(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィー工程を２回行って配線を形成する際のレジストパターン剥がれを防止する。【解決手段】第１の配線５１と第１の配線５１を覆う層間絶縁層３０とが形成された基板１０上に、隣り合うように延在する複数本の第２の配線５２を第１の配線５１と交差するように形成する電気光学装置の製造方法であって、基板１０上に導電材料層５０を形成する第１の工程と、導電材料層５０をパターニングして第２の配線５２を形成する第２の工程と、第２の配線５２を、互いに離間しているレジストパターン２０で覆う第３の工程と、レジストパターン２０で覆われていない領域に残る導電材料層５０をエッチングする第４の工程と、を含み、第３の工程はレジストパターン２０がブリッジ２２により隣り合うレジストパターン２０と互いに連結されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と該第１の配線を覆う層間絶縁層とが形成された基板上に、隣り合うように延在する複数本の第２の配線を前記第１の配線と交差するように形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に導電材料層を形成する第１の工程と、
前記導電材料層をパターニングして前記第２の配線を形成する第２の工程と、
前記第２の配線を、該第２の配線の幅よりも広い幅を有し、かつ、互いに離間しているレジストパターンで覆う第３の工程と、
前記レジストパターンで覆われていない領域に残る前記導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、
を含み、
前記第３の工程は、前記レジストパターンがブリッジにより隣り合う前記レジストパターンと互いに連結されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記ブリッジは、前記第２の配線が前記第１の配線と交差する部分を避けて形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記ブリッジは、１つの前記レジストパターンにつき複数個形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
第１の配線と該第１の配線を覆う層間絶縁層とが形成された基板上に、隣り合うように延在し、前記第１の配線と平面視で交差する複数本の第２の配線を形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に導電材料層を形成する第１の工程と、
前記導電材料層をパターニングして前記第２の配線を形成する第２の工程と、
前記第２の配線を、該第２の配線の幅よりも広い幅を有するレジストパターンで、互いに離間するように覆う第３の工程と、
前記基板上の、前記レジストパターンで覆われていない領域における前記導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、を含み、
前記第３の工程は、前記レジストパターンがスリットにより複数個に分断されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記スリットは、１つの前記レジストパターンにつき複数個形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等の電子機器においては、表示部に液晶装置等の電気光学装置が広く用いられている。かかる液晶装置は、表示領域に規則的に形成された画素と、表示領域及び（該表示領域の）周辺領域に形成された複数本の、走査線、データ線、あるいは容量線等の配線と、を備えている。そして、表示装置の高精細化に伴い、配線間隔は縮小され、アスペクト比（配線幅と配線層厚の比）は増加する傾向にある。
【０００３】
かかる配線をフォトリソグラフィー法により形成する場合、フォトリソグラフィー工程を２回行う方法が知られている（例えば特許文献１）。かかる製造方法によれば、配線間の領域を２回エッチングできるため、配線同士が交差する部分に発生し得るエッチング残りを除去でき、液晶装置の高精細化と信頼性の向上を両立できる。
ここで、上述のエッチング残りの態様を、図７に示す。図７において、図示しない基板上に形成された第１の配線３１と該第１の配線を覆うように基板上の全面に形成された層間絶縁層３０とからなる段差３３の上を第１の配線３１と交差するように、第２の配線３２が（フォトリソグラフィー法により）形成されている。そして、段差３３の基部に、完全にはエッチングされずに残る第２の配線の形成材料（すなわち導電材料層）が、エッチング残り２６である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０２６６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、かかる方法（フォトリソグラフィー工程を２回行う方法）においては、導電材料層をパターニングして形成した配線を覆う２度目のレジストパターンに、レジストパターン剥がれが発生し得るという問題点がある。図８〜図１０に、かかるレジストパターン剥がれの態様を示す。
【０００６】
図８と図９は、第２の配線３２を、該第２の配線の延在方向に対して垂直の方向からみた断面図である。図８に示すように、基板１０上に形成された第２の配線３２を、該配線よりも若干広い幅を有するレジストパターン２０で覆い、配線間領域２８をエッチングする。かかる工程により、パターニングされた第２の配線３２をエッチングすることなく、配線間領域２８のエッチング残り２６のみを除去でき、隣り合う第２の配線３２間の短絡を回避できる。
【０００７】
しかし、かかる方法を用いる場合、レジストパターン剥がれにより第２の配線３２がダメージを受ける可能性があるという問題点がある。図９に示すようにアスペクト比（線幅に対する厚さの比）が高い第２の配線３２をレジストパターン２０で覆うと、第２の配線３２上のレジスト層厚はかなり薄くなる。また、アライメントずれにより第２の配線３２の中心からずれてレジストパターン２０がパターニングされた場合、一方の側（図９では右側）にレジスト層厚が厚い部分４４が偏在する。かかる態様のレジストパターン２０にエッチング前のポストベーク処理を施すと、レジストパターン２０の収縮により、特に第２の配線３２上のレジスト層厚が薄い部分４２のレジストパターン２０が剥がれる現象が発生し得る。かかる現象は、ポストベーク温度が高い場合に、より一層顕著に表れる。
【０００８】
図１０は、延在する第２の配線３２及び該第２の配線を覆うレジストパターン２０の一部分におけるレジストパターン剥がれを模式的に示す斜視図である。図示するように、レジストパターン２０が第２の配線３２上の一部分で剥がれて、該第２の配線の表面が露出している。かかる状態で、上述の２度目のエッチング（エッチング残り２６を除去するためのエッチング）を実施すると、第２の配線３２の一部もエッチングされてしまい、信頼性等を低下させ得るという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］
第１の配線と該第１の配線を覆う層間絶縁層とが形成された基板上に、隣り合うように延在する複数本の第２の配線を上記第１の配線と交差するように形成する電気光学装置の製造方法であって、上記基板上に導電材料層を形成する第１の工程と、上記導電材料層をパターニングして上記第２の配線を形成する第２の工程と、上記第２の配線を、該第２の配線の幅よりも広い幅を有し、かつ、互いに離間しているレジストパターンで覆う第３の工程と、上記レジストパターンで覆われていない領域に残る上記導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、を含み、上記第３の工程は、上記レジストパターンがブリッジにより隣り合う上記レジストパターンと互いに連結されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１１】
このような製造方法によれば、上記レジストパターンをポストベークする際の収縮を上記ブリッジに吸収させて、上記第２の配線上の収縮を緩和できる。したがって、上記第２の配線上でレジストパターン剥がれを回避でき、信頼性の向上した電気光学装置を得ることができる。
【００１２】
［適用例２］
上述の電気光学装置の製造方法であって、上記ブリッジは、上記第２の配線が上記第１の配線と交差する部分を避けて形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１３】
上記の交差する部分は段差が形成されるため、エッチング残りが発生し易い部分である。したがって、上記ブリッジが上記段差分と重ならないように形成することにより、上記エッチング残りを確実に除去でき、より一層信頼性の向上した電気光学装置を得ることができる。
【００１４】
［適用例３］
上述の電気光学装置の製造方法であって、上記ブリッジは、１つの上記レジストパターンにつき複数個形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１５】
このような製造方法によれば、上述の収縮を複数個の上記ブリッジに吸収させることができる。したがって、信頼性がより一層向上した電気光学装置を得ることができる。
【００１６】
［適用例４］
第１の配線と該第１の配線を覆う層間絶縁層とが形成された基板上に、隣り合うように延在し、上記第１の配線と平面視で交差する複数本の第２の配線を形成する電気光学装置の製造方法であって、上記基板上に導電材料層を形成する第１の工程と、上記導電材料層をパターニングして上記第２の配線を形成する第２の工程と、上記第２の配線を、該第２の配線の幅よりも広い幅を有するレジストパターンで、互いに離間するように覆う第３の工程と、上記基板上の、上記レジストパターンで覆われていない領域における上記導電材料層をエッチングして除去する第４の工程と、を含み、上記第３の工程は、上記レジストパターンがスリットにより複数個に分断されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１７】
このような製造方法によれば、上記レジストパターンをポストベークする際の収縮を、分断されたレジスト層に分散させることができる。したがって、上記第２の配線上でレジストパターン剥がれを回避でき、信頼性の向上した電気光学装置を得ることができる。
【００１８】
［適用例５］
上述の電気光学装置の製造方法であって、上記スリットは、１つの上記レジストパターンにつき複数個形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【００１９】
このような製造方法によれば、上述の収縮をより一層細かく分散させることができる。したがって、信頼性がより一層向上した電気光学装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照し、電気光学装置としての液晶装置の製造方法の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の製造方法の対象となる液晶装置の等価回路図である。本液晶装置は、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５６を備えるアクティブマトリクス方式の液晶装置である。画像表示領域７０には、Ｘ方向に互いに平行に延在する走査線５３と容量線５１、及び該走査線５３と容量線５１とに直交してＹ方向に延在するデータ線５２の計３種類の配線が形成されている。そして、画像表示領域７０には、上記３種類の配線で囲まれる方形の画素領域７１が、マトリクス状に形成されている。各々の画素領域７１には、画素電極６６、当該画素電極を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ５６、及び画像信号がリークするのを防止するための容量である蓄積容量５５が配置されている。蓄積容量５５は、容量線５１により、一方の極が画像表示領域７０全域で同電位に保たれている。
【００２２】
ＴＦＴ５６のソース電極５８にはデータ線５２が電気的に接続されており、該データ線には、画像表示領域７０の周辺に形成された図示しないデータ線駆動回路から、画像信号が供給される。データ線５２に供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線５２に対してグループ毎に供給される。ＴＦＴ５６のゲート電極５７には、走査線５３が電気的に接続されており、該走査線には、図示しない走査線駆動回路から走査信号が供給される。かかる走査信号は、複数の走査線５３に対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。
【００２３】
画素電極６６はＴＦＴ５６のドレイン電極５９に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ５６を一定期間だけオンすることにより、データ線５２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込むことができる。ここで、画素電極６６は、上述のＴＦＴ５６等が形成された素子基板と対向する図示しない対向基板の略全域に形成された対向電極との間に、電気光学物質である液晶を保持している。画素電極６６を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、上述の対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される上記信号の電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、画素領域毎に、図示しない光源から照射される光を変調して階調表示を行う。その結果、画像表示領域７０に画像が形成される。
【００２４】
ここで、上述したようにデータ線駆動回路等の各配線は、マトリクス状に配置される画素領域７１を構成するとともに、画像表示領域７０の周辺領域でデータ線駆動回路等と電気的に接続している。かかる周辺領域では、画像表示領域７０内における態様に比べて、長い距離を、狭い間隔で平行に並ぶパターンが多用される。そして、かかる一連の平行な配線が他の（種類の）一連の配線の上を層間絶縁層を介して交差する領域が生じる。そして、上述したように、従来のエッチング残り２６の除去方法では上層の配線がレジストパターン剥がれの発生によりダメージを受ける。本実施形態の電気光学装置としての液晶装置の製造方法においては、以下に示すようにレジストパターンを形成し、段差上を交差する配線（図７における第２の配線３２）のダメージを抑制している。
【００２５】
図２〜図４は、本実施形態の液晶装置の製造方法にかかるエッチング残りの除去方法を示す図である。図２は、レジストパターン２０、及び隣り合うレジストパターン２０間を連結するブリッジ２２を模式的に示す斜視図である。図３は、段差３３とレジストパターン２０との関係を模式的に示す平面図である。図４は、図２及び図３に示すレジストパターンを用いて行う、本実施形態のエッチング残りの除去工程を示す工程断面図である。第１の配線は容量線５１であり、容量線５１と層間絶縁層３０とで構成される段差３３上を交差する第２の配線はデータ線５２である。容量線５１は直線状に形成され、データ線５２は途中一箇所で屈曲している。なお、図２では、段差３３の図示を省略している。
【００２６】
容量線５１は、蓄積容量５５（図１参照）を構成する２層の導電材料層と１層の絶縁層とを合わせて、略４００ｎｍの層厚を有する。すなわち略４００ｎｍの段差を構成している。そして更に、領域によっては走査線５３等を含めて計７００ｎｍの段差を構成している。また、データ線５２は、層厚２０ｎｍのＴｉ（チタニウム）層４５と層厚５０ｎｍのＴｉＮ（窒化チタニウム）層４６と層厚３５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）層４７と層厚１５０ｎｍのＴｉＮ層４８を順に積層して構成されている。
【００２７】
図２に示すように、本実施形態のレジストパターン２０は、データ線５２を、幅方向に若干の余裕をもって覆っている。そして、隣り合うレジストパターン２０間を連結する複数個のブリッジ２２が、（データ線５２の延在方向に）所定の間隔をもって形成されている。したがって、ある一本のレジストパターン２０を基準に考えると、上述した（図９に示す）配線上の、レジスト層厚が薄い部分４２、すなわちポストベークにより収縮し易い部分が、隣り合うレジストパターンの（同じく図９に示す）レジスト層厚が厚い部分４４と連結されている。したがって、ポストベークによるレジストパターン２０の収縮を、レジスト層厚が厚い部分４４と合わせて吸収でき、レジスト層厚が薄い部分４２が（データ線５２上から）剥離して、データ線５２が露出することを回避できる。
【００２８】
また、図３に示すように、ブリッジ２２は段差３３を避けて形成されている。上述したようにエッチング残り２６（図７参照）は、段差３３の両側に発生する。したがって、本実施形態においてブリッジ２２により連結される部分はエッチング残り２６を覆うことはなく、エッチング残り２６の除去を妨げることはない。
【００２９】
図４は、図２及び図３に示すレジストパターン２０を用いて行う、データ線５２の形成工程、及びエッチング残り２６の除去工程を示す工程断面図である。段差３３（図７参照）に近接する部分におけるデータ線５２を、該データ線の延在方向に対して垂直の方向から見た断面図である。ただし、段差３３自体は図示を省略している。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１０上に、図示しない容量線５１（図３参照）を介して層間絶縁層３０を形成する。そして該層間絶縁層上に導電材料層５０を形成する。なお、該導電材料層は、上述するＴｉ層４５とＴｉＮ層４６とＡｌ層４７とＴｉＮ層４８とを積層した、合計の層厚が５７０ｎｍの積層体である。ただし、上記層厚は該導電材料層を平坦部に成膜した場合の層厚であり、段差３３の近傍ではより厚い層厚に形成される。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示すように、導電材料層５０をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてデータ線５２を形成する。エッチング条件は、ＣＦ4とＣｌ2とＢＣｌ3とＡｒの混合ガスを用いたドライエッチングであり、層間絶縁層３０を構成するＳｉＯ2も若干エッチングされる。かかるエッチング工程において、サイドエッチングによる（データ線５２の）線幅の縮小、及び層間絶縁層３０の層厚減少を考慮するとオーバーエッチングは一定の時間内に制限される。そのため、導電材料層５０が厚く形成された段差３３に近接する部分にはエッチング残り２６が発生し、隣り合うデータ線５２間を短絡させた状態となる。
なお、エッチング残り２６は、導電材料層５０が厚さ方向に一部がエッチングされ切れずに残るものである。したがって、エッチング残り２６は、上述の４層の導電材料層の内の最下層のＴｉ層４５とＴｉＮ層４６の（厚さ方向の）一部からなり、Ａｌ層４７は含んでいない。
【００３２】
次に、図４（ｃ）に示すように、データ線５２を覆い、かつ段差３３から外れた位置にブリッジ２２を有するレジストパターン２０を形成する。レジストパターン２０はフォトレジスト及びネガレジストのどちらを用いてもよく、平坦な領域における層厚が１．８μｍとなる条件で塗布したレジスト層をパターニングした後、ポストベークして形成する。
【００３３】
レジストパターン２０の幅は、データ線５２の線幅にアライメントずれの規格値（一般には３シグマ値）の２倍を加えた数値よりも広く、かつ、データ線５２の配線ピッチよりも狭い値とする。そのような幅とすることで、アライメントずれが規格を外れない限り、図示するような、データ線５２の上面部及び側壁部を完全に覆い、かつ、ブリッジ２２の形成された部分を除き、互いに離間したレジストパターン２０が得られる。
【００３４】
上述のポストベークの際に、レジストパターン２０には収縮する力が働くが、ブリッジ２２がデータ線５２の延在方位に所定の間隔を持って形成されているため、互いに保持し合うことができる。したがって、上述の周辺領域に形成される長い距離を、狭い間隔で平行に並ぶレジストパターン２０において、レジストパターン剥がれの発生が抑制される。特に図９に示すような、アライメントずれが比較的大きくレジスト層厚が薄い部分４２が一方の側に偏在している場合においても、該レジスト層厚が薄い部分が、ブリッジ２２により隣り合うレジスト層厚が厚い部分４４と連結されるため、レジストパターン剥がれの発生が抑制される。
【００３５】
次に、図４（ｄ）に示すように、データ線５２間の配線間領域２８、すなわちレジストパターン２０で覆われていない領域をエッチングして該領域のエッチング残り２６を除去する。エッチング条件は、ＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いたドライエッチングであり、エッチング残り２６を構成するＴｉ層４５とＴｉＮ層４６をＳｉＯ2に対して選択的にエッチングできる。そして、エッチング残り２６を除去した後、レジストパターン２０を除去する。
【００３６】
以上、本実施形態の製造方法によれば、細かい配線間ピッチで延在するデータ線５２を形成する場合において、エッチング残り２６による配線間の短絡を回避し、かつ、レジストパターン剥がれによるダメージを抑制できる。したがって、高精細かつ信頼性の向上した液晶装置を得ることができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態の液晶装置の製造方法にかかるエッチング残りの除去方法を図５及び図６に示す。図５は、レジストパターン２０と該レジストパターンを分断するスリット２４とを、模式的に示す斜視図である。図６は、段差３３とレジストパターン２０との関係を模式的に示す平面図である。なお、図５では、上述の図２と同様に段差３３は図示を省略している。
【００３８】
本実施形態の製造方法の対象である液晶装置は、第１の実施形態の液晶装置と同一である。そこで、液晶装置全体についての記載は省略する。また、本実施形態のエッチング残りの除去方法は、上述の第１の実施形態とはレジストパターン２０が異なるのみで、各工程は共通している。そこで上述の図４に相当する工程断面図の記載も省略する。
【００３９】
図５に示すように、本実施形態のレジストパターン２０は、第２の配線としてのデータ線５２を、幅方向に若干の余裕をもって覆っている。そして所定の間隔をもって、レジストパターン２０を分断するスリット２４が形成されている。したがって、レジストパターン２０は、断面が逆Ｕ字型のブロック状のレジスト層が所定の間隔（すなわちスリット２４の幅）を空けて直線的に配置された形状となる。そのため、スリット２４の形成部分ではデータ線５２が露出している。
【００４０】
図６に示すように、スリット２４は、上述の第１の実施形態におけるブリッジ２２の幅に比べて狭い幅で形成されている。したがって、データ線５２が露出する部分はデータ線５２全体のうちの極僅かな部分である。かかるレジストパターン２０を用いて、第１の実施形態におけるエッチング残り２６の除去工程、すなわち図４の工程断面図に示す工程と同様の工程を実施した場合、ポストベークによるレジストパターン２０の収縮は、スリット２４で分断されたブロック状のレジスト層毎に発生し、スリット２４が存在しないと仮定した場合の帯状のレジストパターン２０全体の収縮が一箇所に集中することが抑制される。したがって、従来例に記載したような、レジストパターン２０が剥離して、データ線５２が広い範囲に渡って露出する現象が回避される。
【００４１】
ここで、上述したようにスリット２４の形成部分ではデータ線５２が露出する。したがって、図４（ｄ）に示すエッチング残り２６の除去（エッチング）工程において、データ線５２の該スリット形成部分はエッチングされる。しかし、エッチング残り２６のエッチングに用いるＣＦ4とＯ2の混合ガスはＡｌをエッチングしないため、層厚１５０ｎｍのＴｉＮ層４８（図４（ａ）を参照）をエッチングした時点でストップする。したがって、レジストパターン２０をスリット２４で分割したにもかかわらず、データ線５２は分断されることはなく、ＴｉＮ４８の層がスリット２４の幅で失われ、その分配線抵抗が若干増加するだけである。
【００４２】
一方で、隣り合うデータ線５２間のエッチング残り２６は、完全に除去される。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、僅かな配線抵抗の増加と引き換えにエッチング残り２６による配線間の短絡を回避し、かつ、レジストパターン剥がれによるダメージを抑制できる。したがって、高精細かつ信頼性の向上した液晶装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】液晶装置の等価回路図。
【図２】レジストパターンと隣り合うレジストパターン間を連結するブリッジとを模式的に示す斜視図。
【図３】段差とレジストパターンとの関係を模式的に示す平面図。
【図４】第１の実施形態のエッチング残りの除去工程を示す工程断面図。
【図５】レジストパターンと該レジストパターンを分断するスリットとを、模式的に示す斜視図。
【図６】段差とレジストパターンとの関係を模式的に示す平面図。
【図７】エッチング残りの態様を示す図。
【図８】第２の配線を該第２の配線の延在方向に対して垂直の方向からみた断面図。
【図９】第２の配線を該第２の配線の延在方向に対して垂直の方向からみた断面図。
【図１０】第２の配線を覆うレジストパターンの一部分におけるレジストパターン剥がれを模式的に示す斜視図。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板、２０…レジストパターン、２２…ブリッジ、２４…スリット、２６…エッチング残り、２８…配線間領域、３０…層間絶縁層、３１…第１の配線、３２…第２の配線、３３…段差、４２…レジスト層厚が薄い部分、４４…レジスト層厚が厚い部分、４５…Ｔｉ層、４６…ＴｉＮ層、４７…Ａｌ層、４８…ＴｉＮ層、５０…導電材料層、５１…第１の配線としての容量線、５２…第２の配線としてのデータ線、５３…走査線、５５…蓄積容量、５６…ＴＦＴ、５７…ゲート電極、５８…ソース電極、５９…ドレイン電極、６６…画素電極、７０…画像表示領域、７１…画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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