(57)【要約】【課題】しわの発生をできるだけ抑制し、電磁波吸収特性が劣化しにくい電磁波吸収体を提供する。【解決手段】開口部を有する枠部と、開口部を覆うように枠部上に設けられ、到来した電磁波の一部を反射すると共に他の一部を透過する第１の積層体と、開口部を覆うように枠部上に設けられ、第１の積層体を透過した電磁波を反射する第２の積層体と、第１及び第２の積層体の第１の端部を保持する第１の保持部と、第１及び第２の積層体の第２の端部を保持する第２の保持部と、第１及び第２の積層体の第３の端部を保持する第３の保持部と、第１及び第２の積層体の第４の端部とを保持する第４の保持部と、枠部と第１の保持部との間に設けられる第１の弾性体と、枠部と第２の保持部との間に設けられる第２の弾性体と、枠部と第３の保持部との間に設けられる第３の弾性体と、枠部と第４の保持部との間に設けられる第４の弾性体とを備える。【選択図】  図１
2009302331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１中央領域及び前記第１中央領域を取り囲む第１周辺領域を有する第１面と第２中央領域及び前記第２中央領域を取り囲む第２周辺領域を有しかつ前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面の前記第１中央領域から前記第２面の前記第２中央領域を貫通する開口部を有する枠部と、
第１、第２、第３及び第４の端部を有し、前記枠部の前記開口部を覆うように前記第１面上に設けられ、到来した電磁波の一部を反射すると共に他の一部を透過する第１の積層体と、
第１、第２、第３及び第４の端部を有し、前記枠部の前記開口部を覆うように前記第２面上に設けられ、前記第１の積層体を透過した前記電磁波を反射する第２の積層体と、
前記第１の積層体の前記第１の端部と前記第２の積層体の第１の端部とを保持する第１の保持部と、
前記第１の積層体の前記第２の端部と前記第２の積層体の第２の端部とを保持する第２の保持部と、
前記第１の積層体の前記第３の端部と前記第２の積層体の第３の端部とを保持する第３の保持部と、
前記第１の積層体の前記第４の端部と前記第２の積層体の第４の端部とを保持する第４の保持部と、
前記枠部と前記第１の保持部との間に設けられる第１の弾性体と、
前記枠部と前記第２の保持部との間に設けられる第２の弾性体と、
前記枠部と前記第３の保持部との間に設けられる第３の弾性体と、
前記枠部と前記第４の保持部との間に設けられる第４の弾性体と、を備えた電磁波吸収体。
【請求項２】
前記第１〜第４の弾性体は前記枠部から離れる方向に伸びることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。
【請求項３】
前記第１〜第４の弾性体は前記枠部に近づくように縮むことを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。
【請求項４】
前記第１及び第２の積層体は矩形であり、前記第１〜第４の端部は前記矩形の角部であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電磁波吸収体。
【請求項５】
前記第１または第２の積層体は、透明高分子基体と、前記透明高分子基体上に設けられる複数の金属酸化物層とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電磁波吸収体。
【請求項６】
前記第１または第２の積層体は、透明高分子基体と、前記透明高分子基体上に設けられる導電性金属膜とを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電磁波吸収体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波を吸収する電磁波吸収体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波吸収体は、隣接して設けられた電子機器の電磁波の影響を受けないように、電子機器間に設けられる。そして、電磁波吸収体は、透明で移動し易いものが望まれている。
【０００３】
特許文献１は、ＰＥＴ製等のフィルムを基材とする抵抗膜を用いて、透明で移動し易い電磁波吸収体を開示している。ここで、特許文献１は、抵抗膜の上端縁を第１上フレームに、抵抗膜の下端縁を第１下フレームに接着し固定をしている。一方、抵抗膜の左右端縁は、それぞれ磁力によって、第１縦若しくは第２縦フレームに着脱自在に取着されている。そして、特許文献１は、抵抗膜にしわがよらないように、第１上フレームを上方向に、第１下フレームを下方向に引っ張ると共に、第１及び第２の縦フレームの復元力を利用して、抵抗膜を張っている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１は抵抗膜の上下辺を接着固定している。そのため、使用しているうちに湿気を吸収し、固定した部分からしわ・たわみが発生する場合がある。特にλ／４型の電磁波吸収体においては、これらのしわ・たわみのために、２枚の抵抗膜間の距離が変動し、電磁波吸収の特性が劣化するという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の電磁波吸収体は、第１中央領域及び第１中央領域を取り囲む第１周辺領域を有する第１面と第２中央領域及び第２中央領域を取り囲む第２周辺領域を有しかつ第１面に対向する第２面とを有し、第１面の第１中央領域から第２面の第２中央領域を貫通する開口部を有する枠部と、第１、第２、第３及び第４の端部を有し、枠部の開口部を覆うように第１面上に設けられ、到来した電磁波の一部を反射すると共に他の一部を透過する第１の積層体と、第１、第２、第３及び第４の端部を有し、枠部の開口部を覆うように第２面上に設けられ、第１の積層体を透過した電磁波を反射する第２の積層体と、第１の積層体の第１の端部と第２の積層体の第１の端部とを保持する第１の保持部と、第１の積層体の第２の端部と第２の積層体の第２の端部とを保持する第２の保持部と、第１の積層体の第３の端部と第２の積層体の第３の端部とを保持する第３の保持部と、第１の積層体の第４の端部と第２の積層体の第４の端部とを保持する第４の保持部と、枠部と第１の保持部との間に設けられる第１の弾性体と、枠部と第２の保持部との間に設けられる第２の弾性体と、枠部と第３の保持部との間に設けられる第３の弾性体と、枠部と第４の保持部との間に設けられる第４の弾性体とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、しわの発生をできるだけ抑制し、電磁波吸収特性が劣化しにくい電磁波吸収体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を用いて、本発明の電磁波吸収体について説明する。
【０００９】
＜第１の実施の形態＞
以下、図面を用いて、本発明の第１の実施の形態の電磁波吸収体を説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。図２は、図１の電磁波吸収体をＡ方向からみた側面図である。図３は、図１の電磁波吸収体をＸ−Ｘ線で切断し、Ａ方向からみた側面図である。図４は、図１の電磁波吸収体の一部Ｂを拡大した部分平面図である。
【００１０】
本発明の第１の実施の形態の電磁波吸収体は、図１に示されるように、抵抗層１００と、反射層１１０と、枠部１２０と、保持部１３０と、弾性部１４０とを備える。
【００１１】
＜抵抗層１００＞
以下、図面を用いて、抵抗層１００の構成を説明する。図５は、抵抗層１００の構成を示す部分断面図である。抵抗層１００は、基材５００と、基材５００上に複数形成される透明導電膜５１０とを備える。
【００１２】
＜基材５００＞
基材５００は、透明基体が好ましい。本発明における「透明」とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味し、その透過率は５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。
【００１３】
透明基体の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。
【００１４】
基体の厚さとしては、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、０．０８〜５ｍｍであることがより好ましい。基体の材質がガラスである場合には、好ましい厚さは０．１〜１０ｍｍであり、より好ましい厚さは０．２〜５ｍｍである。基体の材質がプラスチックである場合には、好ましい厚さは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましい厚さは０．０５〜１ｍｍである。
【００１５】
＜透明導電膜５１０＞
［模様］
透明導電膜５１０には、到来する電磁波を遮断及び透過するため、所定のシート抵抗の模様が周期的に形成されている。模様は、特には限定されないが、電磁波とのリアクティブな作用により電磁波の位相を制御するとともに、抵抗での損失により電磁エネルギーを吸収するものであればどのようなものでも良い。透明導電膜５１０の抵抗は、全面抵抗層である場合、電磁波の空間インピーダンスである３７７Ω／□が好ましい。透明導電膜５１０が周波数選択膜（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ）である場合は、その周波数選択膜の模様により決定されるものであるが、おおよそ１０〜２００Ω／□が好ましい
代表的な模様としては、図６（ａ）に示されるようなパッチ型素子、図６（ｂ）に示されるようなループ型素子、図６（ｃ）に示されるようなパッチ素子が装架されたループ素子がある。
【００１６】
また、多極素子として、図７（ａ）に示されるようなダイポール型、トライポール型、クロス型がある。また、多極素子の変形として、図７（ｂ）に示されるような容量装架型や、図７（ｃ）に示されるような多極ループ型がある。
【００１７】
基本セルの配置方法としては、図８に示されるような正方格子や立方格子、細密充填などが、適宜採用できる。また、基本素子と組み合わせる素子としては、図９（ａ）に示されるような基本素子のサイズや向きを若干変えた摂動素子や、図９（ｂ）に示されるような無給電素子、あるいは寄生素子などが採用できる。また、図９（ｃ）に示されるような、クロスと方形パッチの組み合わせや、トライポールとループとの組み合わせなど、上記の素子を複数組み合わせる事でも良い。さらに、上記のような形状的な分類が不可能なパターンであっても良い。このようなパターンを得る新しい設計手法として、遺伝的アルゴリズム法、Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｗａｒｍ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ法、Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ  Ａｎｎｅａｌ法、がある。
【００１８】
［構成］
透明導電膜５１０の構成は、要求される抵抗値や透過率に応じて材料を変化させることができる。例えば、要求される抵抗が１０Ω／□未満の場合は、（ｎ＋１）層の酸化物層５１１とｎ層の金属層５１２とが交互に積層された多層構造（ｎは１以上の整数）とすることが好ましい。また、要求される抵抗が５０Ω／□以上の場合は、酸化物透明導電膜層とすることが好ましい。
【００１９】
酸化物層と金属層の多層構造の場合、基材５００に最も近い酸化物層と最も遠い酸化物層の物理的膜厚（以下、単に膜厚と称する）は、それらの間に位置する酸化物層の膜厚に比べて薄い。基材に最も近い酸化物層及び最も遠い酸化物層の膜厚は、１０〜６０ｎｍが好ましく、２０〜６０ｎｍがより好ましく、３０〜５０ｎｍが特に好ましい。それらの間に位置するその他の酸化物層の膜厚は、４０〜１４０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍが特に好ましい。なお、基材に最も近い酸化物層と最も遠い酸化物層との間に位置する酸化物層は、単層若しくは２層以上の複数層により構成されても良い。
【００２０】
酸化物層は、金属酸化物を含有する層である。酸化物層は、屈折率が１．５５〜２．５であることが好ましく、１．８〜２．５がより好ましく、１．９〜２．５が特に好ましい。屈折率をこの範囲とすることにより、金属層との干渉効果で可視光の透過率を高くできる。屈折率とは、波長５５５ｎｍにおける屈折率を意味する。屈折率が１．５５〜２．５である金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ等を主成分とする金属酸化物が挙げられる。これらのうち、金属層との相性がよく、耐久性を高めることができる点から、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブが好ましい。
【００２１】
酸化物層としては、スズ、アルミニウム、クロム、チタン、ケイ素、ホウ素、マグネシウム及びガリウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有する酸化亜鉛からなる層が好ましく、アルミニウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＡＺＯと記す。）またはガリウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＧＺＯと記す。）またはチタンを含有する酸化亜鉛（以下、ＳＺＯと記す。）を主成分として含有する層が特に好ましい。
【００２２】
酸化物層は、酸化物換算でＡｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３またはＴｉＯ２とＺｎＯとを合計で９０質量％以上含有することが好ましく、９５質量％以上含有することがより好ましく、９９質量％以上含有することが特に好ましい。酸化物層におけるＡｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３またはＴｉＯ２とＺｎＯとの合計含有量が上述した範囲内であると、隣り合う金属層との密着性に優れ、耐湿性に優れる。
【００２３】
ＡＺＯにおけるアルミニウムの量は、アルミニウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。
【００２４】
ＧＺＯにおけるガリウムの量は、ガリウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。
【００２５】
ＴＺＯにおけるチタンの量は、チタンと亜鉛との総量に対して２〜２０原子％が好ましく、３〜１５原子％がより好ましい。
【００２６】
アルミニウム、ガリウム、チタンの量が上述した範囲内であると、酸化物層の内部応力を低減することができるため、割れが生じる可能性を小さくすることができる。また、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００２７】
酸化物層において、本発明における個々の酸化物層の構造は、一種類の酸化物からなる単層構造であってもよく、異なる種類の複数の酸化物が積層された積層構造であってもよい。本発明における酸化物層のうち１つ以上が、異なる種類の酸化物が積層された積層構造であることが好ましい。たとえば、１つの酸化物層を、ＡＺＯを主成分とする層のみからなる単層構成としてもよく、ＡＺＯを主成分とする層とＴＺＯを主成分とする層との積層構成としてもよい。
【００２８】
金属層は、導電膜の抵抗値を低くする観点からは、純銀からなる層であることが好ましい。純銀とは、金属層（１００質量％）中に銀を９９．９質量％以上含有することを意味する。
【００２９】
金属層は、１０Ω／□以上の膜を得るという観点、あるいは、銀の拡散を抑制し、結果として耐湿性を高くできる観点からは、金、パラジウム及びビスマスからなる群から選ばれる１種以上の他の金属を含有する銀合金からなる層が好ましい。他の金属の合計は、１〜２０．０質量％が好ましく、５〜１５質量％がより好ましい。
【００３０】
透明導電膜５１０中、すべての金属層の膜厚を合計した合計膜厚は、たとえば、得られる透明導電膜付きフィルムの表面抵抗の目標を３０Ω／□とした場合、０．５〜１０ｎｍが好ましく、１〜７ｎｍがより好ましく、表面抵抗の目標を１０Ω／□とした場合、５〜２０ｎｍが好ましく、５〜１５ｎｍがより好ましい。各金属層の膜厚は、合計膜厚を金属層の数で適宜配分する。
【００３１】
ここで、ｎは１ないし２であることが好ましい。要求される抵抗が５〜５０Ω／□であれば、ｎを１とすることで良好な抵抗を得ることができる。
【００３２】
一方、酸化物透明導電膜層の場合は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ等を主成分とする金属酸化物が挙げられる。また、基材との密着性を高めるために、基材と酸化物透明導電膜層との間に、密着層を導入しても良い。その場合、密着層の材料としては、酸化珪素、チッ化珪素、弗化マグネシウム、酸化マグネシウムなどがあげられる。密着層の膜厚としては、２〜３０ｎｍが好ましく、２〜２０ｎｍがより好ましく、３〜１５ｎｍがさらに好ましい。
【００３３】
酸化物透明導電膜の膜厚は、要求される抵抗と透過の値によって決まる。例えば、抵抗が８０Ω／□の場合、酸化物透明導電膜の膜厚は、１０〜１５０ｎｍが好ましく、３０〜１２０ｎｍがさらに好ましい。
【００３４】
［製法］
透明導電膜５１０は、たとえば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法または化学的気相成長法等を用いて作製される。品質、特性の安定性が良好であることから、スパッタ法が好ましい。スパッタ法としては、パルススパッタ法、ＡＣスパッタ法等が挙げられる。スパッタ法による透明導電膜の形成方法の一例として、たとえば、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含む方法が挙げられる。
【００３５】
（ｉ）：酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、金属酸化物を含むターゲットを用いてパルススパッタを行い、フィルム基材表面に酸化物層を形成する。
【００３６】
（ｉｉ）：アルゴンガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金のターゲットを用いてパルススパッタを行い、酸化物層表面に金属層を形成する。
【００３７】
（ｉｉｉ）：（ｉ）、（ｉｉ）の操作を繰り返し、最後に（ｉ）と同様の方法で酸化物層を形成することにより、多層構造の透明導電膜を形成する。
【００３８】
（ｉｖ）：図１０に示すように、（ｉｉｉ）により形成された透明導電膜の一部を基材が露出するまでレーザーを用いて取り除き、模様を形成する。基材がＰＥＴの場合は、ＰＥＴへの吸収が少ない１０００ｎｍ付近の波長であるレーザが好ましい。例えばＱスイッチＹＡＧレーザで加工するのが好ましい。
【００３９】
なお、抵抗層１００の最上層には、透明導電膜５１０を保護するために、保護層を形成しても良い。この場合、保護層としては、ポリエチレンテレフタレートシート（ＰＥＴシート）が好ましい。透明導電膜５１０上に保護層を形成する際、透明接着剤などを介して、透明導電膜５１０と保護層との間に空気が入らないようにすることが好ましい。空気が存在すると、電磁波の吸収特性を劣化させる可能性があるからである。
【００４０】
＜反射層１１０＞
以下、図面を用いて、反射層１１０の構成を説明する。図１１は、反射層１１０の構成を示す部分断面図である。反射層１１０は、基材１１００と、基材１１００上に形成される透明導電膜１１１０とを備える。ここで、反射層１１０の抵抗は、１０Ω／□以下であることが好ましく、５Ω／□以下がより好ましく、２Ω／□以下が特に好ましい。
【００４１】
＜基材１１００＞
基材１１００は、基材５００と同様に、透明基体が好ましい。本発明における「透明」とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味し、その透過率は５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。
【００４２】
透明基体の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。
【００４３】
基体の厚さとしては、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、０．０８〜５ｍｍであることがより好ましい。基体の材質がガラスである場合には、好ましい厚さは０．１〜１０ｍｍであり、より好ましい厚さは０．２〜５ｍｍである。基体の材質がプラスチックである場合には、好ましい厚さは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましい厚さは０．０５〜１ｍｍである。
【００４４】
＜透明導電膜１１１０＞
［構成］
透明導電膜１１１０は、銅、ニッケル、アルミニウムなどの金属格子や、透明導電膜５１０のような酸化物層と金属層との積層体である。
【００４５】
ここで、反射層の場合、要求される抵抗が３Ω以上１０Ω以下であり、かつ透明性を求められる場合、ｎは１ないし２であることが好ましい。要求される抵抗が２Ω以下であり、かつ透明性を求められる場合、３層が好ましい。また、ｎは８以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。金属層が８層以下であれば、導電膜の透明性を充分に確保できる。
【００４６】
［製法］
透明導電膜１１１０が金属格子である場合には、めっき法や、金属膜を積層した後にエッチングにより格子形状を形成する方法で作製される。
【００４７】
透明導電膜１１１０が透明導電膜５１０と同じ積層体である場合には、透明導電膜５１０の製法と同じであり、たとえば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法または化学的気相成長法等を用いて作製される。
【００４８】
＜枠部１２０＞
以下、図面を用いて、枠部１２０の構成を説明する。図１２は、枠部１２０の構成を示す斜視図である。図１３は、図１２の枠部をＣ方向からみた側面図である。
【００４９】
図１２に示されるように、枠部１２０は、上フレーム１２１０と、下フレーム１２２０と、縦フレーム１２３０、１２４０とを有する。そして、枠部１２０は、それらフレームの組み合わせにより、各フレームにより形成された開口部１２５０を有する。ここで、枠部１２０は、各フレームを組み合わせることにより、矩形の形状としていない。つまり、各フレームの端部同士を接続する構成とはしておらず、上フレーム１２１０及び下フレーム１２２０の端部が突出している形状となっている。
【００５０】
上記の開口部１２５０を他の言い方を用いて説明する。枠部１２０は、表面１２００ａと裏面１２００ｂとを有する。枠部１２０の表面１２００ａは、中央領域１２００ａ１と、中央領域１２００ａを取り囲む周辺領域１２００ａ２とを有する。同様に、枠部１２０の裏面１２００ｂは、中央領域１２００ｂ１と、中央領域１２００ｂを取り囲む周辺領域１２００ｂ２とを有する。そして、枠部１２０の表面１２００ａの中央領域１２００ａ１から裏面１２００ｂの中央領域１２００ｂ１に亘って、開口部１２５０が形成されている。
【００５１】
なお、上フレーム１２１０及び下フレーム１２２０の端部には、穴部１２６０が形成されている。この穴部１２６０は、抵抗層１００及び反射層１１０を軽く抑えるためのネジ穴として使用される。抵抗層１００と反射層１１０が可動可能な程度で軽く抑えられているので、抵抗層１００と反射層１１０の距離を一定に保持する役目も行っている。この穴部１２６０は、各フレームの端部に一つずつ構成されているが、複数形成されても良いことは言うまでもない。
【００５２】
枠部１２０の素材としては、電磁波吸収の特性に影響を与えないために、金属以外であれば良い。なお、たとえ金属であっても、電磁波吸収特性に影響を与えないものであれば良いことは言うまでもない。素材としては、軽量化やコストを考慮すると、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂などの樹脂が好ましい。樹脂の中でも、ＡＢＳ樹脂やＰＥＴ樹脂などは押し出し成型が可能でコスト的に好ましい。
【００５３】
＜保持部１３０＞
以下、図面を用いて、保持部１３０の構成を説明する。図１４は、保持部１３０の構成を示す斜視図である。
【００５４】
図１４に示されるように、保持部１３０は、六面体の直方体である。保持部１３０のある表面には、対向する裏面に向かって穴部１４００が形成されている。この穴部１４００は、抵抗層１００及び反射層１１０を抑えるためのネジ穴として使用される。これにより、抵抗層１００と反射層１１０とは、一定の距離で保持される。この穴部１４００は、各フレームの端部に二つずつ構成されているが、一つであっても三つ以上であっても良いことは言うまでもない。
【００５５】
保持部１３０の素材としては、枠部１２０と同様に、電磁波吸収の特性に影響を与えないものであれば良い。素材としては、軽量化やコストを考慮すると、アクリル樹脂やフェノール樹脂などの樹脂が好ましい。樹脂の中でも、アクリル樹脂がコスト的に好ましい。
【００５６】
ここで、保持部１３０は、抵抗層１００と反射層１１０とを引っ張るのに十分な程度に保持するものである。そのため、その形状は直方体に限定されず、立法体や円柱などであっても良い。
【００５７】
＜弾性部１４０＞
以下、図面を用いて、弾性部１４０の構成を説明する。
【００５８】
図４に示されるように、弾性部１４０は、復元力を利用するばねであり、圧縮ばねや引張りばねがある。材質としては、りん青銅・ベリリウム銅などの銅や、ゴムや、合成樹脂や、形状記憶合金などがある。電磁波吸収特性に影響を与えないためには、金属以外のばねが好ましいが、コストや性能を考慮して、金属のコイルばねを使用しても良い。抵抗層１００や反射層１１０の硬度に大きく依存するが、しわ、たわみの発生をできるだけ抑えるためには、ばね定数は、０．２〜２Ｎ／ｍｍが好ましく、０．４〜１Ｎ／ｍｍがより好ましい。
【００５９】
本発明の第１の実施の形態の電磁波吸収体によれば、抵抗層と反射層の端部が上下方向、左右方向に同時に引っ張られるので、しわ、たわみの発生が抑制され、環境温度・湿度の影響を受けることなく積層体間の距離は一定に保たれ、電磁波特性が劣化しにくい、という効果を奏する。
【００６０】
＜第２の実施の形態＞
以下、図面を用いて、本発明の第２の実施の形態の電磁波吸収体を説明する。図１５は、本発明の第２の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。図１６は、図１５の電磁波吸収体の一部Ｄを拡大した部分平面図である。なお、第１の実施の形態の電磁波吸収体と同一の構成については、同一の番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００６１】
本発明の第２の実施の形態の電磁波吸収体は、図１５に示されるように、抵抗層１００と、反射層１１０と、枠部１５００と、保持部１３０と、弾性部１４０とを備える。
【００６２】
＜枠部１５００＞
以下、図面を用いて、枠部１２０の構成を説明する。図１７は、枠部１５００の構成を示す斜視図である。図１７に示されるように、枠部１５００は、上フレーム１７００と、下フレーム１７１０と、縦フレーム１７２０、１７３０とを有する。そして、枠部１５００は、それらフレームの組み合わせにより、各フレームにより形成された開口部１７４０を有する。ここで、枠部１５００は、各フレームを組み合わせることにより、矩形の形状となっている。つまり、各フレームの端部同士を接続している。
【００６３】
上記の開口部１７４０を他の言い方を用いて説明する。枠部１５００は、表面１７００ａと裏面１７００ｂとを有する。枠部１５００の表面１７００ａは、中央領域１７００ａ１と、中央領域１７００ａを取り囲む周辺領域１７００ａ２とを有する。同様に、枠部１５００の裏面１７００ｂは、中央領域１７００ｂ１と、中央領域１７００ｂを取り囲む周辺領域１７００ｂ２とを有する。そして、枠部１５００の表面１７００ａの中央領域１７００ａ１から裏面１７００ｂの中央領域１７００ｂ１に亘って、開口部１７４０が形成されている。
【００６４】
なお、上フレーム１７００及び下フレーム１７１０の端部には、穴部１７５０が形成されている。この穴部１７０５は、抵抗層１００及び反射層１１０を軽く抑えるためのネジ穴として使用される。この穴部１７５０は、各フレームの端部に一つずつ構成されているが、複数形成されても良いことは言うまでもない。
【００６５】
枠部１７５０の素材は、枠部１２０と同じように、電磁波吸収の特性に影響を与えないために、金属以外であれば良い。なお、たとえ金属であっても、電磁波吸収特性に影響を与えないものであれば良いことは言うまでもない。素材としては、軽量化やコストを考慮すると、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂などの樹脂が好ましい。樹脂の中でも、ＡＢＳ樹脂やＰＥＴ樹脂などは押し出し成型が可能でコスト的に好ましい。
【００６６】
本発明の第２の実施の形態の電磁波吸収体によれば、第１の実施の形態の電磁波吸収体の効果を奏する。
【００６７】
＜第３の実施の形態＞
以下、図面を用いて、本発明の第３の実施の形態の電磁波吸収体を説明する。図１８は、本発明の第３の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。なお、第１または第２の実施の形態の電磁波吸収体と同一の構成については、同一の番号を付与し、重複した説明を省略する。
【００６８】
本発明の第３の実施の形態の電磁波吸収体は、図１８に示されるように、抵抗層１００と、反射層１１０と、枠部１８００と、保持部１３０と、弾性部１４０とを備える。
【００６９】
＜枠部１８００＞
第３の実施の形態の電磁波吸収体の枠部１８００は、第１及び第２の実施の形態の電磁波吸収体で用いられる枠部とは異なり、抵抗層１００と反射層１１０との間に位置するのではなく、それらの外側に設けられている。但し、枠部１８００の素材は、第１及び第２の実施の形態の電磁波吸収体の枠部と同じように、電磁波吸収の特性に影響を与えないために、金属以外であれば良い。なお、たとえ金属であっても、電磁波吸収特性に影響を与えないものであれば良いことは言うまでもない。素材としては、軽量化やコストを考慮すると、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂などの樹脂が好ましい。樹脂の中でも、ＡＢＳ樹脂やＰＥＴ樹脂などは押し出し成型が可能でコスト的に好ましい。
【００７０】
本発明の第３の実施の形態の電磁波吸収体によれば、第１の実施の形態の電磁波吸収体の効果を奏する。
【実施例】
【００７１】
第１の実施の形態の電磁波吸収体を作製した。
【００７２】
＜抵抗層＞
初めに、基材として、厚さ０．１ｍｍのＰＥＴフィルムを準備した。
【００７３】
次に、基体のＰＥＴフィルムの表面を洗浄するために、イオンビームによる乾式洗浄を行った。具体的には、アルゴンガスに約３０％の酸素を混合して、１００Ｗの電力を投入した。イオンビームソースによりイオン化されたアルゴンイオン及び酸素イオンを基体表面に照射した。
【００７４】
次に、乾式洗浄処理が施された基体表面に、硼素を１８０ｐｐｍ含有したシリコンターゲットを用いて、アルゴンガスに２８体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．２１Ｐａの圧力で、電力密度１．２Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ５ｎｍのシリカ膜を密着層として形成した。
【００７５】
次に、ＩＴＯターゲットを用いて、アルゴンガスに２体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．３２Ｐａの圧力で周波数３０ｋＨｚ、電力密度３．３Ｗ／ｃｍ２、反転パルス幅２μｓｅｃのパルススパッタを行い、厚さ８０ｎｍのＩＴＯ膜を酸化物透明導電膜層として形成した。
【００７６】
このようにして、基体１１００上に、密着層と酸化物透明導電膜層との積層体を得た。このようにして得られた電磁波吸収体のシート抵抗は８０［Ω／□］、視感透過率は７３％だった。
【００７７】
以上のように作製された抵抗層の透明導電膜について、レーザを用いて、図１９の模様を作製した。レーザ加工の線幅は、すべて１００μｍ±５μｍとした。狭い線間隔は５．１ｍｍとし、大きい線間隔は１４．１ｍｍとした。
【００７８】
その後、レーザ加工された透明導電膜と、保護層として厚さ０．５ｍｍ、横９００ｍｍ、縦９９０ｍｍのＰＥＴシートとを膜面が内側になるように透明接着剤を用いて貼りあわせ、抵抗層１００を作製した。抵抗層の４つの角部には保持部を取り付けるための穴を開け、４辺端部には枠部に取り付けるために１５０ｍｍ間隔で穴を開けた。
【００７９】
＜反射層＞
初めに、厚さ０．１ｍｍのＰＥＴフィルムを準備した。
【００８０】
まず、基体としてのＰＥＴフィルムの表面を洗浄するために、イオンビームによる乾式洗浄を行った。具体的には、まず、アルゴンガスに約３０％の酸素を混合して、２００Ｗの電力を投入した。イオンビームソースによりイオン化されたアルゴンイオン及び酸素イオンを基体表面に照射した。
【００８１】
次に、乾式洗浄処理が施された基体表面に、アルミナを５質量％ドープした酸化亜鉛ターゲットを用いて、アルゴンガスに３体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１Ｐａの圧力で、電力密度５．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛膜を形成した。次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに３体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１１Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２  のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。ここで、酸化亜鉛膜及び酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を合わせて、金属酸化物層を形成した。
【００８２】
次に、金を０．２５質量％ドープした銀合金ターゲットを用いてアルゴンガスを導入し、１．０Ｐａの圧力で電力密度１．１６Ｗ／ｃｍ２のＤＣスパッタを行い、厚さ１１ｎｍの金属層を形成した。
【００８３】
次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。次に、アルミナを５質量％ドープした酸化亜鉛ターゲットを用いて、アルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で、電力密度５．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ４０ｎｍの酸化亜鉛膜を形成した。次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに３体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１１Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。ここで、酸化亜鉛・酸化チタン混合膜と酸化亜鉛膜と酸化亜鉛・酸化チタン混合膜とを合わせて、金属酸化物層を形成した。
【００８４】
次に、金を０．２５質量％ドープした銀合金ターゲットを用いてアルゴンガスを導入し、１．０Ｐａの圧力で電力密度１．３４Ｗ／ｃｍ２のＤＣスパッタを行い、厚さ１５ｎｍの金属層を形成した。
【００８５】
次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。次に、アルミナを５質量％ドープした酸化亜鉛ターゲットを用いて、アルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で、電力密度５．３Ｗ／ｃｍ２のＡＣスパッタを行い、厚さ４０ｎｍの酸化亜鉛膜を形成した。次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに３体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１１Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２  のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。ここで、酸化亜鉛・酸化チタン混合膜と酸化亜鉛膜と酸化亜鉛・酸化チタン混合膜とを合わせて、金属酸化物層を形成した。
【００８６】
次に、金を０．２５質量％ドープした銀合金ターゲットを用いてアルゴンガスを導入し、１．０Ｐａの圧力で電力密度１．１６Ｗ／ｃｍ２のＤＣスパッタを行い、厚さ１１ｎｍの金属層を形成した。
【００８７】
次に、酸化亜鉛及び酸化チタン混合ターゲット［酸化亜鉛：酸化チタン＝９０：１０（質量比）］を用いてアルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で、電力密度６．３Ｗ／ｃｍ２  のＡＣスパッタを行い、厚さ２０ｎｍの酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を形成した。次に、アルミナを５質量％ドープした酸化亜鉛ターゲットを用いて、アルゴンガスに４．５体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で電力密度５．３Ｗ／ｃｍ２  のＡＣスパッタを行い、厚さ１５ｎｍの酸化亜鉛膜を形成した。ここで、酸化亜鉛膜及び酸化亜鉛・酸化チタン混合膜を合わせて、金属酸化物層を形成した。
【００８８】
次に、最上の金属酸化物層上に、酸化ガリウムと酸化インジウムをドープした酸化錫ターゲット［酸化インジウム：酸化ガリウム：酸化スズ＝５：４：９１（質量比）］を用いて、アルゴンに７体積％の酸素ガスを混合して導入し、０．１５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、電力密度２．５Ｗ／ｃｍ２  、反転パルス幅４μｓｅｃのパルススパッタを行い、保護膜である厚さ５ｎｍのＧＩＴ膜を形成した。
【００８９】
このようにして、基体１１上に、チタン・アルミと酸化亜鉛とを主成分として含有する金属酸化物層と、金−銀合金からなる金属層とが交互に積層された導電性積層体であって、金属酸化物層が４層、金属層が３層のものを得た。
【００９０】
この導電積層体のシート抵抗は１．８［Ω／□］、視感透過率は７８％であった。
【００９１】
その後、全面に透明導電膜１１１０が施されている基材１１００と、保護層として厚さ０．５ｍｍ、横９００ｍｍ、縦９９０ｍｍのＰＥＴシートとを膜面が内側になるように透明接着剤を用いて貼りあわせし、反射層１１０を作製した。反射層の４つの角部には保持部を取り付けるための穴を開け、４辺端部には枠部に取り付けるために１５０ｍｍ間隔で穴を開けた。
【００９２】
＜枠部＞
枠部として、図２のような形状の厚さ２５ｍｍ、横９００ｍｍ、縦１０００ｍｍのベークライトを用意した。ここで、上フレーム及び下フレームは、左右、縦フレームから約３０ｍｍぐらい突出するように構成した。上フレーム、下フレーム、右フレーム及び左フレームの厚み方向には前記抵抗層、反射層を軽く止めるためのネジ穴を１５０ｍｍ間隔で開けた。
【００９３】
＜保持部＞
保持部として、高さ２５ｍｍ、横１０ｍｍ、縦３０ｍｍのアクリルを用意した。高さ方向には抵抗層と反射層を取り付けるネジ穴を開け、横方向には弾性部を取り付けるネジ穴を開けた。
【００９４】
＜弾性部＞
弾性部として、ばね定数０．５Ｎ／ｍｍのステンレス製の引っ張りコイルばねを用意した。
【００９５】
＜組立＞
前述の抵抗層、反射層、枠部及び保持部を図１に示すように組立て、弾性部は図４に示すように組立を行った。弾性部によって抵抗層と反射層は外側に向かって引っ張られ、しわ、たるみが生じることは無かった。また、枠及び保持部によって抵抗層と反射層は一定の間隔を保持することができた。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。
【図２】図１の電磁波吸収体をＡ方向からみた側面図である。
【図３】図１の電磁波吸収体をＸ−Ｘ線で切断し、Ａ方向からみた側面図である。
【図４】図１の電磁波吸収体の一部Ｂを拡大した部分平面図である。
【図５】抵抗層１００の構成を示す部分断面図である。
【図６】透明導電膜の模様を示す平面図である。
【図７】透明導電膜の模様を示す平面図である。
【図８】透明導電膜の模様を示す平面図である。
【図９】透明導電膜の模様を示す平面図である。
【図１０】基材上に形成した透明導電膜の一部をレーザーで除去した後の断面図である。
【図１１】反射層１１０の構成を示す部分断面図である。
【図１２】枠部１２０の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１２の枠部をＣ方向からみた側面図である。
【図１４】保持部１３０の構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。
【図１６】図１５の電磁波吸収体の一部Ｄを拡大した部分平面図である。
【図１７】枠部１５００の構成を示す斜視図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態の電磁波吸収体の構造を示す斜視図である。
【図１９】レーザー加工された透明導電膜の模様を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１００  抵抗層
１１０  反射層
１２０、１５００、１８００  枠部
１３０  保持部
１４０  弾性部
【図１】
2009302331.tif 000003
【図２】
2009302331.tif 000004
【図３】
2009302331.tif 000005
【図４】
2009302331.tif 000006
【図５】
2009302331.tif 000007
【図６】
2009302331.tif 000008
【図７】
2009302331.tif 000009
【図８】
2009302331.tif 000010
【図９】
2009302331.tif 000011
【図１０】
2009302331.tif 000012
【図１１】
2009302331.tif 000013
【図１２】
2009302331.tif 000014
【図１３】
2009302331.tif 000015
【図１４】
2009302331.tif 000016
【図１５】
2009302331.tif 000017
【図１６】
2009302331.tif 000018
【図１７】
2009302331.tif 000019
【図１８】
2009302331.tif 000020
【図１９】
2009302331.tif 000021