(57)【要約】      （修正有）【課題】多数のウェーハのエピタキシ膜の成長が一様の厚さに散布するようサセプタを提供する。【解決手段】ウェーハ用サセプタ２１は周辺に外周フランジ２０を配置し、この外周フランジ２０は、反応しているガスの速度を減ずることができ、急速に下方に流出してガス出口に向かうのを防止する事で反応しているガスを比較的より長い滞留時間の間のウェーハ用サセプタの周辺に保つようにして、比較的充分なエピタキシ成長を行わせ、ウェーハ用サセプタ２１の全体の領域にわたって一様の厚さにエピタキシ膜が成長する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシ・プロセスのためのウェーハ用サセプタであって、
当該ウェーハ用サセプタに配置された、ウェーハを支えるための複数のウェーハ用凹部、及び
当該ウェーハ用サセプタの周辺に配置した外周フランジ、
を有するウェーハ用サセプタ。
【請求項２】
当該ウェーハ用サセプタの中央に配置された軸穴、
を有する請求項１に記載のエピタキシ・プロセスのためのウェーハ用サセプタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体のエピタキシ処理のための、ウェーハ用サセプタに関する。そして、より詳細には、サセプタ上の多数のウェーハのためのエピタキシ成長の厚みの均一性を改善するための外周フランジを有するウェーハ用サセプタに関する。
【背景技術】
【０００２】
［従来技術の説明］
図１は従来技術のエピタキシ設備の断面図である。
【０００３】
図１に示すように、従来技術のエピタキシ設備は、エピタキシ成長リアクタ（100）を有する。リアクタには、ウェーハ用サセプタの台座（102）が両側に備えてられている。ウェーハ用サセプタ（11）を配置するためのウェーハ用サセプタ台座（102）には、エピタキシ成長の反応に対して必要な温度を提供するため、ウェーハ用サセプタ台座（102）の下に加熱コイル（103）が配置されている。ウェーハ用サセプタの台座（102）の外面の上を覆っているベル・カバー（104）は、エピタキシ成長反応室（105）を構成する。
【０００４】
エピタキシ成長リアクタ（100）の中央に配置した噴霧部材（14）は、ウェーハの表面上の噴霧のための反応用ガス（15）を供給する。噴霧された反応ガス（15）および反応した廃棄ガスは、ウェーハ用サセプタの周辺（11）およびベルカバー（104）間のギャップの中を下方へ流れ、（図に示されない）出口へと排気される。反応しているガスがウェーハ表面を通過するとき、ウェーハはエピタキシ成長を行う。
【０００５】
図２は従来技術のウェーハ用サセプタの斜視図である。
【０００６】
図２に示すように、従来技術のウェーハ用サセプタ（11）は、（図示しない）ウェーハを乗せるための多数のウェーハ用凹部（12）を有する。一様に反応させるために、ウェーハ用サセプタ台座（102）は、エピタキシ成長プロセスの間、その上にあるウェーハ用サセプタ（11）を回転するために動かすことができる。ウェーハ用サセプタ（11）は、ウェーハ用サセプタ台座（102）の（図に示されない）回転シャフトでウェーハ用サセプタ（11）を固定するための軸穴（16）を有する。従来技術のウェーハ用サセプタ（11）の周辺が平坦な領域であるので、この領域を通過している反応ガス（15）は下方へ急速に流出して、エピタキシ層の比較的より薄い厚みを引き起こせることになってしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図３は従来技術のウェーハ用サセプタの図２の断面ＡＡによる断面図である。
【０００８】
図３に示すように、従来技術のウェーハ用サセプタ（11）の周辺は平坦な領域であったので、この領域を通過している反応ガス（15）は急速に下方へ流れて、流出して無くなることになる。このことは、その領域に隣接しているウェーハのエピタキシ成長の厚さが不十分なものとなる。
【０００９】
エピタキシ膜の厚みの成長は、反応しているガス（15）の滞留時間と比例している。反応しているガス（15）の滞留時間がより長ければ、エピタキシ成長の層の厚さはより厚くなる。これとは逆に、反応しているガス（15）の滞留時間がより短ければ、エピタキシ成長の層の厚さは薄くなる。
【００１０】
このことにより、従来のウェーハ用サセプタ（11）では、反応しているガス（15）に接触している確率は、中央シャフト穴（16）に隣接しているウェーハでは比較的高い。このため、このエピタキシ層の成長は、比較的厚くなる。
【００１１】
これに反して、ウェーハ用サセプタ（11）の周辺に隣接しているウェーハでは、反応しているガス（15）の接触時間は、比較的短い。このため、このエピタキシ層の成長は、比較的薄くなる。それらの間のエピタキシ厚の成長の相違は、５から８%に達することがありえる。この相違が、ウェーハのエピタキシ厚の不統一をもたらす。理想的には、この相違は小さければ小さいほどよい。
【００１２】
本発明は、反応しているガスの速度を減ずるため、外周フランジを有するウェーハ用サセプタを開示している。これによって、ガスの流出する速度を落とすことで、ウェーハ用サセプタの周辺に置かれるウェーハに充分な厚みのあるエピタキシ層を作ることができる。
【００１３】
本発明は、エピタキシ膜の成長厚みが、ウェーハ用サセプタの内側ループに置かれるウェーハと外側ループに置かれるウェーハの間で不均一に分布する従来技術の欠点を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
［好ましい実施例の詳細な説明］
図４は、本発明のウェーハ用サセプタの斜視図である。
【００１５】
図４に示すように、外周フランジ（20）は、ウェーハ用サセプタ（21）の周辺に配置される。外周フランジ（20）は、図５に示すように周辺域Wに隣接してウェーハ用サセプタ（21）上で反応しているガス（15）の滞留時間を延長することができる.これによって、周辺におけるウェーハが、比較的充分なエピタキシ成長を有することができるようにする。その結果として、全部の領域のウェーハ用サセプタ（21）におけるウェーハのエピタキシ成長の厚さを比較的均一にすることができる。
【００１６】
図５は、図４の断面ＢＢによる本発明のウェーハ用サセプタの断面図である。
【００１７】
図５に示すように、外周フランジ（20）は、ウェーハ用サセプタ（21）の周辺に配置され、反応しているガス（15）に緩衝地帯を提供する。これによって、反応しているガス（15）がウェーハ用サセプタ（21）から急速に流出して無くなるのを防止する。反応しているガス（15）は、外周フランジ（20）の障害度に依存して、比較的より長い滞留時間を有することができる、そして、内側ループのウェーハのエピタキシ成長と同様の、外側ループのエピタキシ成長を行うようなエピタキシ成長反応の可能性を増やすことができる。このことにより同一の成長を全部の領域において成し遂げている。
【００１８】
実際の実験によれば、厚みの差の分布は、１％までおさえることが可能で、それ以下であることもありえる。この厚みの均一性を担保する重要な効果は、製品の歩留まりを大きく改善することできる。その結果として、ウェーハの生産コストの削減および一定の品質に関し、著しい有効性を確保することができる。
本発明の範囲または精神から逸脱することなく、さまざまな修正や変更が本発明の構造になされることがありえることは当業者にとって明らかである。前述の説明から、全ての変更態様および変化が添付の請求の範囲およびそれらの均等物の範囲内になることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来技術のエピタキシ設備の断面図である。
【図２】従来技術のウェーハ用サセプタの斜視図である。
【図３】図面２の断面ＡＡによる従来技術のウェーハ用サセプタの断面図である。
【図４】本発明のウェーハ用サセプタの斜視図である。
【図５】図４の断面ＢＢによる本発明のウェーハ用サセプタの断面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１１    ウェーハ用サセプタ
１２    ウェーハ用凹部
１４    噴霧部材
１５    反応ガス
１６    軸穴
２０    外周フランジ
２１    ウェーハ用サセプタ
１００  エピタキシ成長リアクタ
１０２  ウェーハ用サセプタ台座
１０３  加熱コイル
１０４  ベルカバー
１０５  エピタキシ成長反応室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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