(57)【要約】【課題】垂直磁気記録ヘッドにおいて、高密度記録を実現するためには、記録磁界強度と磁界勾配を共に高める必要がある。さらに、隣接トラックへの記録磁界のにじみを少なくする必要がある。【解決手段】垂直磁気記録ヘッド１は、記録ヘッド１０と再生ヘッド３０を有し、記録ヘッド１０は主磁極１１とその周囲に配置された磁気シールド１５を有する。磁気シールド１５は、飽和磁束密度の異なる複数の軟磁性層の積層構成からなり、主磁極側に相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３が配置され、その上に相対的に低い飽和磁束密の第２軟磁性層１４が配置され、更にその上に相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層１２が配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、
前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、
浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、
前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、
前記主磁極のトレーリング側と両側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極側に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の周囲に形成された相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の周囲に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記磁気シールドの奥行き方向の最小長さよりも、前記第２軟磁性層の膜厚が大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２軟磁性層の膜厚が、前記第１軟磁性層の膜厚よりも大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第３軟磁性層の膜厚が、前記第２軟磁性層の膜厚よりも大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第１及び第３軟磁性層はＮｉＦｅＣｏ系合金からなり、前記第２軟磁性層はＮｉＦｅ系合金からなることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第３軟磁性層の奥行き方向の長さが、前記主磁極から遠ざかるにつれて長くなっていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２及び第３軟磁性層の奥行き方向の長さが、前記主磁極から遠ざかるにつれて長くなっていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項８】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極の浮上面側でかつトレーリング側に切り欠けが設けられ、前記第１及び第２軟磁性層が前記切り欠けの部分に形成され、かつ第２軟磁性層の後端部が前記非磁性層に乗り上げて形成されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項９】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極のトレーリング側に近接する部分の前記第２軟磁性層の膜厚が他の部分よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、さらに再生ヘッドを有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
主磁極と、
前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、
浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、
前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、
前記主磁極のトレーリング側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極の上部に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の上に形成された相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の上に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記磁気シールドの奥行き方向の最小長さよりも、前記第２軟磁性層の膜厚が大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２軟磁性層の膜厚が、前記第１軟磁性層の膜厚よりも大きいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第３軟磁性層の奥行き方向の長さが、前記主磁極から遠ざかるにつれて長くなっていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２及び第３軟磁性層の奥行き方向の長さが、前記主磁極から遠ざかるにつれて長くなっていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極の浮上面側でかつトレーリング側に切り欠けが設けられ、前記第１及び第２軟磁性層が前記切り欠けの部分に形成され、かつ第２軟磁性層の後端部が前記非磁性層に乗り上げて形成されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１７】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極に近接する部分の前記第２軟磁性層の膜厚が他の部分よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１８】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２軟磁性層は、前記主磁極と対向する部分を除く部分に形成されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１９】
請求項１１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、さらに再生ヘッドを有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２０】
主磁極と、
前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、
浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、
前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、
前記主磁極のトレーリング側と両側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極側に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の周囲に形成された相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層であって前記主磁極に近接する部分の膜厚が他の部分よりも小さい第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の上部に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク装置用の磁気ヘッドに係り、特に媒体面に高密度の磁気情報を記録するに好適な垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の記憶（記録）装置には、主に半導体メモリと磁性体メモリが用いられる。アクセス時間の観点から内部記憶装置に半導体メモリが用いられ、大容量かつ不揮発性の観点から外部記憶装置に磁気ディスク装置が用いられる。記憶容量は磁気ディスク装置の性能を表す重要な指標であり、近年の情報社会の発展に伴い大容量かつ小型の磁気ディスク装置が市場から要求されている。この要求に好適な記録方式に垂直記録方式がある。垂直記録方式の記録媒体の磁化方向は媒体面に対して垂直方向となるため、隣り合う磁区との間に作用する反磁界の影響が長手記録方式に比べ小さい。このため、高密度磁気情報を媒体に記録することが出来、大容量の磁気ディスクを構成することが可能である。この方式は高密度化が可能であるため従来の長手記録方式に代わって主流になると考えられている。
【０００３】
垂直記録方式において、高密度記録を実現するためには、主磁極から発生する記録磁界の勾配を急峻化する必要がある。特許文献１には、記録磁界勾配を急峻化する手段として、主磁極に対してトレーリング側に、軟磁気特性を有する磁気シールドを設ける垂直記録用磁気ヘッドが開示されている。この磁気ヘッドにおいて、さらに記録磁界勾配を急峻化するためには、主磁極と磁気シールドとの距離を狭め、かつ磁気シールドに高飽和磁束密度材を適用すれば良い。しかしながら、主磁極と高飽和磁束密度磁気シールドとの距離が狭まると、主磁極から多くの磁束を磁気シールドに流す事を意味し、強い記録磁界を得る上で障害となる。
【０００４】
特許文献２には、非磁性絶縁層を介して積層された主磁極層及びリターンパス層で構成された垂直磁気記録ヘッド装置において、記録磁界を改善するために、主磁極から近い側に、遠い側に比べて低い飽和磁束密度を有する材料の低飽和磁束密度層を形成するリターンパス層が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第４６５６５４６号明細書
【特許文献２】特開２００７−１７２７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１９に、単層の磁気シールド、飽和磁束密度の異なる軟磁性層を積層した磁気シールドにおける、有効磁界（面内成分を加味した磁界）と磁界勾配の計算結果を示す。グラフの横軸は記録ヘッド中心での有効磁界(Heff_T.C.)、縦軸は高密度記録の指標である磁化遷移幅を決める磁界勾配(dHeff_T.C.)の値を示す。また、表２にはグラフから読み取った代表値を示す。表の上段Ａは磁気シールドを飽和磁束密度1.68Tの単層（厚さ200nm）にて構成した結果を示す。中段Ｂは厚さ20nmの低飽和磁束密度1.0Tの層を下に積層し、その上に厚さ180nmの飽和磁束密度1.68Tの層を積層した構成の結果である。下段Ｃについては後述する。何れの計算結果も主磁極と磁気シールドとの磁気的な空隙（Trailing Gap）は30nmに固定している。
【０００７】
計算結果に着目すると、磁界強度Hymax（垂直成分磁界）、有効磁界強度HeffmaxともにＢの低飽和磁束密度膜を主磁極側に配する場合に強磁界が得られていることが分かる。しかしながら記録媒体の磁化遷移を決定する磁界勾配(field gradient)で比較すると（現在製品化されている一般的な垂直磁気記録媒体の動的な保磁力8KOeでの磁界勾配で比較）、低飽和磁束密度層を配するＢの場合、206KOe/umで、単層構成であるＡの227KOe/umに比べ低いことが分かる。
【０００８】
高密度記録を実現するためには、記録磁界強度と磁界勾配を共に高める必要がある。さらに、隣接トラックへの記録磁界のにじみを少なくする必要がある。
【０００９】
本発明の目的は、垂直磁気記録ヘッドにおいて、主磁極からの記録磁界を強く保ち、かつ磁界勾配を急峻化することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、垂直磁気記録ヘッドにおいて、主磁極からの記録磁界を強く保ち、かつ磁界勾配を急峻化すると共に、隣接トラックへの記録磁界のにじみが少なくすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の発明による垂直磁気記録ヘッドは、主磁極と、前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、前記主磁極のトレーリング側と両側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極側に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の周囲に形成された相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の周囲に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有する。
前記垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記磁気シールドの奥行き方向の最小長さよりも、前記第２軟磁性層の膜厚が大きく構成される。
【００１２】
本発明の第２の発明による垂直磁気記録ヘッドは、主磁極と、前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、前記主磁極のトレーリング側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極の上部に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の上に形成された相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の上に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有する。
前記第２の発明においても、前記磁気シールドの奥行き方向の最小長さよりも、前記第２軟磁性層の膜厚が大きく構成される。
【００１３】
本発明の第３の発明による垂直磁気記録ヘッドは、主磁極と、前記主磁極の浮上面と反対側に磁気的に接続された第１磁性層と、浮上面と反対側において前記第１磁性層に磁気的に接続された第２磁性層と、前記主磁極と第１磁性層と第２磁性層で構成される磁気回路を周回するコイルと、前記主磁極のトレーリング側と両側に非磁性層を介して設けられた磁気シールドと、を有し、
前記磁気シールドは飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、前記主磁極側に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層と、該第１軟磁性層の周囲に形成された相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層であって前記主磁極に近接する部分の膜厚が他の部分よりも小さい第２軟磁性層と、該第２軟磁性層の上部に形成された相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層と、を有する。
前記第３の発明においても、前記磁気シールドの奥行き方向の最小長さよりも、前記第２軟磁性層の膜厚が大きく構成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、主磁極からの記録磁界を強く保ち、かつ磁界勾配を急峻化することができる。また、隣接トラックへの記録磁界のにじみを少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図２に垂直記録方式を用いた磁気ディスク装置の基本構成を示す。同図（ａ）は、装置の平面図、（ｂ）は断面図である。記録媒体２（実際には複数の媒体２-１〜２-４が存在する）は、モータ３に直結されており、情報の入出力時に回転される。垂直磁気記録ヘッド１はサスペンション８に保持され、サスペンション８はアーム７を介してロータリーアクチュエータ４に支持される。サスペンション８は、垂直磁気記録ヘッド１を記録媒体２上に所定の力で保持する機能を有する。再生信号の処理及び情報の入出力は、装置本体に取り付けられている信号処理回路５及び記録再生用回路６により行われる。垂直磁気記録方式にて得られる再生波形（時間軸に対する再生信号の振幅変化）は長手記録方式で見られるローレンツ型波形と異なり、台形波となるため、信号処理回路、波形等価回路は面内磁気記録方式のものと異なっている。
【００１６】
垂直記録方式は記録面に対して垂直方向に磁化の容易軸を有する媒体を用いる。磁気ディスク装置の記録媒体２には、ガラスないしはアルミニューム基板が用いられる。その基板上に記録層を形成する磁性薄膜が成膜されている。垂直磁気記録ヘッド１の主磁極からの記録磁界は記録媒体２に作用し、記録層の磁化を反転させる。垂直磁気記録ではこの垂直方向の磁界成分を用いて記録を行う必要があるため、記録層と基板との間に下地軟磁性層(SUL:soft under layer)が設けられている。
【００１７】
このような記録媒体２に磁気情報を書き込むため、電磁変換作用を行う記録ヘッドが用いられる。また、磁気情報を再生するため、磁気抵抗現象ないしは、巨大磁気抵抗現象あるいは電磁誘導現象を利用した再生ヘッドが用いられる。これらの記録ヘッド及び再生ヘッドが、スライダと呼ばれる入出力用部品に設けられ、垂直磁気記録ヘッド１となる。垂直磁気記録ヘッド１は、ロータリーアクチュエータ４の回転と共に記録媒体２面上を移動し、任意の場所に位置決めされた後、磁気情報の書き込み、乃至は再生を行う。これを制御する電気回路は上記信号処理回路５と共に存在する。
【００１８】
＜実施例１＞
実施例１による垂直磁気記録ヘッド１の構成について説明する。図１は記録ヘッドを構成する主要部の拡大図である。図１(a)は記録媒体に対面する浮上面から見た図、図１(b)は図１(a)のＸ−Ｘ線断面図であり、主磁極１１の中心での断面図である。主磁極１１は浮上面９に伸張し、その断面は逆台形を有する。主磁極１１の上部（トレーリング側）に非磁性層１９−１、両側に非磁性層１９−２を介して磁気シールド１５が設けられている。磁気シールド１５は、飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、主磁極１１に近接して高い飽和磁束密度の軟磁性層（第１軟磁性層）１３が設けられ、その周囲に相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層（第２軟磁性層）１４が設けられ、第２軟磁性層１４の周囲に相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層（第３軟磁性層）１２が設けられている。記録トラック幅は、主磁極１１の上部（トレーリング側エッジ）で規定される。ここで磁気シールド１５の奥行き方向の長さd-Sは本実施例では100nmとしている。第１軟磁性層１３の膜厚は20nm、第２軟磁性層１４の膜厚（t-S1）は200nm、第３軟磁性層１２の膜厚（t-S2）は800nmである。第１軟磁性層１３の膜厚は、第２軟磁性層１４の膜厚に比べ十分に薄く設定されている。また、第２軟磁性層１４の飽和磁束密度は第３軟磁性層１２に比べ低く設定される。このシールド構成は特にトラック幅方向の磁界の広がりを抑える目的と記録磁界の勾配を急峻化する為のものである。なお、第１軟磁性層１３は、磁気シールドを形成する際のメッキシード膜を兼ねることができることは容易に理解されることである。図１(b)には主磁極１１に磁束を誘導するためのコイル１８-２が非磁性層１９−３を介して配置される様子を合わせて示す。
【００１９】
図３に上記主要部を含めた垂直磁気記録ヘッド１の断面図を示す。記録ヘッド１０及び再生ヘッド３０はスライダ基板３１上に形成される。再生ヘッド３０はスライダ基板３１上に設けられた絶縁層（下地層）３２、下部シールド３３、上部シールド３５、磁気情報を検出する再生素子３４から基本的に構成される。
【００２０】
記録ヘッド１０は、非磁性層３６により再生ヘッド３０と分離される。既に図１に示したように主磁極１１の３方には非磁性層１９−１及び非磁性層１９−２を介して第１軟磁性層１３、第２軟磁性層１４、第３軟磁性層１２が存在する。第１軟磁性層１３、第２軟磁性膜１４、第３軟磁性膜１２は磁気的に接続され、閉磁路を形成するための上部磁性層（第２磁性層）１７とも磁気的に接続される。第２磁性層１７はその後端で下部磁性層（第１磁性層）１６と磁気的に接続され、更に第１磁性層１６と主磁極１１は磁気的に接続される。これらから構成される閉磁路内にコイル１８−２が配置される。主磁極１１に効率良く磁束を導入させる目的で第２軟磁性層１７と平行に第３磁性層４２が設けられる。さらに第３磁性層４２と第１磁性層１６間にコイル１８−１が設けられる。これらコイルと磁性層との電気的な絶縁を確保する目的から絶縁層２３、２１−１、２１−２及び１９−３を配置することで、コイル１８−１及び１８−２に所定の電流を流すことができる。絶縁層２３、２１−１、２１−２としてはアルミナ層、絶縁層１９−３としては高分子樹脂層を用いることができる。以上述べた全ての素子部を保護する目的で、非磁性かつ絶縁性の保護層２４として厚さ２５μmのアルミナ層が被着される。
【００２１】
コイル１８−２に電流が流れることにより磁束は第２磁性層１７から第１磁性層１６を通して主磁極１１に導かれる。同時に、コイル１８−１に電流が流れることにより下部の磁束は第３磁性層４２から記録媒体を通り主磁極１１に導かれる。いずれの磁束も主磁極１１から発生する記録磁界を強める働きを有するが、紙面に向かって下部の磁束の流れは、再生素子３４への記録磁界の影響を弱める働きを有する。
【００２２】
ここで、第１軟磁性層１３と主磁極１１との磁気的な空隙１９−１は、主磁極１１から発生する磁束の一部を第２軟磁性層１４に戻す量を決定するものであり、記録磁界の勾配を高める機能を有する。
【００２３】
本実施例では主磁極１１として飽和磁束密度2.4T のNiFeCo系合金を用いた。膜厚は概ね160nmとした。第１軟磁性層１３には、厚さ20nmの飽和磁束密度2.28TのNiFeCo系合金を用いた。第２軟磁性層１４としては厚さ200nmの飽和磁束密度1.68TのNiFe系合金を用いた。第３軟磁性層１２には、厚さ800nmの飽和磁束密度2.4TのNiFeCo系合金を用いた。第１磁性層１６としては、膜厚1.2μmのNiFe系合金を用いた。第２磁性層１７には、膜厚1.0mのNiFe系合金を用いた。コイル１８−１，１８−２には、膜厚２μmの銅を用いた。
【００２４】
次に図４を参照して、上記実施例において、強記録磁界、高磁界勾配が達成できる理由について説明する。図４(a)に、相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４の上に相対的に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層１２を積層したシールド構成を基本として、主磁極側に薄く(20nm)相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を挿入した場合の有効磁界、磁界勾配の計算結果を示す。また、図４(b)にこの計算結果を数値として示す。計算は、相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を挿入したケース：Ａ、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層を挿入したケース：Ｃ、いずれも挿入しないケース：Ｂの計３種について行った。
【００２５】
図４(a)の横軸Heff_T.C.は記録ヘッド中心での有効磁界の値、縦軸dHeff_T.C.はヘッド磁界勾配の値を示す。図４(b)には記録ヘッドの有効磁界の最大値：Heffmaxと、有効磁界８KOeでの磁界勾配の値dHeffmaxTrackCenterを示す。結果に着目すると、高飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を挿入したＡのケースは、第１軟磁性層１３を挿入しないＢのケースに比べ磁界勾配が高くなることが分かる。この傾向は、低飽和磁束密度の軟磁性層を挿入したＣのケースと比べると顕著であり、主磁極側に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を挿入した効果と言える。
【００２６】
また、図１９(b)に示した単に２層構成の場合と比較すると、図１９(b)では、軟磁性層の下に相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層を挿入したＢのケースで、軟磁性層の下に相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層を挿入したケースＣに比べ高い磁界強度が得られている。これに対し、上記実施例１（図４のＡのケース）では主磁極１１から遠い部分に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２が設けられており、その効果として、相対的に高い磁界強度が得られている事がわかる。
【００２７】
このように、上記実施例１によれば、主磁極側に相対的に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を設けることにより、高い磁界勾配を得ることができる。さらに、その膜厚を薄く設定することで磁界強度の劣化を防ぐことが出来る。また、相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２を主磁極から遠い部分に厚く設けることで磁界強度の劣化を防ぐことができる。
【００２８】
次に上記の効果を検証するために、図５及び図６を用いて第２軟磁性層１４と第３軟磁性層１２の構成について説明する。図５は幾何的なトラック幅(Tww)80nm、膜厚(t-Tww)160nmの逆台形の主磁極（フレーアポイント80nm）に、空隙35nm（非磁性層19-1）を介して奥行き方向の長さ(d-S)100nmのシールドを配置したケースの磁界強度を計算した結果である。なお、磁界強度は記録媒体条件にも依存し、この計算には記録媒体の下地軟磁性層(SUL:soft under layer)として飽和磁束密度1.35T、膜厚35nmを仮定した。また、記録層と主磁極との磁気的な距離(hm)は11nmとした。
【００２９】
計算は、異なる材料構成（飽和磁束密度材）のシールドの場合について行った。具体的にはＡ:1.0T、Ｂ:2.0T、Ｃ:2.28Tの単層構成（図１に示した第２軟磁性層１４と第３軟磁性層１２を同一膜で構成、総膜厚は１um）の場合と、上記実施例１の構成とは逆に主磁極側に高い飽和磁束密度の軟磁性層１４（2.28T、膜厚t-S1は200nm）、遠い部位に低い飽和磁束密度の軟磁性層１２（1.0T、膜厚t-S2は800nm）を配置したＤの４つのケースについて行った。図５に示すグラフは横軸に磁界強度（記録媒体に与える実効磁界で表示）、縦軸に各磁界強度点における磁界勾配を示す。また、図の右下に最大磁界強度(Heffmax)と最大磁界勾配(dHeffmax)の値を表にして示す。
【００３０】
結果に着目すると、単層膜の場合、飽和磁束密度が高いほど最大磁界勾配が高くなるが、最大磁界強度は低下してしまうことが分かる。一方、主磁極側に高飽和磁束密度層を配置する構成では、最大磁界強度は高くなるが最大磁界勾配は低下してしまうことが分かる。この結果は、面内磁気記録ヘッドからの経験が垂直磁気記録ヘッドに適用できないことを示している。
【００３１】
図６は、第２軟磁性層１４の膜厚を、奥行き方向の長さ（d-S:100nm）に比べ厚くし(t-S1 : 200nm)、かつ、飽和磁束密度を第３軟磁性層１２に比べ低くした構成の計算結果である。具体的には、第３軟磁性層１２の飽和磁束密度を2.4T一定として、第２軟磁性層１４の飽和磁束密度を2.28Tと1.68Tに設定した。結果に着目すると、何れのケースも245 Oe/nm以上の高い磁界勾配と、10.1KOe以上の記録磁界強度が得られている事が分かる。因みに第２軟磁性層１４の飽和磁束密度を2.28Tに設定した場合の結果と先の図５に示した2.28Tの単層膜を仮定した計算結果を比較すると、僅かではあるが磁界強度も磁界勾配も高い値が得られている事がわかる。特に第２軟磁性層１４の飽和磁束密度を1.68Tまで落とした場合、磁界勾配をそれ程落とすことなく、より強い磁界強度が得られている事がわかる。
【００３２】
次に、高い飽和磁束密度の軟磁性層１３，１２に挟まれた位置に相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４を挿入し、その膜厚(t-S1)を奥行き方向さの長さ(d-S)に比べ厚く設定することで磁界分布の広がりを抑えることができる理由について説明する。図７に、低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４の膜厚(t-S1:表ではThickness TS_lowerと表示)を30nmから400nmの範囲で変化させた場合の計算結果を示す。本計算では、低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４の飽和磁束密度（1.68T）と奥行き方向の長さ(d-S)を100nmに固定した。なお、シールドを構成する主磁極から遠い部分の第３軟磁性層１２の飽和磁束密度は2.4Tに固定し、低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４の膜厚を含めた総膜厚は１um（t-S2の膜厚にて調整した。なお、t-S2<t-S1条件では、磁界強度が大幅に劣化した為、本検討から除外した）にそろえた。その他、主磁極、記録媒体、浮上量については先の計算結果と同じ条件を仮定した。
【００３３】
計算結果に着目すると、最大実効磁界強度（Heffmax_TrackCenter）は、t-S1=100nmで最大値を取る事がわかる。しかし、それ以上の膜厚t-S1での劣化は少ない。一方、媒体の記録磁界を仮定した８KOeにおける磁界勾配（dHeff_at_Heff8KOe）は、t-S1が厚くなる程、僅かであるが劣化傾向を示すことがわかる。
【００３４】
図８、図９は、上記計算結果をトラック幅方向（横軸の０はトラックセンターを意味する）に見たものである。特に図９は図８の比較すべき部分を拡大したものである。隣接トラックへの記録磁界のにじみ現象を評価するためには、この磁界分布が重要である。すなわち、トラック幅方向に見た際の磁界強度の広がりが狭いことがにじみ磁界が少ないことを意味する。この観点で図８及び図９をみると、t-S1（図ではt_TSlowerと記載）が薄くなるほどトラックセンターから遠い領域でにじみ磁界が強くなり、劣化していることが分かる。
【００３５】
本計算は主磁極の幾何トラック幅が80nmのケースについて行ったものである。記録磁界は幾何幅以上に広がるため、実用上トラックピッチは90から100nm程度に設定される（現実には媒体特性に左右される）。従って、隣接トラックが受ける記録磁界の影響は、135nm(90/2+90)から150nm(100/2+100)の範囲を考慮しなければならない。この観点で見れば、概ねt-S1>100nm以上で差は微少となり、理想的と言える。
【００３６】
因みに、本計算では、d-S=100nmと仮定しているため、t-S1＞d-Sを満足させる事が理想的な磁界環境を満足させる条件（更に言えば、t-S2＞t-S1＞d-S）と言える。一方、t-S1が薄い30nmでは広い範囲で規格化磁界の0.42を越えており、隣接トラックを多数回記録した際の蓄積が問題となる。すなわち、磁気記録装置の製品寿命内にて許容される多数回記録によって隣接する磁気情報の品質が劣化する可能性が高い。このため磁気記録装置が不揮発である要求に対して信頼性が劣る問題がある。
【００３７】
この記録磁界の分布が劣化する事実は、既に述べた磁界勾配の劣化と同類の問題である。本実施例１では、t-S1を厚くした際の記録磁界の劣化、磁界勾配の劣化が僅かである点を考慮すると、狭トラック化の目的から磁界分布の優れたt-S1＞d-S条件が高信頼の高トラック密度記録ヘッドに好適である。
【００３８】
磁界分布について更に言及すると記録方向の分布に関しても差が見られる。図１０を用いて説明する。同図は先の計算結果の記録方向の磁界分布を示している。横軸は主磁極のトレーリングエッジを０としている。縦軸は実効記録磁界（面内成分を加味した絶対値）を示す。結果に着目すると主磁極の近傍における磁界強度の差は少ない。しかし、0.035um近傍で僅かなピークが見られる。このピーク位置は主磁極と磁気シールドとの間に設けた35nmの空隙（非磁性膜19-1）位置と一致する。従ってこのピークは磁気シールド端部に生じた磁荷（リターン磁束による磁荷であるためマイナスの極性を有する）による磁界分布である。この部分の磁界が強くなるほど記録後の磁化遷移に負の磁界が印加されるため信号品質が劣化する。この点から計算結果をみると、t-S1（図ではt_TSlowerと記載）が薄くなるほど同部位の磁界分布が劣化することが明白である。上記実施例１におけるt-S1＞d-S条件では、分布を最小限に抑えられることが分かる。この観点からもt-S1＞d-S条件が高密度記録ヘッドに好適であるといえる。
【００３９】
t-S1＞d-S条件で磁界分布が優れる理由は、その幾何学的な要因からであると考える。すなわち、同部位の磁化方向は浮上面（媒体表面）と概ね並行となるべきである。本発明の部類に属するシールドは異なる飽和磁束密度の磁性層から構成されるが、そのつなぎ部には飽和磁束密度の差から磁荷が生じる。t-S1＜d-S条件では、磁束が漏れる方向の膜厚t-S1が磁束の流れ方向の幅d-Sに比べ薄くなる。このため、磁束の流れ方向の反磁界が顕著となり、その結果として磁束が長手方向となるt-S1方向に流れ易くなる。その結果として分布が劣化するものと考えられる。
【００４０】
なお、この効果は主磁極の両サイドに設けた非磁性層１９−２の膜厚（サイドギャップ長：トラック幅方向に見たシールドと主磁極との距離）を変化させても傾向が一致している事を計算から確認している。更に極端な例として、下記に実施例２として述べるサイドギャップ長を無限に仮定した場合（サイドシールド部分がない構造）でも同様の結果が得られることを確認している。
【００４１】
以上から第３軟磁性層１２の飽和磁束密度を第２軟磁性層１４の飽和磁束密度に比べ高く設定し、かつ第２軟磁性層１４の膜厚t-S1を奥行き方向の長さd-Sに比べ厚く設定する必要性が理解される。
【００４２】
以上述べたように、上記実施例１によれば、高記録磁界と高磁界勾配を満足させた状態で、トラック幅方向のにじみ磁界を最少にし、かつ優れた記録トラック方向の磁界分布を実現することができる。この効果から、記録密度375Gb/in２の高密度記録を有する磁気ディスク装置を実現することが出来る。
【００４３】
なお、上記実施例１においては、記録ヘッドと再生ヘッドを有する垂直磁気記録ヘッドを例に説明したが、記録ヘッドのみを有する垂直磁気記録ヘッドであってもよいことはいうまでもない。
【００４４】
＜実施例２＞
図１１を用いて実施例２による垂直磁気記録ヘッドの構成について説明する。図１１は図１と同様に記録ヘッドを構成する主要部を拡大した図であり、図１１(a)は浮上面から見た図、図１１(b)は図１１(a)のＹ−Ｙ線断面図であり、主磁極１１の中心で切った断面図である。図１との違いは、主磁極１１の両側にシールド１５′が配置されていない点である。その他の構成は実施例１と同じである。磁気シールド１５′は、飽和磁束密度の異なる軟磁性層の積層構成からなり、主磁極１１に近接して高い飽和磁束密度の軟磁性層（第１軟磁性層）１３が設けられ、その上に相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層（第２軟磁性層）１４が設けられ、第２軟磁性層１４の上に相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層（第３軟磁性層）１２が設けられている。この構成は主磁極１１の両側にシールドとなる軟磁性層は配置されていない。
【００４５】
同構成においても主磁極１１に接近する部位に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を配し、その上に第２軟磁性膜１４が積層され、第２軟磁性膜１４は奥行き方向の長さd-Sに対し、膜厚（t-S1）が厚い。また、第２軟磁性膜１４の飽和磁束密度は、その上に積層された第３軟磁性膜１２に比べ低い。この結果、先の実施例１と同様に高磁界勾配と強い記録磁界強度を得る事が出来る。
【００４６】
図１２は主磁極側に高い飽和磁束密度（1.9T、20nm）の第１軟磁性層１３を配し、シールド上部に飽和磁束密度が2.4T（膜厚800nm固定）の第３軟磁性層１２を配した状態で、中間の第２軟磁性層１４の飽和磁束密度を1.68Tから2.24Tの範囲（膜厚200nm）で変化させた場合の磁界勾配(field gradient)を求めた結果である。磁界勾配は、記録媒体の動的な保磁力８KOeを仮定して求めた。なお、本計算はシールドに単層膜を用いた場合（図中TS gradientと記載、飽和磁束密度は第１軟磁性層１３と同一）と実施例２の構成（図中 laminating TS gradientと記載）を比較している。結果に着目すると、何れの飽和磁束密度条件においても（軟磁性層１２の飽和磁束密度を2.4Tとし、軟磁性層１４の飽和磁束密度をそれ以下とした範囲で）単層膜（TS）の結果に比べ実施例２の構成（laminating）の方が高い磁界勾配が得られている事が分かる。特に第２軟磁性層１４の飽和磁束密度を高めた条件では、その差が顕著となる。これは単層膜構成では磁界強度が大幅に低下するため磁界勾配を求めた８KOeでの実効的な磁界勾配が低下するためと考えられる。
【００４７】
この結果から主磁極の上部（トレーリング側）にのみ磁気シールドを設ける構成（TS構造）においても、高い磁界勾配と強い磁界強度を満足させることができることが理解できる。また、第２軟磁性層１４の膜厚(t-S1)を、奥行き方向さの長さ(d-S)に比べ厚く設定することで磁界分布の広がりを抑えることができる
図１３に実施例２の変形例の主磁極近傍の主要部断面を示す。この変形例においても主磁極１１側に高い飽和磁束密度の第１軟磁性層１３を配し、その上に相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４−１を配し、更にその上に高い飽和磁束密度の第３軟磁性層１２−１を配した構成からなる。また、低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４−１の奥行き方向の長さd-Sに対し、膜厚t-S1が厚く設定される。但し、同図に示すごとく第３軟磁性層１２−１の奥行き方向の長さが、主磁極１１から遠ざかるにつれて長くなっている。この構成においては、第３軟磁性層１２−１の飽和磁束密度を単に高くした以上に高い磁界勾配が得られた。この効果は、第３軟磁性層１２−１を通過する磁束の効率が、形状的な広がりを持たせることにより促進される効果と考えられる。この場合においても低い飽和磁束密度の第２軟磁性層１４−１の膜厚t-S1を磁束の流れ方向の幅d-Sに比べ厚くすることで、同部位に生じる反磁界の影響を低減することができる。これにより、目的とする磁界分布が得られる事は言うまでもない。
【００４８】
同様の効果は、t-S1>d-Sを満足する限り、主磁極から遠ざかる方向に多段階に飽和磁束密度を高めていく手段でも得られる事は明白である。また、奥行き方向に十分に長い領域（あるいは幅方向に広がった領域）では磁束の通過が障害とならないため、この部位に低い飽和磁束密度材を適用しても実施する上で障害とならい。すなわち、主磁極の近接位置でシールドに流れこむ磁束を低い飽和磁束密度材で絞り、それ以降は磁束の通過に障害とならない構成（高飽和磁束密度材、ないしは幾何的な広がり）を用いる限り、上記効果が得られることは明白である。
【００４９】
図１４に、実施例２の他の変形例の主磁極近傍の主要部断面を示す。図１４に示すように、主磁極１１側に位置する相対的に低い飽和磁束密度の第２軟磁性膜１４−２にも、第３軟磁性膜１２−２と同様に奥行き方向に主磁極１１から遠ざかるにつれて広がりを持たせることで更に磁束の流れを高効率化することが可能となる。この場合においても幾何学的な反磁界を考慮すると、t-S1>最少d-Sを満足させる必要がある。この構成では、上記実施例及び変形例に比べ最も高い磁界勾配が得られた。磁界勾配は磁気記録においてビット方向の記録限界を決定する指標であり、磁界勾配を高めるほど高密度の磁気ディスク装置を実現できることは言うまでもない。
【００５０】
この構成は主磁極１１に接近して設けられる相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４−２の奥行き方向の長さに対し、この軟磁性層に連続して積層される相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２−２の奥行き方向の長さが主磁極近傍に比べ長い領域を少なくとも有する構成となる。このシールド膜の奥行き方向の長さを連続的に変化させる手法としては、軟磁性層の成膜（メッキ法が一般的）時に、マスクなるレジストパターンのエッジに傾斜を予め設けておくことで容易に形成することが出来る。
【００５１】
上記実施例２の他の変形例を図１５（主要部の断面構成）に示す。同構成の特徴は、主磁極１１の上面に浮上面９８に向かって切り欠け（膜厚の減少）が設けられている点にある。更に主磁極１１の上部にあり、浮上面９８から後退した位置に非磁性層１９−４が新たに配置され、第２軟磁性層１４が非磁性層１９−１と共に非磁性膜１９−４の一部を介して設けられている。同構成は主磁極１１の磁束の絞りが３次元（幅方向と共に膜厚方向でも絞られている）である点から強磁界を発生することができる。また、第２軟磁性層１４の後端エッジが非磁性膜１９−４に乗り上げている。このため、同部位の主磁極１１との距離が実効的に離れるため、上記変形例に比べても主磁極１１の近接で磁気シールドに流れこむ磁束をより絞る構成となる。このため、高い磁界勾配を得ることができる。この構成においても浮上面側でt-S1>最少d-Sを満足させることで、低い飽和磁束密度の軟磁性層部位での磁束の流れは理想的なものとなり、目的とする優れた磁界分布を得る事が出来る。なお、奥行き長の定義は、非磁性膜１９−４のエッジまでの長さ、ないしは主磁極の上部に形成されるフラット領域長の何れか短い方とする。これは、非磁性膜１９−４を設けたことにより磁束が浮上面側に集中する効果からシールドの機能が上記の長さ領域でのみ発揮されるためと考える。
【００５２】
以上実施例１、実施例２及び変形例について説明したが、主磁極に接近して設けられる第２軟磁性層１４の膜厚に対し、該軟磁性層１４に連続して積層される高飽和磁束密度の軟磁性層１２の膜厚を厚く設定することが磁界強度を高く保つ上で有効である。因みに第２軟磁性膜１４の膜厚としては200nmから400nmの範囲が好適であり、第３軟磁性層１２の膜厚としては500nm以上が好適である。
【００５３】
以上の実施例及び変形例は、磁気シールドをメッキ法にて形成する場合のメッキシード層（電極）を相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層から構成することで、磁界強度の劣化を防ぎ、また磁束の漏れを防ぐ目的のものである。その効果として高磁界勾配とトラック幅方向への記録磁界の広がりを抑えることができる。これは、メッキシード層の上に配される相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層にて磁束が絞られる結果であり、シード層に低い飽和磁束密度の軟磁性層を配した場合には、磁束がシード層にて絞られる結果として磁界勾配が低下する問題が生じてしまう事は容易に理解される。従ってシード層が磁束の流れを妨げないことを条件とすると、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層に対してシード層の飽和磁束密度を、少なくとも同じか、相対的に高く設定することが必要である。
【００５４】
磁気シールドの形成法は、メッキ法以外にもスパッタ法でも可能であり、この場合においても主磁極側に相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層、次いで相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層、さらに相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層を順次積層することで、上記実施例及び変形例と同じ効果を得る事は可能である。
【００５５】
なお、上記変形例は、実施例２の変形例として説明したが、実施例１の変形例とすることもできる。この場合においても上記と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
次に、上記実施例２のさらに他の変形例を図１６を用いて説明する。図から明らかなように、この変形例では相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の積層方向の膜厚が、主磁極１１のトラック幅方向に対して変化している点に特徴がある。具体的には、主磁極１１と接近する部分の膜厚が他の部分に比べ薄い構成である。
【００５７】
既に述べてきたように、シールド部材に適用する相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４は、シールド端部を構成しない。同部位はシールドを通過する磁束通過量を決定し、その結果として強磁界と高磁界勾配を両立させる。相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の上に積層される相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２は、膜厚も厚いため相対的に多くの磁束を流す機能を有す。この結果として、この相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４と相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２との接続面には通過磁束の差により磁荷が生じる。磁荷の発生部位がシールド端部から遠ければ、主磁極１１との相互作用も少なく、漏れ磁界強度に変化を与えない。この効果としてトラック幅方向への磁界分布を改善する方向に作用する。
【００５８】
この変形例では、主磁極１１に接近する部分の相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の膜厚を薄くする構成としている。この結果として、相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２との接続面が主磁極１１に接近することとなる。この結果、同領域に生じる磁荷と主磁極１１との相互作用が顕著となる。すなわち、主磁極１１からその直上のシールド部位への磁束の流れが促進される事となる。この結果として同部位での磁界勾配が改善されることを確認した。
【００５９】
この効果は、望ましくないトラック幅方向への磁束の流れを相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の膜厚を厚くすることで制限し、逆に主磁極近傍は強磁界を得るため相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の膜厚を薄く（その結果として相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２を接近させる）することで磁束の流れを促進させるものである。要は流したい磁束の分布を相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の膜厚で制御するものである。
【００６０】
この変形例を実現するためには、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４を積層した後、主磁極近傍に開口部を有するレジストパターンを配し、同レジストパターンをマスクに相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４をイオンミリング法等でエッチングした後、レジストパターンを選択的に除去した上で、相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２を積層することで容易に形成できる。
【００６１】
上記変形例では、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４の膜厚の増減を緩やかな傾斜を持たせて形成している。この手段としては、斜め方向からのイオンミリング入射角を選択することで形成できる。
【００６２】
また、図１７に示すように略垂直方向にイオンミリング入射角を設定することでも形成することができる。略垂直な端面を有する相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４を用いても上記と同様の効果が得られた。特に図１７に示した構成では、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４のイオンミリングを主磁極上部で完全に行った構成を極端な例として示しており、この構成では特に主磁極近傍での磁界勾配の急峻化が図られた点で特筆の効果があった。
【００６３】
＜実施例３＞
図１６及び図１７に示す構成は、図１８に示すように磁気シールドを主磁極１１の３方向に配置する構成にも適用することができる。この場合も相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１３を成膜した後、相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４を軟磁性層１４の上部及び両側に積層し、その後、主磁極１１のトレーリング側に対向する部分に開口部を有するレジストパターンを配し、同レジストパターンをマスクに相対的に低い飽和磁束密度の軟磁性層１４をイオンミリング法等でエッチングすることで形成できる（以降の工程は上記と同じ）。
【００６４】
この構成においても主磁極のトレーリング側近傍の磁束の流れが促進される結果、高い磁界勾配が得られる。特に本構成では、主磁極１１の両側に膜厚の厚い相対的に高い飽和磁束密度の軟磁性層１２が配置されない構成を実現できる。この効果としてトラック幅方向の磁界の広がりを抑えた磁界分布を得る事ができ、高トラック密度の磁気ディスク装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの記録ヘッド主要部の拡大図である。
【図２】本発明に係る垂直磁気記録ヘッドを用いた磁気ディスク装置の概念図である
【図３】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの断面図である。
【図４】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの磁界強度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【図５】従来ヘッドの磁界強度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【図６】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの磁界強度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【図７】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの磁界強度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【図８】実施例１による垂直磁気記録ヘッドのトラック幅方向の磁界強度分布の計算結果を示す図である。
【図９】図８の一部を拡大した図である。
【図１０】実施例１による垂直磁気記録ヘッドの記録方向の磁界強度勾配の計算結果を示す図である。
【図１１】実施例２による垂直磁気記録ヘッドの記録ヘッド主要部の拡大図である。
【図１２】実施例２による垂直磁気記録ヘッドの第２軟磁性層の飽和磁束密度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【図１３】実施例２の変形例による磁気シールドの構成を示す図である。
【図１４】実施例２の他の変形例による磁気シールドの構成を示す図である。
【図１５】実施例２の他の変形例による磁気シールドの構成を示す図である。
【図１６】実施例２の他の変形例による磁気シールドの構成を示す図である。
【図１７】実施例２の他の変形例による磁気シールドの構成を示す図である。
【図１８】実施例３による垂直磁気記録ヘッドの記録ヘッド主要部の拡大図である。
【図１９】従来ヘッドの磁界強度と磁界勾配の計算結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…垂直磁気記録ヘッド、２…記録媒体、３…モータ、４…ロータリーアクチュエータ、５…回路基板、６…記録再生用回路、７…アーム、８…サスペンション、１０…記録ヘッド、１１…主磁極、１２…第３軟磁性層、１３…第１軟磁性層、１４…第２軟磁性層、１５，１５′…磁気シールド、１６…第１磁性層、１７…第２磁性層、１８，１８−１，１８−２…コイル、１９−１，１９−２，１９−３，１９−４…非磁性膜、３０…再生ヘッド、３１…スライダ基板、３２…下地層、３３…下部シールド、３４…再生素子、３５…上部シールド、４２…第３磁性層、９８…浮上面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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