(57)【要約】【課題】低コストで、大型のフレキシブル表示装置を提供する。【解決手段】第１基板と、第１基板上に形成され、第１の方向に延長する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に形成される発光素子と、前記発光素子上に形成され、前記複数の第１電極と交差するように第２の方向に延長する複数の第２電極とを有するパッシブマトリクス型の表示装置であって、前記第１基板は、前記複数の第１電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第１樹脂フィルムであり、前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第１電極にそれぞれ電気的に接続されている。前記複数の第２電極上に配置される第２基板を有し、前記第２の基板は、前記複数の第２電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第２樹脂フィルムであり、前記第２樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第２電極にそれぞれ電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第１基板上に形成され、第１の方向に延長する複数の第１電極と、
前記複数の第１電極上に形成される発光素子と、
前記発光素子上に形成され、前記複数の第１電極と交差するように第２の方向に延長する複数の第２電極とを有するパッシブマトリクス型の表示装置であって、
前記第１基板は、前記複数の第１電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第１樹脂フィルムであり、
前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第１電極にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の第２電極上に配置される第２基板を有し、
前記第２の基板は、前記複数の第２電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第２樹脂フィルムであり、
前記第２樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第２電極にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子は、平板形状に形成され、前記第１の方向、あるいは前記第２の方向に複数設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記各発光素子の間に分離壁を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１電極および前記複数の第２電極の少なくとも一方は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、第１基板上に形成されたアクティブ素子を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記第１基板は、前記複数の第１電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第１樹脂フィルムであり、
前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の画素の前記各アクティブ素子に駆動電圧を入力する複数の配線層にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記アクティブ素子は、半導層として有機半導体層を使用する有機薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素の前記各アクティブ素子に駆動電圧を供給する配線層は、前記複数の画素の前記各アクティブ素子にそれぞれ走査電圧を入力する走査線であり、
前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の走査線にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記各画素は、画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極と、
前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備え、
前記補助配線は、第２樹脂フィルムの上に形成されたストライプ状の金属配線であることを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯであることを特徴とする請求項６ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記金属配線は、２つの直線部と、前記２つの直線部の間に形成される短絡部とからなるラダー形状のストライプ状の金属配線であることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記金属配線は、Ａｌ、Ｃ、Ｃｕ，Ｆｅ、あるいはＳＵＳのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣであることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、特に、フレキシブル有機ＥＬ表示装置などのフレキシブル表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置は、直流低電圧駆動の自己発光素子であることから、一般的な液晶ディスプレイのようにバックライト構造ならびにカラーフィルタ等の構造部材が不要である特徴を持っている。そのため、部品点数、製造プロセスがシンプルであることから、低コスト化や薄型化といった特徴も持っている。
更に、薄板ガラスや透明な樹脂フィルム上に有機ＥＬ素子を形成することによって、自由に折り曲げが可能なフレキシブルディスプレイを製作することが可能となる。
一方、フレキシブル有機ＥＬ表示装置を製造する目的で、樹脂フィルム上に画素電極や配線を形成する場合、フォトプロセスを用いて精密製作をする手法をはじめとして、印刷プロセスを用いて安価に基板フィルムを製作する手法等、多くのフレキシブル有機ＥＬ表示装置用のフィルム基板製作プロセスが提案されている。
また、有機ＥＬ表示装置において、アクティブ素子として有機薄膜トランジスタを使用することが、例えば、下記特許文献１に記載されている。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００７−３３５８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フォトプロセスにより、フレキシブル有機ＥＬ表示装置用のフィルム基板を製作する場合には、樹脂フィルム上に画素電極や配線パターンを高精度に形成することが可能であるという特徴はあるが、フォトプロセスの存在による製造コストの増大の他、配線部材の厚みを確保することが困難となるために配線の電気抵抗が大きくなり、電圧降下が無視できなくなるという問題点があった。
また、印刷法によってフィルム基板を製作する場合には、低コストで製作可能なことがメリットであるが、印刷によって回路配線をパターンニングするため、回路配線の電気抵抗が大きくなる。このため、フレキシブル有機ＥＬ表示装置を大型化する際に、コストの増大に加え、配線抵抗が大きくなることから、表示部への電力供給が課題になってくるという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、低コストで、大型のフレキシブル表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板と、第１基板上に形成され、第１の方向に延長する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に形成される発光素子と、前記発光素子上に形成され、前記複数の第１電極と交差するように第２の方向に延長する複数の第２電極とを有するパッシブマトリクス型の表示装置であって、前記第１基板は、前記複数の第１電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第１樹脂フィルムであり、前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第１電極にそれぞれ電気的に接続されている。
（２）（１）において、前記複数の第２電極上に配置される第２基板を有し、前記第２の基板は、前記複数の第２電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第２樹脂フィルムであり、前記第２樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の第２電極にそれぞれ電気的に接続されている。
（３）（１）または（２）において、前記発光素子は、平板形状に形成され、前記第１の方向、あるいは前記第２の方向に複数設けられる。
（４）（３）において、前記各発光素子の間に分離壁を有する。
（５）（１）ないし（４）の何れかにおいて、前記複数の第１電極および前記複数の第２電極の少なくとも一方は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。
【０００６】
（６）複数の画素を有し、前記複数の画素の各々は、第１基板上に形成されたアクティブ素子を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、前記第１基板は、前記複数の第１電極と対向する面にストライプ状の金属配線が複数形成された第１樹脂フィルムであり、前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の画素の前記各アクティブ素子に駆動電圧を入力する複数の配線層にそれぞれ電気的に接続されている。
（７）（６）において、前記アクティブ素子は、半導層として有機半導体層を使用する有機薄膜トランジスタである。
（８）（６）または（７）において、前記複数の画素の前記各アクティブ素子に駆動電圧を供給する配線層は、前記複数の画素の前記各アクティブ素子にそれぞれ走査電圧を入力する走査線であり、前記第１樹脂フィルムの複数の金属配線の各々は、前記複数の走査線にそれぞれ電気的に接続されている。
（９）（６）ないし（８）の何れかにおいて、前記各画素は、画素電極と、前記画素電極上に形成される透明電極と、前記透明電極上で前記各画素の発光領域の間に形成される補助配線とを備え、前記補助配線は、第２樹脂フィルムの上に形成されたストライプ状の金属配線である。
【０００７】
（１０）（９）において、前記透明電極は、前記各画素に対して共通に形成される。
（１１）（６）ないし（１０）の何れかにおいて、前記透明電極は、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいは、ＺｎＯである。
（１２）（１）ないし（１１）の何れかにおいて、前記金属配線は、２つの直線部と、前記２つの直線部の間に形成される短絡部とからなるラダー形状のストライプ状の金属配線である。
（１３）（１）ないし（１２）の何れかにおいて、前記金属配線は、Ａｌ、Ｃ、Ｃｕ，Ｆｅ、あるいはＳＵＳのいずれかである。
（１４）（１）ないし（１３）の何れかにおいて、前記樹脂は、ＰＥＴ、または、ＴＡＣ、あるいは、ＰＯＣである。
【発明の効果】
【０００８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、低コストで、大型のフレキシブル表示装置を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
本実施例では、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例について説明する。
図１は、本発明の実施例１のパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの概要を示す平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図、図４は、図１のＣ−Ｃ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
これらの図において、ＲＥＳＩＮ１，ＲＥＳＩＮ２は樹脂フィルム、ＭＬＩＮＥ１，ＭＬＩＮＥ２は微細金属配線、ＯＬＥは有機ＥＬ素子、ＢＡＫは分離壁、ＤＥＮ１、ＤＥＮ２は電極である。
【００１０】
本実施例では、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上に、ストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ２）が予めパターンニングされており、この樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上に、電極（ＤＥＮ２）を形成する。電極（ＤＥＮ２）は、図１のＸ方向に延長し、図１のＹ方向に複数配置される。
各電極（ＤＥＮ２）は、一部が、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ２）と接触するように形成され、各電極（ＤＥＮ２）は、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上の対応する金属配線（ＭＬＩＮＥ２）と電気的に接続される。電極（ＤＥＮ２）は、ＩＴＯ等の透明電極であり、蒸着、あるいはスパッタリングにより形成される。
次に、この電極（ＤＥＮ２）に対して正確に有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を成膜する。この成膜法は蒸着や印刷等の手法を問わない。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、図ＹのＸ方向に延長し、図１のＸ方向に複数配置される。また、各有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、分離壁（ＢＡＫ）により分離される。なお、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、図５に示すように、ホール輸送層２２、発光層２１、電子輸送層２０の３層を少なくとも備える。
さらに、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の上部に、電極（ＤＥＮ１）を形成する。電極（ＤＥＮ１）は、図１のＹ方向に延長し、図１のＸ方向に複数配置される。電極（ＤＥＮ１）は、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極であり、蒸着、あるいはスパッタリングにより形成される。
最後に、電極（ＤＥＮ１）上に、ストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ１）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）を形成する。この場合に、各電極（ＤＥＮ１）は、一部が、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ１）と接触するように形成され、各電極（ＤＥＮ１）は、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上の対応する金属配線（ＭＬＩＮＥ１）と電気的に接続される。
【００１１】
本実施例では、それぞれストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ１）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）と、ストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ２）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）とを真空ラミネートによる圧着封止し、封止内部の周囲にデシカントを配置し、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を製作した。但し、圧着条件によっては接続不良が生じる為、圧着条件には真空雰囲気を用いることが望ましい。
本実施例の有機ＥＬ表示パネルを駆動する際には、電極（ＤＥＮ１）（若しくは、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ１））と、電極（ＤＥＮ２）（若しくは、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ２））とによって構成されるマトリクスに、それぞれ、所望の電位を印加することによって、それぞれの電極（ＤＥＮ１）と電極（ＤＥＮ２）との交点の座標が発光する。
なお、本実施例は、両面発光のパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルであるが、電極（ＤＥＮ１）、あるいは、電極（ＤＥＮ２）のどちらか一方を、Ａｌ等の不透明で、かつ、反射率の高い金属に置き換えることによって、片面から発光を取り出す構造に変更することができる。
さらに、前述の説明では、金属配線（ＭＬＩＮＥ１）を、ストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ１）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）を用いたが、この金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、周知の方法により、電極（ＤＥＮ１）上に形成するようにしてもよい。
この場合には、従来のパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの構造と同様に、有機ＥＬ表示パネルの周囲を封止して、有機ＥＬ表示パネル内部の空間の制御のために必要なスペーサ、ならびに吸湿信頼性対策の為の外気遮断構造を持たせる必要がある。
【００１２】
図６は、本発明の実施例の金属配線を説明するための図であり、図７は、本発明の実施例の金属配線を拡大して示す斜視図である。
本実施例のストライプ状の金属配線（ＭＬＩＮＥ）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）は、例えば、冷間圧延加工により１０μｍ以下にされた銅箔とＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート；PolyEthylene Terephthalate）で構成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）とを化粧鋼板技術により貼り合わせた後、高温かつ高圧でエッチング液を噴出するエッチング技術により銅箔をエッチングし、テーパ角が８０〜９０度となるように加工された金属配線（ＭＬＩＮＥ）をストライプ状に形成することにより作成される。
このプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の配線ピッチ（ＰＩＴＣＨ）は８０〜１０００μｍ、配線幅（ＷＩＤＴＨ）は８〜５０μｍ、配線高（ＨＥＩＧＨＴ）は１０〜１５０μｍまでは適宜製造可能である。
したがって、前述のプロセスを用いた場合には、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の精細度は３００ＬＰＩ（Line per inch）程度は充分に達成可能であるため、有機ＥＬ表示パネルの電極の配線抵抗を低下させる目的においては、充分な加工精細度の実力を持っている。
更に、金属配線（ＭＬＩＮＥ）のパターンに用いられる金属は、板厚１０μｍ程度の配線厚みを持つ為、一般的なガラス基板上にフォトプロセスでパターンニングされた金属配線の厚み（１μｍ程度）と比較して、約１／１０の電気抵抗となり、電極の配線抵抗を低下させることができる。
この結果、電極の配線抵抗による電圧降下を従来よりも低くできるので、高性能な有機ＥＬ表示パネルの製造に貢献する他、有機ＥＬ表示パネルの大型化対応（例えば、１７インチ以上の有機ＥＬ素子パネル）に対しても容易に対応可能となる。
【００１３】
この金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、不透明な金属膜で、アルミニウム（Ａｌ）の他、銅（Ｃｕ）、Ｃ（炭素）、Ｆｅ（鉄）、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料を用いることができる。なお、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の表面に黒色化処理を施すようにしてもよい。この場合には、有機ＥＬ素子パネルの視認特性を向上させることが可能となる。
樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）としては、ＰＥＴのほかにＴＡＣ（トリアセチルセルロース）、あるいは、ＰＯＣ（ポリオレフィン；polyolefin）等を適用することもできる。これらの樹脂のように、複屈折が少ない膜であれば、他の材料も用いることができる。
なお、前述の説明では、予め金属箔と樹脂フィルムを貼り合わせた部材を準備して、これにフォトレジストでパターンニングし、エッチング法により、配線以外の部分を除去することによって製造したが、析出法や印刷法を用いても、同様な効果を得ることができる。
図８は、本実施例の金属配線（ＭＬＩＮＥ）の変形例を説明するための図である。
図８に示す変形例は、金属配線（ＭＬＩＮＥ）を、２つの直線部１１と、当該２つの直線部１１を短絡する短絡部１２とで構成される。即ち、本実施例の金属配線（ＭＬＩＮＥ）は、ラダー形状とされる。
ここで、短絡部１２の長さ（Ｌ１）は、１２０μｍ、短絡部１２の間隔（Ｗ）は、１２０μｍとされる。また、直線部１１および短絡部１２の幅は、１０μｍである。
なお、図８に示すラダー形状の金属配線（ＭＬＩＮＥ）を使用することにより、より電極（ＤＥＮ１，ＤＥＮ２）の配線抵抗を低減することが可能である。さらに、膜厚が１０〜１５０μｍの金属膜は光を遮断するので、図８に示すラダー形状の金属配線（ＭＬＩＮＥ）を使用することにより、本実施例の有機ＥＬ表示パネルのコントラストを増加させることが可能となる。この効果は、金属配線（ＭＬＩＮＥ）を黒色化することにより、より顕著な効果となる。
【００１４】
［実施例２］
本実施例では、トップエミッション方式のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示パネルに本発明を適用した例について説明する。
図９は、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
図９に示すように、本発明の前提となる有機ＥＬ表示パネルでは、上下方向に映像線（ＤＡＴＡ）及び電源線（ＰＯＷＥＲ）、左右方向に補助配線（ＳＵＰ）と走査線（ＳＣＡＮ）が配置され、各画素はこれらの配線の間に形成される。
各画素は、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）、データ保持容量（ＣＡＰ）、および有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）を有する。
第１トランジスタ（ＴＦＴ１）のソースドレイン領域の一端に、映像線（ＤＡＴＡ）が接続され、他端に、データ保持容量（ＣＡＰ）の一端が接続され、制御端であるゲートは、走査線（ＳＣＡＮ）に接続される。
データ保持容量（ＣＡＰ）の一端は、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）の制御端にも接続され、他端は、電源線（ＰＯＷＥＲ）に接続される。
電源線（ＰＯＷＥＲ）には、データ保持容量（ＣＡＰ）だけでなく、第２トランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の一端が接続されている。第２トランジスタ（ＴＦＴ２）のソースドレイン領域の他端は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のアノードに接続される。有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）のカソードは、補助配線（ＳＵＰ）に接続される。
【００１５】
図１０は、本発明の実施例の有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を示す図である。図１０に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示パネルでは、第１基板を構成する樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上に、ゲート電極（Ｇ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、ドレイン電極（ＳＧ１）、半導体膜（ＡＳ）、ソース電極（ＳＧ２）、第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）、第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）、画素電極（ＡＤ）、バンク（ＢＮＫ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）、共通電極（ＣＤ）、補助配線（ＳＵＰ）を構成する金属配線（ＭＬＩＮＥ１）、金属配線（ＭＬＩＮＥ１）が予めパターンニングされた樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）が形成される。なお、図１０において、矢印Ａは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光の照射方向を示す。
本実施例は、前述の微細金属配線（ＭＬＩＮＥ２）が予めパターンニングされている樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）を利用して、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルを作成したものである。
図１１に示すように、走査線（ＧＬ）は、一部が、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ２）と接触するように形成される。また、ゲート電極（Ｇ）は、走査線（ＧＬ）から突出するように形成されている。これにより、走査線（ＧＬ）の配線抵抗を低減することが可能である。なお、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ２）上の金属配線（ＭＬＩＮＥ２）として、図８に示すラダー形状の金属配線を使用することも可能である。この場合は、走査線（ＧＬ）の配線抵抗をより低減することが可能となる。なお、ゲート電極（Ｇ）は、例えば、厚さ１００〜３００ｎｍの金属膜で、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）との合金膜（ＭｏＷ）で構成される。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、例えば、厚さ１００〜２００ｎｍのＴＥＯＳによる酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート絶縁膜だけでなく、データ保持容量（ＣＡＰ）の誘電体層としても機能する。
【００１６】
第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）は、厚さ２００〜５００ｎｍの酸化シリコン膜で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
本実施例では、第１トランジスタ（ＴＦＴ１）、あるいは第２トランジスタ（ＴＦＴ２）として、半導体層（ＡＳ）に有機半導体層を使用する有機薄膜トランジスタが使用される。半導体膜（ＡＳ）は、第１層間絶縁膜（ＩＮＳ１）に形成された凹部に形成される。
ドレイン電極（ＳＧ１）、およびソース電極（ＳＧ２）を構成する金属配線は、映像線（ＤＡＴＡ）、電源線（ＰＯＷＥＲ）を構成する。なお、ドレイン電極（ＳＧ１）、およびソース電極（ＳＧ２）を構成する金属配線は、例えば、厚さ１００〜３００ｎｍの金属膜で、モリブデン（Ｍｏ）とタングステン（Ｗ）との合金膜（ＭｏＷ）で構成される。
第２層間絶縁膜（ＩＮＳ２）は、厚さ３００〜５００ｎｍのシリコン窒化膜の上に、厚さ１μｍ〜２μｍのポリイミド、アクリル、エポキシの何れから選択された有機絶縁膜が形成された積層構造で構成され、コンタクトホール以外の基板全面を覆っている。
画素電極（ＡＤ）は、上下２層で構成される。下層は、厚さ５０〜２００ｎｍのＡｌＳｉ膜と２０〜１２０ｎｍ程度の厚さのＭｏＷ膜との積層膜（上Ａｌ膜／下ＭｏＷ膜）で構成され、画素毎に分離されている。上層は、厚さ３０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成され、画素毎に分離されている。上層のＩＴＯは、下層の金属を覆い、下層を介さずに第２トランジスタ（ＴＦＴ２）と電気的に直接接続されている。即ち、画素電極（ＡＤ）の上層は、ホール注入する陽極として機能し、下層は有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）で発光した光を反射する反射膜として機能する。
【００１７】
バンク（ＢＮＫ）は、画素電極（ＡＤ）の外縁を覆い、画素電極（ＡＤ）を露出する発光領域（ＡＲＡ）間を絶縁する絶縁膜で、窒化シリコン膜ＳｉＮ、アクリル又はポリイミドで構成される。
有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）は、前述の図５に示すように、ホール輸送層２２、発光層２１、電子輸送層２０の３層を少なくとも備えている。この有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の少なくとも一層がバンクの上にも形成される。
陰極となる共通電極（ＣＤ）は、ＩＺＯなどの亜鉛系の酸化導電膜で構成され、有機ＥＬ素子（ＯＬＥ）の全面を覆っている。
共通電極（ＣＤ）上には、補助配線（ＳＵＰ）を構成する金属配線（ＭＬＩＮ１）が形成される。この金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上に予めパターンニングされている。
この金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、走査線（ＳＣＡＮ）の延長方向で、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間の非発光領域に形成される。即ち、金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、上下左右に延びるバンク（ＢＮＫ）のうち、左右に延びるバンク（ＢＮＫ）上に形成される。
樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上に形成される金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、配線幅は１０〜１５μｍ、各画素の発光領域（ＡＲＡ）の間隔は、２５ないし３０μｍとされる。
【００１８】
本実施例の補助配線（ＳＵＰ）は、前述した、ＰＥＴで構成された樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ１）上にストライプ状に形成された金属配線（ＭＬＩＮＥ）で構成される。
金属配線（ＭＬＩＮＥ）パターンに用いられる金属は、板厚１０μｍ程度の配線厚みを持つ為、一般的なガラス基板上にフォトプロセスでパターンニングされた金属配線の厚み（１μｍ程度）と比較して、約１／１０の電気抵抗となる。このため、現状考えうる補助配線の形成プロセス、即ち、フォトプロセス法や真空蒸着法に比較して、本実施例による補助配線（ＳＵＰ）は配線抵抗が最も低いものとなる。
本実施例では、共通電極（ＣＤ）としては、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯが使用されるが、本実施例では、共通電極（ＣＤ）として、ＩＴＯ、または、ＩＺＯ、あるいはＺｎＯを用い、補助配線構成部材を有機ＥＬ素子パネルの共通電極（ＣＤ）に組み合わせた際には、共通電極（ＣＤ）と補助配線（ＳＵＰ）とを組み合わせたシート抵抗を１０Ω／□以下とすることができる。
この結果、補助配線（ＳＵＰ）の配線抵抗による電圧降下を従来よりも低くできるので、高性能な有機ＥＬ表示パネルの製造に貢献する他、トップエミッション方式の有機ＬＥ表示パネルの大型化対応（例えば、１７インチ以上の有機ＥＬ素子パネル）に対しても容易に対応可能となる。
この金属配線（ＭＬＩＮＥ１）は、前述したように、不透明な金属膜で、アルミニウム（Ａｌ）の他、銅（Ｃｕ）、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料を用いることができる。なお、金属配線（ＭＬＩＮＥ）の表面に黒色化処理を施すようにしてもよい。この場合には、有機ＥＬ素子パネルの視認特性を向上させることが可能となる。
【００１９】
本実施例によれば、下記の作用・効果を得ることが可能である。
（１）透明な樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）に微細な金属配線（ＭＬＩＮＥ）を形成するプロセスは、大量生産に適した製造手法であり、低コストで生産が可能であるばかりか、フレキシブル有機ＥＬパネルを製造する際の製造プロセスが簡略化するため、フレキシブル有機ＥＬパネルのコスト低減することが可能となる。
（２）透明な樹脂フィルム（ＲＥＳＩＮ）に微細な金属配線（ＭＬＩＮＥ）を形成する場合、その配線厚みは１０μｍを超えることも可能であるため、フレキシブル有機ＥＬパネルを駆動する為の配線抵抗を低減することが可能となる。これにより、電源線ならびに信号線等の配線抵抗による、電圧降下を軽減することが可能であるため、フレキシブル有機ＥＬパネルの大型化が可能となるとともに、表示品質を向上させることが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１のパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの概要を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ’切断線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図５】図１に示す有機ＥＬ素子の構成の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施例１の金属配線を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例１の金属配線を拡大して示す斜視図である。
【図８】本実施例１の金属配線の変形例を説明するための図である。
【図９】本発明の前提となるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの１画素（サブピクセル）の等価回路を示す回路図である。
【図１０】本発明の実施例２のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの１画素の要部断面構造を示す図である。
【図１１】本発明の実施例２のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルの走査線を説明するための図である。
【図１２】図１０に示す補助配線を構成する金属配線の配置パターンを示す図である。
【符号の説明】
【００２１】
１１  直線部
１２  短絡部
２０  電子輸送層
２１  発光層
２２  ホール輸送層
ＲＥＳＩＮ，ＲＥＳＩＮ１，ＲＥＳＩＮ２  樹脂フィルム
ＭＬＩＮＥ，ＭＬＩＮＥ１，ＭＬＩＮＥ２  金属配線
ＡＳ  半導体層
ＧＩ  ゲート絶縁膜
ＳＧ１  ドレイン電極
ＳＧ２  ソース電極
ＩＮＳ１  第１層間絶縁膜
ＩＮＳ２  第２層間絶縁膜
ＡＤ  画素電極
ＢＮＫ  バンク
ＳＵＰ  補助配線
ＣＤ  共通電極
ＤＡＴＡ  映像線
ＰＯＷＥＲ  電源線
ＳＣＡＮ  走査線
ＯＬＥ  有機ＥＬ素子
ＴＦＴ１  第１トランジスタ
ＴＦＴ２  第２トランジスタ
ＣＡＰ  データ保持容量
ＧＬ  走査線
Ｇ  ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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