(57)【要約】【課題】電極などの消失面積を小さくすることができ、表示品質の低下を抑えることができる有機発光表示装置のリペア方法を提供する。【解決手段】表示装置を黒表示状態で駆動して輝点欠陥を点灯させ、その画素の発光領域Ｅの外周Ｅ１にレーザ光ＬＢを照射し、照射された部分Ｒの第２電極１６を消失させる。発光領域Ｅ内に電流が流れなくなり、その画素の発光動作が停止される。また、レーザ光ＬＢは発光領域Ｅの外周Ｅ１に照射されるので、第２電極１６の消失面積は小さく抑えられると共に、発光領域Ｅ内の第１電極１３および第２電極１６は消失せずに残されており、外光による反射での見え方は周辺の正常な画素とほとんど変わらなくなる。よって、表示品質の低下が抑えられる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、各画素は、基板上に第１電極、発光層を含む有機層および第２電極を順に有すると共に前記第１電極および前記第２電極が前記有機層を間にして重なり合う発光領域で発光する有機発光素子により構成された有機発光表示装置のリペア方法であって、
常に輝点となる画素の発光領域の外周にレーザ光を照射する
ことを特徴とする有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項２】
前記発光領域の外周に沿ってレーザ光を照射する
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項３】
前記発光領域の外周に合わせた形状のスリットまたはマスクを用い、前記スリットまたはマスクを介して前記発光領域の外周にレーザ光を照射する
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置のリペア方法に係り、特に、常時発光してしまう等の輝点不良画素の修正（リペア）に好適な有機発光表示装置のリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置では、画素の欠陥として、発光しないいわゆる滅点のほか、輝点と呼ばれるものがある。輝点には、例えば、常に最高輝度で点灯し続けるもの、周囲よりも明るく点灯するようなもの（動作は正常で例えば２０％増しの輝度で光るようなもの）、または、他の色につられて点灯してしまうもの（赤の点灯時に青が光るなど）があり、暗背景時に輝点がある場合が最も視認されやすい。このような輝点欠陥の原因は、有機発光素子自体にはなく、駆動用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）の不良によりＴＦＴ回路が正常に動作していないために起こってしまう場合がある。
【０００３】
従来、輝点欠陥を修正する方法としては、輝点画素の全面にレーザを照射することで有機層や電極を消失させる方法が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。
【０００４】
例えば、有機発光素子の正常な画素は、図１６（Ａ）に示したように、ＴＦＴ基板８１０上に、第１電極８１３、有機層８１５、第２電極８１６および保護層８１７が順に積層され、保護層８１７上に対向基板８２０が設けられた構造を有している。輝点欠陥が生じた場合には、図１６（Ｂ）に示したように、例えば第２電極８１６側からレーザ光ＬＢを全面に照射し、第２電極８１６のレーザ照射部分Ｒを消失させ、電流を遮断することによってその画素の発光動作を停止させるようにしている（滅点化）。
【特許文献１】特開２００３−１７８８７１号公報
【特許文献２】特開２００３−２３３３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のように輝点画素の全面にレーザ照射する方法では、照射部分の有機層や電極を消失させてしまうので、レーザを照射した部分と照射していない部分とで画素の構造が変化することになる。正常な画素では、外光ｈが第２電極８１６および第１電極８１３で反射されるのに対して、レーザ照射により滅点化された画素では、図１６（Ｃ）に示したように、第２電極８１６のレーザ照射部分Ｒが消失してしまっているので、当然反射率も変化してしまう。このため、正常な画素と滅点化された画素とでは、外光による反射での見え方が正常な画素とは異なってしまい、表示品質の低下を招いてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極などの消失面積を小さくすることができ、表示品質の低下を抑えることができる有機発光表示装置のリペア方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による有機発光表示装置のリペア方法は、複数の画素を備え、各画素は、基板上に第１電極、発光層を含む有機層および第２電極を順に有すると共に第１電極および第２電極が有機層を間にして重なり合う発光領域で発光する有機発光素子により構成された有機発光表示装置をリペアする方法であって、常に輝点となる画素の発光領域の外周にレーザ光を照射するようにしたものである。
【０００８】
本発明の有機発光表示装置のリペア方法では、常に輝点となる画素の発光領域の外周にレーザ光が照射されることにより、照射された部分の第１電極または第２電極が消失する。よって、発光領域内に電流が流れなくなり、その画素の発光動作が停止される。また、レーザ光は発光領域の外周に照射されるので、第１電極または第２電極の消失面積は小さく抑えられると共に、発光領域内の第１電極および第２電極は消失せずに残されており、外光による反射での見え方は周辺の正常な画素とほとんど変わらなくなる。よって、表示品質の低下が抑えられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の有機発光表示装置のリペア方法によれば、常に輝点となる画素の発光領域の外周にレーザ光を照射するようにしたので、電極などの消失面積を小さくすることができる。よって、発光領域内の電極の消失により、外光による反射での見え方が違ってしまうという表示品質の低下を抑えることができる。特に、表示装置のサイズが大きくなり、それに比例して発光領域のサイズが大きくなるほど、発光領域の面積に対する電極の消失面積の割合を小さくすることができ、更に顕著な表示品質改善効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１ないし図１０は、本発明の一実施の形態に係る有機発光表示装置（以下、単に表示装置という。）のリペア方法を含む製造方法を工程順に表すものである。まず、図１に示したように、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１の上に、表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を形成すると共に、表示領域１１０内に画素駆動回路１４０を形成する。なお、表示領域１１０は、後述するように、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとがマトリクス状に配置される領域である。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは各々一つのサブピクセルを構成し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００１２】
図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路であり、後述する第１電極１３の下層に形成される。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１３】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１４】
次いで、一つのサブピクセルを構成する有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）の製造工程を、図３を参照して説明する。図３に示したように、基板１１上に、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を形成する。すなわち、基板１１上にゲート電極３１を形成し、ゲート絶縁膜３２を間にして例えば多結晶シリコンよりなる半導体薄膜３３を形成し、この半導体薄膜３３に、層間絶縁膜３４を間にして、ソース電極３５およびドレイン電極３６を接続する。
【００１５】
続いて、同じく図３に示したように、駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成した基板１１の全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。
【００１６】
そののち、同じく図３に示したように、例えばスパッタ法により第１電極１３を形成する。第１電極１３の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とし、構成材料としては、例えば、ニッケル，銀，金，白金，パラジウム，セレン，ロジウム，ルテニウム，イリジウム，レニウム，タングステン，モリブデン，クロム，タンタルあるいはニオブなどの金属元素の単体または合金を用いる。そののち、エッチングにより第１電極１３を選択的に除去して各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離する。
【００１７】
第１電極１３を形成したのち、同じく図３に示したように、基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第１電極１３に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１４を形成する。
【００１８】
電極間絶縁膜１４を形成したのち、同じく図３に示したように、例えば蒸着法により、有機層１５および第２電極１６を順次成膜し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。このとき、電極間絶縁膜１４の開口部内は、第１電極１３および第２電極１６が有機層１５を間にして重なり合う発光領域Ｅとなり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはこの発光領域Ｅで発光することになる。
【００１９】
有機層１５は、例えば、第１電極１３の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層（いずれも図示せず）を積層した構成とすることができる。これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５は、それぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。有機層１５の厚みは、発光に十分な厚みを確保できるよう、例えば１００ｎｍ〜２２０ｎｍとする。なお、電子輸送層と第２電極１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００２０】
有機発光素子１０Ｒの有機層１５の正孔注入層の構成材料としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）が挙げられ、正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）が挙げられ、発光層の構成材料としては、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものが挙げられ、電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００２１】
有機発光素子１０Ｇの有機層１５の正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられ、正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、発光層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものが挙げられ、電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００２２】
有機発光素子１０Ｂの有機層１５の正孔注入層の構成材料としては、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡが挙げられ、正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−ＮＰＤが挙げられ、発光層の構成材料としては、例えば、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）が挙げられ、電子輸送層の構成材料としては、例えば、Ａｌｑ3 が挙げられる。
【００２３】
第２電極１６の厚みは、例えば５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とし、構成材料としては、例えば、リチウム，マグネシウム，カルシウム，ナトリウム，銀，アルミニウムおよびインジウムなどの金属元素の単体または合金を用いる。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。
【００２４】
有機層１５および第２電極１６を形成したのち、同じく図３に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜１７を形成し、接着層（図示せず）により封止用の対向基板２０を貼り合わせる。以上により、表示装置１が完成する。
【００２５】
図４は、このような表示装置１のリペア方法に用いるリペア装置の全体構成を表したものである。このリペア装置４０は、表示装置１において常に輝点となる画素のリペアを行うためのものであり、例えば、駆動回路４１と、信号発生器４２と、コンピュータ４３と、電流計４４とを備えている。なお、このリペア装置４０は、第１電極１３および第２電極１６の短絡や、画素駆動回路１４０の欠陥に起因する非発光欠陥（滅点）の検出およびリペアなど、通常のリペア装置に要求される機能を備えていてもよいことは言うまでもない。
【００２６】
駆動回路４１は、表示装置１を駆動するものであり、例えば、表示領域１１０の全面すなわち全画素を同時に発光させる機能と、１画素ずつ、すなわち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを個別に点灯させる機能と、黒表示（暗背景）させる機能とを有する。また、駆動回路４１は、光学顕微鏡（図４では図示せず、図５参照。）で観察できる視野範囲程度の領域内の画素を発光させる機能を有していてもよい。
【００２７】
信号発生器４２は、駆動回路４１を駆動制御するための制御信号を発生するものである。コンピュータ４３は、リペア装置４０全体の制御を行うものである。電流計４４は、表示装置１を駆動させたときに各画素を通る電流を測定するものであり、表示装置１の電源に接続されている。
【００２８】
図５（Ａ）は、リペア装置４０の側面から見た構成、図５（Ｂ）は平面構成をそれぞれ表したものである。リペア装置４０は、具体的には、例えば、表示装置１が載置固定されるテーブル４５と、このテーブル４５を２次元的に移動させるＸＹステージ４６と、観察部４７と、レーザ照射部４８と、ステージ駆動部４９とを備えている。なお、リペア装置４０は、表示装置１の発熱状態観察のため、赤外線温度計や赤外線画像撮影装置を備えていてもよい。
【００２９】
観察部４７は、テーブル４５の上方に設けられ、例えば、画素表面観察およびレーザ照射が可能な光学顕微鏡４７Ａと、ＣＣＤ等よりなるカメラ４７Ｂとを有している。光学顕微鏡４７Ａは、倍率の異なる複数のレンズ系４７Ｃを有している。カメラ４７Ｂで撮像された画像は、例えば、コンピュータ４３のモニタ４３Ａに表示されるようになっている。
【００３０】
レーザ照射部４８は、リペア処理のためのレーザ光を照射するものである。レーザの種類は特に限定されず、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、半導体レーザなど様々なものを使用可能である。レーザ光の波長は特に限定されないが、ガラス基板や有機材料での吸収が少なく、金属材料での吸収が大きくなる６００ｎｍ以上の波長が好ましい。レーザの発振は、連続発振、パルス発振のいずれでもよい。
【００３１】
ステージ駆動部４９は、ＸＹステージ４６を移動させると共に、画素の位置測定機能も有している。ＸＹステージ４６は、コンピュータ制御の自動式が望ましく、特にＸ，Ｙ方向にはリニアスケールが設置されていると、積算誤差も小さくなり、レーザ照射位置を精確に記録できる。
【００３２】
このリペア装置４０を用いたリペアは、次のようにして行うことができる。
【００３３】
まず、テーブル４５上に表示装置１を載置固定し、表示装置１上の複数の基準点を光学顕微鏡４７Ａの視野のレーザ照射位置に一致させ、表示装置１の原点位置および座標軸を決める。
【００３４】
次いで、信号発生器４２からの制御信号により表示装置１を黒表示状態で駆動する。このとき、輝点欠陥があれば、その画素が点灯する。この画素を、光学顕微鏡４７Ａの視野内のレーザ照射ポイントに捉え、図６および図７に示したように、その画素の発光領域Ｅの外周Ｅ１に、例えば第２電極１６側からレーザ光ＬＢを照射し、照射された部分Ｒの第２電極１６を消失させる。
【００３５】
これにより、発光領域Ｅ内に電流が流れなくなり、その画素の発光動作が停止される。また、レーザ光ＬＢは発光領域Ｅの外周Ｅ１に照射されるので、第２電極１６の消失面積は小さく抑えられると共に、発光領域Ｅ内の第１電極１３および第２電極１６は消失せずに残されており、外光による反射での見え方は周辺の正常な画素とほとんど変わらなくなる。よって、表示品質の低下が抑えられる。
【００３６】
レーザ光を照射した部分（レーザ照射部分）Ｒの幅Ｗは、第２電極１６を消失させ電流を流れなくすることができる幅であれば特に限定されないが、例えば２０μｍ以下とすることが好ましい。レーザ照射面積を少なくし、第２電極１６の消失面積を小さくすることができるからである。なお、レーザ光の照射部分Ｒは、発光領域Ｅの内側または外側のいずれか、または両方にはみ出していてもよい。
【００３７】
レーザ光ＬＢの照射方法としては、発光領域Ｅの外周Ｅ１を全周にわたり照射することができれば特に限定されない。例えば、発光領域Ｅの外周Ｅ１に沿って何度もレーザ光ＬＢを照射していくようにしてもよい。また、図８および図９に示したように、発光領域Ｅの外周Ｅ１に合わせた形状の矩形の開口部５１を有するマスク５０を用い、このマスク５０の開口部５１を介して発光領域Ｅの外周Ｅ１にレーザ光ＬＢを照射してもよく、これによりスループットを高めることができる。また、マスク５０に代えてスリット（直線状の開口部）を用いてもよい。
【００３８】
例えば、発光領域Ｅのサイズを１００μｍ×５０μｍ、レーザ照射部分Ｒの幅Ｗを２０μｍとし、発光領域Ｅの内側および外側に同じようにはみ出させる場合（外側１０μｍ、内側１０μｍ）には、発光領域Ｅの面積：５０００μｍ2 に対して、レーザ光の照射面積（＝電極の消失面積）：３０００μｍ2 となる。従来の方法では発光領域全体にレーザ光を照射しており、発光領域と同面積の電極を消失させていたので、本実施の形態では従来に比べて電極の消失率は６０％となり、外光反射の影響も６０％となる。よって、表示品質が改善される。
【００３９】
更に、レーザ照射部分Ｒの幅Ｗは１μｍ〜２μｍ程度にすることは可能である。例えば、幅Ｗ：２μｍでは、電極の消失率：６％となる。この程度になると目視では外光反射の違いは認識できず、表示品質の低下はほとんど無くなることになる。
【００４０】
発光領域Ｅのサイズとレーザ光の幅精度との間には関係がないので、発光領域Ｅのサイズが２倍になってもレーザ照射部分Ｒの幅Ｗは変更する必要はない。よって、幅Ｗ：２０μｍでは電極の消失率：３０％、幅Ｗ：２μｍでは電極の消失率：３％となり、発光領域のサイズが大きくなるほど、表示品質の改善率は高くなる。
【００４１】
このようにして得られた表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６および対向基板２０を透過して取り出される。
【００４２】
ここでは、ある画素の駆動トランジスタＴｒ１に、ソース電極３５とドレイン電極３６との短絡など、輝点欠陥の原因となるような不良があっても、その画素の発光領域Ｅの外周Ｅ１にレーザ光ＬＢを照射するリペア処理が行われているので、発光領域Ｅ内に電流が流れなくなっており、常に輝点となってしまうことはなくなる。また、発光領域Ｅ内の第１電極１３および第２電極１６は消失せず保存されているので、外光による反射の見え方は周辺の正常な画素とほとんど変わらなくなる。よって、表示品質の低下が抑えられる。
【００４３】
このように本実施の形態では、常に輝点となる画素の発光領域Ｅの外周Ｅ１にレーザ光ＬＢを照射するようにしたので、第２電極１６の消失面積を小さくすることができる。よって、発光領域Ｅ内の第２電極１６の消失により、外光による反射での見え方が違ってしまうという表示品質の低下を抑えることができる。特に、表示装置１のサイズが大きくなり、それに比例して発光領域Ｅのサイズが大きくなるほど、発光領域Ｅの面積に対する電極の消失面積の割合を小さくすることができ、更に顕著な表示品質改善効果を得ることができる。
【００４４】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００４５】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板５０および接着層４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００４６】
（適用例１）
図１１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００４７】
（適用例２）
図１２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００４８】
（適用例３）
図１３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００４９】
（適用例４）
図１４は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５０】
（適用例５）
図１５は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００５１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、第２電極１６の厚みが薄く、容易に消失させられることから、第２電極１６の側からレーザ光ＬＢを照射する場合について説明したが、第１電極１３の側からレーザ光ＬＢを照射するようにしてもよい。また、第２電極１６の側と第２電極１３の側との両方からレーザ光ＬＢを照射するようにしてもよい。
【００５２】
また、上記実施の形態では、第２電極１６の厚みを薄くして、有機層１５の発光層で発生した光を第２電極１６の側から取り出すトップエミッション構造の場合について説明したが、本発明は、有機層１５の発光層で発生した光を第１電極１３の側から取り出すボトムエミッション構造にも適用可能である。ボトムエミッションの場合にも、レーザ光ＬＢは、第１電極１３の側から照射してもよいし、第２電極１６の側から照射してもよいし、また、第２電極１６の側と第２電極１３の側との両方から照射するようにしてもよい。
【００５３】
更に、上記実施の形態では、表示領域１１０に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に全体としてマトリクス状に形成されている場合について説明したが、これらは必ずしも順に配列されていなければならないわけではなく、他の配列としてもよい。
【００５４】
加えて、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００５５】
更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。また、例えば第１電極１３は、誘電体多層膜とすることもできる。
【００５６】
加えてまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の製造方法を工程順に表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１および図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く工程で用いるリペア装置の全体構成を表す図である。
【図５】図４に示したリペア装置の側面図および上面図である。
【図６】図４および図５に示したリペア装置を用いたリペア方法を説明する平面図である。
【図７】図６に示したリペア方法を説明する断面図である。
【図８】レーザ照射に用いるマスクを表す平面図である。
【図９】図８に示したマスクを用いたレーザ照射方法を表す断面図である。
【図１０】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１１】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１６】従来のリペア方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１…基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１４…電極間絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護層、２０…対向基板、Ｅ…発光領域、Ｅ１…外周、Ｒ…レーザ光の照射部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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