(57)【要約】【課題】パターン形状の崩れを精度よく検出可能な表面検査装置を提供する。【解決手段】表面検査装置１は、ステージ２０を用いて設定した複数の設定角度において、照明系３０が繰り返しパターンを有するウェハ１０の表面に直線偏光を照射するとともに、受光系４０がウェハ１０からの正反射光のうち直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出し、画像処理部５０は、複数の前記設定角度毎に検出された偏光成分の光量と設定角度との相関から、パターン形状の崩れを検出するようになっている。【選択図】図１
2009198396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に直線偏光を照射する照明部と、
前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記偏光成分に基づいて、前記繰り返しパターンにおけるパターン形状の崩れを検出する検査部と、
前記繰り返しパターンの繰り返し方向と前記被検基板の表面における前記直線偏光の振動方向とのなす角度を所定の設定角度に設定可能な角度設定部とを備え、
前記角度設定部により設定された複数の前記設定角度において、前記照明部が前記被検基板の表面に前記直線偏光を照射するとともに、前記検出部が前記正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出し、
前記検査部は、前記検出部により前記複数の前記設定角度毎に検出された前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関から、前記パターン形状の崩れを検出することを特徴とする表面検査装置。
【請求項２】
前記検査部は、前記検出部により前記複数の前記設定角度毎に検出された前記偏光成分から、前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関を示す相関式を求めるとともに、前記相関式から得られる光量に対する前記偏光成分の光量変化率を前記複数の前記設定角度毎に算出し、
前記複数の前記設定角度毎に算出した前記光量変化率と前記設定角度との相関および、基準となる光量変化率と前記設定角度との相関を比較することにより、前記パターン形状の崩れを検出することを特徴とする請求項１に記載の表面検査装置。
【請求項３】
前記繰り返しパターンは、複数のライン部と、前記複数のライン部同士の間に位置するスペース部とからなるラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の表面検査装置。
【請求項４】
所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に直線偏光を照射する照明工程と、
前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出した前記偏光成分に基づいて、前記繰り返しパターンにおけるパターン形状の崩れを検出する検査工程と、
前記繰り返しパターンの繰り返し方向と前記被検基板の表面における前記直線偏光の振動方向とのなす角度を所定の設定角度に設定する設定工程とを有し、
前記設定工程で設定した複数の前記設定角度において、前記照明工程で前記被検基板の表面に前記直線偏光を照射するとともに、前記検出工程で前記正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出し、
前記検査工程において、前記検出工程で前記複数の前記設定角度毎に検出した前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関から、前記パターン形状の崩れを検出することを特徴とする表面検査方法。
【請求項５】
前記検査工程は、前記検出工程で前記複数の前記設定角度毎に検出した前記偏光成分から、前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関を示す相関式を求める第１のステップと、
前記第１のステップで求めた前記相関式から得られる光量に対する前記偏光成分の光量変化率を前記複数の前記設定角度毎に算出する第２のステップと、
前記第２のステップで前記複数の前記設定角度毎に算出した前記光量変化率と前記設定角度との相関および、基準となる光量変化率と前記設定角度との相関を比較することにより、前記パターン形状の崩れを検出する第３のステップとを有することを特徴とする請求項４に記載の表面検査方法。
【請求項６】
前記繰り返しパターンは、複数のライン部と、前記複数のライン部同士の間に位置するスペース部とからなるラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項４もしくは請求項５に記載の表面検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検基板の繰り返しパターン（ラインアンドスペースパターン）に直線偏光を照射して生じる正反射光の偏光成分に基づいて、繰り返しパターンにおけるパターン形状の崩れを検出する表面検査装置および表面検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの表面に形成された繰り返しパターン（ラインアンドスペースパターン）におけるパターン形状の崩れを検出する検査装置として、従来から、回折光を利用したものが知られている。回折光を利用した装置では、パターンのピッチが短くなると、ブラッグの条件を満足するために短波長の光を使用する必要がある。しかしながら、短波長の光を用いると、装置が高価になるばかりでなく、レジストパターンの検査を行う場合にレジストを感光させてしまうという問題がある。
【０００３】
これに対し、繰り返しパターンの構造性複屈折を利用した検査装置が提案されている。この装置は、繰り返しパターンへ直線偏光を照射し、その偏光成分と直交する成分の光を検出して検査を行うものである（例えば、特許文献１を参照）。このような装置によれば、レジストの繰り返しパターンに崩れ（すなわち欠陥）がある場合、検出される正反射光（偏光成分）の光量（光の強度）はパターンに崩れが無い場合と比較して低下するため、正反射光（偏光成分）の光量からパターン形状の崩れを検出することが可能になる。これにより、回折光が出ないような微細な繰り返しパターンの検査を、短波長の光を用いることなく実施できる。
【特許文献１】特開２００７−９３３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したように、繰り返しパターンの構造性複屈折を利用した検査では、繰り返しパターンに崩れがある場合、検出される正反射光（偏光成分）の光量（光の強度）はパターンに崩れが無い場合と比較して低下するが、その低下度合いは、繰り返しパターンの種類や繰り返しパターンの繰り返し方向と直線偏光の振動方向とのなす角度によって変化する。しかしながら、従来の検査においては、繰り返しパターンの繰り返し方向と直線偏光の振動方向とのなす角度を一種類の角度にのみ設定して検査を行っていたため、当該設定角度のときの理想的な光量が分からずに、パターン崩れの検出精度が低下するおそれがあった。
【０００５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、パターン形状の崩れを精度よく検出可能な表面検査装置および表面検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に直線偏光を照射する照明部と、前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出する検出部と、前記検出部で検出された前記偏光成分に基づいて、前記繰り返しパターンにおけるパターン形状の崩れを検出する検査部と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向と前記被検基板の表面における前記直線偏光の振動方向とのなす角度を所定の設定角度に設定可能な角度設定部とを備え、前記角度設定部により設定された複数の前記設定角度において、前記照明部が前記被検基板の表面に前記直線偏光を照射するとともに、前記検出部が前記正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出し、前記検査部は、前記検出部により前記複数の前記設定角度毎に検出された前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関から、前記パターン形状の崩れを検出するようになっている。
【０００７】
また、本発明に係る表面検査方法は、所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に直線偏光を照射する照明工程と、前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出する検出工程と、前記検出工程で検出した前記偏光成分に基づいて、前記繰り返しパターンにおけるパターン形状の崩れを検出する検査工程と、前記繰り返しパターンの繰り返し方向と前記被検基板の表面における前記直線偏光の振動方向とのなす角度を所定の設定角度に設定する設定工程とを有し、前記設定工程で設定した複数の前記設定角度において、前記照明工程で前記被検基板の表面に前記直線偏光を照射するとともに、前記検出工程で前記正反射光のうち前記直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出し、前記検査工程において、前記検出工程で前記複数の前記設定角度毎に検出した前記偏光成分の光量と前記設定角度との相関から、前記パターン形状の崩れを検出するようになっている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、パターン形状の崩れを精度よく検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本実施形態の表面検査装置１は、図１に示すように、被検基板である半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）を支持するステージ２０と、照明系３０と、受光系４０とを備えて構成されている。また、表面検査装置１は、受光系４０で撮像された画像の画像処理を行う画像処理部５０と、受光系４０で撮像された画像や画像処理部５０による画像処理結果を表示するモニタ５５とを備えている。表面検査装置１は、半導体回路素子の製造工程において、ウェハ１０の表面の検査を自動的に行う装置である。ウェハ１０は、最上層のレジスト膜への露光・現像後、不図示の搬送系により、不図示のウェハカセットまたは現像装置から運ばれ、ステージ２０に吸着保持される。
【００１０】
ウェハ１０の表面には複数のチップ領域が配列され、各チップ領域の中には、図２に示すように、凸部となる複数のライン部２Ａと、隣り合うライン部２Ａ同士の間に位置する（凹部となる）スペース部２Ｂとからなる繰り返しパターン１２（ラインアンドスペースパターン）が形成されている。繰り返しパターン１２は、複数のライン部２Ａがその短手方向に沿って一定の繰り返しピッチＰで配列されたレジストパターン（例えば、配線パターン）である。なお、ライン部２Ａの配列方向を「繰り返しパターン１２の繰り返し方向」とする。
【００１１】
ここで、繰り返しパターン１２におけるライン部２Ａの線幅の設計値をピッチＰの１／２とする。すなわち、繰り返しパターン１２は、ライン部２Ａとスペース部２Ｂとを繰り返し方向に沿って交互に配列した凹凸形状を有しており、適正な露光フォーカスで設計値の通りに形成された場合、ライン部２Ａの線幅とスペース部２Ｂの線幅は等しくなり、ライン部２Ａとスペース部２Ｂとの体積比は略１：１になる。このような形状を理想的な形状とも呼称する。
【００１２】
また、本実施形態においては、繰り返しパターン１２に対する照明光（後述する直線偏光）の波長と比較して繰り返しパターン１２のピッチＰが十分小さいものとする。このため、繰り返しパターン１２から回折光が発生することはなく、繰り返しパターン１２の欠陥検査を回折光により行うことはできない。
【００１３】
表面検査装置１のステージ２０は、ウェハ１０を上面で支持して、例えば真空吸着により固定保持する。さらに、ステージ２０は、上面の中心における法線Ａ１を中心軸として回転可能である。この回転機構によって、ウェハ１０における繰り返しパターン１２の繰り返し方向を、ウェハ１０の表面内で回転させることができる。なお、ステージ２０は、上面が水平面であり、ウェハ１０を常に水平な状態に保つことができる。
【００１４】
照明系３０は、図１に示すように、照明装置３１と、第１の偏光板３２と、第１の凹面反射鏡３３とを有して構成される。照明装置３１は、図示しない水銀ランプ等の光源および波長選択フィルタを有して構成され、特定の波長を有する光を射出することができるようになっている。第１の偏光板３２は、照明装置３１から射出された光を透過軸の向きに応じた直線偏光Ｌ（図３を参照）にする。第１の凹面反射鏡３３は、第１の凹面反射鏡３３で反射する第１の偏光板３２からの光を平行光束にして、被検基板であるウェハ１０へ照射する。すなわち照明系３０は、ウェハ１０側に対してテレセントリックな光学系である。
【００１５】
上記の照明系３０において、照明装置３１からの光は、第１の偏光板３２および第１の凹面反射鏡３３を介してｐ偏光の直線偏光Ｌとなり、ウェハ１０の表面全体に入射する。このとき、ウェハ１０の各点における直線偏光Ｌの入射角度は、平行光束のため互いに同じであり、光軸と法線Ａ１とのなす角度θに相当する。
【００１６】
なお、本実施形態では、ウェハ１０に入射する直線偏光Ｌがｐ偏光であるため、図３に示すように、繰り返しパターン１２の繰り返し方向が直線偏光Ｌの入射面（ウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの進行方向）に対して４５度の角度に設定された場合、ウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向と繰り返しパターン１２の繰り返し方向とのなす角度も、４５度に設定される。言い換えると、直線偏光Ｌは、ウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向が繰り返しパターン１２の繰り返し方向に対して４５度傾いた状態で、繰り返しパターン１２を斜めに横切るようにして繰り返しパターン１２に入射することになる。なお、図３において、ｐ偏光である直線偏光Ｌの振動方向は、ウェハ１０（繰り返しパターン１２）の表面上に投影した状態での振動方向を表している。
【００１７】
受光系４０は、図１に示すように、第２の凹面反射鏡４１と、第２の偏光板４２と、撮像装置４３とを有して構成され、その光軸がステージ２０の中心を通る法線Ａ１に対して角度θだけ傾くように配設される。従って、繰り返しパターン１２からの正反射光は、受光系４０の光軸に沿って進行することになる。第２の凹面反射鏡４１は、第１の凹面反射鏡３３と同様の反射鏡であり、繰り返しパターン１２からの正反射光を反射させて撮像装置４３の撮像面上に集光する。
【００１８】
ただし、第２の凹面反射鏡４１と撮像装置４３との間には、第２の偏光板４２が配設されている。第２の偏光板４２の透過軸の方位は、上述した照明系３０の第１の偏光板３２の透過軸に対して直交するように設定されている（クロスニコルの状態）。したがって、第２の偏光板４２により、繰り返しパターン１２からの正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分（例えば、ｓ偏光の成分）を抽出して、撮像装置４３に導くことができる。その結果、撮像装置４３の撮像面には、繰り返しパターン１２からの正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ１０の反射像が形成される。
【００１９】
撮像装置４３は、例えばＣＣＤ撮像素子等から構成され、撮像面に形成されたウェハ１０の反射像を光電変換して、画像信号を画像処理部５０に出力する。ウェハ１０の反射像の明暗は、撮像装置４３で検出された偏光成分の光量（光強度）に略比例し、繰り返しパターン１２の形状に応じて変化する。ウェハ１０の反射像が最も明るくなるのは、繰り返しパターン１２が理想的な形状の場合（パターンに崩れがない場合）である。なお、ウェハ１０の反射像の明暗は、ショット領域ごとに現れる。
【００２０】
画像処理部５０は、撮像装置４３から出力される画像信号に基づいて、ウェハ１０の反射画像を取り込む。そして、画像処理部５０は、被検基板であるウェハ１０の反射画像を取り込むと、ウェハ１０の反射画像から繰り返しパターン１２におけるパターン形状の崩れを検出する。また、画像処理部５０によるパターン崩れの検出結果およびそのときのウェハ１０の反射画像は、モニタ５５で出力表示される。
【００２１】
このような構成の表面検査装置１を用いた表面検査方法について、図４に示すフローチャートを参照しながら以下に説明する。まず、ステージ２０が回転して、繰り返しパターン１２の繰り返し方向を、ウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向に対して、初期設定角度（例えば、０度）に傾ける設定を行う（ステップＳ１０１）。なお、この設定工程において、繰り返しパターン１２の繰り返し方向とウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向とのなす角度は、０〜１８０度の設定角度に５度刻みで（０度、５度、１０度…１７５度、および１８０度の設定角度に）設定される。
【００２２】
次に、所定の設定角度でステージ２０に固定保持されたウェハ１０の表面に、直線偏光Ｌを照射する（ステップＳ１０２）。この照明工程において、照明装置３１から射出された光は、第１の偏光板３２でｐ偏光の直線偏光Ｌに変換されるとともに、第１の凹面反射鏡３３で平行光束となってウェハ１０の表面に照射される。
【００２３】
ウェハ１０の表面で反射した正反射光は、第２の凹面反射鏡４１により集光され、第２の偏光板４２で正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分（例えば、ｓ偏光の成分）が抽出されて撮像装置４３の撮像面上に導かれる。そこで、次の検出工程において、撮像装置４３の撮像面上に導かれた偏光成分を、撮像装置４３により検出する（ステップＳ１０３）。このとき、撮像装置４３は、撮像面上に形成された、正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分によるウェハ１０の反射像を光電変換して、画像信号を画像処理部５０に出力する。
【００２４】
このように、設定工程で設定した設定角度においてウェハ１０の反射像（偏光成分）を検出すると、次のステップＳ１０４において、全ての設定角度においてウェハ１０の反射像（偏光成分）を検出したか否かを判定する。判定がＹｅｓの場合、次のステップＳ１０５へ進み、判定がＮｏの場合、ステップＳ１０１へ戻り、例えば、繰り返しパターン１２の繰り返し方向とウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向とのなす角度を、前の設定角度に対しステージ２０を５度だけ回転させた新たな設定角度に設定し、全ての設定角度（０〜１８０度の設定角度）においてウェハ１０の反射像（偏光成分）を検出するまで、ステップＳ１０２からステップＳ１０４までの処理を繰り返す。
【００２５】
そして、次のステップＳ１０５において、画像処理部５０は、先のステップで検出した偏光成分に基づいて、繰り返しパターン１２におけるパターン形状の崩れを検出する。ところで、繰り返しパターン１２（ラインアンドスペースパターン）の表面に直線偏光Ｌを照射し、繰り返しパターン１２からの正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分を検出する場合、繰り返しパターン１２の繰り返し方向とウェハ１０の表面における直線偏光Ｌの振動方向とのなす角度（以下、方位角度と称する）が４５度のときに、偏光成分の光量（光の強度）が最大になることが知られている。一方、方位角度が０度もしくは９０度のときに、偏光成分の光量（光の強度）が最小になることが知られている。
【００２６】
例えば、検出工程で複数の設定角度毎に検出した偏光成分（ウェハ１０の反射像）の光量（光の強度）と当該設定角度（すなわち、方位角度）との相関は、図５のように示される。本実施形態においては、図５の破線で示すように、検出工程で複数の設定角度毎に検出した偏光成分（ウェハ１０の反射像）のうち、最も明るい光量を有するウェハ１０の部分のデータを「実験参照データ」として利用する。
【００２７】
また、繰り返しパターン１２（ラインアンドスペースパターン）の表面に直線偏光Ｌを照射し、繰り返しパターン１２からの正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分を検出する場合、偏光成分の光量（光の強度）と方位角度との相関を示す相関式は、構造性複屈折の関係から理論的に次の（１）式で表わされる。
【００２８】
Ｉ（φ）＝Ａ×sin2｛２×（φ＋φ′）｝＋Ｃ  …（１）
【００２９】
ここで、Ｉ（φ）は偏光成分の強度、φは方位角度である。また、Ａ、Ｃ、およびφ′はそれぞれ定数であり、ＡはＩ（φ）の最大強度、ＣはＩ（φ）が０となるべき所で補正するための補正係数、φ′はＩ（φ）が最大強度となる方位角度のシフト量である。
【００３０】
ステップＳ１０５の検査工程では、まず、第１のステップとして、画像処理部５０が、検出工程で複数の設定角度毎に検出した偏光成分（ウェハ１０の反射像）のうち、最も明るい光量を有するウェハ１０の部分のデータを「実験参照データ」として抽出し、抽出した「実験参照データ」を前述の（１）式に合わせるように定数Ａ、Ｃ、およびφ′を求める。「実験参照データ」から求めた定数Ａ、Ｃ、およびφ′を用いて表される（１）式を「理論参照データ」と称することにする。この「理論参照データ」と「実験参照データ」が極めてよく一致すればよいが、例えば図６に示すように一致しない場合がある。すなわち、「実験参照データ」が得られるウェハ１０の部分において、例えば図８に示すように、繰り返しパターン１２′（ラインアンドスペースパターン）のパターン形状が崩れている場合である。
【００３１】
なお、「理論参照データ」と「実験参照データ」とを比較した場合、その差が小さく、パターン形状の崩れを検出しにくい。そこで、検査工程では、第２のステップとして、ウェハ１０における「実験参照データ」が得られる以外の部分での偏光成分の光量（光の強度）と設定角度（方位角度）との相関を、「理論参照データ」と比較し、パターン形状の崩れを検出する。具体的には、画像処理部５０が、「理論参照データ」に対する、ウェハ１０における「実験参照データ」が得られる以外の部分全体での偏光成分の光量変化率（コントラスト）を複数の設定角度毎に算出する。
【００３２】
そして、第３のステップとして、画像処理部５０が、複数の設定角度毎に算出した偏光成分のコントラストと設定角度との相関および、画像処理部５０に予め記憶された良品である場合のコントラストと設定角度との相関を比較し、コントラスト分布の差が予め設定した閾値を超えたとき、繰り返しパターン１２（ラインアンドスペースパターン）にパターン崩れがあると判定する。
【００３３】
良品である場合のコントラストは、良品ウェハの繰り返しパターン（図示せず）の表面に直線偏光Ｌを照射するとともに、繰り返しパターンからの正反射光のうち直線偏光Ｌと振動方向が略直角な偏光成分を検出し、良品ウェハにおける偏光成分から得られる「理論参照データ」に対して偏光成分の光量変化率（コントラスト）を複数の設定角度毎に算出したものである。なお、良品ウェハとは、繰り返しパターン１２がほぼ理想的な形状で表面全体に形成されたものである。
【００３４】
そのため、繰り返しパターン１２に大きなパターン崩れが生じている場合には、図７に示すように、良品である場合と比較してコントラスト分布に大きな差が生じるようになる。これは、繰り返しパターン１２に大きなパターン崩れが生じると、偏光成分のコントラスト（光量変化率）が大きくなって、コントラスト分布に大きな凹凸が生じるようになるためである。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、複数の設定角度毎に検出した偏光成分の光量と設定角度との相関から、パターン形状の崩れを検出するため、複数の設定角度においてパターン形状の崩れを検出することから、パターン形状の崩れを精度よく検出することが可能になる。
【００３６】
またこのとき、（１）式に基づいた「理論参照データ」に対する偏光成分の光量変化率と設定角度との相関および、基準となる良品である場合の光量変化率と設定角度との相関を比較するようにすれば、「理論参照データ」と「実験参照データ」との光量差よりも、光量変化率の差の方が大きくなることから、パターン崩れの検出感度を高くすることができる。
【００３７】
なお、上述の実施形態において、パターン形状が崩れると偏光成分の光量が大きく変化することが予め分かっている場合には、「理論参照データ」と「実験参照データ」とを直接比較して、パターン形状の崩れを検出するようにしてもよい。
【００３８】
また、上述の実施形態において、直線偏光Ｌがｐ偏光である例を説明したが、これに限られるものではなく、例えば、ｐ偏光ではなくｓ偏光にしてもよい。なおこのとき、撮像装置４３で検出する偏光成分は、例えばｐ偏光の成分となる。
【００３９】
また、上述の実施形態では、照明装置３１からの照明光と第１の偏光板３２を利用して、直線偏光Ｌを作り出すように構成されているが、これに限られるものではなく、直線偏光を供給するレーザーを光源として使用すれば第１の偏光板３２は必要ない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る表面検査装置の全体構成を示す図である。
【図２】繰り返しパターンの概略図である。
【図３】直線偏光の入射面と繰り返しパターンの繰り返し方向との傾き状態を説明する図である。
【図４】本発明に係る表面検査方法のフローチャートである。
【図５】偏光成分の光量（光強度）と方位角度との相関を示すグラフである。
【図６】「理論参照データ」と「実験参照データ」とを比較したグラフである。
【図７】コントラストと方位角度との相関を示すグラフである。
【図８】パターン形状に崩れが生じた繰り返しパターンの概略図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  表面検査装置
１０  ウェハ（被検基板）
１２  繰り返しパターン（ラインアンドスペースパターン）
２０  ステージ（角度設定部）            ３０  照明系（照明部）
４０  受光系（検出部）                  ５０  画像処理部（検査部）
Ｌ  直線偏光
【図１】
2009198396.tif 000003
【図２】
2009198396.tif 000004
【図３】
2009198396.tif 000005
【図４】
2009198396.tif 000006
【図５】
2009198396.tif 000007
【図６】
2009198396.tif 000008
【図７】
2009198396.tif 000009
【図８】
2009198396.tif 000010