(57)【要約】  【課題】高設置密度、高アスペクト比の導通路を達成し、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる金属充填構造体およびその製造方法ならびにその製造方法に用いる電解めっき方法の提供。  【解決手段】電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法。
【請求項２】
前記電流値のマイナス方向へ増大させる変化率が、５〜１００ｍＡ／ｄｍ2・秒である請求項１に記載の電解めっき方法。
【請求項３】
前記電流値のマイナス方向へ増大が、電位、温度、めっき浴内の金属イオン濃度、および、めっき液の液流速度からなる群から選択される少なくとも１つを変化させることにより行なわれる請求項１または２に記載の電解めっき方法。
【請求項４】
めっき液の液流速度が、３〜２００ｃｍ／秒である請求項１〜３のいずれかに記載の電解めっき方法。
【請求項５】
めっき液の液流方向が、陰極基板の表面に対して垂直方向である請求項１〜４のいずれかに記載の電解めっき方法。
【請求項６】
貫通孔を有する基体の前記貫通孔に金属を充填して得られる金属充填微細構造体の製造方法であって、
前記貫通孔の平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2であり、
前記貫通孔への金属の充填が、請求項１〜５のいずれかに記載の電解めっき方法により施される金属充填微細構造体の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔のアスペクト比が、１００以上である請求項６に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔について下記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上である、請求項６または７に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
前記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Ｂは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を６個含むことになる前記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法により得られる金属充填微細構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解めっき方法およびそれを用いた金属充填微細構造体の製造方法に関する。具体的には、高アスペクト比の微細孔に金属を充填するための電解めっき方法およびそれを用いた金属充填微細構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高アスペクト比の微細孔に金属が充填された金属充填微細構造体（デバイス）は、近年ナノテクノロジーでも注目されている分野のひとつであり、例えば、異方導電部材としての用途が期待されている。
異方導電性部材は、半導体素子等の電子部品と回路基板との間に挿入し、加圧するだけで電子部品と回路基板間の電気的接続が得られるため、半導体素子等の電子部品等の電気的接続部材や機能検査を行う際の検査用コネクタ等として広く使用されている。
【０００３】
特に、半導体素子等の電子接続部材は、そのダウンサイジング化が顕著であり、従来のワイヤーボンディングのような直接配線基板を接続するような方式では、ワイヤーの径をこれ以上小さくすることが困難となってきており、接続の安定性を十分に保証することが困難となってきている。
そこで、近年になり、絶縁素材の皮膜中に導電部材が貫通林立したタイプや金属球を配置したタイプの異方導電部材が注目されてきている。
【０００４】
また、半導体素子等の検査用コネクタは、半導体素子等の電子部品を回路基板に実装した後に機能検査を行うと、電子部品が不良であった場合に、回路基板もともに処分されることとなり、金額的な損失が大きくなってしまうという問題を回避するために使用される。
即ち、半導体素子等の電子部品を、実装時と同様のポジションで回路基板に異方導電性部材を介して接触させて機能検査を行うことで、電子部品を回路基板上に実装せずに、機能検査を実施でき、上記の問題を回避することができる。
【０００５】
このような異方導電性部材として、特許文献１には、「接着性絶縁材料からなるフィルム基板中に、導電性材料からなる複数の導通路が、互いに絶縁された状態で、かつ該フィルム基板を厚み方向に貫通した状態で配置され、フィルム基板の長手方向と平行な導通路の断面における形状の外周上の２点間の最大長の平均が１０〜３０μｍであり、隣接する導通路の間隔が、上記最大長の平均の０．５〜３倍であることを特徴とする異方導電性フィルム。」が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、「絶縁性樹脂よりなるフィルム基材中に、複数の導通路が、互いに絶縁されて、該フィルム基材を厚み方向に貫通し、かつ、千鳥配列で配置されている、異方導電性フィルムであって、導通路列内の導通路間距離よりも、隣り合う導通路列間での導通路間距離が小さいことを特徴とする、異方導電性フィルム。」が開示されている。
【０００７】
このような異方導電性フイルムの製造方法として、特許文献１および２には、異方導電性材料の細線を絶縁性フィルム上に挟み込んだ後、加熱及び加圧により一体化し、厚み方向にスクライブする方法が開示されている。
また、特許文献３には、レジストとマスクを用いて導電性の柱を電鋳で作製し、これに絶縁性素材を流し込み硬化させることで異方導電性フイルムを製造する方法が検討されている。
【０００８】
一方、特許文献４には、「電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体中に互いに絶縁状態にて備えられた複数の導電部材とを有し、前記各導電部材の一端が前記保持体の一方の面において露出しており、前記各導電部材の他端が前記保持体の他方の面において露出している電気的接続部材を製造する方法において、
基体と、該基体に積層されて設けられるところの前記保持体となる絶縁層とを有する母材に対し前記絶縁層側から高エネルギビームを照射して、複数の領域において前記絶縁層の全部と前記基体の一部とを除去し、前記母材に複数の穴を形成する第１の工程と、
形成された複数の穴に、前記絶縁層の面と面一またはこの面より突出させて、前記導電部材となる導電材料を充填する第２の工程と、前記基体を除去する第３の工程と、を有することを特徴とする電気的接続部材の製造方法。」が開示されており、絶縁層として、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の種々の材質に関する検討も行なわれている。
【０００９】
ところで、近年、半導体素子等の電子部品は、高集積化が一層進むことに伴い、電極（端子）サイズはより小さくなり、電極（端子）数はより増加し、端子間の距離もより狭くなってきている。また、狭ピッチで多数配置されている各端子の表面が本体表面よりも奥まった位置にある表面構造の電子部品も現れてきている。
そのため、このような電子部品に対応できるよう、異方導電性部材における導通路もその外径（太さ）をより小さくし、かつ、狭ピッチで配列させる必要が生じている。
しかしながら、上記特許文献１〜４等に記載されている異方導電性フイルムや電気的接続部材を製造する方法では、導通路のサイズを小さくすることは非常に困難であり、また、特許文献４に記載の充填方法（蒸着、めっき）では、高設置密度で高アスペクト比の導通路を形成することは非常に困難であった。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−０１２６１９号公報
【特許文献２】特開２００５−０８５６３４号公報
【特許文献３】特開２００２−１３４５７０号公報
【特許文献３】特開平０３−１８２０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明は、高設置密度、高アスペクト比の導通路を達成し、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる金属充填微細構造体およびその製造方法ならびにその製造方法に用いる電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させることにより、高アスペクト比で高い密度で林立する微細孔に対しても高い充填率で金属を充填できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（９）を提供する。
【００１３】
（１）電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法。
【００１４】
（２）上記電流値のマイナス方向へ増大させる変化率が、５〜１００ｍＡ／ｄｍ2・秒である上記（１）に記載の電解めっき方法。
【００１５】
（３）上記電流値のマイナス方向へ増大が、電位、温度、めっき浴内の金属イオン濃度、および、めっき液の液流速度からなる群から選択される少なくとも１つを変化させることにより行なわれる上記（１）または（２）に記載の電解めっき方法。
【００１６】
（４）めっき液の液流速度が、３〜２００ｃｍ／秒である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の電解めっき方法。
【００１７】
（５）めっき液の液流方向が、陰極基板の表面に対して垂直方向である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の電解めっき方法。
【００１８】
（６）貫通孔を有する基体の上記貫通孔に金属を充填して得られる金属充填微細構造体の製造方法であって、
上記貫通孔の平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2であり、
上記貫通孔への金属の充填が、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の電解めっき方法により施される金属充填微細構造体の製造方法。
【００１９】
（７）上記貫通孔のアスペクト比の最低値が、１００以上である上記（６）に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
【００２０】
（８）上記貫通孔について下記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上である、上記（６）または（７）に記載の金属充填微細構造体の製造方法。
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Ｂは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を６個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。
【００２１】
（９）上記（６）〜（８）のいずれかに記載の金属充填微細構造体の製造方法により得られる金属充填微細構造体。
【発明の効果】
【００２２】
以下に示すように、本発明によれば、高設置密度、高アスペクト比の導通路を達成し、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる金属充填構造体およびその製造方法ならびにその製造方法に用いる電解めっき方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の電解めっき方法、ならびに、本発明の金属充填微細構造体の製造方法および本発明の金属充填微細構造体を詳細に説明する。
本発明の電解めっき方法は、電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法である。
ここで、着色などに用いられる従来公知の電解めっき方法は、高アスペクト比で高い密度で林立する微細孔中に選択的に金属を析出（成長）させることは困難である。これは、析出金属が微細孔内で消費され、一定時間以上電解を行ってもめっきが成長しないためと考えられる。
また、電解めっき処理の際に、パルス電解または定電位電解の際に休止時間をもうける方法は、比較的有効ではあるが、高いアスペクト比での金属充填を考慮すると更なる改善が求められる。
これに対し、本発明の電解めっき方法は、高アスペクト比で高い密度で林立する微細孔に対しても高い充填率で金属を充填（析出）することができる。これは、電解めっきによる金属の析出反応を時間初期において抑制し、徐々に反応性を高めることで、微細孔全体への均一な充填を促す効果があるためであると考えられる。
【００２４】
本発明の電解めっき方法においては、電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる。
ここで、「電解めっき時の電流値」とは、単位面積あたりの電流値（ｍＡ／ｄｍ2）、即ち、電流密度のことである。
また、「連続的」とは、めっき時間に対して電流値を常に変化させることをいい、パルス電解のように周期的に電流密度を変化させる態様は含まない。
また、「マイナス方向」とは、陰極における金属の析出反応（例えば、銅の場合：Ｃｕ2+＋２ｅ-→Ｃｕ）が増加する方向、すなわち、電解槽に流れる電気量としては増大する方向をいい、電流値（電流量）としては減少する方向である。
【００２５】
本発明の電解めっき方法において析出させる金属は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の金属であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ベリリウム（Ｂｅ）、レニウム（Ｒｅ）、これらの金属を１種または２種以上含有する合金等が好適に例示される。
これらのうち、電気伝導性の観点から、銅、金、アルミニウム、ニッケルが好ましく、銅、金がより好ましい。
【００２６】
また、本発明の電解めっき方法においては、電流値のマイナス方向へ増大させる変化率は、５〜１００ｍＡ／ｄｍ2・秒であるのが好ましく、７〜７５ｍＡ／ｄｍ2・秒であるのがより好ましく、１０〜５０ｍＡ／ｄｍ2・秒であるのが特に好ましい。
変化率の範囲がこの範囲であると、より良好に金属を充填（析出）することができる。
【００２７】
ここで、電流値のマイナス方向への増大は、電位、温度、めっき浴内の金属イオン濃度、めっき液の液流速度等を変化させる方法、具体的には、温度を徐々に高める方法、メッキ浴内の充填するべき金属イオン濃度を高める方法、電位を徐々にマイナス側に下げる方法、めっき液の液流速を徐々に高める方法等が挙げられ、これらの方法を適宜組み合わせて処理する方法であってもよい。
これらのうち、処理簡便性の観点から、電位および／または温度を変化させる方法が好ましい。
【００２８】
また、本発明の電解めっき方法においては、電解めっき液の液流速度は、３〜２００ｃｍ／秒が好ましく、５〜１５０ｃｍ／秒がより好ましく、１０〜１２０ｃｍ／秒が特に好ましい。
液流速度がこの範囲であると、より良好に金属を充填（析出）することができる。
【００２９】
本発明の電解めっき方法においては、めっき液の液流方向が、陰極基板の表面に対して、対向流で流れる方向であるのが好ましい。具体的には、液流方向と陰極基板表面がなす角度が、６０〜１２０°であるのが好ましく、７０〜１１０°であるのがより好ましく、８０〜１００°であるのが更に好ましく、９０°（垂直）であるのが特に好ましい。
【００３０】
また、本発明の電解めっき方法においては、電解めっき液は、従来公知のめっき液を用いることができる。
具体的には、銅を析出させる場合は硫酸銅水溶液を用いることができ、硫酸銅の濃度は、飽和濃度であるのが好ましく、１００〜３００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。電解液中に塩酸を添加すると、銅の析出を促進することができる。この場合の塩酸濃度は、１０〜２０ｇ／Ｌであるのが好ましい。
また、金を析出させる場合はテトラクロロ金の水溶液または硫酸溶液を用いることができ、ニッケルを析出させる場合は塩化ニッケルの水溶液または硫酸溶液を用いることができる。
一方、めっき液の温度としては、２〜８０℃が好ましく、１０〜７０℃がより好ましい。
【００３１】
本発明の金属充填微細構造体の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。）は、貫通孔を有する基体の上記貫通孔に金属を充填して得られる金属充填微細構造体の製造方法であって、
上記貫通孔の平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2であり、
上記貫通孔への金属の充填が、上述した本発明の電解めっき方法により施される金属充填微細構造体の製造方法。
次に、本発明の製造方法に用いられる基体および基体に有する貫通孔ならびに貫通孔への金属の充填について詳述する。
【００３２】
［基体］
本発明の製造方法に用いられる基体は、平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2である貫通孔を有する基体である。
【００３３】
本発明の製造方法においては、上記基体の厚みは、５〜１０００μｍであるのが好ましく、５０〜１０００μｍであるのがより好ましく、６０〜５００μｍであるのが更に好ましい。基体の厚みがこの範囲であると、基体の取り扱い性が良好となる。
【００３４】
また、本発明の製造方法においては、上記基体の材料は特に限定されないが、本発明の製造方法により得られる本発明の金属充填微細構造体を異方導電性部材として用いる観点から上記貫通孔の高アスペクト比性、サイズ、独立性等を考慮すると、絶縁性基材であることが好ましい。
【００３５】
絶縁性基材としては、作製および形状の簡便性から、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ジルコニウム、タンタル、亜鉛、ニオブ等に代表される弁（バルブ）金属の陽極酸化により形成される酸化皮膜材料であるのが好ましく、寸法安定性に優れ、比較的安価であるという理由から、アルミニウムの陽極酸化皮膜の素材であるアルミナからなるのがより好ましい。
ここで、アルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材（例えば、熱可塑性エラストマー等）と同様、電気抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度である。
【００３６】
本発明の製造方法においては、上記基体は、アルミニウムに少なくとも陽極酸化処理を施して得られるものであるのが、平均開孔径が５〜１０００ｎｍで平均深さが５〜１０００μｍの貫通孔をマイクロポアとして形成することができ、また、その密度も１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2とすることが容易となる理由から好ましい。
具体的には、上記基体は、アルミニウム基板を陽極酸化してマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理（以下、「陽極酸化処理（Ａ）」ともいう。）と、
上記陽極酸化処理後にアルミニウム基板を除去し、上記陽極酸化皮膜をアルミニウム基板から分離する分離処理（以下、「分離処理（Ｂ）」ともいう。）と、
上記分離処理により分離された陽極酸化皮膜のマイクロポアを貫通させる貫通化処理（以下、「貫通化処理（Ｃ）」ともいう。）とを施して得られるものであるのが好ましい。
以下に、アルミニウム基板および各処理について詳述する。
【００３７】
＜アルミニウム基板＞
アルミニウム基板は、特に限定されず、その具体例としては、純アルミニウム板；アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等が挙げられる。
【００３８】
本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理により陽極酸化皮膜を設ける表面は、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポアの配列（ポア配列）の規則性が十分となり、後述する金属充填処理工程により金属（導電材料）を充填した際の独立性が保持され、本発明の金属充填微細構造体を異方導電性部材として用いた場合に、異方導電部材として使用する際漏れ電流等の影響がなくなるため好ましい。
【００３９】
また、本発明の製造方法においては、アルミニウム基板のうち、後述する陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、特に、ポア配列の規則性を向上させる観点から、熱処理が施されるのが好ましい。
【００４０】
（熱処理）
熱処理を施す場合は、２００〜３５０℃で３０秒〜２分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。
【００４１】
（脱脂処理）
脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。
【００４２】
脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０〜２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５〜２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ2の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０〜２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０〜５０℃でアルミニウム基板表面に１５〜６０秒間接触させ、その後、濃度１００〜５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０〜１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。
【００４３】
これらのうち、アルミニウム表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。
【００４４】
また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
【００４５】
（鏡面仕上げ処理）
鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、電着法等による封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
本発明の製造方法において、鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。
【００４６】
機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、光沢度を５０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに５０％以上）とすることができる。
【００４７】
化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
また、リン酸−硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ  Ｖ法、Ａｌｃｏａ  Ｒ５法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好適に例示される。中でも、リン酸−硝酸法、Ｈ3ＰＯ4−ＣＨ3ＣＯＯＨ−Ｃｕ法、Ｈ3ＰＯ4−ＨＮＯ3−ＣＨ3ＣＯＯＨ法が好ましい。
化学研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００４８】
電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４−１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２−３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
電解研磨により、光沢度を７０％以上（圧延アルミニウムである場合、その圧延方向および幅方向ともに７０％以上）とすることができる。
【００４９】
これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。
【００５０】
鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲa０．１μｍ以下、光沢度５０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲaは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、光沢度は７０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
なお、光沢度は、圧延方向に垂直な方向において、ＪＩＳ  Ｚ８７４１−１９９７の「方法３  ６０度鏡面光沢」の規定に準じて求められる正反射率である。具体的には、変角光沢度計（例えば、ＶＧ−１Ｄ、日本電色工業社製）を用いて、正反射率７０％以下の場合には入反射角度６０度で、正反射率７０％を超える場合には入反射角度２０度で、測定する。
【００５１】
＜陽極酸化処理（Ａ）＞
陽極酸化処理（Ａ）は、アルミニウム基板を陽極酸化することにより、該アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成する処理であり、従来公知の方法を用いることができる。
【００５２】
上記陽極酸化処理は、本発明の製造方法により得られる本発明の金属充填微細構造体を異方導電性部材として用いる場合は、マイクロポアの独立性が重要となるため、例えば、特許第３，７１４，５０７号公報、特開２００２−２８５３８２号公報、特開２００６−１２４８２７号公報、特開２００７−２３１３３９号公報、特開２００７−２３１４０５公報、特開２００７−２３１３４０号公報、特開２００７−２３１３４０号公報、特開２００７−２３８９８８号公報等に記載されている自己規則化陽極酸化処理であるのが好ましい。
また、上記陽極酸化処理は、後述する金属充填処理工程における電解めっきを施しやすい観点から、下地基板のアルミニウムがマイクロポア底部に露出した特開２００２−３３２５７８号公報のような形態で施すのが好ましい。
これらの処理は、各特許公報に記載されている処理条件で施すのが好ましい。
【００５３】
本発明の製造方法においては、上記陽極酸化処理（Ａ）に代えて、以下に示す種々の方法により貫通孔の起点となる窪みを形成することもできる。
【００５４】
（物理的方法）
例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０−１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
また、アルミニウム表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ2を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ2をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。
【００５５】
（粒子線法）
粒子線法は、アルミニウム表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）、電子ビームが挙げられる。
粒子線法としては、例えば、特開２００１−１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。
【００５６】
（ブロックコポリマー法）
ブロックコポリマー法は、アルミニウム表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３−１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。
【００５７】
（レジストパターン・露光・エッチング法）
レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム板表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。
【００５８】
本発明の製造方法においては、上述した物理的方法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を採用する場合には、これらの方法でアルミニウム基板の表面に電解起点を与えた後に更に陽極酸化処理を施すことにより、独立性の高いマイクロポアを形成することもできる。
【００５９】
＜分離処理（Ｂ）＞
分離処理（Ｂ）は、上記陽極酸化処理（Ａ）後にアルミニウム基板を除去し、陽極酸化皮膜をアルミニウム基板から分離する処理である。
したがって、アルミニウム除去処理には、アルミナは溶解せず、アルミニウムを溶解する処理液を用いる。
【００６０】
処理液としては、アルミナは溶解せず、アルミニウムを溶解する液であれば特に限定されないが、例えば、塩化水銀、臭素／メタノール混合物、臭素／エタノール混合物、王水、塩酸／塩化銅混合物等の水溶液等が挙げられる。
濃度としては、０．０１〜１０ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
処理温度としては、−１０℃〜８０℃が好ましく、０℃〜６０℃が好ましい。
【００６１】
分離処理は、上述した処理液に接触させることにより行う。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、浸せき法、スプレー法が挙げられる。中でも、浸せき法が好ましい。このときの接触時間としては、１０秒〜５時間が好ましく、１分〜３時間がより好ましい。
【００６２】
分離処理後の陽極酸化皮膜の膜厚は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、１０〜５００μｍであるのが更に好ましい。
【００６３】
分離処理後、後述する貫通化処理（Ｃ）を行う前に、陽極酸化皮膜を水洗処理するのが好ましい。水和によるマイクロポアのポア径の変化を抑制するため、水洗処理は３０℃以下で実施することが好ましい。
【００６４】
＜貫通化処理（Ｃ）＞
貫通化処理（Ｃ）は、上記分離処理（Ｂ）により分離された陽極酸化皮膜のマイクロポアを貫通させる処理である。
貫通化処理では、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜を、酸水溶液またはアルカリ水溶液に浸せきさせることにより、陽極酸化皮膜を部分的に溶解させる。これにより、マイクロポア底部の陽極酸化皮膜が除去され、マイクロポアからなる貫通孔（以下、「マイクロポア貫通孔」ともいう。）が形成される。
貫通化処理により、陽極酸化皮膜に存在するマイクロポアのうち７０％以上が貫通することが好ましく、８５％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更に好ましい。
【００６５】
マイクロポア底部の陽極酸化皮膜の除去は、予めｐＨ緩衝液に浸漬させてマイクロポアによる孔の開口側から孔内にｐＨ緩衝液を充填した後に、開口部の逆面、即ち、酸化皮膜の底部に酸水溶液またはアルカリ水溶液に接触させる方法により行うのが好ましい。
【００６６】
貫通化処理に酸水溶液を用いる場合は、硫酸、リン酸、硝酸、塩酸等の無機酸またはこれらの混合物の水溶液を用いることが好ましい。酸水溶液の濃度は１〜１０質量％であるのが好ましい。酸水溶液の温度は、２５〜４０℃であるのが好ましい。
貫通化処理にアルカリ水溶液を用いる場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも一つのアルカリの水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液の濃度は０．１〜５質量％であるのが好ましい。アルカリ水溶液の温度は、２０〜３５℃であるのが好ましい。
具体的には、例えば、５０ｇ／Ｌ、４０℃のリン酸水溶液、０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液または０．５ｇ／Ｌ、３０℃の水酸化カリウム水溶液が好適に用いられる。
酸水溶液またはアルカリ水溶液への浸せき時間は、８〜１２０分であるのが好ましく、１０〜９０分であるのがより好ましく、１５〜６０分であるのが更に好ましい。
【００６７】
貫通化処理後の陽極酸化皮膜の膜厚は、５〜１０００μｍであるのが好ましく、５０〜１０００μｍであるのがより好ましく、６０〜５００μｍであるのが更に好ましい。
【００６８】
貫通化処理後、陽極酸化皮膜を水洗処理する。水和によるマイクロポア貫通孔のポア径の変化を抑制するため、水洗処理は３０℃以下で実施することが好ましい。
【００６９】
本発明の製造方法においては、上述した分離処理（Ｂ）および貫通化処理（Ｃ）は、これらの処理を同時に施す方法であってもよい。
具体的には、陽極酸化皮膜の下方、即ち、陽極酸化皮膜におけるアルミニウム基板側の部分を、レーザー等による切削処理や種々の研磨処理等を用いて物理的に除去し、マイクロポア貫通孔を有する陽極酸化皮膜とする方法が好適に例示される。
【００７０】
［貫通孔］
本発明の製造方法に用いられる基体は、上述したように、平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2の貫通孔を有する。
本発明の製造方法においては、後述するように、上記貫通孔が本発明の電解めっき方法よって金属が充填されることにより、異方導電性部材として用いることができる金属充填微細構造体を得ることができる。
【００７１】
上記貫通孔の平均開孔径は、金属充填後に異方導電性部材として使用した際に、電気信号に対する十分な応答が得られる理由から、１０〜１０００ｎｍであるのが好ましく、２０〜８００ｎｍであるのがより好ましく、４０〜６００ｎｍであるのが更に好ましく、５０〜４００ｎｍであるのが特に好ましい。
同様に、上記貫通孔の平均深さは、５０〜１０００μｍであるのが好ましく、７０〜７００μｍであるのがより好ましく、１００〜５００μｍであるのが更に好ましい。
同様に、上記貫通孔のアスペクト比は、最低でも１００以上であるのが好ましく、平均値では５００以上であるのが好ましい。
【００７２】
また、上記貫通孔の密度は、電解めっき方法による金属充填の均一性向上の観点から、密度が１×１０7〜８×１０9／ｍｍ2であるのが好ましく、１×１０8〜５×１０9／ｍｍ2であるのが更に好ましい。
【００７３】
更に、金属充填後に異方導電性部材として使用した際の導電部の平面方向の絶縁性をより確実に担保する観点から、上記貫通孔について下記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上であるのが好ましい。
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲における貫通孔の全数を表す。Ｂは、一の貫通孔の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一の貫通孔以外の貫通孔の重心を６個含むことになる上記一の貫通孔の測定範囲における数を表す。
【００７４】
図１は、貫通孔の規則化度を算出する方法の説明図である。図１を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
図１（Ａ）に示される貫通孔１０１は、貫通孔１０１の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円１０３（貫通孔１０２に内接している。）を描いた場合に、円３の内部に貫通孔１０１以外の貫通孔の重心を６個含んでいる。したがって、貫通孔１０１は、Ｂに算入される。
図１（Ｂ）に示される貫通孔１０４は、貫通孔１０４の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円１０６（貫通孔１０５に内接している。）を描いた場合に、円１０６の内部に貫通孔１０４以外の貫通孔の重心を５個含んでいる。したがって、貫通孔１０４は、Ｂに算入されない。
また、図１（Ｂ）に示される貫通孔１０７は、貫通孔１０７の重心を中心とし、他の貫通孔の縁に内接する最も半径が短い円１０９（貫通孔１０８に内接している。）を描いた場合に、円１０９の内部に貫通孔１０７以外の貫通孔の重心を７個含んでいる。したがって、貫通孔１０７は、Ｂに算入されない。
【００７５】
また、金属充填後に異方導電性部材として使用した際の導電部の平面方向の絶縁性をより確実に担保する観点から、隣接する上記貫通孔同士の幅は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０〜１００ｎｍであるのがより好ましく、２０〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
【００７６】
更に、金属充填後に異方導電性部材として使用した際の導通路直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすいという理由から、隣接する貫通孔の中心間距離は、２０〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。
【００７７】
［貫通孔への金属の充填］
上記貫通孔への金属の充填は、上述した本発明の電解めっき方法により施される。
本発明の製造方法においては、上記貫通孔が本発明の電解めっき方法よって金属が充填されるため、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の検査用コネクタや電気的接続部材等として使用することができる金属充填微細構造体を得ることができる。
具体的には、以下に示すように、電極膜形成処理および金属充填処理をこの順に施すことにより、金属充填微細構造体を得ることができる。
【００７８】
＜電極膜形成処理＞
電極形成処理は、上記貫通孔を有する上記基体の一方の表面に電極膜を形成する処理であり、上記貫通孔のいずれか一方側の開口部を電極膜で覆う処理である。
電極膜の形成方法としては、具体的には、導電性材料（例えば、金、白金、ニッケル、パラジウムなど）の無電解めっき処理、蒸着（ＰＶＤ、ＣＶＤ）、直接塗布等が好適に例示される。
これらのうち、電極膜の均一性および操作の簡便性の観点から、無電解めっき処理が好ましい。
【００７９】
ここで、無電解めっき処理により電極膜を形成する場合は、めっき核を上記基体の一方の表面に付与する必要がある。
具体的には、無電解めっき処理により付与するべき金属と同種の金属もしくは金属化合物または無電解めっき処理により付与するべき金属よりもイオン化傾向の高い金属もしくは金属化合物を、上記基体の一方の表面に付与する方法が好ましい。
付与方法としては、金属もしくは金属化合物を蒸着または直接塗布する方法が挙げられるが、特に限定されない。
上記のようにめっき核を付与したのち、無電解めっき処理により電極膜を形成する。処理方法は、温度、時間により電極層の厚さを制御できる観点から、浸漬法が好ましい。
【００８０】
また、無電解めっき処理に用いるめっき液としては、従来公知のものを使用することができるが、濃度は、１〜３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１００〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましい。
また、形成される電極膜の通電性を高める観点から、金めっき液、銅めっき液、銀めっき液等、貴金属を有するめっき液が好ましく、経時による電極の安定性、すなわち、酸化による劣化を防ぐ観点から、金めっき液がより好ましい。
【００８１】
更に、無電解めっきの処理の温度、処理時間としては、形成しうる電極の厚さに依存するが、概ね０〜９０℃、１分〜１０時間が好ましく、５〜７５℃、１０分〜７時間がより好ましく、１０〜６０℃、３０分〜５時間が特に好ましい。
【００８２】
このような電極膜形成処理により形成される電極膜の厚さは、０．０５μｍ〜１００μｍが好ましく、０．１μｍ〜５０μｍがより好ましく、０．２μｍ〜２０μｍが特に好ましい。この範囲より厚さが薄いと、電極膜としての導電性が不十分となり、範囲より厚いと、その形成に時間を要してしまうため、それぞれ好ましくない。
【００８３】
＜金属充填処理＞
金属充填処理は、上記電極形成処理の後に、上述した本発明の電解めっき方法により上記貫通孔に金属を充填して金属充填微細構造体を得る処理である。
ここで、充填する金属は、本発明の電解めっき方法において説明したものと同様である。
【００８４】
本発明の製造方法においては、上述した本発明の電解めっき方法においても述べたように、めっき液の液流方向が、貫通孔を有する基体表面に対して、対向流で流れる方向であるのが好ましい。具体的には、液流方向とマイクロポア形成面がなす角度が、６０〜１２０°であるのが好ましく、７０〜１１０°であるのがより好ましく、８０〜１００°であるのが更に好ましく、９０°（垂直）であるのが特に好ましい。
【００８５】
また、本発明の製造方法においては、上述した本発明の電解めっき方法により電解めっきを施す際に、電解めっき液の貫通孔への浸透を促進させる観点から、超音波を加える処理を併用することも好ましい。
【００８６】
更に、本発明の製造方法においては、上述した本発明の電解めっき方法により電解めっきを施す際に、電電解めっき液の貫通孔への浸透を促進させる観点から、貫通孔の内表面を予め親水化処理しておくことが好ましい。
親水化処理としては、シリケート処理と称されるＳｉ元素をマイクロポアの内表面に付与しておく方法が好適に例示される。
Ｓｉ元素をマイクロポアの内表面に付与する方法は特に限定されないが、例えば、アルカリ金属ケイ酸塩が溶解している水溶液に直接浸せきして処理する方法が一般的である。アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液は、ケイ酸塩の成分である酸化ケイ素ＳｉＯ2とアルカリ金属酸化物Ｍ2Ｏの比率（一般に〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕のモル比で表す。）と濃度によって保護膜厚の調節が可能である。
ここで、Ｍとしては、特にナトリウム、カリウムが好適に用いられる。
また、モル比は、〔ＳｉＯ2〕／〔Ｍ2Ｏ〕が０．１〜５．０が好ましく、０．５〜３．０がより好ましい。
更に、ＳｉＯ2の含有量は、０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１０質量％がより好ましい。
【００８７】
本発明の金属充填微細構造体は、上述した本発明の電解めっき方法を用いた金属充填微細構造体の製造方法により得られる構造体である。
そのため、本発明の金属充填微細構造体は、平均開孔径が５〜１０００ｎｍであり、平均深さが５〜１０００μｍであり、かつ、密度が１×１０6〜１×１０10／ｍｍ2である貫通孔を金属で充填された構造を有するものである。
したがって、本発明の金属微細構造体の基体が絶縁性基材（特に、アルミナ）からなるものであれば、本発明の金属微細構造体は、高設置密度、高アスペクト比の導通路を達成し、高集積化が一層進んだ現在においても半導体素子等の電子部品の電気的接続部材や検査用コネクタ等として使用することができる。
【実施例】
【００８８】
以下に金属充填微細構造体の製造についての実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００８９】
（実施例１〜６）
（Ａ）鏡面仕上げ処理（電解研磨処理）
高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００９０】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【００９１】
（Ｂ）陽極酸化処理
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、特開２００７−２０４８０２号公報に記載の手順にしたがって自己規則化法による陽極酸化処理を施した。
具体的には、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、５時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５０ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１０時間の再陽極酸化処理を施し、膜厚８０μｍの酸化皮膜を得た。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００９２】
（Ｃ）貫通化処理
次いで、２０質量％塩化水銀水溶液(昇汞)に２０℃、３時間浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる微細構造体（絶縁性基材）を作製した。
【００９３】
ここで、貫通孔としてのマイクロポアの平均開孔径は、３０ｎｍであった。ここで、平均開孔径は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値として算出した。
【００９４】
また、貫通孔としてのマイクロポアの平均深さは、１３０μｍであった。ここで、平均深さは、上記で得られた微細構造体をマイクロポアの部分で厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その断面をＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、１０点測定した平均値として算出した。
【００９５】
また、貫通孔としてのマイクロポアの密度は、約１．５億個／ｍｍ2であった。ここで、密度は、図２に示すように、上記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上となるように配列するマイクロポアの単位格子５１中に１／２個のマイクロポア５２があるとして、下記式により計算した。ここで、下記式中、Ｐｐは周期を表す。
密度（個/μｍ2）＝（１/２個）／｛Ｐｐ（μｍ）×Ｐｐ（μｍ）×√３×（１/２）｝
【００９６】
更に、貫通孔としてのマイクロポアの規則化度は、９２％であった。ここで、規則化度は、ＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、２μｍ×２μｍの視野で、マイクロポアについて上記式（ｉ）により定義される規則化度を測定した。
【００９７】
（Ｄ）加熱処理
次いで、上記で得られた微細構造体に、温度４００℃で１時間の加熱処理を施した。
【００９８】
（Ｅ）電極膜形成処理
次いで、上記加熱処理後の微細構造体の一方の表面に電極膜を形成する処理を施した。
具体的には、０．７ｇ／Ｌ塩化金酸水溶液を、一方の表面に塗布し、１４０℃で１分乾燥させ、更に５００℃で１時間焼成することにより、金のめっき核を作製した。
その後、無電解めっき液としてプレシャスファブＡＣＧ２０００基本液／還元液（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース社製）を用いて、５０℃で１時間浸漬処理し、表面との空隙のない電極膜を形成した。
【００９９】
（Ｆ）金属充填処理（電解めっき処理）
次いで、上記電極膜を形成した面に銅電極を密着させ、該銅電極を陰極にし、白金を正極にして電解めっき処理を施した。
硫酸銅／硫酸／塩酸＝１００／５０／１５（ｇ／Ｌ）の混合溶液を２５℃に保った状態で電解液として使用し、定電圧パルス電解を施すことにより、マイクロポアに銅が充填された微細構造体を作製した。
ここで、定電圧パルス電解は、山本鍍金社製のめっき装置を用い、北斗電工社製の電源（ＨＺ−３０００）を用い、めっき液中でサイクリックボルタンメトリを行って析出電位を確認した後に、下記第１表に示す処理条件で施した。
なお、下記第１表においては、めっき液温度、硫酸銅濃度、電位およびめっき液流速度のいずれかを変化させることにより、電流値をマイナス方向に連続的に増大させた際の増大率を示す。また、電解時のめっき液の液流速度および陰極基板表面（マイクロポアの開口部側の表面）に対する液流方向についても第１表に示す。
【０１００】
（実施例７）
ポリ（エチレンオキシド）メチルエーテル（数平均分子量５０００）を親水性高分子鎖Ａとし、含アゾベンゼン液晶性側鎖を有する重合度１１４のポリメタクリレートを疎水性高分子鎖Ｂとするブロック共重合体を合成した。合成は、銅錯体を触媒とする原子移動ラジカル重合法により行なった。
得られたブロック共重合体の構造式を以下に示す。
【０１０１】
【化１】
2009287115.tif 000002
【０１０２】
式中、ａは９、Ｒはノルマルブチル基、ｍは１１４、ｎは４７で表され、数平均分子量は２８１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０８、ポリメタクリレート（ＭＡ）含量は８２質量％、融点は１２０℃であった。
【０１０３】
得られたブロック共重合体をトルエンに１２質量％となるように溶解した共重合体溶液を調製し、この共重合体溶液を透明導電性インジウムスズオキシド（ＩＴＯ）ガラスの電極基板に１ｃｍ2当たり０．１ｍＬ滴下した。
滴下後、直ちに３０ｍＬのトルエンが入ったサンプル瓶が設置された内容量２Ｌのデシケーターに移し、５時間静置することでキャスト膜を得た。
次いで、得られたキャスト膜を５０〜８０℃の温度で５〜４８時間加熱し、ブロック共重合体膜を得た。なお、この膜厚は６μｍであった。
【０１０４】
次に、上記ブロック共重合体膜の上面および下面に作用電極を設置し、電位範囲（＋１〜−１Ｖ）、走査速度（１Ｖ／秒）の条件で３０分間掃引した。
掃引後のサンプルを原子間力プローブ顕微鏡で観察した結果、直径８ｎｍのポリエチレンオキシドドットが六方格子型に膜厚方向に垂直配列したミクロ相分離構造が確認できた。
【０１０５】
その後、上記ミクロ相分離構造のサンプルをメタノールに２５℃３０秒間浸漬させた。
浸漬後のサンプルの形状をＦＥ−ＳＥＭにより観察した結果、厚さ（平均深さ）６μｍの膜に平均開孔径８ｎｍの孔（次段落において「マイクロポア」という。）が深さ方向にシリンダ状、面方向にハニカム状に形成された微細構造体膜が得られたことが確認できた。
【０１０６】
このようにして得られた微細構造体膜に対して、実施例１と同様に、（Ｅ）電極膜形成処理（Ｆ）金属充填処理（電解めっき処理）を施し、マイクロポアに銅が充填された微細構造体を作製した。
【０１０７】
（比較例１〜３）
上記処理（Ｆ）金属充填処理工程において、下記第１表に示すように、めっき液温度、硫酸銅濃度、電位およびめっき液流速度のいずれかをも変化させなかった以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１〜３の微細構造体を作製した。
【０１０８】
上記のようにして作製した実施例１〜７および比較例１〜３の微細構造体のアスペクト比を評価した。
具体的には、作製した実施例１〜７および比較例１〜３の微細構造体を厚さ方向に対してＦＩＢで切削加工し、その切削面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、アスペクト比（マイクロポア内部に充填された銅の高さ／マイクロポアの開口径）を１００個所で計測し、その平均値および最低値を計算した。その結果を第１表に示す。
【０１０９】
【表１】
2009287115.tif 000003
【０１１０】
第１表に示す結果から、電解めっき時の電流値をめっき時間に対して連続的にマイナス方向へ増大させる電解めっき方法により金属を充填することにより、高設置密度の貫通孔に対して、高いアスペクト比で金属が充填できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の金属充填微細構造体は、半導体素子等の電子部品等の機能検査を行う際の検査用コネクタとして用いることができ、ＣＰＵなどのマザーボードとインターポーザーの間の電気的接点（電子接続部材）として用いることもできる。
【０１１２】
また、本発明の金属充填微細構造体は、光伝送素材の用途としても応用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】図１は、貫通孔の規則化度を算出する方法の説明図である。
【図２】図２は、貫通孔の密度を計算するための説明図である。
【符号の説明】
【０１１４】
５１  マイクロポアの単位格子
５２  マイクロポア
１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８  貫通孔
１０３、１０６、１０９  円
【図１】
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【図２】
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