(57)【要約】【課題】小型化に対応したモジュールを得ることができるモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】基板２上に設けられた電子部品３と、基板２に形成されたグランド配線２ａと接続されて基板２上に設けられるとともに電子部品３よりも高い導電体４と、電子部品３を覆う絶縁層５と、絶縁層５を介して電子部品３を覆うとともに導電体４を介してグランド配線２ａと接続された導電膜６とを備えるモジュールを製造する。モジュールの製造方法は、基板２上に電子部品３と導電体４とを設けた後、電子部品３と導電体４とを覆うように導電体４よりも高い絶縁層５を基板２上に形成する工程を備える。さらに、モジュールの製造方法は、基板２上に形成された絶縁層５を研磨して、絶縁層５の上面５１を平面状に形成するとともに導電体４の上面４２を露出させる工程と、絶縁層５の上面５１と、露出した導電体４の上面４２とに導電膜６を形成する工程とを備える。【選択図】図４
2009070960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた電子部品と、前記基板に形成されたグランド配線と接続されて前記基板上に設けられるとともに前記電子部品よりも高い導電体と、前記電子部品を覆う絶縁層と、前記絶縁層を介して前記電子部品を覆うとともに前記導電体を介して前記グランド配線と接続された導電膜とを備えるモジュールの製造方法において、
前記基板上に前記電子部品と前記導電体とを設けた後、前記電子部品と前記導電体とを覆うように前記導電体よりも高い前記絶縁層を前記基板上に形成する工程と、
前記基板上に形成された前記絶縁層を研磨して、前記絶縁層の上面を平面状に形成するとともに前記導電体の上面を露出させる工程と、
平面状に形成された前記絶縁層の上面と、露出した前記導電体の上面とに前記導電膜を形成する工程と
を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記基板上に前記電子部品を配設するとともに、前記導電体も配設する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載のモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド構造を有するモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器には、複数の電子部品が集められて機能的なまとまりを有するモジュールが搭載され、モジュールが搭載される電子機器の小型化及び電子機器に収納される電子部品数の増加に伴い、例えば１０μｍ単位でモジュールの小型化が求められている。一般に、モジュールは、電源配線やグランド配線等の配線が形成された基板と、基板に形成された配線と接続されて基板上に設けられた電子部品とを備えている。
【０００３】
また、モジュールは、モジュール外部からの電磁気的影響を避けるとともに電磁気的影響をモジュール外部へ与えないようにするための（即ち、電磁波をシールドするための）シールド構造を有している。シールド構造を有するモジュールは、一般に、基板上に設けられた電子部品を覆うとともに基板に形成されたグランド配線と接続された金属製のカバーをさらに備えている。
【０００４】
ところで、上記シールド構造は、半田付けによって金属製のカバーをグランド配線と接続する必要があるため、グランド配線が形成された基板の面積を十分確保する必要があり、モジュールが大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、金属製のカバーを使用しないシールド構造を有するモジュールが開示されている。より具体的には、基板に形成されたグランド配線と接続されて基板上に設けられるとともに電子部品よりも高い導電体と、基板上に設けられた電子部品を覆う絶縁層と、絶縁層を介して電子部品を覆うとともに導電体を介して基板に形成されたグランド配線と接続された導電膜とを備えるモジュールが提案されている。
【０００６】
このようなシールド構造を有するモジュールの製造方法としては、図５に示すように、絶縁層１０５と導電膜１０６とを積み重ねた積層シートＳを用いる製造方法が開示されている。より具体的には、電子部品１０３と先端が尖鋭状に形成された導電体（グランド端子）１０４とが設けられた基板１０２上に、絶縁層（絶縁性の樹脂膜）１０５と導電膜１０６とを積み重ねた積層シートＳを被覆する。そして、基板１０２を加熱し絶縁層１０５を軟化させることによって、導電体１０４と導電膜１０６とを導通させ、導電体１０４を介してグランド配線１０２ａと導電膜１０６を接続する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２２３６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、絶縁層１０５と導電膜１０６とを積み重ねた積層シートＳを用いるモジュールの製造方法においては、導電体１０４の高さｈ４が、電子部品１０３の高さｈ３よりも、例えば３００μｍ程度高くする必要があった。即ち、基板１０２上に積層シートＳを被覆して、導電体１０４と導電膜１０６とを導通させるために、導電体１０４の高さｈ４を十分に確保する必要があった。従って、小型化に対応したモジュールを得ることが困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化に対応したモジュールを得ることができるモジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板上に設けられた電子部品と、基板に形成されたグランド配線と接続されて基板上に設けられるとともに電子部品よりも高い導電体と、電子部品を覆う絶縁層と、絶縁層を介して電子部品を覆うとともに導電体を介してグランド配線と接続された導電膜とを備えるモジュールの製造方法において、基板上に電子部品と導電体とを設けた後、電子部品と導電体とを覆うように導電体よりも高い絶縁層を基板上に形成する工程と、基板上に形成された絶縁層を研磨して、絶縁層の上面を平面状に形成するとともに導電体の上面を露出させる工程と、平面状に形成された絶縁層の上面と、露出した導電体の上面とに導電膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
同構成によれば、電子部品と導電体とを覆うように導電体よりも高い絶縁層を基板上に形成した後、絶縁層を研磨して、絶縁層の上面を平面状に形成するとともに導電体の上面を露出させる。このため、導電体は電子部品より高ければどのような高さであってもよく、導電体と導電膜とを導通させるために、導電体の高さを、例えば、電子部品の高さよりも３００μｍ程度高くする必要はない。そして、絶縁層の上面と導電体の上面とに導電膜を形成するため、シールド構造を有するともに、小型化に対応したモジュールを得ることができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のモジュールの製造方法であって、基板上に電子部品を配設するとともに、導電体も配設する工程を備えることを特徴とする。
【００１２】
同構成によれば、基板上に導電体を、例えば、配設工程において実装装置により、電子部品と同様に配設できるため、モジュールを容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シールド構造を有するとともに、小型化に対応したモジュールを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図中の矢印Ｈは、厚み方向を示し、本明細書において「高さ」とは「基板の表面からの高さ」のことを言う。
【００１５】
本実施形態に係るモジュールの製造方法によって製造されたモジュール１は、図１及び図２に示すように、基板２上に電子部品３や導電体４が設けたものであって、絶縁層５を介して電子部品３を覆う導電膜６が形成されたものである。
【００１６】
絶縁性樹脂により形成された板状の絶縁体である基板２には、様々な配線が形成されている。より具体的には、基板２には、銅箔等の導体によって電源配線（不図示）やグランド配線２ａ（図２参照）や信号配線（不図示）が形成されている。
【００１７】
基板２上には、複数の電子部品３が設けられている。より具体的には、電子部品３は、基板２に形成された配線と接続されて基板２上（即ち、基板２の表面２１上）に設けられている。これら複数の電子部品３によってモジュール１は機能的なまとまりを有している。
【００１８】
また、基板２上の四隅には、基板２に形成された配線のうちグランド配線２ａに接続された導電体４が設けられている。この導電体４の高さＨ４は、基板２上に設けられた複数の電子部品３のうち最も高い電子部品３の高さＨ３よりも高い。即ち、導電体４は電子部品３よりも高く、導電体４の高さＨ４と電子部品３の高さＨ３との差Ｄ１は、５０μｍ以下であることが好ましい。なお、導電体４は、導電性を有するものであれば材料や形状はどのようなものであってもよく、本実施形態においては、銅により形成された直方体状のブロックを好適に使用することができ、導電体４は平面状に形成された上面４２を有している。
【００１９】
さらに、基板２上には、基板２の表面２１と、電子部品３の側面３１及び上面３２と、導電体４の側面４１とを覆う絶縁層５が形成されている。この絶縁層５は平面状に形成された上面５１を有している。なお、絶縁層５の高さＨ５は導電体４の高さＨ４と同じであるため、絶縁層５の上面５１と導電体４の上面４２は平面状に連なるように形成され、導電体４の上面４２は絶縁層５によって覆われていない。なお、絶縁層５は、絶縁性を有するものであればどのような材料を用いてもよく、本実施形態においては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を好適に使用することができ、基板２と導電膜６とによって形成される空間にエポキシ樹脂が隙間無く充填されている。
【００２０】
導電体４の上面４２及び絶縁層５の上面５１には、絶縁層５を介して電子部品３を覆うとともに、導電体４を介してグランド配線２ａと接続された導電膜６が設けられている。従って、電子部品３を覆う導電膜６の電位は、グランド配線２ａと接続されていることによってグランド電位となるため、モジュール１外部から電子部品３への電磁気的影響を避けるとともに電磁気的影響を電子部品３からモジュール１外部へ与えないようにするためのシールド構造を有している。なお、導電膜６は、導電性を有するものであればどのような材料を用いてもよく、本実施形態においては、銀ペーストを好適に使用することができる。
【００２１】
次に、上記モジュール１の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。本実施形態に係るモジュール１の製造方法は、複数のモジュール１を同時に製造することを目的として、１つの大きな基板２上に、１個分のモジュール１を構成する電子部品３と導電体４を複数設けるとともに絶縁層５と導電膜６を形成して、最後に、所定のダイシングラインＬに沿って、基板２、絶縁層５及び導電膜６を分割する。以下、本実施形態に係るモジュール１の製造方法を、図３（ａ）に示す基板２の一部分Ｍを示す拡大断面図（図３（ｂ）参照）を用いて説明する。
【００２２】
まず、図４（ａ）に示すように、リフローはんだ付によって、基板２に形成された所定の配線と電子部品３の端子（不図示）とを接続するとともに、基板２に形成されたグランド配線２ａと導電体４を接続することによって、基板２上に電子部品３と導電体４とを同時に設ける。即ち、基板２上に電子部品３を配設するとともに、導電体４も配設する。
【００２３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、電子部品３と導電体４とを覆うように導電体４よりも高い絶縁層５を形成する。より具体的には、絶縁層５の高さＨ５が導電体４の高さＨ４よりも高くなるように、電子部品３と導電体４とが設けられた基板２上にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁性樹脂を印刷法によって塗布して、塗布された絶縁性樹脂を加熱して硬化させることにより絶縁層５を形成する。このため、この時点において絶縁層５は、電子部品３の側面３１及び上面３２と、導電体４の側面４１及び上面４２とを覆う。なお、絶縁層５の高さＨ５と導電体４の高さＨ４との差Ｄ２は、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
次いで、図４（ｃ）に示すように、絶縁層５を研磨して、絶縁層５の上面５１を平面状に形成するとともに導電体４の上面４２を露出させる。即ち、導電体４の高さＨ４と絶縁層５の高さＨ５が同じになるように（導電体４の上面４２が絶縁層５によって覆われないように）、絶縁層５を研磨する。
【００２５】
そして、図４（ｄ）に示すように、平面状に形成された絶縁層５の上面５１と、露出した導電体４の上面４２とに導電膜６を形成することによって、絶縁層５を介して電子部品３を覆うとともに導電体４を介してグランド配線２ａと接続された導電膜６を設ける。より具体的には、導電体４の上面４２と絶縁層５の上面５１に、銀ペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷によって塗布して、導電膜６を形成する。導電膜６の厚さＨ６は、モジュール１の動作周波数などによって適宜調整することが可能である。
【００２６】
最後に、基板２、絶縁層５及び導電膜６を上述のダイシングラインＬに沿って分割（切断）することによって、図１及び図２に示すような個々のモジュール１を得ることができる。
【００２７】
上記実施形態のモジュール１の製造方法によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）モジュール１の製造方法は、基板２上に電子部品３と導電体４とを設けた後、電子部品３と導電体４とを覆うように導電体４よりも高い絶縁層５を基板２上に形成する工程を備えている。さらに、モジュール１の製造方法は、基板２上に形成された絶縁層５を研磨して、絶縁層５の上面５１を平面状に形成するとともに導電体４の上面４２を露出させる工程と、平面状に形成された絶縁層５の上面５１と、露出した導電体４の上面４２とに導電膜６を形成する工程とを備える。このため、電子部品３と導電体４とを覆うように導電体４よりも高い絶縁層５を基板２上に形成した後、絶縁層５を研磨して、絶縁層５の上面５１を平面状に形成するとともに導電体４の上面４２を露出させる。従って、導電体４は電子部品３より高ければどのような高さであってもよく、導電体４と導電膜６とを導通させるために、導電体４の高さＨ４を、例えば、電子部品３の高さＨ３よりも３００μｍ程度高くする必要はない。そして、絶縁層５の上面５１と導電体４の上面４２とに導電膜６を形成するため、シールド構造を有するともに、小型化に対応したモジュール１を得ることができる。
【００２８】
（２）モジュール１の製造方法は、基板２上に電子部品３を配設するとともに、導電体４も配設する工程を備える。従って、基板２上に導電体４を、例えば、配設工程において実装装置により、電子部品３と同様に配設できるため、モジュール１を容易に製造することができる。
【００２９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて変更することが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。例えば、上記実施形態を以下のように変更してもよい。
【００３０】
・また、上記実施形態においては、４個の導電体４が基板２上の四隅に設けられていたが、導電体４の個数や、導電体４が設けられる基板２上の位置は、１個以上であって導電膜６と接続が可能な位置であれば適宜変更してもよい。導電体４の個数が多いほど、グランド配線２ａと導電膜６が確実に接続されるのは言うまでもない。
【００３１】
・また、上記実施形態においては、基板２上に対して絶縁性樹脂を印刷法により塗布していたが、基板２上に設けられた電子部品３及び導電体４を覆うとともに、導電体４の高さよりも高い絶縁層５が形成できれば、どのように絶縁層５を形成してもよい。例えば、金型内に電子部品３と導電体４とが設けられた基板２を配置して、金型内に絶縁性樹脂をトランスファーモールド法によって充填させて、この絶縁性樹脂を硬化させることにより絶縁層５を形成してもよい。
【００３２】
・また、上記実施形態においては、導電性ペーストをスクリーン印刷によって塗布して導電膜６を形成していたが、平面状に形成された絶縁層５の上面５１と、露出した導電体４の上面４２とに導電膜６が形成できれば、どのように導電膜６を形成してもよい。例えば、めっきを施したり、スパッタリング法等により金属を蒸着させたりすることによって、絶縁層５の上面５１と導電体４の上面４２とに導電膜６を形成してもよい。
【００３３】
・また、上記実施形態においては、モジュール１の製造方法においては、１つの大きな基板２上に、１個分のモジュール１を構成する電子部品３と導電体４を複数設けるとともに絶縁層５と導電膜６を形成して、最後に、所定のダイシングラインＬに沿って、基板２等を分割していたが、１個分のモジュール１を個々に製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】（ａ）（ｂ）本発明の実施形態に係るモジュールの斜視図及び上面図。
【図２】本発明の実施形態に係るモジュールを説明するための図であって、図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】（ａ）集合基板を説明するための斜視図、（ｂ）Ｂ−Ｂ断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）本発明の実施形態に係るモジュールの製造方法を説明するための図であって、製造工程を示す断面図。
【図５】（ａ）（ｂ）従来のモジュールの製造方法を説明するための図。
【符号の説明】
【００３５】
Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５…高さ、１…モジュール、２…基板、２ａ…グランド配線、３…電子部品、４…導電体、４２…上面、５…絶縁層、５１…上面、６…導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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