(57)【要約】【課題】焼付き現象を解消する回路をその規模を大きくすることなく備えた画像表示装置の提供。【解決手段】複数の表示素子により構成された表示部と、該表示部に表示信号電圧を入力する信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御部を備える画像表示装置であって、検出用電源と、該検出用電源の電流を前記表示素子に流す切換スィッチと、前記表示素子に流れる電流を検出する検出回路と、該検出回路によって検出された情報を格納し該情報によって前記表示信号電圧を補正する検出情報格納回路と、を備え、前記検出回路は、第１基準電圧によって第１電流測定範囲を設定して電流検出を行った後、検出された電流量をフィードバックすることにより、前記第１基準電圧と異なる第２基準電圧によって第２電流測定範囲を設定して電流検出を行うように構成されている。【選択図】図１１
2009237200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示素子により構成された表示部と、該表示部に表示信号電圧を入力する信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御部を備える画像表示装置であって、
検出用電源と、該検出用電源の電流を前記表示素子に流す切換スィッチと、前記表示素子に流れる電流を検出する検出回路と、該検出回路によって検出された情報を格納し該情報によって前記表示信号電圧を補正する検出情報格納回路と、を備え、
前記検出回路は、第１基準電圧によって第１電流測定範囲を設定して電流検出を行った後、検出された電流量をフィードバックすることにより、前記第１基準電圧と異なる第２基準電圧によって第２電流測定範囲を設定して電流検出を行うように構成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記切替スイッチは、一表示期間中の該表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に、前記検出用電源と前記表示素子を接続することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記検出用電源は定電流源であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記検出回路は劣化素子のレベルを判別し、前記検出情報格納回路は一画面分の劣化素子の状態を格納することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記表示制御回路は前記劣化素子へ入力する表示データを補正することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記表示信号電圧の供給にあって、前記表示部内に、赤、緑、青を担当する各信号を時分割して供給する切替スイッチを設けることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は同じであることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は異なっていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項９】
複数の表示素子により構成された表示部と、該表示部に表示信号電圧を入力するデータ信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御部を備える画像表示装置であって、
検出用電源と、該検出用電源の電流を検出信号線を介して前記表示素子に流す切換スィッチと、前記表示素子に流れる電流を検出する検出回路と、該検出回路によって検出された情報を格納し該情報によって前記表示信号電圧を補正する検出情報格納回路と、を備え、
前記データ信号線と前記検出信号線は、切替え回路によって切り替えられる共通の信号線で構成され、
前記検出回路は、第１基準電圧によって第１電流測定範囲を設定して電流検出を行った後、検出された電流量をフィードバックすることにより、前記第１基準電圧と異なる第２基準電圧によって第２電流測定範囲を設定して電流検出を行うように構成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
前記切替スイッチは、一表示期間中の該表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に、前記検出用電源と前記表示素子を接続することを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記検出用電源は定電流源であることを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記検出回路は劣化素子のレベルを判別し、前記検出情報格納回路は一画面分の劣化素子の状態を格納することを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記表示制御回路は前記劣化素子へ入力する表示データを補正することを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記表示信号電圧の供給にあって、前記表示部内に、赤、緑、青を担当する各信号を時分割して供給する切替スイッチを設けることを特徴とする請求項９記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は同じであることを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は異なっていることを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像表示装置に係り、たとえばＥＬ（Electro Luminescence）素子あるいは有機ＥＬ素子その他の自発光タイプの表示素子（画素）によって表示領域を構成する画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の画像表示装置は、その表示素子（自発光素子）の発光輝度が該素子を流れる電流量に比例するという性質があり、該素子を流れる電流量を制御することで階調表示を可能にしている。
【０００３】
しかし、たとえば有機ＥＬ素子は、その素子特性の劣化により、表示し続けている画素としていない画素に輝度差が生じてしまう性質を有する。
【０００４】
そして、これら表示素子の輝度差が「焼付き現象」として人間の目に認識されてしまい、画像表示装置としての寿命を低下させる要因となっている。
【０００５】
それ故、たとえば下記特許文献１に示すように、各表示素子を流れる電流量を測定し、その測定した電流量に応じて劣化分を補正する手段を設け、これにより上述の「焼付き現象」を解消する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３８２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上記特許文献１に開示の画像表示装置は、各表示素子を流れる電流量を測定するために、たとえばＡ／Ｄ変換器からなる電流測定器を備える。
【０００７】
しかし、該電流測定器において、その測定範囲はかなり広い範囲であることが要求される。各表示素子の劣化による電流変動が大きく、また、温度あるいは製造ばらつきによる電流変動にも充分に対処できるようにするためである。
【０００８】
この場合、前記電流測定器の回路規模は増大することが懸念されることになる。そこで、該電流測定器の回路規模の増大を回避することが要求されるが、上記特許文献１にはこの点を考慮した記載はない。
【０００９】
本発明の目的は、焼付き現象を解消する回路をその規模を大きくすることなく備えた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の画像表示装置は、温度による比較的大きい電流変動を検出するために表示素子に流れる電流量を測定する検出手段（電流測定器）の基準電圧を、前記電流量をフィードバックさせることによって前記表示素子の劣化による微少な電流変化を検出できる基準電圧に切り替え、該検出手段の電流測定範囲を温度変動に追従させるようにした。これにより、同一の検出手段によって、変動の大きい温度状況による電流量の変動と変動の微少な素子劣化による電流量の変動のいずれも検出できるようにした。
【００１１】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１２】
（１）本発明による画像表示装置は、たとえば、複数の表示素子により構成された表示部と、該表示部に表示信号電圧を入力する信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御部を備える画像表示装置であって、
検出用電源と、該検出用電源の電流を前記表示素子に流す切換スィッチと、前記表示素子に流れる電流を検出する検出回路と、該検出回路によって検出された情報を格納し該情報によって前記表示信号電圧を補正する検出情報格納回路と、を備え、
前記検出回路は、第１基準電圧によって第１電流測定範囲を設定して電流検出を行った後、検出された電流量をフィードバックすることにより、前記第１基準電圧と異なる第２基準電圧によって第２電流測定範囲を設定して電流検出を行うように構成されていることを特徴とする。
【００１３】
（２）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記切替スイッチは、一表示期間中の該表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に、前記検出用電源と前記表示素子を接続することを特徴とする。
【００１４】
（３）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記検出用電源は定電流源であることを特徴とする。
【００１５】
（４）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記検出回路は劣化素子のレベルを判別し、前記検出情報格納回路は一画面分の劣化素子の状態を格納することを特徴とする。
【００１６】
（５）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記表示制御回路は前記劣化素子へ入力する表示データを補正することを特徴とする。
【００１７】
（６）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記表示信号電圧の供給にあって、前記表示部内に、赤、緑、青を担当する各信号を時分割して供給する切替スイッチを設けることを特徴とする。
【００１８】
（７）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は同じであることを特徴とする。
【００１９】
（８）本発明による画像表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は異なっていることを特徴とする。
【００２０】
（９）本発明による画像表示装置は、たとえば、複数の表示素子により構成された表示部と、該表示部に表示信号電圧を入力するデータ信号線と、該表示信号電圧を制御する表示制御部を備える画像表示装置であって、
検出用電源と、該検出用電源の電流を検出信号線を介して前記表示素子に流す切換スィッチと、前記表示素子に流れる電流を検出する検出回路と、該検出回路によって検出された情報を格納し該情報によって前記表示信号電圧を補正する検出情報格納回路と、を備え、
前記データ信号線と前記検出信号線は、切替え回路によって切り替えられる共通の信号線で構成され、
前記検出回路は、第１基準電圧によって第１電流測定範囲を設定して電流検出を行った後、検出された電流量をフィードバックすることにより、前記第１基準電圧と異なる第２基準電圧によって第２電流測定範囲を設定して電流検出を行うように構成されていることを特徴とする。
【００２１】
（１０）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記切替スイッチは、一表示期間中の該表示信号電圧を出力する期間とは別の期間に、前記検出用電源と前記表示素子を接続することを特徴とする。
【００２２】
（１１）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記検出用電源は定電流源であることを特徴とする。
【００２３】
（１２）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記検出回路は劣化素子のレベルを判別し、前記検出情報格納回路は一画面分の劣化素子の状態を格納することを特徴とする。
【００２４】
（１３）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記表示制御回路は前記劣化素子へ入力する表示データを補正することを特徴とする。
【００２５】
（１４）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記表示信号電圧の供給にあって、前記表示部内に、赤、緑、青を担当する各信号を時分割して供給する切替スイッチを設けることを特徴とする。
【００２６】
（１５）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は同じであることを特徴とする。
【００２７】
（１６）本発明による画像表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提とし、前記第１電流測定範囲の幅と第２電流測定範囲の幅は異なっていることを特徴とする。
【００２８】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明による画像表示装置によれば、焼付き現象を解消する回路をその規模を大きくすることなく備えることができる。
【００３０】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００３２】
（第一の実施形態）
以下、本発明の第一の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施形態である画像表示装置を示し、自発光素子表示装置の例を示している。
【００３４】
図１において、１は水平同期信号、２は垂直同期信号、３はデータイネーブル、４は表示データ、５は同期クロックを示している。垂直同期信号１は表示一画面周期（１フレーム周期）の信号、水平同期信号２は一水平周期の信号、データイネーブル信号３は表示データ４が有効である期間（表示有効期間）を示す信号である。これら全ての信号は同期クロック５に同期して入力される。本実施形態では、これら表示データは、その一画面分が左上端の画素から順次ラスタスキャン形式で転送され、たとえば、１画素分の情報は６ビットのデジタルデータからなる。６は表示および検出制御部、７はデータ線制御信号、８は走査線制御信号、９は検出走査線制御信号、１０は検出線制御信号である。表示および検出制御部６は、垂直同期信号１、水平同期信号２、データイネーブル信号３、表示データ４、同期クロック５によって、表示制御のためのデータ線制御信号７と走査線制御信号８、および後述する表示素子の特性検出のための検出走査線制御信号９と検出線制御信号１０を生成する。１１はデータ線駆動手段、１２はデータ線駆動信号である。データ線駆動手段１１は、データ線制御信号７に従って自発光素子で構成される画素（後述）に書き込む信号電圧、ならびに三角波信号（後述）を生成しデータ線駆動信号１２として出力する。１３は発光用電圧生成手段、１４は発光用電圧である。発光用電圧生成手段１３は、自発光素子（後述）を発光させるための電流を供給する電源電圧を生成し、発光用電圧１４として出力する。１５は走査線駆動手段、１６は走査線選択信号である。１７は自発光素子ディスプレイである。自発光素子ディスプレイ１７は、表示素子として発光ダイオードや有機ＥＬ等を用いたディスプレイをいう。自発光素子ディスプレイ１７は、マトリクス状に配置された複数の自発光素子（画素部）を有する。自発光素子ディスプレイ１７への表示動作は、走査線駆動手段１５から出力される走査線駆動信号１６によって選択、書込み制御された画素に、データ線駆動手段１１から出力されるデータ線駆動信号１２の信号電圧に従った画素へのデータ書込み、および三角波信号によって動作する。自発光素子を駆動する電圧は発光用電圧１４として供給する。なお、データ線駆動手段１１、走査線駆動手段１５は、各々ＬＳＩで実現してもよいし、一つのＬＳＩで実現してもよいし、さらには画素部と同一のガラス基板上に形成してもよい。自発光素子ディスプレイ１７は、たとえば、２４０×３２０ドットの解像度を持ち、１ドットが左からＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で構成される。すなわちディスプレイ１７の水平方向は７２０個の画素で構成される。自発光素子ディスプレイ１７は、自発光素子に流れる電流量と、自発光素子の点燈時間によって、自発光素子が発光する輝度を調整することが可能である。自発光素子に流れる電流量が大きいほど自発光素子の輝度が高くなる。自発光素子の点燈時間が長くなるほど自発光素子の輝度が高くなる。１８は素子特性検出走査手段、１９は検出走査線選択信号である。素子特性検出操作手段１８は、自発光素子ディスプレイ１７の自発光素子の劣化状態を検出する走査線を選択するための検出走査線選択信号１９を生成する。２０は検���線出力信号、２１は焼付き検出および位置判別手段、２２は焼付き検出結果、２３は位置情報である。検出線出力信号２０は、自発光素子ディスプレイ１７の検出走査線選択信号１９によって選択された一水平ライン上の自発光素子の劣化の状態を検出した結果で、焼付き検出および位置判別手段２１により、焼付き検出結果２２と、その結果に対応する自発光ディスプレイ１７上の位置情報２３を出力する。２４は焼付き情報格納手段、２５は焼付き補正画素情報である。焼付き情報格納手段２４は、焼付き検出結果２２を位置情報２３に従って一旦格納し、焼付き補正画素情報２５として出力する。焼付き検出結果２２は劣化のレベルを表し、位置情報２３は画面上の位置を表すアドレス情報として出力する。焼付き情報格納手段２４は位置情報２３に従ったアドレスに、劣化のレベルを格納することにより、焼付き補正画素情報２５は表示タイミングに合わせて劣化のレベルが出力される。
【００３５】
図２は前記表示および検出制御部６の内部の構成の一実施形態を示す図である。図２において、２６は焼付き画素データ補正手段、２７は表示補正データである。焼付き画素データ補正手段２６は、後述する焼付き補正量に従って、表示データ４を補正し、表示補正データ２７として出力する。２８は駆動タイミング生成手段、２９は水平開始信号、３０は水平シフトクロック、３１は垂直開始信号、３２は垂直シフトクロックである。駆動タイミング生成手段２８は、表示水平位置の先頭を示す水平開始信号２９、表示データ４を一画素ずつラッチするタイミングとなる水平シフトクロック３０、表示垂直位置の先頭を示す垂直開始信号３1、走査線選択を順次シフトさせる垂直シフトクロック３２を生成する。３３は垂直検出開始信号、３４は垂直検出シフトクロック、３５は水平検出開始信号、３６は水平検出シフトクロックである。駆動タイミング生成手段２８が、検出動作の垂直方向の先頭を示す垂直検出開始信号３３、検出走査線を順次シフトさせる垂直検出シフトクロック３４、検出の水平位置の先頭を示す水平検出開始信号３５、検出の水平位置を順次シフトさせる水平検出シフトクロック３６を生成する。３７は焼付き補正量算出手段、３８は焼付き補正量である。焼付き補正量算出手段３７は、焼付き補正画素情報２５から焼付きレベルを判断し補正量を算出し、焼付き補正量３８として出力する。
【００３６】
図３は前記自発光素子ディスプレイ１７の内部の構成の一実施形態を示す図である。自発光素子としてたとえば有機ＥＬ素子を用いた場合の例を示す。図３において、３９は第一データ線出力、４０は第二データ線出力、４１はＲ選択信号、４２はＧ選択信号、４３はＢ選択信号、４４は第一Ｒ選択スイッチ、４５は第一Ｇ選択スイッチ、４６は第一Ｂ選択スイッチ、４７は第二Ｒ選択スイッチである。第一データ線出力３９は、Ｒ選択信号４１によって切り替えられる第一Ｒ選択スイッチ４４、Ｇ選択信号４２によって切り替えられる第一Ｇ選択スイッチ４５、Ｂ選択信号４３によって切り替えられる第一Ｂ選択スイッチ４６に接続され、以降、第二、第三、…、第二四〇まで、データ線出力は全てＲＧＢの選択スイッチに接続される。Ｒ選択信号４１、Ｇ選択信号４２、Ｂ選択信号４３は、一水平期間を三分割して"ＯＮ"状態となる信号であり、一本のデータ線出力によりＲ、Ｇ、Ｂの三本のデータ線に信号電圧を出力する。４８は第一Ｒデータ線、４９は第一Ｇデータ線、５０は第一Ｂデータ線、５１は第二Ｒデータ線、５２は第一走査線、５３は第二走査線、５４は第一行第一列Ｒ画素、５５は第一行第一列Ｇ画素、５６は第一行第一列Ｂ画素、５７は第一行第二列Ｒ画素、５８は第二行第一列Ｒ画素、５９は第二行第一列Ｇ画素、６０は第二行第一列Ｂ画素、６１は第二行第二列Ｒ画素である。第一Ｒデータ線４８、第一Ｇデータ線４９、第一Ｂデータ線５０、第二Ｒデータ線５１は、各々の信号電圧を画素へ入力するためのデータ線である。第一走査線５２、第二走査線５３は、各々第一走査線選択信号、第二走査線選択信号（後述）を画素へ入力するための信号線である。各々の走査線選択信号によって選択される走査線上の画素に、各々のデータ線を介して信号電圧を書込み、信号電圧に従って画素の輝度を制御する。このときの発光用の電源が発光用電圧１４となる。ここでは、画素の内部の構成を第一行第一列Ｒ画素５４にのみ示しているが、第一行第一列Ｇ画素５５、第一行第一列Ｂ画素５６、第一行第二列Ｒ画素５７、第二行第一列Ｒ画素５８、第二行第一列Ｇ画素５９、第二行第一列Ｂ画素６０、第二行第二列Ｒ画素６１についても同様の構成である。６２はデータ書込みスイッチ、６３は書込み容量、６４は駆動トランジスタ、６５は有機ＥＬ素子である。データ書込みスイッチ６２は、第１走査線５２によってオン状態となり、第一Ｒデータ線４８からの信号電圧を、書込み容量６３に蓄積する。駆動トランジスタ６４は、書込み容量６３に蓄積された信号電圧に従った駆動電流を、有機ＥＬ６５素子に供給する。したがって、有機ＥＬ６５素子の発光輝度は、書込み容量６３に書き込む信号電圧、および、発光用電圧１４によって決まることを示している。また、先に説明したとおり、自発光素子ディスプレイ１７の画素数は、解像度が２４０×３２０となっており、走査線は、水平方向の線が、垂直方向に第１ラインから第３２０ラインまで３２０本並び、データ線は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、各々垂直方向の線が、水平方向に第１ドットから第２４０ドットまで２４０本、合計７２０本並んでいるものとする。６６は検出スイッチ、６７は第一検出走査線、６８は第二検出走査線、６９は第一検出線、７０��第二検出線、７１は第三検出線、７２は第四検出線である。検出スイッチ６６は、第一検出走査線６７で選択されたとき有機ＥＬ６５素子の特性を第一検出線６９に出力するスイッチである。第二検出走査線６８、第二検出線７０、第三検出線７１、第四検出線７２も同様に、各々の画素の検出スイッチを介して有機ＥＬ素子に接続される。ここでも、検出線はたとえば７２０本並んでいる。
【００３７】
図４は前記焼付き検出および位置判別手段２１の内部の構成の一実施形態を示す図である。図４において、７３は検出用電源、７４は第一検出線スイッチ、７５は第二検出線スイッチ、７６は第三検出線スイッチ、７７は第四検出線スイッチ、７８は検出出力線である。第一検出線スイッチ７４、第二検出線スイッチ７５、第三検出線スイッチ７６、第四検出線スイッチ７７は、後述するシフトレジスタによって水平方向に順次シフトして選択し、定電流源である検出用電源７８を第一検出線６９、第二検出線７０、第三検出線７１、第四検出線７２、…、第七二〇検出線に順次接続したときの有機ＥＬ素子の特性を検出出力線７８に出力する。７９はシフトレジスタ、８０は第一検出線選択信号、８１は第二検出線選択信号、８２は第三検出線選択信号、８３は第四検出線選択信号である。水平検出開始信号３５、水平検出シフトクロック３６に従って、先に説明した検出線スイッチを順次切り替えるための第一検出線選択信号８０、第二検出線選択信号８１、第三検出線選択信号８２、第四検出線選択信号８３を出力する。８４はＡ／Ｄ変換手段である。アナログ値である検出出力線７８から出力される有機ＥＬ素子の特性をデジタル変換し、焼付き検出結果２２として出力する。８５は焼付き画素位置情報生成手段であり、水平検出開始信号３５、水平検出シフトクロック３６から画素の位置を判断し、位置情報２３として出力する。
【００３８】
図５は前記自発光ディスプレイ１７において焼付きが生じた場合の表示例を示す図である。図５（ａ）は表示領域の大部分を黒表示している場合を示す。８６が表示外枠、８７が黒表示、８８が固定表示パターンである。表示外枠８６内の有効表示領域の背景を黒表示８７とし、そのなかに固定表示パターン８８を同じ位置に長時間表示している状態を示している。図５（ｂ）は表示領域の全体を白表示した場合を示す。８９は白表示、９０は焼付きパターン、９１は同一水平ラインである。前記固定パターン８８を長時間表示した場合、周辺の黒表示８７に比べて劣化が進むようになる。このため、白表示８９としたときに劣化が進んだ固定パターン８８を表示していた画素には焼付きパターン９０が見えることとなる。したがって、表示領域の同一水平ライン９１上には、焼付きのない画素とある画素が並ぶこととなる。
【００３９】
図６は前記有機ＥＬ素子６５の検出特性を示す図である。図６において、９２は電流軸、９３は電圧軸、９４は有機ＥＬ素子の電流対電圧特性、９５は定電流条件、９６は定電流印加時電圧である。電流対電圧特性９４が有機ＥＬ素子６５に印加する電圧と電流の関係を示す曲線である。ここで、特性検出時には定電流源である検出用電源７３を接続することから、電流対電圧特性９４の曲線上の、定電流条件９５を印加した場合の電圧の値となる定電流印加時電圧９６が検出されるべき特性電圧となる。９７は有機ＥＬ素子が劣化した際の電流対電圧特性、９８は有機ＥＬ素子が劣化した際の電流印加時電圧である。前記電流対電圧特性９７は、劣化時に、電流対電圧特性９４よりも傾きが小さくなり、このとき定電流条件９５を印加すると定電流印加時電圧９８となり、劣化時には検出電圧が増大することを示している。
【００４０】
図７は図５に示した同一水平ライン９１上の画素の定電流印加時電圧を示す図である。図７において、９９は水平表示位置、１００は検出電圧である。縦軸を電圧軸９３としているため、同一水平ライン９１上の画素の検出電圧１００は、焼付きのない画素において定電流印加時電圧９６、焼付きの生じた画素において定電流印加時電圧９８となることを示している。
【００４１】
図８は前記有機ＥＬ６５素子の検出特性の高温時における変動を示す図である。図８において、１０１は高温時における有機ＥＬ素子６５の電流対電圧特性、１０２はその際の定電流印加時電圧である。前述したとおり、特性検出時には定電流源である検出用電源７３を接続することから、高温の状態で検出をする場合、前記電流対電圧特性１０１の曲線上の、定電流条件９５を印加した場合の電圧の値となる定電流印加時電圧１０２が検出されるべき特性電圧となる。１０３は高温により劣化した有機ＥＬ素子６５の電流対電圧特性、１０４はその際の定電流印加時電圧である。前述と同様に、前記電流対電圧特性１０３は、劣化時に、前記電流対電圧特性１０１よりも傾きが小さくなり、このときの定電流条件９５の印加によって定電流印加時電圧１０４となり、劣化時は検出電圧が増大することを示している。ここで、定電流印加時電圧１０２、定電流印加時電圧１０４はともに、常温時の定電流印加時電圧９６、定電流印加時電圧９８に比べて小さくなる方向に変動し、劣化時の変動と比較して大きい。
【００４２】
図９は、図７に示した同一水平ライン９１上の画素の定電流印加時電圧が高温時において変動することを示す図である。図９において、１０５は高温時における検出電圧であり、１００は常温時における検出電圧である。高温時における検出電圧１０５は、常温時の検出電圧１００と比較して、全体のレベルが小さくなることが判る。
【００４３】
図１０は、常温時および高温時のいずれにも検出電圧を得られるように、Ａ／Ｄ変換における基準電圧設定の例を示す図である。図１０において、１０６は常温電圧設定範囲、１０７は高温電圧設定範囲である。常温電圧設定範囲１０６は、最大値は有機ＦＬ素子６５の劣化時の定電流印加時電圧９８、最小値が定電流印加時電圧９６となる。この例では焼付きの検出レベルを７レベル、つまりＡ／Ｄ変換において基準電圧の最大値から最小値までアナログ値を７レベルの分解能で検出し、３ビットのデジタルデータに変換して出力する。
【００４４】
このとき、高温時における検出電圧１０５は前記常温電圧設定範囲１０６を外れるため、Ａ／Ｄ変換の基準電圧を前記常温電圧設定範囲１０６をも含めた高温電圧設定範囲１０７まで拡大させる必要がある。そして、Ａ／Ｄ変換器として、該高温電圧設定範囲１０７に対応するため、複数のＡ／Ｄ変換器を設けるか、電圧設定範囲を広くし合わせて分解能も増大させたＡ／Ｄ変換器を必要とし、いずれも回路規模の増大を招くことを免れない。
【００４５】
図１１は、図４に示したＡ／Ｄ変換器８４の内部構成の一実施形態を示す図である。図１１において、１０８は第１比較器、１０９は第２比較器、１１０は第３比較器、１１１は第４比較器、１１２は第５比較器、１１３は第６比較器、１１４は第７比較器、１１５は第１比較電圧、１１６は第２比較電圧、１１７は第３比較電圧、１１８は第４比較電圧、１１９は第５比較電圧、１２０は第６比較電圧、１２１は第７比較電圧、１２２は第１比較結果、１２３は第２比較結果、１２４は第３比較結果、１２５は第４比較結果、１２６は第５比較結果、１２７は第６比較結果、１２８は第７比較結果である。各比較器１０８〜１１４は、検出出力線７８の電圧を各々の比較電圧１１５〜１２１と比較し、結果を比較結果１２２〜１２８として出力する。たとえば、検出出力線７８の電圧が比較電圧より大きい場合に"１"を比較結果として出力する。１２９は第１分圧抵抗、１３０は第２分圧抵抗、１３１は第３分圧抵抗、１３２は第４分圧抵抗、１３３は第５分圧抵抗、１３４は第６分圧抵抗、１３５は第７分圧抵抗、１３６は第８分圧抵抗である。各分圧抵抗１２９〜１３６により、後述する上参照電圧と下参照電圧を分圧し各比較電圧１１５〜１２１を生成する。第１分圧抵抗１２９と第８分圧抵抗１３６はほぼ０オームで、第１比較電圧１１５は上参照電圧、第７比較電圧１２１は下参照電圧と同じ電圧とし、第２分圧抵抗１３０〜第７分圧抵抗１３５は等しい抵抗値で、第２比較電圧１１６から第６比較電圧１２０は、上参照電圧と下参照電圧の間を均等に分圧する。１３７は７to３デコーダ、１３８はデジタル第３ビット出力、１３９はデジタル第２ビット出力、１４０はデジタル第１ビット出力である。７to３デコーダ１３７は比較結果１２２〜１２８をデコードし３ビットのデジタル出力１３８〜１４０として出力する。ここで、先に説明したとおり、比較結果１２２〜１２８は"０００００００"、"００００００１"、"０００００１１"、"００００１１１"、"０００１１１１"、"００１１１１１"、"０１１１１１１"、"１１１１１１１"の８種類で表されることとなるため、各々、"０００"、"００１"、"０１０"、"０１１"、"１００"、"１０１"、"１１０"、"１１１"に変換する。１４１は参照電圧制御手段、１４２は焼付き検出時参照電圧、１４３は上参照電圧生成手段、１４４は焼付き検出時上参照電圧、１４５は下参照電圧生成手段、１４６は焼付き検出時下参照電圧、１４７は検出タイミング制御手段、１４８は検出切替信号、１４９は温度検出時上参照電圧、１５０は温度検出時下参照電圧、１５１は上参照電圧切替手段、１５２は下参照電圧切替手段、１５３は上参照電圧、１５４は下参照電圧である。検出タイミング制御手段１４７は温度検出と焼付き検出のタイミングを切替えるための検出切替信号１４８を生成する。上参照電圧切替手段１５１、下参照電圧切替手段１５２は各々検出切替信号１４８に従い、温度検出時には温度検出時上参照電圧１４９、温度検出時下参照電圧１５０を、焼付き検出時には焼付き検出時上参照電圧１４４、焼付き検出時下参照電圧１４６を切替えて、各々上参照電圧１５３、下参照電圧１５４として出力する。参照電圧制御手段１４１は温度検出時の比較結果１２２〜１２８から���付き検出時の上下参照電圧の基準となる焼付き検出時参照電圧１４２を生成する。上参照電圧生成手段１４３、下参照電圧生成手段１４５は各々、焼付き検出時参照電圧１４２を基準に、焼付き検出時上参照電圧１４４、焼付き検出時下参照電圧１４６を生成する。
【００４６】
図１２は前記Ａ／Ｄ変換器８４の動作を説明する図である。図１２において、上の図（ａ）が温度検出動作、下の図（ｂ）が焼付き検出動作を示す。１５５は温度検出ポイントである。温度検出時は、上参照電圧１５３を温度検出時上参照電圧１４９（図１１参照）、下参照電圧１５４を温度検出時下参照電圧１５０（図１１参照）とするため比較電圧１１５〜１２１はその間を均等分割したレベルとなる。ここで本実施例では、温度検出時上参照電圧１４９、温度検出時下参照電圧１５０は製品を使用する環境の温度変化に対する特性の変動に対応する範囲を持つものとし、かつ周辺温度が高い場合の動作として説明する。温度検出の結果から、参照電圧の範囲は概ね第７比較電圧１２１から第４比較電圧１１８となり、この結果を焼付き検出時参照電圧１４２に反映させる。本実施例では、温度検出ポイント１５５の測定結果を焼付き検出時参照電圧１４２とし、焼付き検出時参照電圧１４２と同レベルである焼付き検出時下参照電圧１４６（図１１参照）を下参照電圧１５４として出力し、焼付き検出時参照電圧１４２に検出すべき最大の幅を加算した値である焼付き検出時上参照電圧１４４（図１１参照）を上参照電圧１５３とする。これにより、焼付き検出時の比較電圧１１５〜１２１は温度検出時に比べて細かくでき、より微少な変動にも対応できるようになる。
【００４７】
図１３は、図８と対応した図であり、前記有機ＥＬ素子６５の検出特性の高温時における変動が図８に示したとは異なる特性を示す場合を示した図である。図８と同様に、１０１は高温の際の有機ＥＬ素子６５の電流対電圧特性、１０２は高温の際の定電流印加時電圧である。１８３は高温の際の劣化された有機ＥＬ素子６５の電流対電圧第二特性、１８４は高温の際の劣化された有機ＥＬ素子６５の定電流印加時第二特性である。前記電流対電圧第二特性１８３は、電流対電圧特性１０１は劣化時に傾きが小さいのに対し、常温時と比較して変動が大きくなっており、このとき定電流条件９５を印加すると定電流印加時第二特性１８４となり、劣化時は検出電圧が常温時と比較して変動量が大きくなることが判る。
【００４８】
図１４は、図９と対応する図であり、図７に示した同一水平ライン９１上の画素の定電流印加時電圧の高温時における変動が図９と異なる特性を示す場合の図である。図１４において、１８５は高温検出第二電圧であり、常温時の検出電圧１００と比較して、全体のレベルが小さくなるとともに、図９に示した高温検出電圧１０５と比較して振幅（電流測定範囲の幅）が大きくなっている。
【００４９】
図１５は、図１０と対応する図であり、Ａ／Ｄ変換における基準電圧設定の高温時における特性が図１０とは異なる場合の実施態様が示す図である。図１５において、常温電圧設定範囲１０６、高温電圧設定範囲１０７は、図１０に示したと同様、高温時検出電圧１８５が常温電圧設定範囲１０６を外れるため、Ａ／Ｄ変換の基準電圧を高温電圧設定範囲１０７まで広げる必要が生じる。これに対応するためには、複数のＡ／Ｄ変換器を設けるか、電圧設定範囲を広くし、かつ分解能も増やす必要があり、回路規模の増大を招くことになる。なお、図１５において、高温時検出電圧１８５の範囲は、図１０の場合と比較し、大幅に大きくなっている。
【００５０】
図１６は、図１２と対応する図であり、図１１に示したＡ／Ｄ変換器８４の動作の高温時の変動が図１２とは異なる特性を示す場合の実施態様を示す図である。図１６において、動作は図１２の場合と同様であるが、高温時検出電圧１８５の範囲が、常温時の検出電圧１００と比較して大きくなるため、焼付き検出時の比較電圧１１５〜１２１は、図１６に示す高温時、あるいは図１２に示す高温時と比較して大きくなっている。なお、高温時検出電圧１８５の範囲は図１３に示す特性から予め算出することができ、この算出データに基づいて焼付き検出時の比較電圧１１５〜１２１を設定するようになっている。
【００５１】
以下、上述した図１ないし図１６を用いて、温度変動に対応する焼付き検出について説明する。まず、図１を用いて画像表示装置における表示データの流れを説明する。図１において、表示および検出制御手段６は、水平同期信号１、垂直同期信号２、データイネーブル３、同期クロック５によって、自発光素子ディスプレイ１７の表示タイミングとなるデータ線制御信号７、走査線制御信号８を生成する。そして、この生成に加え、自発光素子ディスプレイ１７の画素の状態を検出するためのタイミングとなる検出走査線制御信号９、検出線制御信号１０を生成する。詳細は後で説明する。データ線駆動手段１１、走査線駆動手段１５、発光用電圧生成手段１３の動作は従来と同様である。素子特性検出走査手段１８は表示動作の期間と別に設けられた検出期間において、検出する画素を走査するため、検出走査線制御信号９から検出走査線選択信号１９を生成する。焼付き検出および位置判別手段２１は、検出走査線選択信号１９によって選択された走査線上の画素の特性となる検出線出力信号２０の状態から素子の劣化状態を検出し、合わせて検出線制御信号１０から画素の位置を判断することにより、焼付き情報格納手段２４に格納するためのアドレス情報である位置情報２３と素子劣化のレベルを表す焼付き検出結果２２を生成する。詳細は後で説明する。焼付き補正画素情報２５は表示タイミングに合わせて焼付き情報格納手段２４から素子劣化のレベルを読み出す情報である。次に、図２を用いて前記表示および検出制御手段６の動作の詳細について説明する。図２において、焼付き画素データ補正手段２６は、焼付き補正量３８によって、表示データ４のうち劣化した画素のデータのみを補正し、その他の画素は補正せずに表示補正データ２７として出力する。詳細は後で説明する。駆動タイミング生成手段２８は、水平開始信号２９、水平シフトクロック３０、垂直開始信号３１、垂直シフトクロック３２を従来と同様に生成する。さらに、駆動タイミング生成手段２８は、一表示期間において、表示期間とは別に設けた検出期間内で検出走査線を走査するためのタイミング信号である垂直検出開始信号３３、垂直検出シフトクロック３４を生成し、選択された検出走査線上の画素の状態を水平方向に順次出力するためのタイミング信号である水平検出開始信号３５、水平検出シフトクロック３６を生成する。次に、図３において、第一検出走査線６７、第二検出走査線６８を介して順次出力される走査線選択信号により、各々の画素の検出スイッチを介して各々の画素の有機ＥＬ素子６５が、第一検出線６９、第二検出線７０、第三検出線７１、第四検出線７２から第三二〇検出線（図示せず）に接続され、各々の特性が検出線出力信号２０として出力される。
【００５２】
図４において、検出出力線７８には、温度特性検出時には後述する温度検出ポイントに対応する検出線選択信号、検出線スイッチを切替えることにより該当する画素の特性のみ出力される。焼付き検出時は、検出水平開始信号３５、検出水平シフトクロック３６に従ってシフトレジスタ７９で生成される第一検出線選択信号８０、第二検出線選択信号８１、第三検出線選択信号８２、第四検出線選択信号８３に従って、第一検出線スイッチ７４、第二検出線スイッチ７５、第三検出線スイッチ７６、第四検出線スイッチ７７を介して、水平方向に順次シフトして切り替えられ出力される。このとき、図３に示す有機ＥＬ素子６５は、定電流源である検出用電源７３（図４参照）に接続されることとなるため、図８に示す特性を持つ有機ＥＬ６５素子は、図５に示す白表示８９では、常温時に定電流印加時電圧９６、高温時に高温定電流印加時電圧１０２、焼付きパターン９０では、常温時に劣化素子定電流印加時電圧９８、高温時に高温素子劣化時定電流印加時電圧１０４を検出特性として、検出出力線７８に出力する。その結果、図５に示す同一水平ライン９１上の素子特性の検出結果は図９に示すようになる。Ａ／Ｄ変換手段８４は、Ａ／Ｄ変換の基準電圧の初期設定による温度検出時の特性から焼付き検出時のＡ／Ｄ変換の基準電圧を設定し、焼付き検出時にはアナログデータである検出出力線７８をデジタルデータである検出結果２２に変換し、焼付き画素位置情報生成手段８５は、焼付き検出時のみ、垂直検出開始信号３３、水平検出開始信号３５、水平検出シフトクロック３６から、検出結果２２を出力している画素位置を判別し、位置情報２３として出力する。
【００５３】
前記有機ＥＬ素子６５が定電流源である検出用電源７３に接続された場合、図８に示すように該有機ＥＬ素子６５は温度により特性が変動し、図９に示すように常温時には定電流印加時電圧９６、あるいは劣化素子定電流印加時電圧９８を検出特性として検出線出力信号２０に出力し、高温時には高温定電流印加時電圧１０２、高温素子劣化定電流印加時電圧１０４を検出特性として検出線出力信号２０に出力することとなる。その結果、図５に示す同一水平ライン９１上の素子特性の検出結果は図９に示すように大きく変動することとなる。
【００５４】
前記Ａ／Ｄ変換手段８４は電圧設定範囲内の７レベルを参照しデジタル変換する。図１０に示すように、たとえば常温時では、検出電圧１００で示されるアナログデータをデジタル変換するため、常温電圧設定範囲１０６がＡ／Ｄ変換手段に必要な電圧設定範囲となる。これに対し、周囲温度が高かったり、点灯時間が長くパネルの温度が上昇した場合、高温検出電圧１０５に示すように検出電圧１００と比較して大きくレベルが変動する。この場合、常温電圧設定範囲１０６ではデジタル変換が不可能となる。このため、同一のＡ／Ｄ変換手段で対応するために電圧設定範囲を高温電圧設定範囲１０７のように広くし、かつ変換するレベル数を増やすか、複数のＡ／Ｄ変換手段を設ける必要があるが、回路規模が増大する不都合が生じる。そこで、本実施態様では、図１１に示すように、Ａ／Ｄ変換手段８４の参照電圧を可変とすることにより対応している。すなわち、検出タイミング制御手段１４７は、焼付き検出の前に必ず温度特性の検出をするようタイミング制御を行う。温度特性の検出時は、温度検出ポイント１５５における素子特性を検出する。このとき、温度検出時上参照電圧１４９と温度検出時下参照電圧１５０を基準として各比較電圧１１５〜１２１を生成する。このときの温度検出時上参照電圧１４９と温度検出時下参照電圧１５０は有機ＥＬ素子６５の特性が使用する温度状況で取りうる最大の範囲となるよう設定する。したがって、図１２の上の図（ａ）に示すように広い電圧設定範囲で各比較電圧の間隔も粗い設定となる。本実施態様での温度検出ポイント１１５におけるＡ／Ｄ変換の結果は概ね第７比較電圧１２１付近となることから、この結果を焼付き検出時参照電圧１４２に反映させる。焼付き検出時参照電圧１４２と同レベルを焼付き検出時した参照電圧１４６を下参照電圧１５４として出力し、焼付き検出時参照電圧１４２に検出すべき最大の幅を加算した値を焼付き検出時上参照電圧１４４を上参照電圧１５３とすることにより、焼付き検出時の比較電圧１１５〜１２１は温度検出時に比べて細かくなり、より微小な変動にも対応できる。ここで、本実施態様では、温度検出ポイント１１５におけるＡ／Ｄ変換の結果を下参照電圧としているが、結果を中央として上参照電圧を加算、下参照電圧を減算によって生成しても良いし、結果を上参照電圧とし、下参照電圧を減算によって生成してもよい。
【００５５】
次に、上述の図１３ないし図１６に示すように、常温時の劣化特性と高温時の劣化特性が異なっている場合の、素子劣化検出動作を、以下説明する。前記有機ＥＬ素子６５は、図４に示す定電流源である検出用電源７３に接続され、温度により特性が変動する有機ＥＬ素子６５は、図１７に示すように、常温時には定電流印加時電圧９６、あるいは零下素子定電流印加時電圧９８を検出特性として検出線出力信号２０を出力し、高温時には高温定電流印加時電圧１０２、高温素子劣化定電流印加時電圧１８４を検出特性として検出線出力信号２０を出力する。この結果、図５に示した同一水平ライン９１上の素子特性の検出結果は、図１７に示すように大きく変動し、常温時の劣化特性と高温時の劣化特性が同じ場合と比較すると、検出結果の振幅（電流測定範囲の幅）が異なることが判る。
【００５６】
次に、図１５に示すように、Ａ／Ｄ変換手段８４は電圧設定範囲内の７レベルを参照しデジタル変換する。たとえば、常温時では、検出電圧１００で示されるアナログデータをデジタル変換するため、常温電圧設定範囲１０６が前記Ａ／Ｄ変換手段８４に必要な電圧設定範囲となる。これに対し、周囲温度が高かったり、点灯時間が長くパネルの温度が上昇した場合、高温検出電圧１８５は、前記検出電圧１００と比較してレベルが大きく変動し、常温時の劣化特性と高温時の劣化特性が同じ場合と異なり、その振幅（電流測定範囲の幅）も変化することが判る。
【００５７】
このようなレベルの大きな変動、および振幅の変化に対しては、Ａ／Ｄ変換手段８４の参照電圧（図１１参照）を可変とすることによって対応する。動作は、常温時の劣化特性と高温時の劣化特性が同じ場合とほぼ同様であるが、図１６に示すように、高温時の焼付き検出時の比較電圧１１５〜１２１が常温時と比較して大きくなるように、上参照電圧１５３、下参照電圧１５４を生成することとなる。なお、該上参照電圧１５３、下参照電圧１５４は、たとえば、図１３に示した特性図から、図１６（ｂ）に示す１１５〜１２１の幅を設定できることから、該幅に基づいて設定することができる。
【００５８】
以上の動作により、図１において焼付きおよび位置判別手段２１が、自発光素子ディスプレイ１７内の素子劣化によって生じる焼付き現象の検出結果を、焼付きのレベルを示す焼付き検出結果２２と、その位置を示す位置情報２３として出力し、焼付き情報格納手段２４に、位置情報２３に従ったアドレスに焼付き検出結果２２を格納する。  最後に焼付き情報格納手段２４からは、表示タイミングに従って該当する画素の焼付き情報を読み出し、必要に応じて表示データを補正することにより焼付きが解消するようになる。
【００５９】
（第二の実施形態）
以下、本発明の第二の実施形態を、図面を用いて詳細に説明する。
【００６０】
図１３は本発明の第二の実施形態である自発光素子表示装置を示している。図１３において、図１と同一の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様の構成で同様の動作をする。１５６は表示／検出切り替え制御部、１５７は表示／検出切替制御信号、１５８はデータ線駆動および黒点欠陥位置判別手段、１５９はデータ線駆動および検出線出力信号、１６０はデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイである。表示／検出切替制御部１５６は、データ線制御信号７、走査線制御信号８、検出走査線制御信号９を生成するとともに、検出線制御信号にデータ線駆動と検出動作を切り替える信号を加えた表示／検出切替制御信号１５７を生成する。データ線駆動および焼付き位置判別手段１５８は、データ線駆動手段と第一の実施形態に示した焼付き検出および位置判別手段の両方の機能を持ち、データ線駆動および検出線出力信号１５９を共通のデータ線を介してデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ１６０と接続される。
【００６１】
図１４は前記データ線駆動および焼付き位置判別手段１５８の内部の構成の一実施形態を示す図である。図１４において、図４と同一の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をする。１６１は一水平ラッチおよびアナログ変換手段、１６２は第一データ線駆動信号出力、１６３は第二データ線駆動信号出力、１６４は第三データ線駆動信号出力、１６５は第四データ線駆動信号出力である。一水平ラッチおよびアナログ変換手段１６１は、第一の実施形態と同様に、入力される表示補正データ２６を水平開始信号２８を先頭として水平シフトクロック２９に従って取り込み、一水平分のデータを第一データ線駆動信号出力１６２、第二データ線駆動信号出力１６３、第三データ線駆動信号出力１６４、第四データ線駆動信号出力１６５として出力する。この実施態様では、たとえば、第一の実施形態と同様、第二四〇データ線駆動信号出力まで出力する。１６６は検出切替信号、１６７は第一データ線検出切替スイッチ、１６８は第二データ線検出切替スイッチ、１６９は第三データ線検出切替スイッチ、１７０は第四データ線検出切替スイッチ、１７１は第一データ線および検出線、１７２は第二データ線および検出線、１７３は第三データ線および検出線、１７４は第四データ線および検出線である。この実施態様では、第一の実施形態とはなり、検出線の本数はデータ線と共通とするため２４０本とする。第一データ線検出切替スイッチ１６７、第二データ線検出切替スイッチ１６８、第三データ線検出切替スイッチ１６９、第四データ線検出切替スイッチ１７０、…、第二四〇データ線検出切替スイッチは、検出切替信号１６６に従って、表示駆動時は第一データ線駆動信号出力１６２、第二データ線駆動信号出力１６３、第三データ線駆動信号出力１６４、第四データ線駆動信号出力１６５、…、第二四〇データ線駆動信号出力を、第一データ線および検出線１７１、第二データ線および検出線１７２、第三データ線および検出線１７３、第四データ線および検出線１７４、…、第二四〇データ線および検出線に出力することにより第一の実施形態の表示動作と同様の動作を行う。検出時には第一検出線６９、第二検出線７０、第三検出線７１、第四検出線７２、…、第二四〇検出線を、第一データ線および検出線１７１、第二データ線および検出線１７２、第三データ線および検出線１７３、第四データ線および検出線１７４、…、第二四〇データ線および検出線に接続することにより第一の実施形態の検出動作を一水平期間内でＲ、Ｇ、Ｂで分割して行う。１７５はＲＧＢ切替制御手段、１７６はＲ表示検出選択信号、１７７はＧ表示検出選択信号、１７８はＢ表示検出選択信号である。ＲＧＢ切替制御手段１７５は、第一の実施形態と同様に一水平期間をＲ、Ｇ、Ｂに三分割してデータ線信号書込みを行う他に、検出も同様に三分割するための切替信号となるＲ表示および検出選択信号１７６、Ｇ表示および検出選択信号１７７、Ｂ表示および検出選択信号１７８を生成する。
【００６２】
図１５は前記データ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ１６０の内部構成の一実施形態を示す図である。図１５において図３と同一の符号を付した部分は、第一の実施形態と同様のもので、同様の動作をする。１７９は第一Ｒ表示検出共通線、１８０は第一Ｇ表示検出共通線、１８１は第一Ｂ表示検出共通線、１８２は第二Ｒ表示検出共通線である。たとえば、Ｒ表示検出共通線、Ｇ表示検出共通線、Ｂ表示検出共通線は各々２４０本、合計７２０本並んでいる。第一Ｒ表示検出共通線１７９、第一Ｇ表示検出共通線１８０、第一Ｂ表示検出共通線１８１、第二Ｒ表示検出共通線１８２、…、第二四〇Ｒ表示検出共通線、第二四〇Ｇ表示検出共通線、第二四〇Ｂ表示検出共通線は、各々表示駆動時は各画素のデータ書込みスイッチ６２をオン状態とすることにより書込み容量６３に接続され第一の実施形態と同様の信号電圧書込み動作を行い、検出時には各画素の検出スイッチ６６をオン状態とすることにより有機ＥＬ素子６５に接続され第一の実施形態と同様の特性検出動作を行う。
【００６３】
以上、本実施形態では、データ線と検出線を共通として切替えて使用する以外の動作は第一の実施形態と同様である。
【００６４】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の画像表示装置の一実施形態を示す図で、自発光素子表示装置を示している。
【図２】図１に示す表示および検出制御部の内部の構成の一実施形態を示す図である。
【図３】図１に示す自発光素子ディスプレイの内部ら構成の一実施形態を示す図である。
【図４】図１に示す焼付き検出および位置判別手段の内部の構成の一実施形態を示す図である。
【図５】図１に示す自発光ディスプレイにおいて焼付きが生じた場合の表示例を示す説明図である。
【図６】図３に示す有機ＥＬそしの検出特性の一例を示すグラフである。
【図７】図５に示す同一水平ライン上の各画素の定電流印加時電圧を示す図である。
【図８】図６に示す有機ＥＬ素子の検出特性の高温時における変動を示す図である。
【図９】図７に示す同一水平ライン上の画素の定電流印加時電圧の高温時における変動を示す図である。
【図１０】Ａ／Ｄ変換における基準電圧設定の一例を示す説明図である。
【図１１】図４に示すＡ／Ｄ変換器の内部の構成の一実施形態を示す図である。
【図１２】図１１に示すＡ／Ｄ変換器の動作を説明するための図である。
【図１３】図６に示した有機ＥＬ素子の検出特性の高温時における変動が図８に示したと異なる特性を示す場合の図である。
【図１４】図７に示した同一水平ライン上の画素の定電流印加寺電圧の高温時における変動が図９に示したと異なる特性を示す場合の図である。
【図１５】Ａ／Ｄ変換における基準電圧設定の交換時における特性が図１０に示したと異なる特性を示す場合の図である。
【図１６】図１１に示したＡ／Ｄ変換器の動作の高温時の変動が図１２に示したと異なる特性を示す場合の実施態様を示す図である。
【図１７】本発明の画像表示装置の他の実施形態を示す図である。
【図１８】図１７に示すデータ線駆動および焼付き位置判別手段の内部の構成の一実施形態を示す図である。
【図１９】図１７に示すデータ線および検出線共通自発光素子ディスプレイの内部の構成の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
６…表示および検出制御部、１１…データ線駆動手段、１３…発光用電圧生成手段、１５…走査線駆動手段、１７…自発光素子ディスプレイ、１８…素子特性検出走査手段、２１…焼付き検出および位置判別手段、２４…焼付き情報格納手段、２６…焼付き画素データ補正手段、２８…駆動タイミング生成手段、３７…焼付き補正量算出手段、４４…第一Ｒ選択スイッチ、４５…第一Ｇ選択スイッチ、４６…第一Ｂ選択スイッチ、４７…第二Ｒ選択スイッチ、６２…データ書込みスイッチ、６３…書込み容量、６４…駆動トランジスタ、６５…有機ＥＬ、７３…検出用電源、７４…第一検出線スイッチ、７５…第二検出線スイッチ、７６…第三検出線スイッチ、７７…第四検出線スイッチ、７９…シフトレジスタ、８４…Ａ／Ｄ変換手段、８５…焼付き画素位置情報生成手段、９４…有機ＥＬ電流対電圧特性、９７…劣化素子有機ＥＬ電流対電圧特性、１０１…高温有機ＥＬ電流対電圧特性、１０３…高温劣化素子有機ＥＬ電流対電圧特性、１０８…第１比較器、１０９…第２比較器、１１０…第３比較器、１１１…第４比較器、１１２…第５比較器、１１３…第６比較器、１１４…第７比較器、１３７…７to３デコーダ、１４１…参照電圧制御手段、１４３…上参照電圧生成手段、１４５…下参照電圧生成手段、１４７…検出タイミング制御手段、１５１…上参照電圧切替手段、１５２…下参照電圧切替手段、１５６…表示／検出切り替え制御部、１５８…データ線駆動および焼付き位置判別手段、１６０…データ線および検出線共通自発光素子ディスプレイ、１６１…一水平ラッチおよびアナログ変換手段、１６７…第一データ線検出切替スイッチ、１６８…第二データ線検出切替スイッチ、１６９…第三データ線検出切替スイッチ、１７０…第四データ線検出切替スイッチ、１７５…ＲＧＢ切替制御手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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