(57)【要約】【課題】ウエハがタメージを受けること無く、従ってウエハを薄型化するに際して、ワレ・カケが起き難く、かつ、回路部にも支障を引き起こし難く、高品質な半導体装置を製造歩留まり良く提供することである。【解決手段】回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、  前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、レーザ照射によって形成する。【選択図】図１
2009283802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、レーザ照射によって形成するレーザ照射工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、ドライエッチングによって形成するドライエッチング工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、ウエットエッチングによって形成するウエットエッチング工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
エッチングによって切欠部を形成する工程において設けられる保護膜が粘着性を有するテープである
ことを特徴とする請求項２又は請求項３の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、メカニカルストレス無く形成する工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
切欠部はウエハの周辺領域である
ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの半導体装置の製造方法。
【請求項７】
切欠部が溝状または段差状の形状である
ことを特徴とする請求項１〜請求項６いずれかの半導体装置の製造方法。
【請求項８】
切欠部の深さは、研削工程において研削された場合、該研削が該切欠部にまで到達する深さである
ことを特徴とする請求項１〜請求項７いずれかの半導体装置の製造方法。
【請求項９】
切欠部は、ウエハ主面に対して略垂直、又は該切欠部の最奥側より回路形成面側が外側に位置するよう傾斜して設けられたものである
ことを特徴とする請求項１〜請求項８いずれかの半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関する。特に、ウエハを薄く仕上げる場合の半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話の如きの小型・薄型の筐体に多数の部品を実装する為、半導体製品にも高密度な実装が求められている。この為、半導体装置も小型・薄型化が求められている。そこで、ウエハレベルで薄型にし、チップとして個片となった後に二段、三段とスタックして組立てることが提案されている。
【０００３】
さて、今日、ウエハは、通常、その端面が面取り加工されている（図７参照）。すなわち、端面に面取り加工を施しておくことによって、ウエハの回路形成工程や搬送工程において、ウエハのワレやカケを防止しようとしている。
【０００４】
ところで、このような面取り加工が施されたウエハの厚さを５０μｍと言った薄型化（研削：研磨）すると、ウエハの端部が非常に鋭利な刃物のように尖った形状のものとなる（図８参照）。例えば、ウエハの回路形成面側に、回路面を保護する為、又、裏面研削する時にウエハを固定する為、バックグラインドテープ（ＢＧテープ）を貼付して、研削する。この研削工程は、先ず、ＢＧテープに貼り付けたウエハを吸着テーブルに固定する。そして、ホイール状の砥石がオフセットされた状態で研削を行う。その結果、ウエハの端部が、図８に示される如く、ナイフエッジ状のものになる。そして、ワレやカケが起きる。
【０００５】
このような問題点を解決する為、半導体ウエハの裏面を平面研削する平面研削方法であって、前記半導体ウエハの周縁部を周方向に沿って切断して、前記裏面に対して略垂直な垂直切断面または前記裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する周縁部切断工程と、前記周縁部が切断された前記半導体ウエハの裏面を、前記垂直切断面または前記傾斜切断面を残存させながら平面研削する裏面研削工程とを含み、前記周縁部切断工程では、高圧液を噴射することによって前記半導体ウエハの周縁部を切断することを特徴とする平面研削方法が提案（特開２００５−１５０２００号公報）されている。
【０００６】
又、外周側面が面取りされ、必要領域が不要領域によって囲繞された構成のウエハの面を研磨するウエハの研磨方法であって、該不要領域の非研磨面に所定深さの溝を形成し、該溝を構成する内側壁によって該必要領域を囲繞する溝形成工程と、少なくとも該必要領域の該非研磨面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材側をチャックテーブルに載置して該ウエハの研磨面を研磨手段により研磨して該溝を該研磨面から表出させる研磨工程とから構成されるウエハの研磨方法が提案（特開２００５−９３８８２号公報）されている。
【特許文献１】特開２００５−１５０２００号公報
【特許文献２】特開２００５−９３８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さて、特許文献１の技術は、ウエハの裏面（回路が形成されている面の反対面）を研削する前に、周縁部を円周方向に沿って切断し、側面（端面）を、裏面に対して、垂直な切断面としておくことを提案したものである。
【０００８】
これによって、ウエハを薄く研削した際、ウエハ周縁部の面取り形状から生じるナイフエッジ状の状態が回避される。この結果、ナイフエッジ状の状態が原因で生じる研削時のチッピングや割れを回避できる。そして、ウエハの非常に薄い領域でも高い歩留まりで薄型化が可能になると謳われている。
【０００９】
しかしながら、この特許文献１の技術は、ウエハを切断するものであるから、時間が掛かる。例えば、直径３００ｍｍ、厚さ７００μｍのウエハを切断することを考えると、これには、相当の作業時間が掛かることが判って来た。従って、生産性が低下してしまう。更に、特許文献１にあっては、高圧液（砥粒入り）を噴射してウエハをメカニカルに切断している。この為、ウエハがダメージを受けることが判って来た。そして、このダメージが起点となって、ワレやカケが起きる恐れの有ることも判って来た。又、前記ダメージによって、ウエハに形成されている回路などにも支障が引き起こされる恐れの有ることも判って来た。
【００１０】
特許文献２の技術は、ウエハの表面側（回路形成面側）に溝を形成することを提案したものである。従って、切断する場合（特許文献１の場合）に比べたならば、時間は短時間で済む。従って、生産性の大きな低下は避けられる。
【００１１】
しかしながら、特許文献２にあっては、切削用ブレードを用いて、溝形成を行っている。この為、特許文献１の場合と同様、ウエハがダメージを受けることが判って来た。そして、このダメージが起点となって、ワレやカケが起きる恐れの有ることが判って来た。又、前記ダメージによって、ウエハに形成されている回路などにも支障が引き起こされる恐れの有ることも判って来た。
【００１２】
従って、本発明が解決しようとする課題は、上記の問題点を解決することである。すなわち、先ず、第１に、生産性の大きな低下が無い技術を提供することである。第２に、ウエハがタメージを受けること無く、従ってウエハを薄型化するに際して、ワレ・カケが起き難く、かつ、回路部にも支障を引き起こし難く、高品質な半導体装置を製造歩留まり良く提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の課題を解決する為の検討が、鋭意、推し進められて行った結果、本発明者は、次のようなことに気付くに至った。すなわち、ウエハのワレやカケは、研削により生じた鋭いエッジ形状によって引き起こされたのでは無く、鋭いエッジ部に生じたメカニカルストレスが引き金になって起きることに気付いたのである。特に、研削によって、ウエハ厚が約５０μｍ程度になると、このような現象が著しくなることを見出すに至った。
【００１４】
そして、上記知見を基にして更なる検討が推し進められて行った結果、特許文献２の如きの溝を形成するにしても、メカニカルストレスを引き起こさない技術手段を採用すれば、前記の問題が解決できるであろうとの啓示を得るに至った。
【００１５】
このような知見に基づいて本発明が達成されたものである。
【００１６】
すなわち、前記の課題は、
回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、メカニカルストレス無く形成する工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１７】
例えば、回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、レーザ照射によって形成するレーザ照射工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１８】
或いは、回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、ドライエッチングによって形成するドライエッチング工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１９】
又は、回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程の前に、前記回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、ウエットエッチングによって形成するウエットエッチング工程を具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２０】
又、上記の半導体装置の製造方法であって、形成される切欠部は、特に、ウエハの周辺領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２１】
又、上記の半導体装置の製造方法であって、形成される切欠部が、特に、溝状または段差状の形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２２】
又、上記の半導体装置の製造方法であって、形成される切欠部の深さは、特に、研削工程において研削された場合、該研削が該切欠部にまで到達する深さであることを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【００２３】
又、上記の半導体装置の製造方法であって、形成される切欠部は、特に、ウエハ主面に対して略垂直、又は該切欠部の最奥側より回路形成面側が外側に位置するよう傾斜して設けられたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、特許文献１が採用したウエハを切断するものでは無いから、短時間で処理が出来る。従って、特許文献１の技術に比べて生産性が高い。従って、半導体の製造コストが低廉である。
【００２５】
本発明は、特許文献１や特許文献２の技術の場合に起きていた加工時のダメージが非常に少ない。従って、ウエハを研削して薄型化するに際して、ワレ・カケが起き難い。かつ、回路部にも支障を引き起こし難い。その結果、高品質な半導体装置が製造歩留まり良く得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明は、回路形成面とは反対側のウエハ面を研削する研削工程を有する半導体装置の製造方法である。特に、例えば厚さが２００μｍ以下の半導体装置の製造方法である。更には、厚さが１００μｍ以下の半導体装置の製造方法である。中でも、７０μｍ以下の半導体装置の製造方法である。更には、５０μｍ以下の半導体装置の製造方法である。すなわち、上記のような厚さにウエハを研削する研削工程（薄化工程）を有する半導体装置の製造方法である。そして、本発明は、研削工程の前に、回路形成側のウエハ面に、その深さがウエハ厚より浅い寸法の切欠部を、メカニカルストレス無く形成する工程を具備する。この工程は、例えばレーザ照射によって形成される工程である。或いは、プラズマ照射などのドライエッチングによって形成される工程である。又は、フッ酸や硝酸などの薬液を用いたウエットエッチングによって形成される工程である。これによって、ウエハ材、例えばシリコンは分解・除去され、メカニカルストレス無く、切欠部が形成される。
【００２７】
上記工程で形成される切欠部は、好ましくは、ウエハの周辺領域である。そして、好ましくは、溝状または段差状の形状である。その深さは、好ましくは、研削工程において研削された場合、該研削が該切欠部にまで到達する深さである。切欠部は、好ましくは、ウエハ主面に対して略垂直に形成される。尚、垂直の代わりに、該切欠部の最奥側より回路形成面側が外側に位置するよう傾斜して設けられたものであっても良い。
【００２８】
切欠部を、ドライエッチングやウエットエッチングの如きのエッチング技術を用いる場合、保護膜（マスキング材）が設けられる。尚、保護膜（マスキング材）が設けられない領域は、エッチングによって除去される領域である。この時、保護膜が粘着性を有するテープであると、研削工程において、このテープを利用できることから、好都合である。このようなテープとしては、例えばオレフィン系材料やポリエステル系材料などの樹脂製基材（例えば、樹脂製テープ）上にアクリル系材料、ポリエステル系材料、ゴム系材料などの粘着剤が設けられたものを用いることが出来る。
【００２９】
尚、本発明の技術が用いられた場合、厚みが１５〜２０μｍ程度までウエハが研削されても、問題が起き難いものであった。
【００３０】
以下、更に詳細に説明する。
【００３１】
［レーザ照射による切欠部（溝）加工］
図１は、レーザ照射によって溝を形成したウエハの断面図である。
図１中、１はウエハ、２はウエハ１に形成された回路である。尚、ウエハ１は、図１からも判る通り、その側端面が断面略円弧状に面取り加工されている。３は、レーザ照射で形成された溝である。溝３は、ウエハ１の周縁部（不要領域：ウエハを研削して薄化するに際して、除去されることになる近傍の領域）に沿って設けられたものである。尚、溝３は、ウエハ面に対して傾斜（図１中、回路２面側が溝３の奥側より端部に寄った傾斜：傾斜角度αが好ましくは１０〜４０°）している。勿論、溝３は、ウエハ１主面に対して垂直でも良い。
【００３２】
溝３を形成する為のレーザ装置としては、ウエハを加工（溝形成）できるレーザ出力を有するものであれば良い。例えば、レーザアブレーション（Laser Ablation：レーザの照射により試料の蒸発）を利用できるものであれば良い。具体的には、例えばNd-YAGレーザが使用でき、倍波（λ=532nm）や３倍波（λ=355nm）が使用される。
【００３３】
そして、位置制御可能な吸着台上にウエハを固定し、上記したレーザ装置を用いて加工（レーザ照射）を行う。加工（溝）深さは、裏面（回路の形成されてない側の面）の研削後に残すウエハの厚み（ｔ）より大きく取る。例えば、加工精度などを考慮して、前記ｔ値に２０〜１００μｍ程度大きな深さが好ましい。溝深さは、出力を調整することによって、制御される。そして、ウエハの表面から裏面に掛けて、垂直または逆テーパ状の傾斜が付くように照射すると、ナイフエッジの発生を抑制できる。そして、溝が上記のような形状の場合、ウエハの裏面を研削するに際して、砥石からの剪断応力に対して安定した下支えが行なわれ、ワレやカケが起きないものとなる。
【００３４】
溝形成工程の後、ＢＧテープ４をウエハ１の回路形成面にラミネートする。そして、ウエハ１の形状に合わせてＢＧテープ４をカットする（図２参照）。
【００３５】
この後、研削装置を用い、ウエハ１を所望の厚みまで研削する（図３参照）。
【００３６】
尚、ＢＧテープを用いなくても良い。例えば、ガラス生地の上にワックスで溝３が形成されたウエハ１を固定し、これを研削装置に掛けて研削しても良い。この場合には、研削後、ワックスを溶剤にて除去する。
【００３７】
そして、レーザ照射によって切欠部加工を行なった場合、特許文献１，２の技術の場合に起きていたメカニカルストレスが起きず、好ましい。
【００３８】
［エッチング（ドライエッチング）による切欠部（段差）加工］
図４は、ドライエッチングによって段差を設けたウエハの断面図である。
図４中、１はウエハ、２はウエハ１に形成された回路である。尚、ウエハ１は、その側端面が断面略円弧状に面取り加工されている。５は、エッチングで形成（除去）された段差部（切欠部：除去部）である。段差部５は、ウエハ１の周縁部（不要領域：ウエハを研削して薄化するに際して、除去されることになる近傍の領域）に沿って設けられたものである。
【００３９】
段差部５を形成する為のエッチング加工は次のようにして行なわれる。
先ず、図５に示される通り、ウエハ１の回路形成面側に保護膜６を設ける。尚、保護膜６は、図４，５から判る通り、ウエハ１がエッチングで形成（除去）される段差部（切欠部：除去部）５に対応する領域以外の箇所に設けられる。この保護膜６には、フォトレジスト技術で用いるレジスト材を用いることが出来る。ネガタイプのものでも、ポジタイプのものでも良い。尚、ポジタイプのものは、厚みを厚く出来るので好ましい。そして、保護膜形成後に、ドライエッチング装置を用いてウエハ１をエッチングする。これにより、図４に示される通り、段差部５が形成されたものが得られる。この後、必要に応じて、保護膜６はアッシング等によって除去される。尚、本例の段差部５の深さは上記溝３の深さと同様である。
【００４０】
上記では、保護膜６をレジスト材で構成した。しかしながら、レジスト材の代わりにＢＧテープを用いることも出来る。ＢＧテープを用いた場合、エッチング後の除去が簡単である。又、ＢＧテープを用いた場合、研削工程にも利用できるから、便利である。
【００４１】
用いるＢＧテープは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＥＶＡ等のオレフィン系材料、或いはＰＥＴ等のポリエステル系材料などの有機系基材上に、例えばアクリル系材料、ポリエステル系材料、或いはゴム系材料などの粘着材が設けられたものである。これは、ウエハを裏面研削するに際して、ウエハに貼られる。これによって、ウエハが固定されると共に、ウエハに設けられた回路表面が保護される。従って、安全に所望の厚みまで研削できるようになる。尚、保護膜としてＢＧテープを用いる場合、粘着材にはエッチング加工中でもタック性を失わないことが大事である。尚、保護膜としての機能を果たした後、裏面研削の為にウエハを固定でき、加工後は容易に除去できるものであれば良い。
【００４２】
そして、ドライエッチング技術を用いて切欠部加工を行なった場合も、特許文献１，２の技術の場合に起きていたメカニカルストレスが起きず、好ましい。
【００４３】
［エッチング（ウエットエッチング）による切欠部（段差）加工］
上記エッチングによる切欠部（段差）加工はドライエッチングに寄るものであった。しかしながら、薬液を用いたウエットエッチングを利用しても良い。例えば、フッ硝酸系の薬剤を用いてウエハの段差加工を施すことも出来る。尚、本ウエットエッチングの場合も、基本的に、ドライエッチングの考え方に準じて行なわれる。但し、ウエットエッチングは、等方性のエッチングである。従って、深さ方向にえぐられるようにエッチングが行なわれる傾向が強い。この為、本発明にあっては、この後に行なわれる裏面研削において安定した形状となり、好ましい。
【００４４】
ウエットエッチングに際して、スピンエッチング装置を使う場合には、保護膜（ＢＧテープ）６が上側になるようにしてセットする（図６参照）。そして、スピンエッチング装置のノズルをウエハ周縁部に向け、薬液を吐出させる。これによって、周縁部をエッチングする。
【００４５】
そして、ウエットエッチング技術を用いて切欠部加工を行なった場合も、特許文献１，２の技術の場合に起きていたメカニカルストレスが起きず、好ましい。
【００４６】
以下、具体的実施例を挙げて説明する。
【００４７】
［実施例１（レーザ照射）］
サンプル    ：ベアウエハ（φ３００ｍｍ）
ウエハ目標厚：２０μｍ
ＢＧテープ  ：片面ＢＧテープ
プロセス：
（１）  レーザ照射（溝加工）
ＹＡＧの３倍波（λ＝３５５ｎｍ）で、ビーム径５０μｍのレーザ装置を用いた。尚、予め、同等のウエハに対してレーザを照射し、出力と溝深さとの関係を求めておいた。そして、ウエハ周辺部に形成される溝の深さが４０μｍとなる出力のレーザを照射した。尚、形成される溝の傾斜角度αが３０°となる方向でレーザ照射された。
（２）  研削
溝が形成されたウエハの回路形成側の面にＢＧテープを貼った。尚、ＢＧテープを貼ってからレーザ照射しても良い。この後、研削装置を用いて、ウエハの厚さが２０μｍとなるまで研削した。
（３）  評価
ウエハ１０枚の周縁部を光学顕微鏡およびＳＥＭで観察した。
その結果、何れにも、ワレやカケが認められなかった。
【００４８】
［実施例２（ドライエッチング）］
サンプル    ：ベアウエハ（φ３００ｍｍ）
ウエハ目標厚：２０μｍ
ＢＧテープ  ：片面ＢＧテープ
プロセス：
（１）  プラズマ照射（段差加工）
本例では、ウエハの不要部分が、ウエハ外周の端から３ｍｍまでの部分である。従って、φ２９４ｍｍにカットしたＢＧテープ（リンテック社製Ｐ−７１８０ＬＳ４５９Ｈ）を、ウエハに位置を合わせて貼った。
このＢＧテープが貼られたウエハを、ＢＧテープを保護マスクとして、プラズマ照射（最大出力４ｋｗ）し、ドライエッチングを行った。
尚、ＢＧテープを付けたウエハを裏面から静電吸着し、冷却して２０℃に保って、エッチングを行った。これにより、ＢＧテープの熱変質を防いだ。
そして、エッチング深さ（段差の深さ）が４０μｍとなるまでドライエッチングが行なわれた。
（２）  研削
段差が形成されたウエハの研削を行った。尚、ドライエッチングで用いられたＢＧテープがそのまま用いられた。すなわち、研削装置を用いて、ウエハの厚さが２０μｍとなるまで研削した。
（３）  評価
ウエハ１０枚の周縁部を光学顕微鏡およびＳＥＭで観察した。
その結果、何れにも、ワレやカケが認められなかった。
【００４９】
［実施例３（ウエットエッチング）］
サンプル    ：ベアウエハ（φ３００ｍｍ）
ウエハ目標厚：２０μｍ
ＢＧテープ  ：片面ＢＧテープ
プロセス：
（１）  薬液吹き付け（段差加工）
本例では、ウエハの不要部分が、ウエハ外周の端から３ｍｍまでの部分である。従って、φ２９４ｍｍにカットしたＢＧテープ（リンテック社製Ｐ−７１８０ＬＳ４５９Ｈ）を、ウエハに位置を合わせて貼った。
このＢＧテープが貼られたウエハの周辺部に、希釈したフッ硝酸を吹き付けた。そして、エッチング深さ（段差の深さ）が４０μｍとなるまでウエットエッチングが行なわれた。
（２）  研削
段差が形成されたウエハの研削を行った。すなわち、研削装置を用いて、ウエハの厚さが２０μｍとなるまで研削した。
（３）  評価
ウエハ１０枚の周縁部を光学顕微鏡およびＳＥＭで観察した。
その結果、何れにも、ワレやカケが認められなかった。
【００５０】
［比較例１］
実施例１の溝も実施例２，３の段差も形成されていないウエハに対して研削装置を用いて厚さ２０μｍまで研削を行なった。
その結果、１０枚のウエハ全てにワレやカケが認められた。
【００５１】
［比較例２］
特許文献２の手法を用いて溝が形成されたウエハを用意した。そして、このウエハに対して研削装置を用いて厚さ２０μｍまで研削を行なった。
その結果、１０枚中３枚のウエハにワレやカケが認められた。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】レーザ照射によって溝が形成されたウエハの断面図
【図２】研削前段階でのウエハ断面図
【図３】研削工程後のウエハ断面図
【図４】エッチングによって段差が形成されたウエハの断面図
【図５】エッチング前のＢＧテープ添付後のウエハ断面図
【図６】ウエットエッチング中の説明図
【図７】ウエハの断面図
【図８】従来の研削後のウエハの断面図
【符号の説明】
【００５３】
１      ウエハ
２      回路
３      溝
４      ＢＧテープ
５      段差部（切欠部：除去部）
６      保護膜
特許出願人  次世代半導体材料技術研究組合  
代  理  人      宇    高      克    己  
【図１】
2009283802.tif 000003
【図２】
2009283802.tif 000004
【図３】
2009283802.tif 000005
【図４】
2009283802.tif 000006
【図５】
2009283802.tif 000007
【図６】
2009283802.tif 000008
【図７】
2009283802.tif 000009
【図８】
2009283802.tif 000010