(57)【要約】【課題】稼動率の低下を抑制しつつ保持部をクリーニングでき、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、基板を着脱可能な第１保持部を有し、射出面と対向する第１位置を含む所定領域内を移動可能な第１部材と、第１位置に配置可能な第２部材と、光学部材と第１位置に配置された第２部材との間に液体が保持された状態で、第１部材の第１保持部をクリーニングする第１クリーニング装置とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光を射出する射出面を有する光学部材と、
基板を着脱可能な第１保持部を有し、前記射出面と対向する第１位置を含む所定領域内を移動可能な第１部材と、
前記第１位置に配置可能な第２部材と、
前記光学部材と前記第１位置に配置された前記第２部材との間に液体が保持された状態で、前記第１部材の前記第１保持部をクリーニングする第１クリーニング装置と、を備えた露光装置。
【請求項２】
前記第１保持部に保持されている基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける該基板の表面の高さ情報を検出可能な検出装置をさらに備え、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作が制御される請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記高さ情報の少なくとも一つが異常であるか否かが判断され、前記判断結果に基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作を開始するか否かが判断される請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１保持部に保持された第１の基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける高さ情報が前記検出装置で検出された後、前記第１保持部に保持された第２の基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける高さ情報が前記検出装置で検出され、
前記第１の基板に関する検出結果と、前記第２の基板に関する検出結果とに基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作が制御される請求項２又は３記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置と、前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置との関係に基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作が制御される請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、前記第１保持部に保持されている前記第２の基板を前記第１保持部から搬出した後、前記第１保持部に対するクリーニング動作が開始される請求項４又は５記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１保持部から搬出された前記第２の基板を前記第１位置と異なる第２位置で支持する支持部材を備える請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記第１保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記第２の基板の露光が開始される請求項４又は５記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１保持部に保持された基板の表面をクリーニングする第２クリーニング装置をさらに備え、
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記第１保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記第１保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記第２クリーニング装置を用いる前記第２の基板の表面に対するクリーニング動作が開始される請求項４又は５記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１保持部に保持された基板の表面をクリーニングする第２クリーニング装置をさらに備え、
前記検出装置は、前記第１保持部に保持された基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける前記高さ情報を検出する第１検出動作を実行し、
前記第１検出動作で検出された前記高さ情報の少なくとも一つが異常であると判断された場合、前記第２クリーニング装置を用いる前記基板の表面に対するクリーニング動作が実行され、
前記検出装置は、前記基板の表面に対するクリーニング動作が実行された後、前記基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける前記高さ情報を検出する第２検出動作を実行し、
前記第１検出動作の検出結果と、前記第２検出動作の検出結果とに基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作が制御される請求項２又は３記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第１検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置と、前記第２検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置との関係に基づいて、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作が制御される請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、前記第１保持部に保持されている前記基板を前記第１保持部から搬出した後、前記第１クリーニング装置を用いる前記第１保持部に対するクリーニング動作が開始される請求項１０又は１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１保持部から搬出された前記基板を前記第１位置と異なる第２位置で支持する支持部材を備える請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記第１保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記基板の露光が開始される請求項１０又は１１記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２検出動作において前記高さ情報がいずれも異常でないと判断された場合、前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作を実行せずに、前記基板の露光が開始される請求項１０記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置が、前記第１検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記第１保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記第１保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記第２クリーニング装置を用いる前記基板の表面に対するクリーニング動作が開始される請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１７】
前記第２クリーニング装置は、気体を供給可能な気体供給口を備え、
前記気体供給口より前記基板の表面に気体を供給する請求項９〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第２クリーニング装置は、気体を吸引可能な気体吸引口を備え、
前記基板の表面と前記気体吸引口とを対向させた状態で、前記気体吸引口より気体を吸引する請求項９〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記検出装置は、前記基板に前記露光光が照射される前に、前記高さ情報を検出する請求項２〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記第２部材は、基板を保持せずに、計測器を搭載しながら前記第１位置を含む所定領域内を移動可能である請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第１クリーニング装置を用いるクリーニング動作の少なくとも一部と並行して、前記計測器を用いる計測動作が実行される請求項２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第２部材は、基板を保持しながら、前記第１位置を含む所定領域内を移動可能である請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第１部材は、プレート部材を着脱可能な第２保持部を有し、
前記第２部材は、前記プレート部材を含む請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記第１クリーニング装置は、前記第１保持部を研磨する研磨部材を含む請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
請求項１〜２４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２６】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に用いられるクリーニング方法であって、
前記露光光を射出する光学部材の射出面と対向する第１位置を含む所定領域内を移動可能な第１部材の基板保持部をクリーニングすることと、
前記基板保持部のクリーニング中、前記第１位置に配置された第２部材と前記光学部材との間に液体を保持することと、を含むクリーニング方法。
【請求項２７】
前記基板保持部に保持されている基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける該基板の表面の高さ情報を検出することをさらに含み、
前記検出結果に基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作が制御される請求項２６記載のクリーニング方法。
【請求項２８】
前記高さ情報の少なくとも一つが異常であるか否かが判断され、前記判断結果に基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作を開始するか否かが判断される請求項２７記載のクリーニング方法。
【請求項２９】
前記基板保持部に保持された第１の基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける高さ情報を検出することと、
前記第１の基板の前記高さ情報を検出した後、前記基板保持部に保持された第２の基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける高さ情報を検出することと、を含み、
前記第１の基板に関する検出結果と、前記第２の基板に関する検出結果とに基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作が制御される請求項２７又は２８記載のクリーニング方法。
【請求項３０】
前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置と、前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置との関係に基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作が制御される請求項２９記載のクリーニング方法。
【請求項３１】
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、前記基板保持部に保持されている前記第２の基板を前記基板保持部から搬出した後、前記基板保持部に対するクリーニング動作が開始される請求項２９又は３０記載のクリーニング方法。
【請求項３２】
前記基板保持部から搬出された前記第２の基板は、前記第１位置と異なる第２位置で支持される請求項３１記載のクリーニング方法。
【請求項３３】
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記基板保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記第２の基板の露光が開始される請求項２９又は３０記載のクリーニング方法。
【請求項３４】
前記第２の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１の基板の表面において前記高さ情報が異常な検出点の前記基板保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記基板保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記基板保持部に保持された基板の表面に対するクリーニング動作が開始される請求項２９又は３０記載のクリーニング方法。
【請求項３５】
前記基板保持部に保持された基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける前記高さ情報を第１タイミングで検出することと、
前記第１タイミングで検出された前記高さ情報の少なくとも一つが異常であると判断された場合、前記基板の表面に対するクリーニング動作を実行することと、
前記基板の表面に対するクリーニング動作が実行された後、前記基板の表面の複数の検出点のそれぞれにおける前記高さ情報を第２タイミングで検出することと、を含み、
前記第１タイミングの検出動作の検出結果と、前記第２タイミングの検出動作の検出結果とに基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作が制御される請求項２７又は２８記載のクリーニング方法。
【請求項３６】
前記第１タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置と、前記第２タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置との関係に基づいて、前記基板保持部に対するクリーニング動作が制御される請求項３５記載のクリーニング方法。
【請求項３７】
前記第２タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、前記基板保持部に保持されている前記基板を前記基板保持部から搬出した後、前記基板保持部に対するクリーニング動作が開始される請求項３５又は３６記載のクリーニング方法。
【請求項３８】
前記基板保持部から搬出された前記基板は、前記第１位置と異なる第２位置で支持される請求項３７記載のクリーニング方法。
【請求項３９】
前記第２タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記基板保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記基板の露光が開始される請求項３５又は３６記載のクリーニング方法。
【請求項４０】
前記第２タイミングの検出動作において前記高さ情報がいずれも異常でないと判断された場合、前記基板保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記基板の露光が開始される請求項３５記載のクリーニング方法。
【請求項４１】
前記第２タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置が、前記第１タイミングの検出動作において前記高さ情報が異常と判断された検出点の前記基板保持部に対する位置と異なると判断された場合、前記基板保持部に対するクリーニング動作を実行せずに、前記基板の表面に対するクリーニング動作が開始される請求項３６又は３７記載のクリーニング方法。
【請求項４２】
前記基板の表面に対するクリーニング動作は、前記基板の表面に気体を供給することを含む請求項３４〜４１のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４３】
前記基板の表面に対するクリーニング動作は、前記基板の表面近傍の気体を吸引することを含む請求項３４〜４２のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４４】
前記基板に前記露光光が照射される前に、前記高さ情報が検出される請求項２７〜４３のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４５】
前記第２部材は、基板を保持せずに、計測器を搭載しながら前記第１位置を含む所定領域内を移動可能である請求項２６〜４４のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４６】
前記基板保持部に対するクリーニング動作の少なくとも一部と並行して、前記計測器を用いる計測動作が実行される請求項４５記載のクリーニング方法。
【請求項４７】
前記第２部材は、基板を保持しながら、前記第１位置を含む所定領域内を移動可能である請求項２６〜４６のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４８】
前記第２部材は、前記第１部材が着脱可能なプレート部材を含む請求項２６〜４７のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項４９】
前記基板保持部に対するクリーニング動作は、前記基板保持部を研磨することを含む請求項２６〜４８のいずれか一項記載のクリーニング方法。
【請求項５０】
請求項２６〜請求項４９のいずれか一項記載のクリニーニング方法を用いてクリーニングされた基板保持部に基板を保持することと、
前記光学部材と前記基板保持部に保持された基板との間の液体を介して露光光で前記基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置、露光装置に用いられるクリーニング方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献１に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。液浸露光装置においては、露光光を射出可能な光学部材と基板との間の露光光の光路が液体で満たされるように液浸部が形成される。基板は、基板ステージの保持部に保持され、光学部材から射出された露光光は、液浸部の液体を介して、保持部に保持された基板に照射される。露光装置において、基板と保持部との間に異物が存在すると、例えば基板の平面度が低下し、その結果、露光不良が発生し、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、例えば下記特許文献２に開示されているような、保持部をクリーニングする技術が案出されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書
【特許文献２】米国特許第５５５９５８２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置において、液浸部の液体を全て回収する処理、あるいは液浸部を再形成する処理は、時間を要する可能性がある。そのため、露光装置の稼動率が低下したり、スループットが低下したりする問題が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明の態様は、稼動率の低下を抑制しつつクリーニング動作を実行でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、稼動率の低下を抑制しつつクリーニング動作を実行でき、露光不良の発生を抑制できるクリーニング方法を提供することを目的とする。また本発明は、生産性の低下を抑制しつつ不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する射出面を有する光学部材と、基板を着脱可能な第１保持部を有し、射出面と対向する第１位置を含む所定領域内を移動可能な第１部材と、第１位置に配置可能な第２部材と、光学部材と第１位置に配置された第２部材との間に液体が保持された状態で、第１部材の第１保持部をクリーニングする第１クリーニング装置と、を備えた露光装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に用いられるクリーニング方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と対向する第１位置を含む所定領域内を移動可能な第１部材の基板保持部をクリーニングすることと、基板保持部のクリーニング中、第１位置に配置された第２部材と光学部材との間に液体を保持することと、を含むクリーニング方法が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様のクリニーニング方法を用いてクリーニングされた基板保持部に基板を保持することと、光学部材と基板保持部に保持された基板との間の液体を介して露光光で前記基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、稼動率の低下を抑制しつつクリーニング動作が実行され、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、生産性の低下を抑制しつつ不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸ１の一例を示す概略構成図、図２は、露光装置ＥＸ１を模式的に示す平面図であって、基板ステージ１及び計測ステージ２の近傍を上方から見た図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸ１が、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器を搭載しながら移動可能な計測ステージ２とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
【００１２】
また、本実施形態においては、露光装置ＥＸ１が、例えば米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているような、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である場合を例にして説明する。
【００１３】
図１及び図２において、露光装置ＥＸ１は、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを着脱可能な基板保持部４を有し、基板保持部４で基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器を搭載しながら移動可能な計測ステージ２と、マスクステージ３を移動する第１駆動システム５と、基板ステージ１及び計測ステージ２を移動する第２移動システム６と、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれを移動可能に支持するガイド面７を有するベース部材（定盤）８と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、マスクステージ３の近傍に配置された第１アライメントシステム９と、投影光学系ＰＬの先端の近傍に配置された第２アライメントシステム１０と、各ステージ１、２、３の位置情報を計測するための干渉計システム１１と、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム１２と、基板Ｐを搬送する搬送システム１３と、基板Ｐの温度を調整する基板温度調整装置１４と、露光装置ＥＸ１全体の動作を制御する制御装置１５とを備えている。制御装置１５には、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置８１が接続されている。
【００１４】
なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐにおいて、感光膜上に保護膜（トップコート膜）のような各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００１５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸ１は、基板ステージ１の基板保持部４をクリーニングするための第１クリーニング装置１６を備えている。本実施形態において、第１クリーニング装置１６は、基板保持部４を研磨する研磨部材１７を含む研磨装置１８を備える。
【００１６】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＲを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００１７】
マスクステージ３は、マスクＭを着脱可能なマスク保持部１９を有し、マスク保持部１９にマスクＭを保持した状態で、少なくともＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。第１駆動システム５は、リニアモータ等のアクチュエータを含み、マスクステージ３を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ３（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１１のレーザ干渉計１１Ａによって計測される。レーザ干渉計１１Ａは、マスクステージ３に設けられている計測ミラー３Ｒを用いて、マスクステージ３のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置１５は、レーザ干渉計１１Ａを含む干渉計システム１１の計測結果に基づいて第１駆動システム５を作動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒ＰＫに保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００１９】
基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、ベース部材８のガイド面７上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面７は、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（Ｚ軸）と直交するＸＹ平面内を、ガイド面７に沿って移動可能である。
【００２０】
基板ステージ１は、基板保持部４で基板Ｐを保持しながら移動可能である。基板ステージ１は、ガイド面７上を移動可能な基板ステージ本体２０と、基板ステージ本体２０上に搭載され、基板保持部４を有する基板テーブル２１とを備える。基板テーブル２１は、基板保持部４の周囲に配置された上面２２を有する。基板テーブル２１の上面２２は、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ステージ本体２０は、ガイド面７に沿ってＸＹ平面内を移動可能である。基板テーブル２１は、基板保持部４に基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２１】
計測ステージ２は、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器及び計測部材（光学部品）を搭載しながら移動可能である。計測ステージ２は、ガイド面７に沿って移動可能な計測ステージ本体２３と、計測ステージ本体２３上に搭載され、計測器の少なくとも一部及び計測部材を有する計測テーブル２４とを備える。計測テーブル２４は、計測部材の周囲に配置された上面２５を有する。計測テーブル２４の上面２５は、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。計測ステージ本体２３は、ガイド面７に沿ってＸＹ平面内を移動可能である。計測テーブル２４は、計測器の少なくとも一部及び計測部材を搭載した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２２】
第２駆動システム６は、基板ステージ本体２０を移動する第１粗動システム２６と、基板ステージ本体２０に対して基板テーブル２１を移動する第１微動システム２７と、計測ステージ本体２３を移動する第２粗動システム２８と、計測ステージ本体２３に対して計測テーブル２４を移動する第２微動システム２９とを備える。
【００２３】
第１粗動システム２６は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、基板ステージ本体２０を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。基板ステージ本体２０が移動することによって、その基板ステージ本体２０に搭載されている基板テーブル２１も、基板ステージ本体２０とともに移動する。第１微動システム２７は、基板ステージ本体２０と基板テーブル２１との間に配置されたボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、基板ステージ本体２０に対して基板テーブル２１を移動可能である。本実施形態においては、第１微動システム２７は、基板ステージ本体２０に対して、基板テーブル２１を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。
【００２４】
第２粗動システム２８は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、計測ステージ本体２３を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。計測ステージ本体２３が移動することによって、その計測ステージ本体２３に搭載されている計測テーブル２４も、計測ステージ本体２３とともに移動する。第２微動システム２９は、計測ステージ本体２３と計測テーブル２４との間に配置されたボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、計測ステージ本体２３に対して計測テーブル２４を移動可能である。本実施形態においては、第２微動システム２９は、計測ステージ本体２３に対して、計測テーブル２４を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。
【００２５】
図２において、第２駆動システム６は、複数のリニアモータ３０、３１、３２、３３、３４、３５を備えている。第２駆動システム６は、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸ガイド部材３６、３７を備えている。Ｙ軸ガイド部材３６、３７のそれぞれは、複数のコイルを有するコイルユニットを含む。一方のＹ軸ガイド部材３６は、２つのスライド部材３８、３９をＹ軸方向に移動可能に支持し、他方のＹ軸ガイド部材３７は、２つのスライド部材４０、４１をＹ軸方向に移動可能に支持する。スライド部材３８、３９、４０、４１のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを含む。すなわち、本実施形態においては、磁石ユニットを含むスライド部材３８、３９、及びコイルユニットを有するＹ軸ガイド部材３６によって、ムービングマグネット型のＹ軸リニアモータ３０、３１が形成される。同様に、磁石ユニットを有するスライド部材４０、４１、及びコイルユニットを有するＹ軸ガイド部材３７によって、ムービングマグネット型のＹ軸リニアモータ３２、３３が形成される。
【００２６】
また、第２駆動システム６は、Ｘ軸方向に延びる一対のＸ軸ガイド部材４２、４３を備えている。Ｘ軸ガイド部材４２、４３のそれぞれは、複数のコイルを有するコイルユニットを含む。一方のＸ軸ガイド部材４２は、基板ステージ本体２０に接続されたスライド部材４４をＸ軸方向に移動可能に支持し、他方のＸ軸ガイド部材４３は、計測ステージ本体２３に接続されたスライド部材４５をＸ軸方向に移動可能に支持する。スライド部材４４、４５のそれぞれは、複数の永久磁石を有する磁石ユニットを含む。すなわち、本実施形態においては、基板ステージ本体２０に接続された磁石ユニットを有するスライド部材４４、及びコイルユニットを有するＸ軸ガイド部材４２によって、基板ステージ本体２０をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ３４が形成される。同様に、計測ステージ本体２３に接続された磁石ユニットを有するスライド部材４５、及びコイルユニットを有するＸ軸ガイド部材４３によって、計測ステージ本体２３をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ３５が形成される。
【００２７】
スライド部材３８、４０は、Ｘ軸ガイド部材４２の一端及び他端のそれぞれに固定され、スライド部材３９、４１は、Ｘ軸ガイド部材４３の一端及び他端のそれぞれに固定されている。したがって、Ｘ軸ガイド部材４２は、Ｙ軸リニアモータ３０、３２によってＹ軸方向に移動可能であり、Ｘ軸ガイド部材４３は、Ｙ軸リニアモータ３１、３３によってＹ軸方向に移動可能である。
【００２８】
制御装置１５は、一対のＹ軸リニアモータ３０、３２のそれぞれが発生する推力を異ならせることによって、基板ステージ１（基板ステージ本体２０）のθＺ方向の位置を制御可能であり、一対のＹ軸リニアモータ３１、３３のそれぞれが発生する推力を異ならせることによって、計測ステージ２（計測ステージ本体２３）のθＺ方向の位置を制御可能である。
【００２９】
本実施形態においては、第１粗動システム２６は、Ｙ軸リニアモータ３０、３２、及びＸ軸リニアモータ３４を含む。第２粗動システム２８は、Ｙ軸リニアモータ３１、３３、及びＸ軸リニアモータ３５を含む。
【００３０】
本実施形態の露光装置ＥＸ１は、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。露光装置ＥＸ１は、露光光ＥＬの光路空間の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように、液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。液浸部ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００３１】
本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子４６から射出される露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように、液体ＬＱで液浸部ＬＳが形成される。終端光学素子４６は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する下面（射出面）４６Ａを有する。終端光学素子４６は、終端光学素子４６の下面４６Ａと、その終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置された所定部材との間に液体ＬＱを保持可能である。液浸部ＬＳは、終端光学素子４６の下面４６Ａと、その終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置された所定部材との間の露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように形成される。露光装置ＥＸ１は、その液浸部ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。
【００３２】
図１に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸ１は、終端光学素子４６の下面４６Ａから射出される露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように、液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能な液浸部材４７を備えている。液浸部材４７は、終端光学素子４６の近傍に配置されている。液浸部材４７は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置される所定部材と対向可能な下面（液体接触面）４７Ａを有する。下面４７Ａは、液体ＬＱと接触可能である。液浸部材４７は、下面４７Ａと対向する位置に配置された所定部材との間に液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能である。本実施形態においては、終端光学素子４６及び液浸部材４７と、その終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向する所定部材との間に保持される液体ＬＱによって液浸部ＬＳが形成される。
【００３３】
終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向する位置に配置可能な所定部材は、終端光学素子４６の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能な部材を含み、終端光学素子４６の下面４６Ａから射出される露光光ＥＬが照射される位置に移動可能な部材を含む。
【００３４】
本実施形態においては、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置可能な所定部材は、基板ステージ１、及び計測ステージ２の少なくとも一方を含む。また、所定部材は、基板ステージ１に保持されている基板Ｐを含む。また、所定部材は、計測ステージ２に搭載されている各種の計測部材（光学部品）を含む。
【００３５】
例えば、終端光学素子４６及び液浸部材４７は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置された基板ステージ１（基板Ｐ）との間に液体ＬＱを保持可能である。また、終端光学素子４６及び液浸部材４７は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置された計測ステージ２との間に液体ＬＱを保持可能である。
【００３６】
本実施形態においては、上述の所定部材の表面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように、液浸部材４７によって液浸部ＬＳが形成され、その所定部材の表面と液浸部材４７の下面４７Ａとの間に液体ＬＱの気液界面（メニスカス、エッジ）ＬＧが形成される。例えば、基板Ｐの露光時には、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲを含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように、液体ＬＱで液浸部ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態の液浸露光装置ＥＸ１は、局所液浸方式を採用する。
【００３７】
終端光学素子４６の下面４６Ａは、ガイド面７と対向する位置に配置されている。基板ステージ１は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置を含むガイド面７の所定領域内を移動可能であり、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置可能である。計測ステージ２は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置を含むガイド面７の所定領域内を、基板ステージ１と独立して移動可能であり、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置可能である。
【００３８】
第１クリーニング装置１６は、基板ステージ１の基板保持部４をクリーニング可能である。本実施形態の第１クリーニング装置１６は、例えば米国特許第５５５９５８２号明細書に開示されているような、基板保持部４を研磨する研磨部材１７を含む研磨装置１８を備える。本実施形態において、研磨装置１８は、研磨部材１７と、研磨部材１７を支持可能な支持部材４８と、支持部材４８を移動可能な駆動装置４９とを備えている。
【００３９】
本実施形態において、研磨部材１７は、基板保持部４を研磨可能な砥石を含む。砥石は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、白セラミックス、アルカンサスストーン、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ルビー、アルテック等のような多孔質部材で形成されている。
【００４０】
研磨部材１７は、基板保持部４と対向可能な下面（研磨面）１７Ａを有する。本実施形態において、研磨部材１７の下面１７Ａは、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【００４１】
駆動装置４９は、支持部材４８を移動可能である。駆動装置４９は、支持部材４８を移動することによって、研磨部材１７を移動可能である。本実施形態においては、駆動装置４９は、研磨部材１７を、少なくともＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向に移動可能である。
【００４２】
駆動装置４９によって、研磨部材１７の下面１７Ａは、ガイド面７と対向する位置に配置可能である。また、基板保持部４を含む基板ステージ１は、研磨部材１７の下面１７Ａと対向する位置に移動可能である。
【００４３】
すなわち、本実施形態においては、基板ステージ１は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置、及び研磨部材１７の下面１７Ａと対向する位置を含むガイド面７の所定領域内を移動可能である。以下の説明において、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置を適宜、露光位置ＰＪ１、と称し、研磨部材１７の下面１７Ａと対向する位置を適宜、クリーニング位置ＰＪ２、と称する。露光位置ＰＪ１とクリーニング位置ＰＪ２とは離れており、互いに異なる位置である。第１クリーニング装置１６は、クリーニング位置ＰＪ２に配置された基板ステージ１の基板保持部４をクリーニング可能である。
【００４４】
基板Ｐの露光時には、基板ステージ１に保持された基板Ｐが、終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向するように、露光位置ＰＪ１に配置される。少なくとも基板Ｐの露光時には、終端光学素子４６の下面４６Ａから射出される露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子４６及び液浸部材４７と基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持され、液浸部ＬＳが形成される。
【００４５】
また、計測ステージ２を用いる計測時には、計測ステージ２に搭載された計測部材が、終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向するように、露光位置ＰＪ１に配置される。計測部材を用いる計測時には、終端光学素子４６の下面４６Ａから射出される露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測部材との間に液体ＬＱが保持され、液浸部ＬＳが形成される。
【００４６】
また、本実施形態においては、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング時には、計測ステージ２が、終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向するように、露光位置ＰＪ１に配置される。第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング中、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測ステージ２との間に液体ＬＱが保持され、液浸部ＬＳが形成される。
【００４７】
搬送システム１３は、基板Ｐを搬送可能である。搬送システム１３は、基板Ｐを搬送可能な搬送部材５０を備えている。搬送部材５０は、露光前の基板Ｐを基板保持部４に搬入（ロード）可能な搬送部材、及び露光後の基板Ｐを基板保持部４から搬出（アンロード）可能な搬送部材を含む。なお、搬送システム１３は、１つの搬送部材を用いて、基板Ｐを基板保持部４にロードするとともに、基板Ｐを基板保持部からアンロードしてもよいし、基板Ｐを基板保持部４にロードする搬送部材と、基板Ｐを基板保持部４からアンロードする搬送部材とのそれぞれを備えていてもよい。
【００４８】
制御装置１５は、基板Ｐを基板保持部４にロードするとき、又は基板Ｐを基板保持部４からアンロードするとき、基板ステージ１を、露光位置ＰＪ１及びクリーニング位置ＰＪ２と異なる基板交換位置（ローディングポジション）ＰＪ３に移動する。搬送システム１３は、基板交換位置ＰＪ３に移動した基板ステージ１の基板保持部４に対して、基板Ｐのロード及びアンロードの少なくとも一方を実行可能である。制御装置１５は、搬送システム１３を用いて、基板交換位置ＰＪ３に移動した基板ステージ１（基板保持部４）より、露光後の基板Ｐをアンロード（搬出）する動作、及び次に露光されるべき露光前の基板Ｐを基板ステージ１（基板保持部４）にロード（搬入）する動作を含む基板交換処理を実行可能である。
【００４９】
フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面の面位置情報（θＸ、θＹ、及びＺ軸方向に関する位置情報）を検出可能である。本実施形態において、フォーカス・レベリング検出システム１２は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムである。フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに対して、Ｚ軸方向（高さ方向）と傾斜した方向から検出光ＬＵを照射する照射装置５１と、基板Ｐの表面で反射した検出光ＬＵを受光可能な受光装置５２とを備えている。照射装置５１は、基板Ｐの感光膜に対して非感光性の検出光ＬＵを射出する。フォーカス・レベリング検出システム１２の受光装置５２の受光結果は、制御装置１５に出力される。制御装置１５は、フォーカス・レベリング検出システム１２の出力結果に基づいて、基板Ｐの表面のＺ軸方向（高さ方向）、及び傾斜方向（θＸ、及びθＹ方向）に関する位置情報（面位置情報）を検出可能である。なお、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムの例は、例えば国際公開第２００５／０９６３５４号パンフレット（対応米国出願番号１０／５９４，５０９号）等に開示されている。
【００５０】
本実施形態において、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間に配置されている。フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板保持部４に保持されている基板Ｐの面位置情報（高さ情報を含む）を、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間において検出する。換言すれば、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間に配置されている基板ステージ１上の基板Ｐの面位置情報を検出する。
【００５１】
フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板保持部４に保持され、露光位置ＰＪ１に移動（配置）される前の基板Ｐ（露光前の基板Ｐ）の面位置情報を、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間において検出する。すなわち、本実施形態においては、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板Ｐに露光光ＥＬが照射される前に（基板Ｐの露光処理が開始される前に）、その基板Ｐの面位置情報を予め取得する。
【００５２】
基板テーブル２１（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム１１のレーザ干渉計１１Ｂによって計測される。レーザ干渉計１１Ｂは、基板テーブル２１に設けられている反射ミラー１Ｒを用いて位置情報を計測する。制御装置１５は、レーザ干渉計１１Ｂを含む干渉計システム１１の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて第２駆動システム６を駆動し、基板テーブル２１の基板保持部４に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００５３】
計測テーブル２４（計測部材）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は、干渉計システム１１のレーザ干渉計１１Ｃによって計測される。レーザ干渉計１１Ｃは、計測テーブル２４に設けられている反射ミラー２Ｒを用いて位置情報を計測する。また、計測テーブル２４の上面２５の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム１２によって検出される。制御装置１５は、レーザ干渉計１１Ｃを含む干渉計システム１１の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて第２駆動システム６を駆動し、計測テーブル２４の位置制御を行う。
【００５４】
第１アライメントシステム９は、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）方式のアライメントシステムであって、マスクＭ上のアライメントマークと、そのアライメントマークに対応するように計測ステージ２に設けられた第１基準マークＦＭ１の投影光学系ＰＬを介した共役像とを同時に観察する。本実施形態の第１アライメントシステム９は、例えば米国特許５６４６４１３号明細書に開示されているような、対象マーク（マスクＭ上のアライメントマーク、及び第１基準マークＦＭ１等）に対して光を照射し、ＣＣＤ等の撮像素子で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するＶＲＡ（Visual Reticle Alignment）方式を採用する。なお、米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような、投影光学系ＰＬと光透過部を含む第１基準マークとを介して検出光を受光するアライメントシステムを、第１アライメントシステム９の替わりに用いてもよい。
【００５５】
第２アライメントシステム１０は、オフアクシス方式のアライメントシステムであって、基板Ｐ上のアライメントマーク、及び計測ステージ２に設けられた第２基準マークＦＭ２等を検出する。本実施形態の第２アライメントシステム１０は、例えば米国特許５４９３４０３号明細書に開示されているような、基板Ｐ上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク（基板Ｐ上のアライメントマーク、及び第２基準マークＦＭ２等）に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標（第２アライメントシステム１０内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムを採用する。
【００５６】
基板温度調整装置１４は、露光前の基板Ｐの温度を調整する。基板温度調整装置１４は、制御装置１５に制御される。本実施形態において、基板温度調整装置１４は、基板Ｐを着脱可能な保持部５３を有する保持部材５４を備えている。保持部材５４の保持部５３は、基板Ｐの裏面と対向可能であり、基板Ｐの裏面を保持する。保持部材５４は、加熱機構及び冷却機構を含む温度調整機構５５を備えており、保持部５３に保持された基板Ｐの温度を調整可能である。
【００５７】
本実施形態においては、保持部材５４は、搬送システム１３の搬送路上に配置されている。搬送システム１３は、基板ステージ１の基板保持部４に基板Ｐを搬送する前に、その基板Ｐを保持部材５４に搬送する。本実施形態においては、保持部材５４は、基板交換位置ＰＪ３の近傍に配置されている。搬送部材５０は、保持部材５４によって温度調整された基板Ｐを、基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４にロード可能である。搬送システム１３は、基板Ｐを基板ステージ１の基板保持部４へ搬送する。
【００５８】
本実施形態において、計測ステージ２は、露光に関する各種計測を行うための複数の計測器及び計測部材（光学部品）を備えている。計測ステージ２の計測テーブル２４の上面２５の所定位置には、計測部材として、露光光ＥＬを透過可能な開口パターン５６が形成されたスリット板５７が設けられている。スリット板５７は、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書に開示されているような、空間像計測システム５８の一部を構成する。スリット板５７には、投影光学系ＰＬの結像特性を計測するために投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射される。空間像計測システム５８は、スリット板５７と、スリット板５７の開口パターン５６を介した露光光ＥＬを受光する受光素子とを備えている。制御装置１５は、スリット板５７に露光光ＥＬを照射し、そのスリット板５７の開口パターン５６を介した露光光ＥＬを受光素子で受光して、投影光学系ＰＬの結像特性の計測を実行する。空間像計測システム５８の受光素子は、スリット板５７の下方に配置されており、スリット板５７の開口パターン５６を介した光を受光する。
【００５９】
また、計測テーブル２４の上面２５の所定位置には、計測部材として、露光光ＥＬを透過可能な透過パターン５９が形成された上板６０が設けられている。上板６０は、例えば米国特許第４４６５３６８号明細書に開示されているような、露光光ＥＬの照度むらを計測可能する照度むら計測システム６１の一部を構成する。上板６０は、投影光学系ＰＬの像面側に照射される露光光ＥＬの照度むらを計測するために投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射される。照度むら計測システム６１は、上板６０と、上板６０の開口パターン５９を介した露光光ＥＬを受光する受光素子とを備えている。制御装置１５は、上板６０に露光光ＥＬを照射し、その上板６０の開口パターン５９を介した露光光ＥＬを受光素子で受光して、露光光ＥＬの照度むらの計測を実行する。照度むら計測システム６１の受光素子は、上板６０の下方に配置されており、上板６０の開口パターン５９を介した光を受光する。
【００６０】
なお、上板６０が、例えば米国特許第６７２１０３９号明細書に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するための計測システム、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測システム（照度計測システム）、例えば欧州特許第１０７９２２３号明細書に開示されているような波面収差計測システム等、露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報を計測する計測システムの一部を構成するものであってもよい。その場合、上板６０の下方には、それら計測システムの一部を構成する受光素子が配置される。
【００６１】
また、計測ステージ２の計測テーブル２４の上面２５の所定位置には、計測部材として、基準板６２が設けられている。基準板６２は、第１アライメントシステム９によって計測される第１基準マークＦＭ１、及び第２アライメントシステム１０によって計測される第２基準マークＦＭ２を有する。本実施形態においては、第１アライメントシステム９は、投影光学系ＰＬと液浸部ＬＳの液体ＬＱとを介して、第１基準マークＦＭ１を計測する。第２アライメントシステム１０は、液体ＬＱを介さずに、第２基準マークＦＭ２を計測する。
【００６２】
本実施形態においては、スリット板５７の上面と、上板６０の上面と、基準板６２の上面と、計測テーブル２４の上面２５とは、ほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される（ほぼ面一である）。
【００６３】
図３は、基板ステージ１及び液浸部材４７の近傍を示す側断面図である。図３において、基板テーブル２１は、基板Ｐを着脱可能に保持する基板保持部４を備えている。基板保持部４は、基板Ｐの裏面と対向し、基板Ｐの裏面を着脱可能に保持する。基板テーブル２１の上面２２は、基板保持部４の周囲に配置されている。基板保持部４は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。本実施形態においては、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面と基板テーブル２１の上面２２とは、ほぼ平行である。また、本実施形態においては、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面と基板テーブル２１の上面２２とは、ほぼ同一平面内に配置されている（ほぼ面一である）。
【００６４】
本実施形態においては、基板テーブル２１は、着脱可能なプレート部材Ｔを有する。基板テーブル２１は、基板保持部４の周囲に配置され、プレート部材Ｔを着脱可能に保持するプレート部材保持部６３を有する。プレート部材保持部６３は、プレート部材Ｔの下面と対向し、プレート部材Ｔの下面を着脱可能に保持する。
【００６５】
プレート部材Ｔは、基板Ｐを配置可能な開口ＴＨを有する。プレート部材保持部６３に保持されたプレート部材Ｔは、基板保持部４に保持された基板Ｐの周囲に配置される。本実施形態においては、基板テーブル２１の上面２２は、プレート部材保持部６３に保持されたプレート部材Ｔの上面を含む。
【００６６】
本実施形態において、プレート部材保持部６３に保持されたプレート部材Ｔの開口ＴＨの内面と、基板保持部４に保持された基板Ｐの外面とは、所定のギャップを介して対向するように配置される。プレート部材保持部６３は、プレート部材Ｔの上面２２とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。また、プレート部材保持部６３は、プレート部材Ｔの上面２２と基板保持部４に保持された基板Ｐの表面とがほぼ面一となるように、プレート部材Ｔを保持する。
【００６７】
基板保持部４及びプレート部材保持部６３のそれぞれは、所謂ピンチャック機構を含む。図３に示すように、基板保持部４は、基板テーブル２１の基材２１Ｂ上に形成され、基板Ｐの裏面を支持する複数のピン部材６４と、基材２１Ｂ上において複数のピン部材６４の周囲に配置された第１周壁６５と、第１周壁６５の内側の基材２１Ｂ上に複数設けられ、気体を吸引可能な第１吸引口６６とを備えている。
【００６８】
プレート部材保持部６３は、基材２１Ｂ上において第１周壁６５の周囲に形成された第２周壁６７と、基材２１Ｂ上において第２周壁６７の周囲に形成された第３周壁６８と、第２周壁６７と第３周壁６８との間の基材２１Ｂ上に形成され、プレート部材Ｔの下面を支持する複数のピン部材６９と、第２周壁６７と第３周壁６８との間の基材２１Ｂ上に複数設けられ、気体を吸引可能な第２吸引口７０とを備えている。
【００６９】
基板Ｐの裏面と第１周壁６５と基材２１Ｂとで囲まれた空間の気体が第１吸引口６６により吸引され、その空間が負圧になることによって、基板Ｐの裏面がピン部材６４に吸着保持される。また、第１吸引口６６を用いる吸引動作が停止されることによって、基板保持部４より基板Ｐを外すことができる。
【００７０】
また、プレート部材Ｔの下面と第２周壁６７と第３周壁６８と基材２１Ｂとで囲まれた空間の気体が第２吸引口７０により吸引され、その空間が負圧になることによって、プレート部材Ｔの下面がピン部材６９に吸着保持される。また、第２吸引口７０を用いる吸引動作が停止されることによって、プレート部材保持部６３よりプレート部材Ｔを外すことができる。
【００７１】
液浸部材４７は、環状の部材であって、終端光学素子４６の周囲に配置されている。液浸部材４７は、終端光学素子４６の下面４６Ａと対向する位置に配置された開口７１を有する。また、液浸部材４７は、液体ＬＱを供給可能な供給口７２と、液体ＬＱを回収可能な回収口７３とを備えている。
【００７２】
供給口７２は、液浸部ＬＳを形成するために、露光光ＥＬの光路空間に液体ＬＱを供給可能である。供給口７２は、露光光ＥＬの光路空間の近傍において、その光路空間と対向する液浸部材４７の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸ１は、液体供給装置７４を備えている。液体供給装置７４は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給口７２と液体供給装置７４とは、流路７５を介して接続されている。流路７５は、液浸部材４７の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置７４とを接続する供給管７６で形成される流路を含む。液体供給装置７４から送出された液体ＬＱは、流路７５を介して供給口７２に供給される。供給口７２は、液体供給装置７４からの液体ＬＱを露光光ＥＬの光路空間に供給する。
【００７３】
回収口７３は、液浸部材４７の下面４７Ａと対向する所定部材上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口７３は、露光光ＥＬの光路空間の周囲に配置されている。回収口７３は、所定部材の表面と対向する液浸部材４７の所定位置に配置されている。回収口７３には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材（メッシュ部材）７７が配置されている。また、露光装置ＥＸ１は、液体ＬＱを回収可能な液体回収装置７８を備えている。液体回収装置７８は、真空システムを含み、液体ＬＱを吸引して回収可能である。回収口７３と液体回収装置７８とは、流路７９を介して接続されている。流路７９は、液浸部材４７の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置７８とを接続する回収管８０で形成される流路を含む。回収口７３から回収された液体ＬＱは、流路７９を介して、液体回収装置７８に回収される。
【００７４】
本実施形態においては、制御装置１５は、供給口７２を用いる液体供給動作と並行して、回収口７３を用いる液体回収動作を実行することによって、終端光学素子４６及び液浸部材４７と、終端光学素子４６及び液浸部材４７と対向する所定部材との間に液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能である。
【００７５】
また、本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第２００６／００２３１８６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているように、制御装置１５は、基板テーブル２１及び計測テーブル２４の少なくとも一方が終端光学素子４６及び液浸部材４７との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル２１の上面２２と計測テーブル２４の上面２５とを接近又は接触させた状態で、基板テーブル２１の上面２２及び計測テーブル２４の上面２５の少なくとも一方と終端光学素子４６の下面４６Ａ及び液浸部材４７の下面４７Ａとを対向させつつ、終端光学素子４６及び液浸部材４７に対して、基板テーブル２１と計測テーブル２４とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、液体ＬＱの漏出が抑制されつつ、基板テーブル２１の上面２２と計測テーブル２４の上面２５との間で液体ＬＱの液浸部ＬＳが移動可能である。なお、基板テーブル２１の上面２２と計測テーブル２４の上面２５との間で液体ＬＱの液浸部ＬＳを移動するときに、基板テーブル２１の上面２２と計測テーブル２４の上面２５とがほぼ同じ高さ（面一）となるように、基板テーブル２１と計測テーブル２４との位置関係が調整される。
【００７６】
図４及び図５は、フォーカス・レベリング検出システム１２が基板ステージ１上の基板Ｐの面位置情報を検出している状態を示す模式図であって、図４は、平面図、図５は、側面図である。
【００７７】
上述のように、本実施形態においては、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間において、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報を検出する。
【００７８】
本実施形態において、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに検出光ＬＵを照射して、それら複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ方向（Ｚ軸方向）の位置に対応した高さ情報Ｚｉｊを検出可能である。すなわち、フォーカス・レベリング検出システム１２は、基板Ｐの表面に複数の検出点Ｋｉｊを設定し、基板Ｐの表面の高さ方向の位置を、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれで検出可能である。
【００７９】
フォーカス・レベリング検出システムの照射装置５１は、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の複数の位置（検出点）のそれぞれに対して、基板Ｐの上方から検出光ＬＵを照射する。受光装置５２は、照射装置５１より射出され、基板Ｐの表面で反射した検出光ＬＵを受光可能である。
【００８０】
照射装置５１は、検出光ＬＵを射出する射出部５１Ｓを複数備える。照射装置５１は、複数の射出部５１Ｓのそれぞれより検出光ＬＵを射出して、基板Ｐの表面に複数の検出光（光束）ＬＵを照射する。本実施形態においては、照射装置５１は、基板Ｐの表面においてＸ軸方向に沿って設定された複数の検出点のそれぞれに検出光ＬＵを照射する。
【００８１】
本実施形態においては、制御装置１５は、レーザ干渉計１１Ｂを含む干渉計システム１１を用いて、基板ステージ１（基板テーブル２１）の位置情報を計測しつつ、基板ステージ１をＹ軸方向に移動しながら、フォーカス・レベリング検出システム１２の照射装置５１より、基板保持部４に保持されている基板Ｐに検出光ＬＵを照射する。これにより、基板Ｐの表面のほぼ全面に検出光ＬＵが照射される。基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに照射された検出光ＬＵは、基板Ｐの表面で反射して、受光装置５２に受光される。受光装置５２は、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに関する基板Ｐの表面の高さ方向の位置に対応した高さ情報Ｚｉｊに応じた検出信号を制御装置１５に出力する。
【００８２】
図６は、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面における検出点Ｋｉｊの位置を示す模式図である。図６に示すように、基板Ｐの表面には、複数の検出点Ｋｉｊが、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関して、マトリクス状に設定される。
【００８３】
制御装置１５は、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに関する高さ情報Ｚｉｊに基づいて、基板Ｐの表面のＺ軸方向（高さ方向）、及び傾斜方向（θＸ、及びθＹ方向）に関する位置情報（面位置情報）を取得可能である。
【００８４】
制御装置１５は、受光装置５２から出力された高さ情報Ｚｉｊを用いて、所定の基準面Ｚｏ（例えば、投影光学系ＰＬの像面、最良結像面）に対する、各検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ方向の位置情報を取得する。
【００８５】
例えば、複数の検出点Ｋｉｊのうち、所定の検出点における基板Ｐの表面が基準面Ｚｏに配置されている場合（あるいは、基板Ｐの表面が基準面Ｚｏに対して所定の位置関係の場合）、フォーカス・レベリング検出システム１２は、所定状態（例えば零レベル状態）の高さ情報Ｚｉｊを出力する。換言すれば、基板Ｐの表面と基準面Ｚｏとが合致しているときに（あるいは、基板Ｐの表面と基準面Ｚｏとが所定の位置関係のときに）、受光装置５２から所定状態の高さ情報Ｚｉｊが出力されるように、フォーカス・レベリング検出システム１２の状態が調整（キャリブレーション）されている。また、フォーカス・レベリング検出システム１２から出力される各計測点Ｋｉｊでの高さ情報Ｚｉｊは、基準面Ｚｏと計測点Ｋｉｊでの高さ方向での位置との差に比例するように変化する。なお、フォーカス・レベリング検出システム１２のキャリブレーションは、空間像計測システム５８を用いて実行することができ、そのキャリブレーションの方法の一例が、例えば米国特許出願公開２００２／００４１３７７号明細書に開示されている。
【００８６】
制御装置１５は、各検出点Ｋｉｊのそれぞれに関する高さ情報Ｚｉｊに基づいて、各検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基準面Ｚｏに対する高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を求めることができる。換言すれば、制御装置１５は、各検出点Ｋｉｊのそれぞれの高さ方向の位置と基準面Ｚｏの位置関係とを求めることができる。
【００８７】
また、制御装置１５は、各検出点Ｋｉｊのそれぞれに関する高さ情報Ｚｉｊに基づいて、基準面Ｚｏを基準とした、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の形状（近似平面、凹凸情報）を求めることができる。
【００８８】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸ１を用いる基板Ｐの露光方法、及び基板保持部４のクリーニング方法の一例について説明する。
【００８９】
本実施形態においては、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が制御される。
【００９０】
本実施形態においては、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて検出される、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに関する高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であるか否かが判断され、その判断結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作を開始するか否かが判断される。
【００９１】
ここで、高さ情報Ｚｉｊの異常は、基準面Ｚｏに対する高さ情報Ｚｉｊ（基準面Ｚｏと高さ情報ＺｉｊとのＺ軸方向に関する差）が、予め定められている許容値以上である状態を含む。基準面Ｚｏに対する高さ情報Ｚｉｊが許容値未満である場合、基板Ｐの液浸露光を良好に実行でき、基板Ｐに形成されるパターンの欠陥を、許容レベル以下に抑えることができる。
【００９２】
また、本実施形態においては、基板保持部４に保持された第１の基板Ｐ１の表面の高さ情報Ｚｉｊがフォーカス・レベリング検出システム１２で検出された後、その第１の基板Ｐ１を液浸露光すること、及び露光された第１の基板Ｐ１を基板保持部４からアンロードすることが実行され、その後、第２の基板Ｐ２が基板保持部４にロードされ、その基板保持部４に保持された第２の基板Ｐ２の表面の高さ情報Ｚｉｊがフォーカス・レベリング検出システム１２で検出される。本実施形態においては、第１の基板Ｐ１に関する検出結果と、第２の基板Ｐ２に関する検出結果とに基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作が制御される。
【００９３】
本実施形態においては、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置との関係に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作が制御される。
【００９４】
具体的には、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、基板Ｐ２を液浸露光せずに、基板保持部４に保持されている第２の基板Ｐ２が基板保持部４から搬出（アンロード）された後、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が開始される。
【００９５】
高さ情報Ｚｉｊが異常となる原因の一つとして、図７の模式図に示すように、基板保持部４に異物が存在し、基板Ｐの裏面と基板保持部４との間に異物が配置される状況が発生することが挙げられる。基板Ｐの裏面と基板保持部４との間に異物が配置された場合、図７に示すように、その異物が存在している部分において、基板Ｐの表面の形状が局所的に変化（変形）する可能性がある。すなわち、異物の存在している部分に対応する基板Ｐの表面の局所的な領域が、＋Ｚ側に膨らむように（凸となるように）変形する可能性がある。以下の説明において、異物が存在している部分に対応して基板Ｐの表面の形状が局所的に変化した領域（部分）を適宜、変形領域ＣＡ、と称する。
【００９６】
基板Ｐの表面の変形領域ＣＡの変形量（高さ方向に関する変形量）が予め定められた許容値以上である場合、その変形領域ＣＡに定められた検出点Ｋｉｊに関する高さ情報Ｚｉｊは、異常となる。
【００９７】
したがって、基板保持部４に保持された第１の基板Ｐ１の表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊをフォーカス・レベリング検出システム１２で検出した後、その基板保持部４に第１の基板Ｐ１とは別の第２の基板Ｐ２を搬入し、その基板保持部４に保持された第２の基板Ｐ２の表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊをフォーカス・レベリング検出システム１２で検出した場合において、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じである場合、基板保持部４に異物が存在（付着）している可能性が高い。換言すれば、第１の基板Ｐ１における変形領域ＣＡの基板保持部４に対する位置と、第２の基板Ｐ２における変形領域ＣＡの基板保持部４に対する位置とがほぼ同じである場合、基板保持部４に異物が存在（付着）していると考えられる。
【００９８】
そのため、本実施形態においては、制御装置１５は、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じであると判断した場合、基板保持部４に異物が存在（付着）していると判断し、基板保持部４に保持されている第２の基板Ｐ２を基板保持部４から搬出した後、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を開始する。
【００９９】
また、高さ情報Ｚｉｊが異常となる原因の一つとして、図８に示すように、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面に異物が存在（付着）される状況が発生することが挙げられる。基板Ｐの表面に異物が存在し、その異物の大きさ（高さ方向に関する大きさ）が予め定められた許容値以上である場合、その異物が存在する部分に対応する検出点Ｋｉｊに関する高さ情報Ｚｉｊは、異常となる。
【０１００】
基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面に異物が存在（付着）していたとしても、基板保持部４に新たな搬入された基板Ｐ表面には異物が付着していない可能性が高い。また、交換後の基板Ｐの表面に異物が付着していたとしても、交換前の基板Ｐの表面に付着している異物の基板保持部４に対する位置と、交換後の基板Ｐの表面に付着している異物の基板保持部４に対する位置とは、異なっている可能性が高いと考えられる。
【０１０１】
したがって、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置を比較することによって、第２の基板Ｐ２の表面における高さ情報Ｚｉｊの異常が、基板保持部４に存在（付着）している異物に起因するものか、基板Ｐ２の表面に存在（付着）している異物に起因するものなのかを判断することができる。
【０１０２】
本実施形態においては、制御装置１５は、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と異なると判断した場合、第２の基板Ｐ２の表面に異物が存在（付着）していると判断し、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、基板保持部４に保持されている第２の基板Ｐ２に対する露光を開始する。
【０１０３】
このように、本実施形態においては、第１の基板Ｐ１の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、第２の基板Ｐ２の表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置との関係に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作が制御される。
【０１０４】
また、本実施形態においては、制御装置１５は、干渉計システム１１を用いて基板ステージ１の位置情報を計測しつつ、基板ステージ１をＹ軸方向に移動しながら、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出している。また、本実施形態においては、干渉計システム１１によって規定される座標系内での照射装置５１の各射出部５１Ｓから射出される検出光ＬＵの位置情報は既知である。したがって、制御装置１５は、干渉計システム１１によって規定される座標系内での各検出点Ｋｉｊの位置情報を求めることができる。したがって、制御装置１５は、干渉計システム１１によって規定される座標系内での、高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの位置情報、変形領域ＣＡの位置情報を求めることができる。
【０１０５】
以下、本実施形態に係る基板Ｐの露光方法、及び基板保持部４のクリーニング方法の一例について、図９のフローチャート、及び図１０〜図１４の模式図を参照しながら説明する。なお、上述のように、本実施形態においては、基板保持部４には、複数の基板Ｐが順次ロードされ、所定の処理が実行される。以下の説明においては、例えば順次処理されるＮ枚の基板Ｐのうち、ｍ枚目の基板Ｐが処理される場合を例にして説明する。
【０１０６】
ｍ枚目の基板Ｐが、搬送システム１３によって基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持され、温度調整される（ステップＳＡ１）。ｍ枚目の基板Ｐが保持部材５４に保持されているとき、基板保持部４には、（ｍ−１）枚目の基板Ｐが保持されており、その基板保持部４に保持されている（ｍ−１）枚目の基板Ｐは、露光位置ＰＪ１に配置され、液浸露光されている。基板保持部４に保持されている（ｍ−１）枚目の基板Ｐは、液浸露光される前において、フォーカス・レベリング検出システム１２によって、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出される。その（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面に関する高さ情報Ｚｉｊは、記憶装置８１に記憶されている。
【０１０７】
（ｍ−１）枚目の基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置１５は、その（ｍ−１）枚目の基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３へ移動する。基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動するとき、制御装置１５は、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動して、液体ＬＱの液浸部ＬＳを基板テーブル２１から計測テーブル２４へ移動する。
【０１０８】
これにより、図１０に示すように、露光位置ＰＪ１には、計測テーブル２４が配置され、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測テーブル２４との間に液体ＬＱが保持される。また、液浸部ＬＳが計測テーブル２４に移動された後、制御装置１５は、必要に応じて、計測テーブル２４に搭載されている計測器（計測部材）の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。例えば、制御装置１５は、空間像計測システム５８を用いて投影光学系ＰＬの結像特性を計測した後、その計測結果に基づいて、各種調整（キャリブレーション）を行う。例えば、空間像計測システム５８の計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬの結像特性の調整が行われる。
【０１０９】
制御装置１５は、搬送システム１３を用いて、露光後の（ｍ−１）枚目の基板Ｐを、基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１よりアンロードする。露光後の基板Ｐが基板ステージ１からアンロードされた後、制御装置１５は、基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを、搬送システム１３を用いて、基板ステージ１の基板保持部４にロードする（ステップＳＡ２）。基板保持部４にロードされた基板Ｐは、基板保持部４に保持される。
【０１１０】
図１１に示すように、制御装置１５は、ｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１の基板交換位置ＰＪ３から露光位置ＰＪ１への移動を開始する。制御装置１５は、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間において、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて、基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出する。すなわちフォーカス・レベリング検出システム１２は、ｍ枚目の基板Ｐに露光光ＥＬが照射される前に、その基板Ｐの高さ情報Ｚｉｊを検出する（ステップＳＡ３）。
【０１１１】
制御装置１５は、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて検出した、ｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを記憶装置８１に記憶する（ステップＳＡ４）。
【０１１２】
制御装置１５は、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であるか否かを判断する（ステップＳＡ５）。
【０１１３】
ステップＳＡ５において、高さ情報Ｚｉｊが異常でないと判断された場合、制御装置１５は、基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＡ６）。制御装置１５は、基板Ｐの液浸露光を開始するために、図１２に示すように、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動して、液体ＬＱの液浸部ＬＳを計測テーブル２４から基板テーブル２１へ移動する。これにより、基板保持部４に保持されている基板Ｐが、露光位置ＰＪ１に配置される（ステップＳＡ７）。なお、このとき、計測テーブル２４を用いる計測処理は既に終了している。
【０１１４】
次に、制御装置１５は、基板テーブル２１の基板保持部４に保持されている基板Ｐに対するアライメント処理を開始する。制御装置１５は、基板テーブル２１をＸＹ方向に移動し、第２アライメントシステム１０の検出領域に、基板Ｐ上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のアライメントマークを順次配置する。そして、制御装置１５は、レーザ干渉計１１Ｂを含む干渉計システム１１を用いて、基板テーブル２１の位置情報を計測しつつ、第２アライメントシステム１０を用いて、基板Ｐ上の複数のアライメントマークを、液体ＬＱを介さずに順次検出する。これにより、制御装置１５は、干渉計システム１１によって規定される座標系内での基板Ｐ上のアライメントマークの位置情報を求めることができる。なお、第２アライメントシステム１０の検出領域が露光位置ＰＪ１から離れている場合には、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動する前に上記アライメント処理を実行しても良い。
【０１１５】
そして、制御装置１５は、基板Ｐの表面における高さ情報Ｚｉｊ及び基板Ｐのアライメントマークの位置情報に基づいて、基板テーブル２１上の基板Ｐの位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域に対する液浸露光を実行する（ステップＳＡ８）。制御装置１５は、基板Ｐ上のショット領域を露光するために、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び液浸部ＬＳの液体ＬＱを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。
【０１１６】
本実施形態の露光装置ＥＸ１は、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸ１は、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。
【０１１７】
なお、制御装置１５は、基板Ｐの露光中、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で、基板テーブル２１と計測テーブル２４とをＸＹ方向に同期移動させることができる。
【０１１８】
ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光が終了した後（ステップＳＡ９）、制御装置１５は、そのｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３へ移動する。基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動するとき、上述したように、制御装置１５は、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動して、液体ＬＱの液浸部ＬＳを基板テーブル２１から計測テーブル２４へ移動する。基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４に保持されている露光後のｍ枚目の基板Ｐは、搬送システム１３によって、基板保持部４からアンロードされる（ステップＳＡ１０）。基板保持部４からアンロードされた基板Ｐは、現像処理等、所定の処理を実行される。
【０１１９】
ステップＳＡ５において、ｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、制御装置１５は、前回処理された、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であったか否かを判断する（ステップＳＡ１１）。
【０１２０】
ステップＳＡ１１において、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの高さ情報Ｚｉｊが異常でないと判断された場合、ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＡ６）。
【０１２１】
ステップＳＡ１１において、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断した場合、制御装置１５は、記憶装置８１に記憶されている、（ｍ−１）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ｍ枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較する（ステップＳＡ１２）。
【０１２２】
制御装置１５は、（ｍ−１）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ｍ枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較し、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とが同じであるか否かを判断する（ステップＳＡ１３）。
【０１２３】
また、上述したように、本実施形態においては、制御装置１５は、干渉計システム１１によって規定される座標系内での各検出点Ｋｉｊの位置情報を求めることができるので、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの干渉システム１１によって規定される座標系内での位置と、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの干渉システム１１によって規定される座標系内での位置とが同じであるか否かを判断することができる。
【０１２４】
ステップＳＡ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と異なると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＡ６）。
【０１２５】
ステップＳＡ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じであると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＡ１４）。
【０１２６】
制御装置１５は、基板保持部４に対するクリーニングを実行するために、基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４から搬出（アンロード）する（ステップＳＡ１５）。
【０１２７】
本実施形態においては、露光装置ＥＸ１は、露光位置ＰＪ１及び基板交換位置ＰＪ３と異なる位置で基板Ｐを支持可能な保持部材５４を備えている。制御装置１５は、基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４から搬出するために、基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動し、その基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを、搬送システム１３を用いて、基板保持部４から搬出し、保持部材５４に搬送する。保持部材５４は、基板保持部４から搬出されたｍ枚目の基板Ｐを、露光位置ＰＪ１及び基板交換位置ＰＪ３と異なる位置で支持する。
【０１２８】
制御装置１５は、基板保持部４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４から搬出した後、基板保持部４を含む基板ステージ１をクリーニング位置ＰＪ２へ移動する（ステップＳＡ１６）。これにより、図１３に示すように、基板保持部４がクリーニング位置ＰＪ２に配置される。
【０１２９】
制御装置１５は、クリーニング位置ＰＪ２に配置された基板保持部４に対する第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作を実行する（ステップＳＡ１７）。
【０１３０】
図１３に示すように、本実施形態においては、基板保持部４がクリーニング位置ＰＪ２に配置されているとき、露光位置ＰＪ１に計測テーブル２４が配置される。制御装置１５は、終端光学素子４６及び液浸部材４７と露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４との間に液体ＬＱが保持された状態で、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニングを実行する。
【０１３１】
また、本実施形態においては、終端光学素子４６及び液浸部材４７と露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４との間に液体ＬＱが保持された状態で、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング動作が実行されるとき、その第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作の少なくとも一部と並行して、計測テーブル２４の計測器及び計測部材を用いる計測動作が実行される。例えば、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング中に、露光位置ＰＪ１に配置されている計測テーブル２４の空間像計測システム５８が、液体ＬＱを介して露光光ＥＬを計測する動作を実行する。
【０１３２】
図１４は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作の一例を説明するための模式図である。
【０１３３】
本実施形態においては、第１クリーニング装置１６は、研磨装置１８を含み、研磨装置１８の研磨部材１７を用いて、基板保持部４をクリーニングする。研磨部材１７を用いて基板保持部４を研磨することによって、基板保持部４に付着している異物を除去することができる。研磨装置１８は、例えばピン部材６４の上端面、及び第１周壁６５の上端面を含む基板保持部４の保持面を研磨することができる。
【０１３４】
第１クリーニング装置１６の研磨装置１８を用いて基板保持部４を研磨するために、図１４に示すように、制御装置１５は、基板テーブル２１を移動し、研磨装置１８の研磨部材１７の下面（研磨面）１７Ａと基板保持部４とを対向させ、研磨部材１７の下面１７Ａと基板保持部４の保持面（例えばピン部材６４の上端面）とを接触させる。
【０１３５】
そして、図１４に示すように、制御装置１５は、研磨部材１７の下面１７Ａと基板保持部４とを接触させた状態で、研磨部材１７と基板保持部４とが下面１７Ａとほぼ平行なＸＹ方向へ相対的に移動するように、第２駆動システム６を用いて基板テーブル２１を移動する。これにより、研磨部材１７による、基板保持部４に対する研磨処理が実行される。
【０１３６】
制御装置１５は、基板保持部４の保持面のほぼ全部の領域が研磨部材１７によって研磨されるように基板テーブル２１を移動する。研磨部材１７によって基板保持部４が研磨されるにより、その基板保持部４に付着している異物が基板保持部４より剥がされ（分離され）、除去される。これにより、基板保持部４が第１クリーニング装置１６によってクリーニングされる。
【０１３７】
研磨装置１８を含む第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング中、露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４と終端光学素子４６及び液浸部材４７との間に液体ＬＱが保持されている。
【０１３８】
なお、研磨部材１７を用いて基板保持部４を研磨するとき、研磨部材１７と基板保持部４とが下面１７Ａとほぼ平行なＸＹ方向へ相対的に移動するように、研磨装置１８の駆動装置４９を用いて研磨部材１７を移動してもよいし、研磨部材１７と基板テーブル２１との両方を移動してもよい。また、本実施形態においては、研磨部材１７を用いて、基板保持部４の保持面のほぼ全部の領域を研磨しているが、高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの位置情報に基づいて、研磨部材１７と基板保持部４との位置関係を調整し、高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊに対応する基板保持部４の局所的な領域を重点的に研磨するようにしてもよい。
【０１３９】
基板保持部４のクリーニングが終了した後（ステップＳＡ１８）、制御装置１５は、研磨部材１７と基板保持部４とを離し、基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動する。制御装置１５は、搬送システム１３を用いて、基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４に、基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持されているｍ枚目の基板Ｐを搬送する。これにより、温度調整されたｍ枚目の基板Ｐが基板保持部４にロードされる（ステップＳＡ１９）。基板保持部４に基板Ｐがロードされた後、その基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＡ６）。
【０１４０】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１クリーニング装置１６を用いて基板保持部４をクリーニングするので、クリーニングされた基板保持部４で基板Ｐを良好に保持することができる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１４１】
本実施形態によれば、基板保持部４をクリーニングするために、クリーニング位置ＰＪ２に基板保持部４（基板ステージ１）を配置されたとき、露光位置ＰＪ１に計測ステージ２（計測テーブル２４）が配置されるので、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測テーブル２４との間に液体ＬＱを保持した状態で、第１クリーニング装置１６を用いて基板保持部４をクリーニングすることができる。したがって、液浸部ＬＳの液体ＬＱを全て回収したり、液浸部ＬＱを再度形成したりする処理を実行することなく、基板保持部４をクリーニングすることができる。したがって、露光装置ＥＸ１の稼動率の低下、スループットの低下等を抑制しつつ、基板保持部４を良好にクリーニングすることができる。したがって、生産性の低下を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１４２】
また、本実施形態においては、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が制御されるので、例えばＮ枚の基板Ｐを順次処理する途中で、例えばロット中において、基板保持部４のクリーニングを効率良く実行することができる。また、本実施形態によれば、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が制御されるので、例えば基板保持部４に異物が存在していないにも係わらずクリーニング処理が実行されてしまったり、過剰にクリーニング処理が実行されてしまったりする等、不要な処理が実行されてしまうことを抑制することができる。
【０１４３】
また、本実施形態においては、基板保持部４に保持された（ｍ−１）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊの検出結果と、基板保持部４に保持されたｍ枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊの検出結果とに基づいて、基板保持部４に異物が付着しているか否かを判断することができ、その判断した結果に基づいて、基板保持部４に対するクリーニング動作を実行するべきか否かを判断することができる。
【０１４４】
また、本実施形態においては、例えばステップＳＡ１５において、露光前のｍ枚目の基板Ｐを基板保持部４からアンロードした後、その基板Ｐを基板温度調整装置１４の保持部材５４で支持するようにしたので、基板保持部４のクリーニング中において、基板Ｐの温度が変化してしまうことを抑制することができる。したがって、基板保持部４のクリーニング終了後、保持部材５４で温度調整された基板Ｐを基板保持部４にロードして、その基板Ｐを良好に露光することができる。
【０１４５】
また、本実施形態においては、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作の少なくとも一部と並行して、計測テーブル２４の計測器及び計測部材を用いる計測動作が実行されるので、その計測結果を用いて、例えば露光装置ＥＸ１の調整（キャリブレーション）を実行することができる。
【０１４６】
なお、本実施形態においては、ステップＳＡ１５において、基板保持部４をクリーニングするために基板保持部４よりアンロードされた基板Ｐが、基板温度調整装置１４の保持部材５４に支持される場合を例にして説明したが、例えば搬送システム１３の搬送部材５０が、基板保持部４をクリーニングするために基板保持部４よりアンロードされた基板Ｐを支持してもよい。基板保持部４をクリーニングするために基板保持部４よりアンロードされた基板Ｐを支持する搬送部材５０は、基板Ｐを基板保持部４にロード可能な搬送部材であってもよいし、基板Ｐを基板保持部４からアンロード可能な搬送部材であってもよい。基板保持部４からアンロードされた基板Ｐは、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング中において、搬送システム１３の搬送部材５０に支持される。また、搬送部材５０に、基板Ｐの温度を調整可能な温度調整機構を設けることによって、基板保持部４のクリーニング中において、基板Ｐの温度が変化してしまうことを抑制することができる。基板保持部４のクリーニング終了後、搬送部材５０に支持されていた基板Ｐは、基板保持部４にロードされ、液浸露光される。
【０１４７】
なお、本実施形態においては、記憶装置８１に記憶されている（ｍ−１）枚目の基板Ｐの高さ情報と、ｍ枚目の基板Ｐの高さ情報とに基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作が制御されるが、例えばロットの先頭の基板Ｐを露光する場合など、記憶装置８１に過去の基板Ｐの高さ情報が存在しない場合には、そのロットの先頭の基板Ｐの表面の高さ情報の異常の判断を省略し、その基板Ｐの露光を開始してもよい。
【０１４８】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４９】
第２実施形態は、上述の第１実施形態の変形例である。上述の第１実施形態と異なる第２実施形態の特徴的な部分は、露光装置ＥＸ１が、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面をクリーニングする第２クリーニング装置８２を備えている点にある。
【０１５０】
図１５は、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面をクリーニングする第２クリーニング装置８２の一例を示す模式図である。図１５において、第２クリーニング装置８２は、気体を供給可能な気体供給口８３を有する供給部材８４と、気体供給口８３と流路８５を介して接続された気体供給装置８６とを備えている。基板保持部４に保持された基板Ｐの表面は、気体供給口８３と対向する位置に配置可能である。気体供給装置８６は、清浄で温度調整された気体を供給可能であり、気体供給装置８６から送出された気体は、流路８５を介して、気体供給口８３に供給される。第２クリーニング装置８２は、基板Ｐの表面と気体供給口８３とを対向させた状態で、気体供給口８３より基板Ｐの表面に気体を供給する。これにより、基板Ｐの表面に存在している異物は、気体供給口８３より供給された気体によって吹き飛ばされ、基板Ｐの表面より除去される。このように、本実施形態の第２クリーニング装置８２は、気体供給口８３を用いる気体供給動作によって、基板Ｐの表面の異物を除去することができ、基板Ｐの表面をクリーニングすることができる。
【０１５１】
気体供給口８３は、ガイド面７の所定領域と対向する位置に配置可能である。また、基板保持部４を含む基板ステージ１は、気体供給口８３と対向する位置に移動可能である。
【０１５２】
次に、第２実施形態に係る露光装置ＥＸ１の動作の一例について、図１６のフローチャートを参照しながら説明する。なお、本実施形態において、上述の第１実施形態と同様、図９を参照して説明したステップＳＡ１〜ＳＡ１９が実行される。ステップＳＡ１〜ＳＡ１９についての説明は省略する。
【０１５３】
ステップＳＡ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、（ｍ−１）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と異なると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、第２クリーニング装置８２を用いるｍ枚目の基板Ｐの表面に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＡ２０）。制御装置１５は、基板保持部４に保持されたｍ枚目の基板Ｐの表面と第２クリーニング装置８２の気体供給口８３とを対向させた状態で、気体供給口８３より基板Ｐの表面に気体を供給して、基板Ｐの表面をクリーニングする。第２クリーニング装置８２を用いる基板Ｐの表面のクリーニングが終了した後、その基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＡ６）。
【０１５４】
本実施形態によれば、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、基板Ｐの表面に異物が存在していると判断された場合、その基板Ｐの表面を第２クリーニング装置８２を用いてクリーニングした後、その基板Ｐの液浸露光を開始することができる。
【０１５５】
図１７は、第２クリーニング装置８２Ｂの別の例を示す模式図である。図１７において、第２クリーニング装置８２Ｂは、気体を吸引可能な気体吸引口８７を有する吸引部材８８と、気体吸引口８７と流路８９を介して接続された吸引装置９０とを備えている。基板保持部４に保持された基板Ｐの表面は、気体吸引口８７と対向する位置に配置可能である。吸引装置９０は、真空システムを含み、気体を吸引可能である。吸引装置９０は、流路８８を介して、気体吸引口８７より、気体吸引口８７の近傍の気体を吸引可能である。第２クリーニング装置８２Ｂは、基板Ｐの表面と気体吸引口８７とを対向させた状態で、気体吸引口８７より気体を吸引する。これにより、基板Ｐの表面の近傍の気体が気体吸引口８７より吸引され、基板Ｐの表面に存在している異物は、周囲の気体とともに、気体吸引口８７より吸引され、基板Ｐの表面より除去される。このように、気体吸引口８７を含む第２クリーニング装置８２Ｂは、気体吸引口８７を用いる気体吸引動作によって、基板Ｐの表面の異物を除去することができ、基板Ｐの表面をクリーニングすることができる。
【０１５６】
なお、第２クリーンニング装置８２（８２Ｂ）を用いて、プレート部材保持部６３に保持されているプレート部材Ｔの表面をクリーニングすることができる。
【０１５７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５８】
図１８は、第３実施形態に係る基板Ｐの露光方法、及びクリーニング方法の一例を示すフローチャートである。第３実施形態に係る露光装置ＥＸ１は、上述の第２実施形態で説明したような、第２クリーニング装置８２（８２Ｂ）を備える。以下の説明においては、露光装置ＥＸ１が、気体を供給可能な気体供給口８３を有する第２クリーニング装置８２を備えている場合を例にして説明するが、気体を吸引可能な気体吸引口８７を有する第２クリーニング装置８２Ｂを備えていてもよい。
【０１５９】
第３実施形態の特徴的な部分は、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊを第１のタイミングで検出する第１検出動作が実行され（ステップＳＢ３）、第１検出動作で検出された高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面に対するクリーニング動作が実行され（ステップＳＢ１１）、基板Ｐの表面に対するクリーニング動作が実行された後、その基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊを第２のタイミングで検出する第２検出動作が実行され（ステップＳＢ１２）、第１検出動作の検出結果と、第２検出動作の検出結果とに基づいて、基板保持部４を用いるクリーニング動作が制御される点にある。
【０１６０】
本実施形態においては、第１検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、第２検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置との関係に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作が制御される。
【０１６１】
図１８において、露光前の所定の基板Ｐが、搬送システム１３によって基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持され、温度調整される（ステップＳＢ１）。露光前の基板Ｐが保持部材５４に保持されているとき、基板保持部４には、別の基板Ｐが保持されており、液浸露光されている。基板保持部４に保持されている基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置１５は、その露光後の基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３へ移動する。基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動するとき、制御装置１５は、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動して、液体ＬＱの液浸部ＬＳを基板テーブル２１から計測テーブル２４へ移動する。これにより、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測テーブル２４との間に液体ＬＱが保持される。
【０１６２】
制御装置１５は、搬送システム１３を用いて、露光後の基板Ｐを、基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１よりアンロードする。露光後の基板Ｐが基板ステージ１からアンロードされた後、制御装置１５は、基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持されている基板Ｐを、搬送システム１３を用いて、基板ステージ１の基板保持部４にロードする（ステップＳＢ２）。基板保持部４にロードされた基板Ｐは、基板保持部４に保持される。
【０１６３】
制御装置１５は、露光前の基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１の基板交換位置ＰＪ３から露光位置ＰＪ１への移動を開始する。制御装置１５は、基板交換位置ＰＪ３と露光位置ＰＪ１との間において、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて、基板保持部４に保持されている基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出する（ステップＳＢ３）。
【０１６４】
制御装置１５は、ステップＳＢ３においてフォーカス・レベリング検出システム１２を用いて検出した、基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを記憶装置８１に記憶する（ステップＳＢ４）。
【０１６５】
制御装置１５は、ステップＳＢ３で検出された複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であるか否かを判断する（ステップＳＢ５）。
【０１６６】
ステップＳＢ５において、高さ情報Ｚｉｊが異常でないと判断された場合、制御装置１５は、基板保持部４に保持されているの基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＢ６）。制御装置１５は、基板Ｐの液浸露光を開始するために、基板テーブル２１と計測テーブル２４とを接近又は接触させた状態で同期移動して、液体ＬＱの液浸部ＬＳを計測テーブル２４から基板テーブル２１へ移動する。これにより、基板保持部４に保持されている基板Ｐが、露光位置ＰＪ１に配置される（ステップＳＢ７）。
【０１６７】
次に、制御装置１５は、基板テーブル２１の基板保持部４に保持されている基板Ｐに対するアライメント処理を実行し、基板Ｐのアライメントマークの位置情報に基づいて、基板テーブル２１上の基板Ｐの位置を制御しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域に対する液浸露光を実行する（ステップＳＢ８）。
【０１６８】
基板Ｐの液浸露光が終了した後（ステップＳＢ９）、制御装置１５は、その基板Ｐを基板保持部４で保持した基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３へ移動する。露光後の基板Ｐは、搬送システム１３によって、基板保持部４からアンロードされる（ステップＳＢ１０）。
【０１６９】
ステップＳＢ５において、基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、制御装置１５は、第２クリーニング装置８２を用いて、基板保持部４に保持された基板Ｐの表面に対するクリーニング動作を実行する（ステップＢＳ１１）。
【０１７０】
第２クリーニング装置８２を用いる基板Ｐの表面に対するクリーニング動作を実行した後、制御装置１５は、フォーカス・レベリング検出システム１２を用いて、基板保持部４に保持されているクリーニング後の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出する（ステップＳＢ１２）。
【０１７１】
制御装置１５は、ステップＳＢ１２で検出された複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であるか否かを判断する（ステップＳＢ１３）。
【０１７２】
ステップＳＢ１３において、ステップＳＢ１２で検出された複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊがいずれも異常でないと判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＢ６）。
【０１７３】
ステップＳＢ１３において、ステップＳＢ１２で検出された複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断した場合、制御装置１５は、記憶装置８１に記憶されている、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較する（ステップＳＢ１４）。
【０１７４】
制御装置１５は、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較し、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とが同じであるか否かを判断する（ステップＳＢ１５）。
【０１７５】
ステップＳＢ１５において、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と異なると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＢ６）。
【０１７６】
ステップＳＢ１５において、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じであると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＢ１６）。
【０１７７】
制御装置１５は、基板保持部４に対するクリーニングを開始するために、基板保持部４に保持されている基板Ｐを基板保持部４から搬出（アンロード）する（ステップＳＢ１７）。
【０１７８】
制御装置１５は、基板保持部４に保持されている基板Ｐを基板保持部４から搬出するために、基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動し、その基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４に保持されている基板Ｐを、搬送システム１３を用いて、基板保持部４から搬出し、保持部材５４に搬送する。保持部材５４は、基板保持部４から搬出された基板Ｐを、露光位置ＰＪ１及び基板交換位置ＰＪ３と異なる位置で支持する。
【０１７９】
制御装置１５は、基板保持部４に保持されている基板Ｐを基板保持部４から搬出した後、基板保持部４を含む基板ステージ１をクリーニング位置ＰＪ２へ移動する（ステップＳＢ１８）。
【０１８０】
制御装置１５は、クリーニング位置ＰＪ２に配置された基板保持部４に対する第１クリーニング装置１６を用いるクリーニング動作を実行する（ステップＳＢ１９）。
【０１８１】
制御装置１５は、終端光学素子４６及び液浸部材４７と露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４との間に液体ＬＱが保持された状態で、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニングを実行する。第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニング中、露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４と終端光学素子４６及び液浸部材４７との間に液体ＬＱが保持されている。
【０１８２】
第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４のクリーニングが終了した後（ステップＳＢ２０）、制御装置１５は、基板ステージ１を基板交換位置ＰＪ３に移動する。制御装置１５は、搬送システム１３を用いて、基板交換位置ＰＪ３に移動された基板ステージ１の基板保持部４に、基板温度調整装置１４の保持部材５４に保持されている基板Ｐを搬送する。これにより、温度調整された基板Ｐが基板保持部４にロードされる（ステップＳＢ２１）。基板保持部４に基板Ｐがロードされた後、その基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＢ６）。
【０１８３】
以上説明したように、本実施形態においても、基板保持部４をクリーニングするために、クリーニング位置ＰＪ２に基板保持部４（基板ステージ１）が配置されたとき、露光位置ＰＪ１に計測ステージ２（計測テーブル２４）が配置されるので、終端光学素子４６及び液浸部材４７と計測テーブル２４との間に液体ＬＱを保持した状態で、第１クリーニング装置１６を用いて基板保持部４をクリーニングすることができる。したがって、液浸部ＬＳの液体ＬＱを全て回収したり、液浸部ＬＱを再度形成したりする処理を実行することなく、基板保持部４をクリーニングすることができる。したがって、露光装置ＥＸ１の稼動率の低下、スループットの低下等を抑制しつつ、基板保持部４を良好にクリーニングすることができる。したがって、生産性の低下を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光でき、不良デバイスの発生を抑制することができる。
【０１８４】
また、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が制御されるので、基板保持部４のクリーニングを効率良く実行することができる。また、本実施形態によれば、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作が制御されるので、例えば基板保持部４に異物が存在していないにも係わらずクリーニング処理が実行されてしまったり、過剰にクリーニング処理が実行されてしまったりする等、不要な処理が実行されてしまうことを抑制することができる。
【０１８５】
また、本実施形態においては、基板保持部４に保持された基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊを第１のタイミングで検出した検出結果と、第２のタイミングで検出した検出結果とに基づいて、基板保持部４に異物が付着しているか否かを判断することができ、クリーニング動作を実行するべきか否かを判断することができる。特に、第１のタイミングと、第２タイミングとの間に、基板Ｐの表面のクリーニング動作を実行しているので、基板保持部４に異物が付着しているか否かを容易に判断することができる。
【０１８６】
なお、本実施形態において、基板保持部４をクリーニングするために、基板保持部４から搬出された基板Ｐが、搬送システム１３の搬送部材５０に支持されてもよい。
【０１８７】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１８８】
第４実施形態は、上述の第３実施形態の変形例である。図１９は、第４実施形態に係る露光装置ＥＸ１の動作の一例を示すフローチャートである。第４実施形態において、上述の第３実施形態と同様、図１８を参照して説明したステップＳＢ１〜ＳＢ２１が実行される。ステップＳＢ１〜ＳＢ２１についての説明は省略する。
【０１８９】
ステップＳＢ１５において、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と異なると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を実行せずに、第２クリーニング装置８２を用いる基板Ｐの表面に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＢ２２）。第２クリーニング装置８２を用いる基板Ｐの表面のクリーニングが終了した後、その基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＢ６）。
【０１９０】
ステップＳＢ１５において、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置が、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置とほぼ同じであると判断した場合、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いる基板保持部４に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＢ１６）。
【０１９１】
本実施形態においては、ステップＳＢ３で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置と、ステップＳＢ１２で検出された基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの基板保持部４に対する位置との関係に基づいて、基板保持部４に対するクリーニング動作、及び基板Ｐの表面に対するクリーニング動作のどちらを実行するかが判断される。
【０１９２】
以上説明したように、本実施形態によれば、フォーカス・レベリング検出システム１２の検出結果に基づいて、基板Ｐの表面に異物が存在していると判断された場合、その基板Ｐの表面を第２クリーニング装置８２を用いてクリーニングした後、その基板Ｐの液浸露光を開始することができる。
【０１９３】
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、第１クリーニング装置１６が、基板保持部４をクリーニングする場合を例にして説明したが、プレート部材保持部６３をクリーニングすることもできる。プレート部材保持部６３は、プレート部材Ｔを着脱可能である。また、プレート部材Ｔは、所定の搬送部材によって、露光位置ＰＪ１以外の位置において、プレート部材保持部６３に搬入（ロード）可能であり、プレート部材保持部６３から搬出（アンロード）可能である。第１クリーニング装置１６を用いるプレート部材保持部６３に対するクリーニング動作を実行する場合、制御装置１５は、プレート部材Ｔをプレート部材保持部６３から搬出した後、終端光学素子４６及び液浸部材４７と露光位置ＰＪ１に配置された計測テーブル２４との間に液体ＬＱを保持した状態で、クリーニング位置ＰＪ２に基板ステージ１を移動する。そして、制御装置１５は、第１クリーニング装置１６を用いるプレート部材保持部６３に対するクリーニング動作を実行する。プレート部材保持部６３をクリーニングすることによって、そのプレート部材保持部６３でプレート部材Ｔを良好に保持することができる。第１クリーニング装置１６の研磨装置１８は、ピン部材６９の上端面、第２周壁６７の上端面、及び第３周壁６８の上端面を含むプレート部材保持部６３の保持面を研磨することができる。
【０１９４】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９５】
第５実施形態においては、露光装置ＥＸ２が、例えば米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持しながら移動可能な複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置である場合を例にして説明する。すなわち、第５実施形態においては、露光装置ＥＸ２は、基板Ｐを保持しながら移動可能な第１基板ステージ９１と、第１基板ステージ９１と独立して、基板Ｐを保持しながら移動可能な第２基板ステージ９２とを有する。
【０１９６】
図２０は、第５実施形態に係る露光装置ＥＸ２の一例を示す概略構成図、図２１は、露光装置ＥＸ２を模式的に示す平面図であって、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２の近傍を上方から見た図である。露光装置ＥＸ２には、露光装置ＥＸ２全体の動作を制御する制御装置９３が設けられており、その制御装置９３には、露光に関する各種情報を記憶する記憶装置９４が接続されている。
【０１９７】
図２０において、露光装置ＥＸ２は、基板Ｐの露光処理を実行する露光ステーションＳＴ１と、基板Ｐの露光に関する所定の計測処理及び基板Ｐの交換処理を実行する計測ステーションＳＴ２とを備えている。第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれを移動可能に支持するガイド面９５を有するベース部材９６が、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２とに亘るように配置されている。
【０１９８】
第１基板ステージ９１は、基板Ｐを着脱可能な第１基板保持部９７を有し、第２基板ステージ９２は、基板Ｐを着脱可能な第２基板保持部９８を有する。第１基板保持部９７は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２基板保持部９８は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれは、基板Ｐを保持しながら、ガイド面９５に沿って、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間を移動可能である。本実施形態においては、ベース部材９６のガイド面９５は、ＸＹ平面とほぼ平行である。
【０１９９】
露光ステーションＳＴ１には、マスクＭを保持ながら移動可能なマスクステージ９９、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬ、及び露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬ等が配置されている。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１００の下面（射出面）１００Ａと対向する露光位置ＰＪ１は、露光ステーションＳＴ１に配置されている。第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれは、基板Ｐを保持しながら、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する露光位置ＰＪ１を含むガイド面９５上の所定領域内を移動可能である。
【０２００】
計測ステーションＳＴ２には、基板Ｐの位置情報（Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報）を取得するためのアライメントシステム１０１、及び基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム１０２等、基板Ｐの露光に関する計測処理を実行可能な各種計測システムが配置されている。
【０２０１】
また、本実施形態において、計測ステーションＳＴ２には、第１基板保持部９７及び第２基板保持部９８の少なくとも一方をクリーニングするための第１クリーニング装置１０３が配置されている。第１クリーニング装置１０３は、研磨部材１０４を含む研磨装置１０５を備える。本実施形態においては、クリーニング位置ＰＪ２は、計測ステーションＳＴ２に配置されている。
【０２０２】
本実施形態において、基板交換位置ＰＪ３は、計測ステーションＳＴ２に配置されている。基板Ｐを搬送可能な搬送システム１０６は、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＰＪ３に移動された第１基板ステージ９１（又は第２基板ステージ９２）より、露光後の基板Ｐをアンロード（搬出）する動作、及び次に露光されるべき露光前の基板Ｐを第１基板ステージ９１（又は第２基板ステージ９２）にロード（搬入）する動作を含む基板交換処理を実行可能である。
【０２０３】
また、本実施形態においては、基板交換位置ＰＪ３の近傍に、基板Ｐの温度を調整する基板温度調整装置１０７の保持部材１０８が配置されている。
【０２０４】
本実施形態の露光装置ＥＸ２は、局所液浸方式を採用した液浸露光装置であって、基板Ｐの露光時には、終端光学素子１００の下面１００Ａから射出される露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされる。本実施形態の露光装置ＥＸ２は、例えば米国特許出願公開第２００４／０１６５１５９号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１３２９７９号明細書等に開示されているような、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能なシール部材（液浸部材）１０９を備えている。シール部材１０９は、終端光学素子１００の近傍に配置されている。
【０２０５】
シール部材１０９は、露光位置ＰＪ１に配置される所定部材との間に液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能である。本実施形態においては、露光位置ＰＪ１に配置可能な所定部材は、第１基板ステージ９１、及び第２基板ステージ９２の少なくとも一方を含む。また、所定部材は、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２の少なくとも一方に保持されている基板Ｐを含む。
【０２０６】
アライメントシステム１０１は、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２を含む所定部材と対向可能な光学素子１１０を有する。アライメントシステム１０１は、その光学素子１１０を介して、基板Ｐ上のアライメントマーク、第１、第２基板ステージ９１、９２上の基準マーク等を計測する。所定部材は、アライメントシステム１０１の光学素子１１０と対向する位置を含むガイド面９５の所定領域内を移動可能である。以下の説明において、アライメントシステム１０１の光学素子１１０と対向する位置を適宜、計測位置ＰＪ４、と称する。
【０２０７】
フォーカス・レベリング検出システム１０２は、計測位置ＰＪ４に配置された第１基板保持部９７に保持されている基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出可能である。同様に、フォーカス・レベリング検出システム１０２は、計測位置ＰＪ４に配置された第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出可能である。フォーカス・レベリング検出システム１０２は、基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれに対して、Ｚ軸方向（高さ方向）と傾斜した方向から検出光ＬＵを照射する照射装置１０２Ａと、基板Ｐの表面で反射した検出光ＬＵを受光可能な受光装置１０２Ｂとを備えている。
【０２０８】
また、本実施形態の露光装置ＥＸ２は、例えば米国特許出願公開第２００４／０２１１９２０号明細書に開示されているような、終端光学素子１００及びシール部材１０９との間に液体ＬＱを保持する空間を形成可能なキャップ部材Ｃを備えている。シール部材１０９は、露光位置ＰＪ１に配置されるキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱで液浸部ＬＳを形成可能である。
【０２０９】
第１基板ステージ９１は、キャップ部材Ｃを着脱可能な第１キャップ保持部１１１を有し、第２基板ステージ９２は、キャップ部材Ｃを着脱可能な第２キャップ保持部１１２を有する。キャップ部材Ｃは、第１基板ステージ９１に保持されている基板Ｐの露光中に、第１キャップ保持部１１１に保持され、第２基板ステージ９２に保持されている基板Ｐの露光中に、第２キャップ保持部１１２に保持される。
【０２１０】
また、シール部材１０９は、キャップ部材Ｃを保持可能である。シール部材１０９は、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２の両方が露光位置ＰＪ１から離れているとき、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する位置にキャップ部材Ｃが配置されるように、キャップ部材Ｃを保持する。
【０２１１】
上述の第１〜第４実施形態と同様、露光装置ＥＸ２は、マスクステージ９９を移動可能な第１駆動システム１１３を備える。また、露光装置ＥＸ２は、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれを移動可能な第２駆動システム１１４を備える。
【０２１２】
第１基板ステージ９１は、第１基板ステージ本体１１５と、第１基板ステージ本体１１５上に搭載され、第１基板保持部９７を有する第１基板テーブル１１６とを備える。第２基板ステージ９２は、第２基板ステージ本体１１７と、第２基板ステージ本体１１７上に搭載され、第２基板保持部９８を有する第２基板テーブル１１８とを有する。
【０２１３】
第２駆動システム１１４は、第１基板ステージ本体１１５を移動する第１粗動システム１１９と、第１基板ステージ本体１１５に対して第１基板テーブル１１６を移動する第１微動システム１２０と、第２基板ステージ本体１１７を移動する第２粗動システム１２１と、第２基板ステージ本体１１７に対して第２基板テーブル１１８を移動する第２微動システム１２２とを備える。
【０２１４】
第１微動システム１２０は、第１基板ステージ本体１１５と第１基板テーブル１１６との間に配置されたボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む。第２微動システム１２２は、第２基板ステージ本体１１７と第２基板テーブル１１８との間に配置されたボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む。
【０２１５】
図２１に示すように、第１粗動システム１１９は、Ｙ軸リニアモータ１２３、１２４、及びＸ軸リニアモータ１２５を含む。第２粗動システム１２１は、Ｙ軸リニアモータ１２６、１２７、及びＸ軸リニアモータ１２８を含む。
【０２１６】
Ｙ軸リニアモータ１２３、１２６は、コイルユニットを含むＹ軸ガイド部材１２９、及びＹガイド部材１２９に対してＹ軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材１３０、１３１を含む。Ｙ軸リニアモータ１２４、１２７は、コイルユニットを含むＹ軸ガイド部材１３２、及びＹガイド部材１３２に対してＹ軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材１３３、１３４を含む。
【０２１７】
Ｘ軸リニアモータ１２５は、コイルユニットを含むＸ軸ガイド部材１３５、及びＸ軸ガイド部材１３５に対してＸ軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材１３６を含む。Ｘ軸リニアモータ１２８は、コイルユニットを含むＸ軸ガイド部材１３７、及びＸ軸ガイド部材１３７に対してＸ軸方向に移動可能な磁石ユニットを含むスライド部材１３８を含む。Ｘ軸ガイド部材１３５の両端は、スライド部材１３０、１３３に接続されている。Ｘ軸ガイド部材１３７の両端は、スライド部材１３１、１３４に接続されている。
【０２１８】
第１基板ステージ９１（第１基板ステージ本体１１５）及び第２基板ステージ９２（第２基板ステージ本体１１７）のそれぞれは、例えば米国特許出願公開第２００１／０００４１０５号明細書に開示されているような継手部材を介して、スライド部材１３６、１３８にリリース可能に接続される。
【０２１９】
図２０及び図２１に示すように、第１基板ステージ本体１１５は、−Ｙ側の側面に設けられた第１継手部材１３９と、＋Ｙ側の側面に設けられた第２継手部材１４０とを備えている。同様に、第２基板ステージ本体１１７は、−Ｙ側の側面に設けられた第３継手部材１４１と、＋Ｙ側の側面に設けられた第４継手部材１４２とを備えている。
【０２２０】
また、第２駆動システム１１４は、スライド部材１３６に設けられた継手部材１４３と、スライド部材１３８に設けられた継手部材１４４とを備えている。継手部材１４３は、計測ステーションＳＴ２側（＋Ｙ側）を向くように、スライド部材１３６の＋Ｙ側の側面に設けられている。継手部材１４４は、露光ステーションＳＴ１側（−Ｙ側）を向くように、スライド部材１３８の−Ｙ側の側面に設けられている。
【０２２１】
スライド部材１３６と継手部材１４３とは固定されており、スライド部材１３６と継手部材１４３とは一緒に移動可能である。また、スライド部材１３８と継手部材１４４とは固定されており、スライド部材１３８と継手部材１４４とは一緒に移動可能である。
【０２２２】
スライド部材１３６に固定された継手部材１４３には、第１基板ステージ本体１１５の第１継手部材１３９と第２基板ステージ本体１１７の第３継手部材１４１とがリリース可能に順次接続される。スライド部材１３８に固定された継手部材１４４には、第１基板ステージ本体１１５の第２継手部材１４０と第２基板ステージ本体１１７の第４継手部材１４２とがリリース可能に順次接続される。
【０２２３】
以下の説明において、第１基板ステージ本体１１５及び第２基板ステージ本体１１７が順次接続される継手部材１４３及びスライド部材１３６を合わせて適宜、第１接続部材１４５、と称する。また、第１基板ステージ本体１１５及び第２基板ステージ本体１１７が順次接続される継手部材１４４及びスライド部材１３８を合わせて適宜、第２接続部材１４６、と称する。
【０２２４】
制御装置９３は、ベース部材９６上において、所定のタイミングで、第１接続部材１４５と第１基板ステージ本体１１５（又は第２基板ステージ本体１１７）との接続の解除、及び第２接続部材１４６と第２基板ステージ本体１１７（又は第１基板ステージ本体１１５）との接続の解除と、第１接続部材１４５と第２基板ステージ本体１１７（又は第１基板ステージ本体１１５）との接続、及び第２接続部材１４６と第１基板ステージ本体１１５（又は第２基板ステージ本体１１７）との接続とを実行する。すなわち、制御装置９３は、所定のタイミングで、第１基板ステージ９１と第２基板ステージ９２とに対する第１接続部材１４５と第２接続部材１４６との交換動作を実行する。
【０２２５】
図２２は、第１基板ステージ９１及びシール部材１０９の近傍を示す側断面図である。第１基板保持部９７は、所謂ピンチャック機構を含み、第１基板テーブル１１６の上面１４７の所定位置に形成された第１凹部１４８の内側に配置されている。第１基板保持部９７は、基板Ｐを着脱可能である。第１キャップ保持部１１１は、所謂真空チャック機構を含み、第１基板テーブル１１６の上面１４７の所定位置に形成された第２凹部１４９の内側に配置されている。第１キャップ保持部１１１は、キャップ部材Ｃを着脱可能である。第２基板ステージ９２は、第１基板ステージ９１と同等の構成を有し、基板Ｐを着脱可能な第２基板保持部９８と、キャップ部材Ｃを着脱可能な第２キャップ保持部１１２とを有する。
【０２２６】
また、本実施形態においては、露光装置ＥＸ２は、例えば米国特許出願公開第２００４／０１３０６９１号明細書に開示されているような、第１、第２基板テーブル１１６、１１８のＺ軸方向の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（Ｚ干渉計）を含む干渉計システムを備えている。干渉計システムは、第１基板テーブル１１６の計測ミラー１５０、１５１、及び反射ミラー１５２に照射した計測光に基づいて、第１基板テーブル１１６のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に関する位置情報を計測可能である。同様に、干渉系システムは、第２基板テーブル１１８のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に関する位置情報を計測可能である。
【０２２７】
シール部材１０９は、液体ＬＱの供給及び回収を行う流路１５３を備えている。また、シール部材１０９は、シール部材１０９の下面と、そのシール部材１０９の下面と対向する所定部材の表面（図２２では基板Ｐの表面）との間で、液体ＬＱを閉じこめるためのガスシールを形成するガス導入口１５４及びガス導出口１５５を備えている。シール部材１０９の下面には、ガス導入口１５４に接続された環状の第１溝と、ガス導出口１５５に接続された環状の第２溝とが形成されている。第１溝及び第２溝のそれぞれは、露光光ＥＬの光路空間の周囲に配置されている。第１溝は、露光光ＥＬの光路空間に対して第２溝の外側に配置されている。
【０２２８】
シール部材１０９は、そのシール部材１０９の下面と対向する所定部材の表面（図２２では基板Ｐの表面）との間にガスベアリング１５６を形成可能である。制御装置９３は、ガス導入口１５４を用いるガス導入（供給）動作、及びガス導出口１５５を用いるガス導出（吸引）動作により、シール部材１０９の下面と、そのシール部材１０９の下面と対向する所定部材の表面（基板Ｐの表面）との間に、ガスベアリング１５６を形成可能である。シール部材１０９の下面と所定部材の表面（基板Ｐの表面）との間には、与圧真空型のガスベアリング１５６が形成される。ガスベアリング１５６により、シール部材１０９の下面と所定部材の表面（基板Ｐの表面）とのギャップ（例えば、０．１〜１．０ｍｍ）が維持される。
【０２２９】
キャップ部材Ｃは、終端光学素子１００との間で液体ＬＱを保持可能な部材である。キャップ部材Ｃは、シール部材１０９によって形成される液浸部ＬＳの大きさ及び形状に応じて形成されている。本実施形態においては、キャップ部材Ｃは、基板Ｐとほぼ同じ厚さで、ＸＹ平面内において略円形状のプレート状の部材である。
【０２３０】
本実施形態において、露光装置ＥＸ２は、キャップ部材Ｃを１つ備えている。したがって、キャップ部材Ｃが第１基板テーブル１１６の第１キャップ保持部１１１に保持されているとき、第２基板テーブル１１８の第２キャップ保持部１１２にはキャップ部材Ｃは保持されず、何も無い状態となる。同様に、キャップ部材Ｃが第２キャップ保持部１１２に保持されているとき、第１キャップ保持部１１１にはキャップ部材Ｃは保持されず、何も無い状態となる。
【０２３１】
本実施形態においては、第１キャップ保持部１１１は、第１基板ステージ９１（第１基板保持部９７）に保持されている基板Ｐの露光中に、キャップ部材Ｃを保持し、第２キャップ保持部１１２は、第２基板ステージ９２（第２基板保持部９８）に保持されている基板Ｐの露光中に、キャップ部材Ｃを保持する。
【０２３２】
上述のように、本実施形態のシール部材１０９は、そのシール部材１０９の下面と対向する位置に配置された所定部材の表面との間にガスベアリング１５６を形成可能である。シール部材１０９は、キャップ部材Ｃとの間にガスベアリング１５６を形成することによって生じる吸着作用を利用して、シール部材１０９の下面とキャップ部材Ｃの上面との間に所定のギャップを維持した状態で、そのキャップ部材Ｃを保持することができる。シール部材１０９は、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する位置にキャップ部材Ｃが配置されるように、そのキャップ部材Ｃをリリース可能に保持することができる。シール部材１０９は、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれが終端光学素子１００から離れているときに、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する位置にキャップ部材Ｃが配置されるように、そのキャップ部材Ｃを保持する。
【０２３３】
図２３及び図２４は、キャップ部材Ｃを用いる動作の一例を示す図である。例えば、第１キャップ保持部１１１に保持されいるキャップ部材Ｃをシール部材１０９で保持する場合、図２３に示すように、制御装置９３は、終端光学素子１００の下面１００Ａ及びシール部材１０９の下面と第１キャップ保持部１１１に保持されているキャップ部材Ｃの上面とを対向させる。これにより、終端光学素子１００及びシール部材１０９とキャップ部材Ｃの上面との間に液体ＬＱが保持され、液浸部ＬＳが形成される。また、シール部材１０９の下面とキャップ部材Ｃの上面との間には、ガスベアリング１５６が形成される。
【０２３４】
次いで、制御装置９３は、第１キャップ保持部１１１によるキャップ部材Ｃの保持を解除する。これにより、第１キャップ保持部１１１は、キャップ部材Ｃをリリース可能となる。シール部材１０９の下面とキャップ部材Ｃの上面との間にはガスベアリング１５６が形成されており、シール部材１０９は、キャップ部材Ｃとの間にガスベアリング１５６を形成することによって生じる吸着作用を利用して、シール部材１０９の下面とキャップ部材Ｃの上面との間に所定のギャップを維持した状態で、キャップ部材Ｃを保持する。
【０２３５】
そして、図２４に示すように、制御装置９３は、シール部材１０９の下面とキャップ部材Ｃの上面との間にガスベアリング１５６を形成した状態で、第１微動システム１２０を制御して、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃと第１キャップ保持部１１１とのＺ軸方向における位置関係を調整し、キャップ部材Ｃを第１キャップ保持部１１１から取り外す。例えば、第１基板テーブル１１６が下方（−Ｚ方向）に移動することで、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃは、第１キャップ保持部１１１から取り外され、シール部材１０９に保持される。このように、第１キャップ保持部１１１に保持されていたキャップ部材Ｃは、その第１キャップ保持部１１１からリリースされ、シール部材１０９に保持される。第１キャップ保持部１１１からリリースされ、シール部材１０９に保持されたキャップ部材Ｃは、終端光学素子１００及びシール部材１０９との間に液体ＬＱを保持する。
【０２３６】
また、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃを第１キャップ保持部１１１に保持する場合、制御装置９３は、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃと終端光学素子１００の下面１００Ａとの間に液体ＬＱを保持しながら、キャップ部材Ｃの下面と、第１基板テーブル１１６の第１キャップ保持部１１１とを対向させる。
【０２３７】
そして、制御装置９３は、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃと第１基板テーブル１１６の第１キャップ保持部１１１とのＺ軸方向における位置関係を調整し、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃを、そのシール部材１０９からリリースし、第１キャップ保持部１１１に移し替える。具体的には、制御装置９３は、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃの下面と第１キャップ保持部１１１の上面とを接触させた後、第１キャップ保持部１１１でキャップ部材Ｃを吸着するように保持する。これにより、シール部材１０９に保持されていたキャップ部材Ｃは、そのシール部材１０９よりリリースされ、第１キャップ保持部１１１に保持される。
【０２３８】
そして、制御装置９３は、終端光学素子１００及びシール部材１０９と第１キャップ保持部１１１に保持されているキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱを保持した状態で、終端光学素子１００及びシール部材１０９に対して第１基板ステージ９１をＸＹ方向に移動して、終端光学素子１００の下面１００Ａ及びシール部材１０９の下面と第１基板テーブル１１６の上面１４７（基板Ｐを含む）とを対向させる。これにより、終端光学素子１００及びシール部材１０９と第１基板ステージ９１（基板Ｐを含む）との間に液体ＬＱが保持され、液浸部ＬＳが形成される。
【０２３９】
以上、第１キャップ保持部１１１に保持されていたキャップ部材Ｃを、その第１キャップ保持部１１１からリリースして、シール部材１０９で保持する動作、及びシール部材１０９に保持されていたキャップ部材Ｃを、そのシール部材１０９からリリースして、第１キャップ保持部１１１に保持する動作について説明した。第２キャップ保持部１１２に保持されていたキャップ部材Ｃを、その第２キャップ保持部１１２からリリースして、シール部材１０９で保持する動作、及びシール部材１０９に保持されていたキャップ部材Ｃを、そのシール部材１０９からリリースして、第２キャップ保持部１１２で保持する動作も、第１キャップ保持部１１１に保持されていたキャップ部材Ｃを、その第１キャップ保持部１１１からリリースして、シール部材１０９に保持する動作、及びシール部材１０９に保持されていたキャップ部材Ｃを、そのシール部材１０９からリリースして、第１キャップ保持部１１１に保持する動作と同様であるため、その説明を省略する。
【０２４０】
次に、本実施形態に係る基板Ｐの露光方法、及びクリーニング方法の一例について、図２５のフローチャート、及び図２６〜図３３の模式図を参照しながら説明する。
【０２４１】
図２６に示すように、露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ９１の第１基板保持部９７に保持されている基板Ｐが、露光位置ＰＪ１に配置され、液浸露光される。第１基板保持部９７には、例えば順次処理されるＮ枚の基板Ｐのうち、（ｍ−１）枚目の基板Ｐが保持されいる。なお、液浸露光される前において、第１基板保持部９７に保持されている（ｍ−１）枚目の基板Ｐは、計測ステーションＳＴ２において、フォーカス・レベリング検出システム１０２によって、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出される。（ｍ−１）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊは、記憶装置９４に記憶されている。
【０２４２】
図２６に示すように、第１基板ステージ９１の第１基板保持部９７に保持されている基板Ｐの露光中、キャップ部材Ｃが、第１基板ステージ９１の第１キャップ保持部１１１に保持されている。
【０２４３】
図２７に示すように、第１基板ステージ９１上の基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置９３は、第２駆動システム１１４を用いて、終端光学素子１００の下面１００Ａと、第１基板ステージ９１の第１キャップ保持部９７に保持されているキャップ部材Ｃの上面とが対向するように、第１基板ステージ９１をＸＹ方向に移動する。これにより、終端光学素子１００の下面１００Ａと第１キャップ保持部１１１に保持されているキャップ部材Ｃの上面との間に液体ＬＱが保持される。
【０２４４】
次いで、制御装置９３は、第１キャップ保持部１１１によるキャップ部材Ｃの保持を解除して、第１キャップ保持部１１１からキャップ部材Ｃをリリースするとともに、ガスベアリング１５６の吸着作用を利用して、そのキャップ部材Ｃをシール部材１０９で保持する。シール部材１０９に保持されたキャップ部材Ｃは、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する位置に配置され、終端光学素子１００とキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持される。
【０２４５】
露光ステーションＳＴ１において、第１基板保持部９７に保持されている基板Ｐの露光処理が実行されている間、計測ステーションＳＴ２において、第２基板保持部９８に対する基板交換処理、及び第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐに関する計測処理が実行される。
【０２４６】
例えば順次処理されるＮ枚の基板Ｐのうち、ｍ枚目の基板Ｐが、搬送システム１０６によって基板温度調整装置１０７の保持部材１０８に保持され、温度調整されている（ステップＳＣ１）。
【０２４７】
基板交換位置ＰＪ３には、第２基板ステージ９２が配置される。第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８には、露光ステーションＳＴ１において既に露光された、（ｍ−２）枚目の基板Ｐが保持されている。基板交換位置ＰＪ３に配置されている第２基板ステージ９２に保持されている露光後の（ｍ−２）枚目の基板Ｐは、搬送システム１０６によって、第２基板保持部９８よりアンロードされる。また、第２基板保持部９８に保持されている（ｍ−２）枚目の基板Ｐは、液浸露光される前において、計測ステーションＳＴ２において、フォーカス・レベリング検出システム１０２によって、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出されている。（ｍ−２）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊは、記憶装置９４に記憶されている。
【０２４８】
第２基板保持部９８に保持されていた露光後の（ｍ−２）枚目の基板Ｐが第２基板保持部９８からアンロードされた後、保持部材１０８によって温度調整されたｍ枚目の基板Ｐが、搬送システム１０６によって、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＰＪ３に配置されている第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８にロードされる（ステップＳＣ２）。
【０２４９】
図２６に示すように、制御装置９３は、ｍ枚目の基板Ｐを第２基板保持部９８で保持した第２基板ステージ９２を計測位置ＰＪ２に移動する。制御装置９３は、フォーカス・レベリング検出システム１０２を用いて、第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを検出する。（ステップＳＣ３）。
【０２５０】
制御装置９３は、フォーカス・レベリング検出システム１０２を用いて検出した、ｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊを記憶装置９４に記憶する（ステップＳＣ４）。
【０２５１】
また、制御装置９３は、アライメントシステム１０１を用いる計測処理等、計測ステーションＳＴ２に配置されている第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐに関する各種計測処理を実行する。
【０２５２】
制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持されている、複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であるか否かを判断する（ステップＳＣ５）。
【０２５３】
ステップＳＣ５において、高さ情報Ｚｉｊが異常でないと判断された場合、制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＣ６）。
【０２５４】
制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの液浸露光を開始するために、第２基板ステージ９２を計測ステーションＳＴ２から露光ステーションＳＴ１へ移動する動作を開始する。本実施形態においては、制御装置９３は、図２８に示すように、終端光学素子１００とシール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持された状態で、第２駆動システム１１４を用いて、第１基板ステージ９１及び第２基板ステージ９２のそれぞれを、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間の領域に移動する。本実施形態においては、第１基板ステージ９１は、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間の領域において、第２基板ステージ９２の−Ｘ側に配置される。
【０２５５】
次に、図２９に示すように、制御装置９３は、第１接続部材１４５と第１基板ステージ９１の第１継手部材１３９との接続の解除、及び第２接続部材１４６と第２基板ステージ９２の第４継手部材１４２との接続の解除を実行するとともに、第１接続部材１４５と第２基板ステージ９２の第３継手部材１４１との接続、及び第２接続部材１４６と第１基板ステージ９１の第２継手部材１４０との接続を実行する。このように、制御装置９３は、第１基板ステージ９１と第２基板ステージ９２とに対する第１接続部材１４５と第２接続部材１４６との交換動作を実行する。
【０２５６】
次に、制御装置９３は、第２駆動システム１１４を用いて、第２基板ステージ９２を露光ステーションＳＴ１に移動するとともに、第１基板ステージ９１を計測ステーションＳＴ２に移動する。
【０２５７】
図３０に示すように、制御装置９３は、シール部材１０９に保持されているキャップ部材Ｃと、第２基板ステージ９２の第２キャップ保持部１１２とが対向するように、第２基板ステージ９２を移動する。次いで、制御装置９３は、シール部材１０９に保持されていたキャップ部材Ｃを、そのシール部材１０９からリリースするととともに、第２キャップ保持部１１２でキャップ部材Ｃを保持する。
【０２５８】
そして、図３１に示すように、キャップ部材Ｃが第２キャップ保持部１１２に保持された後、制御装置９３は、第２駆動システム１１４を用いて、終端光学素子１００の下面１００Ａと、第２キャップ保持部１１２に保持されているキャップ部材Ｃの上面とが対向する状態から、終端光学素子１００の下面１００Ａと、第２基板ステージ９２の上面（又は第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの表面）とが対向する状態に変化するように、第２基板ステージ９２をＸＹ方向に移動する。これにより、終端光学素子１００の下面１００Ａ及びシール部材１０９と第２基板ステージ９２の上面（又は第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの表面）との間に液体ＬＱが保持される。
【０２５９】
図３２に示すように、制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持された基板Ｐを露光するために、その基板Ｐを露光位置ＰＪ１に移動し（ステップＳＣ７）、その基板Ｐの液浸露光を実行する（ステップＳＣ８）。
【０２６０】
露光ステーションＳＴ１においては、第２基板ステージ９２上の基板Ｐの液浸露光が行われ、計測ステーションＳＴ２においては、第１基板ステージ９１に対する基板交換処理、及び基板Ｐを保持した第１基板ステージ９１の計測処理等が行われる。第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの露光中、キャップ部材Ｃは、第２基板ステージ９２の第２キャップ保持部１１２に保持される。
【０２６１】
以下、同様の処理が繰り返される。すなわち、第２基板ステージ９２上のｍ枚目の基板Ｐの液浸露光が終了した後（ステップＳＣ９）、制御装置９３は、第２キャップ保持部１１２からキャップ部材Ｃをリリースするとともに、そのキャップ部材Ｃをシール部材１０９に保持する。シール部材１０９に保持されたキャップ部材Ｃは、終端光学素子１００との間に液体ＬＱを保持する。また、露光後の基板Ｐを保持した第２基板ステージ９２は、露光ステーションＳＴ１の露光位置ＰＪ１から計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＰＪ３へ移動される。基板交換位置ＰＪ３に移動された第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８に保持されている露光後のｍ枚目の基板Ｐは、搬送システム１０６によって、第２基板保持部９８からアンロードされる（ステップＳＣ１０）。第２基板保持部９８からアンロードされた基板Ｐは、現像処理等、所定の処理を実行される。
【０２６２】
ステップＳＣ５において、ｍ枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、制御装置９３は、前回処理された、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であったか否かを判断する（ステップＳＣ１１）。
【０２６３】
ステップＳＣ１１において、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの高さ情報Ｚｉｊが異常でないと判断された場合、ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＣ６）。
【０２６４】
ステップＳＣ１１において、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断した場合、制御装置９３は、記憶装置９４に記憶されている、（ｍ−２）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ｍ枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較する（ステップＳＣ１２）。
【０２６５】
制御装置９３は、（ｍ−２）枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊと、ｍ枚目の基板Ｐに関する高さ情報Ｚｉｊとを比較し、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置と、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置とが同じであるか否かを判断する（ステップＳＣ１３）。
【０２６６】
ステップＳＣ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置が、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置と異なると判断した場合、制御装置９３は、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８に対するクリーニング動作を実行せずに、ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光を開始する（ステップＳＣ６）。
【０２６７】
ステップＳＣ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置が、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置とほぼ同じであると判断した場合、制御装置９３は、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８に対するクリーニング動作を開始する（ステップＳＣ１４）。
【０２６８】
制御装置９３は、第２基板保持部９８に対するクリーニングを開始するために、第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐを第２基板保持部９８から搬出（アンロード）する（ステップＳＣ１５）。
【０２６９】
制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐを第２基板保持部９８から搬出するために、第２基板ステージ９２を基板交換位置ＰＪ３に移動し、その基板交換位置ＰＪ３に移動された第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐを、搬送システム１０６を用いて、第２基板保持部９８から搬出し、保持部材１０８に搬送する。保持部材１０８は、第２基板保持部９８から搬出されたｍ枚目の基板Ｐを、露光位置ＰＪ１及び基板交換位置ＰＪ３と異なる位置で支持する。
【０２７０】
制御装置９３は、第２基板保持部９８に保持されているｍ枚目の基板Ｐを第２基板保持部９８から搬出した後、第２基板保持部９８を含む第２基板ステージ９２をクリーニング位置ＰＪ２へ移動する（ステップＳＣ１６）。これにより、図３３に示すように、第２基板保持部９８がクリーニング位置ＰＪ２に配置される。
【０２７１】
制御装置９３は、クリーニング位置ＰＪ２に配置された第２基板保持部９８に対する第１クリーニング装置１０３を用いるクリーニング動作を開始する（ステップＳＣ１７）。
【０２７２】
図３３に示すように、本実施形態においては、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８に対するクリーニングを実行するとき、露光ステーションＳＴ１において、第１基板ステージ９１上の基板Ｐの露光が終了した後、キャップ部材Ｃが第１基板ステージ９１の第１キャップ保持部１１１に保持される。そして、終端光学素子１００の下面１００Ａと対向する露光位置ＰＪ１に、第１基板ステージ９１の上面１４７が配置される。これにより、終端光学素子１００の下面１００Ａ及びシール部材１０９の下面と第１基板ステージ９１の上面１４７との間に、液体ＬＱが保持される。
【０２７３】
このように、第２基板保持部９８がクリーニング位置ＰＪ２に配置されているとき、露光位置ＰＪ１に第１基板ステージ９１が配置される。制御装置９３は、終端光学素子１００及びシール部材１０９と露光位置ＰＪ１に配置された第１基板ステージ９１との間に液体ＬＱが保持された状態で、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８に対するクリーニングを実行する。第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング中、露光位置ＰＪ１に配置された第１基板ステージ９１と終端光学素子１００及びシール部材１０９との間に液体ＬＱが保持されている。
【０２７４】
第１クリーニング装置１０３は、研磨装置１０５を含み、研磨装置１０５の研磨部材１０４を用いて、第２基板保持部９８をクリーニングする。研磨部材１０４を用いて第２基板保持部９８を研磨することによって、第２基板保持部９８に付着している異物を除去することができる。
【０２７５】
なお、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング中、制御装置９３は、露光ステーションＳＴ１において、露光位置ＰＪ１に配置されている第１基板ステージ９１を用いる計測処理を実行するようにしてもよい。例えば、第１基板ステージ９１の第１基板テーブル１１６に、露光光ＥＬを計測可能な光センサが配置されている場合、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング中、第１基板テーブル１１６の光センサを露光位置ＰＪ１に配置し、終端光学素子１００と第１基板テーブル１１６の光センサとの間に液体ＬＱを保持した状態で、光センサを用いる露光光ＥＬの計測を実行することができる。例えば、制御装置９３は、終端光学素子１００より射出された露光光ＥＬを、液体ＬＱを介して第１基板テーブル１１６の光センサに照射することができる。
【０２７６】
なお、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング中、露光ステーションＳＴ１において、露光位置ＰＪ１に配置されている第１基板ステージ９１上の基板Ｐが露光されてもよい。すなわち、制御装置９３は、露光ステーションＳＴ１において、終端光学素子１００と露光位置ＰＪ１に配置された基板Ｐとの間に液体ＬＱを保持し、その液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射しながら、計測ステーションＳＴ２において、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング動作を実行することができる。
【０２７７】
なお、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニング中、シール部材１０９でキャップ部材Ｃを保持し、終端光学素子１００とキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持されるようにしてもよい。すなわち、制御装置９３は、終端光学素子１００と、シール部材１０９に保持されることによって露光位置ＰＪ１に配置されたキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持された状態で、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８のクリーニングを実行することができる。
【０２７８】
また、キャップ部材Ｃに光センサが設けられている場合には、制御装置９３は、終端光学素子１００と、シール部材１０９に保持されることによって露光位置ＰＪ１に配置されたキャップ部材Ｃとの間に液体ＬＱが保持された状態で、終端光学素子１００より露光光ＥＬを射出し、その終端光学素子１００より射出された露光光ＥＬを、液体ＬＱを介して、キャップ部材Ｃに設けられている光センサで検出することができる。
【０２７９】
第２基板保持部９８のクリーニングが終了した後（ステップＳＣ１８）、制御装置９３は、研磨部材１０４と第２基板保持部９８とを離し、第２基板ステージ９２を基板交換位置ＰＪ３に移動する。制御装置９３は、搬送システム１０６を用いて、基板交換位置ＰＪ３に移動された第２基板ステージ９２の第２基板保持部９８に、基板温度調整装置１０７の保持部材１０８に保持されているｍ枚目の基板Ｐを搬送する。これにより、温度調整されたｍ枚目の基板Ｐが第２基板保持部９８にロードされる（ステップＳＣ１９）。第２基板保持部９８に基板Ｐがロードされた後、その基板Ｐの液浸露光が開始される（ステップＳＣ６）。
【０２８０】
以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子１００と、露光位置ＰＪ１に配置された第１基板ステージ９１、基板Ｐ、及びキャップ部材Ｃの少なくとも１つとの間に液体ＬＱが保持された状態で、第２基板保持部９８をクリーニングすることができる。
【０２８１】
なお、本実施形態においては、ステップＳＣ１３において、ｍ枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置が、（ｍ−２）枚目の基板Ｐの表面において高さ情報Ｚｉｊが異常な検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置と異なると判断した場合、第１クリーニング装置１０３を用いる第２基板保持部９８に対するクリーニング動作を実行せずに、ｍ枚目の基板Ｐの液浸露光を開始する場合を例にして説明したが、上述の第２実施形態で説明したような第２クリーニング装置８２（８２Ｂ）を用いて、第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの表面に対するクリーニング処理を実行した後、その第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐの露光を開始するようにしてもよい。
【０２８２】
なお、本実施形態においては、ステップＳＣ１５において第２基板保持部９８から搬出された基板Ｐが、基板温度調整装置１０７の保持部材１０８に支持される場合を例にして説明したが、例えば搬送システム１０６の搬送部材に支持されてもよい。
【０２８３】
なお、本実施形態において説明したツインステージ型の露光装置ＥＸ２において、上述の第２実施形態で説明したような、基板Ｐの表面をクリーニング可能な第２クリーニング装置８２（８２Ｂ）が計測ステーションＳＴ２に配置されている場合、例えば第２基板保持部９８に保持された基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊを、フォーカス・レベリング検出システム１０２を用いて第１タイミングで検出し、第１タイミングで検出された高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、第２クリーニング装置８２（８２Ｂ）を用いる基板Ｐの表面に対するクリーニング動作を実行し、基板Ｐの表面に対するクリーニング動作が実行された後、基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊを、フォーカス・レベリング検出システム１０２を用いて第２タイミングで検出し、第１タイミングの検出動作の検出結果と、第２タイミングの検出動作の検出結果とに基づいて、第２基板保持部０９８に対するクリーニング動作が制御されてもよい。
【０２８４】
その場合、例えば、第２タイミングの検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置が、第１タイミングの検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置とほぼ同じであると判断された場合、第２基板保持部９８に保持されている基板Ｐを第２基板保持部９８から搬出した後、その第２基板保持部９８に対する第１クリーニング装置１０３を用いるクリーニング動作を開始することができる。
【０２８５】
また、第２タイミングの検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置が、第１タイミングの検出動作において高さ情報Ｚｉｊが異常と判断された検出点Ｋｉｊの第２基板保持部９８に対する位置と異なると判断された場合、第２基板保持部９８に対するクリーニング動作を実行せずに、基板Ｐの露光を開始することができるし、基板Ｐの表面に対する第２クリーニング装置８２（８２Ｂ）を用いるクリーニング動作を実行した後、その基板Ｐの露光を開始することもできる。
【０２８６】
また、第２タイミングの検出動作において高さ情報Ｚｉｊがいずれも異常でないと判断された場合、第２基板保持部９８に対するクリーニング動作を実行せずに、第２基板ステージ９２を露光ステーションＳＴ２に移動して、基板Ｐの露光を開始することができる。
【０２８７】
なお、本実施形態においては、第２基板保持部９８をクリーニングする場合を例にして説明したが、第１基板保持部９７をクリーニングする場合も同様である。
【０２８８】
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、基板保持部４（９８）に保持された基板Ｐの表面の高さ情報を検出した後、基板保持部４（９８）クリーニングのために、基板Ｐが基板保持部４（９８）からアンロードされ、基板保持部４（９８）がクリーニングされた後、アンロードされた基板Ｐが再び基板保持部４（９８）にロードされる場合を例にして説明したが、基板保持部４（９８）のクリーニングのためにアンロードされた基板Ｐを、基板保持部４（９８）に再びロードしないようにしてもよい。
【０２８９】
なお、上述の第１〜第５実施形態において、基板Ｐの表面の画像を取得可能なカメラを設けることによって、そのカメラを用いて、基板Ｐの表面に異物が付着しているか否かを観察することができる。例えば、フォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板保持部に保持された基板Ｐの表面の複数の検出点Ｋｉｊのそれぞれにおける高さ情報Ｚｉｊの少なくとも一つが異常であると判断された場合、その異常な原因が、図７に示したような基板Ｐと基板保持部との間の異物なのか、図８に示したような基板Ｐの表面の異物なのかを、カメラを用いて確認することができる。また、上述の第２クリーニング装置を用いて基板Ｐの表面をクリーニングした後、基板Ｐの表面の異物が除去されかどうかをカメラを用いて確認することができる。
【０２９０】
なお、上述の各実施形態においては、第１クリーニング装置１６（１０３）が、研磨装置１８（１０５）を有する場合を例にして説明したが、例えば不織布を用いてクリーニングする機構を備えていてもよい。
【０２９１】
なお、上述の各実施形態においては、基板保持部に保持された基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行であり、基板保持部に保持された基板Ｐの表面の高さ情報Ｚｉｊが、基板Ｐの表面とほぼ垂直なＺ軸方向の位置情報を含む場合を例にして説明したが、例えば、基板保持部に保持された基板Ｐの表面が、ＸＹ平面に対して傾斜していてもよい。その場合においても、基板保持部に保持された基板Ｐの表面の高さ情報は、基板Ｐの表面とほぼ垂直な方向の位置情報を含む。
【０２９２】
なお、上述の各実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子の射出側（像面側）の光路空間を液体で満たしているが、米国特許出願公開第２００５／０２４８８５６号明細書に開示されているように、終端光学素子の入射側（物体面側）の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【０２９３】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０２９４】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【０２９５】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０２９６】
露光装置としては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２９７】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２９８】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０２９９】
露光装置の種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０３００】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
【０３０１】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０３０２】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。
【０３０３】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【０３０４】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸部が形成される。
【０３０５】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０３０６】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０３０７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図３４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の実施形態のクリーニング動作は、基板処理ステップ２０４に含まれる。
【０３０８】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０３０９】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板ステージ及び液浸部材の近傍を示す側断面図である。
【図４】フォーカス・レベリング検出システムが基板の面位置情報を検出している状態を模式的に示す平面図である。
【図５】フォーカス・レベリング検出システムが基板の面位置情報を検出している状態を模式的に示す側面図である。
【図６】基板の表面と検出点との位置関係を示す模式図である。
【図７】基板と基板保持部との間に異物が存在している状態を示す模式図である。
【図８】基板の表面に異物が存在している状態を示す模式図である。
【図９】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１１】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１２】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１３】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１４】第１クリーニング装置の動作の一例を説明するための図である。
【図１５】第２実施形態に係る第２クリーニング装置の一例を示す図である。
【図１６】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１７】第２実施形態に係る第２クリーニング装置の一例を示す図である。
【図１８】第３実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１９】第４実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２０】第５実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２１】第５実施形態に係る露光装置の一部を示す平面図である。
【図２２】第５実施形態に係る第１基板ステージ及びシール部材の近傍を示す側断面図である。
【図２３】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図２４】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図２５】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２６】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図２７】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図２８】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図２９】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図３０】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図３１】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図３２】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図３３】第５実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図３４】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０３１０】
１…基板ステージ、２…計測ステージ、４…基板保持部、１２…フォーカス・レベリング検出システム、１３…搬送システム、１４…基板温度調整装置、１６…第１クリーニング装置、１７…研磨部材、１８…研磨装置、４６…終端光学素子、４６Ａ…下面、４７…液浸部材、５０…搬送部材、５４…保持部材、６３…プレート部材保持部、８２、８２Ｂ…第２クリーニング装置、８３…気体供給口、８７…気体吸引口、９１…第１基板ステージ、９２…第２基板ステージ、９７…第１基板保持部、９８…第２基板保持部、１００…終端光学素子、１００Ａ…下面、１０２…フォーカス・レベリング検出システム、１０９…シール部材、１１１…第１キャップ保持部、１１２…第２キャップ保持部、Ｃ…キャップ部材、ＥＬ…露光光、ＥＸ１、ＥＸ２…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸部、Ｐ…基板、ＰＪ１…露光位置、ＰＪ２…クリーニング位置、ＰＪ３…基板交換位置、ＰＬ…投影光学系、Ｔ…プレート部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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