(57)【要約】【課題】汚染性が低く、耐振動性、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体、及び該モールド構造体を用いることによって所定期間を経た後においても、転写精度を維持したインプリント方法の提供。【解決手段】円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が形成された凹凸パターンと、少なくとも前記一の表面上に粘着層とを有してなり、前記粘着層が、その厚みが０．５μｍ〜１５μｍであり、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍであるモールド構造体とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が形成された凹凸パターンと、少なくとも前記一の表面上に粘着層とを有してなり、
前記粘着層が、その厚みが０．５μｍ〜１５μｍであり、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とするモールド構造体。
【請求項２】
粘着層が、略全ての表面を覆うように形成された請求項１に記載のモールド構造体。
【請求項３】
一の表面と粘着層との間に剥離層が形成された請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項４】
粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられる請求項１から３のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項５】
封止層によって封止された請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項６】
粘着層の材料が、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリマーである請求項１から５のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体上に形成された凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
インプリントレジスト組成物の粘度が、１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓである請求項７に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド構造体、及び該モールド構造体を用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、読み出し及び書き込みの高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
【０００３】
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである（特許文献１及び２参照）。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
【０００４】
上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド構造体（以下、「モールド」ということがある）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献４参照）。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
【０００５】
ところで、上記モールドは、磁気記録媒体の製造工程とは別の工程で作製されるため、該モールドの表面（凹凸パターンが形成された面）に異物が付着していると、そのままレジストと密着させてインプリント工程を行った際に、前記異物の付着部分を中心として周辺に及ぶ範囲までモールドとレジストとの密着が確保できず、所定の信号レベルのパターンの転写が適性ではなくなり、転写の品質が低下する。即ち、該レジストをマスクにして磁気記録媒体の基板上に形成された磁性体層をパターニングし、作製された磁気記録媒体の信頼性が低下するという問題があった。特に、記録した信号がサーボ信号の場合にはトラッキング機能が十分に得られずに信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】
磁気転写用マスター担体では、このような異物による問題を解決するために、磁気転写工程以前の輸送工程でのマスター担体の表面に保護膜を設け、該保護膜を除去した後にスレーブ媒体と密着させて磁気転写する技術が開示されている（特許文献５参照）。
【０００７】
しかしながら、ディスクリートメディアや、パターンドメディアを上記プロセスによって作製する際に用いられるモールドは、３０ｎｍの線幅で凹凸パターンが表面に形成されているため、従来のマスター担体の表面を保護する保護膜をそのまま適用しても、上記のように超微細の凹凸パターンを適正に保護できないと、該凹凸パターンを再度形成する必要が生じ、モールド作製の歩留まりを著しく低下させる結果を招く。したがって、このような結果を招かないためにも、超微細に形成された凹凸パターンの形状を保護する粘着層を備えたモールドが望まれていた。
また、磁気転写マスターはサーボパターンのみでデータ領域にパターンは存在しないのに対し、ＤＴＭモールドはデータ部にも極細のグルーブが形成されており、ほぼディスク前面にパターンが存在するので、欠陥（コンタミ）の影響がより深刻になり、その解決が望まれているのが現状である。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１４６５号公報
【特許文献５】特開２００４−１１０９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、汚染性が低く、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体、及び該モールド構造体を用いることによって所定期間を経た後においても、転写精度を維持したインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、鋭意検討の結果、次の知見を得た。即ち、厚みが０．５μｍ〜１５μｍ、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍである粘着層が、前記モールドにおける凹凸パターン形成側の表面に設けられることによって、前記課題が解決されるという知見である。
【００１１】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が形成された凹凸パターンと、少なくとも前記一の表面上に粘着層とを有してなり、
前記粘着層が、その厚みが０．５μｍ〜１５μｍであり、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とするモールド構造体である。
＜２＞  粘着層が、略全ての表面を覆うように形成された前記＜１＞に記載のモールド構造体である。
＜３＞  一の表面と粘着層との間に剥離層が形成された前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜４＞  粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜５＞  封止層によって封止された前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜６＞  粘着層の材料が、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリマーである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜７＞  前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体上に形成された凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜８＞  インプリントレジスト組成物の粘度が、１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓである前記＜７＞に記載のインプリント方法である。
＜９＞  前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のモールド構造体の粘着層を剥離し、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、モールド構造体上に形成されたデータ領域の凹凸パターンの形状に基づくデータ領域の磁性パターン部、及びサーボ領域の凹凸パターンの形状に基づくサーボ領域の磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜１０＞  インプリントレジスト組成物の粘度が、１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓである前記＜９＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１１＞  前記＜９＞から＜１０＞の少なくともいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１２】
本発明のモールド構造体においては、前記粘着層として、厚みが０．５μｍ〜１５μｍであり、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍである材料を採用したので、粘着層形成・剥離に伴うモールド表面の粘着層材料による欠陥の増加がなくなり、また、環境影響を受けにくくなり、汚染性が低く、経時安定性が優れたモールド構造体を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、汚染性が低く、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体、及び該モールド構造体を用いることによって所定期間を経た後においても、転写精度を維持したインプリント方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のモールド構造体について図面を参照して説明する。
（モールド構造体）
図１は、本発明のモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。図１に示すように、モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図９におけるインプリントレジスト層２５）を押圧するものであり、円板状の基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に形成された複数の凸部と、少なくとも該凸部３を被覆するように形成された粘着層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
【００１５】
＜基板＞
基板２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、ニッケル、シリコン、石英、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が挙げられる。
基板２の厚みとしては、１００μｍ〜１０００μｍが好ましく、２００μｍ〜７５０μｍがより好ましい。
【００１６】
＜＜凸部＞＞
前記凸部３は、基板２の半径方向に所定の間隔で、同心円状に複数の凸部３ａが配列されることによって、複数の凸部３ａ間に形成された凹部４ａと共にデータ領域の凹凸パターンを形成し、基板２の円周方向に所定の間隔で、放射状に複数の凸部３ｂが配列されることによって、複数の凸部３ｂ間に形成された凹部４ｂと共にサーボ領域の凹凸パターンを形成している。なお、基板２上において、前記サーボ領域は、前記データ領域を分断するように、円周方向に略等間隔で複数形成されている。
【００１７】
前記サーボ領域は、プリアンブル部、アドレス部、及びバースト部に分けられる。
前記プリアンブル部は、再生信号のクロックを同期させるための情報が記録された領域である。
前記アドレス部は、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コード、セクタ情報、シリンダ情報等が、前記プリアンブル部の円周方向におけるピッチと同一のピッチで、マンチェスタコードにより形成された領域である。前記シリンダ情報は、サーボトラック毎にその情報が変化するパターンとなる。そのため、ヘッドシーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなる様に、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。
前記バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域で、更にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄバーストと呼ばれる４つの径方向にパターン位相をずらしたマークが形成されている。各バーストには、周方向に複数個のマークがプリアンブル部と同一のピッチ周期で配置され、径方向周期は、アドレスパターンの変化周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例した周期で設けられている。本実施形態では、各バーストは、周方向に１０周期分形成され、径方向に、サーボトラック周期の２倍長周期で繰返すパターンを取っている。
【００１８】
前記凸部３の断面形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択され、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができるが、例えば、矩形が好ましく、テーパ形状がより好ましい。
ここで、前記断面形状は、データ領域の凹凸パターンを形成している凸部３ａにおいては、基板２の半径方向を含む面における断面形状であり、サーボ領域の凹凸パターンを形成している凸部３ｂにおいては、基板２の円周方向を含む面における断面形状である。
【００１９】
＜粘着層＞
前記粘着層は、少なくとも、基板２の表面２ａ側（凸部３を含む凹凸パターンが形成された側）の面を被覆するようにして設けられた層である。
前記粘着層は、基板の凹凸パターン上に粘着剤塗布液を塗布し、乾燥することにより形成される。
前記粘着剤塗布液は、その基本成分である粘着剤ポリマー、及び凝集力を上げたり粘着力を調整するための１分子中に２つ以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤を含む溶液又はエマルジョン液である。粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤーを適宜添加してもよい。また、粘着剤ポリマーがエマルジョン液である場合はジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を添加してもよい。
【００２０】
また、粘着層を構成する粘着剤ポリマーとしては、架橋剤と架橋反応し得る官能基を有する各種合成ゴム系ポリマー等が挙げられる。これらのうち、粘着物性の制御、再現性等を考慮すると、アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、メタクリル酸アルキルエステル系ポリマー、ブタジエン系ポリマー、イソプロピレン系ポリマー、スチレンブタジエン系ポリマー等が挙げられる。これらのうち、アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、メタクリル酸アルキルエステル系ポリマーが好ましい。粘着剤ポリマーを含む液体は溶液、エマルジョン液等のいずれでもよい。
前記粘着剤ポリマーがアクリル酸アルキルエステル系ポリマー、又はメタクリル酸アルキルエステル系ポリマーである場合、粘着剤ポリマーを構成する主モノマーとして、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル等のアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、また、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、６０質量％〜９９質量％の範囲で含まれることが好ましい。
【００２１】
前記主モノマーと共重合させる、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーとして、例えばアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらの１種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、１質量％〜４０質量％の範囲で含まれていることが好ましい。
ここでは、前記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。
【００２２】
前記粘着層の厚みは、０．５μｍ〜１５μｍであり、５μｍ〜１５μｍが好ましく、１０μｍ〜１５μｍがより好ましい。
前記粘着層の厚みは、デジマチックインジケータ（ミツトヨ株式会社製、ＩＤ−ＣＧ）による測定でおおよその値を求め、分光エリプソメーター（Ｆｉｖｅ  Ｌａｂ社製、ＭＡＲＹ−１０２）を用いて測定することができる。
前記粘着層の粘着力は、対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍであり、１．８Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍが好ましく、１．８Ｎ／２０ｍｍがより好ましい。前記粘着力は、試料をシリコンウエハーにスピンコート法で形成し、乾燥させた後、ＰＥＴフィルムで裏打ちした後、１８０°ピール力を引張速度３００ｍｍ／分で測定することができる。
【００２３】
＜＜その他の部材＞＞
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板２の表面２ａ側の面上に層状に形成され、粘着層に対して剥離機能を備えた剥離層や、粘着層における一の表面２ａと反対側の面に設けられた支持体（層）や、モールド１の周囲を覆うように封止する封止層等が挙げられる。
【００２４】
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明のモールド構造体における粘着層、剥離層、及びその他の部材の構成を示す断面図である。
図２Ａは、図１に示すモールド構造体の断面図である。図２Ａに示すように、粘着層５が表面２ａ側の面上に層状に形成されることによって、パターンを保護するという効果がある。
また、図２Ｂは、粘着層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該粘着層に封止されたモールド構造体の断面図である。図２Ｂに示すように、粘着層５がモールド構造体の略全ての表面を覆うように形成されることによって、モールド端面及び裏面に欠陥が付着するのを回避することができるという効果がある。
また、図２Ｃは、一の表面（凹凸パターンが形成された面）と粘着層との間に剥離層が形成されたモールド構造体の断面図である。図２Ｃに示すように、剥離層８が形成されることによって、粘着層の剥離が容易になるという効果がある。
また、図２Ｄは、粘着層における一の表面と反対側の面に支持体が設けられたモールド構造体の断面図である。図２Ｄに示すように、支持体６が設けられることによって、粘着剤のハンドリング性が向上する。また、粘着剤を透過する水分などの環境影響を軽減できるという効果がある。
また、図２Ｅは、粘着層及び支持体が設けられ、更に、封止層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該封止層に封止されたモールド構造体の断面図である。図２Ｅに示すように、封止層７が形成されることによって、粘着層の間隙を透過するような水分などの環境影響をより受けにくいという効果がある。
また、図２Ｆは、粘着層及び支持体が設けられず、封止層がモールド構造体の略全ての表面を覆うように、該封止層に封止されたモールド構造体の断面図である。図２Ｆに示すように、封止層７が形成されることによって、粘着層の間隙を透過するような水分などの環境影響をより受けにくく、また、粘着層形成工程が簡略化できるという効果がある。
【００２５】
［剥離層］
前記剥離層の材料としては、インプリントレジストとの離型がスムーズとなる撥水性材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、メチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとフッ素系ポリマーで構成された溶液、又は、パーフルオロポリオキシアルカンのジハイドロオキシプロパンオキシメチル誘導体とフッ素系ポリマーの溶液などが挙げられる。具体的には、市販品として、スリーエム社製ＥＧＣ−１７２０などが好適に用いられる。
前記剥離層の材料の粘度としては、３ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、０．６ｍＰａ・ｓ以下が特に好ましい。
前記剥離層の材料の粘度は、例えば粘度・粘弾性測定装置（英弘精機株式会社製、レオストレス  ＲＳ６００）を用いて測定することができる。
前記剥離層の厚みとしては、５０ｎｍ以下が好ましく、２５ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が特に好ましい。
前記剥離層の厚みは、例えば分光エリプソメーター（Ｆｉｖｅ  Ｌａｂ社製、ＭＡＲＹ−１０２）を用いて測定できる。
【００２６】
［支持体］
前記支持体は、前記粘着層と一体にすることで、粘着シートとして機能する。
前記支持体の材料としては、発塵性が低く、適度な可撓性を持ち、粘着剤との密着力が高い樹脂シートであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン、ポリエステル、エチレンメタクリル酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、及びそれらの共重合体エラストマー、ジエン系、ニトリル系、シリコーン系、アクリル系等の合成ゴム等のフィルムが挙げられる。これらの中でも、エチレン酢酸ビニル共重合体又はポリオレフィンが好ましく、エチレン酢酸ビニル共重合体が特に好ましい。
前記支持体の厚みとしては、７０μｍ〜２００μｍが好ましく、１２０μｍ〜１５０μｍがより好ましく、１３５μｍが特に好ましい。
前記粘着層の厚みは、例えばデジマチックインジケータ（ミツトヨ株式会社製、ＩＤ−ＣＧ）を用いて測定できる。
【００２７】
［封止層］
前記封止層の材料としては、発塵の少ない弾性体であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、例えば、シリコーンゴムなどが挙げられる。
前記封止層の材料の厚みとしては、１００μｍ〜５００μｍが好ましく、３００μｍがより好ましい。なお、前記封止層の厚みは、例えばデジマチックインジケータ（ミツトヨ株式会社製、ＩＤ−ＣＧ）を用いて測定することができる。
【００２８】
＜＜インプリントレジスト層＞＞
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を磁気記録媒体の基板４０に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層１３の厚みとしては、モールド構造体１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。前記厚みが５％未満であると、レジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができないことがある。
前記インプリントレジスト層１３の厚みは、例えば、該インプリントレジスト層１３を形成した基板から該インプリントレジスト層１３を一部剥離し、剥離後の段差（高さ）をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ株式会社製）にて測定することができる。
【００２９】
［インプリントレジスト組成物の粘度］
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定することができる。前記インプリントレジスト組成物の粘度としては、２５℃で１ｍＰａ・ｓ〜２００ｍＰａ・ｓが好ましく、１ｍＰａ・ｓ〜１００ｍＰａ・ｓがより好ましい。
【００３０】
＜モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明のモールド構造体の作製方法の一例について図面を参照して説明する。なお、本発明のモールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
【００３１】
［第１の実施形態］
図３は、第１の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図３に示すように、まず、Ｓｉ（シリコン）基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）などにより選択エッチングを行い、凹凸パターンを有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸パターンを有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００３２】
［第２の実施形態］
図４Ａ〜Ｂは、第２の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。
―原盤の作製―
図４Ａに示すように、まず、Ｓｉ（シリコン）基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジストを現像処理し、露光部分を除去して、フォトレジストパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
【００３３】
原盤１１からモールドを作製するモールドの作製方法としては、例えばメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
前記メッキ法でのモールド作製方法としては、以下の通りである。
【００３４】
図４Ｂに示すように、原盤１１の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング、あるいは無電解メッキなどにより、導電膜２２を形成する。その後、導電膜２２に対してメッキなどにより導電膜２２を所定の厚みに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有する基板２３を作製し、原盤１１から剥離する。このようにして、モールド構造体１が得られる。
なお、導電膜２２を所定の厚みに成膜して基板２３を作製する際には、基板２３の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００３５】
原盤１１の凹凸パターン上への導電膜２２の形成方法としては、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法（無電解メッキ及び電鋳）等で成膜する方法が好ましい。
【００３６】
前記導電膜の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも１種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、これらのうち、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電膜として使用可能である。
【００３７】
また、基板の凸部高さ（凹凸パターンの深さ）Ｈは、３０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
更に、この凹凸パターンがサーボバースト信号である場合は、円周方向よりも半径方向に長い矩形状の凸部が形成される。具体的には、半径方向の長さは０．０５μｍ〜２０μｍ、円周方向は０．０５μｍ〜１μｍが好ましく、この範囲で半径方向の方が長い形状となる値を選ぶことがサーボ信号の情報を担持するパターンとして好ましい。
【００３８】
［第３の実施形態］
図５は、第３の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図５に示すように、まず、石英基板３０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、石英基板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図２Ａ〜図２Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００３９】
［第４の実施形態］
図６Ａ〜図６Ｂは、第４の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図６Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
【００４０】
次に、図６Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤３１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００４１】
［第５の実施形態］
図７Ａ〜図７Ｂは、第５の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図７Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
【００４２】
次に、図７Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００４３】
［第６の実施形態］
図８Ａ〜図８Ｂは、第６の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図８Ａに示すように、まず、石英基板３０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、石英基板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層２１の全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤３１を得る。
【００４４】
次に、図８Ｂに示すように、光硬化樹脂が含有されたインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤３１を押し当て、原盤３１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００４５】
上記第１〜第６の実施形態においては、ポジ型のフォトレジストを用いて露光及び現像を行ったが、前記レジスト液をネガ型とすることで、本実施形態とは対称的なパターンのモールド構造体を作製することもできる。したがって、本実施形態におけるフォトレジストの適用に特に制限はなく、目的に応じて、ネガ型フォトレジスト、及びポジ型フォトレジストのいずれが適宜選択される。
【００４６】
また、前記原盤にメッキを施して第２の原盤を作製し、この第２の原盤を使用してメッキを行い、ネガ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。更に、第２の原盤にメッキを行うか、樹脂液を押し付けて硬化を行って第３の原盤を作製し、第３の原盤にメッキを行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。
【００４７】
更に、上記第４〜第６の実施形態においては、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を基板上に塗布してインプリントレジスト層２４を形成する実施形態を説明したが、光硬化樹脂の代わり、又は光硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれてもよい。
熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれる場合、該熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持した状態で、凸部のパターンをインプリントレジスト層２４に転写後、インプリントレジスト層２４を前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも低下させることにより転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得ることとなる。
【００４８】
ここで、基板３０の材料は、光透過性を有し、モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）や、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板３０にインプリントレジスト層２４が形成される一方の面から出射するように、基板３０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長２００ｎｍ以上の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板３０上に形成されたインプリントレジスト層２４に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
【００４９】
＜磁気記録媒体の作製方法＞
以下、本発明のモールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体の製造方法について、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るモールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
【００５０】
図９に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成されたデータ領域の凹凸パターン、及びサーボ領域の凹凸パターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
【００５１】
ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５として、モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層２４と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
【００５２】
その後、データ領域の凹凸パターン、及びサーボ領域の凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチング工程を行い、モールド構造体１上に形成された凹凸パターンを磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料を埋め込むことによって、非磁性層７０を形成し、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜形成などのその他の工程を行って磁気記録媒体１００を得る。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層２５に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層５０に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、例えばイオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒ、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１）
＜モールド構造体の作製＞
−原盤の作製−
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光し、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成した。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
【００５５】
ここで、データ領域における凹凸パターンとしては、凸部の巾を１２０ｎｍとし、凹部の巾を３０ｎｍ（トラックピッチ＝１５０ｎｍ）とした。
また、サーボ領域における凹凸パターンは、基準信号長を８０ｎｍとし、総セクタ数を１２０とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びバースト部で構成されるようにした。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成されるようにした。
また、前記バースト部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）とした。
【００５６】
−電鋳処理−
上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を厚み２０ｎｍに形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、５５℃に保温されたスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、厚み２００μｍのＮｉ膜を形成した。その後、５５℃に保温された剥離槽内の純水に浸漬し、原盤よりＮｉ膜を剥離した。以上により、Ｎｉ製のモールド構造体１を作製した。
【００５７】
＜粘着層の形成＞
上記のようにして作製されたモールド構造体１の凹凸パターンが形成された側の面上に、粘着層材料（アクリル樹脂系）を厚みが１５μｍとなるように回転数を制御しながらスピンコート法により形成した。以上により、実施例１のモールド構造体を作製した。
【００５８】
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
【００５９】
＜軟磁性層の形成＞
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧力になるように流入させ、ＤＣ  １，５００Ｗで成膜した。
【００６０】
＜第１の非磁性配向層の形成＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧力になるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
【００６１】
＜第２の非磁性配向層の形成＞
その後、第２の非磁性配向層として、１０ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
【００６２】
＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２  ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ  ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
【００６３】
＜保護層の形成＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ  １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
【００６４】
＜インプリントレジスト層の形成＞
前記保護層上に、アクリル系レジスト（東洋合成工業株式会社製、ＰＡＫ−０１−５００）を２００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
【００６５】
＜転写工程＞
前記モールドの粘着層を剥離し、インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸パターンが形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
【００６６】
＜磁性パターン部形成工程＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
【００６７】
＜非磁性パターン部形成工程＞
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
【００６８】
（実施例２〜１４及び比較例１〜４）
実施例１において、表１に示すように、粘着層材料及び粘着層厚み、支持体の有無、剥離層の有無、並びに封止層の有無を変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜１４及び比較例１〜４のモールド構造体を作製した。
なお、支持体なしの場合には、粘着層材料を所望の厚みとなるように回転数を制御しながらスピンコート法により形成した。
一方、支持体ありの場合には、粘着層材料を支持体（エチレン酢酸ビニルコポリマー；厚み１３５μｍ）上へ所望の厚みになるように塗布し、乾燥させた後、モールドに貼り付けることで形成した。
剥離層としては、住友スリーエム株式会社製  ＥＧＣ−１７２０を用いてディップコートした後、１５０℃で１時間の熱処理をし、住友スリーエム株式会社製  ＨＦＥ−７１００を用いてリンス処理を行って形成した。
封止層としては、モールドの直径より４０ｍｍ大きいサイズのシリコーンゴム（厚み５００μｍ）を用い、粘着層を形成済みのモールド構造体を両面から挟み込んで真空に引くことにより、密閉性を確保する処理を行って形成した。
その後、作製したモールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
＜粘着層の厚み＞
粘着層の厚みは、デジマチックインジケータ（ミツトヨ株式会社製、ＩＤ−ＣＧ）による測定でおおよその値を求め、分光エリプソメーター（Ｆｉｖｅ  Ｌａｂ社製、ＭＡＲＹ−１０２）を用いて測定した。結果を表１に示す。
【００７０】
＜粘着層の粘着力＞
粘着層の粘着力は、試料をシリコンウエハーにスピンコート法で形成し、乾燥させた後、ＰＥＴフィルムで裏打ちした後、１８０°ピール力を引張速度３００ｍｍ／分で測定した。結果を表１に示す。
【００７１】
＜汚染性の評価＞
作製した各モールド構造体について、蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所製、ＸＲＦ-１７００）を用いて、粘着層を形成する前のモールド表面のＣ量と粘着層を形成してから２４時間経過後に粘着層を除去した後のモールド表面Ｃ量との差を増加分として求め、該増加分が５質量％未満を汚染性○、５質量％以上を汚染性×と判定した。結果を表２に示す。
【００７２】
＜耐振動性の評価＞
作製した各モールド構造体について、４５ｋＨｚの超音波加振状態を２４時間維持した後の粘着層剥離後のモールド表面のＣ量の増加分を上記汚染性の評価と同様にして求め、該増加分が５質量％未満を汚染性○、５質量％以上を汚染性×と判定した。結果を表２に示す。
【００７３】
＜保存安定性の評価＞
作製した各モールド構造体について、６０℃、８０％ＲＨの恒温恒湿環境下に２４時間静置した後の粘着層剥離後のモールド表面のＣ量の増加分を上記汚染性の評価と同様にして求め、該増加分が５質量％未満を保存安定性○、５質量％以上を汚染性×と判定した。結果を表２に示す。
【００７４】
【表１】
2009129506.tif 000003
＊アクリル樹脂系：（メタ）アクリル酸アルキルエステル系ポリマー
＊ビニルレジン：塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマー
【００７５】
【表２】
2009129506.tif 000004
【００７６】
表１及び表２の結果から、モールド構造体の凹凸パターンが形成された側の面に、厚みが０．５μｍ〜１５μｍであり、かつ粘着力が対シリコンで０．３９Ｎ／２０ｍｍ〜３．０Ｎ／２０ｍｍである粘着層を設けた実施例１〜１４は、粘着層の条件を充たさない比較例１〜４に対して、汚染性が低く、耐振動性、表面欠陥、及び経時安定性が優れたモールド構造体を提供することができた。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明のモールド構造体は、汚染性が低く、耐振動性、表面欠陥、及び経時安定性に優れ、所定期間を経た後においても、転写精度が維持されるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１は、本発明のモールド構造体の構成を示す斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、本発明のモールド構造体における粘着層の構成を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第２の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の第２の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の第４の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の第４の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の第５の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の第５の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の第６の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明の第６の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１      モールド構造体
２      基板
２ａ      表面
３      凸部
４      凹部
５      粘着層
６      支持体
７      封止層
８      剥離層
１０      Ｓｉ基板
１１      Ｓｉ原盤
２１      フォトレジスト層
２２      導電膜
２３      Ｎｉ基板
２４      インプリントレジスト層
２５      インプリントレジスト層
４０      磁気記録媒体の基板
５０      磁性層
７０      非磁性層
１００      磁気記録媒体
【図１】
2009129506.tif 000005
【図２Ａ】
2009129506.tif 000006
【図２Ｂ】
2009129506.tif 000007
【図２Ｃ】
2009129506.tif 000008
【図２Ｄ】
2009129506.tif 000009
【図２Ｅ】
2009129506.tif 000010
【図２Ｆ】
2009129506.tif 000011
【図３】
2009129506.tif 000012
【図４Ａ】
2009129506.tif 000013
【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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