(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマディスプレイパネルの放電電圧を効率よく下げてパネルの電力消耗を低減することにより生産コストを削減し、しかも、輝度と放電効率などを高めること。【解決手段】プラズマディスプレイパネルは、第１の基板、第２の基板、及び駆動装置を備える。第１の基板は、少なくとも一つのアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁を備える。第２の基板は、第１の基板と第２の基板との間において少なくとも一つの隔壁を挟んで第１の基板に組み付けられる。第２の基板は、少なくとも一対のサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーが含まれている保護膜を備える。駆動装置は、所定の立ち上がりランプ波形または立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を与える。【選択図】図１
2009048175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁が設けられた第１の基板と、
少なくとも一対のサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成粒子のパウダーが含まれている保護膜が前記隔壁を挟んで形成された第２の基板と、
（１）プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なるピーク電圧を有する立ち上がりランプ波形、または（２）前記プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なる最低の電圧を有する立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を供給する駆動装置と、
を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記立ち上がりランプ波形は、前記プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なるピーク電圧を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記立ち下がりランプ波形は、前記プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なる最低の電圧を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記駆動装置は、
前記立ち上がりランプ波形または前記立ち下がりランプ波形を供給するスキャンドライバーと、
前記プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、
前記温度センサーの出力信号に基づいて制御信号を生成し、前記スキャンドライバーに前記制御信号を与えるセットダウン制御信号発生器と、
を備えてなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記温度センサーは前記プラズマディスプレイパネルの温度を感知し、高温と低温においてそれぞれ異なるビット信号を生成することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記立ち下がりランプ波形が前記ビット信号に対応するときに時間を許容するように制御動作を行うことを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記ビット信号に応じて前記高温において印加する制御信号の幅が前記低温において印加する制御信号の幅よりも狭くなるように前記制御信号の幅を設定することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記スキャンドライバーは、前記制御信号の幅に対応する期間中に前記立ち下がりランプ波形を供給することを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記温度センサーは、前記高温を複数の温度レベルに区分し、前記それぞれの温度レベルに応じて異なるビット信号を生成することを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記温度レベルが高くなるにつれて狭い幅を有する制御信号を生成し、前記スキャンドライバーは、前記制御信号の幅に対応する期間中に立ち下がりランプ波形を供給することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記保護膜は、前記酸化マグネシウム薄膜を有する第１の層と、前記第１の層の上に３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成物質のパウダーを有する第２の層と、を備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記単結晶の金属合成物質のパウダーの粒子は、前記酸化マグネシウム薄膜の上部の所定の部分に群集状に形成されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記単結晶の金属合成粒子のパウダーは、粒径が５０〜１０００ナノメートルであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記保護膜は、９５％以上の純度を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
結晶型酸化物を含む不純物が前記保護膜に追加されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記結晶型酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３及びＧｄ２Ｏ３よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記結晶型酸化物は、アルカリ金属酸化物またはアルカリ土金属酸化物であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記結晶型酸化物は、前記保護膜内において０〜１０％の重量比を有することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記第１の基板に設けられた誘電体は、フラットではない表面を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
少なくとも一つのアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁が設けられた第１の基板と、
少なくとも一対のサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成粒子のパウダーが含まれている保護膜が前記隔壁を挟んで形成された第２の基板と、
立ち上がりランプ波形または立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を与え、且つ、プラズマディスプレイパネルの温度に応じて前記立ち上がりランプ波形または前記立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方が供給される期間が異なる期間である駆動装置と、
を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記駆動装置は、
前記立ち上がりランプ波形または前記立ち下がりランプ波形を供給するスキャンドライバーと、
前記プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、
前記温度センサーの出力信号に基づいて制御信号を生成し、前記スキャンドライバーに前記制御信号を与えるセットダウン制御信号発生器と、
を備えてなることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記温度センサーは、前記プラズマディスプレイパネルの温度を感知し、高温と低温においてそれぞれ異なるビット信号を生成することを特徴とする請求項２１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記立ち下がりランプ波形が前記ビット信号に対応するときに時間を許容するように制御動作を行うことを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２４】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記ビット信号に応じて前記高温において印加する制御信号の幅が前記低温において印加する制御信号の幅よりも狭くなるように前記制御信号の幅を設定することを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２５】
前記スキャンドライバーは、前記制御信号の幅に対応する期間中に前記立ち下がりランプ波形を供給することを特徴とする請求項２４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２６】
前記温度センサーは、前記高温を複数の温度レベルに区分し、前記それぞれの温度レベルに応じて異なるビット信号を生成することを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２７】
前記セットダウン制御信号発生器は、前記温度レベルが高くなるにつれて狭い幅を有する制御信号を生成し、前記スキャンドライバーは、前記制御信号の幅に対応する期間中に立ち下がりランプ波形を供給することを特徴とする請求項２１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
前記保護膜は、前記酸化マグネシウム薄膜を有する第１の層と、前記第１の層の上に３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成物質のパウダーを有する第２の層と、を備えることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２９】
前記単結晶の金属合成物質のパウダーの粒子は、前記酸化マグネシウム薄膜の上部の所定の部分に群集状に形成されることを特徴とする請求項２８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３０】
前記単結晶の金属合成粒子のパウダーは、粒径が５０〜１０００ナノメートルであることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３１】
前記保護膜は、９５％以上の純度を有することを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３２】
結晶型酸化物を含む不純物が前記保護膜に追加されることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３３】
前記結晶型酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３及びＧｄ２Ｏ３よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項３２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
前記結晶型酸化物は、アルカリ金属酸化物またはアルカリ土金属酸化物であることを特徴とする請求項３２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
前記結晶型酸化物は、前記保護膜内において０〜１０％の重量比を有することを特徴とする請求項３２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
前記第１の基板に設けられた誘電体は、フラットではない表面を有することを特徴とする請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３７】
少なくとも一つのアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁が設けられた第１の基板と、少なくとも一対のサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成粒子のパウダーが含まれている保護膜が前記隔壁を挟んで形成された第２の基板と、を備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、
少なくとも一つのサブフィールドがリセット期間を有する場合、複数のサブフィールドを有するフレームを与えるステップと、
（１）プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なるピーク電圧を有する立ち上がりランプ波形、または（２）前記プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なる最低の電圧を有する立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を供給する場合、前記リセット期間中に立ち上がりランプ波形または立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を与えるステップと、
を含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３８】
少なくとも一つのアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁が設けられた第１の基板と、少なくとも一対のサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の金属合成粒子のパウダーが含まれている保護膜が前記隔壁を挟んで形成された第２の基板と、を備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、
少なくとも一つのサブフィールドがリセット期間を有する場合、複数のサブフィールドを有するフレームを与えるステップと、
前記プラズマディスプレイパネルの温度に応じて前記立ち上がりランプ波形または前記立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方が供給される期間が異なる期間である場合、前記リセット期間中に立ち上がりランプ波形または立ち下がりランプ波形のうち少なくとも一方を与えるステップと、
を含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルはよく知られているが、未だ種々の欠点があることを経験している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
以下、添付図面にその例が示される実施の形態について詳述する。なお、できる限り、図面の全体を通じて同じ部分を指し示す個所には同じ参照符号を付し、繰り返し的な説明は省略している。
【０００４】
マルチメディア時代の到来と伴い、高精細でかつ自然の色に近い色を表現可能なディスプレイ装置の提供が要求されている。ところが、４０インチ以上の大画面を構成するには現在のＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）は限界があり、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）及びプロジェクションＴＶなどが高画質映像分野への用途拡大のために急速にて発展しつつある。
【０００５】
プラズマディスプレイパネルは、プラズマ放電を用いて画像を表示する電子装置である。プラズマディスプレイパネルは、平行にそれぞれの放電空間に配置された電極に所定の電圧を印加してこれらの電極の間においてプラズマ放電が起こるようにするものである。このプラズマ放電は、所定のパターンに形成された蛍光体層を励起させて画像を形成する真空紫外線（ＶＵＶ）を発生する。
【０００６】
しかしながら、プラズマディスプレイパネルの上部パネルまたは基板に形成された上板誘電体がプラズマディスプレイパネルの放電時に（＋）イオンの衝撃のために磨り減る。このとき、ナトリウム（Ｎａ）などの金属物質が電極を短絡させることもある。
【０００７】
このため、上部パネルに設けられた上板誘電体の上に保護膜が形成される。保護膜は（＋）イオンの衝撃によく耐え、且つ、２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム（ＭｇＯ）をコートして形成することもある。
【０００８】
そして、プラズマディスプレイパネルが駆動される期間は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に分けられる。リセット期間には、スキャン電極に立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ波形が同時に印加される。アドレス期間には、負極性スキャンパルスがスキャン電極ｓｃａｎに順次に印加され、正極性のデータパルスがスキャンパルスと同期されたアドレス電極に印加される。サステイン期間には、サステインパルスｓｕｓがスキャン電極とサステイン電極に交互に印加される。
【０００９】
従来のプラズマディスプレイパネルは、以下の如き問題点があった。
【００１０】
電圧が電極に印加されて放電ガスが解離されてプラズマを形成するとき、プラズマ内のイオンが保護膜に入射して保護膜の表面から２次電子が放出される。とにかく、保護膜は、ガス放電の起こる電圧がより低くなることを促す。すなわち、保護膜は（＋）イオンの衝撃によく耐えるだけではなく、放電開始電圧をやや低める。このため、保護膜の使用はプラズマディスプレイパネルの駆動電圧を低くする。駆動電圧を低くすることは、パネルの電力消耗を低減させて生産コストを削減するだけではなく、輝度と放電効率などを高める。
【００１１】
しかしながら、現在保護膜の材料として使用中のＭｇＯは、ＭｇＯの物質特性により放電電圧を効率よく低めていないのが現状であるが、具体的に、プラズマから入射するイオンに対する２次電子の放出係数が小さいためである。
【００１２】
また、保護膜を形成するために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を使用すると、ジッター特性が低下することがある。すなわち、プラズマディスプレイパネルが駆動されるとき、１フレーム内においてサステイン期間に割り当て可能な時間が不足するため、画質の品質が低下する恐れがある。このような問題点は、特に低温下において顕著である。従来のプラズマディスプレイパネルは、約−２０℃〜２０℃の低温において動作時に輝点の誤放電が発生していた。すなわち、低温下においては粒子の動きを鈍化させるため、消去ランプ波形による消去放電が好ましく発生されないことがある。もし、消去放電が好ましく発生されなければ、サステイン電極に形成された壁電荷がそれぞれの放電セルにおいて正常に消去されないことがある。
【００１３】
そして、壁電荷が正常に除去されなければ、スキャン電極に負極性の壁電荷が形成されているため、セットアップ期間には放電が正常に発生しない。
【００１４】
さらに、セットアップ期間に続くセットダウン期間にも放電が正常に発生しない。すなわち、放電セルに形成された壁電荷が正常に除去されないため、サステイン期間に好ましくない輝点の誤放電が起こる。そして、青色及び緑色の蛍光体を有する放電セルの放電開始電圧が赤色蛍光体を有する放電セルよりもやや高めに設定されているため、輝点の誤放電が発生する頻度を増大させる青色及び緑色の蛍光体を有する放電セルの初期化期間に正常放電が発生しない。
【００１５】
本発明は上述した問題点を解消するためになされたものであり、その目的は、第一に、プラズマディスプレイパネルの放電電圧を効率よく下げてパネルの電力消耗を低減することにより生産コストを削減し、しかも、輝度と放電効率などを高めるところにある。
【００１６】
第二に、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるときに、立ち上がりランプ波形の印加時間を異ならせて安定したセットアップ放電を引き起こし、誤放電を防ぐところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述した問題点を解消するために、本発明は、アドレス電極と誘電体と蛍光体及び隔壁が設けられた第１のパネルと、隔壁を挟んで前記第１のパネルと結合され、サステイン電極対と誘電体及び単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーを含んでいる保護膜が設けられた第２のパネルと、パネルの周りの温度に応じて立ち下がりランプ波形を供給する期間を異ならせる駆動装置と、を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを提供する。
【００１８】
本発明の他の実施形態によれば、第１の基板の上にアドレス電極と誘電体と隔壁及び蛍光体を形成するステップと、第２の基板の上にサステイン電極対と、誘電体、及び２００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーが含まれている保護膜を形成するステップと、前記第１の基板と第２の基板とを組み合わせるステップと、スキャンドライバーと、パネルの温度を感知する温度センサー、及び前記温度センサーの出力信号に基づいて制御信号を生成して前記スキャンドライバーに供給する制御信号発生器と、を備える駆動装置を用意するステップと、前記駆動装置を前記アドレス電極及びサステイン電極対と連結するステップと、を含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
上述した従来のプラズマディスプレイパネルは、２層構造の保護膜が放電電圧を効率よく下げてパネルの電力消耗を低減することにより生産コストを削減するだけではなく、輝度と放電効率などの向上を図ることができる。  
【００２０】
また、低温において駆動されるときに立ち上がりランプ波形の印加時間を高温においてより広く設定することにより、安定したセットアップ放電を引き起こすことができる。さらに、低温においては安定したセットアップ放電が発生して誤放電を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の他の目的、特性及び利点は添付図面に基づく実施形態の詳細な説明から一層明らかになるであろう。      
【００２２】
以下、前記目的が具体的に実現可能な本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２３】
添付図面においては種々の層と領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、図示の各層間の厚さが実際の厚さ比を示すものではない。なお、層、膜、領域、パネルなどの部分が他の部分の「上に」形成若しくは位置するとしたとき、これは、他の部分の真上に形成されて直接的に接触する場合だけではなく、その中間にさらに他の部分が存在する場合も含むという点を理解しなければならない。
【００２４】
本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、上部パネルと下部パネルまたは基板が一緒に積層されてなるパネル部と、パネル部に駆動信号を供給する駆動部と、からなる。まず、図１に示すように、本発明によるプラズマディスプレイパネルの一実施形態を説明する。
【００２５】
図１に示すように、本発明のプラズマディスプレイパネル１００は、一方の電極に形成された一対の透明電極と、他方の電極に形成されたバス電極１８０ａ、１８０ａ’と、一対のバス電極１８０ｂ、１８０ｂ’からなる一対のサステイン電極が形成された第１または前面パネルまたはパネル１７０を備える。透明電極１８０ａ、１８０ｂは、通常、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）から形成され、バス電極１８０ａ’、１８０ｂ’は金属材料から形成される。そして、サステイン電極の対を覆いながら、前面パネル１７０の全体の表面の上に誘電体１９０と保護膜１９５が順次に形成される。
【００２６】
前面パネル１７０は、ディスプレイ基板用のガラスのミリング及びクリーニングなどの加工を通じて形成される。ここで、透明電極１８０ａ、１８０ｂはスパッタリングによるフォトエッチング法またはＣＶＤによるリフトオフ法によりＩＴＯもしくはＳｎＯ２から形成される。そして、バス電極１８０ａ’、１８０ｂ’は銀（Ａｇ）またはそれに類似する材料から形成される。さらに、低融点ガラスと黒色顔料などを有するブラックマトリックスがサステイン電極対の上に形成されていてもよい。
【００２７】
そして、透明電極とバス電極１８０ａ、１８０ａ’、１８０ｂ、１８０ｂ’を有する前面パネル１７０の上には、誘電体１９０が形成される。ここで、誘電体１９０は透明な低融点ガラスなどの材料から形成される。誘電体１９０の組成の詳細については後述する。さらに、酸化マグネシウム若しくはそれに類似する材料からなる保護膜１９５が誘電層１９０を保護するために上板誘電層１９０の上に形成されて、放電時に（＋）イオンの衝撃から誘電体１９０を保護し、２次電子放出を増大させる。以下において、保護膜１９５を詳述する。
【００２８】
この実施形態による保護膜１９５は、酸化マグネシウム薄膜などの材料から形成される第１の薄膜層１９５ａと、第１の薄膜層１９５ａの上に形成される第２の薄膜層１９５ｂと、から構成される。第２の薄膜層１９５ｂは単結晶のＭｇＯナノパウダーを含む。そして、単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーは２００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する。ここで、第１の薄膜層１９５ａは５００〜８００ｎｍの厚さに形成され、第２の薄膜層１９５ｂは１００ｎｍ〜１．５μｍの厚さに形成される。第２の薄膜層１９５ｂは５０〜１０００ｎｍのサイズを有する単結晶のＭｇＯナノパウダー粒子パウダーを用いて形成される。
【００２９】
保護膜１９５は９５％以上の純度を有し、結晶型酸化物を有する不純物が保護膜に加えられる。結晶型酸化物はＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３及びＧｄ２Ｏ３からなる群から選ばれる。結晶型酸化物はアルカリ材料またはアルカリ土類中において用いられる。結晶型酸化物は第１の薄膜層１９５ａにおいて０〜１０％の重さ比率を有する。
【００３０】
また、第１の薄膜層１９５ａ上の一部に単結晶のＭｇＯナノパウダー入りのパーチクルが一種の群集状に第２の保護膜１９５ｂをなすため、全体として保護膜１９５の表面が平坦ではなく、凹凸状を呈してしまう。このため、プラズマディスプレイパネルのガスが放電する間に紫外線イオンが保護膜１９５に衝突する表面積が増大して二次電子の放出量が増大し、しかも、放電開始電圧を低めることができることから、結果として、放電効率を高めてジッターを低減する。
【００３１】
一方、アドレス電極１２０が第２または背面パネルまたは基板１１０の一方の面に前記サステイン電極対と交差する方向に沿って形成され、白色誘電層１３０がアドレス電極１２０を覆いながら背面基板１１０の全体の表面上に形成される。白色誘電層１３０は印刷法若しくはフィルムラミネート法により塗布された後、焼成工程を通じて形成される。そして、隔壁１４０が白色誘電層１３０の上に各アドレス電極１２０の間に配置されるように形成される。そして、隔壁１４０はストライプ型、ウェル型若しくはデルター型でありうる。
【００３２】
ここで、ブラックトップ１４５ａが隔壁１４０の上に形成されてもよい。そして、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃがそれぞれの隔壁１４０の間に形成される。結局として、放電セルは背面基板１１０上のアドレス電極１２０と前面基板１７０上のサステイン電極対とが交差する個所に形成される。
【００３３】
以下、本発明によるプラズマディスプレイパネルにおける駆動装置の一実施形態を説明する。
【００３４】
図２に示すように、駆動装置２００は、データドライバー２７０と、スキャンドライバー２１０と、サステインドライバー２２０と、タイミングコントローラー２３０と、温度センサー２４０及びセットダウン制御信号発生器２５０を備えてなる。ここで、データドライバー２７０は、Ｘ１〜Ｘｍのアドレス電極にデータパルスを印加する。そして、スキャンドライバー２１０は、Ｙ１〜Ｙｍのスキャン電極に立ち上がりランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐ、立ち下がりランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ、スキャンパルスｓｃａｎ及びサステインパルスを供給する。なお、サステインドライバー２２０は、共通サステイン電極ＺにサステインパルスとＤＣ電圧を印加する。
【００３５】
タイミングコントローラー２３０は、データドライバー２７０と、スキャンドライバー２１０と、サステインドライバー２２０と、温度センサー２４０及びセットダウン制御信号発生器２５０を制御する。そして、温度センサー２４０は、パネルが駆動される周辺温度を感知しながら、ビット信号をセットダウン制御信号発生器２５０に供給する。そして、セットダウン制御信号発生器２５０は、ビット信号に対応する制御信号をスキャン駆動部２１０に供給する。
【００３６】
上述したプラズマディスプレイパネルの駆動装置の動作を詳述すると、以下の通りである。まず、温度センサー２４０は、所定のビット、例えば、４ビットの信号をセットダウン制御信号発生器２５０に供給する。そして、温度センサー２４０は、低温と高温においてそれぞれ異なるビット信号を生成する。例えば、温度センサー２４０は、パネルが駆動される周り温度が高温であるとき、「００００」のビット信号を生成して供給する。そして、温度センサー２４０から「００００」のビット信号を供給された後、セットダウン制御信号発生器２５０は、図３に示すように、周期Ｔ１を有する制御信号をスキャン駆動部２１０に供給する。
【００３７】
そして、セットダウン制御信号生成器２５０からＴ１の周期を有する制御信号を受信された後、スキャン駆動部２１０のＴ１の周期中に立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ波形をスキャン電極Ｙに供給する。このとき、立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ波形は放電セル内において多数の微細放電が起こる間に第１のピーク電圧Ｖｒ１まで立ち上げて放電セル内において壁電荷を生成する。
【００３８】
一方、温度センサー２４０は、パネルが駆動される周り温度が低温であるとき、「００１１」のビット信号を前記セットダウン制御信号生成器２５０に供給する。ここで、低温と高温は設定によるが、この実施形態においては常温以下の温度を低温とする。そして、前記ビット信号「００００」と「００１１」は温度によって異なる制御信号が供給されることを示すための実施形態に過ぎず、他の信号もまたこれに対応する。温度センサー２４０から「００１１」のビット信号を供給されたセットダウン制御信号生成器２５０は、図３に示すように、Ｔ２の周期を有する制御信号をスキャン駆動部２１０に供給する。
【００３９】
そして、セットダウン制御信号生成器２５０から周期Ｔ２を有する制御信号を供給された後、スキャン駆動部２１０は、後述するように、Ｔ２の周期中に立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ波形をスキャン電極Ｙに供給する。このとき、立ち上がりランプ波形は、放電セル内において多数回の微細放電を引き起こす間に第２のピーク電圧Ｖｒ２まで立ち上げて放電セル内に壁電荷を形成する。すなわち、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、放電セル内において安定してセットアップ放電を引き起こすために立ち上がりランプ波形の電圧値が高く設定される。
【００４０】
もし、パネルが駆動される周り温度が０℃よりも低ければ、温度センサー２４０は「０１１１」よりも高いビット信号を生成して、セットダウン制御信号生成器２５０に供給する。そして、セットダウン制御信号生成器２５０は、Ｔ２よりも長い周期を有する制御信号をスキャン駆動部２１０に供給する。同様に、パネルが駆動される周り温度が０℃よりも高くなると、温度センサー２４０は「０１１１」よりも低いビット信号を生成してセットダウン制御信号生成器２５０に供給する。そして、セットダウン制御信号生成器２５０は、Ｔ１とＴ２との間の周期を有する制御信号をスキャン駆動部２１０に供給する。
【００４１】
すなわち、この実施形態においては、高温が多数レベルの低温に分けられ、レベルが低くなるほどさらに高い電圧値を有する立ち上がりランプ波形をスキャン電極に供給する。
【００４２】
図４に基づき、本発明によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明する。図４は、図２に示す駆動装置によるプラズマディスプレイパネルがどのように駆動されるかを示す図である。
【００４３】
この実施形態において、低温においてプラズマディスプレイパネルに供給される駆動パルスと高温において供給される駆動パルスが異なっている。まず、高温においてプラズマディスプレイパネルが駆動されるとき、全体の画面が初期化されるための初期化期間、セルが選択されるためのアドレス期間及び選択されたセルの放電が維持されるためのサステイン期間に分けられて駆動される。
【００４４】
立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ波形が初期化期間においてセットアップ期間にスキャン電極Ｙに同時に印加される。立ち上がりランプ波形により全体の画面の放電セル内には微弱な放電が起こり、これにより、それぞれの放電セル内には壁電荷が生成される。前記立ち上がりランプ波形は第１のピーク電圧Ｖｒ１まで立ち上がる。
【００４５】
初期化期間にはセットダウン期間にスキャン電極Ｙに立ち下がりランプＲａｍｐ−ｄｏｗｎ波形が供給される。
【００４６】
セットアップ放電により生成された壁電荷及び／または空間電荷のうち不要な電荷を消去させ、全画面の放電セル内にアドレス放電に必要となる壁電荷を均一に残留させるために立ち下がりランプ波形は放電セル内に微弱な消去放電を引き起こす。
【００４７】
アドレス期間には負極性スキャンパルスｓｃａｎがスキャン電極Ｙに順次に印加されると共に、アドレス電極Ｘに正極性のデータパルスｄａｔａが印加される。
【００４８】
スキャンパルスとデータパルスとの電圧差と初期化期間に生成された壁電圧が加えられて、データパルスの印加された放電セル内にはアドレス放電が起こる。そして、アドレス放電により選択された放電セル内には壁電荷が生成される。そして、セットダウン期間とアドレス期間中に、サステイン電圧レベルＶｓの正極性直流電圧が共通サステイン電極Ｚに供給される。
【００４９】
そして、サステイン期間には、サステインパルスｓｕｓがスキャン電極Ｙと共通サステイン電極Ｚに交互に印加される。すると、アドレス放電により選択されたそれぞれの放電セルは、それぞれのサステインパルスｓｕｓが印加される度にスキャン電極Ｙと共通サステイン電極Ｚとの間に面放電の形でサステイン放電を引き起こすためにセル内の壁電圧とサステインパルスｓｕｓが加えられる。最後に、サステイン放電が完了した後には、狭いパルス幅の消去ランプ波形「ｅｒａｓｅ」が放電セル内の壁電荷を消去するために共通サステイン電極Ｚに供給される。
【００５０】
ここで、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるときには、全体の画面が初期化されるための初期化期間と、セルが選択されるためのアドレス期間及び選択されたセルの放電が維持されるためのサステイン期間に分けられて駆動される。
【００５１】
初期化期間において、立ち上がりランプ波形がセットアップ期間に全てのスキャン電極に同時に印加される。前記立ち上がりランプ波形は全体の画面のセル内に微弱な放電を引き起こし、これにより、セル内に壁電荷が生成される。ここで、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、スキャン電極に印加される立ち上がりランプ波形は、第１のピーク電圧Ｖｒ１よりも高い電圧値を有する第２のピーク電圧Ｖｒ２まで立ち上がることになる。すなわち、低温よりも高い温度において供給される立ち上がりランプ波形の傾斜は、低温において供給される立ち上がりランプ波形のそれは同じである。但し、高温における立ち上がりランプ波形は第１の周期Ｔ１中に供給されるのに対し、低温における立ち上がりランプ波形は第１の周期Ｔ１よりも長い第２の周期Ｔ２中に供給される。このため、低温において供給される立ち上がりランプ波形のピーク電圧Ｖｒ２の電圧レベルが高温において供給される立ち上がりランプ波形のピーク電圧Ｖｒ１よりも高く設定される。
【００５２】
上述したように、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、スキャン電極に高いピーク電圧が供給されると、スキャン電極と共通サステイン電極との間の電圧差がセル内において微細放電を安定して引き起こすために高くなることがある。
【００５３】
そして、セットダウン期間には立ち上がりランプ波形が供給された後、立ち上がりランプ波形のピーク電圧よりも低い正極性電圧から降下する立ち下がりランプ波形がスキャン電極に同時に印加される。セットアップ放電により生成された壁電荷及び／または空間電荷のうち不要な電荷を消去させ、全体の画面のセル内のアドレス放電に必要となる壁電荷を均一に残留させるために立ち下がりランプ波形はセル内に微弱な消去放電を引き起こす。
【００５４】
そして、アドレス期間には負極性スキャンパルスがスキャン電極に順次に印加されると共に、正極性のデータパルスがアドレス電極に印加される。ここで、データパルスが印加されるセルにアドレス放電を引き起こすために、スキャンパルスとデータパルスとの電圧差と初期化期間に生成された壁電圧が加えられる。そして、壁電荷がアドレス放電により選択されたセルの内に形成される。
【００５５】
一方、セットダウン期間とアドレス期間中に、サステイン電圧レベルの正極性直流電圧が共通サステイン電極Ｚに供給される。
【００５６】
サステイン期間には、サステインパルスがスキャン電極と共通サステイン電極に交互に印加される。すると、アドレス放電により選択されたそれぞれのセルはそれぞれのサステインパルスが印加される度にスキャン電極と共通サステイン電極との間に面放電の形でサステイン放電が起こるようにするためにセル内の壁電圧とサステインパルスが加えられる。最後に、サステイン放電が完了した後には、狭いパルス幅の消去ランプ波形がセル内の壁電荷を消去するために共通サステイン電極に供給される。
【００５７】
上述したように、この実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、放電電圧を効果的に下げるために２層構造の保護膜を設けることにより、輝度と放電効率を高め、且つ、ジッターを短縮させる。また、低温における誤放電を防ぐために、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、立ち上がりランプ波形の印加時間を高温における動作時よりも長く設定することにより、安定したセットアップ放電を達成することができる。
【００５８】
図５Ａから図５Ｋは、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法の一実施形態を示す図である。
【００５９】
図５Ａから図５Ｋを参照すると、先ず、図５Ａに示すように、第１の前面パネル、または基板１７０の上に透明電極１８０ａ、１８０ｂとバス電極１８０ａ’、１８０ｂ’が形成される。ここで、前面パネル１７０はディスプレイ基板用のガラスまたはソーダライムガラスをミリング及びクリーニングして製造される。そして、透明電極１８０ａ、１８０ｂはスパッタリングによるフォトエッチング法またはＣＶＤによるリフトオフ法またはこれに類似する方法によりＩＴＯまたはＳｎＯ２から形成される。
【００６０】
そして、バス電極１８０ａ’、１８０ｂ’は銀（Ａｇ）などの材料をスクリーン印刷法、感光性ペースト法またはこれに類似する方法により形成される。また、ブラックマトリックスがサステイン電極対の上に形成される。ブラックマトリックスは、低融点ガラスまたは黒色顔料またはこれに類似する材料をスクリーン印刷法、感光性ペースト法、またはこれに類似する方法により形成される。
【００６１】
次いで、図５Ｂに示すように、誘電体１９０が透明電極１８０ａ、１８０ｂとバス電極１８０ａ’、１８０ｂ’の形成された前面パネル１７０の上に形成される。ここで、誘電体１９０は低融点ガラスを含む材料をスクリーン印刷法やコーティング法、グリーンシートをラミネートする方法、またはこれに類似する方法により積層される。誘電体１９０は一対のサステイン電極を含む前面パネル１７０の上に第１の誘電体をコーティングし、第１の誘電体の上にフラットではない表面を有する第２の誘電体をコーティングすることにより前面パネル１７０の上に形成される。
【００６２】
次いで、図５Ｃに示すように、誘電体の上に保護膜１９５が蒸着される。保護膜１９５は第１の保護膜１９５ａと第２の保護膜１９５０ｂとからなる。第１の保護膜１９５ａは誘電体１９０の上に形成される。そして、シリコン（Ｓｉ）などの不純物が含まれうる。ここで、第１の保護膜１９５ａは化学的な気相蒸着（ＣＶＤ）法、電子ビーム法、イオンめっき法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法、またはこれに類似する方法により形成可能である。このとき、第１の保護膜１９５ａ内にシリコンがドープされると、アドレス期間のジッター値が下がるが、シリコンの含有量が一定値以上に高くなると、ジッター値が増加する。このため、シリコンはジッター値が最小化する範囲にドープすることが好ましく、最適な含量として第１の保護膜１９５ａ内に２０〜５００ｐｐｍの割合にて含むことが好ましい。
【００６３】
そして、ジッター値を低減するためにシリコンの代わりに他の物質が不純物として使用可能である。
【００６４】
さらに、第２の保護膜１９５０ｂが１保護膜１９５ａの上に図５Ｃに示すように形成される。ここで、第２の保護膜１９５ｂは単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーを含んでなる。そして、第２の保護膜１９５ｂは化学的な気相蒸着法、電子ビーム法、ゾル−ゲル法、イオンめっき法、スパッタリング法、またはこれに類似する方法により形成される。単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーは液体、ミリング処理により形成された液体、酸化マグネシウム薄膜の上に前記液体をコーティングし、前記液体を乾燥するためにソルベント、分散剤及び単結晶の酸化マグネシウムナノ分子を混ぜ合わせることにより形成される。前記液体はスクリーン出力法、分配法、写真法、インクジェット方法のうちいずれかを用いて形成される。単一クリスタル酸化マグネシウムナノパウダーはガスの状態の材料を得るために２−２０ｓｃｃｍの酸化物と０−１８％アルゴンを供給することにより形成される。そして、第２の保護膜１９５ｂ内における単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーはサイズが５０〜１００マイクロメートルである。ここで、用語「サイズ」は結晶が球状であれば直径を意味し、六面体の形状であれば1辺の長さを意味する。用語「単結晶」は結晶の全体が一定の結晶軸に沿って規則的に生成された固体を意味する。単結晶は配向の異なる小さな単結晶の集まりである多結晶とは区別される。
【００６５】
そして、図５Ｄに示すように、アドレス電極１２０が第２の背面パネルまたは基板１１０の上に形成される。ここで、背面基板１１０はディスプレイ基板用のガラスまたはソーダライムガラスをミリング、クリーニング、またはこれに類似する加工を施すことにより形成される。
【００６６】
次いで、背面基板１１０の上にアドレス電極１２０を形成する。アドレス電極１２０は銀（Ａｇ）などの材料をスクリーン印刷法、感光性ペースト法、スパッタリング後フォトエッチング法、またはこれに類似する方法により形成される。
【００６７】
そして、図５Ｅに示すように、誘電体１３０がアドレス電極１２０付き背面基板１１０の上に形成される。前記誘電体１３０は低融点ガラスとＴｉＯ２などの充填剤を含む材料をスクリーン印刷法、グリーンシートのラミネート、またはこれに類似する方法により形成される。ここで、下板誘電体１３０はプラズマディスプレイパネルの輝度を高めるために白色を示すことが好ましい。
【００６８】
次いで、図５Ｆから図５Ｉに示すように、隔壁がそれぞれの放電セルを区切るために形成される。このとき、隔壁材料１４０ａは、母相ガラスと充填剤を含んでなる。母相ガラスはＰｂＯとＳｉＯ２とＢ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３を含み、充填剤はＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む。
【００６９】
そして、図５Ｇに示すように、ブラックトップ材料１４５ａが隔壁材料１４０ａの上に塗布される。ここで、ブラックトップ材料１４５ａは、ソルベントと無機パウダー及び添加剤を含む。そして、無機パウダーはガラスフリットとブラック顔料を含む。次いで、隔壁材料１４０ａとブラックトップ材料１４５ａは隔壁とブラックトップを形成するためにパターニングされる。
【００７０】
このとき、パターニング工程はマスクを覆い被せて露光した後、現像することにより行われる。すなわち、隔壁材料１４０ａとブラックトップ材料１４５ａがアドレス電極１２０に対応する部分に位置する不透明な領域を有するマスク１５５を位置付けて露光されると、現像及び焼成工程後には隔壁材料１４０ａとブラックトップ材料１４５ａの光を照射された個所だけが残されて誘電体１３０の上に隔壁とブラックトップが形成される。ここで、ブラックトップ材料にフォトレジスト成分が含まれていると、隔壁及びブラックトップ材料のパターニングが容易に行われる。なお、ブラックトップ材料と隔壁材料を一緒に焼成すると、ブラックトップ材料内の無機パウダーと隔壁材料内の母相ガラスとの結合力が増大されて耐久性の強化を期待することができる。
【００７１】
次いで、図５Ｊに示すように、蛍光体１５０が下板誘電層１３０のうち放電空間と、隔壁の側面に接する誘電体１９０の下部パネルの表面の領域に塗布される。Ｒ、Ｇ、Ｂ蛍光体１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃはスクリーン印刷法や感光性ペースト法またはこれに類似する方法によりそれぞれの放電セルに沿ってＲ、Ｇ、Ｂの順に塗布される。
【００７２】
そして、図５Ｋに示すように、上部パネル及び下部パネル１７０、１１０は隔壁を挟んで貼り合わせられる。貼り合わせられた両パネルが封止された後、内部の不純物がパネルの外部に排気され、放電ガス１６０がパネルの内部に注入される。
【００７３】
次いで、上述した駆動装置が上部パネルと下部パネルに連結される。ここで、駆動装置は、図２に示すように、データドライバーとスキャンドライバーとサステインドライバーとタイミングコントローラーと温度センサー及びセットダウン制御信号発生器を備える。ここで、データドライバーはデータパルスを印加するためにアドレス電極に連結される。そして、スキャンドライバーは立ち上がりランプ波形、立ち下がりランプ波形、スキャンパルス及びサステインパルスを供給するためにスキャン電極に連結される。なお、サステインドライバーはサステインパルスとＤＣ電圧を共通サステイン電極に印加する。
【００７４】
さらに、タイミングコントローラーはデータドライバーとスキャンドライバーとサステインドライバーと温度センサー及びセットダウン制御信号発生器を制御する。そして、温度センサーはプラズマディスプレイパネルが駆動される周りの温度を感知しながら、ビット信号をセットダウン制御信号発生器に供給する。そして、セットダウン制御信号発生器は前記ビット信号に対応する制御信号を前記スキャン駆動部に供給する。
【００７５】
プラズマディスプレイパネルの他の詳細な事項はアメリカ特許番号６，８３８，８２８Ｂ２、６，４７９，９３５、６，６８０，５７３、６，６３０，７８８、６，６２１，２３０Ｂ２、６，９０６，６９０Ｂ２、６，７９１，５１６Ｂ２、６，６２４，５８７Ｂ２、及び７，１８７，３４６から明らかになる。なお、ここで記述された実施形態は種々のメーカーにより製造されたディスプレイパネルまたはプラズマディスプレイパネルに容易に適用可能である。
【００７６】
以上述べたように、ここで記述された本発明の実施形態が種々の特徴とメリットを有するプラズマディスプレイパネルとこの製造方法を提供する。例えば、ここで記述されたこの実施形態によるプラズマディスプレイパネルは効率よく放電電圧を減少するために二重保護膜を備えることにより、製造コストを低減するために電力消費を減らし、輝度と放電効率を高める。
【００７７】
また、プラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、立ち上がりランプ波形の印加時間が高温においてより長く設定されることにより、安定したセットアップ放電を達成することができる。この点は低温において誤放電を防ぐことができる。
【００７８】
ここで記述されたこの実施形態は従来の技術の限界と短所による１以上の問題点を実質的に除去したプラズマディスプレイパネルとこの製造方法に関する。
【００７９】
ここで記述されたこの実施形態は効率よく放電電圧を減少するプラズマディスプレイパネルとこの製造方法を提供することにより、製造コストを削減するために電力消費を減らし、輝度と放電効率を高める。
【００８０】
また、ここで記述されたこの実施形態はプラズマディスプレイパネルが低温において駆動されるとき、立ち上がりランプ波形の印加時間が高温において異なるように設定されたプラズマディスプレイパネルとこの製造方法を提供することにより、安定したセットアップ放電を達成し、低温における誤放電を防ぐ。
【００８１】
ここで記述された本発明の実施形態によれば、本発明のプラズマディスプレイパネルはアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び少なくとも一つの隔壁が設けられた第１のパネルと、第１及び第２のパネルの間に隔壁を挟んで第１のパネルの上に組み付けられ、サステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーが含まれている保護膜を有する第２の基板と、プラズマディスプレイパネルの温度に応じて異なる期間に立ち下がりランプ波形を与える駆動装置と、を備える。
【００８２】
ここで記述された本発明の他の実施形態によれば、本発明によるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１の基板の上にアドレス電極、誘電体、蛍光体、及び隔壁を形成するステップと、第２の基板の上にサステイン電極対と、誘電体、及び３００〜５００ナノメートルの波長領域において陰極線発光が最大値を有する単結晶の酸化マグネシウムナノパウダーが含まれている保護膜を形成するステップと、第１及び第２の基板を組み合わせるステップと、スキャンドライバーと前記プラズマディスプレイパネルの温度を測定する温度センサーと、温度センサーの出力信号に基づいて制御信号を生成してスキャンドライバーに制御信号を与える制御信号発生器を用意するステップと、前記駆動装置を前記アドレス電極と前記サステイン電極対に連結するステップと、を含んでなる。
【００８３】
一つの実施形態、実施例、例として挙げた実施などの本明細書における任意の参照はこの実施形態と関連して記述された特別な特徴、構成、特性が本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれるという意味である。この明細書において複数の部分におけるこのような表現はこの実施形態において必ずしも全て参照されるわけではない。なお、特別な特徴、構成、または特性が任意の実施形態と関連して記述されたとき、この実施形態の他の一つと関連するこのような特徴、構成、または特性を達成するために本発明が属する技術分野における通常の知識を持った者の範囲内にあることに準拠することになる。
【００８４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から明らかなように、本発明が属する技術分野における通常の知識を持った者により変形可能であっても、このような変形は本発明の範囲に属する。特に、種々の変形と模倣が部品及び／または本文、図面及び特許請求の範囲内において主題結合配列の配列が可能であろう。なお、部品及び／または配列において変形と模倣は本発明が属する技術分野における通常の知識を持った者が選択的に使用可能であることが明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
参照符号が同じ要素として参照されるこの実施形態は添付図面に基づいて詳述される。
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの放電セルの構造を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示す図である。
【図３】図２に示すセットダウン制御信号発生器において発生された制御信号を示す図である。
【図４】図２に示す駆動装置によるプラズマディスプレイパネルの駆動を示す図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｅ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｆ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｇ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｈ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｉ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｊ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図５Ｋ】本発明の一実施形態によるプラズマディスプレイパネルの製造方法を示す図である。
【図１】
2009048175.tif 000003
【図２】
2009048175.tif 000004
【図３】
2009048175.tif 000005
【図４】
2009048175.tif 000006
【図５Ａ】
2009048175.tif 000007
【図５Ｂ】
2009048175.tif 000008
【図５Ｃ】
2009048175.tif 000009
【図５Ｄ】
2009048175.tif 000010
【図５Ｅ】
2009048175.tif 000011
【図５Ｆ】
2009048175.tif 000012
【図５Ｇ】
2009048175.tif 000013
【図５Ｈ】
2009048175.tif 000014
【図５Ｉ】
2009048175.tif 000015
【図５Ｊ】
2009048175.tif 000016
【図５Ｋ】
2009048175.tif 000017