(57)【要約】  【課題】長尺な基板を巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって成膜を行い、成膜済の基板をロール上に巻回する成膜において、成膜を停止することなく、基板への成膜中に電極のクリーニングを行なうことができる成膜方法を提供する。  【解決手段】プラズマＣＶＤによって成膜を行なう成膜部を、基板の搬送方向に、複数、配列して設けると共に、各成膜部に電極のクリーニング手段を設け、所定のタイミングで少なくとも１つの成膜部による成膜を停止して気密に閉塞してクリーニングを行なうと共に、この成膜部の停止時には、他の成膜中の成膜部で成膜条件を変更して停止分を補完して所定の成膜レートを確保することにより、前記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール状に巻回された長尺な基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行い、成膜された長尺な基板をロール状に巻回するに際し、
電極のクリーニング手段を有する互いに独立した成膜部を、基板の搬送経路に対応して基板の搬送方向に複数配列すると共に、
前記基板への成膜中に、所定のタイミングで、少なくとも１つの前記成膜部における成膜を停止すると共に、停止していない成膜部における成膜条件を変更して所定の成膜レートを維持し、さらに、前記成膜を停止した成膜部は、他の空間と気密に分離して前記クリーニング手段によって電極のクリーニングを行なうことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記所定の成膜レートを維持するための成膜条件の変更が、基板の搬送速度の変更である請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記クリーニング手段が、クリーニングガスの導入手段と、前記電極への高周波電力の投入手段である請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記クリーニング手段が、前記成膜部とは別の空間で生成されたラジカルの導入手段である請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
個々の成膜部毎に、独立して真空度が調整可能である請求項１〜４のいずれかに記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤによる基板への成膜に関し、詳しくは、成膜中に電極のクリーニングを行なうことができ、長期の連続的な成膜を安定して行なうことができる成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学素子の製造、光学素子に用いられる防湿膜や保護膜の製造、半導体装置の製造、薄膜太陽電池の製造等に、プラズマＣＶＤによる薄膜形成が利用されている。
【０００３】
プラズマＣＶＤによって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基板に連続的に成膜を行なうのが好ましい。
このような成膜方法を実施する設備として、長尺な基板（ウェブ状の基板）をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基板をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロールの成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、プラズマＣＶＤによって基板に成膜を行なう成膜室を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基板を挿通し、供給ロールからの基板の送り出しと、巻取りロールによる成膜済基板の巻取りとを同期して行いつつ、成膜室において、搬送される基板に連続的に成膜を行なう。
【０００４】
ところで、プラズマＣＶＤでは、通常、反応ガスをプラズマ励起させるための電極が、成膜系内（成膜空間内）に位置している。そのため、基板のみならず、電極にも膜が付着してしまう。
前述のようなロール・ツー・ロールの成膜装置では、長尺な基板にプラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行なう。そのため、成膜を続けていると、電極には、次第に膜が付着／堆積していく。電極に堆積した膜（付着物）は、いずれは剥がれ落ちてパーティクルとなってしまい、基板等を汚染してしまう可能性もある。
そのため、ロール・ツー・ロールの成膜装置では、適正な製品を製造するために、適度なタイミングで電極のクリーニング（清掃）を行い、付着／堆積した膜を除去する必要が生じてしまう。
【０００５】
このようなプラズマＣＶＤにおける電極のクリーニングのために、各種の提案が行なわれている。
例えば、特許文献１には、プラズマＣＶＤ装置において、高周波電極を電極板と電極本体とに分けて、電極板に第１の孔を、電極板本体に前記第１の孔に対応する第２の孔を、それぞれ設けると共に、第１の孔に挿通して第２の孔に嵌合する装着ピンを用いて、電極板を電本体に装着するプラズマＣＶＤ装置（薄膜形成装置）が開示されている。
また、特許文献２には、基板の幅方向に長尺な棒電極と、基板の幅方向両側に配置された棒電極のクリーニング手段（汚れ除去手段）と、棒電極を長手方向（基板幅方向）に移動する移動機構とを有し、成膜中に、移動機構によって棒電極を移動することにより、基板から外れた領域で棒電極のクリーニングを行なうプラズマＣＶＤ装置（薄膜形成装置）が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２４２３号公報
【特許文献２】特開２００５−３０７２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示されるプラズマＣＶＤ装置によれば、装着ピンを用いた簡易な作業で、電極板の脱着を行なうことができ、電極清掃作業の時間短縮や作業効率の向上、装置可動効率の向上等を図ることができる。
しかしながら、電極をクリーニングするためには、真空チャンバを真空ブレーク（大気開放）して、電極板を取り外す必要があるので、メンテナンスのための装置の停止時間が長くなってしまう。また、ロール・ツー・ロールの装置では、電極板への膜の堆積量が限界を超えた場合には、供給ロールに巻回された全ての基板への成膜を終了する前に、成膜を停止して電極のクリーニングを行なう必要がある。さらに、供給ロールの基板が終了する前に電極のクリーニングを行なう場合には、真空チャンバ内に基板が存在する状態で真空ブレークする必要があるので、この際に電極や真空チャンバ内壁に付着／堆積した膜が剥離してパーティクルとなって舞い上がり、基板を汚染してしまう可能性もある。
【０００８】
他方、特許文献２に開示されるプラズマＣＶＤ装置によれば、成膜中に（棒）電極のクリーニングが可能であり、ロール・ツー・ロールの装置であっても、電極の汚れに起因する成膜の停止をすることなく、供給ロールの基板が終了するまで連続的にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうことができる。
その半面、特許文献２に開示される装置では、機械的な方法で電極に付着した膜を除去して、除去した膜を吸引によってチャンバ外に排出するので、大気圧近傍の環境でしか使用することができず、真空でのプラズマＣＶＤに利用できないため、非常に用途が限られてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、長尺な基板をロール状に巻回してなる供給ロールから基板を送り出して、基板を搬送しつつ連続的にプラズマＣＶＤによる成膜を行い、成膜を終了した基板をロール状に巻回する、プラズマＣＶＤによるロール・ツー・ロールの成膜において、長尺な基板に連続的に成膜を行いつつ、成膜の停止や真空ブレークを行することなく電極のクリーニングを行なうことができ、供給ロールの基板が終了するまで、電極への膜の付着／堆積に起因して成膜を停止することなく、連続して成膜を行なうことができる成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の成膜方法は、ロール状に巻回された長尺な基板を送り出して、基板を搬送しつつプラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行い、成膜された長尺な基板をロール状に巻回するに際し、電極のクリーニング手段を有する互いに独立した成膜部を、基板の搬送経路に対応して基板の搬送方向に複数配列すると共に、前記基板への成膜中に、所定のタイミングで、少なくとも１つの前記成膜部における成膜を停止すると共に、停止していない成膜部における成膜条件を変更して所定の成膜レートを維持し、さらに、前記成膜を停止した成膜部は、他の空間と気密に分離して前記クリーニング手段によって電極のクリーニングを行なうことを特徴とする成膜方法を提供する。
【００１１】
このような本発明の成膜方法において、前記所定の成膜レートを維持するための成膜条件の変更が、基板の搬送速度の変更であるのが好ましく、また、前記クリーニング手段が、クリーニングガスの導入手段と、前記電極への高周波電力の投入手段であるのが好ましく、また、前記クリーニング手段が、前記成膜部とは別の空間で生成されたラジカルの導入手段であるのが好ましく、さらに、個々の成膜部毎に、独立して真空度が調整可能であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
上記構成を有する本発明は、供給ロールから基板を送り出して、成膜室において基板を搬送しつつ連続的にプラズマＣＶＤによる成膜を行い、成膜した基板をロール状に巻回する、ロール・ツー・ロールのプラズマＣＶＤによる成膜において、基板にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうと共に、電極（あるいはさらに内壁等のその他の領域）のクリーニング手段を有する成膜部を、基板の搬送方向に配列して、複数、設け、かつ、各成膜部を密閉（各成膜部の成膜空間を他の空間と（略）気密に密閉）する密閉手段を設ける。
本発明の成膜方法においては、このような構成の成膜装置を用い、通常は全ての成膜部を用いて成膜を行なうが、成膜中に、所定のタイミングで、少なくとも１つの成膜部の成膜を停止し、前記密閉手段で密閉して、この成膜部の電極をクリーニング手段でクリーニング（付着物を除去）する。また、いずれかの成膜部の成膜を停止した場合には、基板搬送速度の低減、反応ガス量の増加、高周波電力の向上など、成膜を行なっている成膜部における成膜条件を変更し、所定の成膜レートを確保する。
【００１３】
従って、本発明によれば、成膜を連続的に行いつつ、電極への膜の付着／堆積の状態などに応じて、適宜、各成膜部の電極のクリーニングを行なうことができる。
すなわち、本発明によれば、ロール・ツー・ロールのプラズマＣＶＤによる成膜において、長尺な基板に連続的に成膜を行いつつ、成膜の停止や真空ブレークを行することなく電極のクリーニングを行なうことができ、供給ロールの基板が終了するまで、電極への膜の付着／堆積に起因して成膜を停止することなく、目的とする所定の成膜レートで、連続して成膜を行なうことができる。
【００１４】
そのため、本発明によれば、電極に堆積した膜に起因するパーティクル等の悪影響を受けることなく、非常に長尺な基板に、成膜を停止することなく連続して形成することができ、パーティクルによる汚染を好適に抑制した高品質の膜を形成した製品を、高い生産性および生産効率で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の成膜方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
【００１６】
図１に、本発明の成膜方法を実施する成膜装置の一例の概念図を示す。
図１に示す成膜装置１０は、光学素子の製造、光学素子等に用いられる防湿膜（ガスバリアフィルム）の製造、光学素子等に用いられる保護膜の製造、半導体装置の製造、薄膜太陽電池の製造等に利用される、長尺な基板Ｚ（ウェブ状の基板Ｚ）に連続で成膜を行なう装置である。
【００１７】
この成膜装置１０は、一例として、基板Ｚを供給する供給室１２と、プラズマＣＶＤによって基板Ｚに連続的に成膜を行なう成膜室１４と、成膜済の基板Ｚを巻き取る巻取り室１６とを有して構成される。成膜装置１０においては、供給室１２から成膜室１４を経て巻取り室１６に至る所定の経路で基板Ｚを通して（挿通して）、供給室１２から、成膜室１４を経て巻取り室１６に至る基板Ｚの搬送（長手方向への基板Ｚの搬送）を行いつつ、成膜室１４において基板Ｚに連続的に成膜を行なう。
【００１８】
供給室１２は、長尺な基板Ｚを供給する部位であり、供給ロール２０と、ガイドローラ２２とを有する。
供給ロール２０は、長尺な基板Ｚを中心軸２４にロール状に巻回してなるものである。この供給ロール２０は、中心軸２４が支軸（図示省略）に軸支されて供給室１２の所定位置に装填され、基板Ｚを巻き戻す方向（図示例においては、時計回り（矢印ｒ方向））に回転されて、基板Ｚを連続的に送り出す。
ガイドローラ２２は基板Ｚを所定の搬送経路で成膜室１４に案内する、公知のガイドローラである。成膜装置１０において、ガイドローラ２２は、駆動ローラでも従動ローラでもよい。供給室１２において、ガイドローラ２２は、基板Ｚの張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよく、あるいは、別途、テンションローラを設けてもよい。
【００１９】
なお、本発明において、成膜をする基板Ｚには、特に限定は無く、ＰＥＴフィルム等の各種の樹脂フィルム、アルミニウムシートなどの各種の金属シート等、プラズマＣＶＤによる成膜が可能な各種の基板が、全て利用可能である。
【００２０】
他方、巻取り室１６は、成膜室１４において表面に成膜（薄膜を形成）された長尺な基板Ｚ（シート材（フィルム材））を巻取る部位であり、巻取り軸２８と、ガイドローラ３０とを有する。
巻取り軸２８は、成膜された基板Ｚをロール状に巻き取るものであって、図示しない駆動源によって基板Ｚを巻き取る方向（図示例においては、時計回り（矢印ｒ方向））に回転されて、成膜済の基板Ｚを巻き取る。
ガイドローラ３０は、先のガイドローラ２２と同様、成膜室１４から搬送された基板Ｚを、所定の搬送経路で巻取りローラ２８に案内する、公知のガイドローラである。なお、先のガイドローラ２２と同様、ガイドローラ３０も、駆動ローラでも従動ローラでもよく、また、テンションローラとして作用してもよく、さらに、巻取り室１６が、別途、テンションローラを有してもよい。
【００２１】
図示例において、長尺な基板Ｚは、供給ロール２０から送り出されてスリット１２ａから成膜室１４に搬入され、成膜室１４における所定の搬送経路を経て、スリット１６ａから巻取り室１６に搬入されて巻取り軸２８に巻回される、所定の搬送経路を挿通される。
成膜装置１０は、この状態で、前述のように、供給室１２からの基板Ｚの供給（すなわち供給ロール２０からの基板Ｚの送り出し）、および、巻取り室１６における成膜済の基板Ｚの巻取り（すなわち巻取り軸２８での基板Ｚの巻取り）を同期して行いながら、成膜室１４において、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ、基板ＺにプラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行なう。
従って、供給ロール２０および巻取り軸２８は、線速が等しくなるように図示しない駆動源によって回転される。あるいは、供給ロール２０には駆動源を設けずに従動として、供給ロール２０から基板Ｚを引き出すような構成としてもよい。
【００２２】
図示例の成膜装置１０において、スリット１２ａおよびスリット１６ａは、共に、基板Ｚが妨害されることなく通過可能なギリギリの幅および長さのスリットであり、必要に応じて、隣接する部屋を略気密に分離するためのローラ対等の気密保持部材が設けられている。成膜装置１０においては、これにより、成膜室１４と、供給室１２および巻取り室１６とを、略気密に分離している。
そのため、図示例において、供給室１２および巻取り室１６には、真空ポンプ等の真空排気手段が設けられていない（真空排気手段に接続されていない）。
しかしながら、本発明は、これに限定はされず、必要に応じて、供給室１２および巻取り室１６にも、真空排気手段を設け、両室内を所定の真空度を保つようにしてもよい。
【００２３】
成膜室１４は、基板Ｚを搬送しつつ、基板Ｚの表面にプラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行なう部位で、ドラム３２と、ガイドローラ３４および３６と、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２の３つの成膜部と、シャッタ４６と、排気手段４８と、制御部５０とを有して構成される。
なお、成膜室１４は、例えばステンレスなど、各種の真空成膜装置の真空チャンバで利用されている材料を用いて構成すればよい。
【００２４】
ドラム３２は、基板Ｚの搬送方向と直交する方向（基板Ｚの幅方向）に回転軸を有する円筒状のドラムで、側面の所定領域に基板Ｚを巻き掛けて所定の速度で回転することにより、成膜室１４内の所定位置（成膜位置）に位置しつつ、基板Ｚを長手方向に搬送する。
図示例において、ドラム３２は接地（アース）されている。すなわち、図示例においては、ドラム３２は、後述する３つの成膜部の電極５６の対向電極として作用する。
なお、本発明は、ドラム３２を接地する構成に限定はされず、ドラム３２を電源に接続して、電極としても作用可能な構成としてもよい。また、好ましくは、ドラム３２は温度調整手段を有しており、プラズマＣＶＤによる成膜中に、裏面（非成膜面）から、基板Ｚを冷却（もしくは加熱）する。
【００２５】
ガイドローラ３４および３６は、供給室１２から搬送された基板Ｚを案内して、ドラム３２の側面の所定領域に巻き掛け、さらに、ドラム３２から巻取り室１６に搬送する、ガイドローラである。すなわち、基板Ｚは、ガイドローラ３４および３６によって、ドラム３２側面の所定領域に巻き掛けられて、所定領域に保持されつつ長手方向に搬送される。
なお、ガイドローラ３４および３６は、駆動ローラでも従動ローラでもよい。
【００２６】
排気手段４８は、成膜室１４内を（真空）排気して、所定の真空度にするものである。
排気手段４８には、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段や到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、プラズマＣＶＤ装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。なお、この点に関しては、後述する第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２に配置される排気手段６２も同様であり、また、前記供給室１２および巻取り室１６に排気手段を設ける場合も、同様である。
【００２７】
第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２は、共に、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうもので、互いに独立して、成膜や後述するクリーニングを行なう。すなわち、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２は、互いに独立した成膜系を構成するものである。
各成膜部は、ドラム３２の基板Ｚが巻き掛けられる領域すなわち基板Ｚの搬送経路に対応（対面）して、基板Ｚの搬送方向に（基板搬送方向の上流から下流）に、第１成膜部３８、第２成膜部４０、第３成膜部４２の順番で配列される。
【００２８】
また、成膜室１４の内部には、基板Ｚの搬送方向に配列して、成膜室１４の内壁面からドラム３２に向けて立設する４枚の仕切り板５４ａ〜５４ｄが設けられており、この４枚の仕切り板５４ａ〜５４ｄ（ならびに、ドラム３２および成膜室１４の内壁面）によって、基板Ｚの搬送方向に配列された３つの独立した空間が形成される。言い換えれば、４枚の仕切り板５４ａ〜５４ｄによって仕切られて、３つの独立した空間が形成される。
第１成膜部３８は仕切り板５４ａと５４ｂとによって形成される空間に、第２成膜部４０は仕切り板５４ｂと５４ｃとによって形成される空間に、第３成膜部４２は仕切り板５４ｃと５４ｄとによって形成される空間に、それぞれ形成される。
【００２９】
なお、本発明において、成膜室に配列される成膜部（電極、ガス導入手段、および、クリーニング手段を有するユニット）は、図示例の３つに限定はされず、複数であれば、２つでも、４つ以上でもよい。
【００３０】
図示例の成膜装置１０において、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２は、基本的に同じ構成を有するので、以下の説明は、第１成膜部３８を代表例として行なう。
【００３１】
第１成膜部３８（第２成膜部４０および第３成膜部４２）は、前述のように、ドラム３２に保持／搬送される基板Ｚの表面にプラズマＣＶＤによる成膜（薄膜の形成）を行なうものである。
第１成膜部３８は、電極５６と、高周波電源５８と、ガス供給手段６０と、排気手段６２とを有して構成される。
【００３２】
電極５６は、成膜系内すなわち仕切り板５４ａおよび５４ｂ（ならびに成膜室１４の内壁面）によって形成される空間内（以下、成膜空間とする）において、ドラム５６に対面して配置される、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうための平板状（あるいはドラム５６の側面に平行な曲面状）の電極である。また、高周波電源５８は、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうための高周波電力を電極５６に供給する電源である。
電極５６および高周波電源５８には、共に限定は無く、成膜する膜や要求される成膜レート等に応じて、プラズマＣＶＤで利用される公知のものを利用すればよい。また、高周波電源５８と電極５０とは、必要に応じて、インピーダンス整合をとるためのマッチングボックスを介して接続されてもよい。
【００３３】
なお、図示例の第１成膜部３８（成膜装置１０）において、電極５６および高周波電源５８は、電極５６（あるいはさらに、成膜室１４の内壁や仕切り板表面等）のクリーニングを行なうためのクリーニング手段としても作用する。
具体的には、第１成膜部３８（第２成膜部４０および第３成膜部４２）は、クリーニングガスによるプラズマクリーニングを行なうものであり、成膜時のみならず、電極５６のクリーニングを行なう際にも、クリーニングガスを励起してプラズマとするための高周波電力を、高周波電源５８から電極５６に供給する。
【００３４】
ガス供給手段６０は、成膜空間にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうための反応ガスを導入するもので、ガスの供給源（ガス供給源との接続手段）や流量調整手段等を有する、公知のガス導入手段である。
また、ガス供給手段６０は、反応ガスのみならず、アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガス等、プラズマＣＶＤで用いられている各種のガスを、反応ガスと共に供給してもよい。また、反応ガスと、それ以外の不活性ガス等とを、別の供給手段で成膜空間に供給してもよい。
【００３５】
ここで、図示例の第１成膜部３８においては、ガス供給手段６０も、クリーニング手段として作用する。すなわち、ガス供給手段６０は、電極５６のクリーニングに行なう際には、ガス供給手段６０は、反応ガスに変えて、クリーニングガスを成膜空間に導入する。
なお、本発明において、使用するクリーニングガスには、特に限定はなく、８フッ化プロパン(Ｃ3Ｆ8)や窒化フッ素(ＮＦ3)などのフッ化物ガス等、プラズマＣＶＤ装置等において、電極やチャンバ内壁面などのクリーニングガスとして用いられている全てのガスが利用可能である。
【００３６】
なお、本発明においては、反応ガスとクリーニングガスとを、同じガス供給手段から成膜空間に供給するのに限定はされず、反応ガスとクリーニングガスとを、別のガス供給手段によって成膜空間に供給してもよい。
また、図示例においては、３つの成膜部の個々にガス供給手段６０を設けているが、本発明は、これに限定はされず、３つの成膜部に対して１つのガス供給手段６０を有する構成でもよい。この際には、個々の成膜部毎にガス供給量を調整可能であるのが好ましい。
【００３７】
排気手段６２は、成膜空間を排気して所定の真空度とするものであり、前記排気手段４８と同様に、プラズマＣＶＤ装置等に利用される公知の排気手段である。
なお、図示例においては、３つの成膜部の個々に排気手段６２を設けているが、本発明は、これに限定はされず、３つの成膜部に対して１つの排気手段、あるいは、３つの成膜部と成膜室１４に対して１つの排気手段としてもよい。この際には、個々の成膜空間毎に排気を調整可能にするのが好ましい。
【００３８】
シャッタ４６は、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２のいずれかの成膜空間の開放面（すなわち、ドラム３２と対面する開放面）を閉塞して、各成膜部の成膜空間（成膜系）と、成膜室１４内の空間とを、気密に分離（以下、単に「成膜部を閉塞」とする）するものである。
図示例の成膜装置１０においては、通常は、シャッタ４６はいずれの成膜部にも作用しない位置に退避しており、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２の３つの成膜部を全て使用して基板Ｚへの成膜を行なう。
ここで、成膜装置１０においては、成膜中に、所定のタイミングで、何れかの成膜部での成膜を停止してシャッタ４６で閉塞して、この成膜部の電極４６のクリーニング（付着／堆積した膜等の除去）を行う。また、何れかの成膜部での成膜を停止した場合には、基板Ｚの搬送速度や反応ガスの供給量など、閉塞した成膜部以外の成膜部における成膜条件を変更することにより、所定の成膜レート（成膜速度）を確保して成膜を行なう。この点に関しては、後に詳述する。
【００３９】
シャッタ４６は、仕切り板５４ａ〜５４ｄおよび成膜室１４の内壁面によって形成される成膜空間の開放面の形状等に応じて、成膜部を閉塞可能（成膜空間の開放面を気密に閉塞可能）な板状物や蓋体等を利用すればよい。
ここで、開放面を閉塞する板状物や蓋体では、完全に気密に成膜部を閉塞するのが困難な場合もある。しかしながら、本発明においては、成膜条件、クリーニングの処理、各排気手段の能力やシャッタ４６の性能等に応じて、各成膜部における基板Ｚへの成膜と電極５６のクリーニングとが、互いに悪影響を与えない範囲であれば、シャッタ４６は、完全に気密に成膜部を閉塞するのではなく、成膜部を略気密に閉塞するものでもよい。
【００４０】
なお、シャッタ４６による成膜部の閉塞、および、各成膜部へのシャッタ４６の移動は、公知の板状物（あるいは筐体）の移動手段によればよい。
また、図示例の成膜装置１０は、１つのシャッタ４６を移動することによって、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２を閉塞しているが、本発明は、これに限定はされず、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２の個々に対応してシャッタを配置し、各成膜部を対応するシャッタで閉塞するようにしてもよい。
【００４１】
制御部５０は、成膜装置１０の全体の動作の制御や管理を行なうものである。
従って、制御部５０は、各成膜部の駆動（高周波電源５８、ガス供給手段６０、および排気手段６２の動作）の制御、シャッタ４６の動作の制御等の制御も行なう。
【００４２】
以下、成膜装置１０の作用を説明することにより、本発明の成膜方法、および、制御部５０について、より詳細に説明する。なお、以下の各部位の動作は、制御部５０によって制御されるのは、前述のとおりである。
また、以下の例は、所定のタイミングで成膜を停止してクリーニングを行なう成膜部は１つであるが、本発明は、これに限定はされず、所定のタイミングで複数の成膜部での成膜を停止してクリーニングを行なってもよい。
【００４３】
成膜装置１０において、成膜を開始する際には、基板Ｚを巻回してなる供給ロール２０を供給部１２に装填して、長尺な基板Ｚの先端を、ガイドローラ２２からスリット１２ａを経て成膜室１４に通し、成膜室１４において、ガイドローラ３６、ドラム３２、およびガイドローラ３４の順で所定の経路で通して、ドラム３２の所定領域に基板Ｚを巻き掛けて、スリット１６ａから巻取り室１６に通し、ガイドローラ３０から巻取り軸２８に通して、巻取り軸２８に所定量を巻回する。
これにより、成膜室１４を経る所定経路で、供給部１２（供給ロール２０）から巻取り室１６（巻取り軸２８）に、基板Ｚを挿通する。なお、このような基板Ｚの挿通は、人手で行なってもよく、あるいは、公知のシート状物の搬送手段を利用して、自動で行なうようにしてもよい。
【００４４】
基板Ｚの挿通、および、それ以外の必要な準備や操作が終了して、基板Ｚへの成膜開始の準備が終了したら、成膜室１４の排気手段４８、ならびに、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２の各排気手段６２を駆動して、それぞれの空間を所定の真空度にする。
ここで、本例においては、この成膜開始時には、全ての成膜部の電極５６が、未使用状態（クリーニングが終了した状態）となっているものとする。
前述のように、成膜装置１０では、基本的に、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２の全ての成膜部によって基板Ｚの成膜を行なう。従って、図１においては、シャッタ４６が第１成膜部３８を閉塞しているが、成膜開始の当初は、シャッタ４６は、いずれの成膜部にも作用しない位置に退避している。
【００４５】
成膜室１４内、および、各成膜部の成膜空間が所定の真空度となったら、所定の搬送速度で基板Ｚの搬送（巻取り軸２８による基板Ｚの巻取りおよび供給ロール２０からの基板Ｚの送り出し）を開始する。
さらに、第１成膜部３８、第２成膜部４０、および第３成膜部４２において、高周波電源５８を駆動して成膜に対応する出力の高周波電力を電極５６に供給し、また、ガス供給手段６０が成膜を行なうための反応ガス（あるいはさらに、その他の必要なガス）を、目的とする成膜レート等に応じた所定量、成膜空間に供給して、基板Ｚの表面に、プラズマＣＶＤによる成膜を開始する。すなわち、この時点では、第１成膜部３８、第２成膜部４０および第３成膜部４２の３つ全ての成膜部によって、基板Ｚへの成膜が行なわれる。
【００４６】
前述のように、プラズマＣＶＤによる成膜を続けると、電極５６の表面にも膜が付着／堆積する。
本発明の成膜方法を実施する成膜装置１０（その成膜室１４）においては、成膜中に、所定のタイミングで、何れかの成膜部での成膜を停止して、また、シャッタ４６によってこの成膜部を閉塞する。図示例においては、一例として、成膜を開始した後、まず最初に、第１成膜部３８において、高周波電源５８およびガス供給手段６０の駆動を停止して、成膜を停止し、かつ、図１に示すようにシャッタ４６で第１成膜部３８を閉塞する。
ここで、成膜の停止とシャッタ４６による閉塞は、同時に行なってもよく、あるいは、何れかを先に行なってもよい。また、成膜レートが一定となるように、第１成膜部３８による成膜レートを漸次低減すると共に、第２成膜部４０および第３成膜部４２による成膜レート漸次向上し、第１成膜部３８による成膜レートが０になった後に、シャッタ４６による第１成膜部３８の閉塞を行なうようにしてもよい。成膜レートの調整に関しては、後に詳述する。
【００４７】
なお、この成膜中における各成膜部の成膜停止は、予め設定したシーケンスに応じたタイミングでの成膜停止、予め設定した成膜時間経過に応じたタイミングでの成膜停止、電極５６に所定量の膜が付着したことの検出に応じたタイミングでの成膜停止、これらのタイミングの併用等、予め設定した各種のタイミングで行なえばよい。
【００４８】
また、本発明において、電極５６への膜の付着量の検出は、レーザ変位計によって膜の量（膜厚）を直接検出する方法などの公知の手段によって、電極５６に付着した膜の量を直接的に検出する方法；  予め行なった実験やシミュレーションによって、成膜レートや成膜時間など応じて電極５６に付着した膜の量を検出（予測）する方法；  等、各種の方法が利用可能である。
【００４９】
また、成膜室１４においては、第１成膜部３８における成膜を停止したら、第２成膜部４０および第３成膜部４２における成膜条件を変更して、停止した第１成膜部３８による成膜分を補完して、３つの成膜部で成膜していた際における所定の成膜レートを確保するように、第２成膜部４０および第３成膜部４２における成膜レートを向上して、成膜を続ける。言い換えれば、本発明においては、所定のタイミングで１以上の何れかの成膜部を成膜に寄与しない状態として後述するクリーニングを行い、かつ、何れかの成膜部の停止中は、成膜に寄与している成膜部の成膜条件を変更することで、停止した成膜部の成膜分を補完して目的とする所定の成膜レートを確保して連続的に成膜を行なう。
【００５０】
前記所定の成膜レートを確保するための成膜条件の調整方法には、特に限定はなく、成膜レートを調整可能な方法が全て利用可能である。
一例として、基板Ｚの搬送速度の変更、ガス供給手段６０からの反応ガス供給量の変更、高周波電源５８から電極に供給する高周波電力の出力調整、ドラム３２の温度調整による基板Ｚの温度変更、これらの各調整方法の併用、等が例示される。
【００５１】
一方、成膜を停止した第１成膜部３８においては、シャッタ４６によって閉塞された後、所定のタイミングで、ガス供給手段６０からクリーニングを行なうためのクリーニングガスの供給を開始し、かつ、高周波電源５８からクリーニングに応じた出力の高周波電力を電極５６に供給して、電極５６あるいはさらに仕切り板の表面や成膜室１４の内壁面等のプラズマクリーニングを開始する。また、必要に応じて、第１成膜部３８の排気手段６２による排気を、クリーニングに応じた所定の状態とする。
これにより、電極５６等に付着した膜が除去され、電極５６が清浄化される。また、電極５６等から除去されたパーティクルは、排気手段６２によって成膜空間の外部に排気される。
【００５２】
第１成膜部３８のクリーニングを開始して、所定の時間が経過したら、ガス供給手段６０および高周波電源５８の駆動を停止して、電極４６のクリーニングを終了する。また、クリーニングに応じて第１成膜部３８の排気手段６２の駆動を調整した場合には、排気手段６２による排気の状態を、成膜に応じた状態に戻す。
なお、クリーニングの終了時間は、予め行なった実験やシミュレーション等に応じて、適宜、設定すればよい。あるいは、前記膜の付着の検出と同様に、直接的に電極５６に付着する膜の量を検出して、クリーニングを終了してもよい。
【００５３】
第１成膜部３８のクリーニングを終了したら、第１成膜部３８において成膜のための電極４６への高周波電力の供給、およびガス供給手段６０による反応ガスの供給を再開し、かつ、シャッタ４６を開放して成膜に作用しない位置に退避し、成膜停止前と同様に第１成膜部３８による成膜を再開する。並行して、第２成膜部４０および第３成膜部４２における成膜条件を、第１成膜部３８での成膜停止前と同じ成膜条件に戻して、３つの成膜部による所定の成膜レートでの成膜を再開する。
すなわち、第１成膜部３８による成膜停止時と逆の操作を行なって、２つの成膜部によって所定の成膜レートでの成膜を行なっている状態から、第１成膜部３８の成膜停止前の３つの成膜部によって所定の成膜レートでの成膜を行なっている状態に復帰する。
【００５４】
３つの成膜部による成膜を再開した後、所定のタイミングで、今度は例えば第２成膜部４０による成膜を停止して、シャッタ４６によって第２成膜部４０を閉塞し、並行して、第１成膜部３８および第３成膜部４２における成膜条件を先と同様に調整して、この２つの成膜部で所定の成膜レートを確保して成膜を続ける。
シャッタ４６によって第２成膜部４０を閉塞したら、第２成膜部４０において、先と同様にクリーニングガスの供給および高周波電力の供給を行なって電極５６等のクリーニングを行なう。
【００５５】
第２成膜部４０におけるクリーニングを終了したら、先と同様に、第２成膜部４０による成膜を復帰して、かつ、第１成膜部３８および第３成膜部４２における成膜条件を３つの成膜部での成膜条件に戻して、３つの成膜部での成膜を再開する。
３つの成膜部での成膜を再開した後、先と同様に、所定のタイミングで、第３成膜部４２による成膜の停止してシャッタ４６を閉塞し、かつ、第１成膜部３８および第２成膜部４０における成膜条件を調整して所定の成膜レートを確保して成膜を続け、さらに、第３成膜部４２において、電極４６等のクリーニングを行なう。
【００５６】
第３成膜部４２におけるクリーニングを終了したら、第３成膜部４２による成膜を復帰して、第１成膜部３８および第２成膜部４０の成膜条件を戻して、３つの成膜部による成膜を再開する。
これ以降、同様にして、３つの成膜部による成膜と、成膜部を停止してのクリーニングおよび成膜に寄与している２つの成膜部での補完による所定成膜レートを保っての成膜とを、交互に、第１成膜部３８、第２成膜部４０および第３成膜部４２を順次停止して行い、供給ロール２０の基板Ｚが終了したら、あるいは、所定長の成膜済の基板Ｚを巻取り軸２８に巻回したら、成膜を終了する。
なお、成膜の終了は、通常の供給ロール２０から基板Ｚを送り出し、成膜済の基板Ｚに巻回する、公知のロール・ツー・ロールの成膜装置と同様に行なえばよい。
【００５７】
以上の説明より明らかなように、本発明の成膜装置によれば、複数の成膜部を基板Ｚの搬送方向に配列して、所定のタイミングで何れかの成膜部を停止すると共に、残りの成膜に寄与している成膜部の成膜条件を調整することにより、成膜に寄与している成膜部で停止した成膜部の分を補完して所定の成膜レートでの成膜を行いつつ、停止した成膜部でクリーニングを行なうことができる。そのため、本発明によれば、所定の成膜レートでの成膜を連続的に行ないつつ、かつ、真空をブレイクすることなく、薄膜が付着した電極のクリーニングを行なうことができ、いわゆるロール・ツー・ロールのプラズマＣＶＤによる成膜において、長尺な基板に連続的に成膜を行いつつ電極のクリーニングを行って、供給ロールの基板が終了するまで、電極への膜の付着に起因する成膜停止を行なうことなく、連続して成膜を行なうことができる。
従って、本発明によれば、電極に堆積した膜に起因するパーティクル等の悪影響を受けることなく、非常に長尺な基板に、成膜を停止することなく連続して形成することができ、パーティクルによる汚染を好適に抑制した高品質の膜を形成した製品を、高い生産性および生産効率で製造することができる。
【００５８】
以上の例では、成膜を停止した成膜部のクリーニングが終了した後、停止していた成膜部による成膜を再開して、３つの成膜部による成膜を再開し、その後、所定のタイミングで、何れかの成膜部の成膜停止／クリーニングを行なっているが、本発明は、これに限定はされず、各種の作用が利用可能である。
例えば、前述のように第１成膜部３８を停止して、第２成膜部４０および第３成膜部４２での成膜ならびに第１成膜部３８でのクリーニングを行なう。この第１成膜部３８でのクリーニングを終了した後、第１成膜部３８の成膜復帰と同時に第２成膜部の成膜を停止して、第１成膜部３８および第３成膜部４２での成膜ならびに第２成膜部４０でのクリーニングを行う。この第２成膜部４０でのクリーニング終了後、第２成膜部４０の成膜復帰と同時に第３成膜部４２の成膜を停止して、第１成膜部３８および第２成膜部４０での成膜ならびに第３成膜部４２でのクリーニングを行い、第３成膜部４２でのクリーニングすなわち全ての成膜部でのクリーニングが終了した後に、３つの成膜部による成膜を再開するようにしてもよい。
すなわち、本発明においては、基板搬送方向に配列された複数の成膜部において、基本的に全ての成膜部で成膜を行ない、適宜、クリーニングのため成膜に寄与しない成膜部を生ぜしめて、その間は、残りの成膜に寄与している成膜部によって停止している成膜部の成膜を補完して、所定の成膜レートを確保するものであれば、各種の作用（シーケンス）が利用可能である。
【００５９】
図１に示す成膜装置１０は、本発明をドラムを利用して基板Ｚを支持／搬送しつつ、プラズマＣＶＤ装置によって成膜を行なう装置に利用した例であるが、本発明は、これに限定はされず、各種の構成のプラズマＣＶＤ装置に利用可能である。
図２に、その一例の概念図を示す。
【００６０】
図２に示す成膜装置７０は、前記図１の成膜装置１０と同様に、長尺な基板をロール状に巻回してなる供給ロール２０からの基板Ｚの送り出し、および、巻取り軸２８による成膜済の基板Ｚの巻取りを同期して行いつつ、搬送する基板ＺにプラズマＣＶＤによる成膜を行なうことにより、長尺な基板Ｚに連続的に成膜を行なう、ロール・ツー・ロールの成膜装置である。
なお、この成膜装置７０、先の図１の成膜装置１０と同様の部材を多く用いているので、同じ部材には同じ符号を付し、以下の説明は、異なる部位を主に行なう。
【００６１】
前記成膜装置１０と同様、図２に示す成膜装置７０も、長尺な基板Ｚを中心軸２４にロール状に巻回してなる供給ロール２０を装填される供給室７２と、搬送される基板ＺにプラズマＣＶＤによる成膜を行なう成膜室７４と、成膜済の基板Ｚを巻取り軸２８にロール状に巻き取る巻取り室７６とを有して構成される。
成膜装置７０において、供給室７２はガイドローラ２２が１つ多い以外は、また、巻取り室７６もガイドローラ３０が１つ多い以外は、共に、先の成膜装置１０の供給室１２および巻取り室１６と同様の構成を有するものである。すなわち、図示例の成膜装置７０は、実質的に、成膜室７４のみが前記成膜装置１０と異なる。
【００６２】
成膜装置７０において、成膜室７２は、先と同様に互いに独立してプラズマＣＶＤによる成膜やクリーニングを行なう（すなわち互いに独立した成膜系を構成する）第１成膜部８０、第２成膜部８２および第３成膜部８４の３つの成膜部と、ローラ８６および８８と、折り返しローラ９０と、排気手段９２と、シャッタ９４とを有する。
【００６３】
排気手段９２は、先の排気手段４８と同様に、成膜室７２内を、排気して所定の真空度にするものである。
なお、図示例においては、成膜室７２は、１つの排気手段９２しか有さないが、本発明は、これに限定はされず、先の例と同様に、第１成膜部８０、第２成膜部８２および第３成膜部８４の３つの成膜部に、個々に排気手段を設けてもよい。
【００６４】
成膜室７４において、供給室７２から供給された基板Ｚは、ローラ８６によって上方の折り返しローラ９０に搬送され、折り返しローラ９０によって下方のローラ８８に案内され、ローラ８８によって搬送経路を変更されて巻取り室７６に搬送される。すなわち、基板Ｚは、折り返しローラ９０によって搬送経路を１８０°折り返されて、成膜室７４内を上下方向に１往復するように搬送される。
また、折り返しローラ９０によって折り返される前後の基板Ｚは、互いに平行になるように、ローラ８６および８８と、折り返しローラ９０とが配置される。
【００６５】
ここで、３つの成膜部は、折り返しローラ９０によって１８０°折り返し搬送される基板Ｚの搬送経路の間（折り返し搬送される基板Ｚの内側）に、上下方向に配列されて配置される。図示例においては、下方から、第１成膜部８０、第２成膜部８２、および第３成膜部８４の順番で、折り返し搬送される基板Ｚの間に配置される。
従って、この成膜装置７０においては、基板Ｚは、ローラ８６から折り返しローラ９０に向かう上方への搬送経路において、３つの成膜部に対面して成膜を行なわれ、折り返しローラ９０によって折り返されて、折り返しローラ９０からローラ８８に向かう下方への搬送経路において、再度、３つの成膜部に対面して成膜を行なわれる。
【００６６】
すなわち、図示例の成膜装置７０では、成膜室７４内を上下方向に往復搬送される間に、基板Ｚは、全く同じ成膜系によってプラズマＣＶＤによる成膜を２回、行なわれる結果となり、非常に効率よく、高い成膜レートでの成膜が可能となる。
このような、基板Ｚを往復搬送して、基板Ｚの内側で成膜を行なう成膜装置は、例えば、本件出願人による特開平８−６３７４６号公報等に詳述される。
【００６７】
前述のように、成膜装置７０は、上下方向に折り返し搬送される基板Ｚの間に、上下方向に配列されて、第１成膜部８０、第２成膜部８２、および第３成膜部８４の、３つの成膜部が配置される。
ここで、先の成膜装置１０と同様に、第１成膜部８０、第２成膜部８２、および第３成膜部８４は、基本的に同じ構成を有するので、以下の説明は、第１成膜部８０と代表例として行う。
【００６８】
第１成膜部８０（第２成膜部８２および第３成膜部８４）は、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうものであり、電極５６と、高周波電源５８と、対向電極９６および９８とを有する。また、各成膜部には、前記ガス供給手段６０と同様の反応ガス（あるいはさらに、アルゴン等のその他の必要なガス）およびクリーニングガスを供給するガス供給手段に接続され、このガス供給手段から供給されたガスを成膜部内（成膜系（成膜空間））に供給（排出）するガス供給口９９が配置される。
【００６９】
電極５６は、往復搬送される基板Ｚの中央に、基板Ｚに平行に配置される板状の電極で、高周波電源５８が接続される。
他方、対向電極９６および９８は、往復搬送される基板Ｚを両側から挟むように、基板Ｚに平行に配置される板状の電極で、接地されている。なお、図示例においては、対向電極９６および９８は３つの成膜部で共通であり、全ての成膜部に対して延在するものであるが、本発明は、これに限定はされず、各成膜部毎に独立して対向電極を設けてもよい。
ガス供給手段も、先の例と同様のものであり、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうための反応ガス（あるいはさらに、その他の必要なガス）、および、クリーニングガスを、ガス供給口９９から成膜空間内に供給する。
【００７０】
第１成膜部８０の下には、折り返し搬送される基板Ｚの内側の空間を上下方向に仕切るように仕切り板１００ａが配置される。また、第１成膜部８０と第２成膜部８２との間にも、同様の仕切り板１００ｂが配置され、第２成膜部８２と第３成膜部８４との間にも同様の仕切り板１００ｃが配置され、さらに、第３成膜部８４の上にも同様の仕切り板１００ｄが配置される。
すなわち、成膜装置７０（成膜室７４）においては、上下方向に往復搬送される基板Ｚと、成膜部の上下および各成膜部の間に配置される各仕切り板とによって、個々の成膜部に対応する成膜空間（成膜系）を構成している。
【００７１】
シャッタ９４は、各仕切り板の間で、基板Ｚと電極５６との間を遮蔽して、電極５６と基板Ｚとの対面を防止し、これにより反応ガス等が基板Ｚに至ることを防止する遮蔽板であり、電極５６と、折り返された基板Ｚとの間に配置される。すなわち、シャッタ９４は、電極５６と折り返しローラ９０に向かう基板Ｚとの間に配置される遮蔽板と、電極５６とローラ８８に向かう基板Ｚとの間に配置される遮蔽板との、２枚で１対の遮蔽板によって構成される。
図示例においては、先の例と同様に、３つの成膜部に対して１つ（１対）のシャッタ９４を有し、このシャッタ９４を上下動することにより、各成膜部において、基板Ｚと電極５６との間を遮蔽する（以下、先と同様に「成膜部を閉塞」とする）。
【００７２】
図示例の成膜装置７０においても、先の成膜装置１０と同様に、通常は３つの成膜部で基板Ｚへの成膜を行い、所定のタイミングで、何れかの成膜部における成膜を停止して、シャッタで閉塞してクリーニングを行い、かつ、何れかの成膜部での成膜を停止している状態では、他の成膜に寄与している成膜部の成膜条件を変更して、停止分を補完して所定の成膜レートを確保して成膜を行なう。
これにより、所定の成膜レートを確保して連続的な成膜を行い、かつ、成膜中に電極等のクリーニングを行なうことができ、すなわち、非常に長尺な基板に、成膜を停止することなく連続して形成することができ、パーティクルによる汚染を好適に抑制した高品質の膜を形成した製品を、高い生産性および生産効率で製造することができる。
【００７３】
例えば、基板Ｚを供給ロール２０から引き出して成膜室７４に送り、ローラ８６によって基板Ｚを上方に案内して、折り返しロール９０によって搬送経路を折り返して基板Ｚを下方に案内して、ローラ８８によって基板Ｚを巻取り室７６に案内して、所定量を巻取り軸に巻回することで、供給室７２から成膜室７４を経て巻取り室７６に至る所定の搬送経路で基板Ｚを挿通する。
【００７４】
次いで、基板Ｚの搬送を開始して、成膜室７４の排気を開始し、所定の真空度となった時点で、先の例と同様に、第１成膜部８０、第２成膜部８２および第３成膜部８４の３つの成膜部による成膜を行う。また、成膜開始当初は、シャッタ９４による成膜部の閉塞は行なわず、シャッタ９４は、成膜には作用しない位置、例えば、第１成膜部８０よりも下方（以下、待機位置とする）に移動している。
成膜を開始した後、所定のタイミングで、例えば第１成膜部８０での成膜を停止し、また、シャッタ９４によって第１成膜部８０を閉塞する。これに並行して、第２成膜部８２および第３成膜部８４の成膜条件を変更して、停止した第１成膜部８０の成膜分を補完して所定の成膜レートを確保する。
シャッタ９４によって第１成膜部８０を閉塞したら、第１成膜部８０にクリーニングガスを導入して、かつ、高周波電力を電極５６に供給して、電極等のプラズマクリーニングを行なう。
【００７５】
第１成膜部８０において、電極５６のクリーニング終了したら、第１成膜部８０への反応ガスの供給および成膜のための高周波電力の供給を再開して、シャッタ９４を待機位置に移動して第１成膜部８０を開放して、第１成膜部８０による成膜を再開する。並行して、第２成膜部８２および第３成膜部８４における成膜条件を第１成膜部８０停止前に戻し、３つの成膜部での成膜を再開する。
３つの成膜部での成膜を再開した後、所定のタイミングで、第２成膜部８２での成膜を停止してシャッタ９４で閉塞し、かつ、第１成膜部８０および第３成膜部８４の成膜条件を調整して所定の成膜レートを確保し、さらに、第２成膜部８２において電極５６のクリーニングを行なう。
【００７６】
第２成膜部８２でのクリーニングを終了したら、先と同様にして、３つの成膜部での成膜を再開し、その後、所定のタイミングで、同様に、第３成膜部８４での成膜停止およびシャッタ９４の閉塞、ならびに、第１成膜部８０および第２成膜部８２の成膜条件の変更、さらには、第３成膜部８４における電極５６のクリーニングを行い、クリーニングを終了したら、３つの成膜部での成膜を再開する。
以下、同様にして、３つの成膜部による成膜と、成膜部を停止してのクリーニングおよび成膜に寄与している成膜部での補完による所定成膜レートを保っての成膜とを、交互に、第１成膜部８０、第２成膜部８２および第３成膜部８４を順次停止して行い、供給ロール２０の基板Ｚが終了したら、あるいは、所定長の成膜済の基板Ｚを巻取り軸２８に巻回したら、成膜を終了する。
【００７７】
図２に示す成膜装置７０は、折り返し搬送される基板Ｚの間に、高周波電源に接続される電極５６が配置され、折り返し搬送される基板Ｚを挟んで、接地される対向電極９６および９８が配置されている。
しかしながら、本発明は、これに限定はされず、折り返し搬送される基板Ｚを挟んで、高周波電源に接続される電極を配置し、折り返し搬送される基板Ｚの間に、接地される対向電極を配置してもよい。なお、この際には、対向電極に膜が付着／堆積するので、対向電極をクリーニングするために、対向電極にも高周波電源を接続する。あるいは、高周波電源の接続を、電極と対向電極とで切り換え可能にしてもよい。なお、後述するリモートプラズマ源を用いて電極のクリーニングを行なう場合には、対向電極に高周波電力を供給する必要はない。
また、図２に示す成膜装置７０において、対向電極９６を設けずに、成膜室７４（真空チャンバ）を接地することで、成膜室７４に対向電極の作用を持たせてもよい。
【００７８】
以上の例は、クリーニングガスを成膜空間に導入し、かつ、プラズマＣＶＤによる成膜を行なうための電極５６に高周波電力を供給することにより、クリーニングガスを励起してプラズマ（ラジカル）として、電極５６のプラズマクリーニングを行なうものであるが、本発明は、これに限定はされず、各種のクリーニング方法が利用可能である。
一例として、成膜空間内でプラズマの生成（プラズマ励起）を行なうのではなく、別の空間で作られたプラズマ（ラジカル）を、成膜空間に導入することによって、電極５６のプラズマクリーニングを行なってもよい（リモートプラズマによるクリーニング）。このようなリモートプラズマ（成膜系外部でのクリーニング用のプラズマ生成）を利用することにより、クリーニングのための高周波が成膜中の基板Ｚに影響を与えることを防止でき、より安定した成膜が可能となる。
【００７９】
例えば、図３に、先の成膜装置１０の成膜室１４を参照して概念的に示すように、成膜室１４の第１成膜部３８、第２成膜部４０、および、第３成膜部４２に、リモートプラズマ源１０４を設け、このリモートプラズマ源１０４においてプラズマ化したクリーニングガスを生成し、このクリーニングガスを、対応する成膜部に供給して、先の例と同様に、電極５６（あるいはさらに、その他の部位）のプラズマクリーニングを行なう構成でもよい。
なお、図３においては、リモートプラズマ源１０４を有する構成を明確に示すために、高周波電源５８、ガス供給手段６０、および排気手段６２は省略する。
【００８０】
リモートプラズマ源１０４は、プラズマ化したクリーニングガスを生成して成膜部に供給可能なものであれは、各種のものが利用可能である。
一例として、誘導結合型プラズマを生成するリモートプラズマ源であれば、成膜部に連通する反応容器と、この反応容器内を（真空）排気する排気手段と、コイルと、このコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、反応容器内にクリーニングガスを供給するガス供給手段等を有する、リモートプラズマ源が例示される。
このリモートプラズマ源は、排気手段によって反応容器内を所定の真空度にすると共に、ガス供給手段によってクリーニングガスを反応容器内に供給し、高周波電源からコイルに高周波電力を供給することによって誘導電界を形成して、クリーニングガスを励起して誘導結合型のプラズマとする。プラズマ化されたクリーニングガス（クリーニングガスのプラズマ）は、反応容器内に供給されるクリーニングガスの圧力によって反応容器内に供給され、先と同様に電極等をプラズマクリーニングする。
【００８１】
なお、本発明においては、リモートプラズマ源を利用して電極のクリーニングを行なう成膜部と、成膜室にクリーニングガスを導入して、電極に高周波電力を供給することで電極のクリーニングを行なう成膜部とが、混在してもよい。
【００８２】
本発明において、成膜部で形成する膜は、同じ膜であってもよく、あるいは、各成膜部で異なる膜を形成してもよい。
【００８３】
以上、本発明の成膜方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。
例えば、上述の例は、ドラムに基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう装置や、基板を折り返し搬送して基板間で成膜を行なう装置であったが、本発明は、これに以外にも、例えば前記特許文献２に示されるような、基板を直線状に搬送して、この搬送経路に沿って複数の成膜部を配列した構成の装置にも好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の成膜方法を実施する成膜装置の一例の概念図である。
【図２】本発明の成膜方法を実施する成膜装置の別の例の概念図である。
【図３】本発明の成膜方法を実施する成膜装置の別の例の概念図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０，７０  成膜装置
１２，７２  供給室
１４，７４  成膜室
１６，７６  巻取り室
２０  供給ロール
２２，３０，３４，３６  ガイドローラ
２４  中心軸
２８  巻取り軸
３２  ドラム
３８，８０  第１成膜部
４０，８２  第２成膜部
４２，８４  第３成膜部
４６，９４  シャッタ
４８，６２，９２  排気手段
５０  制御部
５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ  仕切り板
５６  電極
５８  高周波電源
６０  ガス供給手段
８６，８８  ローラ
９０  折り返しローラ
１０４  リモートプラズマ源
【図１】
2009138240.tif 000003
【図２】
2009138240.tif 000004
【図３】
2009138240.tif 000005