(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭｇＯ保護膜の膜面の特性は２次電子放出特性によるアドレス放電遅延や放電電圧特性、耐スパッタ特性に影響を与えるため、これらの特性を改善する。【解決手段】プラズマディスプレイパネル用ＭｇＯ保護膜の表面は結晶構造１１１と結晶構造２００の組合を含む。ＭｇＯ保護膜は放電遅延特性と耐スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）特性を向上させることができる。【選択図】図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像表示面を有する基板を含む第１パネルと、
前記基板の一部に平行するように整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、
前記スキャン電極とサステイン電極とを覆うように基板の上に配列された誘電体層と、
前記誘電体層の一部に配列され、膜の結晶構造（１１１）と結晶構造（２００）とが混合された表面を有するＭｇＯ保護膜と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ＭｇＯ保護膜の表面は、前記膜の結晶構造（２２０）をさらに混合することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記結晶構造（２２０）は第１量を有し、前記結晶構造（１１１）は第２量を有し、前記結晶構造（２００）は第３量を有し、前記第１量は前記第２量及び第３量より少なく混合されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記結晶構造（１１１）の量は、前記結晶構造（２００）の量より多く混合されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記結晶構造（２００）の量が前記結晶構造（１１１）の量より多く混合されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記ＭｇＯ保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記ＭｇＯ保護膜は、第１円柱型結晶体グループと第２円柱型結晶体グループに前記基板に整列された円柱型結晶体を含み、
前記第１円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第１傾きが前記第２円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第２傾きより大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記円柱型結晶体は第３円柱型結晶体グループをさらに含み、
前記第３円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第３傾きは前記第２傾きと実質的に等しいか大きくて、前記第１傾きより小さいことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記第３円柱型結晶体グループの結晶配向面は、結晶構造（２２０）を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第２傾きは約１°以上約４５°以下であることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記第２傾きは約１０°以上約２０°以下であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記ＭｇＯ保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記第１パネルに平行し、第２基板を含む第２パネルと、
前記第１パネルと第２パネルとの間に配置され、前記第２基板の上部に配列されたアドレス電極と、
前記第１パネルと前記第２パネルとの間に配列された隔壁と、
前記アドレス電極を覆うように前記第１パネルと前記第２パネルとの間に配列された第２誘電体層と、をさらに含み、
前記ＭｇＯ保護膜は、前記スキャン電極とサステイン電極とを覆う誘電体層と前記第２パネルの間に配列されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
映像表示面を有する基板を含む第１パネルと、
前記基板の一部に平行するように整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、
前記スキャン電極とサステイン電極とを覆うように 前記基板の上に配列された誘電体層と、
前記誘電体層の一部に配列され、膜の結晶構造（１１１）と結晶構造（２００）とが混合された表面を有するＭｇＯ保護膜を含み、
前記結晶構造（１１１）と結晶構造（２００）は、前記結晶構造（１１１）と前記結晶構造（２００）との混合を含む前記ＭｇＯ保護膜を配向するために形成された過程で起因することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記ＭｇＯ保護膜の表面は、膜の結晶構造（２２０）をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記結晶構造（２２０）は第１量を有し、前記結晶構造（１１１）は第２量を有し、前記結晶構造（２００）は第３量を有し、前記第１量は前記第２量及び第３量より少なく混合されることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記結晶構造（１１１）の量は前記結晶構造（２００）の量より多く混合されることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記結晶構造（２００）の量が前記結晶構造（１１１）の量より多く混合されることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記ＭｇＯ保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
坩堝内にＭｇＯ物質を位置させるステップと、
電極と前記電極の上部に形成された誘電体層を含む基板をチャンバ内に設置するステップと、
前記チャンバ内を真空状態に維持するために前記チャンバを排気させるステップと、
前記チャンバに約６Ａ／ｓｅｃの速度で電圧を印加するステップと、
前記坩堝内のＭｇＯ物質を約３００℃に加熱して前記基板の誘電体層の一部を覆うように蒸発させるステップと、
前記加熱する間、膜の結晶構造（１１１）と結晶構造（２００）とが混合された表面を有するＭｇＯ保護膜を形成するために約１０ｓｃｃｍの流速で酸素を供給するステップと、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの保護膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル、保護膜及びこれを含むプラズマディスプレイパネル用上部パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、上部パネルと下部パネルが所定の間隔を置いて結合され、上部パネルと下部パネルとの間に配置された隔壁により区画された放電セル内には蛍光体が配置される。上部パネルは、基板、スキャン電極、サステイン電極、誘電層、及びＭｇＯ保護膜を備え、下部パネルは、基板、アドレス電極、及び誘電層を備える。このようなプラズマディスプレイパネルは、駆動部により電極に駆動信号が供給されれば、放電セル内に形成された蛍光体が励起されて光を放出する。
【０００３】
マグネシウム（Ｍｇ）は高い電子親和力を持っていて、 酸素のような他のイオンと結合が可能にさせて、励起されるうちに酸化マグネシウムはＰＤＰ不活性ガスの衝撃を耐えることができるようにする。上部パネルのＭｇＯ保護膜はプラズマディスプレイパネル駆動の時放電特性に影響を与えることができる。
【０００４】
特に、ＭｇＯ保護膜の面特性に従いアドレス期間に生じるアドレス放電遅延（Jitter）や２次電子放出係数に従う放電電圧特性が異なるように表れる。また、ＭｇＯ保護膜は膜の耐スパッタリング特性に従いプラズマディスプレイパネルの寿命に影響を与えることができる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの観点において、プラズマディスプレイパネルは映像表示面を持つ基板を含む第１パネルと前記基板一部に平行に整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように基板の上に配列された誘電体層及び前記誘電体層一部に配列されて、結晶構造１１１と結晶構造２００の組合せを含む表面を持つＭｇＯ保護膜を含む。
【０００６】
実施形態は一つ以上の次のような特徴を含むことができる。例えば、その組合せは結晶構造２２０をさらに含むことができる。いくつかの実施形態で、結晶構造２２０は第１量を持って、結晶構造１１１は第２量を持って、結晶構造２００は第３量を持って、前記第１量は前記第２量及び第３量より小さく混合することができる。
【０００７】
実験例において、結晶構造１１１の量は前記結晶構造２００の量よりさらに多く混合することができる。他の実験例において、結晶構造２００の量が結晶構造１１１の量よりさらに多く混合することができる。ＭｇＯ保護膜は単結晶あるいは多結晶構造を含むことができる。
【０００８】
ＭｇＯ保護膜は第１円周型結晶体グループと第２円周型結晶体グループで前記基板に整列された円周型結晶体を含むことができる。第１円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第１傾きが前記第 2円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第２傾きより大きくなることができる。 第２傾きは 1° 以上 45°以下の範囲であることができるし、他の実施形態で、2傾きは 10° 以上 20°以下の範囲であることができる。 ＭｇＯ保護膜は単結晶あるいは多結晶構造をさらに含むことができる。
【０００９】
円周型結晶体は第3円周型結晶体グループをさらに含むことができる。 第３円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第３傾きは前記第２傾きと実質的に同一であるかさらに大きく、前記第１傾きよりはさらに小さいことがある。第３円周型結晶体グループの結晶配向面は結晶構造２２０を含むことができる。
【００１０】
プラズマディスプレイパネルは前記第１パネルに平行でありで、第２基板を含む第２パネルと、前記第１パネルと第２パネルの間に配置されて、前記第２基板上部に配列されたアドレス電極; 前記第１パネルと前記第２パネルの間に配列された隔壁と、前記アドレス電極を覆うように前記第１パネルと前記第２パネルの間に配列された第２誘電体層をさらに含むことができる。ＭｇＯ保護膜は前記スキャン電極とサステイン電極を覆う誘電体層と前記第２パネルの間に配列されることができる。
【００１１】
他の観点で、プラズマディスプレイパネルは映像表示面を持つ基板を含む第１パネルと前記基板一部に平行に整列されたスキャン電極及びサステイン電極と前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように基板の上に配列された誘電体層と、前記誘電体層一部に配列されて、膜の結晶構造１１１と結晶構造２００が混合した表面を持つ ＭｇＯ保護膜を含む。前記 ＭｇＯ保護膜は結晶構造１１１と結晶構造２００の組合せを含む表面を持って、前記結晶構造は結晶構造１１１と結晶構造２００の組合せを持つＭｇＯ保護膜を配向するために形成された過程で起因する。
【００１２】
実施形態は一つ以上の次のような特徴を含むことができる。例えば、その組合せは結晶構造２２０をさらに含むことができる。いくつかの実施形態で、結晶構造２２０は第１量を持って、結晶構造１１１は第２量を持って、結晶構造２００は第３量を持って、前記第１量は前記第２量及び第３量より少なく混合することができる。
【００１３】
実験例において、結晶構造１１１の量は前記結晶構造２００の量よりさらに多く混合することができる。 他の実験例で、結晶構造２００の量は結晶構造１１１の量よりさらに多く混合することができる。ＭｇＯ保護膜は単結晶あるいは多結晶構造を含むことができる。
【００１４】
また他の観点において、プラズマディスプレイパネルの保護膜形成方法を提供する。その方法は坩堝中にＭｇＯ物質を位置させる段階と、電極と前記電極上部に形成された誘電体層を含む基板をチャンバ（Ｃｈａｍｂｅｒ） 中に設置する段階と前記チャンバの中を真空状態に維持するために前記チャンバを排気させる段階と、前記チャンバに６Ａ／ｓｅｃ の速度で電圧を印加する段階と、前記坩堝中のＭｇＯ物質を ３００ ℃ に加熱して前記基板の誘電体層一部を覆うように蒸発させる段階と、前記加熱する間、膜の結晶構造１１１と結晶構造２００が混合した表面を持つＭｇＯ保護膜を形成するために１０ｓｃｃｍ流速で酸素を供給する段階を含む。
【００１５】
他の特徴と利点は、次の発明の詳細な説明及び請求項で表現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
詳細な説明を構成する実施形態は混合した結晶構造を持つ表面を含む保護膜を提供することができる。その結果最適の状態でＰＤＰが動作可能にできてフィルム特性も向上する。少なくとも一つの実施形態でプラズマディスプレイパネルのＭｇＯ保護膜の結晶配向面(配列)は １１１配向面及び２００配向面の混合を含むことができる。ＭｇＯ保護膜の結晶配向面は２２０配向面をさらに含む。
【００１７】
図１はプラズマディスプレイパネルを示す斜視図である。図１に示すように、プラズマディスプレイパネルは、第１パネル１００及び第２パネル２００を含む。第１パネル１００は、第１基板ＳＵＢ１、スキャン電極１０１、サステイン電極１０２、第１誘電体層１０３、及び保護膜１０４を含む。
【００１８】
スキャン電極１０１とサステイン電極１０２は、第１基板ＳＵＢ１の上に並んで配置される。上記電極は基板の上部に所定の間隔で平行に配列できる。スキャン電極１０１とサステイン電極１０２の各々は、透明電極１０１ａ、１０２ａとバス電極１０１ｂ、１０２ｂとを含む。透明電極１０１ａ、１０２ａは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成され、駆動電圧の供給に従い放電を拡散させる。バス電極１０１ｂ、１０２ｂは小さな抵抗を有する金属からなる。
【００１９】
第１誘電体層１０３は、スキャン電極１０１とサステイン電極１０２を覆ってスキャン電極１０１とサステイン電極１０２とを互いに絶縁させる。このような誘電体層１０３は、図示してはいないが、複数の層で構成することができ、各層の誘電率を異にして放電特性を向上させることができる。
【００２０】
保護膜１０４は、第１誘電体層１０３の上に位置し、ＭｇＯのような適切な物質からなる。保護膜１０４は、２次電子を放出することにより放電を容易にし、正イオンのスパッタリングからスキャン電極１０１、サステイン電極１０２、及び第１誘電体層１０３を保護する。保護膜１０４の構造及び特性に対する追加的な詳細事項は下で言及される。
【００２１】
第２パネル２００は、第２基板ＳＵＢ２、アドレス電極２０１、第２誘電体層２０２、隔壁２０３、及び蛍光体層２０４を含む。アドレス電極２０１は、スキャン電極１０１及びサステイン電極１０２と交差するように第２基板ＳＵＢ２の上に配置される。第２誘電体層２０２は、アドレス電極２０１を覆ってアドレス電極２０１を絶縁させる。第２誘電体層２０２は、光の反射を円滑にするためのホワイトバック（white back）誘電体層でありうる。
【００２２】
隔壁２０３は、サステイン電極１０２、及びアドレス電極２０１が交差する領域に該当する放電セルを区画する。このような隔壁２０３は、図示されたように格子形状をなすことができるが、ストライプ形状やその他の多様な形状からなることができる。放電セルの内部にはネオン（Ｎｅ）あるいはキセノン（Ｘｅ）のような放電ガスが詰められる。
【００２３】
図１で、プラズマディスプレイパネルは、電極１０１、２０１から駆動電圧の印加を受けて、これらの電極１０１、２０１の間にアドレス放電を起こして誘電体層に壁電荷を形成し、アドレス放電により選択された放電セルで第１パネル１００に含まれた一対の電極１０１、１０２に交番的に供給される交流（ＡＣ）信号により電極１０１、１０２の間にサステイン放電を起こす。これによって、放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起され、かつ遷移されながら紫外線を発生させ、紫外線による蛍光体の励起により可視光線を発生させながら画像を具現する。
【００２４】
ＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法（Sputtering）、電子ビーム蒸着法（electron beam deposition）、化学気相蒸着法（chemical vapor deposition）、ゾル−ゲル法（sol-gel）、イオンプレーティング（ion plating）などのように多様な工程で形成されることができる。電子ビーム蒸着法は、電場と磁場で加速される電子ビームをＭｇＯ蒸着材料に衝突させて蒸着材料を加熱及び蒸発させることによりＭｇＯ保護膜を形成させ、スパッタリング法により形成された保護膜は緻密で、かつ結晶配向に有利な特性を有する。イオンプレーティング法は蒸発される粒子をイオン化して成膜させるが、保護膜の密着性と結晶性が良くて、蒸着を高速にすることができる長所がある。
【００２５】
このように、ＭｇＯ保護膜は多様な方法により製造できる。保護膜の蒸着装備に印加される電圧及び電流、蒸着温度、酸素流量、材料純度等によって膜特性が異なるように表れる。
【００２６】
図２Ａは基板にＭｇＯ保護膜を蒸着する例を示す図である。一実施形態に従って 図２Ｂは ＭｇＯ保護膜を形成する実験工程を示すフローチャートに関する。
【００２７】
保護膜の原料であるＭｇＯ物質１０４を坩堝１２内に配置させ（段階２１０）、電極１０１、１０２及び誘電体１０３が配置された基板ＳＵＢ１をチャンバ１０内に装着する（段階２２０）。以後、チャンバ１０内を高真空状態に維持するように排気した後（段階２３０）、電源供給部１３を通じて電圧を印加すると（段階２４０）、電子銃１１から熱電子が放出される。このような熱電子は、坩堝１２内に配置されたＭｇＯ物質１０４を加熱させて蒸発させることによって（段階２５０）、基板の誘電体１０３の上部にコーティングされる。この際、酸素供給部１４は、ＭｇＯ保護膜の結晶配向面の調節により膜特性、例えば、放電遅延特性、耐スパッタリング特性、放電電圧特性などを改善できるように酸素流量を制御する（段階２６０）。
【００２８】
ＭｇＯ保護膜の酸素（Ｏ２）を変化させて結晶配向面の変化を測定したし、また結晶配向面による膜特性実験を実施した。下の表１は酸素の流量によって ＭｇＯ保護膜の結晶配向面と結晶配向面による放電遅延時間特性を示すことである。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
表１に表れたように、ＭｇＯ保護膜は、結晶配向面が結晶構造１１１と結晶構造（１１０）とが混合される場合に、放電遅延時間特性が最も良く表れる。また、放電電圧特性は配向結晶面が結晶構造１１１、結晶構造２００のみ混合された時より結晶構造１１１、２００、及び２２０が混合される場合、放電電圧特性がより良く表れる。
【００３１】
図６Ａは実験結果物に関することで、結晶配向面の放電遅延特性を示したグラフである。グラフに示すように、一番低い放電遅延時間 （０．６７〜０．６８ｓｅｃ）は結晶配向面が結晶構造１１１と結晶構造２００の組合せに形成される時、結晶配向面２から発生する。
【００３２】
図６Ｂは実験結果物に関することで、結晶配向面の放電電圧特性を示すグラフである。グラフに示すように、結晶構造１１１と結晶構造２００及び結晶構造２２０の混合に形成された結晶配向面３は、結晶構造１１１と結晶構造２００だけで混合して形成された結晶配向面２の放電電圧特性（２８４〜２９０Ｖ）に比べてさらに良い放電電圧特性（２６４〜２６５Ｖ）を持つ。
【００３３】
実験例１
下の表２は、 実験例 でＭｇＯ保護膜の結晶配向面の混合割合に従い膜特性を示したものである。実験条件は、蒸着温度を約３００℃に維持し、酸素流量を約０ｓｃｃｍ（流量体積単位）で５ｓｃｃｍを各々チャンバに供給しながら結晶配向面を調節したし、保護膜の厚みは約７００ｎｍで形成した。
【００３４】
【表２】
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【００３５】
表２に示すように、ＭｇＯ保護膜は、配向面１１１が配向面２００面より多い場合、耐スパッタリング特性に比べて放電遅延時間特性が良くなり、配向面２００が 配向面１１１より多い場合、放電遅延時間特性より相対的に耐スパッタリング特性が向上される。
【００３６】
図3Ａは 実験例１で現われたＭｇＯ保護膜結晶構造を示す断面図である。 
【００３７】
図3Ａを参照すると、ＭｇＯ保護膜の断面は複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。即ち、複数の円柱型結晶体は、結晶配向面が（１１１）面を有する第１円柱型結晶体グループ（Ｇ１）と結晶配向面が（２００）面を有する第２円柱型結晶体グループ（Ｇ２）とを含む。   
【００３８】
図3Ｂは各々の配向面１１１と配向面２００で単結晶成長を示す図表である。
【００３９】
第１円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面と成す傾きを第１傾き（θ１）とし、第２円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面と成す傾きを第２傾き(θ2)とすると、第１傾きは第２傾きより大きく形成される。
【００４０】
その場合、第２円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第２傾き（θ２）は １°以上４５°以下を有し、好ましくは、第２傾きが約１０°以上約２０°以下の範囲を有して、放電遅延時間特性及び耐スパッタリング特性を改善させることができるようになる。一方、前述した基板は、ガラスの上部に複数の電極が形成され、複数の電極の上部に誘電体層が形成された構造物である。
【００４１】
このようなＭｇＯ保護膜は、図示してはいないが、ＭｇＯ保護膜の表面で（２００）配向面を有する結晶体の表面積が広く表れ、（１１１）配向面を有する結晶体の表面積は（２００）配向面を有する結晶体の表面積より相対的に小さく表れる。
【００４２】
実験例２
下の表３は、本発明のＭｇＯ保護膜において、表２と異なる結晶配向面の混合割合に従って表れた放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例１のような条件とし、但し、酸素流量を約６ｓｃｃｍ（流量体積単位）で約２０ｓｃｃｍに各々チャンバに供給した。
【００４３】
【表３】
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【００４４】
表３に示すように、ＭｇＯ保護膜の結晶配向面が（１１１）面、（２００）面、（２２０）面を含む場合、（２２０）面が（１１１）面や（２００）面に比べて小さい場合、放電電圧特性が良くなることが分かる。
図4は、実験例２に表れたＭｇＯ保護膜の結晶構造を示す断面図である。
図4を参照すると、ＭｇＯ保護膜の断面は、 図３と同一に複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。
【００４５】
但し、複数の円柱型結晶体は結晶配向面が（１１１）面を有する第１円柱型結晶体グループ（Ｇ１）と結晶配向面が（２００）面を有する第２円柱型結晶体グループ（Ｇ２）、及び結晶配向面が（２２０）面を有する第３円柱型結晶体グループ（Ｇ３）を含み、第１円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第１傾き（θ１）とし、第２円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第２傾き（θ２）とし、第３円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第３傾き（θ３）とする時、第３傾きは第２傾きと実質的に等しいか大きくて、第１傾きより小さく形成される。
【００４６】
この場合、第３円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第３傾き（θ３）は、約１０°以上約６０°以下を有することが好ましい。これによって、放電電圧特性を向上させることができる。
【００４７】
また、ＭｇＯ保護膜は、図示してはいないが、表面で（２２０）配向面を有する結晶体が含まれて全体的に結晶体の表面積が一定に表れるが、図４Ａのような（２００）配向面を有する結晶体の表面積よりは小さく表れる。
【００４８】
実験例３
表４は、本発明のＭｇＯ保護膜において、結晶配向面の混合割合に従い表れた放電遅延時間及び放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例１のような条件とし、但し、酸素流量を約２１ｓｃｃｍ（流量体積単位）で約３５ｓｃｃｍに各々チャンバに供給した。
【００４９】
【表４】
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【００５０】
表４に示すように、ＭｇＯ保護膜の結晶配向面が（１１１）面、（２２２）面を含む場合、放電遅延時間特性や放電電圧特性が普通（平均）であることが分かる。
【００５１】
図5は、実験例３に表れたＭｇＯ保護膜の結晶構造を示す断面図である。
【００５２】
図5を参照すると、ＭｇＯ保護膜の断面は、図３と同様に、複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。但し、複数の円柱型結晶体は、結晶配向面が（１１１）面を有する第１円柱型結晶体グループ（Ｇ１）と結晶配向面が（２２２）面を有する第４円柱型結晶体グループ（Ｇ４）とを含み、第１円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第１傾き（θ１）とし、第４円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第４傾き（θ４）とする時、第１傾きは第４傾きと実質的に同一である。
【００５３】
この場合、第３円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第１傾き（θ１）及び第４傾き（θ４）は約７０°以上約９０°以下を有する
また、ＭｇＯ保護膜は、表面で配向面を有する結晶体が含まれる。
結晶体の表面積が図4の結晶体の表面より一定に表れ、結晶体の表面積も図4の結晶体表面積より小さく表れる。
【００５４】
上記の実験例１、２、３はＭｇＯ保護膜は保護膜形成の時酸素流量体積単位を小さくすればするほど、放電遅延、放電電圧、耐スパッタリング性のような膜特性を向上させることができる結晶配向面が形成されることが分かる。また、本発明は上記の実験例のような方法により形成されたＭｇＯ保護膜の上部にＭｇＯ粉末パウダーを液状でスプレーした後、熱処理することになると、ＭｇＯ保護膜の上部は単結晶及び多結晶構造を有することになる。このような構造を有することになると、前述した保護膜特性をより向上させることができる。
【００５５】
前記のようにＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法（Sputtering）、電子ビーム蒸着法（electron beam deposition）、化学気相蒸着法（chemical vapor deposition）、ゾル−ゲル法（sol-gel）、イオンプレーティング（ion plating）などのように多様な工程で形成されることができる。ＭｇＯ保護膜は多様な方法により製造できる。保護膜の蒸着装備に印加される電圧及び電流、蒸着温度、酸素流量、材料純度等によって膜特性が異なるように表れる。
【００５６】
図７Ａ、７Ｂ及び７Ｃは蒸着法を使って形成されたＭｇＯフィルムの表面特性を示すグラフである。特に、摂氏３００度から６Ａ／ｓｅｃ 割合で電子ビーム蒸着法を利用して形成された７００ｎｍのターゲット厚さを持つＭｇＯフィルムの等しい条件で、ＭｇＯフィルムの代表的な特徴は酸素の流速が０ｓｃｃｍ(図７Ａ)、１０ｓｃｃｍ(図７Ｂ)、３０ｓｃｃｍ(図７Ｃ)の時に比較された。
【００５７】
図７Ａ乃至図７Ｃで見られるように、形成されたフィルムの表面特性は実質的に酸素の流量によって変わる。図７Ａのように、酸素流速が０ｓｃｃｍの場合にはＭｇＯ表面のＧｒａｉｎサイズがとても大きくて、結晶配向面が２００ 面の特性を持つ強い膜が作われた。図７Ｃのように、酸素流速が３０ｓｃｃｍである場合には、Ｇｒａｉｎサイズがとても小さく、結晶配向面が１１１ 面の特性を持つ強い膜が作われた。また、図７Ｂのように酸素の流速が １０ｓｃｃｍである場合には、Ｇｒａｉｎサイズが前記言及した二つのフィルム間の中程度のサイズを持って、アモルファス特性が強くて結晶配向面が （１１１）、（２００）の特性を持つ膜が混ざって表れた。
【００５８】
前の説明でＭｇＯ保護膜を言及したが、このような内容は保護膜の他のタイプに適用することができる。例えば、いくつかの実施形態で、前記内容はドーパント（ｄｏｐａｎｔ）としてＭｇＯに追加するとかＭｇＯ代りに他の物質を含む保護膜に適用されることができる。
【００５９】
前記実施形態と長所はただ例示的なことであり、本願明細書の範囲を制限するとか限定することではないことで解釈されなければならない。本願明細書の観点は他の形態の装置に適用されることができる。前の実施形態の詳細な説明は説明をするための意図であり、請求項の範囲を制限するための意図ではない。さまざまな選択で、変更または変形は技術分野に属する当業者に明白であるべきである。形態や詳細な説明での変化は現われられるとか記述された実施形態に形成されることができるし、他の実施形態は次の請求項の範囲の中にある。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】プラズマディスプレイパネルを示す斜視図である。
【図２Ａ】ＭｇＯ保護膜を蒸着する工程例を説明する図である。
【図２Ｂ】ＭｇＯ保護膜を蒸着する工程例を説明する図である。
【図３Ａ】一つの実験例でＭｇＯ保護膜の結晶構造を示す断面図である。
【図３Ｂ】１１１及び２００配向面のそれぞれにおいて単結晶成長を示す図表である。
【図４】他の実験例でＭｇＯ保護膜の結晶構造を示す断面図である。
【図５】他の実験例でＭｇＯ保護膜の結晶構造を示す断面図である。
【図６Ａ】実験例で結晶配向面の放電遅延特性を示すグラフである。
【図６Ｂ】実験例で結晶配向面の放電電圧特性を示すグラフである。
【図７Ａ】蒸着法を使って形成されたＭｇＯフィルムの表面特性を示すグラフである。
【図７Ｂ】蒸着法を使って形成されたＭｇＯフィルムの表面特性を示すグラフである。
【図７Ｃ】蒸着法を使って形成されたＭｇＯフィルムの表面特性を示すグラフである。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【外国語明細書】
2009064778000001.pdf