、例えば、図１（Ａ）の集積回路装置１において、２つの電源補強セルＰＣ１０３及びＰＣ２０３の各ＶＤＤ電源補強線及び各ＶＳＳ電源補強線をそれぞれ接続する２つのメタル配線の少なくとも一部、及び２つの電源補強セルＰＣ２０３及びＰＣ３０３の各ＶＤＤ電源補強線及び各ＶＳＳ電源補強線をそれぞれ接続する２つのメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターン及び２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。また、例えば、図１（Ｂ）の集積回路装置１において、電源補強セルＰＣ１０３、ＰＣ２０３及びＰＣ３０３を配置するだけで、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターン及び２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。
【００４４】
電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、ＶＤＤ電源補強線の一部及びＶＳＳ電源補強線の一部が、コンタクトを介して第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンにそれぞれ接続された第１のメタル配線パターン（図示しない）及び第２のメタル配線パターン（図示しない）により形成されていてもよい。第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンは、ＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されているメタル配線層と同じメタル配線層（例えば、メタル１配線層）に敷設される。電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、第１のメタル配線パターンによりＶＤＤ電源補強線がＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかに接続され、第２のメタル配線パターンによりＶＳＳ電源補強線がＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかに接続されるように配置されていてもよい。
【００４５】
さらに、電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺がＹ方向と直交するように配置されていてもよい。
【００４６】
なお、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）及び電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）は、ゲートアレイの一単位であるベーシックセルと所定の配線パターンに基づいて実現されていてもよい。
【００４７】
本実施形態の集積回路装置によれば、機能セル配置可能領域における機能セルが配置されていない領域に少なくとも２つの電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置されることにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線を接続する配線パターン及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されている。すなわち、本実施形態の集積回路装置は、機能セルの未配置領域を利用して少なくとも２つの電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置されることにより、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方が補強されている。従って、本実施形態の集積回路装置によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００４８】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線が所定のメタル配線層（例えば、メタル１配線層）に敷設されるのに対して、電源補強セルに含まれるＶＤＤ電源補強線及びＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部は当該メタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させるように電源補強セルが配置されている。従って、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源供給線とＶＳＳ電源補強線、ＶＳＳ電源供給線とＶＤＤ電源補強線をそれぞれショートさせることなく、ＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【００４９】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、電源補強セルは第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺がＹ方向と直交するように電源補強セルが配置されている。そして、２つの電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置されている場合には、各電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士及び第２のメタル配線パターン同士が接続されている。すなわち、本実施形態の集積回路装置によれば、少なくとも２つの電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置されている場合には、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方が補強されているので、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【００５０】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層（例えばメタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル１配線層及びポリシリコン配線層において形成されている。従って、機能セルを接続するネットの配線に電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本実施形態の集積回路装置によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００５１】
２．集積回路装置のレイアウト方法
図２は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例である。以下では、ゲートアレイ方式による集積回路装置のレイアウト方法を例にとり説明する。なお、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法により、先に説明した図１（Ａ）又は図１（Ｂ）の集積回路装置１を実現することができる。
【００５２】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、まず、機能セル配置可能領域２において、ベーシックセルをＸ方向（第１の方向）及びＸ方向に直交するＹ方向（第２の方向）にアレイ状に配置する（図２のステップＳ１０）。図３（Ａ）、図３（Ｂ）に、ステップＳ１０の処理が終了した後の集積回路装置１（の一部）のレイアウトの一例を示す。ここで、図３（Ａ）は集積回路装置１をチャネル型のゲートアレイにより実現する場合の図であり、図３（Ｂ）は集積回路装置１をチャネルレス型のゲートアレイにより実現する場合の図である。
【００５３】
集積回路装置１には、ベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・、ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・、ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）がＸ方向及びＹ方向にアレイ状に配置されている。図３（Ａ）では１行目のベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・）と２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）の間及び２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）と３行目のベーシックセル（ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）の間等に配線領域３０が設けられている。これに対し、図３（Ｂ）では１行目のベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・）と２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）の間及び２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）と３行目のベーシックセル（ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）の間等に配線領域が設けられておらず、レイアウト面積をより小さくすることができる。
【００５４】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）において、ベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・、ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・、ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）はすべて同じ構成のセルである。ただし、２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）は、１行目のベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置され、３行目のベーシックセル（ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）は、２行目のベーシックセル（ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。すなわち、Ｙ方向に沿って１行毎に向きを反転しながらすべてのベーシックセルが配置されている。
【００５５】
機能セル配置可能領域２は、Ｘ方向に沿って所定の間隔で連続する番号（０、１、２、・・・、４７、・・・）が付けられた複数の配線グリッド３が設定されていてもよい。ベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・、ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・、ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）は、Ｘ方向の長さ（幅）が配線グリッドの間隔の整数倍（例えば、３倍）になるように作成されていてもよい。
【００５６】
図４に、ベーシックセルの構成の一例を示す。ベーシックセル４０は、２つのポリシリコン配線４１、４２とＰ型拡散領域４３により構成される２つのＰ型トランジスタと、２つのポリシリコン配線４１、４２とＮ型拡散領域４４により構成される２つのＮ型トランジスタを含む。ベーシックセル４０において、ポリシリコン配線４１、４２、Ｐ型拡散領域４３、Ｎ型拡散領域４４の一部を、メタル１層配線で接続することにより、種々の論理を有する機能セルを実現することができる。
【００５７】
また、ベーシックセル４０は、ウェルコンタクト又は基板コンタクトを配置するためのＮ型拡散領域４５及びＰ型拡散領域４６を含むようにしてもよい。
【００５８】
ベーシックセル４０は配線グリッド間隔の３倍の幅を有し、４７−１、４７−２、４７−３、４７−４はベーシックセル４０の辺（境界）を示す。そして、例えば、図３（Ａ）におけるベーシックセルＢＣ２０２は、辺４７−１及び辺４７−３がベーシックセルＢＣ２０１の辺４７−３及びベーシックセルＢＣ２０３の辺４７−１とそれぞれ接するように配置されている。また、図３（Ｂ）におけるベーシックセルＢＣ２０２は、辺４７−１及び４７−３がベーシックセルＢＣ２０１の辺４７−３及びベーシックセルＢＣ２０３の辺４７−１とそれぞれ接し、辺４７−４及び４７−２がベーシックセルＢＣ１０２の辺４７−４及びベーシックセルＢＣ３０２の辺４７−２とそれぞれ接するように配置されている。
【００５９】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、次に、機能セルを配置する（図２のステップＳ１２）。図５（Ａ）、図５（Ｂ）に、ステップＳ１２の処理が終了した後の集積回路装置１（の一部）のレイアウトの一例を示す。図５（Ａ）、図５（Ｂ）では、それぞれ、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示す集積回路装置１のレイアウトにおいて、ベーシックセル（ＢＣ１０１、ＢＣ１０２、・・・、ＢＣ２０１、ＢＣ２０２、・・・、ＢＣ３０１、ＢＣ３０２、・・・）の一部を機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）に置き換えて配置している。ここで、２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）は、１行目の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置され、３行目の機能セル（ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）は、２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。すなわち、Ｙ方向に沿って１行毎に向きを反転しながら機能セルが配置されている。
【００６０】
さらに、図５（Ａ）、図５（Ｂ）では、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）にＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源をそれぞれ供給するＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・がＸ方向に沿って、例えばメタル１配線層に敷設されている。
【００６１】
機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）はその実現する論理に応じて必要とするベーシックセル数が異なる。例えば、機能セルＦＣ１０１はベーシックセルＢＣ１０１及びＢＣ１０２で実現されており、機能セルＦＣ１０２はベーシックセルＢＣ１０４のみで実現されている。機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）は、反転論理を実現するインバータセル、ＮＡＮＤ論理を実現するＮＡＮＤセル、ＯＲ論理を実現するＯＲセル等である。
【００６２】
図６に、機能セルの一例としてインバータセルの構成の一例を示す。図４と同じ構成には同じ番号を付しており、説明を省略する。
【００６３】
インバータセル５０は、図４で説明したベーシックセル４０に対して、メタル１層配線５１、５２、５３、５４及びコンタクト５５、５６、５７、５８、５９が付加されている。
【００６４】
コンタクト５５は、メタル１層配線５１とポリシリコン配線４２を接続する。従って、メタル１層配線５１に供給された入力信号は、コンタクト５５を介して、ポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線４２及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００６５】
コンタクト５６及び５７は、メタル１層配線５２とＰ型拡散領域４３及びＮ型拡散領域４４をそれぞれ接続する。すなわち、ポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのドレインとポリシリコン配線４２及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのドレインが接続されている。
【００６６】
コンタクト５８はメタル１層配線５３とＰ型拡散領域４３を接続する。メタル１層配線５３は、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのソースには、コンタクト５８を介してＶＤＤ電源が供給される。
【００６７】
コンタクト５９はメタル１層配線５４とＮ型拡散領域４４を接続する。メタル１層配線５４は、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４２及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのソースには、コンタクト５９を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００６８】
インバータセル５０は、以上の構成により、メタル１層配線５１に供給された入力信号の反転論理の信号をメタル１層配線５２から出力する。
【００６９】
図７に、機能セルの他の一例として２入力ＮＡＮＤセルの構成の一例を示す。図４と同じ構成には同じ番号を付しており、説明を省略する。
【００７０】
２入力ＮＡＮＤセル６０は、図４で説明したベーシックセル４０に対して、メタル１層配線６１、６２、６３、６４、６５及びコンタクト６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２が付加されている。
【００７１】
コンタクト６６は、メタル１層配線６１とポリシリコン配線４１を接続する。従って、メタル１層配線６１に供給された入力信号は、コンタクト６６を介して、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線４１及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００７２】
コンタクト６７は、メタル１層配線６２とポリシリコン配線４２を接続する。従って、メタル１層配線６２に供給された入力信号は、コンタクト６７を介して、ポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線４２及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００７３】
コンタクト６８及び６９は、メタル１層配線６３とＰ型拡散領域４３及びＮ型拡散領域４４をそれぞれ接続する。すなわち、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのドレイン、ポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのドレイン、ポリシリコン配線４２及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのドレインが接続されている。
【００７４】
コンタクト７０及び７１はメタル１層配線６４とＰ型拡散領域４３を接続する。メタル１層配線６４は、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのソース及びポリシリコン配線４２及びＰ型拡散領域４３により構成されるＰ型トランジスタのソースには、それぞれコンタクト７０及び７１を介してＶＤＤ電源が供給される。
【００７５】
コンタクト７２はメタル１層配線６５とＮ型拡散領域４４を接続する。メタル１層配線６５は、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４１及びＮ型拡散領域４４により構成されるＮ型トランジスタのソースには、コンタクト７２を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００７６】
２入力ＮＡＮＤセル６０は、以上の構成により、メタル１層配線６１及び６２に供給された２つの入力信号に対するＮＡＮＤ論理の信号をメタル１層配線６３から出力する。
【００７７】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、次に、図２のステップＳ１２の処理の終了後のレイアウト（機能セルの配置を行った後のレイアウト）において、機能セル配置可能領域における機能セルが配置されていない未配置領域を探索する（未配置領域探索ステップ、図２のステップＳ１４）。例えば、図５（Ａ）又は図５（Ｂ）において、機能セル配置可能領域２における機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が配置されていない領域、すなわち、ベーシックセル（ＢＣ１０３、ＢＣ１０７、・・・、ＢＣ２０３、ＢＣ２０５、・・・、ＢＣ３０５、ＢＣ３０７、・・・）が配置されている領域を探索する。
【００７８】
次に、ステップＳ１４で探索した未配置領域に、少なくとも２つの電源補強セルをＹ方向に沿って並べて配置する（電源補強セル配置ステップ、図２のステップＳ１６）。先に説明した図１（Ａ）、図１（Ｂ）の集積回路装置１における機能セル及び電源補強セルの配置は、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す集積回路装置１のレイアウトにおいて、ベーシックセル（ＢＣ１０３、ＢＣ１０７、・・・、ＢＣ２０３、ＢＣ２０５、・・・、ＢＣ３０５、ＢＣ３０７、・・・）を電源補強セル（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）に置き換えたものである。
【００７９】
ステップＳ１６の処理において、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、ステップＳ１４で探索した未配置領域に、少なくとも２つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０１及びＰＣ２０１）をＹ方向に沿って並べて配置するようにしてもよいし、３つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０３、ＰＣ２０３及びＰＣ３０３）をＹ方向に沿って並べて配置するようにしてもよい。
【００８０】
図８に、電源補強セルの構成の一例を示す。図４と同じ構成には同じ番号を付しており、説明を省略する。
【００８１】
電源補強セル８０は、図４で説明したベーシックセル４０に対して、メタル１層配線８１、８２、８３、８４、８５、８６及びコンタクト８７、８８、８９、９０が付加されている。
【００８２】
電源補強セル８０は、ＶＤＤ電源補強線（第１の電源補強線）及びＶＳＳ電源補強線（第２の電源補強線）を含む。ＶＤＤ電源補強線の少なくとも一部はポリシリコン配線層に敷設されたポリシリコン配線４２（第１のポリシリコン配線パターン）により形成されており、ＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部はポリシリコン配線層に敷設されたポリシリコン配線４１（第２のポリシリコン配線パターン）により形成されている。
【００８３】
また、ＶＤＤ電源補強線の一部は、メタル１配線層に敷設され、コンタクト８９及び９０を介してポリシリコン配線４２に接続されたメタル１層配線８３及び８４（第１のメタル配線パターン）により形成されており、ＶＳＳ電源補強線の一部は、メタル１配線層に敷設され、コンタクト８７及び８８を介してポリシリコン配線４１に接続されたメタル１層配線８１及び８２（第２のメタル配線パターン）により形成されていてもよい。
【００８４】
ここで、メタル１層配線８３の一部はメタル１層配線８５と重複している。そして、メタル１層配線８５は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４２及びメタル１層配線８４には、メタル１層配線８５、メタル１層配線８３、コンタクト８９及び９０を介してＶＤＤ電源が供給される。同様に、メタル１層配線８２の一部はメタル１層配線８６と重複している。そして、メタル１層配線８６は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４１及びメタル１層配線８１には、メタル１層配線８６、メタル１層配線８２、コンタクト８８及び８７を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００８５】
すなわち、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）のように電源補強セル８０（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）を配置することにより、メタル１層配線８３及び８４によりＶＤＤ電源補強線がＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと接続され、メタル１層配線８１及び８２によりＶＳＳ電源補強線がＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと接続される。
【００８６】
さらに、メタル１層配線８３、８４及びメタル１層配線８１、８２は、セルの辺４７−２（第１の辺）及び辺４７−２と対向する辺４７−４（第２の辺）に接するように敷設されていてもよい。図１（Ａ）又は図１（Ｂ）では、辺４７−２、４７−４がＹ方向と直交するように電源補強セル８０（ＰＣ１０１、ＰＣ１０２、・・・、ＰＣ２０１、ＰＣ２０２、・・・、ＰＣ３０１、ＰＣ３０２、・・・）を配置している。
【００８７】
そのため、図１（Ａ）の集積回路装置１の場合、２つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０１及びＰＣ２０１）がＹ方向に沿って並んで配置されると、配線領域３０を利用して、２つの電源補強セルのメタル１層配線８１同士（又はメタル１層配線８２同士）及びメタル１層配線８３同士（又はメタル１層配線８４同士）を接続するメタル配線（例えば、メタル１層配線やメタル２層配線等）をＹ方向に沿って敷設することができる。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。また、図１（Ｂ）の集積回路装置１の場合、２つの電源補強セル（例えば、ＰＣ１０１及びＰＣ２０１）がＹ方向に沿って並んで配置（隣接するように配置）されると、２つの電源補強セルのメタル１層配線８１同士（又はメタル１層配線８２同士）及びメタル１層配線８３同士（又はメタル１層配線８４同士）が接続される。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。
【００８８】
また、電源補強セル８０はメタル１層配線８１、８２、８３、８４を含むので、電源補強セル８０を未配置領域に配置することによりメタル１層配線の分布の均等化を向上させることができる。
【００８９】
さらに、電源補強セル８０はＶＤＤ電源が供給されるＶＤＤ電源補強線及びＶＳＳ電源が供給されるＶＳＳ電源補強線を含むので、電源補強セル８０を未配置領域に配置することによりシールド効果が得られる。
【００９０】
図９に、電源補強セルの構成の他の一例を示す。図８と同じ構成には同じ番号を付しており、説明を省略する。
【００９１】
電源補強セル１００は、図８で説明した電源補強セル８０に対して、メタル１層配線８２及び８３がそれぞれＰ型拡散領域４６及びＮ型拡散領域４５と重複するように配線されており、メタル１層配線８２とＰ型拡散領域４６を接続するためのコンタクト９１及びメタル１層配線８３とＮ型拡散領域４５を接続するためのコンタクト９２が付加されている。
【００９２】
そして、メタル１層配線８５は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設され、メタル１層配線８６は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。
【００９３】
従って、Ｎ型拡散領域４５にはメタル１層配線８３及びコンタクト９２を介してＶＤＤ電源が供給される。Ｎ型拡散領域４５はＮウェル（又はＮ基板）に配置され、Ｎウェル（又はＮ基板）の電位をＶＤＤに安定化する役割を果たす。
【００９４】
また、Ｐ型拡散領域４６にはメタル１層配線８２及びコンタクト９１を介してＶＳＳ電源が供給される。Ｐ型拡散領域４６はＰウェル（又はＰ基板）に配置され、Ｐウェル（又はＰ基板）の電位をＶＳＳに安定化する役割を果たす。
【００９５】
すなわち、電源補強セル１００を未配置領域に配置することにより、Ｎウェル（又はＮ基板）の電位及びＰウェル（又はＰ基板）の電位をより安定化させることができる。
【００９６】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、最後に、機能セル間のネットを配線する（図２のステップＳ１８）。ステップＳ１８の処理において、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・、及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル１配線層よりも上位のメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）において、機能セルを接続するネットを配線する。ここで、少なくとも２つの電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンは、ポリシリコン配線、コンタクト、メタル１配線層において形成されるので、機能セル間のネットの配線に影響を与えない。
【００９７】
図１０は、図８に示す電源補強セルがＹ方向に並んで２つ配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図である。電源補強セル８０−１及び８０−２がＹ方向に並んで配置（隣接するように配置）されている。ここで、電源補強セル８０−２は電源補強セル８０−１に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。
【００９８】
電源補強セル８０−１及び８０−２は、例えば、それぞれ図１（Ｂ）における電源補強セルＰＣ１０１及びＰＣ２０１に対応する。従って、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８５−１及び８６−１には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−１及びＶＳＳ電源供給線２０−１からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８５−２及び８６−２には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２及びＶＳＳ電源供給線２０−２からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。
【００９９】
そして、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８５−１（ＶＤＤ電源供給線１０−１）と電源補強セル８０−２のメタル１層配線８５−２（ＶＤＤ電源供給線１０−２）は、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８３−１、コンタクト８９−１、ポリシリコン配線４２−１、コンタクト９０−１、メタル１層配線８４−１、及び電源補強セル８０−２のメタル１層配線８４−２、コンタクト９０−２、ポリシリコン配線４２−２、コンタクト８９−２、メタル１層配線８３−２を介して接続される。すなわち、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８３−１、コンタクト８９−１、ポリシリコン配線４２−１、コンタクト９０−１、メタル１層配線８４−１、及び電源補強セル８０−２のメタル１層配線８４−２、コンタクト９０−２、ポリシリコン配線４２−２、コンタクト８９−２、メタル１層配線８３−２により、ポリシリコン配線４２−１及び４２−２をメタル１層配線８６−１（ＶＳＳ電源供給線２０−１）及び８６−２（ＶＳＳ電源供給線２０−２）とそれぞれ交差させて、ＶＤＤ電源供給線１０−１及び１０−２を接続するＶＤＤ電源を補強するための配線パターンが形成される。
【０１００】
図１１は、図８に示す電源補強セルがＹ方向に並んで２つ配置された場合に形成されるＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図である。電源補強セル８０−２及び８０−３がＹ方向に並んで配置（隣接するように配置）されている。ここで、電源補強セル８０−２はＹ方向に沿って図１０の電源補強セル８０−２と同じ向きに配置されており、電源補強セル８０−３は電源補強セル８０−２に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。
【０１０１】
電源補強セル８０−２及び８０−３は、例えば、それぞれ図１（Ｂ）における電源補強セルＰＣ２０２及びＰＣ３０１に対応する。従って、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８５−２及び８６−２には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２及びＶＳＳ電源供給線２０−２からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、電源補強セル８０−３のメタル１層配線８５−３及び８６−３には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−３及びＶＳＳ電源供給線２０−３からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。
【０１０２】
そして、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８６−２（ＶＳＳ電源供給線２０−２）と電源補強セル８０−３のメタル１層配線８６−３（ＶＳＳ電源供給線２０−３）は、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８２−２、コンタクト８８−２、ポリシリコン配線４１−２、コンタクト８７−２、メタル１層配線８１−２、及び電源補強セル８０−３のメタル１層配線８１−３、コンタクト８７−３、ポリシリコン配線４１−３、コンタクト８８−３、メタル１層配線８２−３を介して接続される。すなわち、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８２−２、コンタクト８８−２、ポリシリコン配線４１−２、コンタクト８７−２、メタル１層配線８１−２、及び電源補強セル８０−３のメタル１層配線８１−３、コンタクト８７−３、ポリシリコン配線４１−３、コンタクト８８−３、メタル１層配線８２−３により、ポリシリコン配線４１−２及び４１−３をメタル１層配線８５−２（ＶＤＤ電源供給線１０−２）及び８５−３（ＶＤＤ電源供給線１０−３）とそれぞれ交差させて、ＶＳＳ電源供給線２０−２及び２０−３を接続するＶＳＳ電源を補強するための配線パターンが形成される。
【０１０３】
図１２は、図８に示す電源補強セルがＹ方向に並んで３つ配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図である。電源補強セル８０−１、８０−２及び８０−３がＹ方向に並んで配置（隣接するように配置）されている。ここで、電源補強セル８０−１、８０−２及び８０−３はＹ方向に沿ってそれぞれ図１０及び図１１の電源補強セル８０−１、８０−２及び８０−３と同じ向きに配置されている。すなわち、電源補強セル８０−２は電源補強セル８０−１に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置され、電源補強セル８０−３は電源補強セル８０−２に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。
【０１０４】
電源補強セル８０−１、８０−２及び８０−３は、例えば、それぞれ図１（Ｂ）におけるＰＣ１０３、ＰＣ２０３及びＰＣ３０３の電源補強セルに対応する。従って、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８５−１及び８６−１には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−１及びＶＳＳ電源供給線２０−１からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、電源補強セル８０−２のメタル１層配線８５−２及び８６−２には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２及びＶＳＳ電源供給線２０−２からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、電源補強セル８０−３のメタル１層配線８５−３及び８６−３には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−３及びＶＳＳ電源供給線２０−３からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。
【０１０５】
従って、電源補強セル８０−１のメタル１層配線８５−１（ＶＤＤ電源供給線１０−１）と電源補強セル８０−２のメタル１層配線８５−２（ＶＤＤ電源供給線１０−２）を接続する図１０で説明した配線パターン及び電源補強セル８０−２のメタル１層配線８６−２（ＶＳＳ電源供給線２０−２）と電源補強セル８０−３のメタル１層配線８６−３（ＶＳＳ電源供給線２０−３）を接続する図１１で説明した配線パターンの両方が形成される。
【０１０６】
結局、図１（Ｂ）の集積回路装置１では、ＰＣ１０１とＰＣ２０１、ＰＣ１０３とＰＣ２０３の２組の電源補強セルにより、ＶＤＤ電源供給線１０−１と１０−２（及び１０−３）をＹ方向に接続する２つの配線パターンが形成される。また、ＰＣ２０２とＰＣ３０１、ＰＣ２０３とＰＣ３０３、ＰＣ２０４とＰＣ３０４の３組の電源補強セルにより、ＶＳＳ電源供給線２０−２（及び２０−１）と２０−３をＹ方向に接続する３つの配線パターンが形成される。
【０１０７】
図１３は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの他の一例である。図１３に示すフローチャートのステップＳ２０及びＳ２２の処理は、図２に示すフローチャートのステップＳ１０及びＳ１２の処理と同じである。
【０１０８】
一方、図２に示すフローチャートが未配置領域探索ステップ（ステップＳ１４）及び電源補強セル配置ステップ（ステップＳ１６）の処理を行った後にステップＳ１８において機能セル間のネットを配線するのに対して、図１３に示すフローチャートはステップＳ２４において機能セル間のネットを配線した後に未配置領域探索ステップ（ステップＳ２６）及び電源補強セル配置ステップ（ステップＳ２８）の処理を行う点において相違する。
【０１０９】
ステップＳ２４の処理において、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル１配線層よりも上位のメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）において、機能セルを接続するネットを配線する。これに対して、電源補強セルはポリシリコン配線層及びメタル１配線層で配線が行われている。従って、ステップＳ２４の処理において機能セルを接続するネットを配線した後であっても、ステップＳ２８の処理において当該ネットの配線を変更することなく未配置領域に電源補強セルを配置することができる。
【０１１０】
以上、図１〜図１３で説明したように、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つの電源補強セルをＹ方向に沿って並べて配置することにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線を接続する配線パターン及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つの電源補強セルをＹ方向に沿って並べて配置するだけでＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【０１１１】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線がメタル１配線層に敷設されるのに対して、電源補強セルに含まれるＶＤＤ電源補強線及びＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部はメタル１配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させるように電源補強セルが配置される。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源供給線とＶＳＳ電源補強線、ＶＳＳ電源供給線とＶＤＤ電源補強線をそれぞれショートさせることなく、ＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【０１１２】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、電源補強セルは第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺がＹ方向と直交するように電源補強セルを配置する。従って、２つの電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置された場合には、各電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士及び第２のメタル配線パターン同士が接続される。すなわち、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、少なくとも２つの電源補強セルをＹ方向に沿って隣接するように配置するだけで、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【０１１３】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層（例えばメタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル１配線層及びポリシリコン配線層において形成される。従って、機能セルを接続するネットの配線に電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【０１１４】
３．集積回路装置のレイアウトシステム、集積回路装置のレイアウトプログラム
図１４は、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム及びレイアウトプログラムについて説明するための図である。本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム２００は、当該構成要素（各部）の一部を省略した構成としてもよい。
【０１１５】
操作部２２０は、ユーザーの操作等をデータとして入力するためのものであり、その機能は、例えばキーボードやマウス等のハードウェアにより実現できる。
【０１１６】
記憶部２３０は、処理部２１０や通信部２７０などのワーク領域となるもので、その機能はＲＡＭなどのハードウェアにより実現できる。
【０１１７】
記憶部２３０は、ライブラリ情報記憶部２３２を含む。
【０１１８】
ライブラリ情報記憶部２３２は、設計データにより得られたライブラリ情報（論理回路情報、レイアウト情報、接続情報）や、生成されたネットリストの情報等が記憶されている。
【０１１９】
情報記憶媒体２４０（コンピュータにより読み取り可能な媒体）は、プログラムやデータなどを格納するものであり、その機能は、光ディスク（ＣＤ、ＤＶＤ等）、光磁気ディスク（ＭＯ）、磁気ディスク、ハードディスク、磁気テープ、或いはメモリ（ＲＯＭ）などのハードウェアにより実現できる。
【０１２０】
また情報記憶媒体２４０には、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるプログラムやデータが記憶される。
【０１２１】
処理部２１０は、この情報記憶媒体２４０に格納されるプログラム（レイアウトプログラム）や情報記憶媒体２４０から読み出されたデータ（機能セルや電源補強セルのデータ等）などに基づいて本実施形態の種々の処理を行う。即ち情報記憶媒体２４０には、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム（各手段の処理をコンピュータに実行させるためのプログラム）が記憶される。
【０１２２】
表示部２５０は、本実施形態により生成された画像を出力するものであり、その機能は、ＣＲＴディスプレイ、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＯＥＬＤ（有機ＥＬディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、タッチパネル型ディスプレイなどのハードウェアにより実現できる。
【０１２３】
音出力部２６０は、本実施形態により生成された音を出力するものであり、その機能は、スピーカ、或いはヘッドフォンなどのハードウェアにより実現できる。
【０１２４】
通信部２７０は、外部（例えばサーバ装置や他の端末機）との間で通信を行うための各種の制御を行うものであり、その機能は、各種プロセッサ又は通信用ＡＳＩＣなどのハードウェアや、プログラムなどにより実現できる。
【０１２５】
処理部２１０（プロセッサ）は、操作部２２０からの操作データやプログラムなどに基づいて、各種処理などを行う。この処理部２１０は記憶部２３０をワーク領域として各種処理を行う。処理部２１０の機能は各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ等）、ＡＳＩＣ（ゲートアレイ等）などのハードウェアや、アプリケーションプログラム、ＯＳ（例えば汎用ＯＳ等）により実現できる。
【０１２６】
処理部２１０は、未配置領域探索手段２１２、電源補強セル配置手段２１４を含む。処理部２１０は、さらに、機能セル配置手段２１６、ネット配線手段２１８を含んでもよい。
【０１２７】
未配置領域探索手段２１２は、複数の機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、所定の領域における機能セルが配置されていない未配置領域を探索する処理を行う。
【０１２８】
電源補強セル配置手段２１４は、未配置領域探索手段２１２が探索した未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線と、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線と、を含む電源補強セルを配置する処理を行う。そして、電源補強セル配置手段２１４は、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置する。
【０１２９】
機能セル配置手段２１６は、所定の領域において第１の方向及び第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に複数の機能セルを配置する処理を行う。
【０１３０】
ネット配線手段２１８は、集積回路装置（の一部）の回路接続情報に基づいて、機能セルを接続するネットを配線する処理を行う。
【０１３１】
未配置領域探索手段２１２及び電源補強セル配置手段２１４は、機能セル配置手段２１６が機能セルを配置する処理を行った後のレイアウトにおいて、それぞれ未配置領域を探索する処理及び電源補強セルを配置する処理を行うようにしてもよい。
【０１３２】
また、未配置領域探索手段２１２及び電源補強セル配置手段２１４は、ネット配線手段２１８が機能セルを接続するネットを配線する処理を行った後のレイアウトにおいて、それぞれ未配置領域を探索する処理及び電源補強セルを配置する処理を行うようにしてもよい。
【０１３３】
本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置することにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つの電源補強セルを第２の方向に沿って並べて配置するだけで第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【０１３４】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、第１の電源供給線及び第２の電源供給線が所定のメタル配線層に敷設されるのに対して、電源補強セルに含まれる第１の電源補強線及び第２の電源補強線の少なくとも一部はメタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させるように電源補強セルが配置される。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、第１の電源供給線と第２の電源補強線、第２の電源供給線と第１の電源補強線をそれぞれショートさせることなく、第１の電源を補強するための配線パターン及び第２の電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【０１３５】
なお、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム（レイアウトプログラム）は、ホスト装置（サーバー）が有する情報記憶媒体からネットワーク及び通信部２７０を介して情報記憶媒体２４０（記憶部２３０）に配信してもよい。このようなホスト装置（サーバー）の情報記憶媒体の使用も本発明の範囲内に含めることができる。
【０１３６】
４．電子機器
図１５に、本実施の形態の電子機器のブロック図の一例を示す。本電子機器８００は、マイクロコンピュータ（集積回路装置）８１０、入力部８２０、メモリ８３０、電源生成部８４０、ＬＣＤ８５０、音出力部８６０を含む。
【０１３７】
ここで、入力部８２０は、種々のデータを入力するためのものである。マイクロコンピュータ８１０は、この入力部８２０により入力されたデータに基づいて種々の処理を行うことになる。メモリ８３０は、マイクロコンピュータ８１０などの作業領域となるものである。電源生成部８４０は、電子機器８００で使用される各種電源を生成するためのものである。ＬＣＤ８５０は、電子機器が表示する各種の画像（文字、アイコン、グラフィック等）を出力するためのものである。
【０１３８】
音出力部８６０は、電子機器８００が出力する各種の音（音声、ゲーム音等）を出力するためのものであり、その機能は、スピーカなどのハードウェアにより実現できる。
【０１３９】
図１６（Ａ）に、電子機器の１つである携帯電話９５０の外観図の例を示す。この携帯電話９５０は、入力部として機能するダイヤルボタン９５２や、電話番号や名前やアイコンなどを表示するＬＣＤ９５４や、音出力部として機能し音声を出力するスピーカ９５６を備える。
【０１４０】
図１６（Ｂ）に、電子機器の１つである携帯型ゲーム装置９６０の外観図の例を示す。この携帯型ゲーム装置９６０は、入力部として機能する操作ボタン９６２、十字キー９６４や、ゲーム画像を表示するＬＣＤ９６６や、音出力部として機能しゲーム音を出力するスピーカ９６８を備える。
【０１４１】
図１６（Ｃ）に、電子機器の１つであるパーソナルコンピュータ９７０の外観図の例を示す。このパーソナルコンピュータ９７０は、入力部として機能するキーボード９７２や、文字、数字、グラフィックなどを表示するＬＣＤ９７４、音出力部９７６を備える。
【０１４２】
本実施の形態の集積回路装置を図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）の電子機器に組み込むことにより、電源ノイズに強く信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１４３】
なお、本実施形態を利用できる電子機器としては、図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）に示すもの以外にも、携帯型情報端末、ページャー、電子卓上計算機、タッチパネルを備えた装置、プロジェクタ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置等の種々の電子機器を考えることができる。
【０１４４】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１４５】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置について説明するための図である。
【図２】本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するための図である。
【図４】ベーシックセルの構成の一例を示す図。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するための図である。
【図６】機能セルの一例としてのインバータセルの構成の一例を示す図。
【図７】機能セルの一例としての２入力ＮＡＮＤセルの構成の一例を示す図。
【図８】電源補強セルの構成の一例を示す図。
【図９】電源補強セルの構成の一例を示す図。
【図１０】電源補強セルがＹ方向に２つ並んで配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図。
【図１１】電源補強セルがＹ方向に２つ並んで配置された場合に形成されるＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図。
【図１２】電源補強セルがＹ方向に３つ並んで配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図。
【図１３】本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例。
【図１４】本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム及びレイアウトプログラムについて説明するための図。
【図１５】集積回路装置を含む電子機器のブロック図の一例。
【図１６】図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）は、種々の電子機器の外観図の例。
【符号の説明】
【０１４７】
１  集積回路装置、２  機能セル配置可能領域、３  配線グリッド、１０−１〜１０−３  ＶＤＤ電源供給線、２０−１〜２０−３  ＶＳＳ電源供給線、３０  配線領域、４０  ベーシックセル、４１  ポリシリコン配線、４１−１〜４１−３  ポリシリコン配線、４２  ポリシリコン配線、４２−１〜４２−３  ポリシリコン配線、４３  Ｐ型拡散領域、４４  Ｎ型拡散領域、４５  Ｎ型拡散領域、４６  Ｐ型拡散領域、４７−１〜４７−４  辺、５０  インバータセル、５１  メタル１層配線、５２  メタル１層配線、５３  メタル１層配線、５４  メタル１層配線、５５  コンタクト、５６  コンタクト、５７  コンタクト、５８  コンタクト、５９  コンタクト、６０  ２入力ＮＡＮＤセル、６１  メタル１層配線、６２  メタル１層配線、６３  メタル１層配線、６４  メタル１層配線、６５  メタル１層配線、６６  コンタクト、６７  コンタクト、６８  コンタクト、６９  コンタクト、７０  コンタクト、７１  コンタクト、７２  コンタクト、８０  電源補強セル、８０−１〜８０−３  電源補強セル、８１  メタル１層配線、８１−１〜８１−３  メタル１層配線、８２  メタル１層配線、８２−１〜８２−３  メタル１層配線、８３  メタル１層配線、８３−１〜８３−３  メタル１層配線、８４  メタル１層配線、８４−１〜８４−３  メタル１層配線、８５  メタル１層配線、８５−１〜８５−３  メタル１層配線、８６  メタル１層配線、８６−１〜８６−３  メタル１層配線、８７  コンタクト、８７−１〜８７−３  コンタクト、８８  コンタクト、８８−１〜８８−３  コンタクト、８９  コンタクト、８９−１〜８９−３  コンタクト、９０  コンタクト、９０−１〜９０−３  コンタクト、９１  コンタクト、９２  コンタクト、１００  電源補強セル、２００  レイアウトシステム、２１０  処理部、２１２  未配置領域探索手段、２１４  電源補強セル配置手段、２１６  機能セル配置手段、２１８  ネット配線手段、２２０  操作部、２３０  記憶部、２３２  ライブラリ情報記憶部、２４０  情報記憶媒体、２５０  表示部、２６０  音出力部、２７０  通信部、８００  電子機器、８１０  マイクロコンピュータ（集積回路装置）、８２０  入力部、８３０  メモリ、８４０  電源生成部、８５０  ＬＣＤ、８６０  音出力部、９５０  携帯電話、９５２  ダイヤルボタン、９５４  ＬＣＤ、９５６  スピーカ、９６０  携帯型ゲーム装置、９６２  操作ボタン、９６４  十字キー、９６６  ＬＣＤ、９６８  スピーカ、９７０  パーソナルコンピュータ、９７２  キーボード、９７４  ＬＣＤ、９７６  音出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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