(57)【要約】【課題】マザー基板の分断において、上下基板のズレをなくす液晶パネルの製造方法を提供する。【解決手段】第１マザー基板と、第２マザー基板とを接合して第１マザー基板及び第２マザー基板をレーザースクライブしてブレークする液晶パネルの製造方法であって、第１マザー基板の第２マザー基板と対向する第１の面と、第２マザー基板の第１マザー基板と対向する第２の面のレーザースクライブ位置には遮蔽膜を形成せず、前記レーザー光線は前記第２の面に焦点を合わせて第２マザー基板をスクライブし、次に前記レーザー光線の焦点を第１マザー基板のレーザー光線入射面に合わせて第１マザー基板をスクライブする液晶パネルの製造方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１マザー基板と、第２マザー基板とを接合して第１マザー基板及び第２マザー基板をレーザースクライブしてブレークする液晶パネルの製造方法であって、第１マザー基板の第２マザー基板と対向する第１の面と、第２マザー基板の第１マザー基板と対向する第２の面のレーザースクライブラインには遮蔽膜を形成せず、前記レーザー光線は前記第２の面に焦点を合わせて第２マザー基板をスクライブし、次に前記レーザー光線の焦点を第１マザー基板のレーザー光線入射面に合わせて第１マザー基板をスクライブすることを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
マザー基板の一方がＳＯＳ基板であり、他方のマザー基板が光学ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
マザー基板の一方が石英基板であり、他方のマザー基板が光学ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
第１マザー基板と第２マザー基板をレーザースクライブした後、スクライブ部の対向する２枚のマザー基板を押圧して２枚のマザー基板を同時にブレークすることを特徴とする請求項１、２又は３記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶パネルは第１マザー基板と第２マザー基板に複数の液晶パネル領域を形成し、シール剤を介して接合し、その後、分断して個々の液晶パネルを形成していた。
【０００３】
図４は従来技術による液晶パネルの製造（分断）方法を説明するための模式図である。
（Ａ）は第１マザー基板のスクライブ工程、（Ｂ）は第１マザー基板の分断工程、（Ｃ）は第２マザー基板のスクライブ工程、（Ｄ）は第２マザー基板の分断工程を示す。複数の液晶パネル領域を形成した２枚のマザーガラス基板１、２をシール剤（不図示）で貼り合わせ、第１のマザーガラス基板１をスクライバーのカッターフォイール３によってスクライブラインに沿ってスクライブし（Ａ）、反転してマット５の上でブレークバー４によりスクライブライン６Ａ上をマザーガラス基板の厚み方向に押圧して第１のマザーガラス基板１を分断する（Ｂ）。次にスクライバーにセットして、第２のマザーガラス基板２をスクライバーのカッターフォイール３によってスクライブラインに沿ってスクライブし（Ｃ）、反転してマット５の上でブレークバー４によりスクライブライン６Ｂ上をマザーガラス基板の厚み方向に押圧して第２のマザーガラス基板２を分断する（Ｄ）。ここで、液晶パネルの分断では２回の分断工程と２回の反転工程が必要である。そのため、装置のスループットが長くなり、システム構成も大掛かりなものとなっていた。また図１（Ｂ）の工程で分断力が大き過ぎた時には、第１のマザーガラス基板１の分断面部に欠けが生じたりして製品価値を低下させた。
【０００４】
前記課題の対策として、第１のマザーガラス基板及び又は第２のマザーガラス基板の貼り合わせる（接合する）内面側を予めスクライブしてから接合し、第１のマザーガラス基板にスクライブしてから接合した場合は第２のマザーガラス基板の外面をスクライブし、第２のマザーガラス基板にスクライブしてから接合した場合は第１のマザーガラス基板の外面をスクライブし、一度の分断工程で２枚のマザー基板を分断すること及び第１のマザーガラス基板、第２のマザーガラス基板をそれぞれスクライブしてから接合し同時に分断することが考案された。（特許文献１参照）
【０００５】
また、近年マザー基板をレーザー光線を使用して分断する加工法が普及してきている。
例えば、トランジスタなどのスイッチング素子の表示装置に対応するパターンを複数配列した素子マザー基板（単結晶シリコン基板やＳＯＩ基板）と、共通電極等の表示装置に対応するパターンを複数配列した対向マザー基板とを貼り合せて、レーザースクライブをし分断する方法が広く採用されている。
【０００６】
素子マザー基板と対向マザー基板とを貼り合せて、対向マザー基板にレーザー光線を照射して改質部を形成する時、レーザー光線の一部が対向マザー基板を通過して、素子マザー基板を照射する。素子マザー基板には、配線、端子、スイッチング素子等が配置されており、レーザー光線により損傷を受ける可能性があった。
【０００７】
前記課題の対策として、分断方法は、第１マザー基板と、第２マザー基板とを接合して第１マザー基板及び第２マザー基板をレーザー光線で分断するマザー基板の分断方法であって、第１マザー基板において、第２マザー基板と対向する第１の面と、第２マザー基板において、第１マザー基板と対向する第２の面との内、少なくとも一つの面に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、第１マザー基板と第２マザー基板とを接合する接合工程と、第１マザー基板及び第２マザー基板にレーザー光線を照射して、第１マザー基板及び第２マザー基板の内部に改質部を形成するスクライブ工程と、改質部を押圧して第１マザー基板及び第２マザー基板を分断する分断工程とを有し、遮光膜形成工程では、スクライブ工程においてレーザー光線が照射される場所に、遮光膜を形成する製造方法が開発されている。
【０００８】
この基板の分断方法によれば、遮光膜形成工程において、遮光膜が形成される。第１マザー基板において、第２マザー基板と対向する面を第１の面とし、第２マザー基板において、第１マザー基板と対向する面を第２の面とする。遮光膜は第１の面と、第２の面との内、少なくとも一つの面において、スクライブ工程でレーザー光線が照射される場所に形成される。
【０００９】
スクライブ工程では、第１マザー基板及び第２マザー基板にレーザー光線を照射して、第１マザー基板及び第２マザー基板の内部に改質部を配列して形成する。第１マザー基板にレーザー光線を照射するとき、第１マザー基板を通過するレーザー光線は、遮光膜に遮光される為、第２マザー基板を照射する事が無い。第２マザー基板に配線、端子、素子等が形成されているとき、この配線、端子、素子等は、レーザー光線を照射されることによる損傷を受けることがない。従って、第２マザー基板に形成される配線、端子、素子等に損傷を与えずに、第１マザー基板をスクライブして分断することができるというものである。（特許文献２参照）
【００１０】
図５は前記製造方法のフローチャートであり、図６は分断の完了した液晶パネルの正面図、Ｘ−Ｘ断面図、Ｙ−Ｙ断面図である。ステップＳ１は遮光膜形成工程に相当し、第２マザー基板に遮光膜を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は接合工程に相当し、第１マザー基板と第２マザー基板とを接合する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は第２マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、第２マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は第２マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、第２マザー基板において、ステップＳ３でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ５に移行する。Ｓ５に移る際、基板を反転する。
【００１１】
ステップＳ５は第１マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、第１マザー基板の一方向にスクライブする工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は第１マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、第１マザー基板において、ステップＳ５でスクライブした方向と直交する方向にスクライブする工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は第２マザー基板の分断工程に相当し、第２マザー基板を分断する工程である。次にステップＳ８に移行する。ステップＳ８は第１のマザー基板の分断工程に相当し、第１マザー基板を分断する工程である。以上の工程により、液晶表示パネルが形成される。本方法によるスクライブは多光子吸収によるものである。
【００１２】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００３／００６３９１号公報
【特許文献２】特開２００８−７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来技術による分断は、第１マザー基板１１のスクライブから第２マザー基板１２のスクライブに移る際、接合されたマザー基板の上下を反転する工程があるため、図６に示すように第１の基板１１と第２の基板１２の分断位置がずれてしまう（図中、Δ１、Δ２、Δ３で示す）。これは第１マザー基板１１と第２マザー基板１２の材質には関係がなく、また、第１マザー基板１１のスクライブ法と第２マザー基板１２のスクライブ法の違いにも関係なく、第１マザー基板１１と第２マザー基板１２を反転することによるものである。このことにより、後工程で液晶パネルを組み込むときに液晶パネルの外形のバラツキによる不具合が発生する。尚、図６において、１３はシール剤、１４は上下基板に形成された電極の接続をする導電部材である。
【００１４】
また、上下のスクライブライン（切断ライン、ストリートライン）がずれるため、その分余裕を見たストリート幅が必要になり、マザー基板から取れる液晶パネルの個数が減ることと、液晶パネルの小型化の阻害要因となっている。
【００１５】
マザー基板の反転工程が必要であり、また、ブレーク工程が２度になるため作業工数が増え、液晶パネルを製造するコストが高くなっている。
【００１６】
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、液晶パネルの上下基板の分断ズレをなくし、ブレーク工程が一度で済み、小型で安価な液晶パネルを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
第１マザー基板と、第２マザー基板とを接合して第１マザー基板及び第２マザー基板をレーザースクライブしてブレークする液晶パネルの製造方法であって、第１マザー基板の第２マザー基板と対向する第１の面と、第２マザー基板の第１マザー基板と対向する第２の面のレーザースクライブラインには遮蔽膜を形成せず、前記レーザー光線は前記第２の面に焦点を合わせて第２マザー基板をスクライブし、次に前記レーザー光線の焦点を第１マザー基板のレーザー光線入射面に合わせて第１マザー基板をスクライブする液晶パネルの製造方法とする。
【００１８】
前記液晶パネルの製造方法において、第１マザー基板と第２マザー基板をレーザースクライブした後、スクライブ部の対向する２枚のマザー基板を押圧して２枚のマザー基板を同時にブレークする液晶パネルの製造方法とする。
【００１９】
マザー基板の一方がＳＯＳ基板であり他方のマザー基板が光学ガラス基板、又はマザー基板の一方が石英基板であり他方のマザー基板が光学ガラス基板である液晶パネルの製造方法とする。
【発明の効果】
【００２０】
完成した液晶パネルの第１基板と第２基板のずれが無くなり、液晶パネルの外形のバラツキによる不具合を無くすことができる。
【００２１】
ブレークラインに遮光膜を形成しない構造としたので、遮光膜形成工程や遮光膜除去工程が必要なく、レーザースクライブが容易にできる。
【００２２】
マザー基板の反転工程が不要であり、また、ブレーク工程も１度で済むため作業工数が減り、液晶パネルを製造するコストが安くできる。
【００２３】
スクライブラインを細くでき、マザー基板から液晶パネルの取り個数が多くなるため、液晶パネルを安価に提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
第１マザー基板と、第２マザー基板とを接合して第１マザー基板及び第２マザー基板をレーザースクライブしてブレークする液晶パネルの製造方法であって、第１マザー基板の第２マザー基板と対向する第１の面と、第２マザー基板の第１マザー基板と対向する第２の面のレーザースクライブ位置には遮蔽膜を形成せず、前記レーザー光線は前記第２の面に焦点を合わせて第２マザー基板をスクライブし、次に前記レーザー光線の焦点を第１マザー基板のレーザー光線入射面に合わせて第１マザー基板をスクライブし、スクライブ部の対向する２枚のマザー基板を押圧して２枚のマザー基板を同時にブレークする液晶パネルの製造方法とする。
【００２５】
本発明ではスクライブにレーザー光線を使用するので、レーザー照射装置について説明する。
図７はレーザー照射装置の構成を示す概略図である。図７に示すように、レーザー照射装置２１は、レーザー光線を出射するレーザー光源２２と、出射されたレーザー光線をワークに照射する光学経路部２３と、光学経路部２３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部２４と、動作を制御する制御装置２５を主として構成されている。
【００２６】
レーザー光源２２は、出射するレーザー光線を加工対象物（ワーク）の表面に集光してワークをスクライブできる光源であれば良い。
【００２７】
光学経路部２３はダイクロイックミラー２６を備えている。ダイクロイックミラー２６は、レーザー光源２２から照射されるレーザー光線の光軸２７上に配置されている。ダイクロイックミラー２６はレーザー光源２２から照射されるレーザー光線を反射して、光軸２７の進行方向を変更する。ダイクロイックミラー２６に反射したレーザー光線が通過する光軸２７上に集光レンズ２８が配置されている。テーブル部２４にはワーク２９が配置され、集光レンズ２８を通過したレーザー光線がワーク２９に照射されるようになっている。
【００２８】
集光レンズ２８はレンズ支持部３０により、レンズ移動機構３１に支持されている。レンズ移動機構３１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ２８を光軸２７方向に移動させて、集光レンズ２８を通過したレーザー光線が集光する位置を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構３１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸２７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００２９】
集光レンズ２８とダイクロイックミラー２６とを通過する光軸２７の延長線上にあって、ダイクロイックミラー２６に対して集光レンズ２８と反対側には、撮像装置３２を備えている。撮像装置３２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ２８を透過してワーク２９を照射する。撮像装置３２は、集光レンズ２８とダイクロイックミラー２６とを通してワーク２９を撮像することが可能となっている。
【００３０】
テーブル部２４は、基台３５を備えている。基台３５の光学経路部２３側には、レール３６が凸設して配置されており、レール３６上にはＸ軸スライド３７が配置されている。Ｘ軸スライド３７は、図示しない直動機構を備え、レール３６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構３１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド３７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３１】
Ｘ軸スライド３７の光学経路部２３側にはレール３８が凸設して配置されており、レール３８上にはＹ軸スライド３９が配置されている。Ｙ軸スライド３９は、Ｘ軸スライド３７と同様な直動機構を備え、レール３８上をＹ方向に移動可能となっている。
【００３２】
Ｙ軸スライド３９の光学経路部２３側には、ステージ４０が配置され、ステージ４０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク２９を載置すると、チャック機構によって、ワーク２９がステージ４０の上面における所定の位置に位置決めされて固定されるようになっている。
【００３３】
制御装置２５は、メインコンピュータ４４を備えている。メインコンピュータ４４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリーを備えている。ＣＰＵはメモリー内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザー照射装置２１の動作を制御するものである。メインコンピュータ４４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置４５、表示装置４６、レーザー制御装置４７、レンズ制御装置４８、画像処理装置４９、ステージ制御装置５０と接続されている。
【００３４】
入力装置４５は、レーザー加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置４６はレーザー加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザー加工を行い、加工状況を表示装置４６に表示する。操作者が表示装置４６に表示される各種情報を見て、レーザー加工状況を確認して操作するようになっている。
【００３５】
レーザー制御装置４７は、レーザー光源２２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ４４の制御信号により制御される。レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構３１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置４８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ２８の光軸２７方向の位置を認識する。レンズ制御装置４８は、レンズ移動機構３１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構３１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００３６】
画像処理装置４９は、撮像装置３２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ４０にワーク２９を配置し、撮像装置３２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構３１を操作して、集光レンズ２８とワーク２９との間の距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ２８を移動して、ワーク２９のステージ４０側の面に焦点が合うときと、ワーク２９の光学経路部２３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。
【００３７】
集光レンズ２８を光軸２７の方向（図中上下方向）に移動して、撮像装置３２が撮像するワーク２９の画像が鮮明になるときの集光レンズ２８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク２９の厚みを測定することが可能となる。
【００３８】
撮像装置３２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザー光線を照射したときに、集光レンズ２８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク２９としてステージ４０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置３２の焦点が合うように集光レンズ２８を移動する。次に、レーザー光線を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部との距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【００３９】
集光レンズ２８を光軸２７方向（図中上下方向）に移動して、ワーク２９の光学経路部２３側の面に撮像装置３２の焦点を合わせる。レーザー光線を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ２８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ２８を移動させる。この方法でワーク２９における所定の深さにレーザー光線を集光することが可能となる。
【００４０】
ステージ制御装置５０は、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置５０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置を検出する。ステージ制御装置５０は、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９との位置情報を取得し、メインコンピュータ４４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とを駆動して移動する。ステージ制御装置５０はＸ軸スライド３７とＹ軸スライド３９とを駆動して、所望の位置にワーク２９を移動することが可能となっている。
【００４１】
レーザー制御装置４７がレーザー光源２２を制御しレーザー光線を発光させる。画像処理装置４９がワーク２９の光学経路部２３側の面に対する光軸２７方向（図中上下方向）の位置を検出する。レンズ制御装置４８がレーザー光線を集光する集光レンズ２８の光軸２７方向（図中上下方向）の位置を制御する。ステージ制御装置５０がワーク２９をＸＹ方向に移動して、ワーク２９にレーザー光線が照射される位置を制御する。上述した制御を行い所望の位置にレーザー光線を集光して照射することが可能となっている。
【００４２】
レーザー光線によるスクライブは、加工対象物ごとにレーザー光線の出力やパルス幅、パルス周期、レーザースキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザー光源２２が照射するレーザー光線の出力は、ダイクロイックミラー２６や集光レンズ２８のような光軸２７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【実施例１】
【００４３】
実施例１では、第１マザー基板に厚さ０．６ｍｍの単結晶サファイアを使用し、第２マザー基板に０．６５ｍｍの光学ガラスを使用した液晶パネルの製造法について説明する。
【００４４】
図１は本発明を説明するための模式図である。サファイア基板１５側から点線で示すレーザー光線を入射し、ガラス基板１６の表面に焦点を合わせてスクライブする。次に実線で示すレーザー光線をサファイア基板１５の表面に焦点を合わせてスクライブするが、スクライブライン上にはレーザー光線を遮蔽する膜は形成しない構造とする。
【００４５】
ガラスをスクライブするレーザー光線の照射条件については特開２００７−２６１８８５号公報に詳細に記載されている。実際には、レーザー光線のワークまでの行程や光学系の吸収、ワークの状態等で調整が必要なことは言うまでもない。
【００４６】
サファイアをスクライブするレーザー光線の照射条件については特開２００５−２８８５０３号公報に詳細に記載されている。レーザー照射装置にはレーザー光源を複数持ちワークにより切り替えると良い。
【００４７】
図２は円形状基板に矩形状の液晶表示素子領域を複数形成した部分上面図である。ＳＶ１〜ＳＶ３、ＳＨ１〜ＳＨ５は垂直方向と水平方向のスクライブラインである。ＳＨ２、ＳＨ４はガラス基板だけのスクライブラインで、その他は共通のスクライブラインである。
【００４８】
サファイア基板１５側からレーザー光線を照射し、ガラス基板１６の表面に焦点を合わせて垂直方向にＳＶ１、ＳＶ２〜ＳＶｍまでスクライブする。続いて水平方向にＳＨ１、ＳＨ２〜ＳＨｎまでスクライブする。
【００４９】
次にサファイア基板１５の表面にレーザー光線の焦点を合わせて垂直方向にＳＶ１、ＳＶ２〜ＳＶｍまでスクライブする。続いて水平方向にＳＨ１、ＳＨ３、ＳＨ５〜ＳＨｎと、サファイア基板のスクライブをする。スクライブをサファイア基板１５とガラス基板１６のどちらを先に行うかは特に優先順は無い。
【００５０】
ブレークは、ガラス基板１６がＳＶ１、ＳＶ２〜ＳＶｍとＳＨ１、ＳＨ２〜ＳＨｎのスクライブラインでなされ、サファイア基板１５はＳＶ１、ＳＶ２〜ＳＶｍとＳＨ１、ＳＨ３、ＳＨ５〜ＳＨｎのスクライブラインでなされる。ブレークはスクライブラインの反対面を押圧して行う（本実施例ではガラス基板）が、共通スクライブラインでは両基板が分断され、ガラス基板だけのスクライブラインではガラス基板だけが分断される。
【００５１】
図３は本発明により製造された液晶パネルであり正面図、Ｘ−Ｘ断面図、Ｙ−Ｙ断面図である。サファイア基板１５とガラス基板１６を同じ走査でレーザースクライブしているので上下の基板（サファイア基板１５とガラス基板１６）の切断面は位置ズレが発生していない。
【００５２】
サファイア基板とガラス基板で説明をしたが、石英基板とガラス基板、石英基板と石英基板、ガラス基板とガラス基板等の組合せは適宜選択し、あわせてレーザースクライブの条件を設定すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明を説明するための模式図
【図２】円形状基板に矩形状の液晶表示素子領域を複数形成した部分上面図
【図３】本発明により製造された液晶パネルの液晶パネルであり正面図、Ｘ−Ｘ断面図、Ｙ−Ｙ断面図
【図４】従来技術による液晶パネルの製造（分断）方法を説明するための模式図
【図５】製造方法のフローチャート
【図６】分断の完了した液晶パネルであり正面図、Ｘ−Ｘ断面図、Ｙ−Ｙ断面図
【図７】レーザー照射装置の構成を示す概略図
【符号の説明】
【００５４】
１    第１のマザーガラス基板
２    第２のマザーガラス基板
３    カッターフォイール
４    ブレークバー
５    マット
６Ａ  スクライブライン
６Ｂ  スクライブライン
１１    第１マザー基板
１２    第２マザー基板
１３    シール剤
１４    導電部材
１５    サファイア基板
１６    ガラス基板
２１    レーザー照射装置
２２    レーザー光源
２３    光学経路部
２４    テーブル部
２５    制御装置
２６    ダイクロイックミラー
２７    光軸
２８    集光レンズ
２９    ワーク
３０    レンズ支持部
３１    レンズ移動機構
３２    撮像装置
３５    基台
３６    レール
３７    Ｘ軸スライド
３８    レール
３９    Ｙ軸スライド
４０    ステージ
４４    メインコンピュータ
４５    入力装置
４６    表示装置
４７    レーザー制御装置
４８    レンズ制御装置
４９    画像処理装置
５０    ステージ制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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