(57)【要約】【課題】色画素と白画素とのサイズを同一としたまま色信号と輝度信号とのバランスを図ることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数個の受光素子ＰＤを半導体基板３内に２次元マトリクス状に配列する。市松状の位置に配列された各受光素子ＰＤの入射側に、Ｒ，Ｇ，Ｂの３種類のカラーフィルタ１９ａ〜１９ｃのうちいずれかを配置し、各カラーフィルタ上に第１のマイクロレンズ２０ａを配置することにより色画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）を構成する。残りの市松状の位置に配列された各受光素子の入射側に、カラーフィルタを介さずに、第１のマイクロレンズ２０ａより頂点位置が低い第２のマイクロレンズ２０ｂを配置することにより白画素（Ｗ画素）を構成する。これにより、第１のマイクロレンズは、入射角度範囲が広がり、斜め入射光の集光効率が向上する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数個の受光素子が半導体基板内に２次元マトリクス状に配列されてなる固体撮像装置において、
所定の位置に配列された各受光素子の入射側に、複数種類のカラーフィルタのうちいずれかが配置され、各カラーフィルタの入射側に第１のマイクロレンズが配置されてなる複数の色画素と、
少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に、カラーフィルタを介さず、前記第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズが配置されてなる複数の白画素と、
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記色画素は、市松状の位置に配列されており、前記白画素は、残りの市松状の位置に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記半導体基板上には、カラーフィルタを配置するために表面が平坦化された平坦化層が設けられており、前記第２のマイクロレンズは、前記平坦化層の表面上に直接形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記色画素は、赤色の光を抽出する赤フィルタを備えた赤画素と、緑色の光を抽出する緑フィルタを備えた緑画素と、青色の光を抽出する青フィルタを備えた青画素とからなることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記各受光素子の列ごとに設けられ、前記各受光素子から信号電荷を読み出し垂直転送を行う複数の垂直ＣＣＤと、前記各垂直ＣＣＤから信号電荷を受け取り、水平転送を行う水平ＣＣＤと、前記水平ＣＣＤから信号電荷を受け取り、信号電荷を電圧信号に変換して出力する出力アンプとを備えたことを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単板カラー撮像方式の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ等の電子式カメラには、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の固体撮像装置が用いられている。この固体撮像装置としては、受光素子とカラーフィルタとを一対として画素（ピクセル）を構成し、この画素を２次元配置した単板カラー撮像方式のものが一般的である。受光素子は、光の色に依らず明るさのみを検出するものであるため、特定の色を抽出するカラーフィルタを受光素子の入射側に配置することにより、画素ごとに特定の色の光を検出している。
【０００３】
被写体像をカラー画像として再現するために、通常、光の３原色である赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の光を抽出する３種類のカラーフィルタが用いられ、３種類の色画素（カラーフィルタの抽出する色に対応して、Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素と呼ぶ）が構成されている。このカラーフィルタの色配列としては、正方格子配列において、「Ｇ」を市松状に配置し、残りの位置に「Ｒ」と「Ｂ」とを均等に割り振って配置したベイヤー配列が知られており、このベイヤー配列は広く用いられている。このベイヤー配列を用いた固体撮像装置では、各画素位置において、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色の光量が検出されるため、各画素位置の色情報及び輝度情報は、隣接する周囲の色画素の画素値から推定演算することにより求められる。
【０００４】
ベイヤー配列では、Ｇ画素がＲ画素及びＢ画素に比べて２倍の数だけ存在する。このため、被写体が緑色である場合には、Ｇ画素によって殆どの輝度情報が得られるため、画像の輝度解像度は大きいが、被写体が赤色または青色の場合には、Ｒ画素またはＢ画素によって輝度情報が得られるため、画像の輝度解像度が緑色の場合の約１／２に低下してしまう。つまり、被写体の色によって輝度解像度が劣化するといった問題がある。
【０００５】
そこで、正方格子配列において、市松状の位置に色画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）を配置し、残りの市松状の位置に白（Ｗ）画素を配置することで、色情報と輝度情報とを区別して検出し、輝度解像度の色依存性をなくす技術が提案されている（特許文献１参照）。Ｗ画素は、カラーフィルタに代えて、光透過率の高い透明フィルタや白フィルタ等の輝度フィルタを配した、輝度と相関関係のある分光特性を有する画素であり、被写体の輝度情報を検出する。また、この技術は、輝度解像度の色依存性の回避と同時に、感度の高い固体撮像装置を実現することができ、近年の高画素化・高密度化に伴う、画素の微細化に供するものである。
【０００６】
特許文献１に記載の技術では、各画素を同じ構造とした場合、色画素とＷ画素との感度差が非常に大きく、同一の露出条件では、Ｗ画素からの輝度信号が色画素からの色信号に比べて約４倍程度になるため、色信号と輝度信号とのバランスが悪く、高品位なカラー画像を得ることができないとの指摘がなされている（特許文献２参照）。そこで、特許文献２では、白画素の受光面積を色画素の受光面積より小さくすることにより、色信号と輝度信号とのバランスを向上させ、高品位なカラー画像の取得を図る技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−３１８３７５号公報
【特許文献２】特開２００７−１０４１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の技術では、色画素と白画素とで受光面積の大きさが異なるため、白画素は、特許文献１に記載の市松状の配列とは異なり、列方向にストライプ状に配列されている。これは、白画素を市松状に配置するのはレイアウト的に効率が悪く、画素配置に制約が生じるためである。また、特許文献２に記載の技術では、色信号と輝度信号とのバランスは向上するものの、画像の輝度解像度に関しては、行方向が列方向に比べて輝度解像度が低く、列方向と行方向とで輝度解像度のバランスが崩れるといった問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、色画素と白画素とのサイズを同一としたまま色信号と輝度信号とのバランスを図ることができ、画素配置に制約が生じることのない固体撮像装置を提供することを目的とする。さらには、色信号と輝度信号とのバランス、及び、輝度解像度の列方向と行方向とに関するバランスを同時に向上させ、より高品位なカラー画像を撮像することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数個の受光素子が半導体基板内に２次元マトリクス状に配列されてなる固体撮像装置において、所定の位置に配列された各受光素子の入射側に、複数種類のカラーフィルタのうちいずれかが配置され、各カラーフィルタの入射側に第１のマイクロレンズが配置されてなる複数の色画素と、少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に、カラーフィルタを介さず、前記第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズが配置されてなる複数の白画素と、を備えたことを特徴とする。これにより、第１のマイクロレンズは、第２のマイクロレンズに比して入射角度範囲が広がり、斜め入射光の集光効率が向上する。
【００１０】
なお、前記色画素は、市松状の位置に配列されており、前記白画素は、残りの市松状の位置に配列されていることが好ましい。
【００１１】
また、前記半導体基板上には、カラーフィルタを配置するために表面が平坦化された平坦化層が設けられており、前記第２のマイクロレンズは、前記平坦化層の表面上に直接形成されていることが好ましい。
【００１２】
また、前記色画素は、赤色の光を抽出する赤フィルタを備えた赤画素と、緑色の光を抽出する緑フィルタを備えた緑画素と、青色の光を抽出する青フィルタを備えた青画素とからなることが好ましい。
【００１３】
また、前記各受光素子の列ごとに設けられ、前記各受光素子から信号電荷を読み出し垂直転送を行う複数の垂直ＣＣＤと、前記各垂直ＣＣＤから信号電荷を受け取り、水平転送を行う水平ＣＣＤと、前記水平ＣＣＤから信号電荷を受け取り、信号電荷を電圧信号に変換して出力する出力アンプとを備えたことが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の固体撮像装置は、所定の位置に配列された各受光素子の入射側に、複数種類のカラーフィルタのうちいずれかが配置され、各カラーフィルタの入射側に第１のマイクロレンズが配置されてなる複数の色画素と、少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に、カラーフィルタを介さず、第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズが配置されてなる複数の白画素とを備えるので、第１のマイクロレンズは、第２のマイクロレンズに比して入射角度範囲が広がり、斜め入射光の集光効率が向上する。これにより、色画素から得られる色信号の強度が白画素から得られる輝度信号の強度に比して相対的に高まり、色信号と輝度信号とのバランスが改善される。また、色画素と白画素とのサイズを同一としたまま色信号と輝度信号とのバランスを図ることができるため、画素配置に関する制約は生じない。
【００１５】
また、色画素を市松状の位置に配列し、白画素を残りの市松状の位置に配列することで、色信号と輝度信号とのバランスと同時に、輝度解像度の列方向と行方向とに関するバランスを改善することができるため、従来に比してより高品位なカラー画像が得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１において、固体撮像装置２は、インターライン転送方式のＣＣＤ型イメージセンサとして構成され、半導体基板３上に、同一の画素サイズのＲ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、Ｂ画素４ｃ、及びＷ画素４ｅが行方向（Ｘ方向）とこれに直交する列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状（正方格子状）に配列されている。Ｒ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、及びＢ画素４ｃは、被写体の色情報を検出するための画素であり、受光素子（光電変換素子）の入射側に、対応する色のカラーフィルタとマイクロレンズとが配置されてなり、入射した光から各色の光量に応じた信号電荷を光電変換により生成して蓄積する。Ｗ画素４ｅは、被写体の輝度情報を検出するための画素であり、受光素子の入射側に、カラーフィルタを介さずにマイクロレンズが配置されてなり、入射した光の輝度に応じた信号電荷を光電変換により生成して蓄積する。
【００１７】
図２に模式的に示すように、市松状の位置にＲ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、及びＢ画素４ｃの色画素がそれぞれ配置されており、残りの市松状の位置にＷ画素４ｅが配置されている。具体的には、行方向及び列方向に関して、Ｗ画素４ｅ、Ｇ画素４ｂ、Ｗ画素４ｅ、Ｇ画素４ｂと交互に並ぶラインと、Ｂ画素４ｃ、Ｗ画素４ｅ、Ｒ画素４ａ、Ｗ画素４ｅの順に繰り返し並ぶラインとが交互に現れるように各画素が配置されている。なお、図２には、８行８列の範囲しか示していないが、実際には、行方向及び列方向に多数の画素が繰り返し配列されている。
【００１８】
図１に示すように、各画素４ａ〜４ｅに蓄積された信号電荷を転送するために、画素の１列ごとに垂直ＣＣＤ５が設けられている。垂直ＣＣＤ５は、各画素４ａ〜４ｅの受光素子から信号電荷を読み出し、列方向に転送（垂直転送）する。各垂直ＣＣＤ５の終端には、共通に水平ＣＣＤ６が接続されている。水平ＣＣＤ６は、各垂直ＣＣＤ５から転送されてきた信号電荷を１行ずつ受け取り、行方向に転送（水平転送）する。水平ＣＣＤ６の終端には、出力アンプ７が設けられている。出力アンプ７は、水平ＣＣＤ６から転送されてきた信号電荷を電荷量に応じた電圧信号（画素信号）に変換して出力する。なお、この出力アンプ７からの出力を受けてカラー画像を生成する画像処理回路（図示せず）では、色画素（Ｒ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、Ｂ画素４ｃ）からの画素信号を色信号として用い、Ｗ画素４ｅからの画素信号を輝度信号として用いる。
【００１９】
図３は、図１のＩ−Ｉ線に沿う固体撮像装置２の断面構造を示す。また、図４は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う固体撮像装置２の断面構造を示す。図３及び図４において、半導体基板３は、ｎ型シリコン基板からなり、この表層にはｐ型ウェル層１０が形成されている。ｐ型ウェル層１０内には、光電変換により発生する信号電荷（電子）を蓄積するｎ型の蓄積層１１が形成されており、蓄積層１１の上には、暗電流を防止するためのｐ＋型の高濃度層１２が形成されている。この構造により、ｐ型ウェル層１０と蓄積層１１とのｐｎ接合部分に光電変換領域が生じ、前述の受光素子として機能する埋め込み型フォトダイオードＰＤが構成される。
【００２０】
また、ｐ型ウェル層１０の表層には、列方向（紙面に直行する方向）に延在し、電荷を転送するためのｎ型の電荷転送チャネル１３が形成されている。電荷転送チャネル１３は、ｐ型ウェル層１０及び高濃度層１２を介して蓄積層１１から離間している。半導体基板３の表面上には、全面に渡って酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜１４が形成されている。このゲート絶縁膜１４を介して電荷転送チャネル１３の上方には、信号電荷の蓄積層１１からの読み出し、及び電荷転送チャネル１３内での垂直転送を制御するための転送電極１５が形成されている。転送電極１５は、ポリシリコン等の導電性シリコンによって形成されている。このように、電荷転送チャネル１３及び転送電極１５によって前述の垂直ＣＣＤ５が構成されている。
【００２１】
転送電極１５及びゲート絶縁膜１４の表面を覆うように酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１６が形成されている。この層間絶縁膜１６を介して転送電極１５の上方には、タングステン等からなる遮光膜１７が形成されている。この遮光膜１７には、受光素子ＰＤを構成する蓄積層１１の上方にのみ開口１７ａが形成されている。この開口１７ａを介して受光素子ＰＤに光が入射する。この開口１７ａ及び遮光膜１７の表面上には、平坦化層１８が形成されている。この平坦化層１８は、例えば、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorous Silicate Glass）を蒸着形成した後、リフロー（熱処理）を行い、さらにこの上に透明樹脂材を塗布して現像した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により表面を平坦化することにより形成される。なお、平坦化層１８の形成材料及び形成方法はこれに限られない。
【００２２】
この平坦化層１８の表面上のＲ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、及びＢ画素４ｃの形成領域には、前述のカラーフィルタとしてそれぞれ、赤色光を抽出するＲフィルタ１９ｃ、緑色光を抽出するＧフィルタ１９ｂ、青色光を抽出するＢフィルタ１９ｃが形成されている。各フィルタ１９ａ〜１９ｃは、特定の顔料を含有した樹脂材によって形成されており、ほぼ同一の厚みを有する。一方、平坦化層１８の表面上のＷ画素４ｅの形成領域には、カラーフィルタは形成されていない。
【００２３】
前述のマイクロレンズは、第１のマイクロレンズ２０ａと第２のマイクロレンズ２０ｂとからなり、第１のマイクロレンズ２０ａは、カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃ上に形成されている。第２のマイクロレンズ２０ｂは、平坦化層１８の表面上に直接形成されている。第２のマイクロレンズ２０ｂの高さ（頂点位置）は、第１のマイクロレンズ２０ａの高さ（頂点位置）より低く形成されている。この高低差Ｈは、ほぼカラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの厚みとほぼ等しい。
【００２４】
以上のように構成され固体撮像装置２は、各画素４ａ〜４ｅについて受光素子の構造は同一であるが、平坦化層１８上の構造に差異を有する。つまり、Ｗ画素４ｅにはフィルタが形成されておらず、平坦化層１８上に設けられた第２のマイクロレンズ２０ｂは、隣接する色画素（Ｒ画素４ａ、Ｇ画素４ｂ、Ｂ画素４ｃ）に設けられた第１のマイクロレンズ２０ａより高さが低くなっている。よって、第１のマイクロレンズ２０ａに入射する光の入射角度範囲が広く、第１のマイクロレンズ２０ａによって集光される斜め入射光の集光効率は、第２のマイクロレンズ２０ｂによって集光される斜め入射光の集光効率より高い。これにより、色画素とＷ画素４ｅとは同一の画素サイズでありながら、色画素から得られる色信号の強度がＷ画素４ｅから得られる輝度信号の強度に比して相対的に高まり、前述の色信号と輝度信号とのバランスが改善される。
【００２５】
また、固体撮像装置２では、色画素とＷ画素４ｅとは同一の画素サイズであるため、レイアウトの効率化を図るための画素配置の制約がなく、Ｗ画素４ｅを市松状に配置しているため、輝度解像度が列方向と行方向とで等しく、バランスが図られる。したがって、本発明の固体撮像装置２では、色信号と輝度信号とのバランス、及び、輝度解像度の列方向と行方向とでのバランスが同時に改善され、従来に比してより高品位なカラー画像を得ることができる。
【００２６】
次に、固体撮像装置２の製造方法について、図５〜図７を用いて説明する。なお、図５〜図７は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断面における製造工程を示す。まず、半導体基板３中に不純物イオンを注入することにより、前述の受光素子ＰＤや転送チャネル１３を形成した後、図５（Ａ）に示すように、半導体基板３上に、転送電極１５や遮光膜１７をパターニング形成し、さらに全面を覆うように平坦化層１８を形成する。平坦化層１８は、前述した方法にて形成する。
【００２７】
次いで、平坦化層１８の表面上に、特定の顔料が含有した感光性樹脂材の塗布とフォトリソグラフィ技術によるパターニングとを繰り返すことにより、図５（Ｂ）に示すように、各色画素の形成領域に対応するように、カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃを形成する。なお、このとき、Ｗ画素４ｅの形成領域上からは、カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの形成のために塗布した感光性樹脂材の残渣等を完全に除去しておく。
【００２８】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、平坦化層１８及びカラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの表面を覆うように、透明樹脂等のマイクロレンズ形成材を堆積し、この表面を平坦化することによりレンズ層３０を形成する。さらに、レンズ層３０の上に感光性樹脂材を塗布し、感光性樹脂層３１を形成する。なお、レンズ層３０と感光性樹脂層３１とは、ドライエッチングに対するエッチング比がほぼ同一の材料を用いる。
【００２９】
次いで、感光性樹脂層３１をフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることにより、図６（Ａ）に示すように、色画素の形成領域上に第１の矩形パターン３１ａを形成し、Ｗ画素４ｅの形成領域上に第２の矩形パターン３１ｂを形成する。ここで、第２の矩形パターン３１ｂの１辺の長さＬ２を、第１の矩形パターン３１ａの１辺の長さＬ１より短くする。
【００３０】
次いで、熱フローを行うことより、第１及び第２の矩形パターン３１ａ，３２ｂを溶融させ、図６（Ｂ）に示すように、上凸状のレンズ母型３１ａ，３２ｂへと変形させる。上記の長さＬ１，Ｌ２の差異により、第２のレンズ母型３１ｂは、第１のレンズ母型３１ａより小さく、高低差Ｈが生じる。
【００３１】
次いで、第１及び第２のレンズ母型３１ａ，３２ｂをマスクとして、レンズ層３０をエッチング（異方性のドライエッチング）することにより、レンズ母型３１ａ，３２ｂの形状を転写し、前述の第１及び第２のマイクロレンズ２０ａ，２１ｂを形成する。図７（Ａ）は、エッチング途中の状態であり、レンズ母型３１ａ，３２ｂとレンズ層３０とはほぼ同一のエッチング比でエッチングが進行している。図７（Ｂ）は、エッチング終了時の状態であり、第１のマイクロレンズ２０ａと第２のマイクロレンズ２０ｂとの間に、高低差Ｈが生じている。以上説明した方法により、固体撮像装置２を製造することができる。
【００３２】
なお、上記実施形態では、第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとの高低差Ｈを、カラーフィルタの厚みとほぼ等しくするとしているが、本発明はこれに限定されるものでなく、この高低差Ｈは、適宜変更してよい。
【００３３】
また、上記実施形態では、Ｗ画素の形成領域にて平坦化層上に直接に第２のマイクロレンズを形成しているが、本発明はこれに限定されるものでなく、平坦化層上に透明フィルタや白フィルタ等の輝度と相関関係のある分光特性を有する輝度フィルタを介して第２のマイクロレンズを形成してもよい。この場合には、輝度フィルタを色画素に設けられたカラーフィルタより薄く形成するか、または、第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとの間でレンズ面の形状や曲率を異ならせることで高低差Ｈを生成すればよい。
【００３４】
また、上記実施形態では、色画素を赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３原色の光を検知する画素として構成しているが、本発明はこれに限定されるものでなく、色画素をシアン（Ｃ），マゼンタ（Ｍ），黄（Ｙ）の補色光を検知する画素として構成してもよい。
【００３５】
また、上記実施形態では、画素をＸＹ方向に沿って正方格子状に配列する例を示しているが、本発明はこれに限定されるものでなく、図８に示すように、正方格子配列をＸＹ方向に関して４５°回転させた画素配列（いわゆるハニカム配列）としてもよい。
【００３６】
また、上記実施形態では、色画素及び白画素を市松状に配列することにより、各白画素は４つの色画素に隣接しているが、本発明はこれに限定されるものでなく、各白画素は少なくとも１つの色画素に隣接していればよい。図９は、色画素及び白画素をストライプ状に配列した一例である。この場合、各白画素は２つの色画素に隣接している。
【００３７】
また、上記実施形態では、固体撮像装置をインターライン転送方式のＣＣＤ型イメージセンサとして構成しているが、本発明はこれに限定されるものでなく、フレーム転送方式のＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサ等の単板カラー撮像方式のあらゆる固体撮像装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】固体撮像装置の構成を示す概略平面図である。
【図２】正方格子状の画素配列を示す模式図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ線に沿う縦断面図である。
【図４】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う縦断面図である。
【図５】固体撮像装置の製造工程を示す縦断面図（その１）である。
【図６】固体撮像装置の製造工程を示す縦断面図（その２）である。
【図７】固体撮像装置の製造工程を示す縦断面図（その３）である。
【図８】ハニカム配列を示す模式図である。
【図９】ストライプ状の画素配列を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３９】
２  固体撮像装置
３  半導体基板
４ａ  Ｒ画素
４ｂ  Ｇ画素
４ｃ  Ｂ画素
４ｅ  Ｗ画素
７  出力アンプ
１１  蓄積層
１３  転送チャネル
１５  転送電極
１７  遮光膜
１８  平坦化層
１９ａ  Ｒフィルタ
１９ｂ  Ｇフィルタ
１９ｃ  Ｂフィルタ
２０ａ  第１のマイクロレンズ
２０ｂ  第２のマイクロレンズ
３０  レンズ層
３１  感光性樹脂層
ＰＤ  フォトダイオード（受光素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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