(57)【要約】【課題】表表面に微細な凹凸を有するＴＣＯ膜で透明電極を形成しながらも、ボンディングパッド用のメタル膜の裏面の光反射性の低下が防止された、ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極を提供すること。【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極は、ＧａＮ系半導体膜１２の表面に接して形成された透明電極１３と、透明電極１３上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１４と、からなる。透明電極１３は、互いに電気的に接続された第１のＴＣＯ膜１３ａと第２のＴＣＯ膜１３ｂとからなっており、第１のＴＣＯ膜１３ａおよび第２のＴＣＯ膜１３ｂは、その両方が該透明電極１３の表面に露出している。第１のＴＣＯ膜１３ａの表面は第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面よりも平滑であり、メタル膜１４は第１のＴＣＯ膜１３ａの表面に形成されている。【選択図】図１
2009094107.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系半導体膜の表面に接して形成された透明電極と、
該透明電極上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜と、からなり、
前記透明電極は、互いに電気的に接続された第１のＴＣＯ膜と第２のＴＣＯ膜とからなっており、
該第１のＴＣＯ膜および第２のＴＣＯ膜は、その両方が該透明電極の表面に露出しており、
該第１のＴＣＯ膜の表面は該第２のＴＣＯ膜の表面よりも平滑であり、
前記メタル膜は該第１のＴＣＯ膜の表面に形成されている、
ことを特徴とするＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極。
【請求項２】
前記第１のＴＣＯ膜および前記メタル膜の平面形状およびサイズが同じである、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
前記ＧａＮ系半導体膜の表面と、前記メタル膜の裏面とが、前記第１のＴＣＯ膜のみを挟んで対向している部分を有する、請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電極をｐ電極として有するＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項５】
面状のＧａＮ系ＬＥＤ素子であって、請求項１に記載の電極をｐ電極およびｎ電極として、当該ＬＥＤ素子の同一面側に有する、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極、および、それを用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ系半導体は、化学式ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表される化合物半導体であり、３族窒化物半導体、窒化物系半導体などとも呼ばれる。ｐｎ接合構造、ダブルヘテロ構造、量子井戸構造などの発光素子構造をＧａＮ系半導体で形成してなるＧａＮ系ＬＥＤ素子は、緑色〜近紫外の光を発生することが可能であり、これまで、信号機やディスプレイ装置等の用途で実用化されている。
【０００３】
最近、ＧａＮ系ＬＥＤ素子において、ＴＣＯ膜が透明電極として用いられるようになっている。ＴＣＯとは透明導電性酸化物（Transparent Conductive Oxide）のことであり、典型的には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム、酸化錫、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛酸化物）、酸化亜鉛、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）が例示される。ＴＣＯの中でも、汎用されているのはＩＴＯである。ＩＴＯ膜は、通常、その表面に多結晶構造に由来する微細な凹凸を有しているために、ＩＴＯ膜を透明電極に用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子は出力の高いものとなる。なぜなら、この微細な凹凸の存在によって、素子の内側から透明電極の表面に入射する光の全反射が抑制されるために、素子内部で生じた光が透明電極の表面を通して素子外部に効率的に取り出されるからである。
【０００４】
図１０に、ＴＣＯ膜を透明電極に用いた、従来のＧａＮ系ＬＥＤ素子の断面構造を示す。このＧａＮ系ＬＥＤ素子は、サファイアからなる基板１０１と、その上に形成されたＧａＮ系半導体膜１０２とを有している。ＧａＮ系半導体膜１０２中には、Ｓｉ添加ＧａＮからなるｎ型層１０２−１と、Ｍｇ添加ＡｌＧａＮからなるｐ型層１０２−３と、これらの間に挟まれた、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の発光層１０２−２とが含まれている。ＧａＮ系半導体膜１０２上には、２つの電極が、同一面側に形成されている。ひとつは、ｐ型層１０２−３上に形成されたｐ電極であり、ＴＣＯ膜１０３ａとＴＣＯ膜１０３ｂとからなる透明電極と、この透明電極の一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１０４と、から構成されている。ＴＣＯ膜１０３ｂはｐ型層１０２−３の上面を略全面的に覆っており、ＴＣＯ膜１０３ａはＴＣＯ膜１０３ｂ上の一部に形成されている。メタル膜１０４はＴＣＯ膜１０３ａの上に形成されている。もうひとつの電極は、ｎ型層１０２−１上に形成されたｎ電極であり、ｎ型層１０２−１上に接するＴＣＯ膜１０５と、その上に積層されたメタル膜１０６とから構成されている。
【０００５】
ＴＣＯ膜を透明電極に用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子において、透明電極の表面にボンディングパッドとして設けるメタル膜の、裏面（透明電極に接する面）の光反射性を高くすることが、高出力化のために好ましいことが知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００５−３１７９３１号公報
【特許文献２】特開２００２−２５３４９号公報
【非特許文献１】ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス，第４４巻，第４Ｂ号，２００５年，第２５２５〜２５２７頁（Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．４Ｂ，２００５，ｐｐ．２５２５−２５２７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のごとく、ＩＴＯ膜のような、表面に微細な凹凸を有するＴＣＯ膜は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の出力を向上させる効果を有する。しかし、かかるＴＣＯ膜の表面に形成したメタル膜は、裏面の反射性が劣ったものとなる。なぜなら、この裏面はＴＣＯ膜の表面形状を反映して、平滑性の低いものとなるためである。
そこで、本発明は、表面に微細な凹凸を有するＴＣＯ膜で透明電極を形成しながらも、ボンディングパッド用のメタル膜の裏面の光反射性の低下が防止された、ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極を提供することを、主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、次の特徴を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極を提供するものである：
ＧａＮ系半導体膜の表面に接して形成された透明電極と、該透明電極上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜と、からなり、前記透明電極は、互いに電気的に接続された第１のＴＣＯ膜と第２のＴＣＯ膜とからなっており、該第１のＴＣＯ膜および第２のＴＣＯ膜は、その両方が該透明電極の表面に露出しており、該第１のＴＣＯ膜の表面は該第２のＴＣＯ膜の表面よりも平滑であり、前記メタル膜は該第１のＴＣＯ膜の表面に形成されている、ことを特徴とするＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極。
【０００８】
本発明が提供する上記のＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極では、ＧａＮ系半導体膜の表面に形成する透明電極を、相対的に高い表面平滑性を有する第１のＴＣＯ膜と、相対的に低い表面平滑性を有する第２のＴＣＯ膜とから構成するとともに、ボンディングパッド用のメタル膜を、第２のＴＣＯ膜の表面に形成しないで、第１のＴＣＯ膜の表面のみに形成している。そのために、このメタル膜の裏面の平滑性の低下が防止され、ひいては、このメタル膜の裏面の光反射性の低下が防止される。また、素子内部からこの透明電極の表面に入射する光は、表面平滑性が相対的に低い第２のＴＣＯ膜の表面から、メタル膜に遮られることなく、効率よく素子外部に出て行くことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明が提供するＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子は、発光出力に優れたものとなるので、照明用途をはじめとする、高出力が要求される用途において、好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の一構造例を示す断面図である。このＧａＮ系ＬＥＤ素子は、サファイアからなる基板１１と、その上に形成されたＧａＮ系半導体膜１２とを有している。ＧａＮ系半導体膜１２中には、Ｓｉ添加ＧａＮからなるｎ型層１２−１と、Ｍｇ添加ＡｌＧａＮからなるｐ型層１２−３と、これらの間に挟まれた、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の発光層１２−２とが含まれている。ＧａＮ系半導体膜１２上には、２つの電極が、同一面側に形成されている。そのひとつは、ｐ型層１２−３上に形成されたｐ電極であり、ＴＣＯ膜１３ａ（「第１のＴＣＯ膜」）とＴＣＯ膜１３ｂ（「第２のＴＣＯ膜」）とからなる透明電極１３を有している。ｐ電極は、更に、透明電極１３の一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１４を有している。第２のＴＣＯ膜１３ｂはｐ型層１２−３の上面を略全面的に覆っており、第１のＴＣＯ膜１３ａはＴＣＯ膜１３ｂの一部上に形成されている。メタル膜１４は第１のＴＣＯ膜１３ａの表面に形成されている。第１のＴＣＯ膜１３ａと第２のＴＣＯ膜１３ｂは、ともに透明電極の表面に露出しているが、第１のＴＣＯ膜１３ａの露出面Ｓ１３ａ（メタル膜１４により覆われている）は、第２のＴＣＯ膜１３ｂの露出面Ｓ１３ｂよりも高い平滑性を有している。もうひとつの電極は、ｎ型層１２−１上に形成されたｎ電極であり、ｎ型層１２−１に接するＴＣＯ膜１５と、その上に積層されたメタル膜１６とから構成されている。
【００１１】
図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子は、例えば、次の方法により製造することができる。
まず、ＭＯＶＰＥ法を用いて、直径２インチのサファイア基板１１上に、バッファ層（図示せず）、ｎ型層１２−１、発光層１２−２、ｐ型層１２−３を順次形成して積層し、図２に断面図を示すエピウェハを作製する。
【００１２】
次に、図３に示すように、半導体ウェハのｐ型層１２−３の上面に、電子ビーム蒸着法を用いて、ＩＴＯからなる第２のＴＣＯ膜１３ｂを形成する。この第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面には、多結晶構造に基づく凹凸が自発的に形成される。
【００１３】
次に、フォトリソグラフィ技法を用いて、図４に示すように、第２のＴＣＯ膜１３ｂを所定の形状にパターニングする。
【００１４】
次に、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりｐ型層１２−３および発光層１２−２の一部を除去し、図５に示すようにｎ型層１２−１を部分的に露出させる。
【００１５】
次に、第２のＴＣＯ膜１３ｂ上およびｎ型層１２−１の露出面上の所定の位置に、所定形状の開口部を設けたリフトオフ用のマスクを形成したうえで、スパッタリング法を用いて、第１のＴＣＯ膜１３ａおよびＴＣＯ膜１５となるＩＴＯ膜の形成を行なう。更に、続けて、このＩＴＯ膜上にメタル膜の形成を行なう。メタル膜の形成後、マスクをリフトオフすると、図６に示すように、第２のＴＣＯ膜１３ｂ上に、第１のＴＣＯ膜１３ａとメタル膜１４とからなる積層膜が、また、ｎ型層１２−１の露出面上に、ＴＣＯ膜１５およびメタル膜１６とからなる積層膜（ｎ電極）が形成された構造が得られる。リフトオフ法を用いることにより、各積層膜に含まれるＴＣＯ膜およびメタル膜の平面形状およびサイズは同一となる。
【００１６】
ここで、第２のＴＣＯ膜１３ｂの成膜法として電子ビーム蒸着法を用いるのに対し、第１のＴＣＯ膜１３ａの成膜法としてスパッタリング法を用いる理由は、ＩＴＯ膜の場合、電子ビーム蒸着法により成膜したものよりも、スパッタリング法により成膜したものの方が、表面が平滑となるからである（特許文献２）。
【００１７】
ｐ電極およびｎ電極の形成が完了したら、この分野で通常用いられている方法を用いて、ウェハ上に形成されたＧａＮ系ＬＥＤ素子を切り離し、チップ化する。なお、ウェハを切断する前に、ＧａＮ系半導体膜１２およびＴＣＯ膜１３ｂが露出した部分を、酸化ケイ素などの金属酸化物からなる透明な絶縁保護膜で被覆してもよい。
【００１８】
以上、図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法の一例を説明したが、このＬＥＤ素子の製造方法は上記説明した方法に限定されるものではない。
【００１９】
第２のＴＣＯ膜１３ｂよりも第１のＴＣＯ膜１３ａの表面平滑性を高くするために、第２のＴＣＯ膜を多結晶質膜とし、第１のＴＣＯ膜を非晶質膜としてもよい。非晶質膜となり易いＴＣＯ膜としては、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜が挙げられる。ＩＺＯ膜の好ましい形成方法はスパッタリングである。
【００２０】
第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面の平滑性を特に低いものとするために、成膜後に、第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面をエッチング処理して荒らすこともできる。それによって、第２のＴＣＯ膜１３ｂの表面で光の乱反射が生じるようになり、ＬＥＤ素子の光取出し効率が改善される。多結晶質のＴＣＯ膜の場合、当該ＴＣＯ膜を溶解させ得る液体を接触させると、結晶粒界が速くエッチングされるために、表面が荒れた状態となる。ＩＴＯ膜の場合には、そのような液体として、塩酸などの酸を用いることができる。ＴＣＯ膜の表面を荒らす他の方法として、膜表面上に金属やポリマーの微粒子を付着させ、この微粒子をエッチングマスクに用いるドライエッチング処理を施す方法が挙げられる。この方法でＩＴＯ膜の表面を荒らす具体的な手順については、例えば、非特許文献１を参照することができる。
【００２１】
好適な実施形態では、図７に示すように、メタル膜１４とＧａＮ系半導体膜１２の間から、第２のＴＣＯ膜１３ｂを取り除く。換言すれば、ＧａＮ系半導体膜１２の表面と、メタル膜１４の裏面とが、第１のＴＣＯ膜１３ａのみを挟んで対向する部分を設ける。こうすることにより、メタル膜１４の裏面をより平滑なものとすることができる。なぜなら、第１のＴＣＯ膜１３ａは、表面平滑性に優れたＧａＮ系半導体膜１２上に直接形成した方が、第２のＴＣＯ膜１３ｂを介して形成するよりも、表面が平滑になるからである。なお、この図７の例では、メタル膜１４とＧａＮ系半導体膜１２の間から、第２のＴＣＯ膜１３ｂの一部分を取り除いているが、第２のＴＣＯ膜１３ｂの全部を取り除いてもよい。
【００２２】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の他の構造例を示す図面であり、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＰ−Ｑ線の位置における断面図である。この図に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子では、ｐ電極だけでなく、ｎ電極も、ＴＣＯ膜１５ａとＴＣＯ膜１５ｂとからなる透明電極を有している。ｎ電極は、更に、該透明電極上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１６を有している。ＴＣＯ膜１５ａはＴＣＯ膜１５ｂよりも高い表面平滑性を有しており、メタル膜１６はそのＴＣＯ膜１５ａの表面に形成されている。
【００２３】
図８に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の好ましい製造方法においては、エピウェハの形成後、まず、ＲＩＥによりｐ型層１２−３および発光層１２−２の一部を除去して、ｎ型層１２−１を部分的に露出させる。その後で、ｐ型層１２−３上へのＴＣＯ膜１３ｂの形成と、ｎ型層１２−１の露出面上へのＴＣＯ膜１５ｂの形成とを、同時に行う。好ましくは、エピウェハの表面全体にＴＣＯ膜を形成した後、不要部分を除去することにより、ｐ型層１２−３上にＴＣＯ膜１３ｂを残し、ｎ型層１２−１の露出面上にＴＣＯ膜１５ｂを残す。ＴＣＯ膜１３ｂ上への、ＴＣＯ膜１３ａおよびメタル膜１４の形成、ならびに、ＴＣＯ膜１５ｂ上への、ＴＣＯ膜１５ａおよびメタル膜１６の形成については、第１の実施形態と同様に、リフトオフ法を用いて行うことができる。
【００２４】
（第３の実施形態）
図９は、本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の他の構造例を示す断面図である。このＧａＮ系ＬＥＤ素子は垂直型の素子構造を有しており、一方の電極は基板１１の裏面上に形成されている。基板１１は、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＯなどからなる導電性の基板であり、その上に、ＧａＮ系半導体膜１２が形成されている。ＧａＮ系半導体膜１２中には、Ｓｉ添加ＧａＮからなるｎ型層１２−１と、Ｍｇ添加ＡｌＧａＮからなるｐ型層１２−３と、これらの間に挟まれた、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の発光層１２−２とが含まれている。ｐ型層１２−３上には、ｐ電極が形成されている。このｐ電極は、ＴＣＯ膜１３ａとＴＣＯ膜１３ｂとからなる透明電極１３を有している。ｐ電極は、更に、この透明電極の一部上にボンディングパッドとして形成されたメタル膜１４を有している。ＴＣＯ膜１３ｂはｐ型層１２−３の上面を略全面的に覆っており、ＴＣＯ膜１３ａはＴＣＯ膜１３ｂの一部上に形成されている。ＴＣＯ膜１３ａはＴＣＯ膜１３ｂよりも表面の平滑性が高く、メタル膜１４はＴＣＯ膜１３ａの表面に形成されている。また、メタル膜１４の裏面の平滑性をより高くするために、ＧａＮ系半導体膜１２とメタル膜１４とがＴＣＯ膜１３ａのみを挟んで対向する部分が設けられている。基板１１の裏面上には、該裏面に接するＴＣＯ膜１５と、その上に積層されたメタル膜１６とから構成された、ｎ電極が形成されている。
【００２５】
（好適な実施形態）
本発明の電極において、ＴＣＯで形成する透明電極の膜厚は特に限定されないが、例えば、０．１μｍ〜１μｍとすることができる。好ましくは、０．２μｍ〜０．５μｍである。この透明電極は、発光層から放出される光の波長における透過率が、８０％以上となるように形成することが好ましい。この透過率は、より好ましくは８５％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。透明電極に用いるＴＣＯ膜は、抵抗率が１×１０−４Ωｃｍ以下となるように形成することが望ましい。ＴＣＯ膜の形成方法としては、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ法、スプレー法、スピンコート法、ディップ法などが例示される。
【００２６】
本発明の電極において、ＴＣＯ膜上にボンディングパッドとして設けるメタル膜の材料は特に限定されないが、好ましくは、少なくともＴＣＯ膜に接する部分を、白金族（Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）などを用いて形成する。メタル膜の裏面側には、光反射率の良好な金属であるＡｌ、Ａｇまたは白金族元素を主成分として構成した反射層を設けることが好ましい。かかる反射層を設ける場合、メタル膜とＴＣＯ膜との間の接着力が低下しないように、該反射層とＴＣＯ膜との間に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔｉ−Ｗなどからなる透光性の薄膜を挟んでもよい。この薄膜は、膜厚が２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以下となるように形成する。外部電極との接続が容易となるように、メタル膜の表層は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｓｎ（錫）、Ｉｎ（インジウム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）などで形成することが好ましい。メタル膜の膜厚は、例えば、０．２μｍ〜１０μｍとすることができるが、好ましくは、０．５μｍ〜２μｍである。メタル膜の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などを用いることができる。
【００２７】
本発明の電極において、ＴＣＯ膜上にボンディングパッドとして設けるメタル膜の平面形状は特に限定されないが、好ましくは、円形または正多角形である。サイズについても特に限定されるものではないが、実装時の作業性の点からは、直径６０μｍの円を包含するサイズに形成することが望ましい。
【００２８】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を損なわない範囲内で、種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造例を示す断面図である。
【図２】図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図５】図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程説明するための断面図である。
【図６】図１に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造例を示す断面図である。
【図８】本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造例を示す図であり、図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＰ−Ｑ線の位置における断面図である。
【図９】本発明の電極を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造例を示す断面図である。
【図１０】従来のＧａＮ系ＬＥＤ素子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１１  基板
１２  ＧａＮ系半導体膜
１２−１  ｎ型層
１２−２  発光層
１２−３  ｐ型層
１３  透明電極
１３ａ  ＴＣＯ膜
１３ｂ  ＴＣＯ膜
１４  メタル膜
１５  ＴＣＯ膜
１６  メタル膜
【図１】
2009094107.tif 000003
【図２】
2009094107.tif 000004
【図３】
2009094107.tif 000005
【図４】
2009094107.tif 000006
【図５】
2009094107.tif 000007
【図６】
2009094107.tif 000008
【図７】
2009094107.tif 000009
【図８】
2009094107.tif 000010
【図９】
2009094107.tif 000011
【図１０】
2009094107.tif 000012