(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留まりと信頼性の向上に寄与できるようにした基板及び基板の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＩＣ素子２３を固定するための基板６０であって、複数本のポスト３７と、複数本のポスト３７の上面にそれぞれ形成されたメッキ層４３ａと、を備え、これらメッキ層４３ａは、平面視でポスト３７の上面の中心部に形成され、且つその周縁部には形成されていない。このような構成であれば、メッキ層４３ａからなる「ひさし」は存在しないので、メッキ層４３ａ全体の剛性を高めることができ、メッキ層４３ａの先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子を固定するための基板であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、
前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、
前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しないことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記複数本の金属支柱は、
平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の基板。
【請求項５】
前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板、をさらに備え、
前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の基板。
【請求項６】
前記複数本の金属支柱は、
第１の金属支柱と、
前記第１の金属支柱よりも平面視で小さい第２の金属支柱と、を有し、
前記第２の金属支柱は、前記第１の金属支柱の周囲に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項７】
素子を固定するための基板の製造方法であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱を形成する工程と、
前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれメッキ層を形成する工程と、を備え、
前記メッキ層を形成する工程では、前記メッキ層を前記第１の面の外周と接しないように形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板と、
前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、
前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを電気的に接続する導電部材と、
前記ＩＣ素子及び前記導電部材を封止する樹脂と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板を用意する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を取り付ける工程と、
前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、
前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、基板の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来の技術としては例えば特許文献１に開示されたものがある。即ち、特許文献１の第２の実施の形態（当該文献の段落［００７５］〜［００８０］と、図８〜図１２を参照。）には、導電箔上に導電被膜を被着し、この導電被膜をマスクに導電箔をエッチングすることにより、導電被膜からなる「ひさし」と、導電箔を分離する分離溝とを形成することが記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２１７３５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記の特許文献１によれば、その段落［００４５］に記載されているように、導電路と被着した「ひさし」が絶縁性樹脂に埋め込まれているため、いわゆるアンカー効果が生じ、導電路の絶縁性樹脂からの脱落防止を期待することができる。また、導電被膜をマスクに導電箔をウェットエッチングすると、導電箔は等方性にエッチングされるので、上記の「ひさし」は自動的に形成される。このため、「ひさし」を形成するための専用工程は不要である。しかしながら、その一方で、「ひさし」が存在することにより下記Ａ）〜Ｃ）に示すような課題があった。
【０００４】
Ａ）例えば、図１６（ａ）に示すように、ひさし１０１ａは断面視で横方向に突出しているため、その直下には支えは無く、導電箔１０２上の導電被膜１０１と比べて剛性が低い。このため、例えばワイヤーボンディング（即ち、導電被膜１０１上に金線の一端を接合する）時の衝撃により、ひさし１０１ａが折れてしまう可能性があった。例えば、図１６（ｂ）に示すように、ひさし１０１ａが折れ、この折れたひさし１０１ａを分離溝１０３内に残したまま絶縁性樹脂１０４による封止がなされると、ひさし１０１ａを介して導電路１０２ａ及び１０２ｂ同士が短絡してしまう（即ち、マイグレーション不良が発生する）可能性があった。マイグレーション不良は、半導体装置の歩留まり低下や信頼性低下の原因となりうる。
【０００５】
Ｂ）例えば、図１６（ａ）に示すように、ひさし１０１ａは断面視で横方向に突出しているため、その先端にいわゆるバリが形成され易い。バリは折れ易く、その形状が不安定である（つまり、一定の形状に定まらない）。このため、例えばワイヤーボンディング時に、導電被膜１０１上の接合領域を正しく認識することができない可能性があり、認識不良が原因で、ワイヤーボンディング工程の生産性が低下してしまう可能性があった。
Ｃ）例えば、図１６（ａ）に示すように、ひさし１０１ａは、分離溝１０３の上方を覆うように形成されるため、分離溝１０３内を絶縁性樹脂１０４で充填する際にひさし１０１ａが障害物となる。このため、絶縁性樹脂１０４の充填が不十分となり、樹脂パッケージの信頼性が低下してしまう可能性があった。
そこで、この発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、半導体装置の歩留まりと信頼性の向上に寄与できるようにした基板及び基板の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）基板について
本発明の一態様に係る基板は、素子を固定するための基板であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しないことを特徴とするものである。
このような構成であれば、メッキ層からなる「ひさし」は存在しない（※製造方法においては、形成されない）ので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面視による形状（以下、平面形状ともいう。）の安定化に寄与することができる。
【０００７】
例えば、当該基板を用いて半導体装置を製造する場合は、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることが防止されているので、メッキ層に起因した金属支柱間の短絡（即ち、マイグレーション不良の発生）を防止することができる。また、バリの形成も抑制されているので、金属支柱の接合領域を正しく認識することができ、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂によるＩＣ素子と導電部材の封止工程（即ち、樹脂封止工程）では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱は、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置されていることを特徴とするものである。
【０００８】
このような構成であれば、ＩＣ回路を搭載したＩＣ素子や、抵抗、コンデンサ若しくはインダクタ等の受動素子など、機能や形状が多岐にわたる多種類の素子を搭載するためのダイパッドとして又は外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定される素子固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類の素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、基板と、当該基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とするものである。このような構成であれば、金属支柱の平面視による形状と大きさが基板内で一種類に限定されるので、多種類の素子に対する基板の汎用性をさらに高めることができる。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱を前記第１の面から前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板、をさらに備え、前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されていることを特徴とするものである。
また、本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱は、第１の金属支柱と、前記第１の金属支柱よりも平面視で小さい第２の金属支柱と、を有し、前記第２の金属支柱は、前記第１の金属支柱の周囲に配置されていることを特徴とするものである。
このような構成であれば、第１の金属支柱をダイパッドとして使用することができ、第２の金属支柱を外部端子として使用することができる。従って、当該基板を例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレームとして使用することができる。
【００１１】
（２）基板の製造方法について
本発明の一態様に係る基板の製造方法は、素子を固定するための基板の製造方法であって、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱を形成する工程と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれメッキ層を形成する工程と、を備え、前記メッキ層を形成する工程では、前記メッキ層を前記第１の面の外周と接しないように形成することを特徴とするものである。
このような方法によれば、メッキ層からなる「ひさし」の形成を防止することができるので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面形状の安定化に寄与することができる。
例えば、当該基板を用いて半導体装置を製造する場合は、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることが防止されているので、マイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制されているので、金属支柱の接合領域を正しく認識することができ、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
【００１２】
（３）半導体装置について
本発明の一態様に係る半導体装置は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを電気的に接続する導電部材と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を封止する樹脂と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、メッキ層からなる「ひさし」は存在しないので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層の折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、金属支柱の接合領域を正しく認識することができるので、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
【００１３】
（４）半導体装置の製造方法について
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板を用意する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を取り付ける工程と、前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような方法によれば、メッキ層からなる「ひさし」の形成を防止することができるので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層の折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、金属支柱の接合領域を正しく認識することができるので、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
（１）第１実施形態
この第１実施形態では、例えばＱＦＮ用のリードフレームとなる基板５０の製造方法について説明し、次に、この基板５０を用いた半導体装置１００の製造方法について説明する。なお、この第１実施形態では基板５０の製造方法の一例として、２通りの製造方法を説明する。この２通りの基板５０の製造方法について説明した後、完成した基板５０を用いて半導体装置１００を製造する方法について説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１実施形態に係る基板５０の製造方法（その１）を示す断面図である。
まず始めに、図１（ａ）に示すように銅板（即ち、銅条）１を用意する。銅板１の厚さｈは、例えば０．１０〜０．３０ｍｍ程度である。なお、銅板１は他の金属からなる金属板を用いてもよい。
【００１５】
次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。そして、この銅板１の上面及び下面（言い換えると、上面とは反対側を向く面）にそれぞれ塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、ダイパッドとなる領域（以下、ダイパッド領域という。）及び外部端子となる領域（以下、端子領域という。）と、図示しない枠体となる領域（以下、枠体領域）とをそれぞれ覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン３ａ及び３ｂを形成する。ここでは、銅板１の上面にレジストパターン３ａを形成すると共に、銅板１の下面にレジストパターン３ｂを形成する。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、これらレジストパターン３ａ及び３ｂをマスクに、銅板１をその上面及び下面の側からそれぞれエッチングする。これにより、レジストパターン３ａ及び３ｂで覆われていない領域の銅板１を完全に取り除いて、銅板１を貫通する分離溝５を形成する。なお、このような銅板１のエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。また、エッチング液には、例えば第２塩化鉄溶液、又は、アルカリ性のエッチング溶液（以下、アルカリ溶液という。）を用いる。分離溝５を形成した後は、図１（ｃ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを取り除く。
【００１７】
次に、銅板１の上面及び下面と、分離溝５の側面（言い換えると、上面と下面とに繋がる面）にフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。そして、このフォトレジストを露光及び現像処理して、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン７を形成する。ここでは、銅板１の上面において、ダイパッド領域の外周及び周縁部と、端子領域の外周及び周縁部とをそれぞれ覆い、且つ、ダイパッド領域の中心部と、端子領域の中心部のそれぞれの上に開口部を有するレジストパターン７を形成する。また、銅板１の裏面全体と、分離溝５の側面全体を覆うようにレジストパターン７を形成する。
【００１８】
次に、図１（ｅ）に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板１の上面であってレジストパターン７の開口部内ににメッキ層９を形成する。なお、図１（ｅ）ではメッキ層を単層構造で示しているが、これは単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。例えば、メッキ層９は、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。次に、図１（ｆ）に示すように、銅板１からレジストパターンを取り除く。これにより、図３（ａ）及び（ｂ）に示すような基板５０が完成する。
上記の方法により形成された基板５０は、ダイパッド５１と、平面視でダイパッド５１よりも平面視で一つ一つの面積が小さな外部端子５３とを備え、これら外部端子５３はダイパッド５１の周囲に配置されている。これにより、例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ
【００１９】
Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）用のリードフレームとして基板５０を用いることができる。また、ダイパッド５１の上面について、その中心部にはメッキ層９が形成され、その外周にはメッキ層９が接していない。また、その周縁部にはメッキ層９が形成されていない。同様に、外部端子５３の上面についても、その中心部にはメッキ層９が形成され、その外周にはメッキ層９が接していない。また、その周縁部にはメッキ層９が形成されていない。
例えば図３（ｂ）に示すように、ダイパッド５１のＸ軸方向に沿った寸法長をＬ１、ダイパッド５１上のメッキ層９の寸法長をＬ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２である。また、ダイパッド５１の外周とメッキ層との離間距離Ｄ（＝（Ｌ１−Ｌ２）／２）は、例えば、１〜５０μｍである。
【００２０】
次に、もう一方の基板５０の製造方法について、図２を参照しながら説明する。
図２（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第１実施形態に係る基板５０の製造方法（その２）を示す断面図である。
まず始めに、図２（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジスト１１を塗布する。このフォトレジスト１１は例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。そして、このフォトレジスト１１を露光及び現像処理して、銅板１の上面にレジストパターン１１ａを形成する。ここでは、ダイパッド領域の中心部と、端子領域の中心部を露出し、それ以外の領域（ダイパッド領域の外周及び周縁部と、端子領域の外周及び周縁部を含む。）を覆うように、レジストパターン１１ａを形成する。即ち、レジストパターン１１ａによるダイパッド領域上の開口サイズがダイパッド領域の実サイズよりも小さくなるように、且つ、レジストパターン１１ａによる端子領域上の開口サイズが端子領域の実サイズよりも小さくなるように、レジストパターン１１ａを形成する。なお、図２（ａ）に示すように、このレジストパターン１１ａの形成工程では、銅板１の裏面には露光処理を行わない。銅板１の裏面全体をフォトレジスト１１で覆った状態に保つ。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板１の上面であってレジストパターン１１ａから露出している領域にメッキ層９を形成する。メッキ層９を形成した後は、図２（ｃ）に示すように、銅板１の上面からレジストパターンを取り除くと共に、銅板の下面からフォトレジストを取り除く。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
そして、この銅板１の上面及び下面にそれぞれ塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、図２（ｄ）に示すように、銅板の上面と下面にそれぞれレジストパターン１３を形成する。ここでは、ダイパッド領域と、端子領域を覆い、それ以外の領域を露出するように、レジストパターン１３を形成する。これにより、ダイパッド領域上のメッキ層９と、端子領域上のメッキ層９はそれぞれレジストパターン１３により完全に覆われて保護される。言い換えると、メッキ層９の上面（銅板１と接している下面とは反対側の面）と側面を覆うようにレジストパターン１３が形成されている。
【００２２】
次に、図２（ｅ）に示すように、これらレジストパターン１３をマスクに、銅板１をその上面及び下面の側からそれぞれエッチングする。これにより、レジストパターン１３で覆われていない領域の銅板１を完全に取り除いて分離溝５を形成する。このような銅板１のエッチングは、図１（ｂ）に示した銅板１のエッチングと同様の条件により行えば良い。分離溝５を形成した後は、図２（ｆ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを取り除く。これにより、図３（ａ）及び（ｂ）に示したような基板５０が完成する。
このように、図１又は図２の方法により形成された基板（以下、リードフレームともいう。）５０では、メッキ層９からなる「ひさし」の形成を防止することができるので、メッキ層９全体の剛性を高めることができ、メッキ層９の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、ダイパッド５１の平面形状や、外部端子５３の平面形状の安定化に寄与することができる。
【００２３】
次に、このＱＦＮ用のリードフレーム５０にＩＣ素子を取り付けて、半導体装置１００を製造する方法について説明する。
図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、まず始めに、リードフレーム５０の裏面全体に補強テープ２１を貼付（例えば、ラミネート）して、リードフレーム５０の強度を高める。
次に、図４（ｂ）において、リードフレーム５０の特定の部分（例えば、ダイパッドの平面形状が矩形の場合は、この矩形の４つの頂点など）を目印に、ダイパッド５１を認識し、認識したダイパッド５１にＩＣ素子２３を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、ダイパッド５１にＩＣ素子２３を取り付ける（ダイアタッチ工程）。なお、このダイアタッチ工程では、ＩＣ素子２３とダイパッド５１とを接着剤２５で接合する。接着剤２５には、シート状のものを用いても良いし、ペースト状のものを用いても良い。
【００２４】
次に、図４（ｃ）に示すように、外部端子５３の上面と、ＩＣ素子２３の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線２７で接続する（ワイヤーボンディング工程）。ここでは、リードフレーム５０の特定の部分（例えば、上記のようにダイパッド５１の４つの頂点など）を目印に、外部端子５３を認識し、認識した外部端子５３に金線２７の一端を接続するようにしても良い。
次に、図４（ｄ）に示すように、ＩＣ素子２３及び金線２７を含むリードフレーム５０をモールド樹脂２９で封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子２３等を含むリードフレーム５０の上面側（即ち、補強テープ２１の上側）にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂２９を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂２９を充填性良く供給することができ、図４（ｄ）に示すように、モールド樹脂２９で分離溝５を隙間なく埋め込むことができる。
【００２５】
その後、リードフレーム５０の裏面から補強テープ２１を剥離する。そして、図４（ｅ）に示すように、リードフレーム５０の裏面にメッキ層３１を形成する。このメッキ層３１は、例えば電解メッキ法により形成する。なお、図４（ｅ）ではメッキ層３１を単層構造で示しているが、これは単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。例えば、メッキ層３１は、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、半田からなる単層構造を採ることができる。その後、ダイシング工程により、モールド樹脂２９を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。これにより、例えばＱＦＮ構造の半導体装置１００が完成する。
【００２６】
このように、本発明の第１実施形態によれば、メッキ層９からなる「ひさし」の形成を防止することができるので、メッキ層９全体の剛性を高めることができ、メッキ層９の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層９の折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、ダイパッド５１の平面形状の安定化や、外部端子５３の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、外部端子５３上の接合領域を正しく認識することができ、当該領域に金線２７の一端を正しく接合することができるので、半導体装置１００の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、モールド樹脂２９を分離溝５に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージ内での空隙の発生等を防ぐことができ、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
【００２７】
（２）第２実施形態
上記の第１実施形態では、例えばＱＦＮ用のリードフレームを例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはなく、例えば製品区分のない汎用性の高い基板にも適用することができる。このような基板は、例えば図７及び図８に示すように、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置された複数本のポスト３７を有する。これらのポスト３７は、ダイパッドとして使用したり、外部端子として使用したりすることができる。第２実施形態では、このような例について説明する。
【００２８】
図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２実施形態に係る基板６０の製造方法（その１）を示す断面図である。
この第２実施形態では、まず始めに、基板６０の製造方法について説明し、次に、この基板６０を用いた半導体装置２００の製造方法について説明する。なお、この第２実施形態では基板６０の製造方法の一例として、図５及び図６に示す２通りの製造方法を説明する。この２通りの基板６０の製造方法について説明した後、図９において半導体装置２００の製造方法を説明する。
【００２９】
図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２実施形態に係る基板６０の製造方法を示す断面図である。まず始めに、図５（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジスト３３を塗布する。このフォトレジスト３３は例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。次に、銅板１の上面に塗布されたフォトレジスト３３を露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン３３ａを形成する。図５（ａ）に示すように、ここでは、銅板１の上面にのみレジストパターン３３ａを形成する。銅板１の下面には、未露光のフォトレジスト３３をそのまま残しておく。
【００３０】
次に、レジストパターン３３ａをマスクに銅板１をエッチングする。これにより、銅板１の上面側に凹部３５を形成する。凹部３５の形成により、銅板１の上面には複数本のポスト３７が形成される。また、このエッチング工程では、凹部３５は銅板１の上面にのみ形成されるため、銅板１の下面側には複数本のポスト３７を断面視で横方向に連結する連結部３９が残される。即ち、複数本のポスト３７間で銅板１が完全にエッチングされてなくなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、凹部３５の底面から銅板１の下面に至る間の一部分で、ポスト３７は互いに連結された状態となる。
なお、図５（ｂ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。エッチング液には、例えば第２塩化鉄溶液又はアルカリ溶液を用いる。また、凹部３５の深さは、例えば、銅板１の厚さをｈ、凹部３５の深さをｄとしたとき、ｄ＝０．４×ｈ〜０．６×ｈ程度である。例えば、ウェットエッチングの所要時間を調整することで、銅板１の上面側に深さ０．１ｍｍの凹部３５を形成する。
【００３１】
次に、銅板１の上面からレジストパターン３３ａを除去すると共に、下面からフォトレジスト３３を除去する。これにより、図５（ｃ）に示すように、銅板１の上面及び下面を露出させる。次に、凹部３５が形成された銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
次に、図５（ｄ）に示すように、銅板１の上面及び下面にそれぞれ塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、ポスト３７上面の中心部を露出し、それ以外の領域（ポスト３７の外周及び周縁部を含む。）を覆うレジストパターン４１ａ及び４１ｂを銅板１の上面と下面とにそれぞれ形成する。即ち、レジストパターン４１ａは凹部３５の底面及び側面を覆うように形成し、レジストパターン４１ｂは銅板１の下面であって凹部３５と対向する領域に形成する。
【００３２】
次に、図５（ｅ）に示すように、例えば電解メッキ法により、レジストパターン４１ａ及び４１ｂから露出している領域（即ち、ポスト３７の中心部）の銅板１にメッキ層４３ａ及び４３ｂを形成する。ここでは、銅板１の上面にメッキ層４３ａを形成すると共に、銅板１の下面にメッキ層４３ｂを形成する。なお、図５（ｅ）ではメッキ層４３ａ及び４３ｂをそれぞれ単層構造で示しているが、メッキ層４３ａ及び４３ｂは単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。例えば、メッキ層４３ａ及び４３ｂは、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。
【００３３】
次に、図５（ｆ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを除去する。これにより、図７及び図８に示すような基板６０が完成する。
このような方法により形成された基板６０は、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置された複数本のポスト３７を有し、これら各ポスト３７は銅板１の下面側で互いに連結されている。また、各ポスト３７の平面形状は例えば正円形であっても良いし、他の形状（例えば、多角形）であっても良い。これにより、ＩＣ素子や受動素子など、機能や形状が多岐にわたる多種類の素子を搭載するためのダイパッドとして又は外部端子としてポスト３７を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさや、受動素子の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト３７をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置２００を組み立てる必要はない。多種類の素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、基板と、当該基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００３４】
また、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、この基板６０では、ポスト３７の各々の上面であって、その中心部にメッキ層４３ａが形成され、その周縁部にはメッキ層４３ａが形成されていない。例えば図８（ｂ）に示すように、ポスト３７のＸ軸方向に沿った寸法長（即ち、直径）をＬ´１、ポスト３７上のメッキ層４３ａの寸法長をＬ´２とすると、Ｌ´１＞Ｌ´２である。また、ポスト３７の外周とメッキ層４３ａとの離間距離Ｄ´（＝（Ｌ´１−Ｌ´２）／２）は、例えば、１〜５０μｍである。
【００３５】
次に、もう一方の基板６０の製造方法について、図６を参照しながら説明する。
図６（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第２実施形態に係る基板６０の製造方法（その２）を示す断面図である。
まず始めに、図６（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。次に、銅板１の上面に塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、ポストの中心部となる領域を露出し、それ以外の領域（ポストの外周及び周縁部となる領域を含む。）を覆うレジストパターン４５ａを形成する。また、銅板１の下面に塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、ポストとなる領域を露出し、それ以外の領域を覆うレジストパターン４５ｂを形成する。ここでは、レジストパターン４５ａの開口サイズを、レジストパターン４５ｂの開口サイズよりも小さくしておく。これにより、銅板１の上面においてのみ、ポストの周縁部となる領域が露出することとなる。
【００３６】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板１の上面であってレジストパターン４５ａから露出している領域にメッキ層４３ａを形成し、銅板１の下面であってレジストパターン４５ｂから露出している領域にメッキ層４３ｂを形成する。なお、図６（ｂ）ではメッキ層４３ａ及び４３ｂをそれぞれ単層構造で示しているが、このメッキ層４３ａ及び４３ｂは、図５（ｅ）で説明したときと同様、単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。
メッキ層４３ａ及び４３ｂを形成した後は、図６（ｃ）に示すように、銅板１の上面及び下面からレジストパターンを取り除く。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
【００３７】
そして、この銅板１の上面に塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理して、図６（ｄ）に示すように、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン４７ａを銅板１の上面にのみ形成する。銅板１の上面に形成されたメッキ層４３ａは、このレジストパターン４７ａにより完全に覆われて保護される。言い換えると、メッキ層４３ａの上面（銅板１と接している下面とは反対側の面）及び側面がレジストパターン４７ａにより覆われる。また、銅板１の下面には、未露光のフォトレジスト４７をそのまま残しておく。
【００３８】
次に、図６（ｅ）に示すように、レジストパターン４７ａをマスクに銅板１をエッチングする。これにより、銅板１の上面側に凹部３５を形成する。凹部３５の形成により、銅板１の上面には複数本のポスト３７が形成される。また、このエッチング工程では、凹部３５は銅板１の上面にのみ形成されるため、銅板１の下面側には複数本のポスト３７を断面視で横方向に連結する連結部３９が残される。即ち、複数本のポスト３７間で銅板１が完全にエッチングされてなくなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、凹部３５の底面から銅板１の下面に至る間の一部分で、ポスト３７は互いに連結された状態となる。なお、図６（ｅ）に示す銅板１のハーフエッチングは、図５（ｂ）に示した銅板１のハーフエッチングと同様の条件により行えば良い。凹部３５を形成した後は、図６（ｆ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを取り除く。これにより、図７及び図８に示したような基板６０が完成する。
【００３９】
このように、図５又は図６の方法により形成された基板６０では、メッキ層４３ａからなる「ひさし」は形成されていないので、メッキ層４３ａ全体の剛性を高めることができ、メッキ層４３ａの先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、ポスト３７の平面形状の安定化に寄与することができる。
【００４０】
次に、この基板６０にＩＣ素子及び受動素子を取り付けて半導体装置２００を製造する場合について説明する。
図９（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す断面図である。図９（ａ）では、まず始めに、所望の位置にあるポスト３７の上面（表面）を着色して認識マーク８を形成する。この認識マーク８は、後述するように、ダイアタッチ工程や、ワイヤーボンディング工程で、基板６０上の位置（座標）を認識するための目印である。認識マーク８は、例えばインクジェット工法、印刷工法、ディスペンス工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト３７の上面（表面）を着色することにより形成する。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。
【００４１】
次に、図９（ｂ）において、ポスト３７の上面、又は、ＩＣ素子２３の下面側に接着剤２５を塗布する。次に、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識した領域にＩＣ素子２３を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、複数本のポスト３７上にＩＣ素子２３の下面（ＩＣ素子２３のパッド端子が形成された面とは反対側の面）を接触させて固定する（ダイアタッチ工程）。
次に、図９（ｃ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域にあるポスト（即ち、第２のポスト）３７の上面と、ＩＣ素子２３表面のパッド端子とを例えば金線２７で接続する。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となる第２のポスト３７を認識し、認識した第２のポスト３７に金線２７の一端を接続する（ワイヤーボンディング工程）。
【００４２】
次に、図９（ｄ）に示すように、ＩＣ素子２３と、金線２７及びポスト３７を含む基板６０の上方全体をモールド樹脂２９で封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子２３等を含む基板６０の上面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂２９を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂２９を充填性良く供給することができ、図９（ｄ）に示すように、モールド樹脂２９で凹部３５を隙間なく埋め込むことができる。
次に、ポスト３７同士を連結している連結部３９を、基板６０の下面の側からエッチングして取り除く。この連結部３９のエッチングは、凹部３５を形成したときと同様、例えば第２塩化鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、図９（ｅ）に示すように、隣り合うポスト３７同士を電気的に切り離すことができ、金線２７の一端が接合された第２のポスト３７を電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。また、各ポスト３７はモールド樹脂２９によってその上面側の部位が固定されているので、連結部を取り除いた後もその位置が保持される。
【００４３】
その後、モールド樹脂２９に図示しないダイシングブレード７９を当てて、モールド樹脂２９を製品外形に合わせて切断する（ダイシング工程）。これにより、モールド樹脂２９を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。このようなダイシング工程を経て、半導体装置２００が完成する。
このように、本発明の第２実施形態によれば、第１実施形態と同様、メッキ層４３ａ全体の剛性を高めることができ、メッキ層４３ａの先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層４３ａの折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、ポスト３７の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、ポスト３７上の接合領域を正しく認識することができ、当該領域に金線２７の一端を正しく接合することができるので、半導体装置２００の生産性を高めることができる。
【００４４】
また、本発明の第２実施形態によれば、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、例えば図１５（ａ）の矢印で示すように、モールド樹脂２９を凹部３５に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージ内での空隙の発生等を防ぐことができ、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。さらに、例えば図１５（ｂ）の矢印で示すように、ポスト３７の周縁部は銅板１が露出しているので、ポスト３７の上面においてＣｕと樹脂との接触面積を増やすことができ、基板６０とモールド樹脂との密着性を高めることができる。一般的に、樹脂と貴金属（例えば、Ａｕなどのメッキ層）との密着性は低い傾向にあるが、本発明の第１、第２実施形態と、後述する第３実施形態によれば、銅板１の上面においてＣｕの露出面を増やすことができるので、樹脂と基板との密着性を高めることができる。
【００４５】
また、本発明の第２実施形態によれば、多種類の素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、基板６０の仕様を共通化することができる。従って、多種類の素子に対して汎用性の高い基板６０を提供することができ、基板６０と、当該基板６０を用いた半導体装置２００の製造コストを低減することができる。
なお、表１に、第２実施形態に係る半導体装置２００の適用チップサイズ、チップ下の端子数（即ち、ポスト３７の数）、最大外部端子数及びパッケージ外形の一例を示す。
【００４６】
【表１】
2009302095.tif 000003
【００４７】
表１において、ピッチとは、同一列又は同一行において隣り合うポスト間の距離のことであり、例えば、一方のポストの中心から（一方のポストと隣り合う）他方のポストの中心までの距離のことである。表１に示すように、ピッチは例えば０．５ｍｍ程度である。また、適用チップサイズとは、樹脂パッケージに封止されているＩＣ素子のチップサイズのことである。最大外部端子数とは、樹脂パッケージによって樹脂封止されるポスト３７の最大数であり、パッケージ外形とは樹脂パッケージの平面視での縦又は横の長さのことである。なお、表１では、ＩＣ素子の平面視での形状と、樹脂パッケージの平面視での形状とがそれぞれ正方形の場合を例示している。
【００４８】
（３）第３実施形態
上記の第２実施形態では、例えば、隣り合うポストを断面視で横方向に連結する連結部を備えた基板を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限られることはない。例えば、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置された複数本のポストは、連結部の代わりに、支持基板によって互いに連結されていても良い。第３実施形態では、このような例について説明する。
図１０（ａ）〜図１２（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る基板７０の製造方法を示す図である。まず始めに、図１０（ａ）に示すように、銅板１を用意する。次に、図１０（ｂ）において、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジスト６１を塗布する。このフォトレジスト６１は例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。次に、銅板１の下面に塗布されたフォトレジスト６１を露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン６１ｂを形成する。図１０（ｂ）に示すように、ここでは、銅板１の下面にのみレジストパターン６１ｂを形成する。銅板１の上面には、未露光のフォトレジストをそのまま残しておく。
【００４９】
次に、レジストパターン６１ｂをマスクに銅板１をエッチングする。これにより、図１０（ｃ）に示すように、銅板１の下面側に凹部６３を形成する。なお、銅板１のエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。エッチング液には、例えば第２塩化鉄溶液又はアルカリ溶液を用いる。また、凹部６３の深さは、例えば、銅板１の厚さをｈ、凹部６３の深さをｄとしたとき、ｄ＝０．４×ｈ〜０．６×ｈ程度である。例えば、ウェットエッチングの所要時間を調整することで、銅板１の上面側に深さ０．１ｍｍの凹部６３を形成する。次に、フォトレジスト６１とレジストパターン６１ｂを銅板１から取り除く。
次に、銅板１の上面及び下面にフォトレジストを塗布する。このフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。そして、銅板１の上面及び下面にそれぞれ塗布されたフォトレジストを露光及び現像処理する。これにより、図１０（ｄ）に示すように、ポストの中心部となる領域を露出し、それ以外の領域（ポストの外周及び周縁部となる領域を含む。）を覆うレジストパターン６５ａを銅板１の上面に形成する。また、ポストとなる領域を露出し、それ以外の領域を覆うレジストパターン６５ｂを銅板１の下面に形成する。即ち、レジストパターン６５ｂは凹部６３の底面及び側面を覆うように形成する。
【００５０】
次に、図１０（ｅ）に示すように、例えば電解メッキ法により、レジストパターン６５ａ及び６５ｂから露出している領域（即ち、ポストが形成される領域）の銅板１にメッキ層６７ａ及び６７ｂを形成する。なお、図１０（ｅ）ではメッキ層を単層構造で示しているが、メッキ層６７ａ及び６７ｂは単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。例えば、メッキ層６７ａ及び６７ｂは、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。その後、図１０（ｆ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを除去する。
また、このようなメッキ処理等と前後して或いは同時に、図１１（ａ）に示すような支持基板６９を用意し、図１１（ｂ）に示すように支持基板６９の上面に接着剤７１を塗布しておく。支持基板６９は例えばガラス基板である。また、接着剤７１は例えばソルダーレジスト、紫外線硬化接着剤（即ち、ＵＶ接着剤）又は熱硬化接着剤などである。そして、図１１（ｃ）に示すように、メッキ処理が施された銅板１の下面を、接着剤７１が塗布された支持基板６９の上面に押し当てて接着する。
【００５１】
次に、図１２（ａ）に示すように、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン７３ａを銅板１の上面に形成する。銅板１の上面に形成されたメッキ層６７ａは、このレジストパターン７３ａにより完全に覆われて保護される。言い換えると、メッキ層６７ａ（銅板１と接している下面とは反対側の面）及び側面がレジストパターン７３ａにより覆われる。そして、このレジストパターン７３ａをマスクに、銅板１をその上面側から下面側にかけて貫通するまでエッチングする。これにより、図１２（ｂ）に示すように、複数本のポスト７５を形成する。このように、銅板１から複数本のポスト７５を形成した後は、図１２（ｃ）に示すように、ポスト７５の上面からレジストパターンを除去する。これにより、基板７０が完成する。
【００５２】
図１３に示すように、完成した基板７０は、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように配置された複数本のポスト７５を有し、これらポスト７５が接着剤（図示せず）を介して支持基板６９に接合されている。また、各ポスト７５の平面視による形状は例えば正円形であっても良いし、他の形状（例えば、多角形）であっても良い。これにより、第２実施形態で説明した基板６０と同様の効果を得ることができる。なお、ポスト７５とメッキ層６７ａとの位置関係、及びこれらの寸法は、例えば、図８（ａ）及び（ｂ）で示したポスト３７及びメッキ層４３ａの例と同じである。
基板７０が完成した後は、例えばインクジェット工法、印刷工法、ディスペンス工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト７５の上面（表面）を着色して認識マーク８を形成する。次に、この基板７０にＩＣ素子を取り付けて半導体装置３００を製造する場合について説明する。
【００５３】
図１４（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３００の製造方法を示す断面図である。
図１４（ａ）において、まず始めに、ＩＣ固定領域にあるポスト（以下、第１のポストともいう。）７５の上面、又は、ＩＣ素子２３の下面に図示しない接着剤を塗布する。次に、図示しない認識マークを目印にＩＣ固定領域を認識し、認識した領域にＩＣ素子２３を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、複数本の第１のポスト７５の上面に、ＩＣ素子２３の下面（即ち、ＩＣ素子２３のパッド端子が形成された面とは反対側の面）を接触させて固定する。認識マークを目印にＩＣ固定領域を認識しているので、ＩＣ素子２３を基板７０に対して精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ素子２３を位置ズレ少なく取り付けることができる（ダイアタッチ工程）。
【００５４】
次に、ＩＣ固定領域以外の領域にあるポスト（即ち、第２のポスト）７５の上面と、ＩＣ素子２３表面のパッド端子とを例えば金線２７で接続する。ここでは、図示しない認識マークを目印に、外部端子となる第２のポスト７５を認識し、認識した第２のポスト７５に金線２７の一端を接続する（ワイヤーボンディング工程）。
次に、図１４（ｂ）に示すように、支持基板６９の上面側にモールド樹脂２９を供給して、ＩＣ素子２３と、金線２７及びポスト７５を含む支持基板６９の上方全体をモールド樹脂２９で封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程では、例えば、支持基板６９上にＩＣ素子２３と、複数個のポスト７５等が収められる金型（図示せず）を被せ、この金型の内部にモールド樹脂２９を高温（例えば、１５０℃以上）で圧入する。ここで、支持基板６９は例えばガラス基板であり、比較的熱膨張係数が小さい材料であるため、樹脂封止工程で２００℃程度の熱が加わった場合でも、平面視で縦及び横方向にほとんど広がらない。従って、樹脂封止工程の間も、隣接するポスト７５間の距離をほぼ一定に保ち続けることが可能である。
【００５５】
次に、ＩＣ素子２３と、金線２７及びポスト７５を内包したモールド樹脂２９を支持基板６９から引き剥がす。支持基板６９からの引き剥がしは、接着剤として紫外線硬化型接着剤を用いた場合には、ＵＶ（紫外線）照射により接着力を低下させてから引き剥がしても良い。若しくは、機械的に力を加えてＩＣ素子２３を内包したモールド樹脂２９を支持基板６９から引き剥がすだけでも良い。支持基板６９からモールド樹脂２９を引き剥がした後は、図１４（ｃ）に示すように、モールド樹脂２９の下面（即ち、支持基板６９から剥がされた面）からメッキ層６７ｂで覆われたポスト７５が露出した状態となる。なお、モールド樹脂２９を支持基板６９から引き剥がした後の図示しない接着剤は、モールド樹脂２９側に残っていても良いし、支持基板６９側に残っていても良い。
【００５６】
次に、例えばインク及びレーザーを用いて、モールド樹脂２９の上面（即ち、端子が露出していない側の面）に製品マーク（図示せず）などを記しても良い。そして、図１４（ｃ）に示すように、モールド樹脂２９の上面全体に例えば紫外線硬化テープ（ＵＶテープ）７７を連続して貼る。なお、ＵＶテープ７７はモールド樹脂２９の上面ではなく、下面全体に連続して貼るようにしても良い。
次に、図１４（ｄ）に示すように、モールド樹脂２９のＵＶテープ７７が貼られていない側の面（例えば、下面）にダイシングブレード７９を当てて、モールド樹脂２９を製品外形に合わせて切断する（ダイシング工程）。このダイシング工程では、例えば、図１４（ｄ）に示すように、ポスト７５の列又は行と重なる位置でモールド樹脂２９を切断しても良いし、図示しないが、ポスト７５の列又は行間の位置でモールド樹脂２９を切断しても良い。このようなダイシング工程を経て、半導体装置３００が完成する。モールド樹脂２９の下面側から露出しているポスト７５の下面側は、メッキ層６７ｂで覆われたままでも良いし、メッキ層６７ｂを覆うように半田ボール等を載せても良い。
【００５７】
なお、ポスト７５の列又は行と重なる位置でモールド樹脂２９を切断した場合は、切断位置にある（即ち、破線で示す）ポスト７５は取り除かれる。その結果、切断面にポスト７５とモールド樹脂２９との接触界面が露出せず、この接触界面に水分等が浸入し難い構造となるので、半導体装置３００の信頼性を高めることができる。この点は、第２実施形態も同じである。
また、第３実施形態に係る半導体装置３００の適用チップサイズ、チップ下の端子数（即ち、ポスト７５の数）、最大外部端子数及びパッケージ外形は、例えば表１に示した通りである。
【００５８】
このように、本発明の第３実施形態によれば、第１、第２実施形態と同様、メッキ層６７ａ全体の剛性を高めることができ、メッキ層６７ａの先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層６７ａの折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、ポスト７５の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、ポスト７５上面の接合領域を正しく認識することができ、当該領域に金線２７の一端を正しく接合することができるので、半導体装置３００の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、モールド樹脂をポスト７５間の溝部に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージ内での空隙の発生等を防ぐことができ、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
また、本発明の第３実施形態によれば、第２実施形態と同様、多種類の素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、基板の仕様を共通化することができる。従って、多種類の素子に対して汎用性の高い基板を提供することができ、基板と、当該基板を用いた半導体装置３００の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その１）。
【図２】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その２）。
【図３】第１実施形態に係る基板５０の構成例を示す図。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図。
【図５】第２実施形態に係る基板６０の製造方法を示す図（その１）。
【図６】第２実施形態に係る基板６０の製造方法を示す図（その２）。
【図７】第２実施形態に係る基板６０の構成例を示す図。
【図８】第２実施形態に係る基板６０の構成例を示す図。
【図９】第２実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図。
【図１０】第３実施形態に係る基板７０の製造方法を示す図（その１）。
【図１１】第３実施形態に係る基板７０の製造方法を示す図（その２）。
【図１２】第３実施形態に係る基板７０の製造方法を示す図（その３）。
【図１３】第３実施形態に係る基板７０の構成例を示す図。
【図１４】第３実施形態に係る半導体装置３００の製造方法を示す図。
【図１５】第１〜第３実施形態における効果の一つを示す図。
【図１６】従来例の課題を示す図。
【符号の説明】
【００６０】
１  銅板、３ａ、３ｂ、７、１３、３３ａ、４１ａ、４１ｂ、４５ａ、４５ｂ、４７ａ、６１ｂ、６５ａ、６５ｂ、７３ａ  レジストパターン、１１、３３、４７、６１  フォトレジスト、５  分離溝、９、３１、４３ａ、４３ｂ、６７ａ、６７ｂ  メッキ層、２１  補強テープ、２３  ＩＣチップ、２５  接着剤、２７  金線、３５、６３  凹部、５０、６０、７０  基板、５１  ダイパッド、５３  外部端子６９  支持基板、７７  ＵＶテープ、７９  ダイシングブレード、１００、２００、３００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面を有する第１の金属支柱と、
第２の面を有する第２の金属支柱と、
前記第１の面に設けられ、前記第１の面の外周と接しない第１のメッキ層と、
前記第２の面に設けられ、前記第２の面の外周と接しない第２のメッキ層と、
前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、
前記ＩＣ素子と、前記第２の金属支柱とを電気的に接続する導電部材と、
前記ＩＣ素子及び前記導電部材を封止する樹脂と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の金属支柱は、前記第２の金属支柱と同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第２の金属層は前記第１の金属層よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の面を有する第１の金属支柱と、第２の面を有する第２の金属支柱と、前記第１の面に設けられ、前記第１の面の外周と接しない第１のメッキ層と、前記第２の面に設けられ、前記第２の面の外周と接しない第２のメッキ層と、を備える基板を用意する工程と、
前記第１の面にＩＣ素子を取り付ける工程と、
前記ＩＣ素子と前記第２の金属支柱とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、
前記ＩＣ素子と前記導電部材を樹脂で封止する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（３）半導体装置について
本発明の一態様に係る半導体装置は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを電気的に接続する導電部材と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を封止する樹脂と、を含むことを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る半導体装置は、第１の面を有する第１の金属支柱と、第２の面を有する第２の金属支柱と、前記第１の面に設けられ、前記第１の面の外周と接しない第１のメッキ層と、前記第２の面に設けられ、前記第２の面の外周と接しない第２のメッキ層と、前記第１の面に固定されたＩＣ素子と、前記ＩＣ素子と、前記第２金属支柱とを電気的に接続する導電部材と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を封止する樹脂と、を含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、メッキ層からなる「ひさし」は存在しないので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層の折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、金属支柱の接合領域を正しく認識することができるので、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置は、前記第１の金属支柱は、前記第２の金属支柱と同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置は、前記第２の金属層は前記第１の金属層よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（４）半導体装置の製造方法について
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有する複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱の前記第１の面にそれぞれ形成されたメッキ層と、を備え、前記メッキ層は、前記第１の面の外周と接しない基板を用意する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を取り付ける工程と、前記ＩＣ素子と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の面を有する第１の金属支柱と、第２の面を有する第２の金属支柱と、前記第１の面に設けられ、前記第１の面の外周と接しない第１のメッキ層と、前記第２の面に設けられ、前記第２の面の外周と接しない第２のメッキ層と、を備える基板を用意する工程と、前記第１の面にＩＣ素子を取り付ける工程と、前記ＩＣ素子と前記第２の金属支柱とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記ＩＣ素子と前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような方法によれば、メッキ層からなる「ひさし」の形成を防止することができるので、メッキ層全体の剛性を高めることができ、メッキ層の先端が折れたり剥がれたりすることを防止することができる。これにより、メッキ層の折れや剥がれに起因したマイグレーション不良の発生を防止することができる。また、バリの形成も抑制することができるので、金属支柱の平面形状の安定化に寄与することができる。これにより、例えばワイヤーボンディング工程で、金属支柱の接合領域を正しく認識することができるので、半導体装置の生産性を高めることができる。さらに、樹脂封止工程では、「ひさし」による障害物がないので、樹脂を金属支柱間に容易に充填することができる。これにより、樹脂パッケージの信頼性を高めることができる。