(57)【要約】【課題】  圧電振動片（２０）のために導電性に優れ不良の少ない安定した励振電極（２１）を形成することである。【解決手段】圧電振動片（２０）は、その圧電片の表面に励振電極（２１）を備えている。その励振電極（２１）は、圧電片の表面に形成された下地層（２５）と、下地層の表面に第１成膜方法を使って形成される第１金（Ａｕ）層（２６）と、第１金層の表面に第１成膜方法とは異なる第２成膜方法を使って形成される第２金層（２７）と、を備える。例えば第１成膜方法はスパッタリング法による成膜方法であり、第２成膜方法は真空蒸着法による成膜方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電片の表面に励振電極を備えた圧電振動片において、前記励振電極は、
前記圧電片の表面に形成された下地層と、
前記下地層の表面に第１成膜方法を使って形成される第１金（Ａｕ）層と、
前記第１金層の表面に前記第１成膜方法とは異なる第２成膜方法を使って形成される第２金層と、
を備えることを特徴とする圧電振動片。
【請求項２】
前記第１成膜方法は物理気相成長（ＰＶＤ）による成膜方法であり、前記第２成膜方法は化学気相蒸着（ＣＶＤ）による成膜方法であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片。
【請求項３】
前記第１成膜方法はスパッタリング法による成膜方法であり、前記第２成膜方法は真空蒸着法による成膜方法であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片。
【請求項４】
前記第１金層は１００〜１０００オングストロームの厚さであり、前記第２金層は３００〜２０００オングストロームの厚さであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電振動片。
【請求項５】
前記下地層は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又はニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）のいずれかを含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電振動片。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の圧電振動片と、
この圧電振動片を収容するパッケージと、
を備えることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項７】
圧電片に励振電極を形成する電極形成方法において、
前記圧電片の表面に下地層を形成する工程と、
前記下地層の表面に第１金（Ａｕ）層を物理気相成長（ＰＶＤ）方法により成膜する工程と、
前記第１金層の表面に第２金層を化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法により成膜する工程と、
を備えることを特徴とする電極形成方法。
【請求項８】
圧電片に励振電極を形成する電極形成方法において、
前記圧電片の表面に下地層を形成する工程と、
前記下地層の表面に第１金（Ａｕ）層をスパッタリング法により成膜する工程と、
前記第１金層の表面に第２金層を真空蒸着法により成膜する工程と、
を備えることを特徴とする電極形成方法。
【請求項９】
前記第１金層は１００〜１０００オングストロームの厚さであり、前記第２金層は３００〜２０００オングストロームの厚さであることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスに載置する圧電振動片の電極の構成、及び電極形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、時計や家電製品、各種情報・通信機器やＯＡ機器等の民生・産業用電子機器には、その電子回路のクロック源として圧電デバイス、圧電振動片とＩＣチップとを同一パッケージ内に封止した発振器やリアルタイムクロックモジュール等の圧電デバイスが広く使用されている。また、船舶・航空機・自動車等の姿勢制御や航行制御、ビデオカメラ等の手振れ防止・検出等における回転角速度センサとして、圧電振動ジャイロが広く利用され、３次元立体マウス等の回転方向センサにも応用されている。
【０００３】
従来、これら圧電デバイスに電極を成膜する技術は、水晶ウエハに下地層としてスパッタ法などでＣｒ（クロム）層を成膜し、同様にスパッタ法などでＡｕ（金）層をＣｒ（クロム）層の上層に成膜していた。これはＡｕが水晶ウエハに対して密着性が低いため、下地層として水晶ウエハと密着性が良いＣｒ層を成膜し、次にＣｒと密着性がよいＡｕ層を積層することで導電性の良い基部電極、及び励振電極を形成することができる。これらの技術により圧電デバイスは発振安定性に優れ、エージング特性に優れた性能を持つことができた。
【０００４】
しかし、Ｃｒ層とＡｕ層とでなる電極は圧電振動片の製造工程における熱処理によりＣｒがＡｕ層へ拡散することで電極抵抗の増大、さらには電極剥離などの不良が発生することがある。
【０００５】
そこで、特許文献１では圧電振動片の下地層にＮｉ（ニッケル）を用いた製造方法が提案されている。特許文献１ではＣｒに比べ拡散速度の低いＮｉを用いることで、ＮｉがＡｕ層へ拡散するのを低減させている。またＮｉは下部の圧電振動片と上層のＡｕ層との間の残留応力が小さいために、屈曲運動による機械的応力を受けてもＣＩ（クリスタルインピーダンス）値の上昇を抑える役目を果たしていた。
【０００６】
また、特許文献２においては水晶ウエハの下地層にＣｒを用い、その上層に拡散層を成膜し、さらにその上層にＡｕなどで電極層を成膜して３層の電極を形成している。特許文献２では拡散層が大気中の酸素成分を通過するのを阻止し、拡散層と下部層との界面が良好な状態を保つことができるために、部分的に電極剥離などの不良をおこすことのない電極を形成していた。
【特許文献１】特開２００７−０９３４００号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の方法をもっても、圧電デバイスが小型化するにしたがい、更に安定した電極を形成する方法が求められている。
そこで、本発明の目的は、圧電振動片のために導電性に優れ不良の少ない安定した励振電極を形成することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の観点の圧電振動片はその圧電片の表面に励振電極を備えている。その励振電極は、圧電片の表面に形成された下地層と、下地層の表面に第１成膜方法を使って形成される第１金（Ａｕ）層と、第１金層の表面に第１成膜方法とは異なる第２成膜方法を使って形成される第２金層と、を備える。
このような構成によって、下地層からの拡散が第２金層まで及ぶことがなく原子の移動が起きても金が移動するだけであり、良好な励振電極を得ることができる。
【０００９】
第２の観点の圧電振動片は、第１成膜方法は物理気相成長（ＰＶＤ）による成膜方法であり、第２成膜方法は化学気相蒸着（ＣＶＤ）による成膜方法である。
ＰＶＤによる第１金層の蒸着は下地層との接合力が強いため第１金層が剥がれにくく、ＣＶＤによる第２金層の蒸着は側面皮膜厚と上面皮膜厚とをほぼ同じ厚さに成膜することができる。このため、ＰＶＤ及びＣＶＤを組み合わせることにより、より強固で且つ側面の電導性もよい励振電極を得ることができる。
【００１０】
第３の観点の圧電振動片は、第１成膜方法はスパッタリング法による成膜方法であり、第２成膜方法は真空蒸着法による成膜方法である。
スパッタリング法による第１金層の蒸着は下地層との接合力が強いため第１金層が剥がれにくく、真空蒸着法による第２金層の蒸着は側面皮膜厚と上面皮膜厚とをほぼ同じ厚さに成膜することができる。このため、スパッタリング法及び真空蒸着法を組み合わせることにより、より強固で且つ側面の電導性もよい励振電極を得ることができる。
【００１１】
第４の観点の圧電振動片は、第１金層は１００〜１０００オングストロームの厚さであり、第２金層は３００〜２０００オングストロームの厚さである。
このように第１金層が１００〜１０００オングストロームの厚さであるため下地層からの金属拡散などの影響を少なくすることができ、第２金層は３００〜２０００オングストロームの厚さであるため電極抵抗の増大を防ぐことができる。
【００１２】
第５の観点の圧電振動片の下地層は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）又はニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）のいずれかを含む。
これらの材料は、圧電片との接合力が高く、またこの下地層の上に形成される金層との接合力も高い。特にニッケルが適している。
【００１３】
第６の観点の圧電デバイスは、第１ないし第４の観点のいずれかの圧電振動片と、この圧電振動片を収容するパッケージと、を備える。
良好な励振電極の圧電振動片を使って圧電デバイスが形成されるため、不良などが少ない圧電デバイスを得ることができる。
【００１４】
第７の観点の電極形成方法は、圧電片に励振電極を形成する電極形成方法である。そして、圧電片の表面に下地層を形成する工程と、下地層の表面に第１金（Ａｕ）層を物理気相成長（ＰＶＤ）方法により成膜する工程と、第１金層の表面に第２金層を化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法により成膜する工程と、を備える。
下地層を形成した後、最初にＰＶＤにより第１金層を蒸着すると、第１金層と下地層との接合力が強くなる。そして、ＣＶＤにより第２金層を蒸着すると、側面皮膜厚と上面皮膜厚とをほぼ同じ厚さに成膜することができる。
【００１５】
第８の観点の電極形成方法は、圧電片に励振電極を形成する電極形成方法であり、圧電片の表面に下地層を形成する工程と、下地層の表面に第１金（Ａｕ）層をスパッタリング法により成膜する工程と、第１金層の表面に第２金層を真空蒸着法により成膜する工程と、を備える。
下地層を形成した後、最初にスパッタリング法により第１金層を蒸着すると、第１金層と下地層との接合力が強くなる。そして、真空蒸着法により第２金層を蒸着すると、側面皮膜厚と上面皮膜厚とをほぼ同じ厚さに成膜することができる。
【００１６】
第９の観点の電極形成方法は、第１金層は１００〜１０００オングストロームの厚さであり、第２金層は３００〜２０００オングストロームの厚さである。
第１金層が１００〜１０００オングストロームの厚さに成膜されると下地層からの金属拡散などの影響を少なくすることができる。また第２金層が３００〜２０００オングストロームの厚さに成膜されると電極抵抗の増大を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電極は導電性がよく、安定であるために、高安定、高信頼の圧電デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜＜実施形態１＞＞
以下は図面を参照しながら本発明の圧電デバイスと電極の製造方法、ならびに電極の形成方法を説明する。
【００１９】
＜圧電デバイスの構成＞
図１（ａ）および図１（ｂ）は、本発明の圧電デバイス５０の構成を示している。図１（ａ）は圧電デバイス５０の概略上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の概略断面図である。
圧電デバイス５０は、図１に示すようにパッケージ５１に圧電振動片２０を収容している。この圧電振動片２０はＡＴカット水晶振動片である。パッケージ５１は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質の混練物からなるセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層し、焼結して形成されている。なお図１のＸ、Ｙ、及びＺ軸は圧電デバイスの座標方向を示したものであり、水晶結晶のＸ軸（電気軸）、及びＹ軸（機械軸）、Ｚ軸（光軸）、を示すものでない。
【００２０】
本実施形態のパッケージ５１では、図１（ｂ）に示すように、ベース基板５１ａ、壁基板５１ｂおよび台座基板５１ｃで構成されている。パッケージ５１は、壁基板５１ｂで覆うことで内部空間を形成し、この内部空間に圧電振動片２０を収容する。そして、圧電振動片２０を所定の高さで支えるように、台座基板５１ｃがベース基板５１ａ上に配置されている。台座基板５１ｃには、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキおよび金メッキで形成した電極部５２が設けられている。
【００２１】
この電極部５２は、ベース基板５１ａ下に形成された実装端子５５と接続されている。これにより、外部から印加される駆動電圧を、実装端子５５を介して電極部５２に伝え、最終的に圧電振動片２０に供給する。具体的には、図１（ｂ）に示すように、この実装端子５５と電極部５２とは、パッケージ５１外部をメタライズにより引き回したり、もしくはベース基板５１ａの焼成前にタングステンメタライズ等を利用して形成した導電スルーホール（不図示）で接続したりすることで形成できる。本実施形態では、箱状のパッケージ５１を形成して、圧電振動片２０を収容するようにしているが、例えば、金属製の筒状のケース内に圧電振動片２０を収容し、圧電振動片２０と接続されたリードを外部に導出するプラグで気密に封止するようにしてもよい。
【００２２】
電極部５２の上には、導電性接着剤５７が塗布されて、圧電振動片２０の基部２９が接合されている。この導電性接着剤５７としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、導電性のフィラー（銀製の細粒等の導電粒子を含む）および、所定の溶剤を含有させたものが使用できる。
【００２３】
壁基板５１ｂの開放された上端には、蓋体５９が封止材５８で接合されることにより、封止されている。蓋体５９は、硼珪酸ガラス、または酸化アルミニウム質の混練物からなるセラミックで形成されている。コバール等の金属材料で形成される場合には、蓋体５９はシーム溶接等の手法により、壁基板５１ｂに対して固定される。
【００２４】
圧電振動片２０は、図１（ａ）に示すように、圧電基板１０を矩形に加工したＡＴカット振動片としている。圧電基板１０の材料として、例えば、本実施形態では水晶が使用されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電基板１０を利用することができる。また、圧電振動片２０の形状は矩形平板に限ることなく、コンベックスタイプや、逆メサ型の振動片を用いることができる。また、圧電振動片２０は公知のエッチングの技術を用いて音叉型の振動片等に加工して用いてもよい。ＡＴ振動子はその表面と裏面とに電極を形成することで電圧をかけ、厚みすべり振動をさせる。電極は以下の方法で形成する。
【００２５】
＜電極の構成＞
図１（ａ）において、圧電振動片２０の表面には、駆動用の電極として、励振電極２１が形成されている。励振電極２１は、圧電振動片２０を積極的に振動させようとする領域に形成し、駆動電圧を印加することで電界を生じさせ、圧電振動片２０を振動させる。励振電極２１は、圧電振動片２０の裏面（不図示）にも同様の形態で形成されている。また励振電極２１は、それぞれ圧電振動片２０の長さ方向の端部において、その幅方向の両端にそれぞれ形成された接続電極である引出し電極２２に対して、各別に接続されている。
【００２６】
このような圧電振動片２０は、図１（ｂ）に示されているように、パッケージ側の各電極部５２の上に導電性接着剤５７を塗布し、その上に圧電振動片２０の各引出し電極２２が形成されている基部２９を載置して、これら導電性接着剤５７を硬化させることにより片持ち式に接合されている。
【００２７】
図２（ａ）は図１（ｂ）の圧電振動片２０を拡大し、電極の３層構造を示した断面図である。図２（ａ）において、圧電振動片２０の圧電基板１０の表面には、Ｎｉによる下地層２５が成膜されている。そして、下地層２５の上層には、第１金層２６にＡｕが成膜され、第１金層２６の上層には第２金層２７のＡｕが成膜されている。これらの下地層２５、第１金層２６、及び第２金層２７で構成する電極は図１（ａ）で示す圧電振動片２０の電極配線となるよう表面と裏面とも公知のメタルマスク法、または公知のリソグラフィ法によりマスクを形成してから電極を形成する。
【００２８】
下地層２５は、３０ないし３００オングストロームの膜厚で成膜されるものである。一般に、水晶の表面には電極となる金層を密着性良く接合することが困難なので、電極の金属と接合性の良い下地膜が成膜される。本実施形態の下地層２５は、Ｎｉによって成膜され、３０オングストローム程度から極力薄く成膜することが好ましい。第１金層２６は、金（Ａｕ）により膜厚１００ないし１０００オングストローム程度に成膜し、第２金層２７は、第１金層と同じくＡｕにより膜厚３００ないし２０００オングストローム程度に成膜する。これらの各層は後述する成膜方法により成膜される。
【００２９】
＜下地層の成膜方法＞
図２（ｂ）は、図２（ａ）をさらに拡大した断面図である。圧電基板１０の表面に成膜する下地層２５の成膜方法は例えばスパッタ法を用いて３０オングストローム程度から極力薄くし、上層の第１金層２６との密着性が確保できる厚みで成膜する。下地層２５の成膜方法は物理気相成長（以下は「ＰＶＤ」とする。ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜する。例えば、ＰＶＤ法であるスパッタ法で成膜するには、例えば図３に示すような直流スパッタ装置３０で成膜する。
【００３０】
直流スパッタ装置３０は、チャンバＣＢを排気装置（不図示）で排気ＯＵＴし続け減圧又は真空雰囲気にし、ターゲット材３２（陰極）にＮｉを設置し、対面する側に圧電基板１０を設置し、ターゲット材３２に高電圧を印加し、他方でＡｒ（アルゴン）ガスなどのガス供給装置（不図示）でガス供給ＧＡＳし続ける。直流スパッタ装置３０はこのガスの中でグロー放電させることでプラズマＰＬを発生させ、圧電基板１０にＮｉを付着させることができる。つまり、直流スパッタ装置３０はグロー放電により生じた正電荷のガスイオンがターゲット材３２に衝撃することで、ターゲットを構成している原子がスパッタ蒸発し、対面する圧電基板１０に目的原子が付着し、皮膜を形成する方式である。
【００３１】
下地層２５の成膜はスパッタ法の他にＰＶＤ法である真空蒸着法、及びイオンプレーティング法などのいずれかの１つを用いてもよい。また、下地層２５で成膜したＮｉは圧電基板１０との結合力がＣｒより小さく、電極の形成後における残留応力が小さいことで電極剥離がおきにくい。なお、下地層２５には、Ｃｒ（クロム）、及びＮｉ−Ｗ（ニッケルタングステン）を用いても、第１金層２６及び第２金層２７を成膜することで同様な効果が期待できる。
【００３２】
＜第１金層２６の成膜方法＞
下地層２５を成膜した圧電基板１０は、次に第１成膜方法として、例えば図３に示すＰＶＤ法の直流スパッタ装置３０により１００ないし１０００オングストローム程度に第１金層２６を成膜する。第１金層２６を成膜する直流スパッタ装置３０はターゲット材３２にＡｕを用いる。また、下地層２５を形成した後はＮｉの酸化を防ぐために、真空雰囲気のもとで第１金層２６の形成工程に移ることが好ましい。例えば、直流スパッタ装置３０はＡｕのターゲット材３２（不図示）を図３と同じチャンバ内のＮｉの横に設置し、コンベアなどで移動させることで、チャンバＣＢを減圧、または真空雰囲気にしたまま第１金層２６を成膜する。
【００３３】
ＰＶＤ法で成膜した第１金層２６は、化学気相成長（以下「ＣＶＤ」とする。ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜よりも、下地層２５との結合力が強くなる。このため下地層２５のＮｉから第１金層２６が剥がれるおそれが非常に少なくなる。
【００３４】
その一方で、ＰＶＤ法で成膜した第１金層２６の皮膜の厚さはステップカバレッジが小さいために、圧電基板１０の側面部において厚みが薄くなる。ステップカバレッジが小さいとは、図２（ｂ）で示すように側面皮膜厚ＴＨｂが上面皮膜厚ＴＨａより薄くなることであり、ＴＨｂ／ＴＨａで示すことができる。つまり、ＰＶＤ法ではステップカバレッジが小さいために、付きまわり性が低く、圧電基板１０の側面部において、所望の厚みの第１金層２６を成膜することができないおそれがある。ステップカバレッジは圧電振動片２０が小型、または微細構造になるに従い影響が大きくなる。また、下地層２５のＮｉは薄膜形成工程の温度により第１金層２６に入り込むがＣｒと比べ、その混入率は小さい。
【００３５】
＜第２金層２７の成膜方法＞
第１金層２６の成膜処理に続いて、第２金層２７の成膜処理に移るが、圧電振動片２０の電極はＡｕで覆われるため、酸化しづらくなる。このため、成膜後は必ずしも真空雰囲気にする必要がなく大気開放することができる。つまり、第１金層２６を成膜した圧電基板１０は第２金層２７の成膜装置への移動が楽にできる。第２金層２７の成膜処理は第２成膜方法としてＣＶＤ法を用いて３００〜２０００オングストロームの厚さの薄膜を形成する。
【００３６】
ＣＶＤ法には熱ＣＶＤ法、又はプラズマＣＶＤ法などがあり、熱ＣＶＤ法は、薄膜にしたい材料を気体の化合物として供給し、これを高温に加熱した基板にあてることで、その表面で化学反応を起こし、基板上に薄膜を形成させる方法である。また、プラズマＣＶＤ法は金属を塩化物などのガスとして供給し、これを放電プラズマで活性化し、化学反応を促進して比較的低温で基板上に膜を形成する方法である。本実施形態では金のベータケトナト系錯体を原料とした分子化合物と水素との混合ガスとしてガス供給ＧＡＳし、プラズマＣＶＤ装置４０により圧電基板１０の電極部分に金を成膜させている。
【００３７】
図４はプラズマＣＶＤ法のプラズマＣＶＤ装置４０の構成を示したものである。プラズマＣＶＤ装置４０は平行平板型の平行電極４２が用いられ、高周波電力は上部電極より投入される。ウエハは背後からヒータ（不図示）によって加熱され、電極間の放電中での反応により膜が形成される。プラズマＣＶＤ装置４０は化学反応が熱エネルギーから電気エネルギーに置き換わるため、その分基板温度を低くすることができ、３００°Ｃ前後で良質の成膜が可能である。
【００３８】
プラズマＣＶＤ法の反応圧力は１０−２Ｔｏｒｒ台から数Ｔｏｒｒと、真空蒸着法やスパッタリング法のようなＰＶＤ法に比べて２桁以上高い。また平均自由行程は圧力に反比例するので２桁以上小さくなる。つまり、粒子の付きまわり性がよく、ステップカバレッジに優れている。また、ＣＶＤ法はガスを原料として成膜を行うため、ＰＶＤ法に比べ比較的容易に大面積に均一な厚さの薄膜を形成することが可能なため、一度に複数枚の圧電基板１０である水晶ウエハを処理することもできる。
【００３９】
以上より、ＣＶＤ法により成膜した第２金層２７は膜の付きまわり性が高いために第１金層２６で成膜しづらかった薄い側面部や微細構造部分も均一に成膜することができる。また、電極は第１金層２６と第２金層２７とで金層を２重にすることで、薄膜形成加工の温度による原子の移動が起きても、第２金層２７へ下地層２５のＮｉが混入する可能性が低い。このため電極は導電性に優れ、圧電振動片２０のＣＩ値を下げる効果がある。また、本発明の電極を用いることで発振安定性に優れ、エージング特性に優れた圧電デバイス５０を提供できる。
【００４０】
＜圧電デバイスの製造工程＞
図５は、本実施形態のＡＴ振動片による圧電デバイス５０の製造工程を示したフローチャートである。下記の製造工程は一例でありこの限りでない。
ステップＳ１１１では、所定の厚みに研磨した圧電基板１０を用意する。圧電基板１０は人工水晶原石をワイヤー・ソー方式などでウエハ状に切り出した円形、及び矩形の水晶ウエハをとする。
【００４１】
ステップＳ１１２では、圧電基板１０の表面に電極形状を形成したメタルマスクを載置し、電極を形成したくない部分をカバーする。また、引出し電極２２の側面部はあらかじめ貫通孔を空けておく。
【００４２】
ステップＳ１１３では、ＰＶＤ法で下地層２５にＮｉを成膜する。例えばＰＶＤ法のスパッタ装置３０を用いて、チャンバ内を真空状態にし、３０ないし３００オングストロームの膜厚で成膜する。
【００４３】
ステップＳ１１４では、第１成膜方法で第１金層２６にＡｕを成膜する。ステップＳ１１３に引き続き真空状態を維持し、本実施形態の第１成膜方法ではＰＶＤ法のスパッタ装置３０を用いて１００ないし１０００オングストローム程度に成膜する。Ａｕ金を成膜することで電極が酸化しないため、成膜後は大気開放してもよい。このため、ＡＴ振動片は、大気開放した状態で第２成膜方法の装置へ搬送することができる。
【００４４】
ステップＳ１１５では、第２成膜方法でなどで第２金層２７にＡｕを成膜する。本実施形態の第２成膜方法ではＣＶＤ法のプラズマＣＶＤ装置４０で成膜することで、電極に均一な厚みで第２金層２７を成膜することができる。
【００４５】
ステップＳ１１６では、圧電基板１０をレーザーなどでカットして複数のＡＴ振動片を作成する。
ステップＳ１１７では、パッケージ５１の台座基盤５１ｃに導電性接着剤５７を塗布し、ＡＴ振動片の電極を載置する。
【００４６】
ステップＳ１１８では、真空チャンバ内などに圧電振動片２０を収容したパッケージ５１を移し、蓋体５９を封止材５８により接合する。
続いてステップＳ１１９で、最後に圧電デバイス５０の駆動特性などの検査を行い、圧電デバイス５０を完成させる。
【００４７】
＜＜実施形態２＞＞
本実施形態では下地層２５をＰＶＤ法のスパッタ法で成膜した後、第１成膜方法としてＰＶＤ法のスパッタ法により第１金層２６を成膜し、第２金層２７の第２成膜方法としてＰＶＤ法の真空蒸着方法を用いる。スパッタ法は図３に示した直流スパッタ装置３０などを用いて、下地層２５を３０ないし３００オングストロームの膜厚で成膜し、次に真空雰囲気を保ちながら第１金層２６を１００ないし１０００オングストローム程度に第１金層２６を成膜する。第１金層２６を形成した圧電基板１０は大気開放しても良く、真空蒸着方法を用いて３００〜２０００オングストロームの厚さの第２金層２７を形成する。圧電デバイス５０の製造方法は実施形態１の図５で示した製造工程と同様に処理することができる。以下は実施形態１と異なる第２成膜方法について説明する。
【００４８】
第２成膜方法で用いるＰＶＤ法の真空蒸着方法は、蒸散させる物質を加熱溶解することによって成膜する方法である。加熱溶解する方法は抵抗加熱式、電子ビーム式、高周波誘導式、及びレーザー式などがある。例えば図６は圧電デバイス５０の電極形成によく用いられる抵抗加熱式の真空蒸着装置３５を示す。抵抗加熱式の真空蒸着装置３５はるつぼ３６の外周に設置した例えばタングステン、タンタル、及びモリブデンなどの電気抵抗発熱金属３９に高電流を流すことで、蒸発源の金（Ａｕ）を加熱して蒸散させる。また、抵抗加熱式蒸着装置３５はチャンバＣＢを排気装置（不図示）で排気ＯＵＴして真空雰囲気にすることで蒸着の障害となる気体を取り除き、蒸散した蒸発源の金（Ａｕ）が上部に設置した圧電基板１０に付着しやすくなり、均一な金の皮膜を形成することができる。
【００４９】
さらに、抵抗加熱式の真空蒸着装置３５は、膜厚計３８からの信号に基づいて電気抵抗発熱金属３９の電流値及びシャッタ３７を制御することで圧電基板１０に形成する皮膜の膜厚を調整することができる。なお本実施形態では電気抵抗発熱金属３９をるつぼ３６の外周に設置しているが、るつぼ３６の内部に設置して紛体の金（Ａｕ）と接するように設置しても良い。
【００５０】
真空蒸着方法はスパッタ方法と比べ、付着力が低い反面、成膜速度が速く膜厚制御がしやすい特徴がある。このため、真空蒸着方法は第２金層２７の形成に際し膜厚センサ３８などを用いてスパッタ方法で成膜しにくかった薄い側面部や微細構造部分をシャッタ３７及び電流値を調節することで所望の厚みになるよう成膜することができる。なお、本実施形態も第１金層２６の処理と第２金層２７の処理との間で大気開放することができる。また実施形態１と同様に、電極は第１金層２６と第２金層２７とで金層を２重にすることで、薄膜形成加工の温度による原子の移動が起きても、第２金層２７へ下地層２５のＮｉが混入する可能性が低く導電性に優れ、圧電振動片２０のＣＩ値を下げる効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば、本実施形態ではＡＴカット水晶振動片を適用したが音叉型水晶振動片であってもよい。また、水晶以外にニオブ酸リチウム等の様々な圧電単結晶材料を用いることができる。さらに、真空蒸着方法で第１金層２６の処理を行い、第２金層２７の処理をＣＶＤ法で行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）は、圧電デバイス５０の蓋体５９を外した概略上面図である。  （ｂ）は、（ａ）の概略断面図である。
【図２】（ａ）は、圧電振動片２０を拡大した断面図である。  （ｂ）は、（ａ）をさらに拡大して電極膜構造を示した断面図である。
【図３】直流スパッタ装置３０の概略構成図である。
【図４】プラズマＣＶＤ装置４０の概略構成図である。
【図５】圧電デバイス５０の製造工程を示したフローチャートである。
【図６】抵抗加熱式の真空蒸着装置３５の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  …  圧電基板、２０  …  圧電振動片
２１  …  励振電極、２２  …  引出し電極
２５  …  下地層
２６  …  第１Ａｕ層、２７  …  第２Ａｕ層
２９  …  基部
３０  …  直流スパッタ装置
３２  …  ターゲット材            
３５  …  電子ビーム蒸着装置
３６  …  るつぼ
３７  …  シャッタ
３８  …  膜厚センサ
３９  …  電気抵抗発熱金属
４０  …  プラズマＣＶＤ装置
４２  …  平行電極
５０  …  圧電デバイス
５１  …  パッケージ
５１ａ…  ベース基板
５１ｂ…  壁基板
５１ｃ…  台座基板
５２  …  電極部
５５  …  実装端子
５７  …  導電性接着剤
５８  …  封止材、５９  …  蓋体
ＣＢ  …  チャンバ
ＧＡＳ…  ガス供給
ＯＵＴ…  排気
ＰＬ  …  プラズマ
ＴＨａ…  上面皮膜厚
ＴＨｂ…  側面皮膜厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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