(57)【要約】【課題】有機発光ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】基板上に形成された第１電極層、第１電極層上に形成された第２電極層、第１電極層と第２電極層との間に形成される有機層を持つ有機発光部を備える有機発光ディスプレイ装置において、有機層と第１電極層との間に形成される第１補助電極層を備え、有機発光部は第１画素部、第２画素部、及び第３画素部を持ち、画素部のうち、少なくとも一つの画素部は、有機層と第１補助電極層との間に形成された第２補助電極層を持ち、画素部それぞれで発生する光が共振効果を奏するように、画素部に形成された第２補助電極層の厚さは互いに異なって形成された有機発光ディスプレイ装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１電極層、前記第１電極層上に形成された第２電極層、前記第１電極層と前記第２電極層との間に形成される有機層を持つ有機発光部を備える有機発光ディスプレイ装置において、
前記有機層と前記第１電極層との間に形成される第１補助電極層を備え、
前記有機発光部は第１画素部、第２画素部、及び第３画素部を持ち、
前記画素部のうち、少なくとも一つの画素部は、前記有機層と前記第１補助電極層との間に形成された第２補助電極層を持ち、
前記画素部それぞれで発生する光が共振効果を奏するように、前記画素部に形成された前記第２補助電極層の厚さは互いに異なって形成された有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第２補助電極層は、前記第１補助電極層よりエッチング率がさらに大きい材料で形成される請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記第１補助電極層はＩＴＯからなり、前記第２補助電極層はＩＺＯまたはＡＺＯからなる請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１画素部、第２画素部、及び第３画素部はそれぞれ相異なる色相の光を放出し、それぞれ赤色、緑色、及び青色のうちいずれか一つの色相の光を放出する請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１画素部は赤色、前記第２画素部は緑色、及び前記第３画素部は青色の光を放出する請求項４に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第２画素部の前記第２補助電極層の厚さは、前記第１画素部の前記第２補助電極層より薄く、前記第３画素部の第２補助電極層より厚い請求項５に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第３画素部は、前記第２補助電極層を持っていない請求項５に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第１電極層は反射型金属からなり、前記第２電極層は半透過型金属からなる請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１電極層は半透過型金属からなり、前記第２電極層は反射型金属からなる請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ディスプレイ装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ、以下、ＯＬＥＤ）に係り、より詳細には、生産性と生産収率が向上したＯＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、正極及び負極と、二つの電極間に位置する有機発光層とを備える有機膜に電圧を印加することによって、電子と正孔とが発光層内で再結合して光を発生させる自発光型の表示装置である。ＯＬＥＤは、ＣＲＴやＬＣＤに比べて軽薄短小化できるだけではなく、広い視野角、速い応答速度及び少ない消費電力などのいろいろな長所によって次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
フルカラーＯＬＥＤの場合、各画素ごとに、すなわち、各色別にその発光効率に差が発生する。すなわち、緑色発光物質の場合、赤色及び青色発光物質より発光効率に優れ、また赤色発光物質は、青色発光物質より発光効率に優れている。これにより、有機膜の厚さを制御することによって最大の効率及び輝度を得ようとする試みが多く行われている。
【０００４】
しかし、各画素ごとに有機膜の厚さを異ならせて形成するために高精細金属マスクを使用するが、前記工程は製作工程が複雑であり、しみや暗点のような製品不良が増加して収率が減少するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、共振構造を持つＯＬＥＤの不良率を減少させて生産性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に関するＯＬＥＤは、基板上に形成された第１電極層、前記第１電極層上に形成された第２電極層、前記第１電極層と前記第２電極層との間に形成される有機層を持つ有機発光部を備えるＯＬＥＤにおいて、前記有機層と前記第１電極層との間に形成される第１補助電極層を備え、前記有機発光部は第１画素部、第２画素部、及び第３画素部を持ち、前記画素部のうち、少なくとも一つの画素部は、前記有機層と前記第１補助電極層との間に形成された第２補助電極層を持ち、前記画素部それぞれで発生する光が共振効果を奏するように、前記画素部に形成された前記第２補助電極層の厚さは互いに異なって形成される。
【０００７】
本発明において、前記第２補助電極層は、前記第１補助電極層よりエッチング率がさらに大きい材料で形成される。
【０００８】
本発明において、前記第１補助電極層はＩＴＯからなり、前記第２補助電極層はＩＺＯまたはＡＺＯからなる。
【０００９】
本発明において、前記第１画素部、第２画素部、及び第３画素部はそれぞれ相異なる色相の光を放出し、それぞれ赤色、緑色、及び青色のうちいずれか一つの色相の光を放出する。
【００１０】
本発明において、前記第１画素部は、赤色、前記第２画素部は緑色、及び前記第３画素部は青色の光を放出する。
【００１１】
本発明において、前記第２画素部の前記第２補助電極層の厚さは、前記第１画素部の前記第２補助電極層より薄く、前記第３画素部の第２補助電極層より厚い。
【００１２】
本発明において、前記第３画素部は、前記第２補助電極層を持っていない。
【００１３】
本発明において、前記第１電極層は反射型金属からなり、前記第２電極層は半透過型金属からなる。
【００１４】
本発明において、前記第１電極層は半透過型金属からなり、前記第２電極層は反射型金属からなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のＯＬＥＤは、エッチング率の相異なる第１補助電極層と第２補助電極層とを利用して共振構造を構成することによって、共振構造を持つＯＬＥＤの生産性及び収率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態によるＯＬＥＤを概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示した前面発光型ＯＬＥＤの有機発光部を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による背面発光型ＯＬＥＤの有機発光部を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による前面発光型ＯＬＥＤの有機発光部を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付した図面に示した本発明の実施形態を参照して本発明を詳細に説明する。しかし、本発明はそれ以外にも色々な他の形態に変形され、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は、当業者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面の要素の形状及び大きさはさらに明確な説明のために誇張され、図面上の同じ符号で表示される要素は同じ要素である。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態によるＯＬＥＤ  １００を概略的に示す断面図であり、図２は、本発明の一実施形態による前面発光型ＯＬＥＤ  １００の有機発光部（画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ）を示す断面図であり、図３は、本発明の他の実施形態による背面発光型ＯＬＥＤの有機発光部（画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ）を示す断面図である。
【００１９】
図１ないし３を参照すれば、本発明の一実施形態に関するＯＬＥＤ  １００は、基板１０１、密封部材１０２、及び有機発光部１１０を備えることができる。
【００２０】
基板１０１は、透明ガラス、プラスチックシートまたはシリコンなどの物質からなり、柔軟または柔軟でない特性、そして透明または透明でない特性を持つことができる。本発明はこれに限定されるものではなく、基板１０１としては金属板が使われうる。ＯＬＥＤ  １００が能動型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ：ＡＭ  ＯＬＥＤ）の場合、基板１０１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ    Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）（図示せず）を備えることができる。
【００２１】
密封部材１０２は有機発光部１１０の上部に配され、基板１０１と合着される。密封部材１０２は、図１に示したように有機発光部１１０と離隔して配され、接合部材（図示せず）により基板１０１と接合される。密封部材１０２は、ガラス材基板だけではなくアクリルのような多様なプラスチック材基板を使用できる。前面発光型ＯＬＥＤの場合には、密封部材１０２は、有機発光部１１０で発生した光に対して高い透過性を持つ電気絶縁性物質からなりうる。例えば、アルカリガラス、無アルカリガスなどの透明ガラスやポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリアクリレート、酸化ジルコニウムなどの透明セラミックス、または石英などを挙げることができる。
【００２２】
有機発光部１１０は基板１０１上に形成されうる。有機発光部１１０は複数の画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂで形成されうる。第１画素部１１０Ｒ、第２画素部１１０Ｇ、第３画素部１１０Ｂそれぞれは異なる色相の光を放出でき、特に、第１画素部１１０Ｒは赤色の光ＬＲ、第２画素部１１０Ｇは緑色の光ＬＧ、第３画素部１１０Ｂは青色の光ＬＢを放出できる。
【００２３】
画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂそれぞれは、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂ、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ、有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂ、及び第２電極層１１２が順次積層された構造を持つことができる。
【００２４】
第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは、画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂそれぞれに対応するように基板１０１上に配される。第２電極層１１２は第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上に形成され、第２電極層１１２と第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂとの間には有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂ、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂが存在する。
【００２５】
第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２とは、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２との間にある有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂに電圧を印加する。また、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２とは、有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生する光を反射させるか、または透過させる。
【００２６】
より詳細には、図２のように、ＯＬＥＤ  １００が前面発光型ＯＬＥＤである場合、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生する光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを反射させ、第２電極層１１２は有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生する光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを透過させることができる。この場合、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは反射型金属で形成され、反射型金属は、銀、アルミニウム、金、白金またはクロムやこれらを含有する合金でありうる。第２電極層１１２は半透過性金属で形成できる。半透過性金属はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金であり、また、銀、アルミニウム、金、白金またはクロムなどの金属やこれらの金属を含有する合金でありうる。これらの半透過性金属で第２電極層１１２を形成する場合、第２電極層１１２は５％以上の反射率と５０％の透過率とを達成できる厚さを持つことが望ましい。
【００２７】
一方、図３のように、ＯＬＥＤ  １００が背面発光型ＯＬＥＤである場合、第２電極層１１２は有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生する光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを反射させ、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生する光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを透過させることができる。この場合、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは半透過性金属で形成され、半透過性金属はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金であり、また、銀、アルミニウム、金、白金またはクロムなどの金属やこれらの金属を含有する合金でありうる。これらの半透過性金属で第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂを形成する場合、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂは、５％以上の反射率と５０％の透過率とを達成できる厚さを持つことが望ましい。第２電極層１１２は反射型金属で形成できる。反射型金属は、アルミニウム、金、白金またはクロムやこれらを含有する合金でありうる。
【００２８】
有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂで発生した光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢは、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２との間で反射されて放出されるが、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２との間の距離ＨＲ、ＨＧ、ＨＢによって前記光ＬＲ、ＬＧ、ＬＢで共振現象が発生する。これについては以下で説明する。
【００２９】
第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上には、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂと第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂとが積層されて形成される。第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂは第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ上に同じ厚さで形成される。第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂは透明な金属からなる。例えば、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３ＢはＩＴＯのような透明金属化合物で形成される。
【００３０】
第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂは第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂ上に形成され、画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂそれぞれの第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂは互いに厚さが異なって形成される。特に、第１画素部１１０Ｒが赤色光ＬＲを、第２画素部１１０Ｇが緑色光ＬＧを、第３画素部１１０Ｂが青色光ＬＢを放出する場合、第２画素部１１０Ｇの第２補助電極層１１４Ｇの厚さＴＧは第１画素部１１０Ｒの第２補助電極層１１４Ｒの厚さＴＲより薄く、第３画素部１１０Ｂの第２補助電極層１１４Ｂの厚さＴＢより厚く形成される。さらに他の実施形態では、第３画素部１１０Ｂが第２補助電極層１１４Ｂを持っていない。すなわち、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂはエッチングにより形成されるが、第２補助電極層１１４Ｂを形成する時に第２補助電極層１１４Ｂを全てエッチングすることで、第２補助電極層１１４Ｂを持っていない第３画素部１１０Ｂを形成できる。
【００３１】
第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂは、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂに利用される透明な金属よりエッチング率がさらに大きい透明な金属からなりうる。望ましくは、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂは、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂよりエッチング率が１０倍以上速い材料が利用される。ＡＺＯまたはＩＺＯは、ＩＴＯよりエッチング率が１０倍以上速い金属化合物であるため、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３ＢがＩＴＯで形成される場合、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４ＢはＡＺＯまたはＩＺＯで形成される。
【００３２】
第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂの厚さＴＲ、ＴＧ、ＴＢを異なって形成するために、フォトリソグラフィー法を利用できる。すなわち、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂとが形成された基板上に第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂになる透明金属を塗布し、レジスト膜を塗布して露光してエッチングする過程を繰り返して第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂの厚さＴＲ、ＴＧ、ＴＢを異なって形成する。第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂは第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂよりエッチング率が非常に高く、前記エッチング過程で第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂは、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂに比べてエッチングがあまり発生しなくなるので、第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂの損傷を最小化しつつ厚さの異なる第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂを生成できる。
【００３３】
このように本発明は、第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂの厚さを異なって形成することによって共振構造を持つＯＬＥＤを具現できる。ＯＬＥＤで共振構造を具現するために、画素部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂから放出される光の波長によって、第１電極層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂと第２電極層１１２との間の距離、すなわち、光学的距離を異ならせる。従来はこのために、有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂの厚さを異ならせて形成した。有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂの厚さを異ならせて形成するために、高精細金属マスクを反復的に使用して有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂをパターニングした。しかし、高精細金属マスクを使用してパターニングする工程は製作工程が複雑なだけでなく、しみや暗点のような製品不良が発生した。これに対し、本発明は共振構造を持つＯＬＥＤを具現するためにエッチング率の異なる第１補助電極層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂと第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂとを利用することによって、有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂの厚さを異ならせて形成するための高精細金属マスクの使用を最小化でき、これにより、ＯＬＥＤの不良率を低減させて製造工程を短縮させることができる。
【００３４】
有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂは第２補助電極層１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ上に形成される。有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂは低分子有機物または高分子有機物で形成される。有機層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂは、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成される。正孔注入層としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に使用でき、正孔輸送層としてはＰＥＤＯＴを使用できる。電子輸送層は多環炭化水素系誘導体、複素環化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、電子注入層はＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＦ、Ｎａｑなどの物質を使用できる。
【００３５】
第１画素部１１０Ｒ、第２画素部１１０Ｇ、及び第３画素部１１０Ｂそれぞれが赤色光ＬＲ、緑色ＬＧ、及び青色ＬＢを放出する場合、第１画素部１１０Ｒの発光層は、ホスト物質としてＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ  ｂｉｐｈｅｎｙｌ）またはｍＣＰを含み、ドーパント物質としてＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）  ｉｒｉｄｉｕｍ）及びＰｔＰＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ  ｐｌａｔｉｎｕｍ）からなる群で選択される一つ以上を含む燐光物質を使用して形成される。また、前記発光層は、ＰＥＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）またはペリレンのような蛍光物質を使用して形成してもよい。
【００３６】
また、第２画素部１１０Ｇの発光層はホスト物質としてＣＢＰまたはｍＣＰを含み、ドーパント物質としてＩｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ  ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）を含む燐光物質を使用して形成される。また、前記発光層はＡｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）のような蛍光物質を使用して形成してもよい。
【００３７】
また、第３画素部１１０Ｂの発光層はＤＰＶＢｉ、スピロ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチルアリーレン（ＤＳＡ）、ＰＦＯ系高分子及びＰＰＶ系高分子からなる群で選択される一つの物質を含む蛍光物質を使用して形成される。前記発光層を燐光物質で形成する場合、光特性が不安定で前記蛍光材料を使用して形成する。
【００３８】
以上のような発光層は、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ）法、インクジェット法、真空蒸着法など通常の方法で形成できる。
【００３９】
本発明は前述した実施形態及び添付した図面により限定されるものではなく、添付した請求範囲により限定され、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるというのは、当業者に明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、ＯＬＥＤ関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００４１】
１００    ＯＬＥＤ
１０１    基板
１０２    密封部材
１１０    有機発光部
１１０Ｒ    第１画素部
１１０Ｇ    第２画素部
１１０Ｂ    第３画素部
１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ    第１電極層
１１２    第２電極層
１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂ    第１補助電極層
１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ    第２補助電極層
【図１】
2009289740.tif 000003
【図２】
2009289740.tif 000004
【図３】
2009289740.tif 000005
【図４】
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