(57)【要約】      （修正有）【課題】イオンビーム配向時における帯電ムラを防止して表示ムラの発生を抑制する。【解決手段】一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置の製造方法で、基板のいずれか一方が形成される基板形成領域Ｘを複数含む母材基板８０の基板形成領域Ｘの各々に配向膜２８を形成する工程と、基板形成領域Ｘの各々に形成された配向膜２８にイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含んでおり、複数の基板形成領域Ｘ間が互いに電気的に接続された状態で配向膜２８に対してイオンビーム照射による配向処理を施す。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板のいずれか一方が形成される基板形成領域を複数含む母材基板の前記基板形成領域の各々に配向膜を形成する工程と、
前記基板形成領域の各々に形成された前記配向膜にイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含み、
前記イオンビーム照射による配向処理工程においては、複数の前記基板形成領域間が互いに電気的に接続された状態とされることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜を形成するに際し、前記母材基板の最表面に複数の前記基板形成領域間で電気的に接続される導電膜を形成するとともに該導電膜上に絶縁層を介してスイッチング素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記配向膜を形成するに際し、前記各基板形成領域に形成されるカラーフィルタ上に複数の前記基板形成領域間で接続される導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記配向膜を形成するに際し、前記各基板形成領域において画素電極を覆っている絶縁層上に複数の前記基板形成領域間で接続される導電膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
複数の前記基板形成領域間が接地された状態で前記イオンビームの照射を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置の製造方法において、
前記基板のいずれか一方が形成される基板形成領域を複数含む母材基板の前記基板形成領域の各々に配向膜を形成する工程と、
前記基板形成領域の各々に形成された前記配向膜にイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含み、
前記配向膜の形成工程においては、複数の前記基板形成領域間において前記配向膜を接続した状態に形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
複数の前記基板形成領域間が接地された状態で前記イオンビームの照射を行うことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置において、
少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、イオンビーム照射により配向処理が施されてなる配向膜が形成されており、
該配向膜が形成された前記基板の端面には導電部が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置において、
少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、イオンビーム照射により配向処理が施されてなる配向膜が形成されており、
前記配向膜が前記基板の端面に露出した状態に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法、及び液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配向膜における配向制御方法として、ラビング法がある。ラビング法は、ポリイミドからなる有機物膜表面を布によって直接擦るため、埃や静電気が生じ、それに伴って液晶分子が不均一に配向するといった問題があった。このような問題を解決すべく、非接触配向技術として、イオンビーム配向法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２９６５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、従来、ＴＦＴ基板を形成する場合、母材基板上の複数のＴＦＴ基板形成領域に形成された配向膜に対し、イオンビームを照射することで配向処理を行う。しかしながら、このような方法を用いて形成した液晶パネルは、イオンビームを照射した際にイオンがＴＦＴ基板形成領域に帯電することで良好な配向処理が行われないため、表示ムラが生じてしまう。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、イオンビーム配向制御時における帯電ムラを防止して表示ムラの発生を抑制する、液晶表示装置の製造方法、及び液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置の製造方法において、前記基板のいずれか一方が形成される基板形成領域を複数含む母材基板の前記基板形成領域の各々に配向膜を形成する工程と、前記基板形成領域の各々に形成された前記配向膜にイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含み、前記イオンビーム照射による配向処理工程においては、複数の前記基板形成領域間が互いに電気的に接続された状態とされることを特徴とする。
【０００６】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、イオンビーム照射時に基板形成領域が電気的に接続されたものとなり、基板形成領域に帯電するイオンの均一化が図られる。よって、母材基板内の基板形成領域間における電荷の偏りが解消され、イオンビームを安定して照射できる。このように安定したイオンビーム照射により配向膜処理が施されてなる配向膜を備えることで表示ムラの少ない液晶表示装置を提供できる。
【０００７】
また、上記液晶表示装置の製造方法においては、前記配向膜を形成するに際し、前記母材基板の最表面に複数の前記基板形成領域間で電気的に接続される導電膜を形成するとともに該導電膜上に絶縁層を介してスイッチング素子を形成する工程を含むのが好ましい。
この構成によれば、液晶表示装置を構成する一対の基板のうち、例えばＴＦＴ素子等のスイッチング素子が形成された素子基板側に形成される配向膜についてイオンビームを安定照射できる。よって、良好なイオンビーム配向処理が施されてなる素子基板を提供できる。
【０００８】
また、上記液晶表示装置の製造方法においては、前記配向膜を形成するに際し、前記各基板形成領域に形成されるカラーフィルタ上に複数の前記基板形成領域間で接続される導電膜を形成する工程を含むのが好ましい。
この構成によれば、カラーフィルタ上に形成される導電膜は、対向基板側の共通電極として利用可能とされる。よって、液晶表示装置を構成する一対の基板のうち、カラーフィルタが形成された対向基板に形成される配向膜についてもイオンビームを安定照射できる。よって、良好なイオンビーム配向処理が施されてなる対向基板を製造できる。
【０００９】
また、上記液晶表示装置の製造方法においては、前記配向膜を形成するに際し、前記各基板形成領域において画素電極を覆っている絶縁層上に複数の前記基板形成領域間で接続される導電膜を形成する工程を含むのが好ましい。
この構成によれば、画素電極を覆っている絶縁層上に形成される導電膜は、例えば画素電極と共通電極が絶縁層を介して設けられてなる横電電界方式の液晶表示装置における素子基板として利用可能とされる。よって、横電界方式の素子基板に形成される配向膜についてもイオンビームを安定照射できる。よって、良好なイオンビーム配向処理が施されてなる横電界方式の素子基板を製造できる。
【００１０】
また、上記液晶表示装置の製造方法においては、複数の前記基板形成領域間が接地された状態で前記イオンビームの照射を行うのが好ましい。
この構成によれば、基板形成領域間が接地されているので、基板形成領域に帯電するイオンを放出することができる。よって、母材基板内の基板形成領域が帯電することが防止され、イオンビームをより安定照射できる。
【００１１】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置の製造方法において、前記基板のいずれか一方が形成される基板形成領域を複数含む母材基板の前記基板形成領域の各々に配向膜を形成する工程と、前記基板形成領域の各々に形成された前記配向膜にイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含み、前記配向膜の形成工程においては、複数の前記基板形成領域間において前記配向膜を接続した状態に形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、イオンビーム照射時に基板形成領域間で配向膜が接続されているので、基板形成領域に帯電するイオンの均一化が図られる。よって、母材基板内（各配向膜）の基板形成領域間における電荷の偏りが解消され、イオンビームを安定して照射できる。このように安定したイオンビーム照射により良好に配向膜処理が施されてなる配向膜を備えることで表示ムラの少ない液晶表示装置を提供できる。
【００１３】
また、上記液晶表示装置の製造方法においては、複数の前記基板形成領域間が接地された状態で前記イオンビームの照射を行うのが好ましい。
この構成によれば、基板形成領域間が接地されているので、基板形成領域の配向膜に帯電するイオンを放出することができる。よって、基板形成領域における配向膜が帯電することが防止され、イオンビームをより安定照射できる。
【００１４】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置において、少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、イオンビーム照射により配向処理が施されてなる配向膜が形成されており、該配向膜が形成された前記基板の端面には導電部が露出していることを特徴とする。
【００１５】
基板の端面に露出する導電部は、基板の個片化処理前において、例えば基板形成領域間を互いが電気的に接続された状態に形成している。本発明によれば、イオンビーム照射時に基板形成領域が電気的に接続されたものとされ、基板形成領域に帯電するイオンの均一化が図られることで、母材基板内の基板形成領域間における電荷の偏りが解消され、イオンビームが安定照射される。よって、安定したイオンビーム照射により配向膜処理が施されてなる配向膜を備えているので、表示ムラの少ない高信頼性の液晶表示装置となる。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持する液晶表示装置において、少なくとも一方の基板の前記液晶層側には、イオンビーム照射により配向処理が施されてなる配向膜が形成されており、前記配向膜が前記基板の端面に露出した状態に設けられることを特徴とする。
【００１７】
基板の端面に露出する配向膜は、基板の個片化処理前において、例えば基板形成領域間において互いが接続された状態に形成している。本発明によれば、イオンビーム照射時に基板形成領域間で配向膜が接続されたものとされ、基板形成領域に帯電するイオンの均一化が図られることで、母材基板内の基板形成領域間における電荷の偏りが解消され、イオンビームが安定照射される。よって、安定したイオンビーム照射により配向膜処理が施されてなる配向膜を備えているので、表示ムラの少ない高信頼性の液晶表示装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る一実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の液晶表示装置の製造方法に係る一実施形態について説明する。以下の説明では、ＴＦＴ素子を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス型、ＦＦＳ方式の透過型液晶表示装置の例を挙げて説明する。また、液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に液晶層を挟持するものである。
【００１９】
（第１実施形態）
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、図１（ａ）に示されるように母材基板８０の複数の基板形成領域Ｘの各々に配向膜２８を形成する工程と、図１（ｂ）に示されるように基板形成領域Ｘの各々に形成された配向膜２８にイオンガン８３からイオンビームを照射することで配向処理を施す工程と、を含むものである。母材基板８０における基板形成領域Ｘは、図６に示されるＴＦＴアレイ基板に対応するものである。なお、本実施形態においては、詳細について後述するように、複数の基板形成領域Ｘ間が互いに電気的に接続された状態で配向膜２８に対してイオンビーム照射による配向処理が行われる。
【００２０】
図２は本実施形態に係る製造工程を示す図であり、図２（ａ）は母材基板８０の平面図を示し、図２（ｂ）は母材基板８０における隣接する基板形成領域Ｘ間における側断面構造を示す図である。
【００２１】
本実施形態では、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜２８を形成するに際し、母材基板８０の最表面に複数の基板形成領域Ｘ間に亘って導電膜８１を形成する。これにより各基板形成領域Ｘ間が電気的に接続された状態とする。母材基板８０は、ガラス、石英などの透明基板から構成されるものである。また、導電膜８１は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなるものである。
【００２２】
そして、酸化シリコン等の下地絶縁膜８２を形成した後、従来公知方法により各基板形成領域ＸにＴＦＴアレイ基板の構成材料を積層し、例えばポリアミック酸系材料を塗布した後、ベーキングすることで配向膜２８を最上層に形成する。
【００２３】
続いて、配向膜２８に対してイオンビーム照射を行うことで配向処理を施す。具体的には、図１（ｂ）に示したように母材基板８０を不図示のステージに載置し、母材基板８０を長辺方向（母材基板８０の長辺の長さ方向）に沿って走査させつつ、イオンガン８３から各基板形成領域Ｘの配向膜２８にイオンを、例えば以下の条件で照射する。
【００２４】
ビームサイズ：２００ｍｍ×６０ｍｍ
イオン種：Ｎ２
イオンエネルギー：〜１５００ｅＶ
搬送速度：２０ｍｍ／ｓｅｃ
入射角度：法線方向から４０度
【００２５】
ところで、従来、母材基板上に複数形成された配向膜に対してイオンビームを照射した場合、図３（ａ）に示されるように、基板の走査方向と反対側の基板形成領域の配向膜ほどイオンビームが良好に照射されなくなってしまう。このようにイオンビームが良好に照射されない領域は、パネル組み立て時に表示ムラを生じさせ、液晶表示装置の表示品位を低下させる。
【００２６】
この理由として、以下の事が考えられる。イオンビーム照射時は、基板走査方向先頭における基板形成領域の配向膜にはイオンが良好に帯電する。しかしながら、基板の走査が進行するにつれて、基板走査方向先頭側の配向膜に帯電したイオンの影響を受けて狙い通りの位置にイオンを照射できなくなることに起因している。
【００２７】
これに対し、本実施形態によれば、上述したように基板形成領域Ｘ間が導電膜８１により互いが電気的に接続された状態となっているので、基板形成領域Ｘごとの電界の偏りが解消され、基板走査方向先頭側の基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に帯電した電荷がイオン照射に悪影響を及ぼすといったことが防止される。
【００２８】
よって、母材基板８０上にイオンビームを安定して照射することが可能となる。このようにしてイオンビーム照射が行われることで、図３（ｂ）に示されるように各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８は均一にイオンが帯電することで良好な配向処理（ラビング処理）が施される。各基板形成領域Ｘは、後述する分断工程により個片化されることでそれぞれが液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板１０を構成する（図６参照）。
【００２９】
続いて、別工程により製造した、複数の基板形成領域に対向基板を含む対向基板用の母材基板８９を用意し、それぞれにおける基板形成領域が対向するようにこれら母材基板８０，８９を、シール材８８を介して貼り合せる。このようにして図４に示されるような貼り合せ基板１２０を得ることができる。
【００３０】
続いて、図５に示されるように貼り合せ基板１２０を分断により個片化することでＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされてなる液晶パネル１００Ａを製造する。このとき、母材基板８０側における各基板形成領域Ｘ間を電気的に接続している導電膜８１は分断される。そして、これら各液晶パネル１００Ａに液晶層を注入し、封止した後、偏光板を設けることで図６に示される液晶表示装置１００を製造することができる。
【００３１】
なお、上記導電膜８１の一部から引き出した配線を接地（アース）することで、イオンビーム照射時に上記各基板形成領域Ｘ間が接地された状態にすることもできる。この場合、基板形成領域Ｘ間が接地されているので、各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に帯電するイオンを放出することができる。よって、基板形成領域Ｘにおける配向膜２８の帯電が防止されて、イオンビームをより安定照射することができる。
【００３２】
なお、上記実施形態では、導電膜８１を母材基板８０の内面側（液晶層側５０）に形成したが、母材基板８０の外面側（液晶層５０と反対側）に形成するようにしてもよい。
【００３３】
（液晶表示装置）
続いて、上述の製造工程により製造された液晶表示装置の構成について説明する。
図６は液晶表示装置１００の断面構造について説明する。
図６に示すように、液晶表示装置１００は、上記母材基板８０，８９からなるＴＦＴアレイ基板１０（図６における下側基板）と、対向基板２０（図６における上側基板）とを有し、これら基板間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０を構成する透明基板２１上に導電膜８１、これを覆う下地絶縁膜８２、及び多結晶シリコンからなる半導体層４が設けられている。液晶表示装置１００は、上述したように貼り合せ基板１２０を分断によって切断し、個片化することで形成される。したがって、液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０の端面に導電膜（導電部）８１が露出されたものとなっている。
【００３４】
また、半導体層４を覆うようにシリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜２３が形成されている。半導体層４は各画素電極１１をスイッチング制御するＴＦＴ１３を構成し、ＴＦＴ１３は、モリブデンなどからなる走査線１で構成されるゲート電極と、半導体層４と、これらゲート電極及び半導体層４を絶縁するゲート絶縁膜２３と、アルミニウムなどからなるドレイン電極７と、を備えている。
【００３５】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、ソース領域４ｓへ通じるソースコンタクトホール５、ドレイン領域４ｄへ通じるドレインコンタクトホール６が各々形成されたシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜２４が形成されている。つまり、データ線３は第１層間絶縁膜２４を貫通するソースコンタクトホール５を介して半導体層４のソース領域４ｓに電気的に接続されており、ドレイン電極７は、第１層間絶縁膜２４を貫通するドレインコンタクトホール６を介して半導体層４のドレイン領域４ｄに電気的に接続されている。ドレイン電極７は、データ線３と同一材料からなり、第１層間絶縁膜２４上に形成されている。
更に、ドレイン電極７へ通じる画素コンタクトホール１２が形成された第２層間絶縁膜２５、第３層間絶縁膜２６が順次形成されている。第２層間絶縁膜２５はシリコン酸化膜、第３層間絶縁膜２６はアクリル樹脂から構成され、特に第３層間絶縁膜２６は下地の段差を平坦化するための平坦化膜として機能する。
【００３６】
第３層間絶縁膜２６上に、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極１１が略矩形状に形成されている。以上の構成により、画素電極１１は、ドレイン電極７を中継層として半導体層４のドレイン領域４ｄと電気的に接続されることになる。画素電極１１上を含む第３層間絶縁膜２６上には、シリコン窒化膜などからなる第４層間絶縁膜２７が形成されている。第４層間絶縁膜２７上には、スリット状の開口部１７ａと帯状の電極部１７ｂを有するＩＴＯなどの透明導電膜からなる共通電極１７が略ベタ状に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の最上層で液晶層５０に接する面には、ポリイミドなどからなる配向膜２８が設けられている。この配向膜２８は、上述したように、イオンビーム照射により配向処理が施されて、液晶分子を所定の方向に良好に配向させることが可能となっている。
【００３７】
液晶表示装置１００の表示領域内には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。
図７に示すように、走査線１が水平方向（図７における横方向）に延在するとともに、データ線３が縦方向（図７における縦方向）に延在し、これら走査線１及びデータ線３とに四方を囲まれた領域が１つの画素領域を構成している。多結晶シリコン膜からなる半導体層４が、データ線３と走査線１の交差点の近傍で略Ｕ字状に形成されている。半導体層４の両端にはコンタクトホール５，６が形成されており、一方のコンタクトホール５はデータ線３と半導体層４のソース領域４ｓとを電気的に接続するソースコンタクトホールであり、他方のコンタクトホール６は半導体層４のドレイン領域４ｄとドレイン電極７とを電気的に接続するドレインコンタクトホールである。ドレイン電極７上のドレインコンタクトホール６が設けられた側と反対側には、ドレイン電極７と後述する画素電極１１とを電気的に接続するための画素コンタクトホール１２が形成されている。
【００３８】
本実施形態におけるＴＦＴ１３は、略Ｕ字状の半導体層４が走査線１と交差しており、半導体層４と走査線１とが２箇所で交差しているため、１つの半導体層上に２つのゲートを有するＴＦＴ、いわゆるデュアルゲート型ＴＦＴを構成している。
【００３９】
画素電極１１は、例えばインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと略記する）などの材料により形成され、１つの画素領域に対応して略矩形状にパターニングされている。一方、共通電極１７は、例えばＩＴＯなどの材料により形成され、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域全体に亘って形成されている。また、共通電極１７は、画素電極１１との重なり部分においてスリット状の開口部１７ａを有しており、隣接する開口部１７ａと開口部１７ａとの間が帯状の電極部１７ｂを構成する。
【００４０】
再び、図６に戻り説明すると、対向基板２０は、透明基板２２上にカラーフィルタを構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色材層３１が画素毎に形成されている。各色材層３１の周囲には、画素周辺の光漏れを防止するために、金属クロムや樹脂などの遮光性材料からなるブラックマトリクス４３が形成されている。また、色材層３１を保護するとともに色材層３１による段差を平坦化するためのオーバーコート層３２が形成され、オーバーコート層３２上に配向膜３３が形成されている。
【００４１】
ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には偏光板６１が積層されており、対向基板２０の外面側にも偏光板６２が配設されている。また、対向基板２０の内面側には電極が配置されていないため、静電気の対策として、対向基板２０の外面側に透明電極が形成されることがある。なお、各基板１０，２０と偏光板６１，６２との間に、必要に応じて位相差板を配置してもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図６における下側）には、導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。
【００４２】
配向膜２８，３３にはラビングが施されている。このときそれぞれのラビング方向は、画素電極１１と共通電極１７との間に形成される電界方向と一致しない方向に設定されている。なお、電界方向に対して垂直以外の角度で交差する方向にラビング方向を設定すれば、電界の作用時に液晶分子を同一方向に回動させることができる。本実施形態の場合、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜２８のラビング方向及び対向基板２０側の配向膜３３のラビング方向は、水平方向（図７における横方向）に設定されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜２８は上述のように安定したイオンビーム照射によりラビングが施されている。
【００４３】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板６１の透過軸は、配向膜２８のラビング方向と平行に配置され、対向基板２０側の偏光板６２の透過軸は、偏光板６１の透過軸と直交するように配置されている。なお、配向膜２８，３３のラビング方向および偏光板６１，６２の透過軸は、上記以外の配置とすることも可能である。
【００４４】
液晶表示装置１００の動作として、非選択電圧（液晶のしきい値電圧近傍の電圧）印加時において、液晶層５０を構成する液晶分子は、ラビング方向に沿って基板と水平に配向している。そして、画素電極１１と共通電極１７との間に選択電圧（液晶のしきい値電圧に比べて十分に高い電圧）を印加すると、電界が発生し、その電界方向に沿って液晶分子が再配向する。なお、配向膜のラビング方向を電界方向と垂直以外の角度で交差する方向に設定しているため、全ての液晶分子を同一方向に回動させることができる。液晶表示装置１００は、このような液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して明暗表示を行うように構成されている。
したがって、本実施形態に係る液晶表示装置１００によれば、少なくともＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜２８が安定したイオンビーム照射によるラビング処理が施されているため、優れた表示品位を得ることができる。
【００４５】
（第２実施形態）
続いて、液晶表示装置の製造方法に係る第２実施形態について説明する。本実施形態は、母材基板８０における基板形成領域Ｘ間を電気的に接続させる手段として、共通電極１７を構成する導電膜の一部を用いている。それ以外の構成については、上記第１実施形態と同一である。そのため、上記第１実施形態と同じ部材及び同じ構成については、同一の符号を付し、その説明については省略若しくは簡略化する。
【００４６】
図８は本実施形態に係る製造工程を示す図であり、図８（ａ）は母材基板８０の平面図を示し、図８（ｂ）は母材基板８０における隣接する基板形成領域Ｘ間における側断面構造を示す図である。
本実施形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜２８を形成するに際し、各基板形成領域Ｘにおいて画素電極１１を覆っている第４層間絶縁膜２７上に複数の基板形成領域Ｘ間を電気的に接続する（格子状に接続する）導電膜１１７を形成する。この導電膜１１７は、母材基板８０を個片化した際に分断されることで液晶表示装置における共通電極として機能するものである。よって、導電膜１１７は、所望の位置にスリット状の開口部１１７ａと帯状の電極部１１７ｂとを有するベタ状の膜から構成されている。
【００４７】
続いて、上記導電膜１１７上に上記実施形態と同様に配向膜２８を形成した後、配向膜２８に対してイオンビームを照射する。このとき、上述したように基板形成領域Ｘ間が導電膜１１７により互いが電気的に接続された状態となっているので、基板形成領域Ｘごとの電界の偏りが解消され、基板走査方向先頭側の基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に帯電した電荷がイオン照射に悪影響を及ぼすといったことが防止される。よって、母材基板８０上にイオンビームが安定照射されて、各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に対して良好に配向処理（ラビング処理）を施すことができる。特に、本実施形態では、導電膜１１７と配向膜２８とが直接接触しているため、より顕著な効果を得ることができる。
【００４８】
続いて、上記第１実施形態と同様に、母材基板８０，８９を、シール材８８を介して貼り合せ、分断により個片化することでＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされてなる液晶パネル１００Ａを製造する。このとき、母材基板８０側における各基板形成領域Ｘ間を電気的に接続している導電膜１１７は分断される。そして、これら各液晶パネル１００Ａに液晶層を注入し、封止した後、偏光板を設けることで液晶表示装置を製造することができる。本実施形態により製造された液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０の端部に導電部として共通電極１７の一部が露出されたものとされる。
【００４９】
なお、上記導電膜１１７の一部から引き出した配線を接地（アース）することで、イオンビーム照射時に上記各基板形成領域Ｘ間が接地された状態にすることもできる。この場合、基板形成領域Ｘ間が接地されているので、各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に帯電するイオンを放出することができる。よって、基板形成領域Ｘにおける配向膜２８の帯電が防止されて、イオンビームをより安定照射することができる。
【００５０】
また、本実施形態では、隣接する基板形成領域Ｘ間を導電膜１１７が格子状に接続するものとした。ところで、イオンビーム照射時における基板形成領域における配向膜の帯電のばらつきは基板の走査方向に沿って生じる（図４（ａ）参照）。そのため、図１（ｂ）に示したように、イオンビーム照射時に、基板の長辺の長さ方向に沿って母材基板８０を走査させる場合においては、基板の走査方向（図８（ａ）中における基板の長辺方向）のみにおいて導電膜１１７を接続するようにしてもよい。
【００５１】
（第３実施形態）
続いて、液晶表示装置の製造方法に係る第３実施形態について説明する。本実施形態は、配向膜２８における電荷の帯電を防止する手段として、基板形成領域Ｘ間を電気的に接続された状態とするのに代えて、配向膜２８を形成する工程において、複数の基板形成領域Ｘ間において配向膜２８を接続した状態としている。それ以外の構成については、上記第１、２実施形態と同一である。そのため、上記実施形態と同じ部材及び同じ構成については、同一の符号を付し、その説明については省略若しくは簡略化する。
【００５２】
図９は本実施形態に係る製造工程を示す図であり、図９（ａ）は母材基板８０の平面図を示し、図９（ｂ）は母材基板８０における隣接する基板形成領域Ｘ間における側断面構造を示す図である。
本実施形態では、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜２８を複数の基板形成領域Ｘを覆うようにベタ状に形成する。なお、配向膜２８は基板形成領域Ｘ間で接続された状態であればよく、第２実施形態における導電膜１１７のように基板形成領域Ｘ間が格子状に接続してもよい。
【００５３】
続いて、配向膜２８に対してイオンビームを照射する。このとき、基板形成領域Ｘ間で配向膜２８が接続された状態となっているので、基板形成領域Ｘごとの電界の偏りが解消され、母材基板８０上にイオンビームが安定照射されて、各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８は良好に配向処理（ラビング処理）が施される。
【００５４】
続いて、上記第１、２実施形態と同様に、母材基板８０，８９を、シール材８８を介して貼り合せ、分断により個片化することでＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされてなる液晶パネル１００Ａを製造する。そして、これら各液晶パネル１００Ａに液晶層を注入し、封止した後、偏光板を設けることで液晶表示装置を製造することができる。本実施形態により製造された液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０の端部に配向膜２８の一部が露出したものとされる。
【００５５】
なお、上記配向膜２８の一部を接地（アース）させることで、イオンビーム照射時に上記各基板形成領域Ｘ間が接地された状態にすることもできる。この場合、基板形成領域Ｘ間が接地されているので、各基板形成領域Ｘにおける配向膜２８に帯電するイオンを放出することができる。よって、基板形成領域Ｘにおける配向膜２８の帯電が防止されて、イオンビームをより安定照射することが良好な配向処理を行うことができる。
【００５６】
（第４実施形態）
続いて、液晶表示装置の製造方法に係る第４実施形態について説明する。上記実施形態では、画素電極及び共通電極の双方が形成されたＴＦＴアレイ基板を製造する工程について説明したが、本発明は共通電極を有する対向基板を形成する工程にも適用可能である。
【００５７】
図１０は本実施形態に係る製造工程を示す図であり、図１０（ａ）は対向基板１２０を形成するための基板形成領域Ｘ１を複数含む母材基板１８９の平面図を示し、図１０（ｂ）は母材基板１８９における隣接する基板形成領域Ｘ１間における側断面構造を示す図である。母材基板１８９は、ガラス、石英などの透明基板から構成されるものである。
【００５８】
まず、母材基板１８９における各基板形成領域Ｘ１に対向基板の構成材料を積層する。具体的には、金属クロム、樹脂などの遮光性材料からなる上記ブラックマトリクス４３と、カラーフィルタを構成する色材層３１と、色材層３１を保護するとともに色材層３１による段差を平坦化するためのオーバーコート層３２と、を順に形成する。
【００５９】
続いて、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、配向膜３３を形成するに際し、色材層３１上に複数の基板形成領域Ｘ１間を電気的に接続させる導電膜８７を形成する。この導電膜８７は、母材基板１８９を個片化した際に分断されることで液晶表示装置の対向基板側の共通電極として機能するものである。
【００６０】
続いて、上記導電膜８７上に上記実施形態と同様の方法により配向膜３３を形成した後、配向膜３３に対してイオンビームを照射する。このとき、上述したように基板形成領域Ｘ１間が導電膜８７により互いが電気的に接続された状態となっているので、基板形成領域Ｘ１ごとの電界の偏りが解消され、母材基板１８９上にイオンビームが安定照射されて、各基板形成領域Ｘ１における配向膜３３は良好に配向処理（ラビング処理）が施される。
【００６１】
続いて、上記実施形態と同様に、母材基板１８９に別工程で用意したＴＦＴアレイ基板を複数含む母材基板とをシール材を介して貼り合せ、分断により個片化することでＴＦＴアレイ基板と対向基板とが貼り合わされてなる液晶パネルを製造できる。各液晶パネルに液晶層を注入し、封止した後、偏光板を設けることで、例えばＴＮモードのように対向基板側に共通電極を備えた液晶表示装置を製造できる。本実施形態によれば、共通電極を備える対向基板における配向膜に対しても安定してイオンビームを照射でき、表示ムラの少ない対向基板を製造することができる。
【００６２】
なお、上記導電膜８７の一部から引き出した配線を接地（アース）することで、イオンビーム照射時に上記各基板形成領域Ｘ間が接地された状態にすることもできる。この場合、基板形成領域Ｘ１間が接地されているので、各基板形成領域Ｘ１における配向膜３３に帯電するイオンを放出することができる。よって、基板形成領域Ｘ１における配向膜３３の帯電が防止されて、イオンビームをより安定照射することができる。
【００６３】
本発明は上述の実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜変更が可能である。例えば、第１実施形態における対向基板において、静電気対策として対向基板の外面側に透明電極が形成されている場合に、各基板形成領域を透明電極により接続する構成とすることができる。また、基板形成領域Ｘ間を電気的に接続させる方法として、各ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される不図示の配線層の一部を隣接する基板形成領域Ｘ間で接続するように形成してもよい。この接続部は基板分断と同時に分断される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】液晶表示装置の製造工程の概略を説明する図である。
【図２】第１実施形態に係る製造工程を説明する図である。
【図３】イオンビーム照射後の帯電状態を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る製造工程を説明する図である。
【図５】図４に続く製造工程を説明する図である。である。
【図６】第１実施形態に係る方法により得た液晶表示装置の構成を示す図である。
【図７】液晶表示装置における画素構成を示す平面図である。
【図８】第２実施形態に係る製造工程を説明する図である。
【図９】第３実施形態に係る製造工程を説明する図である。
【図１０】第４実施形態に係る製造工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０…ＴＦＴアレイ基板（基板）、１００…液晶表示装置、１１…画素電極、１７…共通電極、２８…配向膜、５０…液晶層、８２…下地絶縁膜、８７…導電膜、８０…母材基板、８９…母材基板、１１７…導電膜、１２０…対向基板（基板）、１８９…母材基板、Ｘ，Ｘ１…基板形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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