(57)【要約】【課題】表面欠陥の大きさ及び個数が管理されて、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられるガラス基板を得ることができるガラス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のガラス基板の製造方法においては、ガラスブランク材を準備し、前記ガラスブランク材を用いて略円形状を有するガラス基板を得て、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出し、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記ガラス基板に対して欠陥除去処理を行う。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスブランク材を準備する工程と、前記ガラスブランク材を用いて略円形状を有するガラス基板を得る工程と、前記ガラス基板に対して前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出する工程と、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記ガラス基板に対して欠陥除去処理を行う工程と、を具備することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記欠陥を検出する工程は、前記ガラス基板の主面を鏡面研磨する鏡面研磨工程の後に行われることを特徴とする請求項１記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス基板を構成するガラスに対して化学強化する化学強化工程を含む場合においては、前記欠陥を検出する工程が、前記ガラス基板の主面を鏡面研磨する前記化学強化工程の後に行われることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記欠陥除去処理は、前記ガラス基板を鏡面研磨する処理又は前記ガラス基板を洗浄する処理であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板を洗浄する処理において、前記欠陥の個数及び大きさに応じて条件を変えることを特徴とする請求項４記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記欠陥の所定の個数は、前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクのサーマルアスペリティ（ＴＡ）テストによるＴＡ率が所定値以下になる個数であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
少なくとも略平坦な主表面を備え、略円形状を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面上に、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により検出される１μｍ以下の欠陥が、前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクのサーマルアスペリティ（ＴＡ）テストによるＴＡ率が所定値以下になる個数存在することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項８】
ブランク材を準備する工程と、前記ブランク材を用いて略円形状を有する基板を得る工程と、前記基板に対して前記基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記基板に照射し、前記基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出する工程と、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記基板に対して欠陥除去処理を行う工程と、を具備することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ装置に搭載される磁気ディスク用のガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、アルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属基板上にＮｉＰ膜を被着したり、ガラス基板やセラミックス基板上に磁性層や保護層を積層したりして作製される。従来では、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高密度記録化に伴って、アルミニウム合金基板に比べて表面の平坦度や薄板での強度に優れたガラス基板が用いられるようになってきている。
【０００３】
ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクについては、表面に存在する欠陥を検査している。例えば、特許文献１には、主走査方向に対して直角な方向に幅のある光ビームを照射して透過性基板を相対的に走査する投光系と、透過性基板からの散乱光を透過性基板の表面に垂直な方向で受光する高倍率の対物レンズ及び直角な方向に対応する結像の方向に沿って配列され対物レンズからの光を受ける受光素子を備える受光器を有し、透過性基板の走査位置の映像を受光素子に結像する受光系と、を含む欠陥検出光学系により磁気ディスク用基板の欠陥検出を行うことが開示されている。
【特許文献１】特開２００２−５５０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＨＤＤ装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離（フライングハイト）が小さくなってきており、フライングハイトが小さくなるにつれて、磁気ディスクとしたときの不良を抑えるために、磁気ディスクとして許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなってきている。また、これに対応して、磁気ディスク用基板の表面欠陥についても大きさ及び個数に対する要求が厳しくなってきている。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されて、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられるガラス基板を得ることができるガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材を準備する工程と、前記ガラスブランク材を用いて略円形状を有するガラス基板を得る工程と、前記ガラス基板に対して前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出する工程と、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記ガラス基板に対して欠陥除去処理を行う工程と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
この方法によれば、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されているので、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられ、ＨＤＤ装置に搭載した際の不具合の発生を抑えることができるガラス基板を得ることができる。
【０００８】
本発明のガラス基板の製造方法においては、前記欠陥を検出する工程は、前記ガラス基板の主面を鏡面研磨する鏡面研磨工程の後に行われることが好ましい。
【０００９】
本発明のガラス基板の製造方法においては、前記ガラス基板を構成するガラスに対して化学強化する化学強化工程を含む場合においては、前記欠陥を検出する工程が、前記ガラス基板の主面を鏡面研磨する前記化学強化工程の後に行われることが好ましい。
【００１０】
本発明のガラス基板の製造方法においては、前記欠陥除去処理は、前記ガラス基板を鏡面研磨する処理又は前記ガラス基板を洗浄する処理する処理であることが好ましい。この場合において、前記ガラス基板を洗浄する処理で、前記欠陥の個数及び大きさに応じて条件を変えることが好ましい。
【００１１】
本発明のガラス基板の製造方法においては、前記欠陥の所定の個数は、前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクのサーマルアスペリティ（ＴＡ）テストによるＴＡ率が所定値以下になる個数であることが好ましい。
【００１２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、少なくとも略平坦な主表面を備え、略円形状を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面上に、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により検出される１μｍ以下の欠陥が、前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクのサーマルアスペリティ（ＴＡ）テストによるＴＡ率が所定値以下になる個数存在することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されているので、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられ、ＨＤＤ装置に搭載した際の不具合の発生を抑えることができる。
【００１４】
本発明の基板の製造方法は、ブランク材を準備する工程と、前記ブランク材を用いて略円形状を有する基板を得る工程と、前記基板に対して前記基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記基板に照射し、前記基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出する工程と、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記基板に対して欠陥除去処理を行う工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のガラス基板の製造方法によれば、ガラスブランク材を準備し、前記ガラスブランク材を用いて略円形状を有するガラス基板を得て、前記ガラス基板に対して前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出し、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記ガラス基板に対して欠陥除去処理を行うので、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されて、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられるガラス基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
磁気ディスク用基板、例えばガラス基板の表面の欠陥を検査する装置としては、図１に示す構成の装置と、図２に示す構成の装置とがある。本明細書において、欠陥とは、基板を製造する種々の工程において使用される副資材の残存、製造装置自身あるいは基板加工中の発塵が主な原因となり、それが基板表面に付着してなる凸欠陥；基板加工中に発生したキズや基板流動／移載において発生するダメージなどの凹欠陥；ブランク材に起因する凹凸欠陥などを含む。
【００１７】
図１に示す装置は、光学式欠陥検査装置（Optical Surface Analyzer）であり、２つのレーザ１１，１２と、レーザ光の反射光を検出する検出器１３とを備えている。レーザ１１は、半径方向から測定対象物であるガラス基板Ｓに指向性を持つ光を照射し、レーザ１２は、円周方向から測定対象物であるガラス基板Ｓに指向性を持つ光を照射する。このような装置においては、半径方向に長さを持った欠陥と、円周方向に長さを持った欠陥とを検出することが可能である。また、それぞれのレーザはレーザ光を分光可能であり、すなわちガラス基板Ｓに対して垂直方向のレーザ光と、ガラス基板Ｓに対して水平方向のレーザ光とに分けることが可能である。欠陥については、その種類により適したレーザ光の方向性があるので、前述のようにレーザ光を分光することにより、種々の欠陥の検出を正確に行うことが可能となる。さらに、図１に示す装置においては、レーザ径が例えば４μｍ×５μｍ程度で小さく、レーザ波長が短くパワーが大きいので欠陥検出感度が高い。
【００１８】
図１に示す装置は、上述した特徴を有するので、様々な欠陥種を正確に検出することが可能となる。すなわち、ガラス基板Ｓからの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出することが可能である。なお、図１に示す装置は一例であり、ガラス基板に対して、その円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を照射し、ガラス基板からの反射光により欠陥を検出するタイプの装置であれば、本発明において同様に使用することができる。
【００１９】
図２に示す装置は、レーザ２１と、レーザ光を測定対象物であるガラス基板Ｓに光路変更すると共に、レーザ２１と反対側に配置されたミラー２３側に透過するビームスプリッタ２２と、ガラス基板Ｓの反射光を検出するＡＰＤ（Avalanche Photo Diode）検出器２４とを備えている。この装置においては、レーザ光を分光していないので、種々の欠陥の検出を正確に行うことが難しい。また、この装置においては、図１に示す装置よりも、レーザ径が大きく（例えば２μｍ×６４μｍ）、欠陥からの信号と欠陥以外の場所からの信号との間の比（ＳＮＲ：Signal-to-Noise Ratio）が悪く、レーザ波長も長いので、欠陥検出感度が低い。
【００２０】
このように、図１に示す装置においては、図２に示す装置に比べて、より微細な欠陥まで、例えば１μｍ以下の欠陥まで検出することができる。ここで、図１に示す装置で検出された欠陥と図２に示す装置で検出された欠陥との間の相関を調べた。その結果を図３（ａ）〜（ｆ）に示す。図３は、ガラスブランク材に対して研削加工、形状加工、及び研磨加工を施したガラス基板について図１に示す装置と図２に示す装置とで欠陥を検査した結果を示す図であり、図３（ａ），（ｂ）は、０．３μｍ未満の大きさの欠陥を検査した結果を示し、図３（ｃ），（ｄ）は、０．３μｍ以上１μｍ未満の大きさの欠陥を検査した結果を示し、図３（ｅ），（ｆ）は、１μｍ以上の大きさの欠陥を検査した結果を示す。また、図３（ａ），（ｃ），（ｅ）は、凹欠陥を検査した結果を示し、図３（ｂ），（ｄ），（ｆ）は、凸欠陥を検査した結果を示す。
【００２１】
図３（ｅ），（ｆ）から分かるように、１μｍを超える大きさの欠陥については、凹欠陥、凸欠陥共に、両装置のカウント数に比較的良好な相関関係が見える。一方、図３（ａ）〜（ｄ）から分かるように、１μｍ以下の大きさの欠陥については、凹欠陥、凸欠陥共に、両装置のカウント数に全く相関関係が見えない。これは、上述したように、図１に示す装置では、ガラス基板の円周方向及び半径方向から、レーザ径が小さく、パワーの大きい光をガラス基板に照射しているので、様々な欠陥種を検出できるが、図２に示す装置では、レーザ径が大きく、ＳＮＲが悪い状況でレーザをガラス基板に照射しているので、あまり小さい欠陥を検出することができないためであると考えられる。
【００２２】
また、磁性層形成前の洗浄前のガラス基板上の欠陥について、図１に示す装置で検出した結果と図２に示す装置で検出した結果を、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）／ＥＤＸ（エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置）により分析した。その結果を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）は、図２に示す装置で検出した欠陥についての分析結果であり、図４（ｂ）は、図１に示す装置で検出した欠陥についての分析結果である。図４（ｂ）に示すように、図１に示す装置においては、研磨剤、金属、微欠陥のような、磁性層形成前の洗浄では洗い落すことが困難な欠陥を検出しているが、図４（ａ）に示すように、図２に示す装置においては、研磨剤、金属、微欠陥のような微細な欠陥を正確に検出していない。これは、上述したように、両装置では、１μｍ以下の大きさの欠陥についての検出精度が大きく異なるためであると考えられる。
【００２３】
このように、図１に示すようなガラス基板に対して、ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光をガラス基板に照射するタイプの装置を用いて欠陥検出を行うことにより、１μｍ以下の大きさの欠陥を正確に検出することが可能である。本発明者らは、この１μｍ以下の大きさの欠陥がＨＤＤ装置に対してどのような影響があるかについて鋭意検討した結果、１μｍ以下の大きさの欠陥と、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突とに関連性があることを見出した。そして、本発明者らは、この１μｍ以下の大きさの欠陥の個数を管理することにより、磁気ディスクとしたときの不良を抑えて、ＨＤＤ装置における不具合を抑えることができることを見出し本発明をするに至った。
【００２４】
ここで、１μｍ以下の大きさの欠陥と、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突とに関連性については、サーマルアスペリティ（Thermal Asperity：ＴＡ（磁気ディスクに磁気ヘッドが衝突する際に起こる現象））テストによるＴＡ率により表すことができる。ガラス基板上の１μｍ以下の大きさの欠陥の個数を変えてＴＡテストを行った結果を図５に示す。なお、ＴＡテストは、ＧＭＲ（Giant MagnetoResistance）ヘッドを備えたＨＤＤ装置に磁気ディスクを装着し、ディスク周速度を８ｍ／ｓとし、ＧＭＲヘッドから出力される信号を増幅してそれをデジタルオシロスコープで観察し、そこで見られたＴＡ波形をカウントすることにより行った。図５から分かるように、ガラス基板上の１μｍ以下の大きさの欠陥の個数が多くなるにしたがってＴＡ率が増加している。この結果より、ガラス基板上の１μｍ以下の大きさの欠陥の個数を少なくすることにより、ＴＡ率を減少させることができる。
【００２５】
したがって、ＴＡ率と１μｍ以下の大きさの欠陥の個数との間の関係を予め求めておき、ＨＤＤ装置の方式や磁気ヘッドの種類などからの要求に基づくＴＡ率の値を決定し、その値に対応する１μｍ以下の大きさの欠陥の個数を前記関係から求めて、その個数になるようにガラス基板を加工する。すなわち、ＴＡ率の値から前記関係を介して求められた欠陥の個数になるように製造工程を管理する。例えば、所定の加工工程後にガラス基板上の１μｍ以下の欠陥の個数を求め、その個数が所定値を超えた場合には、ガラス基板に対して欠陥除去処理を行う。なお、ＴＡ率の値については、限定されず、ＨＤＤ装置の方式や磁気ヘッドの種類などから適宜決定する。
【００２６】
このように管理されたガラス基板は、少なくとも略平坦な主表面を備え、略円形状を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面上に、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により検出される１μｍ以下の欠陥が、前記ガラス基板に少なくとも磁性層を形成してなる磁気ディスクのＴＡテストによるＴＡ率が所定値以下になる個数存在するという構成を有することとなる。このガラス基板は、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されているので、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられ、ＨＤＤ装置に搭載した際の不具合の発生を抑えることができる。
【００２７】
このようにして、ガラス基板上の１μｍ以下の欠陥の個数をグライド試験から求められた値に対応する個数以下に管理することにより、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突を起こすような不良品を少なくすることができる。また、磁気ディスクは、上述したガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成して構成されている。すなわち、磁気ディスクは、通常、必要に応じ表面の化学強化処理を施したガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層を順次積層することにより製造される。なお、磁気ディスクにおける下地層は、磁性層に応じて適宜、選択される。
【００２８】
上記欠陥除去処理は、例えば、ガラス基板を鏡面研磨する処理又はガラス基板を洗浄する処理である。なお、ガラス基板を洗浄する処理としては、液体を用いた洗浄処理だけではなく、気体を用いた洗浄処理、レーザ照射による洗浄処理など種々の洗浄処理を含む。また、欠陥を検出する工程において欠陥の個数及び大きさを求める場合には、欠陥の個数及び大きさに応じてガラス基板を洗浄する処理の条件を変えることが好ましい。このように欠陥の個数及び大きさに応じて洗浄する処理の条件を変えることにより、ガラス基板上から１μｍ以下の欠陥を効果的に除去することができ、グライド試験の所定値以下に対応する個数にすることができる。
【００２９】
ガラス基板の製造においては、（１）形状加工工程及び第１ラッピング工程、（２）端部形状工程（穴部を形成するコアリング工程、端部（外周端部及び内周端部）に面取り面を形成するチャンファリング工程（面取り面形成工程））、（３）端面研磨工程（外周端部及び内周端部）、（４）第２ラッピング工程、（５）主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）、（６）化学強化工程、（７）テクスチャー処理工程を備えている。なお、端部研磨工程と第２ラッピング工程とは前後する場合もある。また、テクスチャー処理工程については、垂直磁気記録方式のＨＤＤ装置に使用する磁気ディスク用基板には不要となる。
【００３０】
本発明のガラス基板の製造方法においては、ガラスブランク材を準備し、前記ガラスブランク材を用いて略円形状を有するガラス基板を得て、前記ガラス基板に対して、前記ガラス基板の円周方向及び半径方向から指向性を持つ光を前記ガラス基板に照射し、前記ガラス基板からの反射光により１μｍ以下の欠陥を検出し、前記欠陥が所定の個数以上である場合に、前記ガラス基板に対して欠陥除去処理を行う。このような方法によれば、表面欠陥の大きさ及び個数が管理されているので、磁気ディスクとしたときの不良を抑えられ、ＨＤＤ装置に搭載した際の不具合の発生を抑えることができるガラス基板を得ることができる。
【００３１】
このような製造工程において、１μｍ以下の欠陥を検出する工程は、ガラス基板の主面を鏡面研磨する鏡面研磨工程の後に行われることが好ましい。また、１μｍ以下の欠陥を検出する工程は、ガラス基板を構成するガラスに対して化学強化する化学強化工程を含む場合においては、ガラス基板の主面を鏡面研磨する前記化学強化工程の後に行われることが好ましい。
【００３２】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（実施例）
まず、溶融させたアルミノシリケートガラスを上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスによりディスク形状に成型し、アモルファスの板状ガラスを得た。次に、この板状ガラスの両主表面をラッピング加工し、ディスク状のガラス母材とした。次いで、ダイヤモンドカッタを用いてガラス母材を切断し、このガラス母材から、直径２９ｍｍのガラス基板を切り出した。ガラス母材の直径は９６ｍｍであり、１枚のガラス母材から、６枚のガラス基板を採取することができた。次に、円筒状のコアドリルを用いて、このガラス基板の中心部に穴部を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。
【００３３】
次いで、ガラス基板の端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。また、内周端部については、磁気研磨法により鏡面研磨を行った。そして、鏡面研磨工程を終えたガラス基板を水洗浄した。これにより、ガラス基板の直径は２７．４ｍｍとなり、１インチ型磁気ディスクに用いる基板とすることができた。
【００３４】
次いで、得られたガラス基板の両主表面について、上記ラッピングと同様にしてラッピング加工を行った。次いで、主表面研磨工程として、まず第１研磨工程を施した。研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。そして、この第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水（１）、純水（２）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。
【００３５】
次いで、ガラス基板の両主表面について、主表面を鏡面状に仕上げる第２研磨工程を施した。研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細な酸化セリウム砥粒を用いた。そして、この第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤（１）、中性洗剤（２）、純水（１）、純水（２）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には、超音波を印加した。
【００３６】
次いで、上述したラッピング工程及び研磨工程を終えたガラス基板に、化学強化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を３８０°Ｃに加熱し、その中に洗浄済みのガラス基板を約４時間浸漬することによって行った。
【００３７】
次いで、このように化学強化を施したガラス基板を図１に示すＯＳＡ装置で欠陥を検査した。このとき、検査装置としては、光学式欠陥検査装置ＯＳＡ６１００（ＫＬＡ社製、商品名）を用い、レーザ波長４０５ｎｍ、レーザ径５μｍ×４μｍとした。また、このとき、ＴＡテストのＴＡ率の所定の値に対応する１μｍ以下の欠陥の個数（閾値）を１個とした。
【００３８】
ガラス基板１００枚について、上記のような工程でガラス基板を作製して欠陥検査を行い、１μｍ以下の欠陥の個数が閾値を超えたガラス基板については、欠陥除去処理として、上記第２研磨工程における研磨処理を行った。このようにして、１μｍ以下の欠陥の個数が閾値以下に管理されたガラス基板を作製した。
【００３９】
このようなガラス基板を、２０°Ｃの水槽に浸漬して急冷し、約１０分間維持した。そして、急冷を終えたガラス基板を、約４０°Ｃに加熱した濃硫酸に浸漬して洗浄を行った。さらに、硫酸洗浄を終えたガラス基板を、純水（１）、純水（２）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加した。
【００４０】
これらのガラス基板に、テクスチャー処理及び精密洗浄を行った後に、下地層、磁性層、保護層及び潤滑層を順次積層して磁気ディスクを作製し、この磁気ディスクをロ−ド／アンロード方式のＨＤＤ装置に搭載して耐久性試験を行った。耐久性試験は、ＧＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを使用し、磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍとしてロードアンロード動作の繰り返しを行った。その結果。本実施例の磁気ディスクは、１００万回のＬＵＬ（ロ−ド／アンロード）動作に故障することなく耐久した。
【００４１】
（比較例）
ガラス基板上の１μｍ以下の欠陥の個数を管理することなく、実施例と同様にしてガラス基板を作製し、これらのガラス基板に、実施例と同様にして下地層、磁性層、保護層及び潤滑層を順次積層して磁気ディスクを作製し、この磁気ディスクをロ−ド／アンロード方式のＨＤＤ装置に搭載して上記耐久性試験を行った。その結果、ガラス基板から作製された磁気ディスクのいくつかについて、６０万回のＬＵＬ動作でヘッドクラッシュなどの不具合が生じた。これは、１μｍ以下の欠陥の個数を管理していないので、このような微細な欠陥が高い割合で存在して、ヘッドクラッシュなどを起こしたと考えられる。
【００４２】
本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態においては、ガラス基板における１μｍ以下の欠陥の個数を管理することについて説明しているが、本発明はこれに限定されず、アルミニウム合金基板などの他の磁気ディスク用基板における１μｍ以下の欠陥の個数を管理する場合にも適用することができる。ガラス基板とアルミニウム合金基板などの他の基板とでは、欠陥の種類は異なるが、アルミニウム合金基板などの他の基板においても１μｍ以下の欠陥の個数とＴＡテストのＴＡ率との間の相関を得ることが可能であると考えられるので、その相関関係を用いて１μｍ以下の欠陥の個数を管理することにより、そして、その相関関係を用いて磁気ディスクとしたときの不良を抑えられる磁気ディスク用基板を得ることができる。
【００４３】
また、上記実施の形態においては、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突についてＴＡテストを用いた場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、磁気ディスクへの磁気ヘッドの衝突についてグライド試験やサーティファイ試験を用いても良い。また、上記実施の形態における部材の個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ガラス基板上の欠陥を検出する装置の概略構成を示す図である。
【図２】ガラス基板上の欠陥を検出する装置の概略構成の他の例を示す図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、種々の大きさの欠陥のカウントについて、図１に示す装置と図２に示す装置との間の相関を示す図である。
【図４】（ａ）は、図２に示す装置で検出された欠陥の分析結果を示す図であり、（ｂ）は、図１に示す装置で検出された欠陥の分析結果を示す図である。
【図５】ＴＡ率と１μｍ以下の大きさの欠陥の個数との間の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１１，１２，２１  レーザ
１３  検出器
２３  ミラー
２４  ＡＰＤ検出器
Ｓ  ガラス基板
【図１】
2009064489.tif 000002
【図２】
2009064489.tif 000003
【図３】
2009064489.tif 000004
【図４】
2009064489.tif 000005
【図５】
2009064489.tif 000006