(57)【要約】      （修正有）【課題】伝送損失が少なく、且つ密着力が発現するＦＰＣを提供する。【解決手段】表面保護絶縁材４ａ、４ｂが形成された両面ＦＰＣにおいて、グランド回路３ａ、３ｂの一部及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂの表面にシリカハイブリッド材溶液を塗工し、その硬化物からなるプライマー層５ａ、５ｂを乾燥、ポリイミド膜化した後にめっき前処理を行う。このときにシリカハイブリッド硬化物表面のナノサイズのシリカ粒子が脱落し、アンカー層が形成される。このアンカー層表面に無電解めっきを施してシード層６ａ、６ｂを形成した後に電解めっき７ａ、７ｂによって金属膜を形成する。そして、エッチングによりシード層６ａ、６ｂ及び電解めっき７ａ、７ｂの不要部分を除去する。その表面に表面保護絶縁層を形成する。【選択図】図３−１
2009302144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって前記金属パターンの−部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板において、前記表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方にシリカハイブリッド材が塗布されていることを特徴とするフレキシブル回路基板。
【請求項２】
上記シリカハイブリッド材は、めっき前処理としての表面調整が行われ、且つ触媒が付与された後の表面にめっき処理が施されて金属からなるシード層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル回路基板。
【請求項３】
上記シード層は、上記シリカハイブリッド材を構成するナノサイズのシリカ粒子の脱落部分に浸透しためっきにより、シリカハイブリッド材とシード層との密着力が発現することを特徴とする請求項２記載のフレキシブル回路基板。
【請求項４】
上記シード層形成のためのめっき処理は無電解めっき処理であることを特徴とする請求項２又は３記載のフレキシブル回路基板。
【請求項５】
上記シリカハイブリッド材を用いたシード層に電解めっきによりグランド層を形成し、グランド層に表面保護絶縁材を形成することにより、信号回路の両側に絶縁物を介してグランドを平行に配置させたストリップライン構造、及び絶縁層の一方の面に信号回路を配置させ、他方の面に前記グランドと電源ラインを配置させたマイクロストリップライン構造の何れにも適用できることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のフレキシブル回路基板。
【請求項６】
高速伝送路に用いられることを特徴とする請求項１、２、３、４、又は５記載のフレキシブル回路基板
【請求項７】
ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって前記金属パターンの一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、前記表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方の表面にシリカハイブリッド材を塗布する第１の工程と、
前記シリカハイブリッド材を乾燥し、ポリイミド膜を
形成する第２の工程と、
前記ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材表面のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるための前処理として表面調整が行われ、且つ触媒を付与してめっき前処理を行う第３の工程と、
前記めっき前処理されたシリカハイブリッド材の表面に無電解めっき処理を行ってシード層を形成する第４の工程と、
前記シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第５の工程と、
エッチングなどによって前記シード層、及び前記電解めっきの不要部分を除去する第６の工程と、前記第６の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第７の工程とを含むことを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
【請求項８】
上記無電解めっき処理は、上記めっき前処理としての表面調整においてフレキシブル回路基頼の構成材料にダメージを与えない湿式めっきであることを特徴とする請求項７記載のフレキシブル回路基板の製造方法。
【請求項９】
ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって前記金属パターンの一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、前記表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方の表面にシリカハイブリッド材を塗布する第１の工程と、
前記シリカハイブリッド材を乾燥し、ポリイミド膜を形成する第２の工程と、
前記ポリイミド膜化した以外の部分にめっきマスクを形成する第３の工程と、
前記ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材表面のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるための前処理として表面調整が行われ、且つ触媒を付与してめっき前処理を行う第４の工程と、
前記めっき前処理され、めっきマスクによってマスキングされていないシリカハイブリッド材の表面に無電解めっき処理を行ってシード層を形成する第５の工程と、
前記シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第６の工程と、
めっきマスクを除去する第７の工程と、
前記第７の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第８の工程とを含むことを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
【請求項１０】
ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって前記金属パターンの一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、前記表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも−方の表面にシリカハイブリッド材を塗布する第１の工程と、
前記シリカハイブリッド材を乾燥し、ポリイミド膜を形成する第２の工程と、
前記ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材表面のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるための前処理として表面調整が行われ、且つ触媒を付与してめっき前処理を行う第３の工程と、
前記めっき前処理されたシリカハイブリッド材の表面に無電解めっき処理を行って選択的にシード層を形成する第４の工程と、
前記シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第５の工程と、
前記第５の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第６の工程とを含むことを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
【請求項１１】
シリカハイブリッド材はシリカハイブリッドポリイミドであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０記載のフレキシブル回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit、以下、ＦＰＣという）及びその製造方法に関し、特に、シリカハイブリッドＰＩ（Polyimide）を用いた高速伝送用のＦＰＣ、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話などの可搬型情報機器には、折畳み収納時の利便性からＦＰＣが好んで用いられている。例えば、折畳み式携帯電話のヒンジ連結部分を電気的に接続するときに両面ＦＰＣを用い、折り畳むときは該両面ＦＰＣの一方の径路を他方の径路に重ねるようにして折り曲げる技術が知られている。これにより、前記ヒンジ連結部分の折り曲げ時に該両面ＦＰＣの幅を狭くすることができるので、該ヒンジ連結部分の狭い部分に前記両面ＦＰＣを容易に通すことができると共に、前記ヒンジ連結部分の開閉時における該両面ＦＰＣの耐久性を一段と向上させることができる（特許文献１参照）。
【０００３】
また、湿度による寸法変動を小さくすると共に、低誘電正接、且つ低比誘電率の熱可塑性樹脂を用いて、樹脂間の密着強度を確保した高速伝送に適したＦＰＣの技術も開示されている。これにより、高温、多湿な環境下で使用される折畳み式電子機器（例えば、携帯電話やビデオカメラなど）に供するＦＰＣを実現することができる（特許文献２参照）。さらに、カバーフィルムにハード層とソフト層を設けることにより、配線パターンの金属層に亀裂を生じさせることなく、耐磨耗性及び耐ブロッキング性に優れたシールドフィルム型のＦＰＣを実現する技術も開示されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特許第３５１５４９０号公報
【特許文献２】特開２００６−１７９６０９号公報
【特許文献３】特開２００６−３１９２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術では、高速シリアル伝送とヒンジ機能とを両立させるＦＰＣはシールド材をグランドとして使用している。そのため、従来のシールド材では伝送損失が多くて信号レベルが低下してしまうなどの問題がある。そこで、伝送損失が少ないシールド兼グランド材を開発する要求が高まってきている。また、銅箔を貼りつけてシールド兼グラウンド層を形成すると、ＦＰＣの厚さが厚くなって硬くなるために可撓性が低下するなどの問題もある。さらに、従来のＦＰＣのシールド材（例えば、銀ペーストや転写型シールドフィルムなど）をグランドとして使用すると、インピーダンスが高くなって伝送損失が大きくなってしまう。また、スパッタリングや蒸着によってシード層（Ｎｉ−Ｃｒ合金など）を形成するためには膜厚の管理が難しく、且つ、処理装置が高価になると共に、密着力（基板との引き剥がし強度）が弱くなってしまう。さらに、めっきによってシード層を形成する場合は、ＦＰＣを構成する樹脂に対してダメージのある薬液が使用されるおそれがある。また、ＦＰＣの環境試験後において密着力がさらに低下するおそれがある。
【０００５】
一方、現行のめっき手順は、一般的に次のような３通りの工程によって行われている。１．被めっき処理面の粗化⇒触媒付与（Ｐｄ（パラジューム）コロイドやＳｎ−Ｐｄ（錫−パラジューム合金）コロイドの付与）⇒無電解めっき処理
２．被めっき処理面の粗化⇒前処理（表面改質）⇒触媒付与（１と同じ触媒）⇒還元⇒無電解めっき処理
３．脱脂⇒アルカリ改質⇒触媒付与（１と同じ触媒）⇒還元⇒無電解めっき処理  上記３通りのめっき処理の方法は、何れも、被めっき処理面の粗化やアルカリ改質によって構成樹脂表面を改変することでめっき形成が行われるが、このようなめっき形成の方法では、初期の密着力が現われないか、又は初期の密着力が現われても環境試験後に劣化して密着力が低下するおそれがある。また、粗化工程によってＦＰＣを構成する樹脂へダメージを及ぼすおそれもある。
【０００６】
このような種々の問題は、上記特許文献１、２、及び３で用いられるＦＰＣにおいても製造工程において発生するおそれがある。
【０００７】
従って、従来のシールド材よりも伝送損失が少ないシールド兼グランド材を開発し、ＦＰＣ構成樹脂にダメージを与えることなく湿式めっきで形成するシールド兼グランド材を用いたＦＰＣを製造し、且つ密着力が発現するシリカハイブリッド材用のめっき方法を実現させるために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記の目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって金属パターンの一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板において、表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方の表面にシリカハイブリッド材が塗布された構成を採っている。
【０００９】
この構成によれば、シリカハイブリッド材を、塗工、乾燥し、ポリイミド膜化を行うことによりめっきプライマー層を形成することができる。そして、このめっきプライマー層をめっき前処理としての表面調整及び触媒付与することにより、シリカハイブリッド材の表面にめっきを強固に施してシード層を形成することができる。これによって、シード層が剥がれるおそれはなくなる。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、シリカハイブリッド材は、めっき前処理としての表面調整及び触媒付与された後に、表面にめっき処理が施されてシード層が形成されることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、シリカハイブリッド材がめっき前処理の表面調整を行うことによって、表面のナノサイズのシリカ粒子が脱落して約４０nm程度の深さで多数の穴が空き、表面に粗面が形成される。そして、触媒を付与しめっきを施すことでシード層が形成される。
従って、このシード層がシリカハイブリッド材の表面から剥がれ落ちることはなくなる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、シード層は、シリカハイブリッド材を構成するシリカ粒子の脱落部分に浸透しためっきにより、シリカハイブリッド層との密着力が発現することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、シリカハイブリッド材の表面に形成されたシリカ粒子の脱落穴にめっきが浸透してシード層が形成されるので、密着力が発現しシリカハイブリッド材の表面からめっきが剥がれにくくなる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項２又は３記載の発明において、上記めっき処理は無電解めっき処理であることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、シード層を形成するには無電解めっき処理を行う。また、シード層の上に形成する金属膜は、膜厚が厚いのでめっき時間の短い電解めっき処理が施されている。
【００１６】
請求項５記載の発明は、請求項１、２、３又は４記載の発明において、シリカハイブリッド材を用いたシード層に電解めっきによりグランド層を形成し、グランド層に表面保護絶縁材を形成することにより信号回路の両側に絶縁物を介してグランドを平行に配置させたストリップライン構造、及び絶縁層の一方の面に信号回路を配置させ、他方の面にグランドと電源ラインを配置させたマイクロストリップライン構造の何れにも適用できることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、ストリップライン構造及びマイクロストリップライン構造の何れにおいても、シリカハイブリッド材を用いて本発明のフレキシブル回路基板を実現することができる。
【００１８】
請求項６記載の発明は、請求項１、２、３、４又は５記載の発明において、フレキシブル回路基板は高速伝送路に用いられることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、シリカハイブリッド材を用いたストリップライン構造又はマイクロストリップライン構造を有する高速伝送用のフレキシブル回路基板を提供することができる。
【００２０】
請求項７記載の発明は、ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって金属パターンに一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方に表面にシリカハイブリッド材を塗布する第１の工程と、シリカハイブリッド材を乾燥されてポリイミド膜化する第２の工程と、ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるために表面調整を行った後に、触媒を付与してめっき前処理を行う第３の工程と、めっき前処理されたシリカハイブリッド材の表面に無電解めっきを行ってシード層を形成する第４の工程と、シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第５の工程と、エッチングなどによってシード層、及び電解めっきの不要部分を除去る第６の工程と、第６の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第７の工程とを含むことを特徴とする。
【００２１】
このようなフレキシブル回路基板の製造方法によれば、シリカハイブリッド材を塗工、乾燥し、ポリイミド膜化を行うことによりめっきプライマー層を形成することができる。そして、このめっきプライマー層にめっき前処理としての表面調整を行うことで、シリカハイブリッド材表面のナノサイズのシリカ粒子が脱落し、アンカー層を形成する。このアンカー層が形成されることで強固なめっきが形成できる。
【００２２】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発明において、無電解めっきは、めっき前処理としての表面調整においてフレキシブル回路基板の構成材料にダメージを与えない湿式めっきであることを特徴とする。
【００２３】
このようなフレキシブル回路基板の製造方法によれば、めっき前処理としての表面調整においてフレキシブル回路基板の構成材料にダメージを与えるおそれはない。
【００２４】
請求項９記載の発明は、ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって金属パターンに−部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方に表面にシリカハイブリッド材溶液を塗布する第１の工程と、シリカハイブリッド材を乾燥されてポリイミド膜化する第２の工程と、ポリイミド膜化した以外の部分にめっきマスクを用いてシールド材に必要ない部分にめっきマスクを形成する第３の工程と、ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるために表面調整を行った後に、触媒を付与してめっき前処理を行う第４の工程と、めっき前処理されたシリカハイブリッド材の表面に無電解めっきを行ってシード層を形成する第５の工程とこ  シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第６の工程と、めっきマスクを除去する第７の工程と、第７の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第８の工程とを含むことを特徴とする。
【００２５】
このようなフレキシブル回路基板の製造方法によれば、シリカハイブリッド材溶液を塗工、乾燥し、ポリイミド膜化を行うことによりめっきプライマー層を形成することができる。このめっきプライマー層以外の部分にめっきマスクを形成することで、シールド材の不要部分の表面を保護し、めっき前処理としての表面調整を行うことで、シリカハイブリッド材表面のみナノサイズのシリカ粒子が脱落し、アンカー層を形成する。このアンカー層を形成することで強固なめっきが形成できる。
【００２６】
請求項１０記載の発明は、ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって金属パターンに一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板の製造方法において、表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方に表面にシリカハイブリッド材溶液を塗布する第１の工程と、シリカハイブリッド材を乾燥されてポリイミド膜化する第２の工程と、ポリイミド膜化されたシリカハイブリッド材のナノサイズのシリカ粒子を脱落させるために表面調整を行った後に、触媒を付与してめっき前処理を行う第３の工程と、めっき前処理されたシリカハイブリッド材の表面に無電解めっきを行って選択的にシード層を形成する第４の工程と、シード層の表面に電解めっき処理を行って金属膜を形成する第５の工程と、第５の工程で形成された基板の表面部分及び裏面部分に絶縁層を形成する第６の工程とを含むことを特徴とする。
【００２７】
このようなフレキシブル回路基板の製造方法によれば、シリカハイブリッド材溶液を塗工、乾燥し、ポリイミド膜化を行うことによりめっきプライマー層を形成することができる。そして、このめっきプライマー層にめっき前処理としての表面調整を行うことで、シリカハイブリッド材表面のナノサイズのシリカが粒子脱落し、アンカー層を形成する。このアンカー層を形成することで強固なめっきが形成できる。さらにシリカハイブリッド材表面以外はシリカの脱落がなく、表面調整での粗化がされないために触媒付与、無電解めっきを行ってもシード層が形成されない。シリカハイブリッド材表面にのみ選択的に無電解めっきが形成され、シード層が形成される。
【００２８】
請求項１１記載のシリカハイブリッド材は例えば、特許第３９６２９９７号で開示されたものであってもよい。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１記載の発明によれば、シリカハイブリッド材にめっき前処理としての表面調整及び触媒を付与することにより、シリカハイブリッド材の表面にめっきを強固に施してシード層を形成することができる。これによって、シード層が剥がれるおそれはなくなる。
【００３０】
請求項２記載の発明によれば、めっき前処理としての表面調整を行うことで、シリカハイブリッド材の表面のシリカ粒子が脱落してできた多数の穴によって粗面が形成され、この粗面に触媒を付与することによって、表面のめっきが強固に施されてシード層が形成される。従って、このシード層がシリカハイブリッド材の表面から剥がれ落ちることはなくなる。
【００３１】
請求項３記載の発明によれば、シリカハイブリッド材の表面に形成されたシリカ粒子の脱落穴にめっきが浸透してシード層が形成されるので、ナノサイズのアンカー層が形成されたことにより、シリカハイブリッド材の表面からめっきが剥がれにくくなる。
【００３２】
請求項４記載の発明によれば、無電解めっきによりシード層を形成し、電解めっきにより金属膜を形成することができる。しかも、めっき層の膜厚を必要最小限に薄くすることができ、可撓性をもつことができるので、このめっき層のパターンをシールド兼グランドとして用いた場合はインピーダンスを低くすることができるので伝送損失を低く抑えることが可能となる。
【００３３】
請求項５記載の発明によれば、ストリップライン構造及びマイクロストリップライン構造の何れにおいても、シリカハイブリッド材を用いてフレキシブル回路基板を実現することができる。
【００３４】
請求項６記載の発明によれば、めっきの厚さが５μm以下の薄さであっても伝送損失の低減化が図れる。従って、フレキシブル回路基板の厚さを従来より薄くし伝送損失を低減させることができるので、シリカハイブリッド材を用いたストリップライン構造又はマイクロストリップライン構造の高速伝送用のフレキシブル回路基板を安価に提供することが可能となる。
【００３５】
請求項７記載の発明によれば、シリカハイブリッド材をめっき前処理としての表面調整及び触媒を付与することにより、シリカハイブリッド材の表面にめっきを強固に施してシード層を形成すことができるので、シード層が剥がれるおそれはなくなる。
【００３６】
請求項８記載の発明によれば、めっき前処理としての表面調整において、フレキシブル回路基板の構成材料にダメージを与えるおそれはない。
【００３７】
請求項９記載の発明によれば、シリカハイブリッド材表面以外をめっきマスクにより保護しているため、めっき前処理としての表面調整において、フレキシブル回路基板の構成材料にダメージを与えるおそれはない。
【００３８】
請求項１0記載の発明によれば、シリカハイブリッド材をめっき前処理としての表面調整及び触媒付与することにより、シリカハイブリッド材の表面のみにめっきを強固に施してシード層を選択的に形成できる。
【００３９】
請求項１１記載のシリカハイブリッド材は、プラズマ処理やコロナ処理などの表面処理を行っていないポリイミドには、十分な密着をもっためっきが形成できないような弱い表面調整でも十分な密着をもっためっきが形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明は、従来のシールド材よりも伝送損失が少ないシールド兼グランド材を開発し、構成樹脂にダメージを与えることなく湿式めっきで形成するシールド兼グランド材を用いたＦＰＣの製造方法を実現し、且つ、密着力が発現するシリカハイブリッド材用のめっき方法を実現するという目的を達成するために、ベースフィルムの一面又は両面に金属パターンが配線され、表面保護絶縁材によって前記金属パターンの一部又は全部が保護されたフレキシブル回路基板において、表面保護絶縁材及び金属パターンの少なくとも一方の表面にシリカハイブリッド材が塗布されているフレキシブル回路基板を提供することによって実現した。
【実施例】
【００４１】
以下、図１乃至図６を用いて、従来技術と対比しながら本発明の好適な実施例について詳述する。尚、両面ＦＰＣ又は片面ＦＰＣの片側もしくは両側に、シールド材として銀ペーストかシールドフィルムを有するストリップライン構造あるいはマイクロストリップライン構造のＦＰＣについては周知の技術であるので説明を省略する。以下の説明では、無電解めっきによってシード層を形成しその表面に電解めっきを施す従来のＦＰＣと、シリカハイブリッド材に無電解めっきを形成し、その上に電解めっきを施す本発明のＦＰＣとの比較を行う。
【００４２】
図１は、従来技術と本発明におけるストリップライン構造及びマイクロストリップライン構造の比較例を示す断面図であり、（ａ）は従来技術の構造、（ｂ）は本発明の構造を示している。すなわち、この図は、無電解めっきによってシード層を形成し、その表面に電解めっきを施す従来のＦＰＣと、シリカハイブリッド材に無電解めっきを形成しその上に電解めっきを施す本発明のＦＰＣとの比較を示す図である。
【００４３】
従来の両面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ａ−１）に示すように、ベースフィルム１２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａ、１３ｂを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａ、１３ｂの上下面には表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂを形成し、該グランド回路１３ａ及び、該表面保護絶縁材１４ａの表面にめっきを施してシード層１６ａを形成した後に電解めっき１７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ａを形成する。
【００４４】
また、従来の両面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ａ−２）に示すように、ベースフィルム１２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａ、１３ｂを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａ、１３ｂの上下面には表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂを形成し、該グランド回路１３ａ１３ｂ及び、該表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂの表面にめっきを施してシード層１６ａ１６ｂを形成した後に電解めっき１７ａ、１７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ａ、１８ｂを形成する。
【００４５】
さらに、従来の両面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ａ−３）に示すように、ベースフィルム１２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａ、１３ｂを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａ、１３ｂの上下面には表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂを形成し、該グランド回路１３ｂ及び、該表面保護絶縁材１４ｂの表面にめっきを施してシ−０ド層１６ｂを形成した後に電解めっき１７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ｂを形成する。
【００４６】
また、従来の両面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ａ−４）に示すよぅに、ベースフィルム１２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａ，１３ｂを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａ，１３ｂの上下面に表面保護絶縁材１４ａ，１４ｂを形成し、該グランド回路１３ａ及び、該表面保護絶縁材１４ａの表面にめっきを施してシード層１６ａを形成した後に電解めっき１７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ａを形成する。
【００４７】
従来の片面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ａ−５）に示すように、べ−スフィルム１２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａの上面に表面保護絶縁材１４ａを形成し、該べ−スフィルム１２下面（裏面）及び、該グランド回路１３ａの上下面、該表面保護絶縁材１４ａの表面にめっきを施してシード層１６ａ、１６ｂを形成した後に電解めっき１７ａ、１７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ａ、１８ｂを形成する。
【００４８】
従来の片面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ａ−６）に示すように、べ−スフィルム１２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａを有すると共に、前記信号回路１１とグランド回路１３ａの上面に表面保護絶縁材１４ａを形成し、該べ−スフィルム１２下面（裏面）及び、該グランド回路１３ａの下面にめっきを施してシード層１６ｂを形成した後に電解めっき１７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ｂを形成する。
【００４９】
従来の片面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ａ−７）に示すように、べ−スフィルム１２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１とグランド回路１３ａを有すると共に前記信号回路１１とグランド回路１３ａ上面に表面保護絶縁材１４ａを形成し、該グランド回路１３ａ及び、該表面保護絶縁材１４ａの表面めっきを施してシード層１６ａを形成した後に電解めっき１７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材１８ａを形成する。
【００５０】
一方、本発明の両面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ｂ−１）に示すように、ベースフィルム２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａ、３ｂを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａ、３ｂの上下面には表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成し、該グランド回路３ａ及び、該表面保護絶縁材４ａの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ａを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ａの表面にシード層６ａを形成した後に電解めっき７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ａを形成する。
【００５１】
また、本発明の両面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ｂ−２）に示すように、ベースフィルム２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａ、３ｂを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａ、３ｂの上下面には表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成し、該グランド回路３ａ、３ｂ及び、該表面保護絶縁材４ａ、４ｂの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂの表面にシード層６ａ、６ｂを形成した後に電解めっき７ａ、７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成する。
【００５２】
さらに、本発明の両面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ｂ−３）に示すように、ベースフィルム２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａ、３ｂを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａ、３ｂの上下面には表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成し、該グランド回路３ｂ及び、該表面保護絶縁材４ｂの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ｂを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ｂの表面にめっきを施してシード層６ｂを形成した後に電解めっき７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ｂを形成する。
【００５３】
また、本発明の両面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ｂ−４）に示すように、ベースフィルム２上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａ，３ｂを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａ，３ｂの上下面に表面保護絶縁材４ａ，４ｂを形成し、該グランド回路３ａ及び、該表面保護絶縁材４ａの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ａを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ａの表面にめっきを施してシード層６ａを形成した後に電解めっき７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ａを形成する。      
【００５４】
本発明の片面ＦＰＣにおけるストリップライン構造では、同図（ｂ−５）に示すように、べ−スフィルム２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａの上面に表面保護絶  縁材４ａを形成し、該べ−スフィルム２下面（裏面）及び、該グランド回路３ａの上下面、該表面保護絶縁材４ａの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂの表面にめっきを施してシード層６ａ、６ｂを形成した後に電解めっき７ａ、７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成する。
【００５５】
本発明の片面ＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ｂ−６）に示すように、べ−スフィルム２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａを有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａの上面に表面保護絶縁材４ａを形成し、該ベースフィルム２下面（裏面）及び、該グランド回路３ａ下面の表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ｂを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ｂの表面にめっきを施してシード層６ｂを形成した後に電解めっき７ｂを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ｂを形成する。
【００５６】
本発明のＦＰＣにおけるマイクロストリップライン構造では、同図（ｂ−７）に示すように、ベースフィルム２上に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３を有すると共に、前記信号回路１とグランド回路３ａの上面に表面保護絶縁材４ａを形成し、該グランド回路３ａ及び、該表面保護絶縁材４ａの表面の一部にシリカハイブリッド材溶液を塗工、ポリイミド膜化し、シリカハイブリッド硬化物５ａを形成する。そして、該シリカハイブリッド硬化物５ａの表面にめっきを施してシード層６ａを形成した後に電解めっき７ａを施し、さらにその表面に表面保護絶縁材８ａを形成する。
【００５７】
図２は両面銅張積層板を用いたストリップライン構造の両面ＦＰＣにおける従来技術と本発明の製造工程の比較を示す工程図であり、（ａ）は従来技術の工程、（ｂ）は本発明の工程を示している。従来の両面ＦＰＣの製造工程は図（ａ）の１段目の図に示すように、ベースフィルム１２の上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１１と、グランド回路１３ａ、１３ｂを有すると共に前記信号回路１１とグランド回路１３ａ、１３ｂの上下面には表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂを形成した両面ＦＰＣが用意されている。
【００５８】
このような構成の両面ＦＰＣを用意して、以下のような（１）〜（５）の各工程が行われる。めっきマスクを用いる際は、予めシールド材の不要部分にめっきマスクを形成しておく必要がある。
（１）めっき前処理の工程において、グランド回路１３ａ、１３ｂ及び表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂの表面に数ミクロン程度の粗化処理を施す。
（２）無電解めっき処理の工程において、グランド回路１３ａ、１３ｂ及び表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂの粗化処理面に無電解めっきを施し、シード層１６ａ、１６ｂを形成する。
（３）電解めっき処理の工程において、シード層１６ａ、１６ｂの表面に電解めっき１７ａ、１７ｂを施す。
（４）不要部分の除去処理の工程において、シード層１６ａ、１６ｂ及び電解めっき１７ａ、１７ｂの不要部分をエッチングなどによって除去する。めっきマスクを用いた場合、エッチングなどの処理は必要なく、この工程でめっきマスクを除去する。
（５）表面保護絶縁層形成の工程において、表面保護絶縁材１４ａ、１４ｂ、電解めっき１７ａ、１７ｂの表面に表面保護絶縁材を形成する。以上によって、従来の両面銅張積層板を用いたストリップライン構造の両面ＦＰＣが作製される。
【００５９】
一方、本発明の両面ＦＰＣの製造工程は、図２（ｂ）の１段目の図に示すように、ベースフィルム２の上下に銅箔に対するエッチング処理によって形成された信号回路１と、グランド回路３ａ、３ｂを有すると共に前記信号回路１とグランド回路３ａ、３ｂの上下面には表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成した両面ＦＰＣが用意されている。
【００６０】
このような構成のＦＰＣを用意して、以下のような（１）〜（６）の各工程が行われる。
（１）シリカハイブリッド材溶液塗工の工程において、グランド回路３ａ、３ｂ及び表面
保護絶縁材４ａ、４ｂの表面の−部にシリカハイブリッド材溶液を塗工し、乾燥、ポリイミド膜化することでシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂとなる。また、めっきマスクを用いる際は、シールド材の不要部分にめっきマスクを形成しておく必要がある。
（２）めっき前処理の工程において、（１）の両面ＦＰＣを前処理液及び触媒液に浸漬させてめ      っき前処理を行う。
（３）無電解めっき処理の工程において、めっき前処理が行われたグランド回路３ａ、３ｂ及びシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂの表面に無電解めっきを施してシード      層６ａ、６ｂを形成する。
（４）電解めっき処理の工程において、シード層６ａ、６ｂの表面に電解めっき７ａ、７ｂを施して金属膜を形成する。
（５）不要部分の除去処理の工程において、シード層６ａ、６ｂ及び電解めっき７ａ、７ｂの不要部分をエッチングなどによって除去する。めっきマスクを用いた場合、エッチングなどの処理は必要なく、この工程でめっきマスクを除去する。また、選択的にシード層、金属膜形成が可能な場合は不要部分の除去処理は不要となる。
（６）表面保護絶縁層形成の工程において、表面保護絶縁材４ａ、４ｂ、電解めっき７ａ、７ｂの表面に表面保護絶縁材を形成する。
【００６１】
このようにして、本発明のＦＰＣの工程が従来の工程と異なる点は、めっきプライマー層を形成するためにシリカハイブリッド材を塗工、乾燥、及びポリイミド膜化を行っているところである。これによって、めっきプライマー層上又はグランドに無電解めっきを施す際のめっき前処理の内容が従来と異なり、通常必要とされるポリイミド表面の粗化処理の必要はなくなり、ポリイミド粗化を伴わない前処理によりナノサイズのシリカ粒子を脱落させてアンカー層を形成することができる。このようにしてアンカー層を形成することで強固なめっきが形成される。
【００６２】
図３−１は、本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の流れを示す工程図である。従って、同図を用いて本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の流れを詳細に説明する。
【００６３】
先ず、第１工程において、両面ＦＰＣの基板は、ベースフィルム２の上下に銅箔に対するエッチング処理によって信号回路１及びグランド回路３ａ、３ｂを形成し、グランド回路３ａ、３ｂの一部を除いて、グランド回路３ａ、３ｂ及び信号回路１の表面に表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成する。
【００６４】
次に、第２工程のめっきプライマー層形成の工程において、シリカハイブリッド材溶液を塗工する。すなわち、シリカハイブリッド材溶液塗工工程において、グランド回路３ａ、３ｂの一部及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂの表面にシリカハイブリッド材溶液を塗工、乾燥、ポリイミド膜化を行い、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成する。ここで塗工されるシリカハイブリッド材溶液は、溶媒中に固形物が溶けているワニスであって、最終的にシールド材にしたい部分にワニスを塗工する。      
【００６５】
第３工程のめっき前処理の工程において、上記第１工程、第２工程を通過したＦＰＣを前処理液に浸漬させ、さらに触媒を付与し、めっき前処理を行う。すなわち、この工程では通常必要とされる粗化処理を行うのではなく、めっき前処理としてＦＰＣを前処理液に浸漬する。このような前処理によって、シリカハイブリッド材（シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ）の表面のナノサイズのシリカ粒子（直径約５nm）が脱落して釣４０nmの深さのアンカー層が形成される。そして、Pｂ系の触媒液に浸漬させてナノサイズのシリカ粒子が脱落した部分に触媒の付与を行う。
【００６６】
第４工程のシード層形成（無電解めっき処理）の工程において、グランド回路３ａ、３ｂ及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂまた、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ表面に無電解めっきを施してシード層を形成する。すなわち第３工程で形成されたシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂのアンカー層によって無電解めっきが強固に施され、シード層６ａ、６ｂが形成される。このときの無電解めっきとしては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金などが形成される。尚、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ以外の表面にも無電解めっきが形成されるが、それらの部分はアンカー層が形成されないために密着力は極めて弱い。
【００６７】
第５工程の金属膜形成（電解めっき形成）の工程において、シード層６ａ、６ｂの表面に電解めっき７ａ、７ｂを形成し金属膜を形成する。すなわち伝送特性に必要な厚み（約５μm以下）にするために電解めっきによって金属膜を形成する。尚、無電解めっきによって金属膜を形成することも可能であるが、めっき処理時間が長くかかるために電解めっきによる金属膜形成が望ましい。
【００６８】
第６工程の不要部分除去の工程において、グランド回路３ａ、３ｂ及び、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂの表面以外（不要とする部分）をエッチングにより除去する。すなわち、シールド材として必要のない部分（表面保護絶縁材４ａ、４ｂの一部の表面に形成された）のシード層６ａ、６ｂ及び金属膜化した電解めっき７ａ、７ｂをエッチングにより除去する。
【００６９】
第７工程の絶縁層形成（表面保護絶縁層形成）の工程において表面保護絶縁材４ａ、４ｂ、電解めっき７ａ、７ｂの表面に表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成する。このようにして、ＦＰＣの表面保護のために表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成し、絶縁層を形成する。以上の工程によって本発明の両面ＦＰＣが形成される。
【００７０】
また、図３−２は、本発明に係る両面ＦＰＣのめっきマスクを用いてゐ製造工程の流れを示す工程図であり、同図を用いて本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の流れを詳細に説明する。
【００７１】
先ず、第１工程において、両面ＦＰＣの基板は、ベースフィルム２の上下に銅箔に対するエ  ツチング処理によって信号回路１及びグランド回路３ａ、３ｂを形成し、グランド回路３  ａ、３ｂの一部を除いて、グランド回路３ａ、３ｂ及び信号回路１の表面に表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成する。
【００７２】
次に、第２工程のめっきプライマー層形成の工程において、シリカハイブリッド材溶液を塗工する。すなわち、シリカハイブリッド材溶液塗工工程において、グランド回路３ａ、３ｂの一部及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂの表面にシリカハイブリッド材溶液を塗工、乾燥、ポリイミド膜化を行い、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成する。ここで塗工され  るシリカハイブリッド材溶液は、溶媒中に固形物が溶けているワニスであって、最終的に  シールド材にしたい部分にワニスを塗工する。      
【００７３】
第３工程のめっきマスク形成の工程において、上記第２工程でシリカハイブリッド材溶液を塗工し、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成した部分以外（シールド材の不要部分）の表面保離縁材４ａ、４ｂ上にめっきマスク９ａ、９ｂを形成する。
【００７４】
第４工程のめっき前処理の工程において、上記第１工程、第２工程、第３工程を通過したＦＰＣを前処理液に浸漬させ、さらに触媒を付与し、めっき前処理を行う。すなわち、この工程では通常必要とされる粗化処理を行うのではなく、めっき前処理としてＦＰＣを前処理液に浸漬する。このような前処理によって、シリカハイブリッド材（シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ）の表面のナノサイズのシリカ粒子（直径釣５nm）が脱落して約４０ｎｍの探さのアンカー層が形成される。そして、Pｂ系の触媒液に浸漬させてナノサイズのシリカ粒子が脱落した部分に触媒の付与を行う。
【００７５】
第５工程のシード層形成（無電解めっき処理）の工程において、グランド回路３ａ、３ｂ及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂまた、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ表面に無電解めっきを施してシード層を形成する。すなわち第４工程で形成されたシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂのアンカー層によって無電解めっきが強固に施され、シード層６ａ、６ｂが形成される。このときの無電解めっきとしては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金などが形成される。
【００７６】
第６工程の金属膜形成（電解めっき形成）の工程において、シード層６ａ、６ｂの表面に電解めっき７ａ、７ｂを形成し金属膜を形成する。すなわち伝送特性に必要な厚み（約５μｍ以下）にするために電解めっきによって金属膜を形成する。尚、無電解めっきによって金属膜を形成することも可能であるが、めっき処理時間が長くかかるために電解めっきによる金属膜形成が望ましい。
【００７７】
第７工程のめっきマスク除去の工程において、めっきマスク９ａ、９ｂを除去する。
【００７８】
第８工程の絶縁層形成（表面保護絶縁層形成）の工程において表面保護絶縁材４ａ、４ｂ、電解めっき７ａ、７ｂの表面に表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成する。このようにして、ＦＰＣの表面保護のために表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成し、絶縁層を形成する。以上の工程によって本発明の両面ＦＰＣが形成される。
【００７９】
図３−３は、本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の流れを示す工程図である。従って、同図を用いて本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の流れを詳細に説明する。
【００８０】
先ず、第１工程において、両面ＦＰＣの基板は、ベースフィルム２の上下に銅箔に対するエッチング処理によって信号回路１及びグランド回路３ａ、３ｂを形成し、グランド回路３ａ、３ｂの一部を除いて、グランド回路３ａ、３ｂ及び信号回路１の表面に表面保護絶縁材４ａ、４ｂを形成する。
【００８１】
次に、第２工程のめっきプライマー層形成の工程において、シリカハイブリッド材溶液を塗工する。すなわち、シリカハイブリッド材溶液塗工工程において、グランド回路３ａ、３ｂの一部及び表面保護絶縁材４ａ、４ｂの表面にシリカハイブリッド材溶液を塗工、乾燥、ポリイミド膜化を行い、シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂを形成する。ここで塗工されるシリカハイブリッド材溶液は、溶媒中に固形物が溶けているワニスであって、最終的にシールド材にしたい部分にワニスを塗工する。
【００８２】
第３工程のめっき前処理の工程において、上記第１工程、第２工程を通過したＦＰＣを前処理液に浸漬させ、さらに触媒を付与し、めっき前処理を行う。すなわち、この工程では通常必要とされる粗化処理を行うのではなく、めっき前処理としてＦＰＣを前処理液に浸漬する。このような前処理によって、シリカハイブリッド材（シリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ）の表面のナノサイズのシリカ粒子（直径約５ｎｍ）が脱落して約４０ｎｍの深さのアンカー層が形成される。そして、Pｂ系の触媒液に浸漬させてナノサイズのシリカ粒子が脱落した部分に触媒の付与を行う。
【００８３】
第４工程のシード層形成（無電解めっき処理）の工程において、グランド回路３ａ、３ｂ及びシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂ表面に無電解めっきを施してシード層を選択的に形成する。すなわち第３工程で形成されたシリカハイブリッド硬化物５ａ、５ｂのアンカー層によって無電解めっきが強固に施され、シード層６ａ、６ｂが形成される。このときの無電解めっきとしては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｕ−Ｎｉ合金などが形成される。
【００８４】
第５工程の金属膜形成（電解めっき形成）の工程において、シード層６ａ、６ｂの表面に電解めっき７ａ、７ｂを形成し金属膜を形成する。すなわち伝送特性に必要な厚み（約５μｍ以下）にするために電解めっきによって金属膜を形成する。尚、無電解めっきによって金属膜を形成することも可能であるが、めっき処理時間が長くかかるために電解めっきによる金属膜形成が望ましい。
【００８５】
第６工程の絶縁層形成（表面保護絶縁層形成）の工程において表面保護絶縁材４ａ、４ｂ、電解めっき７ａ、７ｂの表面に表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成する。このようにして、ＦＰＣの表面保護のために表面保護絶縁材８ａ、８ｂを形成し、絶縁層を形成する。以上の工程によって本発明の両面ＦＰＣが形成される。
【００８６】
以上述べたように、グランド回路上又は表面保護絶縁材上にシリカハイブリッド材溶液を塗工して、乾燥、ポリイミド膜化を行うことによりめっきプライマー層の形成を行い、その後に無電解めっきを施してシード層を形成する。このときの無電解めっきは、通常必要とされるポリイミド表面の粗化処理を行う必要はなく、ポリイミド粗化を行わない前処理液によってナノサイズのシリカ粒子を脱落させてアンカー層を形成した上に施す。このようにしてアンカー層を形成することで強固なめっきが形成される。
【００８７】
尚、シリカハイブリッド材溶液を塗工しないでめっき処理を行った場合は、表面にめっきが付着しないか或いは密着力が発現しない状態となる。このようにして、無電解めっきを形成した後に金属膜化のため電解めっきを行い、その後絶縁層を形成することにより、優れた高速シリアル伝送用のＦＰＣが製造される。
【００８８】
図４−１は、図３−１に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図である。従って、図３−１を参照しながら図４−１を説明する。図４−１に示すように、第２工程のめっきプライマー層形成の工程においては、シリカハイブリッド材溶液を塗工し、乾燥は１００℃１０minで行い、ポリイミド膜化は２５０℃ピークの窒素乾燥炉で行う。
【００８９】
第３工程のめっき前処理の工程においては、表面調整は２５℃３min、触媒付与は４０℃３minで行う。第４工程のシード層形成の工程においては、無電解めっきを４５℃３minで行う。第５工程の金属膜形成の工程においては、硫酸銅めっきを処理時間２００secで行う。第６工程の不要部分除去の工程においては、ドライフィルム型レジストを用いてラミネート、露光、現像、エッチング、剥離を行う。第７工程の絶縁層形成の工程において、表面保護絶縁材を形成する。
【００９０】
図４−２は、図３−２に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図である。従って、図３−２を参照しながら図４−２を説明する。図４−２に示すように、第２工程のめっきプライマー層形成の工程においては、シリカハイブリッド材溶液を塗工し、乾燥は1００℃１０minで行い、ポリイミド膜化は２５０℃ピークの窒素乾燥炉で行う。
【００９１】
第３工程のめっきマスク形成の工程においては、めっきマスクをラミネートにより貼り合せる。第４工程のめっき前処理の工程においては、表面調整は２５℃３min、触媒付与は４０℃３minで行う。第５工程のシード層形成の工程においては、無電解めっきを４５℃３minで行う。第６工程の金属膜形成の工程においては、硫酸銅めっきを処理時間２００secで行う。第７工程のめっきマスク除去の工程においては、めっきマスクを剥がし除去する。第８工程の絶縁層形成の工程において、表面保護絶縁材を形成する。
【００９２】
図４−３は、図３−３に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図である。従って、図３−３を参照しながら図４−３を説明する。図４−３に示すように、第２工程のめっきプライマー層形成の工程においては、シリカハイブリッド材溶液を塗工し、乾燥は１００℃１０minで行い、ポリイミド膜化は２５０℃ピークの窒素乾燥炉で行う。
【００９３】
第３工程のめっき前処理の工程においては、表面調整は２５℃３min、触媒付与は４０℃３minで行う。第４工程のシード層形成の工程においては、無電解めっきを４５℃３minで行う。第５工程の金属膜形成の工程においては、硫酸銅めっきを処理時間２００secで行う。第６工程の絶縁層形成の工程において、表面保護絶縁材を形成する。
【００９４】
次に、本発明の製造工程で作製された両面ＦＰＣにおいて、インピーダンスアナライザを用いて各材料のインピーダンス測定を行った結果と、ネットワークアナライザを用いて伝送損失（S２１）の測定を行った結果について説明する。尚、評価サンプルの作製方法は、両面ＦＰＣにおいて、図３−１に示すような、めっきプライマー層形成⇒シード層形成⇒金属膜形成⇒不要部分除去⇒絶縁層形成の工程によるものである。
【００９５】
図５は、従来技術と本発明の両面ＦＰＣにおけるインピーダンス特性の比較グラフであり、横軸に周波数（MHz）、縦軸にインピーダンス（Ω）を表している。銀ペーストを施した従来技術の両面ＦＰＣの特性（ａ）は、0〜２５0MHzの全ての周波数範囲においてインピーダンスが最も高い。本発明の両面ＦＰＣにおいてシリカハイブリッドPＩ（硬化物）１と無電解めっきと3μmの電解めっき処理を施した両面ＦＰＣの特性（ｂ）は良好なインピーダンス特性を示し、5μmの電解めっき処理を施した両面ＦＰＣの特性（ｃ）は最も良好なインピーダンス特性を示している。
【００９６】
すなわち、従来の両面ＦＰＣの特性（ａ）は、０〜２００ＭＨｚの全ての周波数範囲においてインピーダンスが高いために伝送損失が大きくなるが、本発明の両面ＦＰＣの特性（ｂ）及び特性（ｃ）は０〜２・００ＭＨｚの全ての周波数範囲においてインピーダンスが低いために伝送損失が小さく、従って、高速通信に適していると言える。
【００９７】
図６は、従来技術と本発明の両面ＦＰＣにおける伝送損失特性の比較グラフであり、横軸に周波数（ＧＨｚ）、縦軸に伝送損失（ｄＢ／ｃｍ）を表している。尚、縦軸の伝送損失（ｄＢ／ｃｍ）はマイナスの数値で示してあるので、マイナスの数値が大きいほど伝送損失が大きいことを示している。
【００９８】
同図に示すように、銀ペーストを施した従来技術の両面ＦＰＣの特性（ａ）は０〜３・ＯＧＨｚの全ての周波数において伝送損失が最も大きい。本発明の両面ＦＰＣにおいてシリヵハイブリッドＰＩ（硬化物）と無電解めっきと電解めっき処理を施したものは、電解めっき厚が3μmの特性（ｂ）と電解めっき厚が５μｍ（ｃ）で殆んど伝送損失が同じであり、何れも良好な伝送損失を示している。尚、本発明の両面ＦＰＣにおいては、電解めっきの厚さを変えても伝送損失は殆んど変わらないことを示している。
【００９９】
尚、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】従来技術と本発明におけるストリップライン構造及びマイクロストリップライン構造の比較例を示す断面図であり、（ａ）は従来技術の構造、（ｂ）は本発明の構造。
【図２】両面ＦＰＣを用いたストリップライン構造の従来技術と本発明の製造工程の比較を示す工程図であり、（ａ）は従来技術の工程、（ｂ）は本発明の工程。
【図３−１】本発明に係る両面ＦＰＣの製造工程の第１工程から第７工程の流れを示す工程図。
【図３−２】本発明の他の実施例に係る両面ＦＰＣの製造工程の第１工程から第８工程の流れを示す工程図。
【図３−３】本発明のその他の一実施例に係る両面ＦＰＣの製造工程の第１工程から第６工程の流れを示す工程図。
【図４−１】図３−１に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図。
【図４−２】図３−２に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図。
【図４−３】図３−３に示す両面ＦＰＣの製造工程における各条件を示す図。
【図５】従来技術と本発明の両面ＦＰＣにおけるインピーダンス特性の比較グラフ。
【図６】従来技術と本発明の両面ＦＰＣにおける伝送損失特性の比較グラフ。
【符号の説明】
【０１０１】
１，１１  信号回路
２，１２  ベースフィルム
３ａ、３ｂ、１３ａ、１３ｂ  グランド回路
４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂ  表面保護絶縁材
５ａ、５ｂ  シリカハイブリッド硬化物
６ａ、６ｂ、１６ａ、１６ｂ  シード層
７ａ、７ｂ、１７ａ、１７ｂ  電解めっき
８ａ、８ｂ、１８ａ、１８ｂ  表面保護絶縁材
９ａ、９ｂ  めっきマスク
ＴＨ  スルーホール
【図１】
2009302144.tif 000003
【図２】
2009302144.tif 000004
【図３−１】
2009302144.tif 000005
【図３−２】
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【図３−３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図５】
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【図６】
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