(57)【要約】【課題】歩留まりを低下させることなく発光の取り出し効率を向上させた発光装置を提供すること。【解決手段】基材３１上に島状のシード部３２を形成するシード形成工程と、無電解メッキ法により、シード部３２を核として反射層３３を形成する反射層形成工程と、反射層３３上に発光機能層４２を有する有機ＥＬ素子２１を形成する発光素子形成工程とを備える。【選択図】図３
2009064562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に島状のシード部を形成するシード形成工程と、
無電解メッキ法により、前記シード部を核として反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層上に発光機能層を有する発光素子を形成する発光素子形成工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記シード形成工程で、前記基材上における前記発光素子の形成領域内に前記シード部を複数形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射層形成工程で、隣り合う前記シード部それぞれを被覆する前記反射層それぞれが、互いに接続することを特徴とする請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記反射層が、前記発光素子を構成する一対の電極の一方を構成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射層が、ニッケルで形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
基材と、該基材上に形成された島状のシード部と、該シード部を被覆して表面が曲面である反射層と、該反射層上に形成されて発光機能層を有する発光素子とを備えることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）装置などの発光装置は、薄型、全固体型、面状自発光及び高速応答であるといった特徴を有しており、フラットディスプレイパネルやバックライトへの応用が期待されている。このような有機ＥＬ装置は、一対の電極間に発光層を配置した構成を有しており、一対の電極間に電圧を印加して発光層内で正孔と電子とを再結合させることにより発光する。
ここで、発光素子を形成する基板の表面に凹凸形状を付すことにより、発光の取り出し効率の向上を図ったボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１１５６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の有機ＥＬ装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、上記有機ＥＬ装置では、基板に加工を施して凹凸形状を付しているため、有機ＥＬ装置の歩留まりが低下するという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる発光装置の製造方法は、基材上に島状のシード部を形成するシード形成工程と、無電解メッキ法により、前記シード部を核として反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層上に発光機能層を有する発光素子を形成する発光素子形成工程とを備えることを特徴とする。
【０００６】
この発明では、無電解メッキ法により表面に曲面が形成された反射層が形成されるため、発光装置の歩留まりを低下させることなく発光素子における発光の取り出し効率を向上させることができる。
すなわち、無電解メッキ法を用いることで、反射層の構成材料がシード層を核としてシード部の表面において等方的に析出される。このため、基材に加工を施して発光装置の歩留まりを低下させることなく、反射層の表面に曲面形状を付すことができる。そして、発光機能層から反射層に向けて放射される光は、反射層により反射して発光素子における基材から離間する一方の面から射出する。また、発光機能層から基材の面方向と平行な方向に放射された光も、表面に凹凸形状が付された反射層において反射して発光素子における基材から離間する一方の面から射出する。これにより、発光素子における発光の取り出し効率が向上する。
また、反射層の表面に凹凸形状を付して反射層の表面を平面とした場合と比較して発光機能層の表面積を増大させることにより、発光素子における発光効率をさらに向上させることができる。
【０００７】
また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記シード形成工程で、前記基材上における前記発光素子の形成領域内に前記シード部を複数形成することが好ましい。
この発明では、シード部の分布を適宜変更することで、反射層の表面における凹凸形状を制御できる。したがって、有機ＥＬ装置の視角特性を調整できる。
【０００８】
また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層形成工程で、隣り合う前記シード部それぞれを被覆する前記反射層それぞれが、互いに接続することが好ましい。
この発明では、発光機能層から基材に向けて放射された光が基材から射出することを防止し、発光素子において基材から離間する一方の面から射出させることができる。
【０００９】
また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層が、前記発光素子を構成する一対の電極の一方を構成することが好ましい。
この発明では、反射層が発光素子を構成して発光機能層に対して電圧を印加する一対の電極の一方として機能することで、製造工程の簡略化が図れる。
【００１０】
また、本発明にかかる発光装置の製造方法は、前記反射層が、ニッケルで形成されていることが好ましい。
この発明では、発光素子を構成する一方の電極として一般的に用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）と同程度の仕事関数を有するニッケルを用いて反射層を形成する。
【００１１】
また、本発明にかかる発光装置は、基材と、該基材上に形成された島状のシード部と、該シード部を被覆して表面が曲面である反射層と、該反射層上に形成されて発光機能層を有する発光素子とを備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、発光装置の歩留まりを低下させることなく発光素子における発光の取り出し効率を向上させることができる。また、反射層の表面に凹凸形状を付して発光機能層の表面積を増大させることにより、発光素子における発光効率をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
〔有機ＥＬ装置〕
以下、本発明における有機ＥＬ装置（発光装置）及び有機ＥＬ装置の製造方法の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は有機ＥＬ装置を示す概略構成図、図２は図１の等価回路図、図３（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図３（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図３（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。
【００１３】
本実施形態における有機ＥＬ装置１は、図１に示すように、平面視でほぼ矩形の基板２と、基板２に重ね合わされた封止基板３（図３（ａ）に示す）とを備えている。基板２の中央部分には、図１及び図２に示すように、複数の画素領域１１、データ線１２、走査線１３及び電源線１４が配置された実表示領域１５が形成されている。また、基板２の実表示領域１５の外側には、図１に示すように、データ線駆動回路１６及び走査線駆動回路１７が配置されたダミー領域１８が形成されている。そして、基板２のダミー領域１８の外側には、後述する陰極層（一対の電極の他方）４３に接続される陰極用配線１９が配置されている。この実表示領域１５及びダミー領域１８により、画素部２０が形成されている。
【００１４】
複数の画素領域１１それぞれには、図２に示すように、有機ＥＬ素子（発光素子）２１が設けられている。また、複数の画素領域１１それぞれには、有機ＥＬ素子２１の後述する陽極層（一対の電極の一方）４１をスイッチング制御するためのＴＦＴ素子２２、２３と、保持容量２４とが設けられている。
ＴＦＴ素子２２は、ゲートが走査線１３に接続されて、ソースがデータ線１２に接続され、ドレインがＴＦＴ素子２３及び保持容量２４に接続されている。また、ＴＦＴ素子２２は、走査線１３を介して走査線駆動回路１７から供給された走査信号に応じて、データ線１２を介してデータ線駆動回路１６から供給されたデータ信号を保持容量２４に供給する構成となっている。
ＴＦＴ素子２３は、ゲートがＴＦＴ素子２２のドレインに接続され、ソースが電源線１４に接続され、ドレインが陽極層４１に接続されている。そして、ＴＦＴ素子２３は、保持容量２４で保持されたデータ信号に応じてオン・オフ状態が決定され、電源線１４を介して供給される駆動電流を陽極層４１に供給する構成となっている。
データ線１２、走査線１３及び電源線１４は、実表示領域１５内において格子状に配置されている。そして、データ線１２はデータ線駆動回路１６に接続され、走査線１３は走査線駆動回路１７に接続されている。
【００１５】
次に、有機ＥＬ装置１の画素領域１１における詳細な構成について、図３を参照しながら説明する。
基板２は、図３（ａ）に示すように、基材３１と、基材３１上に積層されたシード部３２、反射層３３、有機ＥＬ素子２１とを備えている。なお、本実施形態における有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ素子２１で発光した光を基板２の上面から射出するトップエミッション構造となっている。
基材３１は、例えばガラスなどで形成された基板本体３５と、基板本体３５上に積層された駆動素子層３６とを備えている。この駆動素子層３６には、上述したＴＦＴ素子２２、２３、保持容量２４、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と適宜の絶縁膜（図示略）とが設けられている。
【００１６】
シード部３２は、例えばＡｌ（アルミニウム）で形成されており、図３（ｂ）に示すように、画素領域１１内において島状に複数（図３（ｂ）においては２つ）配置されている。シード部３２は、平面視でほぼ帯状であって平面視でほぼ矩形の画素領域１１における一対の長辺それぞれの縁部において長軸方向に沿って延在している。また、同一の画素領域１１内に配置された複数のシード部３２のうち少なくとも１つは、駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。
反射層３３は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばＮｉ（ニッケル）で形成されており、複数のシード部３２それぞれを被覆している。そして、複数の反射層３３それぞれは、図３（ｂ）に示すように、被覆しているシード部３２を核として等方的に形成されており、画素領域１１の短軸方向の中央部において他方の反射層３３の縁部に接続されている。したがって、反射層３３の延在方向は、画素領域１１の長軸方向に沿っている。また、反射層３３がシード部３２を核として等方的に形成されていることから、反射層３３の少なくとも一部は、基材３１の上面と接触している。
【００１７】
有機ＥＬ素子２１は、図３（ａ）に示すように、反射層３３側から順に陽極層４１、発光機能層４２及び陰極層４３を積層した構成となっている。
陽極層４１は、例えばＩＴＯで形成されており、シード部３２及び反射層３３を介して駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。
【００１８】
発光機能層４２は、陽極層４１側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構成となっている。
ここで、正孔注入層及び正孔輸送層それぞれは、例えばトリフェニルアミン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などで形成されている。
【００１９】
また、発光層は、低分子の有機発光色素や高分子発光体のような各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、例えばＡｌｑ３（トリス（８−キノリノール）アルミニウム））などで形成されている。発光物質となる共役系高分子の中では、アリーレンビニレンまたはポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。また、低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体などが使用可能である。なお、発光層は、電圧の印加により白色に発光するように形成されている。
【００２０】
そして、電子輸送層は、例えばアキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体などで形成されている。
【００２１】
陰極層４３は、発光機能層４２側から順にＬｉＦ（フッ化リチウム）膜及びＡｌ（アルミニウム）膜を積層した構成となっている。なお、陰極層４３、複数の画素領域１１の全域にわたる共通電極となっている。
また、基材３１の上面には、各画素領域１１を縁取る隔壁４４が設けられている。隔壁４４は、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂などで形成されている。
【００２２】
封止基板３は、透明接着層４５により基板２に貼り合わされており、基板本体４６と、基板本体４６の表面に形成されたカラーフィルタ層４７及び遮光膜４８とを備えている。
基板本体４６は、例えばガラスなどの透光性材料で形成されている。
カラーフィルタ層４７は、画素領域１１に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各画素領域１１の表示色に対応する色材を含有している。
遮光膜４８は、平面視で隔壁４４と重なるように配置されており、画素領域１１を縁取っている。
【００２３】
〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
次に、異常のような構成の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
まず、基材３１を形成する。ここでは、基板本体３５上に上述したＴＦＴ素子２２、２３、保持容量２４、データ線１２、走査線１３及び電源線１４と適宜の絶縁膜（図示略）を設け、駆動素子層３６を形成する。
次に、基材３１の上面にシード部３２を形成する（シード形成工程）。ここでは、駆動素子層３６の上面にＡｌ膜を形成し、これをパターニングする。これにより、基材３１上において画素領域１１となる領域それぞれにシード部３２が形成される。そして、基材３１の上面に隔壁４４を形成する。
【００２４】
続いて、シード部３２を核として無電解メッキ法により反射層３３を形成する（反射層形成工程）。
ここでは、最初にＡｌからなるシード部３２の残渣の除去やシード部３２の表面の濡れ性の向上を行う。まず、フッ酸を０．０１重量％以上０．１重量％以下、硫酸を０．０１重量％以上１重量％以下含有する水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１分から５分浸漬する。なお、０．１重量％以上１０重量％以下の水酸化ナトリウムなどを含有するアルカリ水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１分から１０分浸漬してもよい。
【００２５】
そして、水酸化ナトリウムを含有してｐＨが９から１３であって２０℃以上６０℃以下に加温したアルカリ水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を浸漬し、シード部３２の表面に形成された酸化膜であるアルミナを除去する。なお、５重量％以上３０重量％以下の硝酸を含有してｐＨが１から３であって２０℃以上６０℃以下に加温した酸性水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から５分浸漬してもよい。
その後、酸化亜鉛を含有してｐＨが１１から１３であるジンケート溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から２分浸漬し、シード部３２の表面を亜鉛で置換する。そして、５重量％以上３０重量％以下の硝酸を含有する水溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から６０秒浸漬し、シード部３２の表面に置換された亜鉛を除去する。さらに、再度ジンケート溶液中に、シード部３２が形成された基材３１を１秒から２分浸漬し、シード部３２の表面に緻密な亜鉛粒子を析出させる。
これにより、シード部３２の残渣が除去されると共に、シード部３２の表面の濡れ性が向上する。
【００２６】
次に、無電解メッキ浴にシード部３２が形成された基材３１を浸漬し、シード部３２の表面にＮｉ膜を析出させる。ここで、無電解メッキ浴は、次亜リン酸を還元剤としており、ｐＨが４から５、浴温が８５℃以上９５℃以下となっている。これにより、シード部３２を核として、厚さが１μｍ以上１０μｍ程度のＮｉ膜が等方的に析出される。
なお、本実施形態において、各化学処理の間には水洗処理が行われている。水洗処理に用いられる水洗槽は、オーバーフロー構造や純水リンスバス機構を有しており、窒素ガスによるバブリングを行っている。バブリングは、穴が形成されたチューブや焼結体を通じて窒素ガスを槽内に送り出すことで行われている。これにより、短時間で十分に効果のあるリンスが行える。
以上のようにして、駆動素子層３６の上面にシード部３２を被覆する反射層３３が形成される。なお、各画素領域１１に対応する複数の反射層３３それぞれの縁部は、互いに重なっている。また、反射層３３の表面は、反射層３３がシード部３２を核として等方的に形成されるため、曲面となっている。
【００２７】
続いて、反射層３３の上面に有機ＥＬ素子２１を形成する（発光素子形成工程）。ここでは、最初に反射層３３の上面にＩＴＯ膜をパターニングすることにより、陽極層４１を形成する。そして、陽極層４１の上面に例えばマスクを用いた蒸着法などにより発光機能層４２を形成する。さらに、発光機能層４２及び隔壁４４の上面にＬｉＦ膜及びＡｌ膜を積層することにより、陰極層４３を形成する。以上のようにして、基板２を形成する。
その後、基板２と封止基板３とを透明接着層４５により接着する。以上のようにして、有機ＥＬ装置１が製造される。
【００２８】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１では、陽極層４１及び陰極層４３の間に電圧を印加すると、発光機能層４２が発光する。ここで、発光機能層４２から基材３１に向けて放射される光は、反射層３３の表面において封止基板３に向けて反射される。また、発光機能層４２から基材３１の面方向と平行な方向に放射される光も、反射層３３の表面が曲面であることから、反射層３３の表面において封止基板３に向けて反射される。なお、反射層３３が画素領域１１の長軸方向に沿って形成されていることから、発光機能層４２で発生した光は、画素領域１１の短軸方向において長軸方向と比較して散乱しやすくなっている。したがって、本実施形態における有機ＥＬ装置１では、画素領域１１の短軸方向における視角が画素領域１１の長軸方向における視角と比較して広くなる。
【００２９】
〔電子機器〕
以上のような構成の有機ＥＬ装置１は、例えば図４に示すような携帯電話機（電子機器）１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。
【００３０】
以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１及び有機ＥＬ装置の製造方法によれば、無電解メッキ法により表面が曲面である反射層３３が形成されるため、有機ＥＬ装置１の歩留まりを低下させることなく有機ＥＬ素子２１における発光の取り出し効率が向上する。そして、反射層３３の表面を曲面として発光機能層４２の表面積を増大させることで、有機ＥＬ素子２１における発光効率がさらに向上する。
また、シード部３２の形状や配置を変更することで、有機ＥＬ装置１の視角特性を調整できる。
【００３１】
［第２の実施形態］
続いて、本発明における有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態とシード部及び反射層の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図５（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図５（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図５（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。
【００３２】
本実施形態における有機ＥＬ装置１１０を構成する基板１１１は、図５（ｂ）に示すように、各画素領域１１において分散して配置された複数のシード部１１２を備えている。そして、複数のシード部１１２それぞれは、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、反射層１１３により被覆されている。
シード部１１２は、平面視でほぼ矩形となっており、画素領域１１の長軸方向に沿って一定間隔をあけて複数（図５（ｂ）では４つ）配置されると共に、画素領域１１の短軸方向に沿って一定の間隔をあけて複数（図５（ｂ）では３つ）配置されている。なお、同一の画素領域１１に配置された複数のシード部３２のうち少なくとも１つは、上述と同様に駆動素子層３６に設けられたＴＦＴ素子２３のドレインに接続されている。
反射層１１３は、複数のシード部１１２それぞれを被覆している。そして、複数の反射部＃それぞれは、被覆しているシード部１１２を核として等方的に形成されており、その縁部が隣り合う他のシード部１１２を被覆する反射層１１３の縁部に接続されている。したがって、複数の反射層１１３により形成される凹凸形状は、画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれに沿って形成される。
【００３３】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１１０の製造方法では、シード部形成工程において、駆動素子層３６の上面にＡｌ膜を形成した後、画素領域１１となる領域それぞれにおいてシード部１１２が分散配置されるようにＡｌ膜をパターニングする。その他の工程は、上述した第１の実施形態と同様である。
【００３４】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１１０では、複数の反射層１１３により形成される凹凸形状が画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれに沿って形成されている。そのため、反射層１１３に向けて放射された光は、反射層１１３において画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれで散乱される。したがって、本実施形態における有機ＥＬ装置１１０では、上述した第１の実施形態と比較して画素領域１１の長軸方向における視角が広くなる。
【００３５】
以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１１０及び有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏する。
【００３６】
［第３の実施形態］
続いて、本発明における有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、第１の実施形態と発光素子の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図６（ａ）は本実施形態における有機ＥＬ装置の画素領域を示す断面図、図６（ｂ）は画素領域を示す平面図である。なお、図６（ｂ）では、陰極層の図示を省略している。
【００３７】
本実施形態における有機ＥＬ装置１２０を構成する基板１２１は、図６（ａ）に示すように、反射層３３が発光素子１２２の陽極層を構成している。なお、反射層３３を構成するＮｉの仕事関数は、ＩＴＯの仕事関数と同程度となっている。
発光素子１２２は、駆動素子層３６側から順に陽極層として機能する反射層３３、発光機能層４２及び陰極層４３を積層した構成となっている。
【００３８】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１２０の製造方法では、発光素子形成工程において、反射層３３の上面に発光機能層４２を形成する。その他の工程は、上述した第１の実施形態と同様である。
【００３９】
以上のように、本実施形態における有機ＥＬ装置１２０及び有機ＥＬ装置の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、反射層３３を陽極層として機能させることで、製造工程の簡略化が図れる。
なお、本実施形態において、シード部３２を上述した第２の実施形態と同様に画素領域１１の長軸方向及び短軸方向それぞれにおいて間隔をあけて複数配置してもよい。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、シード部は、画素領域において少なくとも１つ形成されていればよい。
また、シード部の形状や配置は、有機ＥＬ装置に求められる視角特性に応じて適宜変更してもよい。
そして、同一の画素領域内において隣り合うシード部それぞれを被覆する各反射層の縁部は、互いに重なっていなくてもよい。ただし、第３の実施形態と同様に反射層を発光素子の陽極層として機能させる場合には、各反射層間の導通を確保するために互いの縁部を重ねる必要がある。
さらに、シード部がＡｌにより形成されているが、無電解メッキ法により反射層の構成材料をシード部の上面に析出できれば、他の材料であってもよい。同様に、反射層がＮｉにより形成されているが、発光機能層における発光光を反射可能であって無電解メッキ法により反射層の構成材料をシード部の上面に析出できれば、他の材料であってもよい。
また、発光機能層の構造は、陽極層及び陰極層間に電圧を印加した際に発光する発光層を含んでいればよい。ここで、封止基板には、発光機能層が白色に発光することからカラーフィルタ層を設けているが、カラーフィルタ層を設けなくてもよい。
そして、隔壁により各画素領域を区画しているが、隔壁を設けなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態における有機ＥＬ装置を示す概略平面図である。
【図２】図１の等価回路図である。
【図３】画素領域を示す断面図及び平面図である。
【図４】有機ＥＬ装置を備える携帯電話機を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における画素領域を示す断面図及び平面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における画素領域を示す断面図及び平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，１１０，１２０  有機ＥＬ装置（発光装置）、２，１１１，１２１  基板、２１，１２２  有機ＥＬ素子（発光素子）、３１  基材、３２，１１２  シード部、３３，１１３  反射層、４１  陽極層（一対の電極の一方）、４２  発光機能層、４３  陰極層（一対の電極の他方）、１００  携帯電話機
【図１】
2009064562.tif 000003
【図２】
2009064562.tif 000004
【図３】
2009064562.tif 000005
【図４】
2009064562.tif 000006
【図５】
2009064562.tif 000007
【図６】
2009064562.tif 000008