(57)【要約】【課題】ライト磁極のABS面における端面形状を容易に把握することを可能とする磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】磁性層を積層して形成されたライト磁極２０を備え、前記ライト磁極は、前記磁性層１６ａ、１６ｂの層間に、電子顕微鏡により隣接する磁性層１６ａ、１６ｂと識別される非磁性材からなる識別層１５が、端面をABS面に露出させて設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層を積層して形成されたライト磁極を備え、
前記ライト磁極は、前記磁性層の層間に、電子顕微鏡により隣接する磁性層と識別される非磁性材からなる識別層が、端面をABS面に露出させて設けられていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ライト磁極は、下部磁極下層と下部磁極上層とからなる下部磁極を備え、
前記識別層が、前記下部磁極下層と前記下部磁極上層との界面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記識別層は、ABS面の近傍に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
磁性層を積層して形成されるライト磁極を備える磁気ヘッドの製造方法において、
前記ライト磁極の下層の磁性層を形成する工程と、
前記下層の磁性層の表面に、電子顕微鏡によって隣接する磁性層と識別される非磁性材からなる識別層を成膜する工程と、
前記識別層を、ABS面と交差する平面形状にパターン形成する工程と、
前記パターン形成後の識別層が形成された前記下層の磁性層に、上層の磁性層を積層して成膜する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記識別層をパターン形成する工程においては、識別層がABS面の近傍領域にのみ残るようにパターン形成することを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
磁性層を積層して形成されるライト磁極の形状を測定する方法であって、
前記ライト磁極を形成した後、磁気ヘッドのABS面を露出させる加工工程と、
前記ABS面における、下層と上層の磁性層の界面に位置合わせして、ABS面から内方に凹部を形成する工程と、
該凹部が形成された磁気ヘッドを電子顕微鏡によりABS面側から観察し、ライト磁極の形状を測定する工程とを備えることを特徴とするライト磁極の形状測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、より詳細には、磁性層を積層して形成されるライト磁極を備える磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の磁気ヘッドに用いられるライト磁極は、ライト特性を向上させるために積層構造に形成されている。たとえば、ライトギャップに隣接する層を高飽和磁束密度（高Bs値）を有する磁性材によって形成し、他の層をこれよりも低Bs値を有する磁性材によって形成するといった方法である。ライトギャップに接する層を高Bs値を有する磁性材によって形成することにより、ライトギャップの近傍にライト磁界を集束させ、記録密度を高めることが可能となる。
【０００３】
図１３は、いわゆる水平型の磁気ヘッドにおけるライト磁極の構成を浮上面（ABS面：Air Bearing Surface）側から見た状態を示す。
ライト磁極１０は、ライトギャップ１２を挟む配置に設けられた上部磁極１４と下部磁極１６とを備える。ライトギャップ１２はアルミナ等の絶縁材からなり、上部磁極１４と下部磁極１６は磁性材からなる。図示例のライト磁極１０は、上部磁極１４については単一層とし、下部磁極１６については下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂの２層構造とした例である。下部磁極上層１６ａをFeCo等の高Bs材によって形成し、下部磁極下層１６ｂをNiFe等の軟磁性特性に優れた低Bs材によって形成することによって、ライト特性を向上させることができる。
【特許文献１】特開平４−２８４６４１号公報
【特許文献２】特開２００３−７７７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１３に示したライト磁極１０は、上部磁極１４を形成した後、イオントリミングによって上部磁極１４を細幅化するとともに、下部磁極上層を掘り込んで形成している。イオントリミングにより、下部磁極上層１６ａは、ライトギャップ１２を挟んで配置される起立部１６０とベース部１６１となる。
この下部磁極上層１６ａにおける起立部１６０とベース部１６１の形態は、ライト磁極１０のライト特性に影響を与えることがわかってきた。すなわち、起立部１６０の高さを高くする（ベース部１６１の厚さが薄くなる）と、サイドイレーズは抑えられるものの、ライト磁極１０の書き込み能力が減退する。また、起立部１６０の高さを低くするとサイドイレーズが問題となる一方、書き込み能力が増大する。
【０００５】
したがって、ライト磁極１０のライト特性を向上させるためには、下部磁極上層１６ａの形状、すなわち起立部１６０の高さと、ベース部１６１の高さを正確に把握してチェックする必要がある。
下部磁極上層１６ａの形態を把握する従来方法は、磁気ヘッドのABS面を電子顕微鏡（SEM)によって観察してその形状（断面形状）を把握する方法である。しかしながら、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂは磁性材料としては類似しているために、SEMによって下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂの界面を識別することが困難であるという問題があった。下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面が判別できないと、ABS面において下部磁極上層１６ａがどの高さ位置から占めるかがわからず、下部磁極上層１６ａの全厚はもちろん、とくにベース部１６１の厚さを測定することができない。
【０００６】
図１３は下部磁極１６を２層構造とした例であるが、上部磁極１４についてもライトギャップ１２に隣接する層を高Bs材とし、その上層をNiFe等の低Bs材によって形成する構成とすることも可能である。また、水平型の磁気ヘッドに限らず、垂直型の磁気ヘッドにおいても、主磁極を複数の積層構造とすることが行われている。
本発明は、積層構造を有するライト磁極を備える磁気ヘッドにおいて、ライト磁極のABS面における端面形状を容易に把握することを可能とする磁気ヘッドおよびその製造方法、また、ライト磁極の形状を容易に測定可能とするライト磁極の形状測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、本発明に係る磁気ヘッドは、磁性層を積層して形成されたライト磁極を備え、前記ライト磁極は、前記磁性層の層間に、電子顕微鏡により隣接する磁性層と識別される非磁性材からなる識別層が、端面をABS面に露出させて設けられていることを特徴とする。
識別層として非磁性材を使用しているのは、識別層を設けたことによって、ライト磁極のライト特性に影響を与えないようにするためである。
電子顕微鏡によって隣接する磁性層と識別されるとは、電子顕微鏡によってABS面を観察した際に、隣接する磁性層とのコントラスト差によって識別層を識別できるという意味である。非磁性材としては、SiO2、Al2O3といった絶縁材、Ti、Ta等の非磁性金属材が使用できる。
【０００８】
また、前記ライト磁極は、下部磁極下層と下部磁極上層とからなる下部磁極を備え、前記識別層が、前記下部磁極下層と前記下部磁極上層との界面に設けられていることによって、電子顕微鏡により下部磁極下層と下部磁極上層との界面位置を容易に認識して、ライト磁極の磁極の形状を的確に把握することができる。
また、前記識別層は、ABS面の近傍に設けられていることによって、ライト磁極によるライト特性に影響を与えることなく設けることができる。
【０００９】
また、磁性層を積層して形成されるライト磁極を備える磁気ヘッドの製造方法において、前記ライト磁極の下層の磁性層を形成する工程と、前記下層の磁性層の表面に、電子顕微鏡によって隣接する磁性層と識別される非磁性材からなる識別層を成膜する工程と、前記識別層を、ABS面と交差する平面形状にパターン形成する工程と、前記パターン形成後の識別層が形成された前記下層の磁性層に、上層の磁性層を積層して成膜する工程とを備えることを特徴とする。
前記識別層を成膜した後、識別層を、ABS面と交差する平面形状にパターン形成することにより、ABS面を加工した際に、識別層の端面がABS面に露出し、電子顕微鏡によってABS面を観察する際に確実に識別層を視認することができる。
また、前記識別層をパターン形成する工程においては、識別層がABS面の近傍領域にのみ残るようにパターン形成することが、識別層によるライト特性への影響を抑える方法として有効である。
【００１０】
また、磁性層を積層して形成されるライト磁極の形状を測定する方法であって、前記ライト磁極を形成した後、磁気ヘッドのABS面を露出させる加工工程と、前記ABS面における、下層と上層の磁性層の界面に位置合わせして、ABS面から内方に凹部を形成する工程と、該凹部が形成された磁気ヘッドを電子顕微鏡によりABS面側から観察し、ライト磁極の形状を測定する工程とを備えることを特徴とする。磁性層の界面に位置合わせして凹部を形成することにより、電子顕微鏡によって磁気ヘッドのABS面を観察した際に、凹部と凹部以外のコントラスト差から磁性層の界面位置を識別することができ、これに基づいて磁極の端面形状を把握することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る磁気ヘッドおよびその製造方法によれば、磁性層の積層構造に形成されたライト磁極の磁性層の界面位置が識別層を設けたことによって容易に認識することができ、磁性層の界面位置が明確に識別できない場合に、磁性層の界面位置を正確にかつ容易に認識することを可能とし、これによってライト磁極の磁極の形状を正確に把握することが可能になる。ライト磁極の磁極の形状を正確に把握することによって、測定結果を製造工程にフィードバックし、製品の品質を向上させ、製品の特性のばらつきを抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は本発明に係る磁気ヘッドの一実施の形態として、水平型の磁気ヘッドの構成を示す、ABS面に垂直な面における断面図である。この磁気ヘッドは、リードヘッド８として、リード素子５と、リード素子５を膜厚方向に挟む配置に設けられた下部シールド層６および上部シールド層７を備える。また、ライトヘッド２０として、ライトギャップ１２と、ライトギャップ１２を挟む配置に設けられた、上部磁極１４および下部磁極１６を備える。
【００１３】
下部磁極１６は２層構造からなり、ライトギャップ１２に接する下部磁極上層１６ａと下部磁極上層１６ａの下層に設けられた下部磁極下層１６ｂを備える。本実施形態においては、下部磁極上層１６ａをFeCoによって形成し、下部磁極下層１６ｂをNiFeによって形成している。FeCoは飽和磁束密度（Bs値）が高くライトギャップ１２近傍に磁束を集中させる作用を有する。NiFeはBs値についてはFeCoよりも劣るものの、軟磁性特性がFeCoよりも優れ、ライト磁極のライト特性を向上させるように作用する。
【００１４】
下部磁極１６の後方には、層間に絶縁層１８を介してコイル１７が２段に形成されている。コイル１７は上部磁極１４のハイト方向の後部側において、下部磁極１６と連結されるバックギャップ部１９の周囲を巻回するように設けられる。
上部磁極１４の下部磁極上層１６ａの後部側は、下部磁極から離反する向きの傾斜面（Apex部）に形成されている。
【００１５】
本実施形態の磁気ヘッドにおいて特徴とする構成は、磁気ヘッドのABS面の位置（図のＡ−Ａ線位置）において、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面に非磁性材からなる識別層１５を設けたことにある。この識別層１５は、端面がABS面に露出して設けられ、電子顕微鏡によって下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面を視認できるように設けられている。識別層１５は、下部磁極上層１６ａおよび下部磁極下層１６ｂとは区別して電子顕微鏡によって視認できればよく、２次電子放出量が異なる非磁性材であれば任意の材料を使用することができる。たとえば、絶縁材としてSiO、Al2O3などが使用でき、金属材として、TiあるいはTaといった非磁性材を使用することができる。
【００１６】
本実施形態のように、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面に識別層１５を設ければ、磁気ヘッドのABS面を電子顕微鏡によって観察した際に、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂの界面を識別層１５を視認することによって容易に判別することができる。そして、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂの界面を判別することにより、下部磁極上層１６ａの起立部１６０とベース部１６１の膜厚を正確に計測する事が可能となる。
前述したように、下部磁極上層１６ａの起立部１６０とベース部１６１の膜厚はライト特性に大きな影響を与えるから、識別層１５を利用して下部磁極上層１６ａの形態を正確に把握することは、ライト磁極のライト特性を向上させる上で有効となる。
【００１７】
（磁気ヘッドの製造方法）
図２〜１１は、図１に示す水平型の磁気ヘッドの第１の実施の形態についての製造工程を示す。以下、これらの各工程について説明する。
図２は、識別層１５を成膜する工程を示す。ウエハ基板にリードヘッド８を形成し、さらに下部磁極下層１６ｂ、コイル１７を形成した後、識別層１５を成膜する。識別層１５を成膜する際には、あらかじめ、ウエハ基板の表面をCMP加工によって平坦化してから成膜する。ウエハ基板の表面を平坦化処理するのは、ウエハ基板にきわめて微細なパターンに下部磁極上層１６ａや上部磁極１４を形成しやすくするためである。
【００１８】
前述したように、識別層１５は電子顕微鏡によって磁気ヘッドのABS面を観察した際に、下部磁極下層１６ｂとこの上に積層される下部磁極上層１６ａの界面の位置を識別しやすくするためのものである。識別層１５は、SiO2あるいはAl2O3といった絶縁材、TiあるいはTaといった金属からなる非磁性材をスパッタリングにより成膜して形成することができる。識別層１５の厚さは、電子顕微鏡によって視認できる限界厚さ以上、例として1nm以上とすればよい。
なお、図２（ａ）は、ABS面に垂直方向の断面図、図２（ｂ）は、ABS面（Ａ−Ａ線位置）での断面図を示す。
【００１９】
図３は、ウエハ基板の表面に被着した識別層１５をパターニングする工程を示す。ウエハ基板の表面に識別層１５として残す部位を被覆するレジストパターン２２を形成し、イオンミリングによって、識別層１５の露出されている部位を除去する。レジストパターン２２は、下部磁極下層１６ｂの露出面内において、ABS面と交差するABS面近傍領域に識別層１５を残すようにパターン形成する。図３においては、コイル１７が配置されている領域についてもレジストパターン２２によって被覆している。レジストパターン２２によってコイル１７をイオンミリングから保護するためである。
【００２０】
識別層１５をSiO2あるいはAl2O3といった絶縁層によって形成する場合は、コイル１７の形成領域の識別層１５を残すことによって、コイル１７の電気的絶縁性がより確実になるという利点もある。識別層１５を、TiあるいはTaといった電気伝導性のある非磁性材によって形成する場合に、電気的短絡等のおそれにより、コイル１７の形成領域に識別層１５を残すことが問題となる場合は、コイル１７の形成領域に識別層１５を残さないようにしてもよい。
【００２１】
図４は、イオンミリングによって識別層１５の不要部位を除去し、次いでレジストパターン２２を除去した状態を示す。識別層１５が、ウエハ基板の表面に所定パターンに被着している。
図４（ｂ）は、ABS面近傍における識別層１５の平面配置を示す。識別層１５は、ABS面と交差するように形成し、形成領域をABS面の近傍部分に限定する。破線は、後工程において形成する上部磁極１４の平面配置を示す。
【００２２】
図５、６は、下部磁極上層１６ａを形成する工程である。
図５は、ウエハ基板上にレジストパターン２４を形成した状態を示す。レジストパターン２４は、下部磁極上層１６ａを形成する部位が露出するように露光および現像して形成する。下部磁極上層１６ａは、下部磁極下層１６ｂの露出面上に被着形成される。したがって、レジストパターン２４は下部磁極下層１６ｂの後端面位置（図のＢ線の位置）に起立位置を合わせるようにしてパターン形成する。同時に、レジストパターン２４の側面にオーバーハング部２４ａを形成するため、起立位置から若干上方位置においてABS面側に側面２４ｂが張り出す形態に形成する。
レジストパターン２４の側面２４ｂを張り出すようにするには、レジストを露光する際の光の照射方法を調節する、レジストを加熱キュアする条件を調節する、レジストを２層構造とし、現像の際に下層側のレジストが上層のレジストよりも侵食が進むようにする等の方法を利用すればよい。
【００２３】
図６は、スパッタリングによって下部磁極上層１６ａを成膜した状態を示す。レジストパターン２４にオーバーハング部２４ａを設けたことによって、下部磁極上層１６ａは、後部側（ABS面から離れる側）が徐々に薄厚となる傾斜面となるように成膜される。下部磁極上層１６ａの後部側を傾斜面に形成するのは、ライトギャップ１２に磁束が集束するようにするためである。下部磁極上層１６ａは、たとえばFeCoをスパッタリングして形成する。
下部磁極上層１６ａを成膜する際に、レジストパターン２４の表面にもスパッタ膜が被着するが、リフトオフによってレジストパターン２４とともにスパッタ膜が除去され、下部磁極下層１６ｂの表面のみに下部磁極上層１６ａが残る。
【００２４】
図７は、ライトギャップ１２を形成する工程である。下部磁極下層１６ｂに下部磁極上層１６ａが積層された状態において、ウエハ基板の表面にSiO2あるいはAl2O3等の絶縁材をスパッタリングしてライトギャップ層１２ａを形成する。ライトギャップ層１２ａはウエハ基板の表面の全面に形成され、下部磁極上層１６ａの表面にも被着する。図７（ｂ）に、下部磁極上層１６ａの表面をライトギャップ層１２ａが被覆した状態を示す。
【００２５】
図８は、下部磁極上層１６ａの後方にレジスト絶縁層２６を形成する工程である。レジスト絶縁層２６は、上部磁極１４にApex部を形成するために設ける。ウエハ基板の表面にレジストを被着形成し、下部磁極上層１６ａの傾斜面位置の中途から後方を覆うようにレジストパターンを形成する。レジストをパターニングした後、加熱キュア条件を制御することにより、レジスト絶縁層２６の浮上面側の側面２６ａを浮上面側が低位となる傾斜面に形成することができる。この側面２６ａの傾斜角度がApex角度となる。
【００２６】
図９は、上部磁極１４を形成する工程を示す。上部磁極１４は、ウエハ基板の表面に上部磁極１４の平面形状に合わせてレジストパターンを形成し、電解めっきによって形成することができる。
図１１（ａ）は、上部磁極１４の平面形状を示す。上部磁極１４は磁極端１４ａの部分が細幅に絞られ、磁極端から後方（ハイト方向）が幅広の形状となる。Ａ−Ａ線がABS面位置であり、ウエハ段階では、ABS面を超えて磁性層が形成される。浮上面位置を超えて延出する部位１４ｂは、後工程でABS面を加工する際に研削して除去される。上部磁極１４を形成するレジストパターンは、上部磁極１４が形成される平面領域が抜きパターン（抜き穴）となるようにパターン形成する。レジストパターンに形成された凹部（抜き穴）内にめっきにより磁性層を盛り上げることによって上部磁極１４が形成される。
【００２７】
図９（ｂ）に示すように、上部磁極１４は磁極端１４ａの部分では、断面形状が細幅の長方形状に起立した状態に形成される。磁極端から後方部分では、レジスト絶縁層２６の表面形状にならって上部磁極１４が、断面形状で若干湾曲した形状に形成される（図９（ａ））。また、上部磁極１４の後部では下部磁極に形成されたバックギャップ部と連結してバックギャップ部１９が形成される。
【００２８】
図１０は、上部磁極１４と下部磁極１６とを成形するトリミング工程を示す。
図９（ｂ）に示す状態で、ウエハの上方からイオンミリングし、上部磁極１４を細幅に形成するとともに、下部磁極上層１６ａを掘り込み、ライトギャップ１２を挟んで上部磁極１４と下部磁極上層１６ａとが同一幅で対向するように形成する。
図１０（ｂ）に、イオンミリングによってトリミングした状態を示す。上部磁極１４が細幅化され、下部磁極上層１６ａに磁極端部分が形成されている。また、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面に識別層１５が形成されている。
【００２９】
図１１（ｂ）は、このトリミング工程の際に、上部磁極１４が損傷しないように、上部磁極１４の磁極端１４ａの近傍部分を除いて、上部磁極１４をレジストパターン２８によって被覆した例を示す。このように、イオントリミングを施す部位を除いて、ウエハ基板の表面をレジストパターン２８によって被覆することにより、所要個所をトリミング加工から保護することができる。
【００３０】
図１０（ａ）に示す状態から、ABS面を加工する（ABS面を位置出し）して、図１に示す磁気ヘッドが得られる。
上述した製造工程によれば、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａとの界面に識別層１５が配置され、識別層１５はABS面に端面が露出する。したがって、電子顕微鏡によって、ABS面を観察することにより、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａとの界面を識別層１５の位置によって確実に視認することができ、下部磁極上層１６ａの形状を正確に測定して把握することができる。
識別層１５は、ABS面に端面を露出させるため、ABS面と交差するように配置する。識別層１５を配置する領域をABS面の近傍に限定すること、識別層１５に非磁性材を用いたことにより、ライトヘッドの特性に影響を与えることはない。
【００３１】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態における磁気ヘッドは、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａとの界面に識別層１５を設けたことを特徴とする。
第２の実施の形態は、識別層１５を設けることなく、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａとの界面の位置を電子顕微鏡によって観察しやすくし、これによって下部磁極上層１６ａの形状を把握できるようにする方法に関する。
本実施形態では、磁気ヘッドを形成した後、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａとの界面に位置合わせして、ABS面からハイト方向（内側）に凹部３０を形成し、これによって電子顕微鏡による観察を容易にする。
【００３２】
図１２（ａ）は、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａの界面に位置合わせして、ABS面（Ａ−Ａ線）から内方に凹部３０を形成した状態を示す。図１２（ｂ）は、凹部３０の平面図を示す。凹部３０は、電子顕微鏡による観察を容易にするためのものであり、ABS面からわずかに凹ませるように設ければよい。
凹部３０は、磁気ヘッドのABS面に対してウェットエッチングする方法、ドライエッチングする方法によって形成することができる。下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａの界面に位置合わせしてレジストパターンを形成し、ウェットあるいはドライエッチングを施すことによって凹部３０を形成する。
【００３３】
本実施形態の磁極形状を測定する方法は、磁気ヘッドの完成品に対し処理を施して測定する方法によるものであり、破壊試験である。
本実施形態の場合は、下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａの界面に設けた凹部が電子顕微鏡によって視認した際に、他の部位とコントラスト差が生じることを利用して下部磁極下層１６ｂと下部磁極上層１６ａの界面位置を識別する。凹部３０の位置が識別できたら、凹部３０の位置を基準として下部磁極上層１６ａの起立部と残り膜厚の厚さを計測することができる。
本実施形態の測定方法は、磁気ヘッドの製造工程のついては従来方法がそのまま利用できるという利点がある。
【００３４】
なお、第１の実施の形態において説明した、下部磁極上層１６ａと下部磁極下層１６ｂとの界面に識別層１５を設ける方法は、下部磁極を積層構造とする場合に限らず、上部磁極を積層構造とする場合にも同様に適用することができる。すなわち、上部磁極に磁性層を積層する際に、層間に識別層を介在させて積層することによって層間の界面を識別することができ、各層の膜厚を確実に測定することが可能になる。この方法は、垂直磁気ヘッドのライトヘッドの主磁極を積層構造に形成する場合にも同様に適用可能である。層間に識別層を設けることによって、磁性層の界面が識別しにくい場合に、主磁極を形成する各層の膜厚を正確に測定することができる。
【００３５】
第２の実施の形態において説明した、磁性層の界面の位置に合わせてABS面から内方に向けて凹部を形成し、凹部の位置から磁性層の界面の位置を認識して磁性層の膜厚を測定し、あるいは磁極の端面形状を測定する方法も、下部磁極について適用する場合に限らず、上部磁極あるいは垂直型の磁気ヘッドの主磁極を積層構造とする場合の磁極の形状の測定に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】識別層を形成する工程を示す断面図である。
【図３】識別層をパターニングするレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。
【図４】識別層をパターニングした状態の断面図(a)および平面図(b)である。
【図５】下部磁極上層を成膜するレジストパターンを形成する工程を示す断面図である。
【図６】下部磁極上層を成膜した状態の断面図である。
【図７】ライトギャップ層を成膜する工程を示す断面図である。
【図８】レジスト絶縁層を形成する工程を示す断面図である。
【図９】上部磁極を形成する工程を示す断面図である。
【図１０】上部磁極と下部磁極をトリミングする工程を示す断面図である。
【図１１】上部磁極の平面図である。
【図１２】磁気ヘッドを電子顕微鏡によって観測する場合における磁気ヘッドの断面図(a)および平面図(b)である。
【図１３】上部磁極と下部磁極のABS面から見た断面図である。
【００３７】
５  リード素子
６  下部シールド層
７  上部シールド層
８  リードヘッド
１０  ライト磁極
１２  ライトギャップ
１２ａ  ライトギャップ層
１４  上部磁極
１４ａ  磁極端
１５  識別層
１６  下部磁極
１６ａ  下部磁極上層
１６ｂ  下部磁極下層
１７  コイル
１９  バックギャップ部
２０  ライトヘッド
２２、２４  レジストパターン
２６  レジスト絶縁層
２８  レジストパターン
３０  凹部
【図１】
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【図２】
2009277329.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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