(57)【要約】【課題】電子検出装置とＭＣＰとの間の緊密なクリアランスを実現する矩形形状のスロットを具備した電子利得装置を提供する。【解決手段】マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）は、電子を受領する入力表面エリアと、増倍された電子を出力する出力表面エリアと、を有するアクティブ部分を含む。入力及び出力表面エリアは、相互に水平に方向付けされ、且つ、垂直距離だけ離隔している。非アクティブ部分がＭＣＰのアクティブ部分を取り囲む。非アクティブ部分は、非アクティブ部分内に垂直方向において延長し、且つ、水平方向において延長して水平のスロットを有するエリアを形成する少なくとも１つのスロットを含む。ＭＣＰが、電子検出装置の垂直上方においてループするワイヤを具備した電子検出装置の垂直上方に配置された場合に、スロットはワイヤの一部を受領するべく構成され、その結果、ＭＣＰと電子検出装置間に垂直クリアランスが形成される。【選択図】図３ａ
2009129904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ増倍装置用のマイクロチャネルプレートにおいて、
電子を受領する入力表面エリアと、増倍された電子を出力する出力表面エリアと、を具備したアクティブ部分であって、前記入力及び出力表面エリアは、相互に水平に方向付けされており、且つ、垂直方向の距離だけ離隔している、アクティブ部分と、
前記アクティブ部分を取り囲む非アクティブ部分であって、前記非アクティブ部分は、前記非アクティブ部分内に垂直方向において延長し、且つ、水平方向において延長して水平のスロットを有するエリアを形成している少なくとも１つのスロットを含んでいる、非アクティブ部分と、
を有しており、
この場合に、前記マイクロチャネルプレートが、電子検出装置の垂直上方においてループするワイヤを具備した前記電子検出装置の垂直上方に配置された際に、前記スロットは、前記ワイヤの一部を受領するべく構成されており、この結果、前記マイクロチャネルプレートと前記電子検出装置の間の垂直方向のクリアランスがもたらされている、マイクロチャネルプレート。
【請求項２】
前記ワイヤは、前記電子検出装置の表面上方の垂直ループ距離においてループしており、
前記垂直ループ距離の一部は、前記スロット内に受領されるべく構成されている、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項３】
前記マイクロチャネルプレートは、前記電子検出装置の垂直上方に配置されており、この結果、前記垂直ループ距離の残りの部分以上の量の前記垂直クリアランスがもたらされている、請求項２記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項４】
前記ワイヤは、前記電子検出装置の表面上方の垂直ループ距離においてループしており、
前記垂直ループ距離は、前記スロット内において受領されるべく構成されており、
前記マイクロチャネルプレートは、前記電子検出装置の垂直上方に配置されており、この結果、実質的にゼロに近い量の前記垂直クリアランスがもたらされている、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項５】
前記垂直クリアランスは、約０．００２インチ（５０．８ミクロン）である、請求項４記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項６】
前記スロットは、５０〜１５０ミクロンの量だけ前記非アクティブ部分内に垂直方向において延長している、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項７】
前記水平のスロットを有するエリアは、矩形であり、
前記入力及び出力表面エリアも矩形である、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項８】
前記非アクティブ部分は、２つのスロットを含んでおり、
前記２つのスロットは、前記出力表面エリアの一側における１つのものと、前記出力表面エリアの他側におけるもう１つのものという２つの水平のスロットを有するエリアを形成している、請求項７記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項９】
前記電子検出装置は、セラミック基板の垂直上方に配設されており、
前記ワイヤは、前記電子検出装置と前記セラミック基板の間においてループしており、
２つのスロットは、前記電子検出装置の垂直上方においてループする前記ワイヤを受領するべく構成されている、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項１０】
前記アクティブ部分は、酸エッチング可能なコアロッドと、前記コアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスと、を具備した積層された光ファイバチャネルを含んでおり、
前記非アクティブ部分は、酸エッチング可能なコアロッドと、前記コアロッドを取り囲む酸エッチング可能なクラッディングガラスと、を具備した積層された酸エッチング可能な光ファイバチャネルを含んでおり、
前記スロットは、前記酸エッチング可能な光ファイバチャネルをエッチングによって除去することによって形成されている、請求項１記載のマイクロチャネルプレート。
【請求項１１】
イメージ増倍装置用のマイクロチャネルプレートを製造する方法において、
酸エッチング可能なコアロッドと、前記エッチング可能なコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスと、を具備した光ファイバチャネルを積層することにより、アクティブエリアを形成する段階と；
（ａ）第１領域内において、耐酸性のコアロッドと、前記耐酸性のコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスと、を具備した光ファイバチャネルを積層する段階と、
（ｂ）第２領域内において、酸エッチング可能なコアロッドと、前記エッチング可能なコアロッドを取り囲む酸エッチング可能なクラッディングガラスと、を具備した光ファイバチャネルを積層する段階と、
により、非アクティブエリアを形成する段階と；
前記アクティブエリア及び前記非アクティブエリアをエッチングすることにより、（ａ）電子を増倍するためのマイクロチャネルを前記アクティブエリア内に、そして、（ｂ）少なくとも１つのスロットを前記第２領域内に形成する段階と；
を有しており、
この場合に、前記少なくとも１つのスロットは、前記ボンドワイヤを受領し、且つ、前記マイクロチャネルプレートと前記電子検出装置の間に密接な離隔を提供するべく、電子検出装置のボンドワイヤの上方に配置されるように構成されている、方法。
【請求項１２】
前記非アクティブエリアをエッチングする段階は、前記第２領域内に２つのスロットを形成する段階を含んでおり、
前記２つのスロットは、前記ボンドワイヤを受領し、且つ、前記マイクロチャネルプレートの前記アクティブエリアと前記電子検出装置の間に密接な離隔を提供するべく、前記電子検出装置の前記ボンドワイヤの上方に配置されるように構成されている、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記電子検出装置の上方に前記マイクロチャネルプレートを配置する段階と、
前記２つのスロットを前記ボンドワイヤを含む前記電子検出装置の個々の側部とアライメントさせる段階と、
前記電子検出装置と前記マイクロチャネルプレートの前記アクティブエリアの間に小さなクリアランスを提供する段階と、
を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記アクティブエリアを形成する段階は、酸エッチング可能なコアロッドと、前記エッチング可能なコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスと、を具備した前記光ファイバチャネルを第１矩形形状に積層する段階を含んでおり、
前記非アクティブエリアを形成する段階は、酸エッチング可能なコアロッドと、前記エッチング可能なコアロッドを取り囲む酸エッチング可能なクラッディングガラスと、を具備した前記光ファイバチャネルを２つの第２矩形形状に積層する段階を含んでおり、
前記アクティブエリアをエッチングする段階は、電子を増倍する矩形のアクティブエリアを形成する段階を含んでおり、
前記非アクティブエリアをエッチングする段階は、前記矩形のアクティブエリアの一側における１つのものと、前記矩形のアクティブエリアの他側における１つのものという２つの矩形スロットを形成する段階を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチング段階の前に、且つ、前記形成段階の後に、前記方法は、ブールをダイシングして前記マイクロチャネルプレートを形成する段階を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
セラミック基板と、
前記セラミック基板の垂直上方に配設された電子検出装置と、
前記セラミック基板と前記電子検出装置の間においてループしているボンドワイヤであって、前記ボンドワイヤは、前記電子検出装置の垂直上方においてループしている、ボンドワイヤと、
前記電子検出装置の垂直上方に配置されたマイクロチャネルプレートと、
を有しており、
この場合に、前記マイクロチャネルプレートは、前記ボンドワイヤを収容し、且つ、前記電子検出装置と前記マイクロチャネルプレートの間に密接な離隔を提供するべく、前記マイクロチャネルプレートの出力側に、且つ、前記ボンドワイヤの垂直上方に、配置された少なくとも１つのスロットを含んでいる、イメージ増倍装置。
【請求項１７】
前記マイクロチャネルプレートは、２つのスロットを含んでおり、
１つのスロットは、前記電子検出装置の一側の前記ボンドワイヤを収容しており、もう１つのスロットは、前記電子検出装置の他側の前記ボンドワイヤを収容している、請求項１６記載のイメージ増倍装置。
【請求項１８】
前記スロットは、完全にエッチング可能であるガラス材料を含む束の形態の光ファイバチャネルから形成されている、請求項１６記載のイメージ増倍装置。
【請求項１９】
前記密接な離隔は、前記電子検出装置と前記マイクロチャネルプレートの間に０．００５インチ（０．１２７ミリメートル）未満のギャップを含む、請求項１６記載のイメージ増倍装置。
【請求項２０】
前記電子検出装置は、ＣＭＯＳ撮像装置を含む、請求項１６記載のイメージ増倍装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、イメージ増倍管に関するものであり、更に詳しくは、ＣＭＯＳ撮像装置などの電子検出装置に密接に接触するべく構成されたマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）などの電子利得装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
イメージ増倍装置は、ＣＭＯＳ又はＣＣＤ装置などの固体センサを使用可能である。イメージ増倍装置は、低強度の光を増幅するか又は非可視光を通常の可視画像に変換する。イメージ増倍装置は、特に赤外光から画像を提供するのに有用であって、多くの産業的及び軍事的なアプリケーションを具備している。例えば、イメージ増倍管は、飛行士の夜間視力を強化し、天文学的な事象を撮影し、且つ、夜盲症の患者に夜間視力を提供するべく使用可能である。
【０００３】
カメラ用のイメージ増倍管、固体ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）及びＣＣＤ（電荷結合素子）センサ、及びハイブリッドＥＢＣＣＤ／ＣＭＯＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｂｏｍｂａｒｄｅｄ  ＣＣＤ  または  ＣＭＯＳ）センサという３つのタイプのイメージ増倍装置が存在している。
【０００４】
図１を参照すれば、参照符号１０によって総合的に表されているイメージ増倍管の概略図が示されている。図示のように、物体１２から反射された光エネルギー１４が光電陰極１６に衝突している。光電陰極１６は、この入射エネルギーを入力表面１６ａ上において受領し、エネルギーを放射電子として出力表面１６ｂ上において出力している。参照符号２０として表されている光電陰極１６からの出力電子をＭＣＰ１８などの電子利得装置への入力として提供している。ＭＣＰは、入力表面１８ａ及び出力表面１８ｂを含んでいる。電子が入力表面１８ａに衝突するのに伴って、ＭＣＰ１８のマイクロチャネル２２内に二次電子が生成される。ＭＣＰは、入力表面１８ａに進入するそれぞれの電子ごとに数百個の電子を生成している。
【０００５】
図示されてはいないが、ＭＣＰ１８の入力表面１８ａと出力表面１８ｂ間には、通常、１０００ボルトを上回る電位差が印加されていることを理解されたい。この電位差が電子の増倍を実現している。ＭＣＰ１８から出力された電子２４は、固体電子検出装置２６に衝突している。電子検出装置２６は、例えば、ＣＭＯＳ撮像装置であってよく、図１に示されているように、入力表面２６ａ及び出力表面２６ｂを含んでいる。電子検出装置２６は、ＣＭＯＳプロセスを使用することにより、集積回路として製造可能である。
【０００６】
一般に、ＣＭＯＳ撮像装置は、電子検出素子を利用している。入力表面２６ａは、ＭＣＰ１８から受領した電子に対して敏感に反応するアクティブな受領エリアを含んでいる。その大きさが、電子検出素子が受領した電子の量に比例する信号として、電子検出素子の出力信号を出力表面２６ｂにおいて提供可能である。この電子の数は、陰極における到来光子に比例している。ＣＭＯＳ撮像装置は、ＣＣＤプロセスによって製造される撮像装置と比べて、使用する電力が小さく、且つ、製造コストが低い。
【０００７】
ＣＭＯＳ撮像装置２６の出力は、増倍された画像信号を生成しており、この信号は、バスを介して画像表示装置２８に送信可能である。或いは、この代わりに、ＣＭＯＳ撮像装置２６の出力は、（図示されてはいない）メモリ装置内に保存することも可能である。
【０００８】
入力表面１６ａにおけるイメージ増倍管の入力と出力表面２６ｂにおけるイメージ増倍管の出力の間における電子の増倍を円滑に実行するべく、真空ハウジングが提供されている。図示のように、光電陰極１６、ＭＣＰ１８（又は、その他の電子利得装置）、及びＣＭＯＳ撮像装置２６（又は、その他の電子検出装置）は、真空ハウジング２９内にパッケージングされている。真空ハウジングの提供に加えて、ＣＭＯＳ撮像装置の入力表面２６ａとＭＣＰの出力表面１８ｂは、物理的に互いに非常に密接に離隔した状態になっている必要がある。
【０００９】
例えば、ＣＭＯＳ撮像装置の従来のシリコンダイは、増倍された画像信号を出力する撮像装置の入力表面の上方においてループするワイヤを含んでいるため、このような密接な離隔は、問題を提起することになる。これらのワイヤは、シリコンダイから外側に広がっており、シリコンダイを保持しているセラミックキャリア上のボンドパッドに接続される前に、入力表面の上方においてループしているため、撮像装置の入力表面をＭＣＰの出力表面に近接した状態において離隔させることが困難である。
【００１０】
一例として、従来のシリコンダイが図２ａ及び図２ｂに示されている。図示のように、チップ３０は、セラミックキャリア３４に装着されたシリコンダイ３２を含んでいる。このシリコンダイは、入出力（Ｉ／Ｏ）信号を提供するための端子パッド３６のアレイを含んでいる。シリコンダイ３２の周囲には、通常、数百個の端子パッド３６が配設されている。又、図２ａ及び図２ｂに示されているように、セラミックキャリア３４上にも、パッド３８のアレイが配設されている。ワイヤの超音波ボンディングにより、リード又はワイヤ４０がＩ／Ｏパッド３６とＩ／Ｏパッド３８の間に装着されており、この結果、これらの間に電気的な接触が生成されている。図２ｂに示されているように、セラミックキャリア３４の底部から複数のピン４２が延長しており、これらは、（図示されてはいない）ビアホールを通じてボンドパッド３８のアレイに接続されている。この結果、複数のピン４２において、シリコンダイ３２上のボンドパッドとチップの入出力の間に電気的な接触が生成されている。
【００１１】
一般的な従来の構成においては、ワイヤ４０は、図２ｂに示されているように、シリコンダイ３２の平坦な上部表面の上方においてループした後に、セラミックキャリア３４に向かって下降している。（例えば）従来のＣＭＯＳ撮像装置の場合には、これらのシリコンダイ３２の上方におけるワイヤのループにより、シリコンダイ３２の上部アクティブ表面エリアと電子利得装置１８の出力表面エリア間における緊密な垂直方向における配置が妨げられている。図２ｃに明瞭に示されているように、電子利得装置１８の出力表面１８ｂは、シリコンダイ３２の入力表面エリアに対して垂直方向において密接に近接した状態で配置されている。しかしながら、ワイヤ４０のループに起因し、出力表面１８ｂとシリコンダイ３２の上部表面の間の垂直方向の空間を低減することが不可能である。最も低いワイヤボンドのプロファイルは、ワイヤがシリコンの表面と接触せず、この結果、短絡状態にならないことを保証するべく、ワイヤボンドの高さに垂直方向のクリアランスを加算したものに限定されている。又、垂直方向のクリアランスは、ワイヤループの高さに、電子利得装置の出力表面と電子検出装置の入力表面の間の電圧隔離絶縁（ｖｏｌｔａｇｅ  ｓｔａｎｄｏｆｆ）を提供するのに必要な距離を加算したものに限定されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、電子検出装置と（例えば、ＭＣＰなどの）電子利得装置の間の緊密なインターフェイス及びクリアランスを実現する、矩形形状のスロットを具備した電子利得装置を提供することにより、この欠点を解決している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この及びその他のニーズを充足するべく、且つ、その目的に鑑み、本発明は、電子を受領する入力表面エリア及び増倍された電子を出力する出力表面エリアを具備したアクティブ部分を含むイメージ増倍装置のマイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）を提供している。入力及び出力表面エリアは、相互に水平に方向付けされ、且つ、垂直方向の距離だけ離隔している。非アクティブ部分によってアクティブ部分を取り囲んでおり、この場合に、非アクティブ部分は、非アクティブ部分内に垂直方向に延長しており、且つ、水平方向において延長して水平なスロットを有するエリアを形成している、少なくとも１つのスロットを含んでいる。スロットは、ＭＣＰが、電子検出装置の垂直上方においてループするワイヤを具備した電子検出装置の垂直上方に配置された際に、ワイヤの一部を受領するべく構成されており、この結果、ＭＣＰと電子検出装置の間の垂直方向のクリアランスがもたらされている。ワイヤは、電子検出装置の表面上方の垂直ループ距離においてループしており、垂直ループ距離の一部は、スロット内に受領されるように構成されている。水平なスロットを有するエリアは、矩形であり、入力及び出力表面エリアも矩形である。非アクティブ部分は、２つのスロットを包含可能であり、これらの２つのスロットは、出力表面エリアの一側における１つのものと、出力表面エリアの他側における１つのものという２つの水平なスロットを有するエリアを形成している。
【００１４】
本発明の別の実施例は、イメージ増倍装置用のＭＣＰを製造する方法を含んでいる。この方法は、酸エッチング可能なコアロッド及びこのエッチング可能なコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスを具備した光ファイバチャネルを積層することによってアクティブエリアを形成する段階と、非アクティブエリアを形成する段階と、を含んでいる。非アクティブエリアは、（ａ）第１領域内において、耐酸性のコアロッド及びこの耐酸性のコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスを具備した光ファイバチャネルを積層する段階と、（ｂ）第２領域内において、酸エッチング可能なコアロッド及びこのエッチング可能なコアロッドを取り囲む酸エッチング可能なクラッディングガラスを具備した光ファイバチャネルを積層する段階と、により、形成されている。又、アクティブエリア及び非アクティブエリアをエッチングすることにより、（ａ）電子を増倍するためのマイクロチャネルをアクティブエリア内に、そして、（ｂ）少なくとも１つのスロットを第２領域内に、形成する段階も含まれている。この１つのスロットは、ボンドワイヤを受領し、且つ、ＭＣＰと電子検出装置の間に密接な離隔を提供するべく、電子検出装置のボンドワイヤの上方に配置されるように構成されている。
【００１５】
非アクティブエリアをエッチングする段階は、第２領域内に２つのスロットを形成する段階を含んでおり、これらの２つのスロットは、ボンドワイヤを受領し、且つ、ＭＣＰのアクティブエリアと電子検出装置の間に密接な離隔を提供するべく、電子検出装置のボンドワイヤの上方に配置されるように構成されている。
【００１６】
アクティブエリアを形成する段階は、酸エッチング可能なコアロッド及びこのエッチング可能なコアロッドを取り囲む耐酸性のクラッディングガラスを具備した光ファイバチャネルを第１矩形形状に積層する段階を含んでいる。非アクティブエリアを形成する段階は、酸エッチング可能なコアロッド及びこのエッチング可能なコアロッドを取り囲む酸エッチング可能なクラッディングガラスを具備した光ファイバチャネルを２つの第２矩形形状に積層する段階を含んでいる。アクティブエリアをエッチングする段階は、電子を増倍するための矩形のアクティブエリアを形成する段階を含んでいる。非アクティブエリアをエッチングする段階は、矩形アクティブエリアの一側における１つのものと矩形アクティブエリアの他側における１つのものという２つの矩形スロットを形成する段階を含んでいる。
【００１７】
本発明の更に別の実施例は、セラミック基板、セラミック基板の垂直上方に配設された電子検出装置、及びセラミック基板と電子検出装置の間においてループするボンドワイヤを含むイメージ増倍装置であって、この場合に、ボンドワイヤは、電子検出装置の垂直上方においてループしている。電子検出装置の垂直上方にＭＣＰが配置されている。ＭＣＰは、ボンドワイヤを収容し、且つ、電子検出装置とＭＣＰの間に密接な離隔を提供するべく、ＭＣＰの出力側に、且つ、ボンドワイヤの垂直上方に、配設された少なくとも１つのスロットを含んでいる。ＭＣＰは、２つのスロットを包含可能である。１つのスロットは、電子検出装置の一側のボンドワイヤを収容しており、もう１つのスロットは、電子検出装置の他側のボンドワイヤを収容している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明については、添付の図面との関連において、以下の詳細な説明を参照することにより、理解することができよう。
【００１９】
次に図３ａ及び図３ｂを参照すれば、参照符号５０として総合的に表されている典型的なイメージ増倍装置が示されている。イメージ増倍装置５０は、例えば、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ）である、参照符号５２として表されている電子利得装置を含んでいる。又、イメージ増倍装置５０は、セラミック基板６０上に配設された参照符号５６として表されている、電子検出装置をも含んでいる。電子検出装置５６は、例えば、固体ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）センサ、ＣＣＤ（電荷結合素子）センサ、又はハイブリッドＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｏｍｂａｒｄｅｄ）ＣＣＤ又はＣＭＯＳセンサを包含可能である。
【００２０】
図示のように、電子利得装置５２は、電子検出装置５６の上方に配設されている。電子利得装置は、参照符号６２によって総合的に表された（矩形アクティブエリア（ＲＡＡ６２）とも呼ばれる）アクティブ領域を含んでいる。アクティブ領域６２の上部表面は、（図１に参照符号１６として示されている）光電陰極から受領した電子に対して敏感に反応するアクティブ受領エリアを含んでおり、光電陰極は、電子利得装置５２の垂直上方に配設されていることを理解されたい。電子利得装置５２は、入射エネルギーをその入力表面上において受領し、放射電子として、増倍されたエネルギーをその出力表面上において出力している。出力された電子は、電子検出装置５６に対する入力として提供されている。例えば、ＭＣＰなどの電子利得装置５２は、入力表面に進入するそれぞれの電子ごとに数百個の電子を生成している。
【００２１】
図示のように、アクティブ領域６２は、電子検出装置５６の垂直上方に配設されている。電子検出装置は、電子利得装置５２から出力された電子を受領し、自身が受領した電子の量に比例した出力信号を提供している。電子検出装置５６は、自身の平坦な上部表面の上方においてループした後に、ボンディングのためにセラミック基板６０に降下するワイヤ５８を含んでいる。
【００２２】
本発明の一実施例によれば、電子利得装置５２は、アクティブ領域６２の対向する垂直側部にスロットを含んでおり、これらのスロットは、総合的に参照符号５４として表されている。それぞれのスロットは、ワイヤ５８の一部を受領するべく構成されており、ギャップの幅は、２〜６ミル（５０〜１５０ミクロン）である。図示のように、スロット５４は、アクティブ領域６２の側部においてワイヤ５８のためのクリアランスを提供している。当然のことながら、電子検出装置が自身の一側にのみループワイヤを含んでいる場合には、電子利得装置の対向側のスロットを省略可能であることを理解されたい。
【００２３】
これらのスロットは、電子検出装置５６の平坦な上部表面の上方においてワイヤループを受領するべく構成されているため、電子利得装置５２を電子検出装置に密接に近接した状態に配置可能である。スロット５４がボンドワイヤ５８のための追加のクリアランスを提供しているため、電子利得装置５２と電子検出装置５６の間の相対的に小さな距離を実現可能である。この相対的に小さな離隔距離が、結果的に性能の利益をもたらすことになる。
【００２４】
一例として、ワイヤループのためのクリアランスを提供するスロット５４を有していない場合には、電子利得装置と電子検出装置の間には、０．００５インチ（０．１２７ミリメートル）の最小離隔距離が必要となる。しかしながら、ワイヤループのためのクリアランスを提供するべくスロットが含まれている場合には、約０．００２インチ（５０．８ミクロン）の最小離隔距離を実現可能である。
【００２５】
ボンドワイヤ５８と電子利得装置５２のスロット５４の壁の間において最小限の距離を維持可能であることを理解されたい。この最小限の距離は、電子利得装置とボンドワイヤ５８の間に印加される高電圧を回避するのに必要な電圧隔離絶縁によって決定可能である。
【００２６】
尚、図３ａは、電子利得装置５２の入力側から出力側に垂直方向において延長するものとして、クリアランススロット５４を示しているが、垂直方向のクリアランスは、電子利得装置５２の底部側と電子検出装置６２のループワイヤとの関係においてのみ必要とされる。従って、クリアランススロットは、電子利得装置５２の入力及び出力表面の間の距離の全体にわたって延長している必要はない。
【００２７】
本発明の他の実施例においては、電子利得装置の出力表面と電子検出装置の入力表面の間に物理的な接触を提供することが望ましいであろう。この実施例においては、クリアランススロット５４のギャップ幅は、ボンドワイヤ５８のループをクリアランススロット内において完全に受領できるようにしたものであってよい。電子利得装置と電子検出装置の間の直接的な物理的接触を実現した場合には、このような直接的な物理的接触により、電子利得装置を支持している電子検出装置に起因した振動の懸念を軽減可能である。
【００２８】
次に図４を参照すれば、（例えば）ＭＣＰ内にクリアランススロットを形成する方法７０が示されており、本方法は、参照符号７０として総合的に表されている。図示のように、段階７１において、ガラスクラッディングによって取り囲まれたガラスコアのファイバを形成している。ガラスコアは、このコアをエッチングによって後から除去できるように、エッチング可能な材料から製造されている。ガラスクラッディングは、コアのエッチングが可能である同一の条件において、エッチング不可能であるガラスから製造されている。従って、それぞれのクラッディングは、エッチングプロセスの後にも維持されており、クラッディング材料は、対応するコアが除去された際に形成されるそれぞれのマイクロチャネルの境界になっている。適切なクラッディングガラスは、コーニングガラス８１６１などの鉛タイプのガラスである。
【００２９】
２００６年１０月２４日付けで発行された米国特許第７，１２６，２６３号に記述されているように、光ファイバは、ゾーン炉を内蔵した延伸機内において形成されており、この特許の内容は、本引用により、そのすべてが本明細書に包含される。炉の温度をガラスの軟化温度に昇温させている。ファイバを牽引メカニズムに供給し、ここで、所望のファイバ直径が実現される時点まで、速度を調節している。次いで、これらの個々のファイバを約１８インチ（４２．７５センチメートル）の更に短い長さに切断している。
【００３０】
次いで、方法７０は、段階７２に進み、ファイバの複数の六角形アレイを形成しており、このそれぞれをバンドル又はマルチアセンブリと呼ぶことする。１つのバンドルは、数千本のシングルファイバの切断されたリンクから形成されており、これらは、モールド内に積層されてガラスの軟化温度に加熱されている。切断された長さのそれぞれのものは、六角形の構成を具備している。
【００３１】
これらのバンドルを、再度、延伸機内に吊るし、個々のファイバの六角形の構成を維持した状態において延伸させることにより、再度、ファイバの直径を低減している。次いで、バンドルを約６インチ（１５．２４センチメートル）の更に短い長さに切断している。次いで、段階７３において、数百本の切断されたバンドルを積層することにより、個々の（例えば）矩形断面のエリアを形成しており、ここで、それぞれの断面エリアは、矩形アクティブエリア（ＲＡＡ）を定義している。例えば、１つのＲＡＡが参照符号６２として図３ｂに表されている。
【００３２】
次いで、方法７０は、段階７４に進み、完全にエッチング可能なガラス（ロッドとも呼ぶ）をＲＡＡの対向する側部に積層している。一例として、積層されたエッチング可能なガラスは、矩形領域を形成しており、これは、この後に、図３ｂに参照符号５４として表されているクリアランススロットを形成することになる。
【００３３】
次いで、段階７５において、エッチング不可能なガラスを積層することにより、積層されたエッチング可能なガラスとＲＡＡ領域６２の両方を取り囲んでいる。エッチング不可能なガラスは、図３ｂの電子利得装置５２の領域５１を形成している。従って、ＲＡＡ領域６２は、ＭＣＰ５２のアクティブエリアを形成しており、領域５４は、ＲＡＡ領域６２の対向する側部にクリアランススロットを形成しており、領域５１は、ＭＣＰの非アクティブエリアを形成している。
【００３４】
段階７６において、積層体をモノリシックな積層体にプレスしている。次いで、段階７７において、モノリシックな積層体を複数のＭＣＰにダイシングしている。
【００３５】
標準的なエッチングプロセスにおいて、エッチング可能な複数のファイバをエッチングによって完全に除去することにより、ループワイヤを収容するためのオープンスロットが残されることになる。ＲＡＡ領域内のエッチング可能なガラスコアは、マイクロチャネルを形成している。クリアランススロット及びＲＡＡ領域を取り囲むエッチング不可能なガラスは、ＭＣＰの非アクティブエリアを形成しており、且つ、イメージ増倍管内にＭＣＰを取り付けるための支持部を提供している。
【００３６】
本発明は、２つの装置間における密接な近接状態を必要としており、２つの装置間における物理的なクリアランスが問題となるあらゆるアプリケーションに使用可能である。この物理的なクリアランスの問題は、必ずしも、装置の上部表面の上方においてループするボンドワイヤから結果的に生じたものである必要はなく、別の部位の上方において突出する任意の物理的な部位から結果的に生じたものであってもよい。
【００３７】
本発明の別のアプリケーションは、ＭＣＰの処理の際にスロットの開口部を換気のために使用するというものであってよい。現在、フィルムレス型のＭＣＰに基づいたイメージ増倍管においては、金属管の本体コンポーネントに換気孔を穿孔することにより、処理の際のガスの換気を提供している。換気孔をＭＣＰ自体の内部に配置する場合には、本発明のクリアランススロットによって金属管ボディ内の換気孔のニーズを除去可能である。
【００３８】
特定の実施例を参照し、本発明について図示及び説明したが、本発明は、開示された詳細に限定されることを意図したものではない。むしろ、本発明を逸脱することなしに、請求項の等価の範囲内において、詳細の様々な変更を実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】電子利得装置及び電子検出装置を含む一般的なイメージ増倍管の概略図である。
【図２ａ】従来方式によって形成された電子検出装置の平面図であり、セラミックヘッダ及びボンドワイヤを示している。
【図２ｂ】図２ａに示されている電子検出装置の断面図である。
【図２ｃ】イメージ増倍管内において１つに統合された際の従来の電子検出装置の断面図であり、この電子検出装置は、電子利得装置に垂直方向において近接した状態において、且つ、この下方において、離隔している。
【図３ａ】本発明の一実施例による、電子利得装置の下方において、且つ、これに対して垂直方向において近接した状態で、離隔した電子検出装置の断面図である。
【図３ｂ】本発明の一実施例による図３ａに示されている電子利得装置の平面図である。
【図４】本発明の一実施例によるクリアランススロットの形成方法を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
５０    イメージ増倍装置
５２    電子利得装置
５４    スロット
５６    電子検出装置
５８    ボンドワイヤ
６０    セラミック基板
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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