(57)【要約】【課題】低い電気抵抗値を有する透明導電層をマイクロ波の照射によって確実に形成することができ、しかも、マイクロ波を高い効率で利用し得る透明導電層の形成方法を提供する。【解決手段】透明導電層の形成方法は、第１面１１、及び、該第１面１１と対向する第２面１２を有する基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を配置し、基体１０の第２面１２に透明導電層形成用材料層２０を塗布した後、透明導電層形成用材料層２０にマイクロ波を照射し、透明導電層２１を得る工程から成る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第１面にマイクロ波吸収層を配置し、基体の第２面に透明導電層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層にマイクロ波を照射し、透明導電層を得ることを特徴とする透明導電層の形成方法。
【請求項２】
基体の第１面側に、更に、マイクロ波反射層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電層の形成方法。
【請求項３】
基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、マイクロ波反射層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電層の形成方法。
【請求項４】
第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第２面にマイクロ波吸収層を形成し、該マイクロ波吸収層上に透明導電層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層にマイクロ波を照射し、透明導電層を得ることを特徴とする透明導電層の形成方法。
【請求項５】
基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、更に、マイクロ波反射層が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の透明導電層の形成方法。
【請求項６】
基体の第１面にマイクロ波反射層が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の透明導電層の形成方法。
【請求項７】
第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第１面にマイクロ波吸収層を配置し、基体の第２面に透明導電層形成用材料層を塗布し、該透明導電層形成用材料層上に固体層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層にマイクロ波を照射し、固体層及び透明導電層の積層構造体を得ることを特徴とする積層構造体の形成方法。
【請求項８】
基体の第１面側に、更に、マイクロ波反射層が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の積層構造体の形成方法。
【請求項９】
基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、マイクロ波反射層が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の積層構造体の形成方法。
【請求項１０】
第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第２面にマイクロ波吸収層を形成し、該マイクロ波吸収層上に透明導電層形成用材料層を塗布し、該透明導電層形成用材料層上に固体層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層にマイクロ波を照射し、固体層及び透明導電層の積層構造体を得ることを特徴とする積層構造体の形成方法。
【請求項１１】
基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、更に、マイクロ波反射層が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の積層構造体の形成方法。
【請求項１２】
基体の第１面にマイクロ波反射層が配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の積層構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電層の形成方法及び積層構造体の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電層は、透明で電気を通す層であり、透明ヒータ、熱線反射ガラス、表示素子、太陽電池等に用いられている。そして、透明導電層を構成する代表的な材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）といった各種の金属酸化物系材料の他、銀（Ａｇ）や白金（Ｐｔ）等の貴金属系材料が知られている。
【０００３】
透明導電層は、従来、真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や減圧ＣＶＤ法等の、所謂真空系成膜技術を用いて成膜されている。しかしながら、近年、透明導電層を形成すべきデバイス（例えば、液晶表示装置やタッチパネル、太陽電池、有機ＥＬ表示装置等）の大型化に伴う成膜装置の費用増大の抑制や成膜コスト低減を目的として、非真空系成膜技術の開発が進められている。即ち、液体あるいはペースト状の透明導電材料を基体に塗布する方法によって透明導電層を成膜する技術の確立に、大きな期待が寄せられている。
【０００４】
ところで、塗布法によって形成された透明導電層形成用材料層から透明導電層を得るためには、塗布中あるいは塗布後に、透明導電層形成用材料層に対して何らかの処理を施すことが必要とされる。係る処理として、マイクロ波照射処理、熱処理、プラズマ暴露処理、レーザ照射処理を挙げることができるが、中でも、マイクロ波照射処理は、熱処理に比べて、処理時間が短く、エネルギー的に有利であり、また、レーザ照射処理に比べて、電磁波の浸透力が大きいといった利点を有する。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１２３６５８
【特許文献２】特開２００４−２６５６６２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
マイクロ波を照射して透明支持体上に透明導電層を形成する方法が、例えば、特開２０００−１２３６５８から周知である。しかしながら、導電性金属酸化物微粒子を含有する塗布液にマイクロ波を単に照射しても、得られた透明導電膜の電気特性は、電気抵抗率が１０-4Ω・ｃｍオーダーを遥かに超えており、用途が限定されてしまうといった問題がある。即ち、電気抵抗率が１０-4Ω・ｃｍオーダー、あるいは、それ以下の透明導電層を形成することは、現在では困難である。しかも、塗布液にマイクロ波を単に照射するので、マイクロ波の利用効率が低いといった問題がある。
【０００７】
また、例えば半導体微粒子形成材料層を透明導電膜上に塗布した後、マイクロ波を照射することで、光電変換用無機酸化物半導体電極を製造する方法が、例えば、特開２００４−２６５６６２から周知である。しかしながら、このような方法では、緻密な透明導電層を形成することが困難であるといった問題を有する。
【０００８】
従って、本発明の目的は、低い電気抵抗値を有する透明導電層をマイクロ波の照射によって確実に形成することができ、しかも、マイクロ波を高い効率で利用し得る透明導電層の形成方法、及び、低い電気抵抗値を有する透明導電層をマイクロ波の照射によって確実に形成することができ、しかも、マイクロ波を高い効率で利用し得る固体層と透明導電層の積層構造体の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る透明導電層の形成方法は、第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第１面にマイクロ波吸収層を配置し、基体の第２面に透明導電層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層にマイクロ波を照射し、透明導電層を得ることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第１の態様に係る透明導電層の形成方法にあっては、基体の第１面側に、更に、マイクロ波反射層が配置されている構成とすることができる。即ち、このような構成にあっては、基体の第１面に、第１面側からマイクロ波吸収層及びマイクロ波反射層の積層構造が形成され、あるいは又、第１面側からマイクロ波反射層及びマイクロ波吸収層の積層構造が形成される。あるいは又、本発明の第１の態様に係る透明導電層の形成方法にあっては、基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、マイクロ波反射層が形成されている構成とすることもできる。
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る透明導電層の形成方法は、第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第２面にマイクロ波吸収層を形成し、該マイクロ波吸収層上に透明導電層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層にマイクロ波を照射し、透明導電層を得ることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の態様に係る透明導電層の形成方法にあっては、基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、更に、マイクロ波反射層が形成されている構成とすることができる。即ち、このような構成にあっては、基体の第２面に、第２面側からマイクロ波反射層、マイクロ波吸収層及び透明導電層形成用材料層の積層構造が形成され、あるいは又、第２面側からマイクロ波吸収層、マイクロ波反射層及び透明導電層形成用材料層の積層構造が形成される。あるいは又、本発明の第２の態様に係る透明導電層の形成方法にあっては、基体の第１面にマイクロ波反射層が配置されている構成とすることもできる。
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る積層構造体の形成方法は、第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第１面にマイクロ波吸収層を配置し、基体の第２面に透明導電層形成用材料層を塗布し、該透明導電層形成用材料層上に固体層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層にマイクロ波を照射し、固体層及び透明導電層の積層構造体を得ることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第１の態様に係る積層構造体の形成方法にあっては、基体の第１面側に、更に、マイクロ波反射層が配置されている構成とすることができる。即ち、このような構成にあっては、基体の第１面に、第１面側からマイクロ波吸収層及びマイクロ波反射層の積層構造が形成され、あるいは又、第１面側からマイクロ波反射層及びマイクロ波吸収層の積層構造が形成される。あるいは又、本発明の第１の態様に係る積層構造体の形成方法にあっては、基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、マイクロ波反射層が形成されている構成とすることもできる。
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法は、第１面、及び、該第１面と対向する第２面を有する基体の第２面にマイクロ波吸収層を形成し、該マイクロ波吸収層上に透明導電層形成用材料層を塗布し、該透明導電層形成用材料層上に固体層形成用材料層を塗布した後、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層にマイクロ波を照射し、固体層及び透明導電層の積層構造体を得ることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法にあっては、基体の第２面と透明導電層形成用材料層との間に、更に、マイクロ波反射層が形成されている構成とすることができる。即ち、このような構成にあっては、基体の第２面に、第２面側からマイクロ波反射層、マイクロ波吸収層、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層の積層構造が形成され、あるいは又、第２面側からマイクロ波吸収層、マイクロ波反射層、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層の積層構造が形成される。あるいは又、本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法にあっては、基体の第１面にマイクロ波反射層が配置されている構成とすることもできる。
【００１７】
上記の各種の好ましい構成を含む本発明の第１の態様〜第２の態様に係る透明導電層の形成方法、あるいは又、本発明の第１の態様〜第２の態様に係る積層構造体の形成方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）における基体として、シリカガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、高歪点ガラス、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、結晶化ガラス等のガラス基板；アルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2Ｏ3）、ジルコニア（酸化ジルコニア，ＺｒＯ2）、セリア（酸化セリウム，ＣｅＯ2）、マグネシア（酸化マグネシウム，ＭｇＯ）等の酸化物系セラミック基板；炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム等の非酸化物系セラミック基板を挙げることができるし、あるいは又、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリスルフォン等のフェニル系樹脂や、ポリイミド、ポリエーテルイミド等のイミド系樹脂といった耐熱性を有するプラスチック基板やプラスチックシート、プラスチックフィルム、あるいは、これらに必要に応じてガラスやセラミックを充填したものを挙げることができる。あるいは又、シリコン半導体基板等の半導体材料や石英基板を挙げることもできる。尚、基体自体がマイクロ波を吸収して発熱する材料から構成されている場合、基体自体の発熱を考慮して、マイクロ波吸収層やマイクロ波反射層の材質、厚さや、マイクロ波の照射方向、照射強度、照射時間を決定する必要がある。
【００１８】
本発明の第１の態様に係る透明導電層の形成方法、あるいは又、本発明の第１の態様に係る積層構造体の形成方法（以下、これらを総称して、単に、本発明の第１の態様と呼ぶ場合がある）、本発明の第２の態様に係る透明導電層の形成方法、あるいは又、本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法（以下、これらを総称して、単に、本発明の第２の態様と呼ぶ場合がある）において、マイクロ波吸収層を構成する材料として、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）といった導電材料を挙げることができる。また、本発明の第１の態様において、マイクロ波吸収層を構成する材料として、更には、焼結フェライト、軟磁性金属、鉄カルボニル等の磁性材料を挙げることができる。尚、フェライトとして、スピネル型フェライトＭｅＯ・Ｆｅ2Ｏ3（ここで、Ｍｅは、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｃｏ等)、プレーナー型（Ｙ型）フェライト、Ｚ型フェライト、Ｗ型フェライト、マグネトプランバイト型（Ｍ型）フェライト、軟磁性金属粒子複合体を挙げることができるが、特に、スピネル型フェライトは異方性磁界が小さいため、周波数限界が数ＧＨｚに存在するので、好ましい材料である。
【００１９】
本発明の第１の態様において、基体の第１面にマイクロ波吸収層を配置するが、配置の具体的な形態として、基体の第１面にマイクロ波吸収層を形成する形態だけでなく、マイクロ波吸収層を有する支持体を、基体の第１面に、マイクロ波吸収層を介して密着させる形態を挙げることができる。前者の場合、マイクロ波吸収層は、最終的に、基体の第１面に残しておいてもよいし、基体の第１面から除去してもよい。一方、本発明の第２の態様において、基体の第２面にマイクロ波吸収層を形成するが、マイクロ波吸収層の形成方法として、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；浸漬法；スライド法；スプレー法を例示することができる。尚、本発明の第１の態様において基体の第１面にマイクロ波吸収層を形成する場合も、同様の方法とすることができる。
【００２０】
本発明の第１の態様あるいは本発明の第２の態様における好ましい構成にあっては、マイクロ波反射層を構成する材料として、比導電率／比透磁率の大きい材料が好ましく、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）挙げることができる。尚、残されたマイクロ波反射層は、場合によっては、補助電極（バス電極）として機能する。
【００２１】
本発明の第１の態様の好ましい構成において、基体の第１面側にマイクロ波反射層を配置するが、配置の具体的な形態として、マイクロ波反射層の表面にマイクロ波反射層を形成する形態や基体の第１面にマイクロ波反射層を形成する形態だけでなく、マイクロ波反射層を有する支持体を、マイクロ波反射層の表面に密着させる形態を挙げることができる。前者の場合、マイクロ波反射層は、最終的に、基体の第１面に残しておいてもよいし、基体の第１面から除去してもよい。一方、本発明の第２の態様において、基体の第２面側にマイクロ波反射層を形成する場合、マイクロ波反射層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。尚、本発明の第１の態様においてマイクロ波反射層の表面や基体の第１面にマイクロ波反射層を形成する場合も、同様の方法とすることができる。また、本発明の第２の態様において、基体の第１面にマイクロ波反射層を配置する場合、本発明の第１の態様において基体の第１面にマイクロ波反射層を配置する方法と同様の方法を採用すればよい。
【００２２】
本発明において、［（透明導電層形成用材料層を構成する材料），（ドーピング化合物を含む），得られた透明導電層］の組合せとして、（［塩化インジウムＩｎＣｌ3、及び、インジウムβジケトナート），（塩化スズ錫、ジブチルスズアセテート、及び、塩化銀ＡｇＣｌ），Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ；Ａｇ］、［（塩化スズＳｎＣｌ4、及び、ジブチルスズアセテート），（塩化アンチモンＳｂＣｌ3、及び、フッ化アンモニウムＮＨ4Ｆ），ＳｎＯ2：Ｓｂ；Ｆ］、［（塩化亜鉛ＺｎＣｌ2、硝酸亜鉛Ｚｎ（ＮＯ3）2、亜鉛βジケトナート），（塩化アルミニウムＡｌＣｌ3），ＺｎＯ：Ａｌ］、［（塩化カドミニウムＣｄＣｌ2、及び、硝酸カドミニウムＣｄ（ＮＯ3）2，（無し），ＣｄＯ］を例示することができる。また、透明導電層形成用材料層の塗布方法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法；エアドクタコーティング法、ブレードコーティング法、ロッドコーティング法、ナイフコーティング法、スクイズコーティング法、リバースロールコーティング法、トランスファーロールコーティング法、グラビアコーティング法、キスコーティング法、キャストコーティング法、スプレーコーティング法、スリットオリフィスコーティング法、カレンダーコーティング法、ダイコーティング法といった各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；スピンコーティング法；スプレー法；滴下法を挙げることができる。
【００２３】
透明導電層形成用材料層を塗布する際、所謂ベタ塗りとしてパターニングされていない透明導電層形成用材料層を形成し、最終的にパターニングされていない透明導電層を得てもよいし、適切な塗布法を採用することで、所望の形状にパターニングされた透明導電層形成用材料層を形成し、最終的にパターニングされた透明導電層を得てもよい。また、得られた透明導電層を適切なエッチング用マスクを用いてエッチングし、透明導電層をパターニングしてもよい。あるいは又、マイクロ波吸収層やマイクロ波反射層を所望の形状にパターニングしておき、マイクロ波を照射して透明導電層形成用材料層から透明導電層を得た後、透明導電層に変化（反応）しなかった透明導電層形成用材料層の部分を適切な方法で除去して、パターニングされた透明導電層を形成してもよい。
【００２４】
また、本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法において、固体層形成用材料層を構成する材料として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｕ等から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む塩化物、硝酸塩、硫酸塩、あるいは、水和物といった金属塩；係る金属群から選択された少なくとも１種類の金属のメトキシド、エトキシド、ｎ−プロポキシド、ｉ−プロポキシド、ｎ−ブトキシド、sec−ブトキシド、ｔ−ブトキシド、あるいは又、メチル、エチル、プロピル、ブチル、カルボン酸置換体から成る金属アルコキシド；係る金属群から選択された少なくとも１種類の金属のβジケトナートあるいはアミド類を挙げることができる。また、塗布前の固体層形成用材料層を構成する材料には、溶剤として、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、sec−ブタノール、ｔ−ブタノールといった各種のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール（１，２−プロパンジオール）、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、トリメチレングリコール、ポリアルキレングリコール、ジエチレングリコールといった各種のグリコール類；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトンといった各種のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ベンジルといった各種のエステル類；ジオキサン、テトラヒドロフラン、メトキシエタノール、エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、シリエチレングリコールモノメチルエーテルといった各種のエーテル類；ジメチルエチルアミン、Ｎ，ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，ｎ−ジメチルアセトアミドといった各種のアミンやアミド類；トルエン、キシレンといった各種の芳香族炭化水素類が含まれていてもよい。
【００２５】
そして、得られる固体層として、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マンガン、酸化カドミウム、酸化インジウム、酸化鉛、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化ビスマス、酸化銅、酸化水銀、酸化銀、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ストロンチウム、酸化ガリウム、酸化ケイ素、酸化クロム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化ランタノイド、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ランタン、酸化リチウム、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化スカンジウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、酸化ウラン、リン酸化物、酸化ゲルマニウム、酸化ヒ素、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化テルル、酸化レニウム、酸化オスミウム、酸化イリジウム、酸化タリウム等から成る金属酸化物層；チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等から成る複合金属酸化物層；硫化カドミウム、硫化亜鉛、硫化インジウム、硫化鉛、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化アンチモン、硫化ビスマス、硫化カドミウム亜鉛、硫化銅、硫化インジウム銅、セレン化インジウム銅等から成る金属カルコゲナイド化合物層；Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属層；ガリウム砒素、インジウム燐、シリサイド等から成る半導体層を挙げることができる。
【００２６】
固体層形成用材料層の塗布方法として、上述した透明導電層形成用材料層の塗布方法と同様の方法を挙げることができる。
【００２７】
本発明の第１の態様〜第２の態様において、透明導電層を得るために透明導電層形成用材料層にマイクロ波を照射し、また、透明導電層及び固体層を得るために透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層にマイクロ波を照射するが、マイクロ波吸収層のマイクロ波吸収効率の方が、透明導電層形成用材料層のマイクロ波吸収効率よりも高い場合には、基体の第２面側から主にマイクロ波を照射し、透明導電層形成用材料層のマイクロ波吸収効率の方が、マイクロ波吸収層のマイクロ波吸収効率よりも高い場合には、基体の第１面側から主にマイクロ波を照射すればよい。尚、前者の場合、基体の第２面側からだけでなく、基体の第１面側からもマイクロ波を照射してもよく、後者の場合、基体の第１面側からだけでなく、基体の第２面側からもマイクロ波を照射してもよい。また、マイクロ波反射層が形成されている場合には、マイクロ波反射層が形成されていない側からマイクロ波吸収層に向けてマイクロ波を照射すればよい。尚、マイクロ波反射層が配置され、あるいは又、形成されている場合、マイクロ波が、直接、透明導電層形成用材料層、あるいは、透明導電層形成用材料層と固体層形成用材料層に照射されず、マイクロ波吸収層に照射される場合もあり得るが、このような場合も、透明導電層形成用材料層、あるいは、透明導電層形成用材料層と固体層形成用材料層にマイクロ波が照射されるといった形態に包含される。
【００２８】
ところで、マイクロ波の吸収は、透明導電層形成用材料層や固体層形成用材料層、マイクロ波吸収層の種類や構成材料、結晶性、粒度、厚さ、温度、マイクロ波の周波数等により変化する。マイクロ波吸収効率の高低は、地面からマイクロ波の波長より充分に長い距離に位置したマイクロ波を完全に反射する支持体の上に被測定物を載置し、マイクロ波を送信器より送信して被測定物を照射し、被測定物から放射されたマイクロ波を受信器で受信して、送受信をワークアナライザで計測することによって調べることができる（高機能電磁波吸収材料の開発、奈良県工業技術センター研究報告、No.32 20〜22(2006). 参照）。
【００２９】
ここで、例えば、透明導電層形成用材料層に基体の第１面側及び第２面側からマイクロ波を照射して、マイクロ波吸収測定結果を比較すれば、第１面側あるいは第２面側のどちらの側からマイクロ波を照射すればよいかを決定することができる。また、透明導電層形成用材料層や固体層形成用材料層の厚さ、マイクロ波を照射する際のこれらの層の温度（例えば、ホットプレート等による加熱の有無)、マイクロ波の周波数や照射角度、パワー等を変化させて測定すれば、マイクロ波の吸収状態を評価することができる。
【００３０】
マイクロ波を照射する際の透明導電層形成用材料層や固体層形成用材料層は、液状であってもよいし、湿潤状態にあってもよいし、乾燥状態にあってもよい。
【００３１】
本発明において、マイクロ波の周波数として、０．３ＧＨｚ乃至３００ＧＨｚ、好ましくは、２ＧＨｚ乃至２０ＧＨｚを例示することができるし、マイクロ波パワーとして０．１キロワット乃至１０キロワット、好ましくは、０．５キロワット乃至２キロワットを例示することができるし、マイクロ波の照射時間として、１分乃至１０分、好ましくは、１乃至３分を例示することができる。
【００３２】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る積層構造体の形成方法に基づき得られる固体層及び透明導電層の積層構造体の適用分野として、電解コンデンサ、フィルムコンデンサ、セラミックコンデンサといった各種コンデンサ；電気二重層；各種熱電変換材料；一次電池、二次電池、太陽電池、燃料電池といった各種電池；各種超伝導部材；多孔材料；生体適合材料；磁性材料；抗菌性セラミックス材料；光エレクトロニクス材料；光触媒；蛍光材料；圧電材料；ガスセンサ；イオン伝導体を例示することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明にあっては、基体の第２面上あるいは第２面側に透明導電層形成用材料層（あるいは、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層）を塗布した後、これらにマイクロ波を照射するが、基体にはマイクロ波吸収層（場合によっては、更にマイクロ波反射層）も形成されている。従って、透明導電層形成用材料層（あるいは、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層）が、効率良く、マイクロ波の持つエネルギーを吸収することが可能となり、係るマイクロ波の持つエネルギーの吸収によって、透明導電層形成用材料層（あるいは、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層）が反応し（加熱され）、透明導電層（あるいは、透明導電層及び固体層の積層構造体）を得ることができる。そして、以上の結果として、得られた透明導電層の特性（例えば、電気抵抗率）の飛躍的な向上を図ることができるし、得られた透明導電層の結晶性の向上によって緻密な透明導電層を得ることができる。しかも、マイクロ波吸収層（場合によっては、更にマイクロ波反射層）を形成するので、透明導電層形成用材料層（あるいは、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層）におけるマイクロ波の持つエネルギーの吸収の均一化、適切な制御を図ることができる結果、透明導電層形成用材料層（あるいは、透明導電層形成用材料層及び固体層形成用材料層）の温度上昇の適切な制御を図ることができ、良質な透明導電層（あるいは、透明導電層及び固体層の積層構造体）を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００３５】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る透明導電層の形成方法に関する。
【００３６】
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０にあっては、基体としてアルミナ珪酸塩の無アルカリガラスを用い、透明導電層形成用材料層として、０．２モルのＩｎＣｌ3・４Ｈ2Ｏと０．２モルのＳｎＣｌ2・Ｈ2Ｏをエタノール溶媒に溶解し、更に、Ｓｎを８原子％添加したもの（Ｉｎ原子とＳｎ原子の合計を１００原子％としたとき）を用いた。従って、得られる透明導電層は、ＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）である。また、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０にあっては、２．４５ＧＨｚ、７５０ワットのマイクロ波を用いた。
【００３７】
更には、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例１０におけるマイクロ波吸収層を酸化スズ（ＳｎＯ2）とした。
【００３８】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図１の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例１の透明導電層の形成方法を説明する。
【００３９】
［工程−１００］
実施例１にあっては、先ず、第１面１１、及び、この第１面１１と対向する第２面１２を有する基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を配置する。具体的には、基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を形成した。マイクロ波吸収層２０の形成は、０．２５モルのジブチルスズジアセテート／エタノール溶液を４５０゜Ｃに加熱した基体１０の第１面１１に噴霧するといった方法に基づき行ったが、係る方法に限定するものではない。形成されたマイクロ波吸収層２０は固相状態にあり、その厚さは０．８μｍである。後述する実施例２〜実施例１０においても同様である。
【００４０】
［工程−１１０］
そして、基体１０の第２面１２に透明導電層形成用材料層３０をスプレー法に基づき塗布し、乾燥させた。
【００４１】
［工程−１２０］
次いで、透明導電層形成用材料層３０にマイクロ波を照射した（図１の（Ａ）参照）。予備的に、この状態におけるマイクロ波の吸収効率の高低を調べた。即ち、地面からマイクロ波の波長より充分に長い距離に位置したマイクロ波を完全に反射する支持体の上に、図１の（Ａ）に示した状態の被測定物を載置し、マイクロ波を送信器より送信して被測定物を照射し、被測定物から放射されたマイクロ波を受信器で受信して、送受信をワークアナライザで計測することによって調べた。その結果、第２面側からマイクロ波を照射したときの方がマイクロ波の吸収が少なかったので、第２面側からマイクロ波を照射した。
【００４２】
即ち、専ら、基体１０の第２面側から透明導電層形成用材料層３０にマイクロ波を４０秒間、照射することで、透明導電層形成用材料層３０の温度は約６００゜Ｃまで上昇した。そして、最終的に、溶媒が十分に蒸発し、固相のＩＴＯ層から成る透明導電層３１を得ることができた（図１の（Ｂ）参照）。透明導電層形成用材料層３０の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．６μｍの透明導電層３１を得ることができた。得られた透明導電層３１の特性の測定結果を表１に示し、透明導電層３１の顕微鏡写真を図１１の（Ａ）に示し、Ｘ線回折結果を図１２に「Ａ」で示すが、電気抵抗率、キャリア移動度、キャリア濃度、光透過率共、優れた値を示し、また、得られたＩＴＯ層は結晶性を有していた。
【００４３】
図１３に、実施例１、あるいは、後述する実施例２において、マイクロ波の照射時間と透明導電層形成用材料層３０の温度との関係を図示する。尚、図１３中、曲線「Ａ」は実施例１における結果を示し、曲線「Ｂ」は実施例２における結果を示し、曲線「Ｃ」は基体のみにマイクロ波を照射したときの基体の温度の測定結果を示す。曲線「Ｃ」から、基体のみにマイクロ波を照射しても、基体の温度は上昇しないことが判る。
【００４４】
尚、図１の（Ｃ）に示すように、［工程−１２０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波吸収層２０を適切な方法で除去してもよい。ＳｎＯ2から成るマイクロ波吸収層２０も、それ自体、透明電極としての機能を果たし得るが、［工程−１００］にて得られたＳｎＯ2層の特性は、透明導電層３１の特性と比較して満足できるものではなかった。具体的には、例えばＳｎＯ2層の電気抵抗値は１００ｋΩ／□以上であった。
【実施例２】
【００４５】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２においては、基体１０の第１面側にマイクロ波反射層４０が配置されている。具体的には、基体１０の第１面１１に、第１面側からマイクロ波吸収層２０及びマイクロ波反射層４０の積層構造が形成される。以下、基体等の模式的な一部断面図である図２の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例２の透明導電層の形成方法を説明する。
【００４６】
尚、実施例２、あるいは、後述する実施例４、実施例５、実施例７、実施例９、実施例１０にあっては、マイクロ波反射層４０として、スパッタリング法にて形成された厚さ１．０μｍの金（Ａｕ）層を用いた。
【００４７】
［工程−２００］
実施例２にあっては、先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を形成した後、マイクロ波吸収層２０上にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００４８】
［工程−２１０］
そして、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、基体１０の第２面１２に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、乾燥させた。
【００４９】
［工程−２２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に照射することで、透明導電層３１を得ることができた（図２の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。尚、マイクロ波の照射時間を８０秒とした。透明導電層形成用材料層３０の温度は約４５０゜Ｃまで上昇した。透明導電層形成用材料層３０の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．６μｍの透明導電層３１を得ることができた。得られた透明導電層３１の特性の測定結果を表１に示し、透明導電層３１の顕微鏡写真を図１１の（Ｂ）に示し、Ｘ線回折結果を図１２に「Ｂ」で示すが、電気抵抗率、キャリア移動度、キャリア濃度、光透過率共、優れた値を示し、また、得られたＩＴＯ層は結晶性を有していた。
【００５０】
尚、図２の（Ｃ）に示すように、［工程−２２０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波反射層４０及びマイクロ波吸収層２０を適切な方法で除去してもよい。
【００５１】
また、図２の（Ｄ）に示すように、基体１０の第１面１１に、第１面側からマイクロ波反射層４０及びマイクロ波吸収層２０の積層構造が形成された構成を採用することもでき、この場合には、専ら、基体１０の第１面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に向けて照射すればよい。
【００５２】
2009048778.tif 000003
【実施例３】
【００５３】
実施例３は、本発明の第２の態様に係る透明導電層の形成方法に関する。以下、基体等の模式的な一部断面図である図３の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例３の透明導電層の形成方法を説明する。
【００５４】
［工程−３００］
実施例３にあっては、先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、但し、基体１０の第２面１２にマイクロ波吸収層２０を形成した。
【００５５】
［工程−３１０］
そして、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、但し、マイクロ波吸収層２０上に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、乾燥させた。
【００５６】
［工程−３２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に４０秒間、照射することで、透明導電層３１を得ることができた（図３の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。透明導電層形成用材料層３０の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．６μｍの透明導電層３１を得ることができた。
【００５７】
尚、実施例１にて説明したと同様に、ＳｎＯ2から成るマイクロ波吸収層２０も、それ自体、透明電極としての機能を果たし得るが、［工程−３００］にて得られたＳｎＯ2層の特性は、透明導電層３１の特性と比較して、満足できるものではなかった。
【実施例４】
【００５８】
実施例４は、実施例３の変形である。実施例４においては、基体１０の第２面１２と透明導電層形成用材料層３０との間に、マイクロ波反射層４０が形成されている。具体的には、基体１０の第２面１２に、第２面側からマイクロ波反射層４０、マイクロ波吸収層２０及び透明導電層形成用材料層３０の積層構造が形成される。以下、基体等の模式的な一部断面図である図４の（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例４の透明導電層の形成方法を説明する。
【００５９】
［工程−４００］
実施例４にあっては、先ず、実施例２の［工程−２００］と同様にして、但し、基体１０の第２面１２にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００６０】
［工程−４１０］
そして、実施例３の［工程−３００］と同様にして、但し、マイクロ波反射層４０上にマイクロ波吸収層２０を形成した後、実施例３の［工程−３１０］と同様にして、マイクロ波吸収層２０上に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、乾燥させた。
【００６１】
［工程−４２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に照射することで、透明導電層３１を得ることができた（図４の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。透明導電層形成用材料層３０の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．６μｍの透明導電層３１を得ることができた。
【００６２】
尚、図４の（Ｃ）に示すように、基体１０の第２面１２に、第２面側からマイクロ波吸収層２０、マイクロ波反射層４０及び透明導電層形成用材料層３０の積層構造が形成された構成を採用することもでき、この場合には、専ら、基体１０の第１面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に向けて照射すればよい。
【実施例５】
【００６３】
実施例５も、実施例３の変形である。実施例５にあっては、基体１０の第１面１１にマイクロ波反射層４０が形成されている。以下、基体等の模式的な一部断面図である図５の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例５の透明導電層の形成方法を説明する。
【００６４】
［工程−５００］
実施例５にあっては、先ず、実施例２の［工程−２００］と同様にして、但し、基体１０の第１面１１にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００６５】
［工程−５１０］
そして、実施例３の［工程−３００］と同様にして、基体１０の第２面１２にマイクロ波吸収層２０を形成した後、実施例３の［工程−３１０］と同様にして、マイクロ波吸収層２０上に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、乾燥させた。尚、マイクロ波反射層４０の形成工程とマイクロ波吸収層２０の形成工程の順序を逆にしてもよい。
【００６６】
［工程−５２０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に照射することで、透明導電層３１を得ることができた（図５の（Ａ）及び（Ｃ）参照）。透明導電層形成用材料層３０の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．６μｍの透明導電層３１を得ることができた。
【００６７】
尚、［工程−５２０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波反射層４０を適切な方法で除去してもよい。
【実施例６】
【００６８】
実施例６は、本発明の第１の態様に係る積層構造体の形成方法に関する。
【００６９】
実施例６、あるいは、後述する実施例７〜実施例１０における固体層形成用材料層５０は、チタンイソプロポキシド：酢酸：２−プロパノール：水＝１：１：４：１の混合液に２〜１０重量％のチタン微粒子を混合したものから成り、得られる固体層５１は酸化チタンである。
【００７０】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図６の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例６の透明導電層の形成方法を説明する。
【００７１】
［工程−６００］
実施例６にあっては、先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を形成した。
【００７２】
［工程−６１０］
そして、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、基体１０の第２面１２に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、乾燥させた。
【００７３】
［工程−６２０］
その後、透明導電層形成用材料層３０上に、固体層形成用材料層５０を滴下法に基づき塗布し、乾燥させた。予備的に、この状態におけるマイクロ波の吸収効率の高低を調べた。即ち、地面からマイクロ波の波長より充分に長い距離に位置したマイクロ波を完全に反射する支持体の上に、図６の（Ａ）に示した状態の被測定物を載置し、マイクロ波を送信器より送信して被測定物を照射し、被測定物から放射されたマイクロ波を受信器で受信して、送受信をワークアナライザで計測することによって調べた。その結果、第２面側からマイクロ波を照射したときの方がマイクロ波の吸収が少なかったので、第２面側からマイクロ波を照射した。
【００７４】
［工程−６３０］
次いで、専ら、基体１０の第２面側から固体層形成用材料層５０及び透明導電層形成用材料層３０にマイクロ波を１２０秒間、照射することで、最終的に、溶媒が十分に蒸発し、固相の酸化チタンから成る固体層５１（厚さ０．５μｍ）、及び、ＩＴＯ層から成る透明導電層３１（厚さ０．１μｍ）から構成された積層構造体を得ることができた（図６の（Ｂ）参照）。
【００７５】
尚、図６の（Ｃ）に示すように、［工程−６３０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波吸収層２０を適切な方法で除去してもよい。
【実施例７】
【００７６】
実施例７は、実施例６の変形である。実施例６にあっては、基体１０の第１面側にマイクロ波反射層４０が配置されている。具体的には、基体１０の第１面１１に、第１面側からマイクロ波吸収層２０及びマイクロ波反射層４０の積層構造が形成される。以下、基体等の模式的な一部断面図である図７（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例７の積層構造体の形成方法を説明する。
【００７７】
［工程−７００］
実施例７にあっては、先ず、実施例２の［工程−２００］と同様にして、基体１０の第１面１１にマイクロ波吸収層２０を形成し、更に、マイクロ波吸収層２０の上にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００７８】
［工程−７１０］
そして、実施例６の［工程−６１０］〜［工程−６２０］と同様にして、基体１０の第２面１２に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、更に、透明導電層形成用材料層３０上に、固体層形成用材料層５０を塗布した。
【００７９】
［工程−７２０］
次いで、実施例６の［工程−６３０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を固体層形成用材料層５０及び透明導電層形成用材料層３０に照射することで、実施例６と同様の固体層５１及び透明導電層３１の積層構造体を得ることができた（図７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００８０】
尚、図７の（Ｃ）に示すように、［工程−７２０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波反射層４０を適切な方法で除去してもよい。
【００８１】
また、図７の（Ｄ）に示すように、基体１０の第１面１１に、第１面側からマイクロ波反射層４０及びマイクロ波吸収層２０の積層構造が形成された構成を採用することもでき、この場合には、専ら、基体１０の第１面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に向けて照射すればよい。
【実施例８】
【００８２】
実施例８は、本発明の第２の態様に係る積層構造体の形成方法に関する。以下、基体等の模式的な一部断面図である図８（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例８の積層構造体の形成方法を説明する。
【００８３】
［工程−８００］
実施例８にあっては、先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、但し、基体１０の第２面１２にマイクロ波吸収層２０を形成した。
【００８４】
［工程−８１０］
そして、実施例６の［工程−６１０］〜［工程−６２０］と同様にして、但し、マイクロ波吸収層２０上に、透明導電層形成用材料層３０を塗布し、更に、透明導電層形成用材料層３０上に、固体層形成用材料層５０を塗布した。
【００８５】
［工程−８２０］
次いで、実施例６の［工程−６３０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を固体層形成用材料層５０及び透明導電層形成用材料層３０に照射することで、実施例６と同様の固体層５１及び透明導電層３１の積層構造体を得ることができた（図８の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【実施例９】
【００８６】
実施例９は、実施例８の変形である。実施例９にあっては、基体１０の第２面１２と透明導電層形成用材料層３０との間に、マイクロ波反射層４０が形成されている。具体的には、基体１０の第２面１２に、第２面側からマイクロ波反射層４０、マイクロ波吸収層２０、透明導電層形成用材料層３０及び固体層形成用材料層５０の積層構造が形成される。以下、基体等の模式的な一部断面図である図９（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、実施例９の積層構造体の形成方法を説明する。
【００８７】
［工程−９００］
実施例９にあっては、先ず、実施例２の［工程−２００］と同様にして、但し、基体１０の第２面１２にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００８８】
［工程−９１０］
そして、実施例８の［工程−８００］〜［工程−８１０］と同様にして、但し、マイクロ波反射層４０上にマイクロ波吸収層２０を形成し、マイクロ波吸収層２０上に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、更に、透明導電層形成用材料層３０上に、固体層形成用材料層５０を塗布した。
【００８９】
［工程−９２０］
次いで、実施例６の［工程−６３０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を固体層形成用材料層５０及び透明導電層形成用材料層３０に照射することで、実施例６と同様の固体層５１及び透明導電層３１の積層構造体を得ることができた（図９の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００９０】
尚、図９の（Ｃ）に示すように、基体１０の第２面１２に、第２面側からマイクロ波吸収層２０、マイクロ波反射層４０及び透明導電層形成用材料層３０の積層構造が形成された構成を採用することもでき、この場合には、専ら、基体１０の第１面側からマイクロ波を透明導電層形成用材料層３０に向けて照射すればよい。
【実施例１０】
【００９１】
実施例１０も、実施例８の変形である。実施例１０にあっては、基体１０の第１面１１にマイクロ波反射層４０が配置されている。以下、基体等の模式的な一部断面図である図１０の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例１０の積層構造体の形成方法を説明する。
【００９２】
［工程−１０００］
実施例１０にあっては、先ず、実施例２の［工程−２００］と同様にして、但し、基体１０の第１面１１にマイクロ波反射層４０を形成した。
【００９３】
［工程−１０１０］
そして、実施例８の［工程−８００］〜［工程−８１０］と同様にして、基体１０の第２面１２にマイクロ波吸収層２０を形成し、マイクロ波吸収層２０上に透明導電層形成用材料層３０を塗布し、更に、透明導電層形成用材料層３０上に、固体層形成用材料層５０を塗布した。尚、マイクロ波反射層４０の形成工程とマイクロ波吸収層２０の形成工程の順序を逆にしてもよい。
【００９４】
［工程−１０２０］
次いで、実施例６の［工程−６３０］と同様にして、専ら、基体１０の第２面側からマイクロ波を固体層形成用材料層５０及び透明導電層形成用材料層３０に照射することで、実施例６と同様の固体層５１及び透明導電層３１の積層構造体を得ることができた（図１０の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００９５】
尚、図１０の（Ｃ）に示すように、［工程−１０２０］の後、第１面１１に形成されたマイクロ波反射層４０を適切な方法で除去してもよい。
【００９６】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例において使用した各種の材料、各種の条件、基体等の積層構造等は例示であり、適宜変更することができることは云うまでもない。例えば、実施例６〜実施例１０にあっては、透明導電層形成用材料層の塗布、乾燥及びマイクロ波の照射を複数回繰り返した後、透明導電層形成用材料層の塗布、固体層形成用材料層の塗布、マイクロ波の照射を行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】図１の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１の透明導電層の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例２の透明導電層の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図であり、図２の（Ｄ）は、実施例２の透明導電層の形成方法の変形例を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３の透明導電層の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例４の透明導電層の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図であり、図４の（Ｃ）は、実施例４の透明導電層の形成方法の変形例を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図５】図５の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例５の透明導電層の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図６】図６の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例６の積層構造体の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図７】図７の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例７の積層構造体の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図であり、図７の（Ｄ）は、実施例６の積層構造体の形成方法の変形例を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例８の積層構造体の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例９の積層構造体の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図であり、図９の（Ｃ）は、実施例９の積層構造体の形成方法の変形例を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１０の積層構造体の形成方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び実施例５にて得られた透明導電層の顕微鏡写真である。
【図１２】図１２は、実施例１及び実施例５にて得られた透明導電層のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図１３】図１３は、実施例１の構造体、実施例５の構造体、及び、基体にマイクロ波を照射したときの温度上昇を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９８】
１０・・・基体、１１・・・基体の第１面、１２・・・基体の第２面、２０・・・マイクロ波吸収層、３０・・・透明導電層形成用材料層、３１・・・透明導電層、４０・・・マイクロ波反射層、５０・・・固体層形成用材料層、５１・・・固体層
【図１】
2009048778.tif 000004
【図２】
2009048778.tif 000005
【図３】
2009048778.tif 000006
【図４】
2009048778.tif 000007
【図５】
2009048778.tif 000008
【図６】
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【図７】
2009048778.tif 000010
【図８】
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【図９】
2009048778.tif 000012
【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１１】
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