(57)【要約】【課題】透過率およびコントラストの双方を向上可能なワイヤーグリッド型偏光素子、その製造方法、かかるワイヤーグリッド型偏光素子を備えた液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。【解決手段】ワイヤーグリッド型偏光素子１は、石英ガラスや耐熱ガラスなどといった透光性基板１０の一方の基板面１５に複数列の触媒層２１ａが３〜１０ｎｍの膜厚で形成され、かかる触媒層２１ａの上層には遮光格子２５ａが形成されている。遮光格子２５ａは、膜厚が３５〜３５０ｎｍのカーボンナノチューブ層であり、プラズマ化学気相成長法により触媒層２１ａの上層にカーボンナノチューブを選択的に成長させてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子において、
前記基板面には、前記遮光格子に沿って複数列の触媒層が形成され、
当該触媒層の上層には、前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が積層されていることを特徴とするワイヤーグリッド型偏光素子。
【請求項２】
前記触媒層は、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜からなることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド型偏光素子。
【請求項３】
前記触媒層は、膜厚が３〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のワイヤーグリッド型偏光素子。
【請求項４】
前記カーボンナノチューブ層は、膜厚が３５〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子。
【請求項５】
前記遮光格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子。
【請求項６】
透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、
前記基板面に対して、前記複数列の遮光格子の形成予定領域に沿って複数列の触媒層を形成する触媒層形成工程と、
前記触媒層の上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、
を有することを特徴とするワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブ層形成工程では、プラズマ化学気相成長法により前記カーボンナノチューブ層を選択的に成長させることを特徴とする請求項６に記載のワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。
【請求項８】
前記触媒層は、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜からなることを特徴とする請求項６または７に記載のワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。
【請求項９】
前記触媒層は、膜厚が３〜１０ｎｍであり、
前記触媒層形成工程では、前記基板面に対して前記触媒層を構成する金属層を形成した後、該金属層の表面にエッチングマスクを形成し、しかる後に、前記金属層にエッチングして前記触媒層をパターニング形成することを特徴とする請求項６乃至８の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記カーボンナノチューブ層は、膜厚が３５〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項６乃至９の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至５の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子を備えた電気光学装置であって、
素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備えた液晶パネルを有し、
前記液晶パネルの両面のうちの少なくとも一方側に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方に一体に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の電気光学装置をライトバルブとして備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に光を入射させる光源部と、
前記電気光学装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤーグリッド型偏光素子、その製造方法、電気光学装置および投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤーグリッド型偏光素子は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性基板１０Ａの基板面に複数列の金属格子２０Ａを遮光格子として備えており、金属格子２０Ａのピッチ（周期）が入射光の波長より短ければ、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子２０Ａの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。
【０００３】
かかるワイヤーグリッド型偏光素子１Ａは、従来、透光性基板１０Ａの基板面に数１００ｎｍの金属膜を形成した後、金属膜の表面に、金属格子２０Ａを形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成し、この状態で、金属膜をパターニングすることにより、製造される。
【０００４】
また、エッチングマスクを形成するにあたっては、金属膜の表面に樹脂を塗布した後、型部材に形成した凹凸パターンを転写して、金属格子２０Ａを形成すべき領域に溝状開口部を備えたレジストマスクを得る方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−８４７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ワイヤーグリッド型偏光素子１Ａでは、金属格子２０Ａは入射光の一部を反射するため、金属格子２０Ａのピッチが入射光の波長より短い場合でも、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分を１００％透過することができない。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子１Ａの性能は、「透過率（Transmittance）」および「コントラスト（Contrast）」で表される。「透過率」は、金属格子２０Ａの長手方向に対し垂直な方向に振動する偏光成分の透過率であり、「コントラスト」は、金属格子２０Ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子２０Ａの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値である。
【０００６】
ここで、「コントラスト」を高めるには、金属格子２０Ａのピッチが入射光の波長に比べてかなり短くなければならず、「透過率」を高めるには、金属格子２０Ａの幅寸法を狭くし、かつ、金属格子２０Ａの幅寸法と厚さ寸法とが所定の条件を満たす必要がある。
【０００７】
しかしながら、従来のように、数１００ｎｍといった厚い金属膜に対するエッチングにより金属格子２０Ａを形成する方法では、金属格子２０Ａの幅寸法や厚さ寸法が金属膜に対するエッチング精度の影響を受ける。このため、例えば、金属格子２０Ａのピッチを１４０ｎｍ程度とするのが限界であるなどの制約があるため、「透過率」および「コントラスト」については、図１２に示す性能を得るのが限界であり、「透過率」は、可視光帯域内で大きな差があるなどの問題点がある。
【０００８】
このため、従来のワイヤーグリッド型偏光素子１Ａを用いた液晶装置を投射型表示装置において赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光に対するライトバルブとして用いた場合、赤色（Ｒ）の光については光量が低下するなどの問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、「透過率」および「コントラスト」の双方を向上可能なワイヤーグリッド型偏光素子、その製造方法、かかるワイヤーグリッド型偏光素子を備えた電気光学装置、およびかかる電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子において、前記基板面には、前記遮光格子に沿って複数列の触媒層が形成され、当該触媒層の上層には、前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が積層されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明では、透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記基板面に対して、前記複数列の遮光格子の形成予定領域に沿って複数列の触媒層を形成する触媒層形成工程と、前記触媒層の上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明において、前記カーボンナノチューブ層形成工程では、プラズマ化学気相成長法により前記カーボンナノチューブ層を選択的に成長させることが好ましい。
【００１３】
本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の触媒層が形成され、かかる触媒層の上層に、遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が選択的に形成された構成になっているため、遮光格子の幅寸法およびピッチは、触媒層の幅寸法およびピッチにより規定される。ここで、触媒層は、カーボンナノチューブを選択成長させればよく、薄くてよいので、エッチングによりパターニング形成した場合でも、精度よくパターニングすることができる。それ故、触媒層の幅寸法を７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍまで小さくでき、触媒層のピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。従って、遮光格子の幅寸法も７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍまで小さくでき、遮光格子のピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。また、遮光格子が光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しないという利点もある。
【００１４】
本発明において、前記触媒層は、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）などの第１遷移金属（３ｄ遷移元素）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）などの第２遷移金属（４ｄ遷移元素）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）などの第３遷移金属（４ｆ遷移元素）を用いることができ、特に、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜からなることが好ましい。特に、鉄、コバルト、ニッケルを触媒層として用いる場合、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。
【００１５】
本発明において、前記触媒層は、膜厚が３〜１０ｎｍである構成を採用することができる。かかる触媒層を形成するには、前記触媒層形成工程において、前記基板面に対して前記触媒層を構成する金属層を形成した後、該金属層の表面にエッチングマスクを形成し、しかる後に、前記金属層にエッチングして前記触媒層をパターニング形成する。
【００１６】
本発明において、前記カーボンナノチューブ層は、膜厚が３５〜３５０ｎｍである構成を採用することができる。
【００１７】
本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子では、前記遮光格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上であるという特性を達成することができる。
【００１８】
本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子は、電気光学装置などに用いることができる。かかる電気光学装置は、素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備えた液晶パネルを有しており、前記液晶パネルを挟む両面のうちの少なくとも一方に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が配置された構成を有している。
【００１９】
この場合、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方に一体に形成されていることが好ましい。
【００２０】
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部として用いることができるとともに、投射型表示装置においてライトバルブとして用いることができ、投射型表示装置は、前記電気光学装置に光を入射させる光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、を有している。本発明では、３つの電気光学装置を各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応するライトバルブとして用いた投射型表示装置に用いた構成を採用できる他、光源部から出射された光を、カラーフィルタを内蔵の液晶装置で光変調して投射光学系により拡大投射する構成を採用することもできる。これらいずれの投射型表示装置の場合でも、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子を用いれば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、以下の説明においては、図７を参照して説明した構成との対比が分りやすいように、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００２２】
［本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子］
（ワイヤーグリッド型偏光素子の構造）
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、平面図、および本発明を適用した別のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）において、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１は、石英ガラスや耐熱ガラスなどといった透光性基板１０の一方の基板面１５に複数列の遮光格子２５ａを備えている。本形態では、基板面１５には、遮光格子２５ａに沿って複数列の触媒層２１ａが形成され、かかる触媒層２１ａの上層に、遮光格子２５ａを構成するカーボンナノチューブ層が積層されている。なお、図１（ｃ）に示すように、遮光格子２５ａの上層側、および遮光格子２５ａの間を埋めるように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光性の保護膜２８が形成される場合があり、かかる構成によれば、遮光格子２５ａが形成されている領域、および遮光格子２５ａが形成されていない領域の双方が連続した平滑面を構成している。
【００２４】
本形態において、触媒層２１ａとしては、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）などの第１遷移金属（３ｄ遷移元素）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）などの第２遷移金属（４ｄ遷移元素）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、ハフニウム（Ｈｆ）などの第３遷移金属（４ｆ遷移元素）を用いることができ、特に、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜が好適に用いられる。ここで、鉄、コバルト、ニッケルを触媒層２１ａとして用いる場合には、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。
【００２５】
本形態において、触媒層２１ａは、膜厚が３〜１０ｎｍであり、遮光格子２５ａの膜厚は３５〜３５０ｎｍである。ここで、遮光格子２５ａおよび触媒層２１ａを含めた遮光パターンの厚さ寸法、幅寸法、間隔は概ね、１：１：１に設定されている。本形態において、遮光格子２５ａおよび触媒層２１ａの幅寸法および間隔がいずれも３５ｎｍであり、遮光格子２５ａおよび触媒層２１ａのピッチは７０ｎｍである。
【００２６】
このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子１では、遮光格子２５ａのピッチ（周期）は入射光の波長より短い場合、遮光格子２５ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分（例えば、Ｐ偏光成分）については透過する一方、遮光格子２５ａの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分（例えば、Ｓ偏光成分）については反射する。
【００２７】
（ワイヤーグリッド型偏光素子１の製造方法）
以下、図２および図３を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１の製造方法を説明しながら、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１の構成を詳述する。図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１の製造方法を示す工程断面図である。図３は、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１の製造工程のうち、遮光格子２５ａを構成するカーボンナノチューブを選択成長させるためのプラズマ化学気相堆積装置の構成を模式的に示す説明図である。
【００２８】
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１を製造するには、図２（ａ）に示すように、両面が平滑な透光性基板１０を準備した後、図２（ｂ）〜（ｇ）を参照して説明する触媒層形成工程を行なう。
【００２９】
かかる触媒層形成工程では、まず、図２（ｂ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５に、スパッタ法あるいは真空蒸着法などの方法により、鉄、コバルト、ニッケル、チタンなどとった金属膜２１を３〜１０ｎｍの厚さに形成する。ここで、金属膜２１として鉄、コバルト、ニッケルを用いる場合には、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。
【００３０】
次に、金属膜２１の表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。それには、図２（ｃ）に示すように、金属膜２１の表面に感光性樹脂６０を塗布した後、図２（ｄ）に示すように、露光マスク６４を介して感光性樹脂６０を露光させる。次に、感光性樹脂６０を現像し、しかる後に、ベーク処理を行なって、図２（ｅ）に示すように、金属膜２１を除去すべき領域に溝状開口部６２を備えたエッチングマスク６１（レジストマスク）を形成する。ここで、溝状開口部６２の開口幅寸法は３５ｎｍであり、溝状開口部６２の間に位置する部分の間隔は３５ｎｍであるため、溝状開口部６２のピッチは７０ｎｍである。なお、図２（ｅ）では、露光マスク６４を介してポジ型の感光性樹脂６０に紫外光を照射してエッチングマスク６１を形成したが、紫外光としては極端紫外光を用いてもよく、紫外光に代えて、電子線やＸ線などによって感光性樹脂を露光してもよく、この場合、露光マスク６１を用いずに直接描画を行なってもよい。
【００３１】
次に、図２（ｆ）に示すように、金属膜２１の表面にエッチングマスク６１を形成した状態のままで、透光性基板１０の基板面１５にエッチングを行い、金属膜２１を複数列の触媒層２１ａにパターニングする。かかるエッチングとしては、ドライエッチングあるいはウエットエッチングのいずれを用いてもよい。
【００３２】
次に、図２（ｇ）に示すように、触媒層２１ａの表面にからエッチングマスク６１を除去した後、図２（ｈ）に示すように、触媒層２１ａの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて遮光格子２５ａを構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程を行なう。
【００３３】
かかるカーボンナノチューブ層形成工程では、図３に示すプラズマ化学気相堆積装置９０などを用い、プラズマ化学気相成長法により遮光格子２５ａ（カーボンナノチューブ層）を選択的に成長させる。
【００３４】
図３に例示するプラズマ化学気相堆積装置９０は、電界印加型プラズマＣＶＤ装置であり、チャンバ９１内には、電極９２、９３が配置され、電極９２上に透光性基板１０が載置される。チャンバ９１には、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、あるいはそれらの混合ガスなどからなる炭素供給ガス、および水素ガスを導入する反応ガス導入路９７、排気用真空ポンプ９４、マイクロ波プラズマ発生装置９６が接続されており、電極９２、９３にはＤＣ電源９５が接続されている。このようなプラズマ化学気相堆積装置９０において、チャンバ９１内に、例えばメタンガスと、水素ガスとを導入するとともに、プラズマを発生させて、プラズマ化学気相堆積法によりカーボンナノチューブを成膜する。その際、例えば、基板温度を４５０℃以上、圧力を数１０〜１００Ｐａ、基板への印加電圧を数１０Ｖ以上に設定し、触媒層２１ａの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させ、遮光格子２５ａを形成する。その結果、図１を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１を得ることができる。
【００３５】
なお、図１（ｃ）に示すように、保護膜２８を形成する場合には、遮光格子２５ａを覆うようにシリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光膜を形成した後、透光膜の表面に研磨工程を行なえばよい。研磨工程として化学機械研磨を利用でき、かかる化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板１０を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板１０との間に供給する。
【００３６】
（ワイヤーグリッド型偏光素子１の別の製造方法）
図４を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１の別の製造方法を説明する。図４（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１の別の製造方法を示す工程断面図である。
【００３７】
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１を製造するには、図４（ａ）に示すように、両面が平滑な透光性基板１０を準備した後、図４（ｂ）〜（ｇ）を参照して説明する触媒層形成工程を行なう。
【００３８】
かかる触媒層形成工程では、まず、図４（ｂ）に示すように、透光性基板１０の基板面１５に、スパッタ法あるいは真空蒸着法などの方法により、鉄、コバルト、ニッケル、チタンなどとった金属膜２１を３〜１０ｎｍの厚さに形成する。
【００３９】
次に、金属膜２１の表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。それには、図４（ｃ）に示すように、金属膜２１の表面にマスク材料層６５としての感光性樹脂層を塗布した後、図４（ｃ）に示すように、ナノプリント用の型部材７０において突起７１を備えた成形面をマスク材料層６５に押し付けて突起７１の形成パターンをマスク材料層６５に転写する。その間、透光性基板１０の側からマスク材料層６５に紫外光を照射してマスク材料層６５を硬化させる。次に、型部材７０を透光性基板１０の側から引き離す。その結果、図４（ｄ）、（ｅ）に示すように、金属膜２１の表面には、突部７１に押圧されて薄くなった溝状開口部６７を備えたエッチングマスク６６が形成される。ここで、型部材７０の突起７１およびエッチングマスク６６の溝状開口部６７はいずれも、金属膜２１を除去すべき領域に相当する。ここで、溝状開口部６７の開口幅寸法は３５ｎｍであり、溝状開口部６７の間に位置する部分の間隔は３５ｎｍであるため、溝状開口部６７のピッチは７０ｎｍである。このような方法によれば、エッチングマスク６６を形成する際、露光、現像などといった多大な手間や高価な装置が必要な工程を必要としないという利点がある。なお、マスク材料層６５として熱硬化性樹脂層を形成した場合には、マスク材料層６５に型部材７０を押し付けている間に加熱し、マスク材料層６５を硬化させる。
【００４０】
次に、金属膜２１の表面にエッチングマスク６６を形成した状態のままで、金属膜２１にエッチングを行う。かかるエッチングとしてはドライエッチングを行なう。その結果、エッチングマスク６６がエッチングされていくうちに、エッチングマスク６６の溝状開口部６７に相当する部分では金属膜２１がエッチングされ、図４（ｆ）に示すように、複数列の触媒層２１ａが形成される。
【００４１】
次に、図４（ｇ）に示すように、触媒層２１ａの表面にからエッチングマスク６１を除去した後、図４（ｈ）に示すように、触媒層２１ａの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて遮光格子２５ａを構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程を行なう。
【００４２】
かかるカーボンナノチューブ層形成工程では、図３に示すプラズマ化学気相堆積装置などを用い、プラズマ化学気相成長法により遮光格子２５ａ（カーボンナノチューブ層）を選択的に成長させる。
【００４３】
かかる製造方法Ｗ採用した場合も、図１（ｃ）に示すように、保護膜２８を形成する場合には、遮光格子２５ａを覆うようにシリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光膜を形成した後、透光膜の表面に研磨工程を行なえばよい。
【００４４】
（本形態の主な効果）
図５は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【００４５】
以上説明したように、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子１では、透光性基板１０の基板面１５に複数列の触媒層２１ａが形成され、かかる触媒層２１ａの上層に、遮光格子２５ａを構成するカーボンナノチューブ層が選択的に形成された構成になっているため、遮光格子２５ａの幅寸法およびピッチは、触媒層２１ａの幅寸法およびピッチにより規定される。ここで、触媒層２１ａは、カーボンナノチューブを選択成長させればよく、薄くてよいので、エッチングによりパターニング形成した場合でも、精度よくパターニングすることができる。それ故、触媒層２１ａの幅寸法を７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍまで小さくでき、触媒層２１ａのピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。従って、遮光格子２５ａの幅寸法も７０ｎｍ未満、例えば、３５ｎｍまで小さくでき、遮光格子２５ａのピッチを１４０ｎｍ未満、例えば、７０ｎｍにまで小さくすることができる。また、触媒層２１ａおよび遮光格子２５ａを合わせた厚さ寸法と幅寸法の比を概ね１：１に設定することもできる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子１の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。
【００４６】
それ故、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１は、図５に示すような透過率特性、およびコントラスト特性を備えており、遮光格子２５ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の「透過率」が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって８０％以上である。また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１は、遮光格子２５ａの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、遮光格子２５ａの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値（コントラスト）が、４６０ｎｍから７８０ｎｍの波長帯域の全域にわたって１７００００以上である。
【００４７】
よって、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１を用いて液晶装置を構成し、かかる液晶装置を、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器のカラー表示部として用いる場合や、後述するカラー表示用の投射型表示装置のライトバルブに用いると、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
【００４８】
また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子１では、遮光格子２５ａが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しないという利点もある。
【００４９】
［他のワイヤーグリッド型偏光素子］
図１を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１では、その両面に反射防止層を形成してもよく、かかる反射防止層は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とを例えば５層、積層することにより実現することができる。このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子１は、優れた透過率特性を備えている。
【００５０】
［投射型表示装置への適用例１］
（投射型表示装置の構成）
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第１例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
【００５１】
図６（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１（被投射面）に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する投影型の液晶プロジェクタである。投射型表示装置１１０は、光源１１２およびダイクロイックミラー１１３、１１４などを備えた光源部１５０と、後述する液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（色合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００５２】
液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は各々、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を備えている。かかる液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）としては周知のものを用いるため、詳細な説明を省略するが、画素電極や画素スイチング素子が形成された素子基板７１と、共通電極が形成された対向基板７２とが所定の隙間を介してシール材７９によって貼り合わされ、素子基板７１と対向基板７２との間においてシール材７９で囲まれた領域内に液晶７０が保持されている。
【００５３】
光源部１５０において、光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００５４】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００５５】
液晶ライトバルブ１００（Ｒ）は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（電気光学装置）であり、λ／２位相差板１０２（Ｒ）、入射側偏光板１０８（Ｒ）、液晶パネル１０１（Ｒ）および出射側偏光板１０５（Ｒ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｒ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｒ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｒ）が各々貼り付けられている。なお、防塵ガラスは投射画像に対する塵などの写り込みを防止する。
【００５６】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｒ）に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。λ／２位相差板１０２（Ｒ）は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。入射側偏光板１０８（Ｒ）は、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させて液晶パネル１０１（Ｒ）に入射させ、液晶パネル１０１（Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する。出射側偏光板１０５（Ｒ）は、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００５７】
液晶ライトバルブ１００（Ｇ）は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（電気光学装置）であり、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）と同様に、入射側偏光板１０８（Ｇ）、液晶パネル１０１（Ｇ）および出射側偏光板１０５（Ｇ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｇ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｇ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｇ）が各々貼り付けられている。
【００５８】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｇ）に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。入射側偏光板１０８（Ｇ）は、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させて液晶パネル１０１（Ｇ）に入射させ、液晶パネル１０１（Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。出射側偏光板１０５（Ｇ）は、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｇ）は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００５９】
液晶ライトバルブ１００（Ｂ）は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置（電気光学装置）であり、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）と同様に、λ／２位相差板１０２（Ｂ）、入射側偏光板１０８（Ｂ）、液晶パネル１０１（Ｂ）および出射側偏光板１０５（Ｂ）を備えている。また、液晶パネル１０１（Ｂ）の両面には、入射側防塵ガラス１０３（Ｂ）および出射側防塵ガラス１０４（Ｂ）が各々貼り付けられている。
【００６０】
かかる液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。λ／２位相差板１０２（Ｂ）は、液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。入射側偏光板１０８（Ｂ）は、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させて液晶パネル１０１（Ｂ）に入射させ、液晶パネル１０１（Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する。出射側偏光板１０５（Ｂ）は、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１００（Ｂ）は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００６１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１００（Ｂ）に向けて反射するように配置されている。
【００６２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００６３】
なお、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｂ）からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１００（Ｇ）からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００６４】
（投射型表示装置へのワイヤーグリッド型偏光素子１の適用）
このように構成した投射型表示装置１１０において、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として用いることができる。
【００６５】
また、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、遮光格子２５ａが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しない。それ故、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として用いることができ、この場合でも、出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）で反射した光が液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に迷光として入射することがない。また、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、および出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として用いることができる。
【００６６】
［投射型表示装置への適用例２］
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第２例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図７（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０は、基本的な構成が、図６を参照して説明した投射型表示装置１１０と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６７】
図６（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０に用いた液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の両側に、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）とは別に、入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、および出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が配置されていたが、図７（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０において、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の対向基板７２と一体に形成され、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として機能する。このため、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の光入射側から入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を省略することができるので、部品点数の削減を図ることができる。かかる構成は、図１に示す透光性基板１０を基材にして対向基板７２を構成することにより実現することができる。
【００６８】
［投射型表示装置への適用例３］
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第３例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図８（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０は、基本的な構成が、図６を参照して説明した投射型表示装置１１０と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６９】
図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、遮光格子２５ａが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しない。それ故、図７（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０において、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の素子基板７１と一体に形成され、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した出射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として機能する。このため、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の光出射側から出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を省略することができるので、部品点数の削減を図ることができる。かかる構成は、図１に示す透光性基板１０を基材にして素子基板７１を構成することにより実現することができる。
【００７０】
［投射型表示装置への適用例４］
図９（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第４例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図９（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０は、基本的な構成が、図６を参照して説明した投射型表示装置１１０と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７１】
図９（ａ）、（ｂ）に示す投射型表示装置１１０において、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の対向基板７２と一体に形成され、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として機能する。このため、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の光入射側から入射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を省略することができる。また、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１は、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の素子基板７１と一体に形成され、図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明した出射側偏光板１０８（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として機能する。このため、液晶ライトバルブ１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）では、液晶パネル１０１（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の光出射側から出射側偏光板１０５（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を省略することができる。
【００７２】
［ライトバルブ１枚タイプの投射型表示装置］
図１０は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００７３】
図１０に示す投射型表示装置２１０では、１枚の液晶装置１００（電気光学装置）でカラー画像をスクリーン２１１に投射表示する。すなわち、プロジェクタ２１０は、白色光源２１２、インテグレータ２２１および偏光変換素子２２２を備えた光源部２４０と、液晶装置１００１と、投射光学系２１８とを備えている。なお、液晶装置１００では、カラーフィルタ内蔵の液晶パネル１００ａの両側に第１偏光板２１６ａおよび第２偏光板２１６ｂが配置されている。
【００７４】
このように構成したプロジェクタ１１０において、第１偏光板２１６ａおよび第２偏光板１１６ｂとして、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１を用いると、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
【００７５】
また、かかる構成の投射型表示装置２１０でも、図１〜図５を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子１を液晶パネル１００ａの素子基板または／および対向基板と一体に形成すれば、部品点数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、平面図、および本発明を適用した別のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の製造工程のうち、遮光格子を構成するカーボンナノチューブを選択成長させるためのプラズマ化学気相堆積装置の構成を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の別の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第１例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第２例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第３例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第４例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
【図１０】本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置（電気光学装置）をライトバルブとして用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、従来のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、および平面図である。
【図１２】従来のワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７７】
１・・ワイヤーグリッド型偏光素子、１０・・透光性基板、１５・・基板面、２１ａ・・触媒層、２５ａ・・遮光格子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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