(57)【要約】【課題】実装ずれを防ぐことができる光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提案する提案する。【解決手段】光路変換面１３３Ａの基準点１３２Ａを基準にして、ずれ量ｄ１及びｄ２を測定し、測定されたｄ１及びｄ２に基づいてインクジェット印刷法によってレジストパターン４０が光電子回路基板１上に形成される。金属膜４２をＰＶＤ及びＣＶＤ等で形成したのち、レジスト４１を除去し、補正パッド２５が形成される。この補正パッド２５を有する導電性パターン３の重心と、光路変換面１３３Ａの重心が一致するので、高い精度で第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂを光電子回路基板１に実装することができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部材上にパッドを形成し、
目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を測定し、
前記ずれ量に基づいて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正処理を行う光電子回路用基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板部材は、光路変換面を有する光導波路を備え、
前記目標とするパッド中心は、前記光路変換面の中心点を起点として定められた請求項１に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【請求項３】
前記補正処理は、
前記基板部材上にインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって前記補正パッドに対応した開口パターンを有するレジストを形成し、
前記開口パターンを含む前記レジスト上に導電体を形成したのち、前記レジストを除去することによって行われる請求項１に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【請求項４】
前記補正処理は、
前記目標とするパッド中心に基づいて前記パッドのずれ量を予測して拡張した拡張パッドを前記基板部材上に形成し、
前記目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量に基づいた前記拡張パッド上の補正領域に対してインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって液状部材を付加することによって行われる請求項１に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【請求項５】
前記補正処理は、
インクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって導電性インクを用いて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように前記パッドの面積を拡張又は縮小することによって行われる請求項１に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁性の材料からなる基板部材と、
前記基板部材の表面に形成され、光素子を有する光モジュールがハンダボールを介して接続されるパッドと、
目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を補正した補正パッドとを備えた光電子回路用基板。
【請求項７】
表面にパッドを有し、光信号を通過させる開口が形成された基板部材と、
前記基板部材の前記パッドに接続し、かつ、前記開口に対向する位置に設けられた光素子と、
前記基板部材の裏面側に設けられ、前記開口を通過する光信号の光路を変換する光路変換面を有する光導波路と、
パッド中心が目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正パッドとを備えた光電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、光導波路を有し、表面に光導波路のコアが露出している光導波路基板と、光導波路を有し、実装面に光導波路のコアが露出している光導波路デバイスと、光導波路基板側の露出したコアと光導波路デバイス側の露出したコアとの間に設けられた電気光学材料からなる電気光学材料層と、電気光学材料層に電圧を印加することができる電極とを備えた光モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この光モジュールは、光導波路基板側のコアが露出した部分と光導波路デバイス側のコアが露出した部分が対向するように光導波路基板に光導波路デバイスを実装して作製される。光導波路基板と光導波路デバイスの実装ずれが生じた場合、電気光学材料層に電極を介して電圧を印加し、電気光学材料層の屈折率を変化させることで、光導波路基板側の光導波路と光導波路デバイス側の光導波路の十分な光結合を得られるようにすることができる。
【特許文献１】特開２００７-２５１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、実装ずれを防ぐことができる光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提供する。
【０００６】
（１）基板部材上にパッドを形成し、目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を測定し、前記ずれ量に基づいて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正処理を行う光電子回路用基板の製造方法。
【０００７】
（２）前記基板部材は、光路変換面を有する光導波路を備え、前記目標とするパッド中心は、前記光路変換面の中心点を起点として定められた前記（１）に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【０００８】
（３）前記補正処理は、前記基板部材上にインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって前記補正パッドに対応した開口パターンを有するレジストを形成し、前記開口パターンを含む前記レジスト上に導電体を形成したのち、前記レジストを除去することによって行われる前記（１）に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【０００９】
（４）前記補正処理は、前記目標とするパッド中心に基づいて前記パッドのずれ量を予測して拡張した拡張パッドを前記基板部材上に形成し、前記目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量に基づいた前記拡張パッド上の補正領域に対してインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって液状部材を付加することによって行われる前記（１）に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【００１０】
（５）前記補正処理は、インクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって導電性インクを用いて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように前記パッドの面積を拡張又は縮小することによって行われる前記（１）に記載の光電子回路用基板の製造方法。
【００１１】
（６）絶縁性の材料からなる基板部材と、前記基板部材の表面に形成され、光素子を有する光モジュールがハンダボールを介して接続されるパッドと、目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を補正した補正パッドとを備えた光電子回路用基板。
【００１２】
（７）表面にパッドを有し、光信号を通過させる開口が形成された基板部材と、前記基板部材の前記パッドに接続し、かつ、前記開口に対向する位置に設けられた光素子と、前記基板部材の裏面側に設けられ、前記開口を通過する光信号の光路を変換する光路変換面を有する光導波路と、パッド中心が目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正パッドとを備えた光電子回路基板。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、実装ずれを防ぐことができる。
【００１４】
請求項２に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、基板上に形成されたパッドのずれ量を正確に測定することができる。
【００１５】
請求項３に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、容易に補正パッドを形成することができる。
【００１６】
請求項４に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、少ない工程で補正パッドを形成することができる。
【００１７】
請求項５に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、少ない工程で容易に補正パッドを形成することができる。
【００１８】
請求項６に記載の光電子回路用基板によれば、実装ずれを防ぐことができる。
【００１９】
請求項７に記載の光電子回路基板によれば、実装ずれを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板であり、図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ線断面図である。
【００２１】
この光電子回路基板１は、光回路と電子回路を有するものであり、各種の電子部品、電源回路部品等を含む電子回路を有する基板部材としての第１及び第２の基板１０、１１と、第１の基板１０の上面に実装され、光信号２を送受信する第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂと、第１及び第２の基板１０、１１間に設けられ、第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ間を光学的に接続する光導波路１３を備えて構成されている。
【００２２】
第１の光モジュール１２Ａは、４つの発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄを有し、第２の光モジュール１２Ｂは、４つの受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄを有する。第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂは、それぞれパッケージ化されており、それらの詳細な構成は後述する。
【００２３】
（第１の基板）
第１の基板１０は、例えば、厚みが０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の上面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。導電性パターンについては、後述する。
【００２４】
また、第１の基板１０は、発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄ及び受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄに対向した位置に第１及び第２の開口１００Ａ、１００Ｂが形成されている。本実施の形態においては、第１及び第２の開口１００Ａ、１００Ｂは、それぞれが１つの開口であるが、発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄ及び受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄに対応した複数の開口であっても良く、これに限定されない。
【００２５】
（第２の基板）
第２の基板１１は、例えば、厚みが１ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。
【００２６】
（光導波路）
光導波路１３は、例えば、厚みが０．２ｍｍであり、断面矩形状を有して厚みが５０μｍのコア１３２と、コア１３２の周囲に形成されてコア１３２より屈折率が小さいクラッド１３１とで構成される。
【００２７】
光導波路１３の端部は、エポキシ樹脂等の封入剤２００によって基板の縁辺を封止されている。封入剤２００による封止は、一部でも良く、これに限定されない。
【００２８】
（光導波路の製造法）
次に、光導波路１３の製造方法について説明する。光導波路１３は、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。以下に、その作製工程を説明する。
【００２９】
まず、コア１３２に対応する凸部が形成された原盤を、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて作製する。次に、原盤の凸部が形成された面に、例えば、５００〜７０００ｍＰａ・ｓ程度の粘度で、紫外領域や可視領域において光透過性を有する硬化性樹脂、例えば、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含む硬化性オルガノポリシロキサンの層を塗布等により設け、その後、硬化させて硬化層を構成する。次に、硬化層を原盤から剥離し、凸部に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
【００３０】
次に、鋳型に、この鋳型との密着性に優れる樹脂、例えば、脂環式アクリル樹脂フィルム、脂環式オレフィン樹脂フィルム、三酢酸セルロースフィルム、フッ素樹脂フィルム等からなるクラッド用フィルム基材を密着させる。次に、鋳型の凹部に、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系の紫外線硬化性樹脂等からなる硬化性樹脂を充填する。次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア１３２とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド用フィルム基材上にコア１３２が残される。
【００３１】
次に、クラッド用フィルム基材のコア１３２が形成された面側にコア１３２を覆うようにクラッド１３１を設ける。クラッド１３１として、例えば、フィルム、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布し乾燥してなる高分子膜等が挙げられる。
【００３２】
最後に、光導波路のコア１３２が露出する面をダイサーによって所定の角度に切削して光路変換面１３３Ａ及び１３３Ｂを形成する。更にコア１３２に平行にダイサーで切り出すことにより、クラッド用フィルム基材及びクラッド層をクラッド１３１とした光導波路１３が完成する。
【００３３】
（光モジュール）
第１の光モジュール１２Ａは、図１（ｂ）に示すように、基板１２９と、基板１２９の下面に実装された上述の発光素子１２０Ａ（以下発光素子１２０Ｂ〜１２０Ｄも同様）とを有し、基板１２９の上面に実装された図示しない制御部等は、エポキシ樹脂等の封止樹脂１２８によって封止されている。
【００３４】
第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ａは、図１（ｂ）に示すように、ワイヤ１２２、端子１２３を介して基板１２９に設けられた図示しない制御部に電気的に接続されており、その制御部は、発光素子１２０Ａを駆動する駆動回路を有し、端子１２４及びハンダボール１２５を介して補正パッド２５に電気的に接続されている。
【００３５】
第１の光モジュール１２Ａの発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄは、面型発光ダイオードや面型レーザ等の複数の発光素子（面型光素子）を用いることができる。本実施の形態においては、発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄとして、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を用いる。
【００３６】
この面発光レーザは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板に、ｎ型上部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型下部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ型電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の表側にｎ型電極を形成したものである。
【００３７】
第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ａ（以下受光素子１２１Ｂ〜１２１Ｄも同様）は、図１（ｂ）に示すように、ワイヤ１２２、端子１２３を介して基板１２９に設けられた図示しない制御部に電気的に接続されており、その制御部は、受光素子１２１Ａが受光した光信号を電気信号に変換し増幅する図示しない増幅回路を有し、端子１２４及びハンダボール１２５を介して補正パッド２５に電気的に接続されている。
【００３８】
受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄは、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄとして、高速応答性に優れたＧａＡｓ型のＰＩＮフォトダイオードを用いる。このＰＩＮフォトダイオードは、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層及びＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ型電極と、Ｎ層に形成されたｎ型電極とを備えている。発光素子１２０Ａ〜１２０Ｄ及び受光素子１２１Ａ〜１２１Ｄは、例えば、２５０μｍピッチで配列される。
【００３９】
（導電性パターン）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る第１の基板上に形成された理想的な導電性パターンの概略図である。導電性パターン３は、例えば、銅、金等の導電性を有する金属からなる複数のパッド２０を備えている。その複数のパッド２０は、フォトリソグラフィ法やＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等を利用した方法で作製可能である。本実施の形態においては、フォトリソグラフィ法を用いた第１の光モジュール１２Ａ側の導電性パターン３の形成について以下に説明する。なお、第２の光モジュール１２Ｂ側の導電性パターン３の形成も同様の方法で行われる。
【００４０】
（導電性パターンの形成）
レジストを第１の基板１０にスピンコート法、キップコート法、スプレーコート法、インクジェット印刷法及びスクリーン印刷法等によって塗布する。導電性パターン３が画かれたフォトマスクを露光装置にセットしたのち、光電子回路基板１に設けられた第１の開口１００Ａから見える、光導波路１３の光路変換面１３３Ａの基準点１３２Ａに基づいて第１〜第３の基準線３０〜３２を設定し、この第１〜第３の基準線３０〜３２に基づいて目標とするパッド中心２１を決定し、露光・現像し、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition:物理気相成長法)及びＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)等を用いて第１の基板１０上に導電体としての金属膜を形成する。続いて、残りのレジストを除去して第１の基板１０上に導電性パターン３を形成する。なお、本実施の形態において基準点１３２Ａは、１つの反射面１３３ａの中心に基づいて設定されたが、複数の反射面１３３aに基づいて基準点１３２Ａを設定するようにしても良い。
【００４１】
（第１の実施の形態の動作）
以下に、本発明の第１の実施の形態の動作について図１〜図２、及び後述する図３〜６を参照しつつ説明する。
【００４２】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る第１の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、図３（ａ）は、ずれて形成された導電性パターンの概略図、図３（ｂ）は、パッドの拡大図である。導電性パターン３は、図３（ａ）に示すように、目標とするパッド中心２１ｂからずれて形成されることがある。図３（ａ）及び（ｂ）において、ｄ１は、第３の基準線３２からのずれ量を表し、ｄ２は、第４の基準線３３からのずれ量を表しており、±１００μｍ程度である。このずれ量は、露光装置と光電子回路基板１との位置合わせによる場合、フォトマスクに画かれた導電性パターン３の誤差による場合、フォトマスクを第１の基板１０に転写するときに用いられるレンズの歪みによる場合等が考えられる。このずれによって、実装される第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂと光導波路１３との光学的結合損失が生じる。光学的結合損失を抑えるためにずれ量は、±２０μｍ、若しくは、±１０μｍが好ましく、更に可能であれば、±５μｍ以下がより好ましい。そこで本実施の形態において以下の補正処理によってずれ量を補正する補正パッドを形成する。なお、パッド中心２１ａは、ずれたパッド２０の中心を表し、パッド中心２１ｂは、目標とするパッドの中心を表している。
【００４３】
（補正パッドの形成）
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る導電性パターンの概略図であり、図４（ａ）は、図３（ａ）の光電子回路基板上にレジストを形成した概略図、図４（ｂ）は、補正された補正パッドの拡大図である。図５は、本発明の実施の形態に係る第１の基板上に形成された補正パッドの概略図であり、図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。インクジェット印刷法によってパッド２０の補正処理を行う場合について表しており、図３（ａ）のＢ―Ｂ線断面でみた補正処理について表している。なお、図６（ａ）〜（ｄ）において光導波路１３及び第２の基板１１は、省略している。
【００４４】
（ａ）導電性パターン３のずれ量の測定
図３（ａ）に示す導電性パターン３が形成された光電子回路基板１を図示しないインクジェット装置にセットする。図６（ａ）は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板１を表している。
【００４５】
インクジェット装置は、第１の開口１００Ａを介して光路変換面１３３Ａの反射面１３３ａを測定し、反射面１３３ａの中心を基準点１３２Ａと設定する。続いて基準点１３２Ａに基づいて第１〜第４の基準線３０〜３３を設定し、第３の基準線３２及び第４の基準線３３の交点を理想的なパッド中心２１ｂと設定する。
【００４６】
続いて、図３（ｂ）に示すパッド間中心線２２と第１の基準線３０とのずれ量ｄ１と、パッド中心線２３と第２の基準線３１とのずれ量ｄ２を測定する。
【００４７】
（ｂ）レジストパターン４０の形成
図６（ｂ）に示すように、（１）で求めたずれ量ｄ１及びｄ２に基づいた補正領域２４を決定し、ペースト状のレジスト４０を３０〜５０μｍの粒子径を有する液滴としてインクジェット装置のノズルから第１の基板１０上に吹き付け、補正領域２４に基づいたレジストパターン４０を形成する。図４（ｂ）に斜線で示す補正領域２４は、ずれ量ｄ１及びｄ２に基づいて設定され、パッド中心２１ｂが、補正後のパッドの中心になるように形成されることから、ｄ３は２×ｄ１、ｄ４は２×ｄ２と求められ、補正領域２４が決定する。レジストパターン４０が形成されるとき、第１の光モジュール１２Ａを光電子回路基板１に実装する際の基準になる、図４（ａ）に示すアライメントマーク４０ａも形成される。アライメントマーク４０ａの形成方法は、直接アライメントマーク４０ａを形成しても良いし、ダミーのパッド２０を予め形成しておいて、レジスト４１によって形成するようにしても良く、これに限定されない。本実施の形態においてアライメントマーク４０ａは、レジストパターン４０の形成時に、レジストパターン４０の外側にレジスト４１によって形成されるものとする。
【００４８】
（ｃ）金属膜４２の形成
図６（ｃ）に示すように、第１の基板１０上に金属膜４２を形成する。この金属膜４２は、例えば、ＰＶＤ及びＣＶＤ等によって形成される。
【００４９】
（ｄ）レジスト４１の除去
続いて、レジスト４１（レジストパターン４０）を除去すると、図６（ｄ）に示すように、パッド２０上と補正領域２４に金属膜４２が残った、パッド２０の面積が拡張した補正パッド２５が形成される。なお、レジスト４１（レジストパターン４０）の形成は、スクリーン印刷法によっても同様に形成することができる。
【００５０】
（光モジュールの実装）
第１の光モジュール１２Ａ（以下第２の光モジュール１２Ｂも同様）の光電子回路基板１に対する実装は、例えば、導電性パターン３を形成したときに形成したアライメントマーク４０ａを基準にして行われる。
【００５１】
最初に形成された導電性パターン３が、図３（ａ）に示すずれ量ｄ１及びｄ２を有していても、図４（ｂ）に示すようにパッド中心２１ｂが補正パッド２５の中心になるので、導電性パターン３の重心と光路変換面１３３Ａの重心が一致する。その結果、実装するとき、導電性パターン３の重心に対する第１の光モジュール１２Ａの移動を抑えることができるので、光導波路１３との光学的結合損失を抑え、第１の光モジュール１２Ａを光電子回路基板１に高い精度で実装することができる。
【００５２】
（光信号２の送受信）
ここでは、一例として、画像信号の送信を第１の光モジュール１２Ａから第２の光モジュール１２Ｂに対して行う場合について説明する。第１の光モジュール１２Ａの制御部（図示せず）は、画像信号に基づいた駆動信号を発光素子１２０Ａに送信し、発光素子１２０Ａは、駆動信号に基づいた光信号２を第１の開口１００Ａを介して光路変換面１３３Ａに向けて送信する。
【００５３】
このとき、発光素子１２０Ａのｐ型電極とｎ型電極間に駆動信号に基づいた電圧が印加され、発光層の発光領域から例えば、波長８５０ｎｍのレーザ光を光信号２として出力する。
【００５４】
光路変換面１３３Ａは、発光素子１２０Ａから送信された光信号２の光路を変換し、光導波路１３に光信号２を伝播させる。
【００５５】
光導波路１３を伝播した光信号２は、光路変換面１３３Ｂによって光路を変換される。
【００５６】
光信号２は、第２の開口１００Ｂを通過して第２の光モジュール１２Ｂの受光素子１２１Ａによって受信される。受光素子１２１Ａは、受信した光信号２を電気信号に変換して第２の光モジュール１２Ｂの図示しない制御部に出力し、制御部は、変換された電気信号を処理して画像信号を生成し、画像信号を第１の基板１０上の所定の電子部品に出力する。
【００５７】
［第２の実施の形態］
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る第１の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、図７（ａ）は、大きめに作成された導電性パターンの概略図、図７（ｂ）は、補正パッドの拡大図である。図８は、本発明の第２の実施の形態に係る補正された導電性パターンの概略図であり、図８（ａ）は、補正された導電性パターンの概略図、図８（ｂ）は、補正された後の補正パッドの拡大図である。なお、各構成は、第１の実施の形態と同様に構成されており、第１の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略する。
【００５８】
（導電性パターン３の作成）
導電性パターン３は、第１の実施の形態と同様の方法によって作成されるが、第１の実施の形態が、図２に示すパッド２０がずれて作成されたとき、パッド２０を補正することによって補正パッド２５を作成したのに対し、本実施の形態においては、ずれ量を予測し、図４（ｂ）に示すパッド２０と補正領域２４とを合わせた面積を有する拡張パッド２６をパッド２０に代わって予め作成する。拡張パッド２６の大きさは、例えば、隣接するパッド同士が絶縁性を保てる大きさである。
【００５９】
（補正パッド２７の形成）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図７（ａ）のＣ―Ｃ線断面でみた補正処理について表している。以下に拡張パッド２６の補正処理について説明する。
【００６０】
（ａ）導電性パターン３のずれの測定
第１の実施の形態と同様に、図９（ａ）に示す光電子回路基板１を図示しないインクジェット装置にセットし、光路変換面１３３Ａの反射面１３３ａを基準にして、ずれ量ｄ５及びｄ６を測定する。測定されたずれ量ｄ５及びｄ６に基づいてｄ７（２×ｄ５）及びｄ８（２×ｄ６）を算出する。
【００６１】
（ｂ）レジストの形成
続いて、ｄ７及びｄ８に基づいて図８（ｂ）に示す斜線部分の補正領域２４上に、例えば、インクジェット装置により図９（ｂ）に示すように、レジスト４１を形成する。このとき、アライメントマーク４０ａも作成される。拡張パッド２６の補正領域２４をレジスト４１で覆うことで、拡張パッド２６の面積を縮小し、図８（ｂ）に示すパッド中心２１ｂが、目標とするパッド中心になる。よって、基準点１３２Ａを重心とすることができ、重心ずれを起さないで光電子部品を実装することができる。なお、補正領域２４に付加される液状部材は、レジスト４１に限定されず、拡張パッド２６上で硬化し、拡張パッド２６に密着する部材であれば良い。また、レジスト４１は、図８（ａ）に示すように補正領域２４に付加しても良いし、図４（ａ）に示すようなレジストパターン４０のように付加しても良く、これに限定されない。
【００６２】
［第３の実施の形態］
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図３（ａ）のＢ―Ｂ線断面でみた補正処理について表している。第１の実施の形態において補正パッド２５は、ＰＶＤ及びＣＶＤ等によって形成されたが、本実施の形態においては、インクジェット印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加する場合について説明する。なお、スクリーン印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加することも可能である。
【００６３】
（補正パッド２５の形成）
（ａ）導電性パターン３のずれ量の測定
図３（ａ）に示す導電性パターン３が形成された光電子回路基板１を図示しないインクジェット装置にセットする。図１０（ａ）は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板１を表している。導電性パターン３のずれ量は、第１の実施の形態と同様に測定される。なお、測定結果は、第１の実施の形態と同様であるものとする。
【００６４】
（ｂ）導電性インク５１の付加
図１０（ｂ）に示すインクジェット装置のノズル５０を図１０（ａ）に示す「Ａ」の方向に移動させながら、図４（ｂ）に示す補正領域２４に基づいて導電性インク５１をパッド２０上に付加し、パッド２０の面積を拡張する。
【００６５】
（ｃ）導電性インク５１の焼成
目的の大きさまで導電性インク５１を付加したのち、導電性インク５１に熱を加えて焼成する。焼成したのち、パッド２０に付加した導電性インク５１は導電性を有するようになり、図１０（ｃ）に示す補正パッド２５が形成される。
【００６６】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板であり、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ―Ａ線断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る第１の基板上に形成された理想的な導電性パターンの概略図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る第１の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、（ａ）は、ずれて形成された導電性パターンの概略図、（ｂ）は、パッドの拡大図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る導電性パターンの概略図であり、（ａ）は、図３（ａ）の光電子回路基板上にレジストを形成した概略図、（ｂ）は、補正された補正パッドの拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る第１の基板上に形成された補正パッドの概略図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る第１の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、（ａ）は、大きめに作成された導電性パターンの概略図、（ｂ）は、補正パッドの拡大図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る補正された導電性パターンの概略図であり、（ａ）は、補正された導電性パターンの概略図、（ｂ）は、補正された後の補正パッドの拡大図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…光電子回路基板、２…光信号、３…導電性パターン、１０…第１の基板、１１…第２の基板、１２Ａ…第１の光モジュール、１２Ｂ…第２の光モジュール、１３…光導波路、２０…パッド、２１…パッド中心、２２…パッド間中心線、２３…パッド中心線、２４…補正領域、２５…補正パッド、３０…第１の基準線、３１…第２の基準線、３２…第３の基準線、３３…第４の基準線、４０…レジストパターン、４０ａ…アライメントマーク、４１…レジスト、４２…金属膜、５０…ノズル、５１…導電性インク、１００Ａ…開口、１００Ｂ…開口、１２０Ａ〜１２０Ｄ…発光素子、１２１Ａ〜１２１Ｄ…受光素子、１２２…ワイヤ、１２３…端子、１２４…端子、１２５…ハンダボール、１２８…封止樹脂、１２９…基板、１３１…クラッド、１３２…コア、１３２Ａ…基準点、１３３Ａ…光路変換面、１３３Ｂ…光路変換面、１３３ａ…反射面、２００…封入剤、ｄ１〜ｄ８…ずれ量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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