(57)【要約】【課題】高速応答性と高い光変調度とを兼ね備えた空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法は、光変調層に結晶相と非晶質相とを可逆的に相転移する相変化材料を用い、さらに光変調層を相転移させる加熱を電気的に制御した光変調層自体のジュール熱を用いて行うとともに、光変調層の冷却速度を制御することにより、ｎｓｅｃオーダーの高速応答性と高い光変調度とを有することができる。【選択図】図１
2009086060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された光変調層と、
前記光変調層上に形成された光透過性電極と、
を有し、
前記光変調層は、光学特性が互いに異なる結晶相と非晶質相とが可逆的に相転移する相変化材料を含んで構成されていることを特徴とする空間光変調素子。
【請求項２】
前記相変化材料は、Ｓｂ（アンモチン）またはＴｅ（テルル）を含むことを特徴とする請求項１記載の空間光変調素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の空間光変調素子を用いた光変調方法であって、
前記下部電極と前記光透過性電極との間に所定の電流を印加して前記電流によって発生したジュール熱で前記光変調層を加熱した後、前記光変調層が冷却される冷却速度を調整することにより、前記結晶相と前記非晶質相との相転移を制御して、前記光透過性電極側から入射した光を前記光変調層で変調するようにしたことを特徴とする光変調方法。
【請求項４】
請求項３記載の光変調方法であって、
前記光変調層を前記結晶相から前記非晶質相に相転移させる場合は、前記光変調層を前記相変化材料の融点以上の温度まで加熱した後、１０９Ｋ／秒以上の冷却速度で冷却し、
前記光変調層を前記非晶質相から前記結晶相に相転移させる場合は、前記光変調層を前記相変化材料の融点未満の温度まで加熱した後、１０９Ｋ／秒未満の冷却速度で冷却することを特徴とする光変調方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射した光に対し空間的な変調を与える空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法に関し、特に高速応答性と高い光変調度とを兼ね備えた空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
空間光変調素子とは入射した光の強度、振幅、位相あるいは進行方向などに空間的な変調を与える光制御デバイスであり、光情報処理やホログラムを用いた記録媒体、ビデオプロジェクター等の様々な用途に用いられている。
【０００３】
従来の空間光変調素子としては、液晶を用いたものやマイクロミラーデバイスを用いたものが良く知られており、また、下記［特許文献１］に開示された発明のように磁気光学効果を利用したものも開発されている。
【０００４】
これら空間光変調素子に対しては、近年のコンピュータや各種デバイスに関する技術の進歩とそれに伴う処理データ量の増大及びデータ処理の高速化に対応するために、動作性能の高速化が要求されている。例えばホログラムを用いた記録媒体では、１秒間に数十ギガビットを超えるデータの転送速度が期待されており、この転送速度に対応するような空間光変調素子の画素には１μｓｅｃ未満のｎｓｅｃ（ナノ秒）オーダーの応答速度が要求される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３４３６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、液晶やマイクロミラーデバイスを用いた空間光変調素子における画素の応答速度は、一般的に数ｍｓｅｃ〜数μｓｅｃのオーダーであり十分な応答速度を得ることは難しい。また、［特許文献１］に開示された磁気光学効果を用いた空間光変調素子はｎｓｅｃオーダーの応答速度を有し、応答速度に関しては十分な性能を有しているものの、明暗のコントラスト比が液晶やマイクローミラーデバイスを用いた空間光変調素子の１／１０程度と低く、十分な光変調度を有しているとは言い難い。よって、これらに替わる空間光変調素子の実現が望まれる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高速応答性と高い光変調度とを兼ね備えた空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
（１）基板１０と、
前記基板１０上に形成された下部電極１６と、
前記下部電極１６上に形成された光変調層１８と、
前記光変調層１８上に形成された光透過性電極２０と、
を有し、
前記光変調層１８は、光学特性が互いに異なる結晶相と非晶質相とが可逆的に相転移する相変化材料を含んで構成されていることを特徴とする空間光変調素子５０を提供することにより、上記課題を解決する。
（２）前記相変化材料は、Ｓｂ（アンモチン）またはＴｅ（テルル）を含むことを特徴とする上記（１）記載の空間光変調素子５０を提供することにより、上記課題を解決する。
（３）上記の（１）または（２）記載の空間光変調素子５０を用いた光変調方法であって、
前記下部電極１６と前記光透過性電極２０との間に所定の電流を印加して前記電流によって発生したジュール熱で前記光変調層１８を加熱した後、前記光変調層１８が冷却される冷却速度を調整することにより、前記結晶相と前記非晶質相との相転移を制御して、前記光透過性電極２０側から入射した光を前記光変調層１８で変調するようにしたことを特徴とする光変調方法を提供することにより、上記課題を解決する。
（４）上記の（３）記載の光変調方法であって、
前記光変調層１８を前記結晶相から前記非晶質相に相転移させる場合は、前記光変調層１８を前記相変化材料の融点以上の温度まで加熱した後、１０９Ｋ／秒以上の冷却速度で冷却し、
前記光変調層１８を前記非晶質相から前記結晶相に相転移させる場合は、前記光変調層１８を前記相変化材料の融点未満の温度まで加熱した後、１０９Ｋ／秒未満の冷却速度で冷却することを特徴とする光変調方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法によれば、上記の構成により、特に、
光変調層に結晶相と非晶質相とを可逆的に相転移する相変化材料を用いることで、高速応答性と高い光変調度とを兼ね備えた空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明に係る空間光変調素子及びこれを用いた光変調方法の実施の形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る空間光変調素子を構成する画素部の実施の一形態を説明するための模式的断面図である。図２は、本発明に係る空間光変調素子の動作の実施例を説明するための図である。図３は、本発明に係る空間光変調素子の実施例１における反射率と変調度を示すグラフである。図４は、本発明に係る空間光変調素子の実施例２における反射率と変調度を示すグラフである。図５は、本発明に係る空間光変調素子の光変調層における加熱冷却の一例を示す模式的なグラフである。
【００１１】
後述する空間光変調素子５０は、一画素に相当する画素部３０がマトリクス状に複数形成されており、図１には、これら画素部３０のうちの１つを示している。
【００１２】
図１に示すように、画素部３０は、基板１０と、この基板１０上に順次形成された、下部誘電体層１２と、熱伝導層１４と、下部電極１６と、光変調層１８と、光透過性電極２０と、上部誘電体層２２と、を有して構成されている。
【００１３】
基板１０は、全ての画素部３０に共通のものであり、基板１０の材料としては、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料が好ましいが、ポリカーボネート等の合成樹脂材料、シリコン基板等の半導体材料等を用いても良い。尚、基板１０は特に光透過性を有していなくとも良い。
【００１４】
上部誘電体層２２は、光変調層１８の発熱による画素部３０の各層の変形を防止する機能に加え、この上部誘電体層２２による反射光と主に光変調層１８及び熱伝導層１４からの反射光とを干渉させ、光変調層１８が結晶相である場合と非晶質相である場合とで、画素部３０により反射される反射光の強度差（コントラスト比）を強調し、光変調度を向上させる機能を有している。上部誘電体層２２の層厚は、上記の光干渉による光変調度の向上効果が十分に得られるように、光変調層１８の材質、層厚、及び上部誘電体層２２自体の屈折率等に応じた適切な値に設定する。尚、下部誘電体層１２を熱伝導層１４と下部電極１６との間に配置するとともに、下部誘電体層１２に上記の光干渉の機能を付与して、さらなる光変調度の向上を図っても良い。この場合には、下部誘電体層１２も上部誘電体層２２と同様、最適な層厚を設定して形成する。
【００１５】
上記の光干渉機能を有するような上部誘電体層２２及び下部誘電体層１２の材料としては、十分な光透過性を有しかつ屈折率が２．０以上で消衰係数が０に近い材料が好ましく、具体的には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（硫化亜鉛−二酸化珪素）、Ｔａ２Ｏ５（酸化タンタル）、ＴｉＯ２（二酸化チタン）、ＳｉＮ（窒化珪素）などが挙げられる。尚、上部誘電体層２２及び下部誘電体層１２は、特に画素部３０毎に分離して形成する必要はない。
【００１６】
熱伝導層１４は、光変調層１８に生じた熱を効果的に冷却するとともに、光変調層１８を透過した光を反射する機能を有する。熱伝導層１４の材料としては、高い反射率と高い熱伝導率とを兼ね備えたＡｇ(銀)、Ａｕ(金)、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、等の金属もしくはそれらを主成分とする合金の使用が好ましい。また、耐環境特性などさらに向上させるために上記の金属もしくは合金に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔａ、Ｍｏ（モリブデン）、Ｆｅ（鉄）、Ｚｎ、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｄ（パラジウム）等の金属を添加した合金を用いても良い。尚、熱伝導層１４も、特に画素部３０毎に分離して形成する必要はない。また、その他の構成部材によって光変調層１８が非晶質相に相転移するのに十分な冷却速度が得られる場合には、特に熱伝導層１４は設けなくとも良い。
【００１７】
下部電極１６及び光透過性電極２０は、光変調層１８に対して所定の電流を印加するためのものであり、光透過性と導電性とを有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）を用いることが好ましい。ただし、熱伝導層１４を設けない場合には下部電極１６は必ずしも光透過性を有する必要は無く、この場合、下部電極１６を導電性と高反射率及び高熱伝導率を有する金属で構成して、下部電極１６が熱伝導層１４の機能を兼ねるようにしても良い。
【００１８】
また、下部電極１６及び光透過性電極２０は、基本的に画素部３０毎に分離して形成する。
【００１９】
光変調層１８は、屈折率や消衰係数等の光学特性が異なる結晶相と非晶質相とが可逆的に相転移する相変化材料で構成される。そして、光変調層１８は後述する加熱及び冷却により光学特性が異なる結晶相と非晶質相のいずれかに相転移することで、光源からの光の反射光に強度差を付与し、これにより光変調を行う。尚、光変調層１８が結晶相の場合には画素部３０からの反射光の強度は強く、光変調層１８が非晶質相の場合には画素部３０からの反射光の強度は弱くなる。
【００２０】
光変調層１８に用いる具体的な相変化材料としては、Ｓｂ（アンモチン）、Ｔｅ（テルル）等のカルコゲン元素を含むＳｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（ゲルマニウム・アンモチン・テルル）、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（銀・インジウム・アンモチン・テルル）等の化合物、及びこれらをベースに他の添加元素を含有させたものが挙げられる。上記の相変化材料の融点は概ね４００℃〜６００℃程度であるが、光変調層１８の外形寸法は数十μｍ角以下の微小なものであることに加え、用いる相変化材料の構成元素や組成を最適化することで、後述するｎｓｅｃオーダーでの加熱及び冷却とそれによる相転移が十分可能となる。また、相変化材料は結晶状態における構造の違いから共晶系と化合物系とに大別されるが、上記の要件を満たしていればいずれの材料を使用しても良い。
【００２１】
また、光変調層１８は画素部３０毎に分離して形成する。
【００２２】
光変調層１８における相変化の制御は、光変調層１８を一旦融点以上の温度にまで加熱し、その後の冷却速度の緩急によって行う。また、光変調層１８の加熱、及び冷却速度の制御は、光変調層１８で発生するジュール熱を光変調層１８に印加する電流により制御することで行う。尚、光変調層１８に用いられる相変化材料は、概ね１０９Ｋ／ｓｅｃ以上の冷却速度で急冷した場合に非晶質相となり、概ね１０９Ｋ／ｓｅｃ未満の冷却速度で徐冷した場合に結晶相となる。
【００２３】
また、光変調層１８に印加する電流の制御は、所定のパルスパターンに則ったパルス電圧を下部電極１６と光透過性電極２０とを介して光変調層１８に印加することで行うことが好ましい。このときのパルスパターンとしては、光変調層１８を加熱する加熱領域と加熱後の光変調層１８を所定の冷却速度で冷却する冷却領域とを有し、さらに冷却速度が急冷のものと、所定の間隔でパルス電圧を印加するなどして急激な冷却を防止した徐冷のものとの２つを設け、光変調層１８を結晶相とするか非晶質相とするかで適宜選択して用いるようにすることが好ましい。パルスパターンの加熱領域及び急冷、徐冷の冷却領域の設定は、パルス電圧の出力値を変化させることで行っても良いし、パルス電圧を一定としてパルスパターンのデューティ比を変化させることにより行っても良い。また、それらを組み合わせても良い。更に、パルスパターンを一定のものとし、パルスパターンの冷却領域における電流印加を外部回路によるスイッチング制御によってオン・オフし、光変調層１８の急冷もしくは徐冷を行っても良い。
【００２４】
また、相転移させる前の光変調層１８が結晶相であるか非晶質相であるかに応じて加熱領域の異なるパルスパターンを選択し、結晶相と非晶質相との比抵抗値の差を考慮に入れた効率の良い加熱を行うようにしても良い。
【００２５】
次に、図２を用いて本発明に係る空間光変調素子の動作の実施例を説明する。図２に示す本発明に係る空間光変調素子の実施の一形態である空間光変調素子５０（破線で囲まれた領域）は、所定の間隙を隔ててマトリクス状に配列した複数の画素部３０と、画素部３０の下部電極１６（もしくは光透過性電極２０）が各行毎に接続された配線電極２４ａと、光透過性電極２０（もしくは下部電極１６）が各列毎に接続された配線電極２４ｂと、配線電極２４ａ、２４ｂを外部回路に接続するための引出電極部２５ａ、２５ｂと、を有している。
【００２６】
上記の空間光変調素子５０は、例えば、各配線電極２４ａが垂直方向駆動部４２に引出電極部２５ａを介して接続され、また各配線電極２４ｂが水平方向駆動部４４に引出電極部２５ｂを介して接続されることで、空間光変調素子５０の各画素部３０と外部回路（制御部４０、垂直方向駆動部４２及び、水平方向駆動部４４）とが接続される。そして、空間光変調素子５０はこの外部回路等の制御に基づいて入射光の変調を行う。
【００２７】
ここで、制御部４０に所定のデータもしくは信号が入力されると、制御部４０は垂直方向駆動部４２及び水平方向駆動部４４を制御して、データもしくは信号に応じた特定の配線電極２４ａ、２４ｂに、データもしくは信号に応じて選択された急冷もしくは徐冷のパルスパターンに基づくパルス電圧を印加させる。これにより、特定の配線電極２４ａ、２４ｂの双方に接続された特定の画素部３０の光変調層１８には、下部電極１６及び光透過性電極２０を介して、選択されたパルスパターンの加熱領域に基づくパルス電圧が印加される。光変調層１８に加熱領域のパルス電圧が印加されると、光変調層１８にはそれに応じた電流が流れ、ジュール熱が発生する。このジュール熱によって、光変調層１８は融点以上の温度にまで急速に加熱される。次いで、選択されたパルスパターンが急冷のものであれば、光変調層１８には急冷の冷却領域に基づいた例えば低電圧・短時間のパルス電圧が印加されて、光変調層１８は急速に冷却され非晶質相となる。また、選択されたパルスパターンが徐冷のものであれば、光変調層１８には徐冷の冷却領域に基づいたパルス電圧が印加されて、光変調層１８は所定の冷却速度で徐々に冷却され結晶相となる。これにより、画素部３０の光変調層１８は所定のデータもしくは信号に基づき結晶相もしくは非晶質相のいずれかに相転移し、その結果、画素部３０は所定のデータもしくは信号に基づいた反射率を有することとなる。そして、これらの動作を個々の画素部３０に対して行うことで、空間光変調素子５０は全体として所定のデータもしくは信号に基づいた光変調を行うことができる。
【００２８】
尚、光変調層１８の相転移動作は画素部３０毎に行うのが好ましいが、垂直方向駆動部４２及び水平方向駆動部４４の制御により、各列毎もしくは各行毎に行っても良い。
【００２９】
また、空間光変調素子５０は個々の画素部３０のそれぞれに対して個別に配線電極２４ａ、２４ｂを設けても良く、この場合には下部電極１６もしくは光透過性電極２０の一方を全画素部３０共通とすることも可能となる。
【００３０】
次に、空間光変調素子５０の製造方法の概略を前記の図１及び図２を用いて説明する。尚、ここでは下部電極１６と配線電極２４ａとが電気的に接続されたものを例として示す。
【００３１】
先ず基板１０上に下部誘電体層１２と熱伝導層１４とをスパッタリング法もしくは蒸着法などの周知の成膜手法により順次形成する。次に、熱伝導層１４上に下部電極１６及び配線電極２４ａの形成領域が開口した下部電極用マスクをフォトリソグラフィ法等により形成する。次に、下部電極用マスクから露出した熱伝導層１４上にスパッタリング法もしくは蒸着法などの周知の成膜手法によって下部電極１６及びそれと接続した配線電極２４ａを形成する。次に、下部電極用マスクを除去した後に、光変調層１８の形成領域が開口した光変調層用マスクをフォトリソグラフィ法等により形成する。次に、光変調層用マスクから露出した下部電極１６上にスパッタリング法もしくは蒸着法などの周知の成膜手法によって光変調層１８を形成する。次に、光変調層用マスクを除去した後に、光変調層１８が形成された基板１０上に、光透過性電極２０及び配線電極２４ｂの形成領域が開口した光透過性電極用マスクを形成する。このとき、配線電極２４ａと配線電極２４ｂの形成される領域とが交差しないようにする。次に、光透過性電極用マスクから露出した領域に周知の成膜手法によって光透過性電極２０及びそれと接続した配線電極２４ｂを形成する。次に、光透過性電極用マスクを除去した後に、配線電極２４ａ、２４ｂの引出電極部２５ａ、２５ｂとなる部位を除いた領域に上部誘電体層２２を周知の成膜手法により形成する。これにより、空間光変調素子５０が作製される。
【００３２】
尚、下部電極１６、光変調層１８、光透過性電極２０等の形成は、次のようにして行っても良い。先ず、熱伝導層１４の全面に下部電極１６となる所定の層を形成した後、下部電極１６及び配線電極２４ａの形成領域以外が開口したマスクをフォトリソグラフィ法等により形成する。次に、そのマスクから露出した領域をイオンミリングやリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチングにより除去し、下部電極１６及び配線電極２４ａを形成する。同様にして光変調層１８、光透過性電極２０及び配線電極２４ｂを形成する。これにより、前述の製造方法と同様に空間光変調素子５０が作製される。尚、空間光変調素子５０の製造は、これら２つの形成手法を適宜組み合わせて行っても良い。
【実施例１】
【００３３】
ガラス製の基板１０上に、下部誘電体層１２として厚さ１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層と、熱伝導層１４として厚さ６０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ層と、下部電極１６及び配線電極２４ａとして厚さ５０ｎｍのＩＴＯ層と、光変調層１８として厚さ２０ｎｍのＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５層と、光透過性電極２０及び配線電極２４ａとして厚さ１００ｎｍのＩＴＯ層と、上部誘電体層２２として厚さ５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層と、を上記の製造方法に基づいて順次スパッタリング法（及びフォトリソグラフィ法）を用いて成膜した。これにより、試験試料Ａを作製した。
【実施例２】
【００３４】
光変調層１８を共晶組成の相変化材料である厚さ１５ｎｍのＧｅ６．３８−Ｓｂ７２．２−Ｔｅ２１．４（ａｔ％）層とした以外は実施例１と同様にして試験試料Ｂを作製した。
【００３５】
上記の試験試料Ａ、Ｂの光変調層１８に対して所定のパルスパターンに基づく電流を印加して加熱及び冷却を行い、光変調層１８を結晶相と非晶質相とに変化させた。そして、そのときの反射率と応答速度とを評価した。図３、図４に、試験試料Ａ、試験試料Ｂにおける結晶相での反射率Ｒｃ、非晶質相での反射率Ｒａ及び変調度Ｒを示す。ここで、Ｒ＝｛（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃ｝×１００である。尚、図３、図４の横軸は光源の光の波長を示す。
【００３６】
図３、図４より、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光領域において、試験試料Ａ、Ｂの結晶相における反射率Ｒａはともに３０％前後の値を示し、また非晶質相における反射率Ｒｃはともに５％前後の値を示した。また、試験試料Ａ、Ｂの変調度Ｒはともに、十分な明暗のコントラスト比が得られる７０％〜９０％の良好な値を示した。
【００３７】
更に、光変調層１８の結晶相から非晶質相に相転移する際の加熱から相転移が安定するまでの応答時間は、試験試料Ａが４０ｎｓｅｃであり、試験試料Ｂが６０ｎｓｅｃであり、ともに高い応答速度を示した。また、非晶質相から結晶相に相転移するときの応答時間は、試験試料Ａ、Ｂともに数百ｎｓｅｃであり、ともに１μｓｅｃ未満の良好な値を示した。
【００３８】
これらのことから、相変化材料を用いた光変調層１８を有する画素部３０は、高速応答性と高い光変調度とを兼ね備えていることがわかる。
【００３９】
尚、光変調層１８を結晶相とする場合には、図５中の破線で示す温度曲線のように、光変調層１８を溶融領域の温度にまで加熱せず、融点よりも低い結晶化領域の温度に加熱して、更に１０９Ｋ／ｓｅｃ未満の冷却速度で徐冷を行う冷却領域を、図５中のｔ２に示すように、相転移の安定する領域のみとすることで、結晶相に相転移させる際の応答時間をより短縮することができる。尚、図５中の実線で示す温度曲線は、光変調層１８を非晶質相とする場合を示すものであり、ｔ１は１０９Ｋ／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却する冷却領域を示している。
【００４０】
以上のことから、本発明に係る空間光変調素子は、光変調層に結晶相と非晶質相とを可逆的に相転移する相変化材料を用い、さらに光変調層を相転移させる加熱及び冷却を電気的に制御した光変調層自体のジュール熱を用いて行うことで、ｎｓｅｃオーダーの高速応答性と高い光変調度とを有することができる。
【００４１】
尚、本発明は、画像表示装置の表示部、ホログラムを用いた記録媒体の記録装置や二次元画像処理装置に用いられる空間光変調素子等に適用が可能な他、本発明は本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る空間光変調素子を構成する画素部の実施の一形態を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明に係る空間光変調素子の動作の実施例を説明するための図である。
【図３】本発明に係る空間光変調素子の実施例１における反射率と変調度を示すグラフである。
【図４】本発明に係る空間光変調素子の実施例２における反射率と変調度を示すグラフである。
【図５】本発明に係る空間光変調素子の光変調層における加熱冷却の一例を示す模式的なグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
１０    基板
１６    下部電極
１８    光変調層
２０    光透過性電極
２４ａ、２４ｂ    配線電極
３０    画素部
５０    空間光変調素子
【図１】
2009086060.tif 000003
【図２】
2009086060.tif 000004
【図３】
2009086060.tif 000005
【図４】
2009086060.tif 000006
【図５】
2009086060.tif 000007