(57)【要約】【課題】ウエーハを特定するための識別コードが裏面の研削によって消失することがなく、デバイス領域を制限することがないとともに、印字された識別コードを誤認識することなく読み取ることができるウエーハを提供する。【解決手段】円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハであって、ウエーハ基板の外周余剰領域の外周端部には表面から裏面にわたって断面形状が円弧面をなす面取り部が形成されており、面取り部にウエーハ基板の結晶方位を示すマークとして表面および裏面に直交する平坦面が形成され、平坦面にウエーハ基板を特定するための識別コードが印字されている。【選択図】図２
2009064801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハであって、
ウエーハ基板の該外周余剰領域の外周端部には表面から裏面にわたって断面形状が円弧面をなす面取り部が形成されており、該面取り部にウエーハ基板の結晶方位を示すマークとして表面および裏面に直交する平坦面が形成され、該平坦面にウエーハ基板を特定するための識別コードが印字されている、
ことを特徴とするウエーハ。
【請求項２】
該識別コードは、該平坦面におけるウエーハ基板の厚み方向中心から表面側に印字されている、請求項１記載のウエーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ基板の表面にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される半導体ウエーハ等のウエーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるウエーハ基板の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成することにより半導体ウエーハを構成する。このように構成された半導体ウエーハは、ストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを５０μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを５０μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
【０００４】
上述した問題を解消するために本出願人は、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法を提案した。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【０００５】
しかるに、ウエーハの外周にはウエーハの結晶方位を示すノッチが形成されており、ウエーハの裏面におけるデバイス領域と対応する領域を研削してウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成してもノッチ部が極めて薄くなり十分な強度を確保することが困難となる。
【０００６】
上述した問題を解消するために、本出願人はウエーハの外周面に形成される円弧面からなる面取り部を利用して、該面取り部にウエーハの結晶方位を示すマークとして表面および裏面に直交する平坦面を形成したウエーハを提案した。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００７−１８９０９３号公報
【０００７】
一方、ウエーハには製造過程でウエーハを特定するためのバーコート等からなる識別コードが印字される。この識別コードは、ウエーハの表面、裏面または外周面に印字される。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特開平１１−１３５３９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、識別コードをウエーハの裏面に印字した場合には、ウエーハを所定の厚みに形成するためにウエーハの裏面を研削すると、印字された識別コードは消失してしまうという問題がある。
また、識別コードをウエーハの表面に印字すると、デバイスを形成する領域が制限されるとともに、ウエーハを所定の厚みに形成するためにウエーハの裏面を研削する際に、ウエーハの表面にBGテープと呼ばれる保護テープを貼着すると、識別コードを認識することができないという問題がある。
また、ウエーハの外周面に識別コードを印字すると、ウエーハの外周面は円弧面からなる面取り部が形成されているので、識別コードの印字が難しいとともに、識別コードを読み取る際に誤認識する虞がある。
なお、ウエーハの外周に形成された結晶方位を示すオリエンテーションフラットに識別コードを印字すると、上述した問題は解消されるが、オリエンテーションフラットが向けられたウエーハはデバイスを形成する領域が減少するために、生産性の面で問題がある。特に、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成する場合には、オリエンテーションフラットに達しない範囲で環状の補強部を形成する必要があるため、デバイス領域が小さくなり形成できるデバイスが減少することになる。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハを特定するための識別コードが裏面の研削によって消失することがなく、デバイス領域を制限することがないとともに、印字された識別コードを誤認識することなく読み取ることができるウエーハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハであって、
ウエーハ基板の該外周余剰領域の外周端部には表面から裏面にわたって断面形状が円弧面をなす面取り部が形成されており、該面取り部にウエーハ基板の結晶方位を示すマークとして表面および裏面に直交する平坦面が形成され、該平坦面にウエーハ基板を特定するための識別コードが印字されている、
ことを特徴とするウエーハが提供される。
【００１１】
上記識別コードは、上記平坦面におけるウエーハ基板の厚み方向中心から表面側に印字されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるウエーハは、結晶方位認識マークとしての平坦面がウエーハ基板における外周余剰領域の外周端部に形成された面取り部に形成されるので、従来の結晶方位認識マークであるノッチやオリエンテーションフラットと比較して外周面からの切り込み量が極めて小さいため、デバイス領域を広くしても外周余剰領域の幅を十分に確保することができる。従って、デバイス領域を拡大できるので、デバイスの生産数を増大することができる。また、結晶方位認識マークとしての平坦面は、ウエーハ基板の表面および裏面に直交する面をなしているので、側方から入射する光線を的確に反射するため、確実に認識することができ結晶方位認識マークとして十分に機能を果たすことができる。更に、上記平坦面にウエーハ基板を特定するための識別コードが印字されるので、印字が容易であるとともに、印字された識別コードを読み取る際に誤認識することもない。また、ウエーハ基板を特定するための識別コードはウエーハ基板における外周余剰領域の外周端部に形成された面取り部に形成された結晶方位認識マークとしての平坦面に印字されているので、ウエーハ基板の裏面を研削しても消失することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に従って構成されたウエーハの好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明によって構成されたウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンからなるウエーハ基板２０の表面２ａに複数のストリート２１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス２２が形成されている。このように形成されるウエーハ基板２０は、複数のデバイス２２が形成されるデバイス領域２２０と、該デバイス領域２２０を囲繞する外周余剰領域２３０を備えている。また、ウエーハ基板２０の外周端部、即ち外周余剰領域２３０の外周端部には、不用意に受ける衝撃によって割れや欠けが発生することを防ぐために、図２の(a)に示すように表面２ａから裏面２bにわたって断面形状が円弧面をなす面取り部２３１が形成されている。この面取り部２３１には、図２の(b)に示すように所定個所にウエーハ基板２０の結晶方位を示す結晶方位認識マークとしての平坦面２３２が形成されている。
【００１４】
上記結晶方位認識マークとしての平坦面２３２は、ウエーハ基板２０における外周余剰領域２３０の外周端部に形成された面取り部２３１の範囲において形成され、ウエーハ基板２０の表面２０ａおよび裏面２ｂに直交して形成されている。この平坦面２３２は、例えばウエーハ基板２０の外径が２００mmの場合、最外周からの深さ(H)が０．５mmの位置においては長径（Ｄ）が約１０mmの楕円形となる。このように、結晶方位認識マークとしての平坦面２３２は、ウエーハ基板２０における外周余剰領域２３０の外周端部に形成された面取り部２３１の範囲において形成されるので、従来の結晶方位認識マークであるノッチやオリエンテーションフラットと比較して外周面からの切り込み量が極めて小さいため、デバイス領域２２２を広くしても外周余剰領域２３０の幅を十分に確保することができる。従って、デバイス領域２２２を拡大できるので、デバイスの生産数を増大することができる。また、結晶方位認識マークとしての平坦面２３２は、ウエーハ基板２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに直交する面をなしているので、側方から入射する光線を的確に反射するため、確実に認識することができ結晶方位認識マークとして十分に機能を果たすことができる。このように結晶方位認識マークとしての平坦面２３２が形成されたウエーハ基板２０の表面２０ａに上述した複数のデバイス２２が形成されるが、この際には格子状のストリート２１が平坦面２３２と平行または直交する方向となるように形成される。
【００１５】
ここで、上述したウエーハ基板２０の外周端部、即ち外周余剰領域２３０の外周端部に形成される結晶方位認識マークとしての平坦面２３２の形成方法の一実施形態について説明する。
ウエーハ基板２０は、シリコン等の半導体材料からなる円柱状のインゴットを輪切りにスライスして製造されるが、スライスをする前のインゴットの外周面における結晶方位に対応した結晶方位認識マークを形成すべき周方向の所定個所に、軸方向に沿って帯状に延びる平坦面を所定の幅（上述した例では、約１０mm）で形成する。次に、インゴットをスライスして円形状のウエーハ基板を形成した後、該ウエーハ基板の外周端部を面取り加工して断面形状が円弧面をなす面取り部２３１に形成する。この結果、円形状のウエーハ基板の外周面に形成された帯状の平坦面は、楕円形となる。
【００１６】
上述したように形成されたウエーハ基板２０の外周端部、即ち外周余剰領域２３０の外周端部に形成された結晶方位認識マークとしての平坦面２３２には、図２の(b)に示すようにウエーハ基板を特定するためのバーコート等からなる識別コード２４が従来周知の印字方法によって印字される。このように、識別コード２４は平坦面２３２に印字されるので、印字が容易であるとともに、印字された識別コード２４を読み取る際に誤認識することもない。また、識別コード２４は、図２の(b)に示すように上記平坦面２３２におけるウエーハ基板２０の厚み方向中心から表面２０a側に印字することが望ましい。
【００１７】
このようにしてウエーハ基板２０の外周端部、即ち外周余剰領域２３０の外周端部に形成された結晶方位認識マークとしての平坦面２３２にウエーハを特定するための識別コード２４を印字した後に、ウエーハ基板２０の表面２０ａに上述した複数のデバイス２２が形成される。
【００１８】
次に、上記のように構成された半導体ウエーハ２のウエーハ基板２０の裏面２０bに、デバイス領域２２０に対応する全ての領域を研削して所定の厚さに形成するとともに、外周余剰領域２３０に対応する領域に環状の補強部を形成する加工方法について説明する。
先ず、図３に示すように半導体ウエーハ２のウエーハ基板２０の表面２０ａに保護部材３を貼着する（保護部材貼着工程）。従って、半導体ウエーハ２はウエーハ基板２０の裏面２０bが露出する形態となる。
【００１９】
保護部材貼着工程を実施したならば、ウエーハ基板２０の裏面２０bにおけるデバイス領域２２０に対応する領域を研削してデバイス領域２２０の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハ基板２０の裏面２０bにおける外周余剰領域２３０に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する補強部形成工程を実施する。この補強部形成工程は、図４に示す研削装置によって実施する。
【００２０】
図４に示す研削装置４は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面にウエーハを吸引保持し図４において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に取り付けられている。
【００２１】
上述した研削装置４を用いて補強部形成工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブ４１上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２と研削ホイール４２４を構成する環状の研削砥石４２６の関係について、図５を参照して説明する。チャックテーブル４１の回転中心P1と環状の研削砥石４２６の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石４２６の外径は、半導体ウエーハ２を構成するウエーハ基板２０のデバイス領域２２０と余剰領域２３０との境界線２５０の直径より小さく境界線２５０の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石４２６がチャックテーブル４１の回転中心P1（半導体ウエーハ２の中心）を通過するようになっている。
【００２２】
次に、図４および図５に示すようにチャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削ホイール４２４を下方に移動して研削砥石４２６をウエーハ基板２０の上面（裏面）に接触させる。そして、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、ウエーハ基板２０の裏面には、図６に示すようにデバイス領域２２０に対応する領域が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μm）の円形状の凹部２２０bに形成されるとともに、外周余剰領域２３０に対応する領域が残存されて環状の補強部２３０bに形成される。
【００２３】
上述したように裏面外周部に環状の補強部２３０bが形成されたウエーハ基板２０においては、デバイス領域２２０に形成されたデバイス２２の全てが所定厚さ形成された円形状の凹部２２０bと対応した領域に存在することになる。従って、デバイス領域２２０に形成されたデバイス２２は環状の補強部２３０bと対応する位置に存在しないので、全てのデバイス２２を製品とすることができるため、歩留まりを向上することができる。このようにして補強部形成工程が実施された半導体ウエーハ２のウエーハ基板２０は、図７に示すように外周余剰領域２３０に対応する領域が環状の補強部２３０bとして残存しているので、外周余剰領域２３０の外周端部に形成された結晶方位認識マークとしての平坦面２３２に印字されている識別コード２４が消失することなく残存しているため、識別コード２４を確認することができる。
【００２４】
なお、上述した補強部形成工程をウエーハ基板２０の厚みが例えば７００μｍの状態から実施すると可なりの作業時間を要する。従って、ウエーハ基板２０の裏面２０aを全面研削して厚みを例えば半分の３５０μｍに形成した後に補強部形成工程を実施してもよい。この場合、図８に示すようにウエーハ基板２０の厚みは半分となり、外周余剰領域２３０の外周端部に形成された結晶方位認識マークとしての平坦面２３２は半分が研削されて除去されるが、上記図２の(b)に示すように識別コード２４が平坦面２３２におけるウエーハ基板２０の厚み方向中心から表面２０a側に印字されていれば識別コード２４は残存し確認することができる。
【００２５】
以上のようにして補強部形成工程が実施された半導体ウエーハ２は、環状の補強部２３０bが適宜の切断工程によって除去され、更にデバイス領域２２０に形成されたデバイス２２をストリート２１に沿って分割する分割工程に送られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明によって構成されたウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図
【図２】図１に示す半導体ウエーハの要部を拡大して示す断面図および側面図。
【図３】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。
【図４】図１に示す半導体ウエーハの裏面を研削するための研削装置の斜視図。
【図５】図４に示す研削装置によって実施する補強部形成工程の説明図。
【図６】図５に示す補強部形成工程が実施された半導体ウエーハの断面図。
【図７】図５に示す補強部形成工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図８】図１に示す半導体ウエーハの裏面を研削して厚みを半分に形成した後に図５に示す補強部形成工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【符号の説明】
【００２７】
２：半導体ウエーハ
２０：ウエーハ基板
２１：ストリート
２２：デバイス
２２０：デバイス領域
２３０：外周余剰領域
２３１：面取り部
２３２：結晶方位認識マークとしての平坦面
２２０b：円形状の凹部
２３０b：環状の補強部
２４：識別コード
３：保護部材
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２３：研削ホイール
４２５：研削砥石
【図１】
2009064801.tif 000003
【図２】
2009064801.tif 000004
【図３】
2009064801.tif 000005
【図４】
2009064801.tif 000006
【図５】
2009064801.tif 000007
【図６】
2009064801.tif 000008
【図７】
2009064801.tif 000009
【図８】
2009064801.tif 000010