(57)【要約】【課題】比較的高さの高い電子部品を内蔵する場合であっても、ビアホール導体を狭ピッチに形成することが可能な電子部品内蔵モジュールを提供する。【解決手段】電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０が埋め込まれ、中継基板１４０に電気的に接続されたビアホール導体１８２が形成された絶縁層１２０と、絶縁層１２０からみて一方の側に形成され、少なくとも電子部品１３１，１３２に電気的に接続された配線層１６１と、絶縁層１２０からみて他方の側に形成された配線層１６３とを備え、電子部品１３１と配線層１６３は、中継基板１４０及びビアホール導体１８２を介して電気的に接続されている。本発明によれば、配線層１６１，１６３が中継基板１４０を介して接続されていることから、ビアホール導体１８２の深さが低減する。これにより、ビアホールの開口径を小さくすることができる。【選択図】図１
2009289802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品及び中継基板が埋め込まれた絶縁層と、
前記絶縁層からみて一方の側に形成され、前記電子部品及び前記中継基板に電気的に接続された第１の配線層と、
前記絶縁層からみて他方の側に形成された第２の配線層と、
前記第２の配線層と前記中継基板とを電気的に接続するビアホール導体と、を備え、
前記第１の配線層と前記第２の配線層は、前記中継基板及び前記ビアホール導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子部品内蔵モジュール。
【請求項２】
前記絶縁層からみて前記一方の側に配置された第１のコア基板をさらに備え、前記電子部品及び前記中継基板は、前記第１のコア基板に実装されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項３】
前記絶縁層からみて前記他方の側に配置された第２のコア基板をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項４】
前記中継基板には半導体ＩＣが埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項５】
第１のコア基板上に電子部品及び中継基板を実装する工程と、
前記第１のコア基板上に絶縁層を形成することによって、前記電子部品及び前記中継基板を前記絶縁層に埋め込む工程と、
前記中継基板に電気的に接続されるビアホール導体を前記第１のコア基板とは反対側から前記絶縁層に形成する工程と、を備えることを特徴とする電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層からみて前記第１のコア基板とは反対側に第２のコア基板を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品内蔵モジュール及びその製造方法に関し、特に、マザーボードに搭載される高機能な電子部品内蔵モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、携帯電話機などの電子機器には、半導体ＩＣやキャパシタなどの電子部品が搭載されたマザーボードが用いられる。マザーボードには、これらの電子部品が直接搭載されるほか、あらかじめ電子部品などが実装されたモジュールが搭載されることがある。
【０００３】
このようなモジュールは、多層配線構造を有するモジュール基板と、モジュール基板の表面に実装された電子部品によって構成されることが一般的である。しかしながら、近年における高機能化の要求により、電子部品をモジュール基板の表面に実装するだけでなく、モジュール基板の内部に電子部品を埋め込む技術が提案されている（特許文献１参照）。これによれば、モジュール基板の表面をより有効に利用できることから、高機能なモジュールを構成することが可能となる。
【特許文献１】特開２００３−１９７８４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、モジュール基板に埋め込む電子部品の中には、比較的高さの高い部品が存在する。このような場合、電子部品が埋め込まれる絶縁層の厚さがある程度厚くなることから、絶縁層の上下で導通をとるためには、絶縁層を貫通する深いビアホール形成する必要があった。
【０００５】
ビアホールを形成する方法としては、ドリルを用いる方法や、レーザー照射による方法が知られている。しかしながら、ドリルを用いる方法では、多数のビアホールを狭ピッチに形成することが困難であるという問題がある。一方、レーザー照射による方法によれば、ドリルを用いる方法と比べて狭ピッチなビアホールを形成することが可能であるが、レーザー照射によって形成されるビアホールは、断面がテーパー形状となってしまう。このため、ビアホールの深さが増大すると、レーザー照射側の開口径が不可避的に増大し、ビアホールの形成ピッチが制限されてしまうという問題があった。
【０００６】
このように、比較的高さの高い電子部品をモジュール基板に内蔵する場合、ビアホール導体の形成ピッチを狭くすることが困難であり、これがモジュールを小型化する妨げとなっていた。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、比較的高さの高い電子部品を内蔵する場合であっても、ビアホール導体を狭ピッチに形成することが可能な電子部品内蔵モジュール及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による電子部品内蔵モジュールは、電子部品及び中継基板が埋め込まれた絶縁層と、絶縁層からみて一方の側に形成され、電子部品及び中継基板に電気的に接続された第１の配線層と、絶縁層からみて他方の側に形成された第２の配線層と、第２の配線層と中継基板とを電気的に接続するビアホール導体とを備え、第１の配線層と第２の配線層は、中継基板及びビアホール導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、絶縁層の上下に形成された配線層が中継基板を介して接続されていることから、ビアホール導体の深さを低減することが可能となる。これにより、ビアホールをレーザー照射によって形成する場合であっても、レーザー照射側の開口径が小さく抑えられることから、ビアホール導体の形成ピッチを縮小することが可能となる。
【００１０】
本発明による電子部品内蔵モジュールは、絶縁層からみて一方の側に配置された第１のコア基板をさらに備え、電子部品及び中継基板は、第１のコア基板に実装されていることが好ましい。これによれば、強度の高いコア基板に電子部品及び中継基板を実装した後、これらを絶縁層に埋め込むことができることから、製造が容易となる。しかも、コア基板によってモジュール全体の機械的強度が増大することから、信頼性を高めることも可能となる。
【００１１】
本発明による電子部品内蔵モジュールは、絶縁層からみて他方の側に配置された第２のコア基板をさらに備えることが好ましい。これによれば、モジュール全体の機械的強度がより高められる。しかも、絶縁層の両側にコア基板が位置することから、温度変化に起因するモジュールの反りなども生じにくくなる。さらに、第２の配線層を第２のコア基板上に形成することができることから、配線層と絶縁層との密着性が低い場合であっても、絶縁層の表面に配線層を直接形成する必要がなくなる。
【００１２】
本発明においては、中継基板に半導体ＩＣが埋め込まれていることが好ましい。これによれば、モジュールをより高機能化することが可能となる。また、半導体ＩＣは、中継基板の内部のみならず、モジュールの表面に実装することも可能である。
【００１３】
また、本発明による電子部品内蔵モジュールの製造方法は、第１のコア基板上に電子部品及び中継基板を実装する工程と、第１のコア基板上に絶縁層を形成することによって、電子部品及び中継基板を絶縁層に埋め込む工程と、中継基板に電気的に接続されるビアホール導体を第１のコア基板とは反対側から絶縁層に形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、ビアホール導体の深さが絶縁層の厚さよりも十分に小さくなることから、ビアホール導体の形成ピッチを縮小することが可能となる。
【００１５】
本発明において、ビアホール導体の形成は、レーザー照射によって絶縁層にビアホールを形成した後、ビアホール内に導体を形成することによって行うことが好ましい。このように、レーザー照射によってビアホールを形成する場合であっても、レーザー照射側の開口径を小さく抑えることができるため、ビアホール導体の形成ピッチを縮小することが可能となる。
【００１６】
本発明による電子部品内蔵モジュールの製造方法は、絶縁層からみて第１のコア基板とは反対側に第２のコア基板を形成する工程をさらに備えることが好ましい。これによれば、より機械的強度の高いモジュールを作製することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明によれば、比較的高さの高い電子部品をモジュール内部に内蔵する場合であっても、ビアホール導体を狭ピッチに形成することが可能となる。これにより、モジュールを小型化しつつ、高機能化を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好ましい第１の実施形態による電子部品内蔵モジュール１００の構造を示す略断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００は、コア基板１１０と、コア基板１１０の一方の面１１０ａ側に設けられた絶縁層１２０と、絶縁層１２０に埋め込まれた電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０と、コア基板１１０の他方の面１１０ｂ側に設けられた半導体ＩＣ１５０とを備えている。
【００２１】
コア基板１１０は、ガラスクロス、ケブラー、液晶ポリマーなどの樹脂クロス、アラミド、芳香族ポリエステルなどの不織布、フッ素樹脂などの多孔質シート等からなる芯材に、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等を含浸させた構成を有している。このため、コア基板１１０は、比較的高い機械的強度を有している。コア基板１１０の厚さについては特に限定されないが、１００μｍ以下に設定することが好ましい。
【００２２】
コア基板１１０の一方の面１１０ａには配線層１６１が形成されており、配線層１６１が形成されていない部分はレジスト１７１によって覆われている。また、コア基板１１０の他方の面１１０ｂには配線層１６２が形成されている。これらの配線層１６１，１６２の一部は、コア基板１１０を貫通して設けられたビアホール導体１８１によって電気的に接続されている。
【００２３】
図１に示すように、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０は、コア基板１１０に設けられた配線層１６１に接続されている。埋め込まれる電子部品の種類については特に限定されず、チップコンデンサ、チップキャパシタ、抵抗器などの受動素子であっても構わないし、トランジスタやダイオードなどの能動素子であっても構わないし、半導体ＩＣであっても構わない。また、埋め込まれる電子部品の数についても特に限定されない。
【００２４】
中継基板１４０は半導体ＩＣ１４１を内蔵した多層基板であり、別途作製される回路部品である。換言すれば、中継基板１４０は、それ自体で所定の機能を果たすサブモジュールである。中継基板１４０の一方の表面１４０ａには端子電極１４２が設けられており、配線層１６１に接続されている。特に限定されるものではないが、端子電極１４２としては半田バンプを用いることが好ましい。中継基板１４０の他方の表面１４０ｂには端子電極１４３が設けられている。
【００２５】
中継基板１４０に含まれる内部配線１４４は、半導体ＩＣ１４１と端子電極１４２，１４３とを接続するものと、端子電極１４２と端子電極１４３とを接続するものが含まれている。すなわち、中継基板１４０は、内蔵した半導体ＩＣ１４１によって所定の動作を行うとともに、端子電極１４２と端子電極１４３を短絡させる回路基板としての役割を果たす。
【００２６】
絶縁層１２０は、上述の通り、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０が埋め込まれる層であり、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴレジン）、フェノール樹脂、ビニルベンジル樹脂、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンエーテルオキサイド）樹脂（ＰＰＥ，ＰＰＯ）、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などを選択することができる。また、上記樹脂にフィラーを含有させた材料を用いてもよい。
【００２７】
絶縁層１２０の厚さは、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０が完全に埋め込まれるよう、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０の高さよりも厚く設定される。したがって、埋め込むべき電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０の高さが高いほど、絶縁層１２０の厚さを厚くする必要がある。
【００２８】
図１に示すように、絶縁層１２０の表面１２０ａには配線層１６３が設けられており、その一部は、ビアホール導体１８２を介して中継基板１４０の端子電極１４３に接続されている。これにより、配線層１６３の一部は、中継基板１４０に内蔵された半導体ＩＣ１４１に接続され、他の一部は、中継基板１４０を経由して配線層１６１に接続される。上述の通り、配線層１６１には電子部品１３１，１３２が接続されているため、配線層１６２と電子部品１３１，１３２とは、ビアホール導体１８２、中継基板１４０及び配線層１６１を介して電気的に接続されることになる。絶縁層１２０の表面１２０ｂは、コア基板１１０と接している。
【００２９】
半導体ＩＣ１５０は、導電性ペースト１５１を介してコア基板１１０に搭載されている。半導体ＩＣ１５０のパッド電極１５２は、ボンディングワイヤ１５３を介して配線層１６２に接続されている。ボンディングワイヤ１５３は、封止樹脂１５４によって保護されている。図１に示した例では、半導体ＩＣ１５０の主面が封止樹脂１５４によって覆われていないが、主面の全面を封止樹脂１５４によって覆っても構わない。すなわち、ＰＤＩＣ（Photo Diode IC）のように受光面を露出する必要のある半導体ＩＣを用いる場合には、図１に示したように主面を露出すればよく、そのような必要のない半導体ＩＣを用いる場合には、全面を封止樹脂１５４によって覆えばよい。
【００３０】
以上が本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００の構成である。このように、本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００は、比較的厚さの大きい絶縁層１２０を備えているが、絶縁層１２０を貫通するビアホール導体は設けられておらず、絶縁層１２０の両側に位置する配線層１６１と配線層１６３は、中継基板１４０を経由して電気的に接続されている。このため、絶縁層１２０に形成すべきビアホール導体１８２の深さが浅くなることから、ビアホール導体１８２の形成ピッチを縮小することが可能となる。特に、中継基板１４０の厚さを絶縁層１２０の厚さの半分以上に設定すれば、ビアホール導体１８２の深さを十分に浅くすることができることから、ビアホール導体１８２をより狭ピッチに形成することが可能となる。
【００３１】
しかも、本実施形態においては、中継基板１４０の回路構成によって、モジュール１００の機能や、配線層１６１と配線層１６３との接続関係を変えることができる。このため、種々の回路構成を持った中継基板１４０を適宜選択することにより、モジュール１００の他の部分の設計を変えることなく、所望の機能を持ったモジュールを構成することが可能となる。例えば、内蔵された半導体ＩＣ１４１の種類が異なる複数の中継基板１４０を用意しておき、この中から必要な中継基板１４０を選択して絶縁層１２０に埋め込めば、モジュール１００の機能を変えることが可能となる。したがって、モジュール１００の設計コストを削減することも可能となる。
【００３２】
以上の構成を有する電子部品内蔵モジュール１００は、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、携帯電話機などの電子機器のマザーボードに搭載することができる。
【００３３】
次に、本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００の製造方法について説明する。
【００３４】
図２〜図６は、本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００の製造方法を説明するための工程図である。
【００３５】
図２に示すように、まずコア基板１１０を用意する。上述の通り、コア基板１１０は芯材に樹脂を含浸させた高強度基板であり、その両面には配線層１６１，１６２が形成されている。配線層１６１，１６２の形成方法については特に限定されず、導体箔をエッチングすることによって形成しても構わないし、メッキによって形成しても構わない。配線層１６１，１６２の一部は、ビアホール導体１８１によって電気的に接続されている。
【００３６】
次に、図３に示すように、コア基板１１０に電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０を実装する。電子部品１３１，１３２の実装は半田１３３を用いて行い、中継基板１４０の実装は端子電極１４２を構成する半田バンプを用いて行う。つまり、コア基板１１０に設けられた配線層１６１に半田を供給した後、これら電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０を所定の位置に載置し、一括リフローを行う。これにより、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０がコア基板１１０に電気的且つ機械的に接続される。
【００３７】
次に、図４に示すように、Ｂステージ状態（半硬化状態）の熱硬化性樹脂、又は、加熱溶融可能な熱可塑性樹脂を用いて電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０を埋め込んだ後、これを硬化させることによって絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０は単層構造であっても構わないし、複数の樹脂を用いて電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０を埋め込んでも構わない。例えば、電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０によって生じている段差をスペーサによって埋めた後、隙間に他の樹脂を流し込むことによって絶縁層１２０を形成することができる。
【００３８】
次に、図５に示すように、絶縁層１２０の表面１２０ａ側から、つまり、コア基板１１０とは反対側からレーザー照射を行うことにより、絶縁層１２０にビアホール１８２ａを形成する。ビアホール１８２ａは、底部において中継基板１４０の端子電極１４３が露出するように形成する。既に説明したように、レーザー照射によって形成されたビアホールは断面がテーパー状であり、底部における開口径よりもレーザー照射側の開口径の方が大きくなる。このため、ビアホールの深さが深いと、その分レーザー照射側の開口径が大きくなり、これによってビアホールの形成ピッチが制限されてしまう。しかしながら、本実施形態では、ビアホール１８２ａの深さが中継基板１４０までの深さで足りることから、絶縁層１２０を貫通するビアホールを形成する場合と比べて、開口径を縮小することが可能となる。このため、端子電極１４３の形成ピッチが狭い場合であっても、正しくビアホール１８２ａを開口することが可能となる。
【００３９】
次に、図６に示すように、ビアホール１８２ａの内部にビアホール導体１８２を形成するとともに、絶縁層１２０の表面１２０ａに配線層１６３を形成する。これらビアホール導体１８２及び配線層１６３の形成方法についても特に限定されない。これにより、配線層１６３は、ビアホール導体１８２、中継基板１４０及び配線層１６１を介して、電子部品１３１，１３２に電気的に接続された状態となる。
【００４０】
その後は、図１に示したように、コア基板１１０に半導体ＩＣ１５０を搭載し、ボンディングワイヤ１５３を用いた接続及び樹脂封止を行うことにより、本実施形態による電子部品内蔵モジュール１００が完成する。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態による製造方法によれば、絶縁層１２０の厚さが厚いにもかかわらず、これを貫通するビアホールを形成する必要がない。これにより、ビアホールの形成ピッチを縮小することが可能となる。
【００４２】
次に、本発明の好ましい第２の実施形態について説明する。
【００４３】
図７は、本発明の好ましい第２の実施形態による電子部品内蔵モジュール２００の構造を示す略断面図である。
【００４４】
図７に示すように、本実施形態による電子部品内蔵モジュール２００は、絶縁層１２０の表面１２０ａに別のコア基板２１０が設けられており、ビアホール導体１８２がコア基板２１０を貫通している。また、配線層１６３が絶縁層１２０の表面１２０ａではなく、コア基板２１０の表面に設けられている。その他の構成については、図１に示した電子部品内蔵モジュール１００とほぼ同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
コア基板２１０は、コア基板１１０と同様、芯材に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等を含浸させた高強度基板である。コア基板２１０の材料や厚さは、コア基板１１０と同様で構わない。コア基板２１０の一方の面２１０ａには配線層１６３が形成されており、配線層１６３のうち、マザーボードなどに接続される外部端子以外の部分は、レジスト１７２によって覆われている。また、コア基板１１０の他方の面２１０ｂは、絶縁層１２０と接している。
【００４６】
かかる構成により、本実施形態による電子部品内蔵モジュール２００は、図１に示した電子部品内蔵モジュール１００よりもモジュール全体の機械的強度が高くなる。しかも、絶縁層１２０が２つのコア基板１１０，２１０によって挟まれた状態となることから、温度変化に起因するモジュールの反りなどが生じにくくなる。さらに、配線層１６３がコア基板２１０上に形成されているため、配線層１６３と絶縁層１２０との密着性が低い場合であっても、絶縁層１２０の表面に配線層を直接形成する必要がなくなる。このため、製品の信頼性を高めることも可能となる。
【００４７】
次に、本実施形態による電子部品内蔵モジュール２００の製造方法について説明する。
【００４８】
図８及び図９は、本実施形態による電子部品内蔵モジュール２００の製造方法を説明するための工程図である。
【００４９】
まず、図２〜図４に示した工程を経た後、図８に示すように、絶縁層１２０の表面１２０ａにコア基板２１０を貼り付け、さらに、コア基板２１０側からレーザー照射を行うことにより、コア基板２１０及び絶縁層１２０にビアホール１８２ａを形成する。本実施形態では、ビアホール１８２ａがコア基板２１０を貫通する必要があることから、ビアホール１８２ａの深さは第１の実施形態よりもやや深くなる。しかしながら、コア基板２１０の厚さを１００μｍ以下に設定すれば、レーザー照射側の開口径の拡大は最小限に抑えられる。
【００５０】
次に、図９に示すように、ビアホール１８２ａの内部にビアホール導体１８２を形成するとともに、コア基板２１０の表面２１０ａに配線層１６３を形成する。これにより、配線層１６３は、ビアホール導体１８２、中継基板１４０及び配線層１６１を介して、電子部品１３１，１３２に電気的に接続された状態となる。
【００５１】
その後は、図７に示したように、マザーボードなどに接続される外部端子が露出するようレジスト１７２を形成し、さらに、半導体ＩＣ１５０の搭載、ワイヤボンディング及び樹脂封止などを行うことにより、本実施形態による電子部品内蔵モジュール２００が完成する。
【００５２】
本実施形態においても、絶縁層１２０を貫通するビアホールを形成する必要がないことから、ビアホールの形成ピッチを縮小することが可能となる。しかも、第１の実施形態と比べてより強度の高いモジュールを得ることが可能となる。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５４】
例えば、本発明において中継基板に半導体ＩＣを内蔵することは必須でなく、これを省略しても構わない。また、絶縁層に内蔵する中継基板の数についても限定されず、上記実施形態のように１個であっても構わないし、２個以上であっても構わない。２個以上の中継基板を内蔵させる場合、これらを同じ絶縁層に埋め込んでも構わないし、互いに別の絶縁層に埋め込んでも構わない。さらに、２個以上の中継基板を内蔵させる場合、モジュールの厚み方向に重ねて埋め込んでも構わない。これは、絶縁層の厚さが非常に厚い場合に有効である。
【００５５】
さらに、本発明によるモジュールをより上位のモジュール又はマザーボードに埋め込むことによって、本発明によるモジュール自体を中継基板として利用しても構わない。つまり、中継基板を二重（又はそれ以上）に埋め込むことも可能である。
【００５６】
また、本発明においてモジュールの表面に半導体ＩＣ１５０を搭載することは必須でなく、これを省略しても構わない。
【００５７】
また、上記実施形態においては、絶縁層１２０とコア基板１１０が直接接しているが、これらの間に他の絶縁層やコア基板が介在していても構わない。同様に、第２の実施形態においては、絶縁層１２０とコア基板２１０が直接接しているが、これらの間に他の絶縁層やコア基板が介在していても構わない。さらに、上記実施形態においては、芯材に熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等を含浸させたものをコア基板として用いているが、本発明がこれに限定されるものではない。また、コア基板を省略しても構わない。
【００５８】
さらに、本発明において、絶縁層にビアホールを形成する方法としてはレーザー照射に限定されず、他の方法、例えば金属マスクを用いたサンドブラスト法によって形成しても構わない。サンドブラスト法により形成されるビアホールも断面がテーパー状となることから、本発明による効果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の好ましい第１の実施形態による電子部品内蔵モジュール１００の構造を示す略断面図である。
【図２】電子部品内蔵モジュール１００を製造するための一工程（コア基板１１０の準備）を示す略断面図である。
【図３】電子部品内蔵モジュール１００を製造するための一工程（電子部品１３１，１３２及び中継基板１４０の実装）を示す略断面図である。
【図４】電子部品内蔵モジュール１００を製造するための一工程（絶縁層１２０の形成）を示す略断面図である。
【図５】電子部品内蔵モジュール１００を製造するための一工程（ビアホール１８２ａの形成）を示す略断面図である。
【図６】電子部品内蔵モジュール１００を製造するための一工程（ビアホール導体１８２及び配線層１６３の形成）を示す略断面図である。
【図７】本発明の好ましい第２の実施形態による電子部品内蔵モジュール２００の構造を示す略断面図である。
【図８】電子部品内蔵モジュール２００を製造するための一工程（ビアホール１８２ａの形成）を示す略断面図である。
【図９】電子部品内蔵モジュール２００を製造するための一工程（ビアホール導体１８２及び配線層１６３の形成）を示す略断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００，２００    電子部品内蔵モジュール
１１０，２１０    コア基板
１１０ａ，１１０ｂ，２１０ａ，２１０ｂ    コア基板の表面
１２０      絶縁層
１２０ａ，１２０ｂ    絶縁層の表面
１３１，１３２    電子部品
１３３    半田
１４０    中継基板
１４０ａ，１４０ｂ    中継基板の表面
１４１    半導体ＩＣ
１４２，１４３    端子電極
１４４    内部配線
１５０    半導体ＩＣ
１５１    導電性ペースト
１５２    パッド電極
１５３    ボンディングワイヤ
１５４    封止樹脂
１６１〜１６３    配線層
１７１，１７２    レジスト
１８１，１８２    ビアホール導体
１８２ａ    ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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