(57)【要約】【課題】感度と強度が高いＭＥＭＳの製造コストを低減する。【解決手段】支持部と、前記支持部に架設された可撓部と、前記可撓部の変形または変位を検出するための検出手段と、前記可撓部から突出する錘部と、前記支持部と前記可撓部と前記錘部とに連続して形成され、金属ガラスからなり凹部が形成されている金属ガラス層と、を備え、前記錘部は、前記金属ガラス層と、前記金属ガラスと異なる金属材料からなり前記凹部を埋めている金属層とを含む、ＭＥＭＳ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、
前記支持部に架設された可撓部と、
前記可撓部の変形または変位を検出するための検出手段と、
前記可撓部から突出する錘部と、
前記支持部と前記可撓部と前記錘部とに連続して形成され、金属ガラスからなり凹部が形成されている金属ガラス層と、を備え、
前記錘部は、前記金属ガラス層と、前記金属ガラスと異なる金属材料からなり前記凹部を埋めている金属層とを含む、
ＭＥＭＳ。
【請求項２】
前記金属材料は前記金属ガラスよりも密度が大きい、
請求項１に記載のＭＥＭＳ。
【請求項３】
前記錘部は前記金属ガラス層とともに前記錘部の表面の全部を形成する耐食層を含み、
前記錘部に含まれる前記金属層は前記金属ガラス層と前記耐食層とによって隠蔽されている、
請求項１または２に記載のＭＥＭＳ。
【請求項４】
微細成型モールドの表面上に金属ガラスを析出させることにより支持部と前記支持部に架設された可撓部と前記可撓部から突出する錘部とに連続し凹部を有する金属ガラス層を形成し、
前記金属ガラス層の表面に前記金属ガラスと異なる金属材料からなる金属層を形成することにより前記凹部を前記金属層で埋め、
薄膜を積層するとともにパターニングすることにより、前記可撓部の変形または変位を検出するための検出手段を形成する、
ことを含むＭＥＭＳ製造方法。
【請求項５】
前記金属材料は前記金属ガラスよりも密度が大きい、
請求項４に記載のＭＥＭＳ製造方法。
【請求項６】
前記金属層の表面に耐食層を形成する、
ことを含む請求項４または５に記載のＭＥＭＳ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）およびＭＥＭＳ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、錘部に結合された梁やダイヤフラムといった可撓部の変形や変位を電気信号に変換することにより加速度、角速度、振動などを検出するＭＥＭＳが知られている。特許文献１には可撓部の材質を金属ガラスにすることにより、可撓部の耐食性と強度を高める技術が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−４５０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、可撓部、可撓部に結合される錘部、可撓部を支持する支持部の材質をいずれも金属ガラスにすると、耐食性と強度と感度を高めることができるものの、ＭＥＭＳの製造コストが増大するという問題がある。
【０００４】
本発明はこの問題に鑑みて創作されたものであって、感度と強度が高いＭＥＭＳの製造コストを低減することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記目的を達成するためのＭＥＭＳは、支持部と、支持部に架設された可撓部と、可撓部の変形または変位を検出するための検出手段と、可撓部から突出する錘部と、支持部と可撓部と錘部とに連続して形成され、金属ガラスからなり凹部が形成されている金属ガラス層と、を備え、錘部は、金属ガラス層と、金属ガラスと異なる金属材料からなり凹部を埋めている金属層とを含む。
【０００６】
本発明のＭＥＭＳは、支持部と錘部と梁部に連続する層の材料として金属ガラスを用いるため強度が高い。また本発明のＭＥＭＳは錘部の材料として金属ガラスを用いるため感度が高い。さらに本発明によると、錘部の材料として金属ガラスとともに金属ガラスと異なる金属も用いるため、感度と強度を高めながらＭＥＭＳの製造コストを低減することができる。
【０００７】
（２）上記目的を達成するためのＭＥＭＳにおいて、前記金属材料は前記金属ガラスよりも密度が大きいことが望ましい。
これにより、錘部の平均密度が増大するため、感度をさらに高めることができる。
【０００８】
（３）上記目的を達成するためのＭＥＭＳにおいて、錘部は金属ガラス層とともに錘部の表面の全部を形成する耐食層を含み、錘部に含まれる金属層は金属ガラス層と耐食層とによって隠蔽されていることが好ましい。
これにより、腐食によって質量や形状や特性が変化することが問題となる錘部の材料となり金属ガラスではない金属層が腐食しやすい性質を持っている場合であっても、錘部の腐食による特性変化を抑制することができる。
【０００９】
（４）上記目的を達成するためのＭＥＭＳ製造方法は、微細成型モールドの表面上に金属ガラスを析出させることにより支持部と支持部に架設された可撓部と可撓部から突出する錘部とに連続し凹部を有する金属ガラス層を形成し、金属ガラス層の表面に金属ガラスと異なる金属材料からなる金属層を形成することにより凹部を金属層で埋め、薄膜を積層するとともにパターニングすることにより、可撓部の変形または変位を検出するための検出手段を形成する、ことを含む。
【００１０】
本発明の方法によると、感度と強度が高いＭＥＭＳを低いコストで製造することができる。また本発明によると、析出によって金属ガラス層を形成するため、金属ガラス層の厚さを精度良く制御できる。このため本発明によるとＭＥＭＳの特性のばらつきを低減することができる。
【００１１】
（５）上記目的を達成するためのＭＥＭＳ製造方法において、前記金属材料は前記金属ガラスよりも密度が大きいことが望ましい。
これにより、錘部の平均密度が増大するため、感度をさらに高めることができる。
【００１２】
（６）上記目的を達成するためのＭＥＭＳ製造方法において、金属層の表面に耐食層を形成する、ことを含むことが好ましい。
これにより、たとえ金属層が腐食しやすい材料からなる場合であっても、錘部の腐食による特性変化を抑制することができる。
【００１３】
尚、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。また、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
１．第一実施形態
（構成）
図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃは本発明のＭＥＭＳの第一実施形態としての加速度センサ１を示している。加速度センサ１は、支持部Ｓと可撓部Ｆと錘部Ｍと検出手段としての圧電素子Ｐとを備えたセンサチップＤと、信号処理チップ１００と、パッケージとを備えている。加速度センサ１は、錘部Ｍに作用する慣性力に応じた可撓部Ｆの変形を圧電素子Ｐによって電気信号に変換することにより加速度を検出するＭＥＭＳである。
【００１５】
センサチップＤの支持部Ｓは矩形枠の形態を有する。
センサチップＤの可撓部Ｆは平面視が環形のダイヤフラム型である。可撓部Ｆの矩形の外周全体が支持部Ｓに結合している。すなわち可撓部Ｆは枠形の支持部Ｓに架設されている。可撓部Ｆは支持部Ｓに両端が固定される両持ち梁型でもよいし、支持部Ｓに４つの端が固定される十字形でもよいし、一端が固定される片持ち梁型でもよい。
【００１６】
センサチップＤの錘部Ｍは可撓部Ｆの中央部から可撓部Ｆの厚さ方向に突出する四角柱形である。錘部Ｍの一端部の外周全体が可撓部Ｆに結合している。錘部Ｍは円柱形でも良いし、可撓部Ｆとの結合部が先細りした形でもよい。可撓部Ｆの中央部から突出するとともに平均密度がシリコンより大きな錘部Ｍを備えることにより、加速度に応じた可撓部Ｆの変形量を増大することができるため感度が高くなる。また、可撓部Ｆと平行な方向（図１Ａの水平方向）の加速度によって錘部Ｍに作用する慣性力をモーメントとして可撓部Ｆに作用させることができるため、３次元の加速度の検出が可能になる。
【００１７】
センサチップＤの可撓部Ｆは金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとで構成されている。センサチップＤの錘部Ｍおよび支持部Ｓは金属ガラス層１０と金属層２０と絶縁層Ｒとで構成されている。金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとは可撓部Ｆ、錘部Ｍおよび支持部Ｓに連続して形成されている。したがって可撓部Ｆ、錘部Ｍおよび支持部Ｓの結合強度は高く、その結合強度は主に金属ガラス層１０の材質に依存する。また可撓部Ｆの強度も主に金属ガラス層１０の材質に依存する。金属ガラス１０の強度は金属ガラスでない金属よりもシリコンよりも高い。したがって加速度センサ１の強度は高く、強い衝撃によっても加速度センサ１は破壊されにくい。
【００１８】
センサチップＤの表面は金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとで覆われている。耐食層として機能する絶縁層Ｒの材料には金属層１０よりも耐食性に優れた材料を用いる。たとえばポリイミド、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉｘＮｙ）等の耐食性に優れた材料を絶縁層Ｒに用いる。金属ガラスからなる金属ガラス層１０は耐食性に優れている。したがってセンサチップＤは腐食や変質が起こりにくいため、信頼性が高い。特に、錘部Ｍと可撓部Ｆの腐食や変質が起こりにくいため、特性が安定する。
【００１９】
センサチップＤの錘部Ｍの内部は金属層２０によって充填されている。具体的には、金属ガラス層１０の中央部（可撓部Ｆの中央部に相当する）に形成された凹部１０ｂに金属層２０が埋められている。金属層２０は、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦ）、ニッケル燐（ＮｉＰ）、ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）、ニッケルモリブデン（ＮｉＭｏ）など、金属ガラスとは異なる材料からなる。金属層２０は金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとによって隠蔽されているため、腐食しやすいが安価で密度が大きな銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）等を金属層２０の材料として用いることができる。金属ガラス層１０よりも密度が大きなタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）などを用いることにより、錘部Ｍの平均密度をさらに増大し、感度をさらに高めることができる。また、金属層２０は金属ガラス層１０の凹部１０ｂの全体に結合しているとともに金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとに内包されているため、錘部Ｍの内部の結合強度は強固である。
【００２０】
センサチップＤの可撓部Ｆには可撓部Ｆの変形を検出するための圧電素子Ｐが複数設けられている。圧電素子Ｐは可撓部Ｆの変形によって圧電体３１に生ずる応力を電圧に変換する。複数の圧電素子Ｐにそれぞれ生ずる電圧は電極４１および表面配線５１を介して信号処理チップ１００に出力される。
【００２１】
信号処理チップ１００は固定壁１０１を介してセンサチップＤに結合しているとともにセンサチップＤに電気的に接続されている。信号処理チップ１００とセンサチップＤの間には可撓部Ｆを変形可能にする空隙Ｇ２が固定壁１０１によって形成されている。信号処理チップ１００は複数の圧電素子Ｐの電圧相互の大小関係から３次元の加速度信号を生成するためのブリッジ回路、増幅器などを備えている。
【００２２】
センサチップＤと信号処理チップ１００とはパッケージベース１０３とパッケージカバー１０４とによってパッケージされている。パッケージベース１０３とパッケージカバー１０４とは接着層Ｂ２を介して結合している。センサチップＤはパッケージベース１０３に接着層Ｂ１を介して結合しているとともにワイヤＷを介してパッケージ配線１０２に電気的に接続されている。パッケージベース１０３とセンサチップＤの錘部Ｍとの間には錘部Ｍの３次元運動を可能にする空隙Ｇ１が形成されている。空隙Ｇ１はパッケージベース１０３の内面に形成された凹部によって形成されている。加速度信号はパッケージベース１０３に形成されているパッケージ配線１０２を介して外部に出力される。
【００２３】
本実施形態の加速度センサ１によると、錘部Ｍの材料として金属ガラス層１０を用いる部分を錘部Ｍの表層に限定したため、錘部Ｍの内部も金属ガラス層１０で構成する場合に比べて低いコストで製造することができる。また本実施形態の加速度センサ１においては、センサチップＤの表面を腐食耐性の高い金属ガラス層１０と絶縁層Ｒとで形成しているため、製造コストを抑制しつつ信頼性や特性の安定性が向上している。
【００２４】
（製造方法）
はじめに図２に示す微細成形モールドＭＬについて説明する。微細成形モールドＭＬはセンサチップＤの可撓部Ｆ、支持部Ｓおよび錘部Ｍの外形をフォトリソグラフィの精度で形成するためのモールドである。微細成形モールドＭＬは、シリコン、セラミックス、樹脂などからなる基板ＭＬ１と、成形面の凹凸を形成するためのメッキパターンＭＬ３とを備えている。例えば厚さ２ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ２）からなる基板ＭＬ１の表面にニッケル（Ｎｉ）からなるシード層ＭＬ２を形成した後に、フォトレジストからなる保護膜のパターンを用いてシード層ＭＬ２の表面にメッキパターンＭＬ３を形成することにより微細成形モールドＭＬを製造できる。シード層ＭＬ２としては、例えば厚さ３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）の膜と厚さ０．１μｍのパーマロイ（ＮｉＦｅ）の膜をスパッタリングによって積層する。メッキパターンＭＬ３としては、例えば厚さ１００μｍのパーマロイの膜を電解メッキによって形成する。微細成形モールドＭＬは繰り返し再利用可能であるため、微細成形モールドＭＬを用いてセンサチップＤの可撓部Ｆ、支持部Ｓおよび錘部Ｍの立体形状を決める金属ガラス層１０を成形することにより、加速度センサ１の製造コストを低減できる。
【００２５】
微細成形モールドＭＬを用いて加速度センサ１を製造するには、まず図３に示すように微細成形モールドＭＬの成形面に金属ガラス層１０を析出により形成する。金属ガラスを微細成形モールドＭＬの成形面に析出させる方法としては、電解メッキ、スパッタリング、カソーディックアークプラズマコンビナトリアルマテリアル法などが知られている。
【００２６】
次に図４に示すように金属ガラス層１０の表面全体に金属層２０を形成し、矩形の凹部１０ｂと矩形枠形の凹部１０ａとを埋める。金属層２０としては、例えば１００μｍの厚さのニッケル（Ｎｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、ニッケル燐（ＮｉＰ）、ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）、ニッケルモリブデン（ＮｉＭｏ）、銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）等の膜をバイアススパッタリング、ＣＶＤ、電解メッキ、無電解メッキなどによって形成する。
【００２７】
次に図５に示すように金属ガラス層１０の表面が露出するまで金属層２０の表層全体を研削、研磨、ＣＭＰなどによって除去する。
【００２８】
次に図６に示すように平坦に揃った金属ガラス層１０および金属層２０の表面（錘部Ｍが突出している面の裏側の面）に圧電層３０と電極層４０とを順に積層する。圧電層３０として、例えば厚さ３μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）の膜をスパッタリングまたはゾルゲル法によって金属ガラス層１０の表面に形成する。電極層４０として、例えば厚さ０．１μｍの白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、二酸化イリジウム（ＩｒＯ２）または金（Ａｕ）の膜をスパッタリングによって圧電層３０の表面に形成する。
【００２９】
次に電極層４０の表面に図示しないフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンを保護膜として電極層４０および圧電層３０をエッチングすることにより、図７に示す圧電体３１と電極４１とからなる圧電素子Ｐを形成する。
【００３０】
次に図８に示すように、圧電素子Ｐのコンタクトホールを有する絶縁層Ｒを金属ガラス層１０および圧電素子Ｐの表面に形成する。続いて絶縁層Ｒの表面に導電膜を形成し、図示しないフォトレジストパターンを保護膜として用いて導電膜をエッチングすることにより表面配線５１を形成する。絶縁層Ｒとして、例えば感光性ポリイミドなどのフォトレジストの他、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの膜をパターニングしても良い。表面配線５１として、例えば厚さ０．５μｍのアルミニウム（Ａｌ）、アルミシリコン（ＡｌＳｉ）、ＡｌＳｉＣｕなどの膜を絶縁層Ｒの表面に形成し、反応性イオンエッチング、イオンミリング、ウェットエッチングなどによってその膜をパターニングする。
【００３１】
次に図９に示すように微細成形モールドＭＬを金属ガラス層１０から脱離する。このとき微細成形モールドＭＬをエッチングにより除去しても良い。
【００３２】
以上のウエハレベルのプロセスの終了後、ダイサーやレーザー光を用いて図１０に示すように金属ガラス層１０をセンサチップＢの形状に合わせて切断すると加速度センサ１のセンサチップＢが完成する。
【００３３】
次に図１１に示すようにセンサチップＢに固定壁１０１を介して信号処理チップ１００を結合する。
その後、パッケージ工程などを実施すると、図１に示す加速度センサ１が完成する。
【００３４】
本実施形態の方法によると、金属ガラスを微細成形モールドＭＬの表面に析出させることにより金属ガラス層１０を形成するため、鍛造する場合に比べて金属ガラス層１０の厚さを精度良く制御できる。そのため加速度センサ１の特性のばらつきを低減することができる。
【００３５】
２．第二実施形態
（構成）
図１２は本発明のＭＥＭＳの第二実施形態としての加速度センサ２を示している。
加速度センサ２において可撓部Ｆの変形を検出するための検出手段はピエゾ抵抗部６２である。ピエゾ抵抗部６２はセンサチップＤの表面配線６１を介して信号処理チップ１００に接続されている。
【００３６】
（製造方法）
はじめに第一実施形態と同様に金属ガラス層１０と金属層２０とを形成し、金属ガラス層１０の表面と金属層２０の表面とを平坦に揃える。
次に図１３に示すように平坦に揃った金属ガラス層１０および金属層２０の表面全体に絶縁層７０を形成する。絶縁層７０として、例えば厚さ０．５μｍのシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉｘＮｙ）の膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成する。
【００３７】
次に絶縁層７０の表面全体に導電層を形成し、フォトレジストパターンを保護膜として導電層をエッチングすることにより、図１４に示す表面配線６１を形成する。表面配線６１となる導電層として、例えば厚さ０．３μｍのアルミニウムの膜をスパッタリングによって形成する。アルミニウムの膜の密着層として例えば厚さ３０ｎｍのチタンの膜をスパッタリングによって形成しても良い。
【００３８】
次に、絶縁層７０と表面配線６１の表面全体にピエゾ抵抗部６２となる導電層を形成し、フォトレジストパターンを保護膜として導電層をエッチングすることにより、図１５に示すピエゾ抵抗部６２を形成する。
【００３９】
以上のウエハレベルのプロセスが終了した後、微細成形モールドＭＬを金属ガラス層１０から脱離し、ダイサーやレーザー光を用いて金属ガラス層１０および絶縁層７０をセンサチップＢの形状に合わせて切断すると加速度センサ２のセンサチップＢが完成する。
【００４０】
３．他の実施形態
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば微細成型モールドＭＬとして図１６に示すように単層の構造体を用いても良い。またアライメント精度を確保するために、アライメントマークを微細成形モールドＭＬに設けたり、ガラス、サファイアなどからなる透明部材を微細成形モールドＭＬとして用いても良い。また離型性を高めるために、微細成形モールドＭＬの成形面に離型材を塗布してもよい。また離型性を高めるために、離型時にエッチングによって除去する犠牲層を微細成形モールドＭＬの成形面に形成し、犠牲層の表面に金属ガラス層１０を形成しても良い。すなわち微細成形モールドＭＬの表面に直接に金属ガラス層１０を形成するのではなく微細成形モールドＭＬの表面上に別の層を介して金属ガラス層１０を形成しても良い。また微細成形モールドＭＬを機械加工により製造することもできる。
【００４１】
また金属ガラス層１０をプレス加工によって形成しても良い。本発明の構造では金属ガラス層１０を薄くできるため、金属ガラスの材質自体の成形自由度がそれほど高くなくても、コストが低いプレス加工により金属ガラス層１０を形成できる。
【００４２】
また、本発明は振動ジャイロスコープ、振動センサ、圧力センサなどに適用することも可能である。振動ジャイロスコープに本発明を適用する場合、可撓部Ｆを励振する駆動手段として圧電素子を可撓部Ｆに設ければよい。また信号処理チップ１００とセンサチップＤとを別々にパッケージしても良い。また可撓部Ｆの変形を検出する代わりに可撓部Ｆの変位を容量などに変換して検出しても良い。その他、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１Ａ、図１Ｂは本発明の第一実施形態にかかる断面図。図１Ｃは本発明の第一実施形態にかかる底面図。
【図２】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図３】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図４】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図５】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図６】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図７】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図８】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図９】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１０】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１１】本発明の第一実施形態にかかる断面図。
【図１２】図１２Ａ、図１２Ｂは本発明の第二実施形態にかかる断面図。図１２Ｃは本発明の第二実施形態にかかる底面図。
【図１３】本発明の第二実施形態にかかる断面図。
【図１４】本発明の第二実施形態にかかる断面図。
【図１５】本発明の第二実施形態にかかる断面図。
【図１６】本発明の他の実施形態にかかる断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１：加速度センサ、２：加速度センサ、１０：金属ガラス層、１０Ｂ：バルク材、１０ａ：凹部、１０ｂ：凹部、１０ｃ：凹部、２０：金属層、３０：圧電層、３１：圧電体、４０：電極層、４１：電極、５１：表面配線、６１：表面配線、６２：ピエゾ抵抗部、７０：絶縁層、１００：信号処理チップ、１０１：固定壁、１０２：パッケージ配線、１０３：パッケージベース、１０４：パッケージカバー、Ｂ：センサチップ、１０Ｂ：バルク材、Ｂ１：接着層、Ｂ２：接着層、Ｄ：センサチップ、Ｆ：可撓部、Ｇ１：空隙、Ｇ２：空隙、Ｍ：錘部、ＭＬ：微細成形モールド、ＭＬ１：基板、ＭＬ２：シード層、ＭＬ３：メッキパターン、Ｐ：圧電素子、Ｒ：絶縁層、Ｓ：支持部、Ｗ：ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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