(57)【要約】【課題】半導体素子をリードフレーム上に実装した半導体装置の信頼性向上を目的とする。【解決手段】ヒートシンク部１２０と配線部１３とリード部１１０とフレーム部１８０、１９０とからなるリードフレーム１０に、半導体素子３００と回路部品５００、５１０、５２０等とを実装し、これらをワイヤ６００で接続し、モールド樹脂７００によって封止した半導体装置１であって、所定の間隙を設けて配設された第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とを架橋する架橋部品５００を含み、架橋部品５００と配線部１３０、１３１との接合部に作用する外力の低減を図る外力抑制手段をリードフレーム１０の架橋部品５００を載置した部位の周辺に設ける。例えば、第１の配線部１３０と補強フレーム部１５０とを架橋する第１の支持部１４０と、第２の配線部１３１と補強フレーム部１５０とを架橋する第２の支持部を設けることによって外力を抑制できる。【選択図】  図１
2009129952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱性の半導体素子を実装するヒートシンク部と、該半導体素子を制御する制御回路の配線部と、上記ヒートシンク部と上記配線部とに接続する入出力端子を構成するリード部と、これらを支持するフレーム部とを一体のリードフレームによって形成し、
上記半導体素子と上記制御回路を構成する回路部品とを上記リードフレームに実装し、これら導通するワイヤをボンディングし、モールド樹脂によって封止して一体化した半導体装置であって、
上記回路部品は、所定の間隙を設けて配設された第１の配線部と第２の配線部とを架橋するように載置された架橋部品を含み、
ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に上記架橋部品と上記配線部との接合部に作用する外力の低減を図る外力抑制手段を上記リードフレームの上記架橋部品を載置した部位の周辺に設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記外力抑制手段として、上記第１の配線部と上記第２の配線部と略平行に配設した補強フレーム部と、上記第１の配線部と上記補強フレーム部とを架橋する第１の支持部と、上記第２の配線部と上記補強フレーム部とを架橋する第２の支持部とを設けた請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記外力抑制手段として、上記架橋部品と略平行に配した高剛性の絶縁性樹脂部材を上記第１の配線部と上記第２の配線部とを架橋するように嵌着した請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記架橋部品の接合は、導電性接着剤又はワイヤボンディングにより行い、上記外力抑制手段として、上記架橋部品と略平行に配した高剛性の絶縁性セラミック部材を上記第１の配線部と上記第２の配線部とを架橋するようにハンダ付けした請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記外力抑制手段として、上記第１の配線部又は上記第２の配線部の少なくともいずれか一方に、撓み変形容易な歪み吸収部を設けた請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記外力抑制手段として、上記架橋部品の両側で作用する外力の作用部位を結んだ直線に対して上記第１の配線部と上記第２の配線部とを略平行に配した請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記半導体は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、内燃機関の点火を行う点火プラグに高電圧を供給する点火コイルの駆動制御を上記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのスイッチングによって行うイグナイタに適用したことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子とこの半導体素子を制御する制御回路部品とをリードフレームに実装し、モールド樹脂により封止して一体化した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
自動車等の車両には、半導体素子のスイッチング機能を利用して、燃料噴射制御、点火制御、モータ制御、油圧制御、電力分配制御等の様々な制御を行う半導体装置が種々と搭載されている。
近年、これらの半導体装置の更なる高機能化、高速応答化を図るべく、半導体素子には高い信頼性とともに更なる高電力化、高周波化、小型化等が要求され、半導体素子として、パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジスタ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＢＳＩＴ（バイポーラモード静電誘導トランジスタ）等のパワーデバイスが用いられている。
このようなパワーデバイスの多くは、作動に伴って発熱し、制御回路の信頼性に影響を与える虞があることから、これらの発熱性の半導体素子を含む半導体装置には、放熱対策を含む様々な信頼性向上を図る方策が講じられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＩＣチップが搭載されたヒートシンクと、一面に少なくともチップコンデンサを含む他の部品が導電性接着剤を介して搭載されたリードフレームと、前記ＩＣチップと前記リードフレームの一面とを接続するアルミニウムよりなるボンディングワイヤと、前記ヒートシンク、前記ＩＣチップ、前記ボンディングワイヤおよび前記リードフレームを包み込むように封止するモールド樹脂とを備え、前記リードフレームの一面全域はニッケルメッキが施されており、前記ボンディングワイヤはこのニッケルメッキ表面に接続されており、前記リードフレームの一面のうち前記導電性接着剤が配置された部位は、前記ニッケルメッキの上に銀メッキが施されており、前記他の部品はこの銀メッキ表面に前記導電性接着剤を介して接着されていることを特徴とするＩＣパッケージ及びその製造方法が記載されている。
【０００４】
又、特許文献２には、ヒートシンクの上面に電子素子を搭載し、前記電子素子の周囲にリードフレームを設けると共に前記ヒートシンクと前記リードフレームの吊りリードとを接合した後、前記ヒートシンクの下面が露出するように、前記ヒートシンク、前記電子素子及び前記前記リードフレームを、金型を用いてモールド樹脂によって封止するようにした電子装置の製造方法において、前記モールド樹脂の封止工程では、前記金型の上型によって前記吊りリードのみを押さえることにより、前記金型のキャビティ内への前記モールド樹脂を注入することを特徴とする電子装置の製造方法が開示されている。
【０００５】
ところで、この様な半導体装置として、自動車エンジン等の内燃機関の点火に用いられる点火プラグに高電圧を印加するイグニションコイルの駆動を行うイグナイタにおいて、近年、イグナイタをイグニションコイルの頭部に配して一体化したスティック型コイルが使用されるようになり、イグナイタの更なる高耐電圧化、高信頼化、小型化、低コスト化が望まれている。
【０００６】
図１９（ａ）に示す従来のイグナイタ（１ｚ）は、セラミック基板（４００ｚ）上にコンデンサ、ＩＣチップ等の電子部品（５００ｚ）を実装して集積回路部（５０ｚ）を形成し、発熱性のＩＧＢＴ（３００ｚ）と集積回路部（５０ｚ）とを金属製のヒートシンク部（１２０ｚ）上に実装し、ＩＧＢＴ（３００ｚ）と集積回路部（５０ｚ）とヒートシンク部（１２０ｚ）と複数の入出力用リード部（１１０ｚ）との所定の部位が、アルミニウム又は金等の良導電性材料のボンディングワイヤ（６００ｚ）によって接続され、更にこれらがモールド樹脂（７００ｚ）によって覆われた構成となっている。
【０００７】
又、最近では、図１９（ｂ）に示すイグナイタ（１ｘ）のように、セラミック基板を使用することなく、ヒートシンク部（１２０ｘ）とＩＧＢＴ（３００ｘ）を制御する回路の回路配線部（１３ｘ）と入出力用のリード部（１１０ｘ）とを金属製のリードフレーム（１０ｘ）によって形成し、ヒートシンク部（１２０ｘ）にＩＧＢＴ（３００ｘ）を実装し、回路配線部（１３ｘ）に電子部品（５００ｘ、５１０ｘ、５２０ｘ）等を直接実装して集積回路部（５０ｘ）を構成し、ヒートシンク部（１２０ｘ）とＩＧＢＴ（３００ｘ）と回路配線部（１３ｘ）とリード部（１１０ｘ）との所定の部位が、ボンディングワイヤ（６００ｘ）によって接続され、更にこれらが樹脂モールド（７００ｘ）によって覆われた構成となっている。
【０００８】
この様な、イグナイタ（１ｘ）では、焼成に大きな熱エネルギーを必要とするセラミック基板の使用を廃することにより低コスト化を図ることができる。加えて、発熱量の多いＩＧＢＴ（３００ｘ）と発熱量の少ない電子部品（５００ｘ、５１０ｘ、５２０ｘ）等を分けてリードフレーム（１０ｘ）上に配置し、ＩＧＢＴ（３００ｘ）を放熱性に優れたヒートシンク部（１２０ｘ）に載置し、電子部品（５００ｘ、５１０ｘ、５２０ｘ）等を回路配線部（１３ｘ）に実装することにより更なる小型化、高信頼化を図っている。
又、回路配線部（１３ｘ）は、セラミック基板上に印刷形成されたプリント配線に比べ遙かに放熱性に優れ、点火プラグの大電流化に適している。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−８６７５６号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、この様なリードフレーム（１０ｘ）上に実装される電子部品（５００ｘ、５１０ｘ、５２０ｘ）の内、コンデンサ（５００ｘ）等の複数の電極を有した部品は、所定間隔で離隔された一対のリード（１３０ｘ、１３１ｘ）間に架橋して搭載されることになる。このような架橋構造では、製造工程においてリードフレーム（１０ｘ）に歪みが生じると、コンデンサ（５００ｘ）の接合部の剥離やコンデンサ（５００ｘ）の割れ等の問題を起こす虞がある。
【００１１】
例えば、図１７（ａ）に示すように、コンデンサ（５００ｘ）が、回路配線部の第１の配線部（１３０ｘ）と第２の配線部（１３１ｘ）とを架橋するように導電性接着剤（２１０ｘ）によって固定されている場合、図１７本図（ｂ）に示すように、第１の配線部（１３０ｘ）と第２の配線部（１３１ｘ）とに歪みを生じた状態で樹脂モールド型により第１の配線部（１３０ｘ）と第２の配線部（１３１ｘ）とを挟み込むようにクランプすると、図１７本図（ｃ）に示すように、第１の配線部（１３０ｘ）と第２の配線部（１３１ｘ）とにコンデンサ（５００ｘ）を剥離する方向の外力が働き、コンデンサ（５００ｘ）の導通不良を起こす虞がある。
【００１２】
又、図１８（ａ）に示すように、第１の配線部（１３０ｘ）に実装された電子部品（５２０ｘ）と第２の配線部（１３２ｘ）とをボンディングワイヤ（６００ｘ）によって架橋するように接続する場合においても、図１８本図（ｂ）に示すように、第１の配線部（１３０ｘ）と第２の配線部（１３２ｘ）とに歪みが生じている状態で、これを樹脂モールド型によってクランプしたりボンディング治具により押さえたりすると、図１８本図（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤ（６００ｘ）のネック部にストレスがかかりネックダメージによる断線等の導通不良を起こす虞がある。
【００１３】
リードフレーム（１０ｘ）は、一定厚の帯状の金属材料からなるケーク材を圧延加工して、ヒートシンク部（１２０ｘ）となる肉厚部（１２ｘ）と、回路配線部（１３ｘ）及びリード部（１１０ｘ）となる肉薄部（１１ｘ）とを形成し、これを、金型等を用いて打ち抜き加工により成形している。従って、リードフレーム（１０ｘ）内部に残留する応力により、僅かではあるが不可避的に歪みが発生する。
通常、熱処理によりリードフレーム（１０ｘ）の歪みの除去が図られているが、この様な歪みを完全に取り除くことは極めて困難である。
【００１４】
そこで、本発明は上記実情に鑑み、半導体素子と該半導体素子を制御する回路部とをリードフレーム上に実装してなる半導体装置において、リードフレームに僅かな歪みが生じている場合でも、ワイヤボンディングの際のボンディング治具による押さえつけやモールド樹脂の充填の際のクランプ等によって作用する外力によって、ボンディングワイヤの断線や実装部品の剥離を引き起こすことがなく、極めて信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１の発明では、発熱性の半導体素子を実装するヒートシンク部と、該半導体素子を制御する制御回路の配線部と、上記ヒートシンク部と上記配線部とに接続する入出力端子を構成するリード部と、これらを支持するフレーム部とを一体のリードフレームによって形成し、上記半導体素子と上記制御回路を構成する回路部品とを上記リードフレームに実装し、これら導通するワイヤをボンディングし、モールド樹脂によって封止して一体化した半導体装置であって、上記回路部品は、所定の間隙を設けて配設された第１の配線部と第２の配線部とを架橋するように載置された架橋部品を含み、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に上記架橋部品と上記配線部との接合部に作用する外力の低減を図る外力抑制手段を上記リードフレームの上記架橋部品を載置した部位の周辺に設ける。
【００１６】
請求項１の発明によれば、リードフレームに僅かな歪みが生じている場合でも、上記外力抑制手段によって、ワイヤボンディングやモールド樹脂の充填の際に作用する外力が抑制され、実装部品の剥離や、ボンディングワイヤの断線が起こり難くなり、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【００１７】
具体的には、請求項２の発明のように、上記外力抑制手段として、上記第１の配線部と上記第２の配線部と略平行に配設した補強フレーム部と、上記第１の配線部と上記補強フレーム部とを架橋する第１の支持部と、上記第２の配線部と上記補強フレーム部とを架橋する第２の支持部とを設ける。
【００１８】
請求項２の発明によれば、上記第１の配線部と上記第２の配線部とのいずれか又は両方に歪みが存在し、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、上記架橋部品の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、上記補強フレームに上記第１の配線部と上記第２の配線部がそれぞれ第１の支持部、第２の支持部を介して接続されているので、上記補強フレームの剛性によって上記架橋部品の接合部が定位置に保持されるので、上記接合部が剥離する虞がない。
従って、本発明によれば、導通信頼性の高い半導体装置が実現可能となる。又、上記モールド樹脂によって上記架橋部品を封止固定した後に上記補強フレームを切除すれば、上記第１の配線部と上記第２の配線部とが短絡することはない。
【００１９】
請求項３の発明のように、上記外力抑制手段として、上記架橋部品と略平行に配した高剛性の絶縁性樹脂部材を上記第１の配線部と上記第２の配線部とを架橋するように嵌着せしめても良い。
【００２０】
請求項３の発明によれば、上記第１の配線部と上記第２の配線部とのいずれか又は両方に歪みが存在し、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、上記架橋部品の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、上記絶縁性樹脂部材の剛性によって、上記架橋部品の接合部が定位置に保持されるので、上記接合部が剥離する虞がない。加えて、上記絶縁性樹脂部材は、上記モールド樹脂によって上記架橋部品を封止固定する際に、上記架橋部品とともに上記モールド樹脂内に封止すればよい。従って、本発明によれば、導通信頼性の高い半導体装置が実現可能となる。
【００２１】
請求項４の発明のように、上記架橋部品の接合は、導電性接着剤又はワイヤボンディングにより行い、上記外力抑制手段として、上記架橋部品と略平行に配した高剛性の絶縁性セラミック部材を上記第１の配線部と上記第２の配線部とを架橋するようにハンダ付けによって固定しても良い。
【００２２】
請求項４の発明によれば、上記第１の配線部と上記第２の配線部とのいずれか又は両方に歪みが存在し、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、上記架橋部品の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、絶縁性セラミック部材の剛性によって、上記架橋部品の接合部が定位置に保持されるので、上記接合部が剥離する虞がない。加えて、上記セラミック部材は、上記モールド樹脂によって上記架橋部品を封止固定する際に、上記架橋部品とともに上記モールド樹脂内に封止すればよい。又、ハンダ付けによる上記絶縁性セラミック部材の接合強度は、導電性接着剤による上記架橋部品の接合強度及びワイヤボンディングの接合強度よりも高く、絶縁性セラミック部材のハンダ接合強度よりも高い外力が加わらなければ、架橋部品の接合部が剥離したり、ボンディングワイヤが断線したりすることがない。従って、本発明によれば、導通信頼性の高い半導体装置が実現可能となる。
【００２３】
請求項５の発明のように、上記外力抑制手段として、上記第１の配線部又は上記第２の配線部の少なくともいずれか一方に、撓み変形容易な歪み吸収部を設けても良い。
【００２４】
請求項５の発明によれば、上記第１の配線部と上記第２の配線部とのいずれか又は両方に歪みが存在し、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、上記架橋部品の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、上記歪み吸収部が容易に撓み変形するので、上記架橋部品の接合部に上記外力が伝わらず、上記架橋部品の接合部が定位置に保持されるので、剥離する虞がない。従って、本発明によれば、導通信頼性の高い半導体装置が実現可能となる。
【００２５】
請求項６の発明のように、上記外力抑制手段として、上記架橋部品の両側で作用する外力の作用部位を結んだ直線に対して上記第１の配線部と上記第２の配線部とを略平行に配しても良い。
【００２６】
請求項６の発明によれば、上記架橋部品がその両側で作用する外力作用部位を結んだ直線に対して略直交方向に載置されるので、外力作用部位から上記架橋部品と上記第１の配線部との接合部までの距離と、外力作用部位から上記架橋部品と上記第２の配線部との接合部までの距離とが等しくなる。従って、上記第１の配線部と上記第２の配線部とに外力が作用したときに、上記第１の配線部の変形量及び変形方向と上記第２の配線部の変形量及び変形方向とが略同一となり、上記架橋部品との接合部に剥離方向の力が働き難くなる。従って、本発明によれば、導通信頼性の高い半導体装置が実現可能となる。
【００２７】
請求項７の発明では、上記半導体は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、内燃機関の点火を行う点火プラグに高電圧を供給する点火コイルの駆動制御を上記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのスイッチングによって行うイグナイタに請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発明を適用する。
【００２８】
請求項７の発明によれば、リードフレームに僅かな歪みが生じている場合でも、ワイヤボンディングやモールド樹脂の充填の際に作用する外力によって、実装部品の剥離や、ボンディングワイヤの断線を引き起こすことなく、極めて信頼性の高いイグナイタを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１を参照して、本発明の第１の実施形態における半導体装置について、半導体素子としてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）３００を用いて、図略の内燃機関の点火を行う点火プラグに高電圧を印加する点火コイルの駆動を行うイグナイタ１を例に説明する。
本図（ａ）に示すように、リードフレーム１０は、複数のリード部１１０と制御回路の構成する配線部１３とヒートシンク部１２０と、フレーム部１８０、１９０とによって構成されている。
配線部１３には、コンデンサ５００と、ＩＣチップ５２０、ダイオード等の電子部品が実装されている。第１の配線部１３０と第２の配線部とを架橋するように架橋部品としてコンデンサ５００が実装され、第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とは、それぞれ支持部として吊りリード１４０、１４１を介して補強フレーム１５０に接続されている。
ヒートシンク部１２０は、厚肉に形成され、放熱性を向上せしめてある。ヒートシンク部１２０上には、発熱性の半導体素子であるＩＧＢＴ３００と、抵抗部品５１０とが実装されている。
複数のリード部１１０が、配線部１３及びヒートシンク部１２０に導通しており、ＩＧＢＴ３００、抵抗部品５１０、ＩＣチップ５２０、ダイオード等の電子部品の所定部位が、リード部１１０、配線部１３、ヒートシンク部１２０の所定部位とボンディングワイヤ６００によって接続され、制御回路部５０を構成している。
【００３０】
本図（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴ３００、コンデンサ５００、抵抗部品５１０、ＩＣチップ５２０、ダイオード等の電子部品、配線部１３、ヒートシンク部１２０、ボンディングワイヤ６００をモールド樹脂７００によって覆い、フレーム部１８０、１９０及び補強フレーム１５０等のリードフレーム１０の不要部分を切除して、イグナイタ１が形成されている。
尚、リードフレーム１０には、例えば、銅、アルミニウムなどの良導電性で熱伝導率の高い金属材料が用いられ、必要に応じて、ニッケルメッキ等の表面処理がなされている。
ボンディングワイヤ６００には、例えば、アルミニウム又は金等の良導電性の金属材料が用いられている。
モールド樹脂７００には、例えば、エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられている。又、ダイオード５３０等の、モールド樹脂との濡れ性が悪い部位には、適宜ポリイミド樹脂のコーティングが施され、密着強度の向上が図られている。
【００３１】
図２を参照して本発明の第１の実施形態における本発明の要部である外力抑制手段について詳述する。
本実施形態においては、本図（ａ）に示すように、第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とが所定距離Ｄ１だけ離隔して配設されており、長さＬ１のコンデンサ５００が導電性接着剤２１０を用いて接合されている。
第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とは、それぞれ支持部として第１の吊りリード１４０と第２の吊りリード１４１を介して、補強フレーム１５０に接続されている。
第１の吊りリード１４０と第２の吊りリード１４１との間隔Ｌ２は、少なくともＤ１よりも長くするのが望ましい。又、補強フレーム１５０は、モールド樹脂７００により、コンデンサ５００が封止固定された後に切除可能なように、図中に一点破線で示した樹脂モールド７００の外形線の外側に配設する必要がある。
【００３２】
本図（ｂ）に示すように、第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とのいずれか又は両方に歪みが生じており、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、コンデンサ５００の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、補強フレーム１５０に第１の配線部１３０と第２の配線部１３１がそれぞれ第１の吊りリード１４０、第２の吊りリード１４１を介して接続されているので、補強フレーム１５０の剛性によってコンデンサ５００の接合部が定位置に保持される剥離する虞がない。
【００３３】
図３に、（ａ）から（ｄ）の順を追ってリードフレーム１０の製造方法を示す。本図（ａ）に示すような帯板上のケーク材１００’を、本図（ｂ）に示すような圧延ロールを用いて圧延し、本図（ｃ）に示すように、配線部１３及びリード部１１０となる肉薄部１１とヒートシンク部１２０となる肉厚部１２との異なる厚みを備えた圧延部材１００を形成する。次いで、本図（ｄ）に示すように、これを、金型等を用いて所定の形状を持ったリードフレーム１０を成形する。この時、複数のユニットが連結した状態に切断される。フレーム部１８０、１９０は、リード部１１０、配線部１３、ヒートシンク部１２０、補強フレーム部１５０を一体に保持すると共に、以後の製造工程における位置決め、保持固定等に用いられる。この様な工程によって、リードフレーム１０が形成されているため、特に配線部１３とヒートシンク部１２０との境界部で厚みが急変する部位における残留応力の影響が大きく、配線部１３に歪みが生じやすい。
尚、本実施形態において、リード部１１０及び配線部１３は０．５ｍｍ、ヒートシンク部１２０は、１．６ｍｍ程度に加工してある。
通常、歪み取りのために、リードフレーム１０は、焼鈍処理され、又、必要に応じて、錆止め及び導通性向上のために、ニッケルメッキ等の表面処理がなされる。
【００３４】
図４に、（ａ）から（ｅ）の順を追って、リードフレーム１０への各部品の実装工程の概要を示す。
本図（ａ）に示すように、リードフレーム１０との各部品との導通を要する部位にハンダ箔２００を貼付する。尚、ハンダ箔２００は、貼付位置を模式的に示したもので、形状を特定するものではない。
次いで、本図（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴ３００、抵抗部品５１０、ＩＣチップ５２０、ダイオード等の電子部品をハンダ箔２００の貼付位置に載置し、還元性雰囲気で加熱し、各部品をハンダ付けする。尚、本実施形態においてはハンダ箔２００を用いたが、糸ハンダやハンダペーストやダイボンド方式等を用いても良い。
次いで、本図（ｃ）に示すように、導電性樹脂２１０を所定位置に塗布する。
次いで、本図（ｄ）に示すように、コンデンサ５００を導電性樹脂２１０によって所定の位置に貼付け、所定の温度で加熱硬化させる。
次いで、本図（ｃ）に示すように、所定の部位を、ボンディングワイヤ６００を用いて導通せしめる。この時、第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とが、第１の吊りリード１４０、第２の吊りリード１４１を介して補強フレーム１５０に固定されているので、ボンディングジグによって配線部１３が押さえられても、コンデンサ５００の接続部が剥離することがない。
【００３５】
図５に（ａ）から（ｅ）の順を追って、本実施形態におけるイグナイタ１の樹脂成形工程を示す。本図（ａ）に示すように、上述の工程によって各部品が実装されたリードフレーム１０をモールド型８０に挿入し、本図（ｂ）に示すように、モールド型８０によって、リードフレーム１０のリード部１１０とフレーム部１８０とをクランプし、モールド型８０に形成されたキャビティに、モールド樹脂７００を充填する。
この時、第１の配線部１３０と第２の配線部１３１とに撓みが生じても、コンデンサ５００の接合部は、補強フレーム１５０により定位置に固定されているので、剥離する虞がない。本図（ｃ）に示すように、モールド樹脂７００が固化したら、モールド型８０から取り出し、本図（ｄ）に示すように、フレーム部１８０、１９０、補強フレーム部１５０及び、リード部１１０の結合部等を切断装置９０により切除する。以上により、本図（ｅ）に示すようなイグナイタ１が完成する。尚、第１の吊りリード１４０及び第２の吊りリード１４１の端部１４０’、１４１’として、モールド樹脂７００の側面に露出するので、搭載時には外部との絶縁を考慮する必要がある。
【００３６】
図６に上述したイグナイタの製造工程概要をまとめてフローチャートで示す。一般に、半導体素子と半導体素子を制御する回路とを含み、該制御回路をリードフレームによって構成し、モールド樹脂によってパッケージ化した半導体装置は、略同様の製造工程によって製造可能であり、本発明によれば、従来の半導体装置の製造工程を大幅に変えることなく、信頼性を高めた半導体装置が実現できる。
【００３７】
図７に、発明の第２の実施形態における要部である配線部１３ａを示す。尚、上記実施形態と同一の部分については、同じ符号を付したので説明を省略する。（以下の実施形態において同様である。）
本図（ａ）に示すように、本実施形態においては、第１の配線部１３０ａ及び第２の配線部１３１ａを幅広に形成し、外力抑制手段として、第１の配線部１３０ａと第２の配線部１３１ａとを架橋する架橋部品であるコンデンサ５００と略平行に配した高剛性の絶縁性樹脂部材１６０を第１の配線部１３０と第２の配線部１３１との間に嵌着せしめた。
絶縁部材１６０は、両側に溝部を有す断面略Ｈ字形に形成され、第１の配線部１３０ａの端縁と第２の配線部１３１ａの端縁とがそれぞれの溝部に挿嵌する。絶縁部材１６０の長さＬ３は、少なくともコンデンサ５００の長さＬ１よりも長く形成してある。
本図（ｂ）に示すように、本実施形態における配線部１３ａに歪みが生じており、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、コンデンサ５００の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、本図（ｃ）に示すように、絶縁性樹脂部材１６０の剛性によって、コンデンサ５００の接合部が定位置に保持されるので、接合部が剥離する虞がない。加えて、絶縁性樹脂部材１６０は、モールド樹脂７００によってコンデンサ５００を封止固定する際に、コンデンサ５００とともにモールド樹脂７００内に封止される。
【００３８】
図８に、本発明の第３の実施形態における要部である配線部１３ｂを示す。本図（ａ）に示すように、コンデンサ５００の接合を、導電性接着剤２１０によって行い、外力抑制手段として、コンデンサ５００と略平行に配した高剛性の絶縁性セラミック部材１６０ａを第１の配線部１３０ｂと第２の配線部１３１ｂとを架橋するようにハンダ付け２００によって固定してある。
本実施形態によれば、本図（ｂ）に示すように、第１の配線部１３０と上記第２の配線部とのいずれか又は両方に歪みが生じて、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、コンデンサ５００の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、本図（ｃ）に示すように、絶縁性セラミック部材１５０ａの剛性によって、コンデンサ５００の接合部が定位置に保持されるので、上記接合部が剥離する虞がない。加えて、絶縁性セラミック部材１６０ａは、モールド樹脂７００によってコンデンサ５００を封止固定する際に、コンデンサ５００とともにモールド樹脂７００内に封止される。又、ハンダ付け２００による絶縁性セラミック部材１６０ａの接合強度は、導電性接着剤２１０によるコンデンサ５００の接合強度よりも高く、絶縁性セラミック部材１６０ａが上記外力によって剥離することはない、又、絶縁性セラミック部材１６０ａは剛性が高いので、上記外力によって破壊されることもない。
【００３９】
図９に、本発明の第４の実施形態における要部である配線部１３ｃを示す。
本図（ａ）に示すように、外力抑制手段として、第１の配線部１３０ｃ又は第２の配線部１３１の少なくともいずれか一方に、撓み変形容易な歪み吸収部１７０が設けてある。本実施形態によれば、本図（ｂ）に示すように、第１の配線部１３０ｃと第２の配線部１３１ｃとのいずれか又は両方に歪みが存在し、ワイヤボンディング又はモールド樹脂を充填する際に、コンデンサ５００の接合部に剥離方向の外力が働いたとしても、本図（ｃ）に示すように、歪み吸収部１７０が容易に撓み変形するので、コンデンサ５００の接合部に上記外力が伝わらず、コンデンサ５００の接合部が定位置に保持されるので、上記接合部が剥離する虞がない。
【００４０】
図１０に、本発明の第５の実施形態における要部である配線部１３ｄを示す。本図（ａ）に示すように、上記外力抑制手段として、コンデンサ５００の両側で作用する外力の作用部位を結んだ直線に対して上記第１の配線部１３０ｄと上記第２の配線部１３１ｄとを略平行に配してある。
本実施形態によれば、本図（ｂ）に示すように、第１の配線部１３０ｄと第２の配線部１３１ｄとに歪みが生じていたとしても、本図（ｃ）に示すように、コンデンサ５００がその両側で作用する外力作用部位を結んだ直線に対して略直交方向に載置されるので、外力作用部位からコンデンサ５００と上記第１の配線部１３０ｄとの接合部までの距離と、外力作用部位からコンデンサ５００と上記第２の配線部１３１ｄとの接合部までの距離とが等しくなる。従って、第１の配線部１３０ｄと第２の配線部１３１ｄとに外力が作用したときに、第１の配線部１３０ｄの変形量及び変形方向と第２の配線部１３１ｄの変形量及び変形方向とが略同一となり、コンデンサ５００との接合部に剥離方向の力が働き難くなる。
尚、本図（ａ）に示すように、第１の配線部１３０ｄの一方の端縁と、第２の配線部１３１ｄの一方の端縁とを、コンデンサ５００の両側に作用する外力の一方の作用部位に掛からない範囲に止めれば、第１の配線部１３０ｄと第２の配線部１３１ｄとに作用する外力は片側のみとなり、更にコンデンサ５００の接合部に剥離方向の力が作用し難くなる。
【００４１】
図１１は、上述した本発明の第２の実施形態における外力抑制手段をイグナイタ１に適用したリードフレーム１０ａの概要を示す平面図である。
本実施形態においては、外力抑制手段として、第１の配線部１３０ａと第２の配線部１３１ａとを架橋する架橋部品であるコンデンサ５００と略平行に配した高剛性の絶縁性樹脂部材１６０を第１の配線部１３０と第２の配線部１３１との間に嵌着せしめてある。
【００４２】
図１２は、上述した本発明の第３の実施形態における外力抑制手段をイグナイタ１に適用したリードフレーム１０ｂの概要を示す平面図である。
本実施形態においては、外力抑制手段として、コンデンサ５００と略平行に配した高剛性の絶縁性セラミック部材１６０ａを第１の配線部１３０ｂと第２の配線部１３１ｂとを架橋するようにハンダ付け２００によって固定してある。
【００４３】
図１３は、上述した本発明の第４の実施形態における外力抑制手段をイグナイタ１に適用したリードフレーム１０ｃの概要を示す平面図である。本実施形態においては、第２の配線部１３１ｃに、ひずみ吸収部１７０を設けると共に切り欠き部１７１を形成して第２の配線部１３１ｃが撓み安くなっている。
【００４４】
図１４は、上述した本発明の第５の実施形態における外力抑制手段をイグナイタ１に適用したリードフレーム１０ｄの概要を示す平面図である。本実施形態では、クランプ時に外力の作用するフレーム部１８０とフレーム部１９０とを結ぶ直線に対して、第１の配線部１３０ｄと第２の配線部１３１ｄとが略平行となるように形成し、コンデンサ５００がフレーム部１８０、１９０と略平行に載置してある。又、本図に示すように、第１の配線部１３０ｄの一部を吊りリード１４０ｄとしてフレーム部１９０に接続するように延設しても良い。このような構成とすることにより、更に接続部の剥離が生じがたくなる。吊りリード部１４０ｄは、モールド樹脂７００の充填後にフレーム部１９０と共に切断除去される。
尚、本実施形態において、第２の配線部１３１ｄの端縁がフレーム部１９０に直接つながらないように、切り欠きを設けて、第２の配線部１３１ｄのコンデンサ５００が載置されていない部位でフレーム部１９０と接続するように配線パターンを形成すれば、図１０に示したように、第１の配線部１３０ｄと第２の配線部１３１ｄとの片側のみに外力が作用するようにすることも可能である。
【００４５】
図１５は、本発明の第２の実施形態における外力抑制手段として絶縁性樹脂部材１６０ｂをイグナイタ１のＩＣチップ５２０とリード部１１０とのボンディング部位に適用したリードフレーム１０ｅの概要を示す平面図である。
【００４６】
図１６は、本発明の第３の実施形態における外力抑制手段として絶縁性セラミック部材１６０ｃを複数のリード１１０を架橋するように固着し、イグナイタ１のＩＣチップ５２０とリード部１１０とのボンディング部位に適用したリードフレーム１０ｆの概要を示す平面図である。
【００４７】
本発明は上記実施形態に限定するものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、半導体装置の用途、機能に応じて、使用する半導体素子、制御回路の機能、形状等は適宜変更可能であり、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＢＳＩＴ等の半導体素子のスイッチング機能を利用して、燃料噴射制御、点火制御、モータ制御、油圧制御、電力分配制御等の様々な制御を行う半導体装置に適用可能である。
又、上記実施形態の説明において、配線部に生じる歪みを全て一方向に発生した図を用いて説明したが、本発明の効果は配線部の特定の方向に発生する歪みに対する効果に限定するものではない。
更に、上記実施形態の説明において、本発明のそれぞれの実施形態が単独で適用されているものについて説明したが、適用する半導体装置に応じて、本発明の外力抑制手段について、図１５、図１６に示したように、同時に複数の異なる外力抑制手段を適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（ａ）本発明の第１の実施形態における外力抑制手段を設けたリードフレームの実装状態を示す平面図及び断面図、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態におけるイグナイタの概要を示す平面図及び断面図。
【図２】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における外力抑制手段を設けた回路配線部の概要を示す平面図、（ｂ）は、本実施形態における配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、本実施形態における本発明の効果を示す側面図。
【図３】は、本発明の第１の実施形態におけるイグナイタに用いられるリードフレームの製造工程概要を（ａ）から（ｄ）の順を追って示す模式図。
【図４】は、本発明の第１の実施形態におけるイグナイタの製造工程概要の前半部を（ａ）から（ｅ）の順を追って示す平面図。
【図５】は、本発明の第１の実施形態におけるイグナイタの製造工程概要の後半部を（ａ）から（ｅ）の順を追って示す断面図及び斜視図。
【図６】は、イグナイタの製造工程概要を示すフローチャート。
【図７】（ａ）は、本発明の第２の実施形態における外力抑制手段を設けた配線部の概要を示す平面図、（ｂ）は、本実施形態における配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、本実施形態における本発明の効果を示す側面図。
【図８】（ａ）は、本発明の第３の実施形態における外力抑制手段を設けた配線部の概要を示す平面図、（ｂ）は、本実施形態における配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、本実施形態における本発明の効果を示す側面図。
【図９】（ａ）は、本発明の第４の実施形態における外力抑制手段を設けた配線部の概要を示す平面図、（ｂ）は、本実施形態における配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、本実施形態における本発明の効果を示す側面図。
【図１０】（ａ）は、本発明の第５の実施形態における外力抑制手段を設けた配線部の概要を示す平面図、（ｂ）は、本実施形態における配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、本実施形態における本発明の効果を示す側面図。
【図１１】は、本発明の第２の実施形態における外力抑制手段を適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１２】は、本発明の第３の実施形態における外力抑制手段を適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１３】は、本発明の第４の実施形態における外力抑制手段を適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１４】は、本発明の第５の実施形態における外力抑制手段を適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１５】は、本発明の第２の実施形態における外力抑制手段を回路配線部のボンディング部位に適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１６】は、本発明の第３の実施形態における外力抑制手段を回路配線部のボンディング部位に適用したイグナイタの概要を示す平面図。
【図１７】（ａ）は、従来の回路配線部の電子部品実装部位を示す平面図、（ｂ）は、電子部品実装部位における従来の回路配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、部品実装部位における従来の回路配線部の問題点を示す側面図。
【図１８】（ａ）は、ワイヤボンディング部位における従来の回路配線部を示す平面図、（ｂ）は、ワイヤボンディング部位における従来の回路配線部に生じた歪みを示す側面図、（ｃ）は、ワイヤボンディング部位における従来の回路配線部の問題点を示す側面図。
【図１９】（ａ）は、従来のイグナイタの概要を示す内部平面図及び断面図、（ｂ）は、リードフレームを用いることによりセラミック基板を廃して低コスト化を図った従来のイグナイタの概要を示す内部平面図及び断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  半導体装置
１０  リードフレーム
１１０  入出力リード部
１２０  ヒートシンク部
１３  配線部
１３０  第１の配線部
１３１  第２の配線部
１４０、１４１  外力抑制手段（吊りバー）
１５０  補強用フレーム部
１８０、１９０  フレーム部
２１０  電導性接着剤
３００  半導体素子
５０  制御回路部
５００、５１０、５２０、５３０  実装部品
６００  ボンディングワイヤ
７００  モールド樹脂
【図１】
2009129952.tif 000003
【図２】
2009129952.tif 000004
【図３】
2009129952.tif 000005
【図４】
2009129952.tif 000006
【図５】
2009129952.tif 000007
【図６】
2009129952.tif 000008
【図７】
2009129952.tif 000009
【図８】
2009129952.tif 000010
【図９】
2009129952.tif 000011
【図１０】
2009129952.tif 000012
【図１１】
2009129952.tif 000013
【図１２】
2009129952.tif 000014
【図１３】
2009129952.tif 000015
【図１４】
2009129952.tif 000016
【図１５】
2009129952.tif 000017
【図１６】
2009129952.tif 000018
【図１７】
2009129952.tif 000019
【図１８】
2009129952.tif 000020
【図１９】
2009129952.tif 000021