(57)【要約】【課題】基板と反対側に電極を取り出す必要のある半導体パッケージにおいて、半導体基板に貫通孔を開けて金属材料を充填する貫通配線技術の必要なく、半導体基板と反対側に容易に電極を取り出す。【解決手段】本発明は、一方の面に備えたガラス基板或いは高放熱基板と、その反対側面に備えた外部電極と、該外部電極に接続される半導体チップとを一体化してパッケージする。ガラス基板或いは高放熱基板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を備える。この配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止する。樹脂封止した表面上においてポスト電極の先端に外部電極を形成する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージした半導体チップパッケージにおいて、
前記基板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を備え、
該配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止し、
該樹脂封止した表面上において前記ポスト電極の先端を前記外部電極として用い、或いは外部電極を形成した、
ことから成る半導体チップパッケージ。
【請求項２】
前記半導体チップは、イメージセンサチップ或いは高放熱を必要とする大パワーＬＳＩチップであり、前記基板はガラス基板或いは高放熱基板である請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項３】
前記外部電極には、別の両面電極パッケージの外部電極と接続部分が重なるようにアライメントを行って、該別の両面電極パッケージと積層接合した請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項４】
一方の側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージした半導体チップパッケージの製造方法において、
前記基板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を形成し、
該配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止し、
該樹脂封止した表面上において前記ポスト電極の先端を前記外部電極として用い、或いは外部電極を形成した、
ことから成る半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記半導体チップは、イメージセンサチップ或いは高放熱を必要とする大パワーＬＳＩチップであり、前記基板はガラス基板或いは高放熱基板である請求項４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項６】
前記配線付ポスト電極部品は、前記ガラス基板の上に、或いは高放熱基板の上に形成した絶縁層の上に、リソグラフィ工程或いはナノ金属粒子で配線パターンとなるべき金属のシード層をパターンニングした後、メッキにより配線層を成長させて、配線層のパターンを形成し、さらにその上に、配線層と同様にして、ポスト電極を形成した請求項５に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記外部電極には、別の両面電極パッケージの外部電極と接続部分が重なるようにアライメントを行って、該別の両面電極パッケージと積層接合した請求項４に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項８】
一方の側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージした半導体チップパッケージの製造方法において、
支持板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を形成し、
該配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止し、
前記支持板を剥離して、その位置に前記基板を貼り付け、
該樹脂封止した表面上において前記ポスト電極の先端を前記外部電極として用い、或いは外部電極を形成した、
ことから成る半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップは、イメージセンサチップ或いは高放熱を必要とする大パワーＬＳＩチップであり、前記基板はガラス基板又は光透過性の透明樹脂、或いは高放熱基板である請求項８に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一方の面にガラス基板或いは高放熱基板を備えて、その反対側面から外部電極を取り出すイメージセンサ或いはパワーの大きなＬＳＩ用のパッケージとして最適な半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話にカメラが搭載されるようになり、またデジカメの小型化・薄型化の要求に伴い、画像の撮像部と処理部の小型化の要求が非常に強くなっている。ＩＣの設計・製造技術の進展によって、回路の高度集積化かつ低消費電力化が可能となり、画像の撮像部と処理部を一体化してパッケージしたイメージセンサパッケージが用いられている。
【０００３】
このようなイメージセンサパッケージは、イメージセンサ面と反対に電極を取り出す必要があるが、従来、このような電極取り出しは、半導体基板に貫通孔を設け、この貫通孔内に金属材料を充填する貫通配線技術を使って行われている。図２６は、特許文献１に開示されている従来の貫通技術を説明する図である。図２６に示したシリコン基板が本来の半導体基板である。その上面に絶縁層を介して配線・電極パッド層が設けられている。シリコン基板の開口の内周面および裏面は絶縁膜で覆われている。このシリコン基板の厚みは、薄化され、相対的に相当に薄いものになっている。シリコン基板の厚みを薄くすることができたため、エッチングが容易になり、かつ絶縁膜の形成が容易になる。シリコン基板の上側部分には、ガラスの支持体が設けられる。シリコン基板の裏面側には別の基板が取り付けられる。別の基板は、上記開口に対応してそれに一致する位置に貫通状態の孔を形成し、この開口と孔には貫通配線が形成され、この貫通配線を介して外部電極に接続されている。
【０００４】
前述のごとく、シリコン基板は、別の基板を貼り付けることにより半導体チップとしての強度を確保し、これにより、本来のシリコン基板の厚みを薄くすることが可能となる。そして、シリコン基板を薄化することにより、貫通配線形成のためのシリコンエッチング工程、絶縁膜形成工程、絶縁膜のエッチング工程、金属材料充填工程などに要する時間を短くして、半導体装置の製造コストを低減することが可能となる。
【０００５】
しかし、例示のイメージセンサパッケージは、シリコン基板を薄化したとはいえ、依然として、シリコン基板に開口を開けて、そこに金属材料を充填する貫通配線技術が必要である。
【０００６】
また、イメージセンサパッケージと同様に、パワーの大きいＬＳＩチップ及びそのためのヒートシンクを一体化したパッケージにおいても、ヒートシンクとは反対側に設けた外部電極に対する配線を容易にする技術が求められている。
【特許文献１】特開２００７−１５８０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現行のイメージセンサパッケージで採光面と反対側に、或いはヒートシンクを一体化したパッケージでヒートシンクとは反対側に電極を取り出そうとする場合は、貫通電極（貫通配線）を用いるしかないために、製造工程が複雑でコストが高くなる。
【０００８】
本発明は、係る問題点を解決して、イメージセンサパッケージ或いはヒートシンク一体化パッケージのように基板と反対側に電極を取り出す必要のある半導体チップパッケージにおいて、半導体基板に貫通孔を開けて金属材料を充填する貫通配線技術の必要なく、半導体基板と反対側に容易に電極を取り出すことを目的としている。これによって、新規に高価な設備を準備をしなくても、イメージセンサあるいは高放熱のパッケージが製作可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体チップパッケージ及びその製造方法は、一方の側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、基板とは反対側に位置して半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージする。前記基板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を備える。この配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止する。樹脂封止した表面上においてポスト電極の先端を外部電極として用い、或いは外部電極を形成する。
【００１０】
また、本発明の半導体チップパッケージの製造方法は、支持板に支持されるポスト電極及び該ポスト電極に接続される配線を形成して、上面配線パターン造り込みがなされている配線付ポスト電極部品を形成し、該配線付ポスト電極部品に半導体チップを実装して、樹脂封止する。その後、支持板を剥離して、その位置に基板を貼り付けることができる。
【００１１】
半導体チップは、イメージセンサチップ或いは高放熱を必要とする大パワーＬＳＩチップであり、前記基板はガラス基板或いは高放熱基板である。外部電極には、別の両面電極パッケージの外部電極と接続部分が重なるようにアライメントを行って、該別の両面電極パッケージと積層接合することができる。
【００１２】
配線付ポスト電極部品は、ガラス基板の上に、或いは高放熱基板の上に形成した絶縁層の上に、リソグラフィ工程或いはナノ金属粒子で配線パターンとなるべき金属のシード層をパターンニングした後、メッキにより配線層を成長させて、配線層のパターンを形成し、さらにその上に、配線層と同様にして、ポスト電極を形成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、簡易な方法で、イメージセンサあるいは高放熱のパッケージのような基板と反対側に電極を取り出す必要のある半導体パッケージを製作できる。半導体基板に貫通孔を開けて金属材料を充填する貫通配線技術の必要も無く、半導体基板と反対側に容易に電極を取り出すことができ、新規に高価な設備を準備をしなくも製造工程が構築できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、例示に基づき、本発明を説明する。最初に、第１の実施形態として、本発明をイメージセンサチップパッケージに具体化した例を、図１〜図４を参照して説明する。図１は、多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す図であり、（Ａ）その斜視図、（Ｂ）は図中のＸ−Ｘ’ラインで切断した断面図を示している。図示の配線付ポスト電極部品は、支持部に支持されるポスト電極（内部接続用電極）だけでなく、それに接続される配線を形成することによって、上面配線パターン造り込みがなされている。この配線付ポスト電極部品は、複数のポスト電極及び配線を背面の支持部により一体に連結して構成される。ポスト電極は、例示したような円柱形状に限らず、矩形、多角形状等を含む柱状（棒状）形状であれば良い。
【００１５】
図１の例では、支持部として透明ガラス基板を用いる。透明ガラス基板の全面に、配線パターンとなるべき金属のシード層を形成する（例えばスパッタ層あるいはナノ金属材料を塗膜）。このシード層としては、例えば、銅メッキを可能とする金、銀、銅、パラジューム箔を用いることができる。配線層のパターンはシード層の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して完成させる。このシード層の上にメッキにより配線層を成長させる。さらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。或いは、ナノ金属粒子で直接シード層をパターンニングにしてリソグラフィ工程を省略することもできる。この直接パターンニングは、有機溶媒中に銅等のナノ金属粒子を含有させて、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターンを描く方法である。前記と同じようにさらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。これによって、配線付ポスト電極部品が完成する。
【００１６】
図２は、配線付ポスト電極部品にイメージセンサ（半導体ＬＳＩチップ）を装着した状態で例示している。配線付ポスト電極部品に形成した配線層をボンディングパッド領域として、イメージセンサ（半導体ＬＳＩチップ）を固定しかつ電気的に接続する。この固定及び接続は、フリップチップボンド接続によって行うことができる。また、イメージセンサの集光面側とガラス基板の間にマイクロレンズを実装することもできる。このようにして、透明ガラス基板の裏面側に、イメージセンサが実装される。
【００１７】
図３は、配線付ポスト電極部品に半導体ＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。図は１個のみの部品を示しているが、実際には多数個連結されている状態で、金型に入れて樹脂を充填する。これによって、電極ポストの先端から透明ガラス基板の下面までの空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。封止した際にポスト電極の先端が少し樹脂で覆われる場合は表面を軽く研削して先端の金属表面を露出させる工程を追加してもよい。
【００１８】
図４は、外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。樹脂封止部から露出したポスト電極先端を外部電極として用いることができるが、図４に示すように、それに接続されるバンプ電極を形成して、これを外部電極とすることもできる。実際の製造においては、この後、個々のチップに切断して切り分ける個片化を経た後に、製品として完成する。これによって、従来技術のような貫通電極の必要なく、透明ガラス基板の反対側に外部電極としてバンプ電極を形成したイメージセンサチップパッケージが完成する。このようして完成したイメージセンサチップパッケージは、個片化前に、信号処理用ＬＳＩチップパッケージのような別のパッケージと容易に接続することができる。
【００１９】
図５及び図６は、バンプ電極形成前の図３に例示したイメージセンサチップパッケージを、信号処理用ＬＳＩチップパッケージと積層接合した実装状態を示す模式的断面図である。図５は接続前の状態を示し、図６は接続後の状態を示している。信号処理用ＬＳＩチップパッケージは、両面電極パッケージ（ＰＫＧ）として構成される。図示したように、上面に位置するイメージセンサチップパッケージを、下面に位置する信号処理用ＬＳＩチップパッケージと、アライメントを行って接続部分が重なるようにし、炉体を通して接続部分の突起電極（ポスト電極）を一時的に加熱溶融して接合させる。
【００２０】
図５及び図６中に示されているイメージセンサチップパッケージの製造については、図１〜図４を参照して前述したとおりである。以下、信号処理用ＬＳＩ（論理ＬＳＩ）チップパッケージのような両面電極パッケージの製造について、図７〜図１３を参照しつつ順を追って説明する。
【００２１】
図７は、多層有機基板上にＬＳＩチップ（信号処理用ＬＳＩチップ）を接着しかつ接続した状態で示す図である。ＬＳＩチップは、多層有機基板上にダイボンド材により接着して、有機基板の最上層の配線パターンとはボンディングワイヤにより接続するものとして例示している。多層または単層有機基板の最上層の配線パターンに、ボンディングワイヤ接続電極となるボンディング用金属パッド部が形成されると共に、該パッド部への配線が形成される。この多層または単層有機基板のおもて面の金属パッド部と、ＬＳＩチップは、Ａｕボンディングワイヤにより接続される。或いは、ＬＳＩチップは、有機基板に対してフリップチップボンド接続することもできる（図示省略）。この場合、ＬＳＩチップは、多層または単層有機基板の最上層の配線パターンに、通常の技術を用いて、フリップチップボンド接続される。
【００２２】
多層または単層有機基板は、単層２層配線構造や複数層から成る基板の各層に、それぞれ配線パターンを形成した後これらの基板を貼り合わせ、必要に応じて各層の配線パターンを接続するためのスルーホールを形成したものである。このスルーホールの内部には導体層が形成され、この導体層が裏面側に形成された端面電極部であるランドと接続されている。このような多層または単層有機基板は、例えば、「ハンダボール」と呼ばれる小さいハンダ材料を丸めたもの（バンプ）を裏面に実装した（BGA：Ball Grid Array）一括封止有機基板として知られている。
【００２３】
図８は、ポスト電極を固定し、接続した状態で示す図である。有機基板の配線パターンの所定の位置には、支持部により一体に連結されたポスト電極構造体が、一括して固定されかつ電気的に接続される。ポスト電極を固定及び接続する手法としては、（１）超音波による接合、（２）銀ペースト等の導電性ペーストによる接続、（３）半田接続、（４）有機基板側に設けた接続電極用金属パッド部に凹部を設ける一方、ポスト電極構造体側は凸部を設けて挿入圧着あるいは挿入しカシメる方法、により行うことができる。
【００２４】
ポスト電極が有機基板の配線パターン上の所定の位置に配置した接続電極用金属パッド部（図７参照）に固定された段階では、全てのポスト電極が、板状の支持部により一体に連結されている。
【００２５】
図９は、板状の支持部により一体に連結されているポスト電極構造体の詳細を示す図であり、図９（Ａ）及び（Ｂ）は１個の両面電極パッケージのための単体パターンの側面断面図及び斜視図をそれぞれ示し、また図９（Ｃ）は４個の両面電極パッケージのための４個の単体パターンを１個に連結したパターンの斜視図を示している。このポスト電極構造体は、図１を参照して上述した配線付ポスト電極部品と同様な構成を有しているが、図９には配線パターンが無い点（配線パターンのある構成は、図１３参照）、及び支持部材質が異なり、図９の支持部は後の工程で剥がされる点で、異なっている。
【００２６】
図９のポスト電極構造体は、複数のポスト電極を支持部により一体に連結して構成される。一体連結のポスト電極構造体の製造は電鋳法によって行われる。
【００２７】
電鋳法自体は、周知の加工法である。電鋳法とは「電気メッキ法による金属製品の製造・補修又は複製法」であって、基本的には電気メッキと同様であるが、メッキ厚、メッキ皮膜の分離操作を行う点が、電気メッキとは異なる。また、母型よりメッキ皮膜を剥離して使用する場合、メッキ皮膜の物性の制御・管理が重要ポイントとなる。電鋳法により成長させる導電性材料のメッキ金属としては、ニッケルまたは銅とか、ニッケル合金、或いは銅合金を含む材料を用いることができる。母型材質としては、一般的な導電性材料であるステンレスを用いることができるが、それ以外に、例えばベースにシリコン基板を用いて、その表面をメッキパターンが剥離し易いようにメッキ用の電気を通す程度の薄い酸化膜等の材料で覆ったものを用いることができる。内部応力の生じないようなメッキ浴の組成やメッキ条件を選定する必要があり、ニッケルメッキの場合、メッキ浴として、スルファミン酸ニッケル浴が利用されている。
【００２８】
図２７は、フォトレジストを用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。以下、電鋳法について説明するが、この工程図に示した製造ステップは、メッキの場合にも適用可能である。メッキ（無電解メッキ）の場合は、母型としてステンレスのような導電体に代えて絶縁体（図１の透明ガラス基板）を用いることにより、これを剥がすことなく機能させることができる。
【００２９】
電鋳法は、図２７（ａ）に示すように、ステンレス等の母型の上面に、フォトレジスト（不導体被膜）を塗布する。次いで、パターンフィルムを通して露光するパターン焼き付け及びその後の現像により、非メッキ部分をフォトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する（図２７（ｂ））。電鋳用原版のフォトレジストパターンの厚さは、製品（ポスト電極、或いは配線パターン）の厚さ以上であり、ポスト電極の場合は、ICのチップ厚より厚い、例えば50μｍから300μ前後の厚さとする。続いて、フォトレジストパターンの開口部にメッキ金属が形成される（図２７（ｃ））。適性温度に維持されたメッキ浴（例えば、スルフォミン酸ニッケル液）中に、陽極側に電鋳させようとする電鋳金属を入れ、陰極側にステンレス等の電鋳母型を配置する。陰極側の電鋳母型の表面上には、図２７（ｃ）に示すように、フォトレジストパターンが予め形成されている。電流を流すと、陽極側の電鋳金属が溶け出して、電鋳母型上のフォトレジストパターン開口部にメッキされる。
【００３０】
次に、図２７（ｄ）に示すように、平坦化加工が行われる。次に、レジストを除去すると（図２７（ｅ））、レジスト部分以外がそのまま配線パターンやポスト電極となる。そして、このメッキ金属を電鋳母型から剥離する（図２７（ｆ））。形成されたメッキ金属と支持部の剥がしが、熱や圧力で容易に行うことができるのが、電鋳法の特徴である。
【００３１】
後述する図１３に例示の配線付ポスト電極構造体の製造のためには、図２７（ａ）〜（ｄ）に示す工程を２回繰り返し、最初の工程で、支持部上に配線パターンを形成した後、２回目の工程で、配線パターンに接続されるポスト電極を形成する。
【００３２】
このように、ポスト電極構造体は、支持部である導電性材料（電鋳母型）にリソグラフィーとメッキを用いて、ポスト電極（内部接続用電極）或いは配線付ポスト電極を成長させることにより、支持部と一体になったポスト電極パターン或いは配線付きポスト電極パターンを形成する。
【００３３】
この後、図９に示したポスト電極構造体は、図７に示した多層有機基板上に接続、固定されて、前述した図８に例示の構成となる。図１０は、ポスト電極構造体を多層有機基板上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。一体に連結されているポスト電極構造体が多層有機基板上に固定された後、この状態で、ＬＳＩチップのおもて面は、支持部（上述した電鋳母型）の下面まで、即ちＬＳＩチップと支持部の間の空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００３４】
図１１は、支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。支持部を剥離することにより、複数のポスト電極が電気的には互いに個々に分離される。
【００３５】
図１２は、裏面に外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。おもて面においては、ポスト電極の先端をそのまま、上記したイメージセンサチップパッケージに接続されるべき外部電極として用いることができるが、図１２に示すように、上面に再配線をして、ポスト電極の配置から、任意にイメージセンサチップの外部電極の位置に持っていくことができる。このため容易に3次元に、イメージセンサチップパッケージを接続することができる。
【００３６】
この再配線は、インクジェット方式あるいはスクリーン印刷で行うことができる。或いは、再配線のために、シード層パターン形成後に無電解メッキすることによっても行うことができる。或いは、図１３に示すような配線付ポスト電極構造体を用いて再配線することもできる。
【００３７】
図１３は配線付ポスト電極構造体の例を示す図であり、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ単体パターンの側面断面図及び斜視図を示している。図示の配線付ポスト電極構造体は、前述の図９と同様な構成を有しているが、配線付である点でのみ異なっている。図２７を参照して上述したように、電鋳法により、支持部に支持されるポスト電極だけでなく、それに接続される配線パターンを形成することができる。このような方法によって、図１３に示す配線付ポスト電極構造体には、上面配線パターン造り込みがなされている。なお、単体パターンとして例示したが、実際には、図４と同様に複数個連結した連結パターンとして製造される。製造工程の最終段階で、各チップを切断して切り分ける個片化が行われる。
【００３８】
ＬＳＩチップを接着しかつ接続した多層有機基板（図７参照）上に、図１３に例示した配線付ポスト電極構造体が固定され、かつ電気的に接続されることになる。以降の工程は、図８〜図１１を参照して前述した工程と同様に行うことができる。
【００３９】
次に、本発明の第２の実施形態として、高放熱型チップパッケージに具体化した例を説明する。図１４は、多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は図中のＹ−Ｙ’ラインで切断した断面図である。図１４に例示の配線付ポスト電極部品は、上述した図１に例示の透明ガラス基板に代えて、ヒートシンク、ヒートスプレッダー等として機能する高放熱基板を用いた点でのみ図１に例示の構成とは相違している。
【００４０】
図１４に例示の配線付ポスト電極部品の製造の一例は以下の通りである。まず、高放熱基板に薄い絶縁層を設ける。その後は、図１と同様に、全面にシード層を形成し（例えばスパッタ層あるいはナノ金属材料を塗膜）、その後にレジストを塗り、配線パターンに現像し、メッキ成長させ、その後ポスト部の形成のためレジスト塗布と現像を行い、メッキ成長させる。これによって、複数のポスト電極及び配線が、背面の支持部である高放熱基板により一体に連結して構成される。
【００４１】
図１５は、配線付ポスト電極部品に大パワーＬＳＩチップを装着した状態で例示している。高放熱基板の配線付ポスト電極部品に、高放熱を必要とする大パワーＬＳＩチップが固定されかつ電気的に接続される。これによって、ヒートシンクとして機能する高放熱基板の裏面側に、高放熱型のＬＳＩチップが実装される。
【００４２】
図１６は、配線付ポスト電極部品に大パワーＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。電極ポストの先端から高放熱基板の下面までの空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００４３】
図１７は、外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。樹脂封止部から露出したポスト電極先端を外部電極として用いることができるが、それに接続されるバンプ電極を形成して外部接続用の電極とすることができる。
【００４４】
これによって、従来技術のような貫通電極の必要なく、ヒートシンクとして機能する高放熱基板の反対側に外部電極を形成した高放熱型チップパッケージが完成する。このような高放熱型チップパッケージは、比較的に放熱の少ない別のＬＳＩチップパッケージと容易に接続することができる。
【００４５】
図１８及び図１９は、バンプ電極形成前の図１６に示すパワーの大きいＬＳＩチップパッケージを、パワーの小さい別のＬＳＩチップパッケージと積層接合した実装状態を示す模式的断面図である。図１８は接続前の状態を示し、図１９は接続後の状態を示している。小パワーＬＳＩチップパッケージは、両面電極パッケージ（ＰＫＧ）として構成される。この小パワーＬＳＩチップパッケージは、図７〜図１２を参照して前述したような構成とすることができる。そして、前述の構成と同様に、ＬＳＩパッケージ上面に再配線があっても良い。
【００４６】
図１８に示すように、上面に位置する大パワーＬＳＩチップパッケージを、下面に位置する小パワーＬＳＩチップパッケージと、アライメントを行って接続部分が重なるようにし、炉体を通して接続部分の突起電極を一時的に加熱溶融して接合させる。図１９は、接続された後の状態で示す図である。
【００４７】
図２０は、さらに別のＬＳＩチップパッケージを積層した状態で示す図である。３段以上の積層の場合でも、最も消費電力の大きなＬＳＩを最上位層に持ってくる。図示の第１のパッケージが、図１７に例示の高放熱基板を有する大パワーＬＳＩチップパッケージに相当する。図示の第２及び第３のパッケージは、上述した小パワーＬＳＩチップパッケージに相当する。放熱部の大きさは必ずしもパッケージ全面の大きさだけでなく、任意の大きさとすることができる。
【００４８】
次に、本発明の第３の実施形態として、図４に示した構成を有するイメージセンサチップパッケージ、或いは図１７に示した構成を有するＬＳＩチップパッケージの別の製造方法を説明する。図２１は、配線付ポスト電極部品にイメージセンサ（或いは大パワーＬＳＩチップパッケージ）を装着した状態で例示する図であり、（Ａ）は断面図を、（Ｂ）は配線付ポスト電極部品の裏側から見た斜視図を、（Ｃ）はイメージセンサを取り付けた状態で裏側から見た斜視図である。図２１は、前述した図２或いは図１５に相当する図であるが、前述のガラス基板或いは高放熱基板に代えて、剥離可能の支持板（電鋳母型）が用いられている点でのみ相違している。図２１（Ｂ）に示す配線付ポスト電極部品は、前述した図１３に示す配線付きポスト電極構造体と同様にして製造することができ、かつ、図２１に示す支持板は、図１３の場合と同様に、後の工程で剥離されることになる。
【００４９】
図２２は、図３或いは図１６と同様に、配線付ポスト電極部品に半導体ＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【００５０】
図２３は、支持板を剥離した状態で示す図である。電鋳法により作成した支持板は容易に剥離することができる。支持部を剥離することにより、複数のポスト電極が電気的には互いに個々に分離される。
【００５１】
図２４は、支持板を剥離した位置に、ガラス基板又は光透過性の良い透明樹脂（アクリル、シクロオレフィンポリマーなど）、或いは高放熱基板を貼り付けた状態で示す図である。基板の貼り付けは、例えば、熱硬化型樹脂のような接着剤を用いて行う。なお、基板の貼り付けは、以下の個片化を行った後でも良い。
【００５２】
図２５は、外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。樹脂封止部から露出したポスト電極先端を外部電極として用いることができるが、図２５に示すように、それに接続されるバンプ電極を形成して、これを外部電極とすることもできる。実際の製造においては、この後、個々のチップに切断して切り分ける個片化を経た後に、製品として完成する。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す図である。
【図２】配線付ポスト電極部品にイメージセンサを装着した状態で例示する図である。
【図３】配線付ポスト電極部品にＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図４】外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図５】イメージセンサチップパッケージを信号処理用ＬＳＩチップパッケージと積層接続する前の状態を示す模式的断面図である。
【図６】イメージセンサチップパッケージを信号処理用ＬＳＩチップパッケージと積層接続した後の状態を示す模式的断面図である。
【図７】多層有機基板上にＬＳＩチップを接着しかつ接続した状態で示す図である。
【図８】ポスト電極を固定し、接続した状態で示す図である。
【図９】板状の支持部により一体に連結されているポスト電極構造体の詳細を示す図である。
【図１０】ポスト電極構造体を多層有機基板上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図１１】支持部を剥離した後の状態で示す図である。
【図１２】裏面に外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図１３】配線付ポスト電極構造体の例を示す図である。
【図１４】多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す図である。
【図１５】配線付ポスト電極部品に大パワーＬＳＩチップを装着した状態で例示する図である。
【図１６】配線付ポスト電極部品に大パワーＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図１７】外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図１８】パワーの大きいＬＳＩチップパッケージをパワーの小さい別のＬＳＩチップパッケージと積層接続する前の状態を示す模式的断面図である。
【図１９】パワーの大きいＬＳＩチップパッケージをパワーの小さい別のＬＳＩチップパッケージと積層接続した後の状態を示す模式的断面図である。
【図２０】３段のＬＳＩチップパッケージを積層した状態で示す図である。
【図２１】配線付ポスト電極部品にイメージセンサ（或いは大パワーＬＳＩチップパッケージ）を装着した状態で例示する図である。
【図２２】図３或いは図１６と同様に、配線付ポスト電極部品に半導体ＬＳＩチップを接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図２３】支持板を剥離した状態で示す図である。
【図２４】支持板を剥離した位置に、ガラス基板又は光透過性の良い透明樹脂、或いは高放熱基板を貼り付けた状態で示す図である。
【図２５】外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図２６】特許文献１に開示されている従来の貫通技術を説明する図である。
【図２７】フォトレジストを用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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