(57)【要約】【課題】反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得ることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置１０は、第２電極１２の複数の線状部２６は、所定の電極幅と電極間隔とを有して配列されており、反射表示部Ｒにおける複数の線状部２６の電極間隔Ｗｒｓは透過表示部Ｔにおける複数の線状部２６の電極間隔Ｗｔｓより小さく設定されていると共に、反射表示部Ｒにおける複数の線状部２６の電極幅Ｗｒｅは透過表示部Ｔにおける複数の線状部２６の電極幅Ｗｔｅより小さく設定されており、反射表示部Ｒにおいて、（Ｗｒｓ−１．５μｍ）≦Ｗｒｅ≦（Ｗｒｓ−０．５μｍ）の関係を満たすと同時に、透過表示部Ｔにおいて、（Ｗｔｓ−１．５μｍ）≦Ｗｔｅ≦（Ｗｔｓ−０．５μｍ）の関係を満たす。【選択図】図３
2009237022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とによって液晶層が挟持され、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と、該第１電極との間で電界を生じさせる複数の線状部を有した第２電極と、が設けられ、一画素内には前記第１及び第２電極がそれぞれ設けられた反射表示部と透過表示部とが備えられ、前記反射表示部の前記液晶層の層厚は前記透過表示部の前記液晶層の層厚より薄く設定されており、前記第１基板と前記第２基板との外側には、互いに概ね直交した透過軸を有する第１偏光板と第２偏光板とが備えられ、前記第１偏光板と前記第２偏光板のいずれか一方が有する透過軸は前記液晶層の液晶配向方向に概ね平行に設定された液晶表示装置であって、
前記第２電極の前記複数の線状部は、所定の電極幅と電極間隔とを有して配列されており、前記反射表示部における前記複数の線状部の電極間隔Ｗｒｓは前記透過表示部における前記複数の線状部の電極間隔Ｗｔｓより小さく設定されていると共に、前記反射表示部における前記複数の線状部の電極幅Ｗｒｅは前記透過表示部における前記複数の線状部の電極幅Ｗｔｅより小さく設定されており、
前記反射表示部において、（Ｗｒｓ−１．５μｍ）≦Ｗｒｅ≦（Ｗｒｓ−０．５μｍ）の関係を満たすと同時に、
前記透過表示部において、（Ｗｔｓ−１．５μｍ）≦Ｗｔｅ≦（Ｗｔｓ−０．５μｍ）
の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
更に、（Ｗｒｓ−１．０μｍ）＝Ｗｒｅ、且つ、（Ｗｔｓ−１．０μｍ）＝Ｗｔｅ）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記第１基板の前記液晶層側の前記反射表示部に設けられた反射板と、
前記反射板に対向し、前記第２基板の前記液晶層側に設けられた位相差板と、
を更に含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記第１基板の前記液晶層側の前記反射表示部に設けられた反射板と、
前記第２基板の前記液晶層側に前記画素を覆うように設けられ、前記反射表示部と前記透過表示部とでその遅相軸方位が異なり、前記透過表示部における遅相軸が前記第１偏光板の透過軸と直交又は平行である位相差板と、
を更に含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液晶表示装置において、
前記反射表示部の前記液晶層のリタデーションは４分の１波長であり、前記位相差板のリタデーションは２分の１波長であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶層はホモジニアス配向で、前記反射表示部の前記位相差板の遅相軸方向が液晶配向方向となす角は、６５°〜７０°又は、−７０°〜−６５°であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶表示装置において、
前記液晶層はホモジニアス配向で、前記反射表示部の前記位相差板の遅相軸方向が液晶配向方向となす角は、２０°〜２５°又は、−２５°〜−２０°であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在の半透過反射型液晶表示装置は、ホモジニアス配向方式及び垂直配向方式が一般的である。しかしながら、この構成は複数の位相差板を使用するため、透過表示部のコントラスト低下や視野角の低下を招いてしまう。
【０００３】
そこで、広視野角の透過表示で知られるＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式を半透過反射型にすることで広視野角の半透過反射表示方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１は、反射表示部にのみ位相差板を設け、透過型同等の広視野角を維持しながら、高コントラストな反射表示を実現している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１で採用しているマルチギャップ方式（透過表示部の液晶層厚＞反射表示部の液晶層厚）では、反射表示部の液晶層厚が薄いため、透過表示部に比べ、電圧印加時に十分な液晶分子のツイストが得られず（効率の低下）、低反射率である。これは電極部上及び電極間上の中央部において特に顕著である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］第１基板と第２基板とによって液晶層が挟持され、前記第１基板の前記液晶層側には第１電極と、該第１電極との間で電界を生じさせる複数の線状部を有した第２電極と、が設けられ、一画素内には前記第１及び第２電極がそれぞれ設けられた反射表示部と透過表示部とが備えられ、前記反射表示部の前記液晶層の層厚は前記透過表示部の前記液晶層の層厚より薄く設定されており、前記第１基板と前記第２基板との外側には、互いに概ね直交した透過軸を有する第１偏光板と第２偏光板とが備えられ、前記第１偏光板と前記第２偏光板のいずれか一方が有する透過軸は前記液晶層の液晶配向方向に概ね平行に設定された液晶表示装置であって、前記第２電極の前記複数の線状部は、所定の電極幅と電極間隔とを有して配列されており、前記反射表示部における前記複数の線状部の電極間隔Ｗｒｓは前記透過表示部における前記複数の線状部の電極間隔Ｗｔｓより小さく設定されていると共に、前記反射表示部における前記複数の線状部の電極幅Ｗｒｅは前記透過表示部における前記複数の線状部の電極幅Ｗｔｅより小さく設定されており、前記反射表示部において、（Ｗｒｓ−１．５μｍ）≦Ｗｒｅ≦（Ｗｒｓ−０．５μｍ）の関係を満たすと同時に、前記透過表示部において、（Ｗｔｓ−１．５μｍ）≦Ｗｔｅ≦（Ｗｔｓ−０．５μｍ）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【０００８】
これによれば、反射表示部の第２電極の線状部の電極幅及び電極間隔を透過表示部のそれよりも狭く、且つ、透過表示部と反射表示部と共に、第２電極の線状部の電極幅が（電極間隔−１．５μｍ）〜（電極間隔−０．５μｍ）の範囲である関係を満たすことで、透過表示部及び反射表示部の両領域において十分な液晶分子のツイストが得られ、より明るい透過表示及び反射表示を得ることができる。従って、反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得ることができる液晶表示装置を提供する。
【０００９】
［適用例２］上記液晶表示装置であって、更に、（Ｗｒｓ−１．０μｍ）＝Ｗｒｅ、且つ、（Ｗｔｓ−１．０μｍ）＝Ｗｔｅ）の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置。
【００１０】
これによれば、更に、第２電極の線状部の電極幅が（電極間隔−１．０μｍ）とすることで、更に、明るい透過表示及び反射表示を得ることができる。
【００１１】
［適用例３］上記液晶表示装置であって、前記第１基板の前記液晶層側の前記反射表示部に設けられた反射板と、前記反射板に対向し、前記第２基板の前記液晶層側に設けられた位相差板と、を更に含むことを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
これによれば、反射表示においては、位相差板と液晶層により、入射光を広帯域の円偏光に変換することができる。従って、色づきの少ない反射黒表示が得られ、高コントラストな反射表示を実現できる。又、透過表示においては、反射表示とは異なる透過表示としての最適な光学設計が可能であり、高コントラスト、広視野角な透過表示を実現できる。
【００１３】
［適用例４］上記液晶表示装置であって、前記第１基板の前記液晶層側の前記反射表示部に設けられた反射板と、前記第２基板の前記液晶層側に前記画素を覆うように設けられ、前記反射表示部と前記透過表示部とでその遅相軸方位が異なり、前記透過表示部における遅相軸が前記第１偏光板の透過軸と直交又は平行である位相差板と、を更に含むことを特徴とする液晶表示装置。
【００１４】
これによれば、反射表示においては、反射表示部の位相差板と液晶層により、入射光を広帯域の円偏光に変換することができる。従って、色づきの少ない反射黒表示が得られ、高コントラストな反射表示を実現できる。又、透過表示においては、透過表示部の位相差板と反射表示部の位相差板とは異なる光学軸方向を有するものとなっているため、反射表示とは異なる透過表示としての最適な光学設計が可能であり、高コントラスト、広視野角な透過表示を実現できる。
【００１５】
［適用例５］上記液晶表示装置であって、前記反射表示部の前記液晶層のリタデーションは４分の１波長であり、前記位相差板のリタデーションは２分の１波長であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１６】
これによれば、反射表示部に入射した光を、より広帯域な円偏光に変換することができ、反射表示のさらなる高コントラスト化が実現できる。
【００１７】
［適用例６］上記液晶表示装置であって、前記液晶層はホモジニアス配向で、前記反射表示部の前記位相差板の遅相軸方向が液晶配向方向となす角は、６５°〜７０°又は、−７０°〜−６５°であることを特徴とする液晶表示装置。
【００１８】
これによれば、液晶層と位相差板との積層体を広帯域の４分の１波長板の配置にすることにより、可視波長域全域に渡って反射率が低減し、低反射率で無彩色の反射表示が得られる。
【００１９】
［適用例７］上記液晶表示装置であって、前記液晶層はホモジニアス配向で、前記反射表示部の前記位相差板の遅相軸方向が液晶配向方向となす角は、２０°〜２５°又は、−２５°〜−２０°であることを特徴とする液晶表示装置。
【００２０】
これによれば、液晶層と位相差板との積層体を広帯域の４分の１波長板の配置にすることにより、可視波長域全域に渡って反射率が低減し、低反射率で無彩色の反射表示が得られる。
【００２１】
［適用例８］上記に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【００２２】
これによれば、上記液晶表示装置を搭載しているので、優れた表示品質を有する電子機器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照し、液晶表示装置の実施形態について説明する。尚、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図である。
本実施形態の液晶表示装置１０は、同一基板の液晶層側に設けられた異なる電極間に生じた液晶駆動電界（横電界或いは斜め電界方式）を用いて、液晶層の液晶分子の配向を制御することにより画像表示を行うＦＦＳ方式を採用した液晶表示装置である。又、基板上にカラーフィルタ層を具備したカラー液晶表示装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を透過光又は反射光として出力する３個の画素で１個の色画素を構成するものとなっている。従って表示を構成する最小単位となる表示領域を「画素領域」と称する。
【００２５】
液晶表示装置１０は、マトリクス状に形成された複数の画素領域により画像表示領域を構成している。複数の画素領域には、それぞれ画素電極（第２電極）１２と、画素電極１２をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）１４（或いは、ＴＦＤ（Thin Film Diode））とが設けられており、データ線駆動回路１６から延びるデータ線１８がＴＦＴ１４のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１６は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線１８を介して各画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線１８同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２６】
又、ＴＦＴ１４のゲートには、走査線駆動回路２０から延びる走査線２２ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路２０から所定のタイミングで走査線２２ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ１４のゲートに印加されるようになっている。画素電極１２は、ＴＦＴ１４のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ１４が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１８から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１２に書き込まれるようになっている。
【００２７】
画素電極１２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１２と共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、共通電極と画素電極１２との間に設けられる液晶容量と並列に蓄積容量２４が付与されている。蓄積容量２４は、ＴＦＴ１４のドレインと容量線２２ｂとの間に設けられている。このように、データ線１８と走査線２２ａとの交差部の近傍にＴＦＴ１４が設けられている。
【００２８】
次に、図２及び図３を参照して液晶表示装置１０の詳細な構成について説明する。
図２は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の任意の１画素領域における平面構成図である。図３は、図２のIII−III線に沿う部分断面構成図である。
液晶表示装置１０の画素領域には、図２に示すように、線状部２６を複数有し、ｙ軸方向（データ線１８／信号を供給する配線の延在方向）に長手方向を有した画素電極１２と、画素電極１２と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の第１及び第２共通電極（第１電極）２８，３０とが設けられている。又、図示の画素領域は、反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとに区画されており、反射表示部Ｒには、画素領域内で部分的（選択的）に設けられた反射機能を持つ第１共通電極（反射板）２８と、第１共通電極２８と平面的に重なって配置された位相差板３２とが設けられている。第１共通電極２８が設けられている部分が反射表示部Ｒ、その他の部分が透過表示部Ｔである。透過表示部Ｔには、画素領域内で部分的（選択的）に形成された透過機能を持つ第２共通電極３０が設けられている。反射表示部Ｒの液晶層５２の層厚は透過表示部Ｔの液晶層５２の層厚より薄く設定されている。
【００２９】
第１共通電極２８は、アルミニウムや銀等の光反射性材料からなる金属膜や、屈折率の異なる誘電体膜（ＳｉＯ2とＴｉＯ2等）を積層した誘電体積層膜（誘電体ミラー）で形成されている。
【００３０】
第２共通電極３０は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の光透過性導電材料からなる導電膜で形成されている。
【００３１】
画素電極１２は、一画素内において透過表示部Ｔと反射表示部Ｒとに跨って設けられている。画素電極１２は、ｘ軸方向（走査線２２ａ／信号を供給する配線の延設方向）に対し反時計回りに５°の角度をもって延びる複数の線状部２６で構成されている。線状部２６は、所定の電極幅Ｗｒｅ（Ｗｔｅ）と電極間隔Ｗｒｓ（Ｗｔｓ）とを有して配列されている。画素電極１２は、ＩＴＯ等の光透過性導電材料からなる導電膜で形成されている。
【００３２】
反射表示部Ｒに設けられた線状部２６の電極間隔Ｗｒｓ（短辺／隣接する線状部２６の離間距離）は、透過表示部Ｔに設けられた線状部２６の電極間隔Ｗｔｓ（短辺／隣接する線状部２６の離間距離）より小さく設定されている。且つ、反射表示部Ｒに設けられた線状部２６の電極幅Ｗｒｅ（短辺距離）は、透過表示部Ｔに設けられた線状部２６の電極幅Ｗｔｅ（短辺距離）より小さく設定されている。且つ、反射表示部Ｒにおいて、線状部２６の電極幅Ｗｒｅが（Ｗｒｓ−１．５μｍ）〜（Ｗｒｓ−０．５μｍ）の関係を満たすと同時に、透過表示部Ｔにおいて、線状部２６の電極幅Ｗｔｅが（Ｗｔｓ−１．５μｍ）〜（Ｗｔｓ−０．５μｍ）の関係を満たしている。好ましくは、反射表示部Ｒに設けられた線状部２６の電極間隔Ｗｒｓは、透過表示部Ｔに設けられた線状部２６の電極間隔Ｗｔｓより小さく設定されている。且つ、反射表示部Ｒに設けられた線状部２６の電極幅Ｗｒｅは、透過表示部Ｔに設けられた線状部２６の電極幅Ｗｔｅより小さく設定されている。且つ、反射表示部Ｒにおいて、線状部２６の電極幅Ｗｒｅが（Ｗｒｓ−１．０μｍ）の関係を満たすと同時に、透過表示部Ｔにおいて、線状部２６の電極幅Ｗｔｅが（Ｗｔｓ−１．０μｍ）の関係を満たしている。
【００３３】
画素領域には、ｙ軸方向に延びるデータ線１８と、ｘ軸方向に延びる走査線２２ａと、走査線２２ａに隣接して走査線２２ａと平行に延びる容量線２２ｂとが設けられている。データ線１８と走査線２２ａとの交差部の近傍には、ＴＦＴ１４が設けられている。ＴＦＴ１４は、走査線２２ａの平面領域内に部分的に設けられたアモルファスシリコンからなる半導体層３４、半導体層３４と一部平面的に重なって設けられたソース電極３６、及びドレイン電極３８を備えている。走査線２２ａは、半導体層３４と平面的に重なる位置でＴＦＴ１４のゲート電極として機能する。画素電極１２とＴＦＴ１４とは、コンタクトホール４０で結合されている。ＴＦＴ１４とデータ線１８と走査線２２ａとを覆うようにブラックマトリクス層４２が設けられている。ブラックマトリクス層４２に縁取られカラーフィルタ層４４が画素領域毎に配置されている。
【００３４】
液晶表示装置１０は、図３に示すように、互いに対向して配置されたアレイ基板（第１基板）４８と対向基板（第２基板）５０との間に液晶層５２を挟持した構成を備えている。液晶層５２は、アレイ基板４８と対向基板５０との間の対向する領域であって、両基板４８，５０の縁端に沿って設けられたシール材（図示省略）によって両基板４８，５０間に封止されている。液晶層５２の液晶分子４６（図２参照）は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物である。液晶分子４６は、ｘ軸と平行、反平行にアンチパラレルラビング処理され、液晶配向はホモジニアス配向となっている。アレイ基板４８の液晶層５２とは、反対側（背面側／図示下面側）に、バックライト（照明装置）（図示省略）が設けられている。
【００３５】
アレイ基板４８は、ガラス、石英、或いはプラスチック等からなる基板本体４８ａを基体としてなり、基板本体４８ａの液晶層５２側には、走査線２２ａ及び容量線２２ｂ（図２参照）が設けられており、走査線２２ａ及び容量線２２ｂを覆ってゲート絶縁膜５４が設けられている。
【００３６】
ゲート絶縁膜５４の液晶層５２側には、半導体層３４（図２参照）が設けられており、半導体層３４に一部乗り上げるようにしてソース電極３６（図２参照）と、ドレイン電極３８（図２参照）とが設けられている。半導体層３４は、ゲート絶縁膜５４を介して走査線２２ａに対向配置されており、当該対向領域で走査線２２ａがＴＦＴ１４（図２参照）のゲート電極を構成するようになっている。
【００３７】
半導体層３４、ソース電極３６、及びドレイン電極３８を覆って、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜５６が設けられており、第１層間絶縁膜５６の液晶層５２側には、アクリル等からなる平坦化層５８が設けられている。
【００３８】
平坦化層５８の液晶層５２側の反射表示部Ｒに第１共通電極２８が設けられている。第１共通電極２８は、アレイ基板４８の液晶層５２側で、画素領域毎の反射表示部Ｒに設けられている。
【００３９】
平坦化層５８の液晶層５２側の透過表示部Ｔに第２共通電極３０が設けられている。第２共通電極３０は、アレイ基板４８の液晶層５２側で、画素領域毎の透過表示部Ｔに設けられている。
【００４０】
図２に示すように、画素領域のＴＦＴ１４と反対側に寄せられた平面領域に第１共通電極２８が設けられており、第１共通電極２８の形成領域に対応して同平面領域（平面視した際に重なる領域）に反射表示部Ｒが構成されている。このように、第１共通電極２８は、画素領域内において画素領域の長辺を二分したＴＦＴ１４側に平面的に配置されており、ＴＦＴ１４が配置される画素領域の短辺側の端部に配置されている。従って、画素領域の平面領域のうち、第１共通電極２８が平面的に重なる平面領域が画素領域の反射表示部Ｒであり、残る領域が透過表示部Ｔである。尚、第１共通電極２８としては、その表面に凹凸形状を形成して光散乱性を付与したものを用いることが好ましく、このような構成とすることで反射表示における視認性を向上させることができる。
【００４１】
図３に戻り、共通電極２８，３０を覆って酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜６０が設けられている。
【００４２】
第２層間絶縁膜６０の液晶層５２側に画素電極１２が設けられている。画素電極１２の線状部２６は、所定の電極幅と電極間隔とを有して配列されており、反射表示部Ｒに設けられた電極間隔Ｗｒｓ及び電極幅Ｗｒｅと、透過表示部Ｔに設けられた電極間隔Ｗｔｓ及び電極幅Ｗｔｅとは、Ｗｒｓ＜Ｗｔｓ、且つ、Ｗｒｅ＜Ｗｔｅ、且つ、（Ｗｒｓ−１．５μｍ）≦Ｗｒｅ≦（Ｗｒｓ−０．５μｍ）、且つ、（Ｗｔｓ−１．５μｍ）≦Ｗｔｅ≦（Ｗｔｓ−０．５μｍ）の関係を満たしており、好ましくは、Ｗｒｓ＜Ｗｔｓ、且つ、Ｗｒｅ＜Ｗｔｅ、且つ、（Ｗｒｓ−１．０μｍ）＝Ｗｒｅ、且つ、（Ｗｔｓ−１．０μｍ）＝Ｗｔｅの関係を満たしている。具体的には、本実施形態の液晶表示装置１０では、透過表示部Ｔの画素電極１２の電極幅Ｗｔｅは３．５μｍ、電極間隔Ｗｔｓは４．５μｍ、反射表示部Ｒの画素電極１２の電極幅Ｗｒｅは２．５μｍ、電極間隔Ｗｒｓは３．５μｍとする。画素電極１２は、アレイ基板４８の液晶層５２側に設けられ、共通電極２８，３０と平面的に重なって配置されている。つまり、画素電極１２は、共通電極２８，３０と平面的に重なる領域に設けられると共に絶縁膜を介して配置された構成となっている。アレイ基板４８にのみ電極構造が形成されている。そして、上記構成の画素電極１２と共通電極２８，３０との間に電圧を印加すると、主に画素電極１２の線状部２６を介して画素電極１２と共通電極２８，３０との間に、ｙ軸方向に対し反時計回りに５°の角度をもつ平面（アレイ基板４８面に対して概略平行）方向の液晶駆動電界が形成されるようになっている。アレイ基板４８にのみ電極構造が設けられている。
【００４３】
画素電極１２及び第２層間絶縁膜６０を覆ってポリイミドやシリコン酸化物等からなる水平配向膜６４が設けられている。水平配向膜６４は、液晶層５２と接するように設けられている。水平配向膜６４はスパッタ等で成膜される。
【００４４】
一方、対向基板５０は、ガラス、石英、或いはプラスチック等からなる基板本体５０ａを基体としてなり、基板本体５０ａの液晶層５２側には、カラーフィルタ層４４が設けられている。カラーフィルタ層４４は、互いに色の異なる複数種類の着色層を有しており、これら色種の異なるカラーフィルタ層４４の間には、黒色樹脂等からなるブラックマトリクス層４２（図２参照）が配置されている。
【００４５】
カラーフィルタ層４４は、各画素の表示色に対応する色材層を主体としてなるものであるが、当該画素領域内で色度の異なる２以上の領域に区画されていてもよい。例えば、透過表示部Ｔの平面領域に対応して設けられた第１色材領域と、反射表示部Ｒの平面領域に対応して設けられた第２色材領域とに個別に設けられた構成が採用できる。この場合に、第１色材領域の色度を第２色材領域の色度より大きくすることで、表示光がカラーフィルタ層４４を１回のみ透過する透過表示部Ｔと、２回透過する反射表示部Ｒとで表示光の色度が異なってしまうのを防止し、透過表示と反射表示の見映えを揃えることができる。
【００４６】
カラーフィルタ層４４の液晶層５２側には、平坦化層６６が設けられている。平坦化層６６は、対向基板５０の液晶層５２側にカラーフィルタ層４４とブラックマトリクス層４２との段差を平坦化するために設けられている。これにより、液晶層５２の厚さを均一化し、画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止する。平坦化層６６は、位相差板３２の下地層としても機能している。
【００４７】
平坦化層６６の液晶層５２側の反射表示部Ｒには、位相差板３２が設けられている。位相差板３２は、対向基板５０の液晶層５２側の第１共通電極２８に対向する反射表示部Ｒに設けられている。位相差板３２は、本実施形態の場合、その光学軸方向（遅相軸方向）に平行な振動方向を有する光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものであり、基板本体５０ａの液晶層５２側に設けられたいわゆる内面位相差板である。位相差板３２は、高分子液晶の溶液や液晶性モノマーの溶液を配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成することができる。位相差板３２は、例えば光官能基を持った液晶を所定の方向に配向させた後、光固定化させることで形成される。ここでは、位相差が２８０ｎｍ、遅相軸がｘ軸方向に対して６７．５°の角度をなしている。
【００４８】
本実施形態の液晶表示装置１０は、図２に示す１画素領域内のうち、画素電極１２を内包する平面領域と、第２共通電極３０が設けられた平面領域と、が平面的に重なった領域が、バックライトから入射して液晶層５２を透過する光を変調して表示を行う透過表示部Ｔである。又、画素電極１２を内包する平面領域と、第１共通電極２８が設けられた平面領域と、が平面的に重なった領域が、対向基板５０の外側から入射して液晶層５２を透過する光を反射、変調して表示を行う反射表示部Ｒである。反射表示部Ｒに対応する領域には、反射表示部Ｒにおける液晶層５２の厚さを透過表示部Ｔにおける液晶層５２の厚さよりも薄くするための位相差板３２が選択的に設けられている。半透過反射型の液晶表示装置では、反射表示部Ｒへの入射光は液晶層５２を２回透過するが、透過表示部Ｔへの入射光は液晶層５２を１回しか透過しない。これにより、反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとの間で液晶層５２のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで反射表示部Ｒには、画素領域内で部分的（選択的）に設けられた第１共通電極２８と、第１共通電極２８と平面的に重なって配置された位相差板３２を設けることにより、液晶層５２の厚さ（セルギャップ）を反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとで異ならされた、いわゆるマルチギャップ構造を備えた液晶表示装置となっている。
【００４９】
具体的には、本実施形態の液晶表示装置１０では、透過表示部Ｔにおけるセルギャップを３．４μｍ（Δｎｄ＝０．３４）、反射表示部Ｒにおけるセルギャップは、反射表示部Ｒに位相差板３２を設け、１．４μｍ（Δｎｄ＝０．１４）（位相差板３２の膜厚が２．０μｍ）となるように構成している。言い換えると、反射表示部Ｒにおける液晶層５２の層厚を透過表示部Ｔにおける液晶層５２の層厚の半分程度に設定されて、反射表示部Ｒ及び透過表示部Ｔにおける液晶層５２のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示部Ｒ及び透過表示部Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができる。
【００５０】
平坦化層６６と位相差板３２とを覆って、ポリイミドやシリコン酸化物等からなる水平配向膜（第２接触膜）６８が設けられている。水平配向膜６８は、液晶層５２と接するように設けられている。水平配向膜６８はスパッタ等で成膜される。水平配向膜６４，６８は、液晶配向がホモジニアス配向になるようにｘ軸と平行、反平行にアンチパラレルラビング処理されている。
【００５１】
基板本体４８ａ，５０ａの外面側には、それぞれ第１及び第２偏光板７０，７２が設けられている。第１偏光板７０の透過軸と第２偏光板７２の透過軸とは直交している。
【００５２】
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１０の透過表示部Ｔに着目する。
図４は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の各光学軸の配置を示す図である。ホモジニアス配向の液晶層５２と、第１偏光板７０と、第２偏光板７２とから構成されている。液晶配向方向７４を基板法線方向から観察すると図４（Ａ）のようになる。同図は、アレイ基板４８と対向基板５０とを組み立てた後に、アレイ基板４８側の法線方向から観察した透過表示部Ｔの上面図である。符号７６がデータ線１８の方位を示すように、図２に対して平行に描かれている。液晶分子４６はｘ軸と平行、反平行にアンチパラレルラビング処理されている。第１偏光板７０の透過軸７０ａと第２偏光板７２の透過軸７２ａとは直交して、且つ、透過軸７０ａは液晶配向方向７４に平行である。これは透過型ＩＰＳ（In Plane Switching）方式と同様の構成であるので、透過表示については、透過型ＩＰＳ方式と同様にモニタ用途にも耐える広視野角が得られる。
【００５３】
次に、反射表示部Ｒに着目すると、ホモジニアス配向の液晶層５２と、位相差板３２と、第２偏光板７２と、から構成されている。位相差板３２の遅相軸３２ａ、液晶配向方向７４、及び第２偏光板７２の透過軸７２ａの相互関係を図４（Ｂ）に示す。画素電極１２の線状部２６が走査線２２ａに対して５°の傾きを持っているため、電界の主方向７８は、データ線１８に対して５°の傾きを持っている。方位角を反時計回りに定義すると、液晶配向方向７４は、電界方向に対して−９５°をなしている。これにより、電圧印加時の配向変化を安定化すると共に、配向変化が生じるしきい値電圧を低減する効果が得られる。位相差板３２の遅相軸３２ａと第２偏光板７２の透過軸７２ａとは、液晶配向方向７４に対してそれぞれ６７．５°と９０°とをなしている。
【００５４】
これに加えて、反射表示部Ｒの位相差板３２の遅相軸３２ａ方向が液晶配向方向７４となす角は、６５°〜７０°又は、−７０°〜−６５°である（図５（Ａ）参照）。又は、２０°〜２５°又は、−２５°〜−２０°である（図５（Ｂ）参照）。反射表示部Ｒの液晶層５２と位相差板３２とのリタデーションは、それぞれ４分の１波長と２分の１波長としたため、反射表示部Ｒにおいて、液晶層５２と位相差板３２と第２偏光板７２との積層体は、広帯域の円偏光板になる。電圧無印加時には可視波長の略全域において、入射光は、円偏光又はこれに近い偏光状態になって第１共通電極２８に入射する。反射後に再び第２偏光板７２に入射する際には、それら振動方向が、第２偏光板７２の吸収軸に対して平行な直線偏光になるため、無彩色の暗表示が得られる。液晶配向方向７４は、図４に示す方向に限定されるものではないが、画素電極１２と共通電極２８，３０との間に生じる電界の主方向７８と交差する方向（一致しない方向）とする。本実施形態では、電界の主方向７８は、ｘ軸に対して５°の角度をなしている。又、位相差板３２は、その遅相軸３２ａが第２偏光板７２の透過軸７２ａと６７．５°の角度をなす向きに配置されている。こうすることで、反射表示部Ｒにおいては、必要な位相差を付与することで、高コントラスト、広視野角な表示が実現できる。
【００５５】
尚、図４では、水平配向膜６４，６８近傍の液晶層５２における液晶の初期配向方向を便宜的に液晶配向方向としているが、水平配向膜６４，６８としては、ラビング処理によって初期的に液晶分子の配向する方向を規定するものに限らず、例えば、光配向或いは斜方蒸着法によって初期的な液晶分子の配向方向が規定された配向膜であっても構わないものである。
【００５６】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２の電極間隔Ｗｓと電極幅Ｗｅとの差に対する電極幅Ｗｅと電極間隔Ｗｓとの位置と透過率との関係を示すグラフである。図６に示す線１２ａｔは、「Ｗｅ＞（Ｗｓ−１μｍ）」の場合の電極幅Ｗｅ及び電極間隔Ｗｓの位置と透過率との関係を示している。画素電極１２ａの電極間隔Ｗｓは３μｍ、電極幅Ｗｅは４μｍである。線１２ａｔでは、電極幅Ｗｅ上の透過率低下が大きくなっている。これは全体的な透過率低下につながる。
【００５７】
線１２ｂｔは、「Ｗｅ＜（Ｗｓ−１μｍ）」の場合の電極幅Ｗｅ及び電極間隔Ｗｓの位置と透過率との関係を示している。画素電極１２ｂの電極間隔Ｗｓは５μｍ、電極幅Ｗｅは２μｍである。線１２ｂｔでは、電極間隔Ｗｓ上の透過率低下が大きくなっている。これは全体的な透過率低下につながる。
【００５８】
線１２ｃｔは、「Ｗｅ＝（Ｗｓ−１μｍ）」の場合の電極幅Ｗｅ及び電極間隔Ｗｓの位置と透過率との関係を示している。画素電極１２ｃの電極間隔Ｗｓは４μｍ、電極幅Ｗｅは３μｍである。線１２ｃｔでは、電極幅Ｗｅ上の透過率及び電極間隔Ｗｓ上の透過率の落ち込みが大きくならない。
【００５９】
つまり、線１２ａｔ及び線１２ｂｔに示すように、ＦＦＳ方式では、白表示時ＴＮ方式に比べ透過率が低下してしまうが、これは電極幅Ｗｅ上及び電極間隔Ｗｓ上の中央部において特に顕著である。しかしながら、線１２ｃｔに示すように、Ｗｅ＝（Ｗｓ−１μｍ）とすることで、電極幅Ｗｅ上の透過率及び電極間隔Ｗｓ上の透過率の落ち込みが大きくならない。
【００６０】
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２の電極間隔Ｗｓと電極幅Ｗｅとの差とピーク透過率との関係を示すグラフである。図７に示すように、画素電極１２の電極幅Ｗｅが「Ｗｓ−１μｍ」の場合、ピーク透過率が最も高くなる。又、その値の±０．５μｍの範囲８０で、その値の９９．５％以上の透過率を確保できる。言い換えると、画素電極１２の電極幅Ｗｅが（Ｗｓ−１．５μｍ）〜（Ｗｓ−０．５μｍ）の範囲で、その値の９９．５％以上の透過率が確保できる。
【００６１】
図８は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２の電極間隔Ｗｓと電極幅Ｗｅとの差と輝度ばらつきとの関係を示すグラフである。図８に示すように、画素電極１２の電極幅Ｗｅが「Ｗｓ−１μｍ」の場合、最も輝度ばらつきが小さくなる。又、その値の±０．５μｍの範囲８２で、その値の９９．５％以上の輝度ばらつきを確保できる。言い換えると、画素電極１２の電極幅Ｗｅが（Ｗｓ−１．５μｍ）〜（Ｗｓ−０．５μｍ）の範囲で、その値の９９．５％以上の輝度ばらつきが確保できる。
【００６２】
図９は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２の電極間隔Ｗｓと電極幅Ｗｅとの差に対する表示領域の透過率と両電極への印加電圧との関係を示すグラフである。図９に示す線１１０は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが３．５μｍ、電極幅Ｗｅが４．５μｍの状態に対する透過率と印加電圧との関係を示している。線１１２は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが４μｍ、電極幅Ｗｅが４μｍの状態に対する透過率と印加電圧との関係を示している。線１１４は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが４．５μｍ、電極幅Ｗｅが３．５μｍの状態に対する透過率と印加電圧との関係を示している。線１１６は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが５μｍ、電極幅Ｗｅが３μｍの状態に対する透過率と印加電圧との関係を示している。線１１８は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが５．５μｍ、電極幅Ｗｅが２．５μｍの状態に対する透過率と印加電圧との関係を示している。図９に示すように、線１１４の場合、最も反射率が大きくなっている。
【００６３】
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２の電極間隔Ｗｓと電極幅Ｗｅとの差に対する表示領域の反射率と、両電極への印加電圧との関係を示すグラフである。図１０に示す線１２０は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが２μｍ、電極幅Ｗｅが４μｍの状態に対する反射率と印加電圧との関係を示している。線１２２は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが２．５μｍ、電極幅Ｗｅが３．５μｍの状態に対する反射率と印加電圧との関係を示している。線１２４は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが３μｍ、電極幅Ｗｅが３μｍの状態に対する反射率と印加電圧との関係を示している。線１２６は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが３．５μｍ、電極幅Ｗｅが２．５μｍの状態に対する反射率と印加電圧との関係を示している。線１２８は、画素電極１２の電極間隔Ｗｓが４μｍ、電極幅Ｗｅが２μｍの状態に対する反射率と印加電圧との関係を示している。図１０に示すように、反射表示の場合は、線１２６のとき、最も反射率が大きくなっている。言い換えると、画素電極１２の電極幅Ｗｅが（Ｗｓ−１μｍ）の場合、最も透過率及び反射率が大きいことを示している。
【００６４】
本実施形態によれば、反射表示部Ｒの電極幅Ｗｅ及び電極間隔Ｗｓを透過表示部Ｔのそれよりも狭く、且つ、透過表示部Ｔと反射表示部Ｒと共に、画素電極１２の電極幅Ｗｅが（Ｗｓ−１．５μｍ）〜（Ｗｓ−０．５μｍ）の範囲である関係を満たすことで、透過表示部Ｔ及び反射表示部Ｒの両領域において十分な液晶分子４６のツイストが得られ、より明るい透過表示及び反射表示が得られる。更に、画素電極１２の電極幅Ｗｅが（Ｗｓ−１μｍ）とすることで、更に、明るい透過表示及び反射表示が得られる。又、電極幅Ｗｅ及び電極間隔Ｗｓのばらつきを抑えることができる。更に、白表示時の透過率の低下も抑えることができる。
【００６５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について図面を参照して説明する。
図１１は、本実施形態に係る液晶表示装置９０を示す模式断面図であり、液晶表示装置９０を、ある画素において列方向に沿って切断したときの様子を示している。尚、本実施形態の液晶表示装置９０は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の半透過反射型の液晶表示装置であり、その特徴とするところは、位相差板３２の形成位置にある。従って本実施形態の液晶表示装置９０の基本構成は、第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６６】
本実施形態の液晶表示装置９０は、図１１に示すように、互いに対向して配置されたアレイ基板４８と対向基板５０との間に液晶層５２を挟持した構成を備えている。
【００６７】
対向基板５０は、基板本体５０ａを基体としてなり、基板本体５０ａの液晶層５２側には、カラーフィルタ層４４とブラックマトリクス層４２（図２参照）とが設けられており、カラーフィルタ層４４とブラックマトリクス層４２との液晶層５２側には、平坦化層６６を介して透過表示部Ｔと反射表示部Ｒとの双方に跨る位相差板３２，３２ｂが設けられている。位相差板３２，３２ｂは、本実施形態の場合、その光学軸方向（遅相軸方向）に平行な振動方向を有する光に対して略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものであり、基板本体５０ａの内面側に設けられたいわゆる内面位相差板である。位相差板３２は、反射表示部Ｒに設けられた位相差板３２と、透過表示部Ｔに配置された位相差板３２ｂとを有する。位相差板３２の光学軸方向と位相差板３２ｂの光学軸方向とは互いに異なっており、対向基板５０側から入射した光に対してそれぞれ異なる光学的機能を有するものとなっている。尚、位相差板３２ｂの位相差板３２と反対側の端部は、ブラックマトリクス層４２（図２参照）と平面的に重なって配置されている。
【００６８】
位相差板３２，３２ｂは、高分子液晶の溶液や液晶性モノマーの溶液を配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成することができる。具体的には、透過表示部Ｔと反射表示部Ｒとに図示略の配向膜を形成し、マスクラビングや光配向等の方法により、透過表示部Ｔと反射表示部Ｒとにそれぞれ異なる配向方向を付与する（配向分割）。そして、この配向膜上に機能性樹脂層の形成材料として重合性液晶材料である液晶性モノマーを配置し、配向状態（液晶相状態）で紫外線を照射して重合する。以上により、反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとに対して、それぞれ光学特性の異なる機能性樹脂層が形成される。この方法によれば、液晶の配向方向が反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとで異なるため、この上に形成される位相差板３２と位相差板３２ｂとの光学軸方向も互いに異なるものとなる。又、位相差板３２，３２ｂ自体は、透過表示部Ｔと反射表示部Ｒとの双方に一様に形成されるので、これらを別々に形成する場合に比べて製造が容易である。尚、位相差板３２及び位相差板３２ｂが透過光に対して付与する位相差は、その構成材料である液晶性モノマーの種類や、位相差板３２，３２ｂの層厚によって調整することができる。
【００６９】
位相差板３２上の反射表示部Ｒに対応する領域には、反射表示部Ｒにおける液晶層５２の厚さを透過表示部Ｔにおける液晶層５２の厚さよりも薄くするための液晶層厚調整層９２が選択的に設けられている。半透過反射型の液晶表示装置９０では、反射表示部Ｒへの入射光は液晶層５２を２回透過するが、透過表示部Ｔへの入射光は液晶層５２を１回しか透過しない。これにより、反射表示部Ｒと透過表示部Ｔとの間で液晶層５２のリタデーションが異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。そこで液晶層厚調整層９２を設けることにより、マルチギャップ構造が実現されている。具体的には、反射表示部Ｒにおける液晶層５２の層厚が透過表示部Ｔにおける液晶層５２の層厚の半分程度に設定されて、反射表示部Ｒ及び透過表示部Ｔにおける液晶層５２のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示部Ｒ及び透過表示部Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
【００７０】
液晶層厚調整層９２及び位相差板３２ｂを覆って、ポリイミドやシリコン酸化物等からなる水平配向膜６８が設けられている。
【００７１】
（電子機器）
図１２は、本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１２に示す携帯電話１００は、上記実施形態の液晶表示装置を小サイズの表示部１０２として備え、複数の操作ボタン１０４、受話口１０６、及び送話口１０８を備えて構成されている。
上記実施形態に係る液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、及びタッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示及び反射表示が可能である。
【００７２】
以上、添付図面を参照しながら実施形態について説明したが、本実施形態は、係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では、画素電極１２の線状部２６の電極間隔をスリットの構成としたが、電極の構成はこれに限定されず、画素電極１２は櫛歯状電極を備える構成とすることができる。
【００７３】
又、上記実施形態では、共通電極２８，３０が平面略ベタ状の電極であり、画素電極１２が複数の線状部２６を備える構成としたが、電極の構成はこれに限定されず、画素電極１２及び共通電極２８，３０が、それぞれ複数本の帯状電極を備える構成とすることができる。即ち、画素電極１２及び共通電極２８，３０が、同層で平面的に隣接して対向する構成の電界発生（横電界）方式を採用することができる。例えば、共通電極及び画素電極のいずれも平面視略櫛歯状の電極とし、それらの櫛歯部分を構成する帯状電極が、互いに噛み合うように配置されている電極構造とすることができる。このように電極の構成を変えても、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００７４】
又、本実施形態では、バックライト光が入射される側の基板をアレイ基板４８とし、反射光が入射される側の基板（第１共通電極２８が設けられた基板に対向する基板）を対向基板５０とし、第１共通電極２８をアレイ基板４８側に配置し、位相差板を対向基板５０側に配置した。しかし、バックライト光が入射される側の基板を対向基板５０とし、反射光が入射される側の基板をアレイ基板４８とし、第１共通電極２８を対向基板５０側に配置し、位相差板をアレイ基板側に配置しても同様な特性が得られる。
【００７５】
又、上記実施形態では、画素電極１２を上側の電極、共通電極２８，３０を下側の電極の構成としたが、電極の構成はこれに限定されず、下側の電極を画素電極１２、上側の電極を共通電極２８，３０の構成にしても同様な特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示装置を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶表示装置の任意の１画素領域における平面構成図。
【図３】図２のIII−III線に沿う部分断面構成図。
【図４】第１の実施形態に係る液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図。
【図５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の位相差板の遅相軸と液晶配向方向との配置を示す図。
【図６】第１の実施形態に係る液晶表示装置のセルギャップ差とコントラストとの関係を示すグラフ。
【図７】本実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の電極間隔と電極幅との差とピーク透過率との関係を示すグラフ。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の電極間隔と電極幅との差と輝度ばらつきとの関係を示すグラフ。
【図９】本実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の電極間隔と電極幅との差に対する表示領域の透過率と両電極への印加電圧との関係を示すグラフ。
【図１０】本実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の電極間隔と電極幅との差に対する表示領域の反射率と両電極への印加電圧との関係を示すグラフ。
【図１１】第２の実施形態に係る液晶表示装置を示す模式断面図。
【図１２】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…液晶表示装置  １２…画素電極（第２電極）  １４…ＴＦＴ  １６…データ線駆動回路  １８…データ線  ２０…走査線駆動回路  ２２ａ…走査線  ２２ｂ…容量線  ２４…蓄積容量  ２６…線状部  ２８…第１共通電極（第１電極）（反射板）  ３０…第２共通電極（第１電極）  ３２…位相差板  ３２ａ…遅相軸  ３２ｂ…位相差板  ３４…半導体層  ３６…ソース電極  ３８…ドレイン電極  ４０…コンタクトホール  ４２…ブラックマトリクス層  ４４…カラーフィルタ層  ４６…液晶分子  ４８…アレイ基板（第１基板）  ４８ａ…基板本体  ５０…対向基板（第２基板）  ５０ａ…基板本体  ５２…液晶層  ５４…ゲート絶縁膜  ５６…第１層間絶縁膜  ５８…平坦化層  ６０…第２層間絶縁膜  ６４…水平配向膜  ６６…平坦化層  ６８…水平配向膜  ７０…第１偏光板  ７０ａ…透過軸  ７２…第２偏光板  ７２ａ…透過軸  ７４…液晶配向方向  ７８…電界の主方向  ８０，８２…範囲  ９０…液晶表示装置  ９２…液晶層厚調整層  １００…携帯電話  １０２…表示部  １０４…操作ボタン  １０６…受話口  １０８…送話口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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