(57)【要約】【課題】多重露光後の最終パターン上での寸法精度を改善することが可能なフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】このフォトマスクの製造方法は、パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクのうち前記第１のフォトマスクを、対応する設計データに基づいて第１のマスクパターンを描画して製造し、前記第１のフォトマスクの前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定し、前記第１のマスクパターンの位置誤差から系統的位置誤差を算出する算出し、前記第２のフォトマスクに対応する設計データに基づいて、前記系統的位置誤差が反映された座標系を基準に第２のマスクパターンを描画して前記第２のフォトマスクを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクのうち前記第１のフォトマスクを、対応する設計データに基づいて第１のマスクパターンを描画して製造する第１のフォトマスク製造工程と、
前記第１のフォトマスクの前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定する測定工程と、
前記第１のマスクパターンの位置誤差から系統的位置誤差を算出する算出工程と、
前記第２のフォトマスクに対応する設計データに基づいて、前記系統的位置誤差が反映された座標系を基準に第２のマスクパターンを描画して前記第２のフォトマスクを製造する第２のフォトマスク製造工程とを含むフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１のフォトマスクに形成されているパターンと前記第２のフォトマスクに形成されているパターンは、半導体基板上の同一の層に形成されるパターンであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第２のフォトマスク製造工程は、前記系統的位置誤差から描画位置補正係数を導出し、前記描画位置補正係数を適用して前記第２のマスクパターンを描画することにより前記第２のフォトマスクを製造する請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第１のフォトマスク製造工程は、複数の位置誤差測定用のマークを含む前記第１のフォトマスクを製造し、
前記測定工程は、前記複数の位置誤差測定用のマークの前記設計データ上の位置からのずれ量を検出することにより、前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定する請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法によって製造された前記第１及び第２のフォトマスクを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記第１のフォトマスクを用いて前記半導体基板上の所定の層に第１のパターンを形成し、
前記第２のフォトマスクを用いて前記所定の層に第２のパターンを形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体装置の製造に用いられるフォトマスクの製造方法、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、感光剤を塗布したウェハ上にフォトマスクに形成されたパターンを光露光装置を用いて転写露光し、現像、エッチング等の処理を行うことにより、ウェハ上に所望のパターンを形成するという手法が広く用いられている。
【０００３】
半導体装置の構造は階層的になっているため、通常は、ウェハ上の各層に対応するフォトマスクを用いて上記手順を複数回繰り返すことにより半導体装置が製造される。一般的には、ウェハ上の１つの層に対応するフォトマスクは１つであるが、パターンの微細化により、光露光装置による分解能以下の微細パターンを製造する必要から、ウェハ上１層のパターンを作成するために複数のフォトマスクを使用する多重露光と呼ばれる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載された光露光装置は、ウェハ上の同一層に形成するパターンが周期的パターンと孤立パターンとが混じったものの場合に、周期的パターンに対応する第１のパターンを有する第１のフォトマスクと孤立パターンに対応する第２のパターンを有する第２のフォトマスクを用い、フォトマスク毎に露光条件を最適化させて二重露光を行っている。
【０００５】
２つのフォトマスクを使用して互いのパターンを補間するように露光することにより、微細なパターンの加工が可能となる。一方で、パターンの微細化と共にフォトマスクに対する要求精度、特に、寸法精度に対する要求精度が厳しくなってきている。通常はフォトマスク上のパターンの位置精度に対する要求は、寸法精度に対する要求と比べるとゆるいものであるが、多重露光技術を用いた場合、フォトマスク上のパターンの位置変動はウェハ上では寸法変動として検出されることとなるため、ウェハ上の同一層の加工に用いられるフォトマスクの位置精度に関しては、寸法精度と同等の精度が要求されることとなる。
【０００６】
しかし、露光条件を最適化させただけでは、更なるパターンの微細化に対応した位置精度を達成することはできない。
【特許文献１】特開平１１−１１１６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の目的は、多重露光後の最終パターン上での寸法精度を改善することが可能なフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下のフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
［１］パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクのうち前記第１のフォトマスクを、対応する設計データに基づいて第１のマスクパターンを描画して製造する第１のフォトマスク製造工程と、前記第１のフォトマスクの前記第１のマスクパターンの位置誤差を測定する測定工程と、前記第１のマスクパターンの位置誤差から系統的位置誤差を算出する算出工程と、前記第２のフォトマスクに対応する設計データに基づいて、前記系統的位置誤差が反映された座標系を基準に第２のマスクパターンを描画して前記第２のフォトマスクを製造する第２のフォトマスク製造工程とを含むフォトマスクの製造方法を提供する。
【００１０】
［２］上記［１］に記載のフォトマスクの製造方法によって製造された前記第１及び第２のフォトマスクを用いて半導体装置を製造する方法であって、前記第１のフォトマスクを用いて前記半導体基板上の所定の層に第１のパターンを形成し、前記第２のフォトマスクを用いて前記所定の層に第２のパターンを形成する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、多重露光後の最終パターン上での寸法精度を改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法に用いられる電子線描画システムの概略の構成を示すブロック図である。
【００１３】
（電子線描画システム）
この電子線描画システム１は、計算機２と、マスク基板４上のレジストに電子線を照射してパターンを描画する電子線描画装置３とを備える。
【００１４】
（計算機）
計算機２は、抽出部２０と、補正係数演算部２１とを備える。
【００１５】
抽出部２０は、半導体装置を製造するための１セットのＣＡＤ（Computer Aided Design）データ（設計データ）から、半導体装置の同一の層に最終パターンを形成するのに用いられる第１及び第２のフォトマスクの第１及び第２のパターンデータ６Ａ，６Ｂを抽出する。なお、ＣＡＤデータから抽出するパターンデータは、２つに限られず、３つ以上の場合もある。
【００１６】
ここで、「第１のパターンデータ」とは、半導体装置の同一の層に最終パターンを形成するのに用いられる複数のフォトマスクのうち、先に用いられるフォトマスク（第１のフォトマスク）のパターンデータをいい、二重露光の場合は、最初に用いられるフォトマスクのパターンデータであるが、二重露光以外の多重露光の場合は、最初に用いられるフォトマスクのパターンデータに限られない。「第２のパターンデータ」とは、第１のフォトマスクの後に用いられるフォトマスク（第２のフォトマスク）のパターンデータをいい、二重露光の場合は、第１のフォトマスクの次に用いられるフォトマスクのパターンデータであるが、二重露光以外の多重露光の場合は、第１のフォトマスクの次に用いられるフォトマスクのパターンデータに限られない。
【００１７】
ＣＡＤデータは、半導体装置を構成する層を示す情報に関連付けられたパターンデータからなる。抽出部２０は、層を示す情報に基づいて上記パターンデータ６Ａ，６Ｂの抽出を行う。
【００１８】
また、抽出部２０は、パターンデータから設計データ上のマークの位置のデータ（マーク位置設計データ）を抽出し、マーク位置設計データと補正対象の情報（第２のパターンデータ６Ｂの情報）を補正係数演算部２１に出力する。
【００１９】
補正係数演算部２１は、抽出部２０によって抽出されたマーク位置設計データとフォトマスク上のマークの位置を測定したデータ（マーク位置測定データ）を入力して、設計データ上のマークの位置に対するフォトマスク上のマークの位置誤差のうち系統的位置誤差を算出して描画位置補正係数を導出し、補正対象の情報（第２のパターンデータ６Ｂの情報）とともに電子線描画装置３に出力する。
【００２０】
ここで、系統的位置誤差について説明する。フォトマスク上で測定されるマークの位置誤差は、ランダムな位置誤差と系統的位置誤差に分類することができる。このうち、「系統的位置誤差」は、フォトマスク上のマークの位置等をパラメータとして、多項式等により傾向を近似することが可能な位置偏差のことであり、関数によって表現することができる。
【００２１】
計算機２は、ハードウェアにより抽出部２０及び補正係数演算部２１を実現してもよく、ＣＰＵと第１及び第２のパターン６Ａ，６Ｂの抽出、系統的位置誤差の算出、及び描画位置補正係数の導出を実行させるためのプログラムにより実現してもよい。プログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を介して計算機２に提供してもよく、インターネット等のネットワークを介して計算機２に提供してもよい。
【００２２】
（電子線描画装置）
電子線描画装置３は、描画装置本体３０を有し、この描画装置本体３０内に、電子線３０２を出射する電子銃３０１と、電子線３０２を偏向する偏向器３０３と、マスク基板４をマスク基板４の表面上の互いに直交するｘ方向及びｙ方向に移動させる移動機構を有するｘｙステージ３０４とを備える。
【００２３】
また、電子線描画装置３は、この装置３全体を制御する主制御部３１と、パターンデータを記憶するパターンデータ記憶部３２と、描画位置補正係数を補正対象の第２のパターンデータ６Ｂの情報とともに記憶する補正係数記憶部３３と、第１及び第２のパターンデータ６Ａ，６Ｂを電子線描画装置３用の描画データ、すなわち電子線によるショット位置、ショット回数等からなる描画データに変換する描画データ変換部３４と、描画データに基づいて偏向器３０３を制御する偏向制御部３５と、ｘｙステージ３０４を制御するステージ制御部３６とを備える。
【００２４】
（マスク基板）
マスク基板４は、例えば、石英ガラス等の透明基板上にクロム等の金属からなる遮光膜を成膜したものである。マスク基板４上にレジストを塗布し、その上から電子線を照射して描画した後、現像、エッチング、レジスト剥離等のリソグラフィプロセスを経てフォトマスクが製造される。
【００２５】
（フォトマスクの製造方法）
次に、図１に示す電子線描画システムを用いたフォトマスクの製造方法の一例について、図２〜図４を参照して説明する。
【００２６】
図２は、フォトマスクの製造工程の一例を示すフローチャート、図３（ａ）、（ｂ）は、第１及び第２のパターンデータを示す図、図３（ｃ）は、第１の描画データを示す図、図４（ａ）〜（ｃ）は、第１のフォトマスク上のマーク位置の測定結果に基づいて第２のフォトマスクを製造する工程を示す図である。
【００２７】
半導体装置を製造するための１セットのＣＡＤデータを計算機２に入力し、抽出部２０によりＣＡＤデータから半導体装置の同一の層の加工に用いられる、第１のパターンデータ６Ａと第２のパターンデータ６Ｂを抽出する（ＳＴ１）。
【００２８】
第１のフォトマスクを形成するための第１のパターンデータ６Ａは、図３（ａ）に示すように、半導体装置のチップパターン（図示せず）とチップパターンを避けるように配置された位置誤差測定用の複数のマーク６０ａが含まれている。ここで、位置誤差測定用の複数のマーク６０ａは、例えば格子状に配置されている。第２のフォトマスクを形成するための第２のパターンデータ６Ｂも、第１のパターンデータ６Ａと同様に、図３（ｂ）に示すように、半導体装置のチップパターン（図示せず）とチップパターンを避けるように配置された位置誤差測定用の複数のマーク６０ｂが含まれている。ここで、位置誤差測定用の複数のマーク６０ｂも、例えば格子状に配置される。
【００２９】
また、抽出部２０は、ＣＡＤデータから第１のパターンデータ６Ａ上のマークの位置データ（マーク位置設計データ）を抽出し、抽出したマーク位置設計データを補正対象の情報（第２のパターンデータ６Ｂ）とともに補正係数演算部２１に出力する。
【００３０】
なお、第１のパターンデータ６Ａ上のマーク６０ａの位置と第２のパターンデータ６Ｂ上のマーク６０ｂとの相対的位置は、一致していても、一致していなくてもよい。また、マーク６０ａ，６０ｂの代わりに、チップパターンの周縁の角や直線同士が交差する点等をマーク位置として用いてもよい。
【００３１】
第１及び第２のパターンデータ６Ａ，６Ｂを電子線描画装置３のパターンデータ記憶部３２に記憶させ、電子線描画装置３により第1のパターンデータ６Ａに基づく第１のフォトマスクを製造する（ＳＴ２）。第１のフォトマスクを製造するに当たっては一般に用いられている工程をそのまま使用してよい。
【００３２】
ここでは、主制御部３１は、パターンデータ記憶部３２から第１のパターンデータ６Ａを読み出し、第１のパターンデータ６Ａを描画データ変換部３４により、図３（ｃ）に示すように、電子線描画装置３用の第１の描画データ７Ａに変換させる。偏向制御部３５は、第１の描画データ７Ａに基づいて電子銃３０１から出射された電子線３０２を偏向し、ステージ制御部３６は、主制御部３１の制御によりｘｙステージ゛３０４を制御する。電子線３０２によってマスク基板４上のレジストを描画し、現像等のリソフラフィプロセスを経て図４（ａ）に示す第１のフォトマスク８Ａが製造される。
【００３３】
図４（ａ）では、第１のフォトマスク８Ａ上のマーク８０ａが設計データ上のマーク６０ａ（第１の描画データ上のマーク７０ａ）の位置から同図中の矢印方向にずれて形成された場合を模式的に示している。
【００３４】
次に、第１のフォトマスク８Ａ上に形成されたマーク８０ａの位置を電子顕微鏡等の光学手段により測定する。
【００３５】
測定したマーク８０ａの位置データ（マーク位置測定データ）を補正係数演算部２１に入力する。補正係数演算部２１は、抽出部２０により抽出されたマーク位置設計データと入力されたマーク位置測定データに基づいて、設計データ上のマーク６０ａの位置に対する第１のフォトマスク８Ａ上のマーク８０ａの系統的位置誤差を算出する（ＳＴ３）。
【００３６】
続いて、補正係数演算部２１は、系統的位置誤差から描画位置補正係数を導出し、描画位置補正係数及び補正対象の情報（第２のパターンデータ６Ｂ）を電子線描画装置３に出力する（ＳＴ４）
【００３７】
設定データ上のマーク６０ａからの第１のフォトマスク８Ａ上のマーク８０ａのｘ方向の変位量をｄｘ、ｙ方向の変位量をｄｙとすると、ｄｘ、ｄｙは、
2009217010.tif 000003
で表すことができる。ここで、（ｘ，ｙ）は設定データ上のパターンの座標を指している。但し、ｆ（ｘ，ｙ）、ｇ（ｘ，ｙ）は、例えば、次の多項式からなる４次関数で表すことができる。なお、ｆ（ｘ，ｙ）、ｇ（ｘ，ｙ）は、４次関数に限られず、系統的位置誤差の傾向に応じた次数の関数を用いてもよい。
2009217010.tif 000004
ここで、ｄｘの関数ｆ（ｘ，ｙ）の係数ａ０〜ａ１４、及びｄｙの関数ｇ（ｘ，ｙ）の係数ｂ０〜ｂ１４は、描画位置補正係数として補正係数記憶部３３に記憶される。
【００３８】
図４（ｂ）は、補正後のマークの位置を示す。描画データ変換部３４は、主制御部３１の制御の下で、第２のパターンデータ６Ｂを第２の描画データ７Ｂに変換する際に、補正係数記憶部３３に記憶されている第２のパターンデータ６Ｂ用の描画位置補正係数に基づいて、第１のフォトマスク８Ａが有する系統的位置誤差が反映した座標系を基準に第２の描画データ７Ｂに変換する。これにより、設計データ上のマーク６０ｂの位置が第２の描画データ７Ｂ上のマーク７０ｂの位置に移動する。すなわち、描画位置補正係数が電子線描画装置３に適用され、第２の描画データ７Ｂが第１のフォトマスク７Ａが有する系統的位置誤差と同じ系統的位置誤差を有することになる。
【００３９】
なお、第２の描画データ７Ｂが有する系統的位置誤差は、第１のフォトマスク７Ａが有する系統的位置誤差と同じでなくても、両者の系統的位置誤差の傾向が同じであればよい。
【００４０】
次に、第２の描画データ７Ｂに基づいて、第１のフォトマスク８Ａと同様にして図４（ｃ）に示す第２のフォトマスク８Ｂを製造する（ＳＴ５）。
【００４１】
第２のパターンデータ６Ｂに対する系統的位置誤差が第１のパターンデータ６Ａに対する系統的位置誤差とは逆傾向だとすると、第２のフォトマスク８Ｂ上のマーク８０ｂは、図４（ｃ）に示すように、第２のフォトマスク８Ｂ上のマーク８０ｂが第２の描画データ７Ｂ上のマーク７０ｂの位置から図４（ｂ）とは逆方向の同図中の矢印方向にずれて形成される。
【００４２】
（ウェア上へのパターンの形成方法）
次に、ウェハ上へのパターンの形成方法の一例について、図５〜図７を参照して説明する。
【００４３】
図５は、ウェア上へのパターンの形成工程の一例を示すフローチャート、図６は、ウェハ上のマークの位置を示す図、図７（ａ）〜（ｃ）は、比較例を示す図である。
【００４４】
第１のフォトマスク８Ａを用いてウェハ上を露光した後（ＳＴ１０）、現像等のプロセス処理によりウェハ上に第１のパターンを形成する（ＳＴ１１）。次に、第２のフォトマスク８Ｂを用いて第１のパターンを形成したのと同一のウェハ上を露光した後（ＳＴ１２）、現像等のプロセス処理によりウェハ上に第２のパターンを形成する（ＳＴ１３）。他の層についても、以上と同様の工程を繰り返すことにより、半導体装置が製造される。
【００４５】
図６に示すように、ウェハ９には、図４（ａ）に示す第１のフォトマスク８Ａによるマーク９０ａと図４（ｃ）に示す第２のフォトマスク８Ｂによるマーク９０ｂが形成される。マーク９０ａとマーク９０ｂとの最大のずれ量をＬ１とする。
【００４６】
（比較例）
次に、第２のパターンデータ６Ｂに基づく第２の描画データ７Ｂを描画位置補正係数により補正せずに第２のフォトマスク８Ｂを製造した比較例について説明する。前述したように、第２のパターンデータ６Ｂに基づく第２のフォトマスク８Ｂが第１のパターンデータ６Ａに基づく第１のフォトマスク８Ａとは逆傾向の系統的位置誤差を有しているとする。第２のパターンデータ６Ｂを描画位置補正係数により補正せずに図７（ａ）に示す第２の描画データ７０ｂに変換し、第２の描画データ７Ｂに基づいて第２のフォトマスクを製造すると、図７（ｂ）に示すように、第２のフォトマスク８Ｂ上のマーク８０ｂの位置が、設計データ上のマーク６０ｂからずれて形成される。
【００４７】
図４（ａ）に示す第１のフォトマスク８Ａによりウェハ上にマークを形成し、図７（ｂ）に示す第２のフォトマスク８Ｂによりウェハ上にマークを形成すると、図７（ｃ）に示すように、ウェハ９には、第１のフォトマスク８Ａによるマーク９０ａと第２のフォトマスク８Ｂによるマーク９０ｂが形成され、マーク９０ａとマーク９０ｂとの最大のずれ量がＬ２となる。図７（ｃ）に示すずれ量Ｌ２は、逆傾向の系統的位置誤差同士が加算されたものであるため、図６に示すずれ量Ｌ１よりも大きくなることが分かる。
【００４８】
（第１及び第２のパターンの例）
次に、第１及び第２のパターンの一例について、図８及び図９を参照して説明する。なお、図８及び図９では、マークの図示を省略している。
【００４９】
図８は、ウェハ上にライン状のパターンを形成する場合を示し、図８（ａ）は、第１のパターンを形成する工程を示す斜視図、図８（ｂ）は、第２のパターンを形成する工程を示す斜視図である。ライン状の第１のマスクパターン８１ａを有する第１のフォトマスク８Ａを用いて露光し、現像、エッチングを経てウェハ９上にライン状の第１のパターン９１ａが形成される。第１のマスクパターン８１ａの間に位置するライン状の第２のマスクパターン８１ｂを有する第２のフォトマスク８Ｂを用いて露光し、現像、エッチングを経てウェハ９上にライン状の第２のパターン９１ｂが形成される。
【００５０】
図９（ａ）は、千鳥状に矩形状パターンが配列している場合を示す。ウェハ９に、第１のフォトマスクにより、格子状に配列された矩形状の第１のパターン９１ａを形成し、第１のパターン９１ａの間に位置するように、第２のフォトマスクにより、格子状に配列された矩形状の第２のパターン９１ｂを形成してもよい。このような構成は、例えば、上層のパターンと下層のパターンとを接続するコンタクトを形成する場合に適用することができる。
【００５１】
図９（ｂ）は、第１のフォトマスクによる第１のパターン９１ａと第２のフォトマスクによる第２のパターン９１ｂとが接触又は近接している場合を示す。ウェハ９に形成する第１のフォトマスクによる第１のパターン９１ａと第２のフォトマスクによる第２のパターン９１ｂは、図９（ｂ）に示すように、一部が接触又は近接していてもよい。
【００５２】
図９（ｃ）は、第１のフォトマスクによる第１のパターン９１ａと第２のフォトマスクによる第２のパターン９１ｂとが一部重なる領域を有している場合を示す。第１のフォトマスクによる第１のパターン９１ａと第２のフォトマスクによる第２のパターン９１ｂは、図９（ｃ）に示すように、一部重なる領域を有していてもよい。このような構成は、例えば、第１のパターン９１ａによって形成された配線部９２ａの一部に第２のパターン９１ｂによってゲート電極部９２ｂを形成する場合に適用することができる。
【００５３】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、二重露光に使用する２つのフォトマスクの系統的位置誤差を揃えることにより、露光後の最終パターン上の寸法精度を改善することができる。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々な変形が可能である。
【００５５】
例えば、上記実施の形態では、二重露光に使用する２つのフォトマスクを製造する場合について説明したが、本発明は、多重露光に使用する３つ以上のフォトマスクを製造する場合にも適用することができる。
【００５６】
また、電子線描画装置の他に、Ｘ線、レーザ光等を用いた描画装置でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るフォトマスクの製造方法に用いられる電子線描画システムの概略の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、フォトマスクの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、第１及び第２のパターンデータを示す図、図３（ｃ）は、第１の描画データを示す図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、第１のフォトマスクの測定結果に基づいて第２のフォトマスクを製造する工程を示す図である。
【図５】図５は、ウェア上へのパターンの形成工程の一例を示すフローチャートである。
【図６】図６は、ウェハ上のマークの位置を示す図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は、比較例を示す図である。
【図８】図８は、ウェハ上にライン状のパターンを形成する場合を示し、図８（ａ）は、第１のパターンを形成する工程を示す斜視図、図８（ｂ）は、第２のパターンを形成する工程を示す斜視図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、第１及び第２のパターンの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  電子線描画システム、２  計算機、３  電子線描画装置、４  マスク基板、
６Ａ  第１のパターンデータ、６Ｂ  第２のパターンデータ、７Ａ  第１の描画データ、
７Ｂ  第２の描画データ、８Ａ  第１のフォトマスク、８Ｂ  第２のフォトマスク、
９  ウェハ、２０  抽出部、２１  補正係数演算部、３０  描画装置本体、
３１  主制御部、３２  パターンデータ記憶部、３３  補正係数記憶部、
３４  描画データ変換部、３５  偏向制御部、３６  ステージ制御部、
６０ａ，６０ｂ  マーク、７０ａ，７０ｂ  マーク、８０ａ，８０ｂ  マーク、
８１ａ  第１のマスクパターン、８１ｂ  第２のマスクパターン、
９０ａ，９０ｂ  マーク、９１ａ  第１のパターン、９１ｂ  第２のパターン、
９２ａ  配線部、９２ｂ  ゲート電極部、３０１  電子銃、３０２  電子線、
３０３  偏向器、３０４  ｘｙステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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