(57)【要約】【課題】配線用電子部品を電子デバイスパッケージに組み込み樹脂封止した後に、支持部を除去する際に、水平配線或いは垂直配線に樹脂へのアンカー効果を持たせて、水平配線及び垂直配線の剥離を防止する。【解決手段】配線電子部品は、半導体チップを含む回路素子を配置して、樹脂封止した回路素子と外部電極を垂直配線部及び水平配線部を介して接続する電子デバイスパッケージに組み込んで用いる。この配線電子部品は、電鋳母型材質としての導電性の支持部と、電鋳法により該支持部上に構成される複数個の水平配線部、及び該水平配線部に接続される垂直配線部とを備え、水平配線部或いは垂直配線部には、側面に張り出した突出部を設ける。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを含む回路素子を配置して、樹脂封止した前記回路素子と外部電極を垂直配線部及び水平配線部を介して接続する電子デバイスパッケージに組み込んで用いるための配線用電子部品において、
電鋳母型材質としての導電性の支持部と、
電鋳法により該支持部上に構成される複数個の水平配線部、及び該水平配線部に連結して接続される垂直配線部と、を備え、
前記水平配線部或いは垂直配線部には、側面に張り出した突出部を設けたことから成る配線用電子部品。
【請求項２】
前記水平配線部の厚さ（ｙ）が、３〜１００μｍである請求項１に記載の配線用電子部品。
【請求項３】
前記水平配線部と垂直配線部の全体厚さ（ｚ）が、５０〜５００μｍである請求項１に記載の配線用電子部品。
【請求項４】
前記突出部の突出量が、５〜５０μｍである請求項１に記載の配線用電子部品。
【請求項５】
前記支持部は、導電性材料、或いはメッキ用の電気を通す程度の薄い酸化膜材料で覆ったシリコン基板である請求項１に記載の配線用電子部品。
【請求項６】
前記水平配線部及び垂直配線部において、水平配線部の支持部接触側は、接続性や導通性に優れた材質で形成し、垂直配線部の先端側は、半田ぬれ性の良い材質で形成した請求項１に記載の配線用電子部品。
【請求項７】
半導体チップを含む回路素子を配置して、樹脂封止した前記回路素子と外部電極を垂直配線部及び水平配線部を介して接続する電子デバイスパッケージに組み込んで用いるための配線用電子部品の製造方法において、
電鋳母型材質としての導電性の支持部の上に、電鋳法により複数個の水平配線部、及び該水平配線部に連結して接続される垂直配線部を形成し、
前記水平配線部或いは垂直配線部には、側面に張り出した突出部を設け
前記電子デバイスパッケージに組み込んで樹脂封止した後、前記支持部を除去する際に、前記水平配線部或いは垂直配線部に設けた前記突出部によって、封止樹脂へのアンカー効果を持たせたことから成る配線用電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記支持部の除去は、剥離、溶解、或いは研削によって行われる請求項７に記載の配線用電子部品の製造方法。
【請求項９】
電鋳母型となる前記支持部上面の非メッキ部分を第１のホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成し、
前記第１のホトレジストパターンの開口部にメッキ金属からなる水平配線部を形成し、かつ、この際、ホトレジストの高さ以上にメッキ金属を成長させることにより、側面に張り出した突出部を形成し、
次に、前記水平配線部の上に、非メッキ部分を第２のホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成して、第２のホトレジストパターンの開口部にメッキ金属から成る垂直配線部を形成する請求項７に記載の配線用電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記垂直配線部は、前記水平配線部の上に形成する請求項９に記載の配線用電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記水平配線部には垂直配線部接続位置に対応する穴を設け、この水平配線部の穴に垂直配線部を結合するように垂直配線部を形成した請求項９に記載の配線用電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止した回路素子と外部電極を垂直配線部及び水平配線部を介して接続する電子デバイスパッケージに組み込んで用いるための配線用電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップの高集積化に伴い、パッケージサイズの縮小化も強く要求されており、様々な実装パッケージ構造が提案されている。近年、半導体ベアチップに貫通電極を形成して両面電極構造にし、それを積層しようとする開発が盛んに行われている。この技術は貫通電極構造を必要としているが（特許文献１参照）、現在の貫通電極形成はシリコン基板の開口と開口部の絶縁膜形成さらに低抵抗金属を充填する等、複雑な工程が必要である。このように、半導体基板への貫通電極の形成とその絶縁方法にはまだ課題が残されていて、貫通電極を必要とせずに両面電極構造を形成できることが望まれる。一方、携帯電話やデジタルカメラのさらなる進化に伴いリアルサイズの電子デバイスパッケージであるウエハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）もこれからさらに製品適用が拡大される傾向にある。
【０００３】
特許文献１は基板上に突起電極を形成して両面電極構造を開示しているが、その突起電極形成方法や接続方法などの具体的な開示は全く無い。また上面の再配線も開示しているが、この手法は上面メッキで低抵抗金属膜を形成してリソグラフィーを用いてパターン形成する従来手法のみの開示に留まっており、コスト的には大きな課題を持っていると言える。
【０００４】
また、一般的に、半導体製造プロセスは、ＬＳＩを作りこむ前工程と、それをパッケージングする後工程に分かれるが、後工程メーカで前工程もカバーできる専業メーカは少ない。従来のウエハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）のような電子デバイスパッケージの製造は、ウエハ上で再配線や垂直配線部メッキ等の処理をするプロセス、すなわち前工程に近い設備を必要とし、従来の後工程設備だけではできなかった。
【０００５】
両面電極パッケージ（以下DFPと略す）のように、LSIチップ搭載基板から離れて他方に電極を取り出す場合やあるいはウエハレベルチップサイズパッケージ（以下WLCSPと略す）のようにLSIチップの能動面から離れて他方に電極を取り出す場合は、基板と離れて電極を取り出すための少なくとも垂直配線、及び再配線のための水平配線も含めた構造が必要である。一般的にDFPの垂直配線は基板に予め作りこんだ構造や樹脂封止後に樹脂を開口してメッキで埋める方法、さらにはシリコン基板を貫通させ基板の両側に電極を取り出す構造が採られている。また再配線はインクジェットあるいはリソグラフィーを使った再配線等がある。このように従来技術では垂直配線や再配線の形成は工程が複雑でコスト高になり易い構造になっている。
【特許文献１】特開２００１−１２７２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
垂直配線や再配線の形成は工程が複雑でコスト高になり易いという上述の問題を解決するために、本出願人は、先に「配線用電子部品及びその製造方法」に関する出願をした（特願２００８−９０１８９）。図１８は、特願２００８−９０１８９に開示の配線用電子部品を示す図であり、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ配線用電子部品の側面断面図及び斜視図を示している。この配線用電子部品は、支持部に支持される垂直配線部だけでなく、それに接続される水平配線部パターンを形成している。このような配線用電子部品は、種々の電子デバイスパッケージに組み込んで用いられる。ＬＳＩチップを接着しかつ接続した基板上に、例示の配線用電子部品を固定し、接続して、樹脂封止した後に、支持部は剥離される。この後、外部電極を形成し、さらに、チップ個片化のための切断を行って、製品として完成させる。これによって、DFPやWLCSPの構造形成のための追加工程を垂直配線や再配線を部品として集約させ、工程を簡素化し部品は専門メーカに任せることでコスト低減も実現することができる。
【０００７】
しかし、支持部を、封止樹脂表面の水平配線部から除去する際に、水平配線部が支持部側にくっついて、封止樹脂から剥がれ易いという問題があることが分かった。
【０００８】
本発明は、係る問題点を解決するために、支持部の上に垂直配線部及び水平配線部を有する配線用電子部品を電子デバイスパッケージに組み込み樹脂封止した後に、支持部を除去する際に、水平配線部或いは垂直配線部に樹脂へのアンカー効果を持たせて、水平配線及び垂直配線の樹脂からの剥がれを防止することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線電子部品は、半導体チップを含む回路素子を配置して、樹脂封止した回路素子と外部電極を垂直配線部及び水平配線部を介して接続する電子デバイスパッケージに組み込んで用いる。この配線電子部品は、電鋳母型材質としての導電性の支持部と、電鋳法により該支持部上に構成される複数個の水平配線部、及び該水平配線部に連結して接続される垂直配線部とを備え、水平配線部或いは垂直配線部には、側面に張り出した突出部を設ける。
【００１０】
また、本発明の配線用電子部品の製造方法は、電鋳母型材質としての導電性の支持部の上に、電鋳法により複数個の水平配線部、及び該水平配線部に連結して接続される垂直配線部を形成し、水平配線部或いは垂直配線部には、側面に張り出した突出部を設ける。この水平配線部或いは垂直配線部に設けた突出部によって、電子デバイスパッケージに組み込んで樹脂封止した後支持部を除去する際に、封止樹脂へのアンカー効果を持たせる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、前工程設備が必要な工程をオフラインで部品に集約することを可能にするだけでなく、支持部の上に垂直配線及び水平配線を有する配線用電子部品を電子デバイスパッケージに組み込んだ後に、支持部を除去する際に、水平配線或いは垂直配線に樹脂へのアンカー効果を持たせて、水平配線及び垂直配線の樹脂からの剥がれを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、例示に基づき本発明を説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、それぞれ本発明を具体化する配線用電子部品の一例の側面断面図、斜視図、要部断面図、及びＸ部詳細図である。この配線用電子部品は、電鋳法を用いて、複数の垂直配線部及びそれに接続される水平配線部を導電性材料の支持部により一体に連結して構成される。垂直配線部は、例示したような円柱形状に限らず、矩形、多角形状等を含む柱状（棒状）形状であれば良い。
【００１３】
例示の配線用電子部品は、図１（Ｃ）のＸ部詳細を示す図１（Ｄ）に示すように、水平配線部端部に設けた突出部を有している。水平配線部側面から張り出した突出部を設けることにより、支持板を剥離する際に、水平配線部に樹脂へのアンカー効果（“絡み合い”効果）を持たせることができる。図２は、アンカー効果を説明する図である。配線用電子部品の垂直配線部は、詳細は後述するように、基板側に設けた配線パターンに接続、固定された後、樹脂封止される。その後、支持部が剥離、酸溶解、或いは研削などによって除去されることになるが、その際、水平配線部端部に設けた突出部によって、水平配線部は樹脂とは強固に絡み合う一方、支持部からの剥がれは容易になる。
【００１４】
図１（Ｃ）に示す水平配線部の厚さ（ｙ）は、３〜１００μｍである。配線部全体の厚さ（ｚ）は、５０〜５００μｍである。水平配線部の厚みは、十分に大きくすることにより、土台がしっかりとなり、支持部の剥離に対して強い構成にできると共に、突出部の突出量（図１（Ｄ）に示す寸法ｄ）を十分なものとできる。図１（Ｄ）中の寸法ｃ、ｄ（突出部の突出量）はそれぞれ５〜５０μｍである。この寸法ｃ、ｄによって形成された空間内に封止樹脂が入り込んで、水平配線部が樹脂から剥がれるのを防ぐことができる。突出部の突出量ｄは、５μｍ以下ではアンカー効果が薄く、また、５０μｍ以上ではコスト高とレジストが取れない等の不具合が発生しやすくなる。図示の寸法ａ，ｂはパッケージの仕様によって最適に設定されるが、寸法ｂは短い方が望ましい。
【００１５】
図３は、突出部の他の形態を例示する図である。（Ａ）は、水平配線部の側面に、下面（支持部接触側）から上面に向けて直線的に張り出す形状の突出部を設けたものである。（Ｂ）は、水平配線部を、複数層により構成して、下層（支持部接触側）よりも上層を長くしたものである。これは、突出部が２段になっているものであり、例えば、図１（Ｃ）の水平配線部を２つ重ねるように形成することで実現できる。（Ｃ）は、水平配線部の厚さ方向の中央を突出させた突出部を有する。（Ｄ）は、垂直配線部側面外周に、突出部として、突起或いは円環を一体に形成したものである。これらいずれの形状によっても、突出部の上面側だけでなく、下面側にも樹脂が入り込んで、アンカー効果を持たせることができる。
【００１６】
図４は、配線用電子部品の製造工程の第１の例を説明する図である。水平配線部及び垂直配線部は、電鋳法により作製される。電鋳法とは「電気メッキ法による金属製品の製造・補修又は複製法」であって、基本的には電気メッキと同様であるが、メッキ皮膜の分離操作を行う点が、電気メッキとは異なる。本発明で用いる電鋳法により成長させる導電性材料のメッキ金属としては、ニッケルまたは銅とか、ニッケル合金、或いは銅合金を含む材料を用いることができる。本発明で用いる支持部材質としては、一般的な導電性材料であるステンレスを用いることができるが、それ以外に、例えばベースにシリコン基板を用いて、その表面をメッキパターンが剥離し易いようにメッキ用の電気を通す程度の薄い酸化膜等の材料で覆ったものを用いることができる。
【００１７】
最初に、図４（ａ）に示すように、支持部の上面に、ホトレジスト（不導体被膜）を塗布する。次いで、パターンフィルムを通して露光するパターン焼き付け及びその後の現像により、非メッキ部分をホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する。
【００１８】
続いて、図４（ｂ）に示すように、ホトレジストパターンの開口部にメッキ金属から成る水平配線部が形成される。適性温度に維持されたメッキ浴（例えば、スルフォミン酸ニッケル液）中に、陽極側に電鋳させようとする電鋳金属を入れ、陰極側にステンレス等の電鋳母型を配置する。陰極側の電鋳母型の表面上には、図４（ａ）に示すようなホトレジストパターンが予め形成されている。電流を流すと、陽極側の電鋳金属が溶け出して、電鋳母型上のホトレジストパターン開口部にメッキされる。この際、レジストの高さ以上に電鋳金属を成長させることにより、側面に張り出した突出部を形成する。
【００１９】
次に、図４（ｃ）に示すように、水平配線部の上に、垂直配線部のためのホトレジストを塗布し、同様に、パターンフィルムを通して露光するパターン焼き付け及びその後の現像により、非メッキ部分をホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する。
【００２０】
続いて、図４（ｄ）に示すように、ホトレジストパターンの開口部にメッキ金属から成る垂直配線部が形成される。次に、レジストを除去すると、図４（ｅ）に示すように、支持部（電鋳母型）の上に、水平配線部及びそれに接続された垂直配線部が形成される。この支持部は、電子デバイスパッケージに組み込んだ後の樹脂封止工程により剥離される。形成されたメッキ金属と支持部の剥がしが、熱や圧力で行うことができるのが、電鋳法の特徴である。
【００２１】
図５は、配線用電子部品の製造工程の第２の例を説明する図である。図５（ａ）（ｂ）に示す工程は、上記の第１の例と同様に行われるが、水平配線部の垂直配線部接続位置に対応する穴が設けられる。図５（ｃ）では、ホトレジストが除去される。そして、図５（ｄ）に示すように、支持部の上に、垂直配線部のためのホトレジストを塗布し、非メッキ部分をホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する。このとき、水平配線部に設けた穴内は、ホトレジストで覆われていない。続いて、図５（ｅ）に示すように、再度、ホトレジストパターンの開口部にメッキ金属が形成される。最後に、レジストを除去すると、図５（ｆ）に示すように、支持部（電鋳母型）の上に、水平配線部及びそれに接続された垂直配線部が形成される。このように、水平配線部に設けた穴内に、垂直配線部を結合したことによって、水平配線部と垂直配線部の接続が一体化されて、強固になる。
【００２２】
図６は、配線用電子部品の製造工程の第３の例を説明する図である。図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す工程は、上記の第２の例と同様に行われるが、水平配線部の垂直配線部接続位置に設けられる穴径は、垂直配線部の径よりも小さい。そして、図６（ｄ）に示すように、支持部の上に、垂直配線部のためのホトレジストを塗布し、非メッキ部分をホトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する。このとき、ホトレジスト開口は、水平配線部に設けた穴径よりも大きい。以下、同様にして、支持部（電鋳母型）の上に、水平配線部に強固に接続された垂直配線部が形成される。この形状において、垂直配線部は、水平配線部に設けた穴内及びこの穴の上面でも、水平配線部に結合される。
【００２３】
図７は、図１とは異なる例の配線用電子部品を示す図である。図示の配線用電子部品について、支持部は、例えば、ステンレス或いはCu系材である。水平配線第２層及び垂直配線第１層は、例えば、Ni、Cu、これらの合金等で構成され、メッキにより形成される。水平配線第１層は、必ずしも形成しなくとも良いが、後にバンプ電極を形成したり、完成したパッケージ上に再度チップを配置してワイヤボンドやフリップチップボンドをしたりする場合に、水平配線部との接続性や導電性を良好にするため、メッキにより、例えば、Ni−Sn系、Au、Au−Pdを形成することが望ましい。垂直配線第２層は、基板に形成された配線との接触性を良くするために、半田ぬれ性の良い材質、例えば、Au，Ag，Pd，Sn，Pd-Au，Au-Agをメッキにより形成すると良い。
【００２４】
ここで、水平配線部は、上記のように、水平配線第２層のみでも良いが、水平配線第１層を形成するのが好ましい。この時、水平配線第１層の形成は、支持部除去前でも除去後でもどちらでも良いが、工法上、支持部除去前、特に水平配線第２層形成前に先に第１層として形成しておくことが望ましい。もちろん、この第１層は、完成した後に形成することも可能である。これは、支持部を研磨して除去する場合に、薄いメッキは研磨されてしまうので、完成後にメッキする工法の方が都合が良いからである。また、支持部を溶解する場合は、Cuを溶解するので、水平配線部はNiにしておくことが必要である。なお、水平配線部がCuであれば、AuとCuが拡散してしまうので、間にNi等のバリア層が必要である。また、垂直配線部がCuの場合も、バリア層が必要であり、例えば、厚さ1.0μｍ以上のNi層形成後に、垂直配線第２層を形成する。垂直配線部上面の高さを均一にする必要があれば、垂直配線第１層を研磨し、垂直配線第１層がCuの場合はNi層を形成し、垂直配線部がNiの場合はそのまま、垂直配線第２層を形成する。
【実施例１】
【００２５】
上述のように形成された配線用電子部品は、種々の電子デバイスパッケージに組み込んで用いることができる。以下、図８〜図１１を参照して、有機基板タイプの電子デバイスパッケージに組み込んだ場合を例として、その製造について説明する。図８は、多層有機基板上にＬＳＩチップを接着しかつ接続した状態で示す図である。ＬＳＩチップは、多層有機基板上にダイボンド材により接着して、有機基板の最上層の配線パターンとはボンディングワイヤにより接続するものとして例示している。多層または単層有機基板の最上層の配線パターンに、ボンディングワイヤ接続電極となるボンディング用金属パッド部が形成されると共に、該パッド部への配線が形成される。この多層または単層有機基板のおもて面の金属パッド部と、ＬＳＩチップは、Ａｕボンディングワイヤにより接続される。或いは、ＬＳＩチップは、有機基板に対してフリップチップボンド接続することもできる。
【００２６】
多層または単層有機基板は、単層２層配線構造や複数層から成る基板の各層に、それぞれ配線パターンを形成した後これらの基板を貼り合わせ、必要に応じて各層の配線パターンを接続するためのスルーホールを形成したものである。このスルーホールの内部には導体層が形成され、この導体層が裏面側に形成された端面電極部であるランドと接続されている。
【００２７】
図９は、ＬＳＩチップを接着しかつ接続した多層有機基板上に、図１或いは図７に示したような配線用電子部品の垂直配線部を固定し、接続した状態で示す図である。垂直配線部は、有機基板の配線パターンの所定の位置に、半田接続或いは銀ペースト等の導電性ペーストによる接続等により、固定されかつ電気的に接続される。垂直配線部が有機基板の配線パターン上の所定の位置に配置した接続電極用金属パッド部（図８参照）に固定された段階では、全ての垂直配線部及び水平配線部が、板状の支持部により一体に連結されている。
【００２８】
図１０は、樹脂封止した状態で示す図である。一体に連結されている垂直配線部が固定された後、この状態で、有機基板の上面は、支持部の下面までトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００２９】
図１１は、支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。支持部を剥離することにより、垂直配線部が電気的に個々に分離される。また、剥離以外にも、酸溶解、研削によって、支持部を除去することもできる。この段階の構成により、完成製品として使用可能であるが、この後、図１２に示すように、垂直配線部のおもて面側、及び裏面側に形成された端面電極部（ランド）にそれぞれ、外部接続用のバンプ電極を形成することができる。これによって、ＬＳＩチップを含む回路素子がおもて面に位置するバンプ電極（外部電極）に、垂直配線部及び水平配線部を通して接続される。
【実施例２】
【００３０】
次に、図１３〜図１７を参照して、本発明に基づき構成される配線用電子部品を組み込んだウエハレベルチップサイズパッケージの製造について説明する。チップサイズパッケージ（CSP）とは、ＬＳＩチップサイズに限りなく近い小ささと、薄さを備えた超小型パッケージであり、さらに、ウエハレベルチップサイズパッケージ（WLCSP）とは、個々のＬＳＩに切り分ける（個片化）前に、ＬＳＩと電極同士をワイヤーで接続し周囲を樹脂で固めた、即ち、ウエハ上で直接パッケージした超小型パッケージとして知られている。
【００３１】
図１３は、完成したＬＳＩウエハを示す図であり、（Ａ）は、複数個のチップが縦横に併置して形成されている１枚のウエハを示し、（Ｂ）は、その１チップのみを取り出して示す拡大したＬＳＩチップ斜視図であり、（Ｃ）は、Ｘ−Ｘ’ラインで切断した断面図である。図１３（Ｂ），（Ｃ）に示すＬＳＩチップは、半導体（例えばシリコン）基板上に、通常の半導体プロセス技術を用いて形成される。基板上面（おもて面）には、アクティブ領域及び配線領域を含むＬＳＩ領域と、その周辺部にボンディングパッド領域が形成される。ボンディングパッド領域は、ウエハ製造完成時には、アルミニューム配線また銅配線であるため、ウエハ完成後にバリアメタル（例えば金スパッタ、或いは金メッキ）を施した後に、メッキ、半田等を行う。
【００３２】
図１４は、配線用電子部品とＬＳＩチップを接続前の状態で例示している。ＬＳＩチップ上のボンディングパッド領域には、配線用電子部品の複数の垂直配線部が、一括して固定されかつ電気的に接続される。垂直配線部を固定及び接続する手法としては、半田接続によって行うことができる。ボンディングパッド領域に、半田接続（例えば半田リフロー）を行うことにより、垂直配線部が一括接続される。垂直配線部がボンディングパッド領域に固定された段階では、全ての垂直配線部と配線が、板状の支持部により一体に連結されている。
【００３３】
図１５は、配線用電子部品をＬＳＩチップ上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。一体に連結されている垂直配線部がＬＳＩチップに固定された後、この状態で、ＬＳＩチップのおもて面は、支持部の下面まで、即ちＬＳＩチップと支持部の間の空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００３４】
図１６は、支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。導電性の支持部を剥離、或いは酸溶解又は研削することにより、複数の垂直配線部（及びそれに接続された水平配線部）が、電気的には互いに個々に分離される。
【００３５】
図１７は、外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。支持部を除去することにより露出した水平配線部パターン上に、それに接続される外部接続用のバンプ電極を形成する。このように、ウエハレベルチップサイズパッケージの再配線（水平配線部）と垂直配線部作成工程を、配線用電子部品として集約することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、それぞれ本発明を具体化する配線用電子部品の一例の側面断面図、斜視図、要部断面図、及びＸ部詳細図である。
【図２】アンカー効果を説明する図である。
【図３】突出部の他の形態を例示する図である。
【図４】配線用電子部品の製造工程の第１の例を説明する図である。
【図５】配線用電子部品の製造工程の第２の例を説明する図である。
【図６】配線用電子部品の製造工程の第３の例を説明する図である。
【図７】図１とは異なる例の配線用電子部品を示す図である。
【図８】多層有機基板上にＬＳＩチップを接着しかつ接続した状態で示す図である。
【図９】ＬＳＩチップを接着しかつ接続した多層有機基板上に、図１或いは図７に示したような配線用電子部品の垂直配線部を固定し、接続した状態で示す図である。
【図１０】樹脂封止した状態で示す図である。
【図１１】支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。
【図１２】外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図１３】完成したＬＳＩウエハを示す図であり、（Ａ）は、複数個のチップが縦横に併置して形成されている１枚のウエハを示し、（Ｂ）は、その１チップのみを取り出して示す拡大したＬＳＩチップ斜視図であり、（Ｃ）は、Ｘ−Ｘ’ラインで切断した断面図である。
【図１４】配線用電子部品とＬＳＩチップを接続前の状態で示す図である。
【図１５】配線用電子部品をＬＳＩチップ上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図１６】支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。
【図１７】外部接続用のバンプ電極を形成した状態で示す図である。
【図１８】特願２００８−９０１８９に開示の配線用電子部品を示す図であり、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ配線用電子部品の側面断面図及び斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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