(57)【要約】【課題】広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。そして、二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下となっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ基板上に発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層が形成され、かつ前記発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下である
半導体発光素子。
【請求項２】
光導波路が、前記ＩｎＧａＡｓ量子井戸層から出射される光の出射面の法線方向に対して傾いている斜め導波路構造である
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光を共振させる共振器と、
前記共振器内で発振する光のうち所定波長の光を選択する波長選択手段と、
を備えた波長可変光源装置。
【請求項４】
前記波長選択手段が回折格子を含んで構成され、前記回折格子、及び前記共振器を構成するミラーの少なくとも一方を回転させることにより前記所定波長の光を選択する
請求項３記載の波長可変光源装置。
【請求項５】
前記波長選択手段がエタロンフィルタを含んで構成され、前記エタロンフィルタの光透過特性を制御することにより前記所定波長の光を選択する
請求項３記載の波長可変光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及び波長可変光源装置に係り、特に、多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、広い波長帯域を有する光を放射する広帯域光源は、その広帯域性を生かして様々な用途に用いられており、近年では医療診断、物質識別を主とする化学センシング、光計測などへの応用が期待されている。
【０００３】
半導体を用いた広帯域光源としては、例えばスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）がある。ＳＬＤは、半導体レーザ並の高輝度でありながら発光ダイオードのような低干渉性と広帯域な波長特性を併せ持った光源である。
【０００４】
先に述べたような用途にＳＬＤを用いる場合、更なる波長帯域の広帯域化が望まれている。これを実現する方法として、発光波長が異なる複数の量子井戸層を形成する方法が考えられる。この方法の場合、異なる波長で発光する層が増えるため波長帯域が広がり、かつ光出力も向上するという効果が期待できる。
【０００５】
このような技術を用いた半導体発光素子が非特許文献１に開示されている。この非特許文献１に記載された技術では、ＩｎＰ基板上に組成が異なるＩｎＧａＡｓ量子井戸層を総計で５層備えることにより、２８５．５ｎｍの半値幅をもつ光を出力する自発光特性を実現している。
【０００６】
ＩｎＧａＡｓ量子井戸層は、ＩｎＰ基板上だけでなく、ＧａＡｓ基板上においても成長が可能であり、発光波長として０．９４〜１．２０μｍの光を得ることが可能である。この波長帯は、医療診断技術の１つであるＯＣＴ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）用の広帯域光源として期待されている波長帯である。
【非特許文献１】Ching-Fuh Lin, Yi-Shin Su, Bing-Ruey Wu, “External-Cavity Semiconductor Laser Tunable From 1.3 to 1.54um for Optical Communication” IEEE Photon. Technol. Lett., Vol.14, No.1, pp3-5 (2002).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の広帯域光源として期待されている波長帯は、ＧａＡｓ基板上に格子整合することが可能な材料系では実現することができない波長帯である。このため、ＧａＡｓ基板を用いた半導体発光素子の場合、ＧａＡｓ基板上に格子整合しない材料、すなわち歪みが生じる材料（例えば上記のＩｎＧａＡｓ）の量子井戸層（以下、歪み量子井戸層と称する）を用いる必要がある。ただし、長波長化させるためには歪み量子井戸層に含まれる歪みを大きくする必要があるが、歪みが結晶中の欠陥を発生させるのに必要な臨界応力を超えると、歪み量子井戸層に転位が発生し、素子特性が急激に劣化することが知られている。
【０００８】
非特許文献１に記載されたように、ＩｎＰ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓ量子井戸層はＩｎＰ基板に格子整合し、または格子整合せずに歪みが生じても比較的弱い歪みである。このため、多重量子井戸構造を形成した場合に応力により発生する歪みによる劣化を考慮する必要はなかった。
【０００９】
これに対し、ＧａＡｓ基板上に複数のＩｎＧａＡｓ量子井戸層を形成した多重量子井戸構造の半導体発光素子を作製することは非常に困難であった。
【００１０】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明の半導体発光素子は、ＧａＡｓ基板上に発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層が形成され、かつ前記発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下である二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層がＧａＡｓ基板上に形成された構成としたため、広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子とすることができる。
【００１３】
なお、請求項２に記載したように、光導波路が、前記ＩｎＧａＡｓ量子井戸層から出射される光の出射面の法線方向に対して傾いている斜め導波路構造であることが好ましい。
【００１４】
請求項３記載の発明の波長可変光源装置は、前記請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子と、前記半導体発光素子から出射された光を共振させる共振器と、前記共振器内で発振する光のうち所定波長の光を選択する波長選択手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子を用いて任意の波長の光を選択して出射する構成としたので、広帯域で且つ寿命特性に優れた波長可変光源装置とすることができる。
【００１６】
なお、請求項４に記載したように、前記波長選択手段が回折格子を含んで構成され、前記回折格子、及び前記共振器を構成するミラーの少なくとも一方を回転させることにより前記所定波長の光を選択する構成とすることができる。
【００１７】
また、請求項５に記載したように、前記波長選択手段がエタロンフィルタを含んで構成され、前記エタロンフィルタの光透過特性を制御することにより前記所定波長の光を選択する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置が得られる、という効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施形態）
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
【００２１】
前述したように、基板上に歪み量子井戸層を成長させる場合、歪み量が結晶中の欠陥を発生させるのに必要な臨界応力を超えないような組成、膜厚を選択する必要がある。この臨界応力により欠陥が発生する膜厚は臨界膜厚と呼ばれている。本発明者は、多重量子井戸構造の半導体発光素子において、各量子井戸層の厚さが臨界膜厚以下であっても、量子井戸層の数が増えることにより素子の寿命特性に影響が生じることを見出した。
【００２２】
これを寿命試験により確認した結果を図２に示す。この寿命試験は、歪みの影響を調べるために、発光波長が１．００μｍの光を発光するＩｎＧａＡｓ量子井戸層をＧａＡｓ基板上に複数形成させた半導体発光素子を作製し、半導体発光素子としての寿命特性を評価したものである。なお、ここでは、量子井戸層の発光波長とは、光強度がピーク値を示す発光ピーク波長をいうものとする。
【００２３】
図２において、横軸は、半導体発光素子の駆動時間、縦軸は、シングルモードのレーザダイオードを出力３０ｍＷでＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）駆動させたときの駆動電流値を初期駆動電流値で規格化した規格化電流値である。同図より、量子井戸層の数によって、素子の駆動時間に対する規格化電流値の変化率、すなわち素子の劣化率が異なっており、量子井戸層が１層又は２層の場合は、素子の劣化率に大きな変化がなく、３層及び４層の場合は素子の劣化率の変化が大きく、寿命特性が大きく変わることが判る。従って、量子井戸層が２層までであれば、寿命特性が大きく変化することはなく、３層以上に増えると、寿命特性が大きく劣化すると考えられる。
【００２４】
次に、本発明者は、発光波長が１．００μｍの光を発光する第１の量子井戸層と、この第１の量子井戸層の発光波長に対して、長波長側に４０ｎｍ〜１４０ｎｍずれた波長で発光する第２の量子井戸層を形成した２重量子井戸層を有する半導体レーザを作製し、上記と同様の寿命試験を行った。
【００２５】
この寿命試験の結果に基づく２つの量子井戸層の波長差と素子の劣化率との関係を図３に示す。同図において、横軸は、第１の量子井戸層と第２の量子井戸層との波長差、縦軸は、寿命試験の結果から算出した素子の劣化率を算出し、これを規格化した規格化劣化率である。なお、量子井戸層毎に発光波長が異なるため、予め発光波長と劣化率との関係を試験により求めておき、波長による寿命特性への影響を除いた結果となっている。
【００２６】
図３より、２つの量子井戸層の波長差（バンドギャップ差）と劣化率との間に相関があることが分かる。すなわち、２つの量子井戸層の波長差が１２０ｎｍを越える場合、寿命特性が悪化していることが判る。
【００２７】
次に、本発明者は、図３の知見をもとにＳＬＤを作製し、２つの量子井戸層の波長差と波長帯域との関係を調べた。その結果を図４に示す。同図において、横軸は、第１の量子井戸層と第２の量子井戸層との波長差、縦軸は、波長帯域幅である。同図に示すように、２つの量子井戸層の波長差が４０ｎｍ以下の場合は非常に狭帯域な発光特性を示すことが分かる。これは２つの量子井戸層の波長差が小さい場合、誘導放出現象による狭帯域化が起こりやすいためだと推測される。また、波長帯域幅としては、少なくとも４０ｎｍ以上であることが好ましいことから、２つの量子井戸層の波長差は５０ｎｍ以上が望ましいことが判る。
【００２８】
これらの結果から、ＧａＡｓ基板上に複数のＩｎＧａＡｓ量子井戸層を形成した構成の半導体発光素子で、０．９８〜１．２μｍ帯の広帯域な波長特性を有する長寿命な半導体発光素子を提供するためには、異なる波長で発光する２つの量子井戸層の発光波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下とする必要があることが判った。
【００２９】
このため、本実施形態に係る半導体発光素子は、ＧａＡｓ基板上に２つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層が形成され、そのピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下である構成としている。
【００３０】
このような半導体発光素子（ＳＬＤ）の断面図を図１（Ａ）に示した。以下、同図（Ａ）に示す半導体発光素子２０の製造方法について説明する。
【００３１】
なお、結晶成長の方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いることができる。そして、原料には、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３（ホスフィン）、ドーパントとしてＳｉＨ４（シラン）、ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）を用いることができる。
【００３２】
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ法により、成長温度６００°Ｃ〜７００°Ｃ、成長温度１０．３ｋＰａの条件下にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（０．２μｍ厚、キャリア濃度５．０×１０１７ｃｍ−３）２、ｎ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部クラッド層（２．０μｍ厚、キャリア濃度５．０×１０１７ｃｍ−３）３、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ下部光ガイド層（バンドギャップエネルギーＥｇ＝１．５ｅＶ、０．０６５μｍ厚）４、ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ上部光ガイド層（バンドギャップエネルギーＥｇ＝１．５ｅＶ、０．０６５（ｍ厚）６、ｐ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第１クラッド層（０．２μｍ厚、キャリア濃度７．０×１０１７ｃｍ−３）７、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層（１００Å厚、キャリア濃度７．０×１０１７ｃｍ−３）８、ｎ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ電流狭窄層（０．５μｍ厚、キャリア濃度８．０×１０１７ｃｍ−３）９、図示しないｎ型ＧａＡｓキャップ層（０．０１μｍ厚）を１回目の成長にて積層する。
【００３３】
なお、ＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５は、図１（Ｂ）に示すように、第１のＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、第２のＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ｂの間にＩｎＧａＡｓＰバリア層５Ｃが挟まれるように積層された構成である。また、第１のＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光波長（ピーク波長）は、一例として１．００μｍ、１．０７μｍであるが、これに限られるものではない。
【００３４】
次に、エッチングにより光導波層となる領域の図示しないｎ型ＧａＡｓキャップ層キャップ層及びｎ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ電流狭窄層を除去して、出射端面の法線方向に対して一例として所定角度θ（３〜８度、例えば６度）の傾きを有するストライプを形成する。すなわち、図１（Ｃ）に示すように、同図（Ａ）を上側から平面視した場合に、光導波路３０が、光の出射端面３２の法線方向Ａに対して所定角度θ分傾いた斜面導波路構造となるようにストライプを形成する。これにより、半導体発光素子２０の内部における発振を抑制することができる。
【００３５】
次に、２回目の成長により、ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ上部第２クラッド層（１．５μｍ厚、キャリア濃度７．０×１０１７ｃｍ−３）１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（０．２μｍ厚、キャリア濃度７．０×１０１７ｃｍ−３）１１を積層する。
【００３６】
なお、各層の厚み、キャリア濃度、バンドギャップエネルギーは一例であり、これに限られるものではない。
【００３７】
次に、全体の厚みが１００μｍ程度になるまでｎ型ＧａＡｓ基板１の研磨を行い、最後にｎ型電極１２をｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型電極１３をｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１上に蒸着、熱処理により形成する。
【００３８】
そして、このようにして作製したウェハから素子長１．０〜２．０ｍｍ程度のバーを劈開により切り出し、素子端面に反射防止膜をコーティングする。その後、バーから劈開によりチップ化した素子を、放熱性を高めるためにＡｌＮサブマウントにジャンクションアップ形態で融着してステムに実装する。
【００３９】
なお、本実施形態においては、前述したように、光導波路３０が、光の出射端面３２の法線方向Ａに対して所定角度θ分傾いた斜め導波路構造となるようにストライプを形成し、半導体発光素子２０の内部における発振を抑制する構成としているため、必ずしも素子端面に反射防止膜をコーティングする必要はない。
【００４０】
このように、本実施形態では、ＧａＡｓ基板上に発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層が形成され、これらのＩｎＧａＡｓ量子井戸層の発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下である構成としているため、広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子が得られる。
【００４１】
（第２実施形態）
【００４２】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態で説明した半導体発光素子２０は、ＳＬＤだけでなく、波長可変光源装置の利得媒体（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）として用いることが可能である。そこで、本実施形態では、第１実施形態で説明した半導体発光素子２０を用いた波長可変光源装置について説明する。なお、第１実施形態と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４３】
図５には、本実施形態に係る波長可変光源装置としての波長可変レーザ４０を示した。同図に示すように、波長可変レーザ４０は、半導体発光素子２０、グレーティング（回折格子）４２、ミラー４４、４６、レンズ４８、５０、及び光アイソレータ５２を含んで構成されている。また、波長可変レーザ４０には、光ファイバ５４が接続されている。なお、半導体発光素子２０は、両端面にＡＲ（無反射）コーティングが施されている。
【００４４】
このような構成の波長可変レーザ４０では、ミラー４４、４６によりレーザ共振器が構成されており、このレーザ共振器内に半導体発光素子２０、グレーティング４２、及びレンズ４８が配置されている。半導体発光素子２０から出射された光Ｌは、このレーザ共振器により共振される。また、ミラー４６は図中矢印Ａ方向に回転可能、すなわち角度を可変にすることが可能とされており、前記レーザ共振器内で発振する複数の波長の光からミラー４６の角度に応じてグレーティング４２により１つの波長の光が選択され、シングルモードのレーザ光が光アイソレータ５２、レンズ５０を介して光ファイバ５４に出射される。このように、ミラー４６の角度を変えることにより、任意の波長を選択することができる。
【００４５】
光アイソレータ５２は、光ファイバ５４から遠端の反射光が半導体発光素子２０に結合しないようにする機能を有する。
【００４６】
このように、半導体発光素子２０を用いて波長可変レーザを構成することにより、寿命特性に優れた可変光源装置を得ることができ、特に通信、計測、医療の分野において有用な波長可変光源装置を得ることができる。
【００４７】
なお、図５の構成は、いわゆるリットマン型と呼ばれているものであり、ミラー４６を回転させることによりレーザ共振器における共振光周波数（発振波長）を変えることができるものであるが、これに限らず、いわゆるリトロー型の構成としてもよい。このリトロー型の場合は、ミラー４６ではなく、グレーティング４２により光を直接反射させる構成であり、この場合はグレーティング４２を回転させることにより、任意の波長の光を選択することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、半導体発光素子２０は、前述したように斜め導波路構造としているが、これに限らず、光導波路３０が、図１（Ｃ）に示す光の出射端面３２の法線方向Ａに平行な方向となるような光導波路としてもよい。
【００４９】
（第３実施形態）
【００５０】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態で説明した半導体発光素子２０を用いた波長可変光源装置について説明する。なお、第１実施形態と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５１】
図６には、本実施形態に係る波長可変光源装置としての波長可変レーザ６０を示した。同図に示すように、波長可変レーザ６０は、半導体発光素子２０、エタロンフィルタ６２、レンズ６４、６６、６８、７０、光アイソレータ７２、光ファイバ７４、及び光カプラ７６を含んで構成されている。この波長可変レーザ６０は、共振器の構成をリング状にしたものであり、リングレーザと称されるものである。
【００５２】
半導体発光素子２０から出射された自然放出光である光Ｌは、多層誘電体膜からなるエタロンフィルタ６２に入射される。エタロンフィルタ６２は、図中矢印Ｂ方向に回転可能、すなわち角度を可変にすることが可能であり、エタロンフィルタ６２の角度に応じて特定の波長の光のみが透過する。エタロンフィルタ６２を透過した光は、光ファイバ７４に入射されて光カプラ７６を通過し、レンズ６４、光アイソレータ７２，レンズ６６を通過して半導体発光素子２０へと導かれる。
【００５３】
光アイソレータ７２は、光の周回方向を決めるほか、リングレーザの安定な発振動作に寄与する。半導体発光素子２０のもつ光利得がリングレーザ共振器の全損失を上回る状態になるとレーザ発振が生じる。発振波長は、エタロンフィルタ６２を透過する光の中心波長により決まることから、エタロンフィルタ６２の角度を変えることにより発振波長を可変にすることができる。また、リングレーザ内の光は光カプラ７６により取り出すことができる。
【００５４】
なお、本実施形態においては、エタロンフィルタ６２を回転させる、すなわちエタロンフィルタ６２の角度を変えることにより光透過特性を制御し、透過する光の波長を選択する場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、エタロンフィルタ６２の反射面間の距離が可変な構成とし、エタロンフィルタ６２の反射面間の距離を変えることにより光透過特性を制御し、透過する光の波長を選択する構成としてもよい。また、エタロンフィルタ６２の反射面間に液晶が設けられた構成とし、この液晶に電圧を印加して液晶の透過率を変化させることにより光透過特性を制御し、透過する光の波長を選択する構成としてもよい。
【００５５】
このように、半導体発光素子２０を用いて波長可変レーザを構成することにより、寿命特性に優れた可変光源装置を得ることができ、特に通信、計測、医療の分野において有用な波長可変光源装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（Ａ）は第１実施形態に係る半導体発光素子の断面図、（Ｂ）はＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層の断面図、（Ｃ）は半導体発光素子の平面図である。
【図２】素子駆動時間と規格化電流値との関係を示すグラフである。
【図３】二つの量子井戸層の波長差と規格化劣化率との関係を示すグラフである。
【図４】二つの量子井戸層の波長差と波長帯域幅との関係を示すグラフである。図である。
【図５】第２実施形態に係る波長可変レーザの構成図である。
【図６】第３実施形態に係る波長可変レーザの構成図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      ｎ型ＧａＡｓ基板
２      ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３      ｎ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ下部クラッド層
４      ノンドープＩｎＧａＡｓＰ下部光ガイド層
５      多重量子井戸活性層
５Ａ      第１のＩｎＧａＡｓ量子井戸層
５Ｂ      第２のＩｎＧａＡｓ量子井戸層
５Ｃ      バリア層
６      ノンドープＩｎＧａＡｓＰ上部光ガイド層
７      ｐ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ上部第１クラッド層
８      ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層
９      ｎ型Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ電流狭窄層
１０      ｐ型Ａｌ０．４８Ｇａ０．５２Ａｓ上部第２クラッド層
１１      ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１２      ｎ型電極
１３      ｐ型電極
２０      半導体発光素子
３０      光導波路
３２      出射端面
４０、６０      波長可変レーザ
４２      グレーティング（波長選択手段）
４４、４６      ミラー（共振器）
４８、５０、６４、６６、６８、７０      レンズ
５０      レンズ
５２、７２      光アイソレータ
５４、７４      光ファイバ
６２      エタロンフィルタ（波長選択手段）
７６      光カプラ
【図１】
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【図２】
2009289921.tif 000004
【図３】
2009289921.tif 000005
【図４】
2009289921.tif 000006
【図５】
2009289921.tif 000007
【図６】
2009289921.tif 000008