(57)【要約】【課題】半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を抑制することが出来る表面保護テープ用多層基体フィルムを提供する【解決手段】半導体ウェハの裏面研削時に用いる、半導体ウェハの回路形成面を保護する表面保護テープ用の基材フィルムであって、密度が０．９１０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３であるポリエチレン系樹脂を含む層を中間層（Ｂ）とし、エチレン−酢酸ビニル共重合体を含む層を表面層（Ａ）及び裏面層（Ｃ）とする表面保護テープ用多層基体フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの裏面研削時に用いる、半導体ウェハの回路形成面を保護する表面保護テープ用の基材フィルムであって、密度が０．９１０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３であるポリエチレン系樹脂を含む層を中間層（Ｂ）とし、エチレン−酢酸ビニル共重合体を含む層を表面層（Ａ）及び裏面層（Ｃ）とする表面保護テープ用多層基体フィルム。
【請求項２】
前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が５〜２０重量％であることを特徴とする請求項１記載の表面保護テープ用多層基体フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、バックグラインドという）工程で使用される表面保護テープのベースとなる多層基体フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する場合には、半導体ウェハの表面にイオン注入、エッチング等で回路を形成した後、ウェハを所定の厚さにするためにウェハの回路形成面とは反対面をグラインダー等で研削するバックグラインド工程を経るのが一般的である。
【０００３】
この半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を防止したり、研削加工を容易にするため、半導体ウェハの回路形成面（表面）に粘着剤層を有する裏面研削用表面保護テープを貼着して保護する方法がとられている。
【０００４】
近年、ＩＣカードや各種携帯端末用等バックグラインド後の厚みが薄いものが求められている。従来半導体ウェハの厚みが３００μｍ程度であったものが、最近では１００μｍあるいはそれよりも薄くなってきている。半導体ウェハの薄肉化は、半導体ウェハの強度が低下すると共に、バックグラインド中に半導体ウェハが破損したりする問題を抱えていた。
【０００５】
このような状況の中、半導体ウェハのバックグラインド時に使用される表面保護テープについて、様々な提案がなされている。
【特許文献１】特開平１１−３４５７９０号公報
【特許文献２】特開２０００−８０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みなされたものであって、半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を抑制することが出来る表面保護テープ用多層基体フィルムを提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、密度が０．９１０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３であるポリエチレン系樹脂を含む層を中間層（Ｂ）とし、エチレン−酢酸ビニル共重合体を含む層を表面層（Ａ）及び裏面層（Ｃ）とする表面保護テープ用多層基体フィルムを提供する。
【０００８】
また、本発明は、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が８〜１２重量％である前記表面保護テープ用多層基体フィルムを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の表面保護テープ用多層基体フィルムは柔軟性に優れるため、バックグラインド工程中に半導体ウェハが破損することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の表面保護テープ用多層基体フィルムは、密度が０．９１０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３であるポリエチレン系樹脂を含む層を中間層（Ｂ）とし、エチレン−酢酸ビニル共重合体を含む層を表面層（Ａ）及び裏面層（Ｃ）とする。
【００１１】
また、本発明の表面保護テープ用多層基体フィルムは、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が５〜２０重量％である。
【００１２】
以下、詳細に説明する。
【００１３】
本発明で用いられるポリエチレン系樹脂は、エチレンの単独重合体として、高圧法すなわち１０００気圧以上の高圧下ラジカル重合法で製造され、エチル基などの短鎖分岐のほか長鎖分岐を含み、密度の低い分岐状低密度ポリエチレンが例示できる。
【００１４】
分岐状低密度ポリエチレンの密度としては、０．９１０〜０．９２０ｇ／ｃｍ３の範囲が好ましい。密度が０．９１０ｇ／ｃｍ３より低いと低分子量分が増えて、押出成形時の熱劣化によりフィッシュアイが発生しやすくなる。一方、密度が０．９２０ｇ／ｃｍ３より高くなると、柔軟性が悪くなりクッション性がなくなるため、バックグラインド時にウェハが破損する場合がある。ＭＦＲ（温度１９０℃、荷重２１．２Ｎ）は０．８〜３０ｇ／１０分、好ましくは２〜１０ｇ／１０分の範囲である。
【００１５】
本発明で用いられるエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、酢酸ビニルの含有量が５〜２０重量％、好ましくは８〜１８重量％である。酢酸ビニル含有量がかかる範囲であると、柔軟性と良好な製膜性（厚薄精度）となり好ましい。エチレン−酢酸ビニル共重合体の密度としては０．９２３〜０．９４１ｇ／ｃｍ３、好ましくは０．９２５〜０．９３６ｇ／ｃｍ３であり、ＭＦＲ（温度１９０℃、荷重２１．２Ｎ）は１〜３０ｇ／１０分、好ましくは３〜１５ｇ／１０分の範囲にあることが好ましい。
【００１６】
本発明の表面保護テープ用多層基体フィルムは、前記ポリエチレン系樹脂が中間層（Ｂ）を構成し、前記エチレン−酢酸ビニル共重合体が表面層（Ａ）及び裏面層（Ｃ）を構成し、Ａ／Ｂ／Ｃの順に積層された３層の多層フィルムからなる。
【００１７】
本発明の表面保護テープ用基体フィルムの層（Ａ）及び層（Ｃ）には、本発明の効果を損なわない範囲で、酸化防止剤、帯電防止剤、アンチブロッキング剤などの添加剤を添加してもよい。
【００１８】
本発明における表面保護テープ用多層基体フィルムの総厚みは、５０〜３００μｍであり、好ましくは６０〜２５０μｍ、より好ましくは８０〜２００μｍである。
【００１９】
各層の厚さは以下のとおりである。
【００２０】
本発明における表面保護テープ用多層基体フィルムの総厚みに対し、総厚みを１００とした場合、表面層（Ａ）の厚みの割合は、１０〜４０％、好ましくは２０〜４０％であり、中間層（Ｂ）の厚みの割合は、２０〜８０％、好ましくは２０〜６０％であり、裏面層（Ｃ）の厚みの割合は、１０〜４０％、好ましくは２０〜４０％である。各層の厚みがこのような割合であると、良好な層間厚み精度となり好ましい。
【００２１】
表面保護テープ用多層基体フィルムの厚みの具体例としては、表面保護テープ用多層基体フィルムの総厚みが８０〜２００μｍである場合、表面層（Ａ）の厚みは、８〜８０μｍ、好ましくは１６〜８０μｍである。中間層（Ｂ）の厚みは、１６〜１６０μｍ、好ましくは３２〜１２０μｍである。裏面層（Ｃ）の厚みは、８〜８０μｍ、好ましくは１６〜８０μｍである。
【００２２】
３層構成の表面保護テープ用多層基体フィルムは、上記の表面層（Ａ）裏面層（Ｃ）及び中間層（Ｂ）を構成する樹脂を多層共押出成形して製造する。具体的には、エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる樹脂組成物を層（Ａ）用樹脂及び層（Ｃ）用樹脂、ポリエチレン系樹脂からなる樹脂組成物を層（Ｂ）用樹脂とし、層（Ａ）／層（Ｂ）／層（Ｃ）の順で多層共押出成形することにより製造される。
【００２３】
上記した層（Ａ）用樹脂、層（Ｂ）用樹脂及び層（Ｃ）用樹脂をそれぞれこの順でバレル温度１６０〜２１０℃のスクリュー式押出機に供給し、ダイス温度１８０〜２３０℃で多層Ｔダイからフィルム状に押出し、これを１０〜７０℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。
【００２４】
なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、表面保護テープ用多層基体フィルムの柔軟性を有効に確保するためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、ダイシングフィルムの拡張に悪影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。
【実施例】
【００２５】
以下に、本発明を、実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００２６】
（実施例１）
分岐状低密度ポリエチレン（宇部丸善株式会社製  Ｌ７１９：密度０．９１９ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝５ｇ／１０分）を層（Ｂ）用樹脂とし、エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー株式会社製  ４Ａ５４Ａ（密度０．９２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝１０ｇ／１０分、酢酸ビニル含量１０重量％）を層（Ａ）及び層（Ｃ）用樹脂となるよう、それぞれの押出機に投入し、３層（Ａ／Ｂ／Ｃ）構成で各層の厚みが３２μｍ／５６μｍ／３２μｍとなるようにし、２３０℃のＴダイスから板状に押出し、表面温度が３０℃の引き取りロールにより冷却固化させ引き取った後、巻き取り機で巻き取って総厚１２０μｍのフィルムを得た。
得られたフィルムから採取した試料を用いて、裏面研削評価を行った。結果は表１に示した。
【００２７】
（実施例２）
層（Ａ）及び層（Ｃ）用樹脂として、エチレン−酢酸ビニル共重合体（東ソー株式会社製  ０６Ａ５１Ａ（密度０．９３５ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝８ｇ／１０分、酢酸ビニル含量１５重量％）を用いた以外は実施例１と同様にしてフィルムを得た。
得られたフィルムから採取した試料を用いて、裏面研削評価を行った。結果は表１に示した。
【００２８】
（比較例１）
分岐状低密度ポリエチレン（宇部丸善株式会社製  Ｆ５２２Ｎ：密度０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝５ｇ／１０分）を層（Ｂ）用樹脂とした以外は実施例１と同様にしてフィルムを得た。
得られたフィルムから採取した試料を用いて、裏面研削評価を行った。結果は表１に示した。
【００２９】
（比較例２）
分岐状低密度ポリエチレン（宇部丸善株式会社製  Ｆ５２２Ｎ：密度０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝５ｇ／１０分）を層（Ｂ）用樹脂とし、エチレンーメタクリル酸メチル共重合体（住友化学株式会社製  ＷＤ２０３−１（密度０．９２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝２ｇ／１０分、メタクリル酸メチル含量５重量％）を層（Ａ）及び層（Ｃ）用樹脂となるよう、それぞれの押出機に投入し、３層（Ａ／Ｂ／Ｃ）構成で各層の厚みが３２μｍ／５６μｍ／３２μｍとなるようにした以外は実施例１と同様と同様にしてフィルムを得た。
得られたフィルムから採取した試料を用いて、裏面研削評価を行った。結果は表１に示した。
【００３０】
（比較例３）
分岐状低密度ポリエチレン（宇部丸善株式会社製  Ｆ５２２Ｎ：密度０．９２２ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝５ｇ／１０分）を層（Ｂ）用樹脂とし、分岐状低密度ポリエチレン（宇部丸善株式会社製  Ｚ３７２：密度０．９３４ｇ／ｃｍ３、ＭＦＲ＝５ｇ／１０分）を層（Ａ）及び層（Ｃ）用樹脂となるように、それぞれの押出機に投入し、３層（Ａ／Ｂ／Ｃ）構成で各層の厚みが３２μｍ／５６μｍ／３２μｍとなるようにした以外は実施例１と同様と同様にしてフィルムを得た。
得られたフィルムから採取した試料を用いて、裏面研削評価を行った。結果は表１に示した。
【００３１】
裏面研削評価
実施例および比較例で得られたフィルムに粘着剤を塗布し、粘着テープとした後、シリコンミラーウェハ（直径８インチ、厚み７００μｍ）の表面に、ヒューグルエレクトロニクス社製テープ貼付装置（Model3250）を使用し貼り付けた。次いでディスコ社製グラインド装置（DFG−810）にて、厚みが１００μｍになるまで研削し、ウェハの破損やクラックの有無を確認した。目視にて破損やクラックが確認できない場合を「○」、確認できる場合を「×」とした。結果は表１に示した。
【００３２】
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