(57)【要約】【課題】電源線の抵抗値を下げ、電源線で発生する熱量を低減し、発光層と発光素子を駆動させるためのトランジスタの熱による劣化を抑制する。【解決手段】電流駆動型の発光素子と前記発光素子を駆動する駆動回路とが行方向と列方向とに配列して設けられ、前記駆動回路の列方向に電源線とデータ線とが配置された表示装置であって、前記電源線は、前記発光素子を列ごとに分離する絶縁層に覆われており、前記電源線の幅が、前記電源線を流れる電流による発熱を最小にする値に設定されている。【選択図】図１
2009053609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流駆動型の発光素子と前記発光素子を駆動する駆動回路とが行方向と列方向とに配列して設けられ、前記駆動回路の列方向に電源線とデータ線とが配置された表示装置であって、
前記電源線は、前記発光素子を列ごとに分離する絶縁層に覆われており、前記電源線の幅が、前記電源線を流れる電流による発熱を最小にする値に設定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記電源線の幅が前記データ線幅の整数倍である請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記電源線と前記データ線がそれぞれ異なる前記絶縁層で覆われている請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電源線と前記データ線が同じ前記絶縁層で覆われている請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極と陰極間に発光層を含む電流駆動型の発光素子が複数配置され、各発光素子が画像表示可能なアクティブマトリクスで駆動する電流駆動型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイは、テレビ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯用テレビ、携帯用ゲーム機、電子手帳、電卓、時計、タッチパネルを備えた機器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイなどに代表され、その用途は多岐にわたる。近年、このディスプレイの大画面化が要求されてきており、それに伴う製造コストと発熱量をいかに抑えるかが問題となっている。製造コストについては、特に、隔壁間に溶媒に溶解させた発光材料インクを塗布して、発光素子を作製する塗布型の作製方法が注目されている。この作製方法により、低コストで大画面サイズの表示装置を製造するとことが可能となる。発熱量については、電流駆動型のディスプレイ表示装置発光画素の場合、発光画素に電流を供給する配線構成を工夫することで発熱量を低減することが可能となる。
【０００３】
大画面サイズの表示装置では、１０インチ以下の小画面においてそれほど課題視されていなかった熱対策の重要性が増してくる。以下、消費電力がどの程度増加するのか概算する。
【０００４】
大画面サイズの表示装置においては、画面を構成するピクセル数が増加する。例えば小画面サイズで一般的に用いられるＶＧＡ解像度とは、縦６４０×横４８０ピクセルのピクセル数で構成されている。そして大画面サイズで普及しようとしているフルＨＤ解像度とは、縦１９２０×横１０８０ピクセルのピクセル数で構成されている。ピクセル面積を同一と仮定した場合、ＶＧＡ解像度からフルＨＤ解像度へ変わることで消費電力は６．７５倍になる。
【０００５】
これらの事実から、例えば５インチのＶＧＡ解像度（４８０×６４０×３サブピクセル）の画面が４２インチサイズのフルＨＤ解像度（１０８０×１９２０×３サブピクセル）の大画面になった場合、次のようになる。すなわち、サブピクセル面積は約９倍、ピクセル数は６．７５倍となり、消費電力は概算でも６１倍になる。これに、配線抵抗による電力消費を加えれば、全消費電力は１００倍以上になると予想され、発熱量もそれに比例して大きくなることが示唆される。
【０００６】
具体的に、３インチの小型パネルディスプレイと４２インチの大型ディスプレイの場合について、発熱量を概算してみる。
【０００７】
図４は、従来の有機ＥＬ表示装置をアクティブマトリクス駆動する場合の電源線４０２とデータ線４０３の断面を示している。電源線４０２は、発光素子に電流を供給する配線である。また、データ線４０３は、発光素子を駆動させるためのトランジスタ４０９を制御する信号線であるため、その電流量は電源線４０２が供給する電流量よりは少ない。隔壁４０５は、隣り合う画素への電流漏れを防ぐために設けられている。類似の構造は、特許文献１の表示装置に開示されている。
【０００８】
電源線４０２の幅と厚さは、流れる電流とその配線抵抗値から決められる。配線抵抗による電圧効果が無視できる程度に小さいこと、また配線抵抗による発熱ができるだけ小さいことが要請される。
【０００９】
電源線４０２を厚く形成するにはスパッタリング法などが用いられるが、プロセスに要する時間が多くかかってしまう。
【００１０】
また、図３のように電源線３０２の幅が隔壁３０５の幅よりも幅広に形成された場合、電源線３０２で発生した熱が発光素子部に直接伝わり、発光素子の熱による劣化を加速してしまう。また、電極同士の距離が近いためショートするおそれもある。これを防止するために、通常、図４に示すように電源線４０２とデータ線４０３は隔壁４０５で覆われている。
【００１１】
図４において、発光画素は電源線４０２を覆う隔壁４０５と２本のデータ線４０３を覆う隔壁４０５に挟まれた構成となっている。電源線４０２の両側には発光画素が配置されているため、電源線４０２はそれらの発光画素に対して電流を供給する。
【００１２】
電源線４０２及び２本のデータ線４０３は、保護膜４０４に覆われている。保護膜４０４の厚みは、電源線４０２及びデータ線４０３の幅と比較すると、十分薄いと仮定する。さらに、電源線４０２で発生した熱が発光素子部に直接伝わらないように、アクリル樹脂やポリイミドなどの熱伝導率が低い隔壁４０５によって覆われている。
【００１３】
この構成により、電極同士の距離が近くてもショートするおそれがない。さらに電源線４０２で発生した熱が、隔壁４０５を介して熱伝達を行うことが可能になり、発光素子の熱による劣化を抑制することができる。
【特許文献１】特開平１１−０２４６０６号公報（図３）
【非特許文献１】沢田豊「透明導電膜の新展開」、１９９９年
【非特許文献２】時任静士・安達千波矢・村田英幸「有機ＥＬディスプレイ」、２００４年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、大型ディスプレイを想定した場合、電源線の発熱の問題は依然として残っている。以下、発熱量について具体的に説明する。
【００１５】
配線は図４に示す構造とし、電源線４０２の幅は１５[μｍ]で厚みは１[μｍ]、データ線４０３の幅は５[μｍ]で厚みは１[μｍ] 、隔壁４０５の厚みは２[μｍ]と仮定する。電源線４０２と隔壁４０５のアラインメントマージン、及び２本のデータ線４０３のアラインメントマージン、データ線４０３と隔壁４０５のアラインメントマージンとして、５[μｍ]を考慮する。そうすると、これらの電源線４０２とデータ線４０３を覆う隔壁４０５幅は２５[μｍ]となる。
【００１６】
３インチで３２０×４８０ピクセルのディスプレイの場合、１サブピクセルの大きさは８５[μｍ]×２５５[μｍ]である。開口率（サブピクセル全体の大きさにしめる発光エリアの面積比）を６０％、発光層４０７の発光効率を１５．３ｃｄ/Ａとすると、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を実現するためには、１サブピクセルあたり０．６６μＡの電流を電源線４０２から流す必要がある。３インチの小型パネルディスプレイ（３２０×４８０ピクセル）の場合、電源線４０２１ラインの配線抵抗を０．０７５ｋΩと仮定する。そうすると、電源線４０２で１ラインあたりの発熱量（単位時間当たりの消費電力）は、１．３×１０−５Ｊ、となり電源線４０２の単位面積当り、２１Ｊ/ｍ２となる。
【００１７】
このように、３インチの小型パネルディスプレイを想定した場合、電源線４０２で１ライン当りの発熱量は単位面積当り１０１Ｊ/ｍ２オーダーと小さい。したがって、その熱が発光層４０７と発光素子を駆動させるためのトランジスタ４０９へ伝わることで、劣化する度合いは小さい。したがって、従来では、このような構成をとることに問題はなかった。
【００１８】
ところが、４２インチの大型ディスプレイを想定した場合、前記小型パネルディスプレイと同じ電源線４０２を用いる際、その分だけ電源線４０２に流す電流が多く必要となる。
【００１９】
図２はこの表示装置の平面図である。４２インチ、１０８０×１９２０ピクセルの表示装置を考えると、サブピクセルサイズが１６０[μｍ]×４８０[μｍ]となる。発光層４０７の発光効率は３インチサイズと同じ１５．３ｃｄ/Ａとすると、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を実現するためには、電源線４０２の１ラインあたり平均３．０μＡの電流を流す必要がある。電源線４０２で１ラインの配線抵抗は、小型パネルディスプレイとのサイズ比から１．０ｋΩとなり、電源線４０２で１ラインあたりの発熱量は、４．２×１０−２Ｊとなり、電源線４０２の単位面積当り、４９９８Ｊ/ｍ２となる。
【００２０】
したがって、前記小型パネルディスプレイと比べ、電源線４０２で１ライン当りの単位面積当りの発熱量はおよそ２桁も大きくなる。そのため、電源線４０２で発生した熱が隔壁４０５を介して発光素子部へ伝わり、発光層１０７と発光素子を駆動させるためのトランジスタ４０９の劣化を加速してしまう。
【００２１】
このように、大型ディスプレイを想定した場合、電源線３０２での発熱の問題は依然として残っており、早急な対策が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明によれば、電流駆動型の発光素子と前記発光素子を駆動する駆動回路とが行方向と列方向とに配列して設けられ、前記駆動回路の列方向に電源線とデータ線とが配置された表示装置であって、前記電源線は、前記発光素子を列ごとに分離する絶縁層に覆われており、前記電源線の幅が、前記電源線を流れる電流による発熱を最小にする値に設定されていることを特徴とする表示装置が提供される。
【００２３】
上記の表示装置において、前記電源線の幅が前記データ線幅の整数倍であるようにしてもよい。
【００２４】
上記の表示装置において、前記電源線と前記データ線がそれぞれ異なる前記絶縁層で覆われているようにしてもよい。
【００２５】
上記の表示装置において、前記電源線と前記データ線が同じ前記絶縁層で覆われているようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
前記手段を用いることにより、電源線１０２の抵抗値を下げ、電源線１０２で発生する熱量を低減し、発光層１０７と発光素子を駆動させるためのトランジスタ１０９の熱による劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
発明を実施するための最良の形態について、以下に、実施例１と実施例２で説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は、本発明における実施例１のアクティブマトリクス型の表示装置の断面図を示す図である。また、図６は、図１の陰極１０８成膜前の表示装置全体を上面から見た図である。
【００２９】
本実施形態のアクティブマトリクス型の表示装置では、電流駆動型の発光素子と発光素子を駆動する駆動回路とが行方向と列方向とに配列して設けられている。
【００３０】
実施例１の具体的な構造は、基板１０１上に発光素子を駆動させるトランジスタ１０９が設けられ、その上に電源線１０２とデータ線１０３、隔壁１０５が形成されている。隔壁１０５は、発光素子を分離するために用いられる。発光素子を駆動させるトランジスタ１０９は、シリコンからなる半導体層と、半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する。電源線１０２とデータ線１０３はそれぞれ保護膜１０４により覆われており、材料はＳｉＯ２などが好適である。
【００３１】
保護膜１０４に覆われた電源線１０２及びデータ線１０３は、発光素子部に電源線１０２で発生した熱が直接伝わらないように、アクリル樹脂やポリイミドなどの熱伝導率が低い隔壁１０５によって覆われている。その構成をとることで、電極同士の距離が近いためショートするおそれがない。さらに、電源線１０２で発生した熱が、隔壁１０５を介して熱伝達を行うことが可能になり、発光素子の熱による劣化を抑制することができる。
【００３２】
隔壁１０５の具体的な製造プロセスの１つとして、電源線１０２とデータ線１０３を覆う保護膜１０４の表面側に黒色のレジスト層を形成した後、このレジストを発光素子が形成される領域を囲むように残し、隔壁１０５を形成する。また、隔壁１０５層の底面部は親液性であり、側面部は撥液性であることが好ましい。
【００３３】
電源線１０２を覆う隔壁１０５とデータ線１０３を覆う隔壁１０５間には、発光素子が形成されている。発光素子は、基板１０１上に陽極１０６と、この陽極１０６上に形成された発光層１０７と、この発光層１０７上に形成された陰極１０８が積層された構成となっている。このような構成の発光素子は、その発光層１０７において、陽極１０６から注入された正孔と陰極１０８からの電子とが結合することにより、光を発生する。また、表示装置がボトムエミッション型として構成している場合、基板１０１側から光を取り出す構成であるので、基板１０１としては、透明あるいは半透明のものが採用され、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が用いられる。なお、表示装置がトップエミッション型である場合には、基板１０１の対向側である陰極１０８側から光を取り出す構成となるので、基板１０１としては、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、あるいは熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００３４】
表示装置がボトムエミッション型である場合、陽極１０６は透明導電材料によって形成される必要がある。透明導電材料としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が一般的に用いられている。ＩＴＯ以外にも、例えば酸化錫、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス材料（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ）等を用いてもかまわない。透明導電材料については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９年）（非特許文献１）に詳細に記載されている材料等も、用いることができる。陽極１０６の膜厚は、特に限定されず、例えば、５０〜２００ｎｍとしてよい。陽極１０６は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などにより、基板１０１上に形成されている。
【００３５】
発光層１０７は電流駆動型の表示装置に関するものであれば、特に限定されない。発光層１０７が有機層である場合、材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる（非特許文献２参照）。他に、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、トリス（８−キノリノール）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）などの高分子が好適に用いられる。また、１，４ビス（ｐ−トリル−ｐ−メチルスチリルフェニルアミノ）ナフタレン、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体などの高分子が好適に用いられる。更に、ポリシラン系などの高分子が好適に用いられる。また、発光効率を向上させるために、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００３６】
陰極１０８は、発光素子部全面に形成されており、陽極１０６と対になって発光層１０７に電流を流す役割を果たす。陰極１０８を形成するための材料としては、仕事関数が小さい材料、例えばアルミニウム、カルシウム、マグネシウムなどを用いることが好ましい。特に、本従来例においては、発光層１０７に直接接しているため、発光層１０７に電子を注入する役割を果たす。陰極１０８は、発光層１０７からの発光を反射する反射層としても機能するため、他に銀膜、アルミニウムと銀の積層膜等からなることが好ましい。陰極１０８の膜厚については、特に限定されないが、例えば、１００〜１０００ｎｍとすることもでき、より好ましくは２００〜５００ｎｍである。本実施例では、５００ｎｍとした。陰極１０８の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタ法などが挙げられる。なお、表示装置がボトムエミッション型である場合、この陰極１０８は特に光透過性である必要はない。
【００３７】
図１において、電源線１０２の幅がデータ線１０３の幅よりｋ倍幅広となるように形成し、さらに電源線１０２を隔壁１０５で覆った場合を考える。
【００３８】
電源線１０２の厚みは１[μｍ]、データ線１０３の厚みは１[μｍ]、隔壁１０５の厚みは２[μｍ]と仮定する。電源線１０２と隔壁１０５のアラインメントマージン、及び２本のデータ線１０３のアラインメントマージン、データ線１０３と隔壁１０５のアラインメントマージンを、すべて５[μｍ]とする。データ線１０３の幅は５[μｍ]であるとすると、データ線１０３を覆う隔壁１０５の幅は、２５[μｍ]となる。一方、電源線１０２の幅は５×ｋ[μｍ]であるから、電源線１０２を覆う隔壁１０５の幅は５×ｋ＋１０[μｍ]となる。
【００３９】
また、隔壁１０５間に形成されている発光素子は、４２インチの大型ディスプレイ（１０８０×１９２０ピクセル、フルＨＤ）のサブピクセル（１６０[μｍ]×４８０[μｍ]）を想定している。
【００４０】
電源線４０２を覆う隔壁４０５とデータ線４０３を覆う隔壁４０５が同じ幅となるｋ＝３の時の場合を基準として、ｋの値を増加させる場合を考える。ｋ＝３の時、発光画素の横幅（発光層１０７の横幅）はサブピクセルピッチ１６０[μｍ]から、電源線１０２の隔壁１０５の幅２５[μｍ]とデータ線１０３の隔壁１０５の幅２５ [μｍ]の１／２を差し引いて、
１６０[μｍ]−（２５[μｍ]＋２５[μｍ]）／２＝１３５[μｍ]
となる。
【００４１】
また、本実施例では、ボトムエミッション型で、基板１０１側から光を取り出す構成と仮定し、さらに発光素子を駆動させるためのトランジスタ１０９の面積を考慮した発光画素の開口率を６０％と仮定する。
【００４２】
電源線１０２の幅がデータ線１０３の幅のｋ倍であるときは、発光画素の横幅（発光層１０７の横幅）は、
１３５−５（ｋ−３）[μｍ]
となり、k＞３のときはｋ＝３のときに比べて発光画素の横幅が狭くなる。
【００４３】
電源線幅は抵抗値と開口率の両方に影響する。電源線の幅を広げると電源線の抵抗値は小さくなり、発熱は少なくなるが、一方、発光画素の横幅が狭くなって、同じ輝度を維持するためにはより大きな電流を電源線を通して画素に流さなければならない。したがって電源線幅を広くしすぎると発熱量が増えてしまう。逆に幅を極端に狭くすると、抵抗値が大きくなり、開口率の増加による電流値の減少を打ち消して発熱が増える。途中に、発熱を最小にするような配線幅があることが予想される。その近くに電源幅を設定することにより、発熱を低く抑えることができる。
【００４４】
以下、発熱を最小にする電源線幅の求め方を説明する。
【００４５】
先に説明したとおり、ｋ＝３すなわち発光画素の横幅が１３５[μｍ]の時、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を実現するためには電源線１０２に１ラインあたり平均３．０μＡの電流を流す必要がある。発光画素の横幅が狭くなると、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を維持するために、電源線１０２で１ラインあたり平均
３．０［μＡ］×１３５／（１３５−５（ｋ−３））
の電流を流す必要がある。
【００４６】
また、電源線１０２の両側に発光画素が配置されているため、電源線１０２はそれらの発光画素（１０８０×２）に電流を供給する。配線抵抗は、データ線幅あたり１．０ｋΩとして、電源線１０２の１ラインあたりの発熱量、発光素子を駆動させるためのトランジスタ１０９の発熱量、発光層１０７による発熱量の総和Ｑ１[J]は、
【００４７】
【数１】
2009053609.tif 000003
となる。ここで、右辺第一項は電源線１０２で１ラインあたりの配線からの発熱量を表し、右辺第二項は発光素子を駆動させるためのトランジスタ１０９と発光層１０７による発熱量を表す。ただし、電源線１０２の電圧は１１Ｖ（発光素子を駆動させるためのトランジスタ１０９の駆動電圧６Ｖと発光層１０７の駆動電圧５Ｖ）と仮定した。
【００４８】
図５にＱ１とｋの関係を示した。図５により、ｋ＝９でＱ１が最小となり、この点で配線幅を広げる効果が最大となる。図６において、効果が最大となるｋ＝９の時、具体的な電源線１０２の幅は４５[μｍ]である。また、電源線１０２を覆う隔壁１０５の幅は５５[μｍ]である。また、Ｑ１＝０．０９８Ｊである。
【００４９】
ｋは必ずしも整数である必要はない。しかし実際上は、データ線幅をパタンニング精度の最小値に選ぶことが多いので、それより広いパターンはその整数倍になり、電源線幅もデータ線幅の整数倍に設計されている。その場合は、kが整数であるという制約条件下で発熱を最小にする。発熱Q1を最小にするｋの値が非整数のときは、その近くの整数値をｋの最適値とすればよい。
【実施例２】
【００５０】
図７は、電源線とデータ線を同じ隔壁で覆ったアクティブマトリクス型の表示装置の断面図である。電源線１０２の両側にデータ線７０３が２本配置され、隔壁７０５で覆われている。電源線もデータ線もない隔壁７０５は一定の幅で形成されている。図９は、図７で陰極７０８成膜前の表示装置全体を上面から見た図である。４２インチの大型ディスプレイ（１０８０×１９２０ピクセル、フルＨＤ）のサブピクセル（１６０[μｍ]×４８０[μｍ]）を想定している。
【００５１】
実施例１と同様に、図７においても、電源線７０２の幅は５×ｋ[μｍ]で、データ線７０３の幅は５[μｍ]であるとする。電源線７０２及び２本のデータ線７０３と隔壁７０５のアラインメントマージンとして、５[μｍ]を考慮する。そうすると、図７の場合、電源線７０２を覆う隔壁７０５の幅は５×ｋ＋２０[μｍ]となり、電源線やデータ線のない隔壁７０５の幅は、５[μｍ]となる。
【００５２】
電源線４０２を覆う隔壁４０５とデータ線４０３を覆う隔壁４０５が同じ幅となるｋ＝３の時の場合を基準として、ｋの値を増加させる場合を考える。
【００５３】
ｋ＝３では、発光画素（発光層７０７の横幅）の横幅は、サブピクセルピッチ１６０[μｍ]から、電源線７０２とデータ線７０３を覆う隔壁７０５の幅とそれらを覆わない隔壁７０５の幅の１／２を差し引いて、
１６０[μｍ]−（３５[μｍ]＋５[μｍ]）／２＝１４０[μｍ]
となる。また、ボトムエミッション型で、基板７０１側から光を取り出す構成と仮定し、さらに発光素子を駆動させるためのトランジスタ７０９の面積を考慮した発光画素の開口率を６０％と仮定する。
【００５４】
電源線７０２の幅が５×ｋ[μｍ]のとき、発光画素の横幅は、
１４０−５（ｋ−３）[μｍ]
となり、k＞３のときはｋ＝３のときに比べて発光画素の横幅が狭くなる。ｋ＝３で発光画素の横幅が１４０[μｍ]の時、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を実現するために電源線７０２に１ラインあたり平均３．０μＡの電流を流す必要がある。そのため、発光画素の横幅が狭くなった分、２０００ｃｄ/ｍ２の輝度を維持するために、電源線７０２で１ラインあたり平均
３．０［μＡ］×１４０／（１４０−５（ｋ−３））
の電流を流す必要がある。また、電源線７０２の両側に発光画素が配置されているため、電源線７０２はそれらの発光画素（１０８０×２）に電流を供給する。電源線７０２の１ラインの配線抵抗を１．０ｋΩとすると、電源線７０２で１ラインあたりの配線と発光素子を駆動させるためのトランジスタ７０９と発光層７０７による発熱量Ｑ２[Ｊ]は、
【００５５】
【数２】
2009053609.tif 000004
となる。ここで、右辺第一項は電源線７０２で１ラインあたりの配線からの発熱量を表し、右辺第二項は発光素子を駆動させるためのトランジスタ７０９と発光層７０７による発熱量を表す。ただし、電源線７０２の電圧は１１Ｖ（発光素子を駆動させるためのトランジスタ７０９の駆動電圧６Ｖと発光層７０７の駆動電圧５Ｖ）と仮定した。
【００５６】
図８にＱ２とｋの関係を示した。図８により、ｋ＝９の時、Ｑ２が最小となり、この点で配線幅を広げる効果が最大となる。
【００５７】
本発明の効果が最大となるｋ＝９の場合、具体的な電源線７０２の幅は４５[μｍ]である。また、電源線７０２とデータ線７０３を覆う隔壁７０５の幅は６５[μｍ]である。また、Ｑ２＝０．０９７Ｊである。
【００５８】
以上説明したように、電源線７０２の幅をデータ線７０３の幅のk倍とし、発熱を最小にするようにkの値を決定することができる。また、発熱量の最小を与える値に近い整数値にｋを設定することにより配線による発熱量を低減することができる。
【００５９】
図７の場合、図１と比べ、電源線７０２で発生した熱がデータ線７０３と隔壁７０５へ伝わり、発光素子部へ伝熱することをより抑制することが可能である。電源線７０２とデータ線７０３が配線の都合で交差する場合は、電源線７０２とデータ線７０３の間に絶縁層を設ける。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施例１を説明する表示装置の断面図
【図２】従来の表示装置の陰極４０８成膜前の表示装置全体を上面から見た図
【図３】電源線３０２を隔壁３０５で覆わない場合の表示装置の断面図
【図４】従来の表示装置の断面図
【図５】Ｑ１とｋの関係
【図６】実施例１の陰極１０８成膜前の表示装置全体を上面から見た図
【図７】実施例２を説明する表示装置の断面図
【図８】Ｑ２とｋの関係
【図９】実施例２の陰極７０８成膜前の表示装置全体を上面から見た図
【符号の説明】
【００６１】
１０１  基板
１０２  電源線
１０３  データ線
１０４  保護膜
１０５  隔壁
１０６  陽極
１０７  発光層
１０８  陰極
１０９  発光素子を駆動させるためのトランジスタ
３０１  基板
３０２  電源線
３０３  データ線
３０４  保護膜
３０５  隔壁
３０６  陽極
３０７  発光層
３０８  陰極
３０９  発光素子を駆動させるためのトランジスタ
４０１  基板
４０２  電源線
４０３  データ線
４０４  保護膜
４０５  隔壁
４０６  陽極
４０７  発光層
４０８  陰極
４０９  発光素子を駆動させるためのトランジスタ
７０１  基板
７０２  電源線
７０３  データ線
７０４  保護膜
７０５  隔壁
７０６  陽極
７０７  発光層
７０８  陰極
７０９  発光素子を駆動させるためのトランジスタ
【図５】
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【図８】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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