(57)【要約】【課題】処理室とロードロック室間で基板を搬送する搬送機構の構造を簡素化し、小型化し、動作も単純化することにある。【解決手段】基板４の搬送機構２２の搬送アーム２２ｂの回転動作中に処理室１やロードロック室３０の構成部材が搬送アーム２２ｂの動作を妨げない構成である。【選択図】図１
2009064874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、ロードロック室と、前記処理室と前記ロードロック室の間で基板を搬送するための搬送機構とを備えた真空処理装置において、
前記搬送機構が、前記基板を保持する基板保持部と該基板保持部を該基板保持部に平行な面内でのみ移動させる搬送アームを有し、
前記搬送アームによる前記基板保持部の移動経路の端に前記処理室の内部空間が形成され、かつ、該基板保持部の移動経路が前記ロードロック室の上方または下方位置を通るように前記ロードロック室が設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記ロードロック室と前記処理室の間を前記搬送機構により搬送される前記基板が通る空間を形成する搬送室をさらに備え、
前記ロードロック室は、前記基板保持部の移動経路に沿った外壁に、内部を前記搬送室から仕切るハッチバルブを備えるとともに、
前記ハッチバルブの開動作に連動して、前記ロードロック室の上方または下方における前記基板保持部との基板受け渡し位置に移動する基板載置手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記処理室は、前記基板保持部の移動軌跡が通る外壁に、内部を前記搬送室から仕切るゲートバルブを備えるとともに、
前記処理室の内部空間における前記基板保持部との基板受け渡し位置に移動する基板載置手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記搬送アームは、前記基板保持部に平行な面での回転運動のみを行うことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記ロードロック室としてロード室とアンロード室を備えており、該ロード室と該アンロード室が前記基板保持部の移動経路を挟むように垂直に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記ロードロック室としてロード室とアンロード室を備えており、該ロード室と該アンロード室が前記基板保持部の移動経路に沿って水平に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記処理室は前記基板保持部の移動経路の両端にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記搬送アームの先端に２つの前記基板保持部が前記搬送アームを挟むように水平に配置されていることを請求項１から７のいずれかに記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造において基板等の処理対象を搬送するときに必要な搬送機構及びこれを使用する真空処理装置に関する。尚、ここで言う真空処理装置とは、ある領域を大気圧以下に維持しさらにその圧力状態で対象物に処理を施す装置をさす。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体製造装置は、基板への表面処理を行う真空処理室と、処理された基板を搬送するための空間を形成する真空搬送室と、これらの部屋の真空状態を維持しつつ装置外部との間で基板の出し入れを可能にするロードロック室とを備えている。ロードロック室は例えばロード室やアンロード室として使用される。そして、処理室と搬送室あるいはロードロック室との間で基板を搬送する機構と仕切弁で各室を隔離する機構が、各室の内部を大気などから隔離し、人手を介さず基板を送る機構として多用されている。
【０００３】
特に、ガス処理装置やプラズマ処理装置等の真空処理装置では、真空処理室でデポジションガスやエッチングガスやスパッタガスを使うため、処理ガス及び処理後のガスが真空処理室以外にも流れ出しこれが付着して汚染を引き起こすことが考えられる。さらには、真空処理室以外からの不純ガスが真空処理室に流れ込み、デポジションやエッチングやスパッタに悪影響を起こすことも考えられる。そのため、これらのことを防ぐ手段として、ロードロック室や仕切弁や搬送機構がよく用いられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平０６−７０４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような仕切弁、搬送機構、ロードロック室等を備える半導体製造装置は部屋数が多いため、別の部屋に移動させるための搬送機構が複雑な動作を行う必要があった。具体的には、基板を保持したアームを移動するための回転（又は直線移動）運動、基板を各部屋の基板載置手段に送り込むための前後運動（屈伸運動）、送り込んだ基板を各部屋の基板載置手段に乗せるための上下運動などを行う必要があった。
【０００５】
このような装置では、搬送機構の動作が複雑になるので、処理時間に対して搬送機構の動作時間が占める割合が無視できない。また搬送機構の構造も複雑になる。さらに、その動作回数にほぼ比例して、また部品点数にほぼ比例して故障が起るため、装置の故障箇所の中で搬送機構が大きな割合を占めると言う問題があった。また、基板を基板載置手段に送り込む屈伸運動のためのアームが長くなり、モーメントも大きくなる。従って、それに耐えるようアームや回転機構が大きく太くなり、重量が増えてますます故障しやすくなるだけでなく、アームの長さが影響して装置の小型化が困難になるといった問題がある。
【０００６】
本発明はこのような問題点を改善するためになされたものであり、構造を簡素化し、動作も単純化でき、故障し難い搬送機構、及びこれを用いる真空処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の真空処理装置は、処理室と、ロードロック室と、前記処理室と前記ロードロック室の間で基板を搬送するための搬送機構とを備えた装置である。この真空処理装置において、搬送機構が、基板を保持する基板保持部と該基板保持部を該基板保持部に平行な面内でのみ移動させる搬送アームを有する。そして、この搬送アームによる基板保持部の移動経路の端に処理室の内部空間が形成され、かつ、該基板保持部の移動経路がロードロック室の上方または下方位置を通るようにロードロック室が設けられていることを特徴とする。この構成によれば、搬送機構の搬送アームが基板受け渡しのために基板保持部に平行な面での動き以外の動き（例えば上下動作や伸縮動作）をする必要がなくなるので、搬送機構の構造が簡素化されると共に動作も単純になり故障し難くなる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、処理室とロードロック室間で基板を搬送する搬送機構の構造を簡素化し、動作も単純化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明するが、ここでは本発明に係る真空処理装置として、プラズマエッチング装置を例にとって説明する。尚、本発明は、スパッタ装置、プラズマＣＶＤ装置、アッシング装置等のプラズマ処理装置だけでなく、熱ＣＶＤ装置等のガス処理装置や、イオンインプランテーション装置、露光装置にも適用できる。
【００１０】
（第１の実施例）
図１は本発明の第１の実施例であるプラズマエッチング装置の全体構造を示す概観図で、図２は本実施例のプラズマエッチング装置の平面概略図である。尚、図１は、図２のＡ−Ａ矢視図になっている。
【００１１】
図１及び図２に示されるプラズマエッチング装置は、基板４に表面処理を施すときの部屋を形成する処理室１を有する。さらに本装置は、処理室１における処理前と処理後に基板４が通る部屋を形成する搬送室２０と、搬送室２０と装置外部とで基板４の出し入れを行う部屋となるロードロック室３０とを有する。本例では処理室１が２つ設けられ、ロードロック室３０についてもロード室とアンロード室が用意されている。ロードロック室３０（ロード室３０Ａ，アンロード室３０Ｂ）は搬送室２０の内部に構成され、ロードロック室３０の内部は搬送室２０の側面の一部に設けられた開口部を介して装置外部に連通している。
【００１２】
処理室１には、基板４を載せ置く基板載置電極３と、この電極上の基板４を静電吸着する静電チャック５と、基板載置電極３と対向配置された対向電極２とが備えられている。さらに処理室１は、処理室内を真空排気する排気ポンプであるターボポンプ７を備える。基板載置電極３は処理室１の底部を構成する壁に絶縁体１０を介して固定され、かつ、ＨＦ帯の高周波電力を供給するための基板載置電極用電源１３に接続されている。一方、対向電極２は処理室１の天井部を構成する壁に絶縁体１０を介して固定され、かつ、ＶＨＦ帯の高周波電力を供給するための対向電極用電源１２に接続されている。また、対向電極２には、基板４全面の上空に処理ガスを供給する供給孔を有するガス板２ａが形成されている。この処理ガスは装置外に配置されたガス供給系８により供給可能となっている。
【００１３】
処理室１は、処理室１の側面の一部に設けられた開口部を介して搬送室２０に連絡しており、その開口部は仕切弁（ゲートバルブ）２１により開閉自在である。仕切弁２１は前記処理室１の連絡用開口部の周辺と気密に接するシール面を持つ。また、図２に示すように、仕切弁２１は処理室１の湾曲した外壁のシール面に沿った構造をしている。この様な湾曲した仕切弁の構造のほうが図２に示す様に搬送機構と接触せずに真空処理装置を小型化できる点で有利である。もっとも、仕切弁２１は通常の平らな構造であってもよい。
【００１４】
さらにロードロック室３０の、装置外部に連通する開口部には、仕切弁４１が設置されている。ロードロック室３０の天井部にはハッチバルブ４２が設けられており、ハッチバルブ４２の駆動軸４２ａを昇降操作することにより、ロードロック室３０の天井部を開閉することができる。さらに、ロードロック室３０の内部には、基板４の下面を支持するための複数の基板支持ピン３１からなる基板載置手段が駆動軸４２ａに連動するように設置されている。
【００１５】
本実施例の装置では、ロードロック室３０や処理室１の各々に搬送室２０内を通って基板４を搬送する搬送機構２２が備えられている。この搬送機構２２は、水平面上にて垂直軸２２ａを中心に回転移動する搬送アーム２２ｂと、搬送アーム２２ｂの先端に設けられた基板４を水平状態に載せる基板保持部であるフォーク２２ｃとを有する。搬送アーム２２ｂは基板保持部と平行な面でのみ動けばよい。そして、搬送アーム２２ｂの回転で処理室１とロードロック室３０の間を基板４が壁や機構部品等に干渉せずに移動できるように、処理室１（１ａ）、ロードロック室３０（ロード室３０Ａ，アンロード室３０Ｂ）、および搬送室２０の形状と配置が定められている。２つの処理室１、１ａは搬送アーム２２ｂの回転運動の両端（始端および終端）に配置され、この回転運動の中間にロードロック室３０が配置されている。更に言うと、搬送アーム２２ｂの回転運動によるフォーク２２ｃの円周軌跡（移動経路）の下側に、処理室１の基板載置電極３及び静電チャック５が配置され、かつ、ロードロック室３０のハッチバルブ４２及び基板支持ピン３１が配置されている。そのため、処理室１に対しては基板載置電極３の上方位置にフォーク２２ｃが来たときに基板４の受け渡しが可能となり、ロードロック室３０に対しては、ロードロック室３０の上方位置にフォーク２２ｃが来たときに基板４の受け渡しが可能である。
【００１６】
尚、処理室１は基板４に表面処理を施す部屋とし、もうひとつの処理室１ａは加熱室、プリエッチング室などのクリーニング室として使用する。
【００１７】
次に、上記のプラズマエッチング装置の動作について詳述する。尚、図２には処理室１，１ａやロードロック室３０Ａ，３０Ｂの部屋に搬送機構２２のフォーク２２ｃが配置される複数の状態を全部図示しているが、実際には、搬送機構２２のアーム２２ｂは一つでありフォーク２２ｃも一つである。
【００１８】
初めに仕切弁２１と仕切弁４１とハッチバルブ４２を閉じた状態で、処理室１と搬送室２０とロッドロック室３０（ロード室３０Ａ）の中をターボポンプ７と不図示の排気手段で真空引きしておく。その後、ロード室３０Ａを不図示のベント機構で大気にし、仕切弁４１を開け、不図示のローダー上の基板４を装置外部の不図示の搬送機構からロード室３０Ａの基板支持ピン３１の上に置き、仕切弁４１を締めて不図示の排気手段で排気する。
【００１９】
次に駆動軸４２ａを駆動して、ハッチバルブ４２と共にその下に設置された基板支持ピン３１上の基板４を上昇させ、搬送機構２２への基板受け渡し位置に基板支持ピン３１の中間位置が来るように基板４を基板受け渡し位置より少し上の位置に移動させる。
【００２０】
次に搬送機構２２の搬送アーム２２ｂを回転駆動してフォーク２２ｃを基板受け渡し位置に移動させる。そして、基板支持ピン３１を下げて基板４を搬送機構２２のフォーク２２ｃに乗せる。
【００２１】
その後、フォーク２２ｃに保持された基板４を搬送アーム２２ｃの回転でアンロード室３０Ｂの位置に移動させる。それから、ロード室３０Ａのハッチバルブ４２を閉じ、処理室１の仕切弁２１を開けて搬送機構２２の搬送アーム２２ｂを回転移動させ、基板載置電極３上空の所定位置に基板４を持っていく。そして、不図示の突き上げピン駆動機構で突き上げピン３１ｄ（図１では省略）を駆動して基板４をフォーク２２ｃから持ち上げて該突上げピンの上に基板４を乗せ替える。その後、何も乗せていない搬送機構２２の搬送アーム２２ｂを処理室１から退避させ、仕切弁２１を閉じる。
【００２２】
基板４が乗っている不図示の突上げピンを下げ、静電チャック５上に基板４を載置し、不図示の静電チャック電源から不図示の静電チャック電極に電位を与えて静電吸着する。
【００２３】
そして、ガス供給系８から対向電極２に処理ガスを送り処理室１の内部を一定圧力とする。その後、対向電極用電源１２からＶＨＦ帯（たとえば６０ＭＨｚ）の高周波電力を対向電極２に供給し、基板載置電極３に基板載置電極用電源１３からＨＦ帯（例えば１．６ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。そうすると、ＶＨＦ帯の高周波電力によって比較的高密度のプラズマ及びエッチャントが生成され、ＨＦ帯の高周波電力によってイオン衝撃エネルギがプラズマ密度とは独立に制御されて、目的とするエッチング処理が実行される。
【００２４】
エッチング処理が終了したら、処理済み基板をアンロード室３０Ｂを通して不図示のローダーに戻す。この手順は基本的には、ロード室３０Ａから処理室１への搬送と逆の動作を実施すれば良い。
【００２５】
本実施例の搬送機構２２はアーム２２ｂの回転運動のみで上下運動や伸縮運動を行わないように構成されている。これにより、搬送機構が上下運動や伸縮運動のための機構を省き簡素化できるため、故障が少なくなると言う利点がある。尚、上下動作機構と伸縮動作機構のうちの伸縮動作機構を省略するだけでも本発明の効果を得られるので、本実施例の搬送機構２２に上下動作機構を設け、フォーク２２ｃを上下動させる事により基板４の移載を行うようにしてもよい。
【００２６】
以上説明した本実施例では、ハッチバルブ４２に機械的に連動するよう設けられた基板支持ピン３１上に基板４を置いている。そのため、ハッチバルブ４２を開く１回の開動作で、基板４を基板受け渡し位置に移動でき、その結果ロードロック室３０での基板受け渡し機構を省略できる。
【００２７】
搬送機構２２と基板支持ピン３１や突上げピン３１ｄの位置関係は、本願発明を実施する上で、仕切弁２１の構造とともに重要であるので、引き続き図２を中心に、図１も参考にしながら説明する。
【００２８】
処理室１ではフォーク２２ｃが、図２に示される状態から反時計回りに動かない。そこでフォーク２２ｃの形状に基づき、搬送機構２２が処理室１の基板載置電極３への基板受け渡し位置と搬送室２０との間を往復移動するときに突上げピン３１ｄがフォーク２２ｃや搬送アーム２２ｂと衝突しないように、突き上げピン３１ｄを配置する。具体的には、図３（ａ）に陰影で示された部分を避けるように突上げピン３１ｄを配置すればよい。陰影部Ｂはフォーク２２ｃが走査される領域で、陰影部Ｃは、搬送アーム２２ｂが走査される領域である。一方、他の処理室１ａでは図３（ｃ）に示すように突上げピン３１ｄが配置される。もちろん、突き上げピン３１ｄの配置可能領域は、フォーク２２ｃや搬送アーム２２ｂの形状により変化する。本実施例ではフォーク２２ｃの外周部の一部に、へこみ部２３を設けたがこれを無くすことも出来る。その場合の処理室１ａでの突上げピン３１ｄの配置は、図３（ｂ）に示すような配置になる。
【００２９】
また図２に示される装置構成のように、ロード室３０Ａの位置で基板４の移載を行うときにアンロード室３０Ｂの位置からロード室３０Ａの位置にフォーク２２ｃが進入し、基板受け取り後アンロード室３０Ｂの位置へ退避できることが好ましい。さらには、アンロード室３０Ｂの位置で基板４の移載を行うときにロード室３０Ａの位置からアンロード室３０Ｂの位置にフォーク２２ｃが進入し、基板受け渡し後ロード室３０Ａの位置へ退避できることが好ましい。こうした構成でないと、処理室１または１ａの仕切弁２１とロード室３０Ａまたは３０Ｂのハッチバルブ４２とが同時に開くことになり、処理室１または１ａに不純ガスが流れ込むからである。
【００３０】
このような構成では、図２に示すようにロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂを並べると、アンロード室３０Ｂの基板支持ピン３１の配置は処理室１の突上げピン３１ｄの配置と同じになる。さらにロード室３０Ａの基板支持ピン３１の配置は、処理室１ａの突上げピン３１ｄの配置と同じになる。もちろん、このピン配置は、フォーク２２ｃの移動の仕方により決まる。したがって、図２に示されるロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂの位置を逆にした場合、ロード室３０Ａでの基板支持ピン３１の配置は処理室１の突上げピン３１ｄの位置に対応することになる。そして、アンロード室３０Ｂでは処理室１ａの突上げピン３１ｄの配置位置に相当する場所に基板支持ピン３１が位置することとなる。
【００３１】
（第２の実施例）
図４は本発明の第２の実施例を示す装置平面概略図、図５は第２の実施例のロード室とアンロード室を示す正面概略図である。ここでは図４及び図５に基づいて第２の実施例を説明するが、第１の実施例と同じの構成要素については同一符号を用いることで、その説明は割愛する。尚、図４には処理室１，１ａやロードロック室３０の部屋に搬送機構２２のフォーク２２ｃが配置される複数の状態を全部図示しているが、実際には、搬送機構２２のアーム２２ｂは一つでありフォーク２２ｃも一つである。
【００３２】
本実施例の装置では、第１の実施例（図２）において搬送室２０内に水平に並べられていた２つのロードロック室３０（すなわちロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂ）が、図５に示すようにフォーク２２ｃの移動軌跡を挟むように垂直（上下）に配置されている。図５ではアンロード室３０Ｂの上側にロード室３０Ａを配置する構造を示したが、その配置は逆でもよい。ロード室３０Ａ及びアンロード室３０Ｂの構造について第１の実施例と同様であり、ハッチバルブ４２とその駆動軸４２ｓと、駆動軸４２ａに連動するように設けられた、基板４の下面を支持する複数の基板支持ピン３１などが備えられている。但し、上下に配置された２つのロードロック室３０のうちの、上側に配置されたロードロック室３０（本例ではロード室３０Ａ）についてはその下方位置にフォーク２２ｃが来たときに基板４の受け渡しが可能である。そのため、ロード室３０Ａの底部にハッチバルブ４２が設けられており、ハッチバルブ４２の駆動軸４２ａを昇降操作することにより、ロード室３０Ａの底部を開閉することができる。さらに、ロード室３０Ａのハッチバルブ４２の内側面に、基板４の下面を支持するための複数の基板支持ピン３１からなる基板載置手段が駆動軸４２ａに連動するように設置されている。
【００３３】
図４に示される装置構成では、ハッチバルブ４２や基板支持ピン３１を駆動するときフォーク２２ｃを退避させる場所が搬送室２０に設けられていない。そのため、処理室１または１ａの仕切弁２１を開いてフォーク２２ｃをロード室３０またはアンロード室３０ａの位置から動かす必要がある。この結果仕切弁４１とハッチバルブ４２が同時に開いている状態が発生するが、この構成の場合、装置の設置面積が小さくて済むという利点がある。特に、本実施例のようなロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂを１つのロードロック室３０で兼用すれば、装置も簡素化できる。この場合、基板支持ピン３１については、処理室１側からフォーク２２ｃが接近する第１の操作方向Ｘと、別の処理室１ａ側からフォーク２２ｃが接近する第２の操作方向Ｙとで、基板支持ピン３１の高さ位置を変える必要がある。
【００３４】
図４（ａ）（ｂ）に示されるロードロック室３０の共通ピン３１ａは第１の操作方向Ｘと第２の操作方向Ｙのどちらにも共用できる基板支持ピンである。第１ピン３１ｂは、処理室１からロードロック室３０の位置へフォーク２２ｃを移動するとき、さらにはロードロック室３０の位置から処理室１へ該フォーク２２ｃを移動するときに使用する基板支持ピンである。第２ピン３１ｃは、処理室１ａからロードロック室３０の位置へフォーク２２ｃを移動するとき、さらにはロードロック室３０の位置から処理室１ａへ該フォーク２２ｃを移動するときに使用する基板支持ピンである。第１ピン３１ｂを使う場合、第２ピン３１ｃはフォーク２２ｃが干渉しないよう、図示しない駆動機構で下げておく必要がある。第２ピン３１ｃを使う場合は第１ピン３１ｂを下げておかなければ、該フォーク２２ｃが衝突する。尚、図４（ａ）は第１の操作方向Ｘにフォーク２２ｃを移動させるときのピンの状態を示している。また図４（ｂ）は第２の操作方向Ｙにフォーク２２ｃを移動させるときのピンの状態を示している。これらの図中に白抜きで示されているピンは、フォーク２２ｃと干渉しないように下げられている状態のピンである。
【００３５】
（第３の実施例）
図６及び図７は本発明の第３の実施例であるプラズマエッチング装置の平面概略図、図８は第３の実施例においてロードロック室を上下に配置したときの装置平面概略図である。ここでは図６から図８に基づいて第３の実施例を説明するが、第１の実施例と同じの構成要素については同一符号を用いることで、その説明は割愛する。尚、図７では図６に示すような搬送室２０の外壁は図示していない。また、各図には処理室１とロードロック室３０Ａ，３０Ｂの部屋に搬送機構２２のフォーク２２ｃが配置される複数の状態を一緒に図示しているが、実際には、搬送機構２２の搬送アーム２２ｂは一つ備えられているだけである。
【００３６】
本実施例では、搬送アーム２２ｂの先端にブリッジ２２ｄが設けられ、ブリッジ２２ｄの両端部にそれぞれフォーク２２ｃ−１と２２ｃ−２が設置されている。つまり、２つのフォーク２２ｃ−１と２２ｃ−２が搬送アーム２２ｂの先端側にて該アームの左右両側に配置されている。そして、第１のフォーク２２ｃ−１に乗せられた基板４のみが搬送機構２２の回転運動により第１の処理室１に搬送され、第２のフォーク２２ｃ−２に乗せられた基板４のみが搬送機構２２の回転運動により第２の処理室１ａに搬送される構成である。
【００３７】
このように構成すると、搬送アーム２２ｂをその根本部分（アーム２２ｂの回転軸２２ａ側の部分）まで処理室１または処理室１ａ内に進入させなくて済むので、仕切弁２１の大きさを小さく出来る。
【００３８】
図６に示す装置例では搬送アーム２２ｂが処理室１または処理室１ａ内に進入されない構成になっている。この場合は、仕切弁２１の大きさは基板４の大きさよりわずかに大きいだけで済む。但し、搬送室２０を含む装置全体の面積は第１の実施例よりも大きくなる。一方、図７に示す装置例では、搬送アーム２２ｂの先端部分が処理室１または処理室１ａ内に進入する構成になっている。この場合、図６の装置の搬送機構のブリッジ２２ｄを短くすることができるため装置全体の大きさは小さくなる。但し、仕切弁２１の大きさは第１の実施例よりは小さいが、図６の装置例よりは大きくなる。
【００３９】
これらの装置は、第１のフォーク２２ｃ−１に乗せられた基板４が第１の処理室１に搬送されたとき、第２のフォーク２２ｃ−２に乗せられた基板４はアンローダ室３０Ｂを出て搬送室２０内に配置される構成である。そして、第２のフォーク２２ｃ−２に乗せられた基板４が第２の処理室１ｃに搬送されたとき、第１のフォーク２２ｃ−１に乗せられた基板４はロード室３０Ａを出て搬送室２０内に配置される構成である。したがって、処理室１または１ａの仕切弁２１とロード室３０Ａやアンロード室３０Ｂのハッチバルブ４２を同時にあける必要はない。
【００４０】
さらに、図６及び図７に示す装置例では、フォーク２２ｃ−１とフォーク２２ｃ−２の間隔と同じ間隔でロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂが設けられている。そのため、各々のフォーク２２ｃ−１，２２ｃ−２で基板のロードとアンロードを同時に行える。また、ロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂとをこの間にスペースを空けずに近づければ、装置を小型化できる。処理室１または１ａの仕切弁２１とロード室３０Ａやアンロード室３０Ｂのハッチバルブ４２を同時にあけてもよい場合には、もっと小型化できる。
【００４１】
図８はこの第３の実施例の別の態様として、ロード室とアンロード室を上下に配置した場合を示す。但し、この図にはフォーク２２ｃ−１，２２ｃ−２は省略してある。図６及び図７に示す装置例では２つのロードロック室３０（すなわちロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂ）が搬送室２０内にて水平に並べられていたが、図８の装置例ではそのロード室３０Ａとアンロード室３０Ｂが垂直（上下）に配置されている。このように構成すれば、処理室１または１ａの仕切弁２１とロード室３０Ａやアンロード室３０Ｂのハッチバルブ４２を同時にあけずに搬送可能な小型装置を構成できる。
【００４２】
以上のように本発明の実施例をいくつか挙げて説明したが、何れの実施例においても、２つの処理室（１，１ａ）の内部空間は搬送レベルにあり、各処理室内の電極（２，３）を上下させる必要はない。また、二つの処理室をそれぞれ搬送機構（２２）の搬送アームの回転運動の端に配置し、ロード室（３０Ａ）、アンロード室（３０Ｂ）をその回転運動の中間位置ではあるが搬送レベルから上下に外れた位置に配置している。このため、他の部屋が基板受け渡しを行わないとき、即ちゲートバルブ（２１）またはハッチバルブ（４２）が閉じた状態で搬送機構（２２）は処理中の任意の部屋にアクセスできる。
【００４３】
何れの場合も、ハッチバルブ動作（ハッチバルブ４２の開閉）で基板受け渡し動作（基板支持ピン３１の昇降による基板受け渡し）をも兼ねる構造とした。しかし、基板受け渡し動作の機構を別に独立して設ければ、ハッチバルブ開閉動作に伴う振動は基板に伝わらず、基板を確実に搬送機構に受け渡すことが出来る。
【００４４】
尚、以上の実施例ではプラズマエッチング装置について述べた。しかし本発明の構成をスパッタ装置、プラズマＣＶＤ装置、アッシング装置等のプラズマ処理装置だけでなく、熱ＣＶＤ装置等のガス処理装置や、イオンインプランテーション装置、露光装置に用いても同じ効果が得られるのは明らかである。すなわち、本発明によれば、回転運動だけで上下運動やアームの屈伸運動が無い簡素な搬送機構が実現でき、コストは勿論、故障の確率を減らすことが出来る。さらに、装置全体の大きさが大幅に小さくなりクリーンルームの面積を減少でき、故障の減少とあいまって全ランニングコストを下げることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施例であるプラズマエッチング装置の全体構造を示す概観図である。
【図２】第１の実施例のプラズマエッチング装置の平面概略図である。
【図３】図２に示した搬送機構のフォークと突き上げピンまたは基板支持ピンとの位置関係を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施例であるプラズマエッチング装置の平面概略図である。
【図５】第２の実施例のロード室とアンロード室を示す正面概略図である。
【図６】本発明の第３の実施例であるプラズマエッチング装置の平面概略図である。
【図７】本発明の第３の実施例であるプラズマエッチング装置の平面概略図である。
【図８】第３の実施例においてロードロック室を上下に配置したときの装置平面概略図である。
【符号の説明】
【００４６】
１、１ａ    処理室
２    対向電極
２ａ    ガス板
３    基板載置電極
４    基板
５    静電チャック
７    排気ポンプ
８    ガス供給系
１０    絶縁体
１２    対向電極用電源
１３    基板載置電極用電源
２０    搬送室
２１    仕切弁
２２    搬送機構
２２ａ    垂直軸
２２ｂ    搬送アーム
２２ｃ    フォーク
２２ｄ    ブリッジ
３０    ロードロック室
３０Ａ    ロード室
３０Ｂ    アンロード室
３１    基板支持ピン
３１ａ    共通ピン
３１ｂ    第１ピン
３１ｃ    第２ピン
３１ｄ    突上げピン
４１    仕切弁（ゲートバルブ）
４２    ハッチバルブ
４２ａ    駆動軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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