(57)【要約】【課題】媒体の製造を同一のインライン式装置を用いて行い、これによりハンドリングによる汚染を低減し、生産性を高めることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する改質工程と、前記マスク層を除去する除去工程と、前記記録磁性層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記キャリアから前記非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、前記改質工程、前記除去工程または前記保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を採用する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、相互に接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、
記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、
前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する改質工程と、
前記マスク層を除去する除去工程と、
前記記録磁性層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記キャリアから前記非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、前記改質工程、前記除去工程または前記保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記改質工程における前記磁気特性の改質が、非磁性化であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記装着工程と前記改質工程との間で、前記マスク層をパターニングするパターニング工程を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記記録磁性層を前記非磁性基板の両面に形成するとともに、前記改質工程において、前記反応性プラズマ処理または前記イオン照射処理を前記非磁性基板の両面に同時に行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記反応性プラズマ処理または前記イオン照射処理を、イオンガン、ＩＣＰ，ＲＩＥからなる群から選ばれた何れかの方法により行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、相互に接続された複数のチャンバ内に順次搬送させ、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する装置であって、
記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着機構と、
前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する機構を備えた改質チャンバと、
前記マスク層を除去する除去チャンバと、
前記記録磁性層上に保護膜を形成する機構を備えた保護膜形成チャンバと、
前記キャリアから成膜後の非磁性基板を取り外す取外し機構とを有し、
前記改質チャンバ、前記除去チャンバまたは前記保護膜形成チャンバの何れか一つ以上が複数備えられていることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項７】
前記装着機構と前記改質チャンバの間に、前記マスク層をパターニングするパターニングチャンバが備えられていることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法および製造装置に関し、さらに詳しくは、磁気的に分離された磁気記録領域を有する、いわゆるディスクリート媒体やパターンド媒体の製造方法、および、この製造方法を実現する製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大されその重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつあり、特にＭＲヘッド、およびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなども導入され１年に約１００％ものペースで増加を続けている。
【０００３】
これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁性層の高保磁力化と高信号対雑音比(ＳＮＲ)、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
【０００４】
最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなっており、このことはそのままＢｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅの低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００５】
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要があるが、その一方で、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００６】
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術が要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられているが、この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮＲを確保することがむずかしいという問題がある。
【０００７】
このような熱揺らぎの問題やＳＮＲの確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされており、このような技術を以下にディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。また、同一トラック内のデータ領域を更に分割した、いわゆるパターンドメディアを製造しようとする試みもある。
【０００８】
ディスクリートトラック媒体の一例として、表面に凹凸パターンを形成した非磁性基板に磁気記録媒体を形成して、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなる磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
この磁気記録媒体は、表面に複数の凹凸のある基板の表面に軟磁性層を介して強磁性層が形成されており、その表面に保護膜を形成したものである。この磁気記録媒体では、凸部領域に周囲と物理的に分断された磁気記録領域が形成されている。
【００１０】
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【００１１】
ディスクリートトラック法には、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法と、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法がある（例えば、特許文献２，特許文献３参照。）。
【００１２】
また、ディスクリートトラック媒体の磁気トラック間領域を、あらかじめ形成した磁性層に窒素、酸素等のイオンを注入し、または、レーザを照射することにより、その部分の磁気的な特性を変化させて形成する方法が開示されている（特許文献４〜６参照。）。
【００１３】
なお、特許文献７には、磁気記録媒体の製造に際し、複数枚の基板を保持したキャリアを周状に搬送し、基板に多層の膜を形成するためのインライン式成膜装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献５】特開２００６−２０９９５２号公報
【特許文献６】特開２００６−３０９８４１号公報
【特許文献７】特開平８−２７４１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ディスクリート媒体の製造方法としては、例えば、非磁性基板の上に、軟磁性層、中間層、配向制御層、記録磁性層等を形成した後、その表面にフォトリソグラフィー技術を用いて磁気記録領域を形成するためのマスク層を形成し、記録磁性層のうちマスク層に覆われていない箇所を反応性プラズマ等に曝して該箇所の磁気特性を改質し、マスク層を除去し、その上に保護膜および潤滑剤層を形成することにより行う。
【００１５】
これらの工程は、なるべく１つの装置を用いて連続的に行うのが、処理基板のハンドリングに際して基板が汚染されることを防ぎ、またハンドリング工程等を少なくして製造工程を効率化や製品歩留まりを良くし磁気記録媒体の生産性を高める上で好ましい。
【００１６】
しかしながら、これらの工程の内、軟磁性層、中間層、配向制御層、記録磁性層等を形成する工程および保護膜を形成する工程は、特許文献７に記載されたインライン式の成膜装置を用いることができるが、マスク層を形成する工程、記録磁性層でマスク層に覆われていない箇所を反応性プラズマ等に曝して該箇所の磁気特性を改質する工程およびマスク層を除去する工程は、インライン式の磁性層等の成膜装置を用いた工程に加えるのは難しかった。
【００１７】
すなわち、記録磁性層等の成膜工程は、基板一枚あたり十秒程度の時間で処理できるのに対し、記録磁性層の表面にパターン化したマスク層を形成する工程、記録磁性層の磁気特性を部分的に改質する工程、マスク層を除去する工程はその時間内に処理するのが難しく、各工程を連続して行うのが困難であった。
【００１８】
また、記録磁性層の表面のマスク層をパターニングする工程では、記録磁性層の表面に液体状のレジストを塗布し、その表面にモールドをスタンプしてモールドパターンを転写する工程を含む場合が多い。この工程は湿式プロセスであり、乾式プロセスである記録磁性層のスパッタ工程とかなり相違するため、これらの工程を１つの装置で連続して行うのは困難であった。
【００１９】
本発明は、これらの問題を解決しディスクリート媒体等の製造をなるべく同一のインライン式装置を用いて行い、これにより処理基板のハンドリングによる汚染を低減し、ディスクリート媒体等の製造における生産性を高めることが可能な磁気記録媒体の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意努力研究したところ、キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、磁気的に分離した磁気記録領域を有する磁気記録媒体の製造方法において、マスク層をイオンエッチングする工程、磁性層でマスク層に覆われていない箇所を反応性プラズマ処理またはイオン照射処理して改質する工程、磁性層上に保護膜を形成する工程のうち、何れかの工程を複数のチャンバに分けて行うことにより各工程の処理を一定の速度で連続的に行うことが可能となり、これにより磁気記録媒体の高い生産性が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【００２１】
即ち、本発明は以下に関する。
［１］  キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、相互に接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する方法であって、記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する改質工程と、前記マスク層を除去する除去工程と、前記記録磁性層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記キャリアから前記非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、前記改質工程、前記除去工程または前記保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
［２］  前記改質工程における前記磁気特性の改質が、非磁性化であることを特徴とする［１］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［３］  前記装着工程と前記改質工程との間で、前記マスク層をパターニングするパターニング工程を行うことを特徴とする［１］または［２］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［４］  前記記録磁性層を前記非磁性基板の両面に形成するとともに、前記改質工程において、前記反応性プラズマ処理または前記イオン照射処理を前記非磁性基板の両面に同時に行うことを特徴とする［１］乃至［３］の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［５］  前記反応性プラズマ処理または前記イオン照射処理を、イオンガン、ＩＣＰ，ＲＩＥからなる群から選ばれた何れかの方法により行うことを特徴とする［１］乃至［４］の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［６］  前記キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、相互に接続された複数のチャンバ内に順次搬送させ、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する装置であって、記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着機構と、前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する機構を備えた改質チャンバと、前記マスク層を除去する除去チャンバと、前記記録磁性層上に保護膜を形成する機構を備えた保護膜形成チャンバと、前記キャリアから成膜後の非磁性基板を取り外す取外し機構とを有し、前記改質チャンバ、前記除去チャンバまたは前記保護膜形成チャンバの何れか一つ以上が複数備えられていることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
［７］  前記装着機構と前記改質チャンバの間に、前記マスク層をパターニングするパターニングチャンバが備えられていることを特徴とする［６］に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法および製造装置によれば、いわゆるディスクリート媒体の製造におけるかなりの工程をインライン式の製造装置によって行うことが可能となるため、処理基板のハンドリング工程を減らして汚染を防ぐことが可能となり、磁気記録媒体の生産性を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
本実施形態は、キャリアに装着した複数枚の非磁性基板を、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する、いわゆるインライン式の製造装置を用いた製造方法に適用される。
【００２４】
本実施形態の磁気記録媒体は、例えば、図１及び図２に示すように非磁性基板８０の両面に、軟磁性層８１、中間層８２、記録磁性層８３及び保護膜８４が積層された構造を有し、さらに最表面には潤滑膜８５が形成されている。軟磁性層８１、中間層８２及び記録磁性層８３によって磁性層８１０が形成されている。図１に示すように、記録磁性層８３には、図示略の磁気記録パターンと非磁性体領域とが形成されている。
【００２５】
非磁性基板８０としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。
【００２６】
中でもＡｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板またはシリコン基板を用いることが好ましく、また、これら基板の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
上記のような非磁性基板８０の表面に形成される磁性層８１０は、面内磁性層でも垂直磁性層でもかまわないが、より高い記録密度を実現するためには垂直磁性層が好ましい。
【００２８】
これら磁性層８１０は、主としてＣｏを主成分とする合金から形成するのが好ましく、例えば、面内磁気記録媒体用の磁性層としては、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層からなる積層構造が利用できる。
【００２９】
また、垂直磁気記録媒体用の磁性層としては、図２に示すように、例えば軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる軟磁性層８１と、Ｒｕ等からなる中間層８２と、６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ2合金からなる記録磁性層８３とを積層したものを利用できる。また、軟磁性層８１と中間層８２との間にＰｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどからなる配向制御膜を積層してもよい。
【００３０】
磁性層８１０の全体の厚さは、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とし、磁性層８１０は使用する磁性合金の種類と積層構造に合わせて、十分なヘッド出入力が得られるように形成すればよい。磁性層８１０の膜厚は再生の際に一定以上の出力を得るにはある程度以上の磁性層の膜厚が必要であり、一方で記録再生特性を表す諸パラメーターは出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、最適な膜厚に設定する必要がある。
【００３１】
また、保護層８４としては、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨxＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜材料を用いることができる。また、保護層８４が２層以上の層から構成されていてもよい。保護層８４の膜厚は１０ｎｍ未満とする必要がある。保護層８４の膜厚が１０ｎｍを越えるとヘッドと記録磁性層８３との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるからである。
【００３２】
更に、潤滑層８５に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層８５を形成する。
【００３３】
次に、本実施形態の磁気記録媒体の製造装置について図面を参照して説明する。
図３は、磁気記録媒体の製造装置の一例を示す模式図であり、図４は、磁気記録媒体製造装置の処理チャンバとキャリアを示す模式図であり、図５は、磁気記録媒体製造装置が備えるキャリアを示す側面図である。
【００３４】
なお、図４において、実線で示すキャリア２５は、第１処理位置に停止した状態を示し、破線で示すキャリア２５は、第２処理位置に停止した状態を示す。すなわち、本例で示した処理チャンバは、チャンバ内に、非磁性基板に対向した２箇所の処理装置があるため、第１処理位置に停止した状態でキャリア２５の左側の非磁性基板に処理を行い、その後、キャリア２５が破線で示す位置に移動し、第２処理位置に停止した状態で、キャリア２５の右側の非磁性基板に処理を行う。なお、チャンバ内に、非磁性基板に対向して各側２箇所ずつの処理装置を設置した場合は、このようなキャリア２５の移動は不要となり、キャリア２５の右側および左側に保持された基板に同時に処理を行うことができる。
【００３５】
図３に示すように、この磁気記録媒体の製造装置は、ロボット台１と、ロボット台１上に截置された基板カセット移載ロボット３と、ロボット台１に隣接する基板供給ロボット室２と、基板供給ロボット室２内に配置された基板供給ロボット３４と、基板供給ロボット室２に隣接する基板取り付け室５２と、キャリアを回転させるコーナー室４、７、１４、１７と、各コーナー室４、７、１４、１７の間に配置された処理チャンバ５、６、８〜１３、１５、１６、１８〜２０と、基板取り外し室５４と、基板取り外し室５４に隣接して配置された基板取り外しロボット室２２と、基板取り外しロボット室２２内に設置された基板取り外しロボット４９とを有している。また、各処理チャンバ５…には、複数の処理用基板（非磁性基板）２３、２４が装着される複数のキャリア２５が内蔵されている。
【００３６】
上記の製造装置においては、ロボット台１、基板カセット移載ロボット３、基板供給ロボット室２、基板供給ロボット３４及び基板取り付け室５２によって、装着機構が構成されている。この装着機構によって、磁性層８１０およびマスク層が形成された非磁性基板がキャリア２５に装着される。
【００３７】
更に、上記の製造装置においては、ロボット台１、基板カセット移載ロボット３、基板取り外し室５４、基板取り外しロボット室２２及び基板取り外しロボット４９によって、取外し機構が構成されている。取外し機構によって、キャリア２５から成非磁性基板が取り外される。
【００３８】
また、上記の製造装置においては、処理チャンバ６、８によってパターニングチャンバが構成されている。パターニングチャンバには、マスク層をパターニングする機構が備えられている。
また、上記の製造装置においては、処理チャンバ１０、１１、１２によって改質チャンバが構成されている。改質チャンバには、記録磁性層８３のうち、パターンニング後のマスク層によって覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って非磁性体に改質させ、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する機構が備えられている。
また、上記の製造装置においては、処理チャンバ１６、１８によって除去チャンバが構成されている。除去チャンバには、マスク層を除去する機構が備えられている。
【００３９】
更に、上記の製造装置においては、処理チャンバ１９、２０によって保護膜形成チャンバが構成されている。保護膜形成チャンバには、記録磁性層８３上に保護膜８４を形成する機構が備えられている。
このように、本実施形態の製造装置においては、パターニングチャンバ、改質チャンバ、除去チャンバ及び保護膜形成チャンバがそれぞれ、複数の処理チャンバによって構成されている。
【００４０】
また、各室２、５２、４〜２０、５４、３Ａには、それぞれ真空ポンプが接続されており、これらの真空ポンプの動作によって減圧状態となされた各室内に、キャリア２５を順次搬送し、各チャンバ内において、装着された処理基板２３、２４の両面を処理することによって磁気記録媒体が製造できるように構成されている。
【００４１】
図５に示すように、キャリア２５は、支持台２６と、支持台２６の上面に設けられた複数の基板装着部２７（本実施形態では２基搭載）とを有している。
【００４２】
基板装着部２７は、処理用基板（非磁性基板）２３、２４の厚さとほぼ等しい厚さを有する板体２８に、処理用基板２３、２４の外周より若干大径となされた円形状の貫通穴２９が形成されて構成され、貫通穴２９の周囲には、該貫通穴２９の内側に向かって突出する複数の支持部材３０が設けられている。この基板装着部２７には、貫通穴２９の内部に処理用基板２３、２４が嵌め込まれ、その縁部に支持部材３０が係合することによって、処理用基板２３、２４が保持される。この基板装着部２７は、装着された２枚の処理用基板２３、２４の主面が支持台２６の上面に対して略直交し、且つ、略同一面上となるように、支持台２６の上面に並列して設けられている。以下、これら基板装着部２７に装着される２枚の処理用基板２３、２４を、それぞれ、第１処理用基板２３および第２成膜用基板２４と称する。
【００４３】
基板カセット移載ロボット３は、処理用基板２３、２４が収納されたカセットから、基板取り付け室２に基板を供給するとともに、基板取り外し室２２で取り外された磁気記録媒体を取り出す。この基板取り付け・取り外し室２、２２の一側壁には、外部に開放された開口と、この開口を開閉する５１、５５が設けられている。
【００４４】
また、各室２、５２、４〜２０、５４、３Ａは隣接する２つの壁部にそれぞれ接続されており、これら各室の接続部には、ゲートバルブが設けられており、これらゲートバルブが閉状態のとき、各室内は、それぞれ独立の密閉空間となる。
【００４５】
コーナー室４、７、１４、１７は、キャリア２５の移動方向を変更する室であり、その内部に、図示しないが、キャリアを回転させて次のチャンバに移動させる機構が設けられている。
【００４６】
各チャンバには処理用ガス供給管が設けられ、供給管には、図示しない制御機構によって開閉が制御されるバルブが設けられ、これらバルブおよびポンプ用ゲートバルブを開閉操作することにより、処理用ガス供給管からのガスの供給、チャンバ内の圧力およびガスの排出が制御される。
【００４７】
基板取り外しチャンバ５４の内部では、キャリア２５に装着された第１処理用基板２３および第２処理用基板２４が、ロボット４９を用いて取り外される。
【００４８】
本実施形態は、上記磁気記録媒体の製造装置を用いて、非磁性基板８０に、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法に関し、この磁気記録媒体の記録磁性層８３には、非磁性領域８３ｂによって分離された磁気記録パターン８３ａが形成されている。非磁性領域８３ｂは、例えば、記録磁性層８３に対して部分的に反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行い、磁性体を非磁性体に改質することによって形成する。
【００４９】
このように本実施形態の磁気記録媒体は、記録磁性層８３の表面にマスク層を設け、このマスク層に覆われていない箇所を反応性プラズマ等に曝すことで得られる。
【００５０】
なお本実施形態の磁気記録パターン８３ａとは、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。
【００５１】
この中で本実施形態は、磁気記録パターン８３ａが、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート型磁気記録媒体に適用するのが、その製造における簡便性から好ましい。 
【００５２】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、記録磁性層８３と記録磁性層８３をパターニングするマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、マスク層をパターニングするパターニング工程と、記録磁性層８３のうち、パターン化マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って非磁性体に改質することで、磁気記録パターンを形成する改質工程と、マスク層を除去する除去工程と、記録磁性層８３上に保護膜８４を形成する保護膜形成工程と、キャリアから非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、改質工程、除去工程または保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理する。
【００５３】
本実施形態の各工程の内、装着工程と取り外し工程は基板１枚当たり１秒程度の処理時間で行うことが可能であるが、改質工程、除去工程はそれぞれ数十秒程度、保護膜形成工程は数秒から３０秒程度の処理時間を要する。これらの工程を、各工程１つのチャンバで処理する場合は、改質工程及び除去工程が律速となり、他の工程を改質工程及び除去工程の速度に合わせる必要がある。
【００５４】
本実施形態では、改質工程から保護膜形成工程の中で処理速度が律速となる工程を複数のチャンバで処理することにより、各工程間での処理時間をなるべく均等にすることで、磁気記録媒体の生産性を向上させる。例えば、一つのチャンバにおける基板１枚あたりの装着工程と取り外し工程の処理時間が１秒、改質工程と除去工程の処理時間が６０秒、保護膜形成工程の処理時間が３０秒の場合で、各工程の処理チャンバがそれぞれ１つづつである場合の全体の処理時間は、基板１枚あたり６０秒となる。ここで本実施形態のように、改質工程と除去工程の処理チャンバを各２チャンバとした場合、基板１枚あたりの処理時間は３０秒となる。また、改質工程と除去工程の処理チャンバを各４チャンバ、保護膜形成工程の処理チャンバを２チャンバとした場合、基板１枚あたりの処理時間は１５秒となる。
【００５５】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録パターンを非磁性基板の両面に形成するために、反応性プラズマ、または、イオンを照射する処理を、非磁性基板の両面同時に行うのが好ましい。一般的に磁気記録媒体は、その両面に記録磁性層を有するため、磁気記録媒体の両面同時に処理するのが好ましいからである。
【００５６】
通常、記録磁性層８３はスパッタ法により薄膜として形成する。例えば、図６に示すように、非磁性基板８０に、軟磁性層８１及び中間層８２を順次積層した後に、少なくともスパッタ法により記録磁性層８３を形成し（図６（ａ））、次に記録磁性層８３の上にマスク層８４０を形成し（図６（ｂ））、マスク層８４０の上にレジスト層８５０を形成する（図６（ｃ））。
【００５７】
次に、図７に示すように、レジスト層８５０に磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプ８６を用いて転写する（図７（ａ））図７（ａ）における矢印はスタンプ８６の動きを示している。次に、ここまで処理した非磁性基板８０を、図３に示す製造装置の装着機構によって、基板取り付け室５２内のキャリア２５に装着する。そして、キャリアによって非磁性基板８０を順次搬送し、２つの処理チャンバ６及び８（パターニングチャンバ）において、ネガパターンが転写されたレジスト層８５０を用いてマスク層をパターニングする（図７（ｂ））。次に、図３に示す処理チャンバ９において、マスク層８４０のパターニングによって露出された記録磁性層８３の表面を部分的にイオンミリング処理することによって凹部８３ｃを形成する（図７（ｃ））。なお、符号ｄは、記録磁性層８３に設けた凹部８３ｃの深さを示す。
【００５８】
次いで、図３及び図８に示すように、３つの処理チャンバ１０、１１、１２（改質チャンバ）において、記録磁性層８３のうち、マスク層８４０に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って記録磁性層８３を構成する磁性体を非磁性体に改質する（図８（ａ））。これにより、図８（ａ）に示すように、記録磁性層８３に磁気記録パターン８３ａと非磁性領域８３ｂとを形成する。
次に、２つの処理チャンバ１３、１５においてレジスト層８５０を除去し、次いで２つの処理チャンバ１６、１８（除去チャンバ）においてマスク層８４０を除去する（図８（ｂ））。次に、２つの処理チャンバ１９、２０において、記録磁性層８３の表面を保護膜８４で覆う（図８（ｃ））。以上の工程を順次行うことで、本実施形態の磁気記録媒体を製造できる。
【００５９】
図６（ｂ）における工程で、記録磁性層８３の上に形成するマスク層８４０は、Ｔａ、Ｗ、Ｔａ窒化物、Ｗ窒化物、Ｓｉ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｎｉからなる群から選ばれた何れか一種以上を含む材料で形成するのが好ましい。このような材料を用いることにより、マスク層８４０によるミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、記録磁性層８３に凹部８３ｃを設けることができる。また、マスク層８４０による磁気記録パターン８３ａの形成特性を向上させることができる。さらに、これらの物質は、反応性ガスを用いたドライエッチングが容易であるため、図８（ｂ）に示すマスク層８４０の除去工程において、残留物を減らし、磁気記録媒体表面の汚染を減少させることができる。
【００６０】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、これらの物質の中で、マスク層８４０として、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｇａを用いるのが好ましく、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂを用いるのがより好ましく、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを用いるのが最も好ましい。
【００６１】
また、本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、図７（ａ）に示す工程において、スタンプ８６によるレジスト層８５０へのネガパターン転写後の、レジスト層８５０の残部８５０ａの厚みを、０〜１０ｎｍの範囲内とするのが好ましい。
【００６２】
この場合、レジスト層８５０の残部８５０ａの厚みをこの範囲とすることにより、図７（ｂ）におけるマスク層８４０のパターニング工程において、マスク層８４０のエッジ部分のダレを無くし、マスク層８４０によるミリングイオンに対する遮蔽性を向上させ、記録磁性層８３に凹部８３ｃを設けることができる。また、マスク層８４０による磁気記録パターン８３ａの形成特性を向上させることができる。
【００６３】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、レジスト層８５０の構成材料を、放射線照射により硬化性を有する材料とし、レジスト層８５０にスタンプ８６を用いてパターン転写する工程に際して、または、パターン転写工程の後に、レジスト層８５０に放射線を照射するのが好ましい。
【００６４】
このような製造方法を用いることにより、レジスト層８５０に、スタンプ８６の形状を精度良く転写することが可能となり、図７（ｂ）におけるマスク層８４０のパターニング工程において、マスク層８４０のエッジの部分のダレを無くし、マスク層８４０に対する注入イオンに対する遮蔽性を向上させ、また、マスク層８４０による磁気記録パターン８３ａの形成特性を向上させることができる。
【００６５】
本実施形態の放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線照射により硬化性を有する材料とは、例えば、熱線に対しては熱硬化樹脂、紫外線に対しては紫外線硬化樹脂である。
【００６６】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、特に、レジスト層８５０にスタンプ８６を用いてパターンを転写する工程に際して、レジスト層の流動性が高い状態で、レジスト層８５０にスタンプを押圧し、その押圧した状態で、レジスト層８５０に放射線を照射することによりレジスト層８５０を硬化させ、その後、スタンプ８６をレジスト層８５０から離すことにより、スタンプ８６の形状を精度良く、レジスト層８５０に転写することが可能となる。
【００６７】
レジスト層８５０にスタンプ８６を押圧した状態で、レジスト層８５０に放射線を照射する方法としては、スタンプ８６の反対側、すなわち非磁性基板８０側から放射線を照射する方法、スタンプ８６の構成材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ８６側から放射線を照射する方法、スタンプ８６の側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ８６または非磁性基板８０を介しての熱伝導により放射線を照射する方法を用いることができる。
【００６８】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、この中で特に、レジスト層８５０の構成材料として、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等の紫外線硬化樹脂を用い、スタンプ８６の構成材料として、紫外線に対して透過性の高いガラスもしくは樹脂を用いるのが好ましい。
【００６９】
このような方法を用いることにより、磁気記録パターン８３ａの保磁力及び残留磁化を極限まで低減させることが可能になり、磁気記録の際の書きにじみをなくし、高い面記録密度の磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００７０】
前記のプロセスで用いられるスタンプ８６は、例えば、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したものが使用でき、材料としてはプロセスに耐えうる硬度、耐久性が要求される。たとえばＮｉなどが使用できるが、前述の目的に合致するものであれば材料は問わない。スタンプ８６には、通常のデータを記録するトラックの他にバーストパターン、グレイコードパターン、プリアンブルパターンといったサーボ信号のパターンも形成できる。
【００７１】
本実施形態では、図７（ｃ）に示すように、イオンミリング等により記録磁性層８３の表層の一部を除去して凹部８３ｃを設ける。このように、凹部８３ｃを設けてからその表面を反応性プラズマや反応性イオンに曝して記録磁性層８３の磁気特性を改質させた方が、凹部８３ｃを設けなかった場合に比べて、磁気記録パターン８３ａと非磁性領域８３ｂとのパターンのコントラストがより鮮明になり、また磁気記録媒体のＳ／Ｎを向上できる。この理由としては、記録磁性層８３の表層部を除去することにより、その表面の清浄化・活性化が図られ、反応性プラズマや反応性イオンとの反応性が高まったこと、また記録磁性層８３の表層部に空孔等の欠陥が導入され、その欠陥を通じて記録磁性層８３に反応性イオンが侵入しやすくなったことが考えられる。
【００７２】
本実施形態で、イオンミリング等により記録磁性層８３の表層の一部を除去する深さｄは、好ましくは、０．１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内、より好ましくは、１〜１０ｎｍの範囲内とする。イオンミリングによる除去深さが０．１ｎｍより少ない場合は、前述の記録磁性層８３の除去効果が現れず、また、除去深さが１５ｎｍより大きくなると、磁気記録媒体の表面平滑性が悪化し、磁気記録再生装置を製造した際の磁気ヘッドの浮上特性が悪くなる。
【００７３】
本実施形態では、例えば磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を磁気的に分離する領域を、すでに成膜された記録磁性層を反応性プラズマや反応性イオンにさらして記録磁性層の磁気特性を改質することにより形成することを特徴とする。
【００７４】
本実施形態の、磁気記録パターン８３ａとは、図８（ａ）に示されているように、磁気記録媒体を表面側から見た場合、記録磁性層８３が非磁性化した非磁性領域８３ｂにより分離された状態を指す。すなわち、記録磁性層８３が表面側から見て分離されていれば、記録磁性層８３の底部において分離されていなくとも、本発明の目的を達成することが可能であり、本発明の、磁気記録パターン８３ａの概念に含まれる。また、本発明の磁気記録パターン８３ａとは、磁気記録パターンが１ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を含んでいる。
【００７５】
この中で本実施形態は、磁気記録パターン８３ａが、磁気記録トラック及びサーボ信号パターンである、いわゆる、ディスクリート型磁気記録媒体に適用するのが、その製造における簡便性から好ましい。
【００７６】
本実施形態で、磁気記録パターン８３ａを形成するための記録磁性層８３の改質とは、記録磁性層８３をパターン化するために、記録磁性層８３の保磁力、残留磁化等を部分的に変化させることを指し、その変化とは、保磁力を下げ、残留磁化を下げることを指す。
【００７７】
本実施形態では特に、磁気特性の改質として、反応性プラズマや反応性イオンにさらした箇所の記録磁性層８３の磁化量を当初（未処理）の７５％以下、より好ましくは５０％以下、保磁力を当初の５０％以下、より好ましくは２０％以下とする方法を採用するのが好ましい。このような方法を用いてディスクリートトラック型磁気記録媒体を製造することにより、本媒体に磁気記録を行う際の書きにじみをなくし、高い面記録密度の磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【００７８】
さらに本実施形態では、磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を分離する箇所（非磁性領域８３ｂ）を、すでに成膜された記録磁性層を反応性プラズマや反応性イオンにさらして記録磁性層８３を非晶質化することにより実現することも可能である。本発明における記録磁性層の磁気特性の改質は、記録磁性層の結晶構造の改変によって実現することも含む。
【００７９】
本実施形態で、記録磁性層８３を非晶質化するとは、記録磁性層８３の原子配列を、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態とすることを指し、より具体的には、２ｎｍ未満の微結晶粒がランダムに配列した状態とすることを指す。そしてこの原子配列状態を分析手法により確認する場合は、Ｘ線回折または電子線回折により、結晶面を表すピークが認められず、また、ハローが認められるのみの状態とする。
【００８０】
本実施形態の反応性プラズマとしては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）や反応性イオンプラズマ（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ）が例示できる。
【００８１】
また、本実施形態の反応性イオンとは、前述の誘導結合プラズマ、反応性イオンプラズマ内に存在する反応性のイオンが例示できる。
【００８２】
誘導結合プラズマとは、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化し、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマは電子密度が高く、従来のイオンビームを用いてディスクリートトラックメディアを製造する場合に比べ、広い面積の磁性膜において、高い効率で磁気特性の改質を実現することができる。
【００８３】
反応性イオンプラズマとは、プラズマ中にＯ2、ＳＦ6、ＣＨＦ3、ＣＦ4、ＣＣｌ4等の反応性ガスを加えた反応性の高いプラズマである。このようなプラズマを本実施形態の反応性プラズマとして用いることにより、記録磁性層８３の磁気特性の改質をより高い効率で実現することが可能となる。
【００８４】
本実施形態では、成膜された記録磁性層８３を反応性プラズマにさらすことにより記録磁性層８３を改質するが、この改質は、記録磁性層８３を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の原子またはイオンとの反応により実現するのが好ましい。
【００８５】
この場合、反応とは、磁性金属に反応性プラズマ中の原子等が侵入し、磁性金属の結晶構造が変化すること、磁性金属の組成が変化すること、磁性金属が酸化すること、磁性金属が窒化すること、磁性金属が珪化すること等が例示できる。
【００８６】
本実施形態では特に、反応性プラズマとして酸素原子を含有させ、記録磁性層８３を構成する磁性金属と反応性プラズマ中の酸素原子とを反応させることにより、記録磁性層８３を酸化させるのが好ましい。記録磁性層８３を部分的に酸化させることにより、酸化部分の残留磁化及び保磁力等を効率よく低減させることが可能となるため、短時間の反応性プラズマ処理により、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造することが可能となるからである。
【００８７】
本実施形態では、反応性プラズマに、ハロゲン原子を含有させるのが好ましい。またハロゲン原子としてはＦ原子を用いるのが特に好ましい。ハロゲン原子は、酸素原子と一緒に反応性プラズマ中に添加して用いても良いし、また酸素原子を用いずに反応性プラズマ中に添加しても良い。前述のように、反応性プラズマに酸素原子等を加えることにより、記録磁性層８３を構成する磁性金属と酸素原子等が反応して記録磁性層８３の磁気特性を改質させることが可能となる。この際、反応性プラズマにハロゲン原子を含有させることにより、この反応性をさらに高めることが可能となる。
【００８８】
また、反応性プラズマ中に酸素原子を添加していない場合においても、ハロゲン原子が磁性合金と反応して、記録磁性層８３の磁気特性を改質させることが可能となる。この理由の詳細は明らかではないが、反応性プラズマ中のハロゲン原子が、記録磁性層８３の表面に形成している異物をエッチングし、これにより記録磁性層８３の表面が清浄化し、記録磁性層８３の反応性が高まることが考えられる。
【００８９】
また、清浄化した磁性層表面とハロゲン原子とが高い効率で反応することが考えられる。このような効果を有するハロゲン原子としてＦ原子を用いるのが特に好ましい。
【００９０】
本実施形態では、その後、図８（ｂ）に示すように、レジスト層８５０およびマスク層８４０を除去し、次いで図８（ｃ）に示すように、保護層８４を形成後、潤滑材（図示せず）を塗布して磁気記録媒体を製造する工程を採用するのが好ましい。
【００９１】
レジスト層８５０およびマスク層８４０の除去は、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリング、湿式エッチング等の手法を用いることができる。
【００９２】
保護膜８４の形成は、一般的にはＤｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎの薄膜をＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜する方法が行われるが特に限定されるものではない。
【００９３】
この場合、保護層８４としては、炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨxＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜材料を用いることができる。また、保護層８４が２層以上の層から構成されていてもよい。
【００９４】
保護層８４の膜厚は１０ｎｍ未満とする必要がある。保護層８４の膜厚が１０ｎｍを越えるとヘッドと記録磁性層８３との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなるからである。
【００９５】
保護層８４の上には潤滑層８５を形成することが好ましい。潤滑層８５に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層８５を形成する。
【００９６】
図９は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例である。ここに示す磁気記録再生装置は、上記構成の磁気記録媒体９６と、磁気記録媒体９６を回転工藤させる媒体駆動部９７と、磁気記録媒体９６に情報を記録再生する磁気ヘッド９８と、ヘッド駆動部９９と、記録再生信号処理系１００とを備えている。磁気再生信号処理系１００は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド９８に送り、磁気ヘッド９８からの再生信号を処理してデータを出力する。
【００９７】
上記の製造方法及び製造装置によれば、磁気記録層８３の改質から保護層８４の形成までを１つの装置を用いて連続的に行うことができ、処理基板のハンドリングに際して基板が汚染されることが無く、またハンドリング工程等を少なくして製造工程を効率化や製品歩留まりを良くし磁気記録媒体の生産性を高めることができる。
【００９８】
また、上記の製造方法及び製造装置によれば、記録磁性層でマスク層に覆われていない箇所を反応性プラズマ等に曝して該箇所の磁気特性を改質する工程およびマスク層を除去する工程を複数の処理チャンバによって分担して行うので、インライン式の成膜装置に容易に導入することができる。
【００９９】
すなわち、記録磁性層等の成膜工程は、基板一枚あたり十秒程度の時間で処理できるのに対し、記録磁性層の磁気特性を部分的に改質する工程や、マスク層を除去する工程はその時間内に処理するのが難しいところ、これらの改質工程、除去工程をそれぞれ、複数の処理チャンバによって分担して行うことで、これらの工程の処理時間を、記録磁性層等の成膜工程の処理時間に合わせることができ、これにより各工程を連続して行うことができる。
【０１００】
また、記録磁性層表面のマスク層をパターニングする工程では、記録磁性層の表面に液体状のレジストを塗布し、その表面にモールドをスタンプしてモールドパターンを転写する湿式のプロセスを含むところ、上記の製造方法及び製造装置では、レジストの塗布以外はすべて乾式プロセスで行うので、同じく乾式プロセスである記録磁性層のスパッタ工程と組み合わせて、１つの製造装置で連続して行うことができる。
【実施例】
【０１０１】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
図１〜２及び図６〜８に示すように、非磁性基板８０としてＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０-5Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はＬｉ2Ｓｉ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）は２オングストロームである。
【０１０２】
このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、図２に示すように軟磁性層８１としてＦｅＣｏＢ、中間層８２としてＲｕ、記録磁性層８３として７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ2合金の順に積層した。それぞれの層の膜厚は、ＦｅＣｏＢ軟磁性層が６００Å、Ｒｕ中間層が１００Å、記録磁性層が１５０Åとした。このようにして磁性層を形成した。
【０１０３】
その上に、図６（ａ）〜（ｃ）に示すようにスパッタ法を用いてマスク層８４０を形成した、マスク層８４０にはＴａを用いて膜厚は６０ｎｍとし、次いで、その上に、レジスト層８５０をスピンコート法により塗布した。レジスト層８５０には、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。また膜厚は１００ｎｍとした。
【０１０４】
その上に、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように磁気記録パターンのネガパターンを有するガラス製のスタンプ８６を用いて、スタンプ８６を１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力で、レジスト層８５０に押圧した。その状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上であるガラス製のスタンプの上部から１０秒間照射し、レジストを硬化させた。
【０１０５】
その後、スタンプ８６をレジスト層８５０から分離した。このようにして磁気記録パターンのパターンを転写した。レジスト層８５０に転写したパターンは、レジストの凸部が幅１２０ｎｍの円周状、レジストの凹部が幅６０ｎｍの円周状であり、レジスト層の層厚は８０ｎｍ、レジスト層の凹部を構成する残部８５０ａの厚さは約５ｎｍであった。また、レジスト層凹部を構成する側壁面の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。
【０１０６】
以上の工程で製造した処理基板を、図３〜図５に示す磁気記録媒体の製造装置に投入した。製造装置のキャリア２５は、図５に示すように処理用基板２枚を同時に搭載できる構造である。そして、この製造装置においては、キャリアに処理基板を搭載する工程を１つの処理チャンバ５２で行い、レジスト層の凹部の残部８５０ａの除去を１つの処理チャンバ５で行い、マスク層のパターニング工程を２つの処理チャンバ６、８（パターニングチャンバ）で行い、記録磁性層表面を部分的に除去する工程を１つの処理チャンバ９で行う構成とした。
【０１０７】
また、この製造装置においては、記録磁性層を部分的に改質する工程を３つの処理チャンバ１０、１１、１２（改質チャンバ）で行い、レジストを除去する工程を２つのチャンバ１３、１５で行い、マスク層を除去する工程を２つの処理チャンバ１６、１８（除去チャンバ）で行い、カーボン保護膜の成膜工程を２つの処理チャンバ１９、２０（保護膜形成チャンバ）で行う構成とした。更に、この製造装置においては、キャリアから処理基板を取り外す工程を１つの処理チャンバ５４で行う構成とした。各チャンバでの処理時間を１５秒以内で実現した。以下、各工程の詳細について説明する。
【０１０８】
キャリアに処理基板を搭載する工程では、キャリア２５に、処理基板を１．５秒／枚の速度でチャンバ５２に搭載した。
【０１０９】
また、レジスト凹部の除去工程では、処理基板を搭載したキャリアを、コーナー室４で回転させてレジスト凹部の除去工程を行う処理チャンバ５に移動させ、レジスト層の凹部の箇所をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジストのエッチングに関しては、Ｏ2ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１５秒とした。
【０１１０】
マスク層のパターニング工程では、エッチング処理された処理基板を、マスク層のパターニング工程を行う２つの処理チャンバ６、８に順に移動させ、Ｔａのマスク層のうち、レジストに覆われていない箇所をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジストのエッチングに関しては、Ｏ2ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とし、Ｔａ層のエッチングに関しては、ＣＦ4ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間は１チャンバあたり１５秒で、合計３０秒でエッチングした。
【０１１１】
また、記録磁性層表面を部分的に除去する工程では、ドライエッチング処理された処理基板を、記録磁性層を部分的に除去する処理チャンバ９に移動させ、記録磁性層でマスク層に覆われていな箇所について、その表面をイオンミリングにより除去した。イオンミリングにはＡｒイオンを用いた。イオンの量は、５×１０16原子／ｃｍ2、加速電圧は２０ｋｅＶとし、記録磁性層のミリング深さを０．１ｎｍとした。イオンミリング時間は５秒とした。
【０１１２】
次に、記録磁性層を部分的に改質する工程では、イオンミリング処理された処理基板を、記録磁性層を部分的に改質する３つの処理チャンバ１０、１１、１２に順に移動させ、記録磁性層のうちマスク層に覆われていない箇所の表面を反応性プラズマに曝して磁気特性の改質を行った。記録磁性層の反応性プラズマ処理は、アルバック社の誘導結合プラズマ装置を用いた。プラズマの発生に用いるガスおよび条件としては、Ｏ2を９０ｃｃ／分を用い、プラズマ発生のための投入電力は２００Ｗ、装置内の圧力は０．５Ｐａとし、磁性層を１つのチャンバあたり１５秒間、３つのチャンバで合計で４５秒間で処理した。
【０１１３】
次に、レジストを除去する工程では、改質処理された処理基板を、レジスト層を除去する２つの処理チャンバ１３、１５に移動させ、レジスト層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチング条件は、レジストのエッチングに関しては、Ｏ2ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１５秒とした。
【０１１４】
次に、マスク層を除去する工程では、レジストの除去処理された処理基板を、マスク層を除去する２つの処理チャンバ１６、１８に移動させ、マスク層をドライエッチングで除去した。ドライエッチング条件は、レジストのエッチングに関しては、Ｏ2ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ，高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間１０秒とし、Ｔａ層のエッチングに関しては、ＣＦ4ガスを５０ｓｃｃｍ、圧力０．６Ｐａ、高周波プラズマ電力５００Ｗ、ＤＣバイアス６０Ｗ、エッチング時間は１つのチャンバあたり１５秒間、２つのチャンバで合計３０秒でエッチングした。
【０１１５】
次に、カーボン保護膜の成膜工程では、マスク層の除去処理された処理基板を、カーボン保護膜の成膜工程である２つの処理チャンバ１９、２０に順に移動させ、磁性層の上にＣＶＤ法にてカーボン保護膜を５ｎｍ成膜した。成膜時間は、１５秒間とした。
【０１１６】
最後に、キャリアから処理基板を取り外す工程では、成膜処理された処理基板を、キャリアから処理基板を外す処理チャンバ５４に移動させ、キャリア２５から、処理済み基板を１．５秒／枚の速度で取り外した。
【０１１７】
以上のように、本発明の磁気記録媒体の製造方法および製造装置によれば、いわゆるディスクリート媒体の製造におけるかなりの工程をインライン式の製造装置によって行うことが可能となるため、処理基板のハンドリング工程を減らして汚染を防ぐことが可能となり、磁気記録媒体の生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の実施形態である磁気記録媒体を示す拡大断面模式図である。
【図２】本発明の実施形態である磁気記録媒体を示す拡大断面模式図である。
【図３】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造装置の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造装置の処理チャンバとキャリアを示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造装置が備えるキャリアを示す側面図である。
【図６】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す断面模式図である。
【図７】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す断面模式図である。
【図８】本発明の実施形態である磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す断面模式図である。
【図９】本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１…基板カセット移載ロボット台（装着機構、取外し機構）、２…基板供給ロボット室（装着機構）、３…基板カセット移載ロボット（装着機構、取外し機構）、５、６、８〜１３、１５、１６、１８〜２０…処理チャンバ（チャンバ）、６、８…処理チャンバ（パターニングチャンバ）、１０〜１２…処理チャンバ（改質チャンバ）、１６、１８…処理チャンバ（除去チャンバ）、１９、２０…処理チャンバ（保護膜形成チャンバ）、２２…基板取り外しロボット室（取外し機構）、２５…キャリア、３４…基板供給ロボット（装着機構）、４９…基板取り外しロボット（取外し機構）、５２…基板取り付け室（装着機構）、５４…基板取り外し室（取外し機構）、８０…非磁性基板、８３…記録磁性層、８３ａ…磁気記録パターン、８４…保護層、８１０…磁性層、８４０…マスク層。
【図１】
2009277275.tif 000002
【図２】
2009277275.tif 000003
【図３】
2009277275.tif 000004
【図４】
2009277275.tif 000005
【図５】
2009277275.tif 000006
【図６】
2009277275.tif 000007
【図７】
2009277275.tif 000008
【図８】
2009277275.tif 000009
【図９】
2009277275.tif 000010