(57)【要約】【課題】エネルギーサブトラクション処理において、軟部、及び骨部のエネルギー分離能に与える残像の影響を回避する。【解決手段】画素毎に、前撮影画像のオフセット補正を行なって（ステップ１５０）。得られた値と前撮影画像の後の撮影時における残像の減衰率を補正係数αとを乗算して、前撮影画像の残像を求める（ステップ１５２）。画素毎に、後撮影画像のオフセット補正を行なって（ステップ１５４）、オフセット補正後の後撮影画像を示す値からステップ１５２で求めた残像を示す値を減算して、残像補正を行なう（ステップ１５６）。  すなわち、前の撮影時に発生した電荷量と電荷発生層の電荷の減衰率とに基づいて、後の撮影時に残存していた前の撮影時に発生した電荷量を求めて、残像補正画像を表す値を求めている。【選択図】図５
2009219529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を発生して照射する放射線発生手段と、
受けた放射線量に応じた電荷を発生する多数の電荷発生層を備え、前記放射線発生手段から照射されて被写体を透過した放射線を撮影時に受けて、前記被検体の画像を表す画像データを生成する撮影手段と、
前記電荷発生層の各々について、所定のエネルギーの放射線を照射して撮影した後の撮影時の電荷量から当該後の撮影時に残存していた前記所定のエネルギーと異なるエネルギーの放射線を照射して撮影した前の撮影時の電荷量を除去することにより、前記後の画像から残像を除去した残像補正画像を表す残像補正画像データを生成する残像補正画像生成手段と、
前の撮影時に生成された画像データと前記残像補正画像データとを用いてエネルギーサブストラクション処理を行う処理手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記残像補正画像生成手段は、前記前の撮影時に発生した電荷量と前記電荷発生層の電荷の減衰率とに基づいて、前記後の撮影時に残存していた前記前の撮影時の電荷量を求めて、残像補正画像を表す残像補正画像データを生成する請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記画像データ、及び前記残像補正画像データの少なくとも一方を選択的に出力する出力手段を更に備えた請求項１又は請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記出力手段は、放射線画像撮影装置の装置特性に応じて選択的に出力する請求項３に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記出力手段は、前記前の撮影と前記後の撮影との間の時間間隔に応じて選択的に出力する請求項３又は請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線画像の撮影において、被撮影者の同一の部位を異なる管電圧で撮影し、各管電圧での撮影によって得られた画像に重みを付けて差分を演算することで、画像中の骨部等の硬部組織に相当する画像部、及び軟部組織に相当する画像部の一方を強調して他方を除去した画像（以下、「エネルギーサブトラクション画像」とよぶ）を得る技術が知られている。
【０００３】
エネルギーサブトラクション画像の生成方法として、Ｘ線検出器に輝尽性発光体を用い、２枚の検出器の間に銅板などのフィルタを入れることで、１回の撮影により実質的に管電圧を変えた２枚の画像を得て、この画像からエネルギーサブトラクション画像を生成する処理（以下、「エネルギーサブストラクション処理」とよぶ）の技術が従来より知られている。
【０００４】
一方、半導体検出器を使ったＸ線撮像システムが使われるようになり、短時間でＸ線の連射が可能となり、連続的に２回撮影した画像を用いてエネルギーサブストラクション処理が行われるようになってきた。
【０００５】
しかし、半導体検出器では、光導電効果により、１回目の撮影における画像情報が検出器に残り（以下、「残像」とよぶ）、２回目の撮影における画像に影響を及ぼすことがあり、エネルギー分解能に影響を与えるという問題がある。
【０００６】
また、撮影を連続的に行ったとしても、撮影の間に時間差は存在する。これにより、撮影の間の被検体の体動の影響（モーションアーチファクト）が生じるという問題がある。
【０００７】
残像の補正については、特許文献１に、透視撮影（動画撮影）における残像補正の技術が開示されている。特許文献１では、リカーシブフィルタにより前の撮影の画像を形成し、オリジナル画像から減算をすることにより残像補正を行う技術が開示されている。この技術により、モーションアーティファクトの残像の補正が可能になる。
【０００８】
また、特許文献２には、血管造影撮影で、造影剤の注入前後のサブトラクションを行う場合に施される残像補正の技術が開示されている。特許文献２には、造影剤注入後の画像（２枚目、３枚目、・・・）から注入前の画像（１枚目）を減算し、造影剤の注入された血管像を演算する場合に施される残像補正の技術が記載されている。この技術は、サブトラクションする２枚目以降のライブ画像に生じている１枚目のマスク画像の残像特性を合わせて減算するものである。なお、特許文献２に記載される技術は、同じエネルギーの撮影を前提としており、エネルギーサブストラクション処理への適用はできない。
【特許文献１】特公平８−３３９２２号公報
【特許文献２】特開２００３−２９９６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１〜２に記載の技術は、何れもエネルギーサブトラクション処理における軟部、及び骨部のエネルギー分離能に与える残像の影響を回避できるものではない。
【００１０】
本発明は上記事実を考慮して成されたもので、エネルギーサブトラクション処理において、軟部、及び骨部のエネルギー分離能に与える残像の影響を回避することが可能な放射線画像撮影装置を得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明に係る放射線画像撮影装置は、放射線を発生して照射する放射線発生手段と、受けた放射線量に応じた電荷を発生する多数の電荷発生層を備え、前記放射線発生手段から照射されて被写体を透過した放射線を撮影時に受けて、前記被検体の画像を表す画像データを生成する撮影手段と、前記電荷発生層の各々について、所定のエネルギーの放射線を照射して撮影した後の撮影時の電荷量から当該後の撮影時に残存していた前記所定のエネルギーと異なるエネルギーの放射線を照射して撮影した前の撮影時の電荷量を除去することにより、前記後の画像から残像を除去した残像補正画像を表す残像補正画像データを生成する残像補正画像生成手段と、前の撮影時に生成された画像データと前記残像補正画像データとを用いてエネルギーサブストラクション処理を行う処理手段と、を備えている。
【００１２】
残像補正画像生成手段は、前の撮影時に発生した電荷量と電荷発生層の電荷の減衰率とに基づいて、後の撮影時に残存していた前の撮影時の電荷量を求めて、残像補正画像を表す残像補正画像データを生成するとよい。
【００１３】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、画像データ、及び残像補正画像データの少なくとも一方を選択的に出力する出力手段を更に備えることができる。
【００１４】
この場合、出力手段は、放射線画像撮影装置の装置特性に応じて選択的に出力するとよい。また、出力手段は、前の撮影と後の撮影との間の時間間隔に応じて選択的に出力することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明は、エネルギーサブトラクション処理において、軟部、及び骨部のエネルギー分離能に与える残像の影響を回避できる、という優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図１には本実施形態に係る放射線画像撮影システム１０が示されている。放射線画像撮影システム１０は、放射線（例えばエックス線（Ｘ線）等）を発生する放射線発生部１２と、放射線発生部１２と間隔を隔てて配置された放射線検出パネル１４と、放射線検出パネル１４から画像情報を取得して各種の処理を行うマイクロコンピュータや各種の電気回路を含んで構成された制御装置１６を備えている。放射線発生部１２と放射線検出パネル１４との間には、撮影時に被写体１８が位置する撮影位置が形成され、放射線発生部１２から照射され撮影位置に位置している被写体１８を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線検出パネル１４に照射される。
【００１７】
制御装置１６は、放射線発生制御部２０、信号検出補正部２２、制御部２４、画像等を表示可能なディスプレイ２６、及びキーボード等の入力デバイスやマウス等のポインティングデバイスを含む操作パネル２８を備えている。放射線発生制御部２０は放射線発生部１２、及び制御部２４に接続されており、制御部２４からの指示に応じて、放射線発生部１２による放射線発生時の管電圧、管電流、及び放射線発生時間を制御することで、放射線発生部１２によって発生される放射線の線量等を制御する。また、信号検出部２２は、被写体１８が撮影される毎に、放射線検出パネル１４から画像信号を読み出してデジタルの画像データへ変換すると共に、変換によって得られた画像データに対してリーク補正処理や電気ノイズ抑制処理等の画質補正処理を行う。
【００１８】
制御部２４は、操作パネル２８を介して入力された指示に応じて被写体１８の撮影を制御したり、信号検出補正部２２から入力された画像データを用いてエネルギーサブトラクション画像の生成等の画像処理を行ったり、ディスプレイ２６、及び操作パネル２８を介して所定のユーザＩ／Ｆを提供するための処理等を行う。また、制御部２４はＨＤＤやフラッシュメモリ等から成る不揮発性の記憶部２４Ａを備えており、この記憶部２４Ａには撮影条件情報ＤＢ（データベース）が記憶されている。なお、撮影条件情報ＤＢの内容については後述する。また、記憶部２４Ａには、制御部２４が後述する連続撮影処理を行うためのプログラムも記憶されている。
【００１９】
また、放射線画像撮影システム１０は撮影部位移動部３０を備えている。撮影部位移動部３０は、放射線発生部１２、及び放射線検出パネル１４を移動可能なアクチュエータ等から成り、被写体１８のうちの撮影対象の部位（撮影部位：例えば胸部や腰椎、四肢骨、乳房等）が制御装置１６から通知されると、被写体１８のうち通知された撮影部位を撮影するための位置へ放射線発生部１２、及び放射線検出パネル１４を移動させる。なお、被写体１８のうちのある撮影部位を撮影するための放射線発生部１２、及び放射線検出パネル１４の位置は、被写体１８の体格等によっても相違するので、撮影部位移動部３０は、操作パネル２８を介して撮影位置の調整が指示されると、当該指示に応じて放射線発生部１２、及び放射線検出パネル１４の位置を調整するように構成されている。
【００２０】
次に、放射線検出パネル１４、及び信号検出補正部２２の構成を説明する。放射線検出パネル１４は、図２に示すＴＦＴアクティブマトリクス基板３４上に、放射線を吸収して受けた放射線量に応じた電荷に変化し、電荷を発生する光電変換層（電荷発生層）４２が形成され、更にその上方に、高圧電源に接続されたバイアス電極（図示省略）が形成されて構成されている。光電変換層は例えばセレンを主成分（例えば含有率５０％以上）とする非晶質のａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）から成り、放射線が照射されると、照射された放射線量に応じた電荷量の電荷（電子−正孔の対）を内部で発生することで、照射された放射線を電荷へ変換する。これにより、照射された放射線が担持している画像情報が電荷情報へ変換されることになる。
【００２１】
また、ＴＦＴアクティブマトリクス基板３４上には、光電変換層で発生された電荷を蓄積する蓄積容量３６と、蓄積容量３６に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴ３８を備えた画素部４０（なお、図２では個々の画素部４０に対応するバイアス電極、及び光電変換層を光電変換部４２として模式的に示している）がマトリクス状に多数個配置されており、さらに、図２の矢印Ａ方向に沿って延設され個々の画素部４０のＴＦＴ３８をオンオフさせるための複数本のゲート配線４４と、図２の矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向に沿って延設されオンされたＴＦＴ３８を介して蓄積容量３６から蓄積電荷を読み出すための複数本のデータ配線４６も設けられている。
【００２２】
一方、信号検出補正部２２は、放射線検出パネル１４の個々のゲート配線４４に各々接続されたゲート線ドライバ４８を備えている。ゲート線ドライバ４８は、放射線検出パネル１４からの信号電荷の読出時に、特定のゲート配線４４にハイレベルの電圧信号（オン信号）を供給することで、オン信号を供給したゲート配線４４に接続されている各画素部４０のＴＦＴ３８をオフからオンへ変化させ、一定時間後に、上記ゲート配線４４へのオン信号の供給を停止することで、オン信号を供給していたゲート配線４４に接続されている各画素部４０のＴＦＴ３８をオンからオフへ変化させるゲート線駆動処理を、個々のゲート配線４４に対して順に行う。
【００２３】
また、信号検出補正部２２は、ＴＦＴアクティブマトリクス基板３４に設けられたデータ配線４６の数と同数のオペアンプ５０を備えており、放射線検出パネル１４の個々のデータ配線４６は互いに異なるオペアンプ５０の反転入力端に各々接続されている。個々のオペアンプ５０は、非反転入力端がＧＮＤ配線（接地配線）に各々接続されており、反転入力端にコンデンサ５２の一端が各々接続され、コンデンサ５２の他端は出力端に接続されている。上記構成により、個々のオペアンプ５０、及びコンデンサ５２は、反転入力端に接続されたデータ配線４６を流れる電流（信号電荷）を積分し、積分結果に相当するレベルの信号を出力するチャージアンプとして機能する。
【００２４】
個々のオペアンプ５０（チャージアンプ）の出力端は、図示しない増幅器、サンプルホールド回路を介し、マルチプレクサ（ＭＵＸ）５４の複数個の入力端の何れかに各々接続されており、個々のチャージアンプの出力信号はＭＵＸ５４に並列に入力される。ＭＵＸ５４の出力端はＡ／Ｄ変換器５６の入力端に接続されており、ＭＵＸ５４は複数個の入力端を順に選択し、選択した入力端を介して入力された信号をＡ／Ｄ変換器５６へ出力する。これにより、ＭＵＸ５４に並列に入力された複数（データ配線４６の数と同数）の信号に対し、パラレル−シリアル変換及びＡ／Ｄ変換（アナログ−デジタル変換）が順に行われることになる。
【００２５】
Ａ／Ｄ変換器５６の出力端は画質補正処理部５８の入力端に接続されており、画質補正処理部５８の出力端は制御部２４（図１参照）の入力端に接続されている。画質補正処理部５８は、画像の画質を向上させるための画質補正処理としてリーク補正処理及び電気ノイズ抑制処理を行った後に、画質補正処理後のデータ（画像データ）を制御部２４へ出力する。
【００２６】
本実施の形態に係る放射線検出パネル１４は、大線量の放射線が照射された際にＴＦＴ３８を保護するために、放射線が照射されることで個々の画素部４０の蓄積容量３６に蓄積された電荷を、リーク電流としてデータ配線４６へ積極的に流す構成を採用している。このため、ゲート線ドライバ４８が何れのゲート配線４４にもオン信号を供給していない期間にはデータ配線４６にリーク電流のみが流れ、ゲート線ドライバ４８が何れかのゲート配線４４にオン信号を供給している期間には、蓄積容量３６に蓄積されている信号電荷に相当する電流にリーク電流が重畳された電流がデータ配線４６を流れる。また、データ配線４６を流れるリーク電流は時間経過に伴って減衰していき０になる。このため、データ配線４６を流れる電流をチャージアンプによって積分した結果をそのまま画像として用いた場合、画像中の大線量照射領域から上下方向に伸びる帯状の画質欠陥（アーチファクト）が生ずる（この現象は「尾引き」ともいう）。
【００２７】
このため、画質補正処理部５８は、チャージアンプに対し、データ配線４６を流れる電流（信号電荷）の積分を、個々のゲート配線４４毎に、ＴＦＴ３８がオンしているオン期間、及びＴＦＴ３８がオンしていないオフ期間について各々行わせ、オン期間のデータからオフ期間のデータを減算することでリーク電流の影響を補正するリーク補正を行う。なお、上記のようにオン期間のデータからオフ期間のデータを単に減算する処理は、電気ノイズが√２倍に増大したり、画像の一部に白抜け状の画質欠陥（アーチファクト）が生ずるという弊害があるので、オフ期間のデータの移動平均値（例えば主走査方向（ゲート配線４４の方向）、及び副走査方向（データ配線４６の方向）に数画素程度の範囲の移動平均値）を演算し、このオフ期間のデータの移動平均値をオン期間のデータから減算するようにしてもよい。
【００２８】
また、画質補正処理部５８は、Ａ／Ｄ変換器５６に同一のアナログ信号を複数回入力させて同一のアナログ信号に対するＡ／Ｄ変換を複数回行わせ、各回のＡ／Ｄ変換によって得られたデジタルデータの平均値を画像データとして出力する電気ノイズ抑制処理を行う。この電気ノイズ抑制処理により、Ａ／Ｄ変換器５６によるＡ／Ｄ変換時にデジタルデータに加わるランダムなノイズが抑制される。
【００２９】
次に本実施形態の作用を説明する。本実施形態において、制御部２４の記憶部２４Ａに記憶されている撮影条件情報ＤＢには、エネルギーサブトラクション画像を生成するための複数回（たとえば２回）の撮影における、前の撮影と後の撮影との間の時間間隔（以下、「撮影時間間隔」とよぶ）、各回の撮影における放射線発生部１２の管電圧及び画質補正処理の有無、何れの回の画像を診断用画像として出力するか等の情報が、放射線画像撮影システム１０によって撮影可能な被写体１８の個々の撮影部位毎に予め記憶されている。
【００３０】
次に、利用者によって操作パネル２８が操作されることで、エネルギーサブトラクション画像の生成のための複数回の撮影が指示された場合に制御部２４で行われる連続撮影処理について、図３を参照して説明する。
【００３１】
この連続撮影処理では、まずステップ１００において、例として図４に示すような撮影条件設定画面をディスプレイ２６に表示させる。図４に示すように、本実施の形態に係る撮影条件設定画面には、撮影部位の設定、及び表示をするための設定・表示欄７０と、前の撮影における放射線発生部１２の管電圧の表示、及び変更設定をするための設定・表示欄７２と、撮影時間間隔の表示、及び変更設定をするための設定・表示欄７４と、後の撮影における放射線発生部１２の管電圧の表示、及び変更設定をするための設定・表示欄７６と、撮影の開始を指示するためのボタン７８が各々設けられ、撮影部位の選択、必要時の撮影条件の変更、及び「撮影」の指示を要請するメッセージ８０が表示されて構成されている。なお、ディスプレイ２６に撮影条件設定画面が表示された当初は、設定・表示欄７０〜７８は何れも空欄とされている。
【００３２】
次のステップ１０２では利用者によって撮影部位が設定されたか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ１０２を繰り返す。利用者は、ディスプレイ２６に表示された撮影条件設定画面を確認し、この画面内に表示されているメッセージ８０を参照することで、撮影部位の設定が必要であることを認識すると、これから撮影を行おうとしている撮影部位を設定・表示欄７０に設定する操作を操作パネル２８を介して行う。当該操作が利用者によって行われるとステップ１０２の判定が肯定されてステップ１０４へ移行し、利用者によって設定・表示欄７０内に設定された撮影部位を認識し、撮影部位移動部３０により、認識した撮影部位を撮影可能な位置へ、放射線発生部１２、及び放射線検出パネル１４を移動させる。
【００３３】
また、ステップ１０６では、ステップ１０４で認識した撮影部位（利用者によって設定された撮影部位）に対応する撮影条件情報を撮影条件情報ＤＢからメモリに読み込み、読み込んだ撮影条件情報のうち、前の撮影における放射線発生部１２の管電圧を画面内の設定・表示欄７２に表示させ、撮影時間間隔を画面内の設定・表示欄７４に表示させ、後の撮影における放射線発生部１２の管電圧を画面内の設定・表示欄７６に表示させる。これにより、表示されている撮影条件設定画面を参照することで、利用者が現在の撮影条件（前、及び後の撮影における放射線発生部１２の管電圧、撮影時間間隔）を認識することができる。
【００３４】
ステップ１０８では利用者によって撮影の開始が指示されたか否か判定する。判定が否定された場合はステップ１１０へ移行し、利用者によって撮影時間間隔の変更が指示されたか否か判定する。この判定が否定された場合はステップ１０８に戻る。
【００３５】
一方、表示されている撮影条件設定画面を参照することで現在の撮影条件を認識した利用者が撮影時間間隔を変更する必要があると判断した場合、利用者によって操作パネル２８が操作されることで設定・表示欄７４内に表示されている撮影時間間隔が変更される。利用者によって上記操作が行われた場合には、利用者によって撮影時間間隔の変更が指示されたと判断し、ステップ１１０の判定が肯定されてステップ１１２へ移行し、撮影条件情報ＤＢから読み込んでメモリに保持している撮影条件情報のうちの撮影時間間隔を変更設定した後にステップ１０８へ戻る。
【００３６】
このように、本実施の形態では撮影時間間隔が利用者によって変更設定が可能となるようにしているので、例えば被写体１８（被撮影者）の胸部の撮影において、被撮影者の心周期を測定し、測定した心周期に近づくように利用者が撮影時間間隔を変更設定することが可能となる。これにより、エネルギーサブトラクション画像におけるモーションアーチファクトを低減することができる。
【００３７】
上記のように、必要に応じて撮影時間間隔の変更設定を指示する操作を行うことで、撮影条件設定画面内に表示されている撮影時間間隔が適正であることを確認した利用者は、操作パネル２８を操作して画面内のボタン７８を選択する。ボタン７８が選択された場合は利用者によって撮影の開始が指示されたと判断し、ステップ１０８の判定が肯定されてステップ１１４へ移行する。ステップ１１４では、メモリに保持している現在の撮影条件情報に設定されている前の撮影における撮影条件（管電圧）を放射線発生制御部２０へ通知し、撮影の実行を指示する。
【００３８】
これにより、放射線発生制御部２０は、放射線発生部１２による放射線発生時の管電圧が制御部２４から通知された管電圧に一致するように制御しながら、放射線発生部１２で放射線を発生させる。放射線発生部１２で発生した放射線は、撮影位置に位置している被写体１８のうち利用者によって設定された撮影部位に照射され、当該撮影部位を透過し放射線検出パネル１４に入射され、放射線検出パネル１４の各画素部４０の蓄積容量３６に電荷として蓄積される。放射線発生部１２による放射線の発生が終了すると、信号検出補正部２２による放射線検出パネル１４（の各画素部４０の蓄積容量３６）からの画像情報（信号電荷）の読み出しが行われる。ステップ１１４では、放射線検出パネル１４からの画像情報の読み出しと並行して、画質補正処理部５８により画質補正処理も行われる。
【００３９】
次のステップ１１６では信号検出補正部２２から画像データを取得し、取得した画像データを前の撮影で得られた画像データとして記憶部２４Ａ等に記憶させる。
【００４０】
ステップ１１８では、放射線発生部１２が前の撮影における放射線発生を行ってから、メモリに保持している現在の撮影条件情報に設定されている撮影時間間隔に相当する時間が経過したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ１１８を繰り返す。ステップ１１８の判定が肯定されるとステップ１２０へ移行し、メモリに保持している現在の撮影条件情報に設定されている後の撮影における撮影条件（管電圧）を放射線発生制御部２０へ通知し、撮影の実行を指示する。
【００４１】
これにより、放射線発生制御部２０は、放射線発生部１２による放射線発生時の管電圧が制御部２４から通知された管電圧に一致するように制御しながら、放射線発生部１２で放射線を再度発生させる。放射線発生部１２で発生した放射線は、撮影位置に位置している被写体１８のうち前の撮影と同一の撮影部位に照射され、当該撮影部位を透過し放射線検出パネル１４に入射され、放射線検出パネル１４の各画素部４０の蓄積容量３６に電荷として蓄積される。放射線発生部１２による放射線の発生が終了すると、信号検出補正部２２による放射線検出パネル１４（の各画素部４０の蓄積容量３６）からの画像情報（信号電荷）の読み出しが行われる。ステップ１２０では、放射線検出パネル１４からの画像情報の読み出しと並行して、画質補正処理部５８により画質補正処理も行われる。
【００４２】
次のステップ１２２では信号検出補正部２２から画像データを取得し、取得した画像データを後の撮影で得られた画像データとして記憶部２４Ａ等に記憶させる。
【００４３】
ステップ１２４では、後撮影画像から前撮影画像の残像を除いた残像補正画像を生成する。
【００４４】
エネルギーサブストラクション処理を行うための撮影を行う場合は、体動による影響を可能な限り抑えたいため、撮影時間間隔を短くする。このように撮影時間間隔を短くするため、撮影時間間隔の間に遮光状態での画像（「ダーク画像」とよぶ）を取得することができず、ダーク画像を用いた補正を行なうことはできない。
【００４５】
本実施の形態では、前の撮影で得た画像（以下、「前撮影画像」とよぶ）を用いて残像補正を行なう。具体的には、前撮影画像の後の撮影時における残像の減衰率を補正係数として、補正係数αを前撮影画像に適用した画像を残像の画像とする。
【００４６】
前撮影画像の後の撮影時における残像の減衰率は、図５のグラフに示されるように、時間がたつにつれ減衰していく値である。
【００４７】
図６のフローチャートを参照して、残像補正の処理ルーチンの説明を行なう。
【００４８】
なお、
Ｏｆｆｓｅｔ（ｘ，ｙ）：画素毎のばらつきの補正（オフセット補正）を行うためのオフセット補正データ
Ｘ１ｄａｔａ（ｘ，ｙ）：後の撮影で得た画像（以下、「後撮影画像」とよぶ）の画素データ
Ｘ０ｄａｔａ（ｘ，ｙ）：前撮影画像の画素データ
α：残像補正係数
である。また、（ｘ，ｙ）は、画素の位置を示している。
【００４９】
まず、ステップ１５０で、前撮影画像のオフセット補正を、以下の式（１）に従って行なう。
Ｄａｔａ１（ｘ，ｙ）＝Ｘ０ｄａｔａ（ｘ，ｙ）−Ｏｆｆｓｅｔ（ｘ，ｙ）  …  （１）
ステップ１５２では、以下の式（２）に示されるように、ステップ１５０で得られた値とαとを乗算して、前撮影画像の残像を求める。
Ｄａｔａ２（ｘ，ｙ）＝α×Ｄａｔａ１（ｘ，ｙ）  …  （２）
ステップ１５４では、後撮影画像のオフセット補正を、以下の式（３）に従って行なう。
Ｄａｔａ３（ｘ，ｙ）＝Ｘ１ｄａｔａ（ｘ，ｙ）−Ｏｆｆｓｅｔ（ｘ，ｙ）  …  （３）
ステップ１５６では、以下の式（４）に従って、残像補正を行なう。
Ｄａｔａ４（ｘ，ｙ）＝Ｄａｔａ３（ｘ，ｙ）−Ｄａｔａ２（ｘ，ｙ）  …  （４）
すなわち、制御部２４は、前の撮影時に発生した電荷量と電荷発生層の電荷の減衰率とに基づいて、後の撮影時に残存していた前の撮影時に発生した電荷量を求めて、残像補正画像を表す値を求めている。
【００５０】
上記では、オフセット補正後に残像補正をする処理ルーチンの説明を行ったが、前撮影画像、及び後撮影画像の双方にオフセット補正を施し、さらにＬｏｇ変換まで実施しておき、ステップ１２４のエネルギーサブストラクション処理を実施する段階で逆Ｌｏｇ変換を実施して、上記の式（４）に示される残像補正を行なってもよい。
【００５１】
ステップ１２６では、記憶部２４Ａに記憶されている前の撮影で得られた画像データ、及び後の撮影で得られた画像データに対して互いに異なる所定の重みを付けて差分を演算することで、エネルギーサブトラクション画像を生成し、生成したエネルギーサブトラクション画像をディスプレイ２６に表示させる。
【００５２】
ステップ１２６では、メモリに保持している現在の撮影条件情報のうち撮影時間間隔を規定する情報に基づいて、後の撮影で得られた画像、及び残像補正画像のうち、診断用として適切な画像を判断し、判断した画像を診断用画像としてディスプレイ２６に表示させて、処理を終了する。
【００５３】
撮影時間間隔が短い場合は、被検体の体動の影響（モーションアーチファクト）は低く、前の撮影の残像の影響は、診断画像として用いるのに問題はない。このため、診断画像として残像補正を施していない撮影で得られたままの画像を診断画像として用いる。また、残像補正処理を行なうことにより、画像にノイズが重畳されるという問題を起こす。このため、モーションアーチファクトが低い場合は、診断画像としては、残像補正を施していない画像を用いる方が好ましい。
【００５４】
一方で、撮影時間間隔が長い場合は、モーションアーチファクトは高く、診断画像として使うにあたっては残像補正を行なう必要が生じる。このため、エネルギーサブトラクション処理で用いた、図５のフローチャートで示される処理ルーチンによって得られた残像補正画像を診断画像として用いる。
【００５５】
なお、ステップ１２６，１２８において、利用者によってディスプレイ２６への表示が指示された場合に画像を表示させるようにしてもよい。
【００５６】
また、撮影条件の設定画面やフローは上記に限定されるものではなく、撮影部位は先に決めておき、撮影時間間隔のみ設定できるようにしてもよい。
【００５７】
また、上記では、後撮影画像、又は残像補正画像の何れかを診断画像として用いる場合について説明したが、前撮影画像を用いる場合もある。後撮影画像、又は残像補正画像の何れかを診断画像として用いるか、前撮影画像を診断画像として用いるかは、装置の特性によって決まる。前撮影画像を診断画像に用いる場合は、画像に残像が含まれないので、前の撮影で得られたそのままの画像を使用する。
【００５８】
なお、上記では本発明に係る画像検出手段の一例として、照射された放射線を電荷へ直接変換する光電変換層が設けられた放射線検出パネル１４を用いる場合を説明したが、これに限定されるものではなく、画像検出手段のうち照射された放射線を電荷へ変換する光電変換部は、照射された放射線を電磁波（例えば可視光等）へ一旦変換した後に、変換後の電磁波を電荷へ変換する構成（間接変換方式）であってもよい。また上記では、光電変換層がＴＦＴアクティブマトリクス基板３４上に形成された構成を説明したが、上記の光電変換部は、蓄積容量及びスイッチング手段を各々備えた複数の画素部が配列された基板と別体であってもよい。
【００５９】
また、上記では多数個の画素部４０（ＴＦＴ３８や蓄積容量３６）がマトリクス状に（２次元に）配置された構成の放射線検出パネル１４を例に説明したが、これに限定されるものではなく、放射線検出パネルは複数個の画素部が一列に（１次元に）配置された構成であってもよい。
【００６０】
また、上記では本発明に係る放射線発生手段が発生する放射線の一例としてエックス線を記載したが、本発明はこれに限定されるものではなく、画像検出手段で電荷へ変換されて蓄積容量にその電荷が蓄積されるものであれば、例えば電子線やα線等の他の放射線であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影システムの概略構成を示すブロック図である。
【図２】放射線検出パネル及び信号検出補正部の概略構成図である。
【図３】制御部によって行われる連続撮影の処理ルーチンを示すフローチャートである。
【図４】撮影条件設定画面の一例を示すイメージ図である。
【図５】時間に対する減衰率を示すグラフである。
【図６】残像補正の処理ルーチンを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１０   放射線画像撮影システム
１２   放射線発生部
１４   放射線検出パネル
１６   制御装置
２０   放射線発生制御部
２２   信号検出補正部
２４Ａ  記憶部
２４   制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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