(57)【要約】【課題】集光反射鏡の光反射面上に堆積する汚染物質を完全に除去することのできる集光反射鏡の前処理およびクリーニング方法並びに極端紫外光光源装置を提供すること。【解決手段】放電ガスをプラズマ生成部２に供給し、高電圧パルス発生部１１から第１、第２の主放電電極２ａ、２ｂ間に高電圧パルス電圧を印加する。これにより高温プラズマが発生し波長１３．５ｎｍの極端紫外光が放射される。この極端紫外光は集光反射鏡４により集光されＥＵＶ光取出部５から出射する。高温プラズマの生成により生ずるデブリが集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層を形成するが、これを完全に除去するため、本発明においては汚染物質層が形成される前に、集光反射鏡の表面にクリーニングガス構成物質を付着させておく。これにより、クリーニングガス供給ノズル２５からクリーニングガスを流通させることで、汚染物質をほぼ完全に除去することができる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属または金属化合物の極端紫外光放射種から放出される極端紫外光を所定の位置に集光させる集光反射鏡の前処理方法であって、
集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成される前に、前記集光鏡の光反射面構成物質に対して、クリーニングガス構成物質を付着させる前処理工程を有する
ことを特徴とする集光反射鏡の前処理方法。
【請求項２】
請求項１の前処理工程と、この前処理工程の後であって、集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成された後に、汚染物質をクリーニングガスにより除去する後処理工程とからなることを特徴とする集光反射鏡のクリーニング方法。
【請求項３】
前記クリーニングガス構成物質は、塩素（Ｃｌ）である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の集光反射鏡のクリーニング方法。
【請求項４】
前記光反射面構成物質は、ルテニウム（Ｒｕ）であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の集光反射鏡のクリーニング方法。
【請求項５】
前記汚染物質層が、前記放電ガス中に含まれるスズ (Ｓｎ) またはスズ (Ｓｎ) 化合物よりなる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の集光反射鏡のクリーニング方法。
【請求項６】
前記前処理工程および後処理工程が同一の容器内で行われる
ことを特徴とする請求項２に記載の集光反射鏡のクリーニング方法。
【請求項７】
光取出口を有するチャンバと、
金属または金属化合物の極端紫外光放射種を含む原料をチャンバに供給する原料供給手段と、
チャンバ内に供給された極端紫外光放射種を加熱して励起させて高温プラズマを発生させるためのプラズマ生成部と、
極端紫外光を所定の位置に集光させる集光反射鏡と、
上記集光反射鏡の表面に堆積された汚染物質層を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、を備える極端紫外光光源装置において、
上記集光反射鏡には、極端紫外光を反射する光反射面が形成されると共に、当該光反射面にクリーニングガスによる前処理により塩素化合物が生成されている
ことを特徴とする
極端紫外光光源装置。
【請求項８】
前記チャンバには、前記プラズマ生成部と前記集光反射鏡が収容されたチャンバとを区画するシャッタが設けられている
ことを特徴とする請求項７に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項９】
極端紫外光を反射する光反射面を有する集光反射鏡であって、
光反射面構成物質にクリーニングガス構成物質が付着している
ことを特徴とする集光反射鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
次世代の半導体集積回路の露光用光源として極端紫外光（以下、単にＥＵＶ光ともいう）を放射させる極端紫外光光源装置（以下、単に、ＥＵＶ光源装置ともいう）が期待されている。
本発明は、上記極端紫外光光源装置に用いられる集光反射鏡の前処理及びクリーニング方法並びにこのような集光反射鏡を備えた極端紫外光光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化および高集積化が進むにつれて、その製造用の露光装置には解像度の向上が要求されている。解像度を向上させるには、短波長の光を放射する露光用光源を使用することが一般的である。短波長の光を放射する露光用光源としては、エキシマレーザ装置が使用されているが、それに代わる次世代の露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置の開発が進められている。
極端紫外光を発生させる方法の一つとして、極端紫外光放射源を含む放電ガスを加熱・励起することにより高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射させる極端紫外光を取出す方法がある。このような方法を採用する極端紫外光光源装置は、高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式とに大別される。
【０００３】
ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む原料からなるターゲットに対してレーザ光を照射して、レーザアブレーションによって高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む放電ガスが供給された電極間に、高電圧を印加することで放電により高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。このようなＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置に比して、光源装置を小型化することができ、さらに、光源システムの消費電力が小さいという利点があることから、実用化が期待されている。
【０００４】
上記した高温プラズマを発生させる原料としては、１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンが知られているが、より強い極端紫外光を放射させるための原料として、Ｌｉ（リチウム）イオン、Ｓｎ（スズ）イオンが注目されている。
例えば、Ｓｎは、高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍの極端紫外光の放射強度との比で与えられる極端紫外光変換効率がＸｅよりも数倍大きいことから、大出力の極端紫外光を得るための放射源として期待されている。例えば、特許文献１に示されるように、極端紫外光放射源として、例えばＳｎＨ4 （スタナン）ガスを使用した極端紫外光光源装置の開発が進められている。
【０００５】
以下、従来のＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置について説明する。
（１）従来の極端紫外光光源装置の構造
図７に、ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置の構成を示す。
図７に示すように、ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ及び絶縁材２ｃよりなるプラズマ生成部２が収容される第１のチャンバ１ａと、集光反射鏡４が収容される第２のチャンバ１ｂとを備えている。
第１のチャンバ１ａ内には、例えば、リング状の第１の主放電電極（カソード）２ａとリング状の第２の主放電電極（アノード）２ｂとがリング状の絶縁材２ｃを挟んで配置される。第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。絶縁材２ｃは、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。第１の主放電電極２ａと第２の主放電電極２ｂとは高電圧パルス発生部１１に接続されている。
【０００６】
リング状の第１の主放電電極２ａ、リング状の第２の主放電電極２ｂ、リング状の絶縁材２ｃは、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置し、連通穴を構成している。第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂ間にパルス電力が供給されて放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高温プラズマが生成される。
第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂ間へのパルス電力の供給は、第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂに接続された高電圧パルス発生部１１によりなされる。
第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ、絶縁材２ｃはＤＰＰ方式のプラズマ生成部２を構成する。なお、ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、図７に示すもの以外にも様々な構成例があるが、それについては非特許文献１を参照されたい。尚、必要に応じて、チャンバ内に供給された極端紫外光放射種を含む原料を予備電離する予備電離手段を設けても良い。
【０００７】
第２のチャンバ１ｂには、極端紫外光を集光する集光反射鏡４が設けられる。集光反射鏡４は、例えば、径の異なる回転楕円体形状、回転放物体形状、またはウォルター型のミラーを複数枚具える。これらのミラーは、同一軸上に、焦点位置が略一致するように回転中心軸を重ねて配置される。このミラーは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることで、０°〜２５°の斜入射角度の極端紫外光を良好に反射できるようにしたものである。
また、第２のチャンバ１ｂには、プラズマ生成部２と集光反射鏡４との間の空間に、高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）がこのプラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、放射種に起因するデブリ等の捕捉や運動エネルギーを低下させるとともにＥＵＶ光を通過させるためのホイルトラップ３が設置される。
【０００８】
ホイルトラップ３は、同心円状に配置された内部リングと外部リングの２個のリングと、この２個のリングにより両側が支持されて放射状に配置された複数の薄いプレートから構成されている。プレートを配置した空間を細かく分割することにより、その部分の圧力を上げ、デブリの運動エネルギーを低下させるとともに、プレートやリングに捕捉する。  一方、このホイルトラップ３は高温プラズマから見ると、２個のリングを除けばプレートの厚みしか見えず、極端紫外光のほとんどは通過する。
第２のチャンバ１ｂには、集光反射鏡４に到達するデブリの量をさらに少なくするため、第１の主放電電極２ａとホイルトラップ３との間の空間にガスカーテンが形成される。そのため、第２のチャンバ１ｂの内部には、第２のチャンバ１ｂの側壁に形成された開口から挿入されたガスカーテンノズル７ａが配置され、極端紫外光を減衰させるおそれのないガスを供給するためのガス供給ユニット７がガスカーテンノズル７ａに接続されている。ガスカーテンが形成されると、集光反射鏡４に向かって飛散するデブリに対して局所的にガス圧の高い空間が形成されるため、デブリが減速されることによって、集光反射鏡４にデブリが堆積することを抑制することができる。
さらに、プラズマ生成部２の内部の圧力を調整すると共にチャンバ内を排気するためのガス排気ユニット８が、第２のチャンバ１ｂに設けられたガス排出口８ａに接続されている。ガス排気ユニット８は、真空ポンプ等のガス排気手段（不図示）を有する。
【０００９】
また、図７に示すＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置に設けられた制御部１２は、露光機の制御部１３からの発光指令信号等に基づき、高電圧パルス発生部１１、放電ガス供給ユニット６、ガス供給ユニット７、ガス排気ユニット８を制御する。
例えば、極端紫外光光源装置の制御部１２は、露光機の制御部１３からの発光指令信号を受信すると、放電ガス供給ユニット７を制御して、チャンバ１ｂ内のプラズマ発生部の内部に放電ガスを供給する。
また、第２のチャンバ１ｂに設けられた不図示の圧力モニタからの圧力データに基づき、プラズマ生成部２の内部が所定の圧力となるよう、放電ガス供給ユニット６からの放電ガス供給量を制御するとともに、ガス排気ユニット８による排気量を制御する。その後、極端紫外光を放射する高温プラズマを発生させるため、高電圧パルス発生部１１を制御して、第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂ間に電力を供給する。
【００１０】
（２）極端紫外光の放射について
極端紫外光の放射は以下のように行われる。
第１のチャンバ１ａ内に、放電ガス供給ユニット６より第２の主放電電極２ｂ側に接続された原料導入管６ａを介して放電ガスが導入される。放電ガスは、プラズマ生成部２において波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放出する放射源を高効率に形成するためのものであり、例えば、スタナン（ＳｎＨ4 ）である。
プラズマ生成部２の内部に導入されたＳｎＨ4 は、リング状の第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ及び絶縁材２ｃにより形成されている連通穴を通過して第２のチャンバ１ｂ側に流れ、ガス排出口８ａに到達する。ガス排出口８ａに到達した放電用ガスは、ガス排気ユニット８により排気される。
【００１１】
ここで、プラズマ生成部２の内部の圧力は、ガス排気ユニット８の排気速度を制御することにより、１〜２０Ｐａに調節される。
この圧力調節は、例えば、以下のように行われる。まず、制御部１２が圧力モニタ（図示せず）から出力されるプラズマ生成部２の内部における圧力データを受信する。制御部１２は、受信した圧力データに基づき、放電ガス供給ユニット６及びガス排気ユニット８を制御して、チャンバ１ａ内へのＳｎＨ4 の供給量ならびに排気量を調節することにより、プラズマ生成部２の圧力が所定の圧力となるように調節する。
【００１２】
放電ガスが、リング状の第１の主放電電極２ａ、リング状の第２の主放電電極２ｂ、リング状の絶縁材２ｃにより形成されている連通穴を流れている状態で、第２の主放電電極２ｂと第１の主放電電極２ａとの間に、高電圧パルス発生部１１からおよそ＋２０ｋＶ〜−２０ｋＶの高電圧パルス電圧が印加される。その結果、絶縁材２ｃ表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生することにより、第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ間は実質的に短絡した状態となり、第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ間にパルス状の大電流が流れる。
その後、ピンチ効果によるジュール加熱によってプラズマ生成部２の内部に発生した放電ガスによる高温プラズマから、波長１３．５ｎｍの極端紫外光が放射される。すなわち、ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置から放出される極端紫外光はパルス光となる。プラズマ生成部２から放射された極端紫外光は、第２のチャンバ１ｂ内に設けられた集光反射鏡４により集光され、ＥＵＶ光取出部５から図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
【００１３】
ここで、ＤＰＰ方式極端紫外光光源装置には、チャンバ内で放電を発生させるときにチャンバ内に供給された極端紫外光放射源を含む原料を予備電離する予備電離手段を設けても良い。極端紫外光を発生させる際、プラズマ生成部２の圧力は、例えば、１〜２０Ｐａに調節される。このような低い圧力下においては、電極構造によっては放電が発生し難くなり、結果としてＥＵＶ光の出力が不安定となる場合もある。放電が発生し難い状況下で安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。
参考までに、ＤＰＰ方式極端紫外光光源装置に予備電離ユニットを組み合わせた例については、例えば特許文献２に開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【特許文献２】特開２００３−２１８０２５号公報
【特許文献３】特表２００６−５２９０５７号公報
【非特許文献１】「リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
このような極端紫外光光源装置によれば、実際には以下のような問題が生じた。
すなわち、極端紫外光光源装置の使用時間の経過と共に集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質が堆積して光反射面上に汚染物質層が形成されることにより、光反射面における極端紫外光の反射率が低下することに伴い、極端紫外光光源装置の中間集光点に集光する極端紫外光の強度が低下するという不具合があった。
集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が形成される原因は、定かではないが、高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）が上記プラズマによってスパッタされて生成する金属粉よりなるデブリや、放電ガス中に含まれる放射種に起因するデブリ等が光反射面上に堆積したことによるものと考えられる。以下に、集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が形成されるメカニズムについて説明する。
【００１６】
上記した極端紫外光光源装置においては、極端紫外光放射源がスタナン（ＳｎＨ4 ）、リチウム（Ｌｉ）等からなり、第１、第２の主放電電極２ａ，２ｂはタングステン（Ｗ）、タリウム（Ｔｈ）、銅（Ｃｕ）等からなり、絶縁材２ｃは窒化珪素（ＳｉＮ）炭化珪素（ＳｉＣ）等からなり、ホイルトラップ３がモリブデン（Ｍｏ）等からなり、これらの物質が汚染物質層を形成する要因になり得る。
すなわち、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂ間で形成される放電プラズマが膨張することによって、極端紫外光放射源であるＳｎＨ4 がＳｎとＨとに分解して生成したＳｎが集光反射鏡４の光反射面に高速で打込まれることにより、集光反射鏡４の光反射面上にＳｎよりなる汚染物質層が形成される。その一方で、放電プラズマの膨張による影響を受けてもＳｎとＨとに分解しないＳｎＨ4 もあるが、この場合にはＳｎＨ4 が集光反射鏡の光反射面付近に向けて浮遊していき、光反射面にてＳｎとＨとに分解して光反射面上にＳｎが堆積する場合もある。
【００１７】
また、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂ間で形成される放電プラズマによるエロージョン、或いは放電による熱負荷により、電極２ａ，２ｂを構成するＷ，Ｔｈ，Ｃｕ、絶縁材２ｃを構成するＳｉＮ，ＳｉＣ、さらにはホイルトラップ３を構成するＭｏ等が集光反射鏡４の光反射面上に高速で打ち込まれることにより、集光反射鏡４の光反射面上にこれらの汚染物質よりなる汚染物質層が形成される。
上記したように、プラズマ生成部２と集光反射鏡４との間には、金属粉等のデブリや放電ガス中に含まれる放射種に起因するデブリ等を捕捉する、或いは、これらの運動エネルギーを低下させるとともにＥＵＶ光を通過させるためのホイルトラップ３が設置されている。しかしながら、実用上はホイルトラップ３によって上記したデブリを完全に除去することは困難であり、集光反射鏡４の光反射面の汚染は避けられない問題であった。
【００１８】
特許文献３によれば、洗浄ガスと光学素子上に堆積した汚染物質（デブリ）とを反応させて光学素子の汚染をクリーニングする方法について記載されている。この方法を実施することにより、集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質を完全に除去できるものと期待される。
しかしながら、実際には、特許文献３に示されるクリーニング方法を実施しても、光反射面の汚染物質を完全に除去することはできなかった。本発明者らは、後述する実験を行うことにより、洗浄ガスと集光反射鏡の光反射面上に堆積した汚染物質とを単純に反応させるのみでは、光反射面の汚染を完全に除去することはできないことを確認している。
以上のように、従来のクリーニング方法では、集光反射鏡の光反射面の汚染物質を完全に除去することはできなかった。本発明は、このような事情に基づきなされたものであって、極端紫外光光源装置の使用時間の経過とともに集光反射鏡の光反射面上に堆積する汚染物質を、完全に除去することのできる集光反射鏡の前処理およびクリーニング方法並びに極端紫外光光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明者が鋭意検討した結果、集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成される前に、前記集光鏡の光反射面構成物質に対して、クリーニングガス構成物質を付着させる前処理工程を施しておくことで、集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成されても、クリーニングガス等でクリーニングを施すことにより、堆積した汚染物質を効果的に除去できることを見出した。
この理由は、定かではないが、以下のように考えられる。
図２は、本発明の効果が期待される理由を概念的に説明する図である。図２（Ａ）は、従来の汚染物質層とクリーニングガスとの反応を概略的に示す概念図であり、図２（Ｂ）は本発明の集光鏡の光反射面における光反射面構成物質層とクリーニングガスとの反応を概略的に示す概念図である。なお、図２では、放電ガス中に含まれる放射種がスズ（Ｓｎ）であり、クリーニングガスが塩素（Ｃｌ）である例について示している。
【００２０】
図２（Ａ）に示されるように、従来の集光反射鏡においては、極端紫外光光源装置の使用時間の経過に伴い、光反射面構成物質であるルテニウム（Ｒｕ）と汚染物質であるＳｎとが反応することにより（Ｒｕ−Ｓｎ）層が形成され、さらにＳｎが堆積することによりＲｕ−Ｓｎ層上にＳｎ層が形成されている。この状態の集光反射鏡に対して光反射面側からクリーニングガス（Ｃｌ）を流通させると、Ｓｎ層とＣｌとが反応して最終的に塩化スズ（ＳｎＣｌ4 ）が生成することにより、Ｓｎ層中のＳｎを除去することができる。なお、生成した気体のＳｎＣｌ4 はガス排気ユニットによりチャンバの外部へ排気される。
然るに、クリーニングガスとして導入されたＣｌは、ＲｕとＳｎの結合の強さがＳｎとＣｌの反応の強さに比べて強いのでＲｕと接しているＳｎとは反応しにくく、Ｓｎ層のＳｎとは容易に反応してＳｎＣｌ4 を生成し除去することができるが、Ｒｕと接しているＳｎは除去しにくい。以上により、従来においては、極端紫外光光源装置の使用時間の経過に伴い集光反射鏡の光反射面に堆積される汚染物質層を完全に除去することができなかった。
【００２１】
これに対し、図２（Ｂ）に示されるように、本発明の集光反射鏡においては、予め集光反射鏡の光反射面に対してクリーニングガスによる前処理を施すことにより、光反射面構成物質層であるＲｕ層にクリーニングガス構成物質であるＣｌが付着している。この集光反射鏡を搭載した極端紫外光光源装置を使用すると、使用時間の経過に伴い光反射面にＳｎが堆積しても、光反射面構成物質よりなるＲｕ層上にＳｎ層が形成されることはなく、Ｃｌ上にＳｎ層が形成されるのみである。
従って、この状態の集光反射鏡に対して光反射面側からクリーニングガス（Ｃｌ）を流通させると、ＳｎとＣｌとが反応して塩化スズ（ＳｎＣｌ4 ）が生成することによりＳｎが消滅し、生成したＳｎＣｌ4 は排気ユニットによりチャンバの外部へ排気される。
実験によれば、Ｃｌ等のクリーニングガス構成物質を、集光反射鏡の光反射面に膜厚で少なくとも０．２ｎｍ以上付着させれば、本発明の効果が期待できることが分かった。
【００２２】
以上に基づき本発明においては、以下のようにして前記課題を解決する。
（１）金属または金属化合物の極端紫外光放射種から放出される極端紫外光を所定の位置に集光させる集光反射鏡において、集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成される前に、前記集光鏡の光反射面構成物質に対して、クリーニングガス構成物質を付着させる前処理工程を行う。
（２）上記（１）の前処理工程の後であって、集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成された後に、汚染物質をクリーニングガスにより除去する後処理工程を行う。
（３）上記（１）（２）において、前記クリーニングガス構成物質として塩素（Ｃｌ）を用いる。その際、光反射面構成物質に対して塩素（Ｃｌ）を０．２ｍｍ以上付着させるのが好ましい。
（４）上記（１）（２）において、前記光反射面構成物質がルテニウム（Ｒｕ）である。（５）上記（１）（２）において、前記汚染物質層が、前記放電ガス中に含まれるスズ (Ｓｎ) またはスズ (Ｓｎ) 化合物よりなる。
（６）上記（２）において、前処理工程および後処理工程を同一の容器内で行う。
（７）光取出口を有するチャンバと、金属または金属化合物の極端紫外光放射種を含む原料をチャンバに供給する原料供給手段と、チャンバ内に供給された極端紫外光放射種を加熱して励起させて高温プラズマを発生させるためのプラズマ生成部と、極端紫外光を所定の位置に集光させる集光反射鏡と、上記集光反射鏡の表面に堆積された汚染物質層を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、を備える極端紫外光光源装置において、上記集光反射鏡に、極端紫外光を反射する光反射面を形成し、当該光反射面にクリーニングガスによる前処理により塩素化合物を生成しておく。
（８）上記（７）において、前記チャンバにプラズマ生成部と集光反射鏡が収容されたチャンバとを区画するシャッタを設ける。
（９）極端紫外光を反射する光反射面を有する集光反射鏡において、光反射面構成物質にクリーニングガス構成物質を付着させる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）集光反射鏡の光反射面を構成する光反射面構成物質層に、前処理工程を施しクリーニングガス構成物質を付着させているので、前述したように光反射面上において除去することができない汚染物質層が形成されるおそれを解消することができる。
このため、プラズマ生成時間の経過に伴って集光反射鏡の光反射面に不可避的に形成される汚染物質層を、クリーニング処理により略完全に除去することができるものと期待される。
（２）集光反射鏡の光反射面がルテニウム（Ｒｕ）により構成されている場合には、塩素（Ｃｌ）などのハロゲンガスと反応することによって光反射面が劣化することがなく、これにより、極端紫外光の反射率が低下するおそれがない。
（３）前処理工程および後処理工程を同一の容器内で行うようにすれば、格別の装置を用意することなく、極端紫外光光源装置のチャンバをそのまま利用して前処理工程を行うことができる。
また、プラズマ生成部と集光反射鏡を収容するチャンバとを区画するシャッタを設けることにより、前記前処理工程、後処理工程において、主放電電極とクリーニングガスとが反応して主放電電極が劣化したり、或いはチャンバ外にクリーニングガスが流出することにより、露光機に搭載された精密機器がクリーニングガスによって腐食されるという心配がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施例の極端紫外光光源装置の構成の概略を示す断面図である。図１は、前記図７に示したＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置に本発明を適用した場合の構成を示し、図７と同一部分については同一の符号を付しており、集光反射鏡４の光反射面を構成する光反射面構成物質層にクリーニングガス構成物質が付着されていること、第１、第２、第３のゲート２１〜２３、クリーニングガス供給ユニット２４と、クリーニングガス供給ノズル２５等が設けられていることを除き、前記図７に示したものと同様の構成である。
図３は、図１に示される極端紫外光光源装置に配置された集光反射鏡４の要部の断面を拡大して示し、図４にクリーニングガス供給ノズル２５を、クリーニングガスが吹き出す方向から見たときの概略図を示す。
【００２５】
前述したように、本実施例の極端紫外光光源装置は、第１の主放電電極２ａ、第２の主放電電極２ｂ並びに絶縁材２ｃよりなるプラズマ生成部２に導入する放電ガスを充填するための第１のチャンバ１ａと、第１のチャンバ１ａに連結されたプラズマ生成部２と、集光反射鏡４、ホイルトラップ３が収容される第２のチャンバ１ｂとより構成されている。  第２のチャンバ１ｂは、ホイルトラップ３及び集光反射鏡４が収容される本体部１０と、本体部１０に比して小径であることにより本体部１０に対して段差を有して連続する、プラズマ生成部２に連結される連結部１０ａとから構成されている。
尚、本発明の極端紫外光光源装置においては、プラズマ生成部２を挟んで、プラズマ生成部２よりも放電ガス供給ユニット６側を第１のチャンバ１ａと呼び、プラズマ生成部２よりも、ホイルトラップ３及び集光反射鏡４側を第２のチャンバ１ｂと呼ぶ。
【００２６】
放電ガス供給ユニット６の接続口を有する第１のチャンバ１ａに、リング状の第２の主放電電極２ｂが連結されている。第１のチャンバ１ａには、原料導入管６ａを介して放電ガス供給ユニット６が接続されている。
リング状の第１の主放電電極２ａ、リング状の第２の主放電電極２ｂ、リング状の絶縁材２ｃは、前述したように、それぞれの貫通穴が略同軸上に位置するように配置され、第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂ間にパルス電力が供給されて放電が発生したとき、この連通穴もしくは連通穴近傍にて高温プラズマが生成される。
第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂ間へのパルス電力の供給は、第１の主放電電極２ａおよび第２の主放電電極２ｂに接続された高電圧パルス発生部１１によりなされる。
【００２７】
ＥＵＶ光取出口５を有する第２のチャンバ１ｂ内に、プラズマ生成部２から飛散するデブリを捕捉するホイルトラップ３と極端紫外光を集光させる集光反射鏡４とが配置されている。
また、前述したように第２のチャンバ１ｂの内部には、第２のチャンバ１ｂの側壁に形成された開口から挿入されたガスカーテンノズル７ａが配置され、極端紫外光を減衰させるおそれのないガスを供給するためのガス供給ユニット７がガスカーテンノズル７ａに接続されている。ガスカーテンが形成されると、デブリが減速され集光反射鏡４にデブリが堆積することを抑制することができる。
さらに、プラズマ生成部２の内部の圧力を調整すると共にチャンバ内を排気するための第２チャンバ１ｂには、プラズマ生成部２に導入された極端紫外光放射種を含む放電ガスの圧力が最適となるように調整するため、ガス排気ユニット８に通じるガス排気口８ａが設けられている。また、制御部１２は、露光機の制御部１３からの発光指令信号等に基づき、高電圧パルス発生部１１、放電ガス供給ユニット６、ガス供給ユニット７、ガス排気ユニット８を制御する。
以上の構成については、図７に示した従来の極端紫外光光源装置と共通している。
【００２８】
本発明の極端紫外光光源装置に係る集光反射鏡４は、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０°〜２５°の斜入射角度の極端紫外光を良好に反射できるよう複数の光反射面が入れ子状に形成され、図３に示されるように、光反射面を構成する光反射面構成物質層にクリーニングガス構成物質が付着している。すなわち、同図に示すように、集光反射鏡４の表面のルテニウム（Ｒｕ）等の光反射面構成物質４ａに対して、その表面側にクリーニングガス構成物質４ｂが付着している。
クリーニングガス構成物質４ｂは、ガスカーテンやホイルトラップ３によって捕捉されなかった、例えば極端紫外光放射源や主放電電極を構成する物質等が、集光反射鏡の光反射面に直接付着することを防止するため、光反射面構成物質に付着させるものである。具体的には、クリーニングガスは、例えばハロゲンガスである。
【００２９】
クリーニングガス構成物質は、クリーニングガスの種類が限定されるものではないが、特に塩素（Ｃｌ）により構成されている場合には、集光反射鏡４の光反射面を構成するルテニウム（Ｒｕ）とさほど反応せず、光反射面における極端紫外光の反射率を悪化させる心配が少ない、という利点を有する。
このようなクリーニングガス構成物質４ｂは、例えば以下のようにして集光反射鏡４の光反射面構成物質に付着する。
極端紫外光光源装置に集光反射鏡４を搭載する前の段階において、Ｃｌなどのハロゲンガス雰囲気とされた前処理容器内に集光反射鏡４を配置する。
５００ｓｃｃｍの流量でＣｌを導入して、Ｃｌの圧力が２．０×１０3 ｐａとなった前処理容器内に集光反射鏡を１分間配置し、集光反射鏡４の光反射面構成物質４ａにクリーニングガス構成物質４ｂを付着させる。
このようにして、クリーニングガス構成物質４ｂが付着した光反射面を備える集光反射鏡４を第２のチャンバ１ｂ内に搭載することにより、極端紫外光光源装置が完成する。
なお、後述するように、クリーニングガス構成物質が付着されていない集光反射鏡４を第２のチャンバ１ｂ内に搭載して極端紫外光光源装置を完成した後に、第２のチャンバ１ｂ内をクリーニングガス雰囲気とすることにより、集光反射鏡４の光反射面構成物質４ａにクリーニングガス構成物質４ｂを付着させることもできる。
【００３０】
ここで、本発明に係る極端紫外光光源装置においては、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂ間に放電を生じさせている工程（プラズマ生成工程）が経過するに伴って、放電ガス中に含まれる極端紫外光放射源、或いは高温プラズマと接する主放電電極を構成する物質の一部が、ガスカーテンやホイルトラップ３によって捕捉されることなく集光反射鏡４の光反射面上に堆積し、これらの汚染物質よりなる汚染物質層が形成される。
この汚染物質層は、集光反射鏡４の光反射面構成物質４ａに付着したクリーニングガス構成物質４ｂ上に堆積される。
このような汚染物質層を除去するため、第２のチャンバ１ｂには、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニット２４と、集光反射鏡４の光反射面に対してクリーニングガスを直接的に吹き付けるためのクリーニングガス供給ノズル２５とが設けられている。クリーニングガス供給ノズル２５は、クリーニングガス供給ユニット２４に接続された円筒形状を有する送出部２４ａと、送出部２４ａの先端側に接続された吹き出し部２５ａとから構成されている。
【００３１】
図４は、クリーニングガス供給ノズル２５を、クリーニングガスが吹き出す方向から見たときの概略図を示す。
吹き出し部２５ａは、円環状の枠体部２５ｂと、円環状の枠体部２５ｂの中心点を通過して中心点から放射状に枠体部２５ｂの内周に向けて伸びると共に枠体部２５ｂの内周に固定された複数の筒状のフレーム部２５ｃとよりなる。筒状のフレーム部２５ｃの各々には、クリーニングガスを吹き出すための複数の吹き出し口２５ｄがフレーム部２５ｃの長手方向に沿って等間隔に並んで形成されている。このような吹き出し部２５ａによれば、フレーム部２５ｃの各々に形成された吹き出し口２５ｄの各々が、枠体部２５ｂの中心を起点として形成される複数の同心円上に並んで配置されている。
【００３２】
このようなクリーニングガス供給ノズル２５は、集光反射鏡４から出射する集光光を遮蔽することにより中間集光点における放射強度が低下することのないよう、プラズマ生成時間中においては、集光反射鏡４と極端紫外光取出口５とを結ぶ光路上に配置されないようにする必要がある。
そのため、プラズマの生成を停止して集光反射鏡４の光反射面のクリーニングを行う工程においては、クリーニングガス供給ノズル２５は、吹き出し口２５ｄの各々によって形成される複数の同心円の各々から吹き出されるクリーニングガスが、入れ子状に形成された複数の光反射面の各々に向けて直接的に吹き付けられるよう集光反射鏡４の光出射方向に配置され、クリーニングの終了後には、集光反射鏡と極端紫外光取出口とを結ぶ光路上から退避するよう、所定のノズル駆動手段２４ｂによってチャンバ１ｂ内を移動することが可能になっている。
【００３３】
また、集光反射鏡４における光反射面のクリーニングを行う際には、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂを構成する物質とハロゲンガス等のクリーニングガスとが反応することにより第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂが劣化したり、或いは、チャンバ１ｂに接続された露光機内に搭載される精密機器がハロゲンガスより侵食されるおそれを回避する必要がある。そのため、第２のチャンバ１ｂには、集光反射鏡４のクリーニングを行う際に、第２のチャンバ１ｂ内を密閉するための第１〜第３のゲート２１〜２３、第１〜第３のゲートバルブ２１ａ〜２３ａが設けられている。
第１〜第３のゲート２１〜２３は、プラズマ生成部２に接続される連結部１０ａ、極端紫外光取出口５、並びにガス排気ユニット８に通じるガス排気口８ａの近傍の３箇所に設けられており、後述するように、集光反射鏡４の光反射面をクリーニングする前後において、第１〜第３のゲートバルブ２１ａ〜２３ａにより開閉されるものである。
【００３４】
このような構成を有する極端紫外光光源装置によれば、プラズマ生成時間が経過するにつれて集光反射鏡の光反射面上に堆積される汚染物質層を除去するため、次のようにして光反射面のクリーニングが行われる。
以下においては、集光反射鏡の光反射面に予めクリーニングガス構成物質が付着している場合（極端紫外光光源装置に搭載する前に集光反射鏡の光反射面上にクリーニングガス構成物質が付着している場合：第１の方法）と、集光反射鏡の光反射面に事後的にクリーニングガス構成物質を付着する場合（集光反射鏡を極端紫外光光源装置に搭載した後に、集光反射鏡の光反射面上にクリーニングガス構成物質を付着する場合：第２の方法）との両方について説明する。
以下において、「前処理工程」とは、集光反射鏡の光反射面構成物質にクリーニングガス構成物質を付着させる工程のことを意味し、「後処理工程」とは、プラズマ生成時間の経過に伴い集光反射鏡の光反射面上に堆積される汚染物質層を除去する工程のことを意味するものとする。
【００３５】
Ａ．第１の方法
第１の方法は、極端紫外光光源装置に集光反射鏡を搭載する前の段階で前処理工程が実施されていることを前提として、クリーニングガスによる後処理工程を行うことを特徴とする集光反射鏡のクリーニング方法である。尚、クリーニングガス構成物質を付着させる方法・条件は、前述した通りである。
すなわち、Ｃｌなどのハロゲンガス雰囲気とされた前処理容器内に集光反射鏡４を設置し、所定の流量（例えば５００ｓｃｃｍ）で容器内にＣｌを導入して、容器内を所定の圧力（例えば２．０×１０3 ｐａ）にして集光反射鏡４を所定時間（例えば１分間）配置することにより、集光反射鏡４の光反射面構成物質４ａにクリーニングガス構成物質４ｂを付着させる。
集光反射鏡４の光反射面は、許容される極端紫外光に対する反射率の範囲が決まっている。そして、プラズマ生成工程において、集光反射鏡４の光反射面上に堆積する汚染物質層の厚みは、プラズマ生成時間に比例して大きくなることが一般的である。従って、プラズマ生成時間が一定時間に達したときには、クリーニングガスによる後処理工程を実施する必要がある。
【００３６】
後処理工程は次のように行われる。
（１）まず、露光機から受信した放電停止信号に基き、制御部１２から高電圧パルス発生部１１に対し放電停止信号が送信される。高電圧パルス発生部１１は、制御部１２から放電停止信号を受信することにより、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂに対する高圧パルス電圧の印加を停止し、プラズマ生成部２における放電を停止する。
さらに、制御部１２は、放電ガス供給ユニット６に対し放電ガス停止信号を送信する。放電ガス停止信号を受信した放電ガス供給ユニット６は、プラズマ生成部２に対する放電ガスの供給を停止する。
（２）プラズマ生成部２に対する放電ガスの供給を停止した状態で、制御部１２は、ホイルトラップ３とプラズマ生成部２との間の空間にガスカーテンを形成するためのガス供給ユニット７に対してガス停止信号を送信する。ガス停止信号を受信したガス供給ユニット７は、ガスの供給を停止する。
【００３７】
（３）次に、第１，第２のゲートバルブ２１ａ，２２ａの各々は、制御部から送信されたゲート閉信号を受信することにより、開いた状態になっている第１，第２のゲート２１，２２の各々を駆動して、第２のチャンバ１ｂの連結部１０ａ、ＥＵＶ光取出口５を閉塞する。これにより、第２のチャンバ１ｂ内に残存している、極端紫外光放射種を含む放電ガス及びガスカーテンを形成するためのガスが、プラズマ生成時から常時稼動しているガス排気ユニット８によりチャンバ外へ排出される。
（４）この状態で、制御部１２は、ノズル駆動手段２４ｂに対して駆動信号を送信する。駆動信号を受信したノズル駆動手段２４ｂは、クリーニングガス供給ノズル２５を駆動して、吹き出し口２５ｄの各々によって形成される複数の同心円の各々から吹き出されるクリーニングガスが、入れ子状に形成された集光反射鏡４の複数の光反射面の各々に向けて直接的に吹き付けられるよう、集光反射鏡４の光出射方向にクリーニングガス供給ノズル２５を配置する。
【００３８】
（５）さらに、この状態で、制御部１２は、クリーニングガス供給ユニット２４に対しクリーニングガス供給信号を送信する。クリーニングガス供給信号を受信したクリーニングガス供給ユニット２４は、クリーニングガス供給ノズル２５の送出部２４ａ内にクリーニングガスを供給する。これにより、フレーム部２５ｃに設けられた吹き出し口２５ｄからクリーニングガスが集光反射鏡４の複数の光反射面の各々に対して吹き付けられ、光反射面上に堆積した汚染物質層が効率良く除去される。
なお、クリーニングガスにより集光反射鏡４のクリーニングを行っている間は、第３のゲート２３を開いた状態で、常にガス排気ユニット８を駆動した状態にすることが好ましい。そうすることにより、ガス排気口８ａを通じてクリーニングガスが吸引されることにより、集光反射鏡４におけるＥＵＶ光取出口側の端部からプラズマ生成部側の端部に向けて、クリーニングガスが良好に流通して、後処理工程を効率良く実施することができるものと期待される。
【００３９】
（６）制御部１２は、所定時間の後処理工程を実施した後、クリーニングガス供給ユニット２４に対し、クリーニングガス停止信号を送信する。クリーニングガス停止信号を受信したクリーニングガス供給ユニット２４は、クリーニングガスの供給を停止する。さらに、制御部１２は、ノズル駆動手段２４ｂに対して駆動信号を送信する。駆動信号を受信したノズル駆動手段２４ｂは、クリーニングガス供給ノズル２５を駆動して、集光反射鏡４と極端紫外光取出口５とを結ぶ光路上からクリーニングガス供給ノズル２５を退避させる。
（７）第２のチャンバ１ｂ内においては、供給されたクリーニングガスが常時稼動しているガス排気ユニット８によって第２のチャンバ１ｂ外に排出され、クリーニングガスが残存しない状態になる。この状態で、制御部１２は、第１，第２のゲートバルブ２１，２２の各々に対し、ゲート開信号を送信する。ゲート開信号を受信した第１，第２のゲートバルブ２１，２２の各々は、第１，第２のゲート２１，２２の各々を開き、第２のチャンバ１ｂ設けられた連結部１０ａ及びＥＵＶ光取出口５の各々を開放する。これにより、第１，第２のゲートの全てが開放された状態になる。なお、この方法においては、第３のゲートは開放状態に保たれる。
【００４０】
（８）この状態で、制御部１２は、放電ガス供給ユニット６に対し放電ガス供給信号を送信する。放電ガス供給信号を受信した放電ガス供給ユニット６は、プラズマ生成部２に対し放電ガスを供給する。また、制御部１２は、ガスカーテンを形成するためのガス供給ユニット７に対してガス供給信号を送信する。ガス供給信号を受信したガス供給ユニット７によって、第２のチャンバ１ｂ内にガスカーテン形成用のガスが供給され、プラズマ生成部２とホイルトラップ３との間にガスカーテンが形成される。
（９）制御部１２は、プラズマ生成部２における放電ガスの圧力が最適になると共にガスカーテンが形成された後、高電圧パルス発生部１１に対し放電開始信号を送信する。放電開始信号を受信した高電圧パルス発生部１１によって、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂに対し高圧パルス電圧が印加されプラズマ生成部２における放電が再開される。
【００４１】
Ｂ．第２の方法
第２の方法は、プラズマ生成部２で１度も放電を行っていないことを前提として、第２のチャンバ１ｂ内において、集光反射鏡４の光反射面にクリーニングガス構成物質を付着させる前処理工程と、クリーニングガスによって集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する後処理工程との両方を行うことを特徴とするクリーニング方法である。
前処理工程は次のように行われる。
（１）制御部１２は、第１，第２，第３のゲートバルブ２１ａ，２２ａ，２３ａの各々に対して、ゲート閉信号を送信する。ゲート閉信号を受信した第１，第２，第３のゲートバルブ２１ａ，２２ａ，２３ａの各々は、第１，第２，第３のゲート２１，２２，２３の各々を駆動して、連結部１０ａ，ＥＵＶ光取出部５，ガス排出口８ａを閉塞する。
制御部１２は、ガス排気ユニット８に対して駆動信号を送信して、ガス排気ユニット８を駆動させる。
【００４２】
（２）この状態で、制御部１２は、ノズル駆動手段２４ｂに対し駆動信号を送信する。駆動信号を受信したノズル駆動手段２４ｂは、クリーニングガス供給ノズル２５を駆動して、吹き出し口２５ｄの各々によって形成される複数の同心円の各々から吹き出されるクリーニングガスが、集光反射鏡４の入れ子状に形成された複数の光反射面の各々に向けて直接的に吹き付けられるよう、集光反射鏡４の光出射方向にクリーニングガス供給ノズル２５を配置する。
（３）クリーニングガス供給ノズル２５が所定の位置に配置された後、制御部１２は、クリーニングガス供給ユニット２４に対してガス供給信号を送信する。ガス供給信号を受信したクリーニングガス供給ユニット２４は、送出部２４ａ内にクリーニングガスを供給する。これにより、フレーム部２５ｃに設けられた吹き出し口から、集光反射鏡４の複数の光反射面の各々に向けてクリーニングガスが吹き付けられ、各々の光反射面上にクリーニングガス構成物質が付着する。尚、クリーニングガス構成物質を付着する条件については、前述の第１の方法で説明した通りである。
この際に、第１ないし第３のゲート２１，２２，２３によって密閉された第２のチャンバ１ｂ内にガスが充填されているので、光反射面に対してクリーニングガス構成物質を容易に付着させることができる。
【００４３】
（４）制御部１２は、集光反射鏡４の光反射面上にクリーニングガス構成物質を付着させた後、クリーニングガス供給ユニット２４に対しクリーニングガス停止信号を送信する。クリーニングガス停止信号を受信したクリーニングガス供給ユニット２４は、クリーニングガス供給ノズル２５内へのクリーニングガスの供給を停止する。
（５）さらに、制御部１２は、ノズル駆動手段２４ｂに対して駆動信号を送信する。駆動信号を受信したノズル駆動手段２４ｂは、クリーニングガス供給ノズル２５を駆動して、集光反射鏡４と極端紫外光取出口５とを結ぶ光路上からクリーニングガス供給ノズル２５を退避させる。
そして、第３のゲートバルブ２３ａにより第３のゲート２３を開き、稼動しているガス排気ユニット８により、クリーニングガスがチャンバ１ｂ外へ排出されて、チャンバ１ｂ内にクリーニングガスが残存しない状態になったとき、制御部１２は、第１，第２のゲートバルブ２１，２２の各々に対し、ゲート開信号を送信する。ゲート開信号を受信した第１，第２のゲートバルブ２１ａ，２２ａの各々は、第１，第２のゲート２１，２２の各々を開き、第２のチャンバ１ｂの連結部１０ａ，ＥＵＶ光取出口５の各々を開放する。これにより、第１，第２並びに第３のゲート２１，２２，２３の全てが開放した状態になる。
【００４４】
（６）この状態で、制御部１２は、放電ガス供給ユニット６に対し放電ガス供給信号を送信する。放電ガス供給信号を受信した放電ガス供給ユニット６は、プラズマ生成部２に対し放電ガスを供給する。また、制御部１２は、ガスカーテンを形成するためのガス供給ユニット７に対してガス供給信号を送信する。ガス供給信号を受信したガス供給ユニット７によって、第２のチャンバ１ｂ内にガスカーテン形成用のガスが供給され、プラズマ生成部２とホイルトラップ３との間にガスカーテンが形成される。
（７）制御部１２は、プラズマ生成部２における放電ガスの圧力が最適になった後、高電圧パルス発生部１１に対し放電開始信号を送信する。放電開始信号を受信した高電圧パルス発生部１１によって、第１および第２の主放電電極２ａ，２ｂに対して高圧パルス電圧が印加され、プラズマ生成部２における放電が開始される。
そして、プラズマ生成時間が一定時間経過することにより、集光反射鏡４のクリーニングガス構成物質上に形成される汚染物質層の厚みが、集光反射鏡の光反射面における極端紫外光に対する反射率が許容範囲を下回る水準にまで達したときには、第１の方法で説明した（１）〜（９）の手順を実施することにより、クリーニングガスによる後処理工程を実施し、光反射面上に堆積した汚染物質層が除去される。
【００４５】
以上のような本発明の極端紫外光光源装置によれば、集光反射鏡の光反射面を構成する光反射面構成物質層にクリーニングガス構成物質が付着していることから、極端紫外光放射源、主放電電極を構成する物質、絶縁材を構成する物質並びにホイルトラップを構成する物質と、光反射面構成物質とが反応することがないので、光反射面上において除去することができない汚染物質層が形成されるおそれを解消することができる。従って、プラズマ生成時間の経過に伴って集光反射鏡の光反射面に不可避的に形成される汚染物質層を完全に除去できるものと期待される。
さらには、光反射面をルテニウム（Ｒｕ）で構成することにより、ハロゲンガスと反応するおそれがないので、光反射面における極端紫外光に対する反射率が低下するおそれがない。
【００４６】
さらに、本発明の極端紫外光光源装置によれば、第１のチャンバと第２のチャンバとを仕切る第１のゲートと、ＥＵＶ光取出口を塞ぐ第２のゲートとを備えるので、集光反射鏡の光反射面をクリーニングする際に、主放電電極とクリーニングガスとが反応して主放電電極が劣化したり、第２のチャンバ外にクリーニングガスが流出することにより、露光機に搭載された精密機器がクリーニングガスによって腐食されるという心配がない。
また、本発明に係る集光反射鏡のクリーニング方法によれば、集光反射鏡の光反射面構成物質にクリーニングガス構成物質を確実に付着させることが出来ると共に、プラズマ生成時間の経過に伴って集光反射鏡に堆積する汚染物質層を確実に除去することができる。
【００４７】
以下に、本発明の効果を確認するために行った実験について説明する。実施例および比較例に係る実験用サンプルを作製した。以下において、Ｃｌがクリーニングガス構成物質に相当し、Ｓｎが汚染物質に相当する。
Ａ．実施例
実施例サンプルは、塩素（Ｃｌ）雰囲気に保った容器内に１つのＱＣＭ（Ｑｕａｒｔｚ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｂａｒａｎｃｅ）センサーを配置してセンサーの表面にＣｌを付着させる前処理工程を実施すると共に、このＣｌ上にさらにＳｎを付着させる処理を実施して得られたものである。
なお、ＱＣＭセンサーは、水晶振動子の表面に物質を付着させて水晶振動体の寸法、弾性率、密度などを等価的に変化させた場合の電気的共振周波数の変化に基づき、極めて微量な付着物を定量的に検出するセンサーである。
実験では、水晶板に電極として金（Ａｕ）を蒸着し、その上に実際の集光反射鏡に設けられたのと同程度のルテニウム（Ｒｕ）を成膜して表面粗さを集光反射鏡と同程度に研磨したものを使用した。
【００４８】
前処理工程の詳細は以下のとおりである。
容器内に供給するＣ１ガスの流量：５００ｓｃｃｍ
容器内のＣｌガスによる圧力：２．０×１０3 ｐａ
容器内に上記の圧力でＱＣＭセンサーを配置する時間：１分間
この場合のＱＣＭセンサーの表面に形成されるＣｌ層の厚み、Ｓｎ層の厚みは以下のとおりである。
Ｃｌ層の厚み：０．２２ｎｍ、０．２５ｎｍ、０．７６ｎｍ、０．３１ｎｍ、０．２８ｎｍ
Ｓｎ層の厚み：１．２９ｎｍ、１．０７ｎｍ、０．９ｎｍ、０．９８ｎｍ、１．１１ｎｍ
【００４９】
Ｂ．比較例
比較例サンプルは、実施例サンプルと同じ仕様を有するＱＣＭセンサーの各々の表面に、Ｃｌを付着させることなく、Ｓｎのみを付着させたものである。比較例サンプルは２種類あり、それぞれに形成したＳｎ層の厚みは、以下のように異なっている。
比較例サンプル１のＳｎ層の厚み：０．７２ｎｍ
比較例サンプル２のＳｎ層の厚み：１．７８ｎｍ
【００５０】
Ｃ．実施例と比較例の対比
実施例サンプル、比較例サンプル１並びに比較例サンプル２の各々を、Ｃｌ雰囲気に保った容器内に配置して、Ｓｎ層を除去する後処理工程を実施し、ＱＣＭセンサーの表面に形成されたＳｎ層が除去される割合を測定した。後処理工程の詳細な条件は以下に示すとおりである。
・実施例サンプル
容器内に供給するＣｌの流量：２００ｓｃｃｍ
容器内のＣｌガスによる圧力：４．０×１０2 ｐａ
・比較例サンプル１
容器内に供給するＣｌの流量：２００ｓｃｃｍ
容器内のＣｌガスによる圧力：４．０×１０2 ｐａ
・比較例サンプル２
容器内に供給するＣｌの流量：２００ｓｃｃｍ
容器内のＣｌガスによる圧力：１．３×１０4 ｐａ
実験結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2009026935.tif 000003
【００５２】
表１に示されるように、前処理を実施していない（Ｃｌが付着していない）比較例サンプル１，２は、Ｓｎ層の除去率が、それぞれ５８．９％，４１．６％であった。
それに対し、前処理工程を実施することにより表面にＣｌが付着した実施例サンプル１〜５は、それぞれＳｎ層の除去率が８８．３％、９２．７％、９０．６％、９７．４％、９６．９％となり、比較例サンプル１，２に比べＳｎ層の除去率が著しく向上した。
ここで、実施例サンプル１〜５において、前処理工程により付着したＣｌ層の膜厚（ｎｍ）は、それぞれ０．２２，０．２５，０．７６，０．３１，０．２８であった。これらの結果から、少なくともＣｌ層の膜厚が０．２ｎｍ以上であれば、本発明の効果を得ることができるものと考えられる。
これは、Ｃｌ層の膜厚が０．２ｎｍ以上であれば、表面全域がＣｌ層で覆われるが、Ｃｌ層の膜厚が小さい場合は、表面全体がＣｌ層で覆われないためであると考えられる。
この実験結果から、ＱＣＭセンサーに代えて集光反射鏡の光反射面構成物質にクリーニングガス構成物質を付着させた場合であっても、集光反射鏡の表面に堆積した汚染物質層を確実に除去できるものと考えられる。
従って、本発明に係る集光反射鏡を搭載した極端紫外光光源装置においては、プラズマ生成時間の経過に伴って集光反射鏡の光反射面上に堆積する汚染物質層を確実に除去できるものと考えられる。
【００５３】
また、実施例サンプル、比較例サンプル１並びに比較例サンプル２の各々のＲｕが成膜された面に対し、波長１３．５ｎｍの極端紫外光を入射角１５°で入射させ、後処理工程前と後処理工程後における極端紫外光の反射率を測定した。実験結果を表２に示す。
【００５４】
【表２】
2009026935.tif 000004
【００５５】
本発明は上記実施例で説明した構成の極端紫外光光源以外の極端紫外光光源装置にも同様に適用することができ、以下、図５、図６を用いて、回転電極を採用したＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置に対して本発明を適用した場合を説明する。
図５に本発明の第２の実施例の回転電極を採用したＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の概略構成例を示す。
図５に示すＥＵＶ光源装置は、基本的には図１に示すＥＵＶ光源装置において、第１の主放電電極、第２の主放電電極を回転可能に構成したものであり、その他の構成は、図１０に示すＥＵＶ光源装置とほぼ同等である。よって、以下、図１と共通する構成要素については、説明を省略する。
【００５６】
図５に示す例では、チャンバ１は、放電部２０を収容する放電空間３１と集光反射鏡４を収容する集光空間３２とに大きく分割され、放電空間と集光空間の間には隔壁１ｃが設けられ、隔壁１ｃにはホイルトラップ３が設けられている。
放電空間は第１のガス排気ユニット８１と接続され、集光空間は第２のガス排気ユニット８２と接続される。各空間は、それぞれに接続されたガス排気ユニット８１，８２により減圧雰囲気とされる。
放電空間３１の圧力と不図示の露光装置の光学系に繋がる集光空間３２の圧力は、放電条件またはその他の要因により、圧力差を生じさせる必要がある場合がある。上記したような排気構成により、両空間を差動排気することが可能となり、各空間の圧力差が所定の値となるように設定することが可能となる。
【００５７】
放電部２０は、金属製の円盤状部材である第１の主放電電極２０ａと、同じく金属製の円盤状部材である第２の主放電電極２０ｂとが絶縁材２０ｃを挟むように配置された構造である。
第１の主放電電極２０ａの中心と第２の主放電電極２０ｂの中心とは略同軸上に配置され、第１の主放電電極２０ａと第２の主放電電極２０ｂは、絶縁材２０ｃの厚みの分だけ離間した位置に固定される。ここで、第２の主放電電極２０ｂの直径は、第１の主放電電極２０ａの直径よりも大きい。
第２の主放電電極２０ｂには、モータ２０ｄの回転軸２０ｅが取り付けられている。ここで、回転軸２０ｅは、第１の主放電電極２０ａの中心と第２の主放電電極２０ｂの中心が回転軸２０ｅの略同軸上に位置するように、第２の主放電電極２０ｂの略中心に取り付けられる。
回転軸２０ｅは、例えば、メカニカルシール２０ｆを介してチャンバ１内に導入される。メカニカルシール２０ｆは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２０ｅの回転を許容する。
【００５８】
第２の主放電電極２０ｂの下側には、例えばカーボンブラシ等で構成される第１の摺動子２０ｇおよび第２の摺動子２０ｈが設けられている。第２の摺動子２０ｈは第２の主放電電極２０ｂと電気的に接続される。一方、第１の摺動子２０ｇは第２の主放電電極２０ｂを貫通する貫通孔を介して第１の主放電電極２０ａと電気的に接続される。なお、図示を省略した絶縁機構により、第１の主放電電極２０ａと電気的に接続される第１の摺動子２０ｇと第２の主放電電極２０ｂとの間では絶縁破壊が発生しないように構成されている。
第１の摺動子２０ｇと第２の摺動子２０ｈは摺動しながらも電気的接続を維持する電気接点であり、高電圧パルス発生部１１と接続される。高電圧パルス発生部１１は、第１の摺動子２０ｇ、第２の摺動子２０ｈを介して、第１の主放電電極２０ａと第２の主放電電極２０ｂとの間にパルス電力を供給する。
すなわち、モータ２０ｄが動作して第１の主放電電極２０ａと第２の主放電電極２０ｂとが回転していても、第１の主放電電極２０ａと第２の主放電電極２０ｂとの間には、第１の摺動子２０ｇ、第２の摺動子２０ｈを介して、高電圧パルス発生部１１よりパルス電力が供給される。
【００５９】
高電圧パルス発生部１１から第１の摺動子２０ｇ、第２の摺動子２０ｈとの配線は、図示を省略した絶縁性の電流導入端子を介してなされる。電流導入端子は、チャンバ１に取り付けられ、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、高電圧パルス発生部１１から第１の摺動子２０ｇ、第２の摺動子２０ｈとの電気的接続を可能とする。
金属製の円盤状部材である第１の主放電電極２０ａ、第２の主放電電極２０ｂの周辺部は、エッジ形状に構成される。高電圧パルス発生部１１より第１の主放電電極２０ａ、第２の主放電電極２０ｂに電力が供給されると、両電極のエッジ形状部分間で放電が発生する。放電が生じると、第１の主放電電極２０ａ、第２の主放電電極２０ｂの周辺部は放電により高温となるので、第１、第２の主放電電極２０ａ，２０ｂは、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル等の高融点金属からなる。また、絶縁材２０ｃは、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
第２の主放電電極２０ｂの周辺部には溝部が設けられ、この溝部に高温プラズマ用原料である固体Ｓｎや固体Ｌｉが供給される。原料供給は、予め、溝部に固体Ｓｎや固体Ｌｉを配置するようにしてもよいし、原料供給ユニット６１より供給するようにしてもよい。原料供給ユニット６１は、例えば、固形のＳｎやＬｉを定期的に第２の主放電電極２０ｂの溝部に供給するように構成される。
第２の主放電電極２０ｂの溝部に配置もしくは供給されたＳｎまたはＬｉは、第２の主放電電極２０ｂの回転により放電部２０におけるＥＵＶ光出射側であるＥＵＶ光集光部側に移動する。
【００６０】
一方、チャンバ１には、上記ＥＵＶ集光部側に移動したＳｎまたはＬｉに対してレーザ光を照射するレーザ照射機３０が設けられる。レーザ照射機３０からのレーザ光は、チャンバ１に設けられた不図示のレーザ光透過窓部、レーザ光集光手段を介して、上記ＥＵＶ集光部側に移動したＳｎまたはＬｉ上に集光光として照射される。
上記したように、第２の主放電電極２０ｂの直径は、第１の主放電電極２０ａの直径よりも大きい。よって、レーザ光は、第１の主放電電極２０ａの側面を通過して第２の主放電電極２０ｂの溝部に照射されるように容易にアライメントすることができる。
【００６１】
レーザ照射機３０よりレーザ光が照射されたＳｎまたはＬｉは、第１の主放電電極２０ａ、第２の主放電電極２０ｂ間で気化し、一部は電離する。このような状態下で、第１、第２の主放電電極２０ａ，２０ｂ間に高電圧パルス発生部１１より電圧が約＋２０ｋＶ〜−２０ｋＶであるようなパルス電力を供給すると、第１の主放電電極２０ａ、第２の主放電電極２０ｂの周辺部に設けられたエッジ形状部分間で放電が発生する。
これにより、高温プラズマが生成され、当該高温プラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。放射された極端紫外光は、ホイルトラップ３を介して集光空間３２内に設けられた集光反射鏡４に入射し、集光されてＥＵＶ光取出部５から図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
集光反射鏡４は、前述したようにニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびロジウム（Ｒｈ）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０°〜２５°の斜入射角度の極端紫外光を良好に反射できるよう複数の光反射面が入れ子状に形成したものである。
【００６２】
ここで、本実施例の極端紫外光光源装置においても、前記第１の実施例と同様、第１および第２の主放電電極２０ａ，２０ｂ間に放電を生じさせている工程（プラズマ生成工程）が経過するに伴って、放電ガス中に含まれる極端紫外光放射源、或いは高温プラズマと接する主放電電極を構成する物質の一部が、ホイルトラップ３によって捕捉されることなく集光反射鏡４の光反射面上に堆積し、これらの汚染物質よりなる汚染物質層が形成される。
そこで、集光反射鏡４には、前記した前処理工程により、図３に示したように光反射面を構成する光反射面構成物質層にクリーニングガス構成物質を付着させている。また、集光空間３２には、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニット２４と、クリーニングガス供給ノズル２５とを設けている。なお、クリーニングガス供給ノズル２５は、前記図４に示したものと同様の構成である。
そして、プラズマの生成により集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を、クリーニングガス供給ノズル２５から集光反射鏡４の光反射面に対してクリーニングガスを吹き付けて除去する。
【００６３】
なお、前述したように、クリーニングガス供給ノズル２５は、プラズマの生成を停止して集光反射鏡４の光反射面のクリーニングを行う工程においては、クリーニングガスが、入れ子状に形成された複数の光反射面の各々に向けて直接的に吹き付けられるよう集光反射鏡４の光出射方向に配置され、クリーニングの終了後には、集光反射鏡と極端紫外光取出口とを結ぶ光路上から退避するよう、所定のノズル駆動手段２４ｂによってチャンバ１ｂ内を移動することが可能になっている。
また、集光反射鏡４における光反射面のクリーニングを行う際に、ハロゲンガス等のクリーニングガスにより第１および第２の主放電電極２０ａ，２０ｂが劣化したり、或いは、集光空間３２に接続された露光機内に搭載される精密機器がハロゲンガスより侵食されないようにする必要がある。このため、チャンバ１には、集光反射鏡４のクリーニングを行う際に、第２のチャンバ１ｂ内を密閉するための第１〜第３のゲート２１〜２３、第１〜第３のゲートバルブ２１ａ〜２３ａが設けられている。
第１〜第３のゲート２１〜２３は、放電空間３１と集光空間３２の間、極端紫外光取出口５、並びにガス排気ユニット８２に通じる排気口の近傍の３箇所に設けられており、後述するように、集光反射鏡４の光反射面をクリーニングする前後において、第１〜第３のゲートバルブ２１ａ〜２３ａにより開閉される。
【００６４】
本実施例において集光反射鏡の光反射面上に堆積される汚染物質層を除去するためのクリーニングは、先に説明した第１の実施例と同様に、第１の方法、第２の方法で行なうことができる。
第１の方法においては、前述したように、前処理工程により集光反射鏡の光反射面に予めクリーニングガス構成物質が付着させておき、プラズマ生成工程において集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が堆積したとき、前述したように後処理工程を行い集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する。
すなわち、プラズマの生成を停止して、クリーニングガス供給ノズル２５を集光反射鏡４の光出射方向に配置する。そして、第１〜第２のゲート２１〜２２を閉じて、クリーニングガス供給ノズル２５から、クリーニングガスを、集光反射鏡４の光反射面の各々に向けて吹き付けてクリーニングを行なう。
【００６５】
また、第２の方法においては、前述したように、集光反射鏡を極端紫外光光源装置に搭載した後に、前処理工程として集光反射鏡の光反射面上にクリーニングガス構成物質を付着させ、プラズマ生成工程において集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が堆積したとき、前述したように後処理工程を行い集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する。
すなわち、上記第２の方法における前処理工程では、前述したように、第１，第２，第３のゲート２１，２２，２３を閉じ、クリーニングガス供給ノズル２５を、クリーニングガスが集光反射鏡４の入れ子状に形成された複数の光反射面の各々に向けて吹き付けられるように配置し、クリーニングガスを供給して、集光反射鏡４の光反射面上にクリーニングガス構成物質を付着させる。
そして、プラズマ生成工程において集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が堆積すると、前述したように後処理工程を行い集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する。
【００６６】
図６に本発明の第３の実施例の回転電極を採用したＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の概略構成例を示し、回転電極の構成が図５に示したものと相違する。その他の構成は、図５に示すＥＵＶ光源装置とほぼ同等である。よって、以下、図５と共通する構成要素については、説明を省略する。また、図６では、制御部１２、露光機１３などは省略されている。
図６において、金属製の円盤状部材である第１および第２の主放電電極２０ａ，２０ｂは、パルス電力供給時に電界が集中する周縁部のエッジ部分が、所定距離だけ離間して互いに向かい合うように配置される。すなわち、各電極表面を含む仮想平面が交差するように各電極を配置することが好ましい。
なお上記所定距離は、両電極２０ａ，２０ｂの周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分での距離である。このように配置することにより、両電極の周縁部のエッジ部分間距離が最も短い部分（放電部４５）で多く放電が発生するので、放電位置が安定する。
【００６７】
図６に示すＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ放射種を含む原料であるＳｎやＬｉ等を加熱により液化させてコンテナ４１，４２に貯蔵し、この液化した原料を、回転軸４６を軸として回転する第１および第２の主放電電極２０ａ，２０ｂの一部が通過するように構成したものである。このように構成することにより、ＥＵＶ放射種を含む原料は、各主放電電極２０ａ，２０ｂのエッジ部に供給される。
具体的には、図６に示すように、第１の回転電極２０ａは、その一部が液化したＥＵＶ放射種を含む原料４３を収容する導電性の第１のコンテナ４１の中に浸されるように配置される。同様に、第２の回転電極２０ｂは、その一部が液化した原料４３を収容する導電性の第２のコンテナ４２の中に浸されるように配置される。
第１のコンテナ４１および第２のコンテナ４２は、第１のチャンバ１ａ内の減圧雰囲気を維持可能な絶縁性の電力導入部４４を介して高電圧パルス発生部１１と接続される。
原料４３である液化したＳｎやＬｉは導電性であり、第１、第２のコンテナ４１，４２も導電性であるので、第１のコンテナ４１および第２のコンテナ４２間に高電圧パルス発生部１１にパルス電力を供給することにより、導電性の原料４３に一部が浸漬している第１の主放電電極２０ａおよび第２の主放電電極２０ｂ間にパルス電力が供給される。
すなわち、図６に示すＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、原料供給ユニット（第１、第２のコンテナ）が下側に、ＥＵＶ光取出し部５が上側に位置するように構成される。
【００６８】
導電性の原料４３に一部が浸漬している第１および第２の主放電電極２０ａ，２０ｂが回転すると、原料が付着した電極部分がＥＵＶ光出射側に移動する。ＥＵＶ光出射側にはレーザ照射機３０が設けられ、上記原料に対してレーザ光を照射する。このレーザ光により、上記原料は気化・電離する。
このような状態で、高電圧パルス発生部１１からパルス電力が第１、第２の主放電電極に印加されると、電極間周辺部には高温プラズマが発生し、このプラズマからＥＵＶ光が放射される。
放射された極端紫外光は、隔壁１ｃに設けられたホイルトラップ３を介して集光空間３２内に設けられた集光反射鏡４に入射し、集光されてＥＵＶ光取出部５から図示を省略した露光機側光学系である照射部に出射される。
集光反射鏡４は、前述したようにニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属を緻密にコーティングした複数の光反射面が入れ子状に形成したものである。
【００６９】
本実施例の極端紫外光光源装置においても、前記第１、第２の実施例と同様、プラズマ生成工程が経過するに伴って、デブリが、ホイルトラップ３によって捕捉されることなく集光反射鏡４の光反射面上に堆積し、汚染物質層が形成される。                        そこで、集光反射鏡４には、前記した前処理工程により、図３に示したように光反射面を構成する光反射面構成物質層にクリーニングガス構成物質を付着させている。また、集光空間３２には、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニット２４と、クリーニングガス供給ノズル２５とを設けている。なお、クリーニングガス供給ノズル２５は、前記図４に示したものと同様の構成である。
そして、プラズマの生成により集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を、クリーニングガス供給ノズル２５から集光反射鏡４の光反射面に対してクリーニングガスを直接的に吹き付けて除去する。
【００７０】
なお、前述したように、クリーニングガス供給ノズル２５は、クリーニングを行う工程においては、集光反射鏡４の光出射方向に配置され、クリーニングの終了後には、集光反射鏡と極端紫外光取出口とを結ぶ光路上から退避するよう、所定のノズル駆動手段２４ｂによって第２のチャンバ１ｂ内を移動することが可能になっている。
また、第２のチャンバ１ｂには、集光反射鏡４のクリーニングを行う際に、第２のチャンバ１ｂ内を密閉するための第１〜第３のゲート２１〜２３、第１〜第３のゲートバルブ２１ａ〜２３ａが設けられている。
本実施例において集光反射鏡の光反射面上に堆積される汚染物質層を除去するためのクリーニングは、先に説明した第１、第２の実施例と同様に、第１の方法、第２の方法で行なうことができる。
第１の方法においては、前述したように、前処理工程により集光反射鏡の光反射面に予めクリーニングガス構成物質を付着させておき、プラズマ生成工程において集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が堆積したとき、前述したように後処理工程を行い集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する。
また、第２の方法においては、前述したように、集光反射鏡を極端紫外光光源装置に搭載した後に、前処理工程として集光反射鏡の光反射面上にクリーニングガス構成物質を付着させ、プラズマ生成工程において集光反射鏡４の光反射面上に汚染物質層が堆積したとき、前述したように後処理工程を行い集光反射鏡４の光反射面上に堆積した汚染物質層を除去する。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１の実施例の極端紫外光光源装置の構成の概略を示す断面図である。
【図２】集光反射鏡の表面に汚染物質層が形成される前にクリーニングガス構成物質を付着させた場合の作用を概念的に説明する図である。
【図３】クリーニングガス構成物質が付着した集光反射鏡の断面を拡大して示す図である。
【図４】クリーニングガス供給ノズルを、クリーニングガスが吹き出す方向から見たときの概略図である。
【図５】本発明の第２の実施例の極端紫外光光源装置の構成の概略を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例の極端紫外光光源装置の構成の概略を示す断面図である。
【図７】ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１      チャンバ
１ａ    第１のチャンバ
１ｂ    第２のチャンバ
２      プラズマ生成部
２ａ    第１の主放電電極
２ｂ    第２の主放電電極
２ｃ    絶縁材
３      ホイルトラップ
４      集光反射鏡
５      ＥＵＶ光取出口
６      放電ガス供給ユニット
７      ガス供給ユニット
８      ガス排気ユニット
１１    高電圧パルス発生部
１２    制御部
１３    露光機
２１    第１のゲート
２２    第２のゲート
２３    第３のゲート
２４    クリーニングガス供給ユニット
２５    クリーニングガス供給ノズル
２０    放電部
２０ａ  第１の主放電電極
２０ｂ  第２の主放電電極
２０ｃ  絶縁材
２０ｄ  モータ
３０    レーザ照射機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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