(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法に関し、リード出力信号の非対称性をライト素子起因とリード素子起因とに原因を分離して評価する。【解決手段】被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントをすべて反転させるのに十分な大きさの磁界を発生させることが可能な飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、非対称性Ａasymを計測する。被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントが飽和状態とならない大きさの磁界を発生させる未飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、非対称性Ｂasymを計測する。非対称性Ａasymと非対称性Ｂasymとの差分Ｃasymをライト素子に起因する非対称性成分とし、非対称性Ａasymをリード素子に起因による非対称性成分とする。【選択図】図１
2009026389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体にテストデータを書き込む際に、被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントをすべて反転させるのに十分な大きさの磁界を発生させることが可能な飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、前記テストデータを前記被試験磁気ヘッドのリード素子で読み出したリード出力信号のプラス側の振幅値とマイナス側の振幅値の差で定義される非対称性Ａasymを計測したのち、前記被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントが飽和状態とならない大きさの磁界を発生させる未飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、前記テストデータを前記リード素子で読み出したリード出力信号の非対称性Ｂasymを計測し、前記非対称性Ａasymと前記非対称性Ｂasymとの差分Ｃasymを前記ライト素子に起因する非対称性成分とし、前記非対称性Ａasymをリード素子に起因による非対称性成分として、リード素子に起因する非対称性成分Ａasymとライト素子に起因する非対称成分Ｃasymを分離して検出することを特徴とする磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法。
【請求項２】
上記飽和状態電流値に設定する際に、上記ライト素子に印加するパルス電流振幅値を変えながら、ヘッド特性を計測し、計測した特性値が変動しなくなるパルス電流振幅値以上の振幅値を飽和状態電流値と定義し、それ未満の振幅値を未飽和状態電流値と定義して、前記定義した飽和状態電流値を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法。
【請求項３】
上記飽和状態電流値を定義するヘッド特性がリード信号振幅値であり、検出したリード信号振幅値が前回検出したリード信号振幅値と比較して、５．０％以下の増加の場合に飽和状態電流値と判定することを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法。
【請求項４】
上記飽和状態電流値を定義するヘッド特性がオーバーライト特性であり、検出したリード信号振幅値から求めたオーバーライト特性が、前回検出したリード信号振幅値から求めたオーバーライト特性と比較して、２．５％以下の変動の場合に飽和状態電流値と判定することを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法。
【請求項５】
上記各非対称性を測定する前に、信号発生器によって非対称性がゼロである基準信号を生成し、生成した前記基準信号を前記非対称性を測定する測定手段を構成するリード信号処理回路に入力して前記リード信号処理回路の非対称性を測定し、前記測定結果に基づいて、前記リード信号処理回路の非対称性を予め校正しておくことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法に関するものであり、特に、磁気ディスクドライブに用いられるリード素子とライト素子を積層した複合型薄膜磁気ヘッドを構成するリード素子によるリード出力信号の非対称性をライト素子の書込特性の非対称性と分離して評価するための構成に特徴のある磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密に記録された磁気記録媒体への情報の書き込み及び書き込んだ情報の読み出しのためにＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子等のＭＲ（磁気抵抗効果）素子からなるリード素子とライト素子を積層した複合型薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
このような磁気ディスクドライブに用いられる磁気ヘッド素子の試験においては、被試験ヘッド自身で磁気記録媒体に信号を書き、被試験ヘッド自身で書き込んだ信号を読み取り、その読み取り信号でヘッドの特性を評価している。
【０００４】
しかし、試験結果はリード特性とライト特性のトータルとしての試験結果であるため、磁気ヘッドの特性を正確に評価するためには、リード素子とライト素子の特性を個別に評価したいという要望は強い。
【０００５】
ヘッド素子の特性の評価指標としては様々な指標があるが、複合型薄膜磁気ヘッドを構成するＭＲ素子からなるリード素子にはリード出力信号に出力波形の上下（プラス側とマイナス側）に非対称性が現れるため、リード出力信号の非対称性の評価が重要になる。
【０００６】
この場合、ライト素子で磁気記録媒体上にテストデータを書き込み、それをリード素子で読み出した信号振幅のプラス側振幅とマイナス側振幅の非対称性を調べ、非対称性が小さいほど特性が良いと評価するもので、リード素子として用いられるＧＭＲ素子或いはＴＭＲ素子等のＭＲ素子の特性評価を行うものである。
【０００７】
この非対称性はデータ復調時に誤差を増加させて、エラートレースの悪化を招くことになるため、リード出力信号の非対称性の評価が重要になるものである。
この非対称性はＭＲ素子の製造に起因している場合が多いため、この非対称性を少なくするためには、製造工程の管理の強化や、個々の磁気ヘッド毎にバイアス磁界を調整する等が必要になる（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
特に、近年の磁気ディスクは高密度化が進むにつれて磁気記録媒体の磁気記録膜に用いる磁性材料の保持力が高くなり、磁気ヘッド素子に高い書き込み能力が要求されるようになってきているが、磁気ヘッドのライト素子に使われる磁性材料の特性改善が頭打ちになりつつあり、磁気記録媒体特性を基準にした場合、ライト素子の特性が十分に得られなくなりつつある。
そのため、磁気ディスクの標準的な駆動条件下での書き込み電流条件では、１ビット領域の磁気モーメントが飽和状態となりにくくなり、未飽和状態となってしまう場合がある。
【０００９】
そのような状態で、非対称性を求めるためにテストデータを書き込む際に、ヘッド駆動回路での書き込み電流パルスに非対称性が発生した場合、磁気記録媒体には一様なテストパターンが書き込まれない可能性が大きくなる。
例えば、プラス側に比べてマイナス側の未飽和領域が大きい場合、リード素子の特性によらず非対称性が現れてしまうことになる。
【特許文献１】特開平１０−３２０７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、テストデータは被試験ヘッド自体のライト素子を用いて磁気記録媒体に書き込まれるため、リード出力信号にライト素子特性の影響が含まれてしまっている可能性があるが、そのライト特性とリード特性を分離して評価することができなかったため、計測した非対称性がリード素子に起因するものなのか、ライト素子に起因するものなのか判断することが困難であるという問題がある。
【００１１】
したがって、本発明は、リード出力信号の非対称性をライト素子起因とリード素子起因とに原因を分離して評価することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、磁気ヘッドのリード出力信号の非対称性測定方法において、磁気記録媒体にテストデータを書き込む際に、被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントをすべて反転させるのに十分な大きさの磁界を発生させることが可能な飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、前記テストデータを前記被試験磁気ヘッドのリード素子で読み出したリード出力信号のプラス側の振幅値とマイナス側の振幅値の差で定義される非対称性Ａasymを計測したのち、前記被試験磁気ヘッドのライト素子に印加するパルス電流振幅値を１ビット領域に含まれる磁気モーメントが飽和状態とならない大きさの磁界を発生させる未飽和状態電流値に設定してテストデータを書き込み、前記テストデータを前記リード素子で読み出したリード出力信号の非対称性Ｂasymを計測し、前記非対称性Ａasymと前記非対称性Ｂasymとの差分Ｃasymを前記ライト素子に起因する非対称性成分とし、前記非対称性Ａasymをリード素子に起因による非対称性成分として、リード素子に起因する非対称性成分Ａasymとライト素子に起因する非対称成分Ｃasymを分離して検出することを特徴とする。
【００１３】
このように、磁気記録媒体にテストデータを書き込む際に、飽和状態電流値を印加することによって、テストデータ内の磁気モーメントを確実に反転させ、リード出力信号におけるプラス側とマイナス側の磁気モーメントを均等にすることで、ライト素子起因を除去することができ、それによって、リード素子自体の非対称性特性をライト素子から分離して計測することが可能となる。
【００１４】
この場合、飽和状態電流値を定義する際に、上記ライト素子に印加するパルス電流振幅値を変えながら、ヘッド特性を計測し、計測した特性値が変動しなくなるパルス電流振幅値以上の振幅値を飽和状態電流値と定義し、それ未満の振幅値を未飽和状態電流値と定義して、このように定義した飽和状態電流値を用いることが望ましく、それによって、ライト素子特性を除去したテストパターンの書き込みが可能になる。
【００１５】
この場合の飽和状態電流値を定義する際のヘッド特性としてはリード信号振幅値を用い、検出したリード信号振幅値が前回検出したリード信号振幅値と比較して、５．０％以下の増加の場合に飽和状態と判定しても良い。
【００１６】
或いは、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を用いても良く、検出したリード信号振幅値から求めたＯ／Ｗ特性が、前回検出したリード信号振幅値から求めたＯ／Ｗ特性と比較して、２．５％以下の変動の場合に飽和状態と判定しても良い。
【００１７】
また、各非対称性を測定する前に、信号発生器によって非対称性がゼロである基準信号を生成し、生成した前記基準信号を前記非対称性を測定する測定手段を構成するリード信号処理回路に入力して前記リード信号処理回路の非対称性を測定し、測定した前記リード信号処理回路の非対称性を予め校正しておくことが望ましく、それによって、リード出力信号におけるリード信号処理回路の持つ電気的な非対称性を除くことができるので、リード素子自体の非対称性特性を正確に評価することが可能になる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、リード出力信号におけるリード素子起因の非対称成分とライト素子起因の非対称成分の特性を分離して測定することが可能となり、ヘッド素子の設計或いは製造工程へのフィードバックを適性に行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、図２乃至図５を参照して、発明を実施するための最良の形態を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施の形態の前段となる飽和状態電流値を測定するためのフローチャートであり、まず、
ａ．ライト磁界を発生させるためにライト素子に流すパルス電流値を初期値に設定する。    次いで、
ｂ．設定した電流値によりテストパターンを書き込む。次いで、
ｃ．リード素子で書き込んだテストパターンを読み出す。次いで、
ｄ．リード素子からリード出力信号をリード信号処理回路に入力して信号振幅値を検出す    る。次いで、
ｅ．信号振幅値が飽和しているか否かを検出する。
即ち、検出した信号振幅値が前回検出した信号振幅値と比較して、５．０％以下の    増加の場合に、飽和状態と判定する。
ｆ．判定の結果、未飽和状態となった場合には、パルス電流値を更新してｂ〜ｆの工程を    飽和状態と判定されるまで繰り返す。
【００２０】
図３参照  
図３は、パルス電流の振幅値を変えながらテストパターンを書き込んだ場合のリード信号振幅値のパルス電流振幅値依存性の説明図であり、上述のように、検出したリード信号振幅値が前回検出したリード信号振幅値と比較して、５．０％以下の増加の場合に、飽和状態と定義する。
【００２１】
なお、飽和状態の判定は、リード出力振幅値に限られるものではなく、他の計測データ等を用いても良く、例えば、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を用いても良く、検出したリード信号振幅値から求めたＯ／Ｗ特性が前回検出したリード信号振幅値から求めたＯ／Ｗ特性と比較して、２．５％以下の変動の場合に飽和状態と定義する。
【００２２】
このＯ／Ｗ特性の測定に際しては、ライト素子で磁気記録媒体に低周波数で信号を書き込み、リード素子で信号を再生し、再生した信号をフーリエ変換して信号波形の波数のピーク位置とその強度（出現頻度）を取得する。
【００２３】
次に、低周波数で信号の書き込まれた磁気記録媒体にライト素子で高周波数で信号を上書きし、リード素子で信号を再生し、再生した信号をフーリエ変換し、フーリエ変換された高周波信号波形について、低周波信号波形の波数のピーク位置と同じ位置の強度（出現頻度）を取得し、その強度比をＯ／Ｗ特性値とする。
【００２４】
このＯ／Ｗ特性値を電流値（振幅）を徐々に変化させながら測定し、上述のように検出したリード信号振幅値が前回検出したリード信号振幅値と比較して、予め設定した値より増加が小さい場合に、飽和状態と定義する。
【００２５】
図４参照  
図４は、飽和状態と未飽和状態の概念的説明図であり、左図に示すように、ライト磁界によって１ビット領域の全ての磁気モーメントが同一方向を向いている状態を飽和状態と定義し、右図に示すように一部の磁気モーメントが別方向を向いている場合を未飽和状態と定義しする。
【００２６】
再び、図２参照  
次いで、上記ｅにおいて、検出した信号振幅値が前回検出した信号振幅値と比較して、  ５．０％以下の増加の場合に、
ｇ．飽和状態電流値が検出されたとする。次いで、
ｈ．その飽和状態電流値を出力して、飽和状態電流値検出工程を終了する。
【００２７】
図５参照  
図５は、本発明の実施の形態のリード出力信号の非対称性評価方法のフローチャートであり、まず、
Ａ．ライト素子に印加するパルス電流を予め測定した飽和状態電流値に設定する。次いで    、
Ｂ．飽和状態電流値でデータパターンを書き込む。次いで、
Ｃ．リード素子でデータパターンを読み取る。次いで、
Ｄ．読み取ったリード出力信号における非対称性Ａasymを検出し、リード素子の非対称性    と定義する。次いで、
Ｅ．ライト素子に印加するパルス電流を未飽和状態電流値に設定する。次いで、
Ｆ．未飽和状態電流値でデータパターンを書き込む。次いで、
Ｇ．リード素子でデータパターンを読み取る。次いで、
Ｈ．読み取ったリード出力信号における非対称性Ｂasymを検出する。次いで、
Ｉ．非対称性Ａasym及び非対称性Ｂasymから非対称性Ｃasym（＝Ａasym−Ｂasym）を算出    し、非対称性Ｃasymをライト素子の非対称性と定義する。最後に、
Ｊ．測定結果、Ａasym及びＣasymを出力する。
【実施例１】
【００２８】
以上のフローを前提として、ここで、図６及び図７を参照して、本発明の実施例１のリード出力信号の非対称性評価方法を説明する。
図６参照  
図６は、本発明の実施例１のリード出力信号の非対称性測定方法における測定システムの概略図である。
この測定システムは、磁気記録媒体１１、磁気記憶媒体１１を回転自在に支持するスピンスタンド１２、磁気記録媒体１１へのパターンデータの書き込み及び読み取りを行う被試験磁気ヘッド１３、被試験磁気ヘッド１３を駆動するヘッド駆動回路１４、ヘッド駆動回路１４にライト信号を出力するライト信号生成回路１５、ヘッド駆動回路１４からのリード出力信号を処理するリード信号処理回路１６、及び、ライト信号生成回路１５およびリード信号処理回路１６の動作を制御する制御計算機１７からなる。
この他にも必要とされる回路等が付加される場合もあるが、本発明における実施例には直接関連がないため記述を省略する。
【００２９】
測定に際しては、ライト信号生成回路１５において、予め測定した飽和状態電流値でテストパターンを生成し、ヘッド駆動回路１４に出力され、ヘッド駆動回路１４からはテストパターンに応じた飽和状態電流値の電流パルスが発生され、被試験磁気ヘッド１３を構成するライト素子のライトコイルに印加され、スピンスタンド１２に取り付けられた磁気記録媒体１１上に、テストパターンが書き込まれる。
次に、被試験磁気ヘッド１３のリード素子により、テストパターンが読み取られ、リード信号処理回路１６に送られる。
【００３０】
図７参照  
図７は、リード信号処理回路に送られたリード出力信号例であり、リード出力信号の非対称性は、プラス側の振幅の絶対値ＶOP+ とマイナス側の振幅の絶対値ＶOP- の差で表されるが、一般には全振幅ＶPP（＝ＶOP+ ＋ＶOP- ）で規格化された、
Ａasym〔％〕＝（ＶOP+ −ＶOP- ）／ＶPP
で表す。
【００３１】
この非対称性Ａasymは、飽和状態電流値の電流パルスにより一様に均一に書き込まれたテストデータのリード出力信号の非対称性であるので、ライト素子の非対称性には依存せず、したがって、リード素子だけの非対称性を表していることになる。
【００３２】
即ち、テストパターンを書き込む際に、ヘッド駆動回路１４での書き込み電流パルスに非対称性が発生した場合、磁気記録媒体１１には一様なテストパターンが書き込まれない可能性が大きくなる。
例えば、プラス側に比べてマイナス側の未飽和領域が大きい場合、リード素子の特性によらず、非対称性が現れてしまうことになるが、飽和状態電流値の電流パルスにより書き込みを行えば非対称性はなくなる。
【００３３】
次に、飽和状態電流値以下の未飽和状態電流値、典型的には、磁気ディスクの標準的な書き込み駆動条件におけるパルス電流値に設定して、磁気記録媒体１１上にテストパターンを書き込み、次いで、被試験磁気ヘッド１３のリード素子によりテストパターンを読み取ってリード信号処理回路１６に送る。
この場合の非対称性Ｂasymも、プラス側の振幅の絶対値NSＶOP+ とマイナス側の振幅の絶対値NSＶOP- の差で表されるが、一般には全振幅NSＶPP（＝NSＶOP+ ＋NSＶOP- ）で規格化された、
Ｂasym〔％〕＝（NSＶOP+ −NSＶOP- ）／NSＶPP
で表す。
【００３４】
この書き込み駆動条件においては、近年の磁気ディスクは高密度化に伴う磁気記録媒体の磁気記録膜に用いる磁性材料の高保持力化により、１ビット領域の磁気モーメントが飽和状態となりにくくなり、通常は未飽和状態となっている。
【００３５】
この非対称性Ｂasymにはリード素子特性の他にライト素子特性が含まれることになるため、非対称性Ｂasymから先に計測したリード素子のみの非対称性Ａasymを引くことによって、ライト素子のみの非対称性Ｃasym（＝Ｂasym−Ａasym）が求まる。
【００３６】
このように、本発明の実施例１においては、飽和状態電流値による書き込みと未飽和状態電流値による書き込みの２度の書き込みによるテストデータをその都度ライト素子で読み取って、リート出力信号の非対称性を取得しているので、リード素子のみの非対称性Ａasym及びライト素子のみの非対称性Ｂasymを分離して検出することが可能になる。
【００３７】
なお、この検出結果は、製品出荷の際の良否判定に使用するとともに、非対称性が大きい場合には、ヘッド素子の設計或いは製造工程へのフィードバックする。
また、この検出結果に基づいて、ライト素子の書き込み特性及びリード素子の読み取り特性における非対称性を相殺するようにライト信号生成回路及びリード信号処理回路を校正する。
【実施例２】
【００３８】
次に、図８を参照して、本発明の実施例２のリード出力信号の非対称性評価方法を説明するが、基本的なフローは上記の実施例１と全く同様であるので、リード信号処理回路の校正方法のみを説明する。
【００３９】
図８参照  
図８は、本発明の実施例２のリード出力信号の非対称性測定方法における測定システムの概略図である。
この測定システムは、上記の実施例１と同様に、磁気記録媒体１１、磁気記憶媒体１１を回転自在に支持するスピンスタンド１２、磁気記録媒体１１へのパターンデータの書き込み及び読み取りを行う被試験磁気ヘッド１３、被試験磁気ヘッド１３を駆動するヘッド駆動回路１４、ヘッド駆動回路１４にライト信号を出力するライト信号生成回路１５、ヘッド駆動回路１４からのリード出力信号を処理するリード信号処理回路１６、及び、ライト信号生成回路１５およびリード信号処理回路１６の動作を制御する制御計算機１７から構成されるとともに、基準信号発生器１８を設けたものである。
この実施例２においても、この他にも必要とされる回路等が付加される場合もあるが、本発明における実施例には直接関連がないため記述を省略する。
【００４０】
この基準信号発生器１８においては、非対称性が０の基準信号を発生し、この基準信号ヘッド駆動回路１４を経てリード信号処理回路１５に入力し、リード信号処理回路１５におけるリード出力信号の振幅の非対称性を求めることによって、リード信号処理回路１５自体が持つ非対称性を取得することができる。
このようにして取得した非対称性を相殺するように、リード信号処理回路の特性を校正する。
【００４１】
本発明の実施例２においては、磁気ヘッドのヘッド特性の非対称性を測定する前に、リード信号処理回路自体が持つ非対称性を測定し、リード信号処理回路の特性を校正しているので、ヘッド素子特性の評価精度を向上させることが可能となる。
【００４２】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施例１においては、飽和状態電流値を設定する際のヘッド特性として、リード信号振幅値を用いているが、リード信号振幅値に限られるものではなく、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を用いても良いものである。
【００４３】
さらには、個別に予め測定した電流値を用いる必要はなく、従来の経験に基づいて、磁気記録媒体の磁気記録膜の保磁力とライト素子の磁気特性に応じて飽和状態が実現されていると推定される推定値を用いても良いものである。
この場合、多少、測定結果の信頼性が低下するが、評価工程が簡素化される。
【００４４】
また、上記の実施例１においては、未飽和状態電流値として、磁気ディスクの標準的な書き込み駆動条件におけるパルス電流値を用いているが、このようなパルス電流値に限られるものではなく、上述のように予め測定した飽和状態電流値を下回る値であれば良く、例えば、予め測定した飽和状態電流値の８０％の数値等を採用しても良いものである。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の活用例としては、磁気ディスク装置を構成するリード出力信号の非対称性評価方法が典型的なものであるが、磁気ディスク装置に限られるものではなく、例えば、磁気テープ装置のリード出力信号の非対称性測定方法にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の前段となる飽和状態電流値を測定するためのフローチャートである。
【図３】パルス電流の振幅値を変えながらテストパターンを書き込んだ場合のリード信号振幅値のパルス電流振幅値依存性の説明図である。
【図４】飽和状態と未飽和状態の概念的説明図である。
【図５】本発明の実施の形態のリード出力信号の非対称性評価方法のフローチャートである。
【図６】本発明の実施例１のリード出力信号の非対称性測定方法における測定システムの概略図である。
【図７】リード信号処理回路に送られたリード出力信号例である。
【図８】本発明の実施例２のリード出力信号の非対称性測定方法における測定システムの概略図である。
【符号の説明】
【００４７】
１１  磁気記録媒体
１２  スピンスタンド
１３  被試験磁気ヘッド
１４  ヘッド駆動回路
１５  ライト信号生成回路
１６  リード信号処理回路
１７  制御計算機
１８  基準信号発生器
【図１】
2009026389.tif 000003
【図２】
2009026389.tif 000004
【図３】
2009026389.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009026389.tif 000007
【図６】
2009026389.tif 000008
【図７】
2009026389.tif 000009
【図８】
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