(57)【要約】【課題】発光特性のバラツキを抑えることができる電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、ガラス基板と、回路素子層と、発光素子層と、陰極とを有する。発光素子層は、画素電極３２上に形成された機能層と、機能層を区画するバンク３４とを有して構成されている。バンク３４は、第１層バンク４１と第２層バンクとを有する。更に、バンク３４は、アスペクト比の異なる形状の発光領域１２と、発光領域１２の短辺側に形成された円弧４４の領域とを有するトラック状に形成されている。第２層バンクは、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとを有し、第１部分４２ａの撥液性が第２部分４２ｂの撥液性より相対的に低くなっている。第１部分４２ａは、円弧４４の部分を有する。第２部分４２ｂは、直線４５の部分を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光領域を有する電気光学装置であって、
基板と、
前記基板の一方の面のうち発光領域を除いた領域の少なくとも一部に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、
前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、
前記バンクは、第１部分と第２部分とを有し、
前記第１部分の撥液性が前記第２部分の撥液性よりも低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、コーナーを有し、
前記第１部分は、前記開口部のうち前記コーナーの一部を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、円弧を有し、
前記第１部分は、前記開口部のうち前記円弧の一部を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口部は、長辺と短辺とを有し、
前記第１部分は、前記開口部のうち前記短辺側の領域を含み、
前記第２部分は、前記開口部のうち前記長辺側の領域を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記バンクは、光触媒作用を有する材料を含むバンク材料で構成されており、
前記第１部分は、エネルギーが照射された部分であり、
前記第２部分は、前記エネルギーが照射されていない部分であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１部分は、前記第２部分の表面粗さに対して粗さが小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１部分の表面は、液体に対する接触角が第１接触角であり、
前記第２部分の表面は、前記液体に対する接触角が、前記第１接触角より大きい第２接触角であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記複数の発光領域の各々に対応して、前記基板の前記一方の面に形成された画素電極と、
前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に設けられた共通電極と、をさらに備え、
前記機能層は、少なくとも発光層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
複数の発光領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
基板上の前記発光領域ごとに画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記基板上の前記画素電極を囲む第１部分と第２部分とを備えるバンクを形成するバンク形成工程と、
前記画素電極上における前記バンクの開口部に、液滴吐出法を用いて発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層を挟んで前記画素電極の反対側に陰極を形成する陰極形成工程と、を有し、
前記バンク形成工程は、前記第１部分の撥液性が前記第２部分の撥液性よりも低くなるように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口部は、コーナーを有し、
前記第１部分は、前記開口部のうちコーナーの一部を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口部は、円弧を有し、
前記第１部分は、前記開口部のうち円弧の一部を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口部は、長辺と短辺とを有し、
前記第１部分は、前記開口部のうち前記短辺側の領域を含み、
前記第２部分は、前記開口部のうち前記長辺側の領域を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記バンク形成工程は、前記画素電極上に光触媒作用を有する材料を含む塗工液を塗布する塗布工程と、
前記塗工液を乾燥してバンク層を形成するバンク層形成工程と、
前記バンク層から前記バンクの形状にパターンニングして前記発光領域に相当する領域に前記開口部を形成する開口部形成工程と、
前記バンクにおける第１領域にエネルギーを照射して前記第１部分を形成するエネルギー照射工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記バンク形成工程は、前記第２部分を第２材料から形成し、前記第１部分を前記第２材料より撥液性の低い第１材料から形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記バンク形成工程は、有機材料からなる前記バンクの第１領域にプラズマ処理を施して撥液性の低い前記第１部分を形成し、
前記バンクの第２領域に、前記第１領域に施したプラズマ処理時間より長いプラズマ処理を施して撥液性の高い前記第２部分を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンクの開口部に機能層が形成された電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した電気光学装置の一つに、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、発光材料をインク化し、インクジェット法を用いてインクを基板上の発光領域に吐出する工程を含んで形成される。基材上の発光領域には、所定部分にインクを充填するための、例えば、有機材料（例えば、アクリル樹脂）からなるバンクが形成されている。
【０００３】
バンクは、発光領域に相当する領域において、例えば、長辺側と短辺側とを有するトラック状の開口部が形成されている。短辺側に形成されている円弧の内側は、インクの濡れ性が悪く、インクが充填しにくいという問題がある。一方、長辺側は、インクが溢れ易いという問題がある。これにより、開口部に吐出されたインクの厚みにばらつきが生じ、その結果、均一な発光を得ることができないという問題がある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンクの開口部にインクを充填させやすくするための無機材料（例えば、シリコン酸化膜）を、アクリル樹脂のバンクの下側に一部を露出させて形成することにより、インクの濡れ性を向上させてバンク内の膜厚を均一にさせる方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１８７９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発光領域が細かく（すなわち、高精細に）なってくると円弧の曲率が大きくなり、特に乾燥過程で円弧の部分のインクが後退しやすくなる。これにより、インクが充填しにくくなり、更に、膜厚を確保するためにインクを高く補充すると、長辺側でインクが溢れ易いという問題が生じる。その結果、長辺側と短辺側とでインクに対する接触角の差があることから、開口部内のインクの厚みにバラツキが生じ、均一に発光することが出来ない（発光特性にばらつきが生じる）という問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置は、複数の発光領域を有する電気光学装置であって、基板と、前記基板の一方の面のうち発光領域を除いた領域の少なくとも一部に形成されると共に、前記発光領域を取り囲むように形成されたバンクと、前記バンクに囲まれた開口部に配置された機能層と、を備え、前記バンクは、第１部分と第２部分とを有し、前記第１部分の撥液性が前記第２部分の撥液性よりも低いことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、バンクの第２部分と比較して第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、開口部における第１部分に液体を馴染ませることが可能となり、第１部分の領域に液体を充填させることができる。更に、第２部分の撥液性によって、開口部における第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。よって、発光領域において液体の厚みのばらつきを抑えることができ、液体から機能層を形成した際に、厚みのばらつきが抑えられた機能層を得ることが可能となる。その結果、発光領域において均一に発光させることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記開口部は、コーナーを有し、前記第１部分は、前記開口部のうち前記コーナーの一部を含むことが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、開口部においてコーナーの一部を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、液体が比較的充填しにくいコーナーに液体を充填することができる。更に、第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記開口部は、円弧を有し、前記第１部分は、前記開口部のうち前記円弧の一部を含むことが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、開口部において円弧の一部を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、液体が比較的充填しにくい円弧の部分に液体を充填することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記開口部は、長辺と短辺とを有し、前記第１部分は、前記開口部のうち前記短辺側の領域を含み、前記第２部分は、前記開口部のうち前記長辺側の領域を含むことが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、短辺側の領域を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、第２部分と比べて幅が狭く液体が比較的充填しにくい第１部分に液体を充填することができる。更に、第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記バンクは、光触媒作用を有する材料を含むバンク材料で構成されており、前記第１部分は、エネルギーが照射された部分であり、前記第２部分は、前記エネルギーが照射されていない部分であることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、バンク材料のうちエネルギーが照射された第１部分のみ光触媒として作用し、撥液性が低下する（親液性が向上する）。また、バンク材料のうちエネルギーが照射されていない第２部分は、例えば、光触媒作用を有する材料のうちポリシロキサンの構造に起因して撥液性を発現する。よって、撥液性の低い第１部分と、撥液性の高い第２部分とを形成することができる。その結果、第１部分の領域に液体を充填させることが可能となり、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記第１部分は、前記第２部分の表面粗さに対して粗さが小さいことが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、第１部分の粗さが小さいので、第１部分に液体を馴染ませることが可能となり、第１部分の領域に液体を充填させることができる。更に、第２部分の粗さによって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記第１部分の表面は、液体に対する接触角が第１接触角であり、前記第２部分の表面は、前記液体に対する接触角が、前記第１接触角より大きい第２接触角であることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、第２部分と比較して第１部分の液体に対する接触角が小さいので、第１部分の領域に液体を充填させることができる。更に、第１部分と比較して第２部分の液体に対する接触角が大きいので、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例にかかる電気光学装置において、前記複数の発光領域の各々に対応して、前記基板の前記一方の面に形成された画素電極と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に設けられた共通電極と、をさらに備え、前記機能層は、少なくとも発光層を有することを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、発光層を挟んで配置された画素電極と共通電極とを有する、例えば有機ＥＬ装置において、発光層の厚みのばらつきを抑えることが可能となり、発光領域において均一に発光させることができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例にかかる電子機器は、上記した電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、均一に発光させることが可能な電子機器を得ることができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、複数の発光領域を有する電気光学装置の製造方法であって、基板上の前記発光領域ごとに画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記基板上の前記画素電極を囲む第１部分と第２部分とを備えるバンクを形成するバンク形成工程と、前記画素電極上における前記バンクの開口部に、液滴吐出法を用いて発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層を挟んで前記画素電極の反対側に陰極を形成する陰極形成工程と、を有し、前記バンク形成工程は、前記第１部分の撥液性が前記第２部分の撥液性よりも低くなるように形成することを特徴とする。
【００２７】
この方法によれば、バンクの第２部分と比較して第１部分の撥液性を低く形成する（濡れ性が高い）ので、開口部における第１部分の領域に液体を充填させることができる。更に、第２部分の撥液性によって、開口部における第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。よって、バンク内の液体の厚みのバラツキが抑えられ、その結果、均一に発光させることができる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記開口部は、コーナーを有し、前記第１部分は、前記開口部のうちコーナーの一部を含むことが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、開口部においてコーナーの一部を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、液体が比較的充填しにくいコーナーに液体を充填することができる。更に、第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記開口部は、円弧を有し、前記第１部分は、前記開口部のうち円弧の一部を含むことが好ましい。
【００３１】
この方法によれば、開口部において円弧の一部を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、液体が比較的充填しにくい円弧の部分に液体を充填することができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記開口部は、長辺と短辺とを有し、前記第１部分は、前記開口部のうち前記短辺側の領域を含み、前記第２部分は、前記開口部のうち前記長辺側の領域を含むことが好ましい。
【００３３】
この方法によれば、短辺側の領域を含む第１部分の撥液性が低い（濡れ性が高い）ので、第２部分と比べて幅が狭く液体が比較的充填しにくい第１部分に液体を充填することができる。更に、第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記バンク形成工程は、前記画素電極上に光触媒作用を有する材料を含む塗工液を塗布する塗布工程と、前記塗工液を乾燥してバンク層を形成するバンク層形成工程と、前記バンク層から前記バンクの形状にパターンニングして前記発光領域に相当する領域に前記開口部を形成する開口部形成工程と、前記バンクにおける第１領域にエネルギーを照射して前記第１部分を形成するエネルギー照射工程と、を有することを特徴とする。
【００３５】
この方法によれば、バンクにおけるエネルギーが照射された第１部分のみ（酸化チタンが）光触媒として作用し、撥液性が低下する（親液性が向上する）。また、バンクにおけるエネルギーが照射されていない第２部分は、例えば、光触媒作用を有する材料のうちポリシロキサンの構造に起因して撥液性を発現する。よって、撥液性の低い第１領域と、撥液性の高い第２領域とを含むバンクを形成することができる。その結果、第１領域では液体を充填させることが可能となり、第２領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００３６】
［適用例１５］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記バンク形成工程は、前記第２部分を第２材料から形成し、前記第１部分を前記第２材料より撥液性の低い第１材料から形成することを特徴とする。
【００３７】
この方法によれば、第２材料からなる第２部分と比較して撥液性の低い第１材料からなる第１部分によって、第１部分の領域に液体を充填させることができる。更に、第２材料からなる第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【００３８】
［適用例１６］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記バンク形成工程は、有機材料からなる前記バンクの第１領域にプラズマ処理を施して撥液性の低い前記第１部分を形成し、前記バンクの第２領域に、前記第１領域に施したプラズマ処理時間より長いプラズマ処理を施して撥液性の高い前記第２部分を形成することを特徴とする。
【００３９】
この方法によれば、第１領域へのプラズマ処理（例えば、Ｏ2プラズマ処理）時間に比べて第２領域へのプラズマ処理（例えば、ＣＦ4プラズマ処理）時間を多くすることにより第２領域の撥液性を高くすることが可能となるので、第１部分の領域に液体を充填させることができると共に、第２部分の撥液性によって、第２部分の領域から液体が溢れることを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の一部の構造を示す模式断面図である。図２は、有機ＥＬ装置におけるバンクが形成された段階でのバンクの構造を示す模式図である。（ａ）は、有機ＥＬ装置を上方から見た模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図である。なお、図１は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、相対関係は度外視されている。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１〜図２を参照しながら説明する。
【００４２】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域１２において発光が行われ、基板１３と、基板１３上に形成された回路素子層１４と、回路素子層１４上に形成された発光素子層１５と、発光素子層１５上に形成された陰極（共通電極）１６とを有する。基板１３としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる（以下、「ガラス基板１３」と称する。）。
【００４３】
回路素子層１４には、ガラス基板１３上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜１７が形成され、下地保護膜１７上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１８が形成されている。詳しくは、下地保護膜１７上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１９が形成されている。半導体膜１９には、ソース領域２１及びドレイン領域２２が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域２３となっている。
【００４４】
更に、回路素子層１４には、下地保護膜１７及び半導体膜１９を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極２５（走査線）が形成されている。ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５上には、透明な第１層間絶縁膜２６及び第２層間絶縁膜２７が形成されている。第１層間絶縁膜２６及び第２層間絶縁膜２７は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極２５は、半導体膜１９のチャネル領域２３に対応する位置に設けられている。
【００４５】
半導体膜１９のソース領域２１は、第１層間絶縁膜２６及びゲート絶縁膜２４を貫通して設けられたコンタクトホール２８を介して、第１層間絶縁膜２６上に形成された信号線２９と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域２２は、第２層間絶縁膜２７、第１層間絶縁膜２６、ゲート絶縁膜２４を貫通して設けられたコンタクトホール３１を介して、第２層間絶縁膜２７上に形成された画素電極３２と電気的に接続されている。
【００４６】
画素電極３２は、発光領域１２ごとに形成されている。また、画素電極３２は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面方向から見て略矩形の形状となっている（図２参照）。なお、回路素子層１４には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスタが形成されている。このようにして、回路素子層１４には、各画素電極３２に接続された駆動用のトランジスタが形成されている。
【００４７】
発光素子層１５は、マトリックス状に配置された発光素子を具備してガラス基板１３上に形成されている。詳述すると、発光素子層１５は、画素電極３２上に形成された機能層３３と、機能層３３を区画するバンク３４とを主体として構成されている。機能層３３上には、陰極１６が配置されている。画素電極３２と、機能層３３と、陰極１６とによって発光素子が構成されている。
【００４８】
バンク３４は、例えば、平面に見て開口部３５がトラック状に形成されている（図２（ａ）参照）。詳述すると、バンク３４の開口部３５は、アスペクト比の異なる発光領域１２と、発光領域１２の短辺側に形成された円弧４４の領域とを有する。
【００４９】
また、バンク３４は、ガラス基板１３側に位置する第１層バンク４１と、第１層バンク４１よりもガラス基板１３から離れて位置する第２層バンク４２とが積層されて構成されている。第１層バンク４１の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ等の無機材料が挙げられる。第２層バンク４２の材料としては、例えば、ポリシロキサンと酸化チタンとを含む材料である。本実施形態では、バンク３４を第１層バンク４１と第２層バンク４２との積層構造にて形成したが、第２層バンク４２単層で形成するようにしてもよい。
【００５０】
第１層バンク４１は、隣り合う画素電極３２間の絶縁性を確保するために、画素電極３２の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、画素電極３２と第１層バンク４１は、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている（図２（ａ）での図示は省略する）。言い換えれば、第１層バンク４１は、発光領域１２を除いた領域に形成されていることになる。また、第１層バンク４１の端部は、第２層バンク４２の端部より、画素電極３２の中央側に配置されるように形成されている。
【００５１】
本実施形態では第１層バンク４１を画素電極３２の周縁部上に乗り上げるように形成したが、第１層バンク４１の側面を第２層バンク４２の側面と面一となるように形成してもよい。この場合、第１層バンク４１を画素電極３２の周縁部上に乗り上げるように形成した場合に比べて、発光領域１２を広く形成することができる。
【００５２】
一方、第２層バンク４２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状に形成されている。また、第２層バンク４２は、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとを有し、第１部分４２ａの撥液性が第２部分４２ｂの撥液性より相対的に低くなっている。撥液性が低い（すなわち、濡れ性が高い）第１部分４２ａは、第２層バンク４２の開口部３５における円弧４４の部分を含む。撥液性の高い（すなわち、濡れ性が低い）第２部分４２ｂは、第２層バンク４２の開口部３５における直線４５の部分を含む。なお、第１部分４２ａは、円弧４４の部分に形成された傾斜面を含んでいる（図２（ｂ）参照）。また、第２部分４２ｂは、直線４５の部分に形成された傾斜面を含んでいる。
【００５３】
ここで、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、撥液性を低くした円弧４４の領域（図２（ａ）参照）に、液体が充填しやすくなったと言える。一方、「撥液性が高い」とは、液体との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性を高くした直線４５の部分（図２（ａ）参照）から外部に、液体が溢れにくくなったと言える。第２層バンク４２の詳細な材料及び製造方法については後述する。
【００５４】
機能層３３は、例えば、正孔注入層５１と発光層５２とがバンク３４に囲まれた領域、すなわち開口部３５（発光領域１２）に形成されている。正孔注入層５１は、画素電極３２を底部とし、第１層バンク４１及び第２層バンク４２を側壁とする凹部に形成されている（図２（ｂ）参照）。
【００５５】
また、正孔注入層５１は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層５１は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００５６】
発光層５２は、正孔注入層５１の上に形成されている。第２層バンク４２の第１部分４２ａの存在により、発光層５２を形成する際に吐出される機能液は、開口部３５における円弧４４の内側に濡れ広がりやすくなる（充填しやすくなる）。また、第２層バンク４２の第２部分４２ｂの存在により、開口部３５における直線４５の部分から外部に機能液が溢れにくい。よって、発光層５２を容易にバンク３４の中に形成することができ、発光層５２の厚さを均一にすることができる。
【００５７】
陰極１６は、発光層５２及び第２層バンク４２の上に形成されている。言い換えれば、陰極１６は、発光層５２を挟んで画素電極３２の反対側に形成されている。陰極１６は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極１６の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。なお、発光素子層１５と陰極１６とによって表示素子５３が構成される。
【００５８】
上述した発光層５２は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極３２と陰極１６との間に電圧を印加することによって、発光層５２には、正孔注入層５１から正孔が、また、陰極１６から電子が注入される。発光層５２において、これらが結合したときに光を発する。
【００５９】
この有機ＥＬ装置１１は、例えば、機能層３３からガラス基板１３側に発した光が、回路素子層１４及びガラス基板１３を透過してガラス基板１３の下側に出射されると共に、機能層３３からガラス基板１３の反対側に発した光が陰極１６により反射されて、回路素子層１４及びガラス基板１３を透過してガラス基板１３の下側に出射されるようになっている。なお、陰極１６として透明な材料を用いることにより、陰極１６側から発光する光を出射させることもできる。
【００６０】
図３は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図３を参照しながら説明する。
【００６１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１の製造方法は、ステップＳ１〜ステップＳ５によってバンクを形成し、ステップＳ１１〜ステップＳ１６によって有機ＥＬ素子を形成する。まずステップＳ１では、ガラス基板１３上に、公知の成膜技術を用いて回路素子層１４を形成する。ステップＳ２（画素電極形成工程）では、回路素子層１４上に、ＩＴＯからなる画素電極３２を形成する。
【００６２】
ステップＳ３では、回路素子層１４及び画素電極３２上に、第１層バンク４１を形成する。詳しくは、まず、第１層バンク４１の材料となる、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含んだ層（第１層バンク層）を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層１４及び画素電極３２上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１層バンク層のうち発光領域１２に対応する領域に開口部４１ａを形成すると共に第１層バンク４１を形成する。なお、第１層バンク４１の側面と第２層バンク４２の側面とを面一となるように形成する場合には、ステップＳ３では開口部４１ａを形成せずに、後のステップＳ４において、開口部４２ｃの形成と同時に開口部４１ａを形成すればよい。
【００６３】
ここで、第２層バンク４２の材料となる塗工液について説明する。塗工液は、酸化チタンとポリシロキサンとを含んでいる。このうち酸化チタンは、光触媒として作用し、第２層バンク４２の第１部分４２ａに相当する第１領域にエネルギーを照射することによって、第１部分４２ａの表面の濡れ性を変化させるものである。また、表面に限定されず、第１部分４２ａの膜全体の濡れ性を変化させるようにしてもよい。
【００６４】
一方、ポリシロキサンは、撥液性を有する置換基が、ポリシロキサンを構成するＳｉ原始に直接結合しているものである。撥液性を有する置換基としては、アルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基、エポキシ基等が挙げられる。本実施形態ではフルオロアルキル基が用いられている。ポリシロキサンのこうした構造に起因して、上記塗工液から形成された第２層バンク４２の第２部分４２ｂは、撥液性を発現する。また、この塗工液からなる層にエネルギーが照射されると、上記光触媒の作用により上記置換基が分解等され、親液性（低い撥液性）を発現するようになる。すなわち、エネルギーが照射された第２層バンク４２の第１部分４２ａのみ選択的に親液性が向上し、残りの第２部分４２ｂは撥液性が保たれるという性質を持つ。
【００６５】
ステップＳ４（塗布工程、バンク層形成工程、開口部形成工程）では、第１層バンク４１上に、第２層バンク４２の形状にパターンニングする。まず、上記した第２層バンク４２の材料の塗工液を第１層バンク４１上及び発光領域１２上に塗布する。次に、塗工液を乾燥させてバンク層としての第２層バンク層を形成する。その後、この第２層バンク層における発光領域１２に対応する領域に開口部４２ｃを形成する。これにより、第２層バンク４２の形状が完成する。
【００６６】
ステップＳ５（エネルギー照射工程）では、第２層バンク４２における第１部分４２ａの撥液性を低く（濡れ性を高く）形成して第２層バンク４２を完成させる。まず、第１部分４２ａに相当する領域が開口するマスクを配置する。そして、マスクを介して、第１部分４２ａ（第１領域）のみにエネルギーを照射する。エネルギー照射の条件としては、例えば、超高圧水銀ランプ（３０ｍＷ／ｃｍ2、波長３６５ｎｍ）で３０秒露光する。第１部分４２ａは、エネルギー照射に伴う酸化チタンの作用により、液体との接触角が低下する方向に変化する。その結果、第１部分４２ａの撥液性を、第２部分４２ｂの撥液性より低くする（濡れ性を高くする）ことができ、接触角が低下した第１部分４２ａと、接触角が高い第２部分４２ｂとを有する第２層バンク４２を形成することができる。
【００６７】
以上により、第２層バンク４２における第１部分４２ａは液体（機能液）との接触角が３０°（第１接触角）となり、第２部分４２ｂは液体（機能液）との接触角が８０°（第２接触角）となって、バンク形成が完了する。
【００６８】
引き続くステップＳ１１では、画素電極３２上における第１層バンク４１及び第２層バンク４２によって囲まれた発光領域１２に、正孔注入層５１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出する。詳しくは、機能液の液滴を、画素電極３２を底部とし第１層バンク４１及び第２層バンク４２を側壁とする凹部に向けて吐出する。正孔注入層５１の機能液としては、例えば、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ分散液を用いることができる。ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ分散液の一例としては、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとの重量比が１：１０、かつ固形分濃度が０．５％であり、ジエチレングリコールを５０％含み、残量が純水であるものを用いることができる。
【００６９】
ステップＳ１２では、機能液を乾燥させて正孔注入層５１を形成する。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを固形化させることにより、バンク３４内に正孔注入層５１を形成する。乾燥の条件としては、例えば２００℃の環境下で、ガラス基板１３を１０分間放置する。
【００７０】
ステップＳ１３（発光層形成工程）では、正孔注入層５１上に、発光層５２の材料を含んだ機能液を液滴吐出法により吐出する。発光層５２の機能液としては、例えば、赤色蛍光材料を固形分濃度０．８％で含み、シクロヘキシルベンゼンを溶媒とするものを用いることができる。
【００７１】
上述したように、第２層バンク４２の開口部３５における円弧４４の部分が撥液性の低い第１部分４２ａとなっているので、第１部分４２ａに濡れて成膜される機能液（例えば、発光層５２の機能液）が後退することを抑えることができる。また、第２層バンク４２の開口部３５における直線４５の部分が撥液性の高い第２部分４２ｂとなっているので、機能液がバンク３４の外側に溢れることを抑えることができる。これにより、バンク３４内の発光層５２の厚みが不均一になることを抑えることができる。
【００７２】
ステップＳ１４（発光層形成工程）では、機能液を乾燥させて、発光層５２を形成する。詳しくは、機能液を高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液に含まれる赤色蛍光材料を固形化させることにより発光層５２を形成する。乾燥させる条件としては、例えば１００℃の環境下でガラス基板１３を１時間放置する。形成された発光層５２の膜厚としては、例えば、１００ｎｍである。こうして形成された発光層５２は、正孔注入層５１より大きな面積を有しているため、発光層５２のうち比較的平坦な領域を発光に用いることができる。
【００７３】
ステップＳ１５（陰極形成工程）では、発光層５２の形成されたガラス基板１３上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極１６を形成する。形成されたカルシウム膜は、例えば、５ｎｍである。形成されたアルミニウム膜は、例えば、３００ｎｍである。
【００７４】
ステップＳ１６では、陰極１６上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行って、有機ＥＬ素子が形成され、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００７５】
図４は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図である。以下、有機ＥＬ装置を備えた携帯電話機を、図４を参照しながら説明する。
【００７６】
図４に示すように、携帯電話機６１は、表示部６２及び操作ボタン６３を有している。表示部６２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記携帯電話機６１の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００７７】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７８】
（１）第１実施形態によれば、第２層バンク４２の開口部３５のうち、比較的機能液が充填しにくい円弧４４の部分が撥液性の低い第１部分４２ａとなっているので、第１部分４２ａに機能液（例えば、発光層５２の機能液）を馴染ませることが可能となり、円弧４４の内側の領域に機能液を充填させることができる。また、開口部３５の直線４５の部分が撥液性の高い第２部分４２ｂとなっているので、機能液がバンク３４の外側に溢れることを抑えることができる。この結果、発光領域１２における発光層５２の厚みを均一に形成することができ、均一に発光させることができる。
【００７９】
（２）第１実施形態によれば、光触媒を利用して第１部分４２ａの表面の濡れ性を変化させることにより撥液性を低くするので、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとを異なる材料でパターンニングする工程がなく、同じ材料で第２バンクを形成することができる。
【００８０】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５を参照しながら説明する。なお、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法は、第２層バンク４２の第１部分４２ａにアクリル系樹脂（第１材料）を用い、第２部分４２ｂにフッ素系材料が添加されたアクリル系樹脂（第２材料）を用いる部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００８１】
まず、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１の構造を説明する。有機ＥＬ装置１１は、上記したように、例えば、第２層バンク４２の開口部３５における円弧４４を含む第１領域が、アクリル系材料からなる第１部分４２ａとなっている。また、第２層バンク４２の開口部３５における直線４５を含む第２領域が、フッ素系材料を添加したアクリル系材料からなる第２部分４２ｂとなっている。
【００８２】
ここで、アクリル系材料に添加されるフッ素について説明する。フッ素は、極めて低い表面エネルギーを有するものであり、このため、フッ素を多く含有する物質の表面は、臨界表面張力がより小さくなる。したがって、フッ素の含有量の多い物質の表面の臨界表面張力に比較して、フッ素の含有量の少ない物質の表面の臨界表面張力は大きくなる。これはすなわち、フッ素含有量の少ない物質の表面は、フッ素含有量の多い物質の表面に比較して親液性領域となっていることを意味する。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。なお、ステップＳ１〜ステップＳ３までの工程は、第１実施形態と同様である。
【００８３】
ステップＳ２１では、第１層バンク４１上に、第２層バンク４２の第１部分４２ａを形成する。撥液性の低い第１部分４２ａの材料としては、例えば、上記したようにアクリル系樹脂が挙げられる。まず、第１層バンク４１を含むガラス基板１３上に、アクリル系樹脂を蒸着により形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、第１部分４２ａの形状にパターンニングする。
【００８４】
ステップＳ２２では、第１層バンク４１上の第１部分４２ａに隣接して、第２部分４２ｂを形成する。撥液性の高い第２部分４２ｂの材料としては、例えば、上記したようにフッ素系材料が添加されたアクリル系樹脂が挙げられる。まず、第１層バンク４１及び第２層バンク４２の第１部分４２ａを含むガラス基板１３上に、フッ素系材料が添加されたアクリル系樹脂を蒸着により形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、第２部分４２ｂの形状にパターンニングする。なお、撥液性の高い（接触角の高い）第２部分４２ｂの膜厚が、撥液性の低い（接触角の低い）第１部分４２ａの膜厚より厚いことが好ましい。これにより、バンク３４の開口部３５において液体が溢れ易い直線４５の部分から液体が溢れることを抑えることができる。
【００８５】
以上により、アクリル系樹脂からなる第１部分４２ａ、フッ素系材料が添加されたアクリル系樹脂からなる第２部分４２ｂを有する第２層バンク４２が完成する。第１部分４２ａは、機能液との接触角が３０°となり、第２部分４２ｂは、機能液との接触角が８０°となる。この後、第１実施形態と同様に、ステップＳ１１〜ステップＳ１６を行うことによって、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００８６】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００８７】
（３）第２実施形態によれば、円弧４４の部分を含む第１部分４２ａをアクリル系樹脂で形成し、直線４５の部分を含む第２部分４２ｂをフッ素系材料が添加されたアクリル系樹脂で形成することにより、撥液性の低い第１部分と撥液性の高い第２部分とをつくることができるので、製造する工程数が増えるものの、第１実施形態のようなエネルギーを照射することなく２つの撥液性の部分を形成することができる。
【００８８】
（第３実施形態）
図６は、第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図６を参照しながら説明する。なお、第３実施形態の有機ＥＬ装置１１は、第１部分４２ａに相当する第１領域に施すプラズマ処理時間と比較して、第２部分４２ｂに相当する第２領域に施すプラズマ処理時間を長くする（回数を多くする）ことにより、撥液性の低い第１部分４２ａと撥液性の高い第２部分４２ｂと分ける部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。なお、ステップＳ１〜ステップＳ３までの工程は、第１実施形態と同様である。
【００８９】
ステップＳ３１では、第１層バンク４１を含むガラス基板１３上に第２層バンク４２を形成するための、例えば、アクリル系樹脂を積層して第２層バンク層を形成する。第２層バンク層を形成する方法としては、例えば、蒸着法が挙げられる。
【００９０】
ステップＳ３２では、第２層バンク層から第２層バンク４２の形状にパターンニングする。詳しくは、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターンニングする。
【００９１】
ステップＳ３３では、第２層バンク４２において、撥液性の低い第１部分４２ａと、撥液性の高い第２部分４２ｂとを形成する。詳しくは、第２層バンク４２における第１部分４２ａに相当する第１領域には、例えば、酸素（Ｏ2）ガスを用いた酸素プラズマ処理を行う。一方、第２部分４２ｂに相当する第２領域には、例えば、テトラフルオロメタンを用いた四フッ化炭素（ＣＦ4）プラズマ処理を行う。また、第１領域に施すプラズマ処理と比較して、第２領域に施すプラズマ処理を、例えば、１０倍多く行う。
【００９２】
詳述すると、第１領域への酸素プラズマ処理は、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、第１部分４２ａを親液化（撥液性を低く）することができる。
【００９３】
一方、第２領域への四フッ化炭素プラズマ処理は、例えば、プラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、テトラフルオロメタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、第２部分４２ｂを撥液化（撥液性を高く）することができる。なお、前記した第２領域への四フッ化炭素プラズマ処理を、例えば、１０回行うようにする。
【００９４】
以上により、撥液性の低い第１部分４２ａと、撥液性の高い第２部分４２ｂとを有する第２層バンク４２が完成する。第１部分４２ａは、表面粗さＲａが０．９ｎｍとなり、機能液との接触角が５０°となる。また、第２部分４２ｂは、表面粗さＲａが１５ｎｍとなり、機能液との接触角が８０°となる。なお、ステップＳ３３の後、第１実施形態と同様にステップＳ１１〜ステップＳ１６を行うことによって、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００９５】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９６】
（４）第３実施形態によれば、第１領域と第２領域とにそれぞれのプラズマ処理を行うと共に、プラズマ照射時間を変えることで、撥液性の低い第１部分４２ａと撥液性の高い第２部分４２ｂとを形成するので、一般的な処理工程の中で実施することができ、比較的簡単に上述した第１部分４２ａ及び第２部分４２ｂをつくることができる。
【００９７】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９８】
（変形例１）
上記したバンク３４の開口部３５の形状は、平面に見てトラック状に限定されず、例えば、図７〜図１０に示すような形状でもよい。図７に示すバンク７１は、複数の発光素子を含む画素領域を区画する共通バンクを示す図である。このバンク７１を構成する第２層バンク４２は、発光領域１２に隣接する（直線４５を含む）撥液性の高い第２部分４２ｂと、それ以外の領域（円弧４４の部分を含む）である撥液性の低い第１部分４２ａとを有する。このバンク７１によれば、開口部７２における円弧４４の部分が撥液性の低い第１部分４２ａとなっているので、第１部分４２ａに濡れて成膜される機能液（例えば、発光層５２の機能液）が後退することを抑えることができる。また、開口部７２における直線４５の部分が撥液性の高い第２部分４２ｂとなっているので、機能液がバンク７１の外側に溢れることを抑えることができる。更に、バンク７１において、円弧４４の部分を含まない第１部分４２ａが存在することによって、発光領域１２に充分な機能液が入らなかった場合の充填不良を抑えることができる。よって、発光領域１２において、均一な発光特性を得ることができる。
【００９９】
図８に示すバンク７５は、アスペクト比の異なる長方形であり、バンク７５の開口部７６において、長辺の直線７７及び短辺の直線７８と、それぞれの直線７７，７８を結ぶコーナーに円弧７９が形成されている部分が第１実施形態のバンク３４と異なっている。このバンク７５を構成する第２層バンク４２は、例えば、円弧７９の部分を含む第１部分４２ａと、円弧７９の部分を含まない第２部分４２ｂとを有する。これによれば、開口部７６における短辺側の部分が撥液性の低い第１部分４２ａとなっているので、比較的液体が充填しにくい短辺側の領域に機能液を充填することができる。また、開口部７６の長辺側の部分が撥液性の高い第２部分４２ｂとなっているので、長辺側の部分から機能液が溢れることを抑えることができる。また、前記構成に限定されず、例えば、直線を含まない円弧７９の部分のみを第１部分４２ａ、それ以外の部分を第２部分４２ｂとするようにしてもよい。また、コーナーの一部を含む部分を第１部分４２ａ、その他の部分を第２部分４２ｂとするようにしてもよい。これによれば、少なくとも機能液が充填しにくい円弧７９の部分に、機能液を充填させることができる。
【０１００】
図９に示すバンク８１は、アスペクト比の異なる長方形であり、コーナーに円弧がない部分が図８に示すバンク７５と異なっている。このバンク８１を構成する第２層バンク４２は、例えば、開口部８２における短辺側（直線７８側）の部分が第１部分４２ａであり、長辺側（直線７７側）の部分が第２部分４２ｂとなっている。また、前記構成に限定されず、コーナー近傍が第１部分４２ａ、その他の領域が第２部分４２ｂとしてもよい。また、コーナーの一部を含む部分を第１部分４２ａ、その他の部分を第２部分４２ｂとするようにしてもよい。これによれば、コーナーを結ぶ部分に円弧が形成されていないので、発光領域１２全域に機能液を充填させることが難しいものの、より広い範囲に機能液を充填させることが可能となり、発光領域１２における発光特性をより均一にすることができる。また、コーナーに円弧を設ける場合と比較して発光領域を広くすることができる。
【０１０１】
図１０に示すバンク８５は、アスペクト比が同じ（正方形）である部分が、図９に示すバンク８１と異なっている。このバンク８５は、例えば、開口部８６におけるコーナー近傍が第１部分４２ａであり、それ以外の部分が第２部分４２ｂである。これによれば、機能液が充填しにくいコーナーの部分の撥液性が低くなっているので、機能液を充填しやすくすることができる。なお、上記した種々の形状の開口部において、撥液性を低くしなくても親液性を満足することができる部分（又は、親液性が変わらない部分）であれば、撥液性を低くする処理を施さないようにしてもよい。
【０１０２】
（変形例２）
上記した第１実施形態〜第３実施形態のような方法を用いて第１部分４２ａ及び第２部分４２ｂを形成することに限定されず、例えば、切削や変形などを利用して、第２部分４２ｂを波状やギザギザ状に荒らすようにして、第２部分４２ｂの撥液性を高めるようにしてもよい。
【０１０３】
（変形例３）
上記したように、発光領域１２に機能液を充填させる方法として液滴吐出法に限定されず、例えば、ディスペンサ塗布法を用いるようにしてもよい。
【０１０４】
（変形例４）
上記したように、電気光学装置として有機ＥＬ装置１１を例に挙げたことに限定されず、製造する際、バンクに液体を充填させる工程を有するものであればよく、例えば、カラーフィルタを有する液晶装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパーなどに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部の構造を示す模式断面図。
【図２】有機ＥＬ装置におけるバンクの構造を示す模式図であり、（ａ）は有機ＥＬ装置を上方から見た模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面に沿う模式断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ断面に沿う模式断面図。
【図３】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図４】有機ＥＬ装置を備えた携帯電話機を示す模式図。
【図５】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図６】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図７】バンク形状の変形例を示す模式平面図。
【図８】バンク形状の変形例を示す模式平面図。
【図９】バンク形状の変形例を示す模式平面図。
【図１０】バンク形状の変形例を示す模式平面図。
【符号の説明】
【０１０６】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２…発光領域、１３…ガラス基板、１４…回路素子層、１５…発光素子層、１６…陰極、１７…下地保護膜、１８…ＴＦＴ素子、１９…半導体膜、２１…ソース領域、２２…ドレイン領域、２３…チャネル領域、２４…ゲート絶縁膜、２５…ゲート電極、２６…第１層間絶縁膜、２７…第２層間絶縁膜、２８…コンタクトホール、２９…信号線、３１…コンタクトホール、３２…画素電極、３３…機能層、３４，７１，７５，８１，８５…バンク、３５，４１ａ，４２ｃ，７２，７６，８２，８６…開口部、４１…第１層バンク、４２…第２層バンク、４２ａ…第１部分、４２ｂ…第２部分、４４，７９…円弧、４５，７７，７８…直線、５１…正孔注入層、５２…発光層、５３…表示素子、６１…電子機器としての携帯電話機、６２…表示部、６３…操作ボタン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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