(57)【要約】 【課題】半導体チップを確実に接地することができる半導体装置およびこの半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１は、接地層１１１を有し、内部に導電性材料１２が充填される孔１１２が形成された第一基板１１と、第一基板１１上に積層された半導体チップ１３１と、半導体チップ１３１に対し電気的に接続され半導体チップ１３１の熱を放熱させる導電性の放熱部材１４とを有する。放熱部材１４は、半導体チップ１３１を被覆する天面部１４１と、天面部１４１から第一基板１１側に向かって延びる側面部１４２とを備える。放熱部材１４の天面部１４１と、側面部１４２とは一体に成形されている。側面部１４２の先端１４２Ａは、第一基板１１の孔１１２内に挿入される。側面部１４２の先端１４２Ａは、導電性材料１２により、孔１１２内に固定されるとともに、先端１４２Ａは、導電性材料１２を介して接地層１１１に電気的に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地層を有し、かつ孔が形成された第一基板と、
この第一基板上に積層された半導体チップと、
前記半導体チップに対し電気的に接続されるとともに、前記半導体チップの熱を放熱させる導電性の放熱部材とを有し、
前記放熱部材は、前記半導体チップ表面を被覆する天面部と、
この天面部から前記第一基板側に向かって延びる側面部とを備えるとともに、前記天面部と、前記側面部とは一体に成形され、
前記側面部先端は、前記第一基板の前記孔内に挿入され、前記孔内に充填された導電性材料により、前記孔内に固定されるとともに、前記孔の側壁において前記導電性材料を介して前記接地層に電気的に接続されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、第二基板上にバンプを介して実装されており、
前記半導体チップおよび前記第二基板を含んで半導体パッケージが構成され、
前記第二基板は、前記第一基板上に実装される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記導電性材料は、導電ペーストである半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記導電ペーストは、半田である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱部材の前記側面部先端は、短冊状に形成されており、
前記第一基板は、前記半導体チップ側の面と反対側の面に接地配線を有し、
前記孔は、前記第一基板を貫通する貫通孔であり、
前記孔内に充填された前記導電性材料を介して、前記側面部先端と、前記接地配線とが接続される半導体装置。
【請求項６】
接地層を有し、かつ孔が形成された第一基板を用意する工程と、
この第一基板上に、半導体チップを設置する工程と、
前記半導体チップに対し電気的に接続されるとともに、前記半導体チップの熱を放熱させるための導電性の放熱部材を前記第一基板上に固定する工程とを含み、
前記放熱部材は、前記半導体チップ表面を被覆する天面部と、
この天面部から前記第一基板側に向かって延びる側面部とを備えるとともに、前記天面部と、前記側面部とは一体に成形されたものであり、
前記放熱部材を固定する工程では、前記放熱部材の側面部先端を、前記第一基板の前記孔内に挿入し、前記側面部先端と、前記接地層とを、前記孔の内部に導電性材料を充填することにより、前記導電性材料を介して電気的に接続するとともに、前記導電性材料により、前記側面部先端を孔内に固定する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材を固定する工程では、前記第一基板に形成された前記孔に対し、前記導電性材料をディスペンサを用いて注入する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップは、第二基板上に実装されており、
第一基板上に、半導体チップを設置する前記工程では、前記半導体チップが実装された前記第二基板を、半田バンプを介して前記第一基板上に設置し、
前記放熱部材を固定する前記工程において、
前記第一基板の前記孔内に前記放熱部材の側面部先端を挿入するとともに、前記孔内に前記導電性材料を充填した後、
当該半導体装置をリフローすることで、前記導電性材料により、前記側面部先端を孔内に固定するとともに、前記半田バンプにより、前記第二基板と、前記第一基板とを固定する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板等のマザーボード上に、半導体チップが実装された回路基板を実装する実装方式が採用されている。たとえば、プリント基板上に、ＢＧＡ等を介して回路基板が設置され、この回路基板上に、半導体チップがＢＧＡ等を介して実装されている。このような半導体装置では、半導体チップの回路基板と反対側の面（半導体基板）を、プリント基板に接地させる必要がある。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、図７に示すような半導体装置７００が開示されている。
この半導体装置７００は、外部電気回路装置７０１上に実装された絶縁基板７０２と、この絶縁基板７０２上に実装された半導体素子７０３とを備える。
絶縁基板７０２中には、絶縁基板７０２の上面から下面にかけて配線導体７０２Ａが形成されている。半導体素子７０３は、半田７０５、配線導体７０２Ａ、金属ボール７０６等を介して、外部電気回路装置７０１に接続されている。
【０００４】
また、特許文献２には、図８に示すような半導体装置８００が開示されている。
この半導体装置８００は、基板８０１と、この基板８０１上に実装された半導体パッケージ８０２とを備えている。
半導体パッケージ８０２は内部に半導体素子８０２Ａを有し、半導体素子８０２Ａは、半導体パッケージ８０２上面に設けられた端子８０３、放熱板８０４、固定部材８０５を介して、基板８０１に接地されている。
固定部材８０５は、放熱板８０４を半導体パッケージ８０２上に固定するものであり、その先端は、基板８０１を貫通し、基板８０１裏面側に向かって屈曲している。そして、固定部材８０５の先端は、基板８０１裏面の端子に接触し、基板８０１および基板裏面の端子８０１Ａを押圧している。
【０００５】
さらに、特許文献３には、図９に示すような半導体装置９００が開示されている。
この半導体装置９００は、キャリア９０１Ａに実装された半導体チップ９０１Ｂを有するＬＳＩパッケージ９０１と、このＬＳＩパッケージ９０１が実装されたプリント配線板９０２とを備える。
ＬＳＩパッケージ９０１は、半導体チップ９０１Ｂと熱結合するヒートスプレッダ９０１Ｃを有する。ヒートスプレッダ９０１Ｃには、放射遮蔽手段９０３が接続されるとともに、放射遮蔽手段９０３には、接続手段９０４が接続されている。
接続手段９０４は、プリント配線板９０２内に挿入され、プリント配線板９０２の接地層９０２Ａと接続されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１００９２４号公報
【特許文献２】特開２００４−２４７５８９号公報
【特許文献３】特開２００３−６８８９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のような半導体装置においては、以下のような課題がある。
特許文献１の半導体装置７００では、半導体素子７０３は、半田７０５、配線導体７０２Ａ、金属ボール７０６等を介して、外部電気回路装置７０１に接続されているため、半導体素子７０３から、外部電気回路装置７０１に至るまでの接続抵抗やインダクタンスが大きくなる。そのため、半導体素子７０３を外部電気回路装置７０１に接続して接地した場合であっても、半導体素子７０３と、外部電気回路装置７０１との間に電位差が生じ、半導体素子７０３を確実に接地することができない。
【０００８】
特許文献２の半導体装置８００では、固定部材８０５の先端を、基板８０１裏面の端子８０１Ａを押圧させることで、固定部材８０５の先端と、端子８０１Ａとを接続しているため、接続抵抗が大きくなってしまう可能性がある。そのため、半導体素子を確実に接地することが困難となる。
【０００９】
特許文献３では、放射遮蔽手段９０３あるいは、接続手段９０４を、キャリア９０１Ａの接地面に接続させる必要があるため、放射遮蔽手段９０３あるいは、接続手段９０４が複雑な構成となる。たとえば、放射遮蔽手段９０３に、爪を形成し、キャリア９０１Ａの表裏面に接触させる構成となるため、放射遮蔽手段９０３が複雑な構成となる。
従って、特許文献３では、ヒートスプレッダ９０１Ｃと、放射遮蔽手段９０３と、接続手段９０４とを一体的に成形することが困難である。そのため、ヒートスプレッダ９０１Ｃと、放射遮蔽手段９０３と、接続手段９０４とを介して、半導体チップ９０１Ｂを、プリント配線板９０２の接地層９０２Ａに接地させる際に、大きな接続抵抗が発生してしまう可能性がある。
さらに、特許文献３の接続手段９０４は、短冊状の金属板を縦に屈曲させて、プリント配線板９０２の孔内に挿入し、孔内に露出する接地層９０２Ａに接触させただけの構成であるため、接続手段９０４と、接地層９０２Ａとを確実に接触させることが困難となる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、接地層を有し、かつ孔が形成された第一基板と、この第一基板上に積層された半導体チップと、前記半導体チップに対し電気的に接続されるとともに、前記半導体チップの熱を放熱させる導電性の放熱部材とを有し、前記放熱部材は、前記半導体チップ表面を被覆する天面部と、この天面部から前記第一基板側に向かって延びる側面部とを備えるとともに、前記天面部と、前記側面部とは一体に成形され、前記側面部先端は、前記第一基板の前記孔内に挿入され、前記孔内に充填された導電性材料により、前記孔内に固定されるとともに、前記孔の側壁において前記導電性材料を介して前記接地層に電気的に接続されている半導体装置が提供される。
【００１１】
この発明によれば、放熱部材は、半導体チップに電気的に接続されるとともに、側面部先端が第一基板の接地層に接続されている。そのため、半導体チップは、放熱部材を介して第一基板に接地されることとなる。
ここで、放熱部材は、半導体チップ表面を被覆する天面部と側面部とが一体に成形されているため、半導体チップおよび第一基板の接地層間で、大きな接続抵抗が発生することを防止できる。
これにより、半導体チップを確実に接地させることができる。
さらには、放熱部材の側面部先端は、第一基板の孔内に挿入され、導電性材料により、孔内に固定されるとともに、側面部先端と、接地層とは、孔内に充填された導電性材料を介して電気的に接続されている。これにより、放熱部材の側面部先端と、接地層とを確実に接触させ、半導体チップを確実に接地させることができる。
【００１２】
また、本発明によれば、上述した半導体装置の製造方法が提供できる。すなわち、本発明によれば、接地層を有し、かつ、孔が形成された第一基板を用意する工程と、この第一基板上に、半導体チップを設置する工程と、前記半導体チップに対し電気的に接続されるとともに、前記半導体チップの熱を放熱させるための導電性の放熱部材を前記第一基板上に固定する工程とを含み、前記放熱部材は、前記半導体チップ表面を被覆する天面部と、この天面部から前記第一基板側に向かって延びる側面部とを備えるとともに、前記天面部と、前記側面部とは一体に成形されたものであり、前記放熱部材を固定する工程では、前記放熱部材の側面部先端を、前記第一基板の前記孔内に挿入し、前記側面部先端と、前記接地層とを、前記孔の内部に導電性材料を充填することにより、前記導電性材料を介して電気的に接続するとともに、前記導電性材料により、前記側面部先端を孔内に固定する半導体装置の製造方法も提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体チップを確実に接地することができる半導体装置およびこの半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第一実施形態）
はじめに、図１を参照して、本実施形態の半導体装置１について説明する。
本実施形態の半導体装置１は、接地層１１１を有し、内部に導電性材料１２が充填される孔１１２が形成された第一基板１１と、この第一基板１１上に積層された半導体チップ１３１と、半導体チップ１３１に対し電気的に接続されるとともに、半導体チップ１３１の熱を放熱させる導電性の放熱部材１４とを有する。
放熱部材１４は、半導体チップ１３１表面を被覆する天面部１４１と、この天面部１４１から第一基板１１側に向かって延びる側面部１４２とを備える。
放熱部材１４の天面部１４１と、側面部１４２とは一体に成形されている。
側面部１４２の先端１４２Ａは、第一基板１１の孔１１２内に挿入される。そして、側面部１４２の先端１４２Ａは、導電性材料１２により、孔１１２内に固定されるとともに、先端１４２Ａは、孔１１２の側壁において導電性材料１２を介して接地層１１１に電気的に接続されている。
【００１５】
次に、半導体装置１について詳細に説明する。
第一基板１１は、半導体チップ１３１を含む半導体パッケージ１３を実装するための、メイン基板である。
この第一基板１１は、図示しないが、複数の配線層、複数の絶縁層が交互に、積層された構造であり、内層に接地層１１１が配置されている。すなわち、接地層１１１は、配線層および配線層間に設けられた絶縁層を含む一対の基板本体部１１３に挟まれて配置された構造となっている。
接地層１１１は、たとえば、銅箔層等の金属層である。
この第一基板１１には、表裏面を貫通する孔（貫通孔）１１２が形成されている。
孔１１２の側壁の一部は接地層１１１で構成されている。さらに、この孔１１２内には、導電性材料１２が充填される。
孔１１２は、第一基板１１の半導体パッケージ１３の実装領域に隣接する領域に形成されている。本実施形態では、図２に示すように、半導体パッケージ１３の実装領域の角部に隣接する複数箇所（４箇所）の領域に形成されている。
【００１６】
半導体パッケージ１３は、第一基板１１上に実装されるものであり、半導体チップ１３１と、この半導体チップ１３１が実装される第二基板１３２とを備える。
半導体チップ１３１はＬＳＩチップであり、半導体チップ１３１の表面に設けられた半田バンプ（ＢＧＡ）１５を介して第二基板１３２上に実装されている。半導体チップ１３１は、第二基板１３２に対し、フリップチップ実装され、半田バンプ１５を介して、半導体チップ１３１と第二基板１３２とが電気的に接続されることとなる。
半田バンプ１５の周囲には、アンダーフィル樹脂１３３が充填され、半田バンプ１５が保護されている。
【００１７】
第二基板１３２の半導体チップ１３１と反対側の面には、半田バンプ（ＢＧＡボール）１６が設けられている。第二基板１３２も第一基板１１に対しフリップチップ実装されており、半導体パッケージ１３は、半田バンプ１６を介して第一基板１１に電気的に接続されることとなる。
【００１８】
放熱部材１４は、半導体パッケージ１３の半導体チップ１３１で発生する熱を放熱させるためのものであり、いわゆるヒートスプレッダである。
この放熱部材１４は、半導体チップ１３１を被覆する天面部１４１と、この天面部１４１から第一基板１１側に下垂する側面部１４２とを備える。
天面部１４１は、平板状であり、第一基板１１表面側からの平面視において、矩形状である。天面部１４１は、半導体チップ１３１の表面に導電ペースト１７（図４（Ａ）、（Ｂ）参照）を介して接続されている。この天面部１４１は半導体チップ１３１表面を完全に覆う大きさであり、半導体チップ１３１表面よりも大面積となっている。
側面部１４２は、図１および図２に示すように、天面部１４１の各辺から、第一基板１１側に向かって下錘する平板状の側面部本体１４２Ｂと、この側面部本体１４２Ｂの先端に設けられた先端１４２Ａとを備える。
側面部本体１４２Ｂと、天面部１４１とで、底面が開口した直方体の箱形が形成される。
放熱部材１４を第一基板１１に固定した際に、複数の側面部本体１４２Ｂにより、半導体パッケージ１３および半田バンプ１６の周囲は完全に被覆されることとなる。
これにより、半導体パッケージ１３からの電磁波を放熱部材１４にて遮蔽することができる。
【００１９】
先端１４２Ａは、側面部本体１４２Ｂの第一基板１１側の端部に設けられた突起状の部材であり、第一基板１１側に突出し、短冊状、平板状に形成されている。
この先端１４２Ａの幅寸法（第一基板１１表面に沿った方向の寸法）は、側面部本体１４２Ｂの幅寸法（第一基板１１表面に沿った方向の寸法）より狭く、先端１４２Ａは、孔１１２内に挿入可能な幅寸法となっている。
先端１４２Ａは、孔１１２内に挿入されて、孔１１２内に充填される導電性材料１２により固定される。また、この導電性材料１２を介して孔１１２内面の接地層１１１と電気的に接続されることとなる。
これにより、半導体チップ１３１は、放熱部材１４を介して接地層１１１に電気的に接続され、接地されることとなる。
ここで、先端１４２Ａは、孔１１２内に挿入した際に、孔１１２から突出してもよくまた、孔１１２から突出しないものであってもよい。
また、導電性材料１２としては、半田や、銀等の導電ペースト１２があげられる。
【００２０】
以上のような放熱部材１４は、導電性を有し、かつ、放熱性に優れる部材で構成される。たとえば、放熱部材１４としては、銅板等の材料が使用される。
また、放熱部材１４は、天面部１４１と、側面部本体１４２Ｂと、先端１４２Ａとが一体的に成形されている。具体的には、放熱部材１４はプレス成形により成形することができる。
【００２１】
次に、図３〜図５を参照して、半導体装置１の製造方法について説明する。
はじめに、半導体装置１の製造工程の概要について説明する。
本実施形態の半導体装置１の製造方法は、接地層１１１を有し、かつ、内部に導電性材料１２が充填される孔１１２が形成された第一基板１１を用意する工程と、
この第一基板１１上に、半導体チップ１３１を設置する工程と、
半導体チップ１３１に対し電気的に接続されるとともに、半導体チップ１３１の熱を放熱させるための導電性の放熱部材１４を第一基板１１上に固定する工程とを含む。
放熱部材１４を第一基板１１上に固定する工程では、放熱部材１４の側面部１４２の先端１４２Ａを、第一基板１１の孔１１２内に挿入し、側面部１４２の先端１４２Ａと、接地層１１１とを、導電性材料１２を介して電気的に接続するとともに、導電性材料１２により、側面部１４２の先端１４２Ａを孔１１２内に固定する。
【００２２】
次に、本実施形態の半導体装置１の製造方法について詳細に説明する。
はじめに、図３（Ａ）に示すように、半導体チップ１３１に半田バンプ１５を設ける。具体的には、半導体チップ１３１表面に形成された電極パッド（図示略）上に半田バンプを形成し、リフローを行い、半田バンプ１５を形成する。半田バンプ１５は、マイクロボールを電極パッド（図示略）上に設置することで形成されてもよく、また、半田ペーストをスクリーン印刷してもよい。
次に、第二基板１３２上に、半導体チップ１３１を実装する。第二基板１３２の電極パッド（図示略）上にフラックス（非表示）を塗布する。その後、半田バンプ１５を電極パッド上に搭載し、２５０℃くらいの温度にてリフローし半田バンプ１５を溶解させて半導体チップ１３１と第二基板１３２とを物理的、電気的に接続させる。
その後、図３（Ｂ）に示すように、半田バンプ１５の保護材として、アンダーフィル樹脂１３３を設ける。半導体チップ１３１の周囲から、ディスペンサーを用いてアンダーフィル樹脂１３３の注入を行い、時間を置いてから１５０℃くらいの温度で２時間くらいベーク行うのが一般的である。
これにより半導体パッケージ１３が完成する。
その後、第二基板１３２の半導体チップ１３１と反対側の面に、半田バンプ１６を設ける。第二基板１３２の半導体チップ１３１と反対側の面にある電極パッド（非表示）にフラックス（非表示）を塗布し、半田バンプ１６をそれぞれの電極パッドにのせ２５０℃くらいの温度にてリフローを行う。
【００２３】
次に、図４（Ａ）に示すように、半導体パッケージ１３を、半導体チップ１３１表面（第二基板１３２と反対側の面）に導電ペースト１７を塗布するとともに、第一基板１１の孔１１２内部に導電ペースト１２を充填する。導電ペースト１７と、導電ペースト１２とは同じものである。
このとき、孔１１２内部には、ディスペンサを用いて導電ペースト１２を充填する。
次に、第一基板１１表面の電極パッド（図示略）上にフラックスを塗布し、第一基板１１上に半導体パッケージ１３を設置する。具体的には、半田バンプ１６を、電極パッド上に設置する。
次に、図４（Ｂ）に示すように、放熱部材１４の先端１４２Ａを、孔１１２内に挿入するとともに、放熱部材１４の天面部１４１を半導体チップ１３１表面上に設置し、放熱部材１４の天面部１４１を上から軽く押さえる。
その後、半導体装置１を２５０℃くらいの温度にてリフローし、第二基板１３２と第一基板１１とを物理的、電気的に接続すると共に、放熱部材１４を第一基板１１および半導体チップ１３１に固定する（図５）。
【００２４】
ここで、導電ペースト１２，１７は耐熱ペーストを用いるのが好ましい。
また、本実施形態では、放熱部材１４の第一基板１１および半導体チップ１３１への固定と、第二基板１３２の第一基板１１への固定とを同時に行ったが、これに限らず、放熱部材１４の第一基板１１および半導体チップ１３１への固定と、第二基板１３２の第一基板１１への固定とを別工程にて実施してもよい。たとえば、第二基板１３２を第一基板１１上に設置し、リフローして固定した後、第一基板１１上に放熱部材１４を設置し、リフローを行ってもよい。
【００２５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
放熱部材１４は、半導体チップ１３１に電気的に接続されるとともに、側面部１４２の先端１４２Ａが第一基板１１の接地層１１１に接続されている。そのため、半導体チップ１３１は、放熱部材１４を介して第一基板１１に接地されることとなる。
ここで、放熱部材１４は、半導体チップ１３１表面を被覆する天面部１４１と側面部１４２とが一体に成形されているため、半導体チップ１３１および第一基板１１の接地層１１１間で、大きな接続抵抗が発生することを防止できる。
これにより、半導体チップ１３１を確実に接地させることができる。
特に、本実施形態の放熱部材１４は、平板状の天面部１４１と、天面部１４１の各辺から下垂する平板状の側面部本体１４２Ｂと、この側面部本体１４２Ｂに接続された短冊状の先端１４２Ａとを備える構成であり、放熱部材１４の形状が比較的単純な構成であるため、放熱部材１４を一体に成形することが可能となる。
【００２６】
さらには、放熱部材１４の先端１４２Ａは、第一基板１１の孔１１２内に挿入され、先端１４２Ａは、孔１１２内に充填された導電性材料１２により孔１１２内に固定されている。さらに、先端１４２Ａと、接地層１１１とは、孔１１２内に充填された導電性材料１２を介して電気的に接続されている。これにより、放熱部材１４の先端１４２Ａと、接地層１１１とを確実に接触させ、半導体チップ１３１を確実に接地させることができる。
【００２７】
特許文献３に開示された従来の半導体装置９００では、接続手段９０４は、短冊状の金属板を縦に屈曲させて、プリント配線板９０２の孔内に挿入し、孔内に露出する接地層９０２Ａに接触させただけの構成となっている。従って、接続手段９０４の大きさや、接続手段９０４の孔に対する位置ずれ等により、接続手段９０４が接地層９０２Ａに十分に接触せず、接地することが困難となる場合がある。
これに対し、本実施形態では、孔１１２内に導電性材料１２を充填し、この導電性材料１２を介して接地層１１１と放熱部材１４の先端１４２Ａとを電気的に接続しているため、半導体チップ１３１を確実に接地させることができる。
【００２８】
さらに、本実施形態では、放熱部材１４の側面部１４２の先端１４２Ａは、孔１１２内の接地層１１１に電気的に接続される長さ寸法があればよい。従って、側面部１４２の先端１４２Ａを精度高く加工する必要がなく、放熱部材１４の形成に高い加工精度を必要としない。
また、特許文献２に開示されたような固定部材８０５では、固定部材８０５の先端を、基板裏面の端子８０１Ａを押圧させる必要があるため、先端を屈曲させていた。そのため、基板８０１の固定部材８０５の先端を貫通させる孔は大きく形成する必要があった。
これに対し、本実施形態では、先端１４２Ａは短冊状に形成されたものである。先端１４２Ａの端部は屈曲していないため、先端１４２Ａを貫通させる孔１１２の形状を大きくする必要がない。これにより、孔１１２により、第一基板１１において配線等の引き回しが制御されることを防止できる。
【００２９】
また、本実施形態では、孔１１２内に導電ペースト１２を注入する際に、ディスペンサを使用して注入しているので所望の量の導電ペースト１２を注入することができる。
【００３０】
さらに、本実施形態では、第一基板１１の孔１１２内に導電ペースト１２を充填し、放熱部材１４の先端１４２Ａを孔１１２内に挿入するとともに、第二基板１３２を第一基板１１上に設置した後、半導体装置をリフローしている。これにより、放熱部材１４の第一基板１１への固定と、第二基板１３２の第一基板１１への固定とが同時に行われる。
放熱部材１４を第一基板１１へ固定するためのリフローと、第二基板１３２を第一基板１１へ固定するためのリフローとを同時に行うことで、半導体チップ１３１等にかかる熱履歴を少なくすることができる。
【００３１】
（第二実施形態）
図６を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
本実施形態では、第一基板２１は、半導体チップ１３１側の面と反対側の面に接地配線２１０を有している。この接地配線２１０は、接地配線２１０に対し、接地電位を付与するための給電コネクタ（図示略）に接続されている。
他の点は、第一基板２１は、第一基板１１と同様である。
放熱部材１４の先端１４２Ａが孔１１２から突出しており、孔１１２内に充填された導電性材料１２を介して、側面部１４２の先端１４２Ａと、接地配線２１０とが接続されている。
他の点については、前記実施形態と同様である。
【００３２】
このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
放熱部材１４の先端１４２Ａは、接地配線２１０に接続されている。そして、この接地配線２１０には、接地電位を付与するための給電コネクタが接続されている。従って、半導体チップ１３１には、接地配線２１０、放熱部材１４を介して、給電コネクタから、接地電位が付与されることとなる。そのため、接地電位の更なる安定化が図れる。
【００３３】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、第一基板１１上に半導体パッケージ１３が搭載されていたが、これに限らず、第一基板１１上に半導体チップ１３１が直接搭載されていてもよい。
さらには、前記実施形態では、放熱部材１４の先端１４２Ａは、放熱部材１４の側面部本体１４２Ｂから突起状に延びた短冊状のものであったが、先端１４２Ａの形状はこれに限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。
【図２】半導体装置の分解斜視図である。
【図３】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第二実施形態にかかる半導体装置を示す断面図である。
【図７】従来の半導体装置を示す図である。
【図８】従来の半導体装置を示す図である。
【図９】従来の半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    半導体装置
１１    第一基板
１２    導電性材料（導電ペースト）
１３    半導体パッケージ
１４    放熱部材
１５    半田バンプ
１６    半田バンプ
１７    導電ペースト
２１    第一基板
１１１    接地層
１１２    孔
１１３    基板本体部
１３１    半導体チップ
１３２    第二基板
１３３    アンダーフィル樹脂
１４１    天面部
１４２    側面部
１４２Ａ    先端
１４２Ｂ    側面部本体
２１０    接地配線
７００    半導体装置
７０１    外部電気回路装置
７０２    絶縁基板
７０２Ａ    配線導体
７０３    半導体素子
７０５    半田
７０６    金属ボール
８００    半導体装置
８０１    基板
８０１Ａ    端子
８０２    半導体パッケージ
８０２Ａ    半導体素子
８０３    端子
８０４    放熱板
８０５    固定部材
９００    半導体装置
９０１    ＬＳＩパッケージ
９０１Ａ    キャリア
９０１Ｂ    半導体チップ
９０１Ｃ    ヒートスプレッダ
９０２    プリント配線板
９０２Ａ    接地層
９０３    放射遮蔽手段
９０４    接続手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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