(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な層構成により、導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、折り曲げ後の形状保持性に優れる配線回路基板を提供すること。【解決手段】金属支持基板２を用意し、その上に金属箔３を形成し、金属箔３の表面に、錫または錫合金からなる第１保護層４を形成するとともに、金属支持基板２の上に、第１保護層４を被覆するようにベース絶縁層５を形成する。次いで、ベース絶縁層５の上に導体パターン６を形成し、その導体パターン６の表面に、錫または錫合金からなる第２保護層７を形成するとともに、ベース絶縁層５の上に、第２保護層７を被覆するようにカバー絶縁層８を形成する。そして、得られた回路付サスペンション基板１のジンバル部を、折曲部に沿って折り曲げ、実装領域に磁気ヘッドを実装して、ハードディスクドライブに搭載する。【選択図】図２
2009026875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成される金属箔と、
前記金属箔の表面に形成され、錫または錫合金からなる第１保護層と、
前記金属支持基板の上に、前記第１保護層を被覆するように形成される第１絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成される導体パターンと、
前記導体パターンの表面に形成され、錫または錫合金からなる第２保護層と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記金属箔および前記導体パターンが銅から形成され、
前記第１保護層および前記第２保護層が、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金からなることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１保護層および前記第２保護層の厚みが、０．０５μｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記金属支持基板と前記金属箔との間に介在される第２絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
回路付サスペンション基板として用いられることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ステンレスからなる金属支持基板の上に、樹脂からなる絶縁層および銅からなる導体パターンが順次形成された回路付サスペンション基板が知られており、磁気ヘッドを搭載してハードディスクドライブなどに用いられている。
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板がステンレスから形成されていることから、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。そのため、伝送損失を低減させるために、サスペンションの上に、銅または銅を主成分とする銅合金からなる下部導体を形成し、その下部導体の上に、絶縁層、記録側導体および再生側導体を順次形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、通常、回路付サスペンション基板では、ハードディスクドライブの磁気ディスクに対して、磁気ヘッドが所定の角度を維持するように、磁気ヘッド搭載部において磁気ヘッドを支持している。より具体的には、回路付サスペンション基板では、磁気ヘッド搭載部が長手方向と直交する幅方向に沿って折り曲げられており、その折り曲げ角度に従って、磁気ヘッドが磁気ディスクに対して所定の角度で維持されている。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載される回路付サスペンション基板では、下部導体が形成されているため、一旦折り曲げられた磁気ヘッド搭載部が復元しやすく、そのため、磁気ヘッド搭載部の角度の維持が困難となる。
本発明の目的は、簡易な層構成により、導体パターンの伝送損失を低減させることができながら、折り曲げ後の形状保持性に優れる配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される金属箔と、前記金属箔の表面に形成され、錫または錫合金からなる第１保護層と、前記金属支持基板の上に、前記第１保護層を被覆するように形成される第１絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記導体パターンの表面に形成され、錫または錫合金からなる第２保護層とを備えていることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の配線回路基板では、前記金属箔および前記導体パターンが銅から形成され、前記第１保護層および前記第２保護層が、銅に対して錫が拡散されることにより形成される錫銅合金からなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記第１保護層および前記第２保護層の厚みが、０．０５μｍ以上であることが好適である。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板では、前記金属支持基板と前記金属箔との間に介在される第２絶縁層を備えていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板は、回路付サスペンション基板として用いられることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板は、金属支持基板と導体パターンとの間に金属箔を介在させる簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができながら、第１保護層と第２保護層とを錫または錫合金から形成することより、折り曲げ後の形状保持性を高めることができる。
そのため、折り曲げ後において、電子部品の姿勢を確実に維持させることができる。
【０００９】
さらに、絶縁層と金属箔との間に第１保護層を介在させることにより、金属箔の金属が絶縁層に対して移行するイオンマイグレーション現象の発生を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図、
図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における後述する折曲部に沿う断面図、図５は、図１に示す回路付サスペンション基板がハードディスクドライブに搭載されている状態の説明図であって、回路付サスペンション基板の長手方向に沿う断面図である。
【００１１】
なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン６の相対配置を明確に示すために、後述する金属箔３、第１保護層４、ベース絶縁層５、第２保護層７およびカバー絶縁層８は省略されている。
図１および図５において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド２１を実装して、その磁気ヘッド２１を磁気ディスク２２と対向させるように支持するものであり、磁気ヘッド２１と、図示しないリード・ライト基板（外部回路）とを電気的に接続するための導体パターン６が形成されている。
【００１２】
導体パターン６は、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａと、外部側接続端子部１０Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部１０Ａおよび外部側接続端子部１０Ｂを接続するための複数の配線９とを、一体的に連続して備えている。
各配線９は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数（例えば、４本）設けられ、金属支持基板２の長手方向に直交する方向（以下、単に幅方向という。）において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。各配線９は、磁気ディスク２２のデータを読み込むためのリード配線であるか、または、磁気ディスク２２にデータを書き込むためのライト配線であり、リード配線にはリード信号が入力され、ライト配線にはライト信号が入力される。
【００１３】
磁気ヘッド側接続端子部１０Ａは、金属支持基板２の長手方向一端部（以下、先端部という。）に配置され、各配線９の先端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部１０Ａには、磁気ヘッド２１の端子部（図示せず）が接続される。
外部側接続端子部１０Ｂは、金属支持基板２の長手方向他端部（以下、後端部という。）に配置され、各配線９の後端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この外部側接続端子部１０Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
【００１４】
また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッド２１を実装するためのジンバル部１８が設けられている。ジンバル部１８には、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａを長手方向において挟む切欠部２３が開口されている。
また、ジンバル部１８では、図１の仮想線で示すように、切欠部２３を含み、切欠部２３よりやや大きい領域が、磁気ヘッド２１が実装される実装領域１７とされている。
【００１５】
また、この回路付サスペンション基板１の先端側においては、図１の破線で示すように、ジンバル部１８の後側に配置され、幅方向に沿う直線部が、折曲部１９とされている。
折曲部１９の位置は、磁気ヘッド２１の大きさなどに応じて適宜選択され、折曲部１９と金属支持基板２の先端縁との間の長さＬ１が、例えば、５〜７ｍｍとなるように設定される。
【００１６】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１金属薄膜１１と、第１金属薄膜１１の上に形成される金属箔３と、金属箔３の表面に形成される第１保護層４と、金属支持基板２の上に、第１保護層４を被覆するように形成される第１絶縁層としてのベース絶縁層５とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、ベース絶縁層５の上に形成される第２金属薄膜１２と、第２金属薄膜１２の上に形成される導体パターン６と、導体パターン６の表面に形成される第２保護層７と、ベース絶縁層５の上に、第２保護層７を被覆するように形成されるカバー絶縁層８とを備えている。
【００１７】
金属支持基板２は、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
第１金属薄膜１１は、金属支持基板２の表面において、金属箔３が形成されている部分と厚み方向において対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、第１金属薄膜１１は、幅方向おいて互いに間隔を隔てて配置される複数の配線９のうち幅方向の最外両側の配線９間にわたって、これらの配線９と厚み方向において対向し、かつ、金属支持基板２よりも幅狭となるように形成されている。また、この第１金属薄膜１１は、金属箔３と金属支持基板２との間に介在されている。
【００１８】
第１金属薄膜１１を形成する金属としては、例えば、銅、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が用いられる。また、第１金属薄膜１１は、複数の層から形成することもできる。第１金属薄膜１１の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
【００１９】
金属箔３は、第１金属薄膜１１の表面において、少なくとも導体パターン６が形成されている部分と厚み方向において対向するように、パターンとして形成されている。より具体的には、金属箔３は、第１金属薄膜１１の全面に形成されている。
金属箔３を形成する金属としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。金属箔３の厚みは、２〜５μｍであり、好ましくは、２〜４μｍである。
【００２０】
第１保護層４は、金属箔３の表面に、金属箔３を被覆するように形成されている。より具体的には、第１保護層４は、金属箔３の上面、幅方向両側面および長手方向両側面と、第１金属薄膜１１の幅方向両側面および長手方向両側面とに、これらの各面を浸食し、かつ、被覆するように、形成されている。また、この第１保護層４は、金属箔３および第１金属薄膜１１と、ベース絶縁層５との間に介在されている。
【００２１】
第１保護層４を形成する金属としては、錫、錫合金が用いられ、好ましくは、錫合金が用いられる。また、金属箔３が銅からなる場合には、第１保護層４は、錫銅合金からなる。
第１保護層４の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、通常、１．０μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。第１保護層４の厚みが上記した範囲外にあると、折り曲げ後の形状保持性が低下する場合がある。なお、第１保護層４の厚みは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定することができる。
【００２２】
ベース絶縁層５は、金属支持基板２の上に、第１保護層４を被覆するように形成されている。
ベース絶縁層５を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。ベース絶縁層５の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
【００２３】
第２金属薄膜１２は、ベース絶縁層５の表面において、導体パターン６が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。また、この第２金属薄膜１２は、導体パターン６とベース絶縁層５との間に介在されている。
第２金属薄膜１２を形成する金属としては、上記した第１金属薄膜１１と同様の金属が用いられる。好ましくは、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金が用いられる。また、第２金属薄膜１２は、複数の層から形成することもできる。第２金属薄膜１２の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
【００２４】
導体パターン６は、ベース絶縁層５の上であって、第２金属薄膜１２の表面に、配線９および各配線９の長手方向両端部に設けられる磁気ヘッド側接続端子部１０Ａおよび外部側接続端子部１０Ｂからなる配線回路パターンとして形成されている。
導体パターン６を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン６の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。各配線９の幅は、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
【００２５】
第２保護層７は、導体パターン６の表面に、導体パターン６を被覆するように形成されている。より具体的には、第２保護層７は、導体パターン６の各配線９の上面（端子部１０の上面を除く。）および幅方向両側面と、第２金属薄膜１２の幅方向両側面とに、これらの各面を浸食し、かつ、被覆するように、形成されている。また、この第２保護層７は、導体パターン６および第２金属薄膜１２と、カバー絶縁層８との間に介在されている。
【００２６】
第２保護層７を形成する金属としては、錫、錫合金が用いられ、好ましくは、錫合金が用いられる。また、導体パターン６が銅からなる場合には、第２保護層７は、錫銅合金からなる。
第２保護層７の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、通常、１．０μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。第２保護層７の厚みが上記した範囲外にあると、折り曲げ後の形状保持性が低下する場合がある。なお、第２保護層７の厚みは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定することができる。
【００２７】
カバー絶縁層８は、ベース絶縁層５の上に、第２保護層７を被覆するように形成されている。より具体的には、カバー絶縁層８は、幅方向においてベース絶縁層５の全面に形成されている。
カバー絶縁層８を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層５と同様の絶縁体が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。カバー絶縁層８の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。なお、カバー絶縁層８は、図２において図示しないが、導体パターン６の端子部１０が露出するように、開口されている。
【００２８】
次に、この回路付サスペンション基板の製造方法について、図３および図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、第１金属薄膜１１および金属箔３を、金属支持基板２の上に形成する。
【００２９】
第１金属薄膜１１および金属箔３は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターンニング法により、形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
すなわち、アディティブ法では、まず、金属支持基板２の全面に、第１金属薄膜１１（種膜）を形成する。第１金属薄膜１１は、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。
【００３０】
次いで、第１金属薄膜１１の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、上記したパターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第１金属薄膜１１の表面に、金属箔３を上記したパターンで形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜１１をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００３１】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、金属箔３の表面に第１錫層１３を形成する。
第１錫層１３を形成するには、例えば、錫めっき、好ましくは、無電解錫めっきが用いられる。なお、この無電解錫めっきにおいては、金属箔３が銅からなる場合には、銅と錫との置換により、金属箔３の表面がエッチングされ、より具体的には、金属箔３の上面および側面が浸食されるように、第１錫層１３が形成される。
【００３２】
第１錫層１３の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、通常、１．０μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。第１錫層１３の厚みが上記した範囲外であると、第１保護層４の厚みを上記した範囲内に設定することができない場合がある。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、ベース絶縁層５を形成するとともに、第１保護層４を形成する。
【００３３】
ベース絶縁層５は、例えば、ベース絶縁層５を形成する絶縁体のワニス、例えば、合成樹脂のワニスを塗布し、これを乾燥し、必要により硬化する。具体的には、感光性の合成樹脂のワニス、好ましくは、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布して、これを乾燥後、露光および現像し、その後、硬化することによって、上記したパターンで形成する。
また、第１保護層４は、上記したワニスが塗布された製造途中の回路付サスペンション基板１の乾燥における加熱、あるいは、硬化における加熱を利用することにより、形成される。
【００３４】
なお、このような加熱の条件は、乾燥における加熱では、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、６０〜３００分間、好ましくは、１２０〜３００分間に設定され、硬化における加熱では、例えば、減圧下、例えば、３００〜４５０℃、好ましくは、３５０〜４００℃で、例えば、６０〜３００分間、好ましくは、１２０〜３００分間に設定される。また、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、あるいは、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下において、加熱することもできる。
【００３５】
これにより、金属箔３の金属に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して金属箔３の金属が拡散されることにより、第１保護層４が形成される。好ましくは、金属箔３が銅からなる場合には、銅に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して銅が拡散されることにより、錫銅合金からなる第１保護層４が形成される。
この錫の拡散では、金属箔３の上面に形成される第１錫層１３の錫が下側に向かって拡散されるとともに、金属箔３の幅方向両側面および長手方向両側面に形成される第１錫層１３の錫が幅方向内側および長手方向内側に向かって拡散され、これにより、錫合金からなる第１保護層４が、加熱前の第１錫層１３より厚い厚みをもって形成される。
【００３６】
この錫の拡散によって、第１錫層１３の錫は、錫合金に置換されて、第１錫層１３は実質的に消滅する。
錫合金からなる第１保護層４において、錫濃度、すなわち、錫が拡散される原子割合は、加熱前の第１錫層１３および加熱後の第１保護層４の厚さから算出されるが、錫合金に対して、例えば、１〜６０原子％、好ましくは、２０〜３０原子％である。
【００３７】
なお、錫合金からなる第１保護層４においては、最表層における錫濃度が最も高く、その最表層から厚さ方向下側、幅方向内側および長手方向内側にいくに従って、錫濃度が低下するように、厚さ方向、幅方向および長手方向に分布をもって、錫が拡散される。
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、第２金属薄膜１２および導体パターン６を、ベース絶縁層５の上に、上記した配線回路パターンで形成する。
【００３８】
導体パターン６は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターンニング法により、形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
すなわち、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層５の全面に、第２金属薄膜１２（種膜）を形成する。第２金属薄膜１２は、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。
【００３９】
次いで、第２金属薄膜１２の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、配線回路パターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第２金属薄膜１２の表面に、導体パターン６を配線回路パターンで形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜１２をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００４０】
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、導体パターン６の表面に第２錫層１４を形成する。
第２錫層１４の形成では、上記した第１錫層１３の形成と同様の方法が用いられる。また、第２錫層１４の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、通常、１．０μｍ以下、好ましくは、０．５μｍ以下である。第２錫層１４の厚みが上記した範囲外であると、第２保護層７の厚みを上記した範囲内に設定することができない場合がある。
【００４１】
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、カバー絶縁層８を形成するとともに、第２保護層７を形成する。
カバー絶縁層８は、例えば、カバー絶縁層８を形成する絶縁体のワニス、例えば、合成樹脂のワニスを塗布し、これを乾燥し、必要により硬化する。具体的には、感光性の合成樹脂、好ましくは、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布して、これを乾燥後、露光および現像し、その後、硬化することによって、上記したパターンで形成する。
【００４２】
また、第２保護層７は、上記したワニスが塗布された製造途中の回路付サスペンション基板１の乾燥における加熱、あるいは、硬化における加熱を利用することにより、形成される。
なお、このような加熱の条件は、乾燥における加熱では、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、６０〜３００分間、好ましくは、１２０〜３００分間に設定され、硬化における加熱では、例えば、減圧下、例えば、３００〜４５０℃、好ましくは、３５０〜４００℃で、例えば、６０〜３００分間、好ましくは、１２０〜３００分間に設定される。また、例えば、大気などの酸素含有雰囲気下、例えば、窒素などの不活性ガス雰囲気下、好ましくは、不活性ガス雰囲気下において、加熱することもできる。
【００４３】
これにより、導体パターン６の導体に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して導体パターン６の導体が拡散されることにより、第２保護層７が形成される。好ましくは、導体パターン６が銅からなる場合には、銅に対して錫が拡散されるとともに、錫に対して銅が拡散されることにより、錫銅合金からなる第２保護層７が形成される。
この錫の拡散では、導体パターン６の上面に形成される第２錫層１４の錫が下側に向かって拡散されるとともに、導体パターン６の幅方向両側面に形成される第２錫層１４の錫が幅方向内側に向かって拡散され、これにより、錫合金からなる第２保護層７が、加熱前の第２錫層１４より厚い厚みをもって形成される。
【００４４】
この錫の拡散によって、第２錫層１４の錫は、錫合金に置換され、第２錫層１４は実質的に消滅する。
錫合金からなる第２保護層７において、錫濃度、すなわち、錫が拡散される原子割合は、錫合金に対して、例えば、１〜６０原子％、好ましくは、２０〜３０原子％である。
なお、錫合金からなる第２保護層７においては、最表層における錫濃度が最も高く、その最表層から厚さ方向下側および幅方向内側にいくに従って、錫濃度が低下するように、厚さ方向および幅方向に分布をもって、錫が拡散される。
【００４５】
その後、この方法では、導体パターン６の端子部１０の上面に形成されている第２保護層７を、エッチングなどにより除去した後、図１に示すように、切り抜き部２３をエッチングまたは穿孔などにより開口し、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、回路付サスペンション基板１を得る。
次に、このようにして得られた回路付サスペンション基板１に磁気ヘッド２１を実装して、ハードディスクドライブに搭載されるまでの概略を説明する。
【００４６】
まず、図５に示すように、得られた回路付サスペンション基板１のジンバル部１８を折り曲げる。具体的には、図１に示す回路付サスペンション基板１の折曲部１９に沿って、ジンバル部１８を折り曲げる。すなわち、ジンバル部１８の折り曲げでは、折曲部１９おいて金属支持基板２側が山となるように、ジンバル部１８を折り曲げる。
また、回路付サスペンション基板１を、ロードビーム３０に取り付ける。ロードビーム３０は、回路付サスペンション基板１を支持するためのものであり、ロードビーム３０への取り付けでは、回路付サスペンション基板１におけるジンバル部１８以外の部分を、ロードビーム３０に貼着する。
【００４７】
なお、磁気ヘッド２１は、上記した折り曲げの後に、実装領域１７（図１参照）に実装してもよく、また、上記した折り曲げの前に、実装領域１７に実装してもよい。
磁気ヘッド２１の実装では、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａ（図１参照）と磁気ヘッド２１の端子部とが電気的に接続される。また、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａの接続とともに、外部側接続端子部１０Ｂとリード・ライト基板の端子部（図示せず）とが電気的に接続される。
【００４８】
次に、この回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブに搭載する。ハードディスクドライブへの搭載では、磁気ヘッド２１が、磁気ヘッド２１に対して相対回転する磁気ディスク２２と微小間隔（例えば、５〜１０ｎｍ）Ｄを隔てて対向配置される。
これにより、磁気ヘッド２１は、磁気ヘッド２１に対して、磁気ディスク２２のデータを読み込み、磁気ディスク２２にデータを書き込んでいる。
【００４９】
そして、このような回路付サスペンション基板１では、金属支持基板２と導体パターン６との間に金属箔３を介在させる簡易な層構成により、導体パターン６の伝送損失、すなわち、磁気ヘッド２１およびリード・ライト基板の間におけるリード信号およびライト信号の伝送損失の低減を図ることができる。
しかも、第１保護層４と第２保護層７とを錫または錫合金から形成することより、折曲部１９の折曲角度を維持することができ、一旦折り曲げられたジンバル部１８の姿勢を一定に維持することができる。そのため、磁気ヘッド２１において磁気ディスク２２からのデータの安定した読み込み、および、磁気ディスク２２へのデータの安定した書き込みを実現することができる。
【００５０】
また、ベース絶縁層５と金属箔３との間に第１保護層４を介在させることにより、金属箔３の金属がベース絶縁層５に対して移行するイオンマイグレーション現象の発生を確実に防止することができる。
また、カバー絶縁層８と導体パターン６との間に第２保護層７を介在させることにより、導体パターン６の導体がカバー絶縁層８に対して移行するイオンマイグレーション現象の発生を確実に防止することができる。
【００５１】
なお、上記した図３（ｄ）に示す製造方法では、第１錫層１３の錫の全てが錫合金に置換されて、第１錫層１３が消滅すると説明したが、例えば、第１錫層１３の錫の一部が、錫合金に置換されることなく、純粋な錫として、第１保護層４の最表層に残存していてもよい。
また、上記した図４（ｇ）に示す製造方法では、第２錫層１４の錫の全てが錫合金に置換されて、第２錫層１４が消滅すると説明したが、例えば、第２錫層１４の錫の一部が、錫合金に置換されることなく、純粋な錫として、第２保護層７の最表層に残存していてもよい。
【００５２】
また、上記した図３（ｄ）に示す製造方法の説明では、ベース絶縁層５の形成における乾燥または硬化の加熱を利用して、第１保護層４を形成した。しかし、例えば、図示しないが、上記したパターンで形成される合成樹脂を予めフィルムに形成し、このフィルムを、第１錫層１３を含む金属支持基板２の上に貼着してベース絶縁層５を形成して、その後、回路付サスペンション基板１を加熱することにより、錫を金属箔３の金属に拡散させて、錫合金からなる第１保護層４を形成することができる。
【００５３】
好ましくは、乾燥または硬化の加熱を利用して、錫合金からなる第１保護層４を形成する。これにより、ベース絶縁層５の形成における乾燥または硬化と、第１保護層４の形成における錫の金属箔３の金属に対する拡散とを同時に実施することができ、製造工程を簡便にすることができる。
また、上記した図４（ｇ）に示す製造方法の説明では、カバー絶縁層８の形成における乾燥または硬化の加熱を利用して、第２保護層７を形成した。しかし、例えば、図示しないが、上記したパターンで形成される合成樹脂を予めフィルムに形成し、このフィルムを、第２錫層１４を含むベース絶縁層５の上に貼着してカバー絶縁層８を形成して、その後、回路付サスペンション基板１を加熱することにより、錫を導体パターン６の導体に拡散させて、錫合金からなる第２保護層７を形成することもできる。
【００５４】
好ましくは、乾燥または硬化の加熱を利用して、錫合金からなる第２保護層７を形成する。これにより、カバー絶縁層８の形成における乾燥または硬化と、第２保護層７の形成における錫の導体パターン６の導体に対する拡散とを同時に実施することができ、製造工程を簡便にすることができる。
さらに、上記した説明では、図３（ｄ）および図４（ｇ）に示すように、ベース絶縁層５およびカバー絶縁層８の形成における２回の加熱により、第１保護層４および第２保護層７をそれぞれ形成したが、例えば、図示しないが、カバー絶縁層８における１回の加熱により、第１保護層４および第２保護層７を同時に形成することもできる。
【００５５】
１回の加熱により、第１保護層４および第２保護層７を同時に形成するには、例えば、合成樹脂のフィルムを、第１錫層１３を含む金属支持基板２の上に貼着して、ベース絶縁層５を形成する（図３（ｄ）参照）。続いて、第２金属薄膜１２および導体パターン６をベース絶縁層５の上に形成し（図４（ｅ）参照）、次いで、第２錫層１４を導体パターン６の表面に形成し（図４（ｆ）参照）、次いで、合成樹脂のワニスを塗布し、これを乾燥後、露光および現像して、必要により硬化する。そして、この乾燥または硬化の加熱を利用することにより、第１保護層４および第２保護層７を同時に形成する（図４（ｇ）参照）。つまり、カバー絶縁層８の形成における加熱により、錫の金属箔３に対する拡散と、錫の導体パターン６に対する拡散とを同時に実施する。
【００５６】
また、上記した説明では、第１金属薄膜１１を、金属箔３と金属支持基板２との間に介在させたが、例えば、図示しないが、第１金属薄膜１１を設けることなく、金属箔３を金属支持基板２の上に直接形成することもできる。
そのような場合には、金属箔３は、サブトラクティブ法により、形成する。サブトラクティブ法では、金属支持基板２の表面全体に、公知の接着剤層を介して、導体層を積層し、次いで、導体層の表面に、エッチングレジストを、上記したパターンと同一パターンで形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体層をエッチングした後、エッチングレジストを除去する。
【００５７】
好ましくは、第１金属薄膜１１を、金属箔３と金属支持基板２との間に介在させる。これにより、金属箔３と金属支持基板２との密着性の向上を図ることができる。
また、上記した説明では、第２金属薄膜１２を、導体パターン６とベース絶縁層５との間に介在させたが、例えば、図示しないが、第２金属薄膜１２を設けることなく、導体パターン６をベース絶縁層５の上に直接形成することもできる。
【００５８】
そのような場合には、導体パターン６は、上記と同様のサブトラクティブ法により、形成する。
好ましくは、第２金属薄膜１２を、導体パターン６とベース絶縁層５との間に介在させる。これにより、導体パターン６とベース絶縁層５との密着性の向上を図ることができる。
【００５９】
また、上記した説明では、第１金属薄膜１１を金属支持基板２の上に直接形成したが、例えば、図６に示すように、第２ベース絶縁層としての下部ベース絶縁層２０を、第１金属薄膜１１と金属支持基板２との間に介在させることもできる。
下部ベース絶縁層２０は、金属支持基板２の表面において、少なくとも金属薄膜１１と厚み方向において対向するとともに、その幅方向両端部が金属薄膜１１から露出するように、形成されている。
【００６０】
下部ベース絶縁層２０を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層５と同様の絶縁体が用いられる。また、下部ベース絶縁層２０の厚みは、例えば、０．５〜１０μｍ、好ましくは、２〜４μｍである。
この回路付サスペンション基板を製造するには、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意し、次いで、図示しないが、下部ベース絶縁層２０を上記したパターンで、ベース絶縁層５の形成と同様の方法によって、形成する。次いで、図３（ｂ）が参照されるように、第１金属薄膜１１および金属箔３を、下部ベース絶縁層２０の上に形成し、次いで、図３（ｃ）が参照されるように、金属箔３の表面に第１錫層１３を形成する。次いで、図３（ｄ）が参照されるように、ベース絶縁層５を形成するとともに、第１保護層４を形成し、次いで、図４（ｅ）が参照されるように、第２金属薄膜１２および導体パターン６を、ベース絶縁層５の上に、上記した配線回路パターンで形成する。その後、図４（ｆ）に示すように、導体パターン６の表面に第２錫層１４を形成し、次いで、カバー絶縁層８を形成するとともに、第２保護層７を形成する。
【００６１】
このように第１金属薄膜１１と金属支持基板２との間に下部ベース絶縁層２０を介在させることにより、第１金属薄膜１１と金属支持基板２との密着力の向上を図ることができる。
【実施例】
【００６２】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意し（図３（ａ）参照）、  次いで、金属支持基板の全面に、厚み５０ｎｍのクロム薄膜および厚み１００ｎｍの銅薄膜をスパッタリングにより順次形成することにより、第１金属薄膜を形成した。次いで、この第１金属薄膜の上面に、金属箔のパターンと逆パターンのめっきレジストを形成した後、電解銅めっきにより、厚み３μｍの銅箔を形成した（図３（ｂ）参照）。次いで、銅箔の上面、幅方向両側面および長手方向両側面に、無電解錫めっきにより、厚み０．４μｍの第１錫層を形成した（図３（ｃ）参照）。
【００６３】
次いで、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、第１錫層を含む金属支持基板の上面全面に塗布し、９０℃で、１５分間、加熱して乾燥させた。次いで、露光および現像後、減圧下、３７０℃で、１２０分間、加熱して硬化（イミド化）させるとともに、銅に対して錫が拡散される錫銅合金からなる第１保護層を形成した（図３（ｄ）参照）。第１保護層の厚みは１μｍであった。なお、第１保護層の厚みは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定した。
【００６４】
次いで、ベース絶縁層の上面全面に、厚み５０ｎｍのクロム薄膜および厚み１００ｎｍの銅薄膜をスパッタリングにより順次形成することにより、第２金属薄膜を形成した。次いで、この第２金属薄膜の上面に、導体パターンと逆パターンのめっきレジストを形成した後、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを形成した（図４（ｅ）参照）。
【００６５】
次いで、導体パターンの上面および幅方向両側面に、無電解錫めっきにより、厚み０．４μｍの第２錫層を形成した（図４（ｆ）参照）。
次いで、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、第２錫層を含むベース絶縁層の上面全面に塗布し、９０℃で、１５分間、加熱して乾燥させた。次いで、露光および現像後、減圧下、３７０℃で、１２０分間、加熱して硬化（イミド化）させるとともに、銅に対して錫が拡散される錫銅合金からなる第２保護層を形成した（図４（ｇ）参照）。第２保護層の厚みは１μｍであった。なお、第２保護層の厚みは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより測定した。
【００６６】
次いで、端子部の上面の第２保護層をエッチングにより除去した後、切欠部を、切り抜くことにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
実施例２
第１錫層（図３（ｃ）参照）の厚みを０．３μｍに変更し、第２錫層（図４（ｆ）参照）の厚みを０．３μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。なお、第１保護層の厚みは０．８μｍであり、第２保護層の厚みは０．８μｍであった。
【００６７】
実施例３
金属薄膜および金属支持基板の間に、下部ベース絶縁層を介在させた以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た（図６参照）。
すなわち、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属支持基板の全面に塗布し、９０℃で、１５分間、加熱して乾燥させ、露光および現像後、減圧下、３７０℃で、１２０分間、加熱して硬化（イミド化）させることにより、厚み３μｍの下部ベース絶縁層を形成した。次いで、下部ベース絶縁層を含む金属支持基板の全面に、厚み５０ｎｍのクロム薄膜および厚み１００ｎｍの銅薄膜をスパッタリングにより順次形成することにより、第１金属薄膜を形成した。
【００６８】
比較例１
第２錫層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。すなわち、第２保護層を形成せず、カバー絶縁層を導体パターンの表面に直接形成した。
比較例２
第１錫層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。すなわち、第１保護層を形成せず、ベース絶縁層を金属箔の表面に直接形成した。
【００６９】
比較例３
第１錫層および第２錫層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして回路付サスペンション基板を得た。すなわち、第１保護層および第２保護層を形成せず、ベース絶縁層を金属箔の表面に直接形成して、カバー絶縁層を導体パターンの表面に直接形成した。
（評価）
１）  伝送効率
各実施例および各比較例において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（Ｐout）と入力信号強度（Ｐin）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果を表１に示す。
【００７０】
伝送効率（％）＝Ｐout／Ｐin・・・      （１）
【００７１】
【表１】
2009026875.tif 000003
２）  形状保持性
実施例１および比較例３において得られた回路付サスペンション基板について、ＦｉｃｈｅｒｓｃｏｐｅＮＨ２０００（万能試験機、Ｆｉｃｈｅｒ社製）にて、ジンバル部を折り曲げ部に沿って折り曲げるクリープ歪みおよび歪み緩和を測定した。クリープ歪みの結果を図７に示し、歪み緩和を図８に示す。
【００７２】
図７および図８から分かるように、第１保護層および第２保護層が形成される実施例１では、第１保護層および第２保護層が形成されていない比較例３に比べて、クリープ歪みおよび歪み緩和の変化量が小さい。そのため、実施例１は、比較例３より折り曲げ後の形状保持性が高いことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における折曲部に沿う断面図を示す。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属箔を金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、金属箔の表面に第１錫層を形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層および第１保護層を形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、（ｅ）は、導体パターンをベース絶縁層の上に形成する工程、（ｇ）は、導体パターンの表面に第２錫層を形成する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層および第２保護層を形成する工程を示す。
【図５】図１に示す回路付サスペンション基板がハードディスクドライブに搭載されている状態の説明図であって、回路付サスペンション基板の長手方向に沿う断面図である。
【図６】本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板における折曲部に沿う断面図を示す。
【図７】実施例１および比較例３のクリープ歪みのチャートを示す。
【図８】実施例１および比較例３の歪み緩和のチャートを示す。
【符号の説明】
【００７４】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持基板
３    金属箔
４    第１保護層
５    ベース絶縁層
６    導体パターン
７    第２保護層
２０  下部ベース絶縁層
【図１】
2009026875.tif 000004
【図２】
2009026875.tif 000005
【図３】
2009026875.tif 000006
【図４】
2009026875.tif 000007
【図５】
2009026875.tif 000008
【図６】
2009026875.tif 000009
【図７】
2009026875.tif 000010
【図８】
2009026875.tif 000011