(57)【要約】【課題】検査効率を向上させた表面検査装置を提供する。【解決手段】本発明に係る表面検査装置は、ウェハを保持する保持部と、保持部に保持されたウェハの周部または周部近傍を表面検査する撮像部３０および画像処理部４０と、保持部に保持されたウェハを撮像部３０に対して相対回転させる駆動機構とを備え、保持部に保持されたウェハを駆動機構により相対回転させて、ウェハの周部または周部近傍における所定の検査範囲を表面検査するように構成された表面検査装置において、外部から入力されたウェハにおける所定の検査関連位置を記憶する記憶部５２と、記憶部５２に記憶された検査関連位置に基づいて所定の検査範囲を決定する制御部５０とを有して構成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記被検基板の周部または周部近傍を表面検査する検査部と、前記保持部に保持された前記被検基板を前記検査部に対して相対移動させる駆動機構とを備え、前記保持部に保持された前記被検基板を前記駆動機構により相対移動させて、前記被検基板の周部または周部近傍における所定の検査範囲を前記検査部により表面検査するように構成された表面検査装置において、
前記被検基板における所定の検査関連位置を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記検査関連位置に基づいて前記所定の検査範囲を決定する検査範囲決定部とを有して構成されることを特徴とする表面検査装置。
【請求項２】
前記検査部による表面検査の結果に基づいて前記検査範囲を補正する補正部を有して構成されることを特徴とする請求項１に記載の表面検査装置。
【請求項３】
前記被検基板が略円板状に形成されており、
前記検査関連位置は、予め検出された前記被検基板の表面もしくは裏面における異常部分の位置であり、
前記検査範囲決定部は、前記被検基板の周部または周部近傍に沿った、前記被検基板の中心から前記異常部分を通るように伸びる直線が前記周部と交差する交差部分または前記交差部分近傍を含む範囲を前記所定の検査範囲として決定することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の表面検査装置。
【請求項４】
前記検査関連位置は、前記被検基板の周部または周部近傍において前記被検基板を搬送する搬送装置が接触する接触部分の位置であり、
前記検査範囲決定部は、前記被検基板の周部または周部近傍に沿った前記接触部分を含む範囲を前記所定の検査範囲として決定することを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の表面検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の被検基板の周部または周部近傍を表面検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる薄膜の種類が増加している。これに伴い、薄膜の境界部分が露出するウェハの外周端部付近の表面検査が重要となってきている。ウェハの外周部付近に異物等の異常があると、後の工程で異物等がウェハの表面側に回り込んで悪影響を及ぼし、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響する。
【０００３】
そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された被検基板の外周端部周辺（例えば、アペックスや上下のベベル）を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった異常の有無を検査する表面検査装置が考案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような検査装置には、レーザ光等の照射により生じる散乱光を利用して異物等を検出する構成のものや、ラインセンサにより被検基板の画像を帯状に形成して異物等を検出する構成のもの等がある。
【特許文献１】特開２００４−３２５３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、被検基板の外周端部周辺で生じる異常は、被検基板の画像において信号変化が微小であり、かつ、当該異常が点状に出現するのではなく、比較的広範囲にわたって出現する場合が多い。これに対し、微小な信号変化を把握できる分解能の高い撮像装置を用いて検査を行うと、視野範囲が狭くなり、撮像する画像の量が多くなることから、検査効率が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、検査効率を向上させた表面検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、被検基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記被検基板の周部または周部近傍を表面検査する検査部と、前記保持部に保持された前記被検基板を前記検査部に対して相対移動させる駆動機構とを備え、前記保持部に保持された前記被検基板を前記駆動機構により相対移動させて、前記被検基板の周部または周部近傍における所定の検査範囲を前記検査部により表面検査するように構成された表面検査装置において、前記被検基板における所定の検査関連位置を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された前記検査関連位置に基づいて前記所定の検査範囲を決定する検査範囲決定部とを有して構成される。
【０００７】
なお、上述の表面検査装置において、前記検査部による表面検査の結果に基づいて前記検査範囲を補正する補正部を有して構成されることが好ましい。
【０００８】
また、上述の表面検査装置において、前記被検基板が略円板状に形成されており、前記検査関連位置は、予め検出された前記被検基板の表面もしくは裏面における異常部分の位置であり、前記検査範囲決定部は、前記被検基板の周部または周部近傍に沿った、前記被検基板の中心から前記異常部分を通るように伸びる直線が前記周部と交差する交差部分または前記交差部分近傍を含む範囲を前記所定の検査範囲として決定することが好ましい。
【０００９】
また、上述の表面検査装置において、前記検査関連位置は、前記被検基板の周部または周部近傍において前記被検基板を搬送する搬送装置が接触する接触部分の位置であり、前記検査範囲決定部は、前記被検基板の周部または周部近傍に沿った前記接触部分を含む範囲を前記所定の検査範囲として決定することが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、検査効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る表面検査装置の一例を図１に示しており、第１実施形態の表面検査装置１は、半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）の外周端部および外周端部近傍における異常（傷、異物の付着等）の有無を、自動的にもしくは目視で表面検査するためのものである。
【００１２】
被検基板であるウェハ１０は薄い円盤状に形成されており、その表面には、ウェハ１０から取り出される複数の半導体チップ（チップ領域）に対応した回路パターン（図示せず）を形成するために、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜等の薄膜（図示せず）が多層にわたって形成される。図２に示すように、ウェハ１０の表面（上面）における外周端部内側には、上ベベル部１１がリング状に形成され、この上ベベル部１１の内側に回路パターンが形成されることになる。また、ウェハ１０の裏面（下面）における外周端部内側には、下ベベル部１２がウェハ１０を基準に上ベベル部１１と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部１１と下ベベル部１２とに繋がるウェハ端面がアペックス部１３となる。
【００１３】
ところで、表面検査装置１は、ウェハ１０を保持して回転させるウェハ保持部２０と、ウェハ１０の外周端部および外周端部近傍を撮像する撮像部３０と、撮像部３０で撮像されたウェハ１０の画像に対して所定の画像処理を行う画像処理部４０と、ウェハ保持部２０や撮像部３０等の駆動制御を行う制御部５０とを主体に構成される。
【００１４】
ウェハ保持部２０は、回転駆動機構２１と、回転駆動機構２１から上方へ垂直に延びて設けられた回転軸２２と、回転軸２２の上端部に略水平に取り付けられて上面側でウェハ１０を保持するウェハホルダ２３とを有して構成される。ウェハホルダ２３の内部には真空吸着機構（図示せず）が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してウェハホルダ２３上のウェハ１０が吸着保持される。
【００１５】
回転駆動機構２１は、回転軸２２を回転駆動するように構成されており、この回転駆動機構２１により回転軸２２を回転させることで、回転軸２２に取り付けられたウェハホルダ２３とともに、ウェハホルダ２３上に吸着保持されたウェハ１０がウェハ１０の中心（回転対称軸Ｏ）を回転軸として回転駆動される。なお、ウェハホルダ２３はウェハ１０より径の小さい略円盤状に形成されており、ウェハホルダ２３上にウェハ１０が吸着保持された状態で、上ベベル部１１、下ベベル部１２、およびアペックス部１３を含むウェハ１０の外周端部近傍がウェハホルダ２３からはみ出るようになっている。また、図示しないプリアライメント機構によりウェハ１０の外周端部を全周にわたり予備観察を行い、外周端部の位置からウェハ１０の中心位置およびノッチ位置を検出している。なお、プリアライメント機構によって検出されたウェハ１０の中心位置が所定の範囲（撮像部３０によって全外周端部が観察可能となる範囲）から外れている場合には、ウェハ１０の中心位置が所定の範囲に入るようにウェハ１０を置き直している。
【００１６】
撮像部３０は、いわゆる二次元カメラであり、図示しない対物レンズおよび落射照明を備えた鏡筒部３１と、図示しないイメージセンサが内蔵されたカメラ本体３２とを主体に構成されており、落射照明による照明光が対物レンズを介してウェハ１０を照明するとともに、ウェハ１０からの反射光が対物レンズを介してイメージセンサに導かれ、イメージセンサでウェハ１０の像が撮像される。なお、不図示の落射照明は拡散照明としてもよく、また、鏡筒部３１とは別体の照明装置を用いてカメラ本体３２の撮像光軸に対し斜めの方向からウェハ１０を照明するようにしてもよい。
【００１７】
また、撮像部３０は、ウェハ１０の上ベベル部１１と対向するように配置され、ウェハ１０の回転軸（回転対称軸Ｏ）と平行な鉛直上方から上ベベル部１１を部分的に撮像するようになっている。これにより、ウェハ保持部２０に支持されたウェハ１０を回転させると、撮像部３０の撮像領域に対して、ウェハ１０の外周端部、すなわち上ベベル部１１がウェハ１０の周方向へ相対回転するため、上ベベル部１１と対向するように配置された撮像部３０は、上ベベル部１１を周方向（すなわち相対回転方向）へ連続的に複数撮像することができ、ウェハ１０の全周にわたって上ベベル部１１を撮像することが可能になる。なお、撮像部３０で撮像された画像データは、画像処理部４０へ出力される。
【００１８】
制御部５０は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部５０からの制御信号によりウェハ保持部２０、撮像部３０、および画像処理部４０等の作動制御を行う。また、制御部５０には、画像表示部および画像上のカーソル操作等を行うための操作部を備えたインターフェース部５１と、画像データを記憶する記憶部５２等が電気的に接続されている。
【００１９】
画像処理部４０は、図示しない回路基板等から構成され、図３に示すように、入力部４１と、内部メモリ４２と、検査部４３と、補正部４４と、出力部４６とを有している。入力部４１には、撮像部３０からの画像データが入力され、さらには、インターフェース部５１で入力された各種設定パラメータが制御部５０を介して入力される。入力部４１に入力されたウェハ１０（上ベベル部１１）の画像データは、内部メモリ４２へ送られる。
【００２０】
ところで、各種半導体製造装置や検査装置間におけるウェハ１０の搬送に、例えば、図５に示すような搬送装置６０が用いられる。この搬送装置６０は、ウェハ１０の周部を保持可能な複数の爪部６１を有するアーム部材６２を備えて構成される。本実施形態においては、インターフェース部５１で入力される各種設定パラメータの一つに、ウェハ１０の周部において各爪部６１がそれぞれ接触する接触部分Ｓ１〜Ｓ３の中心位置Ｃ１〜Ｃ３および、各接触部分Ｓ１〜Ｓ３の接触範囲Ｌがあり、インターフェース部５１で入力された各接触部分Ｓ１〜Ｓ３における中心位置Ｃ１〜Ｃ３の（図示しないノッチを基準とした）回転角度位置および接触範囲Ｌの回転角度位置範囲は、例えば、内部メモリ４２や記憶部５２に記憶される。なお、搬送装置６０の爪部６１は、例えば図６に示すように、ウェハ１０の周部を保持する際に上ベベル部１１や下ベベル部１２と接触する構成になっており、本実施形態においては、各爪部６１は同じ大きさで、設計上はそれぞれの接触範囲Ｌの大きさが同じであるものとする。
【００２１】
検査部４３は、内部メモリ４２と電気的に接続されており、内部メモリ４２から画像データが入力されると、当該画像データに基づいて欠陥（異常）検出を行い、欠陥（異常）検出の結果（すなわち、表面検査の結果）を出力部４６へ出力する。なお、欠陥（異常）検出は、画像データ毎に微細欠陥（１つの画像内に収まっている欠陥）と広域欠陥（複数の画像にまたがっている欠陥）とに分けてその大きさ（信号強度）を検出し欠陥検出データを生成している。
【００２２】
補正部４４は、検査部４３と電気的に接続されており、検査部４３から欠陥検出データが入力されると、当該欠陥検出データに基づいて、ウェハ１０の上ベベル部１１に対する検査範囲の補正を行い、補正した補正データを出力部４６へ出力する。出力部４６は、制御部５０と電気的に接続されており、撮像部３０により撮像されたウェハ１０の画像データや、検査部４３により生成された欠陥検出データ、補正部４４により補正された補正データ等を制御部５０へ出力する。
【００２３】
次に、以上のように構成される表面検査装置１を用いたウェハ１０の表面検査について、図４に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。まず、ステップＳ１０１において、インターフェース部５１に各種設定パラメータが入力される。この入力処理では、前述した各接触部分Ｓ１〜Ｓ３における中心位置Ｃ１〜Ｃ３の回転角度位置および接触範囲Ｌの回転角度位置範囲も入力され、制御部５０を介して、画像処理部４０の内部メモリ４２や記憶部５２に記憶される。
【００２４】
次に、ステップＳ１０２において、撮像部３０や画像処理部４０を用いて、被検基板であるウェハ１０の上ベベル部１１を表面検査する。この検査処理では、まず、制御部５０からの制御信号を受けて、ウェハ保持部２０の回転駆動機構２１によりウェハホルダ２３に保持されたウェハ１０を回転させるとともに、上ベベル部１１と対向するように配置された撮像部３０がウェハ１０の周方向へ相対回転する上ベベル部１１を（周方向へ）連続的に複数撮像し、上ベベル部１１をウェハ１０の所定の検査範囲にわたって撮像する。
【００２５】
このとき、制御部５０は、例えば、記憶部５２に記憶されたウェハ１０の周部における第１の接触部分Ｓ１の中心位置Ｃ１（ノッチ基準）および接触範囲Ｌに基づいて、ウェハ１０の上ベベル部１１に対する検査範囲を決定する。具体的には、図７に示すように、第１の接触部分Ｓ１の中心位置Ｃ１を中心とした接触範囲Ｌの２倍の範囲２Ｌを、検査範囲（２Ｌ）として決定する。なお、このように決定した検査範囲（２Ｌ）のデータ（中心位置Ｃ１の回転角度位置および検査範囲（２Ｌ）の回転角度位置範囲）は、記憶部５２に記憶される。
【００２６】
撮像部３０が上ベベル部１１を連続的に撮像するとき、ウェハ１０の回転により相対移動して得られる撮像部３０の撮像領域毎に、上ベベル部１１の複数の部分画像が取得され、当該部分画像の画像データは画像処理部４０へ出力される。撮像部３０から出力された部分画像の画像データはそれぞれ、画像処理部４０の入力部４１に入力されて内部メモリ４２へ送られる。撮像部３０により所定の検査範囲（２Ｌ）にわたって上ベベル部１１の部分画像が撮像されると、検査部４３は、画像データ毎に微細欠陥（１つの画像内に収まっている欠陥または異常）と広域欠陥（複数の画像にまたがっている欠陥または異常）とに分けてその大きさ（信号強度）を検出し、各欠陥の大きさ（信号強度）を補正部４４および出力部４６へ出力する。
【００２７】
なお、ウェハ１０の欠陥（異常）検出は、例えば次のようにして求められる。まず、撮像部３０により撮像された上ベベル部１１の部分画像Ａを、例えば図８（ａ）に示すように、ウェハ１０の周方向に並ぶ短冊状の２×Ｎ枚（Ｎは自然数）の分割画像Ｉ1〜Ｉ2Nに分割する処理を行う。次に、例えば図８（ｂ）に示すように、部分画像Ａの左側から数えて奇数番目の分割画像Ｉ1，Ｉ3，…Ｉ2N-1と、当該奇数番目の画像に対してそれぞれウェハ１０の周方向右側にずれた偶数番目の分割画像Ｉ2，Ｉ4，…Ｉ2Nとの画像信号（具体的には、各分割画像の画素毎の輝度情報）の差分から得られるＮ枚の（短冊状の）差分処理画像Ｊ1，Ｊ2，…ＪNを作成する。このそれぞれの差分処理画像について信号の有無を調べ、信号がある部分を欠陥（異常）候補とする。
【００２８】
次に、欠陥（異常）候補に対応する分割画像で欠陥（異常）候補の部分とその周囲の部分との輝度差（信号強度の差）を求め、輝度差が所定の閾値以上であった場合にその分割画像の両端にわたる場合もしくは一方の端部にかかる場合は広域欠陥（異常）として検出し、両方のもしくは一方の端部にかからない場合には、微細欠陥（異常）として検出している。なお、出力部４６へ出力された欠陥（異常）検出データ（部分画像毎の微細欠陥および広域欠陥の大きさ）は、制御部５０を介して記憶部５２に送られ、記憶部５２で記憶されるとともに、必要に応じて、記憶部５２に記憶された欠陥（異常）検出データおよび上ベベル部１１の部分画像がインターフェース部５１の画像表示部で表示される。なお、欠陥（異常）として検出された部分が、半導体製造工程で必ずしも欠陥となるとは限らないが、このような欠陥（異常）部分を検出して観察することで、半導体製造工程で欠陥となるか否かを判断できる場合もある。
【００２９】
このようにウェハ１０の上ベベル部１１を表面検査すると、次のステップＳ１０３において、補正部４４は、ウェハ１０の上ベベル部１１に対する検査範囲の補正を行い、補正した補正データを内部メモリ４２および出力部４６へ出力する。この補正処理において、補正部４４は、まず、検査部４３から入力された欠陥検出データを蓄積し、例えば図９に示すような、検査範囲（２Ｌ）内における欠陥分布を取得する。この欠陥分布の横軸はウェハ１０の周部における回転角度位置であり、縦軸は各回転角度位置における欠陥の個数である。この図からわかるように、第１の接触部分Ｓ１の中心位置Ｃ１と、欠陥分布の中心位置Ｃｎとの間に偏差σが生じる場合があり、補正部４４は、取得した欠陥分布から、欠陥分布の中心位置Ｃｎの偏差σおよび欠陥分布の範囲Ｌｎ（回転角度位置範囲）を算出し、算出した欠陥分布の範囲Ｌｎを、新たな検査範囲（Ｌｎ）として決定するとともに、算出した偏差σを、各接触部分の中心位置から検査範囲（Ｌｎ）の中心位置を設定する際の補正パラメータとして決定する。
【００３０】
なお、出力部４６へ出力された新たな検査範囲（Ｌｎ）および偏差σのデータは、制御部５０を介して記憶部５２に送られ、記憶部５２に記憶された検査範囲（および偏差）が新たな検査範囲（Ｌｎ）（および偏差σ）に更新される（ステップＳ１０４）。
【００３１】
ステップＳ１０４で検査範囲の更新処理が行われると、次のステップＳ１０５において、表面検査を続行するか否かを判定する。表面検査を続行しない場合には、処理が終了し、表面検査を続行する場合には、次に表面検査を行う接触部分Ｓ１〜Ｓ３を指定した後、ステップＳ１０２へ戻り、指定された接触部分の中心位置に対し偏差σの分だけ変位させた位置を中心とした、補正後の新たな検査範囲（Ｌｎ）で、検査処理（ステップＳ１０２）が行われ、さらに、この検査処理の結果に基づいて補正処理（ステップＳ１０３）が行われることになる。
【００３２】
その結果、第１実施形態に係る表面検査装置１によれば、制御部５０が、例えば、記憶部５２に記憶されたウェハ１０の周部における第１の接触部分Ｓ１の中心位置Ｃ１および接触範囲Ｌに基づいて、ウェハ１０の上ベベル部１１に対する検査範囲を決定するため、検査を行いたい範囲が自動的に決定されることから、検査効率を向上させることが可能になる。特に、ウェハ１０の周部において搬送装置６０が接触する各接触部分Ｓ１〜Ｓ３の中心位置Ｃ１〜Ｃ３に基づいて、検査範囲を決定するようにすれば、異常の発生する可能性の高い部分が検査範囲として自動的に決定されるため、検査効率をより向上させることができる。
【００３３】
また、本実施形態のように、検査部４３による表面検査の結果に基づいて、補正部４４により上記検査範囲の補正を行うことが好ましく、このようにすれば、検査範囲の精度が向上するため、検査効率をより向上させることができる。なお、本実施形態においては、搬送装置６０が接触する位置に着目して検査範囲を決定する例を示したが、プリアライメント機構でウェハ１０の外周端部に欠陥候補が観察された場合には、その欠陥候補に着目して（上述の方法と同様の方法で）検査範囲を決定することも可能である。
【００３４】
次に、表面検査装置の第２実施形態について説明する。第２実施形態の表面検査装置１０１は、図１０に示すように、第１実施形態の表面検査装置１と比較して、画像処理部４０および制御部５０の構成が異なり、他の構成は同様であるので、同一部分に同一の番号を付して、詳細な説明を省略する。第２実施形態の表面検査装置１０１は、第１実施形態の表面検査装置１と同様に、ウェハ保持部２０と、撮像部３０と、撮像部３０で撮像されたウェハ１０の画像に対して所定の画像処理を行う画像処理部１４０と、ウェハ保持部２０や撮像部３０等の駆動制御を行う制御部１５０とを主体に構成される。
【００３５】
制御部１５０は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部１５０からの制御信号によりウェハ保持部２０、撮像部３０、および画像処理部１４０等の作動制御を行う。また、制御部１５０には、画像表示部および画像上のカーソル操作等を行うための操作部を備えたインターフェース部１５１と、画像データを記憶する記憶部１５２等が電気的に接続されている。さらに、インターフェース部１５１には、ウェハ１０の表面を一括検査するマクロ検査装置１６０が電気的に接続されており、本実施形態の表面検査装置１０１による検査が行われる前に実施された、マクロ検査装置１６０によるウェハ１０の検査結果が表面検査装置１０１の外部から入力されるようになっている。具体的には、例えば図１３に示すように、マクロ検査装置１６０によるウェハ１０の検査結果として、マクロ検査装置１６０により検出された欠陥Ｋの（ウェハ１０の回転対称軸Ｏを原点とした）座標（ｘ，ｙ）が入力される。
【００３６】
画像処理部１４０は、図示しない回路基板等から構成され、図１１に示すように、入力部１４１と、内部メモリ１４２と、検査部１４３と、出力部１４６とを有している。入力部１４１には、撮像部３０からの画像データが入力され、さらには、インターフェース部１５１で入力された各種設定パラメータが制御部１５０を介して入力される。入力部１４１に入力されたウェハ１０（上ベベル部１１）の画像データは、内部メモリ１４２へ送られる。また、インターフェース部１５１から入力された前述のマクロ検査装置１６０によるウェハ１０の検査結果も、制御部１５０を介して内部メモリ１４２や記憶部１５２に記憶される。
【００３７】
検査部１４３は、内部メモリ１４２と電気的に接続されており、内部メモリ１４２から画像データが入力されると、当該画像データに基づいて欠陥（異常）検出を行い、欠陥（異常）検出の結果（すなわち、表面検査の結果）を出力部１４６へ出力する。なお、欠陥（異常）検出は、第１実施形態の検査部４３と同様の方法で行われる。出力部１４６は、制御部１５０と電気的に接続されており、撮像部３０により撮像されたウェハ１０の画像データや、検査部１４３により生成された欠陥検出データ等を制御部１５０へ出力する。
【００３８】
次に、第２実施形態の表面検査装置１０１を用いたウェハ１０の表面検査について、図１２に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。まず、ステップＳ２０１において、インターフェース部１５１に各種設定パラメータが入力される。この入力処理では、前述のマクロ検査装置１６０によるウェハ１０の検査結果も入力され、制御部１５０を介して、画像処理部１４０の内部メモリ１４２や記憶部１５２に記憶される。
【００３９】
次に、ステップＳ２０２において、撮像部３０や画像処理部１４０を用いて、被検基板であるウェハ１０の上ベベル部１１を表面検査する。この検査処理では、まず、制御部１５０からの制御信号を受けて、ウェハ保持部２０の回転駆動機構２１によりウェハホルダ２３に保持されたウェハ１０を回転させるとともに、上ベベル部１１と対向するように配置された撮像部３０がウェハ１０の周方向へ相対回転する上ベベル部１１を（周方向へ）連続的に複数撮像し、上ベベル部１１をウェハ１０の所定の検査範囲にわたって撮像する。
【００４０】
このとき、制御部１５０は、例えば、マクロ検査装置１６０により検出された欠陥Ｋの座標（ｘ，ｙ）に基づいて、ウェハ１０の上ベベル部１１に対する検査範囲を決定する。具体的には、図１４に示すように、まず、ウェハ１０の回転対称軸（中心軸）Ｏから欠陥Ｋを通るように伸びる直線ｒ１がウェハ１０の周部と交差する点Ｃ′の回転角度位置を求める。さらに、欠陥Ｋから直線ｒ１に対し線対称にそれぞれ４５度だけ傾斜して延びる直線ｒ２，ｒ３がウェハ１０の周部と交差する点Ｈ，Ｖの回転角度位置をそれぞれ求め、欠陥Ｋを通るように伸びる直線ｒ１がウェハ１０の周部と交差する点Ｃ′を中心とした、欠陥Ｋから線対称に延びる直線ｒ２，ｒ３がウェハ１０の周部とそれぞれ交差する点Ｈ，Ｖの間の（ウェハ１０の周部に沿った）範囲Ｌ′を、検査範囲（Ｌ′）として決定する。なお、このように決定した検査範囲（Ｌ′）のデータ（ウェハ１０の周部と交差する点Ｃ′の回転角度位置および検査範囲（Ｌ′）の回転角度位置範囲）は、記憶部５２に記憶される。
【００４１】
撮像部３０が上ベベル部１１を連続的に撮像するとき、ウェハ１０の回転により相対移動して得られる撮像部３０の撮像領域毎に、上ベベル部１１の複数の部分画像が取得され、当該部分画像の画像データは画像処理部１４０へ出力される。撮像部３０から出力された部分画像の画像データはそれぞれ、画像処理部１４０の入力部１４１に入力されて内部メモリ１４２へ送られる。撮像部３０により所定の検査範囲（Ｌ′）にわたって上ベベル部１１の部分画像が撮像されると、検査部１４３は、第１実施形態の検査部４３と同様の方法で欠陥（異常）検出を行い、欠陥（異常）検出データを出力部１４６へ出力する。
【００４２】
なお、出力部１４６へ出力された欠陥（異常）検出データは、制御部１５０を介して記憶部１５２に送られ、記憶部１５２で記憶されるとともに、必要に応じて、記憶部１５２に記憶された欠陥（異常）検出データおよび上ベベル部１１の部分画像がインターフェース部１５１の画像表示部で表示される。また、マクロ検査装置１６０により検出された１枚のウェハ１０における全ての欠陥Ｋについて、予め、欠陥Ｋを通るように伸びる直線ｒ１がウェハ１０の周部と交差する点Ｃ′の回転角度位置を求めておけば、図１５に示すような欠陥マップＭの画像を表示することも可能である。この欠陥マップＭには、ウェハ１０の形状を模した円形図形上に、例えばＮ個（Ｎは自然数）の欠陥Ｋに対応したウェハ１０周部との交差点Ｃ′１〜Ｃ′Ｎが表示される。さらに、欠陥マップＭの画像とともに、１〜Ｎ番目の欠陥Ｋに対応する各点Ｃ′１〜Ｃ′Ｎの回転角度位置（θ１〜θＮ）を欠陥テーブルＴとして表示することも可能である。このようにすれば、欠陥Ｋに対応するウェハ１０周部との交差点Ｃ′の位置関係を容易に把握することができる。
【００４３】
このようにウェハ１０の上ベベル部１１を表面検査すると、次のステップＳ２０３において、表面検査を続行するか否かを判定する。表面検査を続行しない場合には、処理が終了し、表面検査を続行する場合には、次に（上ベベル部１１の）表面検査を行いたい関連する欠陥Ｋを指定した後、ステップＳ２０２へ戻り検査処理が行われ、このとき、指定した欠陥Ｋの座標位置（ｘ，ｙ）に応じて、新たな検査範囲（Ｌ′）が決定されることになる。
【００４４】
その結果、第２実施形態に係る表面検査装置１０１によれば、第１実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。特に、マクロ検査装置１６０により検出された欠陥Ｋの座標（ｘ，ｙ）に基づいて、検査範囲（Ｌ′）を決定するようにすることで、異常の発生する可能性の高い部分が検査範囲として自動的に決定されるため、検査効率をより向上させることができる。
【００４５】
なお、上述の第２実施形態においては、検査部１４３による表面検査の結果に基づいて、第１実施形態の場合と同様に検査範囲（Ｌ′）の補正を行うようにしてもよい。このようにすれば、検査範囲の精度が向上するため、検査効率をより向上させることができる。
【００４６】
また、上述の各実施形態において、撮像部３０がウェハ１０の上ベベル部１１を撮像しているが、これに限られるものではなく、搬送装置の爪部の形状や、マクロ検査装置等により検出される欠陥の種類に応じて、例えば、図２における一点鎖線で示すように、ウェハ１０のアペックス部１３を撮像するようにしてもよく、図２における二点鎖線で示すように、ウェハ１０の下ベベル部１２を撮像するようにしてもよい。さらには、ウェハ１０に限らず、例えば、ガラス基板等を検査することも可能であり、被検基板の外周端部または外周端部近傍を表面検査する表面検査装置に対して、本実施形態を適用すると有効である。
【００４７】
また、上述の各実施形態において、イメージセンサとしてＣＣＤやＣＭＯＳ等といった増幅型固体撮像素子を用いることができるが、イメージセンサは、二次元センサでもよく、一次元センサでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１実施形態に係る表面検査装置の概略構成図である。
【図２】ウェハの外周端部近傍を示す側面図である。
【図３】第１実施形態における画像処理部を示す制御ブロック図である。
【図４】第１実施形態における表面検査を示すフローチャートである。
【図５】搬送装置の一例を示す平面図である。
【図６】搬送装置の一例を示す側面図である。
【図７】第１実施形態における検査範囲の一例を示す模式図である。
【図８】検査処理の過程を示す模式図である。
【図９】欠陥分布の一例を示すグラフである。
【図１０】第２実施形態に係る表面検査装置の概略構成図である。
【図１１】第２実施形態における画像処理部を示す制御ブロック図である。
【図１２】第２実施形態における表面検査を示すフローチャートである。
【図１３】ウェハの表面で検出された欠陥の一例を示す模式図である。
【図１４】第２実施形態における検査範囲の一例を示す模式図である。
【図１５】欠陥マップや欠陥テーブルの表示例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  表面検査装置（第１実施形態）
１０  ウェハ（被検基板）
２０  ウェハ保持部
２１  回転駆動機構                      ２３  ウェハホルダ（保持部）
３０  撮像部（検査部）
４０  画像処理部（検査部）              ４２  内部メモリ
４３  検査部                            ４４  補正部
５０  制御部（検査範囲決定部）
５１  インターフェース部                ５２  記憶部
６０  搬送装置
１０１  表面検査装置（第２実施形態）
１４０  画像処理部（検査部）
１４２  内部メモリ                      １４３  検査部
１５０  制御部（検査範囲決定部）
１５１  インターフェース部              １５２  記憶部
１６０  マクロ検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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