(57)【要約】【課題】イメージセンサー等の光学デバイスにおいて、受光部以外の周辺回路部に光が到達することに起因する、映像の画質低下を抑制する。【解決手段】半導体基板３は、複数の受光素子１ａが設けられた受光部１と、受光部１の周囲に設けられた周辺回路部２とを有する。半導体基板３の表面では、受光部１に対応する領域に入光素子４が設けられている。また、入光素子４周囲の周辺回路部２に対応する領域の一部は、遮光膜５で覆われている。【選択図】図２
2009283902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子が設けられた受光部と、前記受光部の周囲に設けられた周辺回路部とを同一層に有しており、かつ、配線層を有する半導体基板と、
前記半導体基板の、前記受光部および周辺回路部からみて配線層と反対側の面である、一の面の表面において、前記受光部に対応する領域に設けられた入光素子とを備え、
前記半導体基板の前記一の面の表面において、前記周辺回路部に対応する領域のうち少なくとも一部が、遮光膜で覆われている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の前記一の面の表面において、前記入光素子周囲の前記周辺回路部に対応する領域に、第１の電極が設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の光学デバイスにおいて、
前記遮光膜は、金属層によって形成されており、かつ、前記第１の電極は、前記遮光膜と電気的に絶縁されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極は、前記遮光膜の一部を島状に分離することによって、形成されたものである
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項５】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記遮光膜は、有色の合成樹脂によって形成されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記遮光膜の厚さは、前記入光素子の厚さよりも、厚くなっており、かつ、
前記遮光膜の、前記入光素子に対向する端面の表面は、粗面になっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項７】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の他の面の表面に設けられた第２の電極を備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記半導体基板を貫通するように設けられた導電体によって電気的に接続されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項８】
請求項７記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極の表面に、バンプが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項９】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板において、前記一の面の表面部に形成された絶縁膜の下面と、前記受光部または前記周辺回路部の上面とが、面一になっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１０】
請求項１記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の前記一の面側に、前記入光素子を覆うように、透明カバーが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の光学デバイスにおいて、
前記透明カバーの前記半導体基板とは反対側の面の表面に設けられた第１の電極と、
前記半導体基板の他の面の表面に設けられた第２の電極とを備え、
前記第１の電極と前記第２の電極とは、前記半導体基板および前記透明カバーを貫通するように設けられた導電体によって、電気的に接続されている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１２】
請求項１１記載の光学デバイスにおいて、
前記第１の電極の表面に、バンプが設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１３】
請求項１０記載の光学デバイスにおいて、
前記半導体基板の前記他の面側に、補強基板が設けられている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１４】
請求項１３記載の光学デバイスにおいて、
前記透明カバーの厚さは、前記補強基板の厚さよりも、厚くなっている
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項記載の光学デバイスにおいて、
前記受光部は、撮像部である
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の光学デバイスを備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばイメージセンサー等の光学デバイスと、これを用いた例えばカメラ等の電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年提案されている、光学デバイスの中でも代表的なイメージセンサーの構造は、次のようになっている。すなわち、複数の受光素子が設けられた撮像部と、この撮像部の周囲に設けられた周辺回路部とを有する半導体基板を備え、この半導体基板表面において、撮像部に対応する部分に複数のマイクロレンズが設けられた構造となっている。
【０００３】
また、特許文献１には、これに類似する構造として、超小型・軽量化を図った半導体イメージセンサ・モジュールが開示されている。特許文献１に開示された構造は、いわゆる裏面照射型である。すなわち、基板の裏面側（配線層が形成された側と反対側）にマイクロレンズが設けられており、この裏面側から光が入射される。光の入射側からみた構成要素の並びは、マイクロレンズ、受光素子、配線層の順になる。一方、従来のいわゆる表面照射型構造では、配線層が形成された側から光が入射される。光の入射側からみた構成要素の並びは、マイクロレンズ、配線層、受光素子の順になる。
【特許文献１】特開２００６−３２５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した構造のイメージセンサーでは、映像情報が光信号としてマイクロレンズを介して撮像部の受光素子に入力され、この受光素子によって電気信号に変換される。ところが、入射された光は、撮像部以外の、その周囲に設けられた周辺回路部にも到達してしまう。この結果、電気信号に変換された映像の画質が低下してしまう、という問題があった。
【０００５】
すなわち、周辺回路部は半導体素子により構成されたものであるので、ここにも光が到達すると、半導体素子としての電気的特性が変動し、この結果、電気信号に変換された映像の画質が低下してしまう、という問題を引き起こす。これはイメージセンサーに限定された課題ではなく、光学デバイス全般に共通する課題である。
【０００６】
特に、裏面照射型構造では、入射光が配線層を介さずに受光素子に達するため、光感度の面では好ましい一方で、周辺回路部に入る光量も、配線層を介さない分、表面照射型構造と比べて多くなってしまう。このため、周辺回路部の特性変動に起因した画質低下が、より顕著に現れることになる。
【０００７】
そこで本発明は、イメージセンサー等の光学デバイスにおいて、撮像部等の受光部以外の周辺回路部に光が到達することに起因する、映像の画質低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、光学デバイスとして、複数の受光素子が設けられた受光部と、前記受光部の周囲に設けられた周辺回路部とを同一層に有しており、かつ、配線層を有する半導体基板と、前記半導体基板の、前記受光部および周辺回路部からみて配線層と反対側の面である、一の面の表面において、前記受光部に対応する領域に設けられた入光素子とを備え、前記半導体基板の前記一の面の表面において、前記周辺回路部に対応する領域のうち少なくとも一部が、遮光膜で覆われているものである。
【０００９】
本発明によると、半導体基板の、配線層と反対側の面である一の面において、受光部に対応する領域に入光素子が設けられている。すなわち、いわゆる裏面照射型構造である。そして、一の面の表面において、周辺回路部に対応する領域に、遮光膜が設けられている。これにより、周辺回路部に侵入する光量を削減することができるので、周辺回路部の電気的特性が変動しにくくなり、この結果、映像の画質低下を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、光学デバイスにおいて、周辺回路部の電気的特性の変動に起因した映像の画質低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なおここでは、光学デバイスの一例としてイメージセンサーを挙げて説明を行っているが、本発明に係る光学デバイスは、イメージセンサーに限られるものではなく、例えば、フォトＩＣやレーザーの受光部等も含む。
【００１２】
（実施形態１）
図１は実施形態１に係る光学デバイスとしてのイメージセンサーを示す斜視図、図２は図１のイメージセンサーの縦断面図である。本実施形態に係るイメージセンサーは、いわゆる裏面照射型である。
【００１３】
図１および図２において、半導体基板３は、複数の受光素子１ａが設けられた受光部１と、受光部１の周囲に設けられており、複数の回路素子２ａが配置されている周辺回路部２とを、同一層に有している。イメージセンサーの場合には、受光部１は撮像部となる。周辺回路部２の各回路素子２ａは半導体基板３周辺にほぼ四角枠状に配置されており、この周辺回路部２内側のほぼ方形状のスペースに受光部１の各受光素子１ａが配置されている。
【００１４】
また、半導体基板３は多層構造になっており、かつ、その両面の表面がそれぞれ絶縁膜７ａ，７ｂによって覆われている。また、下側の面（他の面に相当）表面には、各受光素子１ａと電気的に接続された配線８が絶縁膜７ｂに埋設された状態で設けられており、半導体基板３の配線層を形成している。
【００１５】
そして、半導体基板３の上側の面（一の面に相当）の表面において、受光部１に対応する領域１３に、入光素子としてのマイクロレンズ４が複数個設けられている。また、同じ面の表面において、マイクロレンズ４の周囲の周辺回路部２に対応する領域１４に、第１の電極６が設けられている。さらに、周辺回路部２に対応する領域１４の第１の電極６以外の部分が、遮光膜５によって覆われている。すなわち、半導体基板３の、配線層と反対側の面（マイクロレンズ４が形成された側の面）に、周辺回路部２を覆うように遮光膜が形成されている。
【００１６】
また、半導体基板３の下側の面の表面には、第２の電極９が設けられている。そして、上側の面に設けられた第１の電極６と下側の面に設けられた第２の電極９とは、半導体基板３を貫通するように設けられた導電体１１によって、電気的に接続されている。この柱状の導電体１１を設けるために、半導体基板３には複数の貫通孔１０が形成されている。さらに、第１の電極６の表面には、はんだ、金等によって形成されたバンプ１２が設けられている。
【００１７】
図１および図２に示すイメージセンサーを上側から見た場合、マイクロレンズ４が表出状態で設けられた領域と、その周囲の遮光膜５で覆われた領域とが形成されている。そして、遮光膜５には方形状の開口１５が形成されており、その開口１５の中に第１の電極６が形成されている。ここでは、遮光膜５は金属層によって形成されており、かつ、第１の電極６は開口１５によって遮光膜５と電気的に絶縁されているものとする。このような第１の電極６は、例えば、遮光膜５の一部を島状に分離することによって、形成することができる。
【００１８】
図１および図２の構造によると、上側から光が照射されたとき、照射光は、受光部１に対応する領域１３だけでなく周辺回路部２に対応する領域１４にも当たることになるが、周辺回路部２に対応する領域１４は遮光膜５と第１の電極６とによって覆われているので、周辺回路部２に到達する光量は従来よりも少なくなり、たとえあったとしてもごくわずかとなる。このため、周辺回路部２において電気的特性の変動が生じることがなくなるので、この結果、映像の画質低下を抑制することができる。なお、図１では、周辺回路部２に対応する領域１４の第１の電極６以外の部分が、ほぼ全体にわたって遮光膜５によって覆われているように図示しているが、その部分の一部が遮光膜５に覆われている構造であってもよい。
【００１９】
また、光が入るマイクロレンズ４と同じ面に第１の電極６が設けられているので、入光面側において、例えばイメージセンサーの検査回路や、電子機器における処理回路といった、後続回路との接続が可能となる。これにより、例えば検査時において、第１の電極６表面のバンプ１２に検査用電極を当接し、その状態で上方から光をマイクロレンズ４に向けて照射することができる。すなわち、作業性が非常に良好になる。また、このイメージセンサーを搭載する電子機器の小型化が容易になる。なお、第１の電極６がマイクロレンズ４と同じ面に設けられていない構成としてもかまわない。
【００２０】
図３は図２の箇所Ａすなわち、遮光膜５、第１の電極６およびマイクロレンズ４が並んだ箇所の拡大図である。図３に示すように、本実施形態では、遮光膜５および第１の電極６を、マイクロレンズ４の厚さよりも厚くなるように、形成している。これにより、例えば開口１５内に照射光が侵入しにくくなり、周辺回路部２に到達する光量をさらに少なくすることが可能になる。
【００２１】
また、開口１５の内壁面、すなわち、遮光膜５と第１の電極６の肉厚方向端面１６ａは、表面が粗い粗面になっている。これにより、開口１５内でも光反射が抑えられ、周辺回路部１４に到達する光量をさらに少なくすることが可能になる。
【００２２】
さらに、遮光膜５の、マイクロレンズ４に対向する端面１６ｂ、すなわちマイクロレンズ側の肉厚方向端面１６ｂも、粗面になっているのが好ましい。これにより、この端面１６ｂからマイクロレンズ４方向への光反射が大幅に抑制されるので、遮光膜５からの不要な反射光を減らすことができる。
【００２３】
図３を参照して、本実施形態に係るイメージセンサーの製造方法、特に、遮光膜５と第１の電極６の製造工程の一例について説明する。
【００２４】
まず、半導体基板３の上面側において、絶縁膜７ａ上にマイクロレンズ４をスピンコート法などによって形成する。このときはまだ、遮光膜５および第１の電極６は形成されていない。
【００２５】
次に、例えば蒸着等により、半導体基板３の上面側における絶縁膜７ａおよびマイクロレンズ４上に銅薄膜を形成する。その後、マイクロレンズ４を十分覆うだけの厚さを持つレジスト膜（図３において、マイクロレンズ４よりも肉厚が厚いもの）で、マイクロレンズ４およびその外周上を覆う。
【００２６】
次に、遮光膜５と第１の電極６が後に形成される部分だけが開口したマスクをレジスト膜上に被せ、その状態でマスク上からブラスト、ドライエッチング等を行う。これにより、遮光膜５と第１の電極６が形成される部分のレジスト膜が除去される。ただし、銅薄膜については、除去せずに残しておく。
【００２７】
そしてこの状態で、銅薄膜を利用して電解めっきを行うと、図３のような、マイクロレンズ４よりも厚い遮光膜５および第１の電極６が形成される。その後、レジスト膜をエッチングによって全て除去すると、図３のように、遮光膜５と第１の電極６との間に開口１５が形成され、またマイクロレンズ４が表出する。ただし、形成された開口１５下の絶縁膜７上および表出したマイクロレンズ４上には銅薄膜が残っているので、エッチングによりこの部分の銅薄膜を除去する。
【００２８】
さらに、貫通孔１０および導電体１１を形成し、最後に第１の電極６の表面にバンプ１２を設ける。この結果、図３のような構造が完成する。
【００２９】
また、開口１５の内壁面１６ａや遮光膜５の端面１６ｂを粗面にするためには、次のようにすればよい。すなわち、レジスト膜をブラスト、ドライエッチング等によってマスク除去する際に、そのレジスト膜の表面に凹凸をつけておけばよい。これにより、その後の電気めっきによって、容易に、開口１５の内壁面１６ａや遮光膜５の端面１６ｂを粗面にすることができる。
【００３０】
また、遮光膜５と第１の電極６は上述した手順によって形成できるので、図３の構造以外にも、例えば図４〜図６に示す構造に簡単に変更することができる。
【００３１】
すなわち、図３の構造では、開口１５は半導体基板３に向かって徐々に狭まるようになっており、また、遮光膜５のマイクロレンズ４側の端面１６ｂは、半導体基板３に向かって徐々にマイクロレンズ４に近づくように傾斜した形状になっている。すなわち、遮光膜５および第１の電極６の断面構造は、半導体基板３に向かって徐々に広がるような末広がりの形状になっている。
【００３２】
これに対して、図４の構造では、遮光膜５のマイクロレンズ４側の端面１６ｂは、半導体基板３に向かって徐々にマイクロレンズ４から遠ざかるように傾斜した形状になっている。
【００３３】
また、図５の構造では、開口１５の内壁面１６ａおよび遮光膜５のマイクロレンズ４側の端面１６ｂは、いずれも、半導体基板３表面に対してほぼ垂直になっている。
【００３４】
また、図６の構造では、開口１５は半導体基板３に向かって徐々に広がるようになっており、また、遮光膜５のマイクロレンズ４側の端面１６ｂは、半導体基板３に向かって徐々にマイクロレンズ４から遠ざかるように傾斜した形状になっている。すなわち、遮光膜５および第１の電極６の断面構造は、半導体基板３に向かって徐々にすぼまるような形状になっている。
【００３５】
なお、上述の実施形態では、遮光膜５が金属層によって形成されているものとしたが、遮光膜５は例えば、有色（例えば黒）の合成樹脂によって形成しても良い。
【００３６】
図７は本実施形態に係るイメージセンサーの他の構成を示す縦断面図である。図７では、図２と共通の構成要素には図２と同一符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。図７の構成では、半導体基板３のマイクロレンズ４および遮光膜５側において、一の面の表面部に形成された絶縁膜７ａの下面と、周辺回路部２の各回路素子２ａの上面とが面一になっている。
【００３７】
斜めからの入射光を考慮すると、周辺回路部２と遮光膜５との距離はなるべく短い方が好ましい。理想的には、各回路素子２ａの直上に遮光膜５を配置するのがよい。裏面照射型では、配線層が遮光膜５の反対側にあるため、このような配置が可能となる。そこで図７に示すように、遮光膜５側の絶縁膜７ａの下面と周辺回路部２の各回路素子２ａの上面とを面一にすることによって、周辺回路部２と遮光膜５との距離が極端に短くなるので、斜めからの入射光の影響を最小限に抑えることができる。
【００３８】
なお、図７の構成では、各回路素子２ａの上面が絶縁膜７ａの下面と面一になっているが、例えば、受光素子１ａの高さが回路素子２ａよりも高い場合には、受光部１の上面が絶縁膜７ａの下面と面一になっている構成としてもよい。この構成でも、図７の構成と同様の効果が得られる。
【００３９】
（実施形態２）
図８は実施形態２に係る光学デバイスとしてのイメージセンサーを示す斜視図、図９は図８のイメージセンサーの縦断面図である。図８および図９において、図１および図２と共通の構成要素には、図１および図２と同一の符号を付している。本実施形態に係るイメージセンサーも、いわゆる裏面照射型である。
【００４０】
図８および図９において、半導体基板３は、複数の受光素子１ａが設けられた受光部１と、受光部１の周囲に設けられており、複数の回路素子２ａが配置されている周辺回路部２とを有している。イメージセンサーの場合には、受光部１は撮像部となる。周辺回路部２の各回路素子２ａは半導体基板３周辺にほぼ四角枠状に配置されており、この周辺回路部２内側のほぼ方形状のスペースに受光部１の各受光素子１ａが配置されている。
【００４１】
また、半導体基板３は多層構造になっており、かつ、その両面の表面がそれぞれ絶縁膜７ａ，７ｂによって覆われている。また、下側の面（他の面に相当）表面には、各受光素子１ａと電気的に接続された配線８が絶縁膜７ｂに埋設された状態で設けられており、半導体基板３の配線層を形成している。
【００４２】
そして、半導体基板３の上側の面（受光面である一の面に相当）の表面において、受光部１に対応する領域にマイクロレンズ４が複数個設けられている。また、同じ面の表面において、マイクロレンズ４の周囲の周辺回路部２に対応する領域が、遮光膜５によって覆われている。さらに、半導体基板３の上側の面側には、例えばガラス製の透明カバー２１が設けられている。透明カバー２１は、半導体基板３上に形成された低屈折率層２２と、透明接着剤２３によって接着されている。
【００４３】
また、半導体基板３の下側の面側に、例えばガラス製の補強基板２４が設けられている。補強基板２４は、半導体基板３の絶縁膜７ｂと接着剤２５によって接着されている。
【００４４】
透明カバー２１の半導体基板３とは反対側の面の表面には第１の電極２６が設けられており、半導体基板３の下側の面の表面には第２の電極９が設けられている。そして、第１の電極２６と第２の電極９とは、半導体基板３、遮光膜５および透明カバー２１を貫通するように設けられた導電体２７によって、電気的に接続されている。この柱状の導電体２７を設けるために、半導体基板３および透明カバー２１には複数の貫通孔２８が形成されている。また、導電体２７と遮光膜５とは電気的に絶縁されている。さらに、第１の電極２６の表面には、はんだ、金等によって形成されたバンプ２９が設けられている。
【００４５】
図８および図９の構造によると、半導体基板３の受光面において、マイクロレンズ４の周囲の周辺回路部２に対応する領域が遮光膜５によって覆われているので、光が照射されたとき、周辺回路部２に到達する光量は従来よりも少なくなり、たとえあったとしてもごくわずかとなる。このため、周辺回路部２において電気的特性の変動が生じることがなくなるので、この結果、映像の画質低下を抑制することができる。なお、周辺回路部２に対応する領域の全部が遮光膜５によって覆われている必要は必ずしもなく、その一部が遮光膜５に覆われている構造であってもよい。
【００４６】
また、半導体基板３の受光面側に透明カバー２１を設けているので、例えばマイクロレンズ４に塵埃が付着し、これにより受光部１に入る光情報が乱れるといった不具合を防ぐことができる。この点からも、映像の画質低下を抑制することができる。
【００４７】
さらに、透明カバー２１は、その貫通孔２８内に設けた導電体２７により半導体基板３と一体化されているので、半導体基板３の反りを抑制する補強体としても機能する。これにより、半導体基板３上での受光素子１ａの平面的配列が乱れることがなくなり、この点からも映像の画質低下を抑制することができる。また、この補強の観点から、透明カバー２１の厚さは、補強基板２４の厚さよりも、厚くするのが好ましい。
【００４８】
さらに、透明カバー２１表面に第１の電極２６が設けられており、この第１の電極２６は、半導体基板３上の第２の電極９と導電体２７を介して接続されているので、光が入る透明カバー２１側において、例えばイメージセンサーの検査回路や、電子機器における実装基板上の処理回路といった、後続回路との接続が可能になる。これにより、例えば検査時において、第１の電極２６表面のバンプ２９に検査用電極を当接し、その状態で透明カバー２１の上方から光を照射することができる。すなわち、作業性が非常に良好になる。
【００４９】
次に、図１０〜図１２を参照して、図８および図９のような構造のイメージセンサーの製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、大板状の半導体基板３に、半導体プロセスにより、受光部１を構成する複数の受光素子１ａと、周辺回路部２を構成する複数の回路素子２ａとを、それぞれ形成する。次に、図１０（ｃ）に示すように、複数層の絶縁膜７ｂを設けながら、第２の電極９と配線８とを形成する。その後、図３（ｄ）に示すように、接着剤２５を介して補強基板２４を半導体基板３に貼付する。
【００５１】
次に、図１０（ｅ）に示すように、補強基板２４をベースとして、半導体基板３の受光素子１ａとは反対側の面を研削する。この研削により、半導体基板３は、図１０（ｄ）と比べて図１０（ｅ）のように薄くなる。このように薄層化することによって、半導体基板３を光情報が通過することが可能な状態としている。
【００５２】
次に、図１１（ａ）に示すように、薄層化した半導体基板３上に絶縁膜７ａを設け、その上に複数のマイクロレンズ４を、一般的なスピンコート、マスクを使った露光、現像等のプロセスを経て形成する。次に、図１１（ｂ）に示すように、絶縁膜７ａ上の複数のマイクロレンズ４の外側の周辺回路部２に対応する領域に、例えば金属層や、有色の合成樹脂により遮光膜５を形成し、その後、マイクロレンズ４と遮光膜５を低屈折率層２２で覆う。さらに、図１１（ｃ）に示すように、透明接着剤２３を介して低屈折率層２２上に透明カバー６を２１ける。
【００５３】
その後、図１１（ｄ）に示すように、透明カバー２１、透明接着剤２３、低屈折率層２２、遮光膜５、絶縁膜７ａ、半導体基板３を貫通し、第２の電極９の上面に到達する貫通孔２８を形成し、次に、貫通孔２８内に導電体２７を設ける。なお、遮光膜５を金属層で形成した場合には、遮光膜５と導電体２７との間には絶縁空間を設け、この絶縁空間内に低屈折率層２２を介在させ、これにより遮光膜５と導電体２７との間の電気的絶縁を図る。また、当然ことであるが、導電体２７は周辺回路部２の各回路素子２ａとの間も電気的絶縁状態となっている。
【００５４】
その後、図１２（ａ）に示すように、透明カバー２１上において導電体２７と接続した第１の電極２６を設け、次に第１の電極２６の表面にバンプ２９を設ける。そして最後に、大板から、図１２（ｂ）に示すように個片となった光学デバイスを切断形成する。
【００５５】
図１３は本実施形態に係るイメージセンサーを電子機器の実装基板に実装した状態を示す斜視図、図１４は図１３の構成の線Ａ−Ａにおける断面図である。図１３および図１４において、実装基板１８には方形状の開口１９が設けられており、本実施形態に係るイメージセンサーは、受光素子１ａが開口１９の範囲になるように、バンプ２９を用いて実装基板１８に電気的に接続されている。このような実装によって、実装基板１８の開口１９から、透明カバー２１、マイクロレンズ４等を介して受光素子１ａに光情報が入力される。
【００５６】
なお、本実施形態では、受光素子の受光側にマイクロレンズが配置された構造としたが、マイクロレンズが配置されていない構造であっても、同様の効果を得ることができる。
【００５７】
また、上述の実施形態では、イメージセンサーを例にとって説明したが、本発明は他のあらゆる光学デバイスにも適用可能であることは言うまでもない。例えば、フォトＩＣやレーザーの受光部にも適用可能である。
【００５８】
また、上述の各実施形態に係る光学デバイスは、各種の電子機器に組み込まれて用いられる。この場合、電子機器において、映像の画質低下を抑制できるとともに、入光面側に第１の電極６，２６が設けられているため、検査等の作業性が非常に良いものとなる。また、電子機器の小型化が容易になる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明では、光学デバイスにおいて、映像の画質低下を抑制できるとともに、検査の作業性が向上したり、この光学デバイスを搭載する電子機器の小型化が容易になったりするので、例えば、カメラのような各種電子機器への活用が期待され、電子機器の性能向上、低価格化、小型化等に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施形態１に係る光学デバイスを示す斜視図である。
【図２】図１の光学デバイスの断面図である。
【図３】図２の構成における要部拡大断面図である。
【図４】他の構成を示す要部拡大断面図である。
【図５】他の構成を示す要部拡大断面図である。
【図６】他の構成を示す要部拡大断面図である。
【図７】実施形態１に係る光学デバイスの他の構成を示す斜視図である。
【図８】実施形態２に係る光学デバイスを示す斜視図である。
【図９】図８の光学デバイスの断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は図８の光学デバイスの製造方法の例を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は図８の光学デバイスの製造方法の例を示す断面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は図８の光学デバイスの製造方法の例を示す断面図である。
【図１３】図８の光学デバイスを電子機器に実装した状態を示す斜視図である。
【図１４】図１３の構成の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  受光部
１ａ  受光素子
２  周辺回路部
３  半導体基板
４  マイクロレンズ（入光素子）
５  遮光膜
６  第１の電極
７ａ，７ｂ  絶縁膜
９  第２の電極
１１  導電体
１２  バンプ
１３  受光部に対応する領域
１４  周辺回路部に対応する領域
１６ｂ  遮光膜の端面
２１  透明カバー
２４  補強基板
２６  第１の電極
２７  導電体
２９  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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