(57)【要約】【課題】磁気テープ装置に用いられる磁気ヘッドアセンブリであって、ヘッド素子部の磨耗変形やステインの付着によるスペーシングの増加による出力の低下のない磁気ヘッドアセンブリを提供する。【解決手段】電磁変換素子を含む複数のヘッド素子部Ｅと、磁気テープと当接する摺動部Ｓ１，Ｓ２とを備えたヘッドレール１０２を有するリニア記録型磁気ヘッドアセンブリであって、ヘッド素子部Ｅと摺動部Ｓ１，Ｓ２とにおける磁気テープ摺動面に保護膜１２を備え、保護膜１２は、ヘッドレール１０２の磁気テープ走行方向の両端部近傍以外の部分に形成され、磁気テープが摺動可能な最表面が平坦に形成されている。【選択図】図１
2009048745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁変換素子を含む複数のヘッド素子部と磁気テープと当接する摺動部とを備えたヘッドレールを有するリニア記録型磁気ヘッドアセンブリであって、
前記ヘッド素子部と前記摺動部とにおける磁気テープ摺動面に保護膜を備え、
前記保護膜は、
前記ヘッドレールにおける磁気テープ走行方向の両端部近傍以外の部分に形成され、
前記磁気テープが摺動可能な最表面が平坦に形成されている、リニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項２】
前記保護膜は、
その最表層がダイヤモンド・ライク・カーボン膜で構成された、請求項１に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項３】
前記保護膜は、
その厚さが、前記ヘッド素子部の前記電磁変換素子に対向する位置において、２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項４】
前記保護膜は、
前記ヘッド素子部と前記摺動部とに接する部分とダイヤモンド・ライク・カーボン膜との間に更にシリコン含有保護膜を備えた、請求項２に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項５】
前記ヘッドレールのテープ走行方向の両端部における前記保護膜が形成されていない部分のテープ走行方向の幅をＬとし、前記ヘッドレールのレール幅をＷとした時、
５μｍ≦Ｌ≦Ｗ／４
の関係を成している、請求項１ないし３に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項６】
請求項１ないし５に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリを搭載した、リニア記録型磁気テープ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リニア記録型磁気テープ装置に使用される磁気ヘッドアセンブリに関する。さらに詳しくは、ＭＲ（Magnetic Resistance）型、ＧＭＲ（Giant Magnetic Resistance）型、ＴＭＲ（Tunneling Junction Magnetic Resistance）型等の磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドアセンブリに関する。また、そのような磁気ヘッドアセンブリを用いた磁気テープ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
データバックアップ用磁気テープの分野では、バックアップの対象となるハードディスクの大容量化に伴い、１巻当たり８００ＧＢ以上の記録容量を持つ磁気テープが商品化されている。また、今後４ＴＢを超える大容量バックアップテープが提案されており、その高容量化は不可欠である。
【０００３】
このような大容量磁気テープ装置に用いられる記録再生用磁気ヘッドアセンブリとしては、以下のような構成がある。基体上に、薄膜生成法を用いて、磁極、コイル、磁気抵抗効果型素子層等を形成して、記録を行う誘導型ヘッド素子と、磁気抵抗効果型ヘッド素子を利用して再生を行うＭＲ誘導型複合ヘッド素子を磁気テープ走行方向に直交する方向に伸びる同一のヘッドレール上に複数個（８〜１６個）設け、このようなヘッドレールがテープ走行方向に１本以上（一般的には２本）設けられている。このような構成の磁気ヘッドアセンブリにおいて、磁気テープのフォワード方向走行時は先行レールに搭載されている磁気ヘッドで磁気テープに信号を記録して、後行レールに搭載されている磁気ヘッドで磁気テープに記録された信号を再生する。このような動作を、複数のチャンネル（８〜１６個）で同時記録再生に行う。また、リバース方向走行時には、上記フォワード方向走行時の動作に対して、逆の動作を行う。ここで、ヘッド素子がないレールが存在している磁気ヘッドアセンブリでも良い。
【０００４】
また、これらの磁気ヘッドアセンブリには、記録再生素子を複数個搭載したヘッドレールの両端にサーボ信号再生用ＭＲ型ヘッド素子を設けて、磁気テープに記録されたサーボ信号を基準にして、多チャンネル同時に記録再生を行う型の磁気ヘッドアセンブリがある。また、磁気テープのバックコート側に光学的位置検出用の複数個の凹部を設けたサーボパターンを、記録再生素子を複数個搭載したヘッドレールと磁気テープを挟んで対向した位置にある光学センサーで読み取り、この信号を基準にして多チャンネル同時に記録再生を行うようなタイプもある。
【０００５】
図４Ａは、４本のレールで構成された磁気ヘッドアセンブリの一例を示す。図４Ｂは、図４ＡにおけるＺ−Ｚ部の断面を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、磁気ヘッドアセンブリ１０１は、磁気テープが摺動する４本のレール１０２の一部に、一対のヘッドチップ群１０３ａ及び１０３ｂが配されている。一つのヘッドチップ群には、図４ＡにおけるＹ部（ヘッドチップ群の拡大図）に示すように、磁気テープにデータ信号の記録または再生を行うことができる１６個のデータヘッド１１０と、データヘッド１１０の両端位置に配され磁気テープに記録されているサーボ信号を読み取ることができるサーボヘッド１１１とから構成されている。
【０００６】
図５は、図４に示すヘッドチップ群のうち一つの磁気ヘッド（データヘッド１１０）の構成を示し、図５（ａ）は平面図で、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＸ−Ｘ部分の断面図である。磁気ヘッドは、基体１、絶縁層２、磁気シールド層３、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）４、磁気シールド層５、磁極層６、ギャップ部７、磁極層８、導電コイル９、および基体１１から構成されている。ヘッド素子部は、磁気シールド層３、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）４、磁気シールド層５、磁極層６、ギャップ部７、磁極層８、および導電コイル９で構成されている。
【０００７】
図５（ｂ）において、初期ＰＴＲ（Pole Tip Recession）であるｄ１とは、磁気ヘッドアセンブリ作製時の最終研磨工程において基体（アルチック）１及び１１と、絶縁層（アルミナガラス）２およびヘッド素子部（各種材料）との磨耗特性の違いにより生じる凹部１３（磨耗段差）の深さ寸法である。
【０００８】
従来のリニア型磁気ヘッドアセンブリにおいては、図５（ｂ）に示すように、磁気テープと対向する基体（摺動部）１，１１およびヘッド素子部の表面を含むヘッドレール１０２の表面は、保護膜などは設けられておらず、磁気テープが直接ヘッドレール１０２の表面を摺動する。なお、特許文献１には、ハードディスク用薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部に生じる加工段差のみに、酸化シリコン膜やカ−ボン膜などの保護膜をスパッタリングにより成膜する構成が開示されている。
【０００９】
従来の薄膜磁気ヘッドでは、特に低湿環境下（２０℃、１０％ＲＨ）で同一磁気テープを繰り返し記録再生する条件下では、ヘッド素子部の磁気テープとの摺動面にステイン（Brown Stain）が付着してスペーシングが増加する。スペーシングが増加すると、再生出力が低下して、エラーレートが上昇する問題があった。このステインは、磁気テープの磁性層表層成分が走行時に剥離し、ヘッド素子部の表面に付着するものであるが、記録再生時における磁気ヘッドへの印加電流による発熱と、磁気テープ走行時の摩擦で基体（アルチック）−ヘッド素子間に電位差が発生する熱電気化学反応とにより、付着するものと考えられている。なお、基体、ヘッド素子の電位差とステインとの関係については、非特許文献１に記載されているような研究が行われている。
【特許文献１】特開平７−２３０６１５号公報
【非特許文献１】ＣＭＲＲ（Center for Magnetic Recording Research） Report, page.11, number.24 Summer 2005 ,University of California, San Diego
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に開示されているような磁気ディスク用磁気ヘッドの場合、磁気ディスク上に対向したジンバルの先に設置した微小磁気ヘッドスライダー（磁気ヘッドアセンブリ）は、磁気ディスクの回転停止時は磁気ディスクと接触させておくが、磁気ディスクを高速回転させることにより、ヘッドレールと磁気ディスク間の相対運動により生じるエアーベアリング効果によって、磁気ディスクから浮上させて使用するＣＳＳ（Contact Start Stop）方式で使用するものである。これに対して磁気テープ用磁気ヘッドは、磁気テープの走行中も磁気テープに接触する構成である。また、磁気ディスクは媒体の剛性が極めて高く、磁気ヘッドとの硬度差が大きくないが、磁気テープは厚さが極めて薄くて低剛性であり、磁気ヘッドとの硬度差が大きい。
【００１１】
それらを踏まえた上で、磁気テープ用磁気ヘッドの場合、磁気テープ走行時におけるＰＴＲは、アブレッシブ磨耗（ヘッド、磁気テープ間の接触時に２体間の磨耗が生じるのではなく、ヘッド、磁気テープ、研磨粉（磁気テープ、ヘッドからの脱落物など）の３体間の接触による磨耗）によって進行していく。この場合、磁気ディスク用磁気ヘッドは、ヘッド素子部を含む磁気ヘッドアセンブリ部分が磁気ディスクに対して浮上しているため、磁気ディスクとはほぼ非接触であり、上記のような研磨粉が生じず、アブレッシブ摩耗は起こらない。しかし、磁気テープ用磁気ヘッドのように、磁気テープと磁気ヘッドとが接触した状態で磁気テープを走行させる構成では、磁気テープの材料と磁気ヘッドの材料との硬度差が大きいため、アグレッシブ磨耗が生じ、ＰＴＲが進行してしまう。
【００１２】
また、特許文献１には、磁気ディスク用磁気ヘッドのヘッド素子部の凹み部分にのみ保護膜を設けることが開示されているが、この手法では、基体部には保護膜が形成されていないので、基体部とヘッド素子部との間に電位差が生じやすく、前述したステインの発生を十分に防ぐことはできない。
【００１３】
本発明の目的は、磁気テープ装置に用いられる磁気ヘッドアセンブリであって、ヘッド素子部の磨耗変形やステインの付着によるスペーシングの増加による出力の低下のない磁気ヘッドアセンブリを提供することである。また、エラーレートを低下させることができる磁気テープ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、磁気テープ装置に用いられる、リニア記録型磁気ヘッドアセンブリについて鋭意検討した結果、リニア記録型磁気ヘッドアセンブリを下記の構成とすることにより、上記目的を達成することができ、本発明をなすに至った。
【００１５】
すなわち、本発明のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリは、電磁変換素子を含む複数のヘッド素子部と磁気テープと当接する摺動部とを備えたヘッドレールを有するリニア記録型磁気ヘッドアセンブリであって、前記ヘッド素子部と前記摺動部とにおける磁気テープ摺動面に保護膜を備え、前記保護膜は、前記ヘッドレールにおける前記磁気テープ走行方向の両端部近傍以外の部分に形成され、前記磁気テープが摺動可能な最表面が平坦に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の磁気ヘッドアセンブリによれば、磁気ヘッドアセンブリのヘッド素子部と摺動部とが保護膜で覆われ、保護膜の最表面がヘッド素子部と摺動部とで段差を生じることなく平坦に形成されているので、ヘッド素子部の磨耗やステインの付着によるスペーシングの増加を抑えることができる。
【００１７】
また、上記のような磁気ヘッドアセンブリを磁気テープ装置に搭載すると、エラーレートを抑えた磁気テープ装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の磁気ヘッドアセンブリは、上記構成を基本として、以下のような様々な態様をとることができる。
【００１９】
すなわち、本発明に磁気ヘッドアセンブリにおいて、前記保護膜は、最表層がダイヤモンド・ライク・カーボン膜で構成することができる。
【００２０】
また、前記保護膜は、その厚さが、前記ヘッド素子部の前記電磁変換素子に対向する位置において、２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である構成とすることができる。このような構成とすることで、初期出力が小さくならないので好ましい。
【００２１】
また、前記保護膜は、前記ヘッド素子部と前記摺動部に接する部分とダイヤモンド・ライク・カーボン膜の間に更にシリコン含有保護膜を備えた構成とすることが好ましい。このように構成することで、ヘッド素子部の表面における電気的絶縁を行うことができる。また、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜の耐剥離性を向上させることができる。また、ヘッド素子部の表面の耐腐食性を向上させることができる。
【００２２】
また、前記ヘッドレールのテープ走行方向の両端部における前記保護膜が形成されていない部分のテープ走行方向の幅をＬとし、前記ヘッドレールのレール幅をＷとした時、
５μｍ≦Ｌ≦Ｗ／４
の関係を成している構成とすることができる。このような構成とすることで、ヘッドレールの幅方向両端部が好ましい形状に磨耗し、走行に伴う磁気テープへのダメージを低減することができる。また、エラーレートの増加を抑えることができる。
【００２３】
（実施の形態）
［１．磁気ヘッドアセンブリの構成］
図１（ａ）は、本実施の形態における磁気ヘッドアセンブリの平面図を示す。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＹ１−Ｙ１部分の断面図である。図１に示す磁気ヘッドは、前述の図４Ａにおけるヘッドチップ群のうちにおける一つの磁気ヘッドアセンブリ（データヘッド）を示す。
【００２４】
ヘッド素子部Ｅは、摺動部Ｓ１，Ｓ２である一対の基体１及び１１に挟まれた絶縁層２中に埋め込まれている。基体１及び１１は、通常硬質なアルチック（Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）から構成される。絶縁層２は、通常アルミナガラス（Ａｌ２Ｏ３）から構成される。また、へッド素子部Ｅは、再生用電磁変換素子部Ｅ１と、記録用電磁変換素子部Ｅ２とから構成されている。再生用電磁変換素子部Ｅ１は、一対の磁気シールド層３及び５と、磁気シールド層３及び５に挟まれた位置に配されている磁気抵抗素子４とから構成されている。記録用電磁変換素子部Ｅ２は、ギャップ７を挟んで対向する磁極層６及び８と、導電コイル９とから構成されている。なお、図１（ｂ）の断面図では、磁気シールド層３及び５と磁気抵抗素子４との間の絶縁層、および磁気抵抗素子４の両端に形成する電極の構成について記載を割愛した。また、磁気抵抗素子４としては、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子を用いることが好ましい。磁気シールド層３及び５の材質としては、センダスト（ＡｌＦｅＳｉ系アモルファス合金）を用いることが好ましい。磁極層６及び８の材質としては、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、センダスト等の材料を用いることが好ましい。
【００２５】
ヘッド素子部Ｅと摺動部Ｓ１及びＳ２とは、その表面が段差を生じることなく平坦面を形成していることが好ましいが、摺動部Ｓ１及びＳ２を構成するアルチックに対して、ヘッド素子部Ｅを構成する主な材質のアルミナガラスが軟らかいために、表面を研磨仕上げにて成形する際に、通常５μｍ程度、ヘッド素子部Ｅが凹んだ形状に成形される（凹部１３）。この凹部１３をＰＴＲ（Pole Tip Recession）と称し、その深さはｄ１である。
【００２６】
なお、上述した本実施形態の磁気ヘッドアセンブリのヘッド素子部Ｅ、摺動部Ｓ１及びＳ２の構成および形状は、従来のヘッドアセンブリと同様である。従来の磁気ヘッドアセンブリでは、実使用の前に磁気テープによる慣らし走行が行われ、磁気テープとヘッドレール１０２との摩擦によりヘッドレール１０２の両端部（摺動部）のエッジの角を丸める処理が行われるので、ＰＴＲが１５〜２０ｎｍに増加する。さらに、実使用される間にこのＰＴＲは４０ｎｍにまで増加し、磁気テープとのスペーシングが大きくなって、出力が低下し、エラーが増加して実用寿命が尽きる。
【００２７】
本発明の磁気ヘッドアセンブリは、ｄ１が１８ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ、最も好ましくは５ｎｍ以下に設定されている。この範囲が好ましい理由は、ｄ１が１８ｎｍを超えると磁気テープとのスペーシングが大きくなって、出力が低下するからである。
【００２８】
また、本発明の磁気ヘッドアセンブリは、ヘッド素子部Ｅおよび摺動部Ｓ１及びＳ２の表面に、保護膜１２が形成されている。保護膜１２の厚さｄ２は、摺動部Ｓ１及びＳ２の表面において、２〜１５ｎｍの範囲とすることが好ましい。この範囲が好ましい理由は、ｄ２が２ｎｍ未満では保護機能が十分発揮されず、ヘッド寿命が十分延びず、またｄ２が１５ｎｍを超えるとスペーシングが大きくなって出力が低下するからである。また、保護膜１２の全体厚さ（ｄ１＋ｄ２）は、ヘッド素子部Ｅの電磁変換素子４の位置において２０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が最も好ましい。この範囲が好ましいのは、全体厚さ（ｄ１＋ｄ２）が２０ｎｍを超えると、スペーシングが大きくなって出力が低下するからである。また、保護膜１２の最表面は、ヘッド素子部Ｅと摺動部Ｓ１及びＳ２とで、段差を生じることなく平坦であることが好ましい。保護膜１２の最表面を平坦にすることにより、磁気ヘッドと磁気テープとのコンタクトが安定するので、出力が安定する。また、磁気テープの走行も安定する。
【００２９】
また、摺動部Ｓ１及びＳ２（ヘッドレール１０２）の走行方向の端部１５ａ及び１５ｂには、保護膜１２が形成されていない部分があり、基体１及び１１が表面に露出している部分がある。この時、ヘッドレール１０２の幅をＷ、保護膜１２が設けられていない端部１５ａ及び１５ｂの幅をＬとした場合、
５μｍ≦Ｌ≦Ｗ／４
の関係を満たすことが好ましい。幅Ｌの値をこの範囲とすることが好ましい理由は、幅Ｌが５μｍ未満であると、ヘッドレール１０２の幅方向両端部が好ましい形状に磨耗する（適度に丸みを帯びる）ことが妨げられるためである。ヘッドレール１０２の幅方向両端部が摩耗しない場合、ヘッドレール１０２のエッジが角張ったままとなるため、磁気テープを磁気ヘッドに摺接させた際に磁気テープに大きなダメージを与えてしまい、エラーレートが増加するなどの問題が発生する。
【００３０】
また、保護膜１２の材質としては、例えばＤＬＣ（Diamond Like Carbon）が用いられる。また、保護膜１２は、シリコン含有保護膜１４（図２Ａ等を参照して後述する）を介して摺動部Ｓ１，Ｓ２に形成する２層構造とすることが好ましい。その理由は、磁気抵抗素子４の耐腐食性を向上することができるとともに、摺動部Ｓ１及びＳ２とＤＬＣ製の保護膜１２との接着性を向上させることができるからである。
【００３１】
［２．磁気ヘッドアセンブリの作製方法］
図２Ａ〜図２Ｅを参照して、保護膜１２の具体的な作製方法について説明する。
【００３２】
図２Ａは、従来の作製方法で作製したヘッドレール１０２における、１個の磁気ヘッドの断面図を示す。ヘッド素子部Ｅを含むヘッドレール１０２の最終研磨加工後、例えば研磨剤としてダイヤモンドにアルカリ系潤滑材を加えたアルカリ系研磨スラリーを用い、回転するスズ定盤上で仕上げ加工を行う。さらに、研磨テープによる基体１及び１１の摺動面両端のエッジ加工等を行う。これら加工により、絶縁層（アルミナガラス）２と基体（アルチック）１及び１１との間に、５〜８ｎｍの磨耗段差である凹部１３（深さ寸法は図１のｄ１）が生じる。通常のリニア型テープドライブに搭載されている磁気ヘッドアセンブリにおいては、深さｄ１は５〜１５ｎｍ、テープ走行方向のヘッドレール幅Ｗは２００〜７００μｍ、ヘッド素子部Ｅの幅は３０〜４０μｍである。
【００３３】
次に、図２Ｂに示すように、図２Ａに示す磁気ヘッドアセンブリに対し、摺動部１５のヘッドレール幅方向の両端に、マスク２１ａ（ファトレジスト膜）を形成した後に、マスク２１ａ上にシリコン含有保護膜１４を形成する。シリコン含有保護膜１４は、例えば膜厚を約１ｎｍに形成する。ここで、シリコン含有保護膜１４とは、特開２００４−４７０９０号公報に開示されているような、例えばＳｉＣＸＨＹＯＺＮＷＦＴＢＵＰＶ（ここで、Ｘ＝０．５〜２６、Ｙ＝０．５〜１３、Ｚ＝０〜６、Ｗ＝０〜６、Ｔ＝０〜６、Ｕ＝０〜１、及びＶ＝０〜１）である。そして、その後さらに厚さ５ｎｍのＤＬＣ膜１２ａを形成する。ここでＤＬＣ膜１２ａは、ダイヤモンド様炭素膜、Ｉ−カーボン膜等と称することがあり、例えば特開昭６３−１４００８３号公報、New Diamond Forum 第４巻第４号（昭和６３年１０月２５日発行）などの文献に記載されている。また、ＤＬＣ膜の作成方法については、特開２００４−４７０９０号公報などに開示されている。
【００３４】
次に、図２Ｃに示すように、ヘッド素子部Ｅの近傍を除いてマスク２１ｂを形成した後、マスク２１ｂ上に厚さ１１ｎｍのＤＬＣ膜１２ｂを形成する。
【００３５】
次に、図２Ｄに示すように、マスク２１ａ及び２１ｂを除去する。この時、ヘッド素子部Ｅおよびその近傍の部分は、ＤＬＣ膜１２ａ及び１２ｂが残留しているため、その厚みは周囲と比較すると不均一になっている。この部分のＤＬＣ膜は、機械研磨等では加工が困難であるが、レーザー加工を用いることによりに選択的に除去することができる。ＤＬＣ膜のレーザー加工方法に関しては、例えば特開２００３−２７５８８９号公報などに開示されている。
【００３６】
このようにして図２Ｅに示すように、テープ走行方向のヘッドレール１０２の端部１５ａ及び１５ｂ（Ｌ＝１５μｍ）を除き、保護膜１２を形成することができる。
【００３７】
以上により、ヘッド素子部Ｅ、絶縁層２、基体１及び１１の間で段差が生じることなく、均一で平坦な保護膜１２を形成することができる。また、ヘッド素子部Ｅ上での厚さが１０ｎｍのＤＬＣ膜で形成された保護膜１２を形成することができる。
【００３８】
次に、ヘッドレール１０２の端部１５ａ及び１５ｂに保護膜１２を形成しない理由について説明する。
【００３９】
図３（ａ）は磁気テープ／磁気ヘッド間の接触圧と接触位置との関係を示すグラフである。図３（ｂ）は、磁気ヘッド３１と磁気テープ３２との接触状態を模式的に示した図である。
【００４０】
本実施の形態で使用しているリニア型磁気テープ装置における磁気テープと磁気ヘッドとの接触のメカニズムは、以下の通りである。磁気テープ３２と磁気ヘッド３１とは、θ＝０．７〜１．５°のオーバーラップ角になるように設定されている。このような状態で、磁気ヘッド３１の摺動面上を磁気テープ３２が走行すると、磁気ヘッド３１における磁気テープ走行方向（矢印ＡまたはＢに示す方向）の両端のエッジ部３１ａにおいて、磁気テープ３２が所定の接触圧でエッジ部３１ａに接しているため、磁気ヘッド３１と磁気テープ３２との間に流入する空気がカットされ、磁気テープ３２と磁気ヘッド３１との間で負圧が発生する。よって、磁気テープ３２と磁気ヘッド３１との間の安定した接触状態が保たれるように構成されている。
【００４１】
このため、図３（ａ）に示すように、磁気ヘッド３１の両端のエッジ部３１ａにおける接触圧分布は、テープテンションと巻き付け角θで設定されるため、Ｐ１及びＰ２に示すように約２００〜３００ｋＰａとなる。一方、他の摺動部（エッジ部３１ａの間の部分）における接触圧分布は、約３０〜５０ｋＰａとなる。
【００４２】
保護膜１２をヘッド両端部近傍を除いて形成しているのは、エッジ部３１ａの高接触圧部分において保護膜１２が磨耗して磨耗粉が混入し、この摩耗粉がアブレッシブ摩耗（磁気ヘッドと磁気テープと摩耗粉との３体が接触することにより生じる摩耗）となることを防ぐためである。
【００４３】
〔３．実施の形態の効果、他〕
以上のように本実施の形態によれば、ＰＴＲが形成された磁気ヘッドアセンブリにおいて、ヘッド素子部Ｅ及び摺動部Ｓ１，Ｓ２に例えばＤＬＣ膜で構成された保護膜１２を形成し、その保護膜１２の表面（磁気テープ摺動面）を平坦とすることにより、ヘッド素子部Ｅの摩耗やステインの付着によるスペーシングの増加を少なくすることができる。したがって、磁気ヘッドにおける出力の低下を防止することができる。また、このような磁気ヘッドアセンブリを磁気テープ装置に搭載することで、エラーレートを低下させることができる。
【００４４】
また、保護膜１２の下側にシリコン含有保護膜１４を形成したことにより、磁気ヘッドアセンブリの磁気テープ摺動面における電気的絶縁を実現することができる。また、保護膜１２の耐剥離性を向上させることができる。また、磁気ヘッドアセンブリの磁気テープ摺動面の耐腐食性を向上させることができる。
【００４５】
なお、本実施の形態において、保護膜１２はＤＬＣ膜に限らず、ＤＬＣ膜以外の高硬度材料で形成されていてもよいが、ＤＬＣ膜がコストや成膜性の点で好ましい。高硬度材料としては、例えば窒化チタン、窒化シリコン、高硬度結晶炭素皮膜層膜などがある。
【００４６】
また、本実施の形態では、フラットヘッドを一例として挙げて説明したが、これに限らずＲ形状タイプヘッドであってもよい。
【００４７】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
＜磁気テープの作製方法＞
針状非磁性酸化鉄粉末、カーボンブラックをバインダ中に分散させた非磁性下層塗料と粒状窒化鉄磁性粉末、アルミナ粉末をバインダに分散させた磁性塗料とを常法により作製し、前記非磁性下層塗料を厚さ６μｍのポリエチレンナフタレートフィルムからなる非磁性支持体の一方の主面上に乾燥、カレンダ後の厚さが０．９μｍになるように塗布し、この非磁性下層上に、上記の磁性塗料をエクストルージョン型コータにてウエット・オン・ウエットで、乾燥、カレンダ後の厚さが０．０８μｍになるように塗布し、磁場配向（Ｎ−Ｎ対向磁石（３９８ｋＡ／ｍ）＋ソレノイドコイル（３９８ｋＡ／ｍ））処理後、ドライヤおよび遠赤外線を用いて乾燥し、磁気シートを作製した。
【００４９】
カーボンブラック、粒状非磁性酸化鉄粉末をバインダ中に分散させたバックコート塗料を常法により作製し、前記磁気シートの磁性層を設けた側と反対側の主面上に乾燥、カレンダ後の厚さが０．６μｍになるように塗布し、ドライヤおよび遠赤外線を用いて乾燥し、バックコート層付きの磁気シートを作製した。
【００５０】
前記バックコート層付き磁気シートを、金属ロールからなる７段カレンダで、温度１００℃、線圧１９６ｋＮ／ｍの条件で鏡面化処理（カレンダ処理）し、磁気シートをコアに巻いた状態で、６０℃／４８時間エージングして、評価用の磁気シートを作製した。この評価用磁気シートを１／２インチ幅に裁断し、評価用磁気テープを作製した。
【００５１】
評価用磁気テープの磁性層の表面粗さを、ＺＹＧＯ社製汎用三次元表面構造解析装置ＮｅｗＶｉｅｗ５０００による走査型白色光干渉法にて、Scan Lengthを５μｍ、測定視野３５０μｍ×２６０μｍで測定したところ、中心線平均表面粗さをＲａの値は２．４ｎｍであった。
【００５２】
作成した磁気テープは、１巻の全長をＬＴＯ３条件（全長６８０ｍ）でＬＴＯカートリッジに組み込んだ（LTO:Linear Tape Open）。
【００５３】
＜ヘッドアセンブリの作製方法＞
まず、図５に示すような形状の磁気ヘッドアセンブリを作成した。ここで前述のアルカリ系研磨スラリーを用いて加工し、ｄ１＝５ｎｍとした。
【００５４】
磁気ヘッドアセンブリのレール２本において、各レールの磁気テープ摺動部に磁気テープと当接する摺動部Ｓ１及びＳ２における磁気テープ走行方向の両端部１５ａ及び１５ｂ（図１参照）に、マスキング幅Ｌが１５μｍのレジスト膜（マスク２１ａ）を形成した上で、シリコン含有保護膜１４を１ｎｍ形成した。次に、厚さ４ｎｍのＤＬＣ膜１２ａを形成し、摺動部Ｓ１及びＳ２における厚さ（ｄ２）が５ｎｍのＤＬＣ膜１２ａを形成した。さらに、ヘッド素子部Ｅの近傍（幅４０μｍ）を除いてマスク２１ｂを形成した後、厚さ１１ｎｍのＤＬＣ膜１２ｂを形成した。次に、マスク２１ａ及び２１ｂを除去し、ヘッド素子部Ｅの近傍（幅４０μｍ）の部分をレーザー加工を用いることにより盛り上がりを選択的に除去し、摺動部Ｓ１及びＳ２と段差を生じることなく平坦に加工した。これにより、摺動部Ｓ１及びＳ２の保護膜１２の厚さ（ｄ２）が５ｎｍ、ヘッド素子部Ｅの電磁変換素子４の位置の保護膜１２の厚さ（ｄ１＋ｄ２）が１０ｎｍの磁気ヘッドアセンブリを作製した。
【００５５】
また、（表１）に示したように保護膜１２の厚さ（ｄ２）、マスキング幅Ｌを変化させて、実施例２〜６を作製した。また、比較例１では保護膜を付けない従来の磁気ヘッドアセンブリを，比較例２ではヘッド両端部にマスキングを形成しない磁気ヘッドアセンブリを作製した。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
＜耐久性試験（Green Tape Test）＞
上記の各磁気ヘッドアセンブリを、それぞれＬＴＯ３ドライブに搭載して組立て、調整を行った。そして、２５℃／５０％ＲＨの環境下で、ＬＴＯ３ドライブを用いて耐久性試験（Green Tape Test：１巻当たりのテープ長が６５０ｍの磁気テープを４４往復走行させる工程を、磁気テープ１００巻に対して順次行う試験）を行い、２Ｔ（記録波長０．３８μｍ）の初期再生出力（各再生チャンネルヘッド出力の平均値）および５０巻走行後（走行距離２８６０ｋｍ）の再生出力、１００巻走行後（走行距離５７２０ｋｍ）の再生出力および再生出力の変化を調べた。
【００５８】
前述の（表１）に実施例および比較例を示す。ここで、比較例１の保護膜を付けない従来の磁気ヘッドアセンブリの初期出力を基準として、出力および出力変化の測定結果を示した。
【００５９】
比較例１は、１００巻走行後に−６．４ｄＢの出力低下が見られたのに対し、実施例１〜７では１００巻走行後の出力は−２．３〜−４．６ｄＢと低下が少なく、本発明（実施例）が従来例（比較例）と比較して、出力特性が優れていることがわかる。
【００６０】
また、比較例２のように、ヘッド両端部にマスキングを形成しない構成の場合には、磁気ヘッドの両端部１５ａ及び１５ｂにおいて磁気テープが損傷する問題があることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、磁気テープに情報を記録、または磁気テープに記録されている情報を再生可能な磁気ヘッドアセンブリに有用である。また、そのような磁気ヘッドアセンブリを用いた磁気テープ装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は、実施の形態の磁気ヘッドアセンブリにおけるヘッドチップ近傍の平面図。（ｂ）は、（ａ）におけるＹ１−Ｙ１部の断面図
【図２Ａ】実施形態の磁気ヘッドアセンブリの作製工程を説明するための断面図
【図２Ｂ】実施形態の磁気ヘッドアセンブリの作製工程を説明するための断面図
【図２Ｃ】実施形態の磁気ヘッドアセンブリの作製工程を説明するための断面図
【図２Ｄ】実施形態の磁気ヘッドアセンブリの作製工程を説明するための断面図
【図２Ｅ】実施形態の磁気ヘッドアセンブリの作製工程を説明するための断面図
【図３】（ａ）は、磁気テープ／磁気ヘッド間の接触圧と接触位置との関係を示す特性図。（ｂ）は、磁気ヘッドと磁気テープと接触状態を示す模式図
【図４Ａ】磁気ヘッドアセンブリの構成を示す平面図
【図４Ｂ】磁気ヘッドアセンブリの構成を示す断面図
【図５】（ａ）は、従来の磁気ヘッドアセンブリにおけるヘッドチップ近傍の平面図。（ｂ）は、（ａ）におけるＸ−Ｘ部の断面図
【符号の説明】
【００６３】
１  基体（アルチック）
２  絶縁層（アルミナガラス）
３  磁気シールド層（センダスト等）
４  磁気抵抗素子
５  磁気シールド層
６  磁極層（Ｎｉ−Ｆｅ等）
７  ギャップ部（絶縁層：アルミナガラス）
８  磁極層（Ｎｉ−Ｆｅ等）
９  導電コイル
１１  基体（アルチック）
１２  保護膜
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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