(57)【要約】【課題】  バンプのつぶれ量を簡単な構成で検出することができ、半導体チップおよび基板の接続の信頼性を向上することができるフリップチップ実装方法を提供する。【解決手段】  半導体チップの一表面部に、処理回路に電気的に接続される回路接続用バンプと、回路接続用バンプよりも突出量の小さい検出用バンプとを形成しておき、半導体チップが実装される基板の一表面部のうち、回路接続用バンプおよび前記検出用バンプにそれぞれ対応する位置に、被接続部を形成しておき、回路接続用バンプを被接続部に接触させて、半導体チップに、基板に向かう方向の荷重を付与して、回路接続用バンプと被接続部との接合を開始し、検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出し、検出結果に応じて前記接合を終了する。【選択図】      図５
2009064844.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの一表面部に、導体から成り、かつ半導体チップに形成される処理回路に電気的に接続される回路接続用バンプと、導体から成り、かつ回路接続用バンプよりも突出量の小さい検出用バンプとを形成する工程と、
前記半導体チップが実装される基板の一表面部のうち、前記回路接続用バンプおよび前記検出用バンプにそれぞれ対応する位置に、導体から成る被接続部を形成する工程と、
前記回路接続用バンプを前記被接続部に接触させて、前記半導体チップに、前記基板に向かう方向の荷重を付与して、前記回路接続用バンプと前記被接続部との接合を開始する工程と、
前記検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出し、検出結果に応じて前記接合を終了する工程と、を含むフリップチップ実装方法。
【請求項２】
前記検出用バンプを、相互に離間した複数の位置に設けることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ実装方法。
【請求項３】
前記半導体チップに配線を形成して、２つの前記検出用バンプを電気的に接続する工程と、
前記配線によって接続される２つの前記検出用バンプがそれぞれ接触すべき各被接続部が短絡状態になると、前記検出用バンプと前記被接続部とが接触していると判断する工程と、を含む請求項２に記載のフリップチップ実装方法。
【請求項４】
前記各検出用バンプが、それぞれ接触すべき各被接続部にそれぞれ接触したとき、各検出用バンプと、各被接続部とが直列に接続されるように、前記半導体チップおよび前記基板に配線が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のフリップチップ実装方法。
【請求項５】
前記半導体チップの一表面部に、導体から成り、前記回路接続用バンプよりも突出量が小さく、かつ前記検出用バンプよりも突出量が大きい第２検出用バンプを形成する工程、
前記基板の一表面部のうち、前記第２検出用バンプに対応する位置に、前記被接続部を形成する工程と、
前記第２検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出したときに、前記半導体チップに超音波振動を付与する工程と、
前記検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出し、検出結果に応じて超音波振動の付与を停止する工程と、を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載のフリップチップ実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
第１の従来の技術では、バンプを備える半導体チップを基板に実装するときに、前記バンプが基板に当接してから接合されるまでの間に、半導体チップに与えられる荷重を変化させたり、超音波振動の振幅を変化させたりして、半導体チップに与えられる荷重と、超音波振動の振幅とを細かく調整することによって、バンプの変形量を抑制し、バンプの破壊を防止して、半導体チップと基板との接合強度を高めている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
また第２の従来の技術では、超音波ボンディング方法において、部品に対する超音波信号の印加終了時のタイミングを、バンプの沈み込み量の微分係数値を基に、バンプと金属部分との接合面が破壊モードに移行する直前に設定している（たとえば特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３５２０７号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した第１の従来の技術では、半導体チップに与えられる荷重と、超音波振動の振幅および時間とに基づいてバンプのつぶれ量を推定しているので、バンプによって接合が為されずに、単に接触しているだけとなったり、つぶし過ぎとなったりするおそれがある。たとえばバンプを介して半導体チップに信号を与えることによって、バンプが電気的に接触していることは判るが、単に接触しているだけのバンプがあるか否かについては、信号を与えるだけでは検出することができないし、つぶし過ぎているか否かについても、検出することはできないという問題がある。
【０００６】
また前述した第２の従来の技術では、バンプの沈み込み量の微分係数値を求めるために、構成および計算処理が複雑になってしまうという問題がある。
【０００７】
したがって本発明の目的は、バンプのつぶれ量を簡単な構成で検出することができ、半導体チップおよび基板の接続の信頼性を向上することができるフリップチップ実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明（１）に従えば、半導体チップの一表面部に、導体から成り、かつ半導体チップに形成される処理回路に電気的に接続される回路接続用バンプと、導体から成り、かつ回路接続用バンプよりも突出量の小さい検出用バンプとを形成する工程と、
前記半導体チップが実装される基板の一表面部のうち、前記回路接続用バンプおよび前記検出用バンプにそれぞれ対応する位置に、導体から成る被接続部を形成する工程と、
前記回路接続用バンプを前記被接続部に接触させて、前記半導体チップに、前記基板に向かう方向の荷重を付与して、前記回路接続用バンプと前記被接続部との接合を開始する工程と、
前記検出用バンプと前記被接続部との接触を電気的に検出し、検出結果に応じて前記接合を終了する工程と、を含む特徴とするフリップチップ実装方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明（１）よれば、検出用バンプは、回路接続用バンプよりも突出量が小さいので、基板に形成される被接続部に検出用バンプが接触したときには、回路接続用バンプについては被接続部に接触している。回路接続用バンプの突出量に対する検出用バンプの突出量の比率を予め定めておけば、検出用バンプが被接続部に接触したときに、回路接続用バンプがどの程度つぶれて接合されたかを規定することができる。これによって、検出用バンプと被接続部との接触を電気的に検出するという簡単な構成で、回路接続用バンプのつぶれ量がわかり、検出用バンプと被接続部とが接触すると接合を終了することによって、回路接続用バンプがつぶれ過ぎてしまうことが抑制される。したがって、半導体チップおよび基板の接続の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施の一形態のフリップチップ実装方法によってフリップチップ実装を行う実装装置１の構成を示す機能ブロック図である。また図２は、バンプ２２が設けられている半導体チップ１０の構成を簡略化して示す側面図である。図２では、図面が煩雑となるのを防止するために、バンプ２２の数を少なくして示し、また処理回路については、図示を省略している。また図３は、半導体チップ１０が実装される基板１１の構成を模式的に示す側面図である。図３では、図面が煩雑となるのを防止するために、被接続部３３の数を少なくして示す。
【００１１】
実装装置１は、搬送部２と、吸引部３と、超音波振動源４と、測定部５と、制御部６と、操作部７と、撮像部１９と、保持台２０を含んで構成され、バンプ２２が設けられている半導体チップ１０を、基板１１に実装する。
【００１２】
搬送部２は、半導体チップ１０を、保持台２０に保持される基板１１に搬送する。保持台２０は、冶具を有し、基板１１を着脱自在に保持することができる。搬送部２は、駆動部１３と、駆動部１３によって３次元方向に移動可能であって、半導体チップ１０を保持可能なツール１４とを含む。搬送部２は、たとえば６軸ロボットによって実現される。駆動部１３はモータによって実現される。ツール１４には、吸引部３から与えられる吸引力が導かれる吸引孔が形成される。この吸引孔に吸引力が付与されることによって、半導体チップ１０を吸着することができる。駆動部１３は、制御部６からの指令に応じて動作する。搬送部２には、撮像部１９が設けられる。撮像部１９は、ロボットのアームの部分に設けられる。撮像部１９は、たとえばカラーまたはモノクロのイメージセンサによって実現される。撮像部１９によって取得した画像情報は、ツール１４の位置合わせに用いられる。前記画像情報は、制御部６に与えられる。
【００１３】
吸引部３は、前記ツール１４に吸引力を付与可能に構成される。吸引部３は、吸引源１５と電磁弁１６とを含んで構成される。吸引源１５は、真空ポンプによって実現される。吸引源１５からの吸引力は、配管１７を介して、電磁弁１６に与えられる。電磁弁１６は、配管１７を介して付与される吸引力を、配管１８を介して吸引力をツール１４に付与可能に構成される。配管１８の管路は、ツール１４の前記吸引孔に連通している。電磁弁１６は、制御部６からの指令に応じて動作し、配管１７，１８の管路の接続および断絶を切り換える。
【００１４】
超音波振動源４は、発振器、振動子およびホーン（共鳴体）を含んで構成され、制御部６からの指令に応じて振動エネルギをツール１４に付与可能に設けられる。
【００１５】
測定部５は、基板１１に形成される後述する被接続部３３に電気的に接続され、被接続部３３に流れる電流を測定する。測定部５の測定結果は、制御部６に与えられる。測定部５の詳細については、後述する。
【００１６】
制御部６は、マイクロコンピュータによって実現される。制御部６は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラムとを含んで構成され、ＣＰＵが制御プログラムを実行処理することによって、駆動部１３、電磁弁１６および超音波振動源４の各部に指令を与える。また測定部５から測定結果に応じて、前記各部を制御する。また制御部６は、撮像部１９から与えられる画像情報に基づいて、駆動部１３および電磁弁１６に指令を与えて制御する。制御部６は、前記画像情報から、半導体チップ１０の位置および基板１１の位置を判別し、駆動部１３を制御してツール１４の位置合わせを行う。
【００１７】
操作部７は、たとえばキーボードまたはマウスなどによって実現され、利用者が操作することによって、制御部６に動作の開始および停止の指令などを与えることができる。
【００１８】
図２を参照して、半導体チップ１０には、集積回路（ＩＣ）などの所定の処理回路が形成されている。また半導体チップ１０の厚み方向の一表面部２１には、複数のバンプ２２が形成されている。バンプ２２の数は、たとえば２００個〜３００個程度に選ばれるが、数個から数千個の範囲に選ばれてもよい。
【００１９】
バンプ２２には、回路接続用バンプ２３と、第１検出用バンプ２４と、第２検出用バンプ２５とが含まれている。回路接続用バンプ２３と、第１検出用バンプ２４と、第２検出用バンプ２５とは、それぞれ複数設けられている。本実施の形態では、第１検出用バンプ２４と、第２検出用バンプ２５とは、それぞれ２つずつ形成されているとする。バンプ２２は、導体から成り、たとえば金によって形成される。またバンプ２２は、半田によって形成されていてもよい。回路接続用バンプ２３は、前記処理回路に電気的に接続される。すなわち、回路接続用バンプ２３は、処理回路に予め定める信号を与えたり、処理回路によって処理された信号が与えられたり、処理回路に電力を供給したり、処理回路にグランド電位を供給したりするための配線として機能する。
【００２０】
第１検出用バンプ２４は、回路接続用バンプ２３よりも突出量が小さくなるように形成される。前記突出量は、半導体チップ１０の一表面部２１の表面（バンプ２２が設けられている面）からバンプ２２の遊端部までの、半導体チップ１０の厚み方向における長さである。半導体チップ１０の厚み方向の一表面は、略平面に形成されている。本実施の形態では、バンプ２２は、円柱形状に形成され、その軸線方向が、前記厚み方向に沿うように半導体チップ１０に設けられる。回路接続用バンプ２３と、第１検出用バンプ２４と、第２検出用バンプ２５とは、軸線方向の長さが異なるのみで、その直径は同様に形成される。バンプ２２は、円柱形状に限らず、半円球形状または角柱形状に形成されてもよい。
【００２１】
回路接続用バンプ２３の突出量をＨ１とすると、Ｈ１は、たとえば２０μｍ〜３０μｍの範囲の予め定める値に選ばれる。
【００２２】
第１検出用バンプ２４の突出量をＨ２とすると、Ｈ１とＨ２とは、Ｈ１＞Ｈ２で、かつ、Ｈ１からＨ２を減算した値Ｈ３（＝Ｈ１−Ｈ２）が、たとえば５μｍ〜８μｍとなるように選ばれる。このＨ３が、回路接続用バンプ２３のつぶれ量であり、前記Ｈ３の値は、回路接続用バンプ２３がつぶされて、その突出量がＨ１からＨ１−Ｈ３になったときに、十分な接合強度を得ることができる大きさとなるように選ばれる。
【００２３】
第２検出用バンプ２５は、回路接続用バンプ２３よりも突出量が小さく、かつ第１検出用バンプ２４よりも突出量が大きく形成される。すなわち第２検出用バンプ２５の突出量を、Ｈ４とすると、Ｈ１＞Ｈ４＞Ｈ２で、かつＨ１からＨ４を減算した値Ｈ５（＝Ｈ１−Ｈ３）が、たとえば２μｍ〜３μｍとなるように選ばれる。
【００２４】
本実施の形態では、半導体チップ１０は略直方体形状に形成され、バンプ２２が形成される一表面は矩形状に形成される。前記バンプ２２が形成される一表面は、たとえば縦横の寸法が２ｍｍ×３ｍｍ程度に選ばれる。各バンプ２２は、前記一表面部２１にマトリクス状に配列される。突出量の異なる回路接続用バンプ２３ならびに第１および第２検出用バンプ２４，２５は、たとえば、半導体チップ１０の一表面部２１上に所定の箇所に貫通孔が形成されためっき用レジストのレジストを形成し、電解めっきまたは無電解めっきによって、前記貫通孔内に材料の金属を堆積させた後、めっき用レジストを除去し、部分的にマスクをして複数段階でエッチングすることによって形成してもよく、また前記めっき用レジストの形成と、めっきとを複数回繰り返して突出量の大きなバンプ２２については、複数回のめっきによって積み上げて形成してもよく、またスタッドバンプを形成する方法と同様にして、スタッドバンプを切断する位置を調整して形成してもよい。
【００２５】
第１および第２検出用バンプ２４，２５は、前記一表面部２１のうち、前記厚み方向に垂直な所定の方向の一端部および他端部にそれぞれ設けられ、第２検出用バンプ２５の方が、第１検出用バンプ２４よりも一表面部２１の周縁寄りに形成される。
【００２６】
図３を参照して、基板１１は、電気絶縁性を有する合成樹脂によって形成される基部３１と、基部３１の厚み方向の一表面部３２に形成され、バンプ２２が接合されるべき被接続部３３と、基部３１に設けられ、被接続部３３に電気的に接続される配線部とを含んで構成される。配線部については、図面が煩雑とならないように、図３では図示を省略している。基部３１の厚み方向の一表面は、略平面に形成されている。本実施の形態では、基部３１は合成樹脂によって形成されているが、たとえばセラミックによって形成されてもよいし、ＣＯＣ（Chip On Chip）などの実装で用いられるシリコンウェハーによって形成されていてもよい。
【００２７】
被接続部３３は、導体から成り、たとえば金（Ａｕ）から成る導体によって形成されてもよく、銅（Ｃｕ）から成る導体の表面にＡｕめっきを施して形成されてもよく、銅（Ｃｕ）から成る導体の表面に、下地としてニッケル（Ｎｉ）めっきを施した後、Ａｕめっきを施して形成されてもよい。被接続部３３には、回路接続用バンプ２３が接合されるべき回路接続用バンプ被接続部３４と、第１検出用バンプ２４が接合されるべき第１検出用バンプ被接続部３５と、第２検出用バンプ２５が接合される第２検出用バンプ被接続部３６とが含まれている。各被接続部３３は、各バンプ２２に対応する位置に個別に設けられ、マトリクス状に配置され、相互に離間して設けられる。被接続部３３の厚み方向の寸法は、たとえば銅（Ｃｕ）から成る導体の表面に、下地としてニッケル（Ｎｉ）めっきを施した後、Ａｕめっきを施して形成される場合、Ｃｕから成る部分が１０μｍ〜４０μｍ程度に選ばれ、Ｎｉめっき膜が５μｍ程度に選ばれ、Ａｕめっき膜が０．３μｍ〜１．０μｍ程度に選ばれる。厚み方向に垂直な面は矩形状に形成されて、その矩形の縦横の寸法は、前記バンプ２２の直径よりも大きく選ばれる。
【００２８】
図４は、半導体チップ１０と基板１１との主要部分の回路構成と、測定部５の回路構成とを示す回路図である。前記半導体チップ１０に形成される配線部には、配線４１ａ，４１ｂが含まれている。配線４１ａは、２つの第１検出用バンプ２４を電気的に接続する。配線４１ｂは、２つの第２検出用バンプ２５を電気的に接続する。２つの第１検出用バンプ２４のうちの一方を第１検出用バンプ２４ａと記載し、他方を第１検出用バンプ２４ｂと記載する。また２つの第２検出用バンプ２５のうちの一方を第２検出用バンプ２５ａと記載し、他方を第２検出用バンプ２５ｂと記載する。
【００２９】
前記基板１１に形成される配線部には、配線４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂが含まれる。また基板１１には各配線４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂが個別に接続される接続端子４４ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂが形成される。第１検出用バンプ被接続部３５のうちの一方を第１検出用バンプ被接続部３５ａと記載し、他方を第１検出用バンプ被接続部３５ｂと記載する。また第２検出用バンプ被接続部３６のうちの一方を第２検出用バンプ被接続部３６ａと記載し、他方を第２検出用バンプ被接続部３６ｂと記載する。配線４２ａは、第１検出用バンプ被接続部３５ａと接続端子４４ａとを接続し、配線４２ｂは、第１検出用バンプ被接続部３５ｂと接続端子４４ｂとを接続する。また配線４３ａは、第２検出用バンプ被接続部３６ａと接続端子４５ａとを接続し、配線４３ｂは、第２検出用バンプ被接続部３６ｂと接続端子４５ｂとを接続する。
【００３０】
測定部５は、２つの電圧源５１と、２つの電流検出部５２とを含んで構成される。２つの電圧源５１のうち一方を第１電圧源５１ａ、他方を第２電圧源５１ｂと記載し、２つの電流検出部５２のうち一方を第１電流検出部５２ａ、他方を第２電流検出部５２ｂと記載する。電流検出部５２は、たとえば直流電流計によって実現される。
【００３１】
基板１１が保持台２０に保持されているとき、接続端子４４ａ，４４ｂには、第１電圧源５１ａが電気的に接続され、接続端子４４ａ，４４ｂ間に予め定める電圧を印加する。第１電圧源５１ａには、第１電流検出部５２ａが直列に接続され、接続端子４４ａ，４４ｂに流れる電流は、第１電流検出部５２ａによって検出される。
【００３２】
基板１１に保持台２０に保持されているとき、接続端子４５ａ，４５ｂには、第２電圧源５１ｂが電気的に接続され、接続端子４５ａ，４５ｂ間に予め定める電圧を印加する。第２電圧源５１ａには、第２電流検出部５２ａが直列に接続され、接続端子４５ａ，４５ｂに流れる電流は、第２電流検出部５２ｂによって検出される。
【００３３】
第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂが開放状態のとき、すなわち第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂに第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂが個別に接続されていないときには、第１電流検出部５２ａが検出する電流値は、零（０）となる。第１検出用バンプ２４ａと、第１検出用バンプ被接続部３５ａとが電気的に接続され、かつ第１検出用バンプ２４ｂと、第１検出用バンプ被接続部３５ｂとが電気的に接続されると、第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂが短絡状態となり、第１電流検出部５２ａが、０よりも大きな所定の電流値を検出する。なお、第１電流検出部５２ａには図示しないが直列に抵抗素子が接続され、第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂの短絡によって不所望に大きな電流が流れることを抑制している。
【００３４】
第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂが開放状態のとき、すなわち第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂに第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂが個別に接続されていないときには、第２電流検出部５２ｂが検出する電流値は、零（０）となる。第２検出用バンプ２５ａと、第２検出用バンプ被接続部３６ａとが電気的に接続され、かつ第２検出用バンプ２５ｂと、第２検出用バンプ被接続部３６ｂとが電気的に接続されると、第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂが短絡状態となり、第２電流検出部５２ｂが、０よりも大きな所定の電流値を検出する。なお、第２電流検出部５２ａには図示しないが直列に抵抗素子が接続され、第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂの短絡によって不所望に大きな電流が流れることを抑制している。
【００３５】
図５は、実装装置１におけるフリップチップ実装処理を示すフローチャートであり、図６は、実装処理工程における半導体チップ１０および基板１１の様子を示す側面図である。また図７は、バンプ２２に与えられる荷重の変化を示すグラフである。図７において横軸は時間を表し、縦軸は荷重を表す。
【００３６】
ステップｓ０では、ツール１４は初期位置に配置されており、ツール１４には吸引力が供給されていない状態とする。また半導体チップ１０は、予め定める供給台に載置され、基板１１は、保持台２０に保持されているとする。
【００３７】
操作部から、動作の開始の指令が制御部６に与えられると、ステップｓ１に移り、処理を開始する。ステップｓ１では、制御部６が駆動部１３および電磁弁１６に指令を与えて、駆動部１３によってツール１４を半導体チップ１０の供給台まで移動させて、かつツール１４に吸引力の付与を開始して、半導体チップ１０の厚み方向の他表面部を吸着する。ステップｓ１が終了すると、ステップｓ２に移る。制御部６は、以後のステップｓ８において吸引力の付与を停止するまでの間、ツール１４への吸引力を付与し続けるように電磁弁１６を制御する。
【００３８】
図６（１）は、ステップｓ２が終了した後の半導体チップ１０と基板１１との位置関係を示す側面図である。ステップｓ２では、制御部６が駆動部１３に指令を与えて、半導体チップ１０を基板１１に臨む位置に移動させる。また制御部６は、撮像部１９からの画像情報に基づいて、半導体チップ１０と基板１１との位置あわせを行い、各バンプ２２が各被接続部３３にそれぞれ対向させる。ステップｓ２が終了すると、ステップｓ３に移る。
【００３９】
ステップｓ３では、制御部６が駆動部１３に指令を与えて、基板１１に向かってツール１４を移動させて、各回路接続用バンプ２３に所定の荷重の付与を開始する。図７では、荷重の付与を開始した時刻を０としている。１つの回路接続用バンプ２３あたり、１０ｇｆ（９８Ｎ）〜２０ｇｆ（１９６Ｎ）の荷重が付与されるように駆動部１３はツール１４を基板１１に向かって押圧する。駆動部１３には荷重センサが設けられ、制御部６は荷重センサからの信号に応じて駆動部１３を制御する。図７に示すように、時刻ｔ１で、１つの回路接続用バンプ２３あたりに付与される荷重が、所定の荷重となると、制御部６は、以後のステップ７において荷重の付与を停止するまでの間、一定の荷重を付与し続けるように駆動部１３を制御する。ステップｓ３が終了すると、ステップｓ４に移る。
【００４０】
ステップｓ４では、測定部５からの測定結果に基づいて、第１電流検出部５２ａが、電流を検出したか否か、すなわち電流値が零ではなくなったか否かを判断する。ステップｓ４で、電流を検出したと判断すると、ステップｓ５に移り、電流を検出しないと判断した場合、電流を検出するまでの間、ステップｓ４を繰り返す。
【００４１】
図６（２）は、第２検出用バンプ２５と、第２検出用バンプ被接続部３６とが接触した状態を示す側面図である。図６（２）に示すように、第２検出用バンプ２５と、第２検出用バンプ被接続部３６とが接触すると、第２電流検出部５２ｂが電流を検出するので、ステップｓ４からステップｓ５に移る。
【００４２】
次にステップｓ５では、制御部６が超音波振動源４に指令を与えて、ツール１４への超音波振動の付与を開始する。これによって、接合が開始される。制御部６は、以後のステップｓ７において超音波振動の付与を停止するまでの間、超音波振動を付与し続けるように超音波振動源４を制御する。図７では、時刻ｔ２から超音波振動の付与が開始される。ステップｓ５が終了すると、ステップｓ６に移る。回路接続用バンプ２３には、まず正荷重を与えて、所定量つぶしておいてから、超音波振動が与えられる。このように超音波振動が付与される前に、回路接続用バンプ２３を所定量つぶすことによって、超音波振動が付与されたときに、回路接続用バンプ２３と被接続部３３との接触面積を増加させて、摩擦熱を発生しやすくすることができ、超音波振動によって接合しやすくすることができる。
【００４３】
ステップｓ６では、測定部５からの測定結果に基づいて、第２電流検出部５２ｂが、電流を検出したか否か、すなわち電流値が零ではなくなったか否かを判断する。ステップｓ６で、電流を検出したと判断すると、ステップｓ７に移り、電流を検出しないと判断した場合、電流を検出するまでの間、ステップｓ６を繰り返す。
【００４４】
図６（３）は、第１検出用バンプ２４と、第１検出用バンプ被接続部３５とが接触した状態を示す側面図である。図６（３）に示すように、第１検出用バンプ２４と、第１検出用バンプ被接続部３５とが接触すると、第１電流検出部５２ａが電流を検出するので、ステップｓ６からステップｓ７に移る。
【００４５】
次にステップｓ７では、制御部６が駆動部１３および超音波振動源４に指令を与えて、図７に示すように時刻ｔ３で荷重の付与を停止させ、かつ超音波振動の付与を停止させる。これによって、接合が終了する。ステップｓ７が終了すると、ステップｓ８に移る。超音波振動が与えられる時間、すなわち時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間は、０．５秒〜１．０秒程度となる。
【００４６】
ステップｓ８では、制御部６が、電磁弁１６に指令を与えて、ツール１４への吸引力の付与を停止し、ツール１４の半導体チップ１０の吸着を解除する。ステップｓ８が終了すると、ステップｓ９に移る。
【００４７】
ステップｓ９では、制御部６が駆動部１３に指令を与えて、ツール１４を初期位置に移動させて、動作処理を終了する。
【００４８】
実装装置１は、操作部７から、動作の停止の指令が与えられるまでの間、ステップｓ９が終了するとステップｓ１に移り、新たな半導体チップ１０を、新たな基板１１に実装する処理を繰り返してもよい。
【００４９】
以上のようにフリップチップ実装方法によれば、第１検出用バンプ２４は、回路接続用バンプ２３よりも突出量が小さいので、基板１１に形成される被接続部３３に第１検出用バンプ２４が接触したときには、回路接続用バンプ２３については被接続部３３に接触している。回路接続用バンプ２３の突出量に対する第１検出用バンプ２４の突出量の比率を予め定めておけば、第１検出用バンプ２４が被接続部３３に接触したときに、回路接続用バンプ２３がどの程度つぶれて接合されたかを規定することができる。これによって、第１検出用バンプ２４と被接続部３３との接触を電気的に検出するという簡単な構成で、回路接続用バンプ２３のつぶれ量がわかり、第１検出用バンプ２４と被接続部３３とが接触すると接合を終了することによって、回路接続用バンプ２３がつぶれ過ぎてしまうことが抑制される。したがって、半導体チップ１０および基板１１の接続の信頼性を向上することができ、また歩留まりを向上させることができる。
【００５０】
また半導体チップ１０に配線４１ａを形成することによって、２つの第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂを電気的に接続しておき、配線４１ａによって接続される２つの第１検出用バンプ２４ａ，２４がそれぞれ接触すべき第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂが短絡状態になると、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとが接触していると判断することによって、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂが接合されるべき第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂに電流が流れる否かを検出するだけで、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとが接触しているか否かが判る。したがって、簡単な構成で、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとの接触を検出することができる。また第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと、第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとの接触についても、同様の構成であり、簡単な構成で検出することができる。
【００５１】
また、第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第２検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとの接触を電気的に検出したときに、半導体チップ１０に超音波振動の付与を開始し、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとの接触を電気的に検出し、検出結果に応じて超音波振動の付与を停止することによって、超音波振動を与えるタイミングを容易に制御することができ、超音波振動を与え過ぎてしまうことが抑制される。さらに、回路接続用バンプ２３が所定量つぶれたときにタイミングを合わせて超音波振動を与えることができるので、超音波振動によって接合を好適に行うことができる。
【００５２】
図８は、半導体チップ１０と基板１１との主要部分の回路構成と、本発明の他の実施の形態のフリップチップ実装方法によってフリップチップ実装を行う実装装置における測定部７１の構成を示す機能ブロック図である。本実施の形態の実装装置は、図１に示す前述の実装装置１と同様の構成であって、測定部７１の構成と、制御部６による処理の一部が異なるのみであり、その他の構成は同様であるので、同様の構成には同様の参照符号を付して、その説明を省略する。前述の実施の形態では、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとの接触、および第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとの接触は、２つの電流検出部５２を用いて検出しているが、本実施の形態では、第１検出用バンプ２４ａ，２４ｂと第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂとの接触、および第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとの接触を、１つの電流検出部５２を用いて検出する。
【００５３】
測定部７１は、第１検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂおよび第２検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂに、それぞれ電気的に接続され、これらに流れる電流を測定する。測定部７１の測定結果は、制御部６に与えられる。
【００５４】
測定部７１は、電圧源５１と、電流検出部５２と、第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２とを含んで構成される。電圧源５１と、電流検出部５２と、第１抵抗素子Ｒ１とは直列に接続され、電圧源５１と、電流検出部５２と、第２抵抗素子Ｒ２とは直列に接続され、第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は並列に接続される。また第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値は、等しく選ばれる。
【００５５】
接続端子４４ａ，４５ａには、電圧源５１の一方の電極が電気的に接続される。電圧源５１の他方の電極は、電流検出部５２を介して、第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の一端に電気的に接続される。接続端子４４ｂには、第１抵抗素子Ｒ１の他端が接続され、接続端子４５ｂには、第２抵抗素子Ｒ２の他端が接続される。
【００５６】
図９は、第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第１検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとが接触したときに形成される閉ループ回路を示す図である。ここで、電圧源の電圧をＶとし、第１および第２抵抗素子Ｒ１の抵抗値をｒ１とする。第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第１検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとが接触したときに、電流検出部５２が検出する電流値をＩ１とすると、
Ｉ１＝Ｖ／ｒ１
となる。
【００５７】
図１０は、第１および第２検出用バンプ２４，２５と第１および第２検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂとが接触したときに形成される閉ループ回路を示す図である。同様に、電圧源の電圧をＶとし、第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値をそれぞれｒ１，ｒ２とする。第１および第２検出用バンプ２４，２５と被接続部３３とが接触したときに、電流検出部５２が検出する電流値をＩ２とすると、
Ｉ２＝Ｖ（１／ｒ１＋１／ｒ２）
となる。
【００５８】
ここで、第１および第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値ｒ１，ｒ２を等しい値に選ぶと、Ｉ１＝Ｉ２／２となる。
【００５９】
図１１は、本実施の形態の実装装置におけるフリップチップ実装処理を示すフローチャートである。ステップａ０〜ステップａ３までの各ステップは、図５のフローチャートのステップｓ０〜ｓ３までの各ステップと同様であり、ステップａ５は、図５のフローチャートのステップｓ５と同様であり、ステップａ７〜ステップｓ９までの各ステップは、図５のフローチャートのステップｓ７〜ステップｓ９までの各ステップと同様であるので、重複する説明を省略する。
【００６０】
ステップａ３が終了すると、ステップａ４に移り、ステップａ４では、測定部７１からの測定結果に基づいて、電流検出部５２が検出した電流値が、予め定める第１の電流値であるか否かを判断する。予め定める第１の電流値は、前述したＩ１である。ステップａ４で、電流値が、予め定める第１の電流値であると判断すると、ステップａ５に移り、電流値が予め定める第１の電流値ではないと判断した場合、電流値が予め定める第１の電流値となるまでの間、ステップａ４を繰り返す。たとえば、前述したＶを１０ボルト（Ｖ）とし、抵抗値ｒ１を１００オーム［Ω］とすると、Ｉ１は、０．１アンペア［Ａ］となる。
【００６１】
またステップａ５が終了すると、ステップａ６に移り、ステップａ６では、測定部７１からの測定結果に基づいて、電流検出部５２が検出した電流値が、予め定める第２の電流値であるか否かを判断する。予め定める第２の電流値は、前述したＩ２である。ステップａ６で、電流値が、予め定める第２の電流値であると判断すると、ステップａ７に移り、電流値が予め定める第２の電流値ではないと判断した場合、電流値が予め定める第２の電流値となるまでの間、ステップａ６を繰り返す。たとえば、前述したＶを１０ボルト（Ｖ）とし、抵抗値ｒ１およびｒ２を１００オーム［Ω］とすると、Ｉ２は、０．２アンペア［Ａ］となる。
【００６２】
以上のように本実施の形態においても、前述した実施の形態と同様の効果を達成することができ、さらに測定部７１における電圧源５１および電流検出部５２の数を低減することができるので、装置構成をより簡略化することができる。
【００６３】
次に、本発明のさらに他の形態のフリップチップ実装方法について説明する。図１２は、本実施の形態のフリップチップ実装方法に用いられる半導体チップ１０および基板１１の構成を示す側面図である。本実施の形態では、本実施の形態では、半導体チップ１０に設けられる第１検出用バンプ２４を、半導体チップ１０の一表面部２１の中央および、前記中央をとおり、かつ半導体チップ１０の厚み方向に延びる軸線まわりに所定の間隔をあけて複数配置しておく。前記一表面部２１が矩形状であれば、対角の位置、あるいは４つの角部にそれぞれ第１検出用バンプ２４を設ければよい。前記半導体チップ１０の一表面部２１の中央部と、前記軸線まわりに所定の間隔をあけた複数の位置には、それぞれ第１検出用バンプ２４を２つずつ設けておく。図１２では、１つ省略して示している。２つの第１検出用バンプ２４は近接して設けておき、この近接する２つの第１検出用バンプ２４が、基板１１に形成される被接続部３３にそれぞれ接触したときに、図４または図７に示すように測定部５または測定部７１との間で閉ループ回路が形成されるように構成する。以後、測定部５によって測定する場合について、説明するが、測定部７１を用いても同様である。
【００６４】
測定部５は、半導体チップ１０の中央部と、前記軸線まわりに所定の間隔をあけた複数の位置との、各位置のそれぞれに対応して、各位置に対応する第１検出用バンプ２４が接触したときに、所定の電流を検出する。制御部６は、各位置に対応する測定部５から与えられる電流値に基づいて、半導体チップ１０の基板１１に対する傾きを検出する。このように、本実装方法は、半導体チップ１０の基板１１に対する傾きを検出する検出方法として用いることもできる。制御部６は、たとえば、前記各位置のうちのいずれかに対応する測定部５からしか電流値が検出されないときには、他の測定部５に対応する位置で、半導体チップ１０が基板１１に近接するように駆動部１３を制御する。これによって、半導体チップ１０が基板１１に対して傾斜して接合されてしまうことを抑制することができ、接続の信頼性を向上させることができる。
【００６５】
このように、第１検出用バンプ２４を、相互に離間した複数の位置に設けることによって、半導体チップ１０が基板１１に対して傾いているか否かを検出することができるようになり、また複数の位置のうちで第１検出用バンプ２４が第１検出用バンプ被接続部３５に接続されていない位置があれば、この位置についても検出することができ、どこに不具合が生じているのかを特定するまでの時間を短縮することができる。前記検出の結果に基づいて、実装装置の調整行ったり、半導体チップ、基板、バンプについて、改善のための対策案を作成したりすれば、短時間で不具合を解消することができるようになる。
【００６６】
また図１２に示すように、半導体チップ１０に反りが発生している場合であっても、逆に基板１１に反りが発生している場合であっても、第１検出用バンプ２４が第１検出用バンプ被接続部３５に接触していることを検出すれば、全ての回路接続用バンプ２３が、ある程度のつぶれ量だけつぶれた状態で、第１検出用バンプ被接続部３５に接合していると判断することができる。前述したＨ２は、反りによって発生する反り量Ｈ８を超える大きさに選ばれ、好ましくは、反り量Ｈ８に回路接続用バンプ２３を最低限つぶすべきつぶし量を加算した長さに選ばれる。これによって、半導体チップ１０または基板１１に反りが発生していても、各位置における第１検出用バンプ２４が第１検出用バンプ被接続部３５に接触していれば、第１検出用バンプ２４のつぶれ量を確保することができ、第１検出用バンプ２４と被接続部３３とが単に接触している状態となってしまうことが抑制され、また接合強度の低下を抑制して、半導体チップ１０を基板１１に、確実に実装することができる。
【００６７】
また、製造プロセス上、バンプ２２の大きさのばらつきは、半導体チップ１０または基板１１の反り量と比較して、十分小さなものであるので、各位置ごと第１検出用バンプ２４が被接続部３３に接触しているか否かを検出することによって、半導体チップ１０または基板１１に反りが発生しているか否かも検出することができる。
【００６８】
図１３は、本発明の実施のさらに他の形態のフリップチップ実装方法において用いられる半導体チップ１０の構成を模式的に示す側面図である。本実施の形態では、半導体チップ１０に形成されるバンプ２２に、第３検出用バンプ１０１が含まれ、基板１１に形成される被接続部３３に第３検出用バンプ被接続部１０３が含まれる構成であって、前述の実施の形態と同様の構成には同様の参照符号を付してその説明を省略する。第３検出用バンプ１０１は、半導体チップ１０の一表面部２１の周縁部に設けられ、回路接続用バンプ２３よりも突出量が大きくなるように形成される。
【００６９】
第３検出用バンプ１０１は、第１および第２検出用バンプ２５，２６と類似の形状に形成され、第１および第２検出用バンプ２５，２６とは、半導体チップ１０の厚み方向の長さのみが異なる。第３検出用バンプ１０１の突出量をＨ６とすると、Ｈ６は、Ｈ６＞Ｈ１に選ばれ、かつＨ１からＨ６を減算した値Ｈ７（＝Ｈ６−Ｈ１）が、たとえば２μｍ〜３μｍとなるように選ばれる。
【００７０】
第３検出用バンプ１０１は、半導体チップ１０の中央をとおり、かつ半導体チップ１０の厚み方向に延びる軸線まわりに所定の間隔をあけて複数設けておく。本実施の形態では、半導体チップ１０の一表面部２１は矩形状に形成され、各角部に第３検出用バンプ１０１が２つずつ設けられる。各角部では、２つの第３検出用バンプ１０１が基板１１に形成される配線によって直列に接続されている。
【００７１】
各角部では、２つの第３検出用バンプ１０１が対応する第３検出用バンプ被接続部１０３にそれぞれ接触すると、２つの第３検出用バンプ１０１を介して電流が流れるように、測定部５によって２つの第３検出用バンプ被接続部１０３間に所定の電圧が与えられている。測定部５は、第３検出用バンプ１０１が接触すべき第３検出用バンプ被接続部１０３に流れる電流を測定する電流測定部５２を有し、検出した電流値を制御部６に与える。制御部６は、測定部５から与えられる測定結果に基づいて、各角部ごとに、第３検出用バンプ１０１が第３検出用バンプ被接続部１０３に接触しているか否かを判断する。
【００７２】
本実施の形態のフリップチップ実装方法によってフリップチップ実装を行う実装装置は、前述した図１に示す実施の形態の実装装置１に類似し、その動作処理は、図５に記載のフローチャートと同様であって、ステップｓ３の処理のみが異なるので、同様の部分には同様の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００７３】
図１４は、本実施の形態のフリップチップ実装処理の一部の工程を示すフローチャートである。また図１５および図１６は、半導体チップ１０が基板１１に実装される様子を示す側面図である。図５に示すステップｓ２が終了すると、ステップｂ１に移る。
【００７４】
ステップｂ１では、制御部６が駆動部１３に指令を与えて、基板１１に向かってツール１４の移動を開始させて、ステップｂ２に移る。これによって、基板１１に向かってツール１４が移動する。
【００７５】
ステップｂ２では、測定部５からの測定結果に基づいて、半導体チップ１０の各角部に対応する電流検出部５２が、電流を検出したか否か、すなわち電流値が零ではなくなったか否かを判断する。ステップｂ２で、電流を検出したと判断するとステップｂ３に移り、電流を検出していないと判断すると電流を検出するまでステップｂ２を繰り返す。
【００７６】
ステップｂ３では、測定部５からの測定結果に応じて、ツール１４の傾きを調整する。図１５に示すようにツール１４が傾いてしまい、４つの角部のうち、１つの角部に設けられる第３検出用バンプ１０１のみが第３検出用バンプ被接続部１０３に接触していると判断すると、他の角部に設けられる第３検出用バンプ１０１がこの第３検出用バンプ１０１に対応する第３検出用バンプ被接続部１０３に接触するように、駆動部１３を制御して、図１６に示すようにツール１４の基板１１に対する傾きを調整する。ステップｂ３では、測定部５の測定結果を取得しながら、全ての角部に設けられる第３検出用バンプ１０１が、第３検出用バンプ被接続部１０３に接触するようにツール１４の傾きを調整して、ステップｂ４に移る。ステップｂ１〜ｂ３の工程は、ツール１４の傾きを調整するための傾き検出方法の具体的な処理内容を示している。
【００７７】
ステップｂ４では、各回路接続用バンプ２３に所定の荷重の付与を開始し、ステップｂ４が終了すると、ステップｓ４に移る。
【００７８】
以上のように本実施の形態では、前述の実施の形態と同様の効果を達成することができるとともに、さらに、半導体チップ１０と、基板１１とを用いて、簡単な構成でツール１４の傾きを調整することができ、これによって基板１１に対して半導体チップ１０が傾いて実装されることを、確実に抑制することができる。したがって、半導体チップ１０と基板１１との接合の信頼性をより向上させることができる。またフリップチップ実装においては、半導体チップ１０と基板１１との距離ができるだけ均一となるように、半導体チップ１０を基板１１に対して傾けずに実装することが重要であり、μｍレベルでの管理が必要となるので、前述した傾き検出方法は、フリップチップ実装において非常に有効である。
【００７９】
前述の実施の形態では、２つの第１検出用バンプ２４が、それぞれ接触すべき第１検出用バンプ被接続部３５にそれぞれ接触したとき、各第１検出用バンプ２４と、各第１検出用バンプ被接続部３５とが直列に接続されるように、半導体チップ１０および基板１１に配線が形成されているが、本発明のさらに他の実施の形態のフリップチップ実装方法では、３つ以上の第１検出用バンプ２４について、これらの第１検出用バンプ２４が、それぞれ接触すべき各第１検出用バンプ被接続部３５にそれぞれ接触したとき、各第１検出用バンプ２４と、各第１検出用バンプ被接続部３５とが直列に接続されるように、半導体チップ１０および基板１１に配線が形成されていてもよい。半導体チップ１０を基板１１に実装したときに、各第１検出用バンプ２４と第１検出用バンプ被接続部３５とが、デイジーチェーンで接続されるので、基板１１に形成される２つの接続端子に、電圧を印加して、電流を測定するだけで、全ての第１検出用バンプ２４と第１検出用バンプ被接続部３５とが接触しているか否かを検出することができ、複数の第１検出用バンプ２４を設ける場合であっても、基板１１に形成される接続端子の数を抑制することができ、また測定部５の構成が複雑化することが抑制される。
【００８０】
また前述した各実施の形態では、超音波振動をツール１４に付与して、接合を行っているが、本発明の他の実施の形態では、バンプ２２を金によって形成し、バンプ２２に所定の荷重を付与しながら、３５０℃程度の熱をバンプ２２に与えることによって、バンプ２２と被接続部３３との接合を行ってもよい。この場合には、第２検出用バンプ２５については基板１１に設ける必要がなく、所定の荷重を付与するとともに、バンプ２２を加熱し、第１検出用バンプ２４と第１検出用バンプ被接続部３５とが接触したときに、バンプ２２の加熱を停止すればよい。このような実施の形態であっても、前述の実施の形態と同様の効果を達成することができる。
【００８１】
また本発明の他の実施の形態では、１つの第１検出用バンプ２４と、１つの第１検出用バンプ被接続部３５とが接触したときに、これらに電流が流れるか、あるいは所定の電流が流れるように、半導体チップの配線と、基板の配線および接続端子と、測定部とを構成してもよい。たとえば半導体チップ１０に第１検出用バンプ２４と、ツール１４に吸着されているときにツール１４に形成される配線とを接続する配線を形成しておき、ツール１４に形成される配線を介して前述したような閉ループ回路が形成されるようにすれば、１つの第１検出用バンプ２４と、１つの第１検出用バンプ被接続部３５とが接触したときに、これらに電流が流れるか否かを測定することができる。第２および第３検出用バンプ２６，１０１と、第２および第３検出用バンプ被接続部３６，１０３との接続についても、同様に構成すれば、１つの第２検出用バンプ２５と、１つの第２検出用バンプ被接続部３６とが接触したときに、また、１つの第３検出用バンプ１０１と、１つの第３検出用バンプ被接続部１０３とが接触したときに、これらに電流が流れることを検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施の一形態のフリップチップ実装方法によってフリップチップ実装を行う実装装置１の構成を示す機能ブロック図である。
【図２】バンプ２２が設けられている半導体チップ１０の構成を簡略化して示す側面図である。
【図３】半導体チップ１０が実装される基板１１の構成を模式的に示す側面図である。
【図４】半導体チップ１０と基板１１との主要部分の回路構成と、測定部５の回路構成とを示す回路図である。
【図５】実装装置１におけるフリップチップ実装処理を示すフローチャートである。
【図６】実装処理工程における半導体チップ１０および基板１１の様子を示す側面図である。
【図７】バンプ２２に与えられる荷重の変化を示すグラフである。
【図８】半導体チップ１０と基板１１との主要部分の回路構成と、本発明の他の実施の形態のフリップチップ実装方法によってフリップチップ実装を行う実装装置における測定部７１の構成を示す機能ブロック図である。
【図９】第２検出用バンプ２５ａ，２５ｂと第１検出用バンプ被接続部３６ａ，３６ｂとが接触したときに形成される閉ループ回路を示す図である。
【図１０】第１および第２検出用バンプ２４，２５と第１および第２検出用バンプ被接続部３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂとが接触したときに形成される閉ループ回路を示す図である。
【図１１】本実施の形態の実装装置におけるフリップチップ実装処理を示すフローチャートである。
【図１２】本実施の形態のフリップチップ実装方法に用いられる半導体チップ１０および基板１１の構成を示す側面図である。
【図１３】本発明の実施のさらに他の形態のフリップチップ実装方法において用いられる半導体チップ１０の構成を模式的に示す側面図である。
【図１４】フリップチップ実装処理の一部の工程を示すフローチャートである。
【図１５】半導体チップ１０が基板１１に実装される様子を示す側面図である。
【図１６】半導体チップ１０が基板１１に実装される様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１      実装装置
２      搬送部
３      吸引部
４      超音波振動源
５      測定部
１０    半導体チップ
１１    基板
１３    駆動部
１４    ツール
１９    撮像部
２０    保持台
２２    バンプ
２３    回路接続用バンプ
２４    第１検出用バンプ
２５    第２検出用バンプ
２６    第３検出用バンプ
３１    基部
３３    被接続部
３４    回路接続用バンプ被接続部
３５    第１検出用バンプ被接続部
３６    第２検出用バンプ被接続部
５１    電圧源
５２    電流検出部
７１    測定部
１０１  第３検出用バンプ
１０３  第３検出用バンプ被接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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