(57)【要約】【課題】別途の温度センサを備えることなくＲＦＩＤのレイアウト面積を縮小させる。【解決手段】無線周波数信号を受信し動作命令信号を出力するアナログブロックと、動作命令信号に応じてアドレス、温度アドレス、動作制御信号、温度センサ活性化信号及び温度補正信号を出力し、応答信号をアナログブロックに出力するデジタルブロックと、アドレス、温度アドレス及び動作制御信号を受信して内部動作を制御する内部制御信号を生成し、内部制御信号に応じて非揮発性強誘電体キャパシタ素子を含むセルアレイにデータを読取り／書込みするメモリブロックと、温度補正信号に応じて温度補正パラメータの基本値をセッティングし、温度センサ活性化信号に応じてＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出して基本値と比較し、その結果に従い基本値を変更し、温度変化の状態に対応するデジタルコード値を出力する温度処理部とを含む。【選択図】図３
2009259186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数信号を受信し動作命令信号を出力するアナログブロックと、
前記アナログブロックから印加される前記動作命令信号に応じてアドレス、温度アドレス、動作制御信号、温度センサ活性化信号及び温度補正信号を出力し、当該応答信号を前記アナログブロックに出力するデジタルブロックと、
前記アドレス、前記温度アドレス及び前記動作制御信号を受信して内部動作を制御するための内部制御信号を生成し、前記内部制御信号に応じて非揮発性強誘電体キャパシタ素子を含むセルアレイにデータを読取り／書込みするメモリブロックと、
前記温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、前記温度センサ活性化信号に応じてＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出して前記基本値と比較し、その結果に従い前記基本値を変更し、前記温度変化の状態に対応するデジタルコード値を出力する温度処理部と
を含むことを特徴とするＲＦＩＤ装置。
【請求項２】
前記温度アドレスにより割り当てられた前記セルアレイの特定領域に、前記温度処理部から検出された温度データを格納する温度メモリをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項３】
前記温度処理部は、前記メモリブロック内の特定領域に備えられることを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項４】
前記メモリブロックは、
前記アドレス、前記温度アドレス、前記動作制御信号を受信し前記内部制御信号を生成する周辺回路部と、
前記内部制御信号に応じて前記非揮発性強誘電体キャパシタ素子に前記データを読取り／書込みする前記セルアレイと、
前記セルアレイに格納されたデータをセンシング及び増幅し、データバスから印加される入力データを前記セルアレイに出力するセンスアンプ部及び入／出力部と
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項５】
前記温度処理部は、
前記温度センサ活性化信号に応じて前記ＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出し、基準電圧と温度検出電圧を出力する温度感知部と、
前記温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、前記基本値と前記基準電圧とを比較し補正電圧を出力する温度補正部と、
前記温度センサ活性化信号の活性化時に前記補正電圧と前記温度検出電圧をＡ／Ｄ変換し、前記デジタルコード値をデータバスに出力するＡ／Ｄ変換部と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項６】
前記温度検出電圧は、温度が高くなるほど電圧レベルが高くなる陽の温度特性を有することを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項７】
前記温度感知部は、温度に比例する前記温度検出電圧を生成する温度検出電圧発生部と、
前記温度に係わりなく一定の前記基準電圧を生成する基準電圧発生部と
を含むことを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項８】
前記Ａ／Ｄ変換部は、
前記補正電圧と前記温度検出電圧とを比較し複数の温度計コード信号を生成する温度計コード発生部と、
前記温度センサ活性化信号の活性化時に前記複数の温度計コード信号をデコーディングし、前記デジタルコード値を前記データバスに出力する温度計コード処理部と
を含むことを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項９】
前記温度計コード発生部は、
前記補正電圧を抵抗分割して複数の温度コード区間をＮ等分し、これに対応する複数の電圧値を出力する複数の抵抗と、
前記複数の電圧値と前記温度検出電圧とを比較し前記複数の温度計コード信号を生成する複数の比較器と
を含むことを特徴とする請求項８に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１０】
前記温度計コード処理部は、前記複数の温度計コード信号をデコーディングし前記データバスに出力するデコーディング手段を含むことを特徴とする請求項９に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１１】
前記デコーディング手段は、
前記複数の温度計コード信号中第１のコード信号に応じて第２のコード信号及び第３のコード信号をデコーディングする第１の選択手段と、
前記第１のコード信号に応じて前記複数の温度計コード信号中第４のコード信号及び第５のコード信号をデコーディングする第２の選択手段と、
前記第１のコード信号に応じて前記複数の温度計コード信号中第６のコード信号及び第７のコード信号をデコーディングする第３の選択手段と、
前記第２の選択手段の出力に伴い、前記第１の選択手段の出力または前記第３の選択手段の出力の何れかを選択する第４の選択手段と
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１２】
前記第１のコード信号は、前記温度センサ活性化信号が活性化された場合に活性化される信号であることを特徴とする請求項１１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１３】
前記温度補正信号に応じて前記基本値をセッティングするためのセット信号を出力する温度補正処理部と、
前記セット信号に応じてデータを格納し、測定イネーブル信号とラッチイネーブル信号に応じて測定データをラッチし出力する非揮発性コード部と、
前記非揮発性コード部の出力に伴い前記補正電圧を選択的に出力する複数のスイッチング素子と、
前記基準電圧の印加端と前記複数のスイッチング素子との間に並列連結された複数の抵抗素子と
を含むことを特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１４】
前記温度補正部は、
前記複数のスイッチング素子がターンオンされる個数に従い、前記補正電圧の電圧レベルが異なるよう調整されることを特徴とする請求項１３に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１５】
前記非揮発性コード部は、
前記セット信号に応じて非揮発性強誘電体キャパシタ素子に前記データを格納し、前記測定イネーブル信号に応じて前記データを前記測定データに出力するデータ格納部と、
前記ラッチイネーブル信号に応じて前記測定データをラッチし出力するラッチ部と
を含むことを特徴とする請求項１３に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１６】
前記データ格納部は、
プルアップイネーブル信号に応じて出力端をプルアップさせるプルアップ部と、
前記出力端のデータをラッチするプルアップラッチ部と、
前記温度補正信号に応じて前記出力端のデータを入／出力制御する入／出力部と、
セルプレート信号に応じて前記入力データを格納する非揮発性格納キャパシタ部と、
プルダウンイネーブル信号に応じて前記出力端をプルダウンさせるプルダウン部と、
前記出力端のデータをラッチするプルダウンラッチ部と
を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１７】
前記温度処理部は、
前記基本値と感知された温度とを比較し、既に設定された基準値以内の場合前記温度補正信号と前記温度センサ活性化信号が非活性化され、前記基準値以内でない場合前記基本値を変更することを特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項１８】
アナログブロック、デジタルブロック及び非揮発性強誘電体キャパシタ素子を含むセルアレイにデータを読取り／書込みするメモリブロックを含むＲＦＩＤ装置において、
温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、温度センサ活性化信号に応じてＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出して前記基本値と比較し、その結果に従い前記基本値を変更し、前記温度変化の状態に対応するデジタルコード値を出力する温度処理部を含むことを特徴とするＲＦＩＤ装置。
【請求項１９】
前記温度処理部は、
前記温度センサ活性化信号に応じて前記ＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出し、基準電圧と温度検出電圧を出力する温度感知部と、
前記温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、前記基本値と前記基準電圧とを比較し補正電圧を出力する温度補正部と、
前記温度センサ活性化信号の活性化時に前記補正電圧と前記温度検出電圧をＡ／Ｄ変換し、前記デジタルコード値をデータバスに出力するＡ／Ｄ変換部と
を含むことを特徴とする請求項１８に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２０】
前記Ａ／Ｄ変換部は、
前記補正電圧と前記温度検出電圧とを比較し複数の温度計コード信号を生成する温度計コード発生部と、
前記温度センサ活性化信号の活性化時に前記複数の温度計コード信号をデコーディングし、前記デジタルコード値を前記データバスに出力する温度計コード処理部と
を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２１】
前記温度計コード発生部は、
前記補正電圧を抵抗分割して複数の温度コード区間をＮ等分し、これに対応する複数の電圧値を出力する複数の抵抗と、
前記複数の電圧値と前記温度検出電圧とを比較し前記複数の温度計コード信号を生成する複数の比較器と
を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２２】
前記温度計コード処理部は、前記複数の温度計コード信号をデコーディングし前記データバスに出力するデコーディング手段を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２３】
前記温度補正部は、
前記温度補正信号に応じて前記基本値をセッティングするためのセット信号を出力する温度補正処理部と、
前記セット信号に応じてデータを格納し、測定イネーブル信号とラッチイネーブル信号に応じて測定データをラッチし出力する非揮発性コード部と、
前記非揮発性コード部の出力に応じて前記補正電圧を選択的に出力する複数のスイッチング素子と、
前記基準電圧の印加端と前記複数のスイッチング素子との間に並列連結された複数の抵抗素子と
を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２４】
前記非揮発性コード部は、
前記セット信号に応じて非揮発性強誘電体キャパシタ素子に前記データを格納し、前記測定イネーブル信号に応じて前記データを前記測定データに出力するデータ格納部と、
前記ラッチイネーブル信号に応じて前記測定データをラッチし出力するラッチ部と
を含むことを特徴とする請求項２３に記載のＲＦＩＤ装置。
【請求項２５】
前記データ格納部は、
プルアップイネーブル信号に応じて出力端をプルアップさせるプルアップ部と、
前記出力端のデータをラッチするプルアップラッチ部と、
前記温度補正信号に応じて前記出力端のデータを入／出力制御する入／出力部と、
セルプレート信号に応じて前記入力データを格納する非揮発性格納キャパシタ部と、
プルダウンイネーブル信号に応じて前記出力端をプルダウンさせるプルダウン部と、
前記出力端のデータをラッチするプルダウンラッチ部と
を含むことを特徴とする請求項２４に記載のＲＦＩＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＲＦＩＤ装置に関し、ＲＦＩＤタグチップ（Radio Frequency Identification Tag Chip）でチェックポイント上での温度を検出及び補正することにより、温度に敏感な物流の温度変化の状態を追跡することができるようにする技術である。
【背景技術】
【０００２】
一般に、非揮発性強誘電体メモリ、即ちＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）はＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）程度のデータ処理速度を有し、電源のオフ時にもデータが保存される特性のため次世代記憶素子として注目されている。
【０００３】
このようなＦｅＲＡＭは、ＤＲＡＭとほぼ類似の構造を有する記憶素子としてキャパシタの材料に強誘電体を用いて強誘電体の特性である高い残留分極を利用したものである。このような残留分極特性により電界を除去するとしてもデータが消却されない。
【０００４】
一方、一般的なＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）装置は大きくアナログブロック、デジタルブロック及びメモリブロックを備える。このようなＲＦＩＤチップ手動素子は、アンテナに伝えられた電源を利用して動作することになる。ところが、長距離動作のためのＲＦＩＤチップの場合、アンテナに伝えられる電源が非常に微弱になる。したがって、ＲＦＩＤチップの各ブロック回路等は電力が最小限に消耗するよう設計されなければならない。
【０００５】
なお、ＲＦＩＤタグ（Tag）の場合、温度に敏感な物流を取り扱う場合、物流の移動過程で各チェックポイント（Check Point）上での温度を記録し、温度変化の状態を追跡する必要性が台頭する。ところが、従来のＲＦＩＤタグはそれ自体に温度を検出する機能がないため、別途の温度計を利用しなければならないという問題点がある。
【０００６】
さらに、従来のＲＦＩＤタグの場合、それぞれのチップが互いに異なる工程により製造される。これに従い、ＲＦＩＤチップが同一の温度条件にある場合も互いに異なる回路及び工程条件を有するため、その出力電圧が異に表れ得る。したがって、互いに異なる回路及び工程条件を有する全てのＲＦＩＤチップで、チップの特性に対応して温度測定値を補正することができるようにする本発明の必要性が台頭した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記のような問題点を解決するため案出されたものであり、ＲＦＩＤタグチップ（Radio Frequency Identification Tag Chip）上で直接温度を検出して電圧に出力し、これをデジタル変換してデータバスに出力させることにより、別途の温度センサを備えることなくＲＦＩＤのレイアウト面積を縮小させることができるようにすることにその目的がある。
【０００８】
さらに、本発明はＲＦＩＤタグチップ上で検出された温度データをセル領域の特定領域に割り当てられた温度メモリに格納することにより、測定された温度情報を容易に活用することができるようにすることにその目的がある。
【０００９】
さらに、本発明はＲＦＩＤタグチップで温度特性を測定し、非揮発性レジスタを利用して補正することにより、温度変化に伴う出力電圧の変化幅を安定化させることができるようにすることにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るＲＦＩＤ装置は、無線周波数信号を受信し動作命令信号を出力するアナログブロックと、アナログブロックから印加される動作命令信号に応じてアドレス、温度アドレス、動作制御信号、温度センサ活性化信号及び温度補正信号を出力し、当該応答信号をアナログブロックに出力するデジタルブロックと、アドレス、温度アドレス及び動作制御信号を受信して内部動作を制御するための内部制御信号を生成し、内部制御信号に応じて非揮発性強誘電体キャパシタ素子を含むセルアレイにデータを読取り／書込みするメモリブロックと、温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、温度センサ活性化信号に応じてＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出して基本値と比較し、その結果に従い基本値を変更し、温度変化の状態に対応するデジタルコード値を出力する温度処理部とを含むことを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明はアナログブロック、デジタルブロック及び非揮発性強誘電体キャパシタ素子を含むセルアレイにデータを読取り／書込みするメモリブロックを含むＲＦＩＤ装置において、温度補正信号に応じて温度補正のためのパラメータの基本値をセッティングし、温度センサ活性化信号に応じてＲＦＩＤタグ内の温度変化の状態を検出して基本値と比較し、その結果に従い基本値を変更し、温度変化の状態に対応するデジタルコード値を出力する温度処理部を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、次のような効果を奏する。
【００１３】
第一、ＲＦＩＤタグチップ上で直接温度を検出して電圧に出力することにより別途の温度計回路が不要なので、温度検出機能を追加しながらも比較的に簡単な回路の具現でＲＦＩＤのレイアウト面積を縮小させることができるようにする。
【００１４】
第二、低い電源電圧を用いる回路で温度変化に伴う出力電圧の変化幅を安定化し、より正確な温度情報を出力することができるようにする。
【００１５】
第三、本発明はＲＦＩＤタグチップ上で検出された温度データをセル領域の特定の領域に割り当てられた温度メモリに格納し蓄積することにより、測定された温度情報を容易に活用することができるようにする。
【００１６】
第四、温度特性を測定し、非揮発性レジスタを利用して目標値に対応するように補正することにより、温度変化に伴う出力電圧の変化幅を安定化させることができるようにする効果を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、図を参照しながら本発明の実施の形態に対し詳しく説明する。
【００１８】
図１は、本発明に係るＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）装置の全体構成を示す図である。本発明は大きくアナログブロック１００と、デジタルブロック２００及び非揮発性強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ；non-volatile Ferroelectric Random Access Memory）３００を備える。
【００１９】
ここで、アナログブロック１００は電圧マルチプライヤ（Voltage Multiplier）１１０、電圧リミッタ（Voltage Limiter）１２０、モジュレータ（Modulator）１３０、ジモジュレータ（Demodulator）１４０、パワーオンリセット部（Power On Reset）１５０及びクロック発生部１６０を備える。
【００２０】
なお、アナログブロック１００のアンテナ１０は外部のリーダー器またはライター器とＲＦＩＤとの間に無線周波数信号ＲＦを送／受信する。電圧マルチプライヤ１１０は、アンテナ１０から印加される無線周波数信号ＲＦによりＲＦＩＤの駆動電圧である電源電圧ＶＤＤを生成する。電圧リミッタ１２０は、アンテナ１０から印加された無線周波数信号ＲＦの伝送電圧の大きさを制限しジモジュレータ１４０とクロック発生部１６０に出力する。
【００２１】
さらに、モジュレータ１３０はデジタルブロック２００から印加される応答信号ＲＰをモジュレーティングしアンテナ１０に伝送する。ジモジュレータ１４０は、電圧マルチプライヤ１１０と電圧リミッタ１２０の出力電圧に従ってアンテナ１０から印加される無線周波数信号ＲＦで動作命令信号を検出し、命令信号ＣＭＤをデジタルブロック２００に出力する。
【００２２】
パワーオンリセット部１５０は、電圧マルチプライヤ１１０の出力電圧ＶＤＤを感知してリセット動作を制御するためのパワーオンリセット信号ＰＯＲをデジタルブロック２００に出力する。クロック発生部１６０は、電圧マルチプライヤ１１０の出力電圧ＶＤＤに従ってデジタルブロック２００の動作を制御するためのクロックＣＬＫをデジタルブロック２００に供給する。
【００２３】
さらに、前述のデジタルブロック２００はアナログブロック１００から電源電圧ＶＤＤ、パワーオンリセット信号ＰＯＲ、クロックＣＬＫ及び命令信号ＣＭＤが印加され命令信号を解析し、制御信号及び処理信号等を生成してアナログブロック１００に該当する応答信号ＲＰを出力する。そして、デジタルブロック２００はアドレスＡＤＤ、入／出力データＩ／Ｏ、制御信号ＣＴＲ、温度センサを駆動するための温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤ及び温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤをＦｅＲＡＭ ３００に出力する。
【００２４】
ＦｅＲＡＭ ３００は非揮発性強誘電体キャパシタ素子を利用してデータを読取り／書込みするメモリブロックである。ここで、ＦｅＲＡＭ ３００は温度処理部３１０を含み、デジタルブロック２００から印加される温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤ及び温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤに応じてＲＦＩＤタグチップ上での温度変化の状態を検出及び補正し電圧に出力する。
【００２５】
図２は、図１に示したメモリブロック３００に関する詳細な構成を示す図である。
【００２６】
メモリブロック３００は温度処理部３１０と、周辺回路部３２０と、セルアレイ３３０、ワードライン／プレートラインドライバ３４０、温度メモリ３５０、センスアンプ部及び入／出力部３６０を備える。
【００２７】
ここで、温度処理部３１０はデジタルブロック２００から印加される温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤと、温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤに応じてＲＦＩＤタグチップ上での温度変化の状態を検出及び補正し電圧に変換した後、検出されたデジタル値をデータバスに出力する。
【００２８】
なお、周辺回路部３２０はデジタルブロック２００から印加されるアドレスＡＤＤ［ｎ：０］と、温度アドレスＴＥＭＰ＿ＡＤＤと、チップイネーブル信号ＣＥと、出力イネーブル信号ＯＥ及び書込みイネーブル信号ＷＥに応じてセルアレイ３３０を駆動するためのワードラインＷＬ及びプレートラインＰＬを制御し、温度処理部３１０を制御する。
【００２９】
さらに、周辺回路部３２０はセンスアンプの活性化可否を調整するためのセンスアンプイネーブル信号ＳＥＮと、センスアンプでセンシングされたデータをデータバスに出力するための出力イネーブル信号ＯＥＮ、及びデータバスから印加されるデータをセルアレイ３３０に書き込むための書込みイネーブル信号ＷＥＮを出力する。
【００３０】
セルアレイ３３０は、非揮発性強誘電体キャパシタ素子とスイッチング素子を含む単位セルを複数に備え、非揮発性強誘電体キャパシタ素子にデータを格納し格納されたデータを読み取る。ワードライン／プレートラインドライバ３４０は、ワードラインＷＬ及びプレートラインＰＬを駆動する。
【００３１】
温度メモリ３５０は、温度処理部３１０により検出された温度に対応するデータが、データバスを介し印加されてこれを格納する。ここで、温度メモリ３５０は複数の温度アドレスＴＥＭＰ＿ＡＤＤにより割り当てられるメモリセルアレイ領域を表わす。
【００３２】
センスアンプ部及び入／出力部３６０は、周辺回路部３２０から印加されるセンスアンプイネーブル信号ＳＥＮ、出力イネーブル信号ＯＥＮ及び書込みイネーブル信号ＷＥＮに応じてその動作が制御される。そして、センスアンプ部及び入／出力部３６０はセルアレイ３３０から印加されるデータをセンシング増幅してデータバスに出力し、データバスから印加されるデータをセルアレイ３３０に伝える。
【００３３】
図３は、図２に示した温度処理部３１０に関する詳細な回路図である。
【００３４】
温度処理部３１０は温度感知部３１１と、温度補正部３１５及びＡ／Ｄ変換部３１６を含む。
【００３５】
ここで、温度感知部３１１はデジタルブロック２００から印加される温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤに応じてＲＦＩＤタグチップ内の温度を感知し、基準電圧Ｖｒｅｆと温度検出電圧Ｖｔｅｍｐを出力する。
【００３６】
温度補正部３１５は、デジタルブロック２００から印加される温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤと基準電圧Ｖｒｅｆに応じてＲＦＩＤタグチップ内の温度を補正し、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌを出力する。
【００３７】
Ａ／Ｄ変換部３１６は、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌと温度検出電圧Ｖｔｅｍｐに応じて温度計コードを発生し、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤに応じて温度計コードに対応するデジタル信号をデータバスに出力する。
【００３８】
図４は、図３に示した温度感知部３１１に関する詳細な回路図である。
【００３９】
温度感知部３１１は温度検出電圧発生部３１２と、基準電圧発生部３１３を含む。
【００４０】
ここで、温度検出電圧発生部３１２は複数のＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ１５と、複数のＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ９と、バイポーラトランジスタＢ１、Ｂ２と、抵抗Ｒ１、Ｒ３及びＭＯＳキャパシタＭＣ１を含む。
【００４１】
ＰＭＯＳトランジスタＰ５〜Ｐ８は、共通ゲート端子を介しバイアス電圧ｖｂｉａｓｕ１が印加される。そして、ＰＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ８はＰＭＯＳトランジスタＰ７よりチャンネル幅が２倍大きく設けられるのが好ましい。
【００４２】
ＰＭＯＳトランジスタＰ９〜Ｐ１３は、共通ゲート端子を介しバイアス電圧ｖｂｉａｓｄ１が印加される。そして、ＰＭＯＳトランジスタＰ１１、Ｐ１３はＰＭＯＳトランジスタＰ１２よりチャンネル幅が２倍大きく設けられるのが好ましい。
【００４３】
ＰＭＯＳトランジスタＰ１〜Ｐ４とＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３を含む比較器は、ノードｖａ１とノードｖｂ１の出力電圧を比較及び増幅する。そして、バイポーラトランジスタＢ２はバイポーラトランジスタＢ１よりサイズが１０倍大きく設けられるのが好ましい。
【００４４】
なお、ＰＭＯＳトランジスタＰ１４はバイアス電圧ｖｂｉａｓｕ１に従い選択的にスイッチングされる。さらに、ＰＭＯＳトランジスタＰ１５はバイアス電圧ｖｂｉａｓｄ１に従い選択的にスイッチングされる。
【００４５】
このような構成を有する温度検出電圧発生部３１２は図５に示されているように、温度の上昇に伴い温度検出電圧Ｖｔｅｍｐが増加することになる特性を有する。即ち、温度の上昇に比例して電圧が増加することになる。
【００４６】
温度の変化に対応する温度検出電圧Ｖｔｅｍｐの特性を数式で表現すれば、次の式（１）の通りである。
【００４７】
【数１】
2009259186.tif 000003
【００４８】
ここで、温度検出電圧Ｖｔｅｍｐは温度変化に伴い変化する出力電圧になる。そして、電圧ＶＴは温度電圧（thermometer voltage）になる。
【００４９】
一方、基準電圧発生部３１３は複数のＰＭＯＳトランジスタＰ１６〜Ｐ３３と、複数のＮＭＯＳトランジスタＮ１０〜Ｎ１８と、バイポーラトランジスタＢ３と、抵抗Ｒ２、Ｒ４及びＭＯＳキャパシタＭＣ２を含む。
【００５０】
ＰＭＯＳトランジスタＰ１７〜Ｐ２０は、共通ゲート端子を介しバイアス電圧ｖｂｉａｓｕ２が印加される。そして、ＰＭＯＳトランジスタＰ１６〜Ｐ２４はチャンネル幅が全て同様に設けられるのが好ましい。ＰＭＯＳトランジスタＰ２２〜Ｐ２６、Ｐ２９、Ｐ３０は、共通ゲート端子を介しバイアス電圧ｖｂｉａｓｄ２が印加される。ＰＭＯＳトランジスタＰ２７〜Ｐ３０とＮＭＯＳトランジスタＮ１０、Ｎ１１、Ｎ１４を含む比較器は、ノードｖｂ２とノードｖａ２の出力電圧を比較及び増幅する。
【００５１】
なお、ＰＭＯＳトランジスタＰ３１はバイアス電圧ｖｂｉａｓｕ２に従い選択的にスイッチングされる。さらに、ＰＭＯＳトランジスタＰ３２はバイアス電圧ｖｂｉａｓｄ２に従い選択的にスイッチングされる。
【００５２】
このような構成を有する基準電圧発生部３１３は、温度の変化と係わりなく常に一定の電圧値を有する。このような基準電圧Ｖｒｅｆの特性を数式で表現すれば、次の式（２）の通りである。
【００５３】
【数２】
2009259186.tif 000004
【００５４】
ここで、電圧ＶＴは温度電圧（thermometer voltage）になり、電圧ＶＢＥ３はバイポーラトランジスタＢ３のベース端子からエミッタ端子へ流れる電圧を表わす。このとき、電圧ＶＴは温度値を表わす電圧で、通常ＫＴ／ｑ値を有する。
【００５５】
図６は、図３に示した温度補正部３１５に関する詳細な回路図である。
【００５６】
温度補正部３１５は温度補正処理部４００と、複数の抵抗Ｒｐ１〜Ｒｐｎと、複数のスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷｎ及び複数の非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎを含む。ここで、複数の非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎのそれぞれはデータ格納部４１１とラッチ部４１２を含む。
【００５７】
温度補正処理部４００は、温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤに温度補正を行なうための各種のセット信号ＳＥＴ＿１〜ＳＥＴ＿ｎを非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎに出力する。このとき、セット信号ＳＥＴ＿１〜ＳＥＴ＿ｎはデータＤ／ＤＢと、プルアップイネーブル信号ＥＮＰと、セルプレート信号ＣＰＬ及びプルダウンイネーブル信号ＥＮＮを含む。
【００５８】
なお、抵抗Ｒｐ１は基準電圧Ｖｒｅｆ印加端とスイッチング素子ＳＷ１との間に連結される。そして、スイッチング素子ＳＷ１は抵抗Ｒｐ１と補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌの出力端との間に連結され、ゲート端子を介しラッチ出力信号ＬＯＵＴ＿１が印加される。
【００５９】
さらに、抵抗Ｒｐｎは基準電圧Ｖｒｅｆ印加端とスイッチング素子ＳＷｎとの間に連結される。そして、スイッチング素子ＳＷｎは抵抗Ｒｐｎと補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌの出力端との間に連結され、ゲート端子を介しラッチ出力信号ＬＯＵＴ＿ｎが印加される。
【００６０】
さらに、データ格納部４１１は測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮに応じて活性化状態が制御される。そして、セット信号ＳＥＴに応じて非揮発性レジスタにデータＤを格納し、測定データＣＡＬ＿Ｄをラッチ部４１２に出力する。ここで、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮは非揮発性レジスタにデータＤを書き込むための信号である。
【００６１】
なお、ラッチ部４１２はラッチイネーブル信号ＬＥＮに応じて測定データＣＡＬ＿Ｄをラッチしラッチ出力信号ＬＯＵＴを出力する。ここで、ラッチイネーブル信号ＬＥＮは測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮと、後述するパワー遷移検出信号ＰＴＤをＯＲ演算した信号である。即ち、ラッチイネーブル信号ＬＥＮは測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮとパワー遷移検出信号ＰＴＤの何れかが活性化されるとイネーブルされる信号である。
【００６２】
このような構成を有する温度補正部３１５は、スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷｎがターンオンされる個数に従い、基準電圧Ｖｒｅｆから補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌの出力端まで互いに異なる電圧降下が発生することになる。即ち、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌは基準電圧Ｖｒｅｆから電圧降下された電圧値（IR drop）を引いた値になる。
【００６３】
例えば、非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎの出力に従いスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷｎが全てターンオンされた場合、抵抗値が小さくなり基準電圧Ｖｒｅｆとの電圧差が多く発生しなくなる。即ち、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌが基準電圧Ｖｒｅｆと近似した値を有することになる。
【００６４】
一方、非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎの出力に従いスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷｎの何れかのスイッチング素子ＳＷ１がターンオンされた場合、電圧降下が大きくなる。これに伴い、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌ出力端にかかる抵抗値が大きくなり、基準電圧Ｖｒｅｆとの差が多く発生することになる。即ち、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌと基準電圧Ｖｒｅｆが大きい電圧差を有することになる。
【００６５】
図７は、図６に示したデータ格納部４１１に関する詳細な回路図である。
【００６６】
データ格納部４１１はプルアップ部４２０と、プルアップラッチ部４２１と、入／出力部４２２と、非揮発性格納キャパシタ部４２３と、プルダウンラッチ部４２４及びプルダウン部４２５を含む。
【００６７】
ここで、プルアップ部４２０は電源電圧ＶＣＣ印加端とプルアップラッチ部４２１との間に連結され、ゲート端子を介しプルアップイネーブル信号ＥＮＰが印加されるＰＭＯＳトランジスタＰ３４を含む。
【００６８】
プルアップラッチ部４２１はＰＭＯＳトランジスタＰ３５、Ｐ３６を含む。ＰＭＯＳトランジスタＰ３５、Ｐ３６はＰＭＯＳトランジスタＰ３４と入／出力部４２２との間に連結され、ゲート端子がクロスカップルド連結される。
【００６９】
入／出力部４２２はＮＭＯＳトランジスタＮ１９、Ｎ２０を含む。ここで、ＮＭＯＳトランジスタＮ１９は測定データＣＡＬ＿Ｄの出力端とデータＤ入力端との間に連結され、ゲート端子を介し測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮが印加される。そして、ＮＭＯＳトランジスタＮ２０は測定データＣＡＬ＿ＤＢの出力端とデータＤＢ入力端との間に連結され、ゲート端子を介し測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮが印加される。
【００７０】
なお、非揮発性格納キャパシタ部４２３は複数の非揮発性強誘電体キャパシタＦＣ１〜ＦＣ４を備える。ここで、非揮発性強誘電体キャパシタＦＣ１、ＦＣ２はセルプレート信号ＣＰＬ印加端と測定データＣＡＬ＿Ｄ、ＣＡＬ＿ＤＢの出力端との間にそれぞれ連結され、非揮発性強誘電体キャパシタＦＣ３、ＦＣ４は測定データＣＡＬ＿Ｄ、ＣＡＬ＿ＤＢの出力端と接地電圧端との間にそれぞれ連結される。
【００７１】
プルダウンラッチ部４２４はＮＭＯＳトランジスタＮ２１、Ｎ２２を含む。ここで、ＮＭＯＳトランジスタＮ２１、Ｎ２２は非揮発性格納キャパシタ部４２３とＮＭＯＳトランジスタＮ２３との間に連結され、ゲート端子がクロスカップルド連結される。プルダウン部４２５はプルダウンラッチ部４２４と接地電圧端との間に連結され、ゲート端子を介しプルダウンイネーブル信号ＥＮＮが印加されるＮＭＯＳトランジスタＮ２３を含む。
【００７２】
このような構成を有するデータ格納部４１１の動作を、図８及び図９の動作タイミング図を参照しながら説明する。ここで、図８は最初電源が点いた場合、データ復旧のためのデータ格納部４１１の動作を示す図である。そして、図９は測定データＣＡＬ＿Ｄの遷移時に非揮発性コード部４１０にデータをセッティングする過程を示す図である。
【００７３】
先ず、図８に示されているように、パワーオンリセット信号ＰＯＲの電圧レベルが徐々に上昇しながらロー電圧レベルに遷移することになる。このような場合、パワー遷移検出信号ＰＴＤがハイレベルに遷移し、一定の遅延時間ほど遅延されたあとローレベルに遷移することになる。
【００７４】
このとき、セルプレート信号ＣＰＬはパワーオンリセット信号ＰＯＲがローレベルに遷移する時点でハイレベルに遷移することになり、パワー遷移検出信号ＰＴＤがローレベルに遷移する時点でローレベルに遷移することになる。
【００７５】
さらに、パワーオンリセット信号ＰＯＲの電圧レベルが上昇する場合、プルアップイネーブル信号ＥＮＰが徐々に上昇することになり、パワーオンリセット信号ＰＯＲがローレベルに遷移する時点でプルアップイネーブル信号ＥＮＰがハイレベルを維持することになる。
【００７６】
なお、パワー遷移検出信号ＰＴＤがハイ電圧レベルに遷移したあと一定時間が経過すると、プルダウンイネーブル信号ＥＮＮがハイレベルに遷移することになる。そして、プルダウンイネーブル信号ＥＮＮがハイレベルに遷移する場合、プルアップイネーブル信号ＥＮＰがローレベルに遷移することになる。
【００７７】
なお、パワー遷移検出信号ＰＴＤがハイレベルを維持する区間のあいだ、ラッチイネーブル信号ＬＥＮがハイレベルを維持することになる。このとき、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮはローレベルを維持することになる。さらに、プルダウンイネーブル信号ＥＮＮが活性化される場合、ラッチ出力信号ＬＯＵＴが活性化され出力される。
【００７８】
一方、図９に示されているように、入力データＤ／ＤＢが有効な区間では、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮの活性化に伴い測定データＣＡＬ＿Ｄのデータレベルが遷移することになる。このとき、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮがハイレベルに活性化される区間のあいだ、セルプレート信号ＣＰＬがハイレベルを維持することになる。そして、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮがローレベルに遷移することになれば、セルプレート信号ＣＰＬがローレベルに遷移することになる。
【００７９】
このとき、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮがハイ電圧レベルに遷移したあと一定時間が経過すると、プルダウンイネーブル信号ＥＮＮがハイレベルに遷移することになる。そして、プルダウンイネーブル信号ＥＮＮがハイレベルに遷移する場合、プルアップイネーブル信号ＥＮＰがローレベルに遷移することになる。
【００８０】
なお、測定イネーブル信号ＣＡＬ＿ＥＮがハイレベルに活性化される区間のあいだ、ラッチイネーブル信号ＬＥＮが活性化状態を維持することになる。これに伴い、測定データＣＡＬ＿Ｄがラッチされラッチ出力信号ＬＯＵＴに出力される。
【００８１】
図１０は、図３に示したＡ／Ｄ変換部３１６に関する詳細な回路図である。
【００８２】
Ａ／Ｄ変換部３１６は温度計コード発生部３１７と、温度計コード処理部３１８を含む。
【００８３】
ここで、温度計コード発生部３１７は複数の抵抗Ｒ５〜Ｒ１１と、複数の比較器Ａ１〜Ａ７を備える。複数の抵抗Ｒ５〜Ｒ１１は、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌ印加端と接地電圧端との間に直列連結される。ここで、Ｖ７０〜Ｖ１０は検出された温度値に対応する電圧値を表わす。
【００８４】
なお、複数の比較器Ａ１〜Ａ７はポジティブ（＋）入力端を介し温度検出電圧Ｖｔｅｍｐが印加され、ネガティブ（−）入力端を介し複数の抵抗Ｒ５〜Ｒ１１のそれぞれの連結ノードの電圧Ｖ７０〜Ｖ１０が印加されコード信号Ｗ７〜Ｗ１を出力する。
【００８５】
さらに、温度計コード処理部３１８は温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤに応じて温度計コード発生部３１７から印加されるコード信号Ｗ７〜Ｗ１を処理し、デジタル信号を出力することになる。
【００８６】
図１１は、図１０に示した温度計コード処理部３１８に関する詳細な構成を示す図である。
【００８７】
温度計コード処理部３１８は、複数の選択手段Ｍ１〜Ｍ４を含む。ここで、複数の選択手段Ｍ１〜Ｍ４はマルチプレクサでなるのが好ましい。
【００８８】
選択手段Ｍ１は、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤとコード信号Ｗ４をＡＮＤ演算した信号に応じてコード信号Ｗ７、Ｗ３の何れかを選択し、コード信号ＷＡ３を出力する。即ち、コード信号Ｗ４は温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤが活性化される場合にのみ活性化される信号である。
【００８９】
なお、選択手段Ｍ２はコード信号Ｗ４に応じてコード信号Ｗ６、Ｗ２の何れかを選択し、コード信号ＷＡ２を出力する。さらに、選択手段Ｍ３はコード信号Ｗ４に応じてコード信号Ｗ５、Ｗ１の何れかを選択し、コード信号ＷＡ１を出力する。さらに、選択手段Ｍ４はコード信号ＷＡ２に応じてコード信号ＷＡ３、ＷＡ１の何れかを選択し、コード出力信号ＷＢ１を出力する。
【００９０】
このような温度計コード処理部３１８でコード信号Ｗ７〜Ｗ１に応じて１つのデジタルコード出力信号ＷＢ１を出力する動作は、次の表１に示されているように行なわれる。
【００９１】
【表１】
2009259186.tif 000005
【００９２】
例えば、入力信号であるコード信号Ｗ７〜Ｗ１が順次「００００１１１」の場合、選択手段Ｍ１〜Ｍ３の出力であるコード信号ＷＡ３〜ＷＡ１が「１１１」となる。即ち、コード信号Ｗ４が「０」の場合、選択手段Ｍ１はコード信号Ｗ３を選択してコード信号ＷＡ３に出力し、コード信号Ｗ２を選択してコード信号ＷＡ２に出力し、コード信号Ｗ１を選択してコード信号ＷＡ１に出力することになる。
【００９３】
なお、コード信号ＷＡ２が「１」の場合、選択手段Ｍ４のコード出力信号ＷＢ１が「１」となる。これに伴い、最終の出力信号のＤ０〜Ｄ２は「１１０」のデジタルコード値に出力される。
【００９４】
図１２は、図１１に示した選択手段Ｍ１〜Ｍ４に関する詳細な回路図である。ここで、選択手段Ｍに入力される入力信号を「Ａ」、「Ｂ」とし、入力信号「Ａ」、「Ｂ」の何れかを選択するための信号を制御信号「Ｃ」とし、選択手段Ｍの出力信号を「Ｄ」とする。
【００９５】
選択手段Ｍは、伝送ゲートＴ１、Ｔ２とインバータＩＶ１〜ＩＶ３を含む。ここで、伝送ゲートＴ１は制御信号Ｃに応じて入力信号Ａを選択的に出力する。そして、伝送ゲートＴ２は制御信号Ｃに応じて入力信号Ｂを選択的に出力する。
【００９６】
このとき、制御信号Ｃがハイレベルの場合、伝送ゲートＴ１がターンオンし入力信号Ａが出力され、制御信号Ｃがローレベルの場合、伝送ゲートＴ２がターンオンし入力信号Ｂが出力される。インバータＩＶ２、ＩＶ３は伝送ゲートＴ１または伝送ゲートＴ２の出力信号を非反転遅延して出力信号Ｄを出力する。
【００９７】
このような構成を有するＡ／Ｄ変換部３１６は、図１３に示されているように温度検出電圧Ｖｔｅｍｐと補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌとを比較し、これを電圧に出力することになる。即ち、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌを基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、その変化された値を補正し出力することになる。
【００９８】
例えば、温度検出電圧Ｖｔｅｍｐは各ＲＦＩＤタグの実際の工程でその値が固定されるのではなく変化され得るのである。これに伴い、既に設けられた温度に該当する電圧になるよう補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌを変更して基準値から外れた温度検出電圧Ｖｔｅｍｐの誤差範囲を補正することになる。そして、図１４に示されているように、これを温度に伴うデジタルコード値に変換してデータバスに出力することになる。
【００９９】
図１５は、図３に示した温度処理部３１０に関する動作を説明するためのフローチャートである。
【０１００】
先ず、温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤが活性化されると（ステップＳ１）、温度補正のためのパラメータ（Parameter）の基本（Default）値を非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎにセッティングすることになる（ステップＳ２）。
【０１０１】
以後、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤが活性化されると（ステップＳ３）、温度感知部３１１で感知された温度値を基準電圧Ｖｒｅｆと、温度検出電圧Ｖｔｅｍｐに出力することになる（ステップＳ４）。
【０１０２】
次に、温度補正部３１５は非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎに既にセッティングされた基準温度値と基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌを出力することになる（ステップＳ５）。そして、基準電圧Ｖｒｅｆが既にセッティングされた温度値以内の場合なのか否かを判断することになる（ステップＳ６）。
【０１０３】
その結果、基準電圧Ｖｒｅｆが既にセッティングされた温度値以内でない場合、非揮発性コード部４１０＿１〜４１０＿ｎに格納されたデータを変更し温度測定パラメータの値を変更することになる（ステップＳ７）。一方、基準電圧Ｖｒｅｆが既にセッティングされた温度値以内の場合、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤを非活性化させることになる（ステップＳ８）。
【０１０４】
次に、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤが非活性化されると、温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤを非活性化させることになる（ステップＳ９）。
【０１０５】
このような構成を有する本発明の動作過程を説明する。
【０１０６】
先ず、デジタルブロック２００はＲＦＩＤタグチップ上での温度変化の状態を検出するため、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤと、温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤを温度処理部３１０に出力する。そして、デジタルブロック２００はセルアレイ３３０に一定の領域を割り当てるため、メモリブロック３００の周辺回路部３２０に温度アドレスＴＥＭＰ＿ＡＤＤを出力する。
【０１０７】
以後、温度処理部３１０は温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤと温度補正信号ＣＡＬ＿ＣＭＤに応じてＲＦＩＤタグチップ上での温度変化の状態を検出し電圧に変換したあと、検出されたデジタル出力をデータバスに出力する。
【０１０８】
なお、周辺回路部３２０はデジタルブロック２００から印加される温度アドレスＴＥＭＰ＿ＡＤＤに応じて温度メモリ３５０を駆動するためのワードラインＷＬ及びプレートラインＰＬを制御し、温度処理部３１０を制御する。ここで、温度メモリ３５０は温度処理部３１０により検出された温度に対応するデータが、データバスと入／出力部３６０を介し印加されてこれを格納する。
【０１０９】
このとき、温度感知部３１１はデジタルブロック２００から印加される温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤに応じてＲＦＩＤタグチップ内の温度を感知し、基準電圧Ｖｒｅｆを温度補正部３１５に出力して温度検出電圧ＶｔｅｍｐをＡ／Ｄ変換部３１６に出力する。
【０１１０】
以後、Ａ／Ｄ変換部３１６に温度計コード発生部３１７は補正電圧Ｖｒｅｆ＿ｃａｌを基準にし、温度コード区間を抵抗Ｒ５〜Ｒ１１を介しｎ等分に抵抗分割する。そして、ｎ等分に分割された温度コード区間Ｖ７０〜Ｖ１０を検出された温度検出電圧Ｖｔｅｍｐと比較し、Ｎ個の温度計コード信号Ｗ７〜Ｗ１を発生する。
【０１１１】
温度計コード処理部３１８は、温度センサ活性化信号ＴＥＭＰ＿ＣＭＤに応じて温度計コード信号Ｗ７〜Ｗ１をデコーティング（Decoding）し、これに対応するデジタル出力信号をデータバスに出力する。
【０１１２】
以上のように、本発明は複数の温度アドレスＴＥＭＰ＿ＡＤＤを割り当てて複数の温度メモリ３５０領域を別途に割り当てることになる。それぞれの割り当てられた温度アドレスは、ＲＦＩＤのリーダー器（Reader）により選択的に読み取るか書き込むことができるようになる。したがって、物流移動の過程で各チェックポイント（Check Point）上での温度履歴関係の分析に有効に用いることができるようになる。
【０１１３】
ＲＦＩＤタグの機能が高級化・高性能化されながらこのような温度センサの採択の要求も日ごとに増加する方向に進められている。本発明は、このような温度センサを構成するＲＦＩＤチップの構造的特性を改良させる。特に、温度変化に伴う出力電圧の変化幅を安定化し、より正確な温度情報の出力を容易にする。
【０１１４】
なお、本発明について、好ましい実施の形態を基に説明したが、これらの実施の形態は、例を示すことを目的として開示したものであり、当業者であれば、本発明に係る技術思想の範囲内で、多様な改良、変更、付加等が可能である。このような改良、変更なども、特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明に係るＲＦＩＤ装置の全体の構成を示す図である。
【図２】図１に示したメモリブロックに関する詳細な構成を示す図である。
【図３】図２に示した温度処理部に関する詳細な構成を示す図である。
【図４】図３に示した温度感知部に関する詳細な回路図である。
【図５】図３に示した温度感知部に関する温度特性グラフである。
【図６】図３に示した温度補正部に関する詳細な構成を示す図である。
【図７】図６に示したデータ格納部に関する詳細な回路図である。
【図８】図６に示した非揮発性コード部に関する動作タイミング図である。
【図９】図６に示した非揮発性コード部に関する動作タイミング図である。
【図１０】図３に示したＡ／Ｄ変換部に関する詳細な構成を示す図である。
【図１１】図１０に示した温度計コード処理部に関する詳細な構成を示す図である。
【図１２】図１１に示した各選択部に関する詳細な回路図である。
【図１３】図１０に示した温度計コード処理部を説明するための図である。
【図１４】図１０に示した温度計コード処理部を説明するための図である。
【図１５】図２に示した温度処理部に関する動作を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  アンテナ
１００  アナログブロック
１１０  電圧マルチプライヤ
１２０  電圧リミッタ
１３０  モジュレータ
１４０  ジモジュレータ
１５０  パワーオンリセット部
１６０  クロック発生部
２００  デジタルブロック
３００  非揮発性強誘電体メモリ
３１０  温度処理部
３１１  温度感知部
３１２  温度検出電圧発生部
３１３  基準電圧発生部
３１５  温度補正部
３１６  Ａ／Ｄ変換部
３１７  温度計コード発生部
３１８  温度計コード処理部
３２０  周辺回路部
３３０  セルアレイ
３４０  ワードライン／プレートラインドライバ
３５０  温度メモリ
４００  温度補正処理部
４１０＿１〜４１０＿ｎ  非揮発性コード部
４１１  データ格納部
４１２  ラッチ部
４２０  プルアップ部
４２１  プルアップラッチ部
４２２  入／出力部
４２３  非揮発性格納キャパシタ部
４２４  プルダウンラッチ部
４２５  プルダウン部
【図１】
2009259186.tif 000006
【図２】
2009259186.tif 000007
【図３】
2009259186.tif 000008
【図４】
2009259186.tif 000009
【図５】
2009259186.tif 000010
【図６】
2009259186.tif 000011
【図７】
2009259186.tif 000012
【図８】
2009259186.tif 000013
【図９】
2009259186.tif 000014
【図１０】
2009259186.tif 000015
【図１１】
2009259186.tif 000016
【図１２】
2009259186.tif 000017
【図１３】
2009259186.tif 000018
【図１４】
2009259186.tif 000019
【図１５】
2009259186.tif 000020