(57)【要約】【課題】蛍光体の温度上昇による量子効率の低下を抑制でき、且つ、出射光の広がり角を大きくすることが可能な発光装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１０よりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板２０との間にＬＥＤチップ１０を囲む形で実装基板２０に固着された色変換部材７０とを備えている。ＬＥＤチップ１０は、ｐ形窒化物半導体層と発光層とｎ形窒化物半導体層との積層構造を有するＬＥＤ部（発光部）１２、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極１３ａおよびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極１３ｂが導電性を有するＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面側に形成されており、実装基板２０に実装されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、当該ＬＥＤチップが実装された実装基板と、ＬＥＤチップから放射される光によって励起されてＬＥＤチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板との間にＬＥＤチップを囲む形で実装基板に固着された色変換部材とを備え、ＬＥＤチップは、ｎ形窒化物半導体層とｐ形窒化物半導体層とを有するＬＥＤ部、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極およびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体の下面側に形成されてなり、当該錐体よりもＬＥＤ部が実装基板に近くなる形で実装基板に実装されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記色変換部材は、下面開口した六角錐状の形状に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記色変換部材は、前記ＬＥＤチップとの間に空気層が形成される形で前記実装基板に固着されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記色変換部材は、内側面が前記錐体の外側面全体に接する大きさに形成されてなることを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップ（発光ダイオードチップ）を備えた発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＥＤチップとＬＥＤチップから放射された光によって励起されてＬＥＤチップとは異なる発光色の光を放射する波長変換材料としての蛍光体とを組み合わせてＬＥＤチップの発光色とは異なる色合いの混色光を出す発光装置の研究開発が各所で行われている（例えば、特許文献１参照）。なお、この種の発光装置としては、例えば、青色光あるいは紫外光を放射するＬＥＤチップと蛍光体とを組み合わせて白色の光（白色光の発光スペクトル）を得る白色発光装置（一般的に白色ＬＥＤと呼ばれている）の商品化がなされている。
【０００３】
上記特許文献１には、この種の発光装置の一例として、図５に示すように、ＬＥＤチップ１０’と、当該ＬＥＤチップ１０’が実装された実装基板２０’と、第１の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂など）により形成され実装基板２０’におけるＬＥＤチップ１０’の実装面側でＬＥＤチップ１０’を封止した半球状の透光性封止部５０’と、ＬＥＤチップ１０’から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１０’よりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した第２の透光性材料（例えば、シリコーン樹脂など）により形成され透光性封止部５０’との間に空気層８０’が介在する形で実装基板２０’に固着されたドーム状の色変換部材７０’とを備えた発光装置が記載されている。なお、上記特許文献１には、ＬＥＤチップ１０’として紫外光を放射するＧａＮ系の紫外ＬＥＤチップを用い、蛍光体として赤色蛍光体と緑色蛍光体と青色蛍光体とを用いて白色光を得る例が記載されているが、色むらを抑制するために、ＬＥＤチップ１０’として可視光である青色光を放射する青色ＬＥＤチップを用い、蛍光体として黄色蛍光体を用いて白色光を得ることも考えられる。
【特許文献１】特許第３９７８４５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述の発光装置は、ＬＥＤチップ１０’が平板状の面発光型のＬＥＤチップであり、放射光強度の放射角依存性がランバート（Lambert）型分布で近似されるとすると、ＬＥＤチップ１０’の直上方向の放射光強度を１とした場合、直上方向から４５°傾いた方向の放射光強度が０．６、直上方向から６０°傾いた方向の放射光強度が０．４となり、色変換部材７０’から出射される白色光の配光がＬＥＤチップ１０’から出射される青色光の配光に起因して狭角配光となるので、広角配光の白色光源を得るためには大掛かりな光学レンズなどを用いる必要があり、照明用途に用いる場合のコスト増加の原因となってしまい、また、色変換部材７０’の頂部における相対入射光強度が色変換部材７０’の周部における相対入射光強度に比べて大きく、ストークスシフトによるエネルギ損失に起因して発熱する蛍光体が局所的に集中しやすくなって、色変換部材７０’の温度が局所的に上昇しやすくなるので、蛍光体の量子効率が低下し、結果的に白色光の発光効率が低下してしまう。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、蛍光体の温度上昇による量子効率の低下を抑制でき、且つ、出射光の広がり角を大きくすることが可能な発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、当該ＬＥＤチップが実装された実装基板と、ＬＥＤチップから放射される光によって励起されてＬＥＤチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板との間にＬＥＤチップを囲む形で実装基板に固着された色変換部材とを備え、ＬＥＤチップは、ｎ形窒化物半導体層とｐ形窒化物半導体層とを有するＬＥＤ部、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極およびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体の下面側に形成されてなり、当該錐体よりもＬＥＤ部が実装基板に近くなる形で実装基板に実装されてなることを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、実装基板に実装されたＬＥＤチップから放射される光によって励起されてＬＥＤチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板との間にＬＥＤチップを囲む形で実装基板に固着された色変換部材を備え、ＬＥＤチップは、ｎ形窒化物半導体層とｐ形窒化物半導体層とを有するＬＥＤ部、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極およびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極がＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体の下面側に形成されてなり、当該錐体よりもＬＥＤ部が実装基板に近くなる形で実装基板に実装されているので、ＬＥＤチップの出射光の広がり角を大きくすることができるから、色変換部材の局所的な温度上昇を抑制できて蛍光体の温度上昇による量子効率の低下を抑制でき、且つ、出射光の広がり角を大きくすることが可能になる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記色変換部材は、下面開口した六角錐状の形状に形成されてなることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、前記ＬＥＤチップの前記錐体から放射された光が前記色変換部材の光入射面で全反射されるのを抑制できて前記ＬＥＤチップからの光を前記色変換部材で効率良く色変換（波長変換）することができ、また、前記色変換部材の光入射面への前記ＬＥＤチップからの光の入射光強度の均一化を図れ、前記色変換部材の局所的な温度上昇をより抑制することができ、蛍光体の量子効率の向上を図れる。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記色変換部材は、前記ＬＥＤチップとの間に空気層が形成される形で前記実装基板に固着されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、前記ＬＥＤチップを封止する透光性封止部を備え前記色変換部材と透光性封止部との間に空気層が形成されている場合に比べて、発光装置全体の小型化を図れ、また、前記ＬＥＤチップから放射されて前記色変換部材に入射し前記色変換部材の前記蛍光体により散乱された光のうち前記ＬＥＤチップ側へ散乱されて前記ＬＥＤチップに吸収される光の光量を低減できて外部への光取り出し効率を向上できる。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記色変換部材は、内側面が前記錐体の外側面全体に接する大きさに形成されてなることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、発光装置全体の小型化を図れるとともに、前記色変換部材の前記蛍光体で発生した熱を前記ＬＥＤチップを通して放熱させることができて、前記蛍光体の温度上昇をより抑制できて、量子効率のより一層の向上を図れる。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明では、蛍光体の温度上昇による量子効率の低下を抑制でき、且つ、出射光の広がり角を大きくすることが可能になるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施形態１）
以下、本実施形態の発光装置について図１を参照しながら説明する。
【００１６】
本実施形態の発光装置は、図１に示すように、ＬＥＤチップ１０と、当該ＬＥＤチップ１０が実装された矩形板状の実装基板２０と、ＬＥＤチップ１０から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１０よりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板２０との間にＬＥＤチップ１０を囲む形で実装基板２０に固着された色変換部材７０とを備えている。
【００１７】
また、本実施形態の発光装置は、実装基板２０におけるＬＥＤチップ１０の実装面側でＬＥＤチップ１０を封止した透光性封止部５０を備えており、上述の色変換部材７０は、透光性封止部５０との間に空気層８０が形成される形で実装基板２０に固着されている。
【００１８】
本実施形態の発光装置では、ＬＥＤチップ１０として、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップを用い、色変換部材７０の蛍光体として、ＬＥＤチップ１０から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を用いており、ＬＥＤチップ１０から放射され透光性封止部５０、空気層８０、および色変換部材７０を通過した青色光と、色変換部材７０の黄色蛍光体から放射された黄色光との混色光からなる白色光を得ることができる。
【００１９】
実装基板２０は、電気絶縁性を有し且つ熱伝導率の高い窒化アルミニウム基板からなる絶縁性基板２０ａの一表面側に、ＬＥＤチップ１０が電気的に接続される配線パターン２３，２３、ＬＥＤチップ１０から放射された光を反射する複数の光反射膜２４が形成されている。ここで、各配線パターン２３，２３は、一端側にＬＥＤチップ１０が金属材料（例えば、Ａｕ、半田など）からなるバンプ１４，１４を介して接合される端子部２３ａが形成され、他端側に外部接続用電極部２３ｂが形成されている。ここにおいて、外部接続用電極部２３ｂは、平面視において色変換部材７０よりも外側で露出している。なお、絶縁性基板２０ａは、ＬＥＤチップ１０および色変換部材７０それぞれで発生した熱を伝熱させる伝熱板を兼ねたものであり、ガラスエポキシ樹脂基板などの有機系基板に比べて熱伝導率の高いものであればよく、窒化アルミニウム基板に限らず、例えば、アルミナ基板や、ホーロー基板、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板などを採用してもよい。また、配線パターン２３，２３は、Ｃｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成され、最上層がＡｕ膜となっている。また、各光反射膜２４は、Ｎｉ膜とＡｇ膜との積層膜により構成してあるが、材料や層構造は特に限定するものではなく、例えば、Ｎｉ膜とＡｌ膜との積層膜により構成してもよい。
【００２０】
ＬＥＤチップ１０は、青色光を放射するＧａＮ系の青色ＬＥＤチップであり、ｐ形窒化物半導体層と発光層とｎ形窒化物半導体層との積層構造を有するＬＥＤ部（発光部）１２、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極１３ａおよびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極１３ｂが導電性を有するＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面側に形成されており、ＬＥＤ部１２が錐体１１よりも実装基板２０に近い側となる形で実装基板２０に実装されている（言い換えれば、錐体１１よりもＬＥＤ部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されている）。要するに、ＬＥＤチップ１は、アノード電極１３ｂおよびカソード電極１３ａそれぞれがバンプ１４，１４を介して配線パターン２３，２３の端子部２３ａ，２３ａと接合されている。
【００２１】
ＬＥＤチップ１０のＬＥＤ部１２は、ｎ形窒化物半導体層をｎ形ＧａＮ層により構成し、発光層をＩｎＧａＮ層により構成し、ｐ形窒化物半導体層を発光層側のｐ形ＡｌＧａＮ層と当該ｐ形ＡｌＧａＮ層における発光層側とは反対側のｐ形ＧａＮ層とで構成してあるが、ＬＥＤ部１２の積層構造は特に限定するものではなく、発光層は単層構造に限らず、多重量子井戸構造ないし単一量子井戸構造でもよい。
【００２２】
また、ＬＥＤチップ１０は、カソード電極１３ａが、ＬＥＤ部１２のｎ形窒化物半導体層に接する形で形成されて当該ｎ形窒化物半導体層と電気的に接続され、アノード電極１３ｂが錐体１１の下面に接する形で形成され当該錐体１１を介してｐ形窒化物半導体層と電気的に接続されている。したがって、ｎ形窒化物半導体層と発光層とｐ形窒化物半導体層との平面サイズを同じにすることができる。ここで、ＬＥＤチップ１０のアノード電極１３ｂおよびカソード電極１３ａは、下層側のＮｉ膜と上層側のＡｕ膜との積層膜により構成されている。また、各バンプ１４，１４はＡｕバンプにより構成されているが、各バンプ１４，１４の材料はＡｕに限らず、半田などでもよいが、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を効率的に放熱させるには、半田に比べて熱伝導率の高いＡｕを採用することが好ましい。カソード電極１３ａおよびアノード電極１３ｂそれぞれと配線パターン２３，２３との間に介在するバンプ１４の数は特に限定するものではないが、バンプ１４の数が多いほどＬＥＤチップ１０と実装基板２０との間の熱抵抗を低減できて放熱性を高めることができる。
【００２３】
上述のＬＥＤチップ１０は、主表面がｃ面のサファイアウェハの主表面側に上記積層構造を有するＬＥＤ部１２をエピタキシャル成長法（例えば、ＭＯＶＰＥ法など）により成長し、その後、ＬＥＤ部１２を錐体１１の基礎となるＺｎＯウェハに固着してから、サファイアウェハを除去し、続いて、塩酸系のエッチング液を用いてエッチング速度の結晶方位依存性を利用した異方性エッチングを行うことによりＺｎＯウェハの一部からなる六角錘状の錐体１１を形成している。なお、ＺｎＯウェハとしては、水熱合成法を利用して製造したものを用いている。錐体１１の高さは、ＺｎＯウェハの厚さで規定することができ、本実施形態では、ＺｎＯウェハとして厚さが５００μｍのものを用いているので、錐体１１の高さは５００μｍとなっているが、ＺｎＯウェハの厚さは特に限定するものではない。また、錐体１１の下面（底面）に対する各側面それぞれの傾斜角は、ＺｎＯウェハの結晶軸方向で規定され、主表面がｃ面のＺｎＯウェハに対して上述の異方性エッチングを行うことにより錐体１１を形成しているので、下面に対する各側面それぞれの傾斜角が６０°となっている。
【００２４】
本実施形態の発光装置では、ＬＥＤ部１２がＺｎＯ結晶からなる錐体１１の下面側に形成され錐体１１よりもＬＥＤ部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されており、ＺｎＯはサファイアに比べて屈折率がＧａＮに近いので、ＬＥＤチップ１０からの光取り出し効率を高めることができる。なお、波長が４５０ｎｍの光に対するＺｎＯの屈折率は２．１、ＧａＮの屈折率は２．４、サファイアの屈折率は１．８、透光性封止部５０の材料であるシリコーン樹脂の屈折率は１．５である。
【００２５】
上述の透光性封止部５０は、半球状の形状に形成されている。ここにおいて、透光性封止部５０の材料である透光性封止材としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラスなどを用いてもよい。
【００２６】
色変換部材７０は、シリコーン樹脂のような透光性材料とＬＥＤチップ１０から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体とを混合した混合物の成形品であり、ドーム状に形成されている。したがって、本実施形態の発光装置は、ＬＥＤチップ１０から放射された青色光と黄色蛍光体から放射された光とが色変換部材７０の光出射面を通して放射されることとなり、白色光を得ることができる。なお、色変換部材７０の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがｎｍレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部材７０の材料として用いる透光性材料に混合する蛍光体も黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを混合しても白色光を得ることができる。
【００２７】
ここで、色変換部材７０は、光入射面が透光性封止部５０の光出射面に沿った形状に形成されている。したがって、透光性封止部５０の光出射面の位置によらず法線方向における透光性封止部５０の光出射面と色変換部材７０の光入射面との間の距離が略一定値となっている。なお、色変換部材７０は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように成形されている。また、色変換部材７０は、実装基板２０側の端縁（開口部の周縁）を実装基板２０に対して、接着剤（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）を用いて固着されている。
【００２８】
ところで、透光性封止部５０の光出射面は上述の空気層８０との境界でＬＥＤチップ１０からの光が全反射しないように凸曲面状に形成されており、ＬＥＤチップ１０と光軸が一致するように配置されている。したがって、ＬＥＤチップ１０から放射され透光性封止部５０に入射した光が透光性封止部５０の光出射面と空気層８０との境界で全反射されることなく色変換部材７０まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。
【００２９】
以上説明した本実施形態の発光装置によれば、実装基板２０に実装されたＬＥＤチップ１０から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１０よりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され実装基板２０との間にＬＥＤチップ１０を囲む形で実装基板２０に固着された色変換部材７０を備え、ＬＥＤチップ１０は、ｎ形窒化物半導体層とｐ形窒化物半導体層とを有するＬＥＤ部１２、ｎ形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極１３ａおよびｐ形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極１３ｂがＺｎＯ結晶からなる六角錘状の錐体１１の下面側に形成され、錐体１１よりもＬＥＤ部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されているので、ＬＥＤチップ１０の出射光の広がり角を大きくすることができるから、色変換部材７０の局所的な温度上昇を抑制できて蛍光体の温度上昇による量子効率の低下を抑制でき、且つ、出射光の広がり角を大きくすることが可能になる。
【００３０】
ここにおいて、単位立体角当たりの放射光強度が最大値に対して５０％以上となる角度範囲を光出射角（出射光の広がり角）と定義すると、本実施形態の発光装置では、ＬＥＤチップ１０の光出射角が１２０°以上であり、色変換部材７０から放射される混色光の光出射角も１２０°以上であり、広角配光を要求される一般照明用途に適した白色光源を実現することができる。
【００３１】
なお、実装基板２０に色変換部材７０で発生した熱をより効率的に放熱させるための伝熱部を絶縁性基板２０ａよりも熱伝導率の高い材料（例えば、Ｃｕ、Ａｌなど）により形成してもよく、このような熱伝導部を設ければ、色変換部材７０で発生した熱を実装基板２０において絶縁性基板２０ａよりも熱伝導率の高い伝熱部を通して効率的に放熱させることができるから、蛍光体の温度上昇をより抑制することができる。
【００３２】
また、本実施形態の発光装置では、色変換部材７０と透光性封止部５０との間に空気層８０が存在しているので、ＬＥＤチップ１０から放射され透光性封止部５０、空気層８０を通して色変換部材７０に入射し当該色変換部材７０中の蛍光体により散乱された光のうちＬＥＤチップ１０側へ散乱されてＬＥＤチップ１０に吸収される光の光量を低減できて発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できるという利点や、外部雰囲気中の水分がＬＥＤチップ１０に到達しにくくなるという利点がある。
【００３３】
また、本実施形態の発光装置では、色変換部材７０の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているが、ガラスを採用すれば、シリコーン樹脂を採用している場合に比べて、色変換部材７０の熱伝導性が向上するので、蛍光体の温度上昇をより抑制できて光束を向上させることができ、しかも、水蒸気やＮＯｘなど対するガスバリア性や耐透湿性が向上するとともに、蛍光体の吸湿劣化を抑制でき、信頼性および耐久性が向上する。
【００３４】
また、本実施形態の発光装置では、透光性封止部５０をガラスにより形成すれば、透光性封止部５０がシリコーン樹脂などの有機材料により形成されている場合に比べて、色変換部材７０で発生した熱の伝熱経路に関して、色変換部材７０−空気層８０−透光性封止部５０−実装基板２０を通る伝熱経路の熱伝導性が向上し、色変換部材７０の温度上昇をより抑制することが可能となる。
【００３５】
また、本実施形態の発光装置は、実装基板２０の上記一表面側にＬＥＤチップ１０への給電用の配線パターン２３，２３を有しているので、実装基板２０を回路基板に実装することなく照明器具の器具本体と熱結合させることが可能となり、ＬＥＤチップ１０から器具本体までの熱抵抗を小さくできて放熱性が向上し、ＬＥＤチップ１０のジャンクション温度の温度上昇を抑制できるから、入力電力を大きくでき、光出力の高出力化を図れる。
【００３６】
（実施形態２）
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態１と略同じであり、図２に示すように、透光性封止部５０が六角錐状に形成され、色変換部材７０が下面開口した六角錐状の形状に形成されている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
本実施形態における透光性封止部５０および色変換部材７０は、ＬＥＤチップ１０の錐体１１と相似形状に形成されている。要するに、本実施形態では、透光性封止部５０の光出射面および色変換部材７０の光入射面がＬＥＤチップ１０の錐体１１の各側面に沿った形状に形成されている。したがって、ＬＥＤチップ１０の錐体１１の各側面の位置によらず、法線方向における透光性封止部５０の光出射面、色変換部材７０の光入射面までの距離がそれぞれ略一定値となっている。
【００３８】
しかして、本実施形態の発光装置では、透光性封止部５０が六角錐状に形成され、色変換部材７０が下面開口した六角錐状の形状に形成されているので、ＬＥＤチップ１０の錐体１１から放射された光が色変換部材７０の光入射面で全反射されるのを抑制できてＬＥＤチップ１０からの光を色変換部材７０で効率良く色変換（波長変換）することができ、また、色変換部材７０の光入射面へのＬＥＤチップ１０からの光の入射光強度の均一化を図れ、色変換部材７０の局所的な温度上昇をより抑制することができ、蛍光体の量子効率を向上できる。
【００３９】
なお、本実施形態では、透光性封止部５０を六角錐状に形成し、色変換部材７０を下面開口した六角錐状の形状に形成してあるが、透光性封止部５０を円錐状に形成し、色変換部材７０を下面開口した円錐状の形状に形成してもよい。
【００４０】
（実施形態３）
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態２と略同じであり、実施形態２にて説明した透光性封止部５０が設けられておらず、図３に示すように、下面開口した六角錐状の色変換部材７０が、ＬＥＤチップ１０との間に空気層８０が形成される形で実装基板２０に固着されている点が相違する。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４１】
しかして、本実施形態の発光装置では、実施形態２のようにＬＥＤチップ１０を封止する透光性封止部５０を備え色変換部材７０と透光性封止部５０との間に空気層８０が形成されている場合に比べて、発光装置全体の小型化を図れ、また、ＬＥＤチップ１０から放射されて色変換部材７０に入射し色変換部材７０の蛍光体により散乱された光のうちＬＥＤチップ１０側へ散乱されてＬＥＤチップ１０に吸収される光の光量を低減できて外部への光取り出し効率を向上できる。
【００４２】
なお、本実施形態では、色変換部材７０を下面開口した六角錐状の形状に形成してあるが、色変換部材７０を下面開口した円錐状の形状に形成してもよい。
【００４３】
（実施形態４）
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態３と略同じであり、図４に示すように、色変換部材７０の内側面（光入射面）がＬＥＤチップ１０の錐体１１の外側面全体に接する大きさに形成されている点が相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
しかして、本実施形態の発光装置では、色変換部材７０の内側面が錐体１１の外側面全体に接する大きさに形成されているので、実施形態２や実施形態３に比べて発光装置全体の小型化を図れるとともに、色変換部材７０の蛍光体で発生した熱を透光性封止部５０（図１，２参照）や空気層８０（図１〜図３参照）などを通さずに、直接、ＬＥＤチップ１０を通して実装基板２０へ放熱させることができて、蛍光体の温度上昇をより抑制できて、量子効率のより一層の向上を図れる。
【００４５】
なお、上述の各実施形態では、ＬＥＤチップ１０の発光色を青色光としてあるが、ＬＥＤチップ１０の発光色は青色光に限らず、例えば、赤色光、緑色光、紫色光、紫外光などでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施形態１の発光装置を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は要部概略斜視図である。
【図２】実施形態２の発光装置の概略断面図である。
【図３】実施形態３の発光装置の概略断面図である。
【図４】実施形態４の発光装置の概略断面図である。
【図５】従来例の発光装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  ＬＥＤチップ
１１  錐体
１２  ＬＥＤ部
１３ａ  カソード電極
１３ｂ  アノード電極
２０  実装基板
２０ａ  絶縁性基板
２３  配線パターン
７０  色変換部材
８０  空気層
【図１】
2009302145.tif 000003
【図２】
2009302145.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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