(57)【要約】【課題】コストアップを抑えられる両面基板において高密度配線を実現しつつ、両面基板を設計する際の設計自由度を広げ、かつ製品における品質のさらなる向上を図ることができる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】両面基板１において、１本のメッキ配線６に接続する複数のスルーホール２および配線を接続部分近辺の狭い範囲内に集合配置し、この接続部分をメッキ処理後に貫通穴１２を形成して切除することにより、各メッキ配線６と集合配置された各スルーホール２が、それぞれの間に電気的に導通のない独立したものとなる。【選択図】図１
2009170561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の第一の面に、複数の内部端子と、前記内部端子と電気的導通をとるための第１の導通配線とを形成し、
前記第一の面に対向する第二の面に、複数の外部端子電極と、前記外部端子電極と電気的導通をとるための第２の導通配線とを形成し、
前記外部端子電極に囲まれた領域内に、前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとるためのスルーホールを複数個集合配置して形成し、
前記第１の導通配線と前記スルーホールと前記第２の導通配線とを通じて、前記内部端子と前記外部端子電極との電気的導通をとる工程と、
前記配線基板の周縁部に外周メッキ配線を形成し、
前記外周メッキ配線から、前記外周メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホールとの電気的導通をとるための少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成し、
前記メッキ配線を通じて、前記外周メッキ配線と前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとる工程と、
前記外周メッキ配線を通じて実行した電解メッキ処理後に、前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除し、前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させる工程とを有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程は、
前記少なくとも１本のメッキ配線を、その配線途中の一箇所で分岐してそれぞれ前記スルーホールに接続するように形成する工程であり、
前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除する工程は、
前記メッキ配線の前記分岐部分に貫通穴を形成して前記分岐部分を切除する工程である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程は、
前記少なくとも１本のメッキ配線を、その配線端にスルーホールを接続しそのスルーホールランドを前記外部端子電極に接続されたスルーホールのスルーホールランドに隣り同士で接続して、前記一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程であり、
前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除する工程は、
前記メッキ配線に接続した全てのスルーホール間の中心位置から各スルーホールランドの接合部分より外周に至るまでの領域に貫通穴を形成して前記全てのスルーホール間の中心部分を切除する工程である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
配線基板の第一の面に、複数の内部端子と、前記内部端子と電気的導通をとるための第１の導通配線とを形成し、
前記第一の面に対向する第二の面に、複数の外部端子電極と、前記外部端子電極と電気的導通をとるための第２の導通配線とを形成し、
前記外部端子電極に囲まれた領域内に、前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとるための第１のスルーホールを複数個集合配置して形成し、
前記第１の導通配線と前記第１のスルーホールと前記第２の導通配線とを通じて、前記内部端子と前記外部端子電極との電気的導通をとる工程と、
前記第一の面の周縁部に外周メッキ配線を形成し、
前記外周メッキ配線から、前記外周メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホールとの電気的導通をとるための少なくとも１本のメッキ配線を、その配線途中の一箇所で第２のスルーホールを経由して前記第二の面で分岐しそれぞれ前記第１のスルーホールに接続するように形成し、
前記メッキ配線を通じて、前記外周メッキ配線と前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとる工程と、
前記外周メッキ配線を通じて実行した電解メッキ処理後に、前記メッキ配線の前記第２のスルーホール部分に貫通穴を形成して前記第２のスルーホール部分を切除し、前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させる工程とを有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通穴は、ドリル加工によりその内径がスルーホール径と同等もしくはそれ以上の径となるように形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通穴は、レーザー加工によりその内径がスルーホール径と同等もしくはそれ以上の径となるように形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の配線基板の製造方法であって、
前記貫通穴は、前記配線基板として厚みが０．５ｍｍ以下の配線基板に対して加工する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、
前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の一箇所に形成された貫通穴を有し、
前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させた
ことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項１または請求項３または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、
前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の一箇所に形成された貫通穴を有し、
前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させた
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項４または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、
前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の前記第２のスルーホール部分に形成された貫通穴を有し、
前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させた
ことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置としてＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置等に用いられる配線基板の高密度化配線技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置としてＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ：以下、ＢＧＡと略記する）型半導体装置やＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ：以下、ＬＧＡと略記する）型半導体装置等に用いられる高密度配線基板を実現するための第一の方法として、配線基板の第一の面と第二の面への配線の他に、積層基板を使い、第一の面と第二の面との間に中間配線層を設け、この中間配線層を経由した配線引回しを行うことにより、配線面積を確保して高密度配線基板を実現している。
【０００３】
また、第二の方法として、スルーホールの小径化による面積確保やスルーホールの多機能化を行っている。
このようなスルーホールの多機能化についての従来技術（例えば、特許文献１を参照）を以下に説明する。
【０００４】
この従来技術では、一つのスルーホールと、スルーホール周辺にそれぞれ独立したランドと配線を複数形成し無電解メッキによりメッキ処理を行い、その後にスルーホール内部のメッキ部分に切り込みを行う方法があげられるが、小径のスルーホールでは後からスルーホール内部を分割するには高度な加工技術が要求される。
【特許文献１】特開昭５８−１１００９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体装置の配線基板として多く用いられている両面基板において、多ピン化によるメッキ配線や導通配線の配置やスルーホールの増加、電気的特性の精度向上に対する配線引き回しに対する規制要望が増加している。
【０００６】
以上に対して、代表的な基板デザインについて図面を参照しながら以下に説明する。
図１２は従来の配線基板における第一の面を示す平面図である。図１３は同従来例の配線基板における第二の面を示す平面図である。図１４は同従来例の配線基板を用いた半導体装置の外観を示す側面図である。
【０００７】
図１２、図１３および図１４において、１は配線基板、２はスルーホール、３は内部端子、４は導通配線、５は外部端子電極、６はメッキ配線、７は外周メッキ配線、９は封止樹脂、１０はレジスト、１１は半田ボールである。
【０００８】
従来の配線基板１は、両面基板であり、内部回路を構成する電気配線として、図１２に示すように、第一の面に、１組として接続された状態に形成された内部端子３と導通配線４とが複数組配置され、図１３に示すように、第一の面に対向する第二の面に、１組として接続された状態に形成された１つの外部端子電極５と１つの導通配線４と１つのスルーホール２とが複数組配置され、さらに、これらの全ての電気配線を１つの導通配線として電気的に接続することにより、全ての電気配線に対する電解メッキ処理を一括して行なうために、図１３に示すように、外周メッキ配線７と、外周メッキ配線７に接続された状態に形成され、１組の外部端子電極５およびスルーホール２に対して１本ずつ電気接続された複数本のメッキ配線６とが配置されている。
【０００９】
このような配線基板１を用いた半導体装置においては、さらに多ピン化するほどこれら内部回路を構成する電気配線の配置を増やすことになり、そのため、導通配線４およびスルーホール２の配置が複雑化して、デザインスペースに余裕がなくなり、両面基板を設計する際の設計自由度が著しく低下してしまう。
【００１０】
このための回避策として積層型基板の使用が考えられるが、積層基板はコストアップとなってしまうため、結果的に、両面基板においてデザインスペースを最大限確保するための改善方法が要求される。
【００１１】
また、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置においては、一括成型による樹脂封止が一般的になっており、その場合には、一括成型後に分割して１つずつの半導体装置に個片化されるが、その個片化の際には、同時に、外周メッキ配線７を切落とすとともに、その外周メッキ配線７で導通状態であった各メッキ配線６も個別化して非導通とするために、各メッキ配線６が切断される。
【００１２】
そのように個片化した半導体装置では、図１４に示すように、内部回路と電気的に導通状態にあるメッキ配線６が半導体装置の側面に露出することになり、これにより、半導体装置の取扱いにおいてメッキ配線６の露出部を通じて内部回路への静電気の印加や、半導体装置を実装した際に隣接した電気部品や実装半田がメッキ配線６の露出部に接触することにより電気的な不具合が生じてしまい、製品として良好な品質の保持が難しくなる。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、コストアップを抑えられる両面基板において高密度配線を実現しつつ、両面基板を設計する際の設計自由度を広げ、かつ製品における品質のさらなる向上を図ることができる配線基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の配線基板の製造方法は、配線基板の第一の面に、複数の内部端子と、前記内部端子と電気的導通をとるための第１の導通配線とを形成し、前記第一の面に対向する第二の面に、複数の外部端子電極と、前記外部端子電極と電気的導通をとるための第２の導通配線とを形成し、前記外部端子電極に囲まれた領域内に、前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとるためのスルーホールを複数個集合配置して形成し、前記第１の導通配線と前記スルーホールと前記第２の導通配線とを通じて、前記内部端子と前記外部端子電極との電気的導通をとる工程と、前記配線基板の周縁部に外周メッキ配線を形成し、前記外周メッキ配線から、前記外周メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホールとの電気的導通をとるための少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成し、前記メッキ配線を通じて、前記外周メッキ配線と前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとる工程と、前記外周メッキ配線を通じて実行した電解メッキ処理後に、前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除し、前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させる工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項２に記載の配線基板の製造方法は、請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、前記少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程は、前記少なくとも１本のメッキ配線を、その配線途中の一箇所で分岐してそれぞれ前記スルーホールに接続するように形成する工程であり、前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除する工程は、前記メッキ配線の前記分岐部分に貫通穴を形成して前記分岐部分を切除する工程であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項３に記載の配線基板の製造方法は、請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、前記少なくとも１本のメッキ配線を、その一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程は、前記少なくとも１本のメッキ配線を、その配線端にスルーホールを接続しそのスルーホールランドを前記外部端子電極に接続されたスルーホールのスルーホールランドに隣り同士で接続して、前記一箇所から前記スルーホールに接続するように形成する工程であり、前記メッキ配線の前記一箇所に貫通穴を形成して前記一箇所を切除する工程は、前記メッキ配線に接続した全てのスルーホール間の中心位置から各スルーホールランドの接合部分より外周に至るまでの領域に貫通穴を形成して前記全てのスルーホール間の中心部分を切除する工程であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項４に記載の配線基板の製造方法は、配線基板の第一の面に、複数の内部端子と、前記内部端子と電気的導通をとるための第１の導通配線とを形成し、前記第一の面に対向する第二の面に、複数の外部端子電極と、前記外部端子電極と電気的導通をとるための第２の導通配線とを形成し、前記外部端子電極に囲まれた領域内に、前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとるための第１のスルーホールを複数個集合配置して形成し、前記第１の導通配線と前記第１のスルーホールと前記第２の導通配線とを通じて、前記内部端子と前記外部端子電極との電気的導通をとる工程と、前記第一の面の周縁部に外周メッキ配線を形成し、前記外周メッキ配線から、前記外周メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホールとの電気的導通をとるための少なくとも１本のメッキ配線を、その配線途中の一箇所で第２のスルーホールを経由して前記第二の面で分岐しそれぞれ前記第１のスルーホールに接続するように形成し、前記メッキ配線を通じて、前記外周メッキ配線と前記第１の導通配線と前記第２の導通配線との電気的導通をとる工程と、前記外周メッキ配線を通じて実行した電解メッキ処理後に、前記メッキ配線の前記第２のスルーホール部分に貫通穴を形成して前記第２のスルーホール部分を切除し、前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させる工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項５に記載の配線基板の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通穴は、ドリル加工によりその内径がスルーホール径と同等もしくはそれ以上の径となるように形成することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項６に記載の配線基板の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通穴は、レーザー加工によりその内径がスルーホール径と同等もしくはそれ以上の径となるように形成することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項７に記載の配線基板の製造方法は、請求項５または請求項６に記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通穴は、前記配線基板として厚みが０．５ｍｍ以下の配線基板に対して加工することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項８に記載の配線基板は、請求項１または請求項２または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の一箇所に形成された貫通穴を有し、前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させたことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の請求項９に記載の配線基板は、請求項１または請求項３または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の一箇所に形成された貫通穴を有し、前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の請求項１０に記載の配線基板は、請求項４または請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板であって、前記外周メッキ配線を通じて実行された電解メッキ処理後に前記メッキ配線の前記第２のスルーホール部分に形成された貫通穴を有し、前記貫通穴により前記メッキ配線と前記集合配置した前記複数個の第１のスルーホール同士を電気的導通のない別々の配線として独立させたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
以上のように本発明によれば、配線基板の第一の面と第二の面の電気的導通を取るために点在しているスルーホールを、複数個毎に外部端子電極に近い部分に集合させ、この集合させたスルーホールに対して一本のメッキ配線を接続することにより、メッキ配線数を減らした状態で複数の導通配線および外部端子電極、内部端子に対する電解メッキ（Ａｕメッキ、半田メッキ）の一括処理を可能にし、配線基板上の配線引き回しスペースを確保することができる。
【００２５】
また、メッキ配線に接続する複数のスルーホールおよび導通配線を接続部分近辺の狭い範囲内に集合配置し、この接続部分をメッキ処理後に切除することにより、メッキ配線と集合配置された各スルーホールが、それぞれの間に電気的に導通のない独立したものとなるため、半導体装置に個片化されたときに半導体装置の側面に露出するメッキ配線に対して、配線基板上に形成された他の導通配線やスルーホールが電気的に導通しないようになり、露出メッキ配線を通じて発生する静電気の印加や実装時の電気的不具合を防止することができる。
【００２６】
その結果、コストアップを抑えられる両面基板において高密度配線を実現しつつ、両面基板を設計する際の設計自由度を広げ、かつ製品における品質のさらなる向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を示す配線基板およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の配線基板およびその製造方法を説明する。
【００２８】
図１は本実施の形態１の配線基板の構造を示す平面図であり、最終的に一個の半導体装置に組み込まれることになる領域の基板部分を示す平面図を表している。図２は本実施の形態１の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図である。図３は本実施の形態１の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図である。
【００２９】
配線基板の作成工程として、配線基板上に導電性の高い金属薄膜（Ｃｕ）が第一の面と第二の面に貼付けられており、この配線基板上に最終的に図１に示すスルーホール２となる穴が開けられる。次に、開けられた穴の内部に、配線基板表面に貼り付けられた金属薄膜と同じ材質の金属（Ｃｕ）によるメッキ処理が行われ、この後に、配線基板表面に各種配線となるパターン印刷を行い、さらに必要とする配線パターン以外の金属薄膜（Ｃｕ）を除去することで、図２に示すように、配線基板１の第二の面に外部端子電極５とスルーホール２とメッキ配線６と導通配線４が形成され、図示はしないが第一の面には従来技術と同様の内部端子と導通配線が形成され、この後に最終的に、第一の面と第二の面の各表面の配線パターン上に金属メッキ（例えば、Ｎｉ−Ａｕメッキ、Ａｕメッキ、半田メッキなど）が施される。
【００３０】
この時に、メッキ配線６は外周メッキ配線７に接続されて第二の面に配置されているが、メッキ配線６と外周メッキ配線７を第一の面に配置しても良い。
ここまでの配線基板１の構成および製造方法は従来の基板作成工程と同じであるが、本実施の形態１においては、デザイン的な特徴として、図２に示すように、第二の面に、スルーホール２ａ、スルーホール２ｂおよびスルーホール２ｃを、隣接する外部端子電極５に囲まれるように、外部端子電極５の近傍に集合配置し、それらに導通配線４を通じて接続する外部端子電極５までの距離を短くし、これら集合させたスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃに、外周メッキ配線７と接続されているメッキ配線６を接続するために、メッキ配線６のスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ側に、その途中の一箇所で分岐している部分を設けている。
【００３１】
次に、前述の配線パターンに対する金属メッキ処理後に、図１および図３に示すように、メッキ配線６の途中一箇所より分岐させている部分に貫通穴１２を開けることにより、分岐部分の各メッキ配線６を切除して分離する。これにより、メッキ配線６とスルーホール２ａ、スルーホール２ｂおよびスルーホール２ｃとが、電気的に導通しないように加工される。
【００３２】
最終的な配線基板１としては、この後にレジストを被覆し、第一の面における内部端子や第二の面における外部端子電極等の露出させる部分のレジストを除去することにより、配線基板として完成する。この時、スルーホール２および貫通穴１２の中にはレジストが入り埋まったものとなる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の配線基板およびその製造方法を説明する。
【００３３】
図４は本実施の形態２の配線基板の構造を示す平面図であり、最終的に一個の半導体装置に組み込まれることになる領域の基板部分を示す平面図を表している。図５は本実施の形態２の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図である。図６は本実施の形態２の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図である。
【００３４】
本実施の形態２については、実施の形態１の応用例となるため、配線基板１を形成する工程と基本構成は同じとなるため、相違点のみを以下に説明する。
実施の形態１では、外周メッキ配線７と接続されているメッキ配線６のスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ側に、その途中で一箇所より分岐している部分を設けているが、本実施の形態２においては、図５に示すように、メッキ配線６の外周メッキ配線７側と外周メッキ配線７を第一の面に配置（点線で示す部分）し、メッキ配線６のスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ側（実線で示す部分）を第二の面に配置しているため、それらの第一の面側と第二の面側との間で電気的に導通をとるためのスルーホール２ｄを設け、このスルーホール２ｄに対して、集合させたスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃを、第二の面側においてメッキ配線６（実線部分）により集中接続する構成としている。
【００３５】
この後、図４および図６に示すように、スルーホール２ｄよりも大きな径の貫通穴１２を開けることにより、実施の形態１と同様に、第一の面側のメッキ配線６（点線部分）とスルーホール２ａ、スルーホール２ｂおよびスルーホール２ｃとが、電気的に導通しないように加工される。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３の配線基板およびその製造方法を説明する。
【００３６】
図７は本実施の形態３の配線基板の構造を示す平面図であり、最終的に一個の半導体装置に組み込まれることになる領域の基板部分を示す平面図を表している。図８は本実施の形態３の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図である。図９は本実施の形態３の配線基板における配線切除前のＡ−Ａ’断面図である。図１０は本実施の形態３の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図である。図１１は本実施の形態３の配線基板における配線切除後のＢ−Ｂ’断面図である。
【００３７】
本実施の形態３においても、実施の形態１と配線基板を形成する工程と基本構成は同じとなるため、相違点のみを以下に説明する。
まず、図８に示すように、第二の面に、スルーホール２ａ、スルーホール２ｂおよびスルーホール２ｃを、隣接する外部端子電極５に囲まれるように、かつ、スルーホール２ａ、２ｂ、２ｃの各スルーホールランド８が隣同士で電気接続されている状態で、外部端子電極５の近傍に集合配置し、それらに導通配線４を通じて接続する外部端子電極５までの距離を短くし、これら集合させたスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃに、外周メッキ配線７と接続されているメッキ配線６を接続するために、さらに、メッキ配線６のスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ側の端部に、スルーホール２ｄを、そのスルーホールランド８が両隣のスルーホールのスルーホールランド８に電気接続されている状態で集合配置するように形成している。
【００３８】
このように集合配置された各スルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは、隣り合ったスルーホール２の中心を結んだ時に、四個のスルーホール２を配置した場合には正方形型に、三個のスルーホール２を配置した場合には正三角形型になるように配置されている。
【００３９】
また、それぞれのスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄの配置は、それらの外周に設けられた各スルーホールランド８を、隣り合ったスルーホール２のスルーホールランド８同士で電気的導通が取れるように接続した構成としている。
【００４０】
以下、本実施の形態３の配線基板において、その代表例として、４個のスルーホール２を配置した場合を例に挙げて説明する。
図８に示すように、集合配置されたスルーホール２ａ、スルーホール２ｂ、スルーホール２ｃおよびスルーホール２ｄは、それぞれのスルーホール２に形成されたスルーホールランド８により電気的導通が取れるように接続され、それぞれ対面するスルーホール２同士の中心には配線基板１が残されている。この時の隣り合うスルーホール２のスルーホールランド８間（例えば、スルーホール２ａ、２ｂ間のＡ−Ａ’断面）の構造状態を、図９に示している。
【００４１】
この後、図７および図１０に示すように、集合配置されたスルーホール２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄをそれぞれの間で電気的導通を持たない分離されたものにするため、それぞれ対面するスルーホール２同士の中心に貫通穴１２（２点鎖線で示す部分）を形成することにより、対面するスルーホール同士の中心に残された配線基板１と、隣り合うスルーホールランド８間の接続点部分を切除する。この時の隣り合うスルーホール２のスルーホールランド８間（例えば、スルーホール２ａ、２ｂにおけるスルーホールランド８ａ、８ｂ間のＢ−Ｂ’断面）の分離構造状態を、図１１に示している。
【００４２】
特に厚みが０．５ｍｍ以下の配線基板で、貫通穴を用いて配線を切除、分離することにおいて、メッキ配線と各スルーホールとを電気的に非導通とさせる貫通穴の加工工程、特にレーザー加工を用いることにより、効率的かつ加工誤差およびずれがなく作成可能とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の配線基板およびその製造方法は、コストアップを抑えられる両面基板において高密度配線を実現しつつ、両面基板を設計する際の設計自由度を広げ、かつ製品における品質のさらなる向上を図ることができるもので、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置等に用いられる配線基板の高密度化技術に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態１の配線基板の構造を示す平面図
【図２】同実施の形態１の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図
【図３】同実施の形態１の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図
【図４】本発明の実施の形態２の配線基板の構造を示す平面図
【図５】同実施の形態２の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図
【図６】同実施の形態２の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図
【図７】本発明の実施の形態３の配線基板の構造を示す平面図
【図８】同実施の形態３の配線基板における配線切除前の部分拡大平面図
【図９】同実施の形態３の配線基板における配線切除前のＡ−Ａ’断面図
【図１０】同実施の形態３の配線基板における配線切除後の部分拡大平面図
【図１１】同実施の形態３の配線基板における配線切除後のＢ−Ｂ’断面図
【図１２】従来の配線基板における第一の面を示す平面図
【図１３】同従来例の配線基板における第二の面を示す平面図
【図１４】同従来例の配線基板を用いた半導体装置の外観を示す側面図
【符号の説明】
【００４５】
１    配線基板
２、２ａ、２ｂ、２ｃ    スルーホール
３    内部端子
４    導通配線
５    外部端子電極
６    メッキ配線
７    外周メッキ配線
８、８ａ、８ｂ    スルーホールランド
９    封止樹脂
１０    レジスト
１１    半田ボール
１２    貫通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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