(57)【要約】【課題】簡易な構成で、基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止可能な技術を提供する。【解決手段】密着強化処理ユニット１においては、カバー２０の内部に仕切壁８１が設けられることによりカバー２０の内側にバッファ空間Ｂが形成される。また、バッファ空間Ｂ内には処理ガス案内部材８２が処理ガスの蛇行流路を形成している。処理ガス供給部５０からバッファ空間Ｂ内に導入された処理ガスは、バッファ空間Ｂ内を蛇行した上で基板Ｗ表面に向けて吐出される。バッファ空間Ｂは、加熱部４０により昇温されたプレート１０の輻射熱によって昇温しているので、バッファ空間Ｂ内を流れる間に処理ガスはプレート１０からの輻射熱を受けて加熱され、加熱により昇温した処理ガスが吐出口８１１から基板Ｗに向けて吐出されることになる。【選択図】図１
2009283702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理ユニットであって、
基板を載置するプレートと、
前記プレートを覆うカバーと、
前記プレートを加熱する加熱手段と、
前記カバーの内側空間を仕切る壁であって、前記プレート上に載置された基板に向けて開口した吐出口が形成された仕切壁と、
前記カバーに形成された導入口から、前記仕切壁と前記カバーとの間に形成されるバッファ空間に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理ユニットであって、
前記バッファ空間に処理ガスの蛇行流路を形成する処理ガス案内部材、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理ユニットであって、
前記処理ガス案内部材が、
一端が前記導入口と通じ、他端が前記吐出口と通じた、螺旋形状の流路を形成する螺旋壁、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理ユニットであって、
前記処理ガス案内部材が、
前記バッファ空間内部にラビリンス構造を形成するラビリンス構造形成部材、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項５】
請求項２に記載の基板処理ユニットであって、
前記処理ガス案内部材が、
前記バッファ空間内において、前記導入口と前記吐出口との間を分断するように配置された１以上の障壁板、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項６】
基板処理ユニットであって、
基板を載置するプレートと、
前記プレートを覆うカバーと、
前記プレートを加熱する加熱手段と、
所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記プレートと前記カバーとの間に形成される処理空間に開口した吐出口まで導く配管であって、前記プレートの周囲に巻き付けられた処理ガス供給配管と、
を備えることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、
前記所定の処理ガスが、気化した密着強化剤であることを特徴とする基板処理ユニット。
【請求項８】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の処理ユニットのいずれかが、
基板を載置するプレートと、
前記プレートを覆うカバーと、
前記プレートを加熱する加熱手段と、
前記カバーの内側空間を仕切る壁であって、前記プレート上に載置された基板に向けて開口した吐出口が形成された仕切壁と、
前記カバーに形成された導入口から、前記仕切壁と前記カバーとの間に形成されるバッファ空間に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、
それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、
を備え、
前記１以上の処理ユニットのいずれかが、
基板を載置するプレートと
前記プレートを覆うカバーと、
前記プレートを加熱する加熱手段と、
所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記プレートと前記カバーとの間に形成される処理空間に開口した吐出口まで導く配管であって、前記プレートの周囲に巻き付けられた処理ガス供給配管と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う基板処理ユニットおよび基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
ところで従来より、露光、現像、エッチング等の処理においてレジスト膜が基板表面から剥離することが問題となっており、これを回避すべく、基板表面とレジスト膜との密着性を高める処理（密着強化処理）が行われている。密着強化処理は、レジスト膜が形成される前の基板表面を疎水化する処理であり、具体的には、密着強化剤（例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン））を蒸気状にして基板表面に塗布することによって行われる。密着強化処理を行う処理ユニットの従来構成については、例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
図１７には、密着強化処理を行う処理ユニットの従来構成が例示されている。従来の密着強化処理ユニット９は、主として、基板Ｗを載置するプレート９１と、プレート９１の上部を覆うカバー９２と、プレート９１を加熱するヒータ９３と、プレート９１とカバー９２との間の空間（処理空間Ｖ）に密着強化剤の蒸気を導入する導入口９４と、排気ラインに接続された排気口９５とを備えている。また、プレート９１に載置された基板Ｗを突き上げ支持する支持ピン９６および支持ピン９６を昇降移動させる駆動機構９７を備えている。
【０００５】
密着強化処理ユニット９にて実行される処理の流れは次の通りである。密着強化処理ユニット９内に搬入された基板Ｗがプレート９１上に載置されると、カバー９２がプレート１０を覆って処理空間Ｖが密閉空間とされる。プレート９１上に載置された基板Ｗはヒータ９３によって昇温される。また一方で、気化した密着強化剤が導入口９４より処理空間Ｖの内部に導入される。処理空間Ｖに導入された密着強化剤は昇温された基板Ｗの表面で水成分と結合し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。続いて、排気口９５より処理空間Ｖ内に充満した密着強化剤が排気され、その後に処理空間Ｖが開放される。そして、支持ピン９６が上昇してプレート９１上に載置された基板Ｗをその先端で突き上げ支持する。この状態で、図示しない外部搬送機構が基板Ｗを密着強化処理ユニット９から搬出する。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３１２９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、密着強化処理においては、基板上に均一に密着強化剤を塗布しなければならない。密着強化剤の塗布が不均一なものとなっていると、基板表面とレジスト膜との密着性が場所によって異なるものとなり、これが処理不良の原因となってしまうからである。ところが各種の原因により密着強化剤が均一に塗布されない事態が生じていた。
【０００８】
密着強化剤を均一に塗布できない原因の１つは、被処理基板の表面に発生する温度不均一領域であると考えられている。例えば、基板表面の一部に低温領域があると、当該領域においては密着強化剤が吸着しにくくなり、それ以外の領域に比べて接触角が小さくなってしまうのである。低温領域が発生する原因の１つが、密着強化剤を基板Ｗに向けて吐出する導入口の存在である。導入口からは処理の間中密着強化剤が吐出され続けるので、これに近い基板表面領域（図１７の例の場合、導入口９４の直下にあたる基板Ｗの中央領域）には密着強化剤が吹き付けられ続けることとなる。これにより当該領域の温度が下がって低温領域となり、密着強化剤が吸着しにくくなってしまうのである。特に、処理空間Ｖ内の減圧や窒素置換を迅速かつ低コストで行うためには処理空間Ｖの容積を小さくする必要があるところ、これに応じて処理空間Ｖの高さを低くすると、導入口と基板との離間距離が一層小さくなり、上記の問題は一層顕著に表れてしまう。
【０００９】
また、密着強化剤を均一に塗布できない別の原因に、本来気化した状態で基板表面に供給されるべき密着強化剤が、各種の理由により（例えば、供給ラインを流れる途中で低温領域にさらされることにより）結露してしまうことが考えられる。結露し、液化した密着強化剤が基板の表面に噴出されてしまうと、当該液滴が付着した基板表面領域は密着強化剤の不均一領域となってしまう。
【００１０】
このように、密着強化処理においては、基板に向けて吐出される処理ガス（ここでは、密着強化剤）の温度が低下すると塗布均一性が担保されなくなってしまう。基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下が処理均一性の妨げとなる例は他にも考えられる。例えば、窒素ガス雰囲気下で基板を加熱処理する場合、基板に向けて吐出される窒素ガスの温度が低下すると、基板表面における窒素ガスの吐出口付近の領域の温度が低下して低温領域となってしまう。すなわち、加熱処理における処理均一性が担保されなくなってしまう。
【００１１】
このような問題に対処すべく、例えば特許文献１には、密着強化処理において基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止する技術が提案されている。ここには、気化状態で吐出されるべき密着強化剤が供給ラインの内壁に触れて液化するといった事態を防止すべく、供給ラインの管壁をニクロム線で巻回して暖める構成が記載されている。この構成によると、密着強化剤の液化は防止できるものの、そのために供給ラインを加熱する加熱手段を特別に設けなければならない。さらには、この加熱手段の温度を調整する機構や、過昇温を防止するための安全装置等を設けることも必要になってくる。したがって、装置の複雑化、大型化や製造コストの上昇を招いてしまう。
【００１２】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、基板処理ユニットであって、基板を載置するプレートと、前記プレートを覆うカバーと、前記プレートを加熱する加熱手段と、前記カバーの内側空間を仕切る壁であって、前記プレート上に載置された基板に向けて開口した吐出口が形成された仕切壁と、前記カバーに形成された導入口から、前記仕切壁と前記カバーとの間に形成されるバッファ空間に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備える。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理ユニットであって、前記バッファ空間に処理ガスの蛇行流路を形成する処理ガス案内部材、を備える。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理ユニットであって、前記処理ガス案内部材が、一端が前記導入口と通じ、他端が前記吐出口と通じた、螺旋形状の流路を形成する螺旋壁、を備える。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項２に記載の基板処理ユニットであって、前記処理ガス案内部材が、前記バッファ空間内部にラビリンス構造を形成するラビリンス構造形成部材、を備える。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項２に記載の基板処理ユニットであって、前記処理ガス案内部材が、前記バッファ空間内において、前記導入口と前記吐出口との間を分断するように配置された１以上の障壁板、を備える。
【００１８】
請求項６の発明は、基板処理ユニットであって、基板を載置するプレートと、前記プレートを覆うカバーと、前記プレートを加熱する加熱手段と、所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記プレートと前記カバーとの間に形成される処理空間に開口した吐出口まで導く配管であって、前記プレートの周囲に巻き付けられた処理ガス供給配管と、を備える。
【００１９】
請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理ユニットにおいて、前記所定の処理ガスが、気化した密着強化剤である。
【００２０】
請求項８の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の処理ユニットのいずれかが、基板を載置するプレートと、前記プレートを覆うカバーと、前記プレートを加熱する加熱手段と、前記カバーの内側空間を仕切る壁であって、前記プレート上に載置された基板に向けて開口した吐出口が形成された仕切壁と、前記カバーに形成された導入口から、前記仕切壁と前記カバーとの間に形成されるバッファ空間に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備える。
【００２１】
請求項９の発明は、所定の外部装置に隣接して配置され、基板に対する一連の処理を行う基板処理装置であって、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部と前記外部装置との間で基板を搬送するインターフェイス搬送機構と、を備え、前記１以上の処理ユニットのいずれかが、基板を載置するプレートと前記プレートを覆うカバーと、前記プレートを加熱する加熱手段と、所定の処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段により供給される処理ガスを前記プレートと前記カバーとの間に形成される処理空間に開口した吐出口まで導く配管であって、前記プレートの周囲に巻き付けられた処理ガス供給配管と、を備える。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１、８の発明によると、カバーの内側にバッファ空間が形成される。このバッファ空間は加熱手段がプレートを加熱するとその輻射熱により昇温するので、処理ガスは、導入口よりバッファ空間に導入されて吐出口より吐出されるまでの間にバッファ空間からの熱を受けて加熱される。これにより基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止することができる。ここでは、プレートからの輻射熱によって処理ガスを加熱するので、処理ガスを加熱するための加熱手段等を特別に設ける必要がなく、簡易な構成で処理ガスの温度低下を防止することができる。
【００２３】
請求項２〜５の発明によると、処理ガス案内部材がバッファ空間に処理ガスの蛇行流路を形成するので、処理ガスがバッファ空間内に留まる時間が長くなる。これによって、基板に向けて吐出される処理ガスを十分な温度にまで昇温させることができる。
【００２４】
請求項６、９の発明によると、処理ガス供給手段により供給される処理ガスがプレートの周囲に巻き付けられた処理ガス供給配管内を通って吐出口まで導かれる。プレートが加熱手段により加熱されるとその熱を受けて処理ガス供給配管内を流れる処理ガスが加熱される。これにより基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止することができる。ここでは、プレートの熱によって処理ガスを加熱するので、処理ガスを加熱するための加熱手段等を特別に設ける必要がなく、簡易な構成で処理ガスの温度低下を防止することができる。
【００２５】
請求項７の発明によると、基板に向けて吐出される密着強化剤の温度低下を簡易な構成で防止することができる。密着強化剤の温度低下が防止されることによって、密着強化剤の塗布均一性が向上する。なぜなら、密着強化剤が吹き付けられた基板表面領域の温度が低下するといった事態が生じず、基板表面に低温領域（すなわち、密着強化剤が吸着しにくい領域）が発生しにくくなるからである。また、液化した密着強化剤が基板表面に噴出されるといった事態も防止されるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
〈１．密着強化処理ユニット〉
〈第１の実施の形態〉
〈ｉ．構成〉
この発明の第１の実施の形態に係る基板処理ユニット（密着強化処理ユニット１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、密着強化処理ユニット１の側断面図である。
【００２７】
密着強化処理ユニット１は、基板Ｗに対して密着強化処理（レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるために密着強化剤の蒸気雰囲気で基板Ｗを加熱する処理）を行う。密着強化処理ユニット１は、主として、プレート１０と、カバー２０と、支持ピン３０と、加熱部４０と、処理ガス供給部５０と、排気部６０と、処理ガス加熱部８０とを備える。また、これら各部の動作を制御する制御部９０を備える。
【００２８】
〈プレート１０〉
プレート１０は、基板を水平姿勢にて載置する板状部材であり、その上面（基板載置面）には、セラミックス製のプロキシミティボール１１が例えば３個埋設されている。被処理基板Ｗはプロキシミティボール１１を介して所定のギャップ（例えば、０．１mm）を隔ててプレート１０に載置される。なお、以下において、プレート１０上に載置された基板Ｗの中心を通る垂線を、密着強化処理ユニット１の中心軸Ｒという。
【００２９】
プレート１０には、上下方向に形成された複数個（この実施の形態においては、３個）の貫通孔（挿通孔１２）が形成されており、各挿通孔１２には後述する支持ピン３０が挿通されている。
【００３０】
プレート１０の上面には、その外縁に沿って円環状に、カバー２０の周縁下面と摺接する領域（摺接領域）が形成されている。摺接領域には、シール部材１３が固定されており、これによりプレート１０の上面とカバー２０の下面との間が封止され、プレート１０とカバー２０との間に密閉された処理空間Ｖが形成される。シール部材１３は、例えばＯリングにより構成される。
【００３１】
プレート１０には、基板Ｗの載置領域の外側であって、摺接領域の内側に、円環状の排気溝６１が形成されている。排気溝６１については後述する。
【００３２】
〈カバー２０〉
カバー２０は、処理空間Ｖの上蓋を構成する部材であり、プレート１０を覆うように配置される。カバー２０は、カバー駆動機構２１と接続されている。カバー駆動機構２１は、カバー２０を密閉位置（カバー２０がプレート１０の上面に固定されたシール部材１３に摺接する位置）と開放位置（密閉位置より上方の位置）との間で昇降移動させる。カバー駆動機構２１は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じてカバー２０の位置を密閉位置と開放位置との間で切り換える。カバー２０が密閉位置におかれると、カバー２０とプレート１０との間がシール部材１３により封止され、その内部に形成される処理空間Ｖが外部雰囲気から遮断された密閉空間となる（図８（ａ）の状態）。また、カバー２０が開放位置におかれると、外部搬送機構が処理空間Ｖに基板Ｗを搬出入することが可能な状態となる（図８（ｂ）の状態）。
【００３３】
カバー２０には、カバー２０の内側に形成された空間（後述する「バッファ空間Ｂ」）に処理ガスを導入する導入口２２が形成されている。導入口２２の一端は処理ガスを導くライン５４と接続され、他端はカバー２０の内側に形成されたバッファ空間Ｂに開口している。なお、バッファ空間Ｂには後述するように処理ガスの蛇行流路が形成されており、導入口２２の形成位置として最適な位置はバッファ空間Ｂにどのような形で蛇行流路が形成されるかによって変わってくる。これについては後述する。
【００３４】
〈支持ピン３０〉
支持ピン３０は、プレート１０上に載置された基板Ｗを突き上げ支持するピンである。密着強化処理ユニット１は、それぞれが複数個の挿通孔１２のそれぞれに挿通された複数本の支持ピン３０を備えている。複数本の支持ピン３０のそれぞれは、プレート１０の下方に配置された支持ピン駆動機構３１と接続されている。支持ピン駆動機構３１は、例えばエアシリンダにより構成され、このエアシリンダによって複数本の支持ピン３０が一斉に昇降される。
【００３５】
支持ピン駆動機構３１は、支持ピン３０を支持位置（その先端部がプレート１０の載置面から上方に突出する位置））と待避位置（その先端部がプレート１０の載置面と同一面上もしくはそれよりも下側に埋没する位置）との間で昇降移動させる。支持ピン駆動機構３１は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて支持ピン３０の位置を支持位置と待避位置との間で切り換える。支持ピン３０が待避位置におかれると、基板Ｗはプレート１０に載置された状態となる（図８（ａ）の状態）。また、支持ピン３０が支持位置におかれると、プレート１０に載置されていた基板Ｗは、プレート１０から持ち上げられてその裏面を支持ピン３０の先端で点支持された状態となる（図８（ｂ）の状態）。
【００３６】
なお、密着強化処理ユニット１において処理ガスとして用いられる密着強化剤（例えば、ＨＭＤＳ）は人体にとって有害であり、また、リソグラフィプロセスに悪影響を与えるアンモニア系の薬液であることが多い。したがって処理空間Ｖは密閉空間とする必要がある。このため、上述の通り、プレート１０とカバー２０との間にはシール部材１３が設けられている。また、支持ピン３０の周囲には、支持ピン３０を処理空間Ｖの外部から隔離する密包部材３２が設けられている。密包部材３２を設けることによって、プレート１０に形成された挿通孔１２を通じて処理空間Ｖ内の処理ガスが外部に漏れ出すといった事態を防止することができる。なお、密包部材３２は、支持ピン３０の昇降移動を許容させなければならないので、例えば蛇腹配管により形成する必要がある。
【００３７】
〈加熱部４０〉
加熱部４０は、プレート１０に内蔵され、プレート１０を所定の温度まで加熱するヒータである。加熱部４０は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じてプレート１０を所定の設定温度に温調する。これにより、プレート１０に載置された基板Ｗが加熱処理される。
【００３８】
〈処理ガス供給部５０〉
処理ガス供給部５０は、密着強化剤供給源５１と、密着強化剤供給源５１から供給された密着強化剤を気化させる気化処理装置５２とを備える。密着強化剤供給源５１から供給され、気化処理装置５２にて気化された密着強化剤は、バルブ５３が介挿されたライン５４を通じて導入口２２に導かれる。バルブ５３は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０の制御に応じて開閉制御される。
【００３９】
気化処理装置５２は、密着強化剤を貯留する液留容器５２１を備える。液留容器５２１は、バルブ５２２が介挿された供給管５２３を介して、密着強化剤供給源５１に接続されている。密着強化剤としては、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等を用いることができる。また、液留容器５２１は、レギュレータ５２４が介挿された供給管５２５を介して、不活性ガス供給源５２６に接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ）を用いることができる。この不活性ガスを密着強化剤に対してバブリングさせることによって、液留容器５２１内に貯留した密着強化剤が気化される。液留容器５２１は、ライン５４と接続されており、液留容器５２１内で気化した密着強化剤はライン５４を通じて導入口２２に導かれる。バルブ５２２、レギュレータ５２４の各部は制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて制御される。
【００４０】
制御部９０は、レギュレータ５２４およびバルブ５２２を制御して、液留容器５２１に不活性ガスおよび密着強化剤を供給して、液留容器５２１内に貯留された密着強化剤を気化させる。そして、バルブ５３を制御して、液留容器５２１内にて気化した密着強化剤をライン５４に導く。これにより、処理ガス供給部５０から導入口２２へ気化した密着強化剤が供給されることになる。
【００４１】
〈排気部６０〉
排気部６０は、プレート１０の基板Ｗ載置領域の全周に渡って形成された円環状の排気溝６１と、これと接続された１個の排気口６２とを備える。
【００４２】
排気口６２は、回収ライン６２１を通じて工場内の排気ラインへ接続されている。回収ライン６２１の途中にはアスピレータ６２２が設けられている。アスピレータ６２２は、回収ライン６２１を通して処理空間Ｖ内を排気するために設けられている。アスピレータ６２２は、回収ライン６２１の内部に挿入された気体吹き出しノズルを有している。動作時には、気体吹き出しノズルから回収ライン６２１の下流側に向かって高速で気体を噴出する。気体を噴出すると、アスピレータ６２２の下流側の回収ライン６２１内が負圧となり、回収ライン６２１の上流側の気体が下流側に吸い寄せられる。これにより、処理空間Ｖの排気が行われる。アスピレータ６２２は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０からの制御に応じて回収ライン６２１内の圧力を調整する。
【００４３】
〈処理ガス加熱部８０〉
処理ガス案内部８０は、処理ガス供給部５０から供給された処理ガスを加熱した上で基板Ｗに向けて吐出させる機能部である。処理ガス加熱部８０は、仕切壁８１と、処理ガス案内部材８２とを備える。
【００４４】
仕切壁８１は、カバー２０の内側空間を仕切る壁を構成する板状部材である。仕切壁８１の周端面は、カバー２０の内側面にすき間なく接合される。これによって、カバー２０の内側に、カバー２０の内側面と仕切壁８１の上面とに囲まれた空間（バッファ空間Ｂ）が形成される。
【００４５】
仕切壁８１には、カバー２０の内側に形成されたバッファ空間Ｂに供給された処理ガスをプレート１０上に載置された基板Ｗに向けて吐出する吐出口８１１が形成されている。処理ガス供給部５０から供給されて導入口２２から吐出された処理ガスはバッファ空間Ｂ内に導入され、その内部に一時的に滞留した後に、最終的に吐出口８１１より吐出される。吐出口８１１は、プレート１０上に載置された基板Ｗの中央上方（すなわち、中心軸Ｒ上）に形成される。これにより、吐出口８１１から吐出された処理ガスは、基板Ｗの中央に向かい、さらに基板Ｗの周縁に放射状に広がるように流れることになる。
【００４６】
後述するように、密着強化処理においては、加熱部４０がプレート１０を加熱して、プレート１０上に載置された基板Ｗを加熱処理する。プレート１０が昇温するとこれが熱源となり、その輻射熱によってバッファ空間Ｂが加熱される。したがって、導入口２２から導入され、吐出口８１１から吐出されるまでの間に、処理ガスはバッファ空間Ｂ内で加熱されることになる。これにより、加熱により昇温した処理ガスが基板Ｗ上に吐出されることになる。
【００４７】
処理ガス案内部材８２は、バッファ空間Ｂに導入口２２から吐出口８１１へ向かう処理ガスの蛇行流路を形成する。
【００４８】
上述の通り、処理ガスはバッファ空間Ｂ内に滞留している間に加熱される。処理ガス案内部材８２がバッファ空間Ｂ内に処理ガスの蛇行流路を形成すると、処理ガスがバッファ空間Ｂ内に留まる時間が長くなる。すなわち、処理ガスの加熱時間が長くなる。これにより、十分な温度にまで昇温した処理ガスが基板Ｗ上に吐出されることになる。
【００４９】
処理ガス案内部材８２の具体的な構成について説明する。処理ガス案内部材８２は各種の構成により実現することが可能である。以下において、処理ガス案内部材８２の具体的な態様として３つの構成（螺旋流路形成部材８２ａ、ラビリンス構造形成部材８２ｂ、階層構造形成部材８２ｃ）を示す。
【００５０】
〈ａ．螺旋流路形成部材８２ａ〉
螺旋流路形成部材８２ａの構成について、図１および図２を参照しながら説明する。図１は、螺旋流路形成部材８２ａにより構成される処理ガス案内部材８２を備える密着強化処理ユニット１（密着強化処理ユニット１ａ）の側断面図である。図２は、密着強化処理ユニット１ａを、図１に示す矢印Ｑ方向からみた断面図である。
【００５１】
螺旋流路形成部材８２ａは、バッファ空間Ｂ内に吐出口８１１を中心とする螺旋形状の流路（螺旋流路）を形成する螺旋壁８２１を備える。螺旋壁８２１は、例えば、バッファ空間Ｂの高さとほぼ同様の厚みを有する板部材に、螺旋形状の溝を形成したものである。螺旋流路の一端（螺旋の外端）は導入口２２の形成位置と対応する位置に形成され、これと通じている。また、他端（螺旋の中心）は吐出口８１１と対応する位置に形成され、これと通じている。
【００５２】
処理ガス供給部５０により導入口２２からバッファ空間Ｂ内に導入された処理ガスは、螺旋壁８２１が形成する螺旋流路内を流れ、最終的に吐出口８１１より吐出される。
【００５３】
なお、処理ガスの流路長をある程度確保するためには（すなわち、処理ガスがバッファ空間Ｂ内に留まる時間をある程度確保するためには）、導入口２２は中心軸Ｒからなるべく離れた位置（カバー２０の周縁付近）に形成されることが望ましい。
【００５４】
〈ｂ．ラビリンス構造形成部材８２ｂ〉
ラビリンス構造形成部材８２ｂの構成について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、ラビリンス構造形成部材８２ｂにより構成される処理ガス案内部材８２を備える密着強化処理ユニット１（密着強化処理ユニット１ｂ）の側断面図である。図４は、密着強化処理ユニット１ｂを、図３に示す矢印Ｑ方向からみた断面図である。
【００５５】
ラビリンス構造形成部材８２ｂは、バッファ空間Ｂ内にラビリンス構造を形成するラビリンス構造形成部材８２２を備える。ラビリンス構造形成部材８２２は、例えば、複数個のラビリンスリング（例えば、互いに径の異なる複数の円環板）を用いることができる。これら複数のラビリンスリングを、バッファ空間Ｂの上下面に互い違いに配設する。これにより、バッファ空間Ｂにラビリンス構造が形成される。なお、複数のラビリンスリングは、互いに厚みや幅の異なるものを用いてもよい。また、ラビリンスリングには切断領域や切り欠き領域等が形成されていてもよい。
【００５６】
処理ガス供給部５０により導入口２２からバッファ空間Ｂ内に導入された処理ガスは、バッファ空間Ｂに形成されるラビリンス構造内を蛇行し、最終的に吐出口８１１より吐出される。
【００５７】
なお、処理ガスの流路長をある程度確保するためには、ラビリンス構造の形成領域をなるべく大きくする必要があり、このためには、導入口２２は中心軸Ｒからなるべく離れた位置に形成されることが望ましい。
【００５８】
〈ｃ．階層構造形成部材８２ｃ〉
階層構造形成部材８２ｃの構成について、図５および図６を参照しながら説明する。図５は、階層構造形成部材８２ｃにより構成される処理ガス案内部材８２を備える密着強化処理ユニット１（密着強化処理ユニット１ｃ）の側断面図である。図６は、密着強化処理ユニット１ｃを、図５に示す矢印Ｑ方向からみた断面図である。
【００５９】
階層構造形成部材８２ｃは、バッファ空間Ｂ内において、導入口２２と吐出口８１１との間を分断するように配置された１以上の障壁板８２３を備える。これにより、バッファ空間Ｂに導入口２２と吐出口８１１とを分断する階層構造が形成される。なお、障壁板８２３は、例えば、多孔質材料（ポーラス）により形成された（もしくは、機械加工等により多孔が形成された）ものであってもよい。
【００６０】
処理ガス供給部５０により導入口２２からバッファ空間Ｂ内に導入された処理ガスは、バッファ空間Ｂに配置された障壁板８２３を迂回するように蛇行し、最終的に吐出口８１１より吐出される。
【００６１】
なお、処理ガスの流路長をある程度確保するためには、障壁板８２３の径をなるべく大きく設定することが望ましい。また、導入口２２はカバー２０の中央付近（最も好ましくは、中心軸Ｒ上）に形成されることが望ましい。
【００６２】
〈ｉｉ．処理の流れ〉
密着強化処理ユニット１において実行される処理を、図７および図８を参照しながら説明する。図７は、密着強化処理ユニット１にて実行される処理の流れを示す図である。図８は、各処理段階における密着強化処理ユニット１の様子を模式的に示す図である。以下の処理は、制御部９０が密着強化処理ユニット１の各構成部を制御することによって行われる。
【００６３】
まず、図示しない外部搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１）が、被処理基板Ｗを密着強化処理ユニット１内に搬入し、プレート１０から突出した支持ピン３０上に載置する（ステップＳ１）。外部搬送機構の搬送アームがユニット内から退避すると、制御部９０は、支持ピン駆動機構３１を制御して、支持ピン３０を支持位置から待避位置に移動させる。これにより、搬入された基板Ｗがプレート１０上に載置される。
【００６４】
続いて、制御部９０は、カバー駆動機構２１を制御してカバー２０を密閉位置におく（ステップＳ２）。これにより処理空間Ｖが外部雰囲気から遮断された密閉空間となる（図８（ａ）の状態）。
【００６５】
続いて、密着強化処理を行う（ステップＳ３）。密着強化処理は、具体的には次のように行われる。
【００６６】
制御部９０は、加熱部４０を制御してプレート１０を所定温度に加熱する。これにより、プレート１０上に載置された基板Ｗが所定温度に加熱される。また、これとともに処理ガス供給部５０を制御して導入口２２から処理ガス（気化した密着強化剤）を吐出させる。導入口２２から吐出された処理ガスはバッファ空間Ｂ内に導入され、その内部を蛇行して流れ、最終的に吐出口８１１より吐出される。バッファ空間Ｂ内を流れる間に処理ガスはプレート１０からの輻射熱を受けて加熱されるので、加熱により昇温した処理ガスが吐出口８１１から基板Ｗに向けて吐出されることになる。
【００６７】
一方で、制御部９０は、排気部６０を制御して処理空間Ｖ内の処理ガスを排気させておく。これにより、吐出口８１１から吐出された処理ガスは処理空間Ｖ内にて所定の流れ（吐出口８１１から吐出されて下方に向かい（すなわち、基板Ｗの中央に向かい）、基板Ｗの表面で放射状に広がってその周縁に向かう流れ）を形成する。処理ガスである密着強化剤の蒸気は、基板Ｗの上面を流れながらその表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。
【００６８】
所定量の密着強化剤が基板Ｗに供給されて密着強化処理が終了すると、続いて、制御部９０は、供給部５０を制御して密着強化剤を供給を停止させるとともに、図示しない不活性ガス供給源より処理空間Ｖ内に不活性ガス（例えば、例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ））を供給する（ステップＳ４）。これにより、処理空間Ｖ内の処理ガスが排気されて不活性ガスに置換される。なお、ここで、バッファ空間Ｂ内も不活性ガスに置換することが望ましい。
【００６９】
続いて、制御部９０は、カバー駆動機構２１を制御してカバー２０を開放位置におく（ステップＳ５）。
【００７０】
続いて、制御部９０は、支持ピン駆動機構３１を制御して支持ピン３０を待避位置から支持位置に移動させる（図８（ｂ）の状態）。これにより、プレート１０上に載置された基板Ｗが支持ピン３０により突き上げ支持される。この状態で、図示しない外部搬送機構（例えば、後述するメインロボットＴ２１）がその搬送アームを基板Ｗとプレート１０との間に挿入して基板Ｗを保持し、基板Ｗを密着強化処理ユニット１内から搬出する（ステップＳ６）。
【００７１】
〈第２の実施の形態〉
〈ｉ．構成〉
この発明の第２の実施の形態に係る基板処理ユニット（密着強化処理ユニット２）の全体構成について図９を参照しながら説明する。図９は、密着強化処理ユニット２の側断面図である。ただし図９においては、プレート１０の部分は断面形状ではなく側面形状で示されている。なお、以下においては、第１の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１と相違する構成のみを説明し、同じ構成については説明を省略するとともに先に用いた符号で示す。
【００７２】
密着強化処理ユニット２は、主として、プレート１０と、カバー２０と、支持ピン３０と、加熱部４０と、処理ガス供給部５０と、排気部６０と、処理ガス加熱部７０とを備える。また、これら各部の動作を制御する制御部９０を備える。処理ガス加熱部７０以外の各構成は上述した通りである。
【００７３】
ただし、第１の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１のカバー２０は、その内側の空間が仕切壁８１により仕切られてバッファ空間Ｂが形成されていたが、この実施の形態に係る密着強化処理ユニット２のカバー２０には仕切壁８１は配設されない。すなわち、この実施の形態においては、カバー２０の内側の全空間が処理空間Ｖとなる。したがって、カバー２０に形成された導入口２２は、バッファ空間Ｂではなく処理空間Ｖに開口していることになる。
【００７４】
また、第１の実施の形態においては、導入口２２の形成位置として最適な位置は、バッファ空間Ｂにどのような形で蛇行流路が形成されるかによって異なるものであったが、この実施の形態においては、導入口２２の形成位置として最適な位置は、プレート１０上に載置された基板Ｗの中央上方である。
【００７５】
また、第１の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１の処理ガス供給部５０においては、処理ガスの供給ラインであるライン５４は導入口２２に直接接続されていたが、この実施の形態においては、後述する加熱配管７１を介して導入口２２に接続されている。すなわち、ライン５４の一端は加熱配管７１に接続されている。したがって、ライン５４から導かれた処理ガスは、加熱配管７１を通った後に、導入口２２から吐出されることになる。
【００７６】
〈処理ガス加熱部７０〉
処理ガス加熱部７０は、処理ガス供給部５０から供給された処理ガスを加熱した上で基板Ｗに向けて吐出させる機能部である。処理ガス加熱部７０は、加熱配管７１を備える。
【００７７】
加熱配管７１は、処理ガスを処理空間Ｖに開口した導入口２２まで導く配管であり、一端が処理ガス供給部５０のライン５４に接続され、他端が導入口２２に接続される。
【００７８】
加熱配管７１は、プレート１０の周囲に螺旋状に巻き付けられている。したがって、処理ガス供給部５０から供給された処理ガスは、プレート１０の周壁に沿って周回した後に、導入口２２から吐出されることになる。
【００７９】
上述したように、密着強化処理においては、加熱部４０がプレート１０を加熱して、プレート１０上に載置された基板Ｗを加熱処理する。したがって、プレート１０の周壁に沿って周回する間に、処理ガスはプレート１０の熱を受けて加熱される。これにより、加熱により昇温した処理ガスが基板Ｗ上に吐出されることになる。
【００８０】
なお、加熱配管７１の長さを調整することによって、処理ガスがプレート１０からの熱を受けて加熱される時間を調整することができる。加熱配管７１の長さを長くすれば、導入口２２から吐出されるまでの間に処理ガスを十分な温度にまで加熱することができる。
【００８１】
〈ｉｉ．処理の流れ〉
密着強化処理ユニット２において実行される処理は、密着強化処理ユニット１にて実行される処理と同様である（図７参照）。ただし、密着強化処理ユニット２にて実行される密着強化処理（図７のステップＳ３）は、次のように行われる。
【００８２】
まず、制御部９０は、加熱部４０を制御してプレート１０を所定温度に加熱する。これにより、プレート１０上に載置された基板Ｗが所定温度に加熱される。また、これとともに処理ガス供給部５０を制御してライン５４に処理ガス（気化した密着強化剤）を供給させる。ライン５４を介して加熱配管７１に導入された処理ガスは、加熱配管７１内を流れた後に導入口２２から吐出される。加熱配管７１内を流れる間に処理ガスはプレート１０の熱を受けて加熱されるので、加熱により昇温した処理ガスが導入口２２から基板Ｗに向けて吐出されることになる。
【００８３】
一方で、制御部９０は、排気部６０を制御して処理空間Ｖ内の処理ガスを排気させる。これにより、導入口２２から吐出された処理ガスは処理空間Ｖ内にて所定の流れ（導入口２２から吐出されて下方に向かい（すなわち、基板Ｗの中央に向かい）、基板Ｗの表面で放射状に広がってその周縁に向かう流れ）を形成する。処理ガスである密着強化剤の蒸気は、基板Ｗの上面を流れながらその表面で液化し、これにより基板Ｗの表面に密着強化剤が塗布される。
【００８４】
〈２．基板処理装置〉
上述した密着強化処理ユニット１，２は、例えば、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の各処理を行う処理ユニットを所定の位置に配置した基板処理装置１００に搭載される。密着強化処理ユニット１（または、密着強化処理ユニット２）が搭載された基板処理装置１００について、図１０〜図１６を参照しながら説明する。図１０は、基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。図１１、図１２、図１３および図１４は、基板処理装置１００を、図１０に示す矢印Ｑ１方向、矢印Ｑ２方向、矢印Ｑ３方向および矢印Ｑ４方向からそれぞれみた縦断面図である。図１５は、基板処理装置１００の制御ブロック図である。図１６は、基板処理装置１００の備える搬送機構のそれぞれが反復して行う動作の流れを示す図である。
【００８５】
〈ｉ．制御系〉
まず、基板処理装置１００の制御系について図１５を参照しながら説明する。基板処理装置１００は、後述する各構成部１１０，１２０，１３０の動作を制御する制御部（第１〜第４コントローラ１９１〜１９４およびメインコントローラ１９９）、および、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて基板処理装置１００と隣接して配置された露光装置ＥＸＰとも接続されている。
【００８６】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４およびメインコントローラ１９９のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。
【００８７】
第１コントローラ１９１〜第４コントローラ１９４は、後述する各構成部を互いに独立して制御する。第１コントローラ１９１はＩＤ部１０の搬送機構（ＩＤロボットＴ１０）を制御する。第２コントローラ１９２は、上段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および上段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの備える処理ユニットを除く）を制御する。第３コントローラ１９３は、下段の基板処理列２０１の搬送機構（メインロボットＴ２１）および下段の基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニットを除く）を制御する。第４コントローラ１９４は、ＩＦ部３０の搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２）およびＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備える処理ユニット（熱処理ユニットＰ−ＨＰ）を制御する。
【００８８】
なお、第２コントローラ１９２および第３コントローラ１９３のそれぞれは、基板処理列２０１の備える密着強化処理ユニット１（または、密着強化処理ユニット２）を制御する。すなわち、基板処理装置１００においてはこれらのコントローラ１９２，１９３それぞれが上述した制御部９０に相当する。
【００８９】
メインコントローラ１９９は、４個のコントローラ１９１〜１９４を統括的に制御する。すなわち、基板処理装置１００の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御する。例えば、各搬送機構が所定の載置部や処理ユニット等にアクセスするタイミング等を調整する。また、メインコントローラ１９９は、基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。
【００９０】
〈ｉｉ．各部の構成および動作〉
基板処理装置１００は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１００は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１１０、処理部１２０およびインターフェイス（ＩＦ部）１３０を備え、これら各部１１０，１２０，１３０をこの順に並設した構成となっている。また、ＩＦ部１３０の−Ｙ側には、基板処理装置１００とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。
【００９１】
〈ＩＤ部１１０〉
ＩＤ部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気にさらすＯＣ(open cassette)であってもよい。ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂとの間で基板Ｗを搬送する。
【００９２】
ＩＤ部１１０と処理部１２０との間（より具体的には、ＩＤ部１１０と後述する各基板処理列２０１との間）には、メインロボットＴ２１とＩＤロボットＴ１０との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂ）が積層して配置される（図１０、図１２参照）。
【００９３】
図１６を参照する。ＩＤロボットＴ１０は、キャリアＣに収容された未処理基板を次々とＰＡＳＳ１ａに搬送していく。この未処理基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ａを介してメインロボットＴ２１に受け取られることになる。また、ＩＤロボットＴ１０は、メインロボットＴ２１によってＰＡＳＳ１ｂに載置された処理済基板を受け取ってキャリアＣに収容する。
【００９４】
なお、図１６においては図示を省略しているが、この実施の形態のように複数個（ここでは２個）の基板処理列２０１が積層配置されている構成においては（図１２参照）、ＩＤロボットＴ１０は各基板処理列２０１について設けられたＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに順番にアクセスしていく。
【００９５】
〈処理部１２０〉
処理部１２０は、積層配置された複数（この実施の形態においては２つ）の基板処理列２０１を備える。基板処理列２０１は、ＩＤ部１１０とＩＦ部１３０との間を結ぶ処理列を構成し、基板Ｗを搬送する機構（メインロボットＴ２１）と、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１および主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。
【００９６】
熱処理ブロック２１について、図１０および図１１を参照しながら説明する。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。
【００９７】
最もＩＤ部１１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の処理ユニット（より具体的には、１個の熱処理ユニットＰ−ＨＰ、２個の密着強化処理ユニット１（または、密着強化処理ユニット２）および２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。
【００９８】
密着強化処理ユニット１，２の構成およびここで実行される処理の流れについては上述した通りである。
【００９９】
熱処理ユニットＰ−ＨＰは、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部２５１と、基板Ｗを加熱処理するホットプレート２５２と、仮置部２５１とホットプレート２５２との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構２５３とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部２５１に載置すると、ローカル搬送機構２５３が当該基板Ｗを仮置部２５１からホットプレート２５２に移載する。すると、ホットプレート２５２が昇温して載置された基板Ｗを加熱処理する。加熱処理が終了すると再びローカル搬送機構２５３が基板Ｗをホットプレートから仮置部２５１に移載し、仮置部２５１に載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。なお、仮置部２５１は、そこに載置された基板Ｗを冷却する機能を備えるものであってもよい。
【０１００】
冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理するコールドプレートを備える処理ユニットである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを所定の冷却温度に温調されたコールドプレートに載置すると、基板Ｗからコールドプレートに熱が流れ、これにより基板Ｗが冷却される。冷却処理が終了するとコールドプレートに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出される。
【０１０１】
第１ユニット列２１１ａのＩＦ部１３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。
【０１０２】
第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファＢＦ）を設けてもよい。
【０１０３】
第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部１３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。また、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方には、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）が配置される。
【０１０４】
液処理ブロック２２について、図１０および図１３を参照しながら説明する。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。
【０１０５】
最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１ａ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニットＤＥＶを備える。
【０１０６】
現像処理ユニットＤＥＶは、主として、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部２６１と、回転保持部２６１に保持された基板Ｗに現像液を供給する現像ノズル２６２とリンス液を供給するリンスノズル２６３とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを回転保持部２６１に載置すると、回転保持部２６１が載置された基板Ｗを保持する。続いて、現像液ノズル２６２が基板Ｗの表面に現像液を供給する。例えば、その下側面に基板Ｗの直径相当の長さのスリットが形成されたスリットノズルが、そのスリットから現像液を吐出しながら回転保持部２６１に保持された基板Ｗの上方を走査することによって、基板Ｗの表面に現像液を帯状に供給する。これによって基板Ｗが現像処理される。続いて、リンスノズル２６３が基板Ｗの表面にリンス液を供給して現像処理を停止させる。さらに続いて、回転保持部２６１が保持した被処理基板Ｗを回転させて基板表面のリンス液を遠心力により飛散させる。これによって基板Ｗが乾燥処理される。乾燥処理が終了すると、メインロボットＴ２１が基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶから搬出する。
【０１０７】
現像ユニット列２２１ａの下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１ｂ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニットＲＥＳを備える。
【０１０８】
レジスト塗布処理ユニットＲＥＳは、主として、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（図示省略）と、回転保持部に保持された基板Ｗに所定のレジスト膜材料を供給するノズル（図示省略）と基板Ｗの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズル（図示省略）とを備える処理ユニットである。ここで実行される処理の流れは次の通りである。メインロボットＴ２１が基板Ｗを回転保持部に載置すると、回転保持部が載置された基板Ｗを保持する。続いて、レジスト膜材料を供給するノズルが基板Ｗの表面にレジスト膜材料を供給する。これによって基板Ｗの上面にレジスト膜が塗布形成される。続いて、エッジリンスノズルが基板Ｗの周縁部表面にリンス液を供給する。これによって、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜が除去される。以上の処理が終了すると、メインロボットＴ２１が基板Ｗをレジスト塗布処理ユニットＲＥＳから搬出する。
【０１０９】
図１６を参照する。メインロボットＴ２１は、ＰＡＳＳ１ａを介してＩＤロボットＴ１０から受け取った未処理基板Ｗを、搬送スペースＡに沿って移動しながらこれに面して配置された熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに所定の順序で搬送していく。例えば、密着強化処理ユニット１（または、密着強化処理ユニット２）、冷却ユニットＣＰ、レジスト塗布処理ユニットＲＥＳ、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、冷却処理、密着強化処理、レジスト膜の塗布形成処理、加熱処理、冷却処理およびエッジ露光処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（前処理）。
【０１１０】
メインロボットＴ２１は、エッジ露光部ＥＥＷから取り出した基板Ｗ（前処理後の基板）を送りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、送りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１に受け取られることになる。
【０１１１】
また、メインロボットＴ２１は、戻りＰＡＳＳを介してＰＥＢロボットＴ３１から受け取った基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を、搬送スペースＡに沿って移動しながら熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２の備える各処理ユニットに再び所定の順序で搬送していく。例えば、現像処理ユニットＤＥＶ、熱処理ユニットＰ−ＨＰ、冷却ユニットＣＰ、の順に搬送していく。これにより、基板Ｗに対して、現像処理、加熱処理および冷却処理との一連の処理がこの順で行われていくことになる（後処理）。
【０１１２】
メインロボットＴ２１は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗ（後処理後の基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置する。この基板Ｗは、ＰＡＳＳ１ｂを介してＩＤロボットＴ１０に受け取られることになる。
【０１１３】
〈ＩＦ部１３０〉
ＩＦ部１３０について、図１０および図１４を参照しながら説明する。ＩＦ部１３０は、処理部１２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部１３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。
【０１１４】
ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間には、これら２つの搬送機構の間での基板Ｗの受け渡しに用いられる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）が積層して配置される。また、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、バッファＢＦが配置される。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。
【０１１５】
図１６を参照する。ＰＥＢロボットＴ３１は、送りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１から受け取った基板Ｗ（前処理後の基板）をＩＦ送りＰＡＳＳに載置する。ただし、ＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、露光装置ＥＸＰの処理速度が処理部１２０の処理速度に追いつかず、前処理された基板Ｗを露光装置ＥＸＰに搬入できなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は受け取った基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再びＩＦ送りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板ＷをＩＦ送りＰＡＳＳに載置していく。
【０１１６】
一方、ＩＦロボットＴ３２は、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置する。露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された前処理後の基板Ｗは、露光装置ＥＸＰにて露光処理され、再び受渡部に戻される。
【０１１７】
ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰの受渡部に載置された基板Ｗ（露光処理後の基板）を受け取ってＩＦ戻りＰＡＳＳに載置する。
【０１１８】
一方、ＰＥＢロボットＴ３１は、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを受け取って、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰに搬入する。より具体的には、熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置する。仮置部２５１に載置された基板Ｗはローカル搬送機構２５３によりホットプレート２５２上に移載され、ここで加熱処理（ＰＥＢ処理）を施される。処理が終了した基板Ｗは再びローカル搬送機構２５３により仮置部２５１上に移載される。これにより、基板Ｗに対して露光処理およびＰＥＢ処理の一連の処理がこの順で行われていくことになる。
【０１１９】
ＰＥＢロボットＴ３１は、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰの仮置部２５１に載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出して戻りＰＡＳＳに載置する。この基板Ｗは、戻りＰＡＳＳを介してメインロボットＴ２１に受け取られて後処理を行われることになる。ただし、戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない場合（例えば、現像処理ユニットＤＥＶにトラブルが発生して当該ユニットが基板Ｗを受け入れられなくなった場合）、ＰＥＢロボットＴ３１は取り出した基板ＷをバッファＢＦに一時的に収納し、再び戻りＰＡＳＳに基板Ｗを載置可能となった後にバッファＢＦに収納した基板Ｗを戻りＰＡＳＳに載置していく。
【０１２０】
以上の構成および動作によって、露光処理の前後における塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理が行われる。
【０１２１】
〈３．効果〉
上記の各実施の形態に係る密着強化処理ユニット１，２においては、処理ガス加熱部７０，８０が、処理ガス供給部５０から供給された処理ガスを加熱した上で基板Ｗに向けて吐出させるので、基板に向けて吐出される処理ガスの温度低下を防止することができる。
【０１２２】
特に、密着強化処理ユニット１においては、基板Ｗ表面に吐出される処理ガスの温度低下が防止されることによって、密着強化剤の塗布均一性が向上するという効果が得られる。なぜなら、密着強化剤が吹き付けられた基板表面領域の温度が低下するといった事態が生じず、基板表面に低温領域（すなわち、密着強化剤が吸着しにくい領域）が発生しにくくなるからである。また、液化した密着強化剤が基板表面に噴出されるといった事態も防止されるからである。
【０１２３】
また、処理ガスの吐出口（吐出口８１１）と基板Ｗとの離間距離が小さくなっても基板Ｗの表面領域の温度分布に影響がでにくいので、ユニット高さを低く設定することができる。
【０１２４】
特に、第１の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、基板Ｗに向けて吐出される前の処理ガスをカバー２０内部に形成されたバッファ空間Ｂ内に滞留させることによって、プレート１０からの輻射熱を利用して処理ガスを加熱する。また、第２の実施の形態に係る密着強化処理ユニット２においては、基板Ｗに向けて吐出される前の処理ガスを、プレート１０の周囲に巻き付けられた加熱配管７１内を通すことによって、プレート１０の熱を利用して処理ガスを加熱する。これらの各構成によると、処理ガスを加熱するための加熱手段等を特別に設ける必要がないので、装置の複雑化、大型化や製造コストの上昇を招くことなく、簡易な構成で吐出される処理ガスの温度低下を防止することができる。
【０１２５】
また、特に、密着強化処理ユニット１においては、処理ガス案内部材８２がバッファ空間Ｂに処理ガスの蛇行流路を形成するので、処理ガスがバッファ空間Ｂ内に留まる時間が長くなり、処理ガスを十分な温度にまで昇温させることができる。
【０１２６】
〈４．変形例〉
上記の第１の実施の形態に係る密着強化処理ユニット１においては、処理ガス案内部材８２の構成として３種類の態様を説明したが、処理ガス案内部材８２の構成はこれらに限らない。
【０１２７】
また、上記の第２の実施の形態に係る密着強化処理ユニット２においては、加熱配管７１はプレート１０の周囲に巻き付ける構成としたが、カバー２０の周囲に巻き付けてもよい。この場合、プレート１０からの輻射熱により昇温されたカバー２０の熱によって、加熱配管７１内を流れる処理ガスが加熱されることになる。
【０１２８】
また、上記の実施の形態においては、本発明を密着強化処理を行う処理ユニットに適用した場合を示しているが、本発明は、その他各種の処理を行う処理ユニットにも適用可能である。例えば、窒素ガス雰囲気下で基板を加熱処理する熱処理ユニット等にも適用可能である。
【０１２９】
また、上記の各実施の形態に係る密着強化処理ユニット１，２では、処理空間Ｖ内に配置される各構成部（プレート１０、カバー２０、仕切壁８１、処理ガス案内部材８２、排気溝６１、排気口６２等）は高温下におかれるとともに処理ガスにさらされる。したがって、これら各構成部は耐熱性と耐薬性との両方を兼ね備えた材料により形成することが望ましい。
【０１３０】
また、上記の各実施の形態に係る密着強化処理ユニット１，２においては、上述した各構成に加えて、プレート１０に載置されて密着強化処理を行われる前後の基板Ｗを一時的に載置する仮置部と、仮置部とプレート１０との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構とを設けるユニット構成としてもよい。
【０１３１】
また、上記の実施の形態に係る基板処理装置１００が備える熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成や配置は上記のものに限らない。また、熱処理ブロック２１が備える密着強化処理ユニット１の個数も２個に限らない。
【０１３２】
また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１００に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】密着強化処理ユニットの側断面図である。
【図２】密着強化処理ユニットを矢印Ｑ方向からみた断面図である。
【図３】密着強化処理ユニットの側断面図である。
【図４】密着強化処理ユニットを矢印Ｑ方向からみた平面図である。
【図５】密着強化処理ユニットの側断面図である。
【図６】密着強化処理ユニットを矢印Ｑ方向からみた平面図である。
【図７】密着強化処理ユニットにて実行される処理の流れを示す図である。
【図８】各処理段階における密着強化処理ユニットの様子を模式的に示す図である。
【図９】密着強化処理ユニットの側断面図である。
【図１０】基板処理装置１００の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図１１】基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。
【図１２】基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。
【図１３】基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。
【図１４】基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。
【図１５】基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１６】各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。
【図１７】従来の密着強化処理ユニットの構成を例示する図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１，２  密着強化処理ユニット
１０  プレート
２０  カバー
２２  導入孔
３０  支持ピン
４０  加熱部
５０  処理ガス供給部
６０  排気部
７０，８０  処理ガス加熱部
７１  加熱配管
８１  仕切壁
８２  処理ガス案内部材
９０  制御部
８１１  吐出口
１００  基板処理装置
１１０  ＩＤ部
１２０  処理部
１３０  ＩＦ部
Ｔ１０  ＩＤロボット
Ｔ２１，Ｔ２２  メインロボット
Ｔ３１  ＰＥＢロボット
Ｔ３２  ＩＦロボット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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