(57)【要約】【課題】コモン電極１０８の電圧を変化させる構成において、横方向に発生する表示むらを抑える。【解決手段】画素１１０は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された蓄積容量とを含む。コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれにおいてＴＦＴ１７１を有する。ここで、あるｉ行目のコモン電極１０８は、ｉ行目の走査線に選択電圧を印加する期間の時間的に前方寄りの第１期間と後方寄りの第２期間とのうち、第２期間において低位電圧または高位電圧のいずれか一方を印加する。第２期間において第１電圧を印加する場合には、予め第１期間において第１電圧よりもさらに低位の第３電圧を印加し、第２期間において第２電圧を印加する場合には、予め第１期間において第２電圧よりもさらに高位の第４電圧を印加する。【選択図】図１
2009162983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第１期間と後方寄りの第２期間とのうち、前記第２期間において第１電圧または前記第１電圧よりも高位側の第２電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第２期間において前記第１電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第１電圧よりもさらに低位の第３電圧を印加し、
前記第２期間において前記第２電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第２電圧よりもさらに高位の第４電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、
前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、
前記第２期間において前記検出線が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記コモン信号出力回路は、
前記第１期間において前記第３または第４電圧となり、前記第２期間において前記第１または第２電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、
前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第１期間においてオンし、前記第２期間においてオフする第１スイッチと、
前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第１期間に
おいてオフし、前記第２期間においてオンする第２スイッチと、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記コモン信号出力回路は、
一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、第１乃至第４トランジスタの組を有し、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのソース電極が第１コモン信号を給電する第１給電線に接続され、
前記第２トランジスタは、ソース電極が第２コモン信号を給電する第２給電線に接続され、
前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、
前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第１ゲート信号が供給される第１信号線に接続され、ドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第４トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第２ゲート信号が供給される第２信号線に接続され、ドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第１および第２ゲート信号は、前記第１および第２トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第１給電線を介してするか、前記第２給電線を介してするかについて規定する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第１給電線を介してする場合に、前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、前記第２期間において前記検出線の電圧が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第１コモン信号として前記第１給電線に出力する一方、
前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第２給電線を介してする場合に、前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、前記第２期間において前記検出線の電圧が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第２コモン信号として前記第２給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
前記第１および第２ゲート信号は、
一のコモン電極に対する給電を、前記第１給電線を介してする場合と、前記第２給電線を介してする場合とで交互とするように決定する
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項９】
前記コモン電極の各々に対応して、当該一のコモン電極と検出線との間に電気的に介挿された検出容量と、
前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、
前記第２期間において前記検出線の電圧が前記第１または第２電圧となるように制御し
た電圧を、
それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項１０】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加し、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第１期間と後方寄りの第２期間とのうち、前記第２期間において第１電圧または前記第１電圧よりも高位側の第２電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第２期間において前記第１電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第１電圧よりもさらに低位の第３電圧を印加し、
前記第２期間において前記第２電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第２電圧よりもさらに高位の第４電圧を印加し、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１１】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、
を含む画素と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第１期間と後方寄りの第２期間とのうち、前記第２期間において第１電圧または前記第１電圧よりも高位側の第２電圧のいずれか一方を印加するとともに、
前記第２期間において前記第１電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第１電圧よりもさらに低位の第３電圧を印加し、
前記第２期間において前記第２電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第２電圧よりもさらに高位の第４電圧を印加するコモン電極駆動回路と、
前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際に、データ線の電圧振幅を抑えるために、コモン電極を走査線毎（行毎）に個別化するとともに、走査線が選択されるときに、当該選択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を２値電圧のいずれかとする際に、コモン電極に至るまでの抵抗が大きいと、表示むらの発生原因となる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線に選択電圧が印加されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、選択した走査線に選択電圧を印加する走査線駆動回路と、前記選択電圧が印加される走査線に対応して設けられたコモン電極に対し、前記選択電圧が印加される期間の時間的に前方寄りの第１期間と後方寄りの第２期間とのうち、前記第２期間において第１電圧または前記第１電圧よりも高位側の第２電圧のいずれか一方を印加するとともに、前記第２期間において前記第１電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第１電圧よりもさらに低位の第３電圧を印加し、前記第２期間において前記第２電圧を印加する場合には、予め前記第１期間において前記第２電圧よりもさらに高位の第４電圧を印加するコモン電極駆動回路と、前記選択電圧が印加された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、それぞれデータ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、一のコモン電極は、画素容量に電圧を書き込むために走査線に選択電圧が印加される期間において、電圧変化方向に過剰に振った第３（第４）電圧が印加された後に、第１（第２）電圧が印加されるので、選択電圧の印加終了時において、コモン電極に至るまでの抵抗が大きくても、第１（第２）電圧に近づけることができる。
【０００５】
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極がコモン信号を給電する給電線に接続されて、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極は、前記給電線を介して給電される構成が好ましい。
この構成において、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモ
ン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、前記第２期間において前記検出線が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記コモン信号として前記給電線に出力するコモン信号出力回路とをさらに備えるのが好ましい。
選択電圧の印加期間のうち、時間的に前方寄りの第１期間では、コモン電極と検出線との電圧差が大きい場合があるので、検出線の電圧をいきなり第１（第２）電圧となるように制御すると、電流が多く流れたり、発振したりする不具合が発生する可能性がある。この構成では、第１期間では、そのような制御を行わず、バッファリングだけを行って、電圧差が小さくなるようにした上で、その後の第２期間で、上記制御を行うので、上記不具合の発生が抑えられる。
このようなコモン信号出力回路の構成としては、前記第１期間において前記第３または第４電圧となり、前記第２期間において前記第１または第２電圧となる目標信号を非反転入力端に入力し、出力端が前記給電線に接続されたオペアンプと、前記オペアンプの出力端と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第１期間においてオンし、前記第２期間においてオフする第１スイッチと、前記検出線と前記オペアンプの反転入力端との間に電気的に介挿され、前記第１期間においてオフし、前記第２期間においてオンする第２スイッチと、を含むことが考えられる。
また、前記コモン信号出力回路は、一の走査線に選択電圧が印加される期間のうち、時間的に前方の期間において前記給電線と前記検出線との間でオンする補助スイッチを、さらに有する構成としても良い。このような構成によれば、補助スイッチがオンしたときに、コモン信号出力回路によって出力されるコモン信号を、給電線およびトランジスタを介した経路とともに、検出線および補助スイッチを介した経路によってもコモン電極に供給することができる。
【０００６】
また、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、第１乃至第４トランジスタの組を有し、一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタは、ソース電極が第１コモン信号を給電する第１給電線に接続され、前記第２トランジスタは、ソース電極が第２コモン信号を給電する第２給電線に接続され、前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第１ゲート信号が供給される第１信号線に接続され、ドレイン電極が前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、前記第４トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電極は、第２ゲート信号が供給される第２信号線に接続され、ドレイン電極が前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、前記第１および第２ゲート信号は、前記第１および第２トランジスタを互いに排他的にオンオフさせる電圧であるとともに、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極に対する給電を、前記第１給電線を介してするか、前記第２給電線を介してするかについて規定する構成としても良い。この構成によれば、コモン電極が第１または第２給電線に非選択期間でも接続されるので、電位が不確定となる期間をなくす、または、極力少なくすることができる。
【０００７】
また、前記コモン電極の各々に対応して設けられ、各々は、当該一のコモン電極に対応する走査線に前記選択電圧が印加されたときに、当該一のコモン電極と検出線との間でオンする検出用スイッチング素子と、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第１給電線を介してする場合に、前記第１期間において前記第３または第４電圧をバッファリングした電圧を、前記第２期間において前記検出線の電圧が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第１コモン信号として前記第１給電線に出力する一方、前記選択電圧が印加される走査線に対応するコモン電極への給電を、前記第２給電線を介してする場合に、前記第１期間において前記第３または第
４電圧をバッファリングした電圧を、前記第２期間において前記検出線の電圧が前記第１または第２電圧となるように制御した電圧を、それぞれ前記第２コモン信号として前記第２給電線に出力するコモン信号出力回路と、をさらに有する構成としても良い。この構成によれば、電流が多く流れたり、発振したりする不具合の発生が抑えられる。
さらに、前記第１および第２ゲート信号は、一のコモン電極に対する給電を、前記第１給電線を介してする場合と、前記第２給電線を介してする場合とで交互とするように決定する構成としても良い。この構成によれば、第１および第２トランジスタのオン期間が短くなるので、特性劣化を防止することができる。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、駆動方法としても、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。
【００１０】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向に延在して設けられている。
【００１１】
画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１２】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０および蓄積容量１３０の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれコモン電極１０８に接続されている。
図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目
のコモン電極１０８の電圧を示している。なお、これらの画素容量１２０の光学特性等については、後述する。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするとともに、コモン信号Ｖcを、給電線１６１を介してコモン
電極駆動回路１７０に供給する。
【００１４】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、走査線１１２を図１において上から数えて１、２、３、…、３２０行目という順番で選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧Ｖssに相当するＬレベルとする。
なお、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給されるスタートパルスＤyを、クロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を、この順番でＨレベルとさせる。
また、本実施形態において１フレームの期間には、同図に示されるように、走査信号Ｙ１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの垂直有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、１行の走査線１１２が選択される
期間が水平走査期間Ｈである。
【００１５】
コモン電極駆動回路１７０は、本実施形態では、１〜３２０行目のコモン電極１０８に対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１７１（トランジスタ）から構成される。ここで、ｉ行目のコモン電極１０８に対応るするＴＦＴ１７１について説明すると、当該ＴＦＴ１７１のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が給電線１６１に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
【００１６】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線（選択走査線）に位置する画素１１０に対して、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線１１４に供給するものである。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によって変更後の表示データＤaが供給されて記憶領域の内容が書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶
領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択走査線位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
【００１７】
また、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングとなる。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを１フレーム
の期間開始からカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのかを知り、
さらに、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知る
ことができる。
【００１８】
書込極性は、制御回路２０によって出力される極性指定信号Ｐolによって指定される。詳細には、極性指定信号Ｐolは、本実施形態では図４に示されるように、ある１フレームの期間（「ｎフレーム」と表記）において、奇数１、３、５、…、３１９行への走査信号がＨレベルとなる期間においてＨレベルとなって正極性書込を指定し、偶数２、４、６、…、３２０行への走査信号がＨレベルとなる期間においてＬレベルとなって負極性書込を指定する。このため、本実施形態では、画素への書き込み極性が、走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。
また、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行への走査信号がＨレベルとなる期間においてＬレベルとなり、偶数行への走査信号がＨレベルとなる期間においてＨレベルとなって、ｎフレームと比較して各行について書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧よりも画素電極１１８の電位を高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。
【００１９】
コモン信号Ｖcは、極性指示信号Ｐolによって、ある行の画素に対して正極性書込が指
定されていれば、当該行への走査信号がＨレベルとなる期間のうち、時間的に前方寄りの期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、残りの期間である時間的に後方寄りの期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該行への走査信号が
Ｈレベルとなる期間のうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbにおい
て電圧Ｖshとなる。
ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧Ｖsl（第１電圧）が、電圧Ｖsh（第２電圧）よりも相対的に低い電圧となっている。
【００２０】
さて、本実施形態において、表示領域１００は、素子基板と対向基板との一対の基板同士を、一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。ここで、素子基板には、上述した走査線１１２や、データ線１１４、コモン電極１０８、画素電極１１８およびＴＦＴ１１６、１７１が形成されて、この電極形成面が対向基板と対向するように貼り合わせられる。この構成のうち、表示領域１００とコモン電極駆動回路１７０との境界付近を平面的に示したものが図３である。
【００２１】
図３からも判るように、表示領域１００は、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。また、本実施形態では、ＴＦＴ１１６、１７１は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側（紙面奥側）に位置するボトムゲート型である。
詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングによって、走査線１１２や、コモン電極１０８、接続配線が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴの半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、櫛歯形状の画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、ＴＦＴのソース電極や、ドレイン電極とともに、データ線１１４、給電線１６１のほか、各種の接続電極を形成されている。
【００２２】
本実施形態において、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。また、素子基板と対向基板との間隙
には、液晶も封入されるので、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によっても容量成分が生じる。本実施形態では、この液晶を介したことによる容量成分が、画素容量１２０となっている。
この構成においては、画素容量１２０と蓄積容量１３０との並列容量の保持電圧に応じた電界が、素子基板面に沿い、かつ、画素電極１１８の櫛歯と直交するＸ方向に発生して、液晶の配向状態を変化させる。これにより、偏光子（図示省略）を通過する光量は、当該保持電圧の実効値に応じた値となる。
なお、本実施形態では、ＦＦＳモードとしたが、ＩＰＳモードとしても良いし、電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、他のモードであっても良い。
【００２３】
上記並列容量の保持電圧は、画素電極１１８およびコモン電極１０８の差電圧であるから、ｉ行ｊ列の画素を目的の階調とするには、走査信号ＹｉをＨレベルにして、ＴＦＴ１１６を導通（オン）状態とさせるとともに、上記差電圧が画素の階調に応じた値なるような電圧のデータ信号Ｘｊを、ｊ列目のデータ線１１４と、ｉ行ｊ列でオンしたＴＦＴ１１６とを介して画素電極１１８に供給すれば良いことになる。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
【００２４】
一方、各行の走査線１１２は、表示領域１００においては上述したようにＸ方向に延在して設けられる。ここで、ｉ行目の走査線１１２は、コモン電極駆動回路１７０においてＹ（下）方向に分岐する部分を有し、この分岐部分がＴＦＴ１７１のゲート電極となっている。
また、ＴＦＴ１７１のドレイン電極１０８ａは、上記第３導電層をパターニングしたものであるが、ゲート電極層をパターニングしたコモン電極１０８との間には絶縁層が介在するので、両者電極同士は、当該絶縁層を貫通するコンタクトホール１０８ｂ（図において×印で表記）によって接続される。
なお、各行のコモン電極１０８は、１〜２４０列目のデータ線１１４とは絶縁層を介して交差するので、図２において破線で示されるように、寄生容量を介して互いに容量結合することになる。
【００２５】
図３に示した構成は、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、コモン電極駆動回路１７０の素子を表示領域１００と同じプロセスで基板上に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板に実装する構成としても良い。ＩＣチップを素子基板に実装する場合、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。一方で、制御回路２０については、素子基板に造り込む構成としても良い。
また、本実施形態については、透過型や、反射型、さらには、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。このため、反射層等については特に言及していない。
【００２６】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになるとともに、極性指定信号ＰolがＨレベルとなって１行目に対しては正極性書込が指定される。
走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、
データ線駆動回路１９０は、１行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読
み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを
基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０に対して指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖslよりも高位側とした電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
【００２７】
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、１行目のＴＦＴ１７１がオンするので、１行目のコモン電極１０８が給電線１６１に接続される。ｎフレームにおいて走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間Ｈでは正極性書込が指定されるので、コモン信号Ｖcは、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において１行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖslとなるので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００２８】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするとともに、コモン電極駆動回路１７０にあっては、１行目のＴＦＴ１７１もオフする。
このため、１行１列〜１行２４０列の各画素１１０にあっては、それぞれ画素電極１１８が、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態になるが、１行目のコモン電極１０８も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
【００２９】
また、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖshを基準に低位側とした電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、２行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電圧Ｖshよりも低
位側とした電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、２行目のＴＦＴ１７１がオンするので、２行目のコモン電極１０８が給電線１６１に接続される。ｎフレームにおいて走査信号Ｙ２がＨレベルとなる水平走査期間Ｈでは負極性書込が指定されるので、コモン信号Ｖcは、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖshとなる。したがって、当該水平走査期間の終了時において２行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖshとなるので、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３０】
次に走査信号Ｙ２がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ３がＨレベルになる。走査信号Ｙ２がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするとともに、２行目のＴＦＴ１７１もオフする。このため、２行１列〜２行２４０列の各画素１１０にあっては、それぞれ画素電極１１８がハイ・インピーダンス状態になるが
、２行目のコモン電極１０８も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧状態がそのまま維持されることになる。
【００３１】
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、３行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に、走査信号Ｙ４がＨレベルになると、４行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
ｎフレームでは、以下同様な動作が３２０行目まで繰り返され、これにより、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれる。このように、すべての画素における並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域１００において１枚（フレーム）の画像が表示されることになる。
【００３２】
次の（ｎ＋１）フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転されるので、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３３】
このような電圧の書き込みについて図５を参照して説明する。図５は、奇数ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、偶数（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８にお
ける電圧Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す
図である。
コモン信号Ｖcは、ｎフレームにおいて、奇数行への走査信号がＨレベルになる水平走
査期間Ｈのうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖsl
となる。このため、奇数ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉについても、同図に示されるように、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈのうち、期間Ｈaにおいて電圧
（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなるはずである。一方、ｊ列目のデータ線１１４には、当該電圧Ｖslよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行目のＴＦＴ１１６がオンするので、ｉ行ｊ列の画素電極１１８はデータ信号Ｘｊの電圧となり、これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電
圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。なお、図５において、上記差電圧はハッチングを付した部分に相当する。
【００３４】
走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ１１６、１７１がオフするので、ｉ行目にあっては各画素電極１１８とともに、ｉ行目のコモン電極１０８もハイ・インピーダンス状態になり、ｉ行目の各列において書き込まれた電圧がそのまま保持されることになる。なお、図において、電圧Ｃｉの破線部分は、ハイ・インピーダンス状態にあることを示している。
【００３５】
１フレームの期間が経過して、再び走査信号ＹｉがＨレベルになったときに、負極性書込が指定されるので、奇数ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈのうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈb
において電圧Ｖshとなるはずである。一方、ｊ列目のデータ線１１４には、当該電圧Ｖshよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、階調に応じた負極性電圧が書き込まれることになる。
なお、ｉ行目に対して正極性書込が指定されるｎフレームでは、（ｉ＋１）行目に対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定される（ｎ＋１）フレームにおいては、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されて、走査線毎に反転することになる。
【００３６】
このような第１実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。
【００３７】
ところで、本実施形態において、例えばｉ行目のコモン電極１０８は、ｉ行目に対し正極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈのうち、時間的に前方寄りの期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、時間的に後方寄りの期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなる一方、負極性書込が指定されていれば、当該水平走査期間のう
ち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖshとなるコモン
信号Ｖcが、オン状態となったＴＦＴ１７１を介して印加される。
このように走査線への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間Ｈにおいて、コモン電極への電圧を２段階に分けて印加する場合の効果を説明する前に、２段階にわけないで電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方のみを印加する構成の問題について説明する。
【００３８】
走査信号ＹｉがＨレベルになってｉ行目に対応するＴＦＴ１１６がオンしたとき、画素容量１２０と蓄積容量１３０とには、それぞれデータ信号に応じた電圧が充電される。このときの充電電流は、ｉ行目のコモン電極１０８を介して、オンしたＴＦＴ１７１に流れることになる。ここで、各行のコモン電極１０８には、実際には、様々な容量が寄生するとともに、ＴＦＴ１７１のオン抵抗によって、一種の積分回路が形成される。このため、ｉ行目のコモン電極１０８において、正極性書込が指定されている場合に走査信号がＨレベルとなったときの電圧Ｖshから電圧Ｖslへの変化は、理想的にパルス的ではなく、図６（ａ）に示されるように波形鈍りが生じる。
【００３９】
さらに、１〜３２０行目のコモン電極１０８は、それぞれ１〜２４０列目のデータ線１１４と電気的な絶縁を保ちつつ交差するので、図２において破線で示されるように、各列のデータ線１１４と容量を介して結合する。このため、各行のコモン電極１０８は、データ線１１４の電圧変化の影響も受けることにもなる。
【００４０】
ここで、データ線の電圧変化方向は、表示領域１００での表示内容に応じて定まるが、例えばｉ行目のコモン電極１０８では、走査信号ＹｉがＨレベルとなるときの当該ｉ行目のコモン電極における電圧変化方向がデータ線の電圧変化と反対方向であるときに、ｉ行目のコモン電極１０８がデータ線１１４の電圧変化により受ける影響が大きくなる。詳細には、正極性書込が指定された場合に走査信号ＹｉがＨレベルとなったとき、ｉ行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖshから電圧Ｖslに向かって下降するが、データ線の電圧変化が上昇方向であれば、図６（ａ）に示されるような正方向の微分パルス（正ノイズ）が当該ｉ行目のコモン電極１０８に重畳される。
このため、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、実際には同図に示されるように、当該水平走査期間の終了タイミングでみたときに、電圧Ｖslから電圧ΔＶだけずれてしまう状態が発生する。走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに供給されるデータ信号は、電圧Ｖslを基準にして定められているので、波形鈍りやノイズによってｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖslから電圧ΔＶだけずれてしまうと、画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、階調に応じた電圧ではなく、当該階調に応じた電圧からΔＶだけシフトした電圧が保持されて、この保持された電圧に応じた光学特性（透過率または反射率）になってしまうことになる。
【００４１】
この現象は、ｉ行ｊ列だけでなく、ｉ行目のコモン電極１０８に対応する画素１行分についても同様に発生するので、横方向の表示むらとなって視認されることになる。
ここではｉ行目に対し正極性書込が指定された場合の波形鈍りと正ノイズとの影響について説明したが、負極性書込が指定された場合にも、方向が異なるだけで、同様な波形鈍りと負ノイズが発生するので、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、実際には図６（ｂ）に示されるように、電圧Ｖshから電圧ΔＶだけずれてしまう状態が発生する。さらに、ここではｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉについて説明しているが、隣接する（ｉ＋１）行でも同様に、すなわち１〜３２０行目でも同様に発生する。
【００４２】
なお、ＴＦＴ１７１のオン抵抗による波形鈍りとデータ線の電圧変化とでは、どちらの影響が支配的であるかについては、パネルの構成や駆動方法などの様々な条件が絡み合うので、一概には言えない。仮に、波形鈍りの影響が大きいのであれば、ＴＦＴ１７１のオン抵抗を小さくすれば良いが、ＴＦＴ１７１には大きなトランジスタサイズが要求される。ＴＦＴ１７１のトランジスタサイズが大きくなると、ＴＦＴ１７１を素子基板に内蔵する場合に、表示領域１００の外側面積（いわゆる額縁）が拡大してしまう。
いずれにしても各コモン電極１０８が、水平走査期間の終了時、すなわちＴＦＴ１７１がオフするタイミングまでに、正しく電圧Ｖslまたは電圧Ｖshに達していない状態が発生する。
【００４３】
これに対し、本実施形態では、ｉ行目に対し正極性書込が指定されていれば、コモン信号Ｖcは、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈのうち、前方寄りの期間Ｈaにて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、電圧Ｖshから電圧Ｖslに変化するに際して電圧Ｖaだけ過剰に振られる。このため、正ノイズが急速に減衰するので、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、実際には、図６（ｃ）に示されるようなものとなる。なお、この時点において、正ノイズは表示内容によっては完全に消失せず、または、コモン電極１０８の電圧Ｃｉは、目的の電圧Ｖslを通り超して、さらに低位側に振られてしまう場合もあり得るが、そのような場合であっても、電圧Ｖslからの差はごくわずかである。そして、後方寄りの期間Ｈbにてコモン信号Ｖcは目的の電圧Ｖslとなるので、正ノイズの影響は無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ｃｉをほぼ電圧Ｖslに収束させることができる。
なお、ｉ行目に対し負極性書込が指定されていれば、コモン信号Ｖcは、期間Ｈaにて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、電圧Ｖslから電圧Ｖshに変化するに際して電圧Ｖaだけ過剰に振られるので、図６（ｄ）に示されるように、負ノイズの影響も、無視できるほどに小さくなって、コモン電極の電圧Ｃｉをほぼ電圧Ｖshに収束させることができる。
【００４４】
したがって、本実施形態によれば、選択される行のコモン電極１０８を、水平走査期間の終了時までに、ほぼ電圧Ｖslまたは電圧Ｖshに収束させることができるので、上述したようにデータ線の電圧振幅を狭めつつ、横方向に発生する表示むらの発生を抑えることができる上に、ＴＦＴ１７１のオン抵抗等を小さくする必要もないので、額縁を狭くして、表示領域１００の面積拡大を図ることも可能となるのである。
【００４５】
＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、次のような応用・変形が可能である。すなわち、上述した第１実施形態では、走査線毎に書込極性を反転させたが、フレーム期間における書込極性を各行にわたって同一とする面反転（フレーム反転）方式としても良い。フレーム反転方式とする場合、極性指定信号Ｐol、コモン信号Ｖcについては、例えば図７に示されるよ
うなものとなる。
すなわち、面反転方式とする場合、極性指定信号Ｐolはフレーム期間毎に極性反転し、コモン信号Ｖcは、正極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間
のうち、期間Ｈaにて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなる一方、
負極性書込が指定されていれば、走査線に選択電圧が印加される期間のうち、期間Ｈaに
て電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖshとなる。
【００４６】
また、ＴＦＴ１７１の特性、特にオン抵抗は周辺温度によって変化する傾向があるので、コモン電極の電圧変化時における波形鈍りの程度が、温度に応じて変化する。このため、期間Ｈaにおいて電圧Ｖsl、Ｖshを振らす電圧±Ｖaを、温度に応じて変化させても良いし、１行の走査線に選択電圧が印加される水平走査期間Ｈにおいて、期間Ｈa、Ｈbの比率を変化させても良いし、電圧±Ｖaと期間Ｈa、Ｈbの比率との両者を変化させても良い。
【００４７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置について説明する。図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図８に示す構成が図１に示した第１実施形態と相違する部分は、主に各行に対応してＴＦＴ１７５が設けられている点、検出線１８５およびコモン信号出力回路３１を備える点、並びに、制御回路２０が目標信号Ｖcrefおよび期間指定信号Ｈsを出力する点である。
そこで以下については、これらの相違点を中心に説明することにする。
【００４８】
まず、コモン電極駆動回路１７０には、各行のコモン電極１０８に対応して検出用スイッチング素子として機能するＴＦＴ１７５がそれぞれ設けられている。ここで、ｉ行目のＴＦＴ１７５のゲート電極はｉ行目の走査線に１１２に接続され、ソース電極はｉ行目のコモン電極１０８に接続され、ドレイン電極は検出線１８５に接続されている。なお、検出線１８５は、各行のＴＦＴ１７５のドレイン電極に対して共通接続されている。
【００４９】
図９は、第２実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路１７０と表示領域１００の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示す構成は、ＴＦＴ１７５およびその周辺を除き、図３に示した例とほぼ同様である。ｉ行目のＴＦＴ１７５のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２からＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分である。また、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７１のドレイン電極１０８ａは、ｉ行目に対応するＴＦＴ１７５のソース電極を兼用しており、ゲート絶縁膜および保護層を貫通するコンタクトホール１０８ｂを介し、ｉ行目のコモン電極１０８に接続される。また、検出線１８５の幅広の部分が、ＴＦＴ１７５のドレイン電極となっている。
【００５０】
図１０は、コモン信号出力回路３１の構成を示す図である。
この図に示されるように、コモン信号出力回路３１は、オペアンプ３００と、スイッチ３１１、３１２と、ＮＯＴ回路３１５と、抵抗素子３１６とを有する。
オペアンプ３００の出力端は、給電線１６１およびスイッチ３１１の一端に接続され、検出線１８５がスイッチ３１２の一端に接続されている。スイッチ３１１、３１２の他端は、オペアンプ３００の反転入力端（−）にそれぞれ共通接続されている。換言すれば、スイッチ３１１（第１スイッチ）は、オペアンプ３００の出力端（給電線１６１）と反転入力端（−）との間に電気的に介挿され、スイッチ３１２（第２スイッチ）は、検出線１８５と反転入力端（−）との間に電気的に介挿されている。
【００５１】
一方、オペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、制御回路２０からの目標信号Ｖcrefが供給される。オペアンプ３００の出力端と反転入力端（−）との間にはスイッチ３１１のほか、抵抗素子３１６が挿入されている。
スイッチ３１１、３１２は、制御回路２０から供給される期間指定信号Ｈsの論理レベ
ルに応じて互いに排他的にオンオフする。詳細には、スイッチ３１１、３１２は、期間指定信号ＨsがＨレベルであれば、それぞれオン、オフし、期間指定信号ＨsがＬレベルであれば、それぞれオフ、オンする。
【００５２】
ここで、期間指定信号Ｈsは、図１１に示されるように、ある１行の走査線に選択電圧
が印加される水平走査期間Ｈのうち、前方寄りの期間ＨaにおいてＨレベルとなり、後方
寄りの期間ＨbにおいてＬレベルとなる信号である。一方、制御回路２０から供給される
目標信号Ｖcrefは、同図に示されるように、図４におけるコモン信号Ｖcと同波形である
。
【００５３】
このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行目のＴＦＴ１７５がオンするので、ｉ行目のコモン電極１０８は検出線１８５に接続される。ただし、期間Ｈaではスイッチ３１２がオフするので、検出線１８５の電圧はコモン信号出力回路３１の
出力に影響を与えない。
また、期間Ｈaでは、スイッチ３１１がオンするので、オペアンプ３００は、ボルテー
ジフォロワ回路となる。このため、期間Ｈaにおいてコモン信号出力回路３１は、目標信
号Ｖcrefの電圧をそのままバッファリングしてコモン信号Ｖcとして、給電線１６１に出
力することになる。
ここで、目標信号Ｖcrefは、期間Ｈaにおいて、ｉ行目に対して正極性書込が指定され
ていれば、電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、負極性書込が指定されていれば、電圧（Ｖsh＋Ｖa）となって、第２実施形態では、この電圧が給電線１６１にそのまま供給されるので、第１実施形態と同様に、波形鈍りやノイズの影響を急速に減衰させることができる。
【００５４】
次に、期間Ｈbにおいてスイッチ３１１、３１２がそれぞれオフ、オンして、検出線１
８５の電圧がオペアンプ３００の反転入力端（−）に帰還される。このため、期間Ｈbに
おいて、コモン信号出力回路３１は、検出線１８５の電圧が目標信号Ｖcrefの電圧となるように制御したコモン信号Ｖcを出力することになる。
ここで、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈでは、ｉ行目のＴＦＴ１７５によって検出線１８５にはｉ行目のコモン電極１０８の（実際の）電圧が現れる。一方、目標信号Ｖcrefは、期間Ｈbにおいて、ｉ行目に対して正極性書込が指定されていれば、電
圧Ｖslであり、負極性書込が指定されていれば、電圧Ｖshである。このため、コモン信号出力回路３１は、期間Ｈbにおいて、ｉ行目のコモン電極１０８に対して、正極性書込が
指定されていれば、電圧Ｖslとなるように、負極性書込が指定されていれば、電圧Ｖshとなるように、それぞれ負帰還制御する。
【００５５】
したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較すると、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈの終了時までに、ｉ行目のコモン電極１０８を、波形鈍りやノイズの程度によらずに、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方に、より正確に安定化させることが可能となる。
このため、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることができるだけなく、ＴＦＴ１７１のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、第１実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
また、例えばｉ行目のコモン電極１０８は、正極性書込の指定時に走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後では電圧Ｖshに近いので、電圧Ｖslとの差が大きく、負極性書込の指定時に走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後では電圧Ｖslに近いので、電圧Ｖshとの差が大きい。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈにわたってｉ行目のコモン電極１０８（検出線１８５）が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなるように負帰還制御する構成では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後において、オペアンプ３００で消費される電流が大きくなったり、オペアンプ３００が発振したりする可能性がある。しかしながら
、第２実施形態では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後の期間Ｈaでは、負帰還制御
ではなく、単なるボルテージフォロワ回路として機能するので、そのような可能性は極めて小さい。
なお、ここでは動作説明を、ｉ行目で代表させて説明しているが、１〜３２０行については同様に、順番に実行される。
【００５６】
＜第２実施形態の応用・変形＞
第２実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
詳細には、図１２に示されるように、コモン信号出力回路３１において、給電線１６１（オペアンプ３００の出力端）と検出線１８５との間に、例えば期間指定信号ＨsがＨレ
ベルであればオンするスイッチ３１８（補助スイッチ）を挿入しても良い。
上述したように期間Ｈaにおいて、オペアンプ３００は、ボルテージフォロワ回路とな
るので目標信号Ｖcrefの電圧がそのままコモン信号Ｖcとして給電線１６１に出力され、
オン状態にあるＴＦＴ１７１を介してコモン電極１０８に供給される。当該構成においてスイッチ３１８がオンしていると、給電線１６１が検出線１８５に接続されるので、コモン信号Ｖcは、スイッチ３１８、検出線１８５およびオン状態にあるＴＦＴ１７５という
経路によっても同じコモン電極１０８に供給される。すなわち、図１２に示される構成では、期間Ｈaにおいて、コモン信号Ｖcをコモン電極１０８に供給する経路が２通り存在することになる。
したがって、当該構成によれば、期間Ｈaにおいて、オペアンプ３００の出力端からコ
モン電極１０８に至るまでの合成抵抗値を、２つの経路における抵抗値の和を分母とし当該抵抗値の積を分子とした分数にまで減少させることができるので、特に波形鈍りの影響を小さく抑えることが可能となる。
【００５７】
なお、この構成において、ＴＦＴ１７５における信号の流れは、期間Ｈbでは、コモン
電極１０８から検出線１８５に向かう方向であったのが、期間Ｈaでは、検出線１８５か
らコモン電極１０８に向かう方向となるので、ＴＦＴ１７５を片チャネルとするのではなく、ｐ型およびｎ型の双方を組み合わせたトランスミッションゲート（アナログスイッチ）とするのが好ましい。
また、この構成では、スイッチ３１８のオン期間と、スイッチ３１１のオン期間（スイッチ３１２のオフ期間）とを互いに一致させたが、一致させずに、いずれか一方を先にオフとするように独立して制御しても良い。なお。スイッチ３１８を、スイッチ３１１、３１２と独立して制御させると、制御信号が増えることになる。
【００５８】
＜第３実施形態＞
上述した第１、第２実施形態においてｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルからＬレベルになると、以後１フレームの期間経過して、再び走査信号ＹｉがＨレベルになるまで、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態（フローティング状態）となる。各行のコモン電極１０８は、交差する（または、近接する）他の配線と寄生容量を介して結合するので、これらの配線における電圧変動の影響を受けやすい。
そこで、各行のコモン電極１０８をハイ・インピーダンス状態とさせずに、電圧を確定させた第３実施形態について説明することにする。
【００５９】
図１３は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、第３実施形態におけるコモン電極駆動回路１７０は、１〜３２０行目のコモン電極１０８に対し、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂ、１７２ａ、１７２、１７５の組から構成される。
ここで、ｉ行目について説明すると、ＴＦＴ１７１ａ（第１トランジスタ）のソース電極は、第１給電線１６１ａに接続され、ゲート電極は、ＴＦＴ１７２ａのドレイン電極に
接続されている。ＴＦＴ１７１ｂ（第２トランジスタ）のソース電極は、第２給電線１６１ｂに接続され、ゲート電極は、ＴＦＴ１７２ｂのドレイン電極に接続されている。一方、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂのドレイン電極同士がｉ行目のコモン電極１０８に共通接続されている。
また、ＴＦＴ１７２ａ（第３トランジスタ）のソース電極は、第１信号線１６３ａに接続され、ＴＦＴ１７２ｂ（第４トランジスタ）のソース電極は、第２信号線１６３ｂに接続され、ＴＦＴ１７２ａ、１７２ｂのゲート電極は、いずれもｉ行目の走査線１１２に共通接続されている。
なお、ＴＦＴ１７５については、第２実施形態と同様である。
【００６０】
第１信号線１６３ａおよび第２信号線１６３ｂには、制御回路２０からそれぞれゲート信号Ｖg1、Ｖg2が供給されている。このうち、ゲート信号Ｖg1は、図１６に示されるように、極性指定信号Ｐolと同一波形であり、ゲート信号Ｖg 2は、ゲート信号Ｖg1の論理レ
ベルを反転した信号である。すなわち、ゲート信号Ｖg1、Ｖg2の論理レベルは互いに排他的な関係にある。
ここで、ゲート信号Ｖg1、Ｖg2の論理レベルのうち、Ｌレベルは、それがＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂのゲート電極に印加されたとしても、当該ＴＦＴをオフ（ソース・ドレイン間が非導通）状態とさせる電圧であり、また、Ｈレベルは、それがＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂのゲート電極に印加されたときに、当該ＴＦＴをオン（ソース・ドレイン間が導通）状態とさせる電圧である。
また、第１給電線１６１ａには、第１コモン信号出力回路３３による第１コモン信号Ｖc1が供給され、第２給電線１６１ｂには、第２コモン信号出力回路３５による第２コモン信号Ｖc2が供給される。
【００６１】
一方、スイッチ４０は、制御回路２０から供給される信号Ｓel-aの論理レベルにしたがって検出線１８５を信号線１８７、１８８のいずれかに振り分けるものである。詳細には、スイッチ４０は、検出線１８５を、信号Ｓel-aがＨレベルである場合に信号線１８７に接続し、信号Ｓel-aがＬレベルである場合に信号線１８８に接続する。ここで、信号Ｓel- aは、図１６に示されるように、極性指定信号Ｐolと同一波形である。このため、スイ
ッチ４０は、検出線１８５を、正極性書込が指定される場合には信号線１８７に接続し、負極性書込が指定される場合には信号線１８８に接続することになる。
【００６２】
図１４は、第３実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路１７０と表示領域１００の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図について、ｉ行目で説明すると、ＴＦＴ１７２ａ、１７２ｂのゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２からＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分が共用されている。このうち、ＴＦＴ１７２ａのソース電極は、ゲート電極層をパターニングした接続配線によって第２信号線１６３ｂをアンダークロスし、第１信号線１６３ａに接続される一方、ＴＦＴ１７２ａのドレイン電極は、ＴＦＴ１７１ａのゲート電極に接続されている。ＴＦＴ１７２ｂのソース電極は、第２信号線１６３ｂの幅広となる部分であり、ＴＦＴ１７２ｂのドレイン電極は、ＴＦＴ１７１ｂのゲート電極に接続されている。
また、ＴＦＴ１７１ａのソース電極は、第１給電線１６１ａの幅広となる部分であり、同様に、ＴＦＴ１７１ｂのソース電極は、第２給電線１６１ｂの幅広となる部分である。そして、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂの共通ドレイン電極が、ｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
【００６３】
第１コモン信号出力回路３３は、図１５（ａ）の実線に示されるように、図１０に示した構成と同様であるが、スイッチ３１２の一端に信号線１８７が接続され、オペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、制御回路２０からの第１目標信号Ｖc1refが供給され、
オペアンプ３００の出力端が第１給電線１６１ａに接続されている。第２コモン信号出力
回路３５は、図１５（ｂ）の実線に示されるように、図１０に示した構成と同様であるが、スイッチ３１２の一端に信号線１８８が接続され、オペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、制御回路２０からの第２目標信号Ｖc2refが供給され、オペアンプ３００の出
力端が第２給電線１６１ｂに接続されている。
【００６４】
ここで、図１６に示されるように、第１目標信号Ｖc1refは、正極性書込が指定される
水平走査期間（信号Ｓel-aおよびゲート信号Ｖg1がＨレベルであって、ゲート信号Ｖg2がＬレベルとなる期間）のうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにお
いて電圧Ｖslとなる。また、第２目標信号Ｖc2refは、負極性書込が指定される水平走査
期間（信号Ｓel-aおよびゲート信号Ｖg1がＬレベルであって、ゲート信号Ｖg2がＨレベルとなる期間）のうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧
Ｖshとなる。
【００６５】
第３実施形態の動作について説明する。
第３実施形態において、走査信号ＹｉがＨレベルとなると、ｉ行目のＴＦＴ１７２ａ、１７２ｂがオンになる。ｉ行目に対して正極性書込が指定される場合、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈにわたってゲート信号Ｖg1がＨレベルとなり、ゲート信号Ｖg2がＬレベルとなるので、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂがそれぞれオン、オフする。このため、ｉ行目に対して正極性書込が指定される場合に、当該ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルとなったきに第１給電線１６１ａに接続される。
また、走査信号ＹｉがＨレベルとなると、ｉ行目のＴＦＴ１７５もオンになるので、ｉ行目のコモン電極１０８は、検出線１８５に接続される。ｉ行目に対して正極性書込が指定される場合、スイッチ４０は、検出線１８５を信号線１８７に接続するので、さらに、第１目標信号Ｖc1refは、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈのうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、期間Ｈbにおいて電圧Ｖslとなるので、第１コモン信号出力回路３３は、第２実施形態におけるコモン信号出力回路３１と同様に動作する。すなわち、第１コモン信号出力回路３３は、期間Ｈaでは、電圧（Ｖsl−Ｖa）をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Ｈbでは、検出線１８５が電圧Ｖsl
となるように制御した第１コモン信号Ｖc1を第１給電線１６１ａに出力することになる。
【００６６】
次に、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなると、走査信号ＹｉがＬレベルになるので、ｉ行目のＴＦＴ１７２ａ、１７２ｂはそれぞれオフする。このため、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂのゲート電極は、いずれもハイ・インピーダンス状態となるが、その寄生容量によって、それぞれ直前状態であるＨレベル、Ｌレベルに保持される。このため、ＴＦＴ１７１ａのオン状態、ＴＦＴ１７１ｂのオフ状態がそれぞれ継続されるので、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨからＬレベルとなっても、第１給電線１６１ａに接続された状態を維持して、第１コモン信号Ｖc1の電圧となる。
【００６７】
なお、第１コモン信号Ｖc1は、正極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、負極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ４０が検出線１８５を信号線１８８に接続するので、信号線１８７がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Ｖsl（正極性書込が指定される水平走査期間の期間Ｈbにおいて制御し
た電圧Ｖsl）を保持している。このため、第１コモン信号Ｖc1は、負極性書込が指定される水平走査期間では電圧Ｖslで一定であると考えて良い。
【００６８】
一方、ｉ行目に対して負極性書込が指定される場合、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間Ｈにわたってゲート信号Ｖg1がＬレベルとなり、ゲート信号Ｖg2がＨレベルとなるので、正極性書込が指定されたときとは反対にＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂがそれぞれオフ、オンする。このため、ｉ行目に対して負極性書込が指定される場合に、ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルとなったきに第２給電線１６１ｂに接続され
る。
また、ｉ行目に対して負極性書込が指定される場合、スイッチ４０は、検出線１８５を信号線１８８に接続するので、さらに、第２目標信号Ｖc2refは、走査信号ＹｉがＨレベ
ルとなる水平走査期間Ｈのうち、期間Ｈaにおいて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、期間Ｈbに
おいて電圧Ｖshとなるので、第２コモン信号出力回路３５は、期間Ｈaでは、電圧（Ｖsh
＋Ｖa）をボルテージフォロワ回路によりそのままバッファリングし、期間Ｈbでは、検出線１８５が電圧Ｖshとなるように制御した第２コモン信号Ｖc2を第２給電線１６１ｂに出力する。
次に、走査信号ＹｉがＬレベルになっても、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂのゲート電極は、それぞれ直前状態であるＬレベル、Ｈレベルに保持されるので、ｉ行目のコモン電極１０８は、第２給電線１６１ｂに接続された状態を維持して、第２コモン信号Ｖc2の電圧となる。
【００６９】
なお、第２コモン信号Ｖc2は、負極性書込が指定される水平走査期間では、上述したような信号となる。また、正極性書込が指定される水平走査期間では、スイッチ４０が検出線１８５を信号線１８７に接続するので、信号線１８８がハイ・インピーダンス状態となるが、直前の電圧Ｖsh（負極性書込が指定される水平走査期間の期間Ｈbにおいて制御し
た電圧Ｖsh）を保持している。このため、第２コモン信号Ｖc2は、正極性書込が指定される水平走査期間では電圧Ｖshで一定であると考えて良い。
【００７０】
第３実施形態において、ｉ行目でみたときに、走査信号ＹｉがＬレベルとなる期間でもｉ行目のコモン電極１０８は電圧変化することになるが、走査信号ＹｉがＬレベルであれば、ｉ行目のＴＦＴ１１６もオフ状態であり、画素電極１１８がハイ・インピーダンス状態である。このため、図１７に示されるように、画素電極１１８は、コモン電極１０８の電圧に追従して変化するので、画素容量１２０の差電圧が変動することはない。
このため、第３実施形態によれば、各行のコモン電極１０８がハイ・インピーダンス状態とならず、電位が確定しているので、第２実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらの発生を、なお一層、確実に抑えることが可能となる。
【００７１】
ここで、ＴＦＴでは、特にアモルファスシリコン型では、トランジスタの電流特性が変化する傾向、詳細には、当該ＴＦＴがオンするための閾値電圧がオンした累計時間のが長くなるにつれて高くなる傾向がある。このため、１行のコモン電極の電位を１つのＴＦＴのオンによってのみ確定させる構成を採用すると、長期使用によって当該ＴＦＴの閾値電圧が高くなって、上述した駆動が正常に実行できなくなる、または、誤動作の可能性がある。
これに対して、第３実施形態では、各行において、正極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でＴＦＴ１７１ａがオンし、負極性電圧が書き込まれたときの選択期間、および、その後の非選択期間でＴＦＴ１７１ｂがオンする構成、すなわち、１行のコモン電極の電位を確定するにあたって、２つのＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂを交互にオンする構成となっている。このため、第３実施形態によれば、ＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂがオンする期間は、１行のコモン電極の電位を１つのＴＦＴのオンによってのみ確定させる構成と比較して半分になるので、長期使用による誤動作等の可能性を低く抑えることが可能となる。
【００７２】
なお、第３実施形態においても、第１コモン信号出力回路３３、第２コモン信号出力回路３５について、図１５（ａ）、図１５（ｂ）のみならず、図１２に示した構成を採用することができる。
また、信号線１８７、１８８は、配線が短いことから、寄生容量が小さく、電圧Ｖsl、Ｖshを保持できない可能性がある。このため、第１コモン信号出力回路３３にあっては、図１５（ａ）に示されるように、信号Ｓel-aがＬレベルであるために振り分けられなかっ
たときにオンして、信号線１８７を電圧Ｖslに確定させるスイッチ３２１を設け、第２コモン信号出力回路３５にあっては、図１５（ｂ）に示されるように、信号Ｓel-aがＨレベルであるために振り分けられなかったときにオンして、信号線１８８を電圧Ｖshに確定させるスイッチ３２２を設けても良い。
あるいは、これらの図に示されるように、一端をそれぞれ信号線１８７、１８８に接続し、他端を定電位とした容量素子を積極的に設けた構成としても良い。
【００７３】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る電気光学装置について説明する。図１８は、本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示される構成では、コモン電極駆動回路１７０の各行のうち、奇数行のＴＦＴ１７１のソース電極が第１給電線１６５ａに接続され、奇数行のＴＦＴ１７１のソース電極が第２給電線１６５ｂに接続されている。また、各行においてＴＦＴ１７５の代わりとして検出容量１７６が設けられている。詳細には、奇数行に対応する検出容量１７６は、その一端が当該行のコモン電極１０８に接続され、その他端が第１検出線１８５ａに接続される一方、偶数行に対応する検出容量１７６は、その一端が当該行のコモン電極１０８に接続され、その他端が第２検出線１８５ｂに接続されている。
【００７４】
第１給電線１６５ａには、第１コモン信号出力回路３７による第１コモン信号Ｖc1が供給され、第２給電線１６５ｂには、第２コモン信号出力回路３９による第２コモン信号Ｖc2が供給される。
第１コモン信号出力回路３７および第２コモン信号出力回路３９は、それぞれ図１０に示した構成と同様であるが、第１コモン信号出力回路３７におけるオペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、第１目標信号Ｖc1refが供給され、第２コモン信号出力回路３９
におけるオペアンプ３００の非反転入力端（＋）には、第２目標信号Ｖc2refが供給され
る。
【００７５】
ここで、第４実施形態における第１目標信号Ｖc1refは、図２０に示されるように、奇
数行に対し正極性書込が指定され、偶数行に対し負極性書込が指定されるｎフレームにおいて、奇数行への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間のうち、期間Ｈaにて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、他の期間において電圧Ｖslとなる一方、奇数行に対し負極性書込が指定され、偶数行に対し正極性書込が指定される（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間のうち、期間Ｈaにて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、他の期間において電圧Ｖshとなる。
また、第２目標信号Ｖc2refは、同図に示されるように、ｎフレームにおいて、偶数行
への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間のうち、期間Ｈaにて電圧（Ｖsh＋Ｖa）となり、他の期間において電圧Ｖshとなる一方、（ｎ＋１）フレームにおいて、偶数行への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間のうち、期間Ｈaにて電圧（Ｖsl−Ｖa）となり、他の期間において電圧Ｖslとなる。
【００７６】
図１９は、第４実施形態に係る素子基板のうち、コモン電極駆動回路１７０と表示領域１００の周辺付近との構成を示す平面図である。
この図に示されるように、奇数ｉ行の検出容量１７６は、ｉ行目のコモン電極１０８を幅広とした部分に、第１検出線１８５ａを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。同様に、偶数（ｉ＋１）行の検出容量１７６は、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８を幅広とした部分に、第２検出線１８５ｂを幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによって構成されている。
【００７７】
第４実施形態によれば、走査信号がＨレベルとなる走査線１１２が奇数行である場合に、当該選択された奇数行のコモン電極１０８にノイズが発生したとき、そのノイズは、当
該選択された行の検出容量１７６を介して第１検出線１８５ａに伝搬して、第１コモン信号出力回路３７に供給される。第１コモン信号出力回路３７は、次のような電圧の第１コモン信号Ｖc1を第１給電線１６５ａに出力する。すなわち、第１コモン信号出力回路３７は、奇数行への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間の期間Ｈaにおいて、電圧変化方
向に対し電圧Ｖaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Ｈbにおいては第１検出線１８５ａの電圧が第１目標信号Ｖc1refの電圧となるように制御して出力する
。このため、当該水平走査期間の終了時に、当該選択された奇数行のコモン電極１０８は、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方に、より正確に安定化する。
一方、走査信号がＨレベルとなる走査線１１２が偶数行である場合に、当該選択された偶薄行のコモン電極１０８にノイズが発生したとき、そのノイズは、当該選択された行の検出容量１７６を介して第２検出線１８５ｂに伝搬して、第２コモン信号出力回路３９に供給される。第２コモン信号出力回路３９は、次のような電圧の第２コモン信号Ｖc2を第２給電線１６５ｂに出力する。すなわち、第２コモン信号出力回路３９は、偶数行への走査信号がＨレベルとなる水平走査期間の期間Ｈaにおいて、電圧変化方向に対し電圧Ｖaだけ過剰に振った電圧をバッファリングして出力し、期間Ｈbにおいては第２検出線１８５
ｂの電圧が第２目標信号Ｖc2refの電圧となるように制御して出力する。このため、当該
水平走査期間の終了時に、当該選択された偶数行のコモン電極１０８は、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方に、より正確に安定化する。
これにより、第４実施形態においても、第２実施形態と同様に、データ線の電圧振幅を狭めることはできるだけなく、ＴＦＴ１７１のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、横方向に発生する表示むらの発生をより確実に抑えることが可能となる。
【００７８】
なお、第４実施形態では、コモン電極１０８と第１検出線１８５ａまたは第２検出線１８５ｂとを結ぶ素子は、直流成分を流さない検出容量１７６である。このため、第１コモン信号出力回路３７、または、第２コモン信号出力回路３９として図１２に示した構成を用いることができない。
また、第４実施形態においても、第３実施形態のように、各行にＴＦＴ１７１ａ、１７１ｂ、１７２ａ、１７２ｂの組を設けて、非選択期間において、コモン電極１０８の電位を確定させる構成としても良い。
【００７９】
＜第１〜第４実施形態の関連事項＞
上述した各実施形態では、走査線駆動回路１４０において、走査線１１２を１、２、３、…、３２０行目という順番で選択電圧を印加したが、３２０、３１９、３１８、…、１行目という順番で選択しても良い。また、垂直帰線期間においては書込極性を指定することは無意味であるので、期間指定信号Ｈaなどの論理信号を一定のレベルに固定しても良
いし、このような垂直帰線期間を省いても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。
【００８０】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図２１は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００８１】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図２１に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。
【図６】同電気光学装置におけるコモン電極の波形鈍りやノイズ等の影響を示す図である。
【図７】同電気光学装置の別動作を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図９】同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。
【図１０】同電気光学装置におけるコモン信号出力回路の構成を示す図である。
【図１１】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１２】コモン信号出力回路の別構成を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１４】同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。
【図１５】同電気光学装置におけるコモン信号出力回路の構成を示す図である。
【図１６】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１７】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１９】同電気光学装置の表示領域の周辺構成を示す図である。
【図２０】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図２１】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１…コモン信号出力回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１６１…給電線、１７０…コモン電極駆動回路、１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７２ａ、１７２ｂ、１７５…ＴＦＴ、１７６…検出容量、１８５…検出線、３００…オペアンプ、３１１、３１２、３１８…スイッチ、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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