(57)【要約】      （修正有）【課題】画面操作数が多く、操作が面倒であるという問題点を解消し、作業効率を向上させるとともに、操作の快適さを向上させる半導体製造装置を提供する。【解決手段】大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う一台の第一の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第二の基板搬送装置と、前記第一の基板搬送装置、第二の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う一台の第一の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第二の基板搬送装置と、前記第一の基板搬送装置、第二の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置であって、
前記制御手段は、半導体製造装置全体の概要を表示する全体概要表示画面を表示することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記制御手段は、所定の画面上での入力を受け付ける画面制御部と、所定の画面上でボタンを押下すると画面を切替える画面切替え部とを設け、前記全体概要表示画面で所定の項目を選択すると、該項目画面に切替表示することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記全体概要表示画面はツリー表示されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に操作部の操作画面における画面切替え技術に係り、該画面を制御する画面制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の画面コントローラは、モニタデータ表示画面、パラメータ編集画面等、多種の画面から構成されており、各画面は使用目的により分類、管理されている。
【０００３】
目的とする画面へのアクセスは、上位階層から順に詳細機能を選択していくため、画面操作数が増え、作業効率が低下してしまう。
【０００４】
図４の画面１の３階層のＶＬ１ガス画面から画面２の３階層のＶＬ１レシピ画面へ移動する場合、一旦、１階層目のシステム画面まで戻り、ＶＬ１レシピ編集画面、ＶＬ１レシピ画面へ移動するため、操作数が３となる。つまり、画面を切替える回数が多く操作が面倒である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上記画面操作数が多く、操作が面倒であるという問題点を解消し、作業効率を向上させるとともに、操作の快適さを向上させる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の特徴とするところは、大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う一台の第一の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第二の基板搬送装置と、前記第一の基板搬送装置、第二の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置であって、前記制御手段は、半導体製造装置全体の概要を表示する全体概要表示画面を表示することにある。
【０００７】
本発明の第２の特徴とするところは、第１の特徴において、所定の画面上での入力を受け付ける画面制御部と、所定の画面上でボタンを押下すると画面を切替える画面切替え部とを設け、前記全体概要表示画面で所定の項目を選択すると、該項目画面に切替表示することにある。
【０００８】
本発明の第３の特徴とするところは、第１又は第２の特徴において、前記全体概要表示画面はツリー表示されるにことにある。
【発明の効果】
【０００９】
画面操作数が減少するので作業効率が向上するとともに操作ストレスの軽減になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態によるインライン型半導体製造装置の構成例を示す。インライン型半導体製造装置は、真空側と大気側とに分かれる。
【００１１】
真空側には、２つの基板処理モジュールＭＤ１、ＭＤ２が並列に設けられる。基板処理モジュールＭＤ１は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ１とから構成されている。基板処理モジュールＭＤ２は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ２と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ２とから構成されている。プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とはゲートバルブＧ１で接続されている。プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２とはゲートバルブＧ２で接続されている。
【００１２】
プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２は、化学反応(例えば、ＣＶＤ)による成膜など、基板としてのウェハＷに付加価値を与える機能を持っている。また、ガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構など成膜方式に合せた機構を持っている。
【００１３】
バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空又は大気圧のチャンバ内圧力を制御可能に構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２が１台ずつ独立して設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１間、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間とでウェハＷを搬送することが可能になっている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、ウェハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージを有する。上段のバッファステージＬＳ１，ＬＳ２ではウェハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１，ＣＳ２ではウェハＷを冷却する機構を持っている。
【００１４】
大気側には、基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２を構成するバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気ローダＬＭと、この大気ローダＬＭに接続された基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１，ＬＰ２とが設けられる。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、ウェハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージを有する。上段のバッファステージＬＳ１，ＬＳ２ではウェハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１，ＣＳ２ではウェハＷを冷却する機構を持っている。
【００１５】
大気側には、基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２を構成するバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気ローダＬＭと、この大気ローダＬＭに接続された基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１，ＬＰ２とが設けられる。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１とはロードドアＧ３（ゲートバルブ）で接続されている。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ２とはロードドアＧ４（ゲートバルブ）で接続されている。大気ローダＬＭには、１台の大気ロボットＡＲが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間でウェハＷを搬送することが可能になっている。また、大気ローダＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられ、搬送時のウェハＷのずれの補正やノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ（以下、アライメントという）を行うことが可能となっている。また、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、複数枚のウェハＷが保持可能なキャリアＣＲ１，ＣＲ２を、半導体製造装置外部と受渡し可能に構成されている。
【００１６】
上述した真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２，大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１，Ｇ２、ロードドアＧ３，Ｇ４、及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構や、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の冷却機構等は、制御手段ＣＮＴにより制御するようになっている。
【００１７】
また、制御手段ＣＮＴは、２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２の中で、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での処理が早く済んだ基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２からバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に処理済みのウェハＷを搬送するよう大気ロボットＡＲを制御する。また、処理済みのウェハＷがバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に搬送されたことを検知すると、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２を真空圧から大気圧に復帰するよう制御するとともに、処理済みのウェハＷの搬送された基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２に対して未処理ウェハＷを搬送するために、この大気圧復帰制御と並行して、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２から次の未処理ウェハＷを大気ローダＬＭに搬送して待機させるよう真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２を制御するようになっている。
【００１８】
処理済のウェハＷがバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に搬送されたことを検知する手段は、真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２の基板載置部に処理済ウェハＷが載置され、且つ真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２の基板載置部がバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２内にあることを検知するセンサで構成したり、又はバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に設けられた基板保持部に保持される処理済ウェハＷを検知するセンサで構成したりすることができる。
【００１９】
バキュームロックチャンバＶＬの内部には、真空ロボットＶＲを備え、また、上段のバッファステージＬＳは、ウェハＷを３点支持可能な３本のピンで構成される。下段のクーリングステージＣＳは、ウェハＷを面接触可能なプレートＰＬで構成される。
【００２０】
上記センサは、バキュームロックチャンバＶＬの所定の箇所に取り付けられる。例えば、ステージＬＳ，ＣＳ上のウェハＷ有無を検知するセンサＳ１は、プレートＰＬ上の所定の部位に対応した蓋側に設けられる。プロセスチャンバＰＭの搬入出の際に、真空ロボットＶＲ上のウェハ有無を検知するセンサＳ２は、プロセスチャンバＰＭ側に通じる開口の手前の所定の部位に対応した蓋側に設けられる。尚、以降の説明では、センサＳ１の場合を説明する。
【００２１】
各基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２ではウェハＷ搬送が独立に行われる。真空ロボットＶＲ１又はＶＲ２により、ウェハＷをバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２内のバッファステージＬＳ１又はＬＳ２から受け取り、プロセスチャンバＰＭ１又はＰＭ２に搬入して、ウェハＷの処理、例えばプラズマ処理を行う。ウェハＷの処理が完了すると、真空ロボットＶＲ１又はＶＲ２により処理済みウェハＷを受け取り、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２内のクーリングステージＣＳ１又はＣＳ２に保持して、ウェハＷを冷却する。
【００２２】
冷却後、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２を大気圧に復帰させる。バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２を大気圧に復帰させるのと並行して、ロードポートＬＰ１又はＬＰ２のキャリアＣＲ１又はＣＲ２から未処理のウェハＷを、大気ロボットＡＲにより大気ローダＬＭに取り出し、アライナユニットＡＵを経由させてアライメントを行い、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２が大気圧に復帰するまで、バキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２の前で待機させる。
【００２３】
大気圧復帰後、待機させていたアライメント済みのウェハＷを、大気ロボットＡＲにより大気ローダＬＭからバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２内のバッファステージＬＳ１又はＬＳ２に搬入する。他方、大気ロボットＡＲによりバキュームロックチャンバＶＬ１又はＶＬ２から冷却済みのウェハＷを取り出し、大気ローダＬＭを介してロードポートＬＰ１又はＬＰ２のキャリアＣＲ１又はＣＲ２に払い出す。上述した一連の処理を繰り返す。
【００２４】
ここで、上述した半導体製造装置を制御する制御手段ＣＮＴについて具体的に説明する。制御手段ＣＮＴは、制御用コントローラとして半導体製造装置に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図２のような制御用コントローラの構成を示す。
【００２５】
制御用コントローラは、操作部１００、統括制御コントローラ９０、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２が、ＬＡＮ回路８０で接続されている。操作部１００は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面、機能を持つように構成される。ここで、制御用コントローラは図１の制御手段ＣＮＴに相当する。
【００２６】
統括制御コントローラ９０では、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ９１、大気ロボットコントローラ９２、ＶＬ排気系（ＭＦＣ９３やバルブ、ポンプ等）などの制御を行う。
【００２７】
プロセスチャンバコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２では、各プロセスチャンバＰＭを個別に制御するために、それぞれ、ガスの流量を制御するマスフローコントローラＭＦＣ１１、プロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するオトプレッシャコントローラＡＰＣ１２、チャンバ内の温度を制御する温度調整器１３、ガス排気用のバルブのオン/オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４などが接続されている。
【００２８】
この制御用コントローラの運用例としては、操作部１００からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ９０が、ウェハＷ搬送指示を大気ロボットコントローラ９２に指示する。該当ウェハＷがキャリアＣＲからバキュームロックチャンバＶＬのバッファステージＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬの真空排気制御（ポンプ、バルブの制御）を実施する。バキュームロックチャンバＶＬが所定の真空圧力に達したところで、該当プロセスチャンバＰＭへウェハＷを搬送することを、真空ロボットＶＲに指示する。搬送が完了しゲートバルブＧを閉じたところで、該当プロセスチャンバコントローラＰＭＣに対してプロセスレシピの実行指示を行う。
【００２９】
図３より操作部１００を詳述する。
【００３０】
図３に示されているように、制御用コントローラは、パーソナルコンピュータ等から構築された操作部１００を備えている。操作部１００にはＬＡＮ回路８０を介して、統括制御コントローラ９０プロセスチャンバコントローラＰＭＣ１，ＰＭＣ２等が接続されている。操作部１００には、キーボードやマウス等によって構成された入力装置８１、テレビモニタ等によって構成された表示装置８２、記憶媒体駆動装置等によって構成された記憶装置８３等が接続されている。また、操作部１００はホストコンピュータ８４に接続ができるようになっている。
【００３１】
操作部１００は、画面制御部８５としてのＧＵＩ（グラフィカル・ユーザ・インターフェース）システムを備えている。ＧＵＩシステムは、表示装置８２に表示された操作画面上のアイコン（機能を表す図形記号）をマウスポインタで指示してクイックしたり、カーソルで指示して決定したりして選択することにより、画面を切替えたり、処理や命令、判断及び制御パラメータ等のデータ（情報）を入力することができるようになっている。
【００３２】
操作部１００には画面切替システム（画面切替部）８６が組み込まれている。画面切替部８６は、所定のボタンが押下されると、操作画面上にメニュー画面を表示させ、該メニュー画面上で表示されている項目（ファイル）を選択すると、操作画面を選択した画面に切替えるように構成されている。
【００３３】
図５に示されているように、本実施の形態におけるメニュー画面は装置全体の概要を表示する画面をトップとしたツリー状で構成される。
【００３４】
上記メニュー画面は、任意の画面上において常時表示されており、移動、サイズ変更が可能である。Windowsエクスプローラのフォルダ表示のように右上のアイコン（＋（又は−）ボタンなど）を押下することで階層を展開、閉じることができる。
【００３５】
上記メニュー画面に表示されているメニュー（項目）をクリック（選択）することで、該クリック（選択）した画面を表示させることができるように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施の形態によるインライン型半導体製造装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態によるインライン型半導体製造装置の制御用コントローラの構成図である。
【図３】実施の形態によるインライン型半導体製造装置の制御用コントローラの詳細図である。
【図４】従来の画面切替を説明するための図
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示すメニュー画面
【符号の説明】
【００３７】
８５  画面制御部（ＧＵＩ）
８６  画面切替部（画面切替システム）
９０  統括制御コントローラ
１００  操作部  （ＣＮＴ  制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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