(57)【要約】      （修正有）【課題】互いに独立した複数の回路を搭載した半導体装置において、回路毎に適切な電気的特性の調整を行うことができる半導体装置及び半導体装置の電気的特性の調整方法の提供。【解決手段】互いに独立した第１の回路１０及び第２の回路を有し、前記第１の回路１０はパッケージング前に電気的特性が調整され、前記第２の回路２０はパッケージング後に電気的特性が調整される半導体装置６０であって、前記第１の回路１０は、レーザー切断により抵抗値が調整されるレーザーヒューズ３０を有し、前記第２の回路２０は、電気的溶断により抵抗値が調整される電気溶断式抵抗調整手段を有することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに独立した第１の回路及び第２の回路を有し、前記第１の回路はパッケージング前に電気的特性が調整され、前記第２の回路はパッケージング後に電気的特性が調整される半導体装置であって、
前記第１の回路は、レーザー切断により抵抗値が調整されるレーザーヒューズを有し、
前記第２の回路は、電気的溶断により抵抗値が調整される電気溶断式抵抗調整手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電気溶断式抵抗調整手段は、溶断ヒューズ又はザッピングダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置を有し、
該半導体装置が有するレーザーヒューズが切断済みの状態でパッケージングされたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記半導体集積回路装置は、所定の用途の回路に組み込まれてから、前記半導体装置の電気溶断式抵抗調整手段の電気的溶断が行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
互いに独立した第１の回路及び第２の回路を有し、前記第１の回路は抵抗値調整用のレーザーヒューズを備え、前記第２の回路は抵抗値調整用の電気溶断式抵抗調整手段を備えた半導体装置の電気的特性の調整方法であって、
前記半導体装置がパッケージングされる前に、前記レーザーヒューズを切断して前記第１の回路の電気的特性を調整するステップと、
前記半導体装置がパッケージングされた後に、前記電気溶断式抵抗調整手段に電圧を印加して前記電気溶断式抵抗調整手段を溶断し、前記第２の回路の電気的特性を調整するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の電気的特性の調整方法。
【請求項６】
前記電気溶断式抵抗調整手段は、溶断ヒューズ又はザッピングダイオードであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の電気的特性の調整方法。
【請求項７】
前記第２の回路の電気的特性を調整するステップは、パッケージングされた前記半導体装置が所定の用途の回路に組み込まれてから実行されることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の電気的特性の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体集積回路装置及び半導体装置の電気的特性の調整方法に関し、特に、互いに独立した第１の回路及び第２の回路を有する半導体装置、半導体集積回路装置及び半導体装置の電気的特性の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、チップの一部に、ウエハの状態で第１のトリミングを行うための第１のトリミング領域と、チップをウエハから切り出してパッケージした状態で第２のトリミングを行うための第２のトリミング領域とが設けられた半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平３−１４２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、半導体装置に１つの用途を有する回路のみが搭載された場合には好適に適用され得るが、各々が別個の用途を有する互いに独立した回路が複数搭載されたときには、各回路に応じたトリミングを適切に行うことができないという問題があった。
【０００４】
一方、半導体装置に複数の用途を有する回路が搭載されている場合には、回路の機能や要求されている仕様、周囲回路との関係等から、パッケージング前の半導体ウエハの状態で電気的特性の調整を行うことが可能な回路と、パッケージングしてから、周囲回路との関係を把握しながら電気的特性の調整を行う必要がある回路を含んでいる場合がある。このような場合には、回路の特性に応じたトリミング処理を行うことが要求される。
【０００５】
そこで、本発明は、互いに独立した複数の回路を搭載した半導体装置において、回路毎に適切な電気的特性の調整を行うことができる半導体装置及び半導体装置の電気的特性の調整方法について説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る半導体装置（６０）は、互いに独立した第１の回路（１０、１０ａ）及び第２の回路を有し、前記第１の回路（１０、１０ａ）はパッケージング前に電気的特性が調整され、前記第２の回路（２０、２０ａ）はパッケージング後に電気的特性が調整される半導体装置（６０）であって、
前記第１の回路（１０、１０ａ）は、レーザー切断により抵抗値が調整されるレーザーヒューズ（３０、３０ａ）を有し、
前記第２の回路（２０、２０ａ）は、電気的溶断により抵抗値が調整される電気溶断式抵抗調整手段（４０，４０ａ）を有することを特徴とする。
【０００７】
これにより、パッケージング前に電気的特性の調整が行われる回路には、レーザーヒューズを用いて高精度の抵抗値調整を行うことができ、パッケージング後に電気的特性の調整が行われる回路については、電圧の印加によりパッケージ外部から電気的特性の調整を行うことができる。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明に係る半導体装置（６０）において、
前記電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）は、溶断ヒューズ又はザッピングダイオードであることを特徴とする。
【０００９】
これにより、電圧の印加による電気的溶断が適切に行われ、パッケージング後の抵抗値調整を高い歩留まりで行うことができる。
【００１０】
第３の発明に係る半導体集積回路装置（１００）は、第１又は第２の発明に係る半導体装置（６０）を有し、
該半導体装置（６０）が有するレーザーヒューズ（３０、３０ａ）が切断済みの状態でパッケージングされたことを特徴とする。
【００１１】
これにより、レーザーヒューズを有する回路は高精度に調整済みの状態で、かつパッケージング後には電気的溶断による調整の余地を残してあり、高精度で柔軟な電気的特性の調整が可能な半導体集積回路装置とすることができる。
【００１２】
第４の発明は、第３の発明に係る半導体集積回路装置（１００）において、
前記半導体集積回路装置（１００）は、所定の用途の回路に組み込まれてから、前記半導体装置（６０）の電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）の電気的溶断が行われることを特徴とする。
【００１３】
これにより、半導体装置がパッケージングされたチップとなって出荷され、ユーザがチップを用いて所定用途の回路を組んでから、チップの電気的特性の調整を行うことが可能となる。
【００１４】
第５の発明に係る半導体装置（６０）の電気的特性の調整方法は、互いに独立した第１の回路（１０、１０ａ）及び第２の回路（２０、２０ａ）を有し、前記第１の回路（１０、１０ａ）は抵抗値調整用のレーザーヒューズ（３０、３０ａ）を備え、前記第２の回路（２０、２０ａ）は抵抗値調整用の電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）を備えた半導体装置（６０）の電気的特性の調整方法であって、
前記半導体装置（６０）がパッケージングされる前に、前記レーザーダイオード（３０、３０ａ）を切断して前記第１の回路（１０、１０ａ）の電気的特性を調整するステップと、
前記半導体装置（６０）がパッケージングされた後に、前記電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）に電圧を印加して前記電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）を溶断し、前記第２の回路（２０、２０ａ）の電気的特性を調整するステップと、を有することを特徴とする。
【００１５】
これにより、個々に別用途を有する複数の回路について、各々に適したタイミングで電気的特性の調整を行うことができる。
【００１６】
第６の発明は、第５の発明に係る半導体装置（６０）の電気的特性の調整方法において、
前記電気溶断式抵抗調整手段（４０、４０ａ）は、溶断ヒューズ又はザッピングダイオードであることを特徴とする。
【００１７】
これにより、電気的溶断を確実に行うことができ、電気的溶断における歩留まりを高めることができる。
【００１８】
第７の発明は、第５又は第６の発明に係る半導体装置（６０）の電気的特性の調整方法において、
前記第２の回路（２０、２０ａ）の電気的特性を調整するステップは、パッケージングされた前記半導体装置（６０）が所定の用途の回路に組み込まれてから実行されることを特徴とする。
【００１９】
これにより、半導体装置をパッケージングしてチップとして出荷してから、ユーザの方で所定用途の回路を組んでから半導体装置の電気的特性の調整を行うことができ、ユーザに使い勝手の良い半導体装置を提供することができる。
【００２０】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、互いに独立した回路の用途や種類に応じて、適切なタイミングで電気的特性の調整を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００２３】
図１は、本発明を適用した実施例に係る半導体装置６０の半導体ウエハ７０上の構成を示した図である。図１において、半導体ウエハ７０上に、格子状に本実施例に係る半導体装置６０が形成されている。半導体装置６０は、半導体チップと呼んでもよい。半導体装置６０は、半導体ウエハ７０上に複数の半導体チップとして形成された後、格子状のスクライブラインに沿って切り出され、次いで個々がパッケージングされ、半導体集積回路装置として製品化される。従って、パッケージングされる前の半導体ウエハの状態で、半導体装置６０には所定用途の回路が形成されている。
【００２４】
本実施例に係る半導体装置６０は、第１の回路１０と第２の回路２０とを含む。半導体装置６０上には、他にも種々の用途の回路が形成され、全体として所定の機能を有する半導体チップとして構成されてよいが、本実施例に係る半導体装置６０においては、第１の回路１０と第２の回路２０の２つの回路を採り上げて示している。第１の回路１０と第２の回路２０は、互いに独立している。このように、本実施例に係る半導体装置６０は、１チップ内に独立した回路を複数有する。第１の回路１０と第２の回路２０は、互いが独立しており、異なる回路構成を有する回路であれば、同一機能を有していても、異なる機能を有していてもよい。しかしながら、両者は回路構成が異なるので、異なる機能又は用途を有する場合が多く、本実施例に係る半導体装置６０の第１の回路１０及び第２の回路２０は、用途の異なる回路同士に適用される場合が多い。
【００２５】
第１の回路１０及び第２の回路２０は、アナログ回路であってもよいし、デジタル回路であってもよい。本実施例に係る半導体装置６０は、高精度の電気的特性が求められるアナログ回路に適用されるのが適するが、デジタル回路のビット救済用等に適用されてもよい。
【００２６】
第１の回路１０は、レーザーヒューズ３０を備える。レーザーヒューズ３０は、半導体ウエハ７０の状態でレーザー照射により切断され、抵抗値の調整を行うためのヒューズである。レーザーヒューズ３０は、レーザートリミング装置、レーザー救済装置等のレーザー照射装置によりレーザー照射されて切断され、トリミングにより抵抗値が変化し、第１の回路１０の電気的特性が調整される。レーザーヒューズ３０は、切断不良が少なく、高精度の抵抗値調整及び電気的特性の調整が可能である。
【００２７】
第２の回路２０は、電気溶断式抵抗調整手段４０を備える。電気溶断式抵抗調整手段４０は、過電圧を印加されたときに溶断し、抵抗値の調整を可能とする抵抗値調整手段である。電気溶断式抵抗調整手段４０は、両端に電圧を印加することにより切断可能であるので、パッケージに半導体装置６０を収容した後も、電気溶断式抵抗調整手段４０の両端の接続端子をパッケージの外部に出しておくことにより、溶断することができる。よって、第２の回路２０の抵抗値及び電気的特性は、半導体装置６０がパッケージングされた後も調整可能である。
【００２８】
電気溶断式抵抗調整手段４０は、両端に所定値以上の電圧が印加されることにより溶断可能であれば、種々の抵抗調整手段が適用されてよいが、例えば、溶断ヒューズやザッピングダイオードが適用されてよい。溶断ヒューズは、金属製のヒューズであり、高電圧をヒューズ部に印加することにより、溶断して切断できるようになっている。また、ザッピングダイオードは、高電圧をダイオード部に印加することにより、ダイオードが破壊され、電気的に接続されるようになっている。
【００２９】
このように、本実施例に係る半導体装置６０は、パッケージング前の半導体ウエハ７０の状態で抵抗値調整を行うレーザーヒューズ３０を備えた第１の回路と、パッケージング後に製品化された半導体チップの状態で抵抗値調整を行う電気溶断式抵抗調整手段４０を備えた第２の回路２０を含んでいる。
【００３０】
図２は、本実施例に係る半導体装置６０がパッケージングされて半導体集積回路装置１００となった状態を示した図である。図２において、半導体装置６０を半導体ウエハ７０から切り出して各々チップの状態にし、パッケージングを行ってパッケージ８０に収容し、半導体集積回路装置（ＩＣ）１００として製品化した状態が示されている。
【００３１】
図２において、半導体装置６０は、互いに独立した第１の回路１０と第２の回路２０とを有する。第１の回路１０は、レーザーヒューズ３０を備え、第２の回路２０は、溶断ヒューズ４１を備えている。溶断ヒューズ４１は、ザッピングダイオードが適用されてもよい。図２においては、溶断ヒューズ４１を適用した例を挙げて説明するが、ザッピングダイオード等の他の電気溶断式抵抗調整手段４０も同様にして適用できる。半導体装置６０は、パッケージ８０に収容され、パッケージ８０からは、端子９０が外部に出ている。端子９０は、半導体装置６０に搭載されている回路を動作させるための入出力端子であり、このうち、第２の回路２０に接続されている端子９０も含んでいる。
【００３２】
図２において、第１の回路１０は、図１で示したように、個々の半導体装置６０が切り出される前に、半導体ウエハ７０の状態でレーザーヒューズ３０の切断が行われ、抵抗値の調整により電気的特性が調整済みの状態となっている。つまり、半導体製造工程のいわゆる前工程でレーザートリミングが行われ、抵抗値の調整が終了している。レーザートリミングは、高精度なトリミングが可能であるので、精度良く第１の回路１０の電気的特性は調整された状態である。第１の回路１０については、半導体装置６０がパッケージ８０に覆われており、レーザーを照射することはできないので、パッケージングの終了後は抵抗値の調整はできない。
【００３３】
一方、第２の回路２０は、溶断ヒューズ４１を備えているが、まだ溶断ヒューズ４１は切断されていない状態である。溶断ヒューズ４１は、パッケージング後であっても、第２の回路２０の溶断ヒューズ４１に接続された端子９０に、溶断ヒューズ４１が溶断されるような電圧を印加することにより、切断して抵抗値の調整を行うことができる。半導体装置６０は、パッケージングされたときに応力の影響を受け、パッケージング後の電気的特性が、パッケージング前と比較して変化する場合がある。そのような場合には、パッケージングが終了した後、例えば半導体製造工程の後工程で電気的特性の調整を行うか、または出荷後にユーザ側で電気的特性の調整を行うことが好ましい。よって、第２の回路２０には、パッケージングによる応力の影響を受けやすい回路、ユーザ側で更に半導体集積回路装置１００を特定用途の回路等に組み込んで使用し、その後に電気的特性の調整を行う必要がある回路、前工程では電気的特性の調整ができない回路等が適用される。このように、溶断ヒューズ４１の溶断により、パッケージング後に第２の回路２０の抵抗値の調整による電気的特性の調整を行うことができる。
【００３４】
図３は、溶断ヒューズ４１の溶断方法を示した図である。図３において、溶断ヒューズ４１に、溶断ヒューズ４１が溶断されるのに十分な大きさの電圧が印加され、溶断ヒューズ４１が熱により溶断される状態が示されている。溶断ヒューズ４１には、９[Ｖ]の電圧が印加され、溶断ヒューズ４１の溶断が開始されようとしている。このように、溶断ヒューズ４１を用いることにより、溶断ヒューズ４１自体は半導体集積回路装置１００のパッケージ８０内に収容されていても、端子９０から溶断ヒューズ３０への電圧の印加を行うことができれば、溶断ヒューズ３０を溶断でき、第２の回路２０の電気的特性の調整が可能である。
【００３５】
図４は、溶断ヒューズ４１の溶断で発生し易い現象の説明図である。図４（ａ）は、溶断ヒューズ４１が完全に溶断した状態を示した模式図である。図４（ａ）において、溶断ヒューズ４１は、完全に溶断して切断されているので、電気的接続は完全に開放され、抵抗値Ｒは無限大となる。このような状態では、溶断ヒューズ４１による抵抗値の調整は、理想的に行われる。
【００３６】
一方、図４（ｂ）は、溶断ヒューズ４１が不完全に溶断した状態を示した模式図である。図４（ｂ）に示すように、溶断ヒューズ４１の溶断が不完全で、接続が中途半端に残った状態となったときには、例えば元々の溶断前の溶断ヒューズ４１の抵抗値ＲがＲ＝１〔ｋΩ〕であったときには、Ｒ＝∞とならずに、Ｒ≒１〔ＭΩ〕のような中途半端な値となる。このような場合には、抵抗値が適切に調整されずに、電気的特性の調整も理想的には行われないことになる。このような溶断不良は、レーザーヒューズ３０においては少ないが、溶断ヒューズ４１においては、その割合がレーザーヒューズ３０よりも増加する。
【００３７】
図２に戻り、図４において説明した内容を考慮すると、レーザーヒューズ３０の切断は、溶断ヒューズ４１よりも高精度であり、切断不良が少ないので、第１の回路１０と第２の回路２０にどのような回路を適用して配置するかは、このようなヒューズ切断自体の歩留まりとの関係も考慮して決めるようにしてよい。つまり、例えば、パッケージング後の応力の影響が少ない回路については、第２の回路２０のように、高精度のレーザーヒューズ３０を用いて電気的特性の調整を行うことが好ましい。一方、パッケージング後の応力の影響が大きい回路や、パッケージング後でないと調整が不可能な回路、例えばユーザ側で他の回路に組み込んでからの調整が必要な回路については、第１の回路１０のように、溶断ヒューズ４１を用いるようにすることが好ましい。
【００３８】
このように、本実施例に係る半導体装置６０においては、トリミングによる電気的特性の調整のタイミング、歩留まり等を総合的に考慮に入れて、回路の機能や用途に合わせて適切にレーザーヒューズ３０又は溶断ヒューズ４１を組み合わせて用いることができる。これにより、柔軟で歩留まりの良い半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００とすることができる。
【００３９】
なお、溶断ヒューズ４１による抵抗値調整は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）でも代用可能であるが、ＥＥＰＲＯＭは高価であり、半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００の単価が上昇してしまうという問題がある。本実施例に係る半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００によれば、安価で柔軟な回路特性の調整が可能な半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００を提供することができる。
【００４０】
図５は、本実施例に係る半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００を、具体的な用途を有する温度補償水晶発振器５０の回路に適用した一例を示した回路ブロック図である。図５において、温度補償水晶発振器５０は、基準電圧発生器１０ａと、レーザーヒューズ３０ａと、温度センサ２１と、温度補償回路２０ａと、電気溶断抵抗調整手段４０ａと、水晶振動子５１と、電圧制御発振器５２と、バッファ５３とを有する。
【００４１】
温度補償発振器５０は、周波数安定度の中で最も影響の大きい温度特性を、温度補償回路２０ａにより、水晶振動子固有の周波数温度特性より安定化させることを目的とした発振器である。図５において、水晶振動子５１で発生した振動の周波数は、電圧制御発振器５２で制御され、所望の周波数を得ることができるように構成されている。そして、電圧制御発振器８０の基準電圧は、基準電圧発生回路１０ａにより与えられる。また、温度センサ２１で検出された周囲温度は、温度補償回路２０ａに入力され、温度補償回路２０ａで温度補償電圧が生成されて電圧制御発振器５２に印加される。これにより、電圧制御発振器５２は、周囲温度変化に対して安定した周波数を発生させることができる。そして、電圧制御発振器５２の発振信号は、バッファ５３を介して出力される。
【００４２】
ここで、基準電圧発生回路１０ａの電気的特性は、レーザーヒューズ３０ａをレーザーで切断することにより、抵抗値を変化させて調整できるようになっている。つまり、基準電圧のバラツキが少なくなるように、レーザーヒューズ３０ａのトリミングが、パッケージング前の半導体ウエハ７０の段階で実行され、調整される。
【００４３】
一方、温度補償回路２０ａから電圧制御発振器５２に供給される水晶振動子５１のバラツキを吸収するための温度補償電圧は、パッケージング後、半導体集積回路装置１００の製品として出荷された後、ユーザ側で調整される。つまり、ユーザ側で、半導体集積回路装置１００の端子９０に電圧が印加され、電気溶断式抵抗調整手段４０ａが溶断され、温度補償回路２０ａの電気的特性が調整される。ユーザ側では、半導体集積回路装置１００を受け入れてから、独自の基準により直ちに調整を行うことも可能であるし、温度補償水晶発振器５０の半導体集積回路装置１００を、他の用途の回路に組み込んで、それから電気溶断式抵抗調整手段４０ａの切断を行うことも可能である。また、電気溶断式抵抗調整手段４０ａには、溶断ヒューズ４１が適用されてもよいし、ザッピングダイオードが適用されてもよいし、他の電気的溶断により抵抗値を調整する手段が適用されてもよい。
【００４４】
このように、第１の回路１０には基準電圧発生回路１０ａ、第２の回路２０には温度補償回路２０ａを適用することにより、温度補償水晶発振器５０の適切な回路特性の調整を行うことができる。
【００４５】
以上、図１〜５を用いて説明したように、本実施例に係る半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００によれば、独立した複数の回路を有する半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００について、各回路に種類の異なるヒューズを設け、これにより抵抗値を調整して回路の電気的特性を調整することにより、各回路の用途や機能に応じた適切な調整を行うことができる。
【００４６】
次に、図６を用いて、本実施例に係る半導体装置６０の電気的特性の調整方法の処理フローについて説明する。図６は、本実施例に係る半導体装置６０の電気的特性の調整方法の処理フロー図である。
【００４７】
ステップ１００では、半導体装置６０の前工程の製造工程が実行される。つまり、半導体ウエハ７０の所定の処理が実行され、半導体ウエハ７０上に複数の半導体装置６０が形成される。
【００４８】
なお、本実施例に係る半導体装置６０は、複数の独立した回路を有しており、少なくとも、第１の回路１０と第２の回路２０とを有する。第１の回路１０には、抵抗値調整用のレーザーヒューズ３０が備えられ、第２の回路２０には、同様に抵抗値調整用の電気溶断式抵抗値調整手段４０が備えられている。本処理フローにおいては、電気式抵抗値調整手段４０には、溶断ヒューズ４１が適用されている例を挙げて説明するが、ザッピングダイオード等が適用可能であることは、今までと同様である。
【００４９】
ステップ１１０では、半導体ウエハ７０に形成された個々の半導体装置６０について、プローブテストが実行され、半導体装置６０の電気的試験が行われる。プローブテストは、例えば、プローバを用いて、プローブ針を半導体装置６０上に形成されたパッドに接触させ、プローブ針から所定の電圧や電流を供給し、出力を測定することにより実行されてよい。
【００５０】
ステップ１１０において、プローブテストの結果が不良であった場合には、ステップ１２０に進む。一方、プローブテストの結果が良好であった場合には、ステップ１４０に進む。
【００５１】
ステップ１２０では、レーザーヒューズトリミングが実行される。つまり、第１の回路１０に備えられたレーザーヒューズ３０が、所望の抵抗値を得るべく選択的に切断されて調整される。これにより、第１の回路１０の電圧値や電流値等の電気的特性が適正な範囲となるように調整される。
【００５２】
ステップ１３０では、レーザーヒューズトリミング後の再度のプローブテストが実行される。つまり、レーザーヒューズトリミングにより、半導体装置６０の第１の回路１０が適正な電気的特性を示すようになったか否かを試験する。
【００５３】
ステップ１３０において、再度のプローブテストで、半導体装置６０が良品と判定された場合には、ステップ１４０に進む。一方、再度のプローブテストで、半導体装置６０が不良品と判定された場合には、ステップ１９０に進む。
【００５４】
ステップ１９０においては、半導体装置６０は不良品と判定され、処理フローを終了する。
【００５５】
一方、ステップ１４０では、半導体装置６０のパッケージングが行われ、半導体装置６０は、パッケージ８０に収容される。これにより、半導体装置６０が半導体集積回路装置１００として製品化される。
【００５６】
ステップ１５０では、半導体集積回路装置１００の選別テストが実行される。これは、半導体集積回路装置１００のパッケージ８０の外部の端子９０を用いて実行される。選別テストは、例えば、端子９０に、所定の電圧や電流が供給され、その出力を測定することにより行われてよい。
【００５７】
ステップ１５０において、半導体集積回路装置１００が良品と判定された場合には、ステップ１８０に進み、不良品と判定された場合には、ステップ１６０に進む。
【００５８】
ステップ１６０では、溶断ヒューズ４１に選択的に電圧が印加されて溶断され、トリミングが行われて所望の抵抗値を得る調整が行われる。これにより、第２の回路２０の電圧値や電流値等の電気的特性の調整が行われる。そして、半導体集積回路装置１００が適正に動作するように調整が行われる。
【００５９】
ステップ１７０では、２度目の選別テストが実行される。ステップ１６０において、溶断ヒューズ４１を用いて第２の回路２０の抵抗値及び電気的特性の調整が行われたので、再度の選別テストを行い、電気的特性が適正となったか否かを検査する。
【００６０】
ステップ１７０において、選別テストに不合格で、半導体集積回路装置１００が不良と判定された場合には、ステップ１９０に進み、不良品と決定されて処理フローを終了する。一方、２度目の選別テストに合格し、良品と判定された場合には、ステップ１８０に進む。
【００６１】
ステップ１８０では、良品の結果を受けて、半導体集積回路装置１００の出荷が行われ、処理フローを終了する。
【００６２】
このように、本実施例に係る半導体装置６０の電気的特性の調整方法によれば、半導体装置６０が搭載する回路１０、２０の用途に応じて、適切なトリミング方法を行うことができ、高精度の電気的特性の調整を行うことができる。
【００６３】
なお、図６の処理フローにおいては、パッケージング後の、出荷前の後工程で選別テストを行う例を説明したが、ユーザ側で溶断ヒューズ４１の調整を行う場合には、ステップ１４０のパッケージングの後にステップ１８０をすぐ行って出荷をし、ユーザ側でステップ１５０〜１７０を実行するようにしてもよい。または、ステップ１５０の選別テストにおいて、不合格となった半導体集積回路装置１００は不良品として扱い、ステップ１９０にすぐ移動して不良品との決定を行うようにしてもよい。
【００６４】
これにより、溶断ヒューズ４１による調整は行われておらず、ユーザ側で自由に溶断ヒューズ４１を選択的に溶断して半導体集積回路装置１００の電気的特性の調整を行える状態で出荷を行うことができる。
【００６５】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施例に係る半導体装置６０の半導体ウエハ７０上の構成を示した図である。
【図２】本実施例に係る半導体装置６０がパッケージングされた状態を示した図である。
【図３】溶断ヒューズ４１の溶断方法を示した図である。
【図４】溶断ヒューズ４１の溶断で発生し易い現象の説明図である。図４（ａ）は、溶断ヒューズ４１が完全に溶断した状態を示した模式図である。図４（ｂ）は、溶断ヒューズ４１が不完全に溶断した状態を示した模式図である。
【図５】本実施例に係る半導体装置６０及び半導体集積回路装置１００を温度補償水晶発振器の回路に適用した一例を示す回路ブロック図である。
【図６】本実施例に係る半導体装置６０の電気的特性の調整方法の処理フロー図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０、１０ａ    第１の回路
２０、２０ａ    第２の回路
２１    温度センサ
３０、３０ａ    レーザーヒューズ
４０、４０ａ    電気溶断式抵抗値調整手段
４１    溶断ヒューズ
５０    温度補償水晶発振器
５１    水晶振動子
５２    電圧制御発振器
５３    バッファ
６０    半導体装置
７０    半導体ウエハ
８０    パッケージ
９０    端子
１００    半導体集積回路装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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