(57)【要約】【課題】Ｒｕよりも安価な材料を用い、Ｒｕを使用したものと同等以上の磁気特性を有する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置を提供すること。【解決手段】基板１の上に裏打層２、下地層３、グラニュラ構造の磁気記録層４、保護層５が順に形成された磁気記録媒体において、下地層３に磁気記録層４の磁性粒子４１と格子マッチングのよい結晶体３１ａ、３２ａ、３３ａを形成し、その結晶体の間には酸化物層を介在させて下地層３をグラニュラ構造とする。これにより磁気記録層４をストレスフリーで成膜でき、下地層３にＲｕ以外の材料を用いても特性の高い磁気記録媒体１０を作製できる。【選択図】図１
2009129476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に形成された非磁性材料又は軟磁性材料からなる下地層と、
前記下地層の上に形成されたグラニュラ構造を有する磁気記録層とを具備し、
前記下地層が、六方最密充填構造または面心立方構造を有するとともに前記基板と平行な面が最密充填面となるように配向した結晶体と、前記結晶体間に介在する酸化物からなる酸化物層とにより構成され、
前記結晶体は、前記基板と平行な面での原子間距離が上側ほど小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記下地層が複数の層により構成され、上側の層ほど前記酸化物層の厚さが厚いことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記結晶体の上面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差が、前記結晶体の下面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記下地層の前記酸化物層は、前記結晶体を構成する材料よりも酸化されやすい元素の酸化物からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対し情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドと、
前記磁気記録媒体を前記磁気ヘッドに対し相対的に移動させる移動手段とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録面に情報を記録する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置に関し、特に、記録面に垂直な方向の磁化により情報を記録する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置（ＨＤＤ）は、コンピュータの他、磁気ディスク付ビデオレコーダ等の映像記録機器や、携帯型音楽再生装置等にも使用されるようになり、より一層の小型化及び大容量化が要求されている。
【０００３】
このような要求の下、磁気ディスク装置の磁気記録媒体として、高記録密度化が可能な垂直磁気記録方式の記録媒体（垂直磁気記録媒体）が開発され、実用化されている。垂直磁気記録媒体としては、特に、磁気記録層として柱状の磁性粒子を非磁性物質中に高密度に分散させた、いわゆるグラニュラ構造を有するものが勢力的に研究されている。
【０００４】
グラニュラ構造を有する磁気記録媒体を開示するものとして、例えば特許文献１及び２がある。
【０００５】
特許文献１には、Ｒｕを含む下地層（Ｒｕ−ＳｉＯ2層）を用いたグラニュラ構造を有する磁気記録媒体が記載されている。
【０００６】
特許文献２には、グラニュラ構造を有する磁気記録媒体に関し、下地層としてＲｕまたはＲｕを含む合金（例えばＲｕＷ、ＲｕＣｕ、ＲｕＢ、ＲｕＣｏＣｒ）を用いると好適であることが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２７５３６５号公報
【特許文献２】特開２００４−２７２９５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、従来は磁気記録層の下地層としてＲｕ又はＲｕ合金膜が使用されている。
【０００８】
しかし、下地層にＲｕ又はＲｕ合金膜を用いた場合に磁気記録層にグラニュラ構造が生成されるメカニズムが明らかではなく、グラニュラ構造の制御も試行錯誤的であり、粒界分布、粒界層の厚さ、表面粗さ等の構造、及び磁気特性等の制御が容易ではない。さらに、Ｒｕは希少金属であり高価であるという問題点がある。
【０００９】
本発明の目的は、Ｒｕよりも安価な材料を用い、Ｒｕを使用したものと同等以上の磁気特性を有する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板の上方に形成された非磁性材料又は軟磁性材料からなる下地層と、前記下地層の上に形成されたグラニュラ構造を有する磁気記録層とを具備し、前記下地層が、六方最密充填構造または面心立方構造を有するとともに前記基板と平行な面が最密充填面となるように配向した結晶体と、前記結晶体間に介在する酸化物からなる酸化物層とにより構成され、前記結晶体は、前記基板と平行な面での原子間距離が上側ほど小さいことを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００１１】
上記観点の磁気記録媒体によれば、下地層を下面側で原子間距離を大きくし、上面側で原子間距離を小さくしている。これにより、下地層の結晶体に引張り歪みが作用して、その結晶体がテーパ状となり、結晶体の間に酸化物層が形成されてグラニュラ構造が得られる。下地層の上に形成される磁気記録層は下地層の構造を引き継いで成長するため、磁気記録層も磁性粒子が分散したグラニュラ構造とすることができ、磁気特性に優れた磁気記録媒体が得られる。本発明においては、下地層に高価なＲｕを用いなくても高い磁気特性を有する磁気記録媒体提供できる。さらに、Ｒｕを使用しないため磁気記録媒体を安価に生産できる。
【００１２】
上記観点の磁気記録媒体において、前記結晶体の上面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差が、前記結晶体の下面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差よりも小さくしてもよい。この場合、下地層の結晶体の上面での原子間距離が前記磁性粒子の下面での原子間距離と同じとなり、下地層の結晶体の上に磁気記録層の磁性粒子をストレスフリーの状態で形成することができ、より制御性良く柱状の磁性粒子を得ることができる。
【００１３】
上記観点の磁気記録媒体において、前記下地層の前記酸化物層は、前記結晶体を構成する材料よりも酸化されやすい元素の酸化物とすることができる。これにより、結晶体を構成する材料（金属）に酸化されやすい元素（金属）を添加した原料を用いて、酸素を含む雰囲気下で成膜することによりグラニュラ構造を有する下地層を作製することができる。この場合には、成膜時の酸素により酸化されやすい元素（金属）が酸化物となり、結晶体同士の粒界部分に選択的に析出する。そして、結晶体を構成する材料の酸化物で酸化物層を形成する場合よりも、結晶体部分のストレスを抑制することができるため好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施形態の説明に先立って、本願発明者が行った検討事項について説明する。
【００１５】
上述したグラニュラ構造は、通常、下地層に六方最密構造を有し、（００１）配向したＲｕ膜又はＲｕ合金膜を形成し、この上に酸化物を含むＣｏＣｒＰｔターゲットを用いたスパッタ法により磁気記録層を成膜することで作製される。これにより、酸化物に覆われた柱状の磁性粒子（ＣｏＣｒＰｔ等）が形成される。下地層のＲｕ又はＲｕ合金膜は、磁気記録層のグラニュラ構造の形成において重要な働きをするものと考えられている。
【００１６】
グラニュラ構造を有する磁気記録層は、理想的には、ＣｏＣｒＰｔ等の金属粒子（磁性粒子）が記録面に垂直な方向にまっすぐ伸びた柱状組織となっており、この磁性粒子の間には、非磁性の酸化物層が粒界層として均一の厚さに形成された構造が望ましいと考えられる。このような構造の磁気記録層では柱状の磁性粒子が高密度にかつ均一間隔をもって分散しているため磁気特性に優れる。
【００１７】
本願発明者は、上述の理想的なグラニュラ構造を得るために種々の検討を行った結果、以下の知見を得た。まず、理想的なグラニュラ構造を得るためには、磁気記録層の磁性粒子をできるだけストレスフリーの状態（応力の少ない状態）で成膜することが好ましく、そのためには下地層の結晶粒子と磁気記録層の磁性粒子との格子マッチングが良く、かつ、結晶粒子と磁性粒子の接する面で、それぞれの原子間距離がほぼ同じであることが望ましい。例えば、六方最密充填構造で（００１）配向したＣｏＣｒＰｔを磁性粒子とする場合には、下地層の結晶粒子の上部を六方最密充填構造の（００１）配向膜又は面心立方構造の（１１１）配向膜で構成し、さらに下地層の結晶粒子及び磁性粒子が接する面での原子間距離がほぼ同一であることが好ましい。
【００１８】
また、磁性粒子の粒径を均一とし、磁性粒子間に均一な厚さの酸化物層を形成するためには、下地層を、結晶体と、結晶体間に介在する均一な厚さの酸化物層とからなるグラニュラ構造とすることが望ましい。このように、下地層をグラニュラ構造とすれば、磁気記録層は下地層のグラニュラ構造を引き継いで成長するため、磁気記録層のグラニュラ構造の制御をより容易とすることができる。なお、以下、下地層の結晶粒子間に介在する酸化物層を便宜上粒界層とも呼ぶ。また、明細書中で単に原子間距離というときは、基板に平行な配向面内の隣接原子間の距離を呼ぶものとする。
【００１９】
本願発明者は、かかる条件を満たすべく種々の検討を行った結果、下記のような手法で作製する下地層の着想を得た。まず六方最密充填構造又は面心立方構造の最密充填面が基板と平行な面となるように配向するとともに、原子間距離が磁性粒子の原子間距離よりも大きい材料からなるシード層を形成する。ここで、シード層の粒子密度（結晶粒子の粒径に依存する）により磁性記録層の磁性粒子密度が決定されるため、所望の磁性粒子密度に応じてシード層の粒子密度（粒径）を適宜調整する。続いて、シード層の結晶粒子の上にシード層よりも原子間距離の小さい材料の膜を形成する。この際、結晶粒子を構成する材料とともに、その材料よりも酸素と結合しやすい元素（金属）を導入し、酸素を含む雰囲気中で成膜を行う。シード層の上に形成された膜において、結晶粒子部分では原子間距離の相違により引張り歪が作用し、このひずみを緩和するように結晶粒子がテーパ状に成長する。一方、粒界層部分では上側ほど厚い粒界層が形成される。この結晶粒子及び粒界層からなる膜は、シード層の構造を引き継いで成長するため、粒界層がシード層の粒界部分の上に形成される。その後、結晶粒子の原子間距離を徐々に小さくした膜を順次形成し、最終的に下地層の上部に磁性粒子と同じ原子間距離の結晶粒子を含む膜を形成する。また、これらの結晶粒子を含む膜の形成の際には、粒界層としての酸化物層も同様にして形成する。
【００２０】
これにより、グラニュラ構造を有すると共に、磁気記録層の磁性粒子をストレスフリーの状態で形成することができる下地層が得られる。この方法により、Ｒｕ以外の材料を使用しても高い磁気特性を有する磁気記録媒体を提供することができる。
【００２１】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００２２】
図１は、実施形態に係わる磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【００２３】
実施形態の磁気記録媒体１０は、図１に示すように、円盤状の基板１の上に、軟磁性材料などからなる裏打層２と、上部がグラニュラ構造となった下地層３と、グラニュラ構造の磁気記録層４と、最上面の保護層５とが形成されている。
【００２４】
基板１は、例えば円盤状のアルミ基板やガラス基板を用いることができる。
【００２５】
裏打層２は、基板１の上に形成され、例えばＦｅＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金等の軟磁性材料で構成される。この裏打層２は、磁気ヘッドからの書き込み磁界を強く引き込み、磁気記録層４の垂直方向の磁化を容易にする。
【００２６】
下地層３は、図１に示すように、シード層３１と、シード層３１の上に形成された第１の変換層３２と、第１の変換層３２の上に形成された第２の変換層３３との積層構造を有している。
【００２７】
シード層３１、第１の変換層３２及び第２の変換層３３はいずれも多結晶構造を有している。下地層３は結晶体と、粒界３１ｂ及び粒界層（符号３２ｂ及び３３ｂ）とを有する。この結晶体は結晶粒子（符号３１ａ、３２ａ、及び３３ａ）から構成され、各々の結晶粒子は六方最密充填構造又は面心立方構造の材料からなるとともに、基板１と平行な面が最密充填面となるように配向している。すなわち、結晶粒子が六方最密充填構造の場合は（００１）配向し、面心立方構造の場合は（１１１）配向している。尚、結晶体（結晶粒子３１ａ、３２ａ及び３３ａ）の材料は、非磁性材料又は軟磁性材料を用いることができる。
【００２８】
シード層３１には、図１に示すように、結晶粒子３１ａが密に形成されている。符号３１ｂは粒界を示している。結晶粒子３１ａの粒径は、例えば１０ｎｍ程度に形成されるが、所望の磁性粒子密度に応じて適宜調整できる。シード層３１の厚さは例えば０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とすることができる。シード層３１は、後述の磁性粒子４１よりも配向面での隣接原子間距離が大きな金属によって構成される。例えば、磁性粒子にＣｏＣｒＰｔを用いる場合には、ＰｔＺｒやＰｔ等とすることができる。
【００２９】
第１の変換層３２は、結晶粒子３１ａの上に成長した結晶粒子３２ａと、粒界３１ｂの上に形成された酸化物層３２ｂとを有する。第１の変換層３２は１．０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の厚さに形成される。第１の変換層３２の結晶粒子３２ａはシード層３１よりも原子間距離が小さな金属（例えばＰｔやＺｎＴｉ等）から構成される。結晶粒子３２ａはシード層３１との原子間距離の差により、成膜時に引張り歪が作用してテーパ状に成長し、応力を緩和するため、粒界には析出物相が析出しやすい。このため、結晶粒子３２ａの間には酸化物層３２ｂが形成される。
【００３０】
第１の変換層３２は、シード層３１の構造を引き継いで成長するため、酸化物層３２ｂは粒界３１ｂの上に形成される。酸化物層３２ｂは、結晶粒子３２ａの材料（金属）よりも酸化されやすい、すなわち電気陰性度が低い元素（金属）の酸化物からなる。酸化物層３２ｂは具体的には、例えばＹ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ等の酸化物で構成できる。酸化物層３２ｂを結晶粒子３２ａとは別の元素（金属）の酸化物として析出させることにより、結晶粒子３２ａ部分のストレス（応力）が緩和される。
【００３１】
第２の変換層３３は、結晶粒子３２ａの上に形成された結晶粒子３３ａと、酸化物層３２ｂの上に成長した酸化物層３３ｂとを有する。第２の変換層３３は例えば１．０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の厚さに形成される。
【００３２】
結晶粒子３３ａは、下側の結晶粒子３２ａよりも原子間距離が小さく、かつ、後述する磁性粒子４１と同程度の原子間距離を有する金属（例えばＮｉＰｔやＺｎ等）からなる。第２の変換層３３は、第１の変換層３２の構造を引き継いで成長するため、結晶粒子３２ａの間には酸化物層３２ｂが形成される。このとき、結晶粒子３３ａは下側の結晶粒子３２ａの上に成長するが、結晶粒子３２ａよりも原子間距離が小さいので引張り歪みが作用して結晶粒子３３ａはテーパ状に成長する。そして、結晶粒子３３ａの間には酸化物層３３ｂが酸化物層３２ｂよりも厚く形成される。酸化物層３３ｂは、結晶粒子３３ａよりも酸化されやすい元素（金属）の酸化物からなる。酸化物層３３ｂを結晶粒子３３ａとは別の元素（金属）の酸化物として析出させることにより、結晶粒子３３ａ部分のストレスが緩和される。
【００３３】
以上のようにして形成される下地層３は、結晶粒子３２ａ及び３３ａが結晶粒子の周囲を略一様な厚さで覆う粒界部分の酸化物層３２ｂ及び３３ｂによって略均一な間隔をもって分離され、上側がグラニュラ構造となっている。
【００３４】
磁気記録層４は、下地層３の上に形成され、非磁性の酸化物等からなる酸化物層４２と、その酸化物層４２中に分散された磁性粒子４１とからなるグラニュラ構造を有している。磁気記録層４は、例えば厚さ５ｎｍ〜５０ｎｍ程度に形成される。磁性粒子４１は、図１に示すように、下地層３の結晶粒子３３ａの上に成長し、柱状に上方に伸びた構造を有している。磁性粒子４１は、最密充填面に配向した六方最密充填構造を有する材料（例えばＣｏＣｒＰｔ等）を用いることができる。磁気記録層４は、下地層３の第２の変換層３３の構造を引き継いで成長するため、磁性粒子４１の間には酸化物層３３ｂと略同じ厚さの酸化物層４２が形成される。酸化物層４２は例えばＳｉＯ2等からなる。
【００３５】
保護層５は、磁気記録媒体の表面に形成され、例えば厚さ３ｎｍ程度のＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜等からなる。
【００３６】
以上のように構成された磁気記録媒体１０によれば、磁気記録層４のグラニュラ構造の均一性が高く、磁気特性に優れる。そして、下地層３に高価なＲｕを用いなくても良く、磁気記録媒体１０は低コストで生産できる。
【００３７】
以上の説明では下地層３をシード層３１、第１の変換層３２及び第２の変換層３３からなる３層構造とした例について説明したが、本実施形態はこれに限定されず、下地層３をシード層３１と変換層３３との２層構造としてもよいし、又はシード層３１と３層以上の変換層との多層構造としてもよい。この場合には、下地層の結晶粒子の各層を最密充填面に配向した六方最密格子又は面心立方格子で構成すると共に、上側の層ほど原子間距離が小さい金属で構成し、かつ、結晶粒子の上部を磁性粒子４１と同程度の原子間距離の金属で構成すればよい。
【００３８】
次に、実施形態の磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００３９】
先ず、基板１の上に裏打層２の軟磁性材料を形成する。裏打層２は、軟磁性材料（例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等）をターゲットとして、ＤＣマグネトロンスパッタ法等で成膜できる。
【００４０】
次に、裏打層２の上に下地層３として、シード層３１、第１の変換層３２、第２の変換層３３を順に形成する。シード層３１は、六方最密充填構造又は面心立方構造の材料であって最密充填面の原子間距離が磁性粒子４１のそれよりも大きな材料をターゲット（例えば、Ｐｔ、ＰｔＺｒ等）に用いて、スパッタ法等により成膜できる。
【００４１】
第１の変換層３２は、シード層３１よりも原子間距離の小さな金属及びこの金属よりも酸化されやすい材料を添加したターゲット（例えばＹ（イットリウム）添加ＰｔやＹ添加ＺｎＴｉ等）を用い、スパッタ法により酸素を含む雰囲気下で成膜できる。
【００４２】
第２の変換層３３は、原子間距離が結晶粒子３２ａより小さく、磁性粒子４１と同程度材料に、その材料よりも酸化されやすい材料を添加したターゲット（例えばＹ添加ＮｉＰｔやＹ添加Ｚｎ等）を用いて酸素を含む雰囲気下でスパッタ法により成膜できる。
【００４３】
次に、磁気記録層４を形成する。磁気記録層４は、例えば、磁性材料（ＣｏＣｒＰｔ等）と酸化物（ＳｉＯ2等）とを含むターゲットを用いてスパッタ法等により成膜できる。
【００４４】
最後に、保護層５を形成する。保護層５は例えばプラズマＣＶＤ法等によりＤＬＣ膜を形成することにより成膜できる。
【００４５】
次に、実施形態の磁気記録媒体１０の具体的態様について実施例に基づいて説明する。
【００４６】
（実施例１）
実施例１では以下の手順で磁気記録媒体を作製した。
【００４７】
先ず、直径２．５インチの円盤状のガラス基板（基板１）の上に、裏打層２として、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＦｅＣｏを主成分とする非晶質の軟磁性膜を３０ｎｍの厚さに形成した。次に、シード層３１として、面心立方構造のＰｔＺｒの（１１１）配向膜（隣接原子間距離２．９２Å）を厚さ２ｎｍに成膜した。成膜はＰｔＺｒをターゲットとしてＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００４８】
次に、第１の変換層３２として、粒界層に酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含むＰｔ（１１１）配向膜を厚さ５ｎｍに成膜した。尚、Ｐｔ結晶粒子は面心立方構造であり、（１１１）面の隣接原子間距離は２．７８Åである。第１の変換層３２の成膜は、Ｙを２at％程度添加したＮｉＰｔをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００４９】
次に、第２の変換層３３として、粒界層に酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含むＮｉＰｔ（１１１）配向膜を厚さ１０ｎｍに成膜した。尚、ＮｉＰｔ結晶粒子は面心立方構造であり、（１１１）面の隣接原子間距離は２．６５Åである。第２の変換層３３の成膜は、Ｙを５at％程度添加したＮｉＰｔをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５０】
次に、磁気記録層４として粒界層にＳｉＯ2を含むＣｏＣｒＰｔ（００１）配向膜を厚さ１５ｎｍに成膜した。尚、ＣｏＣｒＰｔ結晶粒子は六方最密充填構造であり、（００１面）の隣接原子間距離は２．６５Åである。磁気記録層４の成膜は、ＳｉＯ2を添加したＣｏＣｒＰｔをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５１】
最後に、保護層５として、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を厚さ３ｎｍに成膜した。
【００５２】
一方、比較例として、直径２．５インチの円盤状のガラス基板の上に、裏打層としてのＦｅＣｏ非晶質膜（厚さ３０ｎｍ）と、下地層としてのＲｕ（００１）配向膜（厚さ２０ｎｍ）と、磁気記録層としての粒界層にＳｉＯ2を含むＣｏＣｒＰｔ（００１）配向膜（厚さ１５ｎｍ）と、保護層としてのＤＬＣ膜（厚さ３ｎｍ）とが順に形成された磁気記録媒体を作製した。
【００５３】
このようにして作製された実施例１及び比較例に係わる磁気記録媒体について、ビットエラー評価装置により同一の条件下でのビットエラー発生率の測定を行った。その結果、比較例の磁気記録媒体はビットエラー発生率が１０-4.8であったのに対し実施例１の磁気記録媒体ではビットエラー発生率は１０-5.9であった。このように、実施例１による磁気記録媒体は従来の磁気記録媒体（比較例）よりもビットエラー発生率が１／１０以下となり、優れた特性を示すことが確認された。
【００５４】
（実施例２）
実施例２は、下地層３を六方最密充填構造の（００１）配向膜を含む構成としたものである。実施例２の磁気記録媒体において、基板１は実施例１のものと同様の２．５インチガラス基板を用い、裏打層２も実施例１と同様の構成として成膜した。
【００５５】
その後、裏打層２の上にシード層３１として、面心立方構造のＰｔ（１１１）配向膜（隣接原子間距離２．７８Å）を厚さ１ｎｍに成膜した。シード層３１の成膜はＰｔをターゲットとしてＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５６】
次に、第１の変換層３２として、粒界層に酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含むＺｎＴｉ（００１）配向膜を厚さ１０ｎｍに成膜した。尚、ＺｎＴｉ結晶粒子は六方最密充填構造であり、（００１）面の隣接原子間距離は２．７０Åである。第１の変換層３２の成膜は、Ｙを３at％程度添加したＺｎＴｉをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５７】
次に、第２の変換層３３として、粒界に酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を含むＺｎ（００１）配向膜を厚さ１０ｎｍに成膜した。尚、Ｚｎ結晶粒子は六方最密充填構造であり、（００１）面の隣接原子間距離は２．６６Åである。第２の変換層３３の成膜は、Ｙを８at％程度添加したＺｎをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５８】
次に、磁気記録層４として粒界層にＳｉＯ2を含むＣｏＣｒＰｔの（００１）配向膜を厚さ１５ｎｍに成膜した。磁気記録層４の成膜は、ＳｉＯ2を添加したＣｏＣｒＰｔをターゲットに用い、酸素を含有するＡｒガス雰囲気下（全圧１Ｐａ程度）でＤＣマグネトロンスパッタして行った。
【００５９】
最後に、保護層５として、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜を厚さ３ｎｍに成膜した。
【００６０】
このようにして作製された実施例２の磁気記録媒体について実施例１及び比較例と同じビットエラー評価装置を用いて同様の条件でビットエラー発生率の測定を行った。その結果、実施例２の磁気記録媒体ではビットエラー発生率は１０-5.5を示した。以上のように、下地層３を六方最密充填構造の（００１）配向膜を含む構成とした実施例２による磁気記録媒体でも、従来の磁気記録媒体（比較例）よりもビットエラー発生率を大幅に抑制することができ、優れた特性を示すことが確認された。
【００６１】
次に、実施形態に係わる磁気記録媒体を磁気ディスク装置に応用した例について図２を参照しつつ説明する。ここに、図２は実施形態に係わる磁気ディスク装置を示す平面図である。
【００６２】
磁気ディスク装置５０は、筐体５１と、その筐体５１内に配置された円盤状の磁気記録媒体（磁気ディスク）１０と、磁気記録媒体１０を回転させるスピンドルモータ（図示せず）と、磁気ヘッド５２を支持するアーム５３と、アーム５３を駆動するアクチュエータ５４と、スピンドルモータ及びアクチュエータ５４を駆動するとともに磁気ヘッド５２を介して磁気記録媒体１０に対しデータの書き込み及び読み出しを行う制御回路部５５とにより構成される。
【００６３】
この磁気ディスク装置５０において、スピンドルモータにより磁気記録媒体１０が高速に回転する。制御回路部５５は、アクチュエータ５４を制御してアーム５３を駆動し、磁気ヘッド５２を磁気記録媒体１０の半径方向の所定の位置に移動させてデータの書き込み及び読み出しを行う。
【００６４】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００６５】
（付記１）基板と、前記基板の上方に形成された非磁性材料又は軟磁性材料からなる下地層と、前記下地層の上に形成されたグラニュラ構造を有する磁気記録層とを具備し、前記下地層が、六方最密充填構造または面心立方構造を有するとともに前記基板と平行な面が最密充填面となるように配向した結晶体と、前記結晶体間に介在する酸化物からなる酸化物層とにより構成され、前記結晶体は、前記基板と平行な面での原子間距離が上側ほど小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００６６】
（付記２）前記下地層が複数の層により構成され、上側の層ほど前記酸化物層の厚さが厚いことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００６７】
（付記３）前記結晶体の上面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差が、前記結晶体の下面の原子間距離と前記磁性粒子の下面の原子間距離との差よりも小さいことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００６８】
（付記４）前記下地層の前記酸化物層は、前記結晶体を構成する材料よりも酸化されやすい元素の酸化物からなることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００６９】
（付記５）前記磁気記録層は、前記下地層の前記結晶体の上に柱状に成長した磁性粒子と、前記下地層の前記酸化物層の上に形成され、前記磁性粒子間に介在する酸化物からなる酸化物層を備えたことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７０】
（付記６）前記下地層は、前記結晶粒子が均一な厚さの酸化物層からなる粒界中に分散されたグラニュラ構造を有することを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７１】
（付記７）前記磁気記録層の前記磁性粒子は、六方最密格子からなるとともに（００１）配向していることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７２】
（付記８）前記磁気記録層の前記磁性粒子間に形成された前記酸化物層の厚さが均一な厚さであることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７３】
（付記９）前記下地層の前記結晶粒子は、最下部に形成され、格子定数が前記磁気記録層の磁性粒子よりも大きいシード層と、前記シード層の上に形成され、格子定数が前記磁気記録層の磁性粒子より大きく、かつ、シード層よりも小さい第１の変換層と、前記第１の変換層の上に形成され、格子定数が前記磁気記録層の磁性粒子と同程度の第２の変換層とにより構成されることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７４】
（付記１０）付記１に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対し情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドと、前記磁気記録媒体を前記磁気ヘッドに対し相対的に移動させる移動手段とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】図１は、実施形態に係わる磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係わる磁気ディスク装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１…基板、２…裏打層、３…下地層、３１…シード層、３２…第１の変換層、３３…第２の変換層、３１ａ、３２ａ、３３ａ…結晶粒子、３１ｂ…粒界、３２ｂ、３３ｂ、４２…酸化物層（粒界層）、４…磁気記録層、４１…磁性粒子、５…保護層、１０…磁気記録媒体、５０…磁気ディスク装置、５２…磁気ヘッド、５３…アーム、５４…、５５…制御装置。
【図１】
2009129476.tif 000003
【図２】
2009129476.tif 000004