(57)【要約】【課題】上面発光型の有機ＥＬ表示装置において、対向電極の電位の面内均一性を高める。【解決手段】本発明の上面発光型有機ＥＬ表示装置は、絶縁基板ＳＵＢ１と、基板ＳＵＢ１の一方の主面上で配列した複数の画素電極ＰＥと、その主面を被覆すると共に画素電極ＰＥに対応した位置に第１開口が設けられた隔壁絶縁層ＰＩと、画素電極ＰＥを被覆した有機物層ＯＲＧと、有機物層ＯＲＧと隔壁絶縁層ＰＩとを被覆した対向電極ＣＥとを備えたアレイ基板ＡＳと、対向電極ＣＥと向き合った絶縁基板ＳＵＢ２と、絶縁基板ＳＵＢ２の対向電極ＣＥと向き合った主面を被覆すると共に対向電極ＣＥと接触し、第１開口に対応した位置に第２開口が設けられた金属層ＭＥとを備えた封止基板ＣＳとを具備したことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の一方の主面上で配列した複数の画素電極と、前記主面を被覆すると共に前記複数の画素電極に対応した位置に複数の第１開口が設けられた隔壁絶縁層と、前記複数の画素電極を被覆した有機物層と、前記有機物層と前記隔壁絶縁層とを被覆した対向電極とを備えたアレイ基板と、
前記対向電極と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記対向電極と向き合った主面を被覆すると共に前記対向電極と接触し、前記複数の第１開口に対応した位置に複数の第２開口が設けられた金属層とを備えた封止基板とを具備したことを特徴とする上面発光型の有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記アレイ基板は、前記隔壁絶縁層と前記対向電極との間に介在した複数の柱状スペーサをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記封止基板は、前記第２絶縁基板と前記金属層との間に介在した樹脂層をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に係り、特には、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置が記載されている。上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、配線等の遮光体と観察者との間に有機ＥＬ素子を配置する。そのため、上面発光型の有機ＥＬ表示装置は、下面発光型の有機ＥＬ表示装置と比較してより高い開口率を実現可能である。
【０００３】
上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の画素電極は背面電極であり、これら画素電極と向き合った対向電極は前面電極である。それゆえ、対向電極は、光透過性でなければならない。
【０００４】
この対向電極の材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透明導電酸化物を使用することができる。しかしながら、多くの場合、有機ＥＬ素子の有機物層は、光透過性導電材料の堆積に伴ってダメージを受ける。そのため、透明導電酸化物を用いた場合、厚い対向電極を形成することは難しい。
【０００５】
また、先の対向電極の材料として、金属又は合金を使用することもできる。例えば、真空蒸着法を利用すれば、金属又は合金の堆積によって有機ＥＬ素子の有機物層がダメージを受けるのを防止できる。しかしながら、金属又は合金からなる対向電極で高い光透過性を実現するためには、その厚さを十分に小さくしなければならない。
【０００６】
このように、多くの上面発光型有機ＥＬ表示装置では、対向電極の厚さを小さくせざるを得ない。薄い対向電極はシート抵抗が大きいため、特に表示領域の寸法が大きい場合には、対向電極の電位の面内均一性が不十分となることがある。この場合、輝度ムラを生じる可能性がある。
【特許文献１】特開２００６−１００１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、上面発光型の有機ＥＬ表示装置において、対向電極の電位の面内均一性を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によると、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の一方の主面上で配列した複数の画素電極と、前記主面を被覆すると共に前記複数の画素電極に対応した位置に複数の第１開口が設けられた隔壁絶縁層と、前記複数の画素電極を被覆した有機物層と、前記有機物層と前記隔壁絶縁層とを被覆した対向電極とを備えたアレイ基板と、前記対向電極と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記対向電極と向き合った主面を被覆すると共に前記対向電極と接触し、前記複数の第１開口に対応した位置に複数の第２開口が設けられた金属層とを備えた封止基板とを具備したことを特徴とする上面発光型の有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、上面発光型の有機ＥＬ表示装置において、対向電極の電位の面内均一性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図である。図３は、図２に示す表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図である。図４は、図２に示す表示パネルの封止基板を概略的に示す平面図である。
【００１２】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１３】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図示しない枠形のシール層を介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１４】
アレイ基板ＡＳは、図２に示す第１絶縁基板ＳＵＢ１を含んでいる。絶縁基板ＳＵＢ１は、例えばガラス基板である。
【００１５】
基板ＳＵＢ１上には、図２に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ１上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１６】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。
【００１７】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。この上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００２０】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図１及び図２に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、図１に示すキャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層ＳＣとは交差している。この交差部は、図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２１】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２２】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２５】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２６】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配列している。これら画素電極ＰＥは、光反射性の背面電極である。本態様では、画素電極ＰＥは陽極である。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に第１開口が設けられている。第１開口は、例えば、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であるか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応して配列したスリットである。ここでは、一例として、第１開口は、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、樹脂からなる。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２９】
各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸに対応してパターニングされていてもよい。或いは、有機物層ＯＲＧが含んでいる各層は、画素ＰＸ間で繋がっていてもよい。
【００３０】
有機物層ＯＲＧは、発光層を含んでいる。有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔輸送層及び電子輸送層の少なくとも一方をさらに含むことができる。
【００３１】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、図２及び図３に示す対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で共用している共通電極であり、且つ、可視光透過性の前面電極である。また、本態様では、対向電極ＣＥは陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、隔壁絶縁層ＰＩとパッシベーション膜ＰＳとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００３２】
対向電極ＣＥの材料としては、ＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明導電酸化物並びに金属及び合金などを使用することができる。対向電極ＣＥは、単層構造を有していてもよく、或いは多層構造を有していてもよい。
【００３３】
各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。なお、発光層と正孔輸送層との間には、電子ブロッキング層を挿入してもよい。発光層と電子輸送層との間には、正孔ブロッキング層を挿入してもよい。また、正孔輸送層と陽極である画素電極ＰＥとの間には、正孔注入層を挿入してもよい。電子輸送層と陰極である対向電極ＣＥとの間には、電子注入層を挿入してもよい。
【００３４】
画素ＰＸの各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３５】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３６】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３７】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００３８】
封止基板ＣＳは、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと向き合っている。具体的には、封止基板ＣＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢ１と向き合っている。
【００３９】
封止基板ＣＳは、図２及び図４に示す第２絶縁基板ＳＵＢ２を含んでいる。絶縁基板ＳＵＢ２は、光透過性基板であって、例えばガラス基板である。
【００４０】
基板ＳＵＢ２のアレイ基板ＡＳとの対向面上には、金属層ＭＥが形成されている。金属層ＭＥには、第１開口に対応した位置に第２開口が設けられている。例えば、金属層ＭＥは、図４に示すように格子縞状である。或いは、金属層ＭＥは、ストライプ状であってもよい。ここでは、一例として、金属層ＭＥは図４に示すように格子縞状であるとする。
【００４１】
金属層ＭＥの材料としては、金属及び／又は合金を使用する。例えば、金属層ＭＥの材料として、アルミニウム又はアルミニウム合金を使用することができる。
【００４２】
金属層ＭＥは、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。また、金属層ＭＥと基板ＳＵＢ２との間には、ＩＴＯ及びＩＺＯなどの透明導電酸化物からなる透明導電層を介在させてもよい。この透明導電層は、金属層ＭＥと同様にパターニングされていてもよく、或いは、連続膜であってもよい。
【００４３】
金属層ＭＥは、対向電極ＣＥと接触している。典型的には、金属層ＭＥは、そのアレイ基板ＡＳと向き合っている面のほぼ全体を対向電極ＣＥと接触させている。
【００４４】
シール層は、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳの周縁部との間に介在している。シール層は、全画素ＰＸによって構成された画素群を取り囲んでいる。シール層の材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００４５】
アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層とは、気密な中空体を形成している。この中空体の内部空間は、例えば真空とする。こうすると、金属層ＭＥを対向電極ＣＥに確実に接触させることができる。また、典型的には、この中空体内には、乾燥剤を据える。乾燥剤は、例えば、封止基板ＣＳに支持させる。なお、この有機ＥＬ表示装置は上面発光型であるので、乾燥剤は、表示領域と向き合うようには位置させず、周辺領域と向き合うように位置させる。
【００４６】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４７】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る行を選択している選択期間では、その選択している行の画素ＰＸに対して書込動作を行う。そして、非選択期間では、その非選択中の行の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００４８】
具体的には、或る行を選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、その行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００４９】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００５０】
上記の通り、この有機ＥＬ表示装置は、金属層ＭＥを含んでいる。金属層ＭＥは、対向電極ＣＥと電気的に接続されているので、対向電極ＣＥにおける電位の面内均一性を高める。
【００５１】
また、金属層ＭＥには画素電極ＰＥに対応した位置に開口を設けているので、金属層ＭＥが厚い場合であっても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが放出した光が金属層ＭＥによって遮られることはない。そのため、金属層ＭＥを厚く形成することができ、それゆえ、そのシート抵抗を十分に小さくすることができる。
【００５２】
したがって、対向電極ＣＥにおける電位の面内均一性を十分に高めることができる。それゆえ、対向電極ＣＥにおける電位の面内均一性が不十分であることに起因して輝度ムラが生じるのを防止できる。
【００５３】
次に、本発明の第２態様について説明する。  
図５は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図である。図６は、図５に示す表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【００５４】
図５及び図６に示すアレイ基板ＡＳは、隔壁絶縁層ＰＩ上で配列した柱状スペーサＣＬをさらに含んでいる。これら柱状スペーサＣＬは、例えば、アルミニウムなどの金属又は樹脂からなる。各柱状スペーサＣＬは、隔壁絶縁層ＰＩと対向電極ＣＥとの間に介在している。これにより、対向電極ＣＥの表面に凸部ＰＲを形成している。第２態様に係る有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板ＡＳに上記の構成を採用したこと以外は、第１態様に係る有機ＥＬ表示装置と同様である。
【００５５】
柱状スペーサＣＬを使用すると、柱状スペーサＣＬを使用しない場合と比較して、金属層ＭＥと対向電極ＣＥとの接触面積が減少する。しかしながら、柱状スペーサＣＬを使用すると、柱状スペーサＣＬを使用しない場合と比較して、より大きな力で金属層ＭＥは対向電極ＣＥに押し付けられる。それゆえ、例えば、隔壁絶縁層ＰＩの厚さが不均一であったとしても、金属層ＭＥと対向電極ＣＥとの接触不良は生じ難い。それゆえ、対向電極ＣＥにおける電位の面内均一性が不十分であることに起因して輝度ムラが生じるのを確実に防止できる。
【００５６】
次に、本発明の第３態様について説明する。  
図７は、本発明の第３態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図である。
【００５７】
図７に示す封止基板ＣＳは、金属層ＭＥと絶縁基板ＳＵＢ２との間に介在した樹脂層ＲＬをさらに含んでいる。樹脂層ＲＬは、例えば、図７に示すような連続膜である。この場合、樹脂層ＲＬは光透過性でなければならない。樹脂層ＲＬは、金属層ＭＥと同様にパターニングされていてもよい。この場合、樹脂層ＲＬは、光透過性であってもよく、或いは、そうでなくてもよい。
【００５８】
第３態様に係る有機ＥＬ表示装置は、封止基板ＣＳに上記の構成を採用したこと以外は、第２態様に係る有機ＥＬ表示装置と同様である。金属層ＭＥと絶縁基板ＳＵＢ２との間に樹脂層ＲＬを介在させると、押厚による金属層ＭＥの変形が生じ易くなる。それゆえ、対向電極ＣＥにおける電位の面内均一性が不十分であることに起因して輝度ムラが生じるのをより確実に防止できる。
【００５９】
第１乃至第３態様に係る有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。例えば、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用する代わりに、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の例を説明する。  
（例１）
本例では、以下に説明する方法により、図１乃至図４を参照しながら説明した表示パネルＤＰを２４枚製造した。なお、本例では、表示領域の対角寸法は３．５インチ（約８．９ｃｍ）とした。また、対向電極ＣＥは、その周縁部で電源端子ＮＤ２と接続した。
【００６１】
まず、短辺及び長辺の長さがそれぞれ４００ｍｍ及び５００ｍｍの長方形のガラス基板を準備した。このガラス基板の一方の主面を２４個のアレイ基板領域に区画し、各アレイ基板領域上に基板ＳＵＢ１を除くアレイ基板ＡＳの構成要素を形成した。
【００６２】
具体的には、ガラス基板の各アレイ基板領域上に、図２に示すアンダーコート層ＵＣから隔壁絶縁層ＰＩまでの構成要素を形成した。隔壁絶縁層ＰＩの厚さは３μｍとした。
【００６３】
次に、真空蒸着法により、画素電極ＰＥ及び隔壁絶縁層ＰＩ上に有機物層ＯＲＧを形成した。有機物層ＯＲＧは、正孔輸送層と発光層とで構成した。具体的には、正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）からなる厚さ２００ｎｍの層を形成した。そして、正孔輸送層上に、発光層として、トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（Ａｌｑ3）からなる厚さ５０ｎｍの層を形成した。なお、この発光層は、電子輸送層を兼ねている。
【００６４】
続いて、真空蒸着法により、有機物層ＯＲＧ上に、電子注入層として、マグネシウムと銀との合金からなる厚さ２ｎｍの層を形成した。さらに、平行平板マグネトロンスパッタリング装置を用いて、電子注入層上に、ＩＴＯからなる厚さ１００ｎｍの対向電極ＣＥを形成した。以上のようにして、割断前のアレイ基板（以下、大判アレイ基板という）を完成した。
【００６５】
なお、有機物層ＯＲＧの成膜から対向電極ＣＥの成膜までの処理は、酸素濃度及び水分濃度の各々を１ｐｐｍ以下とした真空又は窒素雰囲気中で行った。また、大判アレイ基板について、対向電極ＣＥ側表面のシート抵抗を測定した。その結果、このシート抵抗は、１００Ω／□であった。
【００６６】
次に、短辺及び長辺の長さがそれぞれ４００ｍｍ及び５００ｍｍの長方形のガラス基板を準備した。このガラス基板の一方の主面を２４個の封止基板領域に区画し、各封止基板領域上に図２及び図４に示す金属層ＭＥを形成した。
【００６７】
具体的には、平行平板スパッタリング装置を用いて、ガラス基板の各封止基板領域上にアルミニウム層を形成した。このアルミニウム層を、フォトリソグラフィを利用してパターニングした。これにより、アルミニウムからなる厚さ１００ｎｍの金属層ＭＥを得た。以上のようにして、割断前の封止基板（以下、大判封止基板という）を完成した。なお、この金属層ＭＥを連続膜と見なした場合のシート抵抗（以下、「見なしシート抵抗」という）は、約０．１Ω／□であった。
【００６８】
次に、大判封止基板の各封止基板領域上に、枠形状の紫外線硬化樹脂層を形成した。次いで、紫外線硬化型貼合せ装置を用いて、大判アレイ基板と大判封止基板との貼り合せ及び紫外線硬化樹脂層の硬化を行った。この貼り合せは、１００Ｐａの真空中で行った。また、大判アレイ基板と大判封止基板とのアライメント精度は５μｍ以下であった。
【００６９】
その後、大判封止基板を各封止基板領域の輪郭に沿って割断すると共に、大判アレイ基板を各アレイ基板領域の輪郭に沿って割断した。以上のようにして、２４枚の表示パネルＤＰを得た。
【００７０】
（例２）
本例では、アレイ基板ＡＳに図５に示す柱状スペーサＣＬを形成したこと以外は、例１で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。具体的には、本例では、感光性樹脂を用いて、隔壁絶縁層ＰＩ上に、樹脂からなる高さ２μｍの柱状スペーサＣＬを形成した。また、柱状スペーサＣＬは、１つの画素電極ＰＥにつき１つの割合で配置した。すなわち、本例では、図６に示す凸部ＰＲを１行おきに省略した。
【００７１】
（例３）
本例では、封止基板ＣＳに図７に示す樹脂層ＲＬを形成したこと以外は、例２で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。具体的には、本例では、ポジ型フォトレジストを用いて、ガラス基板上に厚さ２μｍの樹脂層ＲＬを形成した。
【００７２】
（比較例）
図８は、比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰは、金属層ＭＥを省略していること以外は、図１乃至図４を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様の構造を有している。本例では、金属層ＭＥを省略したこと以外は、例１で説明したのと同様の方法により、表示パネルＤＰを２４枚製造した。
【００７３】
次に、これら表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲなどを接続し、表示領域の中央部と周縁部とで輝度を測定した。その結果を以下の表に纏める。
【表１】
2009026828.tif 000003
【００７４】
上記表には、表示領域の周縁部の輝度Ｌpと中央部の輝度Ｌcとの差Ｌp−Ｌcと輝度Ｌpとの比（Ｌp−Ｌc）／Ｌp、対向電極ＣＥのシート抵抗、金属層ＭＥの見なしシート抵抗、を記載している。なお、表中の数値は、何れも平均値である。また、上記表において、目視評価の列に記載する丸印は、暗室環境中でも全ての表示パネルＤＰで輝度ムラは確認されなかったことを示し、三角印は半数以上のパネルに関して暗室環境で輝度ムラが確認されたことを示し、罰印は半数以上のパネルに関して通常環境下で輝度ムラが確認されたことを示している。
【００７５】
この表に示すように、金属層ＭＥを形成した場合、金属層ＭＥを省略した場合と比較して、輝度ムラは生じ難かった。特に、柱状スペーサＣＬと樹脂層ＲＬとの双方を形成した場合には、輝度ムラの発生を抑制する効果が大きかった。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図４】図２に示す表示パネルの封止基板を概略的に示す平面図。
【図５】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図。
【図６】図５に示す表示パネルのアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図７】本発明の第３態様に係る有機ＥＬ表示装置で使用可能な表示パネルの一例を概略的に示す断面図。
【図８】比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７７】
ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＬ…柱状スペーサ、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＭＥ…金属層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＲ…凸部、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＬ…樹脂層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ１…絶縁基板、ＳＵＢ２…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2009026828.tif 000004
【図２】
2009026828.tif 000005
【図３】
2009026828.tif 000006
【図４】
2009026828.tif 000007
【図５】
2009026828.tif 000008
【図６】
2009026828.tif 000009
【図７】
2009026828.tif 000010
【図８】
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