(57)【要約】【課題】周囲の明るさに左右されることなく表示画面へ物体が近接、接触したことを的確に検出することが可能な表示装置およびその駆動方法を提供する。【解決手段】検出セル２２の検出信号Ｓｄおよび基準セル２３の検出信号Ｓｒの出力レベルに応じて、受光信号処理回路６が制御信号ＣＴＬにより、有効表示領域部（画面表示部）２の表面輝度を変化させることで、近接あるいは接触を検出する光検出部としての検出セル２２に物体が近接あるいは接触したことを判別する。【選択図】図１
2009129363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面輝度を変更可能な表示部と、
受光素子を含み、上記表示部の表示画面上における物体の有無を検出するための少なくとも一つの検出セルと、
受光素子を含み、上記表示部における外光の強度を観測するための少なくとも一つの基準セルと、
上記検出セルの検出信号および基準セルの検出信号のうち少なくとも上記基準セルの出力レベルに応じて、上記表示部の表面輝度を変化させることで、判断基準を選択して上記検出セルで物体の有無が検出されたか否かを判別する信号処理部と
を有する表示装置。
【請求項２】
上記検出セルは物体からの反射光により物体があるかを検出可能であり、
上記信号処理部は、
上記表面輝度を第１のレベルに保持した上で上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第１の判断基準を選択して判断処理を行い、上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルに所定条件下で近づいてきたと判断した場合、上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記表面輝度を上記第１のレベル側に戻し、上記基準セルの信号レベルが所定のレベルより低いときは上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第２の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記第２のレベルは上記第１のレベルより低いレベルであり、
上記信号処理部は、
上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記第１の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記第２のレベルは上記第１のレベルより高いレベルであり、
上記信号処理部は、
上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの上記第２の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
表示光を上記表示部に照射するバックライトを有し、
上記信号処理部は、
上記バックライトによる表示光のレベルを第１のレベルまたは第２のレベルに制御する
請求項２記載の表示装置。
【請求項６】
表示光を上記表示部に照射するバックライトを有し、
上記信号処理部は、
上記バックライトによる表示光のレベルを第１のレベルまたは第２のレベルに制御する
請求項３記載の表示装置。
【請求項７】
表示光を上記表示部に照射するバックライトを有し、
上記信号処理部は、
上記バックライトによる表示光のレベルを第１のレベルまたは第２のレベルに制御する
請求項４記載の表示装置。
【請求項８】
表面輝度を変更可能な表示部と、
受光素子を含み、上記表示部の表示画面上における物体の有無を検出するための少なくとも一つの検出セルと、
受光素子を含み、上記表示部における外光の強度を観測するための少なくとも一つの基準セルと、を有する表示装置の駆動方法であって、
上記検出セルの検出信号および基準セルの検出信号のうち少なくとも上記基準セルの出力レベルに応じて、上記表示部の表面輝度を変化させることで、判断基準を選択して上記検出セルで物体の有無が検出されたか否かを判別する判別ステップ
を有する表示装置の駆動方法。
【請求項９】
上記検出セルは物体からの反射光により物体があるかを検出可能であり、
上記判別ステップにおいては、
上記表面輝度を第１のレベルに保持した上で上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第１の判断基準を選択して判断処理を行い、
上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルに所定条件下で近づいてきたと判断した場合、上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記表面輝度を上記第１のレベル側に戻し、
上記基準セルの信号レベルが所定のレベルより低いときは上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第２の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項８記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
上記第２のレベルは上記第１のレベルより低いレベルであり、
上記判別ステップにおいては、
上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記第１の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項８記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
上記第２のレベルは上記第１のレベルより高いレベルであり、
上記判別ステップにおいては、
上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの上記第２の判断基準を選択して判断処理を行う
請求項８記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示部に受光素子を備えた表示装置およびその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示装置自体に座標入力機能を設けた技術がいくつか提案されている。
具体的には、たとえば、感圧式タッチパネル（特許文献１，２を参照）方式による表示装置や電磁誘導型タッチパネル方式（特許文献３を参照）による表示装置などが知られている。
【０００３】
しかし、上記のような座標入力機能付随の表示装置は小型化するのが困難であり、通常の表示装置と比較し、コストが高くなってしまうという問題点があった。
【０００４】
そこで、近年、上記の問題を解決すべく表示装置の各画素に受光素子を設け、受光素子への入射光を検知することにより表示装置内の座標を特定する表示装置の開発が盛んに行われている（特許文献４，５を参照）。
【０００５】
上記のように、受光素子を設けることによって表示装置内の座標入力を可能とした装置は、座標入力機能を設けた表示装置と比較し、小型化が可能でコストも低減できるという利点を有するだけでなく、多点座標入力や面積入力も可能である。
そして、指等の検出対象物のバックライト光からの反射光を利用して、タッチパネルやイメージセンサ等を実現する表示装置として構成することも可能である（たとえば特許文献６を参照）。
【特許文献１】特開２００２-１４９０８５号公報
【特許文献２】特開２００２-４１２４４号公報
【特許文献３】特開平１１-１３４１０５号公報
【特許文献４】特開２００４-３１８０６７号公報
【特許文献５】特開２００４-３１８８１９号公報
【特許文献６】特開２００５-３０１３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、指等の検出対象物のバックライト光からの反射光を利用して、タッチパネルやイメージセンサ等を実現する表示装置においては、表示部の表面に発生する影を基に物体の近接あるいは接触したことを判別している。
【０００７】
しかしながら、このような表示装置では、周囲環境が比較的明るい場合は正常に動作するものの、周囲環境の光強度が低下して暗くなってきた場合には影ができず、物体の近接あるいは接触を正常に判断することができないという不利益がある。
【０００８】
本発明は、周囲の明るさに左右されることなく表示画面へ物体が近接または接触したことを的確に検出することが可能な表示装置およびその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の観点の表示装置は、表面輝度を変更可能な表示部と、受光素子を含み、上記表示部の表示画面上における物体の有無を検出するための少なくとも一つの検出セルと、受光素子を含み、上記表示部における外光の強度を観測するための少なくとも一つの基準セルと、上記検出セルの検出信号および基準セルの検出信号のうち少なくとも上記基準セルの出力レベルに応じて、上記表示部の表面輝度を変化させることで、判断基準を選択して上記検出セルで物体の有無が検出されたか否かを判別する信号処理部とを有する。
【００１０】
好適には、上記検出セルは物体からの反射光により物体があるかを検出可能であり、上記信号処理部は、上記表面輝度を第１のレベルに保持した上で上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第１の判断基準を選択して判断処理を行い、上記基準セルの信号レベルが上記検出セルの信号レベルに所定条件下で近づいてきたと判断した場合、上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記表面輝度を上記第１のレベル側に戻し、上記基準セルの信号レベルが所定のレベルより低いときは上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの第２の判断基準を選択して判断処理を行う。
【００１１】
好適には、上記第２のレベルは上記第１のレベルより低いレベルであり、上記信号処理部は、上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記第１の判断基準を選択して判断処理を行う。
【００１２】
好適には、上記第２のレベルは上記第１のレベルより高いレベルであり、上記信号処理部は、上記表面輝度を上記第１のレベルと異なる第２のレベルに変化させ、当該状態で上記基準セルの信号レベルが所定の範囲にある場合、上記検出セルの信号レベルが上記基準セルの信号レベルより大きい場合に当該検出セル上に物体があるとの上記第２の判断基準を選択して判断処理を行う。
【００１３】
好適には、表示光を上記表示部に照射するバックライトを有し、上記信号処理部は、上記バックライトによる表示光のレベルを第１のレベルまたは第２のレベルに制御する。
【００１４】
本発明の第２の観点は、表面輝度を変更可能な表示部と、受光素子を含み、上記表示部の表示画面上における物体の有無を検出するための少なくとも一つの検出セルと、受光素子を含み、上記表示部における外光の強度を観測するための少なくとも一つの基準セルと、を有する表示装置の駆動方法であって、上記検出セルの検出信号および基準セルの検出信号のうち少なくとも上記基準セルの出力レベルに応じて、上記表示部の表面輝度を変化させることで、判断基準を選択して上記検出セルで物体の有無が検出されたか否かを判別する判別ステップを有する。
【００１５】
本発明によれば、光による入出力が可能な表示装置において、周囲の明るさを基に表示画面の明るさ（輝度）を変化させる。これにより、周囲の明るさに左右されずに表示画面へ物体が近接または接触したことを検出する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、周囲の明るさに左右されることなく表示画面へ物体が近接または接触したことを的確に検出することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を添付図面に関連付けて説明する。
【００１８】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶画像表示装置の構成例を示すブロック図である。
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の液晶画像表示装置における有効表示領域部の第１の構成例を示す図であって、図２（Ａ）はセルのマトリクス配列を、図２（Ｂ）は平面図を、図２（Ｃ）は断面図をそれぞれ示している。
図３は、本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの配置の一例を示す図である。
【００１９】
液晶画像表示装置１は、図１に示すように、表示部としての有効表示領域部（画像表示部）２、垂直駆動回路（ＶＤＲＶ）３、水平駆動回路（ＨＤＲＶ）４、受光制御回路（ＲＣＴＬ）５、および受光信号処理回路（ＲＳＰＲＣ）６を有している。
【００２０】
有効表示領域部２は、表示画素を形成する表示回路２１０を含む複数の表示セル２１がマトリクス状に配列されている。有効表示領域部２は、表示画面を形成する。
そして、有効表示領域部２においては、所定の領域に検出セル（検出センサ）２２と基準セル（基準センサ）２３が配置されている。検出セル２２は、指等の物体の近接あるいは接触を検出する光検出部として、少なくとも一つ配置される（図３の例では１つ）。また、基準セル２３は、検出セル２２の配置領域とは異なり、検出対象物体（たとえばユーザの指）が上部にかざされず、かつ、外光を受光してその外光レベルを検出可能な領域に配置される。
【００２１】
たとえば、有効表示領域部２の所定領域において、図２中の左から、色の三原色に対応したＲ色の表示セル２１Ｒ、Ｇ色の表示セル２１Ｇ、Ｂ色の表示セル２１Ｂが配列されていて、この表示セル２１Ｂに隣接して検出セル２２が配置されている。そして、この検出セル２２に続いて、Ｒ色の表示セル２１Ｒ、Ｇ色の表示セル２１Ｇ、Ｂ色の表示セル２１Ｂが配列されていて、この表示セル２１Ｂに隣接して基準セル２３が配置されている。
【００２２】
本実施形態においては、検出セル２２の検出信号Ｓｄおよび基準セル２３の検出信号Ｓｒの出力レベルに応じて、受光信号処理回路６が制御信号ＣＴＬにより、有効表示領域部（画面表示部）２の表面輝度を変化させることで、近接あるいは接触を検出する光検出部としての検出セル２２に物体が近接あるいは接触したことを判別するように構成されている。
この受光信号処理回路６の判別処理等については、後で詳述する。
【００２３】
また、有効表示領域部２においては、図２（Ｂ）に示すように、Ｒ色の表示セル２１Ｒの配置領域にはＲ色フィルタＦＬＴ−Ｒ、Ｇ色の表示セル２１Ｇの配置領域にはＧ色フィルタＦＬＴ−Ｇ、Ｂ色の表示セル２１Ｂの配置領域にはＢ色フィルタＦＬＴ−Ｂが形成されている。
検出セル２２の配置領域には遮光機能を有するブラックマスク（遮光マスク）ＢＭＳＫ２２が形成され、基準セル２３の配置領域には遮光機能を有するブラックマスク（遮光マスク）ＢＭＳＫ２３が形成されている。
検出セル２２に形成されたブラックマスクＢＭＳＫ２２には、受光素子に光を入射させるための開口部ＢＭＳＫ２２１が形成されている。
同様に、基準セル２３に形成されたブラックマスクＢＭＳＫ２３には、受光素子に光を入射させるための開口部ＢＭＳＫ２３１が形成されている。
【００２４】
有効表示領域部２においては、図２（Ｃ）に示すように、たとえばガラスにより形成されたＴＦＴ基板（第１透明基板）２４と対向基板（第２透明基板）２５との間に液晶層２６が封入されて形成されている。また、たとえばＴＦＴ基板２４の底面２４１側にバックライト２７が配置されている。
また、ＴＦＴ基板２４の基面２４２側には各表示セル２１の表示回路２１０、検出セル２２の読み出し回路２２０および受光素子（フォトセンサ）２２１、並びに基準セル２３の読み出し回路２３０および受光素子（フォトセンサ）２３１が形成されている。
一方、対向基板２５の基面２５１には各種フィルタＦＬＴ−Ｒ，ＦＬＴ−Ｇ，ＦＬＴ−Ｂ、ブラックマスクＢＭＳＫ２２，ＢＭＳＫ２３が形成されている。
【００２５】
各表示セル２１における表示回路２１０は、図２（Ａ）に示すように、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin film transistor）２１１と、ＴＦＴ２１１のドレイン電極（またはソース電極）に画素電極が接続された液晶セル（ＬＣ）２１２と、ＴＦＴ２１１のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量（Ｃｓ）２１３とにより構成されている。
【００２６】
これら表示セル２１の各々に対して、走査線（ゲート線）７−１〜７−ｍが各行ごとにその画素配列方向に沿って配線され、表示信号線８−１〜８−ｎが列ごとにその画素配列方向に沿って配線されている。
そして、各表示セル２１のＴＦＴ２１１のゲート電極は、各行単位で同一の走査線（ゲート線）７−１〜７−ｍにそれぞれ接続されている。また、各表示セル２１のＴＦＴ２１１のソース電極（または、ドレイン電極）は、各列単位で同一の表示信号線８−１〜８−ｎに各々接続されている。
【００２７】
図２（Ａ）の構成においては、走査線７−１〜７−ｍは垂直駆動回路３に接続されて、この垂直駆動回路３により駆動される。
また、表示セル２１に対応した配線された表示信号線８−１〜８−ｎは水平駆動回路４に接続され、この水平駆動回路４により駆動される。
【００２８】
さらに、一般的な液晶表示装置においては、画素保持容量配線（Ｃｓ）９−１〜９−ｍが独立に配線され、この画素保持容量配線９−１〜９−ｍと接続電極との間に保持容量２１３が形成されている。
そして、各画素部２０の表示セル２１の液晶セル２１２の対向電極および／または保持容量２１３の他方の電極には、コモン配線（共通配線）を通してたとえば所定の直流電圧がコモン電圧ＶＣＯＭとして与えられる。
あるいは、各表示セル２１の液晶セル２１２の対向電極および保持容量２１３の他方の電極には、たとえば１水平走査期間（１Ｈ）毎に極性が反転するコモン電圧ＶＣＯＭが与えられる。
【００２９】
また、有効表示領域部２においては、検出セル２２および基準セル２３に対応して受光信号配線１０−１〜１０−ｐ（ｐ＜ｎ、本第１の実施形態ではｐ＝２）が配線されている。
受光信号配線１０−１〜１０−ｐは、受光信号処理回路６に接続され、受光制御回路５の制御の下に読み出される信号を受光信号処理回路６に伝搬する。
【００３０】
垂直駆動回路３は、図示しないクロックジェネレータにより生成された垂直スタート信号ＶＳＴ、垂直クロックＶＣＫ、イネーブル信号ＥＮＢを受けて、１フィールド期間ごとに垂直方向（行方向）に走査して走査線７−１〜７−ｍに接続された各表示セル２１を行単位で順次選択する処理を行う。
すなわち、垂直駆動回路３から走査線７−１に対して走査パルスＳＰ１が与えられたときには第１行目の各列の画素が選択され、走査線７−２に対して走査パルスＳＰ２が与えられたときには第２行目の各列の画素が選択される。以下同様にして、走査線７−３，…，７−ｍに対して走査パルスＳＰ３，…，ＳＰｍが順に与えられる。
【００３１】
水平駆動回路４は、図示しないクロックジェネレータにより生成された水平走査の開始を指令する水平スタートパルスＨＳＴ、水平走査の基準となる互いに逆相の水平クロックＨＣＫを受けてサンプリングパルスを生成し、入力される画像データＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）を、生成したサンプリングパルスに応答して順次サンプリングして、各表示セル２１に書き込むベきデータ信号として各表示信号線８−１〜８−ｎに供給する。
【００３２】
また、検出セル２２および基準セル２３の各々に対して、第１の検出セル制御線（リセット信号線）１１−１〜１１−ｍ、および第２の検出セル制御線（読み出し信号線）１２−１〜１２−ｍが各行ごとにその画素配列方向に沿って配線されている。
また、検出セル２２および基準セル２３は、電源電位ＶＤＤおよび基準電位ＶＳＳに接続される。
【００３３】
図４は、本実施形態に係る検出セル（基準セル）の基本構成例を示す回路図であって、図２（Ａ）の回路を拡大して示す図である。なお、図４においては、隣接する表示セルの表示回路２１０も併せて示している。
【００３４】
本実施形態の検出セル２２は、受光素子２２１、リセットＴＦＴ２２２、増幅ＴＦＴ２２３、選択（読み出し）ＴＦＴ２２４、受光信号蓄積容量（キャパシタ）２２５、およびノードＮＤ２２１を有している。
受光素子２２１は、ＴＦＴ、ダイオード等により形成される。
また、検出セル２２（基準セル２３）の読み出し回路２２０（２３０）は、リセットＴＦＴ２２２、増幅ＴＦＴ２２３、選択（読み出し）ＴＦＴ２２４、キャパシタ２２５、およびノードＮＤ２２１を有している。
【００３５】
受光素子２２１は電源電位ＶＤＤとノードＮＤ２２１との間に接続されている。リセットＴＦＴ２２２は、たとえばｎチャネルトランジスタにより形成され、そのソースが基準電位ＶＳＳ（たとえばグランドＧＮＤ）に接続され、ドレインがノードＮＤ２２１に接続されている。そして、リセットＴＦＴ２２２のゲート電極が対応する行に配線された第１の検出セル制御線１１に接続されている。
増幅ＴＦＴ２２３のゲートがノードＮＤ２２１に接続され、ドレインが電源電位ＶＤＤに接続され、ソースが選択ＴＦＴ２２４のドレインに接続されている。選択ＴＦＴ２２４のゲートが第２の受光信号制御線１２に接続され、ソースが対応する列に配線された受光信号配線１０に接続されている。
この増幅ＴＦＴ２２３と選択ＴＦＴ２２４により、いわゆるソースフォロワが形成されている。したがって、受光信号配線１０には電流源が接続される。この電流源は、本実施形態においては、たとえば受光信号処理回路６に形成される。
また、キャパシタ（受光信号蓄積容量）２２５がノードＮＤ２２１と基準電位ＶＳＳとの間に接続されている。
【００３６】
図５は、本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの簡略断面図であって、図２（Ｃ）の検出セル（または基準セル）の部分を拡大して示す図である。
【００３７】
検出セル２２（基準セル２３）は、図５に示すように、透明絶縁基板（たとえばガラス基板）により形成されたＴＦＴ基板２４の基面２４２側に形成されている。検出セル２２は、読み出し回路２２０（２３０）および受光素子（フォトセンサ）２２１（２３１）により構成されている。
対向基板透明絶縁基板（たとえばガラス基板）により形成された対向基板２５の基面２５１側にはブラックマスクＢＭＳＫ２２（ＢＭＳＫ２３）が形成され、フォトセンサ２２１（２３１）の形成領域と対抗するブラックマスクＢＭＳＫ２２（ＢＭＳＫ２３）には外光をフォトセンサ２２１（２３１）に導く開口部ＢＭＳＫ２２１（ＢＭＳＫ２３１）が形成されている。
そして、ＴＦＴ基板２４と対向基板２５との間に液晶層２６が封入されている。また、たとえばＴＦＴ基板２４の底面２４１側にバックライト２７が配置されている。
また、このＴＦＴ基板２４の底面２４１には偏光フィルタ２８が形成され、対向基板２５の前面（光入射面）２５２に偏光フィルタ２９が形成されている。
【００３８】
図６は、検出セルおよび基準セルのフォトセンサ（受光素子）をＴＦＴにより形成した構造例を示す断面図である。
【００３９】
ＴＦＴ基板２４（透明絶縁基板、たとえばガラス基板）上にゲート絶縁膜３０１で覆われたゲート電極３０２が形成されている。ゲート電極は、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）などの金属または合金をスパッタリングなどの方法で成膜して形成される。
ゲート絶縁膜３０１上に半導体膜（チャネル形成領域）３０３、並びに半導体膜３０３を挟んで一対のｎ―拡散層（ＬＤＤ領域）３０４，３０５、ｎ＋拡散層３０６，３０７(ソース、ドレイン領域)が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜３０１、半導体層（チャネル形成領域）３０３、ｎ―拡散層（ＬＤＤ領域）３０４，３０５、ｎ＋拡散層３０６，３０７(ソース、ドレイン領域)を覆うように層間絶縁膜３０８が形成され、層間絶縁膜３０８を覆うように層間絶縁膜３０９が形成されている。層間絶縁膜３０９は、たとえばＳｉＮ、ＳｉＯ２等により形成される。
一方のｎ＋拡散層３０６には、層間絶縁膜３０８，３０９に形成されたコンタクトホール３１０ａを介してソース電極３１１が接続され、他方のｎ＋拡散層３０７には、層間絶縁膜３０８，３０９に形成されたコンタクトホール３１０ｂを介してドレイン電極３１２が接続される。
ソース電極３１１およびドレイン電極３１２は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）をパターニングしたものである。
層間絶縁膜３０９、ソース電極３１１、ドレイン電極３１２、層間絶縁膜３０９上に平坦化膜３１３が形成されている。
そして、この平坦化膜３１３上に液晶層２６が形成される。
【００４０】
第１の検出セル制御線１１と第２の受信信号配線１２は受光制御回路５に接続されている。
受光制御回路５は、所定のタイミングでリセットパルスＲＳＴを第１の検出セル制御線１１−１〜１１−ｍに印加する。
これにより、検出セル２２（基準セル２３）のリセット用ＴＦＴ２２２が（ＴＦＴ２３２）一定期間オンし、ノードＮＤ２２１（ＮＤ２３１）がリセットされる。
換言すれば、表示セル２２（基準セル２３）は、たとえばノードＮＤ２２１（ＮＤ２３１）に接続された受光信号蓄積容量の電荷が放電されて、ノードＮＤ２２１（ＮＤ２３１）の電位が基準電位にセットされ、検出セル２２（基準セル２３）が初期の状態となる。
この状態で受光素子２２１（２３１）が所定の光量を受光すると、受光素子２２１（２３１）が導通し、ノードＮＤ２２１（ＮＤ２３１）の電位が上昇し、キャパシタ（受光信号蓄積容量）２２５（２３５）に電荷が蓄積される。
このとき、受光制御回路５により読み出し信号ＲＤがハイレベルで第２に検出セル制御線１２に印加されて選択ＴＦＴ２２４（２３４）がオン状態に保持される。これにより、キャパシタ２２５（２３５）の蓄積された電荷が電気信号として増幅ＴＦＴ２２３（２３３）で増幅され、選択ＴＦＴ２２４（２３４）を介して受光信号として受光信号配線１０に出力される。
【００４１】
そして、受光信号配線１０を伝搬された信号は受光信号処理回路６に入力され、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬにより、有効表示領域部（画面表示部）２の表面輝度を変化させることで、近接あるいは接触を検出する光検出部としての検出セル２２に物体が近接あるいは接触したことを判別する。
【００４２】
以下、本実施形態に係る光検出システムの検出原理およびその検出結果に応じた受光信号処理回路６における判別処理について具体的に説明する。
なお、ここでは、図７に示すように、バックライトの反射光の検出システムとして構成された場合を例に説明する。
【００４３】
図８は、表示装置の画像表示部に光センサを配置した光検出システムの基本構成を模式的に示す図である。
【００４４】
この光検出システムにおいては、液晶表示装置（ＬＣＤ）のＴＦＴ基板２４に光センサとしての検出セル２２を配置し、有効表示領域部（表示パネル表面）２から入射する光をこの検出セル２２で検知し、光の強さに応じた電気信号として出力している。
【００４５】
図９は、光検出システムの検出原理を説明するための図である。
図１０は、物体がない場合の本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの検出信号レベルを示す図である。
図１１は、物体がある場合の本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの検出信号レベルを示す図である。
【００４６】
画像表示のためにバックライト２７から表示パネル表面を通して出射される光は近接または接触する物体があると、この物体１３で反射されて光検出部（光センサ）としての検出セル２２に入射する。
一方、物体１３が無い場合は、図１０に示すように、周囲環境の明るさに応じた光（外光）が光センサである検出セル２２に入射することになる。
本実施形態においては、物体１３が近接あるいは接触するかどうかを判断しようとする位置にある光センサを検出セル２２、物体が近接あるいは接触しない位置にある光センサを基準セル２３としている。
【００４７】
物体が表示パネル表面上に無い場合には、検出セル２２および基準セル２３から得られる電気信号の信号レベルＳｄ、Ｓｒは次式のように同じになる。
【００４８】
［数１］
Ｓｄ＝Ｓｒ          （式１）
【００４９】
ここで外光ＡＭＬが表示パネル表面を照らす輝度が４００lx（ルクス）の場合の光強度を「Ｌ４００」とし、光センサの光電変換係数を「α」とすると信号レベルは次のように表すことができる。光電変換係数αとしては、たとえば透過率を挙げることができる。
【００５０】
［数２］
Ｓｒ＝Ｌ４００＊α      （式２）
【００５１】
一方、図１１に示すように、物体（この場合指）１３が検出セル２２の上に来た場合、表示パネル表面の輝度２００lxを「ＢＬ２００」、物体の反射率を「ｒｆ」とすると、検出セル２２からの信号レベルＳｄは次のように表すことができる。
【００５２】
［数３］
Ｓｄ＝ＢＬ２００＊ｒｆ＊α    （式３）
【００５３】
外光ＡＭＬが画面の表示光ＤＳＬよりも強い場合、物体１３の反射による信号レベルＳｄよりも外光ＡＭＬによる信号レベルＳｒは次のように大きくなる。
【００５４】
［数４］
Ｓｄ ＜ Ｓｒ            （式４）
【００５５】
つまり、ＳｄとＳｒを比較し、ＳｄがＳｒよりも充分小さくなった場合には、物体が近接あるいは接触している、と判断できる。
ところが周囲の明るさは場所や時間によって変化している。
【００５６】
図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、外光ＡＭＬが変化したときの信号レベルの様子を示す図である。
【００５７】
検出セル２２の周辺の画面の表示光ＤＳＬが一定であれば検出セル２２の信号レベルＳｄは一定であるので、図１２（Ａ）に示すように、外光ＡＭＬの強度がだんだん弱くなってくると基準セル２３の信号レベルＳｒは減少する。
そして、基準セル２３の信号レベルＳｒは、図１２（Ｂ）に示すように、検出セル２２の信号レベルＳｄと同程度の状況を経て、図１２（Ｃ）に示すように、検出セル２２の信号レベルＳｄよりも小さくなってしまう。
つまり、上記（式４）の条件で「物体が近接あるいは接触している」と判断すると検出を誤ることになる。
【００５８】
ここで問題になるのは以下の２点である。
（１）検出セル２２の信号レベルＳｄと基準セル２３の信号レベルＳｒが略等しい、Ｓｄ≒Ｓｒとなる状態では物体の有無が判らない、
（２）検出セル２２の信号レベルＳｄの方が基準セル２３の信号レベルＳｒより大きい、Ｓｄ＞Ｓｒとなる状態では物体がある所のほうが明るい（逆転する）。
この２点を解決するための方法を図１３（Ａ）〜（Ｃ）に関連付けて説明する。
【００５９】
図１３（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態の外光が変化する場合の第１の検出処理方法を説明するための図である。
【００６０】
外光ＡＭＬの強度は基準セル２３の信号レベルＳｒを観測することで判断できる。
図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、外光ＡＭＬの強度が弱くなり基準セル２３の信号レベルＳｒが検出セル２２の信号レベルＳｄに近づいてきた、すなわち基準セル２３の信号レベルＳｒが「ＢＬ２００＊ｒｆ＊α」に近づいてきたと判断したら、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬにより、図１３（Ｂ）に示すように、画面からの表示光ＤＳＬを弱くする。
たとえば、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬによりバックライト２７の発光輝度を第１のレベルの２００lxから第２のレベルの１００lxに下げるように制御する。
この場合、検出セル２２の信号レベルＳｄは「ＢＬ１００＊ｒｆ＊α」となり、基準セル２３の信号レベルＳｒと略等しく（Ｓｄ≒Ｓｒ）はならずＳｄ ＜ Ｓｒの状態を保つことができる。
【００６１】
さらに外光ＡＭＬが弱くなって、基準セル２３の信号レベルＳｒが「ＢＬ２００＊ｒｆ＊α」よりも小さく、「ＢＬ１００＊ｒｆ＊α」よりも大きい状態で、図１３（Ｃ）に示すように、再び画面からの表示光ＤＳＬの強度を元に戻す。
たとえば、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬによりバックライト２７の発光輝度を１００lxから２００lxに上げるように制御する。
この場合は物体１３があると「Ｓｄ ＞ Ｓｒ」となるので、判断基準を「Ｓｄ ＞ Ｓｒ」の場合に物体があるとの判断に変更する。
【００６２】
図１４は、本実施形態に係る第１の検出処理方法の外光強度（Ｓｒ）、バックライト輝度、および判断基準との対応関係をまとめて示す図である。
【００６３】
この場合、バックライト輝度２００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きい場合、判断基準はＳｄ＜Ｓｒの場合に物体ありとなる。
バックライト輝度１００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より小さく、｛（ＢＬ１００＊ｒｆ＊α）＋β２｝より大きい場合も、判断基準はＳｄ＜Ｓｒの場合に物体ありとなる。
バックライト輝度２００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ１００＊ｒｆ＊α）＋β２｝より小さい場合、判断基準はＳｄ＞Ｓｒの場合に物体ありと変更される。
なお、β１，β２は検出信号レベルＳｄ，Ｓｒ各々のばらつきや安定性を考慮したマージンを示す。
【００６４】
次に、この第１の検出処理方法に基づく受光信号処理回路６の検出判断処理について図１５および図１６のフローチャートに関連付けて説明する。
【００６５】
バックライト２７の輝度は、初期状態の２００lxに保持する（ＳＴ１）。
この状態で、検出セル２２の検出信号レベルＳｄ、および基準セル２３の外光ＡＭＬの検出信号レベル（外光強度）Ｓｒを観測する（ＳＴ２、ＳＴ３）。
そして、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きいか否かを判断する（ＳＴ４）。
ステップＳＴ４において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きいと判断した場合には、バックライト２７の輝度は２００lxに保持し（ＳＴ５）、Ｓｄ＜Ｓｒを物体ありの判断基準とする（ＳＴ６）。
ここで、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さいか否か（Ｓｄ＜Ｓｒ）を判断する（ＳＴ７）。
ステップＳＴ７において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さいと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３があるものと判断する（ＳＴ８）。
一方、ステップＳＴ７において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さくないと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３がないものと判断する（ＳＴ９）。
【００６６】
一方、ステップＳＴ４において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きくないと判断した場合には、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ１００＊ｒｆ＊α）＋β２｝より大きいか否かを判断する（ＳＴ１０）。
ステップＳＴ１０において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ１００＊ｒｆ＊α）＋β２｝より大きいと判断した場合には、バックライト２７の輝度を２００lxから１００lxに落とし（変更し）（ＳＴ１１）、上述したステップＳＴ６からの処理に移行する。
【００６７】
一方、ステップＳＴ１０において、否定的な判断結果が得られた場合には、図１６に示すように、バックライト２７の輝度を２００lxに保持する（ＳＴ１２）。
そして、Ｓｄ＞Ｓｒを物体ありの判断基準とする（ＳＴ１３）。
ここで、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きいか否か（Ｓｄ＞Ｓｒ）を判断する（ＳＴ１４）。
ステップＳＴ１４において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きいと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３があるものと判断する（ＳＴ１５）。
一方、ステップＳＴ１４において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きくないと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３がないものと判断する（ＳＴ１６）。
【００６８】
このように、外光強度に応じて画面表示光量を変えることで、光検出システムの上記問題点（１）を回避し、かつ判断基準を反転させることで上記問題点（２）を解消し、物体の近接あるいは接触が検出できる。
【００６９】
なお、ここでは画面表示の光量を減らすためにバックライトの発光輝度を弱く（２００lxから１００lxに変更）しているが、表示画像の色を変えて同等の効果を持たせても良い。たとえば、ボタンの色を薄くする、などの方法で対応することもできる。この場合、液晶の透過率を制御する等の方法を採用することが可能である。
【００７０】
また、第１の検出処理方法ではバックライトの輝度を下げることで上記問題（１）を回避したが、第２の検出処理方法としてバックライトの輝度を上げることで回避することもできる。
【００７１】
図１７（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態の外光が変化する場合の第２の検出処理方法を説明するための図である。
【００７２】
この場合も、外光ＡＭＬの強度は基準セル２３の信号レベルＳｒを観測することで判断できる。
図１７（Ａ），（Ｂ）に示すように、外光ＡＭＬの強度が弱くなり基準セル２３の信号レベルＳｒが検出セル２２の信号レベルＳｄに近づいてきた、すなわち基準セル２３の信号レベルＳｒが「ＢＬ２００＊ｒｆ＊α」に近づいてきたと判断したら、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬにより、図１７（Ｂ）に示すように、画面からの表示光ＤＳＬを強くする。
たとえば、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬによりバックライト２７の発光輝度を第１のレベルの２００lxから第２のレベルの４００lxに上げるように制御する。
この場合、検出セル２２の信号レベルＳｄは「ＢＬ４００＊ｒｆ＊α」となり、基準セル２３の信号レベルＳｒと略等しく（Ｓｄ≒Ｓｒ）はならずＳｄ ＞ Ｓｒの状態を保つことができる。
【００７３】
さらに外光ＡＭＬが弱くなって、基準セル２３の信号レベルＳｒが「ＢＬ２００＊ｒｆ＊α」よりも大きく、「ＢＬ４００＊ｒｆ＊α」よりも小さい状態で、図１７（Ｃ）に示すように、再び画面からの表示光ＤＳＬの強度を元に戻す。
たとえば、受光信号処理回路６は、制御信号ＣＴＬによりバックライト２７の発光輝度を４００lxから２００lxに下げるように制御する。
この場合は物体１３があると「Ｓｄ ＞ Ｓｒ」となるので、判断基準を「Ｓｄ ＞ Ｓｒ」の場合に物体があるとの判断に変更する。
【００７４】
図１８は、本実施形態に係る第２の検出処理方法の外光強度（Ｓｒ）、バックライト輝度、および判断基準との対応関係をまとめて示す図である。
【００７５】
この場合、バックライト輝度２００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きい場合、判断基準はＳｄ＜Ｓｒの場合に物体ありとなる。
バックライト輝度４００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）−β２｝より小さく、｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きい場合は、判断基準はＳｄ＞Ｓｒの場合に物体ありとなる。
バックライト輝度２００lxで、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）−β２｝より小さい場合、判断基準はＳｄ＞Ｓｒの場合に物体ありと変更される。
なお、β１，β２は検出信号レベルＳｄ，Ｓｒ各々のばらつきや安定性を考慮したマージンを示す。
【００７６】
次に、この第２の検出処理方法に基づく受光信号処理回路６の検出判断処理について図１９および図２０のフローチャートに関連付けて説明する。
【００７７】
バックライト２７の輝度は、初期状態の２００lxに保持する（ＳＴ２１）。
この状態で、検出セル２２の検出信号レベルＳｄ、および基準セル２３の外光ＡＭＬの検出信号レベル（外光強度）Ｓｒを観測する（ＳＴ２２、ＳＴ２３）。
そして、外光強度を検出する基準セル２３の信号レベル（外光強度）Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きいか否かを判断する（ＳＴ２４）。
ステップＳＴ２４において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きいと判断した場合には、バックライト２７の輝度は２００lxに保持し（ＳＴ２５）、Ｓｄ＜Ｓｒを物体ありの判断基準とする（ＳＴ２６）。
ここで、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さいか否か（Ｓｄ＜Ｓｒ）を判断する（ＳＴ２７）。
ステップＳＴ２７において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さいと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３があるものと判断する（ＳＴ２８）。
一方、ステップＳＴ２７において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより小さくないと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３がないものと判断する（ＳＴ２９）。
【００７８】
一方、ステップＳＴ２４において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）＋β１｝より大きくないと判断した場合には、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）−β２｝より大きいか否かを判断する（ＳＴ３０）。
ステップＳＴ３０において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）−β２｝より大きいと判断した場合には、バックライト２７の輝度を２００lxから４００lxに上げ（変更し）（ＳＴ３１）、図２０のステップＳＴ３３の処理に移行する。
【００７９】
ステップＳＴ３０において、外光強度Ｓｒが｛（ＢＬ２００＊ｒｆ＊α）−β２｝より大きくないと判断した場合には、図２０に示すように、バックライト２７の輝度を２００lxに保持し（ＳＴ３２）、Ｓｄ＞Ｓｒを物体ありの判断基準とする（ＳＴ３３）。
ここで、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きいか否か（Ｓｄ＞Ｓｒ）を判断する（ＳＴ３４）。
ステップＳＴ３５において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きいと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３があるものと判断する（ＳＴ３５）。
ステップＳＴ３５において、検出セル２２の信号レベルＳｄが基準セル２３の信号レベルＳｒより大きくないと判断した場合には、検出セル２２上に物体（たとえば指）１３がないものと判断する（ＳＴ３６）。
【００８０】
以上説明したように、本実施形態によれば、検出セル２２の検出信号Ｓｄおよび基準セル２３の検出信号Ｓｒの出力レベルに応じて、受光信号処理回路６が制御信号ＣＴＬにより、有効表示領域部（画面表示部）２の表面輝度を変化させることで、近接あるいは接触を検出する光検出部としての検出セル２２に物体が近接あるいは接触したことを判別することから、以下の効果を得ることができる。
【００８１】
周囲環境（明るさ）に左右されることなく表示画面へ物体が近接、接触したことを的確に検出することが可能となる。
また、複雑な制御を必要としないので安価にシステムを構築できる。
必要な場所にだけ検出センサとして検出セルを設ければよいので回路規模が小さくできる。
また、光を用いた検出方法であり、耐久性、信頼性が高く、また、基準セル（基準センサ）出力は外光の光量を測定しているので、この信号を用いて画面の明るさのコントロールをすることも可能である。
さらにまた、検出部分を画面表示で指定できるので必要とされる状況に応じて形状や色を変えることができるため、デザインの自由度が高く、操作性を大きく向上させることができる。
特に画面が小さく、ボタン操作が多い携帯電話、デジタルカメラ、デジタル音楽プレーヤ、ＰＤＡなどのモバイルＣＥ機器で有益な技術である。
【００８２】
ここで、光センサの配置について述べる。
図２１（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの配置位置について説明するための図である。
【００８３】
今までの説明においては、図２１（Ａ）に示すように、検出セル２２および基準セル２３の双方が表示画面上に配置されている場合について述べた。
しかし、検出センサとしての検出セル２２は画面からの光を反射させる必要があるため表示画面上に配置する必要があるが、基準センサとして基準セル２３はその必要は無い。よって基準センサを表示画面以外の場所に設けることも可能である。
たとえば、図２１（Ｂ）に示すように、有効画面外に一つを配置することも可能である。
また、図２１（Ｃ）に示すように、有効画面外に複数の基準センサを配置することも可能である。この場合、４つの画面外の基準セル（基準センサ）２３−１〜２３−４からの出力を平均しても良いし、どれか一つ、をその状況に応じて選択して使っても良い。また、状況に応じて個数を変え、かつ平均を取っても良い。
さらに、図２１（Ｄ）に示すように、複数個を表示画面上に配置し、各々を、有るときは検出用センサとして、またあるときは基準用センサとして切り替えて使うこともできる。
また、図示していないが、複数のセンサを組み合わせて使用することで、面積情報を加味した近接あるいは接触の検出も可能である。
【００８４】
また、上記実施形態においては、各表示セルの表示エレメント（電気光学素子）として液晶セルを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用した場合を例に採って説明したが、液晶表示装置への適用に限られるものではなく、各画素の表示エレメントとしてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ:electro-luminescence）素子を用いたアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置、ＦＥＤなどの各種表示装置全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶画像表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図１の液晶画像表示装置における有効表示領域の第１の構成例を示す図である。
【図３】本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの配置の一例を示す図である
【図４】本実施形態に係る検出セル（基準セル）の基本構成例を示す回路図である。
【図５】本実施形態に係る検出セル（基準セル）の簡略断面図である。
【図６】検出セルおよび基準セルのフォトセンサ（受光素子）をＴＦＴにより形成した構造例を示す断面図である。
【図７】バックライトの反射光の検出システムを模式的に示す図である。
【図８】表示装置の画像表示部に光センサを配置した光検出システムの基本構成を模式的に示す図である。
【図９】光検出システムの検出原理を説明するための図である。
【図１０】物体がない場合の本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの検出信号レベルを示す図である。
【図１１】物体がある場合の本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの検出信号レベルを示す図である。
【図１２】外光ＡＭＬが変化したときの信号レベルの様子を示す図である。
【図１３】本実施形態の外光が変化する場合の第１の検出処理方法を説明するための図である。
【図１４】本実施形態に係る第１の検出処理方法の外光強度（Ｓｒ）、バックラインと輝度、および判断基準との対応関係をまとめて示す図である。
【図１５】本実施形態に係る第１の検出処理方法に基づく受光信号処理回路の検出判断処理について説明するためのフローチャートである。
【図１６】本実施形態に係る第１の検出処理方法に基づく受光信号処理回路の検出判断処理について説明するためのフローチャートである。
【図１７】本実施形態の外光が変化する場合の第２の検出処理方法を説明するための図である。
【図１８】本実施形態に係る第２の検出処理方法の外光強度（Ｓｒ）、バックラインと輝度、および判断基準との対応関係をまとめて示す図である。
【図１９】本実施形態に係る第２の検出処理方法に基づく受光信号処理回路の検出判断処理について説明するためのフローチャートである。
【図２０】本実施形態に係る第２の検出処理方法に基づく受光信号処理回路の検出判断処理について説明するためのフローチャートである。
【図２１】本実施形態に係る検出セルおよび基準セルの配置位置について説明するための図である。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・液晶表示装置、２・・・有効表示領域部、３・・・垂直駆動回路（ＶＤＲＶ）、４・・・水平駆動回路（ＨＤＲＶ）、５・・・受光制御回路（ＲＣＴＬ）、６・・・受光信号処理回路（ＲＳＰＲＣ）、１０−１〜１０−ｐ・・・受光信号線、６２−１〜６２−ｑ・・・演算増幅器、２１・・・表示セル、２２・・・検出セル、２３・・・基準セル、２４・・・ＴＦＴ基板、２５・・・対向基板、２６・・・液晶層、２７・・・バックライト。
【図１】
2009129363.tif 000003
【図２】
2009129363.tif 000004
【図３】
2009129363.tif 000005
【図４】
2009129363.tif 000006
【図５】
2009129363.tif 000007
【図６】
2009129363.tif 000008
【図７】
2009129363.tif 000009
【図８】
2009129363.tif 000010
【図９】
2009129363.tif 000011
【図１０】
2009129363.tif 000012
【図１１】
2009129363.tif 000013
【図１２】
2009129363.tif 000014
【図１３】
2009129363.tif 000015
【図１４】
2009129363.tif 000016
【図１５】
2009129363.tif 000017
【図１６】
2009129363.tif 000018
【図１７】
2009129363.tif 000019
【図１８】
2009129363.tif 000020
【図１９】
2009129363.tif 000021
【図２０】
2009129363.tif 000022
【図２１】
2009129363.tif 000023