(57)【要約】【課題】高密度化を図ることができながら、接続信頼性の高いＣＯＦ基板を提供すること。【解決手段】ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の上に形成され、ＩＣチップと電気的に接続されるインナリード８とを備えるＣＯＦ基板１において、長手方向に延びる第１インナリード１２と、長手方向に延び、第１インナリード１２の長手方向長さＬ３よりも、その長手方向長さＬ４が短い第２インナリード１３とが形成されるようにインナリード８を形成し、さらに、第１インナリード１２を、幅方向に間隔を隔てて複数配置し、第２インナリード１３を、幅方向において、互いに隣接する第１インナリード１２の間に、互いに隣接する第１インナリード１２を幅方向に投影したときに第２インナリード１３が重なる重複部分１４と第２インナリード１３が重ならない不重複部分１５とが形成されるように、複数配置するとともに、その不重複部分１５に、ダミーリード１６を設ける。【選択図】図３
2009094361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、電子部品と電気的に接続される端子部とを備え、
前記端子部は、長手方向に延びる第１リードと、長手方向に延び、前記第１リードの長手方向長さよりも、その長手方向長さが短い第２リードとを備え、
前記第１リードは、前記長手方向と直交する方向に間隔を隔てて複数配置されており、
前記第２リードは、前記長手方向と直交する方向において、互いに隣接する前記第１リードの間に、互いに隣接する前記第１リードを隣接方向に投影したときに前記第２リードが重なる重複部分と前記第２リードが重ならない不重複部分とが形成されるように、複数配置されており、
前記不重複部分には、ダミーリードが設けられていることを特徴とする、ＣＯＦ基板。
【請求項２】
前記端子部は、電解めっきにより形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＣＯＦ基板。
【請求項３】
前記ダミーリードの前記長手方向と直交する方向の長さは、前記第２リードの前記長手方向と直交する方向の長さよりも短いか、あるいは、前記第２リードの前記長手方向と直交する方向の長さと同一であることを特徴とする、請求項１または２に記載のＣＯＦ基板。
【請求項４】
前記ダミーリードの前記長手方向長さは、前記ダミーリードと前記第２リードとの前記長手方向における間隔よりも、長いことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のＣＯＦ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯＦ基板、詳しくは、電子部品を実装するためのＣＯＦ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＦ基板では、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）法によって、半導体素子（ＩＣチップなど）などの電子部品がパッケージに収容されずに、裸のままで実装（ベアチップ実装）されており、ＣＯＦ基板は、各種電子機器に搭載されている。このＣＯＦ基板は、通常、ベース絶縁層と、その上に形成され、電子部品の接続端子と接続するための端子部とを備えている。
【０００３】
また、近年、電子機器の軽薄化および短小化に伴い、電子部品の高密度化が要求されるとともに、ＣＯＦ基板の端子部の高密度化も要求されている。
かかる要求を満足させるべく、例えば、配線回路基板の帯状導体の端部において、帯状導体の延びる方向に延び、その延びる方向に直交する方向（幅方向）に間隔を隔てて複数配置される短リードと、互いに隣接する短リードの間に、幅方向に間隔を隔てて複数配置され、短リードより長く延びる長リードとを備える端子部を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。そして、特許文献１の端子部は、短リードの終端の短終端部と、長リードの終端の長終端部とが、幅方向に沿う千鳥状（２列のチェッカー模様）に形成されている。
【特許文献１】特開２００５−１８３４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、ＣＯＦ基板の端子部は、アディティブ法などにおいて、めっき液に浸漬する電解めっきで、金属を析出させることによって、形成される場合がある。
しかし、特許文献１で提案される配線回路基板では、その端子部の形成において、長終端部におけるめっき液に対するパターン密度が、短終端部および長終端部を除く長リードにおけるめっき液に対するパターン密度よりも低くなる。つまり、めっき液に対するリードの粗密を生じるので、長終端部の近傍のめっき液の金属イオン濃度が、短終端部の近傍のめっき液の金属イオン濃度よりも高くなる。そのため、長終端部では、金属が、短終端部よりも多く析出して、長終端部の厚みが、短終端部の厚みより厚くなる。そして、このような端子部に、半導体素子を実装すると、薄い厚みの短終端部と、半導体素子の接続端子との間に隙間を生じ易く、接続不良を生じて、接続信頼性が低下するという不具合がある。
【０００５】
本発明の目的は、高密度化を図ることができながら、接続信頼性の高いＣＯＦ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明のＣＯＦ基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、電子部品と電気的に接続される端子部とを備え、前記端子部は、長手方向に延びる第１リードと、長手方向に延び、前記第１リードの長手方向長さよりも、その長手方向長さが短い第２リードとを備え、前記第１リードは、前記長手方向と直交する方向に間隔を隔てて複数配置されており、前記第２リードは、前記長手方向と直交する方向において、互いに隣接する前記第１リードの間に、互いに隣接する前記第１リードを隣接方向に投影したときに前記第２リードが重なる重複部分と前記第２リードが重ならない不重複部分とが形成されるように、複数配置されており、前記不重複部分には、ダミーリードが設けられていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明のＣＯＦ基板では、前記端子部は、電解めっきにより形成されていることが好適である。
また、本発明のＣＯＦ基板では、前記ダミーリードの前記長手方向と直交する方向の長さは、前記第２リードの前記長手方向と直交する方向の長さよりも短いか、あるいは、前記第２リードの前記長手方向と直交する方向の長さと同一であることが好適である。
【０００８】
また、本発明のＣＯＦ基板では、前記ダミーリードの前記長手方向長さは、前記ダミーリードと前記第２リードとの前記長手方向における間隔よりも、長いことが好適である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のＣＯＦ基板では、端子部は、第１リードと、第１リードの長手方向長さよりその長手方向長さが短い第２リードとを備え、第１リードは、長手方向と直交する方向に間隔を隔てて複数配置され、第２リードは、長手方向と直交する方向において、互いに隣接する第１リードの間に、互いに隣接する第１リードの隣接方向に投影したときに第２リードが重なる重複部分と第２リードが重ならない不重複部分とが形成されるように、複数配置されている。そのため、第１リードと第２リードとの間に、長手方向と直交する方向に沿う段差が形成されるので、端子部の高密度化を図ることができる。
【００１０】
一方、このＣＯＦ基板では、不重複部分には、ダミーリードが設けられている。そのため、電解めっきによる端子部の形成では、めっき液に対する第１リードおよび第２リードの粗密が生じることを防止して、第１リードの近傍のめっき液の金属イオン濃度と、ダミーリードおよび第２リードの重複部分の近傍のめっき液の金属イオン濃度とをほぼ等しくできる。そのため、第１リードと第２リードとの厚みを等しくすることができ、その結果、端子部の厚みを均一にして、優れた接続信頼性を得ることができる。
【００１１】
さらに、このＣＯＦ基板では、不重複部分にダミーリードが設けられているので、電子部品の実装時には、ＣＯＦ基板を補強することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明のＣＯＦ基板の一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＣＯＦ基板の配線部の拡大平面図、図３は、図１に示す配線部のインナリードの拡大平面図、図４は、図１に示すＣＯＦ基板の部分底面図、図５は、図１に示すＣＯＦ基板の製造方法の工程図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１において、このＣＯＦ基板１は、図示しないＩＣチップを実装して、液晶ディスプレイ（液晶テレビなど）などの各種電子機器に搭載される。ＣＯＦ基板１は、長手方向に連続して延びる帯状の絶縁層としてのベース絶縁層２と、そのベース絶縁層２の上に形成され、導体パターン６が設けられる複数の配線部３と、そのベース絶縁層２の下に形成される補強層４（図４参照）とを備えている。
【００１３】
配線部３は、ベース絶縁層２の表面において、ベース絶縁層２の長手方向（ＣＯＦ基板１の長手方向と同じ。以下、単に「長手方向」という場合がある。）において、互いに間隔を隔てて、連続的に複数設けられている。
各配線部３には、図２に示すように、その中央に、図示しないＩＣチップなどの電子部品を実装（載置）するための平面視略矩形状の実装部５が設けられている。また、実装部５の長手方向両側には、導体パターン６がそれぞれ形成されている。
【００１４】
導体パターン６は、ベース絶縁層２の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線７からなり、各配線７は、電子部品と電気的に接続される端子部としてのインナリード８およびアウタリード９と、中継リード１０とを一体的に備えている。
インナリード８は、実装部５内に臨んでおり、ＣＯＦ基板１の幅方向（長手方向と直交する方向。以下、単に「幅方向」という場合がある。）に並列配置されている。インナリード８は、図２および図３に示すように、第１リードとしての第１インナリード１２と、第２リードとしての第２インナリード１３とを備えている。
【００１５】
第１インナリード１２は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されており、幅方向に間隔を隔てて複数配置されている。
第２インナリード１３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されており、幅方向において、互いに隣接する第１インナリード１２の間に、複数配置されている。また、第２インナリード１３は、幅方向（互いに隣接する第１インナリード１２の隣接方向）に投影したときに第２リードが重なる重複部分１４と、第２インナリード１３が重ならない不重複部分１５とが形成されるように、複数配置されている。すなわち、第１インナリード１２および第２インナリード１３は、長手方向において、それらの基端部（図３における左端部であって、実装部５の周端部）が同一位置に配置され、第１インナリード１２の遊端部（図３における右端部であって、仮想線で示し後述するＩＣチップの接続端子のバンプ１８が接触する部分）に対して、第２インナリード１３の遊端部（図３における右端部であって、仮想線で示し後述するＩＣチップの接続端子のバンプ１８が接触する部分）が、より実装部５の外側（実装部５の周端部側）に位置するように配置されている。つまり、第２インナリード１３は、第２インナリード１３の長手方向長さＬ４が、第１インナリード１２の長手方向長さＬ３よりも短くなるように、形成されている。
【００１６】
これにより、第２インナリード１３の基端部から第２インナリード１３の遊端部までを幅方向に投影した部分が重複部分１４となり、第２インナリード１３の遊端部から第１インナリード１２の遊端部までを幅方向に投影した部分が不重複部分１５となる。そして、第１インナリード１２の遊端部と、第２インナリード１３の遊端部とは、幅方向に沿う千鳥状に形成されている。
【００１７】
また、不重複部分１５には、ダミーリード１６が設けられている。
ダミーリード１６は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されており、不重複部分１５において、互いに隣接する第１インナリード１２の間に配置されるとともに、各第２インナリード１３に対応して形成されている。また、各ダミーリード１６は、各第２インナリード１３と長手方向に間隔ＳＤを隔てて、実装部５の内側に対向配置されている。また、ダミーリード１６は、その遊端面（図３における右端面）と、第１インナリード１２の遊端面（図３における右端面）とが、幅方向において面一となるように配置されている。
【００１８】
各第１インナリード１２の幅（幅方向長さ）Ｗ１および各第２インナリード１３の幅（幅方向長さ）Ｗ２は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。また、互いに隣接する第１インナリード１２と第２インナリード１３との間の長さ（幅方向における間隔）Ｓ１が、例えば、５〜３５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。また、各インナリード８のピッチ（すなわち、１つの第１インナリード１２の幅Ｗ１または１つの第２インナリード１３の幅Ｗ２と、互いに隣接する第１インナリード１２と第２インナリード１３との間の長さ（幅方向における間隔）Ｓ１との合計の長さ）ＩＰは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下で、通常、１５μｍ以上である。
【００１９】
また、第１インナリード１２の長さ（基端部から遊端部までの長手方向長さ）Ｌ３は、例えば、１５０〜３００μｍ、好ましくは、２００〜２５０μｍであり、第２インナリード１３の長さ（基端部から遊端部までの長手方向長さ）Ｌ４は、例えば、１００〜２５０μｍ、好ましくは、１５０〜２００μｍである。
また、ダミーリード１６の幅ＷＤは、後述するＩＣチップの接続端子のバンプ１８の幅Ｗ４より短くなるように、設定されている。すなわち、ダミーリード１６の幅ＷＤは、下記式（１）の関係を満たすように、設定されている。
【００２０】
ＷＤ＜Ｗ４  ・・・（１）
ダミーリード１６の幅ＷＤが上記した範囲内にある場合には、ダミーリード１６とそれに隣接する第２インナリード１３との間隔（スペース）を十分に確保して、インナリード８の高密度化を図ることができる。
また、ダミーリード１６の幅ＷＤは、例えば、第２インナリード１３の幅Ｗ２よりも短いか、あるいは、第２インナリード１３の幅Ｗ２と同一であって、すなわち、下記式（２）の関係を満たすように、設定されている。
【００２１】
ＷＤ≦Ｗ２  ・・・（２）
ダミーリード１６の幅ＷＤが上記した範囲内にある場合には、ダミーリード１６とそれに隣接する第２インナリード１３との間隔（スペース）を十分に確保して、インナリード８の高密度化を図ることができる。
より具体的には、各ダミーリード１６の幅ＷＤは、例えば、８μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、通常、１５μｍ以下である。
【００２２】
ダミーリード１６と第２インナリード１３との間の長さ（長手方向における間隔）ＳＤは、例えば、下記式（３）、好ましくは、下記式（４）の関係を満たすように、設定されている。
０μｍ＜ＳＤ≦２×（不重複部分の長さＬ１）  ・・・（３）
２０μｍ≦ＳＤ≦０．５×（不重複部分の長さＬ１）  ・・・（４）
ダミーリード１６と第２インナリード１３との間の長さＳＤを上記した範囲内に設定すれば、配線のバラツキをより低減することができる。
【００２３】
また、ダミーリード１６の長さ（長手方向長さ）ＬＤは、ダミーリード１６と第２インナリード１３との間の長さＳＤよりも、好ましくは、長くなるように設定されている。
また、ダミーリード１６の長さＬＤは、ダミーリード１６の面積（＝ダミーリード１６の長さＬＤ×ダミーリード１６の幅ＷＤ）ＶＤが、下記式（５）の関係を満たすように、設定されている。
【００２４】
０．５×Ｖ１≦ＶＤ≦２．０×Ｖ１  ・・・（５）
（Ｖ１＝（不重複部分１５の長さＬ１）×（第２インナリード１３の幅Ｗ２）
つまり、Ｖ１は、不重複部分１５において、第２インナリード１３を、実装部５の内側（図３の右側）に延長した延長部分の面積に相当する。）
具体的には、ダミーリード１６の長さＬＤは、例えば、５０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１５０μｍである。
【００２５】
ダミーリード１６の長さＬＤを上記した範囲内に設定すれば、インナリード８の厚みを均一にすることができる。
各アウタリード９は、図２に示すように、配線部３における長手方向両端部に臨んでおり、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード９のピッチ（すなわち、１つのアウタリード９の幅（幅方向長さ）と、２つのアウタリード９間の長さ（幅方向における間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード８のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード９のピッチＯＰは、各インナリード８のピッチＩＰに対して、広幅に設定してもよく、また、各インナリード８のピッチＩＰと同幅で設定することもできる。
【００２６】
各中継リード１０は、各インナリード８と各アウタリード９とが連続するように、各インナリード８と各アウタリード９とを中継しており、各アウタリード９のピッチＯＰが各インナリード８のピッチＩＰに対して広幅に設定されている場合には、ピッチの狭いインナリード８側からピッチの広いアウタリード９側に向かって、次第に幅方向に広がる放射状で配置されている。
【００２７】
また、各中継リード１０が配置される部分には、ソルダレジストなどのカバー絶縁層１１が設けられている。すなわち、カバー絶縁層１１は、実装部５を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１０を被覆するように設けられている。
なお、導体パターン６およびダミーリード１６が、アディティブ法により形成される場合には、図５（ｅ）に示すように、ベース絶縁層２と、導体パターン６およびダミーリード１６との間には、金属薄膜１７が介在されている。
【００２８】
また、カバー絶縁層１１から露出するインナリード８およびアウタリード９には、図示しない金属めっき層が形成されている。
補強層４は、図４に示すように、ベース絶縁層２の裏面に積層されている。補強層４には、図１および図４に示すように、各配線部３との対向位置に、開口部１９が形成されている。各開口部１９は、各配線部３に対応して、補強層４が底面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。この補強層４は、ベース絶縁層２を下側から補強している。
【００２９】
次に、このＣＯＦ基板１の製造方法を、図５を参照して説明する。
この方法では、まず、図５（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４を形成する補強材料としては、例えば、銅やステンレスなどの金属材料が用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。補強層４の厚みは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００３０】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２を、補強層４の上に形成する。
ベース絶縁層２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００３１】
ベース絶縁層２を形成するには、補強層４の表面全面に、例えば、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により硬化させる。
また、ベース絶縁層２の形成は、補強層４の表面全面に、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、その後、エッチングなどにより上記したパターンに形成することもできる。さらに、ベース絶縁層２の形成は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、補強層４の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
【００３２】
このようにして形成されるベース絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、通常、３μｍ以上である。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、導体パターン６およびダミーリード１６を同時に形成する。
導体パターン６およびダミーリード１６を形成する材料は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属材料（導体材料）が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００３３】
導体パターン６およびダミーリード１６を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、電解めっきを用いるアディティブ法が用いられる。
アディティブ法では、例えば、まず、ベース絶縁層２の表面全面に、金属薄膜１７を、スパッタリング法などにより形成し、次いで、その金属薄膜１７の上に、めっきレジストを、導体パターン６およびダミーリード１６の反転パターンで形成する。その後、製造途中のＣＯＦ基板１を、上記した金属材料のめっき液に浸漬しながら通電する電解めっきことより、めっきレジストから露出する金属薄膜１７の上に、導体パターン６およびダミーリード１６を同時に形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜１７を除去する。
【００３４】
上記した電解めっきでは、隣接する第１インナリード１２の間にダミーリード１６が形成されるので、第１インナリード１２の近傍のめっき液の金属イオン濃度と、ダミーリード１６および第２インナリード１３の重複部分１４の近傍のめっき液の金属イオン濃度とをほぼ等しくできるので、後述する第１インナリード１２の厚みおよび第２インナリード１３の厚みの差を２．０μｍ以下に設定することができる。
【００３５】
これによって、導体パターン６が、インナリード８、アウタリード９および中継リード１０が一体的に形成される配線７のパターンとして形成されるとともに、ダミーリード１６が、不重複部分１５に形成される。
このようにして形成される導体パターン６およびダミーリード１６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８〜１５μｍである。なお、第１インナリード１２の厚みおよび第２インナリード１３の厚みは、通常、ともに同一であるか、または、わずかに相違しており、わずかに相違する場合には、これらの差が、例えば、２．０μｍ以下、好ましくは、１．０μｍ以下である。第１インナリード１２の厚みおよび第２インナリード１３の厚みの差が、２．０μｍを超える場合には、ＩＣチップの接続端子との接続において、接続不良を生じる場合がある。
【００３６】
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層２の上に、中継リード１０を被覆するように形成する。カバー絶縁層１１を形成する絶縁材料としては、例えば、ソルダレジストなどの合成樹脂が用いられる。カバー絶縁層１１を形成するには、例えば、感光性ソルダレジストを、露光および現像する公知の方法により形成する。このようにして形成されるカバー絶縁層１１の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００３７】
次いで、この方法では、図示しないが、各配線７のインナリード８およびアウタリード９の表面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層を形成する金属材料としては、例えば、ニッケル、金などが用いられる。金属めっき層は、例えば、無電解金属めっきにより、形成する。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、補強層４に、開口部１９を形成する。
【００３８】
補強層４に開口部１９を形成するには、補強層４における配線部３と対向する部分を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知の方法によって、開口する。
これによって、ＣＯＦ基板１を得ることができる。
次いで、上記により得られたＣＯＦ基板１にＩＣチップを実装（載置）する方法について、説明する。
【００３９】
まず、ＩＣチップを用意する。ＩＣチップは、図示しないが、その下面に、インナリード８およびアウタリード９と電気的に接続するための接続端子および接続端子の表面に形成されるバンプ１８（図３の仮想線）が設けられている。特に、インナリード８と接続するための接続端子は、図３が参照されるように、第１インナリード１２の遊端部（仮想線）および第２インナリード１３の遊端部（仮想線）の千鳥状に対応するパターン（配置）で形成されている。なお、インナリード８に対応する接続端子のバンプ１８の幅Ｗ４は、例えば、１０〜２５μｍ、好ましくは、１５〜２０μｍである。
【００４０】
次いで、ＩＣチップを、ＣＯＦ基板１の実装部５に載置するとともに、ＩＣチップの接続端子を、バンプ１８を介して、インナリード８およびアウタリード９と電気的に接続させる。
これによって、ＣＯＦ基板１にＩＣチップを実装することができる。
そして、このＣＯＦ基板１では、第１インナリード１２および第２インナリード１３は、幅方向に沿う千鳥状に形成されているので、インナリード８の高密度化を図ることができる。
【００４１】
一方、このＣＯＦ基板１の不重複部分１５には、ダミーリード１６が設けられている。そのため、アディティブ法などにおけるめっきによるインナリード８の形成では、めっき液に対するインナリード８の粗密を生じることを防止して、第１インナリード１２の近傍のめっき液の金属イオン濃度と、ダミーリード１６および第２インナリード１３の重複部分１４の近傍のめっき液の金属イオン濃度とを等しくできる。そのため、第１インナリード１２と第２インナリード１３との厚みを等しくすることができ、その結果、インナリード８の厚みを均一にして、ＣＯＦ基板１における優れた接続信頼性を得ることができる。
【００４２】
さらに、このＣＯＦ基板１では、不重複部分１６にダミーリード１６が設けられているので、ＩＣチップの実装時には、実装部５を補強することができる。
なお、上記した説明では、インナリード８において、第１インナリード１２および第２インナリード１３を形成し、第２インナリード１３により形成される不重複部分１５に、ダミーリード１６を設けたが、例えば、図示しないが、インナリード８に加えて、アウタリード９に、第１アウタリードおよび第２アウタリードを形成し、第２アウタリードにより形成される不重複部分に、ダミーリードを設けることもできる。
【００４３】
また、上記した説明では、ダミーリード１６を、複数の第２インナリード１３に対応して複数形成したが、例えば、図示しないが、ダミーリード１６を、複数の第２インナリード１３に対応させず、第２インナリード１３の数より少ない数（少なくとも１本以上）で、形成することができる。この場合には、隣接する第１インナリード１２の間にダミーリード１６が配置される部分と配置されない部分とが幅方向に沿って規則的または不規則的に配列される。
【００４４】
さらにまた、上記した説明では、ＣＯＦ基板１に補強層４を形成したが、例えば、図示しないが、補強層４をせず、ＣＯＦ基板１を製造することができる。なお、ＣＯＦ基板１に補強層４を形成しない場合には、公知の剥離シートの上に、ベース絶縁層３、導体パターン６およびカバー絶縁層１１を積層した後、剥離シートを除去することにより、ＣＯＦ基板１を形成する。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔からなる補強層を用意し（図５（ａ）参照）、次いで、補強層の表面全面に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、露光および現像した後、加熱により硬化させて、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００４６】
次いで、導体パターンおよびダミーリードをアディティブ法により同時に形成した。
すなわち、まず、ベース絶縁層の表面全面に、厚さ３０ｎｍのクロム薄膜および厚さ２００ｎｍの銅薄膜を、スパッタリング法により順次形成することにより、金属薄膜を形成した。次いで、金属薄膜の上に、ドライフィルムレジストからなるめっきレジストを、導体パターンおよびダミーリードの反転パターンで形成し、その後、電解銅めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体パターンおよびダミーリードを形成した。
【００４７】
その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜を除去することにより、インナリード、アウタリードおよび中継リードが一体的に形成される配線のパターンとして、導体パターンを形成するとともに、ダミーリード（厚み１０μｍ）を、不重複部分に形成した（図５（ｃ）参照。）。インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。また、第１インナリードの長さが３００μｍ、第２インナリードの長さが１５０μｍであった。なお、その他のインナリードおよびダミーリードの寸法は、下記表１の通りとなった。
【００４８】
次いで、所定のパターンに感光性ソルダレジストを形成した後、露光および現像することにより、カバー絶縁層を、中継リードを被覆するパターンで形成した。
その後、補強層における配線部と対向する部分を、化学エッチングによって開口することにより、補強層に開口部を形成した。これによって、ＣＯＦ基板を得た。
実施例２〜５
導体パターンの形成において、インナリードおよびダミーリードの寸法を、下記表１のように、変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜５のＣＯＦ基板をそれぞれ得た。
【００４９】
比較例１
導体パターンの形成において、ダミーリードを形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、各ＣＯＦ基板を得た。
【００５０】
【表１】
2009094361.tif 000003
（評価）
（接続試験）
上記した接続端子およびその表面に形成されたバンプを備えるＩＣチップを用意した。なお、インナリードに対応する接続端子のバンプの幅（Ｗ４）は、２０μｍであった。
【００５１】
次いで、このＩＣチップを、各実施例および比較例により得られたＣＯＦ基板の実装部に載置するとともに、ＩＣチップの接続端子を、バンプを介して、インナリードおよびアウタリードと電気的に接続させた。
その結果、実施例１〜５では、インナリードおよびアウタリードともに、接続が良好であった。
【００５２】
一方、比較例１では、インナリードの第２インナリードにおいて、接続不良を生じた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明のＣＯＦ基板の一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示すＣＯＦ基板の配線部の拡大平面図である。
【図３】図１に示す配線部のインナリードの拡大平面図である。
【図４】図１に示すＣＯＦ基板の部分底面図である。
【図５】図１に示すＣＯＦ基板の製造方法の工程図であって、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、補強層の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンおよびダミーリードを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｅ）は、補強層に、開口部を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１      ＣＯＦ基板
２      ベース絶縁層
８      インナリード
１２    第１インナリード
１３    第２インナリード
１４    重複部分
１５    不重複部分
１６    ダミーリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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