(57)【要約】【課題】輝度及び寿命特性を向上させることができる発光装置、及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供すること。【解決手段】本発明による発光装置は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板の一面で第１基板の一方向に沿って形成されるカソード電極、カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極、カソード電極に電気的に連結される電子放出部、及び第２基板の一面に形成されて、アノード電極及び蛍光層を含む発光ユニットを含む。第１基板は、有効領域及び有効領域を囲む非有効領域を含み、第１基板で電子放出部が占める総面積は有効領域の面積の２〜２６％である。【選択図】図２
2009129911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板の一面で前記第１基板の一方向に沿って形成されるカソード電極と；
絶縁層によって前記カソード電極と電気的に絶縁されて、前記カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極と；
前記カソード電極に電気的に連結される電子放出部と；
前記第２基板の一面に形成されて、アノード電極及び蛍光層を含む発光ユニットと；
を含み、
前記第１基板は、有効領域及び前記有効領域を囲む非有効領域を含み、前記第１基板で前記電子放出部が占める総面積は前記有効領域の面積の２〜２６％であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１基板及び前記第２基板は、５〜２０ｍｍの間隔をおいて位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記アノード電極は、１０〜１５ｋＶのアノード電圧の印加を受けることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ゲート電極及び前記絶縁層は、前記カソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有し、前記絶縁層の開口部の内側で前記カソード電極上に前記電子放出部が位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記開口部の直径は６０μｍ以上であり、前記電子放出部の直径は４０μｍ以上であり、前記電子放出部のピッチは８０μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
画像を表示する表示パネルと；
前記表示パネルに光を供給する発光装置と；
を含み、
前記発光装置は、
互いに対向配置される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板の一面で前記第１基板の一方向に沿って形成されるカソード電極と；
絶縁層によって前記カソード電極と電気的に絶縁されて、前記カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極と；
前記カソード電極に電気的に連結される電子放出部と；
前記第２基板の一面に形成されて、アノード電極及び蛍光層を含む発光ユニットと；
を含み、
前記第１基板は、有効領域及び前記有効領域を囲む非有効領域を含み、前記第１基板で前記電子放出部が占める総面積は前記有効領域の面積の２〜２６％であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記第１基板及び前記第２基板は、５〜２０ｍｍの間隔をおいて位置することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記アノード電極は、１０〜１５ｋＶのアノード電圧の印加を受けることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ゲート電極及び前記絶縁層は、前記カソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有し、前記絶縁層の開口部の内側で前記カソード電極上に前記電子放出部が位置することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記開口部の直径は６０μｍ以上であり、前記電子放出部の直径は４０μｍ以上であり、前記電子放出部のピッチは８０μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示パネルが第１画素を形成し、前記発光装置が前記表示パネルより少ない個数の第２画素を形成して、前記各々の第２画素が対応する第１画素の階調のうちの最大階調に対応して独立的に発光することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、より詳細には、発光装置の真空パネルの内部に設置されて、蛍光層に向かって電子を放出する電子放出ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
外部から見て光が出射されることを認識することができる全ての装置を発光装置と定義すれば、前面基板に蛍光層及びアノード電極が形成され、後面基板に電子放出部及び駆動電極が形成されている発光装置が公知である。前面基板及び後面基板は、密封部材によって周縁が一体に接合された後、内部空間が排気されて、密封部材と共に真空パネルを構成する。
【０００３】
電子放出部は、蛍光層に向かって電子を放出し、この電子が蛍光層を励起させて、蛍光層から可視光が放出されるようにする。アノード電極は、数ｋＶの高電圧の印加を受けて、電子を蛍光層に加速させる加速電極として機能する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記構成のような従来の発光装置は、液晶表示パネルなどの非自発光型表示パネルを使用する表示装置で光源として使用されるが、このような発光装置は、表示パネルの低い透過率を考慮して高輝度を実現しなければならないという問題がある。また、長時間駆動時にも電子放出部の電流密度（電子放出量）を一定に維持することができるように、電子放出部の長時間寿命特性を維持しなければならないという問題もある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、高輝度を実現して、電子放出部の長時間寿命特性を保持して、耐久性を向上させることができる、新規かつ改良された発光装置、及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板の一面で第１基板の一方向に沿って形成されるカソード電極と、絶縁層によってカソード電極と電気的に絶縁されて、カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２基板の一面に形成されて、アノード電極及び蛍光層を含む発光ユニットとを含み、第１基板は、有効領域及び有効領域を囲む非有効領域を含み、第１基板で電子放出部が占める総面積は有効領域の面積の２〜２６％である発光装置が提供される。
【０００７】
第１基板及び第２基板は、５〜２０ｍｍの間隔をおいて位置し、アノード電極は、１０〜１５ｋＶのアノード電圧の印加を受けてもよい。
ゲート電極及び絶縁層は、カソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有し、絶縁層の開口部の内側でカソード電極上に電子放出部が位置する。この時、開口部の直径は６０μｍ以上であり、電子放出部の直径は４０μｍ以上であり、電子放出部のピッチは８０μｍ以上であってもよい。
【０００８】
上記問題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画像を表示する表示パネルと、表示パネルに光を供給する発光装置を含み、発光装置は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板の一面で第１基板の一方向に沿って形成されるカソード電極と、絶縁層によってカソード電極と電気的に絶縁されて、カソード電極と交差する方向に沿って形成されるゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２基板の一面に形成されて、アノード電極及び蛍光層を含む発光ユニットとを含み、第１基板は、有効領域及び有効領域を囲む非有効領域を含み、第１基板で電子放出部が占める総面積は有効領域の面積の２〜２６％である表示装置が提供される。
【０００９】
第１基板及び第２基板は、５〜２０ｍｍの間隔をおいて位置し、アノード電極は、１０〜１５ｋＶのアノード電圧の印加を受けてもよい。
【００１０】
ゲート電極及び絶縁層はカソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有し、絶縁層の開口部の内側でカソード電極上に電子放出部が位置する。この時、開口部の直径は６０μｍ以上であり、電子放出部の直径は４０μｍ以上であり、電子放出部のピッチは８０μｍ以上であってもよい。
【００１１】
表示パネルが第１画素を形成し、発光装置は、表示パネルより少ない個数の第２画素を形成して、各々の第２画素は、対応する第１画素の階調のうちの最大階調に対応して独立的に発光する表示パネルは、液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、１０，０００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を実現し、５万時間以上の寿命特性を保持することができる。したがって、上記発光装置を光源として使用する本発明による表示装置は、高輝度画面を実現し、耐久性を向上させることができる発光装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態に具現され、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１５】
図１は本発明の一実施例による発光装置の部分分解斜視図であり、図２は本発明の一実施例による発光装置の部分断面図である。
【００１６】
図１及び図２を参照すれば、本実施例の発光装置１０は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１２及び第２基板１４を含む。第１基板１２及び第２基板１４の周縁には密封部材１６が配置されて両基板を接合させて、内部空間が約１０−６Ｔｏｒｒの真空度で構成されて、第１基板１２、第２基板１４、及び密封部材１６が真空パネルを構成する。
【００１７】
第１基板１２及び第２基板１４は、密封部材１６の内側に位置する領域が、実際に可視光の放出に寄与する有効領域１８及びこの有効領域１８を囲む非有効領域２０に区分される。第１基板１２の有効領域１８には、電子の放出のための電子放出ユニット２２が提供され、第２基板１４の有効領域１８には、可視光の放出のための発光ユニット２４が提供される。
【００１８】
電子放出ユニット２２は、第１基板１２の一方向に沿って形成されるカソード電極２６、絶縁層２８を間においてカソード電極２６の上部に位置して、カソード電極２６と交差する方向に沿って形成されるゲート電極３０、カソード電極２６に電気的に連結される電子放出部３２を含む。
【００１９】
カソード電極２６及びゲート電極３０のうちの主に発光装置１０の行方向に沿って位置する電極が走査電極として機能し、発光装置１０の列方向に沿って位置する電極がデータ電極として機能する。図面では、一例として、カソード電極２６が発光装置１０の列方向（図面のｙ軸方向）に沿って位置し、ゲート電極３０が発光装置１０の行方向（図面のｘ軸方向）に沿って位置することを示した。
【００２０】
カソード電極２６及びゲート電極３０の交差領域ごとに、ゲート電極３０及び絶縁層２８に開口部３０１、２８１が形成されてカソード電極２６の表面の一部を露出させ、絶縁層２８の開口部２８１の内側でカソード電極２６上に電子放出部３２が位置する。
【００２１】
電子放出部３２は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素系物質またはナノメートルサイズ物質からなる。電子放出部３２は、一例として、炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ６０、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される物質を含むことができる。
【００２２】
一方で、電子放出部３２は、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主材質とする先端が鋭いチップ構造物からなることができる。
【００２３】
上記構造で、カソード電極２６及びゲート電極３０の１つの交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応したり、２つ以上の交差領域が発光装置１０の１つの画素領域に対応したりすることができる。後者の場合、１つの画素領域に対応する２つ以上のカソード電極２６または２つ以上のゲート電極３０の少なくともいずれかは、互いに電気的に連結されて、同一な駆動電圧の印加を受ける。
【００２４】
次に、発光ユニット２４は、アノード電極３３、アノード電極３３の一面に位置する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う反射膜３６を含む。
【００２５】
アノード電極３３は、蛍光層３４から放出される可視光を透過させることができるように、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）などの透明な導電物質からなる。アノード電極３３は、数ｋＶ以上の正の直流電圧（アノード電圧）の印加を受けて、蛍光層３４を高電位状態に維持させる。
【００２６】
蛍光層３４は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体からなることができる。蛍光層３４は、第２基板１４の有効領域全体に位置したり、画素領域ごとに分離したりして位置することができる。図１及び図２では、蛍光層３４が第２基板１４の有効領域全体に位置することを示した。
【００２７】
反射膜３６は、数千オームストロング（Å）の厚さのアルミニウム薄膜からなって、電子ビームの通過のための微細ホールが形成される。反射膜３６は、蛍光層３４から放出された可視光のうちの第１基板１２に向かって放出された可視光を第２基板１４側に反射させて、発光装置１０の輝度を高める役割を果たす。
【００２８】
一方、上記アノード電極３３が省略されて、反射膜３６がアノード電圧の印加を受けて、アノード電極として機能することもできる。
【００２９】
そして、第１基板１２及び第２基板１４の間の有効領域１８には、真空パネルに加えられる圧縮力を支持して、この基板１２、１４の間隔を一定に維持するスペーサ（図示せず）が位置する。
【００３０】
上記構造の発光装置１０は、カソード電極２６及びゲート電極３０のうちの一方の電極に走査駆動電圧を印加し、他方の電極にデータ駆動電圧を印加し、アノード電極３３に数ｋＶ以上のアノード電圧を印加して駆動する。
【００３１】
そうすると、カソード電極２６及びゲート電極３０の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部３２の周囲に電界が形成されて、これから電子が放出される。放出された電子は、アノード電極３３に印加されたアノード電圧に引っ張られて対応する蛍光層３４に衝突することによって、これを発光させる。画素別の蛍光層３４の輝度は、当該画素の電子ビームの放出量に対応する。
【００３２】
本実施例の発光装置１０で、第１基板１２及び第２基板１４は、５〜２０ｍｍの比較的大きな間隔をおいて位置することができる。第１基板１２及び第２基板１４の間隔拡大によって真空パネルの内部のアーク放電を抑制することができ、高電圧安定性を向上させることができる。その結果、アノード電極３３に１０ｋＶ以上、好ましくは１０〜１５ｋＶの高電圧を印加することができる。発光装置１０の輝度はアノード電圧に比例するので、上記アノード電圧によって発光装置１０の輝度を高めることができる。
【００３３】
本実施例の発光装置１０は、輝度、電子放出部３２の寿命特性、及び製造工程の３つの側面を考慮して、第１基板１２の有効領域１８で電子放出部３２が占める総面積を下記のように設定する。
【００３４】
まず、第１基板１２の有効領域１８で電子放出部３２が占める総面積の最小値は、輝度及び電子放出部３２の寿命特性を考慮して決定される。
【００３５】
発光装置１０が表示装置（図示せず）の光源として使用される時、画像を表示する表示パネル（図示せず）、例えば液晶表示パネルは、最大５００ｃｄ／ｍ２の輝度を実現する。しかし、液晶表示パネルの透過率は約５％であるので、発光装置１０は、最大１０，０００ｃｄ／ｍ２の輝度を実現しなければならない。発光装置１０がこのような輝度を実現するためには、電子放出部３２から約５〜６μＡ／ｃｍ２の電流密度（電子放出量）を得なければならない。
【００３６】
図３は本発明の一実施例による発光装置において、電流密度による輝度の変化を示したグラフである。
【００３７】
図３を参照すれば、電流密度及び輝度は比例関係にあって、５〜６μＡ／ｃｍ２の電流密度で約９，０００〜１０，５００ｃｄ／ｍ２の輝度を示すことが分かる。
【００３８】
本実施例の発光装置１０は、パルス波形の走査駆動電圧及びデータ駆動電圧を利用して、瞬間的に電子を放出するピーク駆動方式を採択するので、１０，０００ｃｄ／ｍ２の輝度を実現するためには、上記５〜６μＡ／ｃｍ２の電流密度の２倍である約１０μＡ／ｃｍ２の電流密度が要求される。
【００３９】
図４は本発明の一実施例による発光装置において、電流密度による電子放出部の寿命特性を示したグラフである。
【００４０】
図４を参照すれば、実施例１は初期６００μＡ／ｃｍ２の電流密度条件で測定されたものであり、実施例２は初期３００μＡ／ｃｍ２の電流密度条件で測定されたものであり、実施例３は初期１００μＡ／ｃｍ２の電流密度条件で測定されたものである。
実施例１〜実施例３の全てが５万時間以上の寿命特性を示し、図４に示したグラフの結果から、５万時間以上の寿命特性を保持することができる最大電流密度は約５００μＡ／ｃｍ２であると推定することができる。
【００４１】
したがって、第１基板１２の有効領域１８の面積のうち電子放出部３２が占める総面積の割合の最小値は、輝度及び寿命特性を考慮する時、（１０μＡ／ｃｍ２）／（５００μＡ／ｃｍ２）である０．０２となり、これは有効領域１８の面積の２％を意味する。電子放出部３２が占める総面積が有効領域１８の面積の２％以上である時に、約１０，０００ｃｄ／ｍ２の最大輝度及び５万時間以上の寿命特性を保持することができる。
【００４２】
次に、第１基板１２の有効領域１８で電子放出部３２が占める総面積の最大値は、製造工程を考慮して決定される。
【００４３】
図５は図２に示した電子放出ユニットの部分拡大図である。
【００４４】
図５を参照すれば、本実施例の発光装置１０において、電子放出部３２は、（１）公知のフォトリソグラフィ工程を適用して、ゲート電極３０及び絶縁層２８に開口部３０１、２８１を形成し、（２）犠牲層（図示せず）を全体に塗布した後、これをパターニングして、電子放出部が位置する部分に開口部を形成し、（３）電子放出物質及び感光性物質を含むペースト状の混合物を全体に塗布した後、第１基板１２の後面から紫外線を照射して犠牲層の開口部に充填された混合物を選択的に硬化し、（４）硬化されない混合物及び犠牲層を除去する過程を通じて完成される。
【００４５】
現在の製造工程では、６０μｍ直径のゲート電極の開口部３０１、４０μｍ直径の電子放出部３２、及び８０μｍの開口部ピッチ（図５ａでＰで表示）の製造が限界となる。これに基づいて、横幅が１０ｍｍで縦幅が１０ｍｍの有効領域に位置する電子放出部３２の最大面積は、（１つの電子放出部の面積）×個数であり、これは下記の数式によって２７．７５ｍｍ２と計算される。
（π（０．０２）２）×（（１０／０．０８）×（１０／０．０８）×１．４１４）＝２７．７５ｍｍ２
上式において、電子放出部３２の個数を表す（（１０／０．０８）×（１０／０．０８）×１．４１４）の算出について以下に説明する。横幅が１０ｍｍで縦幅が１０ｍｍの有効領域に電子放出部３２の行と列が直交するように配置された時、０．０８は電子放出部の間の間隔（開口部ピッチ）を意味するので、有効領域の横または縦の幅である１０ｍｍを開口部ピッチである０．０８で除算すると、１０／０．０８＝１２５であるため、横方向に電子放出部が１２５個配置され、縦方向にも電子放出部が１２５個配置される。従って、電子放出部３２の行と列が直交するように配置された場合、有効領域に（１０／０．０８）×（１０／０．０８）＝１２５×１２５個の電子放出部３２を配置することができる。また、図１に示すように、ある行の２つの電子放出部３２の間に隣の行の１つの電子放出部３２を配置し、電子放出部３２の列が交差するように配置されれば、行と列が直交するように配置される時より電子放出部３２をより多く配置することができる。上式における１．４１４（定数）は、このように電子放出部３２がより多く配置されることを考慮して乗算した値である。
【００４６】
この時、カソード電極２６の間のデッドスペース及びゲート電極３０の間のデッドスペースを電子放出部３２の最大面積（２７．７５ｍｍ２）の約５％として考慮すれば、電子放出部３２を形成することができる製造可能領域は２７．７５×０．９５＝２６．３となり、有効領域の約２６％となる。したがって、本実施例の発光装置１０において、電子放出部３２が占める総面積は有効領域１８の面積の２６％以下である。
【００４７】
このように、本実施例の発光装置１０において、電子放出部３２が占める総面積は有効領域１８の面積の２〜２６％である。この条件を満たす時、１０，０００ｃｄ／ｍ２以上の輝度を実現し、５万時間以上の寿命特性を保持して、製造不良なく電子放出部３２を良好に形成することができる。
【００４８】
図６は本発明の一実施例による表示装置の分解斜視図である。
【００４９】
図６を参照すれば、本実施例の表示装置４０は、発光装置１０、及び発光装置１０の前方に位置する表示パネル５０を含む。発光装置１０及び表示パネル５０の間には、発光装置１０から出射された光を均等に拡散させる拡散板４２が位置し、拡散板４２及び発光装置１０は所定の距離をおいて離隔して位置する。
【００５０】
表示パネル５０は、液晶表示パネルまたは他の非自発光型表示パネルからなる。以下では、表示パネル５０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００５１】
図７は図６に示した表示パネルの部分断面図である。
【００５２】
図７を参照すれば、液晶表示パネル５０は、複数の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）５２が形成された下部基板５４、カラーフィルタ層５６が形成された上部基板５８、上部基板５８及び下部基板５４の間に注入される液晶層６０を含む。上部基板５８の上面及び下部基板５４の下面には、各々偏光板６２、６４が付着されて、表示パネル５０を通過する光を偏光する。
【００５３】
下部基板５４の内面には、副画素（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）別にＴＦＴ５２によって駆動が制御される透明な画素電極６６が位置し、上部基板５８の内面には、カラーフィルタ層５６及び透明な共通電極６８が位置する。カラーフィルタ層５６は、副画素別に１つずつ位置する赤色フィルタ層５６Ｒ、緑色フィルタ層５６Ｇ、及び青色フィルタ層５６Ｂを含む。
【００５４】
特定の副画素のＴＦＴ５２がターンオンされると、画素電極６６及び共通電極６８の間に電界が形成され、この電界によって液晶層６０を構成する液晶分子の配列角が変化して、変化した配列角によって光の透過率が変化する。表示パネル５０は、このような過程を通じて画素別の輝度及び発光色を制御することができる。
【００５５】
再び図６を参照すれば、引用符号４４は各ＴＦＴ５２のゲート電極に走査駆動信号を伝送する走査回路ボードアセンブリーを示し、引用符号４６は各ＴＦＴ５２のソース電極にデータ駆動信号を伝送するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００５６】
発光装置１０は、表示パネル５０より少ない個数の画素を形成して、発光装置１０の１つの画素が表示パネル５０の２つ以上の画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、これに対応する表示パネル５０の画素の階調のうちの最も高い階調に対応して発光して、２〜８ビットの階調を表現することができる。
【００５７】
便宜上、表示パネル５０の画素を第１画素とし、発光装置１０の画素を第２画素として、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群とする。
【００５８】
発光装置１０の駆動過程は、（１）表示パネル５０を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素の階調うちの最も高い階調を検出し、（２）検出された階調によって第２画素の発光に必要な階調を計算して、これをデジタルデータに変換し、（３）デジタルデータを利用して発光装置１０の駆動信号を生成し、（４）生成された駆動信号を発光装置１０の駆動電極に印加する段階を含む。
【００５９】
発光装置１０の駆動信号は、走査駆動信号及びデータ駆動信号からなる。上記カソード電極２６及びゲート電極３０のうちの一方の電極（一例としてゲート電極）が走査駆動信号の印加を受け、他方の電極（一例としてカソード電極）がデータ駆動信号の印加を受ける。
【００６０】
発光装置１０の駆動のための走査回路ボードアセンブリー及びデータ回路ボードアセンブリーは、発光装置１０の裏面に位置することができる。図６で引用符符号４８はカソード電極及びデータ回路ボードアセンブリーを連結する第１接続部材を示し、引用符号７０はゲート電極及び走査回路ボードアセンブリーを連結する第２接続部材を示す。そして、引用符号７２はアノード電極にアノード電圧を印加する第３接続部材を示す。
【００６１】
このように、発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時に、第１画素群に同期して所定の階調で発光する。つまり、発光装置１０は、表示パネル５０が実現する画面のうちの明るい領域には高輝度の光を供給し、暗い領域には低輝度の光を供給する。したがって、本実施例の表示装置１０は、画面のコントラスト比を高め、より鮮明な画質を実現することができる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の一実施例による発光装置の部分分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施例による発光装置の部分断面図である。
【図３】本発明の一実施例による発光装置において、電流密度による輝度の変化を示したグラフである。
【図４】本発明の一実施例による発光装置において、電流密度による電子放出部の寿命特性を示したグラフである。
【図５】図２に示した電子放出ユニットの部分拡大図である。
【図６】本発明の一実施例による表示装置の分解斜視図である。
【図７】図６に示した表示パネルの部分断面図である
【符号の説明】
【００６４】
１０    発光装置
１２    第１基板
１４    第２基板
１６    密封部材
１８    有効領域
２０    非有効領域
２２    電子放出ユニット
２４    発光ユニット
２６    カソード電極
２８    絶縁層
３０    ゲート電極
３２    電子放出部
３３    アノード電極
３４    蛍光層
３６    反射膜
４０    表示装置
４２    拡散板
５０    表示パネル
５２    薄膜トランジスタ
５６    カラーフィルタ層
６０    液晶層
６２、６４    偏光板
６６    画素電極
６８    共通電極
２８１、３０１    開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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