(57)【要約】【課題】組み入れて構成する光ピックアップ装置の生産性が良好であるとともに、放熱効果が充分であり、半導体レーザチップや発光素子が熱により劣化するおそれを防止することのできる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置は、発光素子である半導体レーザチップ５を搭載するための方形板状の搭載部１と、搭載部１の一辺に対して平行に延びる帯板状の第１リード４ａと、第１リード４ａに対して平行に延びる第２リード４ｂとを備えてなる。搭載部１、第１リード４ａおよび第２リード４ｂは、これらを一体に保持するための絶縁性樹脂からなる保持部としての枠状樹脂部２とともに一体成型により形成されている。搭載部１の裏面、第１リード４ａの裏面および第２リード４ｂの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザチップを搭載するための方形板状の搭載部と、この搭載部の一辺に対して平行に延びるように設けられた帯板状の第１リードと、この第１リードに対して平行に延びるように設けられた帯板状の第２リードと、前記搭載部、前記第１リードおよび前記第２リードを一体に保持するための絶縁性材料からなる保持部とを備えてなり、前記搭載部の裏面、前記第１リードの裏面および前記第２リードの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１リードおよび前記第２リードは、前記保持部から外側へ突出することなく設けられている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１リードおよび前記第２リードはそれぞれ、前記保持部の内側に、前記面一部分とこの面一部分に対して鈍角状に屈曲された屈曲部分とを有し、前記保持部の外側に、前記屈曲部分に連なって外側へ突出したリード端部分を有し、かつ、前記保持部の内側で絶縁性樹脂により前記保持部に一体化されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
半導体レーザチップを搭載するための長方形板状の搭載部と、この搭載部の一辺に対していずれも平行に延びるように設けられた長方形板状の２つのリード部と、前記搭載部および前記２つのリード部を一体に保持するための絶縁性材料からなる保持部とを備えてなり、前記搭載部の裏面および前記２つのリードの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記２つのリード部はそれぞれ、前記保持部の内側に、前記面一部分とこの面一部分に対して垂直状に屈曲された屈曲部分とを有し、前記保持部の内側で絶縁性樹脂により前記保持部に一体化されている、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記保持部に、前記半導体レーザチップおよび前記搭載部を覆う着脱可能なキャップが取り付けられている、請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記保持部に、前記キャップを取り外すための切欠部が設けられている、請求項６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記搭載部と、前記第１リードおよび前記第２リードまたは前記２つのリード部とは、共通化されている、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記搭載部の裏面に、前記面一部分から突出した凸型部分が設けられている、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置を設ける工程と、この半導体レーザ装置を実装するための基板を設ける工程と、この半導体レーザ装置を前記基板の上に載せる工程と、この半導体レーザ装置を前記基板にハンダ付けする工程とを備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装方法。
【請求項１１】
前記基板を放熱用半導体レーザホルダーに接合する工程をさらに備えている、請求項１０に記載の半導体レーザ装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置およびその実装方法に関するものであり、さらに詳しくは、光記録媒体や光磁気記録媒体などに記録された情報を読み、書き、または消去することのできる光ピックアップ装置などに用いることができる半導体レーザ装置と、このような半導体レーザ装置を実装する方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤやＤＶＤなどの光記録媒体や光磁気記録媒体に記録された情報を読み、書き、または消去することのできる光ピックアップ装置の基幹部品として、半導体レーザ装置が使用されている。このような半導体レーザ装置は、光ピックアップ装置の基幹部品であることから、その性能の如何が光ピックアップ装置の性能に大きく関わってくる。
【０００３】
このような半導体レーザ装置の１つとして、フレームタイプ半導体レーザ装置がある。フレームタイプレーザ装置とは、例えば特許文献１に示されたように、リード端子になる金属のリードフレームと電極になる複数のリードとが樹脂により一体成型されたパッケージからなるものである。そして、リードフレームには半導体レーザ素子が搭載され、この半導体レーザ素子と電極リードとがワイヤにより電気的に接続された構造になっている。
【０００４】
また、フレームタイプ発光装置としては、例えば特許文献２に示されたように、発光素子と、この発光素子を搭載するための搭載用リードフレームと、上記発光素子にリードを介して接続される結線用リードフレームと、それぞれのリードフレームの大部分を覆う成形体とを備えてなる発光装置がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１１６６９９号公報
【特許文献２】特開平１１−８７７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような従来のフレームタイプ半導体レーザ装置においては、実装する場合にリードにハンダ付けを行う必要があるため、このような半導体レーザ装置を組み入れて構成する光ピックアップ装置の生産性が悪い。また、放熱効果が充分とは言えず、このため、光ピックアップ装置への熱伝導性がよくない。搭載する半導体レーザチップが主として記録用に用いられる高出力タイプのものである場合には、大電流を印加する必要があるが、大電流を印加すると熱を上手に逃がすことができず、半導体レーザチップが熱により劣化することが懸念される。さらに、半導体レーザ装置の外部温度が比較的高い場合には、半導体レーザ装置の性能が低下するおそれがある。
【０００７】
同様に、上記のような従来のフレームタイプ発光装置では、発光素子直下からの熱はリードに伝わり、そこから外部に排出される構造になっているが、放熱部分の面積が比較的少ないため、発光素子に大電流を流すことが困難である。
【０００８】
本発明の課題は、半導体レーザ装置を組み入れて構成する光ピックアップ装置の生産性が良好であるとともに、放熱効果が充分であり、半導体レーザチップや発光素子が熱により劣化するおそれを防止することのできる半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの観点によれば、半導体レーザチップを搭載するための方形板状の搭載部と、この搭載部の一辺に対して平行に延びるように設けられた帯板状の第１リードと、この第１リードに対して平行に延びるように設けられた帯板状の第２リードと、前記搭載部、前記第１リードおよび前記第２リードを一体に保持するための絶縁性材料からなる保持部とを備えてなり、前記搭載部の裏面、前記第１リードの裏面および前記第２リードの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【００１０】
本発明の別の観点によれば、半導体レーザチップを搭載するための長方形板状の搭載部と、この搭載部の一辺に対していずれも平行に延びるように設けられた長方形板状の２つのリード部と、前記搭載部および前記２つのリード部を一体に保持するための絶縁性材料からなる保持部とを備えてなり、前記搭載部の裏面および前記２つのリードの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【００１１】
本発明のさらに別の観点によれば、本発明の上記１つの観点または上記別の観点による半導体レーザ装置を設ける工程と、この半導体レーザ装置を実装するための基板を設ける工程と、この半導体レーザ装置を前記基板の上に載せる工程と、この半導体レーザ装置を前記基板にハンダ付けする工程とを備えている、ことを特徴とする半導体レーザ装置の実装方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、リード端へのハンダ付けの作業に代わり、裏面へのリフローやチップマウンタなどで基板やＦＰＣ（フレキシブルプリント配線基板）への実装が可能になるので、光ピックアップ装置の生産性の向上につながる。
【００１３】
また、本発明によれば、リードを有していることにより、半導体レーザ装置の製造においては現行の設備を流用することが可能である。この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置へ組み込む際には、リードをカットすることまたはリードを有していない構造を採ることで、基板やＦＰＣへの実装が容易になる。
【００１４】
さらに、本発明によれば、半導体レーザチップの直下部が半導体レーザチップの搭載部になる放熱部分を設けて、リード部分に加えて裏面から放熱する放熱部分の面積を広く採る構造にしているので、ＬＤホルダや基板など、外部へ熱を効率よく逃がすことが可能になる。この際、放熱部分である搭載部は電気的に中立であるので、搭載部に放熱部材を別途取り付けることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明におけるいくつかの実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００１６】
［実施の形態１］
本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置を、図１および図２を参照しながら説明する。図１は実施の形態１に係る半導体レーザ装置の上面図、図２はその底面図である。
【００１７】
実施の形態１に係る半導体レーザ装置は、発光素子である半導体レーザチップ（以下、「レーザチップ」と称する）５を搭載するための方形板状の搭載部１と、搭載部１の一辺に対して平行に延びる帯板状の第１リード４ａと、第１リード４ａに対して平行に延びる第２リード４ｂとを備えてなる。搭載部１、第１リード４ａおよび第２リード４ｂは、これらを一体に保持するための絶縁性材料（樹脂）からなる保持部としての枠状樹脂部２とともに一体成型により形成されている。
【００１８】
搭載部１の上にはサブマウント６が搭載されており、サブマウント６の上にはレーザチップ５が搭載されている。レーザチップ５と第１リード４ａとの間には、ワイヤ３ａをそれぞれボンディングすることで、導電性が採られている。サブマウント６と第２リード４ｂとの間には、ワイヤ３ｂをそれぞれボンディングすることで、導電性が採られている。なお、第１リード４ａ、第２リード４ｂ、レーザチップ５およびサブマウント６のワイヤ３ａ・３ｂによる配線の組合せは、上記のものに限られず、上記のものとは逆のものでもよい。
【００１９】
この半導体レーザ装置は、搭載部１の裏面、第１リード４ａの裏面および第２リード４ｂの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分（図示略）をさらに備えている。
【００２０】
第１リード４ａと第２リード４ｂとの間に電流を流すことによって、レーザチップ５に電流が供給される。そして、レーザチップ５は、ある一定値以上の電流が供給された状態で発光する。レーザチップ５が発光する際に発生する熱は、サブマウント６を介して搭載部１から外部へ放出される。
【００２１】
第１リード４ａと搭載部１とは一方の直線状樹脂部２ａにより絶縁されている。第２リード４ｂと搭載部１とは他方の直線状樹脂部２ｂにより絶縁されている。ここで、サブマウント６の上面と底面とが絶縁物質からなっているときには、樹脂部２ａ，２ｂにより搭載部１が電気的に中立となり、外部の放熱板などへの接続あるいは接着の際におけるノイズなどの影響を無視することができる。
【００２２】
実施の形態１に係る半導体レーザ装置は、上記のように、レーザチップ５を搭載するための方形板状の搭載部１と、搭載部１の一辺に対して平行に延びるように設けられた帯板状の第１リード４ａと、第１リード４ａに対して平行に延びるように設けられた帯板状の第２リード４ｂと、搭載部１、第１リード４ａおよび第２リード４ｂを一体に保持するための絶縁性材料からなる保持部とを備えてなる。そして、搭載部１の裏面、第１リード４ａの裏面および第２リード４ｂの裏面は、これらの裏面の少なくとも一部どうしが互いに面一になるように構成された面一部分をさらに備えている。
【００２３】
従って、実施の形態１に係る半導体レーザ装置によれば、リード端へのハンダ付けの作業に代わり、裏面へのリフローやチップマウンタなどで基板やＦＰＣへの実装が可能になるので、光ピックアップ装置の生産性の向上につながる。
【００２４】
また、リードを有していることにより、半導体レーザ装置の製造においては現行の設備を流用することが可能である。
【００２５】
さらに、レーザチップ５の直下部がレーザチップ５の搭載部１になるように放熱部分を設けて、リード部分に加えて裏面から放熱する放熱部分の面積を広く採る構造にしたので、ＬＤホルダや基板など、外部へ熱を効率よく逃がすことが可能になる。この際、放熱部分である搭載部１は電気的に中立であるので、搭載部１に放熱部材を別途取り付けることも可能である。
【００２６】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置を、図３および図４を参照しながら説明する。図３は実施の形態２に係る半導体レーザ装置の上面図、図４はその底面図である。
【００２７】
この半導体レーザ装置の構造は、実施の形態１の第１リード４ａおよび第２リード４ｂが長方形板状の２つのリード部としての第１リード４ｃおよび第２リード４ｄにそれぞれ置き換わった構造である。すなわち、実施の形態１の第１リード４ａおよび第２リード４ｂが樹脂部２ａ，２ｂの外側でカットされた場合、あるいは初めからリードが設けられなかった場合には、図３および図４のような構造を採る。
【００２８】
従って、実施の形態２に係る半導体レーザ装置によれば、実施の形態１に係る半導体レーザ装置が奏する上記諸効果に加えて、リードがカットされるかまたはリードを有していない構造が採られていることで、半導体レーザ装置の基板またはＦＰＣへの取り付けや実装が容易になる。
【００２９】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装置を、図５を参照しながら説明する。図５は図２のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。
【００３０】
第１リード４ａおよび第２リード４ｂは、それぞれの中間部分が樹脂部２の内側で段状に屈曲され、一方のリード端部分が樹脂部２の外側へ飛び出した構造をしている。すなわち、第１リード４ａおよび第２リード４ｂはそれぞれ、保持部としての樹脂部２の内側に、前記面一部分とこの面一部分に対して鈍角状に屈曲された屈曲部分とを有し、樹脂部２の外側に、前記屈曲部分に連なって外側へ突出したリード端部分を有し、かつ、樹脂部２の内側で絶縁性樹脂により樹脂部２に一体化されている。
【００３１】
なお、ここで、樹脂部２の内側におけるリード４ａ，４ｂの中間部分の屈曲構造は図５と同様のものでなくても構わない。
【００３２】
実施の形態３に係る半導体レーザ装置によれば、リード４ａ，４ｂの中間部分が樹脂部２の内側でそれぞれ屈曲されていることで、外部からの引っ張りに対する強度が増大している。
【００３３】
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置を、図６を参照しながら説明する。図６は図４のＢ−Ｂ線に沿う側面断面図である。
【００３４】
この半導体レーザ装置は、２つのリード部４ｃ，４ｄが、搭載部１においてまたは搭載部１に対して平行な部分において、樹脂部２の内側で屈曲されているとともに、リード端が樹脂部２の外側へ飛び出した構造をしている。すなわち、２つのリード部４ｃ，４ｄはそれぞれ、保持部としての樹脂部２の内側に、前記面一部分とこの面一部分に対して垂直状に屈曲された屈曲部分とを有し、樹脂部２の内側で絶縁性樹脂により樹脂部２に一体化されている、
【００３５】
ここでの屈曲構造は、図６では９０度屈曲しているが、これと同じ角度でなくても構わない。
【００３６】
実施の形態４に係る半導体レーザ装置によれば、２つのリード部４ｃ，４ｄが樹脂部２の内側でそれぞれ屈曲されていることで、外部からの引っ張りに対する強度が増大している。
【００３７】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ装置を、図７および図８を参照しながら説明する。図７は実施の形態５に係る半導体レーザ装置のキャップなし状態を表す上面図である。図８はそのキャップあり状態を表す上面図である。
【００３８】
図７において、樹脂部２ｃ，２ｄはそれぞれ、レーザチップ５を保護するためのキャップ７を支持する部分であり、その高さは周囲の枠状樹脂部２よりも低くなっている。図８に示すように、樹脂部２ｃ，２ｄに、レーザチップ５および搭載部１を覆う着脱可能なキャップ７が取り付けられている、
【００３９】
樹脂部２ｃ，２ｄは、必ずしも図７に示された形状でなくてもよく、レーザチップ５がキャップ７により潰されない形状であれば問題ない。
【００４０】
実施の形態５に係る半導体レーザ装置によれば、キャップ７が備わっていることで、外力などによるレーザチップ５の損傷やワイヤ３ａ，３ｂの断線などに対して強くなり、チップマウンタやリフローなどでのハンダ付けの際にもレーザチップ５やワイヤ３ａ，３ｂが保護される。
【００４１】
［実施の形態６］
本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ装置を、図９および図１０を参照しながら説明する。図９は実施の形態６に係る半導体レーザ装置のキャップなし状態を表す上面図である。図１０はそのキャップあり状態を表す上面図である。
【００４２】
図９および図１０に示されたように、この半導体レーザ装置は、右辺の樹脂部２ｅに、キャップ７ａを取り外すための切欠部としての長方形の隙間２０を有している。キャップ７ａには、樹脂部２ｅの隙間２０に対応する長方形張出部３０がある。この半導体レーザ装置は、樹脂部２ｅの隙間２０を利用してキャップ７ａの張出部３０に指などを掛けて張出部３０を引き上げることで、樹脂部２ｅからキャップ７ａを容易に取り外すことができる。
【００４３】
このような隙間２０および張出部３０が設けられていない半導体レーザ装置では、キャップを取り外す場合にレーザチップやワイヤなどを損傷させるおそれがあるが、実施の形態６に係る半導体レーザ装置によれば、そのようなおそれはない。また、樹脂部２ｅに隙間２０を設けることにより、半導体レーザ装置の空冷効果を期待することができる。すなわち、光ピックアップ装置およびドライブ内部における空気の対流により、レーザチップ５が冷却される場合を想定することができる。
【００４４】
なお、実施の形態６に係る半導体レーザ装置において、樹脂部２ｅの隙間２０は図９の位置に限られるものではなく、レーザチップ５およびワイヤ３ａ，３ｂを損傷するおそれがまったくないかまたは少ない箇所であればどこでも構わない。また、このような隙間２０は複数箇所にあってもよい。さらに、隙間２０の形状についても特に限定されるものではない。
【００４５】
［実施の形態７］
本発明の実施の形態７に係る半導体レーザ装置を、図１１および図１２を参照しながら説明する。図１１は実施の形態７に係る半導体レーザ装置の上面図、図１２はその底面図である。
【００４６】
図１１および図１２に示されたように、搭載部１ａにはサブマウントが搭載されており、これは第１リードを兼用している。また、サブマウントと搭載部１ａとは、ワイヤ３ａ，３ｂを通じて導電性を有しているが、サブマウントが導電性材料から構成されていればワイヤ３ａ，３ｂは必ずしも必要ない。搭載部１ａは主にグランド端子として使用することを想定しているが、ＬＤ端子として使用しても構わない。なお、図１１および図１２では、搭載部と第１リードとが共通であるが、搭載部は第２リードと共通であっても構わない。
【００４７】
実施の形態７に係る半導体レーザ装置の構造によると、搭載部１ａは電気的に中立ではなく、レーザチップ５の発光に寄与する端子となるため、外部放熱板への接触には注意が必要であるものの、裏面の面積をより広く採ることができて放熱性が向上するという効果を期待することができる。
【００４８】
［実施の形態８］
本発明の実施の形態８に係る半導体レーザ装置を、図１３を参照しながら説明する。図１３は実施の形態８に係る半導体レーザの断面図である。
【００４９】
図１３はリード側から見た断面図である。そして、搭載部１ｂの底面は２本のリードとは同一平面にはない。
【００５０】
図１３に示されたように、本発明の実施の形態８に係る半導体レーザ装置によれば、搭載部１ｂが突出していることで、搭載部１ｂの熱容量をより増やし、外部への放熱性を向上させることができる。
【００５１】
［実施の形態９］
本発明の実施の形態９に係る半導体レーザ装置を、図１４〜図１６を参照しながら説明する。図１４は実施の形態９に係る半導体レーザ装置の上面図、図１５はその底面図である。図１６はこの半導体レーザ装置における基板の１形態を表す上面図である。
【００５２】
図１４において、８は基板またはＦＰＣの一部分であり、８ａ、８bおよび８ｃはそれぞれ、内部の配線が外側に露出している部分である。内部配線は主に銅材で構成されており、例えば８ａ部分は図４のリード部４ｃと、また、８ｂ部分は図４の搭載部１と、さらに、８ｃ部分は図４のリード部４ｄと、それぞれハンダなどで実装することができる。
【００５３】
このとき、８ｂ部分は電気的に中立であり、８ａ部分および８ｂ部分から延びる配線は、光ピックアップ装置のドライブＩＣなどに接続されており、搭載するレーザチップに電流を供給する役目を担う。
【００５４】
図１５に示されたように、８ａ部分および８ｃ部分は配線が裏面から外側に露出していないが、８ｂ部分は裏面からも配線が露出している。従って、裏面から外部の放熱板などにハンダ付けしたり、密着させて実装したりすることが可能である。また、８ａ部分および８ｃ部分が裏面からは外側に露出していないため、８ｂ部分に接触している放熱板などとは絶縁することができる。
【００５５】
図１６において、８ａ部分および８ｃ部分は図１４と同様であるが、８ｂ部分は抜き取り構造になっている。従って、例えば図１３のような形状の半導体レーザ装置を搭載する場合に、凸型の搭載部１ｂは８ｂ部分を貫通することができ、その下に配置することのできる放熱板にハンダ付けなどで密着させて実装することが可能である。
【００５６】
［実施の形態１０］
本発明の実施の形態１０に係る半導体レーザ装置を、図１７を参照しながら説明する。図１７は実施の形態１０に係る半導体レーザ装置におけるＬＤホルダの１態様を表す断面図である。
【００５７】
図１７において、半導体レーザ装置１０は基板（またはＦＰＣ）８にハンダ付けで接合されている。また、基板８と光ピックアップ装置（図示略）の内部におけるドライブＩＣまたは外部電源とは電気的に繋がっている。このドライブＩＣまたは外部電源から供給される電流により、半導体レーザ装置１０は発光する。
【００５８】
半導体レーザ装置１０は搭載部１ｂにおいてＬＤホルダ９に接合されているので、レーザチップから放出される熱を直下のＬＤホルダ９へ伝導することができる。ＬＤホルダ９はさらに光ピックアップ装置の内部におけるハウジングなどと接触している。従って、レーザチップから発生した熱は、熱容量がより大きい部品へと伝導されて、放熱される。
【００５９】
ＬＤホルダ９はここでは円柱状であるが、それは光ピックアップ装置に組み込む時に光学調整をしやすくするためである。しかしながら、外部の放熱部品であるＬＤホルダ９は、その形状が特に限定されるものではない。また、その実装方法は、半導体レーザ装置１０の搭載部１ｂにＬＤホルダ９が配置されるような方法であればよい。
【００６０】
実施の形態１０に係る半導体レーザ装置によれば、レーザチップの直下部が搭載部１ｂになるように放熱部分が設けられており、リード部分に加えて裏面からの放熱部分の面積を広く採る構造になっているので、ＬＤホルダ９や基板などの外部へ熱を効率よく逃がすことが可能になる。このとき、放熱部分である搭載部１ｂは電気的に中立であるので、搭載部１ｂに放熱部材を別途取り付けることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態１を表す上面図である。
【図２】図２は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態１を表す底面図である。
【図３】図３は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態２を表す上面図である。
【図４】図４は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態２を表す底面図である。
【図５】図５は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態３を表す、図２のＡ−Ａ線に沿った側面断面図である。
【図６】図６は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態４を表す、図４のＢ−Ｂ線に沿った側面断面図である。
【図７】図７は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態５（キャップなし）を表す上面図である。
【図８】図８は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態５（キャップあり）を表す上面図である。
【図９】図９は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態６（キャップなし）を表す上面図である。
【図１０】図１０は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態６（キャップあり）を表す上面図である。
【図１１】図１１は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態７を表す上面図である。
【図１２】図１２は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態７を表す底面図である。
【図１３】図１３は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態８を表す断面図である。
【図１４】図１４は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態９を表す上面図である。
【図１５】図１５は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態９を表す底面図である。
【図１６】図１６は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態９における基板の１態様を表す上面図である。
【図１７】図１７は本発明による半導体レーザ装置の実施の形態１０におけるＬＤホルダの１態様を表す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１、１ａ、１ｂ……搭載部
２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ……樹脂部（保持部）、樹脂部の一部分
３ａ、３ｂ……Ａｕ線ワイヤ
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ……リード、リード部
５……半導体レーザチップ
６……サブマウント
７、７ａ……キャップ
８、８ａ、８ｂ、８ｃ……基板、ＦＰＣ
９……ＬＤホルダ
１０……半導体レーザ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009302244.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009302244.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2009302244.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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