(57)【要約】【課題】触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】触媒ＣＶＤ装置は、錘体８が設けられて張架された触媒体４を反応室１の内部に備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
錘体が設けられて張架された触媒体を内部に備えていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記錘体は導電性を有し、かつ前記触媒体への導電経路を構成していることを特徴とする、請求項１記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記錘体は突起部を有し、該突起部において前記触媒体と接続していることを特徴とする、請求項１または２に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記錘体は、パージガスを前記触媒体に対して前記触媒体の延伸方向に沿って噴出するガス噴出部を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記錘体には前記ガス噴出部に連通する貫通穴が形成されており、該貫通穴に接続されたフレキシブル配管を介して前記錘体へ前記パージガスが供給されることを特徴とする、請求項４に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記錘体には前記ガス噴出部に連通する貫通穴が形成されており、該貫通穴に対してスライド移動可能に挿入された固定配管を介して前記錘体へガスが供給されることを特徴とする、請求項４に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記触媒体の端部以外の中間部分を支持する中間支持部を有しており、該中間支持部で前記触媒体が屈曲または湾曲し、かつ前記触媒体が前記中間支持部で滑動可能であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記触媒ＣＶＤ装置の内部は隔壁によって成膜空間と非成膜空間とに分割されており、前記錘体は前記非成膜空間の中に配置されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記触媒体は、水平方向に張架された部分と、鉛直方向に張架されて錘体が設けられた部分とを有することを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記錘体は前記触媒体の一方の端部に設けられており、
前記触媒体の他方の端部は、導電性を有する材料で構成され、かつパージガスを前記触媒体に対して前記触媒体の延伸方向に沿って噴出するための流路が形成されたパージガス噴出部材に対して前記流路の中で固定されており、
前記パージガス噴出部材を介して前記触媒体に電力が供給されるように構成されていることを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載の触媒ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は触媒ＣＶＤ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
触媒ＣＶＤ装置は加熱した触媒体の作用により原料ガスを分解して基体上に堆積膜を形成する装置である。触媒ＣＶＤはＣａｔ-ＣＶＤまたはＨｏｔ ｗｉｒｅ ＣＶＤと称されることもある。従来、堆積膜の均一性のためには触媒体をたわませることなく電極端子間に張架することが必要と考えられている。特許文献１では、一対の電極端子間に結線された触媒線の両端のうち少なくとも一方の端部にバネ構造を設けて触媒線を張架することが開示されている。さらには、バネ構造として触媒単線の端部を螺旋コイル状に巻回すること、または触媒単線の端部の終端に接続した板バネを用いることが開示されている。
【０００３】
また、従来から、触媒体の長寿命化のためには触媒体の低温部において触媒体と成膜ガスが反応しないようにすることが必要とされている。特許文献２では発熱体（触媒体）と電力供給機構とを接続する接続端子に対する発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出していない構造が開示されている。具体的には、前記接続部領域が、発熱体との間に空隙を存在させつつ当該接続部領域を覆う筒状体または板体によって覆われているか、または接続端子本体にキャップが冠着されている構造が開示されている。さらには、前記接続端子側から前記空隙部を介して水素ガス等が処理容器内に導入される構造が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−０５５６５１号公報
【特許文献２】国際公開第２００２／０２５７１２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の従来例のように触媒単線の端部を螺旋コイル状に巻回することは、触媒体の形成工程が複雑であるため、触媒体の形成を容易にする工夫が必要になる。また、触媒体の形状が板状あるいは網状の場合、螺旋コイル状に形成してバネ性を持たせることは難しいので、触媒体の形状に制限が発生する。また、触媒体にバネを附設して用いる場合、高温時にバネの弾性を維持することやバネ材から不純物が飛散して堆積膜の膜質を悪化させる懸念があり、更なる改善が求められている。また、シランなどを原料としてシリコン薄膜を形成する場合には、バネ材との接続部において触媒体の温度が低下して触媒体がシリサイド化しやすい場合があり、その結果、触媒体が脆くなり断線しやすくなる場合がある。
【０００５】
特許文献２に記載の従来例では、発熱体（触媒体）を交換するにあたってキャップを外す必要があるため手間がかかり、装置のダウンタイムが長くなるという課題があるため、発熱体（触媒体）を交換に要する時間を短縮するための工夫が必要とされる。また、キャップを外さずにコイルバネに触媒体の端部を差し込むというワンタッチ着脱構造も開示されているが、この構造は機械的・電気的な結合力を向上する工夫が必要とされる。
【０００６】
そこで本発明は、触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の触媒ＣＶＤ装置は、錘体が設けられて張架された触媒体を内部に備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、触媒体を高温時でもたわむことなく張架することができる触媒ＣＶＤ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
図１は本発明を適用可能な触媒ＣＶＤ装置の一実施形態の模式的な断面図である。
【００１１】
本実施形態の触媒ＣＶＤ装置は、反応室１の内部に原料ガスを供給するガス管２と、反応室１の内部を所望の圧力に減圧する排気管３と、２つの電力導入端子５の間に張架された触媒体４とを備えている。触媒体４は、一方の電力導入端子５を介して電源６に接続され、他方の電力導入端子５を介してグラウンドに接続されており、電源６から触媒体４に通電することによって加熱することができる。ガス管２から反応室１内に供給された原料ガスが電源６からの通電によって加熱された触媒体４で分解されると、基体ホルダー９に保持された基体７の上に堆積膜が形成される。基体ホルダー９はヒータ９ａを備えており、基体７を加熱することができる。本例では基体７の形状は円筒状の場合を例示しているが、本発明の触媒ＣＶＤ装置は任意の形状の基体に適用可能である。
【００１２】
本実施形態の触媒ＣＶＤ装置は、触媒体４の端部に錘体８が附設されていることが特徴である。触媒体４は錘体８に働く重力の作用により常に張力が付勢され、高温でもたわむことなく張架される。錘体８の材料は金属、ガラス、セラミクスなどを用いることができる。金属としてはステンレス、アルミニウム、あるいは触媒体４にも適用できるタングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、イリジウム、白金、チタンなどを用いることができる。ガラスとしては石英ガラスを用いることができる。セラミクスとしてはアルミナ、ジルコニア、ムライトなどを用いることができる。また、錘体８を導電材料とすれば電源６からの導電経路として兼用することができるので、触媒ＣＶＤ装置を構成する部品点数を少なくすることができるため、触媒ＣＶＤ装置の製造コストを低減することができる。本例では反応室１の中にガス管２、触媒体４および基体７がそれぞれ１つずつ設置されている例を示したが、反応室１の中にガス管、触媒体および基体がそれぞれ複数設置されていても良い。
【００１３】
（錘体の説明）
図２は図１に示した触媒体と錘体との接続部の詳細な構成を示す模式図である。図２（ａ）は線状の触媒体４が錘体８に止めネジ８ｂで固定される例を示している。図２（ｂ）は線状の触媒体４の端部に縒り加工して環状部が形成され、この環状部にピン８ｃが嵌装されて触媒体４が錘体８に固定される例を示している。これらの固定部は錘体８から突出した突起部８ａに設けることが好ましい。この構成によれば、触媒体４から錘体８へ熱が逃げるのを抑制し、触媒体４の端部の温度低下を抑制することができる。その結果、原料ガスがシリコンを含む場合に触媒体４がシリサイド化することを抑制できる。そのため、突起部８ａは細長形状とすることが好ましく、たとえば直径は１ｍｍから５ｍｍ程度、長さは１０ｍｍから５０ｍｍ程度とすることが好ましい。なお、この例では錘体８が導電性を有しており、電流経路としても機能している。錘体８の下部に導線５ａが接続され、その導線５ａは本例ではグラウンド側の電力導入端子５に接続されている。導線５ａは錘体８が上下に移動できるようにたわみを持って錘体８と電力導入端子５との間に接続されている。
【００１４】
図３（ａ）は、薄板状の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。図３（ｂ）は、網状の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。錘体８は、触媒体４の形状に応じて、錘体８自体および突起部８ａの形状を直方体等の形状にすることが可能である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した例ではいずれも触媒体４を止めネジ８ｂで突起部８ａに固定している。
【００１５】
図３（ｃ）は、線状の複数本の触媒体４に錘体８を附設する例を示している。図３（ｃ）に示した例では、各々の触媒体４の端部が止めネジ８ｂによって垂体８の突起部８ａに固定されている。
【００１６】
（折り返し張架・水平張架）
図４（ａ）は、１本の線状の触媒体４を枠体１１内に複数回折り返して張架した触媒体ユニット１０を示している。触媒体ユニット１０は触媒体４と枠体１１とを備えている。枠体１１の対向する２つの内壁面にはそれぞれ複数の中間支持部１２が設けられており、触媒体４の端部以外の中間部分は、それらの中間支持部１２で屈曲または湾曲して張架される。図４（ａ）に示す触媒体ユニット１０では、触媒体４は枠体１１の上下の内壁面の間を実質的に鉛直方向に張架されている。このような触媒体ユニット１０は平面状の大面積基板に堆積膜を形成する場合に適している。触媒体４の全長が長大な場合、触媒体４の熱膨張が大きくなるので、触媒体４は各々の中間支持部１２において滑動するように構成されている。本例では中間支持部１２は円環形状を有している。中間支持部１２を構成する材質には、触媒体４と同じ材料か、または石英、セラミクス、カーボンなどを用いることができる。触媒体４は各々の中間支持部１２でコロあるいは滑車機構に案内されて滑動可能となるようにしても良い。
【００１７】
あるいは、図４（ｂ）に示す触媒体ユニット１０のように触媒体４を水平方向に張架することもできる。触媒体４の一方の端部は、コロ１２ａによって張架方向が鉛直方向に曲げられている。図４（ｂ）に示す構成は、水平に保持した平板状の基体へ堆積膜を形成する場合に適している。
【００１８】
（シリサイド化の抑制手段）
原料ガスがＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6等のシリコンを含むガスである場合に触媒体４がシリサイド化することを抑制する方法としては、触媒体４の温度低下を防ぐことの他にも、触媒体４の低温部にシリコンを含むガスが進入しないようにすることも有効である。
【００１９】
図５は、反応室１が隔壁１３で成膜空間１４ａと非成膜空間１４ｂとに分割されている例を示す図である。図５に示す触媒ＣＶＤ装置では、基体７は成膜空間１４ａ内に配置されている。触媒体４は、隔壁１３に設けられた連通孔を貫通して成膜空間１４ａ及び非成膜空間１４ｂ内を延びている。錘体８は非成膜空間１４ｂ内に配置されている。非成膜空間１４ｂ内にはガス管２から水素ガス、窒素ガス、または不活性ガスなどのパージガスを導入するようにしても良い。また、非成膜空間１４ｂの内圧を成膜空間１４ａの内圧よりも高くすることも有効である。図５に示す構成によれば、触媒体４の温度の低下しやすい錘体８との接続部にシリコンを含むガスが進入することを抑制することができる。その結果、低温になりやすい接続部における触媒体４のシリサイド化を抑制でき、触媒体４の断線等を防いで寿命を延ばすことができる。
【００２０】
図６は、触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に向かって水素ガス、窒素ガスまたは不活性ガスなどのパージガスを噴出するように、錘体８にガス噴出部１５を設けた例を示している。
【００２１】
図６（ａ）に示す構成では、錘体８及び電力導入端子５に貫通穴が形成され、その貫通穴にフレキシブル配管１６ａが挿入されており、このフレキシブル配管１６ａを介してパージガスを噴出ガス噴出部１５に供給するようになっている。フレキシブル配管１６ａは少なくとも錘体８と電力導入端子５との間に位置する部分が伸縮可能であり、錘体８の移動を妨げないようになっている。
【００２２】
また、図６（ｂ）に示す構成では、錘体８及び電力導入端子５に貫通穴が形成され、その貫通穴に固定配管１６ｂが挿入されており、この固定配管１６ｂを介してパージガスを噴出ガス噴出部１５に供給するようになっている。固定配管１６ｂは、電力導入端子５には固定されているが、錘体８に対しては固定されていない。具体的には、錘体８に形成された貫通穴の固定配管１６ｂが挿入される部分における径は、固定配管１６ｂの外径よりも僅かに大きくなっており、錘体８はその貫通穴に挿入された固定配管１６ｂに対してスライド移動可能である。
【００２３】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す構成によれば、触媒体４の温度の低下しやすい錘体８との接続部にシリコンを含むガスが進入することを抑制することができる。その結果、低温になりやすい接続部における触媒体４のシリサイド化を抑制でき、触媒体４の寿命を延ばすことができる。また、触媒体４の張架とシリサイド化防止のためのガス噴出を簡便な構成で同時に実現することができる。さらに、本例の構成では、触媒体４と錘体８との接続部は反応室１の内部空間に露出せずにパージガスで保護される一方、触媒体４を固定するための止めネジ８ｂは反応室１の内部空間に露出している。そのため、他の部材を分解することなく、止めネジ８ｂを緩めるだけで触媒体４の交換を容易に行うことができる。また、触媒体４と錘体８とは止めネジ８ｂで固定されるので、両者の機械的・電気的な結合力を向上することができる。
【００２４】
また、触媒体４の温度低下によるシリサイド化を抑制するために、触媒体４の錘体８が配置された側とは反対側の電力端子接続部においても、図７に示すようなパージガスを噴出する構成部材を備えていても良い。図７に示す構成では、触媒体４と止めネジ８ｂおよびパージガス噴出部材１７とが接触する部分（パージガス噴出部材１７に対する触媒体４の固定部）は、パージガス噴出部材１７の内部に形成されたパージガス流路１８内に配置されている。そのため、その固定部は反応室１の内部空間に露出していない。パージガスは、パージガス管１９を介して供給され、ガス噴出部１５から触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に向かって噴出される。また、パージガス噴出部材１７は導電性を有しており、電力導入端子５（図７では不図示）から電力端子２０を介して触媒体４に電力が供給される。ガス噴出部材１７は、短絡を防ぐために絶縁フランジ２１を介して反応室１および電力導入端子５に固定される。
【００２５】
上述したように、触媒体４と止めネジ８ｂおよびパージガス噴出部材１７とが接触する部分（パージガス噴出部材１７に対する触媒体４の固定部）は、パージガス流路１８の中内に配置されており、反応室１の内部空間に露出していない。そのため、シリコン含有ガスが触媒体４の低温となりうる部分に進入することを効果的に抑制することができる。一方、触媒体４を固定するための止めネジ８ｂは反応室１の内部空間で露出している。そのため、他の部材を分解することなく、止めネジ８ｂを緩めるだけで触媒体４の交換を容易に行うことができる。また、触媒体４とパージガス噴出部材１７とは止めネジ８ｂで固定されるので、両者の機械的・電気的な結合力を向上することができる。
【００２６】
以下、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置を構成するその他の要素について説明する。
【００２７】
（反応室）
反応室１を構成する材料としてステンレス、アルミニウムなどの金属やセラミクス、ガラスなどを用いることができる。反応室１の内部に基体を複数収容できるようにすることもできる。反応室１の形状は基体の形状や数に応じて円筒や矩形に形成することができる。また、基体ホルダー９を回転させることにより基体７を回転して堆積膜の均一性を向上させることができる。また基体７の温度制御のための加熱機構または冷却機構を有していてもよい。また、成膜時に基体に適当なバイアス電位を付与しても良い。また、反応室１の内部にプラズマを生起させるためのプラズマ生起手段を有していても良い。
【００２８】
（触媒体）
触媒体４としてタングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、イリジウム、白金、チタンなどの高融点金属やカーボンなどを用いることができる。成膜時の触媒体４の温度は１０００℃から２０００℃程度に設定される。触媒体４の形状が線状の場合、その直径は０．１ｍｍから１．０ｍｍ程度とすることができる。触媒体４と基体７との距離は１ｍｍから１００ｍｍ程度とすることができる。
【００２９】
以下、本実施形態の触媒ＣＶＤ装置を用いて形成できる堆積膜について説明する。
【００３０】
（堆積膜）
本実施形態の触媒ＣＶＤ装置で形成できる堆積膜の種類はＳｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣなどのシリコン含有薄膜、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ＣＮなどのカーボン含有薄膜などが挙げられる。さらには、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ポリスチレン、ポリエチレンなどの樹脂薄膜、その他にもＧａＮ薄膜やＡｌ2Ｏ3膜などが挙げられる。これらの堆積膜は基板材料や成膜条件により単結晶、多結晶、微結晶、またはアモルファスとなる。シリコン含有薄膜を形成するための原料ガスとしてはシラン、ジシラン、モノメチルシラン、ヂメチルシラン、テトラエトキシシランなどを用いることができる。カーボン含有薄膜を形成するための原料ガスとしては一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、アセチレンなどを用いることができる。窒素含有薄膜を形成するための原料ガスとしては一酸化窒素、アンモニア、窒素などを用いることができる。酸素含有薄膜を形成するための原料ガスとしては酸素を用いることができる。これらのガスは必要に応じて水素や不活性ガスなどの希釈ガスで希釈される。また、これらのガスに加えて必要に応じてドーパント含有ガスが添加される。
【００３１】
（基体）
堆積膜を形成する基体としては金属、半導体ウェファ、ガラス、セラミクス、樹脂などを用いることができる。その形状は平板、円筒、またはシート状の長尺ロールなどとすることができる。これらの基体上にはあらかじめ別の方法で形成された堆積膜が設けられていても良い。特に、電子写真感光体ドラムの基体としては、アルミニウムを引き抜いて成型したアルミニウム引抜成型管を好適に用いることができる。
【実施例】
【００３２】
以下に、本発明の触媒ＣＶＤ装置を電子写真感光体用のアモルファスシリコンの堆積膜形成装置として用いた実施例を示す。
【００３３】
（実施例１）
図１を参照すると、反応室１はステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）で構成し、直径５００ｍｍ、高さ５００ｍｍの円筒形状とした。ガス管２はアルミナセラミクスからなり、直径６ｍｍの管状に形成され、その長手方向に沿って１０ｍｍ間隔でガス噴出孔が形成されている。ガス管２には不図示のガス供給機構が接続されており、ＳｉＨ4、Ｈ2、Ｂ2Ｈ6、ＮＯ、ＣＨ4を反応室１に供給することができる。ステンレス鋼からなる排気管３は不図示の真空ポンプに接続され、反応室１の内部空間を所望の圧力に保つことができる。直径０．５ｍｍのタングステン線からなる触媒体４には、電力導入端子５を介して最大出力５ｋＷの直流電源６が接続されている。基体７には直径３０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒形状のアルミニウムを用いている。ガス管２と触媒体４との距離は３０ｍｍ、触媒体４と基体７との距離は３０ｍｍとした。基体ホルダー９はヒータ９ａを具備しており、基体７を所望の温度に加熱することができる。また、基体ホルダー９は不図示の回転機構を具備しており、基体ホルダー９によって基体７を回転することができる。
【００３４】
本実施例では、錘体８及びその周囲の構成は図６（ｂ）に示す構成とした。錘体８の材質には反応室１と同じ材質のステンレスを用い、その形状は直径２０ｍｍ、高さ４０ｍｍの円柱形状とした。錘体８の突起部８ａは直径３ｍｍ、高さ２０ｍｍとした。錘体８の内部にはガス噴出部１５を形成するために貫通穴が形成されている。突起部８ａには直径１ｍｍの止めネジ８ｂが取り付けられるようになっており、触媒体４の端部は止めネジ８ｂにより突起部８ａの貫通穴内、すなわちパージガスの流路壁に押し付けられるように固定される。錘体８の貫通穴は錘体８の下部において直径６．５ｍｍとされ、直径６ｍｍのアルミナセラミクス製の固定配管１６ｂが挿入されている。固定配管１６ｂには不図示のガス供給機構が接続されており、水素ガスが、固定配管１６ｂ及び錘体８の貫通穴を通って、ガス噴出部１５から触媒体４に対して触媒体４の延伸方向に沿って噴出される。錘体８は、アルミニウム撚り合わせ素線からなる導線５ａを介して電力導入端子５の電力導入部に接続される。触媒体４の錘体８が配置された側とは反対側の電力端子接続部は図７に示す構成とする。電力導入端子５を構成する材料やその寸法は上記の錘体８に準じて選択される。
【００３５】
［触媒ＣＶＤ装置の使用例］
図１の装置を用いて図８の模式的断面図に示す電子写真感光体用のアモルファスシリコンドラム（以下、「感光ドラム」とも称する。）を製作する実施例を以下に示す。
【００３６】
感光ドラム９０は、円筒状アルミニウム基体７の上に設けられた、水素化アモルファスシリコンを主体としボロンを光導電層より多く含有する阻止層９２と、水素化アモルファスシリコンを主体とし光導電性を有する光導電層９３とを有する。さらにその上には、水素化アモルファスシリコンを主体とし炭素を含有する表面層９４が設けられている。各々の層を形成するための条件を表１に示す。まず、基体７を基体ホルダー９に配置した後、反応室１を真空引きして触媒体４に通電して、基体７の温度が放射温度計で計測して１８００℃となるように投入電力を調整する。基体７を回転しつつ２５０℃に加熱する。その後、表１の条件で阻止層９２、光導電層９３、表面層９４を順次形成する。表面層９４の堆積が終了したら反応室１をパージして基体７を取り出し、感光ドラム９０を得る。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
＜比較例＞
従来の触媒ＣＶＤ装置を用いて感光ドラムを作製し、上記実施例の感光ドラムと比較する。図９に示す比較例の触媒ＣＶＤ装置は錘体を備えておらず、触媒体４は両端とも固定されている。また、パージガスを触媒体４に対してその延伸方向に噴出する機構は備えていない。その他は図１に示す触媒ＣＶＤ装置と同様の構成である。この装置を用いて上記実施例と同様の成膜条件で感光ドラムを作製した。
【００３９】
実施例１と比較例の触媒ＣＶＤ装置を用いて作製した感光ドラムのそれぞれについて、総膜厚を渦電流式膜厚計（株式会社フィッシャーインストルメンツ製 FISCHERSCOPE MMS）で測定した。総膜厚の測定個所は感光ドラムの長手方向に沿って９点で行った。その結果、総膜厚のムラ（最大値と最小値との差分を９点の平均値で除した百分率）は実施例１で５％、比較例で２５％だった。また、感光ドラムを形成する前と形成した後の触媒体４の抵抗値を室温で測定した。触媒体４のシリサイド化による抵抗上昇は実施例１で２％、比較例で１２％だった。そのため、実施例１では触媒体４は１０回の成膜工程に耐えたが、比較例では触媒体は２回の成膜工程で交換する必要があった。また、実施例１での触媒体４の交換に要する時間は、パージガス噴出のための機構（図６（ｂ）及び図７参照）が備えられているにもかかわらず、比較例の場合と同程度の時間であった。
【００４０】
（実施例２）
実施例２の装置では、反応室１の材料としてステンレスに替えて厚さ６ｍｍの合成石英を用いた。その他は実施例１と同様の構成で触媒ＣＶＤ装置を製作し、この装置を用いて感光ドラムを製作した。本実施例においても、感光ドラムの堆積膜の均一性と触媒体の寿命に関して実施例１と同等の効果が得られた。
【００４１】
（実施例３）
実施例３では、図１の装置を使用し、触媒体として図３（ｃ）に示すように複数本からなる触媒体４を用いた。錘体８は反応室１と同じ材質のステンレスで構成し、その形状は幅５０ｍｍ、奥行１０ｍｍ、高さ１０ｍｍの直方体形状とした。錘体８の突起部８ａは幅５０ｍｍ、奥行５ｍｍ、高さ２０ｍｍとした。触媒体４には直径０．５ｍｍのタングステン線を用い、１０ｍｍ間隔で４本のタングステン線を突起部８ａに設けられた直径０．７ｍｍの穴部に止めネジ８ｂでそれぞれ固定した。実施例３の装置のその他の構成は、触媒体４の端部におけるパージガス噴出機構を設けていないことを除いて、実施例１の触媒ＣＶＤ装置と同様である。このような構成を備えた実施例３の触媒ＣＶＤ装置を用いて感光ドラムを製作したところ、感光ドラムの堆積膜の均一性に関して実施例１と同等の効果を得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明を適用可能な触媒ＣＶＤ装置の一実施形態の模式的な断面図である。
【図２】図１に示した触媒体と錘体との接続部の詳細な構成を示す模式図である。
【図３】図（ａ）は薄板状の触媒体に錘体を附設する例を示す図であり、図（ｂ）は網状の触媒体に錘体を附設する例を示す図である。
【図４】図（ａ）は１本の線状の触媒体を枠体内に複数回折り返して張架した触媒体ユニットを示す図であり、図（ｂ）は触媒体を水平方向に張架した触媒体ユニットを示す図である。
【図５】反応室が隔壁で成膜空間と非成膜空間とに分割されている例を示す図である。
【図６】触媒体に対して触媒体の延伸方向に向かってパージガスを噴出するように錘体にガス噴出部を設けた例を示す図である。
【図７】触媒体の錘体が配置された側とは反対側の電力端子接続部に備えられたパージガス噴出構成部材を示す図である。
【図８】感光ドラムの層構造を示す図である。
【図９】比較例である従来の触媒ＣＶＤ装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  反応室
２  ガス管
３  排気管
４  触媒体
５  電力導入端子
６  電源
７  基体
８  錘体
９  基体ホルダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009287064.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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