(57)【要約】【課題】本発明は、有機半導体層で形成されるチャネル領域が封止される封止構造を作ることにより、有機半導体層への界面を介したガスの侵入を防ぎ、素子信頼性を向上させることを可能にする。【解決手段】ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３と、前記ゲート電極２１と前記チャネル領域２３との間に形成された有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２と、前記チャネル領域２３の両側に形成されたソース・ドレイン電極２４，２５を有し、前記チャネル領域２３は前記ゲート絶縁膜２２と前記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、前記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
有機半導体層からなるチャネル領域と、
前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成された有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、
前記チャネル領域の両側に形成されたソース・ドレイン電極を有し、
前記チャネル領域は前記ゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜に接続された樹脂絶縁膜で被覆され、
前記ゲート絶縁膜の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜は主骨格が同一の樹脂である
半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜は線膨張係数が同一の樹脂である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜は同一材料である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成された前記ゲート電極と、
前記基板上に前記ゲート電極を被覆して形成された前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に間隔をおいて形成された前記ソース・ドレイン電極と、
前記ソース・ドレイン電極間の前記ゲート絶縁膜上に形成された前記チャネル領域と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆する前記樹脂絶縁膜とを有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂絶縁膜は、
前記チャネル領域上に形成された第１樹脂絶縁膜と、
前記チャネル領域と前記第１樹脂絶縁膜とを前記ゲート絶縁膜とともに被覆する第２樹脂絶縁膜とからなる
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成された前記樹脂絶縁膜と、
前記樹脂絶縁膜上に間隔をおいて形成された前記ソース・ドレイン電極と、
前記ソース・ドレイン電極間に形成された前記チャネル領域と、
前記樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆する前記ゲート絶縁膜と、
前記ソース・ドレイン電極間上方の前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ゲート電極とを有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成された第１樹脂絶縁膜と、
前記第１樹脂絶縁膜上に間隔をおいて形成された前記ソース・ドレイン電極と、
前記ソース・ドレイン電極間に形成された前記チャネル領域と、
前記チャネル領域上に形成された前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記第１樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域を前記ゲート絶縁膜とを被覆する第２樹脂絶縁膜とを有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記基板上に前記ゲート電極を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート電極上方の両側に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース・ドレイン電極間の前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆する樹脂絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜と前記樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する
半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂絶縁膜を形成する工程は、
前記チャネル領域上に前記チャネル領域と同時に第１樹脂絶縁膜を形成する工程と、
前記チャネル領域と前記第１樹脂絶縁膜とを前記ゲート絶縁膜で被覆する第２樹脂絶縁膜を形成する工程とからなる
請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に樹脂絶縁膜を形成する工程と、
前記樹脂絶縁膜上に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース・ドレイン電極間にチャネル領域を形成する工程と、
前記樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース・ドレイン電極間上方の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有し、
前記ゲート絶縁膜と前記樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に第１樹脂絶縁膜を形成する工程と、
前記第１樹脂絶縁膜上に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース・ドレイン電極間の前記第１樹脂絶縁膜上にチャネル領域を形成する工程と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第１樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域と前記第２樹脂絶縁膜と前記ゲート電極とを被覆する第２樹脂絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜と前記第１樹脂絶縁膜と前記第２樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法であり、特に有機半導体材料をチャネル領域に用いた半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体素子において信頼性を確保することが非常に重要な課題となっている。有機半導体素子を劣化させる主要因のひとつは外部からのガス（水蒸気・酸素）の進入である。これを防ぐために有機半導体素子の上部と下部にガスバリア性の高いバリア膜を導入することで膜を透過するガスを遮断し有機半導体の劣化を抑制するという試みが多くなされてきた（例えば、特許文献１、２、３参照）。
【０００３】
一方で薄膜の積層構造において、膜と膜の界面は緻密性が悪くガスの進入拡散が非常に起こりやすいため劣化原因となるガスの進入経路となっている。このような界面が存在することによりバリア膜を導入しても素子、特に有機半導体層で結晶されるチャネル領域の劣化要因となるガスを完全に遮断することは難しく、十分な素子寿命の延長は達成できていないのが現状である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２２３１０７号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６９８５号公報
【特許文献３】特表２００７−５１２６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、有機半導体層で形成されるチャネル領域の封止が十分にできない点である。
【０００６】
本発明は、有機半導体層で形成されるチャネル領域が封止される封止構造を作ることにより、有機半導体層への界面を介したガスの侵入を防ぎ、素子信頼性を向上させることを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、ゲート電極と、有機半導体層からなるチャネル領域と、前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に形成された有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、前記チャネル領域の両側に形成されたソース・ドレイン電極を有し、前記チャネル領域は前記ゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜に接続された樹脂絶縁膜で被覆され、前記ゲート絶縁膜の有機絶縁膜と前記樹脂絶縁膜は主骨格が同一の樹脂である。
【０００８】
本発明の半導体装置では、チャネル領域がゲート絶縁膜とゲート絶縁膜に接続された樹脂絶縁膜で被覆され、ゲート絶縁膜の有機絶縁膜と樹脂絶縁膜は主骨格が同一の樹脂であることから、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面は非常に密着性がよいものとなっている。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となっている。これによって、チャネル領域は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とによって完全に封止される。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法（第１製造方法）は、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上に前記ゲート電極を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上で前記ゲート電極上方の両側に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極間の前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆する樹脂絶縁膜を形成する工程とを有し、前記ゲート絶縁膜と前記樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する。
【００１０】
本発明の半導体装置の第１製造方法では、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成することから、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面は非常に密着性がよいものとなる。上記のように、同一材料もしくは互いに可混な材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となって形成される。これによって、チャネル領域は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とによって完全に封止される。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法（第２製造方法）は、基板上に樹脂絶縁膜を形成する工程と、前記樹脂絶縁膜上に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極間にチャネル領域を形成する工程と、前記樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域とを被覆するゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極間上方の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有し、前記ゲート絶縁膜と前記樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する。
【００１２】
本発明の半導体装置の第２製造方法では、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成することから、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面は非常に密着性がよいものとなる。上記のように、同一材料もしくは互いに可混な材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となって形成される。これによって、チャネル領域は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とによって完全に封止される。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法（第３製造方法）は、基板上に第１樹脂絶縁膜を形成する工程と、前記第１樹脂絶縁膜上に間隔をおいてソース・ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース・ドレイン電極間の前記第１樹脂絶縁膜上にチャネル領域を形成する工程と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記第１樹脂絶縁膜上に前記ソース・ドレイン電極と前記チャネル領域と前記第２樹脂絶縁膜と前記ゲート電極とを被覆する第２樹脂絶縁膜を形成する工程とを有し、前記ゲート絶縁膜と前記第１樹脂絶縁膜と前記第２樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成する。
【００１４】
本発明の半導体装置の第３製造方法では、ゲート絶縁膜と第１、第２樹脂絶縁膜とを主骨格が同一の樹脂絶縁膜もしくは互いに可混な樹脂絶縁膜で形成することから、ゲート絶縁膜と第１、第２樹脂絶縁膜との界面は非常に密着性がよいものとなる。上記のように、同一材料もしくは互いに可混な材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となって形成される。これによって、チャネル領域は、ゲート絶縁膜と第１、第２樹脂絶縁膜とによって完全に封止される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面をなくすことができるので、チャネル領域がゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とで完全に封止されるため、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００１６】
本発明の半導体装置の第１製造方法は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面をなくすことができるので、チャネル領域がゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とで完全に封止されるため、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００１７】
本発明の半導体装置の第２製造方法は、ゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜との界面をなくすことができるので、チャネル領域がゲート絶縁膜と樹脂絶縁膜とで完全に封止されるため、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００１８】
本発明の半導体装置の第３製造方法は、ゲート絶縁膜と第１、第２樹脂絶縁膜との界面をなくすことができるので、チャネル領域がゲート絶縁膜と第１、第２樹脂絶縁膜とで完全に封止されるため、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置の信頼性を確保することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の半導体装置に係る一実施の形態（第１実施例）を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００２０】
図１に示すように、半導体装置１は、以下のような主要部を有する。
すなわち、ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３とが形成され、上記ゲート電極２１と上記チャネル領域２３との間に有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。
上記チャネル領域２３の両側にはソース・ドレイン電極２４、２５が形成されている。
上記チャネル領域２３は上記ゲート絶縁膜２２と上記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆されている。
上記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と上記樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。
【００２１】
上記半導体装置１をより具体的に説明する。
基板１１の上層には絶縁層１２が形成され、その絶縁層１２上には、上記ゲート電極２１が形成されている。このゲート電極２１は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記基板１１上には上記ゲート電極２１を被覆する上記ゲート絶縁膜２２が形成されている。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン，ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００２２】
上記ゲート絶縁膜２２上には、間隔をおいて上記ソース・ドレイン電極２４，２５が形成されている。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記ゲート絶縁膜２２上には、上記チャネル領域２３が形成されている。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成されている。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いることができる。
【００２３】
上記ゲート絶縁膜２２上には、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５とをこのゲート絶縁膜２２とで被覆する上記樹脂絶縁膜３１が形成されている。この樹脂絶縁膜３１は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、この樹脂絶縁膜３１は、上記ゲート絶縁膜２２と主骨格が同一の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００２４】
また、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００２５】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とに、同一材料を用いることである。
【００２６】
上記半導体装置１では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域２３の信頼性を確保することができ、半導体装置１の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００２７】
次に、本発明の半導体装置に係る一実施の形態（第２実施例）を、図２の概略構成断面図によって説明する。
【００２８】
図２に示すように、半導体装置２は、以下のような主要部を有する。
すなわち、ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３とが形成され、上記ゲート電極２１と上記チャネル領域２３との間に有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。
上記チャネル領域２３の両側にはソース・ドレイン電極２４、２５が形成されている。
上記チャネル領域２３は上記ゲート絶縁膜２２と上記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆されている。
上記樹脂絶縁膜３１は、上記チャネル領域２３上に形成された第１樹脂絶縁膜３２と、上記チャネル領域２３と上記第１樹脂絶縁膜３２とを上記ゲート絶縁膜２２上で被覆する第２樹脂絶縁膜３３とからなる。
さらに上記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は主骨格が同一の樹脂である。
【００２９】
上記半導体装置２をより具体的に説明する。
基板１１の上層には絶縁層１２が形成され、その絶縁層１２上には上記ゲート電極２１が形成されている。このゲート電極２１は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
基板１１上に形成された絶縁層１２上には、上記ゲート電極２１を被覆する上記ゲート絶縁膜２２が形成されている。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００３０】
上記ゲート絶縁膜２２上には、間隔をおいて上記ソース・ドレイン電極２４，２５が形成されている。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記ゲート絶縁膜２２上には、上記チャネル領域２３が形成されている。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成されている。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いることができる。
【００３１】
上記チャネル領域２３上には、上記第１樹脂絶縁膜３２が形成されている。さらに、上記ゲート絶縁膜２２上には、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５と上記第１樹脂絶縁膜３２とを被覆する第２樹脂絶縁膜３３が形成されている。
上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、この第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、上記ゲート絶縁膜２２と主骨格が同一の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００３２】
また、上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００３３】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とに、同一材料を用いることである。
【００３４】
上記半導体装置２では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置２の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００３５】
次に、本発明の半導体装置に係る一実施の形態（第３実施例）を、図３の概略構成断面図によって説明する。
【００３６】
図３に示すように、半導体装置３は、以下のような主要部を有する。
すなわち、ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３とが形成され、上記ゲート電極２１と上記チャネル領域２３との間に有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。
上記チャネル領域２３の両側にはソース・ドレイン電極２４、２５が形成されている。
上記チャネル領域２３は上記ゲート絶縁膜２２と上記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆されている。
上記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と上記樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。
【００３７】
上記半導体装置３をより具体的に説明する。
基板１１の上層には絶縁層１２が形成され、その絶縁層１２上には、上記樹脂絶縁膜３１が形成されている。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記樹脂絶縁膜３１は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００３８】
上記樹脂絶縁膜３１上には、所定の間隔をおいて上記ソース・ドレイン電極２４，２５が形成されている。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
【００３９】
上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記樹脂絶縁膜３１上には、上記チャネル領域２３が形成されている。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成されている。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いることができる。
【００４０】
上記樹脂絶縁膜３１上には、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５とを被覆する上記ゲート絶縁膜２２が形成されている。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、上記樹脂絶縁膜３１と上記ゲート絶縁膜２２とは、主骨格が同一の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００４１】
また、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００４２】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とに、同一材料を用いることである。
【００４３】
さらに上記ソース・ドレイン電極２４，２５間上方の上記ゲート絶縁膜２２上には、上記ゲート電極２１が形成されている。このゲート電極２１は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
【００４４】
上記半導体装置３では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置３の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００４５】
次に、本発明の半導体装置に係る一実施の形態（第４実施例）を、図４の概略構成断面図によって説明する。
【００４６】
図４に示すように、半導体装置４は、以下のような主要部を有する。
すなわち、ゲート電極２１と、有機半導体層からなるチャネル領域２３とが形成され、上記ゲート電極２１と上記チャネル領域２３との間に有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜２２が形成されている。
上記チャネル領域２３の両側にはソース・ドレイン電極２４、２５が形成されている。
上記チャネル領域２３は上記ゲート絶縁膜２２と上記ゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆されている。
上記ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と上記樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂である。
【００４７】
上記半導体装置４をより具体的に説明する。
基板１１の上層には絶縁層１２が形成され、その絶縁層１２上には、上記樹脂絶縁膜３１となる第１樹脂絶縁膜３２が形成されている。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記第１樹脂絶縁膜３２は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００４８】
上記第１樹脂絶縁膜３２上には、所定の間隔をおいて上記ソース・ドレイン電極２４，２５が形成されている。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
【００４９】
上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記第１樹脂絶縁膜３２上には、上記チャネル領域２３が形成されている。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成されている。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いることができる。
【００５０】
上記チャネル領域２３上には、ゲート絶縁膜２２が形成されている。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００５１】
さらに上記チャネル領域２３上には、ゲート電極２１が形成されている。このゲート電極２１は、例えば金、白金等の金属で形成されている。
【００５２】
そして、上記第１樹脂絶縁膜３２上には、上記チャネル領域２３、上記ソース・ドレイン電極２４，２５、上記ゲート絶縁膜２２、上記ゲート電極２１を被覆する第２樹脂絶縁膜３３が形成されている。この第２樹脂絶縁膜３３には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等が用いられる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
また、上記第１樹脂絶縁膜３２、上記第１樹脂絶縁膜３２、上記第２樹脂絶縁膜３３は、主骨格が同一の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００５３】
また、上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００５４】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とに、同一材料を用いることである。
【００５５】
上記半導体装置４では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置４の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００５６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態（第１実施例）を、前記図１の概略構成断面図によって説明する。
【００５７】
前記図１に示すように、基板１１の上層に形成された絶縁層１２上にゲート電極２１を形成する。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機膜の層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記ゲート電極２１は、例えば、蒸着法によって、例えば金、白金等の金属で形成される。
【００５８】
次に、上記基板１１上に、上記ゲート電極２１を被覆するゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２には、有機絶縁膜からなり、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
【００５９】
次に、上記ゲート絶縁膜２２上に、所定の間隔をおいてソース・ドレイン電極２４，２５を形成する。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば蒸着法によって金属膜、例えば金（Ａｕ）膜を形成した後、リソグラフィ技術によるマスクの形成、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により形成される。上記ソース・ドレイン電極２４，２５を形成した後に、上記マスクは除去する。
【００６０】
次に、上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記ゲート絶縁膜２２上にチャネル領域２３を形成する。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成する。この有機半導体膜には、一例としてペンタセンを用いる。上記有機半導体膜の形成方法には、例えば真空蒸着法を用いる。さらに、有機半導体膜上にバッファー層（図示せず）となるポリマー（例えばフォトポリマー）を形成する。そして、パターニングによりバッファー層と有機半導体膜の不要部を除去することで、チャネル領域２３を形成する。
【００６１】
次に、上記ゲート絶縁膜２２上に、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５を被覆する樹脂絶縁膜３１を形成する。この樹脂絶縁膜３１は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、この樹脂絶縁膜３１は、上記ゲート絶縁膜２２と主骨格が同一の樹脂で形成されることが好ましい。
【００６２】
また、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００６３】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とに、同一材料を用いることである。
【００６４】
また、上記樹脂絶縁膜３１を形成する際には、上記ゲート絶縁膜２２の例えば表面を可溶する溶媒を用いた樹脂絶縁膜で形成することで、樹脂絶縁膜３１とゲート絶縁膜２２とを界面で可混（可溶）させることができるので、界面を生じさせないようにすることができる。
【００６５】
上記第１製造方法では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂で形成される。このことから、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置１の信頼性を確保することができるという利点がある。
また、チャネル領域２３が同一材料からなるゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とで被覆されることで、チャネル領域２３の周囲が同一の機械的性質を持つ樹脂絶縁膜によって封止されることになる。よって有機半導体からなるチャネル領域２３に生じる機械的な応力を軽減する効果も付与される。
【００６６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態（第２実施例）を、前記図２の概略構成断面図によって説明する。
【００６７】
前記図２に示すように、基板１１の上層に形成された絶縁層１２上に上記ゲート電極２１を形成する。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機層、またはこれらの積層膜が形成されている。
このゲート電極２１は、例えば、蒸着法によって、例えば金、白金等の金属で形成される。
【００６８】
次に、上記基板１１上に、上記ゲート電極２１を被覆する上記ゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００６９】
次に、上記ゲート絶縁膜２２上に、所定の間隔をおいてソース・ドレイン電極２４，２５を形成する。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば蒸着法によって金属膜、例えば金（Ａｕ）膜を形成した後、リソグラフィ技術によるマスクの形成、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により形成される。上記ソース・ドレイン電極２４，２５を形成した後に、上記マスクは除去する。
【００７０】
次に、上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記ゲート絶縁膜２２上に、チャネル領域２３を形成する。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成される。この有機半導体膜には、一例としてペンタセンを用いる。上記有機半導体膜の形成方法には、例えば真空蒸着法を用いる。さらに、有機半導体膜上にバッファー層（図示せず）となるポリマー（例えばフォトポリマー）を形成する。そして、パターニングによりバッファー層と有機半導体膜の不要部を除去することで、チャネル領域２３を形成する。
【００７１】
次に、上記チャネル領域２３上に、樹脂絶縁膜３１となる第１樹脂絶縁膜３２を形成する。さらに、上記ゲート絶縁膜２２上に、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５と上記第１樹脂絶縁膜３２とを被覆する樹脂絶縁膜３１となる第２樹脂絶縁膜３３を形成する。
上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、この第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、上記ゲート絶縁膜２２と主骨格が同一の樹脂で形成されることが好ましい。
【００７２】
また、上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００７３】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とに、同一材料を用いることである。
【００７４】
また、上記第２樹脂絶縁膜３３を形成する際には、上記第１樹脂絶縁膜３２およびゲート絶縁膜２２の例えば表面を可溶する溶媒を用いた樹脂絶縁膜で形成することで、第１樹脂絶縁膜３２およびゲート絶縁膜２２と第２樹脂絶縁膜３３とを可混（可溶）させることができるので、界面を生じさせないようにすることができる。
【００７５】
上記第２製造方法では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置２の信頼性を確保することができるという利点がある。
また、チャネル領域２３が同一材料からなるゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆されることで、チャネル領域２３の周囲が同一の機械的性質を持つ樹脂絶縁膜によって封止されることになる。よって有機半導体からなるチャネル領域２３に生じる機械的な応力を軽減する効果も付与される。
【００７６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態（第３実施例）を、前記図３の概略構成断面図によって説明する。
【００７７】
前記図３に示すように、基板１１の上層に形成された絶縁層１２上に樹脂絶縁膜３１を形成する。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機膜の層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記樹脂絶縁膜３１には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００７８】
次に、上記樹脂絶縁膜３１上に、所定の間隔をおいてソース・ドレイン電極２４，２５を形成する。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば蒸着法によって金属膜、例えば金（Ａｕ）膜を形成した後、リソグラフィ技術によるマスクの形成、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により形成される。上記ソース・ドレイン電極２４，２５を形成した後に、上記マスクは除去する。
【００７９】
次に、上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記樹脂絶縁膜３１上に、チャネル領域２３を形成する。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成される。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いる。上記有機半導体膜の形成方法には、例えば真空蒸着法を用いる。さらに、有機半導体膜上にバッファー層（図示せず）となるポリマー（例えばフォトポリマー）を形成する。そして、パターニングによりバッファー層と有機半導体膜の不要部を除去することで、チャネル領域２３を形成する。
【００８０】
次に、上記樹脂絶縁膜３１上に、上記チャネル領域２３と上記ソース・ドレイン電極２４，２５とを被覆する上記ゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
そして、この樹脂絶縁膜３１は、上記ゲート絶縁膜２２と主骨格が同一の樹脂で形成されることが好ましい。
【００８１】
また、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００８２】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とに、同一材料を用いることである。
【００８３】
次に、上記ソース・ドレイン電極２４，２５間上方の上記ゲート絶縁膜２２上に、上記ゲート電極２１を形成する。このゲート電極２１は、例えば蒸着法によって形成され、例えば金、白金等の金属で形成される。
【００８４】
また、上記ゲート絶縁膜２２を形成する際には、上記樹脂絶縁膜３１の例えば表面を可溶する溶媒を用いた樹脂絶縁膜で形成することで、樹脂絶縁膜３１とゲート絶縁膜２２とを界面で可混（可溶）させることができるので、界面を生じさせないようにすることができる。
【００８５】
上記第３製造方法では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２とゲート絶縁膜２２に接続された樹脂絶縁膜３１で被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と樹脂絶縁膜３１は主骨格が同一の樹脂で形成される。このことから、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置３の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００８６】
また、チャネル領域２３が同一材料からなるゲート絶縁膜２２と樹脂絶縁膜３１とで被覆されることで、チャネル領域２３の周囲が同一の機械的性質を持つ樹脂絶縁膜によって封止されることになる。よって有機半導体からなるチャネル領域２３に生じる機械的な応力を軽減する効果も付与される。
【００８７】
次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態（第４実施例）を、前記図４の概略構成断面図によって説明する。
【００８８】
前記図４に示すように、基板１１の上層に形成された絶縁層１２上に樹脂絶縁膜３１となる第１樹脂絶縁膜３２を形成する。
また図示はしていないが、より好ましくは、上記基板１１と上記絶縁層１２の間に、バリア性、平坦性等を確保するために、樹脂層もしくは金属層もしくは無機膜の層、またはこれらの積層膜が形成されている。
上記第１樹脂絶縁膜３２は、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００８９】
次に、上記第１樹脂絶縁膜３２上に、所定の間隔をおいてソース・ドレイン電極２４，２５を形成する。このソース・ドレイン電極２４，２５は、例えば蒸着法によって金属膜、例えば金（Ａｕ）膜を形成した後、リソグラフィ技術によるマスクの形成、そのマスクをエッチングマスクに用いたエッチング技術により形成される。上記ソース・ドレイン電極２４，２５を形成した後に、上記マスクは除去する。
【００９０】
次に、上記ソース・ドレイン電極２４，２５間の上記第１樹脂絶縁膜３２上に、チャネル領域２３を形成する。このチャネル領域２３は、有機半導体膜で形成される。この有機半導体膜は、一例としてペンタセンを用いる。上記有機半導体膜の形成方法には、例えば真空蒸着法を用いる。さらに、有機半導体膜上にバッファー層（図示せず）となるポリマー（例えばフォトポリマー）を形成する。そして、パターニングによりバッファー層と有機半導体膜の不要部を除去することで、チャネル領域２３を形成する。
【００９１】
次に、上記チャネル領域２３上に、ゲート絶縁膜２２を形成する。このゲート絶縁膜２２には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
【００９２】
次に、上記チャネル領域２３上に、ゲート電極２１を形成する。このゲート電極２１は、例えば蒸着法によって形成され、例えば金、白金等の金属で形成されている。
【００９３】
次に、上記第１樹脂絶縁膜３２上に、上記チャネル領域２３、上記ソース・ドレイン電極２４，２５、上記ゲート絶縁膜２２、上記ゲート電極２１を被覆する樹脂絶縁膜３１となる第２樹脂絶縁膜３３を形成する。この第２樹脂絶縁膜３３には、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン、ナイロン、ポリイミド、環状オレフィン-コポリマー、エポキシポリマー、セルロース、ポリオキシメチレン、ポリオレフィン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、ポリエーテル系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ポリパラキシリレン系ポリマー、生分解性プラスチック、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ウレア樹脂および各種ポリマーユニットを組み合わせたコポリマー等を用いる。例えばポリビニル系ポリマーであれば、ポリビニルフェノールを主骨格（母骨格）とした有機絶縁膜で形成する。
また、上記ゲート絶縁膜２２、上記第１樹脂絶縁膜３２、上記第２樹脂絶縁膜３３は、主骨格が同一の樹脂で形成されていることが好ましい。
【００９４】
また、上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は、線膨張係数が同一の樹脂であることが好ましい。例えば、代表的なポリマーの線膨張係数の値としては、ポリカーボネートが７０ｐｐｍ／℃、ポリスチレンが５６ｐｐｍ／℃、ナイロン６６（商品名）が１００ｐｐｍ／℃、フェノール樹脂が３０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃、ＰＴＦＥが４５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃である。上記は一例である。
上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３には、例えば、ポリカーボネートとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリカーボネートとＰＴＦＥの組み合わせ、ポリスチレンとフェノール樹脂の組み合わせ、ポリスチレンとＰＴＦＥの組み合わせ、フェノール樹脂とＰＴＦＥの組み合わせ等があげられる。ここであげたのは、一例であって、線膨張係数が、例えば１０％程度またはそれ以下の違いの絶縁樹脂であれば、互いの樹脂の界面の密着性よく形成することができる。
【００９５】
最も好ましくは、上記ゲート絶縁膜２２と上記第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とに、同一材料を用いることである。
【００９６】
また、上記第２樹脂絶縁膜３３を形成する際には、上記第１樹脂絶縁膜３２およびゲート絶縁膜２２の例えば表面を可溶する溶媒を用いた樹脂絶縁膜で形成することで、第１樹脂絶縁膜３２およびゲート絶縁膜２２と第２樹脂絶縁膜３３とを可混（可溶）させることができるので、界面を生じさせないようにすることができる。
【００９７】
上記第４製造方法では、チャネル領域２３がゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆され、ゲート絶縁膜２２の有機絶縁膜と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３は主骨格が同一の樹脂である。このことから、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３との界面は非常に密着性がよいものとなる。例えば、同一材料で形成されれば、界面が融合して存在しない状態となる。これによって、チャネル領域２３は、ゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とによって完全に封止されるので、ガス等の劣化要因物質が容易に拡散する経路の存在をなくすことができる。よって、有機半導体からなるチャネル領域の信頼性を確保することができ、半導体装置４の信頼性を確保することができるという利点がある。
【００９８】
また、チャネル領域２３が同一材料からなるゲート絶縁膜２２と第１，第２樹脂絶縁膜３２，３３とで被覆されることで、チャネル領域２３の周囲が同一の機械的性質を持つ樹脂絶縁膜によって封止されることになる。よって有機半導体からなるチャネル領域２３に生じる機械的な応力を軽減する効果も付与される。
【００９９】
また、上記各実施例では、ゲート絶縁膜２２、樹脂絶縁膜３１、第１樹脂絶縁膜３２、第２樹脂絶縁膜３３の積層構造中に部分的に他の材料（例えば電極等）が存在してもよい。
また積層に用いる樹脂は、上記説明した樹脂のように水蒸気透過率低いものであることが望ましい。また、樹脂絶縁膜３１もしくは第１樹脂絶縁膜３２および第２樹脂絶縁膜３３と、ゲート絶縁膜２２とを同一種の樹脂で形成する場合は、誘電率が３．５以上、５以下程度であることが望ましい。誘電率が高すぎると、封止絶縁膜としての機能が損なわれ、誘電率が低すぎるとトランジスタのゲート絶縁膜としての機能が損なわれる。もちろん、ゲート絶縁膜には誘電率が例えば４以上１０以下の有機絶縁膜を用い、樹脂絶縁膜３１もしくは第１樹脂絶縁膜３２および第２樹脂絶縁膜３３には誘電率が例えば４未満のいわゆる低誘電率絶縁膜を用いることもできる。
さらに上記樹脂絶縁膜３１、第１樹脂絶縁膜３２、第２樹脂絶縁膜３３、ゲート絶縁膜２２等は、樹脂溶液の塗布もしくは樹脂溶液の印刷により形成してもよく、蒸着法等の真空プロセスによって形成してもよい。また、塗布法、印刷法、蒸着法等は、既存の方法を用いることができる。
【０１００】
次に、上記半導体装置１〜４の適用例の一例を説明する。上記半導体装置１〜４は、例えば表示装置の駆動トランジスタ等に用いることができる。例えば、有機電界表示装置のトランジスタに用いることができる。この有機電界表示装置の一例を、図５によって説明する。図５（１）は有機電界表示装置の概略構成図であり、図５（２）は画素回路の構成図である。ここでは、発光素子として有機電界発光素子１１２を用いたアクティブマトリックス方式の表示装置１０１を一例として説明する。 
【０１０１】
図５（１）に示すように、有機電界表示装置１０１の基板１０２上には、表示領域１０３とその周辺領域１０４とが設けられている。表示領域１０３は、複数の走査線１２１と複数の信号線１２２とが縦横に配線されていて、それぞれの交差部に対応して１つの画素１１１が設けられた画素アレイ部として構成されている。これらの各画素１１１には有機電界発光素子が設けられている。また周辺領域１０４には、走査線１２１を走査駆動する走査線駆動回路１０６と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線１２２に供給する信号線駆動回路１０７とが設けられている。 
【０１０２】
図５（２）に示すように、各画素１１１に設けられる画素回路は、例えば有機電界発光素子１１２、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタ（サンプリングトランジスタ）Ｔｒ２、および保持容量Ｃｓで構成されている。そして、走査線駆動回路１０６による駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線１２２から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から有機電界発光素子１１２に供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子１１２が発光する。 
【０１０３】
なお、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けてもよい。さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１０４には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の半導体装置およびその製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図２】本発明の半導体装置およびその製造方法に係る第２実施例を示した概略構成断面図である。
【図３】本発明の半導体装置およびその製造方法に係る第３実施例を示した概略構成断面図である。
【図４】本発明の半導体装置およびその製造方法に係る第４実施例を示した概略構成断面図である。
【図５】表示装置の一例を示した有機電界表示装置の概略構成図および画素回路の構成図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１…半導体装置、２１…ゲート電極、２２…ゲート絶縁膜、２３…チャネル領域、２４，２５…ソース・ドレイン電極、３１…樹脂絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2009302424.tif 000006
【図５】
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