(57)【要約】【課題】透明性、導電性、及び耐湿性に優れた透明導電性高分子材料フィルム及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に導電性高分子を有する透明導電性高分子材料フィルムであって、該導電性高分子が、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする透明導電性高分子材料フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に導電性高分子を有する透明導電性高分子材料フィルムであって、該導電性高分子が、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする透明導電性高分子材料フィルム。
【請求項２】
前記導電性高分子が、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ該金属ナノ粒子を均一に分散させることによって製造されたことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【請求項３】
前記金属ナノ粒子が、金、白金、銀、銅、亜鉛、パラジウム、ロジウム、イリジウム、及びルテニウムから選択された元素を含有する金属ナノ粒子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【請求項４】
前記卑金属が、アルミニウム、チタン、インジウム、カドミウム、マンガン、鉄、銅、すず、鉛、及びアンチモンから選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【請求項５】
前記金属錯体が、塩化金酸、塩化白金酸、塩化パラジウム、塩化ロジウム、及びヘキサクロロイリジウム塩から選択されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルムの製造方法であって、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ同時に該金属ナノ粒子を均一に分散させる工程及び該金属ナノ粒子を均一に担持させた導電性高分子の塗膜を卑金属と接触させることで改質する工程を有することを特徴とする透明導電性高分子材料フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性、透明性に優れ、更に耐湿性に優れた透明導電性高分子材料フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極、ならびに電磁波シールド材などの透明導電膜フィルムとしては、従来インジウム−スズの複合酸化物（ＩＴＯ）をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の透明フィルム上に真空蒸着法やスパッタリング法で設けたＩＴＯフィルムが主に使用されてきた。しかし、このＩＴＯフィルムは基材の撓みによりクラックが入りやすく、そのため導電性の低下が起こりやすい問題があった。
【０００３】
一方、ウェットプロセスによる低温かつ低コストで成膜可能な導電性高分子層を透明フィルムに製膜した透明導電フィルムが提案されている。導電性高分子により形成される透明導電性層は、膜自体に柔軟性があるため、クラックなどの問題が生じにくいが、一般的に導電性高分子は着色しており、ＩＴＯフィルム並の導電性を得るために膜厚を厚くすると透明性を損なう等の問題点があった。そこで近年では導電性高分子膜に仕事関数の小さい金属を蒸着することで高い導電性や酸化還元耐久性を得た導電性ポリマー材料（特許文献１）や、貴金属錯体で導電性高分子の重合と金属ナノ粒子の担持を同時に行う方法（特許文献２）、π共役高分子と導電性ナノ粒子を混合することフレキシビリティの高い透明電極を得る方法（特許文献３）が開示されている。しかし、これらの方法でも導電性・透明性を両立しつつ、さらに湿度耐性を保つには不十分であった。
【特許文献１】特開２００４−９９６４０号公報
【特許文献２】特開２００４−３５９７２４号公報
【特許文献３】特開２００５−３２７９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、透明性、導電性、及び耐湿性に優れた透明導電性高分子材料フィルム及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００６】
１．支持体上に導電性高分子を有する透明導電性高分子材料フィルムであって、該導電性高分子が、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする透明導電性高分子材料フィルム。
【０００７】
２．前記導電性高分子が、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ該金属ナノ粒子を均一に分散させることによって製造されたことを特徴とする前記１に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【０００８】
３．前記金属ナノ粒子が、金、白金、銀、銅、亜鉛、パラジウム、ロジウム、イリジウム、及びルテニウムから選択された元素を含有する金属ナノ粒子であることを特徴とする前記１又は２に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【０００９】
４．前記卑金属が、アルミニウム、チタン、インジウム、カドミウム、マンガン、鉄、銅、すず、鉛、及びアンチモンから選択されることを特徴とする前記１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【００１０】
５．前記金属錯体が、塩化金酸、塩化白金酸、塩化パラジウム、塩化ロジウム、及びヘキサクロロイリジウム塩から選択されることを特徴とする前記２〜４のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルム。
【００１１】
６．前記１〜５のいずれか一項に記載の透明導電性高分子材料フィルムの製造方法であって、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ同時に該金属ナノ粒子を均一に分散させる工程及び該金属ナノ粒子を均一に担持させた導電性高分子の塗膜を卑金属と接触させることで改質する工程を有することを特徴とする透明導電性高分子材料フィルムの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の上記手段により、透明性、導電性、及び耐湿性に優れた透明導電性高分子材料フィルム及びその製造方法を提供することができる。
【００１３】
すなわち、本発明の手段により、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル等の透明電極、電磁波シールド材としてフレキシビリティの高い透明導電膜フィルムとその製造方法の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の透明導電性高分子材料フィルムは、支持体上に導電性高分子を有する透明導電性高分子材料フィルムであって、該導電性高分子が、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする。この特徴は、請求項１〜６に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００１５】
なお、本願において、「透明」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７（プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法）に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が７０％以上であることをいう。また、「金属ナノ粒子」とは、後述する金属元素を含有する粒子であって、平均粒径が０．１〜１００ｎｍの粒子をいう。
【００１６】
本発明を実施するための態様・形態としては、前記導電性高分子が、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ該金属粒子を均一に分散させることによって製造さる態様が好ましい。また、前記金属ナノ粒子が、金、白金、銀、銅、亜鉛、パラジウム、ロジウム、イリジウム、及びルテニウムから選択された元素を含有する金属ナノ粒子である態様が好ましい。
【００１７】
また、前記金属錯体が、塩化金酸、塩化白金酸、塩化パラジウム、塩化ロジウム、及びヘキサクロロイリジウム塩から選択されることが好ましい。
【００１８】
なお、本発明の透明導電性高分子材料フィルムの製造方法としては、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ同時に該金属ナノ粒子を均一に分散させる工程及び該金属ナノ粒子を均一に担持させた導電性高分子の塗膜を卑金属と接触させることで改質する工程を有する態様の製造方法であることが好ましい。更に、前記卑金属が、アルミニウム、チタン、インジウム、カドミウム、マンガン、鉄、銅、すず、鉛、及びアンチモンから選択されることが好ましい。
【００１９】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態等について詳細な説明をする。
【００２０】
（導電性高分子材料）
本発明に係る導電性高分子材料は、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする。当該導電性高分子材料は、重合された導電性高分子に別途作製した金属ナノ粒子を攪拌混合にすることよっても作製しても良いし、金属錯体を重合酸化剤として用いることにより、導電性高分子の重合と同時に金属ナノ粒子を生成させても良い。
【００２１】
本発明において用いられる導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子が好ましく、例えばポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアセチレン類、ポリフェニレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセン類、ポリチオフェンビニレン類、及びこれらの共重合体等が挙げられる。これらの中でも、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）から選ばれる重合体、又は共重合体が好適に用いられる。特にポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が好ましい。
【００２２】
さらに本発明の導電性高分子にはポリアニオンやそれ以外のドーパントを含むことができる。ポリアニオンとしては、高分子状カルボン酸塩、高分子状スルホン酸が挙げられる。高分子状カルボン酸としては、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸などがあげられる。高分子状スルホン酸としては、リスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸などがあげられる。これらの高分子状カルボン酸およびスルホン酸類は、ビニルカルボン酸およびビニルスルホン酸類と他の重合可能な低分子化合物、例えばアクリレート類およびスチレンなどとの共重合体であってもよい。具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。これらポリアニオンの中でもポリアクリルスルホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、及びその全てもしくは一部が金属塩であるものが好ましく用いられる。特にポリスチレンスルホン酸が最も好ましい。かかるポリアニオンの数平均分子量は、１，０００〜２，０００，０００の範囲が適当であり、２，０００〜５００，０００の範囲が好ましい。
【００２３】
本発明のポリアニオンと導電性高分子の比率は、塗膜強度、導電性等の観点から、導電性高分子１ｇに対してポリアニオンが０．５〜１０ｇの範囲であることが好ましく、１〜５ｇの範囲であることがより好ましい。
【００２４】
他ドーパントとしては、導電性高分子を酸化還元できればドナー性のものでも、アクセプタ性のものでも良い。ドナー性ドーパントとしては、例えば、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム等のアルカリ土類金属、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、メチルトリエチルアンモニウム、ジメチルジエチルアンモニウム等の４級アミン化合物等が挙げられ、アクセプタ性ドーパントとしては、例えば、ハロゲン化合物、ルイス酸、プロトン酸、有機シアノ化合物、有機金属化合物、フラーレン、水素化フラーレン、水酸化フラーレン、カルボン酸化フラーレン、スルホン酸化フラーレン等を使用できる。
【００２５】
さらに導電性高分子溶液には、透明導電層の耐久性に悪影響をおこさない範囲で、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオキシド等の極性有機溶媒を少量添加しておくことがより好ましい。極性有機溶媒の添加量としては、膜の耐久性、透明性等の観点から、π共役高分子１％水溶液に対して０．５％から５０％、好ましくは１％から１０％がよい。
【００２６】
（金属ナノ粒子）
本発明に係る金属ナノ粒子を構成する金属元素としては、金、白金、銀、銅、亜鉛、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、アルミニウム、すず、鉛、炭素、チタンから選択される元素が好ましい。又、これらの元素を含む化合物を含有しても良い。
【００２７】
特に、金、白金、銀、銅、亜鉛、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウムが好ましい。金属ナノ粒子の平均粒径としては、透明度、均一分散性等の観点から、０．５〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍがさらに好ましい。
【００２８】
金属ナノ粒子の含有量は、導電性及び透明度等も観点から、０．１〜５０質量％が好ましく、０．５〜３０質量％がさらに好ましい。
【００２９】
これらの金属ナノ粒子の製造方法としては、公知の各種製造方法、たとえばコロイド化学的手法や共沈法、水熱反応法等を用いることができる。本発明では、金属ナノ粒子を導電性高分子内に均一に分散させる方法としては、金属錯体を導電性高分子の重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合と同時に金属ナノ粒子を生成させることがより好ましい。
【００３０】
本発明において用いられる金属錯体としては、塩化金酸、塩化白金酸、塩化パラジウム、塩化ロジウム、ヘキサクロロイリジウム塩等が好ましい。特に塩化金酸、塩化白金酸が好ましい。導電性高分子の重合反応を早く、十分に行うためには金属錯体の他にさらに別の酸化重合剤、たとえば過硫酸アンモニウム、塩化鉄等を追加添加しても良い。
【００３１】
（卑金属による改質）
本願において、「卑金属による改質」とは、導電性高分子と卑金属を接触させ数時間から数日間放置させておくことにより、卑金属が導電性高分子によって酸化され、導電性高分子内に卑金属が酸化物として取り込まれることを意味する。導電性高分子を卑金属と接触させる方法としては、金属ナノ粒子が均一に分散された導電性高分子の塗膜を形成し、その塗膜表面に別途形成した卑金属薄膜を密着させたり、蒸着やスパッタ法、メッキ法、電着法等で卑金属を堆積させることで可能である。導電性高分子内部に金属ナノ粒子と卑金属酸化物が共存することにより、高い導電性、透明性と耐湿性をもつ導電性高分子材料を得ることができると思われる。
【００３２】
本発明において、卑金属としては、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、鉛、亜鉛、すず、タングステン、モリブデン、タンタル、マグネシウム、コバルト、ビスマス、カドミウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン、マンガン、ベリリウム、クロム、ゲルマニウム、バナジウム、ガリウム、ハフニウム、インジウム、ニオブ、レニウム及びタリウムが用いられるが、特にアルミニウム、チタン、インジウム、カドミウム、マンガン、鉄、銅、すず、鉛、及びアンチモンが好ましく用いられる。
【００３３】
金属ナノ粒子が均一に分散された導電性高分子の卑金属による改質は、例えば、金属ナノ粒子が均一に分散された導電性高分子の塗膜を形成し、その塗膜表面に上記卑金属の薄膜を密着させたり、上記卑金属を蒸着やスパッタ法、メッキ法、電着法等で堆積させた後、数時間から数日間放置しておくにより、導電性高分子内部に卑金属が酸化物として取り込まれるようにすることにより行う。
【００３４】
本発明においては、導電性高分子内部に金属ナノ粒子と卑金属酸化物が共存することにより、高い導電性、透明性と耐湿性をもつ導電性高分子材料を得ることができる。
【００３５】
（透明導電性高分子材料フィルム）
本発明の透明導電性高分子材料フィルムは、支持体上に導電性高分子（の塗膜）を有する透明導電性高分子材料フィルムであって、該導電性高分子が、均一に分散された金属ナノ粒子を含有し、かつ卑金属で改質されていることを特徴とする。
【００３６】
金属ナノ粒子が均一に分散された導電性高分子の塗膜形成方法としては、公知の各種方法を用いることができ、例えばスピンコート法、グラビアロールコーター法、ブレードコーター法、スプレーコーター法、ディップコート法、バーコーター法等を採用することができる。
【００３７】
なお、本発明の透明導電性高分子材料フィルムの製造方法としては、上述のように、金属錯体を重合酸化剤として用いて、導電性高分子の重合反応を行うと共に、該金属錯体の還元反応により金属ナノ粒子の生成を行い、かつ同時に該金属ナノ粒子を均一に分散させる工程及び該金属ナノ粒子を均一に担持させた導電性高分子の塗膜を卑金属と接触させることで改質する工程を有する態様の製造方法であることが好ましい。
【００３８】
（支持体）
支持体としては、フレキシビリティ性を得る目的からフィルム基材を用いることが好ましい。用いられるフィルム基材としては、例えばポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、並びにこれらの混合物および共重合体、さらにはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂などからなるフィルムをあげることができる。これらの中でも、二軸配向したポリエステルフィルムが、寸法安定性、機械的性質、耐熱性、電気的性質などに優れた性質を有することより好ましく、特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム又はポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルムが、高ヤング率である等の機械的特性に優れ、耐熱寸法安定性がよい等の熱的特性にも優れているため好ましい。なお、剛性及取扱い性等の観点から、ポリエステルフィルムの厚みは５００μｍ以下が好ましい。
【００３９】
本発明の透明導電性フィルムの透明度としては、液晶ディスプレイ等への適応性の観点から、全光線透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上が良い。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。
【００４１】
（試料１）
Ｉ2でドーピングしたポリピロールの溶液に平均粒径２０ｎｍの金粒子を３０質量％加えて導電性高分子と金属ナノ粒子の混合溶液を得た。この混合溶液を１００μｍのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚１μｍになるように塗布し、１５０℃で乾燥させた。次に金粒子含有ポリピロール膜上に蒸着法（２５℃、１０-3Ｐａ）でアルミニウム膜を２０ｎｍ形成した後大気圧に戻し、室内で２４時間放置して試料１を作製した。
【００４２】
（試料２）
Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製ＢａｙｔｒｏｎＰＨ５００（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、固形分濃度約１．３％）の水溶液に平均粒径５０ｎｍの酸化亜鉛粒子を１５質量％、ジメチルスルホキシド５質量％を加えて混合溶液を得た。この混合溶液を１００μｍのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚１μｍになるように塗布し、１５０℃で乾燥させた。次に金粒子含有ポリピロール膜上に蒸着法（２５℃、１０-3Ｐａ）でアルミニウム膜を２０ｎｍ形成した後大気圧に戻し、室内で２４時間放置して試料２を作製した。
【００４３】
（試料３）
ピロールモノマーとｐ−トルエンスルホン酸水溶液に塩化金酸（ＨＡｕＣｌ4・４Ｈ2Ｏ）と塩化鉄水溶液をＡｕの含有量が１．０質量％になるように加えてポリピロールの重合と金ナノ粒子の形成を同時に行い、金属ナノ粒子含有導電性高分子水溶液を得た。次いでこの水溶液中の生成物を取り出し蒸留水で精製した後再度蒸留水に分散して金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を作製した。得られた金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を１００μｍのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚１μｍになるように塗布し、１５０℃で乾燥させた。次に金粒子含有ポリピロール膜上に蒸着法（２５℃、１０−3Ｐａ）でアルミニウム膜を２０ｎｍ形成した後大気圧に戻し、室内で２４時間放置して試料３を作製した。
【００４４】
（試料４）
金粒子含有ポリピロール膜上に形成するアルミニウム膜をインジウム膜に変えた以外は試料３と同様にして試料４を作製した。
【００４５】
（試料５、６）
塩化金酸の代わりに塩化白金酸（Ｈ2ＰｔＣｌ6・６Ｈ2Ｏ）、硝酸銀を各々用いた以外は試料３と同様にして試料５、６を作製した。
【００４６】
（試料７）
アニリンモノマーの塩酸水溶液に塩化金酸（ＨＡｕＣｌ4・４Ｈ2Ｏ）と過硫酸アンモニウム水溶液をＡｕの含有量が１．０質量％になるように加えてポリアニリンの重合と金ナノ粒子の形成を同時に行い、金属ナノ粒子含有導電性高分子を得た。次いでこの金属ナノ粒子含有導電性高分子を蒸留水で精製、乾燥した後カンファースルホン酸をポリアニリンに対して５０％になるように加えたクレゾール溶液に溶解して金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を作製した。得られた金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を１００μｍのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚１μｍになるように塗布し、１５０℃で乾燥させた。さらに金粒子含有ポリピロール膜上に蒸着法（２５℃、１０-3Ｐａ）でアルミニウム膜を２０ｎｍ形成した後大気圧に戻し、室内で２４時間放置して試料７を作製した。
【００４７】
（試料８）
３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマーとポリスチレンスルホン酸の１：２．５水溶液に塩化金酸（ＨＡｕＣｌ4・４Ｈ2Ｏ）と硫酸鉄水溶液Ａｕの含有量が１．０質量％になるように加えてポリエチレンジオキシチオフェンの重合と金ナノ粒子の形成を同時に行い、金属ナノ粒子含有導電性高分子水溶液を得た。次いでこの水溶液中の生成物を取り出し蒸留水で精製した後再度蒸留水に分散して金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を作製した。得られた金属ナノ粒子含有導電性高分子塗布液を１００μｍのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーを用いて乾燥後の膜厚１μｍになるように塗布し、１５０℃で乾燥させた。次に金粒子含有ＰＥＤＯＴ膜上に蒸着法（２５℃、１０-3Ｐａ）でアルミニウム膜を２０ｎｍ形成した後大気圧に戻し、室内で２４時間放置して試料８を作製した。
【００４８】
（試料９）
金粒子を混合しなかった以外は試料１と同様にして試料９を作製した。
【００４９】
（試料１０）
金粒子含有ポリピロール膜上にアルミニウム膜を形成しなかった以外は試料１と同様にして試料１０を作製した。
【００５０】
（試料１１）
白金粒子含有ポリピロール膜上にアルミニウム膜を形成しなかった以外は試料５と同様にして試料１１を作製した。
【００５１】
以上のようにして得られた透明導電性フィルム試料１から１１について、以下の方法にて全光線透過率、表面抵抗、表面抵抗湿度変化率を求めた。
【００５２】
［全光線透過率］
ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７に準拠して、スガ試験機（株）製のヘイズメーターＨＧＭ−２Ｂを用いて測定した。
【００５３】
［表面抵抗率］
ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４：１９９４（導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法）に準拠して、三菱化学社製ロレスターＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）を用いて、測定した。測定は対角３５．５６ｃｍ（１４インチ）の長方形（１７．４３ｃｍ×３０．９９ｃｍ）サイズの中で任意の５０点をサンプリングして行い、その平均値を表面抵抗値として求めた。
【００５４】
［表面抵抗湿度変化率］
温度２５℃、湿度６０％ＲＨの環境下における表面抵抗率をＲ1、透明導電性フィルムを６０℃９５％ＲＨ環境下に１２０時間放置した後、温度２５℃、湿度６０％ＲＨの環境下に戻して測定した表面抵抗率をＲ2としたときに下記式より算出される値を表面抵抗湿度変化率として表す。なお、この表面抵抗湿度変化率は耐湿性の評価指標である。
【００５５】
表面抵抗湿度変化率（％）＝１００×（Ｒ1−Ｒ2）／Ｒ1
上記評価結果を表１にまとめて示す。
【００５６】
【表１】
2009070789.tif 000002
【００５７】
表１から明らかなように、本発明に係る試料は優れた透明性、導電性、耐湿性を持っていることが分かる。すなわち、本発明の手段により、透明性、導電性、及び耐湿性に優れた透明導電性高分子材料フィルム及びその製造方法を提供することができる。