(57)【要約】【課題】チタン酸化物を含有する均質な導電膜を成膜する。【解決手段】導電膜形成用塗布剤は、基材上にコートされて焼成処理が施されることにより導電膜を成膜するものである。導電膜形成用塗布剤は、チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にコートされて焼成処理が施されることにより導電膜を成膜する導電膜形成用塗布剤であって、
チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する導電膜形成用塗布剤。
【請求項２】
上記チタン化合物がチタンアルコキシド及び／又はチタン塩であって、有機カチオンをさらに含有する請求項１に記載された導電膜形成用塗布剤。
【請求項３】
上記界面活性剤がアニオン界面活性剤である請求項１又は２に記載された導電膜形成用塗布剤。
【請求項４】
アルカリ金属の濃度が１０ｐｐｍ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載された導電膜形成用塗布剤。
【請求項５】
チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する導電膜形成用塗布剤を基材上にコートして焼成処理を施すことにより成膜させる導電膜の製造方法。
【請求項６】
チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する導電膜形成用塗布剤が基材上にコートされて焼成処理が施されることにより成膜した、チタン酸化物を含有すると共に体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下である導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜形成用塗布剤、並びにそれを用いた導電膜の製造方法及びその導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイや太陽電池等では、光の透過が可能なように、ガラス基板上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム・亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜が設けられた構成を有している。
【０００３】
特許文献１には、かかるＩＴＯ透明導電膜の形成方法として、塩化インジウムと塩化第１錫又は塩化第２錫を水、アルコール、又は水−アルコール混合液のいずれかに溶解させたものに界面活性剤を添加した塗布液を、ディツプコーティング法で基板に塗布した後に焼成する方法が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、インジウム、錫及びアルコールを含む有機溶液と界面活性剤との混合物を基板上に塗布し、この基板を加熱処理して多孔質膜を形成するＩＴＯ透明導電膜の形成方法が開示されている。
【０００５】
また、インジウムは、非常にレアな金属であり、今後の資源の枯渇と需要の増加に伴って、十分に供給されない可能性がある。そのため、ニオブをドープしたチタン酸化物などの他の材質による透明導電膜の開発が進められている（例えば、非特許文献１〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１７５７３３号公報
【特許文献２】特開２００６−７３３２１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】第６７回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (2006) P.568 講演番号30P-RA-16
【非特許文献２】第６７回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (2006) P.568 講演番号30P-RA-18
【非特許文献３】第６７回応用物理学会学術講演会講演予稿集 (2006) P.567 講演番号30P-RA-13
【非特許文献４】Sol Energy Mater Sol Cells 90,2867-2880(2006)
【非特許文献５】Thin Solid Films 315,266-272(1988)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、チタン酸化物を含む透明導電膜では、均質な導電膜を成膜することが困難であるという問題がある。
【０００９】
本発明の課題は、チタン酸化物を含有する均質な導電膜を成膜することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の導電膜形成用塗布剤は、基材上にコートされて焼成処理が施されることにより導電膜を成膜するものであって、チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する。
【００１１】
本発明の導電膜の製造方法は、チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する導電膜形成用塗布剤を基材上にコートして焼成処理を施すことにより成膜させるものである。
【００１２】
本発明の導電膜は、チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する導電膜形成用塗布剤が基材上にコートされて焼成処理が施されることにより成膜した、チタン酸化物を含有すると共に体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、導電膜形成用塗布剤が界面活性剤を含有しているので、これを用いることによりチタン酸化物を含有する均質な導電膜を成膜することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施形態を説明する。
【００１５】
（導電膜形成用塗布剤）
本実施形態の導電膜形成用塗布剤は、基材上にコートされて焼成処理が施されることにより導電膜を成膜するものであり、チタン化合物及び遷移元素化合物が溶解した溶液又は動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下である粒子として分散した分散液からなり、界面活性剤をさらに含有する。
【００１６】
ここで、チタン化合物としては、チタンアルコキシドやチタン塩などの加水分解により水酸化チタンを生成するものの他に、水酸化チタン、微細粒子のチタン酸化物、及びチタン錯体等が挙げられる。上記の水酸化チタンの概念は、Ｔｉ（ＯＨ）２、Ｔｉ（ＯＨ）３、Ｔｉ（ＯＨ）４、及びＨ４ＴｉＯ４の組成式で表されるもの全てを包含する。
【００１７】
チタンアルコキシドとしては、炭素数１〜６（好ましくは炭素数２〜４）のアルコキシドを有するものが好ましい。具体的には、例えば、チタンテトラエトキシド、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラ-ｎ-プロポキシド、チタンテトラ-ｎ-ブトキシド、チタンテトラメトキシメトキシド、チタンテトラメトキシエトキシド、チタンテトラエトキシエトキシド等が挙げられる。これらのうち、一般的な入手及び取扱の容易さの観点から、チタンテトラエトキシド、及びチタンテトライソプロポキシドが好ましい。
【００１８】
チタン塩としては、例えば、四塩化チタンや三塩化チタンや二塩化チタンなどの塩化チタン、硫酸チタン、硫酸チタニル、硝酸チタニル等が挙げられる。これらのうち、一般的な入手及び取扱の容易さの観点から、四塩化チタン、硫酸チタン及び硫酸チタニルが好ましい。
【００１９】
チタンアルコキシド及びチタン塩は、後述する低級アルコールなどの有機溶媒に溶解することができる。また、チタン塩は、低級アルコールと反応し、少なくとも一部がチタンアルコキシドを生成する。
【００２０】
チタン酸化物には、チタンアルコキシド或いはチタン塩が水と反応し水酸化チタンとなり、これが反応してチタン酸化物となるものも含まれる。また、チタン酸塩もまたチタン酸化物に含まれる。従って、導電膜形成用塗布剤に、チタンアルコキシド、チタン塩、水酸化チタン、及びチタン酸化物が混在して含まれる場合があり得る。但し、チタン酸化物は、固体として溶液中に分散した状態で存在するが、その粒子径は、得られる導電膜の導電率や透明性の観点から後述する範囲であることが必要である。
【００２１】
チタン錯体としては、例えば、チタンジイソプロポキシド（ビス−２，４ペンタンジオネート）、チタンジ−ｎ−ブトキシド（ビス−２，４ペンタンジオネート）、チタンジイソプロポキシドビス（エチルアセトアセテート）、チタンジイソプロポキシドビス（テトラメチルへプタンジオネート）、チタンテトラアセチルアセトナート、チタンオクチレングリコーレート、チタンペルオキソクエン酸錯体、チタンラクテート、チタントリエタノールアミネートなどが挙げられる。
【００２２】
チタン化合物は、単一種が含まれていてもよく、また、複数種が含まれていてもよい。
【００２３】
チタン化合物の含有量は、ＴｉＯ２に換算して０．５〜５０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
【００２４】
遷移元素化合物は、原子番号２１（スカンジウム）から２９（銅）、３９（イットリウム）から４７（銀）、５７（ランタン）から７９（金）のいずれかの元素又は原子番号８９（アクチニウム）以上のいずれかの元素の化合物である。遷移元素化合物は、原子番号４１のニオブや原子番号７３のタンタルといった長周期型周期表の５Ａ族元素の化合物であることが好ましく、ニオブ化合物が特に好ましい。遷移元素化合物は、単一種が含まれていてもよく、また、複数種が含まれていてもよい。
【００２５】
また、遷移元素化合物は、遷移元素のアルコキシ化合物、遷移元素の塩、遷移元素の水酸化物、遷移元素の酸化物、及び遷移元素の錯体のいずれかであることが好ましい。
【００２６】
具体的には、ニオブ化合物としては、ニオブアルコキシドが好ましく、例えば、ニオブペンタメトキシド、ニオブペンタエトキシド、ニオブペンタイソプロポキシド、ニオブペンタ−n−プロポキシド、ニオブペンタ−n−ブトキシド、ニオブペンタメトキシメトキシド、ニオブペンタエトキシエトキシド等が挙げられる。
【００２７】
タンタル化合物としては、タンタルアルコキシドが好ましく、例えば、タンタルペンタメトキシド、タンタルペンタエトキシド、タンタルペンタイソプロポキシド、タンタルペンタ−n−プロポキシド、タンタルペンタ−n−ブトキシド、タンタルペンタメトキシメトキシド、タンタルペンタエトキシエトキシド等が挙げられる。
【００２８】
遷移元素化合物の含有量は、０．１〜１０質量％であることが好ましく、０．２〜２質量％であることがより好ましい。
【００２９】
ところで、前記したチタン化合物及び遷移元素化合物は、導電膜形成用塗布剤中に溶解又は分散しているが、酸化物や水不溶性の塩を形成して分散している場合、得られる導電膜の導電率や透明性の観点から、動的光散乱法により測定される粒子径が１００ｎｍ以下であることが必要であり、１〜５０ｎｍであることが好ましく、１〜３ｎｍであることがより好ましい。また、導電膜形成用塗布剤中に含まれる他の分散体の粒子径もこの範囲に入ることが好ましい。動的光散乱法は、レーザー光散乱により測定される。
【００３０】
また、チタン化合物と遷移元素化合物との含有比率は、遷移元素とチタン元素の原子比で１：９９〜３０：７０であることが好ましく、５：９５〜２０：８０であることがより好ましい。なお、分散液中の遷移元素化合物はチタン化合物との原子比から設定される。原子比とは、元素の原子数の相対比を意味し、当業者によって、atom ratio 或いはat.として表現されるものである。
【００３１】
界面活性剤としては、例えば、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤等が挙げられる。界面活性剤は、導電膜形成用塗布剤の界面張力を低下させ、基材への濡れ性を向上させる。
【００３２】
アニオン界面活性剤としては、例えば、炭素数が８〜２２（好ましくは１０〜１８）のアルキル基又はアルケニル基を有すると共に、スルホン酸基、硫酸エステル基、カルボン酸基及びリン酸基から選ばれるアニオン性基を有する化合物が挙げられる。具体的には、アルキル又はアルケニル硫酸エステル塩（以下、アルケニル基を有する化合物を省略するが、以下の例示は、アルキル基をアルケニル基と置き換えた化合物もまた意味するものとする。）、オキシエチレン基若しくはオキシエチレン基とオキシプロピレン基とを有するポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、脂肪酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、脂肪酸アミドスルホン酸塩、アルキルリン酸エステル塩などが挙げられる。これらのうちアルキル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルリン酸エステル塩が好ましく、特にはアルキル硫酸エステル塩が好ましい。また、アニオン界面活性剤としては、カリウムやナトリウムやリチウムなどのアルカリ金属の塩、カルシウムやマグネシウムなどのアルカリ土類金属の塩、アンモニア、モノエタノールアミンやモノエチルアミンなどの第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン等のアミンもしくは第４級アンモニウムの塩が挙げられる。なお、アニオン界面活性剤は、酸形体で添加されて中和により塩を形成するものであってもよい。
【００３３】
カチオン界面活性剤としては、炭素数８〜２２のアルキル基又はアルケニル基を有する第１級乃至第３級アルキルアミン型或いは第４級アンモニウム型の界面活性剤、具体的には下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。
【００３４】
【化１】
2009283451.tif 000002
【００３５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも１つは炭素数８〜２２のアルキル基もしくはアルケニル基、又はＲ５−Ａ−Ｒ６−で示される有機基であって、残りは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のヒドロキシアルキル基、及びベンジル基から選ばれる有機基である。但し、Ｒ５は炭素数８〜２２アルキル基もしくはアルケニル基であり、Ａは−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、及び−Ｏ−から選ばれる結合であり、Ｒ６は炭素数２〜４のアルキレン基である。また、Ｘ−は陰イオンであり、好ましくはＯＨ−、塩素イオン、臭素イオン、炭素数１〜４のアルキル硫酸イオン、或いは、前記のアニオン界面活性剤である。］
【００３６】
ノニオン界面活性剤としては、例えば、炭素数８〜２２のアルキル基を有するアルキルポリグルコシド、ポリオキシアルキレン（好ましくはオキシエチレン）アルキルエーテル、アルキルポリグリセリルエーテル等が挙げられる。
【００３７】
本実施形態の導電膜形成用塗布剤では、これら界面活性剤の中でも、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤が好ましく、優れた導電性の導電膜を得ることができるという観点からは、アルカリ金属塩以外のアニオン界面活性剤が好ましく、具体的には、アンモニアの塩（アンモニウム塩）や後述するチタン酸化物の形状制御に用いられる有機カチオンとの塩がより好ましく、最も好ましいのは、アルキル基の炭素数が１０〜１８の直鎖又は分岐鎖を有するアルキル硫酸エステルのアンモニウム塩である。アルカリ金属を含有する界面活性剤は、アニオン界面活性剤のように塩として配合される以外に、製造工程から含有する可能性もあるが、優れた導電率の導電膜を得るためには、導電膜形成用塗布剤中のアルカリ金属の濃度は１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、２ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。
【００３８】
界面活性剤は、単一種が含まれていてもよく、また、複数種が含まれていてもよい。
【００３９】
界面活性剤の含有量は、０．０１〜１．０質量％であることが好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがより好ましい。なお、ここでの濃度は、界面活性剤が対イオンを持つ場合、導電膜形成用塗布剤中に対イオンが複数存在すると、系中で対になる界面活性剤が不明となったり或いは対イオンにより質量が変化することが考えられるため、対イオンをカウントしない質量％である。
【００４０】
本実施形態の導電膜形成用塗布剤は、溶液又は分散液である。厳密には、溶液は、チタン化合物が可溶化した状態の場合で、また、分散液は、材中の化合物がチタン酸などに結晶化する等して不溶化して分散した状態の場合であることをそれぞれ意味する。分散液の場合、基材への塗布前に分散体が分散媒中で結晶成長し、濁りが生じない状態のものが好ましい。具体的には、濁りの程度として、濁度が３０％以下であることが好ましい。なお、濁度はＪＩＳ Ｋ０１０１に準拠した方法により求めることができる。
【００４１】
溶液を構成するための溶媒又は分散液を構成するための分散媒としては、例えば、水、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、t-ブタノール、１-ブタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール等が挙げられ、特に水が好ましい。溶媒又は分散媒は、単一種で構成されていてもよく、また、複数種が混合されて構成されていてもよい。
【００４２】
本実施形態の導電膜形成用塗布剤は、溶媒として水を含有し、チタン化合物が水酸化チタン、チタンアルコキシド及び／又はチタン塩であって、遷移元素化合物、及び界面活性剤に加えて、有機カチオン、好ましくは臨界ミセル濃度を有しない有機カチオンをさらに含有していてもよい。
【００４３】
この場合、チタン化合物が、有機カチオン（典型的にはアミン類又は４級ホスホニウム水酸化物）の存在下で加水分解され、遷移元素が一部ドープされた形でチタン酸化物が形成される。これは、従来のアナターゼ型やルチル型のチタニアとは異なり、チタン酸又はその塩を含有する厚さがナノスケールのシート、すなわちチタン酸ナノシート（本出願では、遷移元素が一部ドープされたものを含む。）と呼ばれる構造体である。そして、これにより優れた導電膜を得ることができる。
【００４４】
チタン酸ナノシートは、チタンを中心として６個の酸素が配位した８面体構造を基本ユニットとし、このユニットが二次元平面状に広がった分子レベルの厚み（ｎｍレベル）を持ったシート構造を有する。このチタン酸ナノシートは、二チタン酸、三チタン酸、四チタン酸、五チタン酸、六チタン酸、レピドクロサイト型等の構造を有するチタン酸ナノシートを包含し、例えば、チタン酸との塩の形態で、有機カチオンをアミン類由来のものとすれば、Ｎ／Ｔｉモル比で０．２以下の割合で含まれていると考えられる。
【００４５】
チタン酸ナノシートは、分散液中において、チタン酸ナノシートが１枚ずつばらばらに分散した状態であると推察され、チタン酸ナノシート分散液は、系によっては、チタン酸ナノシートが積層し層を成した状態や、一部凝集したものを含むと考えられる。
【００４６】
このようなチタン酸ナノシートは、ラマンスペクトルで波数が２６０〜３０５ｃｍ−１、４４０〜４９０ｃｍ−１及び６５０〜１０００ｃｍ−１の領域にそれぞれピークを有する。なお、従来の代表的な酸化チタンであるアナターゼ型チタニアは、ラマンスペクトルで波数が１４０〜１６０ｃｍ−１、３９０〜４１０ｃｍ−１、５１０〜５２０ｃｍ−１及び６３０〜６５０ｃｍ−１の領域にピークを有し、ルチル型チタニアは、ラマンスペクトルで波数が２３０〜２５０ｃｍ−１、４４０〜４６０ｃｍ−１及び６００〜６２０ｃｍ−１の領域にピークを有する。チタン酸ナノシートについては、特開２００６−１８２５８８号公報を参照することができる。
【００４７】
かかるチタン酸ナノシート分散液からなる導電膜形成用塗布剤は、透明性に優れることが好ましく、具体的には前記したように濁度が３０％以下であることが好ましい。
【００４８】
有機カチオンとしては、第１級アミンを由来とするカチオン、第２級アミンを由来とするカチオン、第３級アミンを由来とするカチオン、及び第４級アンモニウム塩（好ましくは水酸化物の塩）を由来とするカチオン、並びに第４級ホスホニウム塩（好ましくは水酸化物の塩）を由来とするカチオンが好ましく、炭素数が１〜６のアルキル基を１〜４有するアミン化合物及びアンモニウム化合物が好ましく、具体的には、例えば、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミン、トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシルアミン、トリヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、ジメチルベンジルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラプロピルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、及びテトラペンチルホスホニウムヒドロキシド等を由来とするカチオンが挙げられる。
【００４９】
有機カチオンは、単一種が含まれていてもよく、また、複数種が含まれていてもよい。
【００５０】
有機カチオンの含有量は、０．１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
【００５１】
なお、かかるチタン酸ナノシート分散液からなる導電膜形成用塗布剤は、例えば、アミン類或いは４級ホスホニウム水酸化物の含水溶液とチタン化合物とを混合することにより、また、アミン類或いは４級ホスホニウム水酸化物とチタン化合物との混合液と水とを混合することにより、さらに、チタン化合物の加水分解により得られた水酸化チタンをアミン類或いは４級ホスホニウム水酸化物と混合することによって得ることができる。また、チタン化合物と遷移元素化合物とは、アルコール等に溶解させて還流した後に溶媒を留去することにより得られる原料混合物の形態にしておいてもよい。さらに、有機カチオンを混合する場合、有機カチオンを水以外の相溶性の高い溶媒、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソペンチルアルコール等のアルコールに予め溶解させておいてもよい。
【００５２】
チタン酸ナノシートのサイズは導電膜形成用塗布剤を構成するチタン酸ナノシート分散液の撹拌混合時の温度により制御でき、また、それによって得られる導電膜の膜質も影響を受ける。チタン酸ナノシート分散液の撹拌混合時の温度は、液組成にも依存するが、２０〜９０℃とすることが好ましく、３０〜５０℃とすることがより好ましい。
【００５３】
本実施形態の導電膜形成用塗布剤は、その他に塩酸や硝酸などの酸を含有していてもよい。
【００５４】
以上の本実施形態の導電膜形成用塗布剤を調製する方法としては、例えば、各成分を混合して攪拌機などで攪拌する方法の他、それに還流や希釈を組み合わせる方法、各成分を混合した後、スターラー、攪拌機、ホモジナイザー、分散器などで分散させる方法等が挙げられる。
【００５５】
なお、本実施形態の導電膜形成用塗布剤は、前記したようにアルカリ金属の濃度が１０ｐｐｍ以下であることが好ましいが、溶媒又は分散媒にはアルカリ金属が不純物として含有される可能性があるので、溶媒又は分散媒として水を用いる場合には、イオン交換樹脂による脱イオン又は蒸留によりイオン濃度を低減することが好ましい。
【００５６】
（導電膜の製造方法）
次に、上記導電膜形成用塗布剤を用いた本実施形態の導電膜の製造方法について説明する。
【００５７】
＜コーティングステップ＞
本実施形態の導電膜の製造方法では、上記導電膜形成用塗布剤を平滑な基材上にコートする。
【００５８】
ここで、基材としては、例えば、石英基板、ガラス基板、耐熱プラスチック基板等が挙げられる。
【００５９】
コーティング方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、浸漬法等が挙げられる。
【００６０】
＜焼成ステップ＞
本実施形態の導電膜の製造方法では、導電膜形成用塗布剤をコートした基材に焼成処理を施す。このとき、導電膜形成用塗布剤から溶媒や分散媒の他に界面活性剤等の有機物が消失すると共に、チタン化合物が熱分解してチタン酸化物を含有し且つ遷移元素がドープされた導電膜が成膜形成される。
【００６１】
ここで、焼成における温度条件は、３００〜１０００℃とすることが好ましく、５００〜８００℃とすることがより好ましい。
【００６２】
保持時間条件は、０．１時間以上とすることが好ましく、生産性、消費エネルギーを考慮すると２４時間以下とすることが好ましく、０．１〜２時間とすることがより好ましい。なお、保持時間は温度条件が満たされる間の時間である。また、焼成のための昇温速度は例えば０．１〜１０Ｋ／分であり、焼成後の室温までの冷却時間は例えば１〜２４時間である。
【００６３】
加熱炉としては、特に限定されるものではなく、具体的には、例えば、株式会社モトヤマ社製の型式ＳＳ−２０３０ＫＰＲＤや型式ＳＬ−２０３５Ｄを例示することができる。
【００６４】
加熱炉の炉内雰囲気は、大気雰囲気としても、不活性ガス雰囲気や還元性ガス雰囲気などの実質的に酸素を含有しないガス雰囲気（酸素濃度が１ｖｏｌ％未満のガス雰囲気）としてもよい。
【００６５】
なお、以上のコーティングステップ及び焼成ステップは繰り返し行ってもよい。
【００６６】
以上のコーティングステップ及び焼成ステップの後、基材上の導電膜を低酸素濃度雰囲気下で加熱処理することが好ましい。これにより導電膜の低抵抗化を図ることができる。
【００６７】
ここで、低酸素濃度雰囲気としては、酸素濃度を１ｖｏｌ％未満のガス雰囲気とすることが好ましいが、酸素濃度を、下限を０ｖｏｌ％として、０〜１００ｐｐｍとすることがより好ましく、０〜５０ｐｐｍとすることがさらに好ましく、０〜１０ｐｐｍとすることが特に好ましい。なお、酸素濃度の測定は、例えば、ＺｒＯ２酸素センサーである東レエンジニアリング社製の型式ＬＣ−７５０Ｌ等によって測定することができる。
【００６８】
かかるガス雰囲気を形成するガスとしては、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガス、及び／又は、水素ガスなどの還元性ガスを主成分とするガスが挙げられる。これらのうち、汎用性の観点から、不活性ガスの窒素ガスを用いることが好ましい。また、単一種の不活性ガスを用いてもよいが、導電膜のより低抵抗化を図るには、水素ガスなどの還元性ガスを１ｖｏｌ％以上含有させたものを用いることがより好ましい。特に、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いることが好ましく、具体的な混合体積割合Ｎ２：Ｈ２が１：９９〜１００：０のものが好ましく、１：９９〜４：９６のものがより好ましい。
【００６９】
また、加熱炉内には、常時、かかるガス雰囲気を形成するガスの新気を供給することが好ましい。
【００７０】
加熱処理における温度条件は、３００〜１０００℃とすることが好ましく、５００〜８００℃とすることがより好ましい。
【００７１】
保持時間条件は、０．１時間以上２４時間以下とすることが好ましく、５〜１２０分間とすることがより好ましい。なお、保持時間は温度条件が満たされる間の時間である。また、加熱処理のための昇温速度は例えば０．１〜１０Ｋ／分であり、加熱処理後の室温までの冷却時間は例えば１〜２４時間である。冷却は、加熱を停止して放冷してもよく、また、温度制御しながら行ってもよい。
【００７２】
加熱炉としては、特に限定されるものではなく、具体的には、例えば、株式会社モトヤマ社製の型式ＭＢＡ−２０４０Ｄ−ＳＰを例示することができる。
【００７３】
なお、この加熱ステップは、焼成ステップにおいて加熱炉内で導電膜が形成された基材を冷却し、それを同じ又は別の加熱炉で加熱処理するものであってもよく、また、焼成ステップにおいて加熱炉内で導電膜を形成し、冷却することなく同じ加熱炉内で引き続いて加熱処理するものであってもよい。
【００７４】
（導電膜）
次に本実施形態の導電膜について説明する。
【００７５】
本実施形態の導電膜は、上記のように導電膜形成用塗布剤が平滑な基材上にコートされて焼成処理が施されることにより成膜したものであり、チタン酸化物を含有すると共に表面抵抗率に膜厚を乗じた体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以下である。
【００７６】
ここで、導電膜の膜厚は一般的には５０〜１０００ｎｍであるが、例えば非特許文献５に記載の方法で得られる酸化膜形成用塗布剤では、コーティングステップ及び焼成ステップの繰り返し回数によって制御することができる。しかし、この方法の塗布剤中のチタン化合物濃度を高くしすぎると、得られる膜に亀裂が入るため、１回のコーティングステップと焼成ステップだけでは十分な膜厚の導電膜を得るのは困難である。
【００７７】
それに対して、本実施形態の導電膜形成用塗布剤では、チタン化合物濃度を高くしても膜に亀裂は入りにくい。そのため分散液のチタン化合物濃度を高くすることにより、コーティングステップ及び焼成ステップを１回行うことで、導電膜には十分な膜厚の酸化膜が得られる。すなわち、被膜形成を繰り返す必要はない。
【００７８】
本実施形態の導電膜は、透明であることが好ましい。本出願において「透明」とは、５５０ｎｍの光の内部透過率が７０％以上であることを意味する。「内部透過率」とは、反射損失を含まない透過率であり、以下の式により求められる。なお、透過率及び反射率は分光光度計を用いて測定可能である。
内部透過率（％）＝透過率（％）×１００÷（１００−反射率（％））
本実施形態の導電膜は、５５０ｎｍの光の内部透過率が７０〜９５％であることが好ましい。
【００７９】
本実施形態の導電膜は、上記導電膜形成用塗布剤が用いられて形成されたものであるために均質である。例えば、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される中心線平均粗さ（Ｒａ）が１５ｎｍ以下、より好ましいものでは１０ｎｍ以下である。
【００８０】
本実施形態の低抵抗で且つ透明な導電膜は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイや太陽電池等の透明電極として用いることができる。
【実施例】
【００８１】
（事前準備）
透明導電膜の作製に用いる原料アルコキシド、並びに、界面活性剤であるアルキル硫酸アンモニウムの水溶液及びアルキル硫酸ナトリウムの水溶液を以下のように事前準備した。界面活性剤及び界面活性剤の水溶液の構成は表１にも示す。
【００８２】
＜原料アルコキシド＞
チタンエトキシド６７．８３ｇとニオブエトキシド１０．５２ｇとをエタノール２０２．９８gに加えて１２時間還流した後、ロータリーエバポレーターを用いてエタノールを留去することにより原料アルコキシド８５．８６ｇを調製した。
【００８３】
＜アルキル硫酸アンモニウムの水溶液の調製＞
炭素数１２／１４高級アルコール（平均分子量：２０９）を薄膜式連続硫酸化設備を用いてＳＯ３ガスで硫酸化した後、それを０．６１質量％アンモニア水中に投入して中和を行い、有効成分濃度９．２質量％、ｐＨ９．７、及びＮａ含有量３．１ｐｐｍの分析値を有するアルキル硫酸アンモニウムの水溶液を調製した。
【００８４】
＜アルキル硫酸ナトリウムの水溶液の調製＞
ドデシル硫酸ナトリウム０．１８５ｇとテトラデシル硫酸ナトリウム０．８１７ｇとを水９．０１８ｇに溶解させ、有効成分濃度９．３質量％、ｐＨ６．０、及びＮａ含有量０．７１質量％の分析値を有するアルキル硫酸ナトリウムの水溶液を調製した。
【００８５】
＜ポリオキシエチレンアルキルエーテルの準備＞
ポリオキシエチレンアルキルエーテル（花王社製  商品名：エマルゲン１０６）を準備した。
【００８６】
【表１】
2009283451.tif 000003
【００８７】
（透明導電膜の作製）
＜実施例１Ａ＞
２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（和光純薬工業社製）４．１５ｇ（水酸化テトラメチルアンモニウム：１１．４ｍｍｏｌ）に水３８．５０ｇを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．８７５ｇ(Ｔｉ：２０．３４ｍｍｏｌ，Ｎｂ：２．２６ｍｍｏｌ)滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．４８ｇを加えて攪拌した。この分散液は、テトラメチルアンモニウムカチオンの濃度が１．８質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計の有機カチオンに対するモル比が２である。
【００８８】
次に、上記で得た分散液を厚さ１．５ｍｍの平滑な石英の基板上に滴下し、スピナー（共和理研社製Ｋ３５９ＳＤ１）を用いて３０００回転／分で面内回転させることにより基板上に分散液をスピンコートした。
【００８９】
続いて、分散液をコーティングした基板を加熱炉（モトヤマ社製  型式ＳＳ−２０３０ＫＰＲＤ）に入れ、昇温速度を５Ｋ／分として室温から７５０℃まで炉内温度を上げ、７５０℃に達した状態で３０分間保持した後、約１２時間かけて室温まで放冷した。このとき、炉内は大気雰囲気とした。これにより基板上にはニオブがドープされたチタン酸化物の透明被膜が形成された。
【００９０】
基板上の透明導電膜上に分散液を滴下してスピンコートし、それを加熱して焼成する処理をさらに４回繰り返し、合計５回の透明導電膜の被膜形成を行った。
【００９１】
最後に、透明導電膜が形成された基板を加熱炉（モトヤマ社製  型式ＭＢＡ２０４０Ｄ−ＳＰ）に入れ、昇温速度を５Ｋ／分として室温から７５０℃まで炉内温度を上げ、７５０℃に達した状態で３０分間保持した後、約１２時間かけて室温まで放冷した。このとき、炉内に還元ガス（ガス組成（体積比）水素：窒素＝４：９６、酸素濃度１ｖｏｌ％未満）を流通させて炉内を不活性ガス雰囲気とした。これにより基板上にはニオブがドープされたチタン酸化物の透明導電膜が形成された。
【００９２】
以上のようにして得られた透明導電膜を実施例１Ａとした。
【００９３】
＜実施例１Ｂ＞
アルキル硫酸アンモニウムの水溶液の代わりに上記アルキル硫酸ナトリウムの水溶液０．４８ｇを加えた分散液を用いたことを除いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例１Ｂとした。
【００９４】
＜実施例１Ｃ＞
アルキル硫酸アンモニウムの水溶液の代わりに上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル０．０５ｇを加えた分散液を用いたことを除いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例１Ｃとした。
【００９５】
＜比較例１＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を比較例１とした。なお、基板が分散液を弾いてしまうため、得られた透明導電膜表面の粗さは著しかった。
【００９６】
＜実施例２＞
２０質量％の水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（和光純薬工業社製）６．３７ｇ（水酸化テトラエチルアンモニウム：８．６５ｍｍｏｌ）に水２６．３５gを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ４．５００ｇ（Ｔｉ:１５．５８ｍｍｏｌ，Ｎｂ:１．７３ｍｍｏｌ）滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．３７ｇを加えて攪拌した。この分散液は、テトラエチルアンモニウムカチオンの濃度が３．１質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計の有機カチオンに対するモル比が２である。
【００９７】
この分散液を用いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例２とした。
【００９８】
＜比較例２＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例２と同様にして基板上への被膜の成膜を試みた。しかしながら、基板が分散液を弾いてしまい、全く被膜を成膜することができなかった。
【００９９】
＜実施例３＞
５０質量％のジメチルアミン水溶液（和光純薬工業社製）０．９９ｇ（ジメチルアミン：１１ｍｍｏｌ）に水４０．５０gを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．６９７ｇ（Ｔｉ：１９．７３ｍｍｏｌ，Ｎｂ：２．１９ｍｍｏｌ）滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．４７ｇを加えて攪拌した。この分散液は、ジメチルアミンの濃度が１．１質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計のアミン（有機カチオン）に対するモル比が２である。
【０１００】
この分散液を用いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例３とした。
【０１０１】
＜比較例３＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例３と同様にして得られた透明導電膜を比較例３とした。なお、基板が分散液を弾いてしまうため、得られた透明導電膜表面の粗さは著しかった。
【０１０２】
＜実施例４＞
ジエチルアミン（和光純薬工業社製）０．８１ｇ（ジエチルアミン：１１．０ｍｍｏｌ）に水４０．８０gを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．７２７ｇ（Ｔｉ：１９．８３ｍｍｏｌ，Ｎｂ：２．２０ｍｍｏｌ）滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．４７ｇを加えて攪拌した。この分散液は、ジエチルアミンの濃度が１．７質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計のアミン（有機カチオン）に対するモル比が２である。
【０１０３】
この分散液を用いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例４とした。
【０１０４】
＜比較例４＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例４と同様にして得られた透明導電膜を比較例４とした。なお、基板が分散液を弾いてしまうため、得られた透明導電膜表面の粗さは著しかった。
【０１０５】
＜実施例５＞
ジプロピルアミン（和光純薬工業社製）１．１１ｇ（ジプロピルアミン：１１．０ｍｍｏｌ）に水４０．３０ｇを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．６９１ｇ（Ｔｉ：１８．７０ｍｍｏｌ，Ｎｂ：２．１９ｍｍｏｌ）滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．４７ｇを加えて攪拌した。この分散液は、ジプロピルアミンの濃度が２．４質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計のアミン（有機カチオン）に対するモル比が２である。
【０１０６】
この分散液を用いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例５とした。
【０１０７】
＜比較例５＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例５と同様にして基板上への被膜の成膜を試みた。しかしながら、基板が分散液を弾いてしまい、全く被膜を成膜することができなかった。
【０１０８】
＜実施例６＞
３０質量％トリメチルアミン（和光純薬工業社製）１．２２ｇ（トリメチルアミン：６．１６ｍｍｏｌ）に水２２．１０gを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ３．１９８ｇ（Ｔｉ：１１．０８ｍｍｏｌ，Ｎｂ：１．２３ｍｍｏｌ）滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．２６ｇを加えて攪拌した。この分散液は、トリメチルアミンの濃度が１．４質量％、金属酸化物の濃度が４．０質量％で、チタンとニオブとの合計のアミン（有機カチオン）に対するモル比が２である。
【０１０９】
この分散液を用いて実施例１Ａと同様にして得られた透明導電膜を実施例６とした。
【０１１０】
＜比較例６＞
界面活性剤を加えていない分散液を用いたことを除いて実施例６と同様にして得られた透明導電膜を比較例６とした。なお、基板が分散液を弾いてしまうため、得られた透明導電膜表面の粗さは著しかった。
【０１１１】
＜実施例７＞
２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（和光純薬工業社製）３．７６ｇ（水酸化テトラメチルアンモニウム：１１．４ｍｍｏｌ）に水６．７５７ｇを混合し、これらを仕込んだ反応容器ごと氷浴で冷却すると共に反応液を撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．０４４ｇ(Ｔｉ：１７．４６ｍｍｏｌ，Ｎｂ：１．９４ｍｍｏｌ)滴下した。滴下終了後、反応容器ごと油浴で加熱し、反応液の温度を４０℃に保ちながら撹拌を継続した。このとき、撹拌開始直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．１６ｇを加えて攪拌した。この分散液は、テトラメチルアンモニウムカチオンの濃度が４．９質量％、金属酸化物の濃度が１１．３質量％で、チタンとニオブとの合計の有機カチオンに対するモル比が２である。
【０１１２】
次に、上記で得た分散液を厚さ１．５ｍｍの平滑な石英の基板上に滴下し、スピナー（共和理研社製Ｋ３５９ＳＤ１）を用いて３０００回転／分で面内回転させることにより基板上に分散液をスピンコートした。
【０１１３】
１回のみの被膜形成に続いて、分散液をコーティングした基板を加熱炉（モトヤマ社製  型式ＳＳ−２０３０ＫＰＲＤ）に入れ、昇温速度を５Ｋ／分として室温から７５０℃まで炉内温度を上げ、７５０℃に達した状態で３０分間保持した後、約１２時間かけて室温まで放冷した。このとき、炉内は大気雰囲気とした。これにより基板上にはニオブがドープされたチタン酸化物の透明被膜が形成された。
【０１１４】
最後に、透明導電膜が形成された基板を加熱炉（モトヤマ社製  型式ＭＢＡ２０４０Ｄ−ＳＰ）に入れ、昇温速度を５Ｋ／分として室温から７５０℃まで炉内温度を上げ、７５０℃に達した状態で３０分間保持した後、約１２時間かけて室温まで放冷した。このとき、炉内に還元ガス（ガス組成（体積比）水素：窒素＝４：９６、酸素濃度１ｖｏｌ％未満）を流通させて炉内を不活性ガス雰囲気とした。このように１回の被膜形成で基板上にはニオブがドープされたチタン酸化物の十分な膜厚の透明導電膜が形成された。
【０１１５】
以上のようにして得られた透明導電膜を実施例７とした。
【０１１６】
＜実施例８＞
２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（和光純薬工業社製）３．７６ｇ（水酸化テトラメチルアンモニウム：１１．４ｍｍｏｌ）に水６．７７６ｇを混合し、これを室温下で撹拌しながら、上記原料アルコキシドを少しずつ５．０４８ｇ(Ｔｉ：１７．４８ｍｍｏｌ，Ｎｂ：１．９４ｍｍｏｌ)滴下した。このとき、原料アルコキシドの滴下直後には、それが加水分解して液が白濁したが、撹拌を継続すると無色透明の分散液となった。さらに、得られた分散液に界面活性剤である上記アルキル硫酸アンモニウムの水溶液０．１６ｇを加えて攪拌した。この分散液は、テトラメチルアンモニウムカチオンの濃度が４．９質量％、金属酸化物の濃度が１１．３質量％で、チタンとニオブとの合計の有機カチオンに対するモル比が２である。
【０１１７】
この分散液を用いて実施例７と同様にして得られた透明導電膜を実施例８とした。
【０１１８】
（試験評価方法）
＜中心線平均粗さ＞
被膜形成された実施例１Ａ〜８及び比較例１、３、４、及び６のそれぞれの透明導電膜について、表面粗さ形状測定機（東京精密社製  型番：SURFCOM 1500DX）を用い、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準じて、測定速度０．１５ｍｍ／ｓ及び測定長さ２．５ｍｍとして、中心線平均粗さ（Ｒａ）を測定した。なお、カットオフ種別をガウシアン、長波長カットオフ波長を０．８ｍｍ、短波長カットオフフィルタを２．６６７μｍ、及び傾斜補正を最小二乗直線補正にそれぞれ設定した。
【０１１９】
＜膜厚＞
実施例１Ａ〜８及び比較例１、３、４、及び６のそれぞれの透明導電膜について、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製  ＺＳＸ１００ｅ）を用いて分析した。そして、被膜中のＴｉの蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）強度により膜厚を算出した。なお、事前に、標準試料の割断面を走査型電子顕微鏡（日立製作所社製FE-SEM S-4000）を用いて観察して膜厚を測定し、その標準試料の蛍光Ｘ線強度により検量線を作成した。
【０１２０】
＜体積抵抗率＞
実施例１Ａ〜８及び比較例１、３、４、及び６のそれぞれの透明導電膜について、四端子式抵抗率計（三菱化学社製Loresta-GP MCP-T600）を用い、被膜の表面抵抗率を測定した。そして、表面抵抗率に膜厚を乗じて体積抵抗率を算出した。
【０１２１】
＜透過率＞
実施例１Ａ〜８及び比較例１、３、４、及び６のそれぞれの透明導電膜について、分光光度計（日立製作所社製  U-3300）を用い、基板も含めて波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。
【０１２２】
＜粒子径＞
実施例１Ａ〜８及び比較例１〜６のそれぞれで用いた分散液について、MALVERN社製  Zetasizer nano ZSを用いて２５℃で測定を行い、動的光散乱法により粒子径を算出した。
【０１２３】
（試験評価結果）
試験評価の結果を表２に示す。
【０１２４】
【表２】
2009283451.tif 000004
【０１２５】
中心線平均粗さ（Ｒａ）は、分散液に界面活性剤であるアルキル硫酸アンモニウムの水溶液を加えた実施例１Ａが４ｎｍ、分散液に界面活性剤であるアルキル硫酸ナトリウムの水溶液を加えた実施例１Ｂが４ｎｍ、及び分散液に界面活性剤であるポリオキシエチレンアルキルエーテルを加えた実施例１Ｃが２ｎｍであるのに対して分散液に界面活性剤を加えなかった比較例１が２２ｎｍ、同様に、実施例３が５ｎｍであるのに対して比較例３が１８ｎｍ、実施例４が５ｎｍであるのに対して比較例４が２９ｎｍ、実施例６が４ｎｍであるのに対して比較例６が１４ｎｍ、また、実施例２が９ｎｍ、実施例５が８ｎｍ、実施例７が４ｎｍ、及び実施例８が１４ｎｍであった。
【０１２６】
膜厚は、実施例１Ａが１３４ｎｍ、実施例１Ｂが１４１ｎｍ、実施例１Ｃが１４８ｎｍ、実施例２が２２２ｎｍ、実施例３が１６６ｎｍ、実施例４が１６４ｎｍ、実施例５が１５８ｎｍ、実施例６が１５４ｎｍ、実施例７が１５９ｎｍ、実施例８が１５８ｎｍ、また、比較例１が１３８ｎｍ、比較例３が１６６ｎｍ、比較例４が１２６ｎｍ、比較例６が１４８ｎｍであった。
【０１２７】
体積抵抗率は、実施例１Ａが１．１５×１０−２Ω・ｃｍ、実施例１Ｂが１．１８×１０Ω・ｃｍ、実施例１Ｃが３．７６×１０−２Ω・ｃｍ、実施例２が１．８５×１００Ω・ｃｍ、実施例３が１．１１×１０Ω・ｃｍ、実施例４が３．４５×１０−２Ω・ｃｍ、実施例５が４．３７×１０−２Ω・ｃｍ、実施例６が９．９４×１０−２Ω・ｃｍ、実施例７が７．７７×１０−３Ω・ｃｍ、実施例８が８．１６×１０−２Ω・ｃｍ、また、比較例１が７．６８×１０−１Ω・ｃｍ、比較例３が１．２２×１０Ω・ｃｍ、比較例４が９．０４×１０−２Ω・ｃｍ、比較例６が１．９７×１０−１Ω・ｃｍであった。
【０１２８】
透過率は、実施例１Ａが７３％、実施例１Ｂが７１％、実施例１Ｃが８３％、実施例２が７０％、実施例３が８１％、実施例４が８３％、実施例５が８６％、実施例６が８９％、実施例７が８４％、実施例８が８４％、また、比較例１が７７％、比較例３が７９％、比較例４が７７％、比較例６が７７％であった。
【０１２９】
粒子径は、実施例１Ａが２．０ｎｍ、実施例１Ｂが２．０ｎｍ、実施例１Ｃが２．０ｎｍ、実施例２が１．９ｎｍ、実施例３が１．４ｎｍ、実施例４が１．５ｎｍ、実施例５が１．６ｎｍ、実施例６が１．５ｎｍ、実施例７が１．８ｎｍ、実施例８が３．６ｎｍ、また、比較例１が２．０ｎｍ、比較例２が１．９、比較例３が１．４ｎｍ、比較例４が１．５ｎｍ、比較例５が１．６、比較例６が１．５ｎｍであった。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、導電膜形成用塗布剤、並びにそれを用いた導電膜の製造方法及びその導電膜
について有用である。