(57)【要約】【課題】異物によるリーク箇所を良好に修復する。【解決手段】本発明の電気光学装置の製造方法は、第１電極５０と第２電極６０との間に電気光学物質層７０を有する電気光学装置の製造方法である。第１電極５０を形成する工程と、第２電極を形成する工程６０と、電気光学物質層７０を形成する工程と、電気光学物質層７０が形成された第１電極５０と第２電極６０との間の異物Ｐを検出する検出工程と、検出工程で検出された異物Ｐにおける少なくとも第２電極６０との接触部分を平面視した状態で環状に囲うように、第２電極６０における電気光学物質７０層と反対側からレーザー光Ｌを照射することにより、第２電極５０を貫通するとともに第１電極５０に到達しない溝部６５を形成し、溝部６５に囲まれる部分をその周辺の第２電極６０から島状に切り離すレーザーリペア工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に電気光学物質層を有する電気光学装置の製造方法であって、
第１電極を形成する工程と、
第２電極を形成する工程と、
電気光学物質層を形成する工程と、
前記電気光学物質層が形成された前記第１電極と第２電極との間の異物を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された異物における少なくとも前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲うように、前記第２電極における前記電気光学物質層と反対側からレーザー光を照射することにより、該第２電極を貫通するとともに前記第１電極に到達しない溝部を形成し、該溝部に囲まれる部分をその周辺の第２電極から島状に切り離すレーザーリペア工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザーリペア工程は、額縁状の透光部を有するとともに該透光部の周辺が遮光部とされたフォトマスクを用いて行い、前記透光部全体が前記異物における少なくとも前記第２電極との接触部分の周囲に重なり合うように前記フォトマスクを配置した後に、前記透光部全体を通してレーザー光を照射して、額縁状の溝部を一括して形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザーリペア工程は、帯状の透光部を有するとともに該透光部の周辺が遮光部とされたフォトマスクを用いて行い、前記透光部全体が前記異物における少なくとも前記第２電極との接触部分の周囲に重なり合うように前記フォトマスクを配置した後に前記透光部全体を通してレーザー光を照射して帯状の凹部を形成する処理を、前記フォトマスクの配置位置を異ならせて複数回数行い複数の帯状の凹部からなる溝部を形成することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザーリペア工程では、ＹＡＧレーザー光を照射して前記溝部を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザーリペア工程では、照射するレーザー光のエネルギーを０．５ｍＪ以上２．０ｍＪ以下に設定すること特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学物質層を形成する工程では、有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ有機機能層を形成し、これを電気光学物質層とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２電極を形成する工程では、遮光性の第２電極を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
第１電極と第２電極との間に電気光学物質層を有する電気光学装置であって、所定の検査により検出された前記第１電極と第２電極との間の異物における少なくとも前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲う部分に、前記第２電極を貫通するとともに前記電気光学物質層を貫通しない溝部が形成されており、該溝部に囲まれる部分がその周辺の前記第２電極から島状に切り離されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置の小型化が進められており、電気光学装置の製造過程におけるパーティクルに起因する歩留り低下が深刻化している。電気光学装置は、一対の電極間挟持された電気光学物質層を有しており、例えば基板上に陽極、電気光学物質層、陰極を順に形成することにより製造されている。その製造過程において、陽極を形成してから陰極を形成するまでの間に、陽極上に導電性のパーティクル（異物）が付着することがある。すると、陰極を形成した際に、パーティクルは陽極と陰極との間に残留してしまう。
【０００３】
ここに電極の間隔より大きいパーティクルが残留すると、導電性のパーティクルは陽極及び陰極の双方に接触して電極間を導通（リーク）させてしまう。リークを生じると、電気光学物質層に所望の電圧を印加することができなくなり、これを機能させることができなくなる。そのため、リーク箇所（欠陥箇所）を有する画素は輝点あるいは暗点（ダークスポット）となってしまい、電気光学装置を画像表示装置として用いた際に画像の表示品質や、画像形成装置として用いた際に画像の形成品質が損なわれることがある。これにより、極端な場合には電気光学装置の歩留りが損なわれてしまう。
【０００４】
そこで、パーティクルが付着した画素の欠陥箇所を修復する方法が考えられている（例えば特許文献１）。特許文献１では、陽極と陰極との間に高い電流密度の電流を流して、導電性のパーティクルに集中的に電流を流すようにしている。パーティクルに大電流が流れると、パーティクルの自己発熱によりパーティクルが焼き切られる。これにより、陽極と陰極とがリークしなくなり欠陥箇所を修復することができるとされている。また、パーティクルを所定の検査により検出した後に、パーティクルにレーザー光を照射することにより、これを焼き切る方法も考えられている。
【特許文献１】特開２００７−４２４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、パーティクルに大電流を流すことやレーザー光を照射することにより、これを焼き切る方法では、新たな欠陥箇所が生じてしまうおそれがある。すなわち、パーティクルを焼き切る熱は、パーティクルが当接する部分にも伝わり当接部分における陽極や陰極が溶融する。すると、溶融した陽極や陰極の形成材料、つまり導電材料は陽極と陰極との間を電気的に接続してしまい、ここが新たなリーク箇所となってしまうことがある。また、パーティクルに大電流を流すと、パーティクル周辺の電気光学物質層に大電流が流れてしまうこともある。すると、特に電気光学物質層が有機材料からなる場合には、電気光学物質層に材料劣化を生じてしまうこともある。
【０００６】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、パーティクルによる欠陥箇所を良好に修復することにより、歩留り良く電気光学装置を製造する方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１電極と第２電極との間に電気光学物質層を有する電気光学装置の製造方法であって、第１電極を形成する工程と、第２電極を形成する工程と、電気光学物質層を形成する工程と、前記電気光学物質層が形成された前記第１電極と第２電極との間の異物を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された異物における少なくとも前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲うように、前記第２電極における前記電気光学物質層と反対側からレーザー光を照射することにより、該第２電極を貫通するとともに前記第１電極に到達しない溝部を形成し、該溝部に囲まれる部分をその周辺の第２電極から島状に切り離すレーザーリペア工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
前記レーザーリペア工程で、異物における前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲う部分に第２電極を貫通する溝部して、溝部に囲まれる部分をその周辺の第２電極から島状に切り離しているので、前記溝部に囲まれる島状部はその周辺の第２電極と導通しなくなる。異物が導電性を有していると、異物により第１電極側と第２電極側とが導通（リーク）してしまうが、異物と第２電極との接触部分である島状部がその周辺の第２電極と導通しないので、第１電極と第２電極とが導通することがなくなる。
【０００９】
また、第１電極に到達しない溝部を形成するので、第１電極が溝部内に露出することがない。したがって、レーザー光を照射されて溶融した第２電極の形成材料（導電材料）は第１電極と接触することがなく、溶融した導電材料により第１電極と第２電極とがリークしてしまうことがない。以上のように、新たなリーク箇所を生じることなく異物によるリーク箇所を補修することができるので、良好な電気光学装置を良好な歩留りで製造することができる。
【００１０】
また、前記レーザーリペア工程は、額縁状の透光部を有するとともに該透光部の周辺が遮光部とされたフォトマスクを用いて行い、前記透光部全体が前記異物における少なくとも前記第２電極との接触部分の周囲に重なり合うように前記フォトマスクを配置した後に、前記透光部全体を通してレーザー光を照射して、額縁状の溝部を一括して形成することが好ましい。
このようにすれば、第１電極、第２電極、及び電気光学物質層が形成された状態の電気光学装置の中間体と、レーザー光を発する光源と、の相対位置を固定した状態で溝部を形成することができる。したがって、前記中間体と前記光源との相対位置を変化させながらレーザー光により溝部を描画（形成）する場合に比べて、相対位置を制御する処理を省くことができ、プロセスが容易化されるとともに、レーザー光の照射中に中間体や光源を移動させることに起因する位置ずれをなくすことができる。
【００１１】
また、前記レーザーリペア工程は、帯状の透光部を有するとともに該透光部の周辺が遮光部とされたフォトマスクを用いて行い、前記透光部全体が前記異物における少なくとも前記第２電極との接触部分の周囲に重なり合うように前記フォトマスクを配置した後に前記透光部全体を通してレーザー光を照射して帯状の凹部を形成する処理を、前記フォトマスクの配置位置を異ならせて複数回数行い複数の帯状の凹部からなる溝部を形成することもできる。
このようにすれば、前記した溝部を描画する場合に比べて、前記中間体と前記光源との相対位置を制御する処理を減らすことができる。また、例えば長さの異なる複数の帯状の透光部が互いに離間して配置されたフォトマスクを用いて、異物の大きさに応じて透光部を選択するようにすれば、様々な大きさの異物に対して、異物を環状に囲む最小限度の大きさの溝部を形成することができる。溝部に囲まれた部分は第２電極と導通しないので、これに対応する電気光学物質層を機能させることができないが、溝部の大きさを最小限度とすることで機能しない部分の大きさを最小限度とすることができる。
【００１２】
また、前記レーザーリペア工程では、ＹＡＧレーザー光を照射して前記溝部を形成することが好ましい。
一般に、金属材料のＹＡＧレーザー光の吸収率は、ＣＯ２レーザー光の吸収率の数倍である。そのため、ＹＡＧレーザー光を照射すれば、溝部を形成する部分の第２電極にレーザー光を良好に吸収させることができる。したがって、第２電極がレーザー光により削られる速度が大きくなり、レーザー光の照射時間を短縮することができる。よって、効率よく溝部を形成することができるとともに、レーザー光を照射した部分の周辺における電気光学物質層等の損傷を小さくすることもできる。
【００１３】
また、前記レーザーリペア工程では、照射するレーザー光のエネルギーを０．５ｍＪ以上２．０ｍＪ以下に設定することが好ましい。
照射するレーザー光のエネルギーを０．５ｍＪ以上に設定すれば、レーザー光が第２電極を削る速度を確保することができ、レーザー光の照射時間を短くすることができる。また、２．０ｍＪ以下に設定すれば、時間制御により溝部の深さを制御する場合に、溝部の深さの精度を確保することができ、溝部が電気光学物質層を貫通して第１電極が露出してしまうことが防止される。
【００１４】
前記電気光学物質層を形成する工程では、有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ有機機能層を形成し、これを電気光学物質層とすることもできる。
有機機能層を電気光学物質層とし電気光学装置（有機ＥＬ装置）を製造する場合には、メタルマスクを用いて有機材料や導電材料を蒸着法等により成膜して、有機機能層や第２電極、補助配線等を形成することが多い。このようにメタルマスクを用いると、メタルマスクの一部が剥がれて導電性のパーティクルとなったり、メタルマスクに付着した前記有機材料や導電材料の塊が脱離して絶縁性又は導電性のパーティクルとなったりする。本発明を適用すれば、補修による新たなリーク箇所を生じることなく、異物によるリーク箇所を補修することができるので、良好な有機ＥＬ装置を良好な歩留りで製造することができる。
【００１５】
前記第２電極を形成する工程では、遮光性の第２電極を形成することもできる。
このようにすれば、第２電極が貫通するまで時間に、第２電極を透過したレーザー光に電気光学物質層が曝されてここに損傷を生じることが防止される。よって、溝部が電気光学物質層を貫通して第１電極が露出してしまうことが格段に低減され、新たなリーク箇所を生じることが防止される。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、第１電極と第２電極との間に電気光学物質層を有する電気光学装置であって、所定の検査により検出された前記第１電極と第２電極との間の異物における少なくとも前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲う部分に、前記第２電極を貫通するとともに前記電気光学物質層を貫通しない溝部が形成されており、該溝部に囲まれる部分がその周辺の前記第２電極から島状に切り離されていることを特徴とする。
【００１７】
このようにすれば、異物における前記第２電極との接触部分を平面視した状態で環状に囲う部分に、第２電極を貫通した溝部が形成されているので、この溝部に囲まれた島状部は、その外側の第２電極と導通することがない。異物が導電性を有していると、第１電極側と第２電極側とが導通（リーク）してしまうが、異物と第２電極側との接触部分である島状部がその周辺の第２電極と導通しないので、第１電極と第２電極とが導通することがない。したがって、電気光学物質層に所定の電圧を印加することができ、これを良好に機能させることができる。よって、リークによる暗点等のない良好な電気光学装置となる。
【００１８】
本発明の電子機器は、前記の本発明の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
このようにすれば、前記の本発明の電気光学装置はリークによる暗点等のない良好なものとなっているので、これを備えた電子機器も良好なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。なお、本実施形態は、電気光学物質層として有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んだ有機機能層を採用した例である。
【００２０】
図１（ａ）は、本実施形態の電気光学装置（有機ＥＬ装置）の要部を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。なお、本実施形態の電気光学装置は、マトリクス状に配置された多数の画素を備えており、図１（ａ）には、２つの画素を拡大して示している。また、後述する第１電極と第２電極との間には、有機ＥＬ装置の製造過程において導電性のパーティクル（異物）が付着してしまうことがある。図１（ａ）には、パーティクルが付着した画素１つと、付着していない画素１つとを図示している。
【００２１】
有機ＥＬ装置１００は、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０上に順に形成された画素電極（第１電極）５０と、有機機能層（電気光学物質層）７０と、共通電極（第２電極）６０と、を備えている。ここでは、画素電極５０を陽極とし、共通電極６０を陰極としている。ＴＦＴ基板１０は、その詳細な構成を図示しないが、複数の走査線と、走査線に直交する複数のデータ線と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を備えている。走査線はこれを駆動する走査線駆動回路に接続されており、データ線はこれを駆動するデータ線駆動回路に接続されている。また、走査線及びデータ線により区画された部分が画素１１０となっており、それぞれの画素１１０に接続されてこれをスイッチングするＴＦＴが設けられている。ＴＦＴのソース側はデータ線と電気的に接続されており、ドレイン側は画素電極５０と電気的に接続されている。また、走査線の一部がゲート電極として機能するようになっている。また、画素電極５０、有機機能層７０、及び共通電極６０が発光素子を構成している。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の画素１１０は略長方形状となっている。その長辺に沿ってデータ線２０が延びており、その短辺に沿って走査線３０が延びている。画素の大きさは、電気光学装置の用途や大きさ、解像度等に応じて適宜設計されるが、ここでは長辺の長さが２２０μｍ程度であり、短辺の長さが７０μｍ程度である。走査線３０とデータ線２０とが直交する部分付近には、ＴＦＴ４０が設けられている。ＴＦＴ４０は、走査線３０上に絶縁膜（図示略）を介して設けられた島状の半導体層４１と、データ線２０から分岐され半導体層４１と接触して導通するソース２１と、半導体層４１におけるソース２１と反対側に設けられたドレイン４２と、を備えている。ＴＦＴ４０上には図示略の層間絶縁膜が設けられており、ドレイン４２上の層間絶縁膜にはこれを貫通する画素コンタクトホール４３が設けられている。ドレイン４２は、画素コンタクトホール４３の内側に設けられた接続導電部を介して、画素電極５０と電気的に接続されている。接続導電部と画素電極５０とは、一体に形成されている場合もある。また、走査線３０と平行して容量線３１が設けられている。容量線３１とドレイン４２とが重なり合う部分には容量が構成され、この容量により画素電極５０と共通電極６０との間に印加された電圧は、一定期間リークすることなく保持される。
【００２３】
画素電極５０は、透光性を有し仕事関数が高い（例えば５ｅＶ以上）導電材料、具体的にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなっており、画素電極５０から有機機能層７０に正孔（キャリア）が効率的に供給されるようになっている。共通電極６０は、透光性を有しかつ仕事関数が低い（例えば５ｅＶ以下）導電材料からなっている。仕事関数が低い材料としては、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物であるフッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体等が挙げられる。本実施形態ではマグネシウム・銀からなる共通電極６０を採用しており、共通電極６０から有機機能層７０に電子（キャリア）が効率的に供給されるようになっている。
【００２４】
本実施形態の有機機能層７０は、画素電極５０側から正孔注入層７１、有機発光層７２が順次積層された構造となっている。この他にも正孔注入層と有機発光層との間に正孔輸送層を設けた構造や、正孔注入層に替えて正孔注入輸送層を設けた構造等を用いることができ、低分子系材料等を蒸着法で成膜してこれらの層を形成する場合等には、前記の構造において有機発光層の陰極側に電子注入（輸送）層を設けた構造等を用いてもよい。画素電極５０及び共通電極６０の間に電圧が印加されると、画素電極５０から正孔注入層７１に正孔が注入され、正孔注入層７１を介して有機発光層７２に輸送される。また、共通電極６０から有機発光層７２に電子が注入され、この電子と有機発光層７２に輸送された正孔とが再結合することにより、光を生じるようになっている。
【００２５】
有機機能層７０の材料としては、公知のものをもちいることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
正孔注入層の材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層の材料としては、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピロ-ＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥ１、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＴＦ、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
有機発光層の材料としては、前記した正孔輸送層の形成材料の他、ペニレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素などの有機高分子材料、あるいはこれら有機高分子材料に例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしたもの、ＣＢＰ（４．４．―ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）誘導体、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体等の燐光材料等が挙げられる。
電子輸送層の材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
【００２６】
また、図１（ａ）に示した２つの画素１１０のうちの片方には、図１（ｂ）に示すように画素電極５０と共通電極６０との間に導電性のパーティクルＰが付着している。パーティクルＰは、有機ＥＬ装置１００の製造過程において付着してしまったものであり、所定の検査により検出されている。パーティクルＰを検出する方法は、後述する電気光学装置の製造方法で説明する。
パーティクルＰは、例えば有機機能層７０や画素電極５０、共通電極６０等の形成にメタルマスクを用いた場合に、メタルマスクの一部が剥がれたものや、メタルマスクに有機機能層７０や画素電極５０、共通電極６０等の形成材料（導電材料）が付着してこれが脱離したもの等である。パーティクルＰは、その外寸が例えば数百ｎｍ〜十数μｍ程度でのものである。画素電極５０と共通電極６０との間隔以上の外寸のものは、画素電極５０側及び共通電極６０側の双方に接触しており、特に大きなものは共通電極６０を貫通してその上に突出している。
【００２７】
パーティクルＰの周辺には、パーティクルＰと共通電極６０との接触部分を平面視した状態で囲う環状の部分に、図１（ｂ）に示すように共通電極６０を貫通するとともに有機機能層７０を貫通しない溝部６５が設けられている。溝部６５に囲まれる部分は、その周辺の共通電極６０から島状に切り離されている。本実施形態の溝部６５は、平面視した状態で額縁状となっている。額縁状とは、長方形の周に沿って連続しているとともに閉環している帯形状を意味する。ここでは、帯形状の幅が１０μｍ〜３０μｍ程度となっている。帯形状の幅が５μｍ以上であれば、溝部６５に囲まれる島状部とその外側の共通電極６０とを確実に導通しなくすることができる。帯形状の幅が３０μｍ以下であれば、有機ＥＬ装置１００を画像表示装置として用いた場合に、溝部６５が視認されにくくなる。また、溝部６５の深さは、共通電極６０の厚さと同程度となっている。
【００２８】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１００は、ＴＦＴ４０をスイッチング素子として機能させて、データ線駆動回路からの電気信号を所定のタイミングで画素電極５０に伝達させることができるようになっている。画素電極５０に電気信号が伝達されると、画素電極５０と共通電極６０との間に電気信号に応じた電圧が印加され、有機機能層７０に電気信号に応じた光（発光光）を生じる。このように、所望のタイミングで所定の光が得られるようになっており、この光を画像表示や画像形成に用いることができるようになっている。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を、前記有ＥＬ装置１００に基づいて説明する。
図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。有機ＥＬ装置１００は多数の画素を有しているが、図２（ａ）〜（ｄ）には、１つの画素の特に図１（ｂ）に示した部分となる部分を示している。
【００３０】
まず、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０を形成する。例えば、ガラス等からなる基板上に、図１（ａ）に示した走査線３０及び容量線３１を形成し、これらを覆ってゲート絶縁膜を形成する。次いで、走査線３０と重なり合う部分のゲート絶縁膜上に半導体層４１を形成する。次いで、半導体層４１の一端に接続するソース２１を形成するとともに、ソース２１と一体にデータ線２０を形成し、かつ半導体層４１の他端に接続するドレイン４２をソース２１及びデータ線２０と一括して形成する。次いで、半導体層４１を覆って層間絶縁膜を形成した後、層間絶縁膜を貫通して半導体層４１のドレイン４２を露出させる画素コンタクトホール４３を形成する。これらの形成は、公知の形成材料や形成方法を用いることができる。
【００３１】
次に、画素コンタクトホール４３の内側に接続導電部を形成するとともに、前記層間絶縁膜上に画素電極５０を形成する。例えば、画素コンタクトホール４３の内側及び層間絶縁膜上にＩＴＯを成膜するとともにこの膜をパターニングすることにより、接続導電部と画素電極５０と一体に形成することができる。なお、画素電極５０を形成時に、図２（ｂ）に示すように画素電極５０上にパーティクルが付着してしまうことがある。例えば、ＴＦＴ基板１０をメタルマスク等のマスクパターンで覆った状態で、ＩＴＯを蒸着法により成膜して画素電極を形成した場合には、メタルマスクの一部が剥がれてパーティクルとなったり、メタルマスクに付着したＩＴＯの塊がメタルマスクから脱離してパーティクルとなったりすることがある。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、画素電極５０を覆って正孔注入層７１を形成し、正孔注入層７１を覆って有機発光層７２を形成して、正孔注入層７１及び有機発光層７２からなる有機機能層７０を形成する。正孔注入層７１や有機発光層７２は、前記したような形成材料を塗布法や液滴吐出法等の液相法や、蒸着法等の気相法等を用いて形成することができる。そして、有機機能層７０を覆って共通電極６０を形成する。共通電極６０は、通常の製造方法と同様に蒸着法を用いて形成する。すなわち、有機機能層７０をメタルマスク等で覆った状態で、ここに銀・マグネシウムを蒸着法で成膜して共通電極６０を形成する。共通電極６０の形成過程においても、画素電極５０の形成時と同様に、画素電極５０上にパーティクルが付着してしまうことがある。
【００３３】
次に、画素電極５０、有機機能層７０、及び共通電極６０が形成された、有機ＥＬ装置１００の中間体１００Ａを検査して、パーティクルを検出しその位置を特定する。そのために、まずパーティクルが付着した画素を検出する。パーティクルが付着した画素を検出する方法としては、画素電極５０と共通電極６０との間に所定の電圧を印加して、画素電極５０と共通電極６０との間に流れる電流の値、あるいは有機機能層７０の発光強度を計測する方法が挙げられる。
【００３４】
例えば、ＴＦＴ基板１０を機能させて画素ごとに所定の電圧を印加するとともに、電圧が印加された画素の共通電極６０に電流計のプローブを接触させてここに流れる電流の値を測定する。画素電極５０と共通電極６０との間に導電性のパーティクルが付着している場合には、付着していない場合よりも電極間の抵抗値が小さくなるため、ここに流れる電流の値が大きくなる。したがって、測定された電流値が所定の値よりも大きくなっている画素を検出することで、パーティクルが付着した画素を検出することができる。
また、例えば複数の画素において画素電極５０と共通電極６０との間に所定の電圧を一括して印加し、画素ごとの発光強度を計測する。画素電極５０と共通電極６０との間にパーティクルが付着している場合には、有機機能層７０に所定の電圧が印加されない。そのため、パーティクルが付着していない場合よりも有機機能層７０に供給される電子やホールの数が激減し、有機機能層７０の発光強度が格段に弱くなる。したがって、発光強度が弱い画素を検出すれば、パーティクルが付着した画素を検出することができる。
【００３５】
次に、有機ＥＬ装置を構成する複数の画素のうち、パーティクルが付着した画素のみを検査してパーティクルの位置を特定する。ここでは、検査する画素に、画素電極５０側が共通電極６０側よりも電圧が低くなるように逆バイアスの電圧を印加し、リーク箇所の発光をエミッション顕微鏡で検出して、パーティクルの位置を特定する。有機機能層７０は、逆バイアスの電圧によってはほとんど発光しないが、パーティクルによりリークを生じた部分には電流が流れてリーク箇所に微弱な光を生じる。この光の位置を検出することより、パーティクルの位置を特定することができる。
【００３６】
次に、図４（ｄ）に示すように、検出されたパーティクルＰの周辺に選択的にレーザー光を照射して図１（ａ）、（ｂ）に示した溝部６５を形成する。レーザー光を照射する方法としては、レーザー光を発する光源と中間体１００Ａとの相対位置を変化させながら、溝部を（形成）描画する方法や、前記光源と中間体１００Ａとの間に、透光部及び遮光部を有するフォトマスクを配置し、透光部全体を通してレーザー光を照射する方法等が挙げられる。フォトマスクは、例えば透光性が高い基板上に、選択的に遮光部が形成されているものであり、遮光部の非形成部が透光部となっている。ここでは、額縁状の透光部２１０を有するフォトマスク２００を用いて、レーザー光を照射する。額縁状とは、長方形の周に沿って連続しているとともに閉環している帯形状であり、ここでは帯形状の幅が１０μｍ〜３０μｍ程度となっている。なお、図４（ｄ）には、フォトマスクうち、前記透光性が高い基板等を省略して遮光部２１０のみを示しており、遮光部２１０の間が透光部２２０となっている。
【００３７】
まず、フォトマスク２００を共通電極６０と前記光源との間に配置するとともに、検出されたパーティクルＰの位置に基づいて、パーティクルＰが透光部２２０に囲まれる部分の遮光部２１０と重なり合うように、中間体１００Ａとフォトマスク２００との相対位置を定める。そして、フォトマスク２００の透光部２２０とその周辺の遮光部２１０の一部を含んだ領域に一括してＹＡＧレーザー光Ｌを照射する。ここでは、第３光調波（波長３５７ｎｍ）のＹＡＧレーザー光Ｌを用いるとともに、そのエネルギーが０．５ｍＪ以上２ｍＪ以下、好ましくは１．０ｍＪ以上１．５ｍＪ以下となるように設定する。
【００３８】
ＹＡＧレーザー光Ｌは、遮光部２１０では遮られるとともに透光部２２０ではその全体を通って、透光部２２０の位置や形状に対応した部分の共通電極６０に照射される。ＹＡＧレーザー光Ｌが照射された部分の共通電極６０は、ＹＡＧレーザー光Ｌによりエネルギーを付与されて溶融・蒸発し、この部分が削られて透光部２２０の形状が転写された額縁状の溝部６５となる。一般に、金属材料のＹＡＧレーザー光吸収率はＣＯ２レーザー光吸収率の数倍であるので、ＹＡＧレーザー光を照射すればＣＯ２レーザー光を照射するよりも効率よく共通電極６０を削ることができる。
【００３９】
所定の条件下においてＹＡＧレーザー光Ｌが共通電極６０を削る速度は、予め調べておくことができる。本実施形態ではこれに基づいてＹＡＧレーザー光Ｌを照射する時間を制御することにより、共通電極６０あるいは有機機能層７０を削る深さを制御し、共通電極６０を貫通するとともに有機機能層７０を貫通しない溝部６５を形成する。ＹＡＧレーザー光のエネルギーが１．０ｍＪ以上となるように設定しているので、共通電極６０が削られる速度を確保することができる。また、ＹＡＧレーザー光のエネルギーが１．５ｍＪ以下となるように設定しているので、溝部６５の深さを高精度とすることができる。
【００４０】
なお、共通電極６０が削られる際にこれが発熱することにより、溝部６５の下層の有機機能層７０が損傷してしまう場合もあるが、ＹＡＧレーザー光Ｌを用いて効率よく共通電極６０を削るようにしており、かつＹＡＧレーザー光Ｌのエネルギーが０．５ｍＪ以上となるように設定して共通電極６０が削られる速度を確保しているので、有機機能層７０の損傷を最小限度とすることができる。このようにして、図１（ａ）、（ｂ）に示した溝部６５を良好に形成することができる。溝部６５が形成された中間体１００Ａに、必要に応じて保護膜等を形成することやカラーフィルタ基板を貼り合せること、データ線駆動回路や走査線駆動回路等を設けること等により有機ＥＬ装置１００が得られる。
【００４１】
以上のような本発明の電気光学装置の製造方法にあっては、所定の処理により検出された画素電極（第１電極）５０と共通電極（第２電極）６０との間のパーティクルＰの周辺に、パーティクルＰを環状に囲む溝部６５を形成することができる。溝部６５は、有機機能層７０を貫通しないように形成しているので、溝部６５内に画素電極５０が露出することがない。したがって、ＹＡＧレーザー光Ｌを照射されて溶融した共通電極６０の形成材料が画素電極５０と接触することがなく、溶融した共通電極６０の形成材料により共通電極６０と画素電極５０が電気的に接続されてしまうことがない。よって、新たなリーク箇所を生じることなく溝部６５を形成することができ、パーティクルＰと接触した部分の共通電極６０をその周辺から島状に切り離すことができる。これにより、リーク箇所を良好に修復することができ、良好な歩留りで電気光学装置を製造することができる。
【００４２】
このようにして得られた本発明の電気光学装置にあっては、リーク箇所が良好に修復されているので、有機機能層（電気光学物質層）７０に所定の電圧を印加することができ、これを良好に機能（発光）させることができるようになっている。したがって、有機機能層７０を良好に発光させて所望の光を得ることができ、この光を画像表示や画像形成に用いることができるようになっている。よって、良好な画像表示や画像形成が可能とされた良好な有機ＥＬ装置（電気光学装置）となっている。
【００４３】
なお、前記実施形態では、平面視した溝部６５の形状を額縁状としたが、パーティクルＰを環状に囲っていればよく、例えば円環状であってもよいし、環状の内側が３角形や５角以上の多角形となる環状であってもよい。また、溝部の深さとしては、前記実施形態の溝部６５よりも深くしてもよい。例えば、有機発光層７２を貫通し、かつ正孔注入層７１を貫通しないようにしてもよい。有機発光層７２における溝部の深さを浅くすれば、ＹＡＧレーザー光Ｌを照射する時間を短縮することができるので、有機機能層７０の損傷を少なくすることができるし、これより溝部を深くすれば溶融した共通電極６０の形成材料を溝部に貯留することができる。これにより、溝部に囲まれる部分と、その外側とを確実に導通させなくすることができる。
【００４４】
［電子機器］
次に、本発明の電気光学装置を備えた電子機器の例について説明する。
図３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図３に示すように、携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と、受話口１３０３と、送話口１３０４と、本発明の有機ＥＬ装置からなる表示部１３０１と、を備えている。この携帯電話機１３００によれば、本発明の電気光学装置を備えているので、暗点等のない良好な表示が得られる電気光学装置を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における電気光学装置を備えた電子機器としては、前記携帯電話機１３００の他に、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ＰＤＡ、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイ等を挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は、電気光学装置の要部を示す平面図、（ｂ）は、断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、電気光学装置の製造方法を示す断面工程図である。
【図３】本発明の電子機器の一例を示した斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
５０・・・画素電極（第１電極）、６０・・・共通電極（第２電極）、７０・・・有機機能層（電気光学物質層）、６５・・・溝部、１００・・・有機ＥＬ装置（電気光学装置）、２００・・・フォトマスク、２１０・・・遮光部、２２０・・・透光部、Ｐ・・・パーティクル（異物）、Ｌ・・・ＹＡＧレーザー光（レーザー光）
【図１】
2009140627.tif 000003
【図２】
2009140627.tif 000004
【図３】
2009140627.tif 000005