(57)【要約】【課題】駆動トランジスタの特性バラツキの補正が容易であるのと同時に、輝点画素のリペアが容易な画素回路の構造を提案する。【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する表示パネルの画素回路に、（ａ）信号電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、（ｂ）書き込まれた信号電位を保持する保持容量と、（ｃ）書き込まれた信号電位により動作する駆動トランジスタと、（ｄ）駆動トランジスタのソース電極と電源供給線の間に接続される補助容量であって、駆動トランジスタのソース電極に引き出し線を通じて接続される補助容量とを有するものを提案する。【選択図】図４
2009026586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する表示パネルであって、駆動トランジスタのソース電極と電源供給線の間に補助容量を有する表示パネルの輝点リペア方法であって、
輝点欠陥の検出された画素の補助容量と駆動トランジスタのソース電極とを接続する引き出し線部分をレーザー光線により切断する
ことを特徴とする輝点リペア方法。
【請求項２】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する表示パネルであって、
各画素回路が、
信号電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、
書き込まれた信号電位を保持する保持容量と、
書き込まれた信号電位により動作する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極と電源供給線の間に接続される補助容量であって、前記ソース電極又は前記電源供給線と引き出し線を通じて接続される補助容量と
を有することを特徴とする表示パネル。
【請求項３】
請求項２に記載の表示パネルにおいて、
前記補助容量の一方の電極は、１行以上前の画素列に対応付けられた電源供給線に接続される
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項４】
請求項２に記載の表示パネルは、
自発光型の表示画素をマトリクス状に配置した表示パネルである
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項５】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する表示パネルであって、各画素回路が、信号電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、書き込まれた信号電位を保持する保持容量と、書き込まれた信号電位により動作する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極と電源供給線の間に接続される補助容量であって、前記ソース電極又は前記電源供給線と引き出し線を通じて接続される補助容量とを有する表示パネルと、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動方式で動作する表示パネルの輝点を修復（リペア）する技術に関する。なお発明は、輝点リペア方法、表示パネル及び電子機器としての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を発光素子に用いるフラットパネルディスプレイの開発が盛んに進められている。有機ＥＬ素子は、印加された電圧を光として再放出する特性（すなわち、エレクトロルミネッセンス現象）を利用した発光素子であり、以下に示す様々な特性を有している。
【０００３】
まず、有機ＥＬ素子は１０Ｖ以下の電圧で駆動できる。このため、消費電力が少なく済むという特性を有している。また、有機ＥＬ素子は自発光素子である。このため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易であるという特性を有している。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度は数μｓ程度と非常に高速である。このため、動画表示時にも残像が発生し難いという特性を有している。
【０００４】
ところで、昨今では、各画素内に駆動素子としての薄膜トランジスタを集積するアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルの開発が盛んになっている。
以下に、この種の駆動方式に対応する文献例を示す。
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、アクティブマトリクス駆動型の表示パネルには、駆動トランジスタの閾値電圧や移動度に製造バラツキが現れやすい問題がある。また、駆動トランジスタの特性は経時的に変化する問題がある
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、発明者らは、アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素構造を有する表示パネルであって、各画素回路が（ａ）信号電位の書き込みを制御するサンプリングトランジスタと、（ｂ）書き込まれた信号電位を保持する保持容量と、（ｃ）書き込まれた信号電位により動作する駆動トランジスタと、（ｄ）駆動トランジスタのソース電極と電源供給線の間に接続される補助容量であって、ソース電極又は電源供給線と引き出し線を通じて接続される補助容量とを有するものを提案する。
【発明の効果】
【０００７】
発明者らの提案する発明の場合、製造バラツキや経時変化に伴う駆動トランジスタの特性バラツキを電気的に補正することができる。また、画素回路を構成する素子数が少なく済むため、同様の機能を実現する他の画素回路に比べて高精細化に有利である。また、引き出し線を通じて補助容量とソース電極又は電源供給線とが接続されるので、補助容量に層間ショートが発生した場合でも、補助容量の切り離しを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【０００９】
（Ａ）形態例１
（Ａ−１）パネル構造
図１に、この形態例で説明するアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルの構造例を示す。図１に示す有機ＥＬパネル１は、画素アレイ部３とこれを駆動する駆動回路５、７、９とで構成される。
【００１０】
画素アレイ部３には、Ｍ行分の走査線１１（１）〜１１（Ｍ）と、Ｎ列分の信号線１３（１）〜１３（Ｎ）と、Ｍ行分の電源線１５（０）〜１５（Ｍ）が配置され、これらの交点位置に表示画素に対応する画素回路１７Ａが形成される。なお、数値のＭとＮは、パネル解像度に応じて定まる。
【００１１】
駆動回路は、走査線スキャナ５と、水平セレクタ７と、電源線スキャナ９とで構成される。走査線スキャナ５は、走査線１１（１）〜１１（Ｍ）を通じて、画素データの書き込みタイミングを画素回路１７Ａに与える回路デバイスである。なお、書き込みタイミングの供給は行単位で制御される。
【００１２】
水平セレクタ７は、信号線１３（１）〜１３（Ｎ）に画素データに対応する信号電位Ｖｓｉｇ又は閾値補正用の基準電位Ｖｏを供給する回路デバイスである。信号電位Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏは、水平走査期間内に時分割に供給される。
【００１３】
電源線スキャナ９は、電源線１５（１）〜１５（Ｍ）を通じて、駆動用の電源電圧を画素回路１７Ａに供給する回路デバイスである。この線順次走査により薄膜トランジスタＴ２の動作状態が行単位で制御される。なお、電源電圧の供給も行単位で制御される。因みに、電源線１５（１）〜１５（Ｍ）には、高電位Ｖcc_Hと低電位Ｖcc_Lのいずれかが印加される。
【００１４】
（Ａ−２）画素回路の構成
図２に、画素回路１７Ａと駆動回路（走査線スキャナ５、水平セレクタ７、電源線スキャナ９）との接続関係を示す。因みに、図２は、ｉ行ｊ列目に位置する画素回路１７Ａ（i,j） と（ｉ−１）行ｊ列目に位置する画素回路１７Ａ（i-1,j）との接続関係を表している。
【００１５】
図３に、画素回路１７Ａの回路構成例を示す。図３は、画素回路１７Ａが２つの薄膜トランジスタＴ１及びＴ２で構成される場合について表している。なお、薄膜トランジスタＴ１及びＴ２はいずれもＮチャネル型である。
【００１６】
このうち、薄膜トランジスタＴ１は、画素データに対応する信号電圧Ｖｓｉｇの保持容量Ｃｓへの書き込みを制御するスイッチングトランジスタとして機能する。薄膜トランジスタＴ１の一方の主電極は信号線１３（ｊ）に接続され、他方の主電極は薄膜トランジスタＴ２のゲート電極及び保持容量Ｃｓの一方の電極と接続される。勿論、薄膜トランジスタＴ１のゲート電極は、走査線１１（ｉ）に接続される。
【００１７】
一方、薄膜トランジスタＴ２は、駆動電流Ｉｄを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する駆動トランジスタとして機能する。薄膜トランジスタＴ２の一方の主電極は電源線１５（ｉ）に接続され、他方の主電極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極及び保持容量Ｃｓの一方の電極と接続される。なお、駆動電流Ｉｄの大きさは、保持容量Ｃｓに書き込まれた保持電圧Ｖｇｓの大きさに比例する。
【００１８】
因みに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極は、不図示の共通電極１９と接続される。共通電極１９は、画素アレイ部３の全面を覆うように配置される。
ところで、この形態例の画素回路１７Ａの場合、保持容量Ｃｓの他に補助容量Ｃｓｕｂを配置する。
【００１９】
補助容量Ｃｓｕｂは、保持容量Ｃｓを補間する目的で配置されている。画素サイズの微細化に伴い、保持容量Ｃｓは下がる傾向にあり、結果的に配線容量や寄生容量の影響を受けやすい状態にある。具体的には、保持容量Ｃｓに対する信号電位の書き込みゲインの低下が指摘されている。
【００２０】
そこで、補助容量Ｃｓｕｂを追加し、保持容量Ｃｓの容量低下を補う手法を採用する。以下、補助容量Ｃｓｕｂによって、書き込みゲインや移動度の補正が可能なことを説明する。なお、以下の説明では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量（寄生容量）をＣｅｌで示す。
【００２１】
まず、書き込みゲインの補正原理を説明する。ここでは、画素データに対応する信号電位をＶｓｉｇとする。この場合、実際に保持容量Ｃｓに保持される電圧（保持電圧）Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ×（１−Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｓｕｂ＋Ｃｅｌ）で表される。従って、書き込みゲイン（すなわち、Ｖｇｓ／Ｖｓｉｇ）は、１−Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｓｕｂ＋Ｃｅｌ）で与えられることになる。
【００２２】
この式から明らかなように、補助容量Ｃｓｕｂが大きいほど書き込みゲインは１に近くなる。またこのことは、補助容量Ｃｓｕｂを調整することで書き込みゲインを調整すれば、書き込みゲインを調整できることを意味する。また、ＲＧＢ画素間で補助容量Ｃｓｕｂの大きさを相対的に調整すれば、ホワイトバランスを調整することもできる。
【００２３】
また、駆動トランジスタとして機能する薄膜トランジスタＴ２の駆動電流をＩｄとし、移動度補正により補正される電圧分をΔＶとする場合、移動度補正時間ｔは、（Ｃｅｌ＋Ｃｓｕｂ）×ΔＶ／Ｉｄで表すことができる。
このように、補助容量Ｃｓｕｂを配置すれば、移動度補正時間ｔについても調整することが可能になる。
【００２４】
なお、補助容量Ｃｓｕｂの一方の電極が薄膜トランジスタＴ２のソース電極と接続され、他方の電極が１行前の画素列に対応する電源線１５（ｉ−１）に接続される。同じ画素列の電源線１５（ｉ）と接続しないのは、後述する閾値補正動作時に電源電位の変化が補助容量Ｃｓｕｂを通じて薄膜トランジスタＴ２のソース電極に伝搬するのを避けるためである。
【００２５】
因みに、補助容量Ｃｓｕｂの一方の電極が同じ画素列を駆動する電源線１５（ｉ）に接続されていると、閾値補正期間の開始時における電源線１５（ｉ）の電位変動が補助容量Ｃｓｕｂを通じて駆動トランジスタのソース電極に伝搬し、ソース電位を上昇させる方向に作用する。
【００２６】
なお、ソース電位の上昇により保持電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタの閾値電圧Ｖthより小さくなると、閾値の補正動作の実行が不可能となる。
これに対し、補助容量Ｃｓｕｂの一方の電極を１行前の画素列を駆動する電源線１５（ｉ−１）に接続する場合には、このようなソース電位Ｖｓの上昇は生じない。
【００２７】
１行前の画素列に対する電源線１５（ｉ−１）の電位変動は１水平走査期間前に完了しており、次行位置する駆動トランジスタのソース電極からは、固定電位として見えるためである。
【００２８】
（Ａ−３）レイアウト例
図４に、画素回路１７Ａのレイアウト例を示す。ここで、保持容量Ｃｓと補助容量Ｃｓｕｂは、配線とポリシリコンからなる平行平板容量であり、誘電体にはゲート酸化膜が用いられる。保持容量Ｃｓの２つの電極は、薄膜トランジスタＴ２のゲート電極とソース電極にそれぞれ接続される。
【００２９】
一方、補助容量Ｃｓｕｂの２つの電極は、薄膜トランジスタＴ２のソース電極と１行前の画素列を駆動する電源線１５（ｉ−１）に接続される。
ところで、有機ＥＬパネルの製造プロセスに低温ポリシリコンプロセスを採用する場合、パーティクルの存在を無視することができない。特に、パーティクルが保持容量Ｃｓや補助容量Ｃｓｕｂの層間に位置した場合、両電極がショートして容量としての機能を果たさなくなる。
【００３０】
仮に、保持容量Ｃｓがショートすると、どのような状態でも有機ＥＬ素子が発光しない。すなわち、該当画素は滅点画素となる。一方、補助容量Ｃｓｕｂがショートすると、どのような状態でも有機ＥＬ素子の発光状態は継続する。すなわち、該当画素は輝点画素となる。特に、輝点画素は滅点画素よりも目立ち易く、視認性への影響が大きい。
【００３１】
これでは、有機ＥＬパネルの歩留まりも低下してしまう。そこで、発明者らは、輝点画素を検査工程でのリペアが容易なレイアウトを提案する。すなわち、補助容量Ｃｓｕｂと電源線１５とを切り離しが容易な引き出し線２１で接続する。この引き出し線２１の線幅は細く済む。このため、輝点リペア時にも、図５示すように、引き出し線２１をレーザー光線により切断することで、補助容量Ｃｓｕｂを電源線１５から容易に切り離すことができる。
【００３２】
なお、補助容量Ｃｓｕｂを電源線１５から切り離すと、当然ながら保持容量Ｃｓに対する書き込みゲインや移動度補正速度が影響を受ける。しかし、輝点や滅点として視認されることはなく、保持容量Ｃｓに書き込まれた保持電圧Ｖｇｓでの発光は可能となる。結果的に、輝点や滅点の場合のような画質の低下は視認されずに済む。このことは、有機ＥＬパネルの歩留まりを向上させるのに非常に有利である。
【００３３】
（Ａ−４）駆動動作例
図６に、画素回路１７Ａの駆動動作例を示す。なお、図６に示す駆動動作は、３水平走査期間内に、閾値補正動作、サンプリング兼移動度補正動作を実行する場合について表している。勿論、全ての動作を１水平走査期間内に完結することも可能であるが、補助容量Ｃｓｕｂが必要になるような高解像度パネルでは、１水平走査期間が短くなるため複数の水平走査期間に跨る駆動動作が必要になる。
【００３４】
なお図６は、時間軸を共通として走査線１１（ｉ）、信号線１３（ｊ）、電源線１５（ｉ）の電位変化を表している。また、これら電位変化に伴う薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇの変化とソース電位Ｖｓの変化も表している。また図６は、電位変化の遷移を便宜的に（Ａ）〜（Ｇ）の７つの期間に区分して表している。
【００３５】
（ｉ）発光期間
期間（Ａ）では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光状態にある。
【００３６】
（ii）閾値補正準備期間
期間（Ｂ）及び（Ｃ）に亘って閾値補正の準備が実行される。因みに、期間（Ｂ）において、電源線１５の電位は、低電位Ｖcc_Lに切り替わる。
【００３７】
これに伴い、薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓは、電源線１５の低電位Ｖcc_Lに近づくように推移する。勿論、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇもソース電位Ｖｓに引きずられるように低下する。なお、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは、続く期間（Ｃ）によって基準電位Ｖｏに初期化される。
【００３８】
これらの初期化動作の実行により、保持電圧Ｖｇｓの初期化が完了する。すなわち、保持電圧Ｖｇｓは、薄膜トランジスタＴ２の閾値電圧Ｖthより大きい電圧（Ｖｏ−Ｖcc_L）に初期設定される。これが閾値補正の準備動作である。
【００３９】
（iii）閾値補正動作
この後、期間（Ｄ１）について閾値補正動作が開始される。この期間（Ｄ１）でも、ゲート電位Ｖｇには基準電位Ｖｏが与えられる。この状態で、電源線１５の電位は低電位Ｖcc_Lから高電位Ｖcc_Hに切り替えられる。
【００４０】
この際、保持容量Ｃｓの電荷の一部が引き出される。すなわち、保持電圧Ｖｇｓが減少する。なお、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは基準電位Ｖｏに固定されているので、保持電圧Ｖｇｓの低下に伴って薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓが上昇する。やがて、２行前（すなわち、ｉ−２行目）の画素列に対する信号電位Ｖｓｉｇの書き込み期間が到来する。
【００４１】
従って、この時点でｉ行目の画素列に対する閾値補正動作は休止状態（期間（Ｄ２）に切り替わる。図６では、期間（Ｄ１）の終了時点の保持電圧ＶｇｓをＶx1（＞Ｖth）で示す。なお、ｉ行目の画素列に対する電源線１５の電位は、１フレーム後の閾値補正準備期間まで高電位Ｖcc_Hに維持される。
【００４２】
やがて、次の水平走査期間に切り替わると閾値補正動作が再開される（期間（Ｄ３））。この際、直前回の閾値補正期間の保持電圧Ｖx1を更に縮小するように閾値補正動作が実行される。この場合も、閾値補正動作は、１行前（すなわち、ｉ−１行目）の画素列に対する信号電位Ｖｓｉｇの書き込み期間が到来するまで実行される。
【００４３】
なお、１行前（すなわち、ｉ−１行目）の画素列に対する信号電位Ｖｓｉｇの書き込み期間が到来すると、ｉ行目の画素列に対する閾値補正動作は休止状態（期間（Ｄ４）に切り替わる。図６では、期間（Ｄ３）の終了時点の保持電圧ＶｇｓをＶx2（＞Ｖth）で示す。
【００４４】
そして、次の水平走査期間に切り替わると共に閾値補正動作が再開される（期間（Ｄ５））。なお、保持電圧Ｖgsが薄膜トランジスタＴ２の閾値まで縮小した時点で閾値補正動作は終了する。
【００４５】
（iv）信号電位の書き込みと移動度補正のための準備動作
閾値補正動作が完了すると、期間（Ｅ）について、信号電位の書き込みと移動度補正に備えた準備動作が実行される。もっとも、この期間は省略も可能である。因みに、期間（Ｅ）では、走査線１１の電位が低レベルに切り替えられ、信号線１３（ｊ）から切り離される。
【００４６】
（ｖ）信号電位の書き込み及び移動度の補正動作
期間（Ｆ）では、信号電位Ｖｓｉｇの書き込みと移動度の補正動作が実行される。すなわち、走査線１１（ｉ）の信号電位が高レベルに切り替えられ、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇに信号電位Ｖｓｉｇが印加される。この信号電位Ｖｓｉｇの印加に伴い、保持容量Ｃｓの保持電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ＋Ｖthに遷移する。このように、保持電圧Ｖｇｓは閾値電圧Ｖthよりも大きくなるので薄膜トランジスタＴ２はオン状態に切り替わる。
【００４７】
なお、薄膜トランジスタＴ２がオン状態に切り替わると、ドレイン電流Ｉｄが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ始める。ただし、ドレイン電流Ｉｄの流れ始めの段階では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは未だカットオフ状態（ハイインピーダンス）にある。このため、ドレイン電流Ｉｄは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量（寄生容量）Ｃｅｌを充電するように流れる。
【００４８】
この寄生容量Ｃｅｌの充電電圧ΔＶだけ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極電位（すなわち、薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓ）は上昇する。そして、この充電電圧ΔＶだけ保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖｇｓは低下する。すなわち、保持電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ＋Ｖth−ΔＶに変化する。このように、寄生容量Ｃｅｌの充電電圧ΔＶだけ保持電圧Ｖｇｓが補正される動作が移動度の補正動作に対応する。
【００４９】
一連のブートストラップ動作により、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは、ソース電位Ｖｓの上昇量と同じだけ（厳密には、ソース電位Ｖｓの上昇量にゲイン（＜１）を乗算した値だけ）上昇する。
【００５０】
（vi）発光期間
期間（Ｇ）では、走査線１１（ｉ）の電位が低レベルに変更され、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇがフローティング状態になる。このとき、薄膜トランジスタＴ２は、移動度補正後の保持電圧Ｖｇｓ（＝Ｖｓｉｇ＋Ｖth−ΔＶ）に相当するドレイン電流Ｉｄを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。
【００５１】
これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光を開始する。この際、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの両電極間にはドレイン電流Ｉｄの大きさに応じた電圧Ｖｅｌが発生し、陽極電位（薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓ）が上昇する。
【００５２】
この電圧上昇に伴い、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは、発光電圧Ｖｅｌだけ（厳密には、ソース電位Ｖｓの上昇量にゲイン（＜１）を乗算した値だけ）上昇する。
そして、ドレイン電流Ｉｄに比例した輝度による発光状態が次フレームの閾値補正準備期間まで継続される。
【００５３】
（Ａ−５）補正動作に対応する画素回路内の内部状態
ここでは、図６の各期間に対応する画素回路１７Ａの内部状態を示す。ここでは、対応する期間と同じ符号を図番に付して示す。すなわち、図７Ａ〜図７Ｇを用いて説明する。なお、図７Ａ〜図７Ｇでは、薄膜トランジスタＴ１をスイッチとして表記すると共に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの寄生容量Ｃｅｌを破線にて明示的に表記する。
【００５４】
（ｉ）発光期間
図７Ａは、図６の期間（Ａ）の動作状態に対応する内部状態を示す。発光期間である期間（Ａ）では、電源線１５（ｉ）に第１の電位Ｖcc_Hが印加される。このとき、薄膜トランジスタＴ２は、保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖｇｓ（＞Ｖth）に対応するドレイン電流Ｉｄを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光状態は期間（Ａ）の終了まで継続する。
【００５５】
（ii）閾値補正準備期間
図７Ｂは、図６の期間（Ｂ）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｂ）において、電源線１５（ｉ）の電位は、高電位Ｖcc_Hから低電位Ｖcc_Lに切り替え制御される。この切り替えにより、ドレイン電流Ｉｄの供給は遮断される。
【００５６】
結果的に、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓは、それぞれ追従するように低下する。そして、ソース電位Ｖｓは、電源線１５（ｉ）に印加された低電位Ｖcc_Lとほぼ同じ電位にまで低下する。
【００５７】
図７Ｃは、図６の期間（Ｃ）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｃ）において、走査線１１（ｉ）の電位は高レベルに変化する。これにより、薄膜トランジスタＴ１がオン状態に制御され、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは、信号線１３（ｊ）に印加された基準電位Ｖｏに設定される。
【００５８】
期間（Ｃ）の終了時、保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖｇｓは、薄膜トランジスタＴ２の閾値電圧Ｖthより大きい電圧に初期設定される。この結果、薄膜トランジスＴ２はオン動作する。
【００５９】
（iii）閾値補正動作
図７Ｄ１は、図６の期間（Ｄ１）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｄ１）において、電源線１５（ｉ）の電位は、低電位Ｖcc_Lから再び高電位Ｖcc_Hに遷移される。なお、薄膜トランジスタＴ１のオン状態は維持される。
【００６０】
結果的に、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは基準電位Ｖｏに維持されたまま、ソース電位Ｖｓだけが上昇を開始する。期間（Ｄ１）の終了までのいずれかの時点で、保持電圧ＶｇｓはＶx1（＞Ｖth）に遷移する。
【００６１】
この後、閾値補正動作は休止状態に遷移する。図７Ｄ２に、図６の期間（Ｄ２）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｄ２）において、走査線１１（ｉ）の電位は低レベルとなる。結果的に、薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はフローティング状態になる。この影響により、ゲート電位Ｖｇとソース電位ＶｓはそれぞれＶａ１だけ上昇する。
【００６２】
やがて、次の水平走査期間が開始し、画素回路１７Ａの内部状態は図７Ｄ３に変化する。図７Ｄ３は、図６の期間（Ｄ３）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｄ３）において、薄膜トランジスタＴ１のオン状態に切り替わる。
結果的に、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは基準電位Ｖｏに維持されたまま、ソース電位Ｖｓだけが上昇を開始する。期間（Ｄ３）の終了までのいずれかの時点で、保持電圧ＶｇｓはＶx2（＞Ｖth）に遷移する。
【００６３】
この後、閾値補正動作は再び休止状態に遷移する。図７Ｄ４に、図６の期間（Ｄ４）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｄ４）において、走査線１１（ｉ）の電位は低レベルとなる。結果的に、薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はフローティング状態になる。この影響により、ゲート電位Ｖｇとソース電位ＶｓはそれぞれＶａ２だけ上昇する。
【００６４】
また、次の水平走査期間に移行すると、画素回路１７Ａの内部状態は図７Ｄ５に変化する。図７Ｄ５は、図６の期間（Ｄ５）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｄ５）において、閾値補正動作により保持電圧Ｖｇｓは薄膜トランジスタＴ２の閾値Ｖthまで縮小し、閾値補正動作が完了する。
【００６５】
（iv）信号電位の書き込みと移動度の補正のための準備動作
図７Ｅは、図６の期間（Ｅ）の動作状態に対応する内部状態を示す。期間（Ｅ）において、走査線１１（ｉ）の電位は低レベルに変化する。
【００６６】
これにより、薄膜トランジスタＴ１がオフ状態に制御され、薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はフローティング状態になる。
ただし、薄膜トランジスタＴ２のカットオフ状態は維持される。従って、ドレイン電流Ｉｄは流れない。
【００６７】
（ｖ）信号電位の書き込み及び移動度の補正動作
図７Ｆは、図６の期間（Ｆ）の動作状態に対応する内部状態である。期間（Ｆ）において、走査線１１（ｉ）の電位は高レベルに変化する。これにより、薄膜トランジスタＴ１がオン状態に制御され、薄膜トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇは信号電位Ｖｓｉｇに遷移する。
【００６８】
また、期間（Ｆ）において、電源線１５（ｉ）が高電位Ｖcc_Hに変化する。結果的に、薄膜トランジスタＴ２がオン動作し、ドレイン電流Ｉｄが流れ始める。ただし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。このため、ドレイン電流Ｉｄは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する寄生容量Ｃｅｌに流れ込む。
【００６９】
寄生容量Ｃｅｌの充電に伴って薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖｇｓは、Ｖｓｉｇ＋Ｖth−ΔＶとなる。このように、信号電位Ｖｓｉｇのサンプリングと充電電圧ΔＶによる補正とが並行して実行される。なお、信号電位Ｖｓｉｇが大きいほどドレイン電流Ｉｄも大きくなり、充電電圧ΔＶの絶対値も大きくなる。
【００７０】
これにより、発光輝度レベルに応じた移動度補正が可能となる。なお、信号電位Ｖｓｉｇ が一定の場合、薄膜トランジスタＴ２の移動度μが大きいほど、充電電圧ΔＶの絶対値も大きくなる。このことは、移動度μが大きいほど負帰還量が大きくなることを意味する。
【００７１】
（ｖi）発光動作
図６Ｇは、図６の期間（Ｇ）の動作状態に対応する内部状態である。期間（Ｇ）において、走査線１１（ｉ）の電位は再び低レベルに変化する。これにより、薄膜トランジスタＴ１がオフ状態に制御され、薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はフローティング状態になる。
【００７２】
なお、電源線１５（ｉ）の電位は高電位Ｖcc_Hに維持されるので、保持容量Ｃｓの保持電圧Ｖｇｓ（＝Ｖｓｉｇ＋Ｖth−ΔＶ）に応じたドレイン電流Ｉｄが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに継続的に供給される。このドレイン電流Ｉｄの供給により有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは発光を始める。同時に、有機ＥＬ素子Ｄ１の両極間にはドレイン電流Ｉｄの大きさに応じた電圧Ｖｅｌが発生する。
【００７３】
すなわち、薄膜トランジスタＴ２のソース電位Ｖｓが上昇する。このブートストラップ動作に伴い、ソース電位Ｖｓの上昇分と同じだけゲート電位Ｖｇも上昇する。かくして、保持容量Ｃ１には、ブートストラップ動作前とほぼ同じ保持電圧Ｖｇｓ（＝Ｖｓｉｇ＋Ｖth−ΔＶ）が保持される。結果的に、移動度補正済みのドレイン電流Ｉｄによる発光動作が継続される。
【００７４】
（Ａ−５）形態例の効果
前述したように、画素回路１７Ａに補助容量Ｃｓｕｂを追加的に配置することにより、保持容量Ｃｓの書き込みゲインや移動度補正時間の調整が可能となる。
しかも、補助容量Ｃｓｕｂの一方の電極は、各画素列に対して１行以上前の画素列の電源線に接続したことにより、補助容量Ｃｓｕｂがカップリング容量として機能するのを避けることができる。
【００７５】
これにより、補助容量Ｃｓｕｂによる想定通りの補間効果を実現できる。また、補助容量Ｃｓｕｂの層間にパーティクルが混入した場合には、層間ショートによる輝点現象の発生が考えられるが、補助容量Ｃｓｕｂと電源線１５との接続に線幅の細い引き出し線２１を用いることにより、補助容量Ｃｓｕｂと電源線１５との切り離しを容易にできる。すなわち、輝点画素を容易にリペアすることができる。
【００７６】
（Ｂ）他の形態例
（Ｂ−１）引き出し線の配置位置
前述の形態例では、補助容量Ｃｓｕｂと電源線１５とを引き出し線２１で接続する場合について説明した。
【００７７】
しかし、補助容量Ｃｓｕｂと駆動トランジスタのソース電極とを引き出し線２１を通じて接続しても良い。この場合にも、引き出し線２１の部分で切断することにより、輝点画素をリペアできる。
【００７８】
（Ｂ−２）製品例
（ａ）ドライブＩＣ
前述の説明では、画素アレイ部（有機ＥＬパネル）と駆動回路（走査線スキャナ５、水平セレクタ７、電源スキャナ９）とが１つの基体上に形成されている有機ＥＬパネルモジュールについて説明した。
【００７９】
しかし、画素アレイ部と駆動回路部等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブＩＣ（integrated circuit）として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。
【００８０】
（ｂ）表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ＥＬパネルモジュールは、図８に示す外観構成のパネル有機ＥＬモジュール３１の形態で流通することもできる。
有機ＥＬパネルモジュール３１は、支持基板３５の表面に対向部３３を貼り合わせた構造を有している。
【００８１】
対向部３３は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
なお、有機ＥＬパネルモジュール３１には、外部から支持基板３５に信号等を入出力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３７等が設けられていても良い。
【００８２】
（ｃ）電子機器
前述した形態例における有機ＥＬパネルモジュールは、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図９に、電子機器４１の概念構成例を示す。電子機器４１は、前述した有機ＥＬパネルモジュール４３及びシステム制御部４５で構成される。システム制御部４５で実行される処理内容は、電子機器４１の商品形態により異なる。
【００８３】
なお、電子機器４１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器４１には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図１０に、テレビジョン受像機５１の外観例を示す。
【００８４】
テレビジョン受像機５１の筐体正面には、フロントパネル５３及びフィルターガラス５５等で構成される表示画面５７が配置される。表示画面５７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８５】
また、この種の電子機器４１には、例えばデジタルカメラが想定される。図１１に、デジタルカメラ６１の外観例を示す。図１１（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図１１（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【００８６】
デジタルカメラ６１は、保護カバー６３、撮像レンズ部６５、表示画面６７、コントロールスイッチ６９及びシャッターボタン７１で構成される。このうち、表示画面６７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８７】
また、この種の電子機器４１には、例えばビデオカメラが想定される。図１２に、ビデオカメラ８１の外観例を示す。
ビデオカメラ８１は、本体８３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ８５、撮影のスタート／ストップスイッチ８７及び表示画面８９で構成される。このうち、表示画面８９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００８８】
また、この種の電子機器４１には、例えば携帯端末装置が想定される。図１３に、携帯端末装置としての携帯電話機９１の外観例を示す。図１３に示す携帯電話機９１は折りたたみ式であり、図１３（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図１３（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【００８９】
携帯電話機９１は、上側筐体９３、下側筐体９５、連結部（この例ではヒンジ部）９７、表示画面９９、補助表示画面１０１、ピクチャーライト１０３及び撮像レンズ１０５で構成される。このうち、表示画面９９及び補助表示画面１０１の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００９０】
また、この種の電子機器４１には、例えばコンピュータが想定される。図１４に、ノート型コンピュータ１１１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１１１は、下型筐体１１３、上側筐体１１５、キーボード１１７及び表示画面１１９で構成される。このうち、表示画面１１９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【００９１】
これらの他、電子機器４１には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【００９２】
（Ｂ−３）他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述したレイアウト構成は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
【００９３】
（Ｂ−４）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルの構造例を示す図である。
【図２】画素回路と電源線との接続関係を示す図である。
【図３】画素回路の構造例を示す図である。
【図４】画素回路のレイアウト例を示す図である。
【図５】輝点のリペア方法を説明する図である。
【図６】駆動動作例を示す図である。
【図７Ａ】図６の期間（Ａ）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｂ】図６の期間（Ｂ）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｃ】図６の期間（Ｃ）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｄ１】図６の期間（Ｄ１）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｄ２】図６の期間（Ｄ２）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｄ３】図６の期間（Ｄ３）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｄ４】図６の期間（Ｄ４）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｄ５】図６の期間（Ｄ５）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｅ】図６の期間（Ｅ）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｆ】図６の期間（Ｆ）に対応する動作状態を示す図である。
【図７Ｇ】図６の期間（Ｇ）に対応する動作状態を示す図である。
【図８】有機ＥＬパネルモジュールの回路構成を示す図である。
【図９】電子機器の機能構成例を示す図である。
【図１０】電子機器の商品例を示す図である。
【図１１】電子機器の商品例を示す図である。
【図１２】電子機器の商品例を示す図である。
【図１３】電子機器の商品例を示す図である。
【図１４】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１          有機ＥＬパネル
３          画素アレイ部
５          走査線スキャナ
７          水平セレクタ
９          電源線スキャナ
１３        信号線
１５        電源線
１７Ａ      画素回路
Ｃｓ        保持容量
Ｃｓｕｂ    補助容量
２１        引き出し線
【図１】
2009026586.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ１】
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【図７Ｄ２】
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【図７Ｄ３】
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【図７Ｄ４】
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【図７Ｄ５】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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