(57)【要約】【課題】直流重畳特性に優れ、かつ、温度変化によってインダクタンス値が変化しにくい電子部品及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層体１２は、Ｎｉ及びＣｏを含有している磁性体層１６、磁性体層１６よりもＮｉの含有率が低い非磁性体層１７、及び、磁性体層１６よりもＣｏの含有率が低い磁性体層１９が積層されてなる。コイルＬは、積層体１２内に設けられている。【選択図】図３
2009302380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ及びＣｏを含有している第１の絶縁層、該第１の絶縁層よりもＮｉの濃度が低い第２の絶縁層、及び、該第１の絶縁層よりもＣｏの濃度が低い第３の絶縁層が積層されてなる積層体と、
前記積層体内に設けられているコイルと、
を備えていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにより構成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにより構成されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の絶縁層は、０．２％以上２．０％以下の質量濃度でＣｏ3Ｏ4を含有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第３の絶縁層は、Ｃｏを含有していないこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
Ｎｉ及びＣｏを含有している第１の絶縁層を作製する工程と、
前記第１の絶縁層よりもＮｉの濃度が低い第２の絶縁層を作製する工程と、
前記第１の絶縁層よりもＣｏの濃度が低い第３の絶縁層を作製する工程と、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層又は前記第３の絶縁層にコイル電極を形成する工程と、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を積層する工程と、
を備えること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、積層体内にコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載のチップタイプパワーインダクタが知られている。該チップタイプパワーインダクタは、磁性体層が積層されてなると共に、コイルを内部に備えている積層体により構成されている。更に、該積層体には、コイルにより形成される磁路を横切るように非磁性体層が挿入されている。これにより、コイルは、開磁路型のコイルを構成するようになり、積層体内において磁気飽和が発生しにくくなる。その結果、該チップタイプパワーインダクタにおいて、磁気飽和による急激なインダクタンス値の低下を抑制でき、良好な直流重畳特性を得ることができる。
【０００３】
しかしながら、前記チップタイプパワーインダクタでは、以下に説明するように、温度変化が生じるとインダクタンス値が変化してしまうという問題がある。図６は、チップタイプパワーインダクタの磁性体層１００と非磁性体層１０２との境界部分の拡大図及びＮｉの濃度分布を示した図である。図７は、温度と透磁率との関係を示したグラフである。図７において、縦軸は透磁率を示し、横軸は温度を示す。また、図７では、図６の位置Ｐ１〜Ｐ４のそれぞれにおける温度と透磁率との関係を示した。
【０００４】
磁性体層１００及び非磁性体層１０２は、キュリー温度において磁性体から非磁性体に切り替わる性質を有している。具体的には、磁性体層１００は、図７の位置Ｐ１の曲線に示すように、温度Ｔ１以上の温度では非磁性体として機能し、温度Ｔ１より低い温度では磁性体として機能する。また、非磁性体層１０２は、図７の位置Ｐ４の曲線に示すように、温度Ｔ４以上の温度では非磁性体として機能し、温度Ｔ４よりも低い温度では磁性体として機能する。キュリー温度は、Ｎｉの濃度に依存している。そこで、チップタイプパワーインダクタが使用される温度範囲よりも温度Ｔ１が高くなるように、磁性体層１００が作製され、チップタイプパワーインダクタが使用される温度範囲よりも温度Ｔ４が低くなるように、非磁性体層１０２が作製される。これにより、チップタイプパワーインダクタが使用される温度範囲内では、磁性体層１００は磁性体として機能し、非磁性体層１０２は非磁性体として機能する。
【０００５】
ところで、チップタイプパワーインダクタでは、図６に示すように、磁性体層１００と非磁性体層１０２とが接触している。磁性体層１００は、Ｎｉを含有しており、非磁性体層１０２は、Ｎｉを含有していない。このような磁性体層１００及び非磁性体層１０２が焼成されると、磁性体層１００から非磁性体層１０２へとＮｉが拡散していく。これにより、非磁性体層１０２において、Ｎｉは、図６に示すように、磁性体層１００と非磁性体層１０２との界面から非磁性体層１０２側へといくにしたがって濃度が減少する濃度分布を有するようになる。位置Ｐ２，Ｐ３では、温度Ｔ１よりも低く、温度Ｔ４よりも高い温度Ｔ２，Ｔ３においてキュリー温度をとるようになる。その結果、チップパワーインダクタが使用される温度の範囲内に温度Ｔ３，Ｔ４が位置するようになり、位置Ｐ２，Ｐ３における非磁性体層１０２は、チップパワーインダクタが使用される温度によって、磁性体と非磁性体とに変化してしまう。すなわち、温度が変化すると、チップタイプパワーインダクタのインダクタンス値が変化してしまう。
【特許文献１】特開２００４−３１１９４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、直流重畳特性に優れ、かつ、温度変化によってインダクタンス値が変化しにくい電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る電子部品は、Ｎｉ及びＣｏを含有している第１の絶縁層、該第１の絶縁層よりもＮｉの濃度が低い第２の絶縁層、及び、該第１の絶縁層よりもＣｏの濃度が低い第３の絶縁層が積層されてなる積層体と、前記積層体内に設けられているコイルと、を備えていること、を特徴とする。
【０００８】
また、本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、Ｎｉ及びＣｏを含有している第１の絶縁層を作製する工程と、前記第１の絶縁層よりもＮｉの濃度が低い第２の絶縁層を作製する工程と、前記第１の絶縁層よりもＣｏの濃度が低い第３の絶縁層を作製する工程と、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層又は前記第３の絶縁層にコイル電極を形成する工程と、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を積層する工程と、を備えること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、直流重畳特性に優れ、かつ、温度変化によってインダクタンス値が変化しにくい電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
【００１１】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品１０について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００１２】
電子部品１０は、図１に示すように、積層体１２及び外部電極１４ａ，１４ｂを備えている。積層体１２は、直方体状を有しており、コイルＬを内蔵している。外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、コイルＬに電気的に接続されており、ｘ軸方向の両端に位置する側面を覆うように形成されている。
【００１３】
積層体１２は、図２に示すように、磁性体層１６ａ〜１６ｆ，１９ａ〜１９ｄ（絶縁層）及び非磁性体層１７ａ，１７ｂ（絶縁層）がｚ軸方向に積層されて構成されている。以下では、個別の磁性体層１６，１９及び非磁性体層１７を指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
【００１４】
磁性体層１６は、Ｎｉを含有している強磁性のフェライトにより作製されている。本実施形態では、磁性体層１６は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにより構成されている。更に、該磁性体層１６は、０．２％以上２．０％以下の質量濃度で、Ｃｏ3Ｏ4を含有している。なお、磁性体層１６の層数は図２に示したものに限らない。
【００１５】
非磁性体層１７は、磁性体層１６よりもＮｉの濃度が低い（本実施形態では、Ｎｉの質量濃度は０％）非磁性のフェライトにより構成されている。本実施形態では、非磁性体層１７は、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにより構成されている。
【００１６】
磁性体層１９は、磁性体層１６よりもＣｏの濃度が低い（本実施形態では、Ｃｏの質量濃度は０％）強磁性のフェライトにより構成されている。本実施形態では、磁性体層１９は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトにより構成されている。
【００１７】
以上の磁性体層１６，１９及び非磁性体層１７は、ｚ軸方向から平面視したときに、同じ形状及び同じ大きさを有している。
【００１８】
コイルＬは、図２に示すように、旋廻しながらｚ軸方向に進行する螺旋状のコイルである。すなわち、コイルＬのコイル軸は、ｚ軸方向に平行である。コイルＬは、図２に示すように、コイル電極１８ａ〜１８ｆ、引き出し部２０ａ，２０ｂ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５を含んでいる。以下では、個別のコイル電極１８、引き出し部２０を指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
【００１９】
コイル電極１８ａ〜１８ｆはそれぞれ、図２に示すように、磁性体層１６ｂ，非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｄ，１６ｅの主面上に形成されており、磁性体層１６，１９及び非磁性体層１７と共に積層されている。各コイル電極１８は、Ａｇからなる導電性材料からなり、ｚ軸方向に互いに重なるように配置されている。
【００２０】
また、コイル電極１８ａ，１８ｆの端部にはそれぞれ、引き出し部２０ａ，２０ｂが設けられている。引き出し部２０ａ，２０ｂはそれぞれ、外部電極１４ａ，１４ｂと接続されている。これにより、コイルＬは、外部電極１４ａ，１４ｂに接続される。
【００２１】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ５はそれぞれ、図２に示すように、磁性体層１６ｂ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｄをｚ軸方向に貫通するように形成されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、磁性体層１６，１９及び非磁性体層１７が積層されたときに、隣り合うコイル電極１８同士を接続する接続部として機能する。より詳細には、ビアホール導体ｂ１は、コイル電極１８ａの端部の内、引き出し部２０ａが設けられていない方の端部と、コイル電極１８ｂの端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル電極１８ｂの端部の内、ビアホール導体ｂ１が接続されていない方の端部と、コイル電極１８ｃの端部とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル電極１８ｃの端部の内、ビアホール導体ｂ２が接続されていない方の端部と、コイル電極１８ｄの端部とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、コイル電極１８ｄの端部の内、ビアホール導体ｂ３が接続されていない方の端部と、コイル電極１８ｅの端部とを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル電極１８ｅの端部の内、ビアホール導体ｂ４が接続されていない方の端部と、コイル電極１８ｆの端部の内、引き出し部２０ｂが設けられていない方の端部とを接続している。
【００２２】
以上のように構成された磁性体層１６，１９及び非磁性体層１７は、磁性体層１９ａ，１９ｂ、１６ａ，１６ｂ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１９ｃ，１９ｄの順番にｚ軸方向の上から下へと並ぶように積層される。これにより、積層体１２内において、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有するコイルＬが形成されると共に、非磁性体層１７ａ，１７ｂが該コイルＬを横切るようになる。また、磁性体層１６ａのｚ軸方向の上側及び磁性体層１６ｆのｚ軸方向の下側のそれぞれには、磁性体層１９ａ，１９ｂ及び磁性体層１９ｃ，１９ｄが位置するようになる。
【００２３】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０では、非磁性体層１７がコイルＬを横切るように設けられているので、コイルＬが開磁路型のコイルを構成するようになる。その結果、電子部品１０において磁気飽和が発生して、急激にインダクタンス値が低下することが抑制される。すなわち、直流重畳特性に優れた電子部品１０を得ることができる。
【００２４】
更に、電子部品１０によれば、Ｃｏを含有している磁性体層１９が積層体１２に設けられているので、温度変化によってインダクタンス値が変化しにくくなる。以下に、実験結果に基づいて説明する。
【００２５】
図３において、磁性体層１６及び非磁性体層１７のｚ軸方向の厚みをＬ１とし、積層体１２のｚ軸方向の厚みをＬ２とする。本願発明者は、図３に示す電子部品１０において、−６０℃〜８０℃の間におけるインダクタンス値が２５℃におけるインダクタンス値に対して±５％以下の変動率に収まるときのＬ１／Ｌ２を、非磁性体層１７の枚数毎に調べた。磁性体層１９としては、１．２％の質量濃度でＣｏ3Ｏ4を含有しているものを用いた。図４は、Ｌ１／Ｌ２と非磁性体層１７の枚数との関係を示したグラフである。縦軸は、Ｌ１／Ｌ２×１００を示し、横軸は、非磁性体層１７の枚数を示す。
【００２６】
電子部品１０によれば、図４に示すように、磁性体層１６にＣｏを含有させることにより、インダクタンス値の変動を±５％以下に抑制できていることがわかる。より詳細には、図４のグラフに示すように、非磁性体層１７の枚数が増加した場合には、Ｌ１／Ｌ２を大きくすることにより、温度変化によってインダクタンス値が変化することを抑制できていることがわかる。すなわち、非磁性体層１７の枚数が増加すれば、Ｃｏ3Ｏ4を含有している磁性体層１６の割合を増加させることにより、インダクタンス値が温度変化によって変動することを抑制できることがわかる。
【００２７】
また、電子部品１０では、Ｃｏを含有している磁性体層１６と、Ｃｏを含有していない磁性体層１９とを積層することにより、積層体全体に均一な濃度でＣｏを含有している電子部品と略同じように、インダクタンス値が温度変化によって変動することを抑制できる。以下に、実験結果に基づいて説明する。
【００２８】
本願発明者は、非磁性体層１７を２枚用いたとき、及び、非磁性体層１７を３枚用いたときにおけるインダクタンス値の変化率と温度との関係を調べた。本実験では、電子部品１０の実施例として、Ｌ１／Ｌ２の比率を、図４のグラフに基づいて決定した。具体的には、非磁性体層１７を２枚用いた第１の実施例では、Ｌ１／Ｌ２を０．５（５０％）とし、非磁性体層１７を３枚用いた第２の実施例では、Ｌ１／Ｌ２を０・７５（７５％）とした。
【００２９】
また、非磁性体層が２枚用いられた電子部品においてＣｏを全く含有していないものを第１の比較例とし、非磁性体層が２枚用いられた電子部品において全ての磁性体層がＣｏ3Ｏ4を０．６％の質量濃度で含有しているものを第２の比較例とした。更に、非磁性体層が３枚用いられた電子部品においてＣｏを全く含有していないものを第３の比較例とし、非磁性体層が３枚用いられた電子部品において全ての磁性体層がＣｏ3Ｏ4を０．９％の質量濃度で含有しているものを第４の比較例とした。図５は、各実施例及び各比較例における、温度とインダクタンス値との関係を示したグラフである。縦軸は、インダクタンス値を示し、横軸は、温度を示している。
【００３０】
図５（ａ）によれば、第１の比較例では、磁性体層がＣｏを全く含有していないので、温度が上昇すると、インダクタンス値が低下していることが理解できる。これに対して、第２の比較例では、全ての磁性体層がＣｏ3Ｏ4を０．６％の質量濃度で含有していることにより、温度が上昇してもインダクタンス値が低下することを抑制できていることがわかる。更に、第１の実施例においても、第２の比較例と同様に、温度が上昇してもインダクタンス値が低下することを抑制できていることがわかる。
【００３１】
また、図５（ｂ）によれば、第３の比較例では、磁性体層がＣｏを全く含有していないので、温度が上昇すると、インダクタンス値が低下していることが理解できる。これに対して、第４の比較例では、全ての磁性体層がＣｏ3Ｏ4を０．９％の質量濃度で含有していることにより、温度が上昇してもインダクタンス値が低下することを抑制できていることがわかる。更に、第２の実施例においても、第４の比較例と同様に、温度が上昇してもインダクタンス値が低下することを抑制できていることがわかる。
【００３２】
以上の実験結果より、電子部品１０では、Ｃｏを含有している磁性体層１６と、Ｃｏを含有していない磁性体層１９とを積層することにより、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏを含有している電子部品と略同じように、インダクタンス値が温度変化によって変動することが抑制されることがわかる。
【００３３】
更に、電子部品１０では、以下に説明するように、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している電子部品に比べて、安価に製造可能である。
【００３４】
第２の比較例及び第４の比較例では、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している。故に、非磁性体層の枚数が多くなれば、磁性体層中のＣｏ3Ｏ4の濃度を大きくする必要がある。したがって、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している場合には、非磁性体層の枚数に応じて、異なる濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している複数種類の磁性体層を作製する必要がある。その結果、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している電子部品では、作製すべき磁性体層の種類が多くなってしまう問題があった。
【００３５】
一方、電子部品１０では、Ｃｏを含有している磁性体層１６の枚数及びＣｏを含有していない磁性体層１９の枚数を調整して、積層体１２のｚ軸方向の厚みＬ２と磁性体層１６及び非磁性体層１７のｚ軸方向の厚みＬ１を調整することにより、非磁性体層の枚数が異なる複数種類の電子部品１０を作製できる。すなわち、電子部品１０では、作製すべき磁性体層は、磁性体層１６と磁性体層１９の２種類のみで足りる。その結果、電子部品１０は、全ての磁性体層が均一な濃度でＣｏ3Ｏ4を含有している電子部品よりも、磁性体層の製造コスト及び管理コストの面で優れており、安価に作製可能である。
【００３６】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００３７】
磁性体層１６となるセラミックグリーンシートを、以下の工程により作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、及び、酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量し、それぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、強磁性のフェライトセラミック粉末を得る。
【００３８】
このフェライトセラミック粉末に対して、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）、結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、磁性体層１６となるセラミックグリーンシートを作製する。
【００３９】
次に、非磁性体層１７となるセラミックグリーンシートを、以下の工程により作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及び、酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量し、それぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、強磁性のフェライトセラミック粉末を得る。
【００４０】
このフェライトセラミック粉末に対して、結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、非磁性体層１７となるセラミックグリーンシートを作製する。なお、本実施形態では、非磁性体層１７となるセラミックグリーンシートは、２枚作製されるが、該セラミックグリーンシートの作製枚数は、これに限らない。非磁性体層１７となるセラミックグリーンシートは、電子部品１０にて生じる磁気飽和を抑制するのに適した枚数だけ作製される。
【００４１】
磁性体層１９となるセラミックグリーンシートを、以下の工程により作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、及び、酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量し、それぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、強磁性のフェライトセラミック粉末を得る。
【００４２】
このフェライトセラミック粉末に対して、結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、シート状に形成して乾燥させ、磁性体層１９となるセラミックグリーンシートを作製する。
【００４３】
なお、本実施形態では、磁性体層１９となるセラミックグリーンシートは、４枚であるが、該セラミックグリーンシートの作製枚数はこれに限らない。磁性体層１９となるセラミックグリーンシートの枚数は、非磁性体層１７の枚数、積層体１２のｚ軸方向の厚み、及び、図４に示すグラフにより定まる。
【００４４】
次に、磁性体層１６ｂ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ及び磁性体層１６ｄとなるセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５を形成する。具体的には、図２に示すように、磁性体層１６及び非磁性体層１７となるセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００４５】
次に、磁性体層１６ｂ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｄ，１６ｅとなるセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ａ〜１８ｆ及び引き出し部２０ａ，２０ｂを形成する。なお、コイル電極１８ａ〜１８ｆ及び引き出し部２０ａ，２０ｂの形成と同時に、ビアホール導体に対して導電性ペーストを充填してもよい。
【００４６】
次に、図２に示すように、磁性体層１９ａ，１９ｂ、１６ａ，１６ｂ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１９ｃ，１９ｄの順番に上側から下側へと並ぶように積層する。より詳細には、磁性体層１９ｄとなるセラミックグリーンシートを配置する。次に、磁性体層１９ｄとなるセラミックグリーンシート上に、磁性体層１９ｃとなるセラミックグリーンシートの配置及び仮圧着を行う。この後、磁性体層１６ｆ，１６ｅ，１６ｄ、非磁性体層１７ｂ、磁性体層１６ｃ、非磁性体層１７ａ、磁性体層１６ｂ，１６ａ，１９ｂ，１９ａとなるセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び仮圧着して、マザー積層体を得る。更に、マザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
【００４７】
次に、マザー積層体をギロチンカットにより所定寸法の積層体１２にカットして、未焼成の積層体１２を得る。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、１０００℃で２時間の条件で行う。
【００４８】
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。銀電極の乾燥は、１２０℃で１０分間行われ、銀電極の焼き付けは、８９０℃で６０分間行われる。最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一実施形態に係る電子部品の斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１の電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図４】Ｌ１／Ｌ２と非磁性体層の枚数との関係を示したグラフである。
【図５】各実施例及び各比較例における、温度とインダクタンス値との関係を示したグラフである。
【図６】チップタイプパワーインダクタの磁性体層と非磁性体層との境界部分の拡大図及びＮｉの濃度分布を示した図である。
【図７】温度と透磁率との関係を示したグラフである。
【符号の説明】
【００５０】
Ｌ コイル
ｂ１〜ｂ５  ビアホール導体
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ，１４ａ  外部電極
１６ａ〜１６ｆ，１９ａ〜１９ｄ  磁性体層
１７ａ，１７ｂ  非磁性体層
１８ａ〜１８ｆ  コイル電極
２０ａ，２０ｂ  引き出し部
【図１】
2009302380.tif 000003
【図２】
2009302380.tif 000004
【図３】
2009302380.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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