(57)【要約】【課題】  垂直記録磁気ヘッド及びその製造方法に関し、サイドシールド付き主磁極の狭小なライトコア幅の先端部を高精度且つ高信頼度で形成する。【解決手段】  サイドシールド材をテーパエッチングしてＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状の凹部５を形成する工程と、凹部５に非磁性絶縁膜及びめっきベース層７を介して主磁極材料８を電解めっきする工程とを有する。【選択図】          図１
2009129496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状であると主磁極先端部と、前記主磁極先端部を挟み込むサイドシールドとの間にサイドシールド側から非磁性絶縁膜及びめっきベースとなる非磁性金属を順次設けたことを特徴とする垂直記録磁気ヘッド。
【請求項２】
サイドシールド材をテーパエッチングしてＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状の凹部を形成する工程と、前記凹部に非磁性絶縁膜及びめっきベース層を介して主磁極材料を電解めっきする工程とを有することを特徴とする垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記サイドシールド材をテーパエッチングする工程の前に、前記サイドシールド材のエッチング工程におけるエッチング耐性膜、サイドシールド材、ハードマスク材を順次形成させる工程と、前記ハードマスク材をレジストをマスクにエッチングしてハードマスクにする工程とを有することを特徴とする請求項２記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記サイドシールド材がＮｉＦｅからなるとともに、前記エッチング耐性膜及び前記ハードマスクがＴａ或いはＴｉのいずれかからなり、前記凹部を形成する工程が、ＣＨ3 ＯＨ或いはＣＯ＋ＮＨ3 のいずれかを原料ガスとした反応性イオンエッチング工程であることを特徴とする請求項３記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記主磁極材料を電解めっきする工程の後に、全体を非磁性絶縁膜で覆う工程と、前記めっきベース層が露出するまで平坦化研磨する工程と、前記めっきベース層をイオンミリング或いは反応性イオンエッチングのいずれかによってエッチングする工程と、前記ハードマスクまでを研磨する工程を有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直記録磁気ヘッド及びその製造方法に関するものであり、特に、サイドシールド付き主磁極の狭小なライトコア幅を高精度且つ高信頼度で形成するための構成に特徴のある垂直記録磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の情報処理機器における記憶手段として、ハードディスクドライブ装置が用いられているが、このようなハードディスクドライブ装置における磁気ヘッドを構成するライトヘッドとして単磁極コアを用いた垂直記録磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
このような、垂直記録磁気ヘッドにおいて、磁界の形状を制御するために垂直記録磁気ヘッドの主磁極の先端部の両側にサイドシールドを設けることが提案されている（例えば、特許文献１或いは特許文献２参照）。
このようなサイドシールド付き主磁極の形成方法としては、２つの方法が知られている。
【０００４】
まず、第１の方法は、多層膜化した磁極材料をイオンミリング等を用いて形成し、その後、サイドシールドギャップを形成後にサイドシールドをめっき法を用いて形成する方法がある。第２の方法は、レジストをリフローさせてめっきとイオンミリングを用いて主磁極を形成し、その後、サイドシールドギャップを形成後にサイドシールドをめっき法を用いて形成する方法であるので、ここで、図８乃至図１３を参照して従来のサイドシールド付き主磁極の形成方法を説明する。
【０００５】
まず、図８乃至図１０を参照して従来の第１のサイドシールド付き主磁極の形成方法を説明するが、ライトコイルは各種の形態があるのでライトコイルの形成工程は省略するとともに、主磁極の本体部の周囲を覆う埋込絶縁膜の形成工程も省略する。
図８参照  
まず、下地となるＡｌ2 Ｏ3 膜５１上に主磁極を形成する軟磁性膜５２、ギャップ層となるＡｌ2 Ｏ3 膜５３、ハードマスクとなるＴａ膜を順次成膜したのち、レジストパターン５４を設け、反応性イオンエッチングによってＴａ膜をエッチングしてハードマスク５５を形成する。
【０００６】
次いで、レジストパターン５４を除去したのち、ハードマスク５５をマスクとして反応性イオンエッチングによりＡｌ2 Ｏ3 膜５３及び軟磁性膜５２をエッチングする。
この時、Ａｌ2 Ｏ3 膜５２の露出部も一部エッチングされる。
【０００７】
次いで、斜め方向からＡｒイオン５６を照射することによって、軟磁性膜５２を逆テーパ状にエッチングして主磁極の先端部５７を形成する。
この時、Ａｌ2 Ｏ3 膜５２の露出部もさらにエッチングされる。
【０００８】
図９参照  
次いで、サイドシールドギャップとなるＡｌ2 Ｏ3 膜５８を形成したのち、めっきベース層５９を全面に形成する。
次いで、電解めっきによって軟磁性膜を厚く成膜したのち、ＣＭＰ法によってめっきベース層５９が露出するまで平坦化研磨してサイドシールド６０を形成する。
次いで、別工程のＣＭＰ法によりめっきベース層５９を除去する。
【０００９】
図１０参照  
次いで、再び、ＣＭＰ法によりＡｌ2 Ｏ3 膜５８の露出部を研磨して、残部をサイドシールドギャップ６１とする。
【００１０】
次いで、反応性イオンエッチングによりハードマスク５５の残部を除去する。
次いで、全面にめっきベース層６２を形成したのち、電解めっきによって軟磁性膜を成膜することによってリターンヨークを形成する。
この時、ＡＢＳ面側に成膜した軟磁性膜がトレーリングシールド６３となる。
【００１１】
次に、図１１乃至図１３を参照して従来の第２のサイドシールド付き主磁極の形成方法を説明するが、ここでも、ライトコイルは各種の形態があるのでライトコイルの形成工程は省略するとともに、主磁極の本体部の周囲を覆う埋込絶縁膜の形成工程も省略する。
図１１参照  
まず、下地となるＡｌ2 Ｏ3 膜７１上にＴｉ／Ｒｕ層７２を介してめっきベース層７３を成膜したのち、レジスト層７４を設け、次いで、このレジスト層７４に順テーパ状の開口部を形成したのち、電解めっきにより主磁極を形成する軟磁性膜７５を形成する。
【００１２】
次いで、レジスト層７４を除去したのち、斜め方向からＡｒイオン７６を照射して軟磁性膜７５をスリミングすることによって狭コア幅の逆テーパ状の主磁極の先端部７７を形成する。
この時、めっきベース層７３の露出部も除去される。
【００１３】
図１２参照  
次いで、ＣＭＰストッパとなるＴａ膜７８を形成したのち、レジストパターン７９を設け、このレジストパターンをマスクとしてイオンミリングを行うことによって、Ｔａ膜７８の露出部を除去する。
この時、Ｔｉ／Ｒｕ層７２及びＡｌ2 Ｏ3 膜７１の露出部の一部も除去される。
【００１４】
次いで、サイドシールドギャップとなるＡｌ2 Ｏ3 膜８０及びめっきベース層８１を順次成膜する。
次いで、電解めっきによって軟磁性膜を厚く成膜したのち、ＣＭＰ法によってめっきベース層８１が露出するまで平坦化研磨し、次いで、イオンミリングによりめっきベース層８１を除去したのち、再び、ＣＭＰ法によりＡｌ2 Ｏ3 膜８０の露出部を研磨して、サイドシールド８２を形成するとともに、Ａｌ2 Ｏ3 膜８０の残部をサイドシールドギャップ８３とする。
【００１５】
図１３参照  
次いで、ＣＭＰストッパとなるＴａ膜７８の露出部を反応性イオンエッチングにより除去したのち、再び、ＣＭＰを行うことによって主磁極の先端部７７の頂部を平坦化する。
【００１６】
次いで、トレーリングシールドギャップとなるＡｌ2 Ｏ3 膜８４及びめっきベース層８５を形成したのち、電解めっきによって軟磁性膜を成膜することによってリターンヨークを形成する。
この時、ＡＢＳ面側に成膜した軟磁性膜がトレーリングシールド８６となる。
【特許文献１】特開２００５−１９０５１８号公報
【特許文献２】特開２００６−１３４５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかし、従来のイオンミリング法及びレジストリフロー法を用いてサイドシールド付き主磁極を形成する場合に、逆テーパ状の主磁極の先端部が露出した状態になるが、コア幅が狭小化するにつれて、製造過程において逆テーパ状の主磁極の先端部が倒れるという問題がある。
【００１８】
したがって、本発明は、サイドシールド付き主磁極の狭小なライトコア幅の先端部を高精度且つ高信頼度で形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号１は、Ａｌ2 Ｏ3 膜等の下地層である。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、垂直記録磁気ヘッドにおいて、ＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状であると主磁極先端部と、主磁極先端部を挟み込むサイドシールド３との間にサイドシールド３側から非磁性絶縁膜及びめっきベース層７となる非磁性金属を順次設けたことを特徴とする。
【００２０】
このように、主磁極先端部を挟み込むサイドシールド３との間にサイドシールド３側から非磁性絶縁膜及びめっきベース層７となる非磁性金属を順次設ける構造、即ち、サイドシールド３を形成したのち、主磁極を形成することによって、コア幅が狭小化した場合にも、製造過程において逆テーパ状の主磁極の先端部が倒れることがなくなる。
【００２１】
この場合のめっきベース層７となる非磁性金属としては、主磁極を構成する軟磁性膜との相性によりＲｕが好適である。
【００２２】
また、本発明は、垂直記録磁気ヘッドの製造方法において、サイドシールド材をテーパエッチングしてＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状の凹部５を形成する工程と、凹部５に非磁性絶縁膜及びめっきベース層７を介して主磁極材料８を電解めっきする工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
このように、サイドシールド３を形成したのち、主磁極を形成することによって、コア幅が狭小化した場合にも、製造過程において逆テーパ状の主磁極の先端部が孤立した状態になることがないので、倒れることがなくなり、サイドシールド付き主磁極の狭小なライトコア幅の先端部を高精度且つ高信頼度で形成することができる。
【００２４】
なお、第１の非磁性絶縁膜６を成膜する工程において、原子層堆積方法によってＡｌ2 Ｏ3 を成膜することが望ましく、それによって、Ａｌ2 Ｏ3 膜の膜厚制御が容易になるので、主磁極のコア幅を精度良く狭小化することができる。
【００２５】
この場合、サイドシールド材をテーパエッチングする工程の前に、サイドシールド材のエッチング工程におけるエッチング耐性膜２、サイドシールド材、ハードマスク材を順次形成させる工程と、ハードマスク材をレジストをマスクとしてエッチングしてハードマスク４にする工程を設けることが望ましく、各部材の成膜工程を一連の工程として行えるので、製造工程が簡素化される。
【００２６】
また、サイドシールド材としてはＮｉＦｅが好適であり、また、エッチング耐性膜２及びハードマスク４がＴａ或いはＴｉのいずれかが好適であり、この場合に、凹部５を形成する工程において、ＣＨ3 ＯＨ或いはＣＯ＋ＮＨ3 のいずれかを原料ガスとした反応性イオンエッチングを用いることが望ましく、この反応性イオンエッチング工程において、ガス圧及び基板温度の少なくとも一方を調整することによって、凹部５の形状を制御することが可能になる。
【００２７】
また、主磁極材料８を電解めっきする工程の後に、全体を第２の非磁性絶縁膜で覆う工程と、めっきベース層７が露出するまで平坦化研磨する工程と、めっきベース層７をイオンミリング或いは反応性イオンエッチングのいずれかによってエッチングする工程と、ハードマスク４までを研磨する工程を有することが望ましく、主磁極の選択部の形成を正確に決定することができるとともに、主磁極の周囲を平坦な第２の非磁性絶縁膜で埋め込むことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、ダマシンプロセスを用いてサイドシールドを先に形成してライト磁極を後に形成することで、サイドシールド付き主磁極の狭小なライトコア幅の先端部を高精度且つ高信頼度で形成することができ、ひいては、高記録密度のハードディスクドライブ装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの製造工程を説明する。
図２参照  
まず、下地層となるＡｌ2 Ｏ3 膜１１上にＮｉＦｅのエッチングストッパとなるＴａ膜１２を例えば、５０ｎｍの厚さに形成し、次いで、サイドシールド材となるＮｉＦｅ膜１３を２００〜３００ｎｍ、例えば、２５０ｎｍの厚さに成膜したのち、ＮｉＦｅのエッチングマスクとなるＴａ膜１４を５０ｎｍの厚さに堆積する。
【００３０】
次いで、レジストパターン１５を形成したのち、このレジストパターン１５をマスクとして反応性イオンエッチングを行うことによって、Ｔａ膜１４の露出部をエッチングして開口部の幅が、例えば、８０ｎｍのハードマスク１６とする。
【００３１】
次いで、レジストパターン１５を剥離したのち、ハードマスク１６をマスクとして反応性イオンエッチングを行うことによって、ＮｉＦｅ膜１３に逆テーパ状の凹部１７を形成してサイドシールド１８とする。
【００３２】
この時のエッチング条件は、例えば、原料ガスとしてＣＨ3 ＯＨを１５ｓｃｃｍ流してガス圧を０．６Ｐａとした状態で、ソース／バイアス電力を１５００Ｗ／５２０Ｗとし、、ステージ温度を４０℃としてエッチングを行う。
【００３３】
このエッチング工程において、ガス圧力や基板温度を制御することで所望のテーパ角度を得ることが可能となる。
例えば、ガス圧が高いほど、テーパ角θは広くなり、ステージ温度が高いほどテーパ角θは狭くなり、上記の条件の場合には、テーパ角θは約１９°となる。
【００３４】
また、ハードマスク１６の内壁の幅、したがって、サイドシールド１８の頂部における内壁の幅ｄi は例えば、１．０μｍであり、外壁の幅ｄ2 は例えば２．０〜４．０μｍであり、傾斜部の傾斜角φは３０°〜６０°とする。
【００３５】
図３参照  
次いで、原子層堆積法（ＡＬＤ法）を用いて、全面に厚さが、例えば、５ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１９を堆積させてライトコア幅を狭小化させる。
【００３６】
次いで、Ｒｕからなるめっきベース層２０を成膜したのち、レジストフレーム（図示を省略）を用いた選択電解めっき法によって主磁極となるＣｏＮｉＦｅ膜２１を凹部１７を完全に埋め尽くすように厚く成膜する。
【００３７】
図４参照  
次いで、レジストフレームを除去したのち、素子全体を覆うようにＡｌ2 Ｏ3 膜２２を厚く成膜し、次いで、ＣＭＰ法を用いてめっきベース層２０が露出するまで研磨して表面を平坦化する。
なお、このＡｌ2 Ｏ3 膜２２の研磨工程において使用する研磨材ではＲｕを研磨することができないので、めっきベース層２０であるＲｕ膜が研磨ストッパとして機能する。
【００３８】
図５参照  
次いで、イオンミリング法によりめっきベース層２０を除去したのち、再び、ＣＭＰ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜２２をハードマスク１６が露出するまで研磨して素子全体を平坦にすることによって、ＣｏＮｉＦｅ膜２１が最終的な主磁極２３の形状となり主磁極２３の先端部がライトポール２４となる。
この時、ハードマスク１６であるＴａ膜が研磨ストッパとして機能する。
【００３９】
次いで、トレーリングシールドギャップ用のＡｌ2 Ｏ3 膜２５を例えば、３０ｎｍの厚さに堆積する。
次いで、図示は省略するものの、選択めっき法によってライトコイルを形成したのち、ライトコイルをフォトレジスト膜で覆い、このフォトレジスト膜を被覆絶縁膜とする。
【００４０】
図６参照  
次いで、Ｒｕからなるめっきベース層２６を形成したのち、選択電解めっき法によってＮｉＦｅ膜２７を厚く成膜することによって、リターンヨーク２８を形成する。
この時、ＡＢＳ面側においてリターンヨーク２８と一体に形成されたＮｉＦｅ膜２７がトレーリングシールド２９となる。
【００４１】
このように、本発明の実施の形態においては、サイドシールドを形成したのち、主磁極材料を成膜しているので、コア幅が狭小化しても途中のプロセスにおいて主磁極材料が倒れ込むことがない。
【００４２】
また、サイドシールドに形成する凹部のテーパ角θをガス圧及びステージ温度で制御しているので、所望のテーパ角θの凹部を形成することができ、また、Ａｌ2 Ｏ3 膜を凹部の表面を覆うように設けているので、Ａｌ2 Ｏ3 膜の厚さによりコア幅をより狭小化することができる。
【実施例１】
【００４３】
以上を前提として、次に、図７を参照して、本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
なお、電解めっき工程におけるめっきベース層については図示を省略する。
図７参照  
図７は、本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図であり、まず、スライダーの母体となる、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜（いずれも図示を省略）を介して下部磁気シールド層３１、ＴＭＲ膜３２、磁区制御膜３３、Ａｌ2 Ｏ3 膜３４、及び、上部磁気シールド層３５を設ける。
【００４４】
次いで、上部磁気シールド層３５上の全面にＡｌ2 Ｏ3 膜１１を設けたのち、上記の実施の形態で説明した通りに、Ｔａ膜を例えば、５０ｎｍの厚さに形成し、次いで、サイドシールド材となるＮｉＦｅ膜を例えば、２５０ｎｍの厚さに成膜したのち、ＮｉＦｅのエッチングマスクとなるＴａ膜を５０ｎｍの厚さに堆積する。
【００４５】
次いで、レジストパターンを形成したのち、このレジストパターンをマスクとして反応性イオンエッチングを行うことによって、Ｔａ膜の露出部をエッチングしてハードマスク１６とする。
【００４６】
次いで、レジストパターンを剥離したのち、上述のエッチング条件で、ハードマスク１６をマスクとして反応性イオンエッチングを行うことによって、ＮｉＦｅ膜に逆テーパ状の凹部を形成してサイドシールド１８とする。
【００４７】
次いで、ＡＬＤ法を用いて、全面に厚さが、例えば、５ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜１９を堆積させてライトコア幅を狭小化させる。
【００４８】
次いで、Ｒｕからなるめっきベース層（図示は省略）を成膜したのち、選択電解めっき法によって主磁極となるＣｏＮｉＦｅ膜を凹部を完全に埋め尽くすように厚く成膜し、次いで、レジストフレームを除去したのち、素子全体を覆うようにＡｌ2 Ｏ3 膜２２を厚く成膜し、次いで、ＣＭＰ法を用いてめっきベース層が露出するまで研磨して表面を平坦化する。
【００４９】
次いで、イオンミリング法によりめっきベース層を除去したのち、再び、ＣＭＰ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜２２をハードマスク１６が露出するまで研磨して素子全体を平坦にすることによって、ＣｏＮｉＦｅ膜が最終的な主磁極２３の形状となり、主磁極２３の先端部が逆テーパ状のライトポール２４となる。
【００５０】
次いで、スパッタリング法を用いて全面に厚さが３０〜１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍで、トレーリングシールドギャップ用のＡｌ2 Ｏ3 膜２６を堆積させたのち、選択電解めっき法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜２６の上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル３６を形成する。
【００５１】
次いで、ライトコイル３６を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜３７とする。
次いで、Ｒｕからなるめっきベース層（図示は省略）を形成したのち、選択電解めっき法によってＮｉＦｅ膜を厚く成膜することによって、リターンヨーク２８を形成する。
この時、ＡＢＳ面側においてリターンヨーク２８と一体に形成されたＮｉＦｅ膜がトレーリングシールド２９となる。
【００５２】
なお、ライトコイル３６は主磁極２３の大面積後端部とリターンヨーク２８とを磁気的に接続するリターンヨーク２８と一体に形成された接続部３０を中心として巻回した構造となっている。
最後に、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにＡＢＳ面を研磨することによって、垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明してきたが、本発明は実施の形態及び実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施の形態の説明においては、めっきベース層のＲｕ膜をイオンミリングにより除去しているが、反応性イオンエッチングを用いても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施例１においては、主磁極補助層を設けていないが、主磁極補助層を設けても良いものであり、その場合には、主磁極の大面積後端部が主磁極補助層と磁気的に結合するように形成する必要がある。
【００５５】
また、上記の実施の形態及び実施例においては、めっきベース層としてＣｏＮｉＦｅと相性の良いＲｕを用いているがＲｕに限られるものではなく、Ｃｕ等の他の非磁性金属を用いても良いものである。
【００５６】
また、上記の実施の形態及び実施例においては、絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 を用いているがＡｌ2 Ｏ3 に限られるものではなく、ＳｉＯ2 等の他の非磁性絶縁膜を用いても良いものである。
【００５７】
また、上記の実施の形態においては、サイドシールドに凹部を形成するエッチング工程において、原料ガスとしてＣＨ3 ＯＨを用いているがＣＨ3 ＯＨに限られるものではなく、ＣｏとＮＨ3 等の混合ガスを用いても良いものであり、また、原料ガスは主磁極材料によって適宜変更されるものである。
【００５８】
ここで、再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  ＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状であると主磁極先端部と、前記主磁極先端部を挟み込むサイドシールド３との間にサイドシールド３側から非磁性絶縁膜及びめっきベース層７となる非磁性金属を順次設けたことを特徴とする垂直記録磁気ヘッド。
（付記２）  前記非磁性金属がＲｕであることを特徴とする付記１記載の垂直記録磁気ヘッド。
（付記３）  サイドシールド材をテーパエッチングしてＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状の凹部５を形成する工程と、前記凹部５に非磁性絶縁膜６及びめっきベース層７を介して主磁極材料８を電解めっきする工程とを有することを特徴とする垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）  前記第１の非磁性絶縁膜６を成膜する工程が、原子層堆積方法によってＡｌ2 Ｏ3 を成膜する工程であることを特徴とする付記３記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）  前記サイドシールド材をテーパエッチングする工程の前に、前記サイドシールド材のエッチング工程におけるエッチング耐性膜２、サイドシールド材、ハードマスク材を順次形成させる工程と、前記ハードマスク材をレジストをマスクとしてエッチングしてハードマスク４にする工程とを有することを特徴とする付記３または４に記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）  前記サイドシールド材がＮｉＦｅからなるとともに、前記エッチング耐性膜２及び前記ハードマスク４がＴａ或いはＴｉのいずれかからなり、前記凹部５を形成する工程が、ＣＨ3 ＯＨ或いはＣＯ＋ＮＨ3 のいずれかを原料ガスとした反応性イオンエッチング工程であることを特徴とする付記５記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）  前記反応性イオンエッチング工程において、ガス圧及び基板温度の少なくとも一方を調整することによって、前記凹部５の形状を制御することを特徴とする付記６記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記主磁極材料８を電解めっきする工程の後に、全体を第２の非磁性絶縁膜で覆う工程と、前記めっきベース層７が露出するまで平坦化研磨する工程と、前記めっきベース層７をイオンミリング或いは反応性イオンエッチングのいずれかによってエッチングする工程と、前記ハードマスク４までを研磨する工程を有することを特徴とする付記３乃至７のいずれか１に記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の活用例としては、垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドを構成するライトヘッドが典型的なものであるが、磁気抵抗効果素子を利用した再生ヘッドを有さない書込専用の磁気ヘッドにも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの図４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態の垂直記録磁気ヘッドの図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】本発明の実施例１の垂直記録用複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。
【図８】従来の第１のサイドシールド付き主磁極の途中までの製造工程の説明図である。
【図９】従来の第１のサイドシールド付き主磁極の図８以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図１０】従来の第１のサイドシールド付き主磁極の図９以降の製造工程の説明図である。
【図１１】従来の第２のサイドシールド付き主磁極の途中までの製造工程の説明図である。
【図１２】従来の第２のサイドシールド付き主磁極の図１１以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図１３】従来の第２のサイドシールド付き主磁極の図１２以降の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  下地層
２  エッチング耐性膜                                                            ３  サイドシールド
４  ハードマスク
５  凹部
６  非磁性絶縁膜
７  めっきベース層                                                              ８  主磁極材料
１１  Ａｌ2 Ｏ3 膜
１２  Ｔａ膜
１３  ＮｉＦｅ膜
１４  Ｔａ膜
１５  レジストパターン
１６  ハードマスク
１７  凹部
１８  サイドシールド
１９  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２０  めっきベース層
２１  ＣｏＮｉＦｅ膜
２２  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２３  主磁極
２４  ライトポール
２５  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２６  めっきベース層
２７  ＮｉＦｅ膜
２８  リターンヨーク
２９  トレーリングシールド
３０  接続部
３１  下部磁気シールド層
３２  ＴＭＲ膜
３３  磁区制御膜
３４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
３５  上部磁気シールド層
３６  ライトコイル
３７  被覆絶縁膜
５１  Ａｌ2 Ｏ3 膜
５２  軟磁性膜
５３  Ａｌ2 Ｏ3 膜
５４  レジストパターン
５５  ハードマスク
５６  Ａｒイオン
５７  主磁極の先端部
５８  Ａｌ2 Ｏ3 膜
５９  めっきベース層
６０  サイドシールド
６１  サイドシールドギャップ
６２  めっきベース層
６３  トレーリングシールド
７１  Ａｌ2 Ｏ3 膜
７２  Ｔｉ／Ｒｕ層
７３  めっきベース層
７４  レジスト層
７５  軟磁性膜
７６  Ａｒイオン
７７  主磁極の先端部
７８  Ｔａ膜
７９  レジストパターン
８０  Ａｌ2 Ｏ3 膜
８１  めっきベース層
８２  サイドシールド
８３  サイドシールドギャップ
８４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
８５  めっきベース層
８６  トレーリングシールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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