(57)【要約】【課題】蒸着装置の機構を複雑にすることなく、基板とマスクとを確実に密着させて素子の蒸着を行うことができる、発光特性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置１０は、絶縁性基板１１上の各有機ＥＬ素子３０間に形成され、着磁された強磁性体材料を有する構造体１３を備える。【選択図】図１
2009259404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板上に形成された第１電極、該第１電極上に形成された発光層を有する有機層、及び、該有機層上に形成された第２電極でそれぞれ構成された複数の有機ＥＬ素子と、
上記絶縁性基板上の各有機ＥＬ素子間に形成され、着磁された強磁性体材料を有する構造体と、
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記構造体は、強磁性体材料で形成された層と非磁性体材料で形成された層との積層膜で構成された有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記強磁性体材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ又はこれらを含む合金からなる有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記非磁性体材料は、絶縁性を有する有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置において、
上記構造体は、上記絶縁性基板の第１電極上に形成され、且つ、該第１電極の一部分を露出させるように形成されている有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
絶縁性基板上に、第１電極、発光層を有する有機層、及び、第２電極がこの順で形成された複数の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
表面に第１電極が形成された絶縁性基板を準備する工程と、
上記第１電極が形成された絶縁性基板上に、着磁された強磁性体材料からなる構造体をそれぞれ所定の間隔を空けて複数形成する工程と、
上記絶縁性基板上に、上記構造体を介して磁性体マスクを設けて該構造体を該絶縁性基板に密着させる工程と、
上記絶縁性基板上に設けた磁性体マスクを用いて、上記有機層及び上記第２電極の少なくとも一層を上記各構造体間に蒸着する工程と、
を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記構造体を、強磁性体材料で形成された層と非磁性体材料で形成された層との積層膜で構成する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記強磁性体材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ又はこれらを含む合金からなる有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記非磁性体材料は、絶縁性を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記構造体は、上記絶縁性基板の第１電極上に形成され、且つ、該第１電極の一部分を露出させるように形成されている有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記磁性体マスクは、ストライプ状の開口部を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
上記磁性体マスクは、マトリクス状に設けられた開口部を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：以下、「有機ＥＬ素子」と記載する）を有する有機ＥＬパネルなどを備えた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ディスプレイとして、有機ＥＬディスプレイが近年実用化されている。この有機ＥＬディスプレイに用いる有機ＥＬ薄膜を基板上に成膜する手法として、蒸着法が知られている。蒸着法は、一般的に、まず、基板の被蒸着面である表面を下側にして水平状態に載置し、この基板表面にマスクを密着させる。次いで、その下方に設けた蒸着源から蒸着材料（有機ＥＬ材料）を所定パターンが形成されたマスク開口部を通して基板表面に蒸着させることで、基板表面に所定パターンの有機ＥＬ薄膜を成膜させている。
【０００３】
有機ＥＬ薄膜をディスプレイとして使用する場合、そのピクセルの大きさ（画素サイズ）は数十μｍ程度である。そして、Ｒ・Ｇ・Ｂのピクセルは数十μｍの間隔で配列されており、上述したマスクには、これらのピクセルに対応する位置に開口部が形成されている。ここで、ピクセルの大きさ（すなわちマスク開口部の大きさ）は、上述のように微小であるため、マスクの厚さが比較的厚い(１００μｍ以上)と、マスク開口部内の蒸着膜の周縁部は、マスクの陰になって、中央部よりも膜厚が薄くなる現象、いわゆるシャドウが生じる。シャドウが生じると、膜厚が薄い箇所に電流が集中する、あるいはそこを介して陽極と陰極とが短絡し、リーク電流が生じることで素子の発光効率の低下を引き起こす。
【０００４】
このようなシャドウを解消するために、上述の蒸着法では、通常５０μｍ以下の薄いマスクを使用する。この場合、マスクによるシャドウの問題は解消し、マスク開口部に平坦な蒸着膜を形成することができる。マスクが薄ければ薄いほど、マスクによるシャドウの問題は発生し難くなる。このため、マスクはできるだけ薄い方がよい。
【０００５】
ところが、マスクを薄くしていくと、強度が十分にとれないために、今度はマスクの撓みに関する問題が生じる。すなわち、マスクを基板の表面に置いた場合、マスク中央部付近でマスクが撓み、マスクと基板との間に隙間ができる。その結果、蒸着膜が隙間に入り込み、蒸着パターン周辺部ににじみを生じさせる。このようなにじみは、隣接画素同士の混色を引き起こし、歩留まりを悪化させる要因となる。マスクの撓みは、マスクサイズが大きくなればなるほど顕著になる。また、蒸着パターン周辺部のにじみは、基板の精細度が高くなればなるほど無視できないレベルになる。
【０００６】
上述の問題を解決するために、例えば、特許文献１には、基板の背面側にマグネットプレートを配置することで、撓み易いマスク中央部を磁石で引き付け、マスク−基板間の隙間を無くし、マスクと基板との密着性を向上させている。
【特許文献１】特開２００１−３１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、基板背面側にマグネットプレートを配置すると、マグネットプレートから発生した磁力が基板の厚み分だけ減衰してマスクに作用することになり、マスク−基板間の隙間を十分に無くすには至らない。また、蒸着装置にマグネットプレートを設けなければならず、装置の機構が複雑になり、マスク−基板−マグネットプレートの３層を非常に精度良く位置あわせしなければならない。さらに、基板仕様が変わると、マグネットプレート仕様も変更しなければならず、コストの問題が生じる。
【０００８】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、蒸着装置の機構を複雑にすることなく、基板とマスクとを確実に密着させて素子の蒸着を行うことができる、発光特性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に形成された第１電極、第１電極上に形成された発光層を有する有機層、及び、有機層上に形成された第２電極でそれぞれ構成された複数の有機ＥＬ素子と、絶縁性基板上の各有機ＥＬ素子間に形成され、着磁された強磁性体材料を有する構造体と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、構造体が、強磁性体材料で形成された層と非磁性体材料で形成された層との積層膜で構成されていてもよい。
【００１１】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、強磁性体材料が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ又はこれらを含む合金からなるものであってもよい。
【００１２】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、非磁性体材料が、絶縁性を有していてもよい。
【００１３】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、構造体が、絶縁性基板の第１電極上に形成され、且つ、第１電極の一部分を露出させるように形成されていてもよい。
【００１４】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、絶縁性基板上に、第１電極、発光層を有する有機層、及び、第２電極がこの順で形成された複数の有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、表面に第１電極が形成された絶縁性基板を準備する工程と、第１電極が形成された絶縁性基板上に、着磁された強磁性体材料からなる構造体をそれぞれ所定の間隔を空けて複数形成する工程と、絶縁性基板上に、構造体を介して磁性体マスクを設けて構造体を絶縁性基板に密着させる工程と、絶縁性基板上に設けた磁性体マスクを用いて、有機層及び第２電極の少なくとも一層を各構造体間に蒸着する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、構造体を、強磁性体材料で形成された層と非磁性体材料で形成された層との積層膜で構成してもよい。
【００１６】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、強磁性体材料が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ又はこれらを含む合金からなるものであってもよい。
【００１７】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、非磁性体材料が、絶縁性を有していてもよい。
【００１８】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、構造体が、絶縁性基板の第１電極上に形成され、且つ、第１電極の一部分を露出させるように形成されていてもよい。
【００１９】
また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、磁性体マスクが、ストライプ状の開口部を有していてもよい。
【００２０】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、磁性体マスクが、マトリクス状に設けられた開口部を有していてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、蒸着装置の機構を複雑にすることなく、基板とマスクとを確実に密着させて素子の蒸着を行うことができる、発光特性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成及びその製造方法を、図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
（有機ＥＬ表示装置１０の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の断面図を示す。有機ＥＬ表示装置１０は、絶縁性基板１１、絶縁性基板１１上に所定の間隔で複数形成された有機ＥＬ素子３０、及び、各有機ＥＬ素子３０間に形成された構造体１３を備えている。
【００２４】
絶縁性基板１１は、ガラス又はプラスチック等の絶縁性材料で形成されている。
【００２５】
有機ＥＬ素子３０は、絶縁性基板１１上に形成された第１電極１２（陽極）、第１電極１２上に形成された有機層１４、及び、有機層１４上に形成された第２電極１５（陰極）を備えている。
【００２６】
第１電極１２は、絶縁性基板１１上に所定の間隔でマトリクス状に複数形成されており、それぞれが有機ＥＬ表示装置１０の各画素領域を構成している。第１電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、又は、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等により形成されている。
【００２７】
有機層１４は、マトリクス状に区画された各第１電極１２上に形成されている。有機層１４は、正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）のいずれかの発光層、電子輸送層、及び、電子注入層で構成されている。
【００２８】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層もしくは正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、あるいはこれらの誘導体、又は、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【００２９】
発光層は、第１電極１２及び第２電極１５による電圧印加時に、両電極のそれぞれから正孔および電子が注入され、さらにこれらが再結合する領域である。このような発光層は、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料で形成されている。具体的には、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。
【００３０】
電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１５から注入される電子を発光層に輸送するためのものである。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【００３１】
第２電極１５は、有機層１４上に形成されている。第２電極１５は、有機層１４に電子を注入する機能を有し、例えば、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ等）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等）、金属カルシウム又は仕事関数の小さい金属等により形成されている。
【００３２】
構造体１３は、絶縁性基板１１上の各有機ＥＬ素子３０間に形成され、各画素領域を区画している。構造体１３は、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、メタリル系樹脂又はノボラック系樹脂等の絶縁性の樹脂材料に、強磁性体材料を含有させて構成されている。強磁性体材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ又はこれらを含む合金で構成されている。
【００３３】
なお、構造体１３は、着磁された強磁性体材料で形成された層と非磁性体材料で形成された層との積層膜で構成されていてもよい。この場合、非磁性体材料で形成された層によってＴＦＴ基板上の回路に対する磁場の影響を軽減することができると同時に強磁性体材料で形成された層により、有機層１４等の蒸着の際にメタルマスクと絶縁性基板１１とを確実に密着させることができる。
【００３４】
また、非磁性体材料が絶縁性材料で形成されていてもよい。この場合、有機ＥＬ素子３０のリーク電流が良好に抑制される。
【００３５】
さらに、構造体１３は、絶縁性基板１１の第１電極１２上に形成され、且つ、第１電極１２の一部分を露出させるように形成してもよい。この場合、露出部分に有機層１４及び第２電極１５を形成し、画素領域とする。有機層１４等の蒸着工程でメタルマスクと絶縁性基板１１とを密着させる際、基板接触面側のメタルマスク表面に微小凹凸があると、絶縁性基板１１を傷つけるおそれがある。これに対し、構造体１３が絶縁性基板１１の第１電極１２上に形成され、且つ、第１電極１２の一部分を露出させるように形成されていれば、構造体１３が絶縁性基板１１とメタルマスクとの間のスペーサーとしての役割を担い、絶縁性基板１１の損傷等を良好に抑制することができる。
【００３６】
また、第２電極１５上に、さらに封止膜を設けてもよい。封止膜は、第２電極１５を大気中の水分から保護するために、第２電極１５を覆うように形成する。封止膜は、例えば、ガラスやプラスチック等により形成することができる。
【００３７】
（有機ＥＬ表示装置１０の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基板サイズが３００×４００ｍｍで、厚さが０．７ｍｍのガラス基板等の絶縁性基板１１上に、スパッタ法によりＩＴＯ膜をパターン形成して第１電極１２を形成する。このとき、第１電極１２の膜厚は、例えば、１５０ｎｍ程度に形成する。
【００３９】
次に、感光性ポリイミド樹脂材料中に強磁性体材料である鉄粉末を３０％程度含有したレジスト材料を、絶縁性基板１１上にスピンコート法により塗布する。その後フォトリソグラフィーにより第１電極１２の一部を露出させることにより、各画素領域間に構造体１３をパターン形成する。このとき、構造体１３の膜厚は、例えば、２μｍ程度に形成する。なお、強磁性体材料を用いた構造体１３の形成方法としては、上述のものに限らず、例えば、スパッタ等による物理的成膜法や磁性体材料が被着されたテープを絶縁性基板１１に貼り合わせる方法を用いてもよい。
【００４０】
次いで、パルス電流を用いて高磁界を発生させる着磁装置内に絶縁性基板１１を放置することにより、絶縁性基板１１上の構造体１３に対し、その絶縁性基板１１の垂直方向に着磁する。本実施形態では、このときのパルス電流値を２０ｋＡとし、着磁時間を５ｍｓとする。
【００４１】
なお、本実施形態では構造体１３をフォトリソグラフィーによって形成したが、これに限らず、例えば、転写法や印刷法等で形成してもよい。着磁についても、パルス電流を用いる以外の手法として電流を直流的に発生させる手法を用いてもよく、場合に応じて最も適した方法で着磁することが望ましい。
【００４２】
次に、着磁済みの構造体１３を備えた絶縁性基板１１上に、発光層を含む有機層１４及び第２電極１５をメタルマスク（磁性体マスク）を用いた蒸着法により形成する。以下、この工程を図面２〜５を参照しながら説明する。ここで、図２は、本実施形態に係る蒸着装置の模式図を示す。図３は、本実施形態に係るオープンマスク１６ｂを備えたメタルマスク１６の平面図を示す。図４は、本実施形態に係るスリットマスク１６ｂ’を備えたメタルマスク１６の平面図を示す。図５は、本実施形態に係る蒸着工程のフローチャートを示す。
【００４３】
まず、図２に示すように、着磁済みの構造体１３を備えた絶縁性基板１１を蒸着装置のチャンバー２１内に設置する。蒸着装置のチャンバー２１内は、真空ポンプにより、１×１０−５〜１×１０−４（Ｐａ）の真空度に保たれている。着磁済みの構造体１３を備えた絶縁性基板１１は、チャンバー２１内に取り付けられた１対の基板受け２０によって２辺を固定した状態で設置する。
【００４４】
次に、図３に示すようなメタルマスク１６を準備する。メタルマスク１６は、例えば、厚さが４０μｍ程度のインバーマスクを厚さが８ｍｍ程度のインバーフレームにレーザ溶接することにより構成されている。インバーマスクとしては、絶縁性基板１１の各画素領域に対応する数十ｃｍ四方の開口部１６ａがパターン配置された、全画素共通の有機層１４・第２電極１５を蒸着するためのオープンマスク１６ｂ、及び、各画素ごとに塗り分けるために４０μｍ幅の線状の開口スリット１６ａ’がそれぞれ８０μｍの間隔で複数本並設されたスリットマスク１６ｂ’の２品種を使用した。
【００４５】
次いで、メタルマスク１６を、絶縁性基板１１上に構造体１３（図２では図示を省略）を介して設ける。このとき、構造体１３とメタルマスク１６とは、それらの間に生じる磁力により密着する。メタルマスク１６は、その開口部１６ａが画素領域に対応するように、すなわち、構造体１３がメタルマスク１６の開口部１６ａを囲むように位置合わせして設置する。
【００４６】
絶縁性基板１１とメタルマスク１６との位置合わせは、絶縁性基板１１及びメタルマスク１６のそれぞれに二箇所ずつ設けたアライメントマークを蒸着装置に組み込んだＣＣＤカメラで認識することで行う。アライメントマークの認識は、まず、絶縁性基板１１及びメタルマスク１６を接触させない状態で各アライメントマーク間の位置誤差が±２μｍ以内におさまるまで繰り返し行う。続いて、絶縁性基板１１及びメタルマスク１６を完全に密着させておき、各アライメントマーク間の位置誤差が±５μｍ以内におさまった段階でアライメントマークの認識完了とする。絶縁性基板１１及びメタルマスク１６を完全に密着させた状態で各アライメントマーク間の位置誤差が±５μｍ以内におさまらなかった場合は、もう一度基板とマスクとを接触させない状態からやり直す。
【００４７】
続いて、絶縁性基板１１上に密着させたメタルマスク１６の四隅を、チャンバー２１内のマスク受け１９で固定する。
【００４８】
次に、るつぼ１７を用いた蒸着を行う。るつぼ１７は、チャンバー２１内の下部に設置されている。るつぼ１７内には、各種蒸着材料が仕込まれている。るつぼ１７にはヒーターが備え付けられており、これによってるつぼ１７は加熱される。ヒーターによる加熱により、るつぼ１７の内部温度が各種蒸着材料の蒸発温度に到達することで、るつぼ１７内に仕込まれた各種蒸着材料が蒸発分子１８となってチャンバー２１内の上方向へ飛び出す。
【００４９】
蒸発分子１８の蒸発レート（単位時間あたりに蒸着される膜厚）は、チャンバー２１内に設置された水晶振動子でモニタリングし、レートが安定するまではチャンバー２１内に設置された開閉可能なシャッター２２によって絶縁性基板１１上に蒸着されないようにしている。各種蒸着材料の蒸発レートが所望の値で安定したところでシャッター２２をオープンし、るつぼ１７から飛び出した各種蒸発分子１８をメタルマスク１６の開口部１６ａを介して絶縁性基板１１の表面に付着させ、有機層１４及び第２電極１５を形成する。本実施形態では、蒸着中に絶縁性基板１１表面の膜厚分布を均一にするために、絶縁性基板１１をメタルマスク１６に密着させて一体化させたものを１０ｒｐｍで回転させる手法をとっている。このため、成膜時には、その回転数に応じた遠心力が絶縁性基板１１及びメタルマスク１６に働くことになる。これに対し、従来の手法では、絶縁性基板１１及びメタルマスク１６をいくら高精度に位置合わせしたとしても、遠心力が加わることで絶縁性基板１１及びメタルマスク１６の密着性が不十分となる。このため、両者の間でずれが生じてしまい、それが隣接画素間の混色、画素端部での膜厚の減少を引き起こしてしまう。しかしながら本発明の実施形態によれば、上述したように、絶縁性基板１１の構造体１３が着磁されているので、構造体１３を介してメタルマスク１６と対向する絶縁性基板１１をメタルマスク１６に確実に密着させることができる。このため、遠心力の影響がなく、絶縁性基板１１及びメタルマスク１６の間にずれが生じない。したがって、有機層１４及び第２電極１５を、それぞれ正確にパターニングすることができる。
【００５０】
有機層１４及び第２電極１５の形成としては、まず、絶縁性基板１１上にパターニングされたＩＴＯ上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）からなる正孔注入層をオープンマスク１６ｂを介して２５ｎｍ程度の膜厚で形成する。続いて、正孔注入層上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、α−ＮＰＤ（4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl）からなる正孔輸送層をオープンマスク１６ｂを介して３０ｎｍ程度の膜厚で形成する。次に、赤色発光層として、ジ(2-ナフチル)アントラセン（ＡＤＮ）に2,6-ビス（(4’-メトキシジフェニルアミノ)スチリル）-1,5-ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものをスリットマスク１６ｂ’を介して画素Ｒの正孔輸送層上に３０ｎｍ程度の膜厚で形成する。次いで、緑色発光層として、ＡＮＤにクマリン６を５重量％混合したものをスリットマスク１６ｂ’を介して画素Ｇの正孔輸送層上に３０ｎｍ程度の膜厚で形成する。次に、青色発光層として、ＡＮＤに4,4’-ビス（2-{4-(N,N-ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル）ビフェニル(ＤＰＡＶＢｉ)を２．５重量％混合したものを３０ｎｍ程度の膜厚で形成する。次いで、各発光層上に、ＲＧＢ全ての画素に共通して、8-ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)を電子輸送層として２０ｎｍ程度の膜厚で形成する。続いて、電子輸送層上に、フッ化リチウム(ＬｉＦ)を電子注入層として０．３ｎｍ程度の膜厚で形成する。最後に、第２電極１５として、マグネシウム銀(ＭｇＡｇ)からなる陰極を１０ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００５１】
さらに、必要であれば、第２電極１５上に封止膜等を形成することにより、有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
【００５２】
（作用効果）
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、絶縁性基板１１上の各有機ＥＬ素子３０間に形成され、着磁された強磁性体材料を有する構造体１３を備える。そして、有機ＥＬ表示装置１０の製造工程においては、この構造体１３とメタルマスク１６との間に働く磁力を利用して、メタルマスク１６を絶縁性基板１１上に設ける。このため、磁力を弱めることなく絶縁性基板１１とメタルマスク１６とを確実に密着させた状態で、所定の画素領域に有機層１４や第２電極１５を精度良く形成することができる。従って、絶縁性基板１１とメタルマスク１６との間に生じる隙間に起因する隣接画素間の混色や、開口部１６ａよりも幅広の蒸着膜の形成を抑制することが可能となり、有機ＥＬ表示装置１０の歩留まりを向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】蒸着装置の模式図である。
【図３】オープンマスクを備えたメタルマスクの平面図である。
【図４】スリットマスクを備えたメタルマスクの平面図である。
【図５】蒸着工程のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５５】
１０      有機ＥＬ表示装置
１１      絶縁性基板
１２      第１電極
１３      構造体
１４      有機層
１５      第２電極
１６      メタルマスク
【図１】
2009259404.tif 000003
【図２】
2009259404.tif 000004
【図３】
2009259404.tif 000005
【図４】
2009259404.tif 000006
【図５】
2009259404.tif 000007