(57)【要約】【課題】発光寿命を向上させることが可能な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の画素ＰＸによって構成された表示エリア１０２を備えた表示装置であって、基板上において、各画素ＰＸに配置された第１電極６０と、第１電極６０上に配置された有機活性層６２と、少なくとも銀及びマグネシウムを含む混合物によって形成され、有機活性層６２上に配置された第２電極６４と、を備え、第２電極６４は、第１領域６４１と、第１領域６４１より有機活性層６２側に配置され第１領域６４１よりも銀濃度が高い第２領域６４２と、を有することを特徴とする。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置であって、
基板上において、各画素に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された有機活性層と、
少なくとも銀及びマグネシウムを含む混合物によって形成され、前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記第２電極は、第１領域と、前記第１領域より前記有機活性層側に配置され前記第１領域よりも銀濃度が高い第２領域と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２領域は、前記有機活性層との界面に接する領域であって、その銀濃度は８０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は、その厚み方向において、前記有機活性層との界面に向かうにしたがって次第に銀濃度が高くなるように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置に係り、特に、自発光素子を含んで構成される表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置することにより構成されたアレイ基板を備えている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置に電圧が印加されると、第１電極から有機活性層に正孔が注入され、第２電極から有機活性層に電子が注入される。これらの電子と正孔とが再結合し、電子−正孔対は、励起状態となる。電子−正孔対が励起状態から基底状態へ遷移する際に発光する。
【０００５】
第２電極は、電子注入機能を有する金属材料によって形成される。例えば、第２電極を銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物によって形成した構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−１０３３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
マグネシウムは、イオン化傾向が比較的大きい金属である。このため、第２電極を銀とマグネシウムとの混合物によって形成した構成においては、マグネシウムが酸化されやすい。第２電極の有機活性層との界面において、マグネシウムが酸化されてしまうと、電子注入効率が低下し、表示装置の発光寿命の低下を招いてしまうことがある。
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、発光寿命を向上させることが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成された表示エリアを備えた表示装置であって、
基板上において、各画素に配置された第１電極と、
前記第１電極上に配置された有機活性層と、
少なくとも銀及びマグネシウムを含む混合物によって形成され、前記有機活性層上に配置された第２電極と、を備え、
前記第２電極は、第１領域と、前記第１領域より前記有機活性層側に配置され前記第１領域よりも銀濃度が高い第２領域と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、発光寿命を向上させることが可能な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１１】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、表示エリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１２】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。
【００１３】
駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００１４】
このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子Ｃｓが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。
【００１５】
そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。
【００１６】
表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１７】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一である。すなわち、図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０の上に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、電源線Ｐ等）などを備えて構成されたものとする。
【００１８】
有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され色画素ＰＸ毎に孤立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の色画素ＰＸに共通に配置された第２電極６４と、これらの第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、によって構成されている。
【００１９】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面に配置されている。第１電極６０は、陽極として機能する。この第１電極６０は、画素回路１０を構成する第３スイッチＳＷ３のドレイン電極にコンタクトしている。このような第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層と、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成された反射層とを積層した積層体によって構成しても良いし、透過層単層、または、反射層単層で構成しても良い。
【００２０】
有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層６２Ａを含んでいる。この有機活性層６２は、発光層６２Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層６２Ａが有機系材料であればよく、発光層６２Ａ以外の層は、無機系材料でも有機系材料でも構わない。
【００２１】
有機活性層６２において、発光層６２Ａ以外の機能層は共通層であっても良く、図２に示した例では、発光層６２Ａの第１電極６０側に配置されたホール側共有層６２Ｈは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、発光層６２Ａの第２電極６４側に配置された電子側共通層６２Ｅは、ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。発光層６２Ａは、これらのホール側共通層６２Ｈと電子側共通層６２Ｅとの間に配置されている。発光層６２Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成されている。
【００２２】
第２電極６４は、各色画素ＰＸの有機活性層６２上に共通に配置される。この第２電極６４は、陰極として機能する。第２電極６４は、電子注入機能を有する金属材料によって形成される。ここでは、第２電極６４は、少なくとも銀とマグネシウムとを含む混合物によって形成された半透過層を有している。また、第２電極６４は、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を含んでいても良い。
【００２３】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、例えば各第１電極６０の周縁に沿って格子状またはストライプ状に配置されている。この隔壁７０は、例えば、樹脂材料をパターニングすることによって形成される。また、隔壁７０は、有機活性層６２とともに、第２電極６４によって覆われている。
【００２４】
さらに、アレイ基板１００の表示エリア１０２は、図示しない保護膜によって覆っても良い。この場合、各有機ＥＬ素子４０の第２電極６４が保護膜によって覆われる。このような保護膜は、例えば窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機系材料によって形成された薄膜を含んでいる。また、この保護膜は、有機系材料によって形成された薄膜を含んでもいても良い。
【００２５】
このような構成のアレイ基板１００において、少なくとも表示エリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。すなわち、封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０側に対向するように配置されている。そして、これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、表示エリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール材３００により貼り合わせられている。シール材３００は、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットであっても良い。
【００２６】
ここで、第２電極６４の構成について詳しく説明する。
【００２７】
上述したように、第２電極６４の半透過層は、銀とマグネシウムとを含む混合物を用いて形成されている。図３に示すように、本実施の形態において、銀とマグネシウムとの組成比は、第２電極６４の全領域で均一ではない。すなわち、銀とマグネシウムとの組成比は、第２電極６４の有機活性層６２との界面６４Ａ側と第２電極６４の表面６４Ｂ側（すなわち対向基板２００と対向する側、あるいは、表示エリアが保護膜によって覆われている構成では保護膜との界面側）とでは異なる。
【００２８】
本実施の形態において、第２電極６４は、その銀濃度が表面６４Ｂ側の第１領域６４１より界面６４Ａ側の第２領域６４２の方が高くなるように形成されている。ここで、濃度とは、単位体積当たりに占める銀原子の割合（％）のことである。第２電極６４は、銀とマグネシウムとの２成分によって形成されている場合、銀の濃度が高くなると、マグネシウムの濃度が低くなる。すなわち、第２電極６４において、マグネシウムの濃度は、表面６４Ｂ側の第１領域６４１より界面６４Ａ側の第２領域６４２の方が低い。つまり、銀とマグネシウムとの組成比については、マグネシウムの割合は、第２領域６４２より第１領域６４１の方が高く、また、銀の割合は、第１領域６４１より第２領域６４２の方が高い。
【００２９】
このような第２電極６４によれば、界面６４Ａ近傍の領域でのマグネシウムの濃度は、低くなる。このため、たとえマグネシウムが酸化したとしても、界面６４Ａでの電子注入効率の低下を防ぐことが可能となる。これにより、有機ＥＬ素子の発光寿命を向上することが可能となる。
【００３０】
この実施の形態においては、特に第２電極６４を構成する銀及びマグネシウムを含む半透過層において、有機活性層６２との界面６４Ａ側に位置する第２領域６４２の銀濃度がこの第２領域６４２よりも表面６４Ｂ側に位置する第１領域６４１よりも高い（つまり、第２領域６４２のマグネシウム濃度が第１領域６４１よりも低い）関係を有することが特徴である。つまり、第２電極６４は、第２領域６４２の上に第１領域６４１を積層した２層構造でもよいが、上述した関係を有する３層以上の積層構造でもよく、その厚み方向において有機活性層６２との界面６４Ａに向かうにしたがって次第に銀濃度が高くなるように（つまり、連続的に銀濃度が変化するように）形成された構造であってもよい。
【００３１】
ここで、図４に示すような第２電極６４の半透過層において、有機活性層６２との界面６４Ａに接する領域（つまり第２電極６４の中で最も銀濃度が高い領域）Ｗの銀濃度と発光寿命との関係を調べた。ここでは、領域Ｗにおける銀濃度がそれぞれ９０％、８０％、７０％、及び６０％となるような有機ＥＬ素子のサンプルを同数個用意し、それぞれのサンプルの発光寿命を測定した。
【００３２】
この測定結果を図５に示す。図５においては、領域Ｗの銀濃度が９０％のサンプルについて得られた最大の発光寿命を１としたときの他のサンプルの発光寿命を相対値で示している。
【００３３】
図５に示した測定結果から、領域Ｗにおいては、銀濃度を８０％以上とする（つまりマグネシウム濃度は２０％未満とする）ことにより、十分に長い発光寿命を得られることが確認できた。因みに、領域Ｗの銀濃度が６０％のサンプルの発光寿命は、銀濃度が９０％のサンプルの発光寿命の約半分しか得られなかった。
【００３４】
以上説明したように、第２電極６４の界面６４Ａに接する領域Ｗにおいては、銀濃度が高いほどマグネシウム濃度が低くなるため、発光寿命を向上することが可能となる。特に、領域Ｗにおいて、銀濃度を８０％以上とすることにより、有機ＥＬ素子の発光寿命を十分に延ばすことが可能となる。
【００３５】
一方で、第２電極６４の半透過層に含まれる銀濃度には上限がある。すなわち、銀のみ（銀濃度が１００％）で半透過層を形成した場合、銀を成膜するときの基板温度の影響を受けやすい。このため、上述した実施の形態のように、半透過層は、銀にマグネシウムを混合した混合物によって形成されている。
【００３６】
ここで、銀とマグネシウムとの組成比をパラメータとして、成膜時の基板温度（℃）に対する電極のシート抵抗値（Ω／□）を測定した。基板上に銀の単層の電極を形成した場合、基板上に銀とマグネシウムとの組成比が銀：マグネシウム＝８：２の電極を形成した場合、及び、基板上に銀とマグネシウムとの組成比が銀：マグネシウム＝６：４の電極を形成した場合のそれぞれのサンプルにおいて、成膜時の基板温度におけるシート抵抗値を測定した。その測定結果を図６に示す。
【００３７】
この測定結果から、第２電極６４を銀の単層によって電極を形成したサンプルについては、最も基板温度の影響を受けることが分かる。基板温度が４５℃を越えると、電極のシート抵抗値が急激に増加する。つまり、シート抵抗値の増加が抑制できる基板温度のマージンが狭い。
【００３８】
一方、銀とマグネシウムとの混合物によって電極を形成したサンプルについては、いずれも基板温度の影響を受けにくく、安定したシート抵抗値が得られることが確認できた。
【００３９】
このように、第２電極６４の銀とマグネシウムとの組成比において、銀の割合が大きくなると、基板温度の影響を受けることが分かる。すなわち、マグネシウムの割合が大きくなるほど、基板温度の影響を受けにくくなることが分かる。つまり、基板温度の大幅な増加に対してもシート抵抗値の増加を抑制するためには、銀にマグネシウムを混合した電極構成を適用することが有効である。
【００４０】
本実施の形態では、第２電極６４は、マグネシウムと銀との混合物によって形成され、しかも、その界面６４Ａ近傍の領域において、マグネシウムの濃度が低く、銀の濃度が高くなるように形成されている。そのため、第２電極６４の界面近傍領域において、酸化が抑制され、発光寿命を向上することができるとともに、第２電極６４を成膜する過程での基板温度の影響を受けにくく、形成された第２電極６４のシート抵抗値の増加を抑制することが可能となる。
【００４１】
次に、本実施の形態において、有機ＥＬ素子の具体的な製造方法の一例について説明する。
【００４２】
まず、配線基板１２０上の表示エリア１０２において、複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に独立島状の第１電極６０を形成する。すなわち、配線基板１２０の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応したパターン（すなわち各色画素ＰＸの第１電極６０の形状に対応した開口パターン）を有する蒸着マスクを介して金属材料源を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【００４３】
続いて、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を形成する。すなわち、第１電極６０上を含む配線基板１２０の一主面側全体に感光性樹脂材料、例えば、アクリルタイプのポジティブトーンのレジストを成膜した後に、フォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、焼成処理を行う。これにより、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を囲むように第１電極６０の縁に沿った格子状の隔壁７０が形成される。
【００４４】
続いて、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）内における第１電極６０上に有機活性層６２を形成する。ここでは、有機活性層６２は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層６２Ａ、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されている。
【００４５】
まず、蒸着法などにより複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のホール注入層及びホール輸送層を連続して成膜し、ホール側共通層６２Ｈを形成する。ここでは、ホール注入層として、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）を成膜した。ホール輸送層として、α−ＮＰＤ（芳香族ジアミン）を成膜した。
【００４６】
その後、マスク蒸着法などにより色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のそれぞれに個別の発光層６２Ａ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を形成する。ここでは、赤色画素ＰＸＲに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にＤＣＭ色素を成膜した。また、緑色画素ＰＸＧに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にクマリン誘電体を成膜した。また、青色画素ＰＸＢに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にペリレンを成膜した。
【００４７】
その後、蒸着法などにより複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のブロッキング層、及び、電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層６２Ｅを形成する。ここでは、ブロッキング層として、ＢＡｌｑ（キリノール系錯体誘電体）を成膜した。さらに、電子輸送層として、Ａｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）を成膜した。
【００４８】
続いて、有機活性層６２上に複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の第２電極６４を形成する。すなわち、第２電極６４は、有機活性層６２を配置した配線基板１２０の一主面側に陰極として機能する金属材源をドライプロセス、例えば所定の開口パターンを有する蒸着マスクを介して蒸着するマスク蒸着法によって形成可能である。
【００４９】
ここでは、第２電極６４は、マグネシウム及び銀の混合物によって形成される。このとき、銀の蒸着レートを０．８オングストローム／ｓから０．４オングストローム／ｓまでに徐々に変化させる一方で、マグネシウムの蒸着レートを０．２オングストローム／ｓから０．６オングストローム／ｓまで徐々に変化させマグネシウムを同時に蒸着する。これにより、界面６４Ａ側の銀の濃度は高く（マグネシウムの濃度は低く）、表面６４Ｂ側のマグネシウムの濃度は高い（銀の濃度は低い）第２電極６４が形成される。
【００５０】
このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００５１】
このようにして形成した有機ＥＬ素子４０によれば、第２電極６４は、その厚み方向において有機活性層６２との界面６４Ａに向かうにしたがって次第に銀濃度が高くなるように形成されており、特に、界面６４Ａに接する領域においては銀濃度が最も高く、また、マグネシウム濃度が最も低い分布となっていた。そして、この有機ＥＬ素子によれば、十分に長い発光寿命が得られることが確認できた。
【００５２】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示した有機ＥＬ表示装置の第２電極の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示した第２電極の界面近傍領域を示す図である。
【図５】図５は、第２電極の界面近傍領域の銀濃度と発光寿命の関係を示した図である。
【図６】図６は、基板温度と電極のシート抵抗値との関係を示した図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…有機ＥＬ表示装置  ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…色画素
１０…画素回路  ＤＲＴ…駆動トランジスタ
ＳＷ１…第１スイッチ  ＳＷ２…第２スイッチ
ＳＷ３…第３スイッチ  Ｃｓ…蓄積容量素子
４０…有機ＥＬ素子  ６０…第１電極
６２…有機活性層  ６４…第２電極
６４Ａ…界面  ６４Ｂ…表面
Ｗ…界面近傍領域
７０…隔壁
１００…アレイ基板  １０２…表示エリア
２００…封止基板
【図１】
2009070621.tif 000003
【図２】
2009070621.tif 000004
【図３】
2009070621.tif 000005
【図４】
2009070621.tif 000006
【図５】
2009070621.tif 000007
【図６】
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