(57)【要約】【課題】半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行う検査装置を実現できるようにする。【解決手段】複数の領域２０ａに分割された半導体ウェハ２０を検査する検査用装置は、半導体ウェハ２０に検査用の電圧を供給する電圧供給部１２を備えている。電圧供給部１２は、検査電極２４を介して半導体デバイス２１に検査用電圧を供給し、発熱体電極２５を介して発熱体２２を駆動する発熱体駆動電圧を供給し、センサ電極２６を介して各領域２０ａの温度情報を取得し、発熱体駆動電圧を対応する温度情報に基づいて制御する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが、半導体デバイスと、発熱体と、温度センサと、前記半導体デバイスと接続された検査電極と、前記発熱体と接続された発熱体電極と、前記温度センサと接続されたセンサ電極とを有する複数の領域に分割された半導体ウェハを検査する検査用装置であって、
前記半導体ウェハに検査用の電圧を供給する電圧供給部を備え、
前記電圧供給部は、前記検査電極を介して前記半導体デバイスに検査用電圧を供給し、前記発熱体電極を介して前記発熱体を駆動する発熱体駆動電圧を供給し、前記センサ電極を介して前記各領域の温度情報を取得し、前記発熱体駆動電圧を対応する前記温度情報に基づいて制御することを特徴とする検査用装置。
【請求項２】
前記電圧供給部は、前記検査用電極と対応する検査用バンプと、前記発熱体電極と対応する発熱体バンプと、前記センサ電極と対応するセンサバンプとを有する検査用基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の検査用装置。
【請求項３】
前記発熱体電極及びセンサ電極は、前記半導体ウェハにおける前記検査電極と反対側の面に形成され、
前記電圧供給部は、
前記検査用電極と対応する検査用バンプを有する検査用基板と、
前記発熱体電極と対応する発熱体バンプ及び前記センサ電極と対応するセンサバンプを有し、前記検査用基板と対向する位置に配置された温度制御基板とを含むことを特徴とする請求項１に記載の検査用装置。
【請求項４】
前記発熱体電極は、前記半導体ウェハにおける前記検査電極及び前記センサ電極と反対側の面に形成され、
前記電圧供給部は、
前記検査用電極と対応する検査用バンプ及び前記センサ電極と対応するセンサバンプを有する検査用基板と、
前記発熱体電極と対応する発熱体バンプを有し、前記検査用基板と対向する位置に配置された温度制御基板とを含むことを特徴とする請求項１に記載の検査用装置。
【請求項５】
それぞれが、半導体デバイスと、該半導体デバイスと接続された検査電極とを有する複数の領域に分割された半導体ウェハを検査する検査用装置であって、
前記検査電極と対応する検査バンプを有し、半導体ウェハに検査用の電圧を供給する検査用基板と、
前記検査用基板と対向する位置に配置され、それぞれが、発熱体及び温度センサを含む複数の発熱モジュールを有し、前記各発熱モジュールにより対応する前記領域の温度を制御する発熱モジュール基板とを備えていることを特徴とする検査用装置。
【請求項６】
前記温度センサは温度によって抵抗値が変化する測温抵抗体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検査用装置。
【請求項７】
前記発熱体は発熱抵抗体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の検査用装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の検査用装置を用いた検査方法であって、
前記領域ごとに設定された温度に応じて、対応する前記発熱体の発熱量を調節し、前記半導体デバイスの温度を制御する工程（ａ）と、
対応する前記発熱体の発熱量に応じて、前記検査用の電圧を制御する工程（ｂ）とを備えていることを特徴とする検査方法。
【請求項９】
前記工程（ａ）よりも前に、前記半導体ウェハを前記領域ごとに切断分離する工程（ｃ）をさらに備え、
前記工程（ａ）では、切断分離された各領域を一括して検査することを特徴とする請求項８に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに形成された複数の半導体デバイスを一括して検査する検査用装置及びそれを用いた検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、種々のプロセスを経て半導体ウエハの上に形成された複数の半導体デバイスは、半導体デバイスごとに半導体チップに分割される。分割された半導体チップは、リードフレームとボンディングワイヤーにより電気的に接続され、樹脂やセラミック等によりモールディングされて製品となる。
【０００３】
半導体デバイスには、実装後のトラブルを防止するために半導体デバイスに温度及び電気的な負荷を印加する信頼性試験であるバーンイン試験が行われる。バーンイン試験は、通常は製品の状態で行われる。
【０００４】
しかし、半導体チップに分割する前のウエハの状態でバーンイン試験を行い、プロセス上の欠陥を組み立て前に発見することにより、後工程における検査時間の短縮を図り、生産性を向上させることができる。このため、近年、ウエハ状態で一括して行うバーンイン試験が試みられている。
【０００５】
ウエハ状態で一括してバーンイン試験を行う場合には、半導体ウエハを加熱して試験対象である半導体ウエハの上に形成されたすべての半導体デバイスを一定の試験温度に保持する必要がある。従来は、半導体デバイスの温度は以下のようにして制御している。
【０００６】
熱電対等の温度センサを設けた金属性のウェハトレイを半導体ウェハに密着させることにより、半導体ウェハの温度をモニタする。モニタ結果に基づいて、半導体ウェハの上部等に設けたヒータによる加熱と、半導体ウェハの上部又は横方向に設けた冷却ファンによる空冷とを行うことにより、半導体ウエハ全体を一定の試験温度に保持する（例えば、特許文献１及び２を参照。）。
【特許文献１】特開平１１−１４５２２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８２６９号公報
【非特許文献１】電子情報通信学会技報ＩＣＤ２００６Ｔ−１、ｐ．１−６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の検査装置には以下のような問題がある。バーンイン試験の際に半導体ウエハの上に形成された半導体デバイスに電気的な負荷をかけると、半導体デバイスに電流が流れるため半導体デバイスは自己発熱し、半導体デバイスの温度が上昇する。
【０００８】
半導体ウエハ上に形成された複数の半導体デバイスの中にはプロセス上の問題などにより不良なデバイスが存在していることがある。正常なデバイスと不良なデバイスとではその発熱状態が異なるため、半導体ウエハ面内の温度にばらつきが生じる。また、この温度のばらつきは半導体ウエハごとに異なっている。
【０００９】
特に、近年の半導体ウエハの大口径化に伴い、ウェハ面内の温度のばらつきが大きくなる傾向にある。このため、従来の検査用装置における半導体ウエハ全体に対して一括に温度制御を行う方法では、半導体ウエハ面内の温度のばらつきを平準化することが困難になってきている。また、半導体ウエハ面内の温度のばらつきは、半導体ウエハごとに異なるため半導体ウェハ間においてもばらつきが生じるおそれがある。このように、従来の検査用装置には、半導体ウエハの上に形成された複数の半導体デバイスを同一の温度条件でバーンイン試験を行うことが困難であるという問題がある。
【００１０】
さらに、近年、さらなる後工程における検査時間の短縮を図り、生産性を向上させることを目的として、ウエハレベルのバーンイン試験中に、半導体デバイスの特性評価を取り入れることが試みられている。
【００１１】
例えば、ＤＲＡＭでは、大容量化が進むにつれて非特許文献１等にも報告されているように、ごく一部のメモリセルにおいてデータ保持時間が経時的に変動する現象Variable Retention Time（ＶＲＴ）が生じる。ＶＲＴは発生頻度が非常に低いため、現象を把握するためには、多くのデバイスの温度依存性、電圧依存性を把握する必要がある一方で、温度が高いほど変動頻度が増加することがわかっている。
【００１２】
しかし、ＶＲＴを評価するためにウエハ全体の温度を高くした場合、半導体デバイスの動作電流は温度に比例して多くなるため、検査用装置の電流制限を越えてしまうという問題がある。
【００１３】
本発明は、前記従来の問題を解決し、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行う検査装置を実現できるようにすることを第１の目的とし、特性評価の際に検査用装置の電流制限を越えることがない検査方法を実現できるようにすることを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するため、本発明は検査用装置を半導体ウェハに設けられた領域ごとに温度制御を行う構成とする。
【００１５】
具体的に本発明に係る第１の検査用装置は、それぞれが、半導体デバイスと、発熱体と、温度センサと、半導体デバイスと接続された検査電極と、発熱体と接続された発熱体電極と、温度センサと接続されたセンサ電極とを有する複数の領域に分割された半導体ウェハを検査する検査用装置を対象とし、半導体ウェハに検査用の電圧を供給する電圧供給部を備え、電圧供給部は、検査電極を介して半導体デバイスに検査用電圧を供給し、発熱体電極を介して発熱体を駆動する発熱体駆動電圧を供給し、センサ電極を介して各領域の温度情報を取得し、発熱体駆動電圧を対応する温度情報に基づいて制御することを特徴とする。
【００１６】
第１の検査用装置は、各領域の温度情報を取得し、発熱体駆動電圧を対応する温度情報に基づいて制御する。このため、領域ごとに詳細な温度制御が可能となる。従って、半導体ウェハ面内の温度分布を均一にすることが可能となる。これにより、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行うことができる。
【００１７】
第１の検査用装置において、電圧供給部は、検査用電極と対応する検査用バンプと、発熱体電極と対応する発熱体バンプと、センサ電極と対応するセンサバンプとを有する検査用基板を含んでいてもよい。
【００１８】
第１の検査用装置において、発熱体電極及びセンサ電極は、半導体ウェハにおける検査電極と反対側の面に形成され、電圧供給部は、検査用電極と対応する検査用バンプを有する検査用基板と、発熱体電極と対応する発熱体バンプ及びセンサ電極と対応するセンサバンプを有し、検査用基板と対向する位置に配置された温度制御基板とを含んでいてもよい。
【００１９】
第１の検査用装置において、発熱体電極は、半導体ウェハにおける検査電極及びセンサ電極と反対側の面に形成され、電圧供給部は、検査用電極と対応する検査用バンプ及びセンサ電極と対応するセンサバンプを有する検査用基板と、発熱体電極と対応する発熱体バンプを有し、検査用基板と対向する位置に配置された温度制御基板とを含んでいていもよい。
【００２０】
本発明に係る第２の検査用装置は、それぞれが、半導体デバイスと、該半導体デバイスと接続された検査電極とを有する複数の領域に分割された半導体ウェハを検査する検査用装置を対象とし、検査電極と対応する検査バンプを有し、半導体ウェハに検査用の電圧を供給する検査用基板と、検査用基板と対向する位置に配置され、それぞれが、発熱体及び温度センサを含む複数の発熱モジュールを有し、各発熱モジュールにより対応する領域の温度を制御する発熱モジュール基板とを備えていることを特徴とする。
【００２１】
第２の検査用装置は、発熱モジュールにより対応する領域の温度を制御する発熱モジュール基板を備えているため、領域ごとに詳細な温度制御が可能となる。従って、半導体ウェハ面内の温度分布を均一にすることが可能となる。これにより、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行うことができる。
【００２２】
第１及び第２の検査用装置において、温度センサは温度によって抵抗値が変化する測温抵抗体であることが好ましい。
【００２３】
第１及び第２の検査用装置において、発熱体は発熱抵抗体であることが好ましい。
【００２４】
本発明に係る検査方法は、本発明の検査用装置を用いた検査方法を対象とし、領域ごとに設定された温度に応じて、対応する発熱体の発熱量を調節し、半導体デバイスの温度を制御する工程（ａ）と、対応する発熱体の発熱量に応じて、検査用の電圧を制御する工程（ｂ）とを備えていることを特徴とする。
【００２５】
本発明の検査方法は、領域ごとに設定された温度に応じて、対応する発熱体の発熱量を調節し、半導体デバイスの温度を制御する。このため、領域ごとに詳細な温度制御が可能となる。従って、半導体ウェハ面内の温度分布を均一にすることが可能となる。これにより、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行うことができる。さらに、発熱体の発熱量に応じて、検査用の電圧を制御するため、各半導体デバイスが消費する電流が制限値を越えないように制御することができる。
【００２６】
本発明の検査方は、工程（ａ）よりも前に、半導体ウェハを領域ごとに切断分離する工程（ｃ）をさらに備え、工程（ａ）では、切断分離された各領域を一括して検査してもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る検査用装置及び検査方法によれば、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行う検査装置を実現でき、さらに、特性評価の際に検査用装置の電流制限を越えることがない検査方法を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１を参照しながら説明する。図１は第１の実施形態に係る検査用装置の断面構成を示している。図１に示すように、検査用装置は検査対象である半導体ウェハ２０を保持するウェハトレイ１１と、ウェハトレイ１１に保持された半導体ウェハ２０に検査用の電圧を供給する電圧供給部１２である検査用基板１２Ａとを備えている。図１において、バンプの数等は省略して記載している。
【００２９】
検査対象である半導体ウェハ２０は、複数の領域２０ａに分割されている。図２は図１において２点鎖線で囲んだ領域を拡大して示している。図２に示すように、領域２０ａには、半導体デバイス２１と、発熱体２２と、温度センサ２３とが形成されている。半導体デバイス２１、発熱体２２及び温度センサ２３は、それぞれ、検査電極２４、発熱体電極２５及びセンサ電極２６と接続されている。
【００３０】
検査用基板１２Ａには、検査バンプ３４と、発熱体バンプ３５と、センサバンプ３６とが形成されている。半導体ウェハ２０を検査する際には、検査電極２４と検査バンプ３４、発熱体電極２５と発熱体バンプ３５及びセンサ電極２６とセンサバンプ３６とがそれぞれ接するように半導体ウェハ２０と検査用基板１２Ａとが加圧される。半導体ウェハ２０と検査用基板１２Ａとを加圧する方法はどのようなものであってもよい。例えば、ウェハトレイ１１と検査用基板１２Ａとの間の空間を減圧することにより、ウェハトレイ１１の上に保持された半導体ウェハ２０と検査用基板１２Ａとを圧接すればよい。この場合には、図１に示すように半導体ウェハ２０をウェハ保持用シート１４の上にのせ、ウェハ保持用シートと検査用基板１２Ａとの間をシールリング１５により密閉すればよい。
【００３１】
検査用基板１２Ａから検査バンプ３４及び検査電極２４を介して半導体デバイス２１に検査用電圧が供給される。また、発熱体バンプ３５及び発熱体電極２５を介して発熱体に発熱体駆動電圧が供給される。なお、図示していないが、検査用電圧は常法に従い検査用電源又は信号発生器等から供給すればよく、発熱体駆動電圧は、発熱体駆動電源から供給すればよい。
【００３２】
半導体デバイス２１及び発熱体２２への電圧の供給により、半導体デバイス２１及び発熱体２２が発熱し、領域２０ａの温度が上昇する。一方、領域２０ａの温度は温度センサ２３により検出され、検出された温度情報はセンサ電極２６及びセンサバンプ３６を介して検査用基板１２Ａに信号として伝達される。検査用基板１２Ａは、伝達された温度情報に基づいて、発熱体駆動電圧の供給を制御する。これにより、領域２０ａの温度をあらかじめ設定した所定の温度に保つことができる。
【００３３】
なお、発熱体駆動電圧の制御機能は、検査用基板１２Ａ自体に搭載されていても、検査用基板１２Ａとは別に設けられた発熱体駆動電源に搭載されていてもよい。また、発熱体駆動電源と検査用基板１２Ａとの間に発熱体駆動制御回路（図示せず）が設けられている構成であってもよい。この場合には、温度センサ２３からの温度情報を検査用基板１２Ａから発熱体駆動電源又は発熱体駆動制御回路に伝達すればよい。また、発熱体の制御は電圧制御であっても電流制御であってもよい。
【００３４】
本実施形態の検査用装置は、領域ごとに温度を測定し、測定した温度に基づいて領域ごとに発熱体を独立して駆動する。このため、各領域に含まれる不良の半導体デバイスの個数が異なり、半導体デバイスによる発熱量が領域ごとに異なる場合であっても、各領域の温度を一定に保持することができる。
【００３５】
なお、各領域に発熱体と温度センサとが１個ずつ設けられた例を示したが、発熱体及び温度センサはそれぞれ複数設けられていてもよい。また、発熱体と温度センサとの数は同一でなくてもよい。また、図２には各領域に含まれる半導体デバイスを１個だけ記載しているが、各領域に半導体デバイスが複数含まれていても問題ない。各領域に含まれる半導体デバイスの数は少ないほど正確に温度を制御することができる。しかし、制御回路は複雑となる。一方、領域の大きさがあまりに大きくなると温度制御が不正確となってしまう。このため、１２インチウェハの場合には、中央部と外縁部とに別け、さらに外縁部を４等分して合計５つの領域に少なくとも分割することが好ましい。経験的にウェハ中央部と外縁部とでは半導体デバイスの不良率が異なるためである。
【００３６】
本実施形態においては、半導体ウェハを分割せずに検査する例を示したが、検査前に各領域をダイシングして分割してもよい。この場合には、図３に示すように半導体ウェハを領域２０ａごとに分割し、分割した領域２０ａをウェハ保持用シート１４の上に保持するようにすればよい。このように、領域ごとに分割してから検査を行えば、隣接する領域間における温度の干渉が小さくなるため、より正確に温度を制御することができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図４は第２の実施形態に係る検査用装置の断面構成を示している。また、図５は、図４における２点鎖線で囲まれた領域を拡大して示している。図４及び５において図１及び２と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００３８】
本実施形態においては、電圧供給部１２が検査用基板１２Ａと温度制御基板１２Ｂとを有している。検査用基板１２Ａは検査バンプ３４を有し、温度制御基板１２Ｂは発熱体バンプ３５及びセンサバンプ３６を有している。
【００３９】
この場合、検査電極２４が半導体ウェハ２０の主面側に形成され、発熱体電極２５及びセンサ電極２６が半導体ウェハ２０の主面と反対側（裏面）に形成されている。
【００４０】
温度制御基板１２Ｂは、ウェハトレイ１１側に配置され、半導体ウェハ２０をウェハトレイ１１に載置した状態で、発熱体バンプ３５と発熱体電極２５及びセンサバンプ３６とセンサ電極２６とが接するようにする。検査用基板１２Ａは、半導体ウェハ２０の主面側に配置し、検査バンプ３４と検査電極２４とが接するようにする。
【００４１】
第２の実施形態の検査用装置も第１の実施形態の検査用装置と同様の効果が得られる。また、発熱体電極及びセンサ電極を半導体ウェハの裏面に設けることにより、各電極の配置の自由度が向上するという利点も生じる。なお、図５には発熱体２２、温度センサ２３、発熱体電極２５及びセンサ電極２６を、半導体ウェハ２０に直接形成する方法を示した。しかし、図６に示すように、フレキシブルシート等に発熱体２２、温度センサ２３、発熱体電極２５及びセンサ電極２６を有する発熱部２７を形成した後、発熱部２７を半導体ウェハ２０の裏面に貼り合わせてもよい。
【００４２】
なお、本実施形態においては、発熱体電極２５及びセンサ電極２６を半導体ウェハ２０の裏面に設ける例を示したが、図７に示すように、発熱体電極２５を半導体ウェハ２０の裏面に設け、センサ電極２６は半導体ウェハ２０の主面側に設けてもよい。逆に、センサ電極２６を半導体ウェハ２０の裏面に設け、発熱体電極２５を半導体ウェハ２０の主面側に設ける構成としてもよい。
【００４３】
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態について図面を参照して説明する。図８は第３の実施形態に係る検査用装置の断面構成を示している。また、図９は、図８における２点鎖線で囲まれた領域を拡大して示している。図８及び９において図４及び５と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００４４】
本実施形態の検査用装置は、電圧供給部である検査用基板１２Ａと、ウェハトレイ１１と、半導体ウェハ２０を挟んで検査用基板１２Ａと対向する位置に配置された発熱モジュール基板１３とを備えている。発熱モジュール基板１３は複数の発熱モジュール１３Ａを有しており、各発熱モジュール１３Ａは、発熱体２２と温度センサ２３とを有している。各発熱モジュール１３Ａは、検査用装置に半導体ウェハ２０をセットした際に対応する領域２０ａを加熱し且つ温度情報を取得する。
【００４５】
このような構成とすることにより、半導体ウェハ２０に発熱体２２、温度センサ２３、発熱体電極２５及びセンサ電極２６を設ける必要がなくなる。
【００４６】
（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態について図面を参照して説明する。図１０は、第４の実施形態に係る検査方法を説明するための図面であり、半導体ウェハへの電圧の供給状態を示している。本実施形態の半導体ウェハの検査方法は、第１〜第３の実施形態において示した検査用装置を用いて行うことができるが、検査用電圧を供給する検査用電源又は信号発生回路はＡ〜Ｆの６つを備えているとして説明を行う。
【００４７】
図１０に示すように、半導体デバイスの電気的特性を調べる場合には、領域ごとの半導体デバイスの発熱量に応じて、発熱体の温度設定を領域ごとに異なる温度に設定する。図１０においては、温度Ａ、温度Ｂ及び温度Ｃの３つの温度を設定した例を示している。例えば、温度Ａが１２０℃、温度Ｂが１１０℃、温度Ｃが１００℃とすると、設定温度が温度Ａの領域の半導体デバイスには、設定温度が温度Ｂ又は温度Ｃの領域の半導体デバイスよりも多くの電流が流れる。
【００４８】
このため、例えば電源Ａから検査電圧を供給する半導体デバイスが、すべて設定温度が温度Ａの領域にある場合には、電源Ａの電流容量を超えてしまうおそれがある。一方、電源Ｃが設定温度が温度Ｃの領域にある半導体デバイスのみに検査電圧を供給する場合には、電源Ｃの電流容量には余裕が生じる。すべての電源の電流容量を十分に余裕を持たせればよいが、電源が巨大化すること及び容量が大幅に余る電源も生じることを考えると非効率的である。
【００４９】
このため、電源Ａ〜電源Ｆのそれぞれが、設定温度が温度Ａの領域にある半導体デバイスと、温度Ｂの領域にある半導体デバイスと、温度Ｃの領域にある半導体デバイスとに検査用電圧を供給するように設定してやればよい。このようにすれば各電源の電源容量を平均化し効率よくバーンイン試験及び特性評価を行うことができる。
【００５０】
温度Ａ〜温度Ｃの設定は、事前に半導体ウェハの検査用装置等により個々の半導体デバイスの設定電圧において流れる電流の温度依存性を測定することにより行えばよい。つまり、電流の温度依存性のデータを基に、電源Ａ〜電源Ｆの電源容量を超えないように検査用装置の温度設定を調整すればよい。
【００５１】
このように、検査用基板に接続された複数の電源及び信号発生回路の電圧を制御すれば、バーンイン試験中に半導体デバイスの特性評価を取り入れて温度特性評価を行う場合においても、検査用装置の電流制限を越えずに特性評価を行うことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明に係る検査用装置及び検査方法は、半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下でウエハ一括にバーンイン試験を行うと共に、特性評価の際に検査用装置の電流制限を越えることがない検査装置を実現でき、特に半導体ウエハに形成された複数の半導体素子の検査をウエハ状態で一括して行う検査用装置及び検査方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る検査用装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る検査用装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る検査用装置への半導体ウェハのセット方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る検査用装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る検査用装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る検査用装置の変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る検査用装置の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る検査用装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る検査用装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る検査方法を説明するために、半導体ウェハの各領域の温度設定及び電源の供給状態の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１      ウェハトレイ
１２      電圧供給部
１２Ａ    検査用基板
１２Ｂ    温度制御基板
１３      発熱モジュール基板
１３Ａ    発熱モジュール
１４      ウェハ保持用シート
１５      シールリング
２０      半導体ウェハ
２０ａ    領域
２１      半導体デバイス
２２      発熱体
２３      温度センサ
２４      検査電極
２５      発熱体電極
２６      センサ電極
２７      発熱部
３４      検査バンプ
３５      発熱体バンプ
３６      センサバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009094393.tif 000005
【図４】
2009094393.tif 000006
【図５】
2009094393.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009094393.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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