(57)【要約】【課題】チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置のレイアウト方法等を提供すること。【解決手段】本発明の集積回路装置のレイアウト方法は、機能セルが配置されていない未配置領域を探索するステップ（ステップＳ１２）と、未配置領域に、少なくとも一部が第１、第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成された第１、第２の電源補強線を含む第１、第２の電源補強セルを配置するステップ（ステップＳ１４）と、を含む。ステップＳ１４において、第１、第２のポリシリコン配線パターンを第２、第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、第２の方向に沿って、第１、第２の電源補強線を介してそれぞれ２つの第１の電源供給線及び２つの第２の電源供給線を接続する２つの配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの第１、第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウト方法であって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索ステップと、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置ステップと、を含み、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第１のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第１のメタル配線パターンにより形成され、
前記第２の電源補強セルは、
前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第２のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第２のメタル配線パターンにより形成され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルを配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
それぞれ前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルを配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であることを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルをそれぞれ前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記機能セル、前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
スタンダードセルとして実現されることを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記複数の機能セルが配置される前記所定の領域は、前記第１の方向に沿って所定の間隔で連続する番号が付けられた複数の配線グリッドが設定され、
前記機能セルは、前記第１の方向に前記所定の間隔の整数倍の幅を有し、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、前記第１の方向に前記所定の間隔と同じ幅を有し、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記未配置領域における前記配線グリッドの前記番号が偶数であるか奇数であるかを判断して前記第１の電源補強セル又は前記第２の電源補強セルのいずれを配置するかを決定することを特徴とする集積回路装置のレイアウト方法。
【請求項８】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトプログラムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段としてコンピュータを機能させ、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウトプログラム。
【請求項９】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトシステムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段と、を含み、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする集積回路装置のレイアウトシステム。
【請求項１０】
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置であって、
前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない領域に配置され、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セルと、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルと、を含み、
少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方が前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第１のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第１のメタル配線パターンにより形成され、前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続されるように配置され、
前記第２の電源補強セルは、
前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第２のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第２のメタル配線パターンにより形成され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
それぞれ前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかにおいて、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかにおいて、
少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルがそれぞれ前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれかにおいて、
前記機能セル、前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
スタンダードセルとして実現されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５に記載された集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置のレイアウト方法、集積回路装置のレイアウトプログラム、集積回路装置のレイアウトシステム、集積回路装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩのプロセス微細化に伴い集積度が飛躍的に向上し、ＬＳＩを構成する各セルを安定的に動作させるために各セルに供給する電源を補強する必要性が高まっている。例えば、セルの配置領域において電源をメッシュ状に配線することにより電源補強が行われる。一般に、各セルには所定方向（例えば、横方向）に沿って電源用のメタル配線が敷設されているので、各セルを横方向に配置するだけで横方向の電源配線が形成される。すなわち、横方向の電源配線のために専用の領域を確保する必要はない。一方、レイアウト面積を小さくするために各セルには縦方向の電源配線が敷設されていない。従って、各セルを縦方向に配置するだけでは縦方向の電源配線は形成されない。そこで、例えば、消費電力を評価して縦方向の電源配線の必要数を決定し、一定間隔毎に縦方向の電源配線を敷設する必要がある。
【特許文献１】特開平８−２７２８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、セルが配置されている領域には縦方向の電源配線を敷設することができないため、縦方向の電源配線を敷設するための専用の領域を確保する必要がある。そのため、コストを犠牲にしてチップ面積を増加させなければ、十分な電源補強を実現することができなかった。
【０００４】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置のレイアウト方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウト方法であって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索ステップと、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置ステップと、を含み、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【０００６】
第１の電源供給線及び第２の電源供給線はそれぞれＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線であってもよい。
【０００７】
所定のメタル配線層は、例えば、最下層のメタル１配線層であってもよい。
【０００８】
複数の機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトは、複数の機能セルを所定の領域に配置した後複数の機能セルを接続するネットの配線を行う前のレイアウトであってもよいし、複数の機能セルの配置及び複数の機能セルを接続するネットの配線を行った後のレイアウトであってもよい。
【０００９】
本発明によれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置することにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置するだけで第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本発明によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【００１０】
また、本発明によれば、第１の電源供給線及び第２の電源供給線が所定のメタル配線層に敷設されるのに対して、第１の電源補強セルに含まれる第１の電源補強線の少なくとも一部及び第２の電源補強セルに含まれる第２の電源補強線の少なくとも一部はメタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させるように第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルが配置される。従って、本発明によれば、第１の電源供給線と第２の電源補強線、第２の電源供給線と第１の電源補強線をそれぞれショートさせることなく、第１の電源を補強するための配線パターン及び第２の電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【００１１】
（２）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記第１の電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第１のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第１のメタル配線パターンにより形成され、
前記第２の電源補強セルは、
前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第２のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第２のメタル配線パターンにより形成され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルを配置するようにしてもよい。
【００１２】
第１の電源補強セルを、第１のメタル配線パターンが敷設された所定のメタル配線層（第１の電源供給線及び第２の電源供給線が敷設されたメタル配線層）と同じメタル配線層に敷設され、第１のメタル配線パターンの一部と重複する電源配線パターンを含むように構成し、当該電源配線パターンが第１の電源供給線と重複するように第１の電源補強セルを配置することにより、第１の電源補強線が第１の電源供給線と接続されるようにしてもよい。
【００１３】
同様に、第２の電源補強セルを、第２のメタル配線パターンが敷設された所定のメタル配線層（第１の電源供給線及び第２の電源供給線が敷設されたメタル配線層）と同じメタル配線層に敷設され、第２のメタル配線パターンの一部と重複する電源配線パターンを含むように構成し、当該電源配線パターンが第２の電源供給線と重複するように第２の電源補強セルを配置することにより、第２の電源補強線が第２の電源供給線と接続されるようにしてもよい。
【００１４】
また、第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルはそのような電源配線パターンを含まないが、第１のメタル配線パターンの一部及び第２のメタル配線パターンの一部が第１の電源供給線及び第２の電源供給線とそれぞれ重複するように第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルを配置することにより、第１の電源補強線及び第２の電源補強線がそれぞれ第１の電源供給線及び第２の電源供給線と接続されるようにしてもよい。
【００１５】
本発明によれば、第１の電源補強セルを配置するだけで第１の電源補強線を第１の電源供給線に接続し、第２の電源補強セルを配置するだけで第２の電源補強線を第２の電源供給線に接続することができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【００１６】
（３）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
それぞれ前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルを配置するようにしてもよい。
【００１７】
本発明によれば、第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルはそれぞれ第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺が第２の方向と直交するように第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルを配置する。従って、２つの第１の電源補強セルが第２の方向に沿って隣接するように配置された場合には、各第１の電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士が接続され、２つの第２の電源補強セルが第２の方向に沿って隣接するように配置された場合には、各第２の電源補強セルの第２のメタル配線パターン同士が接続される。従って、本発明によれば、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【００１８】
（４）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であってもよい。
【００１９】
例えば、複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層がメタル２配線層〜メタル４配線層である場合には、所定のメタル配線層は、メタル１配線層であってもよい。
【００２０】
本発明によれば、第１の電源及び第２の電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層及びポリシリコン配線層において形成される。従って、機能セルを接続するネットの配線に第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本発明によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００２１】
（５）本発明の集積回路装置のレイアウト方法は、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルをそれぞれ前記第２の方向に沿って並べて配置するようにしてもよい。
【００２２】
（６）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記機能セル、前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
スタンダードセルとして実現されるようにしてもよい。
【００２３】
（７）本発明の集積回路装置のレイアウト方法において、
前記複数の機能セルが配置される前記所定の領域は、前記第１の方向に沿って所定の間隔で連続する番号が付けられた複数の配線グリッドが設定され、
前記機能セルは、前記第１の方向に前記所定の間隔の整数倍の幅を有し、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、前記第１の方向に前記所定の間隔と同じ幅を有し、
前記電源補強セル配置ステップにおいて、
前記未配置領域における前記配線グリッドの前記番号が偶数であるか奇数であるかを判断して前記第１の電源補強セル又は前記第２の電源補強セルのいずれを配置するかを決定するようにしてもよい。
【００２４】
例えば、偶数番号の配線グリッドにある未配置領域には第１の電源補強セルを配置し、奇数番号の配線グリッドにある未配置領域には第２の電源補強セルを配置するようにしてもよいし、その逆であってもよい。
【００２５】
本発明によれば、所定の番号の配線グリッドにおいてＹ方向に連続して未配置領域が存在する場合には、少なくとも２つの第１の電源補強セル又は少なくとも２つの第２の電源補強セルが第２の方向に沿って並んで配置される。そして、偶数番号の配線グリッドの未配置領域の数と奇数番号の配線グリッドの未配置領域の数がほぼ同じであれば、少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルが第２の方向に沿って並んで配置される確率が高くなる。従って、本発明によれば、第１の電源を補強する配線パターン及び第２の電源を補強する配線パターンの数を効率的に増加させることができる。
【００２６】
（８）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトプログラムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段としてコンピュータを機能させ、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【００２７】
（９）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置のレイアウトを行うレイアウトシステムであって、
前記複数の機能セルを前記所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない未配置領域を探索する未配置領域探索手段と、
前記未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する電源補強セル配置手段と、を含み、
前記電源補強セル配置手段は、
前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方を前記第２の方向に沿って並べて配置することを特徴とする。
【００２８】
（１０）本発明は、
複数の機能セルが所定の領域において第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に配置され、前記複数の機能セルに第１の電源及び第２の電源をそれぞれ供給する第１の電源供給線及び第２の電源供給線が前記第１の方向に沿って所定のメタル配線層に敷設された集積回路装置であって、
前記所定の領域における前記機能セルが配置されていない領域に配置され、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セルと、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルと、を含み、
少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルの少なくとも一方が前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンを前記第２の電源供給線及び前記第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されていることを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、所定の領域における機能セルが配置されていない領域に少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方が第２の方向に沿って並んで配置されることにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されている。すなわち、本発明に係る集積回路装置は、機能セルの未配置領域を利用して少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方が第２の方向に沿って並んで配置されることにより、第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方が補強されている。従って、本発明によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる集積回路装置を提供することができる。
【００３０】
（１１）本発明の集積回路装置において、
前記第１の電源補強セルは、
前記第１の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第１のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第１のメタル配線パターンにより形成され、前記第１のメタル配線パターンにより前記第１の電源補強線が前記第１の電源供給線に接続されるように配置され、
前記第２の電源補強セルは、
前記第２の電源補強線の一部が、前記所定のメタル配線層に敷設され、少なくとも２つに分割された前記第２のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第２のメタル配線パターンにより形成され、前記第２のメタル配線パターンにより前記第２の電源補強線が前記第２の電源供給線に接続されるように配置されていてもよい。
【００３１】
（１２）本発明の集積回路装置において、
前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
それぞれ前記第１のポリシリコン配線パターン及び前記第２のポリシリコン配線パターンがセルの第１の辺及び前記第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、前記第１の辺及び前記第２の辺が前記第２の方向と直交するように配置されていてもよい。
【００３２】
（１３）本発明の集積回路装置において、
前記所定のメタル配線層は、
前記複数の機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層よりも下位のメタル配線層であってもよい。
【００３３】
（１４）本発明の集積回路装置は、
少なくとも２つの前記第１の電源補強セル及び少なくとも２つの前記第２の電源補強セルがそれぞれ前記第２の方向に沿って並んで配置されることにより、前記第２の方向に沿って、前記第１の電源補強線を介して２つの前記第１の電源供給線を接続する配線パターン及び前記第２の電源補強線を介して２つの前記第２の電源供給線を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。
【００３４】
（１５）本発明の集積回路装置において、
前記機能セル、前記第１の電源補強セル及び前記第２の電源補強セルは、
スタンダードセルとして実現されるようにしてもよい。
【００３５】
（１６）本発明は、
上記に記載された集積回路装置と、
前記集積回路装置の処理対象となるデータの入力手段と、
前記集積回路装置により処理されたデータを出力するための出力手段とを含むことを特徴とする電子機器である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３７】
１．集積回路装置
図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置について説明するための図である。図１（Ａ）の集積回路装置は、複数のセルにより構成される各行の間にセル間の配線領域３０を有するチャネル型のセルアレイを含んで実現されており、図１（Ｂ）の集積回路装置は各行の間にセル間の配線領域を有しないチャネルレス型のセルアレイを含んで実現されている。
【００３８】
集積回路装置１は、複数の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が機能セル配置可能領域２（所定の領域）においてＸ方向（第１の方向）及びＹ方向（第１の方向に直交する第２の方向）にアレイ状に配置され、複数の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）にＶＤＤ電源（第１の電源）及びＶＳＳ電源（第２の電源）をそれぞれ供給するＶＤＤ電源供給線（第１の電源供給線）１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線（第２の電源供給線）２０−１、２０−２、２０−３、・・・がＸ方向に沿って所定のメタル配線層に敷設されている。
【００３９】
ここで、所定のメタル配線層は、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）を接続するネットを配線するメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル配線層（例えば、最下層のメタル１配線層）であってもよい。
【００４０】
さらに、ＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル配線層と同じ配線層において、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の内部のネットの配線が行われている場合には、図１（Ｂ）の集積回路装置１のように配線領域３０を必要とせずに、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）を接続するネットの配線を機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の上を通して行うことができる。図１（Ｂ）の集積回路装置１は、配線領域３０がないので図１（Ａ）の集積回路装置１と比較してレイアウト面積をより小さくすることができる。
【００４１】
集積回路装置１は、ＶＤＤ電源補強セル（第１の電源補強セル）（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）及びＶＳＳ電源補強セル（第２の電源補強セル）（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）を含む。
【００４２】
ＶＤＤ電源補強セル（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）は、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成されたＶＤＤ電源補強線（第１の電源補強線）（図示せず）を含み、機能セル配置可能領域２における機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が配置されていない領域に配置されている。
【００４３】
ＶＳＳ電源補強セル（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）は、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成されたＶＳＳ電源補強線（第２の電源補強線）（図示せず）を含み、機能セル配置可能領域２における機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）が配置されていない領域に配置されている。
【００４４】
集積回路装置１は、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＤＤ１０１とＰＣＶＤＤ２０１等）及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＳＳ２０１とＰＣＶＳＳ３０１等）の少なくとも一方がＹ方向に沿って並んで配置されることにより、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させて、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線（例えば、１０−１と１０−２等）を接続する配線パターン（図示せず）及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線（例えば、２０−２と２０−３等）を接続する配線パターン（図示せず）の少なくとも一方が形成されている。
【００４５】
ここで、例えば、図１（Ａ）の集積回路装置１において、２つのＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１及びＰＣＶＤＤ２０１の各ＶＤＤ電源補強線を接続するメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターンが形成されていてもよい。同様に、２つのＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１及びＰＣＶＳＳ３０１の各ＶＳＳ電源補強線を接続するメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンが形成されていてもよい。また、例えば、図１（Ｂ）の集積回路装置１において、ＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１及びＰＣＶＤＤ２０１を配置するだけで、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターンが形成されていてもよい。同様に、ＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１及びＰＣＶＳＳ３０１を配置するだけで、２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンが形成されていてもよい。
【００４６】
また、集積回路装置１は、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＤＤ１０２とＰＣＶＤＤ２０２等）及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＳＳ２０２とＰＣＶＳＳ３０２等）がそれぞれＹ方向に沿って並んで配置されることにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線（例えば、１０−１と１０−２等）を接続する配線パターン（図示せず）及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線（例えば、２０−２と２０−３等）を接続する配線パターン（図示せず）の両方が形成されていてもよい。
【００４７】
ここで、例えば、図１（Ａ）の集積回路装置１において、２つのＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０２及びＰＣＶＤＤ２０２の各ＶＤＤ電源補強線及び各ＶＳＳ電源補強線をそれぞれ接続する２つのメタル配線の少なくとも一部、及び２つのＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０２及びＰＣＶＳＳ３０２の各ＶＤＤ電源補強線及び各ＶＳＳ電源補強線をそれぞれ接続する２つのメタル配線の少なくとも一部が配線領域３０に敷設されることにより、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターン及び２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。また、例えば、図１（Ｂ）の集積回路装置１において、ＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０２、ＰＣＶＤＤ２０２及びＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０２及びＰＣＶＳＳ３０２を配置するだけで、２つのＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２を接続する配線パターン及び２つのＶＳＳ電源供給線２０−２、２０−３を接続する配線パターンの両方が形成されていてもよい。
【００４８】
ＶＤＤ電源補強セル（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）は、ＶＤＤ電源補強線の一部が、ＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されているメタル配線層と同じメタル配線層（例えば、メタル１配線層）に敷設され、少なくとも２つに分割された第１のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第１のメタル配線パターンにより形成され、第１のメタル配線パターンによりＶＤＤ電源補強線がＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかに接続されるように配置されていてもよい。
【００４９】
ＶＳＳ電源補強セル（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）は、ＶＳＳ電源補強線の一部が、ＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されているメタル配線層と同じメタル配線層（例えば、メタル１配線層）に敷設され、少なくとも２つに分割された第２のポリシリコン配線パターンの間にコンタクトを介して接続された第２のメタル配線パターンにより形成され、第２のメタル配線パターンによりＶＳＳ電源補強線がＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかに接続されるように配置されていてもよい。
【００５０】
さらに、ＶＤＤ電源補強セル（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）及びＶＳＳ電源補強セル（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）は、それぞれ第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺が第２の方向と直交するように配置されていてもよい。
【００５１】
なお、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）、ＶＤＤ電源補強セル（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）及びＶＳＳ電源補強セル（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）は、スタンダードセルとして実現されていてもよい。
【００５２】
本実施形態の集積回路装置によれば、機能セル配置可能領域における機能セルが配置されていない領域に少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの少なくとも一方がＹ方向に沿って並んで配置されることにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線を接続する配線パターン及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されている。すなわち、本実施形態の集積回路装置は、機能セルの未配置領域を利用して少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの少なくとも一方がＹ方向に沿って並んで配置されることにより、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方が補強されている。従って、本実施形態の集積回路装置によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００５３】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線が所定のメタル配線層（例えば、メタル１配線層）に敷設されるのに対して、ＶＤＤ電源補強セルに含まれるＶＤＤ電源補強線の少なくとも一部及びＶＳＳ電源補強セルに含まれるＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部は当該メタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させるようにＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルが配置されている。従って、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源供給線とＶＳＳ電源補強線、ＶＳＳ電源供給線とＶＤＤ電源補強線をそれぞれショートさせることなく、ＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【００５４】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルはそれぞれ第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺がＹ方向と直交するようにＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルが配置されている。そして、２つのＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置されている場合には、各ＶＤＤ電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士が接続され、２つのＶＳＳ電源補強セルが第２の方向に沿って隣接するように配置された場合には、各ＶＳＳ電源補強セルの第２のメタル配線パターン同士が接続されている。従って、本実施形態の集積回路装置によれば、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【００５５】
また、本実施形態の集積回路装置によれば、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層（例えばメタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル１配線層及びポリシリコン配線層において形成されている。従って、機能セルを接続するネットの配線にＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本実施形態の集積回路装置によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【００５６】
２．集積回路装置のレイアウト方法
図２は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例である。以下では、スタンダードセル方式による集積回路装置のレイアウト方法を例にとり説明する。なお、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法により、先に説明した図１（Ａ）又は図１（Ｂ）の集積回路装置１を実現することができる。
【００５７】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、まず、機能セル配置可能領域２において、機能セルをＸ方向（第１の方向）及びＸ方向に直交するＹ方向（第２の方向）にアレイ状に配置する（図２のステップＳ１０）。図３（Ａ）、図３（Ｂ）に、ステップＳ１０の処理が終了した後の集積回路装置１（の一部）のレイアウトの一例を示す。ここで、図３（Ａ）は集積回路装置１をチャネル型のセルアレイにより実現する場合の図であり、図３（Ｂ）は集積回路装置１をチャネルレス型のセルアレイにより実現する場合の図である。
【００５８】
集積回路装置１には、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）がＸ方向及びＹ方向にアレイ状に配置されている。図３（Ａ）では１行目の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・）と２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）の間及び２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）と３行目の機能セル（ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の間等に配線領域３０が設けられている。これに対し、図３（Ｂ）では１行目の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・）と２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）の間及び２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）と３行目の機能セル（ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）の間等に配線領域が設けられておらず、レイアウト面積をより小さくすることができる。
【００５９】
ここで、２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）は、１行目の機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置され、３行目の機能セル（ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）は、２行目の機能セル（ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・）に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。すなわち、Ｙ方向に沿って１行毎に向きを反転しながらすべての機能セルが配置されている。
【００６０】
機能セル配置可能領域２は、Ｘ方向に沿って所定の間隔で連続する番号（０、１、２、・・・、４７、・・・）が付けられた複数の配線グリッド３が設定されていてもよい。機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）はその実現する論理に応じてそれぞれ大きさが異なるが、Ｘ方向の長さ（幅）が配線グリッドの間隔の整数倍になるように作成されていてもよい。例えば、機能セルＦＣ１０１は配線グリッド間隔の３倍の幅を有し、機能セルＦＣ１０２は配線グリッド間隔の５倍の幅を有するように作成されていてもよい。機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）は、反転論理を実現するインバータセル、ＮＡＮＤ論理を実現するＮＡＮＤセル、ＯＲ論理を実現するＯＲセル等である。
【００６１】
さらに、図３（Ａ）、図３（Ｂ）では、機能セル（ＦＣ１０１、ＦＣ１０２、・・・、ＦＣ２０１、ＦＣ２０２、・・・、ＦＣ３０１、ＦＣ３０２、・・・）にＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源をそれぞれ供給するＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・がＸ方向に沿って、例えばメタル１配線層に敷設されている。
【００６２】
図４に、機能セルの一例としてインバータセルの構成の一例を示す。インバータセル４０は、ポリシリコン配線４１とＰ型拡散領域４２により構成されるＰ型トランジスタと、ポリシリコン配線４１とＮ型拡散領域４３により構成されるＮ型トランジスタを含む。
【００６３】
また、インバータセル４０は、メタル１層配線４４、４５、４６、４７及びコンタクト４８、４９、５０、５１、５２を含んで構成されている。
【００６４】
コンタクト４８は、メタル１層配線４４とポリシリコン配線４１を接続する。従って、メタル１層配線４４に供給された入力信号は、コンタクト４８を介して、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４２により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線４１及びＮ型拡散領域４３により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００６５】
コンタクト４９及び５０は、メタル１層配線４５とＰ型拡散領域４２及びＮ型拡散領域４３をそれぞれ接続する。すなわち、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４２により構成されるＰ型トランジスタのドレインとポリシリコン配線４１及びＮ型拡散領域４３により構成されるＮ型トランジスタのドレインが接続されている。
【００６６】
コンタクト５１はメタル１層配線４６とＰ型拡散領域４２を接続する。メタル１層配線４６は、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４１及びＰ型拡散領域４２により構成されるＰ型トランジスタのソースには、コンタクト５１を介してＶＤＤ電源が供給される。
【００６７】
コンタクト５２はメタル１層配線４７とＮ型拡散領域４３を接続する。メタル１層配線４７は、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線４１及びＮ型拡散領域４３により構成されるＮ型トランジスタのソースには、コンタクト５２を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００６８】
インバータセル４０は、以上の構成により、メタル１層配線４４に供給された入力信号の反転論理の信号をメタル１層配線４５から出力する。
【００６９】
インバータセル４０は配線グリッド間隔の２倍の幅を有し、５３−１、５３−２、５３−３、５３−４はインバータセル４０の辺（境界）を示す。そして、例えば、図３（Ａ）における機能セルＦＣ２０２がインバータセル４０である。機能セル（インバータセル）ＦＣ２０２は、辺５３−１及び辺５３−３が機能セルＦＣ２０１の一辺及び機能セルＦＣ２０３の一辺とそれぞれ接するように配置されている。また、図３（Ｂ）における機能セル（インバータセル）ＦＣ２０２は、辺５３−１及び５３−３が機能セルＦＣ２０１の一辺及び機能セルＦＣ２０３の一辺とそれぞれ接し、辺５３−４及び５３−２が機能セルＦＣ１０２の一辺及び機能セルＦＣ３０１の一辺とそれぞれ接するように配置されている。
【００７０】
図５に、機能セルの他の一例として２入力ＮＡＮＤセルの構成の一例を示す。２入力ＮＡＮＤセル６０は、２つのポリシリコン配線６１、６２とＰ型拡散領域６３により構成される２つのＰ型トランジスタと、２つのポリシリコン配線６１、６２とＮ型拡散領域６４により構成される２つのＮ型トランジスタを含む。
【００７１】
また、２入力ＮＡＮＤセル６０は、メタル１層配線６５、６６、６７、６８、６９及びコンタクト７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６を含んで構成されている。
【００７２】
コンタクト７０は、メタル１層配線６５とポリシリコン配線６１を接続する。従って、メタル１層配線６５に供給された入力信号は、コンタクト７０を介して、ポリシリコン配線６１及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線６１及びＮ型拡散領域６４により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００７３】
コンタクト７１は、メタル１層配線６６とポリシリコン配線６２を接続する。従って、メタル１層配線６６に供給された入力信号は、コンタクト７１を介して、ポリシリコン配線６２及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのゲートとポリシリコン配線６２及びＮ型拡散領域６４により構成されるＮ型トランジスタのゲートに印加される。
【００７４】
コンタクト７２及び７３は、メタル１層配線６７とＰ型拡散領域６３及びＮ型拡散領域６４をそれぞれ接続する。すなわち、ポリシリコン配線６１及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのドレイン、ポリシリコン配線６２及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのドレイン、ポリシリコン配線６２及びＮ型拡散領域６４により構成されるＮ型トランジスタのドレインが接続されている。
【００７５】
コンタクト７４及び７５はメタル１層配線６８とＰ型拡散領域６３を接続する。メタル１層配線６８は、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線６１及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのソース及びポリシリコン配線６２及びＰ型拡散領域６３により構成されるＰ型トランジスタのソースには、それぞれコンタクト７４及び７５を介してＶＤＤ電源が供給される。
【００７６】
コンタクト７６はメタル１層配線６９とＮ型拡散領域６４を接続する。メタル１層配線６９は、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線６１及びＮ型拡散領域６４により構成されるＮ型トランジスタのソースには、コンタクト７６を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００７７】
２入力ＮＡＮＤセル６０は、以上の構成により、メタル１層配線６５及び６６に供給された２つの入力信号に対するＮＡＮＤ論理の信号をメタル１層配線６７から出力する。
【００７８】
２入力ＮＡＮＤセル６０は配線グリッド間隔の３倍の幅を有し、７７−１、７７−２、７７−３、７７−４は２入力ＮＡＮＤセル６０の辺（境界）を示す。そして、例えば、図３（Ａ）における機能セルＦＣ２０３が２入力ＮＡＮＤセル６０である。機能セル（２入力ＮＡＮＤセル）ＦＣ２０３は、辺７７−１が機能セルＦＣ２０２の一辺と接するように配置されている。また、図３（Ｂ）における機能セル（２入力ＮＡＮＤセル）ＦＣ２０３は、辺７７−１が機能セルＦＣ２０２の一辺と接し、辺７７−４及び７７−２が機能セルＦＣ１０２の一辺及び機能セルＦＣ３０２の一辺とそれぞれ接するように配置されている。
【００７９】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、次に、図２のステップＳ１０の処理の終了後のレイアウト（機能セルの配置を行った後のレイアウト）において、機能セル配置可能領域における機能セルが配置されていない未配置領域を探索する（未配置領域探索ステップ、図２のステップＳ１２）。例えば、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）において、機能セル配置可能領域２における機能セル（ＦＣ１０１、１０２、・・・、ＦＣ２０１、２０２、・・・、ＦＣ３０１、３０２、・・・）が配置されていない領域（未配置領域ＮＰＡ１０１、ＮＰＡ１０２、・・・、ＮＰＡ２０１、ＮＰＡ２０２、・・・、ＮＰＡ３０１、ＮＰＡ３０２、・・・）を探索する。
【００８０】
次に、ステップＳ１２で探索した未配置領域ＮＰＡ１０１、ＮＰＡ１０２、・・・、ＮＰＡ２０１、ＮＰＡ２０２、・・・、ＮＰＡ３０１、ＮＰＡ３０２、・・・に、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの少なくとも一方をＹ方向に沿って並べて配置する（電源補強セル配置ステップ、図２のステップＳ１４）。先に説明した図１（Ａ）、図１（Ｂ）の集積回路装置１における機能セル、ＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルの配置は、それぞれ、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示す集積回路装置１のレイアウトにおいて、未配置領域ＮＰＡ１０１、ＮＰＡ１０２、・・・、ＮＰＡ２０１、ＮＰＡ２０２、・・・、ＮＰＡ３０１、ＮＰＡ３０２、・・・にＶＤＤ電源補強セル（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）又はＶＳＳ電源補強セル（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）を配置したものである。例えば、未配置領域ＮＰＡ１０１にはＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１が配置され、未配置領域ＮＰＡ１０２にはＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ１０１が配置されている。
【００８１】
そして、図１（Ａ）、図１（Ｂ）では、２つのＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１とＰＣＶＤＤ２０１及び３つのＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０２、ＰＣＶＤＤ２０２、ＰＣＶＤＤ３０２がＹ方向に沿って並んで配置されている。また、２つのＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１とＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ２０３とＰＣＶＳＳ３０３及び３つのＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ１０２、ＰＣＶＳＳ２０２、ＰＣＶＳＳ３０２がＹ方向に沿って並んで配置されている。
【００８２】
図６に、ＶＤＤ電源補強セルの構成の一例を示す。ＶＤＤ電源補強セル８０は、ＶＤＤ電源補強線（第１の電源補強線）を含む。ＶＤＤ電源補強線の少なくとも一部はポリシリコン配線層に敷設されたポリシリコン配線８１、８２（第１のポリシリコン配線パターン）により形成されている。
【００８３】
また、ＶＤＤ電源補強線の一部は、メタル１配線層に敷設され、コンタクト８６及び８７を介してポリシリコン配線８１及び８２に接続されたメタル１層配線８３により形成されていてもよい。
【００８４】
ここで、メタル１層配線８３はメタル１層配線８４と接続されている。そして、メタル１層配線８４は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。一方、メタル１層配線８３はメタル１層配線８５と接続されていない。メタル１層配線８５は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線８１、８２及びメタル１層配線８３には、メタル１層配線８４、コンタクト８６及び８７を介してＶＤＤ電源が供給される。
【００８５】
すなわち、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）のようにＶＤＤ電源補強セル８０（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）を配置することにより、メタル１層配線８３によりＶＤＤ電源補強線がＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと接続される。
【００８６】
ＶＤＤ電源補強セル８０は、例えば配線グリッド間隔と同じ幅を有し、８８−１、８８−２、８８−３、８８−４はＶＤＤ電源補強セル８０の辺（境界）を示す。そして、例えば、図１（Ａ）において、ＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ２０１は、辺８８−１及び８８−３が機能セルＦＣ２０３の一辺及び機能セルＦＣ２０４の一辺とそれぞれ接するように配置されている。また、図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ２０１は、辺８８−１及び８８−３が機能セルＦＣ２０３の一辺及び機能セルＦＣ２０４の一辺とそれぞれ接し、辺８８−４及び８８−２がＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１の辺８８−４及び機能セルＦＣ３０２の一辺とそれぞれ接するように配置されている。
【００８７】
さらに、ポリシリコン配線８１、８２は、セルの辺８８−２（第１の辺）及び辺８８−２と対向する辺８８−４（第２の辺）に接するように敷設されていてもよい。図１（Ａ）又は図１（Ｂ）では、辺８８−２、８８−４がＹ方向と直交するようにＶＤＤ電源補強セル８０（ＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、・・・、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、・・・、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２、・・・）を配置している。
【００８８】
そのため、図１（Ａ）の集積回路装置１の場合、２つのＶＤＤ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＤＤ１０１及びＰＣＶＤＤ２０１）がＹ方向に沿って並んで配置されると、配線領域３０を利用して、２つのＶＤＤ電源補強セルのポリシリコン配線８１同士及びポリシリコン配線８２同士を接続する配線（例えば、ポリシリコン配線、メタル１層配線、メタル２層配線等）をＹ方向に沿って敷設することができる。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。また、図１（Ｂ）の集積回路装置１の場合、２つのＶＤＤ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＤＤ１０１及びＰＣＶＤＤ２０１）がＹ方向に沿って並んで配置（隣接するように配置）されると、２つのＶＤＤ電源補強セルのポリシリコン配線８１及びポリシリコン配線８２同士が接続される。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。
【００８９】
また、ＶＤＤ電源補強セル８０はメタル１層配線８３を含むので、ＶＤＤ電源補強セル８０を未配置領域に配置することによりメタル１層配線の分布の均等化を向上させることができる。
【００９０】
さらに、ＶＤＤ電源補強セル８０はＶＤＤ電源が供給されるＶＤＤ電源補強線を含むので、ＶＤＤ電源補強セル８０を未配置領域に配置することによりシールド効果が得られる。
【００９１】
図７に、ＶＳＳ電源補強セルの構成の一例を示す。ＶＳＳ電源補強セル９０は、ＶＳＳ電源補強線（第２の電源補強線）を含む。ＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部はポリシリコン配線層に敷設されたポリシリコン配線９１、９２（第２のポリシリコン配線パターン）により形成されている。
【００９２】
また、ＶＳＳ電源補強線の一部は、メタル１配線層に敷設され、コンタクト９６及び９７を介してポリシリコン配線９１及び９２に接続されたメタル１層配線９３により形成されていてもよい。
【００９３】
ここで、メタル１層配線９３はメタル１層配線９５と接続されている。そして、メタル１層配線９５は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。一方、メタル１層配線９３はメタル１層配線９４と接続されていない。メタル１層配線９４は、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・のいずれかと重複するような位置に敷設されている。従って、ポリシリコン配線９１、９２及びメタル１層配線９３には、メタル１層配線９５、コンタクト９６及び９７を介してＶＳＳ電源が供給される。
【００９４】
すなわち、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）のようにＶＳＳ電源補強セル９０（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）を配置することにより、メタル１層配線９３によりＶＳＳ電源補強線がＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・のいずれかと接続される。
【００９５】
ＶＳＳ電源補強セル９０は、例えば配線グリッド間隔と同じ幅を有し、９８−１、９８−２、９８−３、９８−４はＶＳＳ電源補強セル９０の辺（境界）を示す。そして、例えば、図１（Ａ）において、ＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１は、辺９８−１及び９８−３が機能セルＦＣ２０４の一辺及び機能セルＦＣ２０５の一辺とそれぞれ接するように配置されている。また、図１（Ｂ）におけるＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１は、辺９８−１及び９８−３が機能セルＦＣ２０４の一辺及び機能セルＦＣ２０５の一辺とそれぞれ接し、辺９８−４及び９８−２が機能セルＦＣ１０５の一辺及びＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ３０１の辺９８−２とそれぞれ接するように配置されている。
【００９６】
さらに、ポリシリコン配線９１、９２は、セルの辺９８−２（第１の辺）及び辺９８−２と対向する辺９８−４（第２の辺）に接するように敷設されていてもよい。図１（Ａ）又は図１（Ｂ）では、辺９８−２、９８−４がＹ方向と直交するようにＶＳＳ電源補強セル９０（ＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、・・・、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、・・・、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、・・・）を配置している。
【００９７】
そのため、図１（Ａ）の集積回路装置１の場合、２つのＶＳＳ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＳＳ２０１及びＰＣＶＳＳ３０１）がＹ方向に沿って並んで配置されると、配線領域３０を利用して、２つのＶＳＳ電源補強セルのポリシリコン配線９１同士及びポリシリコン配線９２同士を接続する配線（例えば、ポリシリコン配線、メタル１層配線、メタル２層配線等）をＹ方向に沿って敷設することができる。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。また、図１（Ｂ）の集積回路装置１の場合、２つのＶＳＳ電源補強セル（例えば、ＰＣＶＳＳ２０１及びＰＣＶＳＳ３０１）がＹ方向に沿って並んで配置（隣接するように配置）されると、２つのＶＳＳ電源補強セルのポリシリコン配線９１及びポリシリコン配線９２同士が接続される。従って、電源補強のための専用の配線領域を必要とせずに効率よく電源補強を行うことができる。
【００９８】
また、ＶＳＳ電源補強セル９０はメタル１層配線９３を含むので、ＶＳＳ電源補強セル９０を未配置領域に配置することによりメタル１層配線の分布の均等化を向上させることができる。
【００９９】
さらに、ＶＳＳ電源補強セル９０はＶＳＳ電源が供給されるＶＳＳ電源補強線を含むので、ＶＳＳ電源補強セル９０を未配置領域に配置することによりシールド効果が得られる。
【０１００】
本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法においては、最後に、機能セル間のネットを配線する（図２のステップＳ１６）。ステップＳ１６の処理において、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・、及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル１配線層よりも上位のメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）において、機能セルを接続するネットを配線する。ここで、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置された場合に形成されるＶＳＳ電源を補強するための配線パターンは、ポリシリコン配線、コンタクト、メタル１配線層において形成されるので、機能セル間のネットの配線に影響を与えない。
【０１０１】
図８は、図６に示すＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に並んで２つ配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図である。ＶＤＤ電源補強セル８０−１及び８０−２がＹ方向に並んで配置（隣接するように配置）されている。ここで、ＶＤＤ電源補強セル８０−２はＶＤＤ電源補強セル８０−１に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。
【０１０２】
ＶＤＤ電源補強セル８０−１及び８０−２は、例えば、それぞれ図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１及びＰＣＶＤＤ２０１又はＰＣＶＤＤ１０２及びＰＣＶＤＤ２０２に対応する。従って、ＶＤＤ電源補強セル８０−１のメタル１層配線８４−１及び８５−１には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−１及びＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、ＶＤＤ電源補強セル８０−２のメタル１層配線８４−２及び８５−２には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３）及びＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。
【０１０３】
そして、ＶＤＤ電源補強セル８０−１のメタル１層配線８４−１（ＶＤＤ電源供給線１０−１）とＶＤＤ電源補強セル８０−２のメタル１層配線８４−２（ＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３））は、ＶＤＤ電源補強セル８０−１のメタル１層配線８３−１、コンタクト８７−１、ポリシリコン配線８２−１、及びＶＤＤ電源補強セル８０−２のポリシリコン配線８２−２、コンタクト８７−２、メタル１層配線８３−２を介して接続される。すなわち、ＶＤＤ電源補強セル８０−１のメタル１層配線８３−１、コンタクト８７−１、ポリシリコン配線８２−１、及びＶＤＤ電源補強セル８０−２のポリシリコン配線８２−２、コンタクト８７−２、メタル１層配線８３−２により、ポリシリコン配線パターン８２−１及び８２−２をＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）と交差させて、ＶＤＤ電源供給線１０−１及びＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３）を接続するＶＤＤ電源を補強するための配線パターンが形成される。
【０１０４】
図９は、図７に示すＶＳＳ電源補強セルがＹ方向に並んで２つ配置された場合に形成されるＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図である。ＶＳＳ電源補強セル９０−２及び９０−３がＹ方向に並んで配置（隣接するように配置）されている。ここで、ＶＳＳ電源補強セル９０−３はＶＳＳ電源補強セル９０−２に対してＹ方向に沿って向きが反転するように配置されている。
【０１０５】
ＶＳＳ電源補強セル９０−２及び９０−３は、例えば、それぞれ図１（Ｂ）におけるＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ２０１及びＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ２０２及びＰＣＶＳＳ３０２又はＰＣＶＳＳ２０３及びＰＣＶＳＳ３０３に対応する。従って、ＶＳＳ電源補強セル９０−２のメタル１層配線９４−２及び９５−２には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３）及びＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。同様に、ＶＳＳ電源補強セル９０−３のメタル１層配線９４−３及び９５−３には、例えば、それぞれＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３）及びＶＳＳ電源供給線２０−３からＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源が供給される。
【０１０６】
そして、ＶＳＳ電源補強セル９０−２のメタル１層配線９５−２（ＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２））とＶＳＳ電源補強セル９０−３のメタル１層配線９５−３（ＶＳＳ電源供給線２０−３）は、ＶＳＳ電源補強セル９０−２のメタル１層配線９３−２、コンタクト９６−２、ポリシリコン配線９１−２、及びＶＳＳ電源補強セル９０−３のポリシリコン配線９１−３、コンタクト９６−３、メタル１層配線９３−３を介して接続される。すなわち、ＶＳＳ電源補強セル９０−２のメタル１層配線９３−２、コンタクト９６−２、ポリシリコン配線９１−２、及びＶＳＳ電源補強セル９０−３のポリシリコン配線９１−３、コンタクト９６−３、メタル１層配線９３−３により、ポリシリコン配線パターン９１−２及び９１−３をＶＤＤ電源供給線１０−２（１０−３）と交差させて、ＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）及びＶＳＳ電源供給線２０−３を接続するＶＳＳ電源を補強するための配線パターンが形成される。
【０１０７】
結局、図１（Ｂ）の集積回路装置１では、ＰＣＶＤＤ１０１とＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ１０２とＰＣＶＤＤ２０２の２組のＶＤＤ電源補強セルにより、ＶＤＤ電源供給線１０−１と１０−２（１０−３）をＹ方向に接続する２つの配線パターンが形成される。また、ＰＣＶＳＳ２０１とＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ２０２とＰＣＶＳＳ３０２、ＰＣＶＳＳ２０３とＰＣＶＳＳ３０３の３組のＶＳＳ電源補強セルにより、ＶＳＳ電源供給線２０−１（２０−２）と２０−３をＹ方向に接続する３つの配線パターンが形成される。
【０１０８】
図１０は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの他の一例である。図１０に示すフローチャートのステップＳ２０の処理は、図２に示すフローチャートのステップＳ１０の処理と同じである。
【０１０９】
一方、図２に示すフローチャートが未配置領域探索ステップ（ステップＳ１２）及び電源補強セル配置ステップ（ステップＳ１４）の処理を行った後にステップＳ１６において機能セル間のネットを配線するのに対して、図１０に示すフローチャートはステップＳ２２において機能セル間のネットを配線した後に未配置領域探索ステップ（ステップＳ２４）及び電源補強セル配置ステップ（ステップＳ２６）の処理を行う点において相違する。
【０１１０】
ステップＳ２２の処理において、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）におけるＶＤＤ電源供給線１０−１、１０−２、１０−３、・・・及びＶＳＳ電源供給線２０−１、２０−２、２０−３、・・・が敷設されるメタル１配線層よりも上位のメタル配線層（例えば、メタル２配線層〜メタル４配線層）において、機能セルを接続するネットを配線する。これに対して、ＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルはポリシリコン配線層及びメタル１配線層で配線が行われている。従って、ステップＳ２２の処理において機能セルを接続するネットを配線した後であっても、ステップＳ２６の処理において当該ネットの配線を変更することなく未配置領域にＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルを配置することができる。
【０１１１】
図１１は、電源補強セル配置ステップにおける処理を示すフローチャートの一例である。
【０１１２】
未配置領域が存在する場合（ステップＳ３０でＹｅｓの場合）、未配置領域における配線グリッド番号を検索する（ステップＳ３２）。
【０１１３】
そして、未配置領域における配線グリッド番号が偶数の場合（ステップＳ３４でＹｅｓの場合）はＶＤＤ電源補強セルを配置し（ステップＳ３６）、未配置領域における配線グリッド番号が奇数の場合（ステップＳ３４でＮｏの場合）はＶＳＳ電源補強セルを配置する（ステップＳ３８）。
【０１１４】
例えば、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）において、未配置領域ＮＰＡ１０１、ＮＰＡ１０４、ＮＰＡ１０５、ＮＰＡ２０１、ＮＰＡ２０４、ＮＰＡ３０２、ＮＰＡ３０４には、Ｙ方向に沿って偶数の配線グリッド番号（８、２８、４２、８、２８、２０、２８）が付けられている。従って、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すように、未配置領域ＮＰＡ１０１、ＮＰＡ１０４、ＮＰＡ１０５、ＮＰＡ２０１、ＮＰＡ２０４、ＮＰＡ３０２、ＮＰＡ３０４には、ＶＤＤ電源補強セルＰＣＶＤＤ１０１、ＰＣＶＤＤ１０２、ＰＣＶＤＤ１０３、ＰＣＶＤＤ２０１、ＰＣＶＤＤ２０２、ＰＣＶＤＤ３０１、ＰＣＶＤＤ３０２が配置されている。また、図３（Ａ）又は図３（Ｂ）において、未配置領域ＮＰＡ１０２、ＮＰＡ１０３、ＮＰＡ２０２、ＮＰＡ２０３、ＮＰＡ２０５、ＮＰＡ３０１、ＮＰＡ３０３、ＮＰＡ３０５には、Ｙ方向に沿って奇数の配線グリッド番号（１９、２７、１３、２７、３７、１３、２７、３７）が付けられている。従って、図１（Ａ）又は図１（Ｂ）に示すように、未配置領域ＮＰＡ１０２、ＮＰＡ１０３、ＮＰＡ２０２、ＮＰＡ２０３、ＮＰＡ２０５、ＮＰＡ３０１、ＮＰＡ３０３、ＮＰＡ３０５には、ＶＳＳ電源補強セルＰＣＶＳＳ１０１、ＰＣＶＳＳ１０２、ＰＣＶＳＳ２０１、ＰＣＶＳＳ２０２、ＰＣＶＳＳ２０３、ＰＣＶＳＳ３０１、ＰＣＶＳＳ３０２、ＰＣＶＳＳ３０３が配置されている。
【０１１５】
図１１のフローチャートにおいて、例えば、ＶＤＤ電源をＶＳＳ電源よりも補強したい場合には、ステップＳ３０の処理の前に偶数番号のグリッドの未配置領域の数と奇数番号のグリッドの未配置領域の数を比較し、多い方にＶＤＤ電源補強セルを配置するようにしてもよい。
【０１１６】
このように、未配置領域の配線グリッド番号が偶数か奇数かによってＶＤＤ電源補強セル又はＶＳＳ電源補強セルのいずれを配置するかを決定することにより、所定の番号の配線グリッドにおいてＹ方向に連続して未配置領域が存在する場合には、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル又は少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置される。そして、偶数番号の配線グリッドの未配置領域の数と奇数番号の配線グリッドの未配置領域の数がほぼ同じであれば、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルがＹ方向に沿って並んで配置される確率が高くなる。従って、ＶＤＤ電源を補強する配線パターン及びＶＳＳ電源を補強する配線パターンの数を効率的に増加させることができる。
【０１１７】
以上、図１〜図１１で説明したように、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの一方をＹ方向に沿って並べて配置することにより、Ｙ方向に沿って、ＶＤＤ電源補強線を介して２つのＶＤＤ電源供給線を接続する配線パターン及びＶＳＳ電源補強線を介して２つのＶＳＳ電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの一方をＹ方向に沿って並べて配置するだけでＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【０１１８】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源供給線及びＶＳＳ電源供給線がメタル１配線層に敷設されるのに対して、ＶＤＤ電源補強セルに含まれるＶＤＤ電源補強線の少なくとも一部及びＶＳＳ電源補強セルに含まれるＶＳＳ電源補強線の少なくとも一部はメタル１配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンをＶＳＳ電源供給線及びＶＤＤ電源供給線とそれぞれ交差させるようにＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルが配置される。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源供給線とＶＳＳ電源補強線、ＶＳＳ電源供給線とＶＤＤ電源補強線をそれぞれショートさせることなく、ＶＤＤ電源を補強するための配線パターン及びＶＳＳ電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【０１１９】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルはそれぞれ第１のメタル配線パターン及び第２のメタル配線パターンがセルの第１の辺及び第１の辺と対向する第２の辺に接するように敷設され、第１の辺及び第２の辺がＹ方向と直交するようにＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルを配置する。従って、２つのＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置された場合には、各ＶＤＤ電源補強セルの第１のメタル配線パターン同士が接続され、２つのＶＳＳ電源補強セルがＹ方向に沿って隣接するように配置された場合には、各ＶＳＳ電源補強セルの第２のメタル配線パターン同士が接続される。すなわち、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、少なくとも２つのＶＤＤ電源補強セル及び少なくとも２つのＶＳＳ電源補強セルの少なくとも一方をＹ方向に沿って隣接するように配置するだけで、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、あらかじめ電源補強のための配線領域を確保することなく、効率的に電源補強をすることができる。
【０１２０】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、ＶＤＤ電源及びＶＳＳ電源を補強するための各配線パターンが、機能セルを接続するネットを配線するメタル配線層（例えばメタル２配線層〜メタル４配線層）よりも下位のメタル１配線層及びポリシリコン配線層において形成される。従って、機能セルを接続するネットの配線にＶＤＤ電源補強セル及びＶＳＳ電源補強セルの配置が影響しない。すなわち、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法によれば、不必要に配線領域を増加させることなくネットの配線を行うことができるので、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現することができる。
【０１２１】
３．集積回路装置のレイアウトシステム、集積回路装置のレイアウトプログラム
図１２は、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム及びレイアウトプログラムについて説明するための図である。本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム２００は、当該構成要素（各部）の一部を省略した構成としてもよい。
【０１２２】
操作部２２０は、ユーザーの操作等をデータとして入力するためのものであり、その機能は、例えばキーボードやマウス等のハードウェアにより実現できる。
【０１２３】
記憶部２３０は、処理部２１０や通信部２７０などのワーク領域となるもので、その機能はＲＡＭなどのハードウェアにより実現できる。
【０１２４】
記憶部２３０は、ライブラリ情報記憶部２３２を含む。
【０１２５】
ライブラリ情報記憶部２３２は、設計データにより得られたライブラリ情報（論理回路情報、レイアウト情報、接続情報）や、生成されたネットリストの情報等が記憶されている。
【０１２６】
情報記憶媒体２４０（コンピュータにより読み取り可能な媒体）は、プログラムやデータなどを格納するものであり、その機能は、光ディスク（ＣＤ、ＤＶＤ等）、光磁気ディスク（ＭＯ）、磁気ディスク、ハードディスク、磁気テープ、或いはメモリ（ＲＯＭ）などのハードウェアにより実現できる。
【０１２７】
また情報記憶媒体２４０には、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるプログラムやデータが記憶される。
【０１２８】
処理部２１０は、この情報記憶媒体２４０に格納されるプログラム（レイアウトプログラム）や情報記憶媒体２４０から読み出されたデータ（機能セルや第１の電源補強セル、第２の電源補強セルのデータ等）などに基づいて本実施形態の種々の処理を行う。即ち情報記憶媒体２４０には、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム（各手段の処理をコンピュータに実行させるためのプログラム）が記憶される。
【０１２９】
表示部２５０は、本実施形態により生成された画像を出力するものであり、その機能は、ＣＲＴディスプレイ、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＯＥＬＤ（有機ＥＬディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、タッチパネル型ディスプレイなどのハードウェアにより実現できる。
【０１３０】
音出力部２６０は、本実施形態により生成された音を出力するものであり、その機能は、スピーカ、或いはヘッドフォンなどのハードウェアにより実現できる。
【０１３１】
通信部２７０は、外部（例えばサーバ装置や他の端末機）との間で通信を行うための各種の制御を行うものであり、その機能は、各種プロセッサ又は通信用ＡＳＩＣなどのハードウェアや、プログラムなどにより実現できる。
【０１３２】
処理部２１０（プロセッサ）は、操作部２２０からの操作データやプログラムなどに基づいて、各種処理などを行う。この処理部２１０は記憶部２３０をワーク領域として各種処理を行う。処理部２１０の機能は各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ等）、ＡＳＩＣ（ゲートアレイ等）などのハードウェアや、アプリケーションプログラム、ＯＳ（例えば汎用ＯＳ等）により実現できる。
【０１３３】
処理部２１０は、未配置領域探索手段２１２、電源補強セル配置手段２１４を含む。処理部２１０は、さらに、機能セル配置手段２１６、ネット配線手段２１８を含んでもよい。
【０１３４】
未配置領域探索手段２１２は、複数の機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、所定の領域における機能セルが配置されていない未配置領域を探索する処理を行う。
【０１３５】
電源補強セル配置手段２１４は、未配置領域探索手段２１２が探索した未配置領域に、少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターンにより形成された第１の電源補強線を含む第１の電源補強セル及び少なくとも一部がポリシリコン配線層に敷設された第２のポリシリコン配線パターンにより形成された第２の電源補強線を含む第２の電源補強セルを配置する処理を行う。そして、電源補強セル配置手段２１４は、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させて、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成されるように、少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置する。
【０１３６】
機能セル配置手段２１６は、所定の領域において第１の方向及び第１の方向に直交する第２の方向にアレイ状に複数の機能セルを配置する処理を行う。
【０１３７】
ネット配線手段２１８は、集積回路装置（の一部）の回路接続情報に基づいて、機能セルを接続するネットを配線する処理を行う。
【０１３８】
未配置領域探索手段２１２及び電源補強セル配置手段２１４は、機能セル配置手段２１６が機能セルを配置する処理を行った後のレイアウトにおいて、それぞれ未配置領域を探索する処理及び第１の電源補強セル、第２の電源補強セルを配置する処理を行うようにしてもよい。
【０１３９】
また、未配置領域探索手段２１２及び電源補強セル配置手段２１４は、ネット配線手段２１８が機能セルを接続するネットを配線する処理を行った後のレイアウトにおいて、それぞれ未配置領域を探索する処理及び第１の電源補強セル、第２の電源補強セルを配置する処理を行うようにしてもよい。
【０１４０】
本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、機能セルを所定の領域に配置した後のレイアウトにおいて、機能セルの未配置領域に少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置することにより、第２の方向に沿って、第１の電源補強線を介して２つの第１の電源供給線を接続する配線パターン及び第２の電源補強線を介して２つの第２の電源供給線を接続する配線パターンの少なくとも一方が形成される。すなわち、少なくとも２つの第１の電源補強セル及び少なくとも２つの第２の電源補強セルの少なくとも一方を第２の方向に沿って並べて配置するだけで第１の電源及び第２の電源の少なくとも一方を補強することができる。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、チップ面積の増加を伴わずに電源補強を実現する集積回路装置を提供することができる。
【０１４１】
また、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、第１の電源供給線及び第２の電源供給線が所定のメタル配線層に敷設されるのに対して、第１の電源補強セルに含まれる第１の電源補強線の少なくとも一部及び第２の電源補強セルに含まれる第２の電源補強線の少なくとも一部はメタル配線層よりも下位のポリシリコン配線層に敷設された第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンによりそれぞれ形成される。そして、第１のポリシリコン配線パターン及び第２のポリシリコン配線パターンを第２の電源供給線及び第１の電源供給線とそれぞれ交差させるように第１の電源補強セル及び第２の電源補強セルが配置される。従って、本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム又はレイアウトプログラムによれば、第１の電源供給線と第２の電源補強線、第２の電源供給線と第１の電源補強線をそれぞれショートさせることなく、第１の電源を補強するための配線パターン及び第２の電源を補強するための配線パターンの少なくとも一方を形成することができる。
【０１４２】
なお、本実施形態の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム（レイアウトプログラム）は、ホスト装置（サーバー）が有する情報記憶媒体からネットワーク及び通信部２７０を介して情報記憶媒体２４０（記憶部２３０）に配信してもよい。このようなホスト装置（サーバー）の情報記憶媒体の使用も本発明の範囲内に含めることができる。
【０１４３】
４．電子機器
図１３に、本実施の形態の電子機器のブロック図の一例を示す。本電子機器８００は、マイクロコンピュータ（集積回路装置）８１０、入力部８２０、メモリ８３０、電源生成部８４０、ＬＣＤ８５０、音出力部８６０を含む。
【０１４４】
ここで、入力部８２０は、種々のデータを入力するためのものである。マイクロコンピュータ８１０は、この入力部８２０により入力されたデータに基づいて種々の処理を行うことになる。メモリ８３０は、マイクロコンピュータ８１０などの作業領域となるものである。電源生成部８４０は、電子機器８００で使用される各種電源を生成するためのものである。ＬＣＤ８５０は、電子機器が表示する各種の画像（文字、アイコン、グラフィック等）を出力するためのものである。
【０１４５】
音出力部８６０は、電子機器８００が出力する各種の音（音声、ゲーム音等）を出力するためのものであり、その機能は、スピーカなどのハードウェアにより実現できる。
【０１４６】
図１４（Ａ）に、電子機器の１つである携帯電話９５０の外観図の例を示す。この携帯電話９５０は、入力部として機能するダイヤルボタン９５２や、電話番号や名前やアイコンなどを表示するＬＣＤ９５４や、音出力部として機能し音声を出力するスピーカ９５６を備える。
【０１４７】
図１４（Ｂ）に、電子機器の１つである携帯型ゲーム装置９６０の外観図の例を示す。この携帯型ゲーム装置９６０は、入力部として機能する操作ボタン９６２、十字キー９６４や、ゲーム画像を表示するＬＣＤ９６６や、音出力部として機能しゲーム音を出力するスピーカ９６８を備える。
【０１４８】
図１４（Ｃ）に、電子機器の１つであるパーソナルコンピュータ９７０の外観図の例を示す。このパーソナルコンピュータ９７０は、入力部として機能するキーボード９７２や、文字、数字、グラフィックなどを表示するＬＣＤ９７４、音出力部９７６を備える。
【０１４９】
本実施の形態の集積回路装置を図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）の電子機器に組み込むことにより、電源ノイズに強く信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１５０】
なお、本実施形態を利用できる電子機器としては、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示すもの以外にも、携帯型情報端末、ページャー、電子卓上計算機、タッチパネルを備えた装置、プロジェクタ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置等の種々の電子機器を考えることができる。
【０１５１】
なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１５２】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置について説明するための図である。
【図２】本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するための図である。
【図４】機能セルの一例としてのインバータセルの構成の一例を示す図。
【図５】機能セルの一例としての２入力ＮＡＮＤセルの構成の一例を示す図。
【図６】ＶＤＤ電源補強セルの構成の一例を示す図。
【図７】ＶＳＳ電源補強セルの構成の一例を示す図。
【図８】ＶＤＤ電源補強セルがＹ方向に２つ並んで配置された場合に形成されるＶＤＤ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図。
【図９】ＶＳＳ電源補強セルがＹ方向に２つ並んで配置された場合に形成されるＶＳＳ電源を補強するための配線パターンについて説明するための図。
【図１０】本実施形態の集積回路装置のレイアウト方法について説明するためのフローチャートの一例。
【図１１】電源補強セル配置ステップにおける処理を示すフローチャートの一例。
【図１２】本実施形態の集積回路装置のレイアウトシステム及びレイアウトプログラムについて説明するための図。
【図１３】集積回路装置を含む電子機器のブロック図の一例。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、種々の電子機器の外観図の例。
【符号の説明】
【０１５４】
１  集積回路装置、２  機能セル配置可能領域、３  配線グリッド、１０−１〜１０−３  ＶＤＤ電源供給線、２０−１〜２０−３  ＶＳＳ電源供給線、３０  配線領域、４０  インバータセル、４１  ポリシリコン配線、４２  Ｐ型拡散領域、４３  Ｎ型拡散領域、４４  メタル１層配線、４５  メタル１層配線、４６  メタル１層配線、４７  メタル１層配線、４８  コンタクト、４９  コンタクト、５０  コンタクト、５１  コンタクト、５２  コンタクト、５３−１〜５３−４  辺、６０  ２入力ＮＡＮＤセル、６１  ポリシリコン配線、６２  ポリシリコン配線、６３  Ｐ型拡散領域、６４  Ｎ型拡散領域、６５  メタル１層配線、６６  メタル１層配線、６７  メタル１層配線、６８  メタル１層配線、６９  メタル１層配線、７０  コンタクト、７１  コンタクト、７２  コンタクト、７３  コンタクト、７４  コンタクト、７５  コンタクト、７６  コンタクト、７７−１〜７７−４  辺、８０  ＶＤＤ電源補強セル、８０−１〜８０−２  ＶＤＤ電源補強セル、８１  ポリシリコン配線、８１−１〜８１−２  ポリシリコン配線、８２  ポリシリコン配線、８２−１〜８２−２  ポリシリコン配線、８３  メタル１層配線、８３−１〜８３−２  メタル１層配線、８４  メタル１層配線、８４−１〜８４−２  メタル１層配線、８５  メタル１層配線、８５−１〜８５−２  メタル１層配線、８６  コンタクト、８６−１〜８６−２  コンタクト、８７  コンタクト、８７−１〜８７−２  コンタクト、８８−１〜８８−４  辺、９０  ＶＳＳ電源補強セル、９０−２〜９０−３  ＶＳＳ電源補強セル、９１  ポリシリコン配線、９１−２〜９１−３  ポリシリコン配線、９２  ポリシリコン配線、９２−２〜９２−３  ポリシリコン配線、９３  メタル１層配線、９３−２〜９３−３  メタル１層配線、９４  メタル１層配線、９４−２〜９４−３  メタル１層配線、９５  メタル１層配線、９５−２〜９５−３  メタル１層配線、９６  コンタクト、９６−２〜９６−３  コンタクト、９７  コンタクト、９７−２〜９７−３  コンタクト、９８−１〜９８−４  辺、２００  レイアウトシステム、２１０  処理部、２１２  未配置領域探索手段、２１４  電源補強セル配置手段、２１６  機能セル配置手段、２１８  ネット配線手段、２２０  操作部、２３０  記憶部、２３２  ライブラリ情報記憶部、２４０  情報記憶媒体、２５０  表示部、２６０  音出力部、２７０  通信部、８００  電子機器、８１０  マイクロコンピュータ（集積回路装置）、８２０  入力部、８３０  メモリ、８４０  電源生成部、８５０  ＬＣＤ、８６０  音出力部、９５０  携帯電話、９５２  ダイヤルボタン、９５４  ＬＣＤ、９５６  スピーカ、９６０  携帯型ゲーム装置、９６２  操作ボタン、９６４  十字キー、９６６  ＬＣＤ、９６８  スピーカ、９７０  パーソナルコンピュータ、９７２  キーボード、９７４  ＬＣＤ、９７６  音出力部
【図１】
2009170515.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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