(57)【要約】【課題】情報の記録にあたって、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリを適切に選択して記録を行い、各メモリを有効に活用することを目的とする。【解決手段】情報の記録の際に、半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲以上である場合に半導体メモリ１０１に情報を記録し、半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲未満であり、磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上である場合に磁気メモリ１０２に情報を記録し、半導体メモリ１０１及び磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満である場合に光メモリ１０３に情報を記録し、記録した情報を再生する際に、アクセス回数をカウントして、比較的アクセス回数の多い情報を半導体メモリ１０１に移動し、比較的アクセス回数の少ない情報を光メモリ１０３に移動する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の記録の際に、半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合に前記半導体メモリに情報を記録し、
前記半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満であり、磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合に前記磁気メモリに情報を記録し、
前記半導体メモリ及び磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に光メモリに情報を記録し、
前記記録した情報を再生する際に、アクセス回数をカウントして、比較的アクセス回数の多い情報を前記半導体メモリに移動し、比較的アクセス回数の少ない情報を前記光メモリに移動する
情報記録方法。
【請求項２】
情報の記録の際に、前記情報のアクセス回数を所定値に設定し、
前記情報の再生の際に、前記情報のアクセス回数に所定の値を加算して保持すると共に、
前記情報が磁気メモリに記録されており、前記加算後のアクセス回数が前記半導体メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値を超え、前記半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、前記情報を前記磁気メモリから前記半導体メモリに移動し、
前記情報が光メモリに記録されており、前記加算後のアクセス回数が前記磁気メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値を超え、前記磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、前記情報を前記光メモリから前記磁気メモリに移動する請求項１記載の情報記録方法。
【請求項３】
前記情報を半導体メモリに移動する際に、前記半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、前記半導体メモリ内の情報のうち最小のアクセス回数の情報を前記磁気メモリに移動し、
前記情報を磁気メモリに移動する際に、前記磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、前記磁気メモリ内の情報のうち最小のアクセス回数の情報を前記光メモリに移動する請求項１又は２記載の情報記録方法。
【請求項４】
前記記録時に設定するアクセス回数の所定値として、
前記半導体メモリに記録する場合はα（αは自然数）とし、
前記磁気メモリに記録する場合はβ（βは自然数、β＜α）とし、
前記光メモリに記録する場合はγ（γは自然数、γ＜β）又は０とする請求項１記載の情報記録方法。
【請求項５】
前記光メモリの記録領域の空きが所定範囲未満となった場合に、前記光メモリを交換する請求項１記載の情報記録方法。
【請求項６】
前記情報の記録又は再生に用いていないメモリの動作を停止する請求項１記載の情報記録方法。
【請求項７】
情報が優先的に記録される半導体メモリと、
前記半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に優先的に情報が記録される磁気メモリと、
前記半導体メモリ及び磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に情報が記録される光メモリと、
前記情報の再生の際にアクセス回数を加算すると共に、前記半導体メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値と比較するか、又は、前記磁気メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値と比較するかのいずれか１つ以上が行われ、前記情報を前記半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリの間で移動する制御部と、を有する
情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリを有する情報記録方法及び情報記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大容量の情報を記録する記録媒体として、半導体メモリ、ハードディスク等の磁気メモリ、光ディスク等の光メモリが利用されている。これらのメモリは通常一つのストレージとして扱われることはなく、それぞれ独立のメモリとして扱われている。
【０００３】
これに対し、近年、ハードディスクドライブにフラッシュメモリ等の半導体メモリをキャッシュメモリとして搭載した記憶装置であるハイブリッドメモリが提案されている。このハイブリッドメモリでは、半導体メモリとハードディスクを協調動作させることにより、ハードディスク単独によるストレージシステムよりも転送速度を高速化することができる。ハイブリッドメモリにおいては、アクセス頻度の高いデータを半導体メモリに記録し、それ以外のデータをハードディスクに記録している。
【０００４】
また、医用画像情報を記録するシステムとして、使用頻度の高い情報を比較的高速な記録装置に記憶させ、比較的使用頻度の低い情報は比較的低速な記録装置に記録させるデータベースシステムが提案されている。このシステムでは、高速記録装置としてＣＣＤ（Charge Coupled Device）や磁気ディスク等、低速記録装置として光ディスク装置が用いられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１４５９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述のハイブリッドメモリでは、光ディスクを含めた協調動作は考慮されておらず、光ディスクは単独のリムーバブルメモリとして使われているだけである。
そして、ほとんどアクセスのないデータがハードディスクに占める割合が大きくなった場合に、ユーザー自身がデータを光ディスクに移動させるか消去して、ハードディスク容量を空けるしかなかった。
また、上記データベースシステムにおいても、半導体メモリを含めた協調動作は考慮されていない。
【０００６】
現在、個人向けのパーソナルコンピュータ等の情報記録装置においては、光メモリはシステムプログラムのインストール時や、音楽ソフトや映像ソフトを視聴する場合のみに使用される。一方、画像情報等を可搬性の記録媒体として例えば光メモリに記録する際には、ユーザーが手動で処理する必要がある。つまり、光メモリに関しては他のメモリと連動したメモリとして機能しておらず、いわば総合的なメモリシステムとして活用されていないのが現状である。
【０００７】
光ディスクは可換性があるため、記録領域の空きがなくなったら容易に別の光ディスクと交換できるという利点がある。加えて光ディスクの場合、近年一枚のディスクの記憶容量は２５ＧＢ、５０ＧＢと増加しており、また１００ＧＢ程度の次世代光ディスクの開発も進められている。
しかしながら、上述したように、半導体メモリ及び磁気メモリに加えて光メモリをも積極的に情報を格納する手段として用いる技術は提案されていない。
【０００８】
以上の問題に鑑みて、本発明は、情報の記録にあたって、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリを適切に選択して記録を行い、各メモリを有効に活用することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明による情報記録方法は、情報の記録の際に、半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合に前記半導体メモリに情報を記録し、半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満であり、磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲以上である場合に磁気メモリに情報を記録し、半導体メモリ及び磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に光メモリに情報を記録し、記録した情報を再生する際に、アクセス回数をカウントして、比較的アクセス回数の多い情報を半導体メモリに移動し、比較的アクセス回数の少ない情報を光メモリに移動する。
【００１０】
また、本発明による情報記録装置は、情報が優先的に記録される半導体メモリと、半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に優先的に情報が記録される磁気メモリと、半導体メモリ及び磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満である場合に情報が記録される光メモリと、情報の再生の際にアクセス回数を加算すると共に、半導体メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値と比較するか、又は、磁気メモリに対して設定されたアクセス回数の閾値と比較するかのいずれか１つ以上が行われ、情報を半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリの間で移動する制御部と、を有する。
【００１１】
本発明においては、情報の記録にあたって、記録領域の空きが所定範囲以上である場合は半導体メモリに優先的に情報を記録し、半導体メモリの記録領域の空きが所定範囲未満の場合は磁気メモリに記録する。磁気メモリの記録領域の空きが所定範囲未満の場合は光メモリに記録する。また、情報の記録の際にアクセス回数を所定の値に設定し、再生の際にアクセス回数に所定の値を加算して、加算後のアクセス回数と、半導体メモリや磁気メモリに設定したアクセス回数の閾値と比較して、情報をメモリ間で移動する。
【００１２】
このように、本発明では、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリをいわば一つのストレージシステムとして扱う。ユーザーは手動処理でどのメモリに記録を行うかその都度判断する必要がなく、自動的に適切なメモリに、すなわちアクセス回数によって分類して判断したメモリに情報が記録される。したがって、情報のアクセス頻度に応じて、アクセス頻度が低い情報を半導体メモリから磁気メモリ、磁気メモリから光メモリへ、と順に移動する。逆にアクセス頻度が高い情報を光メモリから磁気メモリ、磁気メモリから半導体メモリへと移動することとなる。これにより、全てのメモリを有効に活用することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、情報の記録にあたって、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリを適切に選択して記録を行い、各メモリを有効に活用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の実施の形態例に係る情報記録装置の概略構成図を図１に示す。本例の情報記録装置１００は、図１に示すように、半導体メモリ１０１、ハードディスク等の磁気メモリ１０２、記録容量が例えば２５ＧＢ，５０ＧＢ或いはそれ以上とされる大容量の光ディスク等より成る光メモリ１０３とを有する。更に、これらのメモリに対して情報の記録又は再生の制御を行う制御部１０４、いわゆるＣＰＵ（中央演算装置）を備える。図示しないが、情報記録装置１００には、ユーザーが情報を入出力する入出力手段や情報の表示を行う表示部等が更に設けられていてもよい。
【００１５】
次に、この情報記録装置１００によって実施される本発明の実施の形態例に係る情報記録方法を図２〜図６を参照して説明する。先ず、図２を参照して情報の記録の際の処理について説明する。
図２に示すように、情報の記録の際には先ず、半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲以上かどうかを判断する（ステップＳ１）。半導体メモリ１０１に記録領域の空きが所定範囲以上ある場合は、半導体メモリ１０１に情報の書き込みを行う（ステップＳ２）。そして、アクセス回数のカウント値Ｎを例えばＮ＝α（αは自然数）に設定し（ステップＳ３）、ステップＳ１１に進む。
【００１６】
半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上かどうかを判断する（ステップＳ４）。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、磁気メモリ１０２に情報の書き込みを行う（ステップＳ５）。この場合はアクセス回数のカウント値Ｎを例えばＮ＝β（βは自然数、β＜α）に設定し（ステップＳ６）、ステップＳ１１に進む。
【００１７】
磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上かどうかを判断する（ステップＳ７）。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、光メモリ１０３に情報の書き込みを行う（ステップＳ８）。更に、アクセス回数のカウント値Ｎを例えばＮ＝γ（γは自然数、γ＜β＜α）に設定し（ステップＳ９）、ステップＳ１１に進む。この値γは０（ゼロ）でもよい。なお、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、光メモリ１０３を新規な光メモリに交換する（ステップＳ１０）。以上のステップをもって、情報の記録処理が終了する（ステップＳ１１）。
【００１８】
なお、ここで記録領域の空きの所定範囲とは、任意の閾値を設定することができる。所定範囲として空きが０％であると設定すると、情報の移動が頻繁に発生してしまうので、情報のアクセス速度が遅くなる恐れがある。したがって、閾値を適宜設定することが望ましく、例えば５〜１０％、場合によっては２０％程度等、各メモリの記憶容量やアクセス速度等を考慮して適宜設定することができる。
【００１９】
以上の記録処理を行うことで、半導体メモリ１０１が第一優先で情報が記録され、半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は第二優先である磁気メモリ１０２に情報が記録される。そして、磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は第三優先である光メモリ１０３に情報が記録される。また、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、光メモリ１０３例えば光ディスクを交換することで、新たな記録領域を確保することができる。
【００２０】
また、記録初回時においても所定のα、β、γをアクセス回数に設定するので、例えば半導体メモリ１０１や磁気メモリ１０２に記録された情報を、２回目のアクセス時に直ちに光メモリ１０３に移動する必要がなく、無駄な移動処理を回避することができる。
【００２１】
次に、図３〜図６を参照して情報の再生の際の処理について説明する。
図３に示すように、情報の再生の際には先ず、その情報が半導体メモリ１０１に記録されているかどうかを判断する（ステップＳ２１）。半導体メモリ１０１に情報が記録されている場合は、半導体メモリ１０１から情報を読み出す（ステップＳ２２）。その後ステップＳ２６に進む。
【００２２】
情報が半導体メモリ１０１に記録されていない場合は、情報が磁気メモリ１０２に記録されているかどうかを判断する（ステップＳ２３）。情報が磁気メモリ１０２に記録されている場合は、磁気メモリ１０２から情報を読み出す（ステップＳ２４）。その後ステップＳ２６に進む。
更に、情報が磁気メモリ１０２に記録されていない場合は、情報を光メモリ１０３から読み出す（ステップＳ２５）。
【００２３】
情報を読み出した後は、アクセス回数のカウント値Ｎに所定の値、例えば１を加算してＮ＝Ｎ＋１とする（ステップＳ２６）。
そして、アクセス回数のカウント値ＮがＮ＞αであるかどうかを判断する（ステップＳ２７）。Ｎ＞αである場合は、情報が半導体メモリ１０１に記録されているかどうかを判断する（ステップＳ２８）。ステップＳの判断が「ＮＯ」、すなわちアクセス回数のカウント値ＮがＮ≦αの場合（Ｂ）については後述する。情報が半導体メモリ１０１に記録されている場合は、情報をそのまま保存して（ステップＳ２９）、処理を終了する（ステップＳ３０）。一方、情報が半導体メモリ１０１に記録されていない場合は、情報を半導体メモリ１０１に保存する処理（Ａ）を開始する。
【００２４】
情報の移動にあたっては、図４に示すように、先ず半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ３２）。半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲以上の場合は、後述するステップ３７に進む。一方、半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲未満の場合は、磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ３３）。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、後述するステップＳ３６に進む。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ３４）。
【００２５】
ここで記録領域の空きの所定範囲とは、上述した情報を記録する際に設定する所定範囲と同様の閾値が設定される。
【００２６】
上記ステップＳ３４において光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合（Ｃ）については後述する。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上である場合、先ず、磁気メモリ１０１内の情報のうち、アクセス回数が最小の情報Ｄｍを光メモリ１０３に移動して保存する。そしてこの情報Ｄｍのアクセス回数のカウント値Ｎを上述の光メモリ１０３に対して設定された値γ、例えば０に再設定する（ステップＳ３５）。
【００２７】
次に、上記ステップＳ３５の処理によって空きが生じた磁気メモリ１０２に、半導体メモリ１０１内の情報のうち、アクセス回数が最小の情報Ｄｓを移動して保存する。そしてこの情報Ｄｓのアクセス回数のカウント値Ｎを上述の磁気メモリ１０２に対して設定された値βに再設定する（ステップＳ３６）。
【００２８】
その後、半導体メモリ１０１に、読み出しを行った情報を移動して保存する（ステップＳ３７）。これで先ず、情報のアクセス回数ＮがＮ＞αである場合の読み出しの処理が終了する（ステップＳ３８）。
【００２９】
次に、図５を参照して、図３に示すステップＳ２７において情報のアクセス回数のカウント値ＮがＮ≦αである場合（Ｂ）を説明する。この場合は、先ずカウント値ＮがＮ＜βであるかどうかを判断する（ステップＳ４１）。Ｎ＜βである場合は、先ず光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ４２）。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合（Ｃ）については後述する。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、情報を光メモリ１０３に保存して（ステップＳ４３）、処理を終了する（ステップＳ４４）。
【００３０】
一方、ステップＳ４１において、Ｎ≧βである場合は、先ず、磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ４５）。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、後述するステップＳ４８に進む。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満である場合は、次に、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上であるかどうかを判断する（ステップＳ４６）。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合（Ｃ）については後述する。光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲以上である場合は、磁気メモリ１０２内の情報のうち、アクセス回数が最小の情報Ｄｍを、光メモリ１０３に移動して保存する。そしてこの情報Ｄｍのアクセス回数のカウント値Ｎを光メモリ１０３に対して設定された値γ、例えば０に再設定する（ステップＳ４７）。そして、情報を磁気メモリ１０２に保存する（ステップＳ４８）。以上で情報のアクセス回数Ｎがα≧Ｎ≧βである場合の処理も終了する（ステップＳ４９）。
【００３１】
最後に、図４に示すステップＳ３４、図５に示すステップＳ４２及びＳ４６において、光メモリ１０３の記録領域の空きが所定範囲未満である場合（Ｃ）について、図６を参照して説明する。この場合は、光メモリ１０３を新規な光メモリに交換する処理を行う（ステップＳ５１）。そして新規な光メモリに情報を保存して（ステップＳ５２）、読み出しの処理を終了する（ステップＳ５３）。
【００３２】
以上説明したように、本例の情報記録方法は、以下の項目を有する。
（１）半導体メモリ１０１、磁気メモリ１０２、光メモリ１０３を有し、最初の記録の再には、半導体メモリ１０１が第一優先で情報が記録される。半導体メモリ１０１の記録領域の空きが所定範囲未満になると、第二優先である磁気メモリ１０２、例えばハードディスクに情報が記録される。磁気メモリ１０２の記録領域の空きが所定範囲未満になると、第三優先である光メモリ１０３、例えば光ディスクに情報が記録される。
【００３３】
（２）情報のアクセス頻度に応じて、上記の３つのメモリを使い分ける。アクセス頻度が高いものは半導体メモリ、中ぐらいものは磁気メモリ、低いものは光メモリに保存する。これらのアクセス頻度は、閾値を設けて分類する。
【００３４】
（３）情報が蓄積されると、アクセス頻度が低い情報で光メモリの記録領域の空きが所定範囲未満、または０となる。その場合は、光メモリ、例えば光ディスクを新しい別の光メモリに交換する。
【００３５】
上記（１）、（２）に示すように、本例に係る情報記録方法は、アクセス頻度に応じてメモリを自動的に使い分ける。
また、上記（３）の項目を含む場合、光メモリを準固定ストレージシステムとして扱い、光メモリ容量が一杯になった時点で交換することで、光メモリの容量は原理的に上限がなくなる。
【００３６】
このようにすることで、アクセス回数が最も少ない情報を自動的に光メモリに移動させ、半導体メモリ、磁気メモリの空き容量はユーザーが意識することなく、ある程度確保されているようにすることができる。つまり、半導体メモリの記録領域が一杯になったらアクセス回数の少ない情報を自動的に磁気メモリに移動し、磁気メモリの記録領域が一杯になったらアクセス回数の少ない情報を自動的に光メモリに移動する。光メモリの記録領域が一杯になったら、光メモリそのものを新しい光メモリに交換することで、情報の蓄積を続けて行うことができる。
【００３７】
このように本発明の情報記録方法、情報記録装置においては、光メモリを従来の光ディスク等とは異なり、準固定型メモリとして扱い、アクセス速度がやや遅いハードディスクに相当する機能をもたせる。このことは、光ディスクを単なるリムーバブルメディアとして使用していた従来の用い方とは異なり、機能を拡張しているといえる。
【００３８】
またアクセス頻度の判別については、上述したように、情報の読み出し毎にアクセス回数をカウントして、また各メモリに対してアクセス回数の閾値を設けることで行う。アクセス回数と閾値の大小により、アクセス数が多いか少ないかを判断すればよい。
【００３９】
更に、本例の情報記録方法及び情報記録装置において、次のようにしてもよい。
（４）情報の記録処理又は再生処理に用いていないメモリは、動作を停止する。つまり、半導体メモリのみで情報の処理が行われ、いわば処理が半導体メモリで閉じている場合は、磁気メモリ及び光メモリの動作は停止する。
このように記録、再生に使用していないメモリの動作を停止することで、消費電力を抑制するとともに、ハードディスク等の磁気メモリ、光ディスク等の光メモリの故障時間（ＭＴＢＦ：Mean Time Between Failure）を伸ばす利点がある。
【００４０】
特に、ハードディスクのヘッドとディスク間のギャップは数ｎｍであり、極めて微小である。また、光ディスクとして大容量が実現可能な近接場光を用いたシステムを想定すると、ギャップは数十ｎｍであり、微小である。このため、ハードディスクや光ディスクのようなメカニカル動作により情報を記録、再生するシステムを用いる場合、使用していない間はヘッドをディスクから離間させ、停止状態にしておく方が望ましい。このように使用していないメモリを停止することにより、ヘッドとディスクとの不要な衝突を避けることができ、故障を防止するために有利となる。
【００４１】
なお、上述の実施の形態例においては、半導体メモリ、磁気メモリ及び光メモリの使い分けは、アクセス速度の速さに着目して行っている。つまり、アクセス速度は、一般に、半導体メモリ、ハードディスク等の磁気メモリ、光ディスク等の光メモリの順で遅くなる。そこで、アクセス頻度が高いものほど半導体メモリに保存した方が、ユーザーの要求に対する反応速度は速くなり有利である。
【００４２】
一方、アクセス頻度が低い情報は、半導体メモリに記録するよりもハードディスク等の磁気メモリに記録する方が、よりアクセス速度の高い半導体メモリの空き容量に余裕が生まれる。同様に、更にアクセス頻度の低い情報は磁気メモリに記録するよりも光メモリに記録した方が、比較的高速なアクセス速度をもつ磁気メモリの空き容量に余裕が生まれる。その結果、ユーザーがアクセスした情報はまず、半導体メモリに記憶されることになり、結果的に実効的な転送速度を速くすることができる。
【００４３】
またこのような処理を行うことにより、アクセス回数が最も少なく固定されたスタティックな情報で半導体メモリや磁気メモリが占有されてしまうことを防ぐことができる。このような情報は、むしろ比較的長期信頼性に優れた光メモリに記録する方が望ましい。もちろん、不要な情報はユーザーが除去すればよい。光メモリがこのような情報で一杯になったら、上述の如く新規な光メモリと交換すれば、また同様の記録処理が可能となる。
【００４４】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではない。例えば、情報の読み出しの際に行うこととして説明した、アクセス回数が最小の情報を他のメモリに移動する処理を、再生時ではなく記録時に行う等、本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態例に係る情報記録装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態例に係る情報記録方法のフローチャートを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態例に係る情報記録方法のフローチャートを示す図である。
【図４】本発明の実施の形態例に係る情報記録方法のフローチャートを示す図である。
【図５】本発明の実施の形態例に係る情報記録方法のフローチャートを示す図である。
【図６】本発明の実施の形態例に係る情報記録方法のフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１００．情報記録装置、１０１．半導体メモリ、１０２．磁気メモリ、１０３．光メモリ、１０４．制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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