(57)【要約】【課題】ノズル部の退避時でも噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出できる表面処理装置を提供する。【解決手段】被処理物Ｗを支持部２１で支持する。移動機構５によって支持部２１をノズル部１０に対し相対移動させるとともに、ノズル部１０の噴出口１１から反応性ガスを噴出し、吸引口１２から吸引する。ノズル部１０が支持部２１より外側に位置する退避位置の時、吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。【選択図】図１
2009129996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
前記反応性ガスを噴出する噴出口と吸引する吸引口とを有するノズル部と、
前記被処理物を支持する支持部と、
前記ノズル部と前記支持部ひいては被処理物とを、互いに対向する処理位置と、前記ノズル部が前記被処理物から前記対向方向と交差する移動方向の一側に外れた退避位置とを含む範囲で前記移動方向に相対移動させる移動機構と、
前記退避位置のときの前記吸引口からの吸引流量を前記処理位置のときの前記吸引口からの吸引流量より大きくする吸引制御手段と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記支持部の前記一側には、前記退避位置のノズル部と対向して前記噴出口からの反応性ガスの前記対向方向への通過を遮る邪魔部材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
前記反応性ガスを噴出する噴出口と吸引する吸引口とを有するノズル部と、
前記被処理物を支持する支持部と、
前記ノズル部と前記支持部ひいては被処理物とを、互いに対向する処理位置と、前記ノズル部が前記被処理物から前記対向方向と交差する移動方向の一側に外れた退避位置とを含む範囲で前記移動方向に相対移動させる移動機構と、
前記支持部の前記一側に前記退避位置のノズル部と対向されるように配置され、ガス吸引を行なう退避吸引部と、
前記退避位置のときの前記退避吸引部からの吸引流量を、前記ノズル部が前記処理位置のときの前記退避吸引部からの吸引流量より大きくする吸引制御手段と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項４】
反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する方法であって、
前記反応性ガスを噴出口から噴出するととともに前記噴出口の近傍の吸引口からガスを吸引する噴出吸引工程と、
前記噴出口及び吸引口に対し前記被処理物を、前記噴出口と対向する処理位置と前記噴出口から外れた退避位置との間で相対移動させる移動工程と、
前記退避位置のときの前記吸引口からの吸引流量を前記処理位置のときの前記吸引口からの吸引流量より大きくする吸引制御工程と、
を実行することを特徴とする表面処理方法。
【請求項５】
反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する方法であって、
前記反応性ガスを噴出口から噴出するととともに前記噴出口の近傍の吸引口からガスを吸引する噴出吸引工程と、
前記噴出口及び吸引口に対し前記被処理物を、前記噴出口と対向する処理位置と前記噴出口から外れた退避位置との間で相対移動させる移動工程と、
前記退避位置のときの前記噴出口と対向するよう設けた退避吸引部による前記退避位置のときの吸引流量を、前記処理位置のときの前記退避吸引部による吸引流量より大きくする吸引制御工程と、
を実行することを特徴とする表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ノズル部から噴出した反応性ガスにより被処理物の表面処理を行なう装置及び方法に関し、特にノズル部が被処理物から外れた位置にあるときの反応性ガスの流通制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の表面処理装置のノズル部には噴出口と吸引口が設けられている。ノズル部の下方にはテーブル等の支持部が配置され、この支持部上に被処理物が載せられている。噴出口から反応性ガスが噴出されて被処理物に接触し、表面処理がなされる。処理済みのガスは吸引口から吸引される。ノズル部と支持部は相対的に往復移動（スキャン）され、被処理物の全体を処理できるようになっている。
【特許文献１】特開平９−９２４９３号公報
【特許文献２】特開２００２−１５１４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
往復の折り返し時には、通常、ノズル部が被処理物より移動方向の外側に位置している。また、支持部に被処理物をセットしたり、処理済みの被処理物を支持部から取り出したりするときも、ノズル部を被処理物より移動方向の外側に退避させておく。この状態では、ノズル部からの反応性ガスが被処理物には当たらずに裏側へ通り抜け、処理室内に拡散しやすい。反応性ガスは腐食性や毒性の強いものが多いため、速やかな排気が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上記事情鑑みて提案されたものであり、反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
前記反応性ガスを噴出する噴出口と吸引する吸引口とを有するノズル部と、
前記被処理物を支持する支持部と、
前記ノズル部と前記支持部ひいては被処理物とを、互いに対向する処理位置と、前記ノズル部が前記被処理物から前記対向方向と交差する移動方向の一側に外れた退避位置とを含む範囲で前記移動方向に相対移動させる移動機構と、
前記退避位置のときの前記吸引口からの吸引流量を前記処理位置のときの前記吸引口からの吸引流量より大きくする吸引制御手段と、
を備えたことを第１の特徴とする。
これによって、ノズル部と支持部の位置関係が退避位置にあるとき、噴出口から噴き出された反応性ガスを吸引口から確実に吸引して排出することができる。よって、反応性ガスの周囲への拡散や漏洩を防止でき、表面処理装置の構成部材や周辺部材の腐食を防止することができる。
【０００５】
前記支持部の前記一側には、前記退避位置のノズル部と対向して前記噴出口からの反応性ガスの前記対向方向への通過を遮る邪魔部材が設けられていることが好ましい。
これによって、退避位置のとき、反応性ガスが周囲に拡散するのを確実に防止することができる。
【０００６】
また、本発明は、反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
前記反応性ガスを噴出する噴出口と吸引する吸引口とを有するノズル部と、
前記被処理物を支持する支持部と、
前記ノズル部と前記支持部ひいては被処理物とを、互いに対向する処理位置と、前記ノズル部が前記被処理物から前記対向方向と交差する移動方向の一側に外れた退避位置とを含む範囲で前記移動方向に相対移動させる移動機構と、
前記支持部の前記一側に前記退避位置のノズル部と対向されるように配置され、ガス吸引を行なう退避吸引部と、
前記退避位置のときの前記退避吸引部からの吸引流量を、前記ノズル部が前記処理位置のときの前記退避吸引部からの吸引流量より大きくする吸引制御手段と、
を備えたことを第２特徴とする。
これによって、ノズル部と支持部の位置関係が退避位置にあるとき、噴出口から噴き出された反応性ガスを退避吸引部から確実に吸引して排出することができる。よって、反応性ガスの周囲への拡散や漏洩を防止でき、表面処理装置の構成部材や周辺部材の腐食を防止することができる。前記退避吸引部の前記処理位置のときの吸引流量は、前記退避位置のときより小さければよく、ゼロでもよい。
【０００７】
また、本発明は、反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する方法であって、
前記反応性ガスを噴出口から噴出するととともに前記噴出口の近傍の吸引口からガスを吸引する噴出吸引工程と、
前記噴出口及び吸引口に対し前記被処理物を、前記噴出口と対向する処理位置と前記噴出口から外れた退避位置との間で相対移動させる移動工程と、
前記退避位置のときの前記吸引口からの吸引流量を前記処理位置のときの前記吸引口からの吸引流量より大きくする吸引制御工程と、
を実行することを第３特徴とする。
これによって、噴出口と被処理物の位置関係が退避位置にあるとき、噴出口から噴き出された反応性ガスを吸引口から確実に吸引して排出することができる。よって、反応性ガスの周囲への拡散や漏洩を防止でき、表面処理装置の構成部材や周辺部材の腐食を防止することができる。
【０００８】
また、本発明は、反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する方法であって、
前記反応性ガスを噴出口から噴出するととともに前記噴出口の近傍の吸引口からガスを吸引する噴出吸引工程と、
前記噴出口及び吸引口に対し前記被処理物を、前記噴出口と対向する処理位置と前記噴出口から外れた退避位置との間で相対移動させる移動工程と、
前記退避位置のときの前記噴出口と対向するよう設けた退避吸引部による前記退避位置のときの吸引流量を、前記処理位置のときの前記退避吸引部による吸引流量より大きくする吸引制御工程と、
を実行することを第４特徴とする。
これによって、噴出口と被処理物の位置関係が退避位置にあるとき、噴出口から噴き出された反応性ガスを退避吸引部から確実に吸引して排出することができる。よって、反応性ガスの周囲への拡散や漏洩を防止でき、表面処理装置の構成部材や周辺部材の腐食を防止することができる。前記退避吸引部の前記処理位置のときの吸引流量は、前記退避位置のときより小さければよく、ゼロでもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ノズル部と支持部の位置関係が退避位置にあるとき、噴出口から噴き出された反応性ガスを確実に吸引して排出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１は、液晶パネル製造ラインにおけるアイランドエッチング工程に用いられる表面処理装置１を示したものである。被処理物Ｗは、液晶パネル用の無アルカリガラス基板である。図２に示すように、ガラス基板Ｗは、四角形状をなしている。ガラス基板Ｗの長手方向（図２の左右方向）の寸法は、例えば１３００ｍｍであり、短手方向（図２において上下方向）の寸法は、例えば１１００ｍｍである。ガラス基板Ｗの表面（上面）には、アモルファスシリコンの層（図示省略）がＣＶＤによって形成されている。このアモルファスシリコン層を表面処置装置にてエッチングする。
【００１１】
図１に示すように、表面処理装置１は、ノズル部１０と、プレート型のステージ２０とを備えている。これらノズル部１０及びステージ２０は、図示しない処理室の内部に配置されている。
ノズル部１０は、ステージ２０より上側に位置されるようにして架台（図示省略）に支持されている。図３に示すように、ノズル部１０の底面には、複数（図では３つ）の噴出口１１と、複数（図では６つ）の吸引口１２とが形成されている。噴出口１１及び吸引口１２は、それぞれ前後方向（図３において上下）に延びるスリット状をなし、互いに左右に間隔を置いて平行に並べられている。各噴出口１１及び吸引口１２の長さは、ガラス基板Ｗの短手方向の長さとほぼ同じになっている。１つの噴出口１１とその両側の２つの吸引口１２とからなる組みが、左右に３つ（複数）並んでいる。
【００１２】
図１に示すように、各噴出口１１には、反応性ガス供給路２ａを介して反応性ガス供給源２が接続されている。反応性ガス供給源２は、処理目的に応じた反応性成分を含む反応性ガスを生成して、噴出口１１に導入するようになっている。例えば、上記アモルファスシリコンのエッチングにおいては、反応性成分としてオゾンとフッ酸蒸気を含む反応性ガスが用いられる。オゾンは、酸素（Ｏ２）を用いてオゾナイザーにて生成できる。フッ酸蒸気は、ＣＦ４等のフッ素含有物に水（Ｈ２Ｏ）を添加し、プラズマ生成装置にてプラズマ化することにより生成することができる。上記オゾナイザーに代えて、プラズマ生成装置にて酸素原料からオゾンや酸素ラジカル等の酸素系反応成分を生成することにしてもよい。１つのプラズマ生成装置にてフッ酸蒸気と酸素系反応成分とを生成することにしてもよい。プラズマ生成装置は、少なくとも一対の電極を有し、これら電極間でプラズマを生成し、原料ガスをプラズマ化して反応成分を生成する。プラズマは大気圧近傍下で生成するのが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【００１３】
図１に示すように、各吸引口１２には、吸引排気路３ａを介して吸引排気手段３が接続されている。吸引排気手段３は、流量制御弁や吸引ポンプや無毒化設備等を含む。
【００１４】
図１に示すように、ステージ２０は、中央の被処理物支持部２１と、この支持部２１の左右両側に添えられた袖部２２（邪魔部材）とを有している。図２に示すように、支持部２１は、平面視でガラス基板Ｗより少し大きな四角形状になっている。この支持部２１の上面にガラス基板Ｗが長手方向を左右に向け短手方向を前後に向けて載置（支持）されるようになっている。図１及び図２に示すように、支持部２１の上面の周縁部には、枠２３が設けられている。この枠２３がガラス基板Ｗの周縁部に宛がわれ、ガラス基板Ｗが位置決めされるようになっている。ガラス基板Ｗの上面と枠２３の上面とは面一になっている。
【００１５】
図２に示すように、支持部２１には、複数条（ここでは３条）のローラ溝２４が形成されている。ローラ溝２４は、それぞれ前後方向（図２において上下）に延びるとともに、互いに左右に間隔を置いて平行に配置されている。各ローラ溝２４に多数のリフトアップローラ２５が前後方向に一列に並んで収容されている。リフトアップローラ２５は、それぞれ左右方向を向く軸線の周りに回転可能になるとともに、互いに同期して昇降可能になっている。これらリフトアップローラ２５にて、処理すべきガラス基板Ｗを支持部２１上に載せたり、処理後のガラス基板Ｗを支持部２１から持ち上げたりすることができる。後述する退避位置のときの支持部２１の側方には、搬入出コンベア４が設けられている。この搬入出コンベア４とリフトアップローラ２５とでガラス基板Ｗの受け渡しを行なうようになっている。
【００１６】
図２に示すように、ステージ２０の左右両側の袖部２２は、支持部２１に一体に固定されている。各袖部２２は、平面視で四角形の平板状になっている。袖部２２の左右方向の幅は、ノズル部１０の左右の幅とほぼ等しく、袖部２２の前後方向の長さは、ノズル部１０の前後方向の長さとほぼ等しい。袖部２２の上面は、支持部２１より少し上に突出し、枠２３の上面と面一の平面になっている。
以下、左右の袖部２２を区別するときは、左側の袖部２２には符号に「Ｌ」を付し、右側の袖部２２には符号に「Ｒ」を付すことにする。
【００１７】
表面処理装置１には、更に移動機構５が備えられている。図１では簡略化して図示するが、移動機構５は、モータ等の駆動部５ａや、その駆動力を伝える伝達部５ｂとを有している。この伝達部５ｂがステージ２０に接続されている。移動機構５によってステージ２０が処理位置（図５）と退避位置（図１、図６）とを含む範囲で左右に往復移動（スキャン）されるようになっている。これに対し、ノズル部１０は位置固定されている。
【００１８】
図５に示すように、処理位置においては、ノズル部１０と支持部２１とが上下（対向方向）に対向し、ひいてはノズル部１０と支持部２１上のガラス基板Ｗとが上下に対向する。ここで、「処理位置」とは、ガラス基板Ｗが、ノズル部１０の少なくとも１つの噴出口１１又は吸引口１２と平面投影視で重なる範囲を言い、図５に示すように、ガラス基板Ｗの中央部がノズル部１０の真下に位置して全ての噴出口１１及び吸引口１２と平面投影視で重なる状態だけでなく、図４に示すように、ガラス基板Ｗの外周部分が、最も端側の吸引口１２と平面投影視で重なる状態も処理位置の範囲に含む。
【００１９】
図１、図２、図６に示すように、退避位置においては、ノズル部１０のすべての噴出口１１及び吸引口１２が、支持部２１の左右外側（対向方向と交差する移動方向の一側）に外れて位置され、左右何れかの袖部２２と上下に対向して平面投影視で重なるようになっている。
図１及び図２に示すように、ノズル部１０と左側の袖部２２Ｌとが平面投影視で重なる退避位置を左退避位置と称し、図６に示すように、ノズル部１０と右側の袖部２２Ｒとが平面投影視で重なる退避位置を右退避位置と称する。
【００２０】
図１に示すように、更に、表面処理装置１は、吸引制御手段６を備えている。吸引制御手段６は、移動機構５と同期して吸引排気手段３を制御し、吸引口１２からの吸引流量をステージ２０とノズル部１０との位置関係に応じて制御するようになっている。
【００２１】
上記構成の表面処理装置１による処理動作を説明する。
図１及び図２に示すように、ステージ２０を左右の退避位置の何れか（ここでは左退避位置）に位置させ、リフトアップローラ２５をステージ２０の上面より突出させる。このリフトアップローラ２５に搬入出コンベア４からガラス基板Ｗを受け渡す。リフトアップローラ２５でガラス基板Ｗを支持部２１の真上まで移動させた後、リフトアップローラ２５を下降させ、ガラス基板Ｗを支持部２１の上面に位置決めしながら載置する。
併行して、反応性ガス供給源２からの反応性ガスをノズル部１０に導入して噴出口１１から噴出させ、吸引排気手段３を駆動する（噴出吸引工程）。ノズル部１０の下側には袖部２２Ｌが配置されているため、反応性ガスＦは、支持部２１の左外側から下方へ抜けること無くノズル部１０と袖部２２Ｌとの間の空間内から吸引口１２に吸い込まれる。この時、吸引制御手段６は、吸引排気手段３の制御弁や吸引ポンプを操作して吸引口１２からの吸引流量を反応性ガスの噴出流量より十分に大きくする。これにより、反応性ガスＦの全量を確実に吸引口１２から吸引することができる。
【００２２】
処理すべきガラス基板Ｗをステージ２０にセットした後、ステージ２０を処理位置に向けて左方向へ水平移動させる（移動工程）。このとき、吸引制御手段６は、遅くとも図４に示すように最も右側の吸引口１２がガラス基板Ｗの外周部と平面投影視で重なる位置になったとき（処理位置に入ったとき）、制御弁や吸引ポンプを操作して各吸引口１２からの吸引流量を上記退避位置の時より小さくする。
各噴出口１１及びその直近両側の吸引口１２を１つの組みとして他の噴出口１１及び吸引口１２の組みとは独立して流量調節可能にし、各組みの右側の吸引口１２がガラス基板Ｗの外周部と平面投影視で重なる位置に入る度に、その組みの吸引流量を小さくすることにしてもよい。
【００２３】
図５に示すように、処理位置においては、噴出口１１からの反応性ガスＦがガラス基板Ｗに吹き付けられる。これにより、反応性ガスＦ中のオゾンやフッ酸蒸気等の反応性成分がガラス基板Ｗの表面のアモルファスシリコン層と接触して反応を起こし、アモルファスシリコン層がエッチングされていく。各噴出口１１からの反応性ガスＦは、その噴出口１１の左右に隣接する吸引口１２から吸い込まれる。反応性ガスの噴出流量や吸引流量は、所望の処理ができるよう、被処理物Ｗの種類、処理面の状態、処理速度、ノズル部１０と被処理面との距離などに応じて調整する。吸引された処理済みガスは、無毒化設備にて無毒化処理されたうえで、排出される。
【００２４】
図６に示すように、ステージ２０が処理位置を通り抜けて反対側の退避位置（右退避位置）に位置するようになると、ノズル部１０の真下には袖部２２Ｒが位置するようになる。したがって、噴出口１１から噴出された反応性ガスＦは、ステージ２０の左外側から下方へ抜けること無くノズル部１０と袖部２２Ｒとの間の空間内を噴出口１１から左右へ流れ、直近の吸引口１２から吸い込まれる。この時、吸引制御手段６が制御弁や吸引ポンプを操作して吸引口１２からの吸引流量を上記処理位置の時より大きくする（吸引制御工程）。これにより、反応性ガスＦの全量を確実に吸引口１２から吸引することができる。
各噴出口１１及びその直近両側の吸引口１２の組みごとに、その組みの左側の吸引口１２がガラス基板Ｗの右端より右側に抜け出たとき、その組みの吸引流量を大きくすることにしてもよい。
【００２５】
ステージ２０は、右退避位置で折り返し、再び処理位置に入り、アモルファスシリコン層を更にエッチングしていく。そして、左退避位置まで来てそこで折り返して、処理位置に入り、アモルファスシリコン層の更なるエッチングを行なう。このように、ステージ２０を左右に往復移動（スキャン）させながらアモルファスシリコン層のエッチング操作を反復する。ステージ２０が折り返しのために左右の退避位置に位置する度に、吸引制御手段６によって吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。これにより、退避位置の時でも反応性ガスの全量を吸引口１２から確実に吸引でき、反応性ガスの一部が処理室内に拡散して滞留するのを防止することができる。したがって、表面処理装置１の各構成部材が反応性成分によって腐食するのを防止することができる。また、反応性ガスＦが処理室から漏れて種々の影響を及ぼすのを防止することができる。
退避位置から処理位置に入るとき、遅くとも吸引口１２がガラス基板Ｗの外周部と平面投影視で重なる位置に来たときに吸引流量を小さくすることにより、ガラス基板Ｗの外周部についてもガラス基板Ｗの中央部と同様の処理量を確保することができる。
【００２６】
エッチング処理が終了したときは、図１及び図２に示すように、ステージ２０を左右の退避位置の何れか（ここでは左退避位置）に位置させる。そして、リフトアップローラ２５を突出させてガラス基板Ｗをステージ２０から持ち上げ、搬入出コンベア４に受け渡し、搬出する。その後、新たなガラス基板Ｗを搬入出コンベア４で搬入し、上記と同様にしてステージ２０上にセットする。このガラス基板Ｗの入れ替え操作の間、反応性ガスＦの噴射口からの噴射を継続する。これにより、反応性ガスＦ中の反応性成分の濃度等を一定に維持することができ、ガラス基板Ｗの入れ替え後、直ちに処理を再開することができる。更に、入れ替え操作の期間中、吸引制御手段６によって吸引口１２からの吸引流量を処理位置の時より大きくする。これにより、反応性ガスＦの処理室内への拡散や処理室からの漏れを防止できることは上述と同様である。
【００２７】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の形態を重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図７〜図１１は、第２実施形態を示したものである。この実施形態では、支持部２１の左右外側に袖部２２に代えて吸引ダクト３０（退避吸引部）が添えられている。図７及び図８に示すように、吸引ダクト３０は、上方へ向けて開口された平面視四角形のダクト口３１を有し、このダクト口３１の上縁が支持部２１の枠２３の上面とほぼ同じ高さになるようにして支持部２１に固定されている。図８に示すように、ダクト口３１の開口面積は、ノズル部１０の平面投影面積とほぼ同じかそれより大きい。
以下、左右の吸引ダクト３０及びその構成要素を互いに区別するときは、左側のものには符号に「Ｌ」を付し、右側のものには符号に「Ｒ」を付すことにする。
【００２８】
図７及び図８に示すように、左退避位置のとき、ノズル部１０とダクト口３１Ｌが平面投影視で重なるようになっている。図１０に示すように、右退避位置のとき、ノズル部１０とダクト口３１Ｌが平面投影視で重なるようになっている。
【００２９】
各吸引ダクト３０には、吸引排気路３ｂを介して吸引排気手段３Ｂが接続されている。吸引排気手段３Ｂには、流量制御弁や吸引ポンプや無毒化設備等が含まれている。左右の吸引排気手段３ＢＬ，３ＢＲの吸引ポンプや無毒化設備については互いに共有化してもよく、ノズル部１０の吸引口１２用の吸引排気手段３の吸引ポンプ及び無毒化設備と共有化してもよい。
【００３０】
この実施形態では、ノズル部１０の吸引口１２からの吸引流量は、ステージ２０の相対移動位置にかかわらず常時一定に維持されている。一方、吸引排気手段３Ｂひいては吸引ダクト３０が、ステージ２０の相対移動位置に応じて吸引制御手段６によって次のように吸引流量制御される。
図７及び図８に示すように、ガラス基板Ｗの搬入出のため、またはスキャンの折り返しのために、ステージ２０が左右の退避位置の何れか（ここでは左退避位置）に位置しているとき、左側の吸引排気手段３ＢＬが駆動される。これによって、ノズル部１０の吸引口１２からだけでなく、ノズル部１０の直下の左吸引ダクト３０Ｌ（左退避吸引部）からも吸引が行なわれる。したがって、噴出口１１から噴出された反応性ガスＦのほとんど全部がまっすぐ下方へ流れて吸引ダクト３０Ｌに吸い込まれ、残部は吸引口１２に吸い込まれる。この結果、反応性ガスＦが処理室内に拡散したり、処理室から漏れたりするのを防止できる
【００３１】
図９に示すように、ノズル部１０とステージ２０の位置関係が処理位置に入ったときは、吸引ダクト３０Ｌからの吸引動作を停止する。これによって、反応性ガスＦをガラス基板Ｗに十分接触させることができ、処理量を十分に確保することができる。
図１０に示すように、ガラス基板Ｗの中央部がノズル部１０と対向して処理されているときは、左右両側の吸引ダクト３０からの吸引を停止しておく。
【００３２】
図１１に示すように、ステージ２０が右退避位置に位置するようになったときは、右側の吸引排気手段３ＢＲが駆動され、右吸引ダクト３０Ｒ（右退避吸引部）からの吸引が行なわれる。したがって、噴出口１１から噴出された反応性ガスＦのほとんど全部がまっすぐ下方へ流れて吸引ダクト３０Ｒに吸い込まれ、残部は吸引口１２に吸い込まれる。この結果、反応性ガスＦが処理室内に拡散したり、処理室から漏れたりするのを防止できる。
【００３３】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、上記実施形態に記載した寸法等の数値はあくまでも例示であって、これに何ら限定されるものではなく、適宜変更することができる。
被処理物Ｗは、液晶パネル等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板に限られず、シリコンウェーハ、樹脂フィルムなどであってもよい。
処理内容は、エッチング、アッシング、成膜のほか、親水化処理、撥水化処理、その他の種々の表面処理に適用可能である。
反応性ガスは、処理内容に応じて適宜選択され、特に限定はない。本発明は、特に反応性の強いガス成分を含む場合に好適であり、反応性の強いガス成分としては、例えばオゾン、フッ化水素ガス、フッ酸蒸気、ＣＯＦ２、フッ素（Ｆ２）、ＮＯ、酸素ラジカル、窒素ラジカル等が挙げられる。
支持部２１は、被処理物Ｗを処理実行中支持するものであれば、その構造に特に限定はなく、被処理物Ｗや処理内容に応じて適宜選択される。例えば、ウェーハの支持部２１として吸着ハンドを用いてもよい。
ウェーハを吸着ハンドに支持固定した状態で、マニピュレータ（移動機構）によって吸着ハンドをウェーハごと移動させることにしてもよい。
プレート型ステージ２０には、リフトアップ用のローラに代えて複数のピンを設けてもよく、吸着固定用の吸着孔を設けてもよい。
移動機構５は、支持部２１を移動させるのに限られず、ノズル部１０を移動させるようになっていてもよく、ノズル部１０と支持部２１の両方を移動させるようになっていてもよい。
第１実施形態と第２実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第２実施形態において、退避位置のときノズル部１０の吸引口１２からの吸引流量を第１実施形態と同様に大きくしてもよい。
第１実施形態において、袖部２２を省略してもよく、その場合、退避位置のときの吸引部１２からの吸引流量をより大きくするとよい。
第２実施形態において、ノズル部１０とステージ２０の位置関係が処理位置のとき、吸引ダクト３０からの吸引を完全に停止するのに代えて、退避位置のときの吸引流量より小さくすることにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ等の半導体装置の製造分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を、左退避位置の状態で示す正面図である。
【図２】上記左退避位置の表面処理装置の平面図である。
【図３】上記表面処理装置のノズル部の底面図である。
【図４】上記表面処理装置を、一部が処理位置に入ったときの状態で示す正面図である。
【図５】上記表面処理装置を、処理位置の状態で示す正面図である。
【図６】上記表面処理装置を、右退避位置の状態で示す正面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を、左退避位置の状態で示す正面図である。
【図８】図７の表面処理装置の平面図である。
【図９】上記第２実施形態の表面処理装置を、一部が処理位置に入ったときの状態で示す正面図である。
【図１０】上記第２実施形態の表面処理装置を、処理位置の状態で示す正面図である。
【図１１】上記第２実施形態の表面処理装置を、右退避位置の状態で示す正面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１      表面処理装置
２      反応性ガス供給源
２ａ    反応性ガス供給路
３      吸引排気手段
３ａ    吸引排気路
３Ｂ    吸引排気手段
３ｂ    吸引排気路
４      搬入出コンベア
５      移動機構
５ａ    駆動部
５ｂ    伝達部
６      吸引制御手段
１０    ノズル部
１１    噴出口
１２    吸引口
２０    ステージ
２１    支持部
２２    袖部（邪魔部材）
２３    枠
２４    ローラ溝
２５    リフトアップローラ
３０    吸引ダクト（退避吸引部）
３１    ダクト口
Ｆ      反応性ガス流
Ｗ      ガラス基板（被処理物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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