(57)【要約】【課題】穴径の小さいホールを容易かつ確実に形成することを可能ならしめる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部１４を備えたレジスト膜１２を絶縁膜１０上に形成し（ＳＴ１）、このレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の途中深さまでエッチング加工し（ＳＴ２）、レジスト膜１２をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露することにより、レジスト膜１２の表面を膨張させて穴部１４の開口径を縮小させ（ＳＴ３）、こうして生成したレジスト膨張部１２ａと元のレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の下端面までエッチング加工し（ＳＴ４）、ホール１６を形成する。【選択図】図１
2009026980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部を備えたレジスト膜を絶縁膜上に形成する工程と、
このレジスト膜をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露することにより、前記レジスト膜を膨張させて前記穴部の開口径を縮小させるとともに、前記穴部に露出している前記絶縁膜の部分を等方的にエッチングする工程と、
このＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をエッチング加工する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部を備えたレジスト膜を絶縁膜上に形成する工程と、
このレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜の途中深さまでエッチング加工する工程と、
前記エッチング加工した後に前記レジスト膜をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露する工程と、
このＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をさらにエッチング加工する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜をマスク材として前記絶縁膜の途中深さまでエッチング加工する際に、エッチングガスとしてＣ４Ｆ８とＣＯの混合ガスを用い、そのときのガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０以上０．８以下とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をエッチング加工する際に、エッチングガスとしてＣ４Ｆ８とＣＯの混合ガスを用い、そのときのガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０以上０．８以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であり、それぞれの側部および上部にシリコン窒化膜が形成された複数のゲート電極部を被覆するように形成され、
前記レジスト膜は隣接する前記ゲート電極部の間の上方に前記穴部が位置するように形成されており、
前記ＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をエッチング加工する際に、エッチングガスとしてＣ４Ｆ８とＣＯの混合ガスを用い、そのときのガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０．２以上０．８以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にホールの形成プロセスに用いられる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
層間絶縁膜を挟んで設けられた配線金属どうしを層間絶縁膜の所定位置に設けられたホールを利用して接続させた構造を有する半導体装置が広く用いられている。近時、半導体装置の配線構造の微細化，高集積化が急速に進む中、これに伴う配線幅の縮小に対応すべく、穴径の小さいホールを形成する技術の確立が切望されている。
【０００３】
微小径ホールを形成する技術の１つとして、レジスト膜の熱収縮を利用する技術が知られている。例えば層間絶縁膜上にレジスト膜を形成した後、ホールを形成する部分に所定の穴径の穴部が形成されるように、このレジスト膜を所定のパタンで露光、現像する。次いで、レジスト膜に対し紫外線照射量と温度を制御したベーク処理を行うことによってレジスト膜を膨張させ、現像後よりも穴径が縮小された穴部を形成する。そして、このレジスト膜をエッチングマスク材として用いたドライエッチングにより、層間絶縁膜にホールを形成する（例えば、特許文献１参照）。その他、レジスト膜のホール収縮を利用した微小径ホールの形成方法としてはＲＥＬＡＣＳ法等が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、このような方法では、穴径を縮小できるのはホール形成のためのドライエッチング開始前に限定され、ホールの穴径を小さくするほどエッチストップが起こりやすくなり、層間絶縁膜の厚さが厚い場合に下部配線に到達するホールを形成することができなくなるという問題が生じる。
【特許文献１】特開平９−１６２２８９号公報（図４，段落［００１３］等）
【非特許文献１】Toshiyuki Toyoshima et al., ‘ 0.1μm Level Contact Hole Pattern Formation with Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink (RELACS) ’, IEDM98 Dig, pp333-336, 1998
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、穴径の小さいホールを容易かつ確実に形成することを可能ならしめる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点によれば、炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部を備えたレジスト膜を絶縁膜上に形成する工程と、
このレジスト膜をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露することにより、前記レジスト膜を膨張させて前記穴部の開口径を縮小させるとともに、前記穴部に露出している前記絶縁膜の部分を等方的にエッチングする工程と、
このＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をエッチング加工する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の観点によれば、炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部を備えたレジスト膜を絶縁膜上に形成する工程と、
このレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜の途中深さまでエッチング加工する工程と、
前記エッチング加工した後に前記レジスト膜をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露する工程と、
このＸｅＦ２ガス雰囲気暴露後のレジスト膜をマスク材として前記絶縁膜をさらにエッチング加工する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、エッチストップを生じさせることなく、穴径の小さいホールを容易かつ確実に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１に第１の実施形態としての層間絶縁膜へのホールの形成プロセスフローを断面図を用いて模式的に示す。図１には初期状態として、半導体素子等が形成された基板（図示せず）上に第１の層間絶縁膜２０が形成され、その上に配線２２が形成され、さらに配線２２を覆うように第２の層間絶縁膜１０が第１の層間絶縁膜２０上に形成された構造が示されている。
【００１０】
以降、第１の実施形態においては、ホール１６として、配線２２を上層側の配線へと接続するためのビアホールを第２の層間絶縁膜１０に形成する。
【００１１】
最初に層間絶縁膜１０上にレジスト膜１２を形成し、フォトリソグラフィー技術により、レジスト膜１２に一定径の穴部１４を形成する（ＳＴ１）。レジスト膜は炭素（Ｃ）と水素（Ｈ）を主元素として含み、これらは特定の分子構造を形成している。
【００１２】
続いて、このレジスト膜１２をエッチングマスク（以下「マスク材」という）として用いた反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）等のドライエッチング加工により、層間絶縁膜１０の一定深さまでエッチングする（ＳＴ２）。これによってホール１６の上側部分が形成される。
【００１３】
次いで、レジスト膜１２をＸｅＦ２ガス雰囲気に暴露する（ＳＴ３）。これによってレジスト膜１２の表面が膨張し、穴部１４の穴径が小さくなる。このレジスト膜１２の表面の膨張により形成された部分を、以降、“レジスト膨張部１２ａ”といい、穴部１４が縮小して形成された穴部を“縮小穴部１４ａ”ということとし、図１に同符号で示す。
【００１４】
このＳＴ３におけるレジスト膜１２の体積膨張は、フッ素（Ｆ）がレジスト膜１２に侵入することによって生じる。水素とフッ素とではその体積に大きな差があるので、この膨張は主にＣ−Ｈ結合がＣ−Ｆ結合に変化することによって生じるものと考えられる。
【００１５】
ＳＴ３の処理は、所望の開口径を有する縮小穴部１４ａが形成されるように、レジスト膜１２をＸｅＦ２ガスに暴露する条件パラメータである温度、ＸｅＦ２ガス分圧、時間等を設定して行われる。レジスト膨張部１２ａは、元のレジスト膜１２の外表面から一定の深さまでの部分が膨張した構造であることが多いが、元のレジスト膜１２全体が膨張したものであってもよい。
【００１６】
層間絶縁膜１０としては一般的にＳｉＯ２を主成分とするものが用いられているために、このＳＴ３の処理では、ＸｅＦ２ガスがＳｉＯ２と反応することによって、層間絶縁膜１０に形成されていたホール１６の上側部分の内面がほぼ等方的にエッチングされる。図１のＳＴ３に係る部分はその状態を示している。
【００１７】
続いて、レジスト膨張部１２ａおよびレジスト膜１２をマスク材として、層間絶縁膜１０のドライエッチング加工を層間絶縁膜１０の下面まで行う（ＳＴ４）。これにより層間絶縁膜１０に、その上側部分では穴部１４の径に由来して開口径が大きく、下側部分では縮小穴部１４ａの径に由来して開口径の小さい形態を有するホール１６が形成される。
【００１８】
エッチング加工プロセスであるＳＴ２，ＳＴ４で見てみると、ＳＴ４において層間絶縁膜１０をエッチングする深さは、先に行われたＳＴ２によって、層間絶縁膜１０の全体厚よりも浅くなっており、エッチング途中で穴径が縮小するプロセスとなっている。こうして、ホール１６におけるＳＴ４での形成部分の実質的なアスペクト比を小さくすることができる。
【００１９】
ＳＴ４ではそのエッチング条件として、穴の抜け性が良好な条件を選択することが好ましい。これによって、エッチストップを生じさせることなく、穴径（特に、ボトム径）の小さいホール１６を形成することができる。
【００２０】
ＳＴ２〜ＳＴ４のプロセスは、ＳＴ２のドライエッチングを行ったチャンバ内にＸｅＦ２ガスを導入することによってＳＴ３を行い、その後、同チャンバを用いてＳＴ４を行うことができるので、その間に層間絶縁膜１０を備えた基板を移動させなくともよく、スループットの高いプロセスを実現することができる。
【００２１】
ＳＴ４が終了した後には、アッシング処理または剥離用薬液処理により、残ったレジスト膨張部１２ａとレジスト膜１２を除去する（ＳＴ５）。
【００２２】
図１に示した初期状態において、例えば配線２２の幅が５０ｎｍ、層間絶縁膜１０の厚さが３００ｎｍである場合に、ホール１６を形成するためのより具体的なプロセスについて以下に簡単に説明する。
【００２３】
ＳＴ１では、レジスト膜１２に配線２２の幅５０ｎｍより十分に大きく、例えば３倍の１５０ｎｍの開口径を有する穴部１４を形成する。基板をエッチングチャンバに収容し、続くＳＴ２のエッチング加工では、層間絶縁膜１０を例えば２００ｎｍの深さまでＲＩＥ加工する。これによりホール１６の上側部分が形成される。
【００２４】
ＳＴ２のエッチング条件は、例えばフッ素，炭素および水素を含む化合物ガスと酸素ガス（Ｏ２）、一酸化炭素ガス（ＣＯ）、不活性ガス等の添加ガスとの混合ガスを反応ガスとして用いる一般的なＲＩＥ条件でよい。その具体例として、図２にＣ４Ｆ８とＣＯを成分とするエッチングガスを用いた場合におけるＳｉＯ２エッチングレートのガス組成依存性を示す。この図２で縦軸に数値を表していないのは、ＳｉＯ２エッチングレートは、プラズマ発生のためのバイアス電圧やガス圧力等によっても変化するため、横軸に示したガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）等のガス組成に依存して一義的に決まらないからである。
【００２５】
このＳＴ２では、ガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値が０以上０．８以下の組成を有するガスを用いることが好ましく、その理由は次の通りである。すなわち、図２には示していないが、Ｃ４Ｆ８とＣＯを成分とするエッチングガスを用いたエッチング加工では、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値が大きくなるにしたがってテーパ角度が小さくなる現象が生じる。このことは、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を大きくすると、エッチング加工が進むにつれて穴径が小さくなることによりエッチストップが発生しやすくなることを示している。このエッチストップを回避する観点から、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値が定められる。
【００２６】
但し、穴部１４の開口径とＳＴ２でのエッチング深さとの関係で、エッチストップを回避できることが明らかであれば、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値が０．８超となる組成のガスを用いることは可能である。
【００２７】
次いでチャンバ内にＸｅＦ２ガスを導入し、ＳＴ３の処理を行う。例えば室温〜２００℃程度、２６６．６４Ｐａ（＝２Ｔｏｒｒ）でＸｅＦ２ガスを導入し、基板をこの雰囲気に１分間暴露すると、レジスト膜１２の表面がフッ化されることで膨張し、穴部１４の開口径は縮小する。このときの縮小寸法は、暴露温度、雰囲気圧力、暴露時間等のパラメータにより調整することができ、ここでは開口径が約５０ｎｍの縮小穴部１４ａを形成する。ＳＴ３の処理では、ＳＴ２で形成されたホール１６の上側部分がＸｅＦ２ガスによってほぼ等方的にエッチングされる。
【００２８】
ＳＴ３の処理が終了した時点で層間絶縁膜１０をエッチングする残りの膜厚は約１００ｎｍである。縮小穴部１４ａの開口径と配線２２の配線幅がともに５０ｎｍで一致しているので、ＳＴ４のエッチング条件は、穴の抜け性が確保できる条件を選択することが好ましい。
【００２９】
例えば、ＳＴ２と同様にＣ４Ｆ８とＣＯを成分とするエッチングガスを用いる場合には、前述したようにＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値が大きくなるにしたがってエッチストップが発生しやすくなることと、ＳＴ４ではＳＴ２のときと比較してエッチング開始時の開口径が小さいためにＳＴ２よりもエッチストップが起こりやすくなっていることとを踏まえて、ＳＴ４の条件を設定する。
【００３０】
開口径が５０ｎｍのホールであれば、ＳＴ２と同様に、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０以上０．８以下とすることで、エッチストップを生じさせることなく、線幅５０ｎｍの配線２２に対して同等径でエッチングすることができる。こうしてホール１６が形成される。
【００３１】
このような第１の実施形態に係るホールの形成プロセスの変形例として、ＳＴ２の工程を省略したプロセス、すなわちＳＴ１→ＳＴ３→ＳＴ４→ＳＴ５の順序でホールを形成するプロセスが挙げられる。このプロセスでは、ＳＴ１において穴部１４に露出した層間絶縁膜部分のＸｅＦ２ガスによるエッチング作用をＳＴ３の工程で利用して、ホール１６の上側部分を形成する。これによりＳＴ４において形成するホール部分のアスペクト比を小さくすることができる。
【００３２】
次に、上述したホールの形成方法を、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をシリコン窒化膜（ＳｉＮ（＝Ｓｉ３Ｎ４））に対して選択的に異方性エッチングするＳＡＣ（Self Align Contact）に適用した形態について説明する。
【００３３】
ここで最初に従来技術の問題点について簡単に説明する。図５に、ゲート間スペースを狭くする必要があるＤＲＡＭ等の半導体装置におけるゲート電極部間での従来のコンタクトホールの形成処理前後における構造を簡略的に示す。また、図４にＣ４Ｆ８とＣＯの混合ガスをエッチングガスとして用いた場合のＳｉＯ２とＳｉＮのエッチングレートおよび選択比を示す。なお、図４でも図２と同様の理由により縦軸数値は示していない。
【００３４】
図５右図に示されるように、この半導体装置は、基板Ｗ上にゲート絶縁膜（図示せず）を介して形成された２つのゲート電極部３０を備えており、各ゲート電極部３０は、ゲート電極３２と、ゲート電極３２の側部に形成されたサイドウォール膜３４と、ゲート電極３２の上部に形成されたゲート上絶縁膜３６と、これらを被覆する層間絶縁膜３８と、ゲート電極部３０間に形成されたコンタクトホール５２を備えた構造を有している。例えば、ゲート電極３２はポリシリコンで構成され、サイドウォール膜３４とゲート上絶縁膜３６はＳｉＮで構成され、層間絶縁膜３８はＳｉＯ２で構成されている。
【００３５】
ＳＡＣ構造の微細化により配線スペースたるゲート電極部３０間の距離が狭くなるということは、形成するコンタクトホールのアスペクト比が大きくなるということにつながる。アスペクト比の高いコンタクトホールを形成するためにその抜け性を考慮すると、図４に示されるＳｉＯ２のエッチングレートの大きい領域でのエッチング加工が必要となる。しかし、その場合には、ＳｉＮに対する選択性を確保すること、換言すればＳｉＯ２／ＳｉＮ選択比を大きく取ること、が困難となる。
【００３６】
その結果、図５右図に示されるように、特にサイドウォール膜３４とゲート上絶縁膜３６の肩部５４が削られて薄くなってしまい、後にコンタクトホール５２に埋設される金属とゲート電極３２との間での電流リークが起こりやすくなるという問題が生じる。このような電流リークに対するマージン（許容度）が小さく、電流リークを加速しやすいプロセスは、製品の品質管理の観点をも踏まえて、採用しがたい。
【００３７】
一方、この問題を回避するために、図４に示されるガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）が０．８超の領域を利用し、ＳｉＯ２／ＳｉＮ選択比を大きく取ってＳｉＮに対する選択性を確保すると、ＳｉＯ２のエッチングレートが低下することと、テーパ角度が小さくなることとによって、エッチストップが発生しやすくなる。
【００３８】
これらの問題を同時に解決するために、第２の実施形態としてのＳＡＣ構造におけるホールの形成プロセスフローを断面図を用いて模式的に図３に示す。図３において初期状態を示した部分は図５左図と同じであり、図３に示される各部の符号は、図５右図で用いたコンタクトホールの符号５２を除いて、図５に示したものと同じである。
【００３９】
以降、第２の実施形態においては、ホール４０として、基板Ｗに形成された拡散層（図示せず）を配線へと接続するためのコンタクトホールを層間絶縁膜３８に形成する。
【００４０】
図３の初期状態に示す層間絶縁膜３８上に開口径が十分に大きな穴部４４を備えたレジスト膜４２を形成する（ＳＴ１１）。この穴部４４は２つのゲート電極部３０の間の上方に形成される。ＳＴ１１でレジスト膜４２をマスク材として用いて、層間絶縁膜３８をその途中深さまでＲＩＥ加工する（ＳＴ１２）。ＳＴ２では、例えばサイドウォール膜３４とゲート上絶縁膜３６の上端近傍の深さまでエッチングし、これによりホール４０の上側部分が形成される。
【００４１】
このＳＴ１２ではＳｉＮに対する選択比を考慮する必要はないため、エッチング条件としては、先に図１および図２を参照して説明したＳＴ２と同様に、Ｃ４Ｆ８とＣＯを成分とするエッチングガスを用いた場合、ガス流量比ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０以上０．８以下とした条件を採用することができる。
【００４２】
但し、これに限定されるものではなく、その他のフッ素，炭素および水素を含む化合物ガスとＯ２，ＣＯ，不活性ガス等の添加ガスとの混合ガスを反応ガスとして用いる一般的なＲＩＥ条件を用いることができる。
【００４３】
続いて、ＳＴ１２の処理を行ったチャンバ内にＸｅＦ２ガスを導入し、レジスト膜４２を、例えば室温〜２００℃程度，２６６．６４Ｐａの雰囲気に１分間暴露する（ＳＴ１３）。これにより、レジスト膜４２の表面がフッ化されて膨張し、レジスト膨張部４２ａが生成すると同時に、穴部４４の開口径が縮小して縮小穴部４４ａが形成される。また、ＳＴ１３の処理によって、ＳＴ１２で層間絶縁膜３８に形成されたホール４０の上側部分がＸｅＦ２ガスによりほぼ等方的にエッチングされる。このとき、サイドウォール膜３４とゲート上絶縁膜３６が露出することがあっても、これらはＸｅＦ２ガスによっては、実質的にエッチングされることはない。なお、縮小穴部４４ａの開口径は、暴露温度、雰囲気圧力、暴露時間等のパラメータにより調整することができる。
【００４４】
次いでＳＴ１３で形成された縮小穴部４４ａを備えたレジスト膨張部４２ａおよびレジスト膜４２をマスク材として、コンタクト面までＲＩＥエッチングすることにより、ホール４０を形成する（ＳＴ１４）。
【００４５】
ＳＴ１４でのエッチング条件は、ＳｉＮ膜（サイドウォール膜３４とゲート上絶縁膜３６）に対する選択性を考慮しながらも、エッチングガス圧力，ガス混合比，プラズマ発生のためのバイアス電圧（Ｖｄｃ）等のパラメータで穴の抜け性もまた確保できる条件を選択することが好ましい。
【００４６】
具体的には、Ｃ４Ｆ８とＣＯを成分とするエッチングガスを用いる場合には、図４より、ＣＯ／（Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ）の値を０．２以上０．８以下とした条件を採用することが好ましい。
【００４７】
この条件においては、ＳｉＮ膜に対する選択性がさほど大きくなくとも、穴径を縮小することでプラズマによって発生するイオンがＳｉＮ膜肩部へ入射することを防ぎ、ＳｉＮ膜に対する選択性を十分確保することが可能となる。これにより、ＳｉＮ膜の肩部５４の削れ量が極めて少なくまたは従来よりも低減されたＳＡＣ加工が可能となる。このようにコンタクト面までエッチングする際には、ＳｉＮ膜部とのエッチング選択性も加味した条件を選択することで、自己整合的に下地とのコンタクトが得られる。
【００４８】
ＳＴ１４が終了した後には、アッシング処理または剥離用薬液処理により、残ったレジスト膨張部４２ａとレジスト膜４２を除去する（ＳＴ１５）。
【００４９】
先に説明した通りに、第１の実施形態に係るホールの形成プロセスの変形例として、ＳＴ２の工程を省略したプロセスを適用できることと同様に、この第２の実施形態に係るホールの形成プロセスの変形例として、ＳＴ１２の工程を省略したプロセスをＳＡＣ構造に対して適用することができる。ＸｅＦ２ガスによる層間絶縁膜のエッチング作用をホールの上側部分の形成に利用することにより、ＳＴ１４において形成するホール部分の実質的なアスペクト比を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】層間絶縁膜へのホールの形成プロセスを断面図により模式的に示すフロー図。
【図２】Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ混合ガスを用いた場合のＳｉＯ２エッチングレートを示すグラフ。
【図３】ＳＡＣ構造における層間絶縁膜へのホールの形成プロセスを断面図により模式的に示すフロー図。
【図４】Ｃ４Ｆ８＋ＣＯ混合ガスを用いた場合のＳｉＯ２とＳｉＮのエッチングレートおよび選択比を示すグラフ。
【図５】ゲート電極部間への従来法によるホールの形成処理前後における構造を簡略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１０…層間絶縁膜、１２…レジスト膜、１２ａ…レジスト膨張部、１４…穴部、１４ａ…縮小穴部、１６…ホール、２０…層間絶縁膜、２２…配線、３０…ゲート電極部、３２…ゲート電極、３４…サイドウォール膜、３６…ゲート上絶縁膜、３８…層間絶縁膜、４０…ホール、４２…レジスト膜、４２ａ…レジスト膨張部、４４…穴部、４４…縮小穴部、５２…コンタクトホール、５４…肩部、Ｗ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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