(57)【要約】【課題】第１基板に形成した基板間接続用電極と対向基板の外面に形成したシールド用導電膜とを塗布型導電膜によって電気的に接続する場合でも、塗布型導電膜を所定の範囲内に形成することのできる液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】液晶装置１００において、画素電極および共通電極は、いずれも素子基板１０側に形成されているため、対向基板２０の外面２０ｆにはその全面あるいは略全面に透光性のシールド用導電膜２５が形成されている。張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨るように形成された塗布型導電膜６１により、素子基板１０の基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とが電気的に接続されている。対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１と塗布型導電膜６１との間で塗布型導電膜６１の偏光板５１側における塗布範囲を制限する撥液処理層２８が形成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々に形成された画素電極、および該画素電極との間に電界を形成する共通電極を備えた第１基板と、該第１基板に対して対向配置された第２基板と、該第２基板と前記第１基板との間に保持された液晶層と、を有する液晶装置において、
前記第１基板において前記第２基板の基板縁から張り出した張り出し領域に基板間接続用電極が形成され、
前記第２基板において前記液晶層が位置する内面側とは反対側に位置する外面側に透光性のシールド用導電膜が形成され、
前記第２基板の外面側において前記基板縁から所定の距離だけ隔てた位置には前記シールド用導電膜を覆うように偏光板が接合され、
前記第１基板の前記張り出し領域および前記第２基板の前記基板縁に跨って前記基板間接続用電極と前記シールド用導電膜とを電気的に接続する塗布型導電膜が形成され、
前記第２基板の外面側には、前記偏光板と前記塗布型導電膜との間で当該塗布型導電膜の前記偏光板側における塗布範囲を制限する撥液処理層が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記塗布型導電膜は、導電粒子をバインダ樹脂とともに有機溶剤に分散させてなる塗布材料を塗布後、硬化させてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記撥液処理層は、少なくとも前記第２基板の外面に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記撥液処理層は、少なくとも前記偏光板の側端面に形成されていることを請求項１または２に記載の特徴とする液晶装置。
【請求項５】
前記撥液処理層は、前記偏光板の側端面に沿って直線状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記撥液処理層は、前記偏光板の側端面に沿って直線状に延びた第１部分と、該第１部分から前記対向基板の前記基板縁に向けて延びた第２部分とを備えていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の又は何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、横電界により液晶を駆動する液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機やモバイルコンピュータなどに用いられる液晶装置の広視野角化を実現することを目的に、いわゆるフリンジフィールドスイッチング（以下、ＦＦＳ（Fring Field Switching）という）方式やインプレンスイッチング（以下、ＩＰＳ(In Plane Switching)という）方式等、横電界により液晶を駆動するタイプの液晶装置が実用化されつつある。
【０００３】
かかるタイプの液晶装置において、液晶を駆動するための画素電極および共通電極は、いずれも素子基板側に形成されており、共通電極は対向基板の側に形成されていない。このため、対向基板は外部からの静電気の侵入に対してシールド機能を備えていないので、静電気によって液晶の配向が乱れ、適正な表示を行なえなくなるという問題点がある。
【０００４】
そこで、対向基板において液晶が位置する側とは反対側の外面の全面に透光性のシールド用導電膜を形成し、かかるシールド用導電膜を外部と電気的に接続しておく構成が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許２７５８８６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
対向基板の外面に形成したシールド用導電膜を外部と電気的に接続するにあたっては、例えば、図９（ａ）、（ｂ）に示す構成を採用することができる。図９（ａ）、（ｂ）に示す構成では、素子基板１０において対向基板２０の基板縁２０ｃから張り出した張り出し領域１０ｓに基板間接続用電極１０６を形成する一方、対向基板２０の外面にシールド用導電膜２５を形成しておき、張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨って導電ペースト６０を塗布して基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とを塗布型導電膜６１により電気的に接続する。なお、図９（ａ）、（ｂ）に示す構成は、従来技術ではなく、本願発明者が、本発明との差異を明確化するために構成した参考例である。
【０００６】
しかしながら、図９（ａ）、（ｂ）に示すように構成すると、以下の問題点がある。まず、対向基板２０に対して偏光板５１を粘着剤５５により接合した後、塗布型導電膜６１を形成する際に導電ペースト６０が偏光板５１と接触する位置まで塗布されてしまうことがある。このような場合、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が劣化し白濁するという不具合や、偏光板５１を接合していた粘着剤５５が侵されて偏光板５１が部分的に剥がれるという不具合が発生する。かかる不具合は、表示光の出射が部分的に妨げる原因となるため、好ましくない。
【０００７】
また、塗布型導電膜６１を形成して基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とを電気的に接続した後、対向基板２０に対して偏光板５１を接合する場合でも、導電ペースト６０が偏光板５１の接合領域まではみ出していると、対向基板２０と偏光板５１との間に塗布型導電膜６１がはみ出してしまう。かかる事態が発生した場合も表示光の出射が部分的に妨げる原因となるため、好ましくない。
【０００８】
それ故、図９（ａ）、（ｂ）に示す構成を採用する場合には、対向基板２０の基板縁２０ｃから十分な距離ｄ０、例えば１ｍｍ以上を隔てた位置に偏光板５１を配置せざるを得ないため、表示に直接、寄与しない領域が広くなってしまうという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、第１基板に形成した基板間接続用電極と対向基板の外面に形成したシールド用導電膜とを塗布型導電膜によって電気的に接続する場合でも、塗布型導電膜を所定の範囲内に形成することのできる液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明では、複数の画素の各々に形成された画素電極、および該画素電極との間に電界を形成する共通電極を備えた第１基板と、該第１基板に対して対向配置された第２基板と、該第２基板と前記第１基板との間に保持された液晶層と、を有する液晶装置において、前記第１基板において前記第２基板の基板縁から張り出した張り出し領域に基板間接続用電極が形成され、前記第２基板において前記液晶層が位置する内面側とは反対側に位置する外面側の全面あるいは略全面に透光性のシールド用導電膜が形成され、前記第２基板の外面側において前記基板縁から所定の距離だけ隔てた位置には前記シールド用導電膜を覆うように偏光板が接合され、前記第１基板の前記張り出し領域および前記第２基板の前記基板縁に跨って前記基板間接続用電極と前記シールド用導電膜とを電気的に接続する塗布型導電膜が形成され、前記第２基板の外面側には、前記偏光板と前記塗布型導電膜との間で当該塗布型導電膜の前記偏光板側における塗布範囲を制限する撥液処理層が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、「第２基板の外面側の「略全面」に透光性のシールド用導電膜が形成されている」とは、シールド用導電膜が全面に形成されていなくても、例えばシールド用導電膜の構成においてシールド用導電膜が格子状に形成されている、或いは、シールド用導電膜が形成される領域において少なくとも表示領域を含む領域にシールド用導電膜が形成されていて、静電気に対するシールド効果を有していればよいことを意味する。
【００１２】
本発明では、シールド用導電膜を外部と電気的に接続するにあたっては、第１基板の張り出し領域に基板間接続用電極を形成しておき、張り出し領域および第２基板の基板縁に跨って導電ペーストなどの塗布材料を塗布して基板間接続用電極とシールド用導電膜とを塗布型導電膜により電気的に接続する。ここで、第２基板の外面側には、偏光板と塗布型導電膜との間で塗布型導電膜の偏光板側における塗布範囲を制限する撥液処理層が形成されているため、塗布型導電膜を所定の範囲内に形成することができる。それ故、液晶装置を製造する際、第２基板に対して偏光板を接合した後、塗布型導電膜を形成する場合、導電ペーストなどの塗布材料が偏光板と接触する位置まで塗布されてしまうことがないので、塗布材料に含まれていた溶剤によって偏光板が白濁するなどの問題が発生しない。また、塗布型導電膜を形成して基板間接続用電極とシールド用導電膜とを電気的に接続した後、第２基板に対して偏光板を接合する場合でも、導電ペーストなどの塗布材料が偏光板の接合領域まではみ出してしまうことがないので、第２基板と偏光板との間に塗布型導電膜がはみ出してしまうことがない。それ故、塗布型導電膜のはみ出しが原因で表示光の出射が部分的に妨げるといった事態の発生を回避することができる。よって、偏光板については第２基板の基板縁から短い距離を隔てた位置に接合すればよいので、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。
【００１３】
本発明において、前記塗布型導電膜は、例えば、導電粒子をバインダ樹脂とともに有機溶剤に分散させてなる塗布材料を塗布後、硬化させてなる。
【００１４】
本発明において、前記撥液処理層は、少なくとも前記第２基板の外面に形成されている構成を採用することができる。このように構成すると、撥液処理層を容易に形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記撥液処理層は、少なくとも前記偏光板の側端面に形成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、撥液処理層と偏光板の側端面との間に無駄なスペースが発生しないので、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。
【００１６】
本発明において、前記撥液処理層は、前記偏光板の側端面に沿って直線状に形成されていることが好ましい。このように構成すると、塗布型導電膜を形成するための塗布材料の塗布範囲が撥液処理層によって確実に制限されるため、塗布材料のはみ出しを確実に防止することができ、かつ、撥液処理層を容易に形成することができる。
【００１７】
本発明において、前記撥液処理層は、前記偏光板の側端面に沿って直線状に延びた第１部分と、該第１部分から前記対向基板の前記基板縁に向けて延びた第２部分とを備えていることが好ましい。このように構成すると、撥液処理層の第１部分および第２部分で囲まれた内側に塗布材料が塗布されるため、塗布材料が第１部分を回り込んで偏光板が配置される側にはみ出すといった事態の発生を確実に回避することができる。
【００１８】
本発明を適用した液晶装置は、ＦＦＳ方式およびＩＰＳ方式のいずれにも適用することができる。但し、ＦＦＳ方式の液晶装置の場合、共通電極をベタに形成することができるとともに、蓄積容量を別途形成する必要がないなどの利点があるので、本発明は、ＦＦＳ方式の液晶装置に適用することが好ましい。
【００１９】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器の表示部などとして用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２２】
図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、液晶パネル１００ｐは、素子基板１０（第１基板）と、素子基板１０に対して対向配置された対向基板２０（第２基板）と、対向基板２０と素子基板１０との間でホモジニアス配向された液晶層５０とを備えている。素子基板１０の上には、シール材１０３が対向基板２０の縁に沿うように形成されており、対向基板２０と素子基板１０とはシール材１０３によって貼り合わされている。液晶層５０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物であり、広い温度範囲においてネマチック相を示す。
【００２３】
対向基板２０は素子基板１０よりも小さく、素子基板１０は、対向基板２０の基板縁２０ｃより張り出した張り出し領域１０ｓを備えている。張り出し領域１０ｓにおいて、素子基板１０の一辺に沿っては、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が構成された駆動用ＩＣ１０２が実装されている。また、張り出し領域１０ｓにおいて、素子基板１０の一辺に沿っては、複数の端子１０８が形成されており、かかる端子１０８にはフレキシブル基板（図示せず）が接続され、外部との電気的な接続が行なわれる。
【００２４】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、複数の画素電極７ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０３の内側領域に遮光性材料からなる額縁状の遮光層２３ａが形成され、その内側が画像表示領域１０ａになっている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極７ａの縦横の画素境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光層２３ｂが形成されている。
【００２５】
本形態の液晶装置１００は、液晶層５０をＦＦＳモードで駆動する。このため、素子基板１０の上には、画素電極７ａに加えて、後述する共通電極（図１（ａ）、（ｂ）には図示せず）も形成されており、対向基板２０には対向電極が形成されていない。
【００２６】
このように構成した液晶装置１００において、液晶パネル１００ｐは、対向基板２０が表示光の出射側に位置するように配置されており、液晶パネル１００ｐに対して対向基板２０側および素子基板１０側の各々に第１の偏光板５１および第２の偏光板５２が粘着剤により接合されている。さらに、液晶パネル１００ｐに対して素子基板１０側にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。
【００２７】
（液晶装置１００の電気的な構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａの電気的な構成を示す等価回路図である。図２に示すように、液晶装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａ、および画素電極７ａを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０が形成されている。また、複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａとの間で横電界を形成するための共通電極９ａが形成されており、かかる共通電極９ａは共通配線３ｃに電気的に接続されている。なお、図２では、共通電極９ａが共通配線３ｃに接続された構成を示してあるが、共通電極９ａが素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面に形成された構成を採用することもある。
【００２８】
薄膜トランジスタ３０のソースにはデータ線５ａが電気的に接続されており、データ線５ａは、データ線駆動回路１０１からデータ信号が線順次で供給される。また、薄膜トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、走査線３ａは、走査線駆動回路１０４から走査信号が線順次で供給される。画素電極７ａは、薄膜トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、薄膜トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線５ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７ａを介して、液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板１０に形成された共通電極９ａとの間で一定期間保持される。ここで、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には保持容量６ａが形成されており、画素電極７ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置１００が実現できる。
【００２９】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、その平面図、および偏光板の配置方向などを示す説明図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、図３（ｂ）では、画素電極７ａは太くて長い点線で示し、走査線３ａおよびそれと同時形成された配線などは二点鎖線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された薄膜などは細い実線で示し、共通電極９ａは太い実線で示してある。
【００３０】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明な画素電極７ａが各画素１００ａ毎に形成されている。画素電極７ａの縦横の画素境界領域に沿っては、薄膜トランジスタ３０（画素スイッチング素子）に電気的に接続されたデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されている。また、走査線３ａと並列するように共通配線３ｃが形成されており、共通配線３ｃは、走査線３ａと同時形成された配線層である。共通配線３ｃには、ＩＴＯ膜からなる透明な共通電極９ａが電気的に接続されている。ここで、共通電極９ａは、ベタに形成されている一方、画素電極７ａには、スリット状の開口部７ｂ（太くて長い点線で示す）が複数、形成されている。
【００３１】
図３（ａ）において、素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板２０ｂからなる。本形態では、透光性基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。
【００３２】
再び図３（ａ）、（ｂ）において、素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに隣接する位置にボトムゲート構造の薄膜トランジスタ３０が形成されている。薄膜トランジスタ３０には、走査線３ａの一部からなるゲート電極、ゲート絶縁層２、薄膜トランジスタ３０の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体層１ａ、およびコンタクト層（図示せず）がこの順に積層されている。半導体層１ａのうち、ソース側の端部には、コンタクト層を介してデータ線５ａがソース電極として重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層を介してドレイン電極５ｂが重なっている。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂは同時形成された導電膜からなる。データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの表面側にはシリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜４が形成されている。絶縁保護膜４の上層には、ＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが形成されており、画素電極７ｂにはスリット状の開口部が複数、形成されている。絶縁保護膜４においてドレイン電極５ｂと重なる領域にはコンタクトホール８ａが形成されており、画素電極７ａは、コンタクトホール８ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続されている。画素電極７ａの表面側には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、直線的なラビング処理により配向処理されたポリイミド樹脂膜であり、液晶層５０において配向膜１６に近接する部分をラビング方向に従って配向させる。
【００３３】
素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面に共通配線３ｃが形成されている。共通配線３ｃの上層には、ベタのＩＴＯ膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａは共通配線３ｃに電気的に接続されている。共通電極９ａの表面には、ゲート絶縁層および絶縁保護膜４が形成されている。共通電極９ａと画素電極７ａとはゲート絶縁層２および絶縁保護膜４を介して対向しており、ゲート絶縁層２および絶縁保護膜４を誘電体膜とする保持容量６ａが形成されている。また、画素電極７ａと共通電極９ａとの間に形成された横電界によって、スリット状の開口部７ｂ、およびその周辺で液晶層５０を駆動する。
【００３４】
対向基板２０では、透光性基板２０ｂの内面２０ｅ（液晶層５０が位置する側の面）に、薄膜トランジスタ３０に対向するように遮光層２３ｂが形成され、遮光層２３ｂで囲まれた領域内には各色のカラーフィルタ２２が形成されている。遮光層２３ｂおよびカラーフィルタ２２は絶縁保護膜２４で覆われ、絶縁保護膜２４の表面側には配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、直線的なラビング処理により配向処理されたポリイミド樹脂膜であり、液晶層５０において配向膜２６に近接する部分をラビング方向に従って配向させる。ここで、配向膜１６、２６に対するラビング処理はアンチパラレルであり、配向膜１６に対するラビング方向と、配向膜２６に対するラビング方向とは逆向きである。このため、液晶層５０をホモジニアス配向することができる。
【００３５】
なお、図３（ｂ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間には、感光性樹脂によって、素子基板１０に対して柱状突起１３（図３（ａ）には、図示せず）が形成されており、この柱状突起１３によって、素子基板１０と対向基板２０との間隔が所定の値に設定される。
【００３６】
ここで、液晶装置１００を法線方向からみると、複数のスリット状の開口部７ｂは、互いに平行に形成されているが、走査線３ａに対して５度の傾きをもって延びている。図３（ｃ）に示すように、対向基板２０側の配向膜２６に対しては、走査線３ａと平行にラビング処理が施されており、素子基板１０側の配向膜１６に対しては、配向膜２６に対するラビング方向と逆向きのラビング処理が施されている。このため、配向膜１６、２６に対しては、開口部７ｂが延びている方向に５度の角度をもってラビング処理が施されていることになる。第１の偏光板５１および第２の偏光板５２は、互いの偏光軸が直交するように配置されており、第１の偏光板５１の偏光軸は、配向膜１６、２６に対するラビング方向と直交し、第２の偏光板５２の偏光軸は、配向膜１６、２６に対するラビング方向と平行である。
【００３７】
このように構成した液晶装置１００において、バックライト装置（図示せず）から出射されたバックライト光は、素子基板１０の側から入射して対向基板２０の側から表示光として出射される間に液晶層５０によって光変調され、画像を表示する。
【００３８】
（シールド構造）
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【００３９】
本形態の液晶装置１００において、液晶層５０を駆動するための画素電極７ａおよび共通電極９ａは、いずれも素子基板１０側に形成されており、共通電極９ａは対向基板２０の側に形成されていない。このため、対向基板２０は外部からの静電気の侵入に対してシールド機能を備えていないので、静電気によって液晶層５０の配向が乱れ、適正な表示を行なえなくなるという問題点がある。そこで、本形態では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、対向基板２０の外面２０ｆの全面あるいは略全面にＩＴＯ膜からなる透光性のシールド用導電膜２５が形成されている。一方、素子基板１０において張り出し領域１０ｓには、基板間接続用電極１０６が形成されており、基板間接続用電極１０６から延びた配線１０７は、複数の端子１０８のうち、端子１０８ａに接続している。また、対向基板２０の外面２０ｆ側において基板縁２０ｃから所定の距離ｄ１だけ隔てた位置には、シールド用導電膜２５を覆うように、樹脂フィルムからなるシート偏光板５１が粘着剤５５により接合されており、対向基板２０の基板縁２０ｃ付近では、シールド用導電膜２５が露出した状態にある。さらに、素子基板１０の張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨るように塗布型導電膜６１が形成されており、基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とは塗布型導電膜６１により電気的に接続されている。従って、素子基板１０の張り出し領域１０ｓにおいて端子１０８にフレキシブル基板（図示せず）を接続すると、シールド用導電膜２５が素子基板１０およびフレキシブル基板を介してグランドに接続されるので、静電気を外部に逃がすことができ、静電気の侵入によって液晶層５０の配向が乱れることを防止することができる。
【００４０】
ここで、塗布型導電膜６１は、常温硬化性の導電ペースト６０（塗布材料）を、印刷法、ディスペンサーからの吐出法、マスクで部分的に被った状態でのスプレー法などの方法で塗布後、常温硬化させてなる層である。かかる導電ペースト６０は、銀粉やカーボン粉などの導電粒子をバインダ樹脂とともにトルエンなどの芳香族系溶剤やアルコール系溶剤などからなる有機溶剤に分散させた組成を有している。このため、導電ペースト６０を塗布する際、導電ペースト６０が偏光板５１の接合領域にはみ出すおそれがある。そこで、本形態では、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１と塗布型導電膜６１との間で塗布型導電膜６１の偏光板５１側における塗布範囲を制限する撥液処理層２８が形成されている。本形態において、撥液処理層２８は、フッ素系樹脂あるいはシリコン系樹脂などの撥液性樹脂からなり、対向基板２０の外面２０ｆにおいて、偏光板５１の側端面５１１に所定の隙間を隔てた位置で側端面５１１に沿って直線状に形成されている。
【００４１】
（液晶装置１００の製造方法１、および本形態の主な効果）
本形態の液晶装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を各々多数枚取りできる大型基板の状態で各種薄膜を形成した後、大型基板同士を貼り合わせ、しかる後に単品サイズの液晶パネル１００ｐに切り出していく方法、あるいは単品サイズの素子基板１０および対向基板２０を貼り合わせて、液晶パネル１００ｐを得る方法が採用される。これらのいずれの方法でも、対向基板２０の外面２０ｆにＩＴＯ膜をスパッタ法により形成してシールド用導電膜２５を形成しておき、液晶パネル１００ｐの状態で、対向基板２０の外面２０ｆに対する偏光板５１の接合工程、および塗布型導電膜６１の形成を行なう。撥液処理層２８の形成は、塗布型導電膜６１の形成工程の前であれば、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わる前、あるいは素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせて液晶パネル１００ｐとした後のいずれであってもよい。但し、偏光板５１を対向基板２０に粘着剤５５で接合した後、撥液処理層２８を形成する場合、撥液処理層２８を形成する際に偏光板５１や粘着剤５５が侵されないように、流動性の低い樹脂材料、有機溶剤を一切、含まない無溶剤タイプの樹脂材料、有機溶剤が少量の少溶剤タイプの樹脂材料、比較的樹脂材料に対する膨潤性が低い弱溶剤タイプの樹脂材料を用いる。
【００４２】
このような製造方法のうち、例えば、上記の各工程を以下の順
（１）偏光板５１の接合工程
（２）撥液処理層２８の形成工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
に行なう場合、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が直線状に形成されている。このため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。
【００４３】
（液晶装置１００の製造方法２、および本形態の主な効果）
本形態の液晶装置１００を製造するにあたっては、上記の工程を以下の順
（１）撥液処理層２８の形成工程
（２）偏光板５１の接合工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
に行なう場合でも、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が直線状に形成されている。このため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。
【００４４】
また、偏光板５１を接合する前に撥液処理層２８を形成するため、撥液処理層２８を形成するための材料として、有機溶剤を含んでいる材料を用いても、撥液処理層２８を形成し終えた段階で有機溶剤が除去されていれば、偏光板５１が劣化するおそれがないという利点がある。
【００４５】
（液晶装置１００の製造方法３、および本形態の主な効果）
本形態の液晶装置１００を製造するにあたっては、上記の工程を以下の順
（１）撥液処理層２８の形成工程
（２）塗布型導電膜６１の形成工程
（３）偏光板５１の接合工程
に行なう場合には、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１を接合すべき領域の端縁に沿って撥液処理層２８が直線状に形成されている。このため、導電ペースト６０は、偏光板５１を接合すべき領域まではみ出すことがない。従って、偏光板５１と対向基板２０との間に塗布型導電膜６１が入り込んだ状態となることを確実に防止することができる。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。また、偏光板５１を接合する前に撥液処理層２８を形成するため、撥液処理層２８を形成するための材料として、有機溶剤を含んでいる材料を用いても、撥液処理層２８を形成し終えた段階で有機溶剤が除去されていれば、偏光板５１が劣化するおそれがないという利点がある。
【００４６】
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４７】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、対向基板２０には共通電極が形成されていないので、対向基板２０において液晶層５０が位置する内面２０ｅ側とは反対側の外面２０ｆの全面あるいは略全面にＩＴＯ膜からなる透光性のシールド用導電膜２５を形成してある。一方、素子基板１０において張り出し領域１０ｓには、基板間接続用電極１０６が形成されており、基板間接続用電極１０６から延びた配線１０７は、複数の端子１０８のうち、端子１０８ａに接続している。また、張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨るように塗布型導電膜６１が形成されており、基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とは塗布型導電膜６１により電気的に接続されている。
【００４８】
このような構成を採用するにあたって、本形態では、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１と塗布型導電膜６１との間で塗布型導電膜６１の偏光板５１側における塗布範囲を制限する撥液処理層２８が形成されている。
【００４９】
本形態において、撥液処理層２８は、フッ素系樹脂あるいはシリコン系樹脂からなり、対向基板２０の外面２０ｆにおいて、偏光板５１の側端面５１１に所定の隙間を隔てた位置で側端面５１１に沿って直線状に延びた第１部分２８１と、第１部分２８１から対向基板２０の基板縁２０ｃに向けて延びた一対の第２部分２８２とを備えている。従って、対向基板２０の外面２０ｆにおいて、塗布型導電膜６１は、第１部分２８１と第２部分２８２とにより囲まれた領域内に形成されている。
【００５０】
このように構成した場合も、実施の形態１と同様、以下に示す順
（１）偏光板５１の接合工程
（２）撥液処理層２８の形成工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なうと、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。しかも、撥液処理層２８は、偏光板５１の側端面５１１に沿って直線状に延びた第１部分２８１と、第１部分２８１から対向基板２０の基板縁２０ｃに向けて延びた第２部分２８２とを備えているため、導電ペース６０が第１部分２８１を回り込んで偏光板５１が配置される側にはみ出すといった事態の発生を確実に回避することができる。従って、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００５１】
また、以下に示す順
（１）撥液処理層２８の形成工程
（２）偏光板５１の接合工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なう場合も、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。また、偏光板５１を接合する前に撥液処理層２８を形成するため、撥液処理層２８を形成するための材料として、有機溶剤を含んでいる材料を用いても、かかる有機溶剤によって、偏光板５１が劣化するおそれがないという利点がある。
【００５２】
さらに、以下に示す順
（１）撥液処理層２８の形成工程
（２）塗布型導電膜６１の形成工程
（３）偏光板５１の接合工程
で各工程を行なうと、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１を接合すべき領域の端縁に沿って撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１を接合すべき領域まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１と対向基板２０との間に塗布型導電膜６１が入り込んだ状態となることを確実に防止することができる。
【００５３】
［実施の形態３］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５４】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、対向基板２０には共通電極が形成されていないので、対向基板２０において液晶層５０が位置する内面２０ｅ側とは反対側の外面２０ｆの全面にＩＴＯ膜からなる透光性のシールド用導電膜２５を形成してある。一方、素子基板１０において張り出し領域１０ｓには、基板間接続用電極１０６が形成されており、基板間接続用電極１０６から延びた配線１０７は、複数の端子１０８のうち、端子１０８ａに接続している。また、張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨るように塗布型導電膜６１が形成されており、基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とは塗布型導電膜６１により電気的に接続されている。
【００５５】
このような構成を採用するにあたって、本形態では、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１と塗布型導電膜６１との間で塗布型導電膜６１の偏光板５１側における塗布範囲を制限する撥液処理層２８が形成されている。
【００５６】
本形態において、撥液処理層２８は、フッ素系樹脂あるいはシリコン系樹脂からなり、対向基板２０の外面２０ｆ側において、偏光板５１の側端面５１１に覆うように直線状に形成されている。ここで、撥液処理層２８は、偏光板５１を対向基板２０に接合する前、あるいは偏光板５１を対向基板２０に接合した後に形成された層である。ここで、撥液処理層２８を形成する際、偏光板５１や粘着剤が侵されないように、有機溶剤を一切、含まない無溶剤タイプの樹脂材料、有機溶剤が少量の少溶剤タイプの樹脂材料、比較的樹脂材料に対する膨潤性が低い弱溶剤タイプの樹脂材料を用いる。
【００５７】
このように構成した場合も、以下に示す順
（１）偏光板５１の接合工程
（２）偏光板５１の側端面５１１への撥液処理層２８の形成工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なうと、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。しかも、撥液処理層２８と偏光板５１の側端面５１１との間に無駄なスペースが発生しないので、偏光板５１については、実施の形態１に比較してもさらに短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができる。
【００５８】
また、以下に示す順
（１）偏光板５１の側端面５１１への撥液処理層２８の形成工程
（２）偏光板５１の接合工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なう場合でも、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１の側端面５１１に沿って撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。
【００５９】
［実施の形態４］
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６０】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、対向基板２０には共通電極が形成されていないので、対向基板２０において液晶層５０が位置する内面２０ｅ側とは反対側の外面２０ｆの全面にＩＴＯ膜からなる透光性のシールド用導電膜２５を形成してある。一方、素子基板１０において張り出し領域１０ｓには、基板間接続用電極１０６が形成されており、基板間接続用電極１０６から延びた配線１０７は、複数の端子１０８のうち、端子１０８ａに接続している。また、張り出し領域１０ｓおよび対向基板２０の基板縁２０ｃに跨るように塗布型導電膜６１が形成されており、基板間接続用電極１０６とシールド用導電膜２５とは塗布型導電膜６１により電気的に接続されている。
【００６１】
このような構成を採用するにあたって、本形態では、対向基板２０の外面２０ｆの側には、偏光板５１と塗布型導電膜６１との間で塗布型導電膜６１の偏光板５１側における塗布範囲を制限する撥液処理層２８が形成されている。
【００６２】
本形態において、撥液処理層２８は、フッ素系樹脂あるいはシリコン系樹脂からなり、偏光板５１の側端面５１１に覆うように形成された直線状の第１部分２８６と、対向基板２０の外面２０ｆにおいて第１部分２８６から対向基板２０の基板縁２０ｃに向けて延びた一対の第２部分２８７とを備えている。従って、対向基板２０の外面２０ｆにおいて、塗布型導電膜６１は、第１部分２８６と第２部分２８７とにより囲まれた領域内に形成されている。
【００６３】
ここで、撥液処理層２８は、偏光板５１を対向基板２０に粘着剤５５により接合する前、あるいは偏光板５１を対向基板２０に粘着剤５５により接合した後に形成された層である。なお、撥液処理層２８の第１部分２８６を形成する際、偏光板５１や粘着剤５５が侵されないように、有機溶剤を一切、含まない無溶剤タイプの樹脂材料、有機溶剤が少量の少溶剤タイプの樹脂材料、比較的樹脂材料に対する膨潤性が低い弱溶剤タイプの樹脂材料を用いる。また、撥液処理層２８の第２部分２８７を形成する際、偏光板５１や粘着剤５５が侵されないように、流動性の低い樹脂材料、有機溶剤を一切、含まない無溶剤タイプの樹脂材料、有機溶剤が少量の少溶剤タイプの樹脂材料、比較的樹脂材料に対する膨潤性が低い弱溶剤タイプの樹脂材料を用いる。
【００６４】
このように構成した場合も、以下に示す順
（１）偏光板５１の接合工程
（２）偏光板５１の側端面５１１および対向基板２０への撥液処理層２８の形成工程
（３）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なうと、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。しかも、撥液処理層２８は、偏光板５１の側端面５１１に沿って直線状に延びた第１部分２８６と、第１部分２８６から対向基板２０の基板縁２０ｃに向けて延びた第２部分２８７とを備えているため、導電ペース６０が第１部分２８６を回り込んで偏光板５１が配置される側にはみ出すといった事態の発生を確実に回避することができる。従って、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。それ故、偏光板５１については、対向基板２０の基板縁２０ｃから短い距離ｄ１を隔てた位置に配置することができ、表示に直接、寄与しない領域を狭くすることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６５】
また、以下に示す順
（１）偏光板５１の側端面５１１への第１部分２８６の形成工程
（２）偏光板５１の接合工程
（３）対向基板２０への第２部分２８７の形成工程
（４）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なう場合でも、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。
【００６６】
さらに、以下に示す順
（１）偏光板５１の側端面５１１への第１部分２８６の形成工程
（２）対向基板２０への第２部分２８７の形成工程
（３）偏光板５１の接合工程
（４）塗布型導電膜６１の形成工程
で各工程を行なう場合でも、塗布型導電膜６１の形成工程において、塗布型導電膜６１を形成するための導電ペースト６０を塗布する際、対向基板２０の外面２０ｆの側には撥液処理層２８が形成されているため、導電ペースト６０は、偏光板５１が接合されている側まではみ出すことがない。それ故、偏光板５１が導電ペースト６０と接触することがないので、導電ペースト６０に含まれていた有機溶剤によって偏光板５１が部分的に白濁するなどの問題点が発生しない。
【００６７】
［その他の実施の形態］
上記実施の形態では、横電界を利用するタイプとしてＦＦＳ方式の液晶装置１００に本発明を適用した例を説明したが、ＩＰＳ方式の半透過反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。かかるＩＰＳ方式の液晶装置においては、共通の絶縁層の表面上には、薄膜トランジスタに接続された櫛歯状の画素電極と、複数の画素に跨って形成された櫛歯状の共通電極とが形成されている。
【００６８】
また、上記実施の形態では、半導体膜としてアモルファスシリコン膜を用いた例であったが、ポリシリコン膜や単結晶シリコン層を用いた素子基板１０に本発明を適用してもよい。また、画素スイッチング素子として薄膜ダイオード素子（非線形素子）を用いた液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００６９】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図８（ａ）に、液晶装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての液晶装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図８（ｂ）に、液晶装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に、液晶装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。
【００７０】
なお、液晶装置１００が適用される電子機器としては、図８に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、その平面図、および偏光板の配置方向などを示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【図８】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、従来の液晶装置の端部を拡大して示す断面図、および平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
７ａ・・画素電極、９ａ・・共通電極、１０・・素子基板（第１基板）、１０ｓ・・素子基板の張り出し領域、２０・・対向基板（第２基板）、２０ｃ・・対向基板の基板縁、２５・・シールド用導電層、２８・・撥液処理層、５０・・液晶層、５１・・第１の偏光板、５２・・第２の偏光板、３０・・薄膜トランジスタ（画素スイッチング素子）、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素、１０６・・基板間接続用電極、２８１、２８６・・撥液処理層の第１部分、２８２、２８７・・撥液処理層の第２部分、５１１・・偏光板の側端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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