(57)【要約】【課題】有機ＥＬ装置の陽極に対してプラズマを照射する工程において、プラズマを安定させ、陽極にダメージを与えないように照射量を制御し、陽極に対して均一にプラズマを照射することができる有機ＥＬ装置の製造装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】陽極と陰極との間に有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の前記陽極にプラズマを照射する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置Ｓであって、プロセスガスが供給される処理室１と、前記処理室１内に配置され、基板２０２を保持する基板保持部２と、前記プロセスガスをプラズマ状態にして前記基板２０２に照射するプラズマ発生源４Ａ，４Ｂと、前記基板２０２と前記プラズマ発生源４Ａとの間に配置され、複数の開口部を有する遮蔽板５とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の前記陽極にプラズマを照射する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置であって、
プロセスガスが供給される処理室と、
前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記プロセスガスをプラズマ状態にして前記基板に照射するプラズマ発生源と、
前記基板と前記プラズマ発生源との間に配置され、複数の開口部を有する遮蔽板と
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項２】
前記複数の開口部は、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて放射状に開口していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項３】
前記複数の開口部は、等角度のピッチで放射状に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項４】
前記複数の開口部の各々の幅は、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて徐々に増加するように形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項５】
前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて、前記複数の開口部の各々の面積が徐々に増加するように、前記複数の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項６】
前記複数の開口部の各々の開口面積は、等しいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項７】
前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて、前記複数の開口部の各々の面積が徐々に減少するように、前記複数の開口部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項８】
前記遮蔽板を回転させる回転機構を備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項９】
前記遮蔽板を揺動させる揺動機構を備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【請求項１０】
陽極と陰極との間に有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の前記陽極にプラズマを照射する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
処理室内に前記陽極が形成された基板を配置する工程と、
前記処理室内に供給されたプロセスガスをプラズマ状態にして前記基板に照射するプラズマ発生源と、前記基板との間に、開口部を有する遮蔽板を介在させ、前記基板に前記プラズマ状態の前記プロセスガスを照射する工程と
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、発光層や正孔輸送層等の有機機能層を有する有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」）素子を発光させて表示を行う有機ＥＬ装置が提案されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置の構成として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）によって構成された陽極と、陽極のホール（正孔）を有機層に注入する正孔注入層と、発光層と、陰極とが積層された構成が知られている。
一般的なＩＴＯの仕事関数は、約４．９ｅＶである。一方、陽極上に形成される有機材料の仕事関数は概ね５ｅＶであるが、５．２ｅＶ又は５．３ｅＶの仕事関数を有する有機材料も存在する。従って、陽極の仕事関数と有機材料の仕事関数との間には、開き（差）があり、エネルギーギャップが存在する。
【０００４】
そこで、陽極から正孔注入層に対してホール（正孔）を注入するホール注入性を高めるために、また、陽極の仕事関数と正孔注入層の仕事関数とが略同じ値を示すように調整するために、ＩＴＯからなる陽極の表面をプラズマ状態のプロセスガスに晒すことにより、陽極の仕事関数を調整するプラズマ前処理工程が知られている（例えば、特許文献１〜６参照）。また、このプラズマ前処理工程においては、陽極表面のクリーニングも行なっている。
このようなプラズマ前処理工程においては、プロセスガスに高周波電力を与えて励起させ、プロセスガスのプラズマを生成し、当該プラズマを陽極に照射させている。このようなプラズマ前処理工程を行なうことにより、陽極表面の仕事関数の値は４．９〜５．２ｅＶに調整され、正孔注入層に対する正孔注入性を高めている。また、陽極表面における仕事関数の調整だけでなく、プラズマ前処理工程においては、陽極表面に付着している有機系の不要物、或いは、基板搬送中に陽極に付着するパーティクルを除去している。
【特許文献１】特開平５−３４７１８８号公報
【特許文献２】特開平７−１４２１６８号公報
【特許文献３】特開平１０−９２５８５号公報
【特許文献４】特開２０００−３１１８６９号公報
【特許文献５】特開２００３−２５７６４６号公報
【特許文献６】特開２００６−１２０７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１〜６においては、プラズマのエネルギーの強度が高い場合には陽極にダメージを与えてしまうという問題がある。また、プラズマのエネルギーの強度が低い場合には安定してプラズマを基板に照射させることが難しいという問題がある。
更に、プラズマ状態のプロセスガスは、濃度分布及び流量分布を有するため、当該プラズマを基板に均一に照射させることできないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、有機ＥＬ装置の陽極に対してプラズマ状態のプロセスガスを照射する工程において、プラズマを安定させ、陽極にダメージを与えないように照射量を制御し、プラズマを陽極に対して均一に照射することができる有機ＥＬ装置の製造装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、従来のプラズマ前処理工程に関し、次のような知見を見出した。
プラズマ前処理工程は、高周波電力を利用してプロセスガスにエネルギーが付与し、プロセスガスのプラズマ状態を生成し、プロセスガスを構成するイオン等の粒子を陽極表面に衝突させるプロセスである。そのため、プラズマのエネルギーの強度を大きくすればプロセス時間短縮が図られる。しかしながら、プラズマのエネルギーの強度を大きくしてしまうと、ＩＴＯによって構成された陽極表面がダメージを受ける。そのため、逆スパッタによって陽極の膜厚が薄くなってしまうという問題、陽極周辺に形成されている画素を構成する部材が削られてしまい所望の画素形状を得ることができないという問題、また、画素構成部材が削り取られてパーティクルとなり、陽極表面に付着することによって陽極が汚染されてしまうという問題が生じる。
一方、陽極表面に対するダメージを抑制するために、低い高周波電力によってプラズマを発生させ、基板に付与されるプラズマのエネルギーの強度を抑え、照射時間を長くする処理工程が考えられる。しかしながら、この場合には、プロセスガスのプラズマ状態を安定させることが難しく、基板に対するプラズマの照射量がばらついてしまうという問題がある。結果として、基板表面に照射される照射量が不均一になり、陽極表面を均一にクリーニングすることが困難になり、陽極表面の仕事関数の値が不均一になるという問題がある。従って、低い高周波電力によって生成されたプラズマを陽極に照射する場合には、プラズマのエネルギーの強度の分布をコントロールすることが難しい。
また、基板に対するプラズマの照射量を制御する方法としては、発生したプラズマの周辺に磁場を生じさせ、この磁場を変化させることによって、基板に対するプラズマの照射量を制御する方法が知られている。しかしながら、基板サイズが大きくなった場合、基板サイズに応じて磁場を発生させる領域が大きくなってしまうため、簡素な装置によってプラズマの照射量の均一化を図ることは難しい。
【０００８】
また、プラズマ前処理工程によって発生されるプラズマは、処理室内に流入したプロセスガスを励起させることによって生成される。そのため、プラズマ状態のプロセスガスの濃度分布及び流量分布は、処理室内に供給されたプロセスガスの流量分布或いは濃度分布に依存する。そのため、供給されるプロセスガスの流量或いは濃度のばらつきに応じて、基板に対するプラズマの照射量がばらついてしまい、陽極表面のクリーニングと陽極の仕事関数の調整とを均一に行なうことができないという問題がある。
更に、基板サイズが大きくなると、処理室に供給されるプロセスガスの供給経路の本数を増やすことによって、基板全面におけるプラズマの照射分布を均一化することが考えられる。しかしながら、この場合であっても、大型基板の中央部に供給されるプラズマ状態のプロセスガスの供給量は、周辺部に供給されるプラズマ状態のプロセスガスの供給量よりも少なくなり、基板の中央部と周辺部とにおいて、プロセスガスの供給量に差異が生じてしまう。そのため、供給量が異なるプロセスガスが励起されてプラズマが生成されると、基板の中央部におけるプラズマの照射量と、基板の周辺部におけるプラズマの照射量とが異なってしまい、結果としてプラズマ状態のプロセスガスを基板上の陽極に対して均一に照射することが困難であるという問題がある。
【０００９】
更に、プラズマのエネルギー強度のばらつき及びプロセスガスの流量のばらつきだけでなく、処理室内におけるプロセスガス供給口とプラズマ発生源との位置関係、或いはプラズマ発生源の形状等の要因により、プラズマの特性は不均一な分布を有する。
そのため、有機ＥＬ装置の素子特性の向上を図るために、特に、陽極表面に対するクリーニング及び仕事関数の調整を均一に行うためには、生成されるプラズマが不均一であっても、陽極表面に照射されるプラズマ照射量を均一にする必要がある。
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明者は、次のような有機ＥＬ装置の製造装置及び製造方法を見出した。
即ち、本発明の有機ＥＬ装置の製造装置は、陽極と陰極との間に有機層を備える有機ＥＬ装置の前記陽極にプラズマを照射する有機ＥＬ装置の製造装置であって、プロセスガスが供給される処理室と、前記処理室内に配置され、基板を保持する基板保持部と、前記プロセスガスをプラズマ状態にして前記基板に照射するプラズマ発生源と、前記基板と前記プラズマ発生源との間に配置され、複数の開口部を有する遮蔽板とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、プラズマ発生源と基板との間に、複数の開口部を有する遮蔽板が設けられているので、プラズマ状態のプロセスガスは遮蔽板によって遮蔽され、複数の開口部のみを通じたプラズマ状態のプロセスガスのみが基板に達し、基板を照射する。そのため、遮蔽板に設けられた複数の開口部を利用して、プラズマ状態のプロセスガスに含まれるイオン等の粒子が基板表面に衝突することを制限することができる。また、プラズマ発生源の出力が安定するようにプラズマのエネルギーの強度を高くしても、遮蔽板によって基板に達するプラズマの照射量が制限されるので、プラズマによるダメージを抑制しながら、安定した照射量でプラズマを陽極に対して均一に照射することができる。
また、基板サイズが大きくなったとしても、遮蔽板の大きさ、開口部の形状，個数，及び配置パターンを適宜設定することにより、基板に対する照射量を所望に制御することができる。
【００１２】
また、本発明によれば、処理室内に供給されるプロセスガスの流量或いは濃度がばらついている場合であっても、励起されて生成されたプラズマ状態のプロセスガスは、遮蔽板の複数の開口部を通過することにより、流量分布或いは濃度分布が均一になり、基板に到達する。そのため、基板の中央部に照射されるプラズマの照射量と、基板の周辺部に照射されるプラズマの照射量と等しくすることができる。即ち、基板上の陽極に対して均一にプラズマを照射することができる。
また、基板サイズの増加に伴って、処理室に供給されるプロセスガスの供給経路の本数が増加した場合には、大型基板の中央部と周辺部とにおいてプロセスガスの供給量に差異が生じる場合がある。このような場合であっても、遮蔽板によってプラズマ状態のプロセスガスの流量分布或いは濃度分布が均一になるので、大型基板の中央部に照射されるプラズマの照射量と、大型基板の周辺部に照射されるプラズマの照射量と等しくすることができる。
【００１３】
以上のように、本発明の製造装置によれば、遮蔽板によって、プラズマの照射量が制限され、安定した照射量でプラズマを陽極に対して均一に照射することができる。また、遮蔽板によって、プラズマ状態のプロセスガスの流量分布或いは濃度分布を均一にした状態で、当該プロセスガスを基板に照射することができる。そのため、画素を構成する部材が削られることに起因する陽極表面の汚染を防止しつつ、陽極表面のクリーニングと、陽極表面における仕事関数の制御とを均一に行なうことができる。
【００１４】
また、本発明においては、前記複数の開口部は、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて放射状に開口していることが好ましい。また、前記複数の開口部は、等角度のピッチで放射状に形成されていることが好ましい。また、前記複数の開口部の各々の幅は、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて徐々に増加するように形成されていることが好ましい。また、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて、前記複数の開口部の各々の面積が徐々に増加するように、前記複数の開口部が形成されていることが好ましい。
このような構成にすれば、遮蔽板によって、プラズマの照射量が制限され、安定した照射量でプラズマを陽極に対して均一に照射することができる。また、プラズマ状態のプロセスガスの濃度が高い部分には遮蔽板の開口率（開口面積）を小さくすることができる。また、その濃度が低い部分には遮蔽板の開口率を大きくすることができる。従って、均一かつ安定なプラズマを基板上の陽極に照射させることができる。
【００１５】
また、本発明においては、前記複数の開口部の各々の開口面積は、全て等しいことが好ましい。
この構成は、プロセスガスの濃度分布及び流量分布が、基板に対するプラズマ照射の均一性に影響しない場合であって、プラズマのエネルギーの強度のばらつきのみを改善する場合において有効である。
即ち、このような構成にすれば、開口面積が等しい複数の開口部を有する遮蔽板によって、プラズマのエネルギーの強度が制限され、基板の陽極に対するプラズマダメージを抑制して、安定した照射量でプラズマを陽極に対して均一に照射することができる。
【００１６】
また、本発明においては、前記遮蔽板の中央部から周辺部に向けて、前記複数の開口部の各々の面積が徐々に減少するように、前記複数の開口部が形成されていることが好ましい。
この構成は、基板の中央部に供給されるプロセスガスの流量が、基板の周辺部に供給されるプロセスガスの流量よりも少ない場合において、基板の全面に照射されるプラズマの照射量の分布を均一にすることができる。具体的に、遮蔽板の周辺部に形成された開口部の面積は小さいために、プラズマ状態のプロセスガスの流量が制限される。また、遮蔽板の中央部に形成された開口部の面積は大きいために、プラズマ状態のプロセスガスの流量が増大する。即ち、遮蔽板の中央部から周辺部に向けて開口面積が徐々に減少するように複数の開口部が形成されていることによって、プロセスガスの流量分布が均一になる。
従って、均一な流量分布を有するプロセスガスが励起されて生成されたプラズマは、基板を照射する。そのため、基板の中央部に照射されるプラズマの照射量と、その周辺部に照射されるプラズマの照射量と等しくすることができる。即ち、基板上の陽極に対して均一にプラズマを照射することができる。
特に、基板サイズが大きくなった場合には、大型基板の中央部と周辺部とにおいてプロセスガスの供給量に差異が生じ易くなる。この場合であっても、基板の中央部におけるプラズマの照射量と、基板の周辺部におけるプラズマの照射量とを均一にすることができる。結果として均一なプラズマを基板に照射することができる。
【００１７】
また、本発明においては、前記遮蔽板を回転させる回転機構を備えることが好ましい。或いは、前記遮蔽板を揺動させる揺動機構を備えることが好ましい。
遮蔽板を固定して遮蔽板と基板とを近接させ、プラズマ状態のプロセスガスを遮蔽板の開口部を通過させ基板にプラズマを照射する場合、遮蔽板の開口部の形状（パターン）に応じて、開口部の形状が転写されるように、基板の全面に形成された陽極膜がプラズマに晒されてしまう恐れがある。この場合、プラズマの照射量のばらつきが改善されずに、プラズマが不均一に基板に照射されてしまう。
そこで、本発明によれば、遮蔽板を回転させる回転機構、或いは、基板を揺動させる揺動機構を備えることにより、遮蔽板に設けられた開口部の形状に応じたプラズマ照射のばらつきが発生することを抑制することができ、基板に照射されるプラズマの均一化を図ることができる。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極と陰極との間に有機層を備える有機ＥＬ装置の前記陽極にプラズマを照射する有機ＥＬ装置の製造方法であって、処理室内に前記陽極が形成された基板を配置する工程と、前記処理室内に供給されたプロセスガスをプラズマ状態にして前記基板に照射するプラズマ発生源と、前記基板との間に、開口部を有する遮蔽板を介在させ、前記基板に前記プラズマ状態の前記プロセスガスを照射する工程とを含むことを特徴とする。
本発明の製造方法は、上記の製造装置を用いて、プラズマ状態のプロセスガスを基板に照射させている。従って、有機ＥＬ装置の陽極に対してプラズマを照射する工程において、プロセスガスのプラズマ状態を安定させ、陽極にダメージを与えないようにプラズマの照射量を制御し、陽極に対して均一にプラズマを照射することができる。そのため、画素を構成する部材が削られることに起因する陽極表面の汚染を防止しつつ、陽極表面のクリーニングと、陽極表面における仕事関数の制御とを均一に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２０】
（プラズマ処理装置）
図１は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置（有機ＥＬ装置の製造装置）の構成を示す概略図である。図２は、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置が備える遮蔽板の平面図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態のプラズマ処理装置Ｓは、プロセスガスが供給可能な真空チャンバ（処理室）１と、真空チャンバ１内に配置された基板保持部２，シャッター３，一対の電極（プラズマ発生源）４Ａ，４Ｂ，及び遮蔽板５と、真空チャンバ１の外部に設けられ真空チャンバ１に連通している電磁バルブ６，マスフローコントローラ７，及び真空計８とを備えている。
【００２２】
基板保持部２は、有機ＥＬ装置を構成する基板２０２を保持する。基板２０２上にはＩＴＯからなる陽極が形成されており、陽極が電極４Ａに向くように基板保持部２は基板２０２を保持している。
【００２３】
マスフローコントローラ７は、プロセスガス供給ライン９に接続されており、真空チャンバ１内に供給されるプロセスガスの流量を制御する。
真空チャンバ１内に供給されるプロセスガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）等の処理ガスと、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ），ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ），及びクリプトン（Ｋｒ）等の希ガス、或いは窒素（Ｎ２）等の不活性ガスとが混合された混合ガスが採用される。
【００２４】
電磁バルブ６は、真空排気ライン１０を通じて真空ポンプ（不図示）に接続されている。また、電磁バルブ６は、真空計８に電気的に接続されており、真空計８によって測定された真空チャンバ１内の圧力に応じて、真空チャンバ１内が所定圧力になるように真空排気ライン１０の流路径（コンダクタンス）を調整し、真空チャンバ１内の圧力を制御する。
【００２５】
シャッター３は、遮蔽板５と基板保持部２との間に配置されている。また、シャッター３には、当該シャッター３を開閉駆動するシャッター開閉機構３Ａが接続されている。シャッター開閉機構３Ａがシャッター３を閉じた場合、基板２０２と電極４Ａとが隔離されるので、基板２に対するプラズマ照射は行なわれない。一方、シャッター開閉機構３Ａがシャッター３を開いた場合、電極４Ａ，４Ｂによって生成されたプロセスガスのプラズマが遮蔽板５を介して基板２に照射される。
【００２６】
一対の電極４Ａ，４Ｂは、不図示の高周波電源に接続されている。電極４Ａは、遮蔽板５に対向するように、プラズマ処理装置Ｓの底部に配置されている。電極４Ｂは、基板２０２の陽極が形成されている面の反対面に対向するように配置されている。電極４Ｂと基板２０２とは接触されていてもよく、また、非接触であってもよい。
高周波電源から電極４Ａ，４Ｂの間に高周波電力が供給されると、電極４Ａ，４Ｂは、その間に、プロセスガスのプラズマを発生させる。
なお、本実施形態において、プラズマ処理装置Ｓは、平行平板型の電極４Ａ，４Ｂによって容量結合型プラズマを生成させる構造を有するが、この構造を限定することなく、スパイラル状に形成されたアンテナによって誘導性結合型プラズマを生成させる構造を有してもよい。
【００２７】
遮蔽板５は、シャッター３と電極４Ａとの間に配置されている。また、遮蔽板５には、当該遮蔽板５を回転させる回転機構５Ａが接続されている。回転機構５Ａは、図２の符号Ｏに示す回転中心を軸として、符号Ｒに示す方向に遮蔽板５を回転させる機能を有する。なお、回転中心軸Ｏは、基板２０２の鉛直方向に平行な軸である。
また、図２に示すように、遮蔽板５は、複数の開口部５Ｂを有する。複数の開口部５Ｂは、遮蔽板５の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて放射状に開口されたスリットである。また、複数の開口部５Ｂは、回転中心軸Ｏを中心として、等角度のピッチで配置されている。また、複数の開口部５Ｂの各々は、遮蔽板５の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて幅が増加するように形成されている。
遮蔽板５を構成する材料としては、セラミクスが好適に採用される。遮蔽板５はプラズマを遮蔽する機能を有するため、金属、強磁性体によって形成されていないことが好ましい。
【００２８】
次に、このように構成されたプラズマ処理装置Ｓの動作について説明する。
まず、シャッター３が閉まった状態で、搬送装置（不図示）が真空チャンバ１内に基板２０２を配置する（図１参照）。
基板２０２の表面にはＩＴＯからなる有機ＥＬ装置の構成要素である陽極が形成されている。陽極が形成された基板２０２の面がシャッター３に対向するように、基板２０２は真空チャンバ１内に配置される。
【００２９】
基板２０２が配置された状態で、マスフローコントローラ７は、プロセスガス供給ライン９からプロセスガスを真空チャンバ１内に供給する。また、マスフローコントローラ７は、所定流量のプロセスガスを真空チャンバ１内に供給する。プロセスガスの供給による真空チャンバ１内の圧力変化は、真空計８によって測定される。電磁バルブ６は、真空計８によって測定された真空チャンバ１内の圧力とプラズマ処理に要求される圧力との差に基づいて、真空排気ライン１０の流路径（コンダクタンス）を調整し、真空チャンバ１内が所定圧力になるように制御する。
【００３０】
プロセスガスが供給された後に、電極４Ａ，４Ｂの間に高周波電力が印加されると、真空チャンバ１内にはプロセスガスが励起されることによって生成されたプラズマが生じる。このとき、基板２０２と電極４Ａとの間に配置されたシャッター３は、閉じているため、基板２０２に対するプラズマ照射は行なわれない。
このとき、発生されたプラズマの分布は、不均一である。具体的には、プラズマのエネルギーの強度分布と、プラズマ状態のプロセスガスの濃度分布とが不均一のまま、プラズマが生成される。
【００３１】
次に、シャッター開閉機構３Ａがシャッター３を開く。すると、電極４Ａ，４Ｂによって生成されたプラズマは、遮蔽板５によって遮蔽されると共に、図２に示す遮蔽板５の複数の開口部５Ｂのみを通過する。
ここで、開口部５Ｂを通過する前においてエネルギーの強度分布が不均一であったプラズマは、遮蔽板５によって遮蔽され、かつ、開口部５Ｂを通過することにより、エネルギーの強度分布が均一なプラズマになる。
また、開口部５Ｂを通過する前において濃度分布が不均一であったプラズマ状態のプロセスガスは、遮蔽板５によって遮蔽され、かつ、開口部５Ｂを通過することにより、濃度分布が均一なプロセスガスになる。
特に、遮蔽板５の複数の開口部５Ｂのうち、開口面積（開口率）が小さい中央部５Ｃにおいて、プラズマは遮蔽板５を通過し難くい。一方、開口面積が大きい周辺部５Ｄにおいて、プラズマは遮蔽板５を通過し易い。
このように、プラズマ状態のプロセスガスが遮蔽板５の複数の開口部５Ｂを通過すると、プラズマのエネルギーの強度分布が均一になり、プラズマ状態のプロセスガスの濃度分布が均一になる。そして、開口部５Ｂを通過したプロセスガスは基板２０２に到達する。
【００３２】
上述したように、本実施形態のプラズマ処理装置Ｓによれば、遮蔽板５に設けられた複数の開口部５Ｂにプラズマ状態のプロセスガスを通過させることにより、プラズマ状態のプロセスガスに含まれるイオン等の粒子が基板表面に衝突することを制限することができる。また、電極４Ａ，４Ｂによって生成されるプラズマの出力を安定させるため、エネルギーの強度が高められたプラズマを発生させた場合であっても、基板２０２に対するプラズマの照射量が制限される。そのため、陽極が形成された基板２０２に対して、プラズマによるダメージを抑制しながら、均一にプラズマを照射することができる。また、基板サイズが大きくなったとしても、遮蔽板５の大きさ、開口部５Ｂの形状，個数，及び配置パターンを適宜設定することにより、基板に対する照射量を所望に制御することができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態のプラズマ処理装置Ｓによれば、有機ＥＬ装置の基板２０２に形成された陽極に対して、プラズマのエネルギーの強度が制限された状態で、均一にプラズマを照射することができる。そのため、画素を構成する部材が削られることに起因する陽極表面の汚染を防止しつつ、陽極表面のクリーニングと、陽極表面における仕事関数の制御とを均一に行なうことができる。
【００３４】
また、本実施形態のプラズマ処理装置Ｓは、遮蔽板５を回転させる回転機構５Ａを備えている。そのため、遮蔽板５に設けられた開口部５Ｂの形状に応じたプラズマ照射のばらつきが発生することを抑制することができ、基板２０２に照射されるプラズマの均一化を図ることができる。
なお、本実施形態においては、回転機構５Ａを設けて、遮蔽板５を回転させているが、遮蔽板５と基板２０２とが十分に離間していれば、即ち、遮蔽板５の開口部５Ｂの形状が基板２０２に転写されない程度に離間していれば、回転機構５Ａによって遮蔽板５を回転させる必要はなく、遮蔽板５を固定させてもよい。
【００３５】
なお、本実施形態においては、複数の開口部５Ｂは、遮蔽板５の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて放射状に開口され、中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて幅が増加するように形成されている。
このような構成にすれば、電極４Ａ，４Ｂにおいて生成されたプラズマ状態が安定するようにエネルギーの強度が高められたプラズマを発生させたとしても、基板２０２に到達するプラズマの照射量が制限される。従って、エネルギーの強度が制限されたプラズマを基板２０２に対して均一に照射することができる。
【００３６】
（遮蔽板の変形例１）
図３は、遮蔽板の変形例を示す平面図である。
上記の本実施形態においては、図２に示すように、遮蔽板５の開口部５Ｂの平面形状として、複数のスリットが放射状に設けられた形状を採用した。また、回転機構５Ａが遮蔽板５を、回転中心軸Ｏを中心として回転させていた。
【００３７】
本変形例においては、図３に示すように、遮蔽板５’に円形状の複数の開口部５Ｂが形成されている。また、遮蔽板５’の中央部５Ｃにおいては開口部５Ｂの直径が小さく（開口面積が小さく）、遮蔽板５の周辺部５Ｄにおいては開口部５Ｂの直径が大きい（開口面積が大きい）。また、遮蔽板５’の開口部５Ｂは、回転中心軸Ｏを中心として、等角度のピッチで形成されている。また、遮蔽板５’の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて、開口部５Ｂの各々の面積が徐々に増加している。
このように図３に示すような円形状の複数の開口部５Ｂが遮蔽板５’に形成されている場合であっても、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【００３８】
また、本変形例の遮蔽板５’は、当該遮蔽板５’を揺動させる揺動機構５Ｅに接続されている。揺動装置５Ｅは、回転中心軸Ｏを中心として、図３中符号Ｒ’に示すように遮蔽板５’を往復揺動させる。
そのため、遮蔽板５’に設けられた開口部５Ｂの形状に応じたプラズマ照射のばらつきが発生することを抑制することができ、基板２０２に照射されるプラズマの均一化を図ることができる。
なお、揺動機構５Ｅが遮蔽板５’を揺動させる方向としては、符号Ｒ’に示す方向に限られず、図３中符号Ｘ―Ｘ’に示す揺動方向、或いは、符号Ｙ―Ｙ’方向に示す揺動方向に遮蔽板５’を揺動させてもよい。
【００３９】
なお、上記の実施形態及び変形例においては、遮蔽板５，５’を回転又は揺動する機構について説明したが、プラズマ処理装置Ｓが基板２０２を回転させる基板回転機構を備えてもよい。
【００４０】
（遮蔽板の変形例２）
上記の図２及び図３に示す実施形態及び変形例１においては、中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて、スリットの幅が徐々に増加した構成と、開口部の面積が徐々に増加した構成を示した。
本変形例においては、複数の開口部５Ｂの各々の開口面積は、全て等しくなっている。
本変形例は、プロセスガスの濃度分布及び流量分布が、基板２０２に対するプラズマ照射の均一性に影響しない場合であって、プラズマのエネルギーの強度のばらつきのみを改善する場合において有効である。
即ち、このような構成にすれば、開口面積が等しい複数の開口部５Ｂを有する遮蔽板５によって、プラズマのエネルギーの強度が制限され、基板２０２の陽極に対するプラズマダメージを抑制して、安定した照射量でプラズマを陽極に対して均一に照射することができる。
【００４１】
（遮蔽板の変形例３）
本変形例においては、図示しないが、遮蔽板５の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて、複数の開口部５Ｂの開口面積が徐々に減少するように、開口部５Ｂが遮蔽板５に形成されている。
この構成は、基板２０２の中央部５Ｃに供給されるプロセスガスの流量が、基板２０２の周辺部５Ｄに供給されるプロセスガスの流量よりも少ない場合において、基板２０２の全面に照射されるプラズマの照射量の分布を均一にすることができる。具体的に、遮蔽板５の周辺部５Ｄに形成された開口部５Ｂの面積は小さいために、プラズマ状態のプロセスガスの流量が制限される。また、遮蔽板５の中央部５Ｃに形成された開口部５Ｂの面積は大きいために、プラズマ状態のプロセスガスの流量が増大する。即ち、遮蔽板５の中央部５Ｃから周辺部５Ｄに向けて開口面積が徐々に減少するように複数の開口部５Ｂが形成されていることによって、プロセスガスの流量分布が均一になる。
従って、均一な流量分布を有するプロセスガスが励起されて生成されたプラズマは、基板２０２を照射する。そのため、基板２０２の中央部に照射されるプラズマの照射量と、その周辺部に照射されるプラズマの照射量と等しくすることができる。即ち、基板２０２上の陽極に対して均一にプラズマを照射することができる。
特に、基板サイズが大きくなった場合には、大型基板の中央部と周辺部とにおいてプロセスガスの供給量に差異が生じ易くなる。この場合であっても、基板の中央部におけるプラズマの照射量と、基板の周辺部におけるプラズマの照射量とを均一にすることができる。結果として均一なプラズマを基板に照射することができる。
【００４２】
なお、遮蔽板５に形成される複数の開口部５Ｂの形状、配置、及びパターンは、上記実施形態及び実施例１〜３に示された構成に限定されない。上述した開口部の構成を組み合わせた形状、配置、及びパターンを有する複数の開口部が遮蔽板５に形成されていてもよい。また、複数の開口部５Ｂの形状、配置、及びパターンは、基板２０２に照射されるプラズマ状態のプロセスガスの流量分布或いは濃度分布，及びプラズマのエネルギーの強度分布が均一になるように、適切に決定される。
【００４３】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、上記のプラズマ処理装置Ｓを用いて、陽極表面のクリーニングと、陽極表面における仕事関数の制御とを均一に行なう工程を含む。
【００４４】
（有機ＥＬ装置）
まず、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の構造について説明する。
図４は有機ＥＬ装置における表示領域の断面構造を拡大した図である。
図４に示す有機ＥＬ装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が画素毎に配置されたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。また、ＴＦＴは、基板２０２０２上に設けられている。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、基板２０２を透過させて光を取り出すバックエミッション型である。
【００４５】
図４に示すように、有機ＥＬ装置Ｅは、基板２０２と、基板２０２上に設けられた発光素子（有機層）２０３と、ＴＦＴ２０４とを有している。
発光素子２０３は、ＩＴＯ等の透明導電膜材料からなる画素電極（陽極）２２３と、画素電極２２３から正孔を輸送可能な正孔輸送層２７０と、有機発光材料を含む有機発光層２６０と、発光層２６０の上面に設けられている電子輸送層２５０と、電子輸送層２５０の上面に設けられているアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）等からなる対向電極（陰極）２２２とを有している。
【００４６】
ＴＦＴ２０４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１を介して基板２０２の表面に設けられている。
このＴＦＴ２０４は、下地保護層２８１の上層に形成されたシリコン層２４１と、シリコン層２４１を覆うように下地保護層２８１の上層に設けられたゲート絶縁層２８２と、ゲート絶縁層２８２の上面のうちシリコン層２４１に対向する部分に設けられたゲート電極２４２と、ゲート電極２４２を覆うようにゲート絶縁層２８２の上層に設けられた第１層間絶縁層２８３と、ゲート絶縁層２８２及び第１層間絶縁層２８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するソース電極２４３と、ゲート電極２４２を挟んでソース電極２４３と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層２８２及び第１層間絶縁層２８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するドレイン電極２４４と、ソース電極２４３及びドレイン電極２４４を覆うように第１層間絶縁層２８３の上層に設けられた第２層間絶縁層２８４とを備えている。
【００４７】
そして、第２層間絶縁層２８４の上面に画素電極２２３が配置されている。画素電極２２３とドレイン電極２４４とは、第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２２３ａを介して接続されている。また、第２層間絶縁層２８４の表面のうち発光素子（有機層）が設けられている以外の部分と対向電極２２２との間には、合成樹脂などからなバンク層２２１が設けられている。
【００４８】
なお、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域とされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている。このうち、ソース領域が、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極２４３に接続されている。一方、ドレイン領域が、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１のドレイン領域に接続されている。
【００４９】
本実施形態の有機ＥＬ装置Ｅは、ＴＦＴ２０４が設けられている基板２０２側から発光光を取り出す構成を有するため、基板２０２は透明であるものが好ましく、この場合の基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明度の高い（透過率が高い）ないし半透明なものが用いられる。また、基板に色フィルター膜や発光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。
【００５０】
なお、ＴＦＴが設けられている基板とは反対側の基板から、発光層の発光光を取り出す構成、所謂トップエミッション型を採用することも可能である。トップエミッション型の場合、基板２０２は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００５１】
次に、図５及び図６を参照しながら、本発明の製造方法である、有機ＥＬ装置Ｅの製造工程について説明する。
はじめに、基板２０２上にシリコン層２４１が形成される。シリコン層２４１を形成する際には、まず、図５（ａ）に示すように、基板２０２の表面にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護層２８１を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示すように、基板２０２の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜２８１の表面にプラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体層２４１Ａが形成される。次いで、この半導体層２４１Ａに対してレーザアニール法、急速加熱法、または固相成長法などによって結晶化工程を行い、半導体層２４１Ａをポリシリコン層に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２ とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域に重なるようにラインビームを走査する。
【００５３】
次いで、図５（ｃ）に示すように、半導体層（ポリシリコン層）２４１Ａをパターニングして島状のシリコン層２４１とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸化ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜又は窒化膜からなるゲート絶縁層２８２が形成される。
【００５４】
なお、ゲート絶縁層２８２の表面に水素（Ｈ２）プラズマ処理をしてもよい。これにより、空隙の表面のＳｉ−Ｏ結合中のダングリングボンドがＳｉ−Ｈ結合に置き換えられ、膜の耐吸湿性が良くなる。そして、このプラズマ処理されたゲート絶縁層２８２の表面に別のＳｉＯ２層を設けてもよい。こうすることにより、誘電率な絶縁層が形成できる。
【００５５】
次いで、図５（ｄ）に示すように、ゲート絶縁層２８２上にアルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含む導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングすることにより、ゲート電極２４２が形成される。次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、シリコン層２４１に、ゲート電極２４２に対して自己整合的にソース領域２４１ｓ及びドレイン領域２４１ｄが形成される。この場合、ゲート電極２４２はパターニング用マスクとして用いられる。なお、不純物が供給されなかった部分がチャネル領域２４１ｃとなる。
【００５６】
次いで、図５（ｅ）に示すように、第１層間絶縁層２８３が形成される。第１層間絶縁層２８３は、ゲート絶縁層２８２と同様に、シリコン酸化膜または窒化膜、多孔性を有するシリコン酸化膜などによって構成され、ゲート絶縁層２８２の形成方法と同様の手順でゲート絶縁層２８２の上層に形成される。そして、この第１層間絶縁層２８３及びゲート絶縁層２８２にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ソース電極及びドレイン電極に対応するコンタクトホールが形成される。次いで、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなる導電層を形成した後、この導電層のうち、ソース電極及びドレイン電極が形成されるべき領域を覆うようにパターニング用マスクを設けるとともに、導電層をパターニングすることにより、ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成される。次に、図示はしないが、第１層間絶縁層２８３上に、信号線、共通給電線、走査線を形成する。このとき、これらに囲まれる箇所は後述するように発光層等を形成する画素となることから、例えば発光光を基板側から取り出す形態とする場合には、ＴＦＴ２０４が前記各配線に囲まれた箇所の直下に位置しないよう、各配線を形成する。
【００５７】
次いで、図６（ａ）に示すように、第２層間絶縁層２８４が、第１層間絶縁層２８３、各電極２４３，２４４，及び前記不図示の各配線を覆うように形成される。第２層間絶縁層２８４は、第１層間絶縁層２８３と同様に、シリコン酸化膜または窒化膜などによって構成され、第１層間絶縁層２８３の形成方法と同様の手順で第１層間絶縁層２８３の上層に形成される。そして、第２層間絶縁層２８４を形成したら、第２層間絶縁層２８４のうちドレイン電極２４４に対応する部分にコンタクトホール２２３ａが形成される。そして、このコンタクトホール２２３ａを介してドレイン電極２４４に連続するようにＩＴＯ等の導電性材料をパターニングし、画素電極２２３が形成される。
【００５８】
画素電極２２３は、ＩＴＯからなる透明導電膜材料によって形成されており、コンタクトホール２２３ａを介してＴＦＴ２０４のドレイン電極２４４に接続されている。画素電極２２３を形成するには、透明導電膜材料からなる膜を第２層間絶縁層２８４上面に形成し、この膜をパターニングすることにより形成される。
【００５９】
画素電極２３を形成したら、図６（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８４の所定位置及び画素電極２２３の一部を覆うように、バンク層２２１が形成される。バンク層２２１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂によって構成されている。具体的なバンク層２２１の形成方法としては、例えば、アクリル樹脂，ポリイミド樹脂，或いはそれらの前駆体などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート，ディップコート等により塗布して絶縁層が形成される。
なお、絶縁層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングしやすいものであればどのようなものでもよい。更に、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングして、開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａを備えたバンク層２２１が形成される。
【００６０】
（プラズマ処理工程）
画素電極２２３及びバンク部２２１が形成されたら、上記の実施形態で説明したプラズマ処理装置Ｓを用いたプラズマ処理工程が行われる。
すなわち、図６（ｂ）に示すように、基板２０２上に形成された各種配線及び部材のうち、バンク層２２１と画素電極２２３とが露出した状態で、基板２０２に対してプラズマ処理工程が行なわれる。
プラズマ処理工程は、画素電極２２３の表面の仕事関数を調整するともに、画素電極２２３の表面をクリーニングするために行なわれる。仕事関数を調整について具体的に説明すると、画素電極２２３から正孔注入層にホール（正孔）を注入する際のホール注入性を高めるために、画素電極２２３の仕事関数と正孔注入層（正孔輸送層）の仕事関数との差を調整し、正孔注入層に対する正孔注入性を高めるために行なわれる。また、本実施形態のプラズマ処理工程においては、バンク部２２１に対する表面処理を同時に行なっている。
【００６１】
プラズマ処理工程を開始する前に、バンク層２２１と画素電極２２３とが形成された基板２０２をプラズマ処理装置Ｓ内に配置する。ここで、図１に示すように画素電極２２３が電極４Ａに向くように、基板２０２が配置される。
次に、上記実施形態におけるプラズマ処理装置Ｓの動作について説明したように、プラズマ発生源である電極４Ａと基板２０２との間に、開口部５Ｂを有する遮蔽板５を介在させ、遮蔽板５を介して基板２０２にプラズマ状態のプロセスガスを照射する。ここで、プラズマの照射量は、遮蔽板５によって制限され、開口部５Ｂのみを通過したプラズマのみが基板２０２に到達し、バンク層２２１と画素電極２２３とがプラズマに晒される。
従って、プラズマのエネルギーの強度が制限された状態で、均一にプラズマを照射することができるので、画素を構成する部材、例えば、バンク層２２１が削られることに起因する画素電極２２３の表面の汚染を防止しつつ、画素電極２２３の表面のクリーニングと、画素電極２２３の表面における仕事関数の制御とを均一に行なうことができる。
【００６２】
なお、本実施形態のプラズマ処理工程においては、画素電極２２３の表面のクリーニングと、画素電極２２３の表面における仕事関数の制御を主として行なっているが、画素電極２２３の表面及びバンク層２２１の表面に対する親液化処理を含んでもよい。
また、上記のように、プラズマ処理装置Ｓによるプラズマ処理工程を終えた後には、適宜、画素電極２２３の表面の親液化処理と、バンク部２２１表面の撥液化処理を行ってもよい。
【００６３】
次いで、図６（ｃ）に示すように、画素電極２２３の上面に正孔輸送層２７０が形成される。ここで、正孔輸送層２７０の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００６４】
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、ポリチオフェン誘導体、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【００６５】
正孔注入／輸送層２７０を形成する際には、インクジェット法（液滴吐出法）が用いられる。すなわち、上述した正孔注入／輸送層材料を含む組成物滴（組成物インク）を画素電極２２３の電極面上に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことにより、画素電極２２３上に正孔注入／輸送層２７０が形成される。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層２７０及び発光層２６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。具体的には、例えば、不図示のインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）に正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを画素電極２２３の電極面に対向させ、インクジェットヘッドと試料（基板２０２）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインキ滴を電極面に吐出する。次に、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層２７０が形成される。
【００６６】
なお、組成物インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等との混合物を、Ｎ−メチルピロリドン、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に分散させたものを用いることができる。ここで、吐出されたインク滴は、親インク処理された画素電極２２３の電極面上に広がり、開口部２２１ａの底部近傍に満たされる。その一方で、撥インク処理されたバンク層２２１の上面にはインク滴がはじかれて付着しない。したがって、インク滴が所定の吐出位置からはずれてバンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面がインク滴で濡れることがなく、はじかれたインク滴がバンク層２２１の開口部２２１ａ内に転がり込むものとされている。
【００６７】
次に、乾燥工程が行われる。乾燥工程を行うことにより、吐出後の組成物インクが乾燥処理され、組成物インクに含まれる極性溶媒が蒸発されることにより、正孔注入／輸送層２７０が形成される。
【００６８】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温〜約５０℃で圧力を例えば１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力があまりに低すぎると組成物インクが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上、例えば８０℃以上の高温にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中において、２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層２７０内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６９】
次いで、図６（ｄ）に示すように、正孔注入／輸送層２７０上面に発光層２６０が形成される。発光層２６０の形成材料としては、特に限定されることなく、例えば、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン色素、ローダミン色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００７０】
発光層２６０は、正孔注入／輸送層２７０の形成方法と同様の手順で形成される。すなわち、インクジェット法によって発光層材料を含む組成物インクを正孔注入／輸送層２７０の上面に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことにより、バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内部の正孔注入／輸送層２７０上に発光層２６０が形成される。この発光層形成工程も上述したように不活性ガス雰囲気化で行われる。吐出された組成物滴（組成物インク、液体材料）は撥液処理された領域ではじかれるので、液滴滴が所定の吐出位置からはずれたとしても、はじかれた液滴滴がバンク層２２１の開口部２２１ａ内に転がり込む。発光層２６０の形成材料を含む組成物インクを設けたら、所定の条件で乾燥処理が行われる。
【００７１】
なお、発光層２６０の上面に電子輸送層２５０を形成してもよい。電子輸送層２５０の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
【００７２】
なお、前述した正孔注入／輸送層２７０の形成材料や電子輸送層２５０の形成材料を発光層２６０の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、その場合に、正孔注入／輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好ましくは２〜３０重量％とされる。
【００７３】
次いで、図６（ｅ）に示すように、電子輸送層２５０及びバンク層２２１の上面に対向電極２２２が形成される。対向電極２２２は、電子輸送層２５０及びバンク層２２１の表面全体、あるいはストライプ状に形成されている。対向電極２２２については、もちろんＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料やＭｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で形成してもよいが、２層あるいは３層からなる金属（合金を含む。）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ２Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．１〜２ｎｍ程度）／Ａｌ、ＭｇＦ２ ／Ａｌといった積層構造のものも使用可能である。対向電極２２２は上述した金属からなる薄膜であり、光を透過可能な材料、構造である。
【００７４】
（電子機器）
上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器の例について説明する。
図７は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
図７において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
【００７５】
図８は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
図８において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
【００７６】
図９は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
図９において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
【００７７】
図７〜図９に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明はその技術的範囲内において上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置が備える遮蔽板の平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置が備える遮蔽板の変形例を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器を示す斜視図である。
【図９】本発明の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８０】
Ｅ…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）  ２２３…画素電極（陽極）  Ｓ…プラズマ処理装置（有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置）  １…真空チャンバ（処理室）  ２…基板保持部  ２０２…基板  ４Ａ，４Ｂ…電極（プラズマ発生源）  ５Ｂ…開口部  ５，５’…遮蔽板  ５Ｃ…中央部  ５Ｄ…周辺部  ５Ａ…回転機構  ５Ｅ…揺動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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