(57)【要約】【課題】外部端子と容易に接続できるとともに、インピーダンスを安定させることができ、かつ、接続信頼性に優れ、第１導体層および第２導体層の設計の自由度が向上された配線回路基板を提供すること。【解決手段】配線形成部１０と端子形成部１２と中間部１１とを備える回路付サスペンション基板１において、配線形成部１０では、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂを厚み方向において重複するように形成し、端子形成部１２では、第２配線８Ｂおよび第２外部側端子部９Ｂを同一平面上に並行状に形成し、中間部１１において、第２ベース絶縁層５を、第１ベース絶縁層３の上に、第１配線８Ａを被覆し、配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４まで形成するとともに、第２配線８Ｂを、配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４までの第２ベース絶縁層５の上、および、その途中２４から端子形成部１２までの第１ベース絶縁層３の上に、形成する。【選択図】図３
2009129490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線形成部と、端子形成部と、前記配線形成部および前記端子形成部の間に連続して形成される中間部とを備え、
前記配線形成部において、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成される第１導体層と、
前記第１絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆するように形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に、前記第１導体層と厚み方向において重複するように形成される第２導体層とを備え、
前記端子形成部において、
同一平面上に並行状に形成される前記第１導体層および前記第２導体層を備え、
前記中間部において、
前記第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成される前記第１導体層と、
前記第１絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆し、前記配線形成部から前記端子形成部に向かう途中まで形成される前記第２絶縁層と、
前記配線形成部から前記途中までの前記第２絶縁層の上に形成され、前記途中から前記端子形成部までの前記第１絶縁層の上に形成される前記第２導体層とを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記中間部における前記第２導体層との対向部分において、前記第２絶縁層の端面が、前記配線形成部から前記端子形成部へ向かうに従って、次第に前記第１絶縁層へ近づくように傾斜していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記配線回路基板が回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線の高密度化に対応すべく、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板では、配線の構造として、一方の配線と他方の配線とを絶縁層を厚み方向に挟んで対向配置するダブルデッカー構造が知られている。
例えば、導体層のクロストークの発生を抑制すべく、配線部において、絶縁層の第２層（下側絶縁層）と、その上に形成される第２の導体（書込用導体および読取用導体）と、これらを被覆する絶縁層の第１層（上側絶縁層）と、その上に、第２の導体と厚み方向に対向配置されるように形成される第１の導体（書込用導体および読取用導体）とを備えるディスク用サスペンションが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報（図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、特許文献１で提案されるディスク用サスペンションでは、その端子部において、外部端子との接続を容易にするために、第２の導体と接続される接続用端子および第１の導体の一端が、上側絶縁層の上に、並行状に配置されている。
より具体的には、配線部および端子部の中間部において、第２の導体に対応する上側絶縁層にビアホールおよびこれに充填されるスルーホールめっきが形成され、接続用端子が、スルーホールめっきと接触されるように、上側絶縁層の上に形成されている。これにより、上側絶縁層の上において、接続用端子と第１の導体の一端とが、同一平面上に並行状に配置されている。
【０００４】
しかし、上記した第２の導体は、スルーホールめっきを介して接続用端子と接続されているので、第２の導体のインピーダンスが不安定になるという不具合がある。
また、上記した接続用端子を介して接続される第２の導体においては、接続用端子と第２の導体との界面が形成される。そのため、界面において断線を生じ易いという不具合がある。
【０００５】
さらに、接続用端子を形成するために、第１および第２の導体の設計の自由度が損なわれるという不具合がある。
本発明の目的は、外部端子と容易に接続できるとともに、インピーダンスを安定させることができ、かつ、接続信頼性に優れ、第１導体層および第２導体層の設計の自由度が向上された配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、配線形成部と、端子形成部と、前記配線形成部および前記端子形成部の間に連続して形成される中間部とを備え、前記配線形成部において、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される第１導体層と、前記第１絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆するように形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に、前記第１導体層と厚み方向において重複するように形成される第２導体層とを備え、前記端子形成部において、同一平面上に並行状に形成される前記第１導体層および前記第２導体層を備え、前記中間部において、前記第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される前記第１導体層と、前記第１絶縁層の上に、前記第１導体層を被覆し、前記配線形成部から前記端子形成部に向かう途中まで形成される前記第２絶縁層と、前記配線形成部から前記途中までの前記第２絶縁層の上に形成され、前記途中から前記端子形成部までの前記第１絶縁層の上に形成される前記第２導体層とを備えていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板では、前記中間部における前記第２導体層との対向部分において、前記第２絶縁層の端面が、前記配線形成部から前記端子形成部へ向かうに従って、次第に前記第１絶縁層へ近づくように傾斜していることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記配線回路基板が回路付サスペンション基板であることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板では、配線形成部において、第１導体層および第２導体層が厚み方向において重複しているので、インピーダンスを安定させることができる。
また、端子形成部において、第１導体層および第２導体層が同一平面上に形成されるので、外部端子と容易に接続することができる。
さらに、第２導体層は、中間部において、配線形成部から端子形成部に向かう途中までの第２絶縁層の上に形成され、その途中から端子形成部までの第１絶縁層の上に連続して形成されている。そのため、配線形成部において、インピーダンスを安定させることができるとともに、端子形成部において、外部端子と容易に接続することができる。その結果、インピーダンスの安定と、外部端子との容易な接続との両立を図ることができる。
【０００９】
さらにまた、中間部において、第１導体層を接続するための接続用端子を必要とせず、端子形成部において、第１外部側端子部を、第２外部側端子部と同一平面上に形成している。そのため、中間部における断線を防止することができ、優れた耐熱衝撃性を確保することができる。その結果、優れた接続信頼性を得ることができる。
さらに、接続用端子を設ける必要がないため、第１導体層および第２導体層の設計の自由度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の斜視図であり、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図であり、図３は、図２に示す後端部の第２配線に沿う拡大断面図であり、図４は、図２に示す後端部の拡大斜視図であり、図５は、図２に示す後端部の拡大断面図であって、（ａ）は図２のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図２のＣ−Ｃ線断面図、（ｄ）は図２のＤ−Ｄ線断面図であり、図６および図７は、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図である。
【００１１】
なお、図１において、金属支持層２に対する第１導体層４および第２導体層６の相対配置を明確に示すために、後述する第２ベース絶縁層５およびカバー絶縁層７は省略されている。また、図４において、第２ベース絶縁層５に対する第１導体層４および第２導体層６の相対配置を明確に示すために、金属支持層２、第１ベース絶縁層３およびカバー絶縁層７は省略されている。
【００１２】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる金属支持層２に、その金属支持層２によって支持され、図示しない磁気ヘッドおよびリード・ライト基板を電気的に接続するための第１導体層４および第２導体層６が一体的に形成されている。
金属支持層２は、平板状の金属箔や金属薄板からなり、その先端部において、図示しない磁気ヘッドを実装するためのジンバル２２が形成されている。
【００１３】
第１導体層４および第２導体層６は、いずれか一方にリード信号が入力され、他方にライト信号が入力される１対の配線（配線対３０）として設けられている。回路付サスペンション基板１では、かかる配線対３０が２組設けられている。すなわち、配線対３０は、後述する配線形成部１０において、回路付サスペンション基板１の幅方向（長手方向に直交する方向）両側にそれぞれ設けられている。
【００１４】
幅方向一方側の配線対（一方配線対）３０Ａ、または、幅方向他方側の配線対（他方配線対）３０Ｂにおいて、第１導体層４は、磁気ヘッドの接続端子に接続するための第１ヘッド側端子部１３Ａと、リード・ライト基板の接続端子（図示せず）に接続するための第１外部側端子部９Ａと、第１ヘッド側端子部１３Ａおよび第１外部側端子部９Ａを接続するための第１配線８Ａとを一体的に備えている。また、第２導体層６は、磁気ヘッドの接続端子に接続するための第２ヘッド側端子部１３Ｂと、リード・ライト基板の接続端子（図示せず）に接続するための第２外部側端子部９Ｂと、第２ヘッド側端子部１３Ｂおよび第２外部側端子部９Ｂを接続するための第２配線８Ｂとを一体的に備えている。
【００１５】
次に、回路付サスペンション基板１の後端部について、図２〜図５を参照して詳述する。なお、以降の説明では、一方配線対３０Ａおよび他方配線対３０Ｂのうち、一方配線対３０Ａのみを例示して説明するが、他方配線対３０Ｂについては、一方配線対３０Ａの説明と同様であり、その説明を省略する。
図２〜図４において、回路付サスペンション基板１の後端部には、配線形成部１０と、端子形成部１２と、配線形成部１０および端子形成部１２の間に連続して形成される中間部１１とが一体的に設けられている。
【００１６】
配線形成部１０では、図４および図５（ａ）に示すように、金属支持層２の上に、第１絶縁層としての第１ベース絶縁層３が形成されている。第１ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面に均一に積層されている。
また、第１ベース絶縁層３の上には、第１配線８Ａが形成されている。第１配線８Ａは、図１および図４に示すように、回路付サスペンション基板１の先端部に向かって直線状に延びるように形成されている。
【００１７】
また、第１ベース絶縁層３の上には、図４および図５（ａ）に示すように、第２絶縁層としての第２ベース絶縁層５が、第１配線８Ａを被覆するように積層されている。
また、第２ベース絶縁層５の上には、第２配線８Ｂが、第１配線８Ａと厚み方向（上下方向）において重複するように形成されている。
また、第２ベース絶縁層５の上には、カバー絶縁層７が、第２配線８Ｂを被覆するように積層されている。
【００１８】
そして、この配線形成部１０は、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂ、すなわち、一方配線対３０Ａが厚み方向において重複する部分に対応する領域として形成されている。
端子形成部１２において、図２および図５（ｄ）に示すように、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂは、同一平面上に並行状に配置されている。
すなわち、端子形成部１２において、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂは、長手（先後）方向において間隔を隔てて並列配置されている。
【００１９】
第１外部側端子部９Ａは、先側に配置され、中間部１１の第１配線８Ａの後端と連続して形成され、第２外部側端子部９Ｂは、第１外部側端子部９Ａの後側に配置され、中間部１１の第２配線８Ｂの後端と連続して形成されている。また、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂは、それぞれ、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂの幅より広幅の角ランドとして形成されている。
【００２０】
端子形成部１２には、図３に示すように、金属支持層２、第１ベース絶縁層３およびカバー絶縁層７を厚み方向に貫通する開口部１５が形成されている。
すなわち、開口部１５は、図１に示すように、一方配線対３０Ａおよび他方配線対３０Ｂを含むように、平面視略矩形状に形成されている。開口部１５は、図３に示すように、具体的には、金属支持層２が開口される支持開口部３４と、第１ベース絶縁層３が支持開口部３４と同一位置で開口されるベース開口部３５と、カバー絶縁層７が支持開口部３４と同一位置で開口されるカバー開口部３６とから形成されている。
【００２１】
なお、第１ベース絶縁層３には、その厚み方向上側半分部分から開口部１５の長手方向両内側にそれぞれ突出する突出部１６が設けられている。これにより、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂには、突出部１６に対応する段差部１７がそれぞれ形成され、段差部１７から下側に凹む端子凹部１８がそれぞれ形成されている。
そして、この開口部１５により、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂは、端子凹部１８に対応する部分において、下面が支持開口部３４およびベース開口部３５から露出し、上面がカバー開口部３６から露出するフライングリードとして形成されている。
【００２２】
なお、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂの表面には、必要に応じて、図示しない金属めっき層が形成されている。
そして、端子形成部１２は、開口部１５（具体的には、カバー開口部３６）において、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂが露出する部分に対応する領域として形成されている。
【００２３】
中間部１１において、図３、図５（ｂ）および（ｃ）に示すように、金属支持層２の上に第１ベース絶縁層３が形成されている。第１ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面に均一に積層されている。中間部１１の第１ベース絶縁層３は、配線形成部１０の第１ベース絶縁層３から連続して形成されており、端子形成部１２の突出部１６と連続して形成されている。
【００２４】
また、第１ベース絶縁層３の上には、第１配線８Ａが形成されている。第１配線８Ａは、図４に示すように、中間部１１において、その途中が幅方向外側へ屈曲する平面視略Ｌ字形状に形成されている。すなわち、第１配線８Ａでは、図３および図４に示すように、配線形成部１０の第１配線８Ａから直線的に連続する屈曲前部分は、配線形成部１０の第１配線８Ａと同一平面上、すなわち、第１ベース絶縁層３の上面に形成されている。また、第１配線８Ａでは、端子形成部１２の第１外部側端子部９Ａから直線的に連続する屈曲後部分は、第１外部側端子部９Ａと同一平面上に形成されている。
【００２５】
また、第１ベース絶縁層３の上には、第１配線８Ａを被覆する第２ベース絶縁層５が積層されている。第２ベース絶縁層５は、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂに対応するように設けられ、より具体的には、第１配線８Ａから露出する第１ベース絶縁層３の上面に、第１配線８Ａを被覆するように平面視略Ｌ字形状に均一に形成されている。また、第２ベース絶縁層５は、配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４まで形成されており、その後端面（端子形成部１２側端面）が傾斜面２３として形成されている。
【００２６】
傾斜面２３は、配線形成部１０から端子形成部１２に向かうに従って、次第に第１ベース絶縁層３に近づくように下方に傾斜している。なお、傾斜面２３と第１ベース絶縁層３とのなす角度（傾斜角度）αは、例えば、０．３５〜８５度、好ましくは、０．５〜４５度である。
また、中間部１１において、第２ベース絶縁層５の上および第１ベース絶縁層３の上には、第２配線８Ｂが形成されている。
【００２７】
第２配線８Ｂは、中間部１１において、その途中が幅方向外側へ屈曲する平面視略Ｌ字形状に形成されている。すなわち、中間部１１の第２配線８Ｂにおいて、配線形成部１０の第２配線８Ｂから直線的に連続する屈曲前部分は、図５（ａ）に示すように、中間部１１の第１配線８Ａに対して平面視（上下方向に投影したとき）において重なるように配置されている。また、中間部１１の第２配線８Ｂにおいて、端子形成部１２の第２配線８Ｂと直線的に連続する屈曲後部分は、図５（ｂ）に示すように、中間部１１の第１配線８Ａに対して、平面視において後側に配置されている。つまり、中間部１１において、第１配線８Ａは、第２配線８Ｂよりも先側で幅方向外側へ屈曲しており、そのため、第２配線８Ｂは、屈曲前部分の途中まで第１配線８Ａの屈曲前部分すべてと重なり、それ以後の屈曲前部分および屈曲後部分では、第１配線８Ａと重ならないように配置されている。
【００２８】
また、第２配線８Ｂの屈曲前部分および傾斜面２３に至る前の屈曲後部分は、配線形成部１０の第２配線８Ｂと同一平面上、すなわち、第２ベース絶縁層５の上に形成されている。
一方、第２配線８Ｂにおける傾斜面２３よりも端子形成部１２側の屈曲後部分は、第１外部側端子部９Ａと同一平面上、すなわち、第１ベース絶縁層３の上に形成されている。
【００２９】
また、第２配線８Ｂは、傾斜面２３の表面において、第２ベース絶縁層５の上面に形成される傾斜面２３より配線形成部１０側の屈曲後部分と、第１ベース絶縁層３の上面に形成される傾斜面２３よりも端子形成部１２側の屈曲後部分とに連続するように形成されている。すなわち、第２配線８Ｂは、傾斜面２３において配線形成部１０から端子形成部１２に向かうに従って、次第に第１ベース絶縁層３に近づくように下方に傾斜するように、形成されている。
【００３０】
また、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の上には、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂを被覆するカバー絶縁層７が形成されている。
カバー絶縁層７は、第２ベース絶縁層５が形成されている部分（配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４）においては、第２配線８Ｂを被覆するように第２ベース絶縁層５の上に形成され、第２ベース絶縁層５から第１ベース絶縁層３が露出する部分（その途中２４から端子形成部１２）においては、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂを被覆するように第１ベース絶縁層３の上に形成されている。
【００３１】
また、回路付サスペンション基板１の先端部において、一方配線対３０Ａおよび他方配線対３０Ｂは、ジンバル２２近傍において並列配置されている。つまり、一方配線対３０Ａの第１ヘッド側端子部１３Ａおよび第２ヘッド側端子部１３Ｂと、他方配線対３０Ｂの第１ヘッド側端子部１３Ａおよび第２ヘッド側端子部１３Ｂとが幅方向に並列配置されており、上記した端子形成部１２および中間部１１と同一構成とされている。
【００３２】
また、回路付サスペンション基板１の中間部（先端部と後端部との間）は、上記した配線形成部１０と同一構成とされている。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６および図７を参照して説明する。
まず、この方法では、図６（ａ）に示すように、金属支持層２を用意する。金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレス（例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づく、ＳＵＳ３０４など）などが用いられる。金属支持層２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。
【００３３】
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、第１ベース絶縁層３を、金属支持層２の上に、端子形成部１２においては、他の部分より厚みの薄いベース凹部２１が形成されるように、形成する。
第１ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００３４】
第１ベース絶縁層３を形成するには、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、得られた図示しない第１ベース皮膜を、図示しない階調露光フォトマスクを介して露光する。階調フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分を所定のパターンで備えており、第１ベース絶縁層３を形成する部分には光全透過部分を、ベース凹部２１を形成する部分には光半透過部分を、第１ベース絶縁層３を形成しない部分には遮光部分を、第１ベース皮膜に対して、対向配置する。その後、第１ベース皮膜を現像し、必要により硬化させることにより、ベース凹部２１を有する第１ベース絶縁層３を形成する。また、第１ベース絶縁層３を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を金属支持層２の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化後、エッチングなどによりベース凹部２１を形成することもできる。
【００３５】
このようにして形成される第１ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、第１導体層４を第１ベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。
第１導体層４を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。
【００３６】
第１導体層４を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層３の上面全面に、図示しない第１金属薄膜（種膜）を形成する。第１金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。第１金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより第１金属薄膜を形成する。
【００３７】
次いで、第１金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、第１導体層４と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、第１導体層４を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜をエッチングなどにより除去する。
【００３８】
このようにして形成される第１導体層４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、第１配線８Ａの幅は、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１５０μｍである。また、第１外部側端子部９Ａの幅は、例えば、１０〜１５０００μｍ、好ましくは、３０〜１０００μｍである。
これによって、第１導体層４は、第１配線８Ａおよび第１外部側端子部９Ａおよび第１ヘッド側端子部１３Ａが一体的に形成される配線回路パターンとして形成される。
【００３９】
次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、第２ベース絶縁層５を、第１ベース絶縁層３の上に、傾斜面２３を有するパターンで形成する。
第２ベース絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。
第２ベース絶縁層５を形成するには、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、得られた図示しない第２ベース皮膜を、図示しない階調露光フォトマスクを介して露光する。階調露光フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分を所定のパターンで備えている。さらに、光半透過部分は、遮光部分から光全透過部分に近づくに従って、光透過率が次第に大きくなるように設定されている。そして、第２ベース絶縁層５を形成する部分には光全透過部分を、傾斜面２３を形成する部分には光半透過部分を、第２ベース絶縁層５を形成しない部分には遮光部分を、第２ベース皮膜に対して対向配置する。その後、第２ベース皮膜を現像し、必要により硬化させることにより、傾斜面２３を有する第２ベース絶縁層５を形成する。また、第２ベース絶縁層５を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第１配線８Ａを含む第１ベース絶縁層３の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化後、エッチングなどにより傾斜面２３を形成することもできる。
【００４０】
このようにして形成される第２絶縁層５の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、１．５〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、第２導体層６を、第２ベース絶縁層５の上に、上記したパターンで形成する。
第２導体層６を形成する材料としては、上記した第１導体層４と同様の材料が用いられる。
【００４１】
第２導体層６を形成するには、上記と同様のパターンニング法が用いられ、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の上面全面に、図示しない第２金属薄膜（種膜）を形成する。第２金属薄膜としては、上記と同様の金属材料が用いられる。第２金属薄膜は、上記と同様の薄膜形成方法、好ましくは、スパッタリングにより、形成する。
【００４２】
次いで、第２金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、第２導体層６と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、第２導体層６を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜をエッチングなどにより除去する。
【００４３】
このようにして形成される第２導体層６の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、第２配線８Ｂの幅は、第１配線８Ａの幅と同幅または相異なっていてもよく、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１５０μｍである。
また、第２外部側端子部９Ｂの幅は、例えば、１０〜１５０００μｍ、好ましくは、３０〜１０００μｍである。端子形成部１２において、隣接する第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂ間の間隔は、例えば、１０〜１５０００μｍ、好ましくは、１５〜１０００μｍである。
【００４４】
次いで、この方法では、図７（ｆ）に示すように、カバー絶縁層７を、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の上に、カバー開口部３６を有するパターンで形成する。
カバー絶縁層７を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。
カバー絶縁層７を形成するには、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布し、乾燥後、得られたカバー皮膜を、フォトマスクを介して露光および現像する。その後、カバー皮膜を必要により硬化させることにより、パターンとして形成する。また、カバー絶縁層７を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。さらに、カバー絶縁層７の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をカバー開口部３６を有するフィルムに形成して、そのフィルムを、第１ベース絶縁層３および第２ベース絶縁層５の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
【００４５】
このようにして形成されるカバー絶縁層７の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。
次いで、この方法では、図７（ｇ）に示すように、金属支持層２を開口して支持開口部３４を形成し、続いて、図７（ｈ）に示すように、第１ベース絶縁層３を開口してベース開口部３５を形成することにより、開口部１５を形成する。金属支持層２を開口するには、例えば、化学エッチングなどのウエットエッチングが用いられる。第１ベース絶縁層３を開口するには、例えば、金属支持層２をマスクとして用いるプラズマエッチングなどのドライエッチングなどが用いられ、第１ベース絶縁層３の突出部１６が残存するように、支持開口部３４と同一位置で第２外部側端子部９Ｂの下面が露出するまで、第１ベース絶縁層３の厚み方向下側半分部分を除去する。
【００４６】
これにより、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂをフライングリードとして形成することができる。
なお、開口部１５の長さ（長手方向長さ）は、例えば、５０〜１５００μｍであり、突出部１６の長さは、例えば、１０〜１０００μｍであり、突出部１６の厚みは、例えば、１〜９μｍである。
【００４７】
その後、必要により、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂの表面に、図示しない金属めっき層を形成する。金属めっき層は、金などの金属材料からなり、例えば、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。金属めっき層の厚みは、例えば、０．２〜５μｍである。なお、第１ヘッド側端子部１３Ａおよび第２ヘッド側端子部１３Ｂの表面についても、金属めっき層が同様に形成される。
【００４８】
その後、金属支持層２を外形加工して、ジンバル２２を形成することにより、回路付サスペンション基板１を得ることができる。
そして、この回路付サスペンション基板１では、配線形成部１０において、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂが厚み方向において重複しているので、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂのインピーダンスを安定させることができる。
【００４９】
また、端子形成部１２において、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂが同一平面上に形成され、その表面および裏面が露出するフライングリードとなっているので、リード・ライト基板と容易に接続することができる。
さらに、第２配線８Ｂは、中間部１１において、配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４までの第２ベース絶縁層３の上に形成され、その途中２４から端子形成部１２までの第１ベース絶縁層５の上に連続して形成されている。そのため、配線形成部１０において、インピーダンスを安定させることができるとともに、端子形成部１２において、リード・ライト基板と容易に接続することができる。その結果、インピーダンスの安定と、リード・ライト基板との容易な接続との両立を図ることができる。
【００５０】
さらにまた、中間部１１において、第１導体層４を接続するための接続用端子を必要とせず、端子形成部１２において、第１外部側端子部９Ａを、第２外部側端子部９Ｂと同一平面上に形成している。そのため、例えば、溶融半田による回路付サスペンション基板１の実装時の加熱において、中間部１１における第１導体層４の断線を防止することができ、優れた耐熱衝撃性を確保することができる。その結果、優れた接続信頼性を得ることができる。
【００５１】
さらに、この回路付サスペンション基板１では、接続用端子を設ける必要がない。すなわち、図９が参照されるように、接続用端子４１は、通常、まず、第２ベース絶縁層５にビアホール４０を形成して、次いで、ビアホール４０内に充填される。そして、かかる接続用端子４１を設ける場合には、第２ベース絶縁層５において、ビアホール４０に対応する領域を確保する必要があり、そのため、設計の自由度が損なわれる。
【００５２】
さらには、高密度化の要求を満たすべく、第１配線８Ａおよび第２配線８Ｂの幅を小さく（例えば、２０μｍ程度に）する必要があるところ、接続用端子４１はある程度の領域（例えば、直径３０〜４０μｍの孔底の直径）を確保する必要がある一方で、その領域は、第１配線８Ａの幅より小さい必要がある。そのため、高密度化を図ることが困難となる。
【００５３】
しかし、この回路付サスペンション基板１では、かかる接続用端子４１設ける必要がないため、第１導体層４および第２導体層６の設計の自由度を向上させることができ、さらには、高密度化を図ることができる。
なお、上記した説明では、中間部１１における第２ベース絶縁層５の後端部に、傾斜面２３を形成したが、例えば、図８に示すように、傾斜面２３を設けることなく、第２ベース絶縁層５の後端部の端面を、平坦状に形成することができる。
【００５４】
好ましくは、傾斜面２３を形成する。これにより、中間部１１における第２ベース絶縁層５の後端部において、第２配線８Ｂが次第に下がるので、傾斜面２３の上の第２配線８Ｂにかかる応力を分散させて、応力集中を緩和でき、第２配線８Ｂの断線を防止することができる。
また、上記した説明では、図３に示すように、第２ベース絶縁層５の後端を、配線形成部１０から端子形成部１２に向かう途中２４に形成したが、中間部１１において、第２配線８Ｂを第１ベース絶縁層３の上に形成できればよく、例えば、図示しないが、中間部１１の後端に形成することができる。なお、この場合においても、ベース絶縁層５の後端において、第２配線８Ｂが、第１ベース絶縁層３の上に形成されている。
【００５５】
また、上記した方法では、端子形成部１２において、ベース絶縁層３にベース凹部２１を形成し、さらに、ベース凹部２１に対応するように、端子凹部１８を形成したが、例えば、図８に示すように、端子形成部１２において、ベース絶縁層３を平坦状に形成し、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂを平坦状に形成することもできる。この場合には、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂは、ともに第１ベース絶縁層３の上面と同一平面上に形成されている。
【００５６】
好ましくは、ベース凹部２１を形成する。ベース凹部２１を形成すると、図７（ｇ）に示すように、ベース凹部２１の厚みが他の部分より薄いので、第１ベース絶縁層３の開口において、開口時間（例えば、エッチング時間）を短くすることができ、生産効率を高めることができる。
また、上記した説明では、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂをフライングリードとして形成したが、例えば、図３の仮想線で示すように、第１外部側端子部９Ａおよび第２外部側端子部９Ｂの下に、ベース絶縁層３および／または金属支持層２を形成することもできる。
【００５７】
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持層２を備える回路付サスペンション基板として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、図示しないが、金属支持層２を備えないフレキシブル配線回路基板として形成することもできる。
【実施例】
【００５８】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持層を用意し（図６（ａ）参照）、次いで、金属支持層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、階調露光フォトマスクを介して露光し、第１ベース皮膜を形成した。続いて、第１ベース皮膜を現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み３μｍのポリイミドからなる第１ベース絶縁層を形成した（図６（ｂ）参照）。また、第１ベース絶縁層には、厚み１μｍのベース凹部が形成された。
【００５９】
次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、第１導体層を形成した。
アディティブ法では、第１ベース絶縁層の上面全面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、第１導体層の逆パターンのめっきレジストを、第１金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの第１導体層を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図６（ｃ）参照）。
【００６０】
なお、各第１配線の幅は５０μｍであった。また、各第１外部側端子部の幅は２８０μｍであった。
次いで、第１配線を含む第１ベース絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、上記した階調フォトマスクを介して露光し、第２ベース皮膜を形成した。続いて、第２ベース皮膜を現像し、さらに加熱硬化することにより、傾斜面を有する、ポリイミドからなる第２ベース絶縁層を形成した（図６（ｄ）参照）。なお、傾斜面の傾斜角度は、１．１５度であった。
【００６１】
次いで、第２ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、第２導体層を形成した。
アディティブ法では、第２ベース絶縁層の上面全面に、第２金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、第２導体層の逆パターンのめっきレジストを、第２金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの第２導体層を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図６（ｅ）参照）。
【００６２】
次いで、第１ベース絶縁層および第２ベース絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、カバー開口部が形成されるパターンで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図７（ｆ）参照）。
次いで、金属支持層を、化学エッチングにより開口して支持開口部を形成し（図７（ｇ）参照）、続いて、第１ベース絶縁層を、プラズマエッチングにより開口してベース開口部を形成することにより、開口部を形成した（図７（ｈ）参照）。その後、金属支持層を外形加工して、ジンバルを形成することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【００６３】
比較例１
第２ベース絶縁層の形成において、図９に示すように、第２ベース絶縁層の後端部の幅方向外側に、第１配線に臨む、孔底の直径が４０μｍのビアホール（４０）を形成するとともに、傾斜面を形成することなく、後端部の端面を幅方向にわたり平坦状に形成し、また、第２導体層の形成とともに、第１配線と接触されるように、ビアホール（４０）内に充填され、第２ベース絶縁層の上に平面視矩形状に膨出する接続用端子（４１）を設けた以外は、実施例１と同様の方法により回路付サスペンション基板を得た。なお、第１配線に接続される接続用端子（４１）および第２配線は、ともに第２ベース絶縁層の上面に形成した。
【００６４】
（評価）
（溶融半田浸漬テスト（熱衝撃性テスト））
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板の各１０枚を、溶融半田（２６０±５℃）に、５秒間、それぞれ１回浸漬した。そして、浸漬の前後における第１導体層の抵抗変化率をそれぞれ測定した。
【００６５】
その結果、実施例１では、１０枚全ての回路付サスペンション基板で、抵抗変化率が０．３％以内であった。
一方、比較例１では、５枚の回路付サスペンション基板で、抵抗変化率が５％であり、残りの５枚の回路付サスペンション基板で、抵抗変化率が０．３％以内であった。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の後端部の拡大平面図である。
【図３】図２に示す後端部の第２配線に沿う拡大断面図である。
【図４】図２に示す後端部の拡大斜視図である。
【図５】図２に示す後端部の拡大断面図であって、（ａ）は図２のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は図２のＣ−Ｃ線断面図、（ｄ）は図２のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、第１ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、第１導体層を形成する工程、（ｄ）は、第２ベース絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、第２導体層を形成する工程を示す。
【図７】図６に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ｆ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、金属支持層を開口して支持開口部を形成する工程、（ｈ）は、第１ベース絶縁層を開口してベース開口部を形成する工程を示す。
【図８】本発明の配線回路基板の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の後端部の第２配線に沿う拡大断面図である。
【図９】比較例１の回路付サスペンション基板を示し、（ａ）は後端部の第２配線の拡大斜視図、（ｂ）は中間部の断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１      回路付サスペンション基板
３      第１ベース絶縁層
４      第１導体層
５      第２ベース絶縁層
６      第２導体層
１０    配線形成部
１１    中間部
１２    端子形成部
２３    傾斜面
２４    途中
【図１】
2009129490.tif 000003
【図２】
2009129490.tif 000004
【図３】
2009129490.tif 000005
【図４】
2009129490.tif 000006
【図５】
2009129490.tif 000007
【図６】
2009129490.tif 000008
【図７】
2009129490.tif 000009
【図８】
2009129490.tif 000010
【図９】
2009129490.tif 000011