(57)【要約】【課題】製造工程の簡略化を図る。【解決手段】受光部上に設けられた反射防止膜４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜４で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜４１の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望の反射防止膜４２の膜厚になるように形成する。これにより、シリコン窒化膜４の成膜が１回で済む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子において、
該受光部上に設けられた反射防止膜と、該トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されている固体撮像素子。
【請求項２】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた１層のシリコン窒化膜で構成されている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられたシリコン窒化膜と、その上のＳｉＯＮ膜との２層で構成されている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜との２層で構成されている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記ゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜で構成されている請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記ゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜と前記ＳｉＯＮ膜との２層で構成されている請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記ゲートサイドウォール膜は、前記低濃度のシリコン窒化膜と前記高濃度のシリコン窒化膜との２層で構成されている請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記反射防止膜の膜厚は、前記ゲートサイドウォール膜の膜厚を得るために必要な成膜厚さよりも薄い膜厚に設定されている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記反射防止膜は、その膜厚をｔ（ｎｍ）とし、３０ｎｍ＜ｔ＜１５０ｎｍの反射防止有効膜厚範囲内に設定されている請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記周辺回路は、前記一または複数の受光部の周辺回路および該受光部毎の周辺回路のうちの少なくともいずれかである請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記周辺回路は、ＣＣＤ電荷転送路で電荷転送された信号電荷を電荷電圧変換して増幅出力する出力トランジスタを有する請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子の製造方法において、
該トランジスタのゲートサイドウォール膜と、該受光部上に設けられる反射防止膜とをこの順に、同時に成膜される共通の窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するサイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項１２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第１ゲートサイドウォール膜を該第１窒化膜から形成する第１サイドウォール膜形成工程と、
該一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第２ゲートサイドウォール膜を該第１ゲートサイドウォール膜上に該第２窒化膜から形成する第２サイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第１窒化膜および該第２窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項１２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、
該第１窒化膜上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を該第１窒化膜および該第２窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第１窒化膜および第２窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項１２に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた１層のシリコン窒化膜である請求項１３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第１窒化膜としてのシリコン窒化膜と、その上の前記第２窒化膜としてのＳｉＯＮ膜との２層構造である請求項１４または１５に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第１窒化膜としての窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の前記第２窒化膜としての窒素が高濃度のシリコン窒化膜との２層構造である請求項１４または１５に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
前記反射防止膜および前記サイドウォール膜の形成はそれぞれエッチング処理により行う請求項１２〜１５のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜１１に記載の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この製造方法により作製された固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、セキュリティカメラ、車載用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上述した従来の固体撮像素子では、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージャなどの画素部におけるフォトダイオード上の反射防止技術として、ＳｉＯＮ膜を反射防止膜として用いて、ＳｉＯＮ膜の成膜時に酸素と窒素の含有比率を下層から上層にむけて変化させることにより、膜の屈折率を段階的に変化させて、従来のものよりもシリコン表面やその上のシリコン酸化膜表面で入射光が反射するのを抑えてフォトダイオードへの入射光量を増やし、フォトダイオードでより高い感度を得る技術が特許文献１に提案されている。
【０００３】
また、この特許文献１の従来技術として、フォトダイオード上をシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層構造にして、従来のものよりも反射を大幅に抑制させることが開示されている。この場合、シリコン基板上にゲート絶縁膜となる薄いシリコン酸化膜が形成され、この薄いシリコン酸化膜上に屈折率がシリコン酸化膜よりも、大きくシリコン基板よりも小さい薄い反射防止膜となるシリコン窒化膜が形成されている。シリコン酸化膜はその屈折率がおおよそ１．４５である。シリコン窒化膜はおおよそ２．０程度である。シリコン窒化膜は膜厚をｔとし、屈折率をｎとすると、３５０／（４ｎ）ｎｍ≦ｔ≦４５０／（４ｎ）ｎｍ程度に設定される。これらのシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜は暗電流を防止するために形成される。
【０００４】
即ち、シリコン窒化膜の膜厚ｔ（ｎｍ）を、３５０  ／（４ｎ）ｎｍ＜ｔ＜４５０  ／  （４ｎ）ｎｍと反射防止有効膜厚に定義することができる。この場合、ｎはシリコン窒化膜の屈折率である。
【０００５】
また、特許文献２には、半導体基板上に、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜およびシリコン窒化膜をこの順に積層して用いることにより、多重干渉効果を利用して短波長感度を向上させることができ、十分良好なカラー画像を得ることができることが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２２９５６２号公報
【特許文献２】特開昭６０−１７７７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の構成では、いずれも、この膜厚で反射防止膜としてシリコン窒化膜を形成する場合について記載されているものの、ＣＭＯＳ型固体撮像素子のように画素部周辺回路を有する場合に、一旦、画素部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜を形成した後に、別途、その前後の工程でその周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するため、膜厚の異なるシリコン窒化膜を反射防止膜用とゲートサイドウォール膜用との２回に分けてそれぞれ個別にそれぞれ成膜する必要があって、成膜工程が増える。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、画素部上の反射防止膜とその周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とをシリコン窒化膜を共通にして形成することにより、製造工程の簡略化を図ることができる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子において、該受光部上に設けられた反射防止膜と、該トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】
また、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた１層のシリコン窒化膜で構成されている。
【００１０】
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられたシリコン窒化膜と、その上のＳｉＯＮ膜との２層で構成されている。
【００１１】
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜との２層で構成されている。
【００１２】
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜で構成されている。
【００１３】
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜と前記ＳｉＯＮ膜との２層で構成されている。
【００１４】
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記低濃度のシリコン窒化膜と前記高濃度のシリコン窒化膜との２層で構成されている。
【００１５】
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜の膜厚は、前記ゲートサイドウォール膜の膜厚を得るために必要な成膜厚さよりも薄い膜厚に設定されている。
【００１６】
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、その膜厚をｔ（ｎｍ）とし、３０ｎｍ＜ｔ＜１５０ｎｍの反射防止有効膜厚範囲内に設定されている。
【００１７】
さらに、本発明の固体撮像素子における周辺回路は、前記一または複数の受光部の周辺回路および該受光部毎の周辺回路のうちの少なくともいずれかである。
【００１８】
さらに、本発明の固体撮像素子における周辺回路は、ＣＣＤ電荷転送路で電荷転送された信号電荷を電荷電圧変換して増幅出力する出力トランジスタを有する。
【００１９】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子の製造方法において、該トランジスタのゲートサイドウォール膜と、該受光部上に設けられる反射防止膜とをこの順に、同時に成膜される共通の窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２０】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するサイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
【００２１】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第１ゲートサイドウォール膜を該第１窒化膜から形成する第１サイドウォール膜形成工程と、該一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第２ゲートサイドウォール膜を該第１ゲートサイドウォール膜上に該第２窒化膜から形成する第２サイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第１窒化膜および該第２窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
【００２２】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、該第１窒化膜上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を該第１窒化膜および該第２窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第１窒化膜および第２窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
【００２３】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた１層のシリコン窒化膜である。
【００２４】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第１窒化膜としてのシリコン窒化膜と、その上の前記第２窒化膜としてのＳｉＯＮ膜との２層構造である。
【００２５】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第１窒化膜としての窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の前記第２窒化膜としての窒素が高濃度のシリコン窒化膜との２層構造である。
【００２６】
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法において、前記反射防止膜および前記サイドウォール膜の形成はそれぞれエッチング処理により行う。
【００２７】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２８】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００２９】
本発明においては、受光部上に設けられた反射防止膜と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜の膜厚分のシリコン窒化膜をまず形成し、その後で、画素部（受光部）上のみ開口したマスクを用いて、画素部（受光部）上にのみ、所望の反射防止膜厚になるように形成する。このように、ゲートサイドウォール膜の膜厚と反射防止膜の膜厚とが異なる場合であっても、共通のシリコン窒化膜の成膜が１回で済み、従来の２回に比べて製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３０】
以上により、例えばＣＭＯＳ型固体撮像素子などのように受光部とその周辺回路の両方を有する従来の半導体装置では、受光部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜とその受光部の周辺回路のゲートサイドウォール膜として用いるシリコン窒化膜とを両者必要膜厚が異なるために、従来は２回に分けてシリコン窒化膜を成膜していたが、本発明によれば、受光部上に設けられた反射防止膜と、受光部周辺回路のゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されるため、１回のシリコン窒化膜の成膜により両者を形成できて、製造工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、本発明の固体撮像素子およびその製造方法の実施形態１〜４、および本発明の固体撮像素子およびその製造方法の実施形態１〜４を撮像部に用いた電子情報機器の実施形態５について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３２】
（実施形態１）
本実施形態１の固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体表面または半導体基板表面に設けられており、また、この一または複数の受光部の周辺部または各受光部の周辺部に周辺回路が設けられている。本実施形態１の固体撮像素子の特徴構成は、各受光部とその周辺回路を同時に製造する際に、各受光部上に設けられた反射防止膜と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されている。このゲートサイドウォール膜は、トランジスタが確実にオン・オフ動作を行うように、また、トランジスタに所定の電流が流れるようにソース・ドレイン間距離を設定している。厚いシリコン窒化膜が必要なトランジスタサイドウォール膜を先に形成し、その後、反射防止に適した薄いシリコン窒化膜となるようにシリコン窒化膜を薄膜化する固体撮像素子の製造方法の実施形態１について図１〜図４を参照して詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００３４】
図１の窒化膜成膜工程に示すように、２次元状でマトリクス状に撮像領域（画素部）に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域（複数の受光部）の周辺に設けられ、各受光部毎の周辺回路を駆動するためのドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板１または半導体領域上の全面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜２が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン３がゲート酸化膜２上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン３およびゲート酸化膜２上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上にシリコン窒化膜４を成膜する。このシリコン窒化膜４は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン３を形成後、後述するゲートサイドウォール膜４１と反射防止膜４２となる。このときのシリコン窒化膜４の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
【００３５】
ここで、シリコン窒化膜４の成膜は、低圧ＣＶＤ法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜４１のゲートサイドウォール幅Ａ（厚さ）が３０〜１２０ｎｍとなるように、シリコン窒化膜４の成膜厚さを５０〜２００ｎｍとする。
【００３６】
図２は、本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００３７】
図２のゲートサイドウォール膜形成工程に示すように、複数の受光部または各受光部上をレジスト膜５でマスクして、その周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１を形成する。即ち、撮像領域（画素部）に形成された複数の受光部のシリコン窒化膜４ａ上をレジスト膜５によりマスキングすると共にその周辺回路上を開口して、シリコン窒化膜４をエッチング時間でエッチング除去してエッチング量（膜厚）を制御することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜４１を所定幅（所定厚さ）に形成する。
【００３８】
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。
【００３９】
ここで、ゲートサイドウォール膜４１のゲートサイドウォール幅Ａ（厚み）は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの６割程度になる。例えば１００ｎｍの厚さでシリコン窒化膜４を成膜すると、ゲートサイドウォール膜４１のゲートサイドウォール幅Ａ（厚み）は、６０ｎｍとなる。
【００４０】
図３は、本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００４１】
図３の反射防止膜形成工程に示すように、各受光部上のみを開口したレジスト膜６を用いて、シリコン窒化膜４を反射防止膜４２として所定膜厚に形成する。即ち、周辺回路側をレジスト膜６でマスキングし、シリコン窒化膜４をエッチング除去するエッチング時間を制御して、反射を抑える所望膜厚の反射防止膜４２を形成する。なお、レジスト膜６のアライメント精度を考慮してシリコン窒化膜４ａの端部を含むように周辺回路側をレジスト膜６でマスキングする。
【００４２】
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。なお、この場合は、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
【００４３】
その後、図４に示すようにレジスト膜６を除去する。これによって、反射防止膜４２と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１とをシリコン窒化膜４を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。このようにして、本実施形態１の固体撮像素子を製造することができる。
【００４４】
この場合のシリコン窒化膜４を材料膜とする反射防止膜４２の膜厚ｔ（ｎｍ）は、３５０／（４ｎ）ｎｍ＜ｔ＜４５０／（４ｎ）ｎｍの反射防止有効範囲内に設定することができる。但し、ｎはシリコン窒化膜の屈折率である。即ち、シリコン窒化膜４を材料膜とする反射防止膜４２は、その膜厚をｔ（ｎｍ）とし、３０ｎｍ＜ｔ＜１５０ｎｍの反射防止有効膜厚範囲内に設定する。
【００４５】
このように、本実施形態１の固体撮像素子の製造方法は、トランジスタのゲートサイドウォール膜４１と、受光部上に設けられる反射防止膜４２とをこの順に、同時に成膜される共通のシリコン窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有している。
【００４６】
本実施形態１の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜（例えばゲート酸化膜）と、さらにその上に反射防止膜４２となるシリコン窒化膜を有する。このシリコン窒化膜４（ＳｉＮ膜）が、画素部周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のゲートサイドウォール膜４１の役目も果たしている。
【００４７】
以上により、本実施形態１によれば、受光部上に設けられた反射防止膜４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜４で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜４１の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、前述した反射防止有効膜厚になるように反射防止膜４２を形成する。これにより、シリコン窒化膜４の成膜が１回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との２回に分けて行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４８】
（実施形態２）
上記実施形態１では、反射防止膜としてゲート酸化膜２上に１層のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成したが、本実施形態２では、ゲート酸化膜２上を、反射防止膜としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）とその上のＳｉＯＮ膜との２層構造とする場合について説明する。このように、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）上にＳｉＯＮ膜を積層すると反射をさらに効率よく抑えることができる。
【００４９】
図５は、本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法における窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００５０】
図５の窒化膜成膜工程に示すように、２次元的にマトリクス状に撮像領域（画素部）に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された増幅トランジスタやリセットトランジスタを含む信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域（画素部）の周辺に設けられた受光部毎の周辺回路を駆動するための多数のトランジスタを含むドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板１１上の全面にゲート酸化膜１２が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン１３がゲート酸化膜１２上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン１３およびゲート酸化膜１２上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上にシリコン窒化膜１４（ＳｉＮ膜）を所定膜厚に成膜する。このシリコン窒化膜１４は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン１３を形成後、後述するゲートサイドウォール膜１４１ａと反射防止膜のシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）となる。このときのシリコン窒化膜１４（ＳｉＮ膜）の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
【００５１】
ここで、シリコン窒化膜１４の成膜は、低圧ＣＶＤ法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜１４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’として３０〜１２０ｎｍ（幅１５〜６０ｎｍ）の略半分となるように、シリコン窒化膜１４の成膜厚さは５０〜２００ｎｍの略半分（膜厚２５〜１００ｎｍ）としてもよい。
【００５２】
図６は、本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００５３】
図６のゲートサイドウォール膜形成工程において、複数の受光部または各受光部上のシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）上をレジスト膜１５でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜１４１ａを形成する。即ち、撮像領域（画素部）に形成された複数の受光部上のシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）上をレジスト膜１５によりマスキングすると共に周辺回路上を開口して、シリコン窒化膜１４（ＳｉＮ膜）をエッチング除去することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜１４１ａを形成する。
【００５４】
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。
【００５５】
ここで、ゲートサイドウォール膜１４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’（厚み）は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの６割程度になる。
【００５６】
また同様に、複数の受光部および周辺回路の領域上のＳｉＮ膜上にＳｉＯＮ膜を所定膜厚に成膜する。複数の受光部または各受光部上のＳｉＯＮ膜１４ａ上を同様のレジスト膜１５でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜１４１ｂを形成する。したがって、ゲートサイドウォール膜１４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’（厚み）とゲートサイドウォール膜１４１ｂのゲートサイドウォール幅Ａ”（厚み）との合計がゲートサイドウォール幅Ａとなる。ここでは、ゲートサイドウォール幅Ａ’とゲートサイドウォール幅Ａ”とが同等である。
【００５７】
図７は、本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００５８】
図７の反射防止膜形成工程に示すように、受光部上のみを開口したレジスト膜１６を用いて、シリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）とその上のＳｉＯＮ膜１４２ｂとの２層構造を反射防止膜１４２として所定膜厚に形成する。即ち、周辺回路部側をレジスト膜１６でマスキングし、ＳｉＯＮ膜１４２ｂを時間制御でエッチング除去して、反射を抑える所望膜厚の反射防止膜１４２を形成する。なお、図７では、エッチング除去後のＳｉＯＮ膜１４２ｂの膜厚と、シリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）の膜厚とが同等の膜厚のように、ここでは図示し易いように図示しているが、実際は、エッチング除去後のＳｉＯＮ膜１４２ｂの膜厚はエッチング除去した分だけ薄くなっている。
【００５９】
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。なお、この場合、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
【００６０】
その後、図８に示すようにレジスト膜１６を除去する。これによって、２層膜の反射防止膜１４２と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜１４１ａ，１４１ｂとをシリコン窒化膜１４およびＳｉＯＮ膜を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。このようにして、本実施形態２の固体撮像素子を製造することができる。
【００６１】
この場合のシリコン窒化膜１４とＳｉＯＮ膜の２層膜を材料膜とする反射防止膜１４２の合計膜厚ｔ（ｎｍ）は、それぞれの膜厚の合計であって、反射防止が有効な所定の膜厚範囲内に設定することができる。
【００６２】
本実施形態２の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜（例えばゲート酸化膜２）と、さらにその上に反射防止膜となるシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）と、さらにその上に反射防止膜となるＳｉＯＮ膜１４２ｂとを有する。これらのシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜１４２ｂとの２層膜が、周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のサイドウォール膜１４１ａ、１４１ｂの役目も果たしている。
【００６３】
以上により、本実施形態２によれば、受光部上にシリコン酸化膜２を介して設けられたシリコン窒化膜１４２ａ（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜１４２ｂの２層膜からなる反射防止膜１４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜１４１ａ、１４１ｂとが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜１４（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜の２層膜から形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜１４１ａ、１４１ｂの合計膜厚分のシリコン窒化膜１４（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜との２層膜をそれぞれ先に形成し、その各後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望膜厚の反射防止膜１４２の各構成膜になるように形成する。これにより、窒化膜（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜との２層膜の成膜が各１回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との２回に分けて行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、窒化膜（ＳｉＮ膜）とＳｉＯＮ膜との２層膜を連続して形成してから、ゲートサイドウォール膜を一括して形成し、その後に、所望膜厚の反射防止膜１４２になるように形成することもできる。この場合には、さらに製造工程を簡略化することができる。また、このように、反射防止膜が２層構造の場合には２種類の厚さのゲートサイドウォール膜を形成することもできる。
【００６４】
（実施形態３）
上記実施形態１では、反射防止膜としてシリコン酸化膜２上に１層のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成したが、本実施形態３では、シリコン酸化膜２上を、反射防止膜として窒素が低濃度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）とその上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）との２層構造とする場合について説明する。このように、窒素が濃度が高濃度ほど屈折率が大きくなるものと考えられ、低濃度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）上に高濃度のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を積層すると、上記実施形態２の場合と同様に反射をさらに効率よく抑えることができる。
【００６５】
図９は、本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００６６】
図９の窒化膜成膜工程に示すように、２次元状でマトリクス状に撮像領域（画素部）に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された増幅トランジスタやリセットトランジスタを含む信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域（画素部）の周辺に設けられた受光部毎の周辺回路を駆動するための多数のトランジスタを含むドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板２１上の全面にゲート酸化膜２２が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン２３がゲート酸化膜２２上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン２３およびゲート酸化膜２２上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上に窒素が低濃度のシリコン窒化膜２４（ＳｉＮ膜）を所定膜厚に成膜する。この窒素が低濃度のシリコン窒化膜２４は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン２３を形成後、後述するゲートサイドウォール膜２４１ａと反射防止膜の低濃度のシリコン窒化膜２４２ａとなる。このときの低濃度のシリコン窒化膜２４（ＳｉＮ膜）の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
【００６７】
ここで、低濃度のシリコン窒化膜２４の成膜は、低圧ＣＶＤ法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜２４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’として３０〜１２０ｎｍ（幅１５〜６０ｎｍ）の略半分となるように、シリコン窒化膜２４の成膜厚さは５０〜２００ｎｍの略半分（膜厚２５〜１００ｎｍ）とすることができる。
【００６８】
図１０は、本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００６９】
図１０のゲートサイドウォール膜形成工程に示すように、複数の受光部または各受光部上の低濃度のシリコン窒化膜２４ａ上をレジスト膜２５でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜２４１ａを形成する。即ち、撮像領域（画素部）に形成された複数の受光部上の低濃度のシリコン窒化膜２４ａ上をレジスト膜２５によりマスキングすると共に周辺回路上を開口して、低濃度のシリコン窒化膜２４（ＳｉＮ膜）をエッチング除去することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜２４１ａを形成する。
【００７０】
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。
【００７１】
ここで、ゲートサイドウォール膜２４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’（厚み）は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの６割程度になる。
【００７２】
また同様に、複数の受光部およびその周辺回路の領域上の低濃度のＳｉＮ膜２４２ａ上に高濃度のＳｉＮ膜を所定膜厚に成膜する。複数の受光部または各受光部上の低濃度のＳｉＮ膜２４２ａ上を同様のレジスト膜２５でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜２４１ｂを形成する。したがって、ゲートサイドウォール膜２４１ａのゲートサイドウォール幅Ａ’（厚み）とゲートサイドウォール膜２４１ｂのゲートサイドウォール幅Ａ”（厚み）との合計がゲートサイドウォール幅Ａとなる。ここでは、ゲートサイドウォール幅Ａ’とゲートサイドウォール幅Ａ”とが同等のように図示している。
【００７３】
図１１は、本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【００７４】
図１１の反射防止膜形成工程に示すように、受光部上のみを開口したレジスト膜６を用いて、低濃度のシリコン窒化膜２４２ａ（低濃度のＳｉＮ膜）と高濃度のシリコン窒化膜２４２ｂ（高濃度のＳｉＮ膜）との２層構造を反射防止膜２４２として所定合計膜厚に形成する。即ち、周辺回路部側をレジスト膜２６でマスキングし、高濃度のシリコン窒化膜２４２ｂ（高濃度のＳｉＮ膜）を時間制御でエッチング除去して、反射を抑えるのに有効な所望合計膜厚の反射防止膜２４２を形成する。
【００７５】
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が２０〜２００ｍＴｏｒｒ、温度が摂氏２５〜１００度、パワーが１００〜８００Ｗ、ガス種がＣ４Ｆ８／Ｏ２／Ａｒ、または、ＣＦ４／ＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒ、流量は上記Ｃ４Ｆ８、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｏ２は５〜５０ｓｃｃｍ、Ａｒは１００〜５００ｓｃｃｍである。なお、この場合は、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
【００７６】
その後、図１２に示すようにレジスト膜２６を除去する。これによって、２層膜の反射防止膜２４２と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜２４１ａ，２４１ｂとを低濃度のシリコン窒化膜２４および高濃度のシリコン窒化膜を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。本実施形態３の固体撮像素子を製造することができる。
【００７７】
この場合の低濃度のシリコン窒化膜２４と高濃度のシリコン窒化膜の２層膜を材料膜とする反射防止膜２４２の合計膜厚ｔ（ｎｍ）は、それぞれの膜厚の合計であって、反射防止が有効な所定の膜厚範囲内に設定することができる。
【００７８】
本実施形態３の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜（例えばゲート酸化膜２２）と、さらにその上に反射防止膜となる低濃度のシリコン窒化膜２４２ａ（ＳｉＮ膜）と、さらにその上に反射防止膜となる高濃度のシリコン窒化膜２４２ｂ（ＳｉＮ膜）とを有する。これらの低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜が、周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のサイドウォール膜２４１ａ、２４１ｂの役目も果たしている。
【００７９】
以上により、本実施形態３によれば、受光部上にゲート酸化膜２２を介して設けられた低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜からなる反射防止膜２４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜２４１ａ，２４１ｂとが、同時に成膜された共通の低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜から形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜２４１ａ，２４１ｂの合計膜厚分の低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜を先に別々に形成し、その各後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望合計膜厚の反射防止膜２４２の各構成膜になるように形成する。これにより、低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜の成膜が各１回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との２回に分けてそれぞれ行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、低濃度と高濃度の窒化膜（ＳｉＮ膜）の２層膜を連続して形成してから、ゲートサイドウォール膜を一括して形成し、その後に、所望膜厚の反射防止膜２４２になるように形成することもできる。
【００８０】
なお、上記実施形態１の反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程では、一または複数の受光部およびその周辺回路の領域上にシリコン窒化膜４を成膜する窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部またはこの複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１を形成するサイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いてシリコン窒化膜４を反射防止膜４２として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している。これに限らず、上記実施形態２、３の反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程では、一または複数の受光部および周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタの第１ゲートサイドウォール膜を該第１窒化膜から形成する第１サイドウォール膜形成工程と、一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタの第２ゲートサイドウォール膜を第１ゲートサイドウォール膜上に第２窒化膜から形成する第２サイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いて第１窒化膜および第２窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している場合、または、一または複数の受光部および周辺回路の領域上に第１窒化膜を成膜する第１窒化膜成膜工程と、第１窒化膜上に第２窒化膜を成膜する第２窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を第１窒化膜および該第２窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いて第１窒化膜および第２窒化膜を反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している場合のいずれでもよい。
【００８１】
（実施形態４）
上記実施形態１〜３では、ＣＭＯＳ型固体撮像素子の場合について説明しており、各受光部の周辺部に設けられる周辺回路としては、電荷転送トランジスタ、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタ（選択トランジスタを含んでもよい）からなる読み出し回路があり、また、複数の受光部（撮像領域）の周辺部に設けられる周辺回路としては、この読み出し回路を制御するドライバ回路がある。本実施形態４では、ＣＣＤ型固体撮像素子の場合について説明する。
【００８２】
上記実施形態１〜３の受光部に反射防止膜を設ける点については、本実施形態４の場合も同様であるが、異なるのは、周辺回路部のトランジスタとして、各受光部から読み出されて垂直転送され、その後、水平転送されて電荷検出部の信号出力トランジスタで増幅されて撮像信号として出力されるが、この信号出力トランジスタのゲートにゲートサイドウォール膜を形成する点である。このように、本発明をＣＣＤ型固体撮像素子に適用して本実施形態４とすることができる。
【００８３】
なお、ここで、ＣＭＯＳ型固体撮像素子とＣＣＤ型固体撮像素子の特徴について簡単に説明する。
【００８４】
ＣＭＯＳ型固体撮像素子は、ＣＣＤ型固体撮像素子のように、垂直転送部により各受光部からの信号電荷をそれぞれ電荷転送し、垂直転送部からの信号電荷を水平転送部により水平方向に電荷転送するＣＣＤを使用せず、メモリデバイスのようにアルミニュウム配線などで構成される選択制御線によって、画素毎に受光部から信号電荷を読み出してそれを電圧変換し、その変換電圧に応じて信号増幅した撮像信号を、選択された画素から順次読み出すようになっている。一方、ＣＣＤ型固体撮像素子は、ＣＣＤの駆動のために正負の複数の電源電圧を必要とするが、ＣＭＯＳ型固体撮像素子は、単一電源で駆動が可能であり、ＣＣＤ型固体撮像素子に比べ、低消費電力化や低電圧駆動が可能である。さらに、ＣＣＤ型固体撮像素子の製造には、ＣＣＤ独自の製造プロセスを用いているために、ＣＭＯＳ回路で一般的に用いられる製造プロセスをそのまま適用することが難しい。これに対して、ＣＭＯＳ型固体撮像素子は、ＣＭＯＳ回路で一般的に用いられる製造プロセスを使用しているために、表示制御用のドライバー回路や撮像制御用のドライバー回路、ＤＲＡＭなどの半導体メモリ、論理回路などの製造で多用されているＣＭＯＳプロセスにより、周辺回路として、論理回路やアナログ回路、アナログデジタル変換回路などを同時に形成してしまうことができる。つまり、ＣＭＯＳ型固体撮像素子は、半導体メモリ、表示制御用のドライバー回路および撮像制御用のドライバー回路と同一の半導体チップ上に形成することが容易であり、また、その製造に対しても、半導体メモリや表示制御用のドライバー回路および撮像制御用のドライバー回路と生産ラインを共有することが容易にできる。
（実施形態５）
図１３は、本発明の実施形態５として、本発明の実施形態１〜４のいずれかの固体撮像素子を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【００８５】
図１３において、本実施形態５の電子情報機器９０は、上記実施形態１の固体撮像素子１０、上記実施形態２の固体撮像素子２０、上記実施形態３の固体撮像素子３０および上記実施形態４の固体撮像素子４０のいずれかからの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置９１と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部９２と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段９３と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段９４と、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号を印字用に所定の信号処理した後に印字データをプリントアウトする画像出力装置９５とを有している。なお、この電子情報機器９０として、これに限らず、固体撮像装置９１の他に、メモリ部９２と、表示手段９３と、通信手段９４と、プリンタなどの画像出力装置９５とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
【００８６】
この電子情報機器９０としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置（ＰＤＡ）などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
【００８７】
したがって、本実施形態５によれば、この固体撮像装置９１からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力装置９５により良好にプリントアウト（印刷）したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部９２に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
【００８８】
なお、上記実施形態１〜４では、特に説明しなかったが、受光部上に設けられた反射防止膜と、トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されていれば、製造工程の簡略化を図ることができる本発明の目的を達成することができる。
【００８９】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜５を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜５に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜５の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この製造方法により作製された固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばセキュリティカメラ、デジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、例えばＣＭＯＳ型固体撮像素子などのように受光部とその周辺回路の両方を有する従来の半導体装置では、受光部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜とその受光部の周辺回路のゲートサイドウォール膜として用いるシリコン窒化膜とを両者必要膜厚が異なるために、従来は２回に分けてシリコン窒化膜を成膜していたが、本発明によれば、受光部上に設けられた反射防止膜と、受光部周辺回路のゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されるため、１回のシリコン窒化膜の成膜により両者を形成できて、製造工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成後のレジスト膜除去工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図５】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法における窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成後のレジスト膜除去工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図９】本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図１０】本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図１１】本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成後のレジスト膜除去工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
【図１３】本発明の実施形態５として、本発明の実施形態１〜４のいずれかの固体撮像素子を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９２】
１、１１、２１  半導体基板
２、１２、２２  ゲート酸化膜
３、１３、２３  ゲートポリシリコン
４、４ａ、１４、１４２ａ  シリコン窒化膜
１４ａ、１４２ｂ  ＳｉＯＮ膜
２４、２４２ａ  窒素が低濃度のシリコン窒化膜
２４ａ、２４２ｂ  窒素が高濃度のシリコン窒化膜
４１、１４１ａ、１４１ｂ、２４１ａ、２４１ｂ  ゲートサイドウォール膜
４２、１４２、２４２  反射防止膜
５、１５、２５、６、１６、２６  レジスト膜
１０、２０、３０、４０  固体撮像素子
９０  電子情報機器
９１  固体撮像装置
９２  メモリ部
９３  表示手段
９４  通信手段
９５  画像出力装置
【図１】
2009170789.tif 000003
【図２】
2009170789.tif 000004
【図３】
2009170789.tif 000005
【図４】
2009170789.tif 000006
【図５】
2009170789.tif 000007
【図６】
2009170789.tif 000008
【図７】
2009170789.tif 000009
【図８】
2009170789.tif 000010
【図９】
2009170789.tif 000011
【図１０】
2009170789.tif 000012
【図１１】
2009170789.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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