(57)【要約】【課題】 多層プリント配線板の製造工程で、絶縁樹脂層に割れ等が発生することなく、作業性に優れる積層シート、当該積層シートを用いてなる信頼性に優れた多層プリント配線板、及び半導体装置を提供するものである。【解決手段】  多層プリント配線板に用いられる絶縁樹脂層の一方の面に基材、他方の面にカバーフィルムを有する積層シートであって、カバーフィルムは、エンボス加工が施されており、最大高さ粗さＲｚが２〜５０ｕｍであることを特徴とする積層シート。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層の一方の面に基材、他方の面にカバーフィルムを有する積層シートであって、前記カバーフィルムは、エンボス加工を施されており、カバーフィルムの最大高さ粗さＲｚが２〜５０ｕｍであることを特徴とする積層シート。
【請求項２】
前記カバーフィルムは、ポリオレフィン系カバーフィルムである請求項１に記載の積層シート。
【請求項３】
前記カバーフィルムの表面は、静電防止加工が施されている請求項１または２に記載の積層シート。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層は、エポキシ樹脂組成物により形成されるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の積層シート。
【請求項５】
前記エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含有してなるものである請求項４に記載の積層シート。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の積層シートを、内層回路基板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層シート、多層プリント配線板および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化かつ高密度化が進んでいる。このプリント配線板等の高密度化への対応として、ビルドアップ方式による多層プリント配線板が多く採用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ビルドアップ方式による多層プリント配線板は、通常、樹脂組成物で構成される厚さ１００μｍ以下の積層シートと導体回路層とを積層成形して製造される。また、導体回路層間の接続方法としては、従来のドリル加工に代わって、レーザー法、フォト法等によるビアホールの形成が挙げられる。これらの方法は、小径のビアホールを自由に配置することで高密度化を達成するものであり、各々の方法に対応した各種ビルドアップ用層間絶縁材料が提案されている。
【０００４】
これらのビルドアップ方式用に用いられる積層シートを製造する際は、通常、基材上に絶縁樹脂層を形成して乾燥したのち、絶縁樹脂層表面保護のためのカバーフィルムをかぶせる（例えば、特許文献２参照。）。このカバーフィルムと絶縁樹脂層との密着力が強すぎたり、静電気を帯びやすかったりすると、積層シートの絶縁樹脂層の一部がカバーフィルムへ付着したり、絶縁樹脂層に割れなどの欠陥が生じるという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平０７-１０６７６７号公報
【特許文献２】特開２００７-１４４８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、多層プリント配線板の製造工程で、絶縁樹脂層に割れ等の欠陥が発生することなく、作業性に優れる積層シート、当該積層シートを用いてなる信頼性に優れる多層プリント配線板、及び半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明［１］〜［７］により達成される。
［１］  絶縁樹脂層の一方の面に基材、他方の面にカバーフィルムを有する積層シートであって、前記カバーフィルムは、エンボス加工を施されており、カバーフィルムの最大高さ粗さＲｚが２〜５０ｕｍであることを特徴とする積層シート。
［２］  前記カバーフィルムは、ポリオレフィン系カバーフィルムである［１］項に記載の積層シート。
［３］  前記カバーフィルムの表面は、静電防止加工が施されている［１］または［２］項に記載の積層シート。
［４］  前記絶縁樹脂層は、エポキシ樹脂組成物により形成されるものである［１］から［３］項のいずれかに記載の積層シート。
［５］  前記エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含有してなるものである［４］項に記載の積層シート。
［６］  ［１］ないし［５］項のいずれかに記載の積層シートを、内層回路基板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなる多層プリント配線板。
［７］  ［６］項に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、多層プリント配線板の製造に用いられる積層シートであって、積層シートは、絶縁樹脂層の一方の面に基材、他方の面にカバーフィルムより構成される。前記カバーフィルムは、エンボス加工を施されており、カバーフィルムの最大高さ粗さＲｚが２〜５０ｕｍであることを特徴とする。
本発明の積層シートを多層プリント配線板の製造に用いた場合、作業性が良く、絶縁樹脂層の割れ等の不具合を起こすことなく、高密度な微細回路形成が可能な多層プリント配線板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の積層シート、多層プリント配線板及び半導体装置について詳細に説明する。
【００１０】
まず、本発明の積層シートについて説明する。
本発明の積層シートは、絶縁樹脂層の一方の面に基材、他方の面にカバーフィルムより構成される。前記カバーフィルムは、エンボス加工を施されており、カバーフィルムの最大高さ粗さＲｚが２〜５０ｕｍである。このことにより、多層プリント配線板の製造工程において、内層回路基板に積層シートを貼り付ける直前まで、カバーフィルムが剥がれることがなく、内層回路基板に積層する直前に、カバーフィルムを剥がしても積層シートの絶縁樹脂層の一部がカバーフィルムへ付着や、絶縁樹脂層に割れなどの欠陥が生じるという問題がない。
【００１１】
前記カバーフィルムの最大高さ粗さＲｚは、５〜２０μｍであることがさらに好ましい。最も好ましくは８〜１５μｍである。上限値を超えると極度に薄くなる部分が出てくるため、絶縁樹脂層に割れ等の欠陥を引き起こす可能性があり、下限値に満たないと、粗さが小さすぎるため引き剥がす際に、絶縁樹脂層に割れ等の不良が生じる。尚、最大高さ粗さＲｚとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で、基準長さにおける輪郭曲線の山高さＺｐの最大値と谷深さＺｖの最大値との和として規定されている。最大高さ粗さＲｚは、Ｖｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ１１００により、測定することができる。
【００１２】
前記カバーフィルムは、さらに表面に静電気防止加工が施されていることが好ましい。これにより静電気を抑制する効果も見られるため、静電気による絶縁樹脂層の欠陥が起こりにくくなる。
【００１３】
前記カバーフィルムのエンボス加工が施された部分の形状は、特に限定されないが、円形または楕円形状が好ましい。凹部分の形状に角があると、角に力が集中する可能性があるため、好ましくない。
【００１４】
前記カバーフィルムの素材は、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンなどのポリオレフィンカバーフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂が挙げられる。特に、ポリオレフィンカバーフィルムが好適に用いられる。
【００１５】
前記カバーフィルムの厚みは、特に限定されないが、１０〜７０μｍのものを用いることが好ましい。これによりエンボス加工性、及び取り扱い性が良好になる。
【００１６】
本発明の積層シートに用いる基材は、特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性フィルム、あるいは、銅及び／又は銅系合金、アルミ及び／又はアルミ系合金、鉄及び／又は鉄系合金、銀及び／又は銀系合金等の金属箔などを用いることが出来る。その中でもポリエステルカバーフィルムが最も好ましい。ポリエステル樹脂は強度や耐熱性が高く、吸湿性が少ないなど、積層シートに用いる基材として適した特性を持つ。ポリエステルカバーフィルムとしてはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレートなどが挙られる。
【００１７】
前記基材の厚みは、特に限定されないが、１０〜７０μｍのものを用いることが好ましい。積層シートを製造する際の取り扱い性が良好だからである。
なお、本発明の積層シートを製造するにあたっては、絶縁樹脂層と接する側の基材表面の凹凸は極力小さいものであることが好ましい。これにより、多層プリント配線板製造時の取り扱いが容易となる。
【００１８】
本発明の積層シートは、積層シートを形成する絶縁樹脂層は、エポキシ樹脂組成物より形成されることが好ましい。これにより、耐熱性、難熱分解性を付与することができるとともに、積層シートを製造する時の製膜性や、多層プリント配線板製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。
【００１９】
前記エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、難燃性、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。
ここで、アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂を指し、例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、更に難燃性を向上させることができる。
【００２０】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、５．０×１０３以下であることが好ましい。さらに好ましくは５．０×１０２〜４．０×１０３であり、特に好ましくは８．０×１０２〜３．０×１０３である。
重量平均分子量が前記下限値未満であると、積層シートを製造した場合、絶縁樹脂層表面にタック性を生じ、取り扱い性が低下することがある。一方、前記上限値を超えるとエポキシ樹脂の流動性が低下し、成形性が低下することがあり、好ましくない。エポキシ樹脂の分子量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
【００２１】
前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して５〜６０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。
エポキシ樹脂の含有量が前記下限値未満であると、吸湿半田耐熱性、密着性を向上させる効果が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると、樹脂の分散性が悪くなることがあるため好ましくない。エポキシ樹脂の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
【００２２】
前記エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含有することが好ましい。前記無機充填材は、特に限定されないが、シリカ、タルク、アルミナ、ガラス、マイカ、水酸化アルミニウム等が挙げられる。その中でもシリカが好ましく、さらに好ましくは溶融シリカである。溶融シリカは他の無機充填材と比較して低膨張性に優れている。シリカの形状としては例えば、破砕状、球状などがあるが、球状であるものが好ましい。球状であると樹脂組成物中における無機充填材含有量を多くすることができ、その場合でも流動性に優れている。また、必要に応じて他の無機充填材も含有させることができる。
【００２３】
前記無機充填材はエポキシ樹脂組成物中に１０〜８０重量％であることが好ましい。さらに好ましい含有量は、２５〜７０重量％であり、最も好ましくは３０〜６０重量％である。無機充填材含有量が前記上限値を超えると樹脂組成物の流動性が悪くなる場合があるため好ましくなく、前記下限値未満であると絶縁樹脂層の十分な強度を得ることができない場合がある。
【００２４】
前記エポキシ樹脂組成物は、さらに硬化促進剤としてイミダゾール化合物を含有することが好ましい。イミダゾール化合物は、エポキシ樹脂成分と相溶性が高いので少量で硬化を促進する効果がある。
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いたエポキシ樹脂組成物は、高い均一性で硬化させることができる。これにより、絶縁樹脂層の絶縁性、耐熱性を高めることができる。
【００２５】
前記イミダゾール化合物は、例えば、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、２，４-ジアミノ-６-〔２’-メチルイミダゾリル-（１’）〕-エチル-ｓ-トリアジン、２，４-ジアミノ-６-（２’-ウンデシルイミダゾリル）-エチル-ｓ-トリアジン、２，４-ジアミノ-６-〔２’-エチル-４-メチルイミダゾリル-（１’）〕-エチル-ｓ-トリアジン、などを挙げることができる。
【００２６】
これらの中でも、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、及び、２-エチル-４-メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層プリント配線板に高い耐熱性を発現させることができる。
【００２７】
前記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材を除く樹脂成分の合計に対して、０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜３重量％が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。
【００２８】
前記エポキシ樹脂組成物は、さらにシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーを含有することが好ましい。これにより、樹脂組成物の難燃性を向上させることができる。
【００２９】
前記シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーの入手方法としては特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
【００３０】
前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。
これらの中でも、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度の増加により耐熱性を向上させることができるとともに、難燃性をさらに向上させることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。
なお、ノボラック型シアネート樹脂は、例えばノボラック型フェノール樹脂と、塩化シアン、臭化シアン等の化合物とを反応させることにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
【００３１】
前記ノボラック型シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０２〜４．５×１０３であることが好ましい。さらに好ましくは６．０×１０２〜３．０×１０３である。
重量平均分子量が前記下限値未満であると、機械的強度が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると、樹脂組成物の硬化速度が速くなるため、保存性が低下する場合がある。
【００３２】
なお、前記シアネート樹脂は、これをプレポリマー化したものも用いることができる。
ここでプレポリマーとは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
ここで前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば、３量化率が２０〜５０重量％であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。
【００３３】
前記ノボラック型シアネート樹脂としては、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
【００３４】
前記シアネート樹脂の含有量は特に限定されないが、エポキシ樹脂組成物全体に対して５〜５０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０重量％である。これにより、シアネート樹脂が有する耐熱性、難燃性向上作用をより効果的に発現させることができる。
シアネート樹脂の含有量が前記下限値未満であると、高耐熱性化する効果が低下することがある。また、前記上限値を超えると、架橋密度が高くなり自由体積が増えるため、耐湿性が低下する場合がある。
【００３５】
前記エポキシ樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、消泡剤、レベリング剤などの添加剤を含有することができる。
【００３６】
次に積層シートの製造方法について説明する。
【００３７】
本発明の積層シートは、まず、前記エポキシ樹脂組成物を用いて、基材上に絶縁樹脂層を形成し、次にカバーフィルムを絶縁樹脂層に被せることにより製造する。絶縁樹脂層を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、前記エポキシ樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置を用いて基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な積層シート層の厚みを有する積層シートを効率よく製造することができる。
【００３８】
前記樹脂ワニスの調製に用いられる溶剤は、特に限定されないが、例えば、アルコール類、エーテル類、アセタール類、ケトン類、エステル類、アルコールエステル類、ケトンアルコール類、エーテルアルコール類、ケトンエーテル類、ケトンエステル類、及び、エステルエーテル類などを用いることができる。
前記樹脂ワニス中の固形分含有量は、特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。
【００３９】
前記絶縁樹脂層の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。さらに好ましくは２０〜８０μｍである。これにより、この積層シートを用いて多層プリント配線板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適な絶縁樹脂層厚みを確保することができる。また、絶縁樹脂層の割れ発生を抑え、裁断時の粉落ちを少なくすることができる。
【００４０】
前記カバーフィルムは、絶縁樹脂層の形成後できるだけ早く被せることが望ましい。カバーフィルムの積層が遅れると、その間に異物の混入や絶縁樹脂層の欠陥が生じる可能性があるため好ましくない。
【００４１】
次に、本発明の積層シートを用いた多層プリント配線板について説明する。
【００４２】
前記多層プリント回路板は、前記積層シートのカバーフィルムを除去した後、絶縁樹脂層と内層回路基板の片面又は両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
具体的には、前記本発明の積層シートのカバーフィルムを除去し、絶縁樹脂層側と内層回路基板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。
あるいは、前記本発明の積層シートのカバーフィルムを除去し、絶縁樹脂層側を内層回路基板に重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。
なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路基板は、例えば、銅張積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。
【００４３】
前記で得られた多層プリント配線板は、さらに、基材を剥離除去して、絶縁樹脂層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導体回路を形成することができる。本発明の積層シートから形成された絶縁樹脂層は、前記粗化処理工程において、微細な凹凸形状を高い均一性で多数形成することができ、また、絶縁樹脂層表面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができるものである。
【００４４】
次に、本発明の多層プリント配線板を用いた半導体装置について説明する。
前記半導体装置は、前記多層プリント配線板に半導体素子を実装し、封止樹脂によって封止することによって製造する。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。本発明の多層プリント配線板をパッケージ用基板として使用することにより、高密度実装が可能なうえ、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を実施例および比較例により詳細に説明する。
【００４６】
実施例及び比較例において用いた原材料は以下の通りである。
（１）基材／ポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製、厚さ３８μｍ）
（２）カバーフィルム／ポリエチレンフィルム（厚さ３０μｍ）
Ａ；円形エンボス加工  Ｒｚ１３．２μｍ
Ｂ；正方形エンボス加工  Ｒｚ６．７μｍ
Ｃ；斜格子エンボス加工  Ｒｚ１０．１μｍ
Ｄ；サンドブラストエンボス加工  Ｒｚ４．５μｍ
Ｅ；格子エンボス加工  Ｒｚ４２．５μｍ
Ｆ；エンボス加工なし  Ｒｚ１．０μｍ
Ｇ；斜格子エンボス加工  Ｒｚ６１．１μｍ
エンボス加工の形状は図１〜７に示す。
図中の白い部分が凸部、黒い部分は凹部であり、凸部が絶縁樹脂層と接触する面である。
（３）無機充填材／アドマテックス社製・「ＳＯ-２５Ｈ」、平均粒子径０．５μｍ
（４）エポキシ樹脂Ａ／ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂：日本化薬株式会社製・「ＮＣ-３０００」、エポキシ当量２７５、重量平均分子量１０００
（５）エポキシ樹脂Ｂ／テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン株式会社製・「ＹＸ−４０００」、エポキシ当量１８５、重量平均分子量７００
（６）フェノキシ樹脂／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している：ジャパンエポキシレジン株式会社製・「ｊＥＲ４２７５」重量平均分子量６００００
（７）シアネート樹脂／ノボラック型シアネート樹脂：ロンザジャパン株式会社製・「プリマセットＰＴ-３０」、重量平均分子量７００
（８）フェノール系硬化剤／ビフェニルアルキレン型ノボラック樹脂：明和化成株式会社製「ＭＥＨ−７８５１−３Ｈ」、水酸基当量２２０
（９）硬化促進剤／イミダゾール化合物：四国化成工業株式会社製・「キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール）」
【００４７】
＜実施例１＞
（１）樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂Ａ３５重量部、フェノキシ樹脂５重量部、シアネート樹脂２４．８重量部、硬化触媒０．２重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３５重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
【００４８】
（２）積層シートの製造
前記で得られた樹脂ワニスを、コンマコーター装置を用いて、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの基材上に、乾燥後の絶縁樹脂層の厚さが５０μｍとなるように塗工し、これを１５０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、カバーフィルムＡを被せて、積層シートを製造した。
【００４９】
（３）多層プリント配線板の製造
所定の内層回路が両面に形成された内層回路基板の表裏に、前記で得られた積層シートのカバーフィルムを剥離し、絶縁樹脂層面を内層回路基板に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて１７０℃で６０分間加熱硬化行った。
なお、内層回路基板としては、下記のものを使用した。
・絶縁層：ハロゲンフリー  ＦＲ-４材、厚さ０．４ｍｍ
・導体層：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ
【００５０】
（５）パッケージ基板の製造
前記多層プリント配線板の絶縁樹脂層に炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁樹脂層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図った。なお、外層回路は、半導体素子を実装するための接続用電極部を設けた。
その後、最外層にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切断し、パッケージ基板を得た。
【００５１】
（６）半導体装置の製造
半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．８ｍｍ）は、半田バンプはＳｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂（住友ベークライト社製ＣＲＣ−８３００）で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、前記パッケージ基板上に加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。
【００５２】
＜実施例２＞
エポキシ樹脂Ａ３０．０重量部、エポキシ樹脂Ｂ１５．０重量部、フェノール硬化剤１４．９重量部、硬化促進剤０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材４０．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＡを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５３】
＜実施例３＞
エポキシ樹脂Ａ４０．０重量部、フェノキシ樹脂１５．０重量部、フェノール硬化剤９．７重量部、硬化促進剤０．３重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材３５．０重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニスを調製した。
この樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＢを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５４】
＜実施例４＞
実施例1の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＣを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５５】
＜実施例５＞
実施例２の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＤを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５６】
＜実施例６＞
実施例１の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＥを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５７】
＜比較例１＞
実施例1の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＦを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５８】
＜比較例２＞
実施例２の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＦを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００５９】
＜比較例３＞
実施例３の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＦを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００６０】
＜比較例４＞
実施例1の樹脂ワニスを用いて、実施例1と同様にして塗工し、カバーフィルムＧを被せて、積層シートを製造した。また、実施例１と同様にして、多層プリント配線板および半導体装置を得た。
【００６１】
実施例および比較例で得られた積層シート、多層プリント配線板、及び、半導体装置について、特性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
2009202422.tif 000003
【００６３】
評価方法は下記のとおりである。
（１）カバーフィルム剥離性
大きさ２００ｍｍ×２００ｍｍの積層シートから、カバーフィルムを剥離する際の剥離のしやすさを評価した。各符号は下記のとおり。
◎；剥離性に問題なく、また樹脂の転写や積層シートの割れもなく良好
○；やや密着力高く、一部に樹脂転写が見られる
△；剥離の際に注意が必要であり、シートの端に樹脂割れが発生
×；カバーフィルムが樹脂に密着せず、取り扱い時に樹脂に欠陥が発生
（２）絶縁樹脂層の外観評価
前記多層プリント配線板の絶縁樹脂層について、顕微鏡にて観察を行った。
各符号は以下の通りである。
○：外観の良好なもの
×：ひび割れや欠損などの不良が観察されたもの
（３）吸湿半田耐熱性
多層プリント配線板より、５０ｍｍ×５０ｍｍの試料を採取し、片面全面と、もう片面の１／２の銅箔をエッチングして除去した。これを、１２５℃のプレッシャークッカーで２時間処理した後、２６０℃の半田槽に銅箔面を下にして１８０秒間浮かべ、膨れ・はがれの有無を確認した。
各符号は以下の通りである。
○：膨れやはがれがなく良好
×：膨れやはがれの発生
（４）熱衝撃性試験
前記半導体装置をフロリナート中で−５５℃１０分、１２５℃１０分、−５５℃１０分を１サイクルとして、１０００サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか目視で確認した。
各符号は以下の通りである。
○：クラックがなく良好
×：クラック発生
【００６４】
実施例１〜６は、積層シートを保護するためのカバーフィルムとして、エンボス加工されたカバーフィルムを用いた本発明の積層シートと、当該積層シートを用いた多層プリント配線板、及び半導体装置であり、その評価結果を表１に示す。
実施例１〜６はいずれも、カバーフィルム剥離性が良好であり、絶縁樹脂層外観が良好であり、吸湿半田耐熱性にも優れ、信頼性の高い半導体装置を得ることができた。
比較例１〜３は、カバーフィルムにエンボス加工されていないカバーフィルムを用いているため、積層シートからカバーフィルムを剥離した際に絶縁樹脂層に欠陥が生じ、得られた多層プリント配線板の絶縁樹脂層に外観不良が見られ、吸湿半田耐熱性評価において、脹れやはがれが生じた。また、熱衝撃性試験において、半導体装置にクラックが発生する不良が発生した。
比較例４は、カバーフィルムのエンボス加工のＲｚが大きすぎるため、絶縁樹脂層とカバーフィルムとが十分密着せず、積層シートの取り扱い時に絶縁樹脂層に欠陥が生じたり、異物が混入したりしたため、得られた多層プリント配線板の吸湿半田耐熱性評価において、脹れやはがれが生じた。また、熱衝撃性試験において、半導体装置にクラックが発生する不良が発生した。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明の積層シートは、多層プリント配線板製造工程において、絶縁樹脂層に割れ等の不良が生じないため、小型化、薄型化要求へ対応し、信頼性に優れた多層プリント配線板、並びに該多層プリント配線板を用いた信頼性に優れる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】カバーフィルムＡ（円形エンボス加工  Ｒｚ１３．２μｍ）の表面形状
【図２】カバーフィルムＢ（正方形エンボス加工  Ｒｚ６．７μｍ）の表面形状
【図３】カバーフィルムＣ（斜格子エンボス加工  Ｒｚ１０．１μｍ）の表面形状
【図４】カバーフィルムＤ（サンドブラストエンボス加工  Ｒｚ４．５μｍ）の表面形状
【図５】カバーフィルムＥ（格子エンボス加工  Ｒｚ４２．５μｍ）の表面形状
【図６】カバーフィルムＦ（エンボス加工なし  Ｒｚ１．０μｍ）の表面形状
【図７】カバーフィルムＧ（斜格子エンボス加工  Ｒｚ６１．１μｍ）の表面形状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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