(57)【要約】【課題】高い応答速度を達成する。【解決手段】本発明の液晶表示装置では、アレイ基板１０は、絶縁基板１００と、各々が信号線１０５ａ及び１０５ｂを含んだ複数の信号線群と、複数の画素回路とを含んでいる。各画素回路は、画素電極１０８ａ及び１０８ｂと、画素電極１０８ａと信号線１０５ａとの間に接続されたスイッチ１０４ａと、画素電極１０８ｂと信号線１０５ｂとの間に接続されたスイッチ１０４ｂとを含んでいる。【選択図】      図１
2009237297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板に支持され、各々が第１及び第２信号線を含んだ複数の信号線群と、前記複数の信号線群に沿って配列し、各々が、第１及び第２画素電極と、前記第１画素電極と前記複数の信号線群の１つが含んでいる前記第１信号線との間に接続された第１スイッチと、前記第２画素電極と前記複数の信号線群の前記１つが含んでいる前記第２信号線との間に接続された第２スイッチとを含んだ複数の画素回路とを含んだアレイ基板と、
前記複数の画素回路を間に挟んで前記第１絶縁基板と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板に支持され、前記複数の画素回路と向き合った対向電極とを含んだ対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在した液晶層と
を具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層が含んでいる液晶分子は画像表示時にベンド配向を形成する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２画素電極は、前記第１画素電極の一部を間に挟んで前記第１絶縁基板と向き合っていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２画素電極には複数のスリットが設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記アレイ基板は前記第１及び第２画素電極を被覆した第１配向膜を更に含み、前記対向基板は前記対向電極を被覆した第２配向膜を更に含み、前記スリットの長さ方向は、前記第１及び第２配向膜が液晶分子を傾ける方向の前記第１絶縁基板への正射影に対して垂直であるか又は斜めであることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記アレイ基板は、前記第１絶縁基板に支持された複数の走査線を更に含み、前記複数の画素回路の各々において、前記第１スイッチは前記複数の走査線の１つにゲートが接続された第１薄膜トランジスタであり、前記第２スイッチは前記第１薄膜トランジスタの前記ゲートが接続された前記走査線にゲートが接続された第２薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記アレイ基板は、前記第１絶縁基板に支持された複数の走査線を更に含み、前記複数の画素回路の各々において、前記第１スイッチは前記複数の走査線の１つにゲートが接続された第１薄膜トランジスタであり、前記第２スイッチは前記複数の走査線の他の１つにゲートが接続された第２薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記アレイ基板は前記第１絶縁基板に支持された複数の走査線を更に含み、前記表示装置は、
前記複数の走査線に前記第１及び第２スイッチを閉じる走査電圧を順次供給する走査線駆動回路と、
前記複数の信号線群の各々が含んでいる前記第１及び第２信号線に第１及び第２信号電圧をそれぞれ供給する信号線駆動回路と、
前記走査線駆動回路と前記信号線駆動回路とに接続され、前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御するコントローラと
を更に具備したことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記コントローラは、予備書込動作と書込動作とがこの順に実行されるように前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御し、
前記予備書込動作は、前記走査線駆動回路が前記複数の走査線の１つに前記走査電圧を供給している選択期間内に、前記複数の信号線群の各々が含んでいる前記第１及び第２信号線に第１及び第２予備書込信号をそれぞれ供給して、前記第１及び第２画素電極間に予備書込電圧を印加することを含み、
前記書込動作は、前記選択期間内に、前記複数の信号線群の各々が含んでいる前記第１及び第２信号線に前記予備書込電圧の絶対値と比較して差の絶対値がより小さい第１及び第２映像信号をそれぞれ供給することを含んだことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、各フィールド期間内に前記予備書込動作と前記書込動作とがこの順に実行されるように前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記予備書込動作に先立ってリセット動作が実行されるように前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御し、
前記リセット動作は、前記走査線駆動回路が前記複数の走査線の１つに前記走査電圧を供給している期間内に、前記複数の信号線群の各々が含んでいる前記第１及び第２信号線に第１及び第２リセット信号をそれぞれ供給して、前記第１画素電極と前記対向電極との間及び前記第２画素電極と前記対向電極との間に第１及び第２リセット電圧をそれぞれ印加することを含み、前記第１リセット電圧は前記予備書込動作の直後における前記第１画素電極と前記対向電極との間の電圧及び前記書込動作の直後における前記第１画素電極と前記対向電極との間の電圧と絶対値が等しいかそれよりも大きく、前記第２リセット電圧は前記予備書込動作の直後における前記第２画素電極と前記対向電極との間の電圧及び前記書込動作の直後における前記第２画素電極と前記対向電極との間の電圧と絶対値が等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記コントローラは、第１フィールド期間内に前記リセット動作が実行され、前記第１フィールド期間に続く第２フィールド期間内に前記予備書込動作と前記書込動作とがこの順に実行されるように前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、各フィールド期間内に前記リセット動作と前記予備書込動作と前記書込動作とがこの順に実行されるように前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と向き合った第１及び第２画素電極を各々が含んだ複数の画素回路とを含んだアレイ基板と、前記複数の画素回路を間に挟んで前記第１絶縁基板と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板に支持され、前記複数の画素回路と向き合った対向電極とを含んだ対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在した液晶層とを具備した液晶表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素回路を１つずつ又は行毎に選択することと、
選択された前記画素回路が含んでいる前記第１及び第２画素電極に第１及び第２予備書込信号をそれぞれ供給して、前記第１及び第２画素電極間に予備書込電圧を印加することを含んだ予備書込動作を実行することと、
前記予備書込動作の後に、選択された前記画素回路が含んでいる前記第１及び第２画素電極に前記予備書込電圧の絶対値と比較して差の絶対値がより小さい第１及び第２映像信号をそれぞれ供給することを含んだ書込動作を実行することと
を含んだことを特徴とする駆動方法。
【請求項１５】
前記液晶層が含んでいる液晶分子は画像表示時にベンド配向を形成する請求項１４に記載の駆動方法。
【請求項１６】
各フィールド期間内に前記予備書込動作と前記書込動作とをこの順に実行することを特徴とする請求項１４に記載の駆動方法。
【請求項１７】
前記予備書込動作に先立ってリセット動作を実行することを更に含み、
前記リセット動作は、選択された前記画素回路が含んでいる前記第１及び第２画素電極に第１及び第２リセット信号をそれぞれ供給して、前記第１画素電極と前記対向電極との間及び前記第２画素電極と前記対向電極との間に第１及び第２リセット電圧をそれぞれ印加することを含み、前記第１リセット電圧は前記予備書込動作の直後における前記第１画素電極と前記対向電極との間の電圧及び前記書込動作の直後における前記第１画素電極と前記対向電極との間の電圧と絶対値が等しいかそれよりも大きく、前記第２リセット電圧は前記予備書込動作の直後における前記第２画素電極と前記対向電極との間の電圧及び前記書込動作の直後における前記第２画素電極と前記対向電極との間の電圧と絶対値が等しいかそれよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の駆動方法。
【請求項１８】
第１フィールド期間内に前記リセット動作を実行し、前記第１フィールド期間に続く第２フィールド期間内に前記予備書込動作と前記書込動作とをこの順に実行することを特徴とする請求項１７に記載の駆動方法。
【請求項１９】
各フィールド期間内に前記リセット動作と前記予備書込動作と前記書込動作とをこの順に実行することを特徴とする請求項１７に記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＣＢ（optically compensated bend）モード及びπセルモードの液晶表示装置では、液晶材料にベンド配向を形成させる。そして、各配向膜近傍で液晶分子のチルト角を変化させることにより調光層のリターデイションを変化させる。
【０００３】
ＯＣＢモード及びπセルモードでは、電源投入前の初期状態において、液晶材料はスプレイ配向を形成している。これは、本来、スプレイ配向が、ベンド配向と比較してより安定なためである。そこで、ＯＣＢモード及びπセルモードの表示装置を起動する際には、液晶材料の配向構造をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる処理を行っている。また、起動後には、ベンド配向からスプレイ配向への転移を防止するために、特許文献１及び２に記載されているように、液晶層を挟持している電極間に一定の時間間隔でリセット電圧を印加することがある。
【０００４】
ＯＣＢモード及びπセルモードの液晶表示装置は、ＩＰＳ（in-plane switching）モードやＶＡ（vertically aligned）モードなどの他の表示モードの液晶表示装置と比較して、より高い応答速度を達成可能である。しかしながら、ＯＣＢモード及びπセルモードの液晶表示装置であっても、ＣＲＴ（cathode-ray tube）表示装置に匹敵する応答速度は達成できていない。
【特許文献１】特開２００３−１４０１１３号公報
【特許文献２】特開２００７−１８３５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高い応答速度を達成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１側面によると、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板に支持され、各々が第１及び第２信号線を含んだ複数の信号線群と、前記複数の信号線群に沿って配列し、各々が、前記第１絶縁基板と向き合った第１及び第２画素電極と、前記第１画素電極と前記複数の信号線群の１つが含んでいる前記第１信号線との間に接続された第１スイッチと、前記第２画素電極と前記複数の信号線群の前記１つが含んでいる前記第２信号線との間に接続された第２スイッチとを含んだ複数の画素回路とを含んだアレイ基板と、前記複数の画素回路を間に挟んで前記第１絶縁基板と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板に支持され、前記複数の画素回路と向き合った対向電極とを含んだ対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在した液晶層とを具備したことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００７】
本発明の第２側面によると、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と向き合った第１及び第２画素電極を各々が含んだ複数の画素回路とを含んだアレイ基板と、前記複数の画素回路を間に挟んで前記第１絶縁基板と向き合った第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板に支持され、前記複数の画素回路と向き合った対向電極とを含んだ対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在した液晶層とを具備した液晶表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素回路を１つずつ又は行毎に選択することと、選択された前記画素回路が含んでいる前記第１及び第２画素電極に第１及び第２予備書込信号をそれぞれ供給して、前記第１及び第２画素電極間に予備書込電圧を印加することを含んだ予備書込動作を実行することと、前記予備書込動作の後に、選択された前記画素回路が含んでいる前記第１及び第２画素電極に前記予備書込電圧の絶対値と比較して差の絶対値がより小さい第１及び第２映像信号をそれぞれ供給することを含んだ書込動作を実行することとを含んだことを特徴とする駆動方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、高い応答速度を達成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には全ての図面を通じて同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
まず、本発明の第１態様について説明する。  
図１は、本発明の第１態様に係る液晶表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す液晶表示装置の表示パネルを概略的に示す平面図である。図３は、図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。なお、図２では、後述するカラーフィルタ層及び参照配線（補助容量線）を省略している。
【００１１】
図１に示す液晶表示装置は、ＯＣＢモードのアクティブマトリクス型液晶表示装置である。この液晶表示装置は、液晶表示パネル１と、これと向き合うように配置されたバックライト（図示せず）と、液晶表示パネル１に接続された走査線駆動回路２、信号線駆動回路３及び参照配線駆動回路４と、これら駆動回路２乃至４に接続されたコントローラ５とを含んでいる。
【００１２】
液晶表示パネル１は、アレイ基板１０と対向基板２０とを含んでいる。アレイ基板１０と対向基板２０との間には、枠状のシール層（図示せず）が介在している。アレイ基板１０と対向基板２０とシール層とに囲まれた空間は、液晶材料で満たされており、この液晶材料は図３に示す液晶層３０を形成している。アレイ基板１０の外面上には光学補償フィルム４０及び偏光板５０が順次配置されている。対向基板２０の外面上には光学補償フィルム４０及び偏光板５０が順次配置されている。
【００１３】
アレイ基板１０は、図１及び図３に示す光透過性基板１００を含んでいる。基板１００は、例えば、ガラス基板又はプラスチック基板である。
【００１４】
基板１００上には、図１乃至図３に示す走査線１０１ａと参照配線１０１ｂとが配置されている。走査線１０１ａと参照配線１０１ｂとは、各々がＸ方向に延びており、Ｘ方向と交差するＹ方向に交互に配列している。
【００１５】
なお、Ｘ方向及びＹ方向は、基板１００の一方の主面に平行であり且つ互いに交差する方向である。後述するＺ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に垂直な方向である。
【００１６】
走査線１０１ａの各々は、図２に示すように、Ｙ方向に突き出した突出部を含んでいる。これら突出部は、後述する薄膜トランジスタのゲート電極として利用する。
【００１７】
参照配線１０１ｂの各々は、Ｙ方向に突き出した突出部を含んでいる。これら突出部は、後述するキャパシタの電極として利用する。
【００１８】
走査線１０１ａと参照配線１０１ｂとは、同一の工程で形成することができる。また、これらの材料としては、例えば、金属又は合金を使用することができる。
【００１９】
走査線１０１ａと参照配線１０１ｂとは、図３に示す絶縁膜１０２で被覆されている。絶縁膜１０２としては、例えばシリコン酸化膜を使用することができる。
【００２０】
絶縁膜１０２上では、図２及び図３に示す半導体層１０３が上記のゲート電極に対応して配列している。これら半導体層１０３は、それぞれ、ゲート電極と交差している。半導体層１０３は、例えばアモルファスシリコンからなる。
【００２１】
ゲート電極と、半導体層１０３と、絶縁膜１０２のうちゲート電極と半導体層１０３との間に位置した部分、即ちゲート絶縁膜とは、薄膜トランジスタを形成している。これら薄膜トランジスタは、図１及び図２に示すスイッチ１０４ａ及び１０４ｂとして利用する。
【００２２】
なお、本態様では、スイッチ１０４ａ及び１０４ｂは、ｎチャネル薄膜トランジスタである。また、各半導体層１０３上には、図示しないチャネル保護層及びオーミック層を形成している。
【００２３】
スイッチ１０４ａ及び１０４ｂは、ｐチャネル薄膜トランジスタであってもよい。或いは、スイッチ１０４ａ及び１０４ｂは、ダイオードなどの他のスイッチング素子であってもよい。
【００２４】
絶縁膜１０２上には、図３に示すように、信号線１０５ａ及び１０５ｂとソース電極１０５ｃ及び１０５ｄとが更に配置されている。
【００２５】
信号線１０５ａは、図２に示すように、各々がＹ方向に延びており、画素スイッチ１０４ａが形成する列に対応してＸ方向に配列している。信号線１０５ａは、画素スイッチ１０４ａが含む半導体層１０３のドレインを被覆している。即ち、信号線１０５ａの一部は、画素スイッチ１０４ａに接続されたドレイン電極である。
【００２６】
信号線１０５ｂは、図２に示すように、各々がＹ方向に延びており、画素スイッチ１０４ｂが形成する列に対応してＸ方向に配列している。信号線１０５ｂは、画素スイッチ１０４ｂが含む半導体層１０３のドレインを被覆している。即ち、信号線１０５ｂの一部は、画素スイッチ１０４ｂに接続されたドレイン電極である。
【００２７】
ソース電極１０５ｃは、図２に示すように、画素スイッチ１０４ａに対応して配列している。ソース電極１０５ｃは、スイッチ１０４ａのソースを被覆すると共に、参照配線１０１ｂと向き合っている。ソース電極１０５ｃと参照配線１０１ｂとそれらの間に介在した絶縁膜１０２とは、キャパシタ１０６ａを形成している。
【００２８】
ソース電極１０５ｄは、図２に示すように、画素スイッチ１０４ｂに対応して配列している。ソース電極１０５ｄは、スイッチ１０４ｂのソースを被覆すると共に、参照配線１０１ｂと向き合っている。ソース電極１０５ｄと参照配線１０１ｂとそれらの間に介在した絶縁膜１０２とは、キャパシタ１０６ｂを形成している。
【００２９】
絶縁膜１０２上では、図１乃至図３に示す第１画素電極１０８ａが更に配列している。図２及び図３に示すように、これら画素電極１０８ａは、それぞれソース電極１０５ｃを少なくとも部分的に被覆している。画素電極１０８ａの材料としては、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）を使用することができる。
【００３０】
各々の画素電極１０８ａは、開口が設けられていない連続膜である。各画素電極１０８ａには、後述する画素電極１０８ｂと向き合った部分に開口が設けられていてもよい。
【００３１】
画素電極１０８ａは、図３に示す絶縁膜１０９で被覆されている。絶縁膜１０９は、例えば、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜などの透明無機層である。絶縁膜１０９として、透明有機層を使用してもよい。
【００３２】
画素電極１０８ａ及び１０８ｂは、典型的には透明電極である。この液晶表示装置を反射型とする場合には、画素電極１０８ａ及び１０８ｂは、反射電極であってもよい。また、この液晶表示装置を半透過型とする場合には、画素電極１０８ａ及び１０８ｂの各々は、反射部と透過部とを含んでいてもよい。
【００３３】
絶縁膜１０９上では、図２及び図３に示すように、第１画素電極１０８ａに対応して、第２画素電極１０８ｂが配列している。これら画素電極１０８ｂは、画素電極１０８ａから電気的に絶縁されており、それぞれソース電極１０５ｄを少なくとも部分的に被覆している。画素電極１０８ｂの材料としては、例えばＩＴＯを使用することができる。
【００３４】
画素電極１０８ｂは、画素電極１０８ａの一部のみと向き合っている。各画素電極１０８ｂには、各々がＹ方向に延び、Ｘ方向に配列した複数のスリットが設けられている。
【００３５】
絶縁膜１０９及び画素電極１０８ｂは、図３に示す配向膜１１１で被覆されている。配向膜１１１は、その近傍で、液晶分子を、比較的大きなプレチルト角、例えば５°乃至１０°で傾斜配向させる。配向膜１１１は、例えば、アクリル、ポリイミド、ナイロン、ポリアミド、ポリカーボネート、ベンゾシクロブテンポリマー、ポリアクリルニトリル、ポリシランなどからなる有機膜にラビングなどの配向処理を施すことにより得られる。或いは、配向膜１１１は、例えばシリコン酸化物を斜方蒸着することにより得られる。これらの中でも、成膜の容易さや化学的安定性の点では、ポリイミド、ポリアクリルニトリル、及びナイロンが優れている。
【００３６】
配向膜１１１が液晶分子を傾ける方向は任意である。典型的には、配向膜１１１が液晶分子を傾ける方向は、その方向のＸＹ平面への正射影と画素電極１０８ｂの櫛歯の長さ方向とが垂直に又は斜めに交差するように設定する。ここでは、一例として、配向膜１１１として、Ｘ方向に沿ってラビングしたポリイミド膜を使用することとする。
【００３７】
なお、図１に示すスイッチ１０４ａ及び１０４ｂとキャパシタ１０６ａ及び１０６ｂと画素電極１０８ａ及び１０８ｂとは、画素回路を形成している。画素回路は、キャパシタ１０６ａ及び１０６ｂの一方又は双方を含んでいなくてもよい。
【００３８】
対向基板２０は、図３に示す光透過性基板２００を含んでいる。基板２００は、例えば、ガラス基板又はプラスチック基板である。
【００３９】
基板２００上には、図示しないブラックマトリクスと、図３に示すカラーフィルタ層２２０とがこの順に形成されている。
【００４０】
ブラックマトリクスは、画素電極１０８ａに向き合った部分が開口した遮光層である。ブラックマトリクスは、例えば、格子状又はストライプ状のパターン層である。ブラックマトリクスの材料としては、例えば、クロムなどの金属又は合金を使用することができる。
【００４１】
カラーフィルタ層２２０は、赤色着色層２２０Ｒと緑色着色層２２０Ｇと青色着色層２２０Ｂとを含んでいる。着色層２２０Ｒ、２２０Ｇ及び２２０Ｂは、画素回路が形成する列に対応したストライプ配列を形成している。着色層２２０Ｒ、２２０Ｇ及び２２０Ｂは、デルタ配列及び正方配列などの他の配列を形成していてもよい。
【００４２】
カラーフィルタ層２２０上には、図１及び図３に示す対向電極２０８が形成されている。対向電極２０８は、画素電極１０８ａ及び１０８ｂと向き合った共通電極である。対向電極２０８の材料としては、例えばＩＴＯを使用することができる。
【００４３】
対向電極２０８は、図３に示す配向膜２１１で被覆されている。配向膜２１１としては、配向膜１１１と同様の膜を使用することができる。この例では、配向膜２１１として、配向膜１１１と同じ向きにラビングしたポリイミド膜を使用することとする。
【００４４】
アレイ基板１０と対向基板２０とは、図３に示すように、それらの配向膜１１１及び２１１同士が向き合うように配置されている。アレイ基板１０と対向基板２０との間には、枠状のシール層（図示せず）が介在している。シール層は、アレイ基板１０と対向基板２０とを互いに貼り合せている。シール層の材料としては、接着剤を使用することができる。
【００４５】
アレイ基板１０と対向基板２０との間であってシール層が形成する枠の外側には、図示しないトランスファ電極が配置されている。トランスファ電極は、対向電極２０８をアレイ基板１０に接続している。
【００４６】
アレイ基板１０と対向基板２０との間には粒状スペーサが介在しているか、或いは、アレイ基板１０及び／又は対向基板２０は柱状スペーサを更に含んでいる。これらスペーサは、アレイ基板１０と対向基板２０との間であって画素電極１０８ａに対応した位置に、厚さがほぼ一定の隙間を形成している。
【００４７】
アレイ基板１０と対向基板２０と接着剤層とに囲まれた空間は、液晶材料で満たされている。この液晶材料は、図３に示す液晶層３０を形成している。この液晶材料としては、例えば、誘電率異方性が正のネマチック液晶材料を使用することができる。
【００４８】
画素電極１０８ａ及び１０８ｂと対向電極２０８と配向膜１１１及び２１１と液晶層３０とは、液晶素子を形成している。図１に示す各画素ＰＸは、この液晶素子とスイッチ１０４ａ及び１０４ｂとキャパシタ１０６ａ及び１０６ｂとを含んでいる。同一の画素ＰＸに接続された信号線１０５ａ及び１０５ｂは、信号線群を構成している。また、アレイ基板１０と対向基板２０とそれらの間に介在した液晶層３０及びシール層とは、液晶セルを形成している。
【００４９】
図３に示す光学補償フィルム４０は、例えば、二軸性フィルムである。この光学補償フィルム４０としては、屈折率異方性が負の一軸性化合物、例えばディスコティック液晶化合物をその光学軸がＸ方向に垂直な面内で変化するようにベンド配向させた光学異方性層を含んでいるものを使用することができる。
【００５０】
各光学補償フィルム４０のリターデイションは、例えば、液晶層３０のＯＮ状態におけるリターデイションの約半分とする。この場合、これら光学補償フィルム４０は、例えば、ＯＮ状態における液晶層３０と光学補償フィルム４０との積層体のリターデイションがほぼゼロとなるように配置する。
【００５１】
図３に示す偏光板５０は、例えば、それらの透過軸が互いに略直交するように配置する。また、各偏光板５０は、例えば、その透過軸がＸ方向及びＹ方向に対して４５°の角度を為すように設置する。
【００５２】
走査線駆動回路２には、図１に示すように、走査線１０１ａに接続されている。走査線駆動回路２は、走査線１０１ａに、スイッチ１０４ａ及び１０４ｂを閉じる第１走査電圧を順次供給する。走査線駆動回路２は、第１走査電圧を供給していない走査線１０１ａには、スイッチ１０４ａ及び１０４ｂを開く第２走査電圧を供給する。
【００５３】
信号線駆動回路３には、図１に示すように、信号線１０５ａ及び１０５ｂが接続されている。信号線駆動回路３は、信号線１０５ａ及び１０５ｂに第１及び第２信号電圧をそれぞれ供給する。具体的には、信号線駆動回路３は、信号線１０５ａには、第１信号電圧として、第１リセット信号と第１予備書込信号と第１映像信号とを供給する。そして、信号線駆動回路３は、信号線１０５ｂには、第２信号電圧として、第２リセット信号と第２予備書込信号と第２映像信号とを供給する。
【００５４】
参照配線駆動回路４には、図１に示すように、参照配線１０１ｂが接続されている。参照配線駆動回路４は、信号線駆動回路３が信号線１０５ａ及び１０５ｂにそれぞれ出力する第１及び第２映像信号の極性を正から負へと反転させる場合、例えば、それら映像信号を書き込むべき画素ＰＸへのリセット信号の供給開始時に、それら映像信号を書き込むべき画素ＰＸが接続された参照配線１０１ｂの電位を第１電位から第２電位へと変化させる。そして、信号線駆動回路３が信号線１０５ａ及び１０５ｂにそれぞれ出力する第１及び第２映像信号の極性を負から正へと反転させる場合、例えば、それら映像信号を書き込むべき画素ＰＸへのリセット信号の供給開始時に、それら映像信号を書き込むべき画素ＰＸが接続された参照配線１０１ｂの電位を第２電位から第１電位へと変化させる。なお、ここで、「極性」は、映像信号の電位と対向電極２０８の電位との差の極性を意味している。
【００５５】
駆動回路２乃至４の何れかは、対向電極２０８に接続された電圧源を含んでいる。この電圧源は、対向電極２０８の電位を制御する電圧源を含んでいる。例えば、この電圧源は、対向電極２０８の電位を一定に維持する。或いは、この電圧源は、対向電極２０８の電位を第１定電位と第２定電位との間で周期的に変化させる。後者の場合、対向電極２０８の電位を第１定電位から第２定電位へと変化させるときに、及び、対向電極２０８の電位を第２定電位から第１定電位へと変化させるときに、信号線駆動回路３が出力する第１及び第２信号電圧の極性を反転させる。
【００５６】
駆動回路２乃至４は、ＣＯＧ（chip on glass）実装してもよい。或いは、駆動回路２乃至４は、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００５７】
コントローラ５は、図１に示すように、駆動回路２乃至４に接続されている。コントローラ５は、例えば、以下に説明する方法に従って駆動回路２乃至４の動作を制御する。
【００５８】
図４は、図１に示す液晶表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。図４において、横軸は時間を示し、縦軸は電圧又は電位を示している。また、「Ｖscan１」及び「Ｖscan２」は、第１及び第２走査電圧をそれぞれ示している。「走査電圧Ｖscan（ｍ）」は、走査線駆動回路２がｍ行目の走査線１０１ａに出力する走査電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig１」は、信号線駆動回路３が或る画素ＰＸに接続された信号線１０５ａに出力する信号電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig２」は、信号線駆動回路３が先の画素ＰＸに接続された信号線１０５ｂに出力する信号電圧の波形を示している。
【００５９】
図４に示す駆動方法では、各フレームを３つ以上のフィールドで構成している。各フィールド期間では、順次走査を行う。信号線駆動回路３は、全ての信号線群に信号電圧を同時に供給する。また、この駆動方法では、対向電極２０８の電位Ｖcomは一定とする。
【００６０】
各フレーム期間の最初のフィールド期間においては、リセット動作を実行する。具体的には、各フレーム期間の最初のフィールド期間において、信号線駆動回路３は、コントローラ５による制御のもと、信号線１０５ａ及び１０５ｂに第１リセット信号Ｖrst１及び第２リセット信号Ｖrst２をそれぞれ供給する。これにより、各画素ＰＸにおいて、画素電極１０８ａと対向電極２０８との間の第１電圧Ｖ１を第１リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomに設定し、画素電極１０８ｂと対向電極２０８との間の第２電圧Ｖ２を第２リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomに設定する。
【００６１】
リセット信号Ｖrst１及びＶrst２は、例えば、電位がほぼ等しい。リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomは、例えば、液晶材料の配向構造をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる初期転移後に画素電極１０８ａと対向電極２０８との間に印加する電圧の最大値と絶対値がほぼ等しいかそれよりも大きい。リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomは、例えば、液晶材料の配向構造をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる初期転移後に画素電極１０８ｂと対向電極２０８との間に印加する電圧の最大値と絶対値がほぼ等しいかそれよりも大きい。リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomの絶対値は、例えば、３乃至８Ｖの範囲内とする。リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomの絶対値は、例えば、３乃至７Ｖの範囲内とする。
【００６２】
リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomは、絶縁膜１０９に起因した電圧降下を考慮して、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomと比較して絶対値がより大きくてもよい。即ち、液晶層３０のうち、画素電極１０８ａのうち画素電極１０８ｂと向き合っていない部分に対応した領域と、画素電極１０８ｂに対応した領域とに同じ大きさ電圧が印加されるように、リセット電圧Ｖrst１−Ｖcom及びＶrst２−Ｖcomを設定してもよい。こうすると、それら領域に対応した部分の透過率が相違することに起因したコントラスト比の低下を防止できる。
【００６３】
各フレーム期間の第２番目のフィールド期間においては、走査線駆動回路２が１つの走査線１０１ａに第１走査電圧を供給している各選択期間内に予備書込動作と書込動作とをこの順に実行する。
【００６４】
具体的には、各選択期間において、信号線駆動回路３は、まず、コントローラ５による制御のもと、信号線１０５ａ及び１０５ｂに第１予備書込信号Ｖprw１及び第２予備書込信号Ｖprw２をそれぞれ供給する。これにより、各画素ＰＸにおいて、画素電極１０８ａ及び１０８ｂ間の第３電圧Ｖ３を予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２に設定する。
【００６５】
予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２は、リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomとリセット電圧Ｖrst２−Ｖcomとの差Ｖrst１−Ｖrst２と比較して絶対値がより大きい。予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２の絶対値は、例えば、２乃至９Ｖの範囲内とする。或いは、予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２の絶対値は、例えば、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomの絶対値の６０乃至１８０％の範囲内とする。
【００６６】
電圧Ｖ３を予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２に設定した画素ＰＸでは、典型的には、電圧Ｖ１はリセット電圧Ｖrst１−Ｖcomと比較して絶対値がより小さく、電圧Ｖ２はリセット電圧Ｖrst２−Ｖcomと比較して絶対値がより小さい。電圧Ｖ１の絶対値は、例えば、リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomの絶対値の９０％以下とする。電圧Ｖ２の絶対値は、例えば、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomの絶対値の９０％以下とする。
【００６７】
次に、信号線駆動回路３は、コントローラ５による制御のもと、信号線１０５ａ及び１０５ｂに第１映像信号Ｖvideo１及び第２映像信号Ｖvideo２をそれぞれ供給する。これにより、電圧Ｖ１を第１映像信号電圧Ｖvideo１−Ｖcomに設定し、電圧Ｖ２を第２映像信号電圧Ｖvideo２−Ｖcomに設定する。なお、図４において、「Ｖvideo（ｍ）１」及び「Ｖvideo（ｍ）２」は、ｍ行目の画素ＰＸに書き込むべき映像信号Ｖvideo１及び映像信号Ｖvideo２をそれぞれ表している。
【００６８】
映像信号Ｖvideo１及びＶvideo２の各々は、表示させるべき画像に対応した信号である。例えば、映像信号Ｖvideo１及びＶvideo２の各々は、表示させるべき画像の階調に対応している。映像信号電圧Ｖvideo１−Ｖcomは、リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomと絶対値が等しいかそれよりも小さい。映像信号電圧Ｖvideo２−Ｖcomは、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomと絶対値が等しいかそれよりも小さい。
【００６９】
映像信号電圧Ｖvideo１−Ｖcomは、絶縁膜１０９に起因した電圧降下を考慮して、映像信号電圧Ｖvideo２−Ｖcomと比較して絶対値がより大きくてもよい。即ち、液晶層３０のうち、画素電極１０８ａのうち画素電極１０８ｂと向き合っていない部分に対応した領域と、画素電極１０８ｂに対応した領域とに同じ大きさ電圧が印加されるように、映像信号電圧Ｖvideo１−Ｖcom及びＶvideo２−Ｖcomを設定してもよい。こうすると、それら領域に対応した部分の透過率が相違することに起因したコントラスト比の低下を防止できる。
【００７０】
次いで、ｍ行目の画素ＰＸについて説明したのと同様の方法により、ｍ＋１行目の画素ＰＸへの予備書込動作と書込動作とをこの順に行う。各フレーム期間の第２番目以降のフィールド期間では、このようにして、全ての画素ＰＸに対して予備書込動作と書込動作とを行う。
【００７１】
各フレーム期間の第３番目以降のフィールド期間においては、上記の書込動作を実行する。即ち、各フレーム期間の第３番目以降のフィールド期間は、予備書込動作を省略したこと以外は、第２番目のフィールド期間と同様である。
【００７２】
この駆動方法では、上記の通り、一定の周期でリセット動作を実行する。それゆえ、ベンド配向からスプレイ配向への不所望な転移は生じない。
【００７３】
また、一般に、液晶分子がベンド配向を形成している液晶表示装置は、液晶層に印加する電圧を大きくする場合には応答が比較的速く、液晶層に印加する電圧を小さくする場合には応答が比較的遅い。例えば、液晶層に印加する電圧を最大値からゼロへと変化させたときの応答時間は、液晶層に印加する電圧をゼロから最大値へと変化させたときの応答時間の数倍乃至数十倍である。これは、液晶層に印加する電圧を最大値からゼロへと変化させる場合には電界の作用によって配向状態の変化が生じるのに対し、液晶層に印加する電圧を最大値からゼロへと変化させる場合には弾性力のみによって配向状態の変化が生じるためである。このような理由で、例えば、液晶層に印加する電圧をゼロとする映像信号をリセット動作の直後に画素へ書き込んだ場合、十分な応答速度を達成できない可能性がある。
【００７４】
上記の予備書込動作は、電圧Ｖ３を予備書込電圧Ｖprw１−Ｖprw２に設定することを含んでいる。即ち、予備書込動作は、画素電極１０８ａ及び１０８ｂ間に電圧を印加し、配向膜１１１の近傍に、Ｚ方向に対してほぼ垂直な横電界を生じさせることを含んでいる。この横電界は、配向膜１１１の近傍において、液晶分子をＺ方向に対して速やかに大きく傾ける。それゆえ、予備書込動作に続く書込動作によって書き込むべき映像信号の大きさに拘らず、この書込動作を開始した直後に配向状態の変化を完了させることができる。従って、予備書込動作を行うと、高い応答速度を達成することができる。
【００７５】
この駆動方法では、第３番目以降のフィールド期間の各選択期間において、予備書込動作と書込動作とをこの順に行ってもよい。こうすると、液晶層３０に印加する電圧の絶対値を最大値とする映像信号を画素ＰＸに書き込んだ直後のフィールド期間においても、短い応答時間を達成できる。
【００７６】
各フレームを２つのフィールドで構成してもよい。即ち、上述した第３番目のフィールド期間は省略してもよい。
【００７７】
リセット動作を行うフィールド期間は、各フレームの第１番目のフィールド期間でなくてもよい。例えば、第１番目のフィールド期間で書込動作を行い、第２番目のフィールド期間でリセット動作を行い、第３番目のフィールド期間で予備書込動作と書込動作とを行ってもよい。
【００７８】
リセット動作は、一部のフレーム期間においてのみ行ってもよい。また、リセット動作は、省略してもよい。何れの場合であっても、例えば、液晶層３０に印加する電圧の絶対値を最大値とする映像信号を画素ＰＸに書き込んだ直後のフィールド期間において、短い応答時間を達成できる。
【００７９】
図５は、図１に示す液晶表示装置の駆動方法の他の例を示すタイミングチャートである。図５において、横軸は時間を示し、縦軸は電圧又は電位を示している。また、「Ｖscan１」及び「Ｖscan２」は、第１及び第２走査電圧をそれぞれ示している。「走査電圧Ｖscan（ｍ）」は、走査線駆動回路２がｍ行目の走査線１０１ａに出力する走査電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig１」は、信号線駆動回路３が或る画素ＰＸに接続された信号線１０５ａに出力する信号電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig２」は、信号線駆動回路３が先の画素ＰＸに接続された信号線１０５ｂに出力する信号電圧の波形を示している。
【００８０】
図５に示す駆動方法では、各フレームを１つのフィールドで構成している。そして、各フィールド期間においては、上述したリセット動作と予備書込動作と書込動作とをこの順に実行する。これ以外は、図５に示す駆動方法は、図４を参照しながら説明した駆動方法と同様である。
【００８１】
図５に示す駆動方法は、図４に示す駆動方法と比較して、１つの選択期間内に行う動作の数がより多い。即ち、図５に示す駆動方法を採用した場合、図４に示す駆動方法を採用した場合と比較して、信号線駆動回路３への負荷が大きい。
【００８２】
しかしながら、図５に示す駆動方法は、１つの選択期間内にリセット動作と書込動作との双方を行っているので、画像を表示しない期間が存在しない。そのため、図５に示す駆動方法を採用した場合、図４に示す駆動方法を採用した場合と比較してより高い光の利用効率又はより高いコントラスト比を達成できる。
【００８３】
この駆動方法では、各フレームを１つのフィールドで構成している。その代わりに、各フレームを２つ以上のフィールドで構成してもよい。この場合、各フィールド期間においてリセット動作と予備書込動作とを実行してもよく、一部のフィールド期間においてのみリセット動作と予備書込動作とを実行してもよい。
【００８４】
また、この駆動方法では、リセット動作及び予備書込動作は、一部のフレーム期間においてのみ行ってもよい。
【００８５】
図６は、図１に示す液晶表示装置の駆動方法の更に他の例を示すタイミングチャートである。図６において、横軸は時間を示し、縦軸は電圧又は電位を示している。また、「Ｖscan１」及び「Ｖscan２」は、第１及び第２走査電圧をそれぞれ示している。「走査電圧Ｖscan（ｍ）」は、走査線駆動回路２がｍ行目の走査線１０１ａに出力する走査電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig１」は、信号線駆動回路３が或る画素ＰＸに接続された信号線１０５ａに出力する信号電圧の波形を示している。「信号電圧Ｖsig２」は、信号線駆動回路３が先の画素ＰＸに接続された信号線１０５ｂに出力する信号電圧の波形を示している。
【００８６】
図６に示す駆動方法では、各フレームを３つ以上のフィールドで構成している。各フレーム機関の最初のフィールド期間においては、上述したリセット動作を実行する。各フレーム期間の第２番目のフィールド期間においては、上述した予備書込動作を実行する。そして、各フレーム期間の第３番目以降のフィールド期間においては、上述した書込動作を実行する。これ以外は、図６に示す駆動方法は、図４を参照しながら説明した駆動方法と同様である。
【００８７】
図６に示す駆動方法は、予備書込動作と書込動作とを異なるフィールド期間において実行する。そのため、図６に示す駆動方法は、図４に示す駆動方法と比較して、画像を表示しない期間が１つのフレーム期間に占める割合がより大きい。
【００８８】
しかしながら、図６に示す駆動方法は、図４に示す駆動方法と比較して、１つの選択期間内に行う動作の数がより少ない。即ち、図６に示す駆動方法を採用した場合、図４に示す駆動方法を採用した場合と比較して、信号線駆動回路３への負荷が小さい。
【００８９】
この駆動方法では、リセット動作を行うフィールド期間は、各フレームの第１番目のフィールド期間でなくてもよい。例えば、第１番目のフィールド期間で書込動作を行い、第２番目のフィールド期間でリセット動作を行い、第３番目のフィールド期間で予備書込動作を行い、第４番目のフィールド期間で書込動作を行ってもよい。
【００９０】
また、この駆動方法では、リセット動作及び予備書込動作は、一部のフレーム期間においてのみ行ってもよい。
【００９１】
図４乃至図６を参照しながら説明した駆動方法では、信号線駆動回路３は、全ての信号線群に信号電圧を同時に供給する。その代わりに、信号線駆動回路３は、信号線群に信号電圧を順次供給してもよい。
【００９２】
各フレームが書込動作を行うフィールド期間を２つ以上含んでいる場合、或るフィールド期間において行う書込動作と他のフィールド期間において行う書込動作とは、信号線駆動回路３が出力する信号電圧の波形が同一であってもよく、異なっていてもよい。後者の場合、例えば、時分割階調（time-ratio gray scale）による階調表示が可能である。
【００９３】
対向電極２０８の電位Ｖcomは、第１定電位と第２定電位との間で周期的に変化させてもよい。例えば、１つ以上のフレーム期間に同期して、対向電極２０８の電位Ｖcomを第１定電位と第２定電位との間で変化させてもよい。
【００９４】
次に、本発明の第２態様について説明する。  
図７は、本発明の第２態様に係る液晶表示装置が含んでいる表示パネルを概略的に示す平面図である。
【００９５】
第２態様に係る液晶表示装置は、ＯＣＢモードのアクティブマトリクス型液晶表示装置である。この液晶表示装置は、図７に示すように各画素においてスイッチ１０４ａ及び１０４ｂのゲートが異なる走査線１０１ａに接続されていること以外は、図１乃至図３を参照しながら説明した液晶表示装置とほぼ同様である。なお、図７では、上述したカラーフィルタ層２２０及び参照配線１０１ｂを省略している。
【００９６】
図７に示す構造を採用した表示装置は、例えば、図６を参照しながら説明した方法により駆動することができる。この場合、図１乃至図３を参照しながら説明した液晶表示装置を図６を参照しながら説明した方法により駆動した場合とほぼ同様の表示性能を達成できる。
【００９７】
上記の表示装置において、画素電極１０８ｂは、絶縁膜１０２上に形成してもよい。即ち、画素電極１０８ｂは、絶縁膜１０２上で画素電極１０８ａと隣り合っていてもよい。この場合、例えば、画素電極１０８ａ及び１０８ｂとして櫛形電極を使用し、それらを、画素電極１０８ａの櫛歯部と画素電極１０８ｂの櫛歯部とが交互に配列するように配置してもよい。但し、このような構造を採用した場合、画素電極１０８ａと画素電極１０８ｂとの間で光漏れを生じる可能性がある。
【００９８】
上述した技術は、ＯＣＢモード以外の表示モードの液晶表示装置にも適用できる。例えば、上述した技術は、πセルモードの液晶表示装置にも適用可能である。
【実施例】
【００９９】
以下、本発明の例について説明する。  
＜例１＞
本例では、図１乃至図３を参照しながら説明した液晶表示装置を以下の方法により製造した。
【０１００】
アレイ基板１０を作製するに当たっては、まず、ガラス基板１００上に、走査線１０１ａと参照配線１０１ｂとを形成した。これら配線の材料としては、クロムを使用した。
【０１０１】
次に、これら配線とガラス基板１００とを、シリコン酸化物からなる絶縁膜１０２によって被覆した。この絶縁膜１０２上にアモルファスシリコン層を形成し、これをパターニングすることにより半導体層１０３を得た。その後、各半導体層１０３の一部の上に窒化シリコンからなるチャネル保護層（図示せず）を形成し、半導体層１０３及びチャネル保護層上に図示しないオーミック層を形成した。
【０１０２】
次に、絶縁膜１０２上に、信号線１０５ａと及び１０５ｂとソース電極１０５ｃ及び１０５ｄとを形成した。絶縁膜１０２上には、ＩＴＯからなる画素電極１０８ａを、それらがソース電極１０５を部分的に被覆するように形成した。画素電極１０８ａは、ＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を利用してこれをパターニングすることにより形成した。
【０１０３】
その後、信号線１０５ａと及び１０５ｂとソース電極１０５ｃ及び１０５ｄと画素電極１０８ａ上に、シリコン窒化物からなる絶縁膜１０９を堆積させた。この絶縁膜１０９には、ソース電極１０５ｄに対応した位置にコンタクトホールを設けた。
【０１０４】
次いで、絶縁膜１０９上に、ＩＴＯからなる画素電極１０８ｂを、それらが先のコンタクトホールを埋め込むように形成した。画素電極１０８ｂは、連続膜としてのＩＴＯ層を絶縁膜１０９上に形成し、このＩＴＯ層を、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成した。
【０１０５】
対向基板２０を作製するに当たっては、まず、ガラス基板２００上にクロム膜を形成し、これをパターニングした。これにより、ブラックマトリクスを得た。続いて、その上に、それぞれ赤、緑、青色の顔料を混入した感光性アクリル樹脂を用いて、ストライプ状のカラーフィルタ２２０を形成した。
【０１０６】
次に、カラーフィルタ２２０上に、透明なアクリル樹脂を塗布して、図示しない平坦化層（オーバーコート）を形成した。その後、平坦化層上にＩＴＯをスパッタリングすることにより、対向電極２０８を形成した。更に、対向電極２０８上に、フォトリソグラフィ法を利用して、高さが５μｍであり且つ底面が５μｍ×１０μｍの柱状スペーサ（図示せず）を形成した。これら柱状スペーサは、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せたときに信号線１０５ａ上に位置するように形成した。
【０１０７】
画素電極１０８ｂ及び対向電極２０８を洗浄した後、それらの上に、オフセット印刷によってポリイミド溶液（日産化学製ＳＥ−５２９１）を塗布した。これら塗膜を、ホットプレートを用いて９０℃で１分間加熱し、更に２００℃で３０分間加熱した。このようにして、配向膜１１１及び２１１を形成した。
【０１０８】
次に、配向膜１１１及び２１１に、綿製の布を用いたラビングを施した。これらへのラビングは、配向膜１１１に対するラビングの方向と配向膜２１１に対するラビングの方向とが、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せたときに同じ向きになるように行った。具体的には、配向膜１１１及び２１１は、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合せたときにラビング方向がＸ方向と平行になるようにラビングした。また、各々のラビングには、毛先の直径が０．１μｍ乃至１０μｍの綿製ラビング布を使用し、ラビングローラの回転数を５００ｒｐｍ、基板移動速度を２０ｍｍ／ｓ、押し込み量を０．７ｍｍ、ラビングの回数を１回とした。また、ラビング後、配向膜１１１及び２１１は、中性の界面活性剤を主成分とする水溶液で洗浄した。
【０１０９】
その後、対向基板２０の主面に、シール層の材料であるエポキシ接着剤を、配向膜２１１を取り囲むようにディスペンサを用いて塗布した。なお、接着剤層が形成する枠には、後で注入口として利用する開口を設けた。続いて、アレイ基板１０と対向基板２０とを、配向膜１１１及び２１１が向き合い且つそれらのラビング方向が互いに等しくなるように配置した。位置合わせ後、アレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、更に、加圧状態で１６０℃に加熱することにより接着剤を硬化させた。
【０１１０】
次に、このようにして得られた空セルを真空チャンバ内に搬入し、セル内を真空にした。その後、注入口からセル内へと液晶材料を注入した。液晶材料としては、ネマチック液晶組成物であるメルクジャパン社製Ｅ７を使用した。
【０１１１】
その後、注入口をエポキシ接着剤で封止した。以上のようにして、液晶セルを得た。なお、この液晶セルのセルギャップは、約５μｍであった。
【０１１２】
次に、液晶セルの一方の主面に、光学補償フィルム４０及び偏光板５０をこの順に貼り付けた。そして、液晶セルの他方の主面にも、光学補償フィルム４０及び偏光板５０をこの順に貼り付けた。ここでは、画素電極１０８ｂと対向電極２０８との間に５Ｖの電圧を印加した状態において、液晶層３０のうち画素電極１０８ｂに対応した領域のリターデイションと光学補償フィルム４０のリターデイションとの和がほぼゼロとなる設計を採用した。また、偏光板５０は、それらの透過軸が互いに略直交すると共に、各々の透過軸がＸ方向又はＹ方向に対してほぼ平行になるように配置した。
【０１１３】
その後、アレイ基板１０に駆動回路２乃至４などを接続し、駆動回路２乃至４をコントローラ５と接続した。更に、この表示パネル１とバックライトとを組み合わせた。以上のようにして、ＱＶＧＡ型の液晶表示装置を完成した。
【０１１４】
この液晶表示装置を、図４を参照しながら説明した方法により駆動した。  
具体的には、各フレームを２つのフィールドで構成した。即ち、図４を参照しながら説明した第３番目以降のフィールド期間は省略した。リセット電圧を印加する第１番目のフィールド期間は３．２ミリ秒間とし、第２番目のフィールド期間は１３．５ミリ秒間とした。各フレーム期間の第２番目のフィールド期間では、各選択期間において、信号線１０５ａ及び１０５ｂに予備書込信号Ｖprw１及びＶprw２を５６マイクロ秒間供給した。
【０１１５】
リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomは６Ｖとし、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomは５Ｖとした。予備書込信号Ｖprw１と対向電極２０８の電位Ｖcomとの差は２．５Ｖとし、予備書込信号Ｖprw２と対向電極２０８の電位Ｖcomとの差は−２Ｖとした。そして、映像信号電圧Ｖvideo１−Ｖcom及びＶvideo２−Ｖcomは０Ｖとした。
【０１１６】
この条件のもとで液晶表示装置を駆動したところ、３．５ミリ秒の応答時間を達成できた。また、この条件のもとで液晶表示装置に白色画像と黒色画像とを表示させたところ、１０００：１のコントラスト比を達成できた。
【０１１７】
＜例２＞
本例では、例１で製造した液晶表示装置を、図５を参照しながら説明した方法により駆動した。具体的には、各フレームを１つのフィールドで構成し、各フィールド期間は１６．７ミリ秒間とした。各選択期間において、信号線１０５ａ及び１０５ｂには予備書込信号Ｖprw１及びＶprw２を２３マイクロ秒間供給した。これ以外の条件は、例１と同様とした。
【０１１８】
この条件のもとで液晶表示装置を駆動したところ、４ミリ秒の応答時間を達成できた。また、この条件のもとで液晶表示装置に白色画像と黒色画像とを表示させたところ、１２００：１のコントラスト比を達成できた。
【０１１９】
＜例３＞
本例では、例１で製造した液晶表示装置を、図６を参照しながら説明した方法により駆動した。具体的には、各フレームを３つのフィールドで構成し、リセット電圧を印加する第１番目のフィールド期間は１．５ミリ秒間とし、第２番目のフィールド期間は１．５ミリ秒間とし、第３番目のフィールド期間は１３．７ミリ秒間とした。各フレーム期間の第２番目のフィールド期間では、各選択期間において、信号線１０５ａ及び１０５ｂに予備書込信号Ｖprw１及びＶprw２を１．５ミリ秒間供給した。これ以外の条件は、例１と同様とした。
【０１２０】
この条件のもとで液晶表示装置を駆動したところ、３ミリ秒の応答時間を達成できた。また、この条件のもとで液晶表示装置に白色画像と黒色画像とを表示させたところ、１０００：１のコントラスト比を達成できた。
【０１２１】
＜比較例＞
画素電極１０８ｂを省略し、画素電極１０８ａを絶縁膜１０９と配向膜１１１との間に配置したこと以外は、例１で製造したのと同様の構造を有する液晶表示装置を製造した。そして、この液晶表示装置を、予備書込動作のためのフィールド期間を省略したこと以外は例３で説明したのと同様の方法により駆動した。なお、駆動条件は、リセット電圧Ｖrst１−Ｖcomを５Ｖとし、リセット電圧Ｖrst２−Ｖcomを０Ｖとしたこと以外は、例３と同様とした。
【０１２２】
この条件のもとで液晶表示装置を駆動したところ、応答時間は５．５ミリ秒であった。また、この条件のもとで液晶表示装置に白色画像と黒色画像とを表示させたところ、コントラスト比は８００：１であった。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明の第１態様に係る液晶表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の表示パネルを概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図１に示す液晶表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャート。
【図５】図１に示す液晶表示装置の駆動方法の他の例を示すタイミングチャート。
【図６】図１に示す液晶表示装置の駆動方法の更に他の例を示すタイミングチャート。
【図７】本発明の第２態様に係る液晶表示装置が含んでいる表示パネルを概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【０１２４】
１…表示パネル、２…走査線駆動回路、３…信号線駆動回路、４…参照配線駆動回路、５…コントローラ、１０…アレイ基板、２０…対向基板、３０…液晶層、４０…光学補償フィルム、５０…偏光板、１００…光透過性基板、１０１ａ…走査線、１０１ｂ…参照配線、１０２…絶縁膜、１０３…半導体層、１０４ａ…スイッチ、１０４ｂ…スイッチ、１０５ａ…信号線、１０５ｂ…信号線、１０５ｃ…ソース電極、１０５ｄ…ソース電極、１０６ａ…キャパシタ、１０６ｂ…キャパシタ、１０８ａ…画素電極、１０８ｂ…画素電極、１０９…絶縁膜、１１１…配向膜、２００…光透過性基板、２２０…カラーフィルタ層、２２０Ｂ…着色層、２２０Ｇ…着色層、２２０Ｒ…着色層、２０８…対向電極、２１１…配向膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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