(57)【要約】【課題】撮影時間を延長することなく、多種類のパルスシーケンスに適用でき、簡単な構成でＳＡＲを低減可能な磁気共鳴イメージング装置を実現する。【解決手段】デューティーサイクルが多いパルスシーケンスと、デューティーサイクルが少ないパルスシーケンスとを組み合わせ、デューティーサイクルが多いパルスシーケンスを連続して実行することが無いように、デューティーサイクルが少ないパルスシーケンスを間に入れて実行する。例えば、最初の時間ＴＲでＦＳＥ法を実行した場合は、次の時間ＴＲでは、ＧＥ法を実行する。これにより、多種類のパルスシーケンスを適用して病変部の検出精度を向上させると共に、簡単な構成でＳＡＲを低減することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場発生手段と、傾斜磁場発生手段と、被検体に磁気共鳴を誘起する高周波磁場発生手段と、被検体からの磁気共鳴信号を受信する受信手段と、上記静磁場発生手段、上記傾斜磁場発生手段、上記高周波磁場発生手段及び上記受信手段の動作を制御する制御手段とを有する磁気共鳴イメージング装置において、
上記制御手段は、所定のデューティーサイクルを有する第１のパルスシーケンスと、この第１のパルスシーケンスよりデューティーサイクルが少ない第の２パルスシーケンスとを組み合わせ、上記第１のパルスシーケンスと上記第２のパルスシーケンスとをそれぞれ少なくとも1回実行することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記制御手段は、上記第１のパルスシーケンスを実施するためのプログラムデータを格納するメモリ空間と、上記第２のパルスシーケンスを実施するためのプログラムデータを格納するメモリ空間と、第１のパルスシーケンスを実施して得られる信号データを格納するメモリ空間と、第２のパルスシーケンスを実施して得られる信号データを格納するメモリ空間とを有し、第１のパルスシーケンスを実施し、第１のパルスシーケンスを実施して得られる信号データをメモリ空間に格納する第１のプロセスと、第２のパルスシーケンスを実施し、第２のパルスシーケンスを実施して得られる信号データをメモリ空間に格納する第２のプロセスとは、互いに異なる時間に実行することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記第１のパルスシーケンスは、ファーストスピンエコー法によるパルスシーケンスであり、上記第２のパルスシーケンスは、グラディエントエコー法又はスピンエコー法によるパルスシーケンスであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、実行中の一方のプロセスを休止中の他方のプロセスに切り替える場合に、パルスシーケンスのプログラムを格納するメモリのアドレスと、データを格納するメモリのアドレスを含む、プロセスの切り替え時刻における上記制御手段の内部状態を保存し、再度同一のプロセスに切り替える場合に、上記制御手段の内部状態を呼び出すことにより、中断したプロセスを再開することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記プロセスを切り替える場合に保存する情報は、プリスキャンの実施によって得られる周波数、照射ゲイン、受信ゲインを含むシーケンスの調整値を含むことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記制御手段は、上記プロセスを切り替えた直後に、パルスシーケンスは実行しても計測データをメモリに格納しない動作を複数回実施することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記制御手段は、Ｎを２以上の整数とすると、Ｎ個のパルスシーケンスを実施するためのプログラムを格納するメモリ空間と、Ｎ個のパルスシーケンスの信号データを格納するＮ個のメモリ空間を備え、Ｎ個のパルスシーケンスを切り替えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気共鳴イメージング装置に係り、特に、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate）の最適化に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）においては、高周波磁場の熱的効果をＳＡＲ（Specific Absorption Rate）によって定義し、ＭＲＩ装置を用いた検査により被検体の温度上昇を防止するために、ＳＡＲの大きさが定められた上限値を超えないような高周波磁場の照射方法が義務付けられている。
【０００３】
高周波磁場の照射方法は、高周波磁場および傾斜磁場の印加手順と信号計測のタイミングを規定した、パルスシーケンスと呼ばれる計測手順と関連している。パルスシーケンスは、ＳＥ（スピンエコー）法、ＧＥ（グラディエントエコー〉法、ＦＳＥ（ファーストスピンエコー）法、ＥＰＩ（エコープレナー）法等が代表的方法として知られており、その中でＦＳＥ法は、エネルギーの大きい１８０度励起パルスを多用する。
【０００４】
ＳＡＲは高周波磁場の周波数、静磁場強度等に依存し、静磁場強度の高い装置ほどＳＡＲが大きく、高周波磁場の照射方法に関する制約が大きい。
【０００５】
近年、磁気共鳴イメージング装置の静磁場強度が３Ｔを超えるものも使用されているが、１．５Ｔや１Ｔの装置と比較して、画質のＳＮＲが向上できる反面、ＳＡＲの制約がより厳しくなる。そこで、非特許文献１に述べられているように、１８０度励起パルスと同等の効果を持つような低い励起角度の励起パルスを組み合わせることにより、ＦＳＥ法におけるＳＡＲを減少させる方法が提案されている。
【０００６】
また、特許文献１には、パルスシーケンスを実行した場合の撮像対象のＳＡＲを予測し、予測値が限度内となるようにパルスシーケンスにおけるＲＦパルスの数、パルス波形、パルス幅のうちの少なくとも一つを調整する技術が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１―７０２８２号公報
【非特許文献１】Multiecho Sequence With Variable Refocusing Flip Angles: Optimization of Signal Behavior Using Smooth Transitions Between Pseudo Steady States.; Magnetic Resonance in Medicine 49:527-535(2003), Reduced RF Power Without Blurring: Correcting for Modulation of Refocusing Flip Angle in FSE Sequences.; Magnetic Resonance in Medicine 51:1031-1037(2004)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した非特許文献１に記載の技術にあっては、ＦＳＥ法にのみ適用でき、ＳＥ法、ＧＥ法、ＥＰＩ法には適用することはできない。
【０００９】
また、特許文献１に記載の技術にあっては、パルス数、パルス波形又はパルス幅を調整するためのパルス調節ユニットが必要であり構成が複雑となる。さらに、ＳＡＲを限度内とするためにパルスの数を調整するため、撮影時間が長くなってしまう。
【００１０】
本発明の目的は、撮影時間を延長することなく、多種類のパルスシーケンスに適用でき、簡単な構成でＳＡＲを低減可能な磁気共鳴イメージング装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。
【００１２】
本発明の磁気共鳴イメージング装置は、制御手段が、所定のデューティーサイクルを有する第１のパルスシーケンスと、この第１のパルスシーケンスよりデューティーサイクルが少ない第の２パルスシーケンスとを組み合わせ、上記第１のパルスシーケンスと上記第２のパルスシーケンスとをそれぞれ少なくとも1回実行する。
【発明の効果】
【００１３】
撮影時間を延長することなく、多種類のパルスシーケンスを適用して病変部の検出精度を向上させると共に、簡単な構成でＳＡＲを低減することが可能な磁気共鳴イメージング装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１５】
まず、図５を参照して、本発明が適用されるＭＲＩ装置を説明する。図５において、ＭＲＩ装置は、均一な磁場空間を発生するための超伝導コイル１と、ｘ、ｙ、ｚの３軸方向に沿って磁場強度が線形に変化する傾斜磁場を発生するための３組の傾斜磁場発生コイル２と、被検体１０の磁気共鳴を誘起するための高周波磁場発生コイル３と、被検体の磁気共鳴信号を検出するための受信コイル４と、傾斜磁場電源５と、高周波磁場電源６と、被検体を静磁場空間内に搬送する寝台７と、傾斜磁場発生コイル２、高周波磁場発生コイル３及び受信コイル４の動作を制御する制御ユニット８と、制御命令、画像再構成及び画像表示を行う画像表示手段を有する操作卓９とを備える。
【００１６】
ＭＲＩ装置では、高周波磁場および傾斜磁場の印加手順と信号計測のタイミングを規定した、パルスシーケンスと呼ばれる計測手順によって画像の撮影が行われる。
【００１７】
このパルスシーケンスは撮影時間や、得られる画像コントラストの違いによって、ＳＥ法、ＧＥ法、ＦＳＥ法、ＥＰＩ法等が知られている。通常の検査では、同一の撮影領域において複数のパルスシーケンスを適用することにより、コントラストの異なる画像を撮影し、病変部の検出等の診断能を向上させている。
【００１８】
従来技術にあっては、それぞれのパルスシーケンスを個々独立して別個に実行している。
【００１９】
図２は、ＦＳＥ法のパルスシーケンスを示す図であり、図３はＧＥ法のパルスシーケンスを示す図である。
【００２０】
図２において、高周波磁場（ＲＦ）２１、ｘ方向傾斜磁場（Ｇｘ）２２、ｙ方向傾斜磁場（Ｇｙ）２３、ｚ方向傾斜磁場（Ｇｚ）２４の印加タイミング、および磁気共鳴信号（エコー）２５の発生を時間軸に沿って表示している。ＲＦとＧｘは撮影したい領域を励起する働きを有し、Ｇｙはｅｃｈｏの周波数に位置情報をエンコードする働きを有し、Ｇｚはｅｃｈｏの位相に位置情報をエンコードする働きを有している。
【００２１】
ＦＳＥ法では、まず、９０度励起パルスを照射し、次に、第１の１８０度励起パルスを照射し、時間ＴＥにおいて第１のエコーを得る。さらに、次の時間ＴＥで１８０度励起パルスを照射し、同じく時間ＴＥでエコーを得るという操作を繰り返す。
【００２２】
図２に示した例では、パルスシーケンスの繰り返し時間ＴＲの中で、４個のエコーを得る場合を示している。例えば、画像再構成にＬ個のエコーを要するものとすると、パルスシーケンスをＬ／４回繰り返すので、パルスシーケンスの実行時間は（Ｌ×ＴＲ）／４となる。なお、ここでは４個のエコーを得る場合を示したが、エコーの数は４個にかぎらない。
【００２３】
図３において、高周波磁場（ＲＦ）３１、ｘ方向傾斜磁場（Ｇｘ）３２、ｙ方向傾斜磁場（Ｇｙ）３３、ｚ方向傾斜磁場（Ｇｚ）３４の印加タイミング、および磁気共鳴信号（エコー）３５の発生を時間軸に沿って表示している。
【００２４】
ＲＦとＧｘは撮影したい領域を励起する働きを有し、Ｇｙはｅｃｈｏの位相に位置情報をエンコードする働きを有し、Ｇｚはｅｃｈｏの周波数に位置情報をエンコードする働きを有する。
【００２５】
ＧＥ法では、αを９０以下の値として、α度励起パルスを照射し、時間ＴＥにおいてエコーを得る。ＧＥ法ではパルスシーケンスの繰り返し時間ＴＲの中で、１個のエコーが得られる。したがって、画像再構成にＬ個のエコーを要するものとすると、パルスシーケンスをＬ回繰り返すので、パルスシーケンスの実行時間はＬ×ＴＲとなる。
【００２６】
デューティーサイクルは高周波磁場の単位時間当たりの照射時間の割合を表している。図２に示したＦＳＥ法は、１個の高周波磁場の照射時間をｔとすると、繰り返し時間ＴＲに対して、合計５×ｔ時間の高周波磁場を照射しているので、図２のシーケンスのデューティーサイクルは５ｔ／ＴＲとなる。
【００２７】
一方、図３に示したＧＥ法は、１個の高周波磁場の照射時間をｔとすると、繰り返し時間ＴＲに対して、ｔ時間の高周波磁場を照射しているので、図３のシーケンスのデューティーサイクルはｔ／ＴＲとなる。すなわち図２のデューティーサイクルは、図３のデューティーサイクルと比較して５倍大きい。ＳＡＲはデューティーサイクルに依存する。例えば図２のシーケンスでＴＲが５倍延長すると、図２と図３のデューティーサイクルは等しくなり、それぞれのＳＡＲも等しくなる。しかしながら、ＴＲが５倍延長するので、撮影時間も５倍延長してしまう。なお、ここでは簡単のため、高周波磁場の振幅の効果は省略している。
【００２８】
次に、本発明の一実施形態であって、図２に示したＦＳＥ法と図３に示したＧＥ法を交互に切り替えて撮影することによって、撮影時間を延長することなく、ＳＡＲを低減させる手順を説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態におけるパルスシーケンスを示す図である。図１において、高周波磁場１１、Ｇｘ１２、Ｇｚ１３、及びエコー１４は、図２、図３の高周波磁場、Ｇｘ、Ｇｚ及びエコーと同等である。なお、図１ではＧｙを省略している。これは１個のＦＳＥシーケンスと４個のＧＥシーケンスを連結したものである。図１に示した５ＴＲをシーケンスの繰り返しの単位とすると、（５×ＴＲ）時間に（９×ｔ）時間の高周波磁場を照射するので、図１に示した例のデューティーサイクルは１．８ｔ／ＴＲとなる。
【００３０】
上述したように、図２に示した例におけるデューティーサイクルは５ｔ／ＴＲであり、図３に示した例のデューティーサイクルはｔ／ＴＲである。したがって、ＦＳＥ法を単独で実施した場合と比較して、ＦＳＥ法とＧＥ法との連結型では、ＦＳＥ法のデューティーサイクルは６４％低減することがわかる。
【００３１】
ＦＳＥ法で得られた信号とＧＥ法で得られた信号は別々に再構成すれば良く、画像再構成にそれぞれＬ個のエコーを要するものとすると、図１に示したシーケンスの撮影時間は５×（Ｌ×ＴＲ）／４となり、図２に示したＦＳＥ法単独の撮影時間と図３に示したＧＥ法単独の撮影時間の和に等しい。なお、ＦＳＥ法とＧＥ法の組み合わせ方法は図１にかぎらない。
【００３２】
ところで、第１のパルスシーケンスにおける高周波磁場の単位時間当たりの照射時間の割合をＤ１、第２のパルスシーケンスにおける高周波磁場の単位時間当たりの照射時間の割合をＤ２、第１のパルスシーケンスの実行時間に対する第２のパルスシーケンスの実行時間の割合をＡとすれば、第１のパルスシーケンスと第２のパルスシーケンスとを連結した場合における、高周波磁場の単位時間当たりの照射時間の割合は、Ａ×Ｄ１＋（１−Ａ）×Ｄ２として一般化することができる。
【００３３】
これを図１の例に当てはめてみると、Ｄ１＝５ｔ／ＴＲ、Ｄ２＝ｔ／ＴＲ、Ａ＝０．２となるので、図１に示した例のデューティーサイクルは、Ａ×Ｄ１＋（１−Ａ）×Ｄ２＝１．８ｔ／ＴＲと計算され、上記結果と同一である。
【００３４】
次に、図１に示したパルスシーケンスの動作を、ＭＲＩ装置におけるメモリ上のプログラムおよびデータの流れで説明する。図４の（Ａ）は、ＦＳＥ法のプログラムを格納するメモリ１００で、そのアドレスは１からＬ／４である。図４の（Ｂ）は、ＧＥ法のプログラムを格納するメモリ２００で、そのアドレスは１からＬである。
【００３５】
図４の（Ｃ）は、ＦＳＥ法によって得られる信号データを格納するメモリ３００で、そのアドレスは１からＬである。図４の（Ｄ）は、ＧＥ法によって得られる信号データを格納するメモリ４で、そのアドレスは１からＬである。なお、プログラムメモリの１アドレスには、１ＴＲのシーケンスを実施する命令が格納されているものとし、データメモリの１アドレスには１個の信号が格納されるものとする。
【００３６】
最初のＴＲにおいて、ＣＰＵ（制御ユニット８）は、メモリ１００のアドレス１のプログラム４１１を実行し、メモリ３００のアドレス１の４３１からアドレス４の４３４に４個のエコーを格納する（ステップ１）。
【００３７】
次に、ＣＰＵ８はタスクを切り替え、メモリ２００のアドレス１のプログラム４２１を実行し、メモリ４００のアドレス１の４４１に１個のエコーを格納する（ステップ２）。
【００３８】
続いて、ＣＰＵ８はメモリ２００のアドレス２のプログラム４２２を実行し、メモリ４００のアドレス２の４４２に１個のエコーを格納する（ステップ３）。
【００３９】
次に、ＣＰＵ８はメモリ２００のアドレス３のプログラム４２３を実行し、メモリ４００のアドレス３の４４３に１個のエコーを格納する（ステップ４）。
【００４０】
続いて、ＣＰＵ８はメモリ２００のアドレス４のプログラム４２４を実行し、メモリ４００のアドレス４の４４１に１個のエコーを格納する（ステップ５）。
【００４１】
以上のステップ１〜５によって、図１に示した１ＴＲ分のシーケンスが実施される。ここで、ＦＳＥ法を実行し、得られたデータをメモリに格納することを第１プロセスとし、ＧＥ法を実行し、得られたデータをメモリに格納することを第２プロセスとすれば、ステップ１で第１プロセスが一回実行され、ステップ２〜５で第２プロセスが４回実行される。
【００４２】
次のＴＲにおいてＣＰＵ８は、タスクを切り替え、メモリ１００のアドレス２のプログラム４１２を実行し、メモリ３００のアドレス５の４３５からアドレス８の４３８に４個のエコーを格納する（ステップ６）。
【００４３】
続いて、ＣＰＵ８はタスクを切り替え、メモリ２００のアドレス５のプログラム４２５を実行し、メモリ４００のアドレス５の４４５に１個のエコーを格納する（ステップ７）。
【００４４】
次に、ＣＰＵ８はメモリ２００のアドレス６のプログラム４２６を実行し、メモリ４００のアドレス６の４４６に１個のエコーを格納する（ステップ８）。
【００４５】
続いて、ＣＰＵ８はメモリ２００のアドレス７のプログラム４２７を実行し、メモリ４００のアドレス７の４４７に１個のエコーを格納する。
【００４６】
そして、ＣＰＵ８は、メモリ２００のアドレス８のプログラム４２８を実行し、メモリ４００のアドレス８の４４８に１個のエコーを格納する（ステップ１０）。
【００４７】
以上の動作により、第１プロセスが１回実行された後、第２プロセスが４回実行され、その後、第１プロセスが１回実行された後、第２プロセスが４回実行されることとなる。
【００４８】
このようにプログラムを繰り返し、メモリ３００とメモリ４００にそれぞれＬ個のエコーが格納されると、計測は終了する。上記ステップ２、ステップ６、ステップ７のタスク切り替えにおいて、各メモリのアドレスを保存しておけば、再切り替え時にそれぞれのシーケンスプログラムの連続性およびデータ格納の連続性は維持される。つまり、中断したプロセスを再開することができる。
【００４９】
さらに、パルスシーケンスの切り替えにおいて、それぞれのシーケンスにおける、照射ゲインあるいは受信ゲイン等の調整値を保存することも有効である。この場合、プリスキャンの実施によって得られる周波数、照射ゲイン、受信ゲイン等も調整値に含むことが可能である。
【００５０】
なお、パルスシーケンスの繰り返しによって、励起される磁化は定常状態になっているので、タスク切り替え時において、磁化を定常状態にするためにデータを計測しないパルスシーケンスを数回実施することも有効である。また、以上の説明では２種類のパルスシーケンスを組み合わせる場合であったが、それ以上の種類のパルスシーケンスも、同様にして組み合わせることができるのは明らかである。
【００５１】
この場合、制御ユニット８は、Ｎを２以上の整数とすると、Ｎ個のパルスシーケンスを実施するためのプログラムを格納するメモリ空間と、Ｎ個のパルスシーケンスの信号データを格納するＮ個のメモリ空間を備え、Ｎ個のパルスシーケンスを切り替える。
【００５２】
以上、本発明の実施形態におけるパルスシーケンスの動作と、そのプログラの流れを説明したので、以下に、操作者が動作を実行するためのユーザーイターフェースについて説明する。
【００５３】
図６は、本発明が適用されない場合のユーザーインターフェースの説明図である。図６において、操作者はユーザーインターフェースを用いて、実行したいパルスシーケンス６１とパラメータ６２とを入力する。つまり、撮影条件を入力する。
【００５４】
ＳＡＲは入力した撮影条件から計算することができ、ＳＡＲが上限値を超過すると、画像表示区域６４に警告の表示６３と共にそのパルスシーケンスの実行が不可となる機構となっている。
【００５５】
したがって、操作者はＳＡＲが上限値を超過しないようにパラメータを再入力する。
【００５６】
図７は、本発明が適用された場合のユーザーインターフェース（操作卓９）の説明図である。この例では、上述のとおり図１に示す複数のパルスシーケンスを組み合わせることによりＳＡＲを低減する。
【００５７】
このため、図７に示す例では、複数のパルスシーケンスを指定するためのユーザーインターフェースを示している。
【００５８】
図７において、ユーザーインターフェースは、連結するパルスシーケンスを少なくとも２種類以上入力することができる。図１に示したように、ＦＳＥ法、ＧＥ法、ＧＥ法、ＧＥ法、ＧＥ法の順序で実行するので、ボタン７１１に１を表示し、ボタン７１２にＦＳＥを表示し、ボタン７１３に４を表示し、ボタン７１４にＧＥを表示する。
【００５９】
ここで、ボタン７１１が示す１、ボタン７１３が示す４は、ＦＳＥを１回、ＧＥを４回繰り返すことを意味している。また、ボタン７１２と、ボタン７１４を入力する順序が、各パルスシーケンスの実行順序を意味している。各パルスシーケンスのパラメータは図６のパラメータ６２と同様に、ボタン７１５、７１６で入力する。
【００６０】
ここで、ボタン７１５はＦＳＥ法のパラメータ、ボタン７１６はＧＥ法のパラメータを意味している。ただし、デューティーサイクルは上述のとおり、１．８ｔ／ＴＲであり、さらに被検体の体重、高周波磁揚の強度等を考慮してＳＡＲが計算される。ＳＡＲが上限値を超過すると、警告の表示７２と共にそのパルスシーケンスの実行が不可となる機構となっている。
【００６１】
したがって、操作者はＳＡＲが上限値を超過しないようにパラメータを再入力する。例えば、ボタン７１１またはボタン７１３が表示する繰り返し回数を変更する、ボタン７１５またはボタン７１６において繰り返し時間ＴＲを変更する等である。
【００６２】
さらに、ボタン７１２とボタン７１４において撮影したいパルスシーケンスを指定した後、ＳＡＲが上限値を越えないように、ボタン７１１とボタン７１３の繰り返し回数、ボタン７１５とボタン７１６における繰り返し時間ＴＲ等を自動計算する機能を備えることも可能である。
【００６３】
以上のように、本発明によれば、ＳＡＲを低減するために高周波磁場波形を最適化することなく、撮影時間を延長することなく、複数のパルスシーケンスを組み合わせることによって、ＳＡＲを低減させる撮影が可能となる。
【００６４】
つまり、本発明によれば、撮影時間を延長することなく、多種類のパルスシーケンスを適用して病変部の検出精度を向上させると共に、簡単な構成でＳＡＲを低減することが可能な磁気共鳴イメージング装置を実現することができる。
【００６５】
なお、上述した例では、ＦＳＥ法とＧＥ法とを組み合わせた例であるが、ＦＳＥ法とＧＥ法とＳＥ法を組み合わせた例や、ＦＳＥ法とＳＥ法とを組み合わせた例等にも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態におけるパルスシーケンスを説明する図である。
【図２】ＦＳＥ法単独で実施するパルスシーケンスの説明図である。
【図３】ＧＥ法単独で実施するパルスシーケンスの説明図である。
【図４】本発明の一実施形態を適用するためのＭＲＩ装置におけるメモリを説明する図である。
【図５】本発明が適用されるＭＲＩ装置の概略構成図である。
【図６】本発明が適用されない場合のユーザーインターフェースの説明図である。
【図７】本発明が適用された場合のユーザーインターフェースの説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・超伝導コイル、２・・・傾斜磁場発生コイル、３・・・高周波磁場発生コイル、４・・・受信コイル、５・・・傾斜磁場電源、６・・・高周波磁場電源、７・・・寝台、８・・・制御ユニット、９・・・操作卓、１００、２００、３００、４００・・・メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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