(57)【要約】【課題】有機ＥＬ画素毎に異なる層厚の透明層を、フォトリソグラフィー工程を複数回繰り返すことなく形成する。【解決手段】基板１０上に発光領域１９に光反射層２１を形成する第２の工程と、光反射層２１上に透明樹脂を含む液状材料Ｃを供給する第３の工程と、液状材料Ｃを硬化させて、光反射層２１上に透明樹脂層７９を形成する第４の工程と、透明樹脂層７９が形成された基板１０上に透明導電層６５を形成する第５の工程と、透明導電層６５をパターニングして、発光領域１９に第１の電極２５を形成する第６の工程と、第１の電極２５上に発光機能層２６を形成する第７の工程と、発光機能層２６上に半反射性を有する第２の電極２７を形成する第８の工程と、を含むことを特徴とする発光装置１の製造方法。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、前記基板側から順に第１の電極と発光機能層と第２の電極とが積層された構造を有する発光画素を備える発光装置の製造方法であって、
前記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第２の工程と、
前記光反射層上又は前記半反射層上に透明樹脂を含む液状材料を供給する第３の工程と、
前記液状材料を硬化させて、前記光反射層上又は前記半反射層上に透明樹脂層を形成する第４の工程と、
前記透明樹脂層が形成された前記基板上に透明導電層を形成する第５の工程と、
前記透明導電層をパターニングして、前記発光領域に前記第１の電極を形成する第６の工程と、
前記第１の電極上に発光機能層を形成する第７の工程と、
前記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する前記第２の電極を形成する第８の工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
前記複数の発光領域に各々形成される発光画素は、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、の規則的に配置された三種類の発光画素を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置の製造方法であって、
前記光反射層又は前記半反射層は金属層であり、
前記基板上に有機樹脂層を形成する第１の工程と、前記基板上に各々の前記発光画素に対応する駆動素子を形成する第９の工程とを実施し、
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記有機樹脂層の一部を選択的に除去して前記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第１０の工程を実施し、
前記第２の工程は、前記金属層をパターニングして前記発光領域に前記光反射層又は前記半反射層を形成し、かつ、前記金属層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域に前記光反射層又は前記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトホールキャップを形成する工程であり、
前記第６の工程は、前記透明導電層をパターニングして、前記コンタクトホールの形成領域と前記発光領域との２つの領域に跨る前記第１の電極を形成する工程である、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記第４の工程で形成された前記透明樹脂層の光学的距離と前記透明導電層の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、該透明樹脂層が形成される発光画素の発光を前記光反射層又は前記半反射層と前記第２の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、前記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素に対応する前記光反射層上又は前記半反射層上に、前記液状材料を供給する工程であり、
前記第７の工程は、前記基板上全面に共通の前記発光機能層を形成する工程であり、
前記第５の工程と前記第７の工程とは、前記透明導電層の光学的距離と前記発光機能層の光学的距離との和が、前記光反射層又は前記半反射層と前記第２の電極との間で共振により、前記三種類の発光画素のうちの前記透明導電層が形成されない発光画素の発光が強調される光学的距離となるように、前記透明導電層及び前記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第７の工程は、白色光を発光する前記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３の工程は、前記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２の工程と前記第３の工程との間に、
前記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して前記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、前記光反射層又は前記半反射層の表面に親液性を付与する第１１の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第２の工程は、光反射層を形成する工程であり、
前記第８の工程は、半反射性を有する前記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第１の工程は透明性を有する前記有機樹脂層を形成する工程であり、
前記第２の工程は半反射層を形成する工程であり、
前記第８の工程は、光反射性を有する前記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の発光装置の製造方法であって、前記第２の電極の、前記発光機能層と対向する面の反対側に、前記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを配置する第１２の工程を更に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、前記第２の工程の前に、前記半反射層の、前記発光機能層と対向する面の反対側の前記半反射層を平面視で含む領域に、前記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを形成する第１３の工程を更に含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造方法で形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、三種類の発光画素を備える発光装置であって、
前記三種類の発光画素の各々は前記基板側から順に光反射層又は半反射層と透明導電性を有する第１の電極と発光機能層と光反射層性又は半反射層性を有する第２の電極とが積層された構造を有しており、
前記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素は、前記光反射層又は前記半反射層と前記第１の電極との間に共振長調整用の透明樹脂層が配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発光装置であって、
前記三種類の発光画素は、前記透明樹脂層の有無及び該透明樹脂層の層厚を除き、材料及び厚さが同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置の１つである有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、近年、液晶表示装置に代わる表示装置として期待されており、実用化が進んでいる。有機ＥＬ装置は、一般的に、表示領域内に規則的に配置された発光画素としての有機ＥＬ画素を備えている。個々の有機ＥＬ画素は、陰極（電子注入電極）から注入される電子と陽極（ホール注入電極）から注入される正孔とを発光層（有機ＥＬ層）内部で再結合させる際に生じる発光を射出する。三原色を射出する有機ＥＬ画素、すなわち赤色光を射出する有機ＥＬ画素と緑色光を射出する有機ＥＬ画素と青色光を射出する有機ＥＬ画素を表示領域内に規則的に配置することにより、カラー表示が可能である。
【０００３】
上記三原色の光を得る方法として、各々の有機ＥＬ画素ごとに異なる色の光を生じる発光層を形成する方法と、全ての有機ＥＬ画素に共通の、広い波長領域の光を生じる発光層を形成し、カラーフィルタを用いて特定の波長領域の光を得る方法と、がある。有機ＥＬ画素ごとに異なる発光層を形成することによるコスト、及びカラーフィルタを用いずに理想的なピーク波長の光を得ることの困難性のため、近年は後者の方法が注目されている。
一方で、カラーフィルタのみによって特定の波長領域の光を得ることは、カットされる波長の光による損失が大きいと言う問題がある。そこで、陽極を構成するＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）等の無機透明層の層厚を有機ＥＬ画素ごとに変化させて、電極間（陰極と陽極との間）、あるいはいずれか一方の電極と別途形成された光反射層との間の共振長を有機ＥＬ画素ごとに異なる値とした上で上述の発光を共振させて、カラーフィルタを透過する前に特定の波長を強調する方法が検討されている（特許文献１及び２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許第２７９７８８３号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＩＴＯ等の無機透明層を有機ＥＬ画素ごとに異なる層厚で形成するためには、薄膜形成工程とフォトリソグラフィー工程を複数回繰り返す必要がある。したがって、上述の技術は、プロセスの複雑化及び製造コストの上昇をもたらすという問題を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、上記基板側から順に第１の電極と発光機能層と第２の電極とが積層された構造を有する発光画素を備える発光装置の製造方法であって、上記発光領域に光反射層又は半反射層を形成する第２の工程と、上記光反射層上又は上記半反射層上に透明樹脂を含む液状材料を供給する第３の工程と、上記液状材料を硬化させて、上記光反射層上又は上記半反射層上に透明樹脂層を形成する第４の工程と、上記透明樹脂層が形成された上記基板上に透明導電層を形成する第５の工程と、上記透明導電層をパターニングして、上記発光領域に上記第１の電極を形成する第６の工程と、上記第１の電極上に発光機能層を形成する第７の工程と、上記発光機能層上に光反射性又は半反射性を有する上記第２の電極を形成する第８の工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【０００８】
このような製造方法によれば、フォトリソグラフィー法を用いずに、上記発光領域に任意の層厚の透明樹脂層を形成できる。そして、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離を調整できる。したがって、製造コストを抑制しつつ、上記第１の電極と上記第２の電極との間で発光した光を、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で共振させて、特定の波長範囲の光を強調できる。なお、発光機能層とは、単層の発光層及び少なくとも発光層を含む複数の層の積層体の双方を含む概念である。
【０００９】
［適用例２］
上述の製造方法であって、上記複数の発光領域に各々形成される発光画素は、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、の規則的に配置された三種類の発光画素を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【００１０】
このような製造方法によれば、フォトリソグラフィー法を用いずに、上述の三種類の発光画素の内の任意の発光画素の発光領域に、任意の層厚の透明樹脂層を形成して、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離を調整できる。そのため、上記第１の電極あるいは上記発光機能層の層厚を、共振長を考慮せずに設定できる。したがって、製造コストを抑制しつつ、表示品質の向上した、カラー表示可能な発光装置を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］
上述の製造方法であって、上記光反射層又は上記半反射層は金属層であり、上記基板上に有機樹脂層を形成する第１の工程と、上記基板上に各々の上記発光画素に対応する駆動素子を形成する第９の工程とを実施し、上記第１の工程と上記第２の工程との間に、上記有機樹脂層の一部を選択的に除去して上記駆動素子の電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する第１０の工程を実施し、上記第２の工程は、上記金属層をパターニングして上記発光領域に上記光反射層又は上記半反射層を形成し、かつ、上記金属層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域に上記光反射層又は上記半反射層と所定の間隔を隔てるコンタクトホールキャップを形成する工程であり、上記第６の工程は、上記透明導電層をパターニングして、上記コンタクトホールの形成領域と上記発光領域との２つの領域に跨る上記第１の電極を形成する工程である、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【００１２】
このような製造方法によれば、コンタクトホールを介して接続する、上述の駆動素子の電極と上記第１の電極との接続抵抗（コンタクト抵抗）を低減しつつ、コンタクトホールキャップと同層からなる上記光反射層または上記半反射層上に共振長を調整するための上記透明樹脂層を形成できる。したがって、工程数を低減しつつ、表示品質が向上した発光装置を得ることができる。
【００１３】
［適用例４］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記第４の工程で形成された上記透明樹脂層の光学的距離と上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、該透明樹脂層が形成される発光画素の発光を上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で発生する共振により強調する光学的距離となるように、上記液状材料を供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【００１４】
このような製造方法によれば、上記透明樹脂層が形成された発光画素の発光の色純度を向上できる。したがって、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を、製造コストを抑制しつつ得ることができる。
【００１５】
［適用例５］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素に対応する上記光反射層上又は上記半反射層上に、上記液状材料を供給する工程であり、上記第７の工程は、上記基板上全面に共通の上記発光機能層を形成する工程であり、上記第５の工程と上記第７の工程とは、上記透明導電層の光学的距離と上記発光機能層の光学的距離との和が、上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間で共振により、上記三種類の発光画素のうちの上記透明導電層が形成されない発光画素の発光が強調される光学的距離となるように、上記透明導電層及び上記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【００１６】
このような製造方法によれば、上記三種類の発光画素の発光を共振させつつ上記第３の工程を簡略化できる。したがって、上記発光の色純度に影響を与えずに、発光装置の製造コストを低減できる。
【００１７】
［適用例６］
上述の製造方法であって、上記第７の工程は、白色光を発光する上記発光機能層を形成する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【００１８】
白色光は広い波長範囲の光を含んでいるので、このような製造方法によれば、共振長、すなわち上記光反射層又は上記半反射層と上記第２の電極との間の光学的距離の設定により、各々の発光画素により一層好適な三原色光を発光させることができる。したがって、このような製造方法によれば、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を、製造コストを抑制しつつ得ることができる。なお、上述の白色光を発光する発光機能層は、該発光機能層に含まれる発光層を、夫々異なる色を発光する複数の発光層を積層して形成してもよい。
【００１９】
［適用例７］
上述の製造方法であって、上記第３の工程は、上記液状材料をインクジェット法により吐出して供給する工程であることを特徴とする発光装置の製造方法。
【００２０】
インクジェット法は液状材料の供給量及び供給位置の制御性が高いため、上記透明樹脂層の形成における層厚制御性が向上する。したがって、このような製造方法によれば、上記発光画素間において共振により強調される波長の均一性を向上でき、表示品質がより一層向上したカラー表示可能な発光装置を得ることができる。
【００２１】
［適用例８］
上述の製造方法であって、上記第２の工程と上記第３の工程との間に、上記基板上に酸素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理及びフッ素含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施して上記有機樹脂層の露出した表面に撥液性を付与し、上記光反射層又は上記半反射層の表面に親液性を付与する第１１の工程を実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
【００２２】
このような製造方法によれば、上記第３の工程において供給する液状材料を、上記光反射層又は上記半反射層の表面に略均一に分布させ得ると共に、上記光反射層又は上記半反射層の周囲の上記有機樹脂層の露出した表面に流出することを回避できる。したがって、上記透明樹脂層を上記光反射層上又は上記半反射層上にのみ、かつ良好な層厚均一性をもって形成できる。その結果、より一層表示品質の向上した発光装置を得ることができる。
なお、上述の「露出した表面」とは、上記光反射層又は上記半反射層とコンタクトホールキャップとが形成されていない領域である。
【００２３】
［適用例９］
上述の製造方法であって、上記第２の工程は、光反射層を形成する工程であり、上記第８の工程は、半反射性を有する上記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
【００２４】
このような製造方法によれば、上記光反射層と上述の半反射性を有する第２の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記第２の電極側から射出させることが可能な、トップエミッション型の発光装置を得ることができる。
【００２５】
［適用例１０］
上述の製造方法であって、上記第１の工程は透明性を有する上記有機樹脂層を形成する工程であり、上記第２の工程は半反射層を形成する工程であり、上記第８の工程は、光反射性を有する上記第２の電極を形成する工程であること、を特徴とする発光装置の製造方法。
【００２６】
このような製造方法によれば、上記半反射層と上述の光反射性を有する第２の電極との間で発光を共振させつつ、共振により特定の波長範囲の光が強調された光を上記半反射層及び上述の透明性を有する有機樹脂層を介して上記基板側から射出させることが可能な、ボトムエミッション型の発光装置を得ることができる。
【００２７】
［適用例１１］
上述の製造方法であって、上記第２の電極の、上記発光機能層と対向する面の反対側に、上記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを配置する第１２の工程を更に実施することを特徴とする発光装置の製造方法。
【００２８】
このような製造方法によれば、共振により特定の波長範囲の光を強調された後、上記第２の電極を透過してくる光の色純度を、上記カラーフィルタを透過させることでより一層向上させることが可能な、トップエミッション型の発光装置を得ることができる。
【００２９】
［適用例１２］
上述の製造方法であって、上記第２の工程の前に、上記半反射層の、上記発光機能層と対向する面の反対側の上記半反射層を平面視で含む領域に、上記三種類の発光画素の夫々の発光色に対応するカラーフィルタを形成する第１３の工程を更に含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【００３０】
このような製造方法によれば、共振により特定の波長範囲の光を強調された後、上記半反射層を透過してくる光の色純度を、上記カラーフィルタを透過させることでより一層向上させることが可能な、ボトムエミッション型の発光装置を得ることができる。
【００３１】
［適用例１３］
上述の製造方法で形成されたことを特徴とする発光装置。
【００３２】
このような発光装置であれば、フォトリソグラフィー法によらずに、各々の発光画素の発光色に合わせた共振長が得られるため、製造コストを増加させずに高品質の画像を表示できる。
【００３３】
［適用例１４］
基板上に規則的に配置された複数の発光領域の各々に、赤色光を発光する赤色発光画素と緑色光を発光する緑色発光画素と青色光を発光する青色発光画素と、三種類の発光画素を備える発光装置であって、上記三種類の発光画素の各々は上記基板側から順に光反射層又は半反射層と透明導電性を有する第１の電極と発光機能層と光反射層性又は半反射層性を有する第２の電極とが積層された構造を有しており、上記三種類の発光画素のうちの二種類の発光画素は、上記光反射層又は上記半反射層と上記第１の電極との間に共振長調整用の透明樹脂層が配置されていることを特徴とする発光装置。
【００３４】
このような構成であれば、上記第１の電極の形成に伴う成膜工程及びパターニング工程を各一回ずつとした上で、上記共振長を上記三種類の発光画素間で夫々異なる値に設定できる。したがって、かかる発光装置であれば、上記第１の電極の形成コストを低減し、上記光反射層又は上記半反射層に与えるダメージを抑制しつつ、上記三種類の発光画素の各々に、夫々異なる波長範囲の光を強調させることができる。
【００３５】
［適用例１５］
上述の発光装置であって、上記三種類の発光画素は、上記透明樹脂層の有無及び該透明樹脂層の層厚を除き、材料及び厚さが同一の層で構成されていることを特徴とする発光装置。
【００３６】
このような構成の発光装置であれば、製造コストを低減しつつ、上記三種類の発光画素の各々に、夫々異なる波長範囲の光を強調させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を参照し、発光装置及び発光装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００３８】
（第１の実施形態）
＜Ａ．有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、本実施形態の製造方法の対象となる発光装置としての有機ＥＬ装置１の全体構成を示す回路構成図である。有機ＥＬ装置１は、表示領域１００に規則的に配置された複数の発光画素としての有機ＥＬ画素２０の発光を個別に制御して該表示領域に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。なお、有機ＥＬ装置１は、第２の電極の側から光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置であるが、回路構成についてはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置も同一である。
【００３９】
有機ＥＬ装置１は、表示領域１００とその周辺の領域とを備えている。表示領域１００には、Ｘ方向に延在する複数の走査線１０２と、Ｙ方向に延在する複数の信号線１０４と、同じくＹ方向に延在する複数の容量線１０６と、が形成されている。Ｘ方向が信号線１０４と容量線１０６とで規定され、Ｙ方向が走査線１０２の中心線で規定される方形の区画が、画素領域１０１である。
【００４０】
各々の画素領域１０１には、有機ＥＬ画素２０を構成する要素である、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動素子としての駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から駆動電流が流れ込む画素電極２５（図２参照）等が形成されている。なお、画素とは上述の各構成要素を含む機能的な概念であり、画素領域１０１は表示領域１００内を規則的に区分する平面的な概念である。
【００４１】
表示領域１００の周辺の領域には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線駆動回路１２０は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線１０２に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路１３０は、信号線１０４に画像信号を供給する。容量線１０６には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００４２】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して容量線１０６から画素電極２５（図２参照）に駆動電流が流れ、有機ＥＬ画素２０は駆動電流の大きさに応じて発光する。
【００４３】
有機ＥＬ画素２０には、射出する光の色により規定される赤色発光画素としての赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ、緑色発光画素としての緑色有機ＥＬ画素２０Ｇ、青色発光画素としての青色有機ＥＬ画素２０Ｂ、の三種類がある。有機ＥＬ画素２０は、上記三種類の有機ＥＬ画素の総称である。他の名称（「共振長」等）についても同様に、Ｒ，Ｇ，Ｂの符号を削除した場合は三種類の該名称の総称である。
【００４４】
後述するように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、共通の発光機能層から得られた発光を共振により特定の波長範囲の光を強調することにより、上記の三種類の光を射出している。独立に制御される個々の有機ＥＬ画素２０が駆動電流の大きさに応じて赤、緑、青の三原色のいずれかの光を射出することで、表示領域１００にカラー画像が形成される。なお、共通の発光機能層を用いるのではなく、上記三種類の有機ＥＬ画素の夫々に異なる発光機能層を形成してもよい。かかる態様は後述する変形例３で述べる。なお、有機ＥＬ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの配置の順序は図１に示す順序に限定されるものではなく、Ｒ，Ｂ，Ｇの順序に配置することも可能である。
【００４５】
次に、画素領域１０１内における、画素を構成する各要素の平面的な態様について述べる。図２は、画素領域１０１内における、１画素を構成する各要素の配置を模試的に示す平面図である。Ｘ方向に隣り合うように形成された、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇと、青色有機ＥＬ画素２０Ｂと、の計三種類の有機ＥＬ画素２０を示している。平面的な構成は射出する光の色とは関係ないため、以下、上記三種類の画素を区別することなく説明する。
【００４６】
図示するように、画素領域１０１は、Ｘ方向を走査線１０２で区画されＹ方向を信号線１０４と容量線１０６とで区画されている。そして、各々の画素領域１０１内には、光が射出される領域である発光領域１９が形成されている。発光領域１９には、後述する第１の電極としての画素電極（陽極）２５と発光機能層２６（図９参照）と第２の電極としての陰極２７（図９参照）とが基板１０（図９参照）側から順に積層されている。
【００４７】
画素領域１０１内の、発光領域１９以外の領域は隔壁７７（図８（ａ）参照）で覆われている。したがって、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置１のように、平面視で画素電極２５が発光領域１９よりも大きい場合、発光領域１９の周囲には、画素電極２５と隔壁７７とが重なる環状の領域が形成される。
なお、発光領域１９は、実際に発光を射出する領域であり、画素領域１０１内の一部の領域である。後述する隔壁７７（図８（ａ）参照）等が形成されている領域は、画素領域１０１には含まれるが発光領域１９には含まれない。また、三種類の有機ＥＬ画素（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の夫々の発光領域１９の面積は、同一に限定されるものではない。
【００４８】
駆動用ＴＦＴ１１２は、第１の半導体層３１と、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成された第１のゲート電極３３等からなる。第１の半導体層３１と第１のゲート電極３３とが重なる領域がチャネル領域であり、該チャネル領域の両側にソース領域３５とドレイン領域３６とが形成されている。ソース領域３５は、第３のコンタクトホール５３を介して容量線１０６の突出部分と接続している。
【００４９】
ドレイン領域３６は、第１のコンタクトホール５１内に形成された、駆動用ＴＦＴ１１２の電極としての第１の中継電極４１、及び、コンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２の形成領域（以下、「コンタクトホール形成領域」と称する。）と、該領域を囲む若干の幅を有する環状の領域とを合わせた領域に形成されたコンタクトキャップ２２を介して画素電極２５と接続している。本実施形態の有機ＥＬ装置１では、第１のコンタクトホール５１と第２のコンタクトホール５２とは、平面視で重なっている。また、第１の中継電極４１とコンタクトキャップ２２とは、平面視で重なっている。
【００５０】
ここで、コンタクトホール形成領域とは、アライメントずれを考慮した上で第２のコンタクトホール５２を確実に平面視で含む領域である。アライメントずれが０の場合、コンタクトホール形成領域は第２のコンタクトホール５２と平面視で重なる。アライメントずれが０ではない場合、コンタクトホール形成領域は、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、アライメントずれ値と同じ（値の）幅を有する環状の領域を含んでいる。そして、コンタクトキャップ２２は、平面視でコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含むように形成される。
【００５１】
図３（ａ）〜（ｃ）に、コンタクトキャップ２２の形状の例を示す。図３（ａ）に示すコンタクトキャップ２２は、図２に示すコンタクトキャップ２２と同様に、コンタクトホール形成領域２３の周囲を僅かに含むように形成されている。コンタクトホール形成領域２３の平面視の形状は第２のコンタクトホール５２にアライメントずれ値と同じ幅の環状領域を加えた形状であり、コンタクトキャップ２２の平面視の形状は、該形状に略同一の幅の環状領域を加えた形状である。
【００５２】
図３（ｂ）に示すコンタクトキャップ２２の平面視の形状は、図３（ａ）に示すものと同一のコンタクトホール形成領域２３に対して充分な余裕をもたせた形状である。発光領域１９に対しては所定の間隔を有しており、後述する透明樹脂を含む液状材料の供給工程（第３の工程）において、発光領域１９と重なる光反射層２１上に供給された該液状材料がコンタクトキャップ２２にまで流出することは回避される。図３（ｃ）に示すコンタクトキャップ２２の平面視の形状は、図３（ｂ）に示すものが更に拡大されて、第１のゲート電極３３と重なる領域まで延長されている。ただし、発光領域１９に対しては同様の間隔を有している。
【００５３】
図２に示すスイッチング用ＴＦＴ１０８は、第２の半導体層３２と、走査線１０２の一部が突出してなる第２のゲート電極３４等からなっている。第２の半導体層３２と第２のゲート電極３４とが重なる領域がチャネル領域である。そして、該チャネル領域の両側にソース領域３７とドレイン領域３８とが形成されている。ドレイン領域３８は第４のコンタクトホール５４を介して信号線１０４と接続している。ソース領域３７は、第５のコンタクトホール５５を介して第２の中継電極４２と接続している。第２の中継電極４２の一方の端部は第６のコンタクトホール５６を介して第１のゲート電極３３と接続し、もう一方の端部は第７のコンタクトホール５７を介して、走査線１０２と同一の層をパターニングして形成された下部電極４３と接続している。下部電極４３は、第１の層間絶縁層７１（図４参照）と容量線１０６から突出してなる上部電極４４とで保持容量１１０を構成している。
なお、図２においては、発光機能層２６（図８参照）等は図示を省略している。以下、本実施形態の、発光装置としての有機ＥＬ装置の製造方法を、図２に示すＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、及びＣ−Ｃ’線における断面図を用いて説明する。
【００５４】
＜Ｂ．有機ＥＬ装置の製造方法＞
図４（ａ）〜図１０は、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、発光領域１９に画素電極２５を形成するまでの工程に特徴がある。そこで、図４（ａ）〜図１０では、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと該赤色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＡ−Ａ’線における断面と、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇと該緑色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＢ−Ｂ’線における断面と、青色有機ＥＬ画素２０Ｂと該青色有機ＥＬ画素を駆動する駆動用ＴＦＴ１１２のＣ−Ｃ’線における断面と、を繋ぎ合わせた断面図を表示し、スイッチング用ＴＦＴ１０８と保持容量１１０は図示を省略している。また、発光領域１９を、発光色により赤色発光領域１９Ｒ、緑色発光領域１９Ｇ、青色発光領域１９Ｂ、のいずれかの符号を付与している。以下、図４（ａ）〜図１０の工程断面図に沿って説明する。
【００５５】
まず、図４（ａ）に示すように、第９の工程として基板１０上に公知の技術により駆動用ＴＦＴ１１２を形成する。同様に、図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８（図２参照）及び保持容量１１０の下部電極４３（図２参照）も形成する。駆動用ＴＦＴ１１２は、ソース領域３５とドレイン領域３６とを含む第１の半導体層３１と、ゲート絶縁層７０とゲート電極３３とからなる。なお、上述したように、有機ＥＬ装置１はトップエミッション型であるから、基板１０は透明性を特に必要としない。
【００５６】
次に、駆動用ＴＦＴ１１２等が形成された基板１０上の全面に、酸窒化シリコン等からなる第１の層間絶縁層７１を形成する。そして該層間絶縁層の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、ソース領域３５の表面の一部を露出させる第３のコンタクトホール５３、及びドレイン領域３６の表面の一部を露出させる第１のコンタクトホール５１形成する。なお、かかる工程で、図示しない第４〜第７のコンタクトホール（５４、５５、５６、及び５７）も同時に形成する。
【００５７】
そして、基板１０上全面に形成したＡｌ等の導電材料層を（成膜し、該導電材料層を）パターニングして、駆動用ＴＦＴ１１２の電極としての第１の中継電極４１を形成する。上記のパターニングにより、容量線１０６、第２の中継電極４２（図２参照）、及び信号線１０４（図２参照）も同時に形成する。容量線１０６の一部は、図示するように第３のコンタクトホール５３に埋設され、ソース領域３５と電気的に接続される。
そして更に、第１の中継電極４１等が形成された基板１０上全面に、第１の工程として、アクリルからなる有機材料層としての平坦化層７３を形成する。平坦化層７３の形成材料は有機系であり、かつ絶縁性を有することが必要である。アクリル以外に、例えばポリイミド等を用いてもよい。
【００５８】
そして、第１０の工程として、平坦化層７３の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６に接続する第１の中継電極４１の一部を露出させるコンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２を形成する。
【００５９】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０上全面に密着改善層としての、層厚１０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）層６２と導電性を有する材料としての層厚８０ｎｍの金属層としてのＡｌ（アルミニウム）層６３とを順に成膜（積層）する。ＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体は、後述するようにパターニングにより光反射層２１（図５（ａ）参照）となるため、透明性（透過性）を有さず、基板１０と対向する側の反対側の面は光反射性が高いことが必要である。Ａｌは極薄く成膜すると半反射性となるが、８０ｎｍであれば光を殆んど透過せず光反射層として用いることができる。
【００６０】
ここで、「光反射性（を有する）」とは、照射された光の１００％を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも６０％、好ましくは８０％、特に好ましくは略１００％を反射させる（機能を有する）、という意味も含まれる。反射されない光は透過されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
同様に、「透明性（を有する）」とは、照射された光の略１００％を透過させるという意味に限定されるものではない。照射された光の少なくとも６０％、好ましくは８０％、特に好ましくは略１００％を透過させる（機能を有する）、という意味も含まれる。透過されない光は反射されてもよく、吸収され熱として発散されてもよい。
更に、後述する半反射性とは、照射された光の５０％を反射するという意味に限定されるものではない。照射された光の３０％乃至７０％、好ましくは４０％乃至６０％、特に好ましくは略５０％を反射させる（機能を有する）、という意味も含まれる。反射されない光はすべて透過されることが好ましいが、（該反射されない光の）一部は吸収され、熱として発散されてもよい。
【００６１】
パターニングにより光反射層２１となる層の形成材料はＡｌに限定はされず、Ａｇ（銀）等の他の金属あるいはＡｌ合金等を用いてもよい。ＩＴＯ層６２は、有機材料からなる平坦化層７３とＡｌ層６３との密着性を改善するために形成するが、本発明の具体化において必須のものではない。また、本発明の具体化において、後述するコンタクトキャップ２２（図５（ａ）参照）は必須の要件ではない。該コンタクトキャップを形成しない場合、光反射層２１は反射性を有していれば良く、導電性を有することは必須ではない。したがって、かかる場合、光反射層２１となる層の形成材料には、金属酸化物のように導電性を殆んど有しない光反射性の材料を用いることもできる。なお、以下に示す図においては、ＩＴＯ層６２は図示を省略する。したがって、上述の積層体をパターニングして形成される光反射層２１は、Ａｌ層６３の単層からなるように図示される。
【００６２】
次に、図５（ａ）に示すように、第２の工程としてＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体をパターニングして発光領域１９に光反射層２１を形成し、同時に、少なくともコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含み、かつ、発光領域１９とは所定の間隔を有する領域にコンタクトキャップ２２を形成する。
【００６３】
上述したように、コンタクトホール形成領域２３は、アライメントずれを考慮した上で第２のコンタクトホール５２を確実に平面視で含む領域であり、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、狭い幅の環状の領域を含む領域である。コンタクトキャップ２２を形成する目的は、ドレイン領域３６と接続する第１の中継電極４１と画素電極２５との接続抵抗の低減である。したがって、コンタクトキャップ２２の形状は光反射層２１との間に所定の間隔を設ければよく、コンタクトホール形成領域２３内に限定される必要はない。
【００６４】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１１の工程として基板１０上全面に酸素含有ガスとしてのＯ2ガスのプラズマＡによるプラズマ処理とフッ素含有ガスとしてのＣＦ4ガスのプラズマＢによるプラズマ処理とを連続して行う。かかる処理により、光反射層２１とコンタクトキャップ２２との表面では、フォトリソグラフィー工程等で付着した残渣が酸化により除去され清浄化される。したがって、光反射層２１とコンタクトキャップ２２との表面に親液性が付与される。一方、ＩＴＯ層６２とＡｌ層６３との積層体が上記第５の工程で選択的に除去され、有機材料からなる平坦化層７３が露出している領域の表面は、該有機材料に含まれている炭素原子が、プラズマＢに含まれるフッ素原子と化合する。その結果、該領域の表面に、撥液性が付与される。
【００６５】
次に、図６（ａ）に示すように、第３の工程として図示しないインクジェット装置のノズル８１から、赤色発光領域１９Ｒの光反射層２１上と緑色発光領域１９Ｇの光反射層２１上とに、透明樹脂を含む液状材料Ｃを吐出する。コンタクトキャップ２２上には吐出しない。また、青色発光領域１９Ｂの光反射層２１上には吐出しない。
ここで、透明樹脂を含む液状材料とは、硬化後に透明樹脂を得られる液状材料である。したがって、アクリル、メタクリル、エポキシ等の透明樹脂自体を含む液体の他に、該透明樹脂の前駆体及び該前駆体を含む液体（例えば該前駆体を溶質とする溶液）も該当する。また、「含む液体」ということは、溶質としての該透明樹脂等を溶解する溶液、及び該透明樹脂等を分散された分散液の双方が含まれる。更に、「溶液」と「分散液」との中間的な液体も含まれる。
【００６６】
上記第３の工程により光反射層２１の表面は親液性となっているので、吐出された透明樹脂を含む液状材料（以下、「液状材料」と称する。）Ｃは光反射層２１上全域に略均一に広がる。一方、光反射層２１の周囲の、平坦化層７３が露出している領域の表面は撥液性が付与されているため、液状材料Ｃは該領域へは流出しない。
コンタクトキャップ２２の表面も、第６の工程で親液性が付与されている。しかし、コンタクトキャップ２２と光反射層２１とは、表面が撥液性である平坦化層７３によって隔てられているため、液状材料Ｃはコンタクトキャップ２２へは流出しない。したがって、液状材料Ｃは光反射層２１上に留まる。
【００６７】
次に、図６（ｂ）に示すように、第４の工程として液状材料Ｃを硬化させて、赤色発光領域１９Ｒの光反射層２１上と緑色発光領域１９Ｇの光反射層２１上とに、透明樹脂層７９を形成する。透明樹脂層７９の層厚は、赤色発光領域１９Ｒでは１１５ｎｍ、緑色発光領域１９Ｇでは４５ｎｍである。硬化後の層厚が上記の値となるように、上記第７の工程では液状材料Ｃの吐出量を設定する。なお、上記の硬化は、加熱あるいは紫外線照射等の方法により行う。
【００６８】
次に、図７（ａ）に示すように、第５の工程として基板１０上全面に透明導電材料としての層厚３０ｎｍのＩＴＯ層６５を形成する。形成は、スパッタ法あるいは蒸着法によることが好ましい。
【００６９】
次に、図７（ｂ）に示すように、第６の工程としてＩＴＯ層６５を、光反射層２１とコンタクトキャップ２２に跨るようにパターニングして、第１の電極としての画素電極２５を形成する。上述したように、コンタクトキャップ２２が第１の中継電極４１を介して駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と接続しており、また、該コンタクトキャップ上には透明樹脂層７９は形成されていない。したがって、画素電極２５は、コンタクトホール形成領域２３において、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と電気的に接続する。
【００７０】
次に、図８（ａ）に示すように、基板１０上の発光領域１９を除く領域に、隔壁７７を形成する。隔壁７７は、基板１０上全面に形成したポリイミド等の有機又は無機の絶縁材料層材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する。
【００７１】
次に、図８（ｂ）に示すように、第７の工程として基板１０上全面に発光機能層２６を形成し、更に該発光機能層上に第８の工程として半反射性を有する第２の電極としての陰極２７を形成する。
【００７２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１に形成される発光機能層２６は、全ての波長の可視光線を略均一に含んだ光を発光する白色発光機能層であり、三種の有機ＥＬ画素２０に共通して形成される。各有機ＥＬ画素２０は共振により特定の波長範囲の光を強調し、更に後述するカラーフィルタ層７６により、より一層色純度を向上させて射出する。
【００７３】
発光機能層２６は図示しない複数の層からなる。具体的には基板１０側から順に、正孔注入輸送層、発光層（有機ＥＬ層）、電子輸送層、及び電子注入層が積層されており、合計の層厚は１９５ｎｍである。上記の各層は真空蒸着法又はスパッタ法により成膜される。上述したように、マスク等は用いられず、基板１０上全面に同一の層が成膜される。発光層は、単一の材料層を用いて白色光を発光させることが困難な場合、二種類以上の材料層を積層してもよい。本実施形態の有機ＥＬ装置１では、各層の材料は以下のものを用いている。
【００７４】
正孔注入輸送層は、正孔注入層としてのＨＩ４０６（出光興産株式会社製）と正孔輸送層としてのＨＴ３２０（出光興産株式会社製）を積層している。発光層は、青緑色発光層と赤色発光層の積層体である。青緑色発光層は、ホスト材料として出光興産株式会社製のＢＨ２１５にドーパントとしての出光興産株式会社製のＢＤ１０２を加えた材料で形成している。赤色発光層は、ホスト材料として出光興産株式会社製のＢＨ２１５に、ドーパントとして出光興産株式会社製のＲＤ００１を加えた材料で形成されている。電子輸送層はＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール）、電子注入層はＬｉＦ（弗化リチウム）で、夫々形成している。
【００７５】
陰極２７は、層厚１２．５ｎｍのＭｇＡｇ（マグネシウム・銀）合金等をスパッタ法等により成膜して形成する。上記の材料をかかる層厚に形成することで、半反射性を有する電極を形成できる。陰極２７は、画素電極２５とは異なり表示領域１００全域で同電位となる。なお、上記の層厚で成膜した後、隔壁７７上に更にマスクを用いて成膜して発光領域１９を避けて厚膜部を形成してもよい。発光領域１９における半反射性を維持しつつ、単位面積当たりの抵抗を低減できる。
【００７６】
次に、図９に示すように、陰極２７が形成された基板１０上の全面に、第１のパシベーション層８５と応力緩和層８６と第２のパシベーション層８７とを順に積層する。第１のパシベーション層８５は層厚２００ｎｍのＳｉＯ2、応力緩和層８６は層厚２０００ｎｍのアクリル樹脂、第２のパシベーション層８７は層厚４００ｎｍのＳｉＯ2、で夫々形成する。かかる材料層を積層することで、水分等の滲入を抑制し、完成後の有機ＥＬ装置１において有機ＥＬ画素２０の劣化を抑制できる。
【００７７】
次に、図１０に示すように、第１２の工程として基板１０にカラーフィルタ層７６が形成された対向基板１２をアクリル樹脂等からなる接着層７８を介して貼り合わせて、矢印の方向に光を射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置１を完成させる。カラーフィルタ層７６は、赤色発光領域１９Ｒに対応する赤色カラーフィルタ７５Ｒ、緑色発光領域１９Ｇに対応する緑色カラーフィルタ７５Ｇ、青色発光領域１９Ｂに対応する青色カラーフィルタ７５Ｂ、及び各々のカラーフィルタを区画するブラックマトリクス７５Ｋからなる。
カラーフィルタ層７６は本発明の具体化において必須のものではないが、後述する共振によって各有機ＥＬ画素毎に異なる色（波長範囲）となって射出される光の色純度を、さらに向上させることができる。
【００７８】
以上の工程により、光反射層２１の発光機能層側の界面（表面）と陰極２７の発光機能層側の界面（表面）との間の光学的距離である共振長７が、三種類の有機ＥＬ画素２０で夫々異なる値を有する有機ＥＬ装置１を得ることができる。すなわち、有機ＥＬ装置１は、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ及び緑色有機ＥＬ画素２０Ｇが、光反射層２１と画素電極２５との間に透明樹脂層７９を備えているため、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒの共振長７Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇの共振長７Ｇと青色有機ＥＬ画素２０Ｂの共振長７Ｂとが夫々異なる値に設定されている。そして、かかる共振長により、有機ＥＬ画素２０毎で夫々異なる波長範囲の光を強調した上で射出できる。そのため、発光機能層２６に白色発光機能層を用いているにもかかわらず、カラーフィルタ層７６の効果と合わせて、赤、緑、青の三原色の光を射出してカラー表示を行うことができる。
【００７９】
また、有機ＥＬ装置１では、共振長７の設定すなわち三種類の有機ＥＬ画素２０間で異なる共振長７を設定する手段が透明樹脂層７９の形成のみである。すなわち、基板１０上に形成される透明樹脂層７９以外の要素は三種類の有機ＥＬ画素２０間で同一である。そして、透明樹脂層７９は、フォトリソグラフィー法を用いずに、インクジェット装置を用いて形成されている。したがって、以上の工程により、コストの増加及び歩留りの低下を抑制しつつ、有機ＥＬ画素２０間で異なる共振長７の設定を可能とし、白色発光機能層を用いてカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【００８０】
上述の共振長は、以下の式に基づいて設定される。
２×共振長（７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ）＋φ２＋φ３＝ｍλ・・・・・・・・・（１）
ここで
φ２＝光反射層２１の、発光機能層２６側界面での位相差、
φ３＝陰極２７の発光機能層２６側界面での位相差、
であり、ｍは正の整数である。
φ２及びφ３は、画素電極２５及び透明樹脂層７９の屈折率及び消衰係数等により変化する。したがって、共振長７は、画素電極２５等の形成材料に合わせてその都度最適化する必要がある。透明樹脂層７９の層厚は液状材料Ｃの吐出量を制御することにより連続的に設定（調整）できるので、本実施形態の製造方法によれば、常に最適な共振長７を設定して、表示品質が向上した有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【００８１】
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態として有機ＥＬ装置２の製造方法について説明する。図１１（ａ）〜図１５は、本実施形態の有機ＥＬ装置２の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態の製造方法の対象である有機ＥＬ装置２は、透明基板１１側（第１の電極としての画素電極２５側）から光を射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と、は光の射出する方向が異なるのみであり、回路構成は同一である。そこで、回路図、平面図は省略し、工程断面図のみを用いて説明する。また、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。
【００８２】
まず、図１１（ａ）に示すように、第９の工程として、透明基板１１上に公知の技術により駆動用ＴＦＴ１１２を形成する。同時に、図示しないスイッチング用ＴＦＴ１０８（図２参照）等も形成する。なお、有機ＥＬ装置２はボトムエミッション型であるため、ＴＦＴ等が形成される基板（透明基板１１）は透明性が必要である。
【００８３】
次に、駆動用ＴＦＴ１１２が形成された透明基板１１上の全面に、酸窒化シリコン等からなる第１の層間絶縁層７１を形成する。そして該第１の層間絶縁層の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、ソース領域３５の表面の一部を露出させる第３のコンタクトホール５３、及びドレイン領域３６の表面の一部を露出させる第１のコンタクトホール５１形成する。
【００８４】
そして、透明基板１１上全面に形成したＡｌ等の導電材料層をパターニングして、電極としての第１の中継電極４１を形成する。上記のパターニングにより、容量線１０６等も同時に形成する。容量線１０６の一部は、図示するように第３のコンタクトホール５３に埋設され導通を得る。そして更に、第１の中継電極４１等が形成された透明基板１１上全面に、酸窒化シリコン等からなる第２の層間絶縁層７２を形成する。
【００８５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１３の工程として、第２の層間絶縁層７２上の発光領域１９を平面視で含む領域に、各々の発光色に合わせたカラーフィルタ７５を形成する。すなわち、赤色発光領域１９Ｒには赤色カラーフィルタ７５Ｒを、緑色発光領域１９Ｇには緑色カラーフィルタ７５Ｇを、青色発光領域１９Ｂには青色カラーフィルタ７５Ｂを、夫々形成する。
【００８６】
次に、図１２（ａ）に示すように、カラーフィルタ（７５Ｒ，７５Ｇ，７５Ｂ）が形成された透明基板１１上全面に、第１の工程として、アクリル等の透明性の有機材料からなる、有機材料層としての透明平坦化層７４を形成する。そして第１０の工程として、透明平坦化層７４の一部をフォトリソグラフィー法により選択的に除去して、第１の中継電極４１の一部を露出させる、コンタクトホールとしての第２のコンタクトホール５２を形成する。
【００８７】
次に、図１２（ｂ）に示すように、透明基板１１上全面に、密着改善層としての層厚１０ｎｍのＩＴＯ層（図示せず）と、金属層としての層厚１０ｎｍのＡｌ層６６を形成する。Ａｌ層は一般的には光反射性を有するが、１０ｎｍと極薄く成膜することで、導電性かつ半反射性の層とすることができる。ＩＴＯ層は導電性と透明性とを有しているため、上述のＩＴＯ層とＡｌ層６６との積層体は、半反射性と導電性とを兼ね備えることとなる。なお、上述のＩＴＯ層は、透明平坦化層７４とＡｌ層６６との密着性を改善するために形成するが、第１の本実施形態におけるＩＴＯ層６２と同様に、本発明の具体化において必須のものではない。
【００８８】
次に、図１３（ａ）に示すように、第２の工程として、ＩＴＯ層（図示せず）とＡｌ層６６との積層体をパターニングして、発光領域１９に半反射層２９を形成し、同時に、少なくともコンタクトホール形成領域２３（図３参照）を含み、かつ、発光領域１９とは所定の間隔を有する領域にコンタクトキャップ３０を形成する。
【００８９】
上述の第１の実施形態と同様に、コンタクトホール形成領域２３は、アライメントずれを考慮した上で平面視で第２のコンタクトホール５２を確実に含む領域であり、第２のコンタクトホール５２の周囲を囲む、狭い幅の環状の領域を含む領域である。コンタクトキャップ３０を形成する目的は、ドレイン領域３６と接続する第１の中継電極４１と画素電極２５との接続抵抗の低減である。したがって、コンタクトキャップ３０の形状は半反射層２９との間に所定の間隔を設ければよく、コンタクトホール形成領域２３内に限定される必要はない。そして、上記のパターニング後に、第１の実施形態と同様に第１１の工程として、Ｏ2ガスのプラズマによるプラズマ処理とＣＦ4ガスのプラズマによるプラズマ処理とを連続して行い、半反射層２９とコンタクトキャップ３０の表面に親液性を付与し、かつ透明平坦化層７４の露出している表面に撥液性を付与する。
【００９０】
次に、図１３（ｂ）に示すように、赤色発光領域１９Ｒに形成された半反射層２９上と緑色発光領域１９Ｇに形成された半反射層２９上とに、透明樹脂層７９を形成する。透明樹脂層７９の形成は、上記の第１の実施形態と同様に行う。すなわち、第３の工程として上記２箇所の半反射層２９上にインクジェット法により吐出した（透明樹脂を含む）液状材料Ｃを、第４の工程として加熱あるいは紫外線照射等により硬化させる。透明樹脂層７９の層厚は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同じく、赤色発光領域１９Ｒでは１１５ｎｍ、緑色発光領域１９Ｇでは４５ｎｍである。
【００９１】
次に、図１４に示すように、半反射層２９とコンタクトキャップ３０に跨る、第１の電極としての画素電極２５を形成する。画素電極２５の形成は、上記の第１の実施形態と同様に行う。すなわち、第５の工程として透明基板１１上全面に形成された層厚３０ｎｍのＩＴＯ層を、第６の工程として半反射層２９とコンタクトキャップ３０に跨るようにパターニングして形成する。かかる工程により、コンタクトホール形成領域２３において、駆動用ＴＦＴ１１２のドレイン領域３６と電気的に接続し、（青色発光領域１９Ｂ以外の）発光領域では透明樹脂層７９を介して半反射層２９と対向する画素電極２５が得られる。
【００９２】
次に、図１５に示すように、透明基板１１上の発光領域１９を除く領域に、隔壁７７を形成する。そして、第７の工程として透明基板１１上全面に、発光機能層２６を形成し、更に該発光機能層上に第８の工程として反射性を有する第２の電極としての陰極２８形成する。本実施形態の有機ＥＬ装置２はボトムエミッション型であり陰極は反射層として機能する必要がある。そのため、陰極２８は層厚略１００ｎｍのＡｌで形成し、略１００％の反射性を付与している。発光機能層２６は有機ＥＬ装置１の発光機能層と同一の構成である。
【００９３】
そして陰極２８上に、第１の実施形態と同様に、第１のパシベーション層８５と応力緩和層８６と第２のパシベーション層８７とを順に積層する。そして、第２のパシベーション層８７まで形成された透明基板１１を接着層７８を介して対向基板１３と貼り合わせて有機ＥＬ装置２を得る。対向基板１３は有機ＥＬ装置１で用いる対向基板１２とは異なり、透明を有さない材料からなる基板を用いることができる。
以上の工程により、三種類の有機ＥＬ画素（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の各々において、発光機能層２６で生じた光を陰極２８と半反射層２９との間で共振させた後、該半反射層及びカラーフィルタ７５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を介して矢印の方向に射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置２が得られる。
【００９４】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置２は、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒ及び緑色有機ＥＬ画素２０Ｇが、半反射層２９と画素電極２５との間に透明樹脂層７９を備えているため、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒの共振長７Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇの共振長７Ｇと青色有機ＥＬ画素２０Ｂの共振長７Ｂとが夫々異なる値に設定されている。したがって、有機ＥＬ装置２は、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置１と同様に、発光機能層２６に白色発光機能層を用いているにもかかわらず、カラーフィルタ７５の効果と合わせて、赤、緑、青の三原色の光を射出できる。したがって、本実施形態の製造方法によれば、コストの増加及び歩留りの低下を抑制しつつ、カラー表示が可能なボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を得ることができる。
なお、共振長７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の設定等については、上述の第１の実施形態の製造方法と同一である。
【００９５】
（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態として、駆動素子が形成されている領域に重なるように発光領域１９が形成されている有機ＥＬ装置について述べる。図１６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の、画素領域１０１内の画素電極２５、及び発光領域１９の態様を示す平面図であり、駆動用ＴＦＴ１１２（図２等参照）等は図示を省略している。
【００９６】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１と同様のトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。基本的な構成も有機ＥＬ装置１と同様である。そして、有機ＥＬ画素２０が形成されている領域すなわち発光領域１９が、駆動用ＴＦＴ１１２等の形成領域（図２参照）にまで広がっている点で有機ＥＬ装置１と異なっている。
【００９７】
図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ装置１と同様に、コンタクトキャップ２２が第２のコンタクトホール５２の形成領域を含む領域に形成されている。発光領域１９（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、走査線１０２と信号線１０４と容量線１０６とで囲まれる領域内における、コンタクトキャップ２２が形成されている領域とその周囲の領域を除く略全域に形成されている。夫々の発光領域１９には、図示しない光反射層２１が形成されており、赤色発光領域１９Ｒと緑色発光領域１９Ｇには図示しない透明樹脂層７９が形成されている。また、画素電極２５も、発光領域１９に合わせて、走査線１０２と信号線１０４と容量線１０６とで囲まれる領域の略全域に形成されている。
【００９８】
平坦化層７３により駆動用ＴＦＴ１１２等により生じた段差が解消されているため、上述の領域全体で平坦な光反射層２１等が形成でき、透明樹脂層７９により各発光領域１９において夫々最適な共振長７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が形成されている。そして、トップエミッション型であるため、駆動用ＴＦＴ１１２等に妨げられることなく発光領域１９から光を射出できる。したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置は、色純度の向上した光を高い開口率で射出でき、表示品質がより一層向上している。
【００９９】
（変形例１）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、青色有機ＥＬ画素２０Ｂには透明樹脂層７９を形成していない。しかし本発明は、青色有機ＥＬ画素２０Ｂにも透明樹脂層７９を形成する態様としても具体化できる。上記の第１〜第３の実施形態の青色有機ＥＬ画素２０Ｂにおいては、画素電極２５の光学的距離と発光機能層２６の光学的距離との合計は青色光の共振長となるように、すなわち青色光を共振により強調する層厚となるように定められている。しかし、発光機能を優先した場合、上述の合計の光学的距離が青色光の共振長と一致しにくい場合もあり得る。特に発光機能層２６は３色の有機ＥＬ画素２０に共通なので、全ての条件を満足させる層厚の設定が困難な場合もあり得る。かかる場合、青色有機ＥＬ画素２０Ｂにも透明樹脂層７９を形成して、発光機能層２６は発光の機能を満足させる様に形成しつつ、共振長７Ｂ、すなわち青色有機ＥＬ画素２０Ｂの光反射層２１と陰極２７との間の光学的距離を青色光を強調するために好適な値とすることができる。
【０１００】
（変形例２）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒと緑色有機ＥＬ画素２０Ｇとに透明樹脂層７９を形成している。しかし本発明は、上記二種類の有機ＥＬ画素の双方又は少なくとも一方には、透明樹脂層７９を形成しない態様としても具体化できる。
発光機能層２６の発光色が略完全な白色ではなく赤色又は緑色に偏った色の光である場合があり得る。また、第１の電極の光学的距離と発光機能層２６の光学的距離との和が赤色光又は緑色光のどちらかの光の共振長と略一致する場合もあり得る。かかる有機ＥＬ装置の場合、共振長７を透明樹脂層７９によって調整する必要がないため、上記二種類の有機ＥＬ画素の双方又は少なくとも一方には透明樹脂層７９を形成しなくとも三原色光を射出でき、カラー画像の表示が可能となる。
【０１０１】
（変形例３）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、ドレイン領域３６上に形成した第１の中継電極４１を駆動素子（駆動用ＴＦＴ１１２）の電極とし、光反射層２１と同一の材料層をパターニングして得られるコンタクトキャップ２２は、該第１の中継電極と接続させている。しかし本発明は、ドレイン領域３６を駆動素子の電極として、該ドレイン領域にコンタクトキャップ２２を介して画素電極２５を接続する態様としても具体化できる。また、第１の層間絶縁層７１と平坦化層７３とを共通の層として、該共通の層に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域３６とコンタクトキャップ２２を直接接続させることもできる。
【０１０２】
（変形例４）
上記の第１〜第３の実施形態の有機ＥＬ装置では、発光機能層２６は３色の有機ＥＬ画素２０で共通である。しかし本発明は、有機ＥＬ画素２０毎に異なる発光機能層２６を用いる態様としても具体化できる。発光機能層２６を構成する複数の層の内、特に発光層を有機ＥＬ画素２０毎に異なる材料で形成すればよい。具体的には、赤色有機ＥＬ画素２０Ｒには赤色光発光層、緑色有機ＥＬ画素２０Ｇには緑色光発光層、青色有機ＥＬ画素２０Ｂには青色光発光層、を夫々形成して、各有機ＥＬ画素の発光色に近い波長範囲の光を発光させる。かかる構成であれば、共振の効果と合わせて、より一層色純度の向上を計ることができる。そして共振により充分に色純度を向上させることで、カラーフィルタ層７６を用いない態様も可能である。
なお、有機ＥＬ画素毎に異なる発光層を形成する手法としては、マスクスパッタにより局所的に該発光層を形成する手法が好ましい。液滴吐出法を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】発光装置としての有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。
【図２】画素領域内における、画素を構成する各要素の配置を示す模式平面図。
【図３】コンタクトキャップの形状の例を示す図。
【図４】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図５】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図６】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図７】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図８】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１０】第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１１】第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１２】第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１３】第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１４】第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１５】第２の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１６】第３の実施形態の有機ＥＬ装置の発光領域等を示す模式平面図。
【符号の説明】
【０１０４】
１…第１の実施形態の有機ＥＬ装置、２…第２の実施形態の有機ＥＬ装置、７…共振長、７Ｂ…青色有機ＥＬ画素の共振長、７Ｇ…緑色有機ＥＬ画素の共振長、７Ｒ…赤色有機ＥＬ画素の共振長、１０…基板、１１…透明基板、１２…対向基板、１３…対向基板、１９…発光領域、１９Ｒ…赤色発光領域、１９Ｇ…緑色発光領域、１９Ｂ…青色発光領域、２０…発光画素としての有機ＥＬ画素、２０Ｒ…赤色発光画素としての赤色有機ＥＬ画素、２０Ｇ…緑色発光画素としての緑色有機ＥＬ画素、２０Ｂ…青色発光画素としての青色有機ＥＬ画素、２１…光反射層、２２…コンタクトキャップ、２３…コンタクトホール形成領域、２５…第１の電極としての画素電極、２６…白色発光機能層、２７…第２の電極としての陰極、２８…第２の電極としての陰極、２９…半反射層、３０…コンタクトキャップ、３１…第１の半導体層、３２…第２の半導体層、３３…第１のゲート電極、３４…第２のゲート電極、３５…ソース領域、３６…ドレイン領域、３７…ソース領域、３８…ドレイン領域、４１…駆動素子の電極としての第１の中継電極、４２…第１の中継電極、４３…下部電極、４４…上部電極、５１…第１のコンタクトホール、５２…第２のコンタクトホール、５３…第３のコンタクトホール、５４…第４のコンタクトホール、５５…第５のコンタクトホール、５６…第６のコンタクトホール、５７…第７のコンタクトホール、６２…密着改善層としてのＩＴＯ層、６３…金属層としてのＡｌ層、６５…ＩＴＯ層、６６…金属層としてのＡｌ層、７０…ゲート絶縁層、７１…第１の層間絶縁層、７２…第２の層間絶縁層、７３…有機材料層としての平坦化層、７４…有機材料層としての透明平坦化層、７５…カラーフィルタ、７５Ｂ…青色カラーフィルタ、７５Ｇ…緑色カラーフィルタ、７５Ｋ…ブラックマトリクス、７５Ｒ…赤色カラーフィルタ、７６…カラーフィルタ層、７７…隔壁、７８…接着層、７９…透明樹脂層、８１…ノズル、８５…第１のパシベーション層、８６…応力緩和層、８７…第２のパシベーション層、１００…表示領域、１０１…画素領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…容量線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動素子としての駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、Ａ…酸素含有ガスとしてのＯ2ガスのプラズマ、Ｂ…フッ素含有ガスとしてのＣＦ4ガスのプラズマ、Ｃ…透明樹脂を含む液状材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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