(57)【要約】【課題】簡素な構成でありながら従来に比べて格段に大きな放熱性を発揮することができ、パッケージの小型化及び電流容量の増加に十分対応することのできる光結合半導体装置を提供する【解決手段】発光側リードフレーム２及び受光側リードフレーム３と、発光側リードフレーム２の半導体素子搭載ヘッダ部２１に搭載される発光素子４と、受光側リードフレーム３の半導体素子搭載ヘッダ部３１に搭載される受光素子５とを備え、発光素子４と受光素子５とが対向配置されるとともに、両リードフレーム２，３及び両素子４，５が封止樹脂６により樹脂封止された光結合半導体装置１において、封止樹脂６に、半導体素子搭載ヘッダ部３１の少なくとも一方の半導体非搭載面３２と連通する冷却用通孔７を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光側リードフレーム及び受光側リードフレームと、
前記発光側リードフレームの半導体素子搭載ヘッダ部に搭載される発光素子と、
前記受光側リードフレームの半導体素子搭載ヘッダ部に搭載される受光素子とを備え、
前記発光素子と受光素子とが対向配置されるとともに、前記両リードフレーム及び前記両素子が封止樹脂により樹脂封止された光結合半導体装置において、
前記封止樹脂に、前記半導体素子搭載ヘッダ部の少なくとも一方の半導体非搭載面と連通する冷却用通孔が設けられたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記冷却用通孔が複数個配置されたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記冷却用通孔に放熱材が充填されたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記半導体非搭載面に凹凸が設けられたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記半導体非搭載面に、前記冷却用通孔を通じて外部から浸入する水分を遮断する止水部が、前記冷却用通孔を包囲するように設けられた光結合半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光結合半導体装置において、
前記止水部は、前記冷却用通孔を多重に包囲するように設けられたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の光結合半導体装置において、
前記止水部は、前記半導体非搭載面に形成した複数の凸部又は凹部で構成されたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記冷却用通孔は、その開口端が前記封止樹脂の側面に臨む溝とされたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の光結合半導体装置において、
前記冷却用通孔は、前記ヘッダ部に対し傾斜して設けられたことを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項１０】
封止樹脂充填時に半導体素子搭載ヘッダ部の半導体非搭載面と当接する凸部を備えた樹脂封止用金型を用いることを特徴とする請求項１に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記冷却用通孔を、封止樹脂に対して切削加工を施すことにより形成することを特徴とする請求項１に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか一つに記載の光結合半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱性に優れた光結合半導体装置及びその製造方法、並びにその光結合半導体装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光結合半導体装置の技術動向として、パッケージの小型化や、電流容量の増加が顕著である。これに伴い、使用時に発生する熱も増加傾向にあり、この熱について十分な対策を講じないと光結合半導体装置それ自体が自己の発生する熱でダメージを受け、特性の劣化を招来することとなる。そのため、パッケージの小型化や電流容量の増加に対応するには、使用時に発生する熱を効率よく放出させることが肝要である。
【０００３】
そこで、従来、光結合半導体装置における放熱性の向上を図るために、例えば、温度の影響を受けやすい集積回路素子を熱伝導性の高いリードフレームに接触させることによって、自己発熱の影響を低減させたり、また、樹脂パッケージを実装基板に密着させることで基板に熱を逃がす方法等が採られている。
【０００４】
さらに、リードフレームを、遮光性樹脂からなる二次モールド内で折曲させるとともに外部実装基板上に面実装できるように前記二次モールド体表面に露出させる構造として、放熱問題の解決を図ったものもある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、外部実装基板に貫通孔を設け、貫通孔と係合する凸部を二次モールド体底面に形成して放熱させるといった手段も提案されている。
【特許文献１】特開平０９-０８３０１３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、電流容量が増加すると発熱量が増え、これに伴い放熱性をより一層高める必要がでてくるが、特許文献１に記載の手段でそれに対応しようとすると、外部実装基板上に面実装されるリードフレームの面積を大きく取らざるを得なくなる。その結果、光結合半導体装置全体の大型化を招き、パッケージの小型化という要望に応えることができないといった問題があった。
【０００７】
また、電流容量の増加度合いが大きいと、基板の放熱量に対し発熱量が上回ってしまい、基板に熱が溜まることから、満足な放熱性が確保できなくなるばかりか、長時間熱にさらされることにより基板そのものも熱によるダメージを受けてしまうといった問題があった。
【０００８】
一方、二次モールド体底面に凸部を形成して放熱する構成では、発熱量が増加するにしたがって貫通孔を大きく取らざるを得なくなる。ところが、外部実装基板上に貫通孔を設けるにはスペース上自ずと制限があるため、許容される径の大きさには限界がある。そのため、この構成においても満足な放熱性の確保が困難であり、光結合半導体装置の小型化や電流容量の増加等に対応できないといった問題があった。
【０００９】
本発明は上記従来の問題を解決すべく創案されたものであり、簡素な構成でありながら従来に比べて格段に大きな放熱性を発揮することができ、パッケージの小型化及び電流容量の増加に十分対応することのできる光結合半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明に係る光結合半導体装置は、発光側リードフレーム及び受光側リードフレームと、前記発光側リードフレームの半導体素子搭載ヘッダ部に搭載される発光素子と、前記受光側リードフレームの半導体素子搭載ヘッダ部に搭載される受光素子とを備え、前期発光素子と受光素子とが対向配置されるとともに、前記両リードフレームおよび前記両素子が封止樹脂により樹脂封止された光結合半導体装置において、前記封止樹脂に、前記半導体素子搭載ヘッダ部の少なくとも一方の半導体非搭載面と連通する冷却用通孔が設けられたことを特徴とするものである。
【００１１】
この特定事項により、半導体素子搭載ヘッダ部の少なくとも一方の半導体非搭載面に冷却用通孔を介して外気が導入され、半導体素子搭載ヘッダ部と外気との間で直接熱交換が行われることになり、従来のリードフレームや外部実装基板を介して放熱を行う方法に比べて、放熱が極めて効率的に行われる。なお、冷却用通孔を設けたことによって封止樹脂から半導体素子搭載ヘッダ部が剥離し易くならないよう、冷却用通孔の径の大きさは半導体素子搭載ヘッダ部より小さくするのが望ましい。
【００１２】
また、上記冷却用通孔は一つであってもよいが、複数個配置されてもよい。
【００１３】
冷却用通孔を複数個配置した場合、半導体素子搭載ヘッダ部への効率的な外気導入を確保しながら封止樹脂から該ヘッダ部が剥離するのをより確実に防ぐことができる。
【００１４】
また、上記冷却用通孔には放熱材が充填されてもよい。
【００１５】
この場合、放熱材により半導体素子搭載ヘッダ部と外部との間の絶縁性が保たれた状態で半導体素子搭載ヘッダ部の熱が効率よく放熱材を介して外部に放出される。つまり、絶縁性と放熱性が両立することとなる。
【００１６】
また、半導体素子搭載ヘッダ部の半導体非搭載面に凹凸が設けられていてもよい。
【００１７】
この場合、封止樹脂と半導体非搭載面との接触面積が、半導体非搭載面が平滑面である場合に比べて増えるため、封止樹脂から半導体素子搭載ヘッダ部が剥離するのをより確実に防止できると同時に、半導体非搭載面の冷却用通孔に臨む部分における表面積が平滑面である場合に比べて増えるため、外気との接触面積を稼ぐことができ、外気への放熱がより効率的に行われるようになる。
【００１８】
また、半導体素子搭載ヘッダ部の半導体非搭載面に冷却用通孔を通じて外部から浸入する水分を遮断する止水部が冷却用通孔を包囲するように設けられていてもよい。
【００１９】
この場合、たとえ外部から冷却用通孔を通じて水分が浸入してきても、止水部によりこれを防ぐことができる。
【００２０】
ここで、上記止水部は、冷却用通孔を多重に包囲するように設けられていてもよい。
【００２１】
この場合、冷却用通孔を通じての水分の浸入をより確実に防止することができる。
【００２２】
また、上記止水部は、半導体非搭載面に形成した複数の凸部または凹部で構成してもよい。
【００２３】
この場合、半導体非搭載面を加圧成形加工するだけで容易に止水部を形成することができる。
【００２４】
また、上記冷却用通孔は、その開口端が封止樹脂の側面に臨む溝とされてもよい。
【００２５】
この場合、半導体非搭載面に触れた外気が冷却用通孔内で滞留することなく下から横に抜けることができ、常に新鮮な外気が半導体非搭載面に導入されることになるため、放熱がより効率的に行われるようになる。
【００２６】
また、上記冷却用通孔は、半導体素子搭載ヘッダ部に対し傾斜して設けられていてもよい。
【００２７】
この場合、冷却用通孔を通じて外気が半導体非搭載面に導入されることになるため、放熱が効率的に行われると同時に、冷却用通孔を垂設した場合に比べて装置の１次側と２次側との間の沿面絶縁距離を稼ぐことができる。
【００２８】
本発明に係る光結合半導体装置の製造方法は、封止樹脂充填時に半導体素子搭載ヘッダ部の半導体非搭載面と当接する凸部を備えた樹脂封止用金型を用いることを特徴とするものである。
【００２９】
この特定事項により、樹脂封止用金型にモールド樹脂を流し込むだけで冷却用通孔を形成することができる。また、光結合半導体装置が平面搭載型である場合は、樹脂封止時に金型の凸部で半導体素子搭載ヘッダ部が支持されることになるので、モールド時におけるリードフレームの形状安定化を図ることができる。
【００３０】
また、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法は、冷却用通孔を、封止樹脂に対して切削加工を施すことにより形成することを特徴とするものである。
【００３１】
この特定事項により、既存の切削装置で容易に冷却用通孔を形成することができる。
【００３２】
本発明に係る電子機器は、以上説明した光結合半導体装置を用いたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、簡素な構成でありながら従来に比べて格段に大きな放熱性を発揮することができ、パッケージの小型化及び電流容量の増加に十分対応することのできる光結合半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、ここでは本発明を対向型フォトカプラに適用した例について説明する。
【００３５】
<実施形態１>
図１(a)は、本発明の実施形態１に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図１（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【００３６】
この光結合半導体装置１は、発光側リードフレーム２及び受光側リードフレーム３と、発光側リードフレーム２の半導体素子搭載ヘッダ部２１に搭載される発光素子４と、受光側リードフレーム３の半導体素子搭載ヘッダ部３１に搭載される受光素子５とを備えたものである。発光素子４と受光素子５とは対向配置されており、両リードフレーム３，４とともに樹脂封止６されている。
【００３７】
上記封止樹脂６には、受光側リードフレーム３の半導体素子搭載ヘッダ部３１における半導体非搭載面３２と連通する冷却用通孔７が設けられている。この冷却用通孔７の断面形状は円形とされ、その内径は、冷却用通孔７を設けたことによって封止樹脂６から半導体素子搭載ヘッダ部３１が剥離し易くならないよう、半導体素子搭載ヘッダ部３１より小さくするのが望ましい。なお、この冷却用通孔７の断面形状は円形に限るものではなく、三角形や五角形以上の多角形、或いは楕円など任意の形状をとりうる。
【００３８】
このように、冷却用通孔７が封止樹脂６に設けられたことにより、半導体素子搭載ヘッダ部３１の半導体非搭載面３２に冷却用通孔７を介して外気が導入され、半導体素子搭載ヘッダ部３１と外気との間で直接熱交換が行われることになり、従来のリードフレームや外部実装基板を介して放熱を行う方法に比べて、放熱が極めて効率的に行われる。
【００３９】
<実施形態２>
図２(a)は、本発明の実施形態２に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図２（ｂ）はそれを下から観た底面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態２は、上記実施形態1と冷却用通孔７の構成が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００４０】
本実施形態２では、冷却用通孔７は複数個（図示例では５個）設けられている。個々の冷却用通孔７は、実施形態１で説明したものより内径がかなり小さなものとされており、半導体非搭載面３２に略均一に分散するよう配置されている。これら各冷却用通孔７は、実施形態１のものと同様、断面形状が円形とされているが、これに限らず、三角形や五角形以上の多角形、或いは楕円など任意の形状をとりうる。また、個数も５個に限らず、２〜４個でも６個以上でもよい。但し、個数が少なくなるほど一つ一つの冷却用通孔７の内径を大きくし、個数が多くなるほど一つ一つの冷却用通孔７の内径を小さくするのが望ましい。さらに、冷却用通孔７の配置パターンは図示例に限るものではなく、半導体非搭載面３２における発熱分布を把握しておき、発熱量の多い箇所に冷却用通孔７を集中的に配置するようにしてもよい。
【００４１】
本実施形態２の場合、実施形態１と同様、半導体素子搭載ヘッダ部３１の半導体非搭載面３２に複数個の冷却用通孔７を介して外気が導入され、半導体素子搭載ヘッダ部３１と外気との間で直接熱交換が行われることになり、従来のリードフレームや外部実装基板を介して放熱を行う方法に比べて、放熱が極めて効率的に行われる。また、内径の小さい冷却用通孔７を複数個設けたことにより、冷却用通孔７に起因する封止樹脂６からの半導体素子搭載ヘッダ部３１の剥離の虞がない。
【００４２】
＜実施形態３＞
図３(a)は、本発明の実施形態３に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図３（ｂ）はそれを下から観た底面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態３は、上記各実施形態と冷却用通孔７の構成が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００４３】
本実施形態３では、実施形態１で示した光結合半導体装置１の冷却用通孔７内に放熱材８が充填されている。この放熱材８としては、封止樹脂６よりも比熱の低い材料からなるものが好ましく、例えばセラミックが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
このように、冷却用通孔７に放熱材８が設けられた場合は、放熱材８により半導体素子搭載ヘッダ部３１と外部との間の絶縁性が保たれた状態で半導体素子搭載ヘッダ部３１の熱が効率よく放熱材８を介して外部に放出される。つまり、絶縁性と放熱性が両立することとなる。
【００４５】
＜実施形態４＞
図４は、本発明の実施形態４に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態４は、上記各実施形態と半導体素子搭載ヘッダ部３１の半導体非搭載面３２の構成が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００４６】
本実施形態４では、半導体素子搭載ヘッダ部３１の半導体非搭載面３２に凹凸９が設けられている。この凹凸９は半導体非搭載面３２の全域に亘っている。
【００４７】
このような凹凸９が半導体非搭載面３２に設けられた場合、封止樹脂６と半導体非搭載面３２との接触面積が、半導体非搭載面３２が平滑面である場合（実施形態１参照）に比べて増えるため、封止樹脂６から半導体素子搭載ヘッダ部３１が剥離するのをより確実に防止できると同時に、半導体非搭載面３２の冷却用通孔７に臨む部分における表面積が平滑面である場合に比べて増えるため、外気との接触面積を稼ぐことができ、外気への放熱がより効率的に行われるようになる。
【００４８】
＜実施形態５＞
図５(a)は、本発明の実施形態５に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図５（ｂ）はそれを下から観た底面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態５は、上記各実施形態と止水部１０を設けた点が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００４９】
本実施形態５では、半導体素子搭載ヘッダ部３１の半導体非搭載面３２に冷却用通孔７を通じて外部から浸入する水分を遮断する止水部１０が冷却用通孔７を包囲するように設けられている。この止水部１０は、半導体非搭載面３２の表面に、冷却用通孔７と同心円状に断続的に突設された多数個の楔状の凸部で構成されている。
【００５０】
このように、冷却用通孔７が止水部１０で包囲されたことにより、たとえ外部から冷却用通孔７を通じて水分が浸入してきても、止水部１０によりこれを防ぎ止められる。
【００５１】
なお、止水部１０は上記したような凸部で構成されるだけではなく、図６（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、半導体非搭載面３２の表面に、冷却用通孔７と同心円状に断続的に刻設された多数個の凹部で構成されてもよい。また、止水部１０は冷却用通孔７を一重に包囲しているが、図６（ａ）及び同図（ｂ）に示すように、多重に包囲してもよく、この場合は、冷却用通孔７を通じての水分の浸入がより確実に防止される。
【００５２】
以上説明したように止水部１０を、半導体非搭載面３２に形成した複数の凸部または凹部で構成した場合は、半導体非搭載面３２を加圧成形加工するだけで容易に止水部１０を形成することができる。なお、止水部１０を凸部又は凹部で構成する場合、いずれか一方のみで構成する必要はなく、凸部と凹部とを適宜混在させてもよい。
【００５３】
＜実施形態６＞
図７(a)は、本発明の実施形態６に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図７（ｂ）はそれを下から観た底面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態６は、上記各実施形態と冷却用通孔７の構成が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００５４】
本実施形態６では、冷却用通孔７が、その開口端７１が封止樹脂６の側面６１に臨む溝とされている。
【００５５】
この場合、半導体非搭載面３２に触れた外気が冷却用通孔７内で滞留することなく封止樹脂６の下から横に抜けることができ、常に新鮮な外気が半導体非搭載面３２に導入されることになるため、放熱がより効率的に行われるようになる。
【００５６】
＜実施形態７＞
図８(a)は、本発明の実施形態７に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図８（ｂ）はそれを下から観た底面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施形態７は、上記各実施形態と冷却用通孔７の構成が異なるだけであるので、この相違点についてのみ説明する。
【００５７】
本実施形態７では、冷却用通孔７が、半導体素子搭載ヘッダ部３１に対し傾斜して設けられている。
【００５８】
この場合、冷却用通孔７を通じて外気が半導体非搭載面３２に導入されることになるため、放熱が効率的に行われると同時に、冷却用通孔７を垂設した場合（実施形態１参照）に比べて装置の１次側と２次側との間の沿面絶縁距離を稼ぐことができる。
【００５９】
＜製造方法に係る実施形態＞
次に、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法の実施形態について、図９（ａ）及び同図（ｂ）を参照して説明する。
【００６０】
図９（ａ）は、上記各実施形態で示した対向型フォトカプラの製造に本発明を適用した例の概略構成を示す正面から観た透視図、同図（ｂ）は平面搭載型フォトカプラの製造に本発明を適用した例の概略構成を示す正面から観た透視図である。
【００６１】
いずれのタイプの光結合半導体装置についても、樹脂封止用金型１２，１３に、封止樹脂充填時に半導体素子搭載ヘッダ部３１，２１の半導体非搭載面３２，２２と当接する凸部１４が設けられている。そしてこのような構成の樹脂封止用金型１２，１３内に、発光素子４、受光素子５をそれぞれ搭載したリードフレーム２，３を配置するとともに、金型１２，１３内の凸部１４に半導体素子搭載ヘッダ部３１，２１の半導体非搭載面３２，２２を当接させる。その後、金型１２，１３内にモールド樹脂を流し込むだけで冷却用通孔７が形成されることになる。ここで、光結合半導体装置１が図９（ｂ）に示すような平面搭載型である場合は、樹脂封止時に金型１３の凸部１４で半導体素子搭載ヘッダ部２１，３１が支持されることになるので、モールド時におけるリードフレーム２，３の形状安定化を図ることができる。
【００６２】
また、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法は、冷却用通孔７を、封止樹脂６に対して切削加工を施すことにより形成してもよい。
【００６３】
この場合、既存の切削装置で容易に冷却用通孔を形成することができる。
【００６４】
また、本発明は、以上説明した光結合半導体装置及びその製造方法だけではなく、上記の光結合半導体装置を用いた電子機器を包含する。電子機器としては、テレビジョン受像機用やＦＡ用の電源装置等があり、入出力間を絶縁して信号伝達を行う回路を含むものであれば、如何なる種類のものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１(a)は、本発明の実施形態１に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図１（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図２】図２(a)は、本発明の実施形態２に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図２（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図３】図３(a)は、本発明の実施形態３に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図３（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態４に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図である。
【図５】図５(a)は、本発明の実施形態５に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図５（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図６】本発明の実施形態５の変形例を示し、図６(a)は光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図６（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図７】図７(a)は、本発明の実施形態６に係る光結合半導体装置（対向型フォトカプラ）の概略構成を示す正面から観た透視図、図７（ｂ）はそれを下から観た底面図である
【図８】図８(a)は、本発明の実施形態７に係る光結合半導体装置の概略構成を示す正面から観た透視図、図８（ｂ）はそれを下から観た底面図である。
【図９】図９（ａ）は、対向型フォトカプラの製造に本発明を適用した例の概略構成を示す正面から観た透視図、図９（ｂ）は平面搭載型フォトカプラの製造に本発明を適用した例の概略構成を示す正面から観た透視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１    光結合半導体装置
２    発光側リードフレーム
２１  半導体素子搭載ヘッダ部
２２  半導体非搭載面
３    受光側リードフレーム
３１  半導体素子搭載ヘッダ部
３２  半導体非搭載面
４    発光素子
５    受光素子
６    封止樹脂
６１  側面
７    冷却用通孔
７１  開口端
８    放熱材
９    半導体非搭載面の凹凸
１０    止水部
１２    樹脂封止用金型
１３    樹脂封止用金型
１４    凸部
【図１】
2009064907.tif 000003
【図２】
2009064907.tif 000004
【図３】
2009064907.tif 000005
【図４】
2009064907.tif 000006
【図５】
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【図６】
2009064907.tif 000008
【図７】
2009064907.tif 000009
【図８】
2009064907.tif 000010
【図９】
2009064907.tif 000011