(57)【要約】【課題】装置外部への高周波（電磁波）の漏洩を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号Ｓ１を生成して出力する高周波電源２と、グランド電位が付与されると共に一方の端部が開放端に形成され、内部に放電用ガスＧが供給される筒状の筐体１１と、筐体１１内にその筒長方向に沿って配設され、高周波信号Ｓ１を入力して放射することによって開放端側の先端近傍にプラズマＰを発生させると共にこの発生したプラズマＰを開放端から大気中に放射させる柱状の放射器１４と、開放端から高周波信号Ｓ１の波長の１／４未満の距離Ｌ３の位置に処理対象体８を供給する供給部４とを備えている。【選択図】図１
2009064650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号を生成して出力する高周波信号生成部と、
グランド電位が付与されると共に一方の端部が開放端に形成され、内部にプラズマ放電用ガスが供給される筒状の筐体と、
前記筐体内に当該筐体の筒長方向に沿って配設され、前記高周波信号を入力して放射することによって前記開放端側の先端近傍にプラズマを発生させると共に当該発生したプラズマを当該開放端から大気中に放射させる柱状の放射器と、
前記開放端から前記高周波信号の波長の１／４未満の距離の位置に処理対象体を供給する供給部とを備えているプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記供給部は、前記開放端と前記処理対象体との間の距離を変更可能に構成され、
前記開放端と前記処理対象体との間の距離を測定して当該距離を示す距離情報を出力する距離測定部と、
前記距離測定部から出力される前記距離情報に基づいて前記供給部を制御して前記開放端と前記処理対象体との間の距離を前記高周波信号の波長の１／４未満に設定する制御部とを備えている請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記高周波信号生成部による前記高周波信号の生成時において、前記距離情報で示される前記距離が前記高周波信号の波長の１／４以上となったときに報知信号を出力すると共に、当該高周波信号生成部に対して当該高周波信号の出力を停止させる請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記筐体は他方の端部が閉塞板によって閉塞され、
前記筐体の内部に面する前記閉塞板の表面に一端が接続されると共に他端に前記高周波信号が供給されるカップリングループを備え、
前記放射器は、前記カップリングループから離間した状態で前記閉塞板の前記表面に立設されている請求項１から３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
高周波信号生成部に対して準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号を生成して出力させると共に、グランド電位が付与されて一方の端部が開放端に形成された筒状の筐体の内部にプラズマ放電用ガスを供給させ、前記筐体内に当該筐体の筒長方向に沿って配設された柱状の放射器に前記高周波信号を入力して放射させることによって前記開放端側の先端近傍に発生させたプラズマを当該開放端から大気中に放射させ、その状態における前記開放端から処理対象体までの距離を前記高周波信号の波長の１／４未満に規制するプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスチック材料などの処理対象体の表面をプラズマで処理するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のプラズマ処理装置として、下記特許文献１に開示されたプラズマ処理装置が知られている。このプラズマ処理装置は、高周波電源に接続された放電発生用電極と、これの周囲を取り囲み、かつ、先端にノズル状のガス出口を有する円筒状に形成された対電極とを有し、放電発生用電極と対電極とが内外二重に配置されることによって装置全体がトーチ形状に構成されている。このプラズマ処理装置では、大気圧若しくは大気圧近傍圧力下において、放電発生用電極と対電極との間に形成された環状放電空間にプラズマ放電用ガスを導入し、この状態において放電発生用電極に高周波電圧が印加することにより、環状放電空間に安定なグロー放電プラズマを発生させると共に、発生させた放電プラズマを処理対象体の表面に向けて放射（照射）させる。
【特許文献１】特開平１０−１９９６９７号公報（第２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、この種のプラズマ処理装置には、以下の問題点がある。すなわち、この種のプラズマ処理装置では、大気中にプラズマを放射するために、装置内部に設けられたプラズマ発生のための空間を装置外部に連通させる構成を採用せざるを得ない。その結果、この種のプラズマ処理装置には、電極に供給された高周波（電磁波）が装置外部に多く漏洩するおそれがあるという問題点がある。
【０００４】
本発明は、かかる問題点を解決すべくなされたものであり、装置外部への高周波（電磁波）の漏洩を低減し得るプラズマ処理装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成すべく請求項１記載のプラズマ処理装置は、準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号を生成して出力する高周波信号生成部と、グランド電位が付与されると共に一方の端部が開放端に形成され、内部にプラズマ放電用ガスが供給される筒状の筐体と、前記筐体内に当該筐体の筒長方向に沿って配設され、前記高周波信号を入力して放射することによって前記開放端側の先端近傍にプラズマを発生させると共に当該発生したプラズマを当該開放端から大気中に放射させる柱状の放射器と、前記開放端から前記高周波信号の波長の１／４未満の距離の位置に処理対象体を供給する供給部とを備えている。
【０００６】
また、請求項２記載のプラズマ処理装置は、請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記供給部は、前記開放端と前記処理対象体との間の距離を変更可能に構成され、前記開放端と前記処理対象体との間の距離を測定して当該距離を示す距離情報を出力する距離測定部と、前記距離測定部から出力される前記距離情報に基づいて前記供給部を制御して前記開放端と前記処理対象体との間の距離を前記高周波信号の波長の１／４未満に設定する制御部とを備えている。
【０００７】
また、請求項３記載のプラズマ処理装置は、請求項２記載のプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記高周波信号生成部による前記高周波信号の生成時において、前記距離情報で示される前記距離が前記高周波信号の波長の１／４以上となったときに報知信号を出力すると共に、当該高周波信号生成部に対して当該高周波信号の出力を停止させる。
【０００８】
また、請求項４記載のプラズマ処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、前記筐体は他方の端部が閉塞板によって閉塞され、前記筐体の内部に面する前記閉塞板の表面に一端が接続されると共に他端に前記高周波信号が供給されるカップリングループを備え、前記放射器は、前記カップリングループから離間した状態で前記閉塞板の前記表面に立設されている。
【０００９】
上記目的を達成すべく請求項５記載のプラズマ処理方法は、高周波信号生成部に対して準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号を生成して出力させると共に、グランド電位が付与されて一方の端部が開放端に形成された筒状の筐体の内部にプラズマ放電用ガスを供給させ、前記筐体内に当該筐体の筒長方向に沿って配設された柱状の放射器に前記高周波信号を入力して放射させることによって前記開放端側の先端近傍に発生させたプラズマを当該開放端から大気中に放射させ、その状態における前記開放端から処理対象体までの距離を前記高周波信号の波長の１／４未満に規制する。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１記載のプラズマ処理装置および請求項５記載のプラズマ処理方法によれば、筒状の筐体の開放端から高周波信号の波長の１／４未満の距離の位置に処理対象体を供給（処理対象体の位置を規制）することにより、プラズマ処理中での放射器の先端に発生するプラズマの筐体の開放端からの突出長を常にλ／４未満に維持することができ、これによって放射器の先端に発生するプラズマがモノポールアンテナとして機能する事態を回避することができる結果、高周波信号（電磁波）の漏洩を大幅に低減することができる。
【００１１】
請求項２記載のプラズマ処理装置では、供給部が筐体の開放端と処理対象体との間の距離を変更可能に構成され、制御部が、距離測定部から出力される筐体の開放端と処理対象体との間の距離を示す距離情報に基づいて供給部を制御してこの距離をλ／４未満に設定する。したがって、このプラズマ処理装置によれば、処理対象体に対するプラズマ処理の開始時における筐体の開放端と処理対象体との間の距離を自動的にλ／４未満に設定できるため、高周波信号（電磁波）の漏洩を大幅に低減した状態でプラズマ処理を開始することができる。
【００１２】
請求項３記載のプラズマ処理装置によれば、制御部が、高周波信号生成部による高周波信号の生成時において、筐体の開放端と処理対象体との間の距離がλ／４以上となる異常状態となったときに報知信号を出力すると共に、高周波信号生成部に対して高周波信号の出力（生成）を停止させる。したがって、このプラズマ処理装置によれば、筐体の開放端からの突出長が高周波信号のλ／４以上となる状態（アンテナとして機能する状態）でのプラズマの放射を回避することができ、これによってプラズマを介しての高周波信号（電磁波）の漏洩を確実に回避することができる。また、このプラズマ処理装置によれば、この装置からの報知信号の出力に基づいて、プラズマ処理装置において上記の異常状態が発生したことを確実に知得させることができる。
【００１３】
請求項４記載のプラズマ処理装置では、カップリングループに高周波信号を供給することにより、カップリングループと離間して配設された放射器を共振させてその先端近傍にのみ高電界を発生させ、この先端近傍からプラズマを発生させる。したがって、このプラズマ処理装置によれば、プラズマの発生に要する高周波信号の電力を低減することができるため、プラズマ処理の効率を十分に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るプラズマ処理装置の最良の形態について説明する。
【００１５】
図１に示すプラズマ処理装置１は、高周波電源２、プラズマ発生部３、供給部４、距離測定部５および制御部６を備えている。また、このプラズマ処理装置１は、高周波電源２において生成された高周波信号Ｓ１をプラズマ発生部３に同軸ケーブル７を介して供給することによってプラズマ発生部３内にプラズマを発生させると共に、発生させたプラズマを処理対象体８に放射してその表面をプラズマ処理可能に構成されている。具体的には、このプラズマ処理装置１は、樹脂などの有機材料で形成された部材（例えば、シート状や板状の部材）を処理対象体８として、その表面の殺菌処理、洗浄処理、および親水性の向上処理などを実行する。
【００１６】
高周波電源２は、本発明における高周波信号生成部であって、準マイクロ波帯またはマイクロ波帯の高周波信号（一例として、２．４５ＧＨｚ程度の準マイクロ波）Ｓ１を生成して、プラズマ発生部３に出力する。また、高周波電源２は、一例として、パルス変調に対応した発振器、発振器から出力された高周波信号を増幅して出力する利得可変型アンプ（トランジスタで構成されたアンプ）、利得可変型アンプから出力された高周波信号Ｓ１の一部を抽出する方向性結合器（ピックアップ）、および方向性結合器によって抽出された高周波信号を検波してその電力を示す信号を生成する検波器など（いずれも図示せず）で構成されて、制御部６から出力される制御信号Ｓ２によって指示された変調周波数およびデューティー比でパルス変調された高周波信号Ｓ１を出力し、また出力している高周波信号Ｓ１の生成を停止してその出力を停止させることが可能に構成されている。
【００１７】
また、高周波電源２は、このように高周波信号Ｓ１のデューティー比を変更可能に構成されているため、高周波信号Ｓ１の電力（出力電力）を制御可能となっている。また、高周波電源２は、デューティー比を１００％とする指示がなされたときには、高周波信号Ｓ１を連続波（ＣＷ）として出力する。この場合には、高周波電源２は、制御部６からの制御信号Ｓ２によって指示された振幅に高周波信号Ｓ１の振幅を設定することにより、高周波信号Ｓ１の電力（出力電力）を制御する。なお、本例では、高周波電源２が、準マイクロ波（１ＧＨｚ〜３ＧＨｚ）を高周波信号Ｓ１として出力する構成を採用しているが、マイクロ波（３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ）を高周波信号Ｓ１として出力する構成を採用することもできる。また、高周波電源２からプラズマ発生部３に対する高周波信号Ｓ１の供給効率を高めるため、高周波電源２とプラズマ発生部３との間に整合器を配設することもできる。
【００１８】
プラズマ発生部３は、一例として図１に示すように、筐体１１、同軸コネクタ１２、カップリングループ１３および放射器（アンテナ）１４を備えている。筐体１１は、一例として、一方の端部（同図中の下端部）が開放端に形成された導電性の筒体１１ａと、筒体１１ａの他方の端部（同図中の上端部）を閉塞する導電性の閉塞板１１ｂと、筒体１１ａの内周面に配設された絶縁管１１ｃとを備え、一方の端部が開放端に形成された（一方の端部が開口する）トーチ型筐体に構成されている。この場合、絶縁管１１ｃは、高周波信号Ｓ１の出力電力を高めたときに、プラズマ放電が不用意に発生しないようにするためのものである。また、図２に示すように、筐体１１を構成する筒体１１ａは、中心軸Ｘと直交する平面に沿った内周面の断面形状が円形であるため、外形は四角筒体であるが、実質的には円筒体として機能する。
【００１９】
また、本例では、筒体１１ａには、筐体１１内に高周波信号Ｓ１を導入するための貫通孔２１が形成されている。また、閉塞板１１ｂには、プラズマ放電用ガスＧ（以下、「放電用ガスＧ」ともいう）を筒体１１ａに供給するための供給管９を接続するための貫通孔２２が、筒体１１ａの中心軸Ｘから外れた位置（具体的には、後述するように中心軸Ｘに配設された放射器１４と干渉しない位置）に形成されている。また、筒体１１ａは、図１に示すように、その長さが放射器１４の長さＬ１よりも長く規定されて、放射器１４の先端が筒体１１ａの開放端から突出しない構成となっている。本例では、放電用ガスＧとしては、電離電圧が低くプラズマが発生し易いガス（例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなど）を使用する。
【００２０】
同軸コネクタ１２は、図１に示すように、高周波電源２に接続された同軸ケーブル７の先端に装着された状態で、筒体１１ａの外周面に、貫通孔２１を閉塞するようにして取り付けられている。カップリングループ１３は、同図に示すように、導電性を有する棒状体がＬ字状に折曲（本例では直角に折曲）されて構成されている。また、カップリングループ１３は、一端が閉塞板１１ｂにおける筒体１１ａの内部に面する表面（内面）に接続されると共に、他端が高周波信号Ｓ１の供給が可能に同軸コネクタ１２の芯線（不図示）に接続されている。この状態において、カップリングループ１３の一端側部位（折曲部位を基準として一端側に位置する部位）１３ａは、閉塞板１１ｂから直角に起立した状態（筒体１１ａの中心軸Ｘと平行な状態）となっており、かつ高周波信号Ｓ１の波長をλとしたときに、その長さＬ２がλ／４の半分以下の長さ（本例では、一例としてλ／１０）に規定されている。一方、カップリングループ１３の他端側部位（折曲部位を基準として他端側に位置する部位）１３ｂは、貫通孔２１の中心軸上に位置した状態で貫通孔２１に挿通されている。
【００２１】
放射器１４は、長さＬ１が（（１／４＋ｎ／２）×λ）に規定された１本の導電性の柱状体（本例では円柱体）で構成されている。ここで、ｎは、０以上の整数であり、本例では一例としてｎ＝０に設定されて、放射器１４の長さＬ１は（λ／４）に規定されている。なお、放射器１４は、柱状体に限定されず、直方体や樋状体（ハーフパイプ状体）などの板状体で構成することもできる。また、放射器１４は、図１に示すように、筐体１１の内部に筐体１１の筒長（長手）方向に沿って配設されている。本例では、一例として、放射器１４は、筒体１１ａの内部に筒体１１ａの中心軸Ｘ上に位置した状態で、かつ一端側（同図中の上端側）が閉塞板１１ｂの内面に接続されて配設されている。この構成により、放射器１４は、カップリングループ１３における一端側部位１３ａ、および閉塞板１１ｂに開口する貫通孔２２のそれぞれと離間してはいるが、近接した状態で立設された状態となっている。一例として、本例では、図２に示すように、一端側部位１３ａ、放射器１４および貫通孔２２が、放射器１４を中心として平面視で一直線上に並ぶ構成となっているが、貫通孔２２は、放射器１４の近傍であれば、任意の位置に設定することができる。
【００２２】
供給部４は、本例では、一例として図１に示すように、処理対象体８が載置されるテーブル４ａと、テーブル４ａを少なくとも同図中のＺ方向に沿って移動可能（筐体１１の一方の端部に対して接離動可能）に構成された移動機構４ｂとを備えて構成されている。この場合、移動機構４ｂは、制御部６から出力される制御信号Ｓ３によって指示された方向に、指示された距離だけテーブル４ａをＺ方向に沿って移動させて、高周波信号Ｓ１の波長λの１／４未満の距離の位置に処理対象体８を供給する。つまり、移動機構４ｂは、高周波信号Ｓ１の波長λの１／４未満の距離の位置に処理対象体８の位置を規制する。距離測定部５は、超音波センサや光センサなどの距離センサを用いて構成されて、一例として同図に示すように、筒体１１ａの一方の端部（同図中の下端部）側における外周面に配設されている。この構成により、距離測定部５は、筒体１１ａの一方の端部と、テーブル４ａ上に載置された処理対象体８の表面との間の距離Ｌ３を測定して、その距離を示す距離情報Ｄ１を制御部６に出力する。制御部６は、一例としてＣＰＵおよびメモリ（いずれも図示せず）を備えて構成されて、高周波電源２および移動機構４ｂに対する制御、および処理対象体８に対するプラズマ処理を実行する。
【００２３】
次に、本発明に係るプラズマ処理装置１の動作について説明する。なお、筐体１１は予めグランドに接続されて、グランド電位が付与されているものとする。また、テーブル４ａ上には処理対象体８が載置されているものとする。
【００２４】
まず、プラズマ処理装置１では、距離測定部５が、筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３の測定を繰り返し実行することにより、距離情報Ｄ１を制御部６に出力する。この状態において、制御部６は、プラズマ処理の開始に先立ち、入力した距離情報Ｄ１で示される距離Ｌ３が内部メモリに予め記憶されている規定値（λ／４）以上であるか否かを判別し、規定値（λ／４）以上のときには、制御信号Ｓ３を移動機構４ｂに出力して制御することにより、テーブル４ａを筒体１１ａ側に移動させ、距離Ｌ３が規定値（λ／４）未満（例えば、λ／４よりも若干短い距離）となった時点、つまり距離Ｌ３が規定値（λ／４）未満に規制できた時点で、テーブル４ａの移動（供給）を停止させる。これにより、プラズマ処理装置１では、筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３が常に規定値（λ／４）未満の状態に移行する。
【００２５】
次いで、不図示のガス供給部が、供給管９を介して筐体１１内に放電用ガスＧの供給を開始する。この状態において、制御部６は、処理対象体８に対するプラズマ処理を実行する。このプラズマ処理では、制御部６は、制御信号Ｓ２を出力して、高周波電源２に対して高周波信号Ｓ１のプラズマ発生部３への出力を開始させる。高周波電源２から出力された高周波信号Ｓ１は、同軸ケーブル７を介して、同軸コネクタ１２、さらにはカップリングループ１３の他端に達し、カップリングループ１３を経由して筐体１１（閉塞板１１ｂ）に流れる。この場合、高周波信号Ｓ１がカップリングループ１３に流れることにより、一端側部位１３ａの周囲に磁界が発生し、高周波信号Ｓ１の波長λに対して（（１／４＋ｎ／２）×λ）の長さＬ１に規定されている放射器１４がこの磁界によって共振する。共振状態の放射器１４は共振モノポールとして作動して、その他端（同図中の下端であって、本発明における先端）側で電圧が最大となる。このため、プラズマ発生部３内における放射器１４の他端側近傍（付近）で電界強度が最大となり、プラズマの発生し易い放電用ガスＧが存在するプラズマ発生部３内（すなわち筐体１１内）では、この他端側近傍においてプラズマＰが発生する。この場合、高周波電源２が高周波信号Ｓ１として準マイクロ波またはマイクロ波をプラズマ発生部３に供給するため、プラズマＰは高密度な状態で発生する。また、発生したプラズマＰは、図１に示すように、筒体１１ａの開放端から処理対象体８に放射されて、処理対象体８の表面がプラズマＰによって表面処理される。
【００２６】
本願発明者らは、プラズマ処理装置１のような大気中にプラズマを放射させて処理対象体８に対するプラズマ処理を実行するプラズマ処理装置では、放射器１４の他端（先端）に発生するプラズマＰにも放射器１４から高周波信号Ｓ１が伝搬することを発見した。また、たとえ図１に示すように放射器１４の先端を筒体１１ａの一方の端部（開放端）から突出させない構成を採用したとしても、放射器１４の先端に発生するプラズマＰの筒体１１ａの一方の端部からの突出長が高周波信号Ｓ１の波長λの１／４以上となるときには、プラズマＰにおける筒体１１ａの一方の端部からの突出部位がモノポールアンテナと機能して高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩を招来することも発見した。これらの点について、このプラズマ処理装置１では、上記したように、筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３が常に規定値（λ／４）未満となる位置に処理対象体８が供給されるため、放射器１４の先端に発生するプラズマＰの筒体１１ａの一方の端部からの突出長も常にλ／４未満に維持される。したがって、このプラズマ処理装置１では、放射器１４の先端に発生するプラズマＰがモノポールアンテナとして機能しないため、高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩が大幅に低減される。
【００２７】
また、制御部６は、プラズマ処理の実行中において、距離測定部５から出力された距離情報Ｄ１で示される距離Ｌ３と内部メモリに予め記憶されている規定値（λ／４）との比較を繰り返し実行し、距離Ｌ３が規定値（λ／４）以上となる異常状態が発生したときには、高周波信号Ｓ１の出力を停止させる旨の制御信号Ｓ２を高周波電源２に対して出力すると共に、異常状態の発生を外部に報知するための報知信号Ｓ４を出力する。これにより、プラズマ処理装置１では、筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３が規定値（λ／４）以上となる異常状態となったときには、高周波電源２が高周波信号Ｓ１のプラズマ発生部３への出力を停止するため、筒体１１ａの一方の端部からの突出長がλ／４以上となる状態（アンテナとして機能する状態）でのプラズマＰの放射が回避され、これによってプラズマＰを介しての高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩が回避される。また、報知信号Ｓ４の出力に基づいて、プラズマ処理装置１において上記の異常状態が発生したことを知得することができる。
【００２８】
このように、このプラズマ処理装置１およびプラズマ処理方法によれば、供給部４が筒体１１ａの一方の端部（開放端）から高周波信号Ｓ１の波長λの１／４未満の距離Ｌ３の位置に処理対象体８を供給（処理対象体８の位置を規制）することにより、プラズマ処理中での放射器１４の先端に発生するプラズマＰの筒体１１ａの一方の端部からの突出長を常にλ／４未満に維持することができ、これによって放射器１４の先端に発生するプラズマＰがモノポールアンテナとして機能する事態を回避することができる結果、高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩を大幅に低減することができる。
【００２９】
また、このプラズマ処理装置１では、供給部４が筒体１１ａの一方の端部（開放端）と処理対象体８との間の距離Ｌ３を変更可能に構成され、制御部６が、距離測定部５から出力される筒体１１ａの一方の端部（開放端）と処理対象体８との間の距離Ｌ３を示す距離情報Ｄ１に基づいて供給部４を制御して距離Ｌ３をλ／４未満に設定する。したがって、このプラズマ処理装置１によれば、処理対象体８に対するプラズマ処理の開始時における距離Ｌ３を自動的にλ／４未満に設定できるため、高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩を大幅に低減した状態でプラズマ処理を開始することができる。
【００３０】
さらに、このプラズマ処理装置１では、制御部６が、高周波電源２による高周波信号Ｓ１の生成時において、距離Ｌ３がλ／４以上となる異常状態となったときに報知信号Ｓ４を出力すると共に、高周波電源２に対して高周波信号Ｓ１の出力（生成）を停止させる。したがって、このプラズマ処理装置１によれば、筐体１１の開放端（筒体１１ａの一方の端部）からの突出長が高周波信号Ｓ１のλ／４以上となる状態（アンテナとして機能する状態）でのプラズマＰの放射を回避することができ、これによってプラズマＰを介しての高周波信号Ｓ１（電磁波）の漏洩を確実に回避することができる。また、このプラズマ処理装置１によれば、この装置からの報知信号Ｓ４の出力に基づいて、プラズマ処理装置１において上記の異常状態が発生したことを確実に知得させることができる。
【００３１】
また、このプラズマ処理装置１では、カップリングループ１３に高周波信号Ｓ１を供給することにより、カップリングループ１３と離間して配設された放射器１４を共振させてその先端近傍にのみ高電界を発生させ、この先端近傍からプラズマＰを発生させる。したがって、このプラズマ処理装置１によれば、プラズマＰの発生に要する高周波信号Ｓ１の電力を低減することができるため、プラズマ処理の効率を十分に向上させることができる。
【００３２】
なお、本発明は、上記した実施の形態に示した構成に限定されない。例えば、上記の実施の形態では、処理対象体８を載置するためのテーブル４ａを備えて供給部４を構成したが、図示はしないが、処理対象体８がテープのような可撓性を有する帯状体のときには、一対のリールを備えて供給部４を構成して、一対のリール間に掛け渡された状態で処理対象体８を筐体１１の一方の端部から規定値（λ／４）未満となる位置に供給することもできる。また、制御部６から出力される報知信号Ｓ４を入力して音や光を出力することで作業者に上記した異常状態の発生を知らせるスピーカやランプなどを備えた報知部や、表示装置などの出力部を備えた構成を採用することもできる。
【００３３】
また、プラズマ処理の開始に先立って、制御部６が供給部４を制御して筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３を規定値（λ／４）未満にする構成について上記したが、プラズマ処理中においても、制御部６が筒体１１ａの一方の端部と処理対象体８との間の距離Ｌ３を規定値（λ／４）未満にするように供給部４を制御する構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】プラズマ処理装置１の構成図である。
【図２】図１におけるＷ１−Ｗ１線断面図（同軸コネクタ１２を除く断面図）である。
【符号の説明】
【００３５】
１  プラズマ処理装置
２  高周波電源
３  プラズマ発生部
４  供給部
５  距離測定部
６  制御部
８  処理対象体
１１  筐体
１１ｂ  閉塞板
１３  カップリングループ
１４  放射器
Ｄ１  距離情報
Ｌ３  距離（筐体の開放端と処理対象体との間の距離）
Ｐ  プラズマ
Ｓ１  高周波信号
Ｓ４  報知信号
【図１】
2009064650.tif 000003
【図２】
2009064650.tif 000004