(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、処理室の上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図る。    【解決手段】  基板を積層して収納する処理室２７と、前記基板を加熱する加熱手段２４と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系２８，２９と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系５７，５８，５９と、制御部７０とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニット４１，４４と、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズル６５，６６とを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される。    【選択図】          図２
2009200298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を積層して収納する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系と、制御部とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニットと、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズルとを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御されることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、アニール処理等の処理を実行して半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置には基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置では所定数の基板（以下、ウェーハ）が基板保持具（以下、ボート）に水平姿勢で多段に保持され、該ボートをボート装脱手段（以下、ボートエレベータ）により処理室内に装入、引出しする様にし、前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室内に収納させ、ウェーハを前記ボートに保持させた状態で、処理室に処理ガスを供給し、ウェーハを加熱し、所要の処理を行い、処理後は前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室から引出している。
【０００４】
シリコンウェーハ等の基板に薄膜を生成する方法として、ＡＬＤ法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等があり、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法では、処理ガスとして常圧で液体のものが使用され、液体原料を気化装置で気化させて処理室に供給する。
【０００５】
ところが気化装置には、熱交換率、原料の熱分解温度等による制限があり、単一の気化装置では、気化量に制限があり、一度に、短時間で基板処理に必要なガス量を供給することが困難である。
【０００６】
又、バッチ式の基板処理装置の様に、基板が所定間隔で複数積層され保持されたものでは、処理ガスはガス供給ノズルにより積層方向に運ばれ、基板面と平行に噴出されるが、上流側から処理ガスが消費される為、下流側では処理ガスが不足し、膜厚分布、膜特性の不良等の問題を生じる場合がある。
【０００７】
従来、上記問題を解決する為、ガス供給ノズルの形状の適正化、気化器の気化量増加等の対策が講じられているが、充分に改善されるに至ってない。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３２１６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は斯かる実情に鑑み、上流側、下流側に亘って不足なく処理ガスを供給し得る様にし、膜厚分布の向上、歩留りの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板を積層して収納する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系と、制御部とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニットと、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズルとを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御される基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を積層して収納する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系と、制御部とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニットと、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズルとを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御されるので、各基板に不足なく処理ガスが供給され、膜厚分布の向上、膜特性の向上、歩留りの向上が図れる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１３】
先ず、図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置の一例を説明する。
【００１４】
本発明に係る基板処理装置１では、ウェーハ６は基板収納容器としてのカセット２に収納され、搬入出される。
【００１５】
前記基板処理装置１は、筐体３を備え、該筐体３の正面壁にはカセット搬入搬出口４がフロントシャッタ（図示せず）によって開閉される様設けられている。前記筐体３の内部に、前記カセット搬入搬出口４に臨接してカセットステージ５が設けられている。
【００１６】
カセット２は前記カセットステージ５上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、又、前記カセットステージ５上から搬出される様になっている。
【００１７】
該カセットステージ５は、工程内搬送装置によって、カセット２内のウェーハ６が垂直姿勢となり、カセット２のウェーハ出入れ口が上方向を向く様に載置され、前記カセットステージ５は、カセット２をウェーハ出入れ口が筐体後方を向く様に回転する。
【００１８】
前記筐体３内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）７が設置されており、該カセット棚７は複数段複数列にて各複数個のカセット２を保管する様に構成されている。前記カセット棚７にはウェーハ移載装置８の搬送対象となるカセット２が収納される移載棚９が設けられている。又、前記カセットステージ５の上方には予備カセット棚１１が設けられ、予備的にカセット２を保管する様に構成されている。
【００１９】
前記カセットステージ５と前記カセット棚７との間には、カセット搬送装置１２が設置されている。該カセット搬送装置１２は、カセット２を前記カセットステージ５、前記カセット棚７、前記予備カセット棚１１との間で、カセット２を搬送する様に構成されている。
【００２０】
前記カセット棚７の後方には、前記ウェーハ移載装置８が設置されており、該ウェーハ移載装置８は、ウェーハ６を保持して、水平回転、進退、昇降可能であり、前記移載棚９のカセット２と基板保持具であるボート１３との間でウェーハ６の移載を行う様に構成されている。
【００２１】
前記筐体３の後部上方には、処理炉１４が設けられ、該処理炉１４の下端開口部（炉口部）は、炉口シャッタ１５により開閉される様に構成されている。
【００２２】
前記処理炉１４の下方にはボート１３を昇降し、前記処理炉１４に装入、引出しする昇降機構としてのボートエレベータ１６が設けられている。該ボートエレベータ１６は昇降アーム１７を具備し、該昇降アーム１７には蓋体としてのシールキャップ１８が水平に設けられており、該シールキャップ１８は前記ボート１３を垂直に支持し、前記炉口部を開閉する様に構成されている。
【００２３】
前記ボート１３は、ウェーハ６を汚染しない、耐熱材料からなり、例えば石英製であり、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウェーハ６の中心を揃えて所定間隔で垂直方向に積層した状態で、それぞれ水平に保持する様に構成されている。
【００２４】
図１に示されている様に、前記カセット棚７の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１９が設けられ、前記筐体３の側部には前記ボートエレベータ１６と対向してクリーンユニット２１が設けられ、それぞれクリーンエアを前記筐体３の内部に流通させる様になっている。
【００２５】
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
【００２６】
前記カセット搬入搬出口４が開放され、カセット２がカセットステージ５に供給される。その後、前記カセット２は前記カセット搬入搬出口４から搬入され、前記カセット搬送装置１２によってカセット棚７又は予備カセット棚１１に搬送され、一時的に保管された後、前記カセット棚７又は前記予備カセット棚１１から前記カセット搬送装置１２によって前記移載棚９に移載されるか、若しくは該移載棚９に直接搬送される。
【００２７】
前記カセット２が前記移載棚９に移載されると、ウェーハ６は前記ウェーハ移載装置８によって前記カセット２から降下した状態の前記ボート１３に装填される。
【００２８】
予め指定された枚数の未処理ウェーハ６が前記ボート１３に装填されると、前記炉口シャッタ１５によって閉じられていた前記処理炉１４の下端部が、前記炉口シャッタ１５によって、開放される。続いて、前記ボート１３は前記ボートエレベータ１６によって上昇されることにより、前記処理炉１４内へ装入されて行く。
【００２９】
前記ボート１３装入後は、前記処理炉１４にてウェーハ６に任意の処理が実施される。処理後は、上述の逆の手順で、前記ボート１３が降下され、前記ウェーハ移載装置８により処理済ウェーハ６が前記カセット２に移載され、処理済ウェーハ６が装填された前記カセット２は前記筐体３の外部へ払出される。
【００３０】
図２、図３は、前記基板処理装置１に用いられる前記処理炉１４の一例を示している。
【００３１】
加熱手段であるヒータ２４の内側に、基板であるウェーハ６を処理する反応容器としての反応管２５が設けられ、該反応管２５の下端には、例えばステンレス製であるマニホールド２６が気密に設けられ、該マニホールド２６の下端開口は炉口部を構成し、該炉口部は前記炉口シャッタ１５、前記シールキャップ１８によって択一的に閉塞される。
【００３２】
少なくとも、前記反応管２５、前記マニホールド２６及び前記シールキャップ１８により処理室２７が画成される。
【００３３】
該処理室２７へは複数種類の処理ガス、ここでは２種類の処理ガスがガス供給手段として２系統の第１ガス供給系２８、第２ガス供給系２９によって供給される。
【００３４】
前記第１ガス供給系２８は前記マニホールド２６に接続された第１ガス供給管３１を有し、該第１ガス供給管３１には前記マニホールド２６から上流側に向って順に、開閉弁３２、流量制御手段であるガス流量制御器３３、開閉弁３４が設けられ、前記第１ガス供給管３１は第１処理ガス供給源３５に接続されている。該第１処理ガス供給源３５は、例えば、Ｏ3 ガスを供給する。
【００３５】
前記第２ガス供給系２９は複数のガス供給管、例えば第２ガス供給管３６、第３ガス供給管３７を有し、前記第２ガス供給管３６、前記第３ガス供給管３７は合流し、開閉弁３８を介して第２処理ガス供給源３９に接続されている。該第２処理ガス供給源３９には常温、常圧で液体である、液体原料、例えばテトラキスエチルメチルアミノハフニウム（ＴＥＭＡＨ）、テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）等が貯溜されている。
【００３６】
前記第２ガス供給管３６には、前記マニホールド２６から上流側に向って開閉弁６１、第１気化器４１、第１液体流量制御器４２、第１液体開閉弁４３が設けられ、前記第３ガス供給管３７には、前記マニホールド２６から上流側に向って開閉弁６２、第２気化器４４、第２液体流量制御器４５、第２液体開閉弁４６が設けられている。
【００３７】
又、前記第１気化器４１には第１キャリアガスライン４７が接続され、前記第２気化器４４には第２キャリアガスライン４８が接続されている。前記第１キャリアガスライン４７には、前記第１気化器４１から上流側に向って第１開閉弁５２、第１ガス流量制御器５０が設けられ、前記第１キャリアガスライン４７は不活性ガス供給源、例えば窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００３８】
前記第２キャリアガスライン４８には、前記第２気化器４４から上流側に向って第２開閉弁４９、第２ガス流量制御器５３が設けられ、前記第２キャリアガスライン４８は不活性ガス供給源、例えば窒素ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００３９】
又、前記第２処理ガス供給源３９には開閉弁５４を介して圧送ライン５５が接続されている。該圧送ライン５５は図示しない不活性ガス供給源、例えば窒素ガス供給源に接続されている。
【００４０】
又、前記マニホールド２６には排気管５７が接続され、該排気管５７には圧力調整弁５８を介して排気装置（排気手段）である真空ポンプ５９が接続され、前記処理室２７の雰囲気ガスが前記真空ポンプ５９によって排気されると共に前記処理室２７が所定の圧力となる様に制御される。前記排気管５７、前記圧力調整弁５８、前記真空ポンプ５９は排気系を構成する。
【００４１】
前記第１ガス供給管３１、前記第２ガス供給管３６、前記第３ガス供給管３７にはそれぞれ第１ガス供給ノズル６４、第２ガス供給ノズル６５、第３ガス供給ノズル６６が接続され、前記第１ガス供給ノズル６４、前記第２ガス供給ノズル６５、前記第３ガス供給ノズル６６は、前記反応管２５の内壁とウェーハ６との間に於ける円弧状の空間に、前記反応管２５の内壁に沿って垂直に立設されている。
【００４２】
前記第１ガス供給ノズル６４、前記第２ガス供給ノズル６５は、前記ウェーハ６に対向する側面の該ウェーハ６が収納される範囲全長に亘って、第１ガス供給口６７、第２ガス供給口６８が所要間隔で穿設された、多孔ノズルである。
【００４３】
前記第３ガス供給ノズル６６は、前記ウェーハ６に対向する側面の該ウェーハ６が収納される範囲の、下流側に当る上半部に第３ガス供給口６９が所要間隔で穿設された多孔ノズルである。
【００４４】
前記シールキャップ１８にはボート回転機構（図示せず）が設けられ、該ボート回転機構により、前記処理室２７に収納された前記ボート１３が回転される。処理中前記ボート１３が回転されることで、基板処理の均一性を向上する様になっている。
【００４５】
制御部（制御手段）であるコントローラ７０は、前記ガス流量制御器３３、前記第１液体流量制御器４２、前記第２液体流量制御器４５に接続され、液体原料の流量制御を行い、又、前記第１ガス流量制御器５０、前記第２ガス流量制御器５３に接続され、ガス流量の制御を行う。
【００４６】
又前記コントローラ７０は、前記開閉弁３２，３４，４６，４９，５２，５４，５８，６１，６２、前記開閉弁３８、前記第１液体開閉弁４３、前記第２液体開閉弁４６に接続され、弁の開閉を制御する。
【００４７】
又前記コントローラ７０は、前記第１気化器４１、前記第２気化器４４について、供給原料の供給量の制御、加熱量の制御、加熱温度の制御、気化室の圧力制御を行い、気化量の制御を行う。
【００４８】
又、前記コントローラ７０は、図示しない圧力センサの検出結果に基づき、前記圧力調整弁５８を調整して前記処理室２７を所定の圧力に制御する。
【００４９】
又、前記コントローラ７０は、前記カセット搬送装置１２、前記ウェーハ移載装置８、前記ボートエレベータ１６、前記ボート回転機構（図示せず）の駆動を制御し、所望の動作を行わせる。
【００５０】
又、前記コントローラ７０は、前記ヒータ２４に対する給電状態を制御し、前記処理室２７を所定の温度、所定の温度分布となる様に制御する。
【００５１】
次に、ＡＬＤ法を用いた成膜処理例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、ＴＥＭＡＨ及びＯ3 を用いてＨｆＯ2 膜を成膜する例を基に説明する。
【００５２】
ＣＶＤ法の一つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる少なくとも２種類の原料となる反応性ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、反応性ガスを供給するサイクル数で行う（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、２０サイクル行う）。
【００５３】
ＡＬＤ法では、例えばＨｆＯ2 膜形成の場合、ＴＥＭＡＨ（Ｈｆ［ＮＣＨ3 Ｃ2 Ｈ5 ］4 、テトラキスエチルメチルアミノハフニウム）とＯ3 （オゾン）を用いて１８０〜２５０℃の低温で高品質の成膜が可能である。
【００５４】
先ず、上述した様にウェーハ６を前記ボート１３に装填し、処理室２７に装入する。前記ボート１３を前記処理室２７に搬入後、後述する３つのステップを順次実行する。
【００５５】
（ステップ１）前記開閉弁５４を開け、前記圧送ライン５５より前記第２処理ガス供給源３９に不活性ガスを供給して第２処理ガス供給源３９の圧力を高め、前記第１液体開閉弁４３、前記第２液体開閉弁４６を開け、前記第２ガス供給管３６、前記第３ガス供給管３７より液体原料であるＴＥＭＡＨを送出する。送出流量は前記第１液体流量制御器４２、前記第２液体流量制御器４５により調整する。
【００５６】
前記第１開閉弁５２、前記第２開閉弁４９を開け、前記第１ガス流量制御器５０、前記第２ガス流量制御器５３により、キャリアガスの流量を調整し、前記第１キャリアガスライン４７、前記第２キャリアガスライン４８にキャリアガスを供給する。
【００５７】
前記第１気化器４１、前記第２気化器４４の加熱量、原料（ＴＥＭＡＨ）供給量、気化室圧力が調整され、気化量が制御される。前記開閉弁６１，６２を開け、処理ガスは前記第１キャリアガスライン４７、前記第２キャリアガスライン４８から供給されたキャリアガスと共に前記第２ガス供給管３６、前記第３ガス供給管３７を経て前記第２ガス供給ノズル６５、前記第３ガス供給ノズル６６に供給され、前記第２ガス供給口６８、前記第３ガス供給口６９から前記処理室２７に噴出される。
【００５８】
尚、前記第２ガス供給ノズル６５から処理ガスは処理室２７のウェーハ収納空間の全長から噴出され、主ガス供給ノズルとして機能する。尚、前記第２ガス供給ノズル６５から供給された原料ガスは、前記処理室２７の上流側で消費され、下流側で不充分となる。前記第３ガス供給ノズル６６は、前記処理室２７の下流側で処理ガスを供給し、下流側での処理ガスを補充する。前記第３ガス供給ノズル６６は、副ガス供給ノズルとして機能する。
【００５９】
又、前記第２ガス供給ノズル６５から供給される処理ガスの流量、前記第３ガス供給ノズル６６から供給される処理ガスの流量は、前記第１気化器４１、前記第２気化器４４で個々に制御され、ウェーハ６収納空間全域に亘って、過不足なく均一に処理ガスが供給される。
【００６０】
尚、処理中、前記圧力調整弁５８を適正に調整した前記処理室２７内の圧力は１〜１３３０Ｐａの範囲であって、例えば１００Ｐａに維持される。
【００６１】
又、ＴＥＭＡＨの供給量の総和は、０．０１〜０．１ｇ／ｍｉｎである。ＴＥＭＡＨガスにウェーハ６を晒す時間は３０〜１８０秒間である。この時前記ヒータ２４の温度はウェーハ６の温度が１８０〜３００℃の範囲であって、例えば２５０℃になる様設定してある。
【００６２】
ＴＥＭＡＨを前記処理室２７内に供給することで、ウェーハ６上の下地膜などの表面部分と表面反応（化学吸着）する。
【００６３】
（ステップ２）前記第２ガス供給管３６、前記第３ガス供給管３７の前記開閉弁６１，６２を閉め、ＴＥＭＡＨの供給を停止する。この時前記圧力調整弁５８は開いたままとし、前記真空ポンプ５９により前記処理室２７内を２０Ｐａ以下となる迄排気し、残留ＴＥＭＡＨガスを前記処理室２７内から排除する。この時Ｎ2 等の不活性ガスを前記処理室２７内へ供給すると、更に残留ＴＥＭＡＨガスを排除する効果が高まる。
【００６４】
（ステップ３）前記開閉弁３２、前記開閉弁３４を開き、前記第１ガス供給管３１にＯ3 及びキャリアガス（Ｎ2 ）（図示せず）を流す。Ｏ3 及びキャリアガスの流量は、前記ガス流量制御器３３により流量調整される。Ｏ3 は前記第１ガス供給管３１から、前記処理室２７内に供給されつつ前記排気管５７から排気される。この時、前記圧力調整弁５８を適正に調整して前記処理室２７内の圧力を１〜１３３０Ｐａの範囲であって、例えば１２０Ｐａに維持する。Ｏ3 にウェーハ６を晒す時間は１０〜１２０秒間である。この時のウェーハ６の温度が、ステップ１のＴＥＭＡＨガスの供給時と同じく１８０〜３００℃の範囲であって、例えば２５０℃となる様ヒータ２４を設定する。
【００６５】
Ｏ3 の供給により、ウェーハ６の表面に化学吸着したＴＥＭＡＨとＯ3 とが表面反応して、ウェーハ６上にＨｆＯ2 膜が成膜される。
【００６６】
成膜後、前記開閉弁３２を閉じ、前記真空ポンプ５９により前記処理室２７内を真空排気し、残留するＯ3 の成膜に寄与した後のガスを排除する。この時、Ｎ2 等の不活性ガスを前記処理室２７に供給すると、更に残留するＯ3 の成膜に寄与した後のガスを前記処理室２７から排除する効果が高まる。
【００６７】
又、上述したステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰返すことにより、ウェーハ６上に所定の膜厚のＨｆＯ2 膜を成膜することができる。
【００６８】
図４は、第２の実施の形態を示し、該第２の実施の形態では、２本の副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂが用いられた場合を示している。
【００６９】
一方の副ガス供給ノズル６６ａは、中流部を除く下流部にガス供給口を設け、下流部に処理ガスを供給する様にしたものであり、他方の副ガス供給ノズル６６ｂは中流部にガス供給口を設け、中流部に処理ガスを供給する様にしたものである。
【００７０】
尚、図示していないが、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂのそれぞれに個別に気化器を設け、個々の気化器の気化量を制御し、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂそれぞれから適正な処理ガスが供給される様にする。
【００７１】
図５は、第３の実施の形態を示し、該第３の実施の形態では、上記主ガス供給ノズルを省略し、前記２本の副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂが用いられた場合を示している。
【００７２】
前記一方の副ガス供給ノズル６６ａは、下流部にガス供給口を設け、下流部に処理ガスを供給する様にしたものであり、前記他方の副ガス供給ノズル６６ｂは上流部にガス供給口を設け、上流部に処理ガスを供給する様にしたものである。
【００７３】
第２の実施の形態と同様、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂのそれぞれに個別に気化器を設け、個々の気化器の気化量を制御し、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂそれぞれから適正な処理ガスが供給される様にする。
【００７４】
図６は、第４の実施の形態を示し、該第４の実施の形態では、第３の実施の形態と同様、主ガス供給ノズルを省略し、３本の副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂ，６６ｃが用いられた場合を示している。
【００７５】
前記一つの副ガス供給ノズル６６ａは、上流部、中流部を除く下流部にガス供給口を設け、下流部に処理ガスを供給する様にしたものであり、前記他方の副ガス供給ノズル６６ｂは上流部、下流部を除く中流部にガス供給口を設け、中流部に処理ガスを供給する様にし、前記副ガス供給ノズル６６ｃは下流部、中流部を除く上流部に処理ガスを供給する様にしたものである。
【００７６】
第４の実施の形態に於いて、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂ，６６ｃのそれぞれに個別に気化器を設け、個々の気化器の気化量を制御し、前記副ガス供給ノズル６６ａ，６６ｂ，６６ｃそれぞれから供給されるガス供給量を制御し、前記処理室２７全体で均一に処理ガスが供給される様にする。
【００７７】
本発明では、複数の部分から処理ガスを供給し、各部分での処理ガスの供給量を個別に制御するので、基板に対する処理ガスの不足を解消し、膜厚の均一性を向上させることができる。
【００７８】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７９】
（付記１）基板を積層して収納する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室の雰囲気を排気するガス排気系と、制御部とを具備し、前記ガス供給系は、常圧で液体である１つの液体原料を気化する複数の気化ユニットと、該気化ユニットにそれぞれ連通され前記処理室に気化されたガスを供給する複数のガス供給ノズルとを有し、該ガス供給ノズルは、それぞれ前記積層方向に沿って開口する複数のガス供給口を有し、前記複数の気化ユニットは前記制御部によりそれぞれ個別に気化量が制御されることを特徴とする基板処理装置。
【００８０】
（付記２）前記複数のガス供給ノズルは、１本の主ガス供給ノズルと、少なくとも１本の副ガス供給ノズルとを有し、該副ガス供給ノズルは下流部に前記ガス供給口が開口された付記１の基板処理装置。
【００８１】
（付記３）前記複数のガス供給ノズルは、１本の主ガス供給ノズルと、少なくとも１本の副ガス供給ノズルとを有し、該副ガス供給ノズルは前記主ガス供給ノズルの下流の高さの一部分にガス供給口が開口された付記１の基板処理装置。
【００８２】
（付記４）前記複数のガス供給ノズルは、前記処理室の異なる位置に前記ガス供給口が開口された付記１の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に用いられる処理炉の一例を示す概略構成図である。
【図３】図２のＡ矢視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に用いられる処理炉の一例を示す概略構成図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に用いられる処理炉の一例を示す概略構成図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に用いられる処理炉の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８４】
１              基板処理装置
６              ウェーハ
２４            ヒータ
２７            処理室
２８            第１ガス供給系
２９            第２ガス供給系
３１            第１ガス供給管
３５            第１処理ガス供給源
３６            第２ガス供給管
３７            第３ガス供給管
３９            第２処理ガス供給源
４１            第１気化器
４４            第２気化器
５７            排気管
５８            圧力調整弁
５９            真空ポンプ
６４            第１ガス供給ノズル
６５            第２ガス供給ノズル
６６            第３ガス供給ノズル
７０            コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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