(57)【要約】【課題】多面取りプロセスにおいて、露光位置の精度許容範囲を拡大できる製造方法を提供する。【解決手段】プラズマディスプレイパネルのアドレス電極２１は、複数のパネル領域４１に跨って連続するように電極パターンが形成される。このとき、各パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａは、パネル領域４１内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂに比べて線幅が太く形成された太幅アドレス電極部２１Ｃを有する。  このため、露光位置を第一露光領域４２Ａから第二露光領域４２Ｂへと移動させて露光する際、露光位置が多少ずれたとしても、太幅アドレス電極部２１Ｃの線幅が太いため、各パネル領域４１の間を連続するように電極を形成することができ、領域外アドレス電極２１Ａの線幅が太くない場合に比べて露光位置の精度許容範囲が拡大できる。【選択図】図２
2009129765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される一対の基板を備えた表示パネルの製造方法であって、
複数の前記基板を形成可能なマザー基板上に、複数の前記基板に対応する複数のパネル領域に跨って連続した複数の電極を形成する電極形成工程と、前記電極形成工程において形成された前記電極に対して、各電極の長手方向導端部間、および隣り合う前記電極間の導通検査を実施する検査工程と、前記検査工程の後に、前記マザー基板における各パネル領域を切断し、前記電極を備えた各基板を分断する分断工程と、を備え、前記電極形成工程において、複数のパネル領域間の電極パターンをパネル領域内の電極パターンに比して太幅に形成することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法において、
前記検査工程の後、前記マザー基板上の各パネル領域上に、前記表示パネルを構成する構造物を形成する構造物形成工程を備え、前記分断工程は、前記構造物形成工程の後に実施されることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示パネルの製造方法において、
前記基板は、電極として第一電極が形成される第一基板と、電極として第二電極が形成される第二基板とを備え、前記マザー基板に前記第一基板用の第一マザー基板と第二マザー基板とを備え、前記電極形成工程は、前記第一基板用の前記第一マザー基板に前記第一電極を形成するとともに、前記第二基板用の前記第二マザー基板に前記第二電極を形成し、前記分断工程は、前記第一マザー基板から前記第一基板を分断するとともに、前記第二マザー基板から前記第二基板を分断し、前記分断工程により分断された前記第一基板と前記第二基板とを張り合わせる張り合わせ工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像を表示させる表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フラットパネルディスプレイパネルは、生産性の向上、製造コストの削減などを目的として、１枚のガラス基板に、多数のパネル領域を形成する多面取りプロセスが導入されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１は、多面取りプロセスを用いる際、各面付け毎の電極パターンを接続し、多面取り基板を１面取り基板のようにすることで、電極検査工程において多数面の電極パターンを１面分の電極パターンの検査時間に短縮する。例えば、２面取りプロセスを用いた場合、電極検査工程に要する時間は1面取りプロセスと同じであるから、１面あたりの電極検査工程の時間は半分となる。
【０００４】
【特許文献１】特開2005-25949号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
多面取りプロセスを用いる際、１枚のガラス基板上に多数面の電極パターンを形成するため、ガラス基板を大型化することで、より多面な電極パターンを形成することができる。また、多面取りプロセスの有力な方法として、ある面を露光して電極パターンを形成した後、ガラス基板に対して露光する装置である露光マスクの位置を移動させて、同一ガラス基板上に同様な電極パターンを露光する方法、いわゆるステップ露光という方法がある。
しかしながら、特許文献１のような、電極検査工程において多面取り基板を１面取り基板のように検査する場合には、各面付け毎の電極パターンを接続する必要があるため、移動させる露光マスクとガラス基板との位置関係に高度な精度が要求されるという問題が一例として挙げられる。
【０００６】
本発明は、多面取りプロセスにおいて、露光位置の精度許容範囲を拡大できる表示パネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に記載の発明は、互いに対向配置される一対の基板を備えた表示パネルの製造方法であって、複数の前記基板を形成可能なマザー基板上に、複数の前記基板に対応する複数のパネル領域に跨って連続した複数の電極を形成する電極形成工程と、前記電極形成工程において形成された前記電極に対して、各電極の長手方向導端部間、および隣り合う前記電極間の導通検査を実施する検査工程と、前記検査工程の後に、前記マザー基板における各パネル領域を切断し、前記電極を備えた各基板を分断する分断工程と、を備え、前記電極形成工程において、複数のパネル領域間の電極パターンをパネル領域内の電極パターンに比して太幅に形成することを特徴とする表示パネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【０００９】
以下、本実施の形態を図１から図５に基づいて説明する。図１は、従来のプラズマディスプレイパネルの電極構造を示した模式図である。図２は、本実施形態の両側アドレス電極駆動の同期露光背面マザー基板を示した平面図である。図３は、本実施形態の片側アドレス電極駆動の同期露光背面マザー基板を示した平面図である。図４は、本実施形態の両側アドレス電極駆動の別露光された背面マザー基板を示した平面図である。図５は、本実施形態の片側アドレス電極駆動の別露光された背面マザー基板を示した平面図である。
【００１０】
〔本発明の実施の形態〕
（本実施の形態の構成）
図１に示すように、本実施の形態において、プラズマディスプレイパネル１は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示させる装置である。このプラズマディスプレイパネル１は、画像表示領域を構成する放電空間Ｈを介して、互いに対向配置された一対の基板である第一基板としての背面基板２および第二基板としての前面基板３を備えている。
【００１１】
これらの背面基板２および前面基板３は、それぞれ外周縁に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば６．７×１０４Ｐａ（５００Ｔｏｒｒ）程度の減圧状態とされ、例えばＨｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系などの不活性ガスが充填されている。
【００１２】
背面基板２は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板２の内面上には、複数のアドレス電極２１と、これらのアドレス電極２１上を覆うアドレス電極保護層２２と、このアドレス電極保護層２２上に一体的に設けられた隔壁２３と、この隔壁２３の放電セル２３１内部に充填された蛍光体層２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と、などがそれぞれ設けられている。
【００１３】
アドレス電極保護層２２は、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層２２は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極２１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層２２の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
【００１４】
隔壁２３は、例えば、アドレス電極保護層２２と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層２２上において、アドレス電極２１と略直交する複数の直線状の隙間をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１が形成されている。そして、隔壁２３は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板２と前面基板３との間隙寸法を規定する。
【００１５】
蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストが放電セル２３１内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、それぞれの放電セル２３１で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００１６】
前面基板３は、プラズマディスプレイパネル１の表示面を構成し、例えば、背面基板２と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、アドレス電極２１と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対３１と、これら表示電極対３１間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ３２と、これら表示電極対３１およびブラックストライプ３２上を覆う誘電体層３３と、この誘電体層３３を覆う保護層３４と、などがそれぞれ設けられている。
【００１７】
表示電極対３１は、放電ギャップＧを介して対向する複数対の透明電極３１１と、これら透明電極３１１の一端部に積層する一対の直線状のバス電極３１２とを備えて構成されている。 
【００１８】
透明電極３１１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
【００１９】
バス電極３１２は、一対の透明電極３１１における放電ギャップＧに対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極３１２のそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極３１１に図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極３１２は、透明電極３１１上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなる図示しないバス電極黒層と、これらバス電極黒層に積層して設けられたＡｇ（銀）などを主成分とする金属材料からなる図示しない主導電層とを備えた２層構造となっている。
【００２０】
ブラックストライプ３２は、バス電極黒層と同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ３２およびバス電極黒層にて、前面基板３の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
【００２１】
誘電体層３３は、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板２のアドレス電極保護層２２と対向して設けられている。この誘電体層３３は、パネル駆動時において、放電による表示電極対３１の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
【００２２】
保護層３４は、誘電体層３３上面を被覆するＭｇＯ（酸化マグネシウム）により層状に設けられている。このような保護層３４は、誘電体層３３が放電によりスパッタリングされることを防ぐ機能を有している。
【００２３】
図２に示すように、本実施形態の第一マザー基板である背面マザー基板４０は、２枚の背面基板２を形成可能であり、露光領域４２において露光され、アドレス電極２１が形成される。この露光領域４２は、第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとに区分けされ、この第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとは、それぞれ第一パネル領域４１Ａと第二パネル領域４１Ｂとを含んだ領域である。これらの領域が露光されることによりアドレス電極２１が背面マザー基板４０上に設けられる。
このアドレス電極２１は、パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａとパネル領域の内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂとを備えている。この領域外アドレス電極２１Ａは、領域内アドレス電極２１Ｂより太幅に形成された太幅アドレス電極部２１Ｃを有している。
そして、背面マザー基板４０は、第一パネル領域４１Ａと第二パネル領域４１Ｂとの間で分断されることで２枚の背面基板２を形成する。この分断された背面基板２は、パネル領域４１の両端側にアドレス電極引出部が形成される、いわゆる両側アドレス駆動タイプである。
【００２４】
図３は、図２で示される背面マザー基板４０とは異なる電極パターンの背面マザー基板４０が示されている。
図３に示した背面マザー基板４０は、図２と同様に、第一パネル領域４１Ａと第二パネル領域４１Ｂとの間で分断されることで２枚の背面基板２を形成する。この背面基板２は、パネル領域４１の片端側にのみアドレス電極引出部が形成される、いわゆる片側アドレス駆動タイプである点において図２の背面マザー基板と異なっている。
【００２５】
図４は、図２および図３で示される背面マザー基板４０とは異なる電極パターンの背面マザー基板４０が示されている。
図４に示した背面マザー基板４０は、図２と同様に、第一パネル領域４１Ａと第二パネル領域４１Ｂとの間で分断されることで２枚の背面基板２が形成される両側アドレス電極駆動タイプであるが、第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとの間に中継露光領域４３が設けられる点において図２と異なっている。この中継露光領域４３では、第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとにおいてアドレス電極２１が形成された後、別露光されることにより太幅アドレス電極部２１Ｃが形成されることで、図２に示したアドレス電極２１と同様な電極パターンが形成される。
【００２６】
図５に示した背面マザー基板４０は、図３と同様に、第一パネル領域４１Ａと第二パネル領域４１Ｂとの間で分断されることで２枚の背面基板２が形成される片側アドレス電極駆動タイプであるが、第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとの間に中継露光領域４３が設けられる点において図３と異なっている。この中継露光領域４３では、第一露光領域４２Ａと第二露光領域４２Ｂとにおいてアドレス電極２１が形成された後、別露光されることにより太幅アドレス電極部２１Ｃが形成されることで、図２に示したアドレス電極２１と同様な電極パターンが形成される。
【００２７】
（プラズマディスプレイパネルの製造方法）
次に、上述した構成のプラズマディスプレイパネル１の製造方法を図２、図６および図７に基づいて説明する。
図２は、本実施形態の両側アドレス電極駆動の同期露光背面マザー基板を示した平面図である。図６は、プラズマディスプレイパネルの製造プロセスを示すフローチャートである。図７は、構造物形成工程を実施した後の背面マザー基板の断面図、および分断工程の実施により分断された背面基板の断面図である。
【００２８】
プラズマディスプレイパネル１の製造では、先ず、背面基板２および前面基板３をそれぞれ製造する（背面基板製造工程および前面基板製造工程）。
【００２９】
図６に示すように、背面基板製造工程は、ステップＳ１０１からステップＳ１０５を実施して背面基板２を製造する。なお、本実施の形態では、図２に示すように、背面マザー基板４０は、２つのパネル領域４１（第一パネル領域４１Ａ、第二パネル領域４１Ｂ）が形成される例について説明する。
【００３０】
背面基板製造工程では、先ず、背面マザー基板４０の表面上にアドレス電極２１を形成する（ステップＳ１０１：電極形成工程としてのアドレス電極形成工程）。このアドレス電極形成工程では、背面マザー基板４０の一面（背面基板２の前面基板３と対向する内面側）に、スパッタリング法などにより、アドレス電極２１の材料となるＡｌ電極材料層を形成する。この後、背面マザー基板４０は、フォトリソグラフィ法などを用いて、露光マスクにより露光されてアドレス電極２１の電極パターンを形成する。
図２に示すように、このアドレス電極形成工程では、背面マザー基板４０全体へ一度に露光せず、露光位置を変えながら複数回露光させる、いわゆるステップ露光によりアドレス電極２１を形成する。具体的には、第一パネル領域４１Ａを包含する第一露光領域４２Ａへ露光させて第一露光領域４２Ａ内のアドレス電極２１を形成し、その後、第二パネル領域４１Ｂを包含する第二露光領域４２Ｂへ露光させて第二露光領域４２Ｂ内のアドレス電極２１を形成する。
このとき、アドレス電極２１は、２つのパネル領域４１（４１Ａ、４１Ｂ）に跨って連続するような電極パターンが形成される。また、各パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａには、パネル領域４１内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂに比べて線幅が太く形成された太幅アドレス電極部２１Ｃが形成される。
また、図４および図５に示すような中継露光領域４３が別露光される場合は、第一露光領域４２Ａ内のアドレス電極２１を形成し、その後、第二露光領域４２Ｂ内のアドレス電極２１を形成した後、中継露光領域４３へ露光させて太幅アドレス電極部２１Ｃを形成する。
【００３１】
ステップＳ１０１のアドレス電極形成工程の後、アドレス電極検査工程を実施する（ステップＳ１０２）。このアドレス電極検査工程では、ステップＳ１０１にて形成された各アドレス電極２１に導通検査を実施して、断線や短絡の有無を検査する。
【００３２】
このアドレス電極検査工程では、各アドレス電極２１の両端部間に図示しない検査装置の検査配線を接続して、所定の検査用電圧を印加して、断線の有無を検査する。
この時、ステップＳ１０１において各アドレス電極２１は、第一パネル領域４１Ａおよび第二パネル領域４１Ｂに跨って連続形成されているため、第一パネル領域４１Ａに配設されるアドレス電極２１および第二パネル領域４１Ｂに配設されるアドレス電極２１を同時に導通検査することが可能である。
【００３３】
このステップＳ１０２のアドレス電極検査工程において、断線や短絡が検出された場合、欠陥部位を検出して、その部位におけるアドレス電極２１を修復する。なお、全てのアドレス電極２１を除去して再度ステップＳ１０１のアドレス電極形成工程を実施してもよく、不良基板として廃棄処理してもよい。
【００３４】
一方、ステップＳ１０２のアドレス電極検査工程において、断線や短絡が検出されなかった場合、背面構造物形成工程を実施する（ステップＳ１０３）。この背面構造物形成工程では、アドレス電極２１が形成された背面マザー基板４０の各パネル領域４１上に、アドレス電極保護層２２、隔壁２３、および蛍光体層２４を形成する。
具体的には、図７に示すように、各パネル領域４１のアドレス電極２１の上に、誘電体ペーストを塗布し、この誘電体ペーストを成形・焼成することにより、アドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。また、隔壁２３により形成される各放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層２４を形成する。
【００３５】
そして、このステップＳ１０３の後、背面マザー基板４０の第一パネル領域４１Ａおよび第二パネル領域４１Ｂを、アドレス電極２１および背面構造物（アドレス電極保護層２２、隔壁２３、および蛍光体層２４）とともに切断する（ステップＳ１０４：背面基板分断工程）。なお、この背面基板分断工程における、背面基板２の分断方法としては、カッターによる切断、レーザによる切断など、いかなる切断手段を用いてもよい。
【００３６】
また、この背面基板分断工程の後、得られた背面基板２のアドレス電極２１の端部の形状が異なるため、背面基板２の端部を、例えば、表面研磨やレーザ切断などの加工法により、全ての背面基板２が同一形状となるように整形する（ステップＳ１０５:背面基板整形工程）。また、整形した背面基板２は、背面基板２の短辺方向の略中心線に沿ってアドレス電極２１を表面研磨されることで、アドレス電極２１の中心位置を除去し、両側アドレス駆動タイプの背面基板２の電極パターンが形成される。
その後、背面基板２には、例えば、低融点ガラス粉末と、アクリルなどの樹脂と、ターピネオールなどの溶剤とを混練したペーストを図示しないシールフリットとしてアドレス電極保護層２２の周縁に沿う状態に設ける。
【００３７】
前面基板形成工程は、背面基板形成工程を略同様の製造方法により前面基板３を製造する。この前面基板形成工程では、図６におけるステップＳ１０６〜ステップＳ１１０を実施して、前面基板３と同一材質からなる図示しない第二マザー基板である前面マザー基板から、複数の前面基板３を分断し、前面基板３を製造する。なお、前面基板３の製造に関して、背面基板２の製造と略同様の手法により製造されるため、詳細な図を省略する。
【００３８】
前面基板形成工程では、まず、前面マザー基板の表面上に表示電極対３１（透明電極３１１およびバス電極３１２）を形成する（ステップＳ１０６：電極形成工程としての前面側電極形成工程）。
この前面側電極形成工程では、前面マザー基板の一面（前面基板３の背面基板２と対向する内面側）に、フォトリソグラフィ法などにより透明電極３１１の電極パターンを形成する。そして、透明電極３１１上に、例えば、スクリーン印刷法などにより導電性ペーストのパターンを積層形成し、これを焼成してバス電極３１２を形成する。
この前面側電極形成工程では、アドレス電極形成工程と同様に、前面マザー基板全体へ一度に露光せず、露光位置を変えながら複数回露光させる、いわゆるステップ露光により表示電極対３１を形成する。
このとき、表示電極対３１は、複数のパネル領域に跨って連続するように電極パターンが形成される。また、各パネル領域の外側に形成される領域間表示電極対は、パネル領域内に形成される領域内表示電極対に比べて線幅が太く形成される。
【００３９】
ステップＳ１０６の前面側電極形成工程の後、バス電極検査工程を実施する（ステップＳ１０７）。このバス電極検査工程では、ステップＳ１０６にて形成された各バス電極３１２に導通検査を実施して、断線や短絡の有無を検査する。
【００４０】
具体的には、バス電極検査工程では、各バス電極３１２の両端部間に図示しない検査装置の検査配線を接続して、所定の検査用電圧を印加して、断線の有無を検査する。また、バス電極検査工程では、隣り合うバス電極３１２間の導通状態を検査し、短絡の有無を検査する。
この時、ステップＳ１０６において各バス電極３１２は、複数のパネル領域に跨って連続形成されているため、全てのバス電極３１２を検査することで、これらのパネル領域に配設される全てのバス電極３１２を同時に導通検査することが可能となる。
【００４１】
このステップＳ１０７のバス電極検査工程において、断線や短絡が検出された場合、欠陥部位を検出して、その部位におけるバス電極３１２を修復する。なお、全てのバス電極３１２の電極パターンを除去して再度ステップＳ１０６の前面側電極形成工程を実施してもよく、不良基板として廃棄処理してもよい。
【００４２】
一方、ステップＳ１０７のバス電極検査工程において、断線や短絡が検出されなかった場合、前面構造物形成工程を実施する（ステップＳ１０８）。
この前面構造物形成工程では、バス電極３１２間にスクリーン印刷法などにより黒色ペーストのパターンを形成し、これを焼成してブラックストライプ３２を形成する。また、ダイコータなどにより透明電極３１１、バス電極３１２およびブラックストライプ３２を被覆する状態に誘電体ペーストを塗布し、これを焼成して誘電体層３３を形成する。さらに、誘電体層３３上に、蒸着法やスパッタリング法などの成膜法にて、保護層３４としてのＭｇＯ膜を形成し、焼成処理を実施する。
【００４３】
この後、前面マザー基板の各パネル領域を、バス電極３１２、透明電極３１１、および前面構造物（ブラックストライプ３２、誘電体層３３、および保護層３４）とともに切断し、前面基板３を生成する（ステップＳ１０９：前面基板分断工程）。なお、この前面基板分断工程における、前面基板３の分断方法としては、カッターによる切断、レーザによる切断など、いかなる切断手段を用いてもよい。
【００４４】
また、この前面基板分断工程の後、得られた前面基板３のバス電極３１２の端部の形状が異なる場合、前面基板３の端部を、例えば、表面研磨やレーザ切断などの加工法により、全ての前面基板３が同一形状となるように整形する（ステップＳ１１０:前面基板整形工程）。
【００４５】
そして、上記のような背面基板製造工程および前面基板製造工程の後、ステップＳ１０５およびステップＳ１１０にてそれぞれ整形された背面基板２および前面基板３を重ね合わせる重ね合わせ工程を実施する（ステップＳ１１１）。
【００４６】
また、ステップＳ１１１の後、封着工程を実施する（ステップＳ１１２）。この封着工程では、ステップＳ１１１の重ね合わせ工程で重ね合わされた前面基板３と背面基板２とを、シールフリット中の低融点ガラスが溶解する温度以上の所定温度まで加熱し、所定時間この温度を維持させて低融点ガラスを軟化溶融させる。この後、低融点ガラスが凝固する温度まで降温させて、前面基板３および背面基板２間の内部空間を封止する。また、この時、例えば、シールフリットに設けられる図示しない通気孔から真空ポンプなどにより、内部空間の気体を排気し、この後、この通気孔から放電ガスを導入して、内部空間が所定圧力に達すると通気孔を封鎖して内部空間を密封する。
【００４７】
（本実施の形態の作用効果）
上記のような構成の本実施の形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
（１）上述したように、上記プラズマディスプレイパネル１の製造方法では、アドレス電極２１は、複数のパネル領域４１に跨って連続するように電極パターンが形成される。そして、各パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａは、パネル領域４１内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂに比べて線幅が太く形成された太幅アドレス電極部２１Ｃを有する。
また、前面側電極形成工程においても、アドレス電極形成工程と同様に、表示電極対３１は、複数のパネル領域に跨って連続するように電極パターンが形成される。そして、各パネル領域の外側に形成される領域間表示電極対は、パネル領域内に形成される領域内表示電極対に比べて線幅が太く形成された太幅表示電極部を有する。
従って、アドレス電極形成工程および前面側電極形成工程において、背面マザー基板４０や前面マザー基板全体へ一度に露光せず、露光位置を変えながら複数回露光させる、いわゆるステップ露光によりアドレス電極２１や表示電極対３１を形成するような場合、具体的に、アドレス電極形成工程では、第一パネル領域４１Ａを包含する第一露光領域４２Ａへ露光させて第一露光領域４２Ａ内のアドレス電極２１を形成し、その後、第二パネル領域４１Ｂを包含する第二露光領域４２Ｂへ露光させて第二露光領域４２Ｂ内のアドレス電極２１を形成するような場合、露光位置を第一露光領域４２Ａから第二露光領域４２Ｂへと移動させて露光する際、露光位置が多少ずれたとしても、領域外アドレス電極２１Ａの線幅が太いため、各パネル領域４１の間を連続するように電極を形成することができる。
このため、領域外アドレス電極２１Ａや領域外表示電極対の線幅が太くない場合に比べて露光位置の精度許容範囲が拡大できる。
【００４８】
（２）背面基板製造工程において、ステップＳ１０２のアドレス電極検査工程の後、背面構造物形成工程を実施して、アドレス電極保護層２２、隔壁２３、および蛍光体層２４を形成し、この背面構造物形成工程の後、背面基板分断工程を実施する。また、前面基板製造工程において、ステップＳ１０７のバス電極検査工程の後、前面構造物形成工程を実施して、ブラックストライプ３２、誘電体層３３、および保護層３４を形成し、この後、前面基板分断工程を実施する。
このため、アドレス電極検査工程やバス電極検査工程により、断線や短絡がないと確認された後に、各構造物を形成することができ、構造物を形成するための材料の無駄を無くすことができる。すなわち、アドレス電極２１やバス電極３１２に断線や短絡がある場合、その背面基板２または前面基板３は不良基板となり、正常な画像表示動作を実施することができない。このような不良基板に、アドレス電極保護層２２、隔壁２３、蛍光体層２４、ブラックストライプ３２、誘電体層３３、および保護層３４などといった構造物を形成すると、これらの構造物までも無駄になってしまう。これに対して、上記実施の形態のように、アドレス電極検査工程およびバス電極検査工程の後、背面構造物形成工程や前面構造物形成工程を実施することで、不良基板上に構造物を形成してしまう不都合を回避することができ、プラズマディスプレイパネル１の製造における製造コストの低減を図ることができる。
【００４９】
（３）背面基板２は、アドレス電極形成工程から背面基板形成工程を経て製造される。また、これとは独立して、前面基板３は、前面側電極形成工程から前面基板形成工程を経て製造される。そして、重ね合わせ工程において、上記製造された背面基板２および前面基板３を重ね合わせ、封着工程において、これら背面基板２および前面基板３を封着している。
このため、背面基板２の製造工程および前面基板３の製造工程を同時並行して行うことができるので、プラズマディスプレイパネル１の製造に係る時間をより大きく削減することができる。
【００５０】
（４）背面基板整形工程および前面基板整形工程において、背面マザー基板４０および前面マザー基板から分断された背面基板２および前面基板３を整形している。すなわち、背面マザー基板４０におけるアドレス電極は、第一パネル領域４１Ａおよび第二パネル領域４１Ｂに跨って連続形成されるため、分断されて製造された各背面基板２は、それぞれアドレス電極の端部の形状が異なる場合がある。前面基板３におけるバス電極３１２の端部形状も同様である。これに対して、背面基板整形工程および前面基板整形工程において、表面研磨やレーザ切断などを実施することにより、全ての背面基板２および全ての前面基板３の形状が同一となるように整形している。
このため、各背面基板２や、各前面基板３の形状を統一することができるので、重ね合わせ工程における背面基板２と前面基板３との重ね合わせの際に、基板に応じて適宜位置調整を実施するなどの煩雑な作業を省略することができ、プラズマディスプレイパネル１の製造に係る製造時間を短縮することができる。
【００５１】
（５）背面基板２の端部を、例えば、表面研磨やレーザ切断などの加工法により、全ての背面基板２が同一形状となるように整形する（ステップＳ１０５:背面基板整形工程）。また、整形した背面基板２は、背面基板２の短辺方向の略中心線に沿ってアドレス電極２１を表面研磨されることで、アドレス電極２１の中心位置を除去し、両側アドレス駆動タイプの背面基板２の電極パターンが形成される。
このため、アドレス電極形成工程の後、アドレス電極検査工程を実施し、背面基板２を分断した後に両面アドレス駆動に対応するように表面研磨を実施するので、アドレス電極検査工程において導通検査するアドレス電極２１の数が増大しないので、従来のように完成した背面基板２に対してアドレス電極２１の導通検査を実施する場合に比べて、アドレス電極検査工程に係る時間を低減させることができる。
【００５２】
〔実施の形態の変形〕
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００５３】
本実施の形態では、図２に示したような２枚の背面基板２を形成可能な背面マザー基板４０を用いたがこれに限らない。すなわち、例えば、図８に示したような３枚の背面基板２を形成可能な背面マザー基板４０を用いてもよい。この場合、アドレス電極検査工程は、１枚の背面基板２のアドレス電極２１を検査する作業時間で３枚の背面基板２のアドレス電極２１を検査することができるので、アドレス電極検査工程の工程時間が更に短縮できる。
【００５４】
本実施形態では、図４および図５のような別露光された背面マザー基板４０において、第一露光領域４２Ａおよび第二露光領域４２Ｂへ露光した後、中継露光領域４３へ露光を行ったが、この露光順序に限らない。従って、例えば、中継露光領域４３へ露光を行った後、第一露光領域４２Ａおよび第二露光領域４２Ｂへ露光してもよい。すなわち、目的とするアドレス電極２１の電極パターンが得られれば、それでよく、露光順序はいずれでもよい。
【００５５】
上述したように、上記プラズマディスプレイパネル１の製造方法では、アドレス電極２１は、複数のパネル領域４１に跨って連続した複数の電極を形成する電極形成工程と、この電極形成工程において形成された電極に対して、各電極の長手方向導端部間、および隣り合う電極間の導通検査を実施する検査工程と、この検査工程の後に、マザー基板における各パネル領域を切断し、電極を備えた各基板を分断する分断工程と、を備える。そして、前記電極形成工程において、各パネル領域４１の外側に形成される領域外アドレス電極２１Ａは、パネル領域４１内側に形成される領域内アドレス電極２１Ｂに比べて線幅が太く形成する。
従って、アドレス電極形成工程および前面側電極形成工程において、背面マザー基板４０や前面マザー基板全体へ一度に露光せず、露光位置を変えながら複数回露光させる、いわゆるステップ露光によりアドレス電極２１や表示電極対３１を形成するような場合、具体的に、アドレス電極形成工程では、第一パネル領域４１Ａを包含する第一露光領域４２Ａへ露光させて第一露光領域４２Ａ内のアドレス電極２１を形成し、その後、第二パネル領域４１Ｂを包含する第二露光領域４２Ｂへ露光させて第二露光領域４２Ｂ内のアドレス電極２１を形成するような場合、露光位置を第一露光領域４２Ａから第二露光領域４２Ｂへと移動させて露光する際、露光位置が多少ずれたとしても、領域外アドレス電極２１Ａの線幅が太いため、各パネル領域４１の間を連続するように電極を形成することができる。
このため、領域外アドレス電極２１Ａや領域外表示電極対の線幅が太くない場合に比べて露光位置の精度許容範囲が拡大できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来のプラズマディスプレイパネルの電極構造を示した模式図である。
【図２】本実施形態の両側アドレス電極駆動の同期露光背面マザー基板を示した平面図である。
【図３】本実施形態の片側アドレス電極駆動の同期露光背面マザー基板を示した平面図である。
【図４】本実施形態の両側アドレス電極駆動の別露光された背面マザー基板を示した平面図である。
【図５】本実施形態の片側アドレス電極駆動の別露光された背面マザー基板を示した平面図である。
【図６】プラズマディスプレイパネルの製造プロセスを示すフローチャートである。
【図７】構造物形成工程を実施した後の背面マザー基板の断面図、および分断工程の実施により分断された背面基板の断面図である。
【図８】本実施形態の変形例における背面マザー基板を示した平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…プラズマディスプレイパネル
２…背面基板
３…前面基板
２１…アドレス電極
２１Ａ…領域外アドレス電極
２１Ｂ…領域内アドレス電極
２１Ｃ…太幅アドレス電極部
４０…背面マザー基板
４１…パネル領域
４１Ａ…第一パネル領域
４１Ｂ…第二パネル領域
３１２…バス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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