(57)【要約】【課題】カラーフィルタの形成工程におけるダメージを抑制できる液晶装置を提供する。【解決手段】第１の基板１０と、第２の基板１１と、第１の基板１０と第２の基板１１との間に狭持される液晶層９５と、を備える液晶装置であって、第１の基板１０は、画素電極２０と、共通電極３０と、画素電極２０に接続されたスイッチング素子１１０と、カラーフィルタ７０と、を備え、第２の基板１１の液晶層９５側の面には、第１の基板１０を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を第１の基板１０側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子２５を備えることを特徴とする液晶装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持される液晶層と、を備える液晶装置であって、
前記第１の基板は、画素電極と、共通電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、
前記第２の基板の前記液晶層側の面には、前記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を前記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持される液晶層と、複数の画素領域と、を備える液晶装置であって、
前記第１の基板は、画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、
前記第２の基板は、前記複数の画素領域にわたって設けられた共通電極を備え、
前記第２の基板の前記液晶層側の面には、前記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を前記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記反射偏光子がワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項２に記載の液晶装置であって、前記反射偏光子の上層には透光性絶縁膜が形成されており、前記共通電極は該透光性絶縁膜の上層に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記カラーフィルタは前記スイッチング素子の上層に形成されており、
前記画素電極と前記スイッチング素子とは、前記カラーフィルタの一部の領域を除去して形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記カラーフィルタは前記スイッチング素子と前記第１の基板との間に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ウォッチ等の携帯型の電子機器の分野において、外光の利用により消費電力を低減可能な反射型液晶装置あるいは半透過反射型液晶装置の採用が進んでいる。かかる液晶装置において、外光を反射する反射層に反射偏光子を用いて、小型化を図った技術がある（例えば、特許文献１又は２参照）。一方の基板上に上記の反射偏光子を形成して、表示領域に配置された画素毎に、他方の基板を介して入射された外光を該一方の基板に向けて反射することで画像を表示している。
【０００３】
かかる液晶装置がカラー液晶装置である場合、外光から所定の波長範囲の光を強調可能なカラーフィルタを用いることが一般的である。ここで、透過型液晶装置においては、スイッチング素子が形成された一方の基板と、カラーフィルタが形成された他方の基板とで液晶層を狭持する形式が一般的である。したがって、反射型あるいは半透過反射型の液晶装置においても、上記反射偏光子は、上記画素を制御するスイッチング素子と上記カラーフィルタとのどちらか一方と共に基板上に形成されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１２８４０８号公報
【特許文献２】特開２００６−２７６１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしＡｌ（アルミニウム）等の金属を用いた反射偏光子の場合、上記スイッチング素子あるいは上記カラーフィルタの形成工程においてダメージを受け、偏光能力を低下し得るという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
第１の基板と、第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に狭持される液晶層と、を備える液晶装置であって、上記第１の基板は、画素電極と、共通電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、上記第２の基板の上記液晶層側の面には、上記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を上記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。
【０００８】
このような構成によれば、カラーフィルタの形成時の影響による反射偏光子の偏光能力等の劣化が抑制されるため、良好な反射表示能力を有する横電界方式の液晶装置を得ることができる。
【０００９】
［適用例２］
第１の基板と、第２の基板と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に狭持される液晶層と、複数の画素領域と、を備える液晶装置であって、上記第１の基板は、画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、カラーフィルタと、を備え、上記第２の基板は、上記複数の画素領域にわたって設けられた共通電極を備え、上記第２の基板の上記液晶層側の面には、上記第１の基板を透過して入射する光のうちの特定方向の偏光成分を上記第１の基板側に反射し、残りの偏光成分を透過する反射偏光子を備えることを特徴とする液晶装置。
【００１０】
このような構成によれば、カラーフィルタの形成時の影響による反射偏光子の偏光能力等の劣化が抑制されるため、良好な反射表示能力を有する縦電界方式の液晶装置を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］
上記の液晶装置であって、上記反射偏光子がワイヤーグリッド偏光子であることを特徴とする液晶装置。
【００１２】
ワイヤーグリッド偏光子は高い偏光特性を有する。したがって、このような構成によれば、コントラスト等の表示品質が向上した液晶装置を得ることができる。
【００１３】
［適用例４］
上記の液晶装置であって、上記反射偏光子の上層には透光性絶縁膜が形成されており、上記共通電極は該透光性絶縁膜の上層に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【００１４】
上記反射偏光子の上層に、上記第２の電極と合わせて２種類の透光性材料膜を積層することにより増感作用を得ることができる。したがって、このような構成により、反射率の低下を抑制して、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。
【００１５】
［適用例５］
上記の液晶装置であって、上記カラーフィルタは上記スイッチング素子の上層に形成されており、上記画素電極と上記スイッチング素子とは、上記カラーフィルタの一部の領域を除去して形成されたコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする液晶装置。
【００１６】
このような構成によれば、カラーフィルタを上記スイッチング素子と上記画素電極との間の層間絶縁膜としても機能させることができる。したがって、製造工程を簡略化でき、製造コストを低減できる。
【００１７】
［適用例６］
上記の液晶装置であって、上記カラーフィルタは上記スイッチング素子と上記第１の基板との間に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【００１８】
このような構成によれば、上記スイッチング素子、及び上記スイッチング素子間を接続する配線からの反射を抑制できる。したがって、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。
なお、上記画素電極と上記スイッチング素子との間には、透明性絶縁材料からなる層間絶縁膜が別途形成されている。
【００１９】
［適用例７］
上記の液晶装置を搭載することを特徴とする電子機器。
【００２０】
このような構成の液晶装置を備えることにより、表示品質の優れた電子機器を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態にかかる液晶装置ついて、図面を参照しつつ説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２２】
本実施形態の液晶装置は、基板に対して水平方向の電界（横電界）を液晶層に印加し、該液晶層が含有する液晶分子（以下、単に「液晶分子」と称する。）の配向方向を制御する横電界方式のうち、ＩＰＳ方式と呼ばれる方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。スイッチング素子としてはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いている。
【００２３】
図１は、第１の実施形態、及び後述する第２〜第５の各実施形態に共通する、液晶装置の全体構成を模式的に示す回路構成図である。規則的に配置された個々の画素を個別に制御して表示領域１００に画像を形成するアクティブマトリクス型の液晶装置の回路図である。
【００２４】
画像を形成する光が射出される領域である表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及びデータ線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、データ線１０４にはデータ線駆動回路１３０から画像信号が供給される。
【００２５】
表示領域１００には、複数の走査線１０２と、該走査線と直交する複数のデータ線１０４と、走査線１０２と平行に延びる複数の容量線１０６が形成されている。上記３種類の配線で囲まれる区画が画素領域である。そして、上記画素領域に形成されている各要素の集合体が画素である。なお、本明細書では、走査線１０２の延在方向をＸ方向（Ｘ軸）、データ線１０４の延在方向をＹ方向（Ｙ軸）と定義する。
【００２６】
各々の画素には画素電極２０と該画素電極を制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０が形成されており、データ線１０４がＴＦＴ１１０のソース電極６１（図２参照）に接続されている。データ線駆動回路１３０は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線１０４を介して各画素に供給する。
【００２７】
ＴＦＴ１１０のゲート電極（図２参照）は、走査線１０２の一部である。そしてゲート電極には、走査線駆動回路１２０から所定のタイミングで走査線１０２にパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次で印加される。画素電極２０は、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２（図２参照）に電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ１１０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１０４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２０に書き込まれるようになっている。
【００２８】
画素電極２０を介して後述する液晶層９５（図３参照）に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２０と後述する共通電極３０（図２参照）との間で一定期間保持される。そして、かかる期間中、該画素電極と対向する領域の液晶分子の配向方向を一定の方向に保つ。
【００２９】
ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極２０と共通電極３０との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１０８が形成されている。蓄積容量１０８は、後述するように、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２と容量線１０６との間に形成されている（図３参照）。
【００３０】
なお、本実施形態の液晶装置、及び後述する第２〜第５の各実施形態にかかる液晶装置は、カラーフィルタ７０（図３参照）を用いてカラー表示を可能としている。したがって表示領域１００には、赤色光を射出する画素、緑色光を射出する画素、青色光を射出する画素、の３種類の画素が規則的に配置されている。以下、本実施形態の液晶装置の画素について述べる。
【００３１】
図２は、本実施形態の液晶装置の画素の模式平面図である。本実施形態の液晶装置は、上述したように明所では外光の反射量を制御して画像を表示し、暗所では通常の透過型の液晶装置と同様に内部の光源（バックライト）により画像を表示する、半透過反射型の液晶装置である。したがって、画素内に透過表示領域７７と反射表示領域７８の双方の領域を備えている。
【００３２】
画素は、ＴＦＴ１１０と、該ＴＦＴに接続された画素電極２０及び蓄積容量１０８（図３参照）、そして、画素電極２０との間で液晶層９５に電圧を印加するための共通電極３０を主な構成要素としている。
【００３３】
ＴＦＴ１１０は、データ線１０４の一部を分岐するように延長して形成したソース電極６１と、ドレイン電極６２と、アモルファスシリコンの真性半導体層６３（図３参照）と、ゲート電極として機能する走査線１０２と、そしてゲート絶縁膜６５（図３参照）とからなる。走査線１０２が平面視方向で真性半導体層６３と重なる領域がゲート電極である。なお、真性半導体層６３とソース電極６１及びドレイン電極６２間にはｎ+シリコン層６４（図３参照）が形成されている。
【００３４】
ドレイン電極６２は、データ線１０４と同一の材料層からなり、平面視方向でＬ字型にパターニングされている。Ｌ字の一方の辺は容量線１０６とゲート絶縁膜６５を介して重なり、該重なった領域が蓄積容量１０８となる。そしてＬ字の屈曲部で、画素電極２０と接続されている。
なお、本実施形態におけるデータ線１０４は、Ａｌとモリブデンとチタニウムも積層した膜層をフォトリソグラフィーによりパターニングして形成されている。しかし形成材料は上記に限定されるものではなく、他種の金属層を含む膜層、あるいはＡｌ等の単層の金属層をパターニングして形成してもよい。
【００３５】
画素電極２０の平面形状はフォークの先端部に類似する形状であり、Ｙ方向に互いに平行に延在する複数本の帯状部と、Ｘ方向に延在する基端部とからなる。基端部の一部が、コンタクトホール６６を介してドレイン電極６２と接続されている。
【００３６】
共通電極３０は、画素電極２０と同様に、Ｙ方向に互いに平行に延在する複数本の帯状部と、Ｘ方向に延在する基端部とからなる。該基端部は、表示領域１００内をＸ方向に延在している。そして、Ｙ方向に複数本形成されている上述の基端部は、表示領域１００の外側で全て電気的に接続されている。したがって、共通電極３０は画素電極２０とは異なり、表示領域１００の全域で同電位となっている。
【００３７】
画素電極２０の帯状部と共通電極３０の帯状部とは、互いに平行に延在している。したがって、画素電極２０に電圧を印加すると、画素電極２０の帯状部と共通電極３０の帯状部とが延在している領域に基板に水平方向の電界（横電界）が発生する。共通電極３０の電位は表示領域１００全域で共通であり、ＴＦＴ１１０は画素毎に制御されるため、上記電界の大きさは画素毎に任意の値をとることができる。
【００３８】
上述の電界が発生する領域が、反射光、又は透過光の光量を制御することにより画像を形成する領域である。そして上記領域における、分割線７５を境界とする上半分（コンタクトホール６６から遠い方）が上述の反射表示領域７８であり、下半分が上述の透過表示領域７７である。外光を利用できる明所では、該外光を反射表示領域７８を用いて反射させて画像を形成する。そして暗所では、透過表示領域７７を、バックライトユニット９０（図３参照）から照射される光を透過させて画像を形成する。
【００３９】
反射表示領域７８には反射偏光子としてのワイヤーグリッド偏光子（以下、「ワイヤーグリッド」と称する。）２５（図３参照）が形成されている。ワイヤーグリッド２５は、平板状の反射部材とは異なり、照射される光の偏光方向により反射あるいは透過の態様が異なる部材である。ワイヤーグリッド２５の構造等については後述する。
【００４０】
次に、本実施形態の液晶装置の画素の断面方向の構成について述べる。図３は、図２のＡ−Ａ’線における断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。なお、バックライトユニット９０は、蛍光管９３から出射される光を導光板９１及び反射板９２により進行方向を調整して、対向基板１１に対して略垂直に射出するユニットである。本実施形態の液晶装置は、透過表示時においては、上述のバックライトユニット９０から照射される光を、液晶層９５及びカラーフィルタ７０を介して表示領域１００から射出して画像を形成する。
【００４１】
本実施形態の液晶装置は、第１の基板としての素子基板１０と第２の基板としての対向基板１１とで液晶層９５を狭持し、液晶分子の配向方向を制御することで、透過光及び反射光の光量を制御している。素子基板１０と対向基板１１は、ガラス、石英、プラスチック等の透光性材料からなる。
【００４２】
素子基板１０の第１の面（液晶層９５に対向する側の面）にはＴＦＴ１１０が形成されており、裏面（液晶層９５側の面の反対側の面）には第１の偏光板８１が貼付されている。ＴＦＴ１１０の構成は上述した通りである。ゲート絶縁膜６５は酸化シリコンあるいは窒化シリコン等からなり、表示領域１００全域に形成されている。そして、容量線１０６とドレイン電極６２とが重なる領域では、蓄積容量１０８の誘電体膜としても機能している。
走査線１０２と容量線１０６は同一の材料層をフォトリソグラフィーによりパターニングして形成されている。本実施形態では、上記材料層はＡｌで形成されているが、他の金属あるいはＡｌを含む複数種の金属層を積層して形成してもよい。
【００４３】
ｎ+シリコン層６４は、真性半導体層６３とソース電極６１とが重なる領域、及び真性半導体層６３とドレイン電極６２とが重なる領域に形成されている。そして、真性半導体層６３とソース電極６１との間のコンタクト抵抗、及び真性半導体層６３とドレイン電極６２との間のコンタクト抵抗を低減して、ＴＦＴ１１０の信頼性を向上させる機能を果たしている。
【００４４】
ＴＦＴ１１０の上層にはカラーフィルタ７０が形成されている。カラーフィルタ７０は、所定の範囲の波長の光を吸収することで、白色光を赤色光、緑色光、青色光のうちのいずれかの光に変換できる。ＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０の間には酸化シリコンからなる第２の保護膜４２が形成され、カラーフィルタ７０の形成材料がＴＦＴ１１０と直接接触することを回避している。なお、カラーフィルタ７０は、フォトリソグラフィー法あるいは液滴吐出法等で形成することが好ましい。
カラーフィルタ７０の上層には、画素電極２０及び共通電極３０が形成されている。上記双方の電極は透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）からなり、カラーフィルタ７０上に形成したＩＴＯ薄膜をパターニングして形成されている。
【００４５】
画素電極２０とドレイン電極６２とを接続するコンタクトホール６６は、カラーフィルタ７０の一部を選択的にエッチングして形成されている。したがって、カラーフィルタ７０はスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０と、画素電極２０及び共通電極３０と、の間を絶縁する機能も果たしている。そして、画素電極２０と共通電極３０の上層には、第１の配向膜８３が形成されている。
【００４６】
対向基板１１の液晶層９５側の面上の反射表示領域７８にはワイヤーグリッド２５が形成されており、該ワイヤーグリッドの上層には全面に第１の保護膜４１が形成されている。そして、第１の保護膜４１の上層には、第２の配向膜８４が形成されている。したがって、液晶層９５は、素子基板１０の表面である第１の配向膜８３と対向基板１１の表面である第２の配向膜８４とで狭持されている。なお、対向基板１１の裏面（液晶層９５側の面の反対側の面）には第２の偏光板８２が貼付されている。
【００４７】
好ましくは、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
【００４８】
ここで、ワイヤーグリッド２５について説明する。図４（ａ）はワイヤーグリッド２５の模式斜視図、図４（ｂ）はワイヤーグリッド２５の模式断面図である。ワイヤーグリッド２５は、透明基板２６上に所定のピッチをもって略平行に配列された多数の金属体（金属細線）２１からなる。各金属体は、幅及び高さも共通である。金属体２１の形成材料は、反射率の高いＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）が好ましい。
【００４９】
かかる構造のワイヤーグリッド２５は、上方から照射される光、すなわち金属体２１から透明基板２６の方向に進む光を偏光分離する性質を有する。具体的には、波長が上述のピッチ、幅、及び高さよりも小さい光が本図における上方から照射された場合、上記光を構成する振動成分のうち、金属体２１の長手方向（延在方向）と平行する偏光成分を反射し、金属体の長手方向と直交する偏光成分を透過させる性質を有している。以下、上述の長手方向と直交する方向を図５に示すように第３の透過軸３３と称し、長手方向を反射軸３５と称する。
【００５０】
本実施形態のワイヤーグリッド２５は、金属体２１の上層が酸化シリコン等からなる透光性絶縁膜としての保護膜２７で覆われている。そして、ワイヤーグリッド２５が、反射偏光子としての機能を充分に発揮するためには、互いに隣り合う金属体２１間に充填されている物質の屈折率と保護膜２７の屈折率との差が、できる限り大きいことが好ましい。保護膜２７に酸化シリコンを用いると屈折率は略１．５となり、かかる値よりも充分小さな物質となると大気が好ましい。したがって上記の隣り合う金属体間は空洞であることが好ましく、そのためには、保護膜２７の形成材料も含む何らかの材料が充填されることを抑制する必要がある。
【００５１】
保護膜２７の形成をスパッタにより行う際に、酸化シリコン粒子を斜め方向（透明基板２６に垂直な線を、金属体２１の長手方向と直交する方向に傾けた方向）から照射することで、金属体２１間に酸化シリコン粒子が入り込むことを抑制しつつ保護膜２７を形成できる。本実施形態、及び後述する各実施形態と各変形例では、金属体２１は透明材料からなる対向基板１１上に直接形成されており、対向基板１１が本図における透明基板２６として機能している。また、本実施形態では、第１の保護膜４１が本図における保護膜２７として機能している。
【００５２】
本実施形態の液晶装置は、バックライトユニット９０から射出される光、又は外光を用いて画像を形成する。そして上述の光は双方とも様々な波長の光が混合されている。したがって、上記ピッチ等は充分に小さいことが好ましい。具体的には、ピッチは１４０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、金属体２１の平面視方向の幅は数十ｎｍである。ここで、本実施形態の液晶装置における、第３の透過軸３３と、他の構成要素の光学軸（透過軸）の関係を図５に示す。
【００５３】
本実施形態の液晶装置は、第３の透過軸３３が第１の偏光板８１の透過軸（以下、「第１の透過軸」と称する）３１と平行となるように配置されており、第２の偏光板８２の透過軸（以下、「第２の透過軸」と称する）３２とは、互いに直交する向きに配置されている。また、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４は、平面視方向において同一方向にラビング処理されており、その方向は、図５に示すラビング方向３４である。したがって、ワイヤーグリッド２５は透過軸（第３の透過軸３３）が第１の配向膜８３及び第２の配向膜８４のラビング方向３４と平行になるように配置されている。なお、ラビング方向３４は、画素電極２０の帯状部の延在方向、すなわち図５のＹ軸方向に対して約３０°の角度を有している。
【００５４】
本実施形態の液晶装置は、かかる構成によりＩＰＳ方式の液晶装置として機能する。ＴＦＴ１１０を介して画素電極２０に画像信号（電圧）を印加することで、画素電極２０と共通電極３０との間に、基板（素子基板１０及び対向基板１１）面に平行で、図５のＸ軸方向を向く電界を発生させることができる。そして、かかる電界によって液晶分子を駆動し、各画素毎に、透過表示領域７７の透過率及び反射表示領域７８の反射率を変化させることで画像を形成できる。
【００５５】
上述したように、液晶層９５を挟持して対向する第１の配向膜８３と第２の配向膜８４とは同一方向にラビング処理されている。したがって、画素電極２０に電圧を印加しない状態では、液晶層９５を構成する液晶分子は、素子基板１０と対向基板１１との間でラビング方向３４に沿って水平に配向された状態となっている。
【００５６】
そして、このような液晶層９５に画素電極２０と共通電極３０との間に形成した電界を作用させると、該電界の大きさに合わせて画素電極２０の帯状部の幅方向（Ｘ軸方向）に沿う方向に液晶分子が運動する。本実施形態の液晶装置は、このような液晶分子の配向方向の差異を利用して、画像を形成している。以下、任意の画素における上述の画像形成の態様を、透過表示領域７７と反射表示領域７８とで分けて述べる。
【００５７】
透過表示領域７７では、バックライトユニット９０から射出された光は、第２の偏光板８２を透過することで第２の透過軸３２に平行な直線偏光に変換され、液晶層９５に入射する。そして、液晶層９５に上述の電界が印加された状態であれば、上記入射光は液晶層９５により第１の透過軸３１と平行な直線偏光に変換される。そしてかかる偏光光は、カラーフィルタ７０を透過して、赤色光、緑色光、青色光のいずれかの色に着色される。そして着色後の光は、第１の偏光板８１を透過して、液晶装置の表示領域１００から射出される。
【００５８】
一方、液晶層９５がオフ状態（画素電極２０に電圧が印加されていない状態）であれば、入射光は第２の透過軸３２方向の偏光を維持したまま第２の透過軸３２と直交する第１の透過軸３１を有する第１の偏光板８１に達し、そのまま第１の偏光板８１に吸収される。したがって、当該画素は光を射出せず、暗表示となる。
【００５９】
反射表示領域７８では、外光が、第１の偏光板８１の上方すなわちバックライトユニット９０が配置されていない側から液晶装置に入射し、第１の偏光板８１及びカラーフィルタ７０を透過する。そして、第１の透過軸３１に平行な直線偏光に変換されて液晶層９５に入射する。
【００６０】
このとき液晶層９５がオン状態であれば、上記入射光は液晶層９５により第１の透過軸３１と直交する直線偏光に変換された後、ワイヤーグリッド２５に入射する。図５に示したように、反射偏光子であるワイヤーグリッド２５は、第１の透過軸３１と平行な第３の透過軸３３と、第３の透過軸３３と直交する反射軸３５を有している。したがって、上記オン状態の液晶層９５を透過してワイヤーグリッド２５に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射されて液晶層９５に入射する。
【００６１】
再度液晶層９５に入射した反射光は、液晶層９５の作用により入射時の偏光状態（第１の透過軸３１と平行な直線偏光）に戻されて、再度カラーフィルタを通過した後、第１の偏光板８１に入射する。これにより第１の偏光板８１を透過した反射光が３原色のいずれかの表示光として視認され、当該画素が明表示となる。
【００６２】
一方、液晶層９５がオフ状態であれば、第１の偏光板８１から液晶層９５に入射した光は、その偏光状態を維持したままワイヤーグリッド２５に入射し、当該光と平行な第３の透過軸３３を有するワイヤーグリッド２５を透過する。そして、この光と直交する第２の透過軸３２を有する第２の偏光板８２によって吸収されるため、表示領域１００から射出されることはない。したがって、当該画素は暗表示となる。
【００６３】
なお、上述したように、透過表示領域７７ではバックライトユニット９０から照射された光はカラーフィルタ７０を１回透過して着色されるのに対し、反射表示領域７８では外光がカラーフィルタ７０を２回透過する。したがって、本実施形態の液晶装置のカラーフィルタ７０は、１つの画素を着色する同一の色を２種類の濃度に分けて、透過表示領域７７には濃色部７１、反射表示領域７８には淡色部７２が対向するように形成されている。かかる構成により、透過表示時と反射表示時とで、表示領域１００から射出される光の明度が揃えられて、表示品質が向上している。ただし、透過表示領域７７と反射表示領域７８とに夫々濃度が異なるカラーフィルタを設けることに限定されず、透過表示領域７７と反射表示領域７８とに同じ濃度のカラーフィルタを設けてもよい。
【００６４】
このように本実施形態の液晶装置は、画素電極２０と該画素電極を制御するスイッチング素子としてのＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０とを素子基板１０に配置（形成）し、反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５は素子基板１０と対向する対向基板１１に形成する型式で、反射表示と透過表示を両立している。
【００６５】
従来の液晶装置は、カラーフィルタを対向基板に形成する型式が一般的である。かかる型式では、ワイヤーグリッド２５は、ＴＦＴ１１０とカラーフィルタ７０とのいずれか一方が形成された基板上に形成される。
【００６６】
ワイヤーグリッド２５とＴＦＴ１１０とを同一の基板（すなわち素子基板１０）上に形成する場合、ＴＦＴ１１０の形成工程の熱履歴により、ワイヤーグリッド２５を構成するＡｌにヒロック成長等により部分的に欠陥が生じ、最終的に液晶装置となった際に点欠陥として認識される可能性がある。
【００６７】
一方、対向基板１１上にワイヤーグリッド２５を形成し、該ワイヤーグリッドの上層にカラーフィルタ７０を形成する型式では、上述の金属体２１間にカラーフィルタ７０の形成材料が入り込み、偏光能力を低下させる可能性がある。また、カラーフィルタ７０の形成工程時の熱履歴により上述のヒロックのような問題が発生する可能性もある。
【００６８】
また、上記のどちらの型式でも、ワイヤーグリッド２５上で、何らかの膜層をフォトリソグラフィー法等によりパターニングする工程が必要である。フォトリソグラフィー法においてはワイヤーグリッド２５で反射した特定方向の偏光がレジストに再入射することになるため、パターン精度等に影響を及ぼす可能性がある。さらに、ワイヤーグリッド２５上の膜層にピンホール等がある場合、パターニング時に薬液が滲入し、ワイヤーグリッド２５の形成材料がダメージを受ける可能性がある。
【００６９】
本実施形態の液晶装置は、ワイヤーグリッド２５と、カラーフィルタ７０等のパターニングが必要な構成要素と、を別個の基板上に形成することにより、プロセス起因によるワイヤーグリッド２５のダメージを抑制し、表示品質等を向上させている。
（第２の実施形態）
【００７０】
図６に、第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。第１の実施形態にかかる液晶装置と同様のＩＰＳ方式の半透過反射型の液晶装置である。したがって、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様も図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であるため、図示は省略している。
【００７１】
本実施形態の液晶装置はカラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている点で第１の実施形態にかかる液晶装置と異なっている。すなわち、素子基板１０の液晶層９５側の面にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層にＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８が形成されている。具体的には、素子基板１０上にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層に走査線１０２等が形成されてＴＦＴ１１０となっている。
【００７２】
上述したように本実施形態の液晶装置は半透過反射型であるため、カラーフィルタ７０が濃色部７１と淡色部７２とに区画されている点も、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。
【００７３】
ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８の構成は、第１の実施形態にかかる液晶装置の該構成と同一である。そして、ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８の上層には、層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３は酸化シリコン又は窒化シリコン等からなり、第１の実施形態におけるカラーフィルタ７０と同様に電極（画素電極２０及び共通電極３０）とＴＦＴ１１０の間を絶縁している。そして、ＴＦＴ１１０のドレイン電極６２と画素電極２０とを接続するコンタクトホール６６は層間絶縁膜４３の一部を選択的に除去して形成されている。
【００７４】
層間絶縁膜４３から第２の偏光板８２にかけての構成要素、及びバックライトユニット９０については第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。すなわち、画素電極２０及び共通電極３０の上層に形成された第１の配向膜８３、対向基板１１及び液晶層９５の構成は第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、動作原理も同様である。
【００７５】
上述するように、第１の実施形態にかかる液晶装置は、カラーフィルタ７０に、白色光を有色光に変換する機能と、上述の絶縁機能すなわち層間絶縁膜４３としての機能を兼用させている。ここで双方の機能を果たすための膜厚を比較すると、着色機能を果たすために要する膜厚は絶縁機能を果たすために要する膜厚よりも厚い。したがって、ＴＦＴ１１０と電極（画素電極２０及び共通電極３０）との間には必要以上に厚い膜（第１の実施形態ではカラーフィルタ７０）で覆われており、コンタクトホール６６の深さが増大している。その結果、画素電極２０の形成材料であるＩＴＯのつきまわりが悪化して、ドレイン電極６２との導通が損なわれる可能性がある。
【００７６】
それに対し、本実施形態の液晶装置は、層間絶縁膜４３の膜厚を絶縁機能を果たすために必要な膜厚に設定できるため、コンタクトホール６６の深さを浅くできる。その結果、画素電極２０の形成材料であるＩＴＯのつきまわりを向上でき、画素電極２０とドレイン電極６２との導通の信頼性を向上できる。
なお、本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴ１１０が、カラーフィルタ７０ではなく層間絶縁膜４３で覆われている。したがって、第１の実施形態にかかる液晶装置と異なり、第２の保護膜４２は形成されていない。
【００７７】
また、本実施形態の液晶装置は、カラーフィルタ７０に反射抑制機能も兼用させることができる。本実施形態の液晶装置は、電極（画素電極２０及び共通電極３０）が透明材料であるＩＴＯで形成されているため、外光の反射は充分低いレベルに抑制できる。一方、ＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８を構成する各々の配線及び電極等は金属材料で形成されているため、外光を反射し易く暗表示の妨げとなり得る。しかし、本実施形態の液晶装置は、素子基板１０とＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８との間にカラーフィルタ７０が形成されているため、上述の反射を抑制でき、コントラストの向上を可能にしている。
【００７８】
なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
（第３の実施形態）
【００７９】
図７に、第３の実施形態にかかる液晶装置の画素の模式平面図を示す。本実施形態の液晶装置は、縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。したがって、画素電極２０はフォーク状ではなく平板状であり、データ線１０４及び容量線１０６等で囲まれた矩形の領域を占めている。一方、共通電極３０は、対向基板１１の液晶層９５側の略全面に形成されている（図８参照）。したがって、図７においては図示を省略している。
【００８０】
本実施形態の液晶装置は、画素電極２０と共通電極３０とで液晶層９５を狭持して、縦方向に電圧を印加できる。回路構成は、図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、電極以外の構成要素も図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そのため、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。
【００８１】
図８は、図７のＢ−Ｂ’線における断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、素子基板１０の液晶層９５側の面には、スイッチング素子としてのＴＦＴ１１０が形成され、さらに該ＴＦＴを覆うようにカラーフィルタ７０が第２の保護膜４２を介して形成されている。そしてカラーフィルタ７０上にはＩＴＯからなる画素電極２０が形成されている。カラーフィルタ７０は、分割線７５を境界として透過表示領域７７には濃色部７１、反射表示領域７８には淡色部７２が夫々形成されている。画素電極２０は平板状ではあるが、画素電極２０毎に独立しているため、第１及び第２の実施形態における画素電極２０と同様に、素子基板１０上の全面に形成したＩＴＯ膜を島状にパターニングして形成されている。そして、該画素電極は、カラーフィルタ７０の一部を選択的に除去して形成されたコンタクトホール６６を介してドレイン電極６２と接続されている。そして、画素電極２０の上層には第１の配向膜８３が形成されている。
【００８２】
対向基板１１の液晶層９５側の面の反射表示領域７８には、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５が形成されている。そして、該ワイヤーグリッドが形成された対向基板１１の液晶層９５側の面には、ＩＴＯ膜からなる共通電極３０が形成されている。本実施形態の共通電極３０は、画素電極２０との間に液晶層９５を狭持し該液晶層に縦方向の電圧を印加している。したがって、ＩＴＯ膜は少なくとも表示領域１００内ではパターニングされておらず、全域に形成されている。そのため、本実施形態の共通電極３０は、第１の実施形態における第１の保護膜４１と同じく、ワイヤーグリッド２５を保護する保護膜２７（図４参照）としての機能も果たすことができる。共通電極３０の上層には第２の配向膜８４が形成されている。そして、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４とで、液晶層９５を狭持している。
【００８３】
本実施形態の液晶装置は、上記第１及び第２の実施形態にかかる液晶装置とは異なり、第１の配向膜８３のラビング方向は図７に示すＹ方向であり、第２の配向膜８４のラビング方向はＸ方向である。したがって、互いに９０度の角度を有している。そして第１の偏光板８１の透過軸と第２の偏光板８２の透過軸とは双方ともＹ方向すなわち同一方向である。そしてワイヤーグリッド２５の反射軸も上記透過軸と同様にＹ方向である。液晶分子は、オフ状態（上記双方の電極間に電圧が印加されていない状態）では、上記双方のラビング方向と（該液晶分子の）長軸方向が一致するように平面視方向で９０度回転している。そして、オン状態（上記双方の電極間に電圧が印加されている状態）では、（該液晶分子の）の長軸が素子基板１１に対して垂直方向を向く配列となる。
【００８４】
透過表示領域７７においては、オン状態では液晶層９５による偏光方向の変化が生じないため、バックライトユニット９０から照射された光は、上記双方の偏光板を透過した後、カラーフィルタ７０により着色されて射出される。オフ状態では、液晶層９５による偏光方向が９０度回転するのに対し、第１の偏光板８１の透過軸と第２の偏光板８２の透過軸とが一致しているため、バックライトユニット９０から照射された光は第２の偏光板８２を通過することはなく、暗表示となる。
【００８５】
反射表示領域７８では、オン状態では液晶層９５による偏光方向の変化が生じないため、外光は第１の偏光板８１（及びカラーフィルタ７０）を透過してＹ軸方向に直線偏光される。そして、同一方向の反射軸を持つワイヤーグリッド２５により反射されて、カラーフィルタ７０により着色された後、再度第１の偏光板８１を透過して表示領域１００から射出される。オフ状態では、外光は液晶層９５により偏光方向が９０度回転してＸ軸方向の直線偏光となり、同じくＸ軸方向の透過軸を有するワイヤーグリッド２５を透過する。したがって、外光は反射光として表示領域１００から射出されることはなく、暗表示となる。
【００８６】
本実施形態の液晶装置は縦電界方式を採用し、対抗基板１１に共通電極３０を形成しているところに特徴がある。本実施形態の共通電極３０は、基板上の少なくとも表示領域１００の全面に形成されるため、ワイヤーグリッド２５の保護膜としても機能させることができる。したがって、製造コストを抑制しつつ反射偏光子としてワイヤーグリッド２５を用いた半反射透過型の液晶装置を得ることができる。
【００８７】
なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。また、第２の保護膜４２は必須ではなく、カラーフィルタ７０の形成材料によっては、ＴＦＴ１１０上に直接カラーフィルタ７０を形成することも可能である。
（第４の実施形態）
【００８８】
図９に、第４の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図７のＢ−Ｂ’線における断面と同一個所の断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。本実施形態の液晶装置は、第３の実施形態にかかる液晶装置と同様の縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様は図７に示す第３の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そこで、回路図及び平面図は省略している。そして、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。
【００８９】
本実施形態の液晶装置は、共通電極３０が、酸化シリコンからなる第１の保護膜４１上に積層されていることが特徴である。対向基板１１の液晶層９５側の面にはワイヤーグリッド２５が形成され、該ワイヤーグリッドを覆うように、第１の保護膜４１が対向基板１１の液晶層９５側の面の全域に形成されている。したがって、ワイヤーグリッド２５上には、第１の保護膜４１と共通電極３０であるＩＴＯ膜の計２層の膜が積層されている。
【００９０】
酸化シリコンはＩＴＯよりも屈折率が小さいため、かかる構造により増感作用を得て、ワイヤーグリッド２５の反射率を向上させることができる。したがって、明表示時における反射表示領域の輝度を向上させることができ、表示品質の向上した液晶装置を得ることができる。
【００９１】
また、第３の実施形態にかかる液晶装置のように共通電極３０をワイヤーグリッド２５の保護膜としても機能させる場合、該共通電極３０の膜厚は略１００ｎｍが必要である。しかし、ワイヤーグリッド２５の上層に単一の材料からなる膜厚が１００ｎｍの膜層を形成すると、反射率が低下するとともに、共振による着色作用が生じる。その結果、反射表示領域７８では、明表示時における表示品質が低下する。
【００９２】
本実施形態の液晶装置は、共通電極３０であるＩＴＯ膜とワイヤーグリッド２５との間に第１の保護膜４１を別途形成することにより、ワイヤーグリッド２５の反射率の低下を抑制しつつ、反射光の着色作用を抑制できる。したがって、表示品質の向上した半透過反射型の液晶装置を得ることができる。
【００９３】
なお、上記構造における各膜の膜厚は共通電極３０が４０〜５０ｎｍ、第１の保護膜４１が７０〜９０ｎｍが好ましい。また、第１の保護膜４１の形成材料は酸化シリコンに替えて窒化シリコンを用いることもできる。
なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
（第５の実施形態）
【００９４】
図１０に、第５の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図７のＢ−Ｂ’線における断面と同一個所の断面を、バックライトユニット９０と共に示す模式断面図である。本実施形態の液晶装置は、第３及び第４の実施形態にかかる液晶装置と同様の、縦電界方式を用いた半透過反射型の液晶装置である。回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様であり、構成要素の平面的な態様は図７に示す第３の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そこで、回路図及び平面図は省略している。そして、共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は省略している。
【００９５】
本実施形態の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と同様に、カラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている点に特徴がある。すなわち、素子基板１０の液晶層９５側の面にカラーフィルタ７０が形成され、該カラーフィルタの上層にＴＦＴ１１０及び蓄積容量１０８が形成されている。また、第４の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５上には、第１の保護膜４１と共通電極３０であるＩＴＯ膜の計２層の膜が積層されている点も特徴である。したがって、本実施形態の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と第４の実施形態にかかる液晶装置の双方の効果を併せ持つことができる。すなわち、本実施形態の液晶装置は、カラーフィルタ７０による反射抑制機能によりＴＦＴ１１０による外光の反射を抑制できる。また、ワイヤーグリッド２５の反射効率を向上させつつ反射光が着色されることを抑制できる。したがって、反射表示時の表示品質を向上できる。
【００９６】
なお、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、ワイヤーグリッド２５の下層に透明な感光性樹脂等を用いて凹凸を形成し、散乱機能を付与してもよい。かかる散乱機能により反射表示時の光量を増加させて、表示品質をより一層向上させることができる。
また本実施形態の液晶装置は、ＴＦＴ１１０が、カラーフィルタ７０ではなく層間絶縁膜４３で覆われている。したがって、第３の実施形態にかかる液晶装置と同じく、第２の保護膜４２は形成されていない。
（変形例１）
【００９７】
図１１に、変形例１にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そして、構成要素の平面的な態様は、図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と略同様であり、反射偏光子としてのワイヤーグリッド２５が全面に形成されている点で異なっている。
【００９８】
ワイヤーグリッド２５が全面に形成され、透過表示領域７７がないため、カラーフィルタ７０は濃色部と淡色部とに区画されておらず、少なくとも画素電極２０が形成されている領域内では同一の濃度である。透過表示を行わないため、第１の実施形態にかかる液晶装置と異なり、バックライトユニット９０及び第２の偏光板８２は備えていない。
本変形例にかかる液晶装置は、第１の実施形態にかかる液晶装置と同様に、プロセス起因によるワイヤーグリッド２５のダメージを抑制できる。したがって、高品質のワイヤーグリッド２５を形成することができ、表示品質を向上させることができる。
（変形例２）
【００９９】
図１２に、変形例２にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される半透過反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。そして、構成要素の平面的な態様は、図２に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と略同様であり、カラーフィルタ７０の上層すなわちカラーフィルタ７０と画素電極２０（及び共通電極３０）との間に無色透明の樹脂層４４が形成されている点で異なっている。
【０１００】
該樹脂層は平坦化膜として機能しており、カラーフィルタ７０の表面に残留しているＴＦＴ１１０で生じた凹凸を打ち消して、画素電極２０（及び共通電極３０）の下層を平坦にしている。平坦化のための膜をカラーフィルタ７０とは別に設けたため、本変形例の液晶装置はカラーフィルタ７０を透過光又は反射光の着色にのみ必要な厚さに形成でき、材料選択の幅を広げることもできる。また、第１の配向膜８３と第２の配向膜８４との間隔すなわち液晶層９５の層厚を均一化できるため、画素内の電界の強度を均一化でき、表示品質を向上させることができる。
なお、樹脂層４４は感光性であることが好ましい。カラーフィルタ７０を各画素毎にパターニングする際のレジストを兼用させることができる。
（変形例３）
【０１０１】
図１３に、変形例３にかかる液晶装置の模式断面図を示す。図２のＡ−Ａ’線における断面と同一個所の断面を示す図である。本変形例の液晶装置はＩＰＳ方式で駆動される半透過反射型の液晶装置であり、回路構成は図１に示す第１の実施形態にかかる液晶装置と同様である。
【０１０２】
本変形例の液晶装置は、第２の実施形態にかかる液晶装置と同様に、カラーフィルタ７０が素子基板１０とＴＦＴ１１０との間に形成されている。そして、ＴＦＴ１１０が形成されている領域では、カラーフィルタ７０と素子基板１０との層間にブラックマトリクス９８が形成されている。ブラックマトリクス９８は遮光性の樹脂で形成され、外光を吸収することにより、該外光がＴＦＴ１１０により反射されることを回避している。したがって、本変形例の液晶装置は、反射表示時のコントラスト等を改善でき、表示品質を向上させることができる。
（電子機器）
【０１０３】
次に、実施形態にかかる液晶装置を適用した電子機器の具体例について、図１４を参照して説明する。図１４は、上述の第１〜第５の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを備えた携帯電話の斜視図である。携帯電話本体５００に、上述の液晶装置を備えた表示部５０１が備えられている。品質の向上した反射偏光子としてのワーヤーグリッドを備えているため、消費電力の抑制と表示画像の品質を高いレベルで両立している。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】液晶装置の全体構成を模式的に示す回路構成図。
【図２】第１の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。
【図３】第１の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図４】（ａ）はワイヤーグリッドの模式斜視図、（ｂ）はワイヤーグリッドの模式断面図。
【図５】第１の実施形態にかかる液晶装置の構成要素の光学軸を示す図。
【図６】第２の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図７】第３の実施形態にかかる液晶装置の模式平面図。
【図８】第３の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図９】第４の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１０】第５の実施形態にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１１】変形例１にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１２】変形例２にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１３】変形例３にかかる液晶装置の模式断面図。
【図１４】実施形態にかかる液晶装置を適用した電子機器の具体例を示す図。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…第１の基板としての素子基板、１１…第２の基板としての対向基板、２０…画素電極、２１…金属体、２５…反射偏光子としてのワイヤーグリッド、２６…透明基板、２７…透光性絶縁膜としての保護膜、３０…共通電極、３１…第１の透過軸、３２…第２の透過軸、３３…第３の透過軸、３４…ラビング方向、３５…反射軸、４１…第１の保護膜、４２…第２の保護膜、４３…層間絶縁膜、４４…樹脂層、６１…ソース電極、６２…ドレイン電極、６３…真性半導体層、６４…ｎ+シリコン層、６５…ゲート絶縁膜、６６…コンタクトホール、７０…カラーフィルタ、７１…濃色部、７２…淡色部、７５…分割線、７７…透過表示領域、７８…反射表示領域、８１…第１の偏光板、８２…第２の偏光板、８３…第１の配向膜、８４…第２の配向膜、９０…バックライトユニット、９１…導光板、９２…反射板、９３…蛍光管、９５…液晶層、９８…ブラックマトリクス、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…データ線、１０６…容量線、１０８…蓄積容量、１１０…スイッチング素子としてのＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…データ線駆動回路、５００…携帯電話本体、５０１…表示部。
【図１】
2009086127.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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