(57)【要約】【課題】配管内の気密を保持し、堆積物除去体自体へ堆積物を付着させることなく、堆積物の除去能力を向上させた堆積物除去手段を備えた半導体製造装置を提供する。【解決手段】気体原料を用いて結晶成長を行う反応炉と、その反応炉１１に接続される排気配管１３と、排気配管１３の屈曲部１４近傍の内壁に堆積する堆積物を除去する堆積物除去手段１６とを備えた半導体製造装置１０において、排気配管１３の屈曲部１４に、その屈曲部１４から延出する配管延長部１５を形成し、その配管延長部１５内に堆積物Ｄを突き崩して除去する堆積物除去手段１６を設けた。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体原料を用いて結晶成長を行う反応炉と、その反応炉に接続される排気配管と、排気配管の屈曲部近傍の内壁に堆積する堆積物を除去する堆積物除去手段とを備えた半導体製造装置において、
排気配管の屈曲部に、その屈曲部から延出する配管延長部を形成し、その配管延長部内に上記堆積物を突き崩して除去する堆積物除去手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
上記堆積物除去手段は、ボールネジと、そのボールネジに螺合し配管延長部長手方向に移動可能なスライダと、スライダに設けられ上記堆積物を突き崩す堆積物除去用ピックとからなり、上記配管延長部の外部に上記ボールネジを回転操作する回転操作手段を、配管延長部を気密封止する磁性流体シールを介して設けた請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
上記ボールネジの先端に、上記スライダの脱落を防ぐストッパを設けた請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
上記ボールネジの回転に伴って上記堆積物除去用ピックをボールネジを軸として公転させる堆積物除去用ピック公転機構を形成した請求項２または３記載の半導体製造装置。
【請求項５】
上記ボールネジの回転に伴って上記堆積物除去用ピックを自転させる堆積物除去用ピック自転機構を形成した請求項２〜４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
上記配管延長部に不活性ガスを供給する不活性ガス導入管を接続した請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気体原料を用いた結晶成長法により、基板上に化合物半導体を形成するための半導体製造装置に関し、例えば、有機金属気相成長法を用いて半導体エピタキシャルウェハを製造する半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
気体原料を用いた結晶成長法により基板上に化合物半導体を製造する半導体製造装置では、例えばＨ２、Ｎ２、Ａｒなどの高純度ガスをキャリアガスとし、その気相中に気体原料を添加した原料ガスを所定の温度に制御された反応炉内に供給して、その反応炉内に配置された基板上に結晶を成長させる。例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓを結晶成長させるためには、キャリアガスとしてＨ２を、原料ガスとしてＡｓＨ３とＴＭＧ（トリメチルガリウム）を用い、ＧａＮを結晶成長させるためには原料ガスとしてＮＨ３とＴＭＧを用いる。
【０００３】
図６は従来の半導体製造装置の概略図を示したものである。
【０００４】
図６に示すように、半導体製造装置５０では、基板が収容される反応炉５１の上部に、各種原料ガスを供給する原料ガス供給用の配管５２が接続され、反応炉５１の下部に、反応後の原料ガスを排気する排気用の配管５３，５３が接続され、排気用の配管５３，５３がトラップ５７に接続され、このトラップ５７に配管５３を介してフィルタ５８が接続されている。
【０００５】
基板上に結晶を成長させるときは、各種原料ガスを原料ガス供給用の配管５２から反応炉５１に供給して、基板上で結晶を成長させ、キャリアガスと共に未反応のガスはトラップ５７、フィルタ５８を通して排気する。
【０００６】
この半導体製造装置５０においては、気体原料を用いて結晶成長を行い固体を生成するという原理上、基板上のみではなく反応炉５１内やガス排気経路を構成する排気配管５３の内壁に堆積物Ｄが生成される不可避的現象が生ずる。
【０００７】
堆積物Ｄは、使用した原料ガスや温度環境、成長に必要なガス量に依存する流速、配管の引き回し形状など様々な要因により、その平均的な粒径や硬さ、配管内壁面への固着強度が異なる。
【０００８】
堆積物Ｄは、その堆積量が多くなり過ぎると、配管５３を閉塞させてしまうため、装置の生産性を悪化させる（制限する）要因のひとつとなっている。よって、配管５３が閉塞する前に、配管５３の交換や清掃を行う必要がある。また、堆積物の堆積量や付着場所の正確なコントロール（把握）が困難であるために予期し得ぬ閉塞が起こり、生産計画通りに半導体エピタキシャルウェハを製造できないことがあった。
【０００９】
結晶成長法においては、高純度のキャリアガスを使用することからも配管５３を交換或いは清掃するために、配管５３内の気密を解いて大気を炉内に入れてしまうことは極力避けたい行為である。また、生産計画通りに製造できない結果を招くことは、事業上の大きなマイナスとなる。
【００１０】
そこで、堆積物Ｄの堆積量や付着箇所を正確にコントロールすることは困難であるが、トラップ５７やフィルタ５８を設けることにより、堆積物Ｄによる配管５３の閉塞を防ぐ方法がある。
【００１１】
トラップ５７は、配管５３の途中に形成された断面積の大きい部分であり、断面積を大きくすることで、配管内壁面に固着する堆積物Ｄ、或いは大型の析出物（配管内壁面から分離した堆積物）による配管５３の閉塞を起こりにくくする。フィルタ５８は、微細な紛状の析出物や、トラップでは停止せず（捕集されず）に漏れた大型の析出物を付着させガス流から取り除くものである。
【００１２】
フィルタ５８を備える装置として、フィルタハウジング内に回転可能な円筒形状のフィルタを設け、フィルタに析出物が局所的に凝集して付着すること（偏析）を防ぐものがある（例えば、特許文献１参照）。
【００１３】
また、配管内の堆積物を除去するための除去リングと、その除去リングを配管外部から操作するためのマグネットとを備える製造装置がある（例えば、特許文献２参照）。
【００１４】
他に、配管内に鞭状体、条体或いは螺旋状体の堆積物除去体を設け、その堆積物除去体を操作することにより、配管内に堆積した堆積物を押し出し、飛散或いは掻き落とすものがある（例えば、特許文献３参照）。
【００１５】
【特許文献１】特許第３２４２３３０号公報
【特許文献２】特許第３４２０９６３号公報
【特許文献３】特開２００３−３２６２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、従来の半導体製造装置は、配管５３にトラップ５７やフィルタ５８を設けることにより、堆積物Ｄの堆積量・場所をある程度はコントロールできるが、上述したように正確なコントロールは困難であるため、堆積物を完全に除去することが困難である。
【００１７】
例えば、図６に示した半導体製造装置５０のように、トラップ５７とフィルタ５８を配置した場合、配管５３の屈曲部５４付近に堆積物Ｄが生じるのを防ぐことはできず、堆積物Ｄの完全な除去は不可能である。
【００１８】
また、偏析を防ぐフィルタを備えた従来の装置は、ガス流によりフィルタまで流れてきた析出物を排除することはできるものの、配管内壁に堆積した堆積物を除去することはできない。
【００１９】
配管に除去リングとマグネットとを設けた従来の装置は、配管外部のマグネットの磁力により配管を介して除去リングを操作しているので、例えるなら、金魚の水槽の藻を取り除くものと似ており、堆積物を配管内壁から剥がすだけの力を除去リングに付与するのは難しい。また、磁力を利用しているため、配管が厚いと使用できない、堆積物が除去リングとマグネットとの間に挟まると使用できない、磁化される素材で構成された配管には使用できない、使用方法を誤ると除去リングが配管内壁から脱落する、精密機械の近くでは強力なマグネットを使用できない等、多くの問題を抱えている。
【００２０】
配管内に堆積物除去体を設けた従来の装置では、堆積物除去体が常に配管内で気流ガスに晒されているので、堆積物除去体自体に堆積物がつきやすく、その除去能力を発揮しにくい。また、堆積物除去体は回転、前後進可能でありかつ配管外からの外力を利用するため、配管壁での気密が破れやすいことから安全に問題があるうえに基板の品質へも影響する可能性がある。堆積物の除去能力を向上させるべく堆積物除去体を大きくすることも考えられるが、堆積物除去体を作動させるための駆動力が配管を流れるガス流であったり、除去体に連通し外部に設けられるモータ等の駆動手段により直接加えられる力であるので、堆積物除去体を配管内の所望の位置で駆動させるのには限界があり、効果的に配管内壁の堆積物に力を加えることが困難な場合がある。
【００２１】
すなわち、従来の半導体製造装置では、気密能力の欠如、堆積物除去体自体への堆積物の付着、或いは堆積物の除去能力不足等の問題があった。
【００２２】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、配管内の気密を保持し、堆積物除去体自体へ堆積物を付着させることなく、堆積物の除去能力を向上させた堆積物除去手段を備えた半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、気体原料を用いて結晶成長を行う反応炉と、その反応炉に接続される排気配管と、排気配管の屈曲部近傍の内壁に堆積する堆積物を除去する堆積物除去手段とを備えた半導体製造装置において、排気配管の屈曲部に、その屈曲部から延出する配管延長部を形成し、その配管延長部内に堆積物を突き崩して除去する堆積物除去手段を設けた半導体製造装置である。
【００２４】
請求項２の発明は、堆積物除去手段は、ボールネジと、そのボールネジに螺合し配管延長部長手方向に移動可能なスライダと、スライダに設けられ上記堆積物を突き崩す堆積物除去用ピックとからなり、上記配管延長部の外部に上記ボールネジを回転操作する回転操作手段を、配管延長部を気密封止する磁性流体シールを介して設けた請求項１記載の半導体製造装置である。
【００２５】
請求項３の発明は、ボールネジの先端に、スライダの脱落を防ぐストッパを設けた請求項２記載の半導体製造装置である。
【００２６】
請求項４の発明は、ボールネジの回転に伴って堆積物除去用ピックをボールネジを軸として公転させる堆積物除去用ピック公転機構を形成した請求項２または３記載の半導体製造装置である。
【００２７】
請求項５の発明は、ボールネジの回転に伴って堆積物除去用ピックを自転させる堆積物除去用ピック自転機構を形成した請求項２〜４のいずれかに記載の半導体製造装置である。
【００２８】
請求項６の発明は、配管延長部に不活性ガスを供給する不活性ガス導入管を接続した請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置である。
【００２９】
従来の半導体製造装置は、排気ガスを反応炉よりトラップ、フィルタを介して排気する経路を有するものであるが、配管の曲管部（屈曲部）で堆積物が堆積し、配管が閉塞してしまっていた。そこで、本発明に係る半導体製造装置は、堆積物に対して除去機構を設置し、適宜配管への堆積物を破壊し、破壊した堆積物をトラップで捕集できるようにすることで、配管の閉塞を防ぐことができる。また、トラップで一旦集合した後に堆積物を生じて閉塞していたが、除去機構を設置することにより砕いた堆積物をフィルタで捕集できるようにしたことで、配管の閉塞を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、配管内の気密を保持し、堆積物除去体自体へ堆積物を付着させることなく、堆積物の除去能力を向上させることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明に係る半導体製造装置は、本発明者らの経験上、結晶成長を行う際に、反応炉から排気される原料ガス等が、排気配管の屈曲部（曲がり角）や集合部（配管の合流部）に堆積物として堆積（析出）しやすいことから、特に排気配管の屈曲部の堆積物を除去するべく見出されたものである。
【００３２】
以下、本発明の好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００３３】
図１は本発明に係る半導体製造装置の好適な実施形態を示した断面図である。
【００３４】
本実施形態に係る半導体製造装置１０は、基板を収容しその基板に気相成長を施す反応炉１１と、その反応炉１１に接続され、キャリアガスと原料ガスとを反応炉１１に供給する供給配管１２と、反応炉１１と図示しない排気装置とを接続する排気配管１３とを備える。排気配管１３の途中にはトラップ１７及びフィルタ１８が設けられる。
【００３５】
反応炉１１には、その下部（底面）に２つ排気配管１３ａ，１３ａが接続され、２つの排気配管１３ａ，１３ａにはそれぞれ、その途中でほぼ９０度に曲げられた屈曲部１４が形成されている。２つの排気配管１３ａは、トラップ１７で合流し、トラップ１７には屈曲部１４が形成された他の排気配管１３ｂを介してフィルタ（フィルタハウジング）１８が接続される。図中、フィルタ１８内の破線は、微細な紛状の析出物や大型の析出物を取り除くために付着させるフィルタ本体部（フィルタ膜）１９である。
【００３６】
さて、半導体製造装置１０は、排気配管の屈曲部１４に、その屈曲部１４から延出する配管延長部１５が形成され、その配管延長部１５内に堆積物Ｄを除去するための堆積物除去手段１６が設けられてなる。
【００３７】
図２に示すように、堆積物除去手段１６は、配管延長部１５長手方向に長尺なボールネジ（ネジ軸）２１とそのボールネジ２１に螺合し配管延長部１５長手方向に移動可能なスライダ２２と、スライダ２２に設けられ屈曲部１４の内壁に堆積する堆積物Ｄを突き崩す堆積物除去用ピック２３とを備える。ボールネジ２１の端部にボールネジ２１を回転操作する回転操作手段３２が連結され、その回転操作手段３２は、配管延長部１５を封止する磁性流体シール部２５を介して配管延長部１５の外部に配置されている。
【００３８】
ボールネジ２１は、配管延長部１５の断面において中央に、かつ排気配管１３の屈曲部１４付近から配管延長部１５長手方向のほぼ全長に亘って設けられている。配管延長部１５の内壁には、ボールネジ２１と平行して、少なくとも一本のスライダガイド（レール）２４が設けられている。
【００３９】
ボールネジ２１に螺合するスライダ２２は、外周の少なくとも一箇所に切欠が形成された円板であり、その中心にピッチがボールネジ２１のピッチと一致するタップが形成されている。切欠は、配管延長部１５内壁に設けられたスライダガイド２４に係合している。本実施形態ではスライダガイド２４と切欠の数は１つとしたが、それぞれ複数設けてもよい。
【００４０】
スライダ２２の配管屈曲部１４側には、１本または複数本の堆積物除去用ピック２３が設けられている。堆積物除去用ピック２３は、筒材或いは棒材（シャフト）で構成され、本実施形態では、配管延長部１５の上内壁側近傍と下内壁側近傍とにそれぞれ１本ずつ設けられている。堆積物除去用ピック２３の本数と長さは、屈曲部１４の形状や、堆積物Ｄの堆積量、堆積物Ｄが堆積する位置等に合わせて適宜決定されるものであるが、その長さは、少なくともスライダ２２が配管屈曲部１４側に移動した際に、堆積物Ｄに突き崩す程度必要である。
【００４１】
ボールネジ２１の屈曲部１４側の先端には、その先端でスライダ２２を停止させるためのストッパ３３が設けられている。ストッパ３３は円板で構成され、その径は、堆積物除去用ピック２３が配管屈曲部１４側に通り抜ける程度の間隔（スペース）が形成される程度とするのが好ましい。
【００４２】
配管延長部１５を封止する磁性流体シール部２５は、配管延長部１５の端部近傍（内側）に設けられる磁性流体シール２６と、配管延長部１５の縁にＯリング３１を介して設けられる磁性流体シール２８とからなる。磁性流体シール２６，２８は、その中心が磁性流体で構成され、それ以外の外周部分は、慣用のシール材で構成されている。磁性流体シール２６，２８の磁性流体で構成された中心部ではそれぞれ軸受２７，２９を介してボールネジ２１が貫通している。ただし、この磁性流体は、固体としての強磁性的性質と、流体として流動する性質を併せ持つことから、ボールネジ２１を回転自在に貫通すると共に配管延長部１５の気密を保持することができる。さらに、本実施形態では、磁性流体シール部２５を２重の磁性流体シール２６，２８で構成することにより、配管延長部１５内を確実に気密封止している。
【００４３】
ボールネジ２１に連結される回転操作手段３２は、ボールネジ２１の先端に取り付けたハンドルで構成される。ハンドルの径は、ボールネジ２１の回転に必要なトルクに従って設定される。また、回転操作手段３２として、他にモータを接続してもよい。
【００４４】
従来の半導体製造装置では、排気配管の屈曲部から延出して形成される配管の端部（本実施形態の配管延長部１５に相当（点線Ｌより右の部分））を有するものもあり、この端部は配管構成の目的からすると不要の部分であるが、本実施形態ではその配管端部を堆積物除去手段１６を収容するスペースとして利用している。
【００４５】
本実施形態の作用を説明する。
【００４６】
反応炉１１から排出される排出ガス（原料ガスを含む）は、２つの排気配管１３ａ、トラップ１７、他の排気配管１３ｂ、フィルタ１８を通って排気装置へと排気される。その際、排気配管１３の屈曲部１４近傍の内壁には、原料ガスを成分とする堆積物Ｄが堆積されてしまう。
【００４７】
図３に示すように、回転操作手段３２によりボールネジ（ネジ軸）２１を回転させると、ボールネジ２１に螺合するスライダ２２は、スライダガイド２４に係合しているため、スライダガイド２４によって回転を制限されているので、スライダガイド２４に沿って屈曲部１４側へ移動（平行移動）する。スライダ２２が屈曲部１４側へ移動することにより、スライダ２２に設けられた堆積物除去用ピック２３は堆積物Ｄに向かって移動し、堆積物Ｄに突き当たってそれを突き崩す。堆積物除去用ピック２３により突き崩された堆積物Ｄは、排気配管１３内を流れるガス流によりトラップ１７或いはフィルタ１８に運ばれる。トラップ１７やフィルタ１８では、運ばれた堆積物Ｄを捕集することができ、堆積物Ｄを完全に排気配管１３から除去することができる。
【００４８】
この際、ボールネジ２１の先端にストッパ３３が設けられているので、スライダ２２はストッパ３３に接して停止し、ボールネジ２１の回転過多によりスライダ２２と堆積物除去用ピック２３が排気配管１３内に脱落することを防いでいる。
【００４９】
堆積物Ｄを突き崩した後、回転操作手段３２によりボールネジ２１を逆回転させることにより、スライダ２２は逆方向（配管延長部端部側）に移動して元の位置に戻り、堆積物除去用ピック２３は配管延長部１５内の元の位置に収まる。
【００５０】
本実施形態の半導体製造装置１０によれば、排気配管１３の屈曲部１４に延出して配管延長部１５を形成し、その配管延長部１５内に堆積物Ｄを突き崩すための堆積物除去手段１６を収容することで、堆積物除去手段１６は堆積物Ｄを除去するときのみ、排気ガスの流れる箇所に移動するものの、除去作業時以外は、排気ガスの流れない配管延長部１５内に収容されているので、堆積物除去手段１６への析出物の付着（堆積）を防ぐことができる。これにより、堆積物Ｄを突き崩す除去能力を長期的に維持することができる。
【００５１】
そして、堆積物除去手段Ｄは、ボールネジ２１を回転させることにより、堆積物除去用ピック２３を移動させて堆積物Ｄを突き崩す機構を有するので、ボールネジ２１の回転によるトルクを、堆積物Ｄを突き崩すために十分な推進力として堆積物除去用ピック２３に伝達させることができ、堆積物Ｄを確実に破壊することができる。
【００５２】
また、ボールネジ２１は、磁性流体シール２６，２８を介して排気配管外部の回転操作手段３２と回転可能に連結されているので、排気配管１３内の気密を保持しつつ、排気配管１３内（配管延長部１５内）に配置される堆積物除去用ピックに推進力を伝達することができる。
【００５３】
さらに、ストッパ３３は、堆積物除去用ピック２３が移動可能な間隔を残して、配管延長部１５を塞ぐ構造をしているので、排気配管１３内に堆積物Ｄを生成するガスが流れている間にボールネジ２１などの可動部に析出物が付着するのを防ぐ効果を有する。
【００５４】
次に、他の実施形態について説明する。
【００５５】
図４は本発明に係る半導体製造装置の好適な第二の実施形態を示した断面図である。
【００５６】
図４に示すように、本実施形態の半導体製造装置の主要部である堆積物除去手段４１は、上述した図２の堆積物除去手段１６とほぼ同様であり、同一構成部分には、図２の場合と同一の符号を付してあるが、配管延長部１５に不活性ガスを供給するための不活性ガス導入管４２を設けた点において前実施形態と異なる。
【００５７】
さらに、本実施形態では、堆積物除去用ピック（シャフト）４３の先端４４を粗いヤスリのように形成（細かい凹凸を形成）した点においても前実施形態と異なる。
【００５８】
また、前実施形態の堆積物除去手段１６では、堆積物除去用ピック２３は、単に平行移動することにより堆積物Ｄを突き崩すだけであったが、本実施形態の堆積物除去手段４１では、ボールネジ２１の回転に伴って堆積物除去用ピック（シャフト）４３がボールネジ２１を中心として公転する堆積物除去用ピック公転機構を形成してもよい。
【００５９】
堆積物除去用ピック公転機構としては、例えば、スライダガイド２４を配管延長部１５の内周に沿って螺旋状に設けて構成するとよい。あるいは、スライダガイド２４を形成せずに、慣用のギア技術を用い、スライダ２２とボールネジ２１とが互いに噛合するギアを形成して堆積物除去用ピック公転機構を構成してもよい。
【００６０】
さらに、ボールネジ２１の回転に伴ってシャフト４３が自転する堆積物除去用ピック自転機構を形成し、堆積物Ｄを突き崩すのみならず削り取る機構としてもよい。
【００６１】
堆積物除去用ピック自転機構としては、例えば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ボールネジ２１として平らなネジ山４５を有するものを用い、そのネジ山４５に、所定の角度で溝４６を形成し、シャフト４３とボールネジ２１の溝４６とが互いに噛合するようにギア４７を設けて構成するとよい。このとき、ギア４７のボールネジ２１の溝４６と噛合する歯車４８の厚さＤは、ボールネジ２１のネジ山のピッチｄよりも大きくするとよい。
【００６２】
また、堆積物除去用ピック公転機構と堆積物除去用ピック自転機構の両方を形成してもよい。
【００６３】
本実施形態の半導体製造装置は、配管延長部１５に不活性ガスを導入する不活性ガス導入管４２を接続することにより、堆積物除去手段４１が収容される配管延長部１５内に原料ガス（排ガス）が流れ込むのを防ぎ、堆積物除去手段４１への析出物の付着を確実に防止することができる。
【００６４】
また、シャフト４３の先端４４を尖端状に形成することにより、堆積物Ｄをより突き崩しやすくすることができる。さらに、シャフト４３は、自転しながら屈曲部１４側へ移動することにより堆積物Ｄを削り取るので、堆積物Ｄの除去能力をさらに向上することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、シャフト４３は、ボールネジ２１を中心に公転しながら移動することにより、排気配管１３の屈曲部１４内を広範囲に（排気配管１３の内周全部に亘って）移動することができるので、屈曲部１４内壁の堆積物Ｄを残すことなく完全に除去することができる。
【００６６】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定される。上述の実施形態では断面円形状の排気配管１３を備える半導体製造装置について説明したが、本発明は、排気配管が断面楕円形状や断面角形状のものにも適用することができる。また、配管延長部１５が設けられる屈曲部１４は、直角に曲げられたものに限られず、本発明は、排気配管１３の曲げ角度がいずれであっても適用することができる。さらに、屈曲部１４は一本の排気配管１３が単に曲げられたものに限られず、２つ以上の排気配管が合流する構造（例えば、Ｔ字状）でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る半導体製造装置の好適な一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の堆積物除去手段の詳細を示す要部拡大断面図である。
【図３】図２の堆積物除去手段の堆積物除去時の詳細を示す要部拡大断面図である。
【図４】本発明に係る半導体製造装置の好適な他の実施形態を示す一部断面図である。
【図５】図５（ａ）は堆積物除去用ピック自転機構の一例を示す概略図であり、図５（ｂ）はその要部の拡大側面図である。
【図６】従来の半導体製造装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０  半導体製造装置
１１  反応炉
１３  排気配管
１４  屈曲部
１５  配管延長部
１６  堆積物除去手段
２１  ボールネジ
２２  スライダ
２３  堆積物除去用ピック
２６，２８  磁性流体シール
４２  不活性ガス導入管
Ｄ  堆積物
【図１】
2009094194.tif 000003
【図２】
2009094194.tif 000004
【図３】
2009094194.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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