(57)【要約】【課題】制御系を構成する回路自体が有している温度特性を補正することが可能なリニアソレノイド駆動装置を提供する。【解決手段】温度補正器１２が、駆動装置１の各回路が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出結果に応じてＰＷＭ駆動信号が有している温度特性を補正するので、各回路が有する温度特性が反映されてフィードバック制御系に潜在する温度特性を補正して、リニアソレノイド７を駆動する電流を高精度に制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源とグランドとの間に、リニアソレノイドと共に直列に接続される駆動用スイッチング素子をＰＷＭ制御するリニアソレノイド駆動装置において、
外部より、ＰＷＭデューティによって与えられる制御指令信号を電圧信号に変換するデューティ／電圧変換回路と、
前記駆動用スイッチング素子がＯＮした場合に、前記リニアソレノイドに流れる電流を、電圧信号に変換して検出する電流検出回路と、
前記デューティ／電圧変換回路により変換された電圧信号と、前記電流検出回路により変換された電圧信号との差分に応じてＰＷＭ指令電圧を生成する指令電圧生成回路と、
前記ＰＷＭ指令電圧に応じたＰＷＭ駆動信号を生成して、前記駆動用スイッチング素子に出力するＰＷＭ駆動信号生成回路と、
前記各回路が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出結果に応じて、前記ＰＷＭ駆動信号が有している温度特性を補正する温度補正回路とを備えることを特徴とするリニアソレノイド駆動装置。
【請求項２】
前記温度補正回路は、前記デューティ／電圧変換回路において、前記制御指令信号を積分する積分回路を構成するオペアンプの比較基準電圧入力端子に、前記基準電圧を上昇させるための電流を供給する電流供給回路を備え、
前記電流供給回路において、前記電流値を決定するための基準電圧を付与する基準電圧発生回路が、正の温度特性を持つように構成することを特徴とする請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項３】
前記基準電圧発生回路は、電源とグランドとの間に接続されるダイオードと抵抗素子との直列回路で構成されることを特徴とする請求項２記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項４】
前記温度補正回路は、前記デューティ／電圧変換回路において、前記制御指令信号を積分する積分回路を構成するオペアンプの比較基準電圧入力端子に、前記基準電圧を上昇させるための電流を供給する電流供給回路として構成され、
前記電流供給回路は、検出温度が上昇する過程において、前記比較基準電圧入力端子に供給する電流量を増加させることを特徴とする請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項５】
前記電流供給回路は、電流源と、この電流源と前記比較基準電圧入力端子との間に挿入されるスイッチ回路と、温度検出用のダイオードとで構成され、前記ダイオードの順方向電圧の変化に応じて、前記スイッチ回路の断続を制御するように構成される電流供給ユニットを１つ以上備えることを特徴とする請求項４記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項６】
前記電流供給ユニットは、前記スイッチ回路をトランジスタで構成し、
前記ダイオードの順方向電圧と基準電圧との比較結果に応じて、前記トランジスタの導通を制御するオペアンプを備えることを特徴とする請求項５記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項７】
前記温度補正回路は、前記デューティ／電圧変換回路において、前記制御指令信号を積分する積分回路を構成するオペアンプに、正の温度特性を有する比較基準電圧を与える基準電圧発生回路として構成されることを特徴とする請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項８】
前記基準電圧発生回路は、電源とグランドとの間に接続される、ダイオードと抵抗素子との直列回路で構成されることを特徴とする請求項７記載のリニアソレノイド駆動装置。
【請求項９】
前記温度補正回路は、前記指令電圧生成回路付近に配置されることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載のリニアソレノイド駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源とグランドとの間に、リニアソレノイドと共に直列に接続される駆動用スイッチング素子をＰＷＭ制御するリニアソレノイド駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来のリニアソレノイド駆動装置の一構成例を示すものである。駆動装置１のＤ／Ｖ変換回路２は、外部のＥＣＵ（Electronic Control Unit）などよりＤＵＴＹ信号として与えられる制御指令を電圧信号に変換してフィードバック制御部３に出力する。フィードバック制御部３は、上記制御指令と、後述する検出電流の電圧変換信号との差分信号をＶ／Ｄ変換回路４（ＰＷＭ駆動信号生成回路）に出力する（図８（ａ）参照）。Ｖ／Ｄ変換回路４は、上記差分信号と、三角波発生回路５より出力されるＰＷＭ制御の搬送波である三角波信号とを比較し、ＰＷＭ信号を生成する（図８（ｂ），（ｃ）参照）。
【０００３】
電源ＶＢとグランドとの間には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ６，リニアソレノイド７，電流検出用の抵抗素子８の直列回路が接続されており、ＦＥＴ６のドレインとグランドとの間には、フリーホイールダイオード９が逆方向に接続されている。リニアソレノイド７は、例えば車両のクラッチを操作する空気圧を生成するため、空気流量を調整するバルブの開閉を制御するものである。抵抗素子８の両端は、Ｉ／Ｖ変換回路１０（電流検出回路）に接続されており、Ｉ／Ｖ変換回路１０は、ＦＥＴ６がＯＮした場合に抵抗素子８に流れる電流（図８（ｄ）参照）を電圧として検出し、その検出結果をフィードバック制御部３に出力する。図８（ｄ）では、例えば制御目標を１Ａとした場合を示している。
【０００４】
ところで、上記の駆動装置１においては、各回路部が負の温度特性を有しているため、結果として、リニアソレノイド７に供給される電流も負の温度特性を有するという問題がある。例えば特許文献１では、リニアソレノイドの抵抗値が周囲温度に応じて変化することにより制御電流に誤差が生じることを問題としており、予め求めておいたリニアソレノイドの抵抗値を補正するように学習を行い、フィードバック制御のゲインに反映させるようにしている。
【特許文献１】特開平９−２８０４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、制御系を構成する回路自体が温度特性を有していることには全く着目していない。したがって、リニアソレノイドの抵抗値を補正しても、フィードバック制御に潜在する温度特性は排除されず、電流制御が高精度に実行されるという保証はない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、制御系を構成する回路自体が有している温度特性を補正することが可能なリニアソレノイド駆動装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、温度補正回路は、デューティ／電圧変換回路，電流検出回路，指令電圧生成回路，ＰＷＭ駆動信号生成回路等が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出結果に応じて、ＰＷＭ駆動信号が有している温度特性を補正する。したがって、各回路が有する温度特性が反映されることでフィードバック制御系に潜在する温度特性を補正して、リニアソレノイドを駆動する電流を高精度に制御することができる。
【０００７】
請求項２記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、温度補正回路は、電流供給回路により、デューティ／電圧変換回路における積分回路を構成するオペアンプの比較基準電圧入力端子に電流を供給し、その電流値を決定するための基準電圧を付与する基準電圧発生回路が、正の温度特性を持つように構成する。すると、温度の上昇に伴い、オペアンプの比較基準電圧入力端子の電位が上昇するので、デューティ／電圧変換回路の出力である制御指令信号の積分値が上昇する。その結果、ＰＷＭ駆動信号に正の温度特性を付与することができるため、制御系全体が有している負の温度特性をキャンセルできる。
【０００８】
請求項３記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、前記基準電圧発生回路を、電源とグランドとの間に接続されるダイオードと抵抗素子との直列回路で構成する。すなわち、ダイオードの順方向電圧は負の温度特性を有しているので、抵抗素子との共通接続点に発生させる基準電圧に、正の温度特性を与えることができる。
【０００９】
請求項４記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、温度補正回路を、電流供給回路により、デューティ／電圧変換回路における積分回路を構成するオペアンプの比較基準電圧入力端子に供給する電流を、検出温度が上昇する過程で増加させるように構成する。したがって、請求項２について述べた場合と同様に、温度の上昇に伴い、比較基準電圧を上昇させて制御指令信号の積分値を上昇させ、ＰＷＭ駆動信号に正の温度特性を付与することができる。
【００１０】
請求項５記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、電流供給ユニットを、温度検出用ダイオードの順方向電圧の変化に応じて、電流供給回路とオペアンプの比較基準電圧入力端子との間に挿入されるスイッチ回路を断続させる構成とし、その電流供給ユニットを１つ以上備えて温度補正回路を構成する。すなわち、ダイオードが、検出した温度に応じて順方向電圧を負の温度特性で変化させることで、温度の上昇に応じてスイッチ回路を閉じるようにすれば、オペアンプの基準電圧入力端子に電流を供給し、比較基準電圧を上昇させることができる。
【００１１】
請求項６記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、電流供給ユニットのスイッチ回路をトランジスタで構成し、そのトランジスタの導通制御を、オペアンプがダイオードの順方向電圧と基準電圧とを比較した結果に応じて行うようにする。すなわち、ダイオードが検出した温度が上昇して順方向電圧が低下した場合に、基準電圧と比較した結果でトランジスタを導通させれば、オペアンプの基準電圧入力端子に電流を供給することができる。
【００１２】
請求項７記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、温度補正回路を、デューティ／電圧変換回路の積分回路を構成するオペアンプに、正の温度特性を有する比較基準電圧を与える基準電圧発生回路として構成する。すなわち、オペアンプに与える比較基準電圧に正の温度特性を与えれば、温度の上昇に伴い基準電圧を直接的に上昇させて、制御指令信号の積分値を上昇させることができる。
【００１３】
請求項８記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、基準電圧発生回路を、電源とグランドとの間に接続される、ダイオードと抵抗素子との直列回路で構成する。斯様に構成し、両者の共通接続点をオペアンプの比較基準電圧入力端子に接続すれば、ダイオードのカソード電位は、電源電圧よりダイオードの順方向電圧分だけ降下したものとなるので、温度の上昇に応じて比較基準電圧を上昇させることができる。
【００１４】
請求項９記載のリニアソレノイド駆動装置によれば、温度補正回路を、指令電圧生成回路付近に配置する。すなわち、本発明が前提とする制御系の構成では、デューティ／電圧変換回路により変換された電圧信号と電流検出回路により変換された電圧信号との差分に応じてＰＷＭ指令電圧を生成する指令電圧生成回路が、比較的強い負の温度特性を備える傾向にある。したがって、温度補正回路が指令電圧生成回路付近の温度に応じて温度特性を補正することで、良好な補正結果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１実施例）
以下、本発明の第１実施例について図１乃至図４を参照して説明する。尚、図７と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。図１は、本実施例の駆動装置１１の構成を示すもので、駆動装置１１は、図７に示した駆動装置１に温度補正器１２（温度補正回路）を加えて構成されている。この温度補正器１２は、駆動装置１１の回路部品が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出温度に応じてＤ／Ｖ変換回路２（デューティ／電圧変換回路）における制御指令電圧の変換特性を補正するものである。
【００１６】
図２には、Ｄ／Ｖ変換回路２の具体構成と共に、温度補正器１２を示す。Ｄ／Ｖ変換回路２は、オペアンプＯＰ１を中心とする積分回路として構成されている。電源Ｖ１とグランドとの間には、抵抗素子Ｒ１及びＲ２の直列回路，並びに抵抗素子Ｒ３及びＲ４の直列回路が接続されており、抵抗素子Ｒ１及びＲ２の共通接続点は、抵抗素子Ｒ５を介してオペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続され、抵抗素子Ｒ３及びＲ４の共通接続点は、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続されている。尚、抵抗素子Ｒ２，Ｒ５は可変抵抗である。また、オペアンプＯＰ１の反転入力端子と出力端子との間には、コンデンサＣ１と抵抗素子Ｒ６との並列回路が接続されている。
【００１７】
制御指令信号であるＤＵＴＹは、ＮＰＮトランジスタ１３のベースに接続されており、トランジスタ１３のコレクタは、抵抗素子Ｒ１及びＲ２の共通接続点に接続され、エミッタはグランドに接続されている。温度補正器１２は、温度検出器１４及び定電流源１５（電流供給回路）で構成されている。抵抗素子Ｒ３及びＲ４の共通接続点は、オペアンプＯＰ１に比較用基準電圧Ｖth1を与えるもので、温度補正器１２は、温度検出器１４により検出した温度に応じて、定電流源１５からの定電流を上記共通接続点に供給する。
【００１８】
以下、Ｄ／Ｖ変換回路２の動作を説明する。基準電圧Ｖth1は（１）式となる。
Ｖth1＝Ｖ１×Ｒ４／（Ｒ３＋Ｒ４）  …（１）
抵抗素子Ｒ３及びＲ４の共通接続点の電位Ｖth2が、トランジスタ１３がＯＦＦしている場合の電位Ｖth2Ｈは、（２）式となる。
Ｖth2Ｈ＝（Ｖ１／Ｒ１＋Ｖth1／Ｒ５）×１／（１／Ｒ１＋１／Ｒ２＋１／Ｒ５）
…（２）
また、トランジスタ１３がＯＮしている場合の電位Ｖth2Ｌは、トランジスタ１３のコレクタ−エミッタ間電圧ＶCEに等しく、例えば
Ｖth2Ｌ＝０．０５Ｖ  …（３）
程度である。
【００１９】
制御指令信号ＤＵＴＹがデューティ１００％である場合のオペアンプＯＰ１の出力電圧ＯＵＴ１００％は、
ＯＵＴ１００％＝（Ｖth1−Ｖth2Ｌ）×Ｒ６／Ｒ５＋Ｖth1  …（４）
となり、制御指令信号ＤＵＴＹがデューティ０％である場合の出力電圧ＯＵＴ０％は、
ＯＵＴ０％    ＝（Ｖth1−Ｖth2Ｈ）×Ｒ６／Ｒ５＋Ｖth1  …（５）
となる。そして、制御指令信号ＤＵＴＹがデューティＸ％である場合の出力電圧ＯＵＴＸ％は、
ＯＵＴＸ％＝  ＯＵＴ１００％×（Ｘ／１００）
＋ＯＵＴ０％×｛（１００−Ｘ）／１００）｝  …（６）
となる。すなわち、温度の上昇に伴い基準電圧Ｖth1が上昇すれば出力電圧ＯＵＴＸ％が上昇するので、正の温度特性を付与することができる。
【００２０】
図３は、温度検出器１２の具体構成例を示すものである。定電流源１５において、ミラー対を構成するＰＮＰトランジスタ１６ａ，１６ｂは、エミッタが電源Ｖ３に接続され、両者のベースは、抵抗素子１７を介してＰＮＰトランジスタ１８のエミッタに接続されている。トランジスタ１８のコレクタはグランドに接続されている。トランジスタ１８のベースは、トランジスタ１６ａのコレクタと共にＮＰＮトランジスタ１９のコレクタに接続され、トランジスタ１９のエミッタは、抵抗素子２０を介してグランドに接続されている。また、トランジスタ１６ｂのコレクタは、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続されている。
【００２１】
電源Ｖ３とグランドとの間には、抵抗素子２１とＰＮＰトランジスタ２２との直列回路が接続され、両者の共通接続点（トランジスタ２２のエミッタ）には、トランジスタ１９のベースが接続されている。また、電源Ｖ４とグランドとの間には、ダイオードＤ１及び抵抗素子２３の直列回路が接続されており、両者の共通接続点は抵抗素子２４を介してトランジスタ２２のベースに接続されている。そして、ダイオードＤ１及び抵抗素子２３は、基準電圧発生回路２５を構成している。
【００２２】
一般的な定電流源であれば、定電流値を決定するトランジスタ２２のベースには、抵抗素子２４を介して、温度特性を持たない例えばバンドギャップリファレンス（ＢＧＲ）による基準電圧が付与されるが、本実施例では、ダイオードＤ１及び抵抗素子２３の直列回路を接続する。ダイオードＤ１は、温度検出器１４に対応しており、その順方向電圧Ｖｆは負の温度特性を有している。したがって、抵抗素子２３との共通接続点において付与される電圧は、正の温度特性を有することになる。尚、ダイオードＤ１は、極力フィードバック制御部３（指令電圧生成回路）の近傍に配置する。すなわち、駆動装置１１の制御系において、最も強く負の温度特性を示すのが、フィードバック制御部３だからである。
【００２３】
その結果、定電流源１５の動作としては、ダイオードＤ１が検出する温度が上昇すると、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に供給される定電流Ｉが増加することになる。すると、基準電圧Ｖth1が上昇するため出力電圧ＯＵＴＸ％が上昇して、正の温度特性を付与することができる。よって、図４に示すように、制御系，すなわちリニアソレノイド７に供給する制御電流が有している負の温度特性を、基準電圧Ｖth1に付与した正の温度特性により相殺し、温度特性をキャンセルすることができる。
【００２４】
以上のように本実施例によれば、温度補正器１２は、駆動装置１１の各回路が搭載されている回路基板の温度を検出し、その検出結果に応じて、ＰＷＭ駆動信号が有している温度特性を補正するので、各回路が有する温度特性が反映されることでフィードバック制御系に潜在する温度特性を補正して、リニアソレノイド７を駆動する電流を高精度に制御することができる。
【００２５】
その場合、温度補正器１２は、定電流源１５により、Ｄ／Ｖ変換回路２における積分回路を構成するオペアンプＯＰ１に比較基準電圧Ｖth1が与えられる非反転入力端子に電流を供給し、その電流値を決定するための基準電圧を付与する基準電圧発生回路２５が正の温度特性を持つように構成するので、検出温度の上昇に伴い、Ｄ／Ｖ変換回路２の出力である制御指令信号の積分値を上昇させてＰＷＭ駆動信号に正の温度特性を付与することができるため、制御系全体が有している負の温度特性をキャンセルできる。
【００２６】
そして、基準電圧発生回路２５を、電源とグランドとの間に接続されるダイオードＤ１と抵抗素子２４との直列回路で構成するので、ダイオードＤ１の順方向電圧が有している負の温度特性を利用して、基準電圧に正の温度特性を与えることができる。
更に、温度補正器１２を、フィードバック制御部３の付近に配置するので、比較的強い負の温度特性を備える傾向にあるフィードバック制御部３の付近の温度に応じて温度特性を補正することで、良好な補正結果を得ることができる。
【００２７】
（第２実施例）
図５は本発明の第２実施例を示すものであり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第２実施例は、温度補正器の異なる構成例を示すものである。図５（ａ）において、温度補正器３１（温度補正回路，電流供給回路）は、定電流源３２と、スイッチ回路３３との組みで構成される電流供給ユニット３４を複数（ｎ個）備えて構成されている。
【００２８】
図５（ｂ）は、スイッチ回路３３の具体構成例を示す。スイッチ回路３３は、電源Ｖ３とグランドとの間に接続される定電流源３５とダイオードＤ２との直列回路，上述したＢＧＲ回路が発生する電源電圧ＶＢＧとグランドとの間に接続される抵抗素子３６及び３７の直列回路，前者の共通接続点に反転入力端子が接続され、後者の共通接続点に非反転入力端子が接続されるオペアンプＯＰ２，そのオペアンプＯＰ２の出力端子にベースが接続されるＮＰＮトランジスタＴＲ１で構成されている。そして、トランジスタＴＲ１のコレクタ（端子Ａ）が定電流源３２に接続され、エミッタ（端子Ｂ）がオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続される。
【００２９】
次に、第２実施例の作用について説明する。スイッチ回路３３において、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子の電位Ｖth3は、温度特性がない電源電圧ＶＢＧの分圧電位であるからほぼ一定である。一方、反転入力端子の電位Ｖth4はダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆであるから負の温度特性を有し、温度が上昇するのに伴って低下する。
【００３０】
したがって、温度が低い場合にＶth3＜Ｖth4となっていれば、オペアンプＯＰ２の出力信号はロウレベルとなり、スイッチＯＦＦの状態となるから、定電流源３２からの電流は、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に流入しない。そして、温度が上昇することに伴い順方向電圧Ｖｆが低下してＶth3＞Ｖth4となれば、オペアンプＯＰ２の出力信号はハイレベルとなり、スイッチＯＮの状態となるから、定電流源３２からの電流がオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に流入するようになる。すなわち、ダイオードＤ２が温度検出器に対応するので、第１実施例のダイオードＤ１と同様、フィードバック制御部３の近傍に配置する。
【００３１】
故に、複数の電流供給ユニット３４（１〜ｎ）について、それぞれのスイッチ回路３３における抵抗素子３６及び３７の分圧比を変えることで、温度の上昇に伴い電流供給ユニット３４（１〜ｎ）のスイッチ回路３３が順次ＯＮするように設定すれば、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に供給する電流量を漸増させることができ、比較基準電圧Ｖth1を上昇させることができる。
【００３２】
以上のように第２実施例によれば、温度補正回路３１を、定電流源３２により、オペアンプＯＰ１の比較基準電圧入力端子に供給する電流を、検出温度が上昇する過程で増加させる構成とするので、第１実施例と同様に、温度の上昇に伴い、比較基準電圧Ｖth1を上昇させて制御指令信号の積分値を上昇させ、ＰＷＭ駆動信号に正の温度特性を付与することができる。
【００３３】
そして、電流供給ユニット３４を、温度検出用ダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆの変化に応じて、定電流源３２とオペアンプＯＰ１の非反転入力端子との間に挿入されるスイッチ回路３３を断続させる構成とし、その電流供給ユニット３４を複数備えて構成するので、ダイオードＤ２が、検出した温度に応じて順方向電圧Ｖｆを負の温度特性で変化させることで、温度の上昇に応じてスイッチ回路３３を閉じてオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に電流を供給し、比較基準電圧Ｖth1を上昇させることができる。この場合もダイオードＤ３が温度検出器に対応するので、第１実施例のダイオードＤ１と同様、フィードバック制御部３の近傍に配置する。
【００３４】
また、電流供給ユニット３４のスイッチ回路３３をトランジスタＴＲ１で構成し、そのトランジスタＴＲ１の導通制御を、オペアンプＯＰ２がダイオードＤ２の順方向電圧Ｖｆと基準電圧Ｖth3とを比較した結果に応じて行うように構成するので、ダイオードＤ２が検出した温度が上昇して順方向電圧Ｖｆが低下した場合に、基準電圧Ｖth3と比較した結果でトランジスタＴＲ２を導通させて、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に電流を供給することができる。
【００３５】
（第３実施例）
図６は本発明の第３実施例を示すものである。第３実施例の温度補正器４１（温度補正回路，基準電圧発生回路）は、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続されている抵抗素子Ｒ３をダイオードＤ３に置き換えたものである。このように構成すれば、非反転入力端子の電位は（Ｖ１−Ｖｆ）となり、ダイオードＤ３が検出する温度に応じて順方向電圧Ｖｆが低下することで、比較基準電圧Ｖth1が上昇する。
以上のように第３実施例によれば、温度補正器４１を、電源Ｖ１とグランドとの間に接続されるダイオードＤ３と抵抗素子Ｒ４との直列回路で構成したので、負の温度特性を有する順方向電圧Ｖｆを利用して、両者の共通接続点において正の温度特性を有する比較基準電圧Ｖth1を与えることができる。
【００３６】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形または拡張が可能である。
温度補正器１２等は、必ずしもフィードバック制御部３の付近に配置する必要はなく、回路基板の温度を検出することができれば、何処に配置しても良い。
第２実施例において、電流供給ユニット３４を１つだけ配置しても良い。
第３実施例において、ダイオードＤ３に抵抗素子Ｒ３を並列に接続しても良い。
駆動用スイッチング素子にＰチャネルＭＯＳＦＥＴや、バイポーラトランジスタ，ＩＧＢＴなどを用いても良い。また、ロウサイド駆動方式の駆動装置に適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施例であり、リニアソレノイド駆動装置の構成を示す図
【図２】Ｄ／Ｖ変換回路の具体構成と共に、温度補正器を示す図
【図３】温度検出器の具体構成例を示す図
【図４】温度特性の補正を説明する図
【図５】本発明の第２実施例を示す図３相当図
【図６】本発明の第３実施例を示す図３相当図
【図７】従来技術を示す図１相当図
【図８】回路動作を説明する図
【図９】制御電流の温度特性を示す図
【符号の説明】
【００３８】
図面中、２はＤ／Ｖ変換回路（デューティ／電圧変換回路）、３はフィードバック制御部（指令電圧生成回路）、４はＶ／Ｄ変換回路（ＰＷＭ駆動信号生成回路）、６はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（駆動用スイッチング素子）、７はリニアソレノイド、８は抵抗素子（電流検出回路）、１０はＩ／Ｖ変換回路（電流検出回路）、１１は駆動装置、１２は温度補正器（温度補正回路）、１５は定電流源（電流供給回路）、２３は抵抗素子、２５は基準電圧発生回路、３１は温度補正器（温度補正回路，電流供給回路）、３２は定電流源、３３はスイッチ回路、３４は電流供給ユニット、４１は温度補正器（温度補正回路，基準電圧発生回路）、Ｄ１〜Ｄ３はダイオード、Ｒ４は抵抗素子、ＯＰ１，ＯＰ２はオペアンプ、ＴＲ１はトランジスタを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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