(57)【要約】【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体発光素子を提供する。【解決手段】活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。これにより、ｐ型ガイド層１４において、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、活性層、ｐ型ガイド層およびｐ型クラッド層をこの順に含むと共に、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を備え、
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうち少なくともｐ型ガイド層は、ＩＩＩ族元素としてホウ素（Ｂ）を含む半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層は、ＧａＡｓまたはＩｎＰに格子整合している請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層のバンドギャップは、前記活性層のバンドギャップよりも大きく、前記ｐ型クラッド層のバンドギャップよりも小さい請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層の伝導体下端は、前記活性層の伝導体下端のエネルギー準位よりも高く、前記ｐ型クラッド層の伝導体下端のエネルギー準位よりも低い請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層は、ＢＩｎＰ、ＢＧａＡｓまたはＢＡｌＰを主として含む請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｎ型ガイド層および前記ｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層は、間接遷移材料を含む請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記活性層は、主としてＧａＩｎＰを含み、
前記ｎ型クラッド層および前記ｐ型クラッド層は、主としてＡｌＩｎＰを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクや光通信、ディスプレイ用の光源などに用いられる半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、追記型のＤＶＤ（Digital Versatile Disk) 装置が急速に普及してきている。このＤＶＤ装置の読み出し・書き込みには、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体を積層した赤色の半導体レーザが用いられている。この半導体レーザは、例えば、図７に示したように、ｎ型ＧａＡｓ基板からなる基板１１０上に、ｎ型ＡｌＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型ガイド層１１２、アンドープのＧａＩｎＰからなる活性層１１３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型ガイド層１１４、ｐ型ＡｌＩｎＰからなるｐ型クラッド層１１５、ｐ型ＧａＩｎＰからなる中間層１１６、およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１１７をこの順に積層配置した構造を備えている。そして、コンタクト層１１７上に絶縁膜１２１の開口を介してｐ側電極１２２が形成され、ｎ型ＧａＡｓ基板１１０の裏面にｎ側電極１２３が形成されている（例えば特許文献１参照）。このような構造の半導体レーザでは、ｐ側電極１２２およびｎ側電極１２３の間に電圧が印加されると、例えば、ｎ側電極１２３側から電子が、ｐ側電極１２２側から正孔が活性層１１３へ注入される。そして、活性層１１３に注入された電子と正孔が再結合することにより光子が発生（発光）する。
【特許文献１】特開平５−２１８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この半導体レーザでは、図８に示したように、活性層１１３における伝導帯の下端とｐ型クラッド層１１５における伝導帯の下端との間のエネルギー差（電子障壁）ΔＥｃを大きくすることが容易ではない。そのため、高温になると、電子が電子障壁ΔＥｃを乗り越えて活性層１１３から漏れ出す、いわゆるキャリア・オーバーフローが発生する虞がある。
【０００４】
そこで、例えば、ｐ型クラッド層１１５のキャリア濃度を高くする方法が考えられる。しかし、ｐ型クラッド層１１５のキャリア濃度を高くすることは容易ではなく、また、あまりキャリア濃度を高くすると結晶性が低下して信頼性を損なう虞がある。
【０００５】
また、例えば、ｐ型ガイド層１１４とｐ型クラッド層１１５との間に、ｐ型クラッド層１１５の伝導体下端よりも高いエネルギー準位の伝導体下端を有する電子障壁層を設けることが考えられる。しかし、ＡｌＧａＩｎＰ系では、電子障壁層に適した材料がない。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体発光素子は、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、活性層、ｐ型ガイド層およびｐ型クラッド層をこの順に含むと共に、Ｖ族元素としてヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を備えたものである。ｎ型ガイド層およびｐ型ガイド層のうち少なくともｐ型ガイド層は、ＩＩＩ族元素としてホウ素（Ｂ）を含んでいる。
【０００８】
本発明の半導体発光素子では、Ｖ族元素としてＡｓまたはＰを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、ｎ型ガイド層およびｐ型ガイド層のうち少なくともｐ型ガイド層にはＩＩＩ族元素としてＢが含まれている。これにより、ｎ型ガイド層およびｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層において、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体発光素子によれば、ｎ型ガイド層およびｐ型ガイド層のうちＢを含むガイド層において、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなるようにしたので、ＩＩＩ族元素としてＢを含まない場合と比べてｐ型ガイド層において電子の動きが悪くなる。これにより、キャリア・オーバーフローを抑制することができるので、高温動作を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ１の断面構造を表したものである。図２は、図１の半導体レーザ１のバンドラインナップの一例を表したものである。この半導体レーザ１は、基板１０上に積層構造２０を備えている。
【００１２】
基板１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板、またはｎ型ＩｎＰ基板からなる。積層構造２０は、ＡｌＧａＩｎＰ系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるダブルへテロ構造を有しており、赤色のレーザ光を射出するものである。また、積層構造２０は、基板１０と格子整合していることが好ましいが、レーザ駆動に悪影響を及ぼさない程度の格子不整合が積層構造２０の全体または一部の層に生じていてもよい。
【００１３】
なお、基板１０や積層構造２０に含まれるｎ型不純物としては、例えばケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。また、ｐ型不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などが挙げられる。
【００１４】
積層構造２０は、ｎ型クラッド層１１、ｎ型ガイド層１２、活性層１３、ｐ型ガイド層１４、ｐ型クラッド層１５およびコンタクト層１７を基板１０側からこの順に積層して形成されている。
【００１５】
ｎ型クラッド層１１は、例えば、ｎ型ＡｌＩｎＰまたはｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる。このｎ型クラッド層１１では、バンドギャップがｎ型ガイド層１２および活性層１３のバンドギャップよりも大きく、かつ屈折率がｎ型ガイド層１２および活性層１３の屈折率よりも小さくなっている。さらに、伝導帯下端がｎ型ガイド層１２および活性層１３の伝導帯下端よりも高くなっており、価電子帯上端がｎ型ガイド層１２および活性層１３の価電子帯上端よりも低くなっている。
【００１６】
ｎ型ガイド層１２は、ｐ型ガイド層１４と同一の材料、もしくは、例えば、ｎ型ＡｌＩｎＰまたはｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる。このｎ型ガイド層１２では、バンドギャップが活性層１３のバンドギャップよりも大きく、かつ屈折率が活性層１３の屈折率よりも小さくなっている。さらに、伝導帯下端が活性層１３の伝導帯下端よりも高くなっており、価電子帯上端が活性層１３の価電子帯上端よりも低くなっている。
【００１７】
活性層１３は、例えば、アンドープのＧａＩｎＰからなる。この活性層１３では、バンドギャップが赤色の波長帯に対応した大きさとなっている。この活性層１３において、積層構造２０上に形成された電流狭窄構造（後述の絶縁層２１に設けられた帯状の開口２１Ａ）に対向する領域が発光領域１３Ａとなる。この発光領域１３Ａは、電流狭窄構造と同等の大きさのストライプ幅を有しており、電流狭窄構造によって狭窄された電流が注入される電流注入領域に対応している。なお、図示しないが、例えば、電流狭窄構造として帯状のリッジ部が積層構造２０の上部に設けられていてもよい。
【００１８】
ｐ型ガイド層１４は、ＩＩＩ族元素としてホウ素（Ｂ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰからなる。このｐ型ガイド層１４では、バンドギャップが活性層１３のバンドギャップよりも大きく、かつ屈折率が活性層１３の屈折率よりも小さくなっている。さらに、伝導帯下端が活性層１３の伝導帯下端よりも高くなっており、価電子帯上端が活性層１３の価電子帯上端よりも低くなっている。
【００１９】
ｐ型クラッド層１５は、例えば、ｐ型ＡｌＩｎＰまたはｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる。このｐ型クラッド層１５では、バンドギャップがｐ型ガイド層１４および活性層１３のバンドギャップよりも大きく、かつ屈折率がｐ型ガイド層１４および活性層１３の屈折率よりも小さくなっている。さらに、伝導帯下端がｐ型ガイド層１４および活性層１３の伝導帯下端よりも高くなっており、価電子帯上端がｐ型ガイド層１４および活性層１３の価電子帯上端よりも低くなっている。
【００２０】
中間層１６は、例えば、ｐ型ＧａＩｎＰからなる。コンタクト層１７は、例えば、ｐ型ＧａＡｓからなる。
【００２１】
また、この半導体レーザ１には、コンタクト層１７上にｐ側電極２１が設けられており、基板１０の裏面にｎ側電極２２が設けられている。ここで、ｐ側電極２１は、例えば、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）をコンタクト層１７側からこの順に積層したものであり、コンタクト層１７と電気的に接続されている。ｎ側電極２２は、例えば、Ａｕとゲルマニウム（Ｇｅ）との合金、ニッケル（Ｎｉ）およびＡｕとを基板１０側からこの順に積層した構造を有しており、基板１０と電気的に接続されている。
【００２２】
このような構成を有する半導体レーザ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２３】
半導体レーザ１を製造するためには、基板１０上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により形成する。この際、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、フォスフィン（ＰＨ3 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、トリエチルボロンを用いる。また、ドナー不純物の原料としては、例えば、Ｈ２Ｓｅを用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば、ジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いる。
【００２４】
具体的には、まず、基板１０上に、ｎ型クラッド層１１、ｎ型ガイド層１２、活性層１３、ｐ型ガイド層１４、ｐ型クラッド層１５、中間層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層する。次に、所定の位置に開口２１Ａを有する絶縁層２１を形成したのち、開口２１Ａ底面を含む絶縁層２１の表面にｐ側電極２２を形成すると共に、基板１０の裏面にｎ側電極２２を形成する。このようにして、本実施の形態の半導体レーザ１が製造される。
【００２５】
なお、例えば、以下に示す工程を経ることにより、積層構造２０の上部、具体的には、ｐ型クラッド層１５の上部、中間層１６およびコンタクト層１７に対して帯状のリッジ部（図示せず）を備えたレーザを製造することが可能である。
【００２６】
まず、基板上に、ｎ型クラッド層１１からコンタクト層１７までを順次形成したのち、コンタクト層１７の上面に、所定の幅を有する帯状のレジスト層（図示せず）を形成する。次に、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法により、ｐ型クラッド層１５の上部、中間層１６およびコンタクト層１７を選択的にエッチングして、リッジ部（図示せず）を形成する。このとき、ｐ型ガイド層１４はエッチング表面に露出しないので、ｐ型ガイド層１４として、ホウ素（Ｂ）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いていないレーザと同様の製造条件で、上記リッジ部を形成することが可能である。
【００２７】
次に、リッジ部の上面を除く表面全体に絶縁層２１（図示せず）を形成したのち、リッジ部の上面を含む絶縁層２１の表面にｐ側電極２２を形成すると共に、基板１０の裏面にｎ側電極２２を形成する。このようにして、リッジ部を備えたレーザを製造することが可能である。
【００２８】
次に、本実施の形態の半導体レーザ１の作用および効果について説明する。
【００２９】
本実施の形態の半導体レーザ１では、ｐ側電極２１とｎ側電極２２との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄構造によって電流狭窄され、活性層１３の電流注入領域（発光領域１３Ａ）に電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、光射出側の端面と後側の端面とにより形成される反射鏡（図示せず）により反射され、所定の波長でレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。
【００３０】
次に、ｎ型ガイド層１２およびｐ型ガイド層１４のうち少なくともｐ型ガイド層１４に用いられる材料について説明する。
【００３１】
リン化ホウ素（ＢＰ）の物性は古くから調査がなされている。例えば、Physical Review Letters Vol.1 No.12 (1970) pp4791によると、ガンマ（Γ）バレーでの直接遷移バンドギャップは５．０ｅＶと非常に大きな値を示すが、Ｘ（エックス）バレーでの間接遷移バンドギャップは２．０ｅＶ程度と、直接遷移バンドギャップよりも小さい。ＢＰと、ＢＰ以外のＩＩＩ−Ｖ族の材料（窒素を除く）との混晶では、ＧａＩｎＮＡｓの窒素と同じく、Ｂの原子半径が他の原子半径よりも極端に小さい。そのため、混晶のバンドギャップを算出する際に一般的に用いられるベガード則が当てはまらず、ＢＰと、ＢＰ以外のＩＩＩ−Ｖ族の材料（窒素を除く）との混晶のバンドギャップは、Ｂの組成比を大きくした場合に５ｅＶに向かって大きくなることは無いと考えられる。
【００３２】
図３は、バンドギャップと格子定数との関係を表したものである（上記引用文献からの引用）。図３からわかるように、バンドギャップと格子定数との関係から、ＢＰと、ＢＰ以外のＩＩＩ−Ｖ族の材料（窒素を除く）との混晶を形成する際に、ＧａＡｓやＩｎＰに格子整合する材料を容易に選定することができる。
【００３３】
例えば、ＢＰとＩｎＰとの３元混晶を考えたとき、ＩｎＰは約１．４ｅＶのバンドギャップを持つことから、ＢＩｎＰ混晶は１．４〜２ｅＶのバンドギャップを持つと考えられる。また、ＧａＰとＢＰとの３元混晶を考えると、ＧａＰのバンドギャップが２．３５ｅＶあるので、ＢＧａＰ混晶のバンドギャップは２〜２．３５ｅＶ程度になると考えられる。同様に、ＡｌＰとＢＰとの３元混晶の場合には、ＡｌＰのバンドギャップが２．５２ｅＶであるの、ＢＡｌＰ混晶のバンドギャップは２〜２．５２ｅＶになると考えられる。なお、ＢＩｎＰ混晶、ＢＧａＰ混晶またはＢＡｌＰ混晶のＢ組成比が小さい場合には、バンドギャップはＩｎＰ、ＧａＰまたはＡｌＰのバンドギャップの影響が支配的な直接遷移帯の値をとり、逆に、ＢＩｎＰ混晶、ＢＧａＰ混晶またはＢＡｌＰ混晶のＢ組成比が大きい場合には、バンドギャップはＢＰのバンドギャップの影響が支配的な間接遷移帯の値をとる。例えば、ＢＩｎＰ混晶では、図４に示したように、間接遷移帯ａにおいてバンドギャップのＢ組成比に対する変化が緩やかになっており、直接遷移帯ｂにおいてバンドギャップのＢ組成比に対する変化が間接遷移帯ａよりも急峻になっている。
【００３４】
この様に、ＢＰに１つの元素を加えた３元混晶では、赤色レーザのガイド層に適した２ｅＶ程度のバンドギャップを得ることが出来るの。従って、ＢＰは、ＡｌＧａＩｎＰ系の赤色レーザのガイド層の材料として好適に用いることが出来る材料の一つといえる。
【００３５】
図５は、電子の有効質量と格子定数との関係を表したものである（上記文献からの引用）。図５から、一般的には、格子定数が小さくなる程、電子の有効質量が大きくなるが、ＢＰはその挙動からずれており、直線上に載らないことがわかる。ＢＰでは、図５に示したように、電子の有効質量（me*）が０．９と非常に大きい。このことから、Ｂを含む化合物半導体では電子の有効質量が際立って大きいことが予想される。
【００３６】
従って、ＢＰを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばＡｌＧａＩｎＰ）を半導体レーザ１のｐ型ガイド層１４に用いた場合には、ｐ型ガイド層１４における電子の有効質量が例えば０．２程度と小さい。そのため、図６（Ａ）に模式的に示したように、電子が動き易く、電子が活性層１３からオーバーフローし易い。一方、本実施の形態のように、ＢＰを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を半導体レーザ１のｐ型ガイド層１４に用いた場合には、ｐ型ガイド層１４における電子の有効質量が０．９よりも若干小さい程度となり、０．２よりも際立って大きい。そのため、図６（Ｂ）に模式的に示したように、電子の動きがガイド層１４で非常に悪いので、ガイド層１４に隣接して設けられているｐ型クラッド層１５と活性層１３との伝導体下端のエネルギー差（電子障壁）ΔＥｃが小さい場合であっても、電子が活性層１３からオーバーフローしにくくなる。
【００３７】
ところで、電子のオーバーフローを防止する方策としては、典型的には、電子障壁ΔＥｃを大きくすることが挙げられる。電子障壁ΔＥｃを大きくする方策としては、例えば、ｐ型クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー準位を大きくするか、または、活性層１３のバンドギャップを小さくすることが考えられる。しかし、前者の場合には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体において基板１０と格子整合すると共に伝導帯下端のエネルギー準位の大きな材料はＡｌＩｎＰやＡｌＧａＩｎＰなどに限られている。そのため、ｐ型クラッド層１５における伝導帯下端のエネルギー準位をあまり大きくすることができない。また、後者では、活性層１３のバンドギャップを変化させると、半導体レーザ１の発光波長まで変化してしまい、所望の発光波長を得ることが困難となってしまう。
【００３８】
そこで、電子障壁ΔＥｃを大きくする代わりに、例えば、ｐ型ガイド層１４とｐ型クラッド層１５との間に、ｐ型クラッド層１５の伝導体下端よりも高いエネルギー準位の伝導体下端を有する電子障壁層を設けることが考えられる。しかし、ＡｌＧａＩｎＰ系では、電子障壁層に適した材料がない。
【００３９】
一方、本実施の形態では、電子障壁ΔＥｃを大きくしたり、ｐ型ガイド層１４とｐ型クラッド層１５との間に電子障壁層を設けたりする代わりに、ｐ型ガイド層１４における電子の有効質量を大きくし、ｐ型ガイド層１４において電子を動きにくくすることにより、電子のオーバーフローを低減している。これにより、レーザの動作温度を高くした場合であっても、レーザを安定に動作させることができる。また、レーザの特性が向上し、電気から光への変換効率を向上させることができる。また、電子のオーバーフローによる無効電流の発生により生じていた熱を減少させることができるので、熱に起因して発生する結晶欠陥の増殖をも抑制することが可能となり、デバイスの信頼性を向上させることができる。
【００４０】
ところで、ｎ型ガイド層１２およびｐ型ガイド層１４のうち少なくともｐ型ガイド層１４に用いられる材料の一つであるＢＰは、上の説明から明らかなように、間接遷移材料である。しかし、ＢＰのΓバレーでのバンドギャップは５．０ｅＶと非常に高い。そのため、ｐ型ガイド層１４としてＢＰを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた場合には、ｐ型ガイド層１４に含まれるＢＰのΓバレー遷移と活性層１３でのΓバレー遷移の間に大きな障壁が生じる。その結果、活性層１３内の電子はｐ型ガイド層１４のΓバレーでのバンドギャップを感じるので、ｐ型ガイド層１４における電子の有効質量の増大の効果に付随して、電子オーバーフローを低減することができると考えられる。
【００４１】
また、本実施の形態において、上記したような材料をｐ型ガイド層１４だけでなくｎ型ガイド層１２にも用いた場合には、屈折率分布が活性層１３を中心として対称となるので、発光領域１３Ａも活性層１３を中心として対称とすることができる。
【００４２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００４３】
例えば、上記実施の形態では、基板１０としてｎ型の半導体基板を用いていたが、ｐ型の半導体基板を用いることも可能である。その場合には、上記実施の形態において例示した導電型を逆の導電型に読み替えればよい。
【００４４】
また、上記実施の形態では、半導体レーザ１が図２に例示したようなバンドラインナップとなっている場合について説明したが、それ以外のバンドラインナップとなっていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態における半導体レーザの断面図である。
【図２】図１の半導体レーザのバンドラインナップの一例を模式的に表す模式図である。
【図３】バンドギャップと格子定数との関係を表す関係図である。
【図４】ＢＩｎＰ混晶のＢ組成比とバンドギャップの変化量との関係を表す関係図である。
【図５】電子の有効質量と格子定数との関係を表す関係図である。
【図６】電子の有効質量が大きい場合と小さい場合とにおけるオーバーフローの様子を模式的に表す模式図である。
【図７】従来の半導体レーザの断面図である。
【図８】図８の半導体レーザのバンドラインナップの一例を模式的に表す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…半導体レーザ、１０…基板、１１…ｎ型クラッド層、１２…ｎ型ガイド層、１３…活性層、１３Ａ…発光領域、１４…ｐ型ガイド層、１５…ｐ型クラッド層、１６…中間層、１７…コンタクト層、２０…積層構造、２１…絶縁層、２２…ｐ側電極、２３…ｎ側電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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