(57)【要約】【課題】互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を低コストで製造することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供すること、ならびに、低消費電力かつ低コストで高品位な画像を表示することができる表示装置および電子機器を提供すること。【解決手段】各発光素子の少なくとも陽極と正孔注入層と正孔輸送層とを形成する第１の工程と、複数の発光素子のうちの一部の発光素子の陽極と正孔注入層と正孔輸送層とに加熱処理を施すことにより、当該正孔注入層の正孔注入性を高める第２の工程とを有し、加熱処理が施された一部の発光素子の発光スペクトルと、加熱処理が施されていない他の発光素子の発光スペクトルとを互いに異ならせる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に正孔注入層、正孔輸送層および互いに発光スペクトルの異なる複数の発光層が介挿された構成を有する複数の発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
前記各発光素子の少なくとも前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とを形成する第１の工程と、
前記複数の発光素子のうちの一部の発光素子の前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とに加熱処理を施すことにより、当該正孔注入層の正孔注入性を高める第２の工程とを有し、
前記加熱処理が施された前記一部の発光素子の発光スペクトルと、前記加熱処理が施されていない他の発光素子の発光スペクトルとを互いに異ならせることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層と前記複数の発光層と前記陰極とを形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層と前記複数の発光層と前記陰極とを封止する工程を有し、前記第２の工程では、前記加熱処理は、前記封止された状態で行う請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とを形成し、前記第２の工程の後に、前記複数の発光層および前記陰極を形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記正孔注入層は、電子アクセプター性を有するものである請求項１ないし４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程では、エネルギー線を少なくとも前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とに照射することにより前記加熱処理を行う請求項１ないし５のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記エネルギー線は、レーザーである請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記レーザーの波長は、６００〜８００ｎｍである請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程では、前記正孔注入層の近傍に、レーザー光を熱エネルギーに変換する光吸収層を形成する請求項７または８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程では、前記加熱処理は、不活性雰囲気下で行う請求項１ないし９のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
陽極と陰極との間に正孔注入層と正孔輸送層と互いに発光スペクトルの異なる複数の発光層とが介挿されて構成された複数の発光素子とを有し、
前記複数の発光素子のうちの一部の発光素子は、その少なくとも陽極と正孔注入層と正孔輸送層が加熱されることにより、当該一部の発光素子の正孔注入層の正孔注入性が高められ、これにより、前記加熱処理が施された前記一部の発光素子の発光スペクトルと、前記加熱処理が施されていない他の発光素子の発光スペクトルとが互いに異なるように構成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
【０００３】
このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色に対応する３層の発光層を積層した構造を有し、白色発光させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような白色発光する発光素子は、Ｒ（赤色）画素、Ｇ（緑色）画素、Ｂ（青色）画素の３色の画素を有するカラーフィルタと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
【０００４】
また、このような発光素子は、前述したような各層を成膜法を用いて成膜・積層することで形成されるが、前述したような各色の画素に対応する複数の発光素子では、互いに同じ積層構造を有するので、各発光素子の発光層を形成するに際し、画素ごとの精密なマスクアライメントが必要ない。そのため、歩留まりの向上や製造コストの低減に有利であると言われている。また、前述したような白色発光の発光素子とカラーフィルタとを組み合わせた構造では、高解像度のカラーフィルタを用いることで、精細度の高いディスプレイを実現することもできる。
【０００５】
しかしながら、前述したような白色発光の発光素子とカラーフィルタを組み合わせた構成では、Ｒ画素では発光素子から発光された白色光のうちＢ、Ｇの発光がカットされ、Ｇ画素では発光素子から発光された白色光のうちＲ、Ｂの発光がカットされ、Ｂ画素では発光素子から発光された白色光のうちＲ、Ｇの発光がカットされてしまう。
特に、従来では、複数の発光素子の発光スペクトルが互いに全く同じであるため、各発光素子の発光の多くがカラーフィルタでカットされて無駄になってしまい、その結果、光の利用効率が低いという問題があった。
仮に複数の発光素子の積層構造を異なるものとすれば、複数の発光素子の発光スペクトルを画素ごとに調整することができるが、このような場合、マスクを用いて画素ごとに分割して成膜する必要があり、歩留まりの低下や製造コストの増加を招いてしまう。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１７２７６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を低コストで製造することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供すること、ならびに、低消費電力かつ低コストで高品位な画像を表示することができる表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光装置の製造方法では、陽極と陰極との間に正孔注入層、正孔輸送層および互いに発光スペクトルの異なる複数の発光層が介挿された構成を有する複数の発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
前記各発光素子の少なくとも前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とを形成する第１の工程と、
前記複数の発光素子のうちの一部の発光素子の前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とに加熱処理を施すことにより、当該正孔注入層の正孔注入性を高める第２の工程とを有し、
前記加熱処理が施された前記一部の発光素子の発光スペクトルと、前記加熱処理が施されていない他の発光素子の発光スペクトルとを互いに異ならせることを特徴とする。
これにより、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を低コストで製造することができる。
【０００９】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層と前記複数の発光層と前記陰極とを形成することが好ましい。
これにより、成膜工程を終えた後に加熱処理を行うことができる。そのため、比較的簡単に、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を低コストで製造することができる。
【００１０】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層と前記複数の発光層と前記陰極とを封止する工程を有し、前記第２の工程では、前記加熱処理は、前記封止された状態で行うことが好ましい。
これにより、加熱処理時に、発光素子を構成する各層が水分や酸素と接触するのを防止することができる。そのため、加熱処理による発光素子の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
【００１１】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の工程では、前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とを形成し、前記第２の工程の後に、前記複数の発光層および前記陰極を形成することが好ましい。
これにより、各発光層が加熱処理に供されないので、各発光層の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
【００１２】
本発明の発光装置の製造方法では、前記正孔注入層は、電子アクセプター性を有するものであることが好ましい。
これにより、加熱処理により、電子アクセプター性を有する材料が正孔注入層から正孔輸送層へ拡散する。その結果、正孔注入層の正孔注入性を向上させることができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程では、エネルギー線を少なくとも前記陽極と前記正孔注入層と前記正孔輸送層とに照射することにより前記加熱処理を行うことが好ましい。
これにより、比較的簡単に、選択的に加熱処理を行うことができる。そのため、意図しない発光素子が加熱処理されるのを防止することができる。
【００１３】
本発明の発光装置の製造方法では、前記エネルギー線は、レーザーであることが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ確実に、選択的に加熱処理を行うことができる。
本発明の発光装置の製造方法では、前記レーザーの波長は、６００〜８００ｎｍであることが好ましい。
これにより、発光素子の意図しない変質（損傷）を防止しつつ、比較的簡単かつ確実に、選択的に加熱処理を行うことができる。
【００１４】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第１の工程では、前記正孔注入層の近傍に、レーザー光を熱エネルギーに変換する光吸収層を形成することが好ましい。
これにより、レーザー光の利用効率を高めることができる。そのため、レーザー光の照射時間を短くすることができ、その結果、意図しない発光素子に対する加熱処理や、発光素子の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
【００１５】
本発明の発光装置の製造方法では、前記第２の工程では、前記加熱処理は、不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
これにより、発光素子の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
本発明の発光装置は、本発明の発光装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を有する低コストな発光装置を製造することができる。
【００１６】
本発明の発光装置は、陽極と陰極との間に正孔注入層と正孔輸送層と互いに発光スペクトルの異なる複数の発光層とが介挿されて構成された複数の発光素子とを有し、
前記複数の発光素子のうちの一部の発光素子は、その少なくとも陽極と正孔注入層と正孔輸送層が加熱されることにより、当該一部の発光素子の正孔注入層の正孔注入性が高められ、これにより、前記加熱処理が施された前記一部の発光素子の発光スペクトルと、前記加熱処理が施されていない他の発光素子の発光スペクトルとが互いに異なるように構成されていることを特徴とする。
これにより、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子を有する低コストな発光装置を提供することができる。
【００１７】
本発明の表示装置は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、低消費電力かつ低コストで高品位な画像を表示することができる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、低消費電力かつ低コストで高品位な画像を表示することができる電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の発光装置の製造方法、発光装置、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の発光装置の製造方法により得られる発光装置を含む表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図、図２は、図１に示す発光装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中および図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
【００１９】
（表示装置）
図１に示す表示装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える発光装置１０１と、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられたフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを備えるカラーフィルタ１０２とを有している。
このような表示装置１００は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂがサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
【００２０】
発光装置１０１は、基板２１と、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、複数のスイッチング素子２４とを有している。
基板２１は、複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよび複数のスイッチング素子２４を支持するものである。本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、基板２１とは反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）である。したがって、基板２１には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。なお、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）である場合には、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。
【００２１】
基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２２】
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
このような基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２３】
このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２４がマトリクス状に配列されている。
各スイッチング素子２４は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【００２４】
このような複数のスイッチング素子２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
平坦化層２２上には、各スイッチング素子２４に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１５、陰極１２、陰極カバー３４がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各スイッチング素子２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極１２は、共通電極とされている。
【００２５】
なお、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについては、後に詳述するが、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、後述する製造工程において付与されたエネルギーの影響によるもの以外、発光素子１Ｒの構成と同様である。
隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１が設けられている。
このように構成された発光装置１０１には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３５を介して、カラーフィルタ１０２が接合されている。
【００２６】
カラーフィルタ１０２は、基板２０と、複数のフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂと、遮光層３６とを有している。
基板（封止基板）２０は、各フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂおよび遮光層３６を支持するものである。前述したように本実施形態の各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂはトップエミッション型であるため、基板２０には、透明基板が用いられる。
このような基板２０の構成材料としては、基板２０が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板２０の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００２７】
フィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられている。
フィルタ部１９Ｒは、発光素子１Ｒからの光ＷＲを赤色に変換するものである。また、フィルタ部１９Ｇは、発光素子１ＧからのＷＧを緑色に変換するものである。また、フィルタ部１９Ｂは、発光素子１Ｂからの光ＷＢを青色に変換するものである。このようなフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
隣接するフィルタ部１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。
この遮光層３６は、意図しないサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが発光するのを防止する機能を有する。
【００２８】
（発光素子）
ここで、図２に基づき、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを詳細に説明する。
図２に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１Ｒは、互いに発光スペクトルの異なるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３層の発光層を発光させて、略白色（赤の発光強度が比較的強い白色）に発光するものである。また、本実施形態では、発光素子１Ｇは、緑および／または青の発光強度が比較的強い白色で略白色に発光するものであり、発光素子１Ｂは、青および／または青の発光強度が比較的強い白色で略白色に発光するものである。なお、発光素子１Ｂと発光素子１Ｇとで発光スペクトルが同じであってもよい。
【００２９】
このような各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂでは、前述したように２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に積層体１５が介挿されており、この積層体１５は、図２に示すように、陽極３側から陰極１２側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層（赤色発光層）６と中間層７と第２の発光層（青色発光層）８と第３の発光層（緑色発光層）９と電子輸送層１０と電子注入層１１とがこの順に積層されている。
【００３０】
言い換えすれば、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。
また、本実施形態では、陽極３と平坦化層２２との間に、反射膜３２および腐食防止膜３３が設けられ、また、陰極１２の積層体１５と反対側には、陰極カバー（封止層）３４が設けられている。
【００３１】
このような各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにあっては、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、略白色発光する。
【００３２】
特に、３つの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのうちの発光素子１Ｇ、１Ｂ（一部の発光素子）は、その少なくとも陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５が加熱されることにより、当該正孔注入層４の正孔注入性が高められている。これにより、加熱処理が施された発光素子１Ｇ、１Ｂの発光スペクトルと、加熱処理が施されていない発光素子１Ｒの発光スペクトルとが互いに異なっている。
【００３３】
このような３つの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備える発光装置１０１は、前述したようなカラーフィルタ１０２と組み合わせたときに、光の損失を少なくする（光の利用効率を高める）ことができ、その結果、高品位な画像を表示することができる。また、３つの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ間の層構成が同じであるため、製造が簡単であり、低コスト化を図ることができる。
以下では、発光素子１Ｒの構成（構造）ついて代表的に説明するが、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、後述する製造工程において付与されたエネルギーの影響によるもの以外、発光素子１Ｒの構成と同様である。
【００３４】
以下、発光素子１Ｒを構成する各部を順次説明する。
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
【００３５】
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
本実施形態では、陽極３は、光透過性を有する。これにより、各発光層からの光を反射膜３２が反射することができる。
【００３６】
（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能（すなわち正孔注入性）を有するものである。
特に、この正孔注入層４は、前述したような正孔注入性に加えて、電子アクセプター性を有することが好ましい。一般的に、正孔注入性と電子アクセプター性を両立することは困難とされているが、各材料の正孔注入性に合わせて、膜厚を最適化すればよい。具体的に電子アクセプター性を有しているが、正孔注入性に乏しい材料においては、その正孔注入性に合わせて薄膜で使用すればよい。その中で、後述する発光装置１０１の製造時において、加熱処理により、電子アクセプター性を有する材料が正孔輸送層５へ拡散する。その結果、正孔注入層４の正孔注入性を向上させることができる。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、正孔注入層４が前述したような正孔注入性および電子アクセプター性を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、下記化１で表わされるヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレンは、正孔注入性が高く、電子アクセプター性を発揮するため好適に用いられる。
【００３７】
【化１】
2009289596.tif 000003
【００３８】
また、正孔注入層４の構成材料として、正孔注入性は高くないが電子アクセプター性を有する材料を用いる場合は、膜厚を最適化する必要があり、１０ｎｍ以下の薄膜で用いることが好ましい。また、正孔注入性を有する正孔注入材料と、電子アクセプター性を有する電子アクセプター材料を組み合わせて（例えば混合して）用いることもできる。
電子注入材料としては、例えば、銅フタロシアニンや、下記化２で表わされる４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、下記化３で表わされるＮ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
【化２】
2009289596.tif 000004
【００４０】
【化３】
2009289596.tif 000005
【００４１】
また、電子アクセプター材料としては、例えば、下記化４で表わされるテトラフルオロテトラシアノキノジメタン、下記化５で表わされるヘキサシアノブタジエン、下記化６で表わされる７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
【化４】
2009289596.tif 000006
【００４３】
【化５】
2009289596.tif 000007
【００４４】
【化６】
2009289596.tif 000008
【００４５】
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４６】
（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を第１の発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４７】
（第１の発光層）
この第１の発光層６は、第１の色に発光する第１の発光材料と、この第１の発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料とを含んで構成されている。このような第１の発光層６は、例えば、ゲスト材料である第１の発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第１のホスト材料は省略することができる。
【００４８】
第１の発光材料は、赤色に発光する赤色発光材料である。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、赤色蛍光材料を好適に用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。
【００４９】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００５０】
上述した中でも、赤色発光材料は、ペリレン誘導体を含むことが好ましい。ペリレン誘導体は、特に発光効率の高い発光材料である。また、ペリレン誘導体は、電子を捕獲する機能が特に優れたものである。このため、陰極１２側から注入された電子を第１の発光層６で確実に捕獲し、正孔輸送層５に電子が注入されるのを防止することができる。その結果、正孔注入層４や正孔輸送層５の構成材料が電子により還元されて劣化するのを防止することができる。
特に、赤色発光材料に用いるペリレン誘導体としては、例えば下記化７で表わされる化合物等のテトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。
【００５１】
【化７】
2009289596.tif 000009
【００５２】
このような赤色発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記化８で表わされる化合物等のテトラセン誘導体（ナフタセン誘導体）、下記化９で表わされる化合物等のアントラセン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５３】
【化８】
2009289596.tif 000010
【００５４】
【化９】
2009289596.tif 000011
【００５５】
中でも、第１の発光材料は、前述したようなテトラセン誘導体またはペリレン誘導体を含むものであるのが好ましい。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５６】
前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）および第１のホスト材料を用いる場合、第１の発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する第２の発光層８や第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第１の発光層６を発光させることができる。
【００５７】
また、前述したような赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さいため、発光しやすい。したがって、最も陽極３側に赤色発光層を設けることで、バンドギャップが比較的大きく発光し難い青色発光層や緑色発光層を陰極１２側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
また、第１の発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００５８】
（中間層）
この中間層７は、前述した第１の発光層６と後述する第２の発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層７は、第１の発光層６と第２の発光層８との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、第１の発光層６および第２の発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。
【００５９】
このような中間層７の構成材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、アミン系材料等を用いることができる。
このような中間層７に用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
【００６０】
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層７に用いられるアミン系材料としては、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。
【００６１】
また、中間層７の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子のエネルギー移動をより確実に阻止することができる。
これに対し、中間層７の平均厚さが前記上限値を超えると、中間層７の構成材料等によっては、駆動電圧が著しく高くなったり、発光素子１Ｒの発光（特に白色発光）が難しくなったりする場合がある。一方、中間層７の平均厚さが前記下限値未満であると、中間層７の構成材料や駆動電圧等によっては、中間層７が第１の発光層６と第２の発光層８との間での励起子によるエネルギー移動を防止または抑制するのが難しく、また、キャリアや励起子に対する中間層７の耐が低下する傾向を示す。
なお、この中間層７は、省略することができる。
【００６２】
（第２の発光層）
この第２の発光層８は、第２の色に発光する第２の発光材料と、この第２の発光材料をゲスト材料とする第２のホスト材料とを含んで構成されている。このような第２の発光層８は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第２の発光材料をドーパントとして第２のホスト材料にドープすることにより形成することができる。
【００６３】
第２の発光材料は、青色に発光する青色発光材料である。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、青色蛍光材料を好適に用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化１０で表わされる化合物等のジスチリルジアミン誘導体、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６４】
【化１０】
2009289596.tif 000012
【００６５】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００６６】
第２のホスト材料としては、前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、上記の化９で表わされる化合物等のアントラセン誘導体を用いることができる。
前述したような青色発光材料（ゲスト材料）および第２のホスト材料を用いる場合、第２の発光層８中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、５〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や後述する第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第２の発光層８を発光させることができる。
また、第２の発光層８の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００６７】
（第３の発光層）
この第３の発光層９は、第３の色に発光する第３の発光材料と、この第３の発光材料をゲスト材料とする第３のホスト材料とを含んで構成されている。このような第３の発光層９は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第３の発光材料をドーパントとして第３のホスト材料にドープすることにより形成することができる。
第３の発光材料は、緑色に発光する緑色発光材料である。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、緑色蛍光材料を好適に用いることができる。
【００６８】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化１１で表わされる化合物等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６９】
【化１１】
2009289596.tif 000013
【００７０】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。
【００７１】
第３のホスト材料としては、前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体を用いることができる。
前述したような緑色発光材料（ゲスト材料）および第３のホスト材料を用いる場合、第３の発光層９中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や第２の発光層８の発光量とのバランスをとりつつ第３の発光層９を発光させることができる。
また、第３の発光層９の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。
【００７２】
（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を第３の発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００７３】
（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
【００７４】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１Ｒは、高い輝度が得られるものとなる。
【００７５】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００７６】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００７７】
（陰極）
陰極１２は、前述した電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極である。この陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極１２の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００７８】
特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極１２の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
本実施形態の発光素子１Ｒは、トップエミッション型であるため、陰極１２は、光透過性を有する。なお、発光素子１Ｒがボトムエミッション型である場合には、陰極１２に、光透過性は、特に要求されない。
【００７９】
（反射膜）
反射膜（反射層）３２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光を反射する機能を有する。これにより、発光素子１Ｒの発光効率を向上させることができる。また、このような反射膜３２は、陰極１２との間で光を共振させることができる。このような場合、発光素子１Ｒから出射される光の強度および色純度を高めることができる。
【００８０】
このような反射膜３２の構成材料としては、反射膜３２が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金等を用いることができる。
また、反射膜３２は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜（光学多層薄膜）で構成することもできる。
【００８１】
高屈折率層を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｈＯ２などが挙げられるが、特に、Ｔｉ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、酸化ニオブなどが好適に用いられる。
低屈折率層を構成する材料としては、例えば、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２などが挙げられるが、特に、ＳｉＯ２が好適に用いられる。
【００８２】
反射膜３２を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、誘電体多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は１２層以上である。
なお、本実施形態では、発光素子１Ｒがトップエミッション型であるため、反射膜３２に光透過性は要求されない。
また、反射膜３２の厚さは、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００８３】
（腐食防止膜）
腐食防止膜３３は、反射膜３２の腐食を防止する機能を有するものである。
このような腐食防止膜３３の構成材料としては、腐食防止膜３３が前述した機能を発揮するとともに前述した反射膜３２の機能を阻害しないものであれば、特に限定されず、各種有機材料、各種無機材料を用いることができる。
なお、この腐食防止膜３３は、省略してもよい。
【００８４】
（陰極カバー）
陰極カバー３４は、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。陰極カバー３４を設けることにより、発光素子１Ｒの信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
【００８５】
陰極カバー３４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、陰極カバー３４の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、陰極カバー３４と陽極３、積層体１５、および陰極１２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
なお、本実施形態では、図１に示す樹脂層３５（封止層）およびカラーフィルタ１０２（封止部材）も、陽極３、積層体１５、および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。
【００８６】
（発光装置の製造方法）
以上のように構成された発光装置１０１は、例えば、次のようにして製造することができる。
発光装置１０１の製造方法は、
＜Ａ＞各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの少なくとも陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とを形成する第１の工程と、
＜Ｂ＞各発光素子１Ｇ、１Ｂの陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とに加熱処理を施すことにより、当該正孔注入層４の正孔注入性を高める第２の工程とを有する。
【００８７】
このような第１の工程＜Ａ＞および第２の工程＜Ｂ＞を経ることで、加熱処理が施された発光素子１Ｇ、１Ｂ（一部の発光素子）の発光スペクトルと、加熱処理が施されていない発光素子１Ｒ（他の発光素子）の発光スペクトルとを互いに異ならせることができる。これにより、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを低コストで製造することができる。
【００８８】
このような発光装置１０１の製造方法としては、第１の工程＜Ａ＞において少なくとも陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とを形成すればよいが、例えば、次のような第１の例および第２の例が挙げられる。
第１の例では、第１の工程＜Ａ＞において、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と複数の発光層と陰極１２とを形成する。すなわち、第１の例では、第１の工程＜Ａ＞において陽極３と陰極１２との間に積層体１５が介挿された構造を形成する。
【００８９】
第２の例では、第１の工程＜Ａ＞において、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５とをこの順で積層して積層体を形成し、第２の工程＜Ｂ＞の後に、当該積層体上に複数の発光層および陰極１２を形成する。すなわち、第２の例では、第１の工程＜Ａ＞において陽極３と積層体１５の一部（正孔注入層４および正孔輸送層５）とを形成し、第２の工程＜Ｂ＞の後に積層体１５の残部と陰極１２とを形成する。
【００９０】
以下、発光装置１０１の製造方法の例として第１の例および第２の例を順次説明する。
（第１の例）
まず、発光装置１０１の製造方法の第１の例を説明する。
図３および図４は、それぞれ、図１に示す発光装置（表示装置）の製造方法の第１の例を説明するための図である。
【００９１】
＜Ａ＞第１の工程
［１］  まず、基板２１を用意し、この基板２１上に、図３（ａ）に示すように、複数のスイッチング素子２４および平坦化層２２を形成する。
このスイッチング素子２４および平坦化層２２は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
【００９２】
［２］  次に、図３（ｂ）に示すように、平坦化層２２上に、各スイッチング素子２４に対応して、反射膜３２と腐食防止膜３３と陽極３とをこの順で積層して形成する。
その際、反射膜３２の基板２１側の部分や、反射膜３２と平坦化層２２との間に、レーザー光を熱エネルギーに変換する光吸収層を設けるのが好ましい。このような光吸収層を正孔注入層４の近傍に設けることによって、後述する第２の工程でレーザー（エネルギー線）による加熱処理を施す場合、レーザー光（エネルギー線）の利用効率を高めることができる。そのため、レーザー光の照射時間を短くすることができ、その結果、意図しない発光素子１に対する加熱処理や、発光素子１の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
【００９３】
このような光吸収層は、カーボンブラックや黒色の染料または顔料等によって形成することができる。
反射膜３２、腐食防止膜３３および陽極３は、それぞれ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
【００９４】
［３］  次に、図３（ｃ）に示すように、陽極３同士の間に、隔壁３１を形成する。
隔壁３１は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
［４］  次に、図３（ｄ）に示すように、複数の陽極３を覆うように、積層体１５と陰極１２と陰極カバー３４とをこの順で積層して形成する。これにより、加熱処理されていない複数の発光素子１が得られる。このような複数の発光素子１は、層構成が互いに同じであるため、比較的少なくかつ簡単な製造工程で済む。
【００９５】
以下、本工程［４］をより具体的に説明する。
［４−１］  まず、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層４は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９６】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９７】
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面を親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、基板２１の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。
【００９８】
［４−２］  次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９９】
［４−３］  次に、正孔輸送層５上に、第１の発光層６を形成する。
第１の発光層６は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［４−４］  次に、第１の発光層６上に、中間層７を形成する。
中間層７は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１００】
［４−５］  次に、中間層７上に、第２の発光層８を形成する。
第２の発光層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［４−６］  次に、第２の発光層８上に、第３の発光層９を形成する。
第３の発光層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
【０１０１】
［４−７］  次に、第３の発光層９上に電子輸送層１０を形成する。
電子輸送層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層１０は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、第３の発光層９上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【０１０２】
［４−８］  次に、電子輸送層１０上に、電子注入層１１を形成する。
電子注入層１１の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［４−９］  次に、電子注入層１１上に、陰極１２を形成する。
陰極１２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
【０１０３】
［４−１０］  次に、陰極１２上に、陰極カバー３４を形成する。すなわち、第１の工程＜Ａ＞は、陽極３、正孔注入層４、正孔輸送層５、複数の発光層６、８、９および陰極１２とを陰極カバー３４により封止する封止する工程を有する。
陰極カバー３４は、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、薄膜の接合等を用いて形成することができる。
【０１０４】
このように第１の工程＜Ａ＞において陽極３、正孔注入層４、正孔輸送層５、複数の発光層６、８、９および陰極１２等を形成することにより、成膜工程を終えた後に、後述する第２の工程＜Ｂ＞で加熱処理を行うことができる。そのため、成膜装置と加熱装置との間の移動が少なく、比較的簡単に、互いに発光スペクトルの異なる複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを低コストで製造することができる。
【０１０５】
また、第１の工程＜Ａ＞において陽極３、正孔注入層４、正孔輸送層５、複数の発光層６、８、９および陰極１２とを陰極カバー３４により封止する封止するため、第２の工程＜Ｂ＞において、これらの各層を封止した状態で加熱処理を行うことできる。これにより、第２の光手＜Ｂ＞において、加熱処理時に、発光素子１Ｇ、１Ｂを構成する各層が水分や酸素と接触するのを防止することができる。そのため、加熱処理による発光素子１Ｇ、１Ｂの意図しない変質（損傷）を防止することができる。
【０１０６】
＜Ｂ＞第２の工程
［５］  次に、図４（ａ）に示すように、積層体１５のうち、サブ画素１００Ｂ、１００Ｇに対応する領域の発光素子１に選択的に加熱処理を施す。これにより、加熱処理された発光素子１では、発光素子１を構成する各層（特に正孔注入層４および正孔輸送層５）のモフォロジーが変化したり、陽極３と正孔注入層４との密着性が向上したりする。その結果、キャリアバランスが正孔過多の状態となった（すなわち正孔と電子とが再結合する領域が陰極１２側へシフトした）発光素子１Ｇ、１Ｂが得られる。また、加熱処理されていない発光素子１は発光素子１Ｒとされる。このようにして、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（発光装置１０１）が得られる。
【０１０７】
本工程［５］における加熱処理の方法としては、前述したように所望の跛行素子１のみに選択的に加熱処理を施すことができるものであれば、特に限定されないが、エネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。かかる方法を用いることにより、比較的簡単に、選択的に加熱処理を行うことができる。そのため、意図しない発光素子１が加熱処理されるのを防止することができる。
【０１０８】
また、エネルギー線としては、例えば、レーザ光、Ｘ線、γ線のような電磁波、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられるが、レーザーを用いるのが好ましい。エネルギー線としてレーザーを用いることにより、比較的簡単かつ確実に、選択的に加熱処理を行うことができる。
レーザーとしては、連続発振するものであっても、パルス発振するものであってもよい。
【０１０９】
また、レーザーの波長は、加熱処理を施すことができるものであれば、特に限定されないが、６００〜８００ｎｍであるのが好ましい。これにより、発光素子１の意図しない変質（損傷）を防止しつつ、比較的簡単かつ確実に、選択的に加熱処理を行うことができる。
また、レーザー光の照射は、基板２１の構成材料や熱伝導性等によっては、基板２１側から行うことも可能であるが、図４（ａ）に示すように、基板２１（基材）と反対側から行うのが好ましい。これにより、比較的簡単かつ確実に、選択的に加熱処理を行うことができる。
【０１１０】
また、加熱処理は、水分や酸素ができるだけ少ない雰囲気下であるのが好ましく、不活性ガス雰囲気減圧雰囲気などの不活性雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、発光素子１の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
また、サブ画素１００Ｂに対応する領域の発光素子１と、サブ画素１００Ｇに対応する領域の発光素子１とを同時に加熱処理を施してもよいし、異なるタイミングで加熱処理を施してもよい。
【０１１１】
また、サブ画素１００Ｂに対応する領域の発光素子１と、サブ画素１００Ｇに対応する領域の発光素子１とで、加熱処理の条件、例えば、加熱時間（レーザーの照射時間）、加熱温度（レーザーの強度）等が同じであっても、異なっていてもよい。サブ画素１００Ｂに対応する領域の発光素子１と、サブ画素１００Ｇに対応する領域の発光素子１とで、加熱処理の条件を異ならせることで、これらの発光スペクトルを異ならせることができる。
以上のような工程を経て、発光装置１０１が得られる。
［６］  その後、図４（ｂ）に示すように、発光装置１０１とカラーフィルタ１０２とを樹脂層３５を介して接合する。これにより、表示装置１００が得られる。
以上のような工程を経て、表示装置１００が得られる。
【０１１２】
（第２の例）
次に、発光装置１０１の製造方法の第２の例を説明する。
なお、第２の例について、前述した第１の例との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
図５は、図１に示す発光装置（表示装置）の製造方法の第２の例を説明するための図である。
【０１１３】
＜Ａ＞第１の工程
まず、前述した第１の例の工程［１］〜［３］と同様、基板２１を用意し、この基板２１上に複数のスイッチング素子２４と平坦化層２２と反射膜３２と腐食防止膜３３と陽極３と隔壁３１とを形成した後、図５（ａ）に示すように、前述した第１の例の工程［４−１］〜［４−２］と同様、正孔注入層４および正孔輸送層５を形成する。
これにより、各サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応した積層体１６が得られる。
【０１１４】
＜Ｂ＞第２の工程
次に、図５（ｂ）に示すように、前述した第１の例の工程［５］と同様、サブ画素１００Ｂ、１００Ｇに対応する領域の積層体１６に選択的に加熱処理を施す。これにより、積層体１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂが得られる。
その後、図５（ｃ）に示すように、積層体１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ上に、前述した第１の例の工程［４−３］〜［４−１０］と同様、第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２と陰極カバー３４を形成し、発光装置１０１を得た後、前述した第１の例の工程［６］と同様、発光装置１０１とカラーフィルタ１０２とを樹脂層３５を介して接合する。これにより、表示装置１００が得られる。
【０１１５】
以上説明したような第２の例では、第１の工程＜Ａ＞において陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層と形成し、第２の工程＜Ｂ＞の後に、複数の発光層６、８、９および陰極１２等を形成する。これにより、各発光層６、８、９が加熱処理に供されないので、各発光層６、８、９の意図しない変質（損傷）を防止することができる。
以上説明したような表示装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
【０１１６】
図６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１００で構成されている。
【０１１７】
図７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１００で構成されている。
【０１１８】
図８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１１９】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１００で構成されている。
【０１２０】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１２１】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１２２】
なお、本発明の電子機器は、図６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図７の携帯電話機、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１２３】
以上、本発明の発光装置の製造方法、発光装置、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、各発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が２層または４層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。発光層が２層または４層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。例えば、発光層が２層である場合、青色の発光層と黄色の発光層とを組み合わせることで、白色発光させることができる。
【実施例】
【０１２４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光装置の製造
（実施例１）
−第１の工程―
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１２５】
＜２＞  次に、ＩＴＯ電極上に、上記化１で表わされるヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＬＧ１０１  ＬＧケミカル社製）を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞  次に、正孔注入層上に、上記化３で表わされるＮＰＤを真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１２６】
＜４＞  次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として上記化７で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化８で表わされる化合物を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１．５ｗｔ％とした。
【０１２７】
＜５＞  次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ５ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、アミン系材料として上記化３で表されるＮＰＤを用いた。
＜６＞  次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として上記化１０で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化９で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、５．０ｗｔ％とした。
【０１２８】
＜７＞  次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として上記化１１で表わされる化合物を用い、ホスト材料としてＡｌｑ３を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、２ｗｔ％とした。
【０１２９】
＜８＞  次に、緑色発光層上に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜９＞  次に、電子輸送層上に、ＬｉＦを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの電子注入層を形成した。
＜１０＞  次に、電子注入層上に、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの陰極を形成した。
以上のようにして図２に示すような発光素子を基板上に２つ形成した。
【０１３０】
−第２の工程−
＜１１＞  次に、基板上の２つの発光素子のうちの一方の発光素子に、レーザー光を照射して加熱処理を施した。
ここで、レーザーとして、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（発振波長６３３ｎｍ）を用い、照射時間を３秒間とした。また、加熱処理はＡｒガス雰囲気（不活性雰囲気）下で行った。
以上のようにして、加熱処理の施された発光素子と、加熱処理の施されていない発光素子とが基板上に形成された発光装置を得た。
【０１３１】
（実施例２）
青色発光層と緑色発光層との積層順を逆にした以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
（比較例）
正孔注入層の構成材料として上記化２で表わされるｍ−ＭＴＤＡＴＡを用いるとともに、加熱処理を省略した以外は、前述した実施例１と同様にして発光素子を製造した。
【０１３２】
２．評価
各実施例および比較例について、直流電源を用いて各発光素子に４０ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流し、Ｒ、Ｇ、Ｂの各波長での発光強度を測定した。
その結果を表１に示す。なお、表１において、発光強度は、Ｒでの発光強度を１（基準）として、Ｇでの発光強度およびＢでの発光強度を示している。また、表１における発光強度は、ピーク波長における発光強度を示している。
【０１３３】
【表１】
2009289596.tif 000014
【０１３４】
また、各実施例および比較例について、直流電源を用いて各発光素子に２０ｍＡ／ｃｍ２の定電流を流し、輝度計を用いて各発光素子の輝度を測定し、その結果から発光効率を求め、その結果を表１に示す。
さらに、各実施例および比較例について、直流電源を用いて各発光素子に２０Ａ／ｃｍ２の定電流を流し、その際の駆動電圧を表１に示す。
【０１３５】
表１から明らかなように、各実施例の発光素子は、加熱処理を施した発光素子と、加熱処理を施していない発光素子とで発光スペクトルが異なることがわかる。すなわち、核実施例では、基板上に、互いに異なる２種の発光素子を形成することができたことがわかる。
また、各実施例では、加熱処理を施した発光素子は、加熱処理を施していない発光素子とほぼ同等の駆動電圧および発光効率で発光することができた。各実施例では、各発光素子の駆動電圧を比較例の発光素子の駆動電圧に比し低減することができた。そのため、各実施例では、消費電力を低減でき、また、発光素子の長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の発光装置の製造方法により得られる発光装置を含む表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示す発光装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す発光装置（表示装置）の製造方法の第１の例を説明するための図である。
【図４】図１に示す発光装置（表示装置）の製造方法の第１の例を説明するための図である。
【図５】図１に示す発光装置（表示装置）の製造方法の第２の例を説明するための図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１、１Ｂ、１Ｇ、１Ｒ……発光素子  ３……陽極  ４……正孔注入層  ５……正孔輸送層  ６……第１の発光層  ７……中間層  ８……第２の発光層  ９……第３の発光層  １０……電子輸送層  １１……電子注入層  １２……陰極  １５……積層体  １６、１６Ｂ、１６Ｇ、１６Ｒ……積層体  １９Ｂ、１９Ｇ、１９Ｒ……フィルタ部  １００……表示装置  １００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ……サブ画素  １０１……発光装置  １０２……カラーフィルタ  ２０……基板  ２１……基板  ２２……平坦化層  ２４……スイッチング素子  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２７……配線  ３１……隔壁  ３２……反射膜  ３３……腐食防止膜  ３４……陰極カバー  ３５……樹脂層  ３６……遮光層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
2009289596.tif 000015
【図２】
2009289596.tif 000016
【図３】
2009289596.tif 000017
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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