(57)【要約】【課題】  電子放出素子から放出された電子の発散を抑制する構成を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさよりも小さいことを特徴とする。【選択図】  図４
2009302003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出部と、
前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、
前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさよりも小さいこと
を特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記複数の偏向電極が電子を偏向する大きさは、前記偏向方向に単調に減少することを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
複数の電子放出部と、
前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、
前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極の該偏向方向の長さは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極の該偏向方向の長さよりも短いことを特徴とする電子放出素子。
【請求項４】
前記複数の偏向電極の前記偏向方向の長さは、該偏向方向に単調に減少することを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
複数の電子放出部と、
前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、
前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極の厚さは、該偏向電極と反対方向の端に位置する偏向電極の厚さよりも厚いことを特徴とする電子放出素子。
【請求項６】
前記複数の偏向電極の厚さは、該偏向方向に単調に増加することを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
複数の走査配線と複数の変調配線とによりマトリクス状に接続される複数の電子放出素子を備えるリアプレートと、
前記電子放出素子から放出された電子を加速するアノード電極を備えるフェースプレートと、を有し、
前記電子放出素子が請求項１乃至６のいずれかに記載の電子放出素子であることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子および電子放出素子を有する画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子を有する画像表示装置において、電子放出素子から放出された電子は発散しながらアノード電極により加速される。しかしながら、より高精細な画像表示装置を実現するためには、電子放出素子から放出された電子の発散を抑制することが求められる。
【０００３】
電子放出素子から放出された電子の発散を抑制する構成として、集束電極を設ける構成が知られている（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１９９４００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、電子放出素子から放出された電子の発散を抑制する構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極が電子を偏向する大きさよりも小さいことを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極の該偏向方向の長さは、該偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極の該偏向方向の長さよりも短いことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の電子放出素子は、複数の電子放出部と、前記電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極と、を備え、前記複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向である偏向方向の端に位置する偏向電極の厚さは、該偏向電極と反対方向の端に位置する偏向電極の厚さよりも厚いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電子放出素子から放出された電子の発散を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
＜第１の実施形態＞
（画像表示装置の構成）
本発明に係る電子放出素子を有する画像表示装置について、図１、図２を用いて説明する。
【００１０】
図１は、本発明の画像表示装置の構造の一例を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、１は基板、３２は走査配線、３３は変調配線、３４は電子放出素子である。４１は基板１を固定したリアプレート、４６はガラス基板４３の内面に蛍光体４４とアノード電極としてのメタルバック４５等が形成されたフェースプレートである。４２は支持枠であり、この支持枠４２にリアプレート４１、フェースプレート４６がフリットガラス等を介して取り付けられ、外囲器４７を構成している。ここで、リアプレート４１は主に基板１の強度を補強する目的で設けられるため、基板１自体で十分な強度を持つ場合には、別体のリアプレート４１は不要である。また、フェースプレート４６とリアプレート４１との間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
【００１１】
ｍ本の走査配線３２は、端子Ｄｘ１，Ｄｘ２，…Ｄｘｍと接続されている。ｎ本の変調配線３３は、端子Ｄｙ１，Ｄｙ２，…Ｄｙｎと接続されている（ｍ，ｎは、共に正の整数）。これらｍ本の走査配線３２とｎ本の変調配線３３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している。
【００１２】
高圧端子はメタルバック４５に接続され、例えば１０［ｋＶ］の直流電圧が供給される。これは電子放出素子から放出される電子に蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
【００１３】
図２は、本発明のリアプレートを示す模式図である。本発明のリアプレートは、走査配線３２と変調配線３３とによりマトリクス状に接続された複数の電子放出素子３４を有している。
【００１４】
走査配線３２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子３４の行を選択するための走査信号を印加する走査回路（不図示）が接続される。一方、変調配線３３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子３４の各列を入力信号に応じて変調するための、変調回路（不図示）が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、電子放出素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。駆動電圧としては、１０Ｖから１００Ｖの範囲が好ましく、１０Ｖから３０Ｖの範囲がより好ましい。
【００１５】
（電子放出素子の構成）
図３は、本実施形態の電子放出素子を示す模式図である。
【００１６】
走査配線３２には、複数のカソード電極６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）が接続されている。カソード電極には、走査配線３２からカソード電位が印加される。変調配線３３には、偏向電極４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）が接続されている。更に、図４に示される通り、偏向電極４はゲート電極５と電気的に接続している。ゲート電極５には、変調配線３３から偏向電極４を介してゲート電位が印加される。
【００１７】
また、本実施形態の電子放出素子は、複数の電子放出部１２を有している。複数の電子放出部の各々は、カソード電極６及びゲート電極５と接続されている。走査配線３２に印加された走査信号がカソード電極２を介して電子放出部１２にカソード電位として印加され、変調配線３３に印加された変調信号がゲート電極５を介して電子放出部１２にゲート電位として印加されることで、複数の電子放出部１２から電子が放出される。
【００１８】
なお、複数の電子放出部１２は同一の絵素（サブピクセル）内のものであるため、複数のカソード電極６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）には同一のカソード電位が印加され、複数の偏向電極４（４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ）には同一のゲート電位が印加される。フェースプレート４６に設けられたＲ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体には、各蛍光体に対応する電子放出素子３４から放出された電子が照射される。
【００１９】
本実施形態では、偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄのＸ方向の長さがそれぞれＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４（Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ４）のように異なる構成となっている。
【００２０】
図３のＡ−Ａ’断面図を図４に示す。
【００２１】
２は第１の絶縁層、３は第２の絶縁層、４は偏向電極、５はゲート電極、６はカソード電極である。カソード電極６とゲート電極５との間に電圧が印加されることにより、電子放出部１２から電子が放出される。
【００２２】
次に、本実施形態において電子の発散が抑制される原理について説明する。
【００２３】
図５（ａ）は、電子放出部１２から放出された電子がアノード電極４５に達するまでの軌道を示す図である。
【００２４】
電子放出部１２から放出された電子は、偏向電極４によりＸ方向（本発明の「偏向方向」に相当）に偏向される。また、電子放出部１２から放出された電子は、図の点線で示したように発散しながらアノード電極４５に達する。図の実線で示したビーム重心は、電子ビームの形状のみから求まる幾何学的な重心ではなく、電子ビームの形状に電子密度分布の重み付けをして求めた重心である。電子が放出された位置からアノード電極上のビーム重心の位置までのＸ方向の変位量ΔＸを偏向量とする。
【００２５】
図５（ｂ）は、偏向電極４のＸ方向（偏向方向）の長さＬと偏向量ΔＸとの関係を示すグラフである。このグラフはシミュレーションにより求めたものである。
【００２６】
図から明らかなように、Ｌの長さを長くするほど偏向量ΔＸが大きくなることが分かる。これは、電子放出部１２から放出された電子は偏向電極４に印加された正電位によりＸ方向に偏向されるため、偏向電極４のＸ方向の長さが長いほど電子がより大きく偏向されることによる。
【００２７】
図６を用いて本実施形態の効果を説明する。
【００２８】
図６（ａ）は、本実施形態との比較のために、偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄのＸ方向の長さを全て等しくＬ０としたものである。この場合、各偏向電極によって電子が偏向される大きさも等しくなる。ここで、Ｘ方向の端に位置する偏向電極４ｄに対応する電子放出部と、Ｘ方向と反対方向の端に位置する偏向電極４ａに対応する電子放出部との距離をＤ０とする。すると、偏向電極４ｄに対応する電子放出部から放出された電子のビーム重心と偏向電極４ａに対応する電子放出部から放出された電子のビーム重心との距離もＤ０となる。従って、この場合は電子放出素子から放出された電子の発散を十分に抑制することができない。
【００２９】
これに対し本実施形態では、図６（ｂ）のように、電子放出部１２から放出された電子を同じ方向（Ｘ方向）に偏向する複数の偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを設けた。そして、複数の偏向電極のうち電子が偏向される方向であるＸ方向の端に位置する偏向電極４ｄのＸ方向の長さＬ４が、Ｘ方向と反対方向の端に位置する偏向電極４ａのＸ方向の長さＬ１よりも短くなるようにした。ここで、Ｘ方向の端に位置する偏向電極４ｄに対応する電子放出部と、Ｘ方向と反対方向の端に位置する偏向電極４ａに対応する電子放出部との距離をＤ１とする。すると、偏向電極４ｄに対応する電子放出部から放出された電子のビーム重心と偏向電極４ａに対応する電子放出部から放出された電子のビーム重心との距離はＤ２（Ｄ１＞Ｄ２）となる。従って、電子放出素子から放出された電子の発散を抑制することが可能となる。
【００３０】
なお、アノード電極に到達する電子ビームの大きさはＸ方向の両端に位置する電子放出部から放出された電子の偏向量に大きく依存するため、両端以外の偏向電極４ｂ、４ｃのＸ方向の長さＬ２、Ｌ３が電子ビームの大きさに与える影響は少ない。しかしながら、アノード電極に到達する電子ビームの電子密度分布をより一様にするために、複数の偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄのＸ方向の長さが単調に減少すること（Ｌ１≧Ｌ２≧Ｌ３≧Ｌ４、かつ、Ｌ１＞Ｌ４）が好ましい。
【００３１】
（電子放出素子の製造方法）
次に、本実施形態の電子放出素子を製造する方法について、図７、図８を用いて説明する。
【００３２】
基板１は素子を機械的に支えるための絶縁性基板である。例えば、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、シリコン基板などを用いることができる。基板１に必要な機能としては、機械的強度が高いだけでなく、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液等のアルカリや酸に対して耐性があり、ディスプレイパネルのような一体ものとして用いる場合は成膜材料や他の積層部材と熱膨張差が小さいものが望ましい。また熱処理に伴いガラス内部からのアルカリ元素等が拡散しづらい材料が望ましい。
【００３３】
図７（ａ）に示すように、基板１上に絶縁層２を積層する。絶縁層２は加工性に優れる材料からなる絶縁性の膜であり、例えばＳｉＮ（ＳｉｘＮｙ）やＳｉＯ２であり、その作製方法はスパッタ法等の一般的な真空成膜法、ＣＶＤ法、真空蒸着法で形成される。
【００３４】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁層２の上に絶縁層３をスパッタ法等の一般的な真空成膜法、ＣＶＤ法、真空蒸着法で形成する。
【００３５】
絶縁層２、３の厚さとしては、それぞれ５ｎｍ乃至５０μｍの範囲で設定され、好ましくは５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。絶縁層２と絶縁層３とは、エッチングの際に異なるエッチングスピードを持つような材料を選択することが好ましい。望ましくは絶縁層２と絶縁層３との間には選択比として１０以上が望ましく、できれば５０以上とれることが望ましい。具体的には、例えば、絶縁層２にはＳｉｘＮｙを用い、絶縁層３にはＳｉＯ２等の絶縁性材料を用いる、或いはリン濃度の高いＰＳＧ、ホウ素濃度の高いＢＳＧ膜等を用いることができる。
【００３６】
次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁層３の上に導電層４を形成する。この導電層４は、後に偏向電極４となるものである。
【００３７】
導電層４は、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術により形成されるものである。導電層４としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属または合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ２，ＺｒＢ２，ＣｅＢ６，ＹＢ４，ＧｄＢ４等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。さらに、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。
【００３８】
また、導電層４の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で設定され、好ましくは５０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。
【００３９】
次に、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術により導電層４上にレジストパターンを形成した後、エッチング手法を用いて導電層４，絶縁層３、絶縁層２を順次加工する。これにより、偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと、絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ及び絶縁層２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄが得られる。
【００４０】
このようなエッチング加工では一般的にエッチングガスをプラズマ化して材料に照射することで材料の精密なエッチング加工が可能なＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が用いられる。この時の加工ガスとしては、加工する対象部材がフッ化物を作る場合はＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６のフッ素系ガスが選ばれる。またＳｉやＡｌのように塩化物を形成する場合はＣｌ２、ＢＣｌ３などの塩素系ガスが選ばれる。またレジストとの選択比を取るため、エッチング面の平滑性の確保或いはエッチングスピードを上げるために水素や酸素、アルゴンガスなどが随時添加される。このエッチング加工は、基板１の上面まで停止しても良いし、基板１の一部がエッチングされても良い。
【００４１】
なお、Ｘ方向に配置される偏向電極の配置数ｎ、各偏向電極のＸ方向の長さＬ（Ｌ１〜Ｌ４）、隣接素子との間隔Ｓ（Ｓ１〜Ｓ３）は、適宜変更することが可能である。Ｌは数μｍから数十μｍの範囲が好ましい。
【００４２】
次に、図８（ｅ）に示すように、エッチング手法を用いて、積層体の一側面において絶縁層３の側面のみを一部除去し、凹部７（７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ）を形成する。
【００４３】
エッチングの手法は例えば絶縁層３がＳｉＯ２からなる材料であれば通称バッファーフッ酸（ＢＨＦ）と呼ばれるフッ化アンモニウムとフッ酸との混合溶液を用いることができる。また、絶縁層３がＳｉｘＮｙからなる材料であれば熱リン酸系エッチング液でエッチングすることが可能である。
【００４４】
凹部７の深さ、即ち凹部７における絶縁層３の側面と絶縁層２との距離は、３０ｎｍ乃至２００ｎｍ程度で形成することが好ましい。
【００４５】
尚、本例では、絶縁層２と絶縁層３を積層した形態を示したが、本発明ではこれに限定されるものではなく、一層の絶縁層の一部を除去することで凹部７を形成してもかまわない。
【００４６】
次に、図８（ｆ）に示すように、導電性材料を基板１上及び絶縁層３の側面に付着させる。この時、導電性材料が偏向電極４上にも付着する。
【００４７】
導電性材料としては導電性があり、電界放出する材料であればよく、一般的には２０００℃以上の高融点、５ｅＶ以下の仕事関数材料であり、酸化物等の化学反応層の形成しづらい、或いは簡易に反応層を除去可能な材料が好ましい。このような材料として例えば、Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属または合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＨｆＢ２，ＺｒＢ２，ＣｅＢ６，ＹＢ４，ＧｄＢ４等の硼化物が挙げられる。また、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等が挙げられる。
【００４８】
導電性材料の堆積方法としては蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術が用いられ、ＥＢ蒸着が好ましく用いられる。
【００４９】
なお、本実施形態においては偏向電極４とゲート電極５を別部材として説明したが、偏向電極４とゲート電極５とは電気的に接続しているものであり、必ずしも別部材のものとする必要はない。
【００５０】
また、本発明に適用することができる電子放出素子の構造は、ここで説明した形態に限定されるものではない。複数の電子放出部から放出された電子を同じ方向に偏向する複数の偏向電極を備える電子放出素子であるならば、電子放出部の構成としては、スピント型などの電界放出型、ＭＩＭ型、表面伝導型などの任意の構成を採用することが可能である。
【００５１】
＜第２の実施形態＞
第１の実施形態においては、偏向電極が電子を偏向する大きさを異ならせるために、偏向電極のＸ方向の長さを異ならせる構成を用いて説明したが、本発明はかかる構成に限られるものではない。
【００５２】
すなわち、電子が偏向される方向（偏向方向）の端に位置する偏向電極４ｄが電子を偏向する大きさが、偏向方向と反対方向の端に位置する偏向電極４ａが電子を偏向する大きさよりも小さくなるようにする構成とすることにより、電子の発散を抑制することができる。
【００５３】
例えば、偏向電極４の厚さを異ならせることにより偏向電極が電子を偏向する大きさを変えることが可能となる。より詳細には、第１の実施形態で示した電子放出素子において、偏向電極４ｄの厚さを偏向電極４ａの厚さよりも厚くすることにより、電子の発散を抑制することができる。
【００５４】
図９は、偏向電極４の厚さｄと電子の偏向量ΔＸの関係を示す図である。
【００５５】
図９（ａ）は、偏向電極４の厚さをｄ１としたときの偏向量がΔＸ１であることを示すものである。図９（ｂ）は、偏向電極４の厚さをｄ２（ｄ１＜ｄ２）としたときの偏向量がΔＸ２（ΔＸ２＜ΔＸ１）であることを示すものである。偏向電極４の厚さｄが大きくなるにつれて偏向量ΔＸが小さくなっていることが分かる。
【００５６】
これは、図９（ａ）と図９（ｂ）を比較すれば分かるように、偏向電極４の厚さｄが大きくなることで、電子放出部近傍の電界の状態が変化し、電子が偏向しにくくなることに拠るものである。
【００５７】
なお、アノード電極に到達する電子ビームの電子密度分布をより一様にするために、複数の偏向電極４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの厚さが単調に増加することが好ましい。
【００５８】
このように偏向電極４の厚さｄを異ならせるためには、図７（ｃ）の導電層４を形成する工程の後に、偏向電極の厚さを大きくする部分以外を覆うようにレジストでパターニングを行い、その後、導電層を追加で堆積させればよい。
【００５９】
また、偏向電極が電子を偏向する大きさを変える別の形態として、例えば、偏向電極４の形状を異ならせる構成を採用することもできる。
【００６０】
例えば、Ｘ方向の端に位置する偏向電極４ｄの形状を偏向電極が電子を偏向する大きさが小さくなるような形状とすることにより、本発明を適用することができる。
【実施例】
【００６１】
（実施例１）
以下、本発明のより詳細な実施例について説明する。
【００６２】
（工程１）
基板１に青板ガラスを用い、十分洗浄を行った後、スパッタ法により絶縁層２として厚さ５００ｎｍのＳｉ３Ｎ４膜を堆積した（図７（ａ））。
【００６３】
（工程２）
次に、スパッタ法により絶縁層３として厚さ２０ｎｍのＳｉＯ２を堆積した（図７（ｂ））。その後、導電層４として２０ｎｍのＴａＮを堆積した（図７（ｃ））。
【００６４】
（工程３）
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングで形成した。そして、フォトマスクパターンを露光、現像し、レジストパターンを形成した。その際、Ｌ１＝１２μｍ、Ｌ２＝１０μｍ、Ｌ３＝８μｍ、Ｌ４＝６μｍ、Ｓ１＝Ｓ２＝Ｓ３＝１０ｕｍとなるようレジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層２、絶縁層３、及び導電層４を、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングした。ドライエッチングを基板１で停止させ、段差構造を形成した（図８（ｄ））。
【００６５】
（工程４）
次に、形成された段差部に、バッファーフッ酸（ＢＨＦ）（ＬＡＬ１００／ステラケミファ社製）をエッチング液として、１１分間エッチングを施し、絶縁層３ａ〜３ｄを選択的にエッチングした。段差側壁から６０ｎｍ程度、絶縁層３ａ〜３ｄをエッチングし、凹部７ａ〜７ｄを形成した（図８（ｅ））。
【００６６】
（工程５）
次に、斜方蒸着によりゲート電極５ａ〜５ｄ、及びカソード電極６ａ〜６ｄとして厚さ１０ｎｍのＭｏを斜め４５度上方から選択的に堆積した（図８（ｆ））。
【００６７】
なお、フェースプレートとリアプレートの距離は１．６ｍｍ、アノード電圧を１２ｋＶとした。本実施例では、図６（ｂ）におけるＤ１は６０μｍとなる。このとき、図６（ｂ）におけるＤ２は４６μｍとなる。本実施例によれば、リアプレート上の電子放出部のサイズＤ１よりもフェースプレート上のビーム重心位置から求まる電子ビームのサイズＤ２を小さくすることが可能となる。すなわち、電子の発散を抑制することが可能となる。
【００６８】
（比較例１）
本比較例では、実施例１とは工程３のみが異なる。その他の工程については実施例１と同様である。
【００６９】
（工程３）
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングで形成した。そして、フォトマスクパターンを露光、現像し、レジストパターンを形成した。その際、Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４＝１０μｍ、Ｓ１＝Ｓ２＝Ｓ３＝１０ｕｍとなるようレジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層２、絶縁層３、及び導電層４を、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングした。ドライエッチングを基板１で停止させ、段差構造を形成した（図８（ｄ））。
【００７０】
本比較例では、図６（ａ）におけるリアプレート側とフェースプレート側のＤ０はいずれも６０μｍとなり、電子の発散を十分に抑制することができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の画像表示装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明のリアプレートを示す模式図である。
【図３】第１の実施形態の電子放出素子を示す模式図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】偏向電極の長さと電子の偏向量の関係を示す図である。
【図６】第１の実施形態の効果を示す図である。
【図７】電子放出素子を製造する方法を説明する図である。
【図８】電子放出素子を製造する方法を説明する図である。
【図９】偏向電極の厚さと電子の偏向量の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
４  偏向電極
５  ゲート電極
１２  電子放出部
３２  走査配線
３３  変調配線
３４  電子放出素子
４１  リアプレート
４６  フェースプレート
【図１】
2009302003.tif 000003
【図２】
2009302003.tif 000004
【図３】
2009302003.tif 000005
【図４】
2009302003.tif 000006
【図５】
2009302003.tif 000007
【図６】
2009302003.tif 000008
【図７】
2009302003.tif 000009
【図８】
2009302003.tif 000010
【図９】
2009302003.tif 000011