(57)【要約】【課題】面積効率の向上が可能な電極パッドを有する半導体装置を提供する。【解決手段】  矩形の半導体基板１１に配設された内部回路領域１３及び内部回路領域１３の周辺部にある入出力回路領域１５と、入出力回路領域１５の表面側にあって、入出力回路領域１５と接続され、複数個の同じ形状の四辺形である基本パッド２０が、基本パッド２０の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作Ｔ１により重ねられて、最も外側の基本パッド２０の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッド２１と、プローブ検査用パッド２１と接続されたボンディングパッド２６とを備えている。【選択図】図１
2009277731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形の半導体基板に配設された内部回路領域及び前記内部回路領域の周辺部にある入出力回路領域と、
前記入出力回路領域の表面側にあって、前記入出力回路領域と接続され、複数個のほぼ同じ形状の四辺形が、前記四辺形の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作により重ねられて、最も外側の前記四辺形の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッドと、
前記入出力回路領域の表面側にあって、前記プローブ検査用パッドと接続されたボンディングパッドと、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記並進操作は、前記半導体基板の辺にほぼ４５度をなす方向に、一定距離だけ移動する操作であり、前記プローブ検査用パッドは、前記半導体基板の辺に沿って配列され、前記半導体基板の対向する辺に面した前記プローブ検査用パッドとは、互いに１８０度回転対称の関係にあり、前記半導体基板の隣接する辺に面したプローブ検査用パッドとは、互いに鏡映対称の関係にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ボンディングパッドは、正方形または接続した２辺がほぼ同じ長さを有する矩形であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ボンディングパッドは、前記半導体基板の辺に面する側に配設されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ検査用パッドを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、製造工程の最終段階で、個片化する前の半導体ウェーハ上で、プローブ検査法により、個別に良否判定が行われることが多い。プローブ検査は、プローブカードに取り付けられたタングステン針等からなるプローブを、半導体装置の電極パッドであるプローブ検査用パッドに機械的に接触（針当て）させて、プローブ検査装置によって通電して行われる電気的特性検査である。
【０００３】
半導体装置は、プローブ検査時にプローブをプローブ検査用パッドの表面に接触させたときに、その接触圧による応力がアルミニウム製の電極パッドの下層にまで影響し、電極パッドの直下の絶縁膜にクラックが生じることがある。このようなクラックが生じると、その下層に配設されている回路配線における絶縁性が劣化してリークが生じ、半導体装置の信頼性が低下するという問題が生じる。このクラックは電極パッドの下層において生じるため、半導体装置を表面から観察しただけではクラックを確認できず、半導体装置が良品であるか不良品であるかを判断することは難しい。
【０００４】
半導体装置では、従来、プローブをプローブ検査用パッドに当接させる際に目視による手作業、あるいはプローブ検査用パッドを自動認識するプローブ検査装置により当接位置を決定しているが、当接位置をプローブ検査用パッドの特定の領域に限定することは少ない。作業者やプローブ検査装置におけるばらつきは避け難く、実際にはプローブ検査用パッドのほぼ全領域に分布して当接されてしまうことになる。
【０００５】
そのため、プローブ検査用パッドの下層において生じる上述のようなクラックに起因する回路配線の不良を未然に防止するために、プローブ検査用パッドの直下には回路配線を配設しない構成がとられており、プローブを当接してプローブ検査用パッドの直下の絶縁膜にクラックが生じた場合でも回路配線でのリークを防止し、半導体装置の信頼性を確保する構成が採られることが少なくない。
【０００６】
また、電気的特性検査は、１回に限らず複数回行われることがあり、プローブ検査用パッドには、複数回のプローブが接触されることになる。上述のクラックは、より大きくなって、半導体装置の信頼性を低下させることになる。その他、プローブ検査用パッドは、その都度、押圧が繰り返されることになり、プローブ検査用パッド上に傷（接触痕）が発生し、外観不良となることがあり、また、プローブ検査用パッドをボンディングパッドに使用すると、ボンディング不良が発生することがある。
【０００７】
これらの不都合を解決するために、例えば、半導体基板に形成された半導体素子及び或いは回路の形成領域上に、半導体素子或いは回路の外部接続部位に対応してパッドが配設された半導体装置において、パッドは、その表面が複数の領域に分割され、且つ隣接するパッド領域間が電気的に接続されて、その内のいくつかは試験用パッド（プローブ検査用パッド）として用いる半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
しかしながら、この開示された半導体装置は、個々のプローブ検査用パッドが明確に区切られて、位置を間違えることは少なく、プローブ検査用パッドに対するプローブの接触回数を低減できるものの、平面上に個々に配列しているので、プローブ検査用パッドの面積効率が悪いという問題を有している。
【特許文献１】特開２００５−２１４７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、面積効率の向上が可能な電極パッドを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の半導体装置は、矩形の半導体基板に配設された内部回路領域及び前記内部回路領域の周辺部にある入出力回路領域と、前記入出力回路領域の表面側にあって、前記入出力回路領域と接続され、複数個のほぼ同じ形状の四辺形が、前記四辺形の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作により重ねられて、最も外側の前記四辺形の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッドと、前記入出力回路領域の表面側にあって、前記プローブ検査用パッドと接続されたボンディングパッドとを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、面積効率の向上が可能な電極パッドを有する半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１３】
本発明の実施例１に係る半導体装置について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は電極パッドの構成を分解して示す図、図１（ｃ）は電極パッドの配置の関係を示す図、図１（ｄ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った表面上部の断面図である。図２は半導体装置の構成を、公知例と比較して示す模式的な図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体装置１は、矩形の半導体基板１１に配設された内部回路領域１３及び内部回路領域１３の四周部にある入出力回路領域１５と、入出力回路領域１５の表面側にあって、入出力回路領域１５と接続され、複数個の同じ形状の四辺形である基本パッド２０が、基本パッド２０の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作Ｔ１により重ねられて、最も外側の基本パッド２０の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッド２１と、プローブ検査用パッド２１と接続されたボンディングパッド２６とを備えている。
【００１５】
内部回路領域１３は、半導体装置１の中央の領域にあって、メモリ回路及びロジック回路等で構成される内部回路が存在する領域である。例えば、図１（ａ）の２点鎖線の内側の領域である。２点鎖線のなす矩形の辺は、半導体基板１１の辺にそれぞれほぼ平行である。入出力回路領域１５は、半導体装置１の周辺部にあり、内部回路領域１３の四周を取り囲んで、入出力回路を構成する領域である。なお、内部回路領域１３は、半導体装置１の４方向の中央である必要は必ずしもなく、２方向の中央に帯状をなした領域であってもよいし、また、入出力回路領域１５は、内部回路領域１３の四周の一部の周囲領域であってもよい。
【００１６】
入出力回路領域１５の表面には、一部に階段状の外形を有するプローブ検査用パッド２１及びほぼ矩形のボンディングパッド２６が接続された電極パッド３１が配設されている。電極パッド３１は、プローブ検査用パッド２１が内部回路領域１３の方を向き、ボンディングパッド２６が半導体装置１の外側の方を向き、半導体基板１１のそれぞれの辺に沿うように一列に配設されている。電極パッド３１は、その下の入出力回路領域１５にある入出力回路、更に内部回路領域１３にある内部回路と電気的に接続されている。なお、電極パッド３１の配設は、半導体基板１１の辺に沿って一列でなくてもよい。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、電極パッド３１の内のプローブ検査用パッド２１は、矩形の基本パッド２０が３つ、一部が重なるように平行移動、つまり並進操作Ｔ１がなされた構成をなす。基本パッド２０は、検査プローブ（図５参照参照）の針当て精度に基づいて、十分な確率で針当てが可能な大きさを有している。基本パッド２０は、例えば、短辺約４５μｍ×長辺約７０μｍ程度の大きさであり、長辺が検査プローブの傷（接触痕）の伸長方向とほぼ一致する。なお、基本パッド２０は、四隅の角が落とされていても差し支えない。
【００１８】
プローブ検査用パッド２１は、第１の基本パッド２０ａを置き、次に、例えば、並進操作Ｔ１によって、第１の基本パッド２０ａの短辺に対して４５度の方向、且つ短辺方向の長さで約半分移動した位置に第２の基本パッド２０ｂを置き、次に、第１の基本パッド２０ｂに対して、並進操作Ｔ１を行った位置に第３の基本パッド２０ｃを置いて、これら３つの基本パッド２０ａ、２０ｂ、２０ｃを一体化した形状をなしている。階段状の外形は、並進操作Ｔ１により、重ならずに残された角により構成され、プローブ検査用パッド２１の対向する位置にある。ここで、並進操作Ｔ１は、基本パッド２０の短辺に対して４５度の方向に限定されるものではない。
【００１９】
並進操作Ｔ１の移動量は、基本パッド２０が十分な確率で針当てが可能であって、且つできるだけ小さい場合、短辺方向の長さの１／２以上で４／５程度までが好ましいが、それぞれが重なり合う位置（短辺方向の長さの１未満）までは可能である。隣接する基本パッド２０が互いに重なり合うことで、プローブ検査用パッド２１の占有面積を縮小することが可能となる。なお、長辺を基準として、並進操作Ｔ１を行うことは可能である。
【００２０】
プローブ検査用パッド２１は、元の基本パッド２０の配置を、表面から見て、つまり外形から識別可能である。両端側の基本パッド２０ａ、２０ｃは、それぞれ、３つの角及び角を規定する４辺の一部を識別できる。両端の基本パッド２０ａ、２０ｃに挟まれた中央の基本パッド２０ｂは、対向する角及び角を規定する４辺の一部を識別できる。従って、４辺の一部から、それぞれの基本パッド２０を決めることができ、検査プローブを接触させるべき基本パッド２０の中心を見積もることが容易となる。目視による検出においても、また、プローブ検査装置の撮像素子等を用いた位置検出においても、プローブ検査用パッド２１は、元の基本パッド２０の識別が可能である。
【００２１】
電極パッド３１の内のボンディングパッド２６は、例えば、１辺が約６０μｍのほぼ正方形である。ボンディングパッド２６は、矩形の接続領域３６を介して、プローブ検査用パッド２１の外形に全長が現れた基本パッド２０ａの短辺と接続されている。接続領域３６の辺（例えば、短辺約１０μｍ×長辺約３０μｍ）は、基本パッド２０の短辺より短く、基本パッド２０の辺が識別できなくなることはない。ボンディングパッド２６は、プローブ検査用パッド２１の外形に全長が現れた基本パッド２０ａ、２０ｃの２つの長辺の延長線の間に位置している。なお、ボンディングパッド２６は、プローブ検査用パッド２１の外形に全長が現れた基本パッド２０ａ、２０ｃの２つの長辺の延長線の間に、一部が位置していても差し支えない。
【００２２】
電極パッド３１の幅、すなわち、プローブ検査用パッド２１の外形に全長が現れた基本パッド２０ａ、２０ｃの２つの長辺の間隔は、基本パッド２０の短辺の約２倍の約９０μｍ、電極パッド３１の幅に垂直な方向の長さは、約１８５μｍである。
【００２３】
図１（ｃ）に示すように、電極パッド３１は、半導体基板１１上で、４種類の方向を向いて配置されている。電極パッド３１の長手方向を、半導体基板１１の各辺にほぼ垂直に置いた４種類の方向であり、４種類の電極パッド３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、９０度の回転操作Ｒ１で、順次、ぴったりと重なる関係にある。
【００２４】
電極パッド３１は、階段状の外形を有することにより、つまり、最外側の辺を延長した四辺形を形成して並列させる場合に比べて、角部が階段状に落とされたことにより、例えば、図１（ａ）に示す右下角部の電極パッド３１ａ、３１ｄは、より接近して配置することが可能となる。他の角部の電極パッド３１についても同様な関係にある。
【００２５】
図１（ｄ）に示すように、半導体装置１は多層配線構造を有している。多層の配線層に対応する多層の層間絶縁膜を有しているが、図ではまとめて絶縁膜４１で表わしてある。半導体基板１１の表面上部の入出力回路領域１５において、プローブ検査用パッド２１を含む電極パッド３１は、最上位の配線層の一部として形成されている。
【００２６】
電極パッド３１は、電極パッド３１の直下から外れた領域、例えば、ボンディングパッド２６の直下から外れて半導体基板１１の周辺部寄った領域で、ビア（図示略）を介して直ぐ下の配線層４３ａと接続され、そして、更に下の配線層４３ｂ等とビア４５を介して接続されている。電極パッド３１の直ぐ下の配線層４３ａは、検査プローブが接触した圧力またはワイヤボンディング時の圧力等が、直下に及ぼす影響を回避するために、予め形成することを避ける方法が採られている。つまり、プローブ検査用パッド２１及びボンディングパッド２６からなる電極パッド３１直下の配線層４３ａの延長部分は、絶縁膜４１で埋められている。もし、電極パッド３１直下の絶縁膜４１にクラックが発生しても、クラックを肉厚の絶縁膜４１内に止めておくことが可能となる。なお、電極パッド３１直下以外の入出力回路領域１５、及び内部回路領域では、配線層の形成を回避するという制約を設けていない。
【００２７】
上述したように、半導体装置１は、十分な確率で針当てが可能であって且つできるだけ小さく、長辺が検査プローブの接触痕の伸長方向とほぼ一致する矩形をなす基本パッド２０を、元の形状が識別できるように並進操作Ｔ１によってずらして、隣接する基本パッド２０が互いに重なるように配置され、階段状の外形をなすプローブ検査用パッド２１を電極パッド３１の一部に有している。
【００２８】
半導体装置１と公知技術の電極パッドとを比較する。図２に示すように、公知技術の電極パッド１１０（破線で表示）は、半導体装置１の基本パッド２０と同形状のプローブ検査用パッド１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを１方向に、間に接続領域１０３を介して接続されたプローブ検査用パッド１０１と、間に接続領域１０３を配置して接続された半導体装置１のボンディングパッド２６と同形状のボンディングパッド１０２とから構成されている。
【００２９】
内部回路領域１３を共通にして、隣接する電極パッド１１０間の距離が一定となるように配置してある。電極パッド１１０は、電極パッド３１より、横幅が小さく、長さが長いので、内部回路領域１３に食い込ませることができる（ただし、上部配線層の形成を回避する必要が生じる）が、入出力回路領域１５の外側にもはみ出した状態となる。電極パッド１１０の配置では、半導体基板１１の四隅により大きな空隙が形成され、配列に必要な面積はより大きく必要である。
【００３０】
つまり、半導体装置１は、プローブ検査用パッド２１及びボンディングパッド２６からなる電極パッド３１を使用することにより、半導体基板１１の四周に配列するために必要な面積は、低減され得る。また、プローブ検査用パッド２１は、元の基本パッド２０の形状が識別できるように配列されているので、特に、プローブ検査装置においては、検出エラーの程度に公知技術の電極パッドと差がない。従って、複数回の検査プローブの接触痕の重なりが実質的に起こることはなく、直下の入出力回路領域１５に及ぼす影響も、公知技術と差がない。
【００３１】
また、上記実施例１の変形例について、図３を参照しながら説明する。図３は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は電極パッドの構成を分解して示す図である。実施例１の電極パッド３１とは、プローブ検査用パッドとボンディングパッドとの間に接続領域を設けずに接続されている点が異なる。なお、上記実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３２】
図３に示すように、半導体装置２の電極パッド３２では、プローブ検査用パッド２１とボンディングパッド２６とは、間に接続領域を設けずに、つまり、接続領域分を接近させて、プローブ検査用パッド２１のボンディングパッド２６と接する辺の一部を残すように、互いにずらした配置を取って、接続されている。その他の構成は半導体装置１の構成と同様である。
【００３３】
プローブ検査用パッド２１のボンディングパッド２６と接する辺の一部を残すように、ずらしているので、プローブ検査用パッド２１は、元の基本パッド２０の配置を、表面から見て、つまり外形から識別可能である。検査プローブを接触させるべき位置が明確なので、それぞれの検査プローブの接触痕の重なりが実質的に起こらないようにしつつ、入出力回路領域１５表面の占有面積を低減することが、実施例１と同様に、可能となる。
【００３４】
その結果、半導体装置２は、実施例１の半導体装置１と同様な効果を有している。更に、実施例１の電極パッド３１の接続領域３６の短辺に相当する長さだけ短い電極パッド３２を使用することにより、電極パッド３２を半導体基板５１の四周に配列するために必要な面積はより低減可能となる。半導体基板５１は、半導体基板１１より小さくなる。
【実施例２】
【００３５】
本発明の実施例２に係る半導体装置について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は電極パッドの配置の関係を示す図である。図５は半導体装置の構成及び検査プローブの先端位置を模式的に示す図で、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は正面方向から見た部分的な図である。半導体基板の互いに隣接した辺に面して配置された電極パッドの関係が実施例１とは異なる。以下、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００３６】
図４に示すように、半導体装置３の電極パッド３３は、半導体基板７１上で４種類の方向を向いて配置され、鏡映及び並進操作（Ｔ１とは異なる）により、互いに重なり合わせることができる関係にある。実施例１の電極パッド３１が回転及び並進操作（Ｔ１とは異なる）により、互いに重なり合わせることができる関係にあるのとは異なる。なお、鏡映操作とは、ある図形を平面鏡に映った像とするように、面対称に移す操作である。
【００３７】
半導体基板１１のそれぞれの辺に沿って一列に配置された電極パッド３３の端部、すなわち、半導体基板７１の四隅にできる電極パッド３３のない隙間が、４つとも同じ形状にはならないものの、列中の配列ピッチ、並びに、内部回路領域１３及び入出力回路領域１５の面積は、実施例１と同様である。
【００３８】
電極パッド３３は、実施例１の電極パッド３１と同様であって、プローブ検査用パッド２３は、図１（ｂ）に示す矩形の基本パッド２０が３つ、一部が重なるように、並進称操作Ｔ１により平行移動された構成をなす。しかしながら、半導体装置３では、並進操作Ｔ１の方向は、基本パッド２０の短辺、すなわち、矩形をなす半導体基板７１の各辺に対して、ほぼ４５度に限定されて、しかも並進させる量は一定である。
【００３９】
電極パッド３３は、電極パッド３３の長手方向を、半導体基板７１の各辺にほぼ垂直に置いた４種類の方向であり、図４（ｂ）に示すように、４種類の電極パッド３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄは、互いに直交し、半導体基板７１の各辺にほぼ４５度をなした２つの鏡映操作Ｍ１、Ｍ２で、順次、ぴったりと重なる関係にある。また、半導体基板７１の互いに対向する辺に面した電極パッド３３ａと電極パッド３３ｃ、及び、電極パッド３３ｂと電極パッド３３ｄは、それぞれ、１８０度回転対称の関係にある。
【００４０】
並進操作Ｔ１が半導体基板７１の各辺にほぼ４５度をなし、鏡映操作Ｍ１、Ｍ２が半導体基板７１の各辺にほぼ４５度をなしているため、並進称操作Ｔ１は、鏡映操作Ｍ１、Ｍ２が繰り返されても、始点及び終点を区別しないとすれば、常に同じ方向を向いている。これは、後述の、検査プローブの先端位置を並進操作Ｔ１だけ移動、または逆方向に並進称操作Ｔ１の絶対値だけ移動すれば、基本パッドの位置から隣接の基本パッドの位置へ移動することができることを意味する。
【００４１】
図５に示すように、半導体装置３のプローブ検査用パッド２３は、検査プローブの配置が一種類のプローブカード（図示略）で、検査が可能である。プローブカードは、プローブ検査用パッド２３に合わせて、先端に検査プローブ８１が配置された構造体である。プローブ先端位置８５ａ、８５ｂ、８５ｃは、検査プローブ８１の先端の位置を結んだ線である。プローブ先端位置８５ａ、８５ｂ、８５ｃにおいて、プローブ検査用パッド２３に接触することによって、その表面に接触痕８３を残して、半導体装置３への通電及び特性検査が行われる。
【００４２】
接触痕８３は、図５（ｂ）に示すように、プローブ検査用パッド２３の表面に、検査プローブ８１の先端が押圧された時に形成される。検査プローブ８１の先端が矢印方向に押圧されると、例えば、アルミニウム材のプローブ検査用パッド２３中に差し込まれるとともに、曲げられた形状の検査プローブ８１は、曲げを延ばす方向等に、プローブ検査用パッド２３の表面及び内部と接触しながら移動して傷を残す。接触痕８３は、通常、方向性を持っており、上述したように、基本パッド２０の矩形は、長辺が接触痕８３の伸長方向にほぼ合うように決められている。なお、検査プローブ８１とプローブ検査用パッド２３との押圧関係は、どちらが固定されていても差し支えない。
【００４３】
次に、同一のプローブカードを使用して、プローブ検査用パッド２３の表面の３つの異なる位置に接触させて、順次、測定することが可能であることを説明する。第１回目の測定では、例えば、検査プローブ８１をプローブ先端位置８５ａに合わせて、プローブ検査用パッド２３の表面に接触させる。
【００４４】
位置合わせは、図５（ａ）の図面左側のプローブ検査用パッド２３のボンディングパッド２６に最も近い位置の基本パッド２０を、プローブ検査用パッド２３の外形をなす辺から検出して行われる。プローブ検査用パッド２３の各基本パッド２０は、上述したように、各４つの辺の全部または一部を外形として有しているので、プローブ検査装置（図示略）の撮像素子によって確実に画像認識がなされる。
【００４５】
つまり、プローブ検査装置は、ボンディングパッド２６に最も近い位置の基本パッド２０を検出し、基本パッド２０の中心を算出して、基本パッド２０の中心を目指して、検査プローブ８１をプローブ検査用パッド２３に接触させることが可能となる。接触位置は、プローブ検査用パッド２３の基本パッド２０のほぼ中心となる。
【００４６】
第２回目の測定では、例えば、検査プローブ８１をプローブ先端位置８５ｂに合わせて、つまり、プローブ検査用パッド２３のボンディングパッド２６から２番目の基本パッド２０を検出し、第１回目の測定と同様の位置合わせを行って、または、第１回目の測定位置から並進操作Ｔ１に相当する量だけ移動して、プローブ検査用パッド２３の表面に接触させる。
【００４７】
また、第３回目の測定では、例えば、検査プローブ８１をプローブ先端位置８５ｃに合わせて、つまり、プローブ検査用パッド２３のボンディングパッド２６から３番目の基本パッド２０を検出し、第１回目の測定と同様の位置合わせを行って、または、第２回目の測定位置から並進操作Ｔ１に相当する量だけ移動して、プローブ検査用パッド２３の表面に接触させる。その結果、３回の検査プローブ８１による測定は、プローブ検査用パッド２３の３つの基本パッド２０のほぼ中心位置に接触痕８３を形成して終了する。
【００４８】
上述したように、半導体装置３は、実施例１の半導体装置１が有する効果と同様な効果を有している。その上、プローブ検査用パッド２３の基本パッド２０を、半導体基板７１の四周に配置した時に、半導体基板７１の辺に４５度の方向に並進操作Ｔ１で重なる配置としているので、同一のプローブカードで測定することが可能である。従って、プローブ検査工程の短縮、プローブカードのコスト削減等が可能である。
【００４９】
同一のプローブカードで測定するための基本パッド２０の配列は、内部回路領域１３に面した入出力回路領域７５上のプローブ検査用パッド２３内にあり、ボンディングパッド２６は、半導体基板７１の辺に面して配設されている。つまり、例えば、パッケージ基板上の配線（図示略）とのワイヤボンディングは、半導体基板７１の最も外側に配置されたボンディングパッド２６と行われる。四周に張られるボンディングワイヤは揃えて短くでき、ボンディングワイヤの持つインダクタンスの低減が可能となる。その結果、半導体装置３は、より高い周波数に対しても、特性を発揮することが可能である。
【００５０】
また、実施例２の電極パッド３３を、実施例１の変形例の電極パッド３２と同様に、プローブ検査用パッドとボンディングパッドとの間に接続領域３６を設けずに接続することにより、実施例２の変形例を構成することが可能となる。接続領域３６の短辺に相当する長さだけ短くなるので、実施例２の半導体装置３が有する効果の他に、電極パッド３３を半導体基板７１の四周に配列するために必要な面積はより低減可能となる。
【００５１】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５２】
例えば、実施例では、プローブ検査用パッドは、３つの基本パッドで構成される例を示したが、基本パッドが２つ、または、４つ以上で構成されることは可能である。
【００５３】
また、実施例１では、プローブ検査用パッドは、３つの基本パッドを同一の並進操作の繰り返しでそれぞれ重なるように配置されて、つまり３つの基本パッドが同一方向に同一間隔で配置されて、それらが一体化された構成とする例を示したが、３つの基本パッドは同一方向でなくても、また、同一間隔でなくても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は電極パッドの構成を分解して示す図、図１（ｃ）は電極パッドの配置の関係を示す図、図１（ｄ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った表面上部の断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を、比較して示す模式的な図。
【図３】本発明の実施例１の変形例に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は電極パッドの構成を分解して示す図。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は電極パッドの配置の関係を示す図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置の構成及び検査プローブの先端位置を模式的に示す図で、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は正面方向から見た部分的な図。
【符号の説明】
【００５５】
１、２、３  半導体装置
１１、５１、７１  半導体基板
１３  内部回路領域
１５、５５、７５  入出力回路領域
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  基本パッド
２１、２３、１０１、１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ  プローブ検査用パッド
２６、１０２  ボンディングパッド
３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３３、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、１１０  電極パッド
３６、１０３  接続領域
４１  絶縁膜
４３ａ、４３ｂ  配線層
４５  ビア
８１  検査プローブ
８３  接触痕
８５ａ、８５ｂ、８５ｃ  プローブ先端位置
Ｍ１、Ｍ２  鏡映操作
Ｒ１  回転操作
Ｔ１  並進操作
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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