(57)【要約】【課題】振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能な露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】露光装置を用いて基板に露光処理を行う露光方法であって、前記露光装置は、前記露光処理に関する処理を行う処理装置を有し、前記処理装置と基準点との間の相対位置関係に関する情報を検出し、前記検出結果に応じて、前記処理を待機する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置を用いて基板に露光処理を行う露光方法であって、
前記露光装置は、前記露光処理に関する処理を行う処理装置を有し、
前記処理装置と基準点との間の相対位置関係に関する情報を検出し、
前記検出結果に応じて、前記処理を待機する露光方法。
【請求項２】
前記検出結果が第１閾値を超える状態のときは、前記処理を待機する請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記処理を待機した後、前記検出結果が前記第１閾値を超えない状態になったときは、前記処理を再開する請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記検出結果が前記第１閾値とは異なる第２閾値を超える状態にあるときは、前記露光処理を待機し、前記待機の後、前記検出結果が前記第１閾値を超えない状態となっても前記待機の状態を継続する請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記情報は、長低周波振動によって変化する請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記処理装置は複数設けられ、
複数の前記処理装置は、互いに異なる処理を行い、
複数の前記処理装置のうち前記検出結果が前記第１閾値を超える処理装置については、該処理装置が行っていた前記処理を待機する請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
複数の前記処理装置のうち前記検出結果が前記第１閾値を超えない処理装置については前記処理を継続する請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記露光装置は、装置本体に設けられ露光光を照明する第１照明装置と、床部に支持され前記第１照明装置とは分離され露光光を照明する第２照明装置を有し、
前記処理装置は、前記第２照明装置を含み、
前記基準点は、前記第１照明装置上に設けられる請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記露光装置は、前記基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置の位置を検出する位置検出装置とを有し、
前記処理装置は、前記搬送装置を含み、
前記基準点は、前記位置検出装置に設けられる請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記処理は基板の搬送であり、
前記処理を待機した後、前記搬送装置によって搬送された前記基板については前記露光処理を行う請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記露光装置は、床部内に設けられ露光光を整形する整形装置を有し、
前記処理装置は、前記整形装置を含み、
前記基準点は、前記床部に設けられる請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記処理の待機に関する情報を表示する請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記処理の待機に関する情報を記憶する請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１４】
基板に露光処理を行う露光装置であって、
前記露光処理に関する処理を行う処理装置と、
前記処理装置と基準点との間の相対位置関係に関する情報に応じて、前記処理を待機させる制御装置と
を備える露光装置。
【請求項１５】
前記制御装置は、前記情報が第１閾値を超える状態のときは、前記処理を待機させる請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記制御装置は、前記処理を待機させた後、前記情報が前記第１閾値を超えない状態になったときは、前記処理を再開させる請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記制御装置は、前記情報が前記第１閾値とは異なる第２閾値を超える状態にあるときは、前記露光処理を待機し、前記待機の後、前記検出結果が前記第１閾値を超えない状態となっても前記待機の状態を継続させる請求項１４から請求項１６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
長低周波振動によって変化する情報を検出した結果を前記制御装置に出力する検出装置を更に備える請求項１４から請求項１７のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記処理装置は複数設けられ、
複数の前記処理装置は、互いに異なる処理を行い、
前記制御装置は、複数の前記処理装置のうち前記情報が前記第１閾値を超える処理装置については該処理装置が行っていた前記処理を待機させる請求項１４から請求項１８のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記制御装置は、複数の前記処理装置のうち前記相対位置関係が前記第１閾値を超えない処理装置については前記処理を継続させる請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
装置本体に設けられ露光光を照明する第１照明装置と、
床部に支持され前記第１照明装置とは分離され露光光を照明する第２照明装置と
を更に備え、
前記処理装置は、前記第２照明装置を含み、
前記基準点は、前記第１照明装置上に設けられる請求項１４から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記基板を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置の位置を検出する位置検出装置と
を更に備え、
前記処理装置は、前記搬送装置を含み、
前記基準点は、前記位置検出装置に設けられる請求項１４から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記処理は、前記基板の搬送であり、
前記制御装置は、前記処理を待機させた後、前記搬送装置によって搬送された前記基板については前記露光処理を行わせる請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
床部内に設けられ露光光を整形する整形装置を更に備え、
前記処理装置は、前記整形装置を含み、
前記基準点は、前記床部に設けられる請求項１４から請求項２０のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記処理の待機に関する情報を表示する表示装置を更に備える請求項１４から請求項２４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記処理の待機に関する情報を記憶する記憶装置を更に備える請求項１４から請求項２５のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２７】
請求項１４から請求項２６のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いたデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィの露光工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。
【０００３】
このような露光装置は、外部からの振動の影響を遮断するため、土台となる部分が床部に固定して据え付けられるようになっており、当該土台となる部分の上に例えばエアマウントのなどの防振装置を介して投影光学系やレチクルステージ等を含む構造体が非接触に支持される構成になっている。
【０００４】
このような露光装置に地震等に伴う大きな振動が加わった場合、主要部が脱落したり外部あるいは装置内の他部材と衝突したりして、装置内外に重大な損傷を与えることが予測される。また、振動により露光光の照射位置がずれてしまい、露光不良が発生することも予測される。このため、露光装置を構成する構造体の位置の変化や加速度の変化を検出し、検出結果に基づいて地震等の振動を検知し、振動の程度に応じて露光動作を停止させることで、構造体の被害の低減及び露光精度の確保を図るための構成が提案されている。  
【特許文献１】特開２００１−２３８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、位置の変化や加速度の変化の検出を行う場合、例えば長低周波振動のような軽度の振動による位置、加速度の変化についても検出される場合がある。長低周波振動による露光装置の振動は、例えばエアマウントなどの防振構造であっても十分に軽減できる上、防振構造が設けられない部位であっても振動の影響を受けない場合がある。このように露光装置が安全であり露光の精度が低下しない場合にまで露光動作を停止させてしまうと、結果として生産性が低下することになり、好ましくない。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能な露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る露光方法は、露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）に露光処理を行う露光方法であって、前記露光装置は、前記露光処理に関する処理を行う処理装置（ＩＬ、６０、７０）を有し、前記処理装置と基準点（６０ｂ、６１ａ、６２ａ）との間の相対位置関係に関する情報を検出し、前記検出結果に応じて、前記処理を待機する。
【０００８】
本発明によれば、露光処理に関する処理を行う処理装置と基準点との間の相対位置関係に関する情報を検出し、当該検出結果に応じて処理を待機することとしたので、むやみに処理を停止させることなく、検出される相対位置関係の程度に応じて柔軟で迅速な処理を行うことができる。これにより、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能となる。
【０００９】
本発明に係る露光装置（ＥＸ）は、基板（Ｐ）に露光処理を行う露光装置であって、前記露光処理に関する処理を行う処理装置（ＩＬ、６０、７０）と、前記処理装置と基準点（６０ｂ、６１ａ、６２ａ）との間の相対位置関係に関する情報に応じて、前記処理を待機させる制御装置（ＣＯＮＴ）とを備える。
【００１０】
本発明によれば、露光処理に関する処理を行う処理装置と基準点との間の相対位置関係に関する情報に応じて処理を待機させる制御装置を備えるので、むやみに処理を停止させることなく、処理装置と基準点との間の相対位置関係の程度に応じて柔軟で迅速な処理を行うことができる。これにより、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能となる。  
また、本発明に係るデバイスの製造方法は、上記の露光装置を用いたことを特徴とする。本発明によれば、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能な露光装置を用いるので、デバイスの生産性を確保することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板ステージ２に保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００１４】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐにおいて、感光膜上に保護膜（トップコート膜）のような各種の膜が形成されていてもよい。
【００１５】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態において、マスクＭは、例えばガラス板等の透明板にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型マスクを用いるが、反射型マスクでもよい。
【００１６】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、マスクＭを露光光ＥＬで照明し、そのマスクＭからの露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照射する。照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲは、照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含み、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置を含む。
【００１７】
露光装置ＥＸは、例えばクリーンルーム内の床部ＦＬ上に設けられた第１コラム６、当該第１コラム６上に設けられた第２コラム７、当該第２コラム７上に設けられた第３コラム５を含むボディ８を備えている。第１コラム６は、複数の第１支柱９と、それら第１支柱９に防振装置１０を介して支持された第１プレート１１とを有する。第２コラム７は、第１プレート１１上に設けられた複数の第２支柱１２と、それら第２支柱１２に支持された第２プレート１３とを有する。第３コラム５は、第２コラム７の第２プレート１３に支持されている。
【００１８】
照明光学系ＩＬは、マスクステージ１に支持されるマスクＭを露光光ＥＬで照明する光学系である。照明光学系ＩＬは、光源ユニット７０、照明ユニット（第２照明装置）ＩＬＡ及び照明ユニット（第１照明装置）ＩＬＢを有している。
【００１９】
光源ユニット７０は、床部ＦＬ内（あるいは床下）に設けられており、露光用光源及び整形光学系（整形装置）を有している。露光用光源から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の紫外光が用いられる。整形光学系は、露光用光源からの露光光を整形する光学系である。光源ユニット７０の＋Ｚ方向上には、位置センサ（検出装置）６２が設けられている。
【００２０】
位置センサ６２は、床部ＦＬと光源ユニット７０との間の相対位置関係を検出するセンサであり、例えばレーザセンサなどが用いられる。位置センサ６２の検出対象である相対位置関係としては、例えば床部ＦＬと光源ユニット７０との間の距離（ギャップ）、床部ＦＬと光源ユニット７０との間の姿勢などが挙げられる。本実施形態では、位置センサ６２によって、位置センサ６２が設けられる床部ＦＬ上の位置と、光源ユニット７０上の基準点６２ａとの間の距離（例えば、Ｘ、Ｙ、Ｚの三方向に関する距離）を検出可能になっている。位置センサ６２によって検出可能な距離としては、例えば地震などによる振動が加わることで変化する距離も含まれる。当該振動については、露光装置ＥＸの設置される位置に対して遠方で発生した地震による振動などの長低周波振動も含まれる。
【００２１】
図２は、照明光学系ＩＬの構成を示す斜視図である。同図に示すように、基準点６２ａは、例えば光源ユニット７０の＋Ｚ側の面６２ｂ上に任意に設定することができる。本実施形態では、光源ユニット７０の面６２ｂ上のうち位置センサ６２の−Ｚ方向上の位置に基準点６２ａを設定しているが、他の位置に設定しても勿論構わない。位置センサ６２は、制御装置ＣＯＮＴに接続されており、検出結果が制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。
【００２２】
図１に戻って、照明ユニットＩＬＡは、床部ＦＬ上に支持されており、導入部７０ａを介して入射する光源ユニット７０からの露光光ＥＬの照度を均一化する均一化光学系、ビームスプリッタ、光量調整用の可変減光器、ミラー、リレーレンズ系、マスクＭ上の露光光ＥＬによる照明領域をスリット状に設定するレチクルブラインドを有している。
【００２３】
照明ユニットＩＬＢは、第３コラム５によって支持されており、結像レンズ系（照明チャンバ１９Ｅ内に配置される）を有している。照明ユニットＩＬＢは、接続部ＩＬＦにおいて照明光学系ＩＬに接続されている。接続部ＩＬＦにおいて照明ユニットＩＬＢには位置センサ（検出装置）６１が設けられている。
【００２４】
位置センサ６１は、照明ユニットＩＬＢと照明ユニットＩＬＡとの間の相対位置関係を検出するセンサであり、例えばレーザセンサなどが用いられる。位置センサ６１の検出対象である相対位置関係としては、例えば照明ユニットＩＬＢと照明ユニットＩＬＡとの間の距離、照明ユニットＩＬＢと照明ユニットＩＬＡとの間の姿勢などが挙げられる。本実施形態では、位置センサ６１によって、照明ユニットＩＬＢの位置センサ６１が設けられる位置と、照明ユニットＩＬＡ上の基準点６１ａとの間の距離（例えば、Ｘ、Ｙ、Ｚの三方向に関する距離）を検出可能になっている。位置センサ６１によって検出可能な距離としては、例えば地震などによる振動が加わることで変化する距離も含まれる。当該振動については、露光装置ＥＸの設置される位置に対して遠方で発生した地震による振動などの長低周波振動も含まれる。
【００２５】
図２に示すように、基準点６１ａは、例えば照明ユニットＩＬＡの＋Ｚ側の面６１ｂ上に任意に設定することができる。本実施形態では、照明ユニットＩＬＡの面６１ｂのうち位置センサ６１の−Ｚ方向上の位置に基準点６１ａを設定しているが、他の位置に設定しても勿論構わない。位置センサ６１は、制御装置ＣＯＮＴに接続されており、検出結果が制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。
【００２６】
図１に戻って、マスクステージ１は、露光光ＥＬが照射されるマスクＭを保持するマスク保持部１４を有する。マスク保持部１４は、マスクＭを着脱可能である。本実施形態において、マスク保持部１４は、マスクＭの下面（パターン形成面）ＭｂとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ１は、ガスベアリングにより、第２プレート１３の上面（ガイド面）１３Ｇに非接触で支持されている。本実施形態において、第２プレート１３の上面１３ＧとＸＹ平面とはほぼ平行である。マスクステージ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置１５の作動により、照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬの照射位置（照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲ）を含む第２プレート１３の上面１３Ｇに沿って、マスクＭを保持して移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスク保持部１４にマスクＭを保持した状態で、第２プレート１３上で、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ１は、例えば基板Ｐの露光時、あるいは露光光ＥＬを用いる計測時等に露光光ＥＬが通過する第１開口１６を有する。第２プレート１３は、露光光ＥＬが通過する第２開口１７を有する。
照明光学系ＩＬから射出され、マスクＭを照明した露光光ＥＬは、第１開口１６及び第２開口１７を通過した後、投影光学系ＰＬに入射する。
【００２７】
また、第２プレート１３上には、マスクステージ１のＹ軸方向の一方の方向（例えば＋Ｙ方向）への移動に応じてそのマスクステージ１とは反対の方向（例えば−Ｙ方向）へ移動するカウンタマス１８が設けられている。カウンタマス１８は、エアパッドを含む自重キャンセル機構により、第２プレート１３の上面１３Ｇに非接触で支持されている。本実施形態において、カウンタマス１８は、マスクステージ１の周囲に設けられている。
【００２８】
マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ａによって計測される。レーザ干渉計１９Ａは、マスクステージ１の反射面１Ｒに計測光ＬＢを照射する。レーザ干渉計１９Ａは、マスクステージ１の反射面１Ｒに照射した計測光ＬＢを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関するマスクステージ１の位置情報を計測する。制御装置ＣＯＮＴは、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ａ）の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置１５を作動し、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置制御を行う。レーザ干渉計に加えて、エンコーダシステムを設け、これによってマスクＭの位置制御を行うようにしてもよい。エンコーダシステムを用いた位置制御としては、例えば、米国公開２００７/０２８８１２１号に記載されている構成を採用することができる。
【００２９】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。基板Ｐは、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲ（露光光ＥＬの照射位置）に移動可能である。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２０に保持されている。
鏡筒２０は、フランジ２１を有する。フランジ２１は、第１プレート１１に支持される。
本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００３０】
基板ステージ２は、露光光ＥＬが照射される基板Ｐを保持する基板保持部２２を有する。基板保持部２２は、基板Ｐを着脱可能である。本実施形態において、基板保持部２２は、基板Ｐの露光面（上面）ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２は、ガスベアリングなどにより、第３プレート２３の上面（ガイド面）２３Ｇに非接触で支持されている。本実施形態において、第３プレート２３の上面２３ＧとＸＹ平面とはほぼ平行である。第３プレート２３は、床部ＦＬに防振装置２４を介して支持されている。基板ステージ２は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置２５の作動により、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射位置（投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲ）を含む第３プレート２３の上面２３Ｇに沿って、基板Ｐを保持して移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板保持部２２に基板Ｐを保持した状態で、第３プレート２３上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００３１】
基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム１９のレーザ干渉計１９Ｂによって計測される。レーザ干渉計１９Ｂは、基板ステージ２の反射面２Ｒに計測光ＬＢを照射する。レーザ干渉計１９Ｂは、基板ステージ２の反射面２Ｒに照射した計測光ＬＢを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ方向に関する基板ステージ２の位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの露光面Ｐａの面位置情報（Ｚ軸、θＸ及びθＹ方向に関する位置情報）が、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。制御装置ＣＯＮＴは、干渉計システム１９（レーザ干渉計１９Ｂ）の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置２５を作動し、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。レーザ干渉計に加えてエンコーダを設け、これによって基板Ｐの位置制御を行うようにしてもよい。エンコーダシステムを用いた位置制御としては、例えば、前述の米国公開２００７/０２８８１２１号に記載されている構成を採用することができる。
【００３２】
露光装置ＥＸには、外部から搬送されてきた基板Ｐを基板ステージ２に搬送する搬送装置６０が設けられている。搬送装置６０は、基板Ｐを保持して搬送する搬送アーム６０ａを有している。搬送装置６０は基板ステージ２が設けられる第３プレート２３上の少なくとも一部の領域を移動可能に設けられており、搬送アーム６０ａが基板ステージ２にアクセス可能となるように設けられている。搬送アーム６０ａの移動は、例えば制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。搬送装置６０の搬送アーム６０ａには、位置合わせ用のマーク６０ｂが設けられている。
【００３３】
第１プレート１１には、撮像装置（検出装置）６３が設けられている。撮像装置６３としては、例えばＣＣＤカメラなどを用いることができる。撮像装置６３は第３プレート２３側を撮像可能になっており、例えば搬送アーム６０ａに設けられたマーク６０ｂを撮像可能になっている。撮像装置６３は、制御装置ＣＯＮＴに接続されており、撮像した画像が制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。制御装置ＣＯＮＴでは、撮像された画像に基づいて搬送アーム６０ａの位置を制御するようになっている。
【００３４】
撮像装置６３は、第１プレート１１と搬送装置６０との間の相対位置関係を検出する検出装置でもある。当該撮像装置６３を検出装置として用いる場合の検出対象である相対位置関係としては、例えば撮像装置６３と搬送装置６０との間の距離、撮像装置６３と搬送装置６０との間の姿勢などが挙げられる。本実施形態では、撮像装置６３と搬送装置６０との間の距離を検出するようになっている。撮像装置６３によって検出可能な距離としては、例えば地震などによる振動が加わることで変化する距離も含まれる。当該振動については、露光装置ＥＸの設置される位置に対して遠方で発生した地震による振動などの長低周波振動も含まれる。なお、撮像装置６３を用いずに、新たに位置検出手段を設置して第１プレート１１と搬送装置６０との間の相対位置（例えば、Ｘ、Ｙ、Ｚの三方向に関する距離）を検出できるようにしてもよい。
【００３５】
図３は、搬送装置６０の構成を示す斜視図である。同図に示すように、撮像装置６３によって、当該撮像装置６３が設けられる第１プレート１１上の位置と、搬送装置６０上に設けられる基準点との間の距離が検出可能になっている。当該基準点については、本実施形態では例えば搬送アーム６０ａ上に設けられるマーク６０ｂなどが挙げられるが、搬送アーム６０ａ上の他の位置に基準点を設定しても構わない。
【００３６】
図１に戻って、制御装置ＣＯＮＴは、例えばコンピュータシステムを含む。制御装置ＣＯＮＴには、露光装置ＥＸの各部の処理状況を表示可能な表示装置６４が接続されている。制御装置ＣＯＮＴには、露光装置ＥＸの各部における処理の経過をデータとして記憶する記憶装置６５が接続されている。記憶装置６５は、制御装置ＣＯＮＴの外部に接続されている構成であっても良いし、制御装置ＣＯＮＴの内部に含まれている構成であっても良い。
【００３７】
制御装置ＣＯＮＴは、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３による検出結果が距離データ（情報）として送信されてくるようになっている。制御装置ＣＯＮＴには、当該検出結果と比較するために設定された第１閾値が記憶されている。制御装置ＣＯＮＴでは、検出結果と第１閾値との比較を行い、検出結果が第１閾値を超える場合（測定した２点間の相対位置が所定の値よりも大きいとき）には、当該結果が検出された部位、具体的には、照明ユニットＩＬＡ、照明ユニットＩＬＢ、光源ユニット７０及び搬送装置６０による処理をそれぞれ待機させるようになっている。
【００３８】
光源ユニット７０における処理としては、例えば露光光ＥＬの発光及び露光光ＥＬの整形を含む処理である。照明ユニットＩＬＡ及びＩＬＢにおける処理としては、露光光ＥＬの照明であり、具体的には、露光光ＥＬの均一化や、露光光ＥＬの光量の調整、露光光ＥＬの照明領域をスリット状に設定する処理、露光光ＥＬの結像を含む処理である。搬送装置６０における処理としては、基板Ｐの搬送処理である。これらの処理は、露光処理に関する処理として挙げることができる。
【００３９】
これら照明ユニットＩＬＡ、照明ユニットＩＬＢ、光源ユニット７０及び搬送装置６０での露光処理に関する処理は、制御装置ＣＯＮＴによって独立して制御されるようになっている。したがって、いずれか（例えば照明ユニットＩＬＡ、ＩＬＢ）の処理を待機させた場合であっても、他（例えば搬送装置６０）の処理を継続させるように制御することが可能となっている。また、例えば検出結果が第１閾値を超えて処理を待機させた場合であっても、検出結果が第１閾値を下回る場合には、待機させておいた処理を再開させるように制御することが可能となっている。
【００４０】
第１閾値は、例えば振動などによって各部位に位置の変化が生じる場合、当該位置の変化によって衝突が生じる可能性がある距離として設定することができる。また、当該第１閾値として、露光光ＥＬの入射位置にズレが生じる可能性がある距離として設定することもできる。
【００４１】
本実施形態では、位置センサ６１の検出結果と比較する第１閾値（「第１閾値Ａ」とする）については、光源ユニット７０から照明ユニットＩＬＡに入射する露光光ＥＬの入射位置にズレが生じる可能性のある距離として設定されている。  
また、本実施形態では、位置センサ６２の検出結果と比較する第１閾値（「第１閾値Ｂ
」とする）については、照明ユニットＩＬＡから照明ユニットＩＬＢに入射する露光光ＥＬの入射位置にズレが生じる可能性のある距離として設定されている。なお、位置センサ６１と比較する第１閾値については、照明ユニットＩＬＡと照明ユニットＩＬＢとが接触する可能性のある距離として設定することもできる。  
また、本実施形態では、撮像装置６３の検出結果と比較する第１閾値（「第１閾値Ｃ」とする）については、搬送アーム６０ａが他の部材に接触する可能性のある距離として設定することができる。  
このように各ユニット、装置の置かれた環境に応じて第１閾値を設定するため、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３の間においては第１閾値（前記第１閾値Ａ〜Ｃ）が同一の値になるとは限らず、それぞれ異なる値になる場合も当然にありうる。もちろん、それぞれの第１閾値を同じ値に設定してもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。  
まず、不図示のマスク搬送装置によってマスクＭがマスク保持部１４に搬送されて保持されると共に、搬送装置６０によって基板Ｐが基板保持部２２に搬送され保持される。基板Ｐの搬送は、搬送アーム６０ａ上に設けられるマーク６０ｂを撮像装置６３によって撮像し位置を調整しながら行う。制御装置ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸの周囲の環境（温度、湿度及びクリーン度を含む）を調整した状態で、基板Ｐの露光を開始する。
【００４３】
制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージ駆動装置１５及び基板ステージ駆動装置２５を作動させ、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動させる。制御部ＣＯＮＴは、基板ＰのＹ軸方向への移動と同期するように照明光学系ＩＬの照明領域ＩＲに対してマスクＭをＹ軸方向に移動させる。制御装置ＣＯＮＴは、光源ユニット７０において露光光ＥＬを射出させ当該露光光ＥＬを整形させる。制御装置ＣＯＮＴは、照明ユニットＩＬＡにおいて露光光ＥＬを均一化させ、光量を調整させ、照明領域をスリット状に設定させる。制御装置ＣＯＮＴは、照明ユニットＩＬＢにおいて露光光ＥＬを結像させる。照明ユニットＩＬＢから射出された露光光ＥＬでマスクＭが照明され、マスクＭ及び投影光学系ＰＬを介した露光光ＥＬで基板Ｐが露光される。これにより、マスクＭのパターンの像が投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに投影される。
【００４４】
本実施形態においては、照明ユニットＩＬＢに設けられた位置センサ６１、床部ＦＬに設けられた位置センサ６２及び第１プレート１１に設けられた撮像装置６３によって、それぞれの相対位置関係である距離を検出し、制御装置ＣＯＮＴにおいて当該検出結果を確認しながら露光動作を行う。
【００４５】
図４は、制御装置ＣＯＮＴの動作を示すフローチャートである。  
同図に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、送信されてくる位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３による検出結果（検出値）とそれぞれに対応する第１閾値（第１閾値Ａ〜Ｃ）とを比較する（ＳＴ４０１）。検出値が第１閾値を上回る場合には（ＳＴ４０１のＹＥＳ）、当該検出値に係るセンサが設けられるユニットや装置の処理を待機させる（ＳＴ４０２）。
【００４６】
制御装置ＣＯＮＴは、処理を待機させた後も位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３による検出値と第１閾値とを比較する（ＳＴ４０３）。検出値が第１閾値を超えている場合には（ＳＴ４０３のＹＥＳ）、そのまま処理を待機させる。検出値が第１閾値を超えない場合、すなわち、検出値が第１閾値を下回った場合には（ＳＴ４０３のＮＯ）、当該検出値に係るセンサが設けられるユニット及び装置の処理を再開させる（ＳＴ４０４）。この処理を、露光動作（例えば、ウエハ１ロットの露光処理）の終了時まで繰り返すようにする（ＳＴ４０５）。なお、待機中の検出値と第１閾値との比較は、時間的に継続させて比較されるようにしてもよいし、断続的に所定時間間隔で比較されるようにしてもよい。また、比較のための何らかの操作（指令）があったときに比較が行われるようにしてもよい。
【００４７】
ここで、位置センサ６１における検出を例に挙げて説明する。本実施形態の露光装置ＥＸにおいては、第１プレート１１が防振装置１０を介して床部ＦＬに支持された構成になっている。床部ＦＬに振動が発生する場合、当該第１プレート１１に支持される第２コラム６、第３コラム５及び当該第３コラム５に支持される照明ユニットＩＬＢについては、防振装置１０によって振動の影響が緩和されることになる。
【００４８】
一方、照明ユニットＩＬＡは床部ＦＬに直接支持されている。このため、床部ＦＬに振動が発生する場合、振動がほとんど緩和されずに照明ユニットＩＬＡに伝達され、照明ユニットＩＬＡが振動することになる。照明ユニットＩＬＡと照明ユニットＩＬＢとの間では、照明ユニットＩＬＡの基準点６１ａと位置センサ６１との間の距離が変動する。
【００４９】
地震の規模が大きい場合や震源地が露光装置ＥＸの設置位置に近い場合など、振動が大きい場合、基準点６１ａと位置センサ６１との間の距離が大きく変化する。この場合には、照明ユニットＩＬＡから照明ユニットＩＬＢに入射する露光光ＥＬの入射位置にズレが生じる可能性がある。入射位置にズレが生じたまま露光処理を行うと、露光光ＥＬの照射位置がずれたり、露光光ＥＬの供給が途絶えたりして、露光不良を引き起こすことになる。また、照明ユニットＩＬＡと照明ユニットＩＬＢが接触したり、照明ユニットＩＬＡが他の部材と接触したりして装置が破損している可能性もある。装置が破損してしまうと所定の対応が成され、露光動作も停止してしまう。しかし、露光不良は引き起こされたが装置が停止するまでには至らない場合は露光動作が継続されることになり、例えば、不良チップが露光され続けることになってしまう。
本実施形態では、制御装置ＣＯＮＴにより、基準点６１ａと位置センサ６１との間の距離が第１閾値を超えている間は一旦処理を待機させる（ＳＴ４０１のＹＥＳ、ＳＴ４０２）。そのため、前述の不良チップが露光され続けるといった現象を回避することができ、露光精度を維持することが可能となる。そして、基準点６１ａと位置センサ６１との間の距離が第１閾値を下回ったら、制御装置ＣＯＮＴにより処理を再開させ（ＳＴ４０３のＮＯ、ＳＴ４０４）、所定の露光精度を維持した状態でスループットの確保を図るようにする。
【００５０】
また、露光装置ＥＸの設置される位置に対して遠方で発生した地震による振動など、長低周波振動によって床部ＦＬが振動する場合、照明ユニットＩＬＢについては当該防振装置１０によって振動の影響が緩和されることになる。このとき、防振装置１０によって支持されていない照明ユニットＩＬＡについては振動の状態が照明ユニットＩＬＢと異なるため、第１閾値を超えてしまう場合がある。しかし、振動状態が収まって第１閾値を下回ったときには、振動の影響をほとんど受けておらず、そのまま処理を再開しても露光精度に影響を及ぼさない場合がある。このように露光装置ＥＸが安全であり露光の精度が低下しない場合には、処理を待機させずに継続させ（ＳＴ４０１のＮＯ）、スループットの確保を図るようにする。この場合、露光装置のリセット動作は行わないようにするので、直ぐに制御の状態に復帰できる。
【００５１】
以上、位置センサ６１における検出を例に挙げて説明したが、位置センサ６２や撮像装置６３における検出についても同様に柔軟で迅速な処理が可能となる。なお、例えば搬送装置６０の処理を待機させる（ＳＴ４０２）ときには、当該搬送装置６０によって搬送された後の基板Ｐについては露光処理を行わせ、スループットを確保するように制御することがより好ましい。この場合、基板Ｐをストックするスペースを別途設けておき、露光処理後の基板Ｐを当該スペースにストックさせることで、基板Ｐが搬送経路から逸脱するのを回避するようにしても構わない。
【００５２】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ＳＴ４０２の処理待機の制御を行っている間、当該制御を行っている旨を表示装置６４によって表示させることが好ましい。これにより、例えば当該処理待機の動作が、露光装置ＥＸの本質的な故障等によるものではない旨を作業者等に認識させることができる。表示装置は、例えば、色などで装置の状態を表す警告灯のようなものを露光装置あるいは該露光装置が設置された工場に設けるようにしてもよいし、前記露光装置あるいは前記工場の操作パネルに設けられたモニタ画面を用いるように構成してもよい。
【００５３】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ＳＴ４０２の処理待機の制御を行う場合に、当該制御を行った旨のログを記憶装置６５に記憶させることが好ましい。これにより、例えば露光装置ＥＸのメンテナンス時に作業者等が記憶装置６５のログを確認することで、処理待機によるスループットの変動を認識することができる。また、これら状態を表すデータを前記工場以外の場所に送信し、複数の工場における露光装置の状態を一括でモニタリングするような構成としてもよい。
【００５４】
以上のように、本実施形態によれば、露光処理に関する処理を行う照明ユニットＩＬＡ、照明ユニットＩＬＢ、光源ユニット７０及び搬送装置６０と、各基準点６１ａ、６２ａ、６０ｂとの間の距離に関する情報を検出し、当該検出結果に基づいて各処理を独立して待機することとしたので、むやみに処理を停止させることなく、検出される距離の程度に応じて柔軟で迅速な処理を行うことができる。これにより、振動による被害の低減を図りつつ、生産性の低下を防止することが可能となる。
【００５５】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。上記第１実施形態においては、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３による検出結果と比較する閾値として第１閾値のみを設定することとした。これに対して、本実施形態では、例えば第１閾値よりも距離の値が大きい（測定する２点間の相対位置が第１閾値よりも大きい）第２閾値を更に設定し、検出結果が当該第２閾値を超える場合には制御装置ＣＯＮＴによって露光処理自体を待機させる制御を追加した構成になっている。それ以外の構成については、第１実施形態における露光装置ＥＸと同一の構成となっているため、説明を省略する。また、説明上の便宜のため、本実施形態では、第１実施形態において用いた符号をそのまま用いて表記する。
【００５６】
本実施形態において、第２閾値は、例えば露光装置ＥＸ全体あるいは露光処理全体により深刻な影響を及ぼすことになる距離として設定することができる。位置センサ６１の検出結果と比較する第２閾値は、例えば照明ユニットＩＬＡと照明ユニットＩＬＢとが接触する距離として設定することができる。位置センサ６２の検出結果と比較する第２閾値は、例えば光源ユニット７０が床部ＦＬに露出し照明ユニットＩＬＡと衝突する距離として設定することができる。撮像装置６３の検出結果と比較する第２閾値は、例えば搬送装置６０が他の部材に衝突し破損する虞のある距離として設定することができる。
【００５７】
第１実施形態と同様、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３を設置する各ユニット、装置の環境に応じて第２閾値を設定するため、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３の間においては第２閾値が同一の値になるとは限らず、それぞれ異なる値になる場合も当然にありうる。このように設定される第２閾値は、例えば制御装置ＣＯＮＴの内部に記憶させておくことができる。
【００５８】
以下、本実施形態における制御装置ＣＯＮＴの動作を説明する。図５は、第１閾値及び第２閾値を設定した場合の制御装置ＣＯＮＴの動作を示すフローチャートである。  
同図に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、位置センサ６１、位置センサ６２及び撮像装置６３による検出結果（検出値）と第１閾値とを比較する（ＳＴ５０１）。検出値が第１閾値を下回る場合（ＳＴ５０１のＮＯ）にはそのまま処理を継続させる。
【００５９】
検出値が第１閾値を超える場合（ＳＴ５０１のＹＥＳ）には、当該検出値と第２閾値とを更に比較し（ＳＴ５０２）、検出値が第２閾値を超える場合（ＳＴ５０２のＹＥＳ）には露光処理を待機させる（ＳＴ５０８）。このとき、露光処理は待機したままとし、検出値を第１閾値や第２閾値と比較する動作は行わない。露光処理を待機させる制御は、具体的には、露光装置ＥＸの各部の動作を停止させる制御や、エアベアリングなどのエア圧を減少させる制御を含む。例えば、露光装置における露光処理動作を中止して、当該検出値に係るセンサが設けられるユニット及び装置を所定のリセット位置に退避させるように構成してもよい。また、このとき露光装置に障害（故障）等が発生している旨のエラーの表示を行ってもよい。
【００６０】
検出値と第２閾値とを比較した結果、検出値が第２閾値を超えない場合（ＳＴ５０２のＮＯ）には、該当する位置センサ６１、６２及び撮像装置６３が設けられた部分の処理を待機させる（ＳＴ５０３）。このＳＴ５０３の処理待機の制御は、第１実施形態におけるＳＴ４０２の制御に対応している。なお、ＳＴ５０１とＳＴ５０２の順序は逆にすることもできる。
【００６１】
制御装置ＣＯＮＴは、処理を待機させた後についても検出値と閾値とを比較する。検出値が第２閾値を超える場合（ＳＴ５０４のＹＥＳ）、露光処理を待機させる（ＳＴ５０８）。検出値が第２閾値を超えない場合（ＳＴ５０４のＮＯ）には、検出値と第１閾値とを更に比較する。検出値が第１閾値を超えない場合（ＳＴ５０５のＮＯ）には、処理を再開させる（ＳＴ５０６）。このＳＴ５０６の処理再開の制御は、第１実施形態におけるＳＴ４０４の制御に対応している。検出値が第１閾値を超える場合（ＳＴ５０５のＹＥＳ）には、処理を待機させた状態を継続させる。処理を再開させた後は、露光終了まで上記の動作を繰り返すようにする（ＳＴ５０７）。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、第１閾値に加えて第２閾値を設定し、位置センサ６１、６２及び撮像装置６３による検出結果が第２閾値を超える場合には露光処理を待機させたままにする制御を含むこととしたので、振動による被害の低減を図ることができる。また、露光処理を待機させる制御を含みつつ、検出結果と第１閾値とを比較し、露光装置ＥＸが安全である場合には処理を継続させることとしたので、より柔軟で迅速な処理を行うことが可能となる。
【００６３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、第１閾値及び第２閾値の設定基準は、上記各実施形態に記載の設定基準に限られることは無く、他の設定基準であっても構わない。
【００６４】
また、上記実施形態では、照明ユニットＩＬＢ、床部ＦＬ及び第１プレート１１に検出装置を配置する構成であったが、これに限られることは無く、例えば投影光学系ＰＬなどの他の位置に検出装置を配置し、当該検出装置によって検出される結果に基づいて処理を待機させたり、露光処理を待機させたりする構成であっても構わない。
【００６５】
また、上記実施形態では、基準点との距離を検出する検出装置を各位置において１つずつ配置する構成としたが、これに限られることは無く、例えば各位置に複数の検出装置を配置し、複数の検出装置の検出結果に基づいて処理を待機させる構成であっても構わない。
【００６６】
また、上記実施形態では、同一の検出装置を用いて検出された結果と第１閾値及び第２閾値とを比較する構成であったが、これに限られることは無く、例えば第１閾値と比較する検出値と、第２閾値と比較する検出値とを別々の検出装置によって検出する構成であっても構わない。例えば、第１閾値又は第２閾値を検出する検出装置としてメカストッパなどの別の検出装置を配置しておき、各部材がメカストッパに接触する場合に第１閾値又は第２閾値を超えると判断する構成であっても構わない。
【００６７】
また、上記実施形態では、基準点との相対位置関係として基準点と検出位置との距離を検出する構成としたが、これに限られることは無く、上記のように基準点と検出位置との姿勢を検出するセンサを配置する構成としても構わない。
【００６８】
また、上記実施形態では、照明ユニットＩＬＡが床面ＦＬに直接支持された構成として説明したが、これに限られることは無く、例えば照明ユニットＩＬＡが防振装置１０のような防振機構を介して床面ＦＬに支持された場合であっても、本発明の適用は勿論可能である。
【００６９】
また、上記実施形態では、光源ユニット７０が床部ＦＬ内に設けられた構成として説明したが、これに限られることは無く、光源ユニット７０が床部ＦＬ上（他の部材を介して床部ＦＬに支持されている場合を含む）に設けられた場合であっても、本発明の適用は勿論可能である。
【００７０】
また、基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ等についても適用される。
【００７１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００７２】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７３】
また、例えば米国特許第第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００７４】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６４００４４１号明細書、米国特許第６５４９２６９号明細書、米国特許第６５９０６３４号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、及び米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００７５】
更に、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【００７６】
また、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置に適用することもできる。本発明を液浸露光装置に適用する場合、むやみに露光を停止させることが無いため、処理を待機させてから再開させるまでの時間を短時間にすることができ、所期のスループットを確保することができる。
【００７７】
露光装置ＥＸの種類としては、ウエハに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７８】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７９】
また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査工程等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置の全体構成を概略的に示す図。
【図２】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図３】本実施形態に係る露光装置の一部の構成を示す斜視図。
【図４】制御装置の制御内容を示すフローチャート。
【図５】本発明の第２実施形態に係る露光装置の制御装置の制御内容を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００８１】
ＥＸ…露光装置  Ｍ…マスク  Ｐ…基板  ＥＬ…露光光  ＰＬ…投影光学系  ＣＯＮＴ…制御装置  ＩＬ…照明光学系  ＩＬＡ…照明ユニット  ＩＬＢ…照明ユニット  ＦＬ…床部  ５…第３コラム  １１…第１プレート  ６０…搬送装置  ６０ａ…搬送アーム  ６０ｂ…マーク  ６１、６２…位置センサ  ６１ａ、６２ａ…基準点  ６３…撮像装置  ６４…表示装置  ６５…記憶装置  ７０…光源ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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