(57)【要約】【課題】広視野角かつ高コントラストな液晶表示装置を提供する。【解決手段】互いに対向する第一基板及び第二基板と、上記第一基板及び第二基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、上記液晶層は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を含有し、上記第一基板は、可変電位が印加される第一電極と、第一基板面内かつ画素領域内において第一電極と対峙する第二電極と、液晶層側の表面に形成された第一垂直配向膜とを有し、上記第二基板は、液晶層側の表面に形成された第二垂直配向膜を有し、上記液晶表示装置は、少なくとも第一電極及び第二電極によって液晶層に電界を発生させる液晶表示装置である。【選択図】図１
2009053256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第一基板及び第二基板と、該第一基板及び第二基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、
該液晶層は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を含有し、
該第一基板は、可変電位が印加される第一電極と、第一基板面内かつ画素領域内において第一電極と対峙する第二電極と、液晶層側の表面に形成された第一垂直配向膜とを有し、
該第二基板は、液晶層側の表面に形成された第二垂直配向膜を有し、
該液晶表示装置は、少なくとも第一電極及び第二電極によって液晶層に電界を発生させることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第二基板は、液晶層側に第三電極を有し、
前記液晶表示装置は、第一電極、第二電極及び第三電極によって液晶層に電界を発生させることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第一基板は、スイッチング素子と、該スイッチング素子を介して第一電極に接続され得るソースバスラインとを有し、
前記第三電極は、ソースバスラインが延伸する方向の画素列に長手方向が沿うようにストライプ状に形成されるとともに、可変電位が印加されることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶表示装置は、第一電極及び第二電極間の電圧が第二電極及び第三電極間の電圧よりも大きく、かつ第二電極及び第三電極間の電圧が第一電極及び第二電極間の電圧に比例するように、第一電極、第二電極及び第三電極に電位を印加することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第一電極及び第二電極は、同一面上に並設されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶表示装置は、第一基板よりも前方にネガティブＣプレートを更に備えることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第一電極及び第二電極の少なくとも一方は、不透明な導電性材料を用いて形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、広視野角を有するＴＶ又はモニタ、ＭＥ（Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）用レントゲンモニタ、デジタルカメラ用ディスプレイ等に好適な液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶層を介して互いに対向する一対の基板（通常、アクティブマトリクス基板及び対向基板）を有する液晶表示パネルを備える表示装置であり、近年、用途の拡大とともに、高性能化が進んでいる。液晶表示装置の重要な性能の１つとしては、視野角が挙げられ、広視野角を実現するために種々の技術及び表示モードが開発されている。現在、広視野角特性を有する表示モード（液晶モード）としては、いわゆるＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード及びＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが主流となっている。以下に、ＭＶＡモード及びＩＰＳモードのメリット及びデメリットについてそれぞれ説明する。
【０００３】
ＭＶＡモードのメリットは、黒表示での光漏れを抑制できることである。すなわち、ＭＶＡモードによれば高コントラストを実現できる。これは、ＭＡＶモードは、液晶分子（液晶長軸）が基板主面に対して立っている複屈折を行わない状態で黒表示を行っているためである。より詳細には、ＭＶＡモードは、下記（１）〜（３）の特徴を有する。
（１）ラビング等の配向処理により液晶分子を特定方向に配向する必要が無いため、液晶分子の初期状態における配向方向と偏光板の透過軸の方向とのずれに起因する光漏れが発生しない。
（２）液晶分子の熱振動に起因するゆらぎが入射光の振動面に対して影響を与えにくい。
（３）ネガティブＣプレートと組み合わせて用いることによって、斜め視野と基板主面（表示面）に対する垂直方向との間において液晶層に起因して発生する位相差を補償することができる。
【０００４】
一方、ＭＶＡモードのデメリットは、特に低諧調において斜め視野での白浮き（γずれ）が顕著に発生することである。これは、ＭＶＡモードは、諧調表示をする際に、基板主面に対する垂直方向の電界（垂直電界）によって液晶分子を寝かす方向に回転させ、このとき液晶分子が基板主面に対する垂線方向に同一のチルト角で回転するためである。より詳細には、ＭＶＡモードは、下記（１）及び（２）の特徴を更に有する。
（１）寝る方向に回転している液晶分子が液晶層の垂線方向において連なっているため、その回転している液晶分子による入射光の複屈折は、垂直方向で積分されることになる。したがって、斜め視野における液晶層の位相差は、垂直方向における液晶層の位相差よりも大きくなる。
（２）基板主面に対して垂直に立っている液晶分子を横に寝かすことによって階調を得るため、視線方向から見て、液晶分子はダイナミックに動くことになる。したがって、垂線方向と基板主面に対する斜め方向とにおける液晶分子の見え方は大きく異なり、その結果、大きな複屈折による位相差が発生する。
【０００５】
ＩＰＳモードのメリットは、特に低諧調で、斜め視野での白浮き（γずれ）の発生を抑制できることである。これは、ＩＰＳモードは、諧調表示をする際に、基板主面に対する水平方向の電界（水平電界）により液晶分子を水平方向に連なって水平方向に回転させるためである。より詳細には、ＩＰＳモードは、下記（１）及び（２）の特徴を有する。
（１）水平方向に回転している液晶は、下部基板（背面側の基板）付近にのみに限定されるため、垂直方向から見たときに回転している液晶は、ＭＶＡモードに比べて、比較的に少ない。したがって、斜め方向から見たときに垂直方向において積分された液晶層の位相差と、垂線方向から見たときに垂直方向において積分された液晶層の位相差との差異が最小限に抑えられる。
（２）基板主面に対して寝ている液晶分子を水平方向に回転させることによって階調を得るため、液晶分子の視差が視線方向によって大きく変化することがない。すなわち、垂線方向と斜め方向とにおける液晶分子の見え方はほぼ同じであるため、位相差を最小限に抑えることができる。
【０００６】
一方、ＩＰＳモードのデメリットは、黒表示において光漏れが発生するのを抑制することが困難なことである。すなわち、ＩＰＳモードは、ＭＶＡモードと比較して、コントラストの点では不利である。これは、ＩＰＳモードは、液晶長軸が基板主面に対して平行な状態であり、複屈折を発生させないモードで黒表示を行っているためである。つまり、液晶分子の長軸方向と偏光板の透過軸の方向とにずれが発生した場合、複屈折が発生し、光漏れが発生してしまう。ずれの要因としては、下記（１）〜（３）が挙げられる。
（１）水平方向に液晶分子を配向させるためのラビングの方向と偏光板の透過軸の方向とがずれる。これは、偏光板の貼り合わせ精度に依存する。
（２）ラビングは、機械的に行われるため、配向力にぶれが発生し、液晶分子の配向方向がゆらぐ。
（３）水平配向であるため、液晶分子の熱振動に起因するゆらぎが入射光の振動面に対して影響を与えやすい。
【０００７】
以上説明したように、ＭＶＡモードは、高コントラストに対して有利であり、ＩＰＳモードは、斜め視野における白浮き（γずれ）の抑制に対して有利であるが、どちらのモードについても、高コントラストと、斜め視野における白浮き（γずれ）の抑制とを両立することは困難であった。
【０００８】
このような状況の中、製造及びその後の制御が容易で、かつ、液晶分子を駆動するための電界の影響が対向側基板内部にまで及ぶことを防止した新規な液晶表示装置として、互いに対向して設けられた第１及び第２の基板と、上記第１及び第２の基板間に挟持された液晶分子からなる液晶層とを備え、液晶分子のディレクタを主として基板に平行な面内で変化させることにより、表示動作を行う液晶表示装置において、上記第１の基板側に設けられかつ第１の所定電位を与えられる第１の共通電極と、上記第１の共通電極上に設けられた絶縁膜と、当該絶縁膜上に設けられた画素電極と、上記第２の基板側に設けられかつ第２の所定電位を与えられる第２の共通電極とを更に備えており、上記液晶分子は、負の誘電率異方性を有し、上記画素電極は、複数の開口部を有し、上記第１の共通電極は、上記基板に垂直な方向での断面において、上記画素電極の非開口部から開口部に亘る特定の領域であって、上記非開口部とその一部が重なる特定の領域に形成される特定部分を少なくとも有している液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３５６７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、ＩＰＳモードの液晶表示装置について、水平方向における液晶分子の配向力を向上させることが目的であり、コントラストを改善する効果は小さかった。
【００１０】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、広視野角かつ高コントラストな液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、広視野角かつ高コントラストな液晶表示装置について種々検討したところ、液晶分子の制御方法に着目した。そして、液晶表示装置が配向膜として垂直配向膜を有し、同一基板に設けられ互いに対峙する第一電極と第二電極とにより液晶層に電界（水平成分を含む）を発生させることにより、黒表示時における光漏れの発生を抑制しつつ、階調表示時における白浮きの発生を抑制できることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１２】
すなわち、本発明は、互いに対向する第一基板及び第二基板と、上記第一基板及び第二基板間に挟持された液晶層とを備える液晶表示装置であって、上記液晶層は、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を含有し、上記第一基板は、可変電位が印加される第一電極と、第一基板面内かつ画素領域内において第一電極と対峙する第二電極と、液晶層側の表面に形成された第一垂直配向膜とを有し、上記第二基板は、液晶層側の表面に形成された第二垂直配向膜を有し、上記液晶表示装置は、少なくとも第一電極及び第二電極によって液晶層に電界を発生させる液晶表示装置である。
【００１３】
これにより、液晶層に電界が発生していない状態（オフ状態）において、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶は、第一基板及び第二基板主面に対して略垂直方向に配向（垂直配向）することとなる。したがって、ＭＶＡモードと同様に、黒表示時における光漏れの発生を抑制することができる。すなわち、高コントラストを実現することができる。他方、同一基板（第一基板）内に設けられた第一電極及び第二電極間に電圧が印加された状態（オン状態）においては、ＩＰＳモードと同様に、第一基板及び第二基板主面に対して略水平方向に電界が発生することとなる。すなわち、水平成分を多分に有する水平電界が発生する。そして、水平電界が発生すると、第一基板側に位置する正の誘電率異方性を有するネマチック液晶も第一基板及び第二基板主面に対して略水平方向に配向（水平配向）する。その結果、液晶層に複屈折が発生するため、オン状態において階調表示が可能となる。一方、第二基板側に位置する正の誘電率異方性を有するネマチック液晶は、第二垂直配向膜の配向規制力により垂直配向を保ったままとなる。したがって、本発明の液晶表示装置は、斜め視野における白浮きの原因となる第一基板及び第二基板主面に対して斜め方向に配向した液晶分子の発生を抑制しつつ、階調表示を行うことができるので、斜め視野において白浮きが発生するのを抑制することができる。更に、垂直配向した液晶分子と、水平配向した液晶分子とは、斜め視野から見た場合、互いの位相差を補完することができる。したがって、本発明の液晶表示装置は、斜め視野における白浮きの発生をＩＰＳモード以上に抑制することも可能となる。このように、本発明の液晶表示装置は、広視野角と高コントラストとを両立することができる。なお、本発明の液晶表示装置は、少なくとも第一電極及び第二電極によって発生する電界と、第一垂直配向膜及び第二垂直配向膜の配向規制力とによってネマチック液晶の配向を制御することができる。
【００１４】
なお、オン状態において水平配向する第一基板側の液晶分子の量（厚み）は、水平電界の強さに依存して変化する。このように、本発明の液晶表示装置は、水平配向する第一基板側の液晶分子の量（厚み）を第一電極及び第二電極間に印加される電圧の強さによって変化させることによって、階調表示を行う。
【００１５】
本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。
本発明の液晶表示装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。
【００１６】
上記第一電極及び第二電極は、実質的に一定の間隔を有して対峙することが好ましい。なお、実質的に一定な間隔とは、厳密に一定な間隔である必要はなく、間隔が一定となるように第一電極及び第二電極が設計及び形成された場合に達成しうる程度に一定の間隔であればよく、もちろん製造プロセス上発生しうる誤差を含んでもよい。
【００１７】
斜め視野における白浮きの発生をより抑制する観点からは、上記第二基板は、液晶層側に第三電極を有し、上記液晶表示装置は、第一電極、第二電極及び第三電極によって液晶層に電界を発生させることが好ましい。これにより、オン状態においても、第二基板側に位置する正の誘電率異方性を有するネマチック液晶をより垂直方向に配向した状態に保つことができる。すなわち、第一基板及び第二基板主面に対して斜め方向に配向する液晶を減少することができる。なお、本発明の液晶表示装置は、第一電極、第二電極及び第三電極によって発生する電界と、第一垂直配向膜及び第二垂直配向膜の配向規制力とによってネマチック液晶の配向を制御することができる。
【００１８】
表示領域の全域にわたって、斜め視野における白浮きの発生を更に抑制する観点からは、上記第一基板は、スイッチング素子と、上記スイッチング素子を介して第一電極に接続（電気的に接続）され得るソースバスラインとを有し、上記第三電極は、ソースバスラインが延伸する方向の画素列に長手方向が沿うようにストライプ状に形成されるとともに、可変電位が印加されることが好ましい。これにより、ソースバスラインから画像信号が供給されている各画素においてそれぞれ、第三電極の電位を所望の電位に設定することができる。
【００１９】
斜め視野における白浮きの発生を特に抑制する観点からは、上記液晶表示装置は、第一電極及び第二電極間の電圧が第二電極及び第三電極間の電圧よりも大きく、かつ第二電極及び第三電極間の電圧が第一電極及び第二電極間の電圧に比例するように、第一電極、第二電極及び第三電極に電位を印加することが好ましい。
【００２０】
また、斜め視野における白浮きの発生をより抑制する観点からは、上記第一電極及び第二電極は、同一面上に並設されてもよい。これにより、第一電極及び第二電極により発生する電界の斜め成分（第一基板及び第二基板主面に対する斜め方向の成分）を減少することができる。
【００２１】
斜め視野におけるコントラストを向上する観点からは、上記液晶表示装置は、第一基板よりも前方に（観察面側に）ネガティブＣプレートを更に備えることが好ましい。これにより、黒表示時の斜め視野において、垂直配向している液晶に起因して発生する位相差を補償し、黒表示時の斜め視野における光漏れの発生を抑制することができる。
【００２２】
斜め視野における白浮きの発生をより抑制する観点からは、上記第一電極及び第二電極の少なくとも一方は、不透明な導電性材料を用いて形成されることが好ましく、上記第一電極及び第二電極は、不透明な導電性材料を用いて形成されることがより好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の液晶表示装置によれば、広視野角特性と高コントラストとを両立することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００２５】
（実施形態１）
図１は、実施形態１の液晶表示パネルの構成を示す平面模式図である。図２は、実施形態１の液晶表示パネルの構成を示す断面模式図であり、図１中のＸ−Ｙ線における断面を示す。
【００２６】
実施形態１の液晶表示パネル１００は、アクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０に対向する対向基板５０と、これらの間に設けられた液晶層３０とを備える。また、液晶表示パネル１００は、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の外側に設けられた一対の偏光板４１ａ、４１ｂと、アクティブマトリクス基板１０と偏光板４１ａとの間に設けられたネガティブＣプレート４２とを備える。
【００２７】
液晶層３０は、正の誘電異方性を有するネマチック液晶材料を含む。偏光板４１ａの透過軸と偏光板４１ｂの透過軸とは、液晶表示パネル１００を平面視したときに、直交するように配置される。すなわち、偏光板４１ａと偏光板４１ｂとは、クロスニコルに配置されている。また、偏光板４１ａの透過軸と偏光板４１ｂの透過軸とはそれぞれ、パネルの上下又は左右方向に沿って配置される。ネガティブＣプレート４２は、光軸がフィルム面に対して略垂直方向にある負の１軸異方性を有する位相差補償フィルム、すなわちｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの１軸異方性の位相差補償フィルムである。
【００２８】
対向基板５０は、透明の絶縁基板（例えば、ガラス基板）１１ｂと、ブラックマトリクス（ＢＭ）層（図示せず）と、複数の色層（カラーフィルタ）５２と、第三電極である対向電極５３と、これらの構成を覆う第二垂直配向膜５４とを有する。
【００２９】
一方、アクティブマトリクス基板１０は、透明の絶縁基板（例えば、ガラス基板）１１ａと、複数のゲートバスライン１２と、複数のＣｓバスライン（容量保持配線）１３と、絶縁膜１４と、複数のソースバスライン１６と、層間絶縁膜１９と、第一電極であるドレイン電極２０と、第二電極（第二のドレイン電極）であるＣｓ電極２１と、これらの構成を覆って液晶層３０側の表面に設けられた第一垂直配向膜２５とを有する。また、アクティブマトリクス基板１０は、各画素に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２６を有する。ＴＦＴ２６は、ゲートバスライン１２、絶縁膜１４、半導体層１５、ソース電極１７及びドレイン配線１８を含んで構成される。
【００３０】
複数のゲートバスライン１２は、パネル左右方向に互いに平行に延設されており、複数のソースバスライン１６は、ゲートバスライン１２に直交する方向、すなわちパネル上下方向に互いに平行に延設されている。Ｃｓバスライン１３は、ゲートバスライン１２に平行に、すなわちパネル左右方向に延設されている。すなわち、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３は、互いに交互、かつ平行に配置される。本実施形態において、各画素領域は、概略、これらゲートバスライン１２及びソースバスライン１６で囲まれた領域として規定されている。すなわち、各画素領域は、マトリクス状に配置される。また、Ｃｓバスライン１３は、画素領域の中心付近を通るように配置されている。なお、ゲートバスライン１２及びソースバスライン１６はそれぞれ、従来のモードのものと同様に、ゲートバスライン信号（走査信号）及びソースバスライン信号（画像信号）を伝播するものである。
【００３１】
このような画素領域の各々には、第一電極であるドレイン電極２０が設けられている。液晶表示パネル１００を平面視したときのドレイン電極２０の形状は、櫛状である。より具体的には、ドレイン電極２０は、画素領域を規定する一方のソースバスライン（図１中、左側のソースバスライン１６）近傍であり、かつその一方のソースバスライン１６と平行に配された幹部２２ａと、幹部２２ａに接続され、かつ画素領域を規定する他方のソースバスライン（図１中、右側のソースバスライン１６）の方に延伸された複数の枝部２３ａとを有する。枝部２３ａは、液晶表示パネル１００を平面視したときに、ゲートバスライン１２方向における画素領域の中心付近で折れ曲がったＶ字形状又は逆Ｖ字形状を有し、また、ソースバスライン１６及びゲートバスライン１２に対して略４５°斜めの方向に形成される。
【００３２】
また、画素領域の各々には、第二電極であるＣｓ電極２１が設けられている。Ｃｓ電極２１は、ドレイン電極２０と同様に、平面視櫛状であり、より具体的には、Ｃｓ電極２１は、画素領域を規定する他方のソースバスライン（図１中、右側のソースバスライン１６）近傍であり、かつその他方のソースバスライン１６と平行に配された幹部２２ｂと、幹部２２ｂに接続され、かつ画素領域を規定する一方のソースバスライン（図１中、左側のソースバスライン１６）の方に延伸された複数の枝部２３ｂと、幹部２２ｂの中心部分に接続され、かつ画素領域の中央に位置する中心枝部２４とを有する。枝部２３ｂは、液晶表示パネル１００を平面視したときに、ゲートバスライン１２方向における画素領域の中心付近で折れ曲がったＶ字形状又は逆Ｖ字形状を有し、また、ソースバスライン１６及びゲートバスライン１２に対して略４５°斜めの方向に形成される。液晶表示パネル１００を平面視したときの中心枝部２４の形状は、略菱形である。
【００３３】
このように、ドレイン電極２０の枝部２３ａとＣｓ電極２１の枝部２３ｂとは、互いに相補的な平面形状を有するとともに、ある間隔を有して互い違いに配置されている。すわなち、ドレイン電極２０の枝部２３ａと、Ｃｓ電極２１の枝部２３ｂ及び中心枝部２４とは、同一の平面内において互いに平行に対峙して配置されている。
【００３４】
なお、画素の光透過率を向上する観点からは、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１は、櫛形状を有さない、すなわち、それぞれ幹部２２ａ及び幹部２２ｂのみを有し、画素領域の対向する二辺に対峙して配置されてもよいが、液晶分子の応答速度を向上する観点からは、上述のように、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１を櫛形状とし、互い違いに配置することが好ましい。
【００３５】
また、枝部２３ａ及び枝部２３ｂは、Ｖ字形状又は逆Ｖ字形状を有さない、すなわち、それぞれパネル左右方向に直線状に形成されてもよいが、液晶分子の倒れる方向を４方向に分割し、より広い視野角を実現する観点からは、上述のように、ドレイン電極２０は、Ｖ字形状又は逆Ｖ字形状の枝部２３ａを有するとともに、Ｃｓ電極２１も、Ｖ字形状又は逆Ｖ字形状の枝部２３ｂを有し、枝部２３ａ及び枝部２３ｂは、ソースバスライン１６及びゲートバスライン１２（パネル上下左右方向）に対して略４５°斜めの方向（斜めに交わる４つの方向）に形成されることが好ましい。
【００３６】
ドレイン電極２０は、ドレイン配線１８上方の層間絶縁膜１９に設けられたコンタクトホール２７ｂを介してドレイン配線１８に接触及び接続される。すなわち、ドレイン電極２０は、ドレイン配線１８を介してＴＦＴ２６に接続される。
【００３７】
また、ソースバスライン１６は、ソース電極１７を介してＴＦＴ２６に接続される。これにより、ＴＦＴ２６がオン状態になると、ソースバスライン１６に供給される画像信号がドレイン電極２０に書き込まれることになる。なお、ソースバスライン１６とソース電極１７とは、同一工程及び同一材料により一体的に形成されている。
【００３８】
他方、Ｃｓ電極２１は、中心枝部２４がＣｓバスライン１３上方の層間絶縁膜１９及び絶縁膜１４に設けられたコンタクトホール２７ａを介してＣｓバスライン１３に接触及び接続されることによって、Ｃｓバスライン１３に接続される。これにより、Ｃｓ電極２１には、Ｃｓバスライン１３の電位が印加されることになる。
【００３９】
次に、液晶表示パネル１００の断面構造について詳細に説明する。
【００４０】
液晶表示パネル１００は、概略、アクティブマトリクス基板１０と対向基板５０とで、液晶分子を含有する液晶層３０を挟持した構造を備える。
【００４１】
アクティブマトリクス基板１０は、主材料として、絶縁基板１１ａの一方の（液晶層３０側の）主面上に、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３を備える。
【００４２】
また、これらゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３の全面を覆うようにして、絶縁膜１４が設けられている。更に、絶縁膜１４上であって、ゲートバスライン１２に相当する領域には、アモルファスシリコン等からなる半導体層１５が形成されている。そして、半導体層１５を介して互いに接続されるドレイン配線１８及びソース電極１７（ソースバスライン１６を含む）が形成されている。半導体層１５は、ＴＦＴ２６におけるチャネル領域として作用するものであり、このことから理解されるように、絶縁膜１４は、ゲートバスライン１２上方において、ゲート絶縁膜として機能する。また、ゲートバスライン１２は、ゲート電極としても機能する。
【００４３】
なお、本実施形態において、ＴＦＴ２６は、後述するようにドレイン配線１８及びソース電極１７を分離する際に、半導体層１５をも多少エッチングするような製法で製造されたチャネルエッチタイプであり、かつ、ゲート電極としても機能するゲートバスライン１２がドレイン配線１８及びソース電極１７よりも下方に設けられる逆スタガタイプである。
【００４４】
また、上述のように、ソース電極１７は、ソースバスライン１６と一体に形成されており、ドレイン配線１８は、ドレイン電極２０に接続されている。このような構成を備えるＴＦＴ２６は、ゲートバスライン１２に所定の電圧が供給されると、オンし、ソースバスライン１６を伝播する画像信号（電圧）をドレイン電極２０に書き込むこととなる。
【００４５】
アクティブマトリクス基板１０における他の構成要素について説明を続けると、ドレイン配線１８及びソース電極１７の上層には層間絶縁膜１９が形成されており、層間絶縁膜１９上にはドレイン電極２０及びＣｓ電極２１が形成され、更にこれらの上層には第一垂直配向膜２５が塗布形成されている。第一垂直配向膜２５は、第一垂直配向膜２５近傍の液晶分子を第一垂直配向膜２５表面に対して略垂直に配向する。
【００４６】
一方、対向基板５０は、絶縁基板１１ｂの一方の（液晶層３０側の）主面上に、ＢＭ層（図示せず）及び色層５２を備える。ＢＭ層は、Ｃｒ等の不透明な金属、炭素を含有するアクリル等の不透明な有機膜等から形成され、画素領域の周囲、すなわち、ゲートバスライン１２、ソースバスライン１６及びＴＦＴ２６に対応する領域に形成されている。一方、色層５２は、カラー表示を行うために用いられるものであり、主として、画素領域に形成されている。
【００４７】
また、ＢＭ層及び色層５２上には、複数の対向電極５３が設けられている。複数の対向電極５３は、図から明らかなように、パネル上下方向において隣接する画素間で共有されるように、各画素列に対応して配置されている。このように、各対向電極５３は、液晶表示パネル１００を平面視したときに、ストライプ状に配置される。
【００４８】
また、対向電極５３上には、第二垂直配向膜５４が塗布形成されている。第二垂直配向膜５４も、第一垂直配向膜２５と同様に垂直配向膜であり、第二垂直配向膜５４近傍の液晶分子を第二垂直配向膜５４表面に対して略垂直に配向する。
【００４９】
なお、第一垂直配向膜２５及び第二垂直配向膜５４は、液晶分子を膜表面に対して厳密に垂直に配向する必要はないが、プレチルト角（電界が発生していない状態（オフ状態）における液晶分子の長軸と膜表面とのなす角）が８５°以上であることが好ましく、８８°以上であることがより好ましい。
【００５０】
次に、本実施形態の液晶表示装置の構成について説明する。図３は、実施形態１の液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、平面図を示し、（ｂ）は、側面図を示す。図４は、実施形態１のアクティブマトリクス基板側の構成を示す平面模式図である。
【００５１】
実施形態１の液晶表示装置２００は、図３に示すように、上述の液晶表示パネル１００の他、一般的な液晶表示装置と同様に、液晶表示パネル１００のアクティブマトリクス基板１０の張出部上に搭載された複数のＶｄ１出力用ドライバチップ６１及びゲートドライバチップ６２と、アクティブマトリクス基板１０の張出部に接続されたＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板１０３とを備える。
【００５２】
各Ｖｄ１出力用ドライバチップ６１はそれぞれ、図４に示すように、複数の接続配線６４ａを介して、パネル上下方向に並設された複数のソースバスライン１６に接続され、各ソースバスライン１６に画像信号を供給する。各ゲートドライバチップ６２はそれぞれ、複数の接続配線６４ｂを介して、パネル左右方向に並設された複数のゲートバスライン１２に接続され、各ゲートバスライン１２に走査信号を供給する。また、各Ｖｄ１出力用ドライバチップ６１及び各ゲートドライバチップ６２は、接続配線（図示せず）を介してコントロール回路、電源回路等の制御回路が形成されたＦＰＣ基板６３とも接続される。更に、パネル左右方向に並設された各Ｃｓバスライン１３は、複数の接続配線６４ｄによりパネルの左右の額縁領域（非表示領域）において並列接続されるととも、この接続配線６４ｄを介してＦＰＣ基板６３（ＦＰＣ基板６３に設けられた電源等）に接続される。このように、各Ｃｓバスライン１３には、Ｃｓバスライン信号がＦＰＣ基板６３から直接入力される。
【００５３】
そして、液晶表示装置２００は、液晶表示パネル１００の対向基板５０の張出部上に搭載されたＶｃ出力用ドライバチップ６５を備える。各Ｖｃ出力用ドライバチップ６５はそれぞれ、複数の接続配線６４ｃを介して対向電極５３に接続される。これにより、各対向電極５３に任意の電位を供給することができる。
【００５４】
なお、液晶表示装置２００は、液晶表示パネル１００に光を供給するバックライトユニット、液晶表示パネル１００、バックライトユニット等の電子機器を保持する筐体等の通常の液晶表示装置が備える部材を更に有する。
【００５５】
ここで、各ドライバチップの動作について説明する。図５は、実施形態１の液晶表示装置におけるタイミングチャート（電圧波形）であり、（ａ）は、ゲートバスライン信号（走査信号）Ｖｇを示し、（ｂ）は、ソースバスライン信号（画像信号）Ｖｄ１を示し、（ｃ）は、Ｃｓバスライン信号Ｖｄ２を示し、（ｄ）は、対向電極に供給される信号Ｖｃを示す。なお、図５（ａ）〜（ｄ）は、同じ時間軸（横軸）上にある。また、各図５（ａ）〜（ｄ）において、縦軸は電位を示す。
【００５６】
図５（ａ）に示すよう、パネル上下方向に並設された各ゲートバスライン１２には、ゲートドライバチップ６２からゲートバスライン信号Ｖｇが順次供給される（線順次駆動）。このように、図５（ａ）は、隣接する複数（例えば、３つ）のゲートバスライン１２にゲートバスライン信号Ｖｇが順次供給されている状態を示す。また、図５（ｂ）に示すよう、Ｖｄ１出力用ドライバチップ６１から各ソースバスライン１６、すなわちドレイン電極２０には、階調により振幅が可変の電位であるソースバスライン信号Ｖｄ１が供給される。なお、本実施形態の液晶表示装置は、交流駆動であり、ソースバスライン信号Ｖｄ１は、１フレーム毎に極性が反転している。更に、図５（ｃ）に示すよう、各Ｃｓバスライン１３、すなわち、Ｃｓ電極には、所定の電位、例えば０Ｖに設定されたＣｓバスライン信号Ｖｄ２が供給される。そして、図５（ｄ）に示すよう、Ｖｃ出力用ドライバチップ６５から各対向電極５３には、階調により振幅が可変の電位であり、かつ極性が１フレーム毎に反転する信号Ｖｃが供給される。なお、信号Ｖｃの極性は、ソースバスライン信号Ｖｄと同じ極性方向に設定される。
【００５７】
図６は、実施形態１の液晶表示装置におけるタイミングチャート（電圧波形）であり、ソースバスライン信号（画像信号）Ｖｄ１と、Ｃｓバスライン信号Ｖｄ２と、対向電極に供給される信号Ｖｃとを重ね合わせた図である。なお、図６においてＶｄ１、Ｖｄ２及びＶｃの立ち上がり及び立下りは、見やすくするためにずらして図示しているが、実際には、各信号は同時に上下（変化）する。また図６において横軸は時間軸を示し、縦軸は電位を示す。
【００５８】
液晶表示装置２００において、信号Ｖｃの極性はソースバスライン信号Ｖｄ及び信号Ｖｃの振幅は可変であることから、図６に示すように、電圧｜Ｖｄ１−Ｖｃ｜や電圧｜Ｖｃ−Ｖｄ２｜、電圧｜Ｖｄ１−Ｖｄ２｜を１フレーム毎に適宜変更することができる。また、信号Ｖｃの極性はソースバスライン信号Ｖｄと同じ方向であることから、各信号間の関係を後述する（｜Ｖｄ１｜−｜Ｖｄ２｜）／２＝｜Ｖｃ｜−｜Ｖｄ２｜を満たすように設定することができる。
【００５９】
ここで、本実施形態の液晶表示パネル１００の動作についてシミュレーションを行った結果について説明する。図７は、実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。図８は、実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００６０】
このシミュレーションにおける各種条件は、以下のとおりである。すなわち、液晶分子の誘電率異方性Δε＝２．９及び屈折率異方性Δｎ＝０．１とし、液晶層の厚み（セルギャップ）ｄ１は、４．２μｍとした。また、ドレイン電極２０の各枝部２３ａの幅（枝部２３ａの長手方向（延伸方向）に対して垂直な方向における長さ）Ｌａ１と、Ｃｓ電極２１の各枝部２３ｂの幅（枝部２３ｂの長手方向（延伸方向）に対して垂直な方向における長さ）Ｌｂ１とは、４．０μｍとした。更に、ドレイン電極２０の各枝部２３ａと、Ｃｓ電極２１の各枝部２３ｂとの間の間隔（枝部２３ａ及び枝部２３ｂの長手方向（延伸方向）に対して垂直な方向における枝部２３ａ及び枝部２３ｂ間の長さ）Ｓ１も、４．０μｍとした。
【００６１】
また、図７（低階調時の図）は、ドレイン電極２０に対して１０Ｖを、Ｃｓ電極２１に対して０Ｖを、対向電極５３に対して５Ｖを印加した状態を示す。すなわち、図７においては、ドレイン電極２０の電位Ｖｄ１＝１０Ｖ、Ｃｓ電極２１の電位Ｖｄ２＝０Ｖ、対向電極５３の電位Ｖｃ＝５Ｖとした。一方、図８（高階調時の図）は、ドレイン電極２０に対して２０Ｖを、Ｃｓ電極２１に対して０Ｖを、対向電極５３に対して１０Ｖを印加した状態を示す。すなわち、図８においては、ドレイン電極２０の電位Ｖｄ１＝２０Ｖ、Ｃｓ電極２１の電位Ｖｄ２＝０Ｖ、対向電極５３の電位Ｖｃ＝１０Ｖとした。
【００６２】
シミュレーションの結果、低階調時においては、図７に示すように、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１間で発生した水平電界により、アクティブマトリクス基板１０付近の液晶分子のみが寝る方向（水平方向）に回転（配向）した（図７中、一点差線で囲まれた領域参照）。また、高階調時においても、図８に示すように、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１間で発生した水平電界により、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子が水平方向に回転した（図８中、一点差線で囲まれた領域参照）。他方、高階調時においては、図８中の白抜き矢印で示すように、水平方向に回転する液晶分子の層は、アクティブマトリクス基板１０から対向基板５０側に広がっていた。このように、液晶表示パネル１００は、対向基板５０に設けられた対向電極５３と、アクティブマトリクス基板１０に設けられたドレイン電極２０及びＣｓ電極２１とによる放物線電界（水平電界と垂直電界との合成ベクトル）によって液晶層を制御することができる。また、液晶表示パネル１００は、水平電界により水平方向近くまで配向（回転）した液晶分子（水平配向した液晶分子）と、水平電界の影響をほとんど受けずに垂直方向に配向したまま液晶分子（垂直配向したままの液晶分子）とブレンドの割合で、各諧調の位相差を発生させることができる。すなわち、液晶表示パネル１００は、アクティブマトリクス基板１０側の水平配向した液晶分子の層の厚みと、対向基板５０側の垂直配向したままである液晶分子の層の厚みと変化させることによって階調表示を行うことができる。そして、液晶表示パネル１００においては、低階調から高階調になるにしたがって、水平配向した液晶分子の層の厚みが大きくなるとともに、垂直配向したままである液晶分子の層の厚みが小さくなる。
【００６３】
このような水平方向近くまで充分寝た水平配向に近い液晶分子においては、ＩＰＳモードと同様に、形状的に斜め視野での位相差がほとんど発生しない。したがって、液晶表示パネル１００は、斜め視野における白浮きの発生を、ＩＰＳモードと同程度まで抑制することができる。
【００６４】
また、液晶表示パネル１００において、偏光板４１ａ、４１ｂは、クロスニコルに配置されるとともに、対向電極５３、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１間に電位差が発生していないとき（すなわち、液晶層３０に電界が発生していないとき）は、液晶分子が第一垂直配向膜２５及び第二垂直配向膜５４により垂直配向している。したがって、液晶表示パネル１００は、ＭＶＡモードと同様に、光漏れの少ない黒表示が可能である（ノーマリーブラック）。すなわち、液晶表示パネル１００は、斜め視野における白浮きの発生を抑制しつつ、高コントラストを実現することができる。
【００６５】
このように、液晶表示パネル１００は、斜め視野からの位相差の発生が大きい、垂直方向及び水平方向の中間に位置にする配向（斜め配向）をできる限り発生させず、斜め視野からの位相差が発生しにくい垂直配向と水平配向との２つの液晶分子の構成比を変化させることによって、諧調を作り出すことができる。
【００６６】
なお、液晶表示パネル１００においては、図７及び８に示すように、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板１０の主面に対して斜め方向に発生する電界（斜め電界）も存在し、この斜め電界に起因して斜め方向に配向（斜め配向）した液晶分子も存在する。しかしながら、この斜め配向した液晶分子の全体に占める割合は、図１１を用いて後述するＭＶＡモードに比べて非常に少なく、図１２を用いて後述するＩＰＳモードと同程度である。したがって、液晶表示パネル１００は、上述のように、斜め視野における白浮きの発生を、ＩＰＳモードと同程度、又はそれ以上抑制することができる。
【００６７】
また、幅Ｌａ１、幅Ｌｂ１、間隔Ｓ１及びセルギャッ１プｄがほぼ等しい場合は、上述した液晶表示パネル１００の液晶配向を成立させるためには、垂直電界（Ｙ軸方向、すなわち基板に対して垂直な方向の電界）よりも水平電界（Ｘ軸方向、すなわち基板に対して水平な方向の電界）が大きくすることが好ましい。そして、いくらか水準を振ってシミュレーションを行った結果、垂直電界及び水平電界の関係は、（垂直電界の大きさ）：（水平電界の大きさ）＝１：２であるときに斜め電界の発生を比較的抑制できることを見いだした。すなわち、幅Ｌａ１、幅Ｌｂ１、間隔Ｓ１及びセルギャップｄ１がほぼ等しい場合、斜め視野における白浮きの発生を充分に抑制するためには、ドレイン電極２０の電位Ｖｄ１、Ｃｓ電極２１の電位Ｖｄ２及び対向電極５３の電位Ｖｃは、（｜Ｖｄ１｜−｜Ｖｄ２｜）／２＝｜Ｖｃ｜−｜Ｖｄ２｜の関係を満たすように、各電極が制御されることが好ましいことがわかった。
【００６８】
なお、液晶表示パネル１００は、ＭＶＡモードと同様に、黒表示（オフ）時の斜め視野において位相差が発生することが懸念されるが、液晶表示パネル１００は、ネガティブＣプレート４２を備えることから、この黒表示時の斜め視野における位相差を効果的に補償することができる。
【００６９】
また、垂直配向の液晶分子と水平配向の液晶分子とは、斜め視野から見た場合、互いに位相差における補完関係にある。すなわち、垂直配向の液晶分子と水平配向の液晶分子とは、視野による位相差の変化を自己補償する関係にある。したがって、液晶表示パネル１００は、従来のネガティブＣプレートを備えたＭＶＡモードやＩＰＳモードに比べて更に良好な視野角特性を得ることが可能である。
【００７０】
次に、このような構成を備える本実施形態による液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００７１】
まず、アクティブマトリクス基板１０の製造方法について説明する。ガラス等の透明な絶縁基板１１ａ上に、Ｃｒ等の金属の単層、又は、Ｃｒ等の金属及び／若しくはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜の多層膜からなるゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３をスパッタリングとフォトレジスト工程とにより形成する。なお、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３の抵抗をより低くする観点からは、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３の材料としては、ＩＴＯ等の透明導電膜よりもＣｒ等の金属の方が好ましい。
【００７２】
次に、ゲートバスライン１２及びＣｓバスライン１３の上層に、窒化シリコン、酸化シリコン等のシリコン絶縁膜の単層膜又は多層膜からなる絶縁膜１４をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｅ）とフォトレジスト工程とにより形成する。絶縁膜１４は、絶縁基板１１ａの略全面に形成される。
【００７３】
次に、絶縁膜１４のゲートバスライン１２の上方にあたる領域に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層）からなる島状の半導体層１５をＣＶＤとフォトレジスト工程に形成する。
【００７４】
次に、Ｃｒ等の金属の単層、又は、Ｃｒ等の金属及び／若しくはＩＴＯ等の透明導電膜の多層膜からなるドレイン配線１８、ソース電極１７及びソースバスライン１６をスパッタリングとフォトレジスト工程とにより形成する。これにより、ソース電極１７及びソースバスライン１６が一体的に形成される。また、このフォトレジスト工程においてドレイン配線１８とソース電極１７とを分離する際に、半導体層１５のチャネル領域まで併せて多少エッチングする。これにより、上述のように、チャネルエッチタイプのＴＦＴ２６が形成されることとなる。
【００７５】
なお、これに対して、ドレイン配線１８等の電極材をスパッタする前に、半導体層１５の所定領域にプロテクト層を形成し、ドレイン配線１８とソース電極１７との分離の際に、チャネル領域がエッチングされないようにすれば、チャネルプロテクトタイプのＴＦＴを形成することができる。
【００７６】
ここまでで説明された工程により、ゲートバスライン１２、ソースバスライン１６及びＣｓバスライン１３と、ゲートバスライン１２及びソースバスライン１６の交点付近に位置するＴＦＴ２６とが形成される。
【００７７】
次に、窒化シリコンからなる層間絶縁膜１９をＣＶＤとフォトレジスト工程とにより形成する。このとき、ドレイン配線１８上方の層間絶縁膜１９と、Ｃｓバスライン１３上方の層間絶縁膜１９及び絶縁膜１４とを除去し、これにより、Ｃｓバスライン１３上方に位置するコンタクトホール２７ａと、ドレイン配線１８上方に位置するコンタクトホール２７ｂとが形成される。
【００７８】
その後、Ｃｒ等の金属の単層、又は、Ｃｒ等の金属及び／若しくはＩＴＯ等の透明導電膜の多層膜からなるドレイン電極２０及びＣｓ電極２１をスパッタリングとフォトレジスト工程とにより形成する。このとき、ドレイン電極２０の幹部２２ａは、コンタクトホール２７ｂを介してドレイン配線１８と接触することによって、ドレイン電極２０は、ドレイン配線１８に接続される。また、Ｃｓ電極２１の幹部２２ｂは、コンタクトホール２７ａを介してＣｓバスライン１３と接触することによって、Ｃｓ電極２１は、Ｃｓバスライン１３に接続される。
【００７９】
また、このとき、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１は、同一面上に形成されることとなる。このように、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１を同一層に配置することによって、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１によって発生する電界の斜め成分を減少させることができ、その結果、斜め視野における白浮きの発生をより抑制することができる。なお、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１は、異なる層として形成されてもよいが、この場合、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１によって発生する電界の斜め成分が増加し、斜め視野における白浮きの抑制効果が低減してしまう。
【００８０】
また、図７及び８に示すように、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１上方における液晶分子は、電場を印加した状態でもほとんど配向せず、すなわち垂直配向のままである。したがって、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１上方の領域は、画素の光透過率にあまり寄与しないことから、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１は、透明な導電性物質から形成される必要は特になく、不透明な導電性物質であってもよい。電極境界付近の液晶分子の配向は、スリット部（ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１間の隙間）の液晶分子の配向に比べて、より立った状態となっている。すなわち、電極境界付近の液晶長軸は、スリット部の液晶長軸と比べて、絶縁基板１１ａの主面に対してより垂直に近い状態となっている。したがって、不透明な導電性物質を用いてドレイン電極２０又はＣｓ電極２１（より好ましくは、ドレイン電極２０及びＣｓ電極２１）を形成することよって、この電極境界付近の液晶分子の配向を遮光することができ、その結果、斜め視野での白浮きをより改善することができる。なお、不透明な導電性材料としては、例えば、Ｃｒ等の金属が挙げられる。
【００８１】
本実施形態において、ドレイン電極２０の各枝部２３ａの幅Ｌａ１は適宜設定することができるが、２．５μｍ以上であることが好ましい。枝部２３ａの幅Ｌａ１は、画素の光透過率を増加させる観点からは、狭ければ狭いほどよい。しかしながら、枝部２３ａの幅Ｌａ１が２．５μｍ未満であると、枝部２３ａの一方の端部上方に位置する液晶分子と枝部２３ａの他方の端部上方に位置する液晶分子との間における配向（配向境界）の分離が安定せず、枝部２３ａの両端部上方において配向ぶれが発生し、その結果、応答速度が遅くなる場合がある。一方、Ｃｓ電極２１の各枝部２３ｂの幅Ｌｂ１も、枝部２３ａと同様に２．５μｍ以上であることが好ましい。
【００８２】
なお、ドレイン電極２０の各枝部２３ａの幅Ｌａ１と、Ｃｓ電極２１の各枝部２３ｂの幅Ｌｂ１とは、必ずしも同じ幅である必要はないが、ドレイン電極２０とＣｓ電極２１を同一層で形成する場合を考慮し、製造プロセス（エッチングの均一性）の観点からは、同程度であることが好ましい。
【００８３】
また、ドレイン電極２０の各枝部２３ａと、Ｃｓ電極２１の各枝部２３ｂとの間の間隔Ｓ１は適宜設定することができるが、小さすぎると斜め電界が増加し、白浮きの抑制効果が減少し、一方、大きければ画素の光透過率は増加する反面、応答速度が遅くなる。したがって、枝部２３ａ及び枝部２３ｂ間の間隔Ｓ１は、より具体的には、２．５μｍ以上、５．０μｍ以下であることが好ましい。
【００８４】
ドレイン電極２０の幹部２２ａの幅（幹部２２ａの長手方向（延伸方向）に対して垂直な方向における長さ）は適宜設定することができるが、２．５μｍ以上であることが好ましい。一方、Ｃｓ電極２１の幹部２２ｂの幅（幹部２２ｂの長手方向（延伸方向）に対して垂直な方向における長さ）も、幹部２２ａと同様に２．５μｍ以上であることが好ましい。
【００８５】
続いて、対向基板５０の製造方法について説明すると、まず、ガラス等の透明な絶縁基板１１ｂ上に、従来公知の方法により、不透明な金属（例えばＣｒ）、有機膜（例えば炭素を含有するアクリル樹脂）等からなる遮光膜と、有機膜（例えば顔料を含有するアクリル樹脂）等からなる色層５２とを形成する。
【００８６】
そして、遮光膜及び色層５２の上層に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなるストライプ状の複数の対向電極５３をスパッタリングとフォトレジスト工程とにより形成する。
【００８７】
このようにして製造されたアクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の対向面上に、ポリイミド等の有機膜からなる第一垂直配向膜２５及び第二垂直配向膜５４を形成する。なお、第一垂直配向膜２５及び第二垂直配向膜５４の材料としては、従来のＭＶＡモードに使用される垂直配向膜材料を用いることができる。
【００８８】
次に、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の一方の上に、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の間隔を一定に保つためのスペーサを散布するとともに、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０を封止するためのシール材を塗布した後、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０を第一垂直配向膜２５及び第二垂直配向膜５４が対向するように貼り合わせる。本実施形態において、画素の開口部（光を透過する領域）における液晶層３０の厚み（セルギャップ）ｄ１は、２〜５μｍ程度とする。
【００８９】
そして、シール材の開口部である注入口からアクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の隙間に液晶材料を充填し、注入口封止することによって、液晶層３０を形成する。液晶材料としては、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶を用いる。また、液晶材料としては、屈折率異方性Δｎ＝０．０６〜０．２程度、誘電率異方性Δε＝２．５〜８程度、ネマチック−アイソトロピック相転移温度Ｔｎｉ＝７０〜１２０℃を示すものが好適である。
【００９０】
次に、アクティブマトリクス基板１０の外側の主面にネガティブＣプレート４２を貼り付けた後、アクティブマトリクス基板１０及び対向基板５０の外側の主面に偏光板４１ａ、４１ｂを貼り付ける。このとき、偏光板４１ａと、偏光板４１ｂとは、液晶表示パネル１００を平面視したときに、これらの透過軸がゲートバスライン１２及びソースバスライン１６のいずれかと平行となるように配置される。
【００９１】
このようにして、本実施形態の液晶表示パネル１００を作製ことができる。続いて、液晶表示パネル１００に、Ｖｄ１出力用ドライバチップ６１、ゲートドライバチップ６２及びＶｃ出力用ドライバチップ６５をＣＯＧ（Ｃｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により実装する。
【００９２】
最後に、ＦＰＣ基板６３を液晶表示パネル１００に接続するととも、液晶表示パネル１００とバックライトユニットとを筐体内に格納することによって、液晶表示装置２００を作製することができる。
【００９３】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示装置２００によれば、垂直配向で得られる高コントラストを維持しつつ、斜め視野における白浮きを改善することよって、広視野角、かつ高コントラストを実現することができる。
【００９４】
なお、本実施形態の液晶表示装置２００において、対向電極５３は、ＭＶＡモードの対向電極（共通電極）と同様に、表示領域の全面を覆うように形成されてもよい。これにより、製造工程の簡略化が可能となる。しかしながら、各画素に対応してきめ細かな電位設定を可能にし、より優れた表示品位を実現する観点からは、上述のように、対向電極５３は、各画素列に対応して形成されることが好ましい。
【００９５】
また、本実施形態の液晶表示装置２００において、対向電極５３は、設けられなくてもよい。これにより、製造工程の更なる簡略化が可能となる。
【００９６】
ここで、対向電極がない液晶表示パネルの動作についてシミュレーションを行った結果について説明する。図９は、対向電極がない実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。図１０は、対向電極がない実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。図９（低階調時の図）は、ドレイン電極２０に対して１０Ｖを、Ｃｓ電極２１に対して０Ｖを印加した状態を示す。すなわち、図９においては、ドレイン電極２０の電位Ｖｄ１＝１０Ｖ、Ｃｓ電極２１の電位Ｖｄ２＝０Ｖとした。一方、図１０（高階調時の図）は、ドレイン電極２０に対して２０Ｖを、Ｃｓ電極２１に対して０Ｖを印加した状態を示す。すなわち、図１０においては、ドレイン電極２０の電位Ｖｄ１＝２０Ｖ、Ｃｓ電極２１の電位Ｖｄ２＝０Ｖとした。なお、本シミュレーションは、対向電極を配置しなかったこと以外は、図７及び８に示したシミュレーションと同様の条件によって行った。
【００９７】
シミュレーションの結果、図９及び１０に示すように、本実施形態の液晶表示パネル１００は、対向電極が設けられなくとも、アクティブマトリクス基板１０付近の液晶分子を水平配向させることができるとともに、水平配向した液晶分子の層の厚みを変化させることによって階調表示が可能であることがわかる。しかしながら、対向電極５３を設けなかった場合、アクティブマトリクス基板１０側の水平配向した液晶分子の配向の影響により、対向基板５０側の液晶分子が斜め方向に若干配向してしまう（図９及び１０中の一点差線で囲まれた領域参照）。したがって、対向基板５０に対向電極５３を設けない形態は、白浮きの抑制効果に関して若干不利な形態であることが分かった。一方、対向電極５３を設け、対向電極５３に印加される電位Ｖｃを適宜調節することによって、液晶表示パネル１００は、アクティブマトリクス基板１０側の液晶分子が斜め方向に配向するのを抑制できることがわかった。
【００９８】
（比較形態１）
ＭＶＡモードの液晶表示パネルの動作についてシミュレーションを行った結果について説明する。図１１は、比較形態であるＭＶＡモードの液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【００９９】
このシミュレーションにおける各種条件は、以下のとおりである。すなわち、液晶分子の誘電率異方性Δε＝２．９及び屈折率異方性Δｎ＝０．１とし、液晶層１３０の厚み（セルギャップ）ｄ２は、３．２μｍとした。また、アクティブマトリクス基板１１０に設けられたドレイン電極１２０の幅Ｌ２は、４４．０μｍとし、隣接するドレイン電極１２０間の間隔（ドレイン電極１２０のスリットの幅）Ｓ２は、４．０μｍとした。一方、対向基板１５０の全面には、対向電極（共通電極）１５３を設けた。また、ドレイン電極１２０及び対向電極１５３間の電圧は、２Ｖに設定した。
【０１００】
この結果、ＭＶＡモードの液晶表示パネルにおいては、低階調時においても、液晶層の厚み方向の全域に亘って斜め方向に配向した液晶分子が存在する。したがって、斜め視野において白浮きが顕著に発生する。
【０１０１】
（比較形態２）
ＩＰＳモードの液晶表示パネルの動作についてシミュレーションを行った結果について説明する。図１２は、比較形態であるＩＰＳモードの液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【０１０２】
このシミュレーションにおける各種条件は、以下のとおりである。すなわち、液晶分子の誘電率異方性Δε＝４．３及び屈折率異方性Δｎ＝０．１とし、液晶層２３０の厚み（セルギャップ）ｄ３は、４．２μｍとした。また、アクティブマトリクス基板２１０に設けられたドレイン電極２２０の幅Ｌａ２と、アクティブマトリクス基板２１０に設けられたＣｓ電極（共通電極）２２１の幅Ｌｂ２とは、４．０μｍとした。更に、ドレイン電極２２０及びＣｓ電極２２１間の間隔Ｓ３も、４．０μｍとした。また、ドレイン電極２２０及びＣｓ電極２２１間の電圧は、７Ｖに設定した。
【０１０３】
この結果、ＩＰＳモードの液晶表示パネルにおいては、高階調時においても、斜め方向に配向する液晶分子が少ないことから、斜め視野における白浮きの発生を抑制することができる。ただし、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、黒表示に光漏れが発生しやすい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】実施形態１の液晶表示パネルの構成を示す平面模式図である。
【図２】実施形態１の液晶表示パネルの構成を示す断面模式図であり、図１中のＸ−Ｙ線における断面を示す。
【図３】図３は、実施形態１の液晶表示装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は、平面図を示し、（ｂ）は、側面図を示す。
【図４】実施形態１のアクティブマトリクス基板側の構成を示す平面模式図である。
【図５】実施形態１の液晶表示装置におけるタイミングチャートであり、（ａ）は、ゲートバスライン信号（走査信号）Ｖｇを示し、（ｂ）は、ソースバスライン信号（画像信号）Ｖｄ１を示し、（ｃ）は、Ｃｓバスライン信号Ｖｄ２を示し、（ｄ）は、対向電極に供給される信号Ｖｃを示す。
【図６】実施形態１の液晶表示装置におけるタイミングチャート（電圧波形）であり、ソースバスライン信号（画像信号）Ｖｄ１と、Ｃｓバスライン信号Ｖｄ２と、対向電極に供給される信号Ｖｃとを重ね合わせた図である。
【図７】実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【図８】実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【図９】対向電極がない実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【図１０】対向電極がない実施形態１の液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【図１１】比較形態であるＭＶＡモードの液晶表示パネルを示す断面図であり、低階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【図１２】比較形態であるＩＰＳモードの液晶表示パネルを示す断面図であり、高階調時における液晶層に発生する電界の等電位線と液晶分子の配向方向とをシミュレーションにより求めた結果を示す。
【符号の説明】
【０１０５】
１０、１１０、２１０：アクティブマトリクス基板
１１：絶縁基板
１２：ゲートバスライン
１３：Ｃｓバスライン（容量保持配線）
１４：絶縁膜
１５：半導体層
１６：ソースバスライン
１７：ソース電極
１８：ドレイン配線
１９：層間絶縁膜
２０、１２０、２２０：ドレイン電極
２１、２２１：Ｃｓ電極
２２ａ、２２ｂ：幹部
２３ａ、２３ｂ：枝部
２４：中心枝部
２５：第一垂直配向膜
２６：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２７ａ、２７ｂ：コンタクトホール
３０、１３０、２３０：液晶層
４１ａ、４１ｂ：偏光板
４２：ネガティブＣプレート
５０、１５０、２５０：対向基板
５１：絶縁基板
５２：色層（カラーフィルタ）
５３：対向電極
５４：第二垂直配向膜
６１：Ｖｄ１出力用ドライバチップ
６２：ゲートドライバチップ
６３：ＦＰＣ基板
６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ：接続配線
６５：Ｖｃ出力用ドライバチップ
１００：液晶表示パネル
１２１：Ｃｓ電極（共通電極）
１５３：対向電極（共通電極）
２００：液晶表示装置
Ｌａ１、Ｌｂ１：枝部の幅
Ｌ２：ドレイン電極の幅
Ｌａ３：ドレイン電極の幅
Ｌｂ３：Ｃｓ電極（共通電極）の幅
Ｓ１：ドレイン電極の各枝部と、Ｃｓ電極の各枝部との間の間隔
Ｓ２：隣接するドレイン電極間の間隔
Ｓ３：ドレイン電極及びＣｓ電極間の間隔
ｄ１、ｄ２、ｄ３：液晶層の厚み（セルギャップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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