(57)【要約】【課題】  露光量及び／又はデフォーカス量の変動の影響を受けにくい露光パラメータの値を決定する方法を提供する。【解決手段】  基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの値を決定する方法であって、露光パラメータの複数の値と、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現した複数の値との組み合わせのそれぞれについて、投影光学系の物体面にテストレチクルを配置し、前記テストレチクルを照明したときに前記投影光学系の像面に形成される光学像を取得する取得工程と、露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と取得工程で取得された光学像の輪郭とのずれが許容値内となる要因の値の範囲を算出する算出工程と、ずれが許容値内となる要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定工程と、を含む。要因は、露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの値を決定する方法であって、
露光パラメータの複数の値と、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現した複数の値との組み合わせのそれぞれについて、投影光学系の物体面に配置されるレチクルを照明したときに前記投影光学系の像面に形成される光学像を取得する取得工程と、
前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と前記取得工程で取得された光学像の輪郭とのずれが許容値内となる前記要因の値の範囲を算出する算出工程と、
前記ずれが許容値内となる前記要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定工程と、
を含み、
前記要因は、露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかであることを特徴とする決定方法。
【請求項２】
前記取得工程において、前記基板に塗布される感光剤に形成されるレジスト像と、前記光学像との関係を規定するモデルを用いて、前記光学像から前記レジスト像を計算によって取得し、
前記算出工程において、前記光学像の輪郭の代わりに前記レジスト像の輪郭を用いることを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
【請求項３】
前記露光パラメータは、レチクルの照明条件、前記投影光学系の開口数、及び、前記投影光学系の収差の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の決定方法。
【請求項４】
前記決定工程では、前記ずれが許容値内となる前記要因の値の範囲が最大である露光パラメータの値を前記露光装置に設定すべき露光パラメータの値として決定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の決定方法。
【請求項５】
レチクルの複数のパターンを投影光学系を介して基板に投影して基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの値を決定する方法であって、
前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記基板の表面における前記複数のパターンの光学像を取得する取得工程と、
前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記複数のパターンそれぞれの、像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と前記取得工程で取得された光学像の輪郭とのずれを算出する算出工程と、
前記算出工程で算出された前記複数のパターンのずれの最大値が最小である露光パラメータの値を露光装置に設定すべき露光パラメータの値として決定する決定工程と、
を含む決定方法。
【請求項６】
基板を露光する際に設定可能な露光パラメータの複数の値と、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現した複数の値との組み合わせのそれぞれについて、投影光学系の物体面に配置されるレチクルを照明したときに前記投影光学系の像面に形成される光学像の輪郭と、前記像面に形成されるべき目標光学像の輪郭とのずれが許容値内となる前記前記要因の値の範囲を算出する算出ステップと、
前記ずれが許容値内となる前記要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定ステップと、
を含む処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、
前記要因は、露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかであることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記算出ステップにおいて、前記基板に塗布される感光剤に形成されるレジスト像と、前記光学像との関係を規定するモデルを用いて、前記光学像から前記レジスト像を計算し、前記光学像の輪郭の代わりに前記レジスト像の輪郭を用いることを特徴とする請求項６に記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、投影光学系を介して基板に投影されるレチクルの複数のパターンそれぞれの光学像の輪郭と前記投影光学系の像面に形成されるべき目標光学像の輪郭とのずれを算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出された前記複数のパターンのずれの最大値が最小である露光パラメータの値を露光装置に設定すべき露光パラメータの値として決定する決定ステップと、
を含む処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に転写して基板を露光する露光方法であって、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の決定方法を用いて決定された露光パラメータの値を用いて露光条件を設定し、
前記設定された露光条件で基板を露光する露光方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光方法で基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光パラメータの決定方法、露光パラメータを決定するためのプログラム、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造のリソグラフィー現場ではレチクルを用い、所定のパターニングを行っている。生産量を拡大する場合、露光装置を新規に導入することがある。
【０００３】
新規に導入される露光装置が従来の露光装置と同一の製品である場合もあるが、異なる場合もある。新規の露光装置を導入するときには、その露光装置で、従来のレチクルを使用して基板上に従来と同じパターンを形成するようにするための作業が必要である。この作業をパターンマッチングと呼ぶ。
【０００４】
基板上のパターン形状に最も影響を与える露光パラメータは、レチクルの照明条件、投影光学系の開口数（ＮＡ）、投影光学系の収差である。そこでまず、新規の露光装置に対してそれら露光パラメータを同じ値に設定しようとする。しかし、露光装置の種類が異なると照明条件を表現する定義が異なり、同一の数値表現をとっても同じ照明条件にはならず、同一のパターンを形成できない。ＮＡも同じ傾向があるが、その定義の差は小さく余り問題とはならない。収差も影響力を持つが、最新の露光装置ではその量が小さく、寄与率は小さい。よって、パターンマッチングでは、照明条件を調整して目的を達成するのが一般的であるが、高精度のマッチング精度を得ることは容易ではない。
【０００５】
従来のパターンマッチングの方法を以下説明する。照明条件、露光量及びデフォーカス量（通常はベストフォーカス）を特定して、基板上におけるレチクルのパターンの輪郭を計算する。そして、パターンマッチングを行う複数の場所における計算値と目標値との差分のrms（root mean square）又は最大値を求め、それを指標値とする。図３に一例を示す。目標値は点線、計算値は実線、パターンマッチングを行う複数の場所は一点鎖線でそれぞれ示されている。
【０００６】
次に露光量及びデフォーカス量をそのままで照明条件を若干変更し、指標値を求める。これを照明条件空間内で繰り返し、指標値が最小になる照明条件を求める。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のパターンマッチングの方法は、露光量及びデフォーカス量が変動しなければパターンマッチングの精度は良い。しかし、限定された露光量、デフォーカス量で露光パラメータを最適化したため、その条件では露光量、デフォーカス量の余裕度が不十分である可能性がある。
【０００８】
本発明の第１の目的は、露光量及び／又はデフォーカス量の変動の影響を受けにくい露光パラメータの値を決定する方法を提供することである。
【０００９】
本発明の第２の目的は、特徴の異なる複数のパターンを使用する露光装置にふさわしい露光パラメータの値を決定する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記第１の目的に対応する本発明の第１の側面は、基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの値を決定する方法であって、露光パラメータの複数の値と、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現した複数の値との組み合わせのそれぞれについて、投影光学系の物体面に配置されるレチクルを照明したときに前記投影光学系の像面に形成される光学像を取得する取得工程と、前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と前記取得工程で取得された光学像の輪郭とのずれが許容値内となる前記要因の値の範囲を算出する算出工程と、前記ずれが許容値内となる前記要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定工程と、を含み、前記要因は、露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００１１】
前記第２の目的に対応する本発明の第２の側面は、レチクルの複数のパターンを投影光学系を介して基板に投影して基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの値を決定する方法であって、前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記基板の表面における前記複数のパターンの光学像を取得する取得工程と、前記露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、前記複数のパターンそれぞれの、像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と前記取得工程で取得された光学像の輪郭とのずれを算出する算出工程と、前記算出工程で算出された前記複数のパターンのずれの最大値が最小である露光パラメータの値を露光装置に設定すべき露光パラメータの値として決定する決定工程と、を含む。
【００１２】
前記第１の目的に対応する本発明の第３の側面は、基板を露光する際に設定可能な露光パラメータの複数の値と、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現した複数の値との組み合わせのそれぞれについて、投影光学系の物体面に配置されるレチクルを照明したときに前記投影光学系の像面に形成される光学像の輪郭と、前記像面に形成されるべき目標光学像の輪郭とのずれが許容値内となる前記前記要因の値の範囲を算出する算出ステップと、前記ずれが許容値内となる前記要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定ステップと、を含む処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記要因は、露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００１３】
前記第２の目的に対応する本発明の第４の側面は、基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータの複数の値のそれぞれについて、投影光学系を介して基板に投影されるレチクルの複数のパターンそれぞれの光学像の輪郭と前記投影光学系の像面に形成されるべき目標光学像の輪郭とのずれを算出する算出ステップと、前記算出ステップで算出された前記複数のパターンのずれの最大値が最小である露光パラメータの値を露光装置に設定すべき露光パラメータの値として決定する決定ステップと、を含む処理をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の第１、第３の側面によれば、露光量及び／又はデフォーカス量の変動の影響を受けにくい露光パラメータの値を決定する方法を提供することができる。
【００１５】
本発明の第２、第４の側面によれば、特徴の異なる複数のパターンを使用する露光装置にふさわしい露光パラメータの値を決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［実施例１］
本実施例１で使用する露光装置は、図２２に示されるように、光源（例えば、レーザ）２４、照明系２５、レチクル２６を保持するレチクルステージ２７、投影光学系２８、及び、基板２９を保持する基板ステージ３０を備えている。レチクル２６は投影光学系２８の物体面に配置され、基板２９は投影光学系２８の像面に配置される。
【００１７】
図２に本実施例のパターンマッチング手法のフローチャートを示す。本実施例における基板を露光する際に露光装置に設定可能な露光パラメータは照明条件である。また、基板の露光結果に影響を与える要因を数値表現するものは露光量及びデフォーカス量である。照明条件、露光量及びデフォーカス量がそれぞれ特定された状態で、投影光学系の物体面にテストレチクルを配置し、テストレチクルを照明したときに基板上に形成されるテストパターンの輪郭（計算値）を計算する。この工程は、テストパターンの投影光学系の像面に形成される光学像を取得する取得工程である。露光パラメータとしては、投影光学系の開口数（NA）、投影光学系の収差も使用可能である。
【００１８】
そして、パターンマッチングを行う複数場所での像面に形成されるべきパターンの目標光学像の輪郭（目標値）との差分のrms又は最大値を求める。次に、照明条件はそのままで露光量及びデフォーカス量の少なくともいずれかを変動させ、rms又は最大値が許容値内となる露光量／デフォーカス量の範囲を求める。この求める範囲は、図１のハッチングを施した範囲である。この例では、露光量及びデフォーカス量の双方を変動させている。この工程は、像面に形成されるべき目標光学像の輪郭と取得された光学像の輪郭とのずれが許容値内となる要因の値の範囲を算出する算出工程である。
【００１９】
この変動量の範囲の全体面積、この範囲に内接する長方形の面積、横軸（最適露光量でのデフォーカス量範囲）、縦軸（ベストフォーカスでの露光量範囲）の少なくともいずれかを求め、それを指標値とする。この指標値を後述の説明のためにマッチングウインドウと呼ぶ。
【００２０】
次に、照明条件を若干変更して指標値を求める。この工程を行うことにより、露光パラメータの複数の値と、要因の複数の値との組み合わせのそれぞれについて上記取得工程がなされたことになる。また、露光パラメータの複数の値のそれぞれについて要因の値の範囲を算出する算出工程もなされたことになる。
【００２１】
これを照明条件空間内で繰り返して指標値が最大になる照明条件を決定する。この工程は、前記要因の値の範囲に基づいて露光装置に設定すべき露光パラメータの値を決定する決定工程である。照明条件の設定には、遺伝的アルゴリズム、モンテカルロ法等の手法を使用し得る。
【００２２】
次に詳細について説明する。パターンマッチングを行うパターン情報はそれを含むgds形式等の図形ファイルから得られる。一つの図形ファイルに複数個の図形の全てを包括していても良いし、一つのファイルに少数の図形を格納し、複数のファイルを読み込んでも良い。計算時間は計算領域の二乗で増えるため、後者の方が計算時間を短縮する点では好ましい。
【００２３】
露光量は実験では単位面積当りのエネルギーで表現するが、シミュレーションでは像面に形成される光学像の強度で表現する。光学像の強度は1で規格化され０から１までの値をとるが、ある値で光学像をスライスし、そのスライスされた場所の寸法がパターンの寸法となる。これを図４に示す。これを二次元的に行えば基板上におけるレチクルのパターンの輪郭を求められる。
【００２４】
照明条件を最適化する場合、露光量をいくらに設定するか、別の表現ではパターンのどの箇所をいくらの寸法に仕上げるかによって、最適化の結果は異なるので、それを指定する必要がある。パターンは最適化対象パターンのいずれか、又は、ラインアンドスペースパターン（L/S）等の基準パターンが用いられる。
【００２５】
照明条件の探索には、照明の全領域を分割し、各分割点の強度を変えて行う方法(図５)と、輪帯照明のように形が限定されており、内σ、外σ等の数値で表現できるものはその数値を変えて行う方法とがある(図６)。
【００２６】
上記では基板上におけるパターンの輪郭を計算するのに光学像を用いたが、レジスト像と光学像は一般的に異なるためパターンマッチングにおいてはレジスト像の計算を行う必要がある。レジスト像の計算には物理的に厳密な計算からレジスト像を計算する手法と、レジスト像の測定値と光学像の計算値との相関からレジスト像を計算する手法とがあり、どちらを使用しても良い。前者は計算時間が長いという問題点を有しているため、本実施例では後述の特徴を有した計算時間が早い後者を使用する。
【００２７】
ここでそのレジスト像の計算方法を説明する。まず転写、測定を行うパターンとして図７のようなモデルを抽出するテストパターンを数種選定する。テストパターンはテストレチクルに含まれている。テストパターンは数種であるが、それぞれの線幅、スペース幅、ライン端幅は数十〜100種ある。これらの重要箇所に対し、光学像から像のログスロープ（image log slope：ILS）と曲率（curvature）を計算する。ILSは下記の式で定義される。
ILS= d ln(I) / d x （Iは光強度、xは位置）
curvatureは輪郭を小分割し、それぞれの曲線を円の一部でフィッティングし、その半径をcurvatureとする。図８、図９にILS、curvatureそれぞれの具体例を示す。
【００２８】
そして、その箇所の基板２９に塗布される感光剤に形成されるレジスト像の測定値と光学像の計算値の差分δを下記の式で表現する。
δ=a＊Curvature + b＊ILS + c （a,b,cは定数）
これらを評価点全てに対してフィティングを行い、a,b,cを決定する。測定値と計算値との関係を規定するこの関係式を構築することをモデルの構築と呼ぶ。これが決定されればパターンの任意の場所で、光学像からILSとcurvatureを計算することにより上記差分を決定し、それから、光学像の代わりに用いられるレジスト像のパターン寸法が算出される。
【００２９】
上記がレジスト像の計算方式であるが、レジスト像の測定値との相関をとる場合、その転写と測定は時間がかかるため、その照明条件は限定されたものになる。しかし、本実施例では最適な照明条件を探索するためモデルを生成した照明条件以外の照明条件でもそのモデルが有効である必要がある。このために、本実施例ではモデルの生成において下記の工夫を行っている。レジスト像の測定値と光学像の計算値との関係を規定する場合に、光学像の特徴を表現するものとして、評価点近くの最も明るい場所と暗い場所の光強度のそれ自体、又は、その比等の物理量がある。しかし、各種評価の結果、ILSとcurvatureが幅広い照明条件に対応する汎用のモデルを構築できることが判明した。図１０及び図１１にその汎用性を示す。ここでは3つのモデル抽出パターンに対し7つの露光条件で実験を行い、実験＃1の結果に基づきILSとcurvatureを変数にしたモデルを構築している。そのモデル式に他の露光パラメータでの結果をプロットしているが、ほぼ全てのデータがILSとcurvatureとに対して一つの平面に乗っており、幅広い露光パラメータに対してモデルの有効性を示している。
【００３０】
ここで、光学像の指標としてILSを用いたが、その派生であるNILS（Normalized ILS）を使用しても良い。NILSは以下の式で規定される。
NILS= CD (d ln(I) / d x) （Iは光強度、xは位置、CDは対象寸法）
上記では露光量とデフォーカス量に対する余裕度を考慮したが、一般的にはデフォーカス量の方が露光量より余裕度がかなり少ないため、デフォーカス量に対する余裕度だけを考慮しても良い(図１２)。もちろん、露光量に対する余裕度だけを考慮することも可能である。この余裕度を後述の説明のためにマッチングDOFと呼ぶ。ここでマッチングDOFを求めた例を示す。
【００３１】
図１３にマッチングを行うテストパターンを示す。ここでは、デバイスパターンではなく、L/Sパターンを用いている。パターンは6種で、それぞれ中心ライン幅が目標値になるよう照明条件の最適化を行う。目標値は１３中の表に記述されている。露光条件は193nmの波長、6%のハーフトーンマスク、無偏光であり、輪帯照明の中で最適の露光パラメータの解を求める。図１４は従来の手法による結果を示している。5回の繰り返しによる最適化により、外σ=0.915、内σ=0.889に設定すればずれのrms=3.16nmのマッチング精度が得られている。それに対し、図１５では本実施例のDOFを考慮した結果を示している。図１５は3回の繰り返しによる最適化により外σ=0.68、内σ=0.637に設定すれば、ずれのrmsの許容値5nmに対するマッチングDOF=173nmが得られることを示している。
【００３２】
図１６には、従来の手法と本実施例の手法との対比結果が示されている。この図は、各デフォーカス量におけるずれのrms値を示しており、点線は従来の手法で算出した照明条件の結果であり、実線は本実施例により算出した照明条件の結果である。デフォーカスはプラス方向とマイナス方向があるが、ここではプラス方向のみで評価している。ずれのrmsの閾値を5nmとすると、デフォーカスの許容範囲が５０nmであるのに対して、本実施例では９０nmである。
【００３３】
すなわち、従来の手法ではベストフォーカスでは良いマッチング精度が得られるが、フォーカスがずれると急激に精度が劣化する。これに対して、本実施例の手法ではベストフォーカスでの精度は劣るものの、rms上限規格を満たすデフォーカス範囲は広いという特性を有している。実際のデバイスパターンでの適用時には、このrms上限値はデバイス特性の補償範囲であるため、本実施例の方がデバイスパターンを高精度に形成することができ、デバイス製造の歩留まりを向上させることができる。
【００３４】
図２３は光学像やレジスト像を計算し、最適な露光条件を決定するシミュレータの例を示す図である。上記シミュレータは、コンピュータに処理を実行するためのコンピュータプログラムをインストールすることによって構成されうる。当該プログラムは、上述した光学像の取得工程、要因の値の範囲の算出工程及び露光パラメータの値の決定工程に対応する取得ステップ、算出ステップ、決定ステップをコンピュータに実行させるコード（指令）を含みうる。コンピュータは、例えば、ＣＰＵ、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ、ハードディスク）、入力部（例えば、キーボード、通信インターフェース、メディアリーダ）、出力部（例えば、ディスプレイ、メモリ、通信インターフェース）を含む。コンピュータプログラムは、例えば、入力部によってコンピュータに取り込まれてメモリに所定形式で書き込まれうる。このシミュレータを用いて、光学像の測定値と計算値との関係を規定するモデルを構築し、構築されたモデルを用いて光学像を計算によって取得することができる。
【００３５】
パターンマッチングは、一つのパターンに対してのみ行われることがあるが、複数のパターンに対して行われることもある。具体例としては、メモリデバイスの場合、メモリセル、アレイ回路、周辺回路の中から重要なパターンが複数選択される。(図１７)
図１８及び図１９は、３つのパターンに対して本実施例の手法を適用した結果を示す図である。△を結ぶ線はパターン１に、○を結ぶ線はパターン２に、◇を結ぶ線はパターン３にそれぞれ対応する。図１８に示す例では、３つのパターンに対してずれの許容値を共通させている。一方、図１９に示す例では、３つのパターンに対してそれぞれ個別にずれの許容値が設定されている。
【００３６】
レチクル２６のパターンを投影光学系２８を介して基板２９に転写して基板２９を露光する露光方法では、本実施例の決定方法を用いて決定された露光パラメータの値が露光装置に設定される。そして、設定された露光パラメータを備えた露光装置を用いて基板２９が露光される。
【００３７】
[実施例2]
複数のパターンに対してパターンマッチングを行う場合、全パターンの全評価場所での寸法誤差を一つの集合とし、それから得られる指標値を最良にする方法がこれまで用いられてきた。従来の方法で得られた全体に対する最適化解は、あるパターンだけに着目した場合、その指標値が悪い可能性がある。その一例を図２１に示す。ここでのマッチング誤差はずれの量[nm]である。この例では、全体のずれのrms量は、1.48nmで、ずれの許容値を2nmとすると良い値になるが、アレイ回路の評価場所1での誤差は3.5nmであり、目標よりかなり大きい。この場合、アレイ回路が正常に機能しない可能性がある。
【００３８】
本実施例では、特徴の異なる複数のパターンを有するレチクルを用いて露光する露光装置にとって、ふさわしい露光パラメータの値を決定する。指標値は、ずれのrms又は最大値や、上述したマッチングウインドウ、マッチングDOFを使用し得る。
【００３９】
本実施例では、上記指標を各パターンで求め、その中の最悪値を最適化の指標とする方法について述べる。図２０に、そのフローチャートを示す。まず、複数の照明条件、複数のパターンを設定する。照明条件の設定には、遺伝的アルゴリズム、モンテカルロ法等の手法を使用し得る。ある照明条件で、複数のパターンのそれぞれについて、基板の表面における光学像、または、レジスト像を用いてマッチング精度を算出し、全パターン中の最悪マッチング精度をその照明条件を評価する指標値とする。複数の照明条件のすべてについて以上のことを行い、指標値が最小である照明条件を最適照明条件として決定する。マッチングウインドウ、マッチングDOFを対象とする場合は、指標値が最大である照明条件を最適照明条件として決定する。
【００４０】
この方法ではどのパターンのマッチング精度が悪いかを判断しているため、照明条件の調整が明確になり、最適解に到達するのが従来の方法に比較して容易である。このようにデバイス特性を考慮した場合、漫然と全体のバランスをとるのではなく、パターンが機能として分離されている場合は、本実施例の方法を選択するのが良い。
【００４１】
次に、上述の露光方法を利用した半導体集積回路素子、液晶表示素子等のデバイス製造方法を例示的に説明する。
【００４２】
デバイスは、前述の露光方法を用いて、レチクルに形成されているパターンを基板に露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、現像された基板を加工するその他の工程とを経ることによって製造される。その他の工程は、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等の工程である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】マッチングウインドウの求め方を説明するための図である。
【図２】実施例１のパターンマッチング手法のフローチャートである。
【図３】パターンの輪郭の計算値と目標値とを説明する図である。
【図４】パターンの光学像の強度分布を示す図である。
【図５】各分割点の強度を変えた照明条件を示す図である。
【図６】輪帯照明を示す図である。
【図７】テストパターンを示す図である。
【図８】ＩＬＳの求め方を説明する図である。
【図９】曲率の求め方を説明する図である。
【図１０】ＩＬＳと曲率が汎用モデルを構築できることを示す図である。
【図１１】図１０を斜めからみた図である。
【図１２】マッチングＤＯＦの求め方を説明する図である。
【図１３】マッチングを行うパターンの図である。
【図１４】従来のパターンマッチングの一例を示す図である。
【図１５】実施例１のパターンマッチングの一例を示す図である。
【図１６】従来と実施例１のパターンマッチングとを対比した図である。
【図１７】パターンマッチングに複数のパターンを使用する例を示す図である。
【図１８】複数のパターンに実施例１の手法を適用した一例を示す図である。
【図１９】複数のパターンに実施例１の手法を適用した他の例を示す図である。
【図２０】実施例２のパターンマッチング手法のフローチャートである。
【図２１】従来のパターンマッチングの一例を示す図である。
【図２２】露光装置を示す図である。
【図２３】シミュレータの構成図である。
【符号の説明】
【００４４】
２４：光源、２５：照明系、２６：レチクル、２７：レチクルステージ、２８：投影光学系、２９：基板、３０：基板ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１１】
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