(57)【要約】【課題】ダークスポットが生じるのを抑制する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板とその一方の主面に支持された有機ＥＬ素子とを含んだ第１基板ＡＳと、前記有機ＥＬ素子と向き合った第２基板ＣＳと、前記第１基板ＡＳと前記第２基板ＣＳとの間に介在すると共に前記有機ＥＬ素子を取り囲んだ枠形状のシール層ＳＳと、前記第１基板ＡＳと前記第２基板ＣＳと前記シール層ＳＳとに囲まれた空間内に位置し且つ水蒸気を化学吸着する第１乾燥剤ＤＳ１と、前記空間内に位置し且つ水蒸気を物理吸着する第２乾燥剤ＤＳ２とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図３
2009026505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板とその一方の主面に支持された有機ＥＬ素子とを含んだ第１基板と、
前記有機ＥＬ素子と向き合った第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在すると共に前記有機ＥＬ素子を取り囲んだ枠形状のシール層と、
前記第１基板と前記第２基板と前記シール層とに囲まれた空間内に位置し且つ水蒸気を化学吸着する第１乾燥剤と、
前記空間内に位置し且つ水蒸気を物理吸着する第２乾燥剤とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１乾燥剤は、前記第２基板の前記第１基板との対向面上に第１乾燥剤層を形成し、前記第２乾燥剤は、前記対向面上に前記第１乾燥剤層を取り囲んだ第２乾燥剤層を形成していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記対向面には枠形状の凸部が設けられ、前記第１乾燥剤層は前記凸部に取り囲まれ、前記第２乾燥剤層は前記凸部を取り囲んでいることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記有機ＥＬ素子の周囲で前記第１基板と接合し、それにより、前記空間を前記第１乾燥剤層が位置した第１空間と前記第２乾燥剤層が位置した第２空間とに仕切っていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
絶縁基板とその一方の主面に支持された有機ＥＬ素子とを含んだ第１基板と、
前記有機ＥＬ素子と向き合った第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在すると共に前記有機ＥＬ素子を取り囲んだ枠形状のシール層とを具備し、
前記第２基板の前記第１基板との対向面には、低融点ガラスからなる枠形状の第１凸部と、これを取り囲むと共に低融点ガラスからなる枠形状の第２凸部とが設けられ、前記第１及び第２凸部は、前記有機ＥＬ素子の周囲で前記シール層を介して前記第１基板と接合し、それにより、前記第１及び第２基板間の空間を、前記第１凸部に囲まれた第１空間と、前記第１凸部と前記第２凸部との間に介在した第２空間とに仕切っていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、水蒸気と接触すると、容易に劣化する。そのような有機ＥＬ素子の劣化が例えばアクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置で生じると、この有機ＥＬ素子はダークスポットとして視認され得る。したがって、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子と水蒸気との接触を防止すべく、有機ＥＬ素子を封止している。
【０００３】
有機ＥＬ素子の封止には、特許文献１に記載されている構造を採用することが一般的である。この構造では、有機ＥＬ素子を形成した基板と他の基板とを、それらの間に有機ＥＬ素子が介在し且つそれらが互いから離間するように配置する。そして、それら基板の対向面周縁部同士をシール材で貼り合わせて、中空体を形成する。この中空体の内部空間は、例えば、不活性ガスで満たすか又は真空とする。
【０００４】
この構造を採用すると、有機ＥＬ素子と水蒸気との接触を生じ難くすることができる。しかしながら、この構造を採用したとしても、非常に遅い速度ではあるが、中空体の内部空間へ水蒸気が侵入する。すなわち、この構造を採用したとしても、ダークスポットの発生は避けられない。
【特許文献１】特開２００６−１００１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ダークスポットが生じるのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、絶縁基板とその一方の主面に支持された有機ＥＬ素子とを含んだ第１基板と、前記有機ＥＬ素子と向き合った第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在すると共に前記有機ＥＬ素子を取り囲んだ枠形状のシール層と、前記第１基板と前記第２基板と前記シール層とに囲まれた空間内に位置し且つ水蒸気を化学吸着する第１乾燥剤と、前記空間内に位置し且つ水蒸気を物理吸着する第２乾燥剤とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、絶縁基板とその一方の主面に支持された有機ＥＬ素子とを含んだ第１基板と、前記有機ＥＬ素子と向き合った第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在すると共に前記有機ＥＬ素子を取り囲んだ枠形状のシール層とを具備し、前記第２基板の前記第１基板との対向面には、低融点ガラスからなる枠形状の第１凸部と、これを取り囲むと共に低融点ガラスからなる枠形状の第２凸部とが設けられ、前記第１及び第２凸部は、前記有機ＥＬ素子の周囲で前記シール層を介して前記第１基板と接合し、それにより、前記第１及び第２基板間の空間を、前記第１凸部に囲まれた第１空間と、前記第１凸部と前記第２凸部との間に介在した第２空間とに仕切っていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、ダークスポットが生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す平面図である。図３は、図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図３に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図である。図５は、図２に示す表示パネルの封止基板を概略的に示す斜視図である。
【００１１】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１２】
表示パネルＤＰは、図１乃至図４に示すように、第１基板としてのアレイ基板ＡＳと、第２基板としての封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図３に示すシール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１３】
アレイ基板ＡＳは、図１及び図４に示す絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図４に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。
【００１６】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。この上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１９】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図１及び図４に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、図１に示すキャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層ＳＣとは交差している。この交差部は、図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２０】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図４に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図４に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２４】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２５】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配列している。これら画素電極ＰＥは、光反射性の背面電極である。本態様では、画素電極ＰＥは陽極である。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、絶縁樹脂層である隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に開口が設けられている。これら開口は、例えば、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であるか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応して配列したスリットである。ここでは、一例として、先の開口は、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２８】
各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸに対応してパターニングされていてもよい。或いは、有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸ間で繋がっていてもよい。
【００２９】
有機物層ＯＲＧは、発光層を含んでいる。有機物層は、発光層に加え、正孔輸送層及び電子輸送層の少なくとも一方をさらに含むことができる。
【００３０】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で共用している共通電極であり、且つ、可視光透過性の前面電極である。また、本態様では、対向電極ＣＥは陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、隔壁絶縁層ＰＩとパッシベーション膜ＰＳとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００３１】
各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。なお、発光層と正孔輸送層との間には、電子ブロッキング層を挿入してもよい。発光層と電子輸送層との間には、正孔ブロッキング層を挿入してもよい。また、正孔輸送層と陽極である画素電極ＰＥとの間には、正孔注入層を挿入してもよい。電子輸送層と陰極である対向電極ＣＥとの間には、電子注入層を挿入してもよい。
【００３２】
画素ＰＸの各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３３】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３４】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３５】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００３６】
封止基板ＣＳは、図１乃至図４に示すように、アレイ基板ＡＳと向き合っている。具体的には、封止基板ＣＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００３７】
封止基板ＣＳは、図５に示すように、平板部ＦＰと、その一方の主面に支持された枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３とを含んでいる。枠状部ＰＲ２は、枠状部ＰＲ３の内側に位置している。枠状部ＰＲ１は、枠状部ＰＲ２の内側に位置している。封止基板ＣＳは、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３を間に挟んでアレイ基板ＡＳと向き合っている。
【００３８】
枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３の各々は、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳとの対向面に枠形状の凸部を形成している。換言すれば、枠状部ＰＲ１は、封止基板ＣＳのアレイ基板との対向面に凹部を形成している。そして、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２はこの凹部を取り囲んだ溝を形成し、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３は先の溝を取り囲んだ溝を形成している。
【００３９】
シール層ＳＳは、図３に示すように、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３とアレイ基板ＡＳとの間に介在している。シール層ＳＳは、画素ＰＸが配置された領域である表示領域を取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、接着剤を使用することができる。
【００４０】
アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとは、気密な中空体を形成している。枠状部ＰＲ１及びＰＲ２は、この中空体の内部空間を３つの空間に仕切っている。これら空間の各々は、例えば、真空とするか又は不活性ガスで満たす。
【００４１】
アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ１とに囲まれた空間は、表示領域に対応した空間である。すなわち、枠状部ＰＲ１は、表示領域を取り囲んでいる。
【００４２】
アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ２とに囲まれた空間のうち、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の領域には、水蒸気を化学吸着する第１乾燥剤ＤＳ１が封入されている。乾燥剤ＤＳ１は、酸化カルシウムや酸化マグネシウムのように水蒸気を化学吸着する化合物を含んでいる。
【００４３】
乾燥剤ＤＳ１は、枠形状の第１乾燥剤層を形成している。この第１乾燥剤層は、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳとの対向面に支持されている。第１乾燥剤層は、例えば、基材フィルムの一方の主面上に乾燥剤ＤＳ１を含んだ層を形成し、粘着層を介して基材フィルムの他方の主面を封止基板ＣＳに貼り付けることにより、封止基板ＣＳに支持させることができる。第１乾燥剤層が形成している枠は、図２に示すように部分的に欠落していてもよく、或いは、欠落部を含んでいなくてもよい。
【００４４】
アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ３とに囲まれた空間のうち、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の領域には、水蒸気を物理吸着する第２乾燥剤ＤＳ２が封入されている。乾燥剤ＤＳ２は、ゼオライトやシリカゲルのように水蒸気を物理吸着する化合物を含んでいる。
【００４５】
乾燥剤ＤＳ２は、枠形状の第２乾燥剤層を形成している。この第２乾燥剤層は、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳとの対向面に支持されている。第２乾燥剤層は、例えば、乾燥剤ＤＳ２と樹脂とを含んだ液を封止基板ＣＳに塗布し、その塗膜を乾燥させることなどにより、封止基板ＣＳに支持させることができる。第２乾燥剤層が形成している枠は、図２に示すように欠落部を含んでいなくてもよく、或いは、部分的に欠落していてもよい。
【００４６】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４７】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る行を選択している選択期間では、その選択している行の画素ＰＸに対して書込動作を行う。そして、非選択期間では、その非選択中の行の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００４８】
具体的には、或る行を選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、その行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００４９】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００５０】
水蒸気を化学吸着する乾燥剤ＤＳ１と水蒸気を物理吸着する乾燥剤ＤＳ２とを併用すると、乾燥剤ＤＳ１のみを使用した場合や乾燥剤ＤＳ２のみを使用した場合と比較して、ダークスポットが生じるのを抑制することにある。これについて、以下に説明する。
【００５１】
図６は、温度が吸着水分量に与える影響の例を示す概略グラフである。図６に示すデータは、単位体積の乾燥剤を低湿度の真空環境中に放置し、乾燥剤の質量増加を測定することにより得られたものである。
【００５２】
図６において、横軸は、乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２を低湿度の真空環境中に放置した時間を示し、縦軸は、乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２の質量増加を吸着水分量として示している。また、図中、曲線Ｃ１Ｎは乾燥剤ＤＳ１について常温条件のもとで得られたデータであり、曲線Ｃ１Ｈは乾燥剤ＤＳ１について高温条件のもとで得られたデータであり、曲線Ｃ２Ｎは乾燥剤ＤＳ２について常温条件のもとで得られたデータであり、曲線Ｃ２Ｈは乾燥剤ＤＳ２について高温条件のもとで得られたデータである。
【００５３】
なお、「低湿度の真空環境」は、中空体を形成して有機ＥＬ素子を封止している有機ＥＬ表示装置において一般的な中空体内部の環境に相当している。また、「常温条件」は２５℃を意味し、「高温条件」は８５℃を意味している。
【００５４】
図６に示すように、乾燥剤ＤＳ１は、より高い温度でより多くの水蒸気を吸着する。他方、乾燥剤ＤＳ２は、温度が上昇すると吸着水分量が減少する。このような相違は、乾燥剤ＤＳ１と乾燥剤ＤＳ２とで吸着のメカニズムが異なっているためである。すなわち、乾燥剤ＤＳ１は、水蒸気を化学吸着するため、吸着した水分子の脱着を殆ど生じない。したがって、温度上昇に伴って気相中の水分子の運動が活発になると、乾燥剤ＤＳ１と水分子との衝突頻度が高くなり、その結果、吸着速度が高くなる。他方、乾燥剤ＤＳ２は水蒸気を物理吸着するため、温度上昇に伴って吸着した水分子の運動が活発になると、脱着する水分子が増加する。
【００５５】
また、低湿度の真空環境中では、乾燥剤ＤＳ１は、時間の経過に伴う吸着速度の低下を生じ難い。これに対し、乾燥剤ＤＳ２では、時間の経過に伴う吸着水分量の増加は、比較的速やかに飽和する。すなわち、低湿度の真空環境中では、乾燥剤ＤＳ１は、乾燥剤ＤＳ２と比較してより多くの水蒸気を吸着可能である。
【００５６】
そして、乾燥剤ＤＳ２は、乾燥剤ＤＳ１と比較して、初期における吸着速度がより大きい。
【００５７】
以上から明らかなように、図１乃至図５を参照しながら説明した有機ＥＬ表示装置において、乾燥剤ＤＳ２は、中空体の内部に侵入した水蒸気を速やかに吸着する。乾燥剤ＤＳ２は水蒸気を吸着することにより吸着速度の低下を生じるが、この吸着速度は、有機ＥＬ表示装置を駆動することにより回復する。具体的には、有機ＥＬ表示装置を駆動すると、その温度が徐々に上昇する。これにより、乾燥剤ＤＳ２から水分子が脱着し、この水分子の少なくとも一部は乾燥剤ＤＳ１が吸着する。乾燥剤ＤＳ１は、上記の通り、温度上昇に伴う水蒸気の脱着を生じず、また、乾燥剤ＤＳ２と比較して大量の水蒸気を吸着可能である。
【００５８】
したがって、この有機ＥＬ表示装置では、中空体内部の湿度上昇を生じ難い。それゆえ、乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２を併用すると、乾燥剤ＤＳ１のみを使用した場合や乾燥剤ＤＳ２のみを使用した場合と比較して、ダークスポットが生じるのを抑制することができる。
【００５９】
また、この有機ＥＬ表示装置では、枠状部ＰＲ３の内側に枠状部ＰＲ２を位置させ、枠状部ＰＲ２の内側に枠状部ＰＲ１を位置させている。これにより、アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ３とに囲まれた空間を、３つの気密な空間へと仕切っている。枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３の各々は、アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ１とに囲まれた空間への水蒸気の侵入を妨げ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水蒸気の接触を抑制する。
【００６０】
このように、複数の枠状部を入れ子状に配置して中空体の内部空間を複数の気密空間へと仕切ると、１つの枠状部のみを設けた場合と比較して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水蒸気の接触を抑制することができる。なお、この効果は、乾燥剤ＤＳ１及び／又はＤＳ２を使用しない場合であっても得ることができる。
【００６１】
また、この有機ＥＬ表示装置では、乾燥剤ＤＳ１を封入した空間と乾燥剤ＤＳ２を封入した空間とを枠状部ＰＲ２で仕切っている。そして、乾燥剤ＤＳ２で枠形状の第２乾燥剤層を形成し、第２乾燥剤層の内側に、乾燥剤ＤＳ１が形成する第１乾燥剤層を位置させている。それゆえ、中空体の内部空間に水蒸気が侵入した場合、この水蒸気の全て又は殆どは乾燥剤ＤＳ２に吸着される。そして、仮に、この水蒸気の全てを乾燥剤ＤＳ２が吸着できなかったとしても、アレイ基板ＡＳと平板部ＦＰと枠状部ＰＲ２とに囲まれた空間内に大量の水蒸気が侵入することはない。そのため、乾燥剤ＤＳ１は、先の空間内の湿度を常に十分に低い値に維持する。
【００６２】
さらに、この有機ＥＬ表示装置では、乾燥剤ＤＳ１を封入した空間と表示領域に対応した空間とを枠状部ＰＲ１で仕切っている。枠状部ＰＲ１は、乾燥剤ＤＳ１を封入した空間から表示領域に対応した空間への水蒸気の侵入を遅延させる。上記の通り、乾燥剤ＤＳ１は吸着速度が低いので、この構造を採用すると、乾燥剤ＤＳ１により確実に水蒸気を吸着させることができる。
【００６３】
この有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。  
例えば、上面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用する代わりに、下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用してもよい。有機ＥＬ表示装置に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用する代わりに、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。さらに、アクティブマトリクス型駆動方式を採用する代わりに、パッシブマトリクス方駆動方式やセグメント型駆動方式を採用してもよい。
【００６４】
また、乾燥剤ＤＳ１を封入した空間と乾燥剤ＤＳ２を封入した空間とを連絡してもよい。例えば、枠状部ＰＲ２に欠落部を設けるか、又は、シール層ＳＳのうち枠状部ＰＲ２とアレイ基板ＡＳとの間に介在した部分に欠落部を設けてもよい。こうすると、乾燥剤ＤＳ２から脱着した水蒸気を、乾燥剤ＤＳ１に速やかに吸着させることができる。
【００６５】
枠状部ＰＲ１及びＰＲ２の一方又は双方を省略してもよい。枠状部ＰＲ１及び／又はＰＲ２を省略すると、ダークスポットが生じるのを抑制する効果が小さくなる。しかしながら、その反面で、この構造は、狭額縁化の観点で有利である。
【００６６】
図７は、図２に示す表示パネルの一変形例を概略的に示す平面図である。図８は、図７に示す表示パネルのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００６７】
図７及び図８に示す表示パネルＤＰは、以下の構造を採用したこと以外は、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。すなわち、図７及び図８に示す表示パネルＤＰでは、枠状部ＰＲ１を省略している。また、この表示パネルＤＰでは、乾燥剤ＤＳ１が形成している第１乾燥剤層は、表示領域の全体に亘って拡がっている。そして、乾燥剤ＤＳ１として、例えばアルミニウムなどの金属錯体を使用することにより、透明な第１乾燥剤層を形成している。
【００６８】
図９は、図２に示す表示パネルの他の変形例を概略的に示す平面図である。図１０は、図９に示す表示パネルのＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【００６９】
図９及び図１０に示す表示パネルＤＰは、以下の構造を採用したこと以外は、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。すなわち、図９及び図１０に示す表示パネルＤＰでは、枠状部ＰＲ１を省略している。そして、この表示パネルＤＰでは、乾燥剤ＤＳ１が形成している第１乾燥剤層は、帯形状を有しており、アレイ基板ＡＳの実装端子が配置された辺の近傍に位置している。
【００７０】
図７乃至図１０に示す表示パネルＤＰは、枠状部ＰＲ１を含んでいない。したがって、これら表示パネルＤＰは、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと比較して、狭額縁化の観点で有利である。
【００７１】
第１及び第２乾燥剤層は、積層してもよい。例えば、対向基板ＣＳ上に第１乾燥剤層を形成し、その上に第２乾燥剤層を形成してもよい。この構造は、狭額縁化の観点で有利である。
【００７２】
乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２は、混合してもよい。この構造は、狭額縁化の観点で有利である。但し、乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２を混合すると、乾燥剤ＤＳ２の細孔閉塞を生じる可能性がある。乾燥剤ＤＳ１として上述した金属錯体を使用すると、乾燥剤ＤＳ２の細孔閉塞が生じるのを抑制できる。
【００７３】
封止基板ＣＳから枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３の全てを省略し、その代わりに、シール層ＳＳをより厚く形成してもよい。但し、この構造を採用した場合、ダークスポットが生じるのを抑制する効果が小さくなる。これについて、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【００７４】
図１１は、図３に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図である。図１２は、図１１に示す構造の一変形例を示す断面図である。
【００７５】
図１１に示す表示パネルＤＰでは、封止基板ＣＳは、平板部ＦＰと枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３とを含んでいる。この構造は、例えば、ガラス基板の一方の主面に、凹部と、これを取り囲んだ溝と、この溝を取り囲んだ溝とを形成することにより得られる。
【００７６】
図１２に示す表示パネルＤＰでは、封止基板ＣＳは、ガラスからなる平板部ＦＰのみで構成されている。図１２の構造では、平板部ＦＰとアレイ基板ＡＳとの間の距離を図１１の構造と同程度とするために、シール層ＳＳを図１１の構造と比較してより厚くしている。
【００７７】
中空体の外部の水蒸気は、主にシール層ＳＳを経由して中空体の内部へと侵入する。そのため、シール層ＳＳを厚くすると、中空体の内部に水蒸気が侵入し易くなる。それゆえ、図１２の構造を採用した場合、図１１の構造を採用した場合と比較して、ダークスポットが生じるのを抑制する効果が小さい。
【００７８】
枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３は、低融点ガラスを用いて形成してもよい。これについて、図１３を参照しながら説明する。
【００７９】
図１３は、図１１に示す構造の他の変形例を示す断面図である。図１３に示す表示パネルＤＰは、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３が低融点ガラスからなること以外は、図１１に示す表示パネルＤＰと同様の構造を有している。
【００８０】
低融点ガラスは、融点が４００℃乃至６００℃の範囲内にあるガラスである。低融点ガラスとしては、例えば、Ｂｉ2Ｏ3・Ｂ2Ｏ3系、ＳｎＯ・Ｐ2Ｏ5系、ＳｎＯ・ＺｎＯ・Ｐ2Ｏ5系、Ｂｉ2Ｏ3・Ｂ2Ｏ3ＢａＯ系などを使用することができる。
【００８１】
低融点ガラスを用いた場合、封止基板ＣＳは、例えば、以下の方法により製造できる。まず、平板部ＦＰの一方の主面に、低融点ガラスの粉末（ガラスフリット）を含有したペーストを塗布して、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３に対応したパターンを形成する。なお、平板部ＦＰは、低融点ガラスと比較してより高い融点を有している。次いで、この構造を、例えば３００℃乃至５００℃に加熱する。これにより、低融点ガラスからなる枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３を含んだ封止基板ＣＳを得る。
【００８２】
この方法は、図１１を参照しながら説明した方法と比較して、より容易に封止基板ＣＳを製造することができる。また、この方法で得られた封止基板ＣＳを用いた場合、ダークスポットが生じるのを抑制する効果も、図１１を参照しながら説明した方法で得られた封止基板ＣＳを用いた場合と同等である。
【００８３】
シール層ＳＳは、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３に対応した形状を有していなくてもよい。すなわち、シール層ＳＳは、複数の枠状パターンを入れ子状に配置してなるものでなくてもよい。
【００８４】
図１４は、図１１に示す構造のさらに他の変形例を概略的に示す図である。この構造では、シール層ＳＳは、複数の枠状パターンを入れ子状に配置してなるものでなく、１つの枠状パターンのみからなる。この構造は、図１１及び図１３の構造と比較して、シール層ＳＳの形成が容易である。
【実施例】
【００８５】
以下、本発明の例を説明する。
【００８６】
（例１）
本例では、以下に説明する方法により、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰを６枚製造した。なお、本例では、表示領域の対角寸法を３．５インチ（約８．９ｃｍ）とした。
【００８７】
まず、長方形のガラス基板を準備した。このガラス基板の一方の主面を２４個のアレイ基板領域に区画し、各アレイ基板領域上に基板ＳＵＢを除くアレイ基板ＡＳの構成要素を形成した。
【００８８】
具体的には、ガラス基板の各アレイ基板領域上に、図３に示すアンダーコート層ＵＣから隔壁絶縁層ＰＩまでの構成要素を形成した。
【００８９】
次に、真空蒸着法により、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に有機物層ＯＲＧを形成した。有機物層ＯＲＧは、正孔輸送層と発光層とで構成した。具体的には、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に、正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さ２００ｎｍの層を形成した。そして、正孔輸送層上に、発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ3）からなる厚さ５０ｎｍの層を形成した。なお、この発光層は、電子輸送層を兼ねている。
【００９０】
続いて、真空蒸着法により、有機物層ＯＲＧ上に、図示しない電子注入層として、マグネシウムと銀との合金からなる厚さ２ｎｍの層を形成した。さらに、平行平板マグネトロンスパッタリング装置を用いて、電子注入層上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる厚さ１００ｎｍの対向電極ＣＥを形成した。以上のようにして、割断前のアレイ基板（以下、大判アレイ基板という）を完成した。
【００９１】
なお、正孔輸送層の成膜を開始してから対向電極ＣＥの成膜を終了するまでの期間に亘り、基板ＳＵＢの周囲環境は、酸素濃度及び水蒸気濃度の双方を１ｐｐｍ以下とした窒素雰囲気又は真空に維持した。
【００９２】
次に、長方形のガラス基板を準備し、このガラス基板の一方の主面を２４個の封止基板領域に区画した。そして、各封止基板領域上に、図３及び図５に示す枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３を形成した。
【００９３】
具体的には、ガラス基板上にマスクを設置した。そして、サンドブラスト法により、各封止基板領域に、長方形状の凹部と、これを取り囲んだ枠形状の溝と、この溝を取り囲んだ枠形状の溝とを形成した。凹部及び溝の深さは０．３ｍｍとし、各溝の幅は１ｍｍとした。凹部の寸法は７２ｍｍ×５４ｍｍとし、凹部と内側の溝との間の距離は０．３ｍｍとし、内側の溝と外側の溝との間の距離は０．３ｍｍとした。以上のようにして、割断前の封止基板（以下、大判封止基板という）を完成した。
【００９４】
次に、ディスペンサを用いて、各封止基板領域に設けた外側の溝内に、ゼオライトを主成分として含有した分散液を塗布した。分散液の塗布は、枠形状の塗膜が形成されるように行った。また、１つの溝には、７ｍｍ3の分散液を供給した。その後、大判封止基板を２５０℃で４時間の熱処理に供した。このようにして、乾燥剤ＤＳ２としてゼオライトを含んだ第２乾燥剤層を形成した。
【００９５】
次いで、各封止基板領域に設けた内側の溝の底面に、酸化カルシウムを主成分として含有した帯形状のシートを貼り付けた。これらシートは、溝に対応して枠形状のパターンを形成するように貼り付けた。また、１つの溝に貼り付けたシートの総面積は４５ｍｍ2とした。このようにして、乾燥剤ＤＳ１として酸化カルシウムを含んだ第１乾燥剤層を形成した。
【００９６】
図１５は、例１で形成した第１乾燥剤層と第２乾燥剤層との吸着性能の比較を示すグラフである。図１５に示すデータは、総面積が９０ｍｍ2のシートからなる第１乾燥剤層と１４ｍｍ3の分散液を用いて形成した第２乾燥剤層との各々を低湿度の真空環境中に放置し、乾燥剤層の質量増加を測定することにより得られたものである。
【００９７】
図１５において、横軸は、第１及び第２乾燥剤層を低湿度の真空環境中に放置した時間を示し、縦軸は、第１及び第２乾燥剤層の質量増加を吸着水分量として示している。また、図中、曲線Ｃ１は第１乾燥剤層について常温条件のもとで得られたデータであり、曲線Ｃ２は第２乾燥剤層について常温条件のもとで得られたデータである。
【００９８】
図１５から分かるように、本例では、２０分経過後における吸着水分量と第２乾燥剤層の吸着水分量とはほぼ等しくなるように、第１及び第２乾燥剤層を形成した。
【００９９】
第１及び第２乾燥剤層を形成した後、大判封止基板の各封止基板領域上に、枠形状の紫外線硬化樹脂層を形成した。次いで、紫外線硬化型貼合せ装置を用いて、大判アレイ基板と大判封止基板との貼り合せ及び紫外線硬化樹脂層の硬化を行った。この貼り合せは、真空中で行った。
【０１００】
さらに、大判封止基板を各封止基板領域の輪郭に沿って割断すると共に、大判アレイ基板を各アレイ基板領域の輪郭に沿って割断した。以上のようにして、６枚の表示パネルＤＰを得た。
【０１０１】
（例２）
本例では、第１及び第２乾燥剤層の配置を例１とは逆にした６枚の表示パネルＤＰを、以下の方法により製造した。  
まず、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板と大判封止基板とを準備した。
【０１０２】
次に、ディスペンサを用いて、各封止基板領域に設けた内側の溝内に、ゼオライトを主成分として含有した分散液を塗布した。分散液の塗布は、枠形状の塗膜が形成されるように行った。また、１つの溝には、７ｍｍ3の分散液を供給した。その後、大判封止基板を２５０℃で４時間の熱処理に供した。このようにして、乾燥剤ＤＳ２を含んだ第２乾燥剤層を形成した。
【０１０３】
次いで、各封止基板領域に設けた外側の溝の底面に、酸化カルシウムを主成分として含有した帯形状のシートを貼り付けた。これらシートは、溝に対応して枠形状のパターンを形成するように貼り付けた。また、１つの溝に貼り付けたシートの総面積は４５ｍｍ2とした。このようにして、乾燥剤ＤＳ１を含んだ第１乾燥剤層を形成した。
【０１０４】
その後、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板と大判封止基板との貼り合せ及びそれらの割断等を行った。以上のようにして、６枚の表示パネルＤＰを得た。
【０１０５】
（例３）
本例では、枠状部ＰＲ１と第１乾燥剤層とを省略し、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の溝の幅を２ｍｍとした。そして、第２乾燥剤層を形成するために各溝に供給する分散液の量を２倍にした。本例では、これ以外は例１で説明したのと同様の方法により６枚の表示パネルＤＰを製造した。  
具体的には、まず、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板を準備した。
【０１０６】
次に、枠状部ＰＲ１を省略し且つ枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の溝の幅を２ｍｍとしたこと以外は例１で説明したのと同様の方法により、大判封止基板を準備した。なお、本例では、各封止基板領域に設けた長方形状凹部は７２ｍｍ×５４ｍｍとし、長方形状凹部とこれを取り囲む枠形状の溝との間の距離は０．３ｍｍとした。
【０１０７】
次に、ディスペンサを用いて、各封止基板領域に設けた外側の溝内に、ゼオライトを主成分として含有した分散液を塗布した。分散液の塗布は、枠形状の塗膜が形成されるように行った。また、１つの溝には、１４ｍｍ3の分散液を供給した。その後、大判封止基板を２５０℃で４時間の熱処理に供した。このようにして、乾燥剤ＤＳ２を含んだ第２乾燥剤層を形成した。
【０１０８】
その後、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板と大判封止基板との貼り合せ及びそれらの割断等を行った。以上のようにして、６枚の表示パネルＤＰを得た。
【０１０９】
（例４）
本例では、枠状部ＰＲ２と第２乾燥剤層とを省略し、枠状部ＰＲ１及びＰＲ３間の溝の幅を２ｍｍとした。そして、２倍のシートを用いて第１乾燥剤層を形成した。本例では、これ以外は例１で説明したのと同様の方法により６枚の表示パネルＤＰを製造した。  
具体的には、まず、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板を準備した。
【０１１０】
次に、枠状部ＰＲ２を省略し且つ枠状部ＰＲ１及びＰＲ３間の溝の幅を２ｍｍとしたこと以外は例１で説明したのと同様の方法により、大判封止基板を準備した。なお、本例では、大判封止基板に関する各種寸法は例３と同様とした。
【０１１１】
次に、各封止基板領域に設けた内側の溝の底面に、酸化カルシウムを主成分として含有した帯形状のシートを貼り付けた。これらシートは、溝に対応して枠形状のパターンを形成するように貼り付けた。また、１つの溝に貼り付けたシートの総面積は９０ｍｍ2とした。このようにして、乾燥剤ＤＳ１を含んだ第１乾燥剤層を形成した。
【０１１２】
その後、例１で説明したのと同様の方法により、大判アレイ基板と大判封止基板との貼り合せ及びそれらの割断等を行った。以上のようにして、６枚の表示パネルＤＰを得た。
【０１１３】
次に、これら表示パネルＤＰを温度が８５℃であり且つ相対湿度が８５％の高温高湿度環境中に放置し、ダークスポットの発生を目視で調べた。その結果を以下の表１に纏める。
【表１】
2009026505.tif 000003
【０１１４】
表１には、ダークスポットを生じた表示パネルＤＰの割合を、高温高湿度環境中への表示パネルＤＰの放置を開始してからの経過時間毎に記載している。なお、表１において、「第１吸着剤層」と表記した列の各欄には、第１吸着剤層を形成するのに使用した分散液の量を記載し、「第２吸着剤層」と表記した列の各欄には、第２吸着剤層を形成するのに使用したシートの総面積を記載している。
【０１１５】
表１に示すように、吸着剤ＤＳ１及びＤＳ２の双方を使用した場合、吸着剤ＤＳ１及びＤＳ２の一方のみを使用した場合と比較して、ダークスポットの発生を抑制することができた。また、内側の溝内に第１吸着剤層を形成し且つ外側の溝内に第２吸着剤層を形成した場合、内側の溝内に第２吸着剤層を形成し且つ外側の溝内に第１吸着剤層を形成した場合と比較して、ダークスポットの発生を抑制する効果が大きかった。
【０１１６】
（例５）
図１６は、例５に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。  
図１６に示す表示パネルＤＰは、乾燥剤ＤＳ１及びＤＳ２は省略し、その代わりに、枠状部ＰＲ１の内側に乾燥剤ＤＳを設置したこと以外は、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。本例では、図１６に示す表示パネルＤＰにおいて、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３が中空体内部への水蒸気の侵入を妨げる能力を以下の方法で調べた。
【０１１７】
フィックの拡散法則によると、或る空間から水蒸気透過層によって仕切られた他の空間へと拡散する水蒸気の拡散量Ｊは、下記等式（１）で表すことができる。
【数１】
2009026505.tif 000004
【０１１８】
ここで、Ｄは拡散係数であり、Ｗは水蒸気透過層の厚さであり、Δｃは一方の空間と他方の空間との水蒸気濃度の差である。
【０１１９】
枠状部ＰＲ１に囲まれた空間内には、乾燥剤ＤＳを設置している。したがって、簡略化のため、この空間内の水蒸気濃度Ｃ1（ｔ）はゼロであるとする。また、或る時刻ｔにおける枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の空間の水蒸気濃度をＣ2（ｔ）、時刻ｔにおける枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の空間の水蒸気濃度をＣ3（ｔ）とし、表示パネルＤＰの外部空間の水蒸気濃度は一定値ＣEXであるとする。さらに、外部空間から各空間への水蒸気の侵入経路はシール層ＳＳのみであるとし、枠状部ＰＲ１、ＰＲ２及びＰＲ３とアレイ基板ＡＳとの間に介在した部分の幅をそれぞれＷ1、Ｗ2及びＷ3とする。加えて、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の空間から枠状部ＰＲ１に囲まれた空間へと拡散する水蒸気の拡散量をＪ1、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の空間から枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の空間へと拡散する水蒸気の拡散量をＪ2、外部空間から枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の空間へと拡散する水蒸気の拡散量をＪ3とする。こうすると、拡散量Ｊ1乃至Ｊ3は、それぞれ、下記等式（２）乃至（４）で表すことができる。なお、Ｄ1乃至Ｄ3は拡散係数である。
【数２】
2009026505.tif 000005
【０１２０】
また、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の空間の容積をＶ2、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の空間の容積をＶ3とする。そして、枠状部ＰＲ１の内周と外周との平均をＬ1、枠状部ＰＲ２の内周と外周との平均をＬ2、枠状部ＰＲ３の内周と外周との平均をＬ3とし、シール層ＳＳの厚さをＨsとする。こうすると、水蒸気濃度Ｃ2（ｔ）及びＣ3（ｔ）の微分は、下記等式（５）及び（６）で表すことができる。
【数３】
2009026505.tif 000006
【０１２１】
アレイ基板ＡＳから平板部ＦＰまでの距離をＨpsとし、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２間の距離をＷ12とし、枠状部ＰＲ２及びＰＲ３間の距離をＷ23とする。そして、枠状部ＰＲ１の外周と枠状部ＰＲ２の内周との平均をＬ12とし、枠状部ＰＲ２の外周と枠状部ＰＲ３の内周との平均をＬ23とする。そして、長さＬ1、Ｌ2、Ｌ3、Ｌ12及びＬ23は、互いに等しいとする。こうすると、上記の等式（５）及び（６）は、下記等式（７）及び（８）に簡略化することができる。
【数４】
2009026505.tif 000007
【０１２２】
ここで、拡散係数Ｄ1乃至Ｄ3は、何れも値Ｄであるとする。また、簡略化のため、幅Ｗ1、Ｗ2及びＷ3は何れも値Ｗaであるとし、距離Ｗ12及びＷ23は何れも値Ｗbであるとする。こうすると、上記の等式（２）乃至（４）、（７）及び（８）から、下記等式（９）を得ることができる。なお、等式（９）中のαは、等式（１０）によって定義される。
【数５】
2009026505.tif 000008
【０１２３】
次に、枠状部ＰＲ１を省略した場合について考える。この場合、上記の等式（３）、（４）及び（８）から、下記等式（１１）を得ることができる。なお、ここでは、等式（３）における水蒸気濃度ｃ2（ｔ）はゼロとする。
【数６】
2009026505.tif 000009
【０１２４】
次に、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２を省略した場合を考える。この場合、上記の等式（４）から、下記等式（１２）を得ることができる。なお、ここでは、等式（４）における水蒸気濃度ｃ3（ｔ）はゼロとする。
【数７】
2009026505.tif 000010
【０１２５】
上記の等式（９）、（１１）及び（１２）を用いて、枠状部の数と拡散量との関係を調べた。その結果を、図１７に示す。
【０１２６】
図１７は、枠状部の数と拡散量との関係の例を示すグラフである。図１７には、以下の条件のもとで得られたデータを示している。水蒸気（水分子）濃度ｃEXは、８５℃における相対湿度が８５％である場合を想定して、９．９４５×１０24個／ｍ3とした。拡散係数Ｄは、幅Ｗaが１ｍｍの場合に等式（１２）から得られる拡散量Ｊ3を１×１０23個／ｍ2／ｄａｙとする値に設定した。厚さＨsは２μｍとし、距離Ｈpsは３００μｍとした。そして、拡散量Ｊ1及びＪ2は、距離Ｗbが１ｍｍである場合と、距離Ｗbが５ｍｍである場合との双方について算出した。
【０１２７】
図１７において、横軸は経過時間を示し、縦軸は拡散量を示している。図中、曲線Ｃa１は、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３の全てを設け且つ距離Ｗbを１ｍｍとした場合に得られたデータである。曲線Ｃa１は、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３の全てを設け且つ距離Ｗbを５ｍｍとした場合に得られたデータである。曲線Ｃb１は、枠状部ＰＲ１を省略し且つ距離Ｗbを１ｍｍとした場合に得られたデータである。曲線Ｃb１は、枠状部ＰＲ１を省略し且つ距離Ｗbを５ｍｍとした場合に得られたデータである。曲線Ｃcは、枠状部ＰＲ１及びＰＲ２を省略した場合に得られたデータである。
【０１２８】
図１７に示すように、枠状部の数を増やすと、表示領域に対応した空間への水蒸気の侵入を遅延させる効果が大きくなる。また、この効果は、枠状部間の空間を大きくするほど大きくなる。
【０１２９】
（例６）
本例では、例５において計算によって確認した効果を、以下に説明する実験により再確認した。
【０１３０】
まず、一方の主面にＩＴＯからなる導体パターンが形成されると共に一辺が３０ｍｍの正方形状を有しているガラス基板を準備した。ガラス基板上の導体パターンは、幅が１５ｍｍの帯状の第１導体層と、幅が５ｍｍの帯状の第２導体層である。後述するように、第１導体層は有機ＥＬ素子の陽極として使用し、第２導体層は有機ＥＬ素子の陰極に接続した。
【０１３１】
次に、この基板を、中性洗剤を用いた洗浄及び純水を用いた洗浄に順次供した。その後、この基板を、１５０℃で５時間以上乾燥させ、さらに、紫外線洗浄に供した。
【０１３２】
次いで、真空蒸着法により、第１導体層上に、正孔輸送層として、α−ＮＰＤからなる厚さ２００ｎｍの層を形成した。そして、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、発光層として、Ａｌｑ3からなる厚さ５０ｎｍの層を形成した。なお、この発光層は、電子輸送層を兼ねている。
【０１３３】
続いて、真空蒸着法により、発光層上に、電子注入層として、弗化リチウムからなる厚さ１０ｎｍの層を形成した。さらに、真空蒸着法により、電子注入層上に、アルミニウムからなる厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。陰極は、第２導体層と接続した。以上のようにして、各ガラス基板上に有機ＥＬ素子を形成した。以下、これら基板を素子基板と呼ぶ。
【０１３４】
次に、図５に示す封止基板ＣＳに、酸化カルシウムを主成分として含有した厚さ２００μｍの粘着シートを貼り付けた。この粘着シートは、封止基板ＣＳの平板部ＦＰ上であって枠状部ＰＲ１に囲まれた領域内に設置した。なお、封止ガラス基板ＣＳは、一辺が３ｃｍの正方形状のガラス基板上に低融点ガラスを用いて枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３を形成することにより得られたものである。また、ここでは、粘着シートの面積は１００ｍｍ2とした。
【０１３５】
次いで、枠状部ＰＲ１乃至ＰＲ３上に接着剤を塗布し、先の素子基板の１枚と封止基板ＣＳとを、有機ＥＬ素子が封止基板と向き合うように貼り合せた。その後、接着剤を硬化させて厚さ２μｍのシール層とすることにより、表示パネルを完成した。以下、この表示パネルを表示パネルＡと呼ぶ。
【０１３６】
粘着シートの面積を２５ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＢと呼ぶ。
【０１３７】
粘着シートの面積を４ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＣと呼ぶ。
【０１３８】
粘着シートを省略したこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＤと呼ぶ。
【０１３９】
枠状部ＰＲ１を省略したこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＥと呼ぶ。
【０１４０】
枠状部ＰＲ１を省略し且つ粘着シートの面積を２５ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＦと呼ぶ。
【０１４１】
枠状部ＰＲ１を省略し且つ粘着シートの面積を４ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＧと呼ぶ。
【０１４２】
枠状部ＰＲ１及び粘着シートを省略したこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＨと呼ぶ。
【０１４３】
枠状部ＰＲ１及びＰＲ２を省略したこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＩと呼ぶ。
【０１４４】
枠状部ＰＲ１及びＰＲ２を省略し且つ粘着シートの面積を２５ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＪと呼ぶ。
【０１４５】
枠状部ＰＲ１及びＰＲ２を省略し且つ粘着シートの面積を４ｍｍ2としたこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＫと呼ぶ。
【０１４６】
枠状部ＰＲ１及びＰＲ２並びに粘着シートを省略したこと以外は表示パネルＡに関して説明したのと同様の方法により表示パネルを製造した。以下、この表示パネルを表示パネルＬと呼ぶ。
【０１４７】
次に、これら表示パネルＡ乃至Ｌを温度が８５℃であり且つ相対湿度が８５％の高温高湿度環境中に放置した。そして、高温高湿度環境中への放置を開始してから２０時間、５０時間、１００時間、２５０時間、５００時間、７５０時間、１０００時間、１５００時間、２０００時間経過後に各表示パネルを点灯して、ダークスポットの発生を目視で調べた。その結果を以下の表２に纏める。
【表２】
2009026505.tif 000011
【０１４８】
表２には、「時間」と表記した列の各欄に、高温高湿度環境中への表示パネルＤＰの放置を開始してからダークスポットを生じるまでの時間を記載しており、「発生せず」はダークスポットが発生しなかったことを示している。また、「吸着剤層」と表記した列の各欄には、使用した粘着シートの面積を記載している。
【０１４９】
表２に示すように、枠状部の数を増やすと、ダークスポットの発生を抑制する効果が大きくなった。また、枠状部の数を増やすと、少量の吸着剤でダークスポットの発生を十分に抑制できた。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図３に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図。
【図５】図２に示す表示パネルの封止基板を概略的に示す斜視図。
【図６】温度が吸着水分量に与える影響の例を示すグラフ。
【図７】図２に示す表示パネルの一変形例を概略的に示す平面図。
【図８】図７に示す表示パネルのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図。
【図９】図２に示す表示パネルの他の変形例を概略的に示す平面図。
【図１０】図９に示す表示パネルのＸ−Ｘ線に沿った断面図。
【図１１】図３に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図。
【図１２】図１１に示す構造の一変形例を示す断面図。
【図１３】図１１に示す構造の他の変形例を示す断面図。
【図１４】図１１に示す構造のさらに他の変形例を概略的に示す図。
【図１５】例１で形成した第１乾燥剤層と第２乾燥剤層との吸着性能の比較を示すグラフ。
【図１６】例５に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【図１７】枠状部の数と拡散量との関係の例を示すグラフ。
【符号の説明】
【０１５１】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、Ｃ１…曲線、Ｃ１Ｈ…曲線、Ｃ１Ｌ…曲線、Ｃ２…曲線、Ｃ２Ｈ…曲線、Ｃ２Ｌ…曲線、Ｃa１…曲線、Ｃa２…曲線、Ｃb１…曲線、Ｃb２…曲線、Ｃc…曲線、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＤＳ…乾燥剤、ＤＳ１…乾燥剤、ＤＳ２…乾燥剤、ＦＰ…平板部、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＲ１…枠状部、ＰＲ２…枠状部、ＰＲ３…枠状部、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2009026505.tif 000012
【図２】
2009026505.tif 000013
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2009026505.tif 000026
【図１６】
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【図１７】
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