(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロシステムをシールするときに、シールによって画定される空洞の高さを規定でき、またシール時に変形してデバイス領域にあふれ出ることがないシール方法を提供する。【解決手段】構造体は、第１の基板１と、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）またはマイクロオプトエレクトロメカニカルシステム（ＭＯＥＭＳ）などのマイクロシステム２と、シール・ストリップ３と、第２の基板４とを備え、シール・ストリップ３を圧壊することによって第１の基板１と第２の基板４とを互いに接合し、閉空洞を画定する。圧壊前のシール・トリップ３には、基板に平行な円筒孔、または基板に直角な円筒孔からなる複数のボイドを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それ自体に対して閉じられる、周辺のシール・ストリップ（３）を圧壊することによって互いに接合される２つの対向する基板（１、４）を備える構造体を製造する方法であって、
前記シール・ストリップ（３）は、前記基板（１、４）の間に閉空洞を画定し、
前記シール・ストリップ（３）は、圧壊前に、複数のボイドを前記ストリップ（３）内に画定する連続した穿孔パターン（５）を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基板に平行な平面において、前記シール・ストリップ（３）の前記ボイドの表面と、前記ストリップの合計表面との間の比率が、１０％〜５０％の間に含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記穿孔パターン（５）が、ボイドによって前記基板（１、４）に垂直に穿孔されたバーにより形成されることを特徴とする、請求項１および２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記ボイド（６）は前記基板（１、４）に垂直な円筒形であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ボイド（７）は、前記ストリップの側面に垂直であり、前記基板（１、４）に平行であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
２つの隣接するボイド間の縁部間間隔（Ｐ）と前記ボイドの最小横寸法との間の比率が１未満であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
２つの隣接するボイド間の縁部間間隔（Ｐ）と前記ボイドの最小横寸法との間の比率が０．５〜０．８の間に含まれることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記シール・ストリップ（３）は、前記基板（１、４）の接合前に不連続であり、次いで、前記２つの基板（１、４）の密閉後に連続になることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
追加ストリップ（１０）および／または補強部（１１）を備えることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
光学的に透明な領域であって柱（８、９）および／または穿孔パターン（５）のボイド（６）の上方に位置する領域を含む前記基板（１、４）の一つにおいて、前記柱（１１）および／または前記穿孔パターン（５）の前記ボイド（６）の寸法を、前記穿孔パターンの形成後および接合後に測定することによって圧壊の均一性が検査されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記シール・ストリップ（３）、追加ストリップ（１０）、および補強部が、同じ材料から、同じ技術的ステップ内で形成されることを特徴とする、請求項９および１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記シール・ストリップ（３）は、少なくとも圧壊前に、ボイド（６）を画定する穿孔パターン（５）を含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の前記方法によって得られる構造体。
【請求項１３】
前記シール・ストリップ（３）は、ネガティブ極性フォトレジストで形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１４】
前記シール・ストリップ（３）によって画定される表面内に、少なくとも１つの追加ストリップ（１０）および／または補強部（１１）を備えることを特徴とする、請求項１２および１３のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１５】
前記追加ストリップ（１０）は前記シール・ストリップ（３）よりも狭い幅を有することを特徴とする、請求項１４に記載の構造体。
【請求項１６】
前記穿孔されたシール・ストリップ（３）は、前記２つの基板（１、４）を密閉することを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１７】
前記シール・ストリップは第１および第２のストリップ（３ａ、３ｂ）を含み、
前記第１および第２のストリップ（３ａ、３ｂ）は、異なる雰囲気を有する第１および第２の空洞（６ａ、６ｂ）をそれぞれ画定し、
前記第１の空洞（６ａ）は前記第２の空洞（６ｂ）内に配置される、
ことを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向する２つの基板の間に閉空洞を画定する閉じた周辺シール・ストリップを圧壊することによって互いに接合される前記２つの基板を備える構造体を製造する方法に関する。
【０００２】
本発明は、この方法により得られる構造体にも関する。
【背景技術】
【０００３】
マイクロシステム、およびマイクロエレクトロニクス技術によって製造される例えばマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）またはマイクロ・オプト・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＯＥＭＳ）などのデバイスは、そのサイズおよび脆弱さのために、外部からの攻撃に対して保護されなければならない対象物である。これが、特にマイクロシステムがその初期基板に引き続きしっかりと固定される場合に、マイクロシステムをカプセル化することが、取扱いを容易にし、コストを低減させるための魅力ある解決策となっている理由である。
【０００４】
樹脂ストリップを用いた基板上へのカバーの接合は、文献において一般的であり、とりわけＯｂｅｒｈａｍｍｅｒ等による論文、「Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ  ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｗｉｔｈ  ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｆｏｒ  ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃａｖｉｔｉｅｓ」、Ｓｅｎｓｏｒｓ  ａｎｄ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ  Ａ  １０５（２００３）、ｐ．２９７−３０４に記載されている。
【０００５】
マイクロエレクトロニクス分野では、パターンおよびそれに関連する設計ルールが、広範囲な研究の対象であるのに対して、シール・ストリップの設計は、チップ表面の最適化またはシール・ストリップの機械的強度を考慮していない。さらに、シールによって画定される空洞の高さを制御する、またはチップの活性表面を最適化する際に、シールの変形が考慮されていない。シール・ストリップを使用すると、圧壊後のその最終寸法を支配する上で大きな欠点がある。具体的には、２つの基板の密閉が実施された後に、シール・ストリップがデバイスの活性領域上にあふれ出て、デバイスの正しい動作に影響を及ぼす恐れがある。
【非特許文献１】Ｏｂｅｒｈａｍｍｅｒ等、「Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ  ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｗｉｔｈ  ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｆｏｒ  ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃａｖｉｔｉｅｓ」、Ｓｅｎｓｏｒｓ  ａｎｄ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ  Ａ  １０５（２００３）、ｐ．２９７−３０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、既知の方法の欠点を克服することであり、より詳細には、シール・ストリップの変形が、実施が容易な方法によってより適切に制御され、それによって空洞サイズのより適切な制御、および２つの基板間の接着性の強化が達成される構造体を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、この目的は、シール・ストリップが、圧壊前に、複数のボイドをストリップ内に画定する穿孔されたパターンを含むという事実によって達成される。
【０００８】
この方法によって得られる構造体を提供することが、本発明の別の目的である。
【０００９】
他の利点および特徴は、単に非限定的な例として与えられ、添付の図面に示される本発明の特定の実施形態に関する以降の説明から、より明確に明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１および２に示されるように、第１の基板１がデバイス、例えば、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）またはマイクロ・オプト・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＯＥＭＳ）などのマイクロシステム２を備える。従来の方式で製造されるマイクロシステム２は、第１の基板１にしっかりと固定されている。マイクロシステム２は、第１の基板１上に直接集積されても（第１の基板１はその場合、有利にはシリコンで形成される）、マイクロシステム２を形成した後に第１の基板１に固定されてもよい。第１の基板１は、ガラスで形成されることが可能である。
【００１１】
次いで、第１の基板１上のマイクロシステム２の周囲に、閉じた周辺シール・ストリップ３が従来の方式で形成される。シール・ストリップ３は、任意の適切な技法、例えばスピン・コーティングによって堆積され、次いで、追加のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィおよびエッチングによりパターン形成され、またはストリップ３が感光性かつ接着性の材料から形成される場合には、露光および現像により直接パターン形成される。シール・ストリップ３は、スクリーン印刷、ディスペンス法またはスタンプ法によってパターン形成され得る。ストリップ３の高さは、有利には２〜１０μｍの間に含まれ、その幅は、有利には１００〜３００μｍの間に含まれる。
【００１２】
図１に示されるように、従来の方式では、上部基板またはカバーに擬することができる第２の基板４が、基板１およびデバイス２に対向してシール・ストリップ３上に配置される。次いで、シール・ストリップ３が圧壊され、２つの基板が互いに接合される。接合は、好ましくは、ある一定の機械的強度を確実にする応力を維持することによって達成される。接合はまた、マイクロシステム２が中に配設された、２つの基板１、４、およびシール・ストリップ３によって画定される閉空洞内の、雰囲気および圧力の性質の制御を可能にするチャンバ内で達成されることが可能である。次いで、２つの実質的に平行な基板が、シール・ストリップ３によって接合される。得られる空洞は、有利には気密であり、または密閉されてさえおり、マイクロシステム２を外部の攻撃から保護する。
【００１３】
上部基板４は、シリコン、または有利にはガラスから形成されることが可能であり、シール・ストリップ３に対して空洞の高さを調節するようにパターン形成され得る。接合は、使用される材料の性質に応じて、熱的に実施されることが可能であり、かつ／または、例えば紫外線で露光することによって実施されることが可能である。
【００１４】
シール・ストリップ３の変形が実施される際のその変形を制御するために、ストリップ３は、少なくとも圧壊の前に、複数のボイド６を画定する穿孔されたパターン５を呈する。ストリップ３の穿孔パターン５は、有利には基板に垂直な、例えば基板に垂直な対称軸を有するボイド６によって穿孔されたバーに擬することができる。図３の特定の実施形態では、好ましい変形領域が、シール・ストリップをその高さ全体にわたって貫通し、かつ有利には、シール・ストリップに沿って規則正しい間隔で配列された孔６によって形成される。しかし、孔６の分配は、適用分野に応じて、特に構造体が基板１および４の少なくとも一方内に、シール・ストリップにごく近接してアクセス領域を備える場合に、修正されることが可能である。すなわち、シール・ストリップ３は、有利には、アクセス領域の近くにどんな孔６も備えず、または非常に小さな孔しか備えない。この予防措置により、特に、これらの領域が脆弱化するのを防止することが可能になる。
【００１５】
デバイス２がマイクロエレクトロニクス・タイプのものである場合、構造体はマイクロエレクトロニクス・チップとなり得る。しかし、構造体は、空洞によって外部から保護されなければならない他のどんなタイプのデバイスを備えてもよい。
【００１６】
図３に示される特定の実施形態では、シール・ストリップが、円筒孔６からなる２つの平行な行を備える。
【００１７】
したがって、シール・ストリップ３は、従来技術と同じようにマイクロシステム２を取り囲む連続した、均一な、閉じたビーズ（ｂｅａｄ）ではなく、それ自体に対して閉じられ、かつボイドを呈するストリップである。穿孔パターン５は連続的であり、好ましくは円筒形の、一直線に並んだ、または千鳥状の、一連または複数連の孔を呈することができる。それ自体に対して閉じられるストリップは、閉じたループを形成する連続した、または不連続のストリップであり、ストリップの不連続部は圧壊後に消滅するので考慮の対象に入らない。
【００１８】
複数のボイドを画定するパターン５は、途切れのない中実のストリップと比べて、ストリップ３が圧壊する傾向を向上させる。ストリップ３と２つの基板１および４との間の接触面、したがって接着性が、それによって向上する。パターン５は、ストリップ３の圧壊が行われる際にその変形が調節および制御され、それにより、その最終３次元構造が制御されるのも可能にする。この手法は、シール・ストリップがマイクロシステムにごく近接して配置されなければならず、ストリップの過度の変形が、マイクロシステム２の正しい動作を損なう恐れがある場合に、特に興味深い。この手法は、デバイスが稼動部、またはそれと接触する樹脂があることによってその機能が損なわれる他の任意の領域を呈する場合に、特に有利である。この実施形態は、デバイスが光学的機能を有し、ストリップ３を構成する材料が、その光デバイスに関連する光線を透過しない場合にも興味深い。
【００１９】
図４に示されるように、穿孔パターン５は、貫通ボイド７を、基板に平行して、かつストリップ３に垂直に形成することができる。貫通ボイド７は、圧壊前のストリップの２つの側面を結ぶ。ボイド６が、ストリップを貫通する領域７内に穿孔される。このボイドは、例えば、基板に垂直な円筒孔６によって形成される。圧壊が行われる前に空洞の気密が達成されないようにする貫通ボイド（６、７）は、空洞の気密を達成するためにシール・ストリップが圧壊によって変形されるときに閉じる。これらの貫通ボイドはそれにより、空洞が気密になる直前に、空洞内の圧力のより適切な制御を可能にしている。このようにして、特にマイクロシステム２と上部基板４の間の非常に狭い間隙が求められる場合に、上部基板４の位置を制御することがより容易になる。実際には、横通気孔７は各孔と同時に、例えばフォトリソグラフィによって形成される。次いでそれらは、シール・ストリップの高さ全体にわたっても形成され、したがってシール・ストリップは不連続になることができる。不連続なシール・ストリップ３は、それが圧壊される前に、空洞の雰囲気とその外側の環境との間で接触が容易に行われるのを可能にする。不連続なシール・ストリップ３は、通気孔７が閉じられる前に空洞の内壁のガス抜きを可能にすることができる。通気孔７をボイド６と組み合わせた図４に表されるシール設計は、ストリップ３の最終寸法が制御されることも、密閉後の空洞内の残留雰囲気が部分的に制御されることも可能にする。
【００２０】
有利には、基板に平行な平面において、シール・ストリップ３の設計が、以下の基準のうち少なくとも１つを満たす。
−圧壊前に、穿孔されたストリップ３によって占有される表面、すなわち樹脂によって占有される表面が、マイクロシステム２を支持する底部基板１の表面の約５％以上である。有利には、この比率は、１０％〜２０％の間に含まれる。
−ボイドの表面と（ボイドのない）中実ストリップの合計表面との間の比率が、１０％〜５０％の間に含まれる。
−２つの隣接するボイド間の縁部間間隔（Ｐ、図３）と、ボイドの最小横寸法との間の比率が１未満であり、好ましくは０．５〜０．８の間に含まれる。
−通気孔７の幅が、ボイド６のサイズ（ボイド６が円筒形のときにその直径）よりも小さく、好ましくは、ボイド６のサイズの２０％〜５０％の間に含まれる。
【００２１】
有利には、穿孔パターン５が、好ましくは円筒形であり、かつ基板に垂直なボイドを画定する。
【００２２】
図３の実施形態では、Ｄが各孔６の直径であり、ボイド（孔６）の数Ｋと、それらのボイドの直径Ｄと、ストリップ３の幅Ｌとの関係が、Ｌ＝Ｋ．Ｄ＋（Ｋ＋１）．Ｐによって与えられ、Ｐは、２つの隣接するオリフィス間の距離である。
【００２３】
追加のストリップ１０が、シール・ストリップ３によって画定される表面内に形成されることが可能である（図２）。追加ストリップ１０は、基板１、４間の接触面を増大させ、したがって、これらの２つの基板間の接着性を増大させる。このようにして、チップ全体の機械的強度が増大される。確かに、基板１、４の一方を薄化した後に、その一方が可撓性膜に変形される場合、マイクロシステム２の周りの機械的強度を増大させるために、追加ストリップ１０をマイクロシステムのできるだけ近くに配置することが有利である。追加ストリップ１０は、穿孔パターン５を呈しても、呈さなくてもよい。追加ストリップ１０は、シール・ストリップ３と同時に、同じ技術的ステップ中に形成されることが可能である。
【００２４】
追加ストリップ１０は、マイクロシステム２を全体的に、または部分的に取り囲むことができ、図２と同様に、マイクロシステム２の１つ、２つ、または３つの側だけに形成されることが可能である。密閉後に閉じられない追加ストリップ１０の場合には、したがって、残留圧力がストリップ３と基板１および４とによって画定される全容積内で同じである。
【００２５】
追加ストリップ１０が容易に達成されることができない場合、補強部１１が有利には、ウェーハ内の、マイクロシステム２とシール・ストリップ３の間の所定の位置に配置される（図２）。追加ストリップ１０のように機械的機能を実施する補強部１１は、有利には、中実柱８、または中空柱９の形を有する（図５および６）。有利には、中実柱および中空柱（８、９）並びに孔６は、同程度の大きさの直径を有する。典型的には、中実柱８の直径がＤに実質的に等しく、一方中空柱９の直径がＤよりもわずかに大きい。
【００２６】
追加ストリップ１０および／または補強部１１が使用される場合、上記で定義された樹脂の比率が、いくつかのストリップおよび／または補強部にわたって分配され得る。
【００２７】
有利には、２つの追加ストリップ１０が、チップ内でマイクロシステム２のできるだけ近くに形成される。しかし、４つ以上の追加ストリップ１０が想定され得る。複数のストリップ３、１０が使用される場合、ストリップのランク付けが実施されることが可能である。すなわち、シール・ストリップ３は、樹脂の圧壊を制御し、それにより２つの基板１と基板４の間の間隙を制御し、一方追加ストリップ１０は、接着補強部としてのみ働き、したがって好ましくは、シール・ストリップ３よりも幅が狭い。
【００２８】
異なるサイズを有する複数のチップが同じ初期基板上にカプセル化されるべき場合、樹脂と各チップとの間の表面比率が標準化されることが可能である。シール・ストリップ３の幅が、チップのうち最小のものに対して必要な比率を得るように固定され、それと同じ幅Ｌが、好ましくは全てのチップに対して維持される。より大きな表面を呈するチップに対して同じ樹脂／チップ表面比率を維持するために、樹脂の不足が好ましくは、幾何形状に応じて１つまたは複数の追加ストリップ１０および／または補強部１１を追加することによって補償される。
【００２９】
シール・ストリップ３または追加ストリップ１０、および補強部１１は、単一のフォトリソグラフィ・ステップ内で、有利には同じフォトレジストから製作されることが可能である。フォトレジストは、例えば、ダウ・ケミカル社により販売されているネガティブＢＣＢ樹脂（ベンゾシクロブテン、４０００シリーズのＣｙｃｌｏｔｅｎｅ（登録商標）製品に対応）、富士フイルム株式会社により販売されているＳＣ  Ｒｅｓｉｓｔ、またはＪＳＲ株式会社により販売されているＷＰＲから選択されることが可能である。このタイプの接着剤の場合、密閉方法は一般に、２つの基板を応力が印加された状態に維持するとともに、温度中で樹脂を重合させるものである。基板に印加される応力条件、密閉温度および時間は、使用される各製品に固有である。これらの条件は、関係する適用分野に応じて樹脂ごとに修正されることが可能である。例えば、約６μｍの最終厚さを有するシール・ストリップは、ＢＣＢ（Ｃｙｃｌｏｔｅｎｅ  ４０２４−４０）から、樹脂によって画定される表面全体上に、分割された約１メガパスカル（ＭＰａ）の応力を２５０℃において１時間にわたり印加することによって形成されることが可能である。それにより、厚さの制御は、１０分の数ミクロン以内まで達成されることが可能である。したがって、最終の厚さを得るために、調整シム（ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ  ｓｈｉｍ）として作用するという目的を果たす鉱物装入物（ｍｉｎｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ）を追加する必要はない。
【００３０】
シール・ストリップ３または追加ストリップ１０、および補強部１１は、使用される材料が感光性でない場合には、スクリーン印刷タイプ、ディスペンス・タイプ、またはスタンプ・タイプの技法を作り出すことによって製作されることが可能である。
【００３１】
２つの基板の一方が、例えばガラスで形成されていて光放射を透過し、かつ補強部１１または穿孔パターン５のボイド６が対称形であり、好ましくは円筒形である場合、補強部１１または穿孔パターン５のボイド６の直径の第１の測定（その際にそれらの直径の定義が実施される）、および２つの基板１、４の密閉が実施された後の第２の測定が行われることにより、それらの変形が制御されることが可能になる。この方法により、接合が実施される際のストリップ３の圧壊の均一性、したがって密閉の質が検査されることが可能である。柱（８、９）、またはストリップ（３、１０）の穿孔パターン５のボイド６は、有利には、それらの寸法構造、したがってチップの所定の点でのシール・ストリップ３の圧壊の質の簡単な光学的検査を、外側から実施するために使用されることが可能である。２つの基板１、４がシリコンで形成される場合、同一の寸法制御が、赤外顕微鏡によって実施されることが可能である。
【００３２】
２ａおよび２ｂと参照符号が付された２つの部分をデバイスが備える、図７に示される別の特定の実施形態では、デバイスの部分の一方をそのそれぞれが備える２つの閉空洞６ａおよび６ｂが達成されることが可能である。空洞６ａは、空洞６ｂ内に配設される。これらの２つの空洞は、異なる雰囲気および異なる制御圧力を呈することができる。これは、例えばシール・ストリップ３が内側ストリップ３ａおよび外側ストリップ３ｂを備える場合に、得られることが可能である。外側ストリップ３ｂは、デバイスの部分２ｂを取り囲み、通気孔または貫通ボイド７を備える。２つの基板１、４の密閉サイクルが実施される際、２つの基板１、４は、第１の圧力Ｐ１の第１のガスＧ１中で接触されることが可能である。基板１、４に印加される応力を制御することにより、内側ストリップ３ａおよび２つの基板１、４によって画定される内側空洞６ａを、第１の雰囲気（Ｇ１、Ｐ１）中で閉じることが可能であり、一方外側ストリップ３ｂは密閉されていない。ストリップ３ａは部分的に圧壊されるが、外側ストリップ３ｂの通気孔は依然として部分的に開いている。次いで、デバイスの部分２ｂを収容し、かつ内側ストリップ３ａ、外側ストリップ３ｂ、および２つの基板によって画定された外側空洞６ｂを、第２の圧力Ｐ２下にある、第１のガスとは異なる、または異ならない第２のガスＧ２である制御雰囲気で充填することが可能である。次いで、２つの基板に印加される応力を増大させることによって、外側空洞６ｂが閉じることが可能になる。内側ストリップ３ａが圧壊する傾向はその場合、外側ストリップ３ｂが圧壊する傾向よりも大きく、これは、２つのストリップのそれぞれに対応する穿孔比率を調整することによって容易に得られることが可能である。技術的実現化の観点から、単一のガス、例えば窒素またはアルゴンを使用すると、より興味深いであろう。見やすいように、上部基板４は、図７では透明であると見なされ、基板１と一緒に示されている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来技術による構造体の概略断面図である。
【図２】本発明による構造体の上面図を概略的に示す図である。
【図３】本発明による方法で使用されるシール・ストリップのいくつかの実施形態の一部分の底面図を概略的に示す図である。
【図４】本発明による方法で使用されるシール・ストリップのいくつかの実施形態の一部分の底面図を概略的に示す図である。
【図５】本発明による補強領域の一例の上面図を概略的に示す図である。
【図６】本発明による補強領域の一例の上面図を概略的に示す図である。
【図７】本発明による２つの閉空洞を備える構造体の上面図を概略的に示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
2009137002000001.pdf