(57)【要約】【課題】複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】２つのノズル３Ａ，３Ｂが単一のノズルアーム３１に装着される。このノズルアーム３１が移動されてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが同時に挿入される。各ノズル３Ａ，３Ｂには単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに発生する気流の乱れが低減される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。【選択図】図６
2009070946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して所定の表面処理を施す基板処理装置において、
回転自在に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転手段と、
前記基板表面に向けて前記処理液を吐出する単一の吐出口がそれぞれに開口されるとともに、互いに同一形状に形成された複数のノズルと、
前記複数のノズルを保持する単一の保持手段と、
前記回転部材に上方に向けて突設され、前記基板の裏面に当接して前記基板を前記回転部材から離間させて支持する３個以上の支持部材と、
前記支持部材に支持された前記基板の表面に対向して離間配置され、しかも前記基板表面と対向する基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔が前記複数ノズルに対応して複数個互いに同一形状に形成された対向部材と、
前記基板対向面と前記基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給して前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる押圧手段と、
前記保持手段を移動させて前記複数のノズル挿入孔の各々に前記複数のノズルを同時に挿入させることによって前記複数ノズルからの処理液の吐出を可能とする移動手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記複数のノズル挿入孔は前記対向部材の周縁部に形成され、
前記保持手段に保持された前記複数のノズルの各々は各ノズル挿入孔に挿入された状態で前記基板の表面周縁部に前記処理液を供給する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の表面周縁部に存在する不要物を薬液によりエッチングして該表面周縁部から除去する請求項２記載の基板処理装置であって、
前記複数のノズルが互いに隣接して前記保持手段に保持され、
前記複数のノズルの各々に対して同一種類の薬液を前記処理液として供給する薬液供給手段が前記複数のノズルに連通され、前記複数のノズルの各々は前記薬液供給手段からの前記薬液を前記基板の表面周縁部に向けて同時に吐出する基板処理装置。
【請求項４】
前記複数ノズルのうちの少なくとも１以上のノズルには該ノズルに対して前記処理液としてリンス液を供給するリンス液供給手段が連通され、前記ノズルは前記基板の表面周縁部への薬液供給後、前記リンス液供給手段からの前記リンス液を前記基板の表面周縁部に向けて吐出する請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板の表面周縁部に存在する不要物を薬液によりエッチングして該表面周縁部から除去する請求項２記載の基板処理装置であって、
前記保持手段は前記ノズルを２つ互いに隣接して保持し、
前記２つのノズルのうちの一方が薬液を前記基板の表面周縁部に供給する薬液ノズルであり、他方が前記基板の表面周縁部にリンス液を供給するリンスノズルであり、
前記リンスノズルは前記基板の回転方向において前記薬液ノズルからの前記薬液の供給位置に対して下流側で前記薬液が供給された直後の直後位置に前記リンス液を供給する基板処理装置。
【請求項６】
前記保持手段は前記複数ノズルを装着する単一の保持板を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display；電界放出ディスプレイ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して所定の表面処理を施す基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板に対して一連の処理を施す製造プロセスにおいては、基板の表面に各種薄膜を形成するために成膜工程が実行される。この成膜工程では基板の裏面あるいは基板表面の周縁部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板表面の中央部の回路形成領域のみであり、基板の裏面あるいは基板表面の周縁部に成膜されてしまうと、次のような問題が起こることがある。すなわち、成膜工程の後工程において、基板表面の周縁部に形成された薄膜が他の装置との接触により剥がれたりすることがある。そして、剥がれた薄膜が基板表面の中央部の回路形成領域や基板処理装置に付着することが原因となって製造品の歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルを引き起こすことがある。
【０００３】
そこで、基板の裏面および基板の表面周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、スピンベースから上方に突出して設けられ、基板の裏面周縁部に当接しつつ基板を支持する支持部材に対し、表面に薄膜が形成された基板が基板表面を上方に向けて水平に保持される。そして、基板の上方に配置された雰囲気遮断板（本発明の「対向部材」に相当）から雰囲気遮断板と基板表面との間に形成された間隙空間にガスを供給する。これにより、基板を支持部材に押圧させて基板をスピンベースに保持させた状態で基板を回転させる。
【０００４】
また、雰囲気遮断板が基板表面と対向する基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔にノズルを挿入して、ノズルから回転している基板の表面周縁部に向けて処理液を供給する。具体的には、ノズル先端部には薬液吐出用の薬液吐出口とリンス液吐出用のリンス液吐出口とが開口しており、薬液吐出口から基板の表面周縁部に向けて薬液が吐出されることで基板の表面周縁部に付着している不要物（薄膜）がエッチング除去される。続いて、リンス液吐出口から基板の表面周縁部に向けてリンス液が吐出されることで基板の表面周縁部に残留する薬液が洗い流される。さらに、回転している基板の裏面に対して薬液およびリンス液が順に供給される。これにより、基板裏面から不要物が除去される。このようにして、基板裏面および基板表面の周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４１４４４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記装置のように、間隙空間にガスを供給することにより、基板を支持部材に押圧させて基板をスピンベースに保持させる方式では、基板を支持部材に均一に押圧させる観点から基板対向面に形成されたノズル挿入孔の開口部は極力小さくすることが望ましい。というのも、基板を回転させながら間隙空間にガスが供給されると、間隙空間にガスによる気流が発生する。ここで、基板対向面にノズル挿入孔の開口部が形成されていると、開口部が形成された部分において間隙空間に発生する気流が乱れ、基板の支持部材への押圧力に変動をきたすおそれがあるからである。
【０００７】
しかしながら、上記従来装置においては、１つのノズルに対して薬液吐出口とリンス液吐出口の２つの吐出口を開口させている。このように１つのノズルに対して複数の吐出口を開口させると、ノズル先端部の形状が大きくなる結果、該ノズル先端部に対応して形成されたノズル挿入孔の開口部が大きくなってしまう。その結果、基板を支持部材に均一に押圧させるという要請に反することとなっていた。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置であって、回転自在に設けられた回転部材と、回転部材を回転させる回転手段と、基板表面に向けて前記処理液を吐出する単一の吐出口がそれぞれに開口されるとともに、互いに同一形状に形成された複数のノズルと、複数のノズルを保持する単一の保持手段と、回転部材に上方に向けて突設され、基板の裏面に当接して基板を回転部材から離間させて支持する３個以上の支持部材と、支持部材に支持された基板の表面に対向して離間配置され、しかも基板表面と対向する基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔が複数ノズルに対応して複数個設けられた対向部材と、基板対向面と基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給して基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させる押圧手段と、保持手段を移動させて複数のノズル挿入孔の各々に複数のノズルを同時に挿入させることによって複数ノズルからの処理液の吐出を可能とする移動手段とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明では、基板がその裏面に当接する３個以上の支持部材により支持されるとともに、間隙空間に供給されるガスによって支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、回転部材が回転されると、支持部材に押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力によって支持部材に支持されながら回転部材とともに回転する。その状態で対向部材に形成された複数のノズル挿入孔の各々に複数のノズルが同時に挿入され、複数ノズルからの処理液の吐出が可能となる。ここで、各ノズルには単一の吐出口が開口しているのみであり、各ノズル先端部の形状をコンパクトに構成することができる。したがって、複数ノズルに対応して基板対向面に形成されるノズル挿入孔の開口部を小さくすることができる。このため、間隙空間に供給されたガスによる気流が乱れるのを低減することができる。しかも、各ノズルは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔が互いに同一形状に形成されているので、各ノズルと各ノズル挿入孔との間の位置関係を一定にすることができる。このため、ノズル挿入孔および該ノズル挿入孔に挿入されたノズルが間隙空間に発生する気流に与える影響を均一にすることができる。したがって、基板を支持部材に均一に押圧させることができる。
【００１１】
また、複数のノズルを単一の保持手段で保持するとともに、保持手段を移動させて複数のノズル挿入孔の各々に複数のノズルを同時に挿入させているので、基板に対する各ノズルのノズル位置の調整を比較的短時間で実行することができる。すなわち、各ノズルからの処理液を基板表面の所定の領域に供給するためには、基板に対するノズルの相対位置を適切に調整する必要がある。ここで、単一の吐出口がそれぞれに開口された複数のノズルの各々を単に基板に対して位置決めする（ノズル挿入孔に挿入する）ことを考えると、互いに独立した駆動部により駆動することができる。しかしながら、このように各ノズルごとに独立に駆動する構成を採用した場合には、基板Ｗに対するノズル位置の調整を各ノズルごとに行う必要があり、調整に多大な時間を要するという問題があった。これに対し、この発明によれば、複数のノズルの間の相対位置関係は固定されていることから複数のノズルを１つの物体として見做して一体的に調整すれば足りる。すなわち、複数のノズル３のうちの１つに対してノズル位置を調整すれば、他のノズルのノズル位置は自ずと調整される。したがって、ノズル位置の調整時間を大幅に短縮することができる。しかも、単一の駆動機構（移動手段）によって複数のノズルを駆動することとなるため、複数のノズルの各々を独立に駆動する場合に比較して駆動構成を簡素化することができる。
【００１２】
ここで、複数のノズル挿入孔を対向部材の周縁部に形成し、保持手段に保持された複数のノズルの各々を各ノズル挿入孔に挿入させた状態で基板の表面周縁部に処理液を供給するように構成してもよい。この構成によれば、各ノズルから基板の表面周縁部に供給される処理液の供給位置の相対位置関係が一定に保たれる。このため、各ノズルごとに基板の周端面から内側に向かって処理される幅（以下「周縁処理幅」という）が複数のノズルの間で変動するのを防止することができる。つまり、複数のノズルのうちの一のノズルによる周縁処理幅と複数のノズルのうちの他のノズルによる周縁処理幅との関係を一定にすることができる。
【００１３】
また、基板の表面周縁部に存在する不要物を薬液によりエッチングして該表面周縁部から除去する基板処理装置においては、複数のノズルが互いに隣接して保持手段に保持され、複数ノズルの各々に対して同一種類の薬液を処理液として供給する薬液供給手段が複数のノズルに連通され、複数のノズルの各々は薬液供給手段からの薬液を基板の表面周縁部に向けて同時に吐出するように構成してもよい。この構成によれば、複数のノズルから同時に薬液が基板の表面周縁部に局部的に供給される。このため、エッチング除去対象となっている不要物として、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）やシリコン酸化膜よりも比誘電率の高い絶縁膜（Ｈｉｇｈ―ｋ膜）等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が形成されている場合（エッチングレートが低くなる場合）であっても、該薄膜に対して複数ノズルから局部的に薬液が供給されるので、基板の表面周縁部から不要物を効率よくエッチング除去することができる。
【００１４】
また、複数ノズルのうちの少なくとも１以上のノズルには該ノズルに対して処理液としてリンス液を供給するリンス液供給手段が連通され、ノズルは基板の表面周縁部への薬液供給後、リンス液供給手段からのリンス液を基板の表面周縁部に向けて吐出するように構成してもよい。この構成によれば、薬液供給後、複数ノズルのうちの少なくとも１以上のノズルからリンス液が供給される。このため、対向部材の中心と基板の中心とが偏心（位置ずれ）している場合であっても、基板に対する薬液供給位置とリンス液供給位置とを同一とすることができ、位置ずれによる影響を各ノズル間で考慮する必要がない。より具体的には、薬液を供給するノズル（以下「薬液ノズル」という）とリンス液を供給するノズル（以下「リンスノズル」という）とを互いに独立して駆動した場合には、対向部材の中心と基板の中心とが偏心していると、薬液ノズルがリンスノズルに対して基板の径方向内側に位置することがある。その結果、リンス液供給位置よりも基板の径方向内側に薬液が供給され、リンス液供給範囲が薬液供給範囲よりも狭くなってしまう。その結果、薬液で処理された領域のうちリンス液で処理できない領域が発生し、リンス不良を引き起こすことがあった。これに対し、この構成によれば、対向部材と基板との間の位置ずれの発生にかかわらず、基板に対する薬液供給位置とリンス液供給位置とが同一となるので、このようなリンス不良が発生するのを防止することができる。
【００１５】
また、基板の表面周縁部に存在する不要物を薬液によりエッチングして該表面周縁部から除去する基板処理装置においては、保持手段はノズルを２つ互いに隣接して保持し、２つのノズルのうちの一方が薬液を基板の表面周縁部に供給する薬液ノズルであり、他方が基板の表面周縁部にリンス液を供給するリンスノズルであり、リンスノズルは基板の回転方向において薬液ノズルからの薬液の供給位置に対して下流側で薬液が供給された直後の直後位置にリンス液を供給するように構成してもよい。この構成によれば、薬液の供給位置に対して下流側で薬液が供給された直後の直後位置にリンス液が供給される。このため、エッチング除去対象となっている不要物として、例えばテトラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）膜等の薬液により比較的容易にエッチング除去される薄膜が形成されている場合（エッチングレートが過度に高くなる場合）であっても、表面周縁部に供給された薬液によるエッチングの径方向内側への進行を抑制することができる。その結果、周縁処理幅を正確にコントロールすることができる。また、薬液が供給された直後の直後位置にリンス液を供給することで薬液の基板の表面中央部（非処理領域）への跳ね返りを防止することができる。
【００１６】
また、保持手段は複数ノズルを装着する単一の保持板を有することで、複数のノズルを保持し、一体的に移動させることが容易となる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、複数のノズルの各々には単一の吐出口が開口しているのみであり、各ノズル先端部の形状をコンパクトに構成することができ、ノズル挿入孔の開口部を小さくすることができる。このため、間隙空間に発生する気流が乱れるのを低減することができる。しかも、各ノズルが互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔が互いに同一形状に形成されているので、ノズルとノズル挿入孔との間の位置関係を一定にすることができる。このため、間隙空間に発生する気流に与える影響を均一にすることができる。したがって、基板を支持部材に均一に押圧させることができる。また、複数のノズルを単一の保持手段で保持するとともに、保持手段を移動させて複数のノズル挿入孔の各々に複数のノズルを同時に挿入させているので、基板に対する各ノズルの位置決めを比較的短時間で実行することができる。しかも、単一の駆動手段（移動手段）によって複数のノズルを駆動することとなるため、複数のノズルの各々を独立に駆動する場合に比較して駆動構成を簡素化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Ｗの表面Ｗｆの周縁部を洗浄する装置、具体的には基板Ｗの表面Ｗｆの周縁部に存在する薄膜（不要物）または該周縁部および基板裏面Ｗｂに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。つまり、処理対象となっている基板Ｗには、薄膜が基板表面Ｗｆに形成された基板や上記薄膜が表裏面Ｗｆ，Ｗｂに形成された基板が含まれる。そこで、基板表面Ｗｆのみに薄膜が形成されている場合には、基板表面Ｗｆの周縁部ＴＲ（本発明の「表面周縁部」に相当）にフッ酸、塩酸等の薬液およびＤＩＷ（deionized water：脱イオン水）などのリンス液（以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という）を供給して表面周縁部ＴＲから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂを洗浄する。また、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂに薄膜が形成されている場合には、表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂに処理液を供給して表面周縁部ＴＲおよび裏面Ｗｂから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面を意味している。
【００１９】
この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル２と、基板表面Ｗｆ側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給する複数（この実施形態では２つ）のノズル３Ａ，３Ｂと、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置された対向部材５とを備えている。
【００２０】
スピンチャック１では、中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転中心Ａ０を中心に回転支軸１１が回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部にはスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転中心Ａ０を中心に回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「回転手段」として、スピンベース１５が本発明の「回転部材」として機能する。
【００２１】
また、中空の回転支軸１１には処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１は薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液としてＤＩＷが選択的に供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、環状のガス供給路２３を形成している。このガス供給路２３はガス供給ユニット１８と接続されており、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに対向するスピンベース１５の上面とに挟まれた空間に窒素ガスを供給できる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２２】
図３はスピンベースを上方から見た平面図である。スピンベース１５の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース１５の周縁部付近には複数個（この実施形態では６個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６と、複数個（この実施形態では６個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６とが本発明の「支持部材」として昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されているとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ６が円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ６の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されている。つまり、第１および第２支持ピンからなる一対の支持ピンが円周方向に沿って回転中心Ａ０を中心として放射状に６対、スピンベース１５の周縁部に上方に向けて設けられている。
【００２３】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ６および第２支持ピンＳ１〜Ｓ６の各々は基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された６個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る６個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６は第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を６個とすることで安定して基板Ｗを支持できる。
【００２４】
図４は支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を昇降可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を昇降させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、フッ酸等の薬液により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。
【００２５】
上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６では、昇降駆動部６３が制御ユニット８からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。一方で、支持ピンＳ１〜Ｓ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群のみにより支持される。
【００２６】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持された基板Ｗに対向する円盤状の対向部材５が水平に配設されている。対向部材５はスピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には対向部材回転機構５４が連結されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて対向部材回転機構５４のモータを駆動させることで対向部材５を回転中心Ａ０回りに回転させる。また、制御ユニット８は対向部材回転機構５４をチャック回転機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で対向部材５を回転駆動できる。
【００２７】
また、対向部材５は対向部材昇降機構５５と接続され、対向部材昇降機構５５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、対向部材５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。例えば基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、制御ユニット８はスピンチャック１から上方に十分に離れた離間位置に対向部材５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対して洗浄処理を施す際には、制御ユニット８はスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された対向位置まで対向部材５を下降させる。これにより、対向部材５の下面５０１（本発明の「基板対向面」に相当）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で対向配置される。
【００２８】
回転支軸５１の中空部には、ガス供給路５７が形成されている。このガス供給路５７はガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１とに挟まれた間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給可能となっている。このように、この実施形態では、ガス供給ユニット１８が本発明の「押圧手段」として機能する。
【００２９】
図５は対向部材の下面を見た図である。この対向部材５の下面５０１は基板Ｗの直径と同等以上の平面サイズを有している。このため、対向部材５が近接位置に配置されると基板表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断可能となっている。この対向部材５の下面５０１には、複数のガス吐出口５０２が形成されている。これらのガス吐出口５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部、つまり表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲ（図１）に対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス吐出口５０２は対向部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３に連通しており、ガス流通空間５０３にガス供給路５７を介して窒素ガスが供給されると、複数のガス吐出口５０２を介して窒素ガスが間隙空間ＳＰに供給される。
【００３０】
そして、対向部材５が近接位置に位置決めされた状態で、複数のガス吐出口５０２から間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給されると、間隙空間ＳＰの内部圧力が高まり基板Ｗがその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。この押圧状態のまま制御ユニット８の動作指令に応じてスピンベース１５が回転すると、基板裏面Ｗｂと支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６との間に発生する摩擦力によって基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、間隙空間ＳＰに供給された窒素ガスは基板Ｗの径方向外側へと流れていく。
【００３１】
この対向部材５の周縁部には、対向部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通する２つのノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが形成され、対向部材５の下面５０１に２つの開口部５２１が形成されている。そして、これらのノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが挿入されて該挿入状態でノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂから基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向う方向に処理液を吐出することができる。ノズル挿入孔５２Ａとノズル挿入孔５２Ｂとは互いに同一形状に形成されるとともに、対向部材５の中心（回転中心Ａ０）からの距離が同一となる位置に周方向に隣接して形成されている。このため、ノズル３Ａ，３Ｂがそれぞれノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに挿入された状態では、平面視でノズル３Ａ，３Ｂは対向部材５の中心を中心とする所定の円周上に周方向に沿って互いに隣接して配置される。
【００３２】
図６はノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。ここで、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂは互いに同一構成を有しているため、ここではノズル挿入孔５２Ａの構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。また、ノズル３Ａ，３Ｂについても吐出可能な処理液の種類の数が異なる点を除いて同一形状に構成されているため、ノズル３Ａを中心に図１、図２、図５および図６を参照しつつ説明する。
【００３３】
２つのノズル３Ａ，３Ｂは水平方向に延びる板状のノズルアーム３１（本発明の「保持板」に相当）の一方端に互いに隣接して取り付けられている。より具体的には、ノズル３Ａ，３Ｂはそれぞれ、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに挿入させることが可能な位置に単一のノズルアーム３１の一方端に装着されている。このノズルアーム３１の他方端はノズル移動機構３３（図２）に接続されている。さらに、ノズル移動機構３３は第１および第２ノズル３Ａ，３Ｂを一体的に水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じてノズル移動機構３３が駆動されることで、２つのノズル３Ａ，３Ｂの各々をノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに同時に挿入して表面周縁部ＴＲに薬液またはＤＩＷを供給可能な供給位置Ｐ３１と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ３２とに移動させることができる。このように、この実施形態では、ノズルアーム３１が本発明の「保持手段」として、またノズル移動機構３３が本発明の「移動手段」として機能する。
【００３４】
ノズル３Ａ（または３Ｂ）は対向部材５に設けられたノズル挿入孔５２Ａ（または５２Ｂ）の形状に合わせた形状を有している。すなわち、ノズル３Ａのノズル外径は必要以上にノズル挿入孔５２Ａの開口部５２１の開口径を大きくすることのないように形成される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂが互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、ノズル３Ａ，３Ｂとノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂとの間の位置関係を一定にすることができる。
【００３５】
また、ノズル３Ａでは、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部３０２の断面積がノズル後端側の胴部３０３の断面積より小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部３０２とノズル後端側の胴部３０３との間に段差面３０４が形成されている。すなわち、ノズル先端側の胴部３０２の外周面（側面）とノズル後端側の胴部３０３の外周面（側面）は段差面３０４を介して結合されている。この段差面３０４はノズル先端側の胴部３０２を取り囲むように、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。
【００３６】
また、ノズル３Ａ，３Ｂの内部には液供給路３０１が形成されている。液供給路３０１の先端部（下端部）には、吐出口３０１ａが形成されている。この吐出口３０１ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口している。このため、液供給路３０１に処理液が供給されると、吐出口３０１ａから処理液が径方向外向きに吐出される。このように、ノズル３Ａ，３Ｂの先端部には、単一の吐出口３０１ａのみが開口されており、ノズル先端部の形状がコンパクトに構成されている。
【００３７】
ノズル３Ａの液供給路３０１は第１配管８１に連通しており、この第１配管８１はＤＩＷ供給ユニット１７に接続されている。第１配管８１には、分岐点８３で分岐した第２配管８５が接続されており、この第２配管８５は薬液供給ユニット１６に接続されている。第１配管８１および第２配管８５は、例えば軟質合成樹脂製のチューブで構成されている。このため、制御ユニット８の動作指令に応じて薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７を作動させることで、薬液またはＤＩＷを選択的に供給可能となっている。より具体的には、薬液供給ユニット１６から薬液が液供給路３０１に圧送されると、ノズル３Ａから薬液が径方向外向きに吐出されて表面周縁部ＴＲに供給される。こうして供給された薬液は基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも径方向内側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、基板Ｗの周端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、ＤＩＷ供給ユニット１７からＤＩＷが液供給路３０１に圧送されると、ノズル３ＡからＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲに供給された薬液がＤＩＷで洗い流される。
【００３８】
一方で、ノズル３Ｂの液供給路３０１は配管８７に連通しており、この配管８７は薬液供給ユニット１６に接続されている。このため、制御ユニット８の動作指令に応じて薬液供給ユニット１６を作動させることで、薬液が液供給路３０１に圧送され、ノズル３Ｂから径方向外向きに吐出されて表面周縁部ＴＲに供給される。このように、この実施形態では、周方向に沿って互いに隣接して配置されたノズル３Ａ，３Ｂから同時に同一種類の薬液を表面周縁部ＴＲに局部的に供給することができる。すなわち、ノズル１本では吐出流量にも限度があるが、ノズル３Ａ，３Ｂを互いに隣接して配置させることで、表面周縁部ＴＲに対して局部的にノズル２本分の流量で薬液を供給することが可能となっている。このように、この実施形態では、薬液供給ユニット１６に接続された第２配管８５、配管８７が本発明の「薬液供給手段」として機能する一方、ＤＩＷ供給ユニット１７に接続された第１配管８１が本発明の「リンス液供給手段」として機能する。
【００３９】
また、ノズル挿入孔５２Ａ（または５２Ｂ）は次のように構成されている。このノズル挿入孔５２Ａの内壁には、図６に示すように、ノズル３Ａ（または３Ｂ）の段差面３０４と当接可能な円環状の当接面５２２が形成されている。そして、ノズル３Ａ，３Ｂがノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに挿入されると、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々において段差面３０４と当接面５２２とが当接することで、ノズル３Ａ，３Ｂが処理位置Ｐ３１（図１）に位置決めされる。また、この位置決め状態でノズル３Ａ，３Ｂの先端面は対向部材５の下面（基板対向面）５０１と面一になっている。なお、当接面５２２は対向部材５の下面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、段差面３０４と面接触するようになっている。このため、ノズル３Ａ，３Ｂを処理位置Ｐ３１に位置決めする際に、ノズル３Ａ，３Ｂが対向部材５に当接して位置固定され、ノズル３Ａ，３Ｂを安定して位置決めすることができる。
【００４０】
また、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの内壁には、ガス導入口５０５が開口されており、ガス導入口５０５からノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの内部空間に窒素ガスを供給可能となっている。ガス導入口５０５はガス流通空間５０３を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、ガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの内部空間に窒素ガスが供給される。これにより、ノズル３Ａ，３Ｂが待機位置Ｐ３２に位置決めされた状態、つまり、ノズル３Ａ，３Ｂがノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに未挿入の状態では、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂにノズルが未挿入の状態でも、処理液がノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの内壁に付着するのが防止される。
【００４１】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図７および図８を参照しつつ説明する。図７は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。図８は薬液処理およびリンス処理の動作を示す模式図である。この装置では、未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると、制御ユニット８が装置各部を制御して該基板Ｗに対して一連の膜除去処理（薬液処理工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。ここでは、基板表面Ｗfにシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）やシリコン酸化膜よりも比誘電率の高い絶縁膜（Ｈｉｇｈ―ｋ膜）等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が形成された基板Ｗに対して薬液として高濃度フッ酸（４０％水溶液）を用いた表面処理を行う動作について説明する。つまり、基板表面Ｗfが薄膜形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入される。なお、基板搬入時においては、対向部材５は離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００４２】
未処理の基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に載置されると、離間位置にある対向部材５のガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出させる（ステップＳ１）。次に、対向部材５を回転させて、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが所定位置となるように対向部材５を回転方向に関して位置決めする（ステップＳ２）。その後、対向部材５が対向位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ３）。これによって、間隙空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆは対向部材５の下面５０１に覆われて、基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。なお、上記のように基板Ｗはすべての支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６で支持してもよいし、支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群のみにより支持してもよく、あるいは支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群のみにより支持してもよい。
【００４３】
次に、対向部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ４）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６と基板裏面Ｗｂとの間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながらスピンベース１５とともに回転する。続いて、ノズルアーム３１に装着されたノズル３Ａ，３Ｂが一体的に移動され、待機位置Ｐ３２から供給位置Ｐ３１に位置決めされる（ステップＳ５）。具体的には、ノズル３Ａ，３Ｂを水平方向に沿って対向部材５のノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの上方位置にそれぞれ移動させる。そして、ノズル３Ａ，３Ｂを降下させてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに同時に挿入する。
【００４４】
そして、基板Ｗの回転速度が所定速度（例えば６００ｒｐｍ）に達すると、回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲにノズル３Ａ，３Ｂから薬液を連続的に供給する。これにより、図８（ａ）に示すように、２つのノズルＡ，３Ｂから同時に薬液が表面周縁部ＴＲに局所的に供給される。その結果、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる基板端面部分から薄膜が全周にわたってエッチング除去される（ステップＳ６）。そして、薬液処理が完了すると、薬液の供給が停止されるとともに、ノズル３Ａから薬液に代えてＤＩＷが供給される（図８（ｂ））。これによって、表面周縁部ＴＲおよび基板Ｗの端面に対してリンス処理が実行される（ステップＳＴ７）。ノズル３Ａから所定時間ＤＩＷを供給し、リンス処理が完了すると、ＤＩＷの供給が停止される。
【００４５】
リンス処理が完了した後、ノズル３Ａ，３Ｂが処理位置Ｐ３１から待機位置Ｐ３２に位置決めされる（ステップＳ８）。それに続いて、スピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に対向部材５を回転させる（ステップＳ９）。その後、下面処理ノズル２から回転する基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ１０）。具体的には、下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分が洗浄される。
【００４６】
ここで、洗浄処理中に支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６と基板裏面Ｗｂの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄できる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群と支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態から第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第２支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態に移行させた後に、第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第１支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。
【００４７】
こうして、裏面洗浄処理が完了すると、基板Ｗおよび対向部材５を高速（例えば１５００ｒｐｍ）に回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥が実行される（ステップＳ１１）。このとき、基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せてガス供給路２３からも窒素ガスを供給して基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給することで、基板Ｗの乾燥処理が促進される。
【００４８】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、対向部材５の回転を停止させる同時に、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１２）。そして、対向部材５が上昇された後（ステップＳ１３）、ガス吐出口５０２からの窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６への押圧保持が解除され、処理済の基板Ｗが装置から搬出される。
【００４９】
以上のように、この実施形態によれば、ノズル３Ａ，３Ｂの各々には単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、各ノズル３Ａ，３Ｂの先端部の形状をコンパクトに構成することができる。このため、ノズル３Ａ，３Ｂに対応して対向部材の下面５０１に形成されるノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに供給された窒素ガスによって発生する気流が乱れるのを低減することができる。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂが互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、ノズル３Ａ，３Ｂとノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂとの間の位置関係を一定にすることができる。このため、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂおよび該ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂに挿入されたノズル３Ａ，３Ｂが間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。したがって、基板Ｗを支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に均一に押圧させることができる。
【００５０】
また、２つのノズル３Ａ，３Ｂを単一のノズルアーム３１で保持させるとともに、ノズルアーム３１を駆動してノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々に２つのノズル３Ａ，３Ｂを同時に挿入させているので、基板Ｗに対する各ノズルのノズル位置の調整を比較的短時間で実行することができる。すなわち、各ノズル３Ａ，３Ｂからの処理液による周縁処理幅を正確かつ均一にして基板Ｗを処理するためには、ノズル３Ａ，３Ｂの基板Ｗに対する相対位置を適切に調整する必要がある。ここで、単一の吐出口がそれぞれに開口された２つのノズルの各々を単に基板Ｗに対して位置決めする（ノズル挿入孔に挿入する）ことを考えると、互いに独立した駆動部により駆動することができる。しかしながら、このように各ノズルごとに独立に駆動する構成を採用した場合には、基板Ｗに対するノズル位置の調整を各ノズルごとに行う必要があり、調整に多大な時間を要するという問題があった。これに対し、この実施形態によれば、２つのノズル３Ａ，３Ｂの間の相対位置関係は固定されていることから２つのノズル３Ａ，３Ｂを１つの物体として見做して一体的に調整すれば足りる。すなわち、２つのノズル３Ａ，３Ｂのうちの一方のノズルのノズル位置を調整すれば、他方のノズルのノズル位置は自ずと調整される。したがって、ノズル位置の調整時間を大幅に短縮することができる。しかも、単一のノズル移動機構（移動手段）によって２つのノズル３Ａ，３Ｂを駆動することとなるため、２つのノズル３Ａ，３Ｂの各々を独立に駆動する場合に比較して駆動構成を簡素化することができる。
【００５１】
また、この実施形態によれば、２つのノズル３Ａ，３Ｂを互いに隣接してノズルアーム３１に装着し、２つのノズル３Ａ，３Ｂから同時に同一種類の薬液を表面周縁部ＴＲに向けて吐出している。このため、表面周縁部ＴＲに対して局部的にノズル２本分の流量で薬液を供給することができる。これにより、エッチング除去対象となっている不要物として、ＳｉＮ膜やＨｉｇｈ―ｋ膜等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が形成されている場合（エッチングレートが低くなる場合）であっても、該薄膜に対して２つのノズル３Ａ，３Ｂから局部的に薬液が供給されるので、表面周縁部ＴＲから不要物を効率よくエッチング除去することができる。
【００５２】
また、この実施形態によれば、単一のノズルアーム３１に装着された２つのノズル３Ａ，３Ｂのうちノズル３Ａから表面周縁部ＴＲへの薬液供給後、リンス液としてＤＩＷを表面周縁部ＴＲに供給している。このため、２つのノズルを互いに独立に駆動した場合の次のような課題を解決することができる。
【００５３】
図９は２つのノズルの各々を互いに独立に駆動した場合の課題を説明するための図である。図９（ａ）に示す装置では、ノズル４Ａが第１駆動部により処理位置（対向部材５Ａのノズル挿入孔に挿入された位置）と基板Ｗから離れた待機位置に駆動される一方、ノズル４Ｂが第２駆動部により処理位置（対向部材５Ａのノズル挿入孔に挿入された位置）と基板Ｗから離れた待機位置に駆動される。また、ノズル４Ａから薬液が基板Ｗの表面周縁部に供給可能とされる一方、ノズル４Ｂからリンス液としてＤＩＷが基板Ｗの表面周縁部に供給可能とされている。
【００５４】
ここで、図９（ａ）に示すように対向部材５Ａの中心と基板Ｗの中心とが偏心（位置ずれ）している場合には、各ノズル４Ａ，４Ｂと基板Ｗとの間の相対位置関係が各ノズルごとに異なってしまう。その結果、ノズル４Ａはノズル４Ｂに対して基板Ｗの径方向内側に位置することになる。そして、このような状態で基板Ｗに対して薬液およびＤＩＷが供給されると、ＤＩＷ供給位置よりも基板Ｗの径方向内側に薬液が供給されてしまう（図９（ｂ））。つまり、薬液供給範囲よりもＤＩＷ供給範囲が狭くなってしまう。その結果、薬液で処理された領域のうちＤＩＷで処理できない領域が発生し、リンス不良を引き起こすことがあった。これに対し、この実施形態によれば、対向部材５と基板Ｗとの間の位置ずれの発生にかかわらず、基板Ｗに対する薬液供給位置とリンス液供給位置とが同一となるので、このようなリンス不良が発生するのを防止することができる。
【００５５】
＜第２実施形態＞
図１０はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置が第１実施形態と大きく相違する点は、ノズルアーム３１に装着された２つのノズルの一方のノズルから薬液を表面周縁部ＴＲに供給しながら他方のノズルからリンス液としてＤＩＷを表面周縁部ＴＲに供給している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
【００５６】
この実施形態では、表面周縁部ＴＲに薬液を供給するノズル３Ｃと表面周縁部ＴＲにリンス液としてＤＩＷを供給するノズル３Ｄとがノズルアーム３１に取り付けられている。より具体的には、基板Ｗの周方向に沿って互いに隣接してノズルアーム３１に装着されている。ノズル３Ｃとノズル３Ｄとは、吐出する処理液の種類が異なることを除いて同一形状に形成されている。そして、ノズル３Ｃ，３Ｄが対向部材５のノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂにそれぞれ挿入された状態で、ノズル３Ｄは基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３Ｃからの薬液の供給位置Ｐ１に対して下流側で薬液が供給された直後の直後位置Ｐ２にＤＩＷを供給することができる。これにより、図１１に示すように、薬液を供給するノズル４Ｃとリンス液としてＤＩＷを供給するノズル４Ｄとが大きく離間して配置された場合の課題を解決することができる。
【００５７】
図１１に示すように、ノズル４Ｃとノズル４Ｄとを互いに独立して駆動した場合には、２つのノズル４Ｃ，４Ｄを近接して配置することにも限度があり、２つのノズル４Ｃ，４Ｄの間隔は比較的大きくなってしまう。ここで、ノズル４Ｃから表面周縁部ＴＲに供給された薬液は表面周縁部ＴＲに付着し、表面周縁部ＴＲから薄膜（不要物）をエッチング除去する。この表面周縁部ＴＲに付着する薬液によるエッチングの進行は、ノズル４ＤからＤＩＷの供給を受けて薬液が基板Ｗから除去（リンス処理）されるまで継続される。具体的には、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル４Ｃの下流側とノズル４Ｄの上流側との間で薄膜のエッチングが進行する。
【００５８】
しかしながら、例えばテトラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）膜等の薬液により比較的容易にエッチング除去される薄膜が形成されている場合（エッチングレートが過度に高くなる場合）には、表面周縁部ＴＲに付着する薬液が基板Ｗから除去されるまでの間に基板Ｗの径方向内側に回り込み、周縁エッチング幅が拡大してしまう。その結果、周縁エッチング幅を正確にコントロールすることができなくなる場合があった。また、２つのノズル４Ｃ，４Ｄの間隔が比較的大きいことに起因して、表面周縁部ＴＲに薬液が滞留する時間も長くなり、その間に薬液が基板Ｗの表面中央部（非処理領域ＮＴＲ）に跳ね返るおそれがある。
【００５９】
これに対して、この実施形態によれば、２つのノズル３Ｃ，３Ｄを単一のノズルアーム３１に保持させた状態で駆動している。このため、２つのノズル３Ｃ，３Ｄを十分に近接して配置することができ、薬液の供給位置Ｐ１に対して下流側で薬液が供給された直後の直後位置Ｐ２にＤＩＷを供給することができる。このため、エッチング除去対象となっている不要物として、例えばＴＥＯＳ膜等の薬液により比較的容易にエッチング除去される薄膜が形成されている場合であっても、表面周縁部ＴＲに供給された薬液によるエッチングの径方向内側への進行を抑制することができる。その結果、周縁エッチング幅を正確にコントロールすることができる。また、薬液が供給された直後の直後位置Ｐ２にリンス液を供給することで薬液の非処理領域ＮＴＲへの跳ね返りを防止することができる。
【００６０】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに処理液を供給して該表面周縁部ＴＲに存在する不要物（薄膜）を除去している。しかしながら、本発明の適用範囲はこれに限定されず、基板表面Ｗｆの所定の領域に処理液を供給して所定の表面処理を施す装置にも適用することができる。
【００６１】
また、上記実施形態では、２つのノズルをノズルアーム３１に装着させているが、ノズルの個数はこれに限定されず、３つ以上のノズルをノズルアーム３１に装着させてもよい。この場合、上記第１実施形態では、３つ以上のノズルのうちの少なくとも１以上のノズルがリンス液としてＤＩＷの供給を受け、基板表面ＷｆにＤＩＷを供給可能となっていればよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板などを含む各種基板に処理液を供給して基板に対して所定の表面処理を施す基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】支持ピンの構成を示す部分拡大図である。
【図５】対向部材の下面を見た図である。
【図６】ノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。
【図７】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図８】薬液処理およびリンス処理の動作を示す模式図である。
【図９】２つのノズルの各々を互いに独立に駆動した場合の課題を説明するための図である。
【図１０】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図１１】２つのノズルの各々を互いに独立に駆動した場合の課題を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６４】
３Ａ，３Ｂ…ノズル
３Ｃ…薬液ノズル（ノズル）
３Ｄ…リンスノズル（ノズル）
５…対向部材
１３…チャック回転機構（回転手段）
１５…スピンベース（回転部材）
１８…ガス供給ユニット（押圧手段）
３１…ノズルアーム（保持板、保持手段）
３３…ノズル移動機構（移動手段）
５２Ａ，５２Ｂ…ノズル挿入孔
８１…第１配管（リンス液供給手段）
８５…第２配管（薬液供給手段）
８７…配管（薬液供給手段）
３０１ａ…吐出口
５０１…対向部材の下面（基板対向面）
５２１…（ノズル挿入孔の）開口部
Ｆ１〜Ｆ６…第１支持ピン（支持部材）
Ｐ１…（薬液の）供給位置
Ｐ２…直後位置
Ｒ…回転方向
Ｓ１〜Ｓ６…第２支持ピン（支持部材）
ＳＰ…間隙空間
ＴＲ…表面周縁部
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面
【図１】
2009070946.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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