(57)【要約】【課題】薄板状のタンタル焼結体は、焼結体とリード線との距離が遠くなる割合が多くなるので、焼結体と焼結体との間と、焼結体とリード線との間の導通を十分確保する必要がある。また、焼結体を樹脂モールドなどして組み立てるとストレスによりＬＣ不良が増加しやすい。しかしこれを強固にすると電解質の含浸性が悪化して容量が低下してしまう。  したがって、薄板状のタンタル焼結体であっても、容量が低下を抑えながら、焼結体の骨格、焼結体とリード端子の接続を強固にして、外部ストレスを緩和し、ＬＣの安定化をはかる必要がある。【解決手段】焼結体の厚さが０．２ｍｍから０．５ｍｍで、焼結密度が７．５ｇ／ｃｍ３から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体と、この焼結体に含浸される導電性高分子の固体電解質層と、を有する固体電解コンデンサを提供することである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体と、この焼結体に形成される導電性高分子の固体電解質層と、を有する固体電解コンデンサ。
【請求項２】
焼結体の厚さが０．２から０．５ｍｍで、焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体と、この焼結体に形成される導電性高分子の固体電解質層と、を有する固体電解コンデンサ。
【請求項３】
焼結体の厚さが０．２から０．５ｍｍで、焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体を、酸化剤と、濃度が２から１０ｗ％のモノマー含有溶液で含浸して、導電性高分子の固体電解質層を形成する工程を有する固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タンタル固体電解コンデンサおよびその製造方法に関するものである。特に、薄板状タンタル焼結体を使用したタンタル固体電解コンデンサおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タンタル固体電解コンデンサは、タンタルの粉体に、カンファーやアクリル系樹脂等を有機溶剤と混合したバインダーを添加して混合し、その後、有機溶剤を揮発して除去した粉体を用いる。そしてこの粉体を、予じめタンタルの弁作用金属からなる陽極用リード線の一端を埋め込んで、プレス加圧成形する。成形後、真空中、高温度で加熱して焼結し、焼結体を形成する。次に、この焼結体に酸化皮膜、二酸化マンガンまたはポリピロールやポリアニリン等の有機導電性高分子からなる固体電解質層、グラファイト層及び銀層を順次形成してコンデンサ素子を形成していた。特許文献１には、嵩密度が０．５０〜１．８５ｇ／ｃｍ３のタンタル粉末を、密度４．５〜７．０ｇ／ｃｍ３で、体積が５ｍｍ３未満の成形体とする成形工程を含む製造方法を採用することにより、小型コンデンサ、および、大型コンデンサのどちらであっても、漏れ電流が少なく、容量低下も抑制されたタンタル固体電解コンデンサ製造できることが開示されている。
【特許文献１】特開２００２−６０８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
解決しようとする問題点は、タンタル固体電解コンデンサにおいても、ほかの電子部品と同様に薄型化の要求は大きい。タンタル固体電解コンデンサの陽極は、焼結体であって中心部分から陽極用のリード線を引き出す構造で、特に薄板状のタンタル焼結体にあっては、焼結体とリード線との距離が遠くなる割合が多くなるので、焼結体と焼結体との間と、焼結体とリード線との間の導通を十分確保する必要がある。また、特に薄板状のタンタル焼結体にあっては、焼結体を樹脂モールドなどして組み立てるとストレスにより漏れ電流不良が増加しやすい。しかしこれを強固にすると電解質の含浸性が悪化して容量が低下してしまう。
したがって、薄板状のタンタル焼結体であっても、容量が低下を抑えながら、焼結体の骨格、焼結体とリード端子の接続を強固にして、外部ストレスを緩和し、漏れ電流の安定化をはかる点が課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体と、この焼結体に形成される導電性高分子の固体電解質層と、を有する固体電解コンデンサを提供することである。
また、本発明は、焼結体の厚さが０．２から０．５ｍｍで、焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３のタンタル焼結体と、この焼結体に形成される導電性高分子の固体電解質層と、を有する固体電解コンデンサを提供することである。
また、焼結体の厚さが０．２から０．５ｍｍで、焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３の状タンタル焼結体を、酸化剤と、濃度が２から１０ｗ％のモノマー含有溶液で含浸して、導電性高分子の固体電解質層を形成する工程を有する固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明のタンタル固体電解コンデンサは、固体電解質層に導電性高分子を使用して導電性を上げると共に、タンタル焼結体の焼結密度を７．５から８．０ｇ／ｃｍ３に上げることにより、骨格、焼結体とリード端子の接続を強固にして、外部ストレスを緩和し、漏れ電流の安定化をはかることができる。
また、酸化剤と、濃度が２から１０ｗ％のモノマー含有溶液で含浸して導電性高分子の固体電解質層を形成する工程を有するので、焼結密度が高くとも導電性高分子が十分含浸と定着ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明に述べる焼結密度は、タンタル微粉末にバインダーを混合した粉末を、プレス加圧成形し、次いで真空中において焼結して形成した海綿状の陽極焼結体の、体積あたりの重さで、単位はｇ／ｃｍ３で表記する。
【０００７】
本発明に述べる薄板状タンタル焼結体は、この焼結体の端面中心に埋め込んだタンタルの線状からなる陽極用リードからの距離が、高さと幅で異なる断面の焼結体で、高さに対して幅が３倍程度ある薄いタンタル焼結体をさす。
【０００８】
本発明に述べる導電性高分子の固体電解質層は、導電性高分子からなる層で、チオフェンモノマーを化学酸化重合させて得たポリチオフェンのほか、例えばポリピロール或いはポリアニリンなどを用いることもできる。また、形成方法についても、化学酸化重合に限らず、電解酸化重合によって形成することもできる。
【０００９】
本発明に述べるモノマーは、重合性化合物で重合して導電性高分子となるもので、化学酸化重合の場合はｐ−トルエンスルホン酸などの酸化剤で、電解酸化重合の場合には電気分解の際にアノードにおいて生じる酸化反応を利用して重合する。
一般に、電解酸化重合により生成される導電性高分子の層は、化学的酸化重合の場合に比べて、強度が強く、導電率が高く、且つ均一な、良質の導電性高分子層となる。しかしながら、電解酸化重合により誘電体酸化皮膜上に導電性高分子層を直接形成することは、誘電体酸化皮膜が絶縁体であるため、不可能かまたは非常に困難である。そこで、まず、誘電体酸化皮膜上に、化学的酸化重合による第１の導電性高分子層を形成し、次に、該第１導電性高分子層上に、電解酸化重合による第２の導電性高分子層を形成する。
【００１０】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００１１】
タンタル固体電解コンデンサの陽極用タンタル焼結体の製造方法は、（１）タンタル一次粉体、二次凝集粉体と有機バインダーとを混合する工程、（２）それを圧縮・成形する工程、（３）得られた成形体を焼結する工程を含む。
【００１２】
本発明で用いるタンタル粉体は、１００００μＦ・Ｖ／ｇからの２０００００μＦ・Ｖ／ｇ程度の粉末を使用する。
タンタル以外の成分としては、必要に応じて、水素、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、モリブデン、マンガン、タングステン、酸素、亜鉛、硼素、アルミニウム、珪素、窒素、リンなどから選ばれる少なくとも１種の元素である。
【００１３】
本発明におけるバインダーは、公知の有機系バインダーが使用できる。例えば、ポリビニルアルコール，ポリビニルブチラール、メチルセルロース，カルボキシルメチルセルロース或いはカンファーなどが使用できる。これらのバインダーは、通常溶液に溶かして用いられる。使用できる溶媒としては、水、アルコール類、エーテル類、セルソルブ類、ケトン類、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類などが挙げられる。  有機バインダーの使用量は、全体を１００質量部としたときに、通常１〜１５質量部であり、好ましくは３〜１０質量部である。
【００１４】
コンデンサ用タンタル粉体及び有機バインダーを溶剤に入れ、十分に混合する。混合機としては、振とう混合機、Ｖ型混合機、ビーズ混合機、ナウターミキサーなど、通常の混合機が使用できる。混合に要する時間は、１０分以上であれば特に制限はないが、通常１〜６時間である。
【００１５】
次に、タンタル粉体とバインダーの混合物を圧縮成形するときに、併せてタンタル線の一端を埋め込ませ、成形体の片端面より導出させる。
成形体の形状は、この焼結体の端面中心に埋め込んだタンタルの線状からなる陽極用リード線からの距離が、高さと幅で異なる断面の焼結体で、高さに対して幅が３倍程度ある、高さが０．２から０．５ｍｍ程度と薄い形状からなる。焼結後の厚さが０．２から０．５ｍｍになるように、また、焼結後の密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３になるように成形する。焼結後の厚さが０．２から０．５ｍｍになるようにすると、タンタルコンデンサを薄型にすることができる。焼結後の厚さが０．２未満だと外装形成時の製造ストレスに徐々に弱く、外装形成後の漏れ電流が徐々に大きくなってしまう。
タンタル線の断面は、円、楕円、正方形または長方形で、径は、焼結体の、焼結後の厚さの半分から９割程度で、焼結体の厚さ方向にはみ出さないようにする。
【００１６】
次に、このようにして得られた成形体は焼結処理される。焼結温度に達する前に有機バインダーを除去する工程を設ける。有機バインダーの除去は、例えば減圧下（１０〜１０３Ｐａ）、焼結温度よりも低い２００〜６００℃で１０分〜１０時間処理することにより行なうことができる。焼結条件は、タンタル粉体の融点、有機バインダーの沸点により左右されるが、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス存在下、または高減圧下（例えば１０−４〜１０−１Ｐａ）、７００℃〜２０００℃で１分から１００時間加熱して行われる。好ましい焼結温度は８００℃〜１５００℃、さらに好ましい焼結温度は１０００℃〜１３００℃である。焼結終了後、タンタル焼結体の温度が室温程度になるまで冷却し取り出す。
【００１７】
次に、上記の陽極用タンタル焼結体を使用したコンデンサ素子の製造について説明する。この焼結体に酸化皮膜、導電性高分子からなる固体電解質層、グラファイト層及び銀層を順次形成してコンデンサ素子を形成する。
【００１８】
まず、陽極用リード線の根本に、ポリテトラフルオロエチレンやシリコーンゴム，シリコーン樹脂等からなる円板状の絶縁板を配置する。この絶縁板は、例えば厚さが０．２ｍｍより薄く、好ましくは０．１ｍｍ程度の厚さがよい。すなわち、絶縁板の厚さの薄い方が、コンデンサ全体の寸法を変えることなく焼結体の寸法を大きくでき、容量を増加でき、また、容量を一定にした場合にはコンデンサを小形化できる。
次に、硝酸やリン酸等の化成液中に目視等により所定のレベルまで浸漬するとともに、これに定格電圧に応じた直流電圧を印加し、化成処理する。この化成処理により約１６Å／Ｖ程度の割合で酸化皮膜を生成し、最終的に厚さ２００〜６０００Å程度の酸化皮膜を形成する。
【００１９】
次に、酸化皮膜の表面に有機導電性高分子からなる固体電解質層を設ける。導電性高分子としては、ポリアセチレンやポリパラフェニレン、ポリピロール、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリイミダゾール、ポリチアゾール、ポリフラン、これらの誘導体等の電子共役系高分子にドーパントを付与する物質を含んでいる。
ドーパントを付与する物質としては、スルホン酸化合物やカルボン酸化合物，リン酸化合物，硫酸等を用いる。特にスルホン酸化合物としては、例えば、Ｐ−トルエンスルホン酸，スルホンイソフタル酸やスルホコハク酸，メタンスルホン酸，フェノールスルホン酸，スルホサリチル酸，ベンゼンスルホン酸，ベンゼンジスルホン酸，アルキルベンゼンスルホン酸及びその誘導体、カンファースルホン酸，スルホン酢酸，ジフェノールスルホン酸，ナフタレンスルホン酸及びその誘導体、アントラキノンスルホン酸及びその誘導体等の酸を用いる。この酸化合物の濃度は０．０５〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度にする。また、ドーパントを付与する物質として用いる塩化合物には、前記の酸化合物のアンモニウム塩やナトリウム塩，カリウム塩を用いる。すなわち、スルホン酸化合物の場合には、アンモニウム塩としてスルホイソフタル酸アンモニウムやスルホコハク酸アンモニウム，メタンスルホン酸アンモニウム，フェノールスルホン酸アンモニウム，スルホサリチル酸アンモニウム，ベンゼンスルホン酸アンモニウム，ベンゼンジスルホン酸アンモニウム，アルキルベンゼンスルホン酸アンモニウム及びその誘導体、カンファースルホン酸アンモニウム，スルホン酢酸アンモニウム，ジフェノールスルホン酸アンモニウム等の塩を用いる。そしてナトリウム塩としては、スルホイソフタル酸ナトリウム，スルホコハク酸ナトリウム，メタンスルホン酸ナトリウム，フェノールスルホン酸ナトリウム，スルホサリチル酸ナトリウム，ベンゼンスルホン酸ナトリウム，ベンゼンジスルホン酸ナトリウム，アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム及びその誘導体、カンファースルホン酸ナトリウム，スルホン酢酸ナトリウム，ジフェノールスルホン酸ナトリウム等の塩を用いる。さらに、カリウム塩としては、スルホイソフタル酸カリウムやスルホコハク酸カリウム，メタンスルホン酸カリウム，フェノールスルホン酸カリウム，スルホサリチル酸カリウム，ベンゼンスルホン酸カリウム，ベンゼンジスルホン酸カリウム，アルキルベンゼンスルホン酸カリウム及びその誘導体、カンファースルホン酸カリウム，スルホン酢酸カリウム，スルホアニリン，ジフェノールスルホン酸カリウム等の塩を用いる。そしてこれらのアンモニウム塩やナトリウム塩，カリウム塩の化合物の濃度も０．０５〜１．００ｍｏｌ／Ｌ程度にする。また塩化合物の溶解度を高めて液中の濃度を下げるために塩酸や硫酸等を添加してもよい。これらの化合物は単独で、又は二種以上混合して用いることができる。
【００２０】
導電性高分子からなる固体電解質層を製造する方法としては、例えばアセチレンやパラフェニレン、ピロール、ｐ−フェニレンビニレン、アニリン、チオフェン、イミダゾール、チアゾール、フラン、またはこれらの置換誘導体の重合性化合物であるモノマーを溶媒に溶解し、酸化剤の作用で重合する方法が採用される。
【００２１】
酸化剤としては、具体的には、例えばＦｅＣｌ３やＦｅＣｌＯ４、Ｆｅ（有機酸アニオン）塩等のＦｅ（ＩＩＩ）系化合物類、または無水塩化アルミニウム／塩化第一銅、アルカリ金属過硫酸塩類、過硫酸アンモニウム塩類、過酸化物類、過マンガン酸カリウム等のマンガン類、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、テトラクロロ−１，４−ベンゾキノン、テトラシアノ−１，４−ベンゾキノン等のキノン類、よう素、臭素等のハロゲン類、過酸、硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄、クロロ硫酸、フルオロ硫酸、アミド硫酸等のスルホン酸、オゾン等及びこれら複数の酸化剤の組み合わせが挙げられる。
これらの中で、前記Ｆｅ（有機酸アニオン）塩を形成する有機酸アニオンの基本化合物としては、有機スルホン酸または有機カルボン酸、有機リン酸、有機ホウ酸等が挙げられる。有機スルホン酸の具体例としては、ベンゼンスルホン酸やｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、α−スルホ−ナフタレン、β−スルホ−ナフタレン、ナフタレンジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸（アルキル基としてはブチル、トリイソプロピル、ジ−ｔ−ブチル等）等が使用される。
一方、有機カルボン酸の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸等が挙げられる。さらに本発明においては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸ポリ−α−メチルスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリリン酸等の高分子電解質アニオンも使用される。なお、これら有機スルホン酸または有機カルボン酸は単なる例示であり、これらに限定されるものではない。また、前記アニオンの対カチオンとしては、Ｈ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋等のアルカリ金属イオン、または水素原子やテトラメチル基、テトラエチル基、テトラブチル基、テトラフェニル基等で置換されたアンモニウムイオン等が例示されるが、これらに限定されるものではない。前記の酸化剤のうち、特に好ましいのは、３価のＦｅ系化合物類、または塩化第一銅系、過硫酸アルカリ塩類、過硫酸アンモニウム塩類酸類、キノン類を含む酸化剤である。
【００２２】
溶媒としては、アルコール系やグリコール系，エーテル系，ケトン系あるいはこれ等に水を加えたものを使用する。アルコール系の溶媒には、メタノールやエタノール，ｎ−プロピルアルコール，イソプロピルアルコール，ｎ−ブチルアルコール，ｔ−ブチルアルコール等を用いる。グリコール系の溶媒は、エチレングリコールやジエチレングリコール，トリエチレングリコール，プロピレングリコール，ジプロピレングリコール，トリプロピレングリコール等を用いる。エーテル系の溶媒は、メチルセロソルブやエチルセロソルブ，トリエチレングリコールモノメチルエーテル，トリエチレングリコールモノブチルエーテル，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノブチルエーテル，ジプロピレングリコールモノメチルエーテル，エチレングリコールジメチルエーテル，エチレングリコールジエチルエーテル，ジエチレングリコールジエチルエーテル，ジエチレングリコールエチルメチルエーテル，ジグライム，トリグライム，テトラエチレングリコールジメチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジオキサン等を用いる。ケトン系の溶媒はアセトン等を用いる。
【００２３】
誘電体層を形成したタンタル焼結体に固体電解質層を設ける方法には、酸化剤、ドーパント、モノマーを混合し、重合が進行している溶液に浸漬させる方法と、モノマーとドーパントと酸化剤とを次の２種類の溶液に分けて、焼結体を交互に浸漬して重合させる方法とを採用できる。２種類の分け方は、ａ）モノマーとドーパントとを溶解した溶液及び酸化剤を溶解した溶液，ｂ）モノマーを溶解した溶液及び酸化剤とドーパントとを溶解した溶液，ｃ）モノマーとドーパントとを溶解した溶液及び酸化剤とドーパントとを溶解した溶液の３通りとする。浸漬したタンタル焼結体は、空気中に放置・乾燥中に重合が完了し、固体電解質がタンタル焼結体表面に定着する。さらに第３の方法は、上記二つの方法を組み合わせて、固体電解質層の表面に同様に導電性高分子からなる別の固体電解質層を積層するものである。このような重合工程の操作は１回以上、好ましくは５〜２０回繰り返すことによって緻密で層状の導電性高分子層を容易に形成することができる。
【００２４】
焼結密度が７．５から８．０ｇ／ｃｍ３と高い、本発明のタンタル焼結体の場合、浸漬する溶液の粘度濃度１から１０ｗ％のモノマー含有溶液で含浸して下げた方が含浸しやすいが、そのために溶剤に対する溶質の量を少なくすると、上記のモノマーとドーパントと酸化剤とを２種類の溶液に分けて、焼結体２を交互に浸漬して重合させる上記の方法では、焼結体に定着した酸化剤、またはモノマーが次の操作による多量の溶剤によって洗い流され場合があるため、好ましくは、酸化剤、ドーパント、モノマーを混合し、重合が進行している溶液に浸漬させる方法のほうが好ましい。重合が進まないように、より好ましくは、濃度が１から１０ｗ％のモノマー含有の溶液中で含浸するのが好ましい。タンタル焼結体の奥の方に導電性高分子層が定着してきたときには、モノマー含有の濃度を徐々に増加させてもかまわない。そうすることにより含浸回数を低減することができる。
【００２５】
導電性高分子層を形成した後、カーボンペーストを表面に塗布して、カーボン層を形成する。その後、カーボン層の表面に銀ペーストを塗布して銀層を形成する。銀層を形成後、焼結体をこの銀層と陽極用リード線の箇所で各々導電性ペーストや溶接によりリードフレーム等に接続し、樹脂モールド法により樹脂を被覆したり、銀層に陰極端子を接続するとともに、陽極用リード線に陽極端子を接続し、樹脂ディップ法により樹脂を被覆したりして、外装を形成し、固体電解コンデンサとする。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１：定格１０Ｖ、１００μＦのタンタルチップ型固体電解コンデンサの製造方法について述べる。弁作用金属として、タンタルの微粉末（４００００μＦ・Ｖ／ｇ）を用い、これにアクリル樹脂をバインダーとして加えた微粉末を、タンタル製の直径が０．２ｍｍの陽極用リード線の一端を埋め込んだ状態にして、プレス機により圧縮成形する。そしてこの成形体を真空中で加熱処理し、焼結して、幅２．０ｍｍ、高さ０．４ｍｍ、長さ２．５ｍｍ、焼結密度が７．７ｇ／ｃｍ３の薄板状の焼結体を形成する。
次に、この焼結体を、陽極用リード線の箇所で、幅２ｃｍ、長さ１０ｃｍのステンレス製の板に等間隔に複数個溶接して一体化する。そしてこのステンレス板に溶接した状態で、焼結体を希燐酸液中に浸漬し、直流電圧３０Ｖを印加して、誘電体皮膜を形成する。
誘電体皮膜を形成後、０℃〜１０℃に冷却した濃度が５ｗ％の３，４−エチレンジオキシチオフェンと、１６ｍｍｏｌのｐ−トルエンスルホン酸第２鉄のブタノール溶液５０ｍｌからなる酸化剤及びドーパンの混合溶液中に、焼結体を１分間浸漬する。なお、この浸漬処理は、溶液を調合してから１０分以内に行なう。浸漬後、焼結体を空気中に２０分間放置する。そして、この浸漬から放置までの工程を３０回繰り返して導電性ポリチオフェン又はその誘導体からなる固体電解質層を得る。この乾燥後、ｐ−トルエンスルホン酸の５ｗ％水溶液中に焼結体を浸漬し、１４Ｖの電圧を印加する。この電圧印加処理後、焼結体を液から取り出して、空気中において１１０℃の温度で３０分間乾燥する。
加熱乾燥後、焼結体をコロイダルカーボン中に浸漬して、固体電解質層の表面にカーボンを付着する。その後、素子を取り出して窒素ガス雰囲気中、温度１５０℃で乾燥してカーボン層を形成する。カーボン層を形成後、銀ペーストを塗布し、窒素ガス雰囲気中において１５０℃の温度で加熱乾燥して銀ペースト層を形成する。
銀層を形成後、リードフレームの陰極端子部に素子の銀層を銀導電性ペーストにより接続するとともに、リードフレームの陽極端子部に陽極用リード線を溶接して、焼結体をリードフレームに取り付ける。
素子をリードフレームに取り付け後、エポキシ樹脂を用いてトランスファーモールド法により外装を形成する。外装を形成後、エージング処理を行ない、リードフレームを切断除去し、陰極端子及び陽極端子をフォーミングし、チップ型の固体電解コンデンサとする。
【００２７】
実施例２、実施例３：焼結密度を表１に示す通り、７．５ｇ／ｃｍ３と８．０ｇ／ｃｍ３にする以外は、実施例１と同一の条件で製造する。
実施例４、実施例５：モノマー濃度を表１に示す通り、２ｗ％と８ｗ％にする以外は、実施例１と同一の条件で製造する。
比較例１、比較例２：焼結密度を表１に示す通り、７．３ｇ／ｃｍ３と８．２ｇ／ｃｍ３にする以外は、実施例１と同一の条件で製造する。
比較例４、比較例５：モノマー濃度を表１に示す通り、１ｗ％と１２ｗ％にする以外は、実施例１と同一の条件で製造する。
【００２８】
次に、実施例１〜実施例５のタンタル固体電解コンデンサについて、従来例とともに、引き抜き強度、容量達成率、漏れ電流、たわみ強度を測定する。
なお、引き抜き強度とは、焼結後、焼結体を固定し、この焼結体の端面中心に埋め込んだ陽極用リード線をくわえて引っ張り上げたときの焼結体と陽極用リード線との間の密着強度をさす。
また、容量達成率とは、コンデンサ素子の３０％硫酸水溶液での容量測定値に対する、固体電解質層を有する場合の、コンデンサ素子の容量測定値の割合をさす。
また、たわみ強度とは、焼結体の両端底部に枕部を設けておいて、焼結体の中央上面から下方向に力を加えたときの耐強度をさす。
また、漏れ電流は、外装形成後、試料を空気中に放置して温度１２５℃で１０時間加熱して行なう。１０Ｖの直流電圧を印加して１分間経過後の値とする。
以上、測定結果は表１に示す。
【００２９】
【表１】
2009064960.tif 000002
【００３０】
この表１から明らかな通り、実施例とくらべて、焼結密度が７．５ｇ／ｃｍ３より小さい７．３ｇ／ｃｍ３の比較例１だと、引き抜き強度やたわみ強度が小さく、焼結体厚さが０．２から０．５ｍｍと薄いために外装形成時の製造ストレスに弱く、外装形成後の漏れ電流が大きくなっている。
また、実施例とくらべて、焼結密度が８．０ｇ／ｃｍ３より大きい８．２ｇ／ｃｍ３の比較例２だと、容量達成率が悪化し、そのために漏れ電流が大きくなっている。
また、実施例１とくらべて、モノマー濃度が２ｗ％より小さい１ｗ％の比較例３だと、導電性高分子の含浸量が少なく容量達成率が悪化し、そのために漏れ電流が大きくなっている。
また、実施例１とくらべて、モノマー濃度が８ｗ％より大きい１２ｗ％の比較例４だと、導電性高分子の含浸性が悪化し容量達成率が悪化し、そのために漏れ電流が大きくなっている。