(57)【要約】【課題】偏向板の透過軸に対して斜めに導電性パターンが配置される構成において、導電性パターンの側壁での反射による光漏れを防止できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】駆動側基板３と対向基板２１との間に液晶層ＬＣが挟持され、駆動側基板３の液晶層ＬＣ側に、信号線７などの導電性パターンを備えた画素回路および画素電極が設けられ、基板３，２１の外側に偏向板３１，３３が配置された液晶表示装置１において、信号線７などの導電性パターンが、偏向板３１，３３の透過軸に対して斜めに配置された傾斜配線部ｐを備え、この傾斜配線部ｐが液晶層ＬＣ側に向かって線幅が広がる断面逆テーパ形状に成形されていることを特徴としている。【選択図】図３
2009031373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、当該基板間に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方における前記液晶層側に設けられた画素回路と、当該画素回路に接続された画素電極と、前記一対の基板の外側に配置された偏向板とを備えた液晶表示装置において、
前記画素回路を構成する導電性パターンは、前記偏向板の透過軸に対して斜めに配置されたパターン部分を備え、
前記斜めに配置されたパターン部分は、前記液晶層側に向かって線幅が広がる断面逆テーパ形状に成形されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記断面逆テーパ形状に成形されたパターン部分は、前記画素電極と重なる位置に配置されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記導電性パターンは、前記断面逆テーパ形状に成形されたパターン部分と共に、断面順テーパ形状に成形されパターン部分とからなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は透明導電性材料からなり、導電性パターンは反射性材料を用いて構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記断面逆テーパ形状に成形されたパターン部分は、前記液晶層側に向かって段階的に側壁を張り出して構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特には光漏れの防止を図ることが可能な液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、パソコンを初めとするＯＡ機器のみならず平面ＴＶへの適用も拡大し、大型化および高画質化に対する要求が高まっている。液晶表示装置の高画質化を図るためには、コントラストの向上が最も重要な要素の一つであり、カラーフィルタ樹脂材料の改善や偏光板などの光学フィルムの特性改善などによる特性向上が図られている。その一方で、輝度や視野角特性も、コントラストと並んで高画質化に不可欠な特性であり、これらの特性向上のために様々な表示モードが提案されている。
【０００３】
例えば、垂直配向方式の液晶表示装置においては、画素電極や共通電極などの電場形成電極にスリットを設けたり、電場形成電極上に突起を設けることにより、液晶分子が傾く方向を分散させるパターンドバーチカルアラインモード（Patterned Vertically Aligned：ＰＶＡモード）や、マルチドメインバーチカルアラインモード（Multi Vertically Aligned：ＭＶＡモード）が提案され、視野角特性に優れた表示モードとして注目されている。
【０００４】
図１０には、これらの表示モードの液晶表示装置に関する要部の概略構成図を示す。この図に示す液晶表示装置においては、駆動側基板２０１と対向基板３０１との間に液晶層ＬＣを挟持してなる。駆動側基板２０１上には、ゲート絶縁膜２０２、信号線２０３、ここでの図示を省略した走査線、さらには薄膜トランジスタが設けられた画素回路が形成され、これらを覆う状態で、層間絶縁膜２０５が設けられている。そしてこの層間絶縁膜２０５上に、スリット２０７ａを備えた画素電極２０７がサブ絵素（ここでは画素と記す）毎に設けられ、これを覆う状態で垂直配向膜（図示省略）が設けられている。一方、対向基板３０１上の液晶層ＬＣ側には共通電極３０３が設けられ、これを覆う状態で垂直配向膜（図示省略）が設けられている。また、駆動側基板２０１と対向基板３０１の外側面には、透過軸を互いに直交させた状態で一対の偏向板２０９，３０９が配置され、駆動側基板２０１の偏向板２０９の外側にバックライトが配置されている。
【０００５】
以上のような構成の液晶表示装置においては、斜め方向からの視認性を改善するために、信号線２０３の延設方向に対して画素電極２０７の平面形状を屈曲させたり、１つの画素電極を２つに分割したり、分割したそれぞれの画素電極を平行四辺形を組み合わせた平面形状とすることで、さらに側面視認性の向上を図る構成が提案されている（例えば下記特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７２４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで最近では、画素電極の下地となるオーバーコート層や平坦化層などの層間絶縁膜に、低誘電率材料が適用され、この層間絶縁膜上に設けられる画素電極との間の寄生容量の低減が図られている。これにより、画素電極に対して走査線や信号線が重ねて配置される設計が見受けられるようになった。
【０００８】
特に上述したように、画素電極の平面形状を屈曲させたり、画素電極を分割した構成では、画素内における電極や配線のレイアウトが複雑化する。このため、走査線や信号線、さらにはこれらと同層で構成された電極などが、画素電極に対して重なる状態で画素開口の内部に配置されるようになった。
【０００９】
例えば、画素電極の平面形状が屈曲した形状である場合、または分割したそれぞれの画素電極を平行四辺形を組み合わせた平面形状である場合、配線長を短縮するために、画素開口内に信号線が配置される。
【００１０】
また、１つの画素電極を複数に分割した構成では、分割した各画素電極をそれぞれ別々の薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）で駆動されるような構造も現れた。この場合、分割した各画素電極とＴＦＴとのコンタクト部にまで、ＴＦＴからの配線を延設する必要があり、この延設された配線部分が画素開口内に配線される。
【００１１】
ここで一般的には、図１０にも示したように、信号線２０３のような配線および電極は、液晶層ＬＣ側から駆動側基板２０１に向かって幅広となる断面順テーパ形状に形成される。これは、その上層に積層される層間絶縁膜２０５が表面平坦に形成され、この層間絶縁膜２０５が本来の目的である上層導電層（例えば画素電極２０７）との絶縁を十分に果たすことができるようにするためである。この場合、駆動側基板２０１の偏向板２０９を介して入射したバックライトの光ｈは、画素開口内の配線（ここでは信号線２０３）の側壁において反射し、液晶層ＬＣに入射する。
【００１２】
通常、液晶表示装置の光学構成は、黒表示に際しては、バックライトからの光ｈは、偏光板２０９を通過することにより、偏向板２０９の透過軸方向に偏光方向が揃えられ、液晶層ＬＣを通過することで偏向方向を９０°回転させ、対向基板３０１側の偏向板３０９で吸収されるように構成されている。
【００１３】
この場合、偏向板２０９での偏向方向に、上述した断面順テーパ形状の信号線２０３の側壁の向きが一致しているか直交していれば、この側壁で反射された光の偏向方向は変化しない。このため、黒表示に際しては、信号線２０３の側壁で反射した光ｈは、対向基板３０１側の偏向板３０９で吸収される。
【００１４】
しかしながら、偏向板２０９の透過軸に対して信号線２０７が斜めに配置されている場合、信号線２０７の側壁で反射することによって光ｈの偏向方向が変化する。これにより、黒表示に際して、信号線２０７の側壁で反射した光が偏向板３０９を通過して光漏れが生じ、結果として黒表示の輝度が上昇してコントラストを低下させる要因となる。
【００１５】
そこで本発明は、偏向板の透過軸に対して斜めに導電性パターンが配置される構成において、導電性パターンの側壁での反射による光漏れを防止でき、これによりコントラストの向上を図ることが可能な液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持し、一対の基板の少なくとも一方における液晶層側に画素回路と画素電極とを備え、さらに基板の外側に偏向板が配置された液晶表示装置において、画素回路を構成する導電性パターンが偏向板の透過軸に対して斜めに配置されたパターン部分を備えているものである。そして特に、斜めに配置されたパターン部分が、液晶層側に向かって線幅が広がる断面逆テーパ形状に成形されていることを特徴としている。
【００１７】
このような構成の液晶表示装置では、偏向板を通過することで所定方向に偏向された光が、偏向板の透過軸に対して斜めに配置された導電パターン部分の側壁に入射した場合、入射した光は断面逆テーパ形状に成形された導電パターン部分の側壁において入射側に反射される。このため、偏向板の透過軸に対して斜めに配置された導電パターン部分の側壁で反射して偏向方向が変化した光が液晶層側に入射することを防止できる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように本発明によれば、入射側の偏向板の透過軸に対して偏向方向が変化した光が液晶層側に入射することを防止できるため、偏向板の透過軸に対して斜めに導電性パターンが配置される構成の液晶表示装置においての導電性パターン側壁での反射による光漏れを防止でき、これによりコントラストの向上を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、ＭＶＡモードまたはＰＶＡモードの液晶表示装置に本発明を適用した実施の形態を説明する。先ず、本発明の特徴部である特定の配線部の断面形状を説明するに先立ち、本発明が適用される液晶表示装置の回路構成、およびレイアウトを説明する。
【００２０】
＜液晶表示装置の回路構成＞
図１は、実施形態の液晶表示装置１の回路構成の一例を示す図である。先ずこの図に基づいて、液晶表示装置１の回路構成を説明する。
【００２１】
図１に示す液晶表示装置１において、駆動側基板３上には、表示領域３ａとその周辺領域３ｂとが設定されている。表示領域３ａには、複数の走査線５と複数の信号線７とが縦横に配線されており、２本の走査線５と１本の信号線７との交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。また、表示領域３ａには、２本の走査線５−５に挟まれた位置に、共通配線９が配線されている。一方、周辺領域３ｂには、走査線５を走査駆動する走査線駆動回路５ｂと、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線７に供給する信号線駆動回路７ｂとが配置されている。
【００２２】
各画素ａには、例えばスイッチング素子としての薄膜トランジスタＴｒおよび保持容量Ｃｓからなる２つの画素回路が設けられ、さらにこれらの画素回路にそれぞれ接続された２つの副画素電極１１ａ，１１ｂからなる画素電極１１が設けられている。尚、画素電極１１は、以降に平面図および断面図を用いて詳細に説明するように、画素回路を覆う層間絶縁膜上に設けられていることとする。
【００２３】
各薄膜トランジスタＴｒは、ゲート電極を走査線５に接続させ、ソース／ドレイン電極の一方が信号線７に接続され、ソース／ドレイン電極の他方が保持容量Ｃｓと副画素電極１１ａ，１１ｂとに接続されている。また容量素子Ｃｓのもう一方の電極は、共通配線９に接続されている。尚、共通配線９は、ここでの図示を省略した対向基板側の共通電極に接続されている。
【００２４】
そして、薄膜トランジスタＴｒを介して信号線７から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電圧が各副画素電極１１ａ，１１ｂに供給される構成となっている。
【００２５】
以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域２ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加しても良い。
【００２６】
＜液晶表示装置のレイアウト＞
図２は、本発明が適用される液晶表示装置のレイアウトの一例を示す図であり、水平方向に隣接する３画素（サブ絵素）を示している。また、図中においては透過軸を矢印で示している。さらに図３は、この後に説明する本実施形態の特徴部を示す概略断面構成図であり、図２における傾斜配線部ｐのＡ−Ａ’断面に対応している。尚、図１と同一の構成要素に同一の符号を付している。
【００２７】
これらの図に示すように、ガラス基板などからなる駆動側基板３上の第１層目には、アルミニウムなどの導電性に優れた材料を用いて構成された走査線５と共通配線９とが第１の方向（ここでは水平方向）に配線されている。これらの配線５，９は、２本の走査線５間に１本の共通配線９を配置した３本を1組として複数組が配線されている。
【００２８】
各走査線５は、水平方向に延設され、各画素部分において薄膜トランジスタＴｒのゲート電極５ｇとして幅広にパターニングされている。また、各共通配線９は、水平方向に延設され、各画素部分において容量素子Ｃｓの下部電極９ｃとして幅広にパターニングされている。
【００２９】
以上のような走査線５および共通配線９は、断面図のみに図示したゲート絶縁膜１３で覆われている。
【００３０】
このゲート絶縁膜上の第２層目には、ゲート電極９ｇに積層される位置に薄膜トランジスタＴｒの活性領域となる半導体層１５が設けられている。
【００３１】
半導体層１５が設けられたゲート絶縁膜上には、信号線７、薄膜トランジスタＴｒのソース／ドレイン電極７ｓｄが設けられている。各信号線７は、アルミニウムなどの導電性に優れた材料を用いて構成されており、ソース／ドレイン電極７ｓｄもこれと同一層で構成されている。そして信号線７からは、各画素部分において半導体層１５に重なる位置に、薄膜トランジスタＴｒの一方のソース／ドレイン電極７ｓｄが延設されている。またもう一方のソース／ドレイン電極ｓｄは、半導体層１５に重なる位置から画素内に向かって配線されている。
【００３２】
以上のような半導体層１５、信号線７、およびソース／ドレイン電極７ｓｄを覆う状態で、断面図のみに図示したオーバーコート層１７および平坦化膜１９からなる縁膜層間絶縁膜が設けられている。
【００３３】
そして、この層間絶縁膜上の第３層目には、ＩＴＯのような透明導電性材料からなる画素電極１１が配列形成されている。各画素電極１１は、１つの画素内において２つに分割された第１副画素電極１１ａおよび第２副画素電極１１ｂからなる。これらの副画素電極１１ａ，１１ｂは、層間絶縁膜に設けた接続孔を介して、画素内に配線されたソース／ドレイン電極７ｓｄに接続されている。また共通配線９の中間部を幅広に成形した下部電極９ｃと、副画素電極１１ａ，１１ｂとが重なる部分が、容量素子Ｃｓとして構成される。
【００３４】
ここで各副画素電極１１ａ，１１ｂは、水平方向の左右に傾斜した平行四辺形を組み合わせた平面形状に成形されており、水平方向に隣接して配置されている。この傾斜角度は、例えば、走査線５の延設方向である水平方向に対して略４５°であることとする。
【００３５】
このうち、第１副画素電極１１ａは、左方向に傾斜した平行四辺形と右方向に傾斜した平行四辺形とを、垂直方向に交互に４つ配置して連続パターンを構成し、さらに両端の平行四辺形の水平方向に隣接させて同一方向に傾斜する平行四辺形を配置し、連続パターンに対して一部を接続させた構成となっている。また、第２副画素電極１１ｂは、右方向に傾斜した平行四辺形と左方向に傾斜した平行四辺形とを、垂直方向に配置して連続パターンを構成し、第１副画素電極１１ａで３方を囲まれた位置に、第１副画素電極１１ａに沿って配置されている。
【００３６】
以上のような副画素電極１１ａ，１１ｂで構成された画素電極１１は、副画素電極１１ａ，１１ｂの外形の傾斜および副画素電極１１ａ，１１ｂ間のスリットが、液晶層ＬＣを構成する液晶分子ｍの配向分散核となる。
【００３７】
このような画素電極１１は、ここでの図示を省略した垂直配向膜で覆われていることとする。
【００３８】
また、以上のような駆動側基板３における画素電極１１の形成面側には、断面図のみに図示した対向基板２１が設けられている。この対向基板２１の画素電極１１に向かう面上には、全画素に共通の共通電極２３が設けられている。この共通電極２３には、画素電極１１の形状に対応してパターニングされたスリット２３ａが配向分散核として設けられていることとする。
【００３９】
このような共通電極２３は、ここでの図示を省略した垂直配向膜で覆われていることとする。
【００４０】
そして断面図のみに示すように、駆動側基板３と対向基板２１との電極１１，２３形成面側に液晶層ＬＣが挟持され、これらの基板３，２１の外側に一対の偏向板３１，３３が配置されている。これらの偏向板３１，３３は、それぞれの透過軸ｐ１，ｐ３を直交させて配置され、例えば駆動側基板３の透過軸が走査線５の延設方向に略平行になるように設定されている。
【００４１】
また、駆動側基板３の偏向板３１の外側に、ここでの図示を省略したバックライトが配置されて液晶表示装置１を構成している。
【００４２】
以上のような構成においては、ＩＴＯのような透明導電性材料からなる画素電極１１に対して、アルミニウムのような導電性に優れた材料を用いて構成された走査線５、信号線７、およびソース／ドレイン電極７ｓｄが積層され、これらの配線および電極が画素開口内に配置される。
【００４３】
そして特にここでは、信号線７の一部が、偏向板３１，３３の透過軸ｐ１，ｐ３に対して斜めに配線されていることとする。このような信号線７の傾斜配線部ｐは、例えば画素電極１１の傾斜方向に沿って配線され、走査線５の延設方向である水平方向に対して略４５°であり、これにより透過軸ｐ１，ｐ３に対して略４５°をなして配線されていることとする。
【００４４】
以上のように傾斜配線部ｐが画素開口内に配置された場合、上記課題として述べたように、偏向板３１で偏向されて入射した光が、傾斜配線部ｐの側壁で反射することによって偏向方向を変化させる。特に、傾斜配線部ｐが透過軸ｐ１，ｐ３に対して略４５°をなして配線されている場合に偏向方向の変化が最も大きい。そして、このように変更方向が変化した反射光は、黒表示に際して偏向板３３を通過して光漏れの要因となる。
【００４５】
そこで、本実施形態においては、以下に詳細に説明するように、この傾斜配線部ｐを逆テーパ状に形成することが特徴的である。
【００４６】
＜配線部の断面形状＞
図３の断面図に示すように、信号線７の一部である傾斜配線部ｐは、偏向板３１，３３の透過軸に対して斜めに配線された部分であり、しかも画素開口内に配置される。このような傾斜配線部ｐは、逆テーパ形状に形成されており、両側の側壁が駆動側基板３に向けられる状態に傾斜している。これは、信号線７の傾斜配線部ｐに限定されることはなく、画素開口内に配置される反射性材料からなる導電性パターン、すなわち走査線５、共通配線９、およびその一部である容量素子Ｃｓの下部電極９ｃの傾斜配線部も同様であることとする。
【００４７】
一方、走査線５、共通配線９、およびその一部である容量素子Ｃｓの下部電極９ｃなどの反射性材料からなる導電性パターンのうち、上述した傾斜配線部ｐ以外の部分の断面形状は、同様の逆テーパ形状であっても良く、順テーパ形状であっても良い。
【００４８】
尚、反射性材料からなる導電性パターンのうち、傾斜配線部ｐ以外の部分が、傾斜配線部ｐと同様の逆テーパ形状であれば、傾斜配向部ｐを有する導電性パターン（ここでは信号線）の各部を同一工程で形成することが可能であるため、プロセス上有利である。また、画素開口内に配置される導電性パターン部分の全てが、逆テーパ形状となるため、導電性パターンの側壁での反射による光漏れも確実に防止することが可能である。
【００４９】
一方、反射性材料からなる導電性パターンのうち、傾斜配線部ｐ以外の部分が、順テーパ形状であれば、これを覆う層間絶縁膜の被覆性が向上し、画素電極１１の下地面の平坦性が向上する。このため、信頼性の向上が図られる。
【００５０】
＜製造方法＞
次に、液晶表示装置１の製造方法として、傾斜配線部ｐが断面逆テーパ形状に形成された配線（ここでは信号線７）を形成する手順を、図４の断面工程図に基づいて説明する。尚、図４は、図２の平面図におけるＡ−Ａ’断面およびＢ−Ｂ’断面に対応している。
【００５１】
先ず、図４（１）に示すように、ガラス基板からなる駆動側基板３上に、走査線および共通配線を形成した後、これらを覆う状態で窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３を成膜する。
【００５２】
次に、ゲート絶縁膜１３上における傾斜配線部ｐ以外の信号線の配線部に対応させて、次に成膜する信号線の主材料膜よりもエッチング速度が遅い材料［例えばモリブデンナイトライド（ＭｏＮ）］からなるエッチングストッパ層４１をパターン形成する。ここでは先ず、モリブデン（Ｍｏ）を窒素雰囲気の中でスパッタするなどしてＭｏＮ膜を成膜した後、リソグラフィーによって形成したレジストパターンをマスクにしてＭｏＮ膜を所望の形状にパターンエッチングしてエッチングストッパ層４１を形成する。
【００５３】
また、エッチングストッパ層４１のパターン幅は、信号線の主材料となる層のパターン幅よりもやや大きくなるようにする。例えば、エッチングやリソグラフィーのプロセスマージンを考慮し、片側２〜３μｍ程度もしくはそれ以上大きくしておけば良い。
【００５４】
その後、図４（２）に示すように、エッチングストッパ層４１を覆う状態で、信号線の主材料膜としてアルミニウム（Ａｌ）膜４２を成膜する。そしてこのＡｌ膜４２上に、Ａｌ層よりもエッチング速度が遅い材料膜層としてＭｏ膜４３を成膜し、さらにエッチング速度が遅い材料層としてＭｏＮ膜４４を成膜する。これらの膜４２〜４４は、例えばスパッタ法によって成膜する。
【００５５】
次いで、図４（３）に示すように、リソグラフィー法により、ＭｏＮ膜４４上に、信号線のレジストパターン４５を形成する。
【００５６】
その後、図４（４）に示すように、レジストパターン４５をマスクに用いたエッチングにより、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、およびＡｌ膜４２をパターニングする。このエッチングにおいては、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、Ａｌ４２の順にエッチング速度が遅い。このため、最下層のＭｏＮ膜からなるエッチングストッパ層４１が露出するまでは、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、Ａｌ膜４２の順に、下層に向かって線幅が狭くパターニングされる。
【００５７】
一方、傾斜配線部ｐ以外の部分（Ｂ−Ｂ’断面）においては、エッチングストッパ層４１が露出し、エッチングストッパ層４１に近い層から順にエッチングストッパ層４１の影響を受けてエッチング速度が遅くなる。これにより、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、Ａｌ膜４２、エッチングストッパ層４１の順に、下層に向かって線幅が広く成形が進む。
【００５８】
これにより、エッチングストッパ層４１が設けられていない傾斜配線部ｐ（Ａ−Ａ’断面）では、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、Ａｌ膜４２の順に、下層に向かって線幅が狭くパターニングされた逆テーパ形状の信号線７が形成される。
【００５９】
これに対して、エッチングストッパ層４１が設けられたその他の部分（Ｂ−Ｂ’断面）は、ＭｏＮ膜４４、Ｍｏ膜４３、Ａｌ膜４２、エッチングストッパ層４１の順に、下層に向かって線幅が広くパターニングされた順テーパ形状の信号線７が形成される。
【００６０】
尚、信号線７と同一層で構成されているソース／ドレイン電極は、順テーパ形状となるように、上記と同一工程で形成される。また、このエッチングの後には、レジストパターン４５を除去する。
【００６１】
また上述した工程においては、ＭｏＮ膜からなるエッチングストッパ層４１およびＭｏＮ膜４４における窒化率や、Ｍｏ膜４３の膜厚を調整することにより、信号線７の断面形状を制御することが可能である。
【００６２】
次いで、図４（５）に示すように、信号線７およびソース／ドレイン電極を覆う状態で、オーバーコート層１７および平坦化膜１９をこの順に成膜して層間絶縁膜を形成する。
【００６３】
以上の後の工程は、通常の液晶表示装置の製造方法と同様に行われる。すなわち、層間絶縁膜に接続孔を形成し、この接続孔を介してソース／ドレイン電極に接続された画素電極を層間絶縁膜上に形成し、これを覆う垂直配向膜を形成して駆動側基板のプロセスとする。
【００６４】
以上説明した実施形態の液晶表示装置１によれば、偏向板３１を通過することで所定方向に偏向された光ｈが、偏向板３１の透過軸に対して斜めに配置された傾斜配線部ｐの側壁に入射した場合であっても、この側壁で反射した光ｈが液晶層ＬＣ側に入射することを防止できる。
【００６５】
これにより、偏向板３１，３３の透過軸ｐ１，ｐ３に対して斜めに導電性パターンが配置された構成の液晶表示装置１においての導電性パターン側壁での反射による光漏れを防止でき、これによりコントラストの向上を図ることが可能になる。
【００６６】
尚、上述した実施の形態においては、ＰＶＡモードおよびＭＶＡモードの液晶表示装置に本発明を適用した構成を説明した。しかしながら本発明は、偏向板の透過軸に対して斜めに配線された導電性パターンを備えた液晶表示装置に対して適用可能であり、同様の効果を得ることが可能である。
【００６７】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る表示装置は、図５〜図９に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００６８】
図５は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 
【００６９】
図６は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７０】
図７は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【００７１】
図８は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７２】
図９は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施形態の液晶表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図２】本発明が適用される液晶表示装置のレイアウトの一例を示す図である。
【図３】本実施形態の特徴部を示す概略断面構成図である。
【図４】実施形態の液晶表示装置における信号線の形成手順を説明する断面工程図である。
【図５】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図６】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図７】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図８】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図９】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１０】従来のＭＶＡモードおよびＰＶＡモードの液晶表示装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…液晶表示装置、３…駆動側基板、５…走査線（導電性パターン）、５ｇ…ゲート電極（導電性パターン）、７…信号線（導電性パターン）、７ｓｄ…ソース／ドレイン電極（導電性パターン）、９…共通配線（導電性パターン）、９ｃ…下部電極（導電性パターン）、１１…画素電極、１１ａ…第１副画素電極、１１ｂ…第２副画素電極、２１…対向側基板、３１，３３…偏向板、ＬＣ…液晶層、ｐ１，ｐ３…透過軸、ｐ…傾斜配線部（斜めに配置されたパターン部分）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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