(57)【要約】【課題】静電破壊や製造時のレーザースクライブ処理に伴う素子破壊を防止しつつ、信頼性を向上させて小型化に適する電気光学装置を製造する。【解決手段】複数の検査用信号線８１０（８２０、８３０）を形成する工程は、高抵抗部分８１２（８２２、８３２）は基板１０上で、少なくとも部分的に検査端子１０３と異なる層に配置すると共に検査端子１０３が形成された領域内を引き回し、マザー基板Ｓにおける相隣接する基板１０の一方から他方へ切断領域Ｃｔを跨ぐように形成し、複数の検査端子１０３を形成する工程は、基板１０上で切断領域Ｃｔからレーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離ｄ０だけ離して検査端子１０３を形成する。【選択図】図７
2009198805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、該素子基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、該複数の画素部を駆動させる駆動回路と、該駆動回路による前記複数の画素部の駆動についての検査を行うための検査回路とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記素子基板を複数含む大型基板における前記複数の素子基板の各々上に、前記検査の際、前記検査回路及び前記駆動回路における入出力信号が夫々入出力される複数の検査端子を形成する工程と、
前記複数の検査端子から前記駆動回路及び前記検査回路へ夫々引き回されると共に、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とから夫々なる複数の検査用信号線を形成する工程と、
前記大型基板における互いに隣り合う前記素子基板を互いに隔てるように配置された切断領域に対してレーザースクライブ処理を施して前記大型基板を切断する工程と
を含み、
前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を、少なくとも部分的に前記検査端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置すると共に前記検査端子が形成された領域内を引き回し、前記互いに隣り合う素子基板の一方から他方へ前記切断領域を跨ぐように形成し、
前記複数の検査端子を形成する工程は、前記切断領域から前記レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離だけ離して、前記複数の検査端子を形成する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を前記低抵抗部分よりもシート抵抗が大きくなるような導電材料により形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を導電性のポリシリコンにより形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
素子基板と、該素子基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、該複数の画素部を駆動させる駆動回路と、該駆動回路による前記複数の画素部の駆動についての検査を行うための検査回路とを備える電気光学装置を製造するための電気光学装置用基板であって、
前記素子基板を複数含み、該複数の素子基板のうち互いに隣り合う素子基板が、レーザースクライブ処理が施される切断領域により互いに隔てられた大型基板と、
前記複数の素子基板の各々上に形成され、前記検査の際、前記検査回路及び前記駆動回路における入出力信号が夫々入出力される複数の検査端子と、
前記複数の検査端子から前記駆動回路及び前記検査回路へ夫々引き回され、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とから夫々なる複数の検査用信号線と
を備え、
前記複数の検査用信号線は、前記高抵抗部分が、少なくとも部分的に前記検査端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に前記検査端子が形成された領域内を引き回され、前記互いに隣り合う素子基板の一方から他方へ前記切断領域を跨ぐように形成され、
前記複数の検査端子は、前記切断領域から前記レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離だけ離して形成される
ことを特徴とする電気光学装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上の画素領域に複数の画素部が形成されると共に、画素領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の画素部を駆動するための駆動回路、当該電気光学装置の検査に用いられる検査回路等が作り込まれる。更に、周辺領域には、駆動回路又は検査回路に外部から各種信号を供給する或いはこれらの回路からの出力信号を外部へ出力するための端子が設けられる（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
複数の端子には、電気光学装置の検査の際に駆動回路や検査回路における入出力信号が入出力される検査端子が含まれ、検査端子から出力される出力信号に基づいて検査が行われる。検査端子から検査回路まで検査用信号線が、基板上の周辺領域に引き回して形成され、検査用信号線を介して入出力信号が検査回路に入出力される。尚、このような検査用信号線において、電気光学装置で発生する静電気が検査回路に印加され、検査回路が劣化又は破壊（静電破壊）されてしまうのを防止するために、抵抗素子が形成されることがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−７９５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような抵抗素子は、例えば、検査用信号線の一部を比較的電気抵抗が高抵抗な材料から構成すると共に該一部を周辺領域における検査端子と検査回路との間で引き回すことで形成される。この場合、抵抗素子を形成する（即ち、抵抗素子となる、検査用信号線の一部を引き回す）ためだけの基板上の面積が比較的大きくなってしまい、電気光学装置を小型化することが困難になるという不具合が生じる。
【０００６】
また、本来、検査終了後に検査回路は機能的に電気光学装置の駆動には寄与せず、この場合、検査端子には電位は印加されない。しかしながら、検査端子を構成する導電膜の表面が検査プローブにより破損され、検査端子が形成された基板に対向する側に配置された電極や配線と破損部分が接触するという不測の事態が生じ、誤って検査端子に電位が印加された場合、電気光学装置が誤動作するおそれがある。
【０００７】
ここに、電気光学装置の小型化に伴い狭小化された基板を、これを複数含む大型基板から切断して分離する際に、レーザースクライブ処理を要する場合がある。この場合、大型基板においてレーザースクライブ処理が施される切断領域付近に配置された検査端子から、レーザー照射に伴って発生した熱が基板内に伝達し、駆動回路等を構成する電子素子等を破壊（素子破壊）するおそれがあるという問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、静電破壊や製造時のレーザースクライブ処理に伴う素子破壊を防止しつつ、信頼性を向上させて小型化に適する電気光学装置を製造することが可能な電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、素子基板と、該素子基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、該複数の画素部を駆動させる駆動回路と、該駆動回路による前記複数の画素部の駆動についての検査を行うための検査回路とを備える電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記素子基板を複数含む大型基板における前記複数の素子基板の各々上に、前記検査の際、前記検査回路及び前記駆動回路における入出力信号が夫々入出力される複数の検査端子を形成する工程と、前記複数の検査端子から前記駆動回路及び前記検査回路へ夫々引き回されると共に、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とから夫々なる複数の検査用信号線を形成する工程と、前記大型基板における互いに隣り合う前記素子基板を互いに隔てるように配置された切断領域に対してレーザースクライブ処理を施して前記大型基板を切断する工程とを含み、前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を、少なくとも部分的に前記検査端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置すると共に前記検査端子が形成された領域内を引き回し、前記互いに隣り合う素子基板の一方から他方へ前記切断領域を跨ぐように形成し、前記複数の検査端子を形成する工程は、前記切断領域から前記レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離だけ離して、前記複数の検査端子を形成する。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置によれば、その駆動時に駆動回路により複数の画素部が駆動されることにより、画素領域において画像表示動作が例えばアクティブマトリクス駆動方式により行われる。また、典型的には電気光学装置の製造プロセスにおいて、検査回路によって複数の画素部の駆動について検査が行われる。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、このような電気光学装置を複数の素子基板を含む大型基板上で製造する。即ち、大型基板上における個々の素子基板上に、複数の画素部と、駆動回路及び検査回路を形成し、以下のような各工程を経て電気光学装置を製造する。
【００１２】
より具体的には、大型基板における個々の素子基板毎に複数の検査端子を、素子基板上の少なくとも一辺に沿って配列して形成する。この、複数の検査端子を形成する工程と相前後して、素子基板上の検査回路や駆動回路と、複数の検査端子との間を電気的に接続するように引き回して複数の検査用信号線を形成する。その後、大型基板を、切断領域に対してレーザースクライブ処理を施すことにより切断し、個々の素子基板を分離する。よって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、レーザースクライブ処理により、電気光学装置の小型化に伴い狭小化された個々の素子基板を容易に大型基板から分断することができる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置では、検査時に複数の検査端子には夫々、入力信号として検査回路を駆動させるための信号（後述するクロック信号やスタート信号等）が検査用信号線を介して入力されたり、出力信号として検査回路や駆動回路から検査のために生成される信号が検査用信号線を介して出力される。検査回路や駆動回路から検査端子に出力された信号に基づいて、駆動回路による画素部の駆動に係る検査が行われる。
【００１４】
ここに、複数の検査用信号線を形成する工程では、例えばＡｌ（アルミニウム）等を含む導電材料により検査用信号線の低抵抗部分、及び低抵抗部分よりも電気抵抗が大きくなるように、例えば導電性のポリシリコン等により検査用信号線の高抵抗部分を夫々形成する。従って、電気光学装置で発生する静電気が検査用信号線に印加された場合であっても、高抵抗部分によって、検査回路や駆動回路（より具体的には、これらの回路に含まれるトランジスタ）に過剰な電圧が印加されてしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、検査回路や駆動回路が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できる。
【００１５】
また、高抵抗部分の少なくとも一部を、素子基板上の積層構造において、層間絶縁膜を介して検査端子より典型的には下層側に配置し、該層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して検査端子と電気的に接続して形成する。更に、高抵抗部分の少なくとも一部を、検査端子が形成された領域内で引き回して形成する。従って、基板上において、高抵抗部分を検査端子が形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。
【００１６】
また、高抵抗部分を少なくとも部分的に、大型基板上の互いに隣り合う素子基板の一方から他方へ、これらの素子基板を隔てる切断領域を跨ぐように形成し、大型基板を分断する際に高抵抗部分を切断する。よって、検査終了後であって製造後の電気光学装置の駆動において、検査端子に、例えば既に説明したような不測の事態により電位が印加されたとしても、検査用信号線は高抵抗部分で断線されているため、この電位が駆動回路や検査回路に印加されるのを防止することが可能となる。従って、電気光学装置の誤動作を防止することができる。
【００１７】
本発明では、複数の検査端子を形成する工程において、各素子基板上において複数の検査端子を、レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた距離だけ、具体的にはレーザーのスポット径よりも大きい距離で切断領域から離して形成する。ここにレーザーのスポット径は、典型的には切断する基板の厚みにより変動するものである。具体的には、（ｉ）大型基板をそれ単独に分断する場合と、（ｉｉ）この大型基板の個々の素子基板に対して、これと共に電気光学物質を挟持する他の基板（例えば対向基板）を複数含む別の大型基板を貼り合せて対向させ、このような２枚の大型基板を一挙に分断する場合、或いは更に２枚の大型基板の少なくとも一方に他の防塵用基板等を貼り合せて２枚以上の大型基板を分断する場合とでは、レーザーのスポット径は前者（（ｉ）の場合）に比べて後者（（ｉｉ）の場合）のほうがより大きくなる。よって、複数の検査端子は、素子基板上において切断領域からの距離が、典型的には上述したような分断する基板の厚みに応じたレーザーのスポット径よりも大きくなるように配置する。従って、複数の検査端子が少なくとも部分的に切断領域に近接し、レーザースクライブ処理においてレーザーの照射により発生した熱が、切断領域に近接した検査端子から駆動回路等に伝達し易くなるのを防止することができる。言い換えれば、レーザースクライブ処理においてレーザーの照射により発生した熱を、複数の検査端子から駆動回路等により伝達し難くすることができる。その結果、レーザースクライブ処理における素子破壊を防止することが可能となる。
【００１８】
従って、以上説明したような本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、信頼性を向上させて小型化に適する電気光学装置を製造することができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を前記低抵抗部分よりもシート抵抗が大きくなるような導電材料により形成する。
【００２０】
この態様によれば、複数の検査用信号線を形成する工程において、高抵抗部分の電気抵抗が低抵抗部分よりも大きくなるように形成すると共に、高抵抗部分における熱伝導を小さく抑えることが可能となる。よって、大型基板を切断する工程において、レーザースクライブ処理におけるレーザーの照射により発生した熱が検査端子から検査用信号線に伝達しても、高抵抗部分においてこの熱を伝達し難くして、基板内の駆動回路等における素子破壊をより有効に防止することができる。
【００２１】
この、複数の検査用信号線を形成する工程で高抵抗部分のシート抵抗が大きくなるように形成する態様では、前記複数の検査用信号線を形成する工程は、前記高抵抗部分を導電性のポリシリコンにより形成するようにしてもよい。
【００２２】
この場合には、高抵抗部分のシート抵抗が低抵抗部分より大きくなるように形成することが可能となる。
【００２３】
本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、素子基板と、該素子基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、該複数の画素部を駆動させる駆動回路と、該駆動回路による前記複数の画素部の駆動についての検査を行うための検査回路とを備える電気光学装置を製造するための電気光学装置用基板であって、前記素子基板を複数含み、該複数の素子基板のうち互いに隣り合う素子基板が、レーザースクライブ処理が施される切断領域により互いに隔てられた大型基板と、前記複数の素子基板の各々上に形成され、前記検査の際、前記検査回路及び前記駆動回路における入出力信号が夫々入出力される複数の検査端子と、前記複数の検査端子から前記駆動回路及び前記検査回路へ夫々引き回され、低抵抗部分と該低抵抗部分よりも高抵抗な高抵抗部分とから夫々なる複数の検査用信号線とを備え、前記複数の検査用信号線は、前記高抵抗部分が、少なくとも部分的に前記検査端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に前記検査端子が形成された領域内を引き回され、前記互いに隣り合う素子基板の一方から他方へ前記切断領域を跨ぐように形成され、前記複数の検査端子は、前記切断領域から前記レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離だけ離して形成される。
【００２４】
本発明の電気光学装置用基板によれば、上述した本発明に係る電気光学装置の製造方法と同様に、静電破壊やレーザースクライブ処理による素子破壊を防止し、信頼性を向上させて小型化に適する電気光学装置を製造することができる。
【００２５】
尚、本発明の電気光学装置用基板においても、上述した本発明に係る電気光学装置の製造方法における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００２６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２８】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、対向基板側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０と、対向基板２０とを備えている。素子基板１０は、対向基板２０及び素子基板１０を対向配置した状態で、平面的に見て（即ち、図１において）素子基板１０の少なくとも一辺が、対応する対向基板２０の一辺から張り出す或いは露出するように、対向基板２０と比較して大きい平面サイズで形成されている。
【００３０】
素子基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。これにより、素子基板１０及び対向基板２０間において、シール材５２によって囲まれた画像表示領域１０ａに液晶層５０が封入される。
【００３１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて素子基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３２】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、素子基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態では、素子基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３３】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、画像信号が供給される画像信号端子などを含む外部回路接続端子１０２が素子基板１０の、対向基板２０から張り出した一辺に沿って設けられている。即ち、図１中で素子基板１０の下縁に沿って横に長手状に延びる張出領域に、複数の外部回路接続端子１０２が配列されている。
【００３４】
この一辺（即ち、素子基板１０における複数の外部回路接続端子１０２が配列された一辺）に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、デマルチプレクサ７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、検査回路１６０は、この一辺に対向する辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。加えて、検査回路１６０と電気的に接続された検査端子１０３が、走査線駆動回路１０４が配置された素子基板１０の２辺の両方に沿って、該２辺の各々に沿ったシール領域５２ａよりも外側に設けられている。即ち、図１中で素子基板１０の右縁及び左縁の各々に沿って縦に伸びる帯状領域に、複数の検査端子１０３が配列されている。
【００３５】
素子基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。素子基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０、及び検査端子１０３と、検査回路１６０、走査線駆動回路１０４等とを電気的に接続するための引回配線９１が形成されている。
【００３６】
図２において、素子基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０における素子基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００３７】
尚、対向基板２０の投射光が入射する側及び素子基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００３８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【００３９】
図３において、液晶装置１００は、素子基板１０上に、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４及び検査回路１６０を備えている。素子基板１０上の外部回路接続端子１０２のうち画像信号端子１０２ｖに外部回路としての画像信号供給回路４００が電気的に接続されている。
【００４０】
素子基板１０上の画像表示領域１０ａには、１０８８行の走査線１１ａが行方向（即ち、Ｘ方向）に延在するように設けられ、また、８本毎にグループ化された１９８４（＝２４８×８）列のデータ線６ａが、列方向（即ち、Ｙ方向）に延在するように、且つ、各走査線１１ａと互いに電気的な絶縁を保つように、設けられている。尚、走査線１１ａ及びデータ線６ａの本数はそれぞれ１０８８本及び１９８４本に限定されるものではない。１グループを構成するデータ線数は、本実施形態では「８」としたが、「２」以上であればよい。
【００４１】
画素部６００は、１０８８本の走査線１１ａと１９８４本のデータ線６ａとの交差に対応して、それぞれ配列されている。従って、本実施形態では、画素部６００は、縦１０８８行×横１９８４列で、所定の画素ピッチでマトリクス状に配列することになる。
【００４２】
図４に示すように、画素部６００は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。
【００４３】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線１１ａに電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。
【００４４】
液晶素子７２は、画素電極９ａ、対向電極２１並びに画素電極９ａ及び対向電極２１間に狭持された液晶から構成されている。液晶素子７２において、データ線６ａ及び画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４５】
蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。
【００４６】
以上のような画素部６００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。
【００４７】
再び図３において、本実施形態では、１グループを構成する８列のデータ線６ａを区別するために、右から順にそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ系列と呼ぶ場合がある。詳細には、ａ系列とは１、９、１７、・・・、１９７７列目のデータ線６ａであり、ｂ系列とは２、１０、１８、・・・、１９７８列目のデータ線６ａであり、ｃ系列とは３、１１、１９、・・・、１９７９列目のデータ線６ａであり、ｄ系列とは４、１２、２０、・・・、１９８０列目のデータ線６ａであり、ｅ系列とは５、１３、２１、・・・、１９８１列目のデータ線６ａであり、ｆ系列とは６、１４、２２、・・・、１９８２列目のデータ線６ａであり、ｇ系列とは７、１５、２３、・・・、１９８３列目のデータ線６ａであり、ｈ系列とは８、１６、２４、・・・、１９８４列目のデータ線６ａである。
【００４８】
走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタを有しており、１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａに、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、・・・、Ｇ１０８８を供給する。詳細には、走査線駆動回路１０４は、１フレームの期間にわたって１、２、３、・・・、１０８８行目の走査線１１ａを順番に選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧に相当するＬレベルとする。
【００４９】
画像信号供給回路４００は、素子基板１０とは別体構成であり、表示動作の際には、画像信号端子１０２ｖを介して素子基板１０と接続される。画像信号供給回路４００は、走査線駆動回路１０４によって選択された走査線１１ａと、各グループに属する８列のデータ線６ａのうち、デマルチプレクサ７によって選ばれるデータ線６ａとに対応する画素電極９ａに対し、当該画素電極９ａが含まれる画素の階調に応じた電圧の画像信号を出力する。画像信号供給回路４００から画像信号端子１０２ｖに供給された画像信号は、引回配線９０（図１参照）に含まれる画像信号線３００を介してデマルチプレクサ７へ供給される。
【００５０】
一方、検査時においては、画像信号端子１０２ｖには、画像信号供給回路４００の代わりに、検査用画像信号供給回路が接続されて、検査動作に合わせた検査用の画像信号が供給される。
【００５１】
尚、本実施形態では、上述したように、データ線６ａの列数は「１９８４」であり、これらが８列毎にグループ化されているので、画像信号端子１０２ｖの個数は「２４８」である。
【００５２】
デマルチプレクサ７は、データ線６ａ毎に設けられたトランジスタ７１を含んで構成されている。ここで、トランジスタ７１はｎチャネル型であり、各ドレインはデータ線６ａの一端に電気的に接続されている。同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のトランジスタ７１のソースは、当該グループに対応する画像信号線３００と電気的に共通接続されている。
【００５３】
即ち、ｍ番目（但し、ｍは１以上２４８以下の整数）のグループは、ａ系列の（８ｍ−７）列目、ｂ系列の（８ｍ−６）列目、ｃ系列の（８ｍ−５）列目、ｄ系列の（８ｍ−４）列目、ｅ系列の（８ｍ−３）列目、ｆ系列の（８ｍ−２）列目、ｇ系列の（８ｍ−１）列目及びｈ系列の（８ｍ）列目のデータ線６ａから構成されるので、これら８列のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のソースは電気的に共通接続されて、画像信号ＶＩＤ（ｍ）が供給される。（８ｍ−７）列目のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のゲートには、制御信号線７００を介して制御信号Ｓｅｌ１が供給され、同様に（８ｍ−６）列目、（８ｍ−５）列目、（８ｍ−４）列目、（８ｍ−３）列目、（８ｍ−２）列目、（８ｍ−１）列目及び（８ｍ）列目のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１のゲートには、引回配線９０（図１参照）に含まれる制御信号線７００を介して制御信号Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３、Ｓｅｌ４、Ｓｅｌ５、Ｓｅｌ６、Ｓｅｌ７及びＳｅｌ８が供給される。制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、・・・、Ｓｅｌ８は、図示しない外部回路としてのタイミング制御回路から外部回路接続端子１０２のうち制御信号端子１０２ｓを介して制御信号線７００に供給される。
【００５４】
図３において、検査回路１６０は、制御回路１６２、及びデータ線６ａ毎に設けられたトランジスタであるＴＦＴ１６４を含んで構成されている。
【００５５】
制御回路１６２は、シフトレジスタを含んで構成されている。制御回路１６２には、検査時において、転送開始パルスＤＸ、クロック信号ＣＬＸ、反転クロック信号ＣＬＸＢ、転送方向制御信号ＤＩＲＸ、電源電位ＶＤＤが、外部に設けられた検査制御回路（図示省略）から検査端子１０３（図１参照）のうち検査端子１０３ｉ、及び引回配線９１（図１参照）に含まれる検査用信号線８１０を介して供給される。制御回路１６２は、検査時において、転送開始パルスＤＸを、転送方向制御信号ＤＩＲＸ並びにクロック信号ＣＬＸ及び反転クロック信号ＣＬＸＢに従って順次シフトして、転送パルスＸ１、Ｘ２、・・・、Ｘ２４８を後述するＴＦＴ１６４の各グループに対応して出力する。本実施形態では、検査用信号線８１０は、後に詳述するように、低抵抗部８１１と、低抵抗部８１１よりも高抵抗である高抵抗部８１２とを有しており、検査回路１６０（より具体的には、制御回路１６２に含まれるＴＦＴ）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００５６】
ＴＦＴ１６４は、ｎチャネル型のＴＦＴであり、各ソースは、データ線６ａの他端（即ち、データ線６ａにおけるデマルチプレクサ７が電気的に接続された一端とは反対側である他端）に電気的に接続されている。同一グループに属するデータ線６ａに対応する８個のＴＦＴ１６４のゲートは電気的に共通接続されており、制御回路１６２から当該グループに対応する転送パルスＸｍが供給される。
【００５７】
即ち、ｍ番目のグループを構成する（８ｍ−７）列目、（８ｍ−６）列目、（８ｍ−５）列目、（８ｍ−４）列目、（８ｍ−３）列目、（８ｍ−２）列目、（８ｍ−１）列目及び（８ｍ）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のゲートには、制御回路１６２による転送パルスＸｍが共通に供給される。
【００５８】
１番目から２４８番目までのグループにおいてａ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のドレインは、グループを構成するデータ線６ａの数と同じ本数である８本の検査用信号線８２０のうち、検査信号Ｃｘ１として読み出す検査用信号線８２０に電気的に共通接続されている。同様に、各グループにおいて、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ１６４のドレインは、８本の検査用信号線８２０のうち、検査信号Ｃｘ２、Ｃｘ３、Ｃｘ４、Ｃｘ５、Ｃｘ６、Ｃｘ７及びＣｘ８として読み出す検査用信号線８２０に電気的に共通接続されている。検査用信号線８２０は、引回配線９１（図１参照）に含まれ、検査端子１０３（図１参照）のうち検査端子１０３ｏに電気的に接続されている。本実施形態では、検査用信号線８２０は、後に詳述するように、検査用信号線８１０と概ね同様に、低抵抗部８２１と、低抵抗部８２１よりも高抵抗である高抵抗部８２２とを有しており、検査回路１６０（より具体的には、ＴＦＴ１６４）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００５９】
上述した検査回路１６０によって、検査時には、例えば、データ線６ａのグループ毎に制御回路１６２から転送パルスＸ１、Ｘ２、・・・、Ｘ１２０を出力して、各グループに対応するＴＦＴ１６４をオン状態とすることで、予め所定電圧の検査用の画像信号が供給されたデータ線６ａの電位を、８本の検査用信号線８２０を介して検査端子１０３ｏに出力する。そして、８本の検査用信号線８２０に電気的に接続された外部の判定手段によって８本の検査用信号線８２０が所定の電位であるか否かを判定することで、デマルチプレクサ７や各データ線６ａの良否を判定する検査が行われる。尚、このような検査は、後に説明するが、マザー基板上に素子基板１０の側における各種の構成要素が形成された状態で（即ち、マザー基板が液晶装置１００毎に分断される前に）行われる。
【００６０】
検査端子１０３（図１参照）のうち検査端子１０３ｙは、検査時において、走査線駆動回路１０４から出力される検査用の出力信号を、検査信号ＹＥＰとして読み出すための検査用端子であり、引回配線９１（図１参照）に含まれる検査用信号線８３０を介して走査線駆動回路１０４（より具体的には、走査線駆動回路１０４の有するシフトレジスタの最終段の出力線）と電気的に接続されている。検査時において、検査端子１０３ｙをプローブすることで、走査線駆動回路１０４を検査することができる。本実施形態では、検査用信号線８３０は、後に詳述するように、低抵抗部８３１と、低抵抗部８３１よりも高抵抗である高抵抗部８３２とを有しており、走査線駆動回路１０４（より具体的には、走査線駆動回路１０４に含まれるＴＦＴ）が静電破壊されてしまうことを低減或いは防止できる。
【００６１】
尚、検査端子１０３（図１参照）のうち検査端子１０３ｎｃは、未使用端子である。検査端子１０３ｎｃは、検査端子１０３ｉと同様に、検査用信号線８１０を介して制御回路１６２と電気的に接続されている。
【００６２】
ここで、上述のように構成された液晶装置の動作について、図３を参照して説明する。
【００６３】
走査線駆動回路１０４は、ある１フレーム（第ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇ１０８８を１水平期間毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。
【００６４】
ここで、１水平期間では、タイミング制御回路から供給される制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、・・・、Ｓｅｌ８は、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせて画像信号供給回路４００は、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を供給する。
【００６５】
詳細には、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ１がＨレベルとなったとき、ｉ行目の走査線１１ａとａ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧だけ対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ１だけがＨレベルであるので、ａ系列のデータ線６ａが選択される（即ち、ａ系列のデータ線６ａに対応するトランジスタ７１だけがオンする）結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれａ系列（１、９、１７、・・・、１９７７列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｉがＨレベルであると、ｉ行目に位置する画素のすべてにおいて、画素スイッチング用ＴＦＴ３０がオン（導通）状態となるので、ａ系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｉ行１列、ｉ行９列、ｉ行１７列、・・・、ｉ行１９７７列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００６６】
次に、画像信号供給回路４００は、制御信号Ｓｅｌ２がＨレベルとなったとき、今度はｉ行目の走査線１１ａとｂ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ２だけがＨレベルであるため、ｂ系列のデータ線６ａが選択される結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８は、それぞれｂ系列（２、１０、１８、・・・、１９７８列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行２列、ｉ行１０列、ｉ行１８列、・・・、ｉ行１９７８列の画素電極９ａに印加されることになる。
【００６７】
同様に、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ３がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｃ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ４がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｄ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ５がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｅ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ６がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｆ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ７がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｇ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ８がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｈ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８を、それぞれ１、２、３、・・・、２４８番目のグループに対応させて一斉に出力する。これにより、ｉ行目の各画素の階調に応じた画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、・・・、ＶＩＤ２４８が、ｃ系列（３、１１、１９、・・・、１９７９列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行３列、ｉ行１１列、ｉ行１９列、・・・、ｉ行１９７９列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｄ系列（４、１２、２０、・・・、１９８０列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行１２列、ｉ行２０列、・・・、ｉ行１９８０列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｅ系列（５、１３、２１、・・・、１９８１列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行５列、ｉ行１３列、ｉ行２１列、・・・、ｉ行１９８１列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｆ系列（６、１４、２２、・・・、１９８２列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行６列、ｉ行１４列、ｉ行２２列、・・・、ｉ行１９８２列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｇ系列（７、１５、２３、・・・、１９８３列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行７列、ｉ行１５列、ｉ行２３列、・・・、ｉ行１９８３列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｈ系列（８、１６、２４、・・・、１９８４列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行８列、ｉ行１６列、ｉ行２４列、・・・、ｉ行１９８４列の画素電極９ａに印加される。
【００６８】
これにより、ｉ行目の画素に対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極９ａに印加された電圧は、走査信号ＧｉがＬレベルになっても、液晶容量によって次の第（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。
【００６９】
次に、本実施形態に係る液晶装置における、検査端子と電気的に接続された引回配線の具体的な構成について、図３に加えて図５から図８を参照して説明する。尚、ここでは、検査端子１０３のうち検査端子１０３ｉと電気的に接続された、引回配線９１に含まれる検査用信号線８１０について主に説明する。引回配線９１に含まれる他の配線（上述した検査用信号線８２０及び８３０）も、検査用信号線８１０と概ね同様に構成されている。
【００７０】
ここで先ず、本実施形態に係る液晶装置の検査端子の配置について、図５及び図６を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態に係る液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。図６は、図５の点線Ａ０によって囲まれる一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【００７１】
図５に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、製造プロセスにおいて、マザー基板Ｓ上で一挙に複数形成される形態がとられるものとする。即ち、マザー基板Ｓの上において、液晶装置１００が縦横それぞれにマトリクス状に配列されるように形成され、各液晶装置１００においては、それぞれ、図１から図４を参照して説明したような各種の構成要素（画素スイッチング用ＴＦＴ３０や走査線１１ａ、データ線６ａ等、或いは走査線駆動回路１０４やデマルチプレクサ７、検査回路１６０等）が形成されることになるのである。
【００７２】
ちなみに、図５において示されるマザー基板Ｓは、図１及び図２に示される素子基板１０を複数含んでなる。即ち、図５に示すマザー基板Ｓ上には、素子基板１０の側における各種の構成要素が形成され、これとは別に、図５には図示しない例えば石英基板又はガラス基板の上に、対向電極２１、配向膜等々が形成されて、対向基板２０が複数形成される。そして、マザー基板Ｓに形成された素子基板１０の各々に、対向基板２０を個別に対向させて、一対の素子基板１０及び対向基板２０について、個別に、シール材５２によって貼り合わせて貼り合せた後、素子基板１０及び対向基板２０間に液晶を封入する。その後、マザー基板Ｓを分断することによって、図１及び図２に示したような各個別の液晶装置１００が製造されることになる。
【００７３】
ここで、図５及び図６に示すように、マザー基板Ｓにおいて各素子基板１０の外周に沿って切断領域Ｃｔが設けられる。そして、マザー基板Ｓは、切断領域Ｃｔに対してダイシング或いはスクライビングが施されることにより分断される。
【００７４】
図６において、複数の検査端子１０３（即ち、検査端子１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｎｃ及び１０３ｙ）は、素子基板１０上の周辺領域のうちシール領域５２ａよりも外側に、素子基板１０の一辺に沿って配列されている。検査端子１０３は、好ましくは、図１を参照して上述したように素子基板１０における画像表示領域１０ａの両側の各々に配置されるので、マザー基板Ｓにおいて互いに隣り合う素子基板１０の各々に形成された検査端子１０３は、切断領域Ｃｔを挟んで互いに隣り合うことになる。
【００７５】
尚、図６中では、左側の素子基板１０における画像表示領域１０ａの側に配置された８個の検査端子１０３と、右側の素子基板１０における画像表示領域１０ａの左側に配置された８個の検査端子１０３とが、切断領域Ｃｔを挟んで互いに隣り合っている。
【００７６】
続いて、本実施形態に係る液晶装置の検査用信号線８１０の具体的な構成について、図３に加えて図７及び図８を参照して説明する。ここに図７は、図６の点線Ａ１で囲む一部の構成を示す部分拡大平面図であり、図８は、図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【００７７】
図３、図７及び図８に示すように、本実施形態では、検査用信号線８１０は、低抵抗部８１１及び高抵抗部８１２を有している。尚、図７及び図８中では、左側の素子基板１０上の検査端子１０３ｉに電気的に接続された高抵抗部８１２を高抵抗部８１２−１として示し、右側の素子基板１０の検査端子１０３ｉに電気的に接続された高抵抗部８１２を高抵抗部８１２−２として示してある。
【００７８】
尚、低抵抗部８１１は、本発明に係る「低抵抗部分」の一例であり、高抵抗部８１２は、本発明に係る「高抵抗部分」の一例である。
【００７９】
図３及び図７において、低抵抗部８１１は、検査用信号線８１０における、後述する高抵抗部８１２以外の部分として形成されている。
【００８０】
図７及び図８において、低抵抗部８１１は一例として、アルミニウム膜等からなる検査端子１０３ｉと同一膜から形成された配線層８１１ａと、検査端子１０３ｉと層間絶縁膜４２を介して下層側に形成されたアルミニウム膜等からなる中継層９１３と同一膜から形成された配線層８１１ｂとからなる。配線層８１１ａと配線層８１１ｂとは、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１ｂを介して互いに電気的に接続されている。即ち、低抵抗部８１１は、互いに電気的に接続された２つの配線層８１１ａ及び８１１ｂからなる二重配線として形成されている。低抵抗部８１１は、素子基板１０上の周辺領域のうち検査端子１０３ｉが形成されていない領域に形成されている。即ち、低抵抗部８１１は、素子基板１０上で平面的に見て、検査端子１０３ｉと重ならないように設けられている。
【００８１】
検査端子１０３ｉは、層間絶縁膜４２上に配置されたアルミニウム膜等からなり、該アルミニウム膜等の上層側に配置された層間絶縁膜４３に開口された開口部１５３０から露出するように形成されている。
【００８２】
一方、高抵抗部８１２（即ち、高抵抗部８１２−１及び８１２−２）は、中継層９１３よりも層間絶縁膜４１を介して下層側に（言い換えれば、素子基板１０上の下地絶縁膜１２上に）配置された例えば導電性ポリシリコン膜から構成されている。高抵抗部８１２は、低抵抗部８１１と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８２ｂ（図７参照）を介して電気的に接続されている。また、高抵抗部８１２は、検査端子１０３ｉと、コンタクトホール８３ｂ、８４ｂ及び中継層９１３を介して電気的に接続されている。より詳細には、高抵抗部８１２は、中継層９１３と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８４ｂを介して電気的に接続されている。更に、中継層９１３は、検査端子１０３ｉと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８３ｂを介して電気的に接続されている。言い換えれば、中継層９１３は、高抵抗部８１２と検査端子１０３ｉとを電気的に中継接続する。
【００８３】
尚、検査端子１０３ｉが形成された領域内の一部には、高抵抗部８１２と同一膜からなるダミー膜９２３が設けられており、ダミー膜９２３は、中継層９１３と、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８５ｂを介して電気的に接続されている。
【００８４】
よって、導電性ポリシリコン膜からなる高抵抗部８１２は、アルミニウム膜からなる二重配線とされた低抵抗部８１１よりも電気的な抵抗値が高くなっている。即ち、検査用信号線８１０の低抵抗部８１１に対して、高抵抗部８１２によって、抵抗が付加されている。従って、例えば、マザー基板Ｓに形成された複数の液晶装置１００に対して検査を行う際などに、液晶装置１００の周辺で静電気が発生し、検査用信号線８１０に印加された場合であっても、高抵抗部８１２によって、検査用信号線８１０と電気的に接続された検査回路１６０（より具体的には、制御回路１６２に含まれるＴＦＴ）に過剰な電圧が印加されてしまうことを抑制或いは防止できる。この結果、検査用信号線８１０に印加された静電気によって検査回路１６０が静電破壊されてしまうことを抑制或いは防止できる。
【００８５】
ここで、図７に示すように、本実施形態では、検査用信号線８１０は、高抵抗部８１２が切断領域Ｃｔを跨ぐように形成されており、マザー基板Ｓが素子基板１０毎に分断される際に、その途中で切断される。よって、マザー基板Ｓが分断されることで個別の液晶装置１００が製造された後において検査端子１０３ｉに印加された静電気等の電位が、検査用信号線８１０を介して検査回路１６０に印加されることを防止できる。また、液晶装置の誤動作を防止することも可能となる。
【００８６】
図７において、本実施形態では特に、検査用信号線８１０が有する高抵抗部８１２の一部は、周辺領域のうち検査端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されている。より詳細には、図７中、左側の素子基板１０上の検査端子１０３ｉに電気的に接続された検査用信号線８１０に着目すれば、検査用信号線８１０が有する高抵抗部８１２−１の一部は、当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されると共に、高抵抗部８１２−１の他の一部は、右側の素子基板１０上の検査端子１０３ｉ（言い換えれば、当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続されない検査端子１０３ｉ、つまり、高抵抗部８１２−２が電気的に接続される検査端子１０３）が形成された領域内で引き回されている。即ち、高抵抗部８１２−１は、その一部８１２−１ａが当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査端子１０３ｉと重なるように形成されると共に、その他の一部８１２−１ｂが当該高抵抗部８１２−１が電気的に接続された検査端子１０３ｉが形成された素子基板１０とマザー基板Ｓ上で互いに隣り合う素子基板１０上に形成された検査端子１０３ｉと重なるように形成される。言い換えれば、高抵抗部８１２−１は、マザー基板Ｓ上で互いに隣り合う素子基板１０に夫々形成されると共に切断領域Ｃｔを介して互いに隣り合う２つの検査端子１０３ｉと夫々重なって引き回される部分を有している。つまり、高抵抗部８２０−１は、高抵抗部８２０−１の有する抵抗値が、所定の抵抗値に近づくように、その一部８１２−１ａ及びその他の一部８１２−１ｂが検査端子１０３ｉが形成された領域内で引き回されている。よって、高抵抗部８２０−１を、所定の抵抗値を有するようにするために、素子基板１０上の周辺領域のうち検査端子１０３ｉが形成された領域を除く領域に引き回す面積を小さくすることができる。従って、素子基板１０上の周辺領域を画像表示領域１０ａに対して狭めることが可能となり、画像表示領域１０ａを狭めることなく素子基板１０を小さく（言い換えれば、シュリンク）することが可能となる。この結果、当該液晶装置１００を小型化することが可能となる。
【００８７】
加えて、図７に示すように、本実施形態では特に、切断領域Ｃｔ付近に配列された検査端子１０３ｉ（及び他の検査端子１０３ｏ、１０３ｙ及び１０３ｎｃ）は、後述するようなレーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径に応じた所定の距離ｄ０だけ切断領域Ｃｔから離れて配置されている。
【００８８】
続いて、本実施形態における液晶装置の製造方法について、特に図５から図８を参照して説明した検査端子及び検査用信号線の形成、並びにマザー基板の切断に係る工程に着目して、図９から図１１を参照しつつ詳細に説明する。よって、上述の各工程以外の製造プロセスについては図示せず且つ説明を省略する。
【００８９】
図９は、液晶装置に設けられる防塵用基板の構成を概略的に示す斜視図である。ここに、図２において既に説明したように、対向基板２０及び素子基板１０の互いの対向面と反対側の外側表面には夫々、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などに加えて、図９に示す防塵用基板４００が設けられる。防塵用基板４００は、例えば石英基板又はガラス基板等の透明基板からなる。防塵用基板４００によって、素子基板１０或いは対向基板２０に粉塵が付着し、映写幕上にその粉塵の像が投影されてしまうことで発生する、画像品質の低下を防止できる。尚、外部回路接続端子１０２に対して例えば駆動用ＩＣがフレキシブル基板５０１に形成されて、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）実装される。
【００９０】
図１０及び図１１を参照して、液晶装置の製造プロセスにおける検査端子及び検査用信号線の形成、並びにマザー基板の切断に係る各工程を説明する。ここに図１０は、検査端子及び検査用信号線の形成に係る各工程について、図８に示す断面部分の構成を示す工程図であり、図１１は、マザー基板の切断に係る各工程について説明するための概略的な工程図である。
【００９１】
液晶装置の製造時、図５に示すようなマザー基板Ｓ上の各素子基板１０において、図１０（ａ）では、低抵抗部８１１及び高抵抗部８１２からなる検査用信号線８１０（及びこれと共に検査用信号線８２０及び８３０）、ダミー膜９２３を形成した後、図１０（ｂ）では、絶縁膜４１及び４２を形成し、コンタクトホール８３ｂ、８４ｂ及び８５ｂを開孔し、更には中継層９１３を形成した後、検査端子１０３ｉ（及び他の検査端子１０３ｏ、１０３ｙ及び１０３ｎｃ）を形成する。その後、絶縁膜４３を形成して開口部１５３０（図８参照）を開口する。
【００９２】
続いて、図１１（ａ）において、これとは別途、図１又は図２を参照して説明したような対向電極２１等が形成された対向基板２０を複数含む石英基板又はガラス基板等の大型基板、並びに図９を参照して説明したような防塵用基板４００を複数含む大型基板を夫々マザー基板Ｓに対して貼り合わせる。この際、マザー基板Ｓに対して貼り合わされる各大型基板における切断領域と、マザー基板Ｓにおける切断領域Ｃｔ（図５参照）とは位置合わせをして貼り合わされる。図１１（ａ）においては、これらの、マザー基板Ｓを含む４枚の大型基板の各々について区別せずにあわせて切断領域Ｃｔとして示してある。その後、これら４枚の大型基板の切断領域Ｃｔに対してレーザースクライブ処理を施すことにより切断する。
【００９３】
その後図１１（ｂ）において、分断された素子基板１０及び対向基板２０、並びに防塵用基板４００について、更に対向基板２０とこれに貼り合わされた防塵用基板４００を、図１又は図２を参照して説明した対向基板２０の所定のサイズに合わせて更に分断する。従って、本実施形態では、レーザースクライブ処理により、液晶装置の小型化に伴い狭小化された素子基板１０等を容易にマザー基板Ｓ等の大型基板から分断することができる。
【００９４】
ここに、図７を参照して説明したように、図１０（ｂ）においては図６に示す検査端子１０３を切断領域Ｃｔから所定の距離ｄ０だけ離して形成する。この所定の距離ｄ０は、レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径より大きくなるように検査端子１０３を形成する。従って、図１１（ａ）の工程で、複数の検査端子１０３が少なくとも部分的に切断領域Ｃｔに近接し、レーザースクライブ処理においてレーザーの照射により発生した熱が、切断領域Ｃｔに近接した検査端子１０３から走査線駆動回路１０４等に伝達し易くなるのを防止することができる。
【００９５】
更に、図１０（ａ）において、本実施形態では特に、検査用信号線８１０の高抵抗部８１２を、既に説明したように例えば導電性ポリシリコン膜により形成する。これにより高抵抗部８１２のシート抵抗が、例えばアルミニウム膜よりなる低抵抗部８１１より大きくなるように形成し、且つ高抵抗部８１２における熱伝導を小さく抑えることが可能となる。従って、レーザースクライブ処理におけるレーザーの照射により発生した熱が検査端子１０３から検査用信号線８１０に伝達しても、高抵抗部８１２においてこの熱を伝達し難くすることができる。尚、同様の効果は、検査用信号線８１０と同様の構成を有する他の検査用信号線８２０及び８３０等についても得ることが可能である。
【００９６】
よって、図１１（ａ）の工程で、レーザースクライブ処理における素子破壊を防止することが可能となる。
【００９７】
従って、以上説明したような本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、信頼性を向上させて小型化に適する液晶装置を製造することができる。
【００９８】
尚、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照して説明した大型基板の分断に係る工程は上述の説明に限られず、例えば、対向基板２０を複数含む大型基板を分断した後、マザー基板Ｓにおける各々の素子基板１０に対向基板２０を個別に貼り合せて、マザー基板Ｓを単独でレーザースクライブ処理により分断するようにしてもよい。この場合、防塵用基板４００は例えば対向基板２０と同様に分断した状態で貼り合せられる。このような手順による場合と、上述の図１１（ａ）及び図１１（ｂ）による手順とでは、レーザースクライブ処理におけるレーザーのスポット径は変動するが、いずれにしてもこのスポット径に応じた距離だけ、検査端子１０３を切断領域Ｃｔから離して形成することにより、レーザースクライブ処理における素子破壊を防止することが可能となる。
【００９９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素部の等価回路図である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置が、マザー基板上で製造されることを説明するための部分平面図である。
【図６】図５の点線Ａ０によって囲まれる一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【図７】図６の点線Ａ１で囲む一部の構成を示す部分拡大平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】液晶装置に設けられる防塵用基板の構成を概略的に示す斜視図である。
【図１０】検査端子及び検査用信号線の形成に係る各工程について、図８に示す断面部分の構成を示す工程図である。
【図１１】マザー基板の切断に係る各工程について説明するための概略的な工程図である。
【符号の説明】
【０１０１】
６ａ…データ線、７…デマルチプレクサ、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…画素スイッチング用ＴＦＴ、５０…液晶層、９０、９１…引回配線、１０２…外部回路接続端子、１０２ｖ…画像信号端子、１０３、１０３ｉ、１０３ｏ、１０３ｙ、１０３ｎｃ…検査端子、１０４…走査線駆動回路、１６０…検査回路、３００…画像信号線、４００…画像信号供給回路、６００…画素部、８１０、８２０、８３０…検査用信号線、８１１…低抵抗部、８１２…高抵抗部
【図１】
2009198805.tif 000003
【図２】
2009198805.tif 000004
【図３】
2009198805.tif 000005
【図４】
2009198805.tif 000006
【図５】
2009198805.tif 000007
【図６】
2009198805.tif 000008
【図７】
2009198805.tif 000009
【図８】
2009198805.tif 000010
【図９】
2009198805.tif 000011
【図１０】
2009198805.tif 000012
【図１１】
2009198805.tif 000013