(57)【要約】【課題】電子部品の密閉性を維持することができ、製品の歩留まりが向上するとともに、コストの増加を抑制することもできる電子装置、さらに簡便な方法により電子部品が確実に中空封止された電子装置を得ることができる電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電子装置は、基板４１と、基板４１上に設けられた導電パターン（電極４２）と、基板４１上に搭載され、電極４２と電気的に接続された半導体チップ４５と、基板４１上に設けられ、半導体チップ４５を中空封止する２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップ５１と、樹脂キャップ５１と電極４２とを接着する接着層（金属−樹脂接着保持層４４）と、を備える。【選択図】図１
2009283553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた導電パターンと、
前記基板上に搭載され、前記導電パターンと電気的に接続された電子部品と、
前記基板上に設けられ、前記電子部品を中空封止する２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップと、
前記樹脂キャップと前記導電パターンとを接着する接着層と、を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
前記接着層は、酸化アルミニウムを含む無機層またはアルキド樹脂を含む有機層であることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子装置において、
前記基板は、厚さ方向に貫通した貫通孔を備え、
前記導電パターンは、前記基板の上面から前記貫通孔を介して裏面に延在しており、
前記樹脂キャップは、
前記接着層を介して前記導電パターンに接着するとともに前記電子部品を中空封止する第１樹脂層と、
前記第１樹脂層を覆う第２樹脂層と、
前記第２樹脂層を覆う第３樹脂層と、を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子装置において、
前記第２樹脂層は、前記基板上面に形成された前記貫通孔の開口部を覆うことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電子装置において、
前記第２樹脂層は樹脂フィルムからなることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置において、
前記電子部品は、高周波で動作することを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置において、
前記基板に搭載された電子部品間において個片化されていることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
基板上に導電パターンが設けられた基板を準備する工程と、
前記基板上に設けられた前記導電パターン上に接着層を形成する工程と、
前記基板上に電子部品を搭載するとともに該電子部品を前記導電パターンと電気的に接続する工程と、
前記接着層を介して２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップと前記導電パターンとを接着するとともに前記電子部品を中空封止する工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子装置の製造方法において、
前記接着層を形成する前記工程は、
酸化アルミニウムを含む無機層またはアルキド樹脂を含む有機層のいずれかの接着層を形成する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の電子装置の製造方法において、
前記基板を準備する前記工程は、厚さ方向に貫通した複数の貫通孔を備えるとともに、前記基板の上面から前記貫通孔を介して裏面に延在する導電パターンを備える基板を準備する工程を含み、
前記電子部品を前記導電パターンと電気的に接続する前記工程は、前記電子部品を前記基板の前記貫通孔の未形成領域上に複数搭載する工程を含み、
前記電子部品を中空封止する前記工程は、
前記接着層を介して前記導電パターンに接着するとともに前記電子部品を中空封止する第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層上に第３樹脂層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子装置の製造方法において、
前記第２樹脂層を形成する前記工程は、
前記第１樹脂層を覆うとともに、前記基板上面に形成された前記貫通孔の開口部を覆う第２樹脂層を形成する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子装置の製造方法において、
前記第２樹脂層を形成する前記工程は、
前記基板上面全体を樹脂フィルムからなる前記第２樹脂層で覆うとともに前記基板面方向に加圧圧着する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品を中空封止する前記工程の後に、前記基板に搭載された前記電子部品間において個片化する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を中空封止する構造を備える電子装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子装置に対する高性能・高品質・小型・低価格の要求により、素子自体の改良とともに素子を覆う容器の改良・改善が必須となってきている。特に２０ＧＨｚ以上のマイクロ波領域において、電気的性能および気密性に優れるとともに、小型かつ低価格である容器を開発することは非常に困難である。そのため、安価な樹脂材料を使った容器でマイクロ波の用途に耐える性能・品質を達成することができれば、広くその用途を拡大することができる。
【０００３】
一般に、周波数が高くなると、物質中を電磁波が伝搬するとき減衰するエネルギーは増大する。そのため、ＢＳ・ＣＳ放送、マイクロ波通信機、レーダー装置などの高周波機器では、半導体素子の電極部分とそこから引き出すワイヤボンディング部分を中空状態に気密封止する構造が採用されている。
【０００４】
特許文献１に記載の半導体装置は、図６に示すように、セラミック基板１と、セラミック基板１上に形成されたメタライズ面３と、外部引き出しリ−ド４，５を備える。半導体チップ２はメタライズ面３上に搭載され、金属細線６，７は半導体チップ２と外部引き出しリ−ド４，５とを電気的に接続する。これらは、中空セラミックキャップ８により接着樹脂９，１０を介して封止されている。さらに、樹脂層１１により中空セラミックキャップ８全体が覆われている。
【０００５】
特許文献１には、このような中空構造を有する半導体装置によれば、半導体チップ周囲に樹脂が存在しないので高周波特性に優れ、外部から内部に至るリークパスが大きいので耐湿性が改善されると記載されている。
【０００６】
特許文献２に記載の半導体装置は、図７に示すように、支持基板２１と、支持基板２１上に形成されたアイランド部２２および電極２３と、アイランド部２２に固着された半導体チップ２５と、電極２３と半導体チップ２５を電気的に接続するワイヤ４０と、これらを封止し気密中空部３２を形成する樹脂キャップ２８とを備える。樹脂キャップ２８と支持基板２１とを接着する接着部３４には、ダイシングブレードにより溝部３５が形成されている。
【０００７】
特許文献２には、溝部３５に接着樹脂３１が充填されることで、支持基板２１と樹脂キャップ２８とを安定して接着することができ、気密中空部３２の密閉状態を保つことができると記載されている。
【特許文献１】特開昭６２−４０７５０号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
特許文献１のように、リード４，５に中空セラミックキャップ８を接着する構造では、これらの密着性が低い傾向があった。さらに、中空セラミックキャップ８と樹脂層１１との熱収縮率の違いにより、中空セラミックキャップ８と樹脂層１１との間の密着性が低下することがあった。
【０００９】
そのため、中空セラミックキャップ８内の密閉性を維持することができず、中空セラミックキャップ８内に水分等が浸入したり、電子装置の実装時に半田フラックス等が侵入することがあった。特に、半田フラックスは、熱伝導と共に金属上を伝う為、製品の歩留まりが低下することがあった。
【００１０】
さらに、ＢＳ・ＣＳ放送、マイクロ波通信機、レーダー装置などの高周波用途では、コスト面からの制約が厳しく、セラミックキャップを用いることが困難であった。
【００１１】
一方、特許文献２では、基板側に溝を設ける工程が必要であり、さらに樹脂キャップ２８と支持基板２１との目合せ精度が要求されるため工程が煩雑となることがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、基板と、前記基板上に設けられた導電パターンと、前記基板上に搭載され、前記導電パターンと電気的に接続された電子部品と、前記基板上に設けられ、前記電子部品を中空封止する２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップと、前記樹脂キャップと前記導電パターンとを接着する接着層と、を備える半導体装置が提供される。
【００１３】
この発明によれば、電子部品を中空封止する２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップを用いているので、熱収縮率等の違いに起因する層間の剥離が抑制される。さらに、樹脂キャップを２層以上の樹脂層から構成しているので、樹脂キャップを構成する１つの樹脂層に微少な穴が開いた場合であっても、他の樹脂層によりその影響を抑制することができる。
【００１４】
さらに、本発明においては、樹脂キャップと導電パターンとを接着する接着層（金属−樹脂接着保持層）を用いている。これにより、樹脂キャップ封着時の温度差による樹脂キャップ内と外部の圧力差に起因して、接着層から樹脂キャップが剥離することを抑制することができ、電子部品の密閉性を維持することができる。
これにより、製品の歩留まりが向上する。
【００１５】
さらに、樹脂を用いてキャップを形成しているので、セラミックを用いた場合に比べ製造コストを抑制することもできる。
【００１６】
また、本発明によれば、基板上に導電パターンが設けられた基板を準備する工程と、前記基板上に設けられた前記導電パターン上に接着層を形成する工程と、前記基板上に電子部品を搭載するとともに該電子部品を前記導電パターンと電気的に接続する工程と、前記接着層を介して２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップと前記導電パターンとを接着するとともに前記電子部品を中空封止する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【００１７】
この発明によれば、２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップと導電パターンとを接着層を介して接着することにより、電子部品を中空封止することができるので、簡便な方法により電子部品が確実に中空封止された電子装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の電子装置によれば、電子部品の密閉性を維持することができ、製品の歩留まりが向上するとともに、コストの増加を抑制することもできる。さらに、本発明の電子装置の製造方法によれば、簡便な方法により電子部品が確実に中空封止された電子装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
以下、本発明を第１実施形態および第２実施形態により説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
本実施形態においては電子装置として半導体装置を形成した例によって説明する。
本実施形態の半導体装置は、図１に示すように、基板４１と、基板４１上に設けられた導電パターン（電極４２）と、基板４１上に搭載され電極４２と電気的に接続された電子部品（半導体チップ４５）と、基板４１上に設けられ半導体チップ４５を中空封止する３層の樹脂層（第１樹脂層４８、第２樹脂層４９、第３樹脂層５０）からなる樹脂キャップ５１と、樹脂キャップ５１と電極４２とを接着する接着層（金属−樹脂接着保持層４４）と、を備える。
【００２１】
本実施形態において用いられる基板４１は、図４に示すように複数の貫通孔（ビアホール４３）を備える。基板４１としては、アルミナセラミックス、Low Temperature Cofired Ceramics（ＬＴＣＣ）のような誘電体材料や、テフロン（登録商標）、ガラスエポキシのような樹脂材料や、柔軟性の高いフレキシブル基板等を用いることができる。基板４１の厚みは、例えば２００μｍである。
【００２２】
半導体チップ４５は、基板４１のビアホール未形成領域４１ｃ上に複数搭載される。図１は、図４に示す基板４１上に１つの半導体チップ４５が実装され、半導体チップ４５間において切断され個片化された状態を示している。
【００２３】
電極４２は、基板４１の上面からビアホール４３を介して裏面に延在している。電極４２は、基板４１両面に形成された電極４２a，４２ａと、基板のビアホール４３内の側面メタライズによって形成され、電極４２a，４２ａ間を接続する接続電極４２ｂと、から構成されている。
【００２４】
半導体チップ４５は、ボンディングワイヤー４６を介して、基板４１上面の電極４２ａに電気的に接続されている。
【００２５】
金属−樹脂接着保持層４４は、金属と樹脂とを接着することができる。基板４１としてアルミナセラミックス、ＬＴＣＣのような誘電体材料を用いた場合には、金属−樹脂接着保持層４４として酸化アルミニウムを含むアルミナコート（無機層）を用いることができる。
【００２６】
アルミナコートは、表面が多孔質状態となるので、金属と強固に接着することができる。さらに、樹脂キャップ５１を構成する樹脂層がエポキシ樹脂からなる場合、アルミナコートは樹脂層との表面親和力に優れるため、樹脂層と強固に接着することができる。
【００２７】
一方、基板４１として、テフロン（登録商標）、ガラスエポキシのような樹脂材料を使用した場合には、金属−樹脂接着保持層４４としてアルキド樹脂を主成分とする有機層を用いることができる。アルキド樹脂を主成分とする樹脂組成物として、グリーンレジスト（サンハヤト株式会社製、アルキド樹脂／油変性ウレタン樹脂系）等を用いることができる。
【００２８】
アルキド樹脂を主成分とする接着保持層は、電子素子で一般に用いられるエポキシ系の接着材に比べ、金属との表面親和力に優れるため、電極と樹脂層とを強固に接着することができる。
【００２９】
樹脂キャップ５１は、第１樹脂層４８と、第２樹脂層４９と、第３樹脂層５０とから構成されている。
第１樹脂層４８は、断面コ字形状を有し、下方に向けて開口した形状を有する。第１樹脂層４８は、その端部において金属−樹脂接着保持層４４を介して導電パターンに接着され、半導体素子を中空封止する。第１樹脂層４８は、熱硬化性エポキシ樹脂等により構成することができる。その厚みは１００μｍ〜５００μｍである。さらに、第１樹脂層４８と金属−樹脂接着保持層４４との間には接着樹脂４７を備える。
【００３０】
第２樹脂層４９は、樹脂フィルムから構成されており、基板４１表面に形成されたビアホール４３の開口部を覆うように形成されている（図１，４）。
【００３１】
第２樹脂層４９は、例えば、エポキシ樹脂（エポキシ・フェノール・シリカ・アクリル酸エステル）等の熱硬化性の樹脂によって形成されている。第２樹脂層４９の厚みは、例えば２０〜１５０μｍ、５０℃におけるフロー量は１２００μｍ以下である。
【００３２】
第３樹脂層５０は、第２樹脂層４９を覆うように形成されている。第３樹脂層５０は、たとえば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。第３樹脂層５０の厚みは、たとえば４００μｍである。
【００３３】
次に、図２、３、４を用いて本実施形態に係る電子装置（半導体装置）の製造方法の概略について説明する。
本実施形態における半導体装置の製造方法は以下の工程を備える。
【００３４】
（ａ）厚さ方向に貫通した複数の貫通孔（ビアホール）を備えるとともに、基板の上面からビアホールを介して裏面に延在する導電パターン（電極）を備える基板を準備する工程
（ｂ）基板上に設けられた電極上に接着層を形成する工程
（ｃ）電子部品（半導体チップ）を基板の貫通孔の未形成領域上に複数搭載するとともに半導体チップを電極と電気的に接続する工程
（ｄ）接着層を介して電極に接着するとともに半導体チップを中空封止する第１樹脂層を形成する工程
（ｅ）第１樹脂層を覆うとともに基板上面に形成されたビアホールの開口部を覆う第２樹脂層を形成する工程
（ｆ）第２樹脂層上に第３樹脂層を形成する工程
（ｇ）基板に搭載された半導体チップ間において個片化する工程
【００３５】
以下、各工程に沿って説明する。
（ａ）厚さ方向に貫通した複数のビアホールを備えるとともに、基板の上面からビアホールを介して裏面に延在する電極を備える基板を準備する工程
【００３６】
図４のように、基板４１において、半導体チップ４５が搭載される予定領域（ビアホール未形成領域４１ｃ）の周辺部に複数のビアホール４３を形成する。ビアホール４３は、例えば、互いに反対側の２箇所に設けられていてもよいし、４つの側部の外側の４個所に設けられていてもよい。ビアホール４３内の側面は、たとえば金のような金属導体によって形成されている。以下の各工程においては、基板４１を、平坦な上面を有する支持部材の上に載置して行われる。
【００３７】
そして、基板４１表面および裏面の所定の位置に、ＰＶＤやＣＶＤ等のメタライズ等によって電極４２a，４２ａを形成し、基板４１のビアホール４３内の側面メタライズ等によって接続電極４２ｂを形成する。これにより電極４２が形成される（図２（ａ））。
【００３８】
（ｂ）基板上に設けられた電極上に接着層を形成する工程
次いで、基板４１表面に形成された電極４２a上に、所定の方法により金属−樹脂接着保持層４４を形成する（図２（ａ））。
【００３９】
（ｃ）半導体チップを基板のビアホールの未形成領域上に複数搭載するとともに半導体チップを電極と電気的に接続する工程
図４に示すように、ビアホール未形成領域４１ｃに半導体チップ４５を複数搭載する。そして、図２（ｂ）に示すように半導体チップ４５のパッドと電極４２aとをボンディングワイヤー４６により接続することにより、半導体チップ４５は電極４２ａと電気的に接続される。
【００４０】
（ｄ）接着層を介して電極に接着するとともに半導体チップを中空封止する第１樹脂層を形成する工程
まず、一方の面が開口している箱形状の樹脂キャップを準備し、この樹脂キャップの端部に接着樹脂４７を塗布する。そして、金属−樹脂接着保持層４４上に接着樹脂４７が接するように樹脂キャップを載置し熱硬化させて封着する。封着温度は、５０〜１５０℃とすることができる。
これにより、半導体チップ４５を中空封止する第１樹脂層４８が形成される（図２（ｂ））。
【００４１】
（ｅ）第１樹脂層を覆うとともに基板上面に形成されたビアホールの開口部を覆う第２樹脂層を形成する工程
【００４２】
まず、図４に示される基板４１の上面全体を樹脂フィルム４９ａで覆う。この際、樹脂フィルム４９ａの温度を、たとえば５０℃程度に上げて樹脂フィルム４９ａを軟化させた状態で、樹脂フィルム４９ａを基板４１と均一に密着させ、第１樹脂層４８および基板４１を覆うように、樹脂フィルム４９ａの形状を変化させる。
【００４３】
そして、樹脂フィルム４９ａと基板４１の間を５０Ｐａ以下の陰圧状態で、中の気体を減圧しながら、樹脂フィルム４９ａの上部からゴム製の弾力を持った材質からなる圧着冶具５２を用いて、樹脂フィルム４９ａ上から、樹脂フィルム４９ａが基板４１に密着するように全体を０．５ＭＰａ程度で押圧する（図３（ａ））。
【００４４】
そのまま樹脂フィルム４９ａが十分な粘度に低下するまで圧力と温度を保持し、再び雰囲気を常温・常圧まで戻す。その後、樹脂フィルム４９ａの温度をたとえば１７０℃程度に上げて硬化させることによって、樹脂フィルム４９ａを基板４１に接着すると共に、樹脂フィルム４９ａの形状を固定する。樹脂フィルム４９ａが硬化する際には収縮力が発生する。この樹脂フィルム４９ａの収縮力は、第１樹脂層４８を基板４１側に押し付けるように作用する。これにより、第１樹脂層４８と基板４１の機械的な接合がより確実に補強される。また、樹脂フィルム４９ａが収縮することにより、樹脂フィルム４９ａは、より緊密に第１樹脂層４８および基板４１に密着する。
【００４５】
なお、樹脂フィルム４９ａが常温でも十分な柔軟性を有する場合には、常温において樹脂フィルム４９ａを変形させて、その形状を決定し、その後、樹脂フィルム４９ａの温度を上げて樹脂フィルム４９ａを硬化させてもよい。
【００４６】
また、ガラス転移温度以下の温度において樹脂フィルム４９ａを軟化させた状態で、樹脂フィルム４９ａの形状を決定し、その後、ガラス転移温度以下の温度において比較的長い時間をかけて樹脂フィルム４９ａを硬化させてもよい。
【００４７】
また、樹脂フィルム４９ａが紫外線によって軟化する樹脂によって形成されている場合には、樹脂フィルム４９ａの温度を上げて樹脂フィルム４９ａを軟化させる代わりに、樹脂フィルム４９ａに紫外線を照射して樹脂フィルム４９ａを軟化させてもよい。あるいは、樹脂フィルム４９ａの温度を上げると共に樹脂フィルム４９ａに紫外線を照射して樹脂フィルム４９ａを軟化させてもよい。
【００４８】
また、樹脂フィルム４９ａが紫外線によって硬化する樹脂によって形成されている場合には、樹脂フィルム４９ａの温度を上げて樹脂フィルム４９ａを硬化させる代わりに、樹脂フィルム４９ａに紫外線を照射して樹脂フィルム４９ａを硬化させてもよい。あるいは、樹脂フィルム４９ａの温度を上げると共に樹脂フィルム４９に紫外線を照射して樹脂フィルム４９を硬化させてもよい。
【００４９】
これにより、第１樹脂層４８を覆うとともに基板４１上面に形成されたビアホール４３の開口部を覆う第２樹脂層４９が形成される（図３（ｂ））。
【００５０】
（ｆ）第２樹脂層上に第３樹脂層を形成する工程
そして、第２樹脂層４９が形成された後、再度、１５０℃に昇温し、第２樹脂層４９の上部をエポキシ系樹脂等で覆い、上面より平坦な冶具にて圧し付けた後、熱硬化させることにより、第３樹脂層５０を形成する（図３（ｂ））。これにより、半導体装置全体の機械強度を高め、第１樹脂層４８による凹凸を平坦化して、自動機による実装を容易にする。
【００５１】
（ｇ）基板に搭載された半導体チップ間において個片化する工程
そして、隣接する半導体チップ４５間をダイシングソーやレーザーカッターなどにより分離切断し、半導体装置を得る。本実施形態においては、シート状の基板４１を用いることにより、同時に複数個の半導体装置を得ることができる量産性の高い構造とした。
【００５２】
以下に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態の半導体装置によれば、半導体チップ４５を中空封止する２層以上の樹脂層からなる樹脂キャップ５１を用いているので、熱収縮率等の違いに起因する層間の剥離が抑制される。さらに、樹脂キャップ５１を２層以上の樹脂層から構成しているので、樹脂キャップを構成する１つの樹脂層に微少な穴が開いた場合であっても、他の樹脂層によりその影響を抑制することができる。
【００５３】
さらに、本発明においては、樹脂キャップ５１と導電パターン（電極４２）とを接着する接着層（金属−樹脂接着保持層４４）を用いている。これにより、樹脂キャップ５１封着時の温度差による樹脂キャップ５１内と外部の圧力差に起因して、金属−樹脂接着保持層４４から樹脂キャップ５１が剥離することを抑制することができ、半導体チップの密閉性を維持することができる。
【００５４】
これにより、半導体装置の実装時において、樹脂キャップ５１内への半田フラックスや水分等の侵入を確実に防ぐことが可能となる。
【００５５】
また、樹脂キャップ５１を積層構造とすることにより、半導体装置の縦方向の強度が増すため、自動機による実装を容易にすることができる。
【００５６】
本実施形態において、第２樹脂層４９は、基板４１上面に形成されたビアホール４３の開口部を覆う。
【００５７】
これにより、第３樹脂層５０を形成する際において、樹脂がビアホール４３を介して基板４１の裏面側に移動することを抑制することができ、製品の歩留まりが向上する。
【００５８】
（第２実施形態）
次に図５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る電子装置の構成について説明する。
本実施形態に係る半導体装置は、両面に露出する電極４２ａ，４２ａを有し、ビア埋めこみメタライズ４２ｃによってその電極４２ａ，４２ａ間の接続がされている。
【００５９】
これにより、第１実施形態の第３樹脂層５０を形成する際に用いられる樹脂が裏面へ回りこむことがないので、第２樹脂層４９が不要であり、構造を簡便にすることができる。さらに、簡便な方法により半導体チップが確実に中空封止された半導体装置を得ることができる。
【００６０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００６１】
第１実施形態においては、３層の樹脂層からなる樹脂キャップ５１により説明したが、４層以上形成されていてもよい。
【００６２】
本実施形態においては、電子部品として半導体チップを用いた例により説明したが、GaAs FET、振動子、高周波回路部品等の電子部品であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図２】実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図３】実施の形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図４】実施の形態における基板の上面図である。
【図５】実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図６】従来の半導体装置を模式的に示した断面図である。
【図７】従来の半導体装置を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１        セラミック基板
２        半導体チップ
３        メタライズ面
４，５    リ−ド
６，７    金属細線
８        中空セラミックキャップ
９，１０  接着樹脂
１１      樹脂層
２１      支持基板
２２      アイランド部
２３      電極
２５      半導体チップ
２８      樹脂キャップ
３１      接着樹脂
３２      気密中空部
３４      接着部
３５      溝部
４０      ワイヤ
４１      基板
４１ｃ    ビアホール未形成領域
４２      電極
４２ａ    電極
４２ｂ    接続電極
４２ｃ    ビア埋めこみメタライズ
４３      ビアホール
４４      金属−樹脂接着保持層
４５      半導体チップ
４６      ボンディングワイヤー
４７      接着樹脂
４８      第１樹脂層
４９      第２樹脂層
４９ａ    樹脂フィルム
５０      第３樹脂層
５１      樹脂キャップ
５２      圧着冶具
【図１】
2009283553.tif 000003
【図２】
2009283553.tif 000004
【図３】
2009283553.tif 000005
【図４】
2009283553.tif 000006
【図５】
2009283553.tif 000007
【図６】
2009283553.tif 000008
【図７】
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