(57)【要約】【課題】設置や処理順の変更に多大な手間や時間を必要としない基板処理装置、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス装置などを製造するための基板処理装置１１は、大気と異なる雰囲気に調整された複数の固定チャンバ１５ａ〜１５ｆと、複数の固定チャンバ１５ａ〜１５ｆに被処理基板１の搬送を行う基板搬送室１４とを有している。基板搬送室１４の内部において、搬送チャンバ２３は、凸状の搬送ガイド２５に沿って移動して固定チャンバ１５との間で基板の授受を行なう。搬送チャンバ２３は、窒素雰囲気とされる固定チャンバ１５ｃ〜１５ｆとの間で基板の授受を行う際、内部が真空雰囲気あるいは窒素雰囲気になっている。【選択図】図３
2009170282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気と異なる雰囲気中で被処理基板に処理を行なう複数の処理チャンバを備えた基板処理装置において、
前記処理チャンバが周囲で接続されて当該処理チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう複数の固定チャンバと、該複数の固定チャンバの配置位置を通るように延在する基板搬送路と、該基板搬送路に沿って移動して前記複数の固定チャンバとの間で被処理基板の授受を順次行なう搬送チャンバと、を有し、
前記複数の固定チャンバのうちの少なくとも１つは不活性ガス雰囲気とされ、
前記搬送チャンバは、当該不活性ガス雰囲気とされる固定チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう際、内部が前記不活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気とされることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記不活性ガス雰囲気は、窒素雰囲気であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板搬送路に沿って前記搬送チャンバが移動する空間は、内部が大気と異なる雰囲気とされた基板搬送室になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板搬送路は直線的に延在し、
前記複数の固定チャンバは、前記基板搬送路を挟む両側位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記搬送チャンバの姿勢は、前記固定チャンバとの基板受け渡し口が位置する方向が、前記固定チャンバが位置する側に向いた姿勢と、前記基板搬送路が延在している側に向いた姿勢との間で切り換えられることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記固定チャンバは、前記搬送チャンバとの基板受け渡し口に第１ゲートバルブを備え、
前記搬送チャンバは、前記固定チャンバとの基板受け渡し口に第２ゲートバルブを備えていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記固定チャンバは、内角をもって連なる複数の辺部を有し、
当該複数の辺部のうち１つの辺部が前記搬送チャンバとの基板受け渡し口になっていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記複数の固定チャンバのうち少なくとも２つの固定チャンバは、前記搬送チャンバを介さずに被処理基板を受け渡しするための直通搬送路で接続されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板搬送路は、搬送レールにより構成されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記複数の固定チャンバには、前記不活性ガス雰囲気以外の雰囲気とされる固定チャンバが含まれていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板処理装置の複数の処理チャンバ内で大気と異なる雰囲気中で基板に複数の処理が順次行なわれる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記複数の処理チャンバは、複数の固定チャンバの周囲で当該固定チャンバに接続されており、
前記基板は、前記複数の固定チャンバの配置位置を通るように延在する基板搬送路に沿って移動する搬送チャンバによって当該複数の固定チャンバに順次搬送され、
前記複数の固定チャンバのうちの少なくとも１つは不活性ガス雰囲気とされ、
前記搬送チャンバは、当該不活性ガス雰囲気とされる前記固定チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう際、内部が前記不活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気とされることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気と異なる雰囲気下で被処理基板を処理する基板処理装置、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）装置（以下、有機ＥＬ装置という）、液晶装置、半導体装置などを製造する際に用いられる基板処理装置は、被処理基板に処理を施す複数の処理チャンバを有している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかる基板処理装置を構成するにあたっては、例えば、図５に示すように、クラスタ方式に処理チャンバ１１１２が配置された複数の処理ステーション１１１１が設けられており、処理チャンバ１１１２は、大気と異なる雰囲気に設定されている。また、処理ステーション１１１１では、チャンバ１１１４の中央部に、各処理チャンバ１１１２に対して被処理基板１１１３を搬送する搬送ロボット１１１５が配置されている。ここで、複数の処理ステーション１１１１は、被処理基板１１１３に対する処理順に配置されており、隣接する処理ステーション１１１１同士は、被処理基板１１１３に対する処理順に対応して配置された基板搬送路１１１６によって接続されている。なお、図５に示す基板処理装置１０００は、本発明の特徴を説明するために本願発明者が案出したものであり、従来技術とは相違する。
【特許文献１】特開２００６− １９０８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図５に示す基板処理装置１０００では、１つの処理ステーション１１１１を基準に他の処理ステーション１１１１を１つずつ順番に繋げていくので、基板処理装置１０００を処理可能な状態に立ち上げるのに時間を要する。また、新しく処理ステーション１１１１を追加したい、又は処理する順番を変えたい場合、処理ステーション１１１１自身の位置を変更する必要があるため、基板処理装置１０００全体を停止しなければならない。更に、処理ステーション１１１１間での被処理基板１１１３の搬送動作を確認しなければならず、基板処理装置１０００を立ち上げるのに時間を要する。それ故、基板処理装置１０００は、その設置や処理順の変更に多大な手間や時間を要するという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、設置や処理順の変更に多大な手間や時間を必要としない基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、大気と異なる雰囲気中で被処理基板に処理を行なう複数の処理チャンバを備えた基板処理装置において、前記処理チャンバが周囲で接続されて当該処理チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう複数の固定チャンバと、該複数の固定チャンバの配置位置を通るように延在する基板搬送路と、該基板搬送路に沿って移動して前記複数の固定チャンバとの間で被処理基板の授受を順次行なう搬送チャンバと、を有し、前記複数の固定チャンバのうちの少なくとも１つは不活性ガス雰囲気とされ、前記搬送チャンバは、当該不活性ガス雰囲気とされる固定チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう際、内部が前記不活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気とされることを特徴とする。
【０００７】
本発明において、不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガスやヘリウムガスなどといった希ガス雰囲気だけでなく、窒素ガス雰囲気や、窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気をも含む意味である。
【０００８】
本発明では、複数の固定チャンバは、基板搬送路で接続され、当該基板搬送路に沿って移動する搬送チャンバによって複数の固定チャンバへの基板の搬送が行なわれる。このため、基板処理装置を設置する立ち上げ作業を行なう際、基板搬送路を基準に複数の固定チャンバを同時に配置すればよいので、基板処理装置を立ち上げる時間を短縮することができる。また、搬送チャンバが移動して各固定チャンバに被処理基板を搬送するので、各固定チャンバを処理順に並べる必要がないので、立ち上げ作業を効率よく行なうことができる。また、新しく工程を追加したい場合、基板搬送路に沿う位置に新たな固定チャンバを配置するだけで対応できる。また、接続する固定チャンバ以外は、作業を停止しなくても対応できるので、生産性が低下することを抑えることができる。更に、工程順を変えたい場合でも、搬送チャンバによる搬送順序を変えるだけで対応することができるので、他の固定チャンバに影響を及ぼさない。
【０００９】
本発明において、前記不活性ガス雰囲気は、例えば、窒素雰囲気である。
【００１０】
本発明において、前記基板搬送路に沿って前記搬送チャンバが移動する空間は、内部が大気と異なる雰囲気とされた基板搬送室になっていることが好ましい。例えば、基板搬送室はクリーンルームとされることが好ましい。このように構成すると、固定チャンバ内の汚染を確実に防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記基板搬送路は直線的に延在し、前記複数の固定チャンバは、前記基板搬送路を挟む両側位置に配置されていることが好ましい。このように構成すると、固定チャンバの数が多くても、基板処理装置が占有する面積を狭くすることができる。また、搬送チャンバが往復移動するだけでよいので、比較的簡単な動作で搬送させることが可能となり、搬送時間を短くすることができる。
【００１２】
本発明において、前記搬送チャンバの姿勢は、前記固定チャンバとの基板受け渡し口が位置する方向が、前記固定チャンバが位置する側に向いた姿勢と、前記基板搬送路が延在している側に向いた姿勢との間で切り換えられることが好ましい。このように構成すると、固定チャンバと搬送チャンバとの間での被処理基板の授受を効率よく行なうことができる。
【００１３】
本発明において、前記固定チャンバは、前記搬送チャンバとの基板受け渡し口に第１ゲートバルブを備え、前記搬送チャンバは、前記固定チャンバとの基板受け渡し口に第２ゲートバルブを備えていることが好ましい。このように構成すると、各固定チャンバの雰囲気を所定の雰囲気に維持できると共に、固定チャンバを追加したり外したりすることを容易に行うことができる。また、搬送チャンバに第２ゲートバルブが設けられているので、搬送チャンバ内を大気と異なる雰囲気に維持することができる。加えて、被処理基板を、第１ゲートバルブと第２ゲートバルブとを介して固定チャンバと搬送チャンバとの間を基板の授受を行なうので、大気と異なる雰囲気を維持したまま基板の授受を行なうことができる。
【００１４】
本発明において、前記固定チャンバは、内角をもって連なる複数の辺部を有し、当該複数の辺部のうち１つの辺部が前記搬送チャンバとの基板受け渡し口になっていることが好ましい。このように構成すると、固定チャンバの辺部に複数の処理チャンバを接続させることができる。また、基板搬送路に対する固定チャンバの位置を容易に決めることができる。
【００１５】
本発明において、前記複数の固定チャンバのうち少なくとも２つの固定チャンバは、前記搬送チャンバを介さずに被処理基板を受け渡しするための直通搬送路で接続されていることが好ましい。このように構成すると、少なくとも２つの固定チャンバが直通搬送路によって接続されているので、搬送チャンバを介して全ての搬送を行なう場合と比較して、早く次の固定チャンバに搬送することができる。また、基板処理装置において、同時に複数枚の被処理基板を処理する場合、複数枚の被処理基板を効率よく搬送することができる。
【００１６】
本発明において、前記基板搬送路は、搬送レールにより構成されている構成を採用することができる。このように構成すると、搬送レールをガイドにして搬送チャンバを移動させるので、搬送チャンバの移動を容易に行うことができると共に、搬送チャンバの位置と各固定チャンバの位置とのばらつきを抑えることができる。よって、搬送チャンバと固定チャンバとの間を気密に連通させることができる。
【００１７】
本発明において、前記複数の固定チャンバには、前記不活性ガス雰囲気以外の雰囲気とされる固定チャンバが含まれている構成を採用してもよい。この構成によれば、１つの基板処理装置の中で、複数種類の雰囲気下での処理を行うことができる。よって、基板処理装置から他の雰囲気の基板処理装置に被処理基板を搬送する動作を省くことが可能となり、搬送時間を短縮することができる。
【００１８】
本発明を適用した基板処理装置は、有機ＥＬ装置の製造に用いることができる。すなわち、基板処理装置の複数の処理チャンバ内で大気と異なる雰囲気中で基板に複数の処理が順次行なわれる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記複数の処理チャンバは、複数の固定チャンバの周囲で当該固定チャンバに接続されており、前記基板は、前記複数の固定チャンバの配置位置を通るように延在する基板搬送路に沿って移動する搬送チャンバによって当該複数の固定チャンバに順次搬送され、前記複数の固定チャンバのうちの少なくとも１つは不活性ガス雰囲気とされ、前記搬送チャンバは、当該不活性ガス雰囲気とされる前記固定チャンバとの間で被処理基板の授受を行なう際、内部が前記不活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気とされることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、本発明を適用した基板処理装置を説明する前に、当該基板処理装置を用いて製造される各種電気光学装置や半導体装置の一例として、有機ＥＬ装置の構成およびその製造方法を説明しておく。
【００２０】
［有機ＥＬ装置の概要説明］
（有機ＥＬ装置の構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。なお、図１（ｂ）にはカラーフィルタ層などの図示を省略してある。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１１０と、封止基板およびカラーフィルタ層基板の双方の機能を担う第２基板１２０とを備えており、第１基板１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重ねて配置されている。
【００２２】
第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。かかる第１シール材層１９１および第２シール材層１９２の詳細な構成は後述するが、第１シール材層１９１は、図１（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図１（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。なお、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領域には端子１０２が形成されている。また、第１基板１１０において、周辺領域１１０ｃや、画素領域１１０ａと周辺領域１１０ｃとに挟まれた領域を利用してデータ線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が形成されている。
【００２３】
（有機ＥＬ素子の構成）
図２は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である。なお、図２には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応する３つの有機ＥＬ素子のみを示してある。
【００２４】
図２に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に有機ＥＬ素子１８０が形成されている。本形態において、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。絶縁膜１１１は下地絶縁層であり、図示を省略するが、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０に対する通電を制御する薄膜トランジスタや配線が形成されている。
【００２５】
本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。また、絶縁膜１１４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層１４１が形成されており、有機ＥＬ素子１８０から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層１４１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。
【００２６】
第１基板１１０では、絶縁膜１１５の上層にＩＴＯ膜などからなる第１電極層１８１（陽極／画素電極）が島状に形成されており、第１電極層１８１の上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。
【００２７】
第１電極層１８１の上層には、有機機能層１８２および第２電極層１８３（陰極）が積層されており、第１電極層１８１、有機機能層１８２および第２電極層１８３によって、有機ＥＬ素子１８０が形成されている。本形態において、有機機能層１８２および第２電極層１８３は、隔壁１５１が形成されている領域も含めて、画素領域１１０ａの全面にわたって形成されている。
【００２８】
本形態において、有機機能層１８２は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系正孔輸送層、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）からなる電子注入層をこの順に積層した構造を有しており、その上層にＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層１８３が形成されている。また、有機機能層１８２と第２電極層１８３との間には、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層が形成されることもある。これらの材料のうち、有機機能層１８２を構成する各層、および電子注入バッファ層は、真空蒸着法で順次形成することができる。また、第２電極層１８３などを構成する金属系材料については真空蒸着法により形成でき、第１電極層１８１を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００２９】
本形態において、有機ＥＬ素子１８０は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射する。このため、有機ＥＬ装置１００では、第２基板１２０において、有機ＥＬ素子１８０と対向する位置に形成した赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）によって色変換を行なうことにより、フルカラー表示を行なう。このため、第２基板１２０には、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどプラスチック基板や、ガラス基板などからなる透光性の支持基板１２０ｄに、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の間で光の漏洩を防止するための遮光層１２３（ブラックマトリックス層）、透光性の平坦化膜１２４、酸窒化シリコン層などからなる透光性のガスバリア層１２５がこの順に形成されている。本形態において、カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、遮光層１２３、平坦化膜１２４、およびガスバリア層１２５は、第２基板１２０の画素領域１１０ａのみに形成され、周辺領域１１０ｃには形成されていない。このため、第２基板１２０の周辺領域１１０ｃでは、支持基板１２０ｄが露出している。カラーフィルタ層１２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、透明バインダー層に顔料または染料が混合されている層であり、遮光層１２３は、黒色顔料を含んだ樹脂からなる。
【００３０】
（封止構造）
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層１８２、陰極として用いた第２電極層１８３、電子注入層などは、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化を惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成と、第１基板１１０に対して以下に説明する封止膜１６０を形成した構成とを併用する。
【００３１】
まず、第１基板１１０には、第２電極層１８３の上層に画素領域１１０ａよりも広い領域にわたって封止膜１６０が形成されている。かかる封止膜１６０として、本形態では、第２電極層１８３上に積層されたシリコン化合物層からなる第１層１６１、この第１層１６１上に積層された樹脂層からなる第２層１６２、およびこの第２層１６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３層１６３を備えた積層膜が用いられている。第１層１６１および第３層１６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ、表面波プラズマＣＶＤ、ＩＣＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜された窒化シリコン（ＳｉＮx）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）膜などから構成されており、かかる薄膜は、低温で成膜しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。第２層１６２は、樹脂層から構成されており、隔壁１５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第１層１６１および第２層１６２にクラックが発生するのを防止する有機緩衝層として機能している。
【００３２】
本形態では、封止膜１６０を構成する第１層１６１および第３層１６３は、画素領域１１０ａ、画素領域１１０ａの近傍領域、および画素領域１１０ａから離れた周辺領域１１０ｃの全てを含む第１基板１１０の全面に形成されている。これに対して、第２層１６２（有機緩衝層）は、画素領域１１０ａ、および画素領域１１０ａの近傍領域のみに分厚く形成され、画素領域１１０ａから離れた周辺領域１１０ｃには形成されていない。また、絶縁膜１１４、１１５は概ね、画素領域１１０ａのみ形成されている。
【００３３】
次に、本形態では、図１（ａ）、（ｂ）および図２に示すように、第１基板１１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態において、第１シール材層１９１（第１シール材１９１ａ）には、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２（第２シール材１９２ａ）には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。
【００３４】
（製造方法）
図１（ａ）、（ｂ）および図２を参照して、本形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法を説明する。本形態の有機ＥＬ装置１００を製造するにあたっては、第１基板１１０および第２基板１２０を単品サイズの大きさの状態で貼り合せる方法の他、第１基板１１０および第２基板１２０を多数取りできる大型基板の状態で貼り合わせ、その後、大型基板を単品サイズの大きさに切断する方法を採用することもある。これらのいずれの方法を採用しても、基本的な構成は同一であるので、以下の説明では、単品サイズおよび大型基板にかかわらず、第１基板１１０および第２基板１２０として説明する。
【００３５】
まず、真空蒸着法やＣＶＤ法などを利用して第１基板１１０に有機ＥＬ素子１８０や封止膜１６０などを形成する。次に、第１シール材塗布工程においては、窒素雰囲気中でディスペンサ描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、第１基板１１０に対して、第１基板１１０の周辺領域１１０ｃに沿うように、前記した光硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第１シール材１９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布する。その際、第１シール材１９１ａを１ｍｍ以下の狭い幅寸法に塗布するという観点から、第１シール材１９１ａの塗布時の粘度は、室温で２万〜２０万ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、４〜１０万ｍＰａ・ｓ程度がさらに好ましい。
【００３６】
次に、第２シール材塗布工程においては、窒素雰囲気中でディスペンサ描画、スクリーン印刷法、マイクロピエゾヘッドを用いたインクジェット法などにより、第１基板１１０において、第１シール材１９１ａ囲まれた領域内に、前記した熱硬化性のエポキシ樹脂材料からなる第２シール材１９２ａを塗布する。かかる第２シール材１９２ａは、ベタ状、ドット状、ストライプ状などのパターンに塗布される。第２シール材１９２ａの塗布時の粘度は、薄膜でかつ充填性を上げるという観点から、５００ｍＰａ・ｓ以下、さらには３００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００３７】
次に、重ね合わせ工程においては、真空度１Ｐａ程度の減圧雰囲気中で、第１シール材１９１ａおよび第２シール材１９２ａを間に挟むように、第１基板１１０と第２基板１２０とを重ね合わせる。その際、約６００Ｎ程度の力で第２基板１２０を第１基板１１０に向けて加圧し、この状態を約２００秒保持する。かかる重ね合わせ工程では、まず、第１シール材１９１ａが第２基板１２０に接触して内側が密閉され、その後、第１基板１１０と第２基板１２０と間で第２シール材１９２ａが展開する。
【００３８】
次に、常圧に戻すと、大気圧によって加圧されたのと同様な状態になるので、第１基板１１０と第２基板１２０との間で第２シール材１９２ａが隅々まで展開し、第２シール材１９２ａの充填性が向上する。その際、第１シール材１９１ａは、第２シール材１９２ａに対するバンクとして機能する。このため、減圧状態から常圧に戻した際に大気圧によって加圧されたのと同様な状態になっても、第２シール材１９２ａは、第１シール材１９１ａによって堰き止められる。なお、第１基板１１０と第２基板１２０との間には、それらの間に介在する第１シール材１９１ａおよび第２シール材１９２ａによって所定の間隙が確保される。また、第１シール材１９１ａにビーズ状あるいはファイバー状のギャップ材を添加しておき、これらのギャップ材によって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に間隙を確保してもよい。
【００３９】
次に、硬化工程では、第１基板１１０または／および第２基板１２０の側から第１シール材１９１ａに対して３０ｍＷ/ｃｍ2程度のパワーで２０００ｍＪ/ｃｍ2程度の光量の紫外線を照射して第１シール材１９１ａを選択的に硬化させて、第１シール材層１９１を形成する。次に、第１シール材層１９１によって貼り合わされた第１基板１１０と第２基板１２０とをホットプレート上に配置した状態で６０〜１００℃の加熱を行い、第１基板１１０と第２基板１２０との間で第２シール材１９２ａを隅々まで行き渡らせながら第２シール材１９２ａを硬化させ、第２シール材層１９２を形成する。このようにして、第１基板１１０と第２基板１２０とを第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わせた構造とする。
【００４０】
なお、上記形態では、有機機能層１８２を画素領域１１０ａの全面に形成した例を説明したが、隔壁１５１で囲まれた領域内にインクジェット法などで有機機能層を選択的に塗布した後、定着させて、第１電極層１８１の上層に正孔注入層および発光層からなる有機機能層が形成された有機ＥＬ装置に発明を適用してもよい。この場合、正孔注入層には、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などが用いられ、発光層には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、１９１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料などが用いられる。
【００４１】
［実施の形態１］
図１および図２を参照して説明したように、有機ＥＬ装置は、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる状態での複数の処理により製造される。そこで、本発明の実施の形態１では、図３に示すように、基板処理装置を構成してある。
【００４２】
図３は、本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。図３に示すように、基板処理装置１１は、被処理基板１を備えた有機ＥＬ装置、液晶装置、半導体装置などの製造に用いられる装置であり、クラスタ型の処理ステーション１３ａ〜１３ｆを複数有している。また、基板処理装置１１は、複数の処理ステーション１３ａ〜１３ｆと連通可能に接続された基板搬送室１４を備えている。従って、有機ＥＬ装置を製造する場合、被処理基板１としての素子基板１１０（図１および図２参照）に対し、真空雰囲気下でのＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法などを用いた各膜の形成工程、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニング工程、窒素雰囲気下での有機膜の封止工程、窒素雰囲気下でのインクジェット技術を利用した印刷工程などの処理を行なうことができる。
【００４３】
以下、複数の処理ステーション１３ａ〜１３ｆのうち、第１処理ステーション１３ａを中心に具体的に説明する。
【００４４】
第１処理ステーション１３ａは、大気と異なる雰囲気の第１固定チャンバ１５ａを備えている。第１固定チャンバ１５ａの周囲には、大気と異なる雰囲気中で被処理基板１に所望の処理を施すための処理チャンバ１６が複数配置されている。被処理基板１は、大気と異なる雰囲気下での処理が連続的に行われるため、複数の処理チャンバ１６間や複数の処理ステーション１３間で搬送される。その他の処理ステーション１３ｂ〜１３ｆも同様な構成を備えている。
【００４５】
ここで、第１処理ステーション１３ａは、真空雰囲気の第１固定チャンバ１５ａを備えており、例えば、１０-5Ｐａの真空雰囲気に設定されている。第１固定チャンバ１５ａは、例えば、８つの辺部２０を有する正八角形の平面形状に形成されている。具体的には、各辺部２０は、互いに１３５°の内角をもって連なっている。このように、第１固定チャンバ１５ａが、正八角形の平面形状を有していることにより、辺部２０の数を多くすることが可能となり、辺部２０に対して多くの処理チャンバ１６を接続することができる。
【００４６】
第１固定チャンバ１５ａの中央付近には、基板搬送ロボット１７が配置されている。基板搬送ロボット１７は、被処理基板１の搬送、取り上げ、載置などを行なうアーム１８を備えている。また、第１固定チャンバ１５ａや処理チャンバ１６には、真空雰囲気にするための真空引き装置（図示せず）が接続されている。
【００４７】
また、８つの辺部２０のうち１つの辺部２０には、例えば、被処理基板１を外部から基板処理装置１１内に搬入するロード室１９が接続されている。８つの辺部２０のうち４つの辺部２０には、処理チャンバ１６が接続されている。４つの辺部２０には、辺部２０を開状態又は閉状態に切り換えるゲートバルブ（図示せず）が設けられている。また、８つの辺部２０のうち基板搬送室１４側の１つの辺部２０（基板の受け渡し口）は、ゲートバルブ２１（第１ゲートバルブ）を介して基板搬送室１４と連通可能に接続されている。
【００４８】
他の処理ステーション１３ｂ〜１３ｆは、上記した第１処理ステーション１３ａと同様の構成となっている。但し、本形態では、第１処理ステーション１３ａ〜第３処理ステーション１３ｃは、真空雰囲気で被処理基板１に処理を行ない、第４処理ステーション１３ｄ〜第６処理ステーション１３ｆは、不活性ガス雰囲気中、例えば、窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なう。このため、第１処理ステーション１３ａ〜第３処理ステーション１３ｃには、固定チャンバ１５ａ〜１５ｃや処理チャンバ１６を真空引きするためのポンプなどが構成されている一方、第４処理ステーション１３ｄ〜第６処理ステーション１３ｆには、固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆおよび処理チャンバ１６を窒素ガスで置換するための真空ポンプおよび窒素ガス供給装置が構成されている。なお、第６処理ステーション１３ｆは、例えば、第１固定チャンバ１５ａの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０に、被処理基板１を基板処理装置１１から外部に搬出するアンロード室２２が接続されている。
【００４９】
基板搬送室１４は、略長方形に形成されており、基板搬送室１４を挟む両側で固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０が接続されている。ここで、基板搬送室１４には、被処理基板１を搬送する搬送チャンバ２３と、搬送チャンバ２３を移動させる搬送基台２４と、搬送基台２４を基板搬送室１４の長辺方向に沿って案内する搬送レールとしての搬送ガイド２５（基板搬送路）とが配置されている。この搬送ガイド２５によって、搬送チャンバ２３を長辺方向に往復移動させることができる。搬送チャンバ２３において、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの基板の受け渡し口にはゲートバルブ２６（第２ゲートバルブ）が取り付けられている。
【００５０】
基板搬送室１４は、搬送チャンバ２３にゴミなどが付着しないように、クリーン度の高い雰囲気に設定されている。これにより、基板搬送室１４内へのゴミの侵入を抑え、搬送チャンバ２３と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとがゲートバルブ２１、２６を介して密着した場合でも、ゴミを巻き込むようなことを防ぐことができる。
【００５１】
搬送チャンバ２３は、内部が真空雰囲気や窒素雰囲気（不活性ガス雰囲気）に設定されており、被処理基板１を載置するテーブル（図示せず）が設けられている。
【００５２】
搬送基台２４には、搬送チャンバ２３の中を真空雰囲気や窒素雰囲気（不活性ガス雰囲気）にするための真空ポンプ２７（例えば、ドライポンプ）や窒素ガス供給装置（図示せず）が取り付けられている。但し、搬送チャンバ２３の中を真空雰囲気にするための真空ポンプ２７のみが取り付けられることもある。
【００５３】
搬送チャンバ２３は、搬送基台２４を固定台として、法線を軸に回転させることが可能となっている。具体的には、例えば、１８０°の範囲で回動させることが可能となっている。より具体的には、例えば、９０°間隔で回動するようになっている。これにより、搬送チャンバ２３の姿勢は、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの基板受け渡し口が位置する方向が、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆが位置する側に向いた姿勢と、搬送ガイド２５および基板搬送室１４が延在している側に向いた姿勢との間で切り換えられ、基板搬送室１４の周囲に配置された処理ステーション１３ａ〜１３ｆ（固定チャンバ１５ａ〜１５ｆ）との間で被処理基板１の授受を行なうことができる。
【００５４】
更に、搬送チャンバ２３は、搬送基台２４を固定台として、各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆが配置されている方向（図３における上下方向）に往復移動することが可能に設けられている。これにより、搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６と、第１処理ステーション１３ａのゲートバルブ２１とを密着させることが可能となり、搬送チャンバ２３と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆとの間で被処理基板１を行き来させることができる。
【００５５】
搬送ガイド２５は、例えば、凸状に形成されており、第１処理ステーション１３ａ側から第５処理ステーション１３ｅ側に延びて形成されている。また、搬送基台２４には凹状の窪みが形成されており、凸状の搬送ガイド２５と凹状の搬送基台２４とが摺動可能に合わさって配置されている。つまり、搬送ガイド２５を案内にして搬送基台２４を移動させることにより、搬送チャンバ２３を容易に固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの位置に移動させることができる。
【００５６】
第１固定チャンバ１５ａと基板搬送室１４との位置関係は、第１固定チャンバ１５ａのゲートバルブ２１と搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６とが密着できると共に、真空雰囲気中で被処理基板１を搬送できればよく、例えば、基板搬送室１４から第１固定チャンバ１５ａの配置位置が離れていてもよい。つまり、接続部分だけ規定の精度で密着できるようにしておけばよい。また、ゲートバルブ２１、２６が上記した位置関係を満足していれば、固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの位置が互いにずれていてもよい。
【００５７】
（搬送動作）
次に、基板処理装置１１の搬送動作について、図３を参照しながら説明する。なお、本形態の基板処理装置１１は、例えば、第１処理ステーション１３ａから第６処理ステーション１３ｆまで順に処理を行っていくものとする。
【００５８】
まず、被処理基板１を、ロード室１９を介して基板処理装置１１内に搬入する。次に、第１処理ステーション１３ａにおいては、真空雰囲気中で被処理基板１に所望の処理を施す。被処理基板１は、基板搬送ロボット１７によって、ロード室１９から処理チャンバ１６に搬送される。また、各処理チャンバ１６間の搬送も基板搬送ロボット１７が行う。
【００５９】
次に、被処理基板１を、第１処理ステーション１３ａから基板搬送室１４内の搬送チャンバ２３に搬送する。まず、搬送チャンバ２３を第１処理ステーション１３ａに近い位置まで移動させる。なお、予め第１処理ステーション１３ａの位置に待機させておくようにしてもよい。また、搬送チャンバ２３を移動させる際、ゲートバルブ２６が基板搬送室１４に接触しないよう、ゲートバルブ２６が基板搬送室１４の長手方向側に向くように搬送チャンバ２３を回転させておくことが好ましい。いずれの場合も、第１処理ステーション１３ａは真空雰囲気になっているので、搬送チャンバ２３内を真空雰囲気にしておく。
【００６０】
次に、ゲートバルブ２６が第１処理ステーション１３ａの方向に向くように搬送チャンバ２３を回転させ、その後、搬送チャンバ２３を第１固定チャンバ１５ａの方向に移動させて、第１固定チャンバ１５ａのゲートバルブ２１と搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６とを密着させる。
【００６１】
次に、ゲートバルブ２１、２６を閉状態から開状態にして、第１固定チャンバ１５ａと搬送チャンバ２３とを連通させる。そして、基板搬送ロボット１７を用いて、第１固定チャンバ１５ａから搬送チャンバ２３に処理が施された被処理基板１を搬送し、図示しないテーブルに被処理基板１を載置する。被処理基板１を搬送した後、ゲートバルブ２１、２６を開状態から閉状態にする。
【００６２】
次に、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂに搬送する。まず、搬送チャンバ２３を第２固定チャンバ１５ｂ側に移動させ、その後、ゲートバルブ２６が第２処理ステーション１３ｂの方向に向くように搬送チャンバ２３を回転させる。そして、搬送チャンバ２３を第２処理ステーション１３ｂ側に移動させて、搬送チャンバ２３のゲートバルブ２６と第２処理ステーション１３ｂのゲートバルブ２１とを密着させる。ここで、第２処理ステーション１３ｂでは、真空雰囲気中で被処理基板１に処理を行なうため、搬送チャンバ２３内を真空雰囲気にしておく。
【００６３】
次に、ゲートバルブ２１、２６を閉状態から開状態にして、第２固定チャンバ１５ｂと搬送チャンバ２３とを連通させる。そして、基板搬送ロボット１７を用いて、搬送チャンバ２３から第２固定チャンバ１５ｂに被処理基板１を搬送し、更に、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂの処理チャンバ１６に搬送する。被処理基板１を搬送した後、ゲートバルブ２１、２６を開状態から閉状態にする。
【００６４】
以下、同様の方法によって、第２処理ステーション１３ｂから第６処理ステーション１３ｆまで被処理基板１を搬送し、被処理基板１に処理を施す。そして、第６処理ステーション１３ｆの処理が終了した後、アンロード室２２から被処理基板１を取り出す。
【００６５】
その間、第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆでは、窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なうため、固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆおよび処理チャンバ１６は窒素雰囲気になっている。このため、第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆの固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆと、搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については、真空雰囲気あるいは窒素雰囲気にしておく。
【００６６】
（本形態の主な効果）
以上説明した基板処理装置１１によれば、処理可能な状態に立ち上げるまでの時間を短縮できる効果に加えて、例えば、開発や試作段階における様々な条件出し、様々な処理順番で処理を行うような場合に効果を得ることができる。すなわち、本形態の基板処理装置１１では、基板搬送室１４と各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆのそれぞれとが連通可能に接続されているので、基板処理装置１１を立ち上げる際、搬送ガイド２４（基板搬送路）および基板搬送室１４を基準に複数の固定チャンバ１５ａ〜 １５ｆを同時に接続させていくことが可能となり、立ち上げ時間を早くすることができる。
【００６７】
また、搬送チャンバ２３が移動して各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆに被処理基板１を搬送するので、各固定チャンバ１５ａ〜 １５ｆを処理順に並べる必要がなく、これにより、新しく工程を追加したい場合、基板搬送室１４に新たな固定チャンバ１５を接続するだけで対応できる。また、接続する固定チャンバ１５以外は、作業を停止しなくても対応できるので、生産性が低下することを抑えることができる。更に、工程順を変えたい場合、搬送チャンバ２３の搬送順序を変えるだけで対応することができるので、他の固定チャンバ１５に悪影響を与えることなく対応することが可能となり、生産性を向上させることができる。
【００６８】
さらに、真空雰囲気とされる第１処理ステーション１３ａから第３処理ステーション１３ｃの固定チャンバ１５ａ〜１５ｃと搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については真空雰囲気にしておき、窒素雰囲気とされる第４処理ステーション１３ｄから第６処理ステーション１３ｆの固定チャンバ１５ｄ〜１５ｆと搬送チャンバ２３との間で被処理基板１の授受を行う際には、搬送チャンバ２３の内部については真空雰囲気あるいは窒素雰囲気としておくので、基板搬送を行なう際、被処理基板１に形成した膜などが劣化せず、かつ、各処理ステーション１３ａ〜１３ｆの雰囲気を乱すことがない。
【００６９】
また、基板搬送室１４がクリーン度の高い雰囲気になっているので、搬送チャンバ２３が移動したり各固定チャンバ１５のゲートバルブ２１と密着したりした場合でも、ゲートバルブ２１、２６を清潔に保つことができる。よって、基板処理装置１１内などに不純物が混入することを防ぐことができる。
【００７０】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の構成を示す模式平面図である。本形態の基板処理装置は、隣接するチャンバ間を基板搬送路で直接接続している部分が存在する点で実施の形態１と異なっており、その他の構成は、実施の形態１と同様である。従って、実施の形態１と共通している部分には同一符号を付し、それらの説明を省略又は簡略化する。
【００７１】
図４に示すように、本形態の基板処理装置３１は、実施の形態１と同様に、第１処理ステーション１３ａ〜第６処理ステーション１３ｆを有している。ここで、第２処理ステーション１３ｂの第２固定チャンバ１５ｂにおいて、８つの辺部２０のうち１つの辺部２０には、被処理基板１を第２処理ステーション１３ｂから第４処理ステーション１３ｄに直接搬送する直通搬送路３２が接続されており、かかる直通搬送路３２は、第４処理ステーション１３ｄにおいて、第２固定チャンバ１５ｄの８つの辺部２０のうち１つの辺部２０に接続されている。固定チャンバ１５ｂ、１５ｄにおいて、直通搬送路３２と接続されている辺部２０には、図示しないゲートバルブが設けられており、かかるゲートバルブを閉状態から開状態にすることにより、被処理基板１を第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに直接搬送することができる。
【００７２】
このように構成した基板処理装置３１では、直通搬送路３２が設けられているため、処理の内容によっては、例えば、第２固定チャンバ１５ｂに被処理基板１を搬入するときは搬送チャンバ２３を使用し、第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに被処理基板１を搬出するときには直通搬送路３２を使用することができる。よって、直通搬送路３２で搬送している被処理基板１とは別の被処理基板１を、搬送チャンバ２３によって他の固定チャンバ１５に搬送することができる。また、処理の内容によっては、第４固定チャンバ１５ｄにアンロード室３３を設置し、アンロード室３３から被処理基板１を直接外部に搬出するようにしてもよい。その他の構成は、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００７３】
このように構成した基板処理装置３１によれば、上記した実施の形態１での効果に加えて、以下の効果を奏する。すなわち、直通搬送路３２によって第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄに被処理基板１を直接搬送することが可能に接続されているので、搬送チャンバ２３を介して搬送することと比べて、早く搬送することができる。また、複数の被処理基板１を処理する場合、直通搬送路３２と搬送チャンバ２３とを用いて併用して搬送することにより、１枚当たりの被処理基板１の搬送時間を短くすることができる。
【００７４】
［他の実施の形態］
（変形例１）
上記実施の形態１，２では、各固定チャンバ１５ａ〜１５ｆの平面形状をいずれも正八角形としたが、これに限定されず、例えば、対向する２つの辺部２０を部分的に延ばした形状の八角形でもよいし、六角形、四角形、又は丸形状でもよい。
【００７５】
（変形例２）
上記実施の形態１，２では、真空雰囲気および窒素雰囲気で被処理基板１に処理を行なう例を説明したが、いずれの処理ステーションでも窒素雰囲気中で被処理基板１に処理を行なう基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態１、２では不活性雰囲気として窒素雰囲気の例を説明したが、不活性ガス雰囲気としては、アルゴンガスやヘリウムガスなどといった希ガス雰囲気、あるいは窒素ガスと希ガスとの混合ガス雰囲気を採用してもよい。
【００７６】
（変形例３）
上記実施の形態１、２では、第１処理ステーション１３ａから第６処理ステーション１３ｆまで順に処理を行なう例を説明したが、例えば、第１処理ステーション１３ａの処理が終わった後、第６処理ステーション１３ｆの処理を行うようにしてもよい。また、第６処理ステーション１３ｆから第１処理ステーション１３ａまで逆方向に処理を行うようにしてもよい。
【００７７】
（変形例４）
上記実施の形態１、２では、基板処理装置１１において処理する被処理基板１を１枚ずつ処理する例を説明したが、複数枚の被処理基板１を同時に処理するようにしてもよい。いずれの場合も、ロード室１９から被処理基板１を搬入する際に、生産性などを考えて、１枚のみを処理するか複数枚を処理するかを選択すればよい。
【００７８】
（変形例５）
上記実施の形態１、２では、搬送チャンバ２３の移動路（基板搬送路）を設定するのに、凸状の搬送ガイド２５に凹状の搬送基台２４を摺動させた例を説明したが、かかる方法に限らず、それ他の方法で移動させるようにしてもよい。
【００７９】
（変形例６）
上記実施の形態１、２では、ゲートバルブ２１を辺部２０の１つに直接設けた例を説明したが、例えば、蛇腹状の搬送路を介して辺部２０と基板搬送室１４とを接続するようにしてもよい。これによれば、蛇腹状の搬送路がフレキシブル性を有するので、基板搬送室１４に対して各固定チャンバ１５の配置位置がずれていたとしても気密に接続することができる。また、早く基板搬送室１４と各固定チャンバ１５とを接続させることができる。
【００８０】
（変形例７）
上記実施の形態２では、直通搬送路３２を用いて被処理基板１を第２固定チャンバ１５ｂから第４固定チャンバ１５ｄの一方向に搬送する例を説明したが、複数のチャンバ間で直通搬送路３２を介して被処理基板１を往復搬送するようにしてもよく、３以上のチャンバが直通搬送路３２によって直接接続されている形態を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の平面的な構成を各構成要素と共に第２基板側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図２】本発明を適用した有機ＥＬ装置の細部の断面構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る基板処理装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る基板処理装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図５】比較例に係る基板処理装置の平面構成を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００８２】
１・・被処理基板、１１、３１・・基板処理装置、１３ａ〜１３ｆ・・処理ステーション、１４・・基板搬送室、１５ａ〜１５ｆ・・固定チャンバ、１６・・処理チャンバ、１７・・基板搬送ロボット、１８・・アーム、１９・・ロード室、２０・・辺部、２１・・ゲートバルブ（第１ゲートバルブ）、２２・・アンロード室、２３・・搬送チャンバ、２４・・搬送基台、２５・・搬送ガイド（搬送レール／基板搬送路）、２６・・ゲートバルブ（第２ゲートバルブ）、２７・・真空ポンプ、３２・・直通搬送路、３３・・アンロード室、１００・・有機ＥＬ装置
【図１】
2009170282.tif 000003
【図２】
2009170282.tif 000004
【図３】
2009170282.tif 000005
【図４】
2009170282.tif 000006
【図５】
2009170282.tif 000007