(57)【要約】【課題】半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすること。【解決手段】半導体ウェハ１の裏面側を下にして、ステージ５に吸着させて、半導体ウェハ１の中心を回転の中心軸として回転させる。また、端面研削用砥石１０の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ１の回転の中心軸の方向と略垂直な方向にして、端面研削用砥石１０を回転させる。ついで、半導体ウェハ１を横方向に移動させながら、端面研削用砥石１０を縦方向に移動させることで、半導体ウェハ１の端面３に、端面研削用砥石１０を接触させて、半導体ウェハ１の端面３を研削する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの中心を回転の中心軸として回転させるとともに、砥石の中心を回転の中心軸として、当該砥石の回転の中心軸の方向を前記半導体ウェハの回転の中心軸の方向と略直角の方向にして回転させる回転工程と、
回転させたままの前記半導体ウェハを、回転させたままの前記砥石に接触させて、当該半導体ウェハの端面に面取り加工を行う面取り加工工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの裏面の面内で、前記半導体ウエハと前記砥石とを近づけるよう少なくとも一方を移動させ、該移動させる距離を調整することで、当該半導体ウェハの端面の研削されずに残る高さを調整することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハのおもて面と略直角の方向に前記半導体ウエハと前記砥石の少なくとも一方を移動させ、該移動させる距離を調整することで、当該半導体ウェハの端面の研削角度を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの端面の裏面側の角部のみに面取り加工を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記回転工程においては、前記砥石を前記半導体ウェハの裏面側からおもて面側に向かう方向に回転させて、
前記面取り加工工程においては、前記砥石を前記半導体ウェハの裏面側から接触させて当該半導体ウェハの端面を裏面側から研削することで面取り加工を行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記回転工程の前、または前記面取り加工工程の後に、前記半導体ウェハの裏面の全面を研削して薄板化する薄板化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの端面の研削されずに残る高さが、前記薄板化工程で研削されずに残る高さよりも小さいことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記面取り加工工程の後、または前記面取り加工工程と前記薄板化工程との間に、
前記半導体ウェハの端面の形状および前記砥石の形状を測定する測定工程と、
前記測定工程における測定値と、前記半導体ウェハの端面の所望の形状と、の差を取得する取得工程と、
前記取得工程によって取得された差に基づいて、次の半導体ウェハの端面に面取り加工を行う際の補正値を算出する算出工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記面取り加工工程は、
前記半導体ウェハの端面の形状を測定する端面測定工程と、
前記半導体ウェハの端面の形状が、所望の形状になったか否かを判断する判断工程と、
をさらに含み、
前記判断工程によって、前記半導体ウェハの端面の形状が所望の形状になったと判断された場合に前記面取り加工工程を終了することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にデバイス厚が薄い薄型半導体デバイスを製造する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の性能を維持、または向上させるために、基板となる半導体ウェハの厚さを薄くする方法が提案されている。図９は、従来の半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。図９に示すように、まず、半導体ウェハのおもて面に集積回路等のおもて面素子構造を形成し（ステップＳ１０１）、その上に保護膜を形成する（ステップＳ１０２）。ついで、半導体ウェハのおもて面に保護テープを貼付し（ステップＳ１０３）、半導体ウェハの裏面を所定の厚さまで研削し（ステップＳ１０４）、研削面にエッチング等を行う（ステップＳ１０５）。このようにして、半導体ウェハを薄板化する。
【０００３】
ついで、半導体ウェハの裏面に電極を形成し（ステップＳ１０６）、特性検査、外観検査、信頼性試験などの検査を行い（ステップＳ１０７）、個々のチップにダイシングする（ステップＳ１０８）。このようにして、半導体装置が完成する。なお、ステップＳ１０７は、ステップＳ１０８の後に行ってもよい。
【０００４】
図１０は、従来の薄板化された半導体ウェハの形状について示す断面図である。図１０に示すように、図９のステップＳ１０３〜ステップＳ１０５において裏面側から研削され薄板化された半導体ウェハ１は、端面３１が鋭利なナイフエッジ形状となる。このため、ウェハキャリアに半導体ウェハ１を収納するときや、装置内や装置間で半導体ウェハ１を搬送するときに、半導体ウェハ１の端面３１がウェハキャリアや装置の一部に接触して欠けや割れが生じるという問題がある。また、この欠けや割れによって発生した破片が、おもて面素子構造２に突き刺さることで、デバイスの電気特性が不良となってしまうという問題がある。さらに、半導体ウェハ１を保持する吸着テーブルに破片が突き刺さると、その後に保持される半導体ウェハ１にも傷を付けてしまい、連続的に複数の半導体ウェハ１の電気特性が不良となってしまうという問題がある。
【０００５】
このような問題を解決する手段としては、図９に示した従来の半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの裏面を研削する工程（ステップＳ１０４）と同時、前または後のいずれかに、半導体ウェハの端面に面取り加工を行う方法が提案されている（例えば、下記特許文献１、下記特許文献２参照。）。
【０００６】
図１１または図１２は、第１従来例または第２従来例の面取り加工について示す断面図である。図１１に示すように、第１従来例においては、おもて面に保護テープ４を貼付した半導体ウェハ１の裏面側を下にして、ステージ５に保持させ、半導体ウェハ１の中心を回転の中心軸として、例えば矢印Ｒ３で示すように回転させる。また、半導体ウェハ１の端面３２の仕上がり形状に合わせた、側面に溝を有する砥石（以下、溝型砥石とする）２０を、この溝型砥石２０の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ１の回転の中心軸と平行な方向にして、例えば矢印Ｒ４で示すように回転させておく。そして、回転させた半導体ウェハ１の端面を、半導体ウェハ１のおもて面の面内で、回転させた溝型砥石２０の側面に接触するまで、例えば矢印Ｄ３で示すように移動させて、半導体ウェハ１の端面が仕上がり形状となるように研削する。
【０００７】
また、図１２に示すように、断面形状が台形状の砥石（以下、台形砥石とする）２１を、この台形砥石２１の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ１の回転の中心軸と平行な方向にして、例えば矢印Ｒ６で示すように回転させる。そして、例えば矢印Ｒ５で示すように回転させた半導体ウェハ１の端面３３を、半導体ウェハ１のおもて面の面内で回転させた台形砥石２１の側面に接触するまで、例えば矢印Ｄ４で示すように移動させて、端面が傾斜面となるように研削する。
【０００８】
さらに、半導体ウェハを薄板化するために半導体ウェハの裏面側から研削を行う砥石を、半導体ウェハの端面を研削する際に用いる方法が提案されている。この場合、半導体ウェハを傾斜させることで半導体ウェハの端面を砥石に接触させて、端面が傾斜面となるように研削する。
【０００９】
これらの方法によって、薄板化された半導体ウェハの端面のナイフエッジ形状を除去し、半導体ウェハの割れや欠けを防ぐことができる。
【００１０】
【特許文献１】特開平０８−３７１６９号公報
【特許文献２】特開平１１−３３３６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した特許文献１または２の技術では、砥石の回転の中心軸を半導体ウェハの回転の中心軸と平行な方向にして回転させることで、半導体ウェハの端面を研削するため、砥石に偏磨耗が生じる。図１３は、従来の面取り加工の問題点について示す断面図である。図１３に示すように、砥石２０，２１の側面の、半導体ウェハ１の端面３２，３３と接触する領域が、他の領域よりも磨耗するため、砥石２０，２１の側面に偏磨耗が生じる。このため、砥石２０，２１の側面の形状が面取り加工を行う度に変形し、複数の半導体ウェハ１に連続して面取り加工を行うと、半導体ウェハ１の端面の形状にばらつきが生じるという問題がある。また、このばらつきを抑えるために、砥石修正（ツルーイング）を行うことも考えられるが、頻繁にツルーイングを行う必要があるため、スループットが低下し、かつ砥石の寿命が短くなるという問題がある。
【００１２】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの中心を回転の中心軸として回転させるとともに、砥石の中心を回転の中心軸として、当該砥石の回転の中心軸の方向を前記半導体ウェハの回転の中心軸の方向と略直角の方向にして回転させる回転工程と、回転させたままの前記半導体ウェハを、回転させたままの前記砥石に接触させて、当該半導体ウェハの端面に面取り加工を行う面取り加工工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの裏面の面内で、前記半導体ウエハと前記砥石とを近づけるよう少なくとも一方を移動させ、該移動させる距離を調整することで、当該半導体ウェハの端面の研削されずに残る高さを調整することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハのおもて面と略直角の方向に前記半導体ウエハと前記砥石の少なくとも一方を移動させ、該移動させる距離を調整することで、当該半導体ウェハの端面の研削角度を調整することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの端面の裏面側の角部のみに面取り加工を行うことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の発明において、前記回転工程においては、前記砥石を前記半導体ウェハの裏面側からおもて面側に向かう方向に回転させて、前記面取り加工工程においては、前記砥石を前記半導体ウェハの裏面側から接触させて当該半導体ウェハの端面を裏面側から研削することで面取り加工を行うことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記回転工程の前、または前記面取り加工工程の後に、前記半導体ウェハの裏面の全面を研削して薄板化する薄板化工程をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記面取り加工工程においては、前記半導体ウェハの端面の研削されずに残る高さが、前記薄板化工程で研削されずに残る高さよりも小さいことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項８の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜７のいずれか一つに記載の発明において、前記面取り加工工程の後、または前記面取り加工工程と前記薄板化工程との間に、前記半導体ウェハの端面の形状および前記砥石の形状を測定する測定工程と、前記測定工程における測定値と、前記半導体ウェハの端面の所望の形状と、の差を取得する取得工程と、前記取得工程によって取得された差に基づいて、次の半導体ウェハの端面に面取り加工を行う際の補正値を算出する算出工程と、をさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項９の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜８のいずれか一つに記載の発明において、前記面取り加工工程は、前記半導体ウェハの端面の形状を測定する端面測定工程と、前記半導体ウェハの端面の形状が、所望の形状になったか否かを判断する判断工程と、をさらに含み、前記判断工程によって、前記半導体ウェハの端面の形状が所望の形状になったと判断された場合に前記面取り加工工程を終了することを特徴とする。
【００２２】
上述の各請求項の発明によれば、半導体ウェハの端面の角部を所望の形状に研削することができるので、半導体ウェハの端面の角部がナイフエッジ形状になるのを防ぐことができる。また、砥石の回転方向を半導体ウェハの回転方向と略直角にして研削を行うため、砥石の表面が均一に磨耗し、砥石の表面の偏磨耗を防ぐことができる。したがって、同一の砥石を用いて複数枚の半導体ウェハに処理を行う場合、各半導体ウェハの端面の形状をほぼ均一にすることができる。これによって、各半導体ウェハの端面の形状や径がばらつくのを防ぐことができる。
【００２３】
また、上述の請求項８の発明によれば、複数枚の半導体ウェハに連続して処理を行う場合、面取り加工を行った半導体ウェハの端面の形状と、砥石の形状と、を測定し、この測定値に基づいて、基準寸法からの補正値を算出する。そして、次の半導体ウェハに処理を行う際に補正値をフィードバックすることができる。したがって、各半導体ウェハの端面の形状を、ほぼ基準寸法にすることができる。このため、各半導体ウェハの端面の形状や径がばらつくのを防ぐことができる。
【００２４】
また、上述の請求項９の発明によれば、半導体ウェハの端面の面取り加工を行いながら、半導体ウェハの端部の形状と、砥石の形状と、を監視して、半導体ウェハの端面が基準寸法に達したときに、面取り加工を終了させることができる。したがって、複数枚の半導体ウェハに連続して処理を行う場合、各半導体ウェハの端面の形状を、ほぼ基準寸法にすることができる。このため、各半導体ウェハの端面の形状や径がばらつくのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハの割れや欠けを防ぎ、かつ複数の半導体ウェハに連続して処理を行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を均一にすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造について示す断面図である。図１に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置においては、薄板化された半導体ウェハ１の端面３がナイフエッジ形状となっていない。すなわち、半導体ウェハ１の端面３が、おもて面側から高さｈを残して、裏面側の表面から研削角度θで角部が研削された形状となっている。
【００２８】
図２および図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について順に示す図である。なお、図２における上の図は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について示す平面図であり、下の図は、上の図の切断線Ａ−Ａ‘における断面構造を示す断面図である。まず、図２に示すように、半導体ウェハ１のおもて面におもて面素子構造２を形成し、その半導体ウェハ１のおもて面側に保護部材を貼付する。保護部材は保護テープでもよいし、液状の樹脂を塗布し硬化させたものでもよい。ここでは保護テープ４を用いて説明する。
【００２９】
ついで、半導体ウェハ１の裏面側を下にして、ステージ５に吸着させて、例えば矢印Ｒ１で示すように半導体ウェハ１の中心を回転の中心軸として回転させる。また、端面研削用砥石１０を、例えば半導体ウェハ１のおもて面側と裏面側とを通過する方向に回転させる。すなわち、端面研削用砥石１０を、例えば矢印Ｒ２で示すように端面研削用砥石１０の中心を回転の中心軸として、この中心軸を半導体ウェハ１の回転の中心軸の方向と略垂直な方向にして回転させる。ここで、端面研削用砥石１０の回転の向きは、半導体ウェハ１の裏面側からおもて面側に向かう方向であることが好ましい。その理由は、端面研削用砥石１０の回転の向きが、半導体ウェハ１のおもて面側から裏面側に向かう向きであると、ナイフエッジ形状の先端部から、半導体ウェハ１の内側に向かって端面研削用砥石１０の回転による力がかかり、半導体ウェハ１に負荷がかかるため、半導体ウェハ１が割れたり欠けたりする可能性があるからである。
【００３０】
ここで、端面研削用砥石１０の形状は、例えば円盤状またはリング状である。リング状の砥石としては、例えば金属製のフレームにリング状の砥石が固定されたものがある。なお、円盤状の砥石を用いると、砥石が磨耗しても中心部まで使用できるため、交換の頻度を抑制できる。また、砥石をフレームに固定することで、砥石の回転軸の精度を高めることができ、研削装置への取り付けも容易となる。さらに、金属製のフレームを用いることで、砥石の強度を高めることができる。
【００３１】
端面研削用砥石１０においては、外周（縁周）の厚さ方向の面が半導体ウエハ１との接触面となる。この接触面は、ほぼ平坦であるのが望ましい。そして、端面研削用砥石１０は、半導体ウエハの端面と接触し、端面の研削によって、磨耗するが、上記の接触面にほぼ均一に半導体ウエハが接触するため、端面研削用砥石１０の回転の中心方向に向かってほぼ均一に磨耗する。すなわち、端面研削用砥石１０の直径が小さくなるように磨耗する。
【００３２】
また、上記の例において、端面研削用砥石１０の厚さは、例えば５〜１０ｍｍ程度であることが好ましい。その理由は、端面研削用砥石１０の厚さ（幅）が小さいと、砥石の強度が低くなり、研削時に欠けてしまうことがあるためである。また、端面研削用砥石１０の厚さ（幅）が大きいと、半導体ウエハとの接触量が大きくなり、研削時に砥石並びに半導体ウエハを回転させるトルクを大きくする必要がある。大きなトルクで回転させると、後述する研削時の位置制御が難しくなり、半導体ウエハの加工精度が低下することがあるためである。
【００３３】
さらに、端面研削用砥石１０の砥粒が大きいと、半導体ウエハの端面と接触した際に半導体ウエハのチッピングを生じやすい。したがって、端面研削用砥石１０としては、＃１０００より大きい（細かな砥粒の）砥石を用いるのが望ましい。
【００３４】
ついで、半導体ウェハ１を例えば矢印Ｄ１で示すように横方向に移動させながら、端面研削用砥石１０を例えば矢印Ｄ２で示すように縦方向に移動させることで、半導体ウェハ１の端面３に、端面研削用砥石１０を接触させて、半導体ウェハ１の端面３を研削する。このとき、例えば端面研削用砥石１０の回転の中心軸を、少なくとも半導体ウェハ１の裏面側よりも低い位置にする。そして、半導体ウェハ１を横方向に移動させる距離を調整することで、半導体ウェハ１の端面の研削高さ（半導体ウェハの端面を研削する際に研削されずに残る領域のおもて面側からの高さｈ）を調整する。すなわち、半導体ウェハ１の横方向に移動させる距離を長くするほど、半導体ウェハ１の端面の裏面側から端面研削用砥石１０によって研削される領域が増えるため、研削高さｈが小さくなる。なお、研削高さは、半導体ウェハ１の裏面側の全面を研削する際に、研削されずに残る厚さよりも小さい値である。また、端面研削用砥石１０を縦方向に移動させる距離を調整することで、半導体ウェハ１の端面の研削角度を調整する。すなわち、端面研削用砥石１０を縦方向に移動させる距離を長くするほど、半導体ウェハ１の端面研削用砥石１０と接触する位置が、端面研削用砥石１０の半導体ウェハ１のおもて面と略直角の方向の頂点に近づき、接触面の角度がなだらかになるため、研削角度θがなだらかになる。
【００３５】
ここで、半導体ウェハ１のおもて面側の表面の全面に保護テープ４が貼付されている場合、端面研削用砥石１０が保護テープ４に接触しないように、研削高さと研削角度を調整する。なお、保護テープ４が、半導体ウェハ１のおもて面側の外端より内側に貼付されている場合、半導体ウェハ１のおもて面および裏面ともに任意の形状に研削することができる。また、端面研削用砥石１０は、例えば、メタルボンド砥石、レジンボンド砥石、ビトリファイド砥石のいずれかである。
【００３６】
このようにすることで、図３に示すように、端面３の研削高さがｈで研削角度がθである半導体ウェハ１が形成される。そして、この半導体ウェハ１の裏面側の全面を所望の厚さまで研削して、半導体ウェハ１を薄板化することで、図１に示す半導体装置が完成する。
【００３７】
つぎに、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の変形例について説明する。図４は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の変形例について示す断面図である。図４に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の変形例においては、半導体ウェハ１の裏面側の全面を所望の厚さまで研削し、半導体ウェハ１を薄板化した後に、端面３に面取り加工を行う。
【００３８】
実施の形態１によれば、端面研削用砥石によって半導体ウェハの端面を研削すると、端面研削用砥石の外周部が半導体ウェハに均等に接触するので、端面研削用砥石の外周から内側に向かって全面が磨耗する。したがって、端面研削用砥石に偏磨耗が生じず、端面研削用砥石の側面の形状が変化しない。このため、同じ端面研削用砥石を用いて、複数の半導体ウェハに連続して面取り加工を行っても、半導体ウェハの形状にばらつきが生じない。また、端面研削用砥石の全面がほぼ均一に磨耗するので、ツルーイングを行う必要がなく、砥石の寿命を長くすることができる。
【００３９】
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。図５においては、半導体ウェハの全面を薄板化する前もしくは後に行う、半導体ウェハの端面を面取り加工する方法について示している。実施の形態２においては、複数の半導体ウェハに連続して面取り加工を行う際に、面取り加工を行った半導体ウェハの端面の形状および端面研削用砥石の形状を測定して、次の半導体ウェハの端面を面取り加工する際に、上述の測定値と基準寸法とのずれをフィードバックして面取り加工を行う方法である。
【００４０】
図５に示すように、まず、半導体ウェハを面取り加工を行う装置に投入する（ステップＳ１）。ついで、半導体ウェハの形状を測定する（ステップＳ２）。ステップＳ２においては、半導体ウェハの厚さおよび直径を測定する。ついで、半導体ウェハの中心を検出する（ステップＳ３）。そして、搬送アーム等の搬送機構によって半導体ウェハをステージに搭載する（ステップＳ４）。
【００４１】
ついで、前回、同一の端面研削用砥石を用いた際の補正値があるか否かを判断する（ステップＳ５）。ステップＳ５において補正値がない場合（ステップＳ５：Ｎｏ）、基準寸法を設定条件とする（ステップＳ６）。基準寸法は、半導体ウェハの端面の仕上がり寸法であり、研削高さと研削角度の大きさの情報である。なお、ステップＳ５において、補正値がない場合は、例えば新たな端面研削用砥石を用いる場合など、端面研削用砥石が磨耗していない場合である。一方、ステップＳ５において補正値がある場合（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、基準寸法に補正値を加えた値を設定条件とする（ステップＳ７）。そして、設定条件に基づいて、半導体ウェハの端面を研削する（ステップＳ８）。
【００４２】
ついで、半導体ウェハの端面の研削が終了したか否かを判断する（ステップＳ９）。ステップＳ９において、研削が終了していない場合（ステップＳ９：Ｎｏ）、ステップＳ８に戻り、研削を続ける。そして、研削が終了した場合（ステップＳ９：Ｙｅｓ）、研削された半導体ウェハの端面の形状、および研削に用いた端面研削用砥石の磨耗量を測定する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０においては、例えば、変位センサ、投影、画像処理、リニアゲージ等によって半導体ウェハの端面の研削高さと研削角度を測定する。また、例えば、変位センサまたはリニアゲージによって、もしくは端面研削用砥石を移動させて筐体や架台等に接触させ、このときのモータ負荷によって、端面研削用砥石の磨耗量を測定する。
【００４３】
ついで、ステップＳ１０において測定された測定値と基準寸法とを比較して（ステップＳ１１）、補正値を算出する（ステップＳ１２）。ついで、次の半導体ウェハの端面の面取り加工に用いるために、ステップＳ１２において算出された補正値を面取り加工装置の備える記録部に記録して（ステップＳ１３）、一連の処理を終了する。
【００４４】
なお、図５のフローチャートにおいては、ステップＳ９において研削が終了したか否かを判断しているが、これに限るものではない。例えば、研削が終了する前に、ステップＳ１０に進み、以降の処理を行ってもよい。この場合、設定条件を満たすことで端面の研削を終了する。
【００４５】
また、図５のフローチャートにおいては、ステップＳ９において、１枚の半導体ウェハの研削が終了した毎に、ステップＳ１０に進む構成としたが、これに限るものではない。例えば、所定の枚数の半導体ウェハを研削するまで待って、所定の枚数の半導体ウェハの研削が終了した後に、ステップＳ１０に進む構成でもよい。この場合、１枚の半導体ウェハ毎に補正値を算出する必要がないため、スループットが向上する。
【００４６】
実施の形態２によれば、同一の端面研削用砥石を用いて、複数の半導体ウェハの端面の面取り加工を連続して行う際に、各半導体ウェハの端面の形状を基準寸法にすることができる。このため、各半導体ウェハの形状がほぼ同一となるので、半導体ウェハ毎に端面の形状や径がばらつくのを防ぐことができる。また、設定条件に基づいて、半導体ウェハの端面を研削する際に、例えば１枚の半導体ウェハの端面の研削を開始してから終了するまでの間に、設定条件を変える必要がないため、研削の制御が容易となる。したがって、複雑な制御を行う機器やプログラムが不要となり、コストを抑えることができる。
【００４７】
（実施の形態３）
図６は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。図６においては、半導体ウェハの全面を薄板化する前もしくは後に行う、半導体ウェハの端面を面取り加工する方法について示している。実施の形態３においては、半導体ウェハに面取り加工を行う際に、半導体ウェハの端面を研削しながら端面の形状を監視して、端面の形状が基準寸法になった時点で研削を終了する方法である。なお、図６のフローチャートにおけるステップＳ２１〜ステップＳ２４は、図５のフローチャートにおけるステップＳ１〜ステップＳ４と同様のため説明を省略する。
【００４８】
ステップＳ２４において半導体ウェハをステージに搭載した後に、基準寸法を設定条件として（ステップＳ２５）、半導体ウェハの端面を研削する（ステップＳ２６）。そして、半導体ウェハの端面の形状を測定する（ステップＳ２７）。ステップＳ２７においては、詳細は後述するが、端面を測定する測定部がエアーノズルを備えており、このエアーノズルからエアーを吹き付けて、半導体ウェハの端面を乾燥させてから、端面の形状の測定を行う。また、ステップＳ２７においては、例えば半導体ウェハが１周する間に、１回の測定を行うようにしてもよい。
【００４９】
ついで、ステップＳ２７において測定された測定値を基準寸法と比較して（ステップＳ２８）、測定値が基準寸法に達したか否かを判断する（ステップＳ２９）。ステップＳ２９において、測定値が基準寸法に達していない場合（ステップＳ２９：Ｎｏ）、ステップＳ２６に戻り、以降の処理を繰り返し行う。
【００５０】
一方、ステップＳ２９において、測定値が基準寸法に達した場合（ステップＳ２９：Ｙｅｓ）、端面の研削を終了する（ステップＳ３０）。そして、端面研削用砥石の磨耗量を測定し（ステップＳ３１）、ステップＳ２７およびステップＳ３１において測定された側定値と、基準寸法と、に基づいて、補正値を算出する（ステップＳ３２）。ついで、設定条件を、基準寸法にステップＳ３２において算出された補正値を加えた値に変更して（ステップＳ３３）、一連の処理を終了する。
【００５１】
なお、図６のフローチャートにおいては、ステップＳ３１〜ステップＳ３３の処理を省略し、ステップＳ３０において研削が終了した時点で、一連の処理を終了してもよい。
【００５２】
つぎに、図６のフローチャートにおけるステップＳ２６およびステップＳ２７の処理について詳細に説明する。図７は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法における、半導体ウェハの端面の研削処理および測定処理について詳細に示す断面図である。図７に示すように、半導体ウェハ１の端面３の研削処理および測定処理は、同時に行う。半導体ウェハ１は、ステージ５に保持されて、例えば矢印Ｒ１に示すように回転させられる。研削処理においては、この半導体ウェハ１の端面３に冷却ノズル１１から、半導体ウェハ１の端面３および端面研削用砥石１０に冷却水１２を吹き付けながら、実施の形態１に示したように、例えば矢印Ｒ２に示すように端面研削用砥石１０を半導体ウェハ１の回転の方向と略直角の方向に回転させて、半導体ウェハ１の端面を研削する。
【００５３】
一方、測定処理においては、半導体ウェハ１の端面３にエアーノズル１３からエアー１４を吹き付けて、研削処理において冷却水１２によって濡れた半導体ウェハ１の端面３を乾燥させる。そして、乾燥した半導体ウェハ１の端面３を、例えば変位センサ１５などによって測定する。
【００５４】
図８は、半導体ウェハの端面の形状の測定方法の一例について詳細に示す断面図である。図８においては、変位センサによって、半導体ウェハの端面の形状を測定する方法について説明する。図８に示すように、例えば、変位センサ１５から半導体ウェハ１の端面に光１６を照射する。そして、照射した光１６の反射光１７を受光し、この反射光１７の角度によって半導体ウェハ１の端面３の研削高さｈと研削角度θとを測定する。
【００５５】
実施の形態３によれば、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。さらに、半導体ウェハの端面を研削しながら、適時、端面の形状を測定するので、より正確に各半導体ウェハの端面の形状を均一にすることができる。
【００５６】
なお、上記の各実施形態においては、水平方向の移動（調整）を半導体ウエハの移動により行い、上下方向の移動（調整）を砥石の移動で行っているが、これに限るものではない。例えば、上記とは逆に、水平方向の移動（調整）を砥石の移動により行い、上下方向の移動（調整）を半導体ウエハの移動で行ってもよい。あるいは、半導体ウエハまたは砥石の一方を定位置で回転させて、すなわち回転軸を定位置として、ウエハまたは砥石の他方のみを上下・左右方向に移動させてもよい。
【００５７】
また、実施の形態１または実施の形態３のように、半導体ウエハの端面の形状を測定して研削量を判定する場合、半導体ウエハの回転軸を定位置とし、端面研削用砥石を上下・左右の２方向に移動させるようにすると、半導体ウエハの端面形状検出機構（例えば図７または図８における変位センサ１５など）を固定できるため、検出精度が向上する。
【００５８】
また、上記の半導体ウエハの端面の研削は、半導体ウエハの裏面の研削工程の前段に行えばよい。ここで、半導体ウエハの裏面の研削工程は、半導体製造プロセスの他の工程に応じて前後させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、デバイス厚の薄い半導体装置を製造するのに有用であり、特に、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置を製造するのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の構造について示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について示す図である。
【図３】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について示す図である。
【図４】実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の変形例について示す断面図である。
【図５】実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。
【図６】実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。
【図７】実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法における、半導体ウェハの端面の研削処理および測定処理について詳細に示す断面図である。
【図８】半導体ウェハの端面の形状の測定方法の一例について詳細に示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法について示すフローチャートである。
【図１０】従来の薄板化された半導体ウェハの形状について示す断面図である。
【図１１】第１従来例の面取り加工について示す断面図である。
【図１２】第２従来例の面取り加工について示す断面図である。
【図１３】従来の面取り加工の問題点について示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  半導体ウェハ
２  おもて面素子構造
３  端面
４  保護テープ
５  ステージ
１０  端面研削用砥石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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