(57)【要約】【課題】不良品の配線基板領域に関係づけたマークをレーザ照射で変色させることにより各配線基板領域の良否を識別する多数個取り配線基板において、画像認識装置及び肉眼によるマークの認識を確実に行うことができると共に、ゴミ（異物）の発生が抑制される配線基板を提供する。【解決手段】良品と不良品が混在する複数の配線基板領域ＷＲが設けられ、配線基板領域ＷＲにそれぞれ関係づけた良否識別マークＭを備えた多数個取り配線基板であって、不良品の配線基板領域ＷＲに関連づけた良否識別マークＭは、その中央側がレーザ照射によって変色しており、かつその周縁側がレーザ照射によって変色しない程度に粗面化されている。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
良品と不良品とが混在する複数の配線基板領域が設けられ、前記配線基板領域にそれぞれ関係づけた良否識別マークを備えた多数個取り配線基板であって、
前記複数の良否識別マークのうち前記不良品の配線基板領域に関係づけた前記良否識別マークは、その中央側がレーザ照射によって変色しており、かつ、その周縁側がレーザ照射によって変色しない程度に粗面化されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記良否識別マークは、最上に金層が形成された導体部からなることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記多数個取り配線基板は、最上に、前記良否識別マークの上に開口部が設けられた保護絶縁層を備えており、前記良否識別マークの前記周縁側からその外側近傍の前記保護絶縁層までのリング状領域が前記レーザ照射によって粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記多数個取り配線基板に電子部品を実装する際に使用されるアライメントマークが前記良否識別マークを兼ねていることを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
【請求項５】
前記良否識別マークを画像認識することに基づいて、前記良品及び前記不良品の各配線基板領域が識別され、前記良品の配線基板領域に電子部品が実装された後に、前記多数個取り配線基板が前記配線基板領域ごとに切断されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の多数個取り配線基板。
【請求項６】
良品と不良品とが混在する複数の配線基板領域が設けられ、前記配線基板領域にそれぞれ関係づけた良否識別マークを備えた多数個取り配線基板を用意する工程と、
前記複数の良否識別マークのうち前記不良品の配線基板領域に関係づけた前記良否識別マークをマーキングする工程であって、前記良否識別マークの少なくとも周縁側に弱レーザを照射することにより前記周縁側を変色しない程度に粗面化し、かつ、前記良否識別マークの中央側に前記弱レーザより強いレーザ強度の強レーザを照射することにより、前記中央側を部分的に変色させる工程とを有することを特徴とする多数個取り配線基板へのマーキング方法。
【請求項７】
前記良否識別マークをマーキングする工程は、
前記良否識別マークより一回り大きな領域に前記弱レーザを照射することにより、前記良否識別マークの全体を粗面化する工程と、
前記良否識別マークの全体を粗面化する工程の前又は後に、
前記良否識別マークの中央側に前記強レーザを照射することにより、前記中央側を部分的に変色させる工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板へのマーキング方法。
【請求項８】
前記良否識別マークをマーキングする工程は、
前記良否識別マークの中央側に前記強レーザを照射することにより、前記中央側を部分的に変色させる工程と、
前記良否識別マークの中央側を部分的に変色させる工程の前又は後に、
前記良否識別マークの前記周縁側からその外側領域までのリング状領域に前記弱レーザを照射することにより、前記良否識別マークの前記周縁側の全体を粗面化する工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板へのマーキング方法。
【請求項９】
前記多数個取り配線基板は、最上に、前記良否識別マークの上に開口部が設けられた保護絶縁層を備えており、
前記良否識別マークの前記周縁側を粗面化する際に、前記良否識別マークの外側の前記保護絶縁層のリング状領域が同時に粗面化されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の多数個取り配線基板へのマーキング方法。
【請求項１０】
前記不良品の配線基板領域に対応する前記良否識別マークがマーキングされた前記多数個取り配線基板では、前記良否識別マークを認識することに基づいて、前記良品及び前記不良品の各配線基板領域が識別され、前記良品の配線基板領域に電子部品が実装された後に、前記配線基板領域ごとに切断されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の多数個取り配線基板のマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多数個取り配線基板及び多数個取り配線基板へのマーキング方法に係り、さらに詳しくは、電子部品（半導体チップなど）が実装されて個々の電子部品装置を構成するための複数の配線基板領域が設けられた多数個取り配線基板及び多数個取り配線基板へのマーキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップが実装されて個々の半導体装置を構成するための複数の配線基板領域が設けられた多数個取り配線基板がある。そのような多数個取り配線基板では、複数の配線基板領域のうち不良品と判定された配線基板領域に半導体チップを実装しないように、良品の配線基板領域及び不良品の配線基板領域が良否識別マークによって識別できるようになっている。
【０００３】
特許文献１には、多数個取り配線基板において、不良品の配線基板領域の位置合わせマークをレーザで除去し、位置合わせマークの有無を画像認識装置で認識させることにより、各配線基板領域の良否を識別することが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、多数個取り配線基板において、不良箇所を有する配線基板領域の導体部をレーザ照射によって変色させることにより、不良の配線基板領域を識別することが記載されている。
【特許文献１】特開２００１−１２７３９９号公報
【特許文献２】特開２００５−３１７５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したような多数個取り配線基板において、不良品の配線基板領域に関係づけたマークをレーザ照射によって変色させて各配線基板領域の良否を識別する技術は、必ずしも確立されていない状況にある。後述する関連技術の欄で説明するように、画像認識装置や人間の肉眼でのマーク認識を確実に行おうとすると、マークの外側領域（ソルダレジストなど）まで高出力のレーザで処理する必要があるため、マークの周囲のソルダレジストが飛散してゴミ（異物）が発生しやすい問題がある。
【０００６】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、不良品の配線基板領域に関係づけたマークをレーザ照射で変色させることにより各配線基板領域の良否を識別する多数個取り配線基板において、画像認識装置及び肉眼によるマークの認識を確実に行うことができると共に、ゴミ（異物）の発生が抑制される多数個取り配線基板及びそれへのマーキング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は多数個取り配線基板に係り、良品と不良品とが混在する複数の配線基板領域が設けられ、前記配線基板領域にそれぞれ関係づけた良否識別マークを備えた多数個取り配線基板であって、前記不良品の配線基板領域に関係づけた前記良否識別マークは、その中央側がレーザ照射によって変色しており、かつその周縁側がレーザ照射によって変色しない程度に粗面化されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の多数個取り配線基板では、複数の配線基板領域が作り込まれており、良品と不良品が混在した状態となっている。そして、各配線基板領域に関係づけられた良否識別マークがそれぞれ設けられており、不良品の配線基板領域に対応する良否識別マークにはレーザによってマーキングが施されている。
【０００９】
不良品の配線基板領域に対応する良否識別マークは、その中央側が強いレーザ照射によって肉眼で確認できる程度に変色しており、その周縁側が弱いレーザ照射によって肉眼では変色が確認できない程度に粗面化されている。
【００１０】
画像認識として輪郭サーチ手法を採用する場合、不良品として認識させるためには良否識別マークの全体をレーザ処理する必要がある。本発明と違って、良否識別マークの全体を強レーザで変色させる場合、その外側の保護絶縁層が強レーザによって炭化して樹脂カスが周りに飛散するため、配線基板の品質を低下させるおそれがある。
【００１１】
本願発明者は、輪郭サーチ手法による画像認識技術について鋭意研究した結果、良否識別マークを完全に変色させなくとも、表面を変色しない程度に粗面化するだけで良否識別マークを認識できなくなくなり、不良品として識別できることを見出した。
【００１２】
しかしながら、良否識別マークを粗面化するだけでは、人間の肉眼で識別することが困難になるので、良否識別マークの周縁側を除く中央側に強レーザを照射して中央側を部分的に変色させるようにしている。
【００１３】
これにより、画像認識装置及び人間の肉眼によって良品と不良品の良否識別マークを確実に識別できるようになる。しかも、良否識別マークの周縁側から外側領域は弱いレーザが照射されるだけなので、良否識別マークの周囲の保護絶縁層の樹脂カスが飛散することを低減することができ、多数個取り配線基板の品質低下を回避することができる。
【００１４】
本発明の多数個取り配線基板では、良否識別マークを画像認識することに基づいて、良品と不良品の各配線基板領域が識別され、良品の配線基板領域に電子部品が実装された後に、配線基板領域ごとに切断される。
【００１５】
また、上記課題を解決するため、本発明は多数個取り配線基板へのマーキング方法に係り、良品と不良品とが混在する複数の配線基板領域が設けられ、前記配線基板領域にそれぞれ関係づけた良否識別マークを備えた多数個取り配線基板を用意する工程と、前記不良品の配線基板領域に関係づけた前記良否識別マークをマーキングする工程であって、前記良否識別マークの少なくとも周縁側に弱レーザを照射することにより前記周縁側を変色しない程度に粗面化し、かつ、前記良否識別マークの中央側に前記弱レーザより強いレーザ強度の強レーザを照射することにより、前記中央側を部分的に変色させる工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明のマーキング方法を採用することにより、上記した発明の多数個取り配線基板の良否識別マークに施されるマーキングを容易に形成することができる。良否識別マークの周縁側に弱レーザを照射して粗面化する工程と、中央側に強レーザを照射して変色させる工程は順不同であり、どちらの工程を先に行ってもよい。
【００１７】
また、良否識別マークの周縁側に弱レーザを照射して粗面化する工程では、良否識別マークの周縁側からその外側領域までのリング状領域に部分的にレーザ照射してもよいし、良否識別マークより一回り大きな領域にレーザ照射してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明の多数個取り配線基板では、画像認識装置及び肉眼によるマークの認識を確実に行うことができると共に、ゴミ（異物）の発生が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
本発明の実施形態を説明する前に、本発明に関連する関連技術の問題点について説明する。図１は本発明に関連する関連技術の多数個取り配線基板を示す平面図、図２は同じく多数個取り配線基板の良否識別マークの構造を示す断面図、図３〜図５は同じく多数個取り配線基板の良否識別マークがマーキングされる様子及びその際の問題点を示す図である。
【００２１】
図１に示すように、関連技術の多数個取り配線基板では、基板１００内に複数の配線基板領域ＷＲが形成されている。各配線基板領域ＷＲには多層配線層がそれぞれ設けられており、最上に接続パッドＰが設けられている。さらに、接続パッドＰの上に開口部２２０が設けられたソルダレジスト２００が一体的に形成されている。
【００２２】
また、縦方向に並んだ３つの配線基板領域ＷＲの下側には、それらの配線基板領域ＷＲが良品か又は不良品かを判定するため３つの良否識別マークＭが設けられている。縦方向に並んだ３つの配線基板領域ＷＲとそれらの良否識別マークＭとが横方向にも同様な構成で並んで配置されている。
【００２３】
図２に示すように、良否識別マークＭの構造は上記した接続パッドＰと同一構造となっており、層間絶縁層３００の上に導体部４００が配置されており、その上に開口部２２０が設けられたソルダレジスト２００が形成されている。
【００２４】
関連技術の多数個取り配線基板では、各配線基板領域ＷＲ（図１の裏面）に半導体チップが実装された後に、切断されて個々の半導体装置が構成される。このとき、不良品と判定された配線基板領域ＷＲに半導体チップを実装しないようにするために、基板製造工程において、不良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭにマーキングを施すようにしている。不良品の配線基板領域ＷＲのマップは、各配線基板領域ＷＲを通電テストしたプローブ装置からフィードバックされる。
【００２５】
良否識別マークＭにマーキングを施す方法としては、不良品の配線基板領域ＷＲに関係づけた良否識別マークＭを黒く塗り潰す手法が一般的に採用される。そして、素子実装機のアライメント用カメラによって良否識別マークＭが画像認識される。図３（ａ）に示すように、黒く塗り潰されていない良否識別マークＭは画像認識によって正常に認識されることで良品と識別され、図３（ｂ）に示すように、黒く塗り潰された良否識別マークＭは正常に画像認識されないため不良品として識別される。
【００２６】
マーキング方式としては、黒マジックインクなどの速乾性インクやＵＶ硬化型の黒インクによって良否識別マークＭを塗り潰す手法が採用されている。しかしながら、マジックインクを使用する場合は、洗浄工程で色落ちが発生しやすく、良否を識別できなくなることがある。また、ＵＶ硬化型のインクを使用する場合は、インクがマーク上に盛り上がって形成されるため、後に半導体チップを樹脂モールドする際などに障害になりやすい。さらには、これらのマーキング方法はランニングコストが高くなる問題もある。
【００２７】
そこで、レーザ照射によって良否識別マークＭを潰して暗色系の色に変色させる方法が提案されている。近年では、素子実装機のアライメント用カメラで良否識別マークＭを画像認識する方法として、マークの欠損や汚れなどに影響されずに確実にマークを認識できる輪郭サーチ手法が採用されることが多い。図３（ｂ）に示したように、輪郭サーチ手法を使用する場合、不良品のマークとして画像認識（認識不可）させるためには、良否識別マークＭの全体（ソルダレジスト２００の開口部２２０の全体）を変色させる必要がある。
【００２８】
つまり、図４（ａ）に示すように、良否識別マークＭの中央部のみを変色させる場合は、周縁部が変色していないので、良品として誤判断されてしまう。また同様に、図４（ｂ）に示すように、レーザでの処理が位置ずれして良否識別マークＭの周縁部の一部が変色していない場合も同様に良品として誤判断されてしまう。
【００２９】
従って、図５に示すように、レーザによるマーク輪郭部の未処理を回避するために、良否識別マークＭよりも一回り大きな領域（斜線部）をレーザ処理して良否識別マークＭの全体を確実に変色させる必要がある。
【００３０】
しかしながら、同じく図５の断面図に示すように、良否識別マークＭの周囲にはソルダレジスト２００が存在するので、良否識別マークＭの全体を十分に変色させる高パワーでレーザ照射すると、ソルダレジスト２００へのダメージが大きく、ソルダレジスト２００が炭化して周囲に樹脂カス２４０（ゴミ（異物））が飛び散ってしまう。このため、樹脂カス２４０の影響により多数個取り配線基板の品質低下を招くことがある。
【００３１】
次に説明する本発明の実施形態では上述した不具合を解消することができる。
【００３２】
（実施の形態）
図６は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す平面図、図７は同じく多数個取り配線基板の良否識別マークの構造を示す断面図、図８は同じく多数個取り配線基板の良否識別マークへのマーキング方法の基本概念を示す平面図、図９〜図１２は同じく多数個取り配線基板の良否識別マークへのマーキング方法を示す平面図及び断面図である。
【００３３】
本実施形態では、多数個取り配線基板として、ＢＯＣ（Board On Chip）タイプのパッケージ構造を有する複数の半導体装置を得るための配線基板を例に挙げて説明する。
【００３４】
図６に示すように、本実施形態の多数個取り配線基板１では、基板１０内に複数の配線基板領域ＷＲが形成されている。各配線基板領域ＷＲの中央部には縦方向に延びる長手状の開口部１１がそれぞれ設けられている。各配線基板領域ＷＲには多層配線層（不図示）がそれぞれ設けられており、最上の配線層は接続パッドＰを備えている。各配線基板領域ＷＲにおいて、接続パッドＰは、チップ接続用パッドＰ１と接続端子用パッドＰ２とから構成される。チップ接続用パッドＰ１は開口部１１の近傍の基板１０の上に配置され、接続端子用パッドＰ２は中央部から周縁部にかけてエリアアレイ型で配置されている。
【００３５】
また、各配線基板領域ＷＲにおいて、接続パッドＰ上に開口部２０ａが設けられたソルダレジスト２０（保護絶縁層）が一体的に形成されている。接続パッドＰは銅などからなる配線層（不図示）とその上にニッケル（Ｎｉ）層／金（Ａｕ）層が順に形成されたコンタクト部（不図示）とにより構成される。コンタクト部は、配線層の上に開口部２０ａが設けられたソルダレジスト２０が形成された後に、配線層の上にめっきによってＮｉ層／Ａｕ層が順に形成されて得られる。
【００３６】
また、縦方向に並んだ３つの配線基板領域ＷＲの下側には、それらの配線基板領域ＷＲが良品か又は不良品かを識別するため３つの良否識別マークＭが設けられている。縦方向に並んだ３つの配線基板領域ＷＲとそれらの良否識別マークＭとが横方向にも同様な構成で並んで配置されている。
【００３７】
そして、縦方向に並んだ３つの配線基板領域ＷＲとその下側に配置された３つの良否識別マークＭとがそれぞれ関係づけられている。例えば、左側の良否識別マークＭが上側の配線基板領域ＷＲの良否を判定するマークであり、中央の良否識別マークＭが中央の配線基板領域ＷＲの良否を判定するマークであり、右側の良否識別マークＭが下側の配線基板領域ＷＲの良否を判定するマークである。
【００３８】
図７に示すように、良否識別マークＭの構造は上記した接続パッドＰと同一の構造となっている。つまり、層間絶縁層３０の上に最上の配線層と同一層からなる配線部４２が形成されており、その上に開口部２０ａが設けられたソルダレジスト２０が形成されている。
【００３９】
さらに、ソルダレジスト２０の開口部２０ａ内の配線部４２の上に接続パッドＰのコンタクト部（Ｎｉ層／Ａｕ層）と同一層からなるカバー金属層４４が設けられている。配線部４２及びカバー金属層４４により導体部４０が構成され、それが良否識別マークＭとなっている。
【００４０】
本願発明者は、前述した関連技術の良否識別マークへのマーキング方法の問題点を解決すべく鋭意研究した。それによれば、素子実装機のアライメント用カメラで不良品の良否識別マークＭを画像認識（認識不可）させる際に、導体部４０を暗色に変色させるほどの強いレーザを照射する必要はなく、変色しない程度に導体部４０の表面を荒らして粗面化するだけで、認識不可となって不良品として識別できることが分った。
【００４１】
つまり、輪郭サーチ手法による画像認識では、カメラの照明光が導体部４０の粗化面で乱反射することにより輪郭を認識できなくなり、不良品の良否識別マークＭであることを識別することができる。
【００４２】
これにより、レーザの強度をかなり低く設定できるので、良否識別マークＭよりも一回り大きな領域にレーザを照射するとしても周囲のソルダレジスト２０へのダメージが低減され、樹脂カスの飛散を格段に低減させることができる。
【００４３】
しかしながら、多数個取り配線基板の製造工程では、不良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭに間違いなくマーキングが施されているかどうか人間の肉眼によって抜き取り検査などによって確認する必要がある。
【００４４】
上記したような弱いレーザを照射して良否識別マークＭの表面を変色しない程度に粗面化する場合、画像認識では白黒判定はできるものの、ほとんど変色していないため肉眼で不良品の良否識別マークＭを識別することは困難である。
【００４５】
そこで、本願発明者は、図８に示すように、不良品に対応する良否識別マークＭの中央側に強レーザを照射して暗色系の色に十分に変色させ、良否識別マークＭの周縁部からその外側近傍のソルダレジスト２０までのリング状領域に弱レーザを照射して良否識別マークＭの周縁部の全体を変色しない程度に粗面化する方法を見出した。
【００４６】
不良品に対応する良否識別マークＭの周縁部の表面粗さは、変色させた領域の表面粗さより小さく、かつ、良品に対応する良否識別マークＭ（例えばレーザ処理されていない金層の表面）の表面粗さより大きく設定される。
【００４７】
強レーザを照射する領域は、たとえ位置ずれしても良否識別マークＭの外周から外側にはみ出さない領域に設定されるので、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０にダメージを与えて樹脂カスが飛散することがない。
【００４８】
このようにすることにより、良否識別マークＭの周縁部はその全体にわたって弱レーザで粗面化されているので、輪郭サーチ手法を利用する画像認識によって認識不可となって不良品であることを確実に識別できるようになる。一方、良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭは変色したり粗面化されたりしていないので、画像認識装置で正常に認識されて良品であることが識別される。
【００４９】
また、良否識別マークＭの中央部は人間の肉眼で視認できる程度に十分に暗色系に変色しているので、プローブ装置からの不良品の配線基板領域ＷＲのマップ情報に基づいて、不良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭに間違いなくマーキングされているかどうか肉眼で容易に確認することができる。
【００５０】
このようにして、複数の配線基板領域ＷＲが良品か又は不良品であるかを画像認識装置で認識できると共に、人間の肉眼によっても容易に確認することができる。しかも、良否識別マークＭの周囲のソルダレジスト２０から樹脂カスが飛散することが格段に低減されるので、多数個取り配線基板の品質低下を阻止することができ、関連技術よりも歩留りを向上させることができる。
【００５１】
次に、上記した技術思想に基づいて良否識別マークをマーキングする方法について説明する。本実施形態のレーザによるマーキング方法は２ステップのレーザ処理によって行われる。つまり、良否識別マークＭの周縁部を変色させない程度に粗面化するレーザ強度の弱い弱レーザ処理と、弱レーザ処理よりもレーザ強度が強く設定されて良否識別マークＭの中央部を暗色系の色に変色させる強レーザ処理とが使用される。弱レーザ処理と強レーザ処理はどちらを先に行ってもよい。
【００５２】
（第１のマーキング方法）
第１のマーキング方法では、図９（ａ）に示すように、最初に、弱レーザ処理として、弱いレーザを良否識別マークＭの領域より一回り大きな領域に照射する。これにより、弱レーザによって良否識別マークＭの全体が変色しない程度に粗面化される。また同時に、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０のリング状領域が粗面化される。
【００５３】
このとき、弱いレーザが照射されるので、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０（保護絶縁層）に大きなダメージを与えず、関連技術よりも樹脂カスの飛散を格段に低減させることができる。
【００５４】
例えば、良否識別マークＭの径は０．４ｍｍ程度であり、弱レーザ処理が行われる領域の径は０．７４ｍｍ程度に設定され、良否識別マークＭの外周から０．１７ｍｍ程度外側にはみ出した円領域に弱レーザ処理が行われる。
【００５５】
弱レーザ処理では、レーザとして第２高調波（波長：５３２ｎｍ）のグリーンレーザが使用され、その条件の一例としては、レーザパワー：３０％、描画スピード：４００ｍｍ／ｓｅｃ、パルス周期：１５μｓｅｃ、ハッチングピッチ：２４μｍの条件が採用される。
【００５６】
その後に、図９（ｂ）に示すように、強レーザ処理として、弱レーザ処理より強いレーザ強度に設定された強いレーザを良否識別マークＭの領域より一回り小さい中央部に照射する。これにより、良否識別マークＭの周縁部を除く中心部が十分に変色する。このとき、レーザ照射が位置ずれするとしても、良否識別マークＭの外側にレーザ照射されないように、マージンをもった領域をターゲットにしてレーザ照射される。
【００５７】
例えば、強レーザ処理が行われる領域の径は０．３２ｍｍ程度に設定され、良否識別マークＭ（径：０．４ｍｍ）の外周から０．０４ｍｍ程度内側の円領域に強レーザ処理が行われる。
【００５８】
これにより、不良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭはその周縁部の全体が粗面化されるので、画像認識装置で認識不可となって不良品であることを確実に識別することができる。さらに、良否識別マークＭの中央部が暗色系の色に十分に変色するので、人間の肉眼でも容易にマーキングされたことを識別することが可能になる。
【００５９】
強レーザ処理では、レーザとして第２高調波（波長：５３２ｎｍ）のグリーンレーザが使用され、その条件の一例としては、レーザパワー：６０％、描画スピード：１５０ｍｍ／ｓｅｃ、パルス周期：１５μｓｅｃ、ハッチングピッチ：１０μｍの条件が採用される。
【００６０】
グリーンレーザは良否識別マークＭの導体部４０（金層、ニッケル層、銅層など）への吸収率が比較的高く反射が少ないので、良否識別マークＭを効率よく、粗面化したり、暗色に変色させたりすることができる。
【００６１】
なお、弱レーザ処理及び強レーザ処理において、グリーンレーザと同様な特性を有する第３高調波（波長：３５２ｎｍ）のレーザを使用してもよい。
【００６２】
さらに、良否識別マークＭの材料によっては、ＹＡＧレーザやＣＯ2レーザを使用することも可能である。
【００６３】
（第２のマーキング方法）
第２のマーキング方法では、上記した第１のマーキング方法において、弱レーザ処理と強レーザ処理との順番が逆に設定される。
【００６４】
すなわち、図１０（ａ）に示すように、最初に、強レーザ処理として、強レーザを良否識別マークＭの領域より一回り小さな円領域に照射することにより、周縁部を除く中央部を十分に変色させる。
【００６５】
その後に、図１０（ｂ）に示すように、弱レーザ処理として、強レーザ処理よりレーザ強度の弱いレーザを良否識別マークＭの領域より一回り大きな円領域に照射する。これにより、良否識別マークＭの周縁部の全体が弱レーザによって適度に粗面化される。また同時に、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０のリング状領域が粗面化される。
【００６６】
以上により、第１のマーキング方法と同様に、画像認識装置及び肉眼によってマーキングされた良否識別マークＭが不良品であることを識別できると共に、ソルダレジスト２０からのゴミ（異物）の発生を抑制することができる。
【００６７】
（第３のマーキング方法）
第３のマーキング方法では、図１１（ａ）に示すように、最初に、上記した第２のマーキング方法と同様な方法により、強レーザ処理として、強レーザを良否識別マークＭの領域より一回り小さな円領域に照射することにより、周縁部を除く中央部を十分に変色させる。
【００６８】
その後に、図１１（ｂ）に示すように、弱レーザ処理として、強レーザ処理よりレーザ強度の弱いレーザを良否識別マークＭの周縁側からその外側近傍のソルダレジスト２０までのリング状領域に照射する。これにより、良否識別マークＭの周縁部の全体が弱レーザによって適度に粗面化される。また同時に、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０のリング状領域が粗面化される。
【００６９】
以上により、第１のマーキング方法と同様に、画像認識装置及び肉眼によってマーキングされた良否識別マークＭが不良品であることを識別できると共に、ソルダレジスト２０からのゴミ（異物）の発生を抑制することができる。
【００７０】
（第４のマーキング方法）
第４のマーキング方法は、上記した第３のマーキング方法において、強レーザ処理と弱レーザ処理との順番が逆に設定される。
【００７１】
すなわち、図１２（ａ）に示すように、最初に、弱レーザ処理として、弱レーザを良否識別マークＭの周縁側からその外側近傍のソルダレジスト２０までのリング状領域に照射する。これにより、良否識別マークＭの周縁部の全体が弱レーザによって適度に粗面化される。また同時に、良否識別マークＭの外側のソルダレジスト２０のリング状領域が粗面化される。
【００７２】
その後に、図１２（ｂ）に示すように、強レーザ処理として、上記した強レーザを良否識別マークＭの領域より一回り小さな領域に照射することにより、良否識別マークＭの周縁部を除く中央部を十分に変色させる。
【００７３】
以上により、第１のマーキング方法と同様に、画像認識装置及び肉眼によってマーキングされた良否識別マークＭが不良品であることを識別できると共に、ソルダレジスト２０からのゴミ（異物）の発生を抑制することができる。
【００７４】
なお、本実施形態では、所定個数の配線基板領域ＷＲごとにそれらに関係づけた良否識別マークＭを多数個取り配線基板１の一端側にまとめて設けているが、各配線基板領域ＷＲの隅にそれぞれ設けられたアライメントマークＡＭ（図６）を良否識別マークＭとして兼用するようにしてもよい。
【００７５】
アライメントマークＡＭは、素子実装機で半導体チップを各配線基板領域ＷＲに実装する際の位置合わせに使用されるものであり、良否判別マークＭと同様な構造を有する。この場合、図６の良否識別マークＭが省略され、図６のアライメントマークＡＭを同様な方法でレーザ処理して変色させることにより、その配線基板領域ＷＲが不良品であることを画像認識及び肉眼で識別することができる。
【００７６】
図１３には、本実施形態の多数個取り配線基板１を使用して得られるＢＯＣタイプのパッケージ構造を有する個々の半導体装置２が示されている。図１３の半導体装置２を得るには、まず、不良品の配線基板領域ＷＲに対応する良否識別マークＭに前述したマーキングが施された図６の多数個取り配線基板１を用意する。そして、素子実装機（不図示）のアライメント用カメラによってアライメントマークＡＭ（図６）を認識することにより、半導体チップ５０（電子部品）が位置合わせされた状態で各配線基板領域ＷＲの裏面に接着剤５２によって実装される。
【００７７】
このとき、素子実装機のアライメント用カメラで前述した良否識別マークＭを認識することにより、良品の各配線基板領域ＷＲのみに半導体チップ５０が実装される。レーザ処理でマーキングされた不良品の良否識別マークＭは、アライメント用カメラで認識できないので、それに対応する配線基板領域ＷＲには半導体チップが実装されないようになっている。
【００７８】
その後に、多数個取り配線基板１の各開口部１１に露出する半導体チップ５０の接続部をワイヤ５４によって多数個取り配線基板１のチップ接続用パッドＰ１に電気接続する。さらに、ワイヤ５４が封止樹脂５６で封止された後に、個々の半導体装置が得られるように多数個取り配線基板１が配線基板領域ＷＲごとに切断される。多数個取り配線基板１を切断する前又は後に、接続端子用パッドＰ２にはんだボールを搭載するなどして外部接続端子５８が設けられる。
【００７９】
なお、本実施形態では、多数個取り配線基板として、ＢＯＣタイプのパッケージを構成する配線基板を例示したが、Ｐ−ＢＧＡ（Plastic−Ball Grid Array）などの各種のパッケージを構成する多数個取り配線基板に適用することができる。つまり、１枚の多数個取り配線基板から複数の配線基板を得る各種の基板に適用することができる。また、半導体装置の他に、各種の電子部品が実装された個々の電子部品装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は関連技術の多数個取り配線基板を示す平面図である。
【図２】図２は関連技術の多数個取り配線基板の良否識別マークの構造を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は関連技術に係る良否識別マークがマーキングされる様子を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は関連技術に係る良否識別マークへのマーキング方法において画像認識で誤判断されるマーキングを示す平面図である。
【図５】図５は関連技術に係る良否識別マークへのマーキング方法の問題点を示す平面図及び断面図である。
【図６】図６は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を示す平面図である。
【図７】図７は本発明の実施形態の多数個取り配線基板の良否識別マークの構造を示す断面図である。
【図８】図８は本発明の実施形態の多数個取り配線基板の良否識別マークへのマーキング方法の基本概念を示す平面図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の多数個取り配線基板への第１のマーキング方法を示す平面図及び断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の多数個取り配線基板への第２のマーキング方法を示す平面図及び断面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の多数個取り配線基板への第３のマーキング方法を示す平面図及び断面図である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の多数個取り配線基板への第４のマーキング方法を示す平面図及び断面図である。
【図１３】図１３は本発明の実施形態の多数個取り配線基板を使用して得られる個々の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…多数個取り配線基板、２…半導体装置、１０…基板、１１，２０ａ…開口部、２０…ソルダレジスト（保護絶縁層）、３０…層間絶縁層、４０…導体部、４２…配線部、４４…カバー金属層、５０…半導体チップ（電子部品）、５２…接着剤、５４…ワイヤ、５６…封止樹脂、５８…外部接続端子、ＡＭ…アライメントマーク、Ｍ…良否識別マーク、Ｐ…接続パッド、Ｐ１…チップ接続用パッド、Ｐ２…接続端子用パッド、ＷＲ…配線基板領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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