(57)【要約】【課題】電極に接触するように設けられた補助電極を備える、発光特性に優れた有機発光装置、およびかかる有機発光装置を備える電子機器を提供すること。【解決手段】表示装置１０は、ＴＦＴ回路基板２０と、陽極３と、陽極３上に設けられた有機半導体層７と、有機半導体層７を囲む隔壁部３５と、陽極３と対向配置された陰極８と、陰極８に接触して、陰極８全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極４とを備え、補助電極４は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、補助電極４は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、補助電極４の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、補助電極４の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、陰極８と接合している。【選択図】図１
2009302025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記補助電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記補助電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記補助電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記補助電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記補助電極中の前記脱離基は、前記補助電極の表面付近に偏在している請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項７】
板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項８】
前記補助電極は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記補助電極は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項８または９に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項８ないし１０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記脱離基は、アルキル基である請求項１１に記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項８ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記金属原子は、コバルト、ニッケル、銅、ロジウム、銀、タンタル、タングステン、金およびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項７ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記補助電極中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項７ないし１４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記エネルギーの付与は、前記補助電極にエネルギー線を照射する方法により行われる請求項１ないし１５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１７】
前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極である請求項１ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記補助電極は、前記隔壁部と前記第２の電極との間に設けられている請求項１ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極と隔壁部とを包含するように一体的に設けられている請求項１ないし１８のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記補助電極は、前記第２の電極よりも電気抵抗が低い請求項１ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものである請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記補助電極は、その平均厚さが１０〜２０００ｎｍのものである請求項２１に記載の有機発光装置。
【請求項２３】
前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものである請求項２０ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２４】
前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されている請求項１ないし２３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２５】
当該有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし２４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２６】
請求項１ないし２５のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物（発光材料）を含む発光層を有する有機半導体層を挟んだ構成となっており、この発光層に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、発光材料の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る表示装置（有機発光装置）が備える素子として注目を集めている。
【０００３】
ここで、フルカラー表示を実現し得る有機発光装置は、例えば、図１５に示すように、基板が備える複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９１０に対応するように設けられた個別の陽極９２０と、各陽極９２０を囲む枠状の隔壁部９３０と、隔壁部９３０の内側に設けられた発光層９４０と正孔輸送層９５０とを含む有機半導体層９６０と、各有機半導体層９６０および各隔壁部９３０を覆うように設けられた共通電極としての陰極９７０とを備え、陰極９７０側から光を取り出す構成となっているトップエミッション型の有機発光装置９００がある。
【０００４】
このような構成の有機発光装置９００では、有機ＥＬ素子９８０の発光効率をより高めるという観点から、陰極９７０の厚さを可能な限り薄く設定するのが望ましい。ところが、陰極９７０を薄くするにしたがって、陰極９７０全体としての抵抗値は増大することとなる。その結果、有機ＥＬ素子９８０の駆動電圧を高く設定する必要が生じ、これに起因して有機ＥＬ素子９８０の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。
なお、このような有機ＥＬ素子９８０の駆動電圧を高くすることに起因した問題は、陽極９２０側から光を取り出す構成のボトムエミッション型の有機発光装置においても同様に生じている。
【０００５】
このような問題を解決する方法として、陰極９７０に接触する細幅の補助電極を隔壁部９３０の上面に設けることにより、この陰極９７０全体としての電気抵抗を低減させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、補助電極と陰極９７０との構成材料の組み合わせによっては、これら同士の間で十分な密着性が得られないことに起因して剥離が生じ、この剥離が生じた領域において、補助電極を用いた陰極９７０の低抵抗化が十分に行われず、有機発光装置に発光ムラが生じるという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電極に接触するように設けられた補助電極を備える、発光特性に優れた有機発光装置、およびかかる有機発光装置を備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする。
【０００９】
これにより、補助電極は、第２の電極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と第２の電極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極を第２の電極よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、第２の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
かかる脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極に確実に結合しているものとなり、補助電極の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
これにより、補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するとともに、接合膜としての機能も好適に発揮するものとなる。
【００１３】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、補助電極の安定性が高くなり、補助電極を第２の電極に対してより確実に接合することができる。また、補助電極を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記脱離基は、前記補助電極の表面付近に偏在していることが好ましい。
これにより、補助電極に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、補助電極に、接合膜としての機能の他に、導電性特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができる。
【００１５】
本発明の有機発光装置は、板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする。
【００１６】
これにより、補助電極は、第２の電極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と第２の電極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。
【００１７】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
これにより、比較的容易かつ均一な膜厚の補助電極を成膜することができる。
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、補助電極として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。
【００１８】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
これにより、有機物の一部が脱離基としての機能を発揮する補助電極を形成することができる。
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
かかる脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極に確実に結合しているものとなり、補助電極の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１９】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える補助電極は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の有機発光装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、補助電極を確実に形成することができる。
【００２０】
本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、コバルト、ニッケル、銅、ロジウム、銀、タンタル、タングステン、金およびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極を第２の電極よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、第２の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、補助電極の安定性が高くなり、補助電極を第２の電極に対してより確実に接合することができる。また、補助電極を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記補助電極にエネルギー線を照射する方法により行われることが好ましい。
かかる方法は、補助電極に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【００２２】
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極であることが好ましい。
これにより、補助電極は、陰極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と陰極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。
【００２３】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、前記隔壁部と前記第２の電極との間に設けられていることが好ましい。
これにより、発光層の発光による光が第２の電極を透過する際に、補助電極を透過させる必要がない。そのため、補助電極を設けることにより、第２の電極を透過する光の透過率が低下してしまうのを確実に防止することができる。
【００２４】
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極と隔壁部とを包含するように一体的に設けられていることが好ましい。
これにより、第２の電極が各第１の電極に対応する共通電極となり、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。また、第２の電極の補助電極に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、電極全体としての電気抵抗を低減することができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、前記第２の電極よりも電気抵抗が低いことが好ましい。
これにより、補助電極を第２の電極に接触するように設ければ、電極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、第２の電極に電極としての機能を発揮させつつ、第２の電極を透光性に優れたものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、その平均厚さが１０〜２０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、電極全体としての電気抵抗を低減させる補助電極と、第２の電極と補助電極とを接合する接合膜としての機能の双方を補助電極に確実に発揮させることができる。
【００２６】
本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものであることが好ましい。
これにより、有機発光装置が備える複数の有機半導体層を隔壁部により囲むことができ、かかる構成の隔壁部に対応するように補助電極を設ければ、電極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、隔壁部は、補助電極の構成材料との接合性に優れるものとなるため、隔壁部と補助電極との間の接合が強固なものとなる。また、隔壁部を形成する際の加工性に優れるため、寸法精度の高い隔壁部が得られる。
【００２８】
本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
かかる構成の有機発光装置に本発明を適用することにより、第２の電極から高効率で光を透過させることができるとともに、第２の電極の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置について説明する。
【００３０】
＜有機発光装置＞
＜＜第１実施形態＞＞
まず、アクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図、図３は、有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図、図４は、図１に示す表示装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、図１に示す表示装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図６は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図７は、図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図８は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図９は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１０は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１および図４〜１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられ、発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子１Ｒ、緑色（Ｇ）の有機ＥＬ素子１Ｇおよび青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子１Ｂと、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士を囲む隔壁部３５と、隔壁部３５上に設けられた補助電極４と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。
【００３２】
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、各有機ＥＬ素子（有機発光素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９（後述する陰極８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
【００３３】
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００３４】
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
【００３５】
また、図１（図２、図３も同様）に示すように、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、隔壁部（バンク）３５により囲まれており、これにより、隣接する有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士は、１つの有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（単位）毎に区画される。この隔壁部３５は、互いに対向配置された陽極３と陰極８との間に設けられ、これらの電極間の距離を規制する機能も有している。
【００３６】
隔壁部３５は、板状をなす第１隔壁部３１と、第１隔壁部３１上に設けられたブロック状をなす第２隔壁部３２とで構成される。第１隔壁部３１は、隣接する陽極３間をまたぐように設けられている。
また、第１隔壁部３１は、陽極３に接する（接合した）陽極接合部３１１と、ＴＦＴ回路基板２０の回路部２２の上面に接する（接合した）基板接合部３１２とを有している。これにより、隔壁部３５がＴＦＴ回路基板２０に対して確実に固定される。
さらに、第２隔壁部３２は、主に有機半導体層７を包囲する部位である。この第２隔壁部３２は、その両側面３２１が上方に向かって互いに接近するように傾斜した傾斜面となっている。また、第２隔壁部３２の上面（頂面）３２２は、平面を構成している。
【００３７】
このような構成の複数の隔壁部３５は、全体として平面視での形状が格子状をなすように一体的に設けられている（図２参照）。これにより、各隔壁部３５の内側に有機半導体層７（有機ＥＬ素子１）を囲むように設けることができ、このように設けられた有機半導体層７は、マトリクス状をなす。よって、有機ＥＬ素子１を表示装置１０に好適に用いることができる。
【００３８】
第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物（無機材料）や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような樹脂材料（有機材料）が挙げられる。また、第１隔壁部３１の構成材料と第２隔壁部３２の構成材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３９】
第２隔壁部３２の構成材料にシリコン酸化物を用いた場合、第２隔壁部３２の表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料を用いると、後述する補助電極４の構成材料との接合性に優れ、第２隔壁部３２と補助電極４との間の接合を強固なものとすることができる。また、第２隔壁部３２を形成する際の加工性に優れるため、寸法精度の高い第２隔壁部３２が得られる。このため、高精度の表示装置１０が得られる。
【００４０】
また、隔壁部３５の開口の形状は、図２に示す構成では四角形であるが、この他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁部３５の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔輸送層５および発光層６を、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁部３５の内側の空間の隅々にまで確実に、すなわち、過不足なく供給することができる。
このような隔壁部３５の高さは、陽極３、正孔輸送層５および発光層６の合計の厚さや、補助電極４の高さにもよるが、例えば、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００４１】
補助電極（補助陰極）４は、隔壁部３５と後述する陰極８との間に、隔壁部３５（第２隔壁部３２）の形状に対応して設けられている。
この補助電極４は、陰極８と接触することにより、陰極全体としての電気抵抗を低減することを目的に形成されている。
また、本実施形態のように、隔壁部３５と陰極８との間に補助電極４を設ける構成とすることにより、有機半導体層７の発光による光が陰極８を透過する際に、補助電極４を透過させる必要がない。そのため、補助電極４を設けることにより、陰極８を透過する光の透過率が低下してしまうのを確実に防止することができる。
【００４２】
本発明では、この補助電極４の構成に特徴を有し、その詳細については後述する。
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、正孔輸送層５および発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを備える有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとは、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対して個別に形成されており、陰極８は、共通電極とされている。
そして、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、図２に示すように、平面視において、マトリクス状に配置され、２点鎖線で囲まれる部分（３つの有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ）により１画素が構成されている。
【００４３】
なお、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置は、図２に示すものに限定されず、例えば、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すようなものであってもよい。図３（ａ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置の順番が図２に示す構成のものとは異なっている。図３（ｂ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ三角形の頂部に位置するように配置されている。
【００４４】
以下、この有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
表示装置１０では、図１に示すように、個別に（複数）設けられた陽極３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた陰極８と、各陽極３にそれぞれ対応するように陰極８との間に設けられた有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとで、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが構成されている。なお、本実施形態では、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、陽極３側から正孔輸送層５と発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとがこの順で積層された積層体となっている。
【００４５】
なお、以下では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総称して有機ＥＬ素子１と、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを総称して有機半導体層７と、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称して発光層６と言うことがある。
また、陰極８が全陽極３を包含するようなものであることにより、当該陰極８が全陽極３に対応する共通電極となり、個別に陰極８を設けるのが省略され、表示装置１０の構造が簡単なものとなる。
【００４６】
陽極３は、正孔輸送層５（有機半導体層７）に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００４７】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を発光層６において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００４８】
また、このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する発光層６で発光した光が陽極３側で吸収（吸光）されることなく、上基板９側に反射させて、上基板９（陰極８）を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、その少なくとも表面付近を構成することにより形成することができる。
【００４９】
一方、陰極８は、有機半導体層７（発光層６）に電子を注入する電極である。
この陰極８の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する透明導電性材料が選択される。
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極８の厚さが薄すぎると、陰極８としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極８が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
このような陰極８は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極８側から取り出すことができる。
【００５１】
ここで、陰極８は、このような光の透過率が確保されるように、その厚さが上述したような範囲内で可能な限り薄く設定される。そのため、陰極８としての抵抗値が増大することとなる。これにより、補助電極４の形成を省略すると、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を高く設定しなければならず、その結果として、有機ＥＬ素子１の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。また、陽極３と陰極８との間に電圧を印加するための端子は、通常、陰極８の縁部において確保されるが、陰極８抵抗値が大きくなると、この端子から各有機ＥＬ素子１（発光層６）までの距離が異なることに起因して、各画素（有機ＥＬ素子１）の発光を均一に制御すること、すなわち、複数の画素を同時に発光させることが困難となる。
【００５２】
これに対して、陰極８と接触するように隔壁部３５上に補助電極４を設けることにより、陰極８の隔壁部に対応する領域で補助電極４と接触させることができ、陰極８と補助電極４とを合わせた電気抵抗、すなわち、陰極全体としての電気抵抗を低減することができる。その結果、有機ＥＬ素子１の消費電力が低くなり、さらには、有機ＥＬ素子１の長寿命化を図ることができる。
【００５３】
さらに、補助電極４は、図１に示すように、隔壁部３５上に、第２隔壁部３２の形状に対応して設けられている。そのため、上述したような端子を介して陽極３と陰極８との間に電圧を印加したとしても、導電性に優れる補助電極４を介して電流（電子）が流れることから、各画素（有機ＥＬ素子１）をほぼ同時に発光させることができる。
また、陽極３と陰極８との間には、有機半導体層７が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層７は、正孔輸送層５と発光層６とで構成される積層体となっている。
【００５４】
正孔輸送層５は、陽極３から注入された正孔を発光層６まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層５の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等の化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００５５】
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陽極３と正孔輸送層５との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００５６】
ここで、陽極３と陰極８との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層５中を移動して発光層６に注入された正孔と、陰極８から発光層６に注入された電子とが、この発光層６において再結合する。そして、発光層６ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
発光層６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得るようにする。
【００５７】
具体的には、赤色の発光材料（発光層６Ｒの構成材料）としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン）  イリジウム（III）、ポリ［２，５−ビス（３、７−ジメチルオクチロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−（１−シアノビニレン）フェニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］等が挙げられる。
【００５８】
緑色の発光材料（発光層６Ｇの構成材料）としては、例えば、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。
【００５９】
青色の発光材料（発光層６Ｂの構成材料）としては、例えば、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。
【００６０】
また、各発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陰極８と発光層６との間には、陰極８から注入された電子を発光層６まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにしてもよく、さらには、この電子輸送層と陰極８との間に、陰極８から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
【００６１】
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、オキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６２】
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６３】
次に、補助電極４について詳述する。
補助電極４は、前述のように、陰極８と接触することにより、陰極全体としての電気抵抗を低減することを目的に形成され、本実施形態では、隔壁部３５と陰極８との間に、隔壁部３５（第２隔壁部３２）の形状に対応して設けられている。
本発明では、この補助電極４の構成に特徴を有し、補助電極としての機能が好適に発揮し得るように、優れた導電性を発揮して陰極全体としての電気抵抗を低減し得るとともに、陰極８に対して化学的な結合に基づいて強固に接合して補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しが円滑に行い得るものであり、具体的には、補助電極４としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。
【００６４】
以下、ＩおよびIIの構成の補助電極４について、それぞれ、詳述する。
I：  まず、Ｉの構成の補助電極４は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基８０３とを含むものである（図４参照。）。換言すれば、補助電極４は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基８０３を導入したものと言うことができる。
【００６５】
このような補助電極４は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が補助電極４（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図５に示すように、補助電極４の少なくとも表面４５の付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、補助電極４表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、補助電極４は、陰極８に対して、化学的な結合に基づいて接合可能な接合膜として機能するものとなる。そこで、補助電極４の接合膜としての機能が発揮されて、補助電極４と陰極８とが強固に接合されるため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００６６】
また、補助電極４は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基８０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、補助電極４は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、補助電極４自体が寸法精度の高いものとなり、表示装置１０においても、高さのばらつきが生じ難い。そのため、後述する表示装置１０の製造方法において、各補助電極４に陰極８を接合する（貼り合わせる）際に、各補助電極４と陰極８とを確実に接合することができる。
【００６７】
なお、脱離基８０３は、少なくとも補助電極４の表面４５付近に存在していればよく、補助電極４のほぼ全体に存在していてもよいし、補助電極４の表面４５付近に偏在していてもよい。なお、脱離基８０３が表面４５付近に偏在する構成とすることにより、補助電極４に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、補助電極４に、接合膜としての機能の他に、導電性特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
以上のような補助電極４としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
【００６８】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）、Ｓｂ（アンチモン）およびＡｌ（アルミニウム）のうちの１種または２種以上を含有するものが好適に用いられる。補助電極４を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基８０３を導入したものとすることにより、補助電極４は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極４を陰極８よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、陰極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。
【００６９】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）およびインジウムオキサイド（ＩＯ）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７０】
また、補助電極４中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、補助電極４の安定性が高くなり、補助電極４を陰極８に対してより確実に接合することができる。また、補助電極４を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００７１】
また、脱離基８０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、補助電極４に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極４に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００７２】
かかる観点から、脱離基８０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、補助電極４の接着性をより高度なものとすることができる。
【００７３】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の補助電極４では、脱離基８０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３として水素原子を備える補助電極４は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００７４】
以上のことを考慮すると、補助電極４としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）およびインジウムオキサイド（ＩＯ）の金属酸化物に、脱離基８０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
【００７５】
II：  次に、IIの構成の補助電極４は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３を含むものである（図８参照。）。
このような補助電極４は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が補助電極４の少なくとも表面４５付近から脱離し、図９に示すように、補助電極４の少なくとも表面４５付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、補助電極４の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、補助電極４は、陰極８に対して、化学的な結合に基づいて接合可能な接合膜として機能するものとなる。そこで、補助電極４の接合膜としての機能が発揮されて、補助電極４と陰極８とが強固に接合されるため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００７６】
また、補助電極４は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、補助電極４は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、補助電極４自体が寸法精度の高いものとなり、表示装置１０においても、高さのばらつきが生じ難い。そのため、後述する表示装置１０の製造方法において、各補助電極４に陰極８を接合する（貼り合わせる）際に、各補助電極４と陰極８とを確実に接合することができる。
以上のような補助電極４としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基８０３が選択される。
【００７７】
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕのような遷移金属元素、Ａｌのような典型金属元素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を含有するものが好適に用いられる。補助電極４を金属原子として、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、ＡｕおよびＡｌのうちの少なくとも１種を含むものとすることにより、補助電極４は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極４を陰極８よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、陰極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。
【００７８】
また、補助電極４を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属原子を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の補助電極４を成膜することができる。
なお、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、補助電極４に発現する接着性をより高めることができる。
【００７９】
また、脱離基８０３は、前述したように、補助電極４から脱離することにより、補助電極４に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極４に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００８０】
具体的には、IIの構成の補助電極４では、脱離基８０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、補助電極４の接着性をより高度なものとすることができる。
【００８１】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基８０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３としてアルキル基を備える補助電極４は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【００８２】
また、かかる構成の補助電極４において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、補助電極４の安定性が高くなり、補助電極４を陰極８に対してより確実に接合することができる。また、補助電極４を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００８３】
また、補助電極４の平均厚さは、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、３００〜１５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。補助電極４の平均厚さを前記範囲内とすることにより、補助電極と接合膜との双方の機能を補助電極４に確実に発揮させることができる。
さらに、補助電極４の平均厚さが前記範囲内であれば、補助電極４にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第２隔壁部３２の接合面（補助電極４に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように補助電極４を成膜させることができる。その結果、補助電極４は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、補助電極４に陰極８を接合した際に、補助電極４の陰極８に対する密着性を高めることができる。
【００８４】
なお、上記のような形状追従性の程度は、補助電極４の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内で、補助電極４の厚さをできるだけ厚くすればよい。
なお、本実施形態では、上基板９（陰極８）側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置１０に補助電極４を設ける場合について説明したが、このような場合に限定されず、ＴＦＴ回路基板２０（陽極３）側から光を取り出すボトムエミッション型の表示装置に補助電極を設けるようにしてもよい。
【００８５】
なお、ボトムエミッション型の表示装置は、トップエミッション型の表示装置と比較して、ＴＦＴ回路基板２０に駆動用ＴＦＴ２４が存在するため、光を取り出す領域の面積が制限される。すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の開口率が低下する。そのため、より高い発光輝度を得るためには、有機ＥＬ素子の駆動電圧を高く設定する必要が生じ、これに起因して有機ＥＬ素子の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。このようなボトムエミッション型の表示装置の陽極に接触するように補助電極を設けると、トップエミッション型の表示装置に適用した場合と同様に、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低くすることができ、上述したような問題を解消することができる。
【００８６】
また、本発明は、本実施形態で説明したような、ＴＦＴ回路基板２０上に陽極３、正孔輸送層５、発光層６および陰極８がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に適用できる他、ＴＦＴ回路基板２０上に個別の陰極、個別の発光層、個別の正孔輸送層および共通の陽極がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子を備える表示装置にも適用することができる。この場合、陽極（共通電極）の電気抵抗を低下させることを目的に、陽極３に接触するように、隔壁部３５上に補助電極（補助陽極）を設けるようにすればよい。
【００８７】
以上のような表示装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、複数の陽極（個別電極）３が設けられたＴＦＴ回路基板２０を用意する（第１の工程）。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【００８８】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域に重なるようにラインビームを走査する。
【００８９】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００９０】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【００９１】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００９２】
［１−Ｅ］次に、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、各配線２７に接触するように、複数の陽極（個別電極）３を形成する（第１の工程）。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【００９３】
［２］次に、第２層間絶縁層２６上に、各陽極３を囲む（区画する）ように、すなわち、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を囲むように、隔壁部（バンク）３５と補助電極４とをこの順で積層した状態で形成する。
このような隔壁部３５および補助電極４は、例えば、第２層間絶縁層２６上に第１隔壁部３１を形成した後、この第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２と補助電極４とを一括して形成することにより得ることができる。
【００９４】
以下、かかる方法により、隔壁部３５および補助電極４を形成する場合について説明する。
［２−Ａ］  まず、第２層間絶縁層２６上に第１隔壁部３１を形成する。
この第１隔壁部３１は、例えば、陽極３および第２層間絶縁層２６を覆うように絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより形成される。
【００９５】
［２−Ｂ］  次に、第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２と補助電極４とを一括して形成する。
このような第２隔壁部３２および補助電極４は、例えば、第１隔壁部３１および陽極３を覆うように、第２隔壁部３２とすべき絶縁膜を形成し、さらにこの絶縁膜を覆うように、補助電極４とすべき接合膜を形成した後に、フォトリソグラフィー法等を用いて、これら絶縁膜と接合膜とを一括してパターニングすることにより形成される。
【００９６】
本発明では、補助電極４の構成に特徴を有し、補助電極４は、前述したようにＩおよびIIの構成のものが挙げられるが、それぞれ、各構成の接合膜を以下のようにして形成した後、得られた接合膜をパターニングすることにより形成することができる。
I：  まず、Ｉの構成の補助電極（接合膜）４は、補助電極４のほぼ全体に脱離基８０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、補助電極（接合膜）４の表面４５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成することができる。
【００９７】
以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、第２隔壁部３２とすべき絶縁膜上に、補助電極４とすべき接合膜を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ：  Ｉ−Ａの方法では、接合膜は、上記のように、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を絶縁膜に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することができるため、接合膜のほぼ全体に亘って脱離基８０３を導入することができる。
【００９８】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜（補助電極４）は、陰極８に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で形成された接合膜は、絶縁膜に対しても高い密着性を示す。このため、接合膜（補助電極４）を介して陰極８と絶縁膜（第２隔壁部３２）との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、表示装置１０の製造工程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００９９】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１００】
以下、ＰＶＤ法により接合膜を形成する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）を用いる場合を代表に説明する。
まず、接合膜の成膜方法を説明するのに先立って、絶縁膜の接合面にイオンビームスパッタリング法により接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図６に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による補助電極４の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、絶縁膜が形成されたＴＦＴ回路基板（成膜対象物）２０を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【０１０１】
また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、絶縁膜上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１０２】
イオン源（イオン銃）２１５は、図７に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図６に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。
【０１０３】
このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
【０１０４】
この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。
【０１０５】
また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜の成膜速度をより速くすることができる。
【０１０６】
また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６および絶縁膜が設けられたＴＦＴ回路基板２０が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１０７】
さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。
【０１０８】
以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして接合膜が形成される。
まず、絶縁膜が形成されたＴＦＴ回路基板（以下、単に「ＴＦＴ回路基板」と言うこともある。）２０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１０９】
さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０１１０】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１１１】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、金属酸化物材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基８０３が導入される。そして、この脱離基８０３が導入された金属酸化物が絶縁膜の接合面上に被着することにより、接合膜が形成される。
【０１１２】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された補助電極４に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜の成膜中に導入された脱離基８０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基８０３が存在する接合膜を成膜することができる。
【０１１３】
Ｉ−Ｂ：  また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。
【０１１４】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０１１５】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、絶縁膜上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１６】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基８０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基８０３の量、さらには脱離基８０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０１１７】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０１１８】
まず、ＴＦＴ回路基板２０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０１１９】
次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０１２０】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、金属酸化物材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、絶縁膜上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
【０１２１】
次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、ＴＦＴ回路基板２０、第１隔壁部３１、絶縁膜および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３を導入することができる。
【０１２２】
次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３が導入されて、接合膜が形成される。
【０１２３】
脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０１２４】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０１２５】
導入する脱離基８０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面４５付近に脱離基８０３が偏在する接合膜を成膜することができる。
【０１２６】
II：  次に、IIの構成の補助電極（接合膜）４は、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して補助電極（接合膜）４を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して補助電極（接合膜）４を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて補助電極（接合膜）４を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により補助電極（接合膜）４を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の補助電極（接合膜）４を形成することができる。
【０１２７】
以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて補助電極（接合膜）４を形成する方法により、補助電極４とすべき接合膜を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。
【０１２８】
図１０に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による補助電極４の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、ＴＦＴ回路基板（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１２９】
基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、絶縁膜上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、ＴＦＴ回路基板２０および形成された接合膜が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１３０】
有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
【０１３１】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて節後膜を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基８０３として残存させた状態で接合膜が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３２】
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜に過度の酸素原子が残存することなく、補助電極４を成膜することができる。その結果、この補助電極４は、膜中における有機物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１３３】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
【０１３４】
以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして絶縁膜上に接合膜が形成される。
まず、ＴＦＴ回路基板（以下、単に「ＴＦＴ回路基板」と言うこともある。）２０を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。
【０１３５】
次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１３６】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜の種類、すなわち、接合膜を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜を成膜することができる。
【０１３７】
次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、絶縁膜上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、絶縁膜の接合面上に接合膜を形成することができる。
【０１３８】
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基８０３としての機能を発揮する接合膜を絶縁膜上に形成することができる。
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜を確実に形成することができる。
【０１３９】
また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、絶縁膜上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜を成膜することができる。
【０１４０】
以上のように、接合膜を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基８０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基８０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基８０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、絶縁膜上に接合膜を成膜することができる。
【０１４１】
なお、絶縁膜の接合面には、上記の方法により接合膜を形成するのに先立って、絶縁膜の構成材料に応じて、あらかじめ、絶縁膜と接合膜との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、絶縁膜の接合面を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、絶縁膜と接合膜との接合を確実に行うことができる。
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜を形成するために、絶縁膜の表面を特に最適化することができる。
【０１４２】
また、絶縁膜の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる絶縁膜の構成材料としては、例えば、各種金属酸化物系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された絶縁膜は、接合面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された絶縁膜を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、絶縁膜と接合膜とを強固に接合することができる。
なお、この場合、絶縁膜の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
以上のようにして、絶縁膜の接合面に接合膜を設けることができる。
【０１４３】
［３］次に、各陽極３上に、すなわち、各隔壁部３５の内側に、それぞれ、正孔輸送層５および発光層６をこの順で積層して有機半導体層７を形成する。
［３−Ａ］まず、各陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層５を形成する。
この正孔輸送層５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層５の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、正孔輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。
【０１４４】
具体的には、正孔輸送層形成用の液状材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
用いる液状材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【０１４５】
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁部３５により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層５（有機ＥＬ素子１）の輪郭形状が正確に規定される。
【０１４６】
［３−Ｂ］次に、各正孔輸送層５上に、発光層６を形成する。
この発光層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。また、インクジェット法を用いることにより、複数色の発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの塗り分けを容易に行うことができるという利点も得られる。
【０１４７】
［４］次に、補助電極４の表面４５に対して、エネルギーを付与する。
ここで、補助電極４にエネルギーを付与すると、補助電極４では、脱離基８０３の結合手が切れて補助電極４の表面４５付近から脱離し、脱離基８０３が脱離した後には、活性手が補助電極４の表面４５付近に生じる。これにより、補助電極４の表面４５に、陰極８との接着性が発現する。
このような状態の補助電極４は、陰極８と、化学的な結合に基づいて接合し得るものであるため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。そのため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができ、補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。
【０１４８】
ここで、補助電極４に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、補助電極４にエネルギー線を照射する方法、補助電極４を加熱する方法、補助電極４に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、補助電極４をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、補助電極４をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、補助電極４にエネルギーを付与する方法として、特に、補助電極４にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、補助電極４に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
【０１４９】
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、補助電極４中の脱離基８０３を確実に脱離させることができる。これにより、補助電極４の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、補助電極４に接着性を確実に発現させることができる。
【０１５０】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基８０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、補助電極４の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと補助電極４との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１５１】
また、紫外線を照射する時間は、補助電極４の表面４５付近の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、補助電極４に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、補助電極４が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、補助電極４の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１５２】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、補助電極４のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による補助電極４の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、補助電極４の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【０１５３】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って補助電極４に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【０１５４】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を補助電極４の表面４５付近から確実に切断することができる。
【０１５５】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を補助電極４から確実に切断することができる。
【０１５６】
また、補助電極４に照射するレーザ光は、その焦点を、補助電極４の表面４５に合わせた状態で、この表面４５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面４５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、補助電極４の表面４５に存在する脱離基８０３を選択的に脱離させることができる。
【０１５７】
また、補助電極４に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、補助電極４の表面４５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与によるＴＦＴ回路基板２０および補助電極４の変質・劣化、すなわち得られる表示装置１０の変質・劣化を防止することができる。
【０１５８】
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、補助電極４から脱離する脱離基８０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基８０３の脱離量を調整することにより、補助電極４と陰極８との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基８０３の脱離量を多くすることにより、補助電極４の表面４５付近に、より多くの活性手が生じるため、補助電極４に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基８０３の脱離量を少なくすることにより、補助電極４の表面４５付近に生じる活性手を少なくし、補助電極４に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１５９】
ここで、エネルギーが付与される前の補助電極４は、図４および図８に示すように、その表面４５付近に脱離基８０３を有している。かかる補助電極４にエネルギーを付与すると、脱離基８０３（図４では、水素原子、図８では、メチル基）が補助電極４から脱離する。これにより、図５および図９に示すように、補助電極４の表面４５に活性手８０４が生じ、活性化される。その結果、補助電極４の表面に接着性が発現する。
【０１６０】
ここで、本明細書中において、補助電極４が「活性化された」状態とは、上述のように補助電極４の表面４５および内部の脱離基８０３が脱離して、補助電極４の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、補助電極４が「活性化された」状態と言うこととする。
したがって、活性手８０４とは、図５および図９に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手８０４が存在するようにすれば、補助電極４に対して、陰極８をより確実に接合することが可能となる。
【０１６１】
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、補助電極４に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
また、本実施形態では、補助電極４と陰極８とを接着する前に、予め、補助電極４に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、補助電極４と陰極８とを接合する（補助電極４上に陰極８を重ね合わせる）際、または重ね合わせた後に行うようにしてもよい。
【０１６２】
［５］  次に、共通の陰極８が設けられた上基板９を用意し、前記工程［４］において接着性が発現した補助電極４が設けられたＴＦＴ回路基板２０と、陰極８と補助電極４とを対向するようにして重ね合わせる。
これにより、補助電極４に接着性が発現しているため、陰極８と補助電極４とが接合されて、表示装置１０が製造される。
【０１６３】
ここで、本工程において、陰極８と補助電極４とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、陰極８の補助電極４との接合に供される領域に、水酸基が露出していると、本工程において、陰極８と補助電極４とを接触させたとき、補助電極４の表面４５に存在する水酸基と、陰極８に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、陰極８と補助電極４とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、陰極８と補助電極４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、陰極８と補助電極４とが接合されると推察される。
【０１６４】
かかるメカニズムによる陰極８と補助電極４との接合は、化学的な結合に基づいて接合するものであるため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。そのため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができ、補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、製造された表示装置１０は、このものが備える各有機ＥＬ素子１間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。
なお、上基板９への陰極８の形成は、前述したような陰極８の構成材料を原料として用いた、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により行うことができる。
【０１６５】
また、上基板９は、有機ＥＬ素子１を保護する保護基板としての機能を有する。このような上基板９を、陰極８上に設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
なお、補助電極４と陰極８とを接合した後に、必要に応じ、以下の２つの工程（［６Ａ］および［６Ｂ］）のうちの少なくとも一方の工程（補助電極４と陰極８との接合をより確実にするための工程）を行うようにしてもよい。これにより、補助電極４と陰極８との接合がより確実なものなる。
【０１６６】
［６Ａ］  本工程では、得られたバンプ表示装置１０を、補助電極４と陰極８とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、陰極８の表面に、補助電極４の表面がより近接し、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
また、表示装置１０を加圧することにより、補助電極４と陰極８との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、表示装置１０を加圧する際の圧力は、表示装置１０が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。
【０１６７】
なお、この圧力は、補助電極４および陰極８の各構成材料等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、補助電極４および陰極８の各構成材料等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、補助電極４および陰極８の各構成材料によっては、補助電極４および陰極８等に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、バンプ搭載基板を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６８】
［６Ｂ］  本工程では、得られた表示装置１０を加熱する。
これにより、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。
【０１６９】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［６Ａ］、［６Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をさらに確実なものとすることができる。
以上のような工程を行うことにより、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【０１７０】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、アクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態について説明する。
図１１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１７１】
図１１に示す型表示装置１０は、補助電極４が隔壁部３５の形状に対応することなく、陰極８の形状に対応して、すなわち陰極８を覆うように形成されていること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。
かかる構成の表示装置１０では、隔壁部３５に対応する領域で補助電極４と陰極８とが化学的な結合に基づいて接合するばかりでなく、有機半導体層７に対応する領域でも補助電極４と陰極８とが化学的な結合に基づいて接合している。さらに、有機半導体層７に対応する領域において、補助電極４と発光層６（有機半導体層７）とが化学的な結合に基づいて結合している。
そのため、本実施形態では、補助電極４を介して、陰極８と発光層６とが化学的な結合に基づいて結合していることから、これら同士間における電子の受け渡しがより円滑に行われるようになり、発光層６への電子の注入効率を確実に向上させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１は、優れた発光特性を有するものとなる。
【０１７２】
＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の有機発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１２は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１７３】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１７４】
図１３は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１７５】
図１４は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１７６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１７７】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１７８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１７９】
なお、本発明の電子機器は、図１２のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１３の携帯電話機、図１４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１８０】
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、本発明の有機発光装置は、前記実施形態で説明したような、各有機ＥＬ素子がそれぞれ異なる発光色（赤色、緑色および青色）を発光するフルカラー表示のものに限定されず、各有機ＥＬ素子が同一の発光色（例えば、白色）を発光する単色（モノカラー）表示のものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図である。
【図３】有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図である。
【図４】本発明の有機発光装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図５】本発明の有機発光装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図６】Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図７】図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図８】本発明の有機発光装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図９】本発明の有機発光装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１０】IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１５】従来のアクティブマトリクス型表示装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１８２】
１、１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ……有機ＥＬ素子  ３……陽極  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  ３５……隔壁部  ４……補助電極  ５……正孔輸送層  ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……発光層  ７、７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ……有機半導体層（有機半導体層積層体）  ８……陰極（第２の電極）  ４５……表面  ９……上基板（保護基板）  １０……表示装置  ２０……ＴＦＴ回路基板（基板）  ２００、５００……成膜装置  ２１……基板  ２１１、５１１……チャンバー  ２１２、５１２……基板ホルダー  ２１５……イオン源  ２１６……ターゲット  ２１７……ターゲットホルダー  ２１９……ガス供給源  ２２……回路部  ２２０……第１のシャッター  ２２１……第２のシャッター  ２３……下地保護層  ２３０、５３０……排気手段  ２３１、５３１……排気ライン  ２３２、２６２、５３２、５６４、５７４……ポンプ  ２３３、２６３、５３３、５６３、５７３……バルブ  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２５０……開口  ２５３、２５４……グリッド  ２５５……磁石  ２５６……イオン発生室  ２５７……フィラメント  ２６……第２層間絶縁層  ２６０、５７０……ガス供給手段  ２６１、５６１、５７１……ガス供給ライン  ２６４、５６５、５７５……ガスボンベ  ２７……配線  ３１１……陽極接合部  ３１２……基板接合部  ３２１……側面  ３２２……上面  ５２１……シャッター  ５６０……有機金属材料供給手段  ５６２……貯留槽  ８０３……脱離基  ８０４……活性手  ９００……有機発光装置  ９２０……陽極  ９３０……隔壁部  ９４０……発光層  ９５０……正孔輸送層  ９６０……有機半導体層  ９７０……陰極  ９８０……有機ＥＬ素子  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  Ｂ……イオンビーム
【図１】
2009302025.tif 000003
【図２】
2009302025.tif 000004
【図３】
2009302025.tif 000005
【図４】
2009302025.tif 000006
【図５】
2009302025.tif 000007
【図６】
2009302025.tif 000008
【図７】
2009302025.tif 000009
【図８】
2009302025.tif 000010
【図９】
2009302025.tif 000011
【図１０】
2009302025.tif 000012
【図１１】
2009302025.tif 000013
【図１２】
2009302025.tif 000014
【図１３】
2009302025.tif 000015
【図１４】
2009302025.tif 000016
【図１５】
2009302025.tif 000017