(57)【要約】【課題】  従来の技術としては、ＡＣ型ＰＤＰに対して波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う粒状の酸化マグネシウム（以下ＭｇＯ）の微結晶をエミッター（保護膜）のＭｇＯ膜の上に付着させて放電開始時間を短くする方法がある。このＭｇＯの微結晶は製法の難しさのため価格が高くなる欠点があった。またこの現象の理由やどのような形状の微結晶を必要とするかが解らなかった。【解決手段】  前記課題を解決するため、上記理由を考察し、角のある微粒子の縁に存在する壁電子が本質的働きであることが解った。そのため、電極の上を被う誘電体層を平坦でなく角のある微少な突出部を持つように形成しその上にエミッタ層を付着させるなど、特殊なＭｇＯ以外の突出部を持つようした。この突出部は高さをｈ、狭い方の2009129896.tif 000016【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層を平坦でなく角のある微少な突出部を持つように形成しその上にエミッタ層を付着させたことを特徴とするＡＣ型プラズマデ
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【請求項２】
前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層の上にエミッタ層を平坦でなく角のある微少な突出部を持つように選択的に形成させたことを特徴とするＡＣ型プラズマディ
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【請求項３】
前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層の上のエミッタ層の上に絶縁物の角のある微少な突出部を持つように形成させたことを特徴とするＡＣ型プラズマディスプレ
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【請求項４】
前記一対の電極を直接前面板上に設置したことを特徴とする請求項１〜３に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記一対の電極をリブの部分に内臓したことを特徴とする請求項１〜３に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記突出部を誘電体層の上に透明でかつ膨張係数がほぼ誘電体と等しい絶縁物の３次元粒子を付着させ形成したことを特徴とする請求項１〜３に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記突出部を規則正しく配置形成させたことを特徴とする請求項１〜３に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと略す）に関するもので、特に放電開始時間を短くするセルを用いたパネルの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】    従来の技術としては、図１１に示すようなＡＣ型ＰＤＰに対して波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う粒状の酸化マグネシウム（以下ＭｇＯ）の微結晶をエミッターＥ（保護膜ともいう）のＭｇＯ膜の上にのせて放電開始時間を短くする方法がある。（特許文献１参照）（非特許文献１）この方法の理由についてはそのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によってリセット放電時に発生する電子を長時間（数ｍｓ以上）トラップすることができ、この電子がアドレス電圧の印加によって形成される電界により取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が迅速かつ十分に得られて放電開始が早められ、これによって、放電遅れ時間が短縮されると推定されるとしている。（特許文献２参照）しかし、このエネルギー準位は４−５電子ボルト（ｅＶ）であるから、容易に通常の電界では取り出すことができない。また、エクソ電子が出るとかの諸説があるが、いずれもなぜ放電開始時間が短くなるかを理論的に説明していない。
【特許文献１】  特開２００６−５４１５８  公報
【特許文献２】  特開２００６−５９７８６  公報
【非特許文献１】  Ｍ．Ａｍａｔｓｕｃｈｉ，ｅｔ．ａｌ．ＩＤＷ０５  ＰＤＰ１−４  ｐｐ４３５−４３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】  従来の技術では、ＭｇＯの微結晶をＭｇＯ膜上に付着させていたが、このＭｇＯの微結晶は製法の難しさのため価格が高くなる欠点があった。またなぜこのようにすると放電遅れ時間が短縮されるかの理由やどのような形状の微結晶を必要とするかが解らなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】  前記課題を解決するため、本発明に係るＡＣ型ＰＤＰは前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層を平坦でなく角のある微少な突出部を持つように形成しその上にエミッタ層を付着させたことを特徴とす
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【０００５】  また本発明は前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層の上にエミッタ層を平坦でなく角のある微少な突出部を持つように選択的に形成させたことを特徴とするＡＣ型ＰＤＰである。この突出部は高さを
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【０００６】  また本発明は前面板、背面板、および少なくとも一対の維持電極とデータを表示するためのデータ電極を持った表示セルを持ったＡＣ型ＰＤＰにおいて、前記一対の少なくとも一方の電極の上を被う誘電体層の上のエミッタ層の上に絶縁物の角のある微少な突出部を持つように形成させたことを特徴とするＡＣ型ＰＤＰである。この突出部は高さをｈ、狭
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【０００７】  また本発明は前記突出部を持ち一対の電極を直接前面板上に設置したことを特徴とするＰＤＰである。【０００８】  また本発明は前記突出部を持ち一対の電極をリブの部分に内臓したことを特徴とするＰＤＰである。【０００９】  また本発明は角のある突出部を誘電体層の上に透明でかつ膨張係数がほぼ誘電体と等しい３次元粒子を付着させ形成したことを特徴とするＰＤＰである。【００１０】  また本発明は前記突出部を規則正しく配置形成させたことを特徴とするＰＤＰである。【００１１】  以上の解決する手段を発明するために発明者は放電開始時間を速くする現象の理論的考察を行った。本発明によって従来この種のＡＣＰＤＰの放電開始電圧が高かったものが低く出来、アドレス時間も短くでき、発光効率も高くなる。以下に動作、作用とともに効果を定量的に説明する。【００１２】  ＡＣ型ＰＤＰにおいては壁電荷をメモリー効果として利用している。動作はリセットから始まり、データ書き込み（アドレス）、維持放電と進む。この詳細は周知なので省略する。リセットでは、走査電極側に電子が蓄積する。この電子はエミッタと誘電体を通して走査電極の電位との間にコンデンサーを形成し、通常は動くことができない。データ書き込み時には走査電極に負の電圧がかかる一方データ電極には正の電圧がかかるので、書き込みの放電が起こる。走査電極側は陰極になり、正イオン（壁イオン）が蓄積し実質の電界は弱められ放電は止まる。これがメモリー効果で、維持パルスのかかったときに維持放電を起こさせる。さてリセットで、走査電極側に蓄積された電子はどういう条件のとき放出されるであろうか。この条件を理論的に説明する。【００１３】  ＰＤＰ書き込みの動作について説明する。セルへの書き込みの前にはリセットがあり、通常、維持電極間でランプ波形によって行われる。そのとき、陽極側には壁電子が残り、壁電子と陽極側維持電極間にはＭｇＯ層と誘電体層を介してある数１０Ｖの電圧Ｖｄが維持される。書き込み時にはこの維持電極は負の電圧Ｖｓｃａｎが加わりＭｇＯ層は陰極面として動作し、データ（アドレス）電極には正の書き込み電圧Ｖｗが加わるので陽極として働く。このとき放電空間にはほぼＶｄ＋Ｖｓｃａｎ＋Ｖｗの電圧が加わるので放電が始まる。しかしこのとき壁電子はＶｄによる電界でしばられて放出されないのでわずかなガス中の残留電子またはイオンによって放電が始まる。従って、その電子の数が少ないのと数のばらつきによって放電開始時間の遅れやばらつきが起こる。【００１４】  次に通常のセルの電圧分布と壁電子放出条件について述べる。通常のセルについては図７に示す１次元近似をする。データ電極の上には光反射絶縁層と蛍光体があるが、比誘電率が大きいので蛍光体から陰極面までの空間距離Ｌｄにすべての電圧がかかると考えられる。一方、陰極面上の誘電体側の電界は誘電体の比誘電率をεｓ、誘電体層厚をｄ、とするとＶｄεｓ／ｄで与えられる。正確にはＭｇＯ（９．８）と誘電体層（１０−１２）の比誘電率は多少異なるのであるが誘電体の比誘電率を１０として近似する。壁電子にかかる電界はデータ電極側Ｅｓおよび誘電体層側Ｅｄはそれぞれ
【数１】
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【数２】
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となる。この電界のどちらが大きいかによって、電子の動きが決まる。いま、Ｖｄ＝５０Ｖ，Ｖｓｃａｎ＝２００Ｖ，Ｖｗ＝１００Ｖ，Ｌｄ＝１５０μｍ，εｓ＝１０，ｄ＝２０μｍとすると、
Ｅｓ＝３５０／１５０＝２．３３Ｖ／μｍ，Ｅｄ＝５０×１０／２０＝２５Ｖ／μｍとなって、Ｅｓ＜＜Ｅｄであるから壁電子は動けない。ＥｄはＥｓより一桁大きい。【００１５】  次に陰極面に突出部（高さｈ，幅ｗ）のあるセルの電圧分布と壁電子放出条件についてのべる。この場合、１次元近似はできないのでここでは簡単のためまず図８に示す２次元模型で近似し後に３次元の解析を行う。各寸法はＬｄ＝１５０μｍ，εｓ＝１０，ｄ＝２０μｍ，ｈ＝１μｍ，ｗ＝４μｍ，Ｌ＝８μｍで、２Ｌ周期でこのパターンが繰り返されているとして、ラプラス解を数値計算する。このセルもリセット前には表面の電位はわずかに異なるが、ほぼ等電位としてよい。リセット時には電子がほぼ平等に陰極面に付着すると仮定する。解析は放電側と誘電体側に分けて行う必要がある。【００１６】  まず放電空間側の解析をする。陰極側の電位を０とし、陽極（データ電極）側を１として、計算をした。結果を図９に示す。この図からエッヂ部近傍の電界が平らな部分の２倍以上であることさらに狭い範囲では数十倍にもなることがわかった。【００１７】  次に最も重要な誘電体側の３次元解析結果を示す。図８の模型を３次元に拡張して行った。まず突出部の直方体の底部の電位を数値計算で求め、次に直方体の残りの面の電位を０として３次元フーリエ級数で正確な電位と電界を求めた。結論は、図１０の濃い部分に示すように、直方体（ｗ＝４μｍ、ｈ＝１μｍ）の底部を除く全面積の２５％近くの電界強度が従来の平坦な場合の電界の１／１０以下になっていること、総ての稜線上では０であることがわかった。すなわち、Ｅｓ＞Ｅｄとなってその部分の自由な壁電子はデータ書き込み時のバイアス条件でガス中に飛び出すことが可能と考えられる。図１０はｗ＝４μｍ，ｈ＝１μｍの直方体の例であったがｗ＝４μｍ，ｈ＝０．５μｍの直方体の例では、直方体面積の３．７％になって、実効面積は約１／１０になってしまうことが計算で明らかになった。つまり凸部のｈ／ｗが小さいと隅の電界はあまり弱くならないのであり効果は急激に減少する。なお、突出部が半球形の場合は先端部でも電界は０にはならないので、放出領域ははるかに少なくなる。なお、上の議論は壁電子が電界のみに拘束されていると仮定したが実際にはあるサイトにはいって拘束（トラップ）されている可能性がある。その場合はそのサイトの拘束レベルに対応する電界だけ差し引く必要があるので放出電子の領域は減少する。その意味で
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ような角を持つ突出部が重要である。ｈの上限は誘電体の厚さの約半分とした。突出部の数は１個でも良いが複数個が望ましく、ランダムに形成する場合は１０個以上必要である。【００１８】  動ける電子の数について述べる。リセット時の壁電子の数は放電電流の時間積分値であたえられる。実験によれば、半値幅０．２μｓで約８０μＡの電流が流れるから、電荷Ｑは
【数３】
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となる。電子の数Ｎｅは電子の電荷をｑとして次式で与えられる。
【数４】
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電子が面積２００μｍ×３００μｍの誘電体上に一様に付着するとして、微結晶が１００個あると
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０．２４×０．０５×１×１×１０８＝１．２×１０６個の電子が放出可能となる。微結晶の数が例え１０個であっても１．２×１０５個の電子が放出可能となる。【００１９】  放電の遅れは放電形成の時間と統計的遅れの時間とがある。詳細は省略するが、放電の形成時間は初期電子の数Ｎ０の対数で決まる。また統計的遅れ（ばらつき）はＮ０の平方根に反比例するので、初期電子の数が多いほど有利になる。例えば一方が１０個に対し他方が１０００００個とすると、後者の形成時間は前者より数μｓ少なく、ばらつきは後者が前者の１００分の１となる。
【発明の効果】
【００２０】  本発明によって従来この種のＡＣＰＤＰの放電開始電圧が高かったものが低く出来、アドレス時間も短くでき、発光効率も高くなる。また高価な微結晶を使用しないで済むので製作費が安くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】  図１は本発明の一実施例を示している。図１（ａ）は前面板ＦＧ側から見た１セル内の平面図で、（ｂ）はＹ１−Ｙ２断面、を示している。セルの基本的構成と動作は従来のものとほぼ同じで障壁（リブ）ＢＡがセルの周りを囲んでいる形状である。このパネルは通常のパネルとほぼ同様にこのセルの繰り返しで構成されており周知の構造なので詳細は省略するが符号の説明をしておく。ＲＧは背面板、ＰＨは蛍光体、ＷＢは白バック、ＳＣＢは走査電極母線、ＳＵＥは維持電極母線である。図１（ｂ）で前面板ＦＧを下側に書いたのはこの図が本発明を説明する実質的なものでこの方が説明しやすいからである。次に構造が異なっている部分を説明する。図２は図１（ｂ）の拡大図である。ＦＧの上にはまずＩＴＯ等の透明な走査電極ＳＣＥと維持電極ＳＵＥが形成されその上に透明の誘電体層ＤＥを形成する。その上に透明でかつ膨張係数がほぼ誘電体と等しい角のある突出部ＰＲを持った３次元粒子を付着形成するかまたは突出部を選択的にエッチング、サンドブラストなどで形成
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させる。突出部または３次元粒子の形状例を図３に示す。直方体、各種錐体、各種柱体、その他、角のある形状を示している。背面板については従来と同じものでも良い。【００２２】  セルの寸法等の一例を示すと、ＦＧ−ＲＧ間のギャップ１７０μｍ、ＢＡの幅８０μｍ、表示セル幅２１０μｍ、Ｘ方向のセルピッチ２９０μｍ、Ｙ方向のセルピッチ６００μｍ、ギャップを決めるＳＵＥ−ＳＣＥ間距離８０μｍ、ＤＥの厚さは２０μｍ、エミッタＥ（ＭｇＯ）の厚さは０．５μｍ、である。封入ガスはＮｅ−Ｘｅ１０％４．４ｋＰａである。【００２３】  本発明の動作、作用については、既に詳述したが、このような形状にすると、データ書き込み放電時前記突出部の壁電子に働く静電力が放電空間側に強くなり、空間に放出され易くなって放電開始時間が大幅に短くなることが特徴である。【００２４】  図４は第２の実施例を示している。  表示セルの構成は第１の実施例とほぼ同じであるが、前記一対の電極の上を被う誘電体層の上にエミッタ層を平坦でなく微少な突出部ＰＲ（Ｅ）を複数個持つように選択的に形成させたものであり、突出部は高さ等は第１の実施例と同じである。形成の方法はいろいろあるが、エミッタ層を厚く付着させた後にエッチング、サンドブラストなどで行う。また通常の厚さのエミッタ層の上にレジストをパターン化して、さらにエミッタ層を付着させその後レジストを除去する方法も利用できる。これらの方法では突出部を規則的に形成できるので、放電のばらつきも小さくできる利点を持つ。【００２５】  図５は第３の実施例を示している。  表示セルの構成は第１の実施例とほぼ同じであるが、誘電体層の上のエミッタ層の上にＭｇＯを除く絶縁物例えば誘電体層と同じガラスの粒子の微少な突出部ＰＲ（ＩＮ）を複数個持つように形成させたものであり、突出部は高さ等は第１の実施例と同じである。後述するがエミッタ効果を持たない絶縁物の微少な突出部でもほぼ同様の効果が得られる。【００２６】  図６は第４の実施例で、前記一対の電極をリブ内に埋め込み誘電体部分をリブ表面に形成するＰＤＰに適用したものである。前記突出部は前記実施例と同様に形成させる。この部分の形成方法は例えば［非特許文献２］に示されている。図６ではこの方が電位分布が良いのでデータ電極を母線から中央部に引き出しているが、従来の方法でも差し支えない。この例では、前面板上に走査電極等がないので、補助電極ＡＵＸＥをつけられる。この電極があると、さらに放電電圧を下げられるので、発光効率がよくなることが［非特許文献３］に示されている。また絶縁物を兼ねてコントラストを上げる無機フィルターＦＬＴをつけることができ、その上に紫外線反射膜ＵＶＲもつけることができる。紫外線反射膜をつけると従来壁面で吸収されていた紫外線が反射され蛍光体にあたるので発光効率が良くなる。無機フィルターについては［非特許文献４］に、紫外線反射膜については［特許文献３］に詳述されている。
【非特許文献２】  Ｎａｏｙａ  Ｋｉｋｕｃｈｉ，ｅｔ．ａｌ．（Ｎｏｒｉｔａｋｅ）：ＩＭＩＤ０３（２００３）
【非特許文献３】  Ｋ．Ｔａｃｈｉｂａｎａ，．ｅｔ．ａｌ．：Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３８，１７３９（２００５）．
【非特許文献４】  坂井、和田：テレビ誌、４２−１０，ｐｐ１０８４−１０９０（１９８８，１０）
【特許文献３】  特開平１１−３４５５７０  公報
【００２７】  以下、パネルを構成する材料およびその製作方法について説明する。【００２８】  ガラス基板の材料としては、ソーダライム、各種高歪点ガラスなどを用いる。【００２９】  透明導電体の材料としては、ＩＴＯ、ネサ、網状または薄膜化したＡｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらの複合体を用いる事が出来る。【００３０】  導電体の材料としては、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕまたはこれらの複合体を用いる事が出来る。【００３１】  誘電体材料または絶縁層の材料としては、周知の各種誘電体ガラス材料を用いる。誘電率は大きいものが望ましいが、耐圧との関係で７〜１２程度でも十分である。突出部の材料としては、ＭｇＯを除くエミッタの結晶の他に、透明で膨張率が誘電体層のそれになるべく近いもの、たとえば、ＳｉＯ２（石英）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、誘電体ガラス、半導体であるがバンドギャップの大きい透明なダイヤモンド等の微粉末を用いる。第５の実施例に対しては、前面板に付着させてはいないので透明の必要はない。【００３２】  エミッタとしては、ＭｇＯ、ＳｒＣａＯのほかに各種酸化物、、ペロブスカイト等を用いる。第５の実施例に対しては、前面板に付着させてはいないので透明の必要はない。【００３３】  障壁材料としては、各種白ガラス材料を用いる。データ電極の上を被う絶縁物としてはやはり白ガラスを用い蛍光体の白バックも兼ねさせる。【００３４】  蛍光体の材料としては、主として次のものを用いる。赤用としてＹ２Ｏ３：ＥｕＥｕ，ＹＶＯ３：Ｅｕ，ＹＢＯ３：Ｅｕ，ＹＰ．６５Ｖ．３５Ｏ４：Ｅｕ，（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ，緑用としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ，ＢａＭｇ２Ａｌ１４Ｏ２４：Ｅｕ，Ｍｎ，ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ，青用としてＹ２ＳｉＯ４：Ｃｅ，ＹＰ．８５Ｖ．１５Ｏ４：Ｅｕ，ＢａＭｇ２Ａｌ１４Ｏ２４：Ｅｕ，ＢａＭｇＡｌ１４Ｏ２３：Ｅｕ，等である。【００３５】  コントラスト上昇のため、周知のブラックマトリックスや無機フィルターを用いることが望ましい。ＳＵＢ等の母線と隣接する母線間の非発光部分および障壁に対応する部分には黒色材料（ブラックマトリックス）をできればＦＧ側につけると良い。【００３６】  製作方法としては、厚膜印刷法、蒸着、スパッタ等の各種薄膜プロセスの他に、フォトリソエッチング法、リフトオフ法、サンドブラスト法、ディップ法、プレス法等を用いる事ができる。エミッタは化学的方法でも形成できる。蛍光体の付着法としては、インクジェット法も使用できる。【００３７】  封入ガスとしては、Ｋｒ及び、またはＸｅの分圧比の和が１％以上となる希ガスを用いる。特に、，Ｎｅ−Ｘｅ，Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ，Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスが好ましい。ガス圧は２０ｋＰａ〜８０ｋＰａでＸｅの分圧比は１０〜４０％程度が最適である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施例１のＰＤＰの１セルの構造
【図２】実施例１の前面板の構造（拡大図）
【図３】突出部または３次元粒子の形状例
【図４】実施例２の前面板の構造（拡大図）
【図５】実施例３の前面板の構造（拡大図）
【図６】実施例４の１セルの構造
【図７】通常のＡＣＰＤＰの書き込み放電時の模型
【図８】陰極面に突出のあるセルの２次元模型（全体図）
【図９】放電空間側の電位分布の解析結果（エッジ部拡大図）
【図１０】通常の書き込み条件で飛び出せる壁電子の領域（灰色部分）
【図１１】代表的ＡＣＰＤＰの構造
【符号の説明】
【００３９】    ＦＧ          ：前面ガラス板
ＲＧ          ：背面ガラス板
ＤＥ          ：誘電体層
ＳＣＥ        ：走査電極
ＳＣＢ        ：走査電極母線
ＳＵＥ        ：維持電極
ＳＵＢ        ：維持電極母線
ＤＥＥ        ：データ電極
ＤＥＢ        ：データ電極母線
Ｅ            ：エミッタ
ＢＡ          ：障壁
ＰＨ          ：蛍光体
Ｒ，Ｇ，Ｂ，  ：赤，青，緑
ＤＰ          ：放電路
ＰＲ          ：突出部
ＩＮ          ：絶縁物の突出部
ＵＶＲ        ：紫外線反射膜
ＦＬＴ        ：無機フィルター
ＡＵＸＥ      ：補助電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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