(57)【要約】【課題】製造歩留まりを向上させる。【解決手段】ウェハ上に所定のドーズ量で露光されて形成されたレジストパターンの複数の座標における寸法を所定の目標寸法に調整するための補正ドーズ量を前記複数の座標毎に算出し、前記補正ドーズ量のウェハ面内の分布に近似する第１の近似関数を算出し、前記第１の近似関数が所定の上限ドーズ量及び下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の前記第１の近似関数に近似する第２の近似関数を算出し、前記第２の近似関数の係数を含むレシピパラメータを出力する演算部１０３と、前記レシピパラメータに基づいて露光処理を行う露光装置１０５と、を備える。【選択図】図１
2009283666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に所定のドーズ量で露光されて形成されたレジストパターンの複数の座標における寸法を所定の目標寸法に調整するための補正ドーズ量を前記複数の座標毎に算出し、前記補正ドーズ量のウェハ面内の分布に近似する第１の近似関数を算出し、前記第１の近似関数が所定の上限ドーズ量及び下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の前記第１の近似関数に近似する第２の近似関数を算出し、前記第２の近似関数の係数を含むレシピパラメータを出力する演算部と、
前記レシピパラメータに基づいて露光処理を行う露光装置と、
を備える半導体製造システム。
【請求項２】
ウェハ上に所定のドーズ量で露光されて形成されたレジストパターンの複数の座標における寸法を所定の目標寸法に調整するための補正ドーズ量を前記複数の座標毎に算出し、前記補正ドーズ量のウェハ面内の分布に近似する近似関数を算出し、前記近似関数が所定の上限ドーズ量及び下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の前記近似関数に基づいてウェハ上のショット座標と前記ショット座標におけるドーズ量とを示すショットマップデータを作成し、前記ショットマップデータを含むレシピパラメータを出力する演算部と、
前記レシピパラメータに基づいて露光処理を行う露光装置と、
を備える半導体製造システム。
【請求項３】
ロットの進捗管理を行い、前記演算部へ前記レシピパラメータの計算要求を発行し、前記演算部から出力される前記レシピパラメータを受信し、露光処理開始指示と共に出力する管理部と、
前記管理部から出力される前記レシピパラメータ及び前記露光処理開始指示が与えられ、前記露光装置へ前記レシピパラメータを出力し、露光処理を開始するよう制御する装置制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造システム。
【請求項４】
ウェハ面内の位置を示す座標を用いて表されたドーズ量分布の近似関数の係数を含むレシピパラメータに基づいてウェハ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う露光装置であって、
前記係数に基づいて前記近似関数を作成し、前記近似関数を用いてウェハ面内の各ショット位置のドーズ量を算出し、算出したドーズ量が所定の上限ドーズ量と下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後のドーズ量に基づいて露光処理を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
ウェハ面内のショット位置を示す座標と前記ショット位置におけるドーズ量とを示すショットマップデータを含むレシピパラメータに基づいてウェハ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う露光装置であって、
前記ショットマップデータに示されるドーズ量に所定の上限ドーズ量を超える値又は所定の下限ドーズ量未満の値がある場合、前記上限ドーズ量と前記下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後のショットマップデーダに基づいて露光処理を行うことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び半導体製造システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、半導体基板上に形成された被加工膜を所望の形状にパターニングするリソグラフィ工程が含まれる。リソグラフィ工程では、被加工膜上のレジスト膜にフォトマスクのマスクパターンを転写し、パターン形成されたレジスト膜をマスクとして被加工膜を加工する。
【０００３】
化学増幅型レジスト膜を用いたリソグラフィ工程では、露光時に生成された酸を拡散させるＰＥＢ（Post Exposure Bake）と呼ばれる加熱工程が一般に行われる。ＰＥＢ工程では、供給される熱量と現像後に形成されるレジスト膜パターンの寸法との間に密接な関係があるため、被処理基板の面内における厳しい温度均一性が要求される。
【０００４】
従来のＰＥＢ工程では被処理基板をヒータで加熱された熱板上に近接載置して熱を供給していた。しかし、成膜工程等を経た被処理基板は膜の応力等により反りを有し、熱板と被処理基板との間隔が面内で不均一になる。そのため、被処理基板の面内の温度均一性が劣化し、形成されるレジストパターンの寸法均一性を得ることが困難であった。
【０００５】
このような問題を解決するため、露光前の被処理基板の反り量を測定し、この反り量に基づいて算出した補正量を基準露光量に加算して露光処理を行うパターン形成方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。この手法は、リソグラフィ工程で形成されるレジストパターンの寸法（線幅等）がドーズ量（露光量又は露光時間）によって変化するという特性を利用したものである。
【０００６】
しかし、パターンの微細化に伴い、算出した補正量を単に加算した露光量でパターン形成を行うと、光量が多すぎることでポジ型レジスト膜が所望量以上に除去されパターンが形成されなくなるパターン切れや、光量が少なすぎることでポジ型レジスト膜が所望量まで除去されずに残存し配線ショートの原因となるパターンブリッジが生じ、製造歩留まりを低減させるという問題を有していた。
【特許文献１】特開２００６−１３５０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は製造歩留まりを向上させる露光装置及び半導体製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様による半導体製造システムは、ウェハ上に所定のドーズ量で露光されて形成されたレジストパターンの複数の座標における寸法を所定の目標寸法に調整するための補正ドーズ量を前記複数の座標毎に算出し、前記補正ドーズ量のウェハ面内の分布に近似する第１の近似関数を算出し、前記第１の近似関数が所定の上限ドーズ量及び下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の前記第１の近似関数に近似する第２の近似関数を算出し、前記第２の近似関数の係数を含むレシピパラメータを出力する演算部と、前記レシピパラメータに基づいて露光処理を行う露光装置と、を備えるものである。
【０００９】
また、本発明の一態様による半導体製造システムは、ウェハ上に所定のドーズ量で露光されて形成されたレジストパターンの複数の座標における寸法を所定の目標寸法に調整するための補正ドーズ量を前記複数の座標毎に算出し、前記補正ドーズ量のウェハ面内の分布に近似する近似関数を算出し、前記近似関数が所定の上限ドーズ量及び下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の前記近似関数に基づいてウェハ上のショット座標と前記ショット座標におけるドーズ量とを示すショットマップデータを作成し、前記ショットマップデータを含むレシピパラメータを出力する演算部と、前記レシピパラメータに基づいて露光処理を行う露光装置と、を備えるものである。
【００１０】
本発明の一態様による露光装置は、ウェハ面内の位置を示す座標を用いて表されたドーズ量分布の近似関数の係数を含むレシピパラメータに基づいてウェハ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う露光装置であって、前記係数に基づいて前記近似関数を作成し、前記近似関数を用いてウェハ面内の各ショット位置のドーズ量を算出し、算出したドーズ量が所定の上限ドーズ量と下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後のドーズ量に基づいて露光処理を行うものである。
【００１１】
また、本発明の一態様による露光装置は、ウェハ面内のショット位置を示す座標と前記ショット位置におけるドーズ量とを示すショットマップデータを含むレシピパラメータに基づいてウェハ上に形成されたレジスト膜の露光処理を行う露光装置であって、前記ショットマップデータに示されるドーズ量に所定の上限ドーズ量を超える値又は所定の下限ドーズ量未満の値がある場合、前記上限ドーズ量と前記下限ドーズ量の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後のショットマップデーダに基づいて露光処理を行うものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、製造歩留まりを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）図１に本発明の第１の実施形態に係る半導体製造システムの概略構成を示す。半導体製造システムは管理部１０１、装置制御部１０２、演算部１０３、及び露光装置１０５を備える。演算部１０３はパラメータ算出部１０４を有する。
【００１５】
管理部１０１はロットの進捗管理や装置の状態管理を行う。演算部１０３は管理部１０１からロットの処理イベントの通知を受信し、各ロットについて最適なレシピパラメータを算出するＡＰＣ（アドバンスト・プロセス・コントロール）システムである。
【００１６】
レシピパラメータには露光処理時に使用されるマスクの名称、レーザＩＤ、光源の形状、スキャン方向、フォーカス値等が含まれる。ウェハ面内の位置がｘ−ｙ座標系で座標指定され、ドーズ量は位置毎に関数Ｆ（ｘ、ｙ）で表される。パラメータ算出部１０４はこの関数Ｆ（ｘ、ｙ）のパラメータ（係数）を算出する。算出された関数Ｆ（ｘ、ｙ）のパラメータを含むレシピパラメータが演算部１０３から出力される。関数Ｆ（ｘ、ｙ）については後述する。
【００１７】
演算部１０３から出力されたレシピパラメータは直接又は管理部１０１を介して装置制御部１０２に入力される。装置制御部１０２は受け取ったレシピパラメータを露光装置１０５の固有のコードに変換して、露光装置１０５へ出力する。露光装置１０５は装置制御部１０２から出力されるコード変換されたレシピパラメータに基づいて露光処理を行う。
【００１８】
このような半導体製造システムによる露光量制御方法を図２に示すフローチャートを用いて説明する。
【００１９】
（ステップＳ２０１）管理部１０１から演算部１０３に対し、レシピパラメータの計算要求を発行する。
【００２０】
（ステップＳ２０２）全面に同一のドーズ量Ｄｉで露光し、現像を行ったウェハを準備し、ウェハ上の複数の座標におけるレジストパターン線幅（ＣＤ値）を測定する。測定されたＣＤ値の一例を図３に示す。
【００２１】
図３においてターゲット寸法Ｌ１と測定されたＣＤ値との乖離は、ウェハ上に成膜された膜の応力等によりウェハに反りが生じ、露光後のＰＥＢ工程において熱供給量が不均一になったことに起因するものである。
【００２２】
（ステップＳ２０３）演算部１０３が、ウェハ上に形成されるレジストパターンのＣＤ値をターゲット寸法Ｌ１に合わせる（補正する）ためのウェハ上の各座標におけるドーズ量を求める。ネガ型レジスト膜を用いる場合、ドーズ量が大きいとＣＤ値が大きくなり、ドーズ量が小さいとＣＤ値が小さくなる。
【００２３】
図３に示すようなＣＤ値をターゲット寸法に補正するためのドーズ量は図４に示すようになる。この時、ドーズ量の変動量に対するＣＤ値の変動量を表す露光補正係数（感度）が必要になる。露光補正係数は露光条件出し（後述する）の際に予め求められている。
【００２４】
そして演算部１０３は最小二乗法を用いてこれらのドーズ量に近似するドーズ量関数ｆ（ｘ、ｙ）を算出する。関数ｆ（ｘ、ｙ）は例えば以下の式（１）で表される。式（１）においてｊ１〜ｊ１５は実数のパラメータである。
f(x,y) = j1 + j2x + j3y + j4x2 + j5xy + j6y2 + j7x3 + j8x2y + j9xy2 + j10y3 + j11x4 + j12x3y  + j13x2y2 + j14xy3 + j15y4 …（１）
ここで、ステップＳ２０２におけるＣＤ値の測定点数は、少なくともこの式（１）を算出できるだけの数であることに留意する。
【００２５】
（ステップＳ２０４）ステップＳ２０３で求めた関数ｆ（ｘ、ｙ）からウェハ面内の各座標におけるドーズ量を算出する。そして、対象としているロットの装置、製品種、工程種についてのドーズ量の上限値Ｄ１、下限値Ｄ２を記憶部（図示せず）に格納された上下限値テーブルから検索する。上下限値テーブルの一例を図５に示す。
【００２６】
そして、算出したウェハ面内ドーズ量に、上限値Ｄ１を超える値、下限値Ｄ２未満の値があるか否かを検出する。ある場合はステップＳ２０５へ進み、無い場合はステップＳ２０７へ進む。
【００２７】
上限値Ｄ１、下限値Ｄ２について説明する。半導体装置の製造では量産前に装置、製品、工程別に好適な露光条件の検出（露光条件出し）が行われる。例えば図６に示すように、ウェハＷにおいてショット毎にドーズ量、フォーカス値を変えながら露光処理を行う。図６では縦方向にドーズ量を変え、横方向にフォーカス値を変えている。ドーズ量の中心値ｄ０及びフォーカス値の中心値ｆ０は、シミュレーションにより予め求められている。
【００２８】
露光処理後、現像処理を行い、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンの形状や線幅を、ＳＥＭ等を用いて観測する。そして、所望のレジストパターンが形成されているショットを検出する。
【００２９】
所望のレジストパターンが形成されているショットが図７に示すような分布になっている場合、ドーズ量ｄ１が前記上限値Ｄ１になり、ドーズ量ｄ２が前記下限値Ｄ２となる。ドーズ量がｄ１を超える、又はドーズ量がｄ２未満になると、フォーカス値をどのような値にしても所望のレジストパターンが形成されないためである。このドーズ量ｄ１（上限値Ｄ１）、ｄ２（下限値Ｄ２）を装置、製品、工程毎に、図５に示すような上下限値テーブルとして記憶部（図示せず）に格納しておく。
【００３０】
（ステップＳ２０５）ドーズ量の上限値Ｄ１、下限値Ｄ２を用いてウェハ面内におけるドーズ量のトリミング処理を行う。すなわちドーズ量がＤ１を超えている箇所についてはドーズ量をＤ１とし、ドーズ量がＤ２未満の箇所についてはドーズ量をＤ２にする。
【００３１】
例えば図４に示すドーズ量分布はトリミング処理により図８に示すような分布になる。
【００３２】
（ステップＳ２０６）パラメータ算出部１０４がトリミング処理後のドーズ量分布に近似する関数Ｆ（ｘ、ｙ）を最小二乗法を用いて算出する。関数Ｆ（ｘ、ｙ）は例えば以下の式（２）で表される。式（２）においてｋ１〜ｋ１５は実数のパラメータ（係数）である。
F(x,y) = k1 + k2x + k3y + k4x2 + k5xy + k6y2 + k7x3 + k8x2y + k9xy2 + k10y3 + k11x4 + k12x3y + k13x2y2 + k14xy3 + k15y4  …（２）
【００３３】
図８に示すドーズ量分布に近似する関数Ｆ（ｘ、ｙ）の一例を図９に示す。
【００３４】
（ステップＳ２０７）演算部１０３が関数Ｆ（ｘ、ｙ）のパラメータｋ１〜ｋ１５を含むレシピパラメータを管理部１０１へ出力する。関数Ｆ（ｘ、ｙ）が算出されていない場合、すなわちステップＳ２０４において所定の上限値Ｄ１を超える値、下限値Ｄ２未満の値が検出されずトリミング処理が行われていない場合は、関数ｆ（ｘ、ｙ）のパラメータｊ１〜ｊ１５を含むレシピパラメータが出力される。
【００３５】
（ステップＳ２０８）管理部１０１が装置制御部１０２へレシピパラメータと共に処理開始指示を出力する。
【００３６】
（ステップＳ２０９）装置制御部１０２がレシピパラメータを受け取り、露光装置１０５の固有のコードに変換して、露光装置１０５へ出力する。また、装置制御部１０２は露光装置１０５へ処理開始を指示する。
【００３７】
（ステップＳ２１０）露光装置１０５が、受信したレシピパラメータに基づきロットの露光処理を行う。例えばレシピパラメータに含まれるパラメータｋ１〜ｋ１５を用いてショット座標（ｘ、ｙ）におけるドーズ量を算出し、算出したドーズ量で露光を行う。
【００３８】
さらに、ＰＥＢ、現像を行い、レジストパターンを形成する。
【００３９】
このように、本実施形態では、レジストパターンの寸法値を補正するためのドーズ量を、所望のレジストパターンを形成し得る上限値及び下限値を用いてトリミング処理し、近似関数を算出してそのパラメータを露光装置に与える。
【００４０】
これにより、ドーズ量が大きすぎる又は小さすぎることによるパターン切れやパターンブリッジの発生が抑制され、製造歩留まりを向上できる。
【００４１】
（第２の実施形態）図１０に本発明の第２の実施形態による半導体製造システムの概略構成を示す。半導体製造システムは管理部１００１、装置制御部１００２、演算部１００３、及び露光装置１００５を備える。演算部１００３はショットマップデータ作成部１００４を有する。
【００４２】
管理部１００１、装置制御部１００２、露光装置１００５は上記第１の実施形態における管理部１０１、装置制御部１０２、露光装置１０５と同様のため説明を省略する。
【００４３】
上記第１の実施形態では演算部１０３（パラメータ算出部１０４）はトリミング処理後のドーズ量分布に近似する関数Ｆ（ｘ、ｙ）を算出し、そのパラメータｋ１〜ｋ１５を出力していたが、本実施形態における演算部１００３は近似関数Ｆ（ｘ、ｙ）を算出せず、各ショット座標におけるドーズ量を出力するものである。
【００４４】
本実施形態による露光量制御方法を図１１を用いて説明する。
【００４５】
（ステップＳ１１０１）管理部１００１から演算部１００３に対し、レシピパラメータの計算要求を発行する。
【００４６】
（ステップＳ１１０２）全面に同一のドーズ量Ｄｉで露光し、現像を行ったウェハを準備し、ウェハ上の複数の座標におけるレジストパターン線幅（ＣＤ値）を測定する。
【００４７】
（ステップＳ１１０３）演算部１００３が、ウェハ上の形成されるレジストパターンのＣＤ値をターゲット寸法０に合わせる（補正する）ためのウェハ上の各座標におけるドーズ量を求める。
【００４８】
そして演算部１００３が最小二乗法を用いてこれらのドーズ量に近似するドーズ量関数ｆ（ｘ、ｙ）を算出する。ｆ（ｘ、ｙ）は上記第１の実施形態における式（１）と同様の式で表すことができる。
【００４９】
（ステップＳ１１０４）ステップＳ１１０３で求めた関数ｆ（ｘ、ｙ）からウェハ面内の各座標におけるドーズ量を算出する。そして、対象としているロットの装置、製品種、工程種についてのドーズ量の上限値Ｄ１、下限値Ｄ２を記憶部（図示せず）に格納された上下限値テーブルから検索する。
【００５０】
そして、算出したウェハ面内ドーズ量に、上限値Ｄ１を超える値、下限値Ｄ２未満の値があるか否かを検出する。ある場合はステップＳ１１０５へ進み、無い場合はステップＳ１１０６へ進む。
【００５１】
（ステップＳ１１０５）ドーズ量の上限値Ｄ１、下限値Ｄ２を用いてウェハ面内におけるドーズ量のトリミング処理を行う。すなわちドーズ量がＤ１を超えている箇所についてはドーズ量をＤ１とし、ドーズ量がＤ２未満の箇所についてはドーズ量をＤ２にする。
【００５２】
（ステップＳ１１０６）ショットマップデータ作成部１００４がショット座標と、そのショット座標におけるドーズ量とを指定するショットマップデータを作成する。図１２（ａ）にショット座標の一例を示し、図１２（ｂ）にショットマップデータの一例を示す。
【００５３】
（ステップＳ１１０７）演算部１００３がショットマップデータを含むレシピパラメータを管理部１００１に出力する。
【００５４】
（ステップＳ１１０８）管理部１００１が装置制御部１００２へレシピパラメータと共に処理開始指示を出力する。
【００５５】
（ステップＳ１１０９）装置制御部１００２がレシピパラメータを受け取り、露光装置１００５の固有のコードに変換して、露光装置１００５へ出力する。また、装置制御部１００２は露光装置１００５へ処理開始指示を出力する。
【００５６】
（ステップＳ１１１０）露光装置１００５が、受信したレシピパラメータに基づきロットの露光処理を行う。例えばレシピパラメータに含まれるショットマップデータからショット座標（ｘ、ｙ）におけるドーズ量を抽出し、抽出したドーズ量で露光を行う。さらに、ＰＥＢ、現像を行い、レジストパターンを形成する。
【００５７】
このように、本実施形態では、レジストパターンの寸法値を補正するためのドーズ量を、所望のレジストパターンを形成し得る上限値及び下限値を用いてトリミング処理し、上下限値の範囲内に収める。
【００５８】
これにより、ドーズ量が大きすぎる又は小さすぎることによるパターン切れやパターンブリッジの発生が抑制され、製造歩留まりを向上できる。
【００５９】
上述した実施の形態はいずれも一例であって限定的なものではないと考えられるべきである。例えば上記実施形態ではドーズ量のトリミング処理を演算部１０３、１００３が行っていたが、露光装置１０５、１００５が行うようにしてもよい。この場合、露光装置１０５、１００５が記憶部（図示せず）に格納された上下限値テーブルを参照できるようにする。
【００６０】
例えば露光装置１０５がレシピパラメータに含まれる係数ｊ１〜ｊ１５を用いて関数ｆ（ｘ、ｙ）を作成する。そしてウェハ面内のドーズ量が上限値Ｄ１と下限値Ｄ２の範囲に収まるようにトリミング処理を行い、トリミング処理後の近似関数Ｆ（ｘ、ｙ）を算出する。そしてこの関数Ｆ（ｘ、ｙ）に基づくドーズ量で露光処理を行う。また、近似関数Ｆ（ｘ、ｙ）は求めず、トリミング処理後のドーズ量に基づいて露光処理を行うようにしてもよい。
【００６１】
上記第１の実施形態ではトリミング処理後のドーズ量分布に近似する関数Ｆ（ｘ、ｙ）が図１３に示すように上限値Ｄ１を僅かに超える値、下限値Ｄ２を僅かに下回る値をとりうる。そのため、露光条件の条件出し（図６、図７）の際に、上限値Ｄ１をドーズ量ｄ１より僅かに小さい値、下限値Ｄ２をドーズ量ｄ２より僅かに大きい値となるようにして上下限値テーブルを作成してもよい。
【００６２】
上限値Ｄ１及び下限値Ｄ２を用いたトリミング処理後のドーズ量で露光処理を行ったウェハに対して、さらに同様の露光量制御方法（図２、図１１）を適用してドーズ量の補正を行うようにしてもよい。
【００６３】
本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体製造システムの概略構成図である。
【図２】同第１の実施形態による露光量制御方法を示すフローチャートである。
【図３】ウェハ面内のＣＤ値の分布を示すグラフである。
【図４】ＣＤ値補正のためのドーズ量の分布及びその近似関数を示すグラフである。
【図５】上下限値テーブルの一例を示す図である。
【図６】露光条件出しの際のドーズ量及びフォーカス値の分布を示す図である。
【図７】所望のレジストパターンが形成されたショットの分布を示す図である。
【図８】トリミング処理後のドーズ量分布を示すグラフである。
【図９】トリミング処理後のドーズ量分布の近似関数を示すグラフである。
【図１０】本発明の第２の実施形態による半導体製造システムの概略構成図である。
【図１１】同第２の実施形態による露光量制御方法を示すフローチャートである。
【図１２】ショットマップデータの一例を示す図である。
【図１３】トリミング処理後のドーズ量分布の近似関数の一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６５】
１０１  管理部
１０２  装置制御部
１０３  演算部
１０４  パラメータ算出部
１０５  露光装置
【図１】
2009283666.tif 000003
【図２】
2009283666.tif 000004
【図３】
2009283666.tif 000005
【図４】
2009283666.tif 000006
【図５】
2009283666.tif 000007
【図６】
2009283666.tif 000008
【図７】
2009283666.tif 000009
【図８】
2009283666.tif 000010
【図９】
2009283666.tif 000011
【図１０】
2009283666.tif 000012
【図１１】
2009283666.tif 000013
【図１２】
2009283666.tif 000014
【図１３】
2009283666.tif 000015