(57)【要約】【課題】原盤製造におけるストラテジ生成として、より簡易な構成で、自由度の高いストラテジパターンの発生を実現する。さらにエッジの微調整や、エッジ記録、ランド部での情報記録なども容易に実現できるようにする。【解決手段】入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長に基づいて、主波形テーブル部から対応する波形値を読み出し、この波形値をＤ／Ａ変換することで、記録駆動波形とする。また、副波形テーブルで、副記録信号に対応する波形値を記憶させておき、主波形テーブル部から読み出した波形値と演算してからＤ／Ａ変換するようにすることで、エッジ記録やランドへの付加情報など、副記録信号の要素をストラテジパターンに含める。【選択図】図１１
2009070458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される主記録信号に応じて記録駆動波形を出力する記録波形発生部と、
ディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する原盤記録部と、
を備えるとともに、
上記記録波形発生部は、
上記主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出回路と、
上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍回路と、
ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、上記ラン長検出回路で検出されたラン長に応じた上記波形値を出力する主波形テーブル部と、
上記逓倍クロック周期で、上記主波形テーブル部から出力された上記波形値をアナログ信号に変換することで、ピット又はランドのラン長に応じたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換器と、
を備えていることを特徴とする原盤製造装置。
【請求項２】
入力される主記録信号及び副記録信号に応じて記録駆動波形を出力する記録波形発生部と、
ディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する原盤記録部と、
を備えるとともに、
上記記録波形発生部は、
上記主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出回路と、
上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍回路と、
ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、上記ラン長検出回路で検出されたラン長に応じた上記波形値を出力する主波形テーブル部と、
上記副記録信号に対応する上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、入力される副記録信号に応じた上記波形値を出力する副波形テーブル部と、
上記主波形テーブル部から出力される波形値と、上記副波形テーブル部から出力される波形値を演算して出力する演算回路と、
上記逓倍クロック周期で、上記演算回路で演算された波形値をアナログ信号に変換することで、上記主記録信号のピット又はランドのラン長に応じ、かつ上記副記録信号の内容を含めたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換器と、
を備えていることを特徴とする原盤製造装置。
【請求項３】
上記副記録信号は、上記主記録信号により形成されるピット形成領域の開始又は終了エッジあるいはランド形成領域に記録する副情報の信号であることを特徴とする請求項２に記載の原盤製造装置。
【請求項４】
ディスク原盤に対して、記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する際の、上記記録駆動波形の生成方法として、
入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出ステップと、
上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍クロック生成ステップと、
ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する主波形テーブルから、上記ラン長検出ステップで検出されたラン長に応じた波形値を出力する波形値出力ステップと、
上記逓倍クロック周期で、上記主波形テーブル部から出力された上記波形値をアナログ信号に変換することで、ピット又はランドのラン長に応じたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換ステップと、
を備えていることを特徴とする記録駆動波形の生成方法。
【請求項５】
ディスク原盤に対して、記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する際の、上記記録駆動波形の生成方法として、
入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出ステップと、
上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍クロック生成ステップと、
ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する主波形テーブルから、上記ラン長検出ステップで検出されたラン長に応じた波形値を出力する第１の波形値出力ステップと、
副記録信号に対応する上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する副波形テーブルから、入力された副記録信号に応じた波形値を出力する第２の波形値出力ステップと、
上記主波形テーブル部から出力された波形値と、上記副波形テーブル部から出力された波形値を演算して出力する演算ステップと、
上記逓倍クロック周期で、上記演算ステップで演算された波形値をアナログ信号に変換することで、上記主記録信号のピット又はランドのラン長に応じ、かつ上記副記録信号の内容を含めたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換ステップと、
を備えていることを特徴とする記録駆動波形の生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造に用いるディスク原盤を製造する原盤製造装置と、その記録駆動波形の生成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００４−４７０２５号公報
【特許文献２】特開２００５−３８４７５号公報
【０００３】
いわゆるエンボスピットによるピット列が形成された再生専用光ディスクの製造のためには、その製造工程において、まずピット列に相当する凹凸パターンが形成されたディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
【０００４】
上記のディスク原盤の製造には、いわゆるカッティング装置或いはマスタリング装置などと呼ばれる原盤製造装置が用いられる。
原盤製造装置は、レジスト層が形成された原盤基板上を回転させると共に、対物レンズで集光したレーザ光を照射する。このとき、レーザ光は、その焦点深度内にレジスト原盤表面上に追従するようにフォーカス制御される。またレーザ光は、記録信号に応じたピット列に相当する露光パターンが形成されるように制御されてレジスト層に照射される。
ディスク原盤上のレジスト材料に、ピット列に相当する露光パターンが形成されたら、一般的にはこの後に現像（エッチング）工程を行い、レジスト材料の段差により凹凸状のピット列を形成する。
【０００５】
なお、上記特許文献１、２には、ライトワンスディスクやリライタブルディスクなどの記録再生装置において、記録データに応じたレーザ駆動を行うためのライトストラテジパターン発生方式に関して、各種の技術が開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ディスク原盤の製造のために、記録信号に応じてレーザ照射を行う場合において、特にＰＴＭ(Phase Transition Mastering)方式として、パルスパターンの記録駆動信号を生成し、レーザをパルス発光して熱記録方式で露光を行うことが知られている。
例えば２Ｔ〜９Ｔ（Ｔはチャネルクロック周期）としてのピット長を有する光ディスクを製造するためのディスク原盤については、そのディスク原盤の製造の際に、レーザ照射により２Ｔ〜９Ｔのピットに対応する露光を行うことになる。その際、２Ｔ〜９Ｔの各ピット長毎に、ストラテジパターン（レーザ発光部に与える記録駆動波形）が適切に調整されていることで、最終的に製造される光ディスクのピット列の品質が保たれることになる。
【０００７】
ここで記録駆動信号としてのストラテジパターンを発生する、従来の記録波形発生部の回路構成を図１に示す。
この記録波形発生部は入力されるデータに応じて、パルストレインとしてのストラテジパターンを生成し、記録駆動信号として、原盤を露光するレーザ光源に供給する回路部である。
この記録波形発生部には、例えば記録データが２Ｔ〜９Ｔのラン長に変調された変調信号が入力される。この変調信号は、まずピット長検出部１００でピット長としてのラン長が検出され、パルスジェネレータ１０１で、ピット長に応じたタイミングパルスが出力される。この場合、ストラテジパターンとしてのパルス構造については後述するが、ストラテジパターンは、ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスによるパルストレインとして構成され、またこれらのパルスの間にバイアス期間、クール期間も設けられる。パルスジェネレータ１０１は、形成するピットのラン長に応じて、ファーストパルス（ＦＰ）、マルチパルス（ＭＰ）、ラストパルス（ＬＰ）、バイアス、クールについてのそれぞれののライズタイミング（立ち上がりタイミング）、フォールタイミング（立ち下がりタイミング）を出力する。
【０００８】
各タイミングパルスは、遅延回路部１０３の各ディレイ回路でそれぞれ所定の遅延時間が与えられる。各タイミングパルスの遅延時間は、ピット長検出部１００で検出したラン長に応じて設定され、ディレイテーブル１０２に保持されている。そして遅延回路部１０３の各ディレイ回路は、ディレイテーブル１０２においてラン長に応じて選択された遅延時間の遅延を、各タイミングパルスに与える。
なお、各タイミングパルスに対して２つの直列のディレイ回路が設けられているのは、遅延時間の可変幅を或る程度広くするためである。
遅延回路部１０３を介した各タイミングパルスは、それぞれフリップフロップ１０４，１０５，１０６，１０７、１０８に供給され、ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルス、バイアス期間、クール期間としてのパルスが生成される。ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスは、合成回路１０９で合成される。そしてストラテジＩＣ１１０で最終的に記録駆動信号としてのパルストレインが生成されて出力される。
なお、ファーストパルス、マルチパルス、ラストパルスとしてのパルスレベル、及びバイアスレベル、クールレベルはパワーテーブル１１１に設定が保存されており、その設定値がＤ／Ａ変換器１１２，１１３，１１４を介してストラテジＩＣ１１０に供給される。
ストラテジＩＣ１１０は、合成回路１０９，フリップフロップ１０７，１０８、及びＤ／Ａ変換器１１２，１１３，１１４からの入力に基づいて、所定のストラテジパターンとしての記録駆動信号を生成して出力する。
【０００９】
ところが、このような記録波形発生部では、次のような問題があった。
まず、多数のディレイ素子を使用する為、回路規模が大きくなると共に、素子のバラツキ（温度特性含む）を調整により打ち消す必要があり、メンテナンスが困難であった。
また、一般的に合成ＩＣでは、数種類の出力しか設定できず、パルスの振幅や自由度が制限されている。このため、ストラテジパターンとしての自由度が小さい。
またピットエッジに副情報を記録する場合、エッジ位置の精度がディレイ素子に依存している為、一定以上の精度向上が困難であった。
また、ピット部のみパルストレインを発生させる構成の為、エッジの微調整や、エッジ記録自体が困難であった。また、ランド部に信号を発生させることが出来なかった。
【００１０】
そこで本発明では、原盤製造におけるストラテジ生成として、より簡易な構成で、自由度の高いストラテジパターンの発生を実現すること、さらにはエッジの微調整や、エッジ記録、ランド部での情報記録なども容易に実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の原盤製造装置は、入力される主記録信号に応じて記録駆動波形を出力する記録波形発生部と、ディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する原盤記録部とを備える。そして上記記録波形発生部は、上記主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出回路と、上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍回路と、ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、上記ラン長検出回路で検出されたラン長に応じた上記波形値を出力する主波形テーブル部と、上記逓倍クロック周期で、上記主波形テーブル部から出力された上記波形値をアナログ信号に変換することで、ピット又はランドのラン長に応じたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換器とを備えている。
【００１２】
また本発明の原盤製造装置は、入力される主記録信号及び副記録信号に応じて記録駆動波形を出力する記録波形発生部と、ディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する原盤記録部とを備える。そして上記記録波形発生部は、上記主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出回路と、上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍回路と、ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、上記ラン長検出回路で検出されたラン長に応じた上記波形値を出力する主波形テーブル部と、上記副記録信号に対応する上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持するとともに、入力される副記録信号に応じた上記波形値を出力する副波形テーブル部と、上記主波形テーブル部から出力される波形値と、上記副波形テーブル部から出力される波形値を演算して出力する演算回路と、上記逓倍クロック周期で、上記演算回路で演算された波形値をアナログ信号に変換することで、上記主記録信号のピット又はランドのラン長に応じ、かつ上記副記録信号の内容を含めたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換器とを備えている。
また上記副記録信号は、上記主記録信号により形成されるピット形成領域の開始又は終了エッジあるいはランド形成領域に重畳して記録する副情報の信号である。
【００１３】
本発明の記録駆動波形の生成方法は、ディスク原盤に対して、記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する際の、記録駆動波形の生成方法である。そして、入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出ステップと、上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍クロック生成ステップと、ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する主波形テーブルから、上記ラン長検出ステップで検出されたラン長に応じた波形値を出力する波形値出力ステップと、上記逓倍クロック周期で、上記主波形テーブル部から出力された上記波形値をアナログ信号に変換することで、ピット又はランドのラン長に応じたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換ステップとを備えている。
【００１４】
また本発明の記録駆動波形の生成方法は、ディスク原盤に対して、記録駆動波形に基づいてレーザ照射を行って、ピット／ランドから成るピット列としての露光領域を形成する際の、上記記録駆動波形の生成方法である。そして、入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長を検出するラン長検出ステップと、上記主記録信号のチャネルクロックを逓倍し、逓倍クロックを生成する逓倍クロック生成ステップと、ピット及びランドの各ラン長のパルスパターンについて、上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する主波形テーブルから、上記ラン長検出ステップで検出されたラン長に応じた波形値を出力する第１の波形値出力ステップと、副記録信号に対応する上記逓倍クロック周期毎の波形値を保持する副波形テーブルから、入力された副記録信号に応じた波形値を出力する第２の波形値出力ステップと、上記主波形テーブル部から出力された波形値と、上記副波形テーブル部から出力された波形値を演算して出力する演算ステップと、上記逓倍クロック周期で、上記演算ステップで演算された波形値をアナログ信号に変換することで、上記主記録信号のピット又はランドのラン長に応じ、かつ上記副記録信号の内容を含めたパルスパターンとしての上記記録駆動波形を出力するＤ／Ａ変換ステップとを備えている。
【００１５】
このような本発明では、入力された主記録信号についてピット及びランドとしてのラン長に基づいて、主波形テーブル部から対応する波形値を読み出し、この波形値をＤ／Ａ変換することで、記録駆動波形とする。従って、ピット／ランドのそれぞれのラン長に応じた波形値を主波形テーブル部に記憶させておくことで、非常に高い自由度でのストラテジパターンを発生させることができるとともに、構成の著しい簡易化が可能となる。
また、副波形テーブルで、副記録信号に対応する波形値を記憶させておき、主波形テーブル部から読み出した波形値と演算してからＤ／Ａ変換するようにすれば、エッジ記録やランドへの付加情報など、副記録信号の要素をストラテジパターンに含めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、原盤製造におけるストラテジ生成として、簡易な構成で、自由度の高いストラテジパターンの発生を実現することができる。また、ピットのエッジ位置の微調整なども、主波形テーブル部に記憶させる波形値の調整により、高精度に可能となる。
さらに、エッジ記録、ランド部での情報記録など、副記録情報の記録も、高精度で、かつ容易に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
［１．ディスク製造工程］
［２．原盤製造装置の構成］
［３．記録波形発生部の構成及び動作Ｉ］
［４．記録波形発生部の構成及び動作II］
【００１８】
［１．ディスク製造工程］
まず図１２の模式図を参照して、光ディスクの製造工程を述べる。
図１２（ａ）はディスク原盤を構成する原盤形成基板１００を示している。先ず、この原盤形成基板１００の上に、スパッタリング法により無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０２を均一に成膜する（レジスト層形成工程、図１２（ｂ））。本例では、ディスク原盤を製造するマスタリング工程として、無機系のレジスト材料を用いたＰＴＭ(Phase Transition Mastering)方式のマスタリングを行うが、この場合、レジスト層１０２に提供される材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。
なお、レジスト層１０２の露光感度の改善のために基板１００とレジスト層１０２との間に所定の中間層１０１を形成しても良く、図１２（ｂ）ではその状態を示している。レジスト層１０２の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００１９】
次に、後述する原盤製造装置を利用してレジスト層１０２に信号パターンとしてのピット列に対応した選択的な露光を施し感光させる（レジスト層露光工程、図１２（ｃ））。そしてレジスト層１０２を現像（エッチング）することによって所定の凹凸パターン（ピット列）が形成されたディスク原盤１０３が生成される（レジスト層現像工程、図１２（ｄ））。
続いて、上記のように生成したディスク原盤１０３の凹凸パターン面上に金属ニッケル膜を析出させ（図１２（ｅ））、これをディスク原盤１０３から剥離させた後に所定の加工を施し、ディスク原盤１０３の凹凸パターンが転写された成型用のスタンパ１０４を得る（図１２（ｆ））。
そのスタンパ１０４を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板１０５を成形する（図１２（ｇ））。
その後、スタンパ１０４を剥離し（図１２（ｈ））、その樹脂製ディスク基板の凹凸面にＡｇ合金などの反射膜１０６（図１２（ｉ））と、膜厚０．１ｍｍ程度の保護膜１０７とを成膜することにより光ディスクを得る（図１２（ｊ））。即ちピット列が形成された再生専用ディスクが製造される。
【００２０】
このような製造工程において、ディスク原盤１０３の製造に用いられるレジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。
例えば、遷移金属の酸化物として化学式ＭｏＯ3を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ3の酸化状態を組成状態を組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合とする。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。
このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、無機レジストでありながら現像工程において露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られる。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。
【００２１】
ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。
上述のようにレジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００２２】
このような光ディスク製造工程において、本例では、図１２（ｃ）（ｄ）の原盤製造工程（マスタリング工程）でディスク原盤１０３が製造される。なお本例のマスタリング工程は、後述する原盤製造装置によりＰＴＭ方式が用いられる。ＰＴＭ方式について簡単に説明しておく。
【００２３】
ＰＴＭ方式を用いない従来において、例えばＣＤ（Compact Disc）方式やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)方式などのディスクを製造する際には、まずフォトレジスト（有機レジスト）を塗布したディスク原盤を用意し、マスタリング装置（原盤製造装置）によってディスク原盤上にガスレーザ等の光源からレーザーを照射し、ピットに応じた露光パターンを形成していった。この場合、連続発振レーザーであるレーザ光源からのレーザ光を、例えばＡＯＭ（Acousto-Optical Modulator）で光強度変調し、強度変調されたレーザ光を光学系によってディスク原盤に導き、露光する。即ち、ＡＯＭにはピット変調信号である例えばＮＲＺ(Non Return to Zero)変調信号を与え、このＡＯＭによってレーザ光がピットパターンに対応した強度変調を受けることで、原盤上ではピット部分のみが露光されていく。
例えば図１３（ｂ）には１つのピット形状を示しているが、ＡＯＭで変調されたレーザ発光強度は図１３（ｃ）のようになる。原盤上のフォトレジストの露光はいわゆる光記録であるため、図１３（ｃ）のようなレーザにより露光された部分が、そのままピットとなる。
【００２４】
一方、ＰＴＭ方式では、無機レジストを塗布したディスク原盤に対して、半導体レーザからのレーザ光を照射し、熱記録としての露光を行う。
この場合、レーザ照射による熱の蓄積を抑圧してピット幅の均一化を計るために、通常図１３（ａ）に示すようなパルス発光で露光する。即ちこの場合には、一般にクロックに同期したＮＲＺ変調信号が、そのＨレベルの長さに応じてクロック周期より短い時間幅のパルス信号へ変換され、変換されたパルス変調信号に同期して直接変調可能な半導体レーザーへ電力供給される。これによって図１３（ａ）のように、ピット長に応じたパルス発光としてレーザ出力が行われる。そしてこのパルス発光による熱記録としての露光を行った後、現像処理を行うと、図１３（ｂ）のようなピット形状が形成される。
【００２５】
［２．原盤製造装置の構成］
ＰＴＭ方式でマスタリングを行う本例の原盤製造装置の構成例を図１に示す。この原盤製造装置は、上記図１２（ｃ）（ｄ）のマスタリング工程において、無機レジスト層１０２を形成したディスク原盤１０３に対してレーザ照射による熱記録動作により、ピットパターンの露光を行う。
この原盤製造装置１は、チャネル変換器２，記録波形発生部３、原盤記録部４を備える。
【００２６】
チャネル変換器２は、入力された記録データＤＴから、ディスク原盤上に記録（露光）すべき変調信号を生成する。記録データは、最終的に製造される光ディスクにおいてピットパターンで表現されることになるデータである。記録データに対して、チャネル変換器２は、例えばＲＬＬ（１−７）ｐｐなどの変調方式で変調を行い、変調信号として、例えば２Ｔ〜９Ｔなどの、ラン長が制限されたデータパターンを出力する。
【００２７】
この変調信号は、記録波形発生部３に入力され、記録波形発生部３で熱記録の為のパルストレイン状の記録駆動波形（ストラテジパターン）ｒＳに変換される。
記録駆動波形としてのストラテジパターンは、例えば図３に示すように、２Ｔ〜９Ｔまでのピット長に対応したパルスパターンとされる。（Ｔはチャネルクロック周期）
２Ｔに対応するストラテジパターンは、或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰで構成される。
３Ｔに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰとラストパルスＬＰで構成される。
４Ｔ〜９Ｔに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰと、マルチパルスＭＰと、ラストパルスＬＰで構成される。４Ｔ〜９Ｔのそれぞれは、ファーストパルスＦＰとラストパルスＬＰの間に配置されるマルチパルスＭＰの数が異なるパターンとなる。
【００２８】
記録波形発生部３の構成については後述するが、記録波形発生部３は、チャネル変換器２から供給される変調信号のラン長に応じたストラテジパターンとして、このようなパルストレイン状の記録駆動波形ｒＳを出力することになる。この記録駆動波形ｒＳとしてのパルス列は、原盤記録部４に供給される。
【００２９】
原盤記録部４では、記録駆動波形ｒＳによりレーザービームをパルス変調し、ディスク原盤に照射することにより、記録（無機レジスト層１０２の露光）を行う。ディスク原盤上にパルス変調されたレーザービームが照射されることにより、その熱により原盤表面に塗布された無機レジスト層１０２の特性が変化し、記録マークが形成される。
【００３０】
図４に無機レジスト層１０２の露光の様子を示す。
図４（ａ）はチャネルクロックＣＫ、図４（ｂ）はチャネル変換器２から出力される変調信号としての４Ｔ部分を示している。変調信号における４Ｔ部分に対応しては、記録波形発生部３から原盤記録部４に対して、記録駆動波形ｒＳとして図４（ｃ）のようにファーストパルスＦＰ、マルチパルスＭＰ、ラストパルスＬＰで構成されるストラテジパターンが出力される。なお、各パルスの間の期間は、バイアスレベルの期間やクールレベルの期間が設けられている。
原盤記録部４では、図４（ｃ）のように無機レジスト層１０２が形成されたディスク原盤１０３に対して、記録駆動波形ｒＳに基づくレーザ照射を行う。
この場合、レーザ照射による熱記録として露光された部分が、図４（ｅ）のように変質して記録マークとなる。
原盤記録部４において、このような露光が行われた後は、図１２（ｄ）で述べたように現像処理が行われるが、現像処理によって、図４（ｆ）のように露光された記録マーク部分が凹状のピットとされることになる。
【００３１】
図２に、原盤記録部４の内部構成例を示す。
原盤記録部４は、ピックアップヘッド１０として、一点鎖線部で示す構成を備える。ピックアップヘッド１０内において、半導体レーザとしてのレーザ光源１１は、例えば波長４０５ｎｍのレーザ光を出力するものとされる。
レーザ光源１１から出射したレーザ光は、コリメータレンズ１２で平行光とされた後、アナモルフィックプリズム１３でスポット形状が例えば円形に変形され、偏光ビームスプリッタ１４に導かれる。
そして偏光ビームスプリッタ１４を透過した偏光成分は、λ／４波長板１４，ビームエキスパンダ１６を介して対物レンズ２６に導かれ、この対物レンズ２６で集光されてディスク原盤１０３（無機レジスト層１０２が形成された原盤形成基板１００）上に照射される。
【００３２】
上記のように対物レンズ２６を介してディスク原盤１０３に照射される波長４０５ｎｍのレーザ光源１１からのレーザ光は、ディスク原盤１０３上で焦点を結ぶことになる。ディスク原盤１０３はシリコンウェハ上に金属酸化物からなる無機レジストを成膜したもので、４０５ｎｍのレーザービームを吸収することで、照射部の特に中心付近の高温に加熱された部分が多結晶化する。
この作用により、上記図４（ｂ）で述べたような変質が発生し、ピット列としての露光パターンがディスク原盤１０３上に形成されていく。
【００３３】
偏光ビームスプリッタ１４において反射された偏光成分は、モニタディテクタ１７（レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ）に照射される。モニタディテクタ１７は、受光した光量レベル（光強度）に応じた光強度モニタ信号ＳMを出力する。
【００３４】
一方、ディスク原盤１０３に照射されたレーザ光の戻り光は、対物レンズ２６，ビームエキスパンダ１６、λ／４波長板１４を通過して偏光ビームスプリッタ１４に達する。この場合、λ／４波長板１４を往路と復路で２回通過していることで偏光面が９０°回転されており、偏光ビームスプリッタ１４で反射されることになる。偏光ビームスプリッタ１４で反射された戻り光は集光レンズ１８，シリンドリカルレンズ１９を介してフォトディテクタ２０の受光面に受光される。
フォトディテクタ２０の受光面は、例えば４分割受光面を備え、非点収差によるフォーカスエラー信号を得ることができるようにされている。
フォトディテクタ２０の各受光面では、受光光量に応じた電流信号を出力して反射光演算回路２１に供給する。
反射光演算回路２１は、４分割の各受光面からの電流信号を電圧信号に変換すると共に、非点収差法としての演算処理を行ってフォーカスエラー信号ＦＥを生成し、そのフォーカスエラー信号ＦＥをフォーカス制御回路２２に供給する。
フォーカス制御回路２２は、フォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、対物レンズ２６をフォーカス方向に移動可能に保持しているアクチュエータ２９のサーボ駆動信号ＦＳを生成する。そしてアクチュエータ２９がサーボ駆動信号ＦＳに基づいて、対物レンズ２６をディスク原盤１０３に対して接離する方向に駆動することで、フォーカスサーボが実行される。
【００３５】
レーザ光源１１の発光駆動は、レーザドライバ４１により行われる。図１で述べたように記録波形発生部３から原盤記録部４に供給される記録駆動波形ｒＳは、レーザドライバ４１に入力される。レーザドライバ４１は記録駆動波形ｒＳ（ストラテジパターン）を形成するパルス入力に応じて、発光駆動電流をレーザ光源１１に印加する。これによって、記録駆動波形ｒＳとしてのパルスパターンに応じた発光強度でのレーザのパルス発光が行われることになる。
またモニタディテクタ１７から得られた光強度モニタ信号ＳMは、レーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、光強度モニタ信号ＳMを基準値と比較することでレーザ発光強度を所定レベルに保つ制御を行う。
【００３６】
ディスク原盤１０３は、スピンドルモータ４４によって回転駆動される。スピンドルモータ４４は、スピンドルサーボ／ドライバ４７によって回転速度が制御されながら回転駆動される。これによってディスク原盤１０３は例えば一定線速度で回転される。
スライダ４５は、スライドドライバ４８によって駆動され、ディスク原盤１０３が積載された、スピンドル機構を含む基台全体を移動させる。即ち、スピンドルモータ４４で回転されている状態のディスク原盤１０３は、スライダ４５で半径方向に移動されながら上記光学系によって露光されていくことで、露光されるピット列によるトラックがスパイラル状に形成されていくことになる。
スライダ４５による移動位置、即ちディスク原盤１０３の露光位置（ディスク半径位置：スライダ半径位置）はセンサ４６によって検出される。センサ４６による位置検出情報ＳＳはコントローラ４０に供給される。
【００３７】
コントローラ４０は、この原盤記録再生部４の全体を制御する。即ち、レーザドライバ４１に対してのレーザパワー設定、スピンドルサーボ／ドライバ４７によるスピンドル回転動作制御、スライドドライバ４８によるスライダ４５の移動動作の制御等を行う。
【００３８】
図１に示した原盤記録再生部４は、例えばこの図２にように構成されることで、ディスク原盤１０３に対する露光（マスタリング記録）を行うことができる。
【００３９】
［３．記録波形発生部の構成及び動作Ｉ］
図５に、記録波形発生部３の第１の構成例を示す。
記録波形発生部３は、ピット／ランド長検出部３１、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２、主波形テーブル部３３、Ｄ／Ａ変換器３４を備える。
【００４０】
この記録波形発生部３には、図１のチャネル変換器２からの変調信号（主記録信号）が供給される。
例えばＲＬＬ（１−７）ｐｐなどの変調信号である２値の主記録信号は、ピット／ランド長検出部３１と、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２に入力される。
ピット／ランド長検出部３１は、主記録信号のラン長（Ｈｉ部＝ピット、あるいはＬｏｗ部＝ランドの長さを何クロック分かで示したもの）が測定され、この結果がピット／ランドの判別情報と共に、順次主波形テーブル部３３へ送られる。
【００４１】
ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２では、入力された主記録信号にＰＬＬ（Phase Locked Loop）処理を行ってチャネルクロックを生成するとともに、そのチャネルクロックを逓倍し、逓倍されたクロックを生成する。例えばチャネルクロックを４逓倍した逓倍クロック（４ｘＣＫ）を生成し、これをＤ／Ａ変換器３４へ出力する。また、逓倍クロックを、チャネルクロックを何逓倍して生成しているかを示す情報を主波形テーブル部３３に通知する。
【００４２】
主波形テーブル部３３では、ピット／ランド長検出部３１から送られたラン長、ピット／ランド判別と、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２における逓倍クロックの逓倍数に基づき、予め設定された主波形テーブルから該当の出力データ列を取りだして出力する。
【００４３】
主波形テーブル部３３における主波形テーブルの例を図６に示す。
この主波形テーブルでは、一行がそれぞれのラン長に対応しており、各列は逓倍クロック毎に出力すべき波形値（Ｄ／Ａ指令値）を保持している。
各行として示す２ＴＰ〜９ＴＰは、それぞれ２Ｔピットから９Ｔピットを意味し、また２ＴＬ〜９ＴＬは、それぞれ２Ｔランドから９Ｔランドを示す。つまり各行は、２Ｔ〜９Ｔまでの各ラン長のピット及びランドに対応する。
そして各列は、逓倍クロック毎に出力すべき波形値であるが、この主波形テーブルが４逓倍クロックに対応するものであるとする場合、４列が１Ｔに相当することになる。
この波形値は、（１／４）Ｔ毎のストラテジパターンの値そのものを示している。
例えば２Ｔピット（２ＴＰ）の行では、２Ｔピットを形成するストラテジパターンとして、８列の情報として（１／４）Ｔ毎の波形値が記憶されることになる。この図の例では、８列の情報として「５０」「５０」「５０」「５００」「６００」「６００」「２５」「２５」という値が示されているが、これは図３（ａ）のようにファーストパルスのみで形成される２Ｔのストラテジパターンの（１／４）Ｔ毎の波形レベルに相当する。
また３Ｔピット（３ＴＰ）の行では、同様に、３Ｔピットを形成するストラテジパターンとして（１／４）Ｔ毎の１２列の情報としての波形値が記憶される。
４Ｔピット（４ＴＰ）の行では、同様に、４Ｔピットを形成するストラテジパターンとして（１／４）Ｔ毎の１６列の情報としての波形値が記憶される。
最も長いラン長である９Ｔピットの場合、３６列の情報で、９Ｔピットを形成するストラテジパターンとして（１／４）Ｔ毎の波形値が記憶される。
２Ｔランド（２ＴＬ）〜９Ｔランド（９ＴＬ）についても同様に、（１／４）Ｔ毎の波形値が記憶されている。
【００４４】
Ｄ／Ａ変換器３４は、逓倍クロック（例えば４逓倍クロック）毎に、主波形テーブル部３３から供給される波形値（Ｄ／Ａ指令値）をアナログ信号値に変換して出力する。このＤ／Ａ変換器３４の出力が、記録駆動波形ｒＳとして原盤記録部４に供給されることになる。
【００４５】
このような記録波形発生部３による、記録駆動波形ｒＳの生成動作例を図７で説明する。
図７（ａ）はＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２で生成された４逓倍クロックを示している。また図７（ｂ）は記録波形発生部３に入力される主記録信号であり、ここでは４Ｔピット、５Ｔランドに相当する期間を示している。
ピット／ランド長検出部３１で主記録信号の４Ｔピットが検出されると、主波形テーブル部３３では、４Ｔピット（４ＴＰ）についての（１／４）Ｔ毎の波形値を順次出力することになる。即ち図６に示す４ＴＰの行の１６列で示した「５０」「５０」・・・「２５」の１６個の各波形値であり、これを図７（ｃ）に示している。
そしてこの図７（ｃ）で示した各波形値が、Ｄ／Ａ変換器３４で４逓倍クロック毎にアナログ信号に変換されることで、図７（ｄ）のようなストラテジ波形が記録駆動波形ｒＳとして出力される。
この場合、４ＴＰの各波形データにより、最初の（３／４）Ｔ期間はレベル「５０」「５０」「５０」のバイアス期間、次の（３／４）Ｔ期間はレベル「５００」「６００」「６００」としてのファーストパルスＦＰの期間、次の（２／４）Ｔ期間はレベル「２５」「２５」のクール期間、次の（２／４）Ｔ期間はレベル「４００」「４００」のマルチパルスＭＰの期間、次の（２／４）Ｔ期間はレベル「２５」「２５」のクール期間、次の（２／４）Ｔ期間はレベル「４５０」「４５０」のラストパルスＬＰの期間、最後の（２／４）Ｔ期間はレベル「２５」「２５」のクール期間としてのストラテジパターンが出力されることになる。
【００４６】
また、次の５Ｔランドの期間も同様に行われる。即ちピット／ランド長検出部３１で主記録信号の５Ｔランドが検出されると、主波形テーブル部３３では、図６に示す５Ｔランド（５ＴＬ）の行の（１／４）Ｔ毎の２０個の波形値を順次出力する。これが図７（ｃ）に示す「２５」「２５」「５０」「５０」・・・・「５０」「５０」「２５」「２５」の値であり、これらが（１／４）Ｔ毎にＤ／Ａ変換されることで、５Ｔランドに対応する図７（ｄ）の記録駆動波形ｒＳが出力される。
図７（ｅ）には、記録駆動波形ｒＳによりディスク原盤上で露光形成される４Ｔピット部分と５Ｔランド部分を、模式的に示している。
【００４７】
このような本例の記録波形発生部３によれば、主記録信号のピット／ランドのラン長に応じて、主波形テーブル部３３から逓倍クロック周期毎の波形値が読み出され、これがＤ／Ａ変換されていくことで、記録駆動波形ｒＳが生成される。
これにより、記録駆動波形ｒＳの生成のための回路構成が非常に簡単な構成となる。また、図１４に示したような、複数のディレイラインを使用する従来の方式に比べ、素子のバラツキもなく、調整が容易になる。
また、逓倍クロックで動作するＤ／Ａ変換器３４で、予め主波形テーブル部３３に設定された波形データを出力する為、正確なストラテジ出力が可能である。
【００４８】
また各波形は任意に設定できる為、自由度の高い波形を出力できる。特に、主波形テーブル部３３における主波形テーブルの値を調整することで、容易かつ精密に、ストラテジ波形調整を行うことが可能である。例えば本例のようなＰＴＭ方式でのパルストレイン波形としての記録駆動波形ｒＳを出力する場合でも、各Ｔ毎に波形を変える事も可能である。これにより、従来型ストラテジでは難しかった、ピット形状の調整や、ピットエッジの微調整、アシンメトリ補正なども実現できる。
【００４９】
一般に、このようなライトストラテジを使用してＰＴＭ方式で記録（露光）を行う場合、ディスク原盤上に記録されるピットのエッジ位置を調整する必要がある。ここで本例の記録波形発生部３では、各パルスの位置自体はクロックの逓倍位置に固定されている。この為、エッジ位置の調整は振幅、つまり主波形テーブルにおける波形値（Ｄ／Ａ指令値）を上下させることによって行うようにする。
基本的にはピット部分の先頭部の波形値を上げることにより開始エッジを手前に、下げることにより開始エッジを後方に移動させる事ができる。同様にピット部分の後端部の波形値を上下させる事により終了エッジを前後させることができる。
【００５０】
なお、上記例では、ピット部及びランド部に対して同じように主波形テーブルを参照して波形値を出力しているが、ランド部については主波形テーブルの参照を行わず、一意のレベルを出力する様にしてテーブルを削減したり、回路を簡易化する事も可能である。
また、上記例では、１種類の主波形テーブルを使用して波形値（Ｄ／Ａ指令値）を決定しているが、これに限らず、複数の波形テーブルを用意し、例えば２値キャリア信号のパターンに応じて、参照するテーブルを切り替えながらＤ／Ａ指令値を決定しても良い。この場合、前段にキャリア信号のパターン検出回路を設け、この出力を主波形テーブル部３３に接続してテーブルを切り替えるようにすればよい。
【００５１】
また、ＰＴＭ方式の記録においては、記録が行われるディスク原盤の特性により、最適な記録パワーが異なる場合がある。このような場合、個々のディスク原盤に対して適切に記録できるよう出力パワーを数パーセント程度調整する手法が使われる。本例の場合、Ｄ／Ａ変換器３４に入力されるリファレンス電圧の調整機構を設けることにより、上記調整を一括して行うように構成することも可能である。
【００５２】
なお、上記例では、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２で生成する逓倍クロックは、チャネルクロックの４逓倍としたが、もちろん４逓倍に限らず、２逓倍、８逓倍など、他の逓倍クロックでもよい。
主波形テーブル部３３は、逓倍クロック周期毎の波形値を記憶するものであるため、実行する逓倍数に応じて逓倍クロック周期毎の波形値を記憶するテーブル構成とされればよい。
【００５３】
［４．記録波形発生部の構成及び動作II］
次に、第２の構成例としての記録波形発生部３の構成及び動作を説明する。
この場合、記録波形発生部３は、上記図５と同様に、ピット／ランド長検出部３１、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２、主波形テーブル部３３、Ｄ／Ａ変換器３４を備えることに加えて、副波形テーブル部３５、アキュムレータ３６を備える。
【００５４】
ピット／ランド長検出部３１、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２、主波形テーブル部３３については、上述した例と同様であるため、ここでの重複説明を避ける。
この場合、記録波形発生部３には、主記録信号とともに副記録信号が入力される。例えば図１のチャネル変換器２は、主記録信号とともに副記録信号を記録波形発生部３に供給する。
副記録信号とは、例えばエッジ記録やランドへの付加記録として記録する信号である。エッジ記録とは、形成するピットのエッジを僅かに前後させることで付加的な情報を表現する記録方式である。またランドへの記録とは、ランド区間に微小なピット状の凹部を形成することで、付加的な情報を記録する記録方式である。
【００５５】
副記録信号は、副波形テーブル部３５に入力される。また副波形テーブル部３５には、主波形テーブル部３３と同様、ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２から逓倍クロックの逓倍情報も供給される。
【００５６】
副波形テーブル部３５は、図９に示すような副波形テーブルを参照し、副記録信号に応じた波形値を逓倍クロック周期で読み出して出力する。
副波形テーブルには、逓倍クロックがチャネルクロックの４逓倍であることに対応して、各種の副記録信号の内容毎に（１／４）周期の波形値が８個記憶されている。列方向に示した８個の波形値は、２Ｔ期間に相当する期間の波形値となる。
そして、この波形値の種別としては、エッジ記録のための波形値として、スタートエッジについて、それぞれ前方シフト、後方シフトの場合の波形値が記憶される。前方シフトについては、ピット先頭エッジ用の波形値と、ランド終端エッジ用の波形値が記録される。後方シフトについても、ピット先頭エッジ用の波形値と、ランド終端エッジ用の波形値が記憶されている。
また同じくエッジ記録のための波形値として、エンドエッジについて、それぞれ前方シフト、後方シフトの場合の波形値が記憶される。前方シフトについては、ピット終端エッジ用の波形値と、ランド先頭エッジ用の波形値が記録される。後方シフトについても、ピット終端エッジ用の波形値と、ランド先頭エッジ用の波形値が記憶されている。
さらに、ランドマークとして、ランドの中央２Ｔ期間の波形値として、ランド中央にランドマークを付加する場合と付加しない場合についての波形値が記憶されている。
【００５７】
副波形テーブル部３５では、入力される副記録情報の内容に応じて、この副波形テーブルを参照して該当の先頭部用、終端部用、中央部用の波形値を読み出し、アキュムレータ３６に出力する。
【００５８】
一方、主波形テーブル部３３は、上述した例と同様に、ピット／ランド長検出部３１で検出されたピット／ランドのラン長に応じて、図６の主波形テーブルを参照して波形値を読み出すが、この主波形テーブル部３３が出力する波形値も、アキュムレータ３６に供給されることになる。
【００５９】
アキュムレータ３６は、主波形テーブル部３３から供給された波形値に対して、副波形テーブル部３５から供給された波形値を加算する。そして加算結果としての波形値をＤ／Ａ変換器３４に出力する。
Ｄ／Ａ変換器３４は、逓倍クロック（例えば４逓倍クロック）毎に、アキュムレータ３６から供給される波形値（Ｄ／Ａ指令値）をアナログ信号値に変換して出力する。このＤ／Ａ変換器３４の出力が、記録駆動波形ｒＳとして原盤記録部４に供給されることになる。
【００６０】
このような記録波形発生部３による、記録駆動波形ｒＳの生成動作例を図１０，図１１で説明する。
図１１（ａ）はＰＬＬ／クロックマルチプライヤ３２で生成された４逓倍クロックを示している。また図１１（ｂ）は記録波形発生部３に入力される主記録信号であり、ここでは４Ｔピット、５Ｔランドに相当する期間を示している。
ピット／ランド長検出部３１で主記録信号の４Ｔピットが検出されると、主波形テーブル部３３では、４Ｔピット（４ＴＰ）についての（１／４）Ｔ毎の波形値を順次出力することになる。即ち図６に示す４ＴＰの行の１６列で示した「５０」「５０」・・・「２５」の１６個の各波形値であり、これを図１１（ｃ）に示している。この各波形値がアキュムレータ３６に出力される。
【００６１】
また図１１（ｄ）は、副記録信号に応じて副波形テーブル部３５から出力される波形値を示している。
この例では、副波形テーブル部３５から、スタートエッジ前方シフトとしてピット先頭用の２Ｔ期間分の波形値として、「５」「５」「５」「１０」「０」「０」「０」「０」が、４Ｔピットの前半の２Ｔ期間に同期して出力されたとしている。
さらに、４Ｔピットの続く後半２Ｔ期間に同期して、エンドエッジ前方シフトとしてピット終端用の波形値として、「０」「０」「０」「０」「０」「−５」「０」「０」が出力されたとする。
【００６２】
このような主波形テーブル部３３からの波形値と、副波形テーブル部３５からの波形値が、アキュムレータ３６において図１０のように加算される。
図１０（ａ）は、４Ｔピットに対応する、主波形テーブル部３３からの１６個の波形値を示している。また図１０（ｂ）は、副波形テーブル部３５からの、スタートエッジ前方シフトとしてのピット先頭用の波形値を示し、図１０（ｃ）は、同じく副波形テーブル部３５からの、エンドエッジ前方シフトとしてのピット先頭用の波形値を示している。
例えば４Ｔピットの場合、このように前半２Ｔ期間にピット先頭用の波形値が加算され、後半２Ｔ期間に、ピット終端用の波形値が加算される。
そしてアキュムレータ３６の加算出力は、図１０（ｄ）のように、（１／４）Ｔ毎に、「５５」「５５」「５５」「５１０」「６００」「６００」「２５」「２５」「４００」「４００」「２５」「２５」「４５０」「４４５」「２５」「２５」となる。
【００６３】
この加算出力が、Ｄ／Ａ変換器３４で４逓倍クロック毎にアナログ信号に変換されることで、図１１（ｅ）のようなストラテジ波形が記録駆動波形ｒＳとして出力される。
この場合、ファーストパルスＦＰに直前のバイアス期間のレベルと、ファーストパルスＦＰの最初の（１／４）Ｔ期間のレベルが、副波形データに応じた波形値成分の加算により高くなっている。
また、ラストパルスＬＰの終端の（１／４）Ｔ期間のレベルが、副波形データに応じた波形値成分の加算により低くなっている。
図７（ｅ）には、記録駆動波形ｒＳによりディスク原盤上で露光形成される４Ｔピット部分と５Ｔランド部分を、模式的に示しているが、４Ｔピットの部分は、副波形テーブル部３５から読み出された波形値の成分による記録駆動波形ｒＳの調整により、ピットの開始エッジが前方にシフトされ、またピットの終端エッジも、前方にシフトされた状態となる。
【００６４】
また、この４Ｔピットに続く、次の５Ｔランドの期間も同様に行われる。
即ちピット／ランド長検出部３１で主記録信号の５Ｔランドが検出されると、主波形テーブル部３３では、図６に示す５Ｔランド（５ＴＬ）の行の（１／４）Ｔ毎の２０個の波形値を順次出力する。これが図１１（ｃ）に示す「２５」「２５」「５０」「５０」・・・・「５０」「５０」「２５」「２５」の値である。
一方、副波形テーブル部３５では、副記録信号に対応して、図９のランド中央にランドマークを付加するための波形値「８０」「０」「０」・・・「０」が出力されたとする。図１１（ｃ）には、５Ｔランドのランド中央となる２Ｔ期間に、このランドマーク付加の波形値が出力された状態を示している。即ちこの場合、ランドの先頭から１．５Ｔ期間後のタイミングから、（１／４）Ｔ毎にランドマーク付加の波形値が出力される。
このように、図１１（ｃ）の５Ｔランドの波形値に対して、その中央２Ｔ期間のタイミングでランドマーク付加の波形値が出力され、アキュムレータ３６で加算が行われ、加算値がＤ／Ａ変換器３４に供給されることで、Ｄ／Ａ変換器３４から出力される記録駆動波形ｒＳは図１１（ｅ）のようになり、ランドの中央近辺で、（１／４）Ｔ期間のみ高いレベルとなる。
その結果、ランドの中央に凹状のランドマークが形成される。
【００６５】
以上のように本例によれば、副記録情報を、エッジ記録やランドマーク記録として実現する際に、副波形テーブル部３５の波形値を主波形テーブル部３３からの波形値に加算することで、容易に副記録情報の記録を行うためのストラテジパターンを生成することができる。
即ち、ピットエッジに副情報を記録する場合、副波形テーブルの設定により、容易かつ高精度にエッジ位置を移動させることができる。
また、ランドに微小マークとしてのランドマークを付加する場合にも、副波形テーブルの設定により、容易かつ高精度にランドマーク記録を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態の原盤製造装置のブロック図である。
【図２】実施の形態の原盤記録部の構造の説明図である。
【図３】実施の形態のストラテジパターンの説明図である。
【図４】実施の形態のディスク原盤上の露光時の様子の説明図である。
【図５】実施の形態の記録波形発生部の第１の構成例のブロック図である。
【図６】実施の形態の主波形テーブルの説明図である。
【図７】実施の形態の記録駆動波形の生成の説明図である。
【図８】実施の形態の記録波形発生部の第２の構成例のブロック図である。
【図９】実施の形態の副波形テーブルの説明図である。
【図１０】実施の形態の波形値の加算処理の説明図である。
【図１１】実施の形態の記録駆動波形の生成の説明図である。
【図１２】実施の形態のディスク製造工程の説明図である。
【図１３】実施の形態のＰＴＭ方式の説明図である。
【図１４】従来の記録波形発生部のブロック図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  原盤製造装置、２  チャネル変換器、３  記録波形発生部、４  原盤記録部、３１  ピット／ランド長検出部、３２  ＰＬＬ／クロックマルチプライヤ、３３  主波形テーブル部、３４  Ｄ／Ａ変換器、３５  副波形テーブル部、３６  アキュムレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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