(57)【要約】【課題】    原版へのパーティクル付着を効果的に抑制する露光装置を提供する。【解決手段】    本発明の露光装置は、極端紫外光を用いて、原版１００に形成されたパターンを基板上に露光する露光装置であって、露光に際し移動する原版ステージ１２０と、原版ステージ１２０上に設けられ、原版１００を保持する原版チャック１１０と、原版ステージ１２０上の静電チャック１１０の外側に絶縁体２２０を介して設けられた電極２１０と、電極２１０に対向する位置において、電極２１０に対する電位差の絶対値が原版１００に対する電位差の絶対値より大きくなるように設けられた鏡筒１０とを有する。【選択図】  図２
2009129935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光を用いて、原版に形成されたパターンを基板の上に露光する露光装置であって、
露光に際し移動する原版ステージと、
前記原版ステージの上に設けられ、前記原版を保持する静電チャックと、
前記原版ステージの上の前記静電チャックの外側に絶縁体を介して設けられた電極と、
前記電極に対向する位置において、該電極に対する電位差の絶対値が前記原版に対する電位差の絶対値より大きくなるように設けられた電界形成部材と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記電界形成部材は、前記原版と同電位であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記電極の幅をＬ、前記電極と前記電界形成部材との隙間をｙとするとき、ｙ／Ｌが３５以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記電界形成部材は、投影光学系の鏡筒であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の露光装置。
【請求項５】
前記電界形成部材は、投影光学系の鏡筒と前記原版ステージとの間に配置された光路制限部材であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光路制限部材と前記鏡筒との間へのパーティクルの侵入を抑制する防塵板を有することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記原版ステージの上の前記静電チャックと前記電極との間に設けられ、前記電極と前記電界形成部材との間に形成される電界が前記原版ステージに与える影響を抑制するための電界シールド部材を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の露光装置。
【請求項８】
前記電界シールド部材は、前記絶縁体と一体に構成されていることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版上のパターンを基板に転写する露光装置に関する。本発明は、特に、ＥＵＶ光のような短波長（０．５〜５０ｎｍ）の光を用いて、高真空雰囲気下において、露光を行う露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造するための光リソグラフィ技術は、微細化の流れに伴い露光光の短波長化が進められ、ｉ線、ｇ線からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザへと進化してきた。露光光の短波長化が進めば、より微細なマスクパターンをウエハに転写することが可能となる。
【０００３】
そこで近年では、紫外光より短波長である極端紫外光（ＥＵＶ光、１３〜２０ｎｍ）を用いたＥＵＶリソグラフィが注目を集めており、特開２００３−４５７８２号公報（特許文献１）には、ＥＵＶ光を露光光として用いる縮小投影露光装置が開示されている。
【０００４】
従来のｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、さらにＥＵＶ露光装置において共通する問題が、原版にパーティクルが付着することによる欠陥の発生である。ｉ線、ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザでは、ペリクルという透明保護膜を原版から数ｍｍ間隔を空けた所に配置することで、原版にパーティクルが付着することを防いでいた。
【０００５】
しかし、本発明が適用されるＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光に対して透明なペリクルが存在しない。ある程度のＥＵＶ光の吸収を許容すれば、ＥＵＶ光の透過率が高い材料でペリクルを作ることは可能である。しかしながら、要求されるＥＵＶ光の透過率を確保しようとすると、ペリクルの厚さを数十ｎｍ程度にする必要がある。数十ｎｍの薄膜では、ＥＵＶ光の吸収による発熱等の過酷な環境下に耐えうることが難しい。
【０００６】
従って、ＥＵＶ露光装置における原版はペリクルレスとならざるを得ず、露光装置内でパーティクルが発生した場合、原版への付着が懸念される。
【０００７】
露光装置において、パーティクルのような汚染物質が露光装置内の光学素子や基板に付着することを抑制する技術として、特開２００６−３２９５７号公報（特許文献２）や特開２００６―１２０７７６号公報（特許文献３）のようなものが開示されている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８２号公報
【特許文献２】特開２００６−３２９５７号公報
【特許文献３】特開２００６―１２０７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら前述の背景技術では、次のような点で不十分であると考えられる。
【０００９】
特開２００６−３２９５７号公報（特許文献２）では、汚染物質から保護すべき投影システム上または基板テーブル上に帯電体を設ける構成になっており、帯電体と投影システムもしくは帯電体と基板テーブルとの間に電界が形成される。この構成の場合、帯電体と同極に帯電した汚染物質は、帯電体に引きつけられず、投影システムもしくは基板テーブルへと引き寄せられ、意図した効果を得ることができないと考えられる。
【００１０】
特開２００６−１２０７７６号公報（特許文献３）では、原版を保持する静電チャックに電極を埋め込む構成となっている。この場合、静電チャックにパーティクルを引き寄せることになり、原版の吸着面にパーティクルが付着することが懸念される。原版の吸着面にパーティクルが付着すると、原版の面精度に影響を及ぼすことが考えられる。
【００１１】
本発明は、上述した背景技術を鑑みて考案されたものであり、原版へのパーティクル付着を効果的に抑制できる露光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の露光装置のうち代表的な一つは、極端紫外光を用いて、原版に形成されたパターンを基板上に露光する露光装置であって、露光に際し移動する原版ステージと、前記原版ステージ上に設けられ、前記原版を保持する静電チャックと、前記原版ステージ上の前記静電チャックの外側に絶縁体を介して設けられた電極と、前記電極に対向する位置において、該電極に対する電位差の絶対値が前記原版に対する電位差の絶対値より大きくなるように設けられた電界形成部材とを有する。
【００１３】
本発明によれば、露光装置内を浮遊するパーティクルから原版を保護し、原版へパーティクルが付着することを抑制することができる。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、原版へのパーティクル付着を効果的に抑制する露光装置を提供することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、原版にパーティクルが付着することに起因する露光装置の歩留まり及びデバイスの信頼性低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係わる実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
まず、本発明の実施例１について説明する。
【００１９】
本発明を適用する極端紫外光（ＥＵＶ光：ここでは、０．１〜３０ｎｍ、より好ましくは１０〜１５ｎｍの波長の光）を用いた露光装置の概略を図１に示す。
【００２０】
光源４０はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源は、ターゲット４１の材料を選択することにより、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。ターゲット４１から発光したＥＵＶ光１は、集光ミラー４２により集光され、照明光学系ミラー４３〜４８、原版照明ミラー８を介して、原版１００を照明する。原版１００を照明したＥＵＶ光１は、投影光学系ミラー２〜７により基板２２へと導かれ、縮小投影露光が行われる。
【００２１】
ここで、原版１００は、原版チャック１１０（静電チャック）に保持され、原版チャック１１０は原版ステージ１２０の上に配置される。原版ステージ１２０は、露光に際し移動する。また、基板２２は基板チャック２３に保持され、基板チャック２３は基板ステージ２１の上に配置される。基板ステージ２１もまた、露光に際し移動する。
【００２２】
本実施例の露光装置は高真空環境下で露光を行うため、排気装置３１〜３９が設けられている。排気装置３１〜３９は、露光装置内部の気体を外部に排出する。原版ステージ１２０及び基板ステージ２１は真空環境下で駆動する機構を持ち、縮小倍率に比例した速度比により同期して走査する。また、原版ステージ１２０及び基板ステージ２１の位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
【００２３】
一回の露光が終わると、基板ステージ２１はＸ、Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
【００２４】
露光時に原版ステージ１２０がスキャン動作を行うと、原版ステージ１２０の摺動部やケーブル類の擦れにより、パーティクルが発生することが考えられる。仮に１００ｎｍのパーティクルが原版に付着した場合、投影光学系の縮小倍率を１／４とすると、ウエハ上では２５ｎｍの欠陥となる。従って、デザインルールが３２ｎｍでは、上述の様な欠陥はデバイス製造にとって致命的な問題となる。さらに１００ｎｍ以下の数十ｎｍオーダにおけるパーティクルにおいても十分デバイスの欠陥となりうるため、原版に付着させないように管理する必要がある。また、パーティクルには有機物と無機物が存在し、どちらのパーティクルにおいても、原版に付着することは回避すべきである。
【００２５】
上述した発生源より発生した数十ｎｍのパーティクルは、おそらく原版ステージ１２０のスキャン速度程度の速さで、露光装置５０内へ放出される。放出されたパーティクルは発生源からの剥離、また露光装置５０内の部材との接触により、価数は明確でないが、少なくとも帯電状態にあると考えるのが自然である。そうすると、真空環境下でパーティクルの軌道を変化させるには、電界を利用する方法が有効であり、上述したような先行技術も電界を利用したものである。電界を利用してパーティクルから原版１００を保護するためには、電界を形成する電極２１０の構成が重要となる。
【００２６】
そこで、図２を用いて本実施例の詳細を説明し、本実施例を適用した場合に形成される電界とその効果について具体的に述べる。
【００２７】
図２は図１に示すＥＵＶ露光装置の原版１００近傍を拡大した図である。電極２１０は原版１００と平行で、且つ原版１００を取り囲むように構成する。ここで、「電極２１０は原版１００と平行」とは、完全に電極２１０と原版１００とが平行である場合に限らず、これらが実質的に平行に配置されていればよい。
【００２８】
電極２１０による原版１００の取り囲み方法については、いくつかのパターンを図３〜図６に示すが、この限りではない。原版１００の全周方向においてパーティクルの飛来を防ぐには、図３及び図４に示す取り囲み方法が好ましい。また、パーティクル発生箇所が既知である場合、例えば原版ステージ１２０のスキャン方向からパーティクルが飛来する場合は、図５のように電極２１０を配置すればよい。図６は非スキャン方向からパーティクルが飛来する場合における、電極２１０の配置例である。
【００２９】
電極２１０は絶縁体２２０を挟んで原版ステージ１２０に保持される。絶縁体２２０を挟むことで、原版チャック１１０及び原版１００の帯電を防止し、原版チャック１１０及び原版１００へ、パーティクルが付着することを回避することができる。
【００３０】
このように配置した電極２１０と電界を形成する対向部材として、この実施例の場合、鏡筒１０が配置されている。鏡筒１０と電極２１０との間に電圧を印加することにより、電極２１０と鏡筒１０との間に電界が形成される。このため、鏡筒１０は電界形成部材として用いられている。このとき、後述のとおり、原版１００と鏡筒１０は同電位であることが好ましい。このように、電界形成部材としての鏡筒１０は、電極２１０に対向する位置において、電極２１０に対する電位差の絶対値が原版１００に対する電位差の絶対値より大きくなるように設けられている。
【００３１】
電極２１０と鏡筒１０との間に形成される電界は、原版１００の外側において、電界による電気力線が原版１００に対しておおむね垂直になるように形成される。このような電界を形成することで、上述した電気力線が原版１００の外側からの原版１００へ向かうパーティクルの飛来を遮断するカーテンのような効果を果たす。
【００３２】
図７を用いて上記効果を模式的に説明すると、電極２１０と鏡筒１０との間に形成された電気力線によって、電気泳動力がパーティクルに作用し、パーティクルの軌道を変化させることができる。露光装置５０内を飛び回るパーティクルは、露光装置５０内が高真空雰囲気下であるため、流体抵抗をほとんど受けることがない。電極２１０と鏡筒１０に挟まれた空間内に入ったパーティクルは、重力（図７：ｍｇ）と電気泳動力（図７：ｅＥ）のみ力を受けるが、パーティクルの直径が数十ｎｍ程度では重力より電気泳動力の方が支配的となる。
【００３３】
なお、電極２１０に印加する電圧は正負どちらの極でも構わない。仮に電極２１０に負の電圧を印加した場合、負に帯電したパーティクルは鏡筒１０に捕獲され、正に帯電したパーティクルは電極２１０に捕獲される。一方、電極２１０に正の電極を印加した場合、負に帯電したパーティクルは電極２１０に捕獲され、正に帯電したパーティクルは鏡筒１０に捕獲される。
【００３４】
鏡筒１０に捕獲されたパーティクルが金属のような導電性である場合、パーティクルが鏡筒１０に接触すると、パーティクルの電荷が鏡筒１０に逃げ、パーティクルはファンデルワールス力によって鏡筒１０に付着し続ける。
【００３５】
一方、鏡筒１０に捕獲されたパーティクルが絶縁性の場合、上述した導電性のパーティクルより、鏡筒１０へ電荷が逃げにくい。このようなパーティクルは電極２１０が構成する電界内では、静電気力とファンデルワールス力によって鏡筒１０に付着し続ける。
【００３６】
電荷の逃げにくい絶縁性のようなパーティクル３００が鏡筒１０に付着した場合、パーティクル３００の付着箇所の頭上を原版ステージ１２０が通過することによって図８，９に示すような問題が生じうる。図８は電極２１０と鏡筒１０によって構成された電界により、パーティクル３００が鏡筒１０に付着した状態を示している。図８に示す状態から原版ステージ１２０が図８中に示す矢印１２１方向に移動した場合、図９に示すようにパーティクル３００は原版１００と鏡筒１０に挟まれた状態になる。
【００３７】
図９に示すような状態で、原版１００と鏡筒１０との間で電界が構成されると、パーティクル３００の荷電状態によっては、パーティクル３００が原版１００に引き付けられ付着する可能性がある。このパーティクル３００を原版１００に引き付けないために、パーティクル３００に斥力が働く電界を原版１００と鏡筒１０の間で構成することも考えられる。
【００３８】
しかしながら、原版１００の交換時やメンテナンス時のような、電極２１０と鏡筒１０の間に電界が構成されない場合に、鏡筒１０上に付着したパーティクルは、正負どちらの極に帯電しているのか、判断することが困難となる。正負に帯電したパーティクルが混在すると、原版１００と鏡筒１０との間に電位差が発生すれば、正負どちらかに帯電したパーティクルが原版１００に付着してしまう。
【００３９】
従って、上述したような問題を回避するためには、原版１００と鏡筒１０間に電界が構成されないように、原版１００と鏡筒１０は同電位に保つことが好ましい。
【００４０】
電極２１０と対向部材に挟まれた空間内に入ったパーティクルが原版１００に到達する前に、パーティクルの軌道を変化させ捕獲するためには、図７に示す電極２１０の水平長さ（幅）Ｌと隙間ｙ、電極２１０への印加電圧が重要なパラメータとなる。
【００４１】
図１０に電極２１０の水平長さＬと隙間ｙをアスペクト比ｙ／Ｌとして表し、直径３０ｎｍの金属パーティクルを捕獲するためのアスペクト比ｙ／Ｌと印加電圧の関係を示す。ここで上記関係を導くための前提となる条件について説明する。まず電極２１０に印加する電圧は、本実施例のような真空環境下において対向部材との間で電界を形成する場合、一般的に上限が１０ｋＶ／ｍｍ程度である。また、絶縁体２２０による沿面放電においても、例えば絶縁体２２０にセラミックを使用した場合、１０ｋＶ／ｍｍ程度である。原版１００付近に電極２１０を配置した場合、他の部材との距離及び絶縁体の厚さは設計上大きく確保することは難しく、数ミリ程度となる可能性が高い。従って、現実的に電極２１０へ印加出来る電圧は、１０ｋＶ程度であると考えられる。しかしながら、１０ｋＶ以下でも電極２１０にエッジや、角がある場合、その部分での電界強度が大きくなり、放電を起こしやすくなる。電極２１０のエッジや、角は曲面処理することが好ましい。
【００４２】
また、原版ステージ１２０近傍で発生するパーティクルの運動速度ｖは、原版ステージ１２０の速度２．４ｍ／ｓ程度であると考えられる。原版ステージ１２０の移動速度は、露光装置としての生産性を考慮されて決められたものである。原版１００をパーティクルから保護するためには、原版ステージ１２０と同等の速度を持つようなパーティクルを想定する必要がある。
【００４３】
そして、パーティクルの帯電価数は１価としており、電気泳動力を作用させるには厳しい条件としている。
【００４４】
このような条件のもと、パーティクルを捕獲するには図８から印加電圧が１０ｋＶの場合、アスペクト比ｙ／Ｌが３５であれば良いことが分かる。さらに印加電圧を１０ｋＶ以下とする場合、アスペクト比は３５以下であれば良いことが分かる。従って、図１０に示すＡの領域に電極の水平長さＬと隙間ｙ、電極２１０への印加電圧のパラメータが収まっていれば想定したパーティクルが原版１００へ到達する前に捕獲することが可能である。
【００４５】
また、パーティクル直径が直径３０ｎｍ以上の場合は、直径３０ｎｍのパーティクルより慣性力が大きくなり、電界によるパーティクルの軌道変更が効きにくくなるが、水平長さＬと隙間ｙのアスペクト比を３５以下にすることで対応することができる。
【実施例２】
【００４６】
次に、本発明の実施例２について説明する。本実施例の基本的な構成は実施例１の露光装置と同様であるため、本実施例では、実施例１と異なる箇所についてのみ説明し、他の箇所の説明を省略する。また、図１１乃至図１４において、図２に示された構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付して、その説明を省略する。
【００４７】
本実施例は、電極２１０と鏡筒１０の間にＥＵＶ光１の光路を制限するアパーチャもしくはマスキングブレード等の光路制限部材２３０が配置された場合に対する実施例１の変形であり、概略図を図１１に示す。光路制限部材２３０を配置することにより、ＥＵＶ光１を制限し、レジストの不必要な感光を防止することができる。
【００４８】
本実施例の場合、パーティクルの軌道を変化させる電界は、電極２１０と光路制限部材２３０であるアパーチャもしくはマスキングブレードとの間に形成される。
【００４９】
形成される電界は、原版１００の外側であり、電界による電気力線が原版１００に対しておおむね垂直に形成される。このような電界を形成することで、上述した電気力線が原版１００の外側からの原版１００へ向かうパーティクルの飛来を遮断するカーテンのような効果を果たす。
【００５０】
電極２１０に印加する電圧は正負どちらの極でも構わない。仮に電極２１０に負の電圧を印加した場合、飛来したパーティクルが負に帯電していると、パーティクルは光路制限部材２３０に捕獲される。逆に正に帯電しているとパーティクルは電極２１０に捕獲される。
【００５１】
実施例１で説明したように、光路制限部材２３０に付着したパーティクルが、原版１００に付着することを回避するために、原版１００と光路制限部材２３０は同電位とする。
【００５２】
また、本実施例の場合、光路制限部材２３０と鏡筒１０との間に飛来したパーティクル又はガスが原版に付着することが考えられる。その場合、防塵板２４０を配置することで上記問題を解決することができる。防塵板２４０は、光路制限部材２３０と鏡筒１０との間にパーティクル又はガスが飛来しにくいように配置し、パーティクル等の侵入を効果的に防止することが好ましい。
【実施例３】
【００５３】
次に、本発明の実施例３について説明する。本実施例の基本的な構成は実施例１の露光装置と同様であるため、本実施例では、実施例１と異なる箇所についてのみ説明し、他の箇所の説明を省略する。
【００５４】
本実施例は、電極２１０の対向部材として、鏡筒１０と光路制限部材２３０の両方を設けた場合における実施例１及び２の変形例である。この概略図を図１２に示す。本実施例は、実施例２の光路制限部材２３０と鏡筒１０に挟まれた空間を狭めることで、光路制限部材２３０と鏡筒１０との間にパーティクルが飛来しないように構成された例である。このようにすることで、実施例２の防塵板２４０を配置する必要がなくなる。
【００５５】
パーティクルの軌道を変化させる電界は電極２１０と鏡筒１０との間、さらに電極２１０と光路制限部材２３０であるアパーチャもしくはマスキングブレードとの間に形成される。
【００５６】
形成される電界は、原版１００の外側であり、電界による電気力線が原版１００に対しておおむね垂直に形成される。このような電界を形成することで、上述した電気力線が原版１００の外側からの原版１００へ向かうパーティクルの飛来を遮断するカーテンのような効果を果たす。
【００５７】
電極２１０に印加する電圧は正負どちらの極でも構わない。仮に電極２１０に負の電圧を印加した場合、飛来したパーティクルが負に帯電していると、パーティクルは鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０に捕獲さる。逆に正に帯電しているとパーティクルは電極２１０に捕獲される。
【００５８】
実施例１で説明したように、鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０に付着したパーティクルが、原版１００に付着することを回避するために、原版１００と鏡筒１０、及び光路制限部材２３０は同電位とする。
【００５９】
さらに、実施例１〜３において電極２１０と原版１００との水平高さを同等にし、対向部材との隙間を狭く構成する。これにより、原版１００へのパーティクル付着を抑制すると同時に、原版ステージ１２０が置かれた空間から、鏡筒１０内へのコンダクタンスを低下させることができる。原版ステージ１２０が置かれた空間から鏡筒１０内へのコンダクタンスを低下させることで、原版ステージ１２０が置かれた空間から、鏡筒１０内への気体の流れを減少させ、鏡筒１０内の真空度を良くする効果も得られる。
【実施例４】
【００６０】
次に、本発明の実施例４について説明する。本実施例の基本的な構成は実施例１の露光装置と同様であるため、本実施例では、実施例１と異なる箇所についてのみ説明し、他の箇所の説明を省略する。
【００６１】
本実施例の露光装置は、原版チャック１１０と電極２１０との間に設けられ、電極２１０と鏡筒１０との間に形成される電界が原版ステージ１２０に与える影響を抑制するための電界シールド部材２５０を備える。本実施例は、実施例１の効果に加えて、電極２１０と原版１００間に構成される電界を抑制するために好適である。
【００６２】
図１３及び図１４に、電界シールド部材２５０を備えた露光装置の概略図を示す。図１３に示される電界シールド部材２５０は、絶縁体２２０と一体に構成され、電極２１０と原版１００との間に配置されている。また、図１４に示される電界シールド部材２５０は、グランドに接地され、板等で構成されている。図１３及び図１４のような構成を採用することで、電極２１０と原版１００間に形成される電界を抑制し、原版１００側にパーティクルが付着することをより効果的に回避することができる。
【００６３】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、本発明の実施形態はこの限りではない。例えば、実施例を説明する図２、図１１〜１４において、電界構成部材である鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０は、グランドに接地するように図示している。しかし、電極２１０と、鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０、またはその両方との間において電界が形成できれば良く、鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０に電圧を印加することもできる。ただし、上述したように原版１００へパーティクル付着を防ぐために、原版１００と鏡筒１０もしくは光路制限部材２３０、またはその両方を同電位にする必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明を適用するＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図２】本発明の実施例１としてのＥＵＶ露光装置の原版付近を示す概略断面図である。
【図３】本発明の電極配置位置を示す図である。
【図４】本発明の電極配置位置を示す図である。
【図５】本発明の電極配置位置を示す図である。
【図６】本発明の電極配置位置を示す図である。
【図７】本発明の効果を説明する概略図である。
【図８】本発明の効果を説明する概略図である。
【図９】本発明の効果を説明する概略図である。
【図１０】本発明の効果を説明する概略図である。
【図１１】本発明の実施例２としてのＥＵＶ露光装置の原版付近を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の実施例３としてのＥＵＶ露光装置の原版付近を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の実施例４としてのＥＵＶ露光装置の原版付近を示す概略断面図である。
【図１４】本発明の実施例４としてのＥＵＶ露光装置の原版付近を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１：ＥＵＶ光
２、３、４、５、６、７：投影光学系ミラー
８：原版照明ミラー
１０：鏡筒
２１：基板ステージ
２２：基板
２３：基板チャック
３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９：排気装置
４０：光源
４１：ターゲット
４２：集光ミラー
４３、４４、４５、４６、４７、４８：照明光学系ミラー
４９：照明光学系
１００：原版
１１０：原版チャック
１２０：原版ステージ
１２１：原版ステージ移動方向
２１０：電極
２２０：絶縁体
２３０：光路制限部材
２４０：防塵板
２５０：電界シールド部材
３００：パーティクル
【図１】
2009129935.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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