(57)【要約】【課題】  ラッチアップ現象の発生を抑制し、高耐量な縦型ＩＧＢＴを提供すること。【解決手段】  縦型ＩＧＢＴ１０は、半導体基板２０の裏層部に設けられているとともにコレクタ電極に電気的に接続されているｐ型のコレクタ領域２１と、半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極に電気的に接続されているｎ型のエミッタ領域２６と、素子部の周縁に設けられている絶縁体の絶縁壁３６を備えている。絶縁壁３６は、素子部のエミッタ領域２６と終端耐圧部の間に配置されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子部とその素子部の周囲を取囲む終端耐圧部に区画された半導体基板を有する縦型ＩＧＢＴであって、
半導体基板の裏層部に設けられており、素子部と終端耐圧部の双方に亘って配置されているとともに、コレクタ電極に電気的に接続されているｐ型のコレクタ領域と、
半導体基板の表層部に設けられており、素子部に配置されているとともに、エミッタ電極に電気的に接続されているｎ型のエミッタ領域と、
素子部の周縁に設けられている絶縁壁とを備えており、
その絶縁壁が、素子部のエミッタ領域と終端耐圧部の間に配置されていることを特徴とする縦型ＩＧＢＴ。
【請求項２】
素子部に設けられており、半導体基板の表面から深部に向けて伸びているトレンチ型絶縁ゲート部をさらに備えており、
そのトレンチ型絶縁ゲート部は、ゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜で被覆されているトレンチゲート電極を有し、
前記エミッタ領域は、前記ゲート絶縁膜に接しており、
前記絶縁壁が、前記ゲート絶縁膜と同一素材で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の縦型ＩＧＢＴ。
【請求項３】
前記絶縁壁が、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部の間に亘って延びていることを特徴とする請求項２に記載の縦型ＩＧＢＴ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縦型ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
縦型ＩＧＢＴが形成されている半導体基板は、電流の導通状態と非導通状態を経時的に変えるための素子構造が形成されている素子部と、その素子部の周囲に形成されている終端耐圧部に区画されている。素子部には、絶縁ゲート部が形成されている。終端耐圧部には、例えばリサーフ層やガードリングが形成されており、縦型ＩＧＢＴの耐圧を向上させる。
【０００３】
縦型ＩＧＢＴは、特許文献１に示されているように、半導体基板の裏層部に設けられているとともに、素子部と終端耐圧部の双方に亘って配置されているｐ型のコレクタ領域を備えている。コレクタ領域は、コレクタ電極に電気的に接続されている。縦型ＩＧＢＴはさらに、半導体基板の表層部に設けられているとともに、素子部に配置されているｎ型のエミッタ領域を備えている。エミッタ領域は、エミッタ電極に電気的に接続されている。縦型ＩＧＢＴは、バイポーラで動作しており、裏面のコレクタ領域から正孔が注入され、表面のエミッタ領域から電子が注入される。コレクタ領域から注入された正孔は、一部が電子と再結合することによって伝導度変調を起こす。このため、縦型ＩＧＢＴのオン電圧は低い。電子と再結合しなかった正孔は、表面のエミッタ電極に排出される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２２９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したように、縦型ＩＧＢＴでは、裏面のコレクタ領域が素子部と終端耐圧部の双方に亘って配置されている。終端耐圧部のコレクタ領域から注入された正孔は、素子部のエミッタ電極に向かって流れるので、素子部と終端耐圧部の境界に正孔が集中する。集中した正孔の一部が素子部のエミッタ領域に流入すると、ラッチアップ現象が発生し、縦型ＩＧＢＴの耐量を低下させてしまう。
本発明は、縦型ＩＧＢＴの耐量を向上する技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で開示される縦型ＩＧＢＴは、素子部の周縁に設けられている絶縁壁を備えていることを特徴としている。絶縁壁は、素子部のエミッタ領域と終端耐圧部の間に配置されている。絶縁壁は、絶縁体で形成されているので、正孔の移動を物理的に遮蔽することができる。このため、絶縁壁は、終端耐圧部のコレクタ領域から注入された正孔がエミッタ領域に流入するのを防止する。これにより、本明細書で開示される縦型ＩＧＢＴでは、ラッチアップ現象の発生が抑えられ、耐量が向上する。
【０００７】
本明細書で開示される縦型ＩＧＢＴは、トレンチ型絶縁ゲート部を備えているのが好ましい。トレンチ型絶縁ゲート部は、素子部に設けられており、半導体基板の表面から深部に向けて伸びている。トレンチ型絶縁ゲート部は、ゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜で被覆されているトレンチゲート電極を有している。この場合、エミッタ領域は、ゲート絶縁膜に接する範囲に形成される。トレンチ型絶縁ゲート部が設けられている場合、ゲート絶縁膜と絶縁壁を同一素材で構成することが好ましい。
【０００８】
トレンチ型絶縁ゲート部が設けられている場合、絶縁壁は、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部の間に亘って延びていることが好ましい。
この形態によると、終端耐圧部のコレクタ領域から注入された正孔がその絶縁壁を超えて素子部内に流入することがない。このため、正孔が素子部のエミッタ領域に流入する現象をさらに抑制することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書で開示される縦型ＩＧＢＴは、絶縁壁が設けられていることによって、終端耐圧部のコレクタ領域から注入された正孔が素子部のエミッタ領域に流入するのを抑制する。このため、本明細書で開示される縦型ＩＧＢＴでは、ラッチアップ現象の発生が抑制され、耐量が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に説明する実施例の特徴を列記する。
（特徴１）トレンチ型絶縁ゲート部が長手方向に伸びており、トレンチ型絶縁ゲート部の端部寄りに位置するエミッタ領域の外側に絶縁壁が形成されている。
（特徴２）前記絶縁壁は、素子部の周方向に断続的に配置されている。
（特徴３）複数本のトレンチ型絶縁ゲート部が並行に伸びており、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部の間を伸びている絶縁壁が形成されている。トレンチ型絶縁ゲート部の端部近傍に絶縁壁が形成されている。最も外側に位置する２本のトレンチ型絶縁ゲート部と、一方側の端部近傍に形成されている絶縁壁と、他方側の端部近傍に形成されている絶縁壁によって囲まれる範囲内にエミッタ領域が形成されており、その範囲外にはエミッタ領域が形成さてていない。
（特徴４）絶縁壁は、ｐ型ベース領域を貫通してｎ型ベース領域に達している。
【実施例】
【００１１】
以下、図面を参照して各実施例を説明する。なお、各図面において、共通する構成要素に関しては共通の符号を付し、その説明を省略する。また、以下で説明する各実施例では、ノンパンチスルー（Non Punch Through）型の縦型ＩＧＢＴを例に説明するが、本明細書で開示される技術は、パンチスルー（Punch Through）型の縦型ＩＧＢＴにも適用可能である。また、以下で説明する各実施例のＩＧＢＴには、半導体材料にシリコンが用いられている。しかし、本明細書で開示される技術は、シリコン以外の半導体材料のＩＧＢＴにも適用可能である。例えば、半導体材料が窒化ガリウム系、炭化シリコン系、ガリウム砒素系等の化合物半導体の縦型ＩＧＢＴにも適用可能である。
【００１２】
図１に、縦型ＩＧＢＴ１０が形成されている半導体基板２０の平面図の概略を示す。図１に示すように、半導体基板２０は、平面視したときに、電流の導通状態と非導通状態を経時的に変えるための素子構造が形成されている素子部１４と、その素子部１４の周囲に形成されている終端耐圧部１６に区画されている。終端耐圧部１６は、縦型ＩＧＢＴ１０がオフしたときに、空乏層を素子部１４から半導体基板２０の外周に向けて伸展させるために設けられている。
【００１３】
図２に、図１の破線で囲まれた部分の拡大要部平面図を示す。図３に、図２のIII-III線に対応した縦断面図を示す。図４に、図２のIV-IV線に対応した縦断面図を示す。図５に、図２のV-V線に対応した縦断面図を示す。なお、図５の縦断面図では、ゲート配線４４を併せて図示している。
【００１４】
縦型ＩＧＢＴ１０は、ｐ＋型のコレクタ領域２１とｎ＋型のバッファ領域２２とｎ-型のベース領域２３とｐ型のリサーフ層２４とｐ-型のベース領域２５と複数のｎ＋型のエミッタ領域２６とトレンチ型絶縁ゲート部３０を備えている。
【００１５】
コレクタ領域２１は、半導体基板２０の裏層部に設けられており、図示しないコレクタ電極に電気的に接続されている。バッファ領域２２は、コレクタ領域２１上に設けられている。ｎ型ベース領域２３は、バッファ領域２２上に設けられている。コレクタ領域２１とバッファ領域２２とｎ型ベース領域２３は、素子部１４と終端耐圧部１６の双方に亘って横方向に延びており、素子部１４と終端耐圧部１６の双方に配置されている。例えば、コレクタ領域２１とバッファ領域２２は、イオン注入技術を利用して、ｎ型ベース領域２３の裏面に形成される。
【００１６】
リサーフ層２４は、終端耐圧部１６のｎ型ベース領域２３上に選択的に設けられている。リサーフ層２４は、素子部１４の周囲を終端耐圧部１６に沿って一巡している。リサーフ層２４の電位は、フローティングである。リサーフ層２４は、縦型ＩＧＢＴ１０がオフしたときに、空乏層を素子部１４から終端耐圧部１６に向けて伸展させる。これにより、空乏層は、終端耐圧部１６の広い範囲に広がり、縦型ＩＧＢＴ１０の横方向の耐圧が向上する。なお、リサーフ層２４に代えて、例えばガードリング等の耐圧構造が形成されていてもよい。
【００１７】
ｐ型ベース領域２５は、素子部のｎ型ベース領域２３上に選択的に設けられており、ｎ型ベース領域２３及びバッファ領域２２によってコレクタ領域２１から隔てられている。複数のエミッタ領域２６は、ｐ型ベース領域２５上に選択的に設けられており、ｐ型ベース領域２５によってｎ型ベース領域２３から隔てられている。ｐ型ベース領域２５とエミッタ領域２６は、図示しないエミッタ電極に電気的に接続されている。例えば、ｐ型ベース領域２５とエミッタ領域２６も、イオン注入技術を利用して、ｎ型ベース領域２３の表面に形成される。
【００１８】
図２に示すように、トレンチ型絶縁ゲート部３０は、素子部１４内にストライプ状に配置されている。トレンチ型絶縁ゲート部３０は、ｘ軸方向に伸びているとともに、ｙ軸方向に繰り返し配置されている。トレンチ型絶縁ゲート部３０は、ゲート絶縁膜３４と、そのゲート絶縁膜３４で被覆されているトレンチゲート電極３２を有している。図３に示すように、トレンチ型絶縁ゲート部３０は、エミッタ領域２６からｎ型ベース領域２３に向けてｐ型ベース領域２５を貫通して伸びている。トレンチ型絶縁ゲート部３０は、一端がエミッタ領域２６に接しており、他端がｎ型ベース領域２３内に突出している。ゲート絶縁膜３４には酸化シリコンが用いられており、トレンチゲート電極３２には不純物を高濃度に含むポリシリコンが用いられている。
【００１９】
図２に示すように、複数のエミッタ領域２６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の側面に接するとともにトレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向に沿って分散している。この例では、複数のエミッタ領域２６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向に沿って等間隔に分散している。さらに、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部３０の間において、一方のトレンチ型絶縁ゲート部３０に設けられたエミッタ領域２６と他方のトレンチ型絶縁ゲート部３０に設けられたエミッタ領域２６は、長手方向に沿って交互に配置されている。また、エミッタ領域２６は、最外周のトレンチ型絶縁ゲート部３０（この例では、紙面右端に設けられている）の終端耐圧部側の側面３４ａには設けられていない。即ち、エミッタ領域２６は、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部３０の間に設けられている。なお、複数のエミッタ領域２６の配置は、この例に限られない。複数のエミッタ領域２６の配置は、ＩＧＢＴ１０に要求される特性に応じて適宜変更することができる。
【００２０】
図２及び図４に示すように、ＩＧＢＴ１０はさらに、複数の絶縁壁３６を備えている。絶縁壁３６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向（ｘ軸方向）の端部近傍に設けられている。図示されていないが、絶縁壁３６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向の他方の端部近傍にも設けられている。絶縁壁３６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の側面に接するとともにトレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向に直交する方向に突出した形態を有しており、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部３０の間に亘って延びている。絶縁壁３６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０の長手方向において、エミッタ領域２６の側面に接している。
【００２１】
図４に示すように、絶縁壁３６は、半導体基板２０の表面からｐ型ベース領域２５を貫通してｎ型ベース領域２３に突出している。絶縁壁３６は、酸化シリコンで形成されており、正孔及び電子の移動を妨げることができる。後述するように、本実施例の絶縁壁３６は、ゲート絶縁膜３４と同一の製造工程で作成されている。なお、この例に代えて、絶縁壁３６は、ゲート絶縁膜３４と異なる材料を用いて形成してもよい。
【００２２】
絶縁壁３６は、トレンチ型絶縁ゲート部３０のｘ軸方向の端部近傍に設けられていることを特徴としている。具体的には、絶縁壁３６は、素子部１４と終端耐圧部１６の境界とその境界に対向するエミッタ領域２６の間に設けられている。即ち、絶縁壁３６は、エミッタ領域２６のうちの最も終端耐圧部１６側のエミッタ領域２６よりも終端耐圧部１６側に配置されている。全てのエミッタ領域２６は、絶縁壁３６よりも内側に配置されている。
【００２３】
図６に、トレンチ型絶縁ゲート部３０の端部近傍における正孔及び電子の様子を示す。終端耐圧部１６の裏層部には、コレクタ領域２１が形成されている。このため、終端耐圧部１６のコレクタ領域２１から注入された正孔は、素子部１４のエミッタ電極に向けて移動する。図６に示すように、終端耐圧部１６のコレクタ領域２１から注入された正孔は、素子部１４と終端耐圧部１６の境界に集中する。本実施例の縦型ＩＧＢＴ１０では、絶縁壁３６が設けられているので、集中した正孔がエミッタ領域２６に流入する現象を物理的に抑制することができる。また、絶縁壁３６は、エミッタ領域２６から注入される電子が終端耐圧部１６側に流れることも抑制する。エミッタ領域２６から注入される電子は、素子部１４側にのみ流れる。仮に、エミッタ領域２６から注入された電子が終端耐圧部１６側に流れると、その電子に引き寄せられて正孔がさらに集中することが起こる。一方、本実施例の縦型ＩＧＢＴ１０では、エミッタ領域２６から注入された電子が終端耐圧部１６側に流れることがないので、電子に引き寄せられて正孔が集中することもなく、正孔がエミッタ領域２６に流入する現象を顕著に抑制することができる。
【００２４】
縦型ＩＧＢＴ１０はさらに、次の利点を有する。
（１）絶縁壁３６は、従来の製造工程と同時に作成できるという利点を有している。従来の製造工程でトレンチ型絶縁ゲート部３０を作成する場合、まず、半導体基板２０の表層部のトレンチゲート電極３２に対応した領域にトレンチを形成し、そのトレンチの内壁を熱酸化してゲート絶縁膜３４を形成し、トレンチゲート電極３２をトレンチ内に充填することによって形成される。本実施例では、半導体基板２０の表層部にトレンチを形成するときに、その長手方向に直交する方向に伸びる細いトレンチを形成する。この細いトレンチは、絶縁壁３６に対応した領域に形成する。次に、ゲート絶縁膜３４を形成するために熱酸化すると、絶縁壁３６用の細いトレンチは幅が狭いので、細いトレンチが熱酸化膜によって充填される。これにより、絶縁壁３６を形成することができる。即ち、半導体基板２０の表層部にトレンチを形成するパターンを変更するだけで、絶縁壁３６を形成することができる。従来の製造工程に新たな工程を追加することなく、絶縁壁３６を形成することができる。
【００２５】
（２）絶縁壁３６は、リーク電流を抑制するという利点も有している。図５に示すように、半導体基板２０の表面には、トレンチ型絶縁ゲート部３０の端部に接続するゲート配線４４が配設されている。ゲート配線４４は、層間絶縁膜４２によって半導体基板２０から絶縁されている。図５に示すように、ゲート配線４４と層間絶縁膜４２と半導体基板２０はＭＯＳ構造を構成しており、終端耐圧部１６の半導体基板２０の表層部５２に反転層が形成されるという問題がある。例えば、絶縁壁３６が設けられていないと、エミッタ領域２６から注入された電子の一部が、トレンチ型絶縁ゲート部３０の側面を横方向に移動して、この表層部５２を介して外部にリークするという問題がある。このため、従来技術では、表層部５２の横方向の長さを大きく確保し、リーク電流を抑えることが行われている。これに対し、本実施例の縦型ＩＧＢＴ１０では、図６に示すように、エミッタ領域２６から注入された電子は、絶縁壁３６によってトレンチ型絶縁ゲート部３０の側面に沿って周辺耐圧領域１６側に向けて流れることがない。エミッタ領域２６から注入された電子は、素子部１４側にのみ流れる。このため、エミッタ領域２６から注入された電子は、図５に示す表層部５２に流入することがなく、リーク電流が防止される。この結果、従来技術のように、表層部５２の長さを大きく確保する必要がなくなるので、縦型ＩＧＢＴの素子面積を小さくすることができる。
【００２６】
（実施例の変形例１）
図７に、上記した縦型ＩＧＢＴ１０の変形例の一例を示す。図７は、縦型ＩＧＢＴ１１の拡大要部平面図を示している。縦型ＩＧＢＴ１１は、ｐ+型の正孔排出領域２７を備えていることを特徴としている。正孔排出領域２７は、絶縁壁３６よりも周辺耐圧領域側に設けられており、エミッタ電極に電気的に接続されている。
【００２７】
正孔排出領域２７は、周辺耐圧領域のコレクタ領域２１から注入された正孔のうち素子部と終端耐圧部の境界に集中した正孔をエミッタ電極に排出する。正孔排出領域２７が設けられていると、縦型ＩＧＢＴ１０がオンからオフに切換わるときに、正孔をスムーズに排出することができ、スイッチング特性を改善することができる。
【００２８】
（実施例の変形例２）
図８に、上記した縦型ＩＧＢＴ１０の変形例の他の一例を示す。図８は、縦型ＩＧＢＴ１２の要部平面図を模式的に示す。縦型ＩＧＢＴ１２の絶縁壁３８は、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）酸化技術を利用して形成されることを特徴としている。縦型ＩＧＢＴ１２の絶縁壁３８は、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部３０の間に亘って延びていないので、正孔の一部が素子部に流入するかもしれない。しかし、従来技術と比べれば、素子部に流入する正孔量を減少させることができる。特に、絶縁壁３８が設けられていると、絶縁壁３８の側面に反転層が形成されない。このため、エミッタ領域２６から注入された電子は、終端耐圧部側に流れることがなく、素子部側にのみ流れる。これにより、電子に引き寄せられて正孔が集中するという現象、及びゲート配線に起因してリーク電流が流れるという現象が抑制される。絶縁壁３８は、隣接するトレンチ型絶縁ゲート部３０の間に亘って延びていなくても、ラッチアップ現象を抑制し、リーク電流を抑制するという効果を奏する。
【００２９】
次に、絶縁壁３８を形成する方法を説明する。図９（Ａ）に示すように、まず、エッチング技術を利用して、半導体基板２０の表層部のトレンチゲート電極３２に対応した領域にトレンチ６０を形成する。次に、図９（Ｂ）に示すように、熱酸化技術を利用して、半導体基板２０の表面及びトレンチ６０の内壁に熱酸化膜６２を形成する。次に、図９（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術を利用して、熱酸化膜６２の表面に窒化膜６４を形成する。次に、図９（Ｄ）に示すように、窒化膜６４の表面の一部にマスク６６を形成し、マスク６６で被覆されていない窒化膜６４を除去する。窒化膜６４が除去される領域は、絶縁壁３８が形成される範囲に一致している。次に、図９（Ｅ）に示すように、マスク６６を除去する。次に、図９（Ｆ）に示すように、ＬＯＣＯＳ酸化技術を利用して、窒化膜６４で被覆されていない熱酸化膜６２を酸化し、膜厚の厚いＬＯＣＯＳ酸化膜６８を形成する。このＬＯＣＯＳ酸化膜６８が、絶縁壁３８となる。これらの工程を経て、図９に示す縦型ＩＧＢＴ１２の絶縁壁３８を形成することができる。
【００３０】
（プレーナー型電極を有する変形例）
図１０に、プレーナー型絶縁ゲート部１３０を備えた縦型ＩＧＢＴ１３の要部断面図を模式的に示す。なお、図１の縦型ＩＧＢＴ１０と共通する構成要素に関しては同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３１】
図１０に示すように、ｐ型ベース領域１２５が素子部のｎ型ベース領域２３上に分散して設けられている。素子部１４の半導体基板２０の表面には、プレーナーゲート電極１３２とゲート絶縁膜１３４で構成されたプレーナー型絶縁ゲート部１３０が形成されている。プレーナー型絶縁ゲート部１３０の端部には、ゲート配線４４が電気的に接続されている。
【００３２】
縦型ＩＧＢＴ１３も、絶縁壁１３６を備えていることを特徴としている。絶縁壁１３６は、素子部１４のエミッタ領域１２６と終端耐圧部１６の間に設けられている。即ち、絶縁壁１３６は、エミッタ領域１２６のうちの最も終端耐圧部１６側のエミッタ領域１２６よりも終端耐圧部１６側に配置されている。
【００３３】
本実施例の縦型ＩＧＢＴ１３も、絶縁壁１３６が形成されているので、集中した正孔がエミッタ領域１２６に流入する現象を物理的に抑制することができる。また、エミッタ領域１２６から注入された電子が終端耐圧部１６に向けて流れるのを抑制する。本実施例の縦型ＩＧＢＴ１３も、ラッチアップ現象が抑制され、リーク電流が抑制される。
【００３４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施例の縦型ＩＧＢＴの平面図の概略を示す。
【図２】実施例の縦型ＩＧＢＴの拡大要部平面図を示す。
【図３】図２のIII-III線に対応した縦断面図を示す。
【図４】図２のIV-IV線に対応した縦断面図を示す。
【図５】図２のV-V線に対応した縦断面図を示す。
【図６】トレンチ型絶縁ゲート部の端部近傍の正孔及び電子の様子を示す。
【図７】第１の変形例の拡大要部平面図を示す。
【図８】第２の変形例の拡大要部平面図を示す。
【図９】絶縁壁の製造工程を示す。
【図１０】プレーナー型絶縁ゲート部を有する縦型ＩＧＢＴの要部断面図を示す。
【符号の説明】
【００３６】
２０：半導体基板
２１：コレクタ領域
２２：バッファ領域
２３：ｎ型ベース領域
２４：リサーフ層
２５：ｐ型ベース領域
２６：エミッタ領域
２７：正孔排出領域
３０：トレンチ型絶縁ゲート部
３６，３８，１３６：絶縁壁
４２：層間絶縁膜
４４：ゲート配線
【図１】
2009283556.tif 000003
【図２】
2009283556.tif 000004
【図３】
2009283556.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009283556.tif 000007
【図６】
2009283556.tif 000008
【図７】
2009283556.tif 000009
【図８】
2009283556.tif 000010
【図９】
2009283556.tif 000011
【図１０】
2009283556.tif 000012