(57)【要約】【課題】ディスク原盤に対する記録のためのライトストラテジ調整の効率化【解決手段】無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形（ストラテジパターン）に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成する。そして現像前の段階の上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得、この反射光情報を用いて記録駆動波形が適切であるか否かを判定し、記録駆動波形が適切でないと判定された場合、記録駆動波形を補正する。【選択図】図５
2009064542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成するテスト露光ステップと、
上記テスト露光ステップで形成された上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得る再生ステップと、
上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する判定ステップと、
上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じて、上記記録駆動波形を補正する補正ステップと、
を備えたディスク原盤製造用の記録駆動波形調整方法。
【請求項２】
無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成するテスト露光ステップと、
上記テスト露光ステップで形成された上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得る再生ステップと、
上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する判定ステップと、
上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じて、上記記録駆動波形を補正する補正ステップと、
上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切と判定された後、適切とされた記録駆動波形を用いて、実記録信号に応じた記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層にピットパターンを形成するための露光領域を形成する実露光ステップと、
上記実露光ステップで上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成したディスク原盤に対して現像処理を行い、凹凸状のピットパターンが形成されたディスク原盤を形成する現像ステップと、
を備えたディスク原盤製造方法。
【請求項３】
上記テスト露光ステップでは、ディスク原盤上で、上記実露光ステップで上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成する情報パターン形成領域以外の領域としてのテスト領域を選定し、上記テスト領域において上記露光領域を形成する請求項２に記載のディスク原盤製造方法。
【請求項４】
上記テスト露光ステップでは、同心円状のトラックとして上記露光領域を形成する請求項２に記載のディスク原盤製造方法。
【請求項５】
上記記録駆動波形は、ＰＴＭ方式のレーザ照射を行うための波形パターンとされている請求項２に記載のディスク原盤製造方法。
【請求項６】
上記判定ステップでは、上記反射光情報から求められるピット長情報又はピット位置情報を、比較基準として設定された基準ピット長情報又は基準ピット位置情報と比較することで、上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する請求項２に記載のディスク原盤製造方法。
【請求項７】
上記補正ステップでは、記録駆動波形として設定されているパルスパターンにおけるパルスのエッジタイミング、又はパルスレベルを補正する請求項２に記載のディスク原盤製造方法。
【請求項８】
入力される記録信号に応じて記録駆動波形を出力させる記録駆動波形出力部と、
無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行って露光領域を形成するとともに、上記露光領域に対して再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を出力することのできる原盤記録再生部と、
上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する演算処理、及び判定結果に応じて、上記記録駆動波形の補正を行う補正処理を行う判定／補正処理部と、
を備えたディスク原盤製造装置。
【請求項９】
上記記録駆動波形出力部及び上記原盤記録再生部による、無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成するテスト露光と、
上記原盤記録再生部による、上記テスト露光で形成された上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得る再生動作と、
上記判定／補正処理部による、上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かの判定、及び上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じた上記記録駆動波形の補正を、
順次実行させる制御部をさらに備える請求項８に記載のディスク原盤製造装置。
【請求項１０】
上記判定／補正処理部は、前回に適切とされた記録駆動波形を基準として判定／補正処理を行う請求項８に記載のディスク原盤製造装置。
【請求項１１】
無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成し、
上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得、
上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定し、
上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じて、上記記録駆動波形を補正し、
上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切と判定された後、適切とされた記録駆動波形を用いて、実記録信号に応じた記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層にピットパターンを形成するための露光領域を形成し、
上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成したディスク原盤に対して現像処理を行って凹凸状のピットパターンを形成することで製造されたディスク原盤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造に用いるディスク原盤、及びそのディスク原盤の製造のための記録駆動波形調整方法、ディスク原盤製造方法、ディスク原盤製造装置に関するものであり、特に適切な記録駆動波形（ストラテジパターン）を求める技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００７−４８４１２号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４３３９号公報
【特許文献３】特開２００５−２７６４３７号公報
【特許文献４】特開２００４−４７０２５号公報
【特許文献５】特許第３８８１６７３号公報
【特許文献６】特開２００４−１９９８４８号公報
【特許文献７】国際公開第２００２／０８４６５３号パンフレット
【０００３】
いわゆるエンボスピットによるピット列が形成された再生専用光ディスクの製造のためには、その製造工程において、まずピット列に相当する凹凸パターンが形成されたディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
【０００４】
上記のディスク原盤の製造には、いわゆるカッティング装置或いはマスタリング装置などと呼ばれる原盤製造装置が用いられる。
原盤製造装置は、レジスト層が形成された原盤基板上を回転させると共に、対物レンズで集光したレーザ光を照射する。このとき、レーザ光は、その焦点深度内にレジスト原盤表面上に追従するようにフォーカス制御される。またレーザ光は、記録信号に応じたピット列に相当する露光パターンが形成されるように制御されてレジスト層に照射される。
ディスク原盤上のレジスト材料に、ピット列に相当する露光パターンが形成されたら、一般的にはこの後に現像（エッチング）工程を行い、レジスト材料の段差により凹凸状のピット列を形成する。
【０００５】
なお、上記特許文献１〜７には、ライトワンスディスクやリライタブルディスクなどの記録再生装置において、記録データに応じたレーザ駆動を行うためのライトストラテジパターンの補正に関して、各種の技術が開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ディスク原盤の製造のために、記録信号に応じてレーザ照射を行う場合にも、適切にライトストラテジが設定されている必要がある。例えば２Ｔ〜９Ｔ（Ｔはチャネルクロック周期）としてのピット長を有する光ディスクを製造するためのディスク原盤については、そのディスク原盤の製造の際に、レーザ照射により２Ｔ〜９Ｔのピットに対応する露光を行うことになる。その際、２Ｔ〜９Ｔの各ピット長毎に、ストラテジパターン（レーザ発光部に与える記録駆動波形）が適切に調整されていることで、最終的に製造される光ディスクのピット列の品質が保たれることになる。
【０００７】
しかしながら、ディスク原盤の製造の際のストラテジ調整は、手間がかかるとともに、光ディスク製造工程の効率化にとって不利なものとなっていた。
従来より、ディスク原盤製造装置におけるストラテジ調整は、次の手順で行っている。まず、或るストラテジパターン設定状態で、ディスク原盤のカッティング（露光）を行い、現像処理をおこなってディスク原盤を製造する。さらにそのディスク原盤からスタンパを製造する。そしてスタンパを用いて、通常の製造工程と同様にして最終製品としての光ディスクを製造する。この段階で製造された光ディスクの評価を行う。例えば光ディスクを再生し、再生信号のジッタやアシンメトリなどを計測して信号品質評価を行い、品質のよいピット列が形成されているかをチェックする。そしてその結果により、原盤製造段階でのストラテジパターンの適正な条件（補正値）を算出し、原盤製造装置におけるストラテジ調整を行う。
【０００８】
このような手順のため、次のような難点が生じていた。
まず、最終的な光ディスクを製造してから適切なストラテジ条件を求めるものであり、結果として最初に作成するディスク原盤、スタンパ、及び光ディスクは、あくまでストラテジ調整のためのものとなる。つまり、実製品に使用されるものではなく、このため、作成されたディスク原盤、スタンパ、及び光ディスクは、ストラテジ調整後は不要となり、無駄が生ずる。
しかも、原盤製造でのストラテジ調整のために光ディスクまで製造しなければならないため、時間もかかり、非常に非効率的であり、このストラテジ調整のための光ディスク製造工程が、光ディスク製造工程上の大きな負担となる。また、自動化できる工程でもない。
【０００９】
さらにこのようなストラテジ調整のための工程を１回行って適切にストラテジ調整ができなかったような場合であって、何度も上記工程を繰り返す事態となれば、上記の無駄（製造品や工程の無駄）が倍増していく。これを避けるためには、１回で適切なストラテジ調整でできるように、ストラテジ条件を求めやすく特化したテストパターンとしての記録信号を用意することなどが必要となる。例えば２Ｔ繰り返しパターンが含まれる記録信号などを用いることである。このため、テスト信号の設定、カッティングのためのテスト信号の供給など、通常の原盤製造段階では必要ない段取りや装置構成が必要となってしまう。
【００１０】
そこで本発明では、ディスク原盤製造段階でのレーザ駆動のためのストラテジ調整を非常に効率的に実行できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のディスク原盤製造用の記録駆動波形調整方法は、無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成するテスト露光ステップと、上記テスト露光ステップで形成された上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得る再生ステップと、上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する判定ステップと、上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じて、上記記録駆動波形を補正する補正ステップとを備える。
【００１２】
また本発明のディスク原盤製造方法は、上記記録駆動波形調整方法におけるテスト露光ステップと、再生ステップと、判定ステップと、補正ステップに加えて、上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切と判定された後、適切とされた記録駆動波形を用いて、実記録信号に応じた記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層にピットパターンを形成するための露光領域を形成する実露光ステップと、上記実露光ステップで上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成したディスク原盤に対して現像処理を行い、凹凸状のピットパターンが形成されたディスク原盤を形成する現像ステップとを備える。
また上記テスト露光ステップでは、ディスク原盤上で、上記実露光ステップで上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成する情報パターン形成領域以外の領域としてのテスト領域を選定し、上記テスト領域において上記露光領域を形成する。
また上記テスト露光ステップでは、同心円状のトラックとして上記露光領域を形成する。
また上記記録駆動波形は、ＰＴＭ方式のレーザ照射を行うための波形パターンとされていることとする。
また上記判定ステップでは、上記反射光情報から求められるピット長情報又はピット位置情報を、比較基準として設定された基準ピット長情報又は基準ピット位置情報と比較することで、上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する。
また上記補正ステップでは、記録駆動波形として設定されているパルスパターンにおけるパルスのエッジタイミング、又はパルスレベルを補正する。
【００１３】
本発明のディスク原盤製造装置は、入力される記録信号に応じて記録駆動波形を出力させる記録駆動波形出力部と、無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、上記記録駆動波形出力部から出力された記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行って露光領域を形成するとともに、上記露光領域に対して再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を出力することのできる原盤記録再生部と、上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定する演算処理、及び判定結果に応じて、上記記録駆動波形の補正を行う補正処理を行う判定／補正処理部とを備える。
また、上記記録駆動波形出力部及び上記原盤記録再生部による、無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対してテスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い上記無機レジスト層に露光領域を形成するテスト露光と、上記原盤記録再生部による、上記テスト露光で形成された上記露光領域に対して再生パワーのレーザ照射を行って反射光情報を得る再生動作と、上記判定／補正処理部による、上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かの判定及び上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じた上記記録駆動波形の補正を、順次実行させる制御部をさらに備えるようにする。
また上記判定／補正処理部は、前回に適切とされた記録駆動波形を基準として判定／補正処理を行う。
【００１４】
本発明のディスク原盤は、無機レジスト層が形成されたディスク原盤に対して、テスト記録信号に応じた記録駆動波形に基づいて記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層に露光領域を形成し、上記露光領域に対して、再生パワーのレーザ照射を行って、反射光情報を得、上記反射光情報を用いて上記記録駆動波形が適切であるか否かを判定し、上記記録駆動波形が適切でないと判定されることに応じて、上記記録駆動波形を補正し、上記判定ステップで、上記記録駆動波形が適切と判定された後、適切とされた記録駆動波形を用いて、実記録信号に応じた記録パワーのレーザ照射を行い、上記無機レジスト層にピットパターンを形成するための露光領域を形成し、上記実記録信号に基づく上記露光領域を形成したディスク原盤に対して現像処理を行って凹凸状のピットパターンを形成することで製造されたことを特徴とする。
【００１５】
このような本発明では、無機レジスト層を形成したディスク原盤に対してレーザ光を照射し、ピットパターンを形成するための露光を行うが、無機レジスト層の露光部分（ピットとなる部分）と、非露光部分（ピット間のランドとなる部分）とでは、レーザ光の反射光情報として検出される光量に差が生ずることが確認された。
すると、テスト記録信号により露光を行った状態では、現像処理を行う前の段階で、その露光部分に再生パワーでレーザ光照射を行うことで、ピットとなる部分とランドとなる部分に応じた反射光情報を得ることができる。即ち、その後の現像処理で形成されることになるピット／ランドによるピット列の情報を読み取ることができる。これは、形成されるピットのピット長やピット位置（チャネルクロックを基準とした位置ズレ）を判別できることを意味する。
記録駆動波形（ストラテジパターン）は、形成すべきピット長に応じてパルスパターンが設定されている。例えば２Ｔ〜９Ｔのピットを形成する光ディスクの製造のためのディスク原盤であれば、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ・・・９Ｔのそれぞれに対応してストラテジパターンが設定されている。ここで、ストラテジパターンを最適化するには、テスト露光後にその部分を再生して反射光情報を読み取り、各Ｔのピット長やピット位置を確認して、それが適正な状態となるようにストラテジパターンを補正すればよい。
つまり、テスト露光を行い、その露光領域を再生させることで、ストラテジパターンの補正が可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ディスク原盤製造の際に、テスト露光、露光領域の再生、再生により得た反射光情報からのピット長、ピット位置の判定により、ディスク原盤製造段階のレーザ光照射のためのストラテジパターンを調整することができる。即ち最終的な光ディスクの製造までを行わなくても、ストラテジ調整が可能となり、工程の著しい効率化を実現することができる。当然、ストラテジ調整のために、後に無駄となるディスク原盤、スタンパ、光ディスクの製造しなくてもよいため、これらの無駄も排除される。
さらに、ストラテジ調整の自動化が可能であると共に、テスト露光からストラテジ補正というまでの処理はさほどの時間を要するものではない。このためストラテジ補正を数回繰り返したとしても工程効率は悪化しない。このことは、より精密にストラテジパターンを最適状態に追い込んでいくことが可能で、より精度よく調整できるとともに、テスト記録信号として特殊な信号を用意する必要もなく、テスト記録信号としては通常の記録信号を利用できるため、この点でも作業者の手間は軽減される。
さらにテスト露光、露光領域の再生、記録駆動波形の判定・補正という一連の動作を自動化することで、作業者の手間は一段と軽減されるとともに、作業者によらない安定したストラテジ調整が可能となる。
また、テスト露光を行ったディスク原盤を、そのまま実際に製造に使用するディスク原盤とすることができる。つまり、実際に使用するディスク原盤上でのテスト露光に基づいたストラテジ調整であり、ディスク原盤自体の条件変化がない状態でストラテジ調整が行われるため、調整精度が高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
［１．ディスク製造工程］
［２．原盤製造装置の構成］
［３．ストラテジ補正動作］
［４．他の構成例及び動作］
【００１８】
［１．ディスク製造工程］
まず図１１の模式図を参照して、光ディスクの製造工程を述べる。
図１１（ａ）はディスク原盤を構成する原盤形成基板１００を示している。先ず、この原盤形成基板１００の上に、スパッタリング法により無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０２を均一に成膜する（レジスト層形成工程、図１１（ｂ））。本例では、ディスク原盤を製造するマスタリング工程として、無機系のレジスト材料を用いたＰＴＭ(Phase Transition Mastering)方式のマスタリングを行うが、この場合、レジスト層１０２に提供される材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。
なお、レジスト層１０２の露光感度の改善のために基板１００とレジスト層１０２との間に所定の中間層１０１を形成しても良く、図１１（ｂ）ではその状態を示している。レジスト層１０２の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００１９】
次に、後述する原盤製造装置を利用してレジスト層１０２に信号パターンとしてのピット列に対応した選択的な露光を施し感光させる（レジスト層露光工程、図１１（ｃ））。そしてレジスト層１０２を現像（エッチング）することによって所定の凹凸パターン（ピット列）が形成されたディスク原盤１０３が生成される（レジスト層現像工程、図１１（ｄ））。
続いて、上記のように生成したディスク原盤１０３の凹凸パターン面上に金属ニッケル膜を析出させ（図１１（ｅ））、これをディスク原盤１０３から剥離させた後に所定の加工を施し、ディスク原盤１０３の凹凸パターンが転写された成型用のスタンパ１０４を得る（図１１（ｆ））。
そのスタンパ１０４を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板１０５を成形する（図１１（ｇ））。
その後、スタンパ１０４を剥離し（図１１（ｈ））、その樹脂製ディスク基板の凹凸面にＡｇ合金などの反射膜１０６（図１１（ｉ））と、膜厚０．１ｍｍ程度の保護膜１０７とを成膜することにより光ディスクを得る（図１１（ｊ））。即ちピット列が形成された再生専用ディスクが製造される。
【００２０】
このような製造工程において、ディスク原盤１０３の製造に用いられるレジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。
例えば、遷移金属の酸化物として化学式ＭｏＯ3を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ3の酸化状態を組成状態を組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合とする。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。
このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、無機レジストでありながら現像工程において露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られる。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。
【００２１】
ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。
上述のようにレジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００２２】
このような光ディスク製造工程において、本例では、図１１（ｃ）（ｄ）の原盤製造工程（マスタリング工程）でディスク原盤１０３が製造される。なお本例のマスタリング工程は、後述する原盤製造装置によりＰＴＭ方式が用いられる。ＰＴＭ方式について簡単に説明しておく。
【００２３】
ＰＴＭ方式を用いない従来において、例えばＣＤ（Compact Disc）方式やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)方式などのディスクを製造する際には、まずフォトレジスト（有機レジスト）を塗布したディスク原盤を用意し、マスタリング装置（原盤製造装置）によってディスク原盤上にガスレーザ等の光源からレーザーを照射し、ピットに応じた露光パターンを形成していった。この場合、連続発振レーザーであるレーザ光源からのレーザ光を、例えばＡＯＭ（Acousto-Optical Modulator）で光強度変調し、強度変調されたレーザ光を光学系によってディスク原盤に導き、露光する。即ち、ＡＯＭにはピット変調信号である例えばＮＲＺ(Non Return to Zero)変調信号を与え、このＡＯＭによってレーザ光がピットパターンに対応した強度変調を受けることで、原盤上ではピット部分のみが露光されていく。
例えば図１２（ｂ）には１つのピット形状を示しているが、ＡＯＭで変調されたレーザ発光強度は図１２（ｃ）のようになる。原盤上のフォトレジストの露光はいわゆる光記録であるため、図１２（ｃ）のようなレーザにより露光された部分が、そのままピットとなる。
【００２４】
一方、ＰＴＭ方式では、無機レジストを塗布したディスク原盤に対して、半導体レーザからのレーザ光を照射し、熱記録としての露光を行う。
この場合、レーザ照射による熱の蓄積を抑圧してピット幅の均一化を計るために、通常図１２（ａ）に示すようなパルス発光で露光する。即ちこの場合には、一般にクロックに同期したＮＲＺ変調信号が、そのＨレベルの長さに応じてクロック周期より短い時間幅のパルス信号へ変換され、変換されたパルス変調信号に同期して直接変調可能な半導体レーザーへ電力供給される。これによって図１２（ａ）のように、ピット長に応じたパルス発光としてレーザ出力が行われる。そしてこのパルス発光による熱記録としての露光を行った後、現像処理を行うと、図１２（ｂ）のようなピット形状が形成される。
【００２５】
［２．原盤製造装置の構成］
ＰＴＭ方式でマスタリングを行う本例の原盤製造装置の構成例を図１に示す。この原盤製造装置は、上記図１１（ｃ）（ｄ）のマスタリング工程において、無機レジスト層１０２を形成したディスク原盤１０３に対してレーザ照射による熱記録動作により、ピットパターンの露光を行う。
この原盤製造装置１は、チャネル変換器２，記録波形発生部３、原盤記録再生部４、波形整形及びＡ／Ｄ部５，演算部６，リファレンスデータメモリ７、ストラテジパターン発生部８を備える。
【００２６】
チャネル変換器２は、入力された記録データＤＴから、ディスク原盤上に記録（露光）すべき変調信号を生成する。記録データは、最終的に製造される光ディスクにおいてピットパターンで表現されることになるデータである。記録データに対して、チャネル変換器２は、例えばＲＬＬ（１−７）ｐｐなどの変調方式で変調を行い、変調信号として、例えば２Ｔ〜９Ｔなどの、ラン長が制限されたデータパターンを出力する。
【００２７】
この変調信号は、記録波形発生部３に入力され、記録波形発生部３で熱記録の為のパルストレイン状の記録駆動波形（ストラテジパターン）ｒＳに変換される。
ストラテジパターン発生部８は、例えば図３に示すように、２Ｔ〜９Ｔまでのピット長に対応したストラテジパターンを発生させる。
２Ｔに対応するストラテジパターンは、或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰで構成される。
３Ｔに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰとラストパルスＬＰで構成される。
４Ｔ〜９Ｔに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスＦＰと、マルチパルスＭＰと、ラストパルスＬＰで構成される。４Ｔ〜９Ｔのそれぞれは、ファーストパルスＦＰとラストパルスＬＰの間に配置されるマルチパルスＭＰの数が異なるパターンとなる。
【００２８】
ストラテジパターン発生部８は、例えばこのように２Ｔ〜９Ｔのストラテジパターンを発生させることができ、記録波形発生部３は、チャネル変換器２から供給される変調信号のラン長に応じてストラテジパターンを選択し、記録駆動波形ｒＳとして出力することになる。
記録駆動波形ｒＳとして出力されるストラテジパターンのパルス列は、原盤記録再生部４に供給される。
原盤記録再生部４では、記録駆動波形ｒＳによりレーザービームをパルス変調し、ディスク原盤に照射することにより、記録（無機レジスト層１０２の露光）を行う。ディスク原盤上にパルス変調されたレーザービームが照射されることにより、その熱により原盤表面に塗布された無機レジスト層１０２の特性が変化し、記録マークが形成される。
【００２９】
図４に無機レジスト層１０２の露光の様子を示す。
図４（ａ）はチャネルクロックＣＫ、図４（ｂ）はチャネル変換器２から出力される変調信号としての４Ｔ部分を示している。変調信号における４Ｔ部分に対応しては、記録波形発生部３から原盤記録再生部４に対して、記録駆動波形ｒＳとして図４（ｃ）のようにファーストパルスＦＰ、マルチパルスＭＰ、ラストパルスＬＰで構成されるストラテジパターンが出力される。
原盤記録再生部４では、図４（ｃ）のように無機レジスト層１０２が形成されたディスク原盤１０３に対して、記録駆動波形ｒＳに基づくレーザ照射を行う。
この場合、レーザ照射による熱記録として露光された部分が、図４（ｅ）のように変質して記録マークとなる。
原盤記録再生部４において、このような露光が行われた後は、図１１（ｄ）で述べたように現像処理が行われるが、現像処理によって、図４（ｆ）のように露光された記録マーク部分が凹状のピットとされることになる。
【００３０】
また、原盤記録再生部４は、図４（ｅ）のように露光が行われ、現像されていない状態のディスク原盤１０３に対して、再生動作を行うことができるようにされている。
即ちレーザパワーを低パワー（無機レジスト層１０２に熱による変質を生じさせないパワー）である再生パワーとしたうえで、ピットとなるべき露光部分及びにランドとなる非露光部分で形成された領域に対してレーザ光照射を行うと、露光部分と非露光部分で異なる反射光量を検出することができる。これはディスク原盤１０３に形成されるピット／ランドとしてのピット列の情報の再生信号となる。
【００３１】
図２に、原盤記録再生部４の内部構成例を示す。
原盤記録再生部４は、ピックアップヘッド１０として、一点鎖線部として示す構成を備える。ピックアップヘッド１０内において、半導体レーザとしてのレーザ光源１１は、例えば波長４０５ｎｍのレーザ光を出力するものとされる。
レーザ光源１１から出射したレーザ光は、コリメータレンズ１２で平行光とされた後、アナモルフィックプリズム１３でスポット形状が例えば円形に変形され、偏光ビームスプリッタ１４に導かれる。
そして偏光ビームスプリッタ１４を透過した偏光成分は、λ／４波長板１４，ビームエキスパンダ１６を介して対物レンズ２６に導かれ、この対物レンズ２６で集光されてディスク原盤１０３（無機レジスト層１０２が形成された原盤形成基板１００）上に照射される。
【００３２】
上記のように対物レンズ２６を介してディスク原盤１０３に照射される波長４０５ｎｍのレーザ光源１１からのレーザ光は、ディスク原盤１０３上で焦点を結ぶことになる。ディスク原盤１０３はシリコンウェハ上に金属酸化物からなる無機レジストを成膜したもので、４０５ｎｍのレーザービームを吸収することで、照射部の特に中心付近の高温に加熱された部分が多結晶化する。
この作用により、上記図４（ｂ）で述べたような変質が発生し、ピット列としての露光パターンがディスク原盤１０３上に形成されていく。
【００３３】
偏光ビームスプリッタ１４において反射された偏光成分は、モニタディテクタ１７（レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ）に照射される。モニタディテクタ１７は、受光した光量レベル（光強度）に応じた光強度モニタ信号ＳMを出力する。
【００３４】
一方、ディスク原盤１０３に照射されたレーザ光の戻り光は、対物レンズ２６，ビームエキスパンダ１６、λ／４波長板１４を通過して偏光ビームスプリッタ１４に達する。この場合、λ／４波長板１４を往路と復路で２回通過していることで偏光面が９０°回転されており、偏光ビームスプリッタ１４で反射されることになる。偏光ビームスプリッタ１４で反射された戻り光は集光レンズ１８，シリンドリカルレンズ１９を介してフォトディテクタ２０の受光面に受光される。
フォトディテクタ２０の受光面は、例えば４分割受光面を備え、非点収差によるフォーカスエラー信号を得ることができるようにされている。
フォトディテクタ２０の各受光面では、受光光量に応じた電流信号を出力して反射光演算回路２１に供給する。
反射光演算回路２１は、４分割の各受光面からの電流信号を電圧信号に変換すると共に、非点収差法としての演算処理を行ってフォーカスエラー信号ＦＥを生成し、そのフォーカスエラー信号ＦＥをフォーカス制御回路２２に供給する。
フォーカス制御回路２２は、フォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、対物レンズ２６をフォーカス方向に移動可能に保持しているアクチュエータ２９のサーボ駆動信号ＦＳを生成する。そしてアクチュエータ２９がサーボ駆動信号ＦＳに基づいて、対物レンズ２６をディスク原盤１０３に対して接離する方向に駆動することで、フォーカスサーボが実行される。
【００３５】
また反射光演算回路２１は、４分割の各受光面の受光光量の電圧信号を加算して、反射光レベルを示す反射光量検出信号を生成することもできる。
例えば上記のように露光を行う場合は、レーザ光は、無機レジスト層１０２に熱による変質をおこさせる高いレベルの記録パワーとして出力されるが、先に述べたように、上記図４（ｅ）のような露光部分が形成された後、その露光部分を再生パワー（低パワー）のレーザ光を照射することで、露光部分／非露光部分の情報を反射光情報（再生情報）として得ることができる。
そのように露光後に再生を行う際には、反射光演算回路２１において、反射光量の検出信号を生成し、それを再生信号ＳPBとして出力できることになる。
【００３６】
レーザ光源１１の発光駆動は、レーザドライバ４１により行われる。図１で述べたように記録波形発生部３から原盤記録再生部４に供給される記録駆動波形ｒＳは、レーザドライバ４１に入力される。レーザドライバ４１は記録駆動波形ｒＳ（ストラテジパターン）を形成するパルス入力に応じて、発光駆動電流をレーザ光源１１に印加する。これによって、記録駆動波形ｒＳとしてのパルスパターンに応じた発光強度でのレーザのパルス発光が行われることになる。
【００３７】
またモニタディテクタ１７から得られた光強度モニタ信号ＳMは、レーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、光強度モニタ信号ＳMを基準値と比較することでレーザ発光強度を所定レベルに保つ制御を行う。
なお、レーザドライバ４１は、例えば０．０１ｍＷ間隔で、レーザーパワーを可変できるものとされている。
ディスク原盤１０３に対する露光を行う際には、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して記録パワー（例えば９〜１０ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。また上述のように露光後の再生を行う場合は、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して再生パワー（例えば０．５ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。
【００３８】
ディスク原盤１０３は、スピンドルモータ４４によって回転駆動される。スピンドルモータ４４は、スピンドルサーボ／ドライバ４７によって回転速度が制御されながら回転駆動される。これによってディスク原盤１０３は例えば一定線速度で回転される。
スライダ４５は、スライドドライバ４８によって駆動され、ディスク原盤１０３が積載された、スピンドル機構を含む基台全体を移動させる。即ち、スピンドルモータ４４で回転されている状態のディスク原盤１０３は、スライダ４５で半径方向に移動されながら上記光学系によって露光されていくことで、露光されるピット列によるトラックがスパイラル状に形成されていくことになる。
スライダ４５による移動位置、即ちディスク原盤１０３の露光位置（ディスク半径位置：スライダ半径位置）はセンサ４６によって検出される。センサ４６による位置検出情報ＳＳはコントローラ４０に供給される。
【００３９】
コントローラ４０は、この原盤記録再生部４の全体を制御する。即ち、レーザドライバ４１に対してのレーザパワー設定、スピンドルサーボ／ドライバ４７によるスピンドル回転動作制御、スライドドライバ４８によるスライダ４５の移動動作の制御等を行う。
【００４０】
図１に示した原盤記録再生部４は、例えばこの図２にように構成されることで、ディスク原盤１０３に対する露光（マスタリング記録）、及び再生を行うことができる。
露光後の再生動作によって出力される再生信号（反射光情報）ＳPBは、図１に示す波形整形及びＡ／Ｄ部５に供給される。
再生信号ＳPBは波形整形及びＡ／Ｄ部５でイコライジングにより波形整形された後、Ａ／Ｄ変換され、デジタルデータとして演算部６に供給される。
【００４１】
演算部６では、入力されたデジタルデータとしての再生信号ＳPBに対し、ゼロクロス検出、デジタルＰＬＬ処理等を行い、形成されるピット／ランドとなる露光パターンのエッジの基準クロックからのずれを算出する。その後、統計的処理により、２Ｔ〜９Ｔのピット長毎に、長さ及び位置ズレを求める。
ピット長とその位置ズレを求めたら、演算部６は、それをリファレンスデータメモリ７に保存しているリファレンスデータと比較することで、適切なライトストラテジ状態となっているか否かを判断する。
そして適切なライトストラテジ状態となっていなければ、補正値を算出し、補正値に基づいてストラテジパターン発生部８のストラテジパターンを補正する。
【００４２】
ストラテジパターンの補正としては、例えばパルスエッジタイミングやパルスレベルの補正を行う。
図４（ｃ）には４Ｔに対応するストラテジパターンを示したが、補正対象としてのパルスエッジタイミングとは、例えばチャネルクロックＣＫを基準とした、ファーストパルスＦＰの立ち上がりタイミングＦＳ、立ち下がりタイミングＦＥ、マルチパルスＭＰの立ち上がりタイミングＭＳ、立ち下がりタイミングＭＥ、ラストパルスＬＰの立ち上がりタイミングＬＳ、立ち下がりタイミングＬＥが想定される。
またファーストパルスＦＰ、マルチパルスＭＰ、ラストパルスＬＰのそれぞれのパルスレベルを補正してもよい。
【００４３】
［３．ストラテジ補正動作］
以上の構成の原盤製造装置１におけるストラテジ補正動作を説明する。
ストラテジ補正は図５の手順で行われる。
まずステップＦ１０１として、ディスク原盤１０３の所定位置にテスト記録（テスト露光）を行う。
この場合、テスト用記録データをチャネル変換器２に与える。なおテスト用記録データとは、実際に使用する実記録データを用いてもよいし、ランダムなデータを用いてもよい。
チャネル変換器２は、テスト用記録データを変調し、記録波形発生部３に供給する。記録波形発生部３は変調信号における２Ｔ〜９Ｔの信号に応じてストラテジパターンを順次選択し、記録駆動波形ｒＳとして原盤記録再生部４のレーザドライバ４１に与える。
【００４４】
原盤記録再生部４では、装着されているディスク原盤１０３において、所定位置にテスト露光が行われるようにされている。
図６にはディスク原盤１０３を模式的に示しているが、このディスク原盤１０３の直径は例えば８インチ程度とされている。ここで、実際にディスク原盤１０３から作成されるスタンパを用いて製造される最終的な光ディスクは、直径１２ｃｍであるが、従って、ディスク原盤１０３において、直径１２ｃｍの領域（斜線部）が、実際に実データに即した凹凸ピットを形成する情報パターン形成領域となる。
テスト記録の際には、この情報パターン形成領域以外の領域、つまり情報パターン形成領域より外周側の領域が用いられる。
本例の場合、テスト記録は、情報パターン形成領域の外周部分近傍において、同心円状の１周回トラックＴＴＫとして行うようにする。
なお、テスト記録は情報パターン形成領域以外において行えばよく、必ずしも図６のように情報パターン形成領域の近傍でなくてもよいが、なるべく情報パターン形成領域に近い方が、無機レジスト層１０２の特性の差（ディスク原盤１０３上での内外周での特性の差）が小さいため、ストラテジ調整の目的から考えて好適である。
また、図６で示す情報パターン形成領域は、直径１２ｃｍの領域全体を示しているが、この最内周側であって、スタンパや光ディスクにおけるセンターホールに相当する領域などを、テスト記録用の領域として用いることも考えられる。
【００４５】
例えば図６の同心円状の周回トラックＴＴＫとして１トラック分のテスト記録を行う場合、原盤記録再生部４のコントローラ４０は、スライダ４５を制御して、直径１２ｃｍよりやや外周側の位置に、レーザ照射が行われるようにすればよい。即ち、センサ４６による位置検出情報ＳＳを参照して、半径位置６ｃｍ＋αのスライド位置にスライダ４５を制御する。
そして、レーザドライバ４１に記録パワーのレーザ光出力を指示し、記録駆動波形ｒＳに応じたパルス発光を実行させる。またスピンドルサーボ／ドライバ４７にスピンドルモータ４４の回転を実行させる。
このとき、システムコントローラ２はスライダ４５を半径位置６ｃｍ＋αのスライド位置に固定させておくことで、同心円状の周回トラックＴＴＫとして、テスト露光が行われることになる。
【００４６】
次に図５のステップＦ１０２として、テスト記録部分の再生を行う。
原盤記録再生部４のコントローラ４０は、スライダ４５の位置を上記記録時の位置に固定した状態のまま、レーザドライバ４１に再生パワーでのレーザ出力を指示する。この場合、レーザ光源１１から、再生パワーでの連続発光としてのレーザ出力が行われる。また上記記録時から引き続き、スピンドルサーボ／ドライバ４７にスピンドルモータ４４の回転を実行させる。
実際には、ステップＦ１０１で１トラック分の記録（露光）を行った状態のスピンドルモータ回転を継続し、さらにスライダ４５の位置を固定したままとしておくため、ステップＦ１０１での１トラック分の記録の直後に、レーザパワーを再生パワーに切り換えるようにすれば、そのまま、記録された周回トラックＴＴＫの再生走査が行われることになる。特に言えば、再生時に露光部分を走査できるようにするトラッキング制御は不要である。
このテスト記録部分の再生によって得られた再生信号ＳPBは、デジタルデータとされて演算部６に入力される。
【００４７】
次にステップＦ１０３として、演算部６で再生データ検査が行われる。
演算部６は、入力された再生信号ＳPBのデジタルデータに対しゼロクロス検出、デジタルＰＬＬ処理を行い、露光による各記録マーク及びスペースのエッジの基準クロックからのずれを算出する。そして統計的処理により、記録マーク長毎に長さ及び位置を求める。つまり、形成される２Ｔ〜９Ｔのピットとしてのピット長、及びクロックタイミングを基準とした位置ズレの情報を求め、これらをテスト記録で検出された特性とする。
そして、この検出された特性を、リファレンスデータメモリに保存している基準特性と比較する。
【００４８】
図７（ａ）（ｂ）はリファレンスデータとして保持しているリファレンス範囲を示している。
図７（ａ）は縦軸をピット長とし、横方向に２Ｔ〜９Ｔの各場合について並べて示している。縦軸のピット長は、［ｐｓｅｃ］を単位とした時間差で示しているが、これは記録トラックを一定線速度の状態でレーザ光走査したときの２Ｔ〜９Ｔの各ピットの走査時間を本来のピット長を基準として相対的に示したものである。即ち本来あるべき基準ピット長の場合を「０」とし、基準ピット長より長い場合を＋方向の時間差値で、短い場合を−方向の時間差値で示している。例えば２Ｔについて言えば、ピット長としての時間差が「０」であるとすると、２Ｔピットが正確なピット長であり、また時間差が「１０００」であるとすると、２Ｔピットが、本来あるべきピット長より１０００ｐｓｅｃ分長くなっていることを示し、また時間差が「−１０００」であるとすると、２Ｔピットが、本来あるべきピット長より１０００ｐｓｅｃ分短くなっていることを示すことになる。３Ｔ〜９Ｔについても同様である。
【００４９】
そして、この図７（ａ）では、ディスク原盤１０３上で露光された２Ｔ〜９Ｔの各記録マークとしての基準範囲を矢印で示している。つまり適正なピット長範囲である。
なお、最終的に作成される光ディスクでは、適正なピット長として示される時間差は、全て「０」となるべきである。ところが図７（ａ）で矢印で示すピット長範囲は、「０」からずれた範囲となっている。これは、あくまでこの図７（ａ）がディスク原盤１０３上で、ピットとなるべき部分の記録マークを対象としているためである。ディスク原盤１０３で形成されるピットは、図１１で説明したその後の製造プロセスを経て、最終製品としての光ディスクのピットに反映されるが、その製造プロセスにおける種々の要因によりディスク原盤１０３上のピットと光ディスクのピットでは、ピット長が異なるものとなる。
この図７（ｂ）に示すピット長の基準範囲とは、ディスク原盤１０３上で、この範囲内のピット長であれば、最終製品である光ディスクにおいて、ほぼ適正なピット長（時間差値がほぼ「０」のピット長）となるとして設定された範囲である。
【００５０】
図７（ｂ）は、図７（ａ）と同様の形式で、ディスク原盤１０３上での２Ｔ〜９Ｔの各ピットの位置ズレを示している。位置ズレとは、チャネルクロックタイミングを基準として適正なタイミングでピットが開始される場合を時間差「０」とし、進み方向／遅れ方向へのずれた場合を、＋方向／−方向の時間差の値として示している。
これも、最終製品である光ディスクで、ほぼ時間差「０」となると想定される範囲としての、ディスク原盤１０３上でのピットずれの適正範囲を、矢印で示すものである。
【００５１】
演算部６は、このようなリファレンス範囲のデータを、実際に再生信号ＳPBのデジタルデータから算出した２Ｔ〜９Ｔの各ピット長と位置ズレの検出特性と比較する。
テスト記録／再生で検出された２Ｔ〜９Ｔの各ピット長と位置ズレの特性の例を図８（ａ）（ｂ）に示す。図８（ａ）（ｂ）は図７（ａ）（ｂ）と同様の形式で、２Ｔ〜９Ｔの各ピット長とピット位置ズレの検出値を示したものである。
【００５２】
演算部６は、検出された２Ｔ〜９Ｔの各ピット長及び位置ズレを示す値を、図７のリファレンス範囲と比較し、検出された値が、リファレンス範囲内であればＯＫであり、一方、検出された値が、リファレンス範囲外となっていたら、ストラテジ補正が必要であるとする。
図５のステップＦ１０３では、このように再生信号ＳPBのデジタルデータから２Ｔ〜９Ｔの各ピット長及び位置ズレを検出し、これらをそれぞれリファレンス範囲と比較する処理を行う。
そして検出値が全てリファレンス範囲内となっていれば、ステップＦ１０４でストラテジＯＫとする。
一方、検出値が１つでもリファレンス範囲外となっていたら、ステップＦ１０４からＦ１０５に進み、ストラテジパターン補正を行うことになる。
【００５３】
図９（ａ）（ｂ）は、図７（ａ）（ｂ）のリファレンス範囲と、図８（ａ）（ｂ）の検出値をまとめて示したものである。
この図９（ａ）（ｂ）のように、各検出値がリファレンス範囲から外れている場合、演算部６は、ステップＦ１０５としてのストラテジ補正を実行することになる。即ち図中に破線矢印で示すように、２Ｔ〜９Ｔの各ピット長及び位置ズレとしての各検出値が、それぞれリファレンス範囲内となるように、ストラテジパターンの補正値を算出し、ストラテジパターン発生部８で発生させるストラテジパターンを補正する。例えばエッジタイミングを補正する。
この場合の補正例を図１０に示す。
図１０ではチャネルクロックＣＫを基準として、２Ｔのストラテジパターン、３Ｔのストラテジパターン、及び４Ｔ〜９Ｔのストラテジパターンを示している。
例えば２Ｔのストラテジパターンでは、ファーストパルスＦＰの立ち上がりタイミングＦＳを、タイミングｈＦＳに補正している。
また３Ｔ、及び４Ｔ〜９Ｔについては、ラストパルスＬＰの立ち下がりタイミングＬＥを、タイミングｈＬＥに補正している。
長さ２Ｔの記録マークに着目すると、ピット長がリファレンス範囲よりも小さく、位置ズレもリファレンス範囲よりも−方向となっている。従ってファーストパルスＦＰの立ち上がりタイミングを手前に移動させれば良い。また、長さ３Ｔ以上の記録マークについては、ピット長がリファレンス範囲より大きいため、ラストパルスＬＰの立ち下がりタイミングを手前に移動させれば良い。
【００５４】
なお、この例は、ファーストパルスＦＰの立ち上がりタイミングと、ラストパルスＬＰの立ち下がりタイミングの２カ所を補正した例としているが、他のパルスエッジタイミングや、パルスレベルを補正する場合もある。
どのような補正を行うか、或いはタイミング補正量やレベル補正量は、検出された特性とリファレンス範囲を用いた、所定の演算処理で算出される。
またパルスエッジタイミングを変更した場合の効果、あるいはパルスレベルを変更した場合の効果については、予め測定しておくことにより更に効率の良い補正を行うことができる。
【００５５】
図５の手順として、以上のようにストラテジ補正が行われる。
ステップＦ１０５でストラテジパターンを補正したら、再びステップＦ１０１でテスト記録を行う。この場合、例えば原盤記録再生部４では、スライダ４５の位置を１トラック分程度移動させて固定し、次のテスト記録が行われるようにすればよい。
そしてステップＦ１０２でのテスト記録部分の再生、ステップＦ１０３での演算部６での再生データ検査が行われ、検出値がリファレンス範囲内となっていれば、ストラテジパターンは最適化されたとする。もし、検出値がリファレンス範囲内となっていなければ、再度ステップＦ１０５でストラテジパターンを補正し、再びステップＦ１０１からの手順を行う。
【００５６】
この図５の処理において、ステップＦ１０４で検出値がリファレンス範囲内となっていると確認され、ストラテジパターンが最適化されていると判断されたら、以降は、実際の記録データに基づく露光を、ディスク原盤１０３の情報パターン形成領域に行っていくことになる。
そして情報パターン形成領域への露光を完了したら、現像処理を行うことで、ディスク原盤１０３が完成される。このディスク原盤１０３は、最適化されたストラテジパターンを用いた露光によるピットが形成されたものとなる。
【００５７】
以上の説明から理解されるように、本実施の形態によれば、ディスク原盤１０３の製造の際に、テスト露光、露光領域の再生、再生により得た反射光情報からのピット長、ピット位置の判定により、ディスク原盤製造段階のレーザ光照射のためのストラテジパターンを調整することができる。
即ち最終的な光ディスクの製造までを行わなくても、ストラテジ調整が可能となり、工程の著しい効率化を実現することができる。当然、ストラテジ調整のために、後に無駄となるディスク原盤、スタンパ、光ディスクの製造しなくてもよいため、これらの無駄も排除される。
【００５８】
さらに、図５の手順として説明したストラテジ調整は補正処理が全て数値化できる為、自動化が容易であると共に、テスト露光からストラテジ補正というまでの処理はさほどの時間を要するものではない。このためステップＦ１０５のストラテジ補正を数回繰り返したとしても工程効率は悪化しない。従って、より精密にストラテジパターンを最適状態に追い込んでいくことが容易に可能で、より精度のよいストラテジ調整ができる。
またこれによってテスト記録信号として特殊な信号を用意する必要もなく、テスト記録信号としては通常の記録信号を利用できるため、この点でも作業者の手間は軽減される。
また、テスト露光を行ったディスク原盤１０３は、そのまま実際に製造に使用するディスク原盤となる。これは実際に使用するディスク原盤１０３上でのテスト露光に基づいたストラテジ調整であり、ディスク原盤自体の条件変化がない状態でストラテジ調整が行われるため、調整精度が高いものとなる。
そしてこのようなディスク原盤１０３を用いることで、最終製品として高品質な光ディスクを製造することができるとともに、全体の製造工程を著しく効率化できることになる。
【００５９】
［４．他の構成例及び動作］
ところで、以上のようなストラテジ調整は、オペレータが図５の手順に沿って各部を手動操作する必要がある。また、演算部６が生成したストラテジパターンに対して補正をかけるため、手違いにより記録に使用されたストラテジパターンとは異なるものに対して補正をかけてしまう場合が生じることが無いとはいえない。
更に、パラメータの分析結果を元にオペレータが考えた後、値の変更を行っていくとすると、オペレータのスキルにより結果が大きく変化してしまうということもある。
【００６０】
これらのことから、より一層の効率化や、適正なストラテジ調整のためには、図５の手順を自動化することが好ましい。
そこで図１３に示すように原盤製造装置１にシーケンス制御部５０を設ける。
シーケンス制御部５０は、記録波形発生部３，原盤記録再生部４，波形整形及びＡ／Ｄ部５、演算部６に、各動作の実行指示の制御を行う。これにより図５に示した一連の手順を自動的に実行させる。この場合オペレータは、シーケンス制御部５０にストラテジ調整の開始の指示を行えばよいことになる。
【００６１】
図１４にシーケンス制御部５０の処理を示す。
シーケンス制御部５０は、ストラテジ調整を開始する場合、まずステップＦ２０１で記録波形発生部３，原盤記録再生部４にテスト記録の実行を指示する。これにより図５のステップＦ１０１で説明した動作が実行される。
続いてシーケンス制御部５０は、テスト記録の終了に応じて、ステップＦ２０２で、原盤記録再生部４，波形整形及びＡ／Ｄ部５に、再生指示を行う。これにより図５のステップＦ１０２で説明した動作が実行される。
さらにシーケンス制御部５０は、ステップＦ２０３で、演算部６に再生データの検査を実行するように指示する。これにより図５に示したステップＦ１０３，Ｆ１０４の処理が行われる。ここでシーケンス制御部５０は、演算部６においてステップＦ１０４の結果を確認する。
上述のように、シーケンス制御部５０は、再生による２Ｔ〜９Ｔの各ピット長と位置ズレについての検出値が全てリファレンス範囲内になっていればストラテジＯＫとする。一方、１つでもリファレンス範囲外となっていれば、ストラテジパターンの補正値を算出し、ストラテジ補正を実行する。
シーケンス制御部５０は、演算部６においてストラテジＯＫとはならず、ストラテジパターン補正が行われた場合は、ステップＦ２０４からＦ２０１に戻り、再度テスト記録からの実行制御を行う。
なお、ストラテジパターン補正のための補正演算を、シーケンス制御部５０が行うようにしてもよい。
【００６２】
演算部６においてストラテジＯＫの結果が得られた場合は、それでストラテジ調整は完了となる。この場合シーケンス制御部５０はステップＦ２０４からＦ２０５に進み、現ストラテジパターンを、次回の初期のストラテジパターンとする指示を行う。
即ち記録波形発生部３が直前のテスト記録時に用いたストラテジパターン（つまりＯＫとなった最終的なストラテジパターン）の情報を演算部６に送るようにさせ、演算部６では、このストラテジパターンを、次回のストラテジ調整時の補正演算に用いる初期ストラテジパターンとする。
これにより、常に最終的に使用されたストラテジパターンを元にして補正演算を行うことが出来るようになる。つまり演算部６は、常に、前回に適切とされた記録駆動波形を基準として判定／補正処理を行うことになる。
【００６３】
以上のようにシーケンス制御部５０が各部に必要な動作を順次実行させるようにすることで、ライトストラテジの自動補正が可能となり、特にオペレータが各操作を手動で行うということを介さない為、人為的ミスによるトラブルが回避可能になる。
またオペレータのスキルに依存しないストラテジ補正が可能にもなる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態の原盤製造装置のブロック図である。
【図２】実施の形態の原盤記録再生部の構造の説明図である。
【図３】実施の形態のストラテジパターンの説明図である。
【図４】実施の形態のディスク原盤上の露光時の様子の説明図である。
【図５】実施の形態のストラテジパターン補正動作のフローチャートである。
【図６】実施の形態のテスト記録を行う領域の説明図である。
【図７】実施の形態のリファレンス範囲の説明図である。
【図８】実施の形態のテスト記録での特性の検出値の説明図である。
【図９】実施の形態の検出値とリファレンス範囲の比較及び補正の説明図である。
【図１０】実施の形態のストラテジパターン補正の例の説明図である。
【図１１】実施の形態のディスク製造工程の説明図である。
【図１２】実施の形態のＰＴＭ方式の説明図である。
【図１３】他の実施の形態の原盤製造装置のブロック図である。
【図１４】他の実施の形態のシーケンス制御部の処理のフローチャートである。
【符号の説明】
【００６５】
１  原盤製造装置、２  チャネル変換器、３  記録波形発生部、４  原盤記録再生部、５  波形整形及びＡ／Ｄ部、６  演算部、７  リファレンスデータメモリ、８  ストラテジパターン発生部、１０  ピックアップヘッド、１１  レーザ光源、２６  対物レンズ、４０  コントローラ、４１  レーザドライバ、４４  スピンドルモータ、４５  スライダ、４６  センサ、５０  シーケンス制御部、１０３  ディスク原盤
【図１】
2009064542.tif 000003
【図２】
2009064542.tif 000004
【図３】
2009064542.tif 000005
【図４】
2009064542.tif 000006
【図５】
2009064542.tif 000007
【図６】
2009064542.tif 000008
【図７】
2009064542.tif 000009
【図８】
2009064542.tif 000010
【図９】
2009064542.tif 000011
【図１０】
2009064542.tif 000012
【図１１】
2009064542.tif 000013
【図１２】
2009064542.tif 000014
【図１３】
2009064542.tif 000015
【図１４】
2009064542.tif 000016