(57)【要約】【課題】放電遅れ及び放電開始電圧等を改善できるＰＤＰを提供する。【解決手段】本ＰＤＰの製造方法では、一方の基板構造体において基板上に複数の表示電極対を形成する工程と、複数の表示電極対を被覆するように誘電体層を形成する工程と、誘電体層の表面に保護層を形成する工程と、を有し、保護層を形成する工程には、複数のＭｇＯ結晶粒子を調製する工程と、誘電体層の表面にＭｇＯ膜を形成する工程と、ＭｇＯ膜の表面に対し、複数のＭｇＯ結晶粒子を、当該粒子の付着の前後における測定角６０度での光沢変化率が５％〜３０％となるように付着させる工程と、を有する。【選択図】図１１
2009259443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
基板構造体において基板上に複数の表示電極対を形成する工程と、
前記複数の表示電極対を被覆するように誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の表面に保護層を形成する工程と、を有し、
前記保護層を形成する工程には、
複数のＭｇＯ結晶粒子を調製する工程と、
前記誘電体層の表面にＭｇＯ膜を形成する工程と、
前記ＭｇＯ膜の表面に対し、前記複数のＭｇＯ結晶粒子を、当該粒子の付着の前後における測定角６０度での光沢変化率が５％〜３０％となるように付着させる工程と、を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数のＭｇＯ結晶粒子を付着させる工程では、前記ＭｇＯ膜上に付着させる前記複数のＭｇＯ結晶粒子における前記ＭｇＯ膜との対向面と反対側に位置する面の配向が（１００）面で揃うように付着させること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数のＭｇＯ結晶粒子を構成する複数のＭｇＯ結晶単粒子がそれぞれ立方体の形状を有していること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ＭｇＯ結晶粒子を調製する工程では、気相法により得られるＭｇＯ種結晶と前記ＭｇＯ種結晶の溶融を促進させる融剤とを混合した後に焼成して得られた焼成物を解砕することにより前記ＭｇＯ結晶粒子を得る工程を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記焼成物の解砕は、前記焼成物を溶媒中に分散させてスラリを形成し、前記スラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記複数のＭｇＯ結晶粒子を調製する工程は、
前記複数のＭｇＯ結晶粒子に含まれる複数のＭｇＯ結晶単粒子が凝集した塊体を溶媒中に分散させて第１のスラリとした後、前記第１のスラリ中の前記塊体を解砕して第２のスラリとする工程を有し、
前記第２のスラリ中における前記複数のＭｇＯ結晶粒子には、前記複数のＭｇＯ結晶単粒子が凝集した凝集体が含まれ、前記凝集体を含む前記複数のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布は、前記複数のＭｇＯ結晶単粒子の累積粒度分布に対して、累積５０％値が１．２８倍以上、かつ、１．４３倍以下であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塊体の解砕は、前記塊体を溶媒中に分散させて前記第１のスラリを形成し、前記第１のスラリを加圧しながらオリフィスを通過させることにより解砕すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造技術に関し、特に、ＰＤＰの放電遅れの改善に適用して有効な技術、及び保護層の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、例えば希ガスなどの放電ガスを封入した空間（放電空間）内におけるそれぞれのセル（放電セル）で、気体放電を発生させ、この際に発生する真空紫外線で蛍光体を励起して、画像を表示する表示パネルである。
【０００３】
現在、一般に商品化されているＡＣ（交流）駆動型のＰＤＰは、面放電型である。面放電型では、表示電極対（Ｘ電極（維持電極），Ｙ電極（走査電極））が基板平面に配置されている構造である。面放電型のＰＤＰでは、カラー表示のための蛍光体（蛍光体層）を、表示電極対からパネル厚さ方向に遠ざけて配置することができ、それによって放電時のイオン衝撃による蛍光体の特性劣化を低減することができる。従って、面放電型のＰＤＰは、表示電極対（Ｘ電極，Ｙ電極）を、前後の基板（前面側基板構造体と背面側基板構造体）に振り分けて配置する対向放電型のＰＤＰに比べて、長寿命化に適している。
【０００４】
上記一般のＡＣ駆動型、面放電型のＰＤＰにおける前面基板（前面側基板構造体）では、表示電極対を覆う誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐために、保護層が設けられている。この保護層は、誘電体層が放電時のイオンの衝撃により劣化するのを防ぐ機能（耐イオン衝撃性）を持つだけでなく、この保護層にイオンが衝突することにより二次電子を放出し放電を成長させる機能（二次電子放出性）も持つ。
【０００５】
上記保護層として、上記耐イオン衝撃性や、二次電子の放出のしやすさ（二次電子放出係数の高さ）から、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の薄膜（ＭｇＯ膜）が用いられることが一般的である。
【０００６】
また、上記ＭｇＯ膜の上に、ＭｇＯ結晶粒子を分散配布（付着）する技術について、例えば特開２００６−１４７４１７号公報（特許文献１）などで提案されている。
【０００７】
また、ＭｇＯ結晶の作製（気相法によるＭｇＯ種結晶の作製）の技術に関して、特開２００４−１８２５２１号公報（特許文献２）に記載された方法や、非特許文献１に記載された方法がある。
【特許文献１】特開２００６−１４７４１７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８２５２１号公報
【非特許文献１】『材料』昭和６２年１１月号、第３６巻第４１０号、第１１５７〜１１６１頁、『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
（放電遅れについての検討）  前記保護層（ＭｇＯ膜）は、二次電子放出係数の高さから、放電開始電圧（最小放電維持電圧など）を低減するには極めて有効である。しかしながら、近年のパネルの高精細化の要求に対して、従来よりも更にアドレス速度を向上させる必要、言い換えればアドレス時間を短縮する必要が生じ、これにより、新たに放電遅れの問題が提起されている。つまり、ＰＤＰを高精細化するほど、アドレス動作等における放電遅れを如何に短縮するかが大きな課題となる。
【０００９】
即ち詳しく言えば、パネルの高精細化に伴い、表示ライン数が増加し、例えば所謂フルハイビジョン規格では、１０８０本の表示ラインを有する。その多数のラインの走査（当該走査動作を含むアドレス動作）を、所定のフレーム時間（フィールド）の中で、階調表示に必要なサブフィールド分、行う必要がある。各サブフィールドの中では、アドレス（表示のための書き込み）、サステイン（表示のための維持放電）といった各動作期間を含む。上記多数のラインの走査（アドレス）を実現するためには、アドレス動作期間（アドレス動作全体に要する時間及びその中の各放電動作の時間）等における放電遅れを如何に短縮するかが大きな課題となる。上記放電遅れに係わる時間（例えばアドレス放電動作の時間）は、特に、電極（例えばＹ電極とアドレス電極）への電圧（パルス）の印加により放電を発生させ壁電荷を形成するのに要する時間である。
【００１０】
ここで、放電遅れとは、一般に形成遅れと統計遅れの和として考えられる。形成遅れは、電極間に生成した初電子が発生してから明確な放電が形成されるまでの時間であり、多数回の放電を実施したときのほぼ最小放電時間とみなされている。統計遅れは、電圧印加から電離が始まり放電が開始するまでの時間であり、一般には多数回の放電を繰り返した際のばらつきは略これによるため、統計遅れと呼ばれている。これらの放電遅れが長いと、表示ミス防止のためにアドレス時間を長くせざるを得ず、その分、実際に必要な表示期間（維持期間）が短くなる等の悪影響を与える。従って、ＰＤＰにとって、放電遅れが短いことが望ましい。
【００１１】
ガス放電では、放電空間中の荷電粒子が外部電界によって加速され、他のガス分子に衝突し、そのガス分子が電離することで電離粒子の数を増やし成長するが、最初に荷電粒子が供給されないと放電は始まらず、荷電粒子が供給されるまで放電開始が遅れる。従って、放電の種火となるプライミング電子（初期荷電粒子）を放電空間内により多く供給する程、放電遅れを短くすることができる。
【００１２】
（ＭｇＯ結晶体粉末）  放電遅れを短くするための一つの解決手段として、従来の保護層（ＭｇＯ膜）の上にＭｇＯ結晶粒子を分散配布（付着）する技術について、例えば前記特許文献１では、ＭｇＯ膜の上に結晶体粉末を含む結晶酸化マグネシウム層を設ける技術が提案されている。これによれば、２００ないし３００ｎｍ内（特に２３５ｎｍ付近）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体の粉末を設けることにより、そのピーク波長に対応したエネルギ準位によって電子を長時間トラップできるので、該電子が放電開始に必要な初期電子として取り出され、放電遅れが減少すると推測している。
【００１３】
（ＭｇＯ結晶体粉末を配置する技術についての検討）  しかしながら、本発明者が前記特許文献１に記載される構成について検討した所、当該構成ではＰＤＰ内での特性の分布あるいはＰＤＰ個々の特性を一様に揃えることが難しいという課題があることを見出した。
【００１４】
即ち、ＰＤＰの面内において一様に放電遅れを短くするためには、ＭｇＯ結晶体を配置（付着）する量を多くする必要があり、ＭｇＯ膜の表面がＭｇＯ結晶体で覆われることとなる。しかしこの場合、ＭｇＯ結晶体を形成しない場合と比較して、ＭｇＯ結晶体が放電空間に露出する表面積が大きくなる。ＭｇＯはＣＯ２やＨ２Ｏなどの不純物を吸着しやすい性質を有しており、上記表面積の増大に伴って増加した不純物（吸着物）により、蛍光体（特に緑色の発光特性を有する蛍光体）が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ（いわゆる画面内における赤ムラ）が顕著になる。
【００１５】
（ＭｇＯ結晶体の配置量を少なくする技術の検討）  そこで、本発明者は、ＭｇＯ膜に対しＭｇＯ結晶体を配置（付着）させる量を少なくしてＭｇＯ膜の露出面積を向上させる技術について検討を行った。その結果、例えば、前記特許文献１に記載されるＭｇＯ結晶体を配置する量を単に少なくした場合に生じる新たな課題を見出した。
【００１６】
即ち、第１に、放電遅れについて、ＭｇＯ結晶体の配置量（付着量）を単に少なくするのみでは、プライミング電子の供給量が少なくなるため、結果として放電遅れを短くすることができない。
【００１７】
放電遅れを改善する上では、保護層における放電空間に露出する面（放電面）が、良好な初期電子放出機能（プライミング粒子供給性能）と二次電子放出機能を持つことが重要である。
【００１８】
なお、前記特許文献１では、当該粉末の分級を行って所定の粒径以上のＭｇＯ結晶体の頻度分布が多くなるようにする旨が記載されている。分級によりＭｇＯ結晶体における粒径の大きい結晶体の粒度分布（頻度分布）の割合を大きくすることで、ＭｇＯ結晶体の粉末の量が少なくて済む旨が記載されている。しかし、単に分級を行っただけでは、前記特許文献１の図６あるいは図７に記載されるように各ＭｇＯ結晶体に付着している微細なＭｇＯ結晶粒子を取り除くことができない。また、分級時の衝撃等によりＭｇＯ結晶体の一部（特に立方体の頂部）が損傷する場合がある。また、損傷片がＭｇＯ結晶体を配置した後にＭｇＯ膜に付着する場合もある。このため、ＭｇＯ結晶体の放電空間に対向する面の配向が揃わず、少ない配置量では、十分にプライミング電子を供給することができなくなるため、放電遅れを短くすることができない。
【００１９】
また、第２に、ＭｇＯ膜上に配置するＭｇＯ結晶粒子の大きさ及び個数（粒径など）にばらつきがある場合、最小発光単位であるセルの面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子がばらつく。この結果、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル毎に異なることとなり、セル毎の発光輝度がばらつくことになる。この現象は、ＰＤＰの点灯時にあたかも細かい粒子状の明暗ムラが視認されるため、粒状ムラと呼ばれ、ＰＤＰの信頼性を低下させる原因となる。
【００２０】
また、第３に、所定波長にピークを有するカソード・ルミネセンス発光を行うＭｇＯ結晶体の粉末を集めるために分級工程を必要とするため、製造工程が煩雑になり、製造効率が低下する。
【００２１】
（放電開始電圧についての検討）  また、従来技術において、保護層のＭｇＯ膜上にＭｇＯ粉体（ＭｇＯ結晶粒子）を付着する構成においては、放電を発生させるために電極に印加する必要がある電圧（放電開始電圧、例えば最小放電維持電圧）の上昇という問題がある。即ち、過度にＭｇＯ結晶粒子を付着させると（ＭｇＯ粉体の付着量を多くした場合）、ＭｇＯ膜及びＭｇＯ粉体を介して電圧が印加されることから、放電開始電圧（最小放電維持電圧）が高くなる（点灯不良となる）。
【００２２】
以上のように、従来技術において、保護層のＭｇＯ膜上にＭｇＯ粉体（ＭｇＯ結晶粒子）を付着する構成において、放電遅れ、放電開始電圧、面内分布のばらつきによる色ムラ（赤ムラ）、粒径等のばらつきによる粒状ムラ等、いくつかの問題が存在する。
【００２３】
本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ＰＤＰの放電遅れ及び放電開始電圧上昇などを改善して良好な特性を得ることができる技術を提供することである。
【００２４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、本発明の代表的な実施の形態は、保護層（ＭｇＯ膜及びその上のＭｇＯ粉体（ＭｇＯ結晶粒子）等）を備えるＰＤＰの技術であって、以下に示す構成を有することを特徴とする。
【００２６】
本発明者は、前述した従来技術に対して、保護層におけるＭｇＯ膜上のＭｇＯ粉体の配置（付着）に係わり、保護層の光沢（グロス）という新たな観点を用いて検討した結果、光沢度（光沢変化率）における許容できない場合（数値例）が存在することを見出した。光沢変化率は、ＭｇＯ膜に対するＭｇＯ結晶粒子の付着の前後の状態における光沢度の変化率である。
【００２７】
例えば、付着量の制御によって光沢変化率がある程度以上に小さいＰＤＰとした場合、当該保護層を介する放電に関わる放電遅れが大きくなり（放電遅れ時間が長くなり）、許容できない。
【００２８】
例えば、付着量の制御によって光沢変化率がある程度以上に大きいＰＤＰとした場合、当該保護層を介する放電開始電圧、例えば最小放電維持電圧（Ｖminとする）が高くなり、許容できない。最小放電維持電圧（Ｖmin）は、画面の全セルを正常に点灯（維持放電）させる最小の電圧である。
【００２９】
また、本発明者は、特に、ＭｇＯ結晶粒子の付着量に着目し、当該付着量を調整することによって、パネルの放電の安定性を検討した。また、本発明者は、特に、ＭｇＯ結晶粒子の粒径や形状などの観点を用いて、放電面の特性改善について検討した。
【００３０】
上記を踏まえ、本形態のＰＤＰは、保護層におけるＭｇＯ膜の上（表面）に対するＭｇＯ粉体（ＭｇＯ結晶粒子）を付着させる構造において、放電遅れの低減、且つ放電開始電圧の抑制という特性が得られるように、前記許容できない範囲を除いて、適切に光沢変化率の許容範囲を制御及び設計したものである。特に、ＭｇＯ粉体の付着量を少なく抑えながら、放電遅れ抑制及び最小放電維持電圧（Ｖmin）抑制を満たすように上記範囲を規定する。
【００３１】
本ＰＤＰは、例えば、放電ガスを封入して形成された放電空間を介して対向する一対の基板構造体を備え、一方（前面側）の基板構造体は、基板上に配置された複数の表示電極対と、複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、誘電体層を被覆する保護層とを有し、保護層は、誘電体層の表面に積層されるＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜と、ＭｇＯ膜上に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子とを備え、複数のＭｇＯ結晶粒子は、ＭｇＯ膜上に対する当該粒子の付着の前後における例えば測定角６０度での光沢変化率が５〜３０％である。
【００３２】
本ＰＤＰ製造方法は、例えば、一方の基板構造体におけるＭｇＯ膜に対し、複数のＭｇＯ結晶粒子を、当該粒子の付着の前後における例えば測定角６０度での光沢変化率が５％〜３０％となるように、散布などの方法により付着する工程を有する。本ＰＤＰ製造方法では、保護層において、ＭｇＯ膜単独でありＭｇＯ結晶粒子が付着する前の状態（非付着状態）（Ａ）と、ＭｇＯ膜にＭｇＯ結晶粒子を付着させた後の状態（付着状態）（Ｂ）とにおいて、それぞれの光沢度（Ａ，Ｂ）を例えば測定角６０度で測定する。光沢変化率（Ｇ）として、前者の光沢度（Ａ）に対する後者の光沢度（Ｂ）の変化率、即ち、Ｇ［％］＝（１−Ｂ／Ａ）×１００と規定される。そして、その光沢変化率（Ｇ）が例えば５％〜３０％の範囲で当該粉体が付着するように、保護層等の製造プロセスにおける制御を行うことによってＰＤＰを作製する。
【００３３】
また特に、ＭｇＯ結晶粒子（例えば主にＭｇＯ結晶単粒子、またはその凝集体を一部含む）の付着量を調整することによって、パネルの放電の安定化が実現できる。また特に、複数のＭｇＯ結晶粒子の粒径や形状などを調整することによって、放電面の特性を改善できる。また特に、複数のＭｇＯ結晶粒子の配向を揃えることによって、特性を良好にできる。
【００３４】
例えば、ＭｇＯ膜の表面内に対して複数のＭｇＯ結晶粒子が、ある程度以上に均等に分散配布して成ること、言い換えれば面内分布のばらつきが少ないこと、が好ましい。これにより前述の色ムラ（赤ムラ）が防止または抑制される。
【００３５】
例えば、ＭｇＯ膜上に付着される複数のＭｇＯ結晶粒子が、その粒径分布において、ある程度以上に揃っていること、言い換えれば粒径等のばらつきが少ないこと、が好ましい。これにより、前述の粒状ムラが防止または抑制される。
【００３６】
各種の形態は互いに組み合わせることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。本発明の代表的な実施の形態によれば、ＰＤＰの放電遅れ及び放電開始電圧上昇などを改善して良好な特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
図１〜図１２を用いて、本発明の一実施の形態のＰＤＰについて説明する。本ＰＤＰでは、特に図１１に示すように、前面側基板構造体の保護層において、ＭｇＯ膜に対するＭｇＯ結晶粒子（特にＭｇＯ結晶単粒子）の付着の前後での光沢変化率を、５％〜３０％の範囲内に設計するものである。
【００４０】
なお、用語の意味を説明すると次の通りである。「ＭｇＯ結晶単粒子」とは、ＭｇＯで構成される結晶体の一次粒子（単粒子）をいう。従って、「ＭｇＯ結晶単粒子」には複数の単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子は含まれない。一方、「ＭｇＯ結晶粒子」は、ＭｇＯ結晶単粒子の他、複数のＭｇＯ結晶単粒子が凝集した凝集体や塊体などの二次粒子を含めた総称として用いる。
【００４１】
「累積粒度分布」とは、特定の粒子径以下の粒子が全体に占める割合を示したものである。つまり、累積５０％値とは、その粒子径以下の粒子が全体の５０％を占めることを意味する。
【００４２】
＜１．ＰＤＰ＞
図１，図２を用いて、一実施の形態のＰＤＰの構造の一例について説明する。本例では、カラー表示用のＡＣ駆動型、三電極（前面側に表示電極対、背面側にアドレス電極）、面放電型のＰＤＰ、また、所謂ＡＬＩＳ方式の電極構造、ストライプ状の隔壁構造などを例にとる。
【００４３】
図１において、ＰＤＰ１は、放電ガスを封入して形成された放電空間２４を介して対向する一対の基板構造体である前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを有している。
【００４４】
前面基板構造体１１は、前面基板１３上に配置された複数の表示電極対であるＸ電極（維持電極）１４及びＹ電極（走査電極）１５と、これらの表示電極対を被覆する誘電体層１７と、この誘電体層を被覆する保護層１８とを有している。また、保護層１８は、図２に示すように、誘電体層１７の表面に積層されるＭｇＯ（酸化マグネシウム）膜１８ａと、ＭｇＯ膜１８ａ上に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂとを備えている。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂには、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の他、凝集体１８ｃが含まれてもよい。
【００４５】
前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、対向配置された状態で重ね合わされ、その間に放電空間２４を有している。つまり、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは放電空間２４を介して対向配置されている。
【００４６】
前面基板構造体１１は、ＰＤＰ１の表示面となる第１の面１３ａを有し、例えばガラス基板である前面基板１３を有している。前面基板１３の第１の面１３ａの反対側の面（内面）にはＰＤＰ１の表示電極であるＸ電極１４とＹ電極１５とがそれぞれ複数形成されている。
【００４７】
Ｘ電極１４及びＹ電極１５は、維持放電（表示放電）を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向ＤＸに沿って帯状に延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のＸ電極１４とＹ電極１５とがＰＤＰ１における行方向ＤＸの表示ラインを構成する。Ｘ電極１４とＹ電極１５が等間隔に配置され、隣接するＸ電極１４とＹ電極１５の間（対）がすべて表示ラインになる。
【００４８】
Ｘ電極１４及びＹ電極１５は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＳｎＯ２などの透明な電極材料で構成されるＸ透明電極１４ａ，Ｙ透明電極１５ａと、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などから構成されるＸバス電極１４ｂ，Ｙバス電極１５ｂとによって構成される。
【００４９】
Ｘ透明電極１４ａ，Ｙ透明電極１５ａは、主に維持放電に寄与し、蛍光体２３の発光を前面基板１３側から観察することができるように、光透過性がＸバス電極１４ｂ，Ｙバス電極１５ｂよりも高い。一方、Ｘバス電極１４ｂ，Ｙバス電極１５ｂは、駆動用の電流を低抵抗で流すため、Ｘ透明電極１４ａ，Ｙ透明電極１５ａよりも抵抗の低い金属材料を用いる。
【００５０】
前面基板１３の一方の面（第１の面１３ａの反対側に位置する面）に表示電極対（１４，１５）を形成する工程は、例えば以下のように行う。即ち、透明な電極材料やＡｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用いて、またその他の金属については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。
【００５１】
図１では、透明電極（１４ａ，１５ａ）が帯状に延びる形状を示しているが、これに限らず、例えば、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、一対の電極対間の最短距離（放電ギャップ）がセルに対応して近づくようにバス電極（１４ｂ，１５ｂ）と重なる位置からそれぞれ対向する方向に突出部を形成する構造としても良い。また、突出部の形状もストレート形、Ｔ字形、または梯子形など、種々の変形例を用いることができる。また、Ｘ電極１４とＹ電極１５の電極構造も、図１に示す形状（ＡＬＩＳ方式）に限らず、例えば、表示電極対（１４，１５）が、放電の発生しない間隔を隔てて配置される構造（ノーマル方式）などとしてもよい。
【００５２】
これらの表示電極群（１４，１５）は、主にＳｉＯ２などのガラス材料で構成される誘電体層１７で被覆されている。表示電極対を被覆するように誘電体層１７を形成する工程は、例えば以下のように行う。即ち、誘電体層１７は、例えば低融点ガラス粉末を主成分とするフリットペーストを、前面基板１３上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。他に、いわゆるグリーンシートと呼ばれるシート状の誘電体シートを貼り付けて焼成する方法で形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ２膜を成膜することにより形成してもよい。
【００５３】
誘電体層１７の内面側には、表示の際の放電（主に維持放電）により生じるイオンの衝突による衝撃から誘電体層１７を保護するための保護層１８が形成されている。このため保護層１８は、誘電体層１７の表面を被覆するように形成されている。この保護層１８の詳細な構造、機能、及び誘電体層１７の表面に保護層１８を形成する工程の詳細については後述する。
【００５４】
一方、背面基板構造体１２は、例えばガラス基板である背面基板１９を有している。背面基板１９における前面基板構造体１１と対向する面（内側面）上には、複数のアドレス電極２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４及びＹ電極１５が延在する行方向ＤＸと交差（略直交）する列方向ＤＹに沿って延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、互いに略平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。
【００５５】
アドレス電極２０を構成する材料としては、バス電極（１４ｂ，１５ｂ）と同様に例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などを用いることができる。また、アドレス電極２０に用いる材料に応じて厚膜形成技術あるいは蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。
【００５６】
このアドレス電極２０と、前面基板構造体１１に形成されたＹ電極１５とは、セル２５の点灯／非点灯を選択するための放電（アドレス放電）を行うための電極対を構成する。つまり、Ｙ電極１５は、維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極（走査電極）としての機能とを併せ持っている。
【００５７】
アドレス電極２０は、誘電体層２１で被覆されている。誘電体層２１は、前面基板１３上の誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。誘電体層２１上には、背面基板構造体１２の厚さ方向ＤＺに伸びる複数の隔壁２２が形成されている。隔壁２２は、例えばアドレス電極２０が延在する列方向ＤＹに沿ってライン状に延在するように形成されている。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定されている。隔壁２２の平面上の位置は、隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極２０の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向ＤＹに区分けする放電空間２４が形成される。なお、隔壁２２の形状は、図１に示すライン状の他、ミアンダ形、格子形、または梯子形など、種々の変形例を適用することができる。
【００５８】
隔壁２２を形成する工程は、サンドブラスト法、フォトエッチング法などにより形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒などからなるフリットペーストを誘電体層２１上に塗布して乾燥させた後、そのフリットペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹き付けて、マスクの開口部に露出したフリットペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光および現像の後、焼成することにより形成する。
【００５９】
アドレス電極２０上の誘電体層２１の上面、及び隔壁２２の側面には、真空紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体２３（２３ｒ，２３ｇ，２３ｂ）がそれぞれ所定の位置に形成されている。隔壁２２で区画された領域に蛍光体２３（２３ｒ，２３ｇ，２３ｂ）を形成する工程は、例えば以下のように行う。まず、各色の発光特性を有する蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストをそれぞれ準備する。この蛍光体ペーストを隔壁で区切られた放電空間内にスクリーン印刷またはディスペンサを用いた方法などで塗布し、これを色別に繰り返した後、焼成することにより形成している。
【００６０】
また、蛍光体２３は、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所定の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを色別に繰り返すことで、対応する隔壁２２間に各色の蛍光体２３を形成することができる。
【００６１】
また、各放電空間２４には、放電ガスと呼ばれる希ガスなどのガスが所定の圧力で封入されている。放電ガスとしては、例えばＸｅの分圧比が数％〜数十％に調整されたＸｅ−Ｎｅなどの混合ガスを用いることができる。
【００６２】
ＰＤＰ１は、上述した前面基板構造体１１の保護層１８側の面と、背面基板構造体１２の隔壁２２側の面とを放電空間２４を介して交差及び対向配置して組み立てることにより得られる。この組み立てる工程には、基板の位置合わせ工程、基板間の外周部を例えばシールフリットと呼ばれる低融点ガラス材料を用いて封止（封着）する封止工程、ＰＤＰ１の内部空間に残るガスを排気して、放電ガスを充填する工程などが含まれる。これにより基本的なＰＤＰが完成する。
【００６３】
ＰＤＰ１では、一対のＸ電極１４とＹ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して表示の最小単位（単位発光領域）となる１個のセル２５が構成される。つまり、セル２５は、表示電極対（１４，１５）とアドレス電極２０の交差毎に形成される。セル２５の平面積は、一対のＸ電極１４とＹ電極１５の配置間隔と、隔壁２２の配置間隔により規定される。また、各セル２５には、赤用の蛍光体２３ｒ、緑用の蛍光体２３ｇ、または青用の蛍光体２３ｂのいずれかがそれぞれ形成されている。このＲ，Ｇ，Ｂの各セル２５のセットにより画素が構成される。つまり、各蛍光体２３ｒ，２３ｇ，２３ｂは、ＰＤＰ１の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色の可視光を発光する。
【００６４】
なお、図１ではアドレス電極２０を背面基板構造体１２に形成する例について示したが、アドレス電極２０を前面基板構造体１１に形成することもできる。この場合、図１に示す誘電体層１７を複数層構造として、第１層目の誘電体層で表示電極対を被覆し、この第１層目と第２層目の誘電体層の間にアドレス電極２０を形成することができる。
【００６５】
また、上記ＰＤＰ１の駆動（ＰＤＰ装置におけるＰＤＰ駆動方法）においては、画像を形成するために、フィールドのサブフィールド毎に、アドレス動作期間で、表示領域内で点灯するセル２５を選択するアドレス（書き込み）動作が行われる。具体的には、選択するセル２５の走査電極（Ｙ電極１５）とアドレス電極２０へパルスを印加して放電（アドレス放電）を発生させて壁電荷を形成する。その後、サステイン動作期間では、表示領域のセル２５群（表示電極対）に対して駆動波形（サステインパルス）を印加することにより、アドレス動作期間で選択されているセルで維持放電（表示放電）を発生させる動作（維持動作）が行われる。輝度の重み付けに対応した各サブフィールドの維持放電の回数の組み合わせにより階調表示が行われる。
【００６６】
＜２．保護層＞
次に、主な特徴となる保護層１８について詳細に説明する。図２において、保護層１８は、誘電体層１７の表面に積層されるＭｇＯ膜１８ａと、ＭｇＯ膜１８ａ上の表面（Ｐ１）に付着する複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂとを備えている。図３は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂのＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の例を示す（基準となる平面（ＭｇＯ膜１８ａ表面（Ｐ１））上に配置された例）。図４は、例えば３個のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の側面が密着して凝集した凝集体１８ｃを示す。図５は、図２に示すＭｇＯ膜１８ａとＭｇＯ結晶粒子１８ｂの微視的な関係を示す拡大断面図である。また、図６は、図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子１８ｂを調製するための解砕工程における特に好ましい解砕方法の実施態様を示す。また、図７は、図２〜図５に示すＭｇＯ結晶粒子１８ｂを調製するための解砕工程における解砕方法毎のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を示す。また、図９及び図１０は、それぞれ本実施の形態に対する比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す。
【００６７】
＜２−１．ＭｇＯ膜＞
ＭｇＯ膜１８ａは、放電空間２４との対向面（ＭｇＯ膜１８ａ表面（Ｐ１）と平行な面）に、配向面として（１１１）面を有している。保護層１８には、誘電体層１７が放電時のイオンの衝撃により劣化することを防ぐ機能（耐イオン衝撃性（耐スパッタ性））とともに、二次電子を放出して放電の成長、維持を促進する機能（二次電子放出性）が要求される。このため、保護層１８には二次電子放出係数の高いＭｇＯが用いられるが、特に放電空間２４との対向面を（１１１）面とすることにより、（１００）面とした場合よりも高い二次電子放出係数が得られる。ＰＤＰ１は、ＭｇＯ膜１８ａの放電空間２４との対向面を（１１１）面とすることにより、二次電子放出係数を向上させることができるので、放電開始電圧（最小放電維持電圧（Ｖmin）など）を低減することができる。放電開始電圧の低減により、消費電力を低減することができる。
【００６８】
なお、ＭｇＯ膜１８ａの表面の配向は、主として（１１１）面を有しているが、ＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）が（１１１）面以外の配向面を含んだ実施態様を排除するものではない。
【００６９】
また、ＭｇＯ膜１８ａはＭｇＯを主成分として構成されているが、これに耐スパッタ性や二次電子放出係数を向上させるための添加物（例えばＣａＯなど）を添加することもできる。この場合、保護層１８の耐スパッタ性あるいは二次電子放出係数をさらに向上させることができる。
【００７０】
ＭｇＯ膜１８ａを形成する工程は、例えば電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような当該分野で公知な薄膜プロセスで形成することができる。
【００７１】
＜２−２．ＭｇＯ結晶粒子＞
複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ膜１８ａ表面に配向性が揃って付着されている。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂのＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は、立方晶であり、すべての結晶面は、物理的及び化学的性質において等価である。このため、複数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が、ＭｇＯ膜１８ａ上に付着される。
【００７２】
複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、主な成分の複数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１としてはそれぞれ立方体（図３）であるが、一部、凝集体１８ｃ（図４）が含まれていてもよい。
【００７３】
なお、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯのみから成ってもよいが、結晶構造に影響を与えない程度に少量の別の成分（例えば、フラックスの残渣）を含んでいてもよい。
【００７４】
＜２−３．付着方法＞
ＭｇＯ膜４ａ上に複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させる方法については特に限定されない。一例では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをそのまま又は分散媒に分散させた状態でＭｇＯ膜１８ａ上に塗布又は散布することによって、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に付着させることができる。塗布又は散布は、具体的には、例えば、静電塗布法、スプレー法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディスペンサ法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法又はインクジェット法などによって行うことができる。また、ＭｇＯ単結晶１８ｂを含有するペーストを支持フィルム上に塗布した後に乾燥させることによってフィルム状にし、これをＭｇＯ膜１８ａ上にラミネートする方法も可能である。また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ膜１８ａ上の全面または一部に付着させることができる。
【００７５】
＜２−４．光沢変化率＞
本実施の形態では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着の前後における測定角６０度での光沢変化率が５％〜３０％になるようにＭｇＯ膜１８ａ上に付着させる。後述するが、このような範囲に規定すると良好な特性となる。
【００７６】
光沢変化率（Ｇとする）［％］は、Ａ：ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着前（非付着状態）の光沢度、Ｂ：ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着後（付着状態）の光沢度としたとき、以下の式（１）で定義される。
【００７７】
Ｇ＝（１−Ｂ／Ａ）×１００      ・・・（１）
光沢（光沢度）は、光沢計を用いて測定することができる。光沢計は、例えば、株式会社堀場製作所製のハンディ光沢計ＩＧ−３３１を用いる。
【００７８】
なお、上記に係わり、ＭｇＯ結晶粒子の付着前の光沢は、一旦付着したＭｇＯ結晶粒子を拭き取った後のＭｇＯ膜面の光沢と等価と見ることができる。即ち、付着前後での変化率とは、非付着状態と付着状態とで比較した変化率と捉えても同じである。
【００７９】
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量が多いほど、光沢変化率（Ｇ）が大きい。従って、光沢変化率（Ｇ）は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を反映した値である。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが少なすぎると、放電遅れ改善効果が小さく、多すぎると放電開始電圧（最小放電維持電圧（Ｖmin））が上昇するという問題が生じ得る。
【００８０】
そこで、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を適正にするように、本実施の形態では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂについては、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着前後の測定角６０度での光沢変化率（Ｇ）が５％〜３０％になるようにＭｇＯ１８ａ膜上に付着させる。
【００８１】
＜２−５．光沢変化率の範囲＞
図１１において、光沢変化率の範囲の設計について示している。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を従来よりも少なくするように制御することにより、光沢変化率（Ｇ）は小さくなる。ａは５％よりも小さい範囲、ｂは３０％よりも大きい範囲、ｃは５％以上で３０％以下の範囲である。Ｒａは、範囲ａに対応する領域であり、放電遅れ（Ｌ）の増大（放電速度の遅さ）による放電不良となる領域である。Ｒｂは、範囲ｂに対応する領域であり、最小放電維持電圧（Ｖmin）の上昇による放電不良となる領域である。
【００８２】
まず、放電遅れ（Ｌ）は、光沢変化率（Ｇ）に対し、線Ｓａのように、指数関数的な結果を示す。光沢変化率（Ｇ）を小さくすると、放電遅れ（Ｌ）は、指数関数的に増大し（０％に近づくにつれて極大化）、光沢変化率（Ｇ）を大きくすると、放電遅れ（Ｌ）は、指数関数的に減少する（１００％に近づくにつれて０に近づく）。
【００８３】
また、最小放電維持電圧（Ｖmin）は、光沢変化率（Ｇ）に対し、線Ｓｂのように、一次直線的な結果を示す。光沢変化率（Ｇ）を小さくすると、この電圧（Ｖmin）は、一次直線的に減少し、光沢変化率（Ｇ）を大きくすると、この電圧（Ｖmin）は、一次直線的に増大する。
【００８４】
例えば、Ｇ＝５％では、Ｌ＝１．０μｓとなる（一方、Ｖminは十分小さくなる）。範囲ａのように、Ｌが１．０μｓよりも大きい場合、放電速度の遅さにより放電不良となる。例えばアドレス動作時間の条件を満たせない。即ち、Ｌが大きいと、表示ミス防止のために、各アドレス放電単位時間が長いことからアドレス動作期間全体を長くするように設計せざるを得ない。そして、サブフィールド中のアドレス期間を長くした分、他の期間、例えば表示期間（サステイン期間）が短くなる等の悪影響が生じる。これにより、サブフィールド中の多数のラインの走査（アドレス）が実現できない。従って、このような範囲ａの領域Ｒａは不適当であり、本実施の形態では除外する。
【００８５】
また、例えば、Ｇ＝３０％では、Ｖmin＝９５Ｖとなる（一方、Ｌは十分小さくなる）。範囲ｂのように、Ｖminが９５Ｖよりも大きい場合、Ｖminの高さにより放電不良となる。例えば、アドレス電圧（アドレス放電用にアドレス電極に印加する電圧）、維持電圧（維持放電用に表示電極対に印加する電圧）等の駆動電圧を大きく設計しないと、所望のセルの放電（点灯）が発生しない、あるいは所定の駆動電圧を印加しても非点灯セルが発生する、といった問題になる。従って、このような範囲ｂの領域Ｒｂは不適当であり、本実施の形態では除外する。
【００８６】
上記のように、本実施の形態では、ａ（Ｒａ），ｂ（Ｒｂ）を除いた範囲ｃ内に決定される。特に、従来よりもＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を少なくし光沢変化率（Ｇ）を制御することで、範囲ｃ内で特性が選択される。これにより、放電遅れ（Ｌ）低減及び最小放電維持電圧（Ｖmin）抑制の両方の効果のバランスをとる。
【００８７】
＜２−６．ＭｇＯ結晶粒子の調製方法＞
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの調製方法は、一例では、気相法で作製したＭｇＯ種結晶と少量のフラックス（ＭｇＯ種結晶の溶融を促進させる融剤）とを混合して焼成し、得られた焼成物を解砕することによって作製することができる。気相法で作製したＭｇＯ種結晶は、サイズが小さく且つサイズのばらつきが大きいので、気相法で作製したＭｇＯ種結晶をＭｇＯ膜１８ａ上に散布してもその配向は揃わない。
【００８８】
一方、上記方法で作製したＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、サイズが比較的大きく且つサイズのばらつきが小さい。従って、このＭｇＯ結晶粒子１８をＭｇＯ膜１８に散布すると、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂ（特にＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１）の配向が揃う。フラックスとしては、例えば、マグネシウムのハロゲン化物（フッ化マグネシウム等）を用いることができる。
【００８９】
上記焼成は、例えば、１０００〜１７００℃で、１〜５時間行う。一般に、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂのサイズは、焼成温度が高くなるほど、焼成時間が長くなるほど、フラックスの添加量が多いほど、大きくなる。また、当該粒子は、サイズが小さなものほど、焼成時の結晶成長の速度が速いので、焼成温度が高くなるほど、焼成時間が長くなるほど、フラックスの添加量が多いほど、サイズ（ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径）のばらつきが小さくなる。従って、ＭｇＯ結晶粒子１８の累積粒度分布が所定の範囲内に収まるように、焼成温度、時間、及びフラックスの添加量を適宜設定する。
【００９０】
フラックスの添加量は、例えば、０．００１〜０．１ｗｔ％である。焼成物の解砕を行う方法は、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰して粉体状にする方法が挙げられる。
【００９１】
気相法によるＭｇＯ種結晶の作製については、例えば、特許文献２に記載された方法や、非特許文献１に記載された方法で行うことができる。また、気相法で作製したＭｇＯ種結晶は、宇部マテリアルズ株式会社製の物を用いてもよい。
【００９２】
また、ＭｇＯ種結晶は、表面には例えば微細なＭｇＯ結晶単粒子が付着している場合があるが、上記のようにＭｇＯ種結晶を溶融させる方法であれば、ＭｇＯ種結晶とともに微細なＭｇＯ結晶単粒子も溶融するので、得られるＭｇＯ結晶粒子１８ｂへの微細なＭｇＯ結晶単粒子の付着を防止ないしは抑制することができる。
【００９３】
＜２−７．他の条件＞
上記の他の好ましい条件については例えば以下である。
【００９４】
（配向性）  ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向は、一般的に確認されている（１１１）、（１１０）、（１００）、（３１１）のいずれかがメインピークであることが好ましい。
【００９５】
（面内分布の均一性）  また、ＰＤＰ１の表示領域内における光沢変化率（Ｇ）のばらつきが表示性能に良くない影響を与えるのは、短い距離で光沢変化率（Ｇ）の変動が大きい場合である。この場合、ムラ等の不良につながるので、上記ばらつきを抑えることが望ましい。そこで、上記光沢変化率（Ｇ）の変動は、１０％／ｍｍ（１ミリ当たり１０％）以下にすることが好ましい。
【００９６】
（粒度分布）  測定角６０度での光沢変化率（Ｇ）はＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒度分布に左右されるため、この粒度分布の範囲も重要である。本実施の形態として、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒度分布での累積５０％値は、０．６〜３０μｍであることが好ましい。また、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒度分布での累積１０％値は、累積５０％値の０．５倍以上であることが好ましい。
【００９７】
＜３．詳細＞
以下、本実施の形態のＰＤＰ及び製造方法、並びに問題とその解決手段などについて更に詳しく説明する。具体的に、放電遅れ、最小放電維持電圧、付着量、配向性、粒径分布などについて説明する。本実施の形態における好ましい構成として、これらの条件を調整する。
【００９８】
（放電遅れ及び放電開始電圧）
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、アドレス放電あるいは表示放電などを行う際に放電の種火となるプライミング電子（初期荷電粒子）を放電空間２４により多く供給する機能を有している。つまり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に付着させることにより、放電空間２４内のプライミング電子を増加させることができる。放電空間２４内のプライミング電子が増加すると、放電のための電圧を印加してから放電が開始されるまでの時間を短縮することができる。例えば、アドレス放電の場合であれば、アドレス電極２０とＹ電極１５との間に電圧を印加してからアドレス放電が開始されるまでの時間を短縮することができる。即ち、アドレス放電における放電遅れを短くすることができる。
【００９９】
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配置量、即ちＭｇＯ膜１８ａの表面におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を多くすると、放電空間２４内のプライミング電子の供給量が増加する。
【０１００】
（ＭｇＯ結晶粒子の付着による課題と解決手段）
しかしながら、本発明者の検討によれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を過剰に多くしすぎると、ＰＤＰ１の表示色に異常が生じる。即ち、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させると、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させない場合と比較して、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが放電空間２４に露出する表面積が大きくなる。ＭｇＯは、ＣＯ２やＨ２Ｏなどの不純物を吸着し易い性質を有しており、表面積の増大に伴って増加した不純物（吸着物）により蛍光体２３（特に緑色の発光特性を有する蛍光体２３ｇ）が劣化して緑色の発光が弱くなり、表示色に赤みが増す色ムラ（赤ムラ）が発生する場合がある。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量が少ない場合、この現象は実効上無視できる程小さいが、付着量が増加するに従ってこの現象が増大する。
【０１０１】
また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を過剰に多くしすぎると、放電開始電圧が上昇することも判った。これは、ＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）がＭｇＯ結晶粒子１８ｂで覆われることにより二次電子放出量が低下するためと推察される。
【０１０２】
本発明者が上記の臨界点について実験的に検討を行った結果、保護層１８における光沢変化率が３０％を超えると、上記の現象が特に顕著になる。
【０１０３】
そこで、本実施の形態では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減し、ＭｇＯ膜１８ａに対するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着に関する光沢変化率を３０％以下とした。
【０１０４】
上記光沢変化率の測定の対象となる領域は、ＰＤＰ１の表示領域（全セル２５領域）である。本実施の形態におけるＰＤＰ１では、表示領域に対し、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが略均一に分散配置されている（付着における面内ばらつきが十分に少ない）。
【０１０５】
このように、ＰＤＰ１の表示領域の全セル２５において、光沢変化率を３０％以下となるようにＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減することにより、色ムラ（赤ムラ）を抑制できることを実験的に確認した。
【０１０６】
また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させない場合と比較して、放電開始電圧の上昇を抑制することができることを確認した。これは、光沢変化率を３０％以下としたことにより、ＭｇＯ膜１８ａからの二次電子放出量を確保することができるためと推察される。
【０１０７】
（付着量の低減による新たな課題と解決手段−１）
ところで、本実施の形態ではＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を少なくするので、単に低減するのみではプライミング電子を十分に供給することができず、結果として放電遅れを短くすることができない。しかし、本発明者が検討した結果、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４と対向する面の配向を（１００）面で揃えて配置することにより、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減しても放電遅れを短くすることができることが判明した。ここで、「配向が揃う」とは、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの結晶面の法線方向が互いに一致していることを意味し、この方向が一致していれば、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂがその法線周りに回転していても構わない（図２）。また、「放電空間２４と対向する面の配向が（１００）面で揃う」とは、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが有する面のうち、放電空間２４と対向する面（図２のＰ２）、即ち、ＭｇＯ膜１８ａ（図２のＰ１）との対向面（接触面）と反対側に位置する面（Ｐ２）の配向が（１００）面で揃うことを意味する。
【０１０８】
複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っているかどうか（配向の均一性の程度）は、Ｘ線回折（ＸＲＤ；X-Ray Diffract meter）での（２００）面の信号強度と（１１１）面の信号強度との比に基づいて判断することができる。（２００）面は、（１００）面と等価であり、（２００）面の信号は、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っている場合に強く、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っていない場合には非常に弱くなる。一方、（１１１）面の信号は、主にＭｇＯ膜１８ａからの信号であり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向が揃っているかどうかにはほとんど依存しない。従って、｛（２００）面の信号強度／（１１１）面の信号強度｝の値は、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４に対向する面の配向が揃っているかどうかを示す指標となる。具体的にはＭｇＯ膜の厚さ１μｍ当りの（２００）面のＸ線回折信号強度測定を行い、（１１１）面と（２００）面との信号強度比に応じて規格化した後の値と、（１１１）面のＸ線回折信号強度の値との比で評価を行い、規格化後の（２００）面の値が（１１１）面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができる。なお、規格化とは、(１１１)面と(２００)面の存在比が１／１の時、実測の信号強度比は１１．６／１００となるのを勘案し、(１１１)面を基準として、(２００)面の実測の信号強度に０．１１６を乗じることである。
【０１０９】
（配向性）
次に、本実施の形態において、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を揃えるための具体的手段について説明する。まず、本実施の形態の各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂのＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は、図３に示すように立方体の形状を成している。また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１は、（１００）面の結晶面に囲まれた立方晶であり、全ての結晶面は、物理的及び化学的性質において等価である。従って、立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の各表面はそれぞれ（１００）面となっている。また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一つの面はＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）と対向接触している。立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一つの面をＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）と対向接触させることにより、その反対側の面（Ｐ２）の法線方向は一様に揃えることができる。つまり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂにおける放電空間２４との対向面の配向を（１００）面でそれぞれ揃えることができる。また、各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１はそれぞれ立方体の形状であるが、例えば図４に示すように複数個（例として３個）の立方体のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の側面が密着して凝集した凝集体１８ｃが含まれている。この場合、凝集体１８ｃの一つの面がＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）と対向接触することとなるが、凝集体１８ｃを構成する各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂは立方体なので、反対面（放電空間２４に対向する面）の配向は（１００）面が揃うこととなる。このようにＭｇＯ結晶粒子１８ｂの放電空間２４と対向する面（Ｐ２）の配向を揃えることにより、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減した（光沢変化率を３０％以下とした）場合であっても、放電遅れを短くできることが実験的に判明した。
【０１１０】
また、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が有する立方体の一つの面をＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）と対向接触させることにより、ＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）とＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１との接触が安定した面接触となるため、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の剥離や飛散による部分的特性変化の問題を抑制することができる。
【０１１１】
（粒度分布）
次に、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径について説明する。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの下地である例えば電子ビーム蒸着法で成膜したＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）は、図５に示すように、微視的には頭頂部を有する柱状結晶構造の凹凸を持ち、柱状結晶の頭頂間に微細な隙間２６がある。柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１は例えば０．０５μｍ程度である。従って、図９に示す比較例であるＭｇＯ結晶粒子３０のように粒径が柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい場合（０．１μｍ未満の場合）、頭頂間の隙間２６に挟まってＭｇＯ膜１８ａと対向接触させられない場合がある。この場合、ＭｇＯ結晶粒子３０が立方体の形状を有している場合でもＭｇＯ膜１８ｂと対向接触しないため、放電空間２４と対向する面の配向は（１００）面ではなくなり配向が揃わない。また、図１０の比較例に示すように柱状結晶の頭頂間隔Ｗ１の２倍以上の粒径を有するＭｇＯ結晶粒子３１を有していても、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ未満の粒径）であるＭｇＯ結晶粒子３０が含まれていると、隙間２６に挟まったＭｇＯ結晶粒子３０がＭｇＯ結晶粒子３１とＭｇＯ膜１８ａとの対向接触を阻害する要因となるため、配向が揃わない。
【０１１２】
一方、本実施の形態のＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ未満の粒径）の粒子を含まない、あるいは含んでいても僅かである。従って、図５に示すように下地であるＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）は、実質的に平坦とみなすことができ、配向を揃えるのに都合が良い。なお、配向を揃えるためには、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ未満の粒径）の粒子を全く含まない態様がより好ましいが、上述したようにＸ線回折を行った後に規格化した後の（２００）面の値が（１１１）面の値の等倍以上であれば、放電遅れを短くすることができるので、この範囲に収まる程度であれば、頭頂間隔Ｗ１の２倍よりも小さい粒径（０．１μｍ未満の粒径）の粒子が含まれていても放電遅れを改善することはできる。
【０１１３】
かかる観点から、本発明者がＭｇＯ結晶粒子１８ｂの好ましい粒径について実験したところ、累積粒度分布により表せることが判った。即ち、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布における累積５０％値が１．２６μｍ以上とした場合に各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を（１００）面で揃え、放電遅れを改善できることが判った。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布は、レーザー回折式の粒度分布計を用いて求めることができる。
【０１１４】
また、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布での累積１０％値は、累積５０％値の０．５倍以上であることが好ましい。この場合、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂ中の微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂの割合が小さい。微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、比較的粒径が大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂとＭｇＯ膜１８ａとの間に挟まり、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂとＭｇＯ膜１８ａとの接触を妨げ、複数のＭｇＯ結晶１８ｂの配向が揃うのを妨げる原因となる。累積１０％値が累積５０％値の０．５倍以上である場合、微細なＭｇＯ結晶粒子１８ｂの割合が小さくなり、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を揃えやすい。
【０１１５】
また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を揃えるためには、上述の通り、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの形状が立方体であることが特に好ましいが、各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１としての粒径が大きくなると、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの粒径にばらつきが生じやすくなる。従って、例えば図４に示すようにＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が凝集した凝集体１８ｃが含まれる構造とすることがより好ましい。これにより、各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の粒径は所定の粒径よりも小さい場合であっても凝集体１８ｃの凝集の程度を制御することにより、累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができる。上記した累積５０％値が１．２６μｍ以上という条件は、凝集体１８ｃが含まれる場合には、該凝集体１８ｃを一つの粒子とみなした場合の累積粒度分布の値となる。
【０１１６】
また、各凝集体１８ｃの凝集の程度については、凝集体１８ｃを含む複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布が、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ（即ち凝集していない状態）の累積粒度分布に対して、累積５０％値が１．２８倍以上であることが好ましい。凝集体１８ｃを小さく解砕しすぎると放電遅れの改善効果が小さくなるためである。この理由は、凝集体１８ｃを過剰に解砕することにより、粒径の小さいＭｇＯ結晶粒子１８ｂが増加するためと推察される。また、各ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の立方体の形状に欠損が生じやすくなるためとも推察される。
【０１１７】
（付着量の低減による新たな課題と解決手段−２）
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの付着量を低減すると、ＭｇＯ膜１８ａの表面（Ｐ１）におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性（付着の面内ばらつき）も問題となる。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの大きさ及び個数にばらつきがある場合、セル２５の面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの量がばらつく。このため、ＰＤＰ１の表示信頼性の観点からは以下の課題が発生する。即ち、表示放電におけるプライミング電子の供給量がセル毎に異なることとなり、セル２５毎の発光がばらつくことになる。即ち、ＰＤＰ１を点灯した際に細かい粒子状の明暗ムラ（粒状ムラ）が視認される。また、セル２５の面積当たりに付着するＭｇＯ結晶粒子１８ｂの量がばらつくと、表示領域における保護層１８における光沢変化率もばらつくこととなる。この結果、放電開始電圧の分布がセル２５毎に一様とならず、局所的に必要な放電開始電圧が高いセル２５が発生する原因となる。
【０１１８】
そこで、本発明者がＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性について実験及び検討を行った結果、凝集体１８ｃを含む複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布が、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１（即ち凝集していない状態）の累積粒度分布に対して、累積５０％値が１．４３倍以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止できることが判明した。
【０１１９】
例えば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをスプレー法により分散配布する場合、過剰に粒径が大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂあるいは凝集体１８ｃは、他の粒子と比較して自重が重くなるため、飛散しにくくなる。このため、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性が低下する。つまり、本実施の形態では累積５０％値を１．４３倍以下とすることにより、粒径が過剰に大きいＭｇＯ結晶粒子１８ｂあるいは凝集体１８ｃを排除することができる。このため、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの分散状態の均一性が向上するので、粒状ムラの顕在化を防止することができる。
【０１２０】
（解砕方法の例）
前述のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを調製する工程において、解砕方法の例を以下に示す。焼成物は、多数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１が凝集した塊体１８ｄとして得られるので、ＭｇＯ膜１８ａに付着させる前に予めその塊体１８ｄを解砕する。また、前述のようにフラックスと混合して焼成しない場合であってもＭｇＯ結晶粒子１８ｂは水分などの吸着により凝集し易いため、これを解砕する必要がある。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの形状及び累積粒度分布が前述した所定の範囲内に収まるものであれば解砕方法は特に限定されないが、以下の方法で解砕することが特に好ましい。
【０１２１】
即ち、例えば図６に示すように、焼成物などの塊体１８ｄを溶媒中（分散媒）に分散させて第１のスラリ１８ｅを形成し、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス２７を通過させることにより解砕する。焼成物などの塊体１８ｄが非常に大きい塊である場合、溶媒中に分散させる前に予め小塊としておく。この小塊は、例えば、焼成物を乳鉢に入れて、それを乳棒ですり潰すことにより得られる。しかし、前述した所定の累積粒度分布になるまで乳鉢ですり潰すと立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の一部が欠損し易くなる。従って、この段階では以下に述べる解砕工程の前処理として、立方体であるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１に欠損が生じない程度に小塊化する。
【０１２２】
次に、焼成物などの塊体１８ｄを溶媒中に分散させて第１のスラリ１８ｅを形成する。第１のスラリ１８ｅの分散媒（溶媒）は特に限定されないが、水酸基やカルボニル基やニトリル基のような極性の高い分子構造を持ち、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの結晶構造をおかさない化合物が好ましく、２−プロパノール（イソプロピルアルコール、ＩＰＡ）のようなアルコールが特に好ましい。スラリ中におけるＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は、例えば０．０１〜２ｗｔ％とする。この濃度の範囲内であれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａ上に分散配布する際にスプレー法を用いる場合に、解砕後の第２のスラリ１８ｆをそのまま（例えば連続的に）用いることができる。
【０１２３】
次に解砕工程として、塊体１８ｄが溶媒中に分散された第１のスラリ１８ｅを解砕装置のポンプ（高圧ポンプ）Ｐの送液圧力により矢印２８に示す方向に送り込み、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス（絞り孔）２７を通過させることにより解砕する。第１のスラリ１８ｅ中のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の凝集体である塊体１８ｄは、加圧しながらオリフィス（絞り孔）２７を通過する際に発生する剪断力により解砕され、第２のスラリ１８ｆを得る。ポンプＰには、例えばプランジャポンプなどを用いることができる。また、オリフィス２７は第１のスラリ１８ｅが通過する際に発生させる必要のある剪断力に応じて、孔径や孔形状を適宜調整することができる。なお、図６では解砕装置の例として、流体である第１のスラリ１８ｅの流路を複数（図６では２つ）に分流し、各流路がオリフィス２７に接続される手前で合流させる方法を示している。この場合、第１のスラリ１８ｅに含まれる塊体１８ｄ同士がオリフィス２７に流入する際に衝突し、この衝撃により解砕される場合もある。
【０１２４】
このような解砕装置としては、例えば、吉田機械興業(株)製の微粒化装置「ナノマイザー（登録商標）」を用いることができる。この方法によれば、凝集体をすり潰すメディアを用いずに解砕するので、解砕工程での異物の混入を防止することができる。また、オリフィス２７を通過させる回数あるいは送液圧力などを調製することにより、凝集の程度（凝集度）を制御することができる。また、凝集体に加わる負荷（剪断力）も制御することができるので、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の立方体形状の欠損を防止ないしは抑制することができる。
【０１２５】
解砕後の第２のスラリ１８ｆ中における凝集体１８ｃを含むＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布は、凝集体１８ｃを含まない複数のＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の粒度分布に対して、累積５０％値が１．２８倍以上、かつ、１．４３倍以下とすることが好ましい。ＭｇＯ膜１８ａの表面にＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着した複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を上記した所定の範囲内に収めるためである。
【０１２６】
なお、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの立方体形状の保形性の観点からは上記の方法が最も好ましいが、焼成物を解砕する別の方法としてボールミルを用いることもできる。ボールミルを用いて解砕する場合には、一例として球石にジルコニアを用いて解砕することができる。この場合、球石の量や処理時間を変える事で凝集度を制御することができる。なお、ボールミルで解砕を行う場合にも上記で説明した第１のスラリ１８ｅを用意して、この第１のスラリ１８ｅ中に含まれるＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の塊体１８ｄを解砕する点は同様である。
【０１２７】
図７に上記した第１のスラリ１８ｅをボールミルあるいは微粒化装置で処理した時の累積粒度分布を示す。図７に示す（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の曲線は（Ａ）はボールミルで処理を行った場合、（Ｂ）は微粒化装置で３回解砕処理を行った場合、（Ｃ）は微粒化装置で１回解砕処理を行った場合について示している。ボールミルで処理したものは微粒化装置で処理したものよりも累積粒度分布が小さくなる傾向がある。（Ａ）では、凝集体１８ｃを含まない状態（すなわちＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１となる状態）まで解砕されており、（Ｂ）および（Ｃ）では凝集体１８ｃを含んだ状態となっている。これらを比較すると（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の順で累積粒度分布の値が累積１０％値、累積５０％値、累積９０％値の全てで高い。また、特に累積１０％値についてみると、（Ａ）では０．６０であるのに対し、（Ｂ）では０．７７、（Ｃ）では０．９４となっていた。これは、微粒化装置のようにメディアを用いずに、第１のスラリ１８ｅを加圧しながらオリフィス２７を通過させることにより塊体１８ｄを解砕する方法であれば、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの欠損を抑制することができるので、微細な粒子の発生が少なくなるためと推察される。また、（Ｂ）と（Ｃ）の比較では、処理回数を調整することにより、凝集の程度が制御できていることが判る。
【０１２８】
（付着方法の例）
前述のＭｇＯ膜１８ａの表面に複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させる工程において、付着方法の例を以下に示す。この付着方法は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂ（ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１、凝集体１８ｃを含む）を均一に分散させることができれば特に限定されないが、以下に説明するスプレー法は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを均一に分散させられる点で特に好ましい。
【０１２９】
スプレー法では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂが分散されたスラリ（例えば、前述の解砕後の第２のスラリ１８ｆ）をスプレーガンと呼ばれる噴霧装置から吐出して付着させる。スプレーガンとしては、第２のスラリ１８ｆと空気とを２液化状態に霧化して吐出するいわゆる２流体エア霧化方式のものを用いることができる。
【０１３０】
スラリ中のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は、０．０１〜２ｗｔ％である。またこの時、第２のスラリ１８ｆを霧化するための空気の圧力（霧化圧）を調整することにより、霧化された第２のスラリ１８ｆの液滴の大きさを調整することができるので液滴中でのＭｇＯ結晶粒子１８ｂの再凝集、あるいはＭｇＯ膜１８ａへの付着不良を防止することができる。また、ＭｇＯは、ＭｇＯ膜１８ａ上の全面または一部に付着させることができる。
【０１３１】
また、本実施の形態では、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を前述したように所定の範囲内に調整しているので、各液滴はＭｇＯ結晶粒子１８ｂを伴って、一様に分散する。この結果、ＭｇＯ膜１８ａの表面上のすべての範囲において光沢変化率（Ｇ）を３０％以下で均一に付着させることができる。
【０１３２】
＜４．効果実証実験＞
以下に示す効果実証実験では、本実施の形態において、ＭｇＯ膜１８ａ上に配向の揃った複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させた場合（Ｂ）と付着させなかった場合（Ａ）とにおける放電遅れを比較して効果を実証した。
【０１３３】
＜４−１．ＭｇＯ結晶粒子の調製方法＞
ＭｇＯ単結晶粒子１８ｂの調製方法は以下である。まず、ＭｇＯ種結晶（宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ））に、フラックスとしてＭｇＦ２（フルウチ化学株式会社製、純度：９９．９９％）を４８ｐｐｍ添加した。これを乳鉢と乳棒ですり潰すことによって混合及び粉砕を実施した。
【０１３４】
次に、混合及び粉砕後の上記原料を大気中で、焼成時間を１時間、温度を１４５０℃で焼成を行い、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの焼成物を得た。次に乳鉢と乳棒を用いて得られた焼成物を塊体１８ｄに解砕した。
【０１３５】
得られた塊体１８ｄの一部をＩＰＡ（関東化学株式会社製、電子工業用）に混合し、球石にジルコニアを用いてボールミルで凝集体１８ｃがなくなる状態（ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１）まで解砕処理を行い凝集の無いスラリ（凝集体１８ｃが含まれていない点で第２のスラリ１８ｆとは異なる）を得た。また、得られた塊体１８ｄの別の一部はＩＰＡに混合した後、微粒化装置を用い、処理回数を変える事で凝集が制御された（即ち、凝集体が無い状態に対する累積５０％値が制御された）第２のスラリ１８ｆを得た。
【０１３６】
ここで得られたＭｇＯ結晶粒子１８ｂについて、レーザー回折式の粒度分布計（型式：ＬＡ−３００、(株)堀場製作所製）を用いて累積粒度分布を求めた。求めた結果について図８に示している。なお、図８において「凝集なし」とは、上述のボールミルで解砕処理したスラリ中、「凝集制御」とは上述の凝集が制御された第２のスラリ１８ｆ中におけるそれぞれＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積５０％値を示す。また、累積５０％値の右欄には単粒子の状態（凝集が無い状態）でのスラリ中の累積５０％値に対する、凝集が制御された第２のスラリ１８ｆ中の累積５０％値の比を示す。
【０１３７】
＜４−２．ＭｇＯ膜への分散配布条件＞
次に、ＭｇＯ膜１８ａの表面に塗装用スプレーガンを用いて凝集が制御された第２のスラリ１８ｆをスプレー塗布し、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂをＭｇＯ膜１８ａの表面に付着させた。スプレーガンは、２流体エア霧化方式のものを用いた。第２のスラリ１８ｆ中のＭｇＯ結晶粒子１８ｂの濃度は０．６ｗｔ％、スプレーガンにかかる霧化圧は、１８０ｋＰａに設定した。ＭｇＯ結晶粒子１８ｂは、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの密度が１ｍ２当り０．１ｇとなるように付着させた。
【０１３８】
＜４−３．光沢率及び光沢変化率の測定＞
ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させる前後に光沢を測定し、光沢変化率（Ｇ）を求めた。それぞれの光沢（光沢度）は、株式会社堀場製作所製のハンディ光沢計ＩＧ−３３１を用いて、測定角６０度で測定した。その結果、光沢変化率（Ｇ）は、３０％であった。
【０１３９】
上記光沢変化率（Ｇ）の値（３０％）は、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂによるＭｇＯ膜１８ａの被覆率（ＭｇＯ膜１８ａ表面がＭｇＯ結晶粒子１８ｂによって覆われている度合い）に概略的に換算すると、６％程度（約五分の一）と考えられる。
【０１４０】
＜４−４．その他の条件＞
その他の条件は以下の通りにした。前面基板構造体１１において、透明電極（１４ａ，１５ａ）の幅：２７０μｍ、バス電極（１５ａ，１５ｂ）の幅：９５μｍ、放電ギャップの幅：１００μｍ、誘電体層１７：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成において厚さ：３０μｍ、ＭｇＯ膜１８ａ：電子ビーム蒸着によるＭｇＯ層において厚さ：１．１μｍ、背面基板構造体１２において、アドレス電極２０の幅：７０μｍ、誘電体層２１：低融点ガラスペーストの塗布焼成により形成において厚さ：１０μｍ、アドレス電極２０の真上での蛍光体層２３（２３ｒ，２３ｇ，２３ｂ）の厚さ：２０μｍ、隔壁２２の高さ：１４０μｍ、隔壁２２の頂部での幅：５０μｍ、隔壁２２のピッチ：３６０μｍ、放電ガス：Ｎｅ９６％−Ｘｅ４％で５００Ｔｏｒｒ、とした。
【０１４１】
＜４−５．点灯試験及び評価＞
次に、製造した各ＰＤＰについて点灯試験を行い、保護層１８の光沢変化率、放電遅れ、放電開始電圧、赤ムラの有無、Ｘ線回折信号強度測定（配向性確認）、及び粒状ムラなどについて評価した。点灯試験の結果について、図１１、図１２、及び図８に示している。
【０１４２】
各ＰＤＰについて８時間の所謂エージング処理を施し、目視にて前述した赤ムラの確認を行ったが、比較例及び実施例のすべてについて赤ムラは確認できなかった。不純物により蛍光体２３が劣化する場合、８時間程度のエージング処理を施せば、赤ムラが顕在化することから、図８に示す比較例及び実施例はＭｇＯ膜１８ａの光沢変化率を３０％以下とすることにより、赤ムラの顕在化を防止することができたと考えられる。
【０１４３】
また、ＭｇＯ膜１８ａの表面にＭｇＯ結晶粒子１８ｂを付着させないＰＤＰも作成し、このＰＤＰと比較例及び実施例の各ＰＤＰの放電開始電圧（最小放電維持電圧（Ｖmin））を測定したが、当該電圧の上昇は認められなかった。従って図８に示す比較例及び実施例は、ＭｇＯ膜１８ａの光沢変化率を３０％以下とすることにより、放電電開始圧の上昇を防止することができたと考えられる。
【０１４４】
次に、各ＰＤＰについての放電遅れ試験の評価結果を説明する。放電遅れ試験では、アドレス電極２０に電圧を印加し、この電圧印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定した。放電開始までの時間は１０００回測定し、評価方法としては１０００回の測定データのうち、９５％以上が放電を開始するまでの時間（累積放電成功確率が９５％の値）を評価した。
【０１４５】
図１２において、放電遅れ（Ｌ）と累積放電成功確率（Ｐ）の関係を示している。図１２で、複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂがＭｇＯ膜１８ａ上に付着する前の状態（非付着状態）（Ａ）と、配向の揃った複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂがＭｇＯ膜４ａ上に付着した後の状態（付着状態）（Ｂ）とにおける結果を示す。横軸は放電遅れ［μｓ］、縦軸は累積放電成功確率［％］である。
【０１４６】
このように、前者（Ａ）に対し後者（Ｂ）の場合に放電遅れ（Ｌ）が改善されていることが分かる。この適度な結果は、本実施の形態のようにＭｇＯ膜１８ａ上に複数のＭｇＯ結晶粒子１８ｂが付着した構造の保護層１８を持つＰＤＰ１は、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を得ることができることを示している。また、最小放電維持電圧（Ｖmin）の上昇による不良も生じない。
【０１４７】
例えば、Ａでは、放電遅れ（Ｌ）は、最小の場合で０．５μｓ以下、最大の場合（Ｐが１００％）で１．８μｓ以上である。一方、Ｂでは、Ｌは、最小の場合で０．５μｓ以下、最大の場合（Ｐが１００％）で０．６μｓ以下である。図１２のＢの放電遅れ（Ｌ）の結果は、図１１の放電遅れ（Ｌ）の条件（１．０μｓ）を満たしている。
【０１４８】
また、放電遅れが改善されているかどうかの判定について、図８では、累積放電成功確率が９５％の値が１．１μｍ未満の比較例あるいは実施例には○を、上記累積放電成功確率が９５％の値が１．１μｍ以上の比較例あるいは実施例には×をそれぞれ付している。放電遅れの改善効果を判定する閾値を１．１μｍとした理由は以下である。即ち、ＰＤＰ１をフルハイビジョンの規格に適合させる場合を勘案して決定した。詳しくは、フルハイビジョン規格に適合するＰＤＰ１において、１フィールド（１６．７ｍｓ）を１０のサブフィールドに分割しプログレッシブ方式で駆動させる場合を考えると、１サブフィールドあたりの時間は約１.７ｍｓである。この時間内に１０８０回のアドレス放電の走査動作を行うので、アドレス放電における放電遅れは少なくとも１．６μｓ（１．７ｍｓ／１０８０回）未満である必要がある。また、１サブフィールド内で維持放電と初期化放電（いわゆるリセット放電とも呼ばれる放電）も行う必要があるため、これらに要する時間を鑑みて１．１μ秒を閾値とした。
【０１４９】
図８において、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の累積粒度分布に対して、累積５０％値が１．２４倍以下である比較例１及び比較例２はいずれも放電遅れの改善効果が確認できなかった。一方、１．２８倍以上である実施例１〜６及び比較例３〜５ではいずれも放電遅れを改善することができた。
【０１５０】
各比較例、実施例についてＸ線回折信号強度測定を行い、上述した規格化を行った結果、比較例１及び比較例２についてはいずれもＭｇＯ膜１８ａの厚さ１μｍ当りの（１１１）面のＸ線回折信号強度に対して等倍未満であった。一方実施例１〜６及び比較例３〜５ではいずれも等倍以上であった。この結果から、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の累積粒度分布に対して、凝集体１８ｃを含むＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布の累積５０％値を１．２８倍以上とすることにより、各ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの配向を（１００）面で揃えることができ、この結果放電遅れを改善できることが判った。また、配向を揃える程度は、Ｘ線回折信号強度を測定することにより判断することができ、上述した規格化を行った後の｛（２００）面の信号強度／（１１１）面の信号強度｝の値を等倍以上となる時に、放電遅れが改善されることが判った。
【０１５１】
また、明暗のムラ（粒状ムラ）の評価結果について、粒状ムラの試験は、目視によって行い、図８では、ムラが視認できない（すなわち顕在化していない）比較例あるいは実施例には○を、視認できた（顕在化した）比較例あるいは実施例には×をそれぞれ付している。粒状ムラの評価結果は、図８に示すようにＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の累積粒度分布に対して、累積５０％値が１．６７倍以上である比較例３〜５はいずれも粒状ムラが視認された。一方、１．４３倍以下である実施例１〜６ではいずれもいずれも粒状ムラが視認されなかった。この結果からＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の累積粒度分布に対して、凝集体１８ｃを含むＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布の累積５０％値を１．４３倍以下とすることにより、粒状ムラの顕在化を防止することができることが判った。
【０１５２】
上記のように、ＭｇＯ結晶単粒子１８ｂ１の累積粒度分布に対して、凝集体１８ｃを含むＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布の累積５０％値を１．２８倍以上１．４３倍以下の凝集状態とすることにより、放電遅れを短くしつつ、かつ、明暗のムラ（粒状ムラ）の顕在化を防止することができることが実験的に検証された。
【０１５３】
また、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂを分級するなどの新たな工程を追加することなく、ＭｇＯ結晶粒子１８ｂの累積粒度分布を所定の範囲内に収めることができるので、製造効率の低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、第１のスラリ１８ｅ中の塊体１８ｄを解砕する工程が含まれているが、ＭｇＯの単結晶体は凝集性が高く、例えば上述したＭｇＯ種結晶をＭｇＯ結晶粒子としてそのまま用いる場合であっても何らかの方法で凝集体を解砕する必要があるので、本工程をおこなっても製造工程は特に増加しない。
【０１５４】
以上のように、本実施の形態によれば、放電遅れ（Ｌ）の増大による放電不良と最小放電維持電圧（Ｖmin）の上昇による放電不良とを低減または無くすことができ、また、パネルを歩留り良く量産することができる。従って、本発明を適用したＰＤＰは、低価格で良質の表示を提供する上で有用である。
【０１５５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、前述のＰＤＰ構造例に限らず、前面基板側にアドレス電極と表示電極対を配置した三電極、面放電型のＰＤＰや、対向する前面・背面の基板に表示電極対（Ｘ，Ｙ）を分けて配置したＡＣ駆動型、二電極、対向放電型のＰＤＰなどに対しても適用可能である。また、保護層としては、所定の条件を満たすのであれば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）以外の材料も適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１５６】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】本発明の一実施の形態のＰＤＰの構造一例を示す一部分解斜視図である。
【図２】図１中の前面基板構造体を部分的に切り出して上下を反転させて示す斜視図である。
【図３】本実施の形態のＰＤＰにおけるＭｇＯ結晶粒子の一例であるＭｇＯ結晶単粒子を示す斜視図である。
【図４】本実施の形態のＰＤＰにおけるＭｇＯ結晶粒子の一例である、複数のＭｇＯ結晶単粒子の側面が密着して凝集した凝集体を示す説明図である。
【図５】図２に示すＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。
【図６】本実施の形態のＰＤＰ製造方法におけるＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法の実施態様の一例を示す説明図である。
【図７】本実施の形態のＰＤＰ製造方法におけるＭｇＯ結晶粒子を調製するための解砕工程における解砕方法毎のＭｇＯ結晶粒子の累積粒度分布を示す説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態における効果検証実験の結果を示す説明図である。
【図９】本発明の一実施の形態に対する比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態に対する他の比較例であるＭｇＯ膜とＭｇＯ結晶粒子の微視的な関係を示す拡大断面図である。
【図１１】本実施の形態のＰＤＰに関する効果実証実験における、光沢変化率、放電遅れ及び最小放電維持電圧の結果を示す図である。
【図１２】本実施の形態のＰＤＰに関する放電遅れ試験における、放電遅れと累積放電成功確率の関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１５８】
１…ＰＤＰ、１１…前面基板構造体、１２…背面基板構造体、１３…前面基板、１３ａ…第１の面（表面）、１４…Ｘ電極（維持電極）、１４ａ…Ｘ透明電極、１４ｂ…Ｘバス電極、１５…Ｙ電極（走査電極）、１５ａ…Ｙ透明電極、１５ｂ…Ｙバス電極、１７…誘電体層、１８…保護層、１８ａ…ＭｇＯ膜、１８ｂ…ＭｇＯ結晶粒子（複数のＭｇＯ結晶粒子）、１８ｂ１…ＭｇＯ結晶単粒子、１８ｃ…凝集体、１８ｄ…塊体、１８ｅ…第１のスラリ、１８ｆ…第２のスラリ、１９…背面基板、２０…アドレス電極、２１…誘電体層、２２…隔壁、２３（２３ｒ，２３ｇ，２３ｂ）…蛍光体、２４…放電空間、２５…セル、２６…隙間、２７…オリフィス（絞り孔）、２８…矢印、３０，３１…ＭｇＯ結晶粒子、Ｗ１…頭頂間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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