(57)【要約】【課題】発光層の成膜条件を確立し、各発光素子の発光特性が良好な有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板上に、表示色が異なる複数のサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂからなる画素領域がマトリクス状に配置され、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ毎に発光色が異なる複数の発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂと、複数の発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを区画する隔壁と、を有し、画素領域を構成する複数のサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂのうち少なくとも一つが、他のサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂと大きさが異なっており、複数のサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、一つの矩形状領域ａ，ｂ、あるいは互いの長手方向が交差するように連結された複数の矩形状領域ｃ，ｄにより構成されている。【選択図】図３
2009048851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、表示色が異なる複数のサブ画素領域からなる画素領域がマトリクス状に配置され、
前記サブ画素領域毎に発光色が異なる複数の発光層と、
前記複数の発光層を区画する隔壁と、を前記画素領域内に有し、
前記画素領域を構成する前記複数のサブ画素領域のうち少なくとも一つが、他の前記サブ画素領域と面積が異なっており、
前記複数のサブ画素領域は、一つの矩形状領域、あるいは互いの長手方向が交差するように連結された複数の矩形状領域により構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記隔壁は、開口面積が等しい開口部を複数有し、
前記画素を構成する前記サブ画素領域のうち少なくとも一つは、他のサブ画素領域と異なる数の前記開口部を有していることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記隔壁は、前記各サブ画素領域に対応する開口部を複数有し、
前記各開口部の開口幅が略等しいことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記隔壁が、前記複数の発光層を囲むように一体形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記複数の発光層のうちの一つの発光色に対応する発光層が格子状をなし、他の発光色に対応する発光層を囲んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
発光寿命が短い色程、前記発光層の面積を大きくすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
上記請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、このインクを基体上に吐出するインクジェット法により、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極と陰極との間に、前記発光材料からなる発光層が挟持された発光素子を備えるカラー有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の開発が行われている。
ところで、前記インクジェット法を用いて有機ＥＬ装置を製造する場合には、配列形成された各画素（発光素子）の輝度、色純度、発光寿命等の発光特性を均一化することが重要であり、このような発光特性の均一化が、有機ＥＬ装置の製造歩留まりに大きく影響している。
各発光素子の発光特性を均一化することを目的とした装置がいくつか提案されている。例えば特許文献１においては、基板上における緑（Ｇ）の発光層の面積が、赤（Ｒ）や青（Ｂ）の発光層の面積よりも小さくなっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２９０４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、発光素子の発光特性を均一化するためには、従来のように発光層の面積を色毎に変えることの他にも、各発光層を画素間で均一かつ平坦に形成することが必要である。特に、発光素子の色ムラや寿命は発光層の膜厚の均一性及び平坦性等の成膜条件によって大きく変動するため、この成膜条件が発光特性を向上させるために重要となってくる。
【０００４】
特許文献１のように従来の有機ＥＬ装置には、各サブ画素領域の面積を色毎に異ならせたものがある。すなわち、各発光素子の発光面積（発光層の面積）を異ならせることによって、色毎に異なる発光特性（発光寿命差）を均一化しようとするものである。ところが、このような発光層の形成材料をインクジェット法基板上に噴射する場合、材料によって液滴量（液滴サイズ）が異なることとなり、発光層を得るために行う乾燥処理の時間に差が生じてしまう。そのため、各発光層の膜形状を平坦にすることが困難であった。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、発光層の成膜条件を確立し、各発光素子の発光特性が良好な有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記課題を解決するために、基板上に、表示色が異なる複数のサブ画素領域からなる画素領域がマトリクス状に配置され、サブ画素領域毎に発光色が異なる複数の発光層と、複数の発光層を区画する隔壁と、を画素領域内に有し、画素領域を構成する複数のサブ画素領域のうち少なくとも一つが、他のサブ画素領域と面積が異なっており、複数のサブ画素領域は、一つの矩形状領域、あるいは互いの長手方向が交差するように連結された複数の矩形状領域により構成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、サブ画素領域が、一つの矩形状領域、あるいは複数の矩形状領域から構成されており、矩形状領域の数や長手方向長さによって、画素領域を構成する少なくとも一つのサブ画素領域の面積を異ならせている。また、サブ画素領域が複数の矩形状領域からなる場合、互いの長手方向が交差するように組み合わせているため、複数の矩形状領域からなるサブ画素領域の幅（すなわち、矩形状領域の短手方向長さ）と、一つの矩形状領域からなるサブ画素領域の幅と、を等しくでき、これによって、画素領域内における各サブ画素領域の幅を全て一定にすることができる。
これにより、例えば、発光層をインクジェット法等の液相法で形成する場合、各サブ画素領域毎に発光層の形成材料を均一な膜厚で配すことができる。すると、各材料の乾燥速度の差が抑えられて、膜表面の平坦性が確保されるとともに、均一な膜厚の発光層を得ることができる。このようにして、発光層の膜厚の均一性及び平坦性が確保され、サブ画素領域間での発光ムラを防止して、色ムラや寿命差を抑え、発光特性（輝度・色純度など）を向上させることができる。
また、画素を構成する複数のサブ画素領域のうちの少なくとも一つの面積を異ならせることによって、各サブ画素領域における発光寿命差を均一に抑えることができる。
【０００８】
また、隔壁は、開口面積が等しい開口部を複数有し、画素を構成するサブ画素領域のうち少なくとも一つは、他のサブ画素領域と異なる数の開口部を有していることが好ましい。
このような構成によれば、基板上に発光素子を形成するために、例えば、インクジェット法を用いて隔壁の各開口部内に発光層の形成材料等を塗布する際、基板上における全ての開口部の開口面積が同じであることから、各開口部に噴射される上記形成材料の液滴量（単位領域における液滴サイズ）が略同一となる。これにより、各開口部内に均一な膜厚で形成材料を塗布することができ、乾燥処理によって発光層を得る場合に、形成材料の乾燥速度が略等しくなる。よって、良好な乾燥成膜が可能となり、各開口部における発光層の膜表面を平坦にすることができる。したがって、各発光素子において発光ムラが生じることが防止され、優れた発光特性を得ることができる。また、各液滴トッドの配列規則性を均一にすることができ、インクジェット法による材料の噴射性が向上する。
【０００９】
また、隔壁は、各サブ画素領域に対応する開口部を複数有し、各開口部の開口幅が略等しいことが好ましい。
このような構成によれば、基板上における全ての開口部の開口幅が等しくされており、基板上に発光素子を形成するために、例えばインクジェット法を用いて隔壁の開口部内に発光層の形成材料等を塗布する際、各開口部に噴射される各形成材料の広がりが開口部の幅方向で略等しくなる。これにより、各開口部内に均一な膜厚で各形成材料を塗布することができ、乾燥処理によって発光層を得る場合に、各形成材料の乾燥速度が略等しくなる。よって、良好な乾燥成膜が可能となり、各開口部における発光層の膜表面を平坦にすることができる。したがって、各発光素子において発光ムラが生じることが防止され、良好な発光特性を得ることができる。
【００１０】
また、隔壁が、複数の発光層を囲むように一体形成されていることが好ましい。
このような構成によれば、発光層の形成材料が隔壁の影響を受け難くなり、発光層として平坦な膜を得ることができる。また、隔壁の形成が容易となる。
【００１１】
また、複数の発光層のうちの一つの発光色に対応する発光層が格子状をなし、他の発光色に対応する発光層を囲んでいることが好ましい。
このような構成によれば、格子状に形成した発光層の形成材料が隔壁の影響を受け難くなり、発光層としての平坦な膜を得ることができる。また、隔壁の形成が容易となる。
【００１２】
また、発光寿命が短い色程、発光層の面積を大きくすることが好ましい。
このような構成によれば、低電流で所望の発光輝度が得られるようになり、各色の発光層における発光寿命を均一にすることができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、先に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、発光ムラ（色ムラ）や発光寿命のバラツキのない有機エレクトロルミネッセンス装置を備えているので、表示品質に優れた表示部を具備した電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳しく説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
［有機ＥＬ装置の第１実施形態］
まず、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、「有機ＥＬ装置」と言う）の第１実施形態を説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態の配線構造を示す説明図、図２は、図１に示した有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図、図３は、図１に示した有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図、図４は、本発明の有機ＥＬ装置の要部の断面模式図である。
【００１５】
本実施形態における有機ＥＬ装置１は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する有機ＥＬ装置である。以下、表示を構成する最小単位となる画素領域を「サブ画素領域」と称する。なお、画素の構成はこれに限らず、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）で１個の画素を構成しても良いし、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｃ（シアン）で１個の画素を構成しても良く、サブ画素の色の構成に限定されるものではない。またサブ画素領域は発光領域（面積）と必ずしも一致しなければならないものではなく、同色の発光素子を複数含む領域であってもよい。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。
【００１７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
なお、陽極（画素電極）１１１、陰極（対向電極）１２、及び発光機能層１１０により、有機ＥＬ素子（以下、発光素子３とする）が構成されている。
【００１８】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに発光機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。すると、発光機能層１１０はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００１９】
（平面構造）
次に、図２及び図３を参照して、有機ＥＬ装置１の平面構造を説明する。
図２は、素子基板２上に形成された前述した各種配線，ＴＦＴ，各種回路によって、発光素子３を発光させるＴＦＴ素子基板（以下「素子基板」という。）２を示す図である。有機ＥＬ装置１の素子基板２は、中央部分の実表示領域ＳＡ（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域ＳＡの周囲に配置されたダミー領域ＳＢ（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とを備えている。
【００２０】
図２に示す実表示領域ＳＡには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）または青（Ｂ）のいずれかの光を発するサブ画素領域９０（９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ）（図３（ａ））がマトリクス状に配置されている。図３（ａ）に示すように、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの各々は、色毎にその大きさ（面積）及び形状が異なっている。具体的には、各サブ画素領域の大きさの関係が、サブ画素領域９０Ｂ＞サブ画素領域９０Ｇ＞サブ画素領域９０Ｒとなっており、青（Ｂ）の発光領域が最も大きくなっている。また、画素領域内におけるサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの配置は、走査線１０１の延在方向にサブ画素領域９０Ｂ，サブ画素領域９０Ｒ，サブ画素領域９０Ｇの順で繰り返されるよう配置されている。
【００２１】
次に、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂについて詳述する。
図３（ｂ）に示すように、サブ画素領域９０Ｒ及びサブ画素領域９０Ｇは、互いに大きさの異なる矩形状領域ａ、ｂから構成されており、各々の長手方向が信号線１０２に沿う姿勢となっている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさが異なる複数の矩形状領域ｃ、ｄを組み合わせて構成されており、各々の長手方向が互いに直交し、平面視Ｌ字状を呈している。また、矩形状領域ｃ、ｄは、各々の長手方向が信号線１０２或いは走査線１０１に沿って配置されている。なお矩形状領域というのは便宜上の名称であり、実際に矩形状でなくても良い。
【００２２】
本実施形態ではサブ画素領域９０Ｂの一部がサブ画素領域９０Ｒ側に突出した形状のため、画素の一部において、信号線１０２の延在方向でサブ画素領域９０Ｒとサブ画素領域９０Ｂの一部とにより２色の配列となっている。
【００２３】
そして、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂが一つのまとまりとなって、表示単位画素（一画素）が構成されており、該表示単位画素はＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。上述したように、色毎に表示領域の大きさを異ならせることによって、各色の経時輝度変化特性などを均一にしている。
【００２４】
また、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂには、複数の発光素子３がそれぞれ配置されている。発光素子３の数はサブ画素領域９０毎（色毎）に異なっており、例えば図３に示すようにサブ画素領域９０Ｒ内には赤（Ｒ）を発光する発光素子３が２つ、サブ画素領域９０Ｇ内には緑（Ｇ）を発光する発光素子３が３つ、サブ画素領域９０Ｂ内には青（Ｂ）を発光する発光素子３が４つ設けられており、各々が各サブ画素領域９０の外形に沿って列状に配置されている。この発光素子３の配置数を異ならせることによって、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの大きさを異ならせている。
【００２５】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、走査線１０１及び信号線１０２は、平面視でほぼ格子状に配線されており、走査線１０１及び信号線１０２の交点付近に画素駆動用の薄膜トランジスタ１２３が接続されている。
【００２６】
また、実表示領域ＳＡの図２中両側であってダミー領域ＳＢの下層側には、走査側駆動回路１０５が配置されている。また、実表示領域ＳＡの図２中上方側であってダミー領域ＳＢの下層側には、検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（不図示）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２７】
（断面構造）
次に、図３及び図４を参照して、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。
図４に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明透光性を有する素子基板２上に、マトリックス状に配置された上記発光素子３とを具備して構成されている。そして、素子基板２上に形成される発光素子３は、画素電極１１１と、正孔注入輸送層６０及び発光層７０からなる発光機能層１１０と、陰極１２とによって構成されている。また、素子基板２の厚さ方向において、発光素子３を含むＥＬ素子部１０と素子基板２との間には、回路素子部１４が形成されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ１２２、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が形成されている。
【００２８】
また、陰極１２は、その一端が素子基板２上に形成された陰極用配線（図示略）１２ａに接続されており、この配線の一端部が、図２に示すフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００２９】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、発光機能層１１０から素子基板２側に発した光が、回路素子部１４及び素子基板２を透過して素子基板２の外側（観測者側）に出射されるとともに、発光機能層１１０から素子基板２と反対の側に発した光も、陰極１２に反射されて回路素子部１４及び素子基板２を透過し、素子基板２の外側（観測者側）に出射される、いわゆるボトムエミッション型となっている。
【００３０】
図４に示すように回路素子部１４には、素子基板２上にＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
また、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域が、チャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００３１】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３２】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用の薄膜トランジスタ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３３】
そして、この平坦化膜２８４の表面上には画素電極（陽極）１１１が形成されており、この画素電極１１１は、平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３４】
また、画素電極１１１が形成された平坦化膜２８４の表面上には、図４に示すように、画素電極１１１の周縁部を覆い、その中央部を露出させる開口部２５ａを有する第１の隔壁２５が、例えば、５０ｎｍ程度の厚さで形成されている。この第１の隔壁２５は、画素電極１１１の周縁部とその周囲を覆うことにより、画素電極１１１を区画し、隣り合う画素電極１１１間を絶縁するもので、ＳｉＯ２等の珪素酸化物や、珪素窒化物、珪素酸窒化物などの珪素系絶縁材料から形成されたものである。第１の隔壁２５に設けられている全ての開口部２５ａの開口面積は等しく、したがって各発光素子３の発光面積も等しくなっている。
【００３５】
さらに、この第１の隔壁２５上には、第２の隔壁２２１が、例えば２μｍ程度の厚さで形成されている。この第２の隔壁２２１は、素子基板２上における複数の発光機能層１１０を区画するよう機能するもので、該発光機能層１１０を納める開口部２２１ａ（図３（ｂ）参照）を複数有している。第２の隔壁２２１に設けられている全ての開口部２２１ａの開口面積は等しく、したがって各発光機能層１１０の膜厚も等しくなっている。
【００３６】
具体的に、第２の隔壁２２１は、第１の隔壁２５の画素電極１１１側の端縁部２５ｂ、すなわち第１の隔壁２５の開口部２５ａを形成する端縁部２５ｂを露出させた状態で形成されている。また、この第２の隔壁２２１は、アクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂からなるもので、親液処理や撥液処理がなされたことにより、発光層７０の形成材料などに対する濡れ性が制御されたものである。
【００３７】
そして、画素電極１１１上には、第１の隔壁２５の開口部２５ａ内に、正孔注入輸送層６０が厚さ５ｎｍ〜５０ｎｍ程度で形成され、さらにこの正孔注入輸送層６０上で第１の隔壁２５の開口部２５ａ内と第２の隔壁２２１の開口部２２１ａ内に、発光層７０が形成されている。すなわち、画素電極（陽極）１１１側から正孔注入輸送層６０、発光層７０がこの順で積層されたことにより、画素電極（陽極）１１１上に発光機能層１１０が形成されている。
【００３８】
画素電極１１１は、ボトムエミッション型である本実施形態では、透光性導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。本実施形態における画素電極１１１は、図３（ａ）に示すサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂに応じて色毎に面積が異なっている。より詳しくは、サブ画素領域と略同一（類似）の形状を有している。このため発光素子３毎に画素電極１１１を設ける必要がなく、回路構成を簡略化できる。
このような画素電極１１１上に形成される正孔注入輸送層６０は、開口部２５ａに対応すべく選択的に形成される。
【００３９】
このような正孔注入輸送層６０の上に、発光層７０（７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ（図３（ｂ）参照））が厚さ１００ｎｍ程度で形成される。発光層７０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いて形成されている。発光層７０を形成する材料としては、特にフルカラー表示をなす場合、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられ、それぞれが予め設定された状態に形成配置される。
【００４０】
陰極１２は、図４に示したように発光層７０を覆って形成されたもので、例えばＣａが厚さ５ｎｍ程度に形成され、その上にＡｌが厚さ３００ｎｍ程度に形成されて構成されたものである。このような積層構造の電極とされたことにより、特にＡｌは反射層としても機能するものとなっている。なお、陰極１２についても透光性を有するな材料を用いれば、発光した光を陰極側からも出射させることができる。透光性を有するな材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透光性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
また、この陰極１２上には、接着層５１を介して封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００４１】
ここで、発光機能層１１０において正孔注入輸送層６０は、正孔を発光層７０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入輸送層６０内部において輸送する機能をも有している。したがって、このような正孔注入輸送層６０を画素電極１１１と発光層７０との間に設けることにより、発光層７０では、正孔注入輸送層６０から注入された正孔と、陰極１２から注入される電子とを再結合させ、発光をなすようになっている。
【００４２】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、このような構成の有機ＥＬ装置１の製造方法について図５及び図６を用いて説明する。図５は、有機ＥＬ装置の素子基板側の工程図であって、図６は、有機ＥＬ装置の封止基板（図示せず）側の工程図である。
まず、従来と同様にして素子基板２上に回路素子部１４を形成する。そして、素子基板２の全面を覆うように画素電極１１１となる透光性導電膜を、ＩＴＯによって形成する。次いで、この導電膜をパターニングすることにより、図５（ａ）に示すように平坦化膜２８４のコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極１１１を形成する。
【００４３】
次いで、画素電極１１１上および平坦化膜２８４上に、ＳｉＯ２等の珪素系絶縁材料をＣＶＤ法等で成膜して厚さ５０ｎｍ程度の隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図５（ｂ）に示すように、形成する各発光素子３の画素領域毎に開口部２５ａ（図示略）を形成すると同時に、第１の隔壁２５を形成する。
【００４４】
次いで、第１の隔壁２５上および画素電極１１１上に、有機樹脂材料を成膜して厚さ２μｍ程度の隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図５（ｃ）に示すように第１の隔壁２５上の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に、該第１の隔壁２５の端縁部２５ｂを露出させた状態で有機樹脂材料からなる第２の隔壁２２１を形成する。
【００４５】
次いで、図６（ａ）に示すように、第１の隔壁２５に囲まれた領域内に正孔注入輸送層６０を形成する。この正孔注入輸送層６０の形成工程では、第２の隔壁２２１に囲まれた領域に正孔注入輸送層６０の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、このインクジェット法により、液状の正孔注入輸送層６０の形成材料を、第２の隔壁２２１の開口部２２１ａ内に例えば厚さ５０ｎｍ程度に配する（塗布する）。
このとき、第２の隔壁２２１における全ての開口部２２１ａ内に、略等しい液滴量（液滴サイズ）の正孔注入輸送層６０の形成材料を噴射する。このようにして、各開口部２２１ａ内に均一な膜厚で正孔注入輸送層６０の形成材料を塗布する。
正孔注入輸送層６０の形成材料としては、例えば正孔注入輸送層形成成分を有機溶媒に溶解したものを用いる。
【００４６】
次いで、真空にて脱溶媒を行い、さらに、正孔注入輸送層６０の形成材料を２００℃で１０分程度加熱し、熱処理を行う。すると、この乾燥処理により、材料中の有機溶媒が気化して除去され、残った正孔注入輸送層形成成分によって正孔注入輸送層６０として機能する乾燥成膜が得られる。
各開口部２２１ａ内における正孔注入輸送層６０の形成材料の塗布量（膜厚）が等しいため、各開口部２２１ａ毎に材料の乾燥速度（成膜時間）に大きな差が生じることはなく、略同時間で乾燥成膜を得ることができる。このようにして、第１の隔壁２５の各開口部２５ａ内に、表面が平坦で均一な膜厚の正孔注入輸送層６０を形成する。
【００４７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、正孔注入輸送層６０の上に発光層７０を形成する。この発光層７０の形成工程では、正孔注入輸送層６０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、各色の発光層７０の形成材料を所定の正孔注入輸送層６０上に噴射し、その後、真空にて脱溶媒を行い、さらに、N2雰囲気にて１３０℃で１時間程度熱処理を行い、第１の隔壁２５の開口部２５ａ内及び第２の隔壁２２１の開口部２２１ａ内に、発光層７０（７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ）を形成する。
この工程において、各開口部２２１ａ内に、ＲＧＢの発光材料に関係なく、略等しい液滴量で各発光層７０の形成材料を噴射し、開口部２２１ａ内に発光層７０の形成材料を均一な膜厚で塗布する。これにより、開口部２２１ａ毎に、上記形成材料の乾燥速度（成膜時間）に大きな差が生じることはなく、略同時間で発光層７０として機能する乾燥成膜が得られる。このようにして、各開口部２１１ａ内に、表面が平坦で均一な膜厚の発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを形成する。
【００４８】
次いで、図６（ｃ）に示すように、発光層７０及び第２の隔壁２２１を覆って例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さ５ｎｍ程度、アルミニウム（Ａｌ）を厚さ３００ｎｍ程度に積層し、陰極１２を形成する。また、この陰極１２の形成では、正孔注入輸送層６０や発光層７０の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域にのみ選択的に形成するのでなく、素子基板２の略全面に陰極１２を形成する。
その後、陰極１２上に接着層５１を形成し、さらにこの接着層５１によって封止基板（図示せず）を接着し、封止を行う。これにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１を得る。
【００４９】
したがって、前述したように各サブ画素の実質的な領域を、図３（ｂ）及び図４に示した発光素子３の数によって規定することができる。第１の隔壁２５の各開口部２５ａの開口面積は全て等しく、各開口部２２１ａ内に配される発光層７０の形成材料の重量は色（材料）に関わらず等しいものとなる。これにより、各発光層７０の膜厚を均一にすることができ、発光素子３間での発光ムラを防止して、色ムラや寿命差を抑え、発光特性を向上させることができる。
【００５０】
すなわち、発光層７０内で膜厚のバラツキがあると、膜厚が薄い部分で抵抗が小さくなって輝度が高くなり、その分輝度寿命が短くなる。そして、各発光素子３の発光層７０内において部分的に寿命がつきた部分が生ずると、その発光素子３を備える単一画素全体の輝度が寿命であると判断されてしまう。したがって、発光層７０内で膜厚が不均一になると結果的に画素の寿命が短くなってしまうのである。
【００５１】
しかし、本発明によれば、上述したように各発光素子３間において発光層７０内の膜厚を均一にできるため、複数の発光素子３間での発光特性を均一にできる。画素（サブ画素）は、このような発光素子３の集合体から構成されるため、画素領域（サブ画素領域）間での発光特性を均一にできるとともに、画素領域（サブ画素領域）としての寿命を長くすることができる。これにより、得られる有機ＥＬ装置１の発光特性を良好にすることができる。
【００５２】
よって、このようにして得られた有機ＥＬ装置１は、画素領域（サブ画素領域）内での発光特性が均一になっていることから、例えばフルカラー表示を行う表示装置として好適なものとなる。
【００５３】
また、ＲＧＢの各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの形成材料をインクジェット法用いて基板上に配す場合に、材料に関わらず液滴量が等しく、且つ各ノズルの配列規則性を同一とすることで、噴射性が安定し、これによりインクジェット法による成膜を容易にすることができる。
【００５４】
また、発光層７０の形成材料によって発光寿命が異なることから、発光寿命が短い色程、サブ画素３の面積を大きくすることで、各発光層７０における発光寿命差が抑えられる。さらに、低電流で所望の発光輝度が得られるようになる。
【００５５】
（実施例）
正孔注入輸送層６０の成膜方法としてインクジェット法を用い、さらに発光層７０の形成材料として赤色、緑色、青色の蛍光材料を用いてこれをインクジェット法で成膜した。これ以外は、上記した製造方法とほぼ同様にして、本発明品としての有機ＥＬ装置を作製した。
ただし、正孔注入輸送層６０及び発光層７０は、次の材料を用いて形成した。
【００５６】
正孔注入輸送層６０を、重量比（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：５０）、固形分濃度０．５％の３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、及び、溶媒として濃度５０％のジエチレングリコールの添加水からなる正孔注入輸送の形成材料を用いて形成した。
【００５７】
インクジェット法を用いて、上記正孔注入輸送性材料を第１の隔壁２５の開口部２５ａ及び第２の隔壁２２１の開口部２２１ａ内に噴射した後、真空にて脱溶媒を行い、さらに、２００℃で１０分程度、熱処理を行い、膜厚５０ｎｍ程度の正孔注入輸送層６０を形成した。
【００５８】
正孔注入輸送層６０上に、ＲＧＢを発光する発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを形成する。各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを、溶質としてＲＧＢ色を示す蛍光材料と、溶媒として濃度１００％のシクロヘキシルベンゼンからなる形成材料とからなる形成材料を用いて形成した。具体的には、インクジェット法を用いて、各開口部２２１ａ内に、等しい液滴量（液滴サイズ）の形成材料を噴射し、真空にて脱溶媒を行い、さらに、Ｎ２雰囲気にて１３０℃で１時間程度、乾燥処理を行い、膜厚１００ｎｍ程度の発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを形成した。本実施例では、各開口部２２１ａ内に噴射される各形成材料の重量がそれぞれ共通となるようにした。
【００５９】
各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ及び第２の隔壁２２１を覆うようにして、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さ５ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）を厚さ３００ｎｍを蒸着により積層し、陰極１２を形成した。
このようにして、発光色に関わらず、発光領域（開口部２５ａの開口面積）が等しい発光素子３を構成した。本実施例では、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ内に複数の発光素子３を列状に備え、発光素子３の配置数を異ならせることによって、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積を異ならせたものである。各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂは、上述したように、開口部２２１ａの直径によって規定される短手方向長さが一定で、発光素子３の数によって長手方向長さが異なる矩形状領域からなる。
【００６０】
そして、陰極１２上の接着層５１を介して素子基板２と封止基板（図示せず）とを接合して封止を行い、本発明品としての有機ＥＬ装置１を得た。
【００６１】
（比較例）
また、比較例として、色毎に発光領域（開口部の開口面積）が異なる発光層を備えた発光素子を作製した。この比較例では、色毎に発光領域（開口部の開口面積）が異なる発光素子を各色のサブ画素領域に一つずつ備えることによって、各サブ画素領域の面積を異ならせるようにした。
【００６２】
素子基板上に、各発光素子（サブ画素領域）を区画する隔壁を形成し、色毎に開口面積の異なる開口部内に発光層及び正孔注入輸送層を形成した。なお、正孔注入輸送層及び発光層は、上記実施例と同様の材料を用いて、インクジェット法により成膜した。開口部の開口面積の大きさが色毎に異なるため、各開口部内に異なる液滴量（液滴サイズ）の形成材料を噴射し、上記実施例と同様の条件で乾燥処理を行うことで各色の発光層を形成した。各サブ画素領域は、短手方向及び長手方向の長さ比が、色毎に異なる矩形状領域からなる。
このようにして、発光領域が色毎に異なる発光素子を形成し、比較品としての有機ＥＬ装置を作製した。
【００６３】
上述のように作製した有機ＥＬ装置を発光させ、発光特性を目視で調べたところ、本発明品の有機ＥＬ装置では、サブ画素間での発光ムラは認められなかった。
一方、比較例品の有機ＥＬ装置では、サブ画素間に発光ムラが認められた。このような発光ムラは、発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの膜厚が不均一であることによるものと考えられる。比較品の開口部の開口面積は、ＲＧＢ毎に異なっており、各開口部に噴射される形成材料の重量がそれぞれ異なっている。そのため、各開口部内における塗布材料の膜厚が全て均一になるとは限らないため、乾燥処理に掛かる時間が材料毎に異なるとともに乾燥後の膜厚も不均一となる。
以上の結果より、本発明品の有機ＥＬ発光装置１は、上述した方法で形成することにより、発光層７０の膜厚の均一性及び平坦性等の成膜条件を確立でき、発光素子３の色ムラや寿命バラツキを抑えて、発光特性の良好なものとなる。また、各開口部２２１ａに噴射される形成材料の液滴量が略等しいことから、インクジェット法（液滴吐出法）による成膜も良好且つ容易にできることが確認された。
【００６４】
［有機ＥＬ装置の第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態における有機ＥＬ装置について説明する。なお、以下の各実施形態においては、第１実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。ここで、図７は第２実施形態の有機ＥＬ装置の画素構造を模式的に示す平面図である。
【００６５】
上記第１実施形態における有機ＥＬ装置１は、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ内に、発光領域の等しい発光素子３が複数備えられており、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積に応じて設けられる発光素子３の数が異なっていたが、本発明の第２の実施形態における有機ＥＬ素子は、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ内に、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積に応じて発光領域を異ならせた発光素子３を一つずつ備えている点において異なっている。
【００６６】
図７に示すように、本実施形態における有機ＥＬ装置は、上記実施形態同様、色毎に大きさが異なるサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを有しており、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ内に、これら各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの大きさに対応して発光領域を異ならせた発光素子を一つずつ備えている。言い換えれば、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの大きさ（面積）は、ＲＧＢ毎に発光面積が異なる発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの発光面積によって規定される。
【００６７】
素子基板２上に設けられる隔壁は、各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを区画するもので、上記サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂに対応すべく色によって開口面積を異ならせた開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂが画素毎に複数設けられている。
【００６８】
各開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂにおける開口部の幅Ｗ（開口幅）は各々の延在方向で略均一とされているとともに、各開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ全ての開口幅が略均一となっている。そのため、インクジェット法を用いて、各開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ内に発光層の各形成材料を供給する場合に、開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ内における各形成材料の広がりが開口幅方向で一定となる。
【００６９】
これにより、サブ画素領域ごとに発光領域を異ならせた場合であっても、各開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ内における発光層７０の形成材料の膜厚が均一となり、各開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ内における上記形成材料の乾燥速度の差を抑えることができる。よって、良好な乾燥成膜が可能となり、得られる各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの膜厚の均一性及び平坦性を確保することができる。
【００７０】
また、各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂは、形成材料に（発光色）よって発光寿命の長さが異なるため、発光寿命の短い色ほど面積を大きく形成している。面積の関係は、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂに対応して、発光層７０Ｂ＞発光層７０Ｇ＞発光層７０Ｒとし、これにより、各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの発光寿命を略等しくすることが可能である。
【００７１】
［有機ＥＬ装置の他の実施形態］
次に、有機ＥＬ装置の他の実施形態について述べる。
なお、以下の各実施形態においては、第１実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。ここで、図８〜図１３は他の実施形態の有機ＥＬ装置の画素構造を模式的に示す平面図である。
図８〜図１３に示す有機ＥＬ装置は、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの大きさが色によって異なっており、具体的には、略同面積のサブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇよりも、サブ画素領域９０Ｂの面積の方が大きい。以下の説明では、各有機ＥＬ装置における各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを、一つの矩形状領域、あるいは複数の矩形状領域で表す。矩形状領域の短手方向長さは一定となっており、長手方向長さを異ならせることで各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積を異ならせている。
【００７２】
図８に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさ（長手方向長さ）が略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が異なる複数（２つ）の矩形状領域から構成されており、各々の長手方向が、走査線１０１或いは信号線１０２に沿って互いに直交しているとともに、互いの長手方向一端側同士を突き合わせた平面視略Ｌ字形状となっている。
【００７３】
図９に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさ（長手方向長さ）が略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が異なる複数（２つ）の矩形状領域から構成されており、長手方向が走査線１０１に沿う一方の矩形状領域の中央部に、長手方向が信号線１０２に沿う他方の矩形状領域の長手方向一端側を突き合わせた平面視略Ｔ字形状となっている。
【００７４】
図１０に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさ（長手方向長さ）が略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が略等しい複数（例えば２つ）の矩形状領域から構成されており、長手方向が走査線１０１に沿う矩形状領域と、長手方向が信号線１０２に沿う矩形状領域と、を互いの長手方向中央で交差した平面視略十文字形状となっている。
【００７５】
図１１に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさ（長手方向長さ）が略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が異なる複数（例えば、３つ）の矩形状領域から構成され、長手方向が信号線１０２に沿う矩形状領域の両端側に、長手方向が走査線１０１に沿う矩形状領域の中央部を突き合わせた平面視略Ｈ字形状となっている。
【００７６】
図１２に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさが略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が異なる複数（例えば、３つ）の矩形状領域から構成され、長手方向が信号線１０２に沿う矩形状領域と、長手方向が走査線１０１に沿う一対の矩形状領域との端部同士が連結された平面視略コ字形状となっている。
【００７７】
図１３に示す有機ＥＬ装置において、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇは、大きさが略等しい矩形状領域からそれぞれ構成され、各々の長手方向が信号線１０２に沿っている。一方、サブ画素領域９０Ｂは、大きさ（長手方向長さ）が異なる複数（例えば、３つ）の矩形状領域から構成されており、長手方向が信号線１０２に沿う矩形状領域と、当該矩形状領域の両端に、長手方向が走査線１０１に沿う一対の矩形状領域の一端側がそれぞれ連結された形状となっている。
【００７８】
以上述べた図８〜図１３に示す有機ＥＬ装置では、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ内に、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積に対応すべく発光領域を異ならせた発光素子３が一つずつ備えられており、これによってＲＧＢからなる表示単位画素（画素領域）が構成されている。
各有機ＥＬ装置の隔壁（不図示）は、各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを囲むようにして一体形成されたものであって、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ間で、開口幅（矩形状領域の短手方向長さ）が等しい開口部を有し、開口長さ（矩形状領域の長手方向長さ）を変化させることで開口部同士の開口面積、すなわち各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂの面積を異ならせている。
そのため、各発光層７０をインクジェット法で形成する場合、各開口部内に噴射された形成材料が開口幅方向（矩形状領域の短手方向）で均一な広がりをなす。これにより、各開口部内に均一な膜厚で形成材料を塗布することができ、乾燥処理によって発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを得る場合に、形成材料の乾燥速度が略等しくなる。よって、良好な乾燥成膜が可能となり、各開口部における発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの膜表面を平坦にすることができる、したがって、各発光素子３において発光ムラが生じることが防止され、良好な発光特性を得ることができる。
以上述べた図７〜図１３に示す有機ＥＬ装置では、開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂの形状は矩形状であったが、図１４に示すように矩形状の角部に曲線を有する形状としてもよい。
【００７９】
上述した各有機ＥＬ装置は、複数の発光層７０を囲むようにして一体形成された不図示の隔壁を備えている。以下に示す有機ＥＬ装置では、第２の隔壁２２１が、平面視で略矩形の枠状のバンクを複数有して構成され、当該バンクが所定のピッチで素子基板２上に配置された構成となっている。このような隔壁２２１によって区画される各発光層７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂは、そのうちの一つの発光層７０Ｂが格子状をなし、他の発光層７０Ｒ，７０Ｇを囲むようにして形成されている。具体的には、図１５に示すように、発光層７０Ｂが格子状をなし、発光層７０Ｂによって囲まれた領域内に各発光層７０Ｒ，７０Ｇが配置されている。
【００８０】
なお、各サブ画素領域は、図中の一点鎖線で示されるように各々が矩形状領域からなっており、サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ内には、発光層７０Ｒ，７０Ｇを有する発光素子３が備えられ、サブ画素領域９０Ｂ内には、発光層７０Ｂの一部を用いて形成された発光素子３が備えられている。
【００８１】
発光層７０の端部は、隔壁２２１の影響を受けて断面形状が変形しやすい。つまり、開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂ内に充填された各発光層７０の形成材料は、隔壁２２１の開口部２２１ｒ，２２１ｇ，２２１ｂを構成する壁部に拡展し、壁面に沿って上昇する虞がある。そこで、図１５に示す有機ＥＬ装置のように、発光層７０Ｂを格子状に形成し、他の発光層７０Ｒ，７０Ｇを囲むように構成することによって、発光層７０Ｂの長手方向を区切る開口部２２１ｒの壁部がサブ画素領域９０Ｂ内に位置しないことから、発光層７０Ｂの表面をより平坦化することができる。これにより、良好な発光輝度が得られ、発光素子の発光特性を向上させることができる。
【００８２】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８３】
（電子機器）
次に、実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６（ａ）において、符号５０は携帯電話本体を示し、符号５１は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６（ｂ）において、符号６０は情報処理装置、符号６１はキーボードなどの入力部、符号６３は情報処理本体、符号６２は有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１６（ｃ）において、符号７０は時計本体を示し、符号７１は有機ＥＬ装置を備えたＥＬ表示部を示している。
図１６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機ＥＬ装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
【００８４】
なお、電子機器としては、上記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【００８５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８６】
例えば、上記実施形態においては、各サブ画素領域９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂが、一つあるいは複数の矩形状領域から構成されるとしたが、矩形状領域には、領域の端部が丸みを帯びた楕円状領域等も含まれる。
また、開口部２２１ａの幅Ｗが、インクジェット法によって噴射される各発光層７０の形成材料の液滴サイズに対応していることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図である。
【図２】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置の要部の断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置の素子基板側の工程図である。
【図６】本発明の第１実施形態における有機ＥＬ装置の封止基板側の工程図である。
【図７】本発明の第２実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態における有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図である。
【図１５】本発明の実施形態における電子機器を示す図である。
【図１６】従来の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…有機ＥＬ装置  ２…素子基板  ３…発光素子  ２５…第１の隔壁
７０（７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂ）…発光層
９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ…サブ画素領域
２２１…第２の隔壁  ２２１ａ…開口部  ａ，ｂ，ｃ，ｄ…矩形状領域
【図１】
2009048851.tif 000003
【図２】
2009048851.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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