(57)【要約】【課題】露光のスループットが向上した露光装置を提供する。【解決手段】露光装置（１０）は、光学系（１８)、マスクステージ装置（２２)、基板ステージ装置（２４)、及び制御システム（２８)を備える。基板（１４）は、互いに隣接し且つ第１軸に沿って互いに並ぶ第１領域と第２領域とを有する。光学系（１８）は、マスク（１２)を照射する照射ビーム（３５）を生成する。マスクステージ装置（２２）は、照射ビーム（３５）に対して、マスク（１２）を保持し且つ位置付ける。基板ステージ装置（２４）は基板（１４)を保持し且つ位置付ける。制御システム（２８）は、光学系（１８）と基板ステージ装置（２４）とを制御して、基板ステージ装置（２４）が第１軸に沿う第１マスク方向に基板（２４）を移動させる期間中に、マスクパターンが第１領域と第２領域とに順次的に転写される。【選択図】図１
2009302540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接する第１領域と第２領域とを有する基板に、マスクのマスクパターンを転写する露光装置であって、
照射ビームを生成する光学系と；
前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、第１基板方向に前記基板を移動させる基板ステージ装置と；
前記照射ビームに対して前記マスクを位置付けるマスクステージ装置であって、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、第１マスク方向に前記マスクを移動させるとともに、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記第１マスク方向と反対の第２マスク方向に前記マスクを移動させる、前記マスクステージ装置と；
を備える露光装置。
【請求項２】
前記マスクステージ装置は、前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記マスクを第１マスク位置から第２マスク位置に移動させるとともに、前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１マスク位置から前記第２マスク位置に移動させる、請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記マスクステージ装置は、前記マスクパターンの前記第１領域及び前記第２領域への転写の合間に、前記マスクを前記第２マスク位置から前記第１マスク位置に移動させる、請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板ステージ装置は、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、前記基板を停止せずに、前記基板を移動させる、請求項１から３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記基板ステージ装置は、前記マスクパターンの前記第１領域及び前記第２領域への転写の合間に、実質的に一定速度で前記基板を移動させる、請求項１から４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記基板ステージ装置は、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中より早い速度で、前記基板を移動させる、請求項１から５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板ステージ装置は、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中より遅い速度で前記基板を移動させる、請求項１から６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記照射ビームは、前記マスクパターンの全体を一度に照射する、請求項１から７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
基板を用意する工程と；
請求項１から８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、マスクパターンを前記基板の前記第１領域及び前記第２領域に転写する工程と；
を備えるウエハの製造方法。
【請求項１０】
互いに隣接し且つ第１軸に沿って互いに並ぶ第１領域と第２領域とを有する基板に、マスクのマスクパターンを転写する露光装置であって、
照射ビームを生成する光学系と；
前記照射ビームに対して、前記マスクを保持し且つ位置付けるマスクステージ装置と；
前記第１軸に沿って前記基板を保持し且つ位置付ける基板ステージ装置と；
前記光学系を制御するとともに、前記マスクパターンが前記第１領域に転写された後、続いて前記第２領域に転写されるように前記基板ステージ装置を制御する制御システムであって、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記第１軸に沿う第１基板方向に前記基板ステージ装置によって前記基板を移動させる、前記制御システムと；
を備える露光装置。
【請求項１１】
前記制御システムは、前記マスクパターンが前記第１領域及び前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記制御システムは、前記マスクステージ装置を制御して、前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記第１軸に沿う第１マスク方向に前記マスクを移動させ、且つ、前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記第１軸に沿う前記第１マスク方向に前記マスクを移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への露光の合間に、前記第１軸に沿う第２マスク方向に前記マスクを移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記制御システムは、前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記マスクを第１マスク位置から第２マスク位置に移動させ、且つ、前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１マスク位置から前記第２マスク位置に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記マスクを前記第２マスク位置から前記第１マスク位置に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、前記基板を停止せずに前記基板を移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、実質的に一定速度で前記基板を移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記照射ビームは、前記マスクパターンの全体を一度に照射する、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
さらに、前記マスクステージ装置と前記基板ステージ装置との間に位置された光学機器を備え、
前記光学機器は、前記第１軸に沿う前記第１領域より大きい視野を有する、請求項１０から１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
基板を用意する工程と；
請求項１０から１９のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記基板の前記第１領域及び前記第２領域にマスクパターンを転写する工程と；
を備えるウエハの製造方法。
【請求項２１】
第１領域を有する基板に、マスクのマスクパターンを転写する露光装置であって、
第１軸に沿って前記マスクを保持し且つ位置付けるマスクステージ装置と；
前記第１領域の全体に対応する前記マスクパターンを一度に照射する照射ビームを生成する光学系と；
前記第１軸に沿って前記基板を保持し且つ位置付ける基板ステージ装置と；
制御システムであって、前記第１領域への前記マスクパターンの転写中、前記マスクを前記第１軸に沿う第１マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御し、且つ、前記基板を前記第１軸に沿って移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する制御システムと；
を備える露光装置。
【請求項２２】
前記基板は、前記第１軸に沿って前記第１領域に隣接する第２領域を有し、
前記制御システムは、前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、前記マスクを前記第１軸に沿う前記第１マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域に対する露光の合間に、前記マスクを前記第１軸に沿う第２マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記制御システムは、前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記マスクを第１マスク位置から第２マスク位置に移動させ、且つ、前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１マスク位置から前記第２マスク位置に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項２２または請求項２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、前記マスクを前記第２マスク位置から前記第１マスク位置に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する、請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、前記基板を停止せずに、前記基板を移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する、請求項２２から２５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記制御システムは、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写の合間に、実質的に一定速度で前記基板を移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する、請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
さらに、前記マスクステージ装置と前記基板ステージ装置との間に位置された光学機器を備え、
前記光学機器は、前記第１軸に沿う前記第１領域より大きい視野を有する、請求項２１から２７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２９】
基板を用意する工程と；
請求項２１から２８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記基板の前記第１領域及び前記第２領域にマスクパターンを転写する工程と；
を備えるウエハの製造方法。
【請求項３０】
基板に、マスクのマスクパターンを転写する露光装置であって、
前記基板に転写する前記マスクパターンを一度に照射する照射ビームを生成する光学系と；
前記マスクパターンを前記基板に投影する投影光学機器と；
前記投影光学機器に対して、前記マスクを保持し且つ位置付けるマスクステージ装置と；
第１軸に沿って前記基板を保持し且つ位置付ける基板ステージ装置であって、前記マスクパターンが前記基板に投影される時に、前記第１軸に沿う第１基板方向に、前記第１軸に沿う前記基板の長さ以上に、前記基板を継続的に移動させる、前記ステージ装置と；
を備える露光装置。
【請求項３１】
前記投影光学機器は、前記基板に転写する前記マスクパターンより大きい視野を有する、請求項３０に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記マスクステージ装置は、前記照射ビームにより前記マスクパターンが照射される期間中に、前記マスクを移動させる、請求項３０または請求項３１に記載の露光装置。
【請求項３３】
基板に、マスクのマスクパターンを転写する露光装置であって、
前記基板に転写される前記マスクパターンの部分を一度に照射する照射ビームを生成する光学系と；
前記基板に前記マスクパターンを投影する投影光学機器と；
前記投影光学機器に対して、前記マスクを保持し且つ位置付けるマスクステージ装置と；
第１軸に沿って前記基板を保持し且つ位置付ける基板ステージ装置と；
を備え、
前記基板ステージ装置は、前記第１軸に沿う第１基板方向に、前記第１軸に沿う前記基板の長さ以上に、前記基板を継続的に移動させ、
前記マスクステージ装置は、前記基板ステージ装置が前記第１基板方向に前記基板を継続的に移動させる期間中に、前記第１軸に沿う第１マスク方向に、前記マスクを移動させ、且つ前記マスクを逆転して、第２マスク方向に前記マスクを移動させる、露光装置。
【請求項３４】
前記マスクステージ装置は、前記第２マスク方向に、前記マスクを前記第１マスク方向より速く移動させる、請求項３３に記載の露光装置。
【請求項３５】
互いに隣接し且つ第１軸に沿って互いに並ぶ第１領域と第２領域とを有する基板に、マスクのマスクパターンを転写する方法であって、
光学系を用いて、照射ビームを生成する工程と；
マスクステージ装置を用いて、前記照射ビームに対して、前記マスクを位置付ける工程と；
基板ステージ装置を用いて、前記第１軸に沿って前記基板を位置付ける工程と；
前記マスクパターンが前記第１領域に転写された後に、続けて前記第２領域に転写され、且つ前記マスクパターンが前記第１領域及び前記第２領域に転写される時に、前記基板ステージ装置が前記第１軸に沿う第１基板方向に前記基板を移動させるように、前記光学系及び前記基板ステージ装置を制御する工程と；
を備える、基板にマスクのマスクパターンを転写する方法。
【請求項３６】
前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１軸に沿う第１マスク方向に移動させ、且つ前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１軸に沿う前記第１マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する工程をさらに備える、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記第１領域及び前記第２領域に対する露光の合間に、前記マスクを前記第１軸に沿う第２マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する工程をさらに備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記基板ステージ装置を制御する工程は、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中に、前記基板を停止しない、請求項３５から３７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３９】
前記照射ビームを生成する工程は、前記照射ビームが前記マスクパターンの全体を一度に照射する工程を備える、請求項３５から３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４０】
第１領域を有する基板に、マスクのマスクパターンを転写する方法であって、
マスクステージ装置を用いて、第１軸に沿って、前記マスクを位置付ける工程と；
光学系を用いて、前記第１領域の全体に対応する前記マスクパターンを一度に照射する照射ビームを生成する工程と；
基板ステージ装置を用いて、前記第１軸に沿って、前記基板を位置付ける工程と；
前記マスクの全体が前記第１領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１軸に沿う第１マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する工程と；
前記マスクパターンが前記第１領域に転写される期間中に、前記基板を前記第１軸に沿う第１基板方向に移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する工程と；
を備える、基板にマスクのマスクパターンを転写する方法。
【請求項４１】
前記基板は、前記第１軸に沿って前記第１領域に隣接する第２領域を有し、
前記マスクステージ装置を制御する工程は、前記マスクパターンが前記第２領域に転写される期間中に、前記マスクを前記第１軸に沿う前記第１マスク方向に移動させるように、前記マスクステージ装置を制御する工程を備える、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記基板ステージ装置を制御する工程は、前記第１領域及び前記第２領域への前記マスクパターンの転写中又は転写の合間に、前記基板を停止せずに前記基板を移動させるように、前記基板ステージ装置を制御する工程を備える、請求項４１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本出願は、２００８年０６月１２日に出願された米国仮出願第６１／０６１、０３４号、２００９年０４月３０日に出願された米国仮出願第６１／１７４、３８１号、２００９年０５月１９日に出願された米国仮出願第６１／１７９、６７７号、及び２００９年０５月２０日に出願された米国出願第１２／４６９、６１９号に基づく優先権を主張し、それらのすべてが本出願に明確に援用される。
【０００２】
半導体処理用の露光装置は、一般に、半導体処理において、レチクルの形状を半導体ウエハに転写することに使用される。通常、露光装置は、光源と、レチクルを位置付けるレチクルステージ装置と、光学機器と、半導体ウエハを位置付けるウエハステージ装置とを有する。通常、ウエハは、複数の矩形チップ領域に分割される。露光装置は、一般にこの矩形チップ領域に集積回路を形成する。
【０００３】
現在、二種類の露光装置が広く知られ且つ使用されている。第一の種類は、ステッパーリソグラフィシステムである。ステッパーリソグラフィシステムにおいて、レチクルが固定され（わずかな位置の補正を除き）、且つウエハステージ装置は、レチクルにおけるレチクルパターンの全体について光源からの照射ビームが照射される固定のチップ領域にウエハを移動させる。これによって、レチクルパターンの全体が、ウエハ中の一つのチップ領域に一度に露光される。露光時、レチクルとウエハとは実質的に静止している。露光終了後、ウエハは、次の露光を行うために、次の領域（site、サイト）に移動する（ステップする）。この種のシステムにおいて、装置のスループットは、露光処理の合間に領域間を移動する際の、ウエハステージ装置によるウエハの加速及び減速の速さに大きく依存する。
【０００４】
第二の種類のシステムは、スキャナーリソグラフィシステムである。スキャナーリソグラフィシステムにおける露光処理において、ウエハステージ装置がウエハを移動させると同時に、レチクルステージ装置がレチクルを移動させる。このシステムにおいて、照射ビームはスリット状であり、レチクルにおけるレチクルパターンの一部のみを照射する。この構成において、ある瞬間に、ウエハ上の１つの領域（site、サイト）にレチクルパターンの一部のみが露光転写される。また、レチクルパターンとウエハとが露光スリットに対して移動することで、ウエハ上の１つの領域（site）にレチクルの全体が露光転写される。１つの領域（サイト）の全体を露光した後、（１）ウエハステージ装置がスキャニング（Ｙ）方向にウエハを減速し、その後に反対のＹ方向にウエハを加速し、（２）ウエハステージがＸ方向にウエハを加速した後に減速して、Ｘ方向における次の領域へのステップ移動を行い、（３）レチクルステージ装置がレチクルを減速し、その後に反対方向にレチクルを加速し、これにより次の領域の露光の際にレチクルを反対方向に移動させる。この種のシステムにおいて、装置のスループットは、ウエハステージ装置によるウエハの加速及び減速の速さ、及びレチクルステージ装置によるレチクルの加速及び減速の速さに大きく依存する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
露光装置に対して、単位時間当たりの露光における、スループットの向上が際限なく探求される。現在の露光装置において、ウエハを適切に露光するのに十分な光があると仮定すると、高いスループットを得るには、ウエハ及び/レチクルを高い速度及び加速度で移動させる必要がある。しかしながら、ウエハ及びレチクルの速度及び加速度を単に向上させることは必ずしも容易ではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、マスクのマスクパターンを基板に転写する露光装置に関する。本発明に係る露光装置は、互いに隣接し且つ第１軸に沿って互いに並ぶ第１領域と第２領域とを有する。一実施形態において、露光装置は、照明系と、マスクステージ装置と、基板ステージ装置と、制御システムとを備える。照明系は、マスクを照射する照射ビームを生成する。マスクステージ装置は、照射ビームに対してマスクを保持し且つ位置付ける。基板ステージ装置は基板を保持し且つ位置付ける。制御システムは、基板ステージ装置が第１軸に沿う第１基板方向に基板を移動させる期間中に、マスクパターンが第１領域に転写された後、続けて第２領域に転写されるように、照明系と基板ステージ装置とを制御する。
【０００７】
この構成において、連続する領域を露光する時に、基板は第１軸に沿って同じ方向で移動される。その結果、連続する領域を露光する時に、基板を停止し及び/又は基板の方向を逆転する必要がない。これは、基板ステージ装置に対する加速及び減速の要求を減少し、所定の加速及び減速特性に対して、露光装置のスループットを向上させることができる。
【０００８】
一実施形態において、制御システムは、マスクパターンが第１領域に転写される期間中に、及びマスクパターンが第２領域に転写される期間中に、マスクがウエハと同期に移動されるように、マスクステージ装置を制御する。露光装置の構成によって、第１領域に対する露光中に、マスクと基板とが同じ方向または異なる方向に移動できる。たとえば、マスクパターンが第１領域に転写される期間中に、マスクを第１軸に沿って移動させ、且つマスクパターンが転写される期間中に、マスクを第１軸に沿う同じ方向に再移動させるように、マスクステージ装置を制御することができる。より具体的に、マスクパターンが第１領域に転写される期間中に、マスクを第１マスク位置から第２マスク位置に移動させるようにマスクステージ装置を制御することができる。さらに、マスクパターンが第２領域に転写される期間中に、マスクを第１マスク位置から第２マスク位置に移動させるようにマスクステージ装置をさらに制御することができる。この実施形態において、マスクパターンが第１領域と前記第２領域とに転写される期間中に、マスクを第２マスク位置から第１マスク位置に移動させるように、マスクステージ装置を制御する。
【０００９】
ある実施形態において、第１領域及び第２領域へのマスクパターンの転写中、基板を停止せずに、基板を移動させるように、基板ステージ装置を制御する。さらに、隣接する領域を露光する合間に、基板を停止せずに移動させるように、基板ステージ装置を制御できる。ここで提供されるように、隣接する領域を露光する合間に、基板を一定速度または可変速度で移動させるように、基板ステージ装置を制御することもできる。例えば、隣接する領域を露光する合間に、基板を速い速度または低い速度で移動させるように、基板ステージ装置を制御することもできる。
【００１０】
本発明は、基板にマスクのマスクパターンを転写する露光装置にも関する。この実施形態において、露光装置は、（１）第１軸に沿ってマスクを保持し且つ位置付けるマスクステージ装置と、（２）マスクパターンの全部（または領域の全部に対応するマスクパターンの一部分）を一度に照射する照射ビームを生成する照明系と、（３）第１軸に沿って基板を保持し且つ位置付ける基板ステージ装置と、（４）マスクパターンの全部（または領域の全部に対応するマスクパターンの一部分）が第１領域に転写される期間中に、マスクを第１軸に沿って移動させるようにマスクステージ装置を制御し、且つ基板を第１軸に沿う第１基板方向に移動させるように基板ステージ装置を制御する制御システムと、を含む。
【００１１】
さらに、本発明は、基板にマスクのマスクパターンを転写する方法に関する。一実施形態において、この方法には、（１）照明系を用いて照射ビームを生成する工程と、（２）マスクステージ装置を用いて、照射ビームに対してマスクを位置付ける工程と、（３）基板ステージ装置を用いて、第１軸に沿って基板を位置付ける工程と、（４）マスクパターンが第１領域に転写された後に、続けて第２領域に転写されるように、照明系と基板ステージ装置を制御する工程と、を備える。この実施形態において、マスクパターンが第１領域及び前記第２領域に転写される時に、基板ステージ装置は、第１軸に沿う第１基板方向に基板を移動させる。
【００１２】
さらに、本発明はウエハの製造方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の特徴を有する露光装置を示す概略図である。
【図２Ａ】図１の露光装置により処理された基板の非排他的実施形態を示す上面概略図である。
【図２Ｂ】図１の露光装置により処理された基板の他の非排他的実施形態を示す上面概略図である。
【図３Ａ】第１サイトの露光開始時における、マスクと基板の一部とを示す側面概略図である。
【図３Ｂ】第１サイトの露光終了直前における、マスクと基板の一部とを示す側面概略図である。
【図３Ｃ】第１サイト及び第２サイトに対する露光の合間におけるマスクと基板の一部とを示す側面概略図である。
【図３Ｄ】第２サイトの露光開始時における、マスクと基板の一部とを示す側面概略図である。
【図３Ｅ】第２サイトの露光終了直前における、マスクと基板の一部とを示す側面概略図である。
【図４Ａ】第１サイトの露光開始時におけるマスクと基板の一部とを、並べた状態で示す上面概略図である。
【図４Ｂ】第１サイトの露光終了近くにおけるマスクと基板とを、並べた状態で示す上面概略図である。
【図４Ｃ】第１サイト及び第２サイトの露光中におけるマスクと基板の一部とを、並べた状態で示す上面概略図である。
【図４Ｄ】第２サイトの露光開始時におけるマスクと基板の一部とを、並べた状態で示す上面概略図である。
【図５Ａ】３つの隣接サイトの露光中における、時間に対するマスクの位置及び基板の位置の一例を示すグラフである。
【図５Ｂ】３つの隣接サイトの露光中における、時間に対するマスクの位置及び基板の位置の他の一例を示すグラフである。
【図５Ｃ】３つの隣接サイトの露光中における、時間に対するマスクの位置及び基板の位置の他の一例を示すグラフである。
【図６】第１サイトの露光開始時におけるマスクと基板とを、並べた状態の他の実施形態を示す上面概略図である。
【図７Ａ】本発明に従って装置を製造するプロセスを示すフローチャートである。
【図７Ｂ】より具体的な装置の処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の特徴は、発明内容はもちろん、その構成及び動作のいずれも、同種の特徴が同種の部分として言及された、添付の図面及び以下の説明から最良に理解される。
図１は精密機器、すなわち、マスク１２からの要素形状（features）を半導体ウエハのような基板１４に転写する露光装置１０を示す概略図である。概略すると、ある実施形態において、露光装置１０の全体のスループットが改善される独特の方法でマスク１２と基板１４とを移動するべく、露光装置１０が構成されている。例えば、ある実施形態において、マスク１２及び基板１４の双方が移動する間に、１つのサイト（site、領域）２４４（図２Ａに示されている）の全てを露光すべく、露光装置１０が構成されている。この構成において、基板１４を停止せず、基板１４の移動方向を変更せずに、基板１４における隣接する複数のサイト２４４を連続的に露光できる。これにより露光装置１０の全体のスループットを向上できる。
【００１５】
ここで説明する露光装置１０は、レチクル（マスク１２）の要素形状をウエハ（基板１４）に転写する半導体製造用のフォトリソグラフィシステムとして特に有用である。しかしながら、ここで提供される露光装置１０は、半導体製造用のフォトリソグラフィシステムに限定されない。この露光装置１０は、例えば、液晶表示装置のパターンをガラス基板に露光するＬＣＤフォトリソグラフィシステム、あるいは、薄膜磁気ヘッド製造用のフォトリソグラフィシステムとしても使用可能である。
【００１６】
複数の図において、Ｘ軸と、Ｘ軸に直交するＹ軸と、Ｘ軸及びＹ軸に直交するＺ軸とが設定された座標系を採用している。なお、これらの軸は、第１、第２、及び第３軸としても参照される。
【００１７】
露光装置１０の構成は、所望のスループット、基板１４上の要素形状の品質及び集積度を得るために変更できる。図１において、露光装置１０は、装置フレーム１６と、照明系１８（照射装置）と、光学機器２０と、マスクステージ装置２２と、基板ステージ装置２４と、測定システム２６と、制御システム２８とを備える。露光装置１０は、地面、土台、床、あるいは他の支持構造物などの、搭載ベース３０に搭載されている。
【００１８】
装置フレーム１６は、剛体であり、露光装置１０の構成部品を支持する。図１に示されている装置フレーム１６は、搭載ベース３０上で、マスクステージ装置２２と、投影光学機器２０と、照明系１８と、基板ステージ装置２４とを支持する。
【００１９】
照明系１８は、光源３２と、照明光学機器３４とを含む。光源３２は、光エネルギーの照射ビーム３５（光束）を発する。照明光学機器３４は、照射ビーム３５を、光源３２からマスク１２に導く。照射ビーム３５は、マスク１２を照射して、基板１４を露光するパターンビーム３６（例えばマスク１２の像）を生成する。
【００２０】
図１において、少なくとも一部のマスク１２が透明であり、照明系１８からの照射ビーム３５がマスク１２の一部を透過する。代替的に、マスク１２が反射可能であり、且つ照射ビーム３５がマスク１２の底部まで照射可能である。
【００２１】
非排他的実施形態として、光源３２は、ｇ線源（４３６ｎｍ）、ｉ線源（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、あるいは、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）にできる。
【００２２】
ある実施形態において、露光装置１０は、光源３２とマスク１２との間に位置されたマスクブラインド（不図示）を備える。このマスクブラインドは、マスク１２のパターン区域外の一部の照射ビーム３５を遮断する。
【００２３】
投影光学機器２０は、マスク１２からのパターンビーム３６を基板１４に投影及び/又は集束させる。露光装置１０の構成によって、投影光学機器２０は、パターンビーム３６を拡大または縮小できる。非排他的実施形態において、投影光学機器２０は、パターンビーム３６を１／４倍に縮小できる。その結果、１つのサイト（site、領域）２４４（図２Ａに示されている）の露光に際して、マスクステージ装置２２は、基板ステージ装置２４による基板１４の移動距離に比べて、マスク１２を４倍の距離まで移動させる必要がある。換言すると、投影光学機器２０が１／４倍の縮小を有する場合、露光時において、マスク１２より４倍遅い速度で基板１４が移動する。
【００２４】
ある実施形態において、より詳細に以下に説明するように、投影光学機器２０は、比較的広い視野領域を投影光学機器２０が有するように構成及び配置された複数の光学素子２０Ａ（図１では２つのみ示される）を備えており、これにより、全てのサイトに対応するマスクパターンの部分、例えば、実施形態におけるマスクパターン３５２の全体（図３Ａに示されている）を、基板１４の１つのサイト２４４に一度に転写できる。以下、投影光学機器２０に適用可能な視野領域に関する説明を以下に詳しく行う。
【００２５】
マスクステージ装置２２は、投影光学機器２０及び基板１４に対して、マスク１２を保持し且つ位置付ける。マスクステージ装置２２は、マスクステージ３７と、マスクステージ移動装置３８とを備えることができる。それらの各構成部品のサイズ、形状、及び構成は様々に変更可能である。マスクステージ３７はマスク１２を保持する。一実施形態において、マスクステージ３７はマスク１２を保持するためのチャック（不図示）を備えることができる。
【００２６】
マスクステージ移動装置３８は、マスクステージ３７とマスク１２とを移動し且つ位置付ける。例えば、マスクステージ移動装置３８は、Ｙ軸に沿って、Ｘ軸に沿って、及びＺ軸周りに、マスクステージ３７及びマスク１２を移動できる。代替的に、例えばマスクステージ移動装置３８は、３自由度を超えて又は３自由度未満で、マスクステージ３７及びマスク１２を移動するように構成できる。例えば、マスクステージ移動装置３８は、一以上のリニアモーター、回転モーター、平面モーター、音声コイルのアクチュエータ、又は他のタイプのアクチュエータを備えることができる。
【００２７】
ほぼ同様に、基板ステージ装置２４は、パターンビーム３６に対して、基板１４を保持し且つ位置付ける。基板ステージ装置２４は、基板ステージ４０、及び基板ステージ移動装置４２を備えることができる。それらの各構成部品のサイズ、形状、及び構成は様々に変更可能である。基板ステージ４０は基板１４を保持する。一実施形態において、基板ステージ４０は基板１４を保持するためのチャック（不図示）を備えることができる。
【００２８】
基板ステージ移動装置４２は、基板ステージ４０と基板１４とを保持し且つ位置付ける。例えば、基板ステージ移動装置４２は、Ｙ軸に沿って、Ｘ軸に沿って、及びＺ軸周りに、基板ステージ４０と基板１４とを移動できる。代替的に、例えば、基板ステージ移動装置４２は、３自由度を超えて又は３自由度未満で、基板ステージ４０と基板１４とを移動するように構成できる。例えば、基板ステージ移動装置４２は、一以上のリニアモーター、回転モーター、平面モーター、音声コイルのアクチュエータ、または他のタイプのアクチュエータを備えることができる。
【００２９】
測定システム２６は、投影光学機器２０又は他の参照物に対するマスク１２及び基板１４の移動をモニターする。この情報を用いて、制御システム２８は、マスク１２を正確に位置付けるようにマスクステージ装置２２を制御でき、基板１４を正確に位置付けるように基板ステージ装置２４を制御できる。例えば、測定システム２６は、マルチレーザー干渉計、エンコーダー、及び/又は他の測定器を利用できる。
【００３０】
制御システム２８は、マスクステージ装置２２、基板ステージ装置２４、及び測定システム２６に接続される。制御システム２８は、測定システム２６からの情報を受信して、マスク１２と基板１４とを正確に位置付けるようにステージ装置３０、３２を制御する。さらに、制御システム２８は、光学系１８の動作を制御できる。制御システム２８は、一以上のプロセッサ及び回路を備えることができる。図１において、制御システム２８は、単一のユニットとして示されている。制御システム２８は、離間した複数の制御器を含む構成にできる。
【００３１】
図２Ａは、図１の露光装置１０により処理された基板２１４Ａの非排他的実施形態を示す模式的な上面図である。本実施形態において、基板２１４Ａは、一般的な円盤状の半導体薄板材料、例えば半導体ウエハであり、フォトリソグラフィパターニング用の基板として利用される。一般に、円盤状の基板２１４Ａは、複数行（Ｘ軸に沿う）及び複数列（Ｙ軸に沿う）からなる複数の矩形サイト(rectangular shaped sites)２４４（例えばチップ）に分割される。ここで、「サイト（site、領域）」とは、マスクパターン３５２（図３Ａに示されている）の全て又は一部が転写される、基板２１４Ａ上の１つのエリアを意味する。例えば、半導体ウエハにおいて、各サイト２４４は、図１の露光装置１０により基板２１４Ａに転写された様々な接続回路素子を含む一以上の集積回路である。本実施例において、各サイト２４４は、ウエハからスライス可能な一以上の集積ダイ片（integral die piece(s)）を含む。
【００３２】
一実施形態において、各サイト（site）２４４は、一般的な矩形からなり、幅２４８（Ｘ軸に沿って測定される）より大きい長さ２４６（Ｙ軸に沿って測定される）を有する。非排他的実施形態において、各サイト２４４の長さ２４６は約３３ｍｍ、幅２４８は約２６ｍｍである。代替的に、例えば、各サイト２４４は、３３ｍｍに比べて大きい又は小さい長さ２４６と、２６ｍｍに比べて大きい又は小さい幅２４８を有することができる。
【００３３】
基板２１４Ａのサイズ、及び基板２１４上のサイト２４４の数は変更可能である。例えば、基板２１４Ａは、約３００ｍｍの直径を有することができる。代替的に、基板２１４Ａは、３００ｍｍに比べて大きい又は小さい直径を有することができる、及び/又は基板２１４Ａは、円盤状と異なる形状を有することができる（例えば矩形）。
【００３４】
さらに、図２Ａ示される実施形態において、基板２１４Ａは、６０の分離サイト（separated sites）２４４を有する。代替的に、例えば基板２１４Ａは、６０より多いまたは少ないサイト２４４に分割できる。
【００３５】
図２Ａにおいて、サイト２４４は、「１」〜「６０」（１から６０まで）のラベル付けがされている。本実施例において、（１）「１」〜「５」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第１行（第１段）に配列されている、（２）「６」〜「１２」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第２行に配列されている、（３）「１３」〜「２１」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第３行に配列されている、（４）「２２」〜「３０」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第４行に配列されている、（５）「３１」〜「３９」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第５行に配列されている、（６）「４０」〜「４８」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第６行に配列されている、（７）「４９」〜「５５」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第７行に配列されている、（８）「５６」〜「６０」のサイト２４４は、Ｘ軸に沿う第８行に配列されている。
【００３６】
代替的に、「１」〜「６０」のラベルは、マスクパターン３５２が基板２１４Ａ上のサイト２４４に転写され得る順番の非特定実施形態を示す。より具体的には、ここに示すように、露光装置１０は、まず、ラベル「１」のサイト２４４（適宜、「第１サイト（first site）」と称する）に、マスクパターン３５２を転写できる。次に、露光装置１０は、マスク１２（図１に示されている）と基板２１４Ａとを移動して、「２」のサイト２４４（適宜、「第２サイト」と称する）にマスクパターン３５２を転写できる。その後、露光装置１０は、マスク１２と基板２１４Ａとを移動して、順次的に、「３」、「４」、「５」、「６」、「７」、「８」、「９」、「１０」、「１１」、「１２」、「１３」、「１４」、「１５」、「１６」、「１７」、「１８」、「１９」、「２０」、「２１」、「２２」、「２３」、「２４」、「２５」、「２６」、「２７」、「２８」、「２９」、「３０」、「３１」、「３２」、「３３」、「３４」、「３５」、「３６」、「３７」、「３８」、「３９」、「４０」、「４１」、「４２」、「４３」、「４４」、「４５」、「４６」、「４７」、「４８」、「４９」、「５０」、「５１」、「５２」、「５３」、「５４」、「５５」、「５６」、「５７」、「５８」、「５９」、及び「６０」のサイト２４４に、マスクパターン３５２を転写できる。
【００３７】
また、図２Ａは、サイト２４４に転写されるマスクパターン３５２の順序を示す破線２５０Ａを含む。本実施例において、（１）Ｘ軸に沿う第１Ｘ基板方向２５４（図２Ａで左から右へ）に基板２１４Ａが移動するのに従って、「１」〜「５」のサイト２４４が順次的に露光される、（２）次に、Ｘ軸に沿う第２Ｘ基板方向２５６（図２Ａで右から左へ）に基板２１４Ａが移動するのに従って、「６」〜「１２」のサイト２４４が順次的に露光される、（３）その後、第１Ｘ基板方向２５４に基板２１４Ａが移動するのに従って、「１３」〜「２１」のサイト２４４が順次的に露光される、（４）次に、第２Ｘ方向２５６に基板２１４Ａが移動するのに従って、「２２」〜「３０」のサイト２４４が順次的に露光される、（５）その後、第１Ｘ基板方向２５４に基板２１４Ａが移動するのに従って、「３１」〜「３９」のサイト２４４が順次的に露光される、（６）次に、第２Ｘ基板方向２５６に基板２１４Ａが移動することに従って、「４０」〜「４８」に表示されたサイト２４４が順次的に露光される、（７）その後、基板２１４Ａが第１Ｘ基板方向２５４に移動することに従って、「４９」〜「５５」に表示されたサイト２４４が順次的に露光される、（８）次に、基板２１４Ａが第２Ｘ基板方向２５６に移動することに従って、「５６」〜「６０」に表示されたサイト２４４が順次的に露光される。
【００３８】
本実施例において、最初に露光されるサイト２４４及び露光される行の順番は、図２Ａに示されたものと異なることができる。また、最初に露光されるサイト２４４は、基板２１４Ａのエッジから離れた場所に位置できる。
【００３９】
図２Ｂは、図１の露光装置１０により処理された基板２１４Ｂの非排他的実施形態を示す模式的な上面図である。この実施形態において、基板２１４Ｂは、図２Ａで示された基板２１４Ａとは異なる方式で処理されている。図２Ｂにおいて、基板２１４Ｂは、一般的な円盤状であり、複数段及び複数列に応じた複数の矩形サイト２４４（例えばチップ）に分割される。この実施形態において、各サイト２４４は、一般的な矩形からなり、幅２４８（Ｘ軸に沿って測定される)より大きい長さ２４６（Ｙ軸に沿って測定される）を有する。
【００４０】
さらに、図２Ｂにおいて、基板２１４Ｂは、６０のサイト２４４を有し、それらに「１」〜「６０」（１から６０まで)のラベル付けがされている。この実施例において、（１）「１」〜「４」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第１列に配列されている、（２）「５」〜「１０」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第２列に配列されている、（３）「１１」〜「１８」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第３列に配列されている、（４）「１９」〜「２６」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第４列に配列されている、（５）「２７」〜「３４」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第５列に配列されている、（６）「３５」〜「４２」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第６列に配列されている、（７）「４３」〜「５０」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第７列に配列されている、（８）「５１」〜「５６」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第８列に配列されている、（９）「５７」〜「６０」のサイト２４４は、Ｙ軸に沿う第９列に配列されている。
【００４１】
「１」〜「６０」のラベルは、マスクパターン３５２（図３Ａに示されている）が基板２１４Ｂ上のサイト２４４に転写され得る順番の非排他的実施形態を示す。ここに示すように、露光装置１０は、まずラベル「１」のサイト２４４にマスクパターン３５２を転写できる。次に、露光装置１０は、マスク１２（図１に示されている）及び基板２１４Ｂを移動して、ラベル「２」のサイト２４４にマスクパターン３５２を転写できる。その後、露光装置１０は、マスク１２及び基板２１４Ｂを移動して、ラベル「３」、「４」、「５」、・・・及び「６０」のサイト２４４に順次的にマスクパターン３５２を転写できる。
【００４２】
さらに、図２Ｂは、サイト２４４に転写できるマスクパターン３５２の順序を示す破線２５０Ｂを含む。本実施例において、（１）Ｙ軸に沿う第１Ｙ基板方向２５８（図２Ｂで下から上へ）に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「１」〜「４」のサイト２４４が順次的に露光される、（２）次に、Ｙ軸に沿う第２Ｙ基板方向２６０（図２Ｂで上から下へ）に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「５」〜「１０」のサイト２４４が順次的に露光される、（３）その後、第１Ｙ基板方向２５８に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「１１」〜「１８」のサイト２４４が順次的に露光される、（４）次に、第２Ｙ基板方向２６０に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「１９」〜「２６」のサイト２４４が順次的に露光される、（５）その後、第１Ｙ基板方向２５８に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「２７」〜「３４」のサイト２４４が順次的に露光される、（６）次に、第２Ｙ基板方向２６０に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「３５」〜「４２」のサイト２４４が順次的に露光される、（７）その後、第１Ｙ基板方向２５８に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「４３」〜「５０」のサイト２４４が順次的に露光される、（８）次に、第２Ｙ基板方向２６０に基板が移動するのに従って、「５１」〜「５６」のサイト２４４が順次的に露光される、（９）その後、第１Ｙ基板方向２５８に基板２１４Ｂが移動するのに従って、「５７」〜「６０」のサイト２４４が順次的に露光される。
【００４３】
本実施例において、最初に露光されるサイト２４４及び露光される列の順番は、図２Ｂに示されたものと異なることができる。
【００４４】
図３Ａは、図２Ａの線３Ａ〜３Ａに沿った模式的な側面図であり、第１サイト１（箱状に示されている）に対する露光開始時のマスク１２及び基板２１４Ａを示す。露光装置１０（図１に示されている）の構成部品は、図３Ａ〜３Ｆに図示されていない。
【００４５】
図３Ａに示すように、マスク１２は、基板２１４Ａに転写される要素形状を含むマスクパターン３５２（箱状に示されている）を有する。本実施形態において、マスクパターン３５２は、第１パターン側部３５２Ａと、対向側の第２パターン側部３５２Ｂと、パターンセンタ部３５２Ｃ（「Ｘ」で示す）とを備える。図３Ａ〜３Ｄにおいて、マスクパターン３５２は各サイト（site、サイト）に比べて長い。投影光学機器２０が１／４倍の縮小を有する場合、マスクパターン３５２は各サイトのサイズより４倍大きくできる。
【００４６】
また、図３Ａにおいて、第２サイト２、第３サイト３、及び第４サイト４の一部が箱状に示されている。本実施形態において、各サイト２４４は、サイト第１側部３６４Ａ、対向側のサイト第２側部３６４Ｂ、及びサイトセンタ部３６４Ｃ（「ｏ」で示す)を備える。
【００４７】
第１サイト１への露光開始に際し、制御システム２８（図１に示されている）は、光学系１８（図１に示されている）を制御して、マスク１２を照射する照射ビーム３５を生成する。これにより、パターンビーム３６が第１サイト１の全体を照射する。この実施形態における、第１サイト１全体の露光において、（１）マスクパターン３５２における第１サイト１の全体に対応する部分（例えば、ある実施形態ではマスクパターン３５２の全体）を照射ビーム３５が一度に照射し、（２）マスクパターン３５２を通過したパターンビーム３６によって第１サイト１が一度に露光される。代替的に、例えば、マスクパターン３５２の一部のみを照射ビーム３５が照射し、第１サイト１の一部のみが一度に露光されることも可能である。例えば、この実施形態において、約半分のマスクパターン３５２を照射ビーム３５が照射し、約半分の第１サイト１が一度に露光される。
【００４８】
第１サイト１の露光開始に際し、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが第１軸（図３ＡでのＸ軸）に沿った第１マスク位置m１に位置し、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが第１軸に沿った第１基板位置ｓ１に位置する。
【００４９】
また、露光開始の際、制御システム２８（図１に示されている）は、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている）の制御により、マスク１２をＸ軸に沿った第１マスク方向２５５に一定速度で移動させるとともに、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている）の制御により、基板２１４ＡをＸ軸に沿った第１基板方向２５４に一定速度で移動させる。図３Ａに示すように、ある実施形態において、第１マスク方向２５５は第１基板方向２５４と同じであり、マスク１２及び基板２１４Ａはともに、Ｘ軸に沿った同じ方向２５４に同期移動する。代替的に、投影光学機器２０（図１では屈折レンズを示す)に応じて、第１マスク方向２５５が第１基板方向２５４と異なることができ、また、スキャニングの際に、マスク１２と基板２１４Ａとが互いに反対方向に移動できる。また、例えば、投影光学機器２０（図１に示されている）が１／４倍の縮小を有する場合、マスク１２は基板２１４Ａより４倍大きい速度で移動する。
【００５０】
代替的に、例えば、各露光を行う際に、マスク１２及び／又は基板２１４Ａが一定速度で移動しないように前記装置を構成できる。さらに別の実施形態において、各露光を行う際に、マスク１２と基板２１４Ａとが同軸に沿った互いに反対方向に移動する、あるいは互いに直交して移動するように、前記装置を構成できる。
【００５１】
図３Ｂは、第１サイト１に対する露光の終了直前における、図３Ａのマスク１２及び基板２１４Ａを示す模式的な側面図である。第１サイト１の露光終了直前において、制御システム２８（図１に示されている）は、光学系１８（図１に示されている）を制御して、マスク１２を照射する照射ビーム３５を生成する。これにより、パターンビーム３６が第１サイト１の全体を照射する。
【００５２】
この実施例において、第１サイト１に対する露光終了に際し、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている)によって、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが第２マスク位置ｍ２に第１軸に沿って移動しており、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている)によって、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが第１軸に沿って第２基板位置ｓ２に移動している。
【００５３】
また、この時、制御システム２８（図１に示されている）は、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている）の制御により、Ｘ軸に沿った第１マスク方向２５５にマスクを一定速度で継続的に移動させるとともに、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている）の制御により、第１基板方向２５４に基板２１４Ａを一定速度で継続的に移動させる。
【００５４】
ここで、（１）第１マスク位置m１と第２マスク位置m２との差を、マスク露光距離３７０として示し、（２）第１基板位置ｓ１と第２基板位置ｓ２との差を、サイト露光距離３７２として示す。この実施例において、（１）マスク露光距離３７０は、第１サイト１を露光する際にマスク１２が移動する距離であり、（２）サイト露光距離３７２は、第１サイト１を露光する際に基板３１４Ａが移動する距離である。投影光学機器２０（図１に示されている）が１／４倍の縮小を有する場合、マスク露光距離３７０は、サイト露光距離３７２より４倍大きい。
【００５５】
図３Ａ及び３Ｂに示すように、マスク１２がマスク露光距離３７０を移動する際に、マスクパターン３５２の全体が照射される。また、Ｘ軸（同じ方向または反対する方向）に沿ってマスク１２と基板２１４Ａとが同期移動するため、パターンビーム３６もＸ軸に沿って移動する。これにより、基板２１４Ａがサイト露光距離３７２を移動する時に、第１サイト１の全体が露光される。
【００５６】
図３Ｃは、第１サイト１及び第２サイト２の露光の合間におけるマスク１２及び基板２１４Ａを示す模式的な側面図である。この時、制御システム２８（図１に示されている）は、照射ビームを生成しないように光学系１８（図１に示されている）を制御する。従って照射ビーム３５はない。またこの時、本実施形態において、制御システム２８は、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている）の制御により、Ｘ軸に沿った第２マスク方向２５７にマスク１２を移動させるとともに、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている）の制御により、第１基板方向２５４に基板２１４Ａを移動させる。図３Ｃには第２基板方向２５６も示されている。
【００５７】
基本的に、露光の合間において、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている)によって、マスクパターン３５２の位置が、第１軸に沿った第２マスク位置m２から第１マスク位置m１にリセットされるとともに、（２）投影光学機器２０（図１に示されている)の視野に向かって、第２サイト２が移動する。なお、露光中は、その全般にわたってマスク１２が一定速度で移動し、露光後は、マスク１２が減速される必要がある。そのため、露光後に、マスクパターン３５２が、第１マスク方向２５５において第２マスク位置m２を通過する。また、第２サイト２の露光中にマスクパターン３５２が第１マスク位置m１に到達するとき、マスク１２がその後に加速され且つ一定速度で第１マスク方向２５５に移動できるように、マスクパターン３５２が、第２マスク方向２５７において第１マスク位置m１を通過し、第３マスク位置m３に向かって移動する必要がある。図３Ｃは、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが、第１軸に沿った第１Ｘ方向２５４において、第３基板位置ｓ３に移動したことを示している。
【００５８】
図３Ｄは、第２サイト２に対する露光開始時における、図３Ａのマスク１２及び基板２１４Ａを示す模式的な側面図である。第２サイト２への露光開始に際し、制御システム２８（図１に示されている）は、光学系１８（図１に示されている）を制御して、マスク１２を照射する照射ビーム３５を生成する。これにより、パターンビーム３６が第２サイト２の全体を照射する。この実施形態における、第２サイト２の全体の露光において、（１）マスクパターン３５２の全体を照明ビーム３５が照射し、（２）マスクパターン３５２の全体を通過したパターンビーム３６によって第２サイト２が露光される。代替的に、例えば、マスクパターン３５２の一部のみを照明ビーム３５で露光し、第２サイト２の一部だけを一度に露光することが可能である。
【００５９】
第２サイト２の露光開始に際し、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが、第１軸に沿った第１マスク位置m１に再び配置され、また、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが、第１軸に沿った第４基板位置ｓ４に配置される。この時、第２サイト２のセンタは、第１基板位置ｓ１にある。参照のため、図３Ｄには、第２及び第３マスク位置ｍ２、m３、及び第１−第３基板位置ｓ１、ｓ２、ｓ３も示される。
【００６０】
また、露光開始の際、制御システム２８（図１に示されている）は、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている）の制御により、マスク１２をＸ軸に沿って一定速度で移動させるとともに、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている）の制御により、基板２１４Ａを第１Ｘ方向２５４に一定速度で移動させる。
【００６１】
図３Ｅは、第２サイト２に対する露光の終了直前における、図３Ａのマスク１２及び基板２１４Ａを示す模式的な側面図である。第２サイト２の露光終了直前において、制御システム２８（図１に示されている）は、光学系１８（図１に示されている）を制御して、マスク１２を照射する照射ビーム３５を引き続き生成する。これにより、パターンビーム３６が第２サイト２の全体を照射する。
【００６２】
この実施例において、第２サイト２に対する露光終了に際し、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている)によって、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが第１軸に沿って第２マスク位置m２に移動しており、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている)によって、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが第１軸に沿って第５基板位置ｓ５に移動し、且つ第２サイト２のセンタが第２基板位置ｓ２に移動している。参照のため、図３Ｅには、第１及び第３マスク位置m１、m３、及び第１−第４基板位置ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４も示されている。
【００６３】
また、この時、制御システム２８（図１に示されている）は、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている）の制御により、Ｘ軸に沿う第１マスク方向２５５にマスク１２を一定速度でさらに移動させるとともに、（２）基板ステージ装置２４（図１に示されている）の制御により、第１基板方向２５４に基板２１４Ａを一定速度で移動させる。
【００６４】
第２サイト２の露光が完了してから第３サイト３の露光が始まるまでに、（１）マスクステージ装置２２（図１に示されている)によって、マスクパターン３５２の位置が、第１軸に沿った第２マスク位置m２から第１マスク位置m１にリセットされるとともに、（２）投影光学機器２０（図１に示されている)の視野に向かって第３サイトが移動する。
【００６５】
ここで示される構成において、隣接するサイト（領域）１、２、３、及び４の露光中に、Ｘ軸に沿った第１基板方向２５４に基板２１４Ａが停止せずに継続的に移動する。また、（１）サイト１、２、３、及び４の露光中に、Ｘ軸に沿って第１マスク位置m１から第２マスク位置m２にマスク１２が一定速度で移動するとともに、（２）露光の合間に、第２Ｘ方向２５６にマスク１２が移動して、第１マスク位置m１にマスク１２がリセットされる。この実施例において、マスク１２と基板２１４Ａとが同じ方向に移動する間に、露光が実行される。代替的に、マスク１２と基板２１４Ａとが反対方向に移動する間に、露光を実行できる。
【００６６】
また、１−５のラベル付けがされたサイト（図２Ａを参照)を含む行（段）についてサイト２４４の順次的な露光中に、Ｘ軸に沿う第１基板方向２５４に基板２１４Ａが継続的に移動するとともに、各露光中に、第１マスク位置m１から第２マスク位置m２にマスク１２が移動する。この実施例において、露光の合間に、第２マスク位置m２から第１マスク位置m１にマスク１２がリセットされる。
【００６７】
代替的に、６−１２のラベル付けがされたサイト（図２Ａを参照)を含む行（段）についてサイト２４４の順次的な露光中に、Ｘ軸に沿う第２基板方向２５６に基板２１４Ａが継続的に移動するとともに、各露光中に、第２マスク位置m２から第１マスク位置m１にマスク１２が移動する。この実施例において、露光の合間に、第１マスク位置m１から第２マスク位置m２にマスク１２がリセットされる。
【００６８】
図４Ａは、第１サイト１の露光開始時におけるマスク１２と基板２１４Ａの一部とを、並べた状態で模式的に示す上面図である。図４Ａに示すマスク１２と基板２１４Ａとの相対位置は、図３Ａのものと類似している。
【００６９】
マスク１２と基板２１４Ａとを並べた状態で示すのは、それら構成部品の相対位置が理解されやすくするためであり、図４Ａ〜４Ｄにおいてこの構造だけが示されている。また、明確化のために、露光装置１０（図１に示されている）の構成部品は、図４Ａ〜４Ｄに示されていない。
【００７０】
図４Ａに示すように、マスク１２は、基板２１４Ａに転写される要素形状を含むマスクパターン３５２（箱状に示されている）を有する。図４Ａには、パターンセンタ３５２Ｃ（「Ｘ」で示されている）も示されている。
【００７１】
図４Ａ〜４Ｄにおいて、マスクパターン３５２は、各サイト２４４のサイズとほぼ同じサイズで示されている。一方、投影光学機器２０が１／４倍の縮小を有する場合、マスクパターン３５２は、各サイト２４４のサイズより４倍大きくできる。
【００７２】
さらに、図４Ａにおいて、第２サイト２、第３サイト３、第４サイト４の一部、第８サイト８、第９サイト９、第１０サイト１０、第１１サイト１１、及び第１２サイト１２が箱状に示されている。この実施形態において、各サイト２４４は、サイト第１側部３６４Ａと、サイト第２側部３６４Ｂと、サイトセンタ３６４Ｃ（「ｏ」で示されている)とを含む。
【００７３】
第１サイト１への露光開始に際し、制御システム２８（図１に示されている）は、光学系１８（図１に示されている）を制御して、マスクパターン３５２の全体を照射する（斜線「／」で示されている）。これにより、マスクパターン３５２の像（二重斜線「／／」で示されている）が、第１サイト１の全体に照射されて、第１サイト１が露光される。
【００７４】
第１サイト１の露光開始に際し、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが第１軸に沿った（図４ＡにおけるＸ軸）、第１マスク位置ｍ１に位置し、また、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが、第１軸に沿った第１基板位置ｓ１に位置する。また、露光の開始時、（１）Ｘ軸に沿った第１マスク方向２５５に、マスク１２が一定速度で移動し、（２）Ｘ軸に沿った第１基板方向２５４に、基板２１４Ａも一定速度で移動する。この実施例において、各サイトの露光処理において、マスク１２及び基板２１４Ａはともに同じ方向に移動する。代替的に、例えば、各サイトの露光処理において、マスク１２と基板２１４Ａとが反対方向に移動できる。
【００７５】
図４Ａには、投影光学機器２０（図１を参照）の視野領域４７４（破線円で示されている）も示されている。ここで示すように、ある実施形態において、マスク１２と基板２１４Ａとが同時に移動する時にマスクパターン３５２の像の全体をサイト２４４に転写するために、投影光学機器２０の視野領域４７４は比較的に広い必要がある。一実施形態において、視野領域４７４は、矩形ショット領域４７６（「*」を伴う破線からなる箱状に示している）を規定しており、矩形ショット領域４７６は、各単一のサイト２４４より大きい（マスク１２と基板２１４Ａとの移動方向に沿う）。より具体的に、ショット領域４７６は、ショット長さ４７８（Ｙ軸に沿う）とショット幅４８０（Ｘ軸に沿う)を有する。また、ある実施形態において、投影光学機器２０は、ショット長さ４７８がサイト長さ２４６と同じであり、ショット幅４８０がサイト幅２４８より大きくなるように構成される。さらに、ショット幅４８０とサイト幅２４８との差は、幅差４８２として示されている。この構成により、ここで示すように、基板２１４Ａは、マスクパターン３５２の像による露光中にさらに、幅差４８２の分を移動できる。
【００７６】
非排他的実施例において、各サイト２４４の長さ２４６は３３ｍｍ、幅２４８は２６ｍｍである。この実施例において、ショット長さ４７８を約３３ｍｍにでき、ショット幅４８０が２６ｍｍより大きい。非排他的実施例として、ショット幅４８０を、約２８、２９、２９．５、３０、又は３０．５ｍｍにできる。これらの非排他的実施例において、幅差４８２は、約２、３、３．５、４、又は４．５ｍｍである。なお、投影光学機器２０の構成変更に応じて、異なるショット幅４８０、及び異なる幅差４８２が可能である。ある実施形態において、前述したマスクブラインドは、光が幅差４８２に入るのを遮断できる。
【００７７】
ここで示すように、第１サイト１の全体が完全に視野領域４７４の範囲内に入ると、マスクパターン３５２が第１サイト１に描画される。基本的に、基板２１４Ａ及びマスク１２のＸ軸に沿った移動に伴い、サイト第２側部３６４Ｂの全てがショット領域４７６に到達した時点で、マスクパターン３５２が照射される。
【００７８】
図４Ｂは、第１サイト１の露光終了近くにおけるマスク１２と基板２１４Ａとを、並べた状態で模式的に示す上面図である。図４Ｂに示すマスク１２と基板２１４Ａとの相対位置は、図３Ｂのものと類似している。
【００７９】
第１サイト１への露光終了の直前において、光学系１８（図１に示されている）がマスクパターン３５２の全体を照射したままである（斜線「／」で示されている）。これにより、マスクパターン３５２の像（二重斜線「／／」で示されている）が第１領域１の全体に照射される。
【００８０】
第１サイト１の露光終了時、（１）マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが第２マスク位置m２に移動し、（２）第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが第２基板位置ｓ２に移動する。
【００８１】
図４Ｂには、視野領域４７４（点線円で示されている）及びショット領域４７６（「*」を伴う点線からなる箱状に示される）も示されている。図４Ａと図４Ｂとを比較すると、一実施形態において、第１サイト１を露光中、マスク１２がマスク露光距離３７０（ｍ２とm１との差)を移動しており、また、基板２１４Ａがサイト露光距離３７２（ｓ１とｓ２との差)を移動している。このように、基板２１４Ａがサイト露光距離３７２を移動中に、第１サイト１に対する露光が行われる。
【００８２】
また、この実施例において、幅差４８２（図４Ａに示されている）は、基板露光距離３７２と同じである。ここで示すように、幅差４８２が基板露光距離３７２より大きい又は基板露光距離３７２と同じであれば、基板２１４Ａが基板露光距離３７２を移動中に、マスクパターン３５２の像の全体を第１領域１に照射できる。換言すると、基板２１４Ａが幅差４８２と同じぐらい移動すれば、マスクパターン３５２の像の全体を第１領域１に照射できる。
【００８３】
視野領域４７４の範囲内に第１サイト１の全体が完全に入った状態でなくなると、第１領域１の露光が中止される。基本的に、図４Ｂにおいて、第１基板方向２５４への基板２１４の移動に伴い、サイト第１側部３６４Ａがショット領域４７６から出るようになると、マスクパターン３５２の照射が停止される。
【００８４】
図４Ｃは、第１領域１及び第２領域２の露光中におけるマスク１２と基板２１４Ａとを、並べた状態で模式的に示す上面図である。図４Ｃに示すマスク１２と基板２１４Ａとの相対位置は、図３Ｃのものと類似している。
【００８５】
露光の合間、光学系１８（図１に示されている）はマスクパターン３５２を照射せず、また、マスクパターン３５２の像は、基板２１４Ａに照射されない。また、図４Ｃに示す実施形態において、この時点で、マスク１２は第２マスク方向２５７に移動しており、基板２１４Ａは第１基板方向２５４に移動中のままである。前に示したように、露光の合間に、（１）マスクパターン３５２の位置が、第２マスク位置m２から第１マスク位置m１にリセットされ、（２）視野領域４７４のショット領域４７６に向かって第２サイト２が移動する。図４Ｃには、参照用に、第３マスク位置m３と、第１及び第２基板位置ｓ１、ｓ２とが示されている。
【００８６】
図４Ｄは、第２サイト２の露光開始時におけるマスク１２と基板２１４Ａとを、並べた状態で模式的に示す上面図である。図４Ｄに示すマスク１２と基板２１４Ａとの相対位置は、図３Ｄのものと類似している。
【００８７】
第１サイト２への露光開始に際し、光学系１８（図１に示されている）は、マスクパターン３５２の全体を照射する（斜線「／」で示されている）。これにより、マスクパターン３５２の像（二重斜線「／／」で示されている）が第２サイト２の全体に照射されて、第２サイト２が露光される。
【００８８】
第２領域２の露光開始に際し、マスクパターン３５２のパターンセンタ３５２Ｃが、第１軸に沿った第１マスク位置m１に配置されるとともに、第１サイト１のサイトセンタ３６４Ｃが第４基板位置ｓ４に配置される。
【００８９】
図４Ｄに示すように、第２サイト２の全体が完全に視野領域４７４のショット領域４７６の範囲内に入ると、マスクパターン３５２が第２サイト２に描画される。基本的に、基板２１４Ａとマスク１２のＸ軸に沿った移動に伴い、サイト第２側部３６４Ｂの全てがショット領域４７６に到達した時点で、マスクパターン３５２が照射される。
【００９０】
ここで示すように、視野領域４７４の範囲内に第２サイト２の全体が完全に入った状態でなくなるまで、第２領域２の露光処理が継続する。
【００９１】
図５Ａは、３つの隣接するサイト（１、２、３のラベル付けがされている）の露光中における、時間に対するマスク５８４Ａの位置（実線で示されている）及び基板５８６Ａの位置（破線で示されている）の一例を示すグラフ図である。
【００９２】
図５Ａは、各サイト１、２、３の露光中に、マスク５８４Ａと基板５８６Ａとが一定速度（位置における一定の変化で示されている）で移動していることを示している。さらに、図５Ａは、この実施形態において、時間全体にわたり、基板５８６Ａの位置が同じレートで変化し、従って、露光の合間においても、基板が一定速度で移動することを示している。さらに、図５Ａは、露光の合間に、マスク５８４Ａの位置がリセットされていることを示している。従って、サイト間において、マスク５８４Ａは、（１）減速し、（２）その後、それまでの露光中の動きと反対方向に加速し、（３）再び減速し、（４）その後、次のサイトの露光のために、露光方向に加速して露光速度に戻る。
【００９３】
また、図５Ａは、（１）露光中及び露光の合間に往復するマスクの移動ストローク全体を示すマスクストローク５８８Ａ、（２）一の露光が終わってから次の露光の準備ができるまで、マスクをリセットするのに必要な時間を示すマスクリセットタイム５９０Ａ、（３）一のサイトの露光中に移動した基板の距離を示す基板露光距離５９２Ａ、（４）一の露光が始まってから次の露光が始まるまで、基板が移動した距離を示すショット幅５９４Ａ、（５）一の露光に要する時間と、次のサイトの露光のための基板の位置付けに要する時間との合計を示すショット時間５９６Ａ、（６）一のサイトを露光するのに要する時間を示す露光時間５９８Ａ、を示している。
【００９４】
非排他的実施例において、露光装置１０（図１に示されている）は、（１）基板が約０．３４ｍ／ｓの一定速度で移動し、（２）マスクストローク５８８Ａが約２３ｍｍであり、（３）マスクリセットタイム５９０Ａが約６６ｍｓであり、（４）基板露光距離５９２Ａが約３．４ｍｍであり、（５）ショット幅５９４Ａが約１６ｍｍであり、（７）ショット時間５９６Ａが約７６ｍｓであり、（８）露光時間５９８Ａが約１０ｍｓ、になるように構成されている。しかしながら、露光装置１０は、基板の露光条件及び露光装置１０の設定パラメータに適合させるために、この段落に記載された数値と異なる数値に設定できる。
【００９５】
図５Ｂは、３つの隣接するサイト（１、２、３のラベル付けがなされている）の露光中における、時間に対するマスク５８４Ｂの位置（実線で示されている）及び基板５８６Ｂの位置（破線で示されている）の他の一例を示すグラフ図である。
【００９６】
図５Ｂでは、各サイト１、２、３の露光中に、マスク５８４Ｂ及び基板５８６Ｂがそれぞれ一定速度（位置における一定の変化で示されている）で移動していることを示している。一方、図５Ｂでは、露光の合間において、基板は減速され、一定速度で移動していない。換言すると、基板ステージ装置は、第１サイト及び第２サイトへのマスクパターンの転写の合間において、第１サイト及び第２サイトへのマスクパターンの転写中に比べて遅い速度で、基板５８６Ｂを移動させる。
【００９７】
また、図５Ｂは、露光の合間に、マスク５８４Ｂが再びリセットされることを示している。一方、露光の合間で基板が遅くなることから、マスク５８４Ｂをすぐにリセットする必要はない。
【００９８】
また、図５Ｂは、（１）図５Ａにおけるマスクストローク５８８Ａと同じマスクストローク５８８Ｂ、（２）図５Ａのマスクリセットタイム５９０Ａより長いマスクリセットタイム５９０Ｂ、（３）図５Ａの基板露光距離５９２Ａと同じ基板露光距離５９２Ｂ、（４）図５Ａのショット幅５９４Ａと同じショット幅５９４Ｂ、（５）図５Ａのショット時間５９６Ａより長いショット時間５９６Ｂ、（６）図５Ａの露光時間５９８Ａと同じ露光時間５９８Ｂを示している。
【００９９】
図５Ｃは、３つの隣接するサイト（１、２、３のラベル付けがされている）を露光中における、時間に対するマスク５８４Ｃの位置（実線で示されている）及び基板５８６Ｃの位置（破線で示されている）の他の一例を示すグラフである。
【０１００】
図５Ｃにおいて、各サイト１、２、３の露光中に、マスク５８４Ｃ及び基板５８６Ｃがそれぞれ一定速度（位置における一定の変化で示されている）で移動する。一方、図５Ｃにおいて、露光の合間において、基板は加速され、一定速度で移動しない。換言すると、基板ステージ装置は、第１サイト及び第２サイトへのマスクパターンの転写の合間において、第１サイト及び第２サイトへのマスクパターンの転写中に比べて速い速度で、基板５８６Ｃを移動させる。
【０１０１】
また、図５Ｃは、露光の合間に、マスク５８４Ｃが再びリセットされていることを示している。一方、露光の合間で基板５８６Ｃが高速化されることから、前の実施例に比べて、マスク５８４Ｃを素早くリセットする必要がある。
【０１０２】
また、図５Ｃは、（１）図５Ａにおけるマスクストローク５８８Ａと同じマスクストローク５８８Ｃ、（２）図５Ａのマスクリセットタイム５９０Ａより短いマスクリセットタイム５９０Ｃ、（３）図５Ａの基板露光距離５９２Ａと同じ基板露光距離５９２Ｃ、（４）図５Ａのショット幅５９４Ａと同じショット幅５９４Ｃ、（５）図５Ａのショット時間５９６Ａより短いショット時間５９６Ｃ、（６）図５Ａの露光時間５９８Ａと同じ露光時間５９８Ｂを示している。
【０１０３】
図６は、第１サイト１の露光開始時におけるマスク６１２と基板２１４Ｂの一部とを、並べた状態の他の実施形態を模式的に示す上面図である。前の図２Ｂで説明したように、基板２１４ＢがＹ軸に沿って移動する間、基板２１４Ｂ上の連続するサイトの露光が行われる。
【０１０４】
図６に示すように、マスク６１２は、基板２１４Ｂに転写される要素形状を含むマスクパターン６５２（箱状に示されている）を有する。また、図６において、第２サイト２、第３サイト３、第７サイト７の一部、第８サイト８、第９サイト９、及び第１０サイト１０が示されている。この実施形態において、各サイト２４４は、サイト第１側部６６４Ａと、サイト第２側部６６４Ｂとを含む。
【０１０５】
また、図６において、マスクパターン６５２は、各サイト２４４のサイズとほぼ同じサイズに示されている。一方、投影光学機器２０が１／４倍の縮小を有する場合、マスクパターン６５２は、各サイト２４４のサイズより４倍大きくできる。
【０１０６】
第１サイト１の露光開始に際し、光学系１８（図１に示されている）はマスクパターン６５２の全体を照射する（斜線「／」で示されている）。これにより、マスクパターン６５２の像（二重斜線「／／」で示されている）が、第１サイト１の全体に照射されて、第１領域１が露光される。
【０１０７】
図６には、投影光学機器２０（図１を参照）の視野領域６７４（破線円で示されている）も示されている。この実施形態において、視野領域６７４は、矩形ショット領域６７６（「*」を伴う破線からなる箱状に示している）を規定しており、矩形ショット領域６７６は各単一のサイト２４４より大きい（マスク６１２と基板２１４Ｂとの移動方向に沿う）。より具体的に、ショット領域６７６は、ショット長さ６７８（Ｙ軸に沿う）とショット幅６８０（Ｘ軸に沿う)とを有する。この実施形態において、露光中に、基板２１４ＢがＹ軸に沿って移動する。そのため、投影光学機器２０は、ショット幅６８０がサイト幅２４８と同じであり、ショット長さ６７８がサイト長さ２４６より大きくなるように構成される。また、ショット長さ６８０とサイト長さ２４６との差は、長さ差６８２として示されている。この構成により、ここで示すように、基板２１４Ｂは、マスクパターン６５２の像により露光中にさらに、長さ差６８２の分を移動できる。
【０１０８】
前述の非排他的実施例において、各サイト２４４の長さ２４６は３３ｍｍ、サイト幅２４８は２６ｍｍである。この実施例において、ショット幅６８０を約２６ｍｍにでき、ショット長さ６７８が３３ｍｍより大きい。非排他的実施例として、ショット長さ６７８を、約３５、３６、３６．５、３７、又は３７．５ｍｍにできる。これらの非排他的実施例において、長さ差６８２は、約２、３、３．５、４、又は４．５ｍｍである。なお、投影光学機器２０の構成変更に応じて、異なるショット長さ６７８が可能である。
【０１０９】
ここで示すように、第１サイト１の全体が完全に視野領域６７４の範囲内に入ると、マスクパターン６５２が第１サイト１に描画される。基本的に、基板２１４Ｂの第１Ｙ基板方向２５８への移動、及びマスク６１２の第１Yマスク方向２５９への移動に伴い、サイト第２側部６６４Ｂがショット領域６７６に到達した時点から、サイト第１側部６６４Ａがショット領域６７６から離れるまで、マスクパターン６５２が照射される。
【０１１０】
半導体デバイスは、前述されたシステムを使用して、図７Ａに概略的に示された工程により製造できる。ステップ７０１において、デバイスの機能及び性能特性の設計が行われる。次に、ステップ７０２において、前記設計ステップに従ったパターンを有するマスク（レチクル）が設計され、並行したステップ７０３において、シリコン材料からウエハが製造される。ステップ７０４において、ステップ７０２で設計されたマスクパターンが、本発明に係る上記のフォトリソグラフィシステムにより、ステップ７０３からのウエハ上に露光される。ステップ７１０５において、半導体デバイスが組み立てられ（ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程を含む)、最後に、ステップ７０６においてデバイスが検査される。
【０１１１】
図７Ｂは、半導体デバイスの製造の場合における上記のステップ７０４の詳細なフローチャートの一例を示す。図７Ｂにおいて、ステップ７１１（酸化ステップ)において、ウエハの表面が酸化する。ステップ７１２（ＣＶＤステップ)において、ウエハの表面に絶縁膜が形成される。ステップ７１３（電極形成ステップ)において、蒸着によりウエハに電極が形成される。ステップ７１４（イオン打ち込みステップ）において、ウエハにイオンが打ち込まれる。以上のステップ７１１〜７１４がウエハの処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択される。
【０１１２】
ウエハ処理の各段階において、上記の前処理工程が完了すると、ステップ７１５において、化学機械研磨（「ＣＭＰ」）により、ウエハを研磨することができる。通常、ＣＭＰは、集積回路製造工程に要求される処理工程に応じた一定の層まで行われる。
【０１１３】
その後、以下の後処理工程が実行される。後処理工程において、まず、ステップ７１６（フォトレジスト形成ステップ）において、ウエハにフォトレジストが塗布される。次に、ステップ７１７（露光ステップ）において、上記の露光装置を用いて、マスク（レチクル）の回路パターンがウエハに転写される。その後、ステップ７１８（現像ステップ）において、露光されたウエハが現像され、ステップ７１９（エッチング工程)において、フォトレジストが残存している部分以外の部分（露光された材料表面）がエッチングにより除去される。ステップ７２０（フォトレジスト除去工程）において、エッチング後の不要な残りのフォトレジストが除去される。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返すことによって、多数の回路パターンが形成される。
【０１１４】
ここで記載された露光装置は、添付の特許請求の範囲で記載された各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を維持するように、組み立てることにより構成することができる。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、すべての光学系について、光学的精度を達成するための調整が行われる。同様に、すべての機械系及び電気系について、夫々の機械的精度及び電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程は、各サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、及び気圧回路の配管接続等を含む。この各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムを用いてフォトリソグラフィシステムが組み立てられると、フォトリソグラフィシステム全体としての各種精度を確保するための、総合調整が行われる。なお、露光システムの製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【０１１５】
ここで図示され且つ詳しく説明された露光装置は、上記目的と効果を得ることができる。なお、上述した詳細な説明において開示した内容は、本発明の現時点の好ましい実施形態の一例であって、本発明は、ここで示した構成やデザインの詳細に限定されることはなく、添付のクレームの記載によってのみ限定される。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【外国語明細書】
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