(57)【要約】      （修正有）【課題】炭化珪素基板（ＳｉＣ）の酸化時に、炭化珪素基板の表面欠陥中に浸入する酸素を抑制し、当該表面欠陥を回復することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板１０表面に、窒素を注入する工程と、窒素が注入された前記炭化珪素基板１０表面を熱酸化し、前記炭化珪素基板１０表面に第１酸化膜（ゲート酸化膜２０）を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
2009289895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素基板表面に、窒素を注入する工程と、
窒素が注入された前記炭化珪素基板表面を熱酸化し、前記炭化珪素基板表面に第１酸化膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記炭化珪素基板表面に窒素を注入する深さが、前記第１酸化膜を形成するための炭化珪素基板表面が熱酸化される深さであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記炭化珪素基板表面に窒素を注入する深さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、且つ前記第１酸化膜を形成するための前記炭化珪素基板表面を熱酸化する深さが４０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
窒素を注入する工程前に、炭化珪素基板表面を熱酸化し、第２酸化膜を形成する工程と、
窒素を注入する工程後前記第１酸化膜を形成する工程前に、前記第２酸化膜を除去する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１酸化膜の形成条件が、１１００℃以上１３００℃未満の温度、及び水分を有する酸素雰囲気で熱酸化を行ことを特徴とする請求項１の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１酸化膜上にゲート電極膜を形成した後にパターニングしてゲート電極を形成する工程を、さらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、３Ｃ−ＳｉＣ基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）結晶を用いた半導体デバイスは、Ｓｉ結晶を用いた従来の半導体デバイスと比べて高耐圧、高温動作といった特徴があることから、研究開発が盛んに行われている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
現在、４Ｈ構造の炭化珪素（４Ｈ−ＳｉＣ基板）を用いた素子の量産化に向けた研究開発も盛んに行われてきている。４Ｈ構造のＳｉＣ基板は２０００℃近くの成長温度が必要で、成長雰囲気の温度分布等の不均一性で結晶欠陥が発生しやすいため大口径化が難しく、素子の量産化の大きな障害となっている。
【０００４】
一方で、３Ｃ構造の炭化珪素基板（３Ｃ−ＳｉＣ基板）は、Ｓｉ基板上にヘテロエピ成長することで形成するため大口径化が容易で量産化に向いている。しかし、３Ｃ−ＳｉＣは高品質な結晶成長の技術が確立されておらず、素子開発も進んでいないのが現状である。
【特許文献１】特開２００７−２０１３４３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
３Ｃ−ＳｉＣ基板上に形成されるゲート酸化膜は、Ｓｉ基板上に形成されるものと異なり、熱酸化過程で発生する残留炭素がＳｉＯ２／ＳｉＣ界面特性及び、ゲート酸化膜絶縁特性に悪影響を与える。特に、Ｄｒｙ  Ｏ２で酸化した際、界面に多量の固定電荷・界面準位を形成し、ＭＯＳＦＥＴのスイッチング特性を劣化させる。
【０００６】
これに対し、Ｗｅｔ  Ｏ２で形成した熱酸化膜では、固定電荷・界面準位の生成が抑制されＭＯＳＦＥＴのスイッチング特性が大幅に向上する。
【０００７】
一方、本ゲート酸化の工程は、ＭＯＳＦＥＴのスイッチング特性の他に、素子の逆耐圧特性にも影響することが分かってきた。
【０００８】
ここで、図５は、半導体装置（高耐圧素子）の構造の一例を示している。図５に示す半導体装置１０１（高耐圧素子）は、Ｎ＋炭化珪素基板１０に低濃度Ｎエピ層１０Ａが形成された基板に、Ｐ型拡散層１２（Ｐｗｅｌｌ）、Ｐ＋拡散層１６、Ｎ＋拡散層１４をイオン注入で形成し、上層にゲート酸化膜２０（熱酸化膜）を介してＰｏｌｙ−Ｓｉのゲート電極２２と、Ｎ＋拡散層１４からなるソース領域のコンタクトを介したソース電極２６が形成される。そして、半導体装置１０１（高耐圧素子）は、ドレイン電極２８はＮ＋炭化珪素基板１０の裏面全体に形成されている、Ｎ−ｃｈａｎｎｅｌ  縦型ＭＯＳＦＥＴである。半導体装置１０１（高耐圧素子）は、Ｏｎ時はゲート（ゲート電極２２）に正バイアスが加えられソース電極２６からゲート下のチャネルを介してＰｗｅｌｌ（Ｐ型拡散層１２）−Ｐｗｅｌｌ（Ｐ型拡散層１２）間の低濃度Ｎエピ層１０Ａを通って裏面ドレイン（ドレイン電極２８）に電子が流れる（つまり、電流はこの逆向きに流れる。）。一方、半導体装置１０１（高耐圧素子）は、Ｏｆｆ時はゲート０Ｖ、ソース０Ｖに対してドレインに数１００Ｖから数ｋＶ印加され、Ｐｗｅｌｌ下の低濃度Ｎエピ層１０Ａの空乏層にその高電圧が加わる構造である。
【０００９】
この際、ゲート酸化膜２０はゲート電極２２下だけでなく、コンタクト部分を除く素子表面を覆う膜であり、Ｏｆｆ時のリーク電流及び、耐圧に大きく影響する。
【００１０】
図６は、Ｐｗｅｌｌ／低濃度Ｎエピ層によるＰＮダイオードのリーク特性を示している。１０００℃  Ｄｒｙ  Ｏ２酸化＋１０００℃  Ｗｅｔ  Ｏ２酸化（Ｄｒｙ＆Ｗｅｔ酸化）でゲート酸化膜を形成した場合（図６（Ａ）参照）、ＳｉＯ２／ＳｉＣ界面にグラファイト（炭素）起因する固定電荷／界面準位が存在するため、ＰＮダイオードの表面でリークし、逆方向特性が大幅に劣化していることがわかる。一方、１１７０℃  Ｗｅｔ  Ｏ２酸化（高温Ｗｅｔ酸化）を行った場合（図６（Ｂ）参照）、ＰＮダイオードの表面リークが抑えられて、逆耐圧特性が大幅に向上していることがわかる。ただし、高温Ｗｅｔ酸化の場合も依然としてリーク電流／耐圧バラつきが大きく問題であった。
【００１１】
そこで、本発明の課題は、炭化珪素基板（ＳｉＣ）の酸化時に、炭化珪素基板の表面欠陥中に浸入する酸素を抑制し、当該表面欠陥を回復することができる半導体装置の製造方法を提供することであでる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
炭化珪素基板表面に、窒素を注入する工程と、
窒素が注入された前記炭化珪素基板表面を熱酸化し、前記炭化珪素基板表面に第１酸化膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１３】
請求項２に係る発明は、
前記炭化珪素基板表面に窒素を注入する深さが、前記第１酸化膜を形成するための炭化珪素基板表面が熱酸化される深さであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【００１４】
請求項３に係る発明は、
前記炭化珪素基板表面に窒素を注入する深さが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、且つ前記第１酸化膜を形成するための前記炭化珪素基板表面を熱酸化する深さが４０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【００１５】
請求項４に係る発明は、
窒素を注入する工程前に、炭化珪素基板表面を熱酸化し、第２酸化膜を形成する工程と、
窒素を注入する工程後前記第１酸化膜を形成する工程前に、前記第２酸化膜を除去する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【００１６】
請求項５に係る発明は、
前記第１酸化膜の形成条件が、１１００℃以上１３００℃未満の温度、及び水分を有する酸素雰囲気で熱酸化を行ことを特徴とする請求項１の半導体装置の製造方法。
【００１７】
請求項６に係る発明は、
前記第１酸化膜上にゲート電極膜を形成した後にパターニングしてゲート電極を形成する工程を、さらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、炭化珪素基板（ＳｉＣ）の酸化時に、炭化珪素基板の表面欠陥中に浸入する酸素を抑制し、当該表面欠陥を回復とすることができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成部位の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているにすぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これは好適例の一つにすぎず、従って、何らこれらに限定されない。また、導電型については、Ｎ型の炭化珪素基板を用いる形態を記載したが、Ｐ型であっても構わず、拡散層においても同様である。
【００２０】
図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【００２１】
まず、図１（Ａ）のように、例えば、窒素を高濃度ドープ（例えば１Ｅ＋１８ｃｍ−３）した低抵抗Ｎ型の炭化珪素基板１０（例えば厚み３００μｍ）を準備し、この表面に耐圧スペックに合わせた所望の濃度と膜厚の低濃度Ｎエピ層１０Ａ（低窒素濃度層：例えば厚み２０μｍ）を形成した、炭化珪素基板１０を作製する。
【００２２】
次に、この炭化珪素基板１０の表面（表層領域）に、各種不純物を注入し、Ｐ型拡散層１２（Ｐｗｅｌｌ領域）、Ｎ＋拡散層１４、及びＰ＋拡散層１６を形成する。注入方法としては、例えば、従来のイオンインプランテーション法が挙げられる。また、注入条件としては、Ｐ型拡散層１２の場合、例えば、７００ｋｅＶ、４Ｅ＋１３ｃｍ−２の条件でＡｌ（アルミニウム）イオンの注入、Ｐ＋拡散層１６の場合、例えば、１５０ｋｅＶ、１００ｋｅＶ、７０ｋｅＶ、４０ｋｅＶ、各１Ｅ＋１５ｃｍ−２でＡｌイオンの注入、Ｎ＋拡散層１４の場合、例えば、２００ｋｅＶ、１００ｋｅＶ、７０ｋｅＶ、各５Ｅ＋１４ｃｍ−２でＰ（燐）イオンの注入である。
【００２３】
ここで、炭化珪素基板１０は、高耐圧、及び高温動作の観点から好適な基板である。この基板を構成する炭化珪素としては、例えば、２Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、８Ｈ−ＳｉＣ、１０Ｈ−ＳｉＣ、１５Ｒ−ＳｉＣ等が挙げられる。なお、これらは「Ｒａｍｓｄｅｌｌの表記法」で表したものであり、最初の数字は積層方向（ｃ軸方向）の１周期中に含まれるＳｉ−Ｃ単位層の数であり、後のアルファベットは、Ｃ：立方晶、Ｈ：六方晶、Ｒ：菱面体を表す。前記炭化珪素において、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、１５Ｒ−ＳｉＣは２０００℃以上の高温にて製造され、３Ｃ−ＳｉＣは１８００℃以下の低温で製造することができる。これらの中で、３Ｃ−ＳｉＣは結晶内における電子の走行速度が最も高く（飽和電子速度はＳｉの２．７倍）、かつ従来のＳｉに類似した結晶構造（立方晶）である。従って、高速・高効率・微細化デバイスの製造が可能であり、尚且つ低温にて製造することができるという観点から、３Ｃ−ＳｉＣ基板を用いることが好ましい。
また、３Ｃ−ＳｉＣ基板は、Ｓｉを基板としてＣＶＤ法を用いたヘテロエピタキシャル成長により製造することができるため、大口径化が容易で基板製造コストを他の方法よりも低く抑えることができる。
【００２４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、各拡散層が形成された炭化珪素基板１０の表面（表層領域）を熱酸化（条件：例えば、１０００℃、Ｗｅｔ、３時間）させ、保護酸化膜１８（第２酸化膜：例えば厚み２０ｎｍ）を形成する。そして、保護酸化膜１８が形成された炭化珪素基板１０の表面（表層領域）に、Ｎ２（窒素）のイオン注入（条件：例えば、２０ｋｅＶ、１Ｅ＋１２ｃｍ−２）を行う。
【００２５】
ここで、Ｎ２（窒素）のイオン注入は、上記に限られず、例えば、１５ｋｅＶ以上３０ｋｅＶ（好ましくは２０ｋｅＶ以上２５ｋｅＶ）、１Ｅ＋１１ｃｍ−２以上１Ｅ＋１３ｃｍ−２以下（好ましくは１Ｅ＋１２ｃｍ−２以上１Ｅ＋１３ｃｍ−２以下）で行うことがよい。
【００２６】
また、Ｎ２（窒素）のイオン注入は、上記に限られず、その炭化珪素基板１０表面（保護酸化膜１８がある場合、その表面）からの深さが、後述するゲート酸化膜２０を形成するために炭化珪素基板１０表面が熱酸化される深さであることがよい。具体的には、Ｎ２（窒素）のイオン注入する深さは、例えば、６０ｎｍ以下、ゲート酸化の場合、特に３０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下）であることがよい。
【００２７】
次に、図１（Ｃ）に示すように、Ｎ２（窒素）のイオン注入後、例えば、フッ酸洗浄により保護酸化膜１８を除去して、不純物（注入した各イオン）の活性化を行う。不純物（上記注入した各イオン）の活性化は、例えば、Ａｒ雰囲気中や１×１０−５Ｐａ以下の真空中、１５００〜１７００℃程度の温度（例えば１６００℃）で数分から６０分程度の処理時間（例えば１０分間）で実施する。なお、不純物（上記注入した各イオン）の活性化と共に基板の結晶性を回復させることができる。
【００２８】
次に、図１（Ｄ）に示すように、炭化珪素基板１０の表面（表面層領域）を、深さ２０ｎｍ程度で犠牲酸化（条件：例えば、１０００℃、Ｗｅｔ、３時間）を施した後、犠牲酸化された炭化珪素基板１０の表面をフッ酸洗浄により除去する。そして、炭化珪素基板１０の表面（表面層領域）を、１１７０℃、Ｗｅｔ  Ｏ２雰囲気で熱酸化して、ゲート酸化膜２０（厚み：例えば６０ｎｍ：第１酸化膜）を形成する。
【００２９】
ここで、ゲート酸化膜２０（第１酸化膜）を形成するための炭化珪素基板１０表面を熱酸化する深さは、例えば、４０ｎｍ以上（好ましくは４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下）であることがよい。
【００３０】
また、ゲート酸化膜２０（第１酸化膜）を形成するための条件は、上記に限られず、下記形成条件にて実施することがよい。
【００３１】
・形成条件：１１００℃以上１３００℃未満（好ましくは１２００℃以上１３００℃未度満）の温度、及び水分を有する酸素雰囲気で熱酸化を行う（湿式（Ｗｅｔ）熱酸化）。
【００３２】
次に、図１（Ｅ）のように、ゲート酸化膜２０上に、パターニングされたゲート電極２２を形成する。ゲート電極２２の形成は、例えば、Ｐ（燐）をドープしたポリシリコン膜を形成した後、これを熱処理（例えば８００℃、Ｏ２雰囲気下で２０分間）することで、ドープしたＰ（燐）を活性化する。そして、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイド膜（ＷＳｉ膜）を形成し、公知のフォトリソ、エッチングを施して所望のパターンを行うことで行う。
【００３３】
次に、図１（Ｆ）に示すように、露出しているゲート酸化膜２０をエッチングにより除去した後、層間絶縁膜２４を形成する。そして、層間絶縁膜２４に対し、Ｎ＋拡散層１４、及びＰ＋拡散層１６の一部が露出するようにコンタクトホールを形成し、これにソース電極２６（例えばＡｌ電極、Ｃｕ電極）を埋め込むと共に、当該層間絶縁膜２４上にソース電極２６と接続する配線（不図示）を形成する。そして、炭化珪素基板１０の裏面にドレイン電極２８を形成する。
【００３４】
以上の工程を経て、本実施形態に係る半導体装置１００が製造される。
【００３５】
以上説明した本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、各拡散層が形成された炭化珪素基板１０の表面に対し（図２（Ａ）参照）、窒素（窒素イオン）を注入している（図２（Ｂ））。この窒素は、ゲート酸化膜２０を形成するための熱酸化の際、ＳｉＯ２／ＳｉＣ界面（ゲート酸化膜２０と炭化珪素基板１０との界面）に残留（存在）し（図２（Ｃ）参照）、イオン注入及びその後の活性化時に発生する炭化珪素基板１０の結晶欠陥中で拡散する酸素を阻止する役割を果たすと考える。これに対し、窒素を注入しないとイオン注入及びその後の活性化時に発生する炭化珪素基板１０の結晶欠陥中で拡散する酸素が拡散してしまう（図２（Ｄ）参照）。この拡散する酸素は、結晶欠陥でありリークの原因となる。
【００３６】
特に、炭化珪素基板１０の結晶欠陥のうち、Ｐ型拡散層１２（Ｐｗｅｌｌ領域）表面端部領域付近（炭化珪素基板１０の低濃度Ｎエピ層１０Ａ）との界面領域付近：図１中、Ｒで示す）の結晶欠陥が半導体装置の耐圧特性、及びリーク特性に大きく影響することから、注入した窒素が熱酸化中における当該領域の結晶欠陥への酸素の拡散を防ぐことで、当該結晶欠陥が回復される。
【００３７】
したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、炭化珪素基板１０の酸化時に、炭化珪素基板１０の表面欠陥中に浸入する酸素を抑制し、当該表面欠陥を回復することができる。また、特に、その結果、半導体装置の耐圧特性及びリーク特性と共にスイッチング特性が改善されることになる。
【００３８】
また、窒素注入する前に保護酸化膜１８（第２酸化膜）を形成し、これが形成された状態で窒素注入することで、炭化珪素基板１０のＳｉＣ結晶中での窒素（窒素イオン）のチャネリングを防ぎ、所望の深さ以上に、窒素（窒素イオン）が注入されることが抑制される。
【００３９】
ここで、窒素注入後、当該窒素の活性化を行った後、犠牲酸化をする意味は、活性化で形成される炭化珪素基板１０の表面欠陥（欠陥層）を除去するためである。そして、その後、ゲート酸化を含め炭化珪素基板１０のＳｉＣ結晶中に、注入した窒素が残留しないようにする必要がある。ここで、炭化珪素基板１０を熱酸化すると酸化膜厚の約半分の膜厚の基板表面が酸化膜形成に消費される。このため、例えば、窒素注入深さが３０ｎｍである場合、犠牲酸化とゲート酸化とで６０ｎｍ以上の酸化膜厚で酸化する必要がある。そして、例えば、１０ｎｍのマージンを持たせるとすると、８０ｎｍの酸化膜厚での酸化が必要で、ゲート酸化膜厚が６０ｎｍの場合、犠牲酸化膜厚は２０ｎｍ以上必要である。このゲート酸化膜厚は、トランジスタ特性を決めるパラメータであることから、この観点で決められる。一方で、犠牲酸化膜厚は、炭化珪素基板１０の表面欠陥（欠陥層）の除去を目的とするため、厚い方が効果的であるが、必要以上の酸化はインプラ層を削るため、素子抵抗を高くするため、最適化が必要であり、現状、２０ｎｍ程度の酸化膜厚での犠牲酸化が最適と考える。このように、犠牲酸化膜の膜厚は、窒素が残留しないように且つ素子特性を考慮し、窒素の注入深さ（打ち込み深さ）に応じて設定することがよい。
【００４０】
また、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法では、ゲート酸化膜２０（第１酸化膜）の形成条件は、上記形成条件［Ｗｅｔ熱酸化］が採用されることがよい。この形成条件での熱酸化により、ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面（炭化珪素基板１０とゲート酸化膜２０との界面）にグラファイトができにくくなる。
【００４１】
（試験例）
本実施形態の効果を確かめるために、以下の試験例を行った。
【００４２】
−試験例１−
上記実施形態に係る半導体装置の製造方法に従って、半導体装置を製造し、炭化珪素基板１０に注入された窒素の濃度プロファイルを調べた。この窒素の濃度プロファイルを図３に示す。この窒素の濃度プロファイルには、炭化珪素基板１０表面からの深さ方向（厚み方向）の濃度プロファイルである。そして、図３には、窒素の濃度プロファイルと共に、Ｐ型拡散層１２（Ｐｗｅｌｌ領域）におけるＡｌの濃度プロファイルも示す。
【００４３】
また、ＰＮダイオードの逆耐圧特性を図４（Ａ）に示すと共に、比較のために窒素注入を行わなかった場合のＰＮダイオードの逆耐圧特性を図４（Ｂ）に示す。
【００４４】
なお、窒素注入、ゲート酸化膜形成条件等は以下の通りとした。
・窒素注入条件：注入深さ３０ｎｍ、２００ｅＶ、濃度１Ｅ＋１２ｃｍ−２
・ゲート酸化膜形成条件：１１７０℃、Ｗｅｔ  Ｏ２雰囲気の熱酸化、ゲート酸化膜２０厚み６０ｎｍ、ゲート酸化膜２０形成前に犠牲酸化を施し炭化珪素基板１０表面から深さ１０ｎｍを除去
【００４５】
まず、図３に示すように、窒素濃度プロファイルから、注入された窒素（窒素イオン）が、ゲート酸化膜２０を形成するための熱酸化（犠牲酸化も含む）の際、ＳｉＯ２／ＳｉＣ界面（ゲート酸化膜２０と炭化珪素基板１０との界面）に残留（存在）し、イオン注入及びその後の活性化時に発生する炭化珪素基板１０の結晶欠陥中で拡散する酸素を阻止し、結晶欠陥を回復する役割を果たせることがわかる。
【００４６】
また、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、窒素（窒素イオン）注入を行わないものに比べ、窒素注入を行ったものは、耐圧ばらつきが低減され１．２ｋＶ以上の耐圧が８０％以上得られていることがわかる。また、リーク電流は窒素注入を行った場合、多少増加気味であるが、全体的なバラつきが抑えられていることがわかる。リーク増加は、窒素注入によるＰｗｅｌｌ表面の濃度低下の為で、Ｉｄ−Ｖｇ特性の閾値変動に現れていることもわかる。したがって、窒素注入深さを浅くする、又は、犠牲酸化膜厚又は、ゲート酸化膜厚を厚くして炭化珪素基板内に残留する窒素を低減することで、リークは大幅に低減すると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】実施形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果を説明するための模式図である。
【図３】実施形態に係る半導体装置の製造方法により得られた半導体装置の窒素及びＡ１の濃度プロファイルを示す図である。
【図４】窒素注入を行った場合（Ａ）、窒素注入を行わなかった場合（Ｂ）のＰＮダイオードの逆耐圧特性を示す図である。
【図５】半導体装置１００（高耐圧素子）の構造の一例を示している。
【図６】Ｐｗｅｌｌ／低濃度Ｎエピ層によるＰＮダイオードのリーク特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０   炭化珪素基板
１０Ａ 低濃度Ｎエピ層
１２   Ｐ型拡散層
１４   Ｎ＋拡散層
１６   Ｐ＋拡散層
１８   保護酸化膜
２０   ゲート酸化膜
２２   ゲート電極
２４   層間絶縁膜
２６   ソース電極
２８   ドレイン電極
１００ 半導体装置
１０１ 半導体装置
【図１】
2009289895.tif 000003
【図２】
2009289895.tif 000004
【図３】
2009289895.tif 000005
【図４】
2009289895.tif 000006
【図５】
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【図６】
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