(57)【要約】【課題】探針の針先の異常を発見することが可能な試験装置及び試験方法を提供すること。【解決手段】基板載置台５と、基板載置台５に載せられたウエハWに試験信号を与える探針８が設けられたプローブカード７と、探針８の画像を得る撮像部４と、試験を行う前と後での探針８の画像の違いから、該探針８の針先が異常かどうかを判定する判定部９とを有する試験装置による。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台と、
前記載置台に載せられた試験対象に試験信号を与える探針が設けられたプローブカードと、
前記探針の画像を得る撮像部と、
試験を行う前と後での前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定する判定部と、
を有することを特徴とする試験装置。
【請求項２】
前記判定部は、前記探針の針先の輪郭又は色彩、若しくは該針先に対する前記撮像部のピント位置のいずれかが、前記試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、前記探針の針先が異常であると判断することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記判定部は、前記試験を複数回行って同一の不良が基準の回数以上連続して発生した場合に限り、前記探針の針先が異常かどうかの判定を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
前記判定部により前記探針の針先が異常であると判定された場合に、該針先を研磨する研磨部を更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の試験装置。
【請求項５】
（ａ）プローブカードに設けられた探針の試験前の画像を撮像部により得るステップと、
（ｂ）前記ステップａの後、前記探針から試験対象に試験信号を与えて前記試験を行うステップと、
（ｃ）前記ステップｂの後、前記探針の試験後の画像を前記撮像部により得るステップと、
（ｄ）試験前と試験後の前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定するステップと、
を有することを特徴とする試験方法。
【請求項６】
前記ステップｄは、前記探針の針先の輪郭又は色彩、若しくは該針先に対する前記撮像部のピント位置のいずれかが、前記試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、前記探針の針先が異常であると判断して行われることを特徴とする請求項５に記載の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試験装置及び試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、個々の半導体装置が所定の電気的特性を示すかどうかを調べるため、ウエハレベルで様々な電気的な試験が行われる。
【０００３】
その試験はICテスタとそれに接続されるプローバと呼ばれる試験装置において行われる。試験に際しては、ICテスタから発生した試験信号が、プローバに取り付けられたプローブカードの探針からシリコンウエハの試験用パッドを経由して半導体チップに与えられ、シリコンウエハに形成された半導体チップ毎に次々と試験が行われていく。
【０００４】
ここで、プローブカードの探針は、ある程度の回数の試験を行うと、何度もパッドと接触するうちにその針先の形状が変形したり、針先に異物が付着したりして、パッドとの間にコンタクト不良が発生することがある。ICテスタ側から見ると、そのコンタクト不良が針先の変形等に起因したものなのか、それとも半導体チップ内の回路の不具合に起因したものなのかを判断することができず、良品チップを不良チップと誤認してしまう。不良と誤認された半導体チップは、それが本当に不良であるかどうかを確認するため、当該装置で調査を行い必要に応じて再試験を行ったり、別の装置の再試験を行ったりする必要がある。
【０００５】
しかしながら、このように再試験を行うと、パッドに探針が何度も当てられてパッド表面が荒れてしまい、後の工程でパッドに接合されるボンディングワイヤがパッドから剥がれ易くなってしまう。また、シリコンウエハに対して電気的な試験を多数回実施しなければならない製品の場合、後半の試験においてコンタクト問題が生じる可能性がある。
【０００６】
このような探針とパッドとのコンタクト不良は、プローバに設けられている研磨部を用いて、変形した探針の針先を研磨してその形状を元の状態に戻すことで回避し得る。
【０００７】
ところが、一般的に使用されているプローバでは、予め決められた回数（例えば１００回）の試験を行った後に定期的に研磨を実施するように設定されているだけで、それよりも少ない試験回数で針先が変形した場合には、やはりコンタクト不良が発生してしまう。
【０００８】
したがって、定期的な研磨の前に、探針の針先の変形を早期に発見する技術が望まれている。
【０００９】
そのような技術として、特許文献１では、探針の針跡を撮像し、その針跡面積から針先状態を確認する方法を開示している。
【００１０】
しかし、針先の形状は磨耗によって本来大きくなるものであり、針先の形状変化が異物の付着によるものなのか磨耗によるものなのかをこの方法では判別できず、異物に起因したコンタクト不良を防止し難いという欠点がある。
【００１１】
また、パッドと探針との間のコンタクト抵抗が異常に高い場合に針先が変形していると推知することも考えられるが、この方法では針先に付着した異物が導電性の場合にはコンタクト抵抗が正常値の範囲に収まるので、異物によるコンタクト不良を発見し難い。
【００１２】
その他に、本発明に関連する技術が特許文献２、３にも開示されている。
【特許文献１】特開平７−３１２３８２号公報
【特許文献２】特開２００５−１７７８９２号公報
【特許文献３】特許第３４１７８０６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、探針の針先の異常を発見することが可能な試験装置及び試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、載置台と、前記載置台に載せられた試験対象に試験信号を与える探針が設けられたプローブカードと、前記探針の画像を得る撮像部と、試験を行う前と後での前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定する判定部とを有する試験装置が提供される。
【００１５】
また、本発明の別の観点によれば、（ａ）プローブカードに設けられた探針の試験前の画像を撮像部により得るステップと、（ｂ）前記ステップａの後、前記探針から試験対象に試験信号を与えて前記試験を行うステップと、（ｃ）前記ステップｂの後、前記探針の試験後の画像を前記撮像部により得るステップと、（ｄ）試験前と試験後の前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定するステップとを有する試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、試験の前と後で探針の画像を取得するので、試験前後の画像の違いから、探針の針先の異常を発見することができる。そして、針先に異常が発見された場合には、針先を研磨することで、ウエハのパッドと針先との間のコンタクト不良を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（１）第１実施形態
図１は、本実施形態に係る試験装置の構成図である。
【００１８】
この試験装置１は、シリコンウエハWに形成された半導体チップごとに電気的な試験を行うものであって、プローバと呼ばれる本体２の内部に撮像部４、基板載置台５、研磨部６、及びプローブカード７を備える。
【００１９】
これらのうち、プローブカード７は、本体２に固定されており、基板載置台５に載せられたシリコンウエハWに試験信号DTを与えるための複数の探針８を有する。その探針８は、例えばタングステンよりなる。
【００２０】
また、撮像部４、基板載置台５、及び研磨部６は、XYステージ３に固定されていて、XYステージ３により水平方向に一緒に移動可能となっている。なお、このように各部４〜６を一緒に移動するのではなく、それらを独立して移動させるような機構を採用してもよい。
【００２１】
XYステージ３の移動量と移動方向は、プローバ制御部（判定部）９から出力されるステージ制御信号DSにより制御される。後述の各試験ステップでは、各部４〜６がプローブカード７の探針８に対向する位置に移動するように、プローバ制御部９がXYステージ３を制御する。
【００２２】
撮像部４は、CCD(Charge Coupled Device)と撮像レンズとにより構成される。撮像レンズは、オートフォーカス機能を有しており、撮像部４が探針８と対向する位置にあるときに、探針８の針先にピントを合わせ、探針８の下からの画像を得る。その画像は、後述の画像データDp1〜Dp3としてプローバ制御部９に入力された後、記憶部１０に格納される。
【００２３】
また、研磨部６は、研磨紙等の研磨部材６ａを備えており、探針８と対向しているときに鉛直方向に上昇し、探針８の針先を研磨する。
【００２４】
試験に際しては、ICテスタ１１から探針８に試験信号DTが与えられる。シリコンウエハWに形成されている試験対象の半導体チップでは、この試験信号DTに基づいて論理演算を行い、演算結果を結果信号DRとしてICテスタ１１に出力する。
【００２５】
ICテスタ１１は、その結果信号DRに基づいて、試験対象の回路が設計通りの論理演算を行っているかどうかを確認し、その回路が形成されているチップが良品であるか不良品であるかの判定を行う。
【００２６】
そして、不良であると判定された場合には、ICテスタ１１からプローバ制御部９に不良信号DFが出力される。
【００２７】
次に、この試験装置１を用いた試験方法について説明する。
【００２８】
図２は、本実施形態に係る試験方法について示すフローチャートである。
【００２９】
最初のステップＳ１では、試験装置１に新品のプローブカード７をセットする。なお、試験装置１に使用経験のあるプローブカード７がセットされている場合は本ステップは省略される。
【００３０】
次いで、ステップＳ２に移り、XYステージ３を制御することにより、探針８に対向する位置に撮像部４を移動させる。そして、ICテスタ１１の制御下において、プローブカード７に設けられた探針８の試験前の画像を撮像部４により取得し、その画像データDp1を記憶部１０に格納する。
【００３１】
ここで、画像を取得すべき探針８の個数は限定されない。ICテスタ１１は、複数の探針８から任意に選んだ一つの代表の画像を取得してもよいし、全ての探針８の画像を取得してもよい。以下では、一つの代表の画像を取得する場合について説明する。
【００３２】
次いで、ステップＳ３に移り、探針８からシリコンウエハWのパッド（不図示）に試験信号DTを与え、電気的な試験を開始する。その試験項目としては、例えば、チップ内の回路が設計通りの論理演算を実行するかどうかについての確認試験がある。その他に、回路内のコンタクト抵抗が許容範囲に収まっているかどうかの確認試験を行うこともある。
【００３３】
そして、一つのチップに対して一通りの試験項目が終了したら、それと同一の試験項目を別のチップに対して行い、良・不良の判定をICテスタ１１がチップごとに行っていく。また、不良と判定した場合には、ICテスタ１１はチップごとに不良信号DFをプローバ制御部９に出力する。
【００３４】
ここで、通常なら不良チップはランダムに発生し、連続して不良チップが発生することは極めて稀である。したがって、不良が連続した場合には、チップ側に不良があるのではなく、変形や異物の付着といった探針８の異常によって試験装置１が不良であると誤認していると疑われる。
【００３５】
そこで、次のステップＳ４では、プローバ制御部９が、不良信号DFの生成回数に基づき、同一の試験項目で同一の不良が基準となる回数（例えば５回）以上連続して発生したかどうかを判断する。
【００３６】
ここで、基準となる不良の発生回数は、前回試験したウエハにおいてチップが原因で発生した真の不良の最高連続発生回数であって、記憶部１０に情報DGとして格納されている。或いは、チップの種類毎に基準となる回数を予め設定し、それを情報DGとして格納してもよい。本ステップでは、プローバ制御部９がその情報DGを参照し、基準となる不良の発生回数以上に連続して不良が発生したかどうかを判断する。
【００３７】
そして、発生した（ＹＥＳ）と判断された場合には、ステップＳ５に移り、探針８の試験後の画像を撮像部４により取得し、その画像データDp2を記憶部１０に格納する。
【００３８】
次いで、ステップＳ６に移り、試験前と試験後のそれぞれの画像データDp1、Dp2をプローバ制御部９が参照し、試験前と試験後の探針８の画像の違いから、該探針８の針先に異常がないかどうかを判定する。
【００３９】
この判定は、探針８の針先の輪郭又は色彩が、ステップＳ３の試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、探針８の針先が異常であるとプローバ制御部９が判断して行われる。
【００４０】
図３（ａ）、（ｂ）は、輪郭でこの判断をする場合の説明図である。
【００４１】
同図では、ステップＳ２で取得した試験前の探針８の針先の画像の輪郭を点線Pで示し、ステップＳ５で取得した試験後の輪郭を実線Qで示している。なお、いずれの輪郭も、探針８を下側から見た場合のものである。
【００４２】
探針８の針先は、試験のたびにシリコンウエハWのパッドに当たり、その形状が次第に変形していく。そのため、試験前では円形であったものが、試験後では変形して図３（ａ）、（ｂ）のようにいびつな形状となる。なお、図３（ａ）は針先が太くなった場合を例示し、図３（ｂ）は針先に異物が付着した場合を例示している。
【００４３】
このように探針８が変形すると、シリコンウエハWのパッドと探針８とのコンタクト抵抗が上昇する等して、本来は良品チップであるものを不良と誤認するおそれがある。
【００４４】
このような誤認は、探針８の変形が過度となった場合に起きる。
【００４５】
そこで、本実施形態では、試験前の輪郭Pの中心Cと試験後の輪郭Qとの間の最大間隔Lが所定値以上となった場合に、試験結果を誤認する程度に探針８が変形していると判断する。
【００４６】
また、大気中のパーティクルやパッドの削りカス等の異物が探針８に付着している場合でも、その異物によって針先の輪郭が試験前よりも変形しているように見えるため、上記と同様に長さLが所定値以上のときに異物が付着していると判断できる。
【００４７】
一方、探針８の針先の色彩を用いる場合は、試験後の探針８の針先の画像のうち、試験前と色彩が変化した部分が針先全体に占める割合が所定値以上のときに、試験結果を誤認する程度に探針８が変形していると判断する。例えば、試験前に探針８の針先の全ての部分で銀色であったものが、そのうちの３０％以上が試験後に黒色に変色している場合、探針８が過度に変形していると判断する。
【００４８】
そして、針先に異物が付着しているときも、異物によって探針８が変色しているように見えるので、色彩が変化した部分が針先全体に占める割合が所定値以上のときに異物が付着していると判断できる。
【００４９】
また、輪郭や色彩に代えて、探針８の針先に対する撮像部４のピント位置でこの判断を行ってもよい。
【００５０】
試験結果の誤認は、パッドと何度も接触したことによって探針８の針先の長さが短くなっている場合にも発生し得る。撮像部４はオートフォーカス機能により針先にピントが合うように設定されているので、このように針先が短くなると、試験前後において撮像部４のピント位置がずれることになる。
【００５１】
また、試験中に針先に異物が付着した場合でも、その異物によって撮像部４のピント位置がずれる。
【００５２】
したがって、試験の前後において、撮像部４のピント位置が所定量以上ずれている場合には、探針８の針先の長さが相当程度短くなっているか、或いは針先に異物が付着していると判断できる。
【００５３】
このような判断の結果、探針８の針先に異常がない（ＹＥＳ）とされた場合には、所定回数連続して発生した不良はチップが原因で発生した真の不良であると考えられ、探針８に原因があるものではないと考えられる。そのため、ステップＳ７に移り、シリコンウエハWの次の半導体チップに対する試験を続行する。
【００５４】
一方、この判断で探針８の針先に異常はある（ＮＯ）とされた場合には、ステップＳ９に移り、探針８の針先を研磨してその形状を正常な形に戻す。
【００５５】
その研磨は、XYステージ３により研磨部６を探針８に対向する位置に移動した後、研磨部６を鉛直方向に上昇させ、研磨部材６ａで探針８の針先を擦ることで行われる。
【００５６】
そして、この研磨を終了した後は再び上記のステップＳ６を行い、探針８の異常が解消されるまでステップＳ６とステップＳ９とを繰り返し、最終的には既述のステップＳ７に移る。
【００５７】
ステップＳ７の後は、ステップＳ８に移り、所定の試験回数（例えば１００回）の試験を行った後に研磨部６で定期的に実施される通常の研磨を探針８に対して行う。
【００５８】
そして、一枚のシリコンウエハW内の全チップの試験が終了した後、ステップＳ１０に移り、上記した所定の試験回数のうち、チップが原因の真の不良が最高で何個連続して発生したかの情報DGを「良好パターン」として記憶部１０に格納する。
【００５９】
その情報DGに含まれる真の不良の最高連続発生回数は、次回以降の新たなウエハに対する試験においてステップＳ４で参照するようにも設定することができ、その回数以上に不良が連続して発生した場合に、探針８に異常があると判断する判断基準とすることもできる。
【００６０】
以上により、本実施形態に係る試験方法の主要ステップが終了する。
【００６１】
上記した本実施形態によれば、ステップＳ６において説明したように、試験前と試験後の探針８の画像の違いから、該探針８の針先が異常かどうかを判定する。
【００６２】
これにより異常と判定された場合には、探針８とシリコンウエハWのパッドとの間にコンタクト不良が発生するおそれがあると推定されるので、ステップＳ９で探針８を研磨することでコンタクト不良を解消することができる。
【００６３】
また、このようにコンタクト不良が解消されることで、試験装置１側で良品チップを不良と誤認する危険性が低減される。これにより、不良と判定されたチップが本当に不良であるかどうかを確かめるための再試験をする必要がなくなるため、試験工程のスループットが向上する。
【００６４】
このように再試験が不要となることから、ウエハのパッドと探針との接触回数が減り、パッドの表面荒れが防止される。そのため、試験用のパッドがボンディングパッドを兼ねている場合には、表面荒れに起因したパッドとボンディングワイヤとの接合強度の低下を防止できる。
【００６５】
更に、ステップＳ４において同一の試験項目で同一の不良が基準の回数以上連続して発生した場合にのみ探針８の画像を確認するので、試験毎に確認する場合よりも効率的に試験を行うことができる。
【００６６】
しかも、本実施形態のように画像から判定することで、探針８の針先に異物がある場合でも探針８が異常であると判定することができるので、特許文献１のように針跡から判定する場合と比較して、異物による針先の異常を発見し易くなる。
【００６７】
ところで、上記では複数の探針８のうちの一つの代表の画像を取得したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、複数の探針８に番号を付し、ステップＳ３の電気的な試験の際にコンタクト不良が発生した探針８の番号をICテスタ１１から出力される不良信号DFに含ませるようにしてもよい。そして、ステップＳ５において、その不良信号DFに基づいて、プローバ制御部９の制御下でコンタクト不良が発生した探針８の画像を取得し、試験前後の当該画像の違いから、探針８の針先に異常がないかどうかを判定してもよい。この場合、ステップＳ９では、コンタクト不良が発生した探針８に対して選択的に研磨を行い、当該探針８の先端異常が確実に解消されるようにする。
【００６８】
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態に係る試験方法について説明する。この試験方法は、図１で説明した試験装置１を用いて以下のようにして行われる。
【００６９】
図４は、本実施形態に係る試験方法について示すフローチャートである。
【００７０】
最初のステップＳ２０では、探針８を備えたプローブカード７が試験装置１に新しくセットされたものであるかどうかを判断する。
【００７１】
そして、新しい（ＹＥＳ）と判断された場合には、ステップＳ２１に移り、探針８の試験前の画像を撮像部４により取得し、その試験前の画像データDp1を記憶部１０に格納する。
【００７２】
一方、新しくない（ＮＯ）と判断された場合には、ステップＳ３１に移る。
【００７３】
そのステップＳ３１では、前回（一枚前）のウエハと同種類のチップが形成された別のウエハを継続して試験する場合に、前回のウエハの試験後に取得した探針８の画像データDp2を、今回の試験前の画像データDp1としてプローバ制御部９が読み込む。
【００７４】
これに対し、前回のウエハにおけるのと異種のチップが形成されたウエハを試験する場合には、ステップＳ２１と同様に、探針８の試験前の画像データDp1を取得する。これは、異種のチップを試験するときは、プローブカード７がセットする前にメンテナンスされている場合が多く、前回の画像データDp2が現在の探針８の状態を反映していない可能性があるからである。
【００７５】
これらステップＳ２１、Ｓ３１を終了した後は、ステップＳ２２に移り、基板載置台５の上に置かれているシリコンウエハWに対する電気的な試験を開始する。その試験は、シリコンウエハWの半導体チップ毎に行われ、探針８からシリコンウエハWのパッドに試験信号DTを与えることにより行われる。
【００７６】
次いで、ステップＳ２３に移り、シリコンウエハWのチップに対して一回の試験を終了する度に、探針８の試験後の画像を撮像部４により取得し、その画像データDp2を記憶部１０に格納する。
【００７７】
続いて、ステップＳ２４に移り、試験前と試験後のそれぞれの画像データDp1、Dp2をプローバ制御部９が参照し、試験前と試験後の探針８の画像の違いから、該探針８の針先に異常がないかどうかを判定する。
【００７８】
なお、探針８が新しいものではない場合は、ステップＳ３１で読み込まれた前回の探針８の画像を基にしてこの判定が行われることになる。一方、探針８が新しい場合は、ステップＳ２１で記憶部１０に新たに格納された画像データDp1を基にしてこの判定が行われる。
【００７９】
この判定は、第１実施形態と同様に、探針８の針先の輪郭又は色彩、若しくは該針先に対する撮像部４のピント位置のいずれかが、ステップＳ２２の試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、探針８の針先が異常であると判断して行われる。
【００８０】
そして、異常なし（ＹＥＳ）と判定された場合には、ステップＳ２５に移り、シリコンウエハWの全半導体チップに対して試験が終了したかどうかを判定する。
【００８１】
このステップＳ２５において終了していない（ＮＯ）と判定された場合には既述のステップＳ２２からもう一度やり直す。
【００８２】
また、ステップＳ２５で全チップに対する試験が終了した（ＹＥＳ）と判定された場合には、ステップＳ２６に移り、全チップ終了後の探針８の画像を撮像部４により取得する。そして、これにより得られた画像データに、ステップＳ２３で記憶部に格納した画像データDp2を置き換える。
【００８３】
このようにして置き換えられた画像データDp2は、同じ種類のチップが形成されたウエハを継続して試験する場合、次のウエハに対する試験において、既述のステップＳ３１でプローバ制御部９が読み込むことになる。
【００８４】
一方、既述のステップＳ２４において探針８の針先に異常がある（ＮＯ）と判定された場合には、ステップＳ２４からステップＳ２７に移り、研磨部６の研磨部材６ａにより探針８の針先を研磨してその形状を正常な形に戻す。
【００８５】
次いで、ステップＳ２８に移り、研磨後の探針８の画像を撮像部４により取得し、その画像データDp3を記憶部１０に格納する。
【００８６】
その後、ステップＳ２９に移り、プローバ制御部９が研磨後の画像データDp3と研磨前の画像データDp1とを比較し、探針８の針先の異常が解消されたかどうかを判定する。
【００８７】
そして、解消された（ＹＥＳ）と判定された場合には、既述のステップＳ２２からもう一度やり直す。
【００８８】
これに対し、解消されない（ＮＯ）と判定された場合には、ステップＳ２７の研磨をやり直す。そして、この研磨を複数回行っても針先の異常が解消されない場合には、ステップＳ３０において、プローバ制御部９が探針８を使用不可であると判定し、オペレータにアラームを上げる。
【００８９】
以上により、本実施形態に係る試験方法の主要ステップを終了する。
【００９０】
上記した本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、ステップＳ２４において試験の前後における探針８の画像の違いから針先の異常を判定するので、異常があると判定された場合にステップＳ２７において探針８を研磨することにより、シリコンウエハWのパッドと探針８とのコンタクト不良を防止できる。
【００９１】
更に、ステップＳ２４では、一回の試験を終了する度に針先の異常がないかどうかの判定を行うので、針先の監視をリアルタイムに実行することができ、針先に異常があった場合にはすぐさま研磨を行うことで、探針８とパッドとのコンタクト不良を未然に防ぐことができる。
【００９２】
しかも、研磨を複数回行っても探針８の針先の異常が解消されない場合には、ステップＳ３０において探針８が使用不可であると判定することで、オペレータに探針８の交換を促すことができる。
【００９３】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【００９４】
（付記１）  載置台と、
前記載置台に載せられた試験対象に試験信号を与える探針が設けられたプローブカードと、
前記探針の画像を得る撮像部と、
試験を行う前と後での前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定する判定部と、
を有することを特徴とする試験装置。
【００９５】
（付記２）  前記判定部は、前記探針の針先の輪郭又は色彩、若しくは該針先に対する前記撮像部のピント位置のいずれかが、前記試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、前記探針の針先が異常であると判断することを特徴とする付記１に記載の試験装置。
【００９６】
（付記３）  前記判定部は、前記試験を複数回行って同一の不良が基準の回数以上連続して発生した場合に限り、前記探針の針先が異常かどうかの判定を行うことを特徴とする付記１又は付記２に記載の試験装置。
【００９７】
（付記４）  前記判定部は、試験を終了する度に前記探針の針先が異常かどうかの判定を行うことを特徴とする付記１又は付記２に記載の試験装置。
【００９８】
（付記５）  前記判定部により前記探針の針先が異常であると判定された場合に、該針先を研磨する研磨部を更に有することを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の試験装置。
【００９９】
（付記６）  前記判定部は、前記試験を行う前と、前記研磨部で研磨した後との前記探針の画像の違いから、前記探針の前記異常が解消されたかどうかを判定することを特徴とする付記５に記載の試験装置。
【０１００】
（付記７）  前記判定部は、前記研磨部で前記探針の針先を複数回研磨しても前記異常が解消されないと判定した場合に、前記探針が使用不可であると判定することを特徴とする付記６に記載の試験装置
（付記８）  前記探針が複数設けられ、
前記判定部は、前記複数の探針から選ばれた一つの代表の探針、又は全ての該探針の前記画像の違いから、前記探針の針先が異常かどうかの前記判定を行うことを特徴とする付記１に記載の試験装置。
【０１０１】
（付記９）  前記試験対象は、半導体ウエハに形成された半導体チップであることを特徴とする付記１〜８のいずれかに記載の試験装置。
【０１０２】
（付記１０）  （ａ）プローブカードに設けられた探針の試験前の画像を撮像部により得るステップと、
（ｂ）前記ステップａの後、前記探針から試験対象に試験信号を与えて前記試験を行うステップと、
（ｃ）前記ステップｂの後、前記探針の試験後の画像を前記撮像部により得るステップと、
（ｄ）試験前と試験後の前記探針の前記画像の違いから、該探針の針先が異常かどうかを判定するステップと、
を有することを特徴とする試験方法。
【０１０３】
（付記１１）  前記ステップｄは、前記探針の針先の輪郭又は色彩、若しくは該針先に対する前記撮像部のピント位置のいずれかが、前記試験を行う前と後とで所定量以上相違する場合に、前記探針の針先が異常であると判断して行われることを特徴とする付記１０に記載の試験方法。
【０１０４】
（付記１２）  前記ステップｄは、前記試験を複数回行って同一の不良が基準の回数以上連続して発生した場合に限り行われることを特徴とする付記１０又は付記１１に記載の試験方法。
【０１０５】
（付記１３）  前記ステップｄは、前記試験を終了する度に行われることを特徴とする付記１０又は付記１１に記載の試験方法。
【０１０６】
（付記１４）  前記探針が複数設けられており、
前記ステップｄは、前記複数の探針から選ばれた一つの代表の探針、又は全ての該探針の前記画像の違いから、前記探針の針先が異常かどうかの前記判定を行うことを特徴とする付記１０〜１３のいずれかに記載の試験方法。
【０１０７】
（付記１５）  （ｅ）前記ステップｄにおいて前記探針の針先が異常であると判定された場合に、該針先を研磨するステップを更に有することを特徴とする付記１０〜１４のいずれかに記載の試験方法。
【０１０８】
（付記１６）  （ｆ）前記試験を行う前と、前記研磨をした後との前記探針の画像の違いから、前記探針の前記異常が解消されたかどうかを判定するステップを更に有することを特徴とする付記１０〜１５のいずれかに記載の試験方法。
【０１０９】
（付記１７）  （ｇ）  前記ステップｆにおいて前記探針の針先を複数回研磨しても前記異常が解消されないと判定した場合に、前記探針が使用不可であると判定するステップを更に有することを特徴とする付記１６に記載の試験方法。
【０１１０】
（付記１８）  前記ステップｂにおいて、前記試験対象として半導体ウエハに形成された半導体チップを用いることを特徴とする付記１０〜１７のいずれかに記載の試験方法。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る試験装置の構成図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る試験方法のフローチャートである。
【図３】図３は、針先の輪郭から該針先の異常を判断する場合の説明図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態に係る試験方法のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１２】
１…試験装置、２…本体、３…XYステージ、４…撮像部、５…基板載置台、６…研磨部、６ａ…研磨部材、７…プローブカード、８…探針、９…プローバ制御部、１０…記憶部、１１…ICテスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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