(57)【要約】【課題】コストアップを防止又は抑制しつつ、電源の遮断による影響を受けることなく、書き換え回数が制限されているメモリの該書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることのできる電子機器を提供する。【解決手段】画像形成装置１の電源がＯＮされるとフラッシュメモリ１０６内の設定値情報を複製し該設定値情報をＲＡＭ１０７に格納する設定値情報複製部１０８と、外部機器Ｘにより設定値情報の変更操作が行われると、ＲＡＭ１０７内の変更操作対象である設定値情報を操作内容に基づき変更する第１設定値情報変更部１０９と、この変更後、フラッシュメモリ１０６に変更内容情報を記録する変更内容記録部１１０と、前記設定値情報を変更してから所定時間経過後に、前記変更部１０９により変更を受けたＲＡＭ１０７内の設定値情報をフラッシュメモリ１０６に書き戻す設定値情報書き戻し部１１１とを備えた。【選択図】図２
2009031928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性メモリと、
当該電子機器による処理の項目についての設定値を示す設定値情報を予め記憶する第１の記憶領域を備えた不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報を複製し、複製した設定値情報を前記揮発性メモリに格納する設定値情報複製部と、
当該電子機器に対して前記設定値情報の変更指示が行われると、その変更指示に基づき、前記揮発性メモリに格納された設定値情報を変更する第１の設定値情報変更部と、
前記第１の設定値情報変更部により変更された設定値情報を前記不揮発性メモリの前記第１の記憶領域と異なる第２の記憶領域に記録する第１の記録部と、
前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達すると、前記揮発性メモリに格納されている設定値情報を前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に上書き形式で記録する第２の記録部とを備え、
前記第１の記録部は、前記第２の記録部による記録処理が完了すると、該記録処理が完了した旨を示す記録完了情報を、前記不揮発性メモリの第２の記憶領域に格納された設定値情報のうち前記記録処理が完了した設定値情報に付加する電子機器。
【請求項２】
前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達する前に当該電子機器の電源がオフされた場合、
前記設定値情報複製部は、前記電源が再びオンされると、前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報を複製し、複製した設定値情報を前記揮発性メモリに格納し、
この設定値情報複製部による前記設定値情報の複製及び格納処理後に、前記第２の記憶領域に記録された設定値情報のうち前記記録完了情報が付加されていない設定値情報を、前記揮発性メモリの記憶領域のうちその設定値情報と同一の処理項目に係る設定値情報が記憶されている記憶領域に上書き形式で記録する第２の設定値情報変更部を備える請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の記録部は、前記第２の記憶領域が満杯になると該記憶領域に記憶されている設定値情報を削除する請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記不揮発性メモリは、設定値情報の消去回数が所定値に制限されているものである請求項１ないし３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであり、前記揮発性メモリは、ＲＡＭである請求項１ないし４のいずれかに記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えた電子機器の技術分野に属し、特に、不揮発性メモリの寿命を延命化する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、耐衝撃性が高く、小型・低消費電力であるという利点を有することから、電気的にデータの書換えが可能なフラッシュメモリが種々の電子機器に搭載されている。しかしながら、フラッシュメモリは、データの書換え動作に伴う性能劣化が生じるという性質を有しており、そのためデータの書換え回数が制限されている。また、フラッシュメモリは、データの消去が一定のデータ量を単位として行われる。したがって、書換え対象のデータのデータ量が前記一定のデータ量より小さい場合であっても、前記一定のデータ量のデータを消去する必要が生じ、データの書き換えに比較的長い時間を要するという性質を有する。
【０００３】
近年、このような性質を有するフラッシュメモリの欠点を補いつつその長所を活かすことを図る技術が例えば下記特許文献１〜５のように種々提案されている。
【０００４】
下記特許文献１には、フラッシュメモリアレイと、リフレッシュ動作時にフラッシュメモリアレイのデータを一時退避させるためのメモリデータ退避領域とを備え、フラッシュメモリアレイのデータを一括消去したのち、メモリデータ退避領域に一時退避させておいたデータをフラッシュメモリに再書き込みする半導体不揮発性記憶装置が開示されている。
【０００５】
下記特許文献２には、書換回数制限のある不揮発性メモリ素子で構成される記憶領域上にデータ記憶部と一時記憶部とを備え、一時記憶部に更新データの書込みを行うための空き領域が存在する場合には、その一時記憶部に更新データを書き込む一方、一時記憶部に前記空き領域が存在しない場合には、所属する書込単位ブロックに対応する更新データが一時記憶部に記憶されている消去単位ブロックの少なくとも一を書換対象ブロックとして選択し、書換対象ブロックとして選択された消去単位ブロックを一時記憶部に存在するデータのうち当該消去単位ブロックに属する書込単位ブロックの更新データで修正して書き換えることが記載されている。
【０００６】
下記特許文献３及び４には、フラッシュメモリと、前記フラッシュメモリより書き込み回数の制限値が大きく、データ等の一時的な記憶を行う、前記フラッシュメモリのキャッシュメモリとして用いるＦｅＲＡＭ（不揮発性メモリ）とを備える技術が開示されている。
【０００７】
下記特許文献５には、ＲＡＭとフラッシュメモリとを備えた電子機器において、当該電子機器の主電源のオフを検知する電源断検知回路を備え、電源断検知回路により前記主電源のオフが検知されると、ＲＡＭに格納されたデータをフラッシュメモリに書き込む技術が開示されている。
【特許文献１】特開平８−１４７９８８号公報
【特許文献２】特開平８−３１５５９６号公報
【特許文献３】特開平７−１４６８２０号公報
【特許文献４】特開２００５−３０１５９１号公報
【特許文献５】特開２００５−９９９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記特許文献１の技術では、装置の電源をオフされると、前記メモリデータ退避領域に一時退避されたデータが消えることとなり、フラッシュメモリアレイに該データを書き込みすることができなくなる。前記特許文献２の技術では、前記一時記憶部の空き領域が十分なければ、データ量が多いデータを書き換え対象とすることができない。
【０００９】
特許文献３及び４の技術においては、ＦｅＲＡＭは揮発性メモリより高価であり、コストアップを招来するという問題がある。特許文献５の技術においては、前述したように、フラッシュメモリはデータの書き換えに比較的長い時間を要するものであるため、電源断検知回路で主電源のオフを検知後にＲＡＭ内のデータをフラッシュメモリに書き込む場合に要する時間を考慮すると、主電源のオフ後もデータの書き換えが完了するまでフラッシュメモリを始めとする各部に電源を供給する回路が別途必要になることが考えられ、この場合、前記回路の分、コストアップや装置の大型化を招来する。
【００１０】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、コストアップを防止又は抑制しつつ、電源の遮断による影響を受けることなく、書き換え回数が制限されているメモリの該書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることのできる電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、揮発性メモリと、当該電子機器による処理の項目についての設定値を示す設定値情報を予め記憶する第１の記憶領域を備えた不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報を複製し、複製した設定値情報を前記揮発性メモリに格納する設定値情報複製部と、当該電子機器に対して前記設定値情報の変更指示が行われると、その変更指示に基づき、前記揮発性メモリに格納された設定値情報を変更する第１の設定値情報変更部と、前記第１の設定値情報変更部により変更された設定値情報を前記不揮発性メモリの前記第１の記憶領域と異なる第２の記憶領域に記録する第１の記録部と、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達すると、前記揮発性メモリに格納されている設定値情報を前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に上書き形式で記録する第２の記録部とを備え、前記第１の記録部は、前記第２の記録部による記録処理が完了すると、該記録処理が完了した旨を示す記録完了情報を、前記不揮発性メモリの第２の記憶領域に格納された設定値情報のうち前記記録処理が完了した設定値情報に付加する電子機器である。
【００１２】
この発明によれば、設定値情報複製部により、不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報が複製され、複製された設定値情報が揮発性メモリに格納される。そして、当該電子機器に対して前記設定値情報の変更指示が行われると、第１の設定値情報変更部により、その変更指示に基づき、前記揮発性メモリに格納された設定値情報が変更される。また、第１の記録部により、前記第１の設定値情報変更部で変更された設定値情報が前記不揮発性メモリの前記第１の記憶領域と異なる第２の記憶領域に記録される。
【００１３】
さらに、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達すると、第２の記録部により、前記揮発性メモリに格納されている設定値情報が前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に上書き形式で記録され、この第２の記録部による記録処理が完了すると、前記第１の記録部により、該記録処理が完了した旨を示す記録完了情報が、前記不揮発性メモリの第２の記憶領域に格納された設定値情報のうち前記記録処理が完了した設定値情報に付加される。
【００１４】
このように、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達すると、揮発性メモリに格納されている設定値情報を不揮発性メモリの第１の記憶領域に上書き形式で記録するため、前記設定値情報の変更指示により該設定値情報の書き換えの必要が生じるたびに不揮発性メモリのデータを消去する必要がなく、前記予め定められた時間内に複数の設定値情報の変更指示が行われた場合に、各変更指示に基づく複数の設定値情報の書き換えを１度にまとめて行うことができる。その結果、不揮発性メモリのデータの書き換え頻度を低減することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子機器において、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達する前に当該電子機器の電源がオフされた場合、前記設定値情報複製部は、前記電源が再びオンされると、前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報を複製し、複製した設定値情報を前記揮発性メモリに格納し、この設定値情報複製部による前記設定値情報の複製及び格納処理後に、前記第２の記憶領域に記録された設定値情報のうち前記記録完了情報が付加されていない設定値情報を、前記揮発性メモリの記憶領域のうちその設定値情報と同一の処理項目に係る設定値情報が記憶されている記憶領域に上書き形式で記録する第２の設定値情報変更部を備えるものである。
【００１６】
この発明によれば、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達する前に当該電子機器の電源がオフされた場合、前記電源が再びオンされると、前記設定値情報複製部により、前記不揮発性メモリの第１の記憶領域に記憶されている設定値情報が複製され、複製された設定値情報が前記揮発性メモリに格納される。また、第２の設定値情報変更部により、その設定値情報複製部による前記設定値情報の複製及び格納処理後に、前記第２の記憶領域に記録された設定値情報のうち前記記録完了情報が付加されていない設定値情報が、前記揮発性メモリの記憶領域のうちその設定値情報と同一の処理項目に係る設定値情報が記憶されている記憶領域に上書き形式で記録される。
【００１７】
これにより、前記第１の設定値情報変更部による設定値情報の変更タイミングに基づいて計時された時間が予め定められた時間に達する前に当該電子機器の電源がオフされた場合であっても、電源の再オン後に、最新の設定値情報が揮発性メモリに保有されることとなる。その結果、電子機器が揮発性メモリに格納されている設定値情報に基づいて動作や処理を行う場合に、電子機器に最新の設定値情報に基づいて動作や処理を行わせることができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の電子機器において、前記第１の記録部は、前記第２の記憶領域が満杯になると該記憶領域に記憶されている設定値情報を削除するものである。
【００１９】
この発明によれば、前記第２の記憶領域が満杯になると該記憶領域に記憶されている設定値情報を削除するようにしたので、不揮発性メモリの情報の書き換え頻度を抑制しつつ、前記第２の記憶領域が満杯になっても引き続き前記第１の設定値情報変更部で変更された設定値情報を記憶することができる。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子機器において、前記不揮発性メモリは、設定値情報の消去回数が所定値に制限されているものである。
【００２１】
この発明によれば、不揮発性メモリは、設定値情報の消去回数が所定値に制限されているものである場合に、特に請求項１ないし３のいずれかに記載の発明が有効なものとなる。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子機器において、前記不揮発性メモリはフラッシュメモリであり、前記揮発性メモリはＲＡＭである場合に、特に請求項１ないし４のいずれかに記載の発明が有効なものとなる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、不揮発性メモリのデータの書き換え頻度を抑制することができるため、電源の遮断による影響を受けることなく、フラッシュメモリの書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることができる。また、前記各部をソフトウェアで構成することができるため、フラッシュメモリの書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることができる構成を、コストアップの防止又は抑制を図りつつ実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。図１は、本発明に係る電子機器の一例である画像形成装置の内部構成を示す図である。
【００２５】
図１に示すように、画像形成装置１は、下部に位置する用紙供給部２と、用紙供給部２の上方に位置する画像形成部３と、画像形成部３の下流側に位置する定着部４とを備える。
【００２６】
用紙供給部２は、給紙カセットＣＳＴを備え、該給紙カセットＣＳＴに積層状態で載置された用紙Ｐを、バネ等からなる図略の付勢機構により該用紙Ｐ側に付勢された図略の給紙ローラ等の回転動作によって、最上位置のものから１枚ずつ給紙カセットＣＳＴから繰り出し画像形成部３に向けて給紙する。また、用紙供給部２は、給紙カセットＣＳＴから繰り出した用紙を画像形成部３の所定位置まで搬送すると、図略のレジストローラにより、後述する感光体ドラム５の表面に形成されたトナー像と前記用紙Ｐの先端位置との位置合せを行わせるように搬送タイミングをとり、その上で前記用紙Ｐを感光体ドラム５と転写ローラ９との間に搬送する。
【００２７】
画像形成部３は、回転可能に軸支された光導電性を有する感光体ドラム５と、レーザ走査ユニット６と、前記感光体ドラム５の周囲にその回転方向に沿って、帯電ローラ７、現像器８、転写ローラ９、クリーニング部１０及びイレーサ１１が配置されている。
【００２８】
感光体ドラム５は、例えばアモルファスシリコンを素材として形成されており、その表面に光導電性物質が塗布された円筒状の部材である。
【００２９】
レーザ走査ユニット６は、詳細には図示しないが、レーザ発光器及びポリゴンミラーを含むユニットと反射鏡とを備え、原稿の画像データに応じて強弱がつけられたレーザ光をレーザ発光器から出力し、ポリゴンミラー及び反射鏡を介して、後述する帯電ローラ７により正極性に帯電された感光体ドラム５の露光領域に照射して、感光体ドラム５の表面に画像を形成するドットを形成するものである。この照射されたレーザ光により、感光体ドラム５の表面電位を画像に応じて減少させて、感光体ドラム５の表面に、原稿の画像データに応じた静電潜像を形成させる。この光照射は、ポリゴンミラーの回転によって、帯電ローラ７と現像器８との間の露光領域へ、回転する感光体ドラム５の幅方向（図１において紙面に垂直な方向）に繰り返して走査される。
【００３０】
帯電ローラ７は、所定の弾性を備えて形成された円柱状周面を有する部材であり、感光体ドラム５の表面に接触した状態で、該感光体ドラム５の回転方向と逆方向に回転する。帯電ローラ７は、所定の電圧が帯電バイアスとして印加されることで、感光体ドラム５の周面を正極性に一様に帯電する。
【００３１】
現像器８は、感光体ドラム５に対向配置された現像ローラ８１と、トナーを格納したトナーコンテナ８２とを備え、前記現像ローラ８１を用いて、レーザ光により感光体ドラム５上の正電荷（電位）の減少した静電潜像の部分に、現像領域において同極、即ち正帯電したトナーを付着させるものである。これにより、感光体ドラム５上に形成された静電潜像がトナーにより現像化され、感光体ドラム５の表面に可視像としてのトナー像が形成される。
【００３２】
転写ローラ９は、感光体ドラム５に対して非接触状態で対向配置されており、当該転写ローラ９と感光体ドラム５とで構成されるニップ部に搬送された用紙の裏面から負の電圧を転写バイアスとして印加することにより、感光体ドラム５の表面に形成されたトナー像を静電的に用紙Ｐに上に転写像として転写させる。
【００３３】
クリーニング部１０は、感光体ドラム５の幅方向寸法と略同等の長さに形成されたクリーニングブレード１０１を有し、このクリーニングブレード１０１の先端部を図略の付勢手段の付勢力により感光体ドラム５の表面に付勢することで、転写動作後の感光体ドラム５の表面に付着している残留トナーを掻き落とすものである。
【００３４】
イレーサ１１は、図略の基板上に、感光体ドラム５の幅方向全域に渡って配列された複数のＬＥＤランプ（図示せず）を備え、ＬＥＤランプの光を感光体ドラム５の表面に照射して、感光体ドラム５の残留電荷を除去するものである。
【００３５】
定着部４は、トナー像が転写された用紙Ｐを加圧及び加熱することにより用紙Ｐに転写されたトナーを該用紙に定着させる定着処理を行うものであり、熱遮蔽ボックス１２と、ヒータを内蔵し、熱遮蔽ボックス１２内の上部に配設された定着ローラ１３と、熱遮蔽ボックス１２内の下部において定着ローラ１３に圧接して配設された加圧ローラ１４とを備える。
【００３６】
図２は、画像形成装置１の電気的な構成を示すブロック図である。図２に示すように、画像形成装置１は、入力操作部１０１と、パネルボード１０２と、コントローラボード１０３とを備える。
【００３７】
入力操作部１０１は、ユーザが印刷実行指示を入力するためのスタートボタン、印刷部数等を入力するためのテンキー、各種複製動作の操作ガイド情報等を表示し、これら各種設定入力用にタッチパネル機能を有する液晶ディスプレイ等からなる表示部等を備えてなり、この入力操作部１０１を操作することで、当該画像形成装置１における各種処理項目の設定値情報を変更することができる。パネルボード１０２は、前記入力操作部１０１に対する操作情報を後述するコントローラ１０４に出力する基板である。
【００３８】
コントローラボード１０３には、パネルボード１０２に電気的に接続されたコントローラ１０４が搭載されており、該コントローラ１０４に、Ｉ／Ｆ１０５と、フラッシュメモリ１０６と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１０７とが電気的に接続されている。
【００３９】
Ｉ／Ｆ１０５は、通信線Ｌを介して接続された外部機器Ｘとの間での種々のデータの送受信を制御するインターフェースである。なお、図２では外部機器Ｘの一例としてパーソナルコンピュータを示している。
【００４０】
フラッシュメモリ１０６は、記憶内容（データ）の書き換えが可能な不揮発性のＲＯＭ（Read Only Memory）の一例であり、書き換え回数の制限を有する記憶部（メモリ）である。また、フラッシュメモリ１０６は、一定のデータ量を単位としてデータ消去が行われる。フラッシュメモリ１０６は、例えば出力解像度や画像のトップマージン（用紙上部の余白）やレフトマージン（用紙左側の余白）等、画像形成装置１における処理項目の設定値情報を記憶する設定値情報記憶領域１０６ａと、書き換え管理情報記憶領域１０６ｂとを有する。設定値情報記憶領域１０６ａは、前記第１の記録領域に相当し、書き換え管理情報記憶領域１０６ｂは、前記第２の記録領域に相当する。
【００４１】
ＲＡＭ１０７は、データの書き込みと読み出しが随時可能な揮発性を有する半導体メモリであり、書き換え回数の制限を有しない記憶部（メモリ）である。
【００４２】
コントローラ１０４は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算処理部）等を備えてなり、フラッシュメモリ１０６に格納された各種情報（前記設定値情報を含む）に基づき、画像形成装置１に備えられる各部の動作を互いに関連付けて制御するものである。本実施形態では、コントローラ１０４は、フラッシュメモリ１０６の寿命の延命化を図るべく、設定値情報複製部１０８と、第１設定値情報変更部１０９と、変更内容記録部１１０と、設定値情報書き戻し部１１１と、第２設定値情報変更部１１２とを備える。
【００４３】
設定値情報複製部１０８は、図３に示すように、画像形成装置１の電源がＯＮされる（画像形成装置１が起動する）と、フラッシュメモリ１０６に格納されている設定値情報を複製し、この複製した設定値情報をＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａ（図２参照）に格納する。
【００４４】
第１設定値情報変更部１０９は、入力操作部１０１又は前記外部機器Ｘにより当該画像形成装置１における処理項目の設定値情報の変更操作が行われると、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納されている設定値情報のうち変更操作の対象となった設定値情報を、操作内容に基づいて設定値情報に変更する（書き換える）ものである。
【００４５】
設定値情報複製部１０８により複製されＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納された設定値情報が例えば図６（ａ）に示すものであったとする。図６（ａ）は、処理項目Ａについての設定値がＡ１に設定され、処理項目Ｂについての設定値がＢ１に設定され、処理項目Ｃについての設定値がＣ１に設定されていることを示している。この状態で、入力操作部１０１又は前記外部機器Ｘにより処理項目Ｃについての設定値をＣ２に変更する操作が行われると、第１設定値情報変更部１０９は、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納された設定値情報のうち、処理項目Ｃについての設定値情報が格納されたアドレス３を検出し、このアドレス３に格納された設定値情報が示す設定値をＣ１からＣ２に変更する。
【００４６】
変更内容記録部１１０は、前記第１の記録部に相当するものであり、前記第１設定値情報変更部１０９により設定値情報の変更が行われると、図４の（２）で示すように、前記フラッシュメモリ１０６の書き換え管理情報記憶領域１０６ｂ（図２参照）に次に説明する変更内容情報を記録するものである。変更内容情報は、図７に示すように、書き戻し完了判定フラグと、アドレスと、変更後の設定値情報とを含んで構成されている。
【００４７】
書き戻し完了判定フラグは、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納された設定値情報のうち第１設定値情報変更部１０９により変更を受けた設定値情報が、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに書き戻されたか否か（第１設定値情報変更部１０９による変更内容が、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに反映されたか否か）を示すものであり、該フラグが例えば「１」のときには、未だ書き戻しが行われていないことを示し、「０」のときには、書き戻しが行われたことを示す。「０」のときの書き戻し完了判定フラグが前記前記記録完了情報に相当する。
【００４８】
変更内容記録部１１０は、第１設定値情報変更部１０９により設定値情報の変更処理が行われた時点では、書き戻し完了判定フラグを「１」に設定する。アドレスは、第１設定値情報変更部１０９により変更が行われた設定値情報が格納されているＲＡＭ１０７上のアドレスである。
【００４９】
図６（ｃ）に示すように、フラッシュメモリ１０６の書き換え管理情報記憶領域１０６ｂには、該領域１０６が満杯となるまで、ＲＡＭ１０７内の設定値情報の変更が行われるたびに前記変更内容情報が累積的に格納され、前記書き換え管理情報記憶領域１０６ｂが満杯となると、該領域１０６ｂに格納されている変更内容情報が削除される。なお、図６（ｃ）は、図６（ｂ）に示すＲＡＭ１０７における設定値情報記憶領域１０７ａ内のアドレス３に格納されている処理項目Ｃの設定値がＣ２に変更され、且つ、後述の設定値情報書き戻し部１１１による書き戻しが未だ行われていない（書き戻し完了判定フラグ＝「１」）ことを示す変更内容情報が、書き換え管理情報記憶領域１０６ｂに新たに格納されたことを示している。
【００５０】
設定値情報書き戻し部１１１は、前記第２の記録部に相当するものであり、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納された設定値情報のうち第１設定値情報変更部１０９により変更を受けた設定値情報を、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに書き戻す（第１設定値情報変更部１０９による変更内容をフラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに反映する）ものである。設定値情報書き戻し部１１１は、計時を行う図略のタイマを有し、図４の（３）に示すように、例えば前記第１設定値情報変更部１０９による設定値情報の変更タイミングから該タイマによる計時を開始し、所定時間が計時されると、第１設定値情報変更部１０９により変更を受けた前記設定値情報記憶領域１０７ａ内の設定値情報を、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに書き戻す。例えば、前述のように処理項目Ｃについての設定値がＣ１からＣ２に変更された場合には、図６（ｄ）のハッチングで示すように、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに格納される設定値情報が、設定値情報書き戻し部１１１によりＣ２に変更される。
【００５１】
設定値情報書き戻し部１１１は、書き戻し処理が完了すると、その旨を前記変更内容記録部１１０に伝達し、前記変更内容記録部１１０は、これに基づき、図４の（４）に示すように、書き戻し完了判定フラグを、書き戻しが行われたことを示す「０」に変更する。例えば前述のように処理項目Ｃについての設定値がＣ１からＣ２に変更された場合、前記変更内容記録部１１０は、図６（ｅ）に示すように、該処理項目Ｃの設定値情報に対応する書き戻し完了判定フラグを「１」から「０」に変更する。
【００５２】
ところで、前記タイマにより前記所定時間が計時される前に画像形成装置１の電源がオフされ、その後、再び画像形成装置１の電源がオンされる場合が考えられる。この場合、設定値情報書き戻し部１１１による書き戻し処理が行われないため、第１設定値情報変更部１０９による設定値情報の変更がフラッシュメモリ１０６の記憶内容に反映されない。また、ＲＡＭ１０７は揮発性メモリであるため、画像形成装置１の電源がオフされると、ＲＡＭ１０７に格納された設定値情報は消去される。本実施形態では、このような場合を想定して、次のような処理を行うようにしている。
【００５３】
前記タイマにより前記所定時間が計時される前に画像形成装置１の電源がオフされ、その後、再び画像形成装置１の電源がオンされると、設定値情報複製部１０８は、図５の（１）で示すように、フラッシュメモリ１０６に現時点で格納されている設定値情報をＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに複製する。
【００５４】
次に、第２設定値情報変更部１１２は、図５の（２）で示すように、フラッシュメモリ１０６の書き換え管理情報記憶領域１０６ｂに格納されている変更内容情報のうち、書き戻し完了判定フラグが未だ書き戻されていないことを示す「１」となっている変更内容情報を抽出し、この変更内容情報に基づいて、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納されている設定値情報を変更する。
【００５５】
例えば、書き換え管理情報記憶領域１０６ｂに格納されている変更内容情報が図６（ｃ）に示す情報のままで画像形成装置１の電源がオフされた場合、第２設定値情報変更部１１２は、再び画像形成装置１の電源がオンされると、書き戻し完了判定フラグが「１」となっている処理項目Ｃの設定値情報Ｃ２を抽出し、図６（ｆ）に示すように、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納されている設定値情報のうち前記処理項目Ｃについての設定値情報をＣ１から前記抽出した設定値情報Ｃ２に変更する。
【００５６】
そして、設定値情報書き戻し部１１１は、前記第２設定値情報変更部１１２による設定値情報の変更タイミングから前記タイマによる計時を開始し、前記所定時間が計時されると、図５の（３）で示すように、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａに格納された設定値情報のうち第２設定値情報変更部１１２により変更を受けた設定値情報を、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに書き戻す。
【００５７】
設定値情報書き戻し部１１１は、書き戻し処理が完了すると、その旨を前記変更内容記録部１１０に伝達し、前記変更内容記録部１１０は、これに基づき、図５の（４）で示すように、書き戻し完了判定フラグを書き戻しが行われたことを示す「０」に変更する。
【００５８】
これにより、ＲＡＭ１０７の設定値情報記憶領域１０７ａ内の設定値情報が変更された場合であって、その変更内容がフラッシュメモリ１０６に反映される前に画像形成装置１の電源がオフされた場合であっても、確実に、入力操作部１０１又は前記外部機器Ｘにより変更された設定値情報に基づいて画像形成装置１を動作させることができる。
【００５９】
以上のように、本実施形態では、前記タイマにより計時される前記所定時間ごとに、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに格納されている設定値情報の書き換えを行うようにしたので、設定値情報の変更指示が行われるたびに、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに格納されている設定値情報の書き換えを行う場合に比して、書き換え頻度（書き換え回数）を低減することができる。
【００６０】
すなわち、フラッシュメモリ１０６は、一定のデータ量を単位としてデータ消去が行われるから、前記所定時間が経過する間に同一単位内の設定値情報が変更された場合、この設定値情報の変更を１度の書き換え処理でフラッシュメモリ１０６に反映させる（記録する）ことができる。これにより、書き換え回数が制限されているフラッシュメモリ１０６の該書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることができ、フラッシュメモリ１０６の書き換え回数が制限値に達することにより画像形成装置１の寿命が尽きるという状態が発生するのを防止又は抑制することができる。
【００６１】
また、フラッシュメモリ１０６は、一定のデータ量を単位としてデータ消去が行われるから、設定値情報の書き換えに比較的長い時間を要することとなり、従来のように、設定値情報の変更指示が行われるたびに、フラッシュメモリ１０６の設定値情報記憶領域１０６ａに格納されている設定値情報の書き換えを行うようにすると、比較的長い時間を要する設定値情報の書き換え処理が頻繁に発生することとなるが、本実施形態では、書き換え頻度（書き換え回数）を低減することができるため、このような状況が発生するのを低減することもできる。
【００６２】
また、前記設定値情報複製部１０８、第１設定値情報変更部１０９、変更内容記録部１１０、設定値情報書き戻し部１１１及び第２設定値情報変更部１１２をソフトウェアで実現することができるため、コストアップを抑制しつつ前述の効果を得ることができる。
【００６３】
本件は、前記第１の実施形態に限らず、該第１の実施形態に代えて、またはそれに加えて次の変形形態も採用可能である。
【００６４】
［１］フラッシュメモリ１０６における設定値情報記憶領域１０６ａ内の設定値情報の書き換え処理を行う周期を決定する前記所定時間については適宜調整するとよい。すなわち、フラッシュメモリ１０６の書き換え回数が制限値に達する要因以外の要因、例えば画像形成装置１に備えられる部材やユニット等の寿命によって決定される画像形成装置１の寿命に応じて前記所定時間を設定することができる。
【００６５】
１日当たり８時間、１ヶ月当たり２０日間、画像形成装置１を稼動させるものとすると、前記所定時間を例えば６分に設定した場合、本実施形態では、書き換え回数が１ヶ月当たり最大１６００回となる。このとき、フラッシュメモリ１０６としてＮＯＲ型フラッシュメモリを採用した場合には、該フラッシュメモリの一般的な保証である１０万回に達するまでに５年以上となる。このように、前記所定時間を例えば６分という比較的短い時間に設定した場合でも、画像形成装置１に備えられる部材やユニット等の寿命が尽きる前に、フラッシュメモリ１０６の書き換え回数が制限値に達するのを回避できる可能性が高いことが判る。
【００６６】
［２］本件は、前記画像形成装置に限られず、他の電子機器にも適用可能である。また、本件の適用対象の機器が外部機器と接続されている場合に限られない。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る電子機器の一例である画像形成装置の内部構成を示す図である。
【図２】画像形成装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図３】本件の特徴部分のデータ処理内容を説明するための図である。
【図４】本件の特徴部分のデータ処理内容を説明するための図である。
【図５】本件の特徴部分のデータ処理内容を説明するための図である。
【図６】本件の特徴部分のデータ処理内容を説明するための図である。
【図７】変更内容情報の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      画像形成装置
１０６  フラッシュメモリ
１０６ａ  設定値情報記憶領域
１０６ｂ  書き換え管理情報記憶領域
１０７    ＲＡＭ
１０７ａ  設定値情報記憶領域
１０８    設定値情報複製部
１０９    第１設定値情報変更部
１１０    変更内容記録部
１１１    設定値情報書き戻し部
１１２    第２設定値情報変更部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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