(57)【要約】【課題】シリコンアルコキシド系ＳＯＧを弾性波素子に適用する場合に発生する課題に鑑みなされたものであり、製造性に優れ、かつ、フィルター特性も優れた弾性波素子を提供する。【解決手段】基板４と、基板４上に形成された櫛歯電極２ａを含む電極２と、電極２上に形成された誘電体層５とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極２ａ間にＳｉＯ２膜６を備え、電極間のＳｉＯ２膜６は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている。【選択図】図１
2009232241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、
前記基板上に形成された櫛歯電極を含む電極と、
前記電極上に形成された誘電体層とを備えた弾性波素子であって、
少なくとも前記櫛歯電極間にＳｉＯ２膜を備え、
前記電極間のＳｉＯ２膜は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている、弾性波素子。
【請求項２】
前記ＳｉＯ２膜は、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とするＳＯＧで構成されている、請求項１記載の弾性波素子。
【請求項３】
圧電性を有する基板上に、櫛歯電極を含む電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極間にＳＯＧを塗布し、乾燥し、焼成してＳｉＯ２膜を形成する工程と、
前記電極及び前記ＳｉＯ２膜上に、ＳｉＯ２からなる誘電体層をドライプロセスで成膜する工程とを含む、弾性波素子の製造方法。
【請求項４】
前記電極間に塗布されるＳＯＧは、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とする、請求項３記載の弾性波素子の製造方法。
【請求項５】
前記ＳＯＧの塗布工程において、
前記ＳＯＧを、その乾燥及び焼成後の膜厚が前記櫛歯電極の厚さに略等しくなるように、塗布する、請求項３記載の弾性波素子の製造方法。
【請求項６】
前記ＳＯＧの乾燥及び焼成後に、少なくとも前記ＳＯＧに紫外線照射を行う工程をさらに備えた、請求項３記載の弾性波素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜２のいずれかに記載の弾性波素子を備えた、フィルタ。
【請求項８】
請求項７に記載のフィルタを備えた、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波素子、フィルタに関する。また、そのような弾性波素子やフィルタを備えた通信装置に関する。また、弾性波素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を応用した装置の一つとして、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスが以前より良く知られている。このＳＡＷデバイスは、例えば携帯電話に代表される４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯における無線信号を処理する各種回路、例えば送信バンドパスフィルタ、受信バンドパスフィルタ、局発フィルタ、アンテナ共用器、ＩＦフィルタ、ＦＭ変調器等に用いられている。
【０００３】
温度特性を向上させるため、特許文献１においては、圧電基板上に圧電基板と温度特性の符号が異なるＳｉＯ２を成膜した弾性表面波素子が開示されている。
【０００４】
温度特性の改善および素子の小型化を実現させるため、ラブ波を利用する弾性波素子や、異なる媒質の境界を伝搬する境界波を用いる弾性境界波素子が、特許文献２、特許文献３、非特許文献１に開示されている。
【０００５】
図８は、特許文献２に記載のラブ波を利用した弾性波素子の平面図である。図９は、図８におけるＹ−Ｙ部の断面図である。圧電基板１０４に電極１０２が形成され、電極１０２上に誘電体層１０５が形成されている。電極１０２は、櫛歯型電極１０２ａ、反射器１０２ｂと、櫛歯型電極１０２ａと接続している端子部１０２ｃとから構成されている。櫛歯型電極１０２ａおよび反射器１０２ｂは誘電体層１０５で覆われているが、端子部１０２ｃは誘電体層１０５で覆われていない。誘電体層１０５の厚さは、電極１０２よりも厚く、弾性表面波の波長をλとしたときに大凡０．３×λ程度である。この弾性波素子は、電極１０２の表面が厚い誘電体層１０５で覆われているので、信頼性が高いことも期待される。
【０００６】
図１０Ａ〜図１０Ｄは、図８及び図９に示す弾性波素子の製造工程を示す。弾性波素子を製造する際は、まず図１０Ａに示すように圧電基板１０４上にレジスト１０６を形成する。レジスト１０６は、電極１０２に対応する位置に凹部１０６ａを有するようにパターニングされる。次に、図１０Ｂに示すように、圧電基板１０４上に金属膜１０７を形成する。金属膜１０７は、レジスト１０６及び凹部１０６ａ上に形成される。次に、図１０Ｃに示すように、レジスト１０６及び凹部１０６ａ内の金属膜１０７を除去し、櫛歯電極１０２ａを形成する。次に、図１０Ｄに示すように、圧電基板１０４上にＳｉＯ２からなる誘電体層１０５を形成する。この時、誘電体層１０５が櫛歯電極１０２ａを覆うように形成する。
【０００７】
しかしながら図１０Ａ〜図１０Ｄに示す製法に基づき弾性波素子を製造すると、櫛歯電極１０２ａ上にＳｉＯ２からなる誘電体層１０５を形成した場合、一般的には、図１０Ｄに示すように誘電体層１０５の表面上に電極１０２の形状を反映した凹凸１０５ａが発生する。この凹凸１０５ａがあると、電極１０２で励振されたラブ波の伝播損失が増大する。そのため、電極１０２上の誘電体層１０５の表面を平坦化することが必要である。
【０００８】
誘電体層１０５の表面を平坦化するプロセスとしては、特許文献４および非特許文献２に開示されている。特許文献４には、圧電基板上に形成された電極間に予めＳｉＯ２を形成し、リフトオフにて電極を埋める方法が開示されている。また、非特許文献２には、圧電基板上に電極を形成後、ポリシラザン系のＳＯＧ（Spin on Glass）を塗布焼成する方法が開示されている。
【０００９】
しかしながら、特許文献４では、工数が多く、また、電極と最初に形成したＳｉＯ２のとの間にボイドが発生し、ボイド起因で伝播損失が増大するという課題があった。
【００１０】
また、非特許文献２では、ボイドは発生しないが、ポリシラザン系ＳＯＧは一般に水と反応しやすく専用の設備が必要であった。また、一般にポリシラザンは４０％程度収縮するため膜厚制御が難しいという課題もあった。さらに、ポリシラザン系のＳＯＧでは、非特許文献２で開示されているように、焼成時にアンモニアと水素が発生するので、電極が腐食されないようにするために、保護膜を形成する必要があり、保護膜の電極上のカバレッジが課題もあった。
【００１１】
ポリシラザン系のＳＯＧよりも取り扱いが容易で、焼成時にアンモニアなどの腐食ガスを出さないＳＯＧとして、シリコンアルコキシド系のＳＯＧがある。
【特許文献１】特開２００３−２０９４５８号公報
【特許文献２】特開２００４−１１２７４８号公報
【特許文献３】特開平１０−５４９００８号公報
【特許文献４】特許第３８８５８２４号公報
【非特許文献１】Masatsune Yamaguchi, Takashi Yamashita, Ken-ya Hashimoto, Tatsuya Omori,  「Highly Piezoelectric Boundary Waves in Si／SiO2／LiNbO3 Structure」, Proceeding of 1998 IEEE International Frequency Control Symposium,（米国）, IEEE,1998年, p.484-488
【非特許文献２】（独）日本学術振興会発行  弾性波素子技術第１５０委員会  第１０３回研究会資料  p.15-20
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、シリコンアルコキシド系ＳＯＧは、ポリシラザン系ＳＯＧと比べて、クラック限界が低く（膜厚０．５μｍ）、表面弾性波に必要な１μｍ厚さ程度まで厚膜化できないという課題があった。
【００１３】
本発明の目的は、シリコンアルコキシド系ＳＯＧを弾性波素子に適用する場合に発生する課題に鑑みなされたものであり、製造性に優れ、かつ、フィルター特性も優れた弾性波素子、フィルタ、通信装置、および、弾性波素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の弾性波素子は、圧電性を有する基板と、前記基板上に形成された櫛歯電極を含む電極と、前記電極上に形成された誘電体層とを備えた弾性波素子であって、少なくとも前記櫛歯電極間にＳｉＯ２膜を備え、前記電極間のＳｉＯ２膜は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されているものである。
【００１５】
本発明の弾性波素子の製造方法は、圧電性を有する基板上に、櫛歯電極を含む電極を形成する工程と、少なくとも前記電極間にＳＯＧを塗布し、乾燥し、焼成してＳｉＯ２膜を形成する工程と、前記電極及び前記ＳｉＯ２膜上に、ＳｉＯ２からなる誘電体層をドライプロセスで成膜する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、取り扱いやすいシリコンアルコキシド系のＳＯＧを用い、フィルター特性に優れたた弾性波素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施の形態）
〔１．弾性波素子の構成〕
図１は、本実施の形態の弾性波素子の平面図である。図２は、図１におけるＹ−Ｙ部分の断面である。図１及び図２に示すように、弾性波素子は、圧電基板４上に電極２が形成されている。電極２は、櫛歯電極２ａと反射器２ｂと端子部２ｃとから構成されている。誘電体層５は、圧電基板４上において櫛歯電極２ａ及び反射器２ｂを覆うように形成されている。端子部２ｃは、誘電体層５に覆われず、露出するように形成されている。誘電体層５の厚さは、電極１０２よりも厚く、弾性表面波の波長をλとしたときに大凡０．３×λ程度である。
【００１８】
本実施の形態では、櫛歯電極２ａ及び反射器２ｂに形成されている凹部内に、ＳｉＯ２膜６が形成されている。ＳｉＯ２膜６は、シリコンアルコキシド系ＳＯＧを主成分とする材料で構成されている。また、ＳｉＯ２膜６は、シリコンアルコキシド系ＳＯＧのクラック限界の膜厚である０．５μｍ以下の膜厚を有する。本実施の形態では、櫛歯電極２ａ及び反射器２ｂの厚さは１４０ｎｍとしているため、ＳｉＯ２膜６は櫛歯電極２ａ及び反射器２ｂにほぼ面一になるように形成されている。したがって、ＳｉＯ２膜６は、櫛歯電極２ａ及び反射器２ｂとともに誘電体層５に覆われている。
【００１９】
本実施の形態の弾性波素子を製造するには、まず、圧電基板４上に電極２を形成後、シリコンアルコキシド系ＳＯＧからなるＳｉＯ２膜６を、後の焼成後に電極２間がほぼ満たされる程度までの厚さまで、塗布する。次に、ＳｉＯ２膜６を焼成する。これにより、電極２間のみにＳｉＯ２膜６を形成することができる。その後、スパッタあるいはプラズマＣＶＤなどのドライの成膜手法で、ＳｉＯ２からなる誘電体層５を、所望の膜厚に成膜する。なお、詳しい製造方法については後述する。
【００２０】
以上のように、シリコンアルコキシド系のＳＯＧで形成するＳｉＯ２膜６を、電極２の厚さが０．５μｍ未満である弾性波デバイスの電極の間に限定して形成することで、ＳｉＯ２膜６の膜厚を０．５μｍ未満とすることができる。よって、ＳｉＯ２膜６をＳＯＧのクラック限界未満の膜厚で形成するので、ＳｉＯ２膜６のクラックの発生を防止することができる。
【００２１】
また、ＳｉＯ２膜６の上層に、ＳｉＯ２からなる誘電体層５を所望の厚さまでドライの成膜手法で形成することにより、ＳｉＯ２膜６の膜厚を精密に制御することができる。すなわち、シリコンアルコキシド系ＳＯＧで形成するＳｉＯ２膜６は、膜厚制御が困難であるため膜厚がばらつく可能性があるが、全体のＳｉＯ２膜（誘電体層５とＳｉＯ２膜６とを合わせたＳｉＯ２膜）の膜厚が所望の膜厚になるように誘電体層５を形成することで、ＳｉＯ２膜６の膜厚のばらつきを相殺することができる。
【００２２】
図３は、ＦＥＭシミュレーションによって、下記の示すパラメータのモデルの周波数解析を行い、ラブ波の反共振時の応力変位分布を計算した結果である。シミュレーションで使用したパラメータにおいて、電極は、銅（Ｃｕ）で形成し、幅寸法０．５μｍ、厚さ寸法１４０ｎｍ、電極間の幅寸法０．５μｍとした。ＳｉＯ２膜は、厚さ寸法７９０ｎｍとした。ここでいうＳｉＯ２膜は、図２における誘電体層５とＳｉＯ２膜６とを合わせたＳｉＯ２膜のことであり、その厚さ寸法とは圧電基板４の表面からの厚さ寸法である。基板は、ＬｉＮｂＯ３の０度Ｙ板を用いた。図３に示すように、ラブ波の場合、櫛歯電極で励振される表面波の変位分布は、電極、または、電極より上部のＳｉＯ２膜に集中していることがわかった。よって、ＳｉＯ２膜の表面層側を膜質の良いドライで成膜するにより、膜質起因の伝播損失を防ぎ、フィルター特性を向上させることができる。
【００２３】
以上により、従来適用が困難であったシリコンアルコキシド系のＳＯＧを用いて、温度特性に優れた弾性波デバイスを実現することができる。
【００２４】
図４Ａ〜図４Ｇは、本実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す。以下、本実施の形態の弾性波素子の製造方法について説明する。
【００２５】
まず、図４Ａに示すように、圧電基板４上にレジスト１１をパターニングする。レジスト１１は、信越化学社製レジストＳＩＰＲ−９６８４を用いたが、これには限定しない。
【００２６】
次に、図４Ｂに示すように、レジスト１１の開口部１１ａに、電極２の基となる金属材料１２を蒸着する。本実施の形態では、金属材料１２は銅及びチタンを用い、銅、チタンの順に蒸着した。チタンは、銅電極表面の酸化防止のために蒸着した。
【００２７】
次に、図４Ｃに示すように、レジスト１１を除去することで電極２が完成する。レジスト１１の除去は、有機溶剤への浸漬および超音波洗浄、さらに、酸素アッシングを用いて除去した。なお、圧電基板４上に電極を形成する方法としては、上記方法以外に、圧電基板上に電極を全面に成膜し、その後、電極表面に電極パターンをレジストで形成後、レジストで保護した領域以外をエッチングする方法などがある。
【００２８】
次に、図４Ｄに示すように、圧電基板４の表面にシリコンアルコキシド系のＳＯＧ１３を塗布する。シリコンアルコキシド系のＳＯＧとしては、東京応化社製ＳＯＧであるＯＣＤ  Ｔ７を用いたが、これには限定しない。
【００２９】
次に、図４Ｅに示すように、圧電基板４にＳＯＧ１３を塗布後、８０℃、１５０℃、２００℃の各温度で各６０秒乾燥させた後、窒素雰囲気にて４００℃で約３０分焼成した。これにより、ＳＯＧで形成されたＳｉＯ２膜６が形成される。
【００３０】
次に、図４Ｆに示すように、ＳｉＯ２膜６の表面に紫外線を照射した。これにより、ＳｉＯ２膜６の表面の残るＳＯＧの有機成分の残渣が除去され，ＳｉＯ２上に成膜する無機膜の密着性が向上する。
【００３１】
次に、図４Ｇに示すように、ＳｉＯ２膜６の上層にＳｉＯ２からなる誘電体層５を形成した。誘電体層５は、ＳｉＨ４系プラズマＣＶＤにて、ＳｉＯ２を所望の厚さに成膜することで形成した。なお、誘電体層５をプラズマＣＶＤを用いて成膜する際は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、あるいは、シラン（ＳｉＨ４）を用いることが好ましい。特にＳｉＨ４系のＳｉＯ２は反応ガスに不純物の含有量が比較的少ないため、好ましい。また、誘電体層５の成膜法はプラズマＣＶＤに限らず、熱ＣＶＤでもよい。熱ＣＶＤを用いて成膜する際は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）及びオゾンを用いることが好ましい。また、誘電体層５は、電子サイクロン共鳴法（ＥＣＲ）を用いてスパッタ成膜してもよい。
【００３２】
次に、端子部２ｃ（図１参照）を露出させるために、誘電体層５の表面における端子部２ｃを形成する領域以外の領域に一般的なレジストを塗布し、露光現像により誘電体層５上に端子部２ｃのパターンを開口後、ドライエッチングにより開口部のＳｉＯ２を除去した。そのままでは、電極２のチタンが露出し導通が取りにくいので、電極開口上にのみ金（Ａｕ）をリフトオフ法により形成した。
【００３３】
以上の工程により、櫛歯電極間にシリコンアルコキシド系ＳＯＧからなるＳｉＯ２膜６を充填することで、誘電体層５の表面を平坦にすることができ、ラブ波の伝搬損失が少ない弾性波素子を製造することができる。また、ラブ波の伝播路である誘電体層５を、膜質の良いプラズマＣＶＤで成膜したことにより、伝搬損失が少ない弾性波素子を製造することができる。
【００３４】
また、図１及び図２に示す弾性波素子を複数個接続することで、所定の周波数のみを通過させるバンドパスフィルタなどの各種フィルタを実現することができる。フィルタの実例としては、例えば複数の弾性波素子を梯子状に接続したラダー型フィルタがある。
【００３５】
〔２．デュープレクサの構成〕
携帯電話端末、ＰＨＳ（Personal Handy-phone System）端末、無線ＬＡＮシステムなどの移動体通信（高周波無線通信）には、デュープレクサが搭載されている。デュープレクサは、通信電波などの送信機能及び受信機能を持ち、送信信号と受信信号の周波数が異なる無線装置において用いられる。
【００３６】
図５は、本実施の形態の弾性波素子を備えたデュープレクサの構成を示す。デュープレクサ５２は、位相整合回路５３、受信フィルタ５４、および送信フィルタ５５を備えている。位相整合回路５３は、送信フィルタ５５から出力される送信信号が受信フィルタ５４側に流れ込むのを防ぐために、受信フィルタ５４のインピーダンスの位相を調整するための素子である。また、位相整合回路５３には、アンテナ５１が接続されている。受信フィルタ５４は、アンテナ５１を介して入力される受信信号のうち、所定の周波数帯域のみを通過させる帯域通過フィルタで構成されている。また、受信フィルタ５４には、出力端子５６が接続されている。送信フィルタ５５は、入力端子５７を介して入力される送信信号のうち、所定の周波数帯域のみを通過させる帯域通過フィルタで構成されている。また、送信フィルタ５５には、入力端子５７が接続されている。ここで、受信フィルタ５４及び送信フィルタ５５には、本実施の形態における弾性波素子が含まれている。
【００３７】
以上のように、本実施の形態の弾性波素子を受信フィルタ５４及び送信フィルタ５５に備えることで、伝搬損失が少なくフィルタ特性が優れたデュープレクサを実現することができる。
【００３８】
〔３．通信モジュールの構成〕
図６は、本実施の形態の弾性波素子または図５に示すデュープレクサを備えた通信モジュールの一例を示す。図６に示すように、デュープレクサ６２は、受信フィルタ６２ａと送信フィルタ６２ｂとを備えている。また、受信フィルタ６２ａには、例えばバランス出力に対応した受信端子６３ａ及び６３ｂが接続されている。また、送信フィルタ６２ｂは、パワーアンプ６４を介して送信端子６５に接続している。ここで、受信フィルタ６２ａ及び送信フィルタ６２ｂには、本実施の形態における弾性波素子またはデュープレクサが含まれている。
【００３９】
受信動作を行う際、受信フィルタ６２ａは、アンテナ端子６１を介して入力される受信信号のうち、所定の周波数帯域の信号のみを通過させ、受信端子６３ａ及び６３ｂから外部へ出力する。また、送信動作を行う際、送信フィルタ６２ｂは、送信端子６５から入力されてパワーアンプ６４で増幅された送信信号のうち、所定の周波数帯域の信号のみを通過させ、アンテナ端子６１から外部へ出力する。
【００４０】
以上のように本実施の形態の弾性波素子またはデュープレクサを、通信モジュールの受信フィルタ６２ａ及び送信フィルタ６２ｂに備えることで、伝搬損失が少なくフィルタ特性が優れた通信モジュールを実現することができる。
【００４１】
なお、図６に示す通信モジュールの構成は一例であり、他の形態の通信モジュールに本発明の弾性波素子を搭載しても、同様の効果が得られる。
【００４２】
〔４．通信装置の構成〕
図７は、本実施の形態の弾性波素子、デュープレクサ、または通信モジュールを備えた通信装置の一例として、携帯電話端末のＲＦブロックを示す。また、図７に示す構成は、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）通信方式及びＷ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Divition Multiple Access）通信方式に対応した携帯電話端末の構成を示す。また、本実施の形態におけるＧＳＭ通信方式は、８５０ＭＨｚ帯、９５０ＭＨｚ帯、１．８ＧＨｚ帯、１．９ＧＨｚ帯に対応している。また、携帯電話端末は、図７に示す構成以外にマイクロホン、スピーカー、液晶ディスプレイなどを備えているが、本実施の形態における説明では不要であるため図示を省略した。ここで、受信フィルタ７３ａ、７７、７８、７９、８０、および送信フィルタ７３ｂには、本実施の形態における弾性波素子、デュープレクサが含まれている。
【００４３】
まず、アンテナ７１を介して入力される受信信号は、その通信方式がＷ−ＣＤＭＡかＧＳＭかによってアンテナスイッチ回路７２で、動作の対象とするＬＳＩを選択する。入力される受信信号がＷ−ＣＤＭＡ通信方式に対応している場合は、受信信号をデュープレクサ７３に出力するように切り換える。デュープレクサ７３に入力される受信信号は、受信フィルタ７３ａで所定の周波数帯域に制限されて、バランス型の受信信号がＬＮＡ７４に出力される。ＬＮＡ７４は、入力される受信信号を増幅し、ＬＳＩ７６に出力する。ＬＳＩ７６では、入力される受信信号に基づいて音声信号への復調処理を行ったり、携帯電話端末内の各部を動作制御する。
【００４４】
一方、信号を送信する場合は、ＬＳＩ７６は送信信号を生成する。生成された送信信号は、パワーアンプ７５で増幅されて送信フィルタ７３ｂに入力される。送信フィルタ７３ｂは、入力される送信信号のうち所定の周波数帯域の信号のみを通過させる。送信フィルタ７３ｂから出力される送信信号は、アンテナスイッチ回路７２を介してアンテナ７１から外部に出力される。
【００４５】
また、入力される受信信号がＧＳＭ通信方式に対応した信号である場合は、アンテナスイッチ回路７２は、周波数帯域に応じて受信フィルタ７７〜８０のうちいずれか一つを選択し、受信信号を出力する。受信フィルタ７７〜８０のうちいずれか一つで帯域制限された受信信号は、ＬＳＩ８３に入力される。ＬＳＩ８３は、入力される受信信号に基づいて音声信号への復調処理を行ったり、携帯電話端末内の各部を動作制御する。一方、信号を送信する場合は、ＬＳＩ８３は送信信号を生成する。生成された送信信号は、パワーアンプ８１または８２で増幅されて、アンテナスイッチ回路７２を介してアンテナ７１から外部に出力される。
【００４６】
以上のように、本実施の形態の弾性波素子を通信装置に備えることで、伝搬損失が少なくフィルタ特性が優れた通信装置を実現することができる。
【００４７】
〔５．実施の形態の効果、他〕
本実施の形態によれば、電極２を構成している少なくとも櫛歯電極２ａ間にシリコンアルコキシド系ＳＯＧを主成分とする材料で形成されたＳｉＯ２膜６を充填したことにより、誘電体層５の表面を平坦化することができ、伝搬損失が少なくフィルタ特性が優れた弾性波素子を実現することができる。
【００４８】
また、シリコンアルコキシド系ＳＯＧからなるＳｉＯ２膜６は、電極２の厚さ未満（つまり０．５μｍ未満）としたことにより、ＳｉＯ２膜６におけるクラックの発生を抑えることができる。
【００４９】
また、ＳｉＯ２膜６は、シリコンアルコキシド系ＳＯＧで形成したことにより、ポリシラザン系のＳＯＧよりも取り扱いが容易で、焼成時にアンモニアなどの腐食ガスを出さないという効果がある。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５１】
（付記１）
圧電性を有する基板と、
前記基板上に形成された櫛歯電極を含む電極と、
前記電極上に形成された誘電体層とを備えた弾性波素子であって、
少なくとも前記櫛歯電極間にＳｉＯ２膜を備え、
前記電極間のＳｉＯ２膜は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている、弾性波素子。
【００５２】
（付記２）
前記ＳｉＯ２膜は、シリコンアルコキシド系のＳＯＧ（Spin on Glass）で構成されている、付記１記載の弾性波素子。
【００５３】
（付記３）
圧電性を有する基板上に、櫛歯電極を含む電極を形成する工程と、
少なくとも前記電極間にＳＯＧを塗布し、乾燥し、焼成してＳｉＯ２膜を形成する工程と、
前記電極及び前記ＳｉＯ２膜上に、ＳｉＯ２からなる誘電体層をドライプロセスで成膜する工程とを含む、弾性波素子の製造方法。
【００５４】
（付記４）
前記電極間のＳＯＧは、シリコンアルコキシド系の材料を主成分とする、付記３記載の弾性波素子の製造方法。
【００５５】
（付記５）
前記誘電体層は、スパッタ成膜により形成される、付記３記載の弾性波素子の製造方法。
【００５６】
（付記６）
前記誘電体層は、電子サイクロトロン共鳴法（ＥＣＲ）を用いたスパッタ成膜法により形成される、付記５記載の弾性波素子の製造方法。
【００５７】
（付記７）
前記誘電体層は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いた成膜法により形成される、付記３記載の弾性波素子の製造方法。
【００５８】
（付記８）
前記誘電体層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、あるいは、シラン（ＳｉＨ４）を用いたプラズマ化学気相蒸着法（プラズマＣＶＤ）により形成される、付記７記載の弾性波素子の製造方法。
【００５９】
（付記９）
前記誘電体層は、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）およびオゾンを用いた熱化学気相蒸着法（熱ＣＶＤ）により形成される、付記８記載の弾性波素子の製造方法。
【００６０】
（付記１０）
前記ＳＯＧの塗布工程において、
前記ＳＯＧを、その乾燥及び焼成後の膜厚が前記櫛歯電極の厚さに略等しくなるように、塗布する、付記３記載の弾性波素子の製造方法。
【００６１】
（付記１１）
前記ＳＯＧの乾燥及び焼成後に、少なくとも前記ＳＯＧに紫外線照射を行う工程をさらに備えた、付記３記載の弾性波素子の製造方法。
【００６２】
（付記１２）
付記１〜２のいずれかに記載の弾性波素子を備えた、フィルタ。
【００６３】
（付記１３）
付記１２に記載のフィルタを備えた、デュープレクサ。
【００６４】
（付記１４）
付記１２に記載のフィルタ、または付記１３に記載のデュープレクサを備えた、通信モジュール。
【００６５】
（付記１５）
付記１４に記載の通信モジュールを備えた、通信装置。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の弾性波素子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置は、所定周波数の信号を受信または送信することができる機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施の形態における弾性波素子の平面図
【図２】図１におけるＹ−Ｙ部の断面図
【図３】実施の形態における弾性波素子の応力分布を示す特性図
【図４Ａ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｂ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｃ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｄ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｅ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｆ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図４Ｇ】実施の形態の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図５】デュープレクサのブロック図
【図６】通信モジュールのブロック図
【図７】通信装置のブロック図
【図８】従来の弾性波素子の平面図
【図９】図８におけるＹ−Ｙ部の断面図
【図１０Ａ】従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図１０Ｂ】従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図１０Ｃ】従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【図１０Ｄ】従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図
【符号の説明】
【００６８】
１  弾性波素子
２  電極
４  基板
５  誘電体層
６  ＳｉＯ２膜
【図１】
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【図２】
2009232241.tif 000004
【図３】
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【図４Ａ】
2009232241.tif 000006
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2009232241.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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