(57)【要約】 【課題】    減圧室において排気あるいは給気中に浮遊するパーティクルが、原版に付着することを低減し、生産性を向上する原版搬送装置、露光装置およびデバイス製造方法を提供する。【解決手段】    減圧状態に保持され、原版が搬入され処理される減圧室と、前記減圧室の内部に前記原版と共に搬送される、前記原版が保持される皿部と前記皿部を覆う蓋部とから成るマスクカセットと、前記皿部に設けられ、前記皿部の温度を前記原版の温度より低い第１の温度にする第１の温度調節手段と、前記蓋部に設けられ、前記蓋部の温度を前記原版の温度より低い第２の温度にする第２の温度調節手段と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2009094368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧状態に保持され、原版が搬入され処理される減圧室と、
前記減圧室の内部に前記原版と共に搬送される、前記原版が保持される皿部と前記皿部を覆う蓋部とから成るマスクカセットと、
前記皿部に設けられ、前記皿部の温度を前記原版の温度より低い第１の温度にする第１の温度調節手段と、
前記蓋部に設けられ、前記蓋部の温度を前記原版の温度より低い第２の温度にする第２の温度調節手段と、を有することを特徴とする原版搬送装置。
【請求項２】
前記減圧室の内壁に第３の温度調節手段を設け、前記第３の温度調節手段により前記内壁を前記第１の温度および前記第２の温度の少なくとも一方よりも低い第３の温度にすることを特徴とする請求項１に記載の原版搬送装置。
【請求項３】
前記皿部および前記蓋部は、複数の層から成り、
前記第１の温度調節手段および前記第２の温度調節手段は、前記皿部および前記蓋部の前記複数の層を、各々独立に温度調節し、前記原版に対向する前記層を、前記原版の温度より低くし、前記減圧室に対向する前記層を前記第３の温度より高くすることを特徴とする請求項２に記載の原版搬送装置。
【請求項４】
前記減圧室の内壁と前記蓋部の間、前記減圧室の内壁と前記皿部の間の空間温度の温度勾配が、各々、１０Ｋ／ｃｍ以上となる位置及び形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の原版搬送装置。
【請求項５】
前記蓋部と前記原版との間、前記皿部と前記原版と間の空間温度の温度勾配が、各々、１０Ｋ／ｃｍ以上となる位置及び形状であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の原版搬送装置。
【請求項６】
前記減圧室内の雰囲気を、０．００１〜１０００Ｐａの圧力に維持することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の原版搬送装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の原版搬送装置が搭載されることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、
前記ウェハを現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置において原版を搬送する原版搬送装置、露光装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体露光装置は、半導体ウェハや液晶表示基板等の基板に、原版であるマスクの回路パターンをウェハに転写する。
マスクのパターン面に浮遊する汚染パーティクルが付着することによる歩留りの低下を防止するために、各工程に適する環境に制御された状態でマスクの搬送が行われている。
しかし、転写パターンの微細化が進むにつれ、装置に必要な環境も厳密となり、原版搬送装置において各工程におけるマスクの環境を管理する必要性が出てきている。
転写パターンの微細化のために半導体露光装置では、露光光の波長を短波長化しなければならない。
このため、露光波長が３６５ｎｍのｉ線から最近では２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザーの開発が行われている。
また、更なる微細化のために、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極紫外）光である１３〜１４ｎｍ程度の波長の露光光を光源として使用するＥＵＶ露光装置の開発が必要とされている。
ＥＵＶ露光装置は、レーザー光は、大気圧中での減衰が激しいため、半導体露光装置の露光部を露光室内に収納し、レーザー光の減衰の少ない真空度まで減圧された減圧室で露光を行う必要がある。
【０００３】
このように減圧状態に排気された露光室内に効率よくマスクを搬入し、搬出するために、露光室と大気空間との連絡部として、一時的に減圧状態に保持されロードロック室が設けられている。
減圧状態に排気されたロードロック室は、露光室内を減圧状態に保持し、大気に開放しないように、露光室への処理前、処理後のマスクの出し入れをおこなうために減圧室との間に設置される。
ロードロック室には、マスクの受け渡しをおこなう機構、あるいは、原版搬送機構そのものが格納されており、露光室とはゲートバルブで仕切られる。
ロードロック室内が減圧された状態で、ゲートバルブを開いて露光室へマスクを搬入し、あるいは、搬出する。
従って、処理前あるいは処理後のマスクをロードロック室に出し入れする毎に給気と、排気が繰り返される。
このため、ロードロック室内のゲートバルブあるいは原版搬送機構から発生するパーティクルが排気あるいは給気の過程で巻き上げられ浮遊し、このパーティクルがマスクに付着する場合がある。
従って、ロードロック室の排気あるいは給気の過程でマスクに付着するパーティクルを低減する必要がある。
【０００４】
従来、例えば、特許第２８８６５２１号公報（特許文献１）によりロードロック室におけるマスクへのパーティクルの付着を低減させる「半導体デバイス製造装置のロードロック室」が提案されている。
この従来例は、マスクを載置するための保持部を周辺温度より高い温度に加熱し、さらに、この保持部の周辺に周辺温度よりも低い温度に維持された低温パーティクル収集器を設置する。
この従来例においては、熱泳動力(Ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｆｏｒｃｅ)により、保持部及びマスクの近傍に無塵層をつくり、マスクへのパーティクルの付着を低減する。
熱泳動力の原理とは、パーティクルの周囲の気体に温度勾配が存在すると、パーティクルは低温側の気体分子よりも大きな運動エネルギーを高温側の気体分子より与えられ、温度勾配と逆方向の力を受けるものである。
その結果、パーティクルは高温側の物体から低温側へ移動する。
熱泳動力Ｆｘは次式（Ｔａｌｂｏｔの式）によって表わすことができる。
【０００５】
【数１】
2009094368.tif 000003
但し、この式では、パーティクルは球形で流体は理想気体であると仮定している。
Ｄｐ＝パーティクル直径
Ｔ＝気体温度
μ＝粘性係数
ρ＝気体密度
Ｋｎ＝クヌーセン数＝２λ／Ｄｐ
λ＝気体の平均自由行程＝η／｛０．４９９Ｐ（８Ｍ／πＲＴ）１／２｝
Ｍ＝分子量、Ｒ＝気体定数
Ｋ＝ｋ／ｋｐ
ｋ＝平行移動のエネルギーのみによる気体の熱伝導率
ｋｐ＝パーティクルの熱伝導率
Ｃｓ＝１．１７、Ｃｔ＝２．１８、Ｃｍ＝１．１４
ΔＴ／Δｘ＝温度勾配
【特許文献１】特許第２８８６５２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ロードロック室の大きさは半導体業界の統一規格によって規定されているゲート開口寸法（Ｗ３６０ｍｍｘＨ８０ｍｍ）に制約されているため、原版であるマスクの外形程度に小さくすることができない。
従って、マスクの保持部近傍の熱泳動力はロードロック室の形状に依存せざるを得ず、熱泳動力を最大限に利用することができなかった。
そこで、本発明は、減圧室において排気あるいは給気中に浮遊するパーティクルが、原版に付着することを低減し、生産性を向上する原版搬送装置、露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の原版搬送装置は、減圧状態に保持され、原版が搬入され処理される減圧室と、前記減圧室の内部に前記原版と共に搬送される、前記原版が保持される皿部と前記皿部を覆う蓋部とから成るマスクカセットと、前記皿部に設けられ、前記皿部の温度を前記原版の温度より低い第１の温度にする第１の温度調節手段と、前記蓋部に設けられ、前記蓋部の温度を前記原版の温度より低い第２の温度にする第２の温度調節手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、減圧室において排気あるいは給気中に浮遊するパーティクルが、原版に付着することを低減し、生産性を向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、本発明の実施例の構成図、図２（ａ）は、本発明の実施例１の側面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
減圧室３は、減圧状態に保持され、原版であるマスク１が搬入され処理される室である。
原版であるマスク１が、マスクカセット２の内部に搭載された状態で減圧室３の内部に配置される。  
マスクカセット２は、減圧室３の内部に原版であるマスク１と共に搬送され載置され、マスク１が保持される皿部であるマスクカセット下皿２Ｂと、皿部であるマスクカセット下皿２Ｂを覆う蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａとから成る。
マスクカセット２のマスクカセット上蓋２Ａに、外部と通気が可能な通気機構２Ｅを設け、マスクカセット２がマスク１を囲ったときに排気および給気が可能にする。
このため、マスクカセット２の内側の排気および給気をポンプ６を用いて減圧室３全体と同時に行うことができる。
減圧室３は、ゲートバルブ１３，１４で仕切られ、隣接する図示されない処理室へはゲートバルブ１３，１４を開いて、マスク１、あるいは、マスク１を内部に搭載したマスクカセット２をマスクカセット搬送手段１６によって搬入あるいは搬出する。
従って、処理前あるいは処理後のマスク１を減圧室３に出し入れするたびに給気と排気が繰り返される。
【００１１】
マスクカセット２は、マスクカセット上蓋２Ａ、マスク保持部２Ｃを含むマスクカセット下皿２Ｂ、通気機構２Ｅ、マスクカセット上蓋２Ａとマスクカセット下皿２Ｂを空間的に密閉するためのシール部２Ｄを有する。
マスク１を保持するためのマスク保持部２Ｃは、マスク１とマスクカセット下皿２Ｂ間に温度勾配を発生させるために、断熱可能な材料、または、熱伝導率を低くすることが可能な構造、材料から成る。
第１の温度調節手段７が、皿部であるマスクカセット下皿２Ｂに設けられ、マスクカセット下皿２Ｂを原版であるマスク１より低い第１の温度にする。
第２の温度調節手段８が、蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａに設けられ、マスクカセット上蓋２Ａを原版であるマスク１より低い第２の温度にする。
マスクカセット下皿２Ｂが第１の温度調節手段７によって第１の温度にされている。
また、マスクカセット上蓋が第２の温度調節手段によって、第２の温度にされている。
第１の温度および第２の温度はマスク１の温度より低く、熱泳動力を発生させることが可能な温度である。
マスク１とマスクカセット下皿２Ｂ間の距離、マスク１とマスクカセット上蓋２Ａ間の距離はそれぞれ、第１の温度および第２の温度との関係において熱泳動力を発生させることが可能な距離である。
【００１２】
減圧室３の内壁３Ａに第３の温度調節手段９を設け、熱泳動力を発生させることが可能な第１の温度あるいは第２の温度より低いあるいは高い第３の温度に内壁３Ａをする。
また、減圧室３の内壁３Ａとマスクカセット２Ｂ間の距離は熱泳動力を発生させることが可能な距離である。
第３の温度が第１の温度および第２の温度より低い場合は、熱泳動力によりパーティクル１０は減圧室内壁に向かい付着する。
この場合は、マスクカセット２外周部に付着するパーティクルが低減され、隣接する処理室へマスクカセット２が搬入された場合に、マスクカセット２に付着したパーティクルによって、隣接室を汚染する可能性を低減できる。
逆に、第３の温度が第１の温度および第２の温度より高い場合は、熱泳動力によりパーティクル１０はマスクカセット２に向かい付着する。
この場合は、減圧室３内部に存在する、あるいは、減圧室３に進入したパーティクル１０が熱泳動力により、全てマスクカセット２に付着する。
これにより減圧室３のパーティクルが低減でき、減圧室３がクリーニングされ、パーティクルが付着したマスクカセット２は装置外でクリーニングを行えばよい。
その時、マスク２は未搭載にしておくことで減圧室３のクリーニング手段として効果的である。
【００１３】
本実施例１の全ての第１、第２、第３の温度調節手段７，８，９は、温度検出手段を含む。
本実施例１では、空間の温度勾配が１０Ｋ／ｃｍとなるようにマスクカセット２、減圧室３を温度調節をする。  
即ち、本実施例１では、減圧室３の内壁３Ａと蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａの間、減圧室３の内壁３Ａと皿部であるマスクカセット下皿２Ｂの間の空間温度の温度勾配が、各々、１０Ｋ／ｃｍ以上となる位置及び形状である。
さらに、本実施例１では、蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａと原版であるマスク１との間、皿部であるマスクカセット下皿２Ｂと原版であるマスク１と間の空間温度の温度勾配が、各々、１０Ｋ／ｃｍ以上となる位置及び形状である。
このため、減圧室３の圧力が１０００Ｐａのとき、粒径０．２μｍのパーティクルには１．５０Ｅ−１５[Ｎ]の熱泳動力が作用する。
本実施例１においては、減圧室３の内部の雰囲気を、０．００１〜１０００Ｐａの圧力に維持する。
減圧室３の内部で、用いられる銀メッキが排気あるいは給気中に浮遊した場合、粒径０．２μｍの銀パーティクルに作用する重力は、４．３１−Ｅ１６[Ｎ]である。
従って、熱泳動力が重力より大きいため粒径０．２μｍ以下の銀パーティクルは重力沈降ではなく、熱泳動力の作用する方向へ移動する。
マスクカセット搭載部４は温度調節手段との接合機能を備え、マスクカセット２を上下に移動させる昇降機能を備えてもよい。
本実施例１によれば、減圧室３の排気あるいは給気の過程において原版であるマスク１とマスクカセット２との間に熱泳動力を発生し、原版であるマスク１の外周面からマスクカセット２の方向にパーティクルを移動する。
このため、排気または給気中に原版であるマスク１の外周面に付着するパーティクルを低減する。
また、この熱泳動力によりマスクカセット２の通気機構２Ｅに付着、または、通気機構２Ｅを通過したパーティクルが、減圧室３の内部の給気あるいは排気の際に再び原版であるマスク１に付着することを低減する。
【実施例２】
【００１４】
図３の側面図を参照して、本発明の実施例２を説明する。
皿部であるマスクカセット下皿２Ｂおよび蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａは、複数の層２Ａ−１，２Ａ−２，２Ｂ−１，２Ｂ−２から成る。
第１の温度調節手段７の第１の個別の温度調節手段７Ａおよび第２の温度調節手段８の第２の個別の温度調節手段７Ｂは、マスクカセット下皿２Ｂおよびマスクカセット上蓋２Ａの複数の層２Ａ−１，２Ａ−２，２Ｂ−１，２Ｂ−２を、各々独立に温度調節する。
さらに、第１の個別の温度調節手段７Ａおよび第２の個別の温度調節手段７Ｂは、マスク１に対向する層２Ａ−２、２Ｂ−１を、マスク１の温度以下に温度調節し、減圧室３に対向する層２Ａ−１、２Ｂ−２を第３の温度より高くする。
これにより、減圧室３とマスクカセット２間で熱泳動力を発生させる時に、マスクカセット２の外周面である層２Ａ−１，２Ｂ−２の温度を、マスクカセット２の内周面である層２Ａ−２，２Ｂ−１の温度より高くする。
このため、減圧室３の温度を低くすることが可能となる。
これは、減圧室３の外部環境や、図示されない隣接室への温度影響を少なくできる点で有効である。
そのために、マスクカセット２のマスクカセット下皿２Ｂおよび前記蓋部であるマスクカセット上蓋２Ａは断熱可能な材料、または、熱伝導率を低くすることが可能な構造、材料から成る。
本実施例２によれば、減圧室３の排気あるいは給気の過程において、または、マスク１をマスクカセット２の搭載する装置搬入前の過程において、マスク１とマスクカセット２との間に熱泳動力を発生する。
このため、マスク１の外周面近傍からマスクカセット２の内面の方向であるマスク１の外周面から遠ざかる方向にパーティクルを移動することができ、マスクカセット２とマスク１との間に進入するパーティクルを低減することができる。
【実施例３】
【００１５】
図４の側面図を参照して、本発明の実施例３を説明する。
本実施例３は、実施例１および実施例２の変形例である。
本実施例３は、減圧室３を大気開放するための吸気手段２０と、減圧するための排気手段１９と、を有する。
減圧室３が、減圧されたことを確認するための圧力検出手段１８にて、制御部１７内の圧力制御部にてゲートバルブを開いてマスク１、あるいはマスクを搭載したマスクカセット２を搬入、あるいは搬出する。
また、それぞれの温度調節手段を制御するための制御部１７内に構成された温度制御部を有する。
吸気手段２０の給気口に塵埃除去用のフィルタ２１を設置することで、減圧室３内のパーティクルが巻き上げられることを低減し、給気系の配管からのパーティクルが減圧室３に進入することを低減している。
本実施例１，２，３による減圧室は、マスク表面の近傍に浮遊するパーティクルに熱泳動力が作用し、マスク表面へのパーティクル付着を低減できるため、原版搬送装置及び露光装置の生産性の向上に寄与する。
【実施例４】
【００１６】
図５の側面図を参照して、本発明の実施例４に係る露光装置を説明する。
本実施例４は、本実施例１から３のいずれかの原版搬送装置が搭載される露光装置である。
まず、本実施例４の光源に関して説明する。
励起レーザー１０１は、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化または噴霧ガス化させたポイントに向けてレーザー光を照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる手段で、ＹＡＧ固体レーザー等から成る。
光源発光部１０２は露光用光源の発光部で、内部は減圧状態に維持された構造を持ち、発光ポイントである光源１０２Ａは、露光用光源の発光するポイントである。
光源ミラー１０２Ｂは、光源１０２Ａからの全球面光を発光方向に揃え集光反射し、光源１０２Ａを中心とした半球面状のミラーである。
光源１０２Ａのポイントには、発光元素として液化Ｘｅ、液化Ｘｅ噴霧体またはＸｅガスを不図示のノズルにより噴出させ、かつ、励起レーザー１からの光が照射される。
【００１７】
次に、本実施例４の露光室に関して説明する。
露光室１０３は、光源と接続され、排気手段１０４である減圧ポンプ１０４Ａにより減圧され、ＥＵＶ露光に適した減圧された圧力を維持することが可能な減圧室である。
露光光導入部１０５は光源発光部１０２からの露光光を導入して成形する部分で、ミラー１０５Ａ〜１０５Ｄにより構成され、露光光を均質化し、かつ整形する。
マスクステージ１０６の上の可動部には、露光パターンの反射原版であるマスク１０６Ａが静電吸着保持されている。
縮小投影ミラー光学系１０７は、マスク１０６Ａから反射した露光パターンを縮小投影する光学系で、マスク１０６Ａにより反射された露光パターンをミラー１０７Ａ〜１０７Ｅに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比でウェハ１０８Ａ上に縮小投影する。
ウェハステージ１０８は、マスク１０６Ａにより反射縮小投影されたパターンを露光するＳｉ基板であるウェハ１０８Ａを、所定の露光位置に位置決めするために、ＸＹＺ、ＸＹ軸回りのチルト、Ｚ軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
マスクステージ支持体１０９は、マスクステージ１０６が設置される床の上にて支持する。
光学系支持体１１０は、縮小投影ミラー光学系１０７を設置される床の上にて支持する。
ウェハステージ支持体１１１は、ウェハステージ１０８を設置される床の上に支持する。
マスクステージ１０６と縮小投影ミラー光学系１０７間、および、縮小投影ミラー光学系１０７とウェハステージ１０８間は、マスクステージ支持体１０９と、光学系支持体１１０と、ウェハステージ支持体１１１とにより分離独立して支持される。
マスクステージ１０６と縮小投影ミラー光学系１０７間、および、縮小投影ミラー光学系１０７とウェハステージ１０８間には、相対位置を位置計測し、所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられる。
また、マスクステージ支持体１０９と光学系支持体１１０とウェハステージ支持体１１１には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００１８】
さらに、本実施例４のウェハの搬送に関して説明する。
ウェハストッカー１１６は、大気側のウェハ真空搬送手段１１７Ａにより搬送されたウェハ１０８Ａを一旦、露光装置内部に保管する手段である。
ウェハストッカー１１６には複数枚のウェハが保管されている。
ウェハストッカー１１６から露光処理するウェハ１０８Ａを選定し、ロードロック室１２５内の保持部１１８へ搬送する。
遮蔽体１１９は、ウェハ１０８Ａの周囲を囲う手段である。
ゲートバルブ１２０Ｂは、ロードロック室が１２５大気圧の状態の時に開閉する。
ゲートバルブ１２０Ｅは、ロードロック室１２５が減圧された状態の時に開閉する。
ウェハ１０８Ａの搬送が可能なウェハ真空搬送手段１１７Ｂにより、保持部１１８から露光室内の不図示のウェハメカプリアライメント温度調節器へ搬送する。
不図示のウェハメカプリアライメント温度調節器は、ウェハ１０８Ａの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウェハ１０８Ａの温度を、本実施例４の露光装置の基準温度にする。
ウェハ真空搬送手段１１７Ｂは、不図示のウェハメカプリアライメント温度調節器にてアライメントと温度調節されたウェハ１０８Ａをウェハステージ１０８に送り込む。
ウェハ１０８Ａを露光室から搬出する工程は、前記ロードの工程と逆工程になる。
【００１９】
次に、本実施例４の原版であるマスクの搬送に関して説明する。
ＳＭＩＦポッド１２７は、デバイス工場の中でマスクカセット１３１を搬送するために用いられるミニエンバイロメントである。
マスクカセット１３１は、ＳＭＩＦポッドの中に保持され、ＳＭＩＦインデクサ１２６によりＳＭＩＦポッド１２７が開閉されると同時に、露光装置内にマスクカセット１３１は引き込まれ、原版搬送手段１１４Ａにより搬送可能となる。
ロードロック室１２４は、マスクカセット１３１を大気雰囲気から減圧雰囲気へ変換させるための手段であり、内部に不図示のカセット保持部を備える。
ゲートバルブ１２０Ａは、ロードロック室１２４が大気圧の状態の時に開閉し、マスク１０６ＡをＳＭＩＦインデクサ１２６からロードロック室１２４の保持部へ搬入するゲート開閉機構である。
ゲートバルブ１２０Ｂも同じくで、ロードロック室が減圧状態の時に開閉する。
ゲートバルブ１２０Ｃは、露光室へマスク１０６Ａを搬送するときのみ開閉する。
マスクストッカー１１２は、装置外部から一旦、装置内部にマスク１０６Ａをマスクカセット１３１に入れた状態で保管する手段で、異なるパターンおよび異なる露光条件に合わせたマスク１０６Ａが多段に保管されている。
原版搬送手段１１４Ｂは，ロードロック室１２４からマスクストッカー１１２へマスクカセット１３１を搬送する手段である。
また、原版搬送手段１１４はマスクストッカー１１２から使用するマスク１０６Ａを選択して、マスクカセット１３１をカセット上蓋１３１Ａとカセット下皿１３１Ｂとに分離する蓋明け機構１１３Ａへ搬送する。
さらに、原版搬送手段１１４は、蓋明け機構１１３Ａにより分離された状態のカセット下皿１３１Ｂを、マスクステージ１０６端部に設けられたマスクアライメントスコープ１１５部分に搬送する。
さらに、原版搬送手段１１４は、縮小投影ミラー光学系１０７基準に設けられた図５に示されるアライメントマーク１１５Ａに対してマスク１０６Ａ上をＸＹＺ軸回転方向に微動してアライメントする。
アライメントを終了したマスク１０６Ａはカセット下皿１３１Ｂから直接、マスクステージ１０６上にチャッキングされる。
このとき、アライメント部のカセット支持部とマスクステージ１０６の相対位置を近接すべくカセット支持部の上昇或いはマスクステージの下降の少なくとも一方が行われる。
また、そのときにマスク１０６Ａとマスクステージ１０６の傾きの調整も行われる。
マスクステージ１０６にマスク１０６Ａを受け渡した後、空のカセット下皿１３１Ｂは原版搬送手段１１４によって蓋開閉機構１１３Ａまで引き戻され、蓋を閉めたのち空のままマスクストッカー１１２に保管される。
【００２０】
次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００２１】
図７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施例の模式的構成図である。
【図２】本発明の実施例１の構成図である。
【図３】本発明の実施例２の構成図である。
【図４】本発明の実施例３の構成図である。
【図５】本発明の実施例４に係る露光装置の側面図である。
【図６】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００２３】
１  ：マスク          １Ａ：マスク保護面          ２  ：マスクカセット
２Ａ：マスクカセット上蓋            ２Ｂ：マスクカセット下皿
２Ｃ：マスク保持部    ２Ｄ：シール部              ２Ｅ：通気機構
３  ：減圧室          ４  ：マスクカセット搭載部  ５  ：バルブ
６  ：ポンプ          ７  ：第１の温度調節手段        ７Ａ：第１の個別の温度調節手段
８  ：第２の温度調節手段  ８Ａ：第２の個別の温度調節手段  ９  ：第３の温度調節手段
１０：パーティクル    １１：第１の温度勾配      １２：第２の温度勾配
１３：ゲートバルブＡ  １４：ゲートバルブＢ      １５：開口部
１６：マスクカセット搬送手段  １７：制御部      １８：圧力検出手段
１９：排気手段        ２０：吸気手段            ２１：フィルタ
１０１：励起レーザー  １０２：光源発光部        １０２Ａ：光源
１０２Ｂ：光源ミラー  １０３：露光室            １０４：排気手段
１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ：減圧ポンプ
１０５：露光光導入部    １０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ：ミラー
１０６：マスクステージ  １０６Ａ：マスク（原版）１０７：縮小投影ミラー光学系
１０７Ａ、１０７Ｂ、１０７Ｃ、１０７Ｄ、１０７Ｅ：ミラー
１０８：ウェハステージ  １０８Ａ：ウェハ  １０９：マスクステージ支持体
１１０：光学系支持体    １１１：ウェハステージ支持体
１１２：マスクストッカー  １１３：原版搬送室  １１３Ａ：蓋開け機構
１１４  ：原版搬送手段  １１４Ａ：マスク大気搬送手段
１１４Ｂ：マスク搬送手段  １１５  ：マスクアライメントスコープ
１１５Ａ：マスクアライメントマーク  １１６  ：ウェハストッカー
１１７  ：ウェハ真空搬送手段  １１７Ａ：ウェハ大気搬送手段
１１７Ｂ：ウェハ真空搬送手段  １１８  ：保持部  １１８Ａ：支持ピン
１１９  ：遮蔽体  １１９Ａ：第１の遮蔽体  １１９Ｂ：第２の遮蔽体
１２０  ：ゲートバルブ
１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃ、１２０Ｄ、１２０Ｅ：ゲートバルブ
１２１  ：移動手段  １２１Ａ：駆動部  １２１Ｂ：動力伝達部
１２２  ：温度可変手段        １２２Ａ：第１の温度可変手段
１２２Ｂ：第２の温度可変手段  １２２Ｃ：第３の温度可変手段
１２３  ：板状部材            １２４  ：ロードロック室（マスク）
１２５  ：ロードロック室（ウェハ）  １２６  ：ＳＭＩＦインデクサ
１２７  ：ＳＭＩＦポッド        １２８  ：カセット保持部
１２９  ：給気手段    １２９Ａ：フィルタ  １３０  ：制御部
１３１  ：マスクカセット  １３１Ａ：カセット上蓋  １３１Ｂ：カセット下皿
１３２  ：圧力検出手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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