(57)【要約】【課題】使用する基板の材質等に関わらず、転写法により被転写体上に高精度にパターン形成することができる方法を提供する。【解決手段】基材１２を含む被転写体１０上に形成すべき層２６を、所定のパターンで転写可能に支持した仮支持体２２を含む転写部材２０を作製する工程と、前記転写部材の層が、前記被転写体上の所定の位置に転写されるように前記転写部材及び／又は前記被転写体を延伸して位置合わせを行う工程と、前記位置合わせした転写部材の層を前記被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図１
2009026556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体上に形成すべき層を、所定のパターンで転写可能に支持した仮支持体を含む転写部材を作製する工程と、
前記転写部材の層が、前記被転写体上の所定の位置に転写されるように前記転写部材及び／又は前記被転写体を延伸して位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせした転写部材の層を前記被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記仮支持体及び／又は前記被転写体の基材として可撓性を有するものを用いることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記仮支持体の線熱膨張係数と前記被転写体の基材の線熱膨張係数との差を２０ｐｐｍ／℃以下とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
被転写体上に形成すべき層を、転写可能に支持した仮支持体を含む転写部材を作製する工程と、
前記転写部材の前記層が設けられた面の反対側から押し当てて、該転写部材の層を前記被転写体上に所定のパターンで転写させるための押圧部材を用意し、前記押圧部材と前記被転写体との間に配置された前記転写部材の層が、前記被転写体上の所定の位置に転写されるように前記押圧部材及び／又は前記被転写体を延伸して位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせした押圧部材を、前記転写部材の前記層が設けられた面の反対側から押し当てて該転写部材の層を前記被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
前記押圧部材及び／又は前記被転写体の基材として可撓性を有するものを用いることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記押圧部材の線熱膨張係数と前記被転写体の基材の線熱膨張係数との差を２０ｐｐｍ／℃以下とすることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いてパターン形成した層を有することを特徴とする電子素子。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いてパターン形成した層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法及びそれを用いてパターン形成した層を有する電子素子に関し、特に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の製造に好適に適用することができるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子、有機ＥＬ素子等を用いた薄型の表示装置が開発されている。図５は、有機ＥＬ素子１の構成を概略的に示している。ガラス等の基板２上に、陽極３、有機ＥＬ層８（正孔輸送層４、発光層５、及び電子輸送層６）、陰極７等が形成されている。引出配線（端子）９を介して外部の配線と接続し、両極３，７に電界を印加することにより、電極３，７間に挟まれた領域の発光層５が励起状態となって発光する。
【０００３】
カラー表示が可能な表示装置とする場合には、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）といった発光色が異なる画素を所定の間隔で配列する必要がある。この場合、例えば、基板上に陽極をストライプ状に形成した後、陽極上にＲＧＢに対応した有機ＥＬ層が繰り返して並列するように形成する。
有機ＥＬ層を形成する方法としては、マスク法、スピンコート法、インクジェット法、転写法など種々の方法がある。転写法では、例えば所定のパターンで凸部が形成された仮支持体（型）上に有機薄膜層を転写可能に設け、仮支持体上の有機薄膜層を基板（被転写体）に押し当てて所定のパターンに転写する。
【０００４】
有機ＥＬ素子の基板に関しては、ガラス基板のほか、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂やステンレス等の金属を用いた可撓性基板を用いる場合がある。特に、樹脂製のフィルム基板であれば、光透過性が高く、軽量であり、大きく曲げてもガラス基板のように割れず、耐衝撃性が高い表示装置とすることができる。
【０００５】
しかし、樹脂製のフィルム基板はガラス基板に比べ熱収縮率が大きく、伸縮し易いため、フィルム基板上の特定の箇所（例えば、ＲＧＢのＲ箇所のみ）に転写により有機薄膜層を形成すると、仮支持体の凸部分が所望の位置から大きくずれてしまう場合がある。高精細なパターンを形成するためには、隣接する画素の間隔をできるだけ小さくする必要があるが、上記のような位置ズレが生じると色が異なる隣の層の位置と重なって、正常な画像が得られないといった問題が生じる。
【０００６】
位置ズレを小さくするため、線熱膨張係数の小さいフィルム基板を用いる方法（特許文献１参照）や、熱膨張率差が所定の値以内となる仮支持体と基板を用いてパターン形成する方法（特許文献２参照）が提案されている。しかし、これらの方法では使用できるフィルム基板が制限されてしまうといった問題がある。
【０００７】
また、仮支持体を基板の伸びに合わせて作製する方法もあるが、この場合、基板の伸びの量や方向などを一定にするための処理（例えば、熱処理）や、処理された基板の保管方法なども一定にする必要があり、コストの著しい上昇を招くおそれがあるほか、熱処理等により基板の伸びを一定の範囲内に制御することは非常に難しいといった問題がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２９７５６１号公報
【特許文献２】特開２００５−４３６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点に鑑みて成されたものであり、使用する基板の材質等に関わらず、転写法により被転写体上に高精度にパターン形成することができる方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明では以下のパターン形成方法等が提供される。
＜１＞  被転写体上に形成すべき層を、所定のパターンで転写可能に支持した仮支持体を含む転写部材を作製する工程と、
前記転写部材の層が、前記被転写体上の所定の位置に転写されるように前記転写部材及び／又は前記被転写体を延伸して位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせした転写部材の層を前記被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【００１１】
＜２＞  前記仮支持体及び／又は前記被転写体の基材として可撓性を有するものを用いることを特徴とする＜１＞に記載のパターン形成方法。
【００１２】
＜３＞  前記仮支持体の線熱膨張係数と前記被転写体の基材の線熱膨張係数との差を２０ｐｐｍ／℃以下とすることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載のパターン形成方法。
【００１３】
＜４＞  被転写体上に形成すべき層を、転写可能に支持した仮支持体を含む転写部材を作製する工程と、
前記転写部材の前記層が設けられた面の反対側から押し当てて、該転写部材の層を前記被転写体上に所定のパターンで転写させるための押圧部材を用意し、前記押圧部材と前記被転写体との間に配置された前記転写部材の層が、前記被転写体上の所定の位置に転写されるように前記押圧部材及び／又は前記被転写体を延伸して位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせした押圧部材を、前記転写部材の前記層が設けられた面の反対側から押し当てて該転写部材の層を前記被転写体上に転写する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【００１４】
＜５＞  前記押圧部材及び／又は前記被転写体の基材として可撓性を有するものを用いることを特徴とする＜４＞に記載のパターン形成方法。
【００１５】
＜６＞  前記押圧部材の線熱膨張係数と前記被転写体の基材の線熱膨張係数との差を２０ｐｐｍ／℃以下とすることを特徴とする＜４＞又は＜５＞に記載のパターン形成方法。
【００１６】
＜７＞  ＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載のパターン形成方法を用いてパターン形成した層を有することを特徴とする電子素子。
【００１７】
＜８＞  ＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載のパターン形成方法を用いてパターン形成した層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、使用する基板の材質等に関わらず、転写により被転写体上に高精度にパターン形成することができる方法等が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照しながら、好適な態様として、本発明に係るパターン形成方法を適用して有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を備えた表示装置を製造する場合について説明する。
【００２０】
［第１の態様］
図１は本発明に係るパターン形成方法の一例（第１の態様）を工程順に示す説明図である。このパターン形成方法は、被転写体１０上に形成すべき層２６を、所定のパターンで転写可能に支持した仮支持体２２を含む転写部材２０を作製する工程と、転写部材２０の層２６が、被転写体１０上の所定の位置に転写されるように転写部材２０及び／又は被転写体１０を延伸して位置合わせを行う工程と、位置合わせした転写部材２０の層２６を被転写体１０上に転写する工程と、を含んでいる。
【００２１】
転写部材２０から被転写体１０に転写させる層２６は、有機ＥＬ素子を構成する層であれば特に限定されないが、カラー表示の有機ＥＬ表示装置とする場合、例えばＲＧＢに対応した発光層をμｍオーダーで塗り分ける必要があり、発光層は、有機ＥＬ層を構成する他の有機薄膜層に比べて極めて高い位置精度が要求される。従って、本発明は、発光層を形成する際に特に好適に適用することができる。なお、被転写体１０上に形成する有機ＥＬ素子は、例えば以下のような層構成を採用することができるが、これらに限定されず、目的等に応じて適宜決めればよい。
【００２２】
・陽極／発光層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極
以下の説明においては基板上に陽極から順次形成していく構成について記載するが、基板上に陰極から逆に形成することも可能である。
【００２３】
＜被転写体＞
被転写体１０は、基材として有機ＥＬ素子を支持する基板１２を含み、転写によって層２６ａが形成されるものである。
【００２４】
−基板−
被転写体１０の基材として、有機ＥＬ素子を支持するための基板１２を用意する（図１（Ａ））。基板１２の材質は、高分子等の有機材料であっても、ガラス、金属等の無機材料であってもよいが、樹脂フィルム等の可撓性基板であれば、位置合わせの際に延伸し易く、好適に使用することができる。樹脂フィルム基板としては、有機ＥＬ素子等を支持することができる強度、光透過性等を有していれば特に限定されず、公知のものを使用することができる。例えば、基板１２側から光を透過させる、いわゆるボトムエミッション型の表示装置とする場合は、発光層から発せられる光をできるだけ散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。そのような基板の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
【００２５】
上記のような有機材料からなる基板１２を用いる場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
また、有機ＥＬ素子は水分や酸素により劣化し易いため、これらの透過率ができるだけ小さい基板１２を用いることが好ましい。具体的には、基板１２の水分透過率は１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。ここでの水分透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法（ＭＯＣＯＮ法（カップ法））で測定した場合の値であり、例えば、４０℃、９０％ＲＨ、測定試料：サイズ透湿面積５０ｃｍ２、測定装置名「ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３１」（ＭＯＣＯＮ社）により測定することができる。
【００２６】
基板１２の酸素透過率は１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。ここでの酸化透過率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法（ＭＯＣＯＮ法）で測定した場合の値であり、例えば、２５℃、０％ＲＨ、測定試料：サイズ透湿面積５０ｃｍ２、測定装置名「ＯＸ−ＴＲＡＮ２／２１ＭＬ」（ＭＯＣＯＮ社）により測定することができる。
【００２７】
樹脂フィルム基板の場合、その片面又は両面に透湿防止層又はガスバリア層を設けることで水分や酸素の透過を抑制することができる。透湿防止層又はガスバリア層の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機材料を好適に用いることができ、例えば、高周波スパッタリング法などにより透湿防止層又はガスバリア層を形成することができる。
また、熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００２８】
基板１２の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、表示装置の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板１２の形状としては、取り扱い性、有機ＥＬ素子の形成容易性等の観点から、板状であることが好ましい。基板１２の構造は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、基板１２は、単一部材で構成されていてもよいし、２つ以上の部材で構成されていてもよい。
【００２９】
基板１２は、無色透明であっても有色透明であってもよいが、有機ＥＬ素子から発せられる光の散乱、減衰等を防止することができる点で無色透明であることが好ましい。
【００３０】
−陽極の形成−
基板１２上には下部電極として陽極１４をストライプ状に形成する。陽極１４は有機ＥＬ層に正孔を供給する電極としての機能を有するものであれば、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、表示装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料から適宜選択することができる。ただし、有機ＥＬ素子の性質上、陽極１４及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましく、通常は、透明な陽極１４が形成される。
【００３１】
陽極１４を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。具体例として、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００３２】
陽極１４を形成する方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式が挙げられる。陽極１４を構成する材料との適性等を考慮して適宜選択した方法に従って基板１２上に陽極１４を形成することができる。例えば、陽極材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って陽極１４を形成することができる。
陽極１４を形成する位置は特に制限はなく、表示装置の用途、目的等に応じて適宜選択することができ、基板１２の一方の表面上の全体に形成されていてもよいし、一部に形成されていてもよい。
【００３３】
陽極１４を形成する際のパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよい。また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等を行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００３４】
陽極１４の厚みは、陽極１４を構成する材料等に応じて適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
また、陽極１４の抵抗値は、有機ＥＬ層に確実に正孔を供給するために、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。
【００３５】
透明な陽極１４とする場合、無色透明であっても有色透明であってもよいが、透明陽極側から発光を取り出すためには、その光透過率は６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載されている事項を本発明でも適用することができる。例えば、耐熱性の低いプラスチック基板を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００３６】
−有機薄膜層の形成−
基板１２上に陽極１４を形成した後、必要に応じ、陽極１４上に、正孔注入層、正孔輸送層等、発光層を形成する前の有機薄膜層を形成する。なお、ＲＧＢが繰り返し並列するように発光層を塗り分ける場合でも、正孔注入層、正孔輸送層等、発光層以外の有機ＥＬ層を構成する層を共通にする場合には、真空蒸着法等によって陽極パターンの全体に形成することができる。
【００３７】
上記のように基板１２上に、陽極１４、正孔注入層等の有機薄膜層等を形成することにより、次に転写によって発光層を形成すべき被転写体１０を得ることができる。
なお、被転写体１０には、例えば、有機ＥＬ素子を形成する側と同じ面に、図２に示すようにパターン形成領域１６の外側で四角を構成する位置あるいはその四角の中心などにアライメントマーク１８を設けておく。このようなアライメントマーク１８を設けることで、仮支持体２２との位置合わせを容易に行うことができる。
【００３８】
＜転写部材＞
転写部材２０は、被転写体１０上に形成すべき層２６を、所定のパターンで転写可能に支持した仮支持体２２を含むものである。
【００３９】
−仮支持体−
発光層に相当する有機薄膜層２６を転写可能に支持する仮支持体（型）２２を用意する（図１（Ａ））。仮支持体２２は、化学的及び熱的に安定であって、被転写体１０上に形成すべき層２６を、所定のパターンで転写可能に支持することができれば、高分子等の有機材料であっても、ガラス、金属等の無機材料であってもよい。なお、可撓性を有する仮支持体２２であれば、位置合わせ工程において延伸し易い点で有利である。具体的には、４フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、３フッ化塩化エチレン樹脂（ＰＣＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）等の樹脂フィルム又はこれらの積層体を好適に使用することができる。仮支持体の厚さは１μｍ〜１ｍｍが適当である。
【００４０】
仮支持体２２の層２６を設ける面には、被転写体１０上に形成すべき発光層２６ａのパターンに応じた凸部２４を形成する。仮支持体２２の凹凸パターンを形成する方法は特に限定されず、例えば、上記のような樹脂フィルムに、エンボスロール、エンボスシート等を用いたエンボス加工（プレス加工）や、フォトリソグラフィーにより、凹凸あるいは隔壁を形成する方法を採用することができる（特開２００３−１９０８７６号公報、特開２００５−１６１５３１号公報、特開２００３−１０３８９５号公報等参照）。
なお、仮支持体２２は凸版に限定されず、凹版、平版、孔版なども採用することができ、パターン形状については、被転写体１０上に形成すべき層２６ａのパターン形状等に応じて決めればよい。
【００４１】
また、仮支持体２２の線熱膨張係数が、被転写体１０の基板１２の線熱膨張係数との差が２０ｐｐｍ／℃以下となるように選択すれば、位置合わせを行う時に仮支持体２２及び／又は基板１２を延ばして調整する量が少なくなり、位置合わせが容易となる。ここでの線熱膨張係数はＡＳＴＭ−Ｄ６９６により規定され、ＴＭＡ法、測定温度−３０℃〜＋３０℃により測定される値である。
【００４２】
なお、仮支持体２２等の線熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）は、材質によっては調整することができる。例えば仮支持体２２及び／又は被転写体１０の基板１２が樹脂フィルム等の有機材料で形成されていれば、加熱処理を施すことにより線熱膨張係数は小さくなる。また、仮支持体２２や基板１２を有機材料で構成する場合に無機材料を混ぜたり、負の線熱膨張係数を有する材料を添加して線熱膨張係数を調整することができる。負の線熱膨張係数を有する材料としては、タングステン酸ジルコニウム（−９μｍ／℃）やシリコン酸化物（−２〜−５μｍ／℃）が知られている。
【００４３】
また、被転写体１０の基板１２と転写部材２０の仮支持体２２における重ね合わせる面の最大表面粗さＲｍａｘが、転写用薄膜層２６の膜厚に対して０〜５０％であることが好ましい。最大表面粗さＲｍａｘは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９８２により規定され、例えば、セイコーインスツルメンツ（株）製、ＳＰＩ３８００Ｎ ＳＰＡ−４００を用いて、２００００ｎｍ×２００００ｎｍの面積を０．０５ｎｍ毎（ピッチ）で格子状にサンプリングしてＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９８２に基づき原子間力顕微鏡法で測定した場合に基づいて測定することができる。
【００４４】
また、転写用薄膜層２６を設ける仮支持体２２の面は、純水に対する接触角が５０°以上であることが好ましい。なお、ここでの純水に対する接触角は、協和界面科学社製の接触角計、型番ＤＲＯＰＭＡＳＰＥＲ３００を用いて、温度２４℃、相対湿度５０％、滴下後１０秒で測定した値である。
【００４５】
なお、仮支持体２２にも、被転写体１０との位置合わせを容易に行うことができるように、層２６を設ける面と同じ側の面に、被転写体１０と同様にアライメントマークを設けておく。
【００４６】
−転写用薄膜層−
仮支持体２２上に、被転写体１０上にパターン形成する発光層に相当する有機薄膜層２６を転写可能に設ける。
仮支持体２２上に層２６を設ける方法は、後に被転写体１０上に転写可能であれば特に限定されないが、被転写体１０上への転写が容易となるように、まず、被転写体１０の凸部２４がパターン形成されている面上に剥離層を設けることが好ましい。剥離層としては、例えばフッ素系高分子材料、シリコーン系高分子材料、脂肪族系高分子材料、ワックス、脂肪酸塩(セッケン)などを好適に使用することができる。
【００４７】
仮支持体２２上に必要に応じて剥離層を設けた後、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、あるいは、印刷法等の湿式法により発光層に相当する有機薄膜層２６を均一な厚さに設ける。例えば、有機薄膜層２６用の材料を有機溶剤に所望の濃度に溶解し、得られた溶液を仮支持体２６のパターン形成面に塗布する。塗布法としては、スピンコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法（例えばマイクログラビアコート法）、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、エクストロージェンコート法、インクジェット塗布法等が挙げられる。
【００４８】
なお、発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
【００４９】
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。
蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【００５０】
燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
【００５１】
錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Coｍprehensive Coordination Cheｍistry, Pergaｍon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photocheｍistry and Photophysics of Coordination Coｍpounds」 Ｓpringer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。
【００５２】
燐光発光材料は、発光層中に０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。
【００５３】
発光層に含有されるホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
ホスト材料の具体例としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものが挙げられる。
【００５４】
仮支持体２２上に設ける有機薄膜層２６の厚さは、後に被転写体１０上に転写されて形成されるべき発光層２６ａに相当する厚さとすればよい。発光層２６ａの厚さは特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
発光層２６ａの上にさらに正孔輸送層、正孔注入層等の層を設けておき、転写工程で同時に被転写体１０上に形成することもできる。また、発光層２６ａの下にさらに電子輸送層、電子注入層等の層を設けておき、転写工程で同時に被転写体１０上に形成することもできる。
【００５５】
＜位置合わせ工程＞
仮支持体２２上に有機薄膜層２６を転写可能に設けて転写部材２０を作製した後、この転写部材２０の層２６が被転写体１０上の所定の位置に転写されるように転写部材２０及び／又は被転写体１０を延伸して位置合わせを行う（図１（Ｂ））。
【００５６】
例えば、転写部材２０と被転写体１０をアライメント装置に設置する。アライメント装置は、例えば、転写部材２０（仮支持体２２）と被転写体１０のそれぞれの周縁部を把持する把持手段等を備え、それぞれのアライメントマークをカメラで観測しながら位置合わせを行い、さらに転写部材２０と被転写体１０の少なくとも一方を延伸してさらに高精度に位置合わせを行うことができる装置が好適である。
【００５７】
図６は、本発明で使用することができるアライメント装置の構成の一例を概略的に示している。この装置６０は、アライメントの際、アライメントマークの位置を測定するＣＣＤカメラ７０、被転写体１０（基板１２＋陽極１４）及び転写部材２０（仮支持体２２＋転写用薄膜層２６）をそれぞれ周縁部を把持して引っ張ることができる把持治具６２，６４、アライメントした被転写体１０と転写部材２０を互いに押し付けて転写を行うための一対の平板（プレス板６６及び台６８）等を備えている。転写時に、被転写体１０及び転写部材２０の少なくとも一方を引っ張る際には、このような把持治具６２，６４で把持して把持治具６２，６４によって外側に向けて引っ張ることが好ましい。把持治具６２，６４による把持方法としては公知の方法を適宜用いることができ、例えば、真空チャック、静電チャック、機械的に挟む、接着する、等の方法を用いることができる。
例えば、図７に示す装置８０のように、真空チャック７２により被転写体１０の片面を保持して延伸可能な構成とすれば、蒸着する側の面を保持する必要がなく、画素形成領域が広い場合に有利に適用することができる。
【００５８】
このような構成のアライメント装置６０，８０を用いれば、カメラによる測定値を基に延びの補正量を計算し、転写部材２０と被転写体１０をそれぞれ固定する箇所を縦横方向に少なくとも１箇所ずつ設けて縦横方向に伸ばして位置を調整することができる。このように位置ズレ量を算出し、仮支持体２２と被転写体１０の少なくともいずれか一方の延ばす量と方向を求めて延伸して位置合わせを行い、位置ズレ量が所定の範囲内となったときに転写部材２０と被転写体１０を重ね合わせて固定すればよい。
【００５９】
被転写体１０と転写部材２０のどちらを延ばしてもよいが、例えば、２００ｍｍ×２００ｍｍの被転写体１０の場合、引っ張り量（延伸量）が５００μｍを超えるとバリア性が低下することがある。従って、被転写体１０の方を延ばす場合には、その引っ張り量は５００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい（２００ｍｍ×２００ｍｍ基板換算）。なお、転写部材２０と被転写体１０をともに延伸して位置を調整するようにすれば、いずれか一方が極端に延伸されることを防ぎ、高精細のパターニングを行うことができる。
【００６０】
また、仮支持体２２と被転写体１０の基板１２のいずれか一方のサイズを他方よりも予め小さく形成しておき、サイズを小さくした方を延伸して位置合わせを行うようにしてもよい。このように位置合わせの際に延伸する方を予め決めておけば、生産性の向上を図ることができる。
【００６１】
＜転写工程＞
上記のように位置合わせを行った後、位置合わせした転写部材２０の層２６を被転写体１０上に転写する。例えば、位置合わせした転写部材２０と被転写体１０とを重ね合わせ（図１（Ｃ））、一対のローラーの間に所定の速度、圧力、温度で通した後、仮支持体２２を被転写体１０から引き剥がす（図１（Ｄ））。これにより、仮支持体２２の凸部２４上の有機薄膜層２６の一部が、被転写体１０と接触して加圧された箇所に転写され、被転写体１０上の所定の位置に所定のパターン形状の有機薄膜層２６ａを高精度に形成することができる。また、一対の平板の間に挟んで所定の圧力、温度をかけてプレスすることもできる。
【００６２】
＜素子化＞
転写後、必要に応じて、例えば電子輸送性有機薄膜層、電子注入層等、他の有機薄膜層を形成する。電子輸送性有機薄膜層、電子注入層等を共通にする場合には被転写体１０の素子を形成する側に真空蒸着法等によって形成することができる。
【００６３】
所定の層構成からなる有機ＥＬ層を形成した後、有機ＥＬ層上に陰極を形成する。
陰極は、通常、有機ＥＬ層に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、表示装置の用途、目的等に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点から、２種以上を好適に併用することができる。
【００６４】
これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点でアルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
なお、陰極の材料については、例えば、特開平２−１５５９５号公報及び特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は本発明においても適用することができる。
【００６５】
陰極の形成方法については特に制限はなく、公知の方法に従って形成することができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って陰極を形成することができる。
【００６６】
陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等によって行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
例えば、パッシブマトリクス型の表示装置を製造する場合には、所定のピッチでライン状の開口部を有するマスク（シャドーマスク）を用い、真空蒸着法にて陽極１４と直交する方向にストライプ状の陰極を形成することができる。
【００６７】
陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極とする場合は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、特にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００６８】
なお、陰極と有機ＥＬ層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を例えば０．１〜５ｎｍの厚みで形成してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と解することもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００６９】
有機ＥＬ層上に陰極を形成することで有機ＥＬ素子が形成されることになる。
さらに陽極１４及び陰極を外部の配線と接続するための引出配線を各電極と接続するように形成する。なお、引出配線は、各電極と同じ材料で電極と同時に形成してもよい。
【００７０】
＜封止＞
次いで、有機ＥＬ素子を大気中の水分や酸素から保護するため、封止部材を設ける。例えば、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ等からなる封止用保護膜を有機ＥＬ素子を覆うように形成したり、キャップ形状の金属製の封止缶を有機ＥＬ素子を覆うように被転写体１０に接着させる。
【００７１】
以上の工程を経て、有機ＥＬ素子を備えた表示装置を得ることができる。上記のように、本発明では、転写部材２０及び／又は被転写体１０を積極的に延伸して位置ズレを補正した上で転写を行う。その都度ごとに組み合わせる転写部材（仮支持体）と被転写体（基板）に合わせて位置を調整することができ、発光層２６ａを所定の位置に高精細にパターン形成することができる。従って、転写前の転写部材２０と被転写体１０にパターンのバラツキがあっても高精度に転写を行うことができ、歩留りも向上させることができる。
【００７２】
［第２の態様］
図３は本発明に係るパターン形成方法の他の例（第２の態様）を工程順に示す説明図である。
このパターン形成方法は、被転写体１０上に形成すべき層３６を、転写可能に支持した仮支持体３２を含む転写部材３０を作製する工程と、転写部材３０の前記層３６が設けられた面の反対側から押し当てて、該転写部材３０の層３６を被転写体１０上に所定のパターンで転写させるための押圧部材４０を用意し、押圧部材４０と被転写体１０との間に配置された転写部材３０の層３６が、被転写体１０上の所定の位置に転写されるように押圧部材４０及び／又は被転写体１０を延伸して位置合わせを行う工程と、位置合わせした押圧部材４０を、転写部材３０の前記層３６が設けられた面の反対側から押し当てて該転写部材３０の層３６を被転写体１０上に転写する工程と、を含んでいる。
【００７３】
＜被転写体＞
被転写体１０については、第１の態様のものと同様であり、平坦な基板１２上に、陽極１４のほか、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層等、発光層を形成する前の有機薄膜層を形成した被転写体１０を用いる。また、基板１２の表面には、アライメントマークを設けておく。
【００７４】
＜転写部材＞
転写部材３０は、被転写体１０上に形成すべき層３６が、仮支持体３２上に転写可能に支持されたものを作製する。ここでは、仮支持体３２の層３６を設ける面は平坦でよく（図３（Ａ））、第１の態様と同様の方法により発光層に相当する有機薄膜層３６を均一な厚さで形成すればよい。また、転写部材３０には特にアライメントマークを設ける必要はない。
【００７５】
＜押圧部材＞
押圧部材４０は、転写部材３０の層３６が設けられた面の反対側から押し当てて、該転写部材３０の層３６を被転写体１０上に所定のパターンで転写させるためのものである。このような押圧部材４０としては、片面に、被転写体１０上に形成する発光層のパターンに応じた凸部４２が形成されたものを用意し、被転写体１０との位置合わせを行うためのアライメントマークを設けておく。押圧部材４０の材質は、高分子等の有機材料であっても、ガラス、金属等の無機材料で形成されていてもよい。プラスチック等の可撓性の押圧部材４０であれば、位置合わせ工程において延伸し易い点で有利である。
【００７６】
また、押圧部材４０の線熱膨張係数についても、被転写体１０の線熱膨張係数との差が２０ｐｐｍ／℃以下となるようにすれば、位置合わせを行う時に、押圧部材４０及び／又は被転写体１０を延ばして調整する量が少なくなり、位置合わせを容易に行うことができる。
【００７７】
＜位置合わせ工程＞
上記のような被転写体１０、転写部材３０、及び押出部材４０を用意した後、押圧部材４０と被転写体１０との間に配置された転写部材３０の層３６が、被転写体１０上の所定の位置に転写されるように押圧部材４０及び／又は被転写体１０を延伸して位置合わせを行う。
【００７８】
例えば、各部材１０，３０，４０をそれぞれ把持する手段、測定用カメラ等を備えたアライメント装置において、押圧部材４０と被転写体１０とを縦横方向に延伸できるようにそれらの周縁部を把持し、押圧部材４０と被転写体１０との間には、転写部材３０の有機薄膜層３６が、被転写体１０の転写される面と対面するように転写部材３０を配置する。そして、測定用カメラにより押圧部材４０と被転写体１０の各アライメントマークの位置を観測し、押圧部材４０と被転写体１０との位置ズレ量を算出して位置合わせを行う。押圧部材４０と被転写体１０の少なくともいずれか一方の延ばす量と方向を求めて延伸し、位置ズレ量が所定の範囲内となったときに押圧部材４０と被転写体１０を固定する（図３（Ｂ））。
転写時に、押圧部材４０及び／又は被転写体１０を引っ張る際には、例えば図６及び図７に示したような把持治具で把持して把持治具を引っ張るのが好ましい。把持治具による把持方法としては公知の方法を適宜用いることができ、例えば、真空チャック、静電チャック、機械的に挟む、接着する、等の方法を用いることができる。
【００７９】
＜転写工程＞
上記のように押圧部材４０と被転写体１０との位置合わせを行った後、図３（Ｃ）に示すように、転写部材３０の有機薄膜層３６を被転写体１０の転写される面に向けて重ね合わせるとともに、位置合わせした押圧部材４０を転写部材３０（仮支持体３２）の有機薄膜層３６が設けられた面の反対側（背面）から押し当てて該仮支持体３２上の層３６を被転写体１０上に転写する。
【００８０】
例えば、被転写体１０と転写部材３０と押圧部材４０とを重ね合わせた状態で一対のローラーの間に所定の速度、圧力、温度で通した後、押圧部材４０を転写部材３０から引き離すとともに、仮支持体３２を被転写体１０から引き剥がす（図３（Ｄ））。これにより、仮支持体３２上の有機薄膜層３６のうち、背面から押し当てられた押圧部材４０の凸部パターン４２に対応し、かつ、被転写体１０と接触して加圧された部分が被転写体１０上に転写され、被転写体１０上の所定の位置に所定のパターン形状の発光層３６ａを高精度に形成することができる。また、一対の平板の間に挟んで所定の圧力、温度をかけてプレスすることもできる。
【００８１】
このように押圧部材４０を用いて転写部材３０の有機薄膜層３６の転写を行えば、位置合わせの際、転写部材３０を延伸させる必要がないため、仮支持体３２上の有機薄膜層３６の割れが発生するおそれがなく、被転写体１０上に高品質の発光層３６ａを確実に形成することができる。
【００８２】
また、例えば押圧部材４０を被転写体１０よりも予め小さく形成しておき、押圧部材４０を延伸して位置合わせを行うようにすれば、被転写体１０も延伸しないで済むため、被転写体１０上に既に形成されている陽極１４や有機薄膜層に割れが入ることも確実に防ぐことができる。
【００８３】
［第３の態様］
本発明で使用する仮支持体は、その凸部パターン上に設けられた有機薄膜層が被転写体と接触して転写することができればよく、例えばパターン形成面が弧を描く形状とすることもできる。例えば、図４に示すように表面に所定のパターンで凸部５４が形成されたローラー型の仮支持体５２を用意し、その表面に発光層に相当する有機薄膜層５６を転写可能に設けた転写部材５０を作製する。
【００８４】
このようにパターン形成面が弧状の仮支持体５２を用いる場合も、転写用の層５６が、被転写体１０上の所定の位置に転写されるように転写部材５０及び／又は被転写体１０を延伸して位置合わせを行う。このとき、転写部材５０を延伸させるよりも被転写体１０を延伸させた方が容易に位置合わせを行うことができ、好ましい。なお、この場合も、例えば２００ｍｍ×２００ｍｍの被転写体１０の引っ張り量が５００μｍを超えるとバリア性が低下することがあるため、被転写体１０の引っ張り量は５００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい（２００ｍｍ×２００ｍｍ基板換算）。
【００８５】
上記のようにパターン形成面が弧を描く仮支持体５２の場合、被転写体１０との接触部分に従って変形することが好ましく、転写時の条件（圧力、温度など）により好ましい弾性率の範囲を求めておくことが好ましい。
また、仮支持体５２は、その表層部を構成する少なくとも一層としてゴム等のクッション性を有する高弾性率層を有していてもよい。
【００８６】
また、例えば、図３に示したように転写部材３０の層３６を押圧部材４０を用いて転写を行う態様においても、押出部材４０としてパターン形成面が弧を描くものを用いてもよい。
【実施例】
【００８７】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
［実施例１〜４］
＜転写部材の作製＞
下記表１に示す各仮支持体（２００ｍｍ×２００ｍｍ）の片面に、パターンエリア１６０ｍｍ×１６０ｍｍで、幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍの凸部（Ｒｍａｘ＝０．５ｎｍ）を設けた。
仮支持体がガラスの場合は、フォトリソグラフィーでエッチング処理を行い、凸部パターンを形成した。
仮支持体が樹脂フィルムの場合は、予めガラスの凹版をフォトリソグラフィーを用いて作製した後、凹版とフィルム仮支持体を重ね合わせて両面を市販のクラフト紙で挟み、耐熱温度−２０℃で３時間、圧力３ＭＰａで維持して樹脂フィルムの片面に凸部パターンを形成した。また、アライメントマークとして、スパッタ法を用いて仮支持体上にクロム層を厚さ５０ｎｍで成膜し、１８０ｍｍ×１８０ｍｍ枠の四隅に設置した。
【００８８】
次に、仮支持体の凸部パターンを有する面を、フッ素系表面防汚コーティング剤を含む溶液（オプツールＤＳＸ、デムナムソルベント０．１ｗｔ％希釈液、ダイキン工業株式会社製）に１分間浸漬した後、該溶液から取出して乾燥させて剥離層を設けた。さらに剥離層上に、燐光発光材であるオルトメタル錯体としてトリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、及び、ホスト材として４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルを真空蒸着法によりそれぞれ０．１ｎｍ／秒、１ｎｍ／秒の速度で共蒸着して、厚さ４０ｎｍの発光性有機薄膜層を形成した。
【００８９】
＜被転写体の作製＞
下記表１に示す各基板（２００ｍｍ×２００ｍｍ）上に、バリア膜としてＣＶＤ法により厚さ３μｍのＳｉＮ層を成膜した。次に、基板を真空チャンバー内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング（基板温度：１００℃）により厚さ１００ｎｍのＩＴＯ薄膜からなる透明電極（陽極）を形成した。その後、フォトリソグラフィー法でエッチング処理を行い、透明電極層（ＩＴＯ膜）を、パターンエリア１６０ｍｍ×１６０ｍｍで、ライン幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍでストライプ状に形成した。更に、アライメントマークを透明電極層（ＩＴＯ膜）で１８０ｍｍ×１８０ｍｍ枠の四隅に設置した。
【００９０】
透明電極（ＩＴＯ）を形成した基板を洗浄容器に入れ、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）により洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を３０分行った。処理した透明電極の表面に、正孔注入層として銅フタロシアニンを真空蒸着法にて、１ｎｍ／秒の速度で１０ｎｍの膜厚で設けた。その上に正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で５０ｎｍの膜厚で設けた。
【００９１】
【表１】
2009026556.tif 000003
【００９２】
＜位置合わせ工程＞
発光性有機薄膜層を設けた仮支持体と、陽極、正孔注入層及び正孔輸送性有機薄膜層を設けた被転写体を作製した後、アライメント装置において仮支持体と被転写体のそれぞれの周縁部を把持し、有機薄膜層同士が重なるように設置した。アライメントマークをＣＣＤカメラで観測することで位置ズレ量を算出し、転写部材及び／又は被転写体の延ばす量を求めた。次いで、算出量に従って転写部材及び／又は被転写体を延ばして位置合わせした状態で仮支持体と被転写体を重ね合わせて固定した。
【００９３】
＜転写工程＞
上記のようにして位置合わせして固定した転写部材と被転写体を、一対の平板の間に挟んで０．９ＭＰａ、９０℃の条件で３０秒間加圧すると同時に加熱した。次に、仮支持体を引き剥がすことにより被転写体の正孔輸送性有機薄膜層上に仮支持体上の発光性有機薄膜層を転写し、ストライプ状の陽極／有機薄膜層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層）を形成した。
【００９４】
＜素子化＞
被転写体上に発光層を転写した後、電子輸送材料としてＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を用いて真空蒸着法にて１ｎｍ／秒の速度で蒸着し、４０ｎｍの電子輸送層を設けた。さらにフッ化リチウムを用いて電子輸送層上に真空蒸着法にて１ｎｍの電子注入層を設けた。
この上に幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍのライン状の開口部を有するマスクを用い、アルミニウムを真空蒸着法にて厚さ１５０ｎｍで成膜して陽極と直交する方向にストライプ状の陰極を設けた。
【００９５】
次いで、封止膜としてＣＶＤ法により厚さ３μｍのＳｉＮ層を成膜して有機電界発光素子を製造した。
【００９６】
［比較例１〜３］
表１に示すような仮支持体及び被転写体を用い、仮支持体も被転写体も延伸せずに位置合わせを行った以外は実施例と同様にして転写等を行って有機電界発光素子を製造した。
【００９７】
［評価］
上記のようにして製造した有機電界発光素子を用い、各電極のリード線を介して電圧を印加して発光させ、発光位置及び発光故障の有無について評価し、その結果を表１に示した。
なお、表１中、「発光位置」については、設計値と比較して５μｍ未満を正常（○）とし、５μｍ〜１０μｍをやや不良（△）、１０μｍ以上を不良（×）とした。また、「発光故障」については、製造直後と、素子を６０℃、湿度９０％で３週間保管した時の発光面積の縮小と画素内に生じる黒点を観察し、故障（黒点や画素の縮退など）が発光部分全体の２割以下の場合を正常（○）、故障が発光部分全体の２割を超える場合を不良（×）とした。
実施例１〜４では、発光位置は正常であり、発光故障についても正常だった。
一方、比較例１〜３では、発光位置のズレや発光故障が見られた。
【００９８】
以上本発明について説明したが、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではない。例えば、転写により被転写体上に形成する有機薄膜層は発光層に限定されず、有機ＥＬ層を構成する他の層や、隔壁を形成する場合にも適用することができる。
【００９９】
また、仮支持体や押圧部材のパターン形状は、凸部に限らず、凹部とすることもできる。
また、本発明は、有機ＥＬ素子の製造に限らず、製造の際、仮支持体上に設けた層を被転写体上に転写させる工程を有する製造方法により製造することができる物品であれば、例えば液晶素子等の他の電子素子のほか、どのような物品の製造にも適用することができる。そして、本発明に係るパターン形成方法を用いて製造した物品であれば、転写により形成された層が高精度に位置合わせされた高品質なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明に係るパターン形成方法の一例（第１の態様）を工程順に示す説明図である。
【図２】位置合わせ用のアライメントマークの一例を示す概略平面図である。
【図３】本発明に係るパターン形成方法の他の例（第２の態様）を工程順に示す説明図である。
【図４】ローラー型の仮支持体を用いて転写を行う場合の一例（第３の態様）を示す概略図である。
【図５】有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略図である。
【図６】転写の際に使用可能なアライメント装置の構成の一例を示す概略図である。
【図７】アライメント装置の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０   被転写体
１２   基板（基材）
１４   陽極
２０   転写部材
２２   仮支持体
２４   凸部パターン
２６   転写用薄膜層
２６ａ 発光層
３０   転写部材
３２   仮支持体
４０   押圧部材
４２   凸部パターン
５０   転写部材
５２   仮支持体
【図１】
2009026556.tif 000004
【図２】
2009026556.tif 000005
【図３】
2009026556.tif 000006
【図４】
2009026556.tif 000007
【図５】
2009026556.tif 000008
【図６】
2009026556.tif 000009
【図７】
2009026556.tif 000010