(57)【要約】      （修正有）【課題】イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。【解決手段】イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。好都合なことに、ガイド管は、外方にテーパー付けされた中央ボアを有し、これにより、イオンビームがガイド管を通過するときにビームが衝突する問題を軽減する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置内で注入されるべきウェハの付近に配置され、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するための、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、イオンビームの通過を許容するために上記ガイド管を通る中央ボアを画成するための１つ以上の壁を備え、これら１つ以上の壁は、上記中央ボアがテーパー付けされるように構成される、ガイド管。
【請求項２】
上記ガイド管は、隣接するボアより狭い入口アパーチャー及び／又は出口アパーチャーがないように、平易な端を有する、請求項１に記載のガイド管。
【請求項３】
上記ガイド管は、上記中央ボアが入口アパーチャー及び／又は出口アパーチャーを通して延びるときに上記中央ボアのサイズに段階的変化を与えないように、滑らかにテーパー付けされる、請求項２に記載のガイド管。
【請求項４】
上記ガイド管は、その長さに沿ったどこかで上記中央ボアのサイズに段階的変化を与えないように、滑らかにテーパー付けされる、請求項３に記載のガイド管。
【請求項５】
上記中央ボアは、均一にテーパー付けされる、請求項１から４のいずれかに記載のガイド管。
【請求項６】
上記中央ボアは、複数の壁によって画成され、各壁は、上記ボアがテーパー付けされるように構成される、請求項１から５のいずれかに記載のガイド管。
【請求項７】
上記ガイド管は、長手軸と、該長手軸に沿ってイオンビームを受け取るための開放端とを有し、上記長手軸に実質的に平行に位置された上記中央ボアを画成する壁には、管壁を貫通する少なくとも１つの開口が設けられて、上記ガイド管の内部から外部へのガス導通通路を形成し、該通路は、上記長手軸に垂直に該通路を通る視線が実質的に遮られるように、上記長手軸に対して鋭角に整列された長さと、該長さに対して横方向の最小寸法とを有する、請求項１から６のいずれかに記載のガイド管。
【請求項８】
上記通路は、上記壁を貫通するスロットとして形成され、これは、上記長手軸に対して横方向である通路長さに対して横方向の主寸法を有する、請求項７に記載のガイド管。
【請求項９】
上記ガイド管の表面は、粗面化される、請求項１から８のいずれかに記載のガイド管。
【請求項１０】
上記表面は、一連の溝を設けるように粗面化される、請求項９に記載のガイド管。
【請求項１１】
上記表面の一部分は、２つの一連の交差する並置溝を設けるように粗面化される、請求項１０に記載のガイド管。
【請求項１２】
上記ガイド管は、隣接するボアより狭い入口アパーチャー及び／又は出口アパーチャーがない、請求項１から１１のいずれかに記載のガイド管。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載のガイド管を有するイオン注入装置。
【請求項１４】
上記ガイド管は、イオン注入装置を通してイオンビームが進行する方向において外方にテーパー付けされる、請求項１１に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管に関する。このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。
【発明の背景】
【０００２】
半導体デバイスの製造にイオン注入が使用されるときには、注入されている半導体ウェハの表面上の絶縁された場所に電荷が蓄積するために問題が生じることになる。半導体ウェハの表面における過剰な電荷は、ウェハに形成されている繊細な構造にダメージを及ぼすと共に、特に、低いエネルギーでイオンを注入するときには、注入プロセスそれ自体に影響を及ぼすことにもなる。
【０００３】
それ故、イオン注入中にウェハ表面に蓄積した電荷を中性化するための構成を設けることが通常の習慣である。注入中のウェハ中性化のための構成が米国特許第５，３９９，８７１号に開示されている。ウェハの前方にガイド管が配置され、そのガイド管を通して注入中にウェハにイオンビームが向けられる。ガイド管に関連したプラズマジェネレータがガイド管の内部への低エネルギー電子源をなす。通常の正のイオンビームの場合は、注入されているウェハの表面上に蓄積される静電荷が正である。ガイド管内の低エネルギー電子は、ウェハ表面上に蓄積された正の静電荷の場所へ引き付けられ、それが中性化される。
【０００４】
上述した種類の電荷中性化システムに関連した更なる開発が、米国特許第６，１０１，５３６号、米国特許第６，５０１，０８１号、及び米国特許出願第６０／８３０，１１７号に開示されており、これらの開示は、参考としてここにそのまま援用する。これら従来の文書に開示された中性化システムは、この技術では、プラズマフラッドシステム（ＰＦＳ）と称される。
【発明の概要】
【０００５】
この背景に対して、本発明は、イオン注入装置内で注入されるべきウェハの付近に配置され、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するための、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、イオンビームの通過を許容するためにガイド管を通る中央ボアを画成するための壁を備え、これらの壁は、中央ボアがテーパー付けされるように構成されたガイド管に関する。
【０００６】
好都合にも、テーパー付けされたボアをガイド管に設けることで、隣接するボアより狭い入口アパーチャー及び／又は出口アパーチャーを省略することができる。例えば、入口アパーチャー及び／又は出口アパーチャーを通してボアが延びるときにボアのサイズの段階的変化を与えるためにガイド管を狭くする必要はない。ボア内に生じることのあるビーム衝突は、テーパー付けされた壁をかすめて入射する。これは、イオンビームの粒子汚染を引き起こすビーム衝突の問題を減少することが分かっている。
【０００７】
任意であるが、中央ボアは、均一なテーパーでもよい。或いは又、中央ボアは、変化するテーパーを有してもよい。中央ボアは、サイズの段階的変化を含まないのが好ましい。
【０００８】
中央ボアが複数の壁によって画成される場合には、各壁は、ボアがテーパー付けされるように構成されてもよい。或いは又、壁の幾つか、例えば、壁の対向対だけがテーパー付けされてもよい。この構成は、リボンビームと共に使用されるときに特に有益であり、この場合、ガイド管は、リボンビームの短軸方向にテーパー付けされてもよい。
【０００９】
任意であるが、ガイド管は、長手軸と、この長手軸に沿ってイオンビームを受け取るための開放端とを有することができる。長手軸に実質的に平行に位置される中央ボアを画成する壁には、ガイド管の内部から外部へガス導通通路を形成する少なくとも１つの開口が管壁を貫通して設けられ、その通路は、長手軸に垂直に通路を通る視線が実質的に遮られるように、長手軸に対して鋭角に整列された長さと、この長さに対して横方向の最小寸法とを有している。任意であるが、この通路は、壁を貫通するスロットとして形成され、これは、長手軸に対して横方向である通路長さに対して横方向の主寸法を有する。
【００１０】
ガイド管の表面は、例えば、表面の隣接部分の配向の鋭い変化により少なくとも一部分画成された表面特徴部を設けるように粗面化されてもよい。表面は、一連の溝を設けるように粗面化されるのが好ましい。溝の深さは、０．１ｍｍから１０ｍｍ、０．２５ｍｍから７．５ｍｍ又は０．５ｍｍから５ｍｍの範囲でよい。任意であるが、表面の一部分は、一連の並置溝を設けるように粗面化されてもよい。それらの一連の溝は、０．１ｍｍから１０ｍｍ、０．２５ｍｍから７．５ｍｍ又は０．５ｍｍから５ｍｍの範囲の規則的な間隔をもつ溝を含んでもよい。それらの溝は、次の断面プロフィール、即ちｖ字状、ｕ字状、鋸歯状又はボックス状トレンチ、のいずれを有してもよい。表面の一部分は、少なくとも２つの交差する一連の溝を設けるように粗面化されてもよい。第１の一連の溝及び第２の一連の溝は、直交して配設されてもよく、例えば、第１及び第２の一連のｖ字状の溝が、四面体のアレイを形成するように交差してもよい。
【００１１】
また、本発明は、上述したガイド管のいずれかを含むイオン注入装置にも係る。ガイド管は、イオン注入装置を通るイオンビーム進行方向にテーパー付けされてもよい。ガイド管は、イオンビームが進行する進行方向において外方にテーパー付けされるのが好ましい。
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【好ましい実施形態の詳細な説明】
【００１３】
図１において、図示されたイオン注入装置１０は、イオン源１４を備え、注入に必要な種のイオンを含むイオンがそこから抽出される。イオン注入装置１０は、更に、質量選択スリット３２を含む質量分析器３０を備えている。この質量分析器３０は、本質的に注入に望まれる種のイオンだけが、注入のためにウェハ１２に向かうビーム３４において質量選択スリット３２を通して出てくるように保証する。イオン注入装置１０の全ての要素は、この分野で良く知られており、従来知られた典型的な構成が米国特許第５，９６９，３６６号に示されている。
【００１４】
イオン源１４は、所定エネルギーのイオンビーム３４を発生し、これは、ウェハホルダ３６に装着された半導体ウェハ１２に向けられる。典型的に、注入されるべきウェハ１２にイオンビーム３４が当たるときの断面又は足跡は、ウェハ１２の面積よりも非常に小さい。それ故、ウェハ１２の全ての部分が必要なイオンの均一ドーズを受けるよう保証するために、ウェハホルダ３６を、矢印１８で示すように、スキャンして、ウェハ１２の全ての部分をイオンビーム３４に等しく露出させることができる。イオンビーム３４に対してウェハ１２をスキャンするためのシステムは、固定のイオンビーム３４を越えてウェハホルダ３６を二次元スキャニングするか、又は固定のウェハ１２に対してイオンビーム３４を二次元スキャニングするか、或いはイオンビーム３４を一方向にスキャンし且つウェハ１２を別の方向に移動することの組合せ、を含むことができる。ウェハ１２及びイオンビーム３４の相互スキャンの全ての形態が本発明において意図されるが、本発明は、イオンビーム３４が固定され、ウェハ１２のみがスキャンされる場合に特に有用である。
【００１５】
通常、注入装置１０におけるイオン３４の質量選択されたビームのエネルギーは、１０ｋｅＶ以上である。これより低いエネルギーも発生できるが、このような低エネルギーのビームは、質量分析器３０を通して搬送することが困難であり、その結果、低エネルギーのイオンビーム３４は、非常に低いイオン電流しかもたないことになる。しかしながら、１ｋｅＶ以下のエネルギーでイオンを注入することもしばしば要求される。そこで、２２で一般的に示された減速レンズアッセンブリを質量選択スリット３２とウェハ１２との間に配置することができる。
【００１６】
減速レンズアッセンブリ２２は、イオンビーム３４の領域に減速静電界を設定するようにバイアスされる１つ以上の電極を備えている。従って、減速レンズアッセンブリ２２を通過するイオンビーム３４は、注入のための低いエネルギーに減速することができる。適当な減速レンズアッセンブリ２２が、前記米国特許第５，９６９，３６６号に詳細に説明されている。
【００１７】
ウェハ１２の直前で且つ減速レンズアッセンブリ２２の下流では、イオン注入装置１０は、１５で示されたウェハ中性化システムを有している。このウェハ中性化システム１５は、主として、低エネルギーの電子を与えると共に、これらの電子をウェハ１２の直前の領域に拘束するように意図されている。これらの電子は、ウェハ１２上の正に荷電された場所へ引き付けられて、ウェハ１２における過剰な電荷の蓄積、及びこの電荷から生じるダメージのおそれを防止することができる。更に、ウェハ中性化システム１５は、上流の電界からウェハ１２に向かう電界の貫通を最小にし、ウェハ１２に到着する直前にイオンビームのサイズを決め、且つウェハ１２からビーム線を戻るようにガス放出されるガスの伝導性を低下するようにも働く。
【００１８】
図２及び図３は、従来技術によるウェハ中性化システム１５を示す。このウェハ中性化システム１５は、各端が開いたガイド管１６を備え、イオンビーム３４は、ガイド管１６の長手軸に一般的に平行にガイド管１６を通過することができる。ガイド管１６の壁には、プラズマチャンバー４０が固定されて設けられる。プラズマチャンバー４０の内部は、開口４２を通してガイド管１６の内部と連通する。アルゴンのような不活性ガスが管路４３を通してプラズマチャンバー４０に供給され、プラズマチャンバー４０の壁に対して加熱カソード４４を適当にバイアスすることによりプラズマが形成される。多量の電子がプラズマに発生され、次いで、プラズマは、アパーチャー４２を通してガイド管１６の内部へ現れ、注入中にウェハ１２に蓄積される電荷を中性化するのに使用される。この形式のプラズマフラッドシステム１５の更なる詳細が、前記米国特許第５，３９９，８７１号、並びに米国特許第６，１０１，５３６号及び第６，５０１，０８１号に見られる。
【００１９】
ガイド管１６は、プラズマチャンバー４０により発生された低エネルギー電子をガイド管１６の内部に拘束し、それらを利用して、ウェハ１２に蓄積した正の電荷を中性化するように働く。このため、ガイド管１６は、小さな負の電位に保持することができる。
【００２０】
ＰＦＳ形式の中性化システム１５の特定形態を説明したが、任意の中性化システム１５を本発明の実施形態に使用することができ、ここで、中性化システム１５は、注入されているウェハ１２の前方及びイオンビーム３４の周りに中性化電子を拘束する目的で、ガイド管１６と一般的に同様のガイド管を使用する。
【００２１】
ガイド管１６は、この実施形態では、後加速システムにより画成された入口アパーチャー４６を備えている。しかしながら、ガイド管は、その前に種々の構造体が存在してもよく、それらは、（ｉ）後加速システム、（ii）減速レンズアッセンブリ、又は（iii）アインツェルレンズのような収束レンズを含む。或いは又、入口アパーチャーは、ガイド管１６に特定のもので、従って、ガイド管１６に入るイオンビーム３４のサイズを制限するように働くだけでもよい。この最後のケースでは、ガイド管は、その前に磁石又は他の偏向素子があってもよいし、或いはその前に質量分析器３０の質量選択スリット３２があるだけでもよい。
【００２２】
狭いアパーチャー４６は、ビームの衝突を受け易く、従って、粒子汚染の著しい原因となる。ガイド管１６内の狭い部分によって形成された出口アパーチャー４８も、ビームの衝突を受け易く、従って、粒子汚染に貢献し、これは、出口アパーチャー４８がウェハ１２に最も接近しているために特に顕著である。
【００２３】
図４及び図５は、本発明の第１実施形態によるガイド管１６を示す。従来のガイド管１６に見られる入口及び出口アパーチャー４６及び４８にビームが当たる問題を克服するために、これらの狭いアパーチャーが除去されている。むしろ、平易な端４６及び４８を有するガイド管１６が形成される。むしろ、ガイド管１６は、テーパー形態を有する。ガイド管１６の４つの壁５０−５６は、全て、イオンビーム３４の進行方向に沿って外方にテーパー付けされ、ガイド管１６の下流端４８が上流端４６に対して広くなっている。従来の設計と共通して、壁５０−５６は、グラファイトで作られるか、又はグラファイトの裏張りが固定される。
【００２４】
矢印３４は、ガイド管１６を通るイオンビーム３４の進行方向を示す。イオンビーム３４は、ガイド管を通して進行するときに、多数の理由で、発散する傾向となる。第１に、空間電荷作用でイオンビームのサイズが膨張される。第２に、イオンビームは、通常、ガイド管１６の上流の点（例えば、質量選択スリット３２）に収束され、この点の後に、イオンビーム３４が発散する。
【００２５】
イオンビーム３４が発散するにつれて、ガイド管１６を通るボアを画成する壁５０−５６の内面にイオンビーム３４が衝突する機会が生じ得る。しかしながら、下流端４８のサイズは、従来の出口アパーチャー４８のサイズに類似しているので、ビーム衝突の増加は見られない。更に、ビーム衝突は、図４及び５のガイド管１６にかすめて入射するように生じ、これは、イオンビーム３４における粒子汚染の問題を低減することが分かっている。上流端４６のサイズは、従来のガイド管１６における入口アパーチャー４６の典型的なサイズに対して増加することができる。しかしながら、例えば、ガイド管１６の上流端４６に発生される電界の要件、等、このサイズ増加を制限する他の理由も存在し得る。
【００２６】
図６Ａ−図６Ｃは、図４及び図５のガイド管１６が２つのコンポーネント、即ち第１の下部コンポーネント５８及び第２の上部コンポーネント６０でどのように構成できるかを示している。下部コンポーネント５８は、ガイド管１６の下壁５６と、図６Ａに５０ａ及び５２ａとして示された側壁５０及び５２の下半分とを形成する。上部コンポーネント６０は、上壁５４と、側壁の上半分５０ｂ及び５２ｂとを形成する。また、上部コンポーネント６０には、アパーチャー４２も設けられ、これは、プラズマチャンバー４０が上部コンポーネント６０に固定されたときにそのプラズマチャンバーと連通する。上部コンポーネント６０及び下部コンポーネント５８は、多数の従来のやり方で接合することができ、例えば、ボルトで一緒に固定することができる。明らかなように、コンポーネント５８及び６０は、（図４及び図５に示すガイド管１６とは異なり）均一な外部寸法を有するガイド管１６を形成するように接合されるが、それらの壁５０−５６は、（図４及び図５と共通に）それらが画成する内部ボアがイオンビーム３４の進行方向に沿って外方にテーパー付けされるように形成される。
【００２７】
図７及び図８は、本発明の更に別の実施形態によるガイド管１６を示す。この実施形態は、次の付加的な特徴を除き、図４及び図５の実施形態に広く対応している。壁５０−５６には、一連の角度付けされたスロット６０が設けられる。更に、ガイド管１６の上流端４６には、粗面化された表面６２が設けられる。これらの追加の理由を以下に説明する。
【００２８】
上述したように、中性化システム１５は、その前に減速レンズアッセンブリ２２があってもよい。イオンビーム３４が減速レンズアッセンブリ２２を通過するときにイオンビーム３４に中性原子が存在する場合、これら中性物は減速されない。このような中性物は、イオンビーム３４の減速エネルギーより高いエネルギーでガイド管１６を通して進行し、次いで、この高いエネルギーでウェハ１２に注入され得る。ウェハ１２のこのようなエネルギー汚染は、望ましいものではなく、減速レンズアッセンブリ２２の領域における中性物の数を最小にするよう確保するためのステップがとられる。
【００２９】
中性物汚染は、ガイド管１６の壁５０−５６を貫通する角度付けされたスロット６０を設けることにより減少できることが分かっている。図８において明らかなように、スロット６０は、壁５４及び壁５６（及び図示されていないが、壁５０及び壁５２）の厚みを貫通して延びる。スロット６０の各々は、（ガイド管１６の内部と外部との間に延びる）長さがガイド管の長手軸に対して鋭角に整列される。更に、スロット６０の各々は、スロット６０の巾に対応する最小寸法が充分に小さく、ガイド管１６の長手軸に垂直な方向にガイド管１６の内部から外部へ視線が延びないようにされる。重要なことに、スロット６０は、図８に示すように、ガイド管１６の左手端にあるウェハ１２から外方に且つ離れる方向に角度が付けられる。このように、注入中にウェハ１２から（典型的に注入プロセスの前にウェハ１２に付着されたマスキング材料又はレジストから）ガス放出される原子及び分子は、スロット６０を通過することによりガイド管１６の内部から容易に脱出することができる。スロット６０をウェハ１２の表面から外方に且つ離れるように角度付けすることで、レジストガスを容易に脱出させることができる。
【００３０】
更に、プラズマチャンバー４０の内部への不活性（アルゴン）ガスのフィード４３は、ガイド管１６の内部に高い残留ガス圧力を生じさせることが明らかである。また、通路６０は、このガスを脱出させるための導通経路でもある。
【００３１】
従って、ガイド管１６の上流端４６を出るガスの量が減少される。ひいては、これは、減速レンズアッセンブリ２２の領域のガス負荷減少を与える。その結果、残留ガス分子との衝突事象により中性化されるイオンビーム３４内のイオンの確率が減少され、ガイド管１６を通してウェハ１２へ通過するイオンビーム３４のエネルギー汚染が減少される。
【００３２】
ガイド管１６におけるスロット６０の効果は、減速されたイオンビーム３４に対して最も顕著であるが、減速レンズアッセンブリ２２をもたないイオン注入装置１０に使用されるとき、又は減速レンズアッセンブリ２２がイオンビーム３４を減速するようにバイアスされないときにも、効果が得られる。次いで、質量分析器３０に続くイオンビーム経路に沿った残留ガス圧力を減少することにより、イオンビーム３４に発生される中性物の数を減少することができ、全イオンビーム電流を容易に測定することができる。
【００３３】
ガイド管の壁５０−５６を貫通するスロット６０を傾斜させることは、多数の効果を有する。第１に、スロット６０は、注入されているウェハ１２から離れるように傾斜され、ウェハ１２からのガス放出材料をスロット６０に沿ってガイド管１６の外部へ容易に通過させることができる。第２に、スロット６０を傾斜させ、且つそれらの巾を制御することで、ガイド管１６内からの熱の放射が減少される。これは、ウェハ１２及び中性化システム１５を取り巻くプロセスチャンバーにおける繊細な装置、例えば、この領域に真空を維持するのに使用される低温ポンプ、の過負荷を防止する上で特に重要である。第３に、鋭角のスロット６０は、ウェハ中性化のために低エネルギー電子を拘束するのに必要なガイド管１６内の静電界の実質的な歪を防止する。
【００３４】
ガイド管１６の内部が例えばガス放出レジスト材料で被覆状態になる傾向がある場合には、更に別の効果を得ることができる。このような被覆は、誘電体であり、ガイド管１６により発生される電子拘束電界を損なうことになり得る。スロット６０は、ガイド管１６の内部と外部との間に著しい長さを有し、これは、スロット６０の鋭角の結果として増加される。スロット６０の内壁を含むガイド管１６の内部表面の少なくとも幾つかの部分が絶縁被覆なしのままとなる確率が高くなる。
【００３５】
図８のスロット６０に代わるものとして、ガイド管１６の壁５０−５６は、複数の角度付けされたスラットを含んでもよい。これらのスラットは、ガイド管１６のフレームワークを形成するコーナーポスト間に装着することができる。
【００３６】
このような構成の更なる詳細は、米国特許出願第１１／８２２，７３８号に見ることができ、該特許出願の内容は、参考としてここにそのまま援用する。
【００３７】
上述したように、ガイド管１６へのビーム衝突は、粒子汚染を引き起こすことがあり、これは、イオンビーム３４が斜角でガイド管１６に当たる場合に悪化する。この問題は、図２の４８における出口アパーチャー除去することにより著しく減少されるが、ガイド管１６の上流端４６は、依然として面６２を呈しており、ここにはイオンビーム３４が斜めに当たることがある。この面６２から粒子がスパッタされる問題を軽減するために、面６２が粗面化される。これは、面６２に一連の溝を形成することにより達成できる。図７において、粗面化は、四面体のアレイを形成する一連の交差する溝であるように示されている。このような粗面化は、面６２に材料の大きな堆積物が形成されるのに抵抗するので、有用である。例えば、イオンビーム３４内に随伴されたグラファイトのような粒子が面６２に堆積され、後になってスパッタ除去されることがある。これらの堆積物は、蓄積し、後で、大きな材料薄片として剥離して、注入されているウェハ１２に形成される構造体に大きなダメージを及ぼすことがある。
【００３８】
図７は、面６２のみがこのように粗面化されることを示すが、イオンビーム３４に隣接した他の表面、例えば、ガイド管１６の壁５０−５６の内面も、同様に粗面化することができる。
【００３９】
このような構成の更なる詳細を米国特許出願第１１／６５１，１０７号に見ることができ、該特許出願の内容は、参考としてここにそのまま援用する。
【００４０】
図７及び図８の実施形態は、スロット２２及び表面の粗面化の使用を結合するものであるが、これら２つの考え方の各々は、当然、それ自身で使用することもできる。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに前記実施形態に他の変更がなされ得ることが明らかであろう。
【００４１】
例えば、ガイド管１６のテーパーは、希望の電界形状を達成するように変更してもよい。形状の操作、それにより得られる電界、及びイオンビームに対するその作用は、例えば、シミオン(Simion)（ＲＴＭ）のようなソフトウェアパッケージの使用により容易に達成することができる。図示されたガイド管１６は、それらの長さに沿った一定のテーパーを採用しているが、これが必要とされるのではない。変化するテーパー、又はテーパーのない均一な区分を使用してもよい。更に、壁５０−５６の全部にテーパー付けする必要もない。例えば、一対の壁だけをテーパー付けしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態を組み込んだイオン注入装置の簡単な図である。
【図２】従来のウェハ中性化システムの長さに沿った断面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】本発明の実施形態によるガイド管を含むウェハ中性化システムの長さに沿った概略断面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿った概略断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態によるガイド管を形成するようにアッセンブルできるコンポーネントの斜視図であって、上流に向いて上から左へ見た第１コンポーネントの斜視図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態によるガイド管を形成するようにアッセンブルできるコンポーネントの斜視図であって、上流に向いて上から左へ見た第２コンポーネントの斜視図である。
【図６Ｃ】本発明の実施形態によるガイド管を形成するようにアッセンブルできるコンポーネントの斜視図であって、図６ｂに対してひっくり返された第２コンポーネントの斜視図である。
【図７】本発明の更に別の実施形態によるガイド管を含むウェハ中性化システムの、下流に向いて見た端面図である。
【図８】図７．７のウェハ中性化システムの長さに沿った概略断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０…イオン注入装置、１２…ウェハ、１４…イオン源、１５…ウェハ中性化システム、１６…ガイド管、２２…減速レンズアッセンブリ、３０…質量分析器、３２…質量選択スリット、３４…イオンビーム、３６…ウェハホルダ、４０…プラズマチャンバー、４２…開口、４６、４８…アパーチャー、５０−５６…壁、５８…第１の下部コンポーネント、６０…第２の上部コンポーネント、６０…スロット、６２…粗面化された表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
2009170404.tif 000011
【図８】
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【外国語明細書】
2009170404000001.pdf