(57)【要約】【課題】本発明は、簡易な工程で配線間の接触面積を増大させることが可能な配線基板、表示パネル、並びに、それらの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る配線基板は、基板１と；基板１上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線２と；第１配線２上に形成され、第１配線２と電気的に導通された第２配線（３または４）と；を有して成る構成とされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；前記基板上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線と；第１配線上に形成され、第１配線と電気的に導通された第２配線と；を有して成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板上に第１配線を形成するステップと；スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、第１配線に粗面化処理を施すステップと；第１配線と電気的に導通する形で、第１配線上に第２配線を形成するステップと；を有して成ることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
透明基板と；前記透明基板上に形成される画素領域と；前記画素領域から引き出される金属電極及び透明電極を前記透明基板の端部まで導出するための透明配線が形成される額縁領域と；を有して成る表示パネルであって、
前記透明配線には、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理が施されており、前記透明配線と前記金属電極との間、及び、前記透明配線とこれを被覆する補助配線との間は、前記粗面化処理が施された表面を介して電気的に導通されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項４】
透明基板と；前記透明基板上に形成される画素領域と；前記画素領域から引き出される金属電極及び透明電極を前記透明基板の端部まで導出するための透明配線が形成される額縁領域と；を有して成る表示パネルの製造方法であって、
前記透明基板上に前記透明電極及び前記透明配線を形成するステップと；スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、前記透明配線に粗面化処理を施すステップと；前記透明配線を被覆する補助配線を形成するステップと；前記補助配線のうち、前記画素領域の金属電極と接続される透明配線を被覆するものについては、前記透明電極の一部を露出するための開口部を設けるステップと；前記開口部を介して前記透明電極と電気的に導通する形で、前記透明配線上に前記金属電極を形成するステップと；を有して成ることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造技術に関するものであり、特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ［Electro Luminescence］表示パネルの輝度向上や画質向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビジョン放送受像機やパーソナルコンピュータのモニタとして、薄型で軽量な液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルが広く一般に用いられている。
【０００３】
上記の表示パネルは、一般に、ガラス基板上に形成される画素領域と、前記画素領域のアルミニウム電極をガラス基板の端部まで導出するためのＩＴＯ［Indium Tin Oxide］配線が形成される額縁領域と、を有して成る構成とされている。
【０００４】
なお、本発明に関連する従来技術（配線基板の製造技術）としては、特許文献１、２などを挙げることができる。
【０００５】
特許文献１には、基体上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする下地層、及び、ＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする導体層を有する配線付き基体形成用積層体であって、下地層が、酸素及び／または窒素を含有することを特徴とする配線付き基体形成用積層体、ないし、その積層体にパターニングを施した配線付き基体が開示・提案されている。
【０００６】
また、特許文献２には、半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に設けられた第１のアルミニウム等から成る電極層と、該第１の絶縁膜上かつ該第１の電極層上に設けられた第２の電極層を有し、第１の電極層が例えば格子状にパターニングされていることを特徴とする半導体装置が開示・提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０５７１４号公報
【特許文献２】特開平１１−２９７７３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
確かに、ＩＴＯ配線を用いて画素領域のアルミニウム電極をガラス基板の端部まで導出する構成であれば、アルミニウム電極の腐食を抑制して、表示パネルの輝度低下や画質劣化を防止することが可能となる。
【０００９】
しかしながら、上記従来の表示パネルでは、図４に示す通り、アルミニウム電極４００の成膜前に、ガラス基板１００上のＩＴＯ配線２００に薄い酸化膜５００が形成され、ＩＴＯ配線２００とアルミニウム電極４００との接触抵抗が増大していた。特に、電流駆動の有機ＥＬ表示パネルにおいては、ＩＴＯ配線２００とアルミニウム電極４００との接触抵抗が増大すると、画素領域の有機層（図４では不図示）に電流が流れにくくなるため、輝度低下や輝度ムラを生じる原因となっていた。
【００１０】
また、上記従来の表示パネルでは、ＩＴＯ配線２００とこれを被覆する補助配線３００（例えばモリブデン配線）との密着性が必ずしも良好ではなく、額縁領域における配線抵抗を十分に低下させることができない原因となっていた。
【００１１】
なお、特許文献２の従来技術を応用し、フォトエッチングによって、ＩＴＯ配線を格子状等にパターニングすれば、ＩＴＯ配線とアルミニウム電極との接触面積、ないしは、ＩＴＯ配線と補助配線との接触面積を増大させて、接触抵抗の低下や密着性の向上を図ることが可能である。しかしながら、ＩＴＯ配線のパターニングを行うためには、フォトレジストコート、プリべーク、露光（フォトマスク）、現像、ポストベーク、エッチング、レジスト除去という一連のプロセスを踏まねばならず、工程が複雑化していた。
【００１２】
本発明は、上記の問題点に鑑み、簡易な工程で配線間の接触面積を増大させることが可能な配線基板、表示パネル、並びに、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る配線基板は、基板と；前記基板上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線と；第１配線上に形成され、第１配線と電気的に導通された第２配線と；を有して成る構成（第１の構成）とされている。
【００１４】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、基板上に第１配線を形成するステップと；スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、第１配線に粗面化処理を施すステップと；第１配線と電気的に導通する形で、第１配線上に第２配線を形成するステップと；を有して成る構成（第２の構成）とされている。
【００１５】
また、本発明に係る表示パネルは、透明基板と；前記透明基板上に形成される画素領域と；前記画素領域から引き出される金属電極及び透明電極を前記透明基板の端部まで導出するための透明配線が形成される額縁領域と；を有して成る表示パネルであって、前記透明配線には、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理が施されており、前記透明配線と前記金属電極との間、並びに、前記透明配線とこれを被覆する補助配線との間は、前記粗面化処理が施された表面を介して電気的に導通されている構成（第３の構成）とされている。
【００１６】
また、本発明に係る表示パネルの製造方法は、透明基板と；前記透明基板上に形成される画素領域と；前記画素領域から引き出される金属電極及び透明電極を前記透明基板の端部まで導出するための透明配線が形成される額縁領域と；を有して成る表示パネルの製造方法であって、前記透明基板上に前記透明電極及び前記透明配線を形成するステップと；スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、前記透明配線に粗面化処理を施すステップと；前記透明配線を被覆する補助配線を形成するステップと；前記補助配線のうち、前記画素領域の金属電極と接続される透明配線を被覆するものについては、前記透明電極の一部を露出するための開口部を設けるステップと；前記開口部を介して前記透明電極と電気的に導通する形で、前記透明配線上に前記金属電極を形成するステップと；を有して成る構成（第４の構成）とされている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、簡易な工程で配線間の接触面積を増大させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下では、本発明を液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルの配線技術に適用した構成を例示して詳細な説明を行う。
【００１９】
図１は、本発明に係る表示パネルの一構成例を示す模式図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の表示パネルは、透明基板１上に、画素領域Ａと、額縁領域Ｂと、を有して成る。
【００２１】
透明基板１としては、ガラス基板のほか、プラスチック基板やフレキシブル基板を用いることができる。すなわち、透明基板１の素材としては、ガラスのほか、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィンなどを用いることができる。
【００２２】
また、透明基板１として、効率や色純度を最適化するためのカラーフィルタ、発光色の色変換を行うための色変換膜、或いは、所定の波長光のみを通過させる誘電体多層膜などを具備するものを用いても構わない。
【００２３】
画素領域Ａには、複数の透明電極２ａと金属電極４が互いに直交する形で形成されており、その交差部分には、画素（液晶表示パネルであれば液晶セル、有機ＥＬ表示パネルであれば有機発光層）が各々形成されている。
【００２４】
なお、本実施形態では、透明電極２ａの素材としてＩＴＯを用いているが、それ以外にもＩＺＯ［Indium Zinc Oxide］やＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3などを用いることができる。
【００２５】
また、本実施形態では、金属電極４の素材としてアルミニウムを用いているが、それ以外にも種々の金属を用いることができる。
【００２６】
一方、額縁領域Ｂには、画素領域Ａから引き出される金属電極４及び透明電極２ａを透明基板１の端部まで導出するための透明配線２が形成されている。
【００２７】
なお、本実施形態では、透明配線２の素材として、先に述べた透明電極２ａと同様、ＩＴＯが用いられている。また、画素領域Ａから引き出される透明電極２ａは、額縁領域Ｂの透明配線２として、透明基板１の端部まで延伸されている。
【００２８】
また、金属電極４と接続される透明配線２については、図１に示すように、透明電極２ａの引き出し方向に合わせて、その延伸方向を９０度転換させるとよい。このような構成とすることにより、透明電極２ａと金属電極４のいずれに対しても、透明基板１の同一端面側から導通を取ることが可能となるので、パネル外部の配線レイアウトが容易となる。
【００２９】
このように、額縁領域Ｂに形成される透明配線２を用いて、画素領域Ａの金属電極４を透明基板１の端部まで導出する構成であれば、金属電極４の腐食を抑制して、表示パネルの輝度低下や画質劣化を防止することが可能となる。
【００３０】
ただし、上記の透明配線２は、金属電極４よりも腐食に強い反面、その電気抵抗が大きいため、例えば、電流駆動の有機ＥＬ表示パネルにおいては、輝度低下や輝度ムラを生じる原因となる。そこで、本実施形態では、額縁領域Ｂに形成される透明配線２を被覆する形で、より低抵抗の補助配線３が形成されている。
【００３１】
なお、補助配線３の素材としては、低抵抗で腐食にも強いモリブデン、タンタル、タングステン、または、これらを含む合金を用いることが望ましく、本実施形態では、モリブデンが用いられている。
【００３２】
このような補助配線３を有する構成であれば、額縁領域Ｂにおける配線抵抗を低下させて、輝度低下や輝度ムラを低減することが可能となる。
【００３３】
また、本実施形態の表示パネルでは、上記した輝度低下や輝度ムラの更なる低減を図るべく、額縁領域Ｂに形成される透明配線２には、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理が施されており、透明配線２と金属電極４との間、並びに、透明配線２とこれを被覆する補助配線３との間は、前記粗面化処理が施された表面を介して電気的に導通された構成とされている。
【００３４】
図２（ａ）は、図１のＸ−Ｘ’断面を示す図であり、図２（ｂ）は、Ｙ−Ｙ’断面、或いは、Ｚ−Ｚ’断面を示す図である。
【００３５】
上記のように、透明配線２の表面に粗面化処理を施す構成であれば、透明配線２と金属電極４との接触面積を増大させることができるので、両者間の接触抵抗が低下して、電流が流れやすくなる。従って、輝度低下や輝度ムラをより一層低減することが可能となる。
【００３６】
また、透明配線２の表面に粗面化処理を施す構成であれば、透明配線２と補助配線３との接触面積を増大させることができるので、両者間の密着性が向上する。従って、額縁領域Ｂにおける配線抵抗を十分に低下させることが可能となる。
【００３７】
また、上記のように、透明配線２の表面に粗面化処理を施す手段として、スパッタリング或いはイオンインプランテーションを用いることにより、フォトエッチングによるパターニングに比べて、工程を複雑化することなく、所望の特定領域（額縁領域Ｂに形成された全ての透明配線２）に対する粗面化処理を容易に実施することが可能となる。
【００３８】
図３は、本発明に係る表示パネルの一製造工程を示す模式図である。
【００３９】
ステップ（ａ）は、透明配線２（ないし透明電極２ａ）として、透明基板１上にＩＴＯ層を成膜する工程を示している。なお、ＩＴＯ層は、例えば、スパッタリングを用いて成膜すればよい。
【００４０】
続くステップ（ｂ）は、スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、額縁領域Ｂに形成された透明配線２に対して、粗面化処理を施す工程を示している。なお、スパッタリング或いはイオンインプランテーションで用いるパラメータ（イオンの種類や量、衝突速度など）については、所望の粗面度が得られるように、適宜設定すればよい。
【００４１】
特に、ステップ（ｂ）において、イオンインプランテーションを行う場合には、透明配線２の表面を粗面化させるだけでなく、注入するイオンの種類や量により、透明配線２の特性自体を向上させることも可能となる。
【００４２】
続くステップ（ｃ）は、透明配線２を被覆する補助配線３として、ＩＴＯ層上にモリブデン層を形成する工程を示している。なお、モリブデン層は、例えば、スパッタリングを用いて成膜すればよい。
【００４３】
続く、ステップ（ｄ）は、上記した補助配線３のうち、画素領域Ａの金属電極４と接続される透明配線２を被覆するものについて、透明電極２の一部を露出するための開口部３ａを設ける工程を示している。なお、開口部３ａは、例えば、フォトエッチングを用いて形成すればよい。
【００４４】
続く、ステップ（ｅ）は、開口部３ａを介して透明電極２と電気的に導通する形で、透明配線２上に、金属電極４となるアルミニウム層を成膜する工程を示している。なお、アルミニウム層は、例えば、真空蒸着を用いて成膜すればよい。
【００４５】
このように、透明配線２と金属電極４との導通部として、補助配線３に開口部３ａを設けることにより、透明配線２と補助配線３との密着性に依ることなく、透明配線２と金属電極４との導通を確実に得ることが可能となる。
【００４６】
なお、上記の実施形態では、本発明を液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルの配線技術に適用した構成を例示して説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、その余の配線基板を製造する際にも広く適用することが可能である。
【００４７】
すなわち、本発明は、基板や配線の素材に依ることなく、基板と；前記基板上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線と；第１配線上に形成され、第１配線と電気的に導通された第２配線と；を有して成る配線基板を広く技術的範囲に含むものである。
【００４８】
また、本発明に係る配線基板の製造方法についても、基板上に第１配線を形成するステップと；スパッタリング或いはイオンインプランテーションにより、第１配線に粗面化処理を施すステップと；第１配線と電気的に導通する形で、第１配線上に第２配線を形成するステップと；を有して成る配線基板の製造方法を広く技術的範囲に含むものである。
【００４９】
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、例えば、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルの配線技術として有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】は、本発明に係る表示パネルの一構成例を示す模式図である。
【図２】は、図１のＸ−Ｘ’断面、Ｙ−Ｙ’断面、Ｚ−Ｚ’断面を示す図である。
【図３】は、本発明に係る表示パネルの一製造工程を示す模式図である。
【図４】は、表示パネルの一従来例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５２】
１    透明基板（ガラス基板）
２    透明配線（ＩＴＯ配線）
２ａ    透明電極（ＩＴＯ電極）
３    補助配線（モリブデン配線）
３ａ    開口部
４    金属電極（アルミニウム電極）
Ａ    画素領域
Ｂ    額縁領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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