(57)【要約】【課題】接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】接着剤３を用いて半導体チップ２を基材であるリードフレーム４のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施する際に、前記接着剤３を上向きに射出するディスペンサー５、接着剤が上面に仮塗布されたステージまたは接着剤を貯蔵した浴槽を用いて、接着剤３を半導体チップ２に塗布した後にチップ搭載部に半導体チップ２をダイボンドするものである。【選択図】図１
2009289915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤を用いて半導体チップを基材のチップ搭載部にダイボンドする工程を含んでなる半導体装置の製造方法において、
前記接着剤を半導体チップに塗布した後にチップ搭載部に半導体チップをダイボンドすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ下面に接着剤を塗布する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤はディスペンサー内部に収容されており、当該ディスペンサーには接着剤を上方向に射出するノズル部が設けられており、前記半導体チップ下面に接着剤を塗布する際には、前記ディスペンサーの上方に半導体チップを配置した状態で前記ノズル部から半導体チップ下面に向けて接着剤を射出する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ下面を予め用意された接着剤に接触させて当該半導体チップ下面に接着剤を塗布した後に、前記チップ搭載部に半導体チップを搬送する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤はステージに仮塗布されており、前記半導体チップ下面に接着剤を塗布する際には、前記ステージに仮塗布された接着剤に半導体チップ下面を接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤は浴槽に貯留されており、前記半導体チップ下面に接着剤を塗布する際には、前記浴槽に貯留された接着剤に半導体チップ下面を接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
接着剤を用いて半導体チップを基材のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施する半導体装置の製造装置において、
前記接着剤を半導体チップに塗布する塗布手段と、塗布後にチップ搭載部に半導体チップを搬送する搬送手段とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造装置において、前記塗布手段が前記半導体チップ下面に接着剤を塗布するものである半導体装置の製造装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造装置において、前記塗布手段は、前記接着剤を収容し、かつ、当該接着剤を上方向に射出するノズル部を備えたディスペンサーである半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造装置において、前記塗布手段は、前記接着剤が仮塗布されたステージである半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置の製造装置において、前記塗布手段は、前記接着剤を貯留した浴槽である半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤を用いて基材のチップ搭載部に接着された半導体チップを備えてなる半導体装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一例として、リードフレーム等の基材のチップ搭載部にダイボンドされた半導体チップを備えてなるものがある。
【０００３】
前記リードフレームのチップ搭載部に半導体チップをダイボンドするための一般的な方法としては、接着剤としてのペーストを用いたダイボンド方法がある。
【０００４】
図５は、従来のダイボンド方法を用いた半導体装置の製造工程の一例を示す説明図であり、図６は、従来のダイボンド方法によって半導体チップをリードフレームにダイボンドした場合におけるペーストのはみ出しエリアの一例を示す上面図である。
【０００５】
まず初めに、ダイボンド用のシートに張り付いている半導体チップの裏面側（シート側）を針状のピンで突き上げ、半導体チップをシートから剥がれ易くする（不図示）。
【０００６】
続いて、コレット１０１を半導体チップ１０２表面に当てた状態で、経路１０１ａを介して矢印Ｄ１０１で示す方向に吸引することにより、コレット１０１で半導体チップ１０２を保持する。このとき、リードフレーム１０４上に専用ディスペンサー（不図示）によってペースト１０３を塗布しておく。
【０００７】
その後、図５（ａ）に示すように、コレット１０１で保持した状態で半導体チップ１０２をリードフレーム１０４のチップ搭載部上にもってくる。
【０００８】
次いで、図５（ｂ）に示すように、コレット１０１で保持した半導体チップ１０２を予め塗布されているペースト１０３へ矢印Ｄ１０２で示す方向に押し付けて、半導体チップ１０２をリードフレーム１０４のチップ搭載部に搭載及び固定する。
【０００９】
このような従来のダイボンド方法においては、専用ディスペンサー自体を上下左右方向に移動させながらペースト１０３を塗布することや、粘度が低いペースト１０３を用いた際に専用ディスペンサーからペースト１０３が液ダレすること等が原因で、専用ディスペンサーからのペースト１０３の射出量にばらつきが生じるといった問題があった。
【００１０】
また、塗布後、ペースト１０３はリードフレーム１０４表面に沿って流動により拡散するが、一般的な専用ディスペンサーのノズル先端部の開口部が円形状であるため、拡散後のペースト１０３の塗布形状は、上面方向から見た場合、円形状になる。通常用いられる半導体チップ１０２の下面形状は長方形であるため、拡散後のペースト１０３の塗布形状と半導体チップ１０２の下面形状とは一致せず、図６に示すように、半導体チップ１０２下面からのペースト１０３のはみ出しエリアは大きくなってしまう。その結果、従来のダイボンド方法においては、ペーストの使用量に無駄が発生し易くなるといった問題もあった。なお、前記ペースト１０３の具体例としては、Ａｇペーストのような導電性接着剤が挙げられるが、このＡｇペーストは貴金属であるＡｇを必須成分として含有するエポキシ樹脂接着組成物を用いた比較的高価なものである。そのため、ペースト１０３の使用量が多いと半導体装置の製造コストがかさんでしまう。また、前記はみ出しエリアを小さくするためにペースト１０３の使用量を少なくすると、半導体チップ１０２とリードフレーム１０４との間の接着強度が低下し、アッセイ後の完成品が特性不良品になってしまう場合がある。
【００１１】
さらに、従来のダイボンド方法においては、リードフレーム１０４に塗布されたペースト１０３の塗布エリアと半導体チップ１０２のマウント位置とがずれてしまう場合があり、半導体チップ１０２のマウント位置が塗布エリアから外れてしまうと、アッセイ後の完成品が特性不良品になってしまうといった問題もあった。
【００１２】
また、半導体チップ１０２からのペースト１０３のはみ出しエリアが大きくなってしまうことを考慮して、リードフレーム１０４のチップ搭載部の形状を、搭載する半導体チップ１０２の形状にはみだしエリア分を加えた形状にしておく必要がある。そのため、従来のダイボンド方法には省資源化および省エネルギー化の妨げになるといった問題もあった。
【００１３】
なお、半導体チップからのペースト（接着剤）のはみ出しを抑えることを考慮したものとして、特開平５−２２６３８５号公報に開示されている半導体装置の実装方法がある。
【００１４】
この特開平５−２２６３８５号公報に開示されている半導体装置の実装方法は、プリント基板表面のダイパッド上またはその周囲に表面から突出する枠体を形成し、接着剤をこの枠体内部に充填することで接着剤のはみ出しを抑えている。
【特許文献１】特開平５−２２６３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特開平５−２２６３８５号公報に開示されている半導体装置の実装方法によれば、例えば厚さ２０μｍの金パターン等からなる枠体をプリント基板表面に形成する必要があるため、製造工程が複雑化するといった問題や製造コストが高くなるといった問題があった。
【００１６】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、接着剤を用いて半導体チップを基材のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施する際に、前記接着剤を半導体チップに塗布した後にチップ搭載部に半導体チップをダイボンドするものである。
【００１８】
これにより、接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる。
【００１９】
なお、前記半導体チップ下面に接着剤を塗布することが好ましい。
【００２０】
また、図１（ａ）に示すように、前記接着剤３はディスペンサー５内部に収容されており、当該ディスペンサー５には接着剤３を上方向に射出するノズル部５ａが設けられている。前記半導体チップ２下面に接着剤３を塗布する際には、前記ディスペンサー５の上方に半導体チップ２を配置した状態で前記ノズル部５ａから半導体チップ２下面に向けて接着剤３を射出してもよい。
【００２１】
この場合には、前記ディスペンサーの射出条件（例えば、接着剤３の粘度、射出量、射出時の圧力、ノズル部５ａの開口部の径、ノズル部５ａから半導体チップ２下面までの離間距離、ノズル部５ａの開口部の形状及び外気圧のうちの少なくとも１つ）を変更することによって接着剤の使用量を最適化することができる。
【００２２】
また、前記半導体チップ下面を予め用意された接着剤に接触させて当該半導体チップ下面に接着剤を塗布した後に、前記チップ搭載部に半導体チップを搬送してもよい。このとき、図３（ａ）に示すようにステージ１５に仮塗布された接着剤３に半導体チップ２下面を接触させてもよく、図４（ａ）に示すように浴槽２５に貯留された接着剤３に半導体チップ２下面を接触させてもよい。
【００２３】
この場合には、前記半導体チップ下面を接着剤に接触させる際の接触条件（例えば、ディスペンサーの下降速度、ディスペンサーに付加する圧力、接着剤３の粘度、ステージ１５への仮塗布時の塗布量、接触時間、及び仮塗布または貯留された接着剤３に対する半導体チップ２下面の接触時の深度のうちの少なくとも１つ）を変更することによって接着剤の使用量を最適化することができる。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造装置は、接着剤を用いて半導体チップを基材のチップ搭載部にダイボンドする工程を実施するものであり、前記接着剤を半導体チップに塗布する塗布手段と、塗布後にチップ搭載部に半導体チップを搬送する搬送手段とを備えてなるものである。
【００２５】
これにより、接着剤の使用量を抑えること及び接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることができる。
【００２６】
また、前記塗布手段が前記半導体チップ下面に接着剤を塗布するものであることが好ましい。
【００２７】
また、前記塗布手段は、図１（ａ）に示すような、前記接着剤３を収容し、かつ、当該接着剤３を上方向に射出するノズル部５ａを備えたディスペンサー５であってもよい。
【００２８】
この場合には、前記ディスペンサーの射出条件を変更することによって接着剤の使用量を最適化することができる。
【００２９】
また、前記塗布手段は、図３（ａ）に示すような前記接着剤３が仮塗布されたステージ１５であってもよく、図４（ａ）に示すような前記接着剤３を貯留した浴槽２５であってもよい。
【００３０】
この場合には、前記半導体チップ下面を接着剤に接触させる際の接触条件を変更することによって接着剤の使用量を最適化することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は上記のように構成したので、接着剤の使用量を抑えることができるとともに、接着剤のはみ出しエリアを最小限に抑えることでリードフレームをより小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置の実施形態について説明する。
【００３３】
本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置は、半導体チップに接着剤を塗布した後に基材のチップ搭載部へこの半導体チップをダイボンドすることを特徴とするものである。
【００３４】
＜実施形態１＞
本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置の実施形態１について、図面を参照しつつ説明する。
【００３５】
まず初めに、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態１について説明する。
【００３６】
図１は、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態１を示す説明図であり、図２は、図１に示す半導体装置の製造装置を用いて半導体チップをリードフレームに接着した場合における接着剤のはみ出しエリアの一例を示す上面図である。
【００３７】
本実施形態の半導体装置の製造装置は、半導体チップ２上面に吸着することで半導体チップ２を保持するコレット１と、当該コレット１で保持された半導体チップ２に接着剤３を塗布するディスペンサー５とを備えている。
【００３８】
前記コレット１は、先端部を半導体チップ２表面に当接させた状態で経路１ａを介して矢印Ｄ１で示す方向に吸引することにより、半導体チップ２を保持するものである。
【００３９】
前記ディスペンサー５の内部には接着剤３が収容されており、当該ディスペンサー５の上端部には上方向（矢印Ｄ２で示す方向）に向けて接着剤３を射出するノズル部５ａが設けられている。このディスペンサー５の射出機構としては、例えば、空気、水または油等による圧力を利用したものが用いられる。
【００４０】
なお、ディスペンサー５内部に収容された接着剤３はディスペンサー５が透明な部材で形成されている場合を除いて外部から目視することはできないが、図１では分かりやすくするためにディスペンサー５内部に収容された接着剤３を図示している。
【００４１】
次いで、図１に示す半導体装置の製造装置を用いた本発明の半導体装置の製造方法の実施形態１について説明する。
【００４２】
ここでは、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いて基材であるリードフレーム４のチップ搭載部に半導体チップ２を接着してダイボンドする場合の手順について説明する。
【００４３】
まず初めに、コレット１を半導体チップ２上面に当接した状態で経路１ａを介して矢印Ｄ１で示す方向に吸引することにより、コレット１で半導体チップ２を保持する。
【００４４】
続いて、コレット１により半導体チップ２の保持を維持した状態で前記ディスペンサー５の上方まで半導体チップ２を搬送する。そして、前記ディスペンサー５の上方に半導体チップ２が配置されると、ディスペンサー５と半導体チップ２とを離間させた状態においてディスペンサー５が半導体チップ２下面に向けてノズル部５ａから接着剤３を射出し、図１（ａ）に示すように、半導体チップ２下面に接着剤３を塗布する。
【００４５】
前記接着剤３の塗布が終了すると、コレット１により、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部上方まで搬送し、さらに、矢印Ｄ３で示す方向に下降させてチップ搭載部に押し付けて、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部に搭載及び固定する。このとき、接着剤３は半導体チップ２下面とチップ搭載部との間で押し広げられる。最後に、コレット１は吸引による吸着を停止して半導体チップ２の保持を解除する。
【００４６】
前述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いて半導体チップを接着した場合、塗布された接着剤３は半導体チップ２をチップ搭載部に押し付けたときに半導体チップ２下面とチップ搭載部との間で押し広げられる。この場合、接着剤３は、図２に示すように、半導体チップ２下面の端部から外側方向へ全周にわたって略同じ距離ずつはみ出した状態になり、接着剤３のはみ出しエリアの形状が半導体チップ２下面と略同じ形状（長方形）になり、その結果、接着剤３のはみ出しエリアを最小限に抑えることが可能となる。即ち、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いることによって、塗布した接着剤３のはみ出しエリアの寸法（幅および長さ）を従来のダイボンド方法を用いて塗布した接着剤のはみ出しエリアの直径よりも小さくすることができる。
【００４７】
なお、前記接着剤３の使用量は、ディスペンサー５の射出条件（例えば、接着剤３の粘度、射出量、射出時の圧力、ノズル部５ａの開口部の径、ノズル部５ａから半導体チップ２下面までの離間距離、ノズル部５ａの開口部の形状及び外気圧のうちの少なくとも１つ）を変えることにより調整することができる。従って、前記射出条件を変更しつつ半導体チップ２下面とチップ搭載部との間での接着剤３の広がり状態を予めマトリックス評価しておき、このマトリックス評価に基づき、使用量を抑えつつも半導体チップ２下面全体に接着剤３を押し広げることができる射出条件を決定し採用することにより、接着剤３の使用量を最適化することができる。
【００４８】
＜実施形態２＞
次に、本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置の実施形態２について、図面を参照しつつ説明する。
【００４９】
本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置は、ディスペンサーを用いる代わりに予め用意された接着剤に半導体チップ下面を接触させることによって当該半導体チップ下面に接着剤を塗布している点が、前述の実施形態１のものと異なっている。
【００５０】
まず初めに、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態２について説明する。
【００５１】
図３は、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態２を示す説明図である。
【００５２】
本実施形態の半導体装置の製造装置は、図１に示すものと同様のコレット１と、接着剤３が上面に仮塗布されたステージ１５とを備えている。
【００５３】
前記ステージ１５としては、例えば、安価なプラスティック素材、リードフレーム４の不要部分、または接着剤３が浸透しない材料で形成された専用の部材が用いられる。また、ステージ１５への接着剤３の仮塗布は、例えば、エアスプレーを用いて塗布することによって実施される。
【００５４】
次いで、図３に示す半導体装置の製造装置を用いた本発明の半導体装置の製造方法の実施形態２について説明する。
【００５５】
ここでは、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いて基材であるリードフレーム４のチップ搭載部に半導体チップ２を接着してダイボンドする場合の手順について説明する。
【００５６】
まず初めに、コレット１を半導体チップ２上面に当接した状態で経路１ａを介して矢印Ｄ１で示す方向に吸引することにより、コレット１で半導体チップ２を保持する。
【００５７】
続いて、コレット１により、図３（ａ）に示すように、半導体チップ２の保持を維持した状態で前記ステージ１５の上方まで半導体チップ２を搬送し、さらに、矢印Ｄ４で示す方向に下降させることによって、前記ステージ１５上面に仮塗布された接着剤３に半導体チップ２下面を接触させる。このとき、半導体チップ２下面全体に接着剤３が塗布される。
【００５８】
前記接着剤３の塗布が終了すると、コレット１により、図３（ｂ）に示すように、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部上方まで搬送し、さらに、矢印Ｄ３で示す方向に下降させてチップ搭載部に押し付けることによって、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部に搭載及び固定する。最後に、コレット１は吸引による吸着を停止して半導体チップ２の保持を解除する。
【００５９】
前述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いて半導体チップを接着した場合、塗布後の接着剤３は半導体チップ２下面全体に塗布される。この場合、接着剤３は、前述の実施形態１と同様に、半導体チップ２下面の端部から外側方向へ全周にわたって略同じ距離ずつはみ出した状態になり（図２参照）、接着剤３のはみ出しエリアの形状が半導体チップ２下面と略同じ形状（長方形）になり、その結果、接着剤３のはみ出しエリアを最小限に抑えることが可能となる。即ち、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いることによって、塗布した接着剤３のはみ出しエリアの寸法（幅および長さ）を従来のダイボンド方法を用いて塗布した接着剤のはみ出しエリアの直径よりも小さくすることができる。
【００６０】
なお、前記接着剤３の使用量は、前記ステージ１５上面に仮塗布された接着剤３に半導体チップ２下面を接触させる際の接触条件（例えば、ディスペンサーの下降速度、ディスペンサーに付加する圧力、接着剤３の粘度、ステージ１５への仮塗布時の塗布量、接触時間、及び仮塗布された接着剤３に対する半導体チップ２下面の接触時の深度のうちの少なくとも１つ）を変えることにより調節することができる。従って、半導体チップ２下面での接着剤３の塗布状態を、前記接触条件を変更しつつ複数回マトリックス評価しておき、当該マトリックス評価に基づき、使用量を抑えつつも半導体チップ２下面に接着剤３を充分に塗布することができる接触条件を決定し採用することにより、接着剤３の使用量を最適化することができる。
【００６１】
＜実施形態３＞
次に、本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置の実施形態３について、図面を参照しつつ説明する。
【００６２】
本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置は、ディスペンサーを用いる代わりに予め用意された接着剤に半導体チップ下面を接触させることによって当該半導体チップ下面に接着剤を塗布している点が、前述の実施形態１のものと異なっている。
【００６３】
まず初めに、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態３について説明する。
【００６４】
図４は、本発明の半導体装置の製造装置の実施形態３を示す説明図である。
【００６５】
本実施形態の半導体装置の製造装置は、図１に示すものと同様のコレット１と、接着剤３を貯留した浴槽２５とを備えている。
【００６６】
次いで、図４に示す半導体装置の製造装置を用いた本発明の半導体装置の製造方法の実施形態３について説明する。
【００６７】
ここでは、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いて基材であるリードフレーム４のチップ搭載部に半導体チップ２を接着してダイボンドする場合の手順について説明する。
【００６８】
まず初めに、コレット１を半導体チップ２上面に当接した状態で経路１ａを介して矢印Ｄ１で示す方向に吸引することにより、コレット１で半導体チップ２を保持する。
【００６９】
続いて、コレット１により、図４（ａ）に示すように、半導体チップ２の保持を維持した状態で前記浴槽２５の上方まで半導体チップ２を搬送し、さらに、矢印Ｄ５で示す方向に下降させることによって、前記浴槽２５に貯留された接着剤３の液面に半導体チップ２下面を接触させる。このとき、半導体チップ２下面全体に接着剤３が塗布される。
【００７０】
前記接着剤３の塗布が終了すると、コレット１により、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部上方まで搬送し、さらに、矢印Ｄ３で示す方向に下降させてチップ搭載部に押し付けることによって、半導体チップ２をリードフレーム４のチップ搭載部に搭載及び固定する。最後に、コレット１は吸引による吸着を停止して半導体チップ２の保持を解除する。
【００７１】
前述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いて半導体チップを接着した場合、塗布後の接着剤３は半導体チップ２下面全体に塗布される。この場合、接着剤３は、前述の実施形態１と同様に、半導体チップ２下面の端部から外側方向へ全周にわたって略同じ距離ずつはみ出した状態になり（図２参照）、接着剤３のはみ出しエリアの形状が半導体チップ２下面と略同じ形状（長方形）になり、その結果、接着剤３のはみ出しエリアを最小限に抑えることが可能となる。即ち、本実施形態の半導体装置の製造方法及び製造装置を用いることによって、塗布した接着剤３のはみ出しエリアの寸法（幅および長さ）を従来のダイボンド方法を用いて塗布した接着剤のはみ出しエリアの直径よりも小さくすることができる。
【００７２】
なお、前記接着剤３の使用量は、前記浴槽２５に貯留された接着剤３に半導体チップ２下面を接触させる際の接触条件（例えば、ディスペンサーの下降速度、ディスペンサーに付加する圧力、接着剤３の粘度、接触時間、及び貯留された接着剤３に対する半導体チップ２下面の接触時の深度のうちの少なくとも１つ）を変えることにより調節することができる。従って、半導体チップ２下面での接着剤３の塗布状態を、前記接触条件を変更しつつ複数回マトリックス評価しておき、当該マトリックス評価に基づき、使用量を抑えつつも半導体チップ２下面に接着剤３を充分に塗布することができる接触条件を決定し採用することにより、接着剤３の使用量を最適化することができる。
【００７３】
また、前述の実施形態１〜３において、前記接着剤３の最適な使用量は、リードフレーム４のチップ搭載部に半導体チップ２を押し付ける際の圧力にも影響される。即ち、より高い圧力でチップ搭載部に半導体チップ２を押し付けた場合にはより少量の接着剤３で半導体チップ２下面とチップ搭載部との間を接着することができる。但し、圧力が高すぎると半導体チップ２が破損してしまう場合があるため、半導体チップ２が破損しない範囲内でチップ搭載部に半導体チップ２を押し付ける必要がある。前記マトリックス評価は、この圧力も考慮しつつ実施することがより好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の半導体装置の製造方法及び製造装置は、例えば電源部またはプロコン（プロセスコントロール）を実施する際に動作制御を行う部位等といった電子機器に用いられる半導体装置を製造する際に活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の半導体装置の製造装置の実施形態１を示す説明図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造装置を用いて半導体チップをリードフレームに接着した場合における接着剤のはみ出しエリアの一例を示す上面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造装置の実施形態２を示す説明図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造装置の実施形態３を示す説明図である。
【図５】従来のダイボンド方法を用いた半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【図６】従来のダイボンド方法によって半導体チップをリードフレームにダイボンドした場合におけるペーストのはみ出しエリアの一例を示す上面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１    コレット
２    半導体チップ
３    接着剤
４    リードフレーム
５    ディスペンサー
１５    ステージ
２５    浴槽
【図１】
2009289915.tif 000003
【図２】
2009289915.tif 000004
【図３】
2009289915.tif 000005
【図４】
2009289915.tif 000006
【図５】
2009289915.tif 000007
【図６】
2009289915.tif 000008