(57)【要約】【課題】製造工程を煩雑化することなく、外層配線パターンを正確に形成できるようにした多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】内層回路基板１０又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に、外層絶縁層３０を積層した後、内層回路基板又は中間外層回路基板に形成されたアライメントマーク２２を基準にして、前記外層絶縁層にビア４７用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク５７用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層絶縁基板の少なくとも片面に内層配線パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の、前記内層絶縁基板に対して外側の面に外層配線パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法において、前記内層回路基板又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に前記外層絶縁層を積層した後、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層上に外層配線パターンを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、該回路基板の配線パターンと同時に形成されたアライメントマークである請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の、前記外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に形成されている請求項１又は２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記ビア用の穴及び前記外層アライメント用の穴を形成した後、各穴の内壁を物理的洗浄によりクリーニング処理する請求項１〜３のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記外層アライメントマークを基準にした外層配線パターンの形成は、フォトレジストによるパターニングの際に、前記外層アライメントマークを基準にして位置合わせしたフォトマスクを用いて露光し現像することにより、所定のレジストパターンを形成することにより行われる請求項１〜４のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内層回路基板上に外層回路基板を１層以上積層して構成される多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電気機器は小型化・軽量化が進み、これに用いられる配線基板においても、小型化及び高密度実装化が要求されている。従来のこの種の配線基板としては、例えば、絶縁層と導体層（配線層）とを交互に積み重ねて、多層配線基板を製造するビルドアップ法が知られている。
【０００３】
一般的なビルドアップ法について説明すると、内層絶縁基板上に配線パターンを形成してなる内層回路基板に、外層絶縁層及び導体層を順番に積層させると共に、外層絶縁層及び導体層に前記配線パターンに連通するビアを形成する。そして、無電解めっき等の手段によってビアの内周を導通化し、給電手段によって導体層及びビアの内周に通電しながら電解めっきを施す。こうして得られた電解めっき層の不要な部分をエッチング等によって除去することにより、所定の導体パターンが形成されて、多層配線基板が製造されるようになっている。
【０００４】
ところで、このようなビルドアップ多層配線基板の製造方法では、外層絶縁層に形成するビアの位置や、外層絶縁層の電解めっき層をフォトエッチングして形成する外層配線パターンの位置が、内層回路基板の内層配線パターンに対して、正確に位置合わせされることが要求される。このため、外層絶縁層へのビアの形成や、電解めっき層のフォトエッチングは、内層回路基板又は外層絶縁層に形成されたアライメントマークを基準にして、加工位置を設定するようにしている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、予め貫通孔からなるアライメントマークが設けられた配線パターンを形成したコア基板に、絶縁層及び導体層を積層し、前記アライメントマークを基準として配線パターン並びにビアホールを形成し、絶縁層と配線パターンが交互に積層して設けられた多層プリント配線板の製造方法で、位置合わせ時に、前記基板に予め形成されたアライメントマークとして使用する貫通孔の確認光として波長６００ｎｍ以上の透過光を使用することを特徴とするプリント配線板の製造方法が開示されている。この方法では、内層回路基板の端部に形成したアライメントマークを基準にして、外層絶縁層のビア及び配線パターンの形成を行うようにしている。
【０００６】
また、下記特許文献２には、絶縁性基材の両面に銅箔を備えて成る内層コア基板に、その外層として絶縁層及び導体層を積層し、アライメントマークを基準として前記導体層に配線パターンを形成する多層プリント配線板の製造方法において、前記銅箔にアライメントマークを形成する工程と、前記絶縁層の積層前にあらかじめ前記アライメントマークをマスキング材により被覆する工程と、前記導体層の積層後に前記導体層から前記マスキング材まで貫通する切り込み溝を穿設する工程と、前記アライメントマークと符合する位置で前記外層を前記マスキング材と共に除去する工程とを有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１００５２５号公報
【特許文献１】特開２００６−２３７０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の従来の方法では、内層回路基板の端部に形成したアライメントマークを基準して、外層絶縁層のビア及び配線パターンの形成を行うようにしているので、外層回路基板の配線パターン形成時に、外層絶縁層が積層された部分と積層されていない部分で加工工程や保管環境における基材の膨張収縮が異なり、これが位置ずれの原因となるという問題があった。特に外層絶縁層のビア形成後の熱的工程や機械的工程、さらに保管状態の温度や湿度により外層絶縁層が積層した範囲と外層絶縁層が積層されていない範囲（内層アライメントマークが存在する）の基板の伸縮に違いが生ずる。このため内層アライメントマークを基準として外層配線パターンを形成すると外層ビアとの間に位置ずれを生じる。従って外層パターンの一部であるビアランドを小さく形成すると外層ビアがランドから外れて不良の原因となり、これを避けるためにランド径を大きくするなど高密度化を阻害する要因となっていた。
【０００８】
また、上記の従来の方法では、絶縁層の積層前にあらかじめアライメントマークをマスキング材により被覆する工程と、導体層の積層後に導体層からマスキング材まで貫通する切り込み溝を穿設する工程とが必要であるため、製造工程が煩雑となり製造作業性が悪いという問題が生じる。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、製造工程を煩雑化することなく、外層配線パターンと外層ビアの位置精度を向上する事により、ビアランドを不用に広げる必要が無く高密度配線を可能にする多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の多層配線基板の製造方法は、内層絶縁基板の少なくとも片面に内層配線パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の、前記内層絶縁基板に対して外側の面に外層配線パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法において、前記内層回路基板又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に前記外層絶縁層を積層した後、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層上に外層配線パターンを形成することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、内層回路基板又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に形成されたアライメントマークを基準にして、外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、この穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することにより、外層アライメントマークと外層配線パターンとの間の位置精度が保たれ、外層配線パターンを正確な位置に形成することができる。即ち、内層回路基板又は中間外層回路基板上に形成されたアライメントマークを基準にして外層絶縁基板にビア用の穴を形成することにより、内層配線パターン及び中間外層配線パターンと、外層ビアとの位置精度を正確に決める事が出来、また同時に形成した外層アライメントマーク用の穴も同様に、内層配線パターン及び中間外層配線パターンと正確な位置精度を有している。また、外層パターンと外層ビアの位置精度においては、外層アライメントマークと外層ビアを同工程にて形成しているため、外層アライメントマークを基準に外層パターンを形成する事により、特に良好に保つ事が可能である。特に外層ビア及び外層アライメントマーク形成後、外層パターン形成までの各種工程や保管環境による基材の伸縮（機械的な研磨工程、熱的工程、めっき工程による内部応力、湿式工程による吸湿などが、特に伸縮を伴い易い工程として考えられる）に対しても、外層アライメントマークと外層ビアが同一の層構成上に存在する為、伸縮の違いによるいわゆる“ずれ”を生じる事がなく影響を最小限に抑える事が可能であり、伸縮が生じてもほぼ均質であるため露光時の倍率補正により容易に位置を一致させる事が可能である。その結果、パターンのずれによる製品不良率を軽減できると共に、ビアとパターンとのずれ吸収の為にランド径を不用に広げる必要が無く、より高密度化された配線パターンに対応させることが可能となる。また、外層絶縁層にビア用の穴を形成するときに外層アライメントマーク用の穴を一緒に形成することにより、製造工程も煩雑化することがない。
【００１２】
本発明においては、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、該回路基板の配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであることが好ましい。これらのアライメントマークは、いずれも内層配線パターン又は中間外層配線パターンに対して定められた位置関係にあり、これらのアライメントマークを基準にして、外層ビア及び外層アライメントマーク用の穴を形成することにより、内層配線パターン又は中間外層配線パターンに対して、外層ビア及び外層アライメントマーク用の穴を正確に位置決めすることができる。
【００１３】
特に、外層回路基板が複数層積層されてなる多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法においては、前記内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に前記外層絶縁層を積層した後、前記中間外層回路基板に形成された中間外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することが好ましい。この場合、中間外層アライメントマークが中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、中間外層配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであることが好ましい。これによれば、近接層のパターンとの位置関係を正確に形成する事ができ、高周波回路など下層パターンとの位置関係が重要になる回路基板の形成においては有利である。
【００１４】
また、本発明においては、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の、前記外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に形成されていることが好ましい。この態様によれば、外層絶縁層を積層しても、アライメントマークが隠れてしまうことがないので、外層絶縁層の一部切除などの面倒な工程を伴うことなく、明瞭に認識することが出来る。更に、複数層積層する場合においては共通の内層アライメントマークを基準にして外層アライメントマークを形成してもよいが、中間外層アライメントマークを外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に形成し、これを基準に外層アライメントマークを形成しても良く、特に最初に形成した内層を基準に順次形成された直下の層のアライメントマークを基準とする事により直下の層の配線パターンと外層ビアをより正確に位置決めする事が出来る。どの層間の精度を重視するかは設計により多様化するので、各層において必要とする精度により使い分ければ何れを用いても良い。
【００１５】
また、本発明においては、前記ビア用の穴及び前記外層アライメント用の穴を形成した後、各穴の内壁を物理的洗浄によりクリーニング処理することが好ましい。この態様によれば、ビア用の穴の内周の物理的洗浄と同時に、外層アライメント用の穴の内周も物理的洗浄することにより、工程数を増やすことなく、外層アライメント用の穴の形状を正確に形成することができ、アライメントの精度を向上させることができる。
【００１６】
更に、本発明において、前記外層アライメントマークを基準にした外層配線パターンの形成は、フォトレジストによるパターニングの際に、前記外層アライメントマークを基準にして位置合わせしたフォトマスクを用いて露光し現像することにより、所定のレジストパターンを形成することにより行われることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図１〜８を参照して、本発明による多層配線基板の製造方法の一実施態様を説明する。但し、本発明は下記の実施態様により制限されるものではない。
【００１８】
図１には、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された、多層配線基板１の模式構成断面図が示されている。この実施態様における多層配線基板１は、内層絶縁基板１１の表裏両面に内層配線パターン１５，１５を形成してなる内層回路基板１０と、該内層回路基板１０の表裏両面に設けられた接着層２５，２５と、該接着層２５，２５を介して前記内層回路基板１０の表裏両側にそれぞれ積層された外層絶縁層３０,３０と、該外層絶縁層３０，３０の表面上にそれぞれ形成された外層配線パターン４０，４０とからなっている。
【００１９】
次に、多層配線基板１の各層の構成を更に詳細に説明する。まず、内層回路基板１０について説明すると、内層絶縁基板１１の表裏両面には、それぞれ導体配線１３，１３が形成されていて、これらにより所定の内層配線パターン１５が設けられている。また、内層絶縁基板１１の所定箇所には、丸孔状のビア１７（図６参照）が貫通して形成されており、このビア１７内に設けた接続部１８を介して、内層絶縁基板１１の表裏両面に形成された内層配線パターン１５，１５が電気的に接続されている。
【００２０】
上記内層回路基板１０は、代表的には、後述する樹脂フィルム等の絶縁材料からなる内層絶縁基板１１に、銅箔等の導体材料を貼り合わせて積層させた銅貼り積層板、いわゆるＣＣＬ（ｃｏｐｐｅｒ  ｃｌａｄ  ｌａｍｉｎａｔｅ）をコア基材として、これにサブトラクティブ法等によって、銅箔等の導体材料の不要な部分をエッチング処理して、必要な導体配線１３を残して、所定の内層配線パターン１５が形成された形状をなしている。なお、この内層回路基板１０は、前述したように、代表的にはエッチング処理を利用したサブトラクティブ法で形成されるが、電解めっきを利用したセミアディティブ法等で形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、内層回路基板１０は、内層絶縁基板１１の片面だけに複数の導体配線１３からなる内層配線パターン１５を形成してもよいが、本実施態様のように、内層絶縁基板１１の表裏両面に複数の導体配線１３をそれぞれ設けて、これをビア１７内の接続部１８を介して、電気的に接続したものであると、高密度化の点から特に有利である。なお、丸孔状のビア１７の内径は目的に応じて適宜設定されるが、１０〜１００μｍであることが高密度化の面から好ましく、２０〜１００μｍであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。
【００２１】
上記の内層絶縁基板１１は、その材質は特に限定はしないが、合成樹脂を含んだ成分で形成されていて、その表裏面上に形成される内層配線パターン１５を構成する複数の導体配線１３は、金属材料から構成されるのが一般的である。内層絶縁基板１１としては、例えばポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等を用いる事ができ、特に絶縁層にポリイミドフィルムを用いたものは、耐熱性や寸法安定性に優れ、薄くて強度があり高密度化に適しているだけでなくフレキシビリティーもあるため適用範囲が広く好適である。また、内層絶縁基板１１にポリイミドを用いたＣＣＬとしては、ポリイミドフィルムに融着性ポリイミド層を介して銅箔を加熱圧着したものや、銅箔にポリイミド前駆体をキャストして加熱したもの、ポリイミドフィルムに表面処理を施した後に、シード層としてニクロムなどのシード層をスパッタした後、銅をスパッタしたもの、更にその上に電解銅めっきを行って銅箔層を形成したものなどが挙げられる。
【００２２】
一方、内層配線パターン１５を形成する導体配線１３の導体材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔、金属めっき層（好適には蒸着金属下地層−金属めっき層あるいは化学金属めっき層等の多くの公知技術が適用できる）などを用いることができ、箔の形状で前記内層絶縁基板１１上に積層しているもの、或いは、前記内層絶縁基板１１の表面にスパッタリングなどの方法により積層しているもの、更に電解めっき層を積層したものなどがあげられるが、いずれの場合も銅を主成分とした金属を用いるのが最も一般的である。なお、内層絶縁基板１１上に積層される上記導体材料が、５〜３５μｍと比較的厚手の箔の場合は、サブトラクティブ法に用いられ、同導体材料が、０．５〜５μｍの極薄箔の場合は、セミアディティブ法、或いは、両面の導体配線１３，１３を、ビア１７を介して接続する場合など電解金属めっきを積み上げて用いる場合に適している。また、除去可能なキャリア層を有する極薄銅箔をポリイミドフィルムに融着層を介して加熱圧着したものも用いることも可能であり、特に０．５〜３μｍの極薄銅箔の場合には電解銅めっきを積み上げても導体の総厚を抑える事が出来る為、４０μｍピッチ以下の微細配線の形成に適している。
【００２３】
内層絶縁基板１１又はそれに導体層や配線パターンを形成した内層回路基板１０としては、本製造方法に問題なく使用できるものであればどのような形態でも用いることができるが、テープ形状、ロール状のテープ形状、フィルム状、シート状などのものを用いることが好ましい。特に、後述する直径２５０ｍｍ程度のロール１０１，１０７（図９参照）に巻き取り可能である長尺状の基板が好ましく採用される。更に詳しくは、内層回路基板１０を構成する内層絶縁基板１１の厚みが５〜１５０μｍであって、後述する外層絶縁層３０の厚みが５〜５０μｍである、フレキシブル性を有する基板を用いて、図９に示すロールツーロール法による連続処理を行うことが生産性を高めるために好ましい。
【００２４】
図１に示すように、上記内層回路基板１０の表裏両面には、外層絶縁層３０，３０が接着層２５，２５を介して接続されるようになっている。この接着層２５は、液状の接着樹脂を前記内層回路基板１０上に塗布や、印刷、コーティング等の方法で形成したり、或いは、予め接着樹脂をフィルム状に形成したボンディングシートを、ラミネートやプレス等で内層回路基板１０上に形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、この実施態様では、接着層２５は、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５が貼り合わされてなる、いわゆる片面ＣＣＬの裏面側に、ボンディングシートとして貼り合わされている（図２（ｂ）参照）。また、接着樹脂としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、シロキサン系等が用いられ、熱可塑性により充填接着するものや熱可塑性と熱硬化性とを併用するものが採用される。ここで熱硬化性とは必ずしも熱架橋成分などを有していなくとも、加熱によるゲル化や自然架橋により実質的に熱可塑性を失う物も効果は同等であり含まれる。熱可塑性と熱硬化性とを併用するものは、熱可塑性を利用して真空中で短時間加熱プレスして内層配線間の充填を確実に行い、その後まとめて所定時間オーブンで加熱硬化するとプレス装置の占有時間が短く十分な密着強度を得られ有利である。また、この接着層２５の厚さとしては、前記内層回路基板１０と後述する外層絶縁層３０とを貼り合せることができるものであれば、どのような厚みでもよいが、５〜１５０μｍのものが好ましく用いられる。
【００２５】
次に、上記接着層２５，２５を介して内層回路基板１０の表裏両面に外層絶縁層３０，３０、及び、この外層絶縁層３０，３０の表面上にそれぞれ積層されて形成された外層配線パターン４０について説明する。外層絶縁層３０としては、前述した内層回路基板１０を構成する内層絶縁基板１１と同様に、例えば、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等が用いられる。この外層絶縁層３０の厚さとしては、前述したように、図９に示すロールツーロール法を採用する観点から、５〜５０μｍであることが好ましい。
【００２６】
一方、各外層絶縁層３０,３０上に形成される外層配線パターン４０は、この実施態様の場合、外層絶縁層３０，３０の表面上に所定パターンでそれぞれ形成された導体層４５，４５と、この導体層４５，４５上に形成されためっき導体層５０，５０とから構成されている。また、各外層絶縁層３０の所定箇所には、丸孔状のビア４７が貫通するようにしてそれぞれ設けられており、更にこのビア４７は、接着層２５，２５を貫通して、内層回路基板１０の表裏両面に設けた内層配線パターン１５，１５にそれぞれ至る深さで形成されている。そして、ビア４７の内周には導通層５２が形成されるとともに、ビア４７内には導体層４５上から連続しためっき導体層５０が形成されていて、その一端部が前記内層配線パターン１５に当接し、外層配線パターン４０と内層配線パターン１５とが電気的に接続されている。なお、丸孔状のビア４７の内径は適宜設定され、１０〜１００μｍであることが高密度化の面から好ましく、２０〜１００μｍであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。また、この実施態様においては、ビア４７は各外層絶縁層３０に対して便宜上一個のみ示されているが、実際には高密度化のため複数形成されており、外層配線パターン４０は、内層回路基板１０の内層配線パターン１５に対して、複数箇所で電気的に接続されている。また、層間接続は導電ペーストなどの導電体の充填により独立に達成されても良く、この場合外層配線パターン４０は、電気的、機械的特性が十分であれば導体層４５だけで構成されてもよく、めっき導体層５０は必ずしも必要としない。
【００２７】
各導体層４５は、前記内層回路基板１０の導体配線１３の導電材料と同様、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔などが用いられ、好ましくは０．５〜３５μｍの厚さとされており、後述するめっき導体層５０の厚さと合わせて３〜３５μｍが高配線密度が形成しやすく、電気的、機械的特性を確保する面から好ましい。なお、この実施態様では、図２（ｂ）に示すように、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５を貼着してなる、いわゆる片面ＣＣＬが用いられている。また、同外層絶縁層３０の裏面側には、前述したように、ボンディングシートとして接着層２５が貼着されている。
【００２８】
なお、ここでは外層絶縁層３０，３０と接着層２５，２５を個別に準備する方法について記載したが、内層基板に積層した状態で基板の設計上の必要特性を保つ事が出来れば接着層２５が外層絶縁層３０を兼ねても良い。銅箔に接着樹脂層を形成したいわゆる樹脂付銅箔（ＲＣＣ）などを用いる事も可能である。
【００２９】
また、上記導体層４５の表面に積層されためっき導体層５０は、金、銀、銅、ニッケル等の各種めっきが施されるが、この実施態様では、銅めっきが施されるようになっている。この銅めっきからなるめっき導体層５０は、１〜２５μｍの厚さに施されており、前述した導体層４５の厚さと合わせて概ね３〜３５μｍとなるように施されている。
【００３０】
次に上記構成からなる多層配線基板１を、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造する工程について説明する。図２〜５には、本発明の製造方法の一実施例を工程順に表わす模式構成断面図が示されている。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、内層回路基板１０は、前述したように、内層絶縁基板１１の表裏両面に複数の導体配線１３からなる内層配線パターン１５がそれぞれ形成されており、これがビア１７を介して電気的に接続された形状をなしている。また、本発明において、この内層回路基板１０は、図２（ｂ）に示すように、接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５を積層してなる積層体５５よりも大きくなるように形成され（すなわち、外層絶縁層３０及び導体層４５よりも大きい）、外層絶縁層３０及び外層配線パターン４０の左右両側の周縁部から、所定長さだけ突出した形状をなしている。そして、この突出した部分には、図１に示す製品完成状態においては、切断されて除去される露出導体部２０が、内層絶縁基板１１の左右両側位置であって、その表裏両面に各々設けられている。
【００３２】
図６には、この内層回路基板１０の製造工程中の平面図が示されている。すなわち、内層回路基板１０を形成する内層絶縁基板１１は、ロール状のシートをなして製造ラインに連続的に供給され、このシートの両側に送り用の孔１４（いわゆるスプロゲットホール）が所定間隔で形成されている。また、内層絶縁基板１１のシートの中央部には、導体配線１３からなる内層配線パターン１５と、ビア１７とが形成されている。このビア１７内には前述した接続部１８が形成される。
【００３３】
そして、図中２２は、上記内層配線パターン１５や、ビア１７を形成する際に基準とした内層アライメントマークである。すなわち、ビア１７の形成時に、内層アライメントマーク２２を基準にして加工位置を設定する。また、導体配線１３からなる内層配線パターン１５は、例えば、内層絶縁基板１１上に形成された導体層（必要に応じて形成された電解めっき層を含む）をフォトエッチングしてパターン化し、上記フォトエッチングの際に内層アライメントマーク２２を基準にしてフォトマスクを位置決めし、露光、現像することによりレジストパターンを形成する。
【００３４】
この内層アライメントマーク２２は、内層絶縁基板１１への送り用の孔（スプロゲットホール）１４の形成時に一緒に機械加工等によって例えば貫通孔として形成することができる。また、スプロゲットホール１４を内層アライメントマークとして使用してもよいし、例えばスプロゲットホールを基準としてビア穴加工を行い、あわせて内層アライメントマーク２２を形成する事も可能である。また、内層アライメントマーク２２の形成の際に、別のアライメントマーク２６を形成しておくこともできる。更に、上記内層配線パターン１５の形成時に、導体層をドット状に残してまたは除去して、更に別のアライメントマーク２７を形成してもよい。アライメントマーク２７は、孔ではなく、導体パターンとして形成されるが、ドット状に限らず、十字状、環状等の形状であってもよい。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、外層絶縁層３０の表面側に所定パターンを形成する前の導体層４５が積層されていると共に、その裏面側にボンディングシートとして接着層２５が貼着された積層体５５を、内層回路基板１０の表裏両側の所定位置に配置する。このとき、各積層体５５は、内層回路基板１０の内層アライメントマーク２２，２２及び露出導体部２０，２０を覆うことなく、内層配線パターン１５，１５の少なくとも一部を覆うように配置する。
【００３６】
上記状態で、図２（ｃ）に示すように、積層体５５,５５によって内層回路基板１０を挟み込んで、内層回路基板１０の表裏両面に接着層２５，２５を介して、外層絶縁層３０及び導体層４５が積層される。なお、図２（ｃ）では、内層回路基板１０両面の内層配線パターン１５，１５の全部を覆うように、外層絶縁層３０,３０を積層しているが、内層配線パターン１５の一部を覆うように外層絶縁層３０を積層してもよく、内層回路基板１０の片面は、その内層配線パターン１５の一部を覆い、同内層回路基板１０の残る片面は全部覆ってもよい。
【００３７】
また、図２（ｂ）,（ｃ）に示すように、積層体５５は、接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５とから構成されていればよく、例えば、
１）接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５とを予め積層した基材、
２）接着層２５と、片面に導体層４５を有する外層絶縁層３０とを別々のフィルムとしたもの、
３）接着層２５を予め内層回路基板１０に設けて、片面に導体層４５を有する外層絶縁層３０を上記接着層２５に積層したもの、
４）導体層４５の内側に接着層２５と外層絶縁層３０とを兼ねた接着性樹脂層を形成したもの、
などを用いることができる。
【００３８】
なお、この実施態様においては、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５を貼着してなる、いわゆる片面ＣＣＬが用いられて、これが接着層２５を介して内層回路基板１０に積層されるようになっている。ここで内層回路基板１０への積層は、内層回路基板１０の少なくとも一方の内層配線パターン１５形成面上に、接着層２５、外層絶縁層３０、導体層４５の順に重なるように積層すればよく特に制限はないが、例えば、内層回路基板１０の内層配線パターン１５形成面上に液状の接着剤を塗布し、外層絶縁層３０側が接するように、前記ＣＣＬを重ねてプレス硬化すればよい。又は、ボンディングシートをＣＣＬの外層絶縁層３０と内層絶縁基板１１との間に、内層配線パターン１５の一部或いは全部を覆うように重ね合わせ、真空中で加熱プレスしても良い。特に、予めＣＣＬの外層絶縁層３０側にボンディングシートを、例えば、ロールラミネーターで積層しておき、必要に応じて外形加工したものを内層回路基板１０に仮貼りして、真空中にて加熱プレスすると、正確かつ効率的で多様な積層体５５を積層する事ができる。また、内層回路基板１０及び積層体５５ともに、ロールツーロール搬送の場合は真空中で、内層回路基板１０にロールラミネーターで連続的に積層してもよい。逆に、真空中で内層回路基板１０にロールラミネーターでボンディングシートを積層したものに、ＣＣＬの外層絶縁層３０側がボンディングシートに接するようにロールラミネーターやプレス装置で積層してもよい。なお、内層回路基板１０の表裏両面に積層体５５,５５を積層する場合は、上記方法を繰り返しても良いし、途中まで例えば仮貼りまであるいは真空中での加熱プレスまでを表裏個々に行い、以降の工程は同時に行っても良い。また、内層回路基板１０及び積層体５５ともに、ロールツーロール搬送の場合は、両面同時に真空中でロールラミネーターにて連続積層してもよい。なお、接着層の追加加熱硬化を必要に応じてオーブン中などで行うことができる。
【００３９】
次に、上記工程により内層回路基板１０に積層体５５を積層させたら、内層回路基板１０の左右両端の外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に設けた内層アライメントマーク２２,２２を基準として、図３（ａ）に示すように、積層体５５,５５の、接着層２５、外層絶縁層３０、及び導体層４５の所定箇所に、丸孔状のビア４７,４７をそれぞれ形成すると共に、外層アライメントマーク５７を形成する。こうして、ビア４７の形成と同時に外層アライメントマーク５７を形成しておき、この外層アライメントマーク５７を基準にして外層配線パターン４０を形成することにより、外層配線パターン４０の位置精度を高めることができる。
【００４０】
図７には、内層回路基板１０上に前記積層体５５を積層し、ビア４７を形成した状態の平面図が示されている。ビア４７は、内層回路基板１０の内層アライメントマーク２２を基準にして、積層体５５の１箇所以上に形成することができる。そして、このビア４７の形成時に、外層アライメントマーク５７用の穴を同時に形成する。なお、ビア４７、外層アライメントマーク５７は、内層配線パターン１５の形成時に基準とした内層アライメントマーク２２を基準として形成することができるが、内層配線パターン１５形成の際に基準とした上記内層アライメントマーク２２と同時に形成されたアライメントマーク２６や、内層配線パターン１５と同時に形成されたアライメントマーク２７を基準として形成することもできる。また、外層アライメントマーク５７はアライメントの基準として認識出来ればどのような穴でも良く、図３の５７に示されるような止め穴でも良いし、高コントラストな透過光を用いて光学アライメントを行う為に貫通穴としても良い。表裏からともに貫通穴でアライメントマークを形成する場合には重ならない様に位置をずらしても良い。また、このようなプリント配線板の場合、例えば一方の面に半導体チップを搭載しもう一方の面は半田ボールを形成するなど、一方の面のみ特に高密度化が要求される場合も多く、その場合は高密度化が要求される面の外層ビアと同時に貫通穴によるアライメントマークを形成し、高密度化の要求が低い反対側の面もこの貫通穴をアライメントマークとして使用してもよい。
【００４１】
なお、上記ビア４７、外層アライメントマーク５７を形成する場合は、導体層４５に先に穴を開け、次に外層絶縁層３０及び接着層２５に穴を開ける２ステップでもよいし、導体層４５、外層絶縁層３０及び接着層２５に一度に穴を開けるワンステップでもよい。
【００４２】
また、上記のビア４７、外層アライメントマーク５７の形成は、公知の方法で形成することができ、特にレーザー光を用いて加工することが好ましい。ここで用いるレーザー光は炭酸ガスレーザー（波長９．３〜１０．６μｍ）、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）、ＹＡＧレーザーの高調波（３倍波：波長３５５ｎｍ、４倍波：波長２６６ｎｍ）に代表される紫外線レーザーなどが上げられ、また各種ガスによるエキシマレーザー（波長はガス種で異なる）を用いてもよい。
【００４３】
前記炭酸ガスレーザーは、現状大きなパワーを得る事が容易であるが、金属の吸収する波長帯とは異なる光である。そのため、金属を直接加工する場合には黒化処理などの表面処理を行う。すなわち、積層体５５表面を黒化処理し、その後、ビア４７を形成する部位に、ビーム径を絞り込んだパルスレーザー光を照射して、導体層４５と外層絶縁層３０並びに接着層２５を除去して、ビア４７を順次形成する。或いは、ビア４７を形成する部位を選択的に黒化処理して、レーザー光をスキャンして導体層４５と外層絶縁層３０並びに接着層２５を除去してもよい。ここで導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５は一度に除去してもよいが、内層の熱ダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層４５を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて外層絶縁層３０と接着層２５を除去することができる。また別の方法としては、ビア４７を形成する部位の導体層４５をエッチングなどで選択的に除去し、レーザー光をスキャンして接着層２５と外層絶縁層３０を除去してもよい。
【００４４】
ＹＡＧレーザーの高調波に代表される紫外線レーザー光は、金属が吸収する波長帯に属するため、金属の直接加工が可能である。また、主に有機物からなる外層絶縁層３０や接着層２５の分子結合を直接切断する効果が寄与すると考えられ、主に熱的に除去している炭酸ガスレーザーに比べて加工形状が良い。また、ＹＡＧに代表される固体励起レーザーはビーム形状が良く、更に高調波は紫外光と波長が短いためビームを絞り込む事が可能で、内径５０μｍ以下の小径のビア４７を形成するのに適している。ビア４７を形成する方法としては、積層体５５の導体層４５表面からビア４７を加工する部位に、小径に絞り込んだレーザー光のパルスを照射し、導体層４５、外層絶縁層３０及び接着層２５を除去し、ビア４７を形成する。このとき、パルスは複数ショット照射してもよいし、ビーム径に比べて大きな穴の場合には、ショット毎に例えばスパイラル状に走査しても良い。また、導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５は一度に除去してもよいが、内層のダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層４５を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて接着層２５と外層絶縁層３０を除去してもよく、導体層４５除去後に残った導体をマスクにして、焦点を外したレーザー光を照射して、外層絶縁層３０と接着層２５を除去すると、特に良好な穴形状を得る事ができる。この操作を穴毎に位置を変えて順次繰返し加工する。
【００４５】
エキシマレーザーはガスレーザーであり、ガス種により発振波長は異なるものの深紫外光を出し、マスクを用いて照射することで、導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５を除去して微小径の穴加工が可能であるが、ランニングコストがかかる為高価な製品用となる。
【００４６】
また、内層回路基板１０の表裏両面に、積層体５５,５５を形成した場合は、上記のビア４７の穴加工を、表裏毎に繰り返せばよい。
【００４７】
更に、ここでは積層体５５の導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５を除去して、内層回路基板１０の内層配線パターン１５の表面までの加工、すなわち標準的ブラインドビアの形成について記載したが、内層回路基板１０の裏面側までのビア、或いは内層回路基板１０の裏面側の積層体５５裏面までのビア、更には貫通孔としてもよく、レーザー光のパワーやショット数で適切に調整すればよい。
【００４８】
また、積層体５５がキャリア層を伴った極薄金属箔の場合、キャリア層を剥離してからビア４７を形成してもよいし、剥離する前に形成してもよい。前者の場合、比較的弱いレーザーパワーで金属箔の加工が可能なため、良好な穴形状を得やすく、後者はキャリアごと除去するためレーザーパワーは必要であるが、金属箔表面が保護されている為、レーザー加工による表面の汚染を防止できる。
【００４９】
なお、ビア４７の形成と同時に外層アライメントマーク５７を形成する場合、レーザーは一般にビームを絞って加工を行う為厳密に同時に加工する事は困難であるが、ビア４７と外層アライメントマーク５７を形成する為の位置決めが同一のアライメントマークを基準に用いた一連の操作によってなされる場合は効果が同じであり、実質的に同時とみなす事ができる。
【００５０】
上述のようにして、図３（ａ）に示すように、積層体５５にビア４７を形成した後は、各外層アライメントマーク５７内、及び、各ビア４７内を、過マンガン酸塩溶液などの化学的な洗浄や、ウェットブラスト法などの物理的洗浄により洗浄する。これは、いわゆるデスミア工程と呼ばれるもので、内層回路基板１０の内層配線パターン１５と、積層体５５の導体層４５とを電気的に接続するための、めっき導体層５０及び導通層５２の密着性を上げるためになされ、レーザー加工によって生じた特にビア４７内の汚染を除去するものである。前記汚染は主としてレーザーで溶融した接着層２５の樹脂成分、外層絶縁層３０の樹脂成分並びにこれらの変質物、更には溶融した導体層４５のかすが付着してなり、特にビア４７の形成により、内層配線パターン１５が露出した部分における樹脂成分による汚染は、導通層５２やめっき導体層５０の密着性を低下させて、電気的接続不良の原因となる。また、外層絶縁層３０と接着層２５は異なる成分を有する場合、化学的デスミア工程においては、いずれか一方が過剰に侵食されると密着不良や後工程での気泡残りなどにより導通不良の原因となる。これらの不具合防止のため、この実施態様では、ビア４７の穴内の洗浄は物理的に行う。物理的洗浄では化学的な作用が無いために、一方が過剰に侵食される事を防止する事ができる。もちろん、硬度などの違いによる微小な差はあるが、物理的な除去量も微小であるため実質的に問題ない。
【００５１】
具体的な物理洗浄の方法としては、エキシマ光に代表される２５０ｎｍ以下の深紫外光の照射、プラズマ処理、ドライブラスト処理、ウェットブラスト処理があげられる。プラズマ処理は、低圧下でガスを放電させて発生したプラズマにより樹脂をエッチングするものであり、煩雑な真空工程が必要であり、また樹脂のエッチング速度が遅いため激しい汚染には対応できない。ドライブラスト処理は、高圧の空気と共に研磨粉を吹付けて研磨する方法であり、細かな穴内も処理可能であるが噴射後の失速があり研磨力がやや弱く、また粉塵が大量に発生する為に、クリーンルームでの使用に難がある。ウェットブラスト処理は、砥粒と水を混合したスラリーを高圧のエアーでスプレーする方法であり、細かな穴内も処理され、また水に不溶のアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い砥粒を用いて、微細な水滴とともに吹付けられ失速も少ない。このため十分な研磨力を発生する事ができ、物理的洗浄方法として特に望ましい。
【００５２】
前記のウェットブラスト装置としては、例えば、ビア４７、外層アライメントマーク５７を形成した図３（ａ）に示す被処理体を、載置するために磁石で形成された載置部と、前記被処理体上に載置されると共に、砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔を有し、前記載置部に着磁される材料で形成されたマスクとを備えた、装置が挙げられる。そして、前記のウェットブラスト装置において、マスクとして、前記磁石に着磁される金属部材の下側に被処理体の上面に当接するウレタンゴムなどのゴム部材を設け、この金属部材及びゴム部材には前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔が形成されているマスクを備えたものが好ましい。このようなウェットブラスト装置は、例えば特開平９−２９５２６６号公報に記載されている。
【００５３】
ウェットブラスト法においては、穴あけ加工で生じたバリの除去と、ビア４７、外層アライメントマーク５７内のクリーニング処理とを同時に行うことが好ましく、例えば、砥粒を混入した液（好ましくは砥粒を５〜２０容量％を含むもの）、好適にはアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い直径が１〜１０μｍ程度の砥粒を用いて、砥粒と水などの液体とを被処理体の孔に向けて加工エアーとともに約１０ｍ〜約３００ｍ／秒程度、好ましくは約２０〜約１００ｍ／秒、さらに好ましくは約３０〜約７０ｍ／秒の流速で高圧噴射して被処理体を処理することができる。なお、内層回路基板１０の表裏両面に、積層体５５,５５を形成した場合は、空中に担持して両面同時に上記物理洗浄を行うか表裏繰り返せばよい。
【００５４】
上記のようにして、外層アライメントマーク５７内及びビア４７内の清掃を行ったら、後述する電気めっきに先立って、導体層４５と内層回路基板１０の内層配線パターン１５とを導通させるための、導通化処理を行う。すなわち、図３（ｂ）に示すように、少なくとも各ビア４７の内周面、好ましくは、内層回路基板１０の表裏両面に積層された積層体５５,５５の外周面に、無電解金属めっきやダイレクトプレーティング等により、導通層５２を生成させることにより、導体層４５と内層回路基板１０の内層配線パターン１５を導通させ、好ましくは導体層４５と露出導体部２０を導通させ、電解めっきの好ましい給電経路を形成する。なお、図３（ｂ）においては、導通層５２が、各外層アライメントマーク５７の内周面、積層体５５,５５の外周面及び各ビア４７の内周面だけに形成されているが、導体層との密着性やパターン形成時のエッチング性に問題がなければ導体層４５上に施されても良い。
【００５５】
上記導通化工程は、前述したように、一般的な無電解金属めっき工程やダイレクトプレーティング工程によって行い、これらは両面同時処理が可能である。
【００５６】
無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、導体層４５の厚付けに多用される電解銅めっきとの密着性が優れる事から、配線基板のビアめっきは主に無電解銅めっきが適している。
【００５７】
ダイレクトプレーティング法に用いられる材料としては、グラファイト系やパラジウム系などがあり、工程が短く薬液管理が比較的容易であり、特に望ましいプロセスである。特に外層絶縁層３０にポリイミドを用いた場合は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いてパラジウム−スズの皮膜を得られる、ダイレクトプレーティング法を採用することにより、密着性に優れ環境に対する悪影響も少なくて好適である。
【００５８】
パラジウム−スズコロイド系のダイレクトプレーティング法では、モノエタノールアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、穴内の金属及びポリイミドフィルム及び接着層表面を脱脂すると共に、表面状態をコロイドが吸着しやすい状態に整えて、次いで過硫酸ソ−ダ等を用いてソフトエッチングを行った後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング工程でパラジウム−スズ被膜を形成し、最後に炭酸ソーダ、炭酸カリ及び銅イオンを含む、アルカリアクセラレーター浴及び酸性アクセラレーター浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還元剤を添加すれば良い。上記工程によりパラジウムを主成分とする導電皮膜が形成される。なお、本工程は液中で基材を処理する事により両面同時に処理されるようになっている。
【００５９】
以上のようにして、内層配線パターン１５と導体層４５とを導通化させた後、内層回路基板１０の導体が露出した部分及びその表裏両面に積層された積層体５５,５５の導体層ならびに導通層形成部に対して電気めっきを施す。
【００６０】
すなわち、図８に示すように、積層体５５,５５の左右両側の周縁部から突出した、内層回路基板１０両側の突出部分に設けた各露出導体部２０を、上下一対ずつ左右に設けた給電ローラ１０５,１０５によりそれぞれ挟み込んで、各給電ローラ１０５を各露出導体部２０に接触させる。すると、カソード電極に接続された給電ローラ１０５を介して、内層回路基板１０の露出導体部２０がカソード側に印加されると共に、同露出導体部２０に導通した積層体５５,５５外周面の導通層５２や、この導通層５２に導通する外層絶縁層３０表面の導体層４５、さらにはこの導体層に導通する外層ビア４７内の導通層５２がカソード側に印加される。
【００６１】
その状態で、アノード電極が配設されてイオン化した電解銅めっき液が貯留された図９の１０３に示すメッキ浴槽中に、内層回路基板１０及びその両面に積層された積層体５５,５５からなるシートを導入すると、前記給電ローラ１０５によりカソード側に印加された、内層回路基板１０の導体が露出した部分及び積層体５５の導通層５２や導体層４５表面に、銅イオンが付着してめっき導体層５０が形成される。その結果、内層配線パターン１５が、ビア４７の内周面に形成されためっき導体層５０を介して、外層絶縁層３０の導体層４５上に形成されためっき導体層５０に導通する。そして、このめっき導体層５０及びその下地となっている導体層４５をパターン化することによって、後述する外層配線パターン４０が形成される。
【００６２】
このように、内層回路基板１０を外層絶縁層３０及び導体層４５よりも大きく形成して外層絶縁層３０及び導体層４５の周縁部から少なくとも一部を突出させて、この突出した部分に、外層を形成する積層体５５の外周面に一部が接する露出導体部２０を設けて、この露出導体部２０に給電ローラ１０５からなる給電手段を接続して、これから電気を供給して、少なくとも外層を形成する積層体５５の外周面、導体層４５の外表面、及びビア４７の内周面に電解めっきを施すことにより、内層配線パターン１５と外層配線パターン４０となる配線層とを電気的に接続するようになっている（図３（ｃ）参照）。すなわち、導体層４５に直接的に給電ローラ１０５を接触させるのではなく、露出導体部２０を介して導体層４５に給電するようになっているので、導体層４５を損傷させたり汚染させたりすることを防止することができ、内層配線パターン１５と外層配線パターン４０となる配線層とを電気的に確実に接続することができるとともに、パターン形成時の欠陥発生を抑えることが出来る。
【００６３】
なお、上記電気めっき工程においては、給電する際の電流密度は０．１〜５０Ａ／ｄｍ２に設定され、特に０．５〜１０Ａ／ｄｍ２に設定されることが所謂ブツやざらつきを防止して良好なめっき仕上がりを得られる。このとき、前述したように、導体層４５とめっき導体層５０の合計の厚みを概ね２０μｍ以下にすると、後述するエッチングに際してサイドエッチングの影響を抑えることが出来るため、６０μｍピッチ以下のファインピッチパターンが容易に形成することができる。特に導体層４５に０．５〜３μｍの極薄銅箔を用いて導体層４５とめっき導体層５０の合計の厚みを概ね１０μｍ以下にすると４０μｍピッチ以下の微細配線の形成が容易である。なお、前記電解めっき液中に、含リン銅からなるアノードボールを両面の対向する位置に設置して、アノード電流とともに銅イオンを供給してもよい。また、本工程も、内層回路基板１０の表裏両面に積層された積層体５５,５５が、両面同時に処理される（図８参照）。
【００６４】
次に図４（ａ）に示すように、内層回路基板１０の表裏両面の積層体５５,５５の、前記電解めっき工程により形成されためっき導体層５０,５０の外表面に対して、外層アライメントマーク５７,５７を覆うことなく、レジスト層６０,６０をそれぞれ積層する。このレジスト層６０は、外層配線パターン４０を形成するために必要なもので、一般的にはフォトレジストを使用する。フォトレジストは、代表的には液状のものを塗布乾燥させる場合と、ドライフィルムタイプのものをラミネートする場合があり、一般的に前者はポジ型が多く、後者はネガ型が多い。ドライフィルムタイプのレジストの方が、形成工程が容易で、ビア４７の保護も確実であるので、特に適している。ドライフィルムレジストは一方の面が保護フィルム、他方の面がキャリア保護フィルムで覆われた状態でロール状に巻かれているのが一般的である。そして、ロールラミネーターのロール部で保護フィルムを剥がしつつ、その剥がした側を、各めっき導体層５０,５０の表面に重ね合わせて、適切な温度と圧力を印加しつつ貼り付ける。ここで、ビア４７内部は、ビア４７周辺を覆ういわゆるテンティングによって保護される。
【００６５】
上記のようにしてレジスト層６０を積層した後、外層を形成する積層体５５に形成した外層アライメントマーク５７,５７を基準として、目的とする導体パターンが描かれたフォトマスクを位置合わせして、例えば、高圧水銀ランプを光源とした投影露光機や密着露光機によって露光することにより、導体パターンがレジスト層６０に転写される。例えばネガ型のドライフィルムレジストを用いる場合には、導体パターンを形成する部位のフォトマスクが、光が透過するように描かれており、適切な露光量を照射することにより、レジスト層６０に導体パターンが感光される。そして、フォトレジストの保護キャリアフィルムを剥離して、例えば炭酸ソーダ水溶液をスプレーで噴射して現像することにより、不用なレジスト層６０が除去されて、図４（ｂ）に示すように、目的とする導体パターンとされたレジスト層６０のみを残存させる。ネガ型のフォトレジストの場合は、未露光部の即ちパターンを形成しない部位の、レジスト層６０が除去され、目的のレジスト層６０を得る。
【００６６】
このとき、内層回路基板１０に設けた内層アライメントマーク２２を基準として、フォトマスクを用いて露光し現像するのではなく、外層を形成する積層体５５に設けた外層アライメントマーク５７を基準として露光することにより、内層アライメントマーク２２を利用するよりも、途中工程や保管環境による外層積層体５５がある部分と無い部分の基材の伸縮の違いの影響を受けにくくなり、外層配線パターン４０の位置精度を向上させることができる。
【００６７】
上記工程にて、レジスト層６０を目的とする導体パターンに形成した後、図５（ａ）に示すように、内層回路基板１０及びその表裏両面に積層された積層体５５,５５に形成された不要なめっき導体層５０と導体層４５を取り除くべく、エッチングを行う。すなわち、レジスト層６０により被覆されためっき導体層５０及び導体層４５を除いて、それ以外のめっき導体層５０及び導体層４５を除去する。このエッチングは、例えば、塩化第二鉄溶液に代表されるエッチング液をスプレーにより噴射したり、或いは、エッチング液に浸漬したりして、不要なめっき導体層５０及び導体層４５を除去し、その結果、図５（ａ）に示すように、目的とするパターンで形成された、導体層４５及びめっき導体層５０からなる、外層配線パターン４０,４０が形成される。
【００６８】
上記工程にて、所望の外層配線パターン４０を形成した後、図５（ｂ）に示すように、エッチングマスクとして利用したレジスト層６０を、例えば、水酸化ナトリウム溶液などの強アルカリ剥離液で除去する。このレジスト除去は、剥離液への浸漬やスプレー噴射により行う。剥離液には有機溶剤系を用いることも可能であるが、ベーパー対策や環境対策が必要であるため、無機アルカリ水溶液であることが望ましい。また、ポジ型レジストを用いる場合は剥離処理に先立ち紫外線照射を行うと確実に剥離する事が出来る。
【００６９】
以上説明したように、この実施態様では、サブトラクティブ法により、外層配線パターン４０を形成したが、セミアディティブにより外層配線パターン４０を形成してもよい。すなわち、外層配線パターン４０を形成したくない部分に、レジスト層６０を形成した後、このレジスト層６０が形成されていない導体パターンを形成する部分に、電解めっきを施して、めっき導体層５０を形成することにより、所望の外層配線パターン４０を形成する方法である。この場合、前述した導通化工程した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程で、めっき導体層５０を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層５０を同時に形成しつつ、ビア４７を介して内層回路基板１０の内層配線パターン１５と外層配線パターン４０を電気的に接続させる。もちろん、露光工程においては外層アライメントマークを基準としてアライメントを行なう。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導体層４５を除去して、外層配線パターン４０を形成するものである。ここで、フラッシュエッチングは、例えば硫酸過酸化水素水や過硫酸塩、薄い塩化第二鉄水溶液に代表される弱いエッチング液をスプレー噴射や浸漬することで実施でき、これらの液は適切な添加剤を加えたものが多数市販されており適切な液を選定使用すればよい。
【００７０】
以上のようにして、図５（ｂ）に示すように、目的の外層配線パターン４０からレジスト層６０を除去した後、内層回路基板１０の外層絶縁層３０及び導体層４５の周縁部から突出した部分や製品に不要な部位を、適宜切断して除去することにより、図１に示す４層構造の多層配線基板１を製造することができる。
【００７１】
なお、上記工程としては、金型を用いて製品形状に打抜いても良いし、レーザー加工により切断してもよい。また、ここでは、４層構造形成直後に外形加工を行っているが、実際に使用する際に切断されていればよく、パターン保護層形成後やニッケル金めっきや錫めっきなどの電極めっき後、更には部品搭載後に切断してもよく、実装上都合が良い時点で切断すればよい。特に、ロールツーロール搬送においてはＩＣチップなどの部品を搭載後、更にはチップ保護部材も搭載して部品として使用可能な状態で個片に切断することも可能である。
【００７２】
なお、上記のようにして、内層回路基板１０上に外層回路基板を形成した後、この外層回路基板上に、再び接着層２５を介して外層絶縁層３０を積層し、上記と同様な方法を繰り返すことにより、２層以上の外層回路基板を積層して形成することもできる。このように外層回路基板を複数層形成する場合にも、内層アライメントマーク２２を基準にして外層積層体５５にビア４７を形成する際に外層アライメントマーク５７を形成し、この外層アライメントマーク５７を基準にして外層配線パターン４０を形成することにより、各外層回路基板の外層配線パターン４０のパターン精度を高めることができる。
【００７３】
又は、内層回路基板１０上に形成した外層回路基板並びに外層アライメントマークを中間外層回路基板並びに中間外層のアライメントマークとして、前記と同様に外層絶縁基板を積層した後、前記中間外層回路基板に形成された中間外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁基板にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することができる。特に中間外層アライメントマークが中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、中間外層配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであれば、近接層のパターンとの位置関係を正確に形成する事ができ、高周波配線層や特に高密度化を必要とする配線層など下層パターンとの位置関係が重要になる回路基板の形成においては有利である。
【００７４】
図１０〜１４には、本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施態様が示されている。なお、前記実施形態の多層配線基板の製造方法と、実質的に同一部分には同符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
この実施形態によって製造される多層配線基板１ａは、図１０に示すように、外層絶縁層３０の表面上にあらかじめ導体層４５が積層されておらず、前記ビア導通の為の導通化処理において外層絶縁層３０表面も同時に導通化してめっき導体層５０からなる導体層を形成してなり、これが外層配線パターン４０をなしている点が、前記実施形態によって製造される多層配線基板１とは異なっている。
【００７６】
図１１〜１４には、その製造方法が工程順に示されているが、その工程は前述した製造方法とほぼ同一である。工程順に説明すると、まず、図１１（ａ）に示すように、内層絶縁基板１１の表裏両面にビア１７を介して電気的に接続された内層配線パターン１５,１５が形成された内層回路基板１０の表裏両面に、図１１（ｂ）に示すように、裏側にボンディングシートとして接着層２５が貼着された外層絶縁層３０,３０を配置する。
【００７７】
このような接着層２５及外層絶縁層３０としては、例えば、
１）接着層２５と、外層絶縁層３０とを予め積層した基材、
２）接着層２５と、外層絶縁層３０とを別々のフィルムとしたもの、
３）接着層２５を予め内層回路基板１０に設け、接着層２５に外層絶縁層３０を積層したもの、
４）接着層２５と外層絶縁層３０とを兼ねた接着性樹脂をシート状にしたもの
などを用いることができる。
【００７８】
上記状態で、図１１（ｃ）に示すように、内層回路基板１０の両内層配線パターン１５,１５を覆うようにして、外層絶縁層３０,３０にて挟み込んで適宜加圧することにより、内層回路基板１０の表裏両面に接着層２５,２５を介して外層絶縁層３０，３０が積層される。
【００７９】
上記工程後、図１２（ａ）に示すように、内層アライメントマーク２２を基準にして、導通化のためのビア４７をレーザー等により形成する。このとき、ビア４７の形成と同時に、外層アライメントマーク５７を形成する。
【００８０】
その後、少なくともビア４７内を、化学的または物理的に好ましくは物理的洗浄により洗浄する。なお、この実施形態においては、前記実施形態と比べて、導体層４５が予め形成されていないため、比較的弱いエネルギーでビア４７を形成することができ、特に外層絶縁層３０並びに接着層２５に、例えばガラス繊維のような無機物による補強が無い場合は、特に弱いエネルギーで加工が可能である。この場合、ビア４７内の加工残渣は少なく、また固着性も弱いため、エキシマ光に代表される２５０ｎｍ以下の深紫外光の照射や、プラズマ処理法による物理的洗浄が、外層絶縁層３０の表面を荒らす事が少ないため好ましく採用される。外層アライメントマーク５７内は必ずしも洗浄の必要はないが、洗浄されてもよく、付着物による形状変化などの影響を特に減らしたい場合は洗浄すると良い。
【００８１】
上記のようにビア４７内の清掃を行ったら、電解めっきを施す前工程として、前述した発明に準じた導通化処理を施す。すなわち、図１２（ｂ）に示すように、外層絶縁層３０の表面ならびに外層絶縁層３０と接着層２５の外周面、及び各ビア４７の内周面に、無電解金属めっき等によって、導通層５２を生成して、各導通層５２を外層基材外周面の導通層５２を介して露出導体部２０に接続させる。ここでは、前述した発明と異なり外層絶縁層３０表面の導通化が必要である為、無電解金属めっきなどの高い導電性が得られる導通化処理方法が望ましい。また、アライメントマーク５７の内周面、内層アライメントマーク２２の内周面は導通層を形成させても、任意の保護手段により形成させなくてもよい。
【００８２】
上記の無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、バリア層あるいは緩衝層としての無電解ニッケルめっきや無電解金属酸化物めっきなどを行った上に続いて無電解銅めっきを行うと、外層絶縁層３０との密着性を高めて、更に密着性を保持できるので好ましい。無電解銅めっきは触媒を付与して銅イオンを還元析出させる方法などがあり、また緩衝層にニッケルなどの金属を用いた場合には金属の表面を銅に置き換える置換銅めっきを用いる事が出来る。特に、外層絶縁層３０の表面にセラミック変性又は擬セラミック変性したポリイミドフィルムを用いた場合には、無電解金属酸化物めっきや無電解ニッケルめっきに続いて無電解銅めっきを行う方法が、密着性の保持と絶縁信頼性の高さから特に好ましい。
【００８３】
擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきを行う方法は、例えば特開２００５−２２５２２８に示された方法により行い、具体的には
１）脱脂・表面調整工程として、例えば、表面調整剤で２５〜８０℃、１５秒〜３０分浸漬処理し、
２）触媒付与工程として、例えば、センシタイザー、例えば塩化錫等の水溶性第１錫塩の１〜５０ｇ／Ｌ、塩酸等の酸５〜１００ｍＬ含有し、ｐＨ１〜５の溶液を用いてセンシタイジング、水洗、キャタリスト、例えば塩化Ｐｄ等の水溶性Ｐｄ塩０．０１〜１ｇ／Ｌ、塩酸等の酸０．０１〜１ｍＬ／Ｌを含有し、ｐＨ１〜５のパラジウム活性化溶液に１０〜５０℃で５秒〜５分浸漬、あるいは／及び水溶性Ａｇ塩（硝酸銀等）０．１〜２ｇ／Ｌ、ｐＨ５〜８の銀活性化溶液に１０〜５０℃で５秒〜５分浸漬して、触媒付与し、
３）無電解めっき用下地処理層形成工程として、亜鉛イオン（硝酸亜鉛等）を０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ、インジウムイオン（硝酸インジウム等）を０．００００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ各々含有する処理液に５０〜９０℃、１分以上浸漬することによって処理して、亜鉛含有酸化インジウム下地層形成し、
その後、一般的な無電解銅めっき工程により導通化層を形成し、具体的には
４）触媒付与工程として、例えば、水溶性Ｐｄ塩（塩化Ｐｄ等）などの水溶性金属塩の濃度０．０１〜１ｇ／Ｌ、ｐＨ１〜５の水溶液に、１０〜８０℃で、５秒〜５分間、浸漬、スプレー、塗布法で接触し、
５）無電解金属めっき工程として、例えば、硫酸銅等の水溶性金属塩０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、ホルムアルデヒド等の還元剤０．１〜１ｍｏｌ／Ｌ、ＥＤＴＡ等の錯化剤０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌ含有し、ｐＨ９〜１４の溶液に、１０〜７０℃で５〜６０分間浸漬することにより、擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきが施されるようになっている。
【００８４】
上記工程後、図１２（ｂ）に示すように、上下一対の給電ローラ１０５,１０５からなる給電手段によって、接着層２５及び外層絶縁層３０の左右両側の周縁部から突出した露出導体部２０,２０を挟み込んで、各露出導体部２０に各給電ローラ１０５を接触させ、この給電ローラ１０５を介して電気を供給する。すると、電流が露出導体部２０に接した外層外周面の導通層５２を介して、外層絶縁層３０の表面、及び各ビア４７の内周面に形成された導通層、ビア底である内層導体露出部にカソード側の電圧が印加され、メッキ浴層１０３中の銅イオンが各面上に付着して、めっき導体層５０が形成される（図１２（ｃ）参照）。
【００８５】
上記工程後、図１３（ａ）に示すように、めっき導体層５０上にレジスト層６０を積層させて、外層アライメントマーク５７を基準して、フォトマスクを位置合わせし、目的のパターンを露光した後、図１３（ｂ）に示すように不要なレジスト層６０を現像して除去する。その工程後、図１４（ａ）に示すように、不要なめっき導体層５０及び導通層５２をエッチングして取り除いて、目的とする外層配線パターン４０を形成する。更に、図１４（ｂ）に示すように、エッチングマスクとして使用したレジスト層６０を、強アルカリ剥離液で除去し、内層回路基板１０の不要な部分を切断して除去することにより、図１０に示す多層配線基板１ａを製造することができる。
【００８６】
ここではサブトラクティブ法により、外層配線パターン４０を形成したが、もちろん前記同様にセミアディティブ法により外層配線パターン４０を形成してもよい。この場合、前述した無電解金属めっき等によって、導通層５２を形成した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程で、めっき導体層５０を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層５０を同時に形成しつつ、ビア４７を介して内層回路基板１０の内層配線パターン１５と外層配線パターン４０を電気的に接続させる。もちろん、露光工程においては外層アライメントマークを基準としてアライメントを行なう。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導通層５２を除去して、外層配線パターン４０を形成するものである。
【００８７】
この実施形態においても、内層回路基板１０に形成した内層アライメントマーク２２を基準して、外層絶縁層３０上にビア４７を形成する際に、同時に外層アライメントマーク５７を形成し、この外層アライメントマーク５７を基準にして、外層配線パターン４０を形成するようにしたので、途中工程や保管環境による外層積層体５５がある部分と無い部分の基材の伸縮の違いの影響を受けにくくなり、外層配線パターン４０の位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施形態による多層配線基板の製造法により製造された、多層配線基板の模式構成断面図である。
【図２】同多層配線基板の製造方法の最初の工程を示す模式構成断面図である。
【図３】同多層配線基板の製造方法において、図２で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【図４】同多層配線基板の製造方法において、図３で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【図５】同多層配線基板の製造方法において、図４で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【図６】同多層配線基板の製造方法おける内層回路基板の製造工程中の平面図である。
【図７】同多層配線基板の製造方法において内層回路基板上に外層積層体を積層し、ビア及び外層アライメントマークを形成した状態の平面図である。
【図８】同多層配線基板の製造方法に用いられる製造装置の要部断面図である。
【図９】同多層配線基板の製造方法に用いられる製造装置の概略斜視図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による多層配線基板の製造法により製造された、多層配線基板の模式構成断面図である。
【図１１】同多層配線基板の製造方法の最初の工程を示す模式構成断面図である。
【図１２】同多層配線基板の製造方法において、図１１で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【図１３】同多層配線基板の製造方法において、図１２で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【図１４】同多層配線基板の製造方法において、図１３で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１,１ａ  多層配線基板
１０  内層回路基板
１１  内層絶縁基板
１３  導体配線
１５  内層配線パターン
１７  ビア
１８  接続部
２０  露出導体部
２２，２６，２７  内層アライメントマーク
２５  接着層
３０  外層絶縁層
４０  外層配線パターン
４５  導体層
４７  ビア
５０  めっき導体層
５２  導通層
５５  積層体
５７  外層アライメントマーク
６０  レジスト層
１０５  給電ローラ
【図１】
2009094191.tif 000003
【図２】
2009094191.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009094191.tif 000008
【図７】
2009094191.tif 000009
【図８】
2009094191.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2009094191.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2009094191.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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