(57)【要約】【課題】表示素子を構成する薄膜の膜厚分布を定常的に安定化し、表示品位良好な表示装置を製造することが可能な製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  一対の電極間に有機活性層を保持した構成の表示素子を備えた表示装置を製造する製造装置であって、  処理基板ＳＵＢに向けて表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を放射する蒸着源４１０と、  処理基板ＳＵＢと蒸着源４１０との間に配置され、蒸着源４１０からの材料源の処理基板ＳＵＢへの蒸着量を制御するシャッター４５０と、  シャッター４５０の蒸着源側に接触するように配置され、シャッター４５０への材料源の付着を防止する防着板４６０と、を備え、  シャッター４５０は、防着板側の熱吸収率が処理基板側よりも高いことを特徴とする。【選択図】      図３
2009064631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に有機活性層を保持した構成の表示素子を備えた表示装置を製造する製造装置であって、
処理基板に向けて前記表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を放射する蒸着源と、
前記処理基板と前記蒸着源との間に配置され、前記蒸着源からの材料源の前記処理基板への蒸着量を制御するシャッターと、
前記シャッターの前記蒸着源側に接触するように配置され、前記シャッターへの材料源の付着を防止する防着板と、を備え、
前記シャッターは、前記防着板側の熱吸収率が前記処理基板側よりも高いことを特徴とする製造装置。
【請求項２】
前記シャッターは、
基材と、
前記基材の前記防着板側の面に配置され、前記防着板から前記シャッターへの熱伝導を促進する熱吸収層と、を備えて構成されたことを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
【請求項３】
前記熱吸収層は、前記基材よりも熱吸収率が高いことを特徴とする請求項２に記載の製造装置。
【請求項４】
前記シャッターは、基材の前記防着板に接触する面が黒化処理されたことを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
【請求項５】
さらに、前記シャッターを冷却する冷却機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光性の表示素子を備えた表示装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、第１電極（陽極）と第２電極（陰極）との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。このような構成において、例えば、第１電極及び有機活性層の少なくとも発光層は、画素毎に配置されている。また、第２電極は、複数の画素に共通に配置されている。
【０００５】
このような有機ＥＬ素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層や第２電極などの薄膜を形成する工程においては、蒸着源から放射した材料源を蒸着する蒸着法を適用可能である。例えば、成膜対象となる処理基板とライン型の蒸着源とを相対移動させることにより、処理基板上の蒸着領域に薄膜を成膜する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明の目的は、表示素子を構成する薄膜の膜厚分布を定常的に安定化し、表示品位良好な表示装置を製造することが可能な製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の態様による表示装置の製造装置は、
一対の電極間に有機活性層を保持した構成の表示素子を備えた表示装置を製造する製造装置であって、
処理基板に向けて前記表示素子を構成する薄膜を形成するための材料源を放射する蒸着源と、
前記処理基板と前記蒸着源との間に配置され、前記蒸着源からの材料源の前記処理基板への蒸着量を制御するシャッターと、
前記シャッターの前記蒸着源側に接触するように配置され、前記シャッターへの材料源の付着を防止する防着板と、を備え、
前記シャッターは、前記防着板側の熱吸収率が前記処理基板側よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、表示素子を構成する薄膜の膜厚分布を定常的に安定化し、表示品位良好な表示装置を製造することが可能な製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置の製造装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１０】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。
【００１１】
アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止体２００によって封止されている。すなわち、これらのアレイ基板１００と封止体２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール材３００により貼り合せられている。シール材３００は、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットであっても良い。
【００１２】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子ＣＳなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子ＣＳは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。
【００１３】
駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。
【００１４】
このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。
【００１５】
そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。
【００１６】
表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１７】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０の上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板上に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されたものとする。
【００１８】
有機ＥＬ素子４０は、一対の電極、すなわち画素ＰＸ毎に独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通に配置された第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。
【００１９】
すなわち、有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、第３スイッチＳＷ３のドレイン電極にコンタクトしている。このような第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層と、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成された反射層とを積層した積層体によって構成しても良いし、透過層単層、または、反射層単層で構成しても良い。
【００２０】
有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層６２Ａを含んでいる。この有機活性層６２は、発光層６２Ａ以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層６２Ａが有機系材料であればよく、発光層６２Ａ以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層６２Ａ以外の機能層は共通層であっても良く、図２に示した例では、第１電極６０側に配置されたホール側共通層６２Ｈは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第２電極６４側に配置された電子側共通層６２Ｅは、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層を含み、発光層６２Ａは、これらのホール側共通層６２Ｈと電子側共通層６２Ｅとの間に配置されている。発光層６２Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【００２１】
第２電極６４は、各色画素ＰＸの有機活性層６２上に共通に配置され、陰極として機能する。この第２電極６４は、半透過層を有している。この半透過層は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などによって形成されている。また、第２電極６４は、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を含んでいても良い。
【００２２】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、例えば各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。
【００２３】
さらに、アレイ基板１００のアクティブエリア１０２は、図示しない保護膜によって覆っても良い。このような保護膜は、例えば窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機系材料によって形成される。また、この保護膜は、有機系材料によって形成された薄膜を含んでも良い。
【００２４】
次に、上述したような有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜を形成するための製造装置について説明する。
【００２５】
図３に示すように、製造装置である蒸着装置４００は、蒸着対象である処理基板ＳＵＢに薄膜を形成するものであり、チャンバ４０１の内部に、蒸着源４１０と、保持機構４２０と、蒸着マスク４３０と、モニタ４４０と、を備えている。
【００２６】
蒸着源４１０は、有機ＥＬ素子４０を構成する薄膜を形成するための材料源を放射するものであり、例えば抵抗加熱方式により坩堝を加熱して材料源を飛散するように構成されている。保持機構４２０は、蒸着源４１０と対向するように処理基板ＳＵＢを保持するとともに、成膜中に蒸着マスク４３０とともに処理基板ＳＵＢを回転させるように構成されている。蒸着マスク４３０は、たとえば金属製であって、蒸着源４１０と処理基板ＳＵＢとの間に配置され、所望の開口パターン（例えばアクティブエリア１０２に相当する開口パターン）を有している。モニタ４４０は、蒸着源４１０から放射される材料源の蒸着レートを検出するように構成されている。
【００２７】
さらに、蒸着装置４００は、図３及び図４に示すように、処理基板ＳＵＢと蒸着源４１０との間に配置されたシャッター４５０と、シャッター４５０の蒸着源４１０側に接触するように配置された防着板４６０と、を備えている。
【００２８】
シャッター４５０は、蒸着源４１０からの材料源の処理基板ＳＵＢへの蒸着量を制御するものであり、待機状態では閉じられて材料源の処理基板ＳＵＢ側への飛散を抑制し、モニタ４４０により所望の蒸着レートに達したことが検出されたのに基づいて開放され、材料源の処理基板ＳＵＢ側への飛散を許容するように構成されている。このシャッター４５０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などによって形成されている。
【００２９】
防着板４６０は、シャッター４５０への材料源の付着を防止するものであり、シャッター４５０にネジ止めなどの手法により固定されている。この防着板４６０は、飛散する材料源の回り込みによるシャッター４５０への付着を防止するために、シャッター４５０より大きめに形成されている。この防着板４６０は、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）などによって形成されている。防着板４６０は、シャッター４５０に対して着脱可能であり、防着板４６０に付着した材料源は、シャッター４５０から防着板４６０を取り外した後に除去される。
【００３０】
蒸着装置４００は、さらに、シャッター４５０を冷却する冷却機構４７０を備えている。この実施の形態では、シャッター４５０の処理基板ＳＵＢ側には、冷却機構４７０として水冷パイプが配置されている。
【００３１】
上述したような蒸着装置４００は、例えば有機ＥＬ素子４０を構成する第２電極６４を成膜するのに適用可能である。この実施の形態においては、第２電極６４は、銀（Ａｇ）及びマグネシウム（Ｍｇ）を含む半透過層からなる。このような第２電極６４を成膜するにあたり、銀及びマグネシウムを飛散させるためには、蒸着源４１０は、比較的高い温度（約１０００℃）に加熱される。なお、この場合、単一の蒸着源４１０に銀及びマグネシウムの混合物を充填しても良いし、銀を充填したものとマグネシウムを充填したものと２つの蒸着源を用意しても良い。
【００３２】
このような蒸着装置４００により成膜された第２電極６４は、成膜中に熱の影響を受ける（つまり、処理基板ＳＵＢが高温となる）と、その表面凹凸が大きくなり、薄膜としての所望の屈折率が得られないことがある。このような場合には、トップエミッション方式において、有機ＥＬ素子４０からの光取出効率の低下を招く。
【００３３】
また、第２電極６４が熱の影響を受けた場合には、シート抵抗値が高くなる傾向にある。図５は、銀及びマグネシウムの混合物からなる電極の基板温度（℃）に対するシート抵抗値（Ω／□）の関係を示す図である。ここに示した例では、基板温度が５０℃を超えると、急激にシート抵抗値が上昇する傾向にあることが確認できる。
【００３４】
このように、成膜時の処理基板ＳＵＢの温度が高いほど、成膜された第２電極６４の特性が劣化するため、成膜中の処理基板ＳＵＢの温度上昇を抑えることが極めて重要である。
【００３５】
特に、図３に示したような構成の蒸着装置４００においては、処理基板ＳＵＢと対向するシャッター４５０よりはむしろ、シャッター４５０から露出した防着板４６０からの輻射熱を抑えることが重要である。
【００３６】
すなわち、シャッター４５０は、冷却機構４７０によって冷却されているため、成膜時の温度は４０℃〜６０℃程度である。このため、シャッター４５０からの輻射熱の影響は小さい。一方、成膜時に高温となる蒸着源４１０に対向する防着板４６０は、蒸着源４１０から放射された熱を吸収するため、その成膜時の温度は１５０℃〜２００℃にまで上昇している。シャッター４５０は、アルミニウムを主体として製造されており、熱吸収率が数％と低い。このため、防着板４６０に蓄積された熱は、シャッター４５０には吸収されにくく、シャッター４５０から露出した防着板４６０からの輻射熱は、高い熱吸収率（８５％）を有するガラス基板（支持基板）に吸収される。その結果、処理基板ＳＵＢの温度が６０℃〜８０℃まで上昇してしまう。このため、防着板４６０を効率よく冷却する（あるいは放熱する）ことが重要となる。
【００３７】
そこで、この実施の形態においては、シャッター４５０は、防着板４６０側の熱吸収率が処理基板ＳＵＢ側よりも高くなるように構成されている。これにより、防着板４６０に蓄積された熱がシャッター４５０に伝導しやすくなり、防着板４６０の温度上昇を抑制できるとともに、防着板４６０からの輻射熱の影響を低減して処理基板ＳＵＢの温度上昇を抑制することが可能となる。このため、成膜中の処理基板ＳＵＢの温度上昇に起因した薄膜の表面凹凸の増大及びシート抵抗値の増大を抑制することが可能となる。すなわち、成膜された薄膜の膜厚分布を定常的に安定化することができ、光取出効率の改善が可能となり、また、シート抵抗値の低減が可能となり、良好な表示品位の表示装置を提供することができる。
【００３８】
シャッター４５０の構成について、より具体的に説明する。
【００３９】
図６Ａに示した例では、シャッター４５０は、基材４５０Ａと、この基材４５０Ａの防着板４６０側に配置された熱吸収層４５０Ｂと、を備えて構成されている。基材４５０Ａは、例えばアルミニウムを主体とした金属材料によって形成されている。熱吸収層４５０Ｂは、基材４５０Ａ及び防着板４６０の表面に面接触しており、防着板４６０からシャッター４５０自体への熱伝導を促進する特性を有するものによって形成されている。なお、熱吸収層４５０Ｂとは、基材４５０Ａの表面に蒸着、ＣＶＤ、スパッタなどによって成膜された層でも良いし、基材４５０Ａの表面に密着するシート状のものであってもよい。熱吸収層４５０Ｂは、基材４５０Ａよりも熱吸収率が高いものが適用され、ここでは、熱吸収層４５０Ｂとして、カーボン製のシートが適用可能である。
【００４０】
このような構成により、防着板４６０に蓄積された熱は、比較的熱吸収率の高い熱吸収層４５０Ｂに効率よく吸収される。このため、防着板４６０の温度上昇を抑制することが可能となる。また、熱吸収層４５０Ｂに吸収された熱は、密着している基材４５０Ａに効率よく吸収される。基材４５０Ａの表面（すなわち、処理基板ＳＵＢと対向する面）は、冷却機構４７０によって冷却されている。このため、シャッター４５０自体の温度上昇も抑制することが可能となる。したがって、防着板４６０からの輻射熱が低減され、処理基板ＳＵＢの温度上昇を抑制することが可能となる。
【００４１】
図６Ｂに示した例では、シャッター４５０は、基材４５０Ａの防着板４６０に接触する面が黒化処理されている。基材４５０Ａは、例えばアルミニウムを主体とした金属材料によって形成されている。この基材４５０Ａの一方の表面に、例えば、酸化チタンの溶射などの黒化処理を行う。シャッター４５０は、このように黒化処理された面４５０Ｈが防着板４６０に接触するように配置された基材４５０Ａによって構成されている。
【００４２】
これにより、シャッター４５０における防着板４６０側の表面の熱吸収率を高めることができ、防着板４６０からシャッター４５０への熱伝導を促進することが可能となる。このため、防着板４６０の温度上昇を抑制することが可能となる。したがって、防着板４６０からの輻射熱が低減され、処理基板ＳＵＢの温度上昇を抑制することが可能となる。
【００４３】
次に、この実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、配線基板１２０上のアクティブエリア１０２において、複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）毎に独立島状の第１電極６０を形成する。すなわち、配線基板１２０の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に対応したパターンを有するマスクを介して金属材料を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【００４５】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料、例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを第１電極６０上を含む配線基板１２０の一主面側全体に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、焼成処理を行う。これにより、各色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を囲むように第１電極６０の周縁に沿って格子状の隔壁７０を形成する。
【００４６】
続いて、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）内における第１電極６０上に有機活性層６２を形成する。ここでは、有機活性層６２は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層６２Ａ、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されている。
【００４７】
まず、蒸着法などにより複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のホール注入層及びホール輸送層を連続して成膜し、ホール側共通層６２Ｈを形成する。ここでは、ホール注入層として機能する材料として、ＣｕＰｃ(銅フタロシアニン)を適用した。また、ホール輸送層として機能する材料として、α−ＮＰＤ（芳香族ジアミン）を適用した。
【００４８】
その後、蒸着法などにより画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のそれぞれに個別の発光層６２Ａを形成する。ここでは、赤色画素ＰＸＲに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にＤＣＭ色素を適用し、緑色画素ＰＸＧに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にクマリン誘電体を適用し、青色画素ＰＸＢに配置される発光層６２Ａとして、ホスト材料にＡｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）、ドーパント材料にペリレンを適用した。
【００４９】
その後、蒸着法などにより複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通のブロッキング層及び電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層６２Ｅを形成する。ここでは、ブロッキング層として、ＢＣＰ（バソキョプロイン）を適用した。また、電子輸送層として、Ａｌｑ３（アルミニウムキリノール錯体）を適用した。
【００５０】
続いて、有機活性層６２上に複数種類の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に共通の第２電極６４を形成する。ここでは、第２電極６４は、マグネシウム及び銀の混合物によって形成される。この第２電極６４の形成工程では、図３を参照して説明したような製造装置が適用される。
【００５１】
すなわち、第２電極６４は、有機活性層６２を配置した配線基板１２０の一主面側に蒸着法によって成膜する。ここでは、図３に示したように、まず、保持機構４２０により、有機活性層６２を形成した主面が蒸着源４１０側を向くように配線基板（すなわち処理基板ＳＵＢ）を保持する。すなわち、配線基板１２０は、チャンバ４０１の内部の真空雰囲気において、保持機構４２０によって額縁状のマスク枠に貼り付けられた蒸着マスク４３０を介して吸引されることにより、有機活性層６２を形成した主面が蒸着源４１０に対向するように保持されている。このようにして保持された配線基板１２０は、閉じられたシャッター４５０を介して、その下方に所定間隔をおいて配置された蒸着源４１０と対向している。ここでは、シャッター４５０は、図６Ａに示した例のように構成されており、熱吸収層４５０Ｂとしてカーボン製のシートを備えている。
【００５２】
一方、蒸着源４１０では、充填されている材料源を加熱し、材料源の飛散が開始されると、モニタ４４０により蒸着レートが検出される。そして、モニタ４４０により、所望の蒸着レートに達したことが検出されたのに基づき、シャッター４５０が開放される。これにより、飛散した材料源が配線基板１２０の主面における蒸着マスク４３０によって覆われていない部分に選択的に蒸着される。
【００５３】
このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００５４】
なお、第２電極６４の蒸着工程においては、防着板４６０に蓄積された熱を、水冷されているシャッター４５０に効率よく吸収させることが可能となるため、防着板４６０の温度を４０℃〜７０℃に下げることができた。その結果、処理基板ＳＵＢへの熱の伝わりが少なくなり、処理基板ＳＵＢの温度が３０℃〜５０℃になった。
【００５５】
このようにして形成した有機ＥＬ素子４０によれば、第２電極６４の膜厚分布は略均一化できていることが確認できた。また、処理基板ＳＵＢの温度が５０℃以下に抑えられたため、図５に示したように、第２電極６４のシート抵抗値は、１．Ｅ＋００（Ω／□）のオーダであって、表示品位に影響を与えない程度に十分に低減できていることが確認できた。
【００５６】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５７】
上述した実施の形態においては、蒸着装置４００は、第２電極６４を成膜するのに適用したが、比較的高温環境下で成膜される他の薄膜、例えば有機活性層６２の少なくとも一部の層や、第２電極６４を覆う保護膜などにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、有機ＥＬ素子を製造するための製造装置（蒸着装置）の構成を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示した製造装置のシャッター及び防熱板を処理基板側から見たときの構造を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図２に示した有機ＥＬ素子を構成する第２電極の基板温度に対するシート抵抗値の関係を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図３に示した製造装置に適用可能なシャッターの構造例を概略的に示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図３に示した製造装置に適用可能なシャッターの他の構造例を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
１０…画素回路  ４０…表示素子（有機ＥＬ素子）
６０…第１電極  ６２…有機活性層  ６４…第２電極  ７０…隔壁
１００…アレイ基板  １０２…アクティブエリア  １２０…配線基板
２００…封止体  ３００…シール材
４００…蒸着装置  ４０１…チャンバ
４１０…蒸着源  ４２０…保持機構  ４３０…蒸着マスク  ４４０…モニタ
４５０…シャッター  ４５０Ａ…基材  ４５０Ｂ…熱吸収層
４６０…防着板  ４７０…冷却機構  ＳＵＢ…処理基板
【図１】
2009064631.tif 000003
【図２】
2009064631.tif 000004
【図３】
2009064631.tif 000005
【図４】
2009064631.tif 000006
【図５】
2009064631.tif 000007
【図６Ａ】
2009064631.tif 000008
【図６Ｂ】
2009064631.tif 000009