(57)【要約】【課題】本発明は同軸コネクタへの同軸ケーブルの着脱を繰り返した場合でも腐食防止効果や接触信頼性が低下することなく、しかも金属ろう材（半田）の濡れ性の高い同軸コネクタを提供する。【解決手段】円柱状の絶縁体２と、この絶縁体２の軸中心に挿通される中心導体３と、絶縁体２の側面を被覆しかつ絶縁体２の端面２ａから導出される中心導体３の一の端部３ａを収容するハウジングと、中心導体３の裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、中心導体３の一の端部３ａを被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層５を備え、中心導体３の他の端部３ｂを被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層６を備えることを特徴とする同軸コネクタ１による。【選択図】図１
2009259712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、前記絶縁体の側面を被覆しかつ前記絶縁体の端面から導出される前記中心導体の一の端部を収容するハウジングと、前記中心導体の裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、
前記中心導体の一の端部を被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層を備え、
前記中心導体の他の端部を被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする同軸コネクタ。
【請求項２】
円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、前記絶縁体の側面を被覆しかつ前記絶縁体の端面から導出される前記中心導体の一の端部を収容するハウジングと、前記中心導体及び前記ハウジングの裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、
前記中心導体の一の端部を被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層を備え、
前記中心導体の他の端部、および、前記ハウジングを被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする同軸コネクタ。
【請求項３】
円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、前記絶縁体の側面を被覆しかつ前記絶縁体の端面から導出される前記中心導体の一の端部を収容するハウジングと、前記中心導体及び前記ハウジングの裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、
前記メッキ被膜は、前記ハウジングおよび前記中心導体の表面上にＡｕの含有率が９９.９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層と、この硬質Ａｕメッキ層上に形成されＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする同軸コネクタ。
【請求項４】
金属製の枠体と、前記枠体の側面に穿設される貫通孔と、この貫通孔に挿設される請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の同軸コネクタとを有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項５】
金属製の枠体と、前記枠体の側面に穿設される貫通孔と、この貫通孔に挿設され金属ろう材により接合される請求項２又は請求項３に記載の同軸コネクタとを有し、
前記枠体は、その表面上にＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項６】
円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、前記絶縁体の側面を被覆しかつ前記絶縁体の端面から導出される前記中心導体の一の端部を収容するハウジングとを有する同軸コネクタにおいて、前記中心導体の表面及び前記ハウジングの表面上に、Ａｕの含有率が９９.９よりも低い硬質Ａｕメッキ層を形成する第１の工程と、
この第１の工程の後に、前記硬質Ａｕメッキ層上にＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成する第２の工程とを有することを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
【請求項７】
側面に貫通孔が形成された金属製の枠体の表面上に、Ａｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成する第１の工程と、
この第１の工程の後に、前記貫通孔に請求項６に記載の方法により製造された同軸コネクタを挿設して金属ろう材により接合する第２の工程とを有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子及びこの半導体素子に接続される回路基板を収容する半導体素子収納用パッケージに設けられ高周波信号を安定して伝送することができる同軸コネクタおよびそれを用いた半導体素子収納用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、空中の水分や化学物質等により破損しやすい半導体素子等を電子部品として使用する場合、例えば金属製の筐体内に半導体素子等の電子部品を収容し、高気密状態となるよう密封して用いていた。
また、筐体の内部に収容される半導体素子等の電子部品へは、例えば、同軸コネクタを通じて電気信号が伝送され、この同軸コネクタには同軸アタプタを備えてプッシュ／プルで着脱可能な同軸ケーブルが接続されて電気信号が伝送されていた。
このような同軸コネクタにおいては、同軸ケーブルが装着された際に接触の信頼性が確保される必要があった。
また、同軸コネクタにおいての筐体の内側に向って導出される中心導体の表面は、筐体の内部に収容される他の電子部品に半田（金属ろう材）で接合されるので、半田の濡れ性を有している必要があった。
このような課題に対処する目的でいくつかの発明が開示されている。
【０００３】
特許文献１には「同軸コネクタ及び通信装置」という名称で、携帯電話等の移動体通信装置に組み込まれる信号経路の切換えが可能な同軸コネクタ及びこのコネクタを備えた通信装置に関する発明が開示されている。
特許文献１に記載の発明は、中心コンタクトを有するプローブの装着、離脱に基づいて信号経路の切り換えを行う同軸コネクタであり、第１,第２の固定ヨーク端子と可動端子と永久磁石とで磁気回路が構成され、第１固定ヨーク端子、第２固定ヨーク端子及び可動端子に下地ニッケルメッキ処理及び表面金メッキ処理が施されていることを特徴とするものである。
上記構成の特許文献１に記載の発明によれば、ニッケルメッキ処理や金メッキ処理によって腐食が防止され、かつ、半田付け性や接触信頼性を高めることができる。
【０００４】
特許文献２には「表面処理方法、電子部品並びにコネクタピンの製造方法、および電子部品」という名称で、半田付け領域と非半田付け領域と形成するための表面処理方法、この表面処理方法を用いた電子部品並びにコネクタピンの製造方法、および電子部品に関する発明が開示されている。
特許文献２に記載の発明は、半田濡れ性が低い、あるいは半田が濡れない低濡れ性金属からなる下層側金属層（ニッケルめっき層）の表面に、前記低濡れ性金属よりも半田濡れ性の高い高濡れ性金属からなる上層側金属層（金めっき層）が積層された処理対象物の表面に対して、その所定領域にレーザ光を照射し、当該レーザ光の照射領域によって非半田付け領域とする一方、その他の領域に半田付け領域を形成することを特徴とするものである。
上記構成の特許文献２に記載の発明によれば、レーザ光が照射された領域に非半田付け領域が形成できる一方、その他の領域に、高濡れ性金属をそのまま残した半田付け領域を形成することができる。
従って、部分めっきなどの手法を用いなくても、半田付け領域と非半田付け領域を効率よく形成することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３４２５０１号公報
【特許文献２】特開２００４−２７７８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の発明おいては、金メッキされた領域の半田付け性が高いとの記載があることから、この金メッキ層は金の含有率が高い軟質金メッキ層であると考えられる。
軟質金メッキ層は、半田の濡れ性が高い反面耐摩耗性が低いので、例えば同軸ケーブルとの接続端に形成した場合、同軸ケーブルの着脱を繰り返した際に金メッキ層が剥離してしまい、端子に腐食が生じるなどして接触信頼性を好適に維持できない恐れがあった。
【０００７】
また、特許文献２に記載の発明においても、金めっき層は軟質金メッキ層であると考えられる。
このため、コネクタピンに他の部品を繰り返し着脱させた際に、金めっき層が剥離して、腐食が生じたり接触信頼性を好適に維持できない恐れがあった。
【０００８】
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものでありその目的は、同軸コネクタへの同軸ケーブルの着脱が繰り返された場合でも腐食防止効果や接触信頼性が低下する恐れがなく、しかも、メッキ被膜の表面における金属ろう材の濡れ性の高い同軸コネクタ及びそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため請求項１記載の発明である同軸コネクタは、円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、絶縁体の側面を被覆しかつ絶縁体の端面から導出される中心導体の一の端部を収容するハウジングと、中心導体の裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、中心導体の一の端部を被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層を備え、中心導体の他の端部を被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とするものである。
上記構成の同軸コネクタにおいて、ハウジングはその中空部に絶縁体と中心導体を収容するという作用を有する。また、中心導体は一の端部側から他の端部側に電気信号を伝送するという作用を有する。さらに、絶縁体はハウジングの中空部の一部を遮蔽すると同時に、ハウジングの中空部において、中心導体をハウジングと非接触な状態に維持しながら保持するという作用を有する。つまり、絶縁体は中心導体とハウジングとを絶縁するという作用を有する。
また、中心導体の裸出部分に形成される複数層から成るメッキ被膜は、空気中の水分や化学物質と中心導体を構成する金属とが化学反応を起こすのを妨げるという作用を有する。
特に、ハウジングの中空部に収容される中心導体の一の端部は、同軸ケーブルに接続するための接続端であり、プッシュ／プルの操作によって同軸ケーブルの先端に取設される同軸アダプタの着脱が繰り返された際に、中心導体の一の端部の裸出部分には摩擦力が作用する。
このため、請求項１に記載の発明においては、中心導体の一の端部の裸出部分に、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層を形成することで、メッキ被膜に耐摩耗性を付与している。
すなわち、中心導体の一の端部を被覆するメッキ被膜は、硬質メッキ層を有することでこのメッキ被膜の摩耗を抑制するという作用を有する。
他方、ハウジングの中空部に導出されない中心導体の他の端部は、例えば、請求項１に記載の同軸コネクタが半導体素子収納用パッケージの筐体に接合された際に、筐体の内部に向って導出され、他の電子部品と金属ろう材により接合される。
このため、中心導体の他の端部に形成されるメッキ被膜の最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成することで、中心導体の他の端部における金属ろう材の濡れ性を高めるという作用を有する。
【００１０】
請求項２記載の発明である同軸コネクタは、円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、絶縁体の側面を被覆しかつ絶縁体の端面から導出される中心導体の一の端部を収容するハウジングと、中心導体及びハウジングの裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、中心導体の一の端部を被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層を備え、中心導体の他の端部、および、ハウジングを被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とするものである。
上記構成の同軸コネクタは、請求項１に記載の発明と同じ構成に加え、ハウジングの裸出部分にも複数層からなるメッキ被膜が形成され、さらに、このメッキ被膜の最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層が形成されるものである。
従って、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明と同じ作用に加え、ハウジングの裸出部分に形成されるメッキ被膜の最上層を軟質Ａｕメッキ層とすることで、ハウジング表面の金属ろう材の濡れ性を高めるという作用を有する。
【００１１】
請求項３記載の発明である同軸コネクタは、円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、絶縁体の側面を被覆しかつ絶縁体の端面から導出される中心導体の一の端部を収容するハウジングと、中心導体及びハウジングの裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、このメッキ被膜は、ハウジングおよび中心導体の表面上にＡｕの含有率が９９.９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層と、この硬質Ａｕメッキ層上に形成されＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする同軸コネクタ。
上記構成の同軸コネクタにおける、絶縁体と、中心導体と、ハウジングは、請求項１記載の発明における絶縁体と、中心導体と、ハウジングと同じ作用を有する。
さらに、メッキ被膜における硬質Ａｕメッキ層は、メッキ被膜の耐摩耗性を高めるという作用を有する。
また、この硬質Ａｕメッキ層の上に形成される軟質Ａｕメッキ層は、メッキ被膜の表面における金属ろう材の濡れ性を高めるという作用を有する。
【００１２】
請求項４記載の発明である半導体素子収納用パッケージは、金属製の枠体と、この枠体の側面に穿設される貫通孔と、この貫通孔に挿設される請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の同軸コネクタとを有することを特徴とするものである。
上記構成の半導体収納用パッケージは、請求項１乃至請求項３のそれぞれに記載される同軸コネクタと同じ作用に加えて、枠体は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の同軸コネクタを支持するという作用を有する。
また、枠体に形成される貫通孔は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の同軸コネクタの枠体への挿設を可能にするという作用を有する。
【００１３】
請求項５記載の発明である半導体素子収納用パッケージは、金属製の枠体と、この枠体の側面に穿設される貫通孔と、この貫通孔に挿設され金属ろう材により接合される請求項２又は請求項３に記載の同軸コネクタとを有し、枠体は、その表面上にＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を備えることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
上記構成の半導体収納用パッケージは、請求項２又は請求項３に記載される同軸コネクタと同じ作用に加えて、枠体は、請求項２又は請求項３に記載の同軸コネクタを支持するという作用を有する。
また、枠体に形成される貫通孔は、請求項２又は請求項３に記載の同軸コネクタの枠体への挿設を可能にするという作用を有する。
さらに、枠体の表面に形成される軟質Ａｕメッキ層は、枠体の表面における金属ろう材の濡れ性を高めるという作用を有する。
【００１４】
請求項６記載の発明である同軸コネクタの製造方法は、円柱状の絶縁体と、この絶縁体の軸中心に挿通される中心導体と、絶縁体の側面を被覆しかつ絶縁体の端面から導出される中心導体の一の端部を収容するハウジングとを有する同軸コネクタにおいて、中心導体の表面及びハウジングの表面上に、Ａｕの含有率が９９.９よりも低い硬質Ａｕメッキ層を形成する第１の工程と、この第１の工程の後に、硬質Ａｕメッキ層上にＡｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成する第２の工程とを有することを特徴とするものである。
上記構成の同軸コネクタの製造方法は、請求項３記載の発明を方法の発明として捉えたものである。なお、請求項６記載の発明における絶縁体と、中心導体と、ハウジングは、いずれも請求項１記載の発明における絶縁体と、中心導体と、ハウジングと同じ作用を有する。
そして、請求項６記載の発明において、第１の工程は、中心導体の表面及びハウジングの表面上に耐摩耗性を有する硬質Ａｕメッキ層を形成させるという作用を有する。
また、続く第２の工程においては、第一の工程において形成された硬質Ａｕメッキ層の上に金属ろう材の濡れ性が高い軟質Ａｕメッキ層を形成させるという作用を有する。
【００１５】
請求項７記載の発明である半導体素子収納用パッケージの製造方法は、側面に貫通孔が形成された金属製の枠体の表面上に、Ａｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成する第１の工程と、この第１の工程の後に、貫通孔に請求項６に記載の方法により製造された同軸コネクタを挿設して金属ろう材により接合する第２の工程とを有することを特徴とするものである。
上記構成の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、請求項５記載の発明を方法の発明として捉えたものである。なお、請求項７記載の発明における枠体と、貫通孔は、いずれも請求項５に記載の発明と同じ作用を有する。
そして、請求項７に記載の発明において第１の工程は、枠体の表面に金属ろう材の濡れ性が高い軟質Ａｕメッキ層を形成させるという作用を有する。
また、続く第２の工程においては、枠体に形成される貫通孔に、接合強度を高めながら請求項６に記載の方法により製造された同軸コネクタを接合するという作用を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の請求項１記載の発明によれば、同軸ケーブルのアダプタが着脱される中心導体の表面に、すなわち、ハウジングに収容される中心導体の一の端部の表面に硬質Ａｕメッキ層を備えることで、同軸ケーブルのアダプタの着脱が繰り返された場合に、メッキ層の損傷を抑制することができるという効果を有する。
よって、中心導体の一の端部の表面における腐食の発生を防止するとともに、接続の信頼性を長期間にわたって持続させることができるという効果を有する。
また、中心導体のハウジングに収容されない他の端部を被覆するメッキ被膜の最上層に、軟質Ａｕメッキ層を形成することで、この部分の金属ろう材の濡れ性を高めることができる。
この結果、中心導体の他の端部に金属ろう材を用いて電子部品を接合した場合にその接合強度を高めることができるという効果を有する。
従って、請求項１に記載の同軸コネクタによれば、同軸ケーブルの着脱を繰り返した際に接続の信頼性が低下し難く、かつ、金属ろう材を用いて容易に他の電子部品を接合することのできる高品質な同軸コネクタを提供することができるという効果を有する。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明と同じ構成に加え、ハウジングの裸出部分に形成されるメッキ被膜の最上層を軟質Ａｕメッキ層とすることで、請求項２に記載の同軸コネクタを、例えば、半導体素子収納用パッケージを構成する枠体に金属ろう材を用いて接合する際に、その接合強度を高めることができるという効果を有する。
従って、請求項２に記載の発明を製品に用いた際の信頼性を高めることができるという効果を有する。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、中心導体とハウジングの表面上に、硬質Ａｕメッキ層と軟質Ａｕメッキ層をこの順で形成することで、例えば、同軸ケーブルのアダプタの着脱が繰り返されてメッキ被膜の摩耗が生じる場所、すなわち、ハウジングに収容される中心導体の一の端部の耐摩耗性を向上して、腐食の発生を抑制すことができるという効果を有する。この結果、接続の信頼性を長期間にわたり持続させることができるという効果を有する。
また、硬質Ａｕメッキ層の上に軟質Ａｕメッキ層を形成することで、中心導体及びハウジングの表面における金属ろうの濡れ性を高めることができるという効果を有する。
従って、請求項２記載の同軸コネクタの中心導体に他の電子部品を金属ろう材を用いて接合する場合や、請求項２記載の同軸コネクタ自体を他の電子部品に金属ろう材を用いて接合する際にその接合強度を高めることができるという効果を有する。
さらに、上述のような効果を有する硬質Ａｕメッキ層、軟質Ａｕメッキ層を請求項３記載の同軸コネクタに形成するために必要な設備は、メッキ処理設備のみであり、特殊な設備を設けたり、特殊な加工を施す必要がないので、製造工程を簡素にすることができる上、高品質な製品を製造するためのコストを低減することができるという効果も有する。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の同軸コネクタを備えた半導体素子収納用パッケージであり、請求項１乃至請求項３記載のそれぞれの発明と同じ効果を有する。
よって、請求項４に記載の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタに同軸ケーブルの着脱を繰り返した場合の接続の信頼性が低下し難く、かつ、筐体の内部に収容される電子部品と同軸コネクタとの接合性が良好な半導体素子搭載用パッケージを提供することができるという効果を有する。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項２又は請求項３記載の同軸コネクタを備えた半導体素子収納用パッケージであり、請求項２又は請求項３記載の発明と同じ効果を有する。
さらに、請求項５記載の発明においては、貫通孔を形成した枠体の表面に軟質Ａｕメッキ層を形成することで、枠体の貫通孔に金属ろう材により請求項２又は請求項３記載の同軸コネクタを接合する際に、その接合強度を高めることができるという効果を有する。
よって、請求項５に記載の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタに同軸ケーブルの着脱を繰り返した場合の接続の信頼性が低下し難く、かつ、筐体の内部に収容される電子部品と同軸コネクタとの接合性が良好で、しかも、枠体と同軸コネクタとの接合強度が高い高品質な半導体素子収納用パッケージを提供することができるという効果を有する。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、請求項３記載の発明を方法の発明として捉えたものであり、請求項３記載の発明と同じ効果を有する。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項５記載の発明を方法の発明として捉えたものであり、請求項５記載の発明と同じ効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の最良の実施の形態に係る同軸コネクタ及びそれを用いた半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法について実施例を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
本発明の実施例１に係る同軸コネクタ及びその製造方法について図１および図２を参照しながら詳細に説明する。（特に請求項１乃至請求項３、請求項６に対応。）
図１は本発明の実施例１に係る同軸コネクタの断面図である。
本発明の実施例１に係る同軸コネクタ１は、金属製の径の異なる２種類の円筒が連設されたハウジング４において、径の小さい第１の円筒体４ａの中空部に絶縁体２が収容され、この絶縁体２の略中心軸上に金属製の中心導体３が挿通されるものである。
そして、中心導体３の一の端部３ａは、絶縁体２の端面２ａからハウジング４における第２の円筒体４ｂの中空部に導出され、図示しない同軸ケーブルのアダプタを着脱させるための接続端子となる。
他方、中心導体３のハウジング４内に導出されない他の端部３ｂは、絶縁体２の端面２ｂから外部に向って導出され、本実施例に係る同軸コネクタ１を、例えば、発光素子等の電子部品を収納するパッケージに取付けた際に、パッケージ内の他の電子部品に電気信号を伝送するための接続用端子となる。
なお、本実施例においては、ハウジング４を径の異なる２つの第１及び第２の円筒体４ａ,４ｂにより構成する場合を例に挙げているが、第２の円筒体４ｂの径は、同軸コネクタ１に接続される同軸ケーブルのアダプタの径によって変動するため、必ずしも第２の円筒体４ｂの径を第１の円筒体４ａの径よりも大きくする必要はなく、第１の円筒体４ａと同径でも良いし、それよりも径が小さくても良い。
【００２５】
さらに、本実施例に係る同軸コネクタ１においては、中心導体３の表面に複数層から成るメッキ被膜が形成されることで、中心導体３の表面が空気中の水分や化学物質と反応して腐食するのを防止している。
この時、特に中心導体３の一の端部３ａを被覆するメッキ被膜が、Ａｕ（金）の含有率が９９.９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層５を有することで、メッキ被膜の耐摩耗性を高めることができる。
一般に、貴金属の金（Ａｕ）は、純度が高いほど柔らかく、しかも、金属ろう材に対する濡れ性が高くなることが知られている。
つまり、金（Ａｕ）をメッキ被膜として用いる場合、その含有率を９９.９％以上にすることで、金属ろう材に対する濡れ性を高くすることができる。その一方で、このような高純度の金（Ａｕ）は柔らかいので、メッキ被膜とした場合に磨耗によって剥がれ易く耐摩耗性の観点からは望ましくない。
他方、金（Ａｕ）の含有率が９９.９％よりも低いメッキ被膜は、Ａｕ層中の不純物の含有量が多いことを意味しており、金属ろう材の濡れ性は劣るものの、高純度の金（Ａｕ）に比べて硬いので耐摩耗性に優れている。
そこで、本実施例に係る同軸コネクタ１においては、中心導体３の一の端部３ａを被覆するメッキ被膜において、Ａｕの含有率が９９.９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層５を形成することで、その耐摩耗性を向上させている。
従って、ハウジング４の第２の円筒体４ｂに収容される中心導体３の一の端部３ａに、図示しない同軸ケーブルの着脱が繰り返された場合に、メッキ被膜が剥がれたり損傷するのを抑制することができる。
この結果、中心導体３の一の端部３ａにおける接続の信頼性を長期間にわたり維持することができるという効果を有する。
【００２６】
また、特に中心導体３の他の端部３ｂを被覆するメッキ被膜の最上層に、Ａｕの含有率が９９.９％以上の軟質Ａｕメッキ層を形成することで、上述のような理由により、メッキ被膜の表面における金属ろう材との濡れ性を高めることができる。
従って、本実施例にかかる同軸コネクタ１を、例えば、半導体素子等の電子部品を収納するパッケージに取り付けた場合に、パッケージの内部に向って導出される中心導体３の他の端部３ｂを、金属ろう材により他の電子部品に接合した際の接合強度を高めることができるという効果を有する。
このように、実施例１に係る同軸コネクタ１においては、中心導体３の一の端部３ａに硬質Ａｕメッキ層５を備え、他の端部３ｂに形成されるメッキ被膜の最上層に軟質Ａｕメッキ層６を形成することで、同軸ケーブルの着脱を繰り返した場合でも接続の信頼性が損なわれ難く、他の電子部品との接合性のよい同軸コネクタを提供することができるという効果を有する。
【００２７】
さらに、本実施例に係る同軸コネクタ１においては、ハウジング４の裸出部分にもメッキ被膜を形成し、その最上層を軟質Ａｕメッキ層６としてもよい。
この場合、ハウジング４の表面における金属ろう材の濡れ性を高めることができるという効果を有する。
従って、本実施例に係る同軸コネクタ１を金属ろう材により、例えば、半導体素子等の電子部品を収容したパッケージに取り付ける際に、その接合性及び接合強度を高めることができる。
この結果、本実施例に係る同軸コネクタ１を製品に用いた場合、製品の信頼性を高めることができるという効果を有する。
加えて、ハウジング４を構成する金属が、大気中の水分や化合物と反応して腐食するのを防止することもできる。
【００２８】
このような実施例１に係る同軸コネクタ１は、図１に示すように、メッキ処理を施していないハウジング４に絶縁体２及び中心導体３を取設したものに、まず、下地メッキ層として図示しないＮｉ（ニッケル）メッキ層を形成し、次に、このＮｉメッキ層の上に硬質Ａｕメッキ層５を形成し、さらにその上に軟質Ａｕメッキ層６を形成したものである。
この場合、中心導体３及びハウジング４の表面が軟質Ａｕメッキ層６で被覆されていることで、他の電子部品やパッケージの筐体に接合される際の金属ろうの濡れ性を高めて接合性と接合強度を高めることができる。
さらに、中心導体３及びハウジング４の表面に形成されるメッキ被膜が硬質Ａｕメッキ層５を備えることで、特に中心導体３の一の端部３ａに、図示しない同軸ケーブルの着脱が繰り返されて柔らかい軟質Ａｕメッキ層６が剥がれてしまっても、一の端部３ａは耐摩耗性を有する硬質Ａｕメッキ層５によって保護されるので、腐食を防止しながら、長期間にわたり接続の信頼性が維持される高品質な同軸コネクタを提供することができるという効果を有する。
【００２９】
ここで、実施例１に係る同軸コネクタ１の製造方法を図２を参照しながら詳細に説明する。
図２は本発明の実施例１に係る同軸コネクタの製造工程を示すフローチャートである。なお、図１に記載されたものと同一部分については同一符号を付し、その構成についての説明は省略する。
図２に示すように、本実施例に係る同軸コネクタ１を製造するには、まず、未メッキ処理の同軸コネクタをメッキ液に浸漬して電解メッキ法によりＮｉメッキ層（下地メッキ層）を形成させる（ステップＳ１）。
この工程の後に、ニッケルメッキ層が形成された同軸コネクタを別のメッキ液に浸漬して、Ｎｉメッキ層の上に電解メッキ法により硬質Ａｕメッキ層５を形成させる（ステップＳ１）。
さらにこの工程の後に、硬質Ａｕメッキ層５が形成された同軸コネクタを別のメッキ液に浸漬して、硬質Ａｕメッキ層５の上に電解メッキ法により軟質Ａｕメッキ層６を形成させればよい。
このように、実施例１に係る同軸コネクタ１の製造方法によれば、メッキ処理設備のみを用いて上述のような効果を有する同軸コネクタ１を製造することができる。
この場合、部分メッキを行ったり、その他特殊な加工を一切施す必要がないので、製造工程を極めて簡素にすることができ、実施例１に係る同軸コネクタ１を製造する際のコストを大幅に削減することができる。また、生産性も向上させることができる。
よって、実施例１に係る同軸コネクタ１の製造方法によれば、高品質な同軸コネクタ１を安価にかつ効率よく生産することができるという効果を有する。
【実施例２】
【００３０】
本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法について図３乃至図５を参照しながら詳細に説明する。（特に請求項４、請求項５、請求項７に対応。）
図３は本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの部分断面図である。なお、図１又は図２に記載されたものと同一部分については同一符号を付し、その構成についての説明は省略する。
図３に示すように、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８は、金属製の枠体７に形成される貫通孔９に上述の実施例１に係る同軸コネクタ１が挿設されたものである。
このような実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８は、同軸コネクタ１に同軸ケーブルの着脱が繰り返された場合でも、中心導体３の一の端部３ａにおける接続の信頼性が低下し難く、かつ、枠体７の内側に向って導出される中心導体３の他の端部３ｂにおいては、枠体７の内部に収容される、例えば、半導体素子等の電子部品との接合性を高めることができるという効果を有する。
【００３１】
また、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８においては、貫通孔９を形成した枠体７の表面上に軟質Ａｕメッキ層６を形成してもよい。
この場合、枠体７の表面の腐食防止効果に加え、枠体７の表面上における金属ろう材の濡れ性を高めることができるという効果を有する。
従って、枠体７の貫通孔９に実施例１に係る同軸コネクタ１を金属ろう材１０により接合する際に、実施例１に係るコネクタ１の表面と貫通孔９の内側面上の両方において金属ろう材１０の濡れ性が高められることで、その接合性及び接合強度を高めることができるという効果を有する。
よって、半導体素子収納用パッケージ８の信頼性を向上することができる。
【００３２】
ここで、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８の製造方法について図４を参照しながら詳細に説明する。
図４は本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの製造工程を示すフローチャートである。
図４に示すように、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８を製造するには、まず、貫通孔９を形成した枠体７をメッキ液に浸漬して電解メッキ法により、下地メッキ層となるＮｉメッキ層を形成する（ステップＳ１０）。
この工程の後に、Ｎｉメッキ層が形成された枠体７を別のメッキ液に浸漬して、再び電解メッキ法によりＮｉメッキ層の上に軟質Ａｕメッキ層６を形成させる（ステップＳ１１）。
そして、この工程の後に、その内側面上に軟質Ａｕメッキ層６が形成された貫通孔９に、第１の円筒体４ａの外周に予め金属ろう材１０を塗布した実施例１に係る同軸コネクタ１を挿設してから、枠体７とともに金属ろう材１０の溶融温度にまで加温させた後冷却させてこれらを接合すればよい（ステップＳ１２）。
なお、上記ステップＳ１２においては、実施例１に係る同軸コネクタ１の第１の円筒体４ａの外周に金属ろう材１０を予め塗布した場合を例に挙げて説明しているが、金属ろう材１０は貫通孔９の内側面上及び貫通孔９の外側の周辺に予め塗布しておいてもよい。この場合も、同様の効果が期待できる。
【００３３】
従って、図４に示すような実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８の製造方法によれば、上述のような効果に加え、枠体７と実施例１に係る同軸コネクタ１の接合部分における信頼性を高めることができるという効果を有する。
さらに、この場合も部分メッキ処理やその他の特殊な加工を行う必要がないので、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８の製造工程を簡素化すると同時に、その生産性を向上することができる。
従って、品質の高い製品を安価に提供することができるという効果を有する。
【００３４】
最後に図５を参照しながら、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８の使用例について詳細に説明する。
図５は本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの使用例を示す断面図である。なお、なお、図１乃至図４に記載されたものと同一部分については同一符号を付し、その構成についての説明は省略する。
実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８は、例えば、図５に示すような電気信号を高周波信号に変換するための高周波通信用パッケージ１１に用いることができる。
このような、高周波通信用パッケージ１１は、例えば金属製の底板１２上に実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８を、例えば、図示しない金属ろう材により接合して筐体２０を形成し、その底部に絶縁体１３を介して半導体素子１４を接合しておき、この半導体素子１４と実施例１に係る同軸コネクタ１の中心導体３に、例えば、導電材１５を介してボンディングワイヤ１６により接合している。
さらに、高周波通信用パッケージ１１は、枠体７の他の側面に伝送線路基板１７を備えており、半導体素子１４とこの伝送線路基板１７とが別のボンディングワイヤ１６により接続され、伝送線路基板１７には外部に高周波信号を出力させるための出力用端子１９が設けられている。
また、筐体２０の開口には蓋体１８が接合されることで密封され、筐体２０の内部は気密状態となっている。
【００３５】
このような高周波通信用パッケージ１１においては、図示しない同軸ケーブルから実施例１に係る同軸コネクタ１を介して半導体素子１４に電気信号が伝送されると、半導体素子１４においてこの電気信号が高周波信号に変換される。
そして、半導体素子１４から発信される高周波信号は、伝送線路基板１７内の導電体を通じて筐体２０の外に伝送され出力用端子１９から出力される。
この場合、中心導体３を被覆するメッキ被膜は、耐摩耗性を有する硬質Ａｕメッキ層５を有しているので、実施例１に係る同軸コネクタ１の一の端部３ａへの同軸ケーブルの着脱が繰り返された場合でも、接続の信頼性を好適に維持することができる。
また、中心導体３の他の端部３ｂを被覆するメッキ被膜の最上層に、軟質Ａｕメッキ層６を形成することで、金属ろう材１０により導電材１５に接合した場合、あるいは、導電材１５を介することなく中心導体３と半導体素子１４とを直接、例えば、Ａｕからなるボンディングワイヤ１６により接続した場合に、十分な接合強度を発揮させることができる。
さらに、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８を用いた場合で、かつ、ハウジング４の表面に形成されるメッキ被膜の最上層を軟質Ａｕメッキ層６とした場合には、枠体７と同軸コネクタ１との接合強度が高められるので、高周波通信用パッケージ１１の気密性を好適に維持することができるという効果を有する。
従って、図５に示すような高周波通信用パッケージ１１に実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８を用いることで、信頼性の高い高品質な製品を提供することができるという効果を有する。
【００３６】
なお、ここでは筐体２０内に、例えば、半導体素子１４を収容する場合を例に挙げて説明しているが、必ずしも半導体素子１４である必要はなく、外気との接触が望ましくない電子部品であってもよく、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８によれば、このような電子部品を気密状態を維持しながら収容することができるという効果を有する。
従って、実施例２に係る半導体素子収納用パッケージ８を用いた製品の信頼性を高めることができるという効果を有する。
また、筐体２０の内部は真空状態としてもよいし、不活性ガスを充填しても良い。いずれの場合も、半導体素子１４や電子部品を外気から遮断した状態で動作させることができるという効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
以上説明したように、本発明は同軸コネクタへの同軸ケーブルの着脱が繰り返された場合でも腐食防止効果や接触信頼性が低下する恐れがなく、しかも、メッキ被膜の表面における金属ろう材の濡れ性の高い同軸コネクタ及びそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法であり、電子部品や通信機器の分野において利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施例１に係る同軸コネクタの断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る同軸コネクタの製造工程を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの部分断面図である。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体素子収納用パッケージの使用例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…同軸コネクタ  ２…絶縁体  ２ａ,２ｂ…端面  ３…中心導体  ３ａ…一の端部  ３ｂ…他の端部  ４…ハウジング  ４ａ…第１の円筒体  ４ｂ…第２の円筒体  ５…硬質Ａｕメッキ層  ６…軟質Ａｕメッキ層  ７…枠体  ８…半導体素子収納用パッケージ  ９…貫通孔  １０…金属ろう材  １１…高周波通信用パッケージ  １２…底板  １３…絶縁体  １４…半導体素子  １５…導電材  １６…ボンディングワイヤ  １７…伝送線路基板  １８…蓋体  １９…出力用端子  ２０…筐体
【図１】
2009259712.tif 000003
【図２】
2009259712.tif 000004
【図３】
2009259712.tif 000005
【図４】
2009259712.tif 000006
【図５】
2009259712.tif 000007