(57)【要約】【課題】流路形成基板に対する亀裂の発生を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハ１１０に流路形成基板１０を複数一体的に形成すると共にシリコンウェハ１１０の各流路形成基板１０間に複数の貫通孔２０１が所定間隔で列設されてなるブレイクパターン２００を形成する工程と、流路形成基板１０に接合基板２０を接合する工程と、ブレイクパターン２００に沿ってシリコンウェハ１１０を複数の流路形成基板１０に分割する工程とを具備し、且つブレイクパターン２００を形成する際、シリコンウェハ１１０の低剛性部１５０に対応する部分には、貫通孔２０１Ａを連続して形成するようにする。【選択図】図６
2009154502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルに連通すると共に当該ノズルから液滴を噴射するための圧力が付与される圧力発生室が形成されたシリコン基板からなる流路形成基板と、該流路形成基板に接合され当該流路形成基板とは異なる材料からなる接合基板とを有すると共に、前記流路形成基板の一方面側の外縁部の一部に該外縁部の他の部分よりも剛性の低い低剛性部を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
シリコンウェハに前記流路形成基板を複数一体的に形成すると共に当該シリコンウェハの各流路形成基板間に複数の貫通孔が所定間隔で列設されてなるブレイクパターンを形成する工程と、前記流路形成基板に前記接合基板を接合する工程と、前記ブレイクパターンに沿って前記シリコンウェハを複数の前記流路形成基板に分割する工程とを具備し、
且つ前記ブレイクパターンを形成する際、前記シリコンウェハの前記低剛性部に対応する部分には、前記貫通孔を連続して形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記流路形成基板の周縁部の一部には、該周縁部の他の部分よりも厚さの薄い薄肉部が当該流路形成基板の外縁に亘って設けられており、該薄肉部が前記低剛性部を構成していることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記流路形成基板の周縁部の一部には、当該流路形成基板を厚さ方向に貫通する貫通部が前記流路形成基板の外縁に近接して設けられ、前記流路形成基板の端部と前記貫通部との間の幅狭部が前記低剛性部を構成していることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記接合基板が、前記ノズルが穿設されたノズルプレートであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴を噴射するノズルに連通する圧力発生室を有するシリコン基板からなる流路形成基板を有する液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表例としては、液滴としてインク滴を噴射するインクジェット式記録ヘッドが挙げられる。このインクジェット式記録ヘッドの構造としては、例えば、圧力発生室が形成された流路形成基板の一方面側に圧電素子等の圧力発生手段が設けられると共に、流路形成基板の他方面側にノズルが穿設されたノズルプレートが接合されたものが知られている。
【０００３】
ここで、インクジェット式記録ヘッドを構成する流路形成基板は、例えば、シリコンウェハに複数一体的に形成された後、シリコンウェハをブレイクパターンに沿って分割することによって形成される（例えば、特許文献１参照）。またこのような方法で流路形成基板を形成する場合、一般的には、ノズルプレート等をシリコンウェハの状態で流路形成基板に接合した後にシリコンウェハを分割している。
【０００４】
ところで、流路形成基板の周縁部には、例えば、ノズルプレート等との位置決めのための位置決め孔が形成されているものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２０１０１５号公報
【特許文献２】特開２００３−１５９８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように流路形成基板の周縁部に位置決め孔が形成されたインクジェット式記録ヘッドを製造する場合、シリコンウェハの状態においてブレイクパターンを構成する貫通孔と位置決め孔との間の部分に亀裂が生じてしまうという問題がある。
【０００７】
詳細には、流路形成基板が複数一体的に形成されたシリコンウェハに、流路形成基板とは異なる材料からなる接合基板、例えば、ノズルプレートを接合すると、その後これらの接合体に熱が加わると、両者の線膨張係数の違いによって接合体に反りが生じてしまうことがある。そして、この接合体の反りに起因して、上述したように流路形成基板の位置決め孔とブレイクパターンを構成する貫通孔との間の部分に亀裂が生じてしまうという問題がある。また、流路形成基板に、その厚さ方向の一部を除去した凹部が形成されている場合でも、凹部と貫通孔との間に亀裂が生じる虞がある。
【０００８】
なお、このような問題は、インク滴を噴射するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、インク滴以外の液滴を噴射する液体噴射ヘッドを製造する際にも同様に生じる虞がある。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、流路形成基板に対する亀裂の発生を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明は、ノズルに連通すると共に当該ノズルから液滴を噴射するための圧力が付与される圧力発生室が形成されたシリコン基板からなる流路形成基板と、該流路形成基板に接合され当該流路形成基板とは異なる材料からなる接合基板とを有すると共に、前記流路形成基板の一方面側の外縁部の一部に該外縁部の他の部分よりも剛性の低い低剛性部を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、シリコンウェハに前記流路形成基板を複数一体的に形成すると共に当該シリコンウェハの各流路形成基板間に複数の貫通孔が所定間隔で列設されてなるブレイクパターンを形成する工程と、前記流路形成基板に前記接合基板を接合する工程と、前記ブレイクパターンに沿って前記シリコンウェハを複数の前記流路形成基板に分割する工程とを具備し、且つ前記ブレイクパターンを形成する際、前記シリコンウェハの前記低剛性部に対応する部分には、前記貫通孔を連続して形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる本発明では、低剛性部に対応する部分では、ブレイクパターンの貫通孔を連続して形成するようにしたので、流路形成基板と接合基板との線膨張係数の違いに起因して低剛性部に亀裂が発生するのを防止することができる。
【００１１】
より具体的な構成としては、例えば、前記流路形成基板の周縁部の一部には、該周縁部の他の部分よりも厚さの薄い薄肉部が当該流路形成基板の外縁に亘って設けられており、該薄肉部が前記低剛性部を構成している。また例えば、前記流路形成基板の周縁部の一部には、当該流路形成基板を厚さ方向に貫通する貫通部が前記流路形成基板の外縁に近接して設けられ、前記流路形成基板の端部と前記貫通部との間の幅狭部が前記低剛性部を構成している。このような構造としても、上述した線膨張係数の違いに起因して低剛性部に亀裂が発生してしまうのを防止することができる。
【００１２】
ここで、前記接合基板としては、例えば、前記ノズルが穿設されたノズルプレートである。ノズルプレートは、シリコン単結晶とは線膨張係数が異なる材料、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等で形成されるが、このようなノズルプレートと流路形成基板との線膨張係数が違った場合でも、低剛性部に亀裂が発生するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１４】
流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、隔壁１１によって区画され各圧力発生室１２に連通するインク供給路１３と連通路１４とが設けられている。さらに、連通路１４の外側には、各連通路１４とそれぞれ連通する連通部１５が設けられている。
【００１５】
インク供給路１３は、圧力発生室１２の長手方向一端部側に連通し且つ圧力発生室１２より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路１３は、連通部１５と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお本実施形態では、インク供給路１３は流路の幅が片側から絞られているが、流路の幅が両側から絞られていてもよい。また流路の幅を絞るのではなく、流路の厚さを絞るようにしてもよい。各連通路１４は、圧力発生室１２の幅方向両側の隔壁１１を連通部１５側に延設してインク供給路１３と連通部１５との間の空間を区画することで形成されている。また連通部１５は、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通して、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバの一部を構成する。
【００１６】
流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１３とは反対側の端部近傍に連通するノズル２１が穿設された接合基板であるノズルプレート２０が、接着剤等によって接合されている。このノズルプレート２０は、本実施形態では、流路形成基板１０とは線膨張係数の異なる材料、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）によって形成されている。
【００１７】
またノズルプレート２０の流路形成基板１０とは反対側の表面には、その周縁部にヘッド情報が記録された記録部２２が形成されている。具体的には、この記録部２２は、例えば、ＱＲコード等の２次元コードや、バーコード等である。また記録部２２は、文字や記号等であってもよい。なお記録部２２に記録されるヘッド情報は、例えば、ロット番号、インク吐出特性（液体噴射特性）、故障履歴及び修理履歴などの少なくとも１つを含むものである。
【００１８】
記録部２２は、例えば、ノズルプレート２０の表面を機械的に削る、或いはレーザ加工等により削ることで形成される。このような記録部２２をノズルプレート２０の表面に形成する場合、加工時の衝撃によってノズルプレート２０の流路形成基板１０との接合面に、いわゆる「凸打痕」と呼ばれる微小な突起（図示なし）が形成されてしまう。流路形成基板１０とノズルプレート２０とを接着剤で接着する場合、その接着剤の厚さは数μｍ程度であるため、ノズルプレート２０にこのような突起が形成されていると、この突起が流路形成基板１０に当接して流路形成基板１０とノズルプレート２０との間に必要以上の隙間が形成されてしまい、接着剤が流路内等に流れ出してしまうといった問題が生じる虞がある。
【００１９】
このため、流路形成基板１０のノズルプレート２０との接合面側には、記録部２２に対向する位置に、ノズルプレート２０の突起を収容可能な深さの凹部１６が形成されている。また凹部１６は、圧力発生室１２を有する液体流路とは独立して形成され、記録部２２と同一若しくはそれ以上の大きさで形成されている。本実施形態では、この凹部１６は、流路形成基板１０の周縁部に流路形成基板１０の端部に亘って形成されている。すなわち凹部１６は、記録部２２に対向する領域から流路形成基板１０の端部まで連続的に形成されている。
【００２０】
流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）からなる絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等からなる下電極膜６０と、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料からなる圧電体層７０と、イリジウム（Ｉｒ）等からなる上電極膜８０とで構成される圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００２１】
各圧電素子３００の上電極膜８０からは、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が引き出され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２２】
また流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子３００を保護するための圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に配されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３１は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
【００２３】
保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１５に対向する領域に保護基板３０を厚さ方向に貫通するリザーバ部３２が形成されている。リザーバ部３２は、弾性膜５０及び絶縁体膜５５に設けられた開口部を介して連通部１５と連通し、これら連通部１５とリザーバ部３２とで複数の圧力発生室１２に共通するリザーバ１００を構成している。さらに、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する露出孔３３が設けられ、この露出孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出されている。なお図示しないが、露出孔３３に露出された下電極膜６０及びリード電極９０は、この露出孔３３内に延設される接続配線によって圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ等と電気的に接続されている。
【００２４】
保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることが好ましく、例えば、流路形成基板１０と同一材料であるシリコン単結晶基板が好適に用いられる。
【００２５】
さらに、保護基板３０のリザーバ部３２に対応する領域上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２６】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの圧電素子３００に電圧を印加し、圧電素子３００をたわみ変形させる。これにより各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル２１からインク滴が噴射する。
【００２７】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説明する。ちなみに、このようなインクジェット式記録ヘッドを構成する流路形成基板１０及び保護基板３０は、組立段階においてはシリコンウェハに複数一体的に形成されている。例えば、流路形成基板１０の場合、図３（ａ）に示すように、６インチのシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０に複数一体的に形成される。そして、流路形成基板用ウェハ１１０を図中点線で示す切断予定線に沿って分割することによって複数の流路形成基板１０が形成される。この切断予定線上には、図３（ｂ）に示すように、複数の貫通孔２０１が所定間隔で配列されてなるブレイクパターン２００が形成されている。ブレイクパターン２００は各貫通孔２０１の間が脆弱部２０２となっており、流路形成基板用ウェハ１１０に外力を加えることでこれら脆弱部２０２に亀裂が入る。これにより流路形成基板用ウェハ１１０はブレイクパターン２００に沿って複数の流路形成基板１０に分割されることになる。なお、図３では貫通孔２０１を簡略化して長方形の開口形状で示しているが、この貫通孔２０１は、実際にはシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０の結晶面に沿った開口形状に形成される。例えば、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０が面方位（１１０）のシリコンウェハであるため、貫通孔２０１は、（１１０）面に垂直な２つの（１１１）面に沿った開口形状に形成される。
【００２８】
図４、図５及び図７は、圧力発生室の長手方向における流路形成基板用ウェハの断面図であり、図６は、流路形成基板用ウェハの一部を拡大した平面図及び断面図である。これら図４〜図７を参照して、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明する。
【００２９】
まずは図４（ａ）に示すように、所定厚さのシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０上に振動板を介して圧電素子３００及びリード電極９０を形成する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に所定材料を順次積層及びパターニングして、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０、圧電体層７０、上電極膜８０及びリード電極９０を形成する。なおこれら圧電素子３００等の製造方法は、公知の技術であるため詳しい説明は省略する。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、保護基板３０が複数一体的に形成されるシリコンウェハである保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、エポキシ系の接着剤等からなる接着層３５によって接合する。ここで、保護基板用ウェハ１３０には、圧電素子保持部３１、リザーバ部３２及び露出孔３３が予め形成されている。また、上述した流路形成基板用ウェハ１１０のブレイクパターン２００と同様に、保護基板用ウェハ１３０の各保護基板３０の間にも、ブレイクパターン２１０を構成する貫通孔２１１が形成されている。
【００３１】
次いで、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚さとなるまで薄くした後、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、保護膜５１を新たに形成して所定形状にパターニングする。そして、図５（ｂ）に示すように、この保護膜５１をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）して、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４、連通部１５、凹部１６及びブレイクパターン２００を構成する各貫通孔２０１を形成する。
【００３２】
このように流路形成基板用ウェハ１１０に流路形成基板１０を複数一体的に形成した状態では、図６に示すように、各流路形成基板１０の外縁部（流路形成基板１０の端部近傍）の一部には、流路形成基板１０の外縁部の他の部分よりも剛性の低い低剛性部１５０が形成されている。本実施形態では、各流路形成基板１０の外周部には凹部１６が形成されていることで、流路形成基板１０の外縁部には、外縁部の他の部分よりも厚さの薄い薄肉部１０ａが存在し、低剛性部１５０はこの薄肉部１０ａによって構成されている。つまり、低剛性部１５０は、流路形成基板１０の外縁部の他の部分よりも厚さが薄くなっていることで、他の部分よりも剛性が低くなっている。
【００３３】
そして、上述したようにエッチングによってブレイクパターン２００を形成する際、本発明では、流路形成基板用ウェハ１１０の低剛性部１５０に対応する部分には、ブレイクパターン２００を構成する貫通孔２０１Ａを、低剛性部１５０に対応する部分に亘って連続して形成するようにした。すなわち、ブレイクパターン２００は、基本的には貫通孔２０１と各貫通孔２０１の間の脆弱部２０２とで構成されるが、低剛性部１５０に対応する部分以外には、脆弱部２０２を設けることなく貫通孔２０１Ａのみを設けるようにした。
【００３４】
次いで、図７（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧力発生室１２が開口する面側の保護膜５１を除去し、各流路形成基板１０に対応する部分にノズルプレート２０を接着剤２５によってそれぞれ接合する。例えば、接着剤２５として熱硬化型の接着剤を用いた場合、流路形成基板用ウェハ１１０とノズルプレート２０との間に未硬化の接着剤２５を挟んだ状態で接着剤２５を加熱硬化させる。
【００３５】
ここで、接着剤２５を硬化させる際の加熱により、流路形成基板用ウェハ１１０とノズルプレート２０との線膨張係数の違いに起因して、流路形成基板用ウェハ１１０には変形（反り）が生じ、この流路形成基板用ウェハ１１０の変形に伴う応力が低剛性部１５０にかかる。そして、低剛性部１５０に対向する領域に、ブレイクパターン２００として貫通孔２０１と脆弱部２０２とを形成した場合、貫通孔２０１から低剛性部１５０に向かって亀裂が生じてしまう虞がある。
【００３６】
各流路形成基板１０は、加熱により広がる方向に変形しようとするため、例えば、流路形成基板用ウェハ１１０に各流路形成基板１０が千鳥状に配置された部分では、図３（ｂ）中に矢印で示すように、各流路形成基板１０には、隣接する流路形成基板１０の異なる向きの応力が作用する。すなわち、千鳥状に配置された各流路形成基板１０には複数の向きの応力が働く。このため、千鳥状に配置された流路形成基板１０の外縁部に設けられている低剛性部１５０には特に亀裂が生じ易い。
【００３７】
しかしながら本発明では、上述したように低剛性部１５０に対応する部分に、貫通孔２０１Ａのみを連続して形成するようにしたため（図６）、この貫通孔２０１Ａによって低剛性部１５０にかかる応力が緩和されるせいか、低剛性部１５０に亀裂が生じるのを防止することができる。勿論、千鳥状に配置された流路形成基板１０の低剛性部１５０に対する亀裂の発生も防止することができる。また接着剤２５の硬化時だけでなく、何れの要因によるものであっても、低剛性部１５０に亀裂が発生するのを防止することができる。
【００３８】
なおその後は、図７（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、例えば、エキスパンドテープ等を用いて、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０をブレイクパターン２００，２１０に沿って分割する。これにより、上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００３９】
なお、本実施形態では、薄肉部１０ａのみで構成される低剛性部１５０を説明したが、例えば、図８に示すように、一部が薄肉部１０ａによって構成される低剛性部１５０Ａであっても、亀裂が生じる虞はある。すなわち、凹部１６が流路形成基板１０の周縁部の一部に設けられ、その壁部１７の幅が比較的狭い場合には、壁部１７と薄肉部１０ａとで構成される低剛性部１５０Ａであっても亀裂が生じる虞がある。そして、このような構造のインクジェット式記録ヘッドを製造する際であっても、低剛性部１５０Ａに対応する部分に、ブレイクパターン２００を構成する貫通孔２０１Ａを連続して形成することで、低剛性部１５０Ａに亀裂が発生するのを防止することができる。
【００４０】
（実施形態２）
図９は、実施形態２に係るインクジェット式記録ヘッドの概略斜視図であり、図１０は、実施形態２に係る製造方法を示す図であり、流路形成基板用ウェハの一部を拡大した平面図及び断面図である。なお、同一部材には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４１】
本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドは、図９に示すように、ノズルプレート２０の記録部及び流路形成基板１０の凹部が設けられていない代わりに、流路形成基板１０の周縁部に、流路形成基板１０を厚さ方向に貫通する貫通部である位置決め孔１８が設けられている。また、この位置決め孔１８に対応して、保護基板３０及びノズルプレート２０にも、それぞれ位置決め孔３４，２３が形成されている以外は、実施形態１と同様の構成である。なおこれらの位置決め孔１８，２３，３４は、製造過程において位置決めピンを挿入することで、流路形成基板１０と、ノズルプレート２０及び保護基板３０とを位置決めするために用いられる。
【００４２】
このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドも、実施形態１で説明した製造方法によって製造される。そして、流路形成基板用ウェハ１１０に流路形成基板１０を複数一体的に形成した状態において、図１０に示すように、各流路形成基板１０の外縁部（流路形成基板１０の端部近傍）の一部には、流路形成基板１０の外縁部の他の部分よりも剛性の低い低剛性部１５０Ｂが形成されることになる。本実施形態では、各流路形成基板１０の外周部には位置決め孔１８が形成されているため、この位置決め孔１８と流路形成基板の端部との間の部分が、外縁部の他の部分よりも幅Ｗの薄い幅狭部１０ｂとなっている。そして、外縁部の他の部分よりも剛性の低い低剛性部１５０Ｂは、この幅狭部１０ｂによって構成されている。
【００４３】
このような低剛性部１５０Ｂが流路形成基板１０に存在する場合であっても、ブレイクパターン２００を構成する貫通孔２０１Ａを、低剛性部１５０Ｂに対応する部分に亘って連続して形成することで、低剛性部１５０Ｂに亀裂が生じるのを防止することができる。
【００４４】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型の圧電素子を有するインクジェット式記録ヘッドを例示したが、勿論、本発明はこのようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法に限定されるものではない。本発明は、例えば、各層が成膜及びリソグラフィ法により形成された（いわゆる薄膜型の）圧電素子や、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる（いわゆる縦振動型の）圧電素子を具備するインクジェット式記録ヘッドの製造方法にも適用することができる。
【００４５】
さらに、本発明は、例えば、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズルから液滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズルから液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータを具備するインクジェット式記録ヘッドの製造方法にも適用することができる。
【００４６】
さらに、上述した実施形態においては、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を一例として本発明を説明したが、これに限定されず、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製造方法全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】流路形成基板用ウェハ及びブレイクパターンの概略図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す平面図及び断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図８】実施形態１に係る記録ヘッドの変形例を示す平面図及び断面図である。
【図９】実施形態２に係る記録ヘッドの概略斜視図である。
【図１０】実施形態２に係る記録ヘッドの製造工程を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  流路形成基板、  １０ａ  薄肉部、  １０ｂ  幅狭部、  １１  隔壁、  １２  圧力発生室、  １３  インク供給路、  １４  連通路、  １５  連通部、  １６  凹部、  １７  壁部、  １８  位置決め孔、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル、  ２２  記録部、  ２５  接着剤、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  保護基板用ウェハ、  １５０  低剛性部、  ２００  ブレイクパターン、  ２０１  貫通孔、  ２０２  脆弱部、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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