(57)【要約】【課題】メタルマスクを用いつつ、圧電基板の配置ズレを抑制することができる電極パターン形成時の基板支持方法を提供する。【解決手段】少なくとも圧電基板における一方の主面にマスクを配置して前記一方の主面に電極パターンを形成する際に、前記圧電基板を支持する方法であって、前記圧電基板の外縁部に凸部を形成し、前記凸部を構成する側面部との間に設けられる隙間が、前記圧電基板を構成する前記側面部以外の外縁部との間に設けられる隙間よりも小さくなるように支持部材を近接させ、前記凸部は少なくとも、前記圧電基板の中心点を挟んで形成されて、前記中心点を基準とした凸部の突出量と突出方向を示すベクトルについて互いに逆向きのベクトルを持つ２つの凸部と、前記２つの凸部を結ぶ直線と交わる直線に並行な側面部を持つ少なくとも１つの凸部としたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも圧電基板における一方の主面にマスクを配置して前記一方の主面に電極パターンを形成する際に、前記圧電基板を支持する方法であって、
前記圧電基板の外縁部に凸部または凹部を形成し、
前記凸部または前記凹部を構成する側面部との間に設けられる隙間が、前記圧電基板を構成する前記側面部以外の外縁部との間に設けられる隙間よりも小さくなるように支持部材を近接させ、
前記凸部または前記凹部は少なくとも、前記基板外縁部を基点とした前記凸部の突出量と突出方向または前記凹部のくぼみ量とくぼみ方向を示すベクトルについて、互いに逆向きのベクトルを持つ２つの凸部または凹部と、
前記２つの凸部または凹部を結ぶ直線と交わる直線に並行な側面部を持つ少なくとも１つの凸部または凹部としたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、
前記凸部または前記凹部は、前記側面部が互いに平行となるように前記圧電基板の中心点を挟んで対向して形成された２つの凸部または凹部を対として二組形成し、各対を成す凸部または凹部を結ぶ直線同士が交差するようにしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、
前記対を成す凸部または凹部を結ぶ直線同士が直交するようにしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、
前記支持部材は、前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと前記圧電基板の他方の主面に配置するマスクまたはベース治具との間に配置される中板としたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、
前記支持部材は、前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと対向して前記圧電基板の他方の主面に配置されるマスクまたはベース治具に形成されるピンとしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、
前記ピンを前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと前記他方の主面に配置されるマスクまたはベース治具とに分配配置したことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
【請求項７】
外縁部に複数の凸部または凹部を形成した圧電基板の一方の主面にマスクを配置し、圧電基板の他方の主面にマスクまたはベース治具を配置して前記圧電基板の主面に電極パターンを形成する際に、前記マスク同士の間また前記マスクとベース治具との間に配置されて、前記圧電基板を支持するために電極パターン形成時に用いる中板であって、
前記凸部または前記凹部を形成した前記圧電基板の外形形状に沿った開口部を設け、
前記圧電基板を前記開口部に配置した際、前記凸部または凹部を構成する側面部と前記中板との間に形成される隙間が、前記側面部以外の外縁部と前記中板との間に形成される隙間よりも小さくなるようにしたことを特徴とする電極パターン形成時に用いる中板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メタルマスクを用いて圧電基板の主面に電極パターンを形成する際の基板支持方法、および当該電極パターン形成時に用いる中板に係り、特に圧電基板とメタルマスクとの熱膨張率が大きく異なる場合に好適な電極パターン形成時の基板支持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板として、例えば水晶を用いた場合、従来は、図１１に示すような方法で、水晶基板を支持し、電極パターンの形成を行っていた。具体的には、水晶基板１として矩形状のものを採用し、当該水晶基板１を支持するための中板２には、前記水晶基板１の外形形状に沿った形状、すなわち矩形状の開口部２ａが形成されたものを採用していたのである。前記中板２は、電極パターンの形成に用いるメタルマスク３ａ，３ｂと同じ素材、例えばステンレスなどにより構成されている。水晶基板１と中板２との間には、熱膨張率の相違があるため、加熱時の干渉等を防止するために、隙間が生じるように前記開口部２ａが形成されている。
しかし、加熱時の膨張度合いにより、前記開口部２ａと水晶基板１との間の隙間は大きくなり、内部に配置された水晶基板１にズレが生じてしまうといった場合がある。
【０００３】
このような問題を解決するために適用可能な技術として、特許文献１に開示されているようなものがある。特許文献１に開示されている技術は、図１１に示すような中板２を用いて圧電基板１を固定するものでは無く、図１２に示すように、ベース治具４に配置されたピン４ａを圧電基板１と、その上に配置されるマスク５に形成された貫通孔１ａ，１ｂ、５ａ，５ｂに貫通させるという構成を採るものである。そして、特許文献１では、マスク５の構成部材を、圧電基板１の構成部材と同一、すなわち水晶とする点を特徴としている。マスク５と圧電基板１との構成部材を同じにすることで、熱膨張率の差異による加熱時のズレを無くすことができ、電極パターンの形成・位置決めを高精度に行うことが可能となる。
【特許文献１】特開２００４−２５４１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された技術のように、マスク５と圧電基板１との構成部材を同一とすることで、マスク５と圧電基板１との間での熱膨張によるズレは回避することができるようになる。しかし、水晶材料で構成されたマスク５は取り扱い性が悪く、使用により欠けや割れが生ずる可能性が大きく、量産に適用するのには支障がある。
【０００５】
そこで本発明では、マスクとしてはステンレス等のメタルマスクを用いつつ、圧電基板の配置ズレを抑制することができ、高い精度で電極パターンの形成を行うことができる電極パターン形成時の基板支持方法、および電極パターン形成時に用いる中板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］少なくとも圧電基板における一方の主面にマスクを配置して前記一方の主
面に電極パターンを形成する際に、前記圧電基板を支持する方法であって、前記圧電基板の外縁部に凸部または凹部を形成し、前記凸部または前記凹部を構成する側面部との間に設けられる隙間が、前記圧電基板を構成する前記側面部以外の外縁部との間に設けられる隙間よりも小さくなるように支持部材を近接させ、前記凸部または前記凹部は少なくとも、前記基板外縁部を基点とした前記凸部の突出量と突出方向または前記凹部のくぼみ量とくぼみ方向を示すベクトルについて、互いに逆向きのベクトルを持つ２つの凸部または凹部と、前記２つの凸部または凹部を結ぶ直線と交わる直線に並行な側面部を持つ少なくとも１つの凸部または凹部としたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
このような特徴を有する方法であれば、マスクとしてステンレス等のメタルマスクを用いた場合であっても、圧電基板の配置ズレを抑制することができる。また、圧電基板の配置ズレを抑制することができることより、高い精度で電極パターンの形成を行うことができるようになる。
【０００８】
［適用例２］適用例１に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、前記凸部または前記凹部は、前記側面部が互いに平行となるように前記圧電基板の中心点を挟んで対向して形成された２つの凸部または凹部を対として二組形成し、各対を成す凸部または凹部を結ぶ直線同士が交差するようにしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
適用例１に記載の電極パターン形成時の基板支持方法に対して、上記のような特徴を持たせたことによれば、圧電基板の支持部となる凸部または凹部の数が増すため、支持の安定性が向上されることとなる。
【０００９】
［適用例３］適用例２に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、前記対を成す凸部または凹部を結ぶ直線同士が直交するようにしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
このような特徴を有する電極パターン形成時の基板支持方法であれば、圧電基板の特定方向（例えば左右方向）と、当該特定方向に直交した方向（例えば上下方向）に、それぞれ凸部または凹部が形成されることとなる。このため、前記凸部または凹部の側面部を支持する方向も直交する方向となるため、回転方向のズレに対に対する抑制効果を高めることができる。
【００１０】
［適用例４］適用例１乃至適用例３のいずれかに記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、前記支持部材は、前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと前記圧電基板の他方の主面に配置するマスクまたはベース治具との間に配置される中板としたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
支持部材として中板を用いる事により、製造工程では、圧電基板を従来と変わらない配置方法で配置して電極パターンの形成を行うことが可能となる。
【００１１】
［適用例５］適用例１乃至適用例３のいずれかに記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、前記支持部材は、前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと対向して前記圧電基板の他方の主面に配置されるマスクまたはベース治具に形成されるピンとしたことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
中板を排除して、マスクまたはベース治具に形成されるピンを支持部材とすることによれば、製造工程では、マスクまたはベース治具の上面に中板を配置するという工程を省くことが可能となる。よって、生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
［適用例６］適用例５に記載の電極パターン形成時の基板支持方法であって、前記ピンを前記圧電基板の一方の主面に配置するマスクと前記他方の主面に配置されるマスクまたはベース治具とに分配配置したことを特徴とする電極パターン形成時の基板支持方法。
このような方法であっても、上記適用励５と同様な効果を得ることができる。
【００１３】
［適用例７］外縁部に複数の凸部または凹部を形成した圧電基板の一方の主面にマスクを配置し、圧電基板の他方の主面にマスクまたはベース治具を配置して前記圧電基板の主面に電極パターンを形成する際に、前記マスク同士の間また前記マスクとベース治具との間に配置されて、前記圧電基板を支持するために電極パターン形成時に用いる中板であって、前記凸部または前記凹部を形成した前記圧電基板の外形形状に沿った開口部を設け、前記圧電基板を前記開口部に配置した際、前記凸部または凹部を構成する側面部と前記中板との間に形成される隙間が、前記側面部以外の外縁部と前記中板との間に形成される隙間よりも小さくなるようにしたことを特徴とする電極パターン形成時に用いる中板。
このような特徴を有する中板によれば、マスクとしてステンレス等のメタルマスクを用いつつ、圧電基板の配置ズレを抑制することができる。また、圧電基板の配置ズレを抑制することが可能となることより、高い精度で電極パターンの形成を行うことができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る電極パターン形成時の基板支持方法、および電極パターン形成時に用いる中板に係る実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず、図１を参照して、本発明の電極パターン形成時の基板支持方法に係る第１の実施形態と中板について説明する。ここで、図１（Ａ）は、本実施形態に係る構成を示す参考斜視図であり、図１（Ｂ）は、圧電基板（以下、水晶基板と称す）と中板との配置形態を示す平面図である。
【００１５】
本実施形態における水晶基板４０に対する電極パターンの形成は、水晶基板４０の一方の主面（例えば図中上側主面）と他方の主面（例えば図中下側主面）とにそれぞれマスク１０，３０を配置し、当該マスク１０，３０の間に狭持される水晶基板４０を中板２０により支持するという構成を採った上で成される。
【００１６】
前記マスク１０，３０は、ステンレス等の金属部材により構成されており、各主面には、水晶基板４０に形成すべき電極パターンの形状をした任意の開口部（不図示）が設けられている。このようなマスク１０，３０を水晶基板４０の主面に配置して、電極材料の蒸着やスパッタを行うことにより、水晶基板４０の主面に、前記開口部に応じた電極パターンが形成されることとなる。
【００１７】
水晶基板４０は、本実施形態の場合、矩形形状の各辺の中央に凸部４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを設けた形状をしている。水晶のカット角としては、ＡＴカットや＋２°Ｘカット、ＳＴカット等種々のカット角のものを、その用途に応じて選ぶことができる。水晶基板４０の形状形成は、ウエットエッチングや、ドライエッチング等の加工方法を利用することにより行うことができる。ここで、加工方法としてウエットエッチングを選択した場合、カット角によっては、結晶構造の異方性により、断面が傾斜状となる残渣が残る場合があるが、平面視した際に、その投影図が図１（Ｂ）に示すような形状となっていれば良い。
【００１８】
また、図１に示す水晶基板４０は、４つの凸部４２ａ〜４２ｄを設けているが、凸部は、図２に示すように、少なくとも３つ（凸部ａ〜凸部ｃ）設けるようにすれば良い。具体的には、水晶基板４０の外縁部を基点として形成され、当該凸部の大きさを突出量と突出方向を示すベクトルとして表した場合に、各々逆向きのベクトルを持つ２つの凸部（凸部ａ，凸部ｂ）と、前記２つの凸部を結ぶ直線ａと交わる直線ｂに平行な側面部を持つ１つの凸部（凸部ｃ）を設けるようにすると良い。なお、凹部に関してのベクトルは、そのくぼみ量とくぼみ方向を示すものであれば良い。
【００１９】
なお、本実施形態の場合、前記４つの凸部４２ａ〜４２ｄはそれぞれ、側面部４４が平行となるように形成された２つの凸部（凸部４２ａと凸部４２ｃ、凸部４２ｂと凸部４２ｄ）が、前記水晶基板４４の中心点（不図示）を挟んで対向する位置に２組設けられ、２組の凸部４２ａ，４２ｃ、４２ｂ，４２ｄは、各対を成す凸部を結ぶ２つの直線ａ１と直線ｂ１が直交するように配置されている。
なお本実施形態における水晶基板４０とは、水晶ウエハや個片化された水晶チップのことを示すものとする。
【００２０】
中板２０は、その外形を水晶基板４０の上下に配置するマスク１０，３０と同一とすると良く、本実施形態の場合、矩形とすることができる。中板２０の主面には、上記水晶基板４０の外形形状に沿った形状を有する開口部２２が形成されている。中板２０と水晶基板４０とは、構成部材の相違による熱膨張率の違いがある。このため、中板２０の開口部２２は、加熱・冷却時の膨張収縮による部材間の干渉を防ぐために、水晶基板４０の外縁との間に隙間ができるように形成されている。また、開口部２２は、開口部２２の中心と水晶基板４０の中心とを一致させた場合、前記隙間が、水晶基板４０に設けた凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４で狭まるように形成されている。具体的には、図中Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで示す隙間に、次のような関係が成り立っていれば良い。すなわち、隙間Ａ＜隙間Ｂ、隙間Ａ＜隙間Ｃ、隙間Ａ＜隙間Ｄといった関係である。なお、隙間Ｂと隙間Ｃ、および隙間Ｄの関係については、略等しい値となることが望ましい。具体的な数値を示す場合、Ｂ≒Ｃ≒Ｄ＝２５μｍ程度とした際に、Ａ＝１０μｍ程度となる関係であれば良い。なお、開口部２２の形状形成には、水晶基板４０と同様に、ウエットエッチングや、ドライエッチングを採用することができる。
【００２１】
水晶基板４０の外縁に形成した凸部４２ａ〜４２ｄは、構成部材としての熱膨張率は同じであるが、幅方向の長さｄ１、ｄ２が、水晶基板４０全体の長さＤ１、Ｄ２に比べて十分に小さいため、凸部４２ａ〜４２ｄにおける当該方向への膨張収縮は、全体として小さなものとなる。このため、隙間Ａの間隔を隙間Ｂや隙間Ｃ、及び隙間Ｄに比べて小さくした場合であっても、加熱・冷却により膨張収縮した際に、熱膨張率の異なる中板２０と干渉することが無い。
【００２２】
また、隙間Ａは常温状態において中板２０との隙間を小さくすることができるため、加熱・冷却により水晶基板４０や中板２０が膨張収縮した場合であっても、その隙間が大きくなる割合が少ない。このため、蒸着等の加熱時においても、水晶基板４０の配置位置にズレが生じる虞が少ない。
【００２３】
また、水晶基板４０の外縁部に設けた各凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４を支持する構成としたため、凸部４２ａ，４２ｃにより図１（Ｂ）中左右方向へのズレを抑制し、凸部４２ｂ，４２ｄにより同図上下方向へのズレを抑制することが可能となる。このため、水晶基板４０は、回転方向のズレ、すなわちθズレが生ずる事も抑制されることとなる。
【００２４】
従来では、水晶基板４０のサイズが大型化した場合、その膨張収縮を考慮して、支持部材である中板２０と水晶基板４０との隙間を大きくする必要があったが、上記のような方法により水晶基板４０を支持することによれば、水晶基板４０のサイズに関わり無く高精度な位置合わせ、及び高精度な電極パターンの形成を行うことができる。
【００２５】
また、本実施形態では、水晶基板４０、中板２０共にウエットエッチング等で形状形成するようにしているため、加工精度が高い。このような構成も、位置合わせの高精度化、高精度な電極パターンの形成に寄与することができる。また、水晶基板４０の形状変更に合わせて中板２０における開口部２２の形状変形を加えたため、製造工程では、従来と変わらない工程で、水晶基板４０の配置、電極パターンの形成を行うことができる。
【００２６】
以下、図３〜図７を参照して、本実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の応用形態について説明する。
まず、図３を参照して第１の応用形態について説明する。本形態は、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法を実施する上で、水晶基板４０に設けた凸部４２（４２ａ〜４２ｄ）を凹部（以下、切欠き４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄと称す）とし、中板２０に設けた凹状部を凸状部とした形態である。このような形態であっても、水晶基板４０の切欠き４６ａ〜４６ｄの側面部４８と、中板２０との隙間Ａを他の部分の隙間Ｂ、隙間Ｃ、及び隙間Ｄより小さくすることにより、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様な効果を得ることができる。
【００２７】
次に、図４を参照して第２の応用形態について説明する。本形態は、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法を実施する上で、水晶基板４０に設けた凸部４２ａ〜４２ｄを、矩形状の基板の頂点部分に、放射状に配置した形態である。このような構成であっても、凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４と中板２０との間の隙間Ａを他の部分の隙間Ｂ、隙間Ｃ、及び隙間Ｄよりも狭くすることで、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基盤支持方法と同様な効果を得ることができる。
【００２８】
次に、図５を参照して第３の応用形態について説明する。本形態は、上記第１の応用形態と上記第２の応用形態とを合わせた形態である。すなわち、水晶基板４０の頂点部に放射状に切欠き４６ａ〜４６ｄを配置し、中板２０に設けた凹状部を凸状部としている。このような形態であっても、水晶基板４０に設けた切欠き４６ａ〜４６ｄの側面部４８と、中板２０との間の隙間Ａを他の部分の隙間Ｂ、隙間Ｃ、及びＤより小さくすることにより、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様な効果を得ることができる。
【００２９】
次に、図６を参照して第４の応用形態について説明する。本形態は、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法を実施する上で、水晶基板４０の形態自体が矩形で無い場合の例を示す形態である。このように、水晶基板４０が円形である場合であっても、上記のように、凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４と中板２０との間の隙間Ａが、他の部分の隙間Ｄ及び隙間Ｅよりも小さければ、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様な効果を得ることができる。
【００３０】
次に、図７を参照して第５の応用形態について説明する。本形態は、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法を実施する上で、水晶基板４０の外縁部に４つ設けていた凸部４２ａ〜４２ｄを３つに減らす場合の形態である。このような形態では、図７中、左右に配置した２つの凸部４２ｂ，４２ｄにより、図中上下方向への水晶基板４０のズレを防止し、水晶基板４０の上辺（図中）に配置した１つの凸部４２ａにより、図中左右方向への水晶基板４０のズレを防止する構成としている。このような構成によれば、水晶基板４０は、３つの凸部４２ａ，４２ｂ，４２ｄにより、図中上下左右のいずれの方向に対するズレも抑制されることとなる。よって、水晶基板４０のθズレも抑制することができ、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様な効果を得ることができる。なお当然に、上記第１の応用形態のように水晶基板に配置した凸部を切欠きに換えた場合であっても、第１の実施形態の一部とみなすことができる。
【００３１】
次に、図８を参照して本発明の電極パターン形成時の基板支持方法に係る第２の実施形態について説明する。
本実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の基本的な水晶基板の支持構成は、上記第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様である。しかし、本実施形態では、第１の実施形態で水晶基板を支持するために用いていた中板２０を排除
し、マスク３０ａ、あるいはベース治具に設けたピン３２ａ〜３２ｈにより水晶基板４０を支持する構成とした。以下、水晶基板４０を支持するための具体的構成について説明する。
【００３２】
まず、水晶基板４０における表裏の両主面をマスク１０，３０ａで挟み込む場合について説明する。本実施形態を実施するために用いる水晶基板４０は、上記第１の実施形態で用いた水晶基板４０と同じもので良い。すなわち、矩形の基板を構成する４つの辺のそれぞれに、凸部４２ａ〜４２ｄを形成するという形態のものである。
【００３３】
本実施形態の場合、水晶基板４０の一方の面（例えば図８（Ａ）中上側）に配置するマスク１０と、他方の面（例えば図８（Ａ）中下側）に配置するマスク３０ａとは、その構成を異ならせるようにしている。具体的には、図８に示す実施形態の場合、一方の面に配置するマスク１０は、上記第１の実施形態と同様、電極パターンに応じた開口部（不図示）を有するメタルマスクであれば良い。これに対し、他方の面に配置するマスク３０ａは、図８からも読み取れるように、水晶基板４０に対向する面に、複数のピン３２ａ〜３２ｆを備え、かつ電極パターンに応じた開口部（不図示）を備えるというものである。
【００３４】
他方の面に配置するマスク３０ａに備えられるピン３２ａ〜３２ｆは、図８（Ｂ）に示すように、水晶基板４０に設けた凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４に近接するような位置に配置される。さらに具体的には、マスク３０ｂと水晶基板４０との中心位置を合わせた状態において、凸部４２ａ〜４２ｄの側面部４４とピン３２ａ〜３２ｈとの間の隙間Ａ′が、水晶基板４０の各辺とピン３２ａ〜３２ｈとの隙間Ｂ′よりも小さくなるようにすれば良い。マスク３０ｂに対してこのようにピンを配置することにより、第１の実施形態において中板２０で水晶基板４０を支持していた場合と同様に、水晶基板４０のθズレを抑制することが可能となる。
【００３５】
よって、本実施形態の電極パターン形成時の基板支持方法によれば、上記第１の実施形態と同様な効果を得られる他、中板２０を排除することができる。なお、図８ではマスク３０ａにすべてのピン３２（３２ａ〜３２ｈ）を配置するように示したが、マスク１０とマスク３０ａとの間にズレが生じない場合、ピン３２ａ，３２ｂ、ピン３２ｅ，３２ｆをマスク１０の水晶基板４０と対向する面に配置し、ピン３２ｃ，３２ｄ、ピン３２ｇ，３２ｈをマスク３０ａの水晶基板４０と対向する面に配置するようにしても良い。このような形態であっても、上記第２の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法と同様な効果を得ることができるからである。
【００３６】
以下図９、図１０に、本実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の応用形態について示す。
まず、図９を参照して第１の応用形態について説明する。本形態は、水晶基板４０に設けていた凸部を切欠き４６ａ〜４６ｄに置換したもので、切欠き４６ａ〜４６ｄの側面に近接する位置に、ピン３２ａ，３２ｃ，３２ｅ，３２ｇを配置することで、上記第２の実施形態と同様な効果を得るようにしたものである。このような形態を採用することによれば、マスク３０ａに設けるピンの数を減らすことが可能となる。
【００３７】
次に、図１０を参照して第２の応用形態について説明する。本形態は、上記第２の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法を実施する上で、水晶基板４０の外縁部に設けた凸４２ａ〜４２ｄに切欠き４６ａ１〜４６ｄ１を設け、この切欠き４６ａ１〜４６ｄ１の側面部４８ａに近接させてピン３２ａ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅを配置するようにした形態である。このような形態を採用することで、水晶基板４０には、凸部４２（４２ａ〜４２ｄ）を採用して水晶基板４０の主面における有効面積を十分に確保しつつ、水晶基板４０を支持するために必要とされるピン３２の数も減らすことができる。このような
形態であっても、上記第２の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３８】
また、応用形態に関しては、上記第１の実施形態において水晶基板の形態を変えて示した種々の形態についても、当該ピン支持による形態で対応することができ、同様な効果を得ることができる。
【００３９】
また、上記実施形態ではいずれも、水晶基板の両主面に対し、いずれもマスクを配置する旨記載した。しかしながら、例えば一方の主面にマスクを配置し、他方の面には、水晶基板を配置するためのベースとなる治具（ベース治具）を配置するようにしても良い。
【００４０】
また、上記実施形態ではいずれも、水晶基板に凸部を形成する場合には全て凸部、凹部を形成する場合には全て凹部であるように図面に示したが、１つの水晶基板に対して凸部と凹部を混在させるようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】電極パターン形成時の基板支持方法に係る第１の実施形態の様子を示す図である。
【図２】水晶基板に対する凸部の配置形態の許容範囲を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第１の応用形態を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第２の応用形態を示す図である。
【図５】第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第３の応用形態を示す図である。
【図６】第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第４の応用形態を示す図である。
【図７】第１の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第５の応用形態を示す図である。
【図８】電極パターン形成時の基板支持方法に係る第２の実施形態の様子を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第１の応用形態を示す図である。
【図１０】第２の実施形態に係る電極パターン形成時の基板支持方法の第２の応用形態を示す図である。
【図１１】従来の基板支持方法の様子を示す図である。
【図１２】圧電基板とマスクとのズレを防止するための方法の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０………マスク、２０………中板、２２………開口部、３０………マスク、４０………水晶基板、４２（４２ａ〜４２ｄ）………凸部、４４………側面部、４６（４６ａ〜４６ｄ）………切欠き、４８………側面部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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