(57)【要約】【課題】絶縁層の導通孔に起因した発光層の膜厚のムラを抑制する。【解決手段】電流源トランジスタＴSは基板１０の面上に形成される。第２絶縁層４６および平坦化層４８は電流源トランジスタＴSを覆う。発光素子Ｅは、第１電極５２と第２電極５８との間に発光層５６を介在させた有機ＥＬ素子である。第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層と、
前記絶縁層の面上に形成された第１電極と第２電極との間に発光層が介在する発光素子と
を具備し、
前記第１電極は、前記絶縁層に形成された導通孔を介して前記薄膜トランジスタに接続され、
前記薄膜トランジスタは、前記導通孔と前記発光素子との間に配置される
発光装置。
【請求項２】
前記発光素子に並列に接続されてオン状態またはオフ状態となる制御トランジスタを具備し、
前記薄膜トランジスタは、前記発光素子および前記制御トランジスタに供給される電流を生成する電流源トランジスタである
請求項１の発光装置。
【請求項３】
前記導通孔は、前記制御トランジスタと前記発光素子との間に形成される
請求項２の発光装置。
【請求項４】
前記第２電極と前記制御トランジスタとを接続する接続部を有し、
前記制御トランジスタは、前記接続部と前記導通孔との間に配置される
請求項２または請求項３の発光装置。
【請求項５】
複数の単位回路を第１方向に配列した第１回路群と、複数の単位回路を前記第１方向に配列した第２回路群とが、前記第１方向に交差する第２方向に並置され、
前記第１回路群および前記第２回路群の各々における前記各単位回路は、
基板の面上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層の面上に形成された第１電極と第２電極との間に発光層が介在する発光素子とを具備し、
前記第１回路群における前記複数の単位回路の各々において、前記薄膜トランジスタに対して前記第２方向の前記第２回路群側に前記発光素子が位置し、
前記第２回路群における前記複数の単位回路の各々において、前記薄膜トランジスタに対して前記第２方向の前記第１回路群側に前記発光素子が位置し、
前記第１回路群および前記第２回路群の各々の前記各単位回路において、
前記第１電極は、前記絶縁層に形成された導通孔を介して前記薄膜トランジスタに接続され、
前記薄膜トランジスタは、前記導通孔と前記発光素子との間に配置される
発光装置。
【請求項６】
前記第１回路群および前記第２回路群の各々における前記各単位回路は、前記絶縁層の前記導通孔を挟んで前記発光素子とは反対側に形成されるとともに前記発光素子に並列に接続されてオン状態またはオフ状態となる制御トランジスタを含み、
前記薄膜トランジスタは、前記発光素子および前記制御トランジスタに供給される電流を生成する電流源トランジスタである
請求項５の発光装置。
【請求項７】
前記第１回路群の前記各単位回路における前記導通孔と前記発光素子との間に周縁が位置するように形成されて当該各単位回路の前記導通孔を覆う第１バンク層と、
前記第２回路群の前記各単位回路における前記導通孔と前記発光素子との間に周縁が位置するように形成されて当該各単位回路の前記導通孔を覆う第２バンク層と
を具備し、
前記第１回路群の前記複数の単位回路の各々における前記各発光素子の前記発光層と前記第２回路群の前記複数の単位回路の各々における前記各発光素子の前記発光層とは、前記第１バンク層と前記第２バンク層との間隙内に複数の単位回路にわたって連続に形成される
請求項５または請求項６の発光装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れかの発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を制御する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極間に発光層を介在させた複数の発光素子を線状または面状に配列した発光装置は、電子写真方式の画像形成装置における露光装置や画像を表示する表示装置として広範に使用される。特許文献１には、各発光素子に駆動電流を供給するために薄膜トランジスタを利用した構成が開示されている。発光素子は、薄膜トランジスタを覆う絶縁層の面上に形成されるとともに絶縁層の導通孔（コンタクトホール）を介して薄膜トランジスタに電気的に接続される。
【特許文献１】特開平１０−１８９２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１の技術のように発光素子と薄膜トランジスタとを接続する導通孔が発光素子に近接する構成では、導通孔（絶縁層の凹凸）の影響で発光層の膜厚にムラが生じるという問題がある。発光層の膜厚のムラは、各発光素子における輝度のムラの原因となる。スピンコート法や液滴吐出法（インクジェット法）などの成膜技術を利用して、導通孔を覆うように複数の発光素子にわたって連続する発光層を形成した場合には、発光層の膜厚のムラは特に顕著となる。以上の事情に鑑みて、本発明は、絶縁層の導通孔に起因した発光層の膜厚のムラを抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う絶縁層と、絶縁層の面上に形成された第１電極と第２電極との間に発光層が介在する発光素子とを具備し、前記第１電極は、前記絶縁層に形成された導通孔を介して前記薄膜トランジスタに接続され、前記薄膜トランジスタは、前記導通孔と前記発光素子との間に配置される。換言すると、第１電極は、基板に垂直な方向からみて絶縁層のうち薄膜トランジスタを挟んで発光素子とは反対側に形成された導通孔を介して薄膜トランジスタに接続される。以上の構成においては、基板に垂直な方向からみて絶縁層の導通孔と発光素子とが薄膜トランジスタを挟んで離間するから、導通孔に起因した発光層の膜厚のムラが抑制される。したがって、発光素子による発光の強度を高精度に目標値に均一化することが可能である。
【０００５】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、発光素子に並列に接続されてオン状態またはオフ状態となる制御トランジスタを具備し、薄膜トランジスタは、発光素子および制御トランジスタに供給される電流を生成する電流源トランジスタである。以上の態様においては、発光素子の発光の強度（点灯／消灯）に拘わらず電流源トランジスタには電流が流れて発熱する。絶縁層の導通孔が電流源トランジスタを挟んで発光素子とは反対側に形成されることで電流源トランジスタは発光素子に近接する（電流源トランジスタからの放射熱が発光素子に到達する）から、点灯時および消灯時における発光素子の温度差を低減することが可能である。
【０００６】
さらに好適な態様において、導通孔は、前記制御トランジスタと前記発光素子との間に形成される。換言すると、制御トランジスタは、基板に垂直な方向からみて絶縁層の導通孔を挟んで発光素子とは反対側に形成される。絶縁層の導通孔と発光素子との間に電流源トランジスタおよび制御トランジスタの双方が配置された構成においては、電流源トランジスタと発光素子との間の抵抗値が増大するから、電流源トランジスタから発光素子に供給される電流の電流量（さらには発光素子の発光の強度）が不足する可能性がある。本態様においては導通孔を挟んで発光素子とは反対側に制御トランジスタが配置されるから、電流源トランジスタから発光素子までの経路長が削減される。したがって、発光素子を充分な強度で発光させることが可能である。
【０００７】
制御トランジスタを具備する発光装置の好適な態様において、前記第２電極と前記制御トランジスタとを接続する接続部が形成され、前記制御トランジスタは、前記接続部と前記導通孔との間に配置される。以上の構成においては、接続部と導通孔とが制御トランジスタを挟んで充分に離間するから、第１電極と第２電極との短絡が有効に防止される。
【０００８】
本発明に係る発光装置は、複数の単位回路を第１方向に配列した第１回路群と、複数の単位回路を第１方向に配列した第２回路群とが、第１方向に交差する第２方向に並置され、第１回路群および第２回路群の各々における各単位回路は、基板の面上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆う絶縁層の面上に形成された第１電極と第２電極との間に発光層が介在する発光素子とを具備し、第１回路群における複数の単位回路の各々において、薄膜トランジスタに対して第２方向の第２回路群側に発光素子が位置し、第２回路群における複数の単位回路の各々において、薄膜トランジスタに対して第２方向の第１回路群側に発光素子が位置し、第１回路群および第２回路群の各々の各単位回路において、前記第１電極は、前記絶縁層に形成された導通孔を介して前記薄膜トランジスタに接続され、前記薄膜トランジスタは、前記導通孔と前記発光素子との間に配置される。換言すると、第１回路群および第２回路群の各々の各単位回路において、発光素子の第１電極は、基板に垂直な方向からみて絶縁層のうち薄膜トランジスタを挟んで発光素子とは反対側に形成された導通孔を介して薄膜トランジスタに接続される。
【０００９】
以上の態様においては、基板に垂直な方向からみて絶縁層の導通孔と発光素子とが薄膜トランジスタを挟んで離間するから、導通孔に起因した発光層の膜厚のムラが抑制される。したがって、各発光素子による発光の強度を高精度に均一化することが可能である。また、薄膜トランジスタと発光素子とを導通させる導通孔が第１回路群の各薄膜トランジスタと第２回路群の各薄膜トランジスタとの間隙に存在しないから、第１回路群の各薄膜トランジスタと第２回路群の各薄膜トランジスタとの距離が短縮される。したがって、第１回路群と第２回路群とにおける薄膜トランジスタの電気的な特性の相違が抑制されるという利点がある。
【００１０】
本発明の好適な態様において、第１回路群および第２回路群の各々における各単位回路は、絶縁層の導通孔を挟んで発光素子とは反対側に形成されるとともに発光素子に並列に接続されてオン状態またはオフ状態となる制御トランジスタを含み、薄膜トランジスタは、発光素子および制御トランジスタに供給される電流を生成する電流源トランジスタである。以上の態様によれば、制御トランジスタが絶縁層の導通孔と発光素子との間隙に配置された構成と比較して、電流源トランジスタから発光素子までの経路長が短縮される（したがって発光素子による発光の強度を充分に維持できる）という利点がある。
【００１１】
本発明の好適な態様に係る発光装置は、第１回路群の各単位回路における導通孔と発光素子との間に周縁が位置するように形成されて当該各単位回路の導通孔を覆う第１バンク層と、第２回路群の各単位回路における導通孔と発光素子との間に周縁が位置するように形成されて当該各単位回路の導通孔を覆う第２バンク層とを具備し、第１回路群の複数の単位回路の各々における各発光素子の発光層と第２回路群の複数の単位回路の各々における各発光素子の発光層とは、第１バンク層と第２バンク層との間隙内に複数の単位回路にわたって連続に形成される。以上の態様においては、発光層を形成する領域が第１バンク層と第２バンク層とで画定される。そして、各単位回路において導通孔と発光素子との間隙には薄膜トランジスタが配置されるから、第１バンク層や第２バンク層の周縁と導通孔および発光素子との間隔を特別に確保する必要がない。
【００１２】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各態様に係る発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る発光装置を原稿の照明に利用することが可能である。この画像読取装置は、以上の各態様に係る発光装置と、発光装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子などの受光素子）とを具備する。さらに、発光素子がマトリクス状に配列された発光装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など各種の電子機器の表示装置としても利用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を露光装置（光ヘッド）として採用した電子写真方式の画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。図１に示すように、画像形成装置は、発光装置１００と感光体ドラム７０と集束性レンズアレイ８０とを具備する。発光装置１００は、Ｘ方向（主走査方向）に沿って多数の発光素子が形成された長尺状の基板１０を含む。感光体ドラム７０は、Ｘ方向の回転軸に支持された円柱体であり、外周面を基板１０に対向させた状態で回転する。発光装置１００と感光体ドラム７０との間隙に配置された集束性レンズアレイ８０は、各発光素子からの出射光を感光体ドラム７０の外周面に結像させる。以上の露光によって感光体ドラム７０の外周面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。
【００１４】
図２は、発光装置１００の基板１０の表面（発光素子の形成面）の概略的な構造を示す平面図である。図２に示すように、基板１０の表面には、Ｘ方向に交差するＹ方向（副走査方向）に間隔をあけて第１回路群Ｇ1と第２回路群Ｇ2とが並置される。第１回路群Ｇ1および第２回路群Ｇ2の各々は、Ｘ方向に配列する複数の単位回路Ｕの集合である。基板１０の表面には、基板１０の各長辺に沿ってＸ方向に延在する２本の電源線１２と２本の給電線１４とが形成される。各単位回路Ｕには、電源回路（図示略）から電源線１２を介して電源電位ＶELが供給されるとともに電源回路から給電線１４を介して基準電位ＶREFが供給される。
【００１５】
図３は、各単位回路Ｕの電気的な構成を示す回路図である。図３に示すように、単位回路Ｕは、発光素子Ｅと電流源トランジスタＴSと制御トランジスタＴCとを含む。発光素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させた有機ＥＬ素子である。発光素子Ｅの陰極は接地線（ＧND）に接続される。
【００１６】
電流源トランジスタＴSは、ソース電極が電源線１２に接続されるとともにドレイン電極が発光素子Ｅの陽極に接続されたｐチャネル型の薄膜トランジスタである。電流源トランジスタＴSのゲート電極には給電線１４から基準電位ＶREFが供給される。電流源トランジスタＴSは、基準電位ＶREFに応じた電流量の電流ＩDRを生成する電流源として機能する。
【００１７】
制御トランジスタＴCは、電流源トランジスタＴSと発光素子Ｅとを接続する経路から分岐して接地線（ＧND）に至る経路上に配置されたｎチャネル型の薄膜トランジスタである。すなわち、制御トランジスタＴCは発光素子Ｅに並列に接続される。制御トランジスタＴCは、駆動回路（図示略）からゲート電極に供給される駆動信号に応じてオン状態またはオフ状態に変化することで発光素子Ｅの陽極と陰極との電気的な接続（導通／非導通）を制御する。制御トランジスタＴCがオフ状態に制御されると、電流源トランジスタＴSが生成した電流ＩDRは発光素子Ｅに供給される。したがって、発光素子Ｅは電流ＩDRの電流量に応じた強度で発光する。一方、制御トランジスタＴCがオン状態に制御されると、電流源トランジスタＴSが生成した電流ＩDRは制御トランジスタＴCに供給される。したがって、発光素子Ｅに対する電流ＩDRの供給が停止（または減少）して発光素子Ｅは消灯する。以上のように発光素子Ｅの発光および消灯に拘わらず電流源トランジスタＴSには電流ＩDRが継続的に流れる。
【００１８】
図４は、各単位回路Ｕの具体的な構造を示す平面図である。図４においては、図２における部分Ａの内側の４個の単位回路Ｕが代表的に図示されている。図２および図４に示すように、複数の発光素子ＥはＸ方向に沿って２列かつ千鳥状に配列する。すなわち、第１回路群Ｇ1における複数の発光素子Ｅの配列と第２回路群Ｇ2における複数の発光素子Ｅの配列とはＹ方向に間隔をあけて並置され、第１回路群Ｇ1の各発光素子ＥのＸ方向における位置と第２回路群Ｇ2の各発光素子ＥのＸ方向における位置とは、第１回路群Ｇ1および第２回路群Ｇ2の各々における発光素子Ｅの間隔の半分に相当する寸法だけ相違する。
【００１９】
図４に示すように、第１回路群Ｇ1の各単位回路Ｕにおいて、制御トランジスタＴCは発光素子Ｅを挟んで第２回路群Ｇ2とは反対側に位置し、電流源トランジスタＴSは制御トランジスタＴCと発光素子Ｅとの間隙に位置する。同様に、第２回路群Ｇ2の各単位回路Ｕにおいて、制御トランジスタＴCは発光素子Ｅを挟んで第１回路群Ｇ1とは反対側に位置し、電流源トランジスタＴSは制御トランジスタＴCと発光素子Ｅとの間隙に位置する。以上のように各単位回路Ｕにおいて制御トランジスタＴCと電流源トランジスタＴSと発光素子ＥとがＹ方向に直線状に配列する構成によれば、制御トランジスタＴCまたは電流源トランジスタＴSが発光素子Ｅに対してＸ方向に配置された構成と比較して各単位回路ＵのＸ方向の寸法が削減されるから、Ｘ方向に沿った複数の各発光素子Ｅの精細化が容易であるという利点がある。第１回路群Ｇ1および第２回路群Ｇ2の各々における制御トランジスタＴCの配列と電流源トランジスタＴSの配列との間隙の領域にて電源線１２および給電線１４がＸ方向に延在する。
【００２０】
次に、各単位回路Ｕの具体的な構造を説明する。なお、以下では第１回路群Ｇ1の１個の単位回路Ｕのみに着目するが、第１回路群Ｇ1の他の単位回路Ｕも同様の構成である。また、第２回路群Ｇ2の各単位回路Ｕは第１回路群Ｇ1の各単位回路ＵをＹ方向に反転した構成であるから、第２回路群Ｇ2の各単位回路Ｕについては説明を省略する。
【００２１】
図５は、図４におけるＶ−Ｖ線の断面図である。図４および図５に示すように、電流源トランジスタＴSは、基板１０の表面に形成された半導体層２２と、基板１０の全面に形成されたゲート絶縁層４２を挟んで半導体層２２のチャネル領域に対向するゲート電極２４とを含む。同様に、制御トランジスタＴCは、ゲート絶縁層４２を挟んで対向する半導体層２６とゲート電極２８とを含む。電流源トランジスタＴSと制御トランジスタＴCとは共通の工程で形成される。図４および図５に示すように、電源線１２および給電線１４は、電流源トランジスタＴSのゲート電極２４や制御トランジスタＴCのゲート電極２８と共通の導電層から形成される。
【００２２】
図５に示すように、電流源トランジスタＴSのゲート電極２４や制御トランジスタＴCのゲート電極２８が形成された基板１０の表面には第１絶縁層４４が全面にわたって形成される。第１絶縁層４４は、珪素酸化物や珪素窒化物などの無機材料で形成された絶縁性の膜体である。第１絶縁層４４の面上には、図４に示す複数の配線３１〜３４が共通の導電層から形成される。
【００２３】
配線３１は、第１絶縁層４４およびゲート絶縁層４２を貫通する導通孔Ｈa1を介して半導体層２２のソース領域に導通する端部（電流源トランジスタＴSのソース電極）から、第１絶縁層４４を貫通する導通孔Ｈa2を介して電源線１２に導通する端部までＹ方向に延在する。配線３２は、第１絶縁層４４を貫通する導通孔Ｈa3を介して電流源トランジスタＴSのゲート電極２４に導通する端部からＹ方向に延在して電源線１２の上方を通過し、第１絶縁層４４を貫通する導通孔Ｈa4を介して他方の端部が給電線１４に導通する。
【００２４】
配線３３は、図４および図５に示すように、第１絶縁層４４およびゲート絶縁層４２を貫通する導通孔Ｈa5を介して半導体層２２のドレイン領域に導通する端部（電流源トランジスタＴSのドレイン電極）からＹ方向に延在して電源線１２および給電線１４の上方を通過し、第１絶縁層４４およびゲート絶縁層４２を貫通する導通孔Ｈa6を介して他方の端部（制御トランジスタＴCのドレイン電極）が半導体層２６のドレイン領域に導通する。また、配線３４は、第１絶縁層４４およびゲート絶縁層４２を貫通する導通孔Ｈa7を介して半導体層２６のソース領域に導通する端部（制御トランジスタＴCのソース電極）からＹ方向に延在する。
【００２５】
第１絶縁層４４の表面には全面にわたって第２絶縁層４６が形成される。第２絶縁層４６は、珪素酸化物や珪素窒化物などの無機材料で形成された絶縁性の膜体である。さらに、第２絶縁層４６の全面を覆う平坦化層４８が形成される。平坦化層４８は、電流源トランジスタＴSや制御トランジスタＴCを反映した第２絶縁層４６の表面の凹凸（段差）を平坦化する絶縁性の膜体である。平坦化層４８の材料には、例えば窒素酸化物や窒素酸化物などの無機材料またはポリイミドなどの有機材料が好適に採用される。なお、第２絶縁層４６の表面の凹凸が充分に小さい場合には平坦化層４８は省略される。
【００２６】
図４および図５に示すように、平坦化層４８の表面には、発光素子Ｅの陽極として機能する第１電極５２が単位回路Ｕ毎に相互に離間して形成される。第１電極５２の材料には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性の導電材料が採用される。図４においては第１電極５２の外形が便宜的に破線で図示されている。図４および図５に示すように、第１電極５２は、基板１０に垂直な方向からみて電流源トランジスタＴSに重なり合う部分を含む。第１電極５２は、平坦化層４８と第２絶縁層４６とを貫通する導通孔Ｈb1を介して配線３３の途中の部分に導通する。導通孔Ｈb1は、電流源トランジスタＴSと制御トランジスタＴC（電源線１２）との間隙に位置する。
【００２７】
第１電極５２が形成された平坦化層４８の表面には素子規定層６２が形成される。素子規定層６２は、発光素子Ｅの外形に相当する領域に開口部６２１が形成された絶縁性の膜体である。第１電極５２は、開口部６２１の内側に位置する部分（すなわち開口部６２１を介して素子規定層６２から露出する部分）を含む。図５に示すように、素子規定層６２および第１電極５２を覆うように発光層５６が形成される。発光層５６は、複数の単位回路Ｕ（発光素子Ｅ）にわたって連続するように平坦化層４８の全面に形成される。発光層５６の形成にはスピンコート法などの成膜技術が好適に利用される。
【００２８】
発光層５６の表面には第２電極５８が形成される。図４においては発光層５６および第２電極５８の図示が省略されている。第２電極５８は、複数の単位回路Ｕ（発光素子Ｅ）にわたって連続に形成されて各発光素子Ｅの陰極として機能する。第２電極５８の材料には、アルミニウムやマグネシウムや銀などの光反射性の導電材料が採用される。したがって、発光層５６から第１電極５２側に進行する光および第２電極５８で反射されて第１電極５２側に進行する光は、第１電極５２および基板１０を透過して感光体ドラム７０側に出射する。すなわち、発光装置１００はボトムエミッション型である。
【００２９】
図４に示すように、第２電極５８は、素子規定層６２と平坦化層４８と第２絶縁層４６とを貫通する導通孔Ｈb2を介して配線３４（制御トランジスタＴCのソース電極）に接続される。第１電極５２と発光層５６と第２電極５８との積層のうち素子規定層６２の開口部６２１の内側の部分が発光素子Ｅに相当する。すなわち、素子規定層６２は、発光素子Ｅの平面的な形状を画定するための絶縁層である。図４および図５に示すように基板１０に垂直な方向からみて発光素子Ｅと電流源トランジスタＴSとは重複しないから、電流源トランジスタＴSを反映した凹凸が平坦化層４８の表面に残存する場合であっても、発光素子Ｅは充分に平坦な表面に形成することが可能である。なお、発光装置１００はボトムエミッション型であるから、発光素子Ｅ（素子規定層６２の開口部６２１の内側の部分）は、電流源トランジスタＴSだけでなく他の遮光性の要素（制御トランジスタＴCや各配線）にも重複しない。
【００３０】
以上に説明したように本形態においては、発光素子Ｅ（第１電極５２）と電流源トランジスタＴSとを接続する導通孔Ｈb1が電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成される。ここで、図６に示すように、電流源トランジスタＴSと発光素子Ｅとを導通させるための導通孔Ｈb0を両者の間隙に形成した構成を本形態との対比例として説明する。なお、図６では制御トランジスタＴCの図示が省略されている。対比例においては、電流源トランジスタＴSのドレイン電極から発光素子Ｅ側に延在するように配線３５が形成され、第１電極５２は、平坦化層４８と第２絶縁層４６とを貫通する導通孔Ｈb0を介して配線３５に導通する。
【００３１】
素子規定層６２や平坦化層４８の表面には導通孔を反映した凹凸（窪み）が現れる場合がある。対比例においては、発光素子Ｅと電流源トランジスタＴSとの間に導通孔Ｈb0が形成されるから、導通孔Ｈb0に起因した凹凸が素子規定層６２や平坦化層４８のうち発光素子Ｅに近接した位置に発生し易い。以上のように凹凸が発光素子Ｅに近接すると、発光素子Ｅにおける発光層５６の膜厚が不均一となり易い。例えば、導通孔Ｈb0に近い位置ほど発光層５６の膜厚が大きいといった具合である。また、導通孔Ｈb0に起因して素子規定層６２や平坦化層４８の表面に発生した凹凸の程度（例えば深さやサイズ）は基板１０上の位置によって区々であるから、対比例においては複数の発光素子Ｅについて発光層５６の膜厚を均一化することが困難である。以上のように発光層５６の膜厚が１個の発光素子Ｅ内または複数の発光素子Ｅ間で不均一となる対比例においては発光素子Ｅ毎に発光の強度が相違するから、画像形成装置が形成する画像に階調のムラが発生するという問題がある。
【００３２】
これに対して本形態においては、発光素子Ｅから電流源トランジスタＴSを挟んで離間した位置に導通孔Ｈb1が形成される（すなわち、導通孔Ｈb1から発光素子Ｅまでの距離が充分に確保される）から、導通孔に起因して素子規定層６２や平坦化層４８の表面に発生する凹凸が対比例と比較して抑制される。すなわち、発光層５６の膜厚を１個の発光素子Ｅ内および複数の発光素子Ｅにわたって均一化することが可能である。したがって、各発光素子Ｅの発光の強度が均一化され、画像形成装置の形成する画像の階調のムラを有効に抑制することができる。
【００３３】
また、対比例においては、第１回路群Ｇ1の各電流源トランジスタＴSと第２回路群Ｇ2の各電流源トランジスタＴSとの間に、第１回路群Ｇ1の各導通孔Ｈb0と第２回路群Ｇ2の各導通孔Ｈb0とを形成する領域を確保する必要がある。これに対して本形態においては、電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に導通孔Ｈb1が形成される（すなわち第１回路群Ｇ1の各電流源トランジスタＴSと第２回路群Ｇ2の各電流源トランジスタＴSとの間に導通孔Ｈb1が存在しない）から、第１回路群Ｇ1の各電流源トランジスタＴSと第２回路群Ｇ2の各電流源トランジスタＴSとのＹ方向の距離が対比例と比較して短縮される。薄膜トランジスタの電気的な特性は各々の形成される位置が近いほど類似し易いという傾向がある。したがって、本形態によれば、第１回路群Ｇ1の各電流源トランジスタＴSと第２回路群Ｇ2の各電流源トランジスタＴSとで電気的な特性を均一化し易いという利点もある。そして、各電流源トランジスタＴSの電気的な特性が均一化されることで各発光素子Ｅの発光の強度の相違（ひいては画像の階調のムラ）を抑制することができる。
【００３４】
なお、第１回路群Ｇ1と第２回路群Ｇ2とで各制御トランジスタＴCの電気的な特性を高精度に合致させる必要がある場合には、図４の制御トランジスタＴCを電流源トランジスタＴSと導通孔Ｈb1との間隙に配置した構成も好適に採用される。しかし、導通孔Ｈb1と発光素子Ｅとが離間し過ぎると、電流源トランジスタＴSから発光素子Ｅまでの抵抗値が過大となって各発光素子Ｅによる発光の強度が不足するという問題がある。本形態では図４に示すように、導通孔Ｈb1を挟んで電流源トランジスタＴSや発光素子Ｅとは反対側に制御トランジスタＴCが配置されるから、導通孔Ｈb1から発光素子Ｅまでの経路長が短縮される。したがって、各発光素子Ｅを充分な強度で発光させることが可能である。なお、制御トランジスタＴCはオン状態またはオフ状態の何れかに制御されるから、各単位回路Ｕにおける制御トランジスタＴCの電気的な特性の相違が発光素子Ｅの発光の強度に与える影響は少ない。したがって、第１回路群Ｇ1と第２回路群Ｇ2とで各制御トランジスタＴCが離間しているとは言っても、電流源トランジスタＴS同士が離間する場合と比較すれば、各発光素子Ｅの発光の強度の相違が抑制されることに変わりはない。
【００３５】
次に、図７は、発光素子Ｅの陽極と陰極との間の電圧と発光素子Ｅに流れる電流との関係を発光素子Ｅの温度毎（Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3）に示すグラフである。同図に示すように、所定の電圧の印加時に発光素子Ｅに流れる電流は温度が高いほど増加する。図７の温度Ｔ1は、電流ＩDRの供給で発光した場合の発光素子Ｅの温度である。
【００３６】
図３の単位回路Ｕにおいては、発光素子Ｅの発光および消灯に拘わらず電流源トランジスタＴSには電流ＩDRが流れるから、発光装置１００の電源の投入中には電流源トランジスタＴSに恒常的に電流ＩDRが流れて電流源トランジスタＴSは発熱する。いま、電流源トランジスタＴSと発光素子Ｅとの間に導通孔Ｈb0が位置する対比例のように発光素子Ｅが電流源トランジスタＴSから充分に離間した構成においては、電流源トランジスタＴSから発光素子Ｅに到達する放射熱が少ない（または到達しない）から、消灯時における発光素子Ｅの温度は図７の温度Ｔ3まで低下する。したがって、発光素子Ｅの両端間に電圧Ｖ0が印加される場合を想定すると、発光素子Ｅに流れる電流は発光中に電流量Ｉ3から電流量Ｉ1まで大幅に変化する。
【００３７】
これに対して本形態においては、発熱源に相当する電流源トランジスタＴSが対比例と比較して発光素子Ｅに近接するから、電流源トランジスタＴSによる放射熱が発光素子Ｅに到達する。したがって、消灯時の発光素子Ｅの温度Ｔ2は対比例における温度Ｔ3を上回る（消灯時でも温度Ｔ3までは低下しない）。したがって、発光中に発光素子Ｅに流れる電流の変化は電流量Ｉ2から電流量Ｉ1までの範囲に抑制される。したがって、本形態によれば各発光素子Ｅの動作が迅速化および安定化されるという利点もある。
【００３８】
また、本形態においては、第１電極５２を電流源トランジスタＴSに接続する導通孔Ｈb1と第２電極５８を制御トランジスタＴCに接続する導通孔Ｈb2との間に制御トランジスタＴCが配置されるから、導通孔Ｈb1と導通孔Ｈb2との距離が充分に確保される。したがって、導通孔Ｈb1と導通孔Ｈb2との電気的な短絡（第１電極５２と第２電極５８との短絡）を防止して発光素子Ｅの発光の不良を有効に回避することが可能である。本形態においては、導通孔Ｈb1と導通孔Ｈb2との間に電源線１２および給電線１４を配置することで導通孔Ｈb1と導通孔Ｈb2とが離間するから、導通孔Ｈb1と導通孔Ｈb2との短絡が防止されるという効果は格別に顕著となる。
【００３９】
なお、基板１０上のトランジスタ（例えば電流源トランジスタＴS）や配線を反映した凹凸が第１電極５２の形成面（下地面）に現れると、第１電極５２の欠損ないし断線や膜厚の不足の原因となる。導通孔Ｈb1から発光素子Ｅまでの距離が充分に確保されるように第１電極５２を広範囲にわたって形成する本形態においては、導通孔Ｈb1と発光素子Ｅとが近接する対比例と比較すると、凹凸を原因とした欠損や膜厚の不足によって第１電極５２の抵抗が上昇する可能性が高い。しかし、本形態においては、トランジスタ（電流源トランジスタＴSおよび制御トランジスタＴC）や配線を被覆する平坦化層４８の面上に第１電極５２が形成される。すなわち、第１電極５２の形成面は充分に平坦化される。したがって、例えば第２絶縁層４６の表面に第１電極５２を形成した構成（すなわち平坦化層４８を省略した構成）と比較すると、トランジスタ（電流源トランジスタＴS）や配線と重なり合うように第１電極５２が形成されるにも拘わらず、欠損や膜厚の不足を有効に防止して第１電極５２を低抵抗化することが可能である。
【００４０】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本形態のうち作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
【００４１】
図８は、各単位回路Ｕの具体的な構造を示す平面図であり、図９は、図８におけるIX−IX線の断面図である。本形態において素子規定層６２よりも下層の要素については第１実施形態と同様である。図８および図９に示すように、素子規定層６２の表面には第１バンク層６４と第２バンク層６６とが形成される。第１バンク層６４は、第１回路群Ｇ1の各単位回路Ｕにおける導通孔Ｈb1と発光素子Ｅとの間隙（さらに具体的には導通孔Ｈb1と電流源トランジスタＴSとの間隙）に周縁６４１が位置するように形成されて第１回路群Ｇ1の各導通孔Ｈb1と制御トランジスタＴCとを被覆する。同様に、第２バンク層６６は、第２回路群Ｇ2の各単位回路Ｕにおける導通孔Ｈb1と発光素子Ｅとの間隙（さらに具体的には導通孔Ｈb1と電流源トランジスタＴSとの間隙）に周縁６６１が位置するように形成されて第２回路群Ｇ2の各導通孔Ｈb1と制御トランジスタＴCとを被覆する。したがって、第１回路群Ｇ1および第２回路群Ｇ2の各々の電流源トランジスタＴSおよび発光素子Ｅは第１バンク層６４と第２バンク層６６との間隙に位置する。各導通孔Ｈb1の凹凸は第１バンク層６４または第２バンク層６６で平坦化される。なお、基板１０に垂直な方向からみて第１バンク層６４の周縁６４１や第２バンク層６６の周縁６６１が各電流源トランジスタＴSと重なる構成も採用される。
【００４２】
発光層５６は、第１バンク層６４と第２バンク層６６との間隙内（第１バンク層６４の周縁６４１と第２バンク層６６の周縁６６１とで挟まれた領域内）に形成されて複数の発光素子Ｅにわたって連続する。例えば、発光材料の液滴を第１バンク層６４と第２バンク層６６との間隙内に吐出する液滴吐出法（インクジェット法）が発光層５６の形成に好適である。第２電極５８は、発光層５６と第１バンク層６４と第２バンク層６６とを覆うように複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成される。第２電極５８は、第１バンク層６４または第２バンク層６６と素子規定層６２と平坦化層４８と第２絶縁層４６とを貫通する導通孔Ｈb2を介して配線３４に導通する。なお、第１バンク層６４と第２バンク層６６の間隙内のみに第２電極５８を形成した構成も採用される。
【００４３】
いま、電流源トランジスタＴSと発光素子Ｅとの間に導通孔Ｈb0が形成された対比例（図６）において第１バンク層６４や第２バンク層６６を形成する場合を想定する。第１バンク層６４または第２バンク層６６の位置に誤差がある場合でも各発光素子Ｅに重複しないように第１バンク層６４や第２バンク層６６を形成して各導通孔Ｈb0を確実に平坦化するためには、第１バンク層６４や第２バンク層６６の周縁（図６の各直線Ｌ）から発光素子Ｅまたは導通孔Ｈb0までの距離が充分に確保されるように発光素子Ｅと導通孔Ｈb0を離間させる必要がある。したがって、第１回路群Ｇ1の電流源トランジスタＴSと第２回路群Ｇ2の電流源トランジスタＴSとの距離の短縮（ひいては基板１０の小型化）が制約されるという問題がある。これに対して本形態においては、発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間に電流源トランジスタＴSが介在することで発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との距離は充分に確保されるから、第１バンク層６４や第２バンク層６６の周縁から発光素子Ｅまたは導通孔Ｈb1までの距離を独立して確保する必要はない。したがって、対比例と比較して基板１０上の領域を有効に利用できる（ひいては基板１０が小型化される）という利点がある。
【００４４】
＜Ｃ：変形例＞
以上の各形態には以下に例示するような様々な変形が加えられる。なお、以下の例示から２以上の態様を任意に選択して組合わせてもよい。
【００４５】
（１）変形例１  
発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間隙に配置される薄膜トランジスタは電流源トランジスタＴSに限定されない。例えば、電流源トランジスタＴSに代えて（または電流源トランジスタＴSとともに）、制御トランジスタＴCを発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間隙に配置した構成も採用される。また、例えば図１０の単位回路Ｕのように発光素子Ｅに指定された階調に応じてゲート電極の電位が設定される駆動トランジスタＴDを発光素子Ｅに対して直列に接続した構成においては、駆動トランジスタＴDが発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間隙に配置される。また、薄膜トランジスタとともに他の要素（例えば容量素子や各種の論理回路）が発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間隙に配置された構成も好適である。例えば、図１０において駆動トランジスタＴDのゲート電極の電位を保持する容量素子Ｃは駆動トランジスタＴDとともに発光素子Ｅと導通孔Ｈb1との間隙に配置される。
【００４６】
（２）変形例２  
以上の各形態においては発光素子Ｅを２列の千鳥状に配列したが、各発光素子Ｅ（各単位回路Ｕ）の配列の態様は任意である。例えば、以上の各形態における第１回路群Ｇ1および第２回路群Ｇ2の一方を省略した構成（すなわち複数の発光素子Ｅを単列に配列した構成）も採用される。
【００４７】
（３）変形例３  
有機ＥＬ素子は発光素子Ｅの例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子を配列した発光装置にも以上の各形態と同様に本発明が適用される。本発明における発光素子は、電気エネルギの供給（電界の印加や電流の供給）によって発光する電気光学素子である。
【００４８】
＜Ｄ：応用例＞
次に、発光装置１００を利用した電子機器（画像形成装置）の具体的な形態を説明する。
図１１は、画像形成装置の構成を示す断面図である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係る４個の発光装置１００（１００K，１００C，１００M，１００Y）と、各発光装置１００に対応する４個の感光体ドラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。図１に示したように、ひとつの発光装置１００は、当該発光装置１００に対応した感光体ドラム７０の被露光面７０A（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。
【００４９】
図１１に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。
【００５０】
各感光体ドラム７０の周囲には、発光装置１００のほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の被露光面７０Aを一様に帯電させる。この帯電した被露光面７０Aを各発光装置１００が露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像材（トナー）を付着させることで感光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。
【００５１】
以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これに対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。
【００５２】
シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。
【００５３】
以上に例示した画像形成装置は有機発光ダイオード素子を光源（露光手段）として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の構成の画像形成装置にも発光装置１００を適用することができる。例えば、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置にも発光装置１００を利用することが可能である。
【００５４】
なお、発光装置１００の用途は像担持体（感光体ドラム７０）の露光に限定されない。例えば、発光装置１００は、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。
【００５５】
また、発光素子Ｅがマトリクス状に配列された発光装置は、各種の電子機器の表示装置としても利用される。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などがある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。
【図２】発光装置の概略的な構造を示す平面図である。
【図３】単位回路の回路図である。
【図４】単位回路の具体的な構造を示す平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】対比例の構成を示す平面図である。
【図７】発光素子の特性（電圧−電流特性）を発光素子の温度毎に示すグラフである。
【図８】本発明の第２実施形態に係る発光装置の具体的な構造を示す平面図である。
【図９】図８におけるIX−IX線の断面図である。
【図１０】変形例に係る単位回路の回路図である。
【図１１】電子機器の具体的な形態（画像形成装置）を示す概念図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００……発光装置、１０……基板、Ｇ1……第１回路群、Ｇ2……第２回路群、Ｕ……単位回路、１２……電源線、１４……給電線、Ｅ……発光素子、ＴS……電流源トランジスタ、ＴC……制御トランジスタ、ＴD……駆動トランジスタ、４２……ゲート絶縁層、４４……第１絶縁層、４６……第２絶縁層、４８……平坦化層、５２……第１電極、５６……発光層、５８……第２電極、６２……素子規定層、６４……第１バンク層、６６……第２バンク層、７０……感光体ドラム、８０……集束性レンズアレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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