(57)【要約】    【課題】パターニングされた導電体の周囲を覆うように形成される接着剤層を用いて、これを別途作製した導電層が形成された基板上に加熱加圧して両者を貼り合わせて導通させることに好適な接着剤層を用いた回路基板の製造方法を提供すること。    【解決手段】少なくとも片面がパターニングされた導電体に接着剤層を設け、パターニングされた導電体と基板とを貼り付ける工程を含む回路基板の製造方法であって、接着剤層が、（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化剤を含有することを含む回路基板の製造方法。【選択図】図１
2009302426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、パターニングされた導電体と導電体配線を有する基板とを、導電体のパターンと基板上の導電体配線とが導通するように貼り付けられる工程を含む回路基板の製造方法であって、接着剤層が（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、および（ｃ）硬化剤を含有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の上層にさらに配線層などの層を形成する回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の回路基板の小型化・高密度化の要求に伴い、配線基板上に実装された半導体素子の上層にさらに配線層などの層を形成することが考案されている（例えば特許文献１参照）。例えば、銅箔を所定のマスクパターンをマスクにしてエッチングし、パターニングされた導電体を形成し、接着剤層を該パターニングされた導電体のパターンを覆うように形成する。これを別途作製した導電体配線が形成された基板上に加熱圧着して両者を貼り付けて導通させ、基板上にさらに配線層を形成することができる。この際の接着剤層としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの熱により性質（硬度）が変化する樹脂材料を用いることが考えられる。しかし、公知の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いると、接着剤層の耐薬品性、耐熱性が不足しており、本プロセスを実現することが困難であった。
【特許文献１】特開２００８−７８２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
パターニングされた導電体のパターンを覆うように形成される接着剤層を用いて、これを別途作製した導電体配線が形成された基板上に加熱加圧して両者を貼り合わせて導通させる回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、パターニングされた導電体と導電体配線を有する基板とを、導電体のパターンと基板上の導電体配線とが導通するように貼り付けられる工程を含む回路基板の製造方法であって、接着剤層が（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、および（ｃ）硬化剤を含有することを特徴とする回路基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、パターニングされた導電体のパターンを覆うように形成される接着剤層を用いて、これを別途作製した導電体層が形成された基板上に加熱加圧して両者を貼り合わせて導通させる回路基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明は、少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、パターニングされた導電体と導電体配線を有する基板とを、導電体のパターンと基板上の導電体配線とが導通するように貼り付けられる工程を含む回路基板の製造方法であって、接着剤層が（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、および（ｃ）硬化剤を含有することを特徴とする回路基板の製造方法である。
【０００７】
本発明の回路基板の製造方法について、図面に基づき説明する。図１は、本発明の回路基板の製造方法によって製造される回路基板を模式的に示した図である。基板１は、絶縁樹脂１１に導電体配線１２が形成された構造である。基板１は、図１に示したような単層の配線基板であってもよいし、ビルドアップ基板のような多層の配線基板であってもよい。基板１の上には、半導体素子２１または電子部品２２が実装されていてもよい。半導体素子または電子部品は、ワイヤボンディング、フリップチップボンディングにより配線基板と接続される。さらに基板1の上に、配線層3が貼り合わされる。配線層３は、パターニングされた導電体（３１、３２）と導電体のパターンを覆うように形成される接着剤層３３から構成される。本構成をとることにより、回路基板の小型化、高密度化を達成することができる。
【０００８】
図２〜図７に、本発明の回路基板の製造方法について、手順を追って説明する。
【０００９】
まず、図２に示す工程において、銅箔などの金属箔３４を、離型層を有するプラスチックフィルム３５に貼り付ける。
【００１０】
次に、図３に示す工程において、所定のマスクパターン（図示せず）をマスクとして金属箔３４をエッチングして、パターニングされた導電体（３１、３２）を形成することができる。または、所定のマスクパターン（図示せず）をマスクとして、めっきを行い、パターニングされた導電体（３１、３２）を形成することができる。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けまたはワニスの塗布によりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成することができる。また、パターニングされた導電体を形成後、レジスト層は除去される。この際に、接着剤層は、レジストの現像液、導電層のエッチング液、およびレジストの剥離液に対する耐性を有していることが重要である。また、導電体のエッチング液または導電体のめっき液に対する耐性を有していることが重要である。
【００１１】
次に、図４に示す工程において、接着剤層３３を前記導電体のパターンを覆うように形成する。接着剤層は、接着剤シートの貼り付けまたは接着剤ワニスの塗布により形成される。本発明においては、接着剤シートの貼り付けまたは接着剤ワニスの塗布により、気泡をかむことなく形成することができる接着剤層を使用することが重要である。取り扱いの容易さから、接着剤シートの貼り付けにより接着剤層を形成することが好ましい。また、必要に応じて、研磨、プラズマエッチングなどの方法により、パターニングされた導電体の先端から接着剤層を完全に除去する工程を含んでいてもよい。
【００１２】
次に、図５に示す工程において、離型層を有するプラスチックフィルムを除去する。なお、図５は図４から離型層を有するプラスチックフィルムを除去したあと、上下をひっくり返して表したものである。
【００１３】
次に、図６に示す工程において、所定のマスクパターン（図示せず）をマスクとしてエッチングして、接着層を設けた面の反対側の面をパターニングして、配線を形成する。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けまたはワニスの塗布によりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成することができる。また、配線層を形成後、レジスト層は除去される。この際に、接着剤層は、レジストの現像液、導電層のエッチング液、およびレジストの剥離液に対する耐性を有していることが重要である。また、配線層上に、めっき法によりニッケル層、金層、錫層または半田層を形成して、接続層を形成することができる。この際に、接着剤層は、ニッケルめっき液、金めっき液、錫めっき液または半田めっき液に対する耐性を有していることが重要である。
【００１４】
次に、図７に示す工程において、別途作製した、半導体素子２１または電子部品２２が実装された基板１の導電体配線１２とパターニングされた導電体３１とが接触するように加熱加圧を行い、両者を導通させることにより、回路基板を得ることができる。この際に、未硬化の状態であった接着剤層を完全に硬化させることにより、両者の接続信頼性を維持することができる。この際に、導電体配線１２と導電体３１とが金属結合が形成されていてもよい。
【００１５】
このように本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、パターニングされた導電体と導電体配線を有する基板とを、導電体のパターンと基板上の導電体配線とが導通するように貼り付けられる工程を含むことが特徴である。好ましくは、片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、接着剤層を設けた面と反対側の面をパターニングして、配線を形成後、接着剤層を設けた面と導電体配線を有する基板とを、導電体のパターンと基板上の導電体配線とが導通するように貼り付ける工程を含むことである。
【００１６】
また、図８に示すように、少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、接着剤層を設けた面と反対側の面をパターニングして配線を形成した配線層を２以上作製し、２以上の配線層を導電体のパターンと配線層の配線とが導通するように貼り付けることも可能である。また、図９に示しように、少なくとも片面がパターニングされた導電体のパターンを有する面に接着剤層を設け、接着剤層を設けた面と反対側の面をパターニングして配線を形成した配線層を２つ作製し、２つの配線層の導電体パターンを導通するように対向させ貼り付けることも可能である。これらを組み合わせることにより、任意の多層配線を形成することができる。
【００１７】
これらの回路基板の製造方法は、ビルドアップ工法により形成される多層プリント配線板、無線通信モジュールを有する半導体装置、コモンモードフィルタなどの電子部品、ＴＳＶウェハ積層、ウェハレベル多層配線、ＣＳＰ、ＳｉＰ、ＩＣ内蔵基板、部品内蔵基板、メモリ積層ＰｏＰ、リジッド−フレックス基板、高周波モジュール、ＢＧＡなどの製造に利用することができる。
【００１８】
次に、本発明の回路基板の製造方法に用いられる接着剤層について説明する。本発明において用いられる接着剤層は、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化剤を含有することを特徴としている。このような構成にすることにより、パターニングされた導電体のパターンを覆うように接着剤層を形成する際に気泡をかみこむことなく覆うことができる。また、レジストの現像液、導電層のエッチング液、レジストの剥離液、金属エッチング液およびめっき液に対する耐性を有し、基板とパターニングされた導電体とを接触するように加熱加圧を行い、接着剤層を硬化させた際に両者の接続信頼性を維持することができる。また、耐熱性が高い接着剤層を得ることができる。また、本発明で用いられる接着剤層は、絶縁層上に設けられた導電体パターン、非導電体、シリコンウェハ、セラミック基板、チョークコイル、インダクタ、キャパシタなどに設けることもでき、パターンの埋め込み性、耐熱性および耐薬品性に優れる接着剤層を得ることができる。
【００１９】
本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは有機溶剤に可溶であればよく、構造などは特に限定されない。可溶性とは、以下より選ばれる溶剤の少なくとも一種に２３℃で２０重量％以上溶解することを意味する。ケトン系溶剤のアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エーテル系溶剤の１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、グリコールエーテル系溶剤のメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、エステル系溶剤として、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、ガンマブチロラクトン、その他、ベンジルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
【００２０】
本発明の接着剤層は、イミド環を有する（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを含有することにより、耐熱性および耐薬品性に優れている。
【００２１】
有機溶剤可溶性ポリイミドの側鎖および／または末端に、エポキシ基と反応可能な官能基を少なくとも一つ有するものを用いてもよい。熱処理時にエポキシ化合物の開環、芳香族ポリイミドへの付加反応が促進され、密度の高い網目構造を有する組成物を得ることができる。エポキシ基と反応可能な官能基としては、フェノール性水酸基、チオール基、カルボン酸、カルボン酸無水物、アミノ基が挙げられる。
【００２２】
本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを前述した溶剤に対し可溶性とするためには、シロキサン構造を含むポリイミド、脂肪族構造を含むポリイミド、脂環族構造を含むポリイミド、または、主鎖にビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジメチルメチレン基、エーテル基、チオエーテル基および／またはスルホン基を有する芳香族ポリイミドとすることが好ましい。
【００２３】
（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを反応させて、ポリアミック酸を重合し、続いて、１５０℃以上の温度で反応させて、ポリイミド閉環を行って得ることができる。このとき、上記のような構造または基を有するポリイミドを得るためには、これらの構造または基を有するジアミンおよび／または酸二無水物を用いることができる。
【００２４】
シロキサン構造を含むジアミンとしては、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどが挙げられる。脂肪族構造を含むジアミン成分としては、１，６−ジアミノヘキサン、１，１２−ジアミノドデカンなどが挙げられる。脂環族構造を含むポリイミドとしては、１，４−ジアミノシクロヘキサンなどが挙げられる。主鎖にビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジメチルメチレン基、エーテル基、チオエーテル基、スルホン基を有するジアミン成分としては、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）フェニル｝スルホン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、あるいはこれら芳香族環にアルキル基やハロゲン原子が置換した化合物などが挙げられる。
【００２５】
また、主鎖にビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジメチルメチレン基、エーテル基、チオエーテル基、スルホン基を有し、さらにエポキシ基と反応可能な官能基を有するジアミン成分としては、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンなどが挙げられる。これらのジアミンは、単独または２種以上の組み合わせで用いられる。
【００２６】
これらのジアミンを全ジアミン成分に対して、６０モル％以上用いることが有機溶媒への溶解性の観点から好ましい。より好ましくは８０モル％以上である。他に用いることができるジアミンとしては、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ベンジジン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロ）メチルビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ビス（トリフルオロ）メチルビフェニル、３，５−ジアミノ安息香酸などが挙げられる。
【００２７】
主鎖にビス（トリフルオロメチル）メチレン基、ジメチルメチレン基、イソプロピレン基、エーテル基、チオエーテル基および／またはスルホン基を有するテトラカルボン酸二無水物成分としては、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）チオエーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝プロパン二無水物、２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン二無水物などが挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独または２種以上の組み合わせで用いられる。
【００２８】
これらのテトラカルボン酸二無水物を全テトラカルボン酸二無水物成分に対して、６０モル％以上用いることが有機溶媒への溶解性の観点から好ましい。より好ましくは８０モル％以上である。他に用いることができるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００２９】
（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの重量平均分子量は、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算で４０００以上２０００００以下であることが好ましく、より好ましくは８０００以上１０００００以下である。重量平均分子量を４０００以上とすることで粘度が大きくなり厚膜塗布を可能とし、重量平均分子量を２０００００以下とすることで有機溶剤への溶解性を向上することができる。重量平均分子量を４０００以上２０００００以下とするためには、ポリイミド重合時の全ジアミンと全テトラカルボン酸二無水物とのモル比を調整することにより達成することができる。全ジアミン成分と全テトラカルボン酸二無水物成分とのモル比は、全ジアミン成分１００に対して、全テトラカルボン酸二無水物成分が８５以上９９以下であること、または、全ジアミン成分１００に対して、全テトラカルボン酸二無水物成分が１０１以上１１５以下であることが好ましい。ジアミン成分を過剰にすると末端がエポキシと反応可能な官能基であるアミノ基になり、テトラカルボン酸二無水物を過剰にすると末端がエポキシと反応可能な官能基であるカルボン酸無水物になる。
【００３０】
全ジアミン成分１００に対して、全テトラカルボン酸二無水物成分が８５以上９９以下、ジカルボン酸無水物が２以上３０以下であることも好ましい。ジカルボン酸無水物は、末端封止剤として利用される。具体的には、３−ヒドロキシフタル酸無水物、４−ヒドロキシフタル酸無水物、トリメリット酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物などが挙げられる。
【００３１】
全ジアミン成分１００に対して、全テトラカルボン酸二無水物成分が１０１以上１１５以下、モノアミン成分が２以上３０以下であることも好ましい、モノアミン成分は、末端封止剤として利用される。具体的には、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、アニリンなどが挙げられる。
【００３２】
本発明の接着剤層は（ｂ）エポキシ化合物を含有する。（ｂ）エポキシ化合物は固形エポキシ化合物および液状エポキシ化合物を含有することが好ましい。本発明に用いられる固形エポキシ化合物とは、２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２で１５０Ｐａ・ｓを越える粘度を示すものであり、液状エポキシ化合物とは、２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２で１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を示すものである。
【００３３】
固形エポキシ化合物と液状エポキシ化合物との両方を含むことにより、接着剤層に適度な可塑性、可撓性を付与することがでる。
【００３４】
固形エポキシ化合物としては、エピコート１００１、エピコート１００２、エピコート１００３、エピコート１０１０、ＹＸ４０００Ｈ、エピコート５０５０、エピコート１５４、エピコート１５７Ｓ７０、エピコート１８０Ｓ７０（以上商品名、ジャパンエポキシレジン（株）製）、テピックＳ、テピックＧ、テピックＰ（以上商品名、日産化学工業（株）製）、エポトートＹＨ−４３４Ｌ（以上商品名、東都化成（株）製）、ＥＰＰＮ５０２Ｈ、ＮＣ３０００（以上商品名、日本化薬（株）製）、エピクロンＮ６９５、エピクロンＨＰ−７２００、エピクロンＨＰ−４７００、エピクロンＥＸＡ−４７０１（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。
【００３５】
液状エポキシ化合物としては、エピコート８２８、エピコート１００２、エピコート１７５０、エピコート１５２、エピコート６３０（以上商品名、ジャパンエポキシレジン（株）製）、エピクロンＥＸＡ−８３０ＬＶＰ、エピクロンＨＰ−７２００、エピクロンＨＰ４０３２（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。
【００３６】
本発明の接着剤層は、（ｃ）硬化剤を含有する。硬化剤としては、イミダゾール類、多価フェノール類、酸無水物類、アミン類、ヒドラジド類、ポリメルカプタン類、ルイス酸−アミン錯体類、潜在性硬化剤などを用いることができる。その中でも、保存安定性と硬化物の耐熱性が優れるイミダゾール類、多価フェノール類、潜在性硬化剤が好ましく用いられる。これらは、単独または２種以上を混合して使用することができる。イミダゾール類としてはキュアゾール２ＭＺ、キュアゾール２ＰＺ、キュアゾール２ＭＺ−Ａ、キュアゾール２ＭＺ−ＯＫ（以上商品名、四国化成工業（株）製）などがあげられる。多価フェノール類としては、スミライトレジンＰＲ−ＨＦ３、スミライトレジンＰＲ−ＨＦ６（以上商品名、住友ベークライト（株）製）カヤハードＫＴＧ−１０５、カヤハードＮＨＮ（以上商品名、日本化薬（株）製）、フェノライトＴＤ２１３１、フェノライトＴＤ２０９０、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＫＨ−６０２１、フェノライトＫＡ−１１６０、フェノライトＫＡ−１１６５（以上商品名、ＤＩＣ（株）製）などがあげられる。また、潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド型潜在性硬化剤、アミンアダクト型潜在性硬化剤、有機酸ヒドラジド型潜在性硬化剤、芳香族スルホニウム塩型潜在性硬化剤、マイクロカプセル型潜在性硬化剤、光硬化型潜在性硬化剤が挙げられる。ジシアンジアミド型潜在性硬化剤としては、ＤＩＣＹ７、ＤＩＣＹ１５、ＤＩＣＹ５０（以上商品名、ジャパンエポキシレジン（株）製）、アミキュアＡＨ−１５４、アミキュアＡＨ−１６２（以上商品名、味の素ファインテクノ（株）製）などが挙げられる。アミンアダクト型潜在性硬化剤としては、アミキュアＰＮ−２３、アミキュアＰＮ−４０、アミキュアＭＹ−２４、アミキュアＭＹ−Ｈ（以上商品名、味の素ファインテクノ（株）製）、フジキュアＦＸＲ−１０３０（商品名、富士化成（株）製）などが挙げられる。有機酸ヒドラジド型潜在性硬化剤としては、アミキュアＶＤＨ、アミキュアＵＤＨ（以上商品名、味の素ファインテクノ（株）製）などが挙げられる。芳香族スルホニウム塩型潜在性硬化剤としては、芳香族スルホニウム塩としては、サンエイドＳＩ１００、サンエイドＳＩ１５０、サンエイドＳＩ１８０（以上商品名、三新化学工業（株）製）などが挙げられる。マイクロカプセル型潜在性硬化剤としては、上記の各硬化促進剤をビニル化合物、ウレア化合物、熱可塑性樹脂でカプセル化したものが挙げられる。中でも、アミンアダクト型潜在性硬化剤をイソシアネートで処理したマイクロカプセル型潜在性硬化剤としてはノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３９２２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３９３２ＨＰ、ノバキュアＨＸＡ３０４２ＨＰ（以上商品名、旭化成ケミカルズ（株）製）などが挙げられる。また、光硬化型潜在性硬化剤としては、オプトマーＳＰ、オプトマーＣＰ（（株）ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。（ｃ）硬化剤は、（ｂ）エポキシ化合物１００重両部に対し、０．１重量部以上３５重量部以下であることが好ましい。
【００３７】
本発明の接着剤層は、（ｂ）エポキシ化合物を含有し、液状エポキシ化合物が全エポキシ化合物に対し、２０重量％以上８０重量％以下であり、固形エポキシ化合物が全エポキシ化合物に対して、２０重量％以上８０重量％以下であることが好ましい。また、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し、（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミドが１０重量部以上１００重量部以下であることが好ましい。
【００３８】
このような含有量にすることにより、パターニングされた導電体のパターンを覆うように接着剤層を形成する際に、気泡をかみこむことなく覆うことができ、レジストの現像液、導電層のエッチング液、レジストの剥離液、金属エッチング液およびめっき液に対する耐性を有し、基板と、パターニングされた導電体とを接触するように加熱加圧を行い、接着剤層を硬化させた際に、両者の接続信頼性を維持することがさらに可能になる。
【００３９】
本発明の接着剤層には、熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリアミド、ポリプロピレン、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−アクリル酸エチル共重合体、アクリロニトリル−アクリル酸エチル−アクリル酸ブチル共重合体などを硬化後の膜に対する低応力化剤として添加することができる。また、公知のエポキシ化合物硬化剤を添加することができる。また、非導電性粒子を添加することができる。
【００４０】
また、接着力を改善する目的でシランカップ剤を添加することができる。ビニルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメチキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１，４−ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどが挙げられる。
【００４１】
本発明の接着剤は、パターニングされた導電体にコーティングしてもよい。本発明の接着剤をシート状に加工するには、均一に混合した接着剤層をプラスチックなどで挟みプレス圧延、あるいはロール圧延して作製することができる。また、接着剤を溶媒中で混合してワニス状としたものをプラスチックフィルム上に塗布、脱溶媒させてシート状に加工することもできる。本発明では、プラスチックフィルム上に形成された接着剤を接着剤シートという。接着剤シートは、パターニングされた導電体に貼り合わせて使用する。取り扱いの容易さから、本発明の接着剤層は、接着剤シートから作製されることが好ましい。
【００４２】
ここで、用いる溶媒としては前記成分を溶解するものを適宜選択すればよく、ケトン系溶剤のアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エーテル系溶剤の１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、グリコールエーテル系溶剤のメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、エステル系溶剤として、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、ガンマブチロラクトン、その他、ベンジルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、ベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサンなどが挙げられる。これらの溶媒は単独または混合して使用される。
【００４３】
塗工機としては、ロールコーター、コンマロールコーター、グラビアコーター、スクリーンコーター、スリットダイコーターなどを用いることができる。乾燥は、６０℃以上１５０℃以下で１０秒以上６０分以下乾燥すればよい。
【００４４】
本発明では、必要に応じて、接着剤シートの上にさらに別のプラスチックフィルムをラミネートして、プラスチックフィルムで上下を挟まれた接着シートを得ることができる。このとき各面各々の接着力の大きさは、１Ｎ／ｍ以上１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。また、一方のプラスチックフィルムを（ｅ）重剥離側プラスチックフィルムと他方のプラスチックフィルムを（ｆ）軽剥離側プラスチックフィルムとすると、（ｅ）重剥離側プラスチックフィルムと（ｆ）軽剥離側プラスチックフィルムとの接着力の差が５Ｎ／ｍ以上５０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。接着力の差を５Ｎ／ｍ以上とすることで、（ｆ）軽剥離側プラスチックフィルムを剥離する際に、接着剤シートが重剥離側プラスチックフィルムから浮きや剥がれが発生しにくくなり、接着力の差を５０Ｎ／ｍ以下とすることで、軽剥離側プラスチックフィルムを剥離する際に、接着剤シートが軽剥離側プラスチックフィルム表面に残存しにくくなる。プラスチックフィルムと接着剤シートとの接着力は、プラスチックフィルム材料を接着剤シートから角度９０度の方向に２００ｍｍ／分の速度で引き剥がした際の接着力である。
【００４５】
ここで使用されるプラスチックフィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムなどが挙げられる。プラスチックフィルムは、必要に応じて離型処理をされていてもよく、例えばシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素樹脂系、脂肪族アミド系、ポリ尿素系などで処理されていてもよい。
【００４６】
本発明のプラスチックフィルムで上下を挟まれた接着剤シートは、まず、（ｆ）軽剥離側プラスチックを剥離したあと、むき出しになった接着剤シートをパターニングされた導電体のパターンを覆うように４０℃〜１５０℃で加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートを行い、仮接着させる。この温度範囲において、接着剤層の動的粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上１００００００Ｐａ・ｓであることが好ましい。より好ましくは、１００Ｐａ・ｓ以上１０００００Ｐａ・ｓ以下である。接着剤層の動的粘度が１０Ｐａ・ｓ未満であると取り扱いが困難になり、１００００００Ｐａ・ｓを越えると導電体のパターンが接着剤層に埋まらない。
【００４７】
本発明に用いられる接着剤層は、１３０℃以上３００℃以下の温度で１秒以上２４時間以内加熱することにより硬化することができる。接着剤が未硬化であるときにパターニングされた導電体と、基板の導電体配線とを接触させ、１３０℃以上３００℃以下の温度で１秒以上２４時間以内加熱加圧を行うことにより両者の接続信頼性を維持する。この際に、パターニングされた導電体と、基板の導電体配線との接触のみによる接続であっても良いし、金、錫、半田などによる金属結合を形成する条件で行っても良い。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４９】
参考例１  接着剤シートＡの作製
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下、ＢＡＨＦとする）２４．５４ｇ（０．０６７モル）、１，３−ビス（３−アミノプロプル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＳｉＤＡとする）４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として３−アミノフェノール２．１８ｇ（０．０２モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰとする）８０ｇに溶解させた。ここにオキシジフタル酸二無水物（以下、ＯＤＰＡとする）３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２５℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、１８０℃で５時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水３Ｌに投入し、ろ過して沈殿を回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃２０時間乾燥し、有機溶剤可溶性ポリイミド（ＰＩ１）（白色粉体）を得た。
【００５０】
次に、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド（ＰＩ１）３０ｇ、（ｂ）固形エポキシとして、エピコート１５７Ｓ７０（ジャパンエポキシレジン（株）製）３５ｇ、エピコート８２８ＵＳ（ジャパンエポキシレジン（株）製）３５ｇを２−ブタノン６０ｇ、に溶解した。この溶液に（ｃ）硬化剤として、２ＰＺ（四国化成（株）製）４．２ｇを加え、混合し、接着剤ワニスＡを得た。
【００５１】
接着剤ワニスＡを、コンマコーターを用いてシリコーン系の離型処理を行った厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（重剥離側プラスチックフィルム）上に塗布し、８０℃で４分間乾燥した。乾燥後の接着剤上に厚さ８μｍのポリプロピレンフィルム（軽剥離側プラスチックフィルム）を加熱ロール温度４０℃でラミネートし、直径７．６ｃｍのロールに巻き取り、接着剤層の厚さが３０μｍである接着剤シートＡを得た。
【００５２】
実施例１
図２〜図７の手順の回路基板の製造方法にしたがって回路基板を製造した。
【００５３】
（Ａ）厚み３５μｍの銅箔（３４）を、離型層を有するプラスチックフィルム（河村産業（株）製）に貼り付けた（図２）。
【００５４】
（Ｂ）所定のマスクパターンをマスクとしてエッチングして、パターニングされた導電体（３１）を形成した。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けによりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成した。また、パターニングされた導電体を形成後、レジスト層は除去した（図３）。
【００５５】
（Ｃ）接着剤層（３３）をパターニングされた導電体のパターンを覆うように形成した。接着剤層は、シートの貼り付けにより形成した。貼り付けには真空ラミネータ（タカトリ（株）製）を用いた。気泡をかむことなく形成することができた。次にプラズマエッチングにより、パターニングされた導電体の先端から接着剤層を完全に除去した（図４）。
【００５６】
（Ｄ）離型層を有するプラスチックフィルムを除去した（図５）。
【００５７】
（Ｅ）所定のマスクパターン（図示せず）をマスクとしてエッチングして、パターニングされた配線層（３２）を形成した。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けよりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成した。また、配線層を形成後、レジスト層は除去した。この際に、接着剤層は、レジストの現像液、導電層のエッチング液、およびレジストの剥離液に対する耐性を有していた。次に、配線層上に、めっき法によりニッケル層、金層を順に形成して接続層を形成した。この際に、接着剤層は、ニッケルめっき液、および、金めっき液に対する耐性を有していた。
【００５８】
（Ｆ）別途作製した、半導体素子２１または電子部品２２が実装された基板１の配線層１２と配線層３２に起立した導電体３１とが接触するように、プレス機を用いて２００℃、７．５ｋＮ、３０分間加熱加圧を行い、両者を導通させて（図７）十分な導通を得ることができた。
【００５９】
参考例２  接着剤シートＢの作製
フェノキシ樹脂４２５０（ジャパンエポキシレジン（株）製）３０ｇ、（ｂ）固形エポキシとして、エピコート１５７Ｓ７０（ジャパンエポキシレジン（株）製）３５ｇ、エピコート８２８ＵＳ（ジャパンエポキシレジン（株）製）３５ｇを２−ブタノン６０ｇ、に溶解した。この溶液に（ｃ）硬化剤として、２ＰＺ（四国化成（株）製）４．２ｇを加え、混合し、接着剤ワニスＢを得た。
【００６０】
接着剤ワニスＢを、コンマコーターを用いてシリコーン系の離型処理を行った厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（重剥離側プラスチックフィルム）上に塗布し、８０℃で４分間乾燥した。乾燥後の接着剤上に厚さ８μｍのポリプロピレンフィルム（軽剥離側プラスチックフィルム）を加熱ロール温度４０℃でラミネートし、直径７．６ｃｍのロールに巻き取り、接着剤層の厚さが３０μｍである接着剤シートＢを得た。
【００６１】
比較例１
図２〜図７の手順の半導体装置の製造方法にしたがって半導体装置を製造した。
【００６２】
（Ａ）厚み３５μｍの銅箔（３４）を、離型層を有するプラスチックフィルム（河村産業（株）製）に貼り付けた（図２）。
【００６３】
（Ｂ）所定のマスクパターンをマスクとしてエッチングして、パターニングされた導電体（３１）を形成した。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けによりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成した。また、パターニングされた導電体を形成後、レジスト層は除去した（図３）。この際に、接着剤層は、レジストの現像液、導電層のエッチング液、およびレジストの剥離液に対する耐性が不十分であり、樹脂の膨潤が見られた。
【００６４】
（Ｃ）接着剤層（３３）をパターニングされた導電体のパターンを覆うように形成した。接着剤層は、シートの貼り付けにより形成した。貼り付けには真空ラミネータ（タカトリ（株）製）を用いた。気泡をかむことなく形成することができた。次にプラズマエッチングにより、起立した導電体の先端から接着剤層を完全に除去した（図４）。
【００６５】
（Ｄ）離型層を有するプラスチックフィルムを除去した（図５）。
【００６６】
（Ｅ）所定のマスクパターン（図示せず）をマスクとしてエッチングして、パターニングされた配線層（３２）を形成した。上記のマスクパターンは、シートの貼り付けよりレジスト層を形成し、該レジスト層を露光、現像することにより形成した。また、配線層を形成後、レジスト層は除去した。この際に、接着剤層は、レジストの現像液、導電層のエッチング液、およびレジストの剥離液に対する耐性が不十分であり、樹脂の膨潤が見られた。次に、配線層上に、めっき法によりニッケル層、金層を順に形成して接続層を形成した。この際に、接着剤層は、ニッケルめっき液、および、金めっき液に対する耐性が不十分であり樹脂の膨潤が見られた。
【００６７】
（Ｆ）別途作製した、半導体素子２１または電子部品２２が実装された基板１の配線層１２と配線層３２に起立した導電体３１とが接触するように、プレス機を用いて２００℃、７．５ｋＮ、３０分間加熱加圧を行い、両者を導通させた（図７）が、樹脂の耐熱性が不十分であり、十分な接続が得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、基板上に実装された半導体素子の上層にさらに配線層などの層を形成することができるため、近年要求されている回路基板の小型化・高密度化に有効に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の回路基板の製造方法によって製造される回路基板を模式的に示した図である。
【図２】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その１）である。
【図３】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その２）である。
【図４】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その３）である。
【図５】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その４）である。
【図６】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その５）である。
【図７】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その６）である。
【図８】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その７）である。
【図９】本発明の回路基板の製造方法を示す図（その８）である。
【符号の説明】
【００７０】
１  基板
２  半導体素子、電子部品
３、４  配線層
１１  絶縁樹脂
１２  導電体配線
２１  半導体素子
２２  電子部品
３１、３２  パターニングされた導電体
３３  接着剤層
３４  銅箔などの金属箔
３５  離型層を有するプラスチックフィルム
４１、４２  パターニングされた導電体
４３  接着剤層
【図１】
2009302426.tif 000003
【図２】
2009302426.tif 000004
【図３】
2009302426.tif 000005
【図４】
2009302426.tif 000006
【図５】
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【図６】
2009302426.tif 000008
【図７】
2009302426.tif 000009
【図８】
2009302426.tif 000010
【図９】
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