(57)【要約】【課題】２次電子放出特性だけでなく壁電荷維持能力も共に向上させたプラズマディスプレイパネル用の保護膜を提供する。【解決手段】電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。【選択図】図１
2009094073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項２】
前記第１不純物は、電子トラップを形成する不純物であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項３】
前記第１不純物は、スカンジウム（Ｓｃ）、シリコン（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）よりなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項４】
前記第２不純物は、正孔トラップを形成する不純物であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項５】
前記第２不純物は、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）及びナトリウム（Ｎａ）よりなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項６】
前記保護膜は、第１不純物と第２不純物の重量比を１：０．０１乃至１：１とすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜。
【請求項７】
第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶及び第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶を蒸着して保護膜を形成するプラズマディスプレイパネル用の保護膜の製造方法。
【請求項８】
前記第１酸化マグネシウム結晶及び第２酸化マグネシウム結晶を含む保護膜材料を利用して蒸着することを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜の製造方法。
【請求項９】
前記第１酸化マグネシウム結晶を含有する第１保護膜材料と、前記第２酸化マグネシウム結晶を含有する第２保護膜材料とを利用して同時に蒸着することを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル用の保護膜の製造方法。
【請求項１０】
互いに対向して、放電空間を形成する第１基板及び第２基板と、
前記放電空間を区画する隔壁と、
前記放電空間に放電を起こすように電圧が印加される放電電極と、
前記放電電極上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成され、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含有する保護膜と、を備えるプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第１不純物は、電子トラップを形成する不純物であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第２不純物は、正孔トラップを形成する不純物であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記放電電極は、
前記第１基板上に形成された維持放電電極対と、
前記第２基板上に形成されたアドレス電極と、を備える請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記誘電体層は、
前記維持放電電極対を覆うように第１基板上に形成される第１誘電体層と、
前記アドレス電極を覆うように第２基板上に形成される第２誘電体層と、を備える請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記保護膜は、前記第１誘電体層上に配置されることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２次電子放出特性だけでなく壁電荷維持能力をも向上させたプラズマディスプレイパネル用の保護膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、プロジェクションディスプレイと共に次世代平板ディスプレイであるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）の技術は、近年、非常に向上してきた。特に、平板ディスプレイのうち、画面の大型化及び高画質の両側面を同時に満たすものとして、ＰＤＰは卓越している。具体的に、ＰＤＰは自発光ディスプレイであるため、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に匹敵するほどの輝度、鮮明度、広い視野角、色再現力などの長所を持ち、かつ大型化及びスリム化が容易なために特に注目されている。
【０００３】
ＰＤＰは、高周波電圧を印加して不活性ガスから真空紫外線を発生させ、真空紫外線により蛍光体を発光させることによって画像を具現化するが、これらのＰＤＰは寿命、駆動電圧、アドレス放電時間などに問題点がある。
【０００４】
一方、ＰＤＰは保護膜を備えるが、前記保護膜は寿命延長のために優れた耐プラズマ特性が要求され、さらに、高い２次電子放出率にて放電を始めるために必要とされる電圧を低下することが要求される。このような保護膜として酸化マグネシウムが使用されてきた。
【０００５】
一般的に、優れた２次電子放出特性を有する保護膜は、壁電荷維持能力が落ちるため、２次電子放出特性のみを考慮した保護膜は壁電荷維持能力が落ちて、ＰＤＰの誤作動を誘発する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、２次電子放出特性と壁電荷維持能力とがいずれも優れたＰＤＰ用保護膜を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は前記のような２次電子放出特性と壁電化維持能力とがいずれも優れたＰＤＰ用保護膜を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
さらに、本発明は前記のような２次電子放出特性と壁電化維持能力とがいずれも優れた保護膜を備えるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むＰＤＰ用保護膜を提供する。
【００１０】
前記保護膜において、前記第１不純物は、電子トラップを形成する不純物であり、前記第１不純物としては、スカンジウム（Ｓｃ）、シリコン（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）などがある。
【００１１】
また前記保護膜において、前記第２不純物は、正孔トラップを形成する不純物であり、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）及びナトリウム（Ｎａ）などがある。
【００１２】
特に本発明による保護膜は、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含む。したがって、前記保護膜は、２次電子放出特性だけでなく壁電荷維持能力を向上させることができる。
【００１３】
前記保護膜は、第１不純物と第２不純物の重量比を１：０．０１乃至１：１に構成でき、望ましくは、１：０．２に含有できる。
【００１４】
また、本発明の別の局面によれば、ＰＤＰのための保護層を製造する方法を提供する。
【００１５】
前記保護膜製造方法によれば、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶及び第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶を単一蒸着して保護膜を形成できる。
【００１６】
第１酸化マグネシウム結晶と第２酸化マグネシウム結晶とを同じ層に含有するように保護膜を形成するために、前記第１酸化マグネシウム結晶及び第２酸化マグネシウム結晶を含む保護膜材料を利用して蒸着する。本発明では、第１酸化マグネシウム結晶及び第２酸化マグネシウム結晶を含む保護膜材料をコ・ペレットともいう。或いは、第１酸化マグネシウム結晶と第２酸化マグネシウム結晶とを同じ層に含有するために、前記第１酸化マグネシウム結晶を含有する第１保護膜材料と、前記第２酸化マグネシウム結晶を含有する第２保護膜材料とを利用して同時に蒸着する。本発明では、第１保護膜材料と第２保護膜材料とを同時に蒸着することを多重蒸着という。多重蒸着方法としては、コ・エヴァポレーション、コ・スパッタリング、コ・イオンプレーティングなどがある。
【００１７】
本発明の別の局面として、本発明は、互いに対向して、放電空間を形成する第１基板及び第２基板と、前記放電空間を区画する隔壁と、前記放電空間に放電を起こすように電圧が印加される放電電極と、前記放電電極上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含有する保護膜と、を備えるＰＤＰを提供する。
【００１８】
前記ＰＤＰにおいて、第１不純物は、電子トラップを形成し、第２不純物は、正孔トラップを形成する不純物である。
【００１９】
前記ＰＤＰにおいて、前記放電電極は、前記第１基板上に形成された維持放電電極対と、前記第２基板上に形成されたアドレス電極と、を備える。
【００２０】
前記ＰＤＰにおいて、前記誘電体層は、前記維持放電電極対を覆うように第１基板上に形成される第１誘電体層と、前記アドレス電極を覆うように第２基板上に形成される第２誘電体層と、を備え、このとき、前記保護膜は、前記第１誘電体層上に配置される。したがって、放電期間中に第１誘電体層が荷電粒子と衝突して損傷することを防止できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、２次電子放出特性と壁電荷維持能力とがいずれも優れたＰＤＰ用保護膜を提供できる。
【００２２】
また、本発明によれば、コ・ペレットを利用した単一蒸着または他の不純物がドーピングされた酸化マグネシウム結晶を、コ・エヴァポレーションのような多重蒸着方法を利用することにより、効果的に前記保護膜を製造できる方法を提供する。
【００２３】
さらに、本発明は前記保護膜を備えることによって２次電子放出率を増加し、かつ壁電荷維持能力を改善ことによって消費電力の浪費を低減し、アドレッシング放電時間を短縮できる。したがって、本発明は信頼性及び生産性を向上させたＰＤＰを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明に関するＰＤＰの分解斜視図であり、図２は、図１に示したＰＤＰのII−II断面図である。
【００２６】
図１及び図２を参照すれば、ＰＤＰは上部パネル１５０及び下部パネル１６０を備える。本実施形態で、保護膜１１５は上部パネル１５０に備えられる。
【００２７】
具体的に、上部パネル１５０は、第１基板１１１上にＸ方向に延長する複数の維持放電電極１２０を配置し、この維持放電電極１２０を覆うように第１誘電体層１１３が形成される。そして第１誘電体層１１３上に保護膜１１５が配置される。
【００２８】
前記保護膜１１５は、ベース材料として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を使用する。この酸化マグネシウムは、優れた耐プラズマ特性を有し、かつ透光度が高くて蛍光体から発生する可視光線透過を妨害しない。
【００２９】
具体的に、前記保護膜１１５は、優れた２次電子放出特性を有する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、優れた壁電荷能力を有する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを含む。
【００３０】
第１不純物は、スカンジウム（Ｓｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むような電子トラップを形成する材料でありうる。
【００３１】
第２不純物は、正孔トラップを形成するクロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）を含むような材料でありうる。
【００３２】
前記不純物それぞれを含む第１酸化マグネシウム結晶及び第２酸化マグネシウム結晶は、同一層で相異なる結晶状態にて存在する。したがって、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶は２次電子放出特性に寄与でき、第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶は壁電荷維持能力を向上させることができる。前記第１酸化マグネシウム結晶及び前記第２酸化マグネシウム結晶はエネルギーレベルが相異なることから、異なる結晶であることが分かる。
【００３３】
第１不純物と第２不純物とが共にドーピングされた酸化マグネシウム結晶は、電子トラップとしても正孔トラップとしても機能できない。しかし、本発明によれば、第１不純物及び第２不純物がそれぞれ異なる結晶状態に存在するので、前記不純物それぞれが前記電子トラップ及び前記正孔とラップとして機能できる。
【００３４】
前記保護膜１１５において、第１不純物と第２不純物との重量比は１：０．０１〜１：１の範囲内とし、１：０．２であることが望ましい。第１不純物の量が増えると、放電開始電圧と放電維持電圧に関係のある２次電子放出特性が増加するけれども、第２不純物の量が減ると２次電子放出特性は減少する。このように、前記重量比は、２次電子放出特性と壁電荷維持能力とを同時に最適にするための範囲内とされることが要求される。さらに、前記重量比は、異なる不純物がドーピングされた異なる酸化マグネシウム結晶の成長に好適である。
【００３５】
前記のような保護膜１１５の製造方法は下記の通りである。
【００３６】
前記のような保護膜１１５は、第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶からなる第１ペレットと、第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶からなる第２ペレットとを形成し、第１ペレット及び第２ペレットを同時に蒸着することによって形成できる。
【００３７】
前記第１ペレットを形成するため、高純度の酸化マグネシウム粉末に第１不純物を含有する粉末を混合し、その混合物はバインダー及び有機溶媒と混合される。バインダーとしてポリエチレングリコール、ポリビニルブチラルなどを使用でき、有機溶媒としてエタノール、プロパノールなどを利用できる。このように混合された溶液を概略４００〜５００℃温度範囲でバーンアウトし、１０００〜２０００℃で焼結することで第１ペレットを作る。前記第２ペレットは、第１不純物を含有する粉末の代わりに第２不純物を含有する粉末を使用したことを除いては、第１ペレットと同じ方法で製造できる。
【００３８】
前記第１ペレット、第２ペレットを同時にコ・エヴァポレーション、コ・スパッタリング、コ・イオンプレーティングなどの蒸着方法を利用して、同一層に選択的に結晶成長させることによって前記保護膜１１５を形成できる。
【００３９】
その代わりに、前記第１ペレットと第２ペレットとを適正量混ぜてコ・ペレット形態で製造した後、エヴァポレーション、スパッタリング、イオンプレーティングなどの単一蒸着を通じて同一層に選択的に結晶を成長させることによって本発明の保護膜１１５を形成できる。前記コ・ペレットは、前記第１不純物を含有する第１ペレットと第２不純物とを含有する第２ペレットをそれぞれ製造した後、所望の重量割合でそれぞれのペレットを混ぜて形成できる。
【００４０】
本発明の前記保護層１１５は、エヴァポレーション、スパッタリング、及びイオンプレーティングのような蒸着方法を用いて前記コ・ペレットを蒸着することにより形成される。
【００４１】
上部パネル１５０をなす第１基板１１１は、優れた透光性の素材としてソーダライムガラスなどを利用して形成できる。また、第１基板１１１は、外光反射を減少させて明室コントラストを向上させるために着色されうる。
【００４２】
前記第１基板１１１上にＸ方向に平行に形成された維持放電電極１２０は、対向するＸ電極及びＹ電極を備え、Ｘ電極及びＹ電極それぞれはバス電極１２１及び透明電極１２３を備える。
【００４３】
バス電極１２１は透明電極１２３の相対的に大きい抵抗値を補償し、複数の放電セルにほぼ同じ電圧を印加させ、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などからなりうる。
【００４４】
前記放電電極１２０内にて放電を発生し、維持するために、電圧が透明電極１２３に供給される。前記放電電極１２０は可視光透過率が高くて電極抵抗の小さい材料からなり、例えば、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ：ＩＴＯ）を含む。
【００４５】
前記第１誘電体層１１３にあって、放電電流はグロー放電を維持するために制限され、さらに壁電荷蓄積によってメモリ機能及び電圧は低下される。放電効率を高めるために耐電圧と可視光透過率が高いことが望ましい。
【００４６】
上部パネル１５０と対向して配置された下部パネル１６０は、第２基板１７１上にＹ方向に延長する複数のアドレス電極１７３、前記アドレス電極１７３を覆うように第２誘電体層１７５を備える。第２誘電体層１７５上に長方形断面の放電セルを形成する隔壁１８０が配置され、放電セルの内部に蛍光体層が配置される。
【００４７】
第２基板１７１は、前記第１基板１１１のように優れた透光性の素材としてソーダライムガラスなどを利用して形成でき、外光反射を減少させて明室コントラストを向上させるために着色されうる。
【００４８】
アドレス電極１７３は、第２基板１７１上にＹ方向に平行に配置される。アドレス電極１７３も前記バス電極１２１のように、複数の放電セルにほぼ同じ電圧が印加されるように、優れた電気伝導度クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などで形成されうる。
【００４９】
第２誘電体層１７５は、荷電粒子の衝突からアドレス電極１７３を保護し、放電電流を制限してグロー放電を維持し、壁電荷蓄積によってメモリ機能及び電圧を低下する。
【００５０】
隔壁１８０は第２誘電体層１７５上に形成され、第１基板１１１と第２基板１７１との間の放電空間を区画して複数の放電セルを形成する。本実施形態ではマトリックス型の隔壁１８０を例示したが、これに限定されるものではなく、ストライプ型隔壁１８０をはじめとして、放電セルの断面図が円形、多角形などの多様な形態を持つように隔壁１８０を形成できる。
【００５１】
隔壁１８０により複数の放電セルが形成され、放電セルそれぞれには蛍光体層が配置される。蛍光体層は、フルカラーのディスプレイを具現するために相異なる色相で設けられる。例えば、光の３原色でカラー映像を具現する場合、赤色蛍光体層１７７Ｒ、緑色蛍光体層１７７Ｇ、及び青色蛍光体層１７７Ｂが交互に放電セル内に塗布されて赤色放電セル１９０Ｒ、緑色放電セル１９０Ｇ及び青色放電セル１９０Ｂを形成する。
【００５２】
さらに、放電セルには放電ガスが注入される。放電ガスは、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）のような不活性ガスまたはこれらの混合ガスを使用する。
【００５３】
本発明の実施の形態に係る保護膜１１５を含むＰＤＰにあって、前記基板、電極、及び誘電体層などの配置及び前記各部を形成する材料は限定されるものではない。
【００５４】
図３は、本発明の実施の形態に係るＰＤＰ用保護膜のＳＥＭ写真である。
【００５５】
本実施形態による保護膜は下記のように製造した。
【００５６】
まず、高純度の酸化マグネシウム粉末（ＭｇＯ、９９．９９５％）に高純度スカンジウム塩（Ｓｃ２Ｏ３またはＳｃ（ＮＯ３）３、９９．９９９％）粉末（２００ｐｐｍ）を混合し、製造した混合物をバインダーと有機溶媒とに混合する。具体的にバインダーはポリエチレングリコールを使用し、有機溶媒としてエタノールを使用した。このように混合された溶液を４５０℃温度でバーンアウトし、１６５０℃で焼結して第１ペレットを製造した。
【００５７】
そして、前記スカンジウム塩粉末（２００ｐｐｍ）の代わりにクロム塩（Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ（ＮＯ３）３、９９％）を含有する粉末（１００ｐｐｍ）を使って製造したことを除いて、前記と同じ方法でクロム含有第２ペレットを製造した。つまり、高純度の酸化マグネシウム粉末（ＭｇＯ、９９．９９５％）にクロム塩（Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ（ＮＯ３）３、９９％）を含有する粉末（１００ｐｐｍ）を混合してから、製造した混合物をバインダーと有機溶媒とに混合し、混合された溶液を４５０℃温度でバーンアウトし、１６５０℃で焼結して第２ペレットを製造した。
【００５８】
前記第１ペレットと前記第２ペレットを所望量の組成で混合してコ・ペレットを製造した。具体的に、前記コ・ペレットのスカンジウムとクロムとの重量比が１：０．２になるようにコ・ペレットを製造した。そして、前記コ・ペレットを、維持放電電極及び第１誘電体層が備えられた第１基板上に蒸着した。このようにして、スカンジウム含有の第１酸化マグネシウム結晶とクロム含有の第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含む保護膜を製造した。
【００５９】
図３に示したＳＥＭ写真によれば、同一層でランダムに選択的に結晶成長した第１酸化マグネシウム結晶（Ａ）及び第２酸化マグネシウム結晶（Ｂ）からなる保護膜を確認することができる。図３において第１酸化マグネシウム結晶（Ａ）と第２酸化マグネシウム結晶（Ｂ）はＳＩＭＳ(Secondary ion mass spectrometry)によって区別されうる。
【００６０】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明に関するＰＤＰ用保護膜の壁電荷維持能力を示すグラフである。
【００６１】
本実施形態では、図３に示した保護膜を備えるＰＤＰ（以下‘実験群’という）の壁電荷維持能力を評価した。比較群としては、シリコン（Ｓｉ）のみをドーピングした酸化マグネシウム保護膜を使用したＰＤＰを使用した。
【００６２】
印加された維持電圧３００Ｖで実験群と比較群それぞれに、スキャン期間を５０μｓ（ａ）、５００μｓ（ｂ）、１０００μｓ（ｃ）、２０００μｓ（ｄ）に設計して、Ｘ電極とＹ電極との電圧差によるアドレス電極とＹ電極との電圧差を確認した。対照群として（ｅ）は、アドレス電極をフローティングさせた場合である。
【００６３】
図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ実験群と比較群とを示すＶＴＣ（ｖｏｌｔａｇｅ ｃｌｏｓｅ ｃｕｒｖｅ）グラフであり、これによれば、実験群が比較群に比べて壁電荷維持能力が向上することが分かる。
【００６４】
具体的に、図４Ｂでは、ａ電極とｙ電極との間の印加電圧の差が約８０Ｖ以上発生することが示される。すなわち、壁電荷損失によって印加電圧の差が発生する。一方、図４Ａの場合には、ａ電極ｙ電極との間の印加電圧の差がほとんどなくなったことが示される。したがって、本発明を通じて実験群の壁電荷維持能力が上昇することが分かる。
【００６５】
図５は、第１不純物であるスカンジウムの含有量による保護膜の２次電子放出特性を示すグラフである。
【００６６】
図５に示すように、スカンジウム含有量の増加につれて２次電子放出率が増加することが分かる。したがって、図４Ａ及び図５を通じて本発明によって蒸着された保護膜は、２次電子放出特性及び壁電荷維持能力が同時に改善されることが分かる。
【００６７】
本発明は図面に示した実施形態を参考までに説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるいう点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、ＰＤＰ関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に関するＰＤＰの分離斜視図である。
【図２】図１に示したＰＤＰのII−II断面図である。
【図３】本発明に関するＰＤＰ用保護膜ＳＥＭ写真である。
【図４Ａ】本発明に関するＰＤＰ用保護膜の壁電荷維持能力を示すグラフである。
【図４Ｂ】本発明に関するＰＤＰ用保護膜の壁電荷維持能力を示すグラフである。
【図５】本発明に関するＰＤＰ用保護膜の２次電子放出特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７０】
１１１  第１基板
１１３  第１誘電体層
１１５  保護膜
１２０  維持放電電極
１２１  バス電極
１２３  透明電極
１５０  上部パネル
１６０  下部パネル
１７１  第２基板
１７３  アドレス電極
１７５  第２誘電体層
１７７Ｒ  赤色蛍光体層
１７７Ｇ  緑色蛍光体層
１７７Ｂ  青色蛍光体層
１８０  隔壁
１９０Ｒ  赤色放電セル
１９０Ｇ  緑色放電セル
１９０Ｂ  青色放電セル
【図１】
2009094073.tif 000003
【図２】
2009094073.tif 000004
【図４Ａ】
2009094073.tif 000005
【図４Ｂ】
2009094073.tif 000006
【図５】
2009094073.tif 000007
【図３】
2009094073.tif 000008