(57)【要約】【課題】発光層の劣化を防止することができ、したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を保つことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）の製造方法は、基体２００上に、複数の画素電極２３を成膜する工程と、画素電極２３の形成位置に対応した複数の開口部を有する有機バンク層２２１を形成する工程と、開口部それぞれに発光層６０を形成する工程と、有機バンク層２２１及び発光層６０を覆う陰極５０を成膜する工程と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、陰極５０を成膜する工程の後に、陰極５０を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、この有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層２１０とする工程と、を有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、複数の第１電極を成膜する工程と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体を形成する工程と、前記開口部それぞれに電気光学層を形成する工程と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極を成膜する工程と、を有する電気光学装置の製造方法において、
前記第２電極を成膜する工程の後に、
前記第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、
前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値は１Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、
さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、
を有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、
前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、
前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、
を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の有機緩衝層の上面は平坦面であることを特徴とする請求項４記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機緩衝層用塗液を、前記バンク構造体が露出しないように、該バンク構造体よりも広い領域に塗布することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
基体上に、複数の第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、前記開口部それぞれに形成される電気光学層と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極と、を有する電気光学装置において、
前記第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
前記有機緩衝層は、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化されてなることを特徴とする請求項７記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記有機緩衝層を覆うように塗布されるとともに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を備えてなることを特徴とする請求項７または８記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか１項記載の電気光学装置を備えてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の平面表示型電気光学装置として、有機薄膜により発光層（電気光学層）等を構成した多層構造の有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：ＥＬ）表示装置が開発され、これまでにも様々な提案がなされている。
この有機ＥＬ表示装置は、薄型、軽量、フレキシブル、インクジェット法を用いて作製可能等の優れた特徴を有することから、ディスプレイパネル、電子ペーパー等、様々な分野への応用が進められている。
【０００３】
従来の有機ＥＬ表示装置では、装置の大型化及び軽薄化に対応するために、ＴＦＴ基板上に、インジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極層（陽極）、有機発光層、ＩＴＯ等の透明電極層（陰極）、透明でガスバリア性に優れた窒化ケイ素、酸化ケイ素等の薄膜封止層を順次成膜しているが、この薄膜封止層が緻密で非常に硬いために、この薄膜封止層の表面に凸凹や急峻な段差があると、これら凸凹や急峻な段差部分に外部応力が集中してクラックや剥離が生じるという問題がある。
そこで、透明電極層（陰極）上に、第１の薄膜封止層、有機緩衝層、第２の薄膜封止層を順次設け、この有機緩衝層により薄膜封止層への応力集中を緩和させた構成の有機ＥＬ表示装置が提案されている（特許文献１）。
この有機緩衝層は、液状の有機緩衝層を湿度が管理された環境下で透明電極層（陰極）及び第１の薄膜封止層を覆うように塗布し、その後、有機発光層の耐熱上限温度以下の環境下で硬化させることにより得ることができる。
【特許文献１】特開２００５−８５４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の有機ＥＬ表示装置では、第１の薄膜封止層に欠損部分、例えば、異物による破れ、ピンホール、ＴＦＴ基板の形状による破れ等が存在すると、その後の有機緩衝層を塗布・硬化する工程で液状の有機緩衝層中の有機成分が第１の薄膜封止層の欠損部分から透明電極層（陰極）や有機発光層にしみ込んでしまい、その結果、有機発光層が溶けて透明電極層同士が部分的に接触して、ショートしてしまうという不具合が生じる虞があった。
有機発光層を挟んでいる透明電極層同士がショートした場合、このショートした部分の画素の有機発光層に電圧が掛からず、したがって、この画素の部分が発光しない暗点欠陥になり、画像の品質を著しく低下させることとなる。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、発光層の劣化を防止することができ、したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を保つことができる電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を採用した。
すなわち、本発明の電気光学装置の製造方法は、基体上に、複数の第１電極を成膜する工程と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体を形成する工程と、前記開口部それぞれに電気光学層を形成する工程と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極を成膜する工程と、を有する電気光学装置の製造方法において、前記第２電極を成膜する工程の後に、前記第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法では、第２電極を成膜する工程の後に、第２電極を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させて有機緩衝層とする工程と、を有するので、有機緩衝層用塗液を加熱により硬化させる際に、この有機緩衝層用塗液の粘度が高い状態で硬化させることができ、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを防止することができる。したがって、加熱硬化の際の有機緩衝層用塗液の粘度の低下に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、よって、発光層の劣化を防止することができ、その結果、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができる電気光学装置を作製することができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値は１Ｐａ・ｓ以上であることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液の加熱時の粘度の極小値を１Ｐａ・ｓ以上としたので、１Ｐａ・ｓ以上という粘度が高い状態で有機緩衝層用塗液を加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、６０℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程の後に、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させる工程、を有するので、２段階での加熱・硬化工程により有機緩衝層用塗液を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液を加熱し硬化させる工程の後に、前記有機緩衝層を覆うように第２の有機緩衝層用塗液を塗布する工程と、前記第２の有機緩衝層用塗液を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱し硬化させて第２の有機緩衝層とする工程と、を有するので、有機緩衝層を２層構造とすることで、有機緩衝層に欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第２の有機緩衝層の上面は平坦面であることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、第２の有機緩衝層の上面を平坦面としたので、この第２の有機緩衝層に応力が集中する部位が無くなり、この応力に起因するマイクロクラック等の発生を防止することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記有機緩衝層用塗液を、前記バンク構造体が露出しないように、該バンク構造体よりも広い領域に塗布することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法では、有機緩衝層用塗液をバンク構造体よりも広い領域に塗布することで、バンク構造体の影響により第２の電極の表面に形成される凹凸状の形状を平坦化させることができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、基体上に、複数の第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した複数の開口部を有するバンク構造体と、前記開口部それぞれに形成される電気光学層と、前記バンク構造体及び前記電気光学層を覆う第２電極と、を有する電気光学装置において、前記第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えてなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の電気光学装置では、第２電極を覆うように塗布されるとともに、６０℃以下の温度にて加熱され硬化された有機緩衝層を備えたので、有機緩衝層に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じる虞がなく、有機緩衝層の欠損部分等の欠陥に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置は、前記有機緩衝層は、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化されてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、有機緩衝層を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて再度加熱・硬化したので、第２電極上に欠損部分の無い有機緩衝層を設けることができ、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、前記有機緩衝層を覆うように塗布されるとともに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を備えてなることを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、有機緩衝層を覆うように、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱され硬化された第２の有機緩衝層を設けたので、有機緩衝層を２層構造とすることで、有機緩衝層の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
【００１７】
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えてなることを特徴とする。
本発明の電子機器では、本発明の電気光学装置を備えたので、欠損部分が生じる虞の無い有機緩衝層を設けることで、有機緩衝層の欠損部分等の欠陥に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を実施するための最良の形態について説明する。
ここでは、電気光学装置として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１の配線構造を示す図であり、この有機ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置である。
【００１９】
この有機ＥＬ表示装置１は、互いに並列な複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線され、これら走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素領域Ｘが設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備えた走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２０】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。これら画素電極２３と陰極５０と機能層１１０とにより、発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。
【００２１】
この有機ＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１を駆動してスイッチング用ＴＦＴ１１２をオン状態にすると、このときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、この保持容量１１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。よって、機能層１１０では、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に、この有機ＥＬ表示装置１の具体的な構成について図２〜図５を参照して説明する。
この有機ＥＬ表示装置１は、図２に示すように電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、この画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを具備するアクティブマトリクス型のものである。
図２においては、基板２０とは、基板２０それ自体と、この基板２０の上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜等を含めたものである。なお、図３、４中では、基板２０と、スイッチング用ＴＦＴや各種回路及び層間絶縁膜等とを含めた全体の構成を、基体２００と称している。
【００２３】
画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、この実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画される。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置されている。
また、実表示領域４の両側（図２中左右それぞれの側）かつダミー領域５の下側には、走査線駆動回路８０、８０が設けられている。
【００２４】
さらに、実表示領域４の上側かつダミー領域５の下側には、検査回路９０が設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備えており、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２５】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されるようになっている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加される。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２６】
この有機ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基体２００上に、画素電極２３と発光層６０と陰極５０とを備えた発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数形成され、さらに、これらを覆う有機緩衝層２１０及びガスバリア層３０等が形成されている。
なお、発光層６０は、具体的にはエレクトロルミネッセンス層であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えた構成であればよく、さらには、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、電子阻止層（エレクトロン阻止層）を備えた構成であってもよい。
【００２７】
基体２００を構成する基板２０としては、この有機ＥＬ表示装置１がいわゆるトップエミッション型の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光した光を取り出すので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。ここで、不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス基板、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施した金属基板、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの樹脂基板、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００２８】
また、この有機ＥＬ表示装置１がいわゆるボトムエミッション型の場合、この基板２０側から発光した光を取り出すので、透明基板あるいは半透明基板を用いることができる。ここで、透明基板あるいは半透明基板としては、ガラス基板、石英基板、樹脂基板（プラスチックシート、プラスチックフィルム等）などが挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ガスバリア層３０側から発光した光を取り出すトップエミッション型であるから、基板２０としては、上述した不透明基板、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。
【００２９】
この基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、この回路部１１上に発光素子（有機ＥＬ素子）がマトリックス状に多数設けられている。
この発光素子は、図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一種である有機ＥＬ物質を備えた発光層６０と、陰極５０とが順に積層されたことによって構成されたものである。
この発光素子は、上記の構成のもとに、その発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより発光する。
【００３０】
画素電極２３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、透明である必要がなく、したがって、各種の導電材料から適宜選択することによって形成されている。
正孔輸送層７０を構成する材料としては、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
【００３１】
発光層６０を構成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系有機材料などが好適に用いられる。
【００３２】
これらの発光材料は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、あるいはルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層６０の上に電子注入層を設けた構成としてもよい。
【００３３】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、正孔輸送層７０と発光層６０とは、図３〜図５に示すように基体２００上にてマトリックス状に形成された親液性制御層２５と有機バンク層２２１とにより囲まれた構成とされており、よって、これら正孔輸送層７０および発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となっている。
なお、有機バンク層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度は、１１０度以上かつ１７０度以下の範囲となっている。このような角度の範囲としたのは、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に形成し易くするためである。
【００３４】
陰極５０は、図３〜図５に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を有し、しかも実表示領域４およびダミー領域５それぞれを覆うように形成されたもので、発光層６０と有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されている。
この陰極５０は、図２及び図４に示すように、有機バンク層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された陰極用配線２０２に接続されている。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板２０３が接続されており、これによって陰極５０は、陰極用配線２０２を介してフレキシブル基板２０３上の図示しない駆動ＩＣ（駆動回路）に接続されている。
【００３５】
陰極５０の材料としては、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要があり、したがって、透明導電材料が用いられる。この透明導電材料としては、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）が好適であるが、これ以外にも、例えば、亜鉛添加酸化インジウム（ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー：Indium Zinc Oxide）（登録商標）等の酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜等を用いることができる。
なお、本実施形態ではＩＴＯを用いている。
【００３６】
この陰極５０では、その上に、ケイ素化合物や金属化合物などの無機化合物からなる陰極保護層（図示略）を形成してもよい。この陰極保護層を陰極５０上に形成することにより、製造プロセス時においても、陰極５０への酸素等の侵入を良好に防止することができる。
なお、陰極保護層を形成する場合、基体２００の外周部の絶縁層２８４上まで、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成することが好ましい。
【００３７】
陰極５０の上には、有機バンク層２２１よりも広い範囲で、かつ陰極５０を覆った状態で有機緩衝層２１０が設けられている。
この有機緩衝層２１０は、基体２００側の反りや体積変化により発生する応力を緩和し、不安定な有機バンク層２２１からの陰極５０の剥離を防止する機能を有するもので、下側に位置する有機バンク層２２１の形状の影響により凸凹状とされた陰極５０の凸凹部分を埋めるように形成されており、更に、その上面は略平坦とされている。
【００３８】
この有機緩衝層２１０では、その上面が略平坦化されているので、この有機緩衝層２１０上に形成される硬いガスバリア層３０も平坦化され、応力が集中する部位がなくなる。これにより、ガスバリア層３０におけるクラックの発生を防止することができる。
【００３９】
この有機緩衝層２１０は、有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し硬化させることにより、作製されている。
この有機緩衝層用塗液を構成する材料としては、主成分として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどの有機化合物が挙げられる。
また、上記の主成分の化学反応を進行させる反応材料としては、水分の存在下（湿気）により反応が進行するトリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物、メチルトリメトキシシランなどのアルコキシシラン化合物、或いは、アミノケトンやヒドリキシケトン、ビスアシルフォスフィンフオキサイドなどの光重合反応剤等が挙げられる。
【００４０】
この有機緩衝層２１０は、有機緩衝層用塗液を６０℃以下の温度にて加熱することにより、発光層６０の耐熱上限温度（約１２０℃〜１４０℃）以下の比較的低温にて硬化させることができる。このように、発光層６０の耐熱上限温度（約１２０℃〜１４０℃）以下の温度で有機緩衝層２１０を硬化させることにより、加熱による発光層６０への悪影響が抑えられる。
なお、この有機緩衝層用塗液は、粘度を調製するための有機溶媒を含んでいるが、さらに乾燥重合時の収縮防止などを目的とした微粒子を添加してもよい。
【００４１】
また、この有機緩衝層２１０の上に第２の有機緩衝層（図示略）を１層以上形成して、複数層からなる積層構造の有機緩衝層としてもよい。
この場合、有機緩衝層２１０を覆うように有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱するという工程を繰り返すことにより、複数層からなる積層構造の有機緩衝層を得ることができる。
この有機緩衝層は、複数層とすることにより表面の凹凸が均されて平坦化されるので、表面の平坦度に優れた有機緩衝層とすることができる。
【００４２】
この有機緩衝層２１０上には、この有機緩衝層２１０の基体２００上で露出する部位を覆うように、ガスバリア層３０が設けられている。そして、このガスバリア層３０は、基体２００の外周部の絶縁層２８４上まで形成されている。なお、この絶縁層２８４は、上述した陰極保護層（図示略）と接触するようにしてもよい。
【００４３】
ガスバリア層３０は、その内側に外部から酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えるようになっている。
このガスバリア層３０は、例えば無機化合物からなるもので、ケイ素化合物が好ましい。このケイ素化合物としては、ケイ素窒化物、ケイ素酸窒化物、ケイ素酸化物（シリカ等）等が挙げられる。
このケイ素化合物以外の無機化合物としては、例えば、アルミニウム窒化物、アルミニウム酸窒化物、アルミニウム酸化物（アルミナ等）等のアルミニウム化合物、酸化タンタル等のタンタル化合物、酸化チタン等のチタン化合物が挙げられる。
【００４４】
このように、ガスバリア層３０を無機化合物にて形成すれば、このガスバリア層３０と陰極５０の一部との密着性がよくなり、したがって、ガスバリア層３０が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。
特に、陰極５０をＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物系透明導電材料で構成すれば、ガスバリア層３０との密着性がさらによくなり、酸素や水分に対するバリア性がさらに良好になる。
【００４５】
このガスバリア層３０は、積層構造としてもよく、例えば、上述したケイ素化合物のうち組成の異なる複数の材料を積層した構造としてもよい。具体的には、陰極５０側からケイ素窒化物層、ケイ素酸窒化物層の順に積層した２層構造、あるいは、陰極５０側からケイ素酸窒化物層、ケイ素酸化物層の順に積層した２層構造等が挙げられる。
【００４６】
例えば、上記の組み合わせと異なる組み合わせの積層構造、例えば、組成比の異なるケイ素酸窒化物層を２層以上積層した場合には、陰極５０側のケイ素酸窒化物層の酸素濃度がこれより外側のケイ素酸窒化物層の酸素濃度より低くなるように構成するのが好ましい。このようにすれば、積層構造のうち陰極５０側の層がその外側の層より酸素濃度が低くなるので、ガスバリア層３０中の酸素が陰極５０を通過してその内側の発光層６０に到り、発光層６０を劣化させてしまうといった不具合を防止することができる。これにより、発光層６０の長寿命化を図ることができる。
【００４７】
また、このガスバリア層３０の組成を陰極５０側から外側に向かって連続的に、あるいは不連続的に変化させることにより、ガスバリア層３０の内部に、外側から陰極５０側に向かって酸素濃度に勾配を付けるようにしてもよい。その場合、陰極５０側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低くなるようにすれば、上述したようにガスバリア層３０の酸素に対するバリア性が向上し、発光層６０の劣化を防止し、発光層６０の長寿命化を図ることができる。
【００４８】
このガスバリア層３０の厚さは、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましい。その理由は、厚さが１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通する部分が生じる虞があり、その結果、ガスバリア性が損なわれてしまう虞があるからであり、一方、厚さが５００ｎｍを越えると、応力による割れが生じてしまう虞があるからである。
【００４９】
このガスバリア層３０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型であることから、光透過性である必要がある。ここでは、その材質や膜厚を適宜に調整することにより、可視光線領域における光透過率を例えば８０％以上としている。
【００５０】
このガスバリア層３０の外側には、図７に示すように、このガスバリア層３０を覆うように保護層２０４が設けられている。
この保護層２０４は、２層構造のもので、ガスバリア層３０側から接着層２０５と表面保護層２０６とが順次積層された構成である。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護層２０６を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有するもので、例えば、ウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂系接着剤で、表面保護層２０６より柔軟でガラス転移点の低いものである。
【００５１】
このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましい。このようにすれば、接着層２０５とガスバリア層３０との密着性がより良好になり、したがって外部からの機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
特に、ガスバリア層３０がケイ素化合物で形成された場合には、接着剤に含まれるシランカップリング剤やアルコキシシランによりガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがって、ガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。
【００５２】
表面保護層２０６は、接着層２０５上に接着固定されて保護層２０４の最表層を構成するものであり、耐圧性、耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能のうち少なくとも一つを有する層である。具体的には、高分子層（プラスチックフィルム）、ＤＬＣ（ダイアモンド状カーボン）層、ガラス層等からなるものである。
なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の場合には、表面保護層２０６、接着層２０５共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型の場合には、透光性のものにする必要はない。
【００５３】
また、図５に示すように、上述した発光素子（有機ＥＬ素子）の下方かつ基板２０上には、回路部１１が設けられている。この回路部１１は、基体２００を構成するものである。
この基板２０の表面には下地となるＳｉＯ２を主成分とする下地保護層２８１が形成され、この下地保護層２８１上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２および／またはＳｉＮを主成分とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００５４】
このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、走査線１０１（図５では略）の一部をなしている。一方、このゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主成分とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００５５】
また、このシリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられ、このチャネル領域２４１ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられ、これらは、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を構成している。
【００５６】
これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とを貫通するコンタクトホール２４３ａによりソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３の一部として構成されている。なお、この電源線１０３は、図５においては、ソース電極２４３の位置に紙面に垂直方向に延在している。
一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とを貫通するコンタクトホール２４４ａによりソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００５７】
これらソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３は、例えば、アクリル系樹脂を主成分とする第２層間絶縁層２８４により覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系樹脂以外の絶縁材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などの絶縁性セラミックスを用いることもできる。
そして、画素電極２３は、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、第２層間絶縁層２８４に形成されたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介してシリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００５８】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれる駆動回路用のＴＦＴ、すなわち、例えば、これらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型またはＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、上述した親液性制御層２５及び有機バンク層２２１が設けられている。
この親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主成分とするものであり、また、有機バンク層２２１は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなるものである。
【００５９】
そして、この画素電極２３上であり、親液性制御層２５に形成された開口部２５ａおよび有機バンク層２２１に囲まれてなる開口部２２１ａそれぞれの内部には、正孔輸送層７０及び発光層６０がこの順に積層されている。
ここで、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味している。
以上により、回路部１１は、下地保護層２８１から第２層間絶縁層２８４までの積層構造により構成されている。
【００６０】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、カラー表示を行うべく各発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応するように形成されている。図２に示すように、例えば、発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層６０Ｒをそれに対応する表示領域Ｒに、緑色に対応した緑色用発光層６０Ｇをそれに対応する表示領域Ｇに、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂをそれに対応する表示領域Ｂに、それぞれ設け、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素が構成される。
また、これら３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ各々の境界には、金属クロムをスパッタリング法などにて成膜したブラックマトリクス（ＢＭ、図示略）が、例えば有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に形成されている。
【００６１】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。なお、図６及び図７に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線に沿う断面図に対応している。
ここでは、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の場合について説明する。また、基板２０の表面に回路部１１を形成する工程からインクジェット法により発光層６０を形成する工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
【００６２】
まず、図６（ａ）に示すように、従来公知の方法により、基板２０の表面に、回路部１１、画素電極２３、有機バンク層２２１、発光層６０等を形成し、この発光層６０の３種類の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂによりカラー表示を行う１画素を構成する。
次いで、これら発光層６０及び有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を構成する壁面を覆うように、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）によりＩＴＯ膜を成膜し、陰極５０とする。
なお、陰極５０上に酸化チタン等の陰極保護層（図示略）を成膜するには、真空蒸着法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）を用いる。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、陰極５０の上に、例えばインクジェット法等のウエットプロセスにより有機緩衝層２１０を形成する。
例えば、インクジェット法により形成する場合、まず、インクジェット用の有機緩衝層用塗液（有機緩衝層）を調製する。
この有機緩衝層用塗液は、上述した主成分と、光重合反応剤等と、有機溶媒等の組成及び組成比を調製することで得られる。
【００６４】
この有機緩衝層用塗液は、例えば、主成分であるエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどの有機化合物と、この有機化合物の化学反応を進行させる反応材料であるトリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物、メチルトリメトキシシランなどのアルコキシシラン化合物、或いは、アミノケトンやヒドリキシケトン、ビスアシルフォスフィンフオキサイドなどの光重合反応剤等と、必要に応じて有機溶媒等を所定の質量比で混合することで得られる。
【００６５】
この有機緩衝層用塗液の粘度は、この有機緩衝層用塗液の後述する加熱時の粘度の極小値が１Ｐａ・ｓ以上となるように、上記の主成分、光重合反応剤等、有機溶媒等の組成及び組成比を選定する必要がある。
図８は、有機緩衝層用塗液の粘度と、加熱温度及び加熱時間との関係を示す図であり、有機緩衝層用塗液を塗布した後、９０℃、６０℃、３０℃それぞれの温度で加熱し続けた場合の、塗液の粘度の変化を示している。
【００６６】
この図によれば、有機緩衝層用塗液中に加熱により軟化する有機成分が含まれているために、この有機緩衝層用塗液を加熱すると、この有機成分が軟化して塗液の粘性が一旦低下し、極小値を付ける。さらに加熱すると、この有機成分が硬化に向かうために塗液の粘性が上昇に転じ、この塗液の粘性が所定の値以上になった時点で上記の有機成分が硬化することが分かる。
この極小値が１Ｐａ．ｓ以下の場合、有機緩衝層用塗液中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むという不具合が発生する。この不具合は、陰極５０や発光層６０に部分的に接触して、ショート等を引き起こすことになる。したがって、有機緩衝層用塗液中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むのを防止するためには、この有機緩衝層用塗液の粘性の極小値を１Ｐａ．ｓ以上にする必要がある。
【００６７】
このように、有機緩衝層用塗液（有機緩衝層）の加熱時の粘度の極小値を１Ｐａ・ｓ以上とすることにより、１Ｐａ・ｓ以上という粘度が高い状態で有機緩衝層用塗液を加熱・硬化させることができ、したがって、電極間のショート等の不具合が生じる虞のない有機緩衝層２１０を形成することができる。
【００６８】
次いで、この有機緩衝層用塗液をインクジェットヘッド（図示略）に充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陰極５０に対向させ、インクジェットヘッドと基体２００（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を陰極５０に吐出する。
なお、インクジェット法の替わりに、スリットコート（或いはカーテンコート）法により、有機緩衝層用塗液を塗布してもよい。
【００６９】
この有機緩衝層用塗液の塗布は、湿度が管理された環境下で行う。具体的には、−３０℃以下、より好ましくは−６０℃以下の環境温度下で行う。温度を−３０℃以下にすることにより、絶対湿度を数百ｐｐｍ（体積比）程度に抑制することができる。
このように、有機緩衝層用塗液を湿度が管理された環境下に置くことにより、有機緩衝層用塗液を硬化させることなく長時間安定した状態で維持することができる。その理由は、湿度が管理された環境下に置くことで、有機緩衝層用塗液の粘度を調整するために加えた有機溶媒の揮発が抑制され、有機緩衝層用塗液の粘度が維持されるからである。さらに、有機緩衝層用塗液中の反応材料の反応の進行を抑制することができるので、長時間安定した状態を維持することができるからである。
【００７０】
すなわち、湿気により急速に反応が進行する反応材料を含む有機緩衝層用塗液を低湿度の環境下に置くことにより、硬化反応が抑制されて進行せず、長時間安定した状態を保つことができる。
また、この有機緩衝層用塗液中に光によって反応が進行する反応材料が含まれていた場合においても、この有機緩衝層用塗液を低湿度の環境下に置くことにより、同様に、硬化反応が抑制されて進行せず、長時間安定した状態を保つことができる。
なお、この有機緩衝層用塗液の塗布は、窒素等の不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。窒素等の不活性ガスをパージすることにより、低湿度の環境下で塗布することができる。
【００７１】
次いで、吐出した液滴を乾燥処理し、有機緩衝層用塗液に含まれる分散媒や有機溶媒を蒸発させ、塗膜とする。
この乾燥処理は、上記の湿度が管理された環境下における温度より高い温度、例えば０℃〜２５℃の低湿度環境下に保持することで行うことができる。
【００７２】
次いで、この塗膜（有機緩衝層）を加熱し、硬化させる。
この加熱・硬化の条件としては、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、この塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点で、さらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することが好ましい。
図９は、塗膜の加熱時の粘度及び温度と、加熱時間との関係を示す図であり、塗膜を加熱した場合の、塗膜の粘度及び温度の経時変化を示している。
【００７３】
この図によれば、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱することにより、塗膜の粘度を１Ｐａ．ｓ以上に保つことができ、したがって、この加熱過程では、有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込む虞がなくなっていることが分かる。
その後、塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点で加熱温度を上昇させ、塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することにより、塗膜中の有機成分が陰極５０や発光層６０にしみ込むことなく硬化し始め、この塗膜の粘性が所定の値以上になった時点で硬化することが分かる。
【００７４】
このように、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、塗膜の粘度が初期の粘度を上回った時点でさらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱・硬化することにより、陰極５０上に欠損部分の無い有機緩衝層２１０を設けることができ、有機緩衝層２１０の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
また、塗膜を６０℃以下の温度にて加熱し、さらに８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱することにより硬化するので、発光層６０をその耐熱上限温度以上に加熱することなしに、塗膜を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、得られた有機緩衝層２１０に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機緩衝層２１０の欠損に起因する電極間のショート等の不具合を確実に防止することができる。
【００７５】
なお、得られた有機緩衝層２１０の上に、上記の有機緩衝層用塗液を塗布し、得られた塗膜を８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱するという工程を繰り返すことにより、複数層からなる積層構造の有機緩衝層を得ることができる。
この有機緩衝層は、複数層とすることにより表面の凹凸が均されて平坦化されるので、表面の平坦度に優れた有機緩衝層とすることが可能である。
【００７６】
次いで、図６（ｃ）に示すように、陰極５０及び有機緩衝層２１０を覆うように、すなわち基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆うように、ガスバリア層３０を形成する。
ここで、このガスバリア層３０を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により成膜を行い、次いで、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により成膜を行うのが好ましい。
【００７７】
一般に、スパッタリング法やイオンプレーティング法等の物理的気相堆積法（ＰＶＤ）は異質な基板表面に対しても比較的密着性の良い膜が得られるものの、得られた膜が粒塊状で欠陥が発生し易く、また応力の大きい膜になり易いなどの欠点がある。一方、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）は、一般に、応力が小さく、ステップカバーレッジ性に優れ、欠陥が少なく緻密で良好な膜が得られるものの、異質な基板表面に対する密着性や造膜性が得られ難いという欠点がある。
そこで、初期の成膜については、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）を採用して必要な膜厚の半分あるいはそれ以上を成膜し、後期の成膜については、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）を用いることにより、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）による膜の欠点を補うようにすれば、全体としてガスバリア性（酸素や水分に対するバリア性）に優れたガスバリア層３０を比較的短時間で形成することができる。
【００７８】
このガスバリア層３０は、同一の材料により単層のガスバリア層としてもよく、また、組成の異なる材料で複数の層を順次成膜することにより、積層構造のガスバリア層としてもよい。さらには、単層のガスバリア層を成膜する際に、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして成膜してもよい。
例えば、組成の異なる材料で複数の層を順次成膜する場合、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により成膜する内側の層（陰極５０側の層）をケイ素窒化物あるいはケイ素酸窒化物などとし、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により成膜する外側の層をケイ素酸窒化物あるいはケイ素酸化物などとするのが好ましい。
【００７９】
さらに、物理的気相堆積法（ＰＶＤ）により内側の層を形成する際に、成膜装置内に供給する酸素量を最初は少なくし、以下、連続的あるいは非連続的に増加させることにより、成膜中のガスバリア層３０中の酸素濃度を陰極５０側（内側）では低く、外側ではこれより高くなるようにしてもよい。
なお、このガスバリア層３０の成膜については、単一の成膜法で行ってもよいのはもちろんであるが、その場合にも、酸素濃度が陰極５０側（内側）で低くなるように成膜するのが好ましい。
【００８０】
次いで、図７に示すように、ガスバリア層３０上に、接着層２０５と表面保護層２０６とからなる保護層２０４を設ける。
例えば、ガスバリア層３０上に、スリットコート法などにより接着剤を厚みが略均一になるように塗布して接着層２０５とし、この接着層２０５上に薄厚の表面保護層２０６を貼り合わせることにより、形成することができる。
この表面保護層２０６は、耐圧性、耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有しているので、この表面保護層２０６を含む保護層２０４をガスバリア層３０上に設けることにより、発光層６０や陰極５０はもちろんのこと、ガスバリア層３０をも保護することができる。したがって、発光素子の長寿命化を図ることができる。
【００８１】
また、接着層２０５は機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合においても、ガスバリア層３０、発光層６０、陰極５０等への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上により、有機ＥＬ表示装置１を作製することができる。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１によれば、陰極５０上に、有機緩衝層用塗液を塗布してなる塗膜を６０℃以下の温度にて加熱・硬化した有機緩衝層２１０を設けたので、有機緩衝層２１０に加熱・硬化に起因する欠損部分が生じる虞がなくなり、この欠損に起因する電極間のショート等の不具合を防止することができ、発光層６０の劣化を防止することができる。したがって、画素に発光しない暗点欠陥が生じる虞が無く、画像の品質を高品位に保つことができ、その結果、劣化の無い鮮やかな画像を長時間表示することができる。
【００８３】
また、有機緩衝層用塗液を塗布してなる塗膜を、６０℃以下の温度にて加熱し、さらに、８０℃以上かつ１００℃以下の温度にて加熱・硬化したので、２段階での加熱工程により有機緩衝層２１０を確実に加熱・硬化させることができる。したがって、有機緩衝層２１０に欠損部分が生じるのを確実に防止することができ、有機ＥＬ表示装置１の画素品質の向上及び画素の信頼性の向上を図ることができる。
【００８４】
さらに、有機緩衝層２１０を複数層からなる積層構造とし、最上層の有機緩衝層の上面を平坦面とすれば、有機緩衝層に応力が集中する部位が無くなり、この応力に起因するマイクロクラック等の発生を防止することができる。
【００８５】
なお、本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１を例に説明したが、本発明は本実施形態に限定されることなく、ボトムエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
また、ボトムエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合には、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層２５および有機バンク層２２１の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
【００８６】
また、本実施形態では、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極としたが、これらを逆にして第１の電極を陰極、第２の電極を陽極としてもよい。ただし、この場合、発光層６０の位置と正孔輸送層７０の位置を入れ替える必要がある。
さらに、本実施形態では、電気光学装置に有機ＥＬ表示装置１を適用した例について説明したが、本発明は有機ＥＬ表示装置１に限定されることなく、基本的には有機緩衝層２１０を有するものであれば、どのような形態の電気光学装置にも適用可能である。
【００８７】
次に、本発明の電子機器について説明する。電子機器は、上記の有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図１０に示すものが挙げられる。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１００１を備えている。
図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１１０１を備えている。
図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬ表示装置１を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備えている。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ表示装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図５】図３の要部拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す過程図である。
【図７】本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す過程図である。
【図８】有機緩衝層用塗液の粘度と加熱温度及び加熱時間との関係を示す図である。
【図９】塗膜の加熱時の粘度及び温度と加熱時間との関係を示す図である。
【図１０】本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８９】
１…表示装置（電気光学装置）、２３…画素電極（第１電極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極（第２電極）、６０…発光層（電気光学層）、２００…基体、２１０…有機緩衝層、２２１…有機バンク層（バンク構造体）、２２１ａ…開口部、１０００…携帯電話（電子機器）、１１００…時計（電子機器）、１２００…情報処理装置（電子機器）、１００１，１１０１，１２０２…表示部（電気光学装置）
【図１】
2009283149.tif 000003
【図２】
2009283149.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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