(57)【要約】【課題】マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができるパターン描画装置を提供する。【解決手段】本実施形態のパターン描画装置１は、マスク中に含まれる複数のサブ領域を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果に基づいて各サブ領域の検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。このため、検査結果を考慮した適正な順序で複数のサブ領域を検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い汚れを早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。【選択図】図６
2009237292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項２】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
描画すべきパターンに応じた透光部および遮光部を有する複数枚のマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項３】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する光変調手段と、
前記光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項４】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する複数個の光変調手段と、
前記複数個の光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン描画装置において、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段を更に備え、
前記優先順位変更手段は、前記検査手段の検査結果と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動とに基づいて、前記優先順位を変更することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項６】
請求項５に記載のパターン描画装置において、
前記優先順位変更手段は、前記検査手段の検査結果と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動とに、それぞれ所定の係数を乗じて両者を合算した値に基づいて、前記優先順位を変更することを特徴とするパターン描画装置。
【請求項７】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、
前記変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項８】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有する複数枚のマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、
前記増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項９】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する光変調手段と、
前記光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、
前記変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項１０】
基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、
表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、
光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する複数個の光変調手段と、
前記複数個の光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、
前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、
前記複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、
前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、
前記増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれかに記載のパターン描画装置において、
前記検査手段は、前記光照射手段から照射される光を撮影する撮影手段を有し、前記撮影手段により取得された画像データに基づいて検査を行うすることを特徴とするパターン描画装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のパターン描画装置において、
基板に対する描画処理が実行中であるか否かを判断し、実行中でないときに前記検査手段による検査を実行させる制御手段を更に備えることを特徴とするパターン描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーフィルタ用ガラス基板、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、半導体基板、プリント基板等の基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の製造工程では、感光材料が塗布された基板の表面に光を照射することにより、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置が使用されている。パターン描画装置は、基板を載置するステージと、ステージ上に載置された基板の上面に光を照射する複数の光学ヘッドとを備え、ステージとともに基板を水平方向に移動させつつ、複数の光学ヘッドから光を照射することにより、基板の上面に所定のパターンを描画する。
【０００３】
パターン描画装置の各光学ヘッドには、描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するガラス板であるマスクが搭載されている。パターン描画装置は、光源から出射された光を、各光学ヘッドに搭載されたマスクを介して基板の上面に照射することにより、マスク上に形成されたパターンを基板の上面に投影する。
【０００４】
このような従来のパターン描画装置については、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４５７４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来のパターン描画装置を長期にわたって使用すると、各光学ヘッドに搭載されたマスクに微細なパーティクル等の汚れが付着する可能性がある。このため、パターン描画装置を使用する製造工程では、パターン描画装置の各光学ヘッドに搭載されたマスクが定期的に検査され、必要に応じてマスクの洗浄が実施されている。また、マスクの汚れを検査する際には、マスク上の微細な汚れをも検出するべく、マスクの主面を複数の（例えば数百程度の）狭小な検査領域に分割して、各検査領域について順次に検査が実行されている。
【０００７】
しかしながら、従来では、複数枚のマスクの検査順序や、各マスクに含まれる複数の検査領域の検査順序は、予め一定の順序に定められていた。そして、パターン描画装置においてマスクの検査を繰り返し実行するときにも、複数枚のマスクの複数の検査領域は、一定の順序で検査されていた。このため、従来のパターン描画装置では、マスク上の緊急性の高い汚れを発見するまでに時間が掛かり、その結果、マスクの検査時間が長くなってパターン描画装置の生産性を低下させてしまうという問題があった。
【０００８】
また、近年では、マスクの代わりにＧＬＶ（グレーチングライトバルブ）（登録商標）やＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）等の光変調手段を使用して所定のパターン光を形成するパターン描画装置も提案されている。このようなパターン描画装置においても、光変調素子の欠陥検査を行う際に上記と同様の問題が生じる。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、マスク又は光変調手段上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスク又は光変調手段の検査時間を短縮することができるパターン描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項２に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、描画すべきパターンに応じた透光部および遮光部を有する複数枚のマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項３に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する光変調手段と、前記光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する複数個の光変調手段と、前記複数個の光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４までのいずれかに記載のパターン描画装置において、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段を更に備え、前記優先順位変更手段は、前記検査手段の検査結果と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動とに基づいて、前記優先順位を変更することを特徴とする。
【００１５】
請求項６に係る発明は、請求項５に記載のパターン描画装置において、前記優先順位変更手段は、前記検査手段の検査結果と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動とに、それぞれ所定の係数を乗じて両者を合算した値に基づいて、前記優先順位を変更することを特徴とする。
【００１６】
請求項７に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項８に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有する複数枚のマスクを介して、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、前記増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項９に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する光変調手段と、前記光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、前記変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
請求項１０に係る発明は、基板の表面に所定のパターンを描画するパターン描画装置において、表面に感光材料の層が形成された基板を保持する保持手段と、光源からの光を変調し、基板に描画すべきパターンの像を形成する複数個の光変調手段と、前記複数個の光変調手段にて形成されたパターンの像を、前記保持手段に保持された基板の表面に照射する光照射手段と、前記保持手段と前記光照射手段とを相対的に移動させる移動手段と、前記複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、前記検査手段による検査を複数回行うときに、前記検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、前記増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて前記優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
請求項１１に係る発明は、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載のパターン描画装置において、前記検査手段は、前記光照射手段から照射される光を撮影する撮影手段を有し、前記撮影手段により取得された画像データに基づいて検査を行うすることを特徴とする。
【００２１】
請求項１２に係る発明は、請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のパターン描画装置において、基板に対する描画処理が実行中であるか否かを判断し、実行中でないときに前記検査手段による検査を実行させる制御手段を更に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１に記載の発明によれば、パターン描画装置は、マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、過去の検査結果を考慮した適正な順序で複数の検査領域を検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。
【００２３】
請求項２に記載の発明によれば、パターン描画装置は、複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、過去の検査結果を考慮した適正な順序で複数枚のマスクを検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。
【００２４】
請求項３に記載の発明によれば、パターン描画装置は、光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、過去の検査結果を考慮した適正な順序で複数の検査領域を検査することができる。これにより、光変調手段上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、光変調手段の検査時間を短縮することができる。
【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、パターン描画装置は、複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、過去の検査結果を考慮した適正な順序で複数の像を検査することができる。これにより、光変調手段上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、光変調手段の検査時間を短縮することができる。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、パターン描画装置は、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段を更に備え、優先順位変更手段は、検査手段の検査結果と、変動取得手段により取得される検査結果の変動とに基づいて、優先順位を変更する。このため、過去の検査結果と検査結果の変動傾向とを考慮した適正な順序で検査を行うことができる。
【００２７】
請求項６に記載の発明によれば、優先順位変更手段は、検査手段の検査結果と、変動取得手段により取得される検査結果の変動とに、それぞれ所定の係数を乗じて両者を合算した値に基づいて、優先順位を変更する。このため、過去の検査結果と検査結果の変動傾向とを考慮した適正な優先順位を容易に算出することができる。
【００２８】
請求項７に記載の発明によれば、パターン描画装置は、マスク中に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、検査結果の変動傾向を考慮した適正な順序で複数の検査領域を検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。
【００２９】
請求項８に記載の発明によれば、パターン描画装置は、複数枚のマスクを優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、検査結果の変動傾向を考慮した適正な順序で複数枚のマスクを検査することができる。これにより、マスク上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、マスクの検査時間を短縮することができる。
【００３０】
請求項９に記載の発明によれば、パターン描画装置は、光照射手段から照射される像に含まれる複数の検査領域を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、変動取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、検査結果の変動傾向を考慮した適正な順序で複数の検査領域を検査することができる。これにより、光変調手段上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、光変調手段の検査時間を短縮することができる。
【００３１】
請求項１０に記載の発明によれば、パターン描画装置は、複数個の光変調手段のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査する検査手段と、検査手段による検査を複数回行うときに、検査手段の検査結果の変動を取得する変動取得手段と、増減傾向取得手段により取得される検査結果の変動に基づいて優先順位を変更する優先順位変更手段と、を備える。このため、検査結果の変動傾向を考慮した適正な順序で複数の像を検査することができる。これにより、光変調手段上の緊急性の高い欠陥を早期に発見することができるとともに、光変調手段の検査時間を短縮することができる。
【００３２】
請求項１１に記載の発明によれば、検査手段は、光照射手段から照射される光を撮影する撮影手段を有し、撮影手段により取得された画像データに基づいて検査を行う。このため、マスク又は光変調手段上の緊急性の高い欠陥を適切に発見することができる。
【００３３】
請求項１２に記載の発明によれば、パターン描画装置は、基板に対する描画処理が実行中であるか否かを判断し、実行中でないときに検査手段による検査を実行させる制御手段を更に備える。このため、パターン描画装置の生産性を維持しつつ、描画処理の合間の時間を利用してマスク又は光変調手段の検査を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において参照される図１〜図３および図５には、各部材の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が示されている。
【００３５】
＜１．パターン描画装置の全体構成＞
図１および図２は、本発明の一実施形態に係るパターン描画装置１の側面図および上面図である。パターン描画装置１は、液晶表示装置のカラーフィルタを製造する工程において、カラーフィルタ用のガラス基板（以下、単に「基板」という。）９の上面に液晶表示装置の画素となる規則性パターンを描画するための装置である。図１および図２に示したように、パターン描画装置１は、基板９を保持するステージ１０と、ステージ１０に連結されたステージ駆動部２０と、複数の光学ヘッド３２ａ〜３２ｇを有するヘッド部３０と、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇからの照射光を撮影する照射光撮影部４０と、装置内の各部の動作を制御する制御部５０とを備えている。
【００３６】
ステージ１０は、平板状の外形を有し、その上面に基板９を水平姿勢に載置して保持するための保持部である。ステージ１０の上面には複数の吸引孔（図示省略）が形成されている。このため、ステージ１０上に基板９を載置したときには、吸引孔の吸引圧により基板９はステージ１０の上面に固定保持される。なお、ステージ１０上に保持された基板９の表面には、カラーレジスト等の感光材料の層が形成されている。
【００３７】
ステージ駆動部２０は、ステージ１０を主走査方向（Ｙ軸方向）、副走査方向（Ｘ軸方向）、および回転方向（Ｚ軸周りの回転方向）に移動させるための機構である。ステージ駆動部２０は、ステージ１０を回転させる回転機構２１と、ステージ１０を回転可能に支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を副走査方向に移動させる副走査機構２３と、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持するベースプレート２４と、ベースプレート２４を主走査方向に移動させる主走査機構２５と、を有している。
【００３８】
回転機構２１は、ステージ１０の−Ｙ側の端辺に取り付けられた移動子と、支持プレート２２の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２１ａを有している。また、ステージ１０の中央部下面側と支持プレート２２との間には回転軸２１ｂが設けられている。このため、リニアモータ２１ａを動作させると、固定子に沿って移動子が副走査方向に移動し、支持プレート２２上の回転軸２１ｂを中心としてステージ１０が所定角度の範囲内で回転する。
【００３９】
副走査機構２３は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子とベースプレート２４の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２３ａを有している。また、支持プレート２２とベースプレート２４との間には、副走査方向にのびる一対のガイド部２３ｂが設けられている。このため、リニアモータ２３ａを動作させると、ベースプレート２４上のガイド部２３ｂに沿って支持プレート２２が副走査方向に移動する。
【００４０】
主走査機構２５は、ベースプレート２４の下面に取り付けられた移動子と本装置１の基台６０上に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２５ａを有している。また、ベースプレート２４と基台６０との間には、主走査方向にのびる一対のガイド部２５ｂが設けられている。このため、リニアモータ２５ａを動作させると、基台６０上のガイド部２５ｂに沿ってベースプレート２４が主走査方向に移動する。
【００４１】
ヘッド部３０は、ステージ１０上に保持された基板９の上面に向けてパルス光を照射する光照射部である。ヘッド部３０は、ステージ１０およびステージ駆動部２０を跨ぐようにして基台６０上に架設されたフレーム３１と、フレーム３１に副走査方向に沿って等間隔に取り付けられた７つの光学ヘッド３２ａ〜３２ｇとを有する。７つの光学ヘッド３２ａ〜３２ｇは、照明光学系３３を介して１つのレーザ発振器３４に接続されている。また、レーザ発振器３４には、レーザ発振器３４のオンオフ駆動を行うレーザ駆動部３５が接続されている。レーザ駆動部３５を動作させると、レーザ発振器３４からパルス光が発振され、当該パルス光は照明光学系３３を介して各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇの内部に導入される。
【００４２】
各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇの内部には、照明光学系３３から導入されたパルス光を下方へ向けて出射するための出射部３６と、パルス光を部分的に遮光するためのマスクユニット３７と、パルス光を基板９の上面に結像させるための投影光学系３８とが設けられている。マスクユニット３７には、描画すべきパターンに応じた透光部と遮光部とを有するガラス板であるマスクＭが搭載されている。出射部３６から出射されたパルス光は、マスクユニット３７を通過する際にマスクＭ上のパターンに応じて遮光され、所定のパターン形状に成形された光束として投影光学系３８へ入射する。そして、投影光学系３８を介してパルス光が基板９の上面に照射され、基板９上の感光材料を露光することにより、基板９の上面にパターンが描画される。
【００４３】
また、図１中に概念的に示したように、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇには、マスクユニット３７にセットされたマスクＭの位置を調整するためのマスク移動機構３９が設けられている。マスク移動機構３９は、マスクＭを主走査方向および副走査方向に移動させ、それにより、下方へ投影するパターンの種類を選択したり、パターンの投影位置を微調整したりする役割を果たす。マスク移動機構３９は、例えば、複数のリニアモータを組み合わせた機構として実現することができる。
【００４４】
照射光撮影部４０は、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇからマスクＭを介して照射されるパルス光を撮影するための機構である。照射光撮影部４０は、ＣＣＤカメラ４１と、ベースプレート２４の＋Ｙ側の端辺に固定されたガイドレール４２と、ガイドレール４２に沿ってＣＣＤカメラ４１を副走査方向に移動させるカメラ移動機構４３とを有する。カメラ移動機構４３は、例えば、ＣＣＤカメラ４１とガイドレール４２との間に設けられたリニアモータとして実現される。
【００４５】
図３は、ＣＣＤカメラ４１による撮影の様子を模式的に示した図である。なお、図３では、簡単のため、１枚のマスクＭとＣＣＤカメラ４１との関係のみが図示され、マスクＭとＣＣＤカメラ４１との間に介在する投影光学系３８の図示は省略されている。図３に示したように、マスクＭの主面には、マスクＭの主面よりも小さい複数のサブ領域（検査領域）ａ１，ａ２，…，ａｎが設定されている。複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎは、例えば、マスクＭ上に形成された複数の画素パターンのそれぞれに対応するように規則的に配列されている。
【００４６】
ＣＣＤカメラ４１は、１回の撮影動作において、これらのサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎのうちの１つのサブ領域ａを撮影する。撮影対象となるサブ領域ａを変更するときには、マスク移動機構３９とカメラ移動機構４３とを動作させることにより、マスクＭとＣＣＤカメラ４１との相対位置を変更し、所望のサブ領域ａにＣＣＤカメラ４１の視野を一致させる。ＣＣＤカメラ４１により取得されたサブ領域ａの画像データは、ＣＣＤカメラ４１から制御部５０に転送され、後述するマスクＭの検査のために使用される。
【００４７】
ＣＣＤカメラ４１は、上記のとおり、マスクＭから照射されるパルス光を、複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎごとに撮影する。このため、解像度の高い画像データを取得することができ、これにより、後述するマスクＭの検査において微小な汚れをも検出することが可能となる。
【００４８】
制御部５０は、パターン描画装置１内の上記各部の動作を制御するための情報処理部である。図４は、パターン描画装置１の上記各部と制御部５０との間の接続構成を示したブロック図である。図４に示したように、制御部５０は、上記の回転機構２１、副走査機構２３、主走査機構２５、レーザ駆動部３５、照明光学系３３、投影光学系３８、マスク移動機構３９、ＣＣＤカメラ４１、およびカメラ移動機構４３と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。なお、制御部５０は、例えば、ＣＰＵやメモリを有するコンピュータにより構成され、コンピュータにインストールされたプログラムや種々の入力データに従ってコンピュータが動作することにより上記各部の制御を行う。
【００４９】
このようなパターン描画装置１において描画処理を行うときには、入力された描画データに従い、ステージ１０を主走査方向および副走査方向に移動させつつ、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇからパルス光を照射することにより、基板９の上面にパターンを描画する。具体的には、まず、ステージ１０を主走査方向に移動させつつ、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇからパルス光を照射する。これにより、基板９の上面には所定の露光幅（例えば５０ｍｍ幅）で複数本のパターン群が主走査方向に描画される。１回の主走査方向への描画が終了すると、パターン描画装置１は、ステージ１０を副走査方向に露光幅分だけ移動させ、ステージ１０を再び主走査方向に移動させつつ、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇからパルス光を照射する。このように、パターン描画装置１は、光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇの露光幅分ずつ基板９を副走査方向にずらしながら、主走査方向への描画を所定回数（例えば４回）繰り返すことにより、基板９の上面にカラーフィルタ用の規則性パターンを描画する。
【００５０】
＜２．マスクの検査機能について＞
このパターン描画装置１は、上記の描画処理が実行中でないときに、照射光撮影部４０を使用して、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇに搭載されたマスクＭの検査を行う機能を有する。以下では、このようなマスクＭの検査機能について説明する。
【００５１】
図５は、パターン描画装置１の構成のうち、マスクＭの検査機能に関わる部分のみを模式的に示した図である。図５に示したように、このパターン描画装置１は、複数の光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇと、照射光撮影部４０と、制御部５０とを使用して、各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇに搭載されたマスクＭの汚れを検査する。
【００５２】
制御部５０の内部には、照射光撮影部４０から受信した画像データをアナログデータからデジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換部５１と、画像データを一時的に記憶保持する画像メモリ５２と、画像データに基づいてマスクＭの汚れを検出する汚れ検出部５３と、汚れ検出部５３の検出結果に基づいて汚れレベルＰや緊急度Ｔ等の値を演算する演算部５４と、演算部の演算結果を記憶保持する結果保持部５５と、マスク移動機構３９およびカメラ移動機構４３を動作制御する動作制御部５６とが設けられている。汚れ検出部５３、演算部５４、および動作制御部５６は、例えば、制御部５０内に設けられたＣＰＵにより実現される。また、画像メモリ５２および結果保持部５５は、例えば、制御部５０内に設けられたＲＡＭ等の記憶装置により実現される。
【００５３】
更に、制御部５０の内部には、汚れ検出部５３において使用される参照データ５７ａを予め記憶保持する参照データ保持部５７と、演算部５４において使用されるルックアップテーブル５８ａを予め記憶保持するＬＵＴ保持部５８とが設けられている。参照データ保持部５７およびＬＵＴ保持部５８は、例えば、制御部５０内に設けられたＲＯＭ、ＲＡＭ、ハードディスク等の記憶装置により実現される。また、制御部５０には、結果保持部５５に保持された情報をユーザに対して表示出力する表示部５９が接続されている。表示部５９は、例えば、液晶表示装置により実現される。
【００５４】
続いて、このパターン描画装置１においてマスクＭの検査を行うときの処理手順について、上記の各図および図６のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００５５】
このパターン描画装置１においてマスクＭの検査を行うときには、まず、制御部５０は、検査対象となるマスクＭを指定するパラメータｍを「１」に設定する（ステップＳ１）。このパターン描画装置１では、７つの光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇに搭載されるマスクＭに、それぞれ１，２，…，７の番号が割り当てられている。ここでは、パラメータｍを「１」に設定することにより、光学ヘッド３２ａに搭載されている１番のマスクＭを検査対象として指定する。
【００５６】
次に、制御部５０は、選択されたマスクＭ中の検査対象となるサブ領域ａを示すパラメータｉを「１」に設定する（ステップＳ２）。パラメータｉは、マスクＭ中に含まれる複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎの検査の順番（すなわち、優先順位）を定めるパラメータである。初期状態においては、複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎに対して、それぞれｉ＝１，２，…，ｎが割り当てられている。ここでは、パラメータｉを「１」に設定することにより、マスクＭ中のサブ領域ａ１を検査対象として指定する。
【００５７】
続いて、制御部５０は、パターン描画装置１が基板９に対する描画処理を実行中であるかどうかを判断する（ステップＳ３）。例えば、制御部５０は、制御部５０自身の描画処理に関わるフラグ等を参照することにより、描画処理が実行中であるかどうかを判断する。そして、描画処理が実行中であると判断された場合には、制御部５０は、引き続き、描画処理が実行中であるかどうかの監視を継続する。
【００５８】
一方、ステップＳ３において、描画処理が実行中でないと判断された場合には、パターン描画装置１は、検査対象として指定されたサブ領域ａの撮影を実行する（ステップＳ４）。具体的には、まず、パターン描画装置１は、主走査機構２５を動作させ、ＣＣＤカメラ４１がヘッド部３０の下方に位置するように、ベースプレート２４を移動させる（図１，図２の状態）。次に、動作制御部５６が、上記のパラメータｍ，ｉを参照しつつマスク移動機構３９およびカメラ移動機構４３を動作させることにより、検査対象として指定されたマスクＭ中の検査対象として指定されたサブ領域ａに、ＣＣＤカメラ４１の視野を一致させる。そして、パルス光を照射しつつＣＣＤカメラ４１による撮影を実行させることにより、検査対象として指定されたサブ領域ａの画像データを取得する。
【００５９】
撮影により取得された画像データは、ＣＣＤカメラ４１から制御部５０内のＡ／Ｄ変換部５１に送信される。Ａ／Ｄ変換部５１は、ＣＣＤカメラ４１から受信した画像データを、アナログデータからデジタルデータに変換し、変換後の画像データを画像メモリ５２に保存する。
【００６０】
参照データ保持部５７には、予め取得された正常時の画像データや、設計ＣＡＤデータ等の理想的なパターン形状を示す参照データ５７ａが記憶保持されている。汚れ検出部５３は、上記のステップＳ４において画像メモリ５２に保存された画像データと、参照データ保持部５７に保持された参照データ５７ａとをそれぞれ読み出し、画像データ中の投影像のパターンと参照データのパターンとを比較することにより、サブ領域ａ中の汚れを検出する（ステップＳ５）。
【００６１】
その後、制御部５０は、ステップＳ５の検査において汚れの検出があったか否かを判断する（ステップＳ６）。汚れの検出があった場合には、続いて、演算部５４が、検出された汚れの程度に応じて、当該サブ領域ａの汚れレベルＰを決定する（ステップＳ７）。具体的には、演算部５４は、ＬＵＴ保持部５８に保持されたルックアップテーブル５８ａを参照し、汚れ検出部５３の検出結果に対応する汚れレベルＰを決定する。
【００６２】
図７は、ステップＳ７において参照されるルックアップテーブル５８ａの例を示した図である。図７に示したように、ルックアップテーブル５８ａには、検出される汚れの程度（濃度階調の減損率や検出箇所の面積率）とそれに対応する汚れレベルＰとの関係が規定されている。なお、マスクＭの各サブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎには、汚れレベルＰの初期値として予め「０」が設定されている。したがって、ステップＳ６において汚れの検出がなかった場合には、当該サブ領域ａの汚れレベルＰは「０」のままとなる。
【００６３】
ステップＳ７において汚れレベルＰが決定されると、続いて、演算部５４は、ステップＳ７の実行前に当該サブ領域ａに設定されていた汚れレベルＰ（以下、Ｐ（ｔ−１）と表記する。）と、ステップＳ７において決定された汚れレベルＰ（以下、Ｐ（ｔ）と表記する。）との差分ΔＰ（ｔ）＝Ｐ（ｔ）−Ｐ（ｔ−１）を算出する（ステップＳ８）。ここで、検査対象となっているサブ領域ａの検査が１回目である場合には、汚れレベルＰ（ｔ−１）は初期値の「０」であり、当該サブ領域ａの検査が２回目以降である場合には、汚れレベルＰ（ｔ−１）は、前回の検査において当該サブ領域ａに対して設定された汚れレベルＰである。
【００６４】
汚れレベルＰ（ｔ）および差分ΔＰ（ｔ）が決まると、演算部５４は、これらを次の数１に代入することにより、当該サブ領域ａの緊急度Ｔを算出する（ステップＳ９）。数１中のＡ，Ｂは、パターン描画装置１の使用状況や過去の実績に基づいて予め設定された定数である。数１により算出された緊急度Ｔは、サブ領域ａの汚れの程度と汚れの変動傾向とを反映した値であり、当該サブ領域ａについての洗浄の必要性を示す。
【００６５】
Ｔ＝Ａ・Ｐ（ｔ）＋Ｂ・ΔＰ（ｔ）      ・・・  （数１）
以上のステップＳ７〜Ｓ９により、検査対象のサブ領域ａについて、汚れレベルＰ、汚れレベルの差分ΔＰ、および緊急度Ｔが算出される。制御部５０は、算出されたこれらの値を結果保持部５５に記憶保持させる。また、制御部５０は、算出された緊急度Ｔを参照し、当該緊急度Ｔが、検査対象のマスクＭを直ちに洗浄すべきレベルであるか否かを判断する（ステップＳ１０）。具体的には、制御部５０は、緊急度Ｔが所定の閾値未満であれば、検査対象のマスクＭを直ちに洗浄する必要はないと判断し、緊急度Ｔが所定の閾値以上であれば、検査対象のマスクＭを直ちに洗浄すべきと判断する。
【００６６】
上記のステップＳ６において汚れの検出がなかったと判断された場合（図６中の「Ａ」）、又は、上記のステップＳ１０において検査対象のマスクＭを直ちに洗浄する必要はないと判断された場合には、続いて、制御部５０は、検査対象のサブ領域ａがマスクＭ中の最後の（優先順位が最も低い，ｉ＝ｎ）サブ領域ａであるか否かを判断する（ステップＳ１１）。そして、最後のサブ領域ａでない場合には、優先順位を示すパラメータｉを１つインクリメントすることにより、次のサブ領域ａを検査対象として指定する（ステップＳ１２）。その後、ステップＳ３に戻り（図６中の「Ｂ」）、新たに指定されたサブ領域ａを検査対象として、ステップＳ３以降の処理を繰り返す。
【００６７】
一方、上記のステップＳ１０においてマスクＭを直ちに洗浄すべきと判断された場合、又は、上記のステップＳ１１においてマスクＭ中の最後のサブ領域ａであると判断された場合には、パターン描画装置１は、ｍ番の（現在検査対象となっている）マスクＭについての検査処理を終了させる。制御部５０は、結果保持部５５に保持された各サブ領域ａについての汚れレベルＰ（ｔ）、汚れレベルの差分ΔＰ（ｔ）、および緊急度Ｔを読み出し、これらの情報を表示部５９に表示させる（ステップＳ１３）。
【００６８】
また、上記のステップＳ１０においてマスクＭを直ちに洗浄すべきと判断された場合には、ステップＳ１３において、表示部５９にマスクＭの洗浄を促すメッセージを併せて表示する。パターン描画装置１の管理者は、表示部５９に表示されたメッセージを確認すると、該当するマスクＭをヘッド部３０から取り出し、所定の洗浄装置において当該マスクＭを洗浄する。
【００６９】
ステップＳ１３の後、制御部５０は、ｍ番のマスクＭの複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎについて、検査の優先順位を変更する（ステップＳ１４）。すなわち、制御部５０は、ｍ番のマスクＭについて、複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎとパラメータｉ＝１，２，…，ｎとの対応関係を変更する。具体的には、上記のステップＳ１３において、マスクＭの洗浄が実施されなかった場合には、制御部５０は、緊急度Ｔが高いサブ領域ａから順にパラメータｉ＝１，２，…，ｎを割り当てる。また、上記のステップＳ１３において、マスクＭの洗浄が実施された場合には、制御部５０は、当該マスクＭの全ての検査領域ａ１，ａ２，…，ａｎについての汚れレベルＰ（ｔ）を０に戻し、パラメータｉも初期値に戻す。
【００７０】
その後、制御部５０は、パラメータｍが最終のマスクＭを示す「７」であるかどうかを判断する（ステップＳ１５）。パラメータｍが「７」でない場合には、制御部５０は、パラメータｍを１つインクリメントすることにより、次のマスクＭを検査対象として指定する（ステップＳ１６）。その後、ステップＳ２に戻り（図６中の「Ｃ」）、新たに指定されたマスクＭを検査対象として、ステップＳ２以降の処理を繰り返す。
【００７１】
一方、ステップＳ１５において、パラメータｍが「７」であった場合には、ステップＳ１に戻る（図６中の「Ｄ」）。その後、パターン描画装置１は、上記のステップＳ１４において変更されたパラメータｉ（複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎの検査の優先順位）を使用して、ステップＳ１以降の処理を繰り返す。
【００７２】
以上のように、本実施形態のパターン描画装置１は、マスクＭ中に含まれる複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎを優先順位に従って検査しつつ、その検査結果に基づいて各サブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎの検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。このため、２巡目以降の検査においては、緊急度Ｔの高いサブ領域ａから順に検査を行うことができる。これにより、マスクＭ上の緊急性の高い汚れを早期に発見することができるとともに、マスクＭの検査時間を短縮することができる。
【００７３】
特に、本実施形態のパターン描画装置１は、検査結果（汚れレベルＰ（ｔ））とその変動（差分ΔＰ（ｔ））とを反映した緊急度Ｔに従って、複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎの検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。このため、検査結果とその変動傾向とを考慮した適正な順序で複数のサブ領域ａ１，ａ２，…，ａｎを検査することができる。
【００７４】
また、本実施形態のパターン描画装置１は、基板９に対する描画処理が実行中であるか否かを判断し、描画処理が実行中でないときにマスクＭの検査を実行する。このため、パターン描画装置１の生産性を維持しつつ、描画処理の合間の時間を利用してマスクＭの検査を行うことができる。
【００７５】
＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、汚れレベルＰ（ｔ）と汚れレベルの差分ΔＰ（ｔ）とを反映した緊急度Ｔを算出し、緊急度Ｔに従ってパラメータｉを変更していたが、このような緊急度Ｔを算出することなく、汚れレベルＰ（ｔ）または汚れレベルの差分ΔＰ（ｔ）に基づいてパラメータｉを変更してもよい。また、過去の汚れレベルＰ（ｔ）の履歴を制御部５０内に蓄積しておき、より長期的な汚れレベルＰ（ｔ）の変動傾向に基づいてパラメータｉを変更してもよい。
【００７６】
また、上記の実施形態では、７つのマスクＭの検査の順序は常に一定としていたが、７つのマスクＭについても、検査の優先順位を変更するようにしてもよい。具体的には、各マスクＭの検査結果に基づいて、マスクＭ毎に、上記の汚れレベルＰ（ｔ）、汚れレベルの差分ΔＰ（ｔ）、および緊急度Ｔに相当する値を算出する。そして、これらの値に従って複数枚のマスクＭの検査の優先順位を変更するようにすればよい。
【００７７】
また、上記の実施形態では、照射光撮影部４０はマスクＭを検査するために使用されていたが、照射光撮影部４０は、マスクＭの検査のみに使用されるものでなくてもよい。例えば、７つの光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇから照射されるパルス光の間隔（ピッチ）や光量のばらつき等を計測するために、照射光撮影部４０が使用されてもよい。
【００７８】
また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、マスクＭの汚れを検査していたが、本発明のパターン描画装置は、マスクＭの傷やマスクＭの局所的な歪みなどを検出するものであってもよい。すなわち、本発明のパターン描画装置は、径時的に変化する欠陥を検出するものであればよい。
【００７９】
また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、マスクＭを使用して基板９の上面に描画すべきパターンの光を形成するものであったが、本発明のパターン描画装置は、ＧＬＶ（グレーチングライトバルブ）（登録商標）やＤＭＤ（デジタルマイクロミラーデバイス）等の光変調素子を使用して基板９の上面に描画すべきパターンの光を形成するものであってもよい。すなわち、複数の光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇのそれぞれに、マスクＭの代わりに光変調素子が搭載されていてもよい。この場合には、光変調素子を介して各光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇから照射される像を複数のサブ領域に分け、複数のサブ領域を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果（又は検査結果の変動、又は検査結果およびその変動の両方）に基づいて各サブ領域の検査の優先順位を変更するようにすればよい。また、複数の光変調素子のそれぞれにより形成された複数の像を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果（又は検査結果の変動、又は検査結果およびその変動の両方）に基づいて複数の光変調素子の検査の優先順位を変更するようにしてもよい。
【００８０】
また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、固定配置された複数の光学ヘッド３２ａ〜３２ｇに対してステージ１０を移動させる構成であったが、ステージ１０を固定配置し、その上方において複数の光学ヘッド３２ａ〜３２ｇを移動させる構成であってもよい。すなわち、ステージ１０と複数の光学ヘッド３２ａ〜３２ｇとを相対的に移動させる構成であればよい。
【００８１】
また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、７つの光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇを有するものであったが、光学ヘッドの数は７つに限定されるものではない。また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、レーザ発振器３４から出射されるパルス光を使用していたが、光照射手段の光源や照射方式は上記の例に限定されるものではない。例えば、単波長の光だけではなく複数の波長が混在している光や紫外線を使用するものであってもよく、また、パルス光ではなく連続的な光を照射するものであってもよい。
【００８２】
また、上記の実施形態では、パターン描画装置１は、カラーフィルタ用のガラス基板９を処理対象としていたが、半導体基板、プリント基板、プラズマ表示装置用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施形態に係るパターン描画装置の側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るパターン描画装置の上面図である。
【図３】ＣＣＤカメラによる撮影の様子を模式的に示した図である。
【図４】制御部と各部との間の接続構成を示したブロック図である。
【図５】パターン描画装置１の構成のうち、マスクの検査機能に関わる部分のみを模式的に示した図である。
【図６】マスクの検査を行うときの処理手順を示したフローチャートである。
【図７】ルックアップテーブルの例を示した図である。
【符号の説明】
【００８４】
１    パターン描画装置
９    基板
１０  ステージ
２０  ステージ駆動部
３０  ヘッド部
３２ａ〜３２ｇ  光学ヘッド
３７  マスクユニット
３９  マスク移動機構
４０  照射光撮影部
４１  ＣＣＤカメラ
４３  カメラ移動機構
５０  制御部
５１  Ａ／Ｄ変換部
５２  画像メモリ
５３  汚れ検出部
５４  演算部
５５  結果保持部
５６  動作制御部
５７  参照データ保持部
５７ａ  参照データ
５８  ＬＵＴ保持部
５８ａ  ルックアップテーブル
５９  表示部
Ｍ  マスク
ａ１，ａ２，…，ａｎ  サブ領域
ｍ，ｉ  パラメータ
Ｐ  汚れレベル
ΔＰ  差分
Ｔ  緊急度
【図１】
2009237292.tif 000003
【図２】
2009237292.tif 000004
【図３】
2009237292.tif 000005
【図４】
2009237292.tif 000006
【図５】
2009237292.tif 000007
【図６】
2009237292.tif 000008
【図７】
2009237292.tif 000009