(57)【要約】  【課題】  本発明は、磁気ディスクドライブに用いる磁気ヘッド素子の試験に関し、その磁気ヘッド素子によってライトされた磁化領域を計測するライト磁化領域計測方法、およびライト磁化領域計測装置に関するものである。  【解決手段】  本発明のライト磁化領域計測方法は、記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体に所定強度の磁界を印加して磁化方向を一定にする初期化手順と、ライト素子を計測用媒体の記録層に配置し、ライト素子から発生した磁界により記録層に第１の磁化領域を生成するライト手順と、第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、所定の方法で第１の磁化領域に対応する転写層の領域を局部加熱し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と、を有するよう構成する。【選択図】    図１
2009070469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
【請求項２】
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に、非磁性膜からなる中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、前記中間層で該外部磁界と該局部加熱とによって該第１の磁化領域を拡大し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
【請求項３】
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に、常温では面内磁化で所定の温度以上では垂直磁化の磁気特性を示す磁性膜の中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該局部加熱によって前記中間層が垂直磁化に遷移して該第１の磁化領域を拡大し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
【請求項４】
前記計測用媒体は、記録層上に転写層を所定数の多層に配置した垂直磁化の磁性膜である、
ことを特徴とする請求項１に記載のライト磁化領域計測方法。
【請求項５】
ライト素子を搭載した磁気ヘッドと、
記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体と、
前記計測用媒体に所定強度の磁界を印加して前記記録層と前記転写層の磁化方向を一定にする初期化手段と、
前記ライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置して該ライト素子から磁界を発生し、該発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手段と、
前記計測用媒体に前記第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手段と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手段と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスクドライブに用いる磁気ヘッド素子の試験に関し、その磁気ヘッド素子によってライトされた磁化領域を計測するライト磁化領域計測方法、およびライト磁化領域計測装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクドライブに用いられる磁気ヘッド素子は、製造過程においてサスペンションに磁気ヘッド素子を搭載したＨＧＡ（Head Gimbal Assembly）の状態で試験を行うのが一般的である。試験はヘッド試験機を用いて、被試験の磁気ヘッドのライト素子で信号を記録媒体に書き込み(ライトする)、その磁気ヘッドのリード素子で信号を読み取り(リードする)、読み取った信号を基に磁気ヘッドとしての特性を調べていた。試験項目は多岐に渡るが、その内の一つとしてライト素子によって書き込まれた磁化領域（以降、ライト磁化領域と言う）の計測は重要な測定項目となっている。これは、近時の磁気ディスク装置の記録密度が大幅向上して高密度でデータを書き込むことが行われているため、ライト磁化領域が所望の大きさにあることをチェックする必要があるからである。その中でも幅方向の寸法は重要で、幅方向の寸法が大きいと記録密度の確保ができなくなり、狭すぎると読み取り時のＳ／Ｎ比が低くなりリードエラーを引き起こすからである。このライト磁化領域の計測も、磁気ヘッドのリード素子を用いて計測している。
【０００３】
上述のように製造過程における磁気ヘッドの試験は、試験対象の磁気ヘッドのライト素子とリード素子とを用いて行っているが、その試験で得られた特性はライト素子とリード素子とが合わされた結果のものであり、ライト素子あるいはリード素子そのものの特性を示すものではない。製造過程における試験とはいえ、ライト素子あるいはリード素子それぞれの特性が得られることが望ましい。それぞれの素子の特性が得られれば、その得られた特性に基づいて製造工程における障害原因の追求が容易となるからである。
【０００４】
本発明は、ライト素子の磁化領域の計測方法を提案するものあるが、本発明と同分野の磁化領域の計測方法として、磁気ヘッドからの漏洩磁界を軟磁性膜に転写し、転写した軟磁性膜のドメイン構造を磁気光学効果を用いて読み取る方法が提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開昭６１−２８６７６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記に述べたように、磁気ヘッドの試験項目であるライト素子による磁化領域の計測は、磁気ヘッドをサスペンションに搭載した状態でヘッド試験機により試験を行っていた。この結果が不良と判定された場合に、サスペンションを含めた磁気ヘッドを破棄することになるが、時間とコストにおいて大きなロスが発生する。即ち、磁気ヘッド素子をウェーハから単体素子に切り出し（個片化）、ジンバルに搭載し、そのジンバルを更にサスペンションに搭載するまでの時間と部材および作業コストをロスすることになる。さらに、試験結果が得られるまでの間、製造工程に対して不良原因に対する対応が成されないまま製造が行われるためその影響は計り知れないものがある。このため、できるだけ製造工程の上流側において試験を行いたいという要望が強い。即ち、磁気ヘッドの素子単体の状態で試験を行うことが求められている。
【０００６】
また、従来の試験方法はライト素子とリード素子とが合わされたものであり、正しくライト素子による磁化領域が計測されたものではない。このため、不良となった場合の正確な不良原因の追求が困難で誤った判断をしてしまう恐れがあり、その判断を製造工程に反映してしまう、という問題があった。
【０００７】
特許文献１の方法は、磁化領域を直接観察できるが、近年の磁気ヘッドは微細化が進んでいるため、ライト磁界を軟磁性層に転写しただけでは磁気光学効果を用いた測定系ではもはや計測することができなくなっている。
【０００８】
本発明は、微小なライト磁化領域を精度良く計測する計測方法および計測装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のライト磁化領域計測方法およびライト磁化領域計測装置は以下のように構成される。
（１）第１の発明
第１の発明のライト磁化領域計測方法は、磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であり、記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して記録層と転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、磁気ヘッドのライト素子を計測用媒体の記録層に配置し、ライト素子から発生した磁界により記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、第１の磁化領域に対応する転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と、を有するよう構成する。
【００１０】
即ち、計測用媒体は記録層に転写層を配置した２層の磁性膜で構成し、その記録層にライト素子（ライトヘッド）を配置して書き込みにより第１の磁化領域を生成し、外部磁界と局部加熱とのアシストにより転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成し、第２の磁化領域を計測するものである。
（２）第２の発明
第２の発明のライト磁化領域計測方法は、磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であり、垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に非磁性膜からなる中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して記録層と転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、磁気ヘッドのライト素子を計測用媒体の記録層に配置し、ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、第１の磁化領域に対応する転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、中間層で外部磁界と局部加熱とによって第１の磁化領域を拡大し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と、を有するよう構成する。
【００１１】
即ち、計測用媒体は磁性体の記録層と転写層との間に非磁性の中間層を配置した３層の膜で構成し、その記録層にライト素子を配置して書き込みにより第１の磁化領域を生成し、外部磁界と局部加熱とのアシストにより中間層で第１の磁化領域を拡大し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成し、第２の磁化領域を計測するものである。
（３）第３の発明
第３の発明のライト磁化領域計測方法は、磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であり、垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に常温では面内磁化で所定の温度以上では垂直磁化の磁気特性を示す磁性膜の中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して記録層と転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、磁気ヘッドのライト素子を計測用媒体の記録層に配置し、ライト素子から発生した磁界により記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、第１の磁化領域に対応する転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、局部加熱によって中間層が垂直磁化に遷移して第１の磁化領域を拡大し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と、を有するよう構成する。
【００１２】
即ち、計測用媒体は磁性体の記録層と転写層との間に常温では面内磁化で所定の温度以上で垂直磁化の磁気特性を示す磁性膜の中間層を配置した３層の膜で構成し、その記録層にライト素子を配置して書き込みにより第１の磁化領域を生成し、外部磁界と局部加熱により中間層が垂直磁化に遷移して第１の磁化領域を拡大し、その拡大した第１の磁化領域を転写層に転写して第２の磁化領域を生成し、第２の磁化領域を計測するものである。
（４）第４の発明
第４の発明のライト磁化領域計測方法は、第１の発明の計測用媒体が、記録層上に記録層上に転写層を所定数の多層に配置した垂直磁化の磁性膜である、ことを特徴とする。
【００１３】
即ち、計測用媒体は記録層の上にｎ層の転写層を配置した垂直磁化の磁性膜である、ことを特徴とするものである。
（５）第５の発明
第５の発明のライト磁化領域計測装置は、ライト素子を搭載した磁気ヘッドと、記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体と、その計測用媒体に所定強度の磁界を印加して記録層と転写層の磁化方向を一定にする初期化手段と、ライト素子を計測用媒体の記録層に配置してライト素子から磁界を発生し、発生した磁界により記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手段と、計測用媒体に第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、第１の磁化領域に対応する転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、転写層に第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手段と、第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手段と、を有するよう構成する。
【発明の効果】
【００１４】
上述した本発明によれば、次に示す効果が得られる。
【００１５】
第１の発明により、記録層に書き込まれたライト素子の磁界による磁化領域を転写層で拡大できるので、従来の分解能の計測器を用いて微小な磁化領域を高い精度で測れる計測方法の提供が可能になる。
【００１６】
第２の発明により、非磁性の中間層の膜厚を制御することで大きな拡大率が得られ、高精度で測れる計測方法の提供が可能になる。
【００１７】
第３の発明により、加熱によって面内磁化から垂直磁化に遷移する磁性層を配置したので、その磁性層の厚さを制御することで任意の拡大率が得られ、高精度で測れる計測方法の提供が可能になる。
【００１８】
第４の発明により、拡大転写する転写層を複数層に積層したので、積層数を制御することで任意の拡大率が得られ、高精度で測れる計測方法の提供が可能になる。
【００１９】
第５の発明により、第１の発明と同様の効果が得られる磁化領域計測装置の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のライト磁化領域計測方法の実施形態を、図１から図７を用いて説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の発明の実施形態を示すもので、そのうち図１（ａ）は第１の発明の初期化手順とライト手順を示している。計測用媒体９０は、記録層２０と転写層３０の二つの磁性層が図示しない基板上に成膜（基板上に転写層、その上に記録層が成膜される）されたものである。記録層２０は、例えばＴｂＧｅＣｏ合金で１５０−２００ｎｍ程度の膜厚であり、転写層はＧｄＦｅＣｏ合金で５０ｎｍ程度の膜厚である。図示しない基板は例えばガラスやポリカーボネートである。この計測用媒体９０は、ライト素子による書き込みの前に磁場の中に置かれて初期化され、記録層２０と転写層３０は図（ａ）で上方から下方向きに磁化方向が揃えられる。この初期化された計測用媒体９０の記録層２０側に磁気ヘッド１０のライト素子を対向する位置に配置し、書き込みを行う。即ち、ライト素子の図示しないコイルに電流を流し、それに基づいて発生した漏洩磁界により記録層２０の一部を磁化反転する。図１（ａ）の記録層２０の矢印が下方から上方の向きに成っている部分がライト素子により磁化された磁化領域２１（第１の発明の「第１の磁化領域」に相当する）である。
【００２２】
図１（ｂ）は、第１の発明の拡大転写手順を示すもので、磁気ヘッド１０によって記録層２０の磁化領域２１に当たる部分の転写層３０を１００−１５０°Ｃに局部加熱すると共に、計測用媒体９０に対して磁化領域２１と同方向の外部磁界を与える。この外部磁界の強さは記録層２０の保持力より小さい値である。これにより、転写層３０は記録層２０の磁化領域が拡大転写される。図１（ｂ）示す拡大転写された磁化領域３１が第１の発明の「第２の磁化領域」に相当する。局部加熱はここでは赤外線を照射しているがレーザや針状の発熱体であってもよい。  
【００２３】
図１（ｃ）は、磁化領域計測手順を示すもので、転写層３０の磁化領域３１の大きさ（領域の幅と高さ寸法）をＭＯ（Magneto Optical）顕微鏡２１０を用いて計測する状態を示している。寸法の計測は、計測用媒体９０をスキャンしてＭＯ顕微鏡で得られた磁気光学像から寸法を求める。なお、この計測は図示しない基板を介して転写層３０の磁化領域を計測することになる。
【００２４】
計測した値は、別途基準となる磁気ヘッドを用いてヘッド試験器等で計測した計測値と本発明による計測値との相関値により拡大率を求めておき、この拡大率から実寸法を算定する。
（第２の実施形態）
図２は、第２の発明の実施形態を説明ものである。図２（ａ）は実施形態その１と同様に初期化手順とライト手順を示している。ここで、計測用媒体９１の構成が実施形態その１と異なる。即ち、計測用媒体９１は、記録層２０と転写層３０の間に中間層４０を配置している。中間層４０は非磁性膜で例えばＳｉＮやＴｉＮ、ＳｉＯ２等であり、膜厚は５０ｎｍ程度から所望の拡大率に応じて膜厚を定める。初期化手順とライト手順の方法は実施形態その１と同様の内容であるので省略する。
【００２５】
図２（ｂ）は第２の発明の拡大転写手順を示すもので、やはり実施形態その１と同様に局部加熱と外部磁界とを与える。これにより、中間層４０の中では記録層２０から磁化領域２１による磁界が拡がりながら転写層に到達し、転写層３０に拡大した磁化領域３１が転写される。即ち、記録層２０の磁化領域は、外部磁界と局部加熱によりアシストされ静電結合により転写層に転写される。第２の実施形態は、中間層４０の厚さを制御することによって拡大率を制御することができる。
【００２６】
図２（ｃ）は第２の発明の磁化領域計測手順を示すものであり、実施形態その１と同様の内容であるので省略する。
（第３の実施形態）
図３は、第３の発明の実施形態を説明するものである。図３（ａ）はやはり実施形態その１及びその２と同様に初期化手順とライト手順を示している。ここでも、計測用媒体９２が記録層２０と転写層３０の間に中間層５０を備えているが、この中間層５０は常温では面内磁化の磁気特性を有するが、ある温度以上では垂直磁化に変化する特性を持つ磁性膜である。例えば、ＧｄＦｅＣｏ合金等である。初期化手順は計測用媒体９２を上方から下方の向きの磁場の中に置き、続いて左方から右方の向きの磁場の中に置く。これによって、図３（ａ）に示すように記録層２０と転写層３０は上方から下方向きに磁化方向が揃えられ、中間層５０は左方から右方の向きに磁化方向が揃えられる。ライト手順の方法は実施形態その１と同様の内容であるので省略する。
【００２７】
図３（ｂ）は第３の発明の拡大転写手順を示すもので、実施形態その１及びその２と同様に局部加熱と外部磁界を与える。局部加熱により、中間層５０は垂直磁化に遷移して記録層２０の磁化領域２１が拡大し、交換結合によって転写層３０に拡大した磁化領域３１が転写される。
【００２８】
図３（ｃ）は第３の発明の磁化領域計測手順を示すものであり、実施形態その１と同様の内容であるので省略する。
（第４の実施形態）
図４は、第４の発明の実施形態を説明するものである。図４（ａ）も初期化手順とライト手順を示している。第４の発明の計測用媒体９３は、記録層２０の上に、第１の発明の転写層３０を多層に積層した構造である。転写層３０間は薄い膜厚の非磁性層を挿入している。第４の発明の実施形態では、積層の層数を変えることで拡大率を制御できる。
【００２９】
初期化手順とライト手順は第１の発明と同様であるので省略する。
【００３０】
図４（ｂ）は、第４の発明の拡大転写手順を示すもので、外部磁界と局部加熱のアシストにより記録層２０の磁化領域２１が拡大して隣接する転写層３０に転写され、さらにその磁化領域が拡大して次の転写層３０に転写され、これを順次繰り返して図４（ｂ）の最上段（基板上に最初に成膜した転写層）の転写層３０に最も拡大された磁化領域が転写される。
【００３１】
図４（ｃ）は第４の発明の磁化領域計測手順を示すものであり、実施形態その１と同様の内容であるので省略する。
【００３２】
以上、第１から第４の発明の実施形態であるライト素子による磁化領域の計測方法を説明した。次に第５の発明であるライト素子による磁化領域を計測する計測装置（ライト磁化領域計測装置）についてその実施形態を図５を用いて説明する。
【００３３】
図５は、ライト磁化領域計測装置１００の構成例を示すもので、ライト磁化領域計測装置１００は計測部２００と制御部３００とから構成する。計測部２００は、試験対象の磁気ヘッド１０と計測用媒体９０とを搭載した状態でＸまたはＹ方向にスキャンするＸＹステージ２２０、磁気ヘッド１０上に配置して磁気ヘッド１０から書き込まれた磁化領域を拡大転写する計測用媒体９０、この計測用媒体９０に磁界を印加する磁界印加部２３０、計測用媒体９０を局部加熱する赤外線加熱部２４０、計測用媒体９０の転写層３０の磁気光学画像を取得するためのＭＯ光学系２１０、磁気光学画像を撮影するカメラ２５０およびオペレータ観察用のモニタ２６０からなる。
【００３４】
制御部３００は、全体を制御したり磁気光学画像を基に磁化領域の大きさを求めるＣＰＵ３１０、計測部２００の各種の構成要素の制御を行う入出力制御部３２０、計測データを記憶する計測データ記憶部３３０および磁化領域計測プログラム３５０をローディングし実行する主メモリ３４０からなる。
【００３５】
磁化領域計測プログラム３５０は、初期化部３５１、拡大転写部３５２および磁化領域計測部３５３から構成する。個々のプログラムの概要を次に述べる。
【００３６】
初期化部３５１は、オペレータにより磁気ヘッド１０と計測用媒体９０とがＸＹステージ２２０上にセットされ測定開始の図示しないスイッチが押されることにより起動され、磁界印加部２３０に入出力制御部３２０を介して所定強度と磁化方向の磁界を磁気ヘッド１０に印加する初期化の指令を出す。そして、所定時間後に磁界印加を終了する指令を出すことを行う。これにより、計測用媒体９０は磁化方向が揃えられる。
【００３７】
拡大転写部３５２は、図示しない電気回路に磁気ヘッド１０に書き込み指令を出し、磁気ヘッド１０から計測用媒体９０に書き込みを実行させる。続いて、磁界印加部２３０に所定強度と磁化方向の磁界を印加すると共に、赤外加熱部２４０に加熱指令を出す。これにより、計測用媒体９０の転写層３０は記録層２０の磁化領域２１が拡大転写される。所定時間後、磁界印加と加熱を終了する指令を出す。
【００３８】
計測部３５３は、ＭＯ光学系２１０の光源を点灯させ、ＸＹステージ２２０を所定の方向にスキャンさせて計測用媒体９０の転写層３０の磁化領域の磁気光学画像をカメラ２５０を介して取得する。そして、取得した画像（磁気光学画像）から磁化領域の大きさを算定する。求めた計測値は計測データ記憶部３３０に格納する。
【００３９】
以上、ライト磁化領域計測装置１００の構成とその機能を説明した。
【００４０】
本発明は磁気ヘッドの製造において磁気ヘッド１０を素子の状態で試験を行うことを意図している。図６は、ウェーハに複数の磁気ヘッドを形成するが、それらの磁気ヘッドを単体で切り出した状態（個片化）を示しており、この状態で計測用媒体９０に書き込みを行う。磁気ヘッド単体素子１０は端面に図示しない電極を形成しており、この電極が図示しない電気回路と接続し、電気回路から電気パルスの信号を受けて磁気ヘッド内部に形成したコイルで書き込み用の磁界を発生する。
【００４１】
図６は磁気ヘッド単体素子の例を示したが、図７に示すように単体素子を複数個連結した素子バーの形態で試験を行ってもよい。計測用媒体９０には磁気ヘッドの数に相当する磁化領域が書き込まれることになる。このようにすれば、複数個を同時に計測することができる。
【００４２】
上記の実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
（付記２）
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に、非磁性膜からなる中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、前記中間層で該外部磁界と該局部加熱とによって該第１の磁化領域を拡大し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
（付記３）
磁気ヘッドのライト素子による磁化領域の計測方法であって、
垂直磁化の磁性膜である記録層と転写層との間に、常温では面内磁化で所定の温度以上では垂直磁化の磁気特性を示す磁性膜の中間層を配置した計測用媒体に、所定強度の磁界を印加して該記録層と該転写層の磁化方向を一定にする初期化手順と、
前記磁気ヘッドのライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置し、該ライト素子から発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手順と、
前記第１の磁化領域と同一方向に外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該局部加熱によって前記中間層が垂直磁化に遷移して該第１の磁化領域を拡大し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手順と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手順と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測方法。
（付記４）
前記計測用媒体は、記録層上に転写層を所定数の多層に配置した垂直磁化の磁性膜である、
ことを特徴とする付記１に記載のライト磁化領域計測方法。
（付記５）
ライト素子を搭載した磁気ヘッドと、
記録層上に転写層を配置した垂直磁化の磁性膜からなる計測用媒体と、
前記計測用媒体に所定強度の磁界を印加して前記記録層と前記転写層の磁化方向を一定にする初期化手段と、
前記ライト素子を前記計測用媒体の記録層に配置して該ライト素子から磁界を発生し、該発生した磁界により該記録層の磁化を反転して第１の磁化領域を生成するライト手段と、
前記計測用媒体に前記第１の磁化領域と同一方向の外部磁界を印加すると共に、該第１の磁化領域に対応する前記転写層の領域を所定の方法で局部加熱し、該転写層に該第１の磁化領域を拡大転写した第２の磁化領域を生成する拡大転写手段と、
前記第２の磁化領域の大きさを計測する磁化領域計測手段と
を有することを特徴とするライト磁化領域計測装置。
（付記６）
前記磁気ヘッドは、一つの磁気ヘッドからなる単体素子である
ことを特徴とする付記１乃至付記４に記載のライト磁化領域計測方法。
（付記７）
前記磁気ヘッドは、一つの磁気ヘッドからなる単体素子が複数個連結した素子バーであり、
前記ライト手順における計測用媒体の記録層には、複数個の磁気ヘッドによって第１の磁化領域が生成され、
前記拡大転写手順における計測用媒体の転写層には、複数個の第２の磁化領域が生成され、
前記磁化領域計測手順では複数個の第２の磁化領域の大きさを計測する
ことを特徴とする付記１乃至付記４に記載のライト磁化領域計測方法。
（付記８）
前記局部加熱は、赤外線、レーザまたは針状発熱体により加熱する
ことを特徴とする付記１乃至付記４に記載のライト磁化領域計測方法。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施形態その１（ライト磁化領域計測方法）である。
【図２】実施形態その２（ライト磁化領域計測方法）である。
【図３】実施形態その３（ライト磁化領域計測方法）である。
【図４】実施形態その４（ライト磁化領域計測方法）である。
【図５】実施形態その５（ライト磁化領域計測装置）である。
【図６】磁気ヘッドの単体素子による磁化領域の計測例である。
【図７】磁気ヘッドの素子バーによる磁化領域の計測例である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    磁気ヘッド
２０    記録層
２１    書き込みによる磁化領域
３０    転写層
３１    転写された磁化領域
４０    中間層
５０    中間層  
１００  ライト磁化領域計測装置
２００  計測部
２１０  ＭＯ光学系
２２０  ＸＹステージ
２３０  磁界印加部
２４０  赤外線加熱部
２５０  カメラ  
２６０  モニタ
３００  制御部
３１０  ＣＰＵ
３２０  入出力制御部
３３０  計測データ記憶部
３４０  主メモリ
３５０  磁化領域計測プログラム
３５１  初期化部
３５２  拡大転写部
３５３  計測部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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