(57)【要約】【課題】電極と隔壁部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供すること。【解決手段】表示装置１０は、ＴＦＴ回路基板２０と、ＴＦＴ回路基板２０の一方の面側に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機半導体層７と、ＴＦＴ回路基板２０の一方の面側に設けられ、有機半導体層７を区画する隔壁部３５と、有機半導体層７を介して陽極３と対向配置された陰極８とを備え、陰極８は、金属原子と、金属原子に結合する酸素原子と、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、陰極８は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、陰極８の表面付近に存在する脱離基が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、陰極８の表面の領域に発現した接着性によって、隔壁部３５と接合している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧を印加すると光を発する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を区画する隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極との間で電圧を印加可能な第２の電極とを備え、
前記第２の電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記第２の電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記第２の電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記第２の電極の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記隔壁部と接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極である請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記第２の電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記第２の電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項２または３に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記第２の電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものである請求項２ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記第２の電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記第２の電極中の前記脱離基は、前記第２の電極の表面付近に偏在している請求項１ないし６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記エネルギーの付与は、前記第２の電極にエネルギー線を照射する方法により行われる請求項１ないし７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極を包含するように設けられている請求項１ないし８のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものである請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものである請求項９または１０に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１３】
前記第２の電極は、その前記接着性によって、前記有機半導体層にも接合している請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記第２の電極の前記第１の電極と反対側には、保護基板が設けられており、
前記保護基板は、前記第２の電極を介して、前記隔壁部と接合している請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記保護基板は、ガラス材料および樹脂材料のうちの少なくとも一方を主材料として構成されている請求項１４に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記保護基板と前記第２の電極との間には、中間層が形成されている請求項１４または１５に記載の有機発光装置。
【請求項１７】
前記第２の電極と前記隔壁部との間には、中間層が形成されている請求項１ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されている請求項１６または１７に記載の有機発光装置。
【請求項１９】
当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし１８のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物（発光材料）を含む発光層を有する有機半導体層を挟んだ構成となっており、この発光層に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、発光材料の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る表示装置（有機発光装置）が備える素子として注目を集めている。
【０００３】
フルカラー表示を実現し得る有機発光装置としては、例えば、基板と、基板上に積層された陽極（陽極層）と、陽極に対向配置された陰極（陰極層）と、陽極と陰極との間に設けられた発光層および正孔輸送層（正孔注入層）を含む有機半導体層と、有機半導体層を区画する隔壁部（画素間隔壁）とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載の有機発光装置では、陰極は、隔壁部と接合している。この接合方法としては、例えば、接着剤での接着による方法を用いることができる。
【０００４】
しかしながら、このように接着剤層を介して陰極と隔壁部とを接合する場合、これらの間に接着剤を供給する際の当該接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、接着剤層の厚さが不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、有機発光装置が設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、電極と隔壁部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧を印加すると光を発する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を区画する隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極との間で電圧を印加可能な第２の電極とを備え、
前記第２の電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記第２の電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記第２の電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記第２の電極の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記隔壁部と接合していることを特徴とする。
これにより、電極と隔壁部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
【０００８】
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極であることが好ましい。
これにより、陰極を構成する第２の電極と隔壁部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、第２の電極が優れた透明性（光透過性（透光性））および導電性を有する。よって、当該有機発光装置が、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である場合、第２の電極は、電極としての機能と、光を出射する機能とを発揮することができる。
【０００９】
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れたものとなる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
これにより、第２の電極が優れた透明性（光透過性（透光性））および導電性を有する。よって、当該有機発光装置が、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である場合、第２の電極は、電極としての機能と、光を出射する機能とを発揮することができる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、第２の電極の安定性が高くなり、隔壁部をより強固に接合することができる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極中の前記脱離基は、前記第２の電極の表面付近に偏在していることが好ましい。
これにより、第２の電極に、接合を担う機能の他に、導電性に優れた金属酸化物としての機能を好適に付与することができる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記第２の電極にエネルギー線を照射する方法により行われることが好ましい。
これにより、第２の電極に接着性が確実に発現する。
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極を包含するように設けられていることが好ましい。
これにより、第２の電極が各第１の電極に対応する共通電極となり、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。また、第２の電極の隔壁部に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、隔壁部との接合強度が向上する。
【００１３】
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、十分な導電性および光透過性を確保することができる。
本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものであることが好ましい。
これにより、隔壁部の第２の電極に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、第２の電極との接合強度が高まり、有機発光装置の長寿命化を確実に図ることができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、第２の電極との接合性にも優れ、よって、第２の電極との接合強度も向上する。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、その前記接着性によって、前記有機半導体層にも接合していることが好ましい。
これにより、第２の電極全体としての接合強度が高まる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極の前記第１の電極と反対側には、保護基板が設けられており、
前記保護基板は、前記第２の電極を介して、前記隔壁部と接合していることが好ましい。
これにより、第２の電極が保護基板により保護され、また、当該有機発光装置を長期間使用した場合の保護基板の不本意な剥離を確実に防止することができる。
【００１６】
本発明の有機発光装置では、前記保護基板は、ガラス材料および樹脂材料のうちの少なくとも一方を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、保護基板が光透過性を有することとなり、よって、当該保護基板から光が確実に出射する。また、第２の電極との接合性が高まり、よって、当該第２の電極を介して、保護基板が隔壁部と確実に接合する。
【００１７】
本発明の有機発光装置では、前記保護基板と前記第２の電極との間には、中間層が形成されていることが好ましい。
これにより、保護基板と第２の電極との間の接合強度が高まる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極と前記隔壁部との間には、中間層が形成されていることが好ましい。
これにより、第２の電極と隔壁部との間の接合強度が高まる。
【００１８】
本発明の有機発光装置では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、保護基板と第２の電極との間、および、第２の電極と隔壁部との間において、それぞれ接合強度を高めることができる。
本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、該陰極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
かかる構成の有機発光装置に適用することにより、有機発光装置が備える有機発光素子の消費電力が確実に低減して、さらには、有機発光素子の長寿命化を確実に図ることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、陰極と隔壁部とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置を有する電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する
＜有機発光装置＞
図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図、図３は、有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図、図４は、本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、全体形状が板状をなすＴＦＴ回路基板（基板）２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられ、発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子１Ｒ、緑色（Ｇ）の有機ＥＬ素子１Ｇおよび青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子１Ｂと、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士を区画する隔壁部３５と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板（保護基板）９とを有している。
【００２１】
なお、以下では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総称して有機ＥＬ素子１と言うことがある。また、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをそれぞれ構成する有機半導体層（有機半導体層積層体）７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを総称して有機半導体層７と言うことがある。また、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂをそれぞれ構成する発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称して発光層６と言うことがある。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、各有機ＥＬ素子（有機発光素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの上側に配置され、これらの素子を保護する保護膜等として機能するものである。
【００２２】
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９（後述する陰極（第２の電極）８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００２３】
一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。このような材料を用いることにより、上基板９が優れた光透過性を示すこととなり、よって、当該上基板９から光が確実に出射する（図１参照）。また、後述する陰極８との接合性が高まり、よって、当該陰極８を介して、上基板９が隔壁部３５と確実に接合する。
【００２４】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
【００２５】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
【００２６】
また、図１（図２、図３も同様）に示すように、隣接する有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士は、隔壁部（バンク）３５により区画されている。この隔壁部３５は、互いに対向配置された陽極３と陰極８との間に設けられ、これらの電極間の距離を規制する機能も有している。
隔壁部３５は、板状をなす第１隔壁部３１と、第１隔壁部３１上に設けられたブロック状をなす第２隔壁部３２とで構成される。第１隔壁部３１は、隣接する陽極３間をまたぐように設けられている。また、第１隔壁部３１は、陽極３に接する（接合した）陽極接合部３１１と、ＴＦＴ回路基板２０の回路部２２の上面に接する（接合した）基板接合部３１２とを有している。これにより、隔壁部３５がＴＦＴ回路基板２０に対して確実に固定される。第２隔壁部３２は、主に有機半導体層７を包囲する部位である。この第２隔壁部３２は、その両側面３２１が上方に向かって互いに接近するように傾斜した傾斜面となっている。また、第２隔壁部３２の上面（頂面）３２２は、平面を構成している。
【００２７】
このような構成の複数の隔壁部３５は、全体として平面視での形状が格子状をなしている（図２参照）。これにより、各隔壁部３５の内側に有機半導体層７（有機ＥＬ素子１）を設けることができ、このように設けられた有機半導体層７は、マトリクス状をなす。よって、有機ＥＬ素子１を表示装置１０に好適に用いることができる。また、隔壁部３５が格子状をなすことにより、隔壁部３５の陰極８に対する接合箇所を比較的多く確保することができる。よって、陰極８との接合強度が高まり、表示装置１０の長寿命化を確実に図ることができる。
【００２８】
第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物（無機材料）や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような樹脂材料（有機材料）が挙げられる。また、第１隔壁部３１の構成材料と第２隔壁部３２の構成材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２９】
第２隔壁部３２の構成材料にシリコン酸化物を用いた場合、第２隔壁部３２の表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料を用いると、後述する陰極８の構成材料との接合性に優れ、第２隔壁部３２と陰極８とを強固に接合させることができる。また、第２隔壁部３２を形成する際の加工性に優れるため、寸法精度の高い第２隔壁部３２が得られる。このため、高精度の表示装置１０が得られる。
また、隔壁部３５の開口の形状は、図２に示す構成では四角形であるが、この他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
【００３０】
なお、隔壁部３５の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔輸送層５および発光層６を、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁部３５の内側の空間の隅々にまで確実に、すなわち、過不足なく供給することができる。
このような隔壁部３５の高さは、陽極３、正孔輸送層５および発光層６の合計の厚さにもよるが、例えば、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【００３１】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極（第１の電極）３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、正孔輸送層５および発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを備える有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとは、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対して個別に形成されており、陰極８は、共通電極とされている。
【００３２】
そして、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、図２に示すように、平面視において、マトリクス状に配置され、２点鎖線で囲まれる部分（３つの有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ）により１画素が構成されている。なお、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置は、図２に示すものに限定されず、例えば、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すようなものであってもよい。図３（ａ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置の順番が図２に示す構成のものとは異なっている。図３（ｂ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ三角形の頂部に位置するように配置されている。
【００３３】
表示装置１０では、個別に（複数）設けられた陽極３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた陰極８と、各陽極３にそれぞれ対応するように陰極８との間に設けられた有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとで、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが構成されている。なお、本実施形態では、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、陽極３側から正孔輸送層５と発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとがこの順で積層された積層体となっている。
【００３４】
また、陰極８が全陽極３を包含するようなものであることにより、当該陰極８が全陽極３に対応する共通電極となり、個別に陰極８を設けるのが省略され、表示装置１０の構造を簡単なものとすることができる。また、陰極８の隔壁部３５に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、隔壁部３５との接合強度が向上する。
陽極３は、ＴＦＴ回路基板２０の回路部２２の上面（一方の面）に設けられ（積層され）、正孔輸送層５（有機半導体層７）に正孔を注入する電極である。
【００３５】
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３６】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を発光層６において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
【００３７】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
また、このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する発光層６で発光した光が陽極３側で吸収（吸光）されることなく、上基板９側に反射させて、上基板９（陰極８）を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
【００３８】
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、その少なくとも表面付近を構成することにより形成することができる。
陰極８は、有機半導体層７（発光層６）に電子を注入する電極である。
表示装置１０では、陰極８は、それにエネルギーを付与する前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の各陰極８は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入したもの（層）であると言うことができる。
【００３９】
このような陰極８は、その少なくとも一部の領域にエネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、陰極８の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである（図４、図５参照）。これにより、陰極８の表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した陰極８と各隔壁部３５とが接合されている。
【００４０】
ここで、陰極８が第２隔壁部３２と接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、第２隔壁部３２の陰極８との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、陰極８と第２隔壁部３２とが接触するように、陰極８と第２隔壁部３２とを貼り合わせたとき、陰極８の表面８０に存在する水酸基（図５参照）と、第２隔壁部３２の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、陰極８が第２隔壁部３２とが接合されると推察される。
【００４１】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、陰極８と第２隔壁部３２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、陰極８が第２隔壁部３２とがより強固に接合されると推察される。
陰極８は、前述したように金属原子とこの金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの（金属酸化物）に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固なものとなる。このため、陰極８自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
【００４２】
これに対し、従来の有機発光装置のように、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤を介して陰極と各隔壁部とを接合した場合に比べて、表示装置１０では陰極８と各陽極３との間隔がほとんど変化しない。したがって、接着剤層を介さずに、陰極８と各隔壁部３５とが直接接合した表示装置１０の寸法精度は、従来のものに比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。また、このような接合により、従来、接着剤を用いて接合した場合に接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
【００４３】
なお、脱離基３０３は、少なくとも陰極８の表面８０付近に存在していればよく、陰極８のほぼ全体に存在していてもよいし、陰極８の表面８０付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面８０付近に偏在する構成とすることにより、陰極８に金属酸化物としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、陰極８に、接合を担う機能の他に、導電性等の特性に優れた金属酸化物としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、陰極８の導電性特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
【００４４】
以上のような陰極８としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種が好適に用いられる。陰極８を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基３０３を導入したものとすることにより、陰極８は、有機半導体層７に電子を効率良く注入し得るものとなる。
【００４５】
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）等が挙げられる。このような金属酸化物は、前述したように、陰極８としての機能を確実に発揮することができる。また、表示装置１０は陰極８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため、陰極８としては、優れた透明性（光透過性（透光性））を備えるものが好ましく用いられる。かかる金属酸化物は、透明性にも優れており、この点からも陰極８の構成材料として好適に用いられる。
【００４６】
また、陰極８中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、陰極８の安定性が高くなり、各隔壁部３５とより強固に接合することができる。
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、陰極８に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう陰極８に確実に結合しているものが好適に選択される。
【００４７】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、各隔壁部３５との接着性をより高度なものとすることができる。なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
【００４８】
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える陰極８は、耐候性に優れたものとなる。
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極８の厚さが薄すぎると、陰極８としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極８が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
【００４９】
このような陰極８は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極８側から取り出すことができる。
前述したように、陰極８は、エネルギーを付与することにより接着性を発現するものである。陰極８に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）陰極８にエネルギー線を照射する方法、（II）陰極８を加熱する方法、（III）陰極８に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
【００５０】
このうち、陰極８にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、陰極８に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
【００５１】
（Ｉ）陰極８にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、陰極８中の金属原子と酸素原子との結合が切断されるのを防止しつつ、脱離基３０３と間の結合を選択的に切断することができる。これにより、陰極８の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、陰極８に接着性を発現させることができる。
【００５２】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、陰極８の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと陰極８との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００５３】
また、紫外線を照射する時間は、陰極８の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、陰極８の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、陰極８の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【００５４】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザ（フェムト秒レーザ）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が挙げられる。
また、陰極８に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【００５５】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、陰極８に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基体２の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、陰極８から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、陰極８と各隔壁部３５との間の接合強度を容易に制御することができる。
【００５６】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、陰極８の表面および内部に、より多くの活性手３０４が生じるため、陰極８に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、陰極８の表面および内部に生じる活性手３０４を少なくし、陰極８に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【００５７】
（II）陰極８を加熱する場合、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、ＴＦＴ回路基板２０等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、陰極８を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、陰極８中の金属原子と酸素原子との結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、陰極８は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
【００５８】
（III）本実施形態では、陰極８と各隔壁部３５とを貼り合わせる前に、陰極８に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、陰極８と各隔壁部３５とを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、上基板９上に陰極８を形成した後、エネルギーを付与する前に、陰極８と各隔壁部３５とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の陰極８に対してエネルギーを付与することにより、陰極８に接着性が発現し、各隔壁部３５と接合（接着）される。
【００５９】
この場合、仮接合体中の陰極８に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、陰極８に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、陰極８と各隔壁部３５とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、陰極８に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、陰極８に十分な接着性が発現する。
【００６０】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、陰極８と各隔壁部３５とが接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、陰極８と各隔壁部３５との相対位置を微調整することにより、最終的に得られる表示装置１０の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【００６１】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、陰極８にエネルギーを付与することができる。
なお、陰極８の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、陰極８の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、陰極８と各隔壁部３５との熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【００６２】
また、陰極８の全面にエネルギーを付与した場合、接着性は、陰極８の表面８０の全体に発現する、すなわち、陰極８の各隔壁部３５との接合に供される領域の他、各有機半導体層７（発光層６）との接合に供される領域にも発現する。これにより、陰極８は、各隔壁部３５と接合するとともに、各有機半導体層７とも接合する。よって、陰極８全体としての接合強度が高まり、よって、表示装置１０の長寿命化を図ることができる。
【００６３】
また、陰極８の一部の領域、すなわち、各隔壁部３５との接合に供される領域のみにエネルギーを付与した場合、陰極８は、前述したように各隔壁部３５と接合する。この場合、各発光層６が発光するとそれによる熱により、陰極８の各発光層６と接する領域が加熱され（エネルギーが付与され）、当該領域に接着性が発現する。これにより、陰極８は、各有機半導体層７とも接合する。なお、陰極８の全面にエネルギーを付与して、既に陰極８が各有機半導体層７と接合している場合には、各発光層６が発する熱により、その接合強度がさらに向上する。
【００６４】
このような陰極８を介して、上基板９は、各隔壁部３５と接合している。これにより、陰極８や有機半導体層７等が上基板９により保護され、よって、これらが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。また、表示装置１０を長期間使用した場合の上基板９の不本意な剥離を確実に防止することができる。
【００６５】
また、前述したように、脱離基３０３は、陰極８のほぼ全体に存在していてもよいし、陰極８の表面８０付近に偏在していてもよい。陰極８のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を陰極８の表面８０付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【００６６】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、陰極８を例えば上基板９上に成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞  Ａの方法では、陰極８は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を上基板９に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、陰極８のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【００６７】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な陰極８を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された陰極８は、各隔壁部３５に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された陰極８は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００６８】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【００６９】
以下、ＰＶＤ法により陰極８を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、陰極８を成膜する場合を代表に説明する。
まず、陰極８の成膜方法を説明するのに先立って、上基板９上にイオンビームスパッタリング法により陰極８を成膜する（形成する）際に用いられる成膜装置８００について説明する。
【００７０】
図６は、本実施形態にかかる陰極（第２の電極）の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図７は、図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図６に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による陰極８の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
【００７１】
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）８１１と、このチャンバー８１１内に設置され、上基板９（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）８１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）８１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）８１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）８１７とを有している。
【００７２】
また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、上基板９上に陰極８を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【００７３】
図７に示すように、イオン源（イオン銃）８１５は、開口（照射口）８５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、図６に示すように、イオン発生室８５６には、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。
【００７４】
このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。
【００７５】
イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。
【００７６】
また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、陰極８の成膜速度をより速くすることができる。
【００７７】
また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター８２０、２２１は、それぞれ、ターゲット８１６、上基板９および陰極８が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【００７８】
また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
【００７９】
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして陰極８が形成される。
ここでは、上基板９上に陰極８を成膜する方法について説明する。
まず、上基板９を用意し、この上基板９を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【００８０】
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【００８１】
次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【００８２】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が上基板９上に堆積することにより、陰極８が形成される。
【００８３】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された陰極８に照射されるのがより確実に防止されて、陰極８の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する陰極８を成膜することができる。
【００８４】
＜Ｂ＞  一方、Ｂの方法では、陰極８は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた陰極８を形成することができる。
【００８５】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【００８６】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、上基板９上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【００８７】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【００８８】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、陰極８を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて陰極８の成膜する場合も、Ａの方法を用いて陰極８を成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【００８９】
［ｉ］  まず、上基板９を用意する。そして、この上基板９を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］  次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【００９０】
［iii］  次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【００９１】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、上基板９上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【００９２】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された陰極８に照射されるのがより確実に防止されて、陰極８の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【００９３】
［iv］  次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、上基板９および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【００９４】
［v］  次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、陰極８が形成される。
【００９５】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【００９６】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【００９７】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面８０付近に脱離基３０３が偏在する陰極８を成膜することができる。
【００９８】
また、陽極３と陰極８との間には、有機半導体層７が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層７は、正孔輸送層５と発光層６とで構成される積層体となっている。
正孔輸送層５は、陽極３から注入された正孔を発光層６まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層５の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等の化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９９】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【０１００】
なお、陽極３と正孔輸送層５との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ‐フェニル‐３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１０１】
ここで、陽極３と陰極８との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４中を移動して発光層６に注入された正孔と、陰極８から発光層６に注入された電子とが、この発光層６において再結合する。そして、発光層６ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
発光層６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得るようにする。
【０１０２】
具体的には、赤色の発光材料（発光層６Ｒの構成材料）としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン）  イリジウム（III）、ポリ［２，５−ビス（３、７−ジメチルオクチロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−（１−シアノビニレン）フェニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］等が挙げられる。
【０１０３】
緑色の発光材料（発光層６Ｇの構成材料）としては、例えば、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。
【０１０４】
青色の発光材料（発光層６Ｂの構成材料）としては、例えば、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。
【０１０５】
また、各発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陰極８と発光層６との間には、陰極８から注入された電子を発光層６まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにしてもよく、さらには、この電子輸送層と陰極８との間に、陰極８から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
【０１０６】
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、オキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０７】
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【０１０８】
また、各隔壁部３５の第２隔壁部３２の上面３２２には、予め、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、陰極８との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を設けることにより、各隔壁部３５と陰極８との接合強度を高め、信頼性の高い接合体としての表示装置１０を得ることができる。
【０１０９】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１０】
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、各隔壁部３５と陰極８との間の接合強度を特に高めることができる。
また、上基板９の陰極８と接触する領域にも、予め、陰極８との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、上基板９と陰極８との間の接合強度をより高めることができる。
【０１１１】
かかる中間層の構成材料には、前述の各隔壁部３５に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
なお、本実施形態では、表示装置１０を、上基板９（陰極８）側から光を取り出すトップエミッション型に適用した場合について説明したが、このような場合に限定されず、ＴＦＴ回路基板２０（陽極３）側から光を取り出すボトムエミッション型に適用したもよい。
【０１１２】
また、本発明は、本実施形態で説明したような、ＴＦＴ回路基板２０上に個別電極としての陽極３、個別の正孔輸送層５、個別の発光層６および共通電極としての陰極８がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に適用できる他、ＴＦＴ回路基板２０上に個別の陰極、個別の発光層、個別の正孔輸送層および共通電極としての陽極がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子を備える表示装置にも適用することができる。
さらに、表示装置１０は、本実施形態で説明したように各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ異なる発光色（赤色、緑色および青色）を発光するフルカラー表示のものに限定されず、各有機ＥＬ素子が同一の発光色（例えば、白色）を発光する単色（モノカラー）表示のものであってもよい。
【０１１３】
＜有機発光装置の製造方法＞
上述したような表示装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、複数の陽極（個別電極）３が設けられたＴＦＴ回路基板２０を用意する（第１の工程）。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【０１１４】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域に重なるようにラインビームを走査する。
【０１１５】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【０１１６】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【０１１７】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【０１１８】
［１−Ｅ］次に、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、各配線２７に接触するように、複数の陽極（個別電極）３を形成する（第１の工程）。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【０１１９】
［２］次に、第２層間絶縁層２６上に、各陽極３を区画するように、すなわち、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を区画するように、隔壁部（バンク）３５を形成する（第２の工程）。
隔壁部３５は、第２層間絶縁層２６上に第１隔壁部３１を形成した後、この第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２を形成することにより得ることができる。
【０１２０】
なお、第１隔壁部３１は、陽極３および第２層間絶縁層２６を覆うように絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
また、第２隔壁部３２は、陽極３および第１隔壁部３１を覆うように絶縁膜を形成した後、第１隔壁部３１を得たのと同様にして形成することができる。
【０１２１】
［３］次に、各陽極３上に、すなわち、各隔壁部３５の内側に、それぞれ、正孔輸送層５および発光層６をこの順で積層して有機半導体層７を形成する（第３の工程）。
［３−Ａ］まず、各陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層５を形成する。
この正孔輸送層５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層５の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、正孔輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。
【０１２２】
具体的には、正孔輸送層形成用の液状材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
【０１２３】
用いる液状材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁部３５により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層５（有機ＥＬ素子１）の輪郭形状が正確に規定される。
【０１２４】
［３−Ｂ］次に、各正孔輸送層５上に、発光層６を形成する。
この発光層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。また、インクジェット法を用いることにより、複数色の発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの塗り分けを容易に行うことができるという利点も得られる。
【０１２５】
［４］  上基板９を用意する。そして、前述したように成膜装置８００を用いて、この上基板９上に陰極８を形成する（第４の工程）。
［５］次に、この陰極８が形成された上基板９の陰極８に向かって、前述したようにエネルギーを付与する（第５の工程）。これにより、陰極８の表面８０に接着性が発現する。
［６］  次に、この接着性が発現した陰極８が形成された上基板９と、前記工程［３］で得られた有機半導体層７が形成されたＴＦＴ回路基板２０とを重ねあわせ、前記接着性によりこれらを接合する（第６の工程）。これにより、各有機ＥＬ素子１が上基板９により封止され、表示装置１０が完成される。
【０１２６】
＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の有機発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図８は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１２７】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１２８】
図９は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１２９】
図１０は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１３０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０１３１】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１３２】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１３３】
なお、本発明の電子機器は、図８のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図である。
【図３】有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図である。
【図４】本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図５】本発明の有機発光装置における第２の電極のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図６】第２の電極の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図７】図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図８】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１、１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ……有機ＥＬ素子  ３……陽極（第１の電極）  ３１……第１隔壁部  ３１１……陽極接合部  ３１２……基板接合部  ３２……第２隔壁部  ３２１……側面  ３２２……上面（頂面）  ３５……隔壁部（バンク）  ５……正孔輸送層  ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……発光層  ７、７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ……有機半導体層（有機半導体層積層体）  ８……陰極（第２の電極）  ８０……表面  ９……上基板（保護基板）  １０……表示装置  ２０……ＴＦＴ回路基板（基板）  ２１……基板  ２２……回路部  ２３……下地保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  ３０３……脱離基  ３０４……活性手  ８００…成膜装置  ８１１…チャンバー  ８１２…基板ホルダー  ８１５…イオン源  ８１６…ターゲット  ８１７…ターゲットホルダー  ８１９…ガス供給源  ８２０…第１のシャッター  ８２１…第２のシャッター  ８３０…排気手段  ８３１…排気ライン  ８３２…ポンプ  ８３３…バルブ  ８５０…開口  ８５３、８５４…グリッド  ８５５…磁石  ８５６…イオン発生室  ８５７…フィラメント  ８６０…ガス供給手段  ８６１…ガス供給ライン  ８６２…ポンプ  ８６３…バルブ  ８６４…ガスボンベ  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６…………シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  Ｂ……イオンビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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