(57)【要約】【課題】  誤検出を低減した異物検査装置を提供すること。【解決手段】  被異物検査装置は、被検査物の表側の被検査面および裏側の被検査面それぞれに光束を照射する照射手段と、前記表側の被検査面からの散乱光を検出する第１検出手段と、前記裏側の被検査面からの散乱光を検出する第２検出手段と、前記第１検出手段および前記第２検出手段からの出力に基づいて前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面それぞれの異物を検査する演算手段と、照射手段と第１検出手段と第２検出手段と演算手段とを制御する制御手段とを有する。照射手段は、表側の被検査面または前記裏側の被検査面へ光束の照射を選択的に行え、制御手段は、選択的な光束の照射を受けた被検査面に対応した第１検出手段および第２検出手段のうち少なくとも一方に関し、同時の光束の照射に応じた出力と選択的な光束の照射に応じた出力とに基づいて演算手段に異物を検査させる。【選択図】図４
2009198269.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物の表側の被検査面および裏側の被検査面それぞれに光束を照射する照射手段と、
前記表側の被検査面からの散乱光を検出する第１検出手段と、
前記裏側の被検査面からの散乱光を検出する第２検出手段と、
前記第１検出手段および前記第２検出手段からの出力に基づいて前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面それぞれの異物を検査する演算手段と、
前記照射手段と前記第１検出手段と前記第２検出手段と前記演算手段とを制御する制御手段と、を有する異物検査装置であって、
前記照射手段は、前記表側の被検査面または前記裏側の被検査面へ光束の照射を選択的に行え、
前記制御手段は、前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面への同時の光束の照射を前記照射手段に行わせ、前記表側の被検査面または前記裏側の被検査面への選択的な光束の照射を前記照射手段に行わせ、前記選択的な光束の照射を受けた被検査面に対応した前記第１検出手段および前記第２検出手段のうち少なくとも一方に関し、前記同時の光束の照射に応じた出力と前記選択的な光束の照射に応じた出力とに基づいて前記演算手段に異物を検査させる、ことを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記照射手段は、前記表側の被検査面への光束および前記裏側の被検査面への光束のいずれかを選択的に遮光する遮光選択手段を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記同時の光束の照射に応じた前記第１検出手段および前記第２検出手段のうち少なくとも一方の出力のレベルが閾値を超えた場合は前記選択的な光束の照射を前記照射手段に行わせ、前記レベルが前記閾値を超えなかった場合は前記選択的な光束の照射を前記照射手段に行わせずに前記同時の光束の照射に応じた前記第１検出手段および前記第２検出手段それぞれの出力に基づいて前記演算手段に異物を検査させる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記演算手段は、前記同時の光束の照射に応じた出力と前記選択的な光束の照射に応じた出力との差を算出して記憶し、前記被検査物の後の検査において前記選択的な光束の照射を前記照射手段に行わせずに前記同時の光束の照射を前記照射手段に行わせ、該同時の光束の照射に応じた前記少なくとも一方の出力から前記差を減じて異物を検査する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の異物検査装置。
【請求項５】
原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記原版を被検査物として前記原版の異物を検査する請求項１乃至４のいずれかに記載の異物検査装置、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記原版としてのペリクルを有する原版を介して基板を露光する、ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版などの被検物に付着した異物を検出する異物検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置のレチクルやフォトマスクと呼ばれる原版上にはＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ、液晶パネル，磁気ヘッド等のデバイス（以下「デバイス」と総称する）を製造する際に使用される回路パターンが形成されている。
ペリクルは原版上への異物の付着を防止するために原版に装着された保護カバーである。
一般に、ＩＣ製造工程においてはレチクルやフォトマスク等の原版上に形成されている回路パターンを露光装置（ステッパー又はマスクアライナー）によりレジストが塗布されたウェハ上に転写している。
この際、原版上にパターン欠陥やゴミ等の異物が存在すると、転写する際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣやＬＳＩ製造の歩留を低下させる。
特に、レチクルを使用し、ステップアンドリピート方式によりウェハ上の多数のショット領域に回路パターンを繰り返し焼き付ける場合、レチクル上に有害な１個の異物が存在していると、この異物がウェハ全面に焼き付けられる。このため、ＩＣやＬＳＩの歩留を大きく低下させる。
そのため、ＩＣ製造工程においては原版上の異物の存在を検出することが不可欠となり、多くの露光装置には異物検査装置が内蔵されている。
異物検査装置による異物検査は、事前に設定された原版上の検査領域に対して、露光装置でパターンの転写が開始される前後に実行される。
【０００３】
図６（Ａ）（Ｂ）の概略構成図を参照して、露光装置に内蔵される従来例の異物検査装置を説明する。
検出部２０は、半導体レーザー１１、集光レンズ１３、ハーフミラー１４、２２、イメージセンサ１９ａ，１９ｂを有する。
検出部２０は、図示されない駆動部によりレチクル１５に対して相対的に駆動され、レチクル１５の全面に亘って異物１７の検出が可能である。
半導体レーザー１１から射出された検査光１２は集光レンズ１３で並行光に成型され、ハーフミラー１４で検査光１２ａ，１２ｂに２分割された後に、検査光１２ｂはミラー２２に反射される。
さらに、検査光１２ｂは、検査対象となるレチクル１５および回路パターン２３の保護カバーであるペリクル１６上に照射される。ペリクル１６は、ペリクル枠２１によりレチクル１５に保持される。  
検査光１２ｂの照射領域内に異物１７がある場合には、散乱光１８が発生し、散乱光１８は照射領域上に配置されたイメージセンサ１９ｂにて受光され、異物１７が検出される。
設置スペースに制約の大きい露光装置に内蔵される異物検査装置においては、図６に示される異物検査装置のように、検査光１２を検査光１２ａ、１２ｂに分割するハーフミラー１４、２２により、レチクル１５の表面検査用と裏面検査用を兼用する場合が多い。
ここで、特許文献１では、実際の異物の性質に対応した形で合理的に異物のランクを設定し、不要なレチクルの洗浄、ペリクルの貼り換えや、異物見落としの可能性を減少させる表面状態検査方法及び表面状態検査装置が提案されている。
また、特許文献２では、レチクルやペリクル面上に付着したゴミ等の異物を高精度に検出することのできる異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−８３７５２号公報
【特許文献２】特開平８−１５１６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７(Ａ)は、レチクル１５の端部よりレチクル１５の内部に侵入した検査光１２ａの一部３３が、回路パターン２３で回折して、イメージセンサ１９に回折光３４として入射している様子を示している。
図７(Ｂ)は、イメージセンサ１９の出力２５に回折光３４の影響が現れている様子を示している。
検査光１２ａの一部３３はレチクル１５の端部からレチクル１５の内部に侵入し、一部３３は図６に示される回路パターン領域２４内の回路パターン２３上に到達し、入射方向とは反対側(レチクル１５の下面側)に回路パターン２３による回折光３４を生じさせる。
回折光３４がイメージセンサ１９ｂに入射すると、イメージセンサ出力２５に異物散乱光信号２６およびパターン回折光信号２７が現れ、異物１７として誤って検出する。
異物検査に影響するような強い回折光３４は回折光３４同士の干渉によって発生する。
そのため回折光３４の干渉光(以下単に回折光と述べる)の発生方向は回路パターン２３の繰返しピッチ等によって決まる。
そのため従来例においてはイメージセンサ１９ａ，１９ｂの配置を調整することにより、回折光３４がイメージセンサ１９ｂに入射することを防止した。
しかしながら近年、ＩＣの集積度の更なる向上が進み、回路パターン２３が多様化するにつれ、イメージセンサ１９ａ，１９ｂの配置の調整だけで、全ての回折光３４を回避することが難しくなっている。
このため、回折光３４がイメージセンサ１９ｂに入射し、異物１７として誤って検出される場合がある。
この結果、回折光３４による誤検出が発生した場合には、レチクル１５は洗浄工程に送られるため、露光装置の稼働率が低下した。
なお、図７の従来例では、検査光１２ａがレチクル１５の上端部からレチクル１５の内部に入射する例を示したが、レチクル１５の表面から入射する場合や、ペリクル１６の表面から入射する場合も同様である。
そこで、本発明は、例えば、誤検出を低減した異物検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための本発明の異物検査装置は、被検査物の表側の被検査面および裏側の被検査面それぞれに光束を照射する照射手段と、前記表側の被検査面からの散乱光を検出する第１検出手段と、前記裏側の被検査面からの散乱光を検出する第２検出手段と、前記第１検出手段および前記第２検出手段からの出力に基づいて前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面それぞれの異物を検査する演算手段と、前記照射手段と前記第１検出手段と前記第２検出手段と前記演算手段とを制御する制御手段と、を有する異物検査装置であって、前記照射手段は、前記表側の被検査面または前記裏側の被検査面へ光束の照射を選択的に行え、前記制御手段は、前記表側の被検査面および前記裏側の被検査面への同時の光束の照射を前記照射手段に行わせ、前記表側の被検査面または前記裏側の被検査面への選択的な光束の照射を前記照射手段に行わせ、前記選択的な光束の照射を受けた被検査面に対応した前記第１検出手段および前記第２検出手段のうち少なくとも一方に関し、前記同時の光束の照射に応じた出力と前記選択的な光束の照射に応じた出力とに基づいて前記演算手段に異物を検査させる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、例えば、誤検出を低減した異物検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図１を参照して、本発明の実施例の異物検査装置を有する実施例の半導体露光装置を説明する。
本実施例の半導体露光装置は、半導体分野等で使用されるレチクルやフォトマスクなどの露光用原板を使用し、ステップアンドリピート方式によりウェハ上の多数のショット領域に回路パターンを繰り返し焼き付ける露光装置である。
原版であるレチクルは最初にレチクル挿入口１に置かれ、レチクルステージ２は投影レンズ６の上方にてレチクルを保持する機構である。
本発明の実施例の異物検査装置３はレチクル上に付着した異物を検査する装置である。
制御装置４は、後述される搬送ロボットの制御、異物検査装置３に対して、レチクル搬送や異物検査の指示ならびに露光制御などを行う。
コンソール５は、制御装置４に対して露光に関する各種パラメータを設定し、露光装置の動作状況を表示する。
投影レンズ６はレチクルの回路パターンから得られるパターン像を基板であるウェハ８ａ上へ結像する。
搬送ロボット７は、制御装置４からの指示によりレチクルを露光装置内の各部へ搬送するロボットである。
ウェハステージ８は、投影レンズ６の下方にて基板であるウェハ８ａを保持する。
光源ランプ９は、レチクル上のパターンを照らしてパターン像を作り、露光装置内の搬送路１０をレチクルが搬送される。
【０００８】
図１、図２、図３を参照して、本発明の実施例の異物検査装置３を説明する。
図２(Ａ)は、検査光１２ａ，１２ｂの光路内に設置された遮光選択手段２８が、レチクル１５の表側の被検査面の検査光１２ａを遮光し、下面側にパターン回折光が発生しない状況で、検査光１２ｂによりレチクル１５の下面の異物検査を実施している状態を示す。
照射手段３７である半導体レーザー１１、集光レンズ１３、ハーフミラー１４、２２は、被検査物であるレチクル１５の表側である上面の被検査面および裏側である下面の被検査面それぞれに光束である検査光１２ａ，１２ｂを照射する手段である。
この照射手段３７は、レチクル１５の表側の被検査面または裏側の被検査面へ光束である検査光１２ａ，１２ｂの照射を選択的に行う遮光選択手段２８を有する。
第１検出手段であるイメージセンサ１９ａは、レチクル１５の表側の被検査面からの散乱光を検出する手段である。
第２検出手段であるイメージセンサ１９ｂは、レチクル１５の裏側の被検査面からの散乱光を検出する手段である。
図３に示される演算手段３５は、第１検出手段であるイメージセンサ１９ａおよび第２検出手段であるイメージセンサ１９ｂからの出力に基づいてレチクル１５の表側の被検査面および裏側の被検査面それぞれの異物１７を検査する手段である。
制御手段３６は、照射手段３７と第１検出手段であるイメージセンサ１９ａと第２検出手段であるイメージセンサ１９ｂと演算手段３５とを制御する手段である。
【０００９】
図２、図３を参照して、遮光選択手段２８を説明する。
遮光選択手段２８は、検査光１２ａ，１２ｂの光路内に設置され、オペレータの指示または過去の検査結果を判断材料として決定した指示により、制御手段３６により制御される。
遮光選択手段２８は、制御手段３６により制御され、検査光１２ａ，１２ｂの入射対象を、レチクル１５の表側の被検査面のみ、裏側の被検査面のみ、あるいは両面から選択する。
制御手段３６は、レチクル１５の表側の被検査面および裏側の被検査面への同時の光束の照射を照射手段３７に行わせ、表側の被検査面または裏側の被検査面への選択的な光束である検査光１２ａまたは１２ｂの照射を照射手段３７に行わせる。
また、制御手段３６は、選択的な光束である検査光１２ａ，１２ｂの照射を受けたレチクル１５の被検査面に対応したイメージセンサ１９ａおよびイメージセンサ１９ｂのうち少なくとも一方に関し、演算手段３５に異物１７を検査させる。
より具体的には、制御手段３６は、同時の光束である検査光１２ａ，１２ｂの照射に応じた出力と選択的な光束である検査光１２ａまたは検査光１２ｂの照射に応じた出力とに基づいて演算手段３５に異物１７を検査させる。
遮光選択手段２８においては、遮光板３２がプーリー兼用の遮光板保持部材２９に保持されている。
遮光板保持部材２９は、ベルト３１によりモーター３０と接続され、モーター３０を回転させて遮光板保持部材２９全体を回転させる。
レチクル１５の内部への侵入光を防止するためにレチクル１５の表側である上面への検査光１２ａを遮光する。
レチクル１５の裏側である下面への検査光１２ｂを遮光する場合は、遮光板保持部材２９を、図２（ｃ）の状態から１８０度回転させる。
遮光選択手段２８により、図７に示される回折光３４の原因となる反対側の面への検査光１２ａまたは１２ｂを随時遮光し、回路パターン２３による回折光３４の影響を受けない異物１７の検査が可能となる。
なお、遮光選択手段２８によりレチクル１５の表側の上面の被検査面への検査光１２ａまたはレチクル１５の裏側である下面の被検査面への検査光１２ｂを選択的に遮光する実施例を説明したが、それに限らず、例えば、以下のように構成してもよい。
すなわち、レチクル１５の上面へ検査光１２ａを照射する光源である半導体レーザー１１および光学系と、レチクル１５の下面へ検査光１２ｂを照射する光源である半導体レーザーおよび光学系とを別々に設け、２つの光源の発光を選択的に行ってもよい。
【００１０】
図３を参照して、本実施例の異物検査装置を構成する演算手段３５を説明する。
保持部ｙ１は、検査光１２ａまたは１２ｂの遮光を行わないイメージセンサ１９ａまたは１９ｂの出力信号である異物散乱光信号２６およびパターン回折光信号２７を保持する手段である。
保持部ｙ２は、検査光１２ａまたは１２ｂを遮光し回折光３４の影響を除去したイメージセンサ１９ａまたは１９ｂの出力信号である異物散乱光信号２６を保持する手段である。
保持部ｙ３は、パターン回折光信号２７を保持するものである。
演算部ｙ４は、異物散乱光信号２６およびパターン回折光信号２７の差分を演算し任意の保持部に設定するものである。
以上の構成要素により演算手段３５では、主に以下の処理を行う。
保持部ｙ１と保持部ｙ２に保持された信号からパターン回折光信号２７を演算し保持部ｙ３に設定する。
または、保持部ｙ１と保持部ｙ３に保持された信号から回折光の影響を除去したイメージセンサ１９ａまたは１９ｂの出力信号である異物散乱光信号２６を演算し保持部ｙ２に設定する。
図３(Ｂ)は、保持部ｙ１〜ｙ３に保存される信号の一例を示す。
信号ｚ１は、保持部ｙ１に保持された検査光１２ａまたは１２ｂの遮光を行わないイメージセンサ１９ａまたは１９ｂの出力信号である異物散乱光信号２６およびパターン回折光信号２７である。
信号ｚ２は、保持部ｙ２に保持された回折光３４の影響を受けていないイメージセンサ１９ａまたは１９ｂの出力信号である異物散乱光信号２６である。
信号ｚ３は、保持部ｙ３に保持されたパターン回折光信号２７である。
演算手段３５により、遮光時と非遮光時の出力信号からパターン回折光信号２７を演算することが可能である。
演算したパターン回折光信号２７は装置内に記憶され、同じレチクル１５に対する２回目以降の異物検査においては、両面同時検査時の出力信号から演算でパターン回折光信号２７を除去することが可能である。
【００１１】
図４を参照して、本発明の実施例の異物検査装置を用いた他の異物検査方法を説明する。
本発明の実施例の異物検査装置を用いた他の異物検査方法は、検査光１２ａ，１２ｂを遮光せず両面を同時に検査する両面を検査する。
制御手段３６は、前記同時の光束の照射に応じたイメージセンサ１９ａおよびイメージセンサ１９ｂのうち少なくとも一方の出力のレベルが閾値を超えた場合は前記選択的な光束である検査光１２ａまたは１２ｂの照射を照射手段３７に行わせる。
制御手段３６は、前記レベルが前記閾値を超えなかった場合は選択的な光束である検査光１２ａまたは１２ｂの照射を照射手段３７に行わせない。
この場合、前記同時の光束である検査光１２ａ、１２ｂの照射に応じたイメージセンサ１９ａおよびイメージセンサ１９ｂそれぞれの出力に基づいて演算手段３５に異物１７を検査させる。
ステップ１０１にて、検査光１２ａ，１２ｂをレチクル１５の表と裏の両面に入射した状態で、照射手段３７、イメージセンサ１９ａ、１９ｂをレチクル１５に対して相対駆動することで、レチクル１５の表面全体の異物検査を同時に実行する。
ステップ１０２にて、レチクル１５の表面全体のイメージセンサ１９ａ、１９ｂの出力信号のうち、検査領域内の出力信号レベルが、本実施例の異物検査装置に事前に設定された異物検出レベルを超えているか判定する。
もし両面の出力信号が異物検出レベル以下であれば、異物検査を終了する。
ステップ１０３にて、出力信号が検出レベルを超えてしまった検査面ごとに、反対面に入射している検査光を遮光して異物検査を実施する。
本検査は回折光の影響を受けない検査が可能である。
ステップ１０４にて、ステップ１０３にて得た回折光の影響を受けていない出力信号を使って異物の位置と大きさを算出し出力する。
本異物検査方法を用いれば、オペレータが意識する事無く、必要な場合にのみ自動で誤検出回避検査を実行するため、露光装置の稼働率を最大限に高めることが可能となる。
【００１２】
図５を参照して、本発明の実施例の異物検査装置を用いたさらに他の異物検査方法を説明する。
本発明の実施例の異物検査装置を用いたさらに他の異物検査方法は、両面検査と誤検出回避検査のイメージセンサ出力信号の差分から、パターン回折光による信号成分を算出し、装置内に記憶する。
次に、同一のレチクル１５に対する２回目以降の検査時に両面検査の出力信号分から、パターン回折光による信号成分を演算除去することで、誤検出回避検査を行わないでパターン回折光の影響を除去する。
すなわち、パターン回折光の原因となる反対面の検査光１２ａ，１２ｂを遮光した状態で片面のみを検査する誤検出回避検査を行い、誤検出回避検査は両面検査後に必要な場合にのみ自動で実行する。
演算手段３５は、同時の光束である検査光１２ａ、１２ｂの照射に応じた出力と選択的な光束である検査光１２ａまたは１２ｂの照射に応じた出力との差を算出して記憶する。
さらに、被検査物の後の検査において選択的な光束である検査光１２ａまたは１２ｂの照射を照射手段３７に行わせない。
この場合、同時の光束である検査光１２ａ、１２ｂの照射を照射手段３７に行わせ、該同時の光束である検査光１２ａ、１２ｂの照射に応じた少なくとも一方の出力から前記差を減じて異物１７を検査する。
ステップ２０１にて、検査光１２ａ、１２ｂをレチクル１５の両表面に入射した状態で、検出部をレチクルに対して相対駆動することで、レチクル表面全体の異物検査を両面同時に実行する。
ステップ２０２にて、本実施例の異物検査装置にて検査したことがあるレチクル１５の場合は、ステップ２０６へ進む。
ステップ２０３にて、レチクル１５の表面全体のイメージセンサ１９ａ、１９ｂの出力信号のうち、検査領域内の出力信号レベルが、異物検査装置に事前に設定された異物検出レベルを超えているか判定する。
もし両面の出力信号が異物検出レベル以下であれば、異物検査を終了する。
ステップ２０４にて、イメージセンサ１９ａ、１９ｂの出力信号が検出レベルを超えてしまった検査面ごとに、反対面の検査光を遮光して異物検査を実施する。
本検査は回折光の影響を受けない検査が可能である。
ステップ２０５にて、両面検査と誤検出回避検査のイメージセンサ出力信号から回折光信号を算出し、次回以降の検査において演算により回折信号を除去するために演算手段３５に保持する。
ステップ２０６にて、以前の検査時に回折光信号が保持されていない場合は、異物検査に影響のある回折光が発生していないため、ステップ２０８へ進む。
ステップ２０７にて、両面検査時の出力信号から以前の検査時に保持された回折光信号を演算除去する。
ステップ２０８にて、ステップ２０１またはステップ２０４の検査結果、またはステップ２０７の演算結果から異物１７の位置と大きさを算出し出力する。
本異物検査法を用いれば、同一のレチクル１５に対する２回目以降の異物検査においては、誤検出回避検査が不要となり検査時間を最小限に押さえることが可能となる。
【００１３】
（デバイス製造方法の実施例）
デバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板（ウェハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例の露光装置の全体構成図である。
【図２】本発明の実施例の異物検査装置の構成図である。
【図３】本発明の実施例の異物検査装置の部分構成図である。
【図４】本発明の実施例の処理フロー図である。
【図５】本発明の実施例の他の処理フロー図である。
【図６】従来例の異物検査装置の概略構成図である。
【図７】従来例のパターン回折光の発生原理説明図である。
【符号の説明】
【００１５】
１      レチクル挿入口          ２    レチクルステージ
３      異物検査装置            ４    制御装置
５      表示装置（コンソール）  ６    投影レンズ
７      搬送ロボット            ８    ウェハステージ
９      光源ランプ              １０  レチクルの搬送路
１１    半導体レーザー          １２    検査光
１３    集光レンズ              １４    ハーフミラー
１５    レチクル                １６    ペリクル
１７    異物                    １８    散乱光
１９    イメージセンサ          ２０    検出部
２１    ペリクル枠              ２２    ミラー
２３    回路パターン            ２４    回路パターン領域
２５    イメージセンサ出力      ２６    異物散乱光信号
２７    パターン回折光信号              ２８    遮光選択手段
２９    遮光板保持部材(兼プーリー)
３０    モーター                ３１    ベルト
３２    遮光板                  ３３    検査光の一部
３４    回折光                  ３５    演算手段
３６    制御手段
ｙ１〜３  保持部                ｙ４    演算部
ｚ１〜３  信号
【図１】
2009198269.tif 000003
【図２】
2009198269.tif 000004
【図３】
2009198269.tif 000005
【図４】
2009198269.tif 000006
【図５】
2009198269.tif 000007
【図６】
2009198269.tif 000008
【図７】
2009198269.tif 000009