(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、配線とピエゾ抵抗素子間において安定した電気的なコンタクトを有する小型な加速度センサを提供することにある。【解決手段】  本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、フレーム部の開口内に配置された錘部と、フレーム部と錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、梁部に形成され、かつ梁部の一端がフレーム部と接続する領域と、梁部の他端が錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、検出部の両端に形成された接合部と、梁部上に形成され、検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、接合部の形成領域内における絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つのコンタクトホールと、コンタクトホールを介して接合部と電気的に接続する配線と、を備え、接合部の幅が検出部の幅よりも大きいことを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有するフレーム部と、
前記フレーム部の開口内に配置された錘部と、
前記フレーム部と前記錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、
前記梁部に形成され、かつ前記梁部の一端が前記フレーム部と接続する領域と、前記梁部の他端が前記錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、
前記検出部の両端に形成された接合部と、
前記梁部上に形成され、前記検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、
前記接合部の形成領域内における前記絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つのコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続する配線と、を備え、
前記接合部の幅が、前記検出部の幅よりも大きいことを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
前記コンタクトホールの開孔総面積が、前記接合部の面積と略等しいことを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記検出部は、前記梁部の一端と前記フレーム部の境界、あるいは前記梁部の他端と前記錘部の境界を跨いで配置され、
前記コンタクトホールが、前記境界から離れた位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記接合部の幅は２μｍより大きく、かつ前記梁部の幅の１／３よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度を検出するための半導体加速度センサに関し、特にピエゾ抵抗素子を検出素子としたタイプの加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて小型で単純な構造を有するセンサとして、ピエゾ抵抗を検出素子としたセンサ（いわゆるピエゾ抵抗型加速度センサ）が実用化されている（特許文献１）。特許文献１に開示された従来の加速度センサでは、加わった加速度に応じて重錘体が変位し、この変位に応じて可撓部が撓む。可撓部に形成したピエゾ抵抗素子は、可撓部の撓み量（応力）に応じて抵抗値を変化させる。そしてピエゾ抵抗素子に電圧を印加し、抵抗変化に伴う電圧値を参照することで加速度を検出している。
【０００３】
可撓部に生じる応力は、枠部および重錘体の接続箇所に集中しており、当該接続箇所から離れるに従い急激に低下し、可撓部の中央では応力が零となっている。ピエゾ抵抗素子に生じる抵抗変化はピエゾ抵抗素子の長さ全体の平均応力変化によるため、センサの高感度化のためにはピエゾ抵抗素子の長さを短くして、当該接続箇所の応力集中部に選択的に配置するのが効率的である。しかしながら、応力集中部にピエゾ抵抗素子を配置した場合、その物理的ストレスからコンタクト部分の配線に剥がれなどが生じ、電気的なコンタクト不良が起こる可能性がある。そこで、ピエゾ抵抗素子部における電気的なコンタクト不良を解消する技術として、特許文献２に挙げられる加速度センサが提案されている。特許文献２には、ピエゾ抵抗素子の両端部に配置した複数のコンタクトホールを介して配線とピエゾ抵抗素子との電気的なコンタクトを得る技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−９２４１３号公報
【特許文献２】特開２００６−２０１０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２によれば、加速度センサが小型化するに従い、ピエゾ抵抗素子ないしコンタクトホールの寸法も縮小化しなければならない。とりわけ複数のコンタクトホールを形成する場合、１つのコンタクトホールの面積は小さいものとなる。そのため、縮小化したコンタクトホールにおいて、配線とピエゾ抵抗素子間で電気的なコンタクト抵抗が高くなったり、電気的な不良が発生する確率が高くなる。したがって、上記技術では小型の加速度センサに対して電気的なコンタクト不良を解決するには至らない。また、微小なコンタクトホールを形成する場合、開孔するためのリソグラフィ工程において加工寸法不良が発生しやすくなる。
【０００５】
そこで上記に鑑み、本発明の目的は、配線とピエゾ抵抗素子間において安定した電気的なコンタクトを有する小型な加速度センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る加速度センサは、開口を有するフレーム部と、前記フレーム部の開口内に配置された錘部と、前記フレーム部と前記錘部とを接続する少なくとも一対の梁部と、前記梁部に形成され、かつ前記梁部の一端が前記フレーム部と接続する領域と、前記梁部の他端が前記錘部と接続する領域のそれぞれに配置された検出部と、前記検出部の両端に形成された接合部と、前記梁部上に形成され、前記検出部の少なくとも一部を覆う絶縁層と、前記接合部の形成領域内における前記絶縁層を開孔して形成された、少なくとも１つのコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介して前記接合部と電気的に接続する配線と、を備え、前記接合部の幅が、前記検出部の幅よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明よれば、配線とピエゾ抵抗素子間において安定した電気的なコンタクトを有する小型な加速度センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明に係る半導体３軸加速度センサに関して説明する。図１は本発明に係る加速度センサの全体斜視図である。
図１に示すように加速度センサ１は略直方体であり、半導体基板からなるセンサ本体２と、ガラスからなる支持基板３により構成されている。説明のため、図では加速度センサの面内に直交する２軸（Ｘ軸とＹ軸）を設定し、この２軸に垂直な方向をＺ軸と定めている。センサ本体２はＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１１０からなり、シリコン膜１２０、シリコン酸化膜１３０、シリコン基板１４０が順に積層して構成されている。そして開口を有するフレーム（フレーム部１２１およびフレーム部１４１）内に重錘体（錘部１４２）が配置され、この重錘体を可撓性の梁（梁部１２３）によって支持して構成されている。支持基板３はセンサ本体２を支持する台座としての機能と、重錘体の下方（Ｚ軸負方向）への過剰な変位を規制するストッパ基板としての機能を併せもっている。なお、センサ本体２をパッケージ基板（図示しない）へ直接実装する場合には、支持基板３を必ずしも必要としない。
【０００９】
図２は加速度センサの分解斜視図である。シリコン膜１２０は、固定されたフレーム部１２１（フレーム上部）と、フレーム部１２１内に配置された錘接合部１２２と、フレーム部１２１と錘接合部１２２とを接続する２対（計４本）の梁部１２３を備えている。フレーム部１２１、錘接合部１２２、梁部１２３は開口１２４によって画定されている。フレーム部１２１はシリコン酸化膜１３０を介してフレーム部１４１（フレーム下部）と接合されている。また、錘接合部１２２はシリコン酸化膜１３０を介して鉛直視略クローバー状の錘部１４２と接合されている。錘部１４２はフレーム部１４１内に離間して配置されている。
支持基板３は例えば、ガラス基板からなりセンサ本体２と陽極接合により接合されている。
【００１０】
図３はセンサ本体の平面図及び断面図である。図３（Ａ）はセンサ本体の平面図であり、４本の梁部１２３上には３軸（ＸＹＺ）方向の加速度を検出するための検出部Ｒｘ〜Ｒｚが配設されている。検出部は、梁部１２３がフレーム部１２１および錘接合部１２２と接続する領域近傍に配置されている。図面ではＸ軸に沿った方向に配置した１対の梁部には、Ｘ方向およびＺ方向の加速度を検出するために検出部Ｒｘ１〜Ｒｘ４およびＲｚ１〜Ｒｚ４が配置される。一方、Ｙ軸に沿った方向に配置した１対の梁部にはＹ方向の加速度を検出するための検出部Ｒｙ１〜Ｒｙ４が配置されている。なお、Ｙ軸に沿った方向に配置した１対の梁部に検出部Ｒｚ１〜Ｒｚ４を配置してもよい。
図３（Ｂ）はセンサ本体をＸ−Ｘに沿った断面図であり、錘部１４２の下面はフレーム部１４１の下端よりも高くされており、ガラス基板３との間にギャップによりＺ負方向に一定量の変位可能なように設定されている。図３（Ｃ）はセンサ本体をＹ−Ｙに沿った断面図であり、梁部１２３は可撓性をもった自立薄膜である。
【００１１】
図４は検出部の詳細を説明する図面であり、平面図と断面図（Ａ−Ａ断面）を示している。検出部Ｒは、シリコン膜１２０にＢ（ボロン）やＰ（リン）などの不純物を拡散して形成したピエゾ抵抗素子であり、梁部１２３とフレーム部１２１の境界、および梁部１２３と錘接合部１２２の境界近傍に配置されている。検出部Ｒの両端には、検出部Ｒの幅よりも大きい接合部Ｃを備えている。
検出部Ｒは絶縁層１５０に覆われており、接合部Ｃの形成領域内の絶縁層１５０は開孔したコンタクトホール１５１を有している。接続抵抗を下げるために接合部Ｃは高濃度不純物拡散層であってもよい（その場合、ピエゾ抵抗素子に対して２桁〜３桁程度不純物濃度が高い層であればよい）。なお、図４では示していない梁部１２３に配設された分とあわせてＲｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｙ１〜Ｒｙ４、Ｒｚ１〜Ｒｚ４の計１２個の検出部Ｒは検出方向ごとに接続されてブリッジ回路を形成している。なお、ブリッジ回路接続に関しては本出願人の特許出願である、特開２００７−３２２２９７号を参考にできる。フレーム部１２１上には、外部回路と接続するための電極パッド（図示しない）を有し、配線１５２が当該電極パッドと接続して、加速度に伴う電気信号を外部回路へ取り出している。
【００１２】
図５、図６は本願発明の第１、第２の実施形態を示す図である。以下、第１の実施形態から順に説明していく。
（第１の実施形態）
図５を参照して第１の実施形態について説明する。検出部Ｒが、梁部１２３がフレーム部１２１および錘接合部１２２と接続する領域にそれぞれ配置されている。検出部Ｒの両端に接合部Ｃを備えている。検出部Ｒと接合部Ｃは実質的に一体のピエゾ抵抗素子である。接合部Ｃの幅Ｌ１は、検出部Ｒの幅Ｌ２よりも大きく設計され、接合部Ｃの形成領域の絶縁層１５０を開孔してコンタクトホール１５１を形成している。なお、接合部Ｃの形状は図示した矩形のものに限られず、円形、その他の形状であってもよく、その場合最も大きい幅を有する部分の幅を「接合部Ｃの幅Ｌ１」とみなす。設計的な要求から検出部Ｒの幅Ｌ２は、梁部１２３の幅であるＬ０の１／１０以下であることが好ましい。検出部Ｒの幅Ｌ２がＬ０の１／１０以上であると、梁部１２３の捻れを検出しやすくなり他軸感度が大きくなるため、センサ特性上好ましくない。
【００１３】
接合部Ｃの幅Ｌ１は２μｍより大きく、梁部１２３の幅であるＬ０の１／３以下の値であることが好ましい。接合部Ｃは、例えば７μｍ〜２０μｍ辺の長方形である。接合部Ｃの幅Ｌ１が２μｍ以下である場合には、それよりも小さく設定された検出部Ｒやコンタクトホール１５１をリソグラフィにより製造する場合に、加工限界により製造不良が起こりやすくなる。上記の製造不良により、検出部Ｒの抵抗値にバラツキが生じ、ブリッジ回路の平衡が崩れてセンサの出力特性に影響を与える。また、梁部１２３の幅であるＬ０の１／３以上の値であると梁部１２３に配置される接合部Ｃの面積が大きくなるため、駆動時に接合部Ｃに発生するジュール熱によってオフセット電圧が生じ、センサの出力特性に影響を与える。検出部Ｒ全体を大きくするのではなく、接合部Ｃを太く（コンタクト面積を大きく）するので、電気的なコンタクトを確保しつつ駆動時のジュール熱の影響を最小限に抑えることができる。なお、梁部１２３の幅であるＬ０の１／３以上の値である場合、電極パッドへ接続するための配線１５２のレイアウトや線幅に制限が生じるため好ましくない。
加速度センサの小型化にあたって、錘部とフレーム部の寸法を縮小化する。そこで、検出感度を維持するために梁部１２３の幅Ｌ０を縮小化する試みをする。検出部Ｒ及びコンタクトホール１５１も縮小化せざるを得ず、安定して加工できるコンタクトホールの寸法に限界があるため、従来の加速度センサでは歩留り良く、製造することが困難であることが判る。例えば、一定の幅を持った検出部の幅が２〜３μｍである場合には、コンタクトホールの開孔が非常に小さくなることが予想される。
【００１４】
図５の（ａ）及び（ｂ）にコンタクトホール１５１の形態を例示した。
（ａ）接合部Ｃの形成領域の略全体にわたってコンタクトホール１５１が形成されている。検出部Ｒと配線１５２とのコンタクト面積が大きくなり、電気的なコンタクトが安定する。また、検出部Ｒの寸法が縮小化したとしても、適切なコンタクト面積を確保することができる。
（ｂ）接合部Ｃの形成領域に複数のコンタクトホール１５１が形成されている。複数のコンタクトホール１５１の開口総面積が接合部Ｃの形成領域の面積に略等しいことが好ましい。検出部Ｒと配線１５２とのコンタクト面積を大きくし、かつコンタクトホール１５１を複数設けることで電気的なコンタクトが安定する。また、検出部Ｒの寸法が縮小化したとしても、充分なコンタクト面積を確保することができる。
上記（ａ）及び（ｂ）の場合において、コンタクトホール１５１の開口総面積が、接合部Ｃの形成領域面積の６０％〜１００％の範囲であることを両者が略等しいと呼んでいる。そのような数値範囲とすることによって、より大きいコンタクト面積を確保することができる。コンタクトホール１５１の開口総面積が、接合部Ｃの形成領域面積の６０％未満の場合には、小型のセンサにおいてコンタクト抵抗が増加して安定した電気的なコンタクトを得られない。
【００１５】
次に図７を参照して、第１の実施形態に係る加速度センサの製造方法について述べる。図７は本発明に係る第１の実施形態の製造方法を示す図面である。
第１の実施形態に係る加速度センサの製造方法
（１）ＳＯＩ基板の準備（図７（Ａ）参照）
シリコン膜１２０、酸化シリコン膜１３０、シリコン基板１４０を積層してなるＳＯＩ基板１１０を用意する。上述したように、シリコン膜１２０はフレーム部１２１、錘接合部１２２、梁部１２３を構成する層である。酸化シリコン膜１３０は、シリコン膜１２０とシリコン基板１４０とを接合する層であり、かつエッチングストッパ層として機能する層である。シリコン基板１４０はフレーム部１４１、錘部１４２を構成する層である。ＳＯＩ基板１１０は、ＳＩＭＯＸないし、貼り合せ法等により作成される。ＳＯＩ基板１１０は、シリコン膜１２０、シリコン酸化膜１３０、シリコン基板１４０の厚みがそれぞれ、１０μｍ、２μｍ、６００μｍである。なお、外周が約１〜２ｍｍ正方の小型の加速度センサ１が直径１５０ｍｍ〜２００ｍｍのウエハに多面付けで複数個配置されている。１枚のウエハ処理で１０４個単位のセンサを一括製造できる。
【００１６】
（２）検出部の形成（図７（Ｂ）参照）
ＳＯＩ基板１１０のシリコン膜１２０側に不純物拡散用のマスク（図示せず）を形成する。このマスク材としては、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を用いることができる。シリコン窒化膜をシリコン膜１２０全面にＬＰ−ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜した後、シリコン窒化膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、シリコン窒化膜に検出部Ｒに対応する開口をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により形成する。
【００１７】
レジストパターンを除去後、Ｂ（ボロン）などを含む拡散剤を塗布する。そして熱処理（約１０００℃）を施して、シリコン膜１２０内に拡散（ドライブイン）させ、検出部Ｒを形成する。不要な拡散剤は、フッ酸などを用いて除去する。なお、熱拡散法以外にイオン打ち込みによってピエゾ抵抗素子を形成してもよい。その後、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）は熱リン酸によって、エッチング除去する。
【００１８】
（３）絶縁層およびコンタクトホールの形成（図７（Ｃ）参照）
シリコン膜１２０上に絶縁層１５０を形成する。例えば、シリコン膜１２０の表面を熱酸化することで、絶縁層としてＳｉＯ２の層を形成できる。絶縁層１５０上にレジストをマスクとしたＲＩＥによってコンタクトホール１５１を形成する。開孔したコンタクトホール１５１に対してさらに不純物を注入し、高濃度不純物層を形成することもできる。
【００１９】
（４）ギャップ形成（図７（Ｄ）参照）
フレーム部１４１の内枠に沿った開口を有するマスクを用いて、シリコン基板１４０をエッチングしてギャップ１６０を形成する。ギャップ１６０は、錘部１４２が下方（ガラス基板３側）へ変位するために必要な間隔であり、例えば、５〜１０μｍである。
【００２０】
（５）シリコン基板の加工（図７（Ｅ）参照）
次に、フレーム部１４１、錘部１４２に画定するためのマスクをシリコン基板１４０の下面に形成する。このマスクを用いてシリコン基板１４０をシリコン酸化膜１３０の下面が露出するまでエッチングを行なう。エッチングにはＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いるのが好適である。
【００２１】
ＤＲＩＥでは材料層を厚み方向に侵食しながら掘り進むエッチングステップと、彫った穴の側壁にポリマーの壁を形成するデポジションステップと、を交互に繰り返す。掘り進んだ穴の側壁は、順次ポリマーの壁が形成されて保護されるため、ほぼ厚み方向にのみ侵食を進ませることが可能である。エッチングガスとしてＳＦ６等のイオン・ラジカル供給ガスを用い、デポジションガスとしてＣ４Ｆ８等を用いることができる。
【００２２】
（６）配線の作成（図７（Ｆ）参照）
配線１５２を形成する。配線１５２はＡｌ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｎｄなどの金属材料をスパッタ法などにより成膜し、それをパターニングすることで得られる。なお、配線１５２と接合部Ｃとの間でオーミックコンタクトを形成するために、熱処理（３８０℃〜４２０℃）を施す。なお、配線１５２上に保護膜としてシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）などの膜を設けてもよい。
【００２３】
（７）シリコン膜の加工（図７（Ｇ）参照）
シリコン膜１２０をシリコン酸化膜１３０の上面が露出するまでＲＩＥによりエッチングして開口１２４を形成して、フレーム部１２１、錘接合部１２２、梁部１２３を画定する。
【００２４】
（８）不要なシリコン酸化膜の除去（図７（Ｈ）参照）
エッチングストッパとして用いた部分の不要なシリコン酸化膜をＲＩＥあるいはウェットエッチングにより除去する。これにより、シリコン酸化膜１３０は、フレーム１２１とフレーム１４１、錘接合部１２２と錘部１４２の間に存在している。
【００２５】
（９）ガラス基板の接合（図７（Ｉ）参照）
センサ本体２とガラス基板３とを接合する。ガラス基板３は、Ｎａイオンなどの可動イオンを含む、いわゆるパイレックス（登録商標）ガラスであって、ＳＯＩ基板１１０との接合には陽極接合を用いる。なお、陽極接合時の静電引力により錘部１４２がガラス基板３の上面にスティッキングするのを防ぐために、ガラス基板３の上面にスパッタ法によりＣｒなどのスティッキング防止膜（図示せず）を形成しておいてもよい。これによりセンサ本体２とガラス基板３が接合され、加速度センサ１が構成される。
【００２６】
（１０）個片化
加速度センサ１をダイシングソー等でダイシングし、個々の加速度センサ１に個片化する。本明細書ではウエハに多面付け配置された「加速度センサ」と、個片化された「加速度センサ」とを特に区別せず加速度センサ１と呼んでいる。上記の製造工程は例示であり、順序は適宜変更可能である。
【００２７】
（第２の実施形態）
次に、図６を参照して第２の実施形態について説明する。検出部Ｒを配置する位置、及びコンタクトホール１５１の開孔位置を除けば、第１の実施形態と略同一である。重複する説明については省略する。
検出部Ｒが、梁部１２３がフレーム部１２１および錘接合部１２２と接続する領域の境界線を跨ぐように配置されている。そしてコンタクトホール１５１が、当該境界線から離れた位置に形成されている。
【００２８】
図６に梁部１２３に作用する応力分布の概略図を示した。境界線上をピークとして、境界線から離れるにしがって検出部Ｒに作用する応力は急激に減少する。上述したよう検出部Ｒに生じる抵抗変化はピエゾ抵抗素子の長さ全体の平均応力変化によるため、センサの高感度化のためには検出部Ｒの長さを短くして、当該境界線近傍の応力集中部に選択的に配置するのが効率的である。しかしながら、コンタクトホール１５１を当該境界線近傍に形成すると、配線１５２と接合部Ｃの接続部分に過度の物理的なストレスが加わる。配線１５２の剥がれなどを防ぐ点で、コンタクトホール１５１が境界線から離れていることが好ましい。例えば、検出部Ｒの長さが４５μｍである場合には、境界線を跨ぐ値を５〜１５μｍ程度とする。例えば、図６に示したように境界線から遠ざかる位置の接合部Ｃの形成領域内にコンタクトホール１５１を大きな開口面積で形成しておくことが好ましい。上記のような構成とすることで、発熱体である接合部Ｃを堅固なフレーム部や錘部上に配置することで出力特性に与える影響を小さくできる。
【００２９】
第２の実施形態に係る加速度センサの製造方法
検出部Ｒを、当該境界線を跨ぐように配置し、かつコンタクトホール１５１を当該境界線から離れた位置に形成する点を除き、第１の実施形態に係る加速度センサの製造方法と略同一であり、説明は省略する。
【００３０】
以上、本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る加速度センサの全体斜視図である。
【図２】加速度センサの分解斜視図である。
【図３】センサ本体の平面図および断面図である。
【図４】検出部の詳細を説明する図面である。
【図５】本発明に係る第１の実施形態を表す図面である。
【図６】本発明に係る第２の実施形態を表す図面である。
【図７】本発明に係る第１の実施形態の製造方法を表す図面である。
【符号の説明】
【００３２】
１：加速度センサ
２：センサ本体
３：支持基板
１１０：ＳＯＩ基板
１２０：シリコン膜
１２１：フレーム部
１２２：錘接合部
１２３：梁部
１２４：開口
１３０：シリコン酸化膜
１４０：シリコン基板
１４１：フレーム部
１４２：錘部
１５０：絶縁層
１５１：コンタクトホール
１５２：配線
１６０：ギャップ
Ｒ：検出部（ピエゾ抵抗素子）
Ｒｘ１〜Ｒｘ４：（Ｘ軸方向の加速度を検出するための）検出部
Ｒｙ２〜Ｒｙ４：（Ｙ軸方向の加速度を検出するための）検出部
Ｒｚ１〜Ｒｚ４：（Ｚ軸方向の加速度を検出するための）検出部
Ｃ：接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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