(57)【要約】【課題】平坦化膜の流出をより効果的に防止し、あるいは、その防止手段がより多くの機能を持ち得るような発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、素子基板と、この素子基板上に形成された複数の有機ＥＬ素子と、これらを覆うように形成された平坦化膜８０と、素子基板の上、かつ、当該素子基板と平坦化膜との間に形成されたデータ線６と、平面視して前記平坦化膜の周囲に位置するように且つ前記データ線と同じ層で形成された、前記平坦化膜の流出を防止するための堰止部６０１と、を備える。堰止部６０１は、平坦化膜８０の流出を防止する（図中符号８０ＯＺ参照）とともに、水分及び酸素の基板面内への進入を抑制する（図中符号Ｇ参照）。【選択図】図７
2009129605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の発光素子と、
前記発光素子を覆うように形成された平坦化膜と、
前記基板の上、かつ、当該基板と前記平坦化膜との間に形成された１つ又は複数の層からなる金属膜と、
前記１つ又は複数の層からなる金属膜のいずれかの層で形成された、前記平坦化膜の流出を防止するための堰止部と、
を備え、
前記堰止部は、平面視して前記平坦化膜の周囲に位置するように配置される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記平坦化膜を覆うように形成され、前記発光素子への水分及び酸素の少なくとも一方の進入を抑制する封止膜を更に備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記複数の発光素子の各々を区画するように前記基板上に形成された隔壁を更に備え、
前記平坦化膜は、前記隔壁を覆うように形成される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、前記基板の上でマトリクス状の配列に従って形成されており、
前記１つ又は複数の層からなる金属膜は、
平面視して前記平坦化膜の輪郭線を横切るように配置される複数の第１配線膜を少なくとも含み、
前記堰止部は、
前記複数の第１配線膜の少なくとも一部について形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記堰止部は、
前記第１配線膜と同じ層で形成され、かつ、
当該堰止部は、相互に電気的に接続されない、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記堰止部は、
前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延びる交差部分を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記堰止部は、
前記複数の第１配線膜のうち相隣接する第１配線膜についての２つの前記交差部分間の隙間を埋めるように、当該相隣接する第１配線膜間に形成される補助部分を更に含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記複数の第１配線膜のうちの、ある第１配線膜についての前記交差部分の形成位置は、
当該ある第１配線膜に相隣接する第１配線膜についての前記交差部分の形成位置とは異なる、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記相隣接する第１配線膜に更に相隣接する第１配線膜（前記ある第１配線膜を除く。）についての前記交差部分の形成位置は、
前記ある第１配線膜についての前記交差部分の形成位置と同じである、
ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ある第１配線膜についての前記交差部分の少なくとも一部と、
前記相隣接する第１配線膜についての前記交差部分の少なくとも一部とが、ともに、
それら２本の第１配線膜間に、且つ、当該第１配線膜の延在方向に沿って平行に延びる、ある１本の直線と交わる、
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記堰止部は、
前記第１配線膜に沿って流出してきた前記平坦化膜を受け入れる開口部と、
当該開口部を通じて流入してくる前記平坦化膜を受け止める受止部と、
を含む、
ことを特徴とする請求項４乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記堰止部は、平面視して楔型形状をもつ、
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記堰止部は、平面視して、
前記第１配線膜に交差する部分たる第１辺部と、
当該第１辺部の両端から当該第１配線膜の延在方向に延びる２つの第２辺部と、
を含み、
前記開口部は、前記２つの第２辺部の端部間の空間が該当し、
前記受止部は、前記第１辺部及び前記２つの第２辺部によって囲われた空間が該当する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第１辺部及び前記第２辺部をもつ前記堰止部をもつ第１配線膜に相隣接する第１配線膜についての前記堰止部は、
平面視して、
当該相隣接する第１配線膜に交差する部分たる第３辺部と、
当該第３辺部の両端から当該相隣接する第１配線膜の延在方向に、かつ、前記第２辺部が延びる方向とは逆の方向に延びる２つの第４辺部と、
を含み、
前記第２辺部は、前記第４辺部と前記相隣接する第１配線膜との間に位置する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第１配線膜は、その延在方向に沿ってみて屈曲部を含み、
前記堰止部は、前記屈曲部を含む、
ことを特徴とする請求項４乃至１４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記１つ又は複数の層からなる金属膜は、
前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延び、且つ、平面視して前記平坦化膜の輪郭線を横切るように配置され、且つ、当該第１配線膜との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで前記基板上に形成される複数の第２配線膜を更に含み、
前記複数の第１配線膜について形成される前記堰止部は、
前記第２配線部と同じ層で形成される、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記堰止部は、
前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延びる交差部分を含み、
当該交差部分は、前記複数の第１配線膜のうちの２以上の第１配線膜と交差する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の発光装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、すなわち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機ＥＬ素子を備える画像表示装置が開発されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。
【０００３】
前述の画像表示装置は、典型的には例えば、素子基板上に、画像表示領域とその周辺領域とをもつ。ここで画像表示領域とは、前記の多数の有機ＥＬ素子が例えばマトリクス状に配列された領域である。また、周辺領域には、その有機ＥＬ素子に電源、あるいは各種の信号を供給するための電源回路、各種信号処理回路、更には外部との信号等のやり取りに用いられる入出力端子等が設けられる。
このような画像表示装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
【特許文献１】特開２００５−２５１７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述のような画像表示装置においては、素子基板上の画像表示領域に、前記有機ＥＬ素子等を含む各種の要素からなる積層構造物が構築される。ここで各種の要素とは、例えば、有機ＥＬ素子の定電流源として機能し、あるいはスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、容量素子、抵抗素子、各種の配線、更には、これら各種の回路素子間の短絡を防止するための層間絶縁膜、等々が含まれ得る。
【０００５】
このような積層構造物では、前述の回路素子等が一定の高さをもつために、その表面部に凹凸が形成され得る。この凹凸の存在は、その上に配線を形成する場合には、断線の原因となり、あるいは、有機ＥＬ素子への酸素や水分の侵入を防止するための封止膜を形成する場合には、当該封止膜の破断の原因となる、等、一般に忌避されるべきものと考えられている。
そこで、従来、このような凹凸をいわば均すため、平坦化膜を形成する技術が知られている。
【０００６】
ところが、この平坦化膜は、その下側で凹凸を均しながら、その上面で平坦面を現出する、という役割を実現するために、一定程度流動性の高い材料から作られることがある。そうすると、この平坦化膜の形成に際しては一般に困難が伴う。というのも、当該平坦化膜が、基板の外へ向かって流れ出すおそれが高いからである。もちろん、そのような平坦化膜の流出という事態に備えて、前記周辺領域の大きさを予め広めにとっておく（いわゆる額縁と呼ばれる領域を広めにとっておく）という対策をとることも考えられ得る。しかし、それでは明らかに、装置全体の大型化を招く。
【０００７】
上述した特許文献１では、上で言うところの「平坦化膜」に該当する「緩衝層」を設けるとともに、その「周囲を包囲する枠部」を設ける技術が開示されている（以上、「」内は特許文献１の〔請求項１〕）。これによれば、たしかに、特許文献１において既に指摘されているように、「緩衝層の所定領域外への食み出し（流れ出し）」（特許文献１の〔０００５〕）を一定程度、効果的に防止することはできる。
【０００８】
しかし、特許文献１では、「枠部」を設けて「緩衝層の…食み出し（流れ出し）」を防止する、という基本的思想が開示されてはいるものの、その「食み出し（流れ出し）」が、前記の素子基板上、あるいは積層構造物における、どのような部分で発生しやすいかといった、よりきめ細かな配慮がなされているわけではない。
【０００９】
また、特許文献１において開示されている、この「枠部」の具体的態様は、「親水性を有する高分子材料（有機樹脂材料）」（特許文献１の〔００３７〕）、あるいは「有機バンク層と同一の材料」から形成され得るものとされる（特許文献１の〔００３７〕、あるいは〔請求項８〕参照）。このような構成は、当該「枠部」を比較的容易に製造する等といった観点からみて有意義ではあるが、それ以外の可能性がないではない。
前記画像表示装置が満たすべき要求は各種ある。例えば、前述した封止膜のように、発光素子への水分等の進入を抑制すべきである、といった要求も、その一つである。この観点からすると、前述の「枠部」が「有機」材料から作られるという場合、かかる要求を十分に満たしているとは言えない。
一般に、一定の要素（特許文献１でいえば、前記「枠部」）を特別に備えるのであれば、当該要素は、前記の各種の要求のうち、より多くの要求を満たすべく多義的な機能をもつことが好ましい。そうであれば、当該要素を設けるために特別に材料を用意し、一工程を割くこと、あるいは、当該要素が占有する素子基板上の面積もより生きてくるということになるからである。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、平坦化膜の流出をより効果的に防止し、あるいは、その防止手段がより多くの機能を持ち得るような発光装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る発光装置は、上述した課題を解決するため、基板と、前記基板上に形成された複数の発光素子と、前記発光素子を覆うように形成された平坦化膜と、前記基板の上、かつ、当該基板と前記平坦化膜との間に形成された１つ又は複数の層からなる金属膜と、前記１つ又は複数の層からなる金属膜のいずれかの層で形成された、前記平坦化膜の流出を防止するための堰止部と、を備え、前記堰止部は、平面視して前記平坦化膜の周囲に位置するように配置される。
【００１２】
本発明によれば、まず、平坦化膜が形成されているので、発光素子及び金属膜等の各種要素がもつ高さに起因して形成される凹凸を均すことが可能である。これにより、当該平坦化膜の上に、更に何らかの要素を好適に積み重ねていくことが可能になる。なお、このような凹凸を均す機能をよりよく発揮するためには、当該平坦化膜は、少なくとも成膜時において比較的流動性が大きい材料であることが好ましい。
そして、本発明では特に、このような平坦化膜の周囲に堰止部が存在する。この堰止部は、平坦化膜が前述のように比較的流動性の大きい材料から作られたとしても、その基板外へと向かった流出を防止する。仮に、この堰止部が存在しないならば、平坦化膜の流出が自然に停止する領域を勘案した上で、基板上に、比較的広大な周辺領域を確保する必要がある。この観点からすると、本発明によれば、いわゆる額縁領域の狭小化を実現することができ、もって装置全体の小型化を達成することができる。
また、本発明に係る堰止部は、水分及び酸素の封止機能が比較的高い金属膜と同じ層で形成されているので、発光素子に、それら水分及び酸素が進入していくことが抑制される。これにより、発光素子の長寿命化が達成され得る。
なお、本発明に係る金属膜は、発光素子と電気的に接続されて、当該発光素子に電流等を供給するために用いられ得るが、この場合、堰止部は、そのような、いわば不可欠的要素たる金属膜と同じ層で形成されることから、製造工程の効率化、簡易化もまた達成される。
【００１３】
この発明の発光装置では、前記平坦化膜を覆うように形成され、前記発光素子への水分及び酸素の少なくとも一方の進入を抑制する封止膜を更に備える、ように構成してもよい。
この態様によれば、封止膜が備えられているので、発光素子は前記にも増して長寿命化され得る。
加えて、本態様では特に、前述のように、堰止部は、一般に比較的高さの小さい金属膜と同じ層で形成されているので、当該堰止部の高さ、あるいは当該堰止部の高さに起因して形成される、該堰止部上の層間絶縁膜の表面の凸部の高さは、比較的小さい。そして、封止膜は、このような比較的小さな高さをもつ凸部等の上に形成されるのであるから、その段差部分におけるクラック等はより発生し難くなっている。
要するに、本態様によれば、堰止部が金属膜と同じ層で形成されていることにより、前記封止膜による封止機能が、よりよく享受され得るようになっているのである。
【００１４】
また、本発明の発光装置では、前記複数の発光素子の各々を区画するように前記基板上に形成された隔壁を更に備え、前記平坦化膜は、前記隔壁を覆うように形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記隔壁が、一般に比較的高さの大きい要素であることから、前記平坦化膜により奏される効果がより実効的に享受される。
【００１５】
また、本発明の発光装置では、前記複数の発光素子は、前記基板の上でマトリクス状の配列に従って形成されており、前記１つ又は複数の層からなる金属膜は、平面視して前記平坦化膜の輪郭線を横切るように配置される複数の第１配線膜を少なくとも含み、前記堰止部は、前記複数の第１配線膜の少なくとも一部について形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、複数の発光素子がマトリクス状に配列された画像表示領域から、その周辺領域にわたって、複数の第１配線膜が延びているという構造が典型的には想定される。また、複数の第１配線膜は、平面視した場合における前記平坦化膜の輪郭線と交わる。この場合、第１配線膜は一定の高さをもつから、それに起因した凸部が、当該第１配線膜の上に形成される層間絶縁膜等の表面に形成される。
これらによると、前記層間絶縁膜等の表面には、平坦化膜の輪郭線から基板の外方へ向かって延びる、周囲からみて一定程度盛り上がった凸部が形成されることになる。しかも、かかる凸部は複数配列されるが如き構造が呈される（なぜなら、第１配線膜が複数存在するから）。
このような凸部は、上記のような形状的特質からも推測されるように、平坦化膜の流出を比較的促進する。つまり、当該凸部（あるいは、凸部と凸部との間の凹部）の存在は、平坦化膜の外表面における表面張力の外乱要因となり得る結果、そのような凸部に沿うようにした平坦化膜の流動動作が促進されてしまうのである。
しかるに、本態様では、前述の複数の第１配線膜の少なくとも一部、好適にはそのそれぞれについて堰止部が形成されるようになっている。したがって、本態様によれば、平坦化膜の流出が促進されるような部分について、その流出を抑制することが可能となっているのである。
このように、本態様では、平坦化膜流出防止効果が、より実効的に奏される。
【００１６】
なお、本態様にいう「第１配線膜」とは、例えば、マトリクス状に配列された複数の発光素子のうちの、ある行に位置する発光素子を選択するための選択信号を供給する「走査線」とか、あるいは、前記複数の発光素子に画像信号を供給する「データ線」とか、が該当し得る。
また、本態様において、堰止部は、「複数の第１配線膜の少なくとも一部について」形成されるが、このことと、前記金属膜が「第１配線膜を…含む」ということ、及び、堰止部が「金属膜」同一の層で形成されるということとは、以下のような具体例を含む。すなわち、堰止部が、金属膜の一部としての第１配線膜と同一の層で形成されるという場合（この点についてはすぐ後に述べる。）、あるいは、堰止部が、第１配線膜とは別の他の金属膜と同一の層で形成されるが、そのような堰止部が、「第１配線膜のそれぞれについて」形成されるという場合、等々である。このうちの後者についての更なる具体化例については、後の実施形態の説明中、＜第６実施形態＞として説明する。
【００１７】
この態様では、前記堰止部は、前記第１配線膜と同じ層で形成され、かつ、前記複数の第１配線膜のそれぞれの堰止部は、相互に電気的に接続されない、ように構成してもよい。
これによれば、堰止部が、様々な種類を含み得る「金属膜」のうち、第１配線膜と同じ層で形成される。そして、当該堰止部は、複数の第１配線膜の少なくとも一部について形成されるとともに、その堰止部は相互に電気的に接続されないことから、当該複数の第１配線膜同士が堰止部を介して電気的に短絡するという事態は生じない。したがって、発光素子への信号等の供給を正確・確実に行うことができる。
【００１８】
この態様では更に、前記堰止部は、前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延びる交差部分を含む、ように構成してもよい。
これによれば、堰止部が、前記交差部分を含むことから、平坦化膜の流出防止効果が更に実効的に奏される。
【００１９】
この態様では更に、前記堰止部は、前記複数の第１配線膜のうち相隣接する第１配線膜についての２つの前記交差部分間の隙間を埋めるように、当該相隣接する第１配線膜間に形成される補助部分を更に含む、ように構成してもよい。
これによれば、堰止部が、前述のような補助部分を含むことから、特に交差部分間の隙間を抜けて流出してくるような平坦化膜の流動動作を堰き止めることが可能となる。つまり、本構成によれば、平坦化膜の流出防止効果が上述にも増して更に実効的に奏される。
【００２０】
あるいは、堰止部が前記「交差部分」を含む態様では、前記複数の第１配線膜のうちの、ある第１配線膜についての前記交差部分の形成位置は、当該ある第１配線膜に相隣接する第１配線膜についての前記交差部分の形成位置とは異なる、ように構成してもよい。
この態様によれば、相隣接する第１配線膜の両交差部分の形成位置がお互い異なることから、平坦化膜の流出に対する、いわば段階的な抑止が行われ得ることになる。例えば、平坦化膜の輪郭線により近い交差部分が第１段の抑止を行い、より遠い交差部分が第２段の抑止を行う、というが如きである。
【００２１】
この態様では、前記相隣接する第１配線膜に更に相隣接する第１配線膜（前記ある第１配線膜を除く。）についての前記交差部分の形成位置は、前記ある第１配線膜についての前記交差部分の形成位置と同じである、ように構成してもよい。
これによれば、複数の第１配線膜を構成する１本１本の第１配線膜を端から順に見ていくと、それら各々の交差部分は、いわば交互に段違いに並んでいくような形態が典型的には現出され得る。つまり、最初の第１配線膜の交差部分は、平坦化膜の輪郭線により近く、次の第１配線膜の交差部分はより遠く、続く第１配線膜の交差部分はより近く、というが如くである。
このような形態によれば、前述した平坦化膜の流出に対する段階的な抑止がよりよく行われる。
【００２２】
あるいは、相隣接する第１配線膜の両交差部分の形成位置が異なる態様では、前記ある第１配線膜についての前記交差部分の少なくとも一部と、前記相隣接する第１配線膜についての前記交差部分の少なくとも一部とが、ともに、それら２本の第１配線膜間に、且つ、当該第１配線膜の延在方向に沿って平行に延びる、ある１本の直線と交わる、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記１本の直線に、隣り合う第１配線膜の交差部分が交わることから、当該第１配線膜及び交差部分によって、いわゆるラビリンスシールのようなものが構成され得るようになっている。つまり、例えば、ある第１配線膜の交差部分の端部を回り込むようにして流出しようとする平坦化膜は、当該ある第１配線膜に隣接する第１配線膜の交差部分によってその流出が阻まれるということになるのである。
このようにして、本態様によれば、平坦化膜の流出防止効果が極めて実効的に奏される。
【００２３】
また、本発明の発光装置では、前記堰止部は、前記第１配線膜に沿って流出してきた前記平坦化膜を受け入れる開口部と、当該開口部を通じて流入してくる前記平坦化膜を受け止める受止部と、を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、堰止部が開口部及び受止部を含むことにより、流出してきた平坦化膜の一定量を保持することができる。これにより、比較的多めに平坦化膜が流出してきたとしても、その進行は、堰止部が形成されている位置で食い止められ得ることになる。
本態様によれば、このようにして、平坦化膜の流出防止効果が実効的に奏される。
【００２４】
この態様では、前記堰止部は、平面視して楔型形状をもつ、ように構成してもよい。
これによれば、楔形の尖頭部分とは反対側の部分を平坦化膜の輪郭線に向けるようにして、堰止部を形成すれば、前述した平坦化膜の流出防止効果のより実効的な発揮が可能になる。
あるいは、この態様では、前記堰止部は、平面視して、前記第１配線膜に交差する部分たる第１辺部と、当該第１辺部の両端から当該第１配線膜の延在方向に延びる２つの第２辺部と、を含み、前記開口部は、前記２つの第２辺部の端部間の空間が該当し、前記受止部は、前記第１辺部及び前記２つの第２辺部によって囲われた空間が該当する、ように構成してもよい。
これによっても、前述した平坦化膜の流出防止効果のより実効的な発揮が可能になる。
なお、この、堰止部が第１辺部及び第２辺部をもつ態様では、前記第１辺部及び前記第２辺部をもつ前記堰止部をもつ第１配線膜に相隣接する第１配線膜についての前記堰止部は、平面視して、当該相隣接する第１配線膜に交差する部分たる第３辺部と、当該第３辺部の両端から当該相隣接する第１配線膜の延在方向に、かつ、前記第２辺部が延びる方向とは逆の方向に延びる２つの第４辺部と、を含み、前記第２辺部は、前記第４辺部と前記相隣接する第１配線膜との間に位置する、ように構成してもよい。
これによると、隣り合う第１配線膜及びそれらの堰止部によって、いわゆるラビリンスシールのようなものが構成され得る。つまり、前記第３辺部で堰き止められた平坦化膜は、その第３辺部に繋がる第４辺部を伝って基板外へと流れだそうとしても、それは、前記ある第１配線膜の堰止部を構成する前記開口部内に流れ込むに過ぎず、続いて、当該堰止部を構成する第１辺部によって堰き止められる、ということになる（なおも、平坦化膜が基板外へと流れ出そうとするなら、当該平坦化膜は、第２辺部及び第４辺部間の隘路を逆流するかのようにして通らなければならない。）。
このようにして、本態様によれば、平坦化膜の流出防止効果が極めて実効的に奏される。
なお、これら各態様に係る、より具体的な態様の一例については、後の実施形態において図面を参照しながら改めて触れる。
【００２５】
あるいは、本発明の発光装置では、前記第１配線膜は、その延在方向に沿ってみて屈曲部を含み、前記堰止部は、前記屈曲部を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、堰止部は、第１配線膜それ自体がもつ屈曲部を含む。このような形態であっても、平坦化膜の流出は、その屈曲部で一定の障害に出会うことになるから、その流出防止効果が奏される。
【００２６】
あるいは、本発明の発光装置では、前記１つ又は複数の層からなる金属膜は、前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延び、且つ、平面視して前記平坦化膜の輪郭線を横切るように配置され、且つ、当該第１配線膜との間に少なくとも１層の層間絶縁膜を挟んで前記基板上に形成される複数の第２配線膜を更に含み、前記複数の第１配線膜について形成される前記堰止部は、前記第２配線部と同じ層で形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述のように「第１配線膜の少なくとも一部について形成される」堰止部が、様々な種類を含み得る「金属膜」のうちの「第２配線膜」と同じ層で形成される。このような場合であっても、当該堰止部はやはり、金属膜と同じ層で形成されるということに変わりはなく、したがって、上述した本発明に係る効果が奏されることにも変わりはない。
また、これによれば例えば、基板上に、第１配線膜、層間絶縁膜、及び第２配線膜という順序の積層構造物が構築されることが考えられるが、この場合、例えば、第１配線膜のそれぞれについては、上述のように、第２配線膜と同じ層で堰止部を形成するとともに、当該第２配線膜のそれぞれについては、その第２配線膜と同じ層で堰止部を形成する、等といったことが可能である。このように、本態様によれば、第１及び第２配線膜の全部について好適に堰止部が形成され得ることになる。
なお、本態様にいう「第２配線膜」とは、例えば前述の「データ線」が該当し得、その場合の「第１配線膜」とは、例えば前述の「走査線」が該当し得る。
【００２７】
この態様では、前記堰止部は、前記第１配線膜の延在方向に交差する方向に延びる交差部分を含み、当該交差部分は、前記複数の第１配線膜のうちの２以上の第１配線膜と交差する、ように構成してもよい。
これによれば、第２配線膜と同じ層で形成される堰止部は、２以上の第１配線膜と交差する交差部分を含む。これによれば、複数の第１配線膜それぞれについての堰止部は、それら第１配線膜全部に関する、一続きの、あるいは一体的な、いわば壁の如き形態を呈することになり、平坦化膜の流出をより実効的に防止することが可能になる。
なお、このような形態をとるとしても、第２配線膜は第１配線膜とは別の層として形成されていることから、複数の第１配線膜間の短絡という問題は生じない。
【００２８】
一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の発光装置を備える。
本発明によれば、上述した各種の発光装置、即ち平坦化膜の流出防止が防止される結果、その小型化が達成された発光装置が備えられているので、当該電子機器の小型化が実現され得る。
また、平坦化膜の流出を防止する堰止部は、既述のように、金属膜と同じ層で形成されており、発光素子の長寿命化が達成され得るので、当該電子機器の信頼性、特に経時劣化等に係る信頼性を高めることができる。これにより、例えば、本発明に係る電子機器が、上述した各種の発光装置を画像表示装置用の照明装置として備えるのであれば、より高品質の画像が表示され得ることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図８を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照する図１０以降の各図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜第１実施形態＞
第１実施形態の有機ＥＬ装置は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、プリチャージ回路１０６Ａ、並びに対向電極用電源線２０１を備えている。
【００３０】
有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されているが、この点については、後に図２及び図３等を参照した説明の際に改めて触れる。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、説明の便宜上、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶことがある（第１実施形態における「画像表示領域７ａ」の、より詳細な定義について後に改めて触れる。）。
【００３１】
走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
【００３２】
この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線３を走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが選択すると、第１トランジスタ６８がオンされて、データ線６を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、第２トランジスタ９が、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。これにより、有機ＥＬ素子８は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００３３】
素子基板７上の周辺領域上には、プリチャージ回路１０６Ａが備えられている。このプリチャージ回路１０６Ａは、有機ＥＬ素子８へのデータ信号の書込み動作に先立って、データ線６を所定の電位に設定するための回路である。
また、対向電極用電源線２０１（以下、単に「電源線２０１」という。）は、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。この電源線２０１は、有機ＥＬ素子８の対向電極に例えばグランドレベル等の電源電圧を供給する。電源線２０１が、前記のような形状をもつのは、前記対向電極が、後述するように矩形状に形成されることに対応している。
なお、前述では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにプリチャージ回路１０６Ａのすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、場合によっては、そのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板に形成するのであってもよい。この場合、当該のフレキシブル基板と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続を可能とする。
【００３４】
平面視した場合に、以上述べたような構成を備える有機ＥＬ装置は、図３乃至図６に示すような積層構造物２５０を備えている。
この積層構造物２５０は、図３に示すように、素子基板７を基準として、図中下から順に、半導体層１、ゲート絶縁膜３００、ゲートメタル３７、第１層間絶縁膜３０１、電流供給線１１３及び中継線６１、第２層間絶縁膜３０２、反射層３４、第３層間絶縁膜３０３、画素電極１３、第４層間絶縁膜３０４、発光機能層１８、対向電極５、平坦化膜８０及び封止膜４０を含む。
【００３５】
このうち、ゲート絶縁膜３００、第１乃至第４層間絶縁膜３０１乃至３０４（以下、単に「絶縁膜３００乃至３０４」ということがある。）は、その他の残る導電性要素間の短絡が生じないように、あるいは、これら導電性要素の積層構造物２５０中の好適な配置を実現するため等に貢献する。これら絶縁膜３００乃至３０４は、様々な厚さでもって様々な絶縁性材料から作られうるが、好適には、各絶縁膜の積層構造物２５０中の配置位置や役割等に応じて、適宜適当な厚さ及び材料が選択されるとよい。
より具体的には、例えばゲート絶縁膜３００、及び第１乃至第３層間絶縁膜３０１乃至３０３は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等無機絶縁膜で作られて好ましい。また、第４層間絶縁膜３０４は、後述する隔壁３４０を含む関係上、アクリル樹脂等有機絶縁膜で作られて好適である。
なお、本発明にいう「金属膜」の中には、第１実施形態において、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、前記絶縁膜３００乃至３０４及び半導体層１を除く全ての要素（即ち、ゲートメタル３７、電流供給線１１３、中継線６１、反射層３４、画素電極１３、及び対向電極５、並びに、既に述べ且つ後に積層構造物２５０中の位置付けについて改めて説明が加えられる走査線３及びデータ線６）を含む。
【００３６】
前述の単位回路Ｐに含まれる第２トランジスタ９の各々は、図３に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、半導体層１、ゲート絶縁膜３００、ゲートメタル３７等から構成される。
このうち半導体層１は、素子基板７上に、図示するように直接的に、あるいは適当な絶縁膜（不図示）等を介して形成される。ゲート絶縁膜３００は、この半導体層１の上を覆うように形成されており、ゲートメタル３７は、半導体層１のチャネル領域の位置に対応するように、ゲート絶縁膜３００の上に形成されている。また、半導体層１のソース領域には、コンタクトホール３６１を介して電流供給線１１３が接続され、そのドレイン領域には、コンタクトホール３６２を介して中継線６１が接続されている。なお、コンタクトホール３６１及び３６２はいずれも、第１層間絶縁膜３０１を貫通するようにして形成されている。
【００３７】
前述の有機ＥＬ素子８の各々は、図３に示すように、積層構造物２５０を構成する前述の各種の要素のうち、画素電極１３、発光機能層１８及び対向電極５から構成される。
このうち画素電極１３は、素子基板７上に、マトリクス状に配列するように形成されている。有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列されているということは、このように画素電極１３がマトリクス状に配列されているということに相応する（図１及び図３参照）。
この画素電極１３は、コンタクトホール３６３を介して、前述の中継線６１と電気的に接続されている。これにより、この画素電極１３は、第２トランジスタ９を介して電流供給線１１３から供給される電流を発光機能層１８に印加可能である。なお、コンタクトホール３６３は、第２及び第３層間絶縁膜３０２及び３０３を貫通するようにして形成されている。
このような画素電極１３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
【００３８】
この画素電極１３の形成領域に対応するように、第２層間絶縁膜３０２上、且つ、第３層間絶縁膜３０３下には、反射層３４が形成されている。反射層３４は、発光機能層１８から発せられた光を反射する。この反射光は、図３に示すように、図中上方に向かって進行する。このような反射層３４は、上述の反射機能をよりよく発揮するため、光反射性能の比較的高い材料から作られているとよい。例えば、アルミニウムや銀等の金属を利用することができる。
一方、平面視して、隣接する画素電極１３間の領域には、図３に示すように、隔壁（バンク）３４０が形成されている。この隔壁３４０は、第４層間絶縁膜３０４として、あるいは少なくともその一部として形成されている。このような隔壁３４０は、例えば絶縁性の透明樹脂材料で作られて好適で、より具体的には例えば、既に述べたアクリル樹脂の他、エポキシ樹脂、あるいはポリイミドなどにより作られて好適である（これにより、第４層間絶縁膜３０４も、これらの材料から作られることになる。）。
【００３９】
発光機能層１８は、図３に示すように、画素電極１３の上に、素子基板７の面、特に画像表示領域７ａを覆うようにして形成されている。
発光機能層１８は、少なくとも有機発光層を含み、有機発光層は正孔と電子が結合して発光する有機ＥＬ物質から構成されている。図３では、有機ＥＬ物質は低分子材料であって、適当な成膜方法により形成される。発光機能層１８を構成する他の層として、電子ブロック層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び正孔ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
第１実施形態では、この発光機能層１８は、一様に白色光を発する。
【００４０】
なお、前述の有機ＥＬ物質は高分子材料であってもよい。この場合、当該有機ＥＬ物質は、例えば図４に示すように、前記隔壁３４０により区画された各空間内のみに（即ち、画素ごとに）供給され得る。図４において、当該有機ＥＬ物質は、発光機能層１８’の全部又は一部を構成する。なお、前記高分子材料としての有機ＥＬ物質は、例えばインクジェット法、ディスペンサ法などの液体供給方法によって、前記空間内に供給され得る。
なお、このように、隔壁３４０により区画された空間のみに有機ＥＬ物質を供給する態様によると、発光機能層を、色毎に、区別して設けることができる。すなわち、前記空間ごとに、例えば、赤色光、緑色光及び青色光それぞれ専用の有機ＥＬ物質を含む発光機能層を形成することが可能である。
【００４１】
対向電極５は、複数の有機ＥＬ素子８の発光機能層１８に接触している。つまり、対向電極５は、複数の画素電極１３に共通するように、隔壁３４０で画定された発光機能層１８の区域及び隔壁３４０の上に広がっている。この対向電極５は、矩形状（特に、その内部に特別な開口、間隙等をもたない。いわゆるベタ）に形成される。この実施の形態では、画素電極１３は陽極で、対向電極５は陰極だが、その逆であってもよい。
このような対向電極５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性かつ導電性の材料から作られている。
【００４２】
前述の単位回路Ｐに含まれる第１トランジスタ６８の各々は、図５に示すように、前記半導体層１と同じ層として形成される半導体層１’、ゲート絶縁膜３００、及び前記ゲートメタル３７と同じ層として形成される走査線３等から構成される。
この第１トランジスタ６８も、前記第２トランジスタ９と同様、薄膜トランジスタであることに変わりはない。
ただ、この第１トランジスタ６８においてゲート電極として機能するのは、ゲートメタル３７ではなく走査線３である。この走査線３は、図５に示すように、半導体層１’のチャネル領域に対応するように、ゲート絶縁膜３００の上に形成されている。
また、第１トランジスタ６８の半導体層１’のドレイン領域には第２トランジスタ９のゲート電極として機能するゲートメタル３７が接続され、そのソース領域にはデータ線６が接続されている。このうちデータ線６は、図５をみるとわかるように、第１層間絶縁膜３０１の上に、前述した中継線６１及び電流供給線１１３と同じ層として形成されている。
【００４３】
以上の第１トランジスタ６８、第２トランジスタ９、並びに有機ＥＬ素子８により、画素電極１３及び対向電極５間に電流が流されると同時に、発光機能層１８に電流が流されることで、当該発光機能層１８は発光する（図２を参照して既に行った説明も参照。）。なお、前記反射層３４の存在により、発光機能層１８から発せられた光は、素子基板７が存在する側とは反対側に進行するようになっているので、第１実施形態の有機ＥＬ装置は、いわゆるトップエミッション型である。このため、素子基板７は、必ずしも、透光性材料から作られている必要はない。具体的には、セラミックスや金属等の不透明材料であってよいが、ガラス等の透光性材料であってはいけないという理由は特にない。
【００４４】
そして、第１実施形態の有機ＥＬ装置では、前述した各種の要素のうち特に、データ線６に関して特徴がある。
このデータ線６は、既に説明したように、機能的には、第２トランジスタ９のゲートにデータ信号を供給することで、当該第２トランジスタ９のソース・ドレイン間に流れる電流（即ち、有機ＥＬ素子８に流れる電流）の大きさを調整するための要素であり（図２参照）、構造的には、第１層間絶縁膜３０１と第２層間絶縁膜３０２との間に形成され、有機ＥＬ素子８と電気的な接続関係を持つ金属配線薄膜としての位置付けをもつ（図５参照）。
これに加えて、第１実施形態に係るデータ線６は、平坦化膜８０の素子基板７外へと向かう流出を防止する機能及びそれに適した構成をも持つ。以下、この機能に関連する事項について、詳しく説明する。
【００４５】
まず、その前提として、第１実施形態の有機ＥＬ装置では、積層構造物２５０を構成する要素に、既述の平坦化膜８０が含まれていることについて説明する。
この平坦化膜８０は、図３等に示すように、対抗電極５の上に（あるいは、図６の右方では、第４層間絶縁膜３０４の上に直接に）、素子基板７の面、特に画像表示領域７ａの全部を覆うように形成されている。
このような平坦化膜８０は、少なくとも成膜時において比較的流動性の大きい材料から作られている。そのため、積層構造物２５０を構成する各種の要素、特に隔壁３４０がもつ高さに起因して形成される凹凸が均される。図３では、平坦化膜８０が、隔壁３４０等を原因として対向電極５の図中上面に現れる凹凸を均している様子が示されている。
これにより、平坦化膜８０の上には、更に何らかの要素を好適に積み重ねていくことが可能になる。また、平坦化膜８０は、対向電極５よりも下層に位置する積層構造物２５０で発生する反りや体積膨張による発生する応力を緩和する。さらに、平坦化膜８０は、対向電極５が隔壁３４０から剥離することを防止する。
【００４６】
なお、このような平坦化膜８０を構成する材料として、より具体的には例えば、親油性を有する高分子材料（有機樹脂材料）、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどを利用するのが好ましい。更に具体的には、アクリルポリオールやポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリウレタンポリオールと、トリレンジイソシアネートやキシリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物を混合して重合させた誘導体、又はビスフェノール型エポキシオリゴマーとアミン化合物を混合して重合した誘導体等が挙げられる。
そして、これらの有機化合物は、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、酢酸エチルなどの親油性有機溶剤で希釈されて、所定の粘度に調整され、エポキシオリゴマー、アクリルオリゴマー、ポリウレタン等として対向電極５上に配置される。
なお、イソシアネート化合物は、水分と反応することで、尿素結合反応を起こし、ポリマー化する。この反応により、平坦化膜８０に残存する水分を固定化することで、対向電極５や発光機能層１８への水分の侵入を防止できる。
【００４７】
ところで、このような平坦化膜８０は、上述のように比較的流動性の大きい材料から作られるため、素子基板７の外へと向かって流れ出そうとする。特に、第１実施形態では、図６あるいは図７に示すような凸部３３１が存在することにより、そのような平坦化膜８０の流出は、比較的促進されてしまう。
ここで、この凸部３３１は、データ線６がもつ高さに起因して第３層間絶縁膜３０３の表面に形成されるものである。データ線６は、既に参照した図１あるいは図５等に示すように、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子８の各列に対応するように、複数配列されているから、凸部３３１もまた、図７に示すように、複数配列されることになる。また、データ線６は、前述した、データ線駆動回路１０６、あるいは接続端子等との電気的接続のため、画像表示領域７ａから、その周辺領域にわたって延在する。したがって、複数の凸部３３１もまた、平面視した場合における平坦化膜８０の輪郭線と交わりながら、画像表示領域７ａから、その周辺領域にわたって延在することになる。
なお、「画像表示領域７ａ」については、上で、一応、複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域、と定義付けておいたが、図６を利用してより厳密には、対向電極５の形成領域と定義付ける。もっとも、「厳密」とはいえ、この約束は、単に語義の混同を招くという目的を有するものに過ぎず、また、本発明に係る各実施形態に関わる限りで有効である（要するに、その他の定義付けもあり得る。）。
【００４８】
上述のような凸部３３１の形状的特質からも推測されるように、当該凸部３３１は、平坦化膜８０の外表面における表面張力の外乱要因となり得る結果、該平坦化膜８０の流出を比較的促進してしまう（図７の符号“８０ＯＺ”参照）。
そこで、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置では、そのような平坦化膜８０の流出を防止すべく、複数のデータ線６のそれぞれについて、図６及び図７に示すように、堰止部６０１が形成される。なお、図１では、装置全体的な観点からみた場合における堰止部６０１が形成されるべき位置が、符号ＡＥＬを付した破線で囲われた領域として示されている。
この堰止部６０１は、データ線６と同じ層として形成されている。したがって、その物理的厚さは、データ線６と同じであり、一般に、比較的薄い。
また、この堰止部６０１は、データ線６の延在方向と交差するように形成される。第１実施形態では特に、堰止部６０１は、データ線６の延在方向に直交する方向に延在する。
さらに、堰止部６０１は、図７に示すように各データ線６に応じて個別に形成され、かつ、それら堰止部６０１の各々は、相互に電気的には接続されない。図７では、各堰止部６０１間に物理的な空隙が設けられる（当該空隙は、第２層間絶縁膜３０２によって埋められる。）ことで、それらの間の電気的接続が阻まれている。これにより、各データ線６には、それぞれ固有のデータ信号を正確・確実に供給することができ、これら各データ線６間における電気的な短絡は生じない。
【００４９】
このような堰止部６０１及びデータ線６の上には、第２層間絶縁膜３０２が形成され、更にその上に第３層間絶縁膜３０３が形成されるので、その表面にはそれぞれに起因した凸部が形成される。後者については、上述した凸部３３１がそれに該当するが、前者については、図６及び図７に示すように、堤防部９１がそれに該当する。この堤防部９１は、基本的には、堰止部６０１がもつ形状的特質をいわば受け継ぐから、凸部３３１の延在方向と直交するように延在することになり、また、相隣接し合う凸部３３１における両堤防部９１は相互に接続されない。ただし、後者については、両堰止部６０１の端部間の距離を適当に設定しておけば、図７に示すように、これら両堰止部６０１に対応する両堤防部９１間の接続、あるいは重なり合いを実現することもできる。これは、一般に、絶縁膜の表面に形成される凸部の大きさは、その原因となったある要素の大きさよりも一回り大きくなるという、自然的性質に基づく。
【００５０】
以上述べたような、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置によれば、次に述べるような効果が奏される。
（１）  まず、堰止部６０１及び堤防部９１の存在により、平坦化膜８０の流出防止効果が奏される。特に、前述した堤防部９１間の接続が果たされていれば、データ線６間の短絡を防止しながらもなお、当該効果をよりよく享受することが可能になる。
すなわち、図６及び図７に示すように、平坦化膜８０は、周辺領域において、第４層間絶縁膜３０４の上、かつ、その膜端３０４Ｅを超えるようにして形成されることから、既に述べたように、凸部３３１に沿い且つ素子基板７の外へと向かって流出してくることになるが、堰止部６０１及び堤防部９１は、その流出を堰き止める（図６の符号Ｘ１参照）。このように、第１実施形態では、平坦化膜８０の流出が促進される部分について、その流出を抑制することが可能となっているのである。
このような効果は、比較例たる図８と対比すればより明瞭に把握される。図８では、堰止部６０１及び堤防部９１が存在せず、平坦化膜８０の流出の停止は、その自然的な硬化等を待つ以外にない。この場合、比較的広大な周辺領域を確保する必要が生じることになる。
第１実施形態によれば、このような不具合をこうむるおそれはないので、周辺領域の相対的な狭小化、即ちいわゆる額縁領域の狭小化を実現することができる。また、これにより装置全体の小型化を達成することができる。
【００５１】
（２）  第１実施形態では、堰止部６０１が、金属配線薄膜としてのデータ線６と同じ層として形成されているので、水分及び酸素の封止機能が比較的高い。すなわち、図６及び図７の符号“Ｇ”を付した矢印のように、有機ＥＬ装置の側端から進入してこようとする水分及び酸素の進入を抑制する。これにより、有機ＥＬ素子８の長寿命化が達成される。
【００５２】
（３）  この水分及び酸素の進入抑制の点に関連して、第１実施形態では、上においてその存在につき既に述べながら、未だその説明をしていない封止膜４０が備えられている。
この封止膜４０は、図３乃至図６に示すように、平坦化膜８０の上に、素子基板７の面、とりわけ少なくとも平坦化膜８０、並びに堰止部６０１及び堤防部９１を覆うように形成されている。封止膜４０は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）、ＳｉＯＮ（酸窒化珪素）、ＳｉＯ２、あるいは更にはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）やＴａ２Ｏ５（酸化タンタル）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、更には他のセラミックス等から作られて好適である。
このような封止膜４０は、有機ＥＬ素子８、ないしはその発光機能層１８への水分及び酸素の進入を抑制する。したがって、これによっても有機ＥＬ素子８の長寿命化が達成される。
【００５３】
ところで、このような封止膜４０は、前述した材料からして、比較的硬度が大きくなり、柔軟性に欠けることが多い。したがって、封止膜４０があまりに大きな段差を跨ぐように成膜されると、当該段差を覆う部分においてクラック等が生じ易い。
この点、まず、第１実施形態では、封止膜４０は平坦化膜８０の上を覆うように形成されているので、そのような不具合をこうむるおそれは極めて低減されている。
とはいえ、前述の堤防部９１は、平坦化膜８０の流出を防止するために形成された凸部であるから、封止膜４０が平坦化膜８０の上に形成される以上、当該封止膜４０は、この堤防部９１の上をも覆うように形成されざるを得ない。
しかるに、第１実施形態においては、堤防部９１の形成原因となる堰止部６０１は、比較的厚さの小さい金属配線薄膜としてのデータ線６と同じ層として形成されているのである。したがって、堤防部９１の高さも、例えば第４層間絶縁膜３０４と同じ層として、前記堰止部６０１と同趣旨の堰止部を形成する等という場合に比べて、抑制される。
これにより、封止膜４０は、比較的小さな段差を跨ぐだけで済み、したがって、当該封止膜４０には前記クラック等が生じ難くなっているのである。
【００５４】
このようなことから、第１実施形態に係る堰止部６０１及び堤防部９１は、上記（１）の平坦化膜８０の流出防止効果を主たる効果として奏しながらも、上記（２）の効果に加え、いま述べた封止膜４０の保全機能と相俟って、酸素及び水分の進入抑制という効果をも奏するのである。
【００５５】
なお、封止膜４０は、例えば窒化珪素と酸窒化珪素の２層構造や、ＩＴＯと酸窒化珪素など上述した珪素化合物を含みつつ異なる材料によって積層した構造としてもよい。このように無機化合物からなる下地層を形成することで、密着性を向上させたり、応力を緩和したり、珪素化合物からなるガスバリア層の緻密性を向上させることができる。
また、上述の図３等に示した第２層間絶縁膜３０２は、その下層側にＳｉＮ膜、上層側にアクリル樹脂膜という積層構造をもつ場合がある。これは、前者に、第２トランジスタ９の半導体層１等の水素の離脱防止機能を、後者に、画素電極１３の形成面を平坦化する機能をもたせること、等を目的とする。この場合、その第２層間絶縁膜３０２の上層は、アクリル樹脂という有機絶縁膜から作られることになるので、酸素及び水分の封止機能は若干劣ることになる。
そこで、このような場合は、例えば図９に示すように、当該第２層間絶縁膜３０２（あるいは、少なくともその上層たるアクリル樹脂膜）については、その膜端３０２Ｅが、図６の第４層間絶縁膜３０４の膜端３０４Ｅの位置と一致するように形成されるとよい。このようにすれば、堤防部９１は、金属膜と同一の層で形成された堰止部６０１及びその上層に形成された無機絶縁膜たる第３層間絶縁膜３０３から形作られることになり、酸素及び水分の封止機能を好適に維持することが可能となる。
以上のことから、一般的にいえば、本発明にいう「堰止部」は、「有機絶縁膜よりも下の層で形成されている」ことが好ましいということができる。これが満たされていれば、当該有機絶縁膜に係る、前述のような膜端調整によって、酸素及び水分の封止機能を好適に維持することが可能となるからである。
【００５６】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１０を参照しながら説明する。
なお、この第２実施形態及び後述する第３以降の各実施形態における有機ＥＬ装置の基本的な構成は、第１実施形態の有機ＥＬ装置と実質的に同じである。したがって、以下では、両者で共通する部分に関する図面の符号は共通に用いることとし、また、その説明は省略することとする。
【００５７】
第２実施形態の有機ＥＬ装置は、図１０に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１とは異なる形態の堰止部６０２を持つ。
この堰止部６０２は、堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていること、データ線６の延在方向に直交する方向に延在すること、各データ線６に応じて個別に形成されること、それら各堰止部６０２は相互に電気的に接続されないこと、は同様である。
【００５８】
ただ、この堰止部６０２は、図１０に示すように、相隣接するデータ線６の両堰止部６０２の形成位置がお互い異なっている。加えて、１本１本のデータ線６を端から順に見ていくと、それら各々の堰止部６０２は、いわば交互に段違いに並んでいくような形態をとるように形成されている。つまり、図１０中最左端のデータ線６の堰止部６０２は、平面視した場合における平坦化膜８０の輪郭線により近く、その右隣のデータ線６の堰止部６０２はより遠く、更に右隣のデータ線６（図１０中最右端のデータ線６）の堰止部６０２はより近く、というようになっているのである。このとき、図１０中最左端のデータ線６、及び、図中最右端のデータ線６の各堰止部６０２の形成位置は同じである。
【００５９】
また、各データ線６の堰止部６０２間には、次の特徴もある。すなわち、あるデータ線６の堰止部６０２（以下、「第１堰止部６０２」ということがある。）と、それに隣接するデータ線６の堰止部６０２（以下、「第２堰止部６０２」ということがある。）とは、それら２本のデータ線６間に、且つ、当該データ線６の延在方向に沿って平行に延びる基準直線と交わるようになっている。図１０では、図中最右端のデータ線６と図中真ん中のデータ線６との間に、二点差線でもって、基準直線ＮＬの一例が表示されている。
要するに、この場合、データ線６の延在方向に沿ってみれば、第１堰止部６０２と第２堰止部６０２とは重なり合うようになっているのである。
これにより、これら第１堰止部６０２及び第２堰止部６０２は、いわゆるラビリンスシールのようなものを構成する、とみることができる。すなわち、仮に、平坦化膜８０が、これら第１及び第２堰止部６０２を超えて素子基板７の外方へと向けて流出する場合（第１堰止部６０２の方が、第２堰止部６０２よりも、平坦化膜８０の輪郭線に近いものとする。）を想定すると、当該平坦化膜８０は、まず、第１堰止部６０２の図中上面でその流動が阻止され、第２に、これが第１堰止部６０２の端部を回り込んだとしても、第２堰止部６０２の図中上面でその流動が阻止され、第３に、そこから先に進もうとすれば、第１堰止部６０２及び第２堰止部６０２間の隘路を通じ、第２堰止部６０２の端部に到達しなければならない、というようである。
【００６０】
このような第２実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第２実施形態においても、堰止部６０２は、前述したように、堰止部６０１との対比において、データ線６と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
なお、図１０においても、図７に示したのと同様、堰止部６０２の上には、第３層間絶縁膜３０３が形成されており、その表面上然るべき位置に、堤防部が形成されていることに変わりはないが、その図示は省略している。かかる事項は、後に参照する図１１、図１３、図１４、図１５、図１７、図１８、及び図１９においても同じである。
【００６１】
しかも、この第２実施形態では、第１実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、第２実施形態では、堰止部６０２が、上述のように、いわば「段違い」に並んでいるから、例えば、平坦化膜８０の輪郭線により近い、図１０中真ん中のデータ線６の堰止部６０２が第１段の抑止を行い、その後方に控えている、図中残る２本のデータ線６の堰止部６０２が第２段の抑止を行う、というような流出防止作用が期待できるためである（図１０中の矢印参照）。
【００６２】
加えて、第２実施形態では、堰止部６０２がラビリンスシールのようなものを構成するので、素子基板７の外方へと向けて流出しようとする平坦化膜８０は、比較的複雑な経路を通じない限り、堰止部６０２の障害を越えて外方へと流れ出すことができないようになっている。要するに、第２実施形態では、平坦化膜８０の流出防止効果が極めて実効的に奏されるのである。
【００６３】
＜第３実施形態＞
以下では、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１１を参照しながら説明する。
第３実施形態の有機ＥＬ装置は、図１１に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１と同じ堰止部６０１を備えているが、これに加えて、補助堰止部６０３を持つ。
この補助堰止部６０３は、堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていることは同様である。
【００６４】
ただ、この補助堰止部６０３は、図１１に示すように、相隣接するデータ線６についての２つの堰止部６０１間の隙間を埋めるように、当該相隣接するデータ線６間に形成されている。補助堰止部６０３は、これら相隣接するデータ線６、及びそれら各々の堰止部６０１とは電気的に接続されない。
また、補助堰止部６０３は、堰止部６０１とほぼ平行となるように形成されている。つまり、補助堰止部６０３の図中両端を仮に延長していけば、その延長部分は、前記相隣接するデータ線６と直角に交わることになる。
さらに、１つ１つの補助堰止部６０３の形成位置は、データ線６の延在方向の観点からみて同じである。
【００６５】
このような第３実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第３実施形態においても、第１実施形態と全く同じ堰止部６０１が備えられているからである。
【００６６】
しかも、この第３実施形態では、第１実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、第３実施形態では、補助堰止部６０３が形成されているので、例えば、平坦化膜８０の輪郭線により近い、堰止部６０１が第１段の抑止を行い、その後方に控えている、補助堰止部６０３が第２段の抑止を行う、というような流出防止作用が期待できるためである（図１１中の矢印参照）。つまり、第３実施形態では、第１実施形態における堰止部６０１間の隙間を抜けて流出してくるような平坦化膜８０の流動動作を堰き止めることが可能となるのである。
【００６７】
加えて、この第３実施形態でも、前記第２実施形態と同様、堰止部６０１及び補助堰止部６０３がいわゆるラビリンスシールのようなものを構成するので、素子基板７の外方へと向けて流出しようとする平坦化膜８０は、比較的複雑な経路を通じない限り、これら堰止部６０１及び補助堰止部６０３の障害を越えて外方へと流れ出すことができないようになっている。このように、第３実施形態でも、平坦化膜８０の流出防止効果が極めて実効的に奏されるのである。
【００６８】
＜第４実施形態＞
以下では、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。
第４実施形態の有機ＥＬ装置は、図１２及び図１３に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１と同じ機能を果たす堰止部６０４を持つ。
この堰止部６０４は、堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていることは同様である。
【００６９】
ただ、この堰止部６０４は、図１２及び図１３に示すように、データ線６の各々について形成されているのではなく、走査線３の各々について形成されている。
走査線３は、前述したデータ線６が凸部３３１の形成原因になるという関係と同様、図１２に示す凸部３３２の形成原因となる。すなわち、走査線３は、既に参照した図１あるいは図５等に示すように、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子８の各行に対応するように、複数配列されているから、凸部３３２もまた、複数配列されることになる。また、走査線３は、前述した、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、あるいは接続端子等との電気的接続のため、画像表示領域７ａから、その周辺領域にわたって延在する。したがって、複数の凸部３３２もまた、平面視した場合における平坦化膜８０の輪郭線と交わりながら、画像表示領域７ａから、その周辺領域にわたって延在することになる。
結局、平坦化膜８０の流出現象は、この走査線３に起因する凸部３３２に沿っても生じ得ることになる。
【００７０】
そこで、第４実施形態に係る有機ＥＬ装置では、そのような平坦化膜８０の流出を防止すべく、複数の走査線３のそれぞれについて、図１２及び図１３に示すように、堰止部６０４（以下、「走査線対応堰止部６０４」という。）が形成される。
この走査線対応堰止部６０４は、走査線３の延在方向と交差するように形成される。第４実施形態では特に、走査線対応堰止部６０４は、走査線３の延在方向に直交する方向に延在する。
また、走査線対応堰止部６０４は、図１３に示すように各走査線３に応じて個別に形成される。
【００７１】
このような走査線対応堰止部６０４及び走査線３の上には、第２層間絶縁膜３０２が形成され、更にその上に第３層間絶縁膜３０３が形成される（走査線３については第１層間絶縁膜３０１も形成される）ので、該第３層間絶縁膜３０３の表面にはそれぞれに起因した凸部が形成される。後者については、上述した凸部３３２がそれに該当するが、前者については、図１２に示すように、堤防部９４がそれに該当する。この堤防部９４は、基本的には、走査線対応堰止部６０４がもつ形状的特質をいわば受け継ぐから、凸部３３２の延在方向と直交するように延在することになり、また、相隣接し合う凸部３３２における両堤防部９４は相互に接続されない。ただし、堰止部６０４の端部間の距離を適当に設定しておけば、これら両堰止部６０４に対応する両堤防部９４間の接続、あるいは重なり合いを実現することができるのは、前記第１実施形態と同様である。
【００７２】
このような第４実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第４実施形態においても、走査線対応堰止部６０４（あるいは、これと走査線３との関係）は、前述したように、堰止部６０１（あるいは、これとデータ線６との関係）との対比において、データ線６と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
特に、第４実施形態で特徴的なのは、データ線６に沿った平坦化膜８０の流出が防止されるのではなく、走査線３に沿ったそれが防止されることにある。
【００７３】
＜第５実施形態＞
以下では、本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１４を参照しながら説明する。
第５実施形態の有機ＥＬ装置は、図１４に示すように、前記第４実施形態の走査線対応堰止部６０４とほぼ同じ機能を果たす走査線対応堰止部６０５を持つ。
ただ、この走査線対応堰止部６０５の１つ１つは、図１４に示すように、３本の走査線３（以下、「走査線群３Ｇ」という。）を跨ぐように形成されている。加えて、この走査線群３Ｇを一単位として、その端から順にみていくと、各走査線群３Ｇの各々に対応する走査線対応堰止部６０５は、いわば交互に段違いに並んでいくような形態をとるように形成されている。このことが、前記第２実施形態とパラレルの関係にあることは明白である。
また、図１４と図１０とを対比すれば明らかなように、第２実施形態で述べた基準直線に関わる特徴が、各走査線群３の堰止部６０５間においても同様に妥当する。つまり、相隣接する走査線群３それぞれの走査線対応堰止部６０５は、走査線３の延在方向に沿ってみれば、相互に重なり合うようになっているのである。したがって、第５実施形態に係る走査線対応堰止部６０５もまた、いわゆるラビリンスシールのようなものを構成する、とみることができる。
【００７４】
このような第５実施形態によっても、前述の第４実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第５実施形態においても、走査線対応堰止部６０５は、当該走査線対応堰止部６０５が複数の走査線３を一組として形成されている点を除いて、前述した走査線対応堰止部６０４と殆ど同じだからである。
【００７５】
しかも、この第５実施形態では、第４実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、走査線対応堰止部６０５は、３本の走査線３を一組とした走査線群３Ｇの各々について形成されているので、当該走査線対応堰止部６０５に起因して形成される堤防部は、少なくとも、その３本の走査線３に関して、一続きの、あるいは一体的な、いわば壁の如き形態を呈することになるからである。
なお、走査線対応堰止部６０５が、上述のように複数の走査線３を跨ぐように形成されたとしても、これら走査線対応堰止部６０５及び走査線３間には第１層間絶縁膜３０１が存在し、両者は別の層に位置する金属配線薄膜として形成されることから（図１２参照）、第１実施形態等とは異なり、両者間における電気的な短絡、更には複数の走査線３間の電気的な短絡という問題は生じない。
【００７６】
なお、以上に述べた第４及び第５実施形態のように、複数の走査線３のそれぞれについて、データ線６と同じ層として形成される走査線対応堰止部（６０４及び６０５等）を備える形態では、その走査線対応堰止部（６０４及び６０５等）と同じ層として、前述した第１から第３実施形態に係る堰止部６０１、６０２及び補助堰止部６０３を同時に形成することが可能である。図１５では、第５実施形態の３本の走査線３を跨ぐ走査線対応堰止部６０５と、第２実施形態の「段違い」の堰止部６０２とが同時に形成される場合が例示的に示されている。
このような、いわば合わせ技形態によれば、結局、複数の走査線３のそれぞれに関連する平坦化膜８０の流出が防止されるとともに、複数のデータ線６のそれぞれに関連する平坦化膜８０の流出も防止されることになる。
【００７７】
＜第６実施形態＞
以下では、本発明の第６の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１６を参照しながら説明する。
第６実施形態の有機ＥＬ装置は、図１６に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１とほぼ同じ機能を果たす堰止部７０６を持つ。
この堰止部７０６は、データ線６の延在方向に直交する方向に延在すること、各データ線６に応じて個別に形成されること、は同様である。
【００７８】
ただ、この堰止部７０６は、図１６に示すように、データ線６と同じ層として形成されているのではなく、図３等に示した反射層３４と同じ層として形成されている。反射層３４は、図３等に示したように、第２層間絶縁膜３０２の上に形成されるので、堰止部７０６もまた同様の位置付けを持つ。他方、データ線６は、その第２層間絶縁膜３０２の下に形成される。したがって、堰止部７０６とデータ線６との間は電気的に絶縁されることになる。
とはいえ、堰止部７０６も、金属薄膜たる反射層３４と同じ層として形成されるという意味においては、第１実施形態等の堰止部６０１と何ら変わりはない。
また、このような堰止部７０６の上には、第３層間絶縁膜３０３が形成され、その表面には当該堰止部７０６に起因した堤防部９６が形成される。このことと、第１実施形態の場合に堰止部６０１が堤防部９１を形成することとの間にも、本質的な相違はない。
【００７９】
このような第６実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第６実施形態においても、堰止部７０６は、前述したように、堰止部６０１との対比において、金属薄膜と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
【００８０】
しかも、この第６実施形態では、前述の第１実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、堰止部７０６は上述のようにデータ線６とは別の層に形成されることから、当該堰止部７０６は、前記第４及び第５実施形態における走査線対応堰止部６０４及び６０５と同様の考え方に基づき、複数のデータ線６を跨ぐように形成され得ることになるからである。これにより、一体的な壁の如き堤防部が形成され得ることになる。
【００８１】
＜第７実施形態＞
以下では、本発明の第７の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１７を参照しながら説明する。
第７実施形態の有機ＥＬ装置は、図１７に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１とは異なる形態の堰止部６０７を持つ。
この堰止部６０７は、第１実施形態における堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていること、データ線６の延在方向に交差する部分をもつこと、各データ線６に応じて個別に形成されること、それら各堰止部６０２は相互に電気的に接続されないこと、は同様である。
【００８２】
ただ、この堰止部６０７は、図１７に示すように、平面視して楔形形状をもつ。この楔形形状をもつ堰止部６０７（以下、「楔形堰止部６０７」という。）は、より詳細には、データ線６に斜めに交差する第１斜辺部と、当該データ線６に関してこの第１斜辺部と形状的に対称的関係をもちながら当該データ線６に斜めに交差する第２斜辺部とをもつ。第１及び第２斜辺部それぞれの一端は、データ線６上で交わっており、当該楔形堰止部６０７の尖頭部分を形作る。他方、第１及び第２斜辺部それぞれの他端は、相互に離反する方向に延びる。
つまり、楔形堰止部６０７は、前記尖頭部分とは反対側の部分を平坦化膜８０の輪郭線に向けるようにして形成されている。これにより、その反対側の部分は、データ線６に沿って流出してきた平坦化膜８０を受け入れる開口部として機能する。また、前記第１斜辺部と前記第２斜辺部とによって囲まれた空間は、前記開口部を通じて流入してくる平坦化膜８０を受け止める受止部として機能する。
【００８３】
このような第７実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第７実施形態においても、楔形堰止部６０７は、前述したように、堰止部６０１との対比において、データ線６と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
【００８４】
しかも、この第７実施形態では、第１実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、第７実施形態では、楔形堰止部６０７は、上述のように開口部及び受止部として機能する部分をもっているので、流出してきた平坦化膜８０の一定量を保持することができるからである。これにより、比較的多めに平坦化膜８０が流出してきたとしても、その進行は、楔形堰止部６０７が形成されている位置で食い止められ得ることになる。
【００８５】
＜第８実施形態＞
以下では、本発明の第８の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１８を参照しながら説明する。
第８実施形態の有機ＥＬ装置は、図１８に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１とは異なる形態の堰止部６０８を持つ。
この堰止部６０８は、第１実施形態における堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていること、データ線６の延在方向に直交する部分をもつこと、各データ線６に応じて個別に形成されること、それら各堰止部６０２は相互に電気的に接続されないこと、は同様である。
【００８６】
ただ、この堰止部６０８は、図１８に示すように、平面視してΠ字状の形状をもつ。このΠ字状の形状をもつ堰止部６０８（以下、「Π字状堰止部６０８」という。）は、より詳細には、データ線６に直交する部分である直交辺部と、当該直交辺部の両端からデータ線６の延在方向に沿って延びる２つの延長辺部とをもつ。
また、このΠ字状堰止部６０８の１つ１つは、図１８に示すように、相隣接するデータ線６の両Π字状堰止部６０８の形成位置がお互い異なっている。加えて、１本１本のデータ線６を端から順に見ていくと、それら各々のΠ字状堰止部６０２は、いわば交互に段違いに並んでいくような形態をとるように形成されている。
【００８７】
加えて更に、これら１本１本のデータ線６ごと、Π字状堰止部６０８の姿勢は、図中上下方向に関して反転していく。すなわち、図１８中最左端及び最右端のデータ線６のΠ字状堰止部６０８（以下、「第１Π字状堰止部６０８」ということがある。）は、その直交辺部がその延長辺部に対して相対的に図中上側にくるようになっている一方、それらの間に挟まれたデータ線６のΠ字状堰止部６０８（以下、「第２Π字状堰止部６０８」ということがある。）は、その延長辺部がその直交辺部に対して相対的に図中上側にくるように形成されている。この場合、第２Π字状堰止部６０８の延長辺部は、第１Π字状堰止部６０８の延長辺部と、当該第１Π字状堰止部６０８に対応するデータ線６との間に挟まれるように位置づけられている。
なお、これら第１及び第２Π字状堰止部６０８間では、第２実施形態で述べた基準直線に関わる特徴もまた、同様に妥当する。
【００８８】
以上により、第８実施形態に係るΠ字状堰止部６０８もまた、前述の第２実施形態等と同様、いわゆるラビリンスシールのようなものを構成する、とみることができる。
また、前記の第２Π字状堰止部６０８に関しては、その２つの延長辺部それぞれの端部間の部分は、データ線６に沿って流出してきた平坦化膜８０を受け入れる開口部として機能する。一方、それら２つの延長辺部及び直交辺部によって囲まれた空間は、前記開口部を通じて流入してくる平坦化膜８０を受け止める受止部として機能する。
【００８９】
このような第８実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第８実施形態においても、Π字状堰止部６０８は、前述したように、堰止部６０１との対比において、データ線６と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
【００９０】
しかも、この第８実施形態では、第１実施形態の場合よりも、平坦化膜８０の流出防止効果がより実効的に奏され得る。というのも、第８実施形態では、特に、前記の第２Π字状堰止部６０８は、上述のように開口部及び受止部として機能する部分をもっているので、流出してきた平坦化膜８０の一定量を保持することができるからである。これにより、比較的多めに平坦化膜８０が流出してきたとしても、その進行は、Π字状堰止部６０８が形成されている位置で食い止められ得ることになる。
【００９１】
加えて、第８実施形態では、前述した第１及び第２Π字状堰止部６０８が、ラビリンスシールのようなものを構成するので、素子基板７の外方へと向けて流出しようとする平坦化膜８０は、比較的複雑な経路を通じない限り、当該第１及び第２Π字状堰止部６０８の障害を越えて外方へと流れ出すことができないようになっている。要するに、第８実施形態では、平坦化膜８０の流出防止効果が極めて実効的に奏されるのである。
【００９２】
＜第９実施形態＞
以下では、本発明の第９の実施の形態に係る有機ＥＬ装置について、図１９を参照しながら説明する。
第９実施形態の有機ＥＬ装置は、図１９に示すように、前記第１実施形態の堰止部６０１とは異なる形態の堰止部６０９を持つ。
この堰止部６０９は、堰止部６０１と対比して、データ線６と同じ層として形成されていること、データ線６の延在方向に交差する部分をもつこと、各データ線６に応じて個別に形成されること、それら各堰止部６０２は相互に電気的に接続されないこと、は同様である。
【００９３】
ただ、この堰止部６０９は、例えば第１実施形態の堰止部６０１のように、データ線６によって分かたれる２つの領域を橋渡しするような交差部分をもっているのではなく、図１９に示すように、当該データ線６それ自体が屈曲することによって形作られている（ただし、この第９実施形態に係る堰止部６０９が、「交差部分」をもたないということではない。後述する「Ａ辺部」及び「Ｅ辺部」は、その「交差部分」に該当すると考えることもできる。）。
より詳細には、この第９実施形態の堰止部６０９は、第１に、平坦化膜８０の輪郭線から一定程度隔たったデータ線６の一部から図中左方に向かって延びるＡ辺部、第２に、当該Ａ辺部の端部から図中下方に延びるＢ辺部、第３に、当該Ｂ辺部の端部から図中右方に向かって延び、前記Ａ辺部の約２倍の長さをもつＣ辺部、第４に、当該Ｃ辺部の端部から図中下方に向かって延びるＤ辺部、第５に、当該Ｄ辺部の端部から図中左方に向かって延び、かつ、その端部が再びデータ線６に接続されるＥ辺部からなる。
【００９４】
このような第９実施形態によっても、前述の第１実施形態によって奏された効果と、本質的に相違のない効果が奏されることは明白である。というのも、この第９実施形態においても、堰止部６０９は、前述したように、堰止部６０１との対比において、データ線６と同じ層として形成されること等、多くの共通事項をもつからである。
【００９５】
以上、本発明に係る各実施形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  上述した各実施形態は、説明の便宜上、それぞれに固有の特徴をもつ各別の実施の形態として説明しているが、本発明は、これら各別の実施形態のうちの任意の１つを、別の任意の１つと合わせることで現出されるような実施形態をも、その範囲内におさめる。
このようなことは、既に図１５（第２実施形態と第５実施形態との併合形態）を参照してその一例を説明しているところであるが、本発明は、その他の各種の併合形態についても、基本的にその範囲内におさめるのである。例えば、第７実施形態の楔形堰止部６０７、あるいは第４実施形態の走査線対応堰止部６０４の後方に、第３実施形態の補助堰止部６０３と同様の補助堰止部を設ける併合形態とか、第１実施形態の堰止部６０１と第６実施形態の堰止部７０６とを併せ持つ併合形態、等々が挙げられる。
【００９６】
（２）  上述の各実施形態においては、データ線６又は走査線３に沿った平坦化膜８０の流出防止効果が発揮される例について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、図１等を参照して説明したように、データ線６と並行して電流供給線１１３が形成されるが、この電流供給線１１３に関しても、上述したような平坦化膜８０の流出を促進させる現象が発生することは当然あり得る。このような場合、この電流供給線１１３に関しても、「堰止部」を形成しておけば、当該電流供給線１１３に沿った平坦化膜８０の流出を防止することができる。
また、第１実施形態では、図１に示した領域ＡＥＬについて堰止部６０１が形成される例について説明しているが、データ線６は、プリチャージ回路１０６Ａとも接続されるのであるから、これら両者間においても、上述したような平坦化膜８０の流出現象が生じる可能性はある。よって、当該の部分についても「堰止部」を形成することも考えられてよい。
【００９７】
（３）  上記第６実施形態では、堰止部７０６が、反射層３４と同じ層として形成され、データ線６及び走査線３いずれの同じ層としても形成されない「堰止部」について説明しているが、このような考え方は、その他の各種の「金属膜」についても同様に当てはめることができる。
例えば、図示はしないが、図３等に示される対向電極５の上には、当該対向電極５の電位の安定等を目的として、補助電極が形成されることがある（当該補助電極は、対向電極５がＩＴＯ等の比較的高い抵抗値をもつ材料から作られることに対応して、相対的にそれよりも低い抵抗値をもつ材料によって作られる。）。
このような補助電極も「金属膜」であることに変わりはなく、したがって、「堰止部」は、かかる補助電極と同じ層として形成することが可能である。
【００９８】
（４）  上記各実施形態、特に上記図１５では、第５実施形態の走査線対応堰止部６０５と、第２実施形態の堰止部６０２とが同時に形成される場合について説明しており、これは、走査線３（の全部）とデータ線６（の全部）とがそれぞれ異なる層で形成されることを前提としている。しかし、より一般的にいえば、走査線とデータ線とは、それら両者の全部が、異なる層で形成される必要はない。つまり、平面視して、走査線及びデータ線が交差する部分については、両者間の短絡防止のため、それらの間に層間絶縁膜を設けることは必須であるが、その他の部分については、走査線及びデータ線ともに同じ層で形成してもよいのである。これは、画像表示領域７ａの周辺領域において特にあてはまる。
そして、この場合、それら同一層に形成された走査線及びデータ線に対する堰止部の形成態様は、例えば上記各実施形態等から好適に選ばれうる。例えば、これら走査線及びデータ線のそれぞれについて、第１実施形態の堰止部６０１を形成する、というようである。
なお、この場合における「走査線」及び「データ線」は、ともに、本発明にいう「第１配線膜」への該当性を有すると解することができる。
【００９９】
（５）  上述した各実施形態に係る発光装置は、トップエミッションタイプであるが、本発明に係る発光装置は、ボトムエミッションタイプであってもよい。あるいは、デュアルエミッションタイプであってもよい。
（６）  上述した各実施形態に係る発光装置は、有機ＥＬ装置であるが、本発明に係る発光装置は、無機ＥＬ装置であってもよい。
【０１００】
＜応用＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図２０は、上記実施形態に係る発光装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
図２１に、上記実施形態に係る発光装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置に表示される画面がスクロールされる。
図２２に、上記実施形態に係る発光装置を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal  Digital  Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置に表示される。
【０１０１】
本発明に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図２０から図２２に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１の単位回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１に示す有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に有機ＥＬ素子の配列態様及び第２トランジスタが示されるように選ばれた破断面に基づく断面図である。
【図４】発光機能層が画素ごとに区画される例について示す断面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に有機ＥＬ素子と、これを駆動するための図２に示す２つのトランジスタとが示されるように選ばれた破断面に基づく断面図である。
【図６】図１の有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に周辺領域における構成が示される断面図である。
【図７】図１の有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線及び堰止部の構成、並びに、データ線の延在方向に沿って流出してくる平坦化膜の様子等を示す平面図である。
【図８】図７の比較例（堰止部存在せず）としての平面図である。
【図９】図６と同趣旨の図であって、その変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線及び堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線、堰止部、及び補助堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に周辺領域における構成が示される断面図である。
【図１３】図１２の有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、走査線及び走査線対応堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、走査線及び走査線対応堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１５】本発明の第５実施形態（図１４）及び第２実施形態（図１０）の併合形態に係る構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ装置の適当な破断面を臨んだ断面図であって、特に周辺領域における構成が示される断面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線及び楔形堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１８】本発明の第８実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線及びΠ字状堰止部の構成等を示す平面図である。
【図１９】本発明の第９実施形態に係る有機ＥＬ装置の周辺領域の一部を示す平面図であって、データ線及びその屈曲部を含む堰止部の構成等を示す平面図である。
【図２０】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。
【図２１】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。
【図２２】本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、１’……半導体層、３……走査線、１０３Ａ，１０３Ｂ……走査線駆動回路、６……データ線、１０６……データ線駆動回路、１０６Ａ……プリチャージ回路、７……素子基板、７ａ……画像表示領域、８……有機ＥＬ素子、１３……画素電極、１８，１８’……発光機能層、５……対向電極、３４……反射層、６８……第１トランジスタ、９……第２トランジスタ、１１３……ゲートメタル、６１……中継線、１１３……電流供給線、３００……ゲート絶縁膜、３０１〜３０４……第１〜第４層間絶縁膜、３３１，３３２……凸部、３４０……隔壁、８０……平坦化膜、４０……封止膜、６０１，６０２……堰止部、６０３……補助堰止部、６０４，６０５……走査線対応堰止部、７０６……（反射層と同じ層で形成された）堰止部、６０７……楔形堰止部、６０８……Π字状堰止部、６０９……（屈曲部を含む）堰止部、９１，９４，９６……堤防部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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