(57)【要約】【課題】成膜工程及びフォトリソグラフィー工程の繰り返し回数を低減しつつ、３原色を出射する各々の画素毎に異なる共振長を設定する。【解決手段】第１の発光領域８５Ｒと、第３の発光領域８５Ｂと、に第１の層厚を有する第１の透明材料層５１を形成する第１の工程と、第２の発光領域８５Ｇと、第１の発光領域８５Ｒと、第３の発光領域８５Ｂと、の３つの発光領域を少なくとも含む領域に、第１の透明材料層５１に対して選択的にエッチング可能な第２の層厚を有する第２の透明材料層５２を形成する第２の工程と、第１の発光領域８５Ｒと第２の発光領域８５Ｇに形成された第２の透明材料層５２上にレジスト層７９を形成する第３の工程と、レジスト層７９で覆われていない領域の第２の透明材料層５２をエッチングして除去する第４の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】図４
2009129604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に配置された、異なる色の光を夫々出射する複数の画素の各々に、
反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に形成された、透明導電材料からなる陽極と少なくとも発光層を含む機能層とを備える多層構造体と、を備え、前記発光層で生じた光を前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させることにより特定の波長の光を強調できる発光素子、
を備える表示装置の製造方法であって、
第１の色の光を出射する第１の画素の前記発光素子が形成される領域である第１の発光領域と、第３の色の光を出射する第３の画素の前記発光素子が形成される領域である第３の発光領域と、に第１の層厚を有する第１の透明材料層を形成する第１の工程と、
第２の色の光を出射する第２の画素の前記発光素子が形成される領域である第２の発光領域と、前記第１の発光領域と、前記第３の発光領域と、の３つの発光領域を少なくとも含む領域に、前記第１の透明材料層に対して選択的にエッチング可能な第２の層厚を有する第２の透明材料層を形成する第２の工程と、
前記第１の発光領域と前記第２の発光領域に形成された前記第２の透明材料層上にフォトレジスト層を形成する第３の工程と、
前記フォトレジスト層で覆われていない領域の前記第２の透明材料層をエッチングして除去する第４の工程と、
を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の透明材料層及び前記第２の透明材料層は透明導電材料からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法であって、
前記半透過反射層は陰極の少なくとも一部を兼ねており、
前記反射層は前記素子基板と前記陽極との間に形成されており、
前記表示装置は、前記発光層で生じた光を前記素子基板とは反対の側から出射させるトップエミッション型の表示装置であって、
前記第１の工程を行なう前に、
前記第１の発光領域と前記第２の発光領域と前記第３の発光領域とに前記反射層を形成する第５の工程と、
前記基板上の、少なくとも前記反射層が形成されている領域に、前記反射層を覆う第３の層厚を有する第３の透明材料層を形成する第６の工程と、
を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法であって、
前記反射層は陰極の少なくとも一部を兼ねており、
前記半透過反射層は前記基板と前記陽極との間に形成されており、
前記表示装置は、前記発光層で生じた光を前記基板の側から出射させるボトムエミッション型の表示装置であって、
前記第１の工程を行なう前に、
前記第１の発光領域と前記第２の発光領域と前記第３の発光領域とに前記半透過反射層を形成する第７の工程と、
前記素子基板上の、少なくとも前記半透過反射層が形成されている領域に、前記半透過反射層を覆う、第３の層厚を有する第３の透明材料層を形成する第８の工程と、
を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の画素は、少なくとも赤色光を出射する赤画素と、緑色光を出射する緑画素と、青色光を出射する青画素と、の３種類の画素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第１の透明材料層は結晶性ＩＴＯからなり、
前記第２の透明材料層はアモルファスＩＴＯからなり、
前記第３の透明材料層は窒化シリコンからなることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の表示装置の製造方法であって、
前記第４の工程の後に、前記フォトレジスト層を除去する第９の工程と、前記第２の透明材料層を加熱することにより結晶化させる第１０の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法であって、
前記発光層は有機エレクトロルミネッセンス層であり、前記発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法で製造されたことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
３以上のサブ領域を含む発光領域に、反射層と、半透過反射層と、前記反射層と前記半透過反射層との間に形成された、透明導電材料からなる陽極と少なくとも発光層を含む機能層とを備える多層構造体と、を備え、前記発光層で生じた光を前記反射層と前記半透過反射層との間で共振させることできる発光素子の製造方法であって、
第１のサブ領域と、第３のサブ領域と、に第１の層厚を有する第１の透明導電材料層を形成する第１の工程と、
第２のサブ領域と、前記第１のサブ領域と、前記第３のサブ領域と、を含む領域に、前記第１の透明導電材料層に対して選択的にエッチング可能な第２の層厚を有する第２の透明導電材料層を形成する第２の工程と、
前記第１のサブ領域と前記第２のサブ領域に形成された前記第２の透明導電材料層上にフォトレジスト層を形成する第３の工程と、
前記フォトレジスト層で覆われていない領域の前記第２の透明導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、
を順に行なうことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光素子の製造方法であって、
前記発光層は有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話あるいはパーソナルコンピュータ等の表示画面に用いる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と称する。）素子を発光素子として備える画素を表示面に規則的に配列して画像を形成する有機ＥＬ装置が考えられている。各々の発光素子は、対向するように形成された陽極と陰極との間に、少なくとも発光層（有機ＥＬ層）を含む機能層を備えており、上述の陽極と陰極との間に電流が流れると光を発光して上記表示面から出射する。カラー画像を表示する有機ＥＬ装置の場合、少なくとも赤、緑、青の３原色の光を出射する画素を備えることが必要となる。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いて３原色の光を得る方法としては、白色光を発光する有機ＥＬ層を用い、該白色光をカラーフィルタで特定の波長範囲の光を強調して有色光とする構成がある。また、上記３原色の夫々の光を発光する有機ＥＬ層を用いる構成、さらには該構成の有機ＥＬ素子にカラーフィルタを組み合わせて、色純度をより一層向上させた光を出射する構成もある。
しかし、いずれの場合もカラーフィルタのみでは色純度の向上に限界があり、またカラーフィルタに吸収される光による消費電力の増加も問題となる。そこで、機能層を狭持する、夫々の発光波長に対応する共振長を有するマイクロキャビティ構造（微細共振器）を形成して、発光素子から出射される段階（カラーフィルタを透過する前の段階）の光の色純度を向上させる構成の有機ＥＬ素子が提案されている。
【０００４】
３原色を出射する各々の画素毎に異なる共振長を設定する構成としては、発光特性への影響を抑制するために、陽極として用いる透明導電材料層の厚さを上記画素毎に変化させる構成が一般的である（特許文献１参照）。また、透明導電材料層の厚さを３原色の画素毎に変化させる方法としては、透明導電材料層の成膜とフォトリソグラフィーによるパターニングを夫々３回行なう方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特許第２７９７８８３号公報
【特許文献２】特開２００７−０２６８４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、成膜工程及びフォトリソグラフィー工程を複数回繰り返すことは、プロセスの複雑化及び製造コストの上昇につながるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
[適用例１]
素子基板上に配置された、異なる色の光を夫々出射する複数の画素の各々に、反射層と、半透過反射層と、上記反射層と上記半透過反射層との間に形成された、透明導電材料からなる陽極と少なくとも発光層を含む機能層とを備える多層構造体と、を備え、上記発光層で生じた光を上記反射層と上記半透過反射層との間で共振させることにより特定の波長の光を強調できる発光素子、を備える表示装置の製造方法であって、第１の色の光を出射する第１の画素の上記発光素子が形成される領域である第１の発光領域と、第３の色の光を出射する第３の画素の上記発光素子が形成される領域である第３の発光領域と、に第１の層厚を有する第１の透明材料層を形成する第１の工程と、第２の色の光を出射する第２の画素の上記発光素子が形成される領域である第２の発光領域と、上記第１の発光領域と、上記第３の発光領域と、の３つの発光領域を少なくとも含む領域に、上記第１の透明材料層に対して選択的にエッチング可能な第２の層厚を有する第２の透明材料層を形成する第２の工程と、上記第１の発光領域と上記第２の発光領域に形成された上記第２の透明材料層上にフォトレジスト層を形成する第３の工程と、上記フォトレジスト層で覆われていない領域の上記第２の透明材料層をエッチングして除去する第４の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【０００９】
このような製造方法によれば、２回のフォトリソグラフィー工程により、上記第１〜第３の発光領域の各々に夫々異なる層厚の透明材料層を形成できる。その結果上記第１〜第３の発光領域の各々に夫々異なる共振長を設定でき、製造コストを低減しつつ表示品質を向上できる。
なお、上述の「波長」とは所定の範囲の波長を意味する。また、上述の「共振長」とは、上記反射層と上記半透過反射層との間の光学的距離（層厚と屈折率の積）を意味する。
【００１０】
[適用例２]
上述の表示装置の製造方法であって、上記第１の透明材料層及び上記第２の透明材料層は透明導電材料からなることを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１１】
このような製造方法によれば、上記透明材料層を陽極として用いることができ、製造コストをより一層低減できる。
【００１２】
[適用例３]
上述の表示装置の製造方法であって、上記半透過反射層は陰極の少なくとも一部を兼ねており、上記反射層は上記素子基板と上記陽極との間に形成されており、上記表示装置は、上記発光層で生じた光を上記素子基板とは反対の側から出射させるトップエミッション型の表示装置であって、上記第１の工程を行なう前に、上記第１の発光領域と上記第２の発光領域と上記第３の発光領域とに上記反射層を形成する第５の工程と、上記基板上の、少なくとも上記反射層が形成されている領域に、上記反射層を覆う第３の層厚を有する第３の透明材料層を形成する第６の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１３】
上記第１〜第３の発光領域に３層の透明材料層を形成することにより、（変数が３つとなることから）上記第１〜第３の発光領域の各々に任意の共振長を設定できる。また、上記第１及び第２の透明材料層をエッチングする際には、上記反射層を保護する保護膜を用いることが好ましく、上記第３の透明材料層はかかる機能を果たすことができる。したがって、このような製造方法によれば、製造コストの増加を抑制しつつ表示品質がより一層向上したトップエミッション型の表示装置を得ることができる。
【００１４】
[適用例４]
上述の表示装置の製造方法であって、上記反射層は陰極の少なくとも一部を兼ねており、上記半透過反射層は上記基板と上記陽極との間に形成されており、上記表示装置は、上記発光層で生じた光を上記基板の側から出射させるボトムエミッション型の表示装置であって、上記第１の工程を行なう前に、上記第１の発光領域と上記第２の発光領域と上記第３の発光領域とに上記半透過反射層を形成する第７の工程と、上記素子基板上の、少なくとも上記半透過反射層が形成されている領域に、上記半透過反射層を覆う、第３の層厚を有する第３の透明材料層を形成する第８の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１５】
上記第１〜第３の発光領域に３層の透明材料層を形成することにより、上記第１〜第３の発光領域の各々に任意の共振長を設定できる。また、上記第１及び第２の透明材料層をエッチングする際には、上記反射層を保護する保護膜を用いることが好ましく、上記第３の透明材料層はかかる機能を果たすことができる。したがって、このような製造方法によれば、製造コストの増加を抑制しつつ表示品質がより一層向上したボトムエミッション型の表示装置を得ることができる。
【００１６】
[適用例５]
上述の表示装置の製造方法であって、上記複数の画素は、少なくとも赤色光を出射する赤画素と、緑色光を出射する緑画素と、青色光を出射する青画素と、の３種類の画素を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１７】
このような製造方法によれば、３原色を出射することによりカラー表示が可能な表示装置を得ることができる。
【００１８】
[適用例６]
上述の表示装置の製造方法であって、上記第１の透明材料層は結晶性ＩＴＯからなり、上記第２の透明材料層はアモルファスＩＴＯからなり、上記第３の透明材料層は窒化シリコンからなることを特徴とする表示装置の製造方法。
【００１９】
ＩＴＯは仕事関数が大きいため、上記陽極として用いた場合表示品質を向上できる。また、アモルファスのＩＴＯは結晶性のＩＴＯに対して高い選択比でエッチング可能である。したがって、このような製造方法によれば、陽極を好ましい材料で形成しつつ、画素ごとに任意の共振長を設定できる。したがって、製造コストの増加を抑制しつつ、表示品質がより一層向上した表示装置を得ることができる。
【００２０】
[適用例７]
上述の表示装置の製造方法であって、上記第４の工程の後に、上記フォトレジスト層を除去する第９の工程と、上記第２の透明材料層を加熱することにより結晶化させる第１０の工程と、を順に行なうことを特徴とする表示装置の製造方法。
【００２１】
このような製造方法によれば、上記陽極を結晶性のＩＴＯのみで形成できる。したがって、表示品質がより一層向上した表示装置を得ることができる。
【００２２】
[適用例８]
上述の表示装置の製造方法であって、上記発光層は有機エレクトロルミネッセンス層であり、上記発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【００２３】
有機エレクトロルミネッセンス素子は色再現性や発光効率等が優れているため、このような構成により、表示品質がより一層向上した表示装置を得ることができる。
【００２４】
[適用例９]
上述の表示装置の製造方法で製造されたことを特徴とする表示装置。
【００２５】
このような構成により、表示品質の優れた表示装置を低コストで得ることが可能となる。
【００２６】
[適用例１０]
上述の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００２７】
このような構成の表示装置を備えることにより、表示品質の優れた電子機器を低コストで得ることが可能となる。
【００２８】
[適用例１１]
３以上のサブ領域を含む発光領域に、反射層と、半透過反射層と、上記反射層と上記半透過反射層との間に形成された、透明導電材料からなる陽極と少なくとも発光層を含む機能層とを備える多層構造体と、を備え、上記発光層で生じた光を上記反射層と上記半透過反射層との間で共振させることできる発光素子の製造方法であって、第１のサブ領域と、第３のサブ領域と、に第１の層厚を有する第１の透明導電材料層を形成する第１の工程と、第２のサブ領域と、上記第１のサブ領域と、上記第３のサブ領域と、を含む領域に、上記第１の透明導電材料層に対して選択的にエッチング可能な第２の層厚を有する第２の透明導電材料層を形成する第２の工程と、上記第１のサブ領域と上記第２のサブ領域に形成された上記第２の透明導電材料層上にフォトレジスト層を形成する第３の工程と、上記フォトレジスト層で覆われていない領域の上記第２の透明導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、を順に行なうことを特徴とする発光素子の製造方法。
【００２９】
このような製造方法によれば、２回のフォトリソグラフィー工程により、１つの発光素子の発光領域に含まれる３つのサブ領域の各々に夫々異なる層厚の透明材料層を形成して、該３つのサブ領域の各々に夫々異なる共振長を設定できる。したがって、特定の波長範囲の光が強調されることを抑制でき、白色光の出射が可能になる。
【００３０】
[適用例１２]
上述の発光素子の製造方法であって、上記発光層は有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする発光素子の製造方法。
【００３１】
有機エレクトロルミネッセンス層を発光層に用いた発光素子は色再現性や発光効率等が優れているため、このような構成により表示品質がより一層向上した発光素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照し、本発明を具体化した有機ＥＬ装置の製造方法を述べる。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、該各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００３３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図である。表示領域１００内に規則的に配置された個々の画素を個別に制御して表示領域１００に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置の回路構成図である。表示領域１００には、複数の走査線１０２と、走査線１０２と直交する複数の信号線１０４と、信号線１０４と平行に延びる複数の電源供給線１０６が形成されている。上記３種類の配線で囲まれる方形の区画が画素２５である。
【００３４】
表示領域１００の周辺には、走査線駆動回路１２０、及び信号線駆動回路１３０が形成されている。走査線１０２には、走査線駆動回路１２０から、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて走査信号が順次供給される。そして、信号線１０４には信号線駆動回路１３０から画像信号が供給され、電源供給線１０６には図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。なお、走査線駆動回路１２０の動作と信号線駆動回路１３０の動作とは、同期信号線１４０を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
【００３５】
各々の画素２５は、走査線１０２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１０８と、スイッチング用ＴＦＴ１０８を介して信号線１０４から供給される画素信号を保持する保持容量１１０と、保持容量１１０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１１２と、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から駆動電流が流れ込む発光素子（有機ＥＬ素子）２０と、を備えている。後述するように、発光素子２０は画素電極である陽極５６と、表示領域１００の全範囲に渡って共通電位となる陰極５５とで発光層を含む機能層４０を狭持しており（図２等を参照）、上記駆動電流は陽極５６に供給される。
【００３６】
走査線１０２が駆動されスイッチング用ＴＦＴ１０８がオン状態になると、その時点の信号線１０４の電位が保持容量１１０に保持され、保持容量１１０の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１１２のレベルが決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１１２を介して電源供給線１０６から陽極５６に駆動電流が流れ、さらに機能層４０を介して陰極５５に駆動電流が流れる。その結果、機能層４０は駆動電流の大きさに応じて発光する。
【００３７】
各々の画素２５は各々の画素が発光する光の色に対応する、夫々異なる型の発光素子２０を備えている。具体的には、第１の画素としての赤画素２５Ｒは第１の色の光としての赤色光を射出する赤色光発光素子２０Ｒを備え、第２の画素としての緑画素２５Ｇは第２の色の光としての緑色光を射出する緑色光発光素子２０Ｇを備え、第３の画素としての青画素２５Ｂは第３の色の光としての青色光を射出する青色光発光素子２０Ｂを備えている。個々の画素２５が独立に制御され、各々の発光素子２０が駆動電流の大きさに応じて発光することにより、表示領域１００にカラー画像が形成される。
【００３８】
図２は、第１の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置の模式断面図である。矢印の方向に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の表示領域１００内の断面図である。素子基板１０上に形成された、赤画素２５Ｒを構成する赤色光発光素子２０Ｒと駆動用ＴＦＴ１１２、緑画素２５Ｇを構成する緑色光発光素子２０Ｇと駆動用ＴＦＴ１１２、及び青画素２５Ｂを構成する青色光発光素子２０Ｂと駆動用ＴＦＴ１１２、を対向基板１１上に形成されたカラーフィルタ層３０等と共に模式的に示している。なお、スイッチング用ＴＦＴ１０８（図１参照）等は図示を省略している。
【００３９】
各々の画素において、発光素子が形成され、発光層で生じた光が出射される領域が発光領域である。赤画素２５Ｒが備える発光領域が第１の発光領域８５Ｒ、緑画素２５Ｇが備える発光領域が第２の発光領域８５Ｇ、青画素２５Ｂが備える発光領域が第３の発光領域８５Ｂ、である。各々の発光領域は、反射層５８が形成される領域と略一致しており、隔壁７７で区画されている。
【００４０】
素子基板１０は、接着層１２により、カラーフィルタ層３０を備える対向基板１１と貼り合されている。カラーフィルタ層３０は、規則的に配置された赤色カラーフィルタ３０Ｒ、緑色カラーフィルタ３０Ｇ、及び青色カラーフィルタ３０Ｂを備え、各々のカラーフィルタはブラックマトリクス３５で区画されている。そして、赤色光発光素子２０Ｒには赤色カラーフィルタ３０Ｒが、緑色光発光素子２０Ｇには緑色カラーフィルタ３０Ｇが、そして青色光発光素子２０Ｂには青色カラーフィルタ３０Ｂが、夫々対向するように貼り合されている。
【００４１】
素子基板１０上には、ポリシリコン層からなるチャネル領域６０と酸窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜７０とポリシリコンあるいはＡｌ（アルミニウム）等からなるゲート電極６２と、からなる駆動用ＴＦＴ１１２が形成され、該ＴＦＴの上層には酸窒化シリコン等からなる第１層間絶縁膜７１が積層されている。そして、第１層間絶縁膜７１の一部が選択的に除去され、チャネル領域６０と導通するドレイン電極６４及びソース電極６６が形成されている。
【００４２】
上記双方の電極の上層には、酸窒化シリコン等からなる第２層間絶縁膜７２が積層されている。第２層間絶縁膜７２上の、各々の発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には、層厚の３０〜８０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）からなる反射層５８が形成されている。そして反射層５８を覆うように、第３の透明材料層としての窒化シリコン層５０が形成されている。窒化シリコン層５０は後述するコンタクトホールの形成領域を除く全域に形成されているが、反射層５８を覆えばよく、他の領域には形成しなくても良い。
【００４３】
そして第２層間絶縁膜７２上の反射層５８の上層には、該反射層を窒化シリコン層５０を介して被うように、結晶性のＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）からなる陽極５６が形成されている。そして陽極５６は第２層間絶縁膜７２及び窒化シリコン層５０の一部を選択的に除去して形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極６４と接続している。したがって、陽極５６は駆動用ＴＦＴ１１２と導通し、電源供給線１０６から供給される駆動電流を、後述する機能層４０に供給できる。
【００４４】
第２層間絶縁膜７２及び陽極５６の上層には隔壁７７が形成され、隣り合う発光素子の間を区画している。隔壁７７は、ポリイミド等の有機又は無機の絶縁材料層材料層を、陽極５６と反射層５８とが重なる領域が露出するようにパターニングして形成されている。
【００４５】
陽極５６、及び隔壁７７の上層には、機能層４０、半透過反射層としての陰極５５、そして封止層５９が順に積層されている。機能層４０は、正孔注入輸送層４１と白色発光層４３Ｗと電子注入輸送層４５とからなる。窒化シリコン層５０と陽極５６と機能層４０との積層体が多層構造体であり、透光性を有している。
そして、封止層５９まで積層された素子基板１０は、接着層１２を介して対向基板１１と接着される。上記各層は、少なくとも表示領域１００（図１参照）の全面を被うように形成されている。そして陰極５５は、表示領域１００の外部の領域で接地している。
【００４６】
上述の各層の形成材料は以下の通りである。
正孔注入輸送層４１は、陽極５６上に積層される正孔注入層と該正孔注入層上に積層される正孔輸送層との２層からなっている。正孔注入層は真空蒸着法により形成されるアリールアミン類やフタロシアニン類等からなる層であり、層厚は４０〜６０ｎｍである。正孔輸送層も同じく真空蒸着法によって形成されるアリールアミン類等からなる層であり、層厚は１５〜３０ｎｍである。
【００４７】
白色発光層４３Ｗは有機ＥＬ層であり、青色光を発光する有機ＥＬ層と赤色光を発光する有機ＥＬ層とを積層して形成されている。上述の青色光と赤色光の、双方の発光光を合わせて白色光としている。上記双方の層は共に真空蒸着法により形成される。青色光を発光する層は、ホスト材料としてのＤＰＶＢｉ（ジスチリルビフェニル誘導体）やＰＥＳＢ等にドーパント材料としてのスチリルアミン誘導体等が混入されて形成されている。赤色光を発光する層は、ホスト材料としてのＡｌｑ３（アルミキノリノール錯体）等に、ドーパント材料としてのＤＣＭ（ジアノメチレンピラン誘導体）等が混入されて形成されている。
【００４８】
電子注入輸送層４５は、白色発光層４３Ｗ上に積層される電子輸送層と該電子輸送層上に積層される電子注入層との２層からなっている。電子輸送層は真空蒸着法により形成されるＡｌｑ３（アルミキノリノール錯体）等からなる層であり、層厚は１５〜２０ｎｍである。電子注入層はスパッタ法により形成されるＬｉＦ（弗化リチウム）からなる層である。層厚は略１ｎｍであり、透光性を有している。
陰極５５は、層厚が略５ｎｍのＡｌ、あるいは層厚が略１０ｎｍのＭｇＡｇ（マグネシウム・銀合金）からなり、半透過反射性を有している。そして封止層５９は、層厚略２００ｎｍの酸化シリコンからなる。
【００４９】
上述したように、反射層５８は反射性を有するＡｌで形成され、陽極５６及び窒化シリコン層５０は透光性を有している。したがって、白色発光層４３Ｗ内で生じた光のうち陽極５６の方向に向かった光は反射層５８で反射されて陰極５５の方へ向かう。上述したように陰極５５は半透過反射性を有している。したがって、上述の反射光及び、白色発光層４３Ｗ内で生じた光のうち陰極５５の方向に向かった光は、略半分が反射されて、上述の多層構造体を透過した後、再度反射層５８の表面で反射する。つまり、白色発光層４３Ｗ内で生じた光は、陽極５６と陰極５５との間で反射を繰り返す。そして、かかる反射の繰り返しにより、陽極５６と陰極５５との間の光学的距離で規定される特定の波長範囲の光が強調される。したがって、陽極５６と陰極５５との間には微細な共振構造、すなわちマイクロキャビティ構造１５が形成されていることとなる。白色発光層４３Ｗ内で生じた光（白色光）はマイクロキャビティ構造１５内で共振して、特定の波長（波長範囲）の光が強調されて有色光となる。そしてカラーフィルタ層３０を透過することでより一層色純度が向上した光となって、対向基板１１側から出射される。
【００５０】
反射層５８と窒化シリコン層５０との界面と、陰極５５と電子注入輸送層４５との界面と、の間の光学的距離が共振長である。白色光を赤色光等の特定の色の光とする為に、上記の共振長は３種類の発光素子毎に異なった値を有している。赤色光発光素子２０Ｒの共振長が９０Ｒ、緑色光発光素子２０Ｇ領域の共振長が９０Ｇ、そして青色光発光素子２０Ｂ領域の共振長が９０Ｂである。
【００５１】
機能層４０の発光特性に影響を与えずに異なる値の共振長を設定するために、図２に示す有機ＥＬ装置では陽極５６の層厚を発光素子毎に変化させている。かかる変化は、一般的には、ＩＴＯ膜の成膜とパターニングを３回ずつ繰り返して形成するが、それではかなりの工数を要することとなる。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法は、上記の３種類の共振長を２回のパターニングで形成するものである。
【００５２】
図３は、第１の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置であって、図２に示す有機ＥＬ装置とは異なる有機ＥＬ装置の模式断面図である。矢印の方向に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の模式断面図である。図２に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置とはカラーフィルタの形成位置や反射層等の一部の構成要素の態様が異なっているが、それ以外の構成要素について概ね共通している。そこで、共通する構成要素には同一の符号を付与し説明の記載は省略している。
【００５３】
図３に示す有機ＥＬは、陰極５５が層厚略１００ｎｍのＡｌで形成されており、透光性を全く有していない。したがって、白色発光層４３Ｗ内で生じた光のうち陰極５５に向かった光を全て反射する反射層として機能している。一方、図２に示す有機ＥＬ装置では反射層５８が形成されている部分には半透過反射層５４が形成されており、反射層を兼ねる陰極５５との間にマイクロキャビティ構造１５が形成されている。共振長が発光素子２０間で異なる点は図２に示す有機ＥＬ装置と同様である。したがって、白色発光層４３Ｗ内で生じた光を共振により特定の波長の光を強調して有色光とした上で、素子基板１０側から出射できる。
【００５４】
また、第１層間絶縁膜７１と第２層間絶縁膜７２との間に第３層間絶縁膜７３が形成されている。そして、第３層間絶縁層７３内の半透過反射層５４と対向する領域にカラーフィルタ層３０が形成されている。つまり、赤色光発光素子２０Ｒの上記領域には赤色カラーフィルタ３０Ｒが、緑色光発光素子２０Ｇの上記領域には緑色カラーフィルタ３０Ｇが、青色光発光素子２０Ｂの上記領域には青色カラーフィルタ３０Ｂが夫々形成されている。上述の光は、カラーフィルタ層３０を透過することで、より一層色純度が向上した光となって出射される。
【００５５】
図４及び５に、第１の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の形成方法を示す。図４及び５、そして後述する第２及び第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の形成方法を示す図において、陽極５６が形成される領域以外の部分は図示する必要がない。したがって、各々の発光素子の陽極５６が形成される領域のみを図示し、他の領域あるいは構成要素（例えば駆動用ＴＦＴ１１２等）は図示を省略する。
また、第１の実施形態にかかる陽極５６の形成方法は、図２に示すトップエミッション型の有機ＥＬ装置を例に示している。図３に示すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合は、反射層５８が半透過反射層５４となる。その他の構成要素及び該構成要素の寸法等は同一である。
【００５６】
まず、図４（ａ）に示すように、３種類全ての発光素子の発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に、Ａｌからなる反射層５８を形成する。形成は素子基板１０全面に形成したＡｌ層をフォトリソグラフィーによりパターニングして行なう。かかる工程が第５の工程である。
そして次に、第６の工程として反射層５８を覆うように、層厚２３ｎｍの窒化シリコン層５０を形成する。なお、反射層５８は図示しない第２層間絶縁膜７２（図２参照）上に形成される。
窒化シリコン層５０は、素子基板１０（図２参照）の少なくとも表示領域１００を含む領域に形成する。かかる工程が第６の工程である。なお、この後、図示しないコンタクトホール形成工程を実施する。窒化シリコン層５０及び第２層間絶縁膜７２の一部が除去して、ドレイン電極６４（図２参照）の一部を露出させる。
【００５７】
次に、図４（ｂ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、スパッタ法により透明導電材料からなる第１の透明材料層としての結晶性ＩＴＯ層５１を形成する。結晶性ＩＴＯ層５１の層厚は５４ｎｍである。
そして次に、結晶性ＩＴＯ層５１が形成された素子基板１０の、赤色光発光素子２０Ｒと青色光発光素子２０Ｂとにおける、将来的に陽極５６が形成される領域（以下、「陽極形成領域」と称する。）８０にフォトレジスト層７９を形成する。上述したように反射層５８が形成される領域が発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）である。また、反射層５８は、窒化シリコン層５０を介して陽極５６で覆われている。したがって、陽極形成領域８０は、発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を完全に含む領域であり、発光領域８５と該発光領域の周囲を囲む若干の枠状（あるいは環状）の領域とを合せた領域となる。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域の結晶性ＩＴＯ層５１をエッチングにより除去する。そして、次にフォトレジスト層７９を除去する。その結果、赤色光発光素子２０Ｒと青色光発光素子２０Ｂとの陽極形成領域８０にのみ、島状にパターニングされた層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。ここまでの工程（島状の結晶性ＩＴＯ層を形成する工程）が第１の工程である。
【００５９】
次に、図４（ｄ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、透明導電材料からなる第２の透明材料層としてのアモルファス（非結晶性）ＩＴＯ層５２を形成する。層厚は８６ｎｍである。かかる工程が、第２の工程である。なお、アモルファスＩＴＯ層５２は、結晶性ＩＴＯ層５１の形成に用いたものと同一のスパッタ装置を用い、成膜時の温度を低下させることで形成できる。
【００６０】
次に、図５（ａ）に示すように、結晶性ＩＴＯ層５１が形成された素子基板１０の、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０及び緑色光発光素子２０Ｇの陽極形成領域８０に、フォトレジスト層７９を形成する。かかる工程が、第３の工程である。なお、上述したように、上記双方の陽極形成領域８０は発光領域８５（Ｒ，Ｇ）を含んでいる。
【００６１】
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域のアモルファスＩＴＯ層５２を、結晶性ＩＴＯ層５１に対して選択的にエッチングして除去する。その結果、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０には、島状にパターニングされた結晶性ＩＴＯ層５１が、層厚を５４ｎｍに保ったままでそのまま残される。かかる工程が、第４の工程である。
【００６２】
蓚酸（（ＣＯＯＨ）2）、例えば関東化学社製のＩＴＯ−０６Ｎをエッチング液に用いれば、上述の選択的なエッチングが可能である。該エッチング液は、アモルファスＩＴＯ層５２を、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０を除く領域を覆う窒化シリコン層５０に対しても選択的にエッチングできる。
【００６３】
次に、図５（ｃ）に示すように、赤色光発光素子２０Ｒと緑色光発光素子２０Ｇとの陽極形成領域８０に形成されているフォトレジスト層７９を除去する。かかる工程が、第９の工程である。その結果、赤色光発光素子２０Ｒと青色光発光素子２０Ｂとの陽極形成領域８０にのみ、アモルファスＩＴＯ層５２が形成される。
【００６４】
この段階で、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０には、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１と層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２との（合計の層厚が１４０ｎｍの）積層体が形成される。また、緑色光発光素子２０Ｇの陽極形成領域８０には、層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２が形成される。また、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０には、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【００６５】
次に図５（ｄ）に示すように、アモルファスＩＴＯ層５２をアニールして、結晶性ＩＴＯ層にする。かかる工程が、第１０の工程である。上記アニールの条件は１５０℃で１０ないし２０分である。かかる条件であれば、反射層５８の形成材料であるＡｌが影響を受けることを回避できる。
【００６６】
アモルファスのＩＴＯから結晶性のＩＴＯへの変換においては層厚の減少等はなく、層形成時の層厚が維持される。したがって、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０には層厚２３ｎｍの窒化シリコン層５０と層厚１４０ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１とからなる層厚１６３ｎｍの積層体が形成され、緑色光発光素子２０Ｇの陽極形成領域８０には層厚２３ｎｍの窒化シリコン層５０と層厚８６ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１とからなる層厚１０９ｎｍの積層体が形成され、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０には層厚２３ｎｍの窒化シリコン層５０と層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１とからなる層厚７７ｎｍの積層体が形成される。
【００６７】
上述したように、陽極５６（図２等参照）は結晶性のＩＴＯで形成されている。したがって、上述の、陽極形成領域８０に形成したＩＴＯ層は、陽極５６として機能させることができる。したがって、かかる製造方法により膜層形成（成膜）工程及びフォトリソグラフィー工程を２回ずつ繰り返すことで、３通りの夫々異なる層厚の陽極を形成できる。そして、結晶性ＩＴＯ層５１（すなわち陽極５６）上に、上述の３種類の画素２５間で共通の機能層等を形成すれば、各々の画素の発光素子に形成されるマイクロキャビティ構造１５（図２等参照）に、夫々異なる３通りの共振長（９０Ｒ等）を形成できる。
【００６８】
ここで、窒化シリコン層５０と結晶性ＩＴＯ層５１とアモルファスＩＴＯ層５２の層厚は任意に設定できる。したがって、窒化シリコン層５０、結晶性ＩＴＯ層５１、及びアモルファスＩＴＯ層５２の３層の膜層の屈折率を１と仮定すると、
窒化シリコン層５０の層厚＝Ａ、
結晶性ＩＴＯ層５１の層厚＝Ｂ、
アモルファスＩＴＯ層５２の層厚＝Ｃ、
とした場合、
赤色光発光素子２０Ｒの共振長＝Ａ＋Ｂ＋Ｃ・・・・（式１）、
緑色光発光素子２０Ｇの共振長＝Ａ＋Ｃ・・・・・・（式２）、
青色光発光素子２０Ｂの共振長＝Ａ＋Ｂ・・・・・・（式３）、
と、３元一次連立方程式の形となり、各々の発光素子の共振長を任意に設定でき、各々の発光素子で夫々異なる波長範囲の光を強調することができる。したがって、膜層形成工程及びフォトリソグラフィー工程を夫々１回分減らすことにより、製造コストを抑制しつつ表示品質が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
また、膜層形成（成膜）工程及びフォトリソグラフィー工程を各１回減らせるため、工程数削減による不良率低減効果（歩留り向上効果）も得ることができ、製造コストをより一層抑制できる。
【００６９】
なお、図３に示すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、上述の第５の工程としての反射層５８の形成工程に替わり、第７の工程として半透過反射層５４を形成する。そして、上述の第６の工程と同様に、第８の工程として素子基板１０（図２参照）の少なくとも表示領域１００を含む領域に窒化シリコン層５０を形成する。半透過反射層５４は層厚１４ｎｍと非常に薄いＡｌからなり、半透過反射性を有している。そのため、白色発光層４３Ｗで生じた光の略半分を透過し、略半分を陰極５５へ向けて反射することでマイクロキャビティ構造１５を形成できる。
以下は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の形成と同様に、コンタクトホール形成工程を経て、上述の第１〜４の工程を実施して、３通りの夫々異なる層厚の陽極５６を形成する。
【００７０】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図である。図１に示す有機ＥＬ装置と同様に、表示領域１００内に規則的に配置された個々の画素を個別に制御して表示領域１００に画像を形成する、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置の回路構成図である。白色光を出射する白画素２５Ｗがあることを除くと、図１に示す有機ＥＬ装置と概ね共通の構成である。そこで、共通する構成要素には同一の符号を付与し説明の記載は省略する。
【００７１】
図６に示す有機ＥＬ装置は、赤、緑、青の３原色に白色を加えた４色でカラー画像を形成している。白色表示を、白色光を射出する画素を用いて行なうことで、３原色の混合により白色表示を行なう方法に比べて消費電力を低減している。
【００７２】
図７は、第２の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置の模式断面図である。矢印の方向に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の表示領域１００内の断面図である。図２に示す有機ＥＬ装置に白画素２５Ｗを加えた構成であり、それ以外は図２に示す有機ＥＬ装置と概ね共通の構成である。そこで、共通する構成要素には同一の符号を付与し説明の記載は省略する。なお、白色カラーフィルタ３０Ｗは、無色透明の樹脂層である。
【００７３】
図示するように、白画素２５Ｗが備える白色光発光素子２０Ｗの陽極５６は、発光領域８５Ｗ内で階段状に形成され、層厚が３段階に変化している。他の構成要素の層厚は、発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）内で一定である。したがって、マイクロキャビティ構造１５内における第１の共振９１と第２の共振９２と第３の共振９３とは夫々異なる値を有している。
【００７４】
白色光を射出させる場合に重要となるのが共振長の設定である。発光素子２０内には必然的にマイクロキャビティ構造１５が形成される。マイクロキャビティ構造１５内の共振長が均一である場合、白色光を生じる発光層を用いても、該白色光に含まれるいずれかの波長の光が共振により強調されるため、完全な白色光を得ることは困難となる。そこで図７に示す有機ＥＬ装置では、白色光発光素子２０Ｗの陽極５６の層厚を段階的に変化させることにより、マイクロキャビティ構造１５により特定の波長の光のみが強調されることを抑制して、より完全に近い白色光を出射している。
【００７５】
なお、上記の有機ＥＬ装置において、第１の共振９１は赤色光発光素子２０Ｒの共振長９０Ｒと同一であり、第２の共振９２は緑色光発光素子２０Ｇの共振長９０Ｇと同一であり、第３の共振９３は青色光発光素子２０Ｂの共振長９０Ｂと同一である。したがって、図４〜５に示す第１の実施形態の製造方法と同一の工程を白色光発光素子２０Ｗの陽極形成領域８０（図８等参照）内で実施することで、他の工程を加えることなく陽極５６を階段状に形成できる。
【００７６】
図８及び９に、第２の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の形成方法を示す。上述したように、第１の実施形態の製造方法と同一の工程を、他の３種類の画素に実施しつつ、白色光発光素子２０Ｗの陽極形成領域８０でも実施している。したがって図８の（ａ）〜（ｄ）は、図４の（ａ）〜（ｄ）に対応しており、同様に、図９の（ａ）〜（ｄ）は、図５の（ａ）〜（ｄ）に対応している。例えば、白画素２５Ｗの陽極形成領域８０で図８（ａ）に示す工程が行なわれている間には、他の３種類の画素の陽極形成領域８０においても、図４（ａ）に示す工程が行なわれている。
【００７７】
まず、図８（ａ）に示すように、白色光発光素子２０Ｗの第２層間絶縁膜７２（図２参照）上における発光領域８５Ｗに、Ａｌ層をフォトリソグラフィーによりパターニングして反射層５８を形成する。そして次に、反射層５８を覆うように、層厚２３ｎｍの窒化シリコン層５０を形成する。
【００７８】
次に、図８（ｂ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１を形成する。そして次に、陽極形成領域８０を構成する３つのサブ領域のうちの第１のサブ領域８１と第３のサブ領域８３とにフォトレジスト層７９を形成する。
なお、上記３つのサブ領域の各々は、陽極形成領域８０の一部を含むと共に、発光領域８５（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の一部を含んでいる。
【００７９】
次に、図８（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域の結晶性ＩＴＯ層５１をエッチングにより除去した後、フォトレジスト層７９を除去する。その結果、第１のサブ領域８１と第３のサブ領域８３とに、島状にパターニングされた層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【００８０】
次に、図８（ｄ）に示すように、少なくとも陽極形成領域８０を含む領域に、層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２を形成する。第１のサブ領域８１と第３のサブ領域８３とに、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１と層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２との積層体（層厚１４０ｎｍ）が形成され、第２のサブ領域８２には窒化シリコン層５０の上に層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２が直接形成される。
【００８１】
次に、図９（ａ）に示すように、第１のサブ領域８１と第２のサブ領域８２とに、アモルファスＩＴＯ層５２を覆うようにフォトレジスト層７９を形成する。
【００８２】
次に、図９（ｂ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域のアモルファスＩＴＯ層５２を、結晶性ＩＴＯ層５１に対して選択的にエッチングして除去する。エッチング条件は第１の実施形態で用いたものと同一である。その結果、第３のサブ領域８３ではアモルファスＩＴＯ層５２が除去されて、結晶性ＩＴＯ層５１が露出する。
【００８３】
次に、図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７９を全て除去する。以上の工程により、第１のサブ領域８１には、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１と層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２との（合計の層厚が１４０ｎｍの）積層体が形成される。また、第２のサブ領域８２には、層厚８６ｎｍのアモルファスＩＴＯ層５２が形成される。また、第３のサブ領域８３には、層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【００８４】
次に、図９（ｄ）に示すように、アモルファスＩＴＯ層５２を加熱して、結晶性ＩＴＯ層５１と同質の結晶性ＩＴＯ層にする。その結果、第１のサブ領域８１には層厚１４０ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成され、第２のサブ領域８２には層厚８６ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成され、第３のサブ領域８３には層厚５４ｎｍの結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【００８５】
上述したように、陽極形成領域８０に形成した結晶性ＩＴＯ層は、陽極５６として機能させることができる。したがって、かかる製造方法により膜層形成工程及びフォトリソグラフィー工程を２回ずつ繰り返すことで、１つの発光領域８５内でサブ領域毎に夫々異なる３通りの層厚を有する階段状の陽極５６を形成でき、１つのマイクロキャビティ構造１５内に互いに異なる３通り共振長を設定できる。その結果、特定の波長の光のみが強調されて白色光が着色されることを抑制でき、製造コストを抑制しつつ、表示品質が向上し消費電力が低減された有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００８６】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態にかかる製造方法の対象となる有機ＥＬ装置の模式断面図である。矢印の方向に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ装置の、表示領域１００（図１参照）内の断面図である。図２に示す有機ＥＬ装置に３原色以外の第４の色の光を発光する第４の発光素子２２を備え第４の色の光を出射する第４の画素２４を加えた構成であり、その他の構成は、発光層を除いて、図２に示す有機ＥＬ装置と略同一である。そのため、共通する構成要素には同一の符号を付与し説明の記載は省略している。
【００８７】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、発光素子２０毎に夫々異なる発光層が形成されている。すなわち、赤色光発光素子２０Ｒには赤色光発光層４３Ｒが、緑色光発光素子２０Ｇには緑色光発光層４３Ｇが、青色光発光素子２０Ｂには青色光発光層４３Ｂが、そして、第４の発光素子２２には第４の発光層４４が、夫々形成されている。各々の画素が発光する光の色に合わせて発光素子２０毎に異なる発光層を形成し、さらに共振により各々の画素が発光する波長範囲の光を強調することで、より一層表示品質を向上させている。
【００８８】
上記第４の色の光は白色光ではない。したがって、第４のカラーフィルタ３４は無色ではなく、該第４の色の波長範囲を除く範囲の波長の光を吸収する樹脂層である。また、第４の発光素子２２の発光領域は、第４の発光領域８４と称する。第４の発光領域８４には、他の画素の発光領域と同様に、第４の色の光を強調することが可能な第４の共振長９４を有するマイクロキャビティ構造１５が形成されている。
【００８９】
図１１及び１２に、第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の形成方法を示す。第１の実施形態で述べたように、陽極５６が形成される領域以外の部分は図示する必要がない。したがって、各々の発光素子の陽極形成領域８０のみを図示し、他の領域あるいは構成要素は図示を省略する。
【００９０】
まず、図１１（ａ）に示すように、反射層５８が形成されている素子基板１０（図２等参照）の、少なくとも表示領域１００（図１参照）を含む領域に、第２の窒化シリコン層４９を形成する。第２の窒化シリコン層４９の層厚は任意であり、第４の色の波長に基づいて決定することが好ましい。そして、第２の窒化シリコン層４９を形成後、第４の発光領域８４にフォトレジスト層７９を形成する。
【００９１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第２の窒化シリコン層４９をエッチングして、フォトレジスト層７９が形成されている領域以外の領域から除去する。第４の発光領域８４にのみ、第２の窒化シリコン層４９が形成される。
【００９２】
次に、図１１（ｃ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、窒化シリコン層５０を形成する。第４の発光領域８４では、窒化シリコン層５０と第２の窒化シリコン層４９との積層体が形成される。すなわち、他の発光素子の窒化シリコン層５０よりも層厚が厚い窒化シリコン層が形成された状態となる。
【００９３】
次に、図１１（ｄ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、結晶性ＩＴＯ層５１を形成する。そして、結晶性ＩＴＯ層５１が形成された素子基板１０の、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０、及び青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０に、フォトレジスト層７９を形成する。なお、上述したように、上記双方の陽極形成領域８０は発光領域８５（Ｒ，Ｂ）を含んでいる。
【００９４】
次に、図１１（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域の結晶性ＩＴＯ層５１をエッチングして除去する。そして、上記エッチング後にフォトレジスト層７９を除去する。赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０、及び青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０に、島状にパターニングされた結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【００９５】
次に、図１２（ａ）に示すように、素子基板１０の少なくとも表示領域１００を含む領域に、アモルファスＩＴＯ層５２を形成する。
【００９６】
次に、図１２（ｂ）に示すように、アモルファスＩＴＯ層５２が形成された素子基板１０の、赤色光発光素子２０Ｒと第４の発光素子２２と緑色光発光素子２０Ｇとの陽極形成領域８０にフォトレジスト層７９を形成する。なお、上述したように、緑色光発光素子２０Ｇの陽極形成領域８０は第２の発光領域８５Ｇを含んでいる。
【００９７】
次に、図１２（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７９で覆われていない領域のアモルファスＩＴＯ層５２を、結晶性ＩＴＯ層５１に対して選択的にエッチングして除去する。エッチング条件は第１の実施形態で用いたものと同一である。その結果、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０ではアモルファスＩＴＯ層５２が除去されて、結晶性ＩＴＯ層５１が露出する。
【００９８】
次に、図１２（ｄ）に示すように、フォトレジスト層７９を除去する。赤色光発光素子２０Ｒと第４の発光素子２２と緑色光発光素子２０Ｇとの陽極形成領域８０に、島状にパターニングされたアモルファスＩＴＯ層５２が形成される。
【００９９】
以上の工程を行なった結果、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０には、窒化シリコン層５０と結晶性ＩＴＯ層５１とアモルファスＩＴＯ層５２との積層体が形成される。そして、第４の発光素子２２の陽極形成領域８０には、窒化シリコン層５０と第２の窒化シリコン層４９とアモルファスＩＴＯ層５２との積層体が形成される。そして、緑色光発光素子２０Ｇの陽極形成領域８０には、窒化シリコン層５０とアモルファスＩＴＯ層５２との積層体が形成される。そして、青色光発光素子２０Ｂの陽極形成領域８０には、窒化シリコン層５０と結晶性ＩＴＯ層５１との積層体が形成される。つまり、４種類の層厚の薄膜から選択された２ないし３種類の薄膜からなる積層体が形成される。したがって、上述の４種類の層厚を任意に設定できる場合、４元一次連立方程式の形となり、４種類の発光素子の陽極形成領域８０に形成される積層体の全体の層厚を任意に設定できる。
【０１００】
次に、図１２（ｅ）に示すように、アモルファスＩＴＯ層５２を加熱して、結晶性ＩＴＯ層５１と同質の結晶性ＩＴＯ層にする。その結果、赤色光発光素子２０Ｒの陽極形成領域８０では、結晶性ＩＴＯ層５１とアモルファスＩＴＯ層５２とが一体化して上記双方の薄膜の厚さを合計した層厚の結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。また、第４の発光素子２２と緑色光発光素子２０Ｇとの陽極形成領域８０では、窒化シリコン層の上に結晶性ＩＴＯ層５１が形成される。
【０１０１】
上述したように、陽極形成領域８０に形成された結晶性のＩＴＯ層は陽極５６として機能させることができる。したがって、かかる製造方法により膜層形成工程及びフォトリソグラフィー工程を３回ずつ繰り返すことで、４通りの夫々異なる層厚の陽極５６と窒化シリコン層５０との積層体を形成でき、各々の発光素子に形成されるマイクロキャビティ構造１５（図２等参照）に、夫々異なる４通りの共振長（９０Ｒ等）を形成できる。したがって、製造コストを膜層形成工程及びフォトリソグラフィー工程を夫々１回分低減しつつ、表示品質が向上した有機ＥＬ装置を得ることができる。
なお、上記各層の層厚は任意であり、第２の窒化シリコン層以外は第１の実施形態と同様に設定してもよく、全く異なる値に設定してもよい。
【０１０２】
（電子機器）
次に、上述の第１〜第３の実施形態にかかる有機ＥＬ装置を、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１３は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１３において、パーソナルコンピュータ１６０は、キーボード１６２を備えた本体部１６４と、実施形態にかかる有機ＥＬ装置を用いて構成された表示ユニット１６６と、を備えている。パーソナルコンピュータ１６０は、製造コストを抑制しつつ表示品質を向上させた表示ユニット１６６を用いているため、低いコストと高い表示品質を両立している。
なお、上述したパーソナルコンピュータ１６０以外にも、種々の電子機器に適用することができる。例えば、携帯電話、デジタルスチルカメラ、表示テレビジョン、エンジニアリングワークステーション（ＥＷＳ）、ベージャ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】第１の実施形態の対象となる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。
【図２】第１の実施形態の対象となるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図３】第１の実施形態の対象となるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図４】第１の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図５】第１の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図６】第２の実施形態の対象となる有機ＥＬ装置の全体構成を示す回路構成図。
【図７】第２の実施形態の対象となるの有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図８】第２の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図９】第２の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図１０】第３の実施形態の対象となる有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図１１】第３の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図１２】第３の実施形態にかかる陽極の形成方法を示す図。
【図１３】電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す図。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…素子基板、１１…対向基板、１２…接着層、１５…マイクロキャビティ構造、２０…発光素子、２０Ｂ…青色光発光素子、２０Ｇ…緑色光発光素子、２０Ｒ…赤色光発光素子、２０Ｗ…白色光発光素子、２２…第４の発光素子、２４…第４の画素、２５…画素、２５Ｂ…第３の画素としての青画素、２５Ｇ…第２の画素としての緑画素、２５Ｒ…第１の画素としての赤画素、２５Ｗ…白画素、３０…カラーフィルタ層、３０Ｂ…青色カラーフィルタ、３０Ｇ…緑色カラーフィルタ、３０Ｒ…赤色カラーフィルタ、３０Ｗ…白色カラーフィルタ、３４…第４のカラーフィルタ、３５…ブラックマトリクス、４０…機能層、４１…正孔注入輸送層、４３Ｂ…青色光発光層、４３Ｇ…緑色光発光層、４３Ｒ…赤色光発光層、４３Ｗ…白色光発光層、４４…第４の発光層、４５…電子注入輸送層、４９…第２の透明材料層（もちろん下地に対して選択的にエッチング可能なもの）５０…透明材料層としての窒化シリコン層、５１…透明導電材料からなる第１の透明材料層としての結晶性ＩＴＯ層、５２…透明導電材料からなる第２の透明材料層としてのアモルファスＩＴＯ層、５４…半透過反射層、５５…陰極、５６…陽極、５８…反射層、５９…封止層、６０…チャネル領域、６２…ゲート電極、６４…ドレイン電極、６６…ソース電極、７０…ゲート絶縁膜、７１…第１層間絶縁膜、７２…第２層間絶縁膜、７３…第３層間絶縁膜、７７…隔壁、７９…フォトレジスト層、８０…陽極形成領域、８１…第１のサブ領域、８２…第２のサブ領域、８３…第３のサブ領域、８４…第４の発光領域、８５Ｂ…第３の発光領域、８５Ｇ…第２の発光領域、８５Ｒ…第１の発光領域、９０Ｂ…青色光発光素子の共振長、９０Ｇ…緑色光発光素子の共振長、９０Ｒ…赤色光発光素子の共振長、９１…第１の共振長、９２…第２の共振長、９３…第３の共振長、９４…第４の共振長、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…信号線、１０６…電源供給線、１０８…スイッチング用ＴＦＴ、１１０…保持容量、１１２…駆動用ＴＦＴ、１２０…走査線駆動回路、１３０…信号線駆動回路、１４０…同期信号線、１６０…パーソナルコンピュータ、１６２…キーボード、１６４…本体部、１６６…表示ユニット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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