(57)【要約】【課題】品質に悪影響を与えることなく、フレキシブルプリントサーキットを介して構成部品とは反対側からレーザーを照射して、構成部品をフレキシブルプリントサーキットに実装することを可能とする実装方法を提供する。【解決手段】一対のフィルム１２，１３と、これら一対のフィルム１２，１３に挟まれ、かつこれらのフィルム１２，１３に接着される銅箔１１とを有するＦＰＣ１０への構成部品２０の実装方法において、銅箔１１の一部を露出させた部位に構成部品２０を密着させる工程と、ＦＰＣ１０を介して構成部品２０とは反対側から、構成部品２０と銅箔１１との密着部分に、発振波長が５３２ｎｍのレーザーＬを照射して、これらを溶接により固定させる工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のフィルムと、これら一対のフィルムに挟まれ、かつこれらのフィルムに接着される導体とを有するフレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法において、
前記導体の一部を露出させた部位に構成部品を密着させる工程と、
フレキシブルプリントサーキットを介して前記構成部品とは反対側から、該構成部品と導体との密着部分に、発振波長が５３２ｎｍのレーザーを照射して、これらを溶接により固定させる工程と、
を備えることを特徴とするフレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フレキシブルプリントサーキット（以下、適宜、ＦＰＣと称する）に対する構成部品（例えば電子部品）の実装を、レーザー溶接にて行う場合がある。この場合、一般的に、発振波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーが用いられる。なお、ＦＰＣは、一対のフィルム（ベースフィルムとカバーフィルム）と、これら一対のフィルムに挟まれる導体（一般的に銅箔）とから構成される。そして、レーザー溶接を行う場合には、まず、導体の一部を露出させた部位に構成部品を密着させる。そして、これらを密着させた部分にレーザーを照射し、これらを溶接により固定させて、構成部品をＦＰＣに実装させる。
【０００３】
しかし、ＦＰＣを介して構成部品とは反対側から上記のＹＡＧレーザー（発振波長が１０６４ｎｍ）を照射させて、構成部品を溶接により固定させようとすると、導体とフィルムとの接着層に悪影響を及ぼし、導体とフィルムが剥がれてしまうおそれがある。
【０００４】
これは、発振波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーの場合、レーザー出力を高くしなければ溶接を行うことができず、レーザー出力を高くすると、導体とフィルムとの接着層に悪影響を与えてしまうからである。
【０００５】
そのため、従来、ＦＰＣを介して構成部品とは反対側からレーザーを照射させて、構成部品を溶接により固定させる手法は採用することはできなかった。従って、例えば、耐熱性が低くリフローによる実装が難しい部品をＦＰＣに実装する場合、先ずコネクタ・ソケットをリフローによりＦＰＣに実装し、このコネクタ・ソケットに実装部品を嵌合させていた。そのため、部品点数が増加してしまうだけでなく、軽量化やコンパクト化の妨げとなっていた。
【０００６】
なお、関連する技術として、特許文献１に開示されたものがある。
【特許文献１】特開平６−７７６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、品質に悪影響を与えることなく、フレキシブルプリントサーキットを介して構成部品とは反対側からレーザーを照射して、構成部品をフレキシブルプリントサーキットに実装することを可能とする実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
【０００９】
すなわち、本発明のフレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法は、
一対のフィルムと、これら一対のフィルムに挟まれ、かつこれらのフィルムに接着される導体とを有するフレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法において、
前記導体の一部を露出させた部位に構成部品を密着させる工程と、
フレキシブルプリントサーキットを介して前記構成部品とは反対側から、該構成部品と導体との密着部分に、発振波長が５３２ｎｍのレーザーを照射して、これらを溶接により固定させる工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、発振波長が５３２ｎｍのレーザーを、構成部品と導体との密着部分に照射するようにしたので、例えば、発振波長が１０６４ｎｍのレーザーの場合に比べて低いレーザー出力で構成部品と導体との溶接が可能となる。従って、フレキシブルプリントサーキットを介して構成部品とは反対側からレーザーを照射しても、フィルムと導体との接着部分への影響を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、品質に悪影響を与えることなく、フレキシブルプリントサーキットを介して構成部品とは反対側からレーザーを照射して、構成部品をフレキシブルプリントサーキットに実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１３】
（実施例）
図１を参照して、本発明の実施例に係るフレキシブルプリントサーキットへの構成部品の実装方法について説明する。図１は本発明の実施例に係るフレキシブルプリントサーキットに構成部品を実装する様子を示す模式的断面図である。
【００１４】
図示のように、ＦＰＣ１０は、一対のフィルム１２，１３（ベースフィルムとカバーフィルム）と、これら一対のフィルム１２，１３に挟まれる胴体としての銅箔１１とを備えている。銅箔１１とフィルム１２、及び銅箔１１とフィルム１３はいずれも接着されている。図中、Ｔで示す部位は、接着層を示している。
【００１５】
そして、このＦＰＣ１０には、銅箔１１の一部が露出する露出部位（ランド）１４が設けられている。この露出部位１４に、所望の構成部品（一般的には、電子部品）２０が実装される。以下に説明するように、これら銅箔１１と構成部品２０は溶接により固定される。図中、Ｙで示す部位は、溶接部位を示している。
【００１６】
次に、構成部品の実装工程を説明する。
【００１７】
まず、ＦＰＣ１０における銅箔１１の露出部位１４に、構成部品２０を密着させる。
【００１８】
次に、レーザー光源３０によって、ＦＰＣ１０を介して構成部品２０とは反対側から構成部品２０と銅箔１１との密着部分にレーザーＬを照射する。ここで、本実施例においては、レーザーＬとして、発振波長が５３２ｎｍのＹＡＧ−ＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ（第二高調波））レーザーを用いた。
【００１９】
これにより、銅箔１１の一部や構成部品２０の一部が溶融し、これらが溶接により固定される。従って、構成部品２０がＦＰＣ１０に実装される。なお、構成部品２０が溶接により固定される露出部位１４には、表面処理（メッキなど）を施すようにしてもよい。また、溶接形状や溶接箇所は特に限定されるものではなく、複数の箇所にスポット状に溶接してもよいし、連続的に溶接するようにしてもよい。
【００２０】
以上のように、本実施例に係る実装方法によれば、銅や金などへの吸収率が高い、発振
波長が５３２ｎｍのレーザーＬを、構成部品２０と銅箔１１との密着部分に照射して、これらを溶接により固定するようにした。従って、発振波長が１０６４ｎｍのレーザーを用いる場合に比べて低いレーザー出力で構成部品２０と銅箔１１との溶接が可能となる。なお、発振波長が１０６４ｎｍ（基本波長）のＹＡＧレーザーの場合、銅への吸収率は約５％であり、発振波長が５３２ｎｍのＹＡＧ−ＳＨＧレーザーの場合、銅への吸収率は約４５％である。
【００２１】
以上より、ＦＰＣ１０を介して構成部品２０とは反対側からレーザーＬを照射しても、フィルム１３と銅箔１１との接着層Ｔへの影響を抑制することができる。従って、フィルム１３と銅箔１１とが剥がれてしまうことなく、構成部品２０と銅箔１１とを溶接により固定することができる。
【００２２】
このように、品質に悪影響を与えることなく、ＦＰＣ１０を介して構成部品２０とは反対側からレーザーＬを照射して、構成部品２０をＦＰＣ１０に溶接により固定して実装させることができる。そして、ＦＰＣ１０を介して構成部品２０とは反対側からレーザーＬを照射すればよいので、構成部品２０がレーザーによる照射の妨げになることはなく、溶接する範囲（面積）を拡げることができる。また、所望の構成部品２０を直接ＦＰＣ１０に溶接により固定させることができるので、所望の構成部品２０を実装させるために、他の部品が必要となることもない。例えば、従来例の中で説明したようなコネクタ・ソケットが不要となる。これにより、部品点数の削減、軽量化及びコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は本発明の実施例に係るフレキシブルプリントサーキットに構成部品を実装する様子を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  ＦＰＣ
１１  銅箔
１２，１３  フィルム
１４  露出部位
２０  構成部品
３０  レーザー光源
Ｌ  レーザー
Ｔ  接着層
Ｙ  溶接部位
【図１】
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