(57)【要約】【課題】小型かつ安価な面状照光式の半導体発光装置を提供する。【解決手段】配線基板上１に、複数個の第１半導体発光素子１１を線状に配列してなる少なくとも２列の第１半導体発光素子列を実装する。また、当該第１半導体発光素子１１上に、複数個の第２半導体発光素子２１を実装する。１つの第２半導体発光素子２１のｐ側電極３５を、その下方に配置された一方の第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４と、他方の第１半導体発光素子１１のｐ側電極３５とに接続し、全ての第１及び第２の半導体発光素子１１，２１を直列に接続する。第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極及びｐ側電極３５と配線基板１に形成された電極パターン３とを、第１半導体発光素子群１０の片側でワイヤボンディングする。【選択図】図１
2009070900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤボンディング用の電極パターンを含む所要の配線パターンが形成された配線基板と、当該配線基板上にｎ側電極及びｐ側電極を上向きにして実装された複数の第１半導体発光素子からなる第１半導体発光素子群と、これら複数の第１半導体発光素子上にｎ側電極及びｐ側電極を下向きにして実装された複数の第２半導体発光素子からなる第２半導体発光素子群とを備え、
前記第１半導体発光素子群は、前記複数の第１半導体発光素子を線状に配列してなる少なくとも２列の第１半導体発光素子列を有し、前記第２半導体発光素子群は、前記２列の第１半導体発光素子列の一方に実装される一方の第２半導体発光素子列と、前記２列の第１半導体発光素子列の他方に実装される他方の第２半導体発光素子列と、前記２列の第１半導体発光素子列の一端部においてこれら２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される１個の第２半導体発光素子とを有し、
前記第２半導体発光素子のｎ側電極を、その下方に配置された２つの前記第１半導体発光素子のうちの一方のｐ側電極に接続すると共に、当該第２半導体発光素子のｐ側電極を、その下方に配置された前記２つの第１半導体発光素子のうちの他方のｎ側電極に接続して、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子を交互に直列接続し、
前記２列の第１半導体発光素子列の他の一端部に配置され、前記第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない前記第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極と前記電極パターンとを、前記第１半導体発光素子群の片側でワイヤボンディングすることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記２列の第１半導体発光素子列、前記一方の第２半導体発光素子列、前記他方の第２半導体発光素子列、及び前記２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される１個の第２半導体発光素子を一組とする半導体発光素子集合体を複数組備え、各組の前記第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない前記第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を前記配線基板の一方向に揃えて、これら第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極と前記電極パターンとを前記配線基板の片側でワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２半導体発光素子のうち、前記２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される第２半導体発光素子の平面形状を長方形とし、他の全ての第１及び第２半導体発光素子の平面形状を正方形とすることを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に係り、特に、ワイヤボンディング用の電極パターンを含む所要の配線パターンが形成された配線基板上に、複数の第１半導体発光素子からなる第１半導体発光素子群と、複数の第２半導体発光素子からなる第２半導体発光素子群とを２層に実装してなる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型にして高輝度を得るため、図１１に示すように、配線基板１００上に複数個の第１ＬＥＤチップ１０１を実装すると共に、当該第１ＬＥＤチップ１０１上に複数個の第２ＬＥＤチップ１０２を実装した半導体発光装置が提案されている。第２ＬＥＤチップ１０２は、隣接する２つの第１ＬＥＤチップ１０１に跨るように配線基板１００の面方向にずれて配置され、第２ＬＥＤチップ１０２のｎ側電極は、これが跨る２つの第１ＬＥＤチップ１０１の一方のｐ側電極とバンプ１０３を介して接続されると共に、第２ＬＥＤチップ１０２のｐ側電極は、これが跨る２つの第１ＬＥＤチップ１０１の他方のｎ側電極とバンプ１０３を介して接続される。また、第２ＬＥＤチップ１０２のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない両端の第１ＬＥＤチップ１０１のｐ側電極又はｎ側電極は、それぞれボンディングワイヤ１０４を介して配線基板１００に形成された図示しない電極パターンに接続される。
【０００３】
この半導体発光装置は、第１ＬＥＤチップ１０１と第２ＬＥＤチップ１０２とを互いに面方向にずらした状態で配線基板１００上に２層に積層して実装するので、単位面積当たりのＬＥＤチップの実装数を増加することができ、配線基板上に同数のＬＥＤチップを１層に実装する場合に比べて、装置の小型化と高輝度化とを図ることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１には、第１ＬＥＤチップ１０１及び第２ＬＥＤチップ１０２が一方向にのみ配列された線状照光式の半導体発光装置しか記載されていないが、この技術を応用すれば、第１ＬＥＤチップ１０１及び第２ＬＥＤチップ１０２が面方向にマトリクス状に配列された面状照光式の半導体発光装置を作製することも可能である。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体発光装置は、先に説明したように、両端の第１ＬＥＤチップ１０１のｎ側電極又はｐ側電極を、ボンディングワイヤ１０４を介して配線基板１００の電極パターンに接続するので、第１ＬＥＤチップ１０１の実装部を介してその両側に電極パターンが形成された配線基板１００を用いなくてはならず、基板サイズを十分に小型化できないという問題がある。また、両端の第１ＬＥＤチップ１０１についてボンディングワイヤ１０４による接続を行わなくてはならないので、配線基板１００と第１ＬＥＤチップ１０１との接続作業が複雑化して、半導体発光装置がコスト高になるという問題もある。
【０００６】
本発明は、かかる技術的課題を解決するためになされたものであり、その目的は、小型かつ安価な面状照光式の半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記の課題を解決するため、第１に、ワイヤボンディング用の電極パターンを含む所要の配線パターンが形成された配線基板と、当該配線基板上にｎ側電極及びｐ側電極を上向きにして実装された複数の第１半導体発光素子からなる第１半導体発光素子群と、これら複数の第１半導体発光素子上にｎ側電極及びｐ側電極を下向きにして実装された複数の第２半導体発光素子からなる第２半導体発光素子群とを備え、前記第１半導体発光素子群は、前記複数の第１半導体発光素子を線状に配列してなる少なくとも２列の第１半導体発光素子列を有し、前記第２半導体発光素子群は、前記２列の第１半導体発光素子列の一方に実装される一方の第２半導体発光素子列と、前記２列の第１半導体発光素子列の他方に実装される他方の第２半導体発光素子列と、前記２列の第１半導体発光素子列の一端部においてこれら２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される１個の第２半導体発光素子とを有し、前記第２半導体発光素子のｎ側電極を、その下方に配置された２つの前記第１半導体発光素子のうちの一方のｐ側電極に接続すると共に、当該第２半導体発光素子のｐ側電極を、その下方に配置された前記２つの第１半導体発光素子のうちの他方のｎ側電極に接続して、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子を交互に直列接続し、前記２列の第１半導体発光素子列の他の一端部に配置され、前記第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない前記第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極と前記電極パターンとを、前記第１半導体発光素子群の片側でワイヤボンディングするという構成にした。
【０００８】
かかる構成によると、第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない２列の第１半導体発光素子列のｎ側電極及びｐ側電極を当該２列の第１半導体発光素子列の片側にのみ配列するので、第１半導体発光素子群の実装部の片側であって、これら第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極と対向する部分にのみ電極パターンが形成された配線基板の使用が可能になり、第１半導体発光素子群の実装部の両側部分に第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を配置する場合に比べて、配線基板ひいては半導体発光装置の小型化を図ることができる。また、第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない２列の第１半導体発光素子列のｎ側電極及びｐ側電極と電極パターンとを第１半導体発光素子群の片側でのみワイヤボンディングすることにより配線を完了できるので、第１半導体発光素子群の両側部分に第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を配置する場合に比べて、ワイヤボンディングに要する工数を減らすことができ、半導体発光装置の低コスト化を図ることができる。さらに、かかる構成によると、電極パターンとワイヤボンディングされるｎ側電極及びｐ側電極の配列側とは反対側において、２列の第１半導体発光素子列に跨るように１個の第２半導体発光素子を実装し、これらの各半導体発光素子を直列に接続するので、単位面積当たりの半導体発光素子の実装数を増加することができ、半導体発光装置の輝度を高めることができる。
【０００９】
また、本発明は、第２に、前記第１の構成の半導体発光装置において、前記２列の第１半導体発光素子列、前記一方の第２半導体発光素子列、前記他方の第２半導体発光素子列、及び前記２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される１個の第２半導体発光素子を一組とする半導体発光素子集合体を複数組備え、各組の前記第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない前記第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を前記配線基板の一方向に揃えて、これら第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極と前記電極パターンとを前記配線基板の片側でワイヤボンディングするという構成にした。
【００１０】
かかる構成によると、半導体発光素子集合体の数を増減することにより、所要の発光面積及び照度を有する各種の面発光タイプの半導体発光装置を作製することができるので、半導体発光装置の製造を容易化することができる。
【００１１】
また、本発明は、第３に、前記第１又は第２の構成の半導体発光装置において、前記第２半導体発光素子のうち、前記２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される第２半導体発光素子の平面形状を長方形とし、他の全ての第１及び第２半導体発光素子の平面形状を正方形とするという構成にした。
【００１２】
第２半導体発光素子は、その下に配置された２つの第１半導体発光素子に跨って実装されるので、全ての第１及び第２の半導体発光素子について平面形状が正方形のものを用いると、電極パターンとワイヤボンディングされるｎ側電極及びｐ側電極の配列側とは反対側に配置される第２半導体発光素子の端部、即ち、２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される第２半導体発光素子は、第１半導体発光素子群の端辺よりも外側に突出する。これに対して、２列の第１半導体発光素子列に跨って実装される第２半導体発光素子として、平面形状が長方形に形成されたものを用いると、第１半導体発光素子群の端辺と第２半導体発光素子群の端辺とを同一位置に揃えることができるので、配線基板をより小型化することができて、半導体発光装置のより一層の小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体発光装置は、第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を第１半導体発光素子群の片側にのみ配列するので、第１半導体発光素子群の両側部分に第２半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極が接続されない第１半導体発光素子のｎ側電極及びｐ側電極を配置する場合に比べて半導体発光装置の小型化を図ることができる。また、ワイヤボンディングに要する工数を減らすことができるので、半導体発光装置の低コスト化を図ることができる。さらに、単位面積当たりの半導体発光素子の実装数を増加することができるので、半導体発光装置の輝度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を、図１乃至図３に基づいて説明する。図１は第１実施形態に係る半導体発光装置の平面図、図２は第１実施形態に係る半導体発光装置の側面図、図３は第１実施形態に係る半導体発光装置に適用される第１及び第２の半導体発光素子の斜視図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、本例の半導体発光装置は、配線基板上１に、第１半導体発光素子群１０として、合計６個の第１半導体発光素子１１が、３個ずつ２列に実装されると共に、当該第１半導体発光素子群１０上に、第２半導体発光素子群２０として、合計５個の第２半導体発光素子２１が実装されている。
【００１６】
配線基板１としては、図１に示すように、絶縁基板２の表面に少なくともワイヤボンディング用の電極パターン３を含む所要の配線パターンが形成されたものが用いられる。絶縁基板材料としては、ガラスエポキシ基板、ＢＴレジン基板、セラミック基板、メタルコア基板及びフレキシブル基板などを用いることができ、電極パターン３は、配線基板１に設定された第１半導体発光素子群１０の実装部４の一辺と対向に配置される。
【００１７】
第１半導体発光素子１１及び第２半導体発光素子２１としては、平面形状が正方形又は長方形で、同形同大かつ同一構成のものが用いられる。即ち、本例の第１半導体発光素子１１及び第２半導体発光素子２１は、図３に示すように、平面形状が正方形又は長方形に形成されたサファイア基板３１と、当該サファイア基板３１上にエピタキシャル成長されたｎ型半導体層３２及びｐ型半導体層３３と、ｎ型半導体層３２上にパターン形成されたｎ側電極３４と、ｐ型半導体層３３上にパターン形成されたｐ側電極３５とから構成されており、ｎ側電極３４及びｐ側電極３５は、サファイア基板３１の相対向する２辺の中心をつなぐ仮想中心線上に配置される。このように、本例の半導体発光装置は、同形同大かつ同一構成の半導体発光素子を第１半導体発光素子１１及び第２半導体発光素子２１として用いるので、部品の共用化による製造コストの低減を図ることができる。なお、本願図面においては、理解を容易にするため、ｎ側電極３４を正方形で表示し、ｐ側電極３５を円形で表示しているが、製品においては、各電極の平面形状をこのようにする必要はなく、必要に応じて適宜設計することができる。
【００１８】
第１半導体発光素子１１は、図２に示すように、ｎ型電極３４及びｐ型電極３５を上向きにして配線基板１上に実装される。配線基板１に対する第１半導体発光素子１１の実装は、図示しない銀ペースト又は接着剤等を用いて行うことができる。これに対して、第２半導体発光素子２１は、図２に示すように、ｎ型電極３４及びｐ型電極３５を下向きにして第１半導体発光素子１１上に実装される。第１半導体発光素子群１０に対する第２半導体発光素子群２０の実装は、はんだバンプや金バンプなどのバンプ５を用いて行うことができる。
【００１９】
図１に示すように、第２半導体発光素子２１の設定位置は、第１半導体発光素子１１の面方向にずれており、１つの第２半導体発光素子２１は、その下方に配置された２つの第１半導体発光素子１１に跨って配置される。即ち、本例の半導体発光装置においては、上列の左側に配置された第１半導体発光素子１１と上列の中央部に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る位置に１つの第２半導体発光素子２１が配置され、以下同様に、上列の中央部に配置された第１半導体発光素子１１と上列の右側に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る位置、下列の左側に配置された第１半導体発光素子１１と下列の中央部に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る位置、下列の中央部に配置された第１半導体発光素子１１と下列の右側に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る位置、及び上列の右側に配置された第１半導体発光素子１１と下列の右側に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る位置に、他の第２半導体発光素子２１が１つずつ配置される。そして、１つの第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４は、その下方に配置された一方の第１半導体発光素子１１のｐ側電極３５に接続され、当該１つの第２半導体発光素子２１のｐ側電極３５は、その下方に配置された他方の第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４に接続される。したがって、本例の半導体発光装置においては、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極及びｐ側電極３５が第１半導体発光素子群１０の左辺側にのみ一列に配列される。また、上列の右側に配置された第１半導体発光素子１１と下列の右側に配置された第１半導体発光素子１１とに跨る右端の第２半導体発光素子２１の端辺が、第１半導体発光素子群１０の右辺よりも外側に突出して配置される。
【００２０】
第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５と配線基板１に形成された電極パターン３とは、ボンディングワイヤ６を介して接続される。これにより、複数の第１半導体発光素子１１及び複数の第２半導体発光素子２１は、図示しない電源に直列接続される。
【００２１】
第１半導体発光素子１１に対する第２半導体発光素子２１の配設位置は、図２に示すように、各半導体発光素子１１，２１のｎ側電極３４の中心とｐ側電極３５の中心とが対向する位置よりも、ボンディングワイヤ６が接続される第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４側及びｐ側電極３５側に第２半導体発光素子２１が偏倚した位置に設定される。その偏倚量ｗは、ボンディングワイヤ６が接続されるｎ側電極３４の上方及びｐ側電極３５の上方にボンディングヘッドを稼働するに十分なスペースを確保可能な範囲に調整される。このように、第１半導体発光素子１１に対する第２半導体発光素子２１の配設位置を特定の一方向に偏倚させることにより、他方側における第２半導体発光素子２１の端辺の突出量を抑制することができるので、半導体発光装置の小型化を図ることができる。
【００２２】
本例の半導体発光装置は、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５を第１半導体発光素子群１０の片側にのみ配列するので、第１半導体発光素子群１０の実装部４の片側であって、これら第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５と対向する部分にのみワイヤボンディング用の電極パターン３が形成された配線基板の使用が可能になり、第１半導体発光素子群１０の両側部分に第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５を配置する場合に比べて、半導体発光装置の小型化を図ることができる。また、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５と電極パターン３とを第１半導体発光素子群１０の片側でのみワイヤボンディングすることにより配線を完了できるので、第１半導体発光素子群１０の両側部分に第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５を配置する場合に比べて、ワイヤボンディングに要する工数を減らすことができ、半導体発光装置の低コスト化を図ることができる。さらに、電極パターン３とワイヤボンディングされるｎ側電極３４及びｐ側電極３５の配列側とは反対側に配置される第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が、第２半導体発光素子２１のｐ側電極３５及びｎ側電極３４により接続されるので、単位面積当たりの半導体発光素子の実装数を増加することができ、半導体発光装置の輝度を高めることができる。
【００２３】
なお、前記第１実施形態においては、第１半導体発光素子１１の数を６個とし、第２半導体発光素子２１の数を５個としたが、第１半導体発光素子群１０を構成する第１半導体発光素子１１の数、及び第２半導体発光素子群２０を構成する第２半導体発光素子２１の数、並びのこれらの配列については、これに限定されるものではなく、適宜変更可能である。図４は第１実施形態に係る半導体発光装置の変形例であって、配線基板上１に、前記第１実施形態と同一の配列で実装された６個の第１半導体発光素子１１と５個の第２半導体素子２１を１組とする３組の半導体発光素子集合体を並列してなる。
【００２４】
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置を、図５及び図６を用いて説明する。図５は第２実施形態に係る半導体発光装置の平面図、図６は第２実施形態に係る半導体発光装置の側面図である。
【００２５】
第２実施形態に係る半導体発光装置は、図５及び図６に示すように、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５並びにボンディングワイヤ６が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４とｐ側電極３５間を、平面形状が長方形に形成された第２半導体発光素子２１ａにより接続したことを特徴とする。その他に関しては、図４に示した第１実施形態の変形例に係る半導体発光装置と同様に構成される。
【００２６】
第２実施形態に係る半導体発光装置は、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５並びにボンディングワイヤ６が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４とｐ側電極３５間を、平面形状が長方形に形成された第２半導体発光素子２１ａにより接続したので、図５及び図６に示すように、第１半導体発光素子群１０の端辺からの第２半導体発光素子群２０のはみ出しを防止又は抑制することができ、配線基板１ひいては半導体発光装置のより一層の小型化を図ることができる。
【００２７】
次に、本発明の第３乃至第５実施形態に係る半導体発光装置を、図７乃至図９を用いて説明する。図７は第３実施形態に係る半導体発光装置の平面図、図８は第４実施形態に係る半導体発光装置の平面図、図９は第５実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【００２８】
これら第３乃至第５実施形態に係る半導体発光装置は、第１半導体発光素子１１として、平面形状が正方形に形成され、ｎ側電極３４及びｐ側電極３５が対角上に配置されたものを用いたことを特徴とする。
【００２９】
第３実施形態に係る半導体発光装置は、図７に示すように、平面形状が正方形に形成され、ｎ側電極３４及びｐ側電極３５が対角上に配置された合計１８個の第１半導体発光素子１１を、その端辺を４５度の方向に傾けた状態で６行３列に配列して、第１半導体素子群１０とする。また、第１行第１列乃至第６行第１列の第１半導体発光素子１１と第１行第２列乃至第６行第２列の第１半導体発光素子１１との間、及び第１行第２列乃至第６行第２列の第１半導体発光素子１１と第１行第３列乃至第６行第３列の第１半導体発光素子１１との間に、それぞれ平面形状が正方形に形成され、ｎ側電極３４及びｐ側電極３５が対角上に配置された合計１２個の第２半導体発光素子２１を配列すると共に、これら合計１２個の第２半導体発光素子２１が接続されない第１半導体発光素子１１のうち、第１半導体素子群１０の右辺側に配置された第１行第３列の第１半導体発光素子１１と第２行第３列の第１半導体発光素子１１との間、第３行第３列の第１半導体発光素子１１と第４行第３列の第１半導体発光素子１１との間、及び第５行第３列の第１半導体発光素子１１と第６行第３列の第１半導体発光素子１１との間に、それぞれ平面形状が長方形に形成された第２半導体発光素子２１ａを配列して、第２半導体素子群２０とする。さらに、第２半導体発光素子２１が接続されない第１半導体発光素子１１のうち、第１半導体素子群１０の左辺側に配置された第１行第１列乃至第６行第１列の第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４又はｐ側電極３５と配線基板１に形成された電極パターン３とをボンディングワイヤ６を介して接続してなる。本例の半導体発光装置は、第２実施形態に係る半導体発光装置と同様の効果を奏する。
【００３０】
第４実施形態に係る半導体発光装置は、図８に示すように、奇数行の第１半導体発光素子１１と偶数行の第１半導体発光素子１１とを、左右方向に半ピッチずらし、全体として第１半導体発光素子群１０が配線基板１に対して縦向きに配列されるようにしたことを特徴とする。その他については、第３実施形態に係る半導体発光装置と同様である。本例の半導体発光装置は、第２実施形態に係る半導体発光装置と同様の効果を奏するほか、奇数行の第１半導体発光素子１１と偶数行の第１半導体発光素子１１を左右方向に半ピッチずらしたので、第１半導体発光素子１１の実装部４の横幅を小さくすることができ、配線基板１の小型化を図ることができる。
【００３１】
第５実施形態に係る半導体発光装置は、図９に示すように、対角上にｎ側電極３４及びｐ側電極３５が形成された第１及び第２の半導体発光素子１１，２１からなる第１及び第２の半導体発光素子群１０，２０を、配線基板１の縦横方向に配列したことを特徴とする。その他については、第３実施形態に係る半導体発光装置と同様である。本例の半導体発光装置は、第２実施形態に係る半導体発光装置と同様の効果を奏するほか、第１及び第２の半導体発光素子群１０，２０を配線基板１の縦横方向に配列したので、配線基板１の横幅を最も小さくすることができ、配線基板１の小型化を図ることができる。
【００３２】
次に、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置を、図１０を用いて説明する。図１０は第６実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。第６実施形態に係る半導体発光装置は、第１半導体発光素子１１及び第２半導体発光素子２１として、平面形状が長方形に形成されると共に、ｎ側電極３４及びｐ側電極３５が対角上に配置されたものを用いたことを特徴とする。その他については、第３実施形態に係る半導体発光装置及び第４実施形態に係る半導体発光装置と同様である。本例の半導体発光装置は、第１実施形態に係る半導体発光装置と同様の効果を奏する。
【００３３】
なお、本発明の要旨は、第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５を、第１半導体発光素子群１０の片側にのみ配列し、これら第２半導体発光素子２１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５が接続されない第１半導体発光素子１１のｎ側電極３４及びｐ側電極３５と配線基板に形成された電極パターン３とを、第１半導体発光素子群１０の片側でワイヤボンディングするというものであり、第１及び第２の半導体発光素子群１０，２０を構成する第１及び第２の半導体発光素子１１，２１の数、形状、及び配線基板１に対する配列等については、前記各実施形態に限定されるものではなく、任意に設計可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体発光装置の側面図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体発光装置に適用される第１及び第２の半導体発光素子の斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体発光装置の変形例を示す図である。
【図５】第２実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体発光装置の側面図である。
【図７】第３実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図８】第４実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図９】第５実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図１０】第６実施形態に係る半導体発光装置の平面図である。
【図１１】公知例に係る半導体発光装置の側面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    配線基板上
３    電極パターン
４    第１半導体発光素子群の実装部
５    バンプ
６    ボンディングワイヤ
１０    第１半導体発光素子群
１１    第１半導体発光素子
２０    第２半導体発光素子群
２１    第２半導体発光素子
３４    ｎ側電極
３５    ｐ側電極  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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