(57)【要約】【課題】磁気ヘッドのスキュー角が変動することによって生じるサイドイレーズを抑え、高密度記録を可能にするライト磁極を備えた磁気ヘッドおよびその好適な製造方法を提供する。【解決手段】ライトギャップ１２を挟んで積層された下部磁極１４と上部磁極１６とを有するライト磁極２０を備え、前記下部磁極１４のABS面のライトギャップ１２との界面における幅寸法が、前記上部磁極１６のライトギャップ１２の界面における幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009283077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトギャップを挟んで積層された下部磁極と上部磁極とを有するライト磁極を備え、
前記下部磁極のABS面のライトギャップとの界面における幅寸法が、前記上部磁極のライトギャップの界面における幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記上部磁極のABS面における端面形状、および前記下部磁極のABS面における端面形状が矩形に形成され、前記下部磁極の幅寸法が、前記上部磁極の幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部磁極は、前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成され、
前記上部磁極は、前記下部磁極の傾斜面の中途部から、前記ハイト方向に対し、ABS面から離間する側がより高位となる傾斜面が形成されたApex部を備えることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記下部磁極は、上部磁極下層と、下部磁極下層に積層された下部先端磁極とを備え、前記下部先端磁極の前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成されていることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
磁気ヘッドのライト磁極を形成する工程として、
下部磁極下層を形成した後、下部磁極下層に積層して下部先端磁極を形成する際に、前記下部先端磁極を形成する部位を露出させ、かつ前記下部先端磁極が形成される側の側面の下部にアンダーカット部を形成してレジストによりウエハ基板を被覆する工程と、
ウエハ基板に磁性材をスパッタリングし、前記下部磁極下層上に、前記アンダーカット部によりABS面に近接する側がより厚膜となるように磁性層を形成する工程と、
リフトオフにより前記レジストとともにレジストに付着した磁性材を除去し、ウエハ基板の表面に絶縁層を成膜してライトギャップを形成した後、前記磁性層の傾斜面の中途位置からハイト方向の後方にレジスト絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記レジスト絶縁層を形成する工程に続けて、
ウエハ基板の表面にめっきシード層を形成し、さらにウエハ基板の表面にレジストをコーティングし、前記上部磁極の平面形状に合わせてレジストをパターン形成する工程と、
前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより上部磁極を形成する工程と、
前記レジストを除去した後、前記上部磁極と前記磁性層をイオントリミングし、上部磁極と下部磁極を所定のコア幅に形成する工程とを備えることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、より詳細にはライト磁極の形状を特徴とする磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は磁気ヘッドのライト磁極を浮上面（ABS：Air  Bearing Surface)側から見た状態を示す。ライト磁極１０はライトギャップ１２を挟んで下部磁極１４と上部磁極１６とを積層させた配置に形成される。上部磁極１６は端面（ABS面）形状が細長の長方形に形成され、下部磁極１４は上部磁極１６よりも短寸に形成される。上部磁極１６と下部磁極１４のコア幅方向（図のW方向）の幅を比較すると、従来は、図１３に示すように、上部磁極１６の幅（WG)の方が、下部磁極１４の幅（WB)よりも若干狭く形成されている。
【０００３】
ライト磁極１０を形成する工程においては、下部磁極層を形成し、下部磁極層に積層してライトギャップを形成し、さらにコア幅に合わせて上部磁極１６を形成した後、イオントリミングによって上部磁極１６と下部磁極１４を所定のコア幅寸法に仕上げる。下部磁極１４は、磁極の側面部分を掘り込むように下部磁極層をイオンミリングすることによって形成される。
【特許文献１】特開２０００−２０９１５号公報
【特許文献２】特開２００２−１８３９１０号公報
【特許文献３】特開２００２−１９７６１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ライトギャップ１２を挟んで下部磁極１４と上部磁極１６が対向するよう配置されたライト磁極１０においては、記録媒体の記録密度が増大するとともに、サイドイレーズの問題が無視できなくなってきた。サイドイレーズとは、磁気ヘッドが記録媒体の内周側と外周側との間で移動する際に、磁気ヘッドのスキュー角が変化し、ライト磁極の下部磁極１４が隣接トラックにはみ出ることによって、隣接トラックに書き込まれた磁気情報を消去してしまうという問題である。
【０００５】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、磁気ヘッドが記録媒体の内周側と外周側との間を移動する際にスキュー角が変動する際に生じるサイドイレーズの問題を防止し、高密度記録を可能にするライト磁極を備えた磁気ヘッドおよびその好適な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、本発明に係る磁気ヘッドは、ライトギャップを挟んで積層された下部磁極と上部磁極とを有するライト磁極を備え、前記下部磁極のABS面のライトギャップとの界面における幅寸法が、前記上部磁極のライトギャップの界面における幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする。
また、前記上部磁極のABS面における端面形状、および前記下部磁極のABS面における端面形状が矩形に形成され、前記下部磁極の幅寸法が、前記上部磁極の幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする。なお、ここで下部磁極のABS面における端面形状とは、下部磁極に形成される起立部分の形状をいう。
【０００７】
また、前記下部磁極は、前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成され、前記上部磁極は、前記下部磁極の傾斜面の中途部から、前記ハイト方向に対し、ABS面から離間する側がより高位となる傾斜面が形成されたApex部を備えることを特徴とする。
また、前記下部磁極は、上部磁極下層と、下部磁極下層に積層された下部先端磁極とを備え、前記下部先端磁極の前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、磁気ヘッドのライト磁極を形成する工程として、下部磁極下層を形成した後、下部磁極下層に積層して下部先端磁極を形成する際に、前記下部先端磁極を形成する部位を露出させ、かつ前記下部先端磁極が形成される側の側面の下部にアンダーカット部を形成してレジストによりウエハ基板を被覆する工程と、ウエハ基板に磁性材をスパッタリングし、前記下部磁極下層上に、前記アンダーカット部によりABS面に近接する側がより厚膜となるように磁性層を形成する工程と、リフトオフにより前記レジストとともにレジストに付着した磁性材を除去し、ウエハ基板の表面に絶縁層を成膜してライトギャップを形成した後、前記磁性層の傾斜面の中途位置からハイト方向の後方にレジスト絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする。
これによって、下部先端磁極の上面をABS面に近接する側が高位となる傾斜面に形成することができ、この下部先端磁極の傾斜面上からハイト方向の後方に上部磁極のApex部となるレジスト絶縁層を形成することができる。
【０００９】
また、前記レジスト絶縁層を形成する工程に続けて、ウエハ基板の表面にめっきシード層を形成し、さらにウエハ基板の表面にレジストをコーティングし、前記上部磁極の平面形状に合わせてレジストをパターン形成する工程と、前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより上部磁極を形成する工程と、前記レジストを除去した後、前記上部磁極と前記磁性層をイオントリミングし、上部磁極と下部磁極を所定のコア幅に形成する工程とを備えることによって、上部磁極のコア幅と同等か上部磁極よりの狭幅に下部磁極を形成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る磁気ヘッドによれば、上部磁極と同一もしくは上部磁極よりも狭幅に下部磁極を形成したことによって、磁気ヘッドのスキュー角が変動することによって生じるサイドイレーズを抑制することができ、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供することができる。また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、上部磁極と同幅もしくは上部磁極よりも狭幅に下部磁極を形成することができ、サイドイレーズを抑制した磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（磁気ヘッド）
図１に本発明に係る磁気ヘッドの実施の形態を示す。図１（ａ）は、磁気ヘッドのABS面（Ａ−Ａ線位置）に垂直な面における断面図、図１（ｂ）は、ABS面側から見たライト磁極の正面図である。
図１（ａ）に示すように、磁気ヘッドは、リードヘッド８として、リード素子５と、リード素子５を膜厚方向に挟む配置に設けられた下部シールド層６および上部シールド層７を備える。また、ライト磁極２０として、ライトギャップ１２と、ライトギャップ１２を挟む配置に設けられた、下部磁極１４および上部磁極１６を備える。
【００１２】
下部磁極１４は、ライトギャップ１２に接する下部先端磁極１４ａと下部先端磁極１４ａの下層に設けられた下部磁極下層１４ｂを備える。下部先端磁極１４ａはFeCo等の高Bs（高飽和磁束密度）材によって形成され、下部磁極下層１４ｂは、NiFe等の下部先端磁極１４ａよりも低Bsであり、かつ軟磁性特性の優れた磁性材によって形成される。下部磁極１４をこのような磁気特性が異なる磁性材の積層構造としているのは、ライトギャップ１２に記録用の磁束を集束させ、かつライト磁極の軟磁性特性を向上させることによって記録密度の増大を図るためである。
下部磁極１４のハイト方向の後方には、層間に絶縁層１８を介してコイル１７が２段に形成されている。コイル１７は上部磁極１６のハイト方向の後部側において、下部磁極１４と連結されるバックギャップ部１９の周囲を巻回するように設けられる。
【００１３】
ライト磁極２０は、図１（ｂ）に示すように、ABS面における上部磁極１６および下部先端磁極１４ａの起立部分の端面形状が矩形（長方形）に形成される。本実施形態のライト磁極２０の構成において特徴的な構成は、図１（ｂ）に示すように、ライトギャップ１２を挟んで配置される下部先端磁極１４ａの幅（WB)が上部磁極１６の幅（WG)と略同幅に形成されている点である。
本発明に係る磁気ヘッドは、ライト磁極の構造として、下部磁極の幅（WB)を上部磁極の幅（WG)に等しいか、上部磁極の幅よりも狭くなるように形成したこと、好適には、下部磁極の幅（WB)を上部磁極の幅（WG)よりも狭くなるように形成したことを特徴とする。下部磁極の幅を、上部磁極の幅と等しいか上部磁極の幅よりも狭く形成することによって、ライト動作の際に下部磁極が隣接するトラックに突出する量を抑えることができ、サイドイレーズの作用を従来のライト磁極とくらべて抑制することが可能となる。
【００１４】
図２は、本実施形態におけるライト磁極についての他の構成上の特徴を示す。
図２（ａ）は、本実施形態の磁気ヘッドのライト磁極の構成を示す断面図、図２（ｂ）は比較例として従来の磁気ヘッドのライト磁極についての断面図を示す。
図２（ｂ）に示すように、従来のライト磁極では、下部磁極１４の上面（上部磁極１６に対向する面）は平坦面に形成され、この平坦面に対して上部磁極１６のApex角α2が規定されている。
これに対して、本実施形態のライト磁極では、下部磁極１４のライトギャップ１２に隣接する面が、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面（角度β）に形成されていること、上部磁極１６のApex角α1が従来のApex角α2よりも小さく設定されていることが特徴である。角度α１、α２および角度βは、磁気ヘッドのハイト方向とのなす角といってもよい。
【００１５】
具体的には、図２（ｂ）に示す、従来のライト磁極におけるApex角α2は、25度〜30度である。図２（ａ）に示す、本実施形態のライト磁極においては、Apex角α1は、15度〜20度であり、下部磁極１４の傾斜面の角度βは10度〜30度である。
上部磁極１６に形成するApex部は、下部磁極１４と上部磁極１６との開き度合いを規定する。本実施形態においては、下部磁極１４の先端部分をABS面側が高位となる傾斜面としたことにより、上部磁極１６のApex角α1を大きくすることなく、上部磁極１６と下部磁極１４との開き度合いを確保することが可能となっている。
【００１６】
また、図２（ａ）のように、下部磁極の先端部をABS面側が高位となる傾斜面となるように形成し、上部磁極１６のApex角α1を小さくする設計とした磁気ヘッドについてライト磁極の端面形状を観察すると、図１（ｂ）に示すように、下部磁極１４の幅を上部磁極１６の幅よりも狭くすることに寄与することがわかった。これは、下部磁極１４と上部磁極１６を形成する製造工程に起因するものである。
下部磁極１４のコア幅を上部磁極１６よりも狭く形成できることについては、以下のライト磁極の製造工程とともに説明する。
【００１７】
（磁気ヘッドの製造方法）
図３〜９は、図１に示す磁気ヘッドについて特徴的な構造を有するライト磁極２０を形成する工程を示す。各図は、ライト磁極２０のABS面（A−A線位置）近傍におけるABS面に垂直な断面構造を示している。
ウエハ基板には、各々の磁気ヘッドを形成する位置に合わせてライトヘッドを形成する前工程としてリードヘッドが形成されている。図３は、ライトヘッドの形成工程において、ウエハ基板に下部磁極下層１４ｂおよびコイル１７を形成した後、ウエハ基板の表面をCMP加工により平坦化し、下部先端磁極１４ａを形成するレジスト３０をパターン形成した状態を示す。
【００１８】
レジスト３０は、ウエハ基板に形成される各々の磁気ヘッドの配置位置に合わせて、下部先端磁極１４ａを形成する領域を露出させるようにレジストをパターニングして形成する。図３において、B線は下部磁極下層１４ｂの表面位置、すなわち、ウエハ基板を平坦化処理した表面位置を示す。
レジスト３０は、図のように下部先端磁極１４ａが形成される側の側面の下部にアンダーカット部３０ａが形成されるように露光および現像する。このアンダーカット部３０ａは、下部先端磁極１４ａの上面を傾斜面とするために設ける。レジスト３０の側面下部にアンダーカット部３０ａを形成する方法は、レジストの露光条件、現像条件等を適宜設定する一般的な方法による。
【００１９】
図４は、下部先端磁極１４ａとなる磁性層１４０をスパッタリングにより成膜して形成する工程を示す。磁性層１４０には、FeCo等の高Bs材を使用する。図４は、スパッタリングにより、ウエハ基板の表面に磁性層１４０を形成した状態を示す。レジスト３０の側面の下部にはアンダーカット部３０ａが形成されているから、スパッタリングによって磁性層１４０を形成すると、アンダーカット部３０ａに遮られて、磁性層１４０は下部磁極下層１４ｂ上に表面が傾斜面となるように成膜される。図４では磁性層１４０の傾斜面の断面を直線的に示したが、実際にはなだらかな湾曲面に形成される。
【００２０】
ウエハ基板に磁性層１４０を形成する際には、ウエハ基板を回転させながら、ウエハ基板に対してスパッタ粒子を斜入射させて成膜する。これによって、スパッタ粒子はアンダーカット部３０ａの内側に進入して成膜されるが、レジスト３０の側面形状の作用により、アンダーカット部３０ａの奥側では膜厚が薄くなる。これにより、下部磁極下層１４ｂの表面上に成膜された磁性層１４０の表面は、ABS面から離間する側が徐々に低位となる傾斜面となる。下部先端磁極１４ａの膜厚、傾斜面の角度は、レジスト３０の側面形状、スパッタリング条件等によって制御される。本実施形態においては、下部先端磁極１４ａの表面のハイト方向に対する傾斜角βが１０〜３０度程度となるように設定する。
【００２１】
図５は、リフトオフにより、レジスト３０とともにレジスト３０の表面に付着した磁性材を除去した後、ライトギャップ１２を成膜した状態を示す。ライトギャップ１２は、SiO2、Al2O3等の絶縁材をスパッタリングして形成する。ライトギャップ１２は下部先端磁極１４ａとなる磁性層１４０の表面および下部磁極１４の後部のコイル１７が形成される領域についても被覆するように成膜する。
【００２２】
図６は、上部磁極１６を形成するためのレジスト絶縁層３２を形成する工程を示す。レジスト絶縁層３２は、上部磁極１６にApex部を形成するために、磁性層１４０の傾斜面の中途位置からハイト方向の後方に向けて徐々に高位となる傾斜面に形成する。
磁性層１４０の傾斜面上から後方領域を覆うようにレジストをパターン形成し、加熱キュア条件を制御することによって、傾斜面３２ａを形成する。本実施形態においては、傾斜面３２ａのハイト方向となす角αを１５〜２０度に設定する。
【００２３】
上部磁極１６は、磁性層１４０上とレジスト絶縁層３２上に磁性層をめっきにより積層して形成する。
このため、まずウエハ基板の表面にめっきシード層３４を形成する。めっきシード層３４は上部磁極１６を形成する磁性材にしたがって、磁性材をスパッタリングして形成する。図７（ａ）は、ウエハ基板の表面にめっきシード層３４を形成した状態を示す。磁性層１４０の表面を被覆するライトギャップ１２およびレジスト絶縁層３２の表面がめっきシード層３４によって被覆される。
【００２４】
図７（ｂ）、（ｃ）は、めっきシード層３４を形成したウエハ基板の表面にレジスト３６をパターン形成した状態を示す。図７（ｃ）は、上部磁極１６の平面形状に合わせてレジスト３６に開口穴３６ａを形成した状態を示す。上部磁極１６はABS面（A−A線位置）の近傍では細幅に絞られ、ハイト方向に広幅となる平面形状となる。開口穴３６ａの底面にはめっきシード層３４が露出する。
図７（ｂ）は、ウエハ基板の表面にレジスト３６を形成した状態のABS面における断面図である。レジスト３６の開口穴３６ａは、ABS面位置では、断面形状が細長の長方形となる。開口穴３６ａの幅寸法が上部磁極１６のコア幅に相当する。
【００２５】
レジスト３６を形成した後、めっきシード層３４をめっき給電層とする電解めっきにより、開口穴３６ａに磁性層を盛り上げて上部磁極１６を形成する。
上部磁極１６を複数の磁性層の積層構造とする場合は、ライトギャップ１２に隣接する磁性層としてFeCo等の高Bs材を使用し、上層にはNiFe等の軟磁性特性に優れた磁性層を形成するのがよい。磁性層を積層構造とする場合は、電解めっきの種類を変えてめっきを行う。
図８は、電解めっきによって上部磁極１６を形成した状態を示す。図８（ｂ）は、ABS面位置において、レジスト３６に形成した開口穴３６ａに磁性材が盛り上げ形成されたことを示す。
【００２６】
図９は、上部磁極１６と下部磁極１４を最終形状に仕上げるイオントリミング工程を示す。
図９（ａ）は、レジスト３６を除去し、ウエハ基板の表面に露出するめっきシード層３４を除去した後、上部磁極１６と下部磁極１４となる磁性層１４０に対してイオンミリングしている状態を示す。このイオンミリング工程では、上部磁極１６の側面位置に合わせて磁性層１４０を掘り込むように、上部磁極１６の側面に対して斜め方向からイオンミリングする。
図９（ｂ）は、イオンミリングによって下部先端磁極１４ａが形成された状態を示す。図では、下部先端磁極１４ａが、上部磁極１６と同幅に形成されたことを示す。なお、イオントリミングによって上部磁極１６も若干細幅化される。
【００２７】
本実施形態のライト磁極の形成方法によれば、図８（ａ）に示すように、下部先端磁極１４ａの上面が傾斜面に形成され、上部磁極１６の後部に形成するApex部の角度を従来の磁気ヘッドにおけるライト磁極とくらべて小さくすることが可能となる。
図１２は、このように、下部先端磁極の上面を傾斜面とし、上部磁極に形成するApex角を小さくする製造方法によって形成した磁気ヘッドについて、上部磁極の幅（WG)と下部磁極の幅（WB)とを測定した結果を示す。
【００２８】
図１２は、一つのウエハ基板から形成される磁気ヘッドのうちから複数個のサンプルを抽出し、上部磁極の幅（WG)と下部磁極の幅（WB)とを計測してその差（μｍ）をグラフに示したものである。グラフに、従来の製造方法による磁気ヘッドについての測定結果と、本発明の製造方法による磁気ヘッドについての測定結果を対比して示す。従来の製造方法とは、図２（ｂ）に示すように、下部先端磁極を設けずに下部磁極のライトギャップ１２に隣接する面を平坦面としたものである。
【００２９】
図１２において、従来の製造方法による磁気ヘッドでは、ばらつきはあるが、上部磁極の幅（WG)が下部磁極の幅（WB)よりもプラス側、すなわち、WG＞WBとなっている。これに対して、本発明の製造方法による場合は、ほとんどの測定データがマイナス側、すなわちWG＜WBとなっている。
この測定結果は、本発明に係る製造方法によれば上部磁極の幅（WG)にくらべて下部磁極の幅（WB)を狭くなることを裏付けている。
【００３０】
本発明に係る製造方法によって下部磁極の幅（WB)を上部磁極の幅（WG)よりも狭くできる理由としては、上部磁極を所定のパターンに形成する形成精度、具体的には上部磁極の形状に合わせてレジストをパターニングする精度が影響していると考えられる。
図１０は、上部磁極１６を形成するレジスト３６をパターン形成する際の露光状態を示している。レジスト３６をパターニングする際には、ウエハ基板の表面にレジスト材をコーティングした後、上部磁極１６の平面形状に合わせたマスクパターンを用いて露光する。図１０は上部磁極１６のABS面の近傍部分を露光する状態を示している。
図１０（ａ）は、本発明の製造方法の場合であり、下部先端磁極１４ａとレジスト絶縁層３２にかけて露光している。図１０（ｂ）は、従来の製造方法の場合で、下部磁極とレジスト絶縁層３２にかけて露光している。
【００３１】
レジストを露光する場合は、ウエハ基板の面に垂直に光を照射する。レジストに投射された光はウエハ基板の表面で反射する。このウエハ基板からの反射光をみると、図１０（ａ）の場合には、反射光はやや傾斜しているものの、光の入射方向に戻る向き（基板面に垂直方向）の反射となる。これに対して、図１０（ｂ）の場合には、レジスト絶縁層３２の表面からの反射光は、基板面に平行向きの反射となる。このような光反射となるのは、本発明方法の場合は、下部先端磁極１４ａとレジスト絶縁層３２の基板面に対する傾斜角が従来のレジスト絶縁層３２の傾斜面の傾斜角よりも緩やかになるのに対して、従来方法の場合は、レジスト絶縁層３２の傾斜面が急角度になっているからである。
【００３２】
レジストをパターニングする際に、基板面からの反射光（散乱光）によってレジストパターンが所定のパターンからずれる（ぼける）ことが知られている。すなわち、凹凸面に形成されたレジストをパターニングすると、底面からの反射光（散乱光）によってレジストパターンが所定パターンからずれて形成される。図１０（ｂ）の従来方法の場合は、レジスト絶縁層３２によって反射された光は、パターン凹部の底部側に反射し、パターン凹部の底部側のパターン形状に作用して、パターン凹部の底部側を若干幅広に形成することが考えられる。
【００３３】
図１１は、レジストをパターニングした後、めっきによって上部磁極１６を形成した状態を示す。図１１（ａ）、（ｂ）は本発明方法、図１１（ｃ）、（ｄ）は従来方法の場合である。
従来方法では、パターン凹部の底部側に反射光が作用し、パターン凹部の底部が上部側にくらべてわずかに幅広となった状態を示す（図１１（ｃ））。これに対して、本発明方法の場合は、基板面の反射光によるパターン凹部の底部側への影響が抑制され、パターン凹部は下部側まで同一幅もしくは下部側が狭くなるような形態に形成され、上部磁極１６は一定幅もしくは下部側が若干狭幅となる（図１１（ａ））。
【００３４】
図１１（ａ）、（ｃ）は、上部磁極１６を形成した後、イオントリミングしている状態を示す。イオントリミングでは、上部磁極１６の側面に斜めにイオンを照射させるようにしてイオンミリングする。
図１１（ｂ）、（ｄ）は、イオントリミングを行って下部磁極１４を形成した状態である。イオントリミングによって下部磁極１４を形成する際には、上部磁極１６の側面形状にならって下部磁極１４の側面が形成されると考えると、イオントリミングにより図１１（ｂ）、（ｄ）の形態の仕上がり形状になると想定される。
図１１（ｂ）は、上部磁極１６の側面にならって下部磁極１４が形成され、上部磁極１６が若干狭幅となった側面形状にならって、下部磁極１４は下部側が狭幅となるように形成されたことを示す。すなわち、ライトギャップ１２と下部磁極１４の界面における幅WBが、ライトギャップ１２と上部磁極１６の界面における幅WGよりも小さくなる。
図１１（ｄ）では、上部磁極１６の下部側が若干広幅となる側面にならって下部磁極１４が形成され、下部磁極１４が上部磁極１６にならって下部側が広幅にイオントリミングされたことを示す。すなわち、ライトギャップ１２と下部磁極１４の界面における幅WBが、ライトギャップ１２と上部磁極１６の界面における幅WGよりも大きくなる。
【００３５】
図１１（ｂ）の例では、下部磁極１４の起立部分の端面形状が逆台形状（ライトギャップ側が幅広、ライトギャップから離間する側が狭幅）になることを示す。下部磁極１４をこのように逆台形状に形成すると、端面を長方形に形成する場合と比較して、磁気ヘッドのスキュー角が変動した際に下部磁極１４が隣接トラックに突出する領域が抑えられ、サイドイレーズをさらに抑制する効果が生じる。
【００３６】
図１２に示したように、従来方法の場合は、上部磁極の幅（WG)に対して下部磁極の幅（WB)が広く形成されているのに対して、本発明方法による場合は上部磁極の幅（WG)に対して下部磁極の幅（WB)が狭く形成されている。
上述した説明は、上部磁極を形成する際のレジストパターンを形成する精度から、上部磁極と下部磁極の仕上がり形状が実験結果のようになることを説明したものである。本発明方法と従来方法において構造が大きく異なるのは、上部磁極１６を形成するレジストパターンを形成する際の下地の形態であり、この相違によって上記のような実験結果が得られることは十分に推測できる。
すなわち、本発明に係る磁気ヘッドの構造および磁気ヘッドの製造方法によることよってはじめて、上部磁極の幅（WG)に対して下部磁極の幅（WB)を同一もしくはより狭くすることができたものであり、これによってライト磁極によるサイドイレーズを効果的に抑制し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供することができる。
（付記１）  ライトギャップを挟んで積層された下部磁極と上部磁極とを有するライト磁極を備え、前記下部磁極のABS面のライトギャップとの界面における幅寸法が、前記上部磁極のライトギャップの界面における幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）  前記上部磁極のABS面における端面形状、および前記下部磁極のABS面における端面形状が矩形に形成され、前記下部磁極の幅寸法が、前記上部磁極の幅寸法と同一もしくは上部磁極の幅寸法よりも狭く形成されていることを特徴とする付記１記載の磁気ヘッド。
（付記３）  前記下部磁極は、前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成され、前記上部磁極は、前記下部磁極の傾斜面の中途部から、前記ハイト方向に対し、ABS面から離間する側がより高位となる傾斜面が形成されたApex部を備えることを特徴とする付記１または２記載の磁気ヘッド。
（付記４）  前記下部磁極は、上部磁極下層と、下部磁極下層に積層された下部先端磁極とを備え、前記下部先端磁極の前記上部磁極に対向する面が、磁気ヘッドのハイト方向に対し、ABS面に近接する側がより高位となる傾斜面に形成されていることを特徴とする付記３記載の磁気ヘッド。
（付記５）  前記下部先端磁極は、前記下部磁極下層よりも高飽和磁束密度を有する磁性材によって形成されていることを特徴とする付記４記載の磁気ヘッド。
（付記６）  前記下部磁極あるいは下部先端磁極の前記上部磁極に対向する面と、前記磁気ヘッドのハイト方向とのなす角が１０〜３０度に設定され、前記上部磁極の前記Apex部の前記ハイト方向とのなす角が１５〜２０度に設定されていることを特徴とする付記１〜５のいずれか一項記載の磁気ヘッド。
（付記７）  磁気ヘッドのライト磁極を形成する工程として、下部磁極下層を形成した後、下部磁極下層に積層して下部先端磁極を形成する際に、前記下部先端磁極を形成する部位を露出させ、かつ前記下部先端磁極が形成される側の側面の下部にアンダーカット部を形成してレジストによりウエハ基板を被覆する工程と、ウエハ基板に磁性材をスパッタリングし、前記下部磁極下層上に、前記アンダーカット部によりABS面に近接する側がより厚膜となるように磁性層を形成する工程と、リフトオフにより前記レジストとともにレジストに付着した磁性材を除去し、ウエハ基板の表面に絶縁層を成膜してライトギャップを形成した後、前記磁性層の傾斜面の中途位置からハイト方向の後方にレジスト絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記レジスト絶縁層を形成する工程に続けて、ウエハ基板の表面にめっきシード層を形成し、さらにウエハ基板の表面にレジストをコーティングし、前記上部磁極の平面形状に合わせてレジストをパターン形成する工程と、前記めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより上部磁極を形成する工程と、前記レジストを除去した後、前記上部磁極と前記磁性層をイオントリミングし、上部磁極と下部磁極を所定のコア幅に形成する工程とを備えることを特徴とする付記７記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）  前記下部磁極下層上に磁性材を成膜する工程において、前記下部先端磁極の表面と磁気ヘッドのハイト方向とのなす角を１０〜３０度に設定することを特徴とする付記７または８記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記１０）  前記レジスト絶縁層を形成する工程において、レジスト絶縁層の磁気ヘッドのハイト方向とのなす角を１５〜２０度に設定することを特徴とする付記７〜９のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図（ａ）およびライト磁極の端面図（ｂ）である。
【図２】本発明（ａ）と従来例（ｂ）におけるライト磁極のABS面近傍の構成を示す断面図である。
【図３】上部先端磁極を形成するレジストパターンを形成した状態の断面図である。
【図４】上部先端磁極となる磁性層を形成した状態の断面図である。
【図５】ライトギャップを成膜した状態の断面図である。
【図６】レジスト絶縁層を形成した状態の断面図である。
【図７】めっきシード層を形成しレジストをパターン形成した状態の断面図（ａ）、端面図（ｂ）、平面図（ｃ）である。
【図８】めっきにより上部磁極を形成した状態のABS面に垂直な断面図（ａ）、ABS面における端面図（ｂ）である。
【図９】上部磁極と下部磁極をイオントリミングする工程を示す断面図である。
【図１０】上部磁極を形成するレジストを露光する状態を示す説明図である。
【図１１】本発明（ａ）、（ｂ）と従来例（ｃ）、（ｄ）のイオントリミング工程を示す断面図である。
【図１２】本発明と従来例の磁気ヘッドについて上部磁極と下部磁極のABS面における幅の差を測定した結果を示すグラフである。
【図１３】従来の磁気ヘッドにおける、上部磁極と下部磁極をABS面から見た断面図である。
【００３８】
１０  ライト磁極
１２  ライトギャップ
１４  下部磁極
１４ａ  下部先端磁極
１４ｂ  下部磁極下層
１６  上部磁極
１７  コイル
１８  絶縁層
１９  バックギャップ部
２０  ライト磁極
３０  レジスト
３０ａ  アンダーカット部
３２  レジスト絶縁層
３４  めっきシード層
３６  レジスト
３６ａ  開口穴
１４０  磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１２】
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