(57)【要約】【課題】光受信部へのクロストークを低減すると共に、小型化及び低コスト化を容易に実現すること。【解決手段】光送受信モジュール１ａは、相補的な差動信号で駆動され、外部に光信号を送信するレーザダイオード１８と、外部からの光信号を受信するフォトダイオード２０と、レーザダイオード１８及びフォトダイオード２０を収容するパッケージ１０と、を備え、レーザダイオード１８のアノードとパッケージ１０との間の静電容量と、該レーザダイオード１８のカソードとパッケージ１０との間の静電容量とが略等しい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補的な差動信号で駆動され、外部に光信号を送信するレーザダイオードと、
外部からの光信号を受信するフォトダイオードと、
前記レーザダイオード及び前記フォトダイオードを収容するパッケージと、
を備え、
前記レーザダイオードのアノードと前記パッケージとの間の静電容量と、該レーザダイオードのカソードと前記パッケージとの間の静電容量とが略等しい、
光送受信モジュール。
【請求項２】
前記パッケージに収容されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクの上面に設けられ、前記アノードと、前記パッケージに設けられた第１リードピンとを電気的に接続する第１配線と、
前記ヒートシンクの上面に設けられ、前記カソードと、前記パッケージに設けられた第２リードピンとを電気的に接続する第２配線と、
を更に備え、
前記第１リードピンと前記パッケージとの間の静電容量と、前記第１配線と前記パッケージとの間の静電容量との和と、前記第２リードピンと前記パッケージとの間の静電容量と、前記第２配線と前記パッケージとの間の静電容量との和とが略等しい、
請求項１に記載の光送受信モジュール。
【請求項３】
前記第１配線及び前記第２配線のうち一方の配線がダイパッドを有し、
前記レーザダイオードが、前記ダイパッド上に載置され、
前記第１配線及び前記第２配線のうち他方の配線のリードピン側端部に拡大部が設けられている、
請求項２に記載の光送受信モジュール。
【請求項４】
前記第１配線及び前記第２配線のうち一方の配線がダイパッドを有し、
前記レーザダイオードが、前記ダイパッド上に載置され、
前記第１配線及び前記第２配線のうち他方の配線が、前記一方の配線を取り囲むように屈曲して形成されている、
請求項２に記載の光送受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信において用いられる光送受信モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光送信部と光受信部とを一つのパッケージ内に収容した光送受信モジュールが知られている。この光送受信モジュールにおいては、光送信部が、レーザダイオードを駆動するための比較的大きな電流を扱う一方、光受信部は、フォトダイオードから出力された小さな光電流を扱う。そのため、光送信部から光受信部へのノイズの回り込み（クロストーク）が生じ易い。
【０００３】
このクロストークによる受信信号への影響を低減するために、下記特許文献１に記載の光送受信モジュールは、レーザダイオードのグラウンドとフォトダイオードのグラウンドとを、別々の金属板に搭載している。また、下記特許文献２に記載の光送受信モジュールは、レーザダイオードの裏面電極と基板とを直接電気接続させるとともに、受信側にシールド導体を設けている。このシールド導体は信号伝送導体と交差するように配置されている。更に、下記特許文献３に記載の光送受信装置は、各増幅部における、フォトダイオードからの出力信号のタイミングと、この出力信号に含まれるノイズのタイミングとをそれぞれ調整する遅延回路を備えている。
【特許文献１】特開２００５−２０３５５３号公報
【特許文献２】特開２００６−０４１２３４号公報
【特許文献３】特開２００６−２５３８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１及び２に記載の光送受信モジュールは、いずれも物理的手段によりノイズを抑制するため、一定範囲の空間を確保したり、専用の部材を設けたりする必要がある。一方、上記特許文献３に記載の光送受信装置では、遅延回路を設ける必要があるため、全体の回路規模が大きくなってしまう。そのため、これら光送受信モジュールの小型化及び低コスト化が容易でない。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決する為になされたものであり、光受信部へのクロストークを低減できると共に、小型化及び低コスト化を容易に実現できる光送受信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光送受信モジュールは、相補的な差動信号で駆動され、外部に光信号を送信するレーザダイオードと、外部からの光信号を受信するフォトダイオードと、前記レーザダイオード及び前記フォトダイオードを収容するパッケージと、を備え、前記レーザダイオードのアノードと前記パッケージとの間の静電容量と、該レーザダイオードのカソードと前記パッケージとの間の静電容量とが略等しい。
【０００７】
また本発明の光送受信モジュールでは、パッケージに収容されたヒートシンクと、ヒートシンクの上面に設けられ、アノードと、パッケージに設けられた第１リードピンとを電気的に接続する第１配線と、ヒートシンクの上面に設けられ、カソードと、パッケージに設けられた第２リードピンとを電気的に接続する第２配線と、を更に備え、第１リードピンとパッケージとの間の静電容量と、第１配線とパッケージとの間の静電容量との和と、第２リードピンとパッケージとの間の静電容量と、第２配線とパッケージとの間の静電容量との和とが略等しいことが好ましい。
【０００８】
これらの光送受信モジュールによれば、パッケージとレーザダイオードのアノードとの間の静電容量と、パッケージとレーザダイオードのカソードとの間の静電容量とがほぼ等しいので、レーザダイオードを駆動する相補的な差動信号が接地に漏れた場合に、接地電位がアノード及びカソードの中点電位として維持される。そのため、接地電位の揺らぎが小さくなり、フォトダイオードに伝播する接地電位の揺らぎも低減される。その結果、フォトダイオードが生成する電流信号のノイズ、すなわちクロストークを低減できる。また、このような光送受信モジュールでは、クロストークの低減の際に特別な遮蔽部材や特殊回路などを用いないので、光送受信モジュールの小型化及び低コスト化を容易に実現できる。
【０００９】
本発明の光送受信モジュールでは、前記第１配線及び前記第２配線のうち一方の配線がダイパッドを有し、前記レーザダイオードが、前記ダイパッド上に載置され、前記第１配線及び前記第２配線のうち他方の配線のリードピン側端部に拡大部が設けられていることが好ましい。
【００１０】
また本発明の光送受信モジュールでは、前記第１配線及び前記第２配線のうち一方の配線がダイパッドを有し、前記レーザダイオードが、前記ダイパッド上に載置され、前記第１配線及び前記第２配線のうち他方の配線が、前記一方の配線を取り囲むように屈曲して形成されていることが好ましい。
【００１１】
これらの光送受信モジュールによれば、第１配線及び第２配線のうち他方の配線の面積が拡張される。第１配線及び第２配線に係るパッケージに対する静電容量は、各配線の面積に基づいて決まるので、このように他方の配線の面積を拡張することで、レーザダイオードのアノードに係る静電容量とカソードに係る静電容量とが略等しくなる。そのため、接地電位がアノード及びカソードの中点電位として維持され、接地電位の揺らぎが小さくなるので、フォトダイオードに伝播する接地電位の揺らぎが低減される。その結果、フォトダイオードが生成する電流信号のノイズ、すなわちクロストークを低減できる。また、このような光送受信モジュールも、クロストークの低減の際に特別な遮蔽部材や特殊回路などを用いないので、光送受信モジュールの小型化及び低コスト化を容易に実現できる。
【発明の効果】
【００１２】
このような光送受信モジュールによれば、光受信部へのクロストークを低減できると共に、小型化及び低コスト化を容易に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る光送受信モジュール１ａの斜視図である。図２はその光送受信モジュール１ａの上面図である。図３は図１に示すヒートシンク１６上の配線を示す拡大斜視図である。図４は、光送受信モジュール１ａの回路図である。
【００１５】
光送受信モジュール１ａは、１Ｇｂｐｓ以上の双方向高速光データ通信に用いられる。光送受信モジュール１ａは、略円形のステム１０ａと図示しないキャップとを有するパッケージ１０を備えている。ステム１０ａの上面には、光出力モニタフォトダイオード（以下「光出力モニタ」という）１２、波長フィルタ１４、ヒートシンク１６、レーザダイオード（以下「ＬＤ」という）１８、フォトダイオード（以下「ＰＤ」という）２０、及びプリアンプ２２が設置されている。これらの構成部品は、図２に示すように、ステム１０ａの中心を中心点とする直径２４ｍｍの実装領域Ａ内にほぼ収まるように配置されており、図示しないキャップをステム１０ａの上面に固定することによりパッケージ１０内に収容される。
【００１６】
パッケージ１０には複数のリードピン２４が設けられている。これらリードピン２４は、実装領域Ａを囲むようにステム１０ａを貫通しており、低融点ガラスなどのシールガラス２６によって固定されている。リードピン２４は、給電、接地および電気信号の入出力端子として利用される。各リードピン２４は、直径２５μｍ程度の細径金ワイヤを介して半導体デバイス及び配線部材と接続されている。光送受信モジュール１ａは、リードピン２４ａを介して電源電圧ＶＣＣ端子と接続されると共に、リードピン２４ｂを介して接地されている。更に光送受信モジュール１ａは、リードピン２４ｃ及びリードピン２４ｄを介してＬＤ駆動回路３と接続されると共に、リードピン２４ｅ及びリードピン２４ｆを介してリミティングアンプ回路（以下「ＬＡ回路」という）４と接続されている（図４）。
【００１７】
光出力モニタ１２は、後述するＬＤ１８の出力を測定する部品である。波長フィルタ１４は、光に含まれる波長成分を波長に応じて選択的に反射する部品である。
【００１８】
ヒートシンク１６は直方体形状であり、光出力モニタ１２と波長フィルタ１４との間に設けられている（図３）。ヒートシンク１６の上面には、第１配線２８と、ダイパッドを兼ねる第２配線３０（ダイパッドを備える第２配線）とが、それぞれ該ヒートシンク１６の長手方向に延びるように設けられている。言い換えれば、第１配線２８と第２配線３０とは、ヒートシンク１６上において互いに並行するように設けられている。
【００１９】
ＬＤ１８は、第２配線３０の一端部３０ａ上（ダイパッド上）に載置されている。ＬＤ１８にはｎ型基板が用いられており、ＬＤ１８の下面（第２配線３０と接する面）はカソード、上面はアノードである。なおｐ型基板を用いたＬＤの場合は、下面がアノード、上面がカソードとなる。したがって、ＬＤ１８は、第２配線３０上に載置されることにより、そのカソードと第２配線３０とが電気的に接続される。
【００２０】
第１配線２８の一端部２８ａとＬＤ１８のアノードとは、ボンディングワイヤＷ１により接続されており、第１配線２８の他端部（リードピン側端部）２８ｂとリードピン２４ｃとは、ボンディングワイヤＷ２により接続されている（図３）。一方、第２配線３０の他端部３０ｂは、ボンディングワイヤＷ３を介してリードピン２４ｄと接続されている（図３）。すなわち、リードピン２４ｃ及び２４ｄは、それぞれ第１リードピン、第２リードピンとして機能する。これによりＬＤ１８は、ＬＤ駆動回路３からリードピン２４ｃ及び２４ｄを介して供給される相補的な差動信号（電流パルス）により駆動され、その差動信号に応じた光信号を外部に出力する。なお、差動信号の電流値は数十ｍＡｐ−ｐ（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｐｅａｋ）である。
【００２１】
第１配線２８の他端部２８ｂは、第２配線３０の他端部３０ｂ側に逆Ｌ字状に屈曲して形成されている。また、第１配線２８の他端部２８ｂは、ヒートシンク１６の長手方向、すなわち第２配線３０に沿う方向に拡大されている。すなわち、第１配線２８の他端部２８ｂには、ヒートシンク１６の長手方向及び幅方向に拡大された拡大部が設けられている（図３及び４）。
【００２２】
ＰＤ２０は、外部からパッケージ１０に対して接続された光ファイバ（図示せず）からの光信号を受信して電流信号に変換する。ＰＤ２０が生成する電流信号の電流値は数μＡｐ−ｐである。ＰＤ２０は、ボンディングワイヤＷ４を介してプリアンプ２２と接続されている（図３）。
【００２３】
プリアンプ２２は、ＰＤ２０からの電流信号を増幅する。プリアンプ２２はリードピン２４ａを介して電源電圧ＶＣＣ端子に接続されると共に、リードピン２４ｂを介して接地されている（図４）。更にプリアンプ２２は、リードピン２４ｅ及びリードピン２４ｆを介してＬＡ回路４と接続されている。プリアンプ２２とリードピン２４ａとを結ぶ配線の途中にはコンデンサＣの一端が接続されている。コンデンサＣの他端はリードピン２４ｇに接続されている。
【００２４】
次に、ＬＤ駆動回路３からＬＤ１８に差動信号を供給した際の光送受信モジュール１ａの特性について説明する。
【００２５】
リードピン２４ｃとパッケージ１０との間の静電容量をＣＬＡ、リードピン２４ｄとパッケージ１０との間の静電容量をＣＬＫ、第１配線２８とパッケージ１０との間の静電容量をＣＨＡ、第２配線３０とパッケージとの間の静電容量をＣＨＫとする。そして、各リードピン２４が貫通するリード孔の内径を０．８ｍｍ、各リードピンの径を０．３ｍｍ、ステム１０ａの厚さを１．２ｍｍとし、各リードピン２４とステム１０ａとの間を誘電率が６．５のシールガラス２６で充填した場合、静電容量ＣＬＡ及びＣＬＫは、それぞれ０．２５ｐＦである。この値は、中心導体と、誘電率６．５の絶縁体を挟んでその中心導体を取り巻く導電体との間の静電容量を計算することで得られる。
【００２６】
また、ヒートシンク１６として厚さ０．５５ｍｍの窒化アルミを用いた場合、ヒートシンク１６の誘電率は約９である。このヒートシンク１６の厚さ及び誘電率と、第１配線２８及び第２配線３０それぞれの面積とに基づいて静電容量ＣＨＡ及びＣＨＫを計算すると、ＣＨＡ＝０．０２２ｐＦ、ＣＨＫ＝０．０３０ｐＦとなり、両者の値が略等しくなる。
【００２７】
したがって、ＬＤ１８のアノードとパッケージ１０との間の静電容量をＣＡ、ＬＤ１８のカソードとパッケージ１０との間の静電容量をＣＫとすると、
ＣＡ＝ＣＬＡ＋ＣＨＡ＝０．２７２（ｐＦ）
ＣＫ＝ＣＬＫ＋ＣＨＫ＝０．２８０（ｐＦ）
となる。すなわち、静電容量ＣＡと静電容量ＣＫとは略等しくなる。
【００２８】
比較のために、図５及び６で示される従来の光送受信モジュール９の特性を示す。光送受信モジュール９が光送受信モジュール１ａと異なるのは、Ｌ字状の第１配線９０の他端部９０ｂがヒートシンク１６の長手方向（第２配線３０に沿う方向）に延びていないことである。そのため、第１配線９０の面積が、対応する第１配線２８の面積よりも縮小する一方で、第２配線３０の面積が拡張されている。この場合、光送受信モジュール９における静電容量ＣＨＡ及びＣＨＫは、それぞれ０．０１７ｐＦ、０．０３５ｐＦとなる。なお、光送受信モジュール９におけるヒートシンク１６の厚さ及び誘電率は、光送受信モジュール１ａにおける場合と同じである。
【００２９】
したがって、
ＣＡ＝ＣＬＡ＋ＣＨＡ＝０．２６７（ｐＦ）
ＣＫ＝ＣＬＫ＋ＣＨＫ＝０．２８５（ｐＦ）
となる。
【００３０】
このように、光送受信モジュール１ａと光送受信モジュール９とで静電容量ＣＡ及びＣＫが異なるのは、リードピン２４ｃとＬＤ１８のアノードとを接続する配線の形状と、リードピン２４ｄとＬＤ１８のカソードとを接続する配線の形状とが、光送受信モジュール１ａと光送受信モジュール９で異なる結果、それらの配線の面積が光送受信モジュール１ａと光送受信モジュール９で異なるからである。
【００３１】
光送受信モジュール１ａでは、第１配線２８の他端部２８ｂを拡大することで第１配線２８の面積を拡げているので、静電容量ＣＡ及びＣＫが略等しくなる。これにより、ＬＤ駆動回路３からの相補的な差動信号が第１配線２８及び第２配線３０に伝播し、差動信号がこれら二つの配線から接地に漏れた場合に、接地電位がアノード及びカソードの中点電位として維持されるので、接地電位の揺らぎが小さくなる。その結果、ＰＤ２０に伝播する接地電位の揺らぎも低減されるので、ＰＤ２０が生成する電流信号に対するノイズを抑制できる。
【００３２】
上述のように、差動信号の電流値とＰＤ２０が生成する電流信号の電流値との比は１０３を超える。実装領域Ａの径は２４ｍｍ程度であるため、ＬＤ１８駆動時の差動信号によって実装領域Ａ全域が電磁界によるノイズの影響を受ける。従来の光送受信モジュール９では、ＰＤ２０が受信する微弱な光信号がそのノイズに埋没してしまう（クロストーク）。このようなクロストークは、データ信号の伝送速度が上がるほど顕著に現れる。それは、高周波ほど特性波長が短くなり、電磁界の効果の度合いが大きくなるからである。
【００３３】
これに対し、光送受信モジュール１ａでは、上述のように、特別な遮蔽部材や特殊回路などを用いることなくクロストークの低減を実現できる。そのため、光送受信モジュール１ａの小型化及び低コスト化を容易に実現できる。
【００３４】
なお、静電容量ＣＡ及びＣＫをほぼ等しくすることは、第１配線２８の途中に拡大部を設けることでも実現できる。しかし、この場合には配線の特性インピーダンスが乱れてしまうので、拡大部は配線の端部に設けられるのが好ましい。光送受信モジュール１ａでは、第１配線２８の一端部２８ａ付近にＬＤ１８が配置されているので、第１配線２８の他端部２８ｂを拡大することで第１配線２８の面積を拡げるようにしている。一般に、ボンディングワイヤ単独ではインピーダンスの整合を確保することが困難であり、第１実施形態のように配線の端部を拡大してもボンディングワイヤを若干延長することにしかならず、拡大部に起因するインピーダンス不整合の影響を軽減できる。
【００３５】
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態に係る光送受信モジュール１ｂのヒートシンク１６上の配線を示す拡大斜視図である。図８は、光送受信モジュール１ｂの回路図である。この光送受信モジュール１ｂは、第１実施形態における第１配線２８に代えて第１配線４０を有する。第２実施形態の他の構成は第１実施形態と同じなので、説明を省略する。
【００３６】
第１配線４０は第２配線３０を取り囲むように屈曲して形成されている。ボンディングワイヤＷ１は、ＬＤ１８のアノードと第１配線４０の一端部４０ａとを接続している。ボンディングワイヤＷ２は、リードピン２４ｃと第１配線４０の屈曲部４０ｂとを接続している。
【００３７】
この場合も、第１配線４０の面積が大きく確保される。このとき、静電容量ＣＨＡ及びＣＨＫを計算すると、ＣＨＡ＝０．０３１ｐＦ、ＣＨＫ＝０．０３４ｐＦとなり、両者の値は略等しくなる。
【００３８】
したがって、
ＣＡ＝ＣＬＡ＋ＣＨＡ＝０．２８１（ｐＦ）
ＣＫ＝ＣＬＫ＋ＣＨＫ＝０．２８４（ｐＦ）
となる。すなわち、静電容量ＣＡ及びＣＫの差も略等しい。これにより、差動信号が第１配線４０及び第２配線３０から接地に漏れた場合に、接地電位がアノード及びカソードの中点電位として維持されるので、接地電位の揺らぎが小さくなる。その結果、ＰＤ２０に伝播する接地電位の揺らぎも低減されるので、ＰＤ２０が生成する電流信号に対するノイズを抑制できる。すなわち、特別な遮蔽部材や特殊回路などを用いることなくクロストークの低減を実現できる。
【００３９】
（第３実施形態）
図９は、第３実施形態に係る光送受信モジュール１ｃのヒートシンク１６上の配線を示す拡大斜視図である。図１０は、光送受信モジュール１ｃの回路図である。この光送受信モジュール１ｃは、第１実施形態における第１配線２８に代えて第１配線４２を有する。第３実施形態の他の構成は第１実施形態と同じなので、説明を省略する。
【００４０】
ボンディングワイヤＷ１は、ＬＤ１８のアノードと第１配線４２の一端部４２ａとを接続している。ボンディングワイヤＷ２は、リードピン２４ｃと第１配線４２の他端部（リードピン側端部）４２ｂとを接続している。第１配線４２の他端部４２ｂは、Ｔ字状に形成され、ヒートシンク１６の長手方向、すなわち第２配線３０に沿う方向に拡大されている。すなわち、第１配線４２の他端部４２ｂには、ヒートシンク１６の長手方向及び幅方向に拡大された拡大部が設けられている。
【００４１】
この場合、第１配線４２の面積が第１配線２８よりも大きく確保される。このとき、静電容量ＣＨＡ及びＣＨＫを計算すると、ＣＨＡ＝０．０２８ｐＦ、ＣＨＫ＝０．０３１ｐＦとなり、両者の値は略等しくなる。
【００４２】
したがって、
ＣＡ＝ＣＬＡ＋ＣＨＡ＝０．２７８（ｐＦ）
ＣＫ＝ＣＬＫ＋ＣＨＫ＝０．２８１（ｐＦ）
となる。すなわち、静電容量ＣＡ及びＣＫの差も略等しい。これにより、差動信号が第１配線４２及び第２配線３０から接地に漏れた場合に、接地電位がアノード及びカソードの中点電位として維持されるので、接地電位の揺らぎが小さくなる。その結果、ＰＤ２０に伝播する接地電位の揺らぎも低減されるので、ＰＤ２０が生成する電流信号に対するノイズを抑制できる。すなわち、特別な遮蔽部材や特殊回路などを用いることなくクロストークの低減を実現できる。
【００４３】
次に、図１１を用いて、上記各実施形態に係る光送受信モジュール１ａ〜１ｃ及び従来の光送受信モジュール９におけるクロストーク量の計算結果を示す。図１１は、有限要素法による電磁界解析の結果を示すグラフである。図１１のグラフの横軸は周波数（ＧＨｚ）であり、縦軸はクロストーク量（ｄｂ）である。図１１に示すように、光送受信モジュール９の従来クロストーク量ＣＴ９は、周波数４ＧＨｚに対して約−８７ｄｂである。これに対応する光送受信モジュール１ａのクロストーク量ＣＴ１、光送受信モジュール１ｂのクロストーク量ＣＴ２、及び光送受信モジュール１ｃのクロストーク量ＣＴ３は、いずれも−９４ｄｂ未満である。したがって、図１１の矢印Ｄで示すように、光送受信モジュール１ａ〜１ｃにおけるクロストークは、光送受信モジュール９のそれと比較しておよそ８ｄＢ改善されていることになる。
【００４４】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で以下のような様々な変形が可能である。例えば、第１配線の形状は、上記第１〜第３実施形態に示したものに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施形態に係る光送受信モジュールの斜視図である。
【図２】図１に示す光送受信モジュールの上面図である。
【図３】図１に示すヒートシンク上の配線を示す拡大斜視図である。
【図４】図１に示す光送受信モジュールの回路図である。
【図５】従来の光送受信モジュールの拡大斜視図である。
【図６】従来の光送受信モジュールの回路図である。
【図７】第２実施形態に係る光送受信モジュールの拡大斜視図である。
【図８】図７に示す光送受信モジュールの回路図である。
【図９】第３実施形態に係る光送受信モジュールの拡大斜視図である。
【図１０】図９に示す光送受信モジュールの回路図である。
【図１１】有限要素法による電磁界解析の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１ａ，１ｂ，１ｃ…光送受信モジュール、３…ＬＤ駆動回路、１０…パッケージ、１６…ヒートシンク、１８…ＬＤ、２０…ＰＤ、２４ｃ…リードピン（第１リードピン）、２４ｄ…リードピン（第２リードピン）、２８，４０，４２…第１配線（他方の配線）、２８ｂ，４２ｂ…第１配線の他端部（他方の配線のリードピン側端部）、３０…第２配線（一方の配線）、ＣＡ…ＬＤのアノードとパッケージとの間の静電容量、ＣＫ…ＬＤのカソードとパッケージとの間の静電容量、ＣＨＡ…第１配線とパッケージとの間の静電容量、ＣＨＫ…第２配線とパッケージとの間の静電容量、ＣＬＡ…第１リードピンとパッケージとの間の静電容量、ＣＬＫ…第２リードピンとパッケージとの間の静電容量。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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