(57)【要約】【課題】無電極ランプを放電させるマグネトロンの寿命を損なわずに、調光時における良好な発光スペクトルを実現する。【解決手段】ランプハウス１１内に、マイクロ波を発生するマグネトロン１３１，１３２および導波管１５１，１５２を介してマイクロ波に基づき紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ１２が構成される。ランプハウス１１内のマグネトロン１３１，１３２および無電極ランプ１２は、吸気口１７から空気を送り込み、ダクト２１の排気口２１４から排熱させることで冷却を行う。無電極ランプ１２に接触させて冷却させるための送風量は、マグネトロン１３１，１３２を駆動する電源１４の出力を下げたときには少ない量とした。これにより無電極ランプ１２の過冷却を防止して調光時における良好な発光スペクトルを得ることができる。【選択図】図１
2009289527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波により紫外線が放射可能な放電媒体が封入された無電極ランプと、
前記無電極ランプにマイクロ波を供給するためのマグネトロンと、
前記マグネトロンから発生するマイクロ波を、前記無電極ランプへ給電するための導波管と、
前記無電極ランプの紫外線光を集光または拡散させる反射板と、
少なくとも前記マグネトロンおよび前記無電極ランプを送風される冷却媒体により冷却する冷却機構と、を具備する紫外線照射装置において、
前記冷却機構は、前記無電極ランプを冷却させるための送風量を、前記マグネトロンを駆動する電源の出力に基づき変化させたことを備えたことを特徴する紫外線照射装置。
【請求項２】
前記冷却機構は、前記電源から前記マグネトロンへ供給される電力量に基づいて、前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量を調節することを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項３】
前記冷却機構は、前記マグネトロンから前記無電極ランプへ供給されるマイクロ波量に基づいて、前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量を調節することを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項４】
前記冷却機構は、前記無電極ランプから放射される光量に基づいて、前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量を調節することを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項５】
前記冷却機構は、前記無電極ランプハウス内の温度に基づいて、前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量を調節することを特徴とする請求項１記載の紫外線照射装置。
【請求項６】
前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量の調整は、前記ランプハウスの側面に設置した弁を介して開け閉めすることで行われることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の紫外線照射装置。
【請求項７】
前記無電極ランプと接触する前記冷却媒体の量の調整は、吸気用のブロアで前記ランプハウス内に前記冷却媒体を送風し、前記弁から前記冷却媒体の一部を排出用のブロアで前記弁から排気したことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の紫外線照射装置。
【請求項８】
前記無電極ランプと接触した後の冷却媒体は、ダクトを介して前記ランプハウス外に排熱させ、前記無電極ランプから放射される紫外光を被照射物に照射させないようにしたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の紫外線照射装置。
【請求項９】
少なくとも１面に開口部を有するランプハウスと、
前記開口部に配設され、紫外光は透光させ、マイクロ波は遮蔽するＲＦフィルタと、
前記ランプハウス内に配設され、少なくとも１面が前記開口部と同一であるマイクロ波空洞と、
前記マイクロ波空洞内に保持され、マイクロ波により紫外線が放射可能な放電媒体が封入された無電極ランプと、
前記無電極ランプから放射される紫外光を前記開口部に向け反射させる反射板と、
前記無電極ランプを点灯させるマグネトロンと、
前記マグネトロンから前記無電極ランプへマイクロ波を供給するための導波管と、
前記マグネトロンを駆動させる電源と、
前記ランプハウス内に外部から冷却媒体を供給する冷却機構と、
前記ランプハウス内において実質紫外光やマイクロ波の影響を受けない位置に配設される温度センサと、
前記ランプハウス内の温度値を複数記憶する記憶手段と、
前記温度センサにより検出される温度値および前記記憶手段に記憶される温度値に基づき、前記電源の出力電圧値を制御する制御部と、を具備し、
前記電源は、設定した電圧値に基づいて前記冷却機構の前記冷却媒体の量を変更することを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項１０】
前記電源の出力電圧を直接調整することにより、前記マグネトロンに供給される電力を調整するようにしたことを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の紫外線照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波給電式による無電極紫外線ランプを用いて、例えば主に印刷関連でのインク乾燥、半導体関連の微細露光、液晶関連の接着剤硬化等の用途に用いられる紫外線照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマイクロ波給電式による無電極紫外線ランプを用いた紫外線照射装置は、封入薬品をマイクロ波で励起させ発光を行うものである。用途としては、紫外線および可視光を発光させ、ペンキ、インク、樹脂、塗装などが塗布された面の表面硬化処理や光化学反応による化学物質の合成および処理等の工程に使用されている。無電極ランプの封入薬品を励起させるためのマイクロ波の生成にはマグネトロンが使用される。
【０００３】
マイクロ波を送信して無電極ランプを励起するには、マグネトロンから無電極ランプまで導波管を介して行っている。マグネトロンと無電極ランプは熱を発するために、ブロアからマグネトロン、無電極ランプへと冷却風を供給させることによって、マグネトロンと無電極ランプを同時に冷却することが行われている。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特表２００３−５１８７２８公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１の技術では、マグネトロンと無電極ランプを同時に冷却する機能を有しており、調光時の無電極ランプ温度の適正化を図るために風量を落とした場合、マグネトロンの温度が上昇しマグネトロンの寿命に影響を及ぼす。このため、全光点灯時と調光時の風量を同じ状態することが一般的である。
【０００５】
しかしながら、全光点灯時と調光時の風量を一定にした場合は、鉄と水銀が封入された無電極型のメタルハライドランプの全光３０％調光時に、ランプが過冷却となり鉄と水銀の発光比率が変化しスペクトルの変化をもたらすことがわかった。
【０００６】
このために、マグネトロンへの電力量をコントロールすることによって無電極ランプへのマイクロ波照射量を可変し、無電極ランプの発光強度を可変する調光システムが考えられる。この場合、無電極ランプ等を収納したランプハウス内の異常温度を検知するため、温度センサを用いた保護システムが搭載されている。そのため、温度センサや光センサといった異なる検出機構を用いなければならずシステムが複雑化する、という問題があった。
【０００７】
この発明の目的は、無電極ランプを放電させるマグネトロンの寿命を損ねないとともに、調光時における所望の発光スペクトルを得ることができる紫外線照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した課題を解決するために、この発明の紫外線照射装置は、マイクロ波により紫外線が放射可能な放電媒体が封入された無電極ランプと、前記無電極ランプにマイクロ波を供給するためのマグネトロンと、前記マグネトロンから発生するマイクロ波を、前記無電極ランプへ給電するための導波管と、前記無電極ランプの紫外線光を集光または拡散させる反射板と、少なくとも前記マグネトロンおよび前記無電極ランプを送風される冷却媒体により冷却する冷却機構と、を具備する紫外線照射装置において、前記冷却機構は、前記無電極ランプを冷却させるための送風量を、前記マグネトロンを駆動する電源の出力に基づき変化させたことを備えたことを特徴する。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、マグネトロンの寿命を損ねることなく、全光状態あるいは調光状態にかかわらず良好な発光スペクトルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
図１〜図３は、この発明の紫外線照射装置に関する第１の実施形態について説明するための、図１はシステム構成図、図２は図１のＩ−Ｉ’線の断面図、図３は図１に使用する無電極ランプの一例について説明するための構成図である。
【００１２】
先ず図１、図２において、１１はマイクロ波を遮蔽する機能を有する、例えばステンレス製のランプハウスであり、このランプハウス１１の中央下方部には電極を備えない、いわゆる無電極ランプ１２を配置し取り付けてある。１３は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させるマグネトロンであり、マグネトロン１３には電源１４から電力が供給される。１５は、マグネトロン１３で発生させたマイクロ波をアンテナ１６から送信し、無電極ランプ１２に伝達させる導波管である。
【００１３】
ここで、図３を参照して無電極ランプ１２の構成例について説明する。１２１は紫外光を透過させる石英ガラス製の長さが２４０ｍｍ程度の円筒形状のバルブである。バルブ１２１は、中央部１２２をその両端部１２３，１２４よりも細くなるようにテ―パをつけたもので、両端部１２３，１２４の外径は例えば１７ｍｍ程度、中央部１２２の外径は１０ｍｍ程度である。バルブ１２１の発光空間１２５内には、不活性ガスと水銀、鉄等の放電媒体を封入する。バルブ１２１の両端にはバルブ１２１を支持する支持部１２６，１２７を、バルブ１２１と一体的に形成する。無電極ランプ１２は、マイクロ波を照射することにより放電媒体を発光させることができる。
【００１４】
再び図１、図２において、ランプハウス１１の上面には、吸気口１７が設置され、ブロア１８から送風される冷却媒体である空気をランプハウス１１内に取り込む。ブロア１８と吸気口１７間には、図示しないダクトが設けられ、ブロア１８から送られる風を取り込むようになっている。
【００１５】
無電極ランプ１２の背面側には照射される紫外光を集光あるいは拡散させる反射板１９が設置される。また、反射板１９の前面には、照射窓を構成するＲＦスクリーン２０がランプハウス１１の一部に設けられている。ＲＦスクリーン２０は、金属でありかつ開口部が設けられ、マイクロ波は遮断し、紫外光と送風は通過させる。ＲＦスクリーン２０は、例えば、金属線をメッシュ状に編み込んで形成したり、金属板にパンチング加工で形成したりして開口部を有するようになっている。
【００１６】
２１は、ランプハウス１１の下部と密着して配置された排気用のダクトである。このダクト２１は箱状の形状を有しており、ＲＦスクリーン２０の位置する上面板と下面板にはＲＦスクリーン２０と同形状で同大きさの開口２１１，２１２がそれぞれ形成される。さらに、ダクト２１は通気孔２１３を介して排気口２１４が形成されている。開口２１２には、送風は遮断させ、紫外光は通過させる、例えば石英ガラス製のフィルタ２２が取着される。
【００１７】
マグネトロン１３および無電極ランプ１２は、送風用のブロア１８から吸気口１７、ランプハウス１１内に送風を行い、ダクト２１の排気口２１４から排気させて冷却行い、これら一連の空気の流れは冷却機構を構成している。
【００１８】
マグネトロン１３と導波管１５の接合部付近と対向するランプハウス１１の側面には、電磁弁２３が取り付けられ、電磁弁２３は、開けたときにランプハウス１１の内外が電磁弁２３を介して連通状態となる。電磁弁２３にはマイクロ波の漏洩を防止するためのＲＦフィルタを取り付ける等の手段が必要となる。
【００１９】
２４は、電源１４の出力電圧を制御してマグネトロン１３に供給する電力を変え、マイクロ波の出力を変化させることで無電極ランプ１２の調光を行う制御部である。つまり、制御部２４は、入力される制御信号が１００％のときには、マグネトロン１３を全光の電力で動作させ、制御信号が５０％のときにはマグネトロン１３の全光の５０％で動作させるように電源１４を制御する。
【００２０】
同時に、制御部２４は、制御信号が１００％のときには電磁弁２３を閉じ、制御信号が５０％のときには電磁弁２３を開ける制御も行う。
【００２１】
ここで、マグネトロン１３が駆動されている状態下では、ブロア１８から送風が行われ吸気口１７を介してランプハウス１１内に取り込まれる。取り込まれた送風は、図中碇線の矢印で示すように、マグネトロン１３、無電極ランプ１２、ＲＦスクリーン２０、ダクト２１に、更にダクト２１の排気口２１４を介して排熱される。
【００２２】
このとき、マグネトロン１３のマイクロ波で励起された無電極ランプ１２は、紫外光を発し、ＲＦスクリーン２０、フィルタ２２を介して図示しない被照射物を照射させることができる。
【００２３】
次に、図４を参照して制御部２４に入力される制御信号が５０％のときの冷却について説明する。図４中の破線の矢印の太さは、送風量を概念的に示したもので、太い矢印が送風量の多いことを意味している。
【００２４】
５０％の制御信号が供給された場合の制御部２４は、マグネトロン１４の出力を下げるとともに、電磁弁２３の開放を行う。マグネトロン１３までの送風量は、１００％の制御信号が供給された場合と同様である。マグネトロン１３を通過した後は、一部分が無電極ランプ１２、ＲＦスクリーン２０、ダクト２１、排気口２１４を介して排熱される。他の部分が電磁弁２３を介して排熱される。
【００２５】
このため、無電極ランプ１２に接触させて冷却するための送風量は、矢印でも示すように１００％の場合に比して少ないものとなり、マイクロ波の出力が弱い場合の無電極ランプの過冷却を防止することができる。
【００２６】
この実施形態では、全光時と調光時の紫外光を照射させることが可能な場合に、調光時の無電極ランプの過冷却を抑制し、過冷却による鉄と水銀の発光比率の変化を抑えることで、発光スペクトルの変化を抑えることが可能となる。
【００２７】
図５は、この発明の第２の実施形態について説明するためのシステム構成図である。なお、上記実施形態と同機能の部分には同一の符号を付し、ここでは異なる部分について説明する。
【００２８】
この実施形態は、マグネトロン１３と導波管１５の境付近と対向するランプハウス１１の側面に排気孔５１を形成し、この排気孔５１と排気用ブロア５２とを排気ダクト５３を介して連結したものである。
【００２９】
この場合、１００％の制御信号が制御部２４に供給されている場合には、制御部２４は排気用ブロア５２をオフにし、ブロア１８から送風が行われ吸気口１７を介してランプハウス１１内に取り込まれた送風は、ほぼ全てが図１中に示す破線の矢印の経路で排気口２１４から排熱される。１００％の制御信号が制御部２４に供給されている場合は、排気用ブロア５２をオンし、ランプハウス１１内に取り込まれた送風は分岐して、図４中に示す破線の矢印の経路で排気口２１４と排気用ブロア５２から排熱される。
【００３０】
このように、無電極ランプ１２が５０％の制御信号に基づき調光された場合には、無電極ランプ１２に接触させて冷却するための送風量を、１００％の場合に比して少なく制御することで、マイクロ波の出力が弱い場合における無電極ランプ１２の過冷却を防止することができる。
【００３１】
従って、この実施形態においても、全光時と調光時の紫外光を照射させることが可能な場合に、調光時の無電極ランプの過冷却を抑制し、過冷却による鉄と水銀の発光比率の変化を抑えることで、発光スペクトルの変化を抑えることが可能となる。
【００３２】
図６〜図８は、この発明の紫外線照射装置に関する第３〜第５の実施形態について説明するためのシステム構成図である。なお、上記した実施形態と同一機能部分には同一の符号を付してここでは異なる部分について説明する。
【００３３】
図６の第３の実施形態は、マイクロ波センサ６１を導波管１５に設置し、マグネトロン１３のマイクロ波の強弱に基づいて電磁弁２３を開閉するようにしたものである。
【００３４】
図７の第４の実施形態は、紫外光が照射されるＲＦスクリーン２０の前方のダクト２１内にＵＶセンサ７１を設置し、紫外光の強弱に基づいて電磁弁２３を開閉するようにしたものである。
【００３５】
図８の第５の実施形態は、マグネトロン１３付近のランプハウス１１内の温度を計る温度センサ８１を設置し、温度の強弱に基づいて電磁弁２３を開閉するようにしたものである。
【００３６】
この発明の第３〜第５の実施形態では、マイクロ波、紫外光、温度を検出することで、制御部２４からマグネトロン１３に供給する電力量の大小に基づき、無電極ランプ１２が全光点灯か調光点灯かを判断し、電磁弁２３の開け閉めを行うものである。
【００３７】
従って、マイクロ波、紫外光、温度の何れかを検出した場合においても、全光時と調光時の紫外光を照射させることが可能な場合に、調光時の無電極ランプの過冷却を抑制し、過冷却による鉄と水銀の発光比率の変化を抑えることで、発光スペクトルの変化を抑えることが可能となる。
【００３８】
上記した第１と第３〜第５の各実施形態では、電磁弁２３を単純に開け閉めし、第２の実施形態では排気用ブロア５２を単純にオンオフさせる説明を行った。しかし、第１の実施形態では、制御部２４に供給する制御信号を１００％、５０％だけでなく任意の制御信号の制御量に対応した電磁弁２３の開閉量とすることにより細かい制御を実現することができ、より発光スペクトルの変化を抑制することができる。第２の実施形態においても任意の制御信号の制御量に対応した排気用ブロア５２による排気量を調整することにより、発光スペクトルの変化をさらに抑制することができる。
【００３９】
また、第３〜第５の実施形態では、マイクロ波、紫外光、温度のそれぞれの検出量に応じた電磁弁２３の開閉量とすることにより、発光スペクトルの変化をさらに抑制することが可能となる。
【００４０】
図９、図１０は、この発明の紫外線照射装置に関する第６の実施形態について説明するための、図９はシステム構成図、図１０は図９の制御について説明するための説明図である。図１の実施形態と同一部分には同一の符号を付して説明する。
【００４１】
図９において、９１は温度検出手段としての温度センサであり、温度センサ９１は、無電極ランプ１２が反射板１７で囲まれたマイクロ波空洞部９２の外側である反射板１７等を支持するフレーム９３の上部に配置される。この位置では、無電極ランプ１２から照射される紫外光やマグネトロン１３から送信されるマイクロ波による実質的な影響を受けない。
【００４２】
温度センサ９１の出力は、制御部２４に供給する。制御部２４は、温度値を比較するためのプログラム、温度基準を切替えるためのプログラムを備えた例えばマイコンで構成される。これらのプログラムの設定値と温度センサ９１の出力値とを比較し、その比較結果に基づきマグネトロン１３を駆動させる電源１４の出力制御を行う。さらに、制御部２４は、電源１４とリンクしており、電源１４の出力状態に基づいて比較すべきメモリ２４１内プログラムの基準値を切替えることが可能である。
【００４３】
ここで、メモリ２４１に予め記憶されているランプハウス１１内の設定温度値および制御部２４のプログラムに基づく制御例について図１０とともに説明する。図１０は、ランプハウス１１内の温度である温度センサ９１の出力値と無電極ランプの点灯状態について時間経過を追いながら説明するためのものである。
【００４４】
まず、無電極ランプ１２を点灯させた後に消灯を行い、冷却時間を経てから例えば５０％の調光点灯にて再び点灯を行っている。さらに、調光点灯にて安定した後に全光点灯（１００％）に切替えを行い、全光点灯のある時点において、何らかの異常が発生し、ランプハウス１１内の温度が全光点灯時以上に上昇している。その結果、温度保護を行うための電源１４を停止させる制御について示している。
【００４５】
このような動作の制御が行われる場合に、予めメモリ２４１に次の（１）〜（４）の温度の検出条件を記憶させておき、温度センサ９１との比較を行う温度管理によって、様々な状態の検知が可能となる。
【００４６】
ここで、温度の検出条件について説明する。
【００４７】
（１）ランプハウス１１内が十分に冷却されており、点灯可能であることを第１の検出温度（ａ）とする。
【００４８】
（２）無電極ランプ１１が点灯していることを第２の検出温度（ｂ）とする。これは、ランプハウス１１内の温度が点灯開始時点よりも上昇することを考慮し、点灯開始時点の温度センサ９１の値に所定の数値を加算した値に設定される。
【００４９】
（３）無電極ランプ１１の調光時の検出温度を（ｃ１）、全光時の点灯温度を（ｃ２）とし、これらの点灯状態を第３の検出温度（ｃ）とする。これは、マグネトロン１３の電源１４より、この電源１４の出力状態に応じて送信される信号に基づいて設定値が切替わり、所定値に上下限の幅を持たせている。第３の検出温度（ｃ）では、電源１４の出力が５０％の調光点灯と１００％の全光点灯の場合としている。当然のことながら、電源１４の出力は６０％，７０％等に対応した設定値を設けることも可能である。
【００５０】
（４）ランプハウス１１内の温度が異常に達している場合を第４の検出温度（ｄ）とする。
【００５１】
図１０において、消灯時の比較の基準となる値は第１の検出温度（ａ）であり、温度センサ９１の出力値が第１の検出温度（ａ）を下回る場合、電源１４の出力は無電極ランプ１２を点灯可能とする。
【００５２】
そして無電極ランプ１２の点灯動作が行われた場合に制御部２４は、電源１４が出力したことを受け、比較の基準となる第２の検出温度（ｂ）の値に切替える。無電極ランプ１２が点灯すると、ランプハウス１１内の温度が上昇する。温度センサ９１の出力値が第２の検出温度（ｂ）を上回ったときの制御部２４は、無電極ランプ１２が点灯していることを認識する。
【００５３】
さらに、比較の基準を第３の検出温度（ｃ）に切替え、温度センサ９１の出力値が第３の検出温度（ｃ）の温度（ｃ１）の下限に達すると、制御部２４は無電極ランプ１２が調光状態にて点灯中であると認識する。電源１４の出力を全光点灯に切替えると、第３の検出温度（ｃ）の値が温度（ｃ２）まで引き上げられ、第３の検出温度（ｃ）の温度（ｃ２）の下限に達すると、無電極ランプ１２が全光状態にて点灯中であると認識する。
【００５４】
全光点灯から調光点灯に戻した場合には、第３の検出温度（ｃ）の温度（ｃ１）の上限に達した場合に、調光状態により点灯中であると認識する。ここで、一旦、調光点灯もしくは全光点灯を認識した後に、下限を下回った場合にエラーとすることで、消灯または過冷却の検出が可能となる。
【００５５】
さらに、何らかの異常が発生し、ランプハウス１１内の温度が全光点灯時以上に上昇し、第４の検出温度（ｄ）まで達した場合は電源停止を行う。電源１４の停止を受け、メモリ２４１内の比較対象は第１の検出温度（ａ）に戻り、ランプハウス１１内の温度が第３の検出温度（ａ）まで下がると再点灯が可能となる。
【００５６】
このように、温度センサ９１によってモニタリングされるランプハウス１１内の温度と、メモリ２４１に記憶された複数の温度値とを比較することにより、無電極ランプ１２の点灯状態、安定点灯状態、異常状態等を検知することが可能となる。
【００５７】
このような状態検知が行われる中にあって、制御部２４に対して全光点灯である１００％の制御信号が供給されると、制御部２４は、電源１４から無電極ランプ１２を全光点灯させるマイクロ波を出力する電力をマグネトロン１３に供給する。同時に電源１４は吸気用のブロア１８に対しても全光点灯にあった送風を行う電力の供給を行う。
【００５８】
次に、５０％調光の制御信号が供給されると、制御部２４は、電源１４から無電極ランプ１２を５０％調光点灯させるマイクロ波を出力する電力をマグネトロン１３に供給する。このときブロア１８に対して電源１４は、送風を弱める電力を供給する。
【００５９】
全光点灯と調光点灯にそれぞれ応じた無電極ランプ１２の冷却が可能となる。従って、調光時の無電極ランプの過冷却を抑制し、過冷却による鉄と水銀の発光比率の変化を抑えることで、発光スペクトルの変化を抑えることが可能となる。
【００６０】
この実施形態では、温度センサの出力に基づいて予め記憶されたデータとの比較によりマグネトロンに対する電力制御を行う場合にあって、ブロアに供給する電力を無電極ランプの点灯状態に適合させた状態に設定することで、発光スペクトルの変化を抑制することが可能となる。
【００６１】
この発明は、上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、無電極ランプは、長手方向の中央部の径をその両端の径よりも小さいものを使用したが、中央部、両端部が同じ径であっても構わない。筐体内にはマグネトロンが１個の場合で説明したが、２個以上であっても構わない。
【００６２】
また、第６の実施形態の制御部は、マイコンを使用した場合について説明したが、第１〜第５の実施形態の制御部においてもマイコンを使用することが可能である。
【００６３】
さらに、第１〜第６の実施形態の全光点灯と調光点灯時のマグネトロンの電力調整は、制御部に対して制御情報を供給するようにしたが、電源そのものの出力電圧を可変することでも同様の電力調整が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】この発明の紫外線照射装置に関する第１の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線の断面図。
【図３】図１に使用する無電極ランプの一例について説明するための構成図。
【図４】この発明の第１の実施形態に関する動作について図１とともに説明するためのシステム構成図。
【図５】この発明の第２の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図６】この発明の第３の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図７】この発明の第４の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図８】この発明の第５の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図９】この発明の第６の実施形態について説明するためのシステム構成図。
【図１０】図９の制御例について説明するための説明図。
【符号の説明】
【００６５】
１１  ランプハウス
１２  無電極ランプ
１３  マグネトロン
１４  電源
１５  導波管
１６  アンテナ
１７  吸気口
１８  ブロア
１９  反射板
２０  ＲＦスクリーン
２１  ダクト
２１３  通気孔
２１４  排気口
２２  フィルタ
２３  電磁弁
２４  制御部
５１  排気孔
５２  排気用ブロア
５３  排気ダクト
６１  マイクロ波センサ
７１  ＵＶセンサ
８１，９１  温度センサ
９２  マイクロ波空洞部
９３  フレーム
２４１  メモリ
【図１】
2009289527.tif 000003
【図２】
2009289527.tif 000004
【図３】
2009289527.tif 000005
【図４】
2009289527.tif 000006
【図５】
2009289527.tif 000007
【図６】
2009289527.tif 000008
【図７】
2009289527.tif 000009
【図８】
2009289527.tif 000010
【図９】
2009289527.tif 000011
【図１０】
2009289527.tif 000012