(57)【要約】【課題】  単純な構造にも拘らず、プラズモンを集めて近接場光を発生するプラズモン発生素子、これを用いた熱アシスト磁気記録が可能な磁気ヘッド及びヘッドジンバルアセンブリ、及び高密度磁気記録が可能なハードディスク装置を提供する。【解決手段】  出射部ＥＸは、下地金属層１Ｅに設けられた凹溝ＧＲ２の一端に位置している。下地金属層１Ｅは、上部絶縁層１Ｄ上に堆積されているため、上部絶縁層１Ｄに設けられた凹溝ＧＲ１の形状をトレースし、凹溝ＧＲ２を形成している。凹溝ＧＲ２は、ＹＺ平面に平行な底面ＢＦと、底面Ｂ両端から立設した側面ＳＦとを有している。凹溝ＧＲ２の底面ＢＦを伝播してきたプラズモンＰＭは、出射部ＥＸに集中する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズモン発生素子において、
入力エネルギーに呼応してプラズモンを発生するプラズモン発生部と、
前記プラズモン発生部に物理的に連続した底面を有する凹溝を備え、前記底面に沿って前記凹溝内を転送されたプラズモンが一端に局在するよう、前記凹溝の前記一端が開放してなるプラズモン転送部と、
を備えることを特徴とするプラズモン発生素子。
【請求項２】
前記プラズモン発生部は、
第１金属層と、
第２金属層と、
前記第１及び第２金属層間に介在する絶縁層と、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプラズモン発生素子。
【請求項３】
前記凹溝は、
プラズモン発生部から伝播してきたプラズモンが転送され前記一端に向けて幅が狭くなる凹領域を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズモン発生素子。
【請求項４】
前記一端に向けて幅が狭くなる第１凹領域と、
前記第１凹領域に連続し直線的に延びて前記プラズモン発生部の隣に位置する第２凹領域と、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズモン発生素子。
【請求項５】
前記凹溝の他方端には、前記底面から立設した壁面が位置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズモン発生素子。
【請求項６】
前記壁面は、前記一端から離れる方向に湾曲していることを特徴とする請求項５に記載のプラズモン発生素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズモン発生素子と、
前記凹溝の前記一端の隣に設けられた主磁極と、
を備えることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドが取り付けられたサスペンションと、
を備えることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項９】
請求項８に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記プラズモン発生素子の前記一端に対向する磁気記録媒体と、
を備えることを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズモン発生素子、磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノオーダーの微小金属体にレーザ光を照射すると、金属原子の共鳴によって近接場光が発生する。この近接場光の近傍に磁気記録領域を配置し、磁気記録領域が加熱され、保持力が弱まった状態で、主磁極から当該磁気記録領域内に磁束を導入すると、磁気記録領域内に記録を行うことができる。磁気記録領域を微小化すると、保持力が高くなるため、高密度の磁気記録には熱アシスト磁気記録が有効である。近接場光は、局在プラズモン共鳴によって発生する。このような熱アシスト磁気ヘッドとして、特許文献１に記載されたものが知られている。
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１のようにレーザ光源を用いる素子は装置が複雑化するという問題がある。
【０００４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、単純な構造にも拘らず、プラズモンを集めて近接場光を発生するプラズモン発生素子、これを用いた熱アシスト磁気記録が可能な磁気ヘッド及びヘッドジンバルアセンブリ、及び高密度磁気記録が可能なハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の課題を解決するため、本発明に係るプラズモン発生素子は、入力エネルギーに呼応してプラズモンを発生するプラズモン発生部と、プラズモン発生部に物理的に連続した底面を有する凹溝を備え、底面に沿って凹溝内を転送されたプラズモンが一端に局在するよう、凹溝の一端が開放してなるプラズモン転送部とを備えることを特徴とする。
【０００６】
すなわち、電圧などの入力エネルギーをプラズモン発生部に与えると、プラズモンが発生するが、このプラズモンは、プラズモン転送部の凹溝の底面上を伝播し、その一端に到達し、ここで局在することとなる。したがって、この一端において近接場光が発生する。この構造は、単純であるため、装置の小型化や設計が容易となるという利点を有する。
【０００７】
また、前記プラズモン発生部は、第１金属層と、第２金属層と、第１及び第２金属層間に介在する絶縁層とを備えていることが好ましい。すなわち、第１金属層と第２金属層との間に電圧を印加すると、これらと絶縁層の界面においてプラズモンが発生する。この構造は単純であるため、装置を単純化することができる。凹溝の底面に、いずれかの界面が連続していれば、プラズモンが凹溝の一端に向けて進行することができる。
【０００８】
このような凹溝は、プラズモン発生部から伝播してきたプラズモンが転送され前記一端に向けて幅が狭くなる凹領域を備えることが好ましい。すなわち、伝播してきたプラズモンは凹領域に至ると、一端に向けて濃度が高くなるように集束する。
【０００９】
また、先細の凹領域の手前には直線的な凹領域を設けることが好ましい。すなわち、本発明に係るプラズモン発生素子は、前記一端に向けて幅が狭くなる第１凹領域と、第１凹領域に連続し直線的に延びてプラズモン発生部の隣に位置する第２凹領域とを備えることが好ましい。プラズモンの集束のためには、第２凹領域は必須ではないが、プラズモンの群速度を直線的に延びた第２凹領域を伝播させることで揃えておくことで、第１凹領域におけるプラズモンの集束が高精度に行われるものと考えられる。
【００１０】
また、前記凹溝の他方端には、凹溝の底面から立設した壁面が位置することが好ましい。プラズモンは壁面が位置すると進行が止まるという性質があるため、凹溝の他方端に壁面を設けておけば、この壁面で反射されたプラズモンが凹溝の一端側へ局在する確率が高くなる。
【００１１】
また、この壁面は、凹溝の前記一端から離れる方向に湾曲していることが好ましい。湾曲した壁面で反射されたプラズモンは一端側に向かって走行するため、この壁面で反射されたプラズモンが凹溝の一端側へ局在する確率が更に高くなる。
【００１２】
また、本発明に係る磁気ヘッドは、上述のプラズモン発生素子と、凹溝の前記一端の隣に設けられた主磁極とを備えることを特徴とする。
【００１３】
すなわち、凹溝の一端において発生した近接場光は、これに対向する磁気記録領域を加熱し、その保持力を低下させる。保持力が弱まった状態で、主磁極から当該磁気記録領域内に磁束を導入すると、磁気記録領域内に高密度の記録を行うことができる。
【００１４】
本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上記磁気ヘッドと、磁気ヘッドが取り付けられたサスペンションとを備えることを特徴とする。本ヘッドジンバルアセンブリにおいては、磁気ヘッドの凹溝の一端が近接場光を発生するので、これをハードディスク装置に組み込んだ場合には、高密度の記録を行うことができる。また、構造が単純であるため、装置の小型化や設計が容易となるという利点がある。
【００１５】
本発明に係るハードディスク装置は、上記ヘッドジンバルアセンブリと、プラズモン発生素子の前記一端に対向する磁気記録媒体とを備えることを特徴とする。上述のハードディスク装置によれば、ヘッドジンバルアセンブリの熱アシスト磁気ヘッドによる加熱効率が上がるため、保持力の高い磁性微粒子を磁気記録媒体に用いることができ、したがって、高密度の書き込みをすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るプラズモン発生素子によれば、単純な構造にも拘らず近接場光を発生することができ、これを用いた磁気ヘッドによれば、熱アシスト磁気記録が可能であり、この磁気ヘッドを搭載したヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置によれば、高密度の磁気記録を行うことができ、したがって大容量の情報記録を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、実施の形態に係るプラズモン発生素子、熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置について説明する。同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【００１９】
ハードディスク装置１００は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、熱アシスト磁気記録用の近接場光発生用の電圧などを制御するための記録再生及び発光制御回路（制御回路）１３を備えている。
【００２０】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる：図２参照）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
【００２１】
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
【００２２】
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
【００２３】
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００２４】
図３は、熱アシスト磁気ヘッド２１の斜視図である。
【００２５】
スライダー基板２の一端には、磁気ヘッド部１が固定されている。スライダー基板の媒体対向面Ｓには、磁気ディスク回転時に磁気ヘッドを安定して浮上させるための図示しないパターンが形成されている。スライダー基板２は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）から構成されている。スライダー基板２に熱伝導性が高い基板を使用した場合には、基板が放熱機能を有することになる。
【００２６】
磁気ヘッド部１は、磁気情報の書き込み素子（主磁極）１Ａと、磁気情報の読み出し素子である磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１Ｂとを備えている。主磁極１Ａの先端とＭＲ素子１Ｂの感磁面は、媒体対向面Ｓと同じ側に位置している。主磁極１ＡとＭＲ素子１Ｂの配列方向は、磁気ディスク１０のトラックに沿っており、媒体対向面Ｓ内において、上記配列方向に垂直な幅方向がトラック幅方向に一致する。ＸＹＺ直交座標系を図示の如く設定すると、上記配列方向がＸ軸方向に一致し、トラック幅方向がＹ軸方向に一致する。
【００２７】
以下、様々な形態の磁気ヘッド部１について説明する。
（第１形態）
【００２８】
図４は、図３に示した磁気ヘッド部１の第１形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。また、図５は、図４（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＶ−Ｖ矢印断面図である。
【００２９】
スライダー基板２のＹＺ表面上には、下部絶縁層１Ｃ、上部絶縁層１Ｄ、非磁性の下地金属層（第１金属層）１Ｅ、中間絶縁層１Ｆ、非磁性の上部金属層（第２金属層）１Ｇ、保護層１Ｈが順次積層されている。なお、同図では内部構造を明確に説明するため、保護層１Ｈを仮想線で示している。
【００３０】
下部絶縁層１Ｃ内には、ＭＲ素子１Ｂが埋設されており、ＭＲ素子１Ｂは、断面図に示すように上部シールド１電極１Ｂ１と、下部シールド電極１Ｂ３と、上部シールド１電極１Ｂ１と下部シールド電極１Ｂ３との間に介在するＭＲ素子膜１Ｂ２とからなる。本例のＭＲ素子膜１Ｂ２は、フリー層と、固定層との間にトンネル障壁層を介在してなるＴＭＲ素子膜である。なお、ＭＲ素子１ＢとしてＧＭＲ素子を採用することも可能である。
【００３１】
上部絶縁層１Ｄ内には、主磁極１Ａが埋設されている。主磁極１ＡはＺ軸方向に沿って延びており、主磁極１Ａには図示しない情報書き込み用コイルからの磁束が導かれる。したがって、媒体対向面Ｓに露出した主磁極１Ａの先端からは、磁束が媒体側に延びることとなる。主磁極１ＡのＸ軸方向の隣には、出射部ＥＸが位置する。出射部ＥＸには、プラズモンが集中して局在することで近接場光を発生する。なお、上部絶縁層１Ｄよりも上側に位置する構造体は、プラズモン発生素子を構成している。
【００３２】
このように、この磁気ヘッドは、プラズモン発生素子と、凹溝ＧＲ２の一端の出射部ＥＸの隣に設けられた主磁極１Ｂとを備えている。
【００３３】
出射部ＥＸは、下地金属層１Ｅに設けられた凹溝ＧＲ２の一端に位置している。下地金属層１Ｅは、上部絶縁層１Ｄ上に堆積されているため、上部絶縁層１Ｄに設けられた凹溝ＧＲ１の形状をトレースし、凹溝ＧＲ２を形成している。凹溝ＧＲ２は、ＹＺ平面に平行な底面ＢＦと、底面ＢＦ両端から立設した側面ＳＦとを有している。凹溝ＧＲ２の底面ＢＦを伝播してきたプラズモンＰＭは、出射部ＥＸに集中する。
【００３４】
凹溝ＧＲ２の一端に位置する出射部ＥＸにおいて発生した近接場光は、これに対向する磁気記録領域を加熱し、その保持力を低下させる。保持力が弱まった状態で、主磁極１Ａから磁気記録領域内に磁束を導入すると、磁気記録領域内に高密度の記録を行うことができる。
【００３５】
なお、図４（Ｂ）に示すように、凹溝ＧＲ２は、出射部ＥＸに向けて幅が狭くなる第１凹領域Ｐ１と、第１凹領域Ｐ１に連続し直線的に延びてプラズモン発生部の隣に位置する第２凹領域Ｐ２とを備えている。なお、プラズモンＰＭは、下地金属層１Ｅと中間絶縁層１Ｆとの間の界面で発生する。このプラズモン発生部で発生したプラズモンＰＭは、第２凹領域Ｐ２と第１凹領域Ｐ１の底面を伝播して出射部ＥＸに至る。プラズモンＰＭの集束のためには、第２凹領域Ｐ２は必須ではないが、プラズモンＰＭの群速度を直線的に延びた第２凹領域Ｐ２を伝播させることで揃えておくことで、第１凹領域Ｐ１におけるプラズモンＰＭの集束が高精度に行われるものと考えられる。
【００３６】
プラズモンＰＭを集束するためには、凹溝ＧＲ２は、プラズモン発生部から伝播してきたプラズモンＰＭが転送され出射部ＥＸに向けて幅が狭くなる凹領域Ｐ１があればよい。すなわち、伝播してきたプラズモンＰＭは第１凹領域Ｐ１に至ると、一端に向けて濃度が高くなるように集束する。
【００３７】
プラズモン発生部は、下地金属層１Ｅと、上部金属層１Ｇと、金属層１Ｅ，１Ｇ間に介在する中間絶縁層１Ｆとを備えている。下地金属層１Ｅと上部金属層１Ｇとの間に電圧を印加して電流を流すと、これらと中間絶縁層１Ｆの界面においてプラズモンＰＭが発生する。この構造は単純であるため、装置を単純化することができる。凹溝ＧＲ２の底面ＢＦに、下地金属層１Ｅと中間絶縁層１Ｆとの間の界面が段差なく連続しているため、プラズモンＰＭが凹溝ＧＲ２の出射部ＥＸに向けて進行することができる。
【００３８】
なお、この磁気ヘッドの製造おいては、図４（Ｂ）に示されるように、上部絶縁層１Ｄの表面にフォトリソグラフィ技術によって凹領域Ｐ１、Ｐ２を形成した後、スパッタ法などを用いて、下地金属層１Ｅ、中間絶縁層１Ｆ、上部金属層１Ｇを順次堆積する。しかる後、被覆ラインＣＬよりも出射部ＥＸ側の領域に存在する中間絶縁層１Ｆ及び上部金属層１ＧをミリングやＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法を用いてエッチングする。最後に、下地金属層１Ｅと上部金属層１Ｆに保護層１Ｈを堆積することで、図４（Ａ）に示した構造を得ることができる。
【００３９】
以上、説明したように、上述のプラズモン発生素子は、入力エネルギー（電圧）に呼応してプラズモンＰＭを発生するプラズモン発生部と、プラズモン発生部に物理的に連続した底面ＢＦを有する凹溝ＧＲ２を備え、底面ＢＦに沿って凹溝ＧＲ２内を転送されたプラズモンが一端の出射部ＥＸに局在するよう、凹溝ＧＲ２の一端が開放してなるプラズモン転送部とを備えている。すなわち、プラズモン転送部は凹溝ＧＲ２の凹領域Ｐ１，Ｐ２からなる。プラズモンＰＭは、側面ＳＦに衝突した場合には、この側面ＳＦを這い上がることなく反射する。なお、入力エネルギーとして、強い光や放射線をプラズモン発生部に照射しても、上記界面からプラズモンが発生するものと考えられる。
【００４０】
電圧などの入力エネルギーをプラズモン発生部に与えると、プラズモンが発生するが、このプラズモンは、プラズモン転送部の凹溝ＧＲ２の底面ＢＦ上を伝播し、その一端の出射部ＥＸに到達し、ここで局在し、ここで近接場光が発生する。この構造は、単純であるため、装置の小型化や設計が容易となるという利点を有する。
【００４１】
なお、各層に適用できる材料と、厚みは以下の通りであり、各層では以下に記載のいずれか１種又は複数の材料を選択して用いることができる。
【００４２】
絶縁層１Ｃ：
・材料：Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＭｇＯ，ＺｎＯ
・厚み：１μｍ以上５０μｍ以下
【００４３】
絶縁層１Ｄ：
・材料：Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＭｇＯ，ＺｎＯ
・厚み：５ｎｍ以上５００ｎｍ以下
【００４４】
金属層１Ｅ：
・材料：Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ
・厚み：５ｎｍ以上５００ｎｍ以下
【００４５】
絶縁層１Ｆ：
・材料：Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＭｇＯ，ＺｎＯ
・厚み：０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下
【００４６】
金属層１Ｇ：
・材料：Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ
・厚み：５ｎｍ以上５００ｎｍ以下
【００４７】
保護層１Ｈ：
・材料：Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＭｇＯ，ＺｎＯ
・厚み：１μｍ以上５０μｍ以下
【００４８】
主磁極１Ａ：
・材料：ＮｉＦｅ，ＦｅＣｏ，ＦｅＮｉＣｏ，ＦｅＣｏ／Ｒｕ多層膜
・厚み：０．２μｍ以上１μｍ以下
【００４９】
また、プラズモンの走行に要する被覆ラインＣＬから媒体対向面までの距離は５ｎｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。この範囲の場合、プラズモンが減衰することなく良好に集束するものと考えられる。
（第２形態）
【００５０】
図６は図３に示した磁気ヘッド部１の第２形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。また、図７は、図６（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＶＩＩ−ＶＩＩ矢印断面図である。
【００５１】
第２形態の第１形態との相違点は、凹溝ＧＲ２が、第２凹領域Ｐ２に連続する第３凹領域Ｐ３を有する点のみであり、その他の構造・作用・製造方法は、第１形態と同一である。図６（Ｂ）に示すように、下地金属層１は、第２凹領域Ｐ２の出射部ＥＸとは反対側に連続する第３凹領域Ｐ３を備えている。第３凹領域Ｐ３の外形は、半円状の円弧を描いており、凹溝ＧＲ２の底面ＢＦから立設した壁面Ｗを備えている。なお、図６（Ｂ）に示す下地金属層１Ｅ上に中間絶縁層１Ｆと上部金属層１Ｇを堆積した場合においても、第３凹領域Ｐ３をトレースした凹形状がこれらの層に現れるため、図６（Ａ）においても、中間絶縁層１Ｆと上部金属層１Ｇの出射部ＥＸ側の側面を含む凹領域も同一符号Ｐ３を用いることとする。
【００５２】
なお、製造時においては、被覆ラインＣＬは直線のみでなく、図６（Ｂ）に示すように壁面Ｗに沿った円弧を描いている。
【００５３】
このように、凹溝ＧＲ２の他方端には、凹溝ＧＲ２の底面ＢＦから立設した壁面Ｗが位置している。プラズモンＰＭは壁面Ｗが位置すると進行が止まるという性質があるため、凹溝ＧＲ２の他方端に壁面Ｗを設けておけば、この壁面Ｗで反射されたプラズモンＰＭが凹溝ＧＲ２の出射部ＥＸ側へ局在する確率が高くなる。
【００５４】
また、この壁面Ｗは、凹溝ＧＲ２の出射部ＥＸから離れる方向に湾曲している。湾曲した壁面Ｗで反射されたプラズモンＰＭは出射部ＥＸに向かって走行するため、この壁面Ｗで反射されたプラズモンＰＭが凹溝ＧＲ２の出射部ＥＸ側へ局在する確率が更に高くなる。
（第３形態）
【００５５】
図８は図３に示した磁気ヘッド部１の第３形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。また、図９は、図８（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＩＸ−ＩＸ矢印断面図である。
【００５６】
第３形態の第１形態との相違点は、凹溝ＧＲ２が単一の幅狭で直線的に延びた凹領域Ｐ４のみからなる点であり、その他の構成・作用・製造方法は、第１形態と同一である。このような構造であっても、プラズモンＰＭを出射部ＥＸに局在させることができる。
（第４形態）
【００５７】
図１０は図３に示した磁気ヘッド部１の第４形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。また、図１１は、図１０（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＸＩ−ＸＩ矢印断面図である。
【００５８】
第４形態の第２形態との相違点は、凹溝ＧＲ２が直線的な凹領域Ｐ２を備えておらず、平面テーパー形状の第１凹領域Ｐ１に連続して第３凹領域Ｐ３が位置している点のみである。第４形態のその他の構成・作用・製造方法は、第２形態と同一である。このような構造であっても、円弧状に側面が湾曲した絶縁層１Ｆと底面ＢＦとの界面で発生したプラズモンＰＭは、第１凹領域Ｐ１によって集束され、出射部ＥＸにおいて局在することができる。
【００５９】
なお、金属層１Ｅ、絶縁層１Ｆ及び金属層１Ｇからなる積層構造は、以下のような微細構造を有することが好ましい。
【００６０】
図１２は、金属層１Ｅ、絶縁層１Ｆ及び金属層１Ｇからなる積層構造体の縦断面図である。金属層１Ｅと絶縁層１Ｆの界面１ＥＦにおいてプラズモンが発生するが、この界面１ＦＥには微細な凹凸構造が形成されている。金属層１Ｇと絶縁層１Ｆの界面１ＦＧにおいてもプラズモンが発生するが、この界面１ＦＧにも微細な凹凸構造が形成されている。このような構造の場合、凹凸構造の凸部に電界が集中し、プラズモンが発生やすくなると考えられる。これらの界面の凹凸構造の段差の平均値（凹凸構造の山の頂と谷の底の間の離隔距離（高さ）の平均値）は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
なお、上記実施形態では、レーザ光を用いなかったが、下地金属層１Ｅに、更にレーザ光を照射し、出射部ＥＸにおけるプラズモンにレーザ光が作用することとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【図２】図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。
【図３】熱アシスト磁気ヘッド２１の斜視図である。
【図４】図３に示した磁気ヘッド部１の第１形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。
【図５】図４（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＶ−Ｖ矢印断面図である。
【図６】図３に示した磁気ヘッド部１の第２形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。
【図７】図６（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＶＩＩ−ＶＩＩ矢印断面図である。
【図８】図３に示した磁気ヘッド部１の第３形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。
【図９】図８（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＩＸ−ＩＸ矢印断面図である。
【図１０】図３に示した磁気ヘッド部１の第４形態に係るものの拡大斜視図（Ａ）、及び製造途中の磁気ヘッド部の斜視図（Ｂ）である。
【図１１】図１０（Ａ）に示した磁気ヘッド部１のＸＩ−ＸＩ矢印断面図である。
【図１２】積層構造体の縦断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１Ｃ・・・下部絶縁層、１Ｄ・・・上部絶縁層、１Ｅ・・・下地金属層、１Ｆ・・・中間絶縁層、１Ｇ・・・上部金属層、１Ｈ・・・保護層、ＥＸ・・・出射部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009170057.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009170057.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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