(57)【要約】【課題】固体撮像素子上に空間を有して光透過性を有する保護部材が接着される枠の高さを高くすることを可能とし、かつ枠側面の光反射を抑制することを可能とする。【解決手段】基板１１と、前記基板１１に形成された固体撮像素子２１と、前記固体撮像素子２１の周縁部で前記基板１１上に形成されていて表面が黒色の金属系材料からなる枠部６１と、前記枠部６１上に形成されて前記枠部６１とともに前記固体撮像素子２１を封止する光透過性を有するシール板７１とを有する。【選択図】図１
2009302102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記基板上に形成されていて表面が黒色の金属系材料からなる枠部と、
前記枠部上に形成されて前記枠部とともに前記固体撮像素子を封止する光透過性を有するシール板とを有する
固体撮像装置。
【請求項２】
前記基板上で前記枠部の外側にバンプが形成されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記枠部は、黒色めっきからなる
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきからなる
請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記枠部は金属材料からなり、該金属材料表面が黒化処理されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記黒化処理は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきからなる
請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記黒化処理は、ニッケル黒めっき、黒色電着塗装もしくは黒色アルマイト処理である
請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項８】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記枠部上に前記枠部内を密閉する光透過性を有するシール板を形成する工程と
を有する
固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜に第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部にバンプ部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成する工程と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記第２レジスト膜と前記第１レジスト膜に第２開口部を形成する工程と、
前記第２開口部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記第２レジスト膜と前記第１レジスト膜とを除去する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項９記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜に第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部にバンプ部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜を除去する工程と、
前記基板上に前記バンプ部を被覆する第２レジスト膜を形成する工程と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記第２レジスト膜に第２開口部を形成する工程と、
前記第２開口部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記第２レジスト膜を除去する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜に第１開口部と、前記固体撮像素子の周縁部に第２開口部とを形成する工程と、
前記第１レジスト膜上に前記第１開口部および前記第２開口部が埋め込まれる第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第１開口部が形成されていた領域上の前記第２レジスト膜を除去することで、前記第１開口部を含む第３開口部を形成する工程と、
前記第１開口部にバンプ部を形成する工程と、
前記第２レジスト膜を除去して前記第２開口部を再び開口する工程と、
前記第１レジスト膜上に前記第２開口部が埋め込まれる第３レジスト膜を形成する工程と、
前記第２開口部が形成されていた領域上の前記第３レジスト膜を除去することで、前記第２開口部を含む第４開口部を形成する工程と、
前記第４開口部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記第３レジスト膜を除去する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上に第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜に第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部にバンプ部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜上に第２レジスト膜を形成する工程と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記第２レジスト膜と前記第１レジスト膜に第２開口部を形成する工程と、
前記第２開口部に金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記第２レジスト膜を除去する工程と、
前記枠部の表面を黒色化する工程と、
前記第１レジスト膜を除去する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項１５記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜と除去する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項１７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程は、
前記固体撮像素子が形成された基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記固体撮像素子の周縁部で前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に金属系材料からなる枠部を形成する工程と、
前記レジスト膜と除去する工程と、
前記枠部の表面を黒色化する工程と
順に有する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
前記枠部は、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで形成される、
または、前記枠部は、金属系材料で形成され、該金属系材料の表面を、黒色スズ‐ニッケルめっき、黒色スズ‐ニッケル−銅めっきもしくは黒色無電解ニッケルめっきで黒化処理されて形成される
請求項１９記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一種である電荷結合デバイス（ＣＣＤ）およびＣＭＯＳイメージャなどの固体撮像装置が様々な分野で実用化されている。
固体撮像装置の受光面上にはマイクロレンズが形成され、凹凸状態を呈している。そのため、固体撮像装置は、異物が付着しないように受光面をガラスなどの透光性の蓋部で保護している。
複数の半導体素子が形成された半導体ウエハに、蓋部を接着するための接着層として光硬化性接着剤（感光性接着剤）と熱硬化性接着剤を含む接着層を形成する。この接着層を選択的に露光して、各半導体素子の周縁部上の接着層に含まれる光硬化性接着剤を硬化させて、接着層および各半導体素子を接着する。そして光硬化性接着剤を現像して、未露光領域の接着層を除去することで、各半導体素子の周縁部に接着層を形成する。その接着層上に蓋部を配置した後に接着層を加熱し、接着層に含まれる熱硬化性接着剤の特性を利用して接着層を介して半導体ウエハと蓋部を接着する。これにより、半導体素子上に空間を生成して外部からの影響（湿気、ダストなど）を低減するとともに、半導体装置の小型化を図り、品質および信頼性の高いチップサイズの半導体装置を実現することができるとしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、固体撮像素子が形成された基板上にシールガラスを接着する際、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂等を接着剤で枠（リブ）を作製し、その枠にシールガラスを接着することで、従来より小型化が可能になるという技術が開示されている（例えば、特許文献２，３参照。）。
このとき、画素面とシールガラスとの間に距離があると、シールガラスのパーティクル（粉塵、キズ等）の影響が小さくなる。しかしながら、上記枠を紫外線硬化型樹脂等の樹脂で形成しているために、露光プロセス（例えば、膜厚方向の露光性）や中空部のあおりで高さが制限される。
また結露の問題やフィラー等添加剤による画素面へのパーティクルの影響が考えられる。
加えて、樹脂で形成された枠側面の光反射も問題となる。しかしながら、紫外線硬化型樹脂では、露光時の光透過の必要性から黒色化は困難であり、また、表面を黒色化（黒色塗装）したのでは耐食性・汚染ガスの影響が懸念される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５０２５号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６４５３号公報
【特許文献３】特開２００５−３２２８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、従来の樹脂製の枠では、枠の高さを高くすること、枠側面の光反射を抑制することが困難な点である。
【０００６】
本発明は、固体撮像素子上に空間を有して光透過性を有する保護部材が接着される枠の高さを高くすることを可能とし、かつ枠側面の光反射を抑制することを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の固体撮像装置は、基板と、前記基板に形成された固体撮像素子と、前記固体撮像素子の周縁部で前記基板上に形成されていて表面が黒色の金属系材料からなる枠部と、前記枠部上に形成されて前記枠部とともに前記固体撮像素子を封止する光透過性を有するシール板とを有する。
【０００８】
本発明の固体撮像装置では、枠部を金属系材料で形成することから、樹脂製の枠に比べ硬度が増す事であおりが抑制され、また表面が黒色の金属系材料で形成することから反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子に発生していたゴーストが抑制される。また、金属系材料で形成されることから、枠部の高さを稼ぐことができるので、シール板面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子の周縁部に枠部が形成されていることから、この枠部によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子側に流出するのを防止し、封止樹脂端の流路形状を均一化される。これによって、固体撮像素子の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
【０００９】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板に形成された固体撮像素子の周縁部に表面が黒色の金属系材料からなる枠部を形成する工程と、前記枠部上に前記枠部内を密閉する光透過性を有するシール板を形成する工程とを有する。
【００１０】
本発明の固体撮像装置の製造方法では、枠部を表面が黒色の金属系材料で形成することから、あおりが抑制され、反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子に発生していたゴーストが抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部の高さを稼ぐことができるので、シール板面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子の周縁部に枠部を形成することから、この枠部によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子に対するゴーストが抑制されるため、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【００１２】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、固体撮像素子に対するゴーストを抑制することができるようになるため、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態を、図１の模式的断面図によって説明する。
【００１４】
図１に示すように、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等が形成されている。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成されている。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成されている。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成されている。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、開口部３４が形成されている。
【００１５】
上記パッド部３１上には、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を介してバンプ部３７が形成されている。一例として、上記バリアメタル層３５はチタン層で形成され、上記めっきシード層３６は、銅層で形成されている。
上記バンプ部３７は、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とからなる。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成されている。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムで形成されている。
ここでは、上記固体撮像素子２１の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムが選定されている。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定している。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【００１６】
他方、上記枠部形成用のパッド部３２上には、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を介して枠部６１が形成されている。
上記枠部６１は、上記めっきシード層３６上に、黒色めっきを用いて形成されたものである。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【００１７】
上記「黒色」とは、光を完全に吸収する「黒」に限定されるものではなく、褐色系の黒、紫系の黒、青系の黒等、黒に他の色が混ざった黒色系の色であってよい。以下、「黒色」とは上記のような褐色系の黒、紫系の黒、青系の黒等、黒に他の色が混ざった黒色系の色を含むものとする。
【００１８】
上記黒色めっきの一例として、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）もしくは黒色無電解ニッケルめっきを用いた。
【００１９】
例えば、枠部６１自体が黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきで形成されている。
この黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきは、従来の黒ニッケルめっきよりさらに黒く、耐蝕性、耐変色性、耐熱性に優れているという特徴を有する。まためっき後の皮膜が丈夫であり、ハンダ付け性もよい。
上記黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきには、大きく分けて３種類の黒色めっきがある。色調も褐色系、青系、紫系がある。
そのうちの一つが、紫系のスズ（Ｓｎ）−ニッケル（Ｎｉ）−イオウ（Ｓ）めっきであり、最も漆黒に近い色調となる。ただし、完全な無反射皮膜は得られず、またスズ（Ｓｎ）が入っているので２００℃で変色が始まる。表面の外観は、黒色ニッケルと同じように下地の影響を受けるが、黒色ニッケルに比べて深い黒さがある。耐食性は黒色ニッケルに比べて良いが、めっき後にクロメート処理を必要とする。例えばクリヤーコーティングが最も望ましいと考えられる。めっきの硬度はビッカース硬度Ｈｖが３００〜６００の報告がある。
また、上記黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっきは、黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきの一種であり、やや赤みを帯びた黒色となる。
【００２０】
上記黒色無電解ニッケルめっきは、外観は漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
上記枠部６１は、それ全体が黒色無電解ニッケルめっきで形成されていてもよい。
または、枠部６１は、金属系材料、例えばニッケル（Ｎｉ）で形成され、その表面に黒色無電解ニッケルめっきの皮膜を形成したものであってもよい。
【００２１】
上記黒色無電解ニッケルめっきは、例えば、無電解ニッケルめっきで形成したニッケル表面に存在するリンを薬品で溶解し、表面に黒い酸化物の細かい針状結晶（Ｎｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層）を生成して得られるものである。
このＮｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層は、化学的に安定であり、外観が漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
この黒色皮膜は、ニッケルのリン酸塩化合物であり、アルカリや塩素イオンを含む中性塩溶液にも、優れた耐食性を示す。例えば、表面から数μｍの深さまでニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の共存領域が認められる。
耐食性は黒色皮膜の中で、最も強い皮膜となっており、ビッカース硬度Ｈｖが４００〜５００を有し、対摩耗性も良好である。
耐熱性は高く、７００℃でも退色が見られない。
また無光沢のものは、光の反射率が非常に低い。例えば波長が７８５ｎｍの光の場合、０．１％の反射率である。
このように、枠部６１がニッケル等の金属系材料で形成されることで寸法精度と耐食性が保証され、黒色無電解ニッケルめっきによる化成処理で真っ黒な無反射の被膜が得られる。真黒・無反射・耐食性・寸法精度を要求する用途には、この構成が推奨される。また、色ムラもなく全面均一な黒色皮膜となる。
【００２２】
上記黒化処理は、ニッケル黒めっき、黒色電着塗装もしくは黒色アルマイト処理等を用いることもできる。
【００２３】
上記各種黒色めっきは、バンプ部３７を構成する金属以上の融点をもつ黒色金属であれば上記以外の金属を用いることもできる。
【００２４】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲にされている。固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は十μｍ〜数百μｍとする。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【００２５】
上記枠部６１上には、接着剤６５を介してシール板７１が貼り付けられている。これによって、基板１１に形成されている固体撮像素子２１は、基板１１、枠部６１、シール板７１等で封止される。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５によって、上記枠部６１上の凹凸が緩和されるので、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つことができる。そのため、接着剤６５の粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【００２６】
また、図示はしないが、上記枠部６１の下部を金属系材料で形成して、枠部６１の高さを稼ぐ構成とすいることも可能である。この製造方法については、製造方法の第５実施形態で説明する。
【００２７】
上記固体撮像装置１では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【００２８】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第１実施形態）を、図２のフローチャートおよび図３〜図５の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図３（２）〜図５（８）までは、固体撮像素子の図示を省略した。
【００２９】
図２および図３（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等を形成する。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成される。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成される。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、開口部３４が形成される。
【００３０】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。また、必要に応じて、逆スパッタ法によって上記パッド部表面に形成された酸化膜の除去を行う。
次いで、「レジスト膜形成工程（１）」Ｓ３によって、上記基板１１上に、第１レジスト膜４１として感光性レジスト膜を形成する。この感光性レジスト膜はポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記第１レジスト膜４１は、通常の塗布方法によって形成される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記第１レジスト膜４１に対してプリベークを行う。上記第１レジスト膜４１は、例えば、後に形成されるバンプの高さを考慮して数十μｍ程度とする。
【００３１】
次に、図２および図３（２）に示すように、「バンプ部上の露光工程」Ｓ４によって、上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合（図示した場合）には、上記パッド部３１上のバンプが形成される領域を露光する。ネガ型の場合には、上記パッド部３１上を除く領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９１は、上記第１レジスト膜４１がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。
【００３２】
次に、図２および図３（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記パッド部３１（３１−１、３１−２）上の上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２（４２−１、４２−２）が形成される。
【００３３】
次に、図２および図４（４）に示すように、「バンプ部めっき工程」Ｓ６によって、上記第１レジスト膜４１に開口部４２内部の上記めっきシード層３６上にバンプ部３７を形成する。このバンプ部３７は、例えば電解めっき方法によって形成され、例えば、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とで形成される。このとき、上記めっきシード層３６は給電層として用いている。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成され、例えばニッケル電解めっきにより形成される。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムの電気めっき法により形成される。
ここでは、上記固体撮像素子２１（前記図３（１）参照）の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムを選定した。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定した。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【００３４】
次に、図２および図４（５）に示すように、「レジスト膜形成工程（２）」Ｓ７によって、上記第１レジスト膜４１に形成された第１開口部４２から露出する上記はんだ部３９を被覆するように、上記第１レジスト膜４１上に、第２レジスト膜４３としてソルダーレジスト膜を形成する。この第２レジスト膜４３は、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第２レジスト膜４３を形成した後、上記第１レジスト膜４３に対してプリベークを行う。
【００３５】
次に、図２および図４（６）に示すように、「枠形成部へのレーザ光照射工程」Ｓ８によって、上記枠部形成用のパッド部３２上の上記ソルダーレジスト膜４３および上記第１レジスト膜４１に、レーザ光を照射して、第２開口部４４を形成する。すなわち、レーザ加工を行うことで、上記開口部４４が形成される。このとき、第２開口部４４の内部にめっきシード層３６を残すようにする。
上記レーザ光照射では、上記第２レジスト膜４３および上記第１レジスト膜４１の耐熱性を確認して照射条件を選定するとともに、上記レーザ光照射時に上記第１レジスト膜４１まで第２開口部４４が形成されるように照射条件を調整する。上記第２開口部４４は、固体撮像素子２１（前記図３（１）参照）の周縁部に形成される。
【００３６】
上記レーザ光照射では、例えば炭酸ガスレーザ加工装置（波長１０．６μｍ前後、出力はレジスト種類によって最適化する）を用いて、直接第２開口部４４を形成する加工を行う。
もしくは、レーザ光を露光光源として、上記第２レジスト膜４３および上記第１レジスト膜４１を露光した後、現像、必要に応じてポストベークを行って、上記第２開口部４４を形成する。この場合、上記第２レジスト膜４３には、感光性のものを用いる必要がある。
また、上記第２開口部４４の幅に応じて、露光に用いるレーザ光の発振波長が選択され、その発振波長を発振するレーザ露光装置が選択される。例えば、炭酸ガスレーザ露光装置（発振波長が１０．６μｍ）、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ露光装置（発振波長が１．０６４μｍ）等を用いることができる。もちろん、そのほかの発振波長を有するレーザ露光装置を用いることも可能である。
【００３７】
次に、図２および図５（７）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ９によって、上記第２開口部４４の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記第２開口部４４の内部に露出する上記枠部形成用のパッド部３２上に形成されているバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成する。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【００３８】
上記「黒色」とは、光を完全に吸収する「黒」に限定されるものではなく、褐色系の黒、紫系の黒、青系の黒等、黒に他の色が混ざった黒色系の色であってよい。以下、「黒色」とは上記のような褐色系の黒、紫系の黒、青系の黒等、黒に他の色が混ざった黒色系の色を含むものとする。以下の各実施形態においても同様である。
【００３９】
上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【００４０】
黒色スズ‐ニッケルめっきについて以下に説明する。
この黒色Ｓｎ（スズ）‐Ｎｉ（ニッケル）めっきは、析出する膜そのものが黒色めっきとなる。上記黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきは、従来の黒ニッケルめっきよりさらに黒く、耐蝕性、耐変色性、耐熱性に優れているという特徴を有する。まためっき後の皮膜が丈夫であり、ハンダ付け性もよい。さらにめっき浴成分は、ほとんど沈殿せず、悪臭や有害なガスの発生が無い。
【００４１】
上記黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきには、大きく分けて３種類の黒色めっきがある。色調も褐色系、青系、紫系がある。
【００４２】
そのうちの一つが、紫系のスズ（Ｓｎ）−ニッケル（Ｎｉ）−イオウ（Ｓ）めっきであり、最も漆黒に近い色調となる。ただし、完全な無反射皮膜は得られず、またスズ（Ｓｎ）が入っているので２００℃で変色が始まる。表面の外観は、黒色ニッケルと同じように下地の影響を受けるが、黒色ニッケルに比べて深い黒さがある。耐食性は黒色ニッケルに比べて良いが、めっき後にクロメート処理を必要とする。例えばクリヤーコーティングが最も望ましいと考えられる。めっきの硬度はビッカース硬度Ｈｖが３００〜６００の報告がある。
上記黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっきの市販されている一例としては、株式会社ヒキフネのＮｉ−Ｓｎ合金めっき（スーパーブラック（商品名））、荏原ユージライト株式会社のＮｉ−Ｓｎ合金めっき（エバロイＳＮＩ（商品名））、日本化学産業株式会社の黒色Ｎｉ−Ｓｎ合金めっき（ニッカブラック（商品名））等がある。上記エバロイＳＮＩは、例えばＳｎが７２ｗｔ％〜７４ｗｔ％で、Ｎｉが２８ｗｔ％〜２６ｗｔ％であり、やや赤味がある黒色となっている。
【００４３】
また、黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっきがある。ＳｎにＮｉを単独で徐々に添加した場合には融点の上昇と共にＳｎ−Ｎｉ化合物の発生で溶解時に流動性が低下するが、Ｃｕを添加することで粘性はあるものの流動性が改善される。
【００４４】
また、黒色無電解ニッケルめっきとしては、枠部６１をめっき皮膜で形成した後、別途化成処理して黒色化する方法、枠部６１を黒色無電解ニッケルめっきで形成する方法等がある。めっき皮膜を形成した後、別途化成処理して黒色化する方法が黒色無電解ニッケルめっきとしては一般的である。なお、めっき皮膜で形成した後、別途化成処理して黒色化する方法は、この第１実施形態では適用していないが、その適用例の説明は後述する。
【００４５】
めっき皮膜で形成した後、別途化成処理して黒色化する方法には、例えば、無電解ニッケルメッキ、無電解銅メッキ等で枠部６１を形成した後に無電解ニッケル（Ｎｉ）黒化処理による化成処理を組み合わせたものがある。したがって、黒色化は枠部６１を形成するめっき後の二次処理にて得られる。
この方法では、枠部６１を形成する無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキで寸法精度と耐食性を保証し、化成処理で真っ黒な無反射の被膜を作製する。真黒・無反射・耐食性・寸法精度を要求する用途には、この処理方法が推奨される。また、色ムラもなく全面均一な黒色皮膜となる。
【００４６】
黒色無電解ニッケルめっきの原理は、無電解ニッケルの表面にあるリンを薬品で溶解し、表面に黒い酸化物の細かい針状結晶を作製する。
このＮｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層は化学的に安定であり、外観は漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
この黒色皮膜は、ニッケルのリン酸塩化合物であり、アルカリや塩素イオンを含む中性塩溶液にも、優れた耐食性を示す。例えば、表面から数μｍの深さまでニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の共存領域が認められる。
耐食性は黒色皮膜の中で、最も強い皮膜となっており、ビッカース硬度Ｈｖが４００〜５００を有し、対摩耗性も良好である。
耐熱性は高く、７００℃でも退色が見られない。
また無光沢のものは、光の反射率が非常に低い。例えば波長が７８５ｎｍの光の場合、０．１％の反射率である。
上記黒色皮膜は、ニッケル（Ｎｉ）：リン（Ｐ）＝９５：５の比率で析出する。
【００４７】
上記無電解ニッケルめっきは、めっき液に入れる還元剤の種類によって皮膜が変わってくる。黒色無電解ニッケルめっきについては、純ニッケル（Ｎｉ）皮膜が得られるヒドラジンを還元剤とするめっきプロセスや、次亜リン酸ナトリウムや水素化ホウ素ナトリウムを還元剤として使用するめっき法、チタンレドックス無電解めっき法（大和化成・住友電気工業）等がある。
【００４８】
枠部６１は、上記ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の金属、もしくはそれらの合金で形成した後、黒色無電解ニッケルめっきによる黒色皮膜を形成することができる。
【００４９】
また、枠部６１そのものを黒色無電解ニッケルめっきで得るめっき方法もある。例えば、めっき浴に、塩化ニッケル、還元剤（例えばヒドラジン）、錯化剤（例えばグリシン）、緩衝剤（例えばホウ酸）を使用する。そのめっき浴温度を６０℃〜９０℃、ＰＨ１０〜ＰＨ１２に保ち、上記枠部６１の高さによって数十分〜数時間のめっきを行う。この黒色無電解ニッケルめっきは、例えば特開２０００−３２８３３５号公報等に開示されている。なお、毒劇物取締り法の対象物であるヒドラジンの取り扱いには安全および環境への十分な注意を要する。
【００５０】
上記各種黒色めっきは、バンプ部３７を構成する金属以上の融点をもつ黒色金属であれば上記以外の金属を用いることもできる。
【００５１】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図３（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百
μｍ程度が好ましい。
【００５２】
また、上記枠部６１が形成されるときには、バンプ部３７上は第２レジスト膜４３で被覆されているので、バンプ部３７同士が接続されることはない。
【００５３】
次に、図２および図５（８）に示すように、「レジスト膜剥離工程（１）」Ｓ１０によって、上記第２レジスト膜４３（前記図４（６）参照）を除去する。
次いで「レジスト膜剥離工程（２）」Ｓ１１によって、上記第１レジスト膜４１（前記図４（６）参照）を除去する。
【００５４】
次に、図２および図５（８）に示すように、「エッチング工程」Ｓ１２によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。なお、バンプ部３７および枠部６１の下部には上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５が残されている。
次に、上記バンプ部３７のリフロー処理が必要な場合には、「リフロー処理工程」Ｓ１３によって、バンプ部３７のはんだ部３９のリフロー温度に加熱して、はんだ部３９をリフローする。この時、枠部６１はバンプ部３７のリフロー温度より高い融点を有しているので枠部６１に形状変化は生じない。
なお、上記リフロー処理は、通常のはんだリフロー温度で行う。リフロー処理の温度が上記枠部６１に影響を及ぼす場合には、上記枠部６１を形成する前に、（上記第１レジスト膜４１を除去し）上記リフロー処理を行うとよい。これは、上記はんだ部３９が低温はんだの場合、柔らかいので、レジスト塗布時にはんだ部３９の形の崩れが懸念されるためである。
【００５５】
次に、図２および図５（９）に示すように、「シール板貼り付け工程」Ｓ１４によって、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１等で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【００５６】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００５７】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【００５８】
以下、図２に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５、「接合工程」Ｓ１６、「封止・硬化工程」Ｓ１７の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１８で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【００５９】
上記第１実施形態の固体撮像装置１の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【００６０】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第２実施形態）を、図６のフローチャートおよび図７〜図９の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図７（２）〜図９までは、固体撮像素子の図示を省略した。
【００６１】
図６および図７（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等を形成する。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成される。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成される。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、３４が形成される。
【００６２】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。また、必要に応じて、逆スパッタ法によって上記パッド部表面に形成された酸化膜の除去を行う。
次いで、「レジスト膜形成工程（１）」Ｓ３によって、上記基板１１上に、第１レジスト膜４１として感光性レジスト膜を形成する。この感光性レジスト膜４１はポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記第１レジスト膜４１は、通常の塗布方法によって形成される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記第１レジスト膜４１に対してプリベークを行う。上記感光性レジスト膜４１は、例えば、後に形成されるバンプの高さを考慮して数十μｍ程度とする。
【００６３】
次に、図６および図７（２）に示すように、「バンプ部上の露光工程」Ｓ４によって、上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合（図示した場合）には、上記パッド部３１上のバンプが形成される領域を露光する。ネガ型の場合には、上記パッド部３１上を除く領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９１は、上記第１レジスト膜４１がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。
【００６４】
次に、図６および図７（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記パッド部３１（３１−１、３１−２）上の上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２（４２−１、４２−２）が形成される。
【００６５】
次に、図６および図８（４）に示すように、「バンプ部めっき工程」Ｓ６によって、上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２内部の上記めっきシード層３６上にバンプ部３７を形成する。このバンプ部３７は、例えば電解めっき方法によって形成され、例えば、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とで形成される。このとき、上記めっきシード層３６は給電層として用いている。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成され、例えばニッケル電解めっきにより形成される。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムの電気めっき法により形成される。
ここでは、上記固体撮像素子２１（前記図７（１）参照）の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムを選定した。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定した。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【００６６】
次に、図６および図８（５）に示すように、「レジスト膜形成工程（２）」Ｓ７によって、上記第１レジスト膜４１に形成された第１開口部４２から露出する上記各はんだ部３９を被覆するように、上記感光性レジスト膜４１上に、第２レジスト膜４５としてソルダーレジスト膜を形成する。上記ソルダーレジスト膜は、感光性を有するソルダーレジストであり、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第２レジスト膜４５を形成した後、上記第２レジスト膜４５に対してプリベークを行う。
【００６７】
次に、図６および図８（６）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ８によって、上記枠部形成用のパッド部３２上の上記第２レジスト膜４５および上記第１レジスト膜４１に露光を行う。露光には、上記第２レジスト膜４５および上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９２を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記第２レジスト膜４５および上記第１レジスト膜４１がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【００６８】
次に、図６および図９（７）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ９によって、露光後の上記第２レジスト膜４５および上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、枠部が形成される上記第２レジスト膜４５および上記第１レジスト膜４１の部分に第２開口部４６が形成される。
上記第２開口部４６は、固体撮像素子２１（前記図７（１）参照）の周縁部に形成される。
【００６９】
次に、図６および図９（８）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ９によって、上記第２開口部４６の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記第２開口部４６の内部に露出する上記枠部形成用のパッド部３２上に形成されているバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成する。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【００７０】
本実施形態で用いる上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、上記第１実施形態で説明したのと同様に、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【００７１】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図７（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百
μｍ程度が好ましい。
【００７２】
また、上記枠部６１が形成されるときには、バンプ部３７上は第２レジスト膜４５で被覆されているので、バンプ部３７同士が接続されることはない。
【００７３】
次に、図６および図９（９）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ１１によって、上記第２レジスト膜４５（前記図９（７）参照）を除去する。次いで上記第１レジスト膜４１（前記図９（７）参照）を除去する。
【００７４】
次に、「エッチング工程」Ｓ１２によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
次に、上記バンプ部３７のリフロー処理が必要な場合には、「リフロー処理工程」Ｓ１３によって、バンプ部３７のはんだ部３９のリフロー温度に加熱して、はんだ部３９をリフローする。この時、枠部６１はバンプ部３７のリフロー温度より高い融点を有しているので枠部６１に形状変化は生じない。
なお、上記リフロー処理は、通常のはんだリフロー温度で行う。リフロー処理の温度が上記枠部６１に影響を及ぼす場合には、上記枠部６１を形成する前に、上記リフロー処理を行うとよい。これは、上記はんだ部３９が低温はんだの場合、柔らかいので、レジスト塗布時にはんだ部３９の形の崩れが懸念されるためである。
【００７５】
次に、前記図５（９）によって説明したのと同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ１４によって、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【００７６】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００７７】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【００７８】
以下、図６に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５、「接合工程」Ｓ１６、「封止・硬化工程」Ｓ１７の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１８で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【００７９】
上記第２実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成されることから、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。
また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【００８０】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を、図１０のフローチャートおよび図１１〜図１４の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図１１（２）〜図１４までは、固体撮像素子の図示を省略した。
【００８１】
図１０および図１１（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等を形成する。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成される。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成される。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、３４が形成される。
【００８２】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。また、必要に応じて、逆スパッタ法によって上記パッド部表面に形成された酸化膜の除去を行う。
次いで、「レジスト膜形成工程（１）」Ｓ３によって、上記基板１１上に、第１レジスト膜４１として感光性レジスト膜を形成する。この感光性レジスト膜はポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記第１レジスト膜４１は、通常の塗布方法によって形成される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記第１レジスト膜４１に対してプリベークを行う。上記第１レジスト膜４１は、例えば、後に形成されるバンプの高さを考慮して数十μｍ程度とする。
【００８３】
次に、図１０および図１１（２）に示すように、「バンプ部上の露光工程」Ｓ４によって、上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合（図示した場合）には、上記パッド部３１上のバンプが形成される領域を露光する。ネガ型の場合には、上記パッド部３１上を除く領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９１は、上記第１レジスト膜４１がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。
【００８４】
次に、図１０および図１１（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記パッド部３１（３１−１、３１−２）上の上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２（４２−１、４２−２）が形成される。
【００８５】
次に、図１０および図１２（４）に示すように、「バンプ部めっき工程」Ｓ６によって、上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２内部の上記めっきシード層３６上にバンプ部３７を形成する。このバンプ部３７は、例えば電解めっき方法によって形成され、例えば、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とで形成される。このとき、上記めっきシード層３６は給電層として用いている。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成され、例えばニッケル電解めっきにより形成される。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムの電気めっき法により形成される。
ここでは、上記固体撮像素子２１（前記図１１（１）参照）の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムを選定した。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定した。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【００８６】
次に、図１０および図１２（５）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ７によって、上記第１レジスト膜４１（前記図１１（３）参照）を除去する。図面では第１レジスト膜４１を除去した後の状態を示した。
【００８７】
次に、図１０および図１３（６）に示すように、「レジスト膜形成工程（２）」Ｓ８によって、上記各バンプ部３７を被覆するように、上記めっきシード層３６上に、第２レジスト膜４５としてソルダーレジスト膜を形成する。上記ソルダーレジスト膜は、感光性を有するソルダーレジストであり、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第２レジスト膜４５を形成した後、上記第２レジスト膜４５に対してプリベークを行う。
【００８８】
次に、図１０および図１３（７）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ９によって、上記枠部形成用のパッド部３２上の上記第２レジスト膜４５に露光を行う。露光には、上記第２レジスト膜４５がポジ型の場合には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９２を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記第２レジスト膜４５がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【００８９】
次に、図１０および図１３（８）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ１０によって、露光後の上記第２レジスト膜４５を現像する。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、枠部が形成される上記第２レジスト膜４５に第２開口部４６が形成される。
上記第２開口部４６は、固体撮像素子２１（前記図１１（１）参照）の周縁部に形成される。
【００９０】
次に、図１０および図１４（９）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ１１によって、上記第２開口部４６の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記第２開口部４６の内部に露出する上記枠部形成用のパッド部３２上に形成されているバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成する。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【００９１】
上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、前記第１実施形態で説明したのと同様に、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【００９２】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図１１（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百
μｍ程度が好ましい。
【００９３】
また、上記枠部６１が形成されるときには、バンプ部３７上は第２レジスト膜４５で被覆されているので、バンプ部３７同士が接続されることはない。
【００９４】
次に、図１０および図１４（１０）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ１１によって、上記第２レジスト膜４５（前記図１３（８）参照）を除去する。
【００９５】
次に、「エッチング工程」Ｓ１３によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
次に、上記バンプ部３７のリフロー処理が必要な場合には、「リフロー処理工程」Ｓ１４によって、バンプ部３７のはんだ部３９のリフロー温度に加熱して、はんだ部３９をリフローする。この時、枠部６１はバンプ部３７のリフロー温度より高い融点を有しているので枠部６１に形状変化は生じない。
なお、上記リフロー処理は、通常のはんだリフロー温度で行う。リフロー処理の温度が上記枠部６１に影響を及ぼす場合には、上記枠部６１を形成する前に、上記リフロー処理を行うとよい。これは、上記はんだ部３９が低温はんだの場合、柔らかいので、レジスト塗布時にはんだ部３９の形の崩れが懸念されるためである。
【００９６】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ１５を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【００９７】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００９８】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【００９９】
以下、図６に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１６、「接合工程」Ｓ１７、「封止・硬化工程」Ｓ１８の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１９で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０１００】
上記第３実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり、反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０１０１】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を、図１５のフローチャートおよび図１６〜図１９の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図１６（２）〜図１９までは、固体撮像素子の図示を省略した。
【０１０２】
図１５および図１６（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等を形成する。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成される。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成される。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、３４が形成される。
【０１０３】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。また、必要に応じて、逆スパッタ法によって上記パッド部表面に形成された酸化膜の除去を行う。
次いで、「レジスト膜形成工程（１）」Ｓ３によって、上記基板１１上に、第１レジスト膜４１として感光性レジスト膜を形成する。この感光性レジスト膜はポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記第１レジスト膜４１は、通常の塗布方法によって形成される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記第１レジスト膜４１に対してプリベークを行う。
【０１０４】
次に、図１５および図１６（２）に示すように、「バンプ部上の露光工程（１）」Ｓ４によって、上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合（図示した場合）には、上記パッド部３１、３２上のバンプおよび枠部が形成される領域を露光する。ネガ型の場合には、上記パッド部３１、３２上を除く領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９３は、上記第１レジスト膜４１がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記感光性レジスト膜４１に対してプリベークを行う。上記感光性レジスト膜４１は、例えば、後に形成されるバンプの高さを考慮して数十μｍ程度とする。
【０１０５】
次に、図１５および図１６（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記パッド部３１（３１−１、３１−２）上および上記パッド部３２上の上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２（４２−１、４２−２）、第２開口部４７が形成される。
【０１０６】
次に、図１５および図１７（４）に示すように、「レジスト膜形成工程（２）」Ｓ６によって、上記各第１開口部４２、第２開口部４７を埋め込むように、上記第１レジスト膜４１上に、第２レジスト膜４８としてソルダーレジスト膜を形成する。上記ソルダーレジスト膜は、感光性を有するソルダーレジストであり、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第２レジスト膜４８を形成した後、上記第２レジスト膜４８に対してプリベークを行う。
【０１０７】
次に、図１５および図１７（５）に示すように、「バンプ部上の露光（２）工程」Ｓ７によって、上記第２レジスト膜４８の上記パッド部３１上のバンプが形成される領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９４は、上記第２レジスト膜４８がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。
【０１０８】
次に、図１５および図１７（６）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ８によって、露光後の上記第２レジスト膜４８を現像する。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、枠部が形成される上記第２レジスト膜４８および上記第１レジスト膜４１に第３開口部４９が形成される。この第３開口部４９は、上記第１開口部４２が形成された位置に形成される。
【０１０９】
次に、「バンプ部めっき工程」Ｓ９によって、上記第３開口部４９（第１開口部４２）内部の上記めっきシード層３６上にバンプ部３７を形成する。このバンプ部３７は、例えば電解めっき方法によって形成され、例えば、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とで形成される。このとき、上記めっきシード層３６は給電層として用いている。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成され、例えばニッケル電解めっきにより形成される。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムの電気めっき法により形成される。また、上記バンプ部３７は、互いが接続しないように、例えば上記第１レジスト膜４１と同等な高さとする。
ここでは、上記固体撮像素子２１（前記図１６（１）参照）の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムを選定した。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定した。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【０１１０】
その後、図１５および図１８（７）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ１０によって、上記第２レジスト膜４８（前記図１７（６）参照）を除去する。図面では第２レジスト膜４８を除去した後の状態を示した。ここで、再び上記第２開口部４７が開口する。
【０１１１】
次に、図１５および図１８（８）に示すように、「レジスト膜形成（３）工程」Ｓ１１によって、上記第１レジスト膜４１に形成された第１開口部４２から露出する上記各はんだ部３９を被覆するように、また、第２開口部４７を埋め込むように、上記第１レジスト膜４１上に、第３レジスト膜５０を形成する。上記第３レジスト膜５０は、感光性を有するソルダーレジストであり、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第３レジスト膜５０を形成した後、上記第３レジスト膜５０に対してプリベークを行う。
【０１１２】
次に、図１５および図１８（９）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ１２によって、上記枠部形成用のパッド部３２上の上記第３レジスト膜５０に露光を行う。露光には、上記第３レジスト膜５０がポジ型の場合には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９５を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記第３レジスト膜５０がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【０１１３】
次に、図１５および図１９（１０）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ１３によって、露光後の上記第３レジスト膜５０を現像する。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、枠部が形成される上記第３レジスト膜５０に第４開口部５１が形成される。このとき、第２開口部４７に埋め込まれていた第３レジスト膜５０も現像によって除去されるので、第２開口部４７も再び形成される。以下、第２開口部４７を合わせて第４開口部５１とする。
上記第４開口部５１は、固体撮像素子２１（前記図１６（１）参照）の周縁部に形成される。
【０１１４】
次に、図１５および図１９（１１）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ１４によって、上記第４開口部５１の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記第４開口部５１の内部に露出する上記枠部形成用のパッド部３２上に形成されているバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成する。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０１１５】
上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、前記第１実施形態で説明したのと同様に、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【０１１６】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図１６（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百
μｍ程度が好ましい。
【０１１７】
また、上記枠部６１が形成されるときには、バンプ部３７上は第３レジスト膜５０で被覆されているので、バンプ部３７同士が接続されることはない。
【０１１８】
次に、図１５および図１９（１２）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ１５によって、上記第３レジスト膜５０および上記第１レジスト膜４１（前記図１８（８）参照）を除去する。
【０１１９】
次に、「エッチング工程」Ｓ１６によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
次に、上記バンプ部３７のリフロー処理が必要な場合には、「リフロー処理工程」Ｓ１７によって、バンプ部３７のはんだ部３９のリフロー温度に加熱して、はんだ部３９をリフローする。この時、枠部６１はバンプ部３７のリフロー温度より高い融点を有しているので枠部６１に形状変化は生じない。
なお、上記リフロー処理は、通常のはんだリフロー温度で行う。リフロー処理の温度が上記枠部６１に影響を及ぼす場合には、上記枠部６１を形成する前に、上記リフロー処理を行うとよい。これは、上記はんだ部３９が低温はんだの場合、柔らかいので、レジスト塗布時にはんだ部３９の形の崩れが懸念されるためである。
【０１２０】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ１８を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有するも板で形成され、そのような光透過性を有するも板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０１２１】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０１２２】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０１２３】
以下、図１５に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１９、「接合工程」Ｓ２０、「封止・硬化工程」Ｓ２１の通常の工程を行って、「終了」Ｓ２２で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０１２４】
なお、上記第４実施形態の製造方法において、第２レジスト膜４３をバンプ部３７上に薄く残しておき、第１レジスト膜４１を除去するときに上記残した第２レジスト膜４３を除去してもよい。
【０１２５】
上記第４実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０１２６】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を、図２０のフローチャートおよび図２１〜図２４の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図２１（２）〜図２４までは、固体撮像素子の図示を省略した。
【０１２７】
図２０および図２１（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）、バンプ形成用のパッド部３１（以下、パッド部３１と記す）、枠部形成用のパッド部３２（以下、パッド部３２と記す）等を形成する。上記パッド部３２は、上記固体撮像素子２１の周縁部を囲むように形成される。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記パッド部３１（３１−１、３１−２）、３２を含む各パッド部は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金もしくは通常のパッド部を形成する金属材料で形成される。
上記基板１１上には、上記各パッド部３１、３２、周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。そして各パッド部３１、３２上に開口部３３（３３−１、３３−２）、３４が形成される。
【０１２８】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。また、必要に応じて、逆スパッタ法によって上記パッド部表面に形成された酸化膜の除去を行う。
次いで、「レジスト膜形成工程（１）」Ｓ３によって、上記基板１１上に、第１レジスト膜４１として感光性レジスト膜を形成する。この感光性レジスト膜はポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記第１レジスト膜４１は、通常の塗布方法によって形成される。
【０１２９】
次に、図２０および図２１（２）に示すように、「バンプ部上の露光工程（１）」Ｓ４によって、上記第１レジスト膜４１がポジ型の場合（図示した場合）には、上記パッド部３１上のバンプが形成される領域を露光する。ネガ型の場合には、上記パッド部３１上を除く領域を露光する。この露光に用いる露光マスク９１は、上記第１レジスト膜４１がポジ型かネガ型かに合わせて選択される。上記第１レジスト膜４１を形成した後、上記第１レジスト膜４１に対してプリベークを行う。上記第１レジスト膜４１は、例えば、後に形成されるバンプの高さを考慮して数十μｍ程度とする。
【０１３０】
次に、図２０および図２１（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記第１レジスト膜４１に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記パッド部３１（３１−１、３１−２）上の上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２（４２−１、４２−２）が形成される。
【０１３１】
次に、図２０および図２２（４）に示すように、「バンプ部めっき工程」Ｓ６によって、上記第１レジスト膜４１に第１開口部４２内部の上記めっきシード層３６上にバンプ部３７を形成する。このバンプ部３７は、例えば電解めっき方法によって形成され、例えば、下地層３８と、この下地層３８上に形成されたはんだ部３９とで形成される。このとき、上記めっきシード層３６は給電層として用いている。上記下地層３８は、例えばニッケルで形成され、例えばニッケル電解めっきにより形成される。また上記はんだ部３９は、例えばインジウムの電気めっき法により形成される。
ここでは、上記固体撮像素子２１（前記図２１（１）参照）の耐熱性や、その後の接続荷重によるデバイスダメージを考慮してインジウムを選定した。またインジウムとの金属間化合物を考慮して形成速度が遅いニッケルを下地層３８として選定した。上記はんだ部３９には、固体撮像素子２１に影響を与えない融点１８０℃以下の他の低融点はんだを使用することも可能である。
【０１３２】
次に、図２０および図２２（５）に示すように、「レジスト膜形成工程（２）」Ｓ７によって、上記第１レジスト膜４１に形成された第１開口部４２から露出する上記はんだ部３９を被覆するように、上記第１レジスト膜４１上に、第２レジスト膜４３としてソルダーレジスト膜を形成する。上記ソルダーレジスト膜は、前記第１実施形態の製造方法の第２レジスト膜（ソルダーレジスト膜）４３よりも厚く形成され、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。上記第２レジスト膜４３を形成した後、上記第２レジスト膜４３に対してプリベークを行う。
【０１３３】
次に、図２０および図２２（６）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ８によって、上記枠部形成用のパッド部３２上の上記第１レジスト膜４１および上記第２レジスト膜４３に露光を行う。露光には、上記第１レジスト膜４１および上記第２レジスト膜４３がポジ型の場合には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９２を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記第１レジスト膜４１および上記第２レジスト膜４３がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【０１３４】
次に、図２０および図２３（７）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ９によって、露光後の上記第２レジスト膜４３および上記第１レジスト膜４１を現像する。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、枠部が形成される上記第２レジスト膜４３および上記第１レジスト膜４１に第２開口部４４が形成される。
【０１３５】
次に、図２０および図２３（８）に示すように、「枠部形成工程（１）」Ｓ１０によって、上記第２開口部４４の内部に枠部６２を形成する。
上記枠部６２は、上記第２開口部４４の内部に露出する上記枠部形成用のパッド部３２上に形成されているバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、金属めっきにより形成する。
【０１３６】
上記金属めっきには、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっき等を用いる。
【０１３７】
また、上記枠部６２が形成されるときには、バンプ部３７上は第２レジスト膜４３で被覆されているので、バンプ部３７同士が接続されることはない。
【０１３８】
次に、図２０および図２４（９）に示すように、「レジスト膜剥離工程（１）」Ｓ１１によって、上記第２レジスト膜４３（前記図２３（７）参照）を除去する。その結果、第１レジスト膜４１が露出する。
【０１３９】
次に、図２０および図２４（１０）に示すように、「枠部形成工程（２）」Ｓ１２によって、上記枠部６２の表面を黒色化する。
黒色化の方法は、前記第１実施形態で説明したように、黒色めっきを用いる。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０１４０】
この黒色めっきには、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等がある。
【０１４１】
例えば、無電解ニッケルめっきで形成した枠部６２に対して黒色無電解ニッケルめっきによる化成処理を行うことによって、上記枠部６２の表面に黒色めっき皮膜を形成し、枠部６２表面を黒色化する。
この方法では、枠部６２を形成する無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキで寸法精度と耐食性を保証し、化成処理で真っ黒な無反射の被膜を作製する。真黒・無反射・耐食性・寸法精度を要求する用途には、この処理方法が推奨される。また、色ムラもなく全面均一な黒色皮膜となる。
【０１４２】
黒色無電解ニッケルめっきの原理は、無電解ニッケルの表面にあるリンを薬品で溶解し、表面に黒い酸化物の細かい針状結晶を作製する。
このＮｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層は化学的に安定であり、外観は漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
この黒色皮膜は、ニッケルのリン酸塩化合物であり、アルカリや塩素イオンを含む中性塩溶液にも、優れた耐食性を示す。例えば、表面から数μｍの深さまでニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の共存領域が認められる。
耐食性は黒色皮膜の中で、最も強い皮膜となっており、ビッカース硬度Ｈｖが４００〜５００を有し、対摩耗性も良好である。
耐熱性は高く、７００℃でも退色が見られない。
また無光沢のものは、光の反射率が非常に低い。例えば波長が７８５ｎｍの光の場合、０．１％の反射率である。
上記黒色皮膜は、ニッケル（Ｎｉ）：リン（Ｐ）＝９５：５の比率で析出する。
【０１４３】
上記無電解ニッケルめっきは、めっき液に入れる還元剤の種類によって皮膜が変わってくる。黒色無電解ニッケルめっきについては、純ニッケル（Ｎｉ）皮膜が得られるヒドラジンを還元剤とするめっきプロセスや、次亜リン酸ナトリウムや水素化ホウ素ナトリウムを還元剤として使用するめっき法、チタンレドックス無電解めっき法（大和化成・住友電気工業）等がある。
【０１４４】
枠部６２は、上記ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の金属、もしくはそれらの合金で形成した後、黒色無電解ニッケルめっきによる黒色皮膜を形成することができる。
【０１４５】
また、上記枠部６２は、固体撮像素子２１（前記図２１（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６２の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６２の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６２の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６２の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【０１４６】
次に、「レジスト膜剥離工程（２）」Ｓ１３によって、上記第１レジスト膜４１（前記図２４（９）参照）を除去する。
【０１４７】
次に、「エッチング工程」Ｓ１４によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
次に、上記バンプ部３７のリフロー処理が必要な場合には、「リフロー処理工程」Ｓ１５によって、バンプ部３７のはんだ部３９のリフロー温度に加熱して、はんだ部３９をリフローする。この時、枠部６１はバンプ部３７のリフロー温度より高い融点を有しているので枠部６１に形状変化は生じない。
なお、上記リフロー処理は、通常のはんだリフロー温度で行う。リフロー処理の温度が上記枠部６１に影響を及ぼす場合には、上記枠部６１を形成する前に、上記リフロー処理を行うとよい。これは、上記はんだ部３９が低温はんだの場合、柔らかいので、レジスト塗布時にはんだ部３９の形の崩れが懸念されるためである。
【０１４８】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ１８を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０１４９】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０１５０】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０１５１】
以下、図１５に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１７、「接合工程」Ｓ１８、「封止・硬化工程」Ｓ１９の通常の工程を行って、「終了」Ｓ２０で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０１５２】
上記第５実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６２を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６２での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６２の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６２を形成することから、この枠部６２によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０１５３】
上記第１実施形態の製造方法〜第５実施形態の製造方法では、バンプ３７と枠部６１を形成する製造方法を説明したが、バンプを作製せず、枠部のみ作製することもできる。以下、枠部のみ形成する製造方法について説明する。
【０１５４】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第６実施形態）を、図２５のフローチャートおよび図２６〜図２７の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図２６（２）以降は、固体撮像素子の図示を省略した。
【０１５５】
図２５および図２６（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）等を形成する。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記基板１１上には、上記周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。
【０１５６】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。
次いで、「レジスト膜形成工程」Ｓ３によって、上記基板１１上に、レジスト膜としてソルダーレジスト膜５２を形成する。上記ソルダーレジスト膜５２は、通常の塗布方法によって形成される。上記ソルダーレジスト膜５２を形成した後、上記ソルダーレジスト膜５２に対してプリベークを行う。上記ソルダーレジスト膜５２は、例えば、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。
【０１５７】
次に、図２５および図２６（２）に示すように、「枠形成部へのレーザ光照射工程」Ｓ４によって、上記枠部を形成する領域の上記ソルダーレジスト膜５２に、レーザ光を照射して、開口部５３を形成する。すなわち、レーザ加工を行うことで、上記開口部５３が形成される。
上記レーザ光照射では、上記ソルダーレジスト膜５２の耐熱性を確認して照射条件を選定するとともに、上記レーザ光照射時に上記ソルダーレジスト膜５２の底面まで開口部５３が形成されるように照射条件を調整する。上記開口部５３は、固体撮像素子２１（前記図２６（１）参照）の周縁部に形成される。
【０１５８】
上記レーザ光照射では、例えば炭酸ガスレーザ加工装置（波長１０．６μｍ前後、出力はレジスト種類によって最適化する）を用いて、直接開口部５３を形成する加工を行う。
もしくは、上記ソルダーレジスト膜５２に感光性のソルダーレジストを用い、レーザ光を露光光源として、上記ソルダーレジスト膜５２を露光した後、現像、必要に応じてポストベークを行って、上記開口部５３を形成してもよい。
また、上記開口部５３の幅に応じて、照射に用いるレーザ光の発振波長が選択され、その発振波長を発振するレーザ照射装置が選択される。例えば、炭酸ガスレーザ照射装置（発振波長が１０．６μｍ）、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ照射装置（発振波長が１．０６４μｍ）等を用いることができる。もちろん、そのほかの発振波長を有するレーザ照射装置を用いることも可能である。
【０１５９】
次に、図２５および図２７（３）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ５によって、上記開口部５３の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記開口部５３の内部に露出するバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成する。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０１６０】
本実施形態で用いる上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、上記第１実施形態で説明したのと同様に、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【０１６１】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図２６（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【０１６２】
次に、図２５および図２７（４）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ６によって、上記ソルダーレジスト膜５２（前記図２６（２）参照）を除去する。
【０１６３】
次に、「エッチング工程」Ｓ７によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。なお、枠部６１の下部には上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５が残されている。
【０１６４】
次に、図示はしないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様に、「シール板貼り付け工程」Ｓ８によって、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１等で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０１６５】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０１６６】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０１６７】
以下、図２５に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ９、「接合工程」Ｓ１０、「封止・硬化工程」Ｓ１１の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１２で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０１６８】
上記第６実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０１６９】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第７実施形態）を、図２８のフローチャートおよび図２９〜図３０の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図２９（２）以降は、固体撮像素子の図示を省略した。
【０１７０】
図２８および図２９（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）等を形成する。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記基板１１上には、上記周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。
【０１７１】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。
次いで、「レジスト膜形成工程」Ｓ３によって、上記基板１１上に、レジスト膜としてソルダーレジスト膜５２を形成する。上記ソルダーレジスト膜５２は、通常の塗布方法によって形成される。上記ソルダーレジスト膜５２を形成した後、上記ソルダーレジスト膜５２に対してプリベークを行う。上記ソルダーレジスト膜５２は、例えば、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。
【０１７２】
次に、図２８および図２９（２）に示すように、「枠形成部へのレーザ光照射工程」Ｓ４によって、上記枠部を形成する領域の上記ソルダーレジスト膜５２に、レーザ光を照射して、開口部５３を形成する。すなわち、レーザ加工を行うことで、上記開口部５３が形成される。
上記レーザ光照射では、上記ソルダーレジスト膜５２の耐熱性を確認して照射条件を選定するとともに、上記レーザ光照射時に上記ソルダーレジスト膜５２の底面まで開口部５３が形成されるように照射条件を調整する。上記開口部５３は、固体撮像素子２１（前記図２８（１）参照）の周縁部に形成される。
【０１７３】
上記レーザ光照射では、例えば炭酸ガスレーザ加工装置（波長１０．６μｍ前後、出力はレジスト種類によって最適化する）を用いて、直接開口部５３を形成する加工を行う。
もしくは、上記ソルダーレジスト膜５２に感光性のソルダーレジストを用い、レーザ光を露光光源として、上記ソルダーレジスト膜５２を露光した後、現像、必要に応じてポストベークを行って、上記開口部５３を形成してもよい。
また、上記開口部５３の幅に応じて、照射に用いるレーザ光の発振波長が選択され、その発振波長を発振するレーザ照射装置が選択される。例えば、炭酸ガスレーザ照射装置（発振波長が１０．６μｍ）、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ照射装置（発振波長が１．０６４μｍ）等を用いることができる。もちろん、そのほかの発振波長を有するレーザ照射装置を用いることも可能である。
【０１７４】
次に、図２８および図２９（３）に示すように、「枠部形成工程）（１）」Ｓ５によって、上記開口部５３の内部に枠部６２を形成する。
上記枠部６２は、上記開口部５３の内部に露出するめっきシード層３６上に、金属めっきにより形成する。
【０１７５】
上記金属めっきには、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっき等を用いる。
【０１７６】
次に、図２８および図３０（４）に示すように、「レジスト膜剥離工程（１）」Ｓ６によって、上記ソルダーレジスト膜５２（前記図２９（２）参照）を除去する。
【０１７７】
次に、図２８および図３０（５）に示すように、「枠部形成工程（２）」Ｓ７によって、上記枠部６２の表面を黒色化する。
黒色化の方法は、前記第１実施形態で説明したように、黒色めっきを用いる。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０１７８】
この黒色めっきには、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等がある。
【０１７９】
例えば、無電解ニッケルめっきで形成した枠部６２に対して黒色無電解ニッケルめっきによる化成処理を行うことによって、上記枠部６２の表面に黒色めっき皮膜を形成し、枠部６２表面を黒色化する。
この方法では、枠部６２を形成する無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキで寸法精度と耐食性を保証し、化成処理で真っ黒な無反射の被膜を作製する。真黒・無反射・耐食性・寸法精度を要求する用途には、この処理方法が推奨される。また、色ムラもなく全面均一な黒色皮膜となる。
【０１８０】
黒色無電解ニッケルめっきの原理は、無電解ニッケルの表面にあるリンを薬品で溶解し、表面に黒い酸化物の細かい針状結晶を作製する。
このＮｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層は化学的に安定であり、外観は漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
この黒色皮膜は、ニッケルのリン酸塩化合物であり、アルカリや塩素イオンを含む中性塩溶液にも、優れた耐食性を示す。例えば、表面から数μｍの深さまでニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の共存領域が認められる。
耐食性は黒色皮膜の中で、最も強い皮膜となっており、ビッカース硬度Ｈｖが４００〜５００を有し、対摩耗性も良好である。
耐熱性は高く、７００℃でも退色が見られない。
また無光沢のものは、光の反射率が非常に低い。例えば波長が７８５ｎｍの光の場合、０．１％の反射率である。
上記黒色皮膜は、ニッケル（Ｎｉ）：リン（Ｐ）＝９５：５の比率で析出する。
【０１８１】
上記無電解ニッケルめっきは、めっき液に入れる還元剤の種類によって皮膜が変わってくる。黒色無電解ニッケルめっきについては、純ニッケル（Ｎｉ）皮膜が得られるヒドラジンを還元剤とするめっきプロセスや、次亜リン酸ナトリウムや水素化ホウ素ナトリウムを還元剤として使用するめっき法、チタンレドックス無電解めっき法（大和化成・住友電気工業）等がある。
【０１８２】
枠部６２は、上記ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の金属、もしくはそれらの合金で形成した後、黒色無電解ニッケルめっきによる黒色皮膜を形成することができる。
【０１８３】
また、上記枠部６２は、固体撮像素子２１（前記図２９（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６２の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６２の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６２の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【０１８４】
次に、「エッチング工程」Ｓ８によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
【０１８５】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ９を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０１８６】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０１８７】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０１８８】
以下、図２８に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１０、「接合工程」Ｓ１１、「封止・硬化工程」Ｓ１２の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１３で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０１８９】
上記第７実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６２を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６２での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６２の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６２を形成することから、この枠部６２によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０１９０】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第８実施形態）を、図３１のフローチャートおよび図３２〜図３３の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図３２（２）以降は、固体撮像素子の図示を省略した。
【０１９１】
図３１および図３２（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）等を形成する。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記基板１１上には、上記周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。
【０１９２】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。
次いで、「レジスト膜形成工程」Ｓ３によって、上記基板１１上に、レジスト膜としてソルダーレジスト膜５２を形成する。このソルダーレジスト膜５２は感光性のソルダーレジストであり、ポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記ソルダーレジスト膜５２は、通常の塗布方法によって形成される。上記ソルダーレジスト膜５２を形成した後、上記ソルダーレジスト膜５２に対してプリベークを行う。上記ソルダーレジスト膜５２は、例えば、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。
【０１９３】
次に、図３１および図３２（２）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ４を行う。露光には、上記ソルダーレジスト膜５２がポジ型の場合（図示した場合）には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９２を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記ソルダーレジスト膜５２がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【０１９４】
次に、図３１および図３２（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記ソルダーレジスト膜５２に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記ソルダーレジスト膜５２の上記枠部を形成する領域にに開口部５３が形成される。
上記開口部５３は、固体撮像素子２１（前記図３２（１）参照）の周縁部に形成される。
【０１９５】
次に、図３１および図３３（４）に示すように、「枠部形成工程」Ｓ６によって、上記開口部５３の内部に枠部６１を形成する。
上記枠部６１は、上記開口部５３の内部に露出するバリアメタル層３５上のめっきシード層３６に、黒色めっきにより形成される。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０１９６】
本実施形態で用いる上記黒色めっきには、黒色ニッケルめっき、黒色クロムめっき等数種類のめっきがある。今回は分光特性・安全性等を考慮して、上記第１実施形態で説明したのと同様に、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等を用いる。
【０１９７】
また、上記枠部６１は、固体撮像素子２１（前記図３２（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６１の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６１の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６１の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【０１９８】
次に、図３１および図３３（５）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ７によって、上記ソルダーレジスト膜５２（前記図３２（３）参照）を除去する。
【０１９９】
次に、「エッチング工程」Ｓ８によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
【０２００】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ９を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０２０１】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０２０２】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０２０３】
以下、図３１に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１０、「接合工程」Ｓ１１、「封止・硬化工程」Ｓ１２の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１３で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０２０４】
上記第８実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６１を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６１での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６１の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６１を形成することから、この枠部６１によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０２０５】
本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第９実施形態）を、図３４のフローチャートおよび図３５〜図３６の製造工程を示した模式的断面図によって説明する。なお、図３５（２）以降は、固体撮像素子の図示を省略した。
【０２０６】
図３４および図３５（１）に示すように、「基板表面に素子回路等の形成工程」Ｓ１によって、基板１１に固体撮像素子２１、その周辺回路（図示せず）等を形成する。また基板１１には、必要に応じてワイヤーボンド部（図示せず）が形成される。上記基板１１上には、上記周辺回路（図示せず）等を覆う絶縁膜１３が形成される。
【０２０７】
次に、「シード層形成工程」Ｓ２によって、上記基板１１上の全域に、スパッタ法によって、バリアメタル層３５、めっきシード層３６を順に形成する。例えば、バリアメタル層３５はチタン層で形成し、めっきシード層３６は、銅層で形成する。
次いで、「レジスト膜形成工程」Ｓ３によって、上記基板１１上に、レジスト膜としてソルダーレジスト膜５２を形成する。このソルダーレジスト膜５２は感光性のソルダーレジストであり、ポジ型であってもネガ型であっても構わない。また、上記ソルダーレジスト膜５２は、通常の塗布方法によって形成される。上記ソルダーレジスト膜５２を形成した後、上記ソルダーレジスト膜５２に対してプリベークを行う。上記ソルダーレジスト膜５２は、例えば、例えば数十μｍ〜数百μｍの厚さに形成する。
【０２０８】
次に、図３４および図３５（２）に示すように、「枠形成部への露光工程」Ｓ４を行う。露光には、上記ソルダーレジスト膜５２がポジ型の場合（図示した場合）には、枠部が形成される領域に光が照射される露光マスク９２を用い、光源には、例えばｇ線、ｉ線等の通常の露光光もしくはレーザ光等を用いる。上記ソルダーレジスト膜５２がネガ型の場合には、それに対応した露光マスクを用いる。
【０２０９】
次に、図３４および図３５（３）に示すように、「現像（ポストベーク）工程」Ｓ５によって、露光後の上記ソルダーレジスト膜５２に対し、現像を行う。また必要に応じてポストベークを行う。この結果、上記ソルダーレジスト膜５２の上記枠部を形成する領域にに開口部５３が形成される。
上記開口部５３は、固体撮像素子２１（前記図３２（１）参照）の周縁部に形成される。
【０２１０】
次に、図３４および図３６（４）に示すように、「枠部形成（１）工程）」Ｓ６によって、上記開口部５３の内部に枠部６２を形成する。
上記枠部６２は、上記開口部５３の内部に露出するめっきシード層３６上に、金属めっきにより形成する。
【０２１１】
上記金属めっきには、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっき等を用いる。
【０２１２】
次に、図３４および図３６（５）に示すように、「レジスト膜剥離工程」Ｓ７によって、上記ソルダーレジスト膜５２（前記図３５（３）参照）を除去する。図面ではソルダーレジスト膜５２を除去した後の状態を示した。
【０２１３】
次に、図３４および図３６（６）に示すように、「枠部形成（２）工程」Ｓ８によって、上記枠部６２の表面を黒色化する。
黒色化の方法は、前記第１実施形態で説明したように、黒色めっきを用いる。この黒色めっきの反射率は１０％以下になることが好ましい。
【０２１４】
この黒色めっきには、黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）、黒色無電解ニッケルめっき等がある。
【０２１５】
例えば、無電解ニッケルめっきで形成した枠部６２に対して黒色無電解ニッケルめっきによる化成処理を行うことによって、上記枠部６２の表面に黒色めっき皮膜を形成し、枠部６２表面を黒色化する。
この方法では、枠部６２を形成する無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキで寸法精度と耐食性を保証し、化成処理で真っ黒な無反射の被膜を作製する。真黒・無反射・耐食性・寸法精度を要求する用途には、この処理方法が推奨される。また、色ムラもなく全面均一な黒色皮膜となる。
【０２１６】
黒色無電解ニッケルめっきの原理は、無電解ニッケルの表面にあるリンを薬品で溶解し、表面に黒い酸化物の細かい針状結晶を作製する。
このＮｉ−Ｐ−Ｏの酸化皮膜層は化学的に安定であり、外観は漆黒で、下地の状態、例えば表面粗さ状態により光沢黒色、無光沢黒色が得られる。
この黒色皮膜は、ニッケルのリン酸塩化合物であり、アルカリや塩素イオンを含む中性塩溶液にも、優れた耐食性を示す。例えば、表面から数μｍの深さまでニッケル（Ｎｉ）とリン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の共存領域が認められる。
耐食性は黒色皮膜の中で、最も強い皮膜となっており、ビッカース硬度Ｈｖが４００〜５００を有し、対摩耗性も良好である。
耐熱性は高く、７００℃でも退色が見られない。
また無光沢のものは、光の反射率が非常に低い。例えば波長が７８５ｎｍの光の場合、０．１％の反射率である。
上記黒色皮膜は、ニッケル（Ｎｉ）：リン（Ｐ）＝９５：５の比率で析出する。
【０２１７】
上記無電解ニッケルめっきは、めっき液に入れる還元剤の種類によって皮膜が変わってくる。黒色無電解ニッケルめっきについては、純ニッケル（Ｎｉ）皮膜が得られるヒドラジンを還元剤とするめっきプロセスや、次亜リン酸ナトリウムや水素化ホウ素ナトリウムを還元剤として使用するめっき法、チタンレドックス無電解めっき法（大和化成・住友電気工業）等がある。
【０２１８】
枠部６２は、上記ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の金属、もしくはそれらの合金で形成した後、黒色無電解ニッケルめっきによる黒色皮膜を形成することができる。
【０２１９】
また、上記枠部６２は、固体撮像素子２１（前記図２９（１）参照）が形成されている基板１１上に搭載可能な幅で形成され、かつ固体撮像素子２１の有効画素に影響を及ぼさない範囲とする。固体撮像装置の場合、固体撮像素子２１に入射される斜め光の光路を遮光することがないように、上記枠部６１の形成位置および高さも考慮されて決定されることが好ましい。例えば、枠部６２の幅は数十μｍ〜数百μｍとする。なお、めっきでは１０μｍの幅に形成することが可能である。さらに、固体撮像素子２１の有効画素と上記パッド部３２間において有効画素に影響しないことを考慮すると、枠部６２の幅は例えば３００μｍが最大値となる。
また、上記枠部６２の高さは、目的・用途によるが、数μｍ〜数百μｍとする。実際は低背化のため低くしたいのではあるが、パーティクルの移りこみを緩和させるために数百μｍ程度が好ましい。
【０２２０】
次に、「エッチング工程」Ｓ９によって、上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５を順にエッチングによって除去する。なお、図面ではエッチング直前の状態を示した。上記めっきシード層３６、バリアメタル層３５の除去工程はウエットエッチング法で行う。
【０２２１】
次に、図示はしていないが、前記図５（９）によって説明した「シール板貼り付け工程」Ｓ１４と同様にして、「シール板貼り付け工程」Ｓ１０を行う。すなわち、上記枠部６１上に接着剤６５を介してシール板７１を貼り付け、基板１１に形成されている固体撮像素子２１を、基板１１、枠部６１、シール板７１で封止する。上記シール板７１は光透過性を有する板で形成され、そのような光透過性を有する板としては透明なガラス板、透明な樹脂板等がある。
上記接着剤６５は、上記枠部６１上、もしくはシール板７１上に、例えばディスペンスもしくは印刷もしくはパターニング等の方法にて塗布して形成する。この接着剤６５には、一例としては、紫外線硬化型のアクリル系樹脂接着剤、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着剤等を用いる。
また、接着剤６５を形成するときに、上記枠部６１上の凹凸を緩和し、上記基板１１の表面とシール板７１との間の平衡度を保つため、接着剤粘度等の樹脂特性、また貼付条件は適宜選択される。
上記接着剤６５のシール幅は枠幅による。また厚みは金属表面の凹凸が隠れる程度とする。
【０２２２】
上記シール板７１の貼り付けは、例えば紫外線照射で行う。例えば、上記シール板７１に例えば１５００ｇ〜２０００ｇの加重をかけて、上記接着剤６５に紫外線照射を照射する。このときの紫外線エネルギーは、例えば６０００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【０２２３】
その後、必要に応じて、上記接着剤６５のキュアを行う。例えば、１８０℃以下、数分〜数時間のキュアを行い、接着剤６５を硬化させる。
【０２２４】
以下、図３４に示すように、「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１１、「接合工程」Ｓ１２、「封止・硬化工程」Ｓ１３の通常の工程を行って、「終了」Ｓ１４で、固体撮像装置の製造工程が終了する。ここで、「シール板貼付工程」Ｓ１４と「裏面研削・研磨・洗浄工程」Ｓ１５は逆に行ってもよい。
【０２２５】
上記第９実施形態の固体撮像装置の製造方法では、枠部６２を表面が黒色の金属系材料で形成し硬度を増すことからあおりが抑制される。また、枠部６２での可視光線の反射率が１０％以下となり反射光の発生が防止されるので、固体撮像素子２１に発生していたゴースト、フレア等の発生が抑制される。また、金属系材料で形成することから、例えばめっきで形成することで、枠部６２の高さを稼ぐことができるので、シール板７１面でのパーティクル影響が少なくなる。
また、固体撮像素子２１の周縁部に枠部６２を形成することから、この枠部６２によって、バンプ部の封止樹脂が固体撮像素子２１側に流出するのが防止され、封止樹脂端の流路形状が均一化される。これによって、固体撮像素子２１の外部にある封止樹脂端がバラバラにならないので、反射光が固体撮像装置毎にバラツキを持たない様になる。
よって、固体撮像装置の品質を向上させることができるという利点がある。
【０２２６】
なお、上記実施形態の製造方法において、枠部６２の表面を黒色化する方法として、上記黒色無電解ニッケルめっきの他に、上記黒色スズ‐ニッケルめっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉめっき）、黒色スズ‐ニッケル−銅めっき（黒色Ｓｎ‐Ｎｉ‐Ｃｕめっき）で形成することができる。また、ニッケル黒めっき、黒色電着塗装、黒色アルマイト処理、スズ−ニッケル−銅めっき等を用いることも可能である。
上記黒色電着塗装は、電着塗装の塗料を高分子系（エポキシ系）にすることで、耐食性、汚染ガス発生を抑えることができる。しかし、イオン性不純物や、短波長（２５０ｎｍ）で塗料が分解される可能性があるために注意が必要となる。また、塗装温度は１８０度以下とすることが好ましい。
上記ニッケル黒めっきは、実際は濃いグレーに仕上がる。めっき皮膜は脆弱性を有するが無光沢皮膜が得られる。まためっきの厚さは、２μｍ以下とすることが好ましい。めっき皮膜が脆いため、コートまたはラッカー仕上げ等を行うことが好ましい。さらに光沢性や耐食性は下地に依存するので、下地処理として光沢ニッケルめっきや銅めっきを行うことが好ましい。
上記黒色アルマイト処理は、陽極酸化により黒色化できる。アルミニウム素材自身が溶解し被膜が生成するため、寸法公差の厳しいものは注意が必要となる。アルマイト皮膜は、原則的に膜厚の約５０％は外側に成長する。したがって、外側は原寸法より膜厚の半分程度が膨らむことを考慮する必要がある。またアルマイト皮膜は内側へも膜厚の半分程度浸透する。
【０２２７】
上記処理方法以外に黒色化処理もしくは反射防止処理として、気相蒸着法による反射防止膜、黒色ロジウムめっき、黒色ルテニウムめっき、黒色クロムめっき、黒クロメート処理（亜鉛)、レイデント処理、鉄黒染め（アルカリ酸化皮膜処理）、硫化銀皮膜等があるが、コストが高くなる、耐食性が悪く用途が限られる、硬度が低い等の問題があり、本発明の黒色化処理には適さない。
【図面の簡単な説明】
【０２２８】
【図１】本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態を示した模式的断面図である。
【図２】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第１実施形態）を示したフローチャートである。
【図３】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第１実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図４】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第１実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図５】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第１実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図６】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第２実施形態）を示したフローチャートである。
【図７】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第２実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図８】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第２実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図９】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第２実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１０】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を示したフローチャートである。
【図１１】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１２】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１３】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１４】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第３実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１５】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を示したフローチャートである。
【図１６】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１７】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１８】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図１９】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第４実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２０】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を示したフローチャートである。
【図２１】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２２】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２３】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２４】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第５実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２５】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第６実施形態）を示したフローチャートである。
【図２６】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第６実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２７】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第６実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図２８】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第７実施形態）を示したフローチャートである。
【図２９】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第７実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図３０】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第７実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図３１】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第８実施形態）を示したフローチャートである。
【図３２】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第８実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図３３】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第８実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図３４】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第９実施形態）を示したフローチャートである。
【図３５】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第９実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【図３６】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（製造方法の第９実施形態）を示した製造工程の模式的断面図である。
【符号の説明】
【０２２９】
１…固体撮像装置、１１…基板１１…固体撮像素子、６１…枠部、７１…シール板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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