(57)【要約】【課題】本発明はリードタイムを短縮することができ、高い設計自由度を実現することができる光導波路と、これを備えたパッケージ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光導波路の製造方法は、第１クラッディングの一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成され、所定間隔離隔して配置される第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階と、第１反射バンプと第２反射バンプとの間にコア（ｃｏｒｅ）を形成する段階と、第１クラッディングの一面に第２クラッディングを積層して第１反射バンプ、第２反射バンプ、及びコアをカバーする段階と、を含み、下部クラッディングに金属層を積層した後に、金属層を選択的にエッチングして傾斜面を形成することを特徴とする。【選択図】図１
2009031744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッディング（cladding）の一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成され、所定間隔離隔して配置されるように第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階と、
前記第１反射バンプと前記第２反射バンプとの間にコア（core）を形成する段階と、
前記第１クラッディングの前記一面に第２クラッディングを積層して前記第１反射バンプ、前記第２反射バンプ、及び前記コアをカバーする段階と、
を含む光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記第１反射バンプ及び前記第２反射バンプを形成する段階が、
前記第１クラッディングの一面に金属層を積層する段階と、
前記金属層の一面に、前記第１反射バンプ及び前記第２反射バンプに対応するエッチングレジストを形成する段階と、
前記金属層にエッチング液を提供して前記金属層を選択的にエッチングする段階と、
前記エッチングレジストを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記コアを形成する段階が、
前記第１クラッディングの一面にポリマー樹脂層を形成する段階と、
前記ポリマー樹脂層を選択的に除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の光導波路の製造方法。
【請求項４】
前記コアを形成する段階の以前に、
前記第１反射バンプの表面を研磨（polishing）する段階をさらに含む請求項１に記載の光導波路の製造方法。
【請求項５】
前記研磨する段階の以前に、
前記第１クラッディングの一面に共通電極を形成する段階と、
前記第１反射バンプと前記共通電極とが電気的に接続するように第１リードを形成する段階と、
前記第２反射バンプと前記共通電極とが電気的に接続するように第２リードを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
前記共通電極が、前記第１クラッディングの縁に沿って形成されることを特徴とする請求項５に記載の光導波路の製造方法。
【請求項７】
第１クラッディングと、
前記第１クラッディングの一面に所定間隔離隔して配置され、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成される第１反射バンプ及び第２反射バンプと、
前記第１反射バンプと前記第２反射バンプとの間に形成されるコアと、
前記第１クラッディングの前記一面に積層され、前記第１反射バンプ、前記第２反射バンプ、及び前記コアをカバーする第２クラッディングと、
を備えた光導波路。
【請求項８】
前記第１反射バンプが、金属を含むことを特徴とする請求項７に記載の光導波路。
【請求項９】
前記第１クラッディングに形成される共通電極と、
前記第１反射バンプと前記共通電極とを電気的に接続させる第１リードと、
前記第２反射バンプと前記共通電極とを電気的に接続させる第２リードと、
をさらに備える請求項８に記載の光導波路。
【請求項１０】
前記共通電極が、前記第１クラッディングの縁に沿って形成されることを特徴とする請求項９に記載の光導波路。
【請求項１１】
第１クラッディングの一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成され、所定間隔離隔して配置されるように第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階と、
前記第１反射バンプと前記第２反射バンプとの間にコアを形成する段階と、
前記第１クラッディングの一面に第２クラッディングを積層して前記第１反射バンプ、前記第２反射バンプ、及び前記コアをカバーする段階と、
前記第２クラッディングの一面に、パッド及び第１回路パターンを形成する段階と、
前記パッドに光素子を載置する段階と、
を含むパッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１反射バンプ及び前記第２反射バンプを形成する段階が、
前記第１クラッディングの一面に金属層を積層する段階と、
前記金属層の一面に、前記第１反射バンプ及び前記第２反射バンプに対応するエッチングレジストを形成する段階と、
前記金属層にエッチング液を提供する段階と、
前記エッチングレジストを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記コアを形成する段階が、
前記第１クラッディングの一面にポリマー樹脂層を形成する段階と、
前記ポリマー樹脂層を選択的に除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記コアを形成する段階の以前に、
前記第１反射バンプの表面を研磨する段階をさらに含む請求項１１に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記研磨する段階の以前に、
前記第１クラッディングの一面に共通電極を形成する段階と、
前記第１反射バンプと前記共通電極とが電気的に接続するように第１リードを形成する段階と、
前記第２反射バンプと前記共通電極とが電気的に接続するように第２リードを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記共通電極が、前記第１クラッディングの縁に沿って形成されることを特徴とする請求項１５に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記光素子と前記第２クラッディングとの間の空間に、透明な材質を用いてアンダーフィル（underfill）を行う段階をさらに含む請求項１１に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１反射バンプと前記第２反射バンプとを形成する前に、
前記第１クラッディングの他面に金属材質のキャリアを積層する段階をさらに含む請求項１１に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記キャリアを選択的にエッチングして第２回路パターンを形成する段階をさらに含む請求項１８に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２０】
第１クラッディングと、
前記第１クラッディングの一面に所定間隔離隔して配置され、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成される第１反射バンプ及び第２反射バンプと、
前記第１反射バンプと前記第２反射バンプとの間に形成されるコアと、
前記第１クラッディングの前記一面に積層され、前記第１反射バンプ、前記第２反射バンプ、及び前記コアをカバーする第２クラッディングと、
前記第２クラッディングに形成されるパッド及び第１回路パターンと、
前記パッドに載置する光素子と、
を備えたパッケージ基板。
【請求項２１】
前記第１反射バンプが、金属を含むことを特徴とする請求項２０に記載のパッケージ基板。
【請求項２２】
前記第１クラッディングに形成される共通電極と、
前記第１反射バンプと前記共通電極とを電気的に接続させる第１リードと、
前記第２反射バンプと前記共通電極とを電気的に接続させる第２リードと、
をさらに備えた請求項２１に記載のパッケージ基板。
【請求項２３】
前記共通電極が、前記第１クラッディングの縁に沿って形成されることを特徴とする請求項２２に記載のパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光導波路と、これを備えたパッケージ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、コンピュータ及び通信技術の発展につれ、電子機器での信号の伝達速が重要なパラメータとなっており、これにより、高周波用パッケージ基板における部品と配線との間のインピーダンスの整合が重要視されている。
【０００３】
このようなパッケージ基板は信号の伝達媒体として銅などの伝導性金属を電気配線に用いたため、超高速及び大容量のデータを転送するのに限界があった。これを克服するために、シリコン基板上に所定の大きさの光導波路を直接形成した後、これをパッケージ基板に実装した光パッケージ基板技術が開発された。
【０００４】
すなわち、従来にパッケージ基板を製造する際には、銅板に回路パターンを形成（patterning）してパッケージ基板の内層（inner Layer）と外層（outer Layer）とを形成する方法を用いたが、最近、高分子重合体（polymer）とガラス繊維（glass fiber）とを用いて、光で信号を送受信することができる光導波路をパッケージ基板内に内蔵する方法を用いている。
【０００５】
ここで、光導波路とは、コアと呼ばれる中心部分の屈折率が高い部分と、クラッディングと呼ばれる周辺の屈折率が低い部分からなって、光信号を伝送する手段をいう。このような光導波路に光信号が入射されると、入射された光信号はコアとクラッディングとの境界で全反射を繰り返しながらコア内を進むことになる。
【０００６】
光繊維の構成材料には、ガラス繊維及びプラスチック纎維があり、ガラス繊維は石英系ガラス繊維と多成分系ガラス繊維とに分類される。通信用としては、損失が少ない石英系ガラス繊維が主に用いられており、プラスチック纎維は照明装置用や、装飾用の光エネルギー伝送によく用いられている。
【０００７】
光導波路の一般的な製造方法としては、下部クラッディング層の上にコアを形成し、コアを加工して傾斜面を形成し、再び上部クラッディング層を形成する積層式方法がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、前記のような方法によれば、光信号の経路を変更させる傾斜面を形成するために、別途のダイシング（dicing）工程を行わなくてはならないという問題があった。また、多数の傾斜面を形成する場合には、その数だけダイシング工程を行うことになるので生産効率が低下するという問題もあった。
【０００９】
前述した従来技術の問題点に鑑み、本発明は、積層及びエッチングのようなパッケージ基板製造の一般的な工程を用いて形成する光導波路と、これを備えたパッケージ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、第１クラッディングの一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成され、所定間隔離隔して配置されるように第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階と、第１反射バンプと第２反射バンプとの間にコアを形成する段階と、第１クラッディングの一面に第２クラッディングを積層して、第１反射バンプ、第２反射バンプ、及びコアをカバーする段階とを含む光導波路の製造方法が提供される。
【００１１】
第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階は、第１クラッディングの一面に金属層を積層する段階と、金属層の一面に、第１反射バンプ及び第２反射バンプに対応するエッチングレジストを形成する段階と、金属層にエッチング液を提供して金属層を選択的にエッチングする段階と、エッチングレジストを除去する段階と、を含むことができる。
【００１２】
また、コアを形成する段階は、第１クラッディングの一面にポリマー樹脂層を形成する段階と、ポリマー樹脂層を選択的に除去する段階とを含むことができる。
【００１３】
一方、コアを形成する段階の以前に、第１反射バンプの表面を研磨する段階をさらに行うこともできる。また、研磨する段階の以前に、第１クラッディングの一面に共通電極を形成する段階と、第１反射バンプと共通電極とが電気的に接続するように第１リードを形成する段階と、第２反射バンプと共通電極とが電気的に接続するように第２リードを形成する段階と、をさらに行うこともできる。この時、共通電極は第１クラッディングの縁に沿って形成されることができる。
【００１４】
本発明の他の実施形態によれば、第１クラッディングと、第１クラッディングの一面に所定間隔離隔して配置され、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成される第１反射バンプ及び第２反射バンプと、第１反射バンプと第２反射バンプとの間に形成されるコアと、第１クラッディングの一面に積層され、第１反射バンプ、第２反射バンプ、及びコアをカバーする第２クラッディングと、を備えた光導波路が提供される。
【００１５】
第１反射バンプは、金属材質からなることができる。
【００１６】
一方、第１クラッディングに形成される共通電極と、第１反射バンプと共通電極とを電気的に接続させる第１リードと、第２反射バンプと共通電極とを電気的に接続させる第２リードと、をさらに備えることができ、この時、共通電極は第１クラッディングの縁に沿って形成されることができる。
【００１７】
本発明のさらに他の実施形態によれば、第１クラッディングの一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成され、所定間隔離隔して配置されるように第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階と、第１反射バンプと第２反射バンプとの間にコアを形成する段階と、第１クラッディングの一面に第２クラッディングを積層して、第１反射バンプ、第２反射バンプ、及びコアをカバーする段階と、第２クラッディングの一面に、パッド及び第１回路パターンを形成する段階と、パッドに光素子を載置する段階と、を含むパッケージ基板の製造方法が提供される。
【００１８】
第１反射バンプ及び第２反射バンプを形成する段階は、第１クラッディングの一面に金属層を積層する段階と、金属層の一面に、第１反射バンプ及び第２反射バンプに対応するエッチングレジストを形成する段階と、金属層にエッチング液を提供する段階と、エッチングレジストを除去する段階と、を含むことができる。
【００１９】
コアを形成する段階は、第１クラッディングの一面にポリマー樹脂層を形成する段階と、ポリマー樹脂層を選択的に除去する段階と、を含むことができる。
【００２０】
一方、コアを形成する段階の以前に、第１反射バンプの表面を研磨する段階をさらに行うこともできる。また、研磨する段階の以前に、第１クラッディングの一面に共通電極を形成する段階と、第１反射バンプと共通電極とが電気的に接続するように第１リードを形成する段階と、第２反射バンプと共通電極とが電気的に接続するように第２リードを形成する段階と、をさらに行うこともできる。この時、共通電極は第１クラッディングの縁に沿って形成されることができる。
【００２１】
光素子と第２クラッディングとの間の空間には透明な材質を用いてアンダーフィルを行うことができ、第１反射バンプと第２反射バンプとを形成する前に、第１クラッディングの他面に金属材質のキャリアを積層することもできる。この後、キャリアを選択的にエッチングして第２回路パターンを形成することもできる。
【００２２】
本発明のさらに他の実施形態によれば、第１クラッディングと、第１クラッディングの一面に所定間隔離隔して配置され、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面が形成される第１反射バンプ及び第２反射バンプと、第１反射バンプと第２反射バンプとの間に形成されるコアと、第１クラッディングの一面に積層され、第１反射バンプ、第２反射バンプ、及びコアをカバーする第２クラッディングと、第２クラッディングに形成されるパッド及び第１回路パターンと、パッドに載置する光素子と、を備えたパッケージ基板が提供される。
【００２３】
第１反射バンプは金属材質からなることができる。
【００２４】
一方、第１クラッディングに形成される共通電極と、第１反射バンプと共通電極とを電気的に接続する第１リードと、第２反射バンプと共通電極とを電気的に接続する第２リードと、をさらに備えることができ、この時、共通電極は第１クラッディングの縁に沿って形成されることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の好ましい実施例によれば、下部クラッディングに金属層を積層した後に、金属層を選択的にエッチングして傾斜面を形成することにより、リードタイム（lead time）を短縮することができ、高い設計自由度を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００２７】
「第１」、「第２」などの用語は、多様な構成要素を説明するのに用いることに過ぎなく、前記構成要素が前記用語により限定されるものではない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけに用いられる。
【００２８】
本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。
【００２９】
以下、本発明に係る光導波路とこれを備えたパッケージ基板及びその製造方法の好ましい実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同一の図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。
【００３０】
先ず、 本発明の一実施形態に係る光導波路の製造方法について説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態に係る光導波路の製造方法の一実施例を示すフローチャートであり、図２ａ〜図２ｇは、図１の光導波路の製造方法を示す工程図である。図２ａ〜図２ｇを参照すると、金属層１０、第１反射バンプ１２、傾斜面１２ａ、１４ａ、第２反射バンプ１４、第１クラッディング２０、エッチングレジスト３０、コア４０、第２クラッディング５０が示されている。
【００３２】
先ず、段階Ｓ１１０で、第１クラッディング２０の一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面１２ａ、１４ａが形成され、所定間隔離隔して配置される第１反射バンプ１２及び第２反射バンプ１４を形成する。これについて、より具体的に説明すると次の通りである。
【００３３】
先ず、段階Ｓ１１１で、第１クラッディング２０の一面に金属層１０を積層する。図２ａには金属層が示されており、図２ｂには第１クラッディングに積層されている 金属層が示されている。
【００３４】
次に、段階Ｓ１１２で、金属層１０の一面に、第１反射バンプ１２及び第２反射バンプ１４に対応するエッチングレジスト３０を形成する。このために、金属層１０の上面に感光性フィルム（図示せず）とマスク（図示せず）とを用いて露光処理をすることができる。図２ｃには、このような方法で金属層１０にエッチングレジスト３０が形成されているものが示されている。
【００３５】
次に、段階Ｓ１１３で、図２ｄに示すように、金属層１０にエッチング液を提供して金属層１０を選択的にエッチングし、段階Ｓ１１４で、図２ｅに示すように、エッチングレジスト３０を除去する。
【００３６】
上面にエッチングレジスト３０が形成されている金属層１０にエッチング液を提供することにより、エッチングレジスト３０でカバーされている部分を除いたその他の部分をエッチングすることができる。この工程の終了後には、エッチングレジスト３０でカバーされていた部分はバンプ形状を有することができ、側面には傾斜面１２ａ、１４ａが形成されることができる。本実施例ではこれを反射バンプと称する。
【００３７】
図２ｄを参照すると、反射バンプが複数形成されている。これらを区別するために、本実施例では右側の反射バンプを第１反射バンプ１２と称し、左側の反射バンプを第２反射バンプ１４と称する。
【００３８】
次に、段階Ｓ１２０で、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との表面を研磨する工程を行うことができる。第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との表面は光信号の経路を変換させる機能をすることができるため、表面を研磨することにより光信号の散乱を防止するためである。このために、電解研磨のような方法を用いることができる。
【００３９】
このような電解研磨を、より効率的に行うために、研磨を行う前に共通電極１６とリード１８とを形成することができる。すなわち、図４に示すように、第１クラッディング２０の上面に共通電極１６を形成し、それぞれの反射バンプ１２、１４と共通電極１６とが互いに電気的に接続するように複数のリード１８を形成することができる。
【００４０】
このように共通電極１６とリード１８とを形成した後に、共通電極１６に電圧を印加すれば、共通電極１６と接続している全ての反射バンプ１２、１４に電圧が印加されるので、それぞれの反射バンプ１２、１４に対する電解研磨を容易に行うことができる。
【００４１】
一方、電解研磨を行った後に、前述した共通電極１６とリード１８とを除去する別途の工程を行わなくてもよいように、前述した共通電極１６とリード１８とが製品機能に影響を与えることなくパターニングされることができる。一例として、図４に示すように、共通電極１６は第１クラッディング２０の縁に沿って形成されることができる。
【００４２】
次に、段階Ｓ１３０で、図２ｆに示すように、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との間にコア４０を形成する。コア４０は光信号が移動するチャンネルとしての機能を行うことができる。コア４０を形成する方法について、より具体的に説明すれば、次の通りである。
【００４３】
先ず、段階Ｓ１３１で、図５に示すように、第１クラッディング２０の一面にポリマー樹脂層４２を形成する。このために、ポリイミドフィルム（polyimide film）のようなポリマーフィルムを第１クラッディング２０の上面に積層する方法を用いることができる。
【００４４】
次に、段階Ｓ１３２で、ポリマー樹脂層４２を選択的に除去する。コア４０が形成される部分を除いたその他の部分を除去することにより、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との間にコア４０を形成することができる。このような方法により、コア４０が形成されたものが図６に示されている。
【００４５】
次に、段階Ｓ１４０で、図２ｇ及び図７に示すように、第１クラッディング２０の一面に第２クラッディング５０を積層して第１反射バンプ１２、第２反射バンプ１４、及びコア４０をカバーする。これにより、コア４０は第１クラッディング２０及び第２クラッディング５０により取り囲まれるようになる。
【００４６】
以上で説明したように、通常のパッケージ基板を製造する工程に用いられる積層、エッチングなどの方法で光導波路を製造することができる。
【００４７】
以下では、前述した方法により製造された光導波路の構造について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、図７のＡ−Ａ'による断面図であり、図９は、図７のＢ−Ｂ'による断面図である。
【００４８】
コア４０は光信号が伝達される経路であって、クラッディング２０、５０で取り囲まれている。コア４０は、前述したように、ポリマー系列の樹脂からなることができる。
【００４９】
クラッディング２０、５０は、コア４０を取り囲んでいて、光信号の伝送が効率的に行われるようにする手段である。クラッディング２０、５０はコア４０と同じくポリマー系列の樹脂からなることができるが、単に光信号の効率的な伝送のためにコア４０より低い屈折率を有することがよい。
【００５０】
前述した光導波路製造方法の一実施例では、このようなクラッディングとしてコア４０が載置する第１クラッディング２０と、第１クラッディング２０に積層されてコア４０をカバーする第２クラッディング５０とを提示した。しかし、コア４０を取り囲むクラッディングの構造を多様に変更することができることは明らかである。
【００５１】
反射バンプは、コア４０の端部に接するように形成され、光素子などから提供される光信号、またはコア４０を介して伝達される光信号の経路を変換させる手段である。本実施例ではこのような反射バンプとして、互いに所定間隔離隔して配置される第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４とを提示した。
【００５２】
第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との対向面には、それぞれ傾斜面１２ａ、１４ａが形成されていて光信号の経路を変更させることができる。これにより、図１２ｆに示すように、光素子８０ａ、８０ｂが実装されている場合、左側の光素子８０ａから提供された光信号がコア４０を介して右側の光素子８０ｂに伝送できるようになる。
【００５３】
一方、電解研磨をより効率的に行うために、共通電極（図４の１６）とリード（図４の１８）とを形成できることは、前述した通りである。
【００５４】
次に、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法について説明する。図１０は、本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法の一実施例を示すフローチャートであり、図１１は、第１クラッディングにキャリアが結合されているものを示す断面図であり、図１２ａ〜図１２ｆは、図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。図１１〜図１２ｆを参照すると、金属層１０、第１反射バンプ１２、傾斜面１２ａ、１４ａ、第２反射バンプ１４、第１クラッディング２０、キャリア２２、第２回路パターン２４、エッチングレジスト３０、コア４０、ポリマー樹脂層４２、第２クラッディング５０、金属層６０、パッド６２、ソルダレジスト７０、光素子８０ａ、８０ｂ、アンダーフィル部９０が示されている。
【００５５】
本実施例に係るパッケージ基板の製造方法では、前述した光導波路の製造方法を用いて作製された光導波路に、光素子８０ａ、８０ｂを実装し、回路パターンを形成してパッケージ基板を製造する方法を提示する。従って、前述した光導波路の製造方法に関する具体的な説明は省略する。
【００５６】
先ず、段階Ｓ２０５で、図１１に示すように、第１クラッディング２０の他面に金属材質のキャリア２２を積層する。これは、第１クラッディング２０として薄いポリマーフィルムを用いた場合、ハンドリングが容易ではないからである。以後の工程で、キャリア２２と結合されている形態の第１クラッディング２０を用いることにより、作業効率を向上させることができる。一方、後述するする回路パターン形成工程を考慮して、キャリア２２は金属材質からなることができる。
【００５７】
次に、段階Ｓ２１０で、第１クラッディング２０の一面に、互いに対向する面にそれぞれ傾斜面１２ａ、１４ａが形成され、所定間隔離隔して配置される第１反射バンプ１２及び第２反射バンプ１４を形成する。
【００５８】
この工程は、図１の段階Ｓ１１０と同じ方法で行われることができる。すなわち、段階Ｓ２１１で、第１クラッディング２０の一面に金属層１０を積層し、段階Ｓ２１２で、金属層１０の一面に、第１反射バンプ１２及び第２反射バンプ１４に対応するエッチングレジスト３０を形成した後、 段階Ｓ２１３で、金属層１０にエッチング液を提供して金属層１０を選択的にエッチングし、段階Ｓ２１４で、エッチングレジスト３０を除去することにより第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４とを形成することができる。
【００５９】
次に、段階Ｓ２２０で、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との表面を研磨する工程を行うことができる。これは、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との表面が光信号の経路を変換させる機能をするため、表面を研磨して光信号の散乱を防止するためである。このために、電解研磨のような方法を用いることができ、この時、共通電極（図４の１６）とリード（図４の１８）とを用いることができることは、前述した通りである。
【００６０】
次に、段階Ｓ２３０で、図１２ａに示すように、第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４との間にコア４０を形成する。このような工程は、図１の段階Ｓ１３０と同じ方法で行われることができる。すなわち、段階Ｓ２３１で、第１クラッディング２０の一面にポリマー樹脂層４２を形成し、段階Ｓ２３２で、ポリマー樹脂層４２を選択的に除去することによりコア４０を形成することができる。
【００６１】
次に、段階Ｓ２４０で、第１クラッディング２０の一面に第２クラッディング５０を積層して第１反射バンプ１２、第２反射バンプ１４、及びコア４０をカバーする。これにより、コア４０は第１クラッディング２０及び第２クラッディング５０により取り囲まれるようになる。
【００６２】
次に、段階Ｓ２５０で、第２クラッディング５０の一面にパッド６２及び第１回路パターン（図示せず）を形成する。コア４０をカバーする第２クラッディング５０にパッド６２と第１回路パターン（図示せず）とを直接形成することにより、光素子８０ａ、８０ｂを光導波路に直接実装することができ、クラッディング２０、５０が通常のパッケージ基板での絶縁層として機能することもできる。
【００６３】
このために、図１２ｂに示すように、第２クラッディング５０の上面に金属層６０を積層し、図１２ｃに示すように、金属層６０を選択的にエッチングする方法を用いることができる。
【００６４】
また、段階Ｓ２５５で、第１クラッディング２０の下面に結合されているキャリア２２を選択的にエッチングすることにより、第１クラッディング２０の下面にも回路パターン２４を形成することができる。本実施例では、第２クラッディング５０の上面に形成される回路パターン（図示せず）と第１クラッディング２０の下面に形成される回路パターン２４とを区別するために、前者を第１回路パターン、後者を第２回路パターンと称する。
【００６５】
次に、段階Ｓ２６０で、図１２ｅに示すように、パッド６２に光素子８０ａ、８０ｂを載置する。第２クラッディング５０の上面に第１回路パターン（図示せず）とパッド６２とを形成した後、パッド６２に光素子８０ａ、８０ｂを載置することにより、光導波路に光素子８０ａ、８０ｂが直接実装される構造を具現することができる。これにより、光素子８０ａ、８０ｂとコア４０との距離を最小化して、光信号の損失を最小化することができる。
【００６６】
これに先立って、図１２ｄに示すように、ソルダレジスト７０を形成して第２クラッディング５０の上面に形成されている第１回路パターン（図示せず）を保護することができる。
【００６７】
次に、段階Ｓ２７０で、図１２ｆに示すように、光素子８０ａ、８０ｂと第２クラッディング５０との間の空間に、透明な物質を用いてアンダーフィルを行う。光素子８０ａ、８０ｂと第２クラッディング５０との間の空間にアンダーフィルを行ってアンダーフィル部９０を形成することにより、光素子８０ａ、８０ｂをより堅固に光導波路に実装することができる。一方、アンダーフィル部９０が形成される位置は、光信号が移動する経路に該当し得るので、光信号の伝送に障害が発生しないようにアンダーフィル部９０は透明な材質からなることがよい。
【００６８】
以上のように作製されたパッケージ基板について、以下の図１２ｆを参照して説明する。
【００６９】
コア４０は、光信号が伝達される経路であって、クラッディング２０、５０で取り囲まれるようになる。
【００７０】
クラッディング２０、５０はコア４０を取り囲んでおり、光信が効率的に伝送されるようにする。クラッディング２０、５０はコア４０と同じくポリマー系列の樹脂からなってもよく、光信号の効率的な伝送のためにコア４０より低い屈折率を有することがよい。
【００７１】
反射バンプはコア４０の端部に接して形成され、光素子８０ａ、８０ｂなどから提供される光信号、またはコア４０を介して伝達される光信号の経路を変換させることができる。本実施例ではこのような反射バンプとして、互いに所定間隔離隔して配置される第１反射バンプ１２と第２反射バンプ１４とを提示した。
【００７２】
第１反射バンプ１２及び第２反射バンプ１４の互いに対向する面には、それぞれ傾斜面１２ａ、１４ａが形成されて光信号の経路を変更することができる。これにより、左側の光素子から提供される光信号がコア４０を介して右側の光素子に伝送されることができる。
【００７３】
一方、電解研磨をより効率的に行うために、共通電極（図４の１６）とリード（図４の１８）とを形成できることは、前述した通りである。
【００７４】
第１クラッディング２０の下面と第２クラッディング５０の上面とには、それぞれ回路パターンを形成することができ、このような回路パターンにより光信号だけではなく電気信号も伝送することができる。
【００７５】
第２クラッディング５０の上面に形成されたパッド６２には光素子８０ａ、８０ｂを載置することができ、このような構造により、光素子８０ａ、８０ｂからコア４０までの経路を最小化して、光信号の損失を減らすことができる。
【００７６】
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載されている本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。
【００７７】
前述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施形態に係る光導波路製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図２ａ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｂ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｃ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｄ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｅ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｆ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図２ｇ】図１の光導波路製造方法を示す工程図である。
【図３】反射バンプが形成されているものの平面図である。
【図４】共通電極とリードとが形成されているものの平面図である。
【図５】ポリマー樹脂層が形成されているものの平面図である。
【図６】コアが形成されているものの平面図である。
【図７】第２クラッディングが形成されているものの平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ'による断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ'による断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図１１】第１クラッディングにキャリアが結合されているものの断面図である。
【図１２ａ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２ｂ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２ｃ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２ｄ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２ｅ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【図１２ｆ】図１０のパッケージ基板の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０、６０  金属層
１２  第１反射バンプ
１２ａ、１４ａ  傾斜面
１４  第２反射バンプ
１６  共通電極
１８  リード
２０  第１クラッディング
２２  キャリア
２４  第２回路パターン
３０  エッチングレジスト
４０  コア
４２  ポリマー樹脂層
５０  第２クラッディング
６２  第１回路パターン
７０  ソルダレジスト
８０ａ、８０ｂ  光素子
９０  アンダーフィル部
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
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【図２ｆ】
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【図２ｇ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２ａ】
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【図１２ｂ】
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【図１２ｃ】
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【図１２ｄ】
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【図１２ｅ】
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【図１２ｆ】
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