(57)【要約】【課題】垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】メインポールと、メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるようにメインポールをソレノイド状に取り囲むコイルと、メインポールと共に磁場の磁路を形成するものであって、メインポールと所定ギャップとを介して対向するスロット部を有するリターンヨークと、を備え、ギャップは、ＡＢＳ側の一端での厚さが他端での厚さより薄いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドである。【選択図】図４
2009070548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインポールと、
前記メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように前記メインポールをソレノイド状に取り囲むコイルと、
前記メインポールと共に磁場の磁路を形成するものであって、前記メインポールとギャップとを介して対向するスロット部を有するリターンヨークと、を備え、
前記ギャップは、ＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）側の一端での厚さが前記スロット部の他端での厚さより薄いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記ギャップの断面形状は、くさび形状を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記メインポールは、ＡＢＳ側に行くほど薄くなる形状を含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
ＡＢＳ側の端部での前記ギャップの厚さは、１５ｎｍないし４０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記他端での前記ギャップの厚さは、１００ｎｍないし２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記コイルは、前記メインポールを１回取り囲む構造であることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
メインポール、前記メインポールをソレノイド状に取り囲むコイル及び前記メインポールと所定ギャップとを介して対向するスロット部を有するリターンヨークを備える垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部コイル層、メインポール及び第１絶縁層を順次形成する工程と、
（ｂ）前記第１絶縁層上に上部コイル層を形成する工程と、
（ｃ）前記上部コイル層を覆う第２絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記ギャップのＡＢＳ側の厚さが前記上部コイル層に隣接した部分の厚さより薄くなるように、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層をエッチングする工程と、
（ｅ）前記ギャップと対向するスロット部を有するリターンヨークを形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で形成されることを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記（ｅ）工程は、
前記メインポールのＡＢＳ側の厚さが前記上部コイル層に隣接した部分の厚さより薄くなるように、前記第１絶縁層、第２絶縁層及びメインポールをエッチングする工程と、
前記上部コイル層及び前記エッチングによって露出されたメインポールを覆うために、第３絶縁層をさらに蒸着する工程と、を含むことを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第３絶縁層は、ＡＬＤ方法で形成されることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記コイルは、前記メインポールを１回取り囲む形状であることを特徴とする請求項７ないし１０のうち何れか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
（ｅ）工程は、前記メインポールのＡＢＳ側の端部をラップアラウンド状に取り囲む形状に前記リターンヨークを形成することを特徴とする請求項７ないし１０のうち何れか１項に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
メインポールと、
前記メインポールを１回取り囲むコイルと、
前記メインポール上に置かれた一端部と前記メインポールから離隔されてギャップを形成する他端部とを有するリターンヨークと、を備え、
前記ギャップのＡＢＳ側の端部は、反対側の端部より薄いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記ギャップの断面形状は、くさび形状を有することを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
ヨーク長は、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記メインポールは、リターンヨークより飽和磁束密度の高い物質からなることを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に係り、さらに詳細には、高周波記録特性が改善されるようにヨーク長を大幅減少させた構造の垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録は、記録方式によって水平磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに大別される。水平磁気記録方式は、磁性層の磁化方向が磁性層の表面に平行に整列されることを利用して情報を記録する方式であり、垂直磁気記録方式は、磁性層の磁化方向が磁性層の表面に垂直方向に整列されることを利用して情報を記録する方式である。記録密度側面で見るとき、垂直磁気記録方式は、水平磁気記録方式よりはるかに有利であり、多様な構造の垂直磁気記録ヘッドが開発されている。
【０００３】
図１は、一般的な垂直磁気記録ヘッド１０の概略的な構造を示す図面である。図面を参照すれば、垂直磁気記録ヘッド１０は、メインポール２２、リターンヨーク２４、サブヨーク２８及びコイル２６を備える記録ヘッド部と、二つの磁気シールド層３０と前記磁気シールド層３０との間に搭載された磁気抵抗素子３２を備える再生ヘッド部と、を備える。コイル２６は、メインポール２２とサブヨーク２８とをソレノイド状に取り囲む構造を有し、コイル２８に電流が印加されれば、メインポール２２、サブヨーク２８、リターンヨーク２４は、磁場の磁路を形成する。メインポール２２から記録媒体（図示せず）に向かう磁路は、記録媒体の記録層を垂直方向に磁化させた後にリターンヨーク２４に戻る経路を形成し、これにより、記録を行う。また、磁気抵抗素子３２は、記録層の磁化から発生する磁場信号による電気抵抗が変わる特性を表すことによって、記録媒体に記録された情報を読む。
【０００４】
記録密度を高めるためには、高周波記録特性が向上せねばならない。高周波記録特性を向上させるというのは、高周波での記録磁場を強く維持すると同時に、記録磁場の反応時間を短縮させることを意味する。記録磁場の短い反応時間のためには、記録ヘッドのインダクタンスを減らし、渦電流損失を減らすことが非常に重要である。
【０００５】
図２は、垂直磁気記録ヘッド１０のヨーク長ＹＬとメインポール２２の比抵抗値ρとによって、記録磁場の反応時間を例示して示すグラフである。グラフを参照すれば、ヨーク長ＹＬを減らす方法とメインポール２２に高い比抵抗値を有する材料を使用する方法とによって、記録磁場の反応時間を減らせるということが分かる。しかし、メインポール２２の材質は、比抵抗値だけでなく、飽和磁化、透磁率など他の物性との均衡を考慮して決定されるので、ヨーク長ＹＬを減らす方法がさらに確実で効果的に高周波記録特性を向上させる方法となる。しかし、ヨーク長を単純に減らす場合、コイルターン数も共に減って記録磁場の犠牲が伴われる。図３は、コイルターン数による記録磁場を示すグラフであり、コイルターン数を減らすことによって、記録磁場の大きさが小さくなるということが分かる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記従来の問題点によって案出されたものであって、ヨーク長が短くなってコイルターン数が減少しつつも、記録磁場の縮小は最小化して、高密度記録に適した垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明による垂直磁気記録ヘッドは、メインポールと、前記メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように前記メインポールをソレノイド状に取り囲むコイルと、前記メインポールと共に磁場の磁路を形成するものであって、前記メインポールと所定ギャップとを介して対向するスロット部を有するリターンヨークと、を備え、前記ギャップは、ＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）側の一端での厚さが他端での厚さより薄いことを特徴とする。
【０００８】
前記ギャップの断面形状は、くさび形状を有しうる。
【０００９】
前記メインポールは、ＡＢＳ側に行くほど薄くなる形状を含みうる。
【００１０】
前記コイルは、前記メインポールを１回取り囲む構造で形成される。
【００１１】
また、本発明による垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、メインポール、前記メインポールをソレノイド状に取り囲むコイル及び前記メインポールと所定ギャップとを介して対向するスロット部を有するリターンヨークを備える垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、（ａ）下部コイル層、メインポール及び第１絶縁層を順次形成する工程と、（ｂ）前記第１絶縁層上に上部コイル層を形成する工程と、（ｃ）前記上部コイル層を覆う第２絶縁層を形成する工程と、（ｄ）前記ギャップのＡＢＳ側の厚さが前記上部コイル層に隣接した部分の厚さより薄くなるように、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層をエッチングする工程と、（ｅ）前記ギャップと対向するスロット部を有するリターンヨークを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明による垂直磁気記録ヘッドは、ヨーク長が短くなり、コイルターン数が減っても記録磁場の縮小は最小化される構造を有する。コイルターン数を１回にした場合にも、従来のコイルターン数を３回にした場合と同様な記録磁場を具現しており、また、ヨーク長が従来の構造に比べて短くて、高周波記録特性に優れるので、高密度記録に適している。
【００１３】
また、本発明による垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、補助ヨークを形成する過程が不要であり、リターンヨークの形成において、チップ形状を別途に製造する工程が省略されるので、工程が大幅減少して量産性の側面で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。以下の図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を表し、図面上で各構成要素のサイズは、説明の明瞭性及び便宜のために誇張している。
【００１５】
図４は、本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッド１００の概略的な断面構造を示す図面である。図面を参照すれば、垂直磁気記録ヘッド１００は、メインポール１２０、メインポール１２０が記録媒体に向けて記録磁場を発生させるように電流が印加されるコイルＣ、メインポール１２０と共に磁場の磁路を形成するリターンヨーク１３０を備える。垂直磁気記録ヘッド１００は、ＡＢＳから所定距離離隔された記録媒体（図示せず）に対して、ダウントラック方向（Ｙ方向）に沿って相対的に移動し、メインポール１２０での記録磁場によって記録媒体を垂直方向（Ｚ方向）に磁化させることによって記録を行う。また、一般的に、垂直磁気記録ヘッド１００は、記録媒体に保存された情報を読む再生ヘッド（図示せず）を共に備える。メインポール１２０とリターンヨーク１３０とは、コイルＣによって発生した記録磁場の磁路を形成するために磁性物質で形成される。特に、メインポール１２０は、記録媒体に情報を記録する磁場を印加するものであって、メインポール１２０の端部に集束される磁場の大きさは、飽和磁束密度Ｂｓによって制限されるので、相対的に高い飽和磁束密度を有する物質で形成される。一般的に、メインポール１２０は、飽和磁束密度がリターンヨーク１３０に比べて大きい磁性物質からなり、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅが採用される。リターンヨーク１３０は、高い周波数の磁場変化に対して速い応答特性を有するように、メインポール１２０より相対的に透磁率の高い特性を有するように作られたことが望ましい。ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）のような磁性物質が主に使われ、このとき、ＮｉとＦｅとの成分比を調節することによって、飽和磁束密度Ｂｓと透磁率とが適切に設計される。リターンヨーク１３０は、ギャップ１４０を介してメインポール１２０と対向するスロット部１３０ａを有する。ギャップ１４０は、メインポール１２０での磁場が記録媒体を経由した後、リターンヨーク１３０に戻る経路を形成するために設けられるものであって、一般的に、Ａｌ２Ｏ３のような非磁性物質で充填される。ギャップ１４０は、前端、すなわち、ＡＢＳ側の一端での厚さｇ１が後端の厚さｇ２より薄く形成された点に特徴がある。おおよそ、ｇ１は、１５ｎｍないし４０ｎｍ範囲の厚さを有し、ｇ２は、１００ｎｍないし２００ｎｍ範囲の厚さに形成される。ギャップ１４０の断面形状は、例えば、くさび形状を有しうる。ギャップ１４０が厚くなれば、記録媒体に向かう記録磁場の大きさは大きくなるが、フィールド傾斜は、ギャップ１４０が薄いほど高い値を有する傾向があり、本発明では、ギャップ１４０の厚さを両端で異ならせて、特に、ギャップ１４０の後端で迂回磁束を減らすことによって、記録磁場及びフィールド傾斜を高めようとする。このような設計によって、同じ起磁力条件下でさらに改善されたフィールドプロファイルを有するので、コイルターン数を最少化しうる。本発明で、コイルＣは、メインポール１２０をソレノイド状に１回取り囲む構造を有する。また、リターンヨーク１３０は、コイルＣとリターンヨーク１３０とを絶縁するための薄い絶縁膜がコイルＣ上に形成された上に作られるので、ヨーク長ＹＬは、概略的にスロット長ＴＨと１ターンのコイルＣ幅とによって定義され、したがって、ヨーク長ＹＬが最小化した構造を具現している。約２μｍ以内にヨーク長ＹＬを形成しうる。
【００１６】
図５は、本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッド２００の概略的な断面構造を示す図面である。図面を参照すれば、垂直磁気記録ヘッド２００は、メインポール２２０、メインポール２２０が記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように電流が印加されるコイルＣ、メインポール２２０と共に磁場の磁路を形成するリターンヨーク２３０を備える。リターンヨーク２３０は、ギャップ２４０を介してメインポール２２０と対向するスロット部２３０ａを有する。本実施形態は、ギャップ２４０と対向するメインポール２２０の一端の形状で第１実施形態と差がある。すなわち、メインポール２２０は、ＡＢＳ側に行くほど薄くなる形状を含んでいる。このような形状は、メインポール２２０のＡＢＳ側の端部に磁場が集束される効果をさらに高めるためのものである。本実施形態でも、ギャップ２４０は、前端での厚さｇ１が後端での厚さｇ２より薄く形成されていて、記録磁場プロファイルの最適化を図っており、コイルＣは、メインポール２２０をソレノイド状に１回取り囲む構造を有し、これにより、ヨーク長ＹＬが最小化し、約２μｍ以内にヨーク長ＹＬを形成しうる。
【００１７】
前述した構造の垂直磁気記録ヘッド１００,２００は、ギャップ１４０,２４０形状を改善することによって、１ターンのコイルによる起磁力で、また、メインポール１２０,２２０の端部に磁場の集束を助けるために、従来の構造で通常備えられる補助ヨークを備えずとも、十分な大きさの記録磁場を記録媒体に供給しうる。したがって、ヨーク長ＹＬを約２μｍ以内まで具現することが可能であり、全体的な磁路の長さを大幅減少することによって高周波特性が改善される。
【００１８】
以下では、第１実施形態及び第２実施形態の垂直磁気記録ヘッド１００,２００が改善された記録特性を有することに対して、図６、図７及び表１を参照して説明する。
【００１９】
図６は、記録磁場の反応時間を示すグラフである。グラフは、ヨーク長ＹＬが１.５μｍである第１実施形態及び、比較例としてヨーク長ＹＬが１０μｍである場合に対して示しており、起磁力条件を同一にするために、比較例のコイルターン数も１回にした場合である。グラフを参照すれば、反応時間が１００ｐｓである電流に対して、ヨーク長が短い実施形態の場合、さらに短い磁場反応時間特性を表している。
【００２０】
図７は、多様なスロット長ＴＨを有する第１実施形態及び第２実施形態の垂直磁気記録ヘッドに対してダウントラック方向の記録磁場プロファイルを示すグラフである。ここで、ダウントラック方向は、垂直磁気記録ヘッドが記録媒体に対して相対的に移動する方向を表し、図面ではＹ方向である。グラフを参照すれば、スロット長ＴＨが０.２μｍである第１実施形態の場合を除外したほとんどの実施形態は、コイルターン数が３であり、ヨーク長が１０μｍである比較例とほぼ類似した磁場特性を有している。このような結果は、同じ電流を印加する時に実施形態の起磁力が比較例の１／３レベルであることを勘案すれば、改善効果が非常に高いということが分かる。
【００２１】
表１は、さらに詳細なデータを示しており、スロット長ＴＨが０.１μｍ、０.１５μｍ、０.２μｍである場合、それぞれ電流を変化させつつ、記録特性パラメータを電算摸写した結果である。
【００２２】
【表１】
2009070548.tif 000003
【００２３】
表で、Ｈｗは記録磁場、Ｈｒはリターンフィールド、Ｈｗ＿ｅｆｆは有効記録磁場を意味する。Ｈｗは、記録磁場プロファイルで現れる最大値であって、この値が十分に大きくて始めて記録が可能である。Ｈｒは、記録磁場プロファイルで記録しようとする方向と逆方向に形成され、したがって、リターンフィールドは、小さいことが記録に有利な条件となる。ＨｗやＨｒが垂直成分値を表し、Ｈｗ＿ｅｆｆは、垂直記録に垂直成分だけでなく、水平方向成分も寄与することを考慮した量である。Ｈｗ＿ｅｆｆは、Ｚ方向を垂直方向とするとき、次のように定義される。
【００２４】
【数１】
2009070548.tif 000004
【００２５】
フィールド傾斜は、信号対ノイズ比（ＳＮＲ：Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）に影響を与える要素であって、表では、Ｇｒａｄｉｅｎｔ １とＧｒａｄｉｅｎｔ ２とで表している。それぞれは、記録磁場が記録媒体の保磁力Ｈｃである８０００Ｏｅに該当する位置でのフィールド傾斜及び最大フィールド傾斜を意味する。
【００２６】
表を参照すれば、実施形態は、スロット長ＴＨが０.２μｍである場合を除いては、何れも比較例に比べて、記録フィールドは大きく、リターンフィールドは小さく現れ、フィールド傾斜もほとんど改善された結果を示している。また、比較例の場合、コイルターン数が３回である場合であって、起磁力が実施形態に比べて３倍である場合を勘案すれば、実施形態の改善効果が非常に良好であるということが分かる。
【００２７】
図８Ａないし図８Ｇは、本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。各図面で、左側は、ＹＺ面での断面図であり、右側は、ＡＢＳ面での断面図であって、Ｙ方向がヘッド駆動時にダウントラック方向に該当する。まず、図８Ａを参照すれば、磁気シールド層３１０上に絶縁層３１３、下部コイル層３１６、メインポール３１９及び第１絶縁層３２２が形成されている。まず、磁気シールド層３１０上に絶縁層３１３の一部を形成し、メッキのためのシード層の形成、フォトリソグラフィ工程、メッキ工程によって下部コイル層３１６を形成した後、下部コイル層３１６を覆う絶縁層３１３を形成する。磁気シールド層３１０の下部には、図示していないが、磁気抵抗素子を備える再生ヘッドが一般的に形成される。メインポール３１９は、絶縁層３１３上にＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅのように飽和磁束密度Ｂｓの高い磁性物質を蒸着またはメッキして形成する。次いで、第１絶縁層３２２をメインポール３１９上に形成する。第１絶縁層３２２は、メインポール３１９とメインポール３１９上に形成されるリターンヨークとの絶縁のために形成されるものであって、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法によってＡｌ２Ｏ３を蒸着する。次いで、図８Ｂのように、第１絶縁層３２２上に上部コイル層３２５を形成する。上部コイル層３２５は、連結部（図示せず）によって下部コイル層３１６と連結されてメインポール３１９をソレノイド状に取り囲む構造のコイルを形成する。本発明では、ヨーク長を最小化するためにメインポール３１９を１回取り囲む構造でコイルを形成する。次いで、図８Ｃ及び図８Ｄは、くさび形状の断面形状のギャップを形成する工程である。図８Ｃのように、上部コイル層３２５を覆う第２絶縁層３２８を形成する。例えば、Ａｌ２Ｏ３をＡＬＤを使用して蒸着する。次いで、エッチング工程によって第２絶縁層３２８をエッチングする。ＩＢＥ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）のようなドライエッチング工程が使われる。イオン入射角によってエッチングプロファイルが調節され、エッチング後に残りの第１絶縁層３２２、第２絶縁層３２８を合わせた厚さがＡＢＳ側でさらに薄くなるようにエッチングプロファイルを調節する。上部コイル層３２５の左側の第１絶縁層３２２及び第２絶縁層３２８の形状によってギャップが定義される。次いで、図８Ｅは、上部コイル層３２５上に再び絶縁物質を蒸着する工程であって、例えば、Ａｌ２Ｏ３をＡＬＤを使用して蒸着する。このとき、絶縁物質の蒸着は、前記エッチングによって露出された上部コイル層３２５を覆う最小の厚さにすることが望ましい。次いで、図８Ｆは、以後形成されるリターンヨークとメインポール３１９とが連結されるように連結部を形成する工程である。メインポール３１９の上面の後端、すなわち、ＡＢＳの反対側に形成されている第１絶縁層３２２及び第２絶縁層３２８をエッチングしてメインポール３１９が表れる。次いで、図８Ｇのように、リターンヨーク３３１を形成する。リターンヨーク３３１は、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅのような磁性物質を蒸着またはメッキすることによって形成しうる。リターンヨーク３３１は、図８Ｇの右側に示した��うに、メインポール３１９の端部を取り囲むラップアラウンド状に形成されているが、メインポール３１０の上部にのみリターンヨーク３３１が形成される構造で形成することも可能である。前述した過程によって、前端、すなわち、ＡＢＳ側の一端でのギャップ３４０の厚さが後端でのギャップ３４０の厚さより薄い形状を有し、ヨーク長が最小化した構造の垂直磁気記録ヘッド３００が製造される。
【００２８】
次いで、図９Ａないし図９Ｅは、本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。以下の図面でも、左側は、ＹＺ面での断面図であり、右側は、ＡＢＳ面での断面図であって、Ｙ方向がヘッド駆動時にダウントラック方向に該当する。本実施形態は、メインポール３１９がＡＢＳ側に行くほど薄くなる形状を有するように製造する点に特徴があり、これを中心に説明する。図９Ａは、下部コイル層３１６、メインポール３１９、第１絶縁層３２２、上部コイル層３２５、第２絶縁層３２８が形成された構造を示し、その製造過程は、図８Ａないし図８Ｃで説明した通りである。図９Ｂは、くさび形状のギャップ断面を形成し、これと共にくさび型の端部形状を有するメインポール３１９’を形成する過程を示す図面である。この工程では、ＩＢＥのようなドライエッチング工程が使われ、イオン入射角によってエッチングプロファイルが調節され、エッチング後に残りの第１絶縁層３２２、第２絶縁層３２８を合わせた厚さがＡＢＳ側でさらに薄く形成され、ＡＢＳ側の厚さが薄くなったメインポール３１９’が形成されるようにエッチングプロファイルを調節する。図９Ｃは、絶縁物質を蒸着してエッチングによって露出された上部コイル層３２５及びメインポール３１９’の端部を覆う工程であって、ＡＬＤを使用してＡｌ２Ｏ３を蒸着する。上部コイル層３２５の左側の第１絶縁層３２２及び第２絶縁層３２８の形状によってギャップが定義される。次いで、図９Ｄのように、メインポール３１９’の後端の上面を露出させるエッチング工程を経た後、図９Ｅのように、リターンヨーク３３１を形成する。このような過程によって、ＡＢＳ側の端部の厚さが薄いメインポール３１９’を備え、ＡＢＳ側の前端のギャップ厚さが後端のギャップ厚さより薄い形状を有し、また、ヨーク長が最小化した構造の垂直磁気記録ヘッド４００が製造される。
【００２９】
前記製造方法は、補助ヨークを形成する過程が不要であり、リターンヨークの形成において、チップ形状を別途に製造する工程が省略されるので、大幅減少した工程によって高密度磁気記録のための垂直磁気記録ヘッドを提供する。また、前述した製造方法は、くさび形状のギャップ断面を形成し、ソレノイド型コイルを１回で形成してヨーク長を短く形成する過程に主要特徴があり、残りの工程は、例示的なものであって、当業者の便宜によってその順序や製造方法の各工程の具体的な内容は変わりうる。
【００３０】
このような本願発明の垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法は、理解を助けるために、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。  
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、記録媒体関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】一般的な垂直磁気記録ヘッドの概略的な構造を示す図面である。
【図２】垂直磁気記録ヘッドのヨーク長とメインポールの比抵抗とによって、記録磁場の反応時間を例示して示すグラフである。
【図３】コイルターン数による記録磁場を示すグラフである。
【図４】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドの断面構造を概略的に示す図面である。
【図５】本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッドの断面構造を概略的に示す図面である。
【図６】第１実施形態及び比較例について記録磁場の反応時間を示すグラフである。
【図７】第１実施形態、第２実施形態及び比較例についての記録磁場プロファイルを示すグラフである。
【図８Ａ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｃ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｄ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｅ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｆ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図８Ｇ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図９Ｄ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【図９Ｅ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。
【符号の説明】
【００３３】
１００  垂直磁気記録ヘッド
１２０  メインポール
１３０  リターンヨーク
１３０ａ  スロット部
１４０  ギャップ
Ｃ  コイル
ＴＨ  スロット長
【図１】
2009070548.tif 000005
【図２】
2009070548.tif 000006
【図３】
2009070548.tif 000007
【図４】
2009070548.tif 000008
【図５】
2009070548.tif 000009
【図６】
2009070548.tif 000010
【図７】
2009070548.tif 000011
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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