(57)【要約】【課題】大きなダークスポットが生じるのを抑制することにある。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢと、前記絶縁基板ＳＵＢの一方の主面上で配列した複数の画素電極ＰＥと、前記主面を被覆すると共に前記複数の画素電極ＰＥに対応した位置に複数の第１開口が設けられた絶縁樹脂層ＰＩと、前記絶縁樹脂層ＰＩを被覆すると共に前記複数の第１開口に対応した位置に複数の第２開口が設けられた無機物層ＩＬと、前記複数の画素電極ＰＥを被覆した有機物層ＯＲＧと、前記有機物層ＯＲＧと前記絶縁樹脂層ＰＩとを被覆した対向電極ＣＥとを具備したことを特徴とする。【選択図】      図３
2009026506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の主面上で配列した複数の画素電極と、
前記主面を被覆すると共に前記複数の画素電極に対応した位置に複数の第１開口が設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層を被覆すると共に前記複数の第１開口に対応した位置に複数の第２開口が設けられた無機物層と、
前記複数の画素電極を被覆した有機物層と、
前記有機物層と前記絶縁樹脂層とを被覆した対向電極とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記無機物層は絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記無機物層は導電層であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層は、その下地と接触していない表面の全体が前記無機物層によって被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記有機物層は前記絶縁樹脂層をさらに被覆し、前記無機物層は前記絶縁樹脂層と前記有機物層との間に介在していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記対向電極を被覆した無機絶縁層をさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の多くは、隔壁絶縁層を含んでいる。例えば、特許文献１には、隔壁絶縁層を利用した有機ＥＬ表示装置の製造方法が記載されている。
【０００３】
隔壁絶縁層は、画素電極に対応して開口が設けられた絶縁層であって、絶縁基板と対向電極との間に介在している。隔壁絶縁層は、有機ＥＬ素子の発光層を真空蒸着法により形成する場合には、蒸着マスクが発光層の下地，例えば正孔輸送層，と接触するのを防止する役割を果たす。また、有機ＥＬ素子の発光層をインクジェット法により形成する場合には、隔壁絶縁層は、狙った画素電極上にインクを正確に位置させ易くする。
【０００４】
ところで、対向電極にピンホールを生じた有機ＥＬ素子では、このピンホールを介して、外部から有機ＥＬ素子中へと水分が侵入する。有機ＥＬ素子は、その有機物層に水分が侵入すると直ちに劣化する。それゆえ、対向電極にピンホールを生じた有機ＥＬ素子は、ダークスポットとして視認され得る。
【０００５】
ダークスポットが十分に小さければ、このダークスポットが画質を著しく低下させることはない。しかしながら、ダークスポットの中には、ピンホールを起点として大きく成長するものがある。そのようなダークスポットは、画質を著しく低下させる可能性がある。
【特許文献１】特開平２００１−２９１５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、大きなダークスポットが生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の主面上で配列した複数の画素電極と、前記主面を被覆すると共に前記複数の画素電極に対応した位置に複数の第１開口が設けられた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層を被覆すると共に前記複数の第１開口に対応した位置に複数の第２開口が設けられた無機物層と、前記複数の画素電極を被覆した有機物層と、前記有機物層と前記絶縁樹脂層とを被覆した対向電極とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、大きなダークスポットが生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図である。図３は、図２に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図である。図４は、図３に示す表示パネルで使用可能な有機ＥＬ素子の一例を概略的に示す断面図である。
【００１１】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１２】
表示パネルＤＰは、図１乃至図３に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図示しない枠形のシール層を介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１３】
アレイ基板ＡＳは、図１及び図３に示す絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図３に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。
【００１６】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。この上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１９】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図１及び図３に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、図１に示すキャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層ＳＣとは交差している。この交差部は、図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２０】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図３に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図３に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２４】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２５】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配列している。これら画素電極ＰＥは、光反射性の背面電極である。本態様では、画素電極ＰＥは陽極である。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、絶縁樹脂層である隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に第１開口が設けられている。第１開口は、例えば、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であるか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応して配列したスリットである。ここでは、一例として、第１開口は、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２８】
隔壁絶縁層ＰＩは、図３に示すように、各画素電極ＰＥの周縁部を被覆していてもよい。或いは、隔壁絶縁層ＰＩは、各画素電極ＰＥから離間していてもよい。
【００２９】
隔壁絶縁層ＰＩは、無機物層ＩＬで被覆されている。本態様では、無機物層ＩＬは絶縁層である。この絶縁層の材料としては、例えば、シリコン酸窒化物及びアルミニウム酸化物を使用することができる。
【００３０】
無機物層ＩＬには、第１開口に対応した位置に第２開口が設けられている。第２開口は、第１開口と同様の形状を有している。すなわち、第１開口が画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔である場合には、第２開口も画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔である。また、第１開口が画素電極ＰＥの列に対応して配列したスリットである場合には、第２開口も画素電極ＰＥの列に対応して配列したスリットである。ここでは、一例として、第１開口は、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であることとする。
【００３１】
無機物層ＩＬは、例えば、スパッタリングによる成膜とフォトリソグラフィを利用したパターニングとを行うことにより得られる。無機物層ＩＬの成膜時における隔壁絶縁層ＰＩの最高到達温度は、例えば２５０℃以下とし、典型的には２００℃以下とする。隔壁絶縁層ＰＩが過剰に高い温度にまで加熱されると、その劣化を生じる可能性がある。
【００３２】
無機物層ＩＬは、隔壁絶縁層ＰＩの表面のうちその下地と接触していない部分（以下、隔壁絶縁層ＰＩの上面という）の一部のみを被覆していてもよい。或いは、無機物層ＩＬは、隔壁絶縁層ＰＩの上面全体を被覆していてもよい。後者の構造を採用した場合、前者の構造を採用した場合と比較して、大きなダークスポットが生じるのを抑制する効果がより大きい。
【００３３】
各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸに対応してパターニングされていてもよい。或いは、有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸ間で繋がっていてもよい。
【００３４】
有機物層ＯＲＧは、図４に示す発光層ＥＭＬを含んでいる。有機物層ＯＲＧは、発光層ＥＭＬに加え、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬの少なくとも一方をさらに含むことができる。
【００３５】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、図３及び図４に示す対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で共用している共通電極であり、且つ、可視光透過性の前面電極である。また、本態様では、対向電極ＣＥは陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、無機物層ＩＬと隔壁絶縁層ＰＩとパッシベーション膜ＰＳとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００３６】
各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。なお、発光層ＥＭＬと正孔輸送層ＨＴＬとの間には、電子ブロッキング層を挿入してもよい。発光層ＥＭＬと電子輸送層ＥＴＬとの間には、正孔ブロッキング層を挿入してもよい。また、正孔輸送層ＨＴＬと陽極である画素電極ＰＥとの間には、図４に示す正孔注入層ＨＩＬを挿入してもよい。電子輸送層ＥＴＬと陰極である対向電極ＣＥとの間には、図４に示す電子注入層ＥＩＬを挿入してもよい。
【００３７】
画素ＰＸの各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３８】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３９】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００４０】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００４１】
封止基板ＣＳは、図１乃至図３に示すように、アレイ基板ＡＳと向き合っている。具体的には、封止基板ＣＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００４２】
シール層は、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳの周縁部との間に介在している。シール層は、全画素ＰＸによって構成された画素群を取り囲んでいる。シール層の材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００４３】
アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層とは、気密な中空体を形成している。この中空体の内部空間は、例えば、真空とするか又は不活性ガスで満たす。また、典型的には、この中空体内には、乾燥剤を据える。乾燥剤は、例えば、封止基板ＣＳに支持させる。なお、本態様では、有機ＥＬ表示装置は上面発光型であるので、乾燥剤は、表示領域と向き合うようには位置させず、周辺領域と向き合うように位置させる。
【００４４】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４５】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る行を選択している選択期間では、その選択している行の画素ＰＸに対して書込動作を行う。そして、非選択期間では、その非選択中の行の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００４６】
具体的には、或る行を選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、その行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００４７】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００４８】
この有機ＥＬ表示装置は、大きなダークスポットを生じ難い。これについて、以下に説明する。
【００４９】
アレイ基板ＡＳの製造においては、被成膜面に異物が付着することがある。例えば、有機物層ＯＲＧに異物が付着した状態で対向電極ＣＥを形成すると、その異物の位置で対向電極ＣＥにピンホールを生じる可能性がある。
【００５０】
このように、対向電極ＣＥの一部が欠落していると、この欠落部を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ中へと水分が侵入する。その結果、この欠落部の近傍で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化し、この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤはダークスポットとして視認されることとなる。
【００５１】
本発明者らは、ダークスポットの寸法に大きなばらつきがあることに着目し、これについて詳細に調べた。その結果、対向電極ＣＥが隔壁絶縁層ＰＩの位置で欠落している場合と、他の位置で欠落している場合とで、ダークスポットの成長に著しい相違があることを見出した。すなわち、対向電極ＣＥが隔壁絶縁層ＰＩの位置で欠落している場合には、この欠落部を起点としてダークスポットは速やかに成長する。これに対し、対向電極ＣＥが他の位置で欠落している場合には、ダークスポットの成長は遅い。例えば、前者の場合、後者の場合に対し、ダークスポットの径は５倍以上の速度で大きくなる。
【００５２】
このような相違を生じる理由は、隔壁絶縁層ＰＩは、有機物層ＯＲＧなどの他の構成要素と比較して水分を吸収し易く且つ厚いためである。すなわち、対向電極ＣＥが隔壁絶縁層ＰＩの位置で欠落していると、大量の水分が隔壁絶縁層ＰＩ中へと速やかに侵入する。隔壁絶縁層ＰＩ中に侵入した水分の一部は、欠落部近傍の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを劣化させる。隔壁絶縁層ＰＩ中に侵入した水分の他の一部は、隔壁絶縁層ＰＩを主な経路として、欠落部から離れた位置へと速やかに移動し、そこで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を生じさせる。このような理由で、対向電極ＣＥが隔壁絶縁層ＰＩの位置で欠落している場合、この欠落部を起点としてダークスポットは速やかに成長する。
【００５３】
そこで、上述した有機ＥＬ表示装置では、隔壁絶縁層ＰＩを無機物層ＩＬで被覆している。この構造を採用した場合、対向電極ＣＥが隔壁絶縁層ＰＩの位置で欠落していたとしても、無機物層ＩＬが隔壁絶縁層ＰＩ中への水分の侵入を妨げる。それゆえ、大きなダークスポットは生じ難い。
【００５４】
次に、本発明の第２態様について説明する。第２態様は、以下に説明する表示パネルを使用すること以外は、第１態様と同様である。
【００５５】
図５は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、以下の構成を除き、図３を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。
【００５６】
すなわち、図５の表示パネルＤＰにおいて、無機物層ＩＬは導電体からなる。この導電体としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）などの導電性酸化物、金属、合金などを使用することができる。
【００５７】
また、図５の表示パネルＤＰにおいて、隔壁絶縁層ＰＩは、画素電極ＰＥを被覆しておらず、画素電極ＰＥから離間している。そして、無機物層ＩＬは、隔壁絶縁層ＰＩの上面全体を被覆すると共に、画素電極ＰＥから離間している。
【００５８】
このような構成によると、第１態様と同様、大きなダークスポットが生じるのを抑制することができる。加えて、無機物層ＩＬの材料として導電体を使用することに起因して画素電極ＰＥ同士が電気的に接続されるのを防止することができる。
【００５９】
図６は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの他の例を概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、以下の構成を除き、図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。
【００６０】
図６の表示パネルＤＰでは、図３を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様、隔壁絶縁層ＰＩは画素電極ＰＥの周縁部を被覆している。そして、無機物層ＩＬは、隔壁絶縁層ＰＩの上面の一部のみを被覆している。具体的には、無機物層ＩＬは、隔壁絶縁層ＰＩの上面のうち、画素電極ＰＥの近傍の領域は被覆しておらず、それ以外の領域を被覆している。
【００６１】
このような構成を採用した場合、図３及び図５の構成を採用した場合ほどではないにしろ、大きなダークスポットが生じるのを抑制することができる。加えて、図５の構成を採用した場合と同様、無機物層ＩＬの材料として導電体を使用することに起因して画素電極ＰＥ同士が電気的に接続されるのを防止することができる。
【００６２】
第１及び第２態様において、無機物層ＩＬの厚さは、例えば１００ｎｍ乃至１０００ｎｍの範囲内とし、典型的には３００ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内とする。無機物層ＩＬが薄いと、隔壁絶縁層ＰＩ中への水分の侵入を妨げる効果が小さくなる。また、厚い無機物層ＩＬは、その成膜やパターニングが難しい。
【００６３】
第１及び第２態様に係る有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。  
例えば、上述した技術は、上面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用する代わりに、下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用してもよい。この場合、乾燥剤は、表示領域と向き合うように位置させてもよい。
【００６４】
有機ＥＬ表示装置に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用する代わりに、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。
【００６５】
対向電極ＣＥは、無機絶縁層を含んだ保護層で被覆してもよい。この無機絶縁層の材料としては、例えば、シリコン酸窒化物及びアルミニウム酸化物を使用することができる。
【００６６】
封止基板ＣＳとアレイ基板ＡＳとは、隔壁絶縁層ＰＩの位置で接触していてもよい。この場合、典型的には、対向電極ＣＥは保護層で被覆する。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明の例を説明する。
【００６８】
（例１）
本例では、以下に説明する方法により、図２及び図３を参照しながら説明した表示パネルＤＰを２４枚製造した。なお、本例では、表示領域の対角寸法は３．５インチ（約８．９ｃｍ）とした。
【００６９】
まず、短辺及び長辺の長さがそれぞれ４００ｍｍ及び５００ｍｍの長方形のガラス基板を準備した。このガラス基板の一方の主面を２４個のアレイ領域に区画し、各アレイ領域上に基板ＳＵＢを除くアレイ基板ＡＳの構成要素を形成した。
【００７０】
具体的には、ガラス基板の各アレイ領域上に、図３に示すアンダーコート層ＵＣから隔壁絶縁層ＰＩまでの構成要素を形成した。
【００７１】
次に、平行平板マグネトロンスパッタリング装置を用いて、隔壁絶縁層ＰＩなどの上に、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）を堆積させた。このアルミニウム酸化物層は、フォトリソグラフィを利用してパターニングした。これにより、無機物層ＩＬを得た。なお、アルミニウム酸化物層は、無機物層ＩＬの開口部において、無機物層ＩＬと画素電極ＰＥとの接触部の幅が約１μｍとなるようにパターニングした。また、無機物層ＩＬの厚さは４００ｎｍとした。
【００７２】
次いで、真空蒸着法により、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に有機物層ＯＲＧを形成した。有機物層ＯＲＧは、図４に示す正孔輸送層ＨＴＬと発光層ＥＭＬとで構成した。具体的には、正孔輸送層ＨＴＬとして、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さ２００ｎｍの層を形成した。そして、正孔輸送層ＨＴＬ上に、発光層ＥＭＬとして、トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ3）からなる厚さ５０ｎｍの層を形成した。なお、この発光層ＥＭＬは、電子輸送層を兼ねている。
【００７３】
続いて、真空蒸着法により、有機物層ＯＲＧ上に、図４に示す電子注入層ＨＩＬとして、マグネシウムと銀との合金からなる厚さ２ｎｍの層を形成した。さらに、電子注入層ＨＩＬ上に、ＩＴＯからなる対向電極ＣＥを形成した。以上のようにして、割断前のアレイ基板を完成した。
【００７４】
次に、図２に示す封止基板ＣＳとして、２４枚のガラス基板を準備した。これら封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳと接合すべき面には、紫外線硬化樹脂層を形成した。
【００７５】
次いで、これら封止基板ＣＳと割断前のアレイ基板とを、封止基板ＣＳがアレイ領域とそれぞれ向き合うように貼り合わせた。さらに、紫外線硬化樹脂層に紫外線を照射して、それらを硬化させた。なお、本例では、乾燥剤は使用しなかった。
【００７６】
その後、アレイ基板を、各アレイ領域の輪郭に沿って割断した。以上のようにして、２４枚の表示パネルＤＰを得た。
【００７７】
（例２）
図７は、例２に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、対向電極ＣＥを保護層ＰＬで被覆していること以外は、図３を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。
【００７８】
本例では、対向電極ＣＥ上に保護層ＰＬを形成したこと以外は、例１で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。具体的には、本例では、平行平板マグネトロンスパッタリング装置を用いて、対向電極ＣＥ上に、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）からなる厚さ１００ｎｍの保護層ＰＬを形成した。
【００７９】
（例３）
図８は、例３に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、封止基板ＣＳを保護層ＰＬに接触させていること以外は、図７に示す表示パネルＤＰと同様の構造を有している。本例では、封止基板ＣＳを保護層ＰＬに接触させたこと以外は、例２で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。
【００８０】
（例４）
本例では、以下に説明する方法により、図６に示す表示パネルＤＰを２４枚製造した。
【００８１】
まず、例１と同様の方法により、ガラス基板の各アレイ領域上に、アンダーコート層ＵＣから隔壁絶縁層ＰＩまでの構成要素を形成した。
【００８２】
次に、平行平板マグネトロンスパッタリング装置を用いて、隔壁絶縁層ＰＩなどの上に、ＩＴＯを堆積させた。このＩＴＯ層は、２００℃で１時間の熱処理の後、フォトリソグラフィを利用してパターニングした。これにより、無機物層ＩＬを得た。なお、ＩＴＯ層は、無機物層ＩＬが画素電極ＰＥから離間するようにパターニングした。また、無機物層ＩＬの厚さは４００ｎｍとした。
【００８３】
次いで、例１で説明したのと同様の方法により、有機物層ＯＲＧ、電子注入層ＨＩＬ、及び対向電極ＣＥを形成した。以上のようにして、割断前のアレイ基板を完成した。
【００８４】
その後、この割断前のアレイ基板を用いたこと以外は例１で説明したのと同様の方法により、割断前アレイ基板と封止基板ＣＳとの貼り合せ、及び、アレイ基板の割断を行った。以上のようにして、２４枚の表示パネルＤＰを得た。
【００８５】
（比較例）
図９は、比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、無機物層ＩＬを省略していること以外は、図２及び図３に示す表示パネルＤＰと同様の構造を有している。本例では、無機物層ＩＬを省略したこと以外は、例１で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。
【００８６】
次に、これら表示パネルＤＰを温度が６０℃であり且つ相対湿度が９０％の高温高湿度環境中に放置し、ダークスポットの発生を目視で調べた。その結果を以下の表に纏める。
【表１】
2009026506.tif 000003
【００８７】
上記表には、ダークスポットを生じた表示パネルＤＰの割合を、高温高湿度環境中への表示パネルＤＰの放置を開始してからの経過時間毎に記載している。なお、上記表において、「被覆状態」と表記した列の各欄には、無機物層ＩＬが隔壁絶縁層ＰＩの上面全体を被覆している場合には「全被覆」と記載し、無機物層ＩＬが隔壁絶縁層ＰＩの上面の一部のみを被覆している場合には「一部被覆」と記載している。また、上記表において、「アレイ基板／封止基板」と表記した列の各欄には、隔壁絶縁層ＰＩの位置でアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとが接触している場合には「接触」と記載し、接触していない場合には「非接触」と記載している。
【００８８】
この表に示すように、無機物層ＩＬを使用した場合、無機物層ＩＬを省略した場合と比較して、ダークスポットは生じ難かった。特に、隔壁絶縁層ＰＩの上面全体を無機物層ＩＬで被覆した場合には、ダークスポットの発生を抑制する効果が大きかった。
【００８９】
また、隔壁絶縁層ＰＩの位置で対向基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに接触させた場合、隔壁絶縁層ＰＩの位置で対向基板ＣＳをアレイ基板ＡＳから離間させた場合と比較して、対向電極ＣＥが傷つき易い。すなわち、前者の場合、後者の場合と比較して、対向電極ＣＥに欠落部を生じ易い。それにも拘らず、隔壁絶縁層ＰＩの上面全体を無機物層ＩＬで被覆した場合には、隔壁絶縁層ＰＩの位置で対向基板ＣＳをアレイ基板ＡＳに接触させる構成を採用しても、ダークスポットの発生を十分に抑制することができた。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図。
【図４】図３に示す表示パネルで使用可能な有機ＥＬ素子の一例を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図。
【図６】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの他の例を概略的に示す断面図。
【図７】例２に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【図８】例３に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【図９】比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００９１】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＩＬ…電子注入層、ＥＭＬ…発光層、ＥＴＬ…電子輸送層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＩＬ…正孔注入層、ＨＴＬ…正孔輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＩＬ…無機物層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2009026506.tif 000004
【図２】
2009026506.tif 000005
【図３】
2009026506.tif 000006
【図４】
2009026506.tif 000007
【図５】
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【図６】
2009026506.tif 000009
【図７】
2009026506.tif 000010
【図８】
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【図９】
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