(57)【要約】【課題】裏面が十分に平坦なスタンパーを短時間でしかも容易に製造し得るスタンパーの製造方法を提供する。【解決手段】第１面３０ａ（一方の面）に凹凸パターン３５が形成された平板状の電解めっき層３１（スタンパー本体）における少なくとも第２面３０ｂ（他方の面）側（この例では、スタンパー本体に相当する電解めっき層３１の全体）が結晶構造となるように電解めっき層３１を形成した後に、電解めっき層３１における第２面３０ｂに無電解めっき層３２（非晶質構造の層）を形成し、その後に無電解めっき層３２の表面を研磨処理してスタンパー３０を製造する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に凹凸パターンが形成された平板状のスタンパー本体における少なくとも他方の面側が結晶構造となるように当該スタンパー本体を形成した後に、当該スタンパー本体における当該他方の面に非晶質構造の層を形成し、その後に当該非晶質構造の層の表面を研磨処理してスタンパーを製造するスタンパーの製造方法。
【請求項２】
前記スタンパー本体における前記結晶構造の部位と前記非晶質構造の層とを主成分が同一の材料で形成する請求項１記載のスタンパーの製造方法。
【請求項３】
前記スタンパー本体における前記結晶構造の部位をＮｉで形成すると共に、前記非晶質構造の層をＮｉＰおよびＮｉＢのいずれかで形成する請求項２記載のスタンパーの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のスタンパーの製造方法に従って製造した前記スタンパーを原型として用いて射出成形処理を実行することにより、当該スタンパーにおける前記凹凸パターンを樹脂材料に転写して樹脂成形物を製造する樹脂成形物の製造方法。
【請求項５】
一方の面に凹凸パターンが形成されると共に少なくとも他方の面側が結晶構造となるように形成された平板状のスタンパー本体を備え、当該スタンパー本体における前記他方の面に表面が研磨処理された非晶質構造の層が形成されているスタンパー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク等の情報記録媒体を製造するためのスタンパーの製造方法およびスタンパー、並びに樹脂成形物の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のスタンパーの製造方法として、光ディスク用プラスチック基板の射出成形による製造時に原型として使用するスタンパーの製造方法が特開２００２−９２９８４号公報に開示されている。このスタンパーの製造方法では、まず、スタンパーを製造するための凹凸パターンが形成されたガラス原盤の上（凹凸パターンの形成面）に無電解めっき処理によって厚み７０ｎｍ程度のＮｉＰ薄膜を形成する。次いで、形成したＮｉＰ薄膜を導電膜として使用して電解めっき処理を実行することにより、ＮｉＰ薄膜の上に厚み３００μｍ程度のＮｉ層を形成する。次いで、形成したＮｉ層の裏面（ガラス原盤とは反対側の面）に対する研磨処理を実行して平坦化する。続いて、ＮｉＰ薄膜およびＮｉ層の積層体をガラス原盤から剥離した後に、所定のサイズに打ち抜く。これにより、射出成形用のニッケルスタンパーが完成する。この後、製造したスタンパーを射出成形機にセットして射出成形処理を実行することにより、光ディスク用プラスチック基板が製造される。
【特許文献１】特開２００２−９２９８４号公報（第２−５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、従来のスタンパーの製造方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の製造方法では、ガラス原盤の上に形成したＮｉＰ薄膜を導電膜として使用して電解めっき処理を実行することによってＮｉ層を形成し、このＮｉ層の裏面を研磨処理して平坦化することで、射出成形用のニッケルスタンパーを製造している。この場合、電解めっき処理によって形成された上記のＮｉ層は、結晶構造を有している。このため、このＮｉ層の裏面を研磨処理したときには、Ｎｉ層を構成する各結晶粒を消失の単位（「消失単位」ともいう）としてＮｉ層が切削されることとなる。したがって、Ｎｉ層を構成する各結晶粒の粒径が大きい場合には、研磨処理によってＮｉ層の裏面側を平坦化しようとしているにも拘わらず、結晶粒の粒径でＮｉ層の裏面が大きく凹凸した状態となる。このため、従来のスタンパーの製造方法には、高密度記録化を図るべくファインピッチ化された今日の情報記録媒体を製造するのに適した十分に平坦なスタンパーを製造するのが困難であるという問題点が存在する。
【０００４】
この場合、上記の消失単位（Ｎｉ層の各結晶粒の粒径）を小さくするには、一例として、電解めっき処理時における電流密度を十分に小さくすればよい。しかしながら、電流密度を小さくした電解めっき処理では、十分な厚みのＮｉ層を形成するのに非常に長い時間を要する。このため、電解めっき処理時における電流密度を小さくすることで研磨処理時における消失単位を小さくする製造方法を採用した場合には、Ｎｉ層の形成に長時間を要することに起因して、スタンパーの製造コストが高騰するという問題が生じる。一方、上記のように研磨処理時における結晶粒単位での消失を回避するために、研磨材の押し付け力を弱くしたり、Ｎｉ層に対する研磨材の相対的移動速度を低下させたりしたときには、Ｎｉ層の裏面をある程度は良好に平坦化できる可能性があるものの、Ｎｉ層の裏面全域を研磨するのに非常に長い時間を要することとなる。このため、研磨処理条件を変更して所望の平坦性を有するスタンパーを製造する製造方法を採用した場合には、研磨処理に長時間を要することに起因して、スタンパーの製造コストが高騰するという問題が生じる。
【０００５】
一方、出願人は、ＮｉＰやＮｉＢ等をめっき材料として用いた電解めっき処理を実行して上記のＮｉ層に代わるＮｉＰ層やＮｉＢ層を形成することにより、その層を構成する結晶粒の粒径（消失単位）が十分に小さくなるのを見出した。しかしながら、ＮｉＰ層やＮｉＢ層は、その応力がＮｉ層よりも大きいため、上記のＮｉ層と同様の厚み（３００μｍ程度）に形成したときには、形成されたスタンパーに大きな反りが生じることとなる。このため、製造したスタンパーを射出成形機に対してセットするのが困難となるおそれがある。また、ＮｉＰやＮｉＢ等をめっき材料として用いた電解めっき処理は、Ｎｉをめっき材料として用いた電解めっき処理と比較して、処理時間当たりのめっき層の成長率が低いことが知られている。このため、ＮｉＰやＮｉＢ等をめっき材料として用いた電解めっき処理によって厚み３００μｍのめっき層を形成するには、非常に長い時間を要することとなり、これに起因して、スタンパーの製造コストが高騰するという問題点が存在する。また、ＮｉＰやＮｉＢ等をめっき材料として用いた電解めっき処理は、めっき処理液の管理が非常に困難であるため、所望の厚みのスタンパーを製造するのが困難であるという問題点も存在する。
【０００６】
また、出願人は、電解めっき処理に代えて、例えばＮｉＰやＮｉＢをめっき材料として用いた無電解めっき処理を実行して上記のＮｉ層に代わるＮｉＰ層やＮｉＢ層を形成することにより、スタンパーの裏面に結晶粒が存在しないため、研磨処理に際して結晶粒を消失単位として切削される事態を回避することができるのを見出した。しかしながら、上記のＮｉ層と同様の厚み（３００μｍ程度）のＮｉＰ層やＮｉＢ層を無電解めっき処理によって形成するのが困難であることから、この製造方法には、射出成形処理に耐え得る十分な厚みのスタンパーを製造するのが困難であるという問題が存在する。また、無電解めっき処理は、電解めっき処理と比較して、処理時間当りの層の成長率が低いことが知られている。したがって、たとえ十分な厚みのスタンパーを製造できたとしても、上記のＮｉ層と同様の厚みのＮｉＰ層やＮｉＢ層を無電解めっき処理によって形成するには、非常に長い時間を要することとなり、これに起因して、スタンパーの製造コストが高騰するおそれがある。
【０００７】
この場合、射出成形処理用のスタンパーの製造方法としては、上記のようなめっき処理による製造方法だけでなく、いわゆるダイレクトマスタリング法が知られている。このダイレクトマスタリング法によるスタンパーの製造に際しては、まず、平坦化処理した金属板の上にフォトリソグラフィ法によってマスクパターンを形成し、形成したマスクパターンをマスクとして使用したエッチング処理によって金属板に凹凸パターンを形成する。したがって、フォトリソグラフィ法によるマスクパターンの形成に先立って、金属板の表裏両面を十分に平坦化しておくことにより、凹凸パターンの形成面の裏面側が大きく凹凸する事態を回避することが可能となる。しかしながら、ダイレクトマスタリング法によるスタンパーの製造方法では、１枚のスタンパーを製造する都度、上記のフォトリソグラフィによるマスクパターンの形成処理を実行する必要が生じる。したがって、１枚のガラス原盤から複数枚のスタンパーを製造可能な上記のめっき処理によるスタンパーの製造方法と比較して、スタンパーの製造コストが高騰するという問題点が存在する。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、裏面が十分に平坦なスタンパーを短時間でしかも容易に製造し得るスタンパーの製造方法、および裏面が十分に平坦なスタンパー、並びに凹凸パターンが良好に転写された樹脂成形物を製造し得る樹脂成形物の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明に係るスタンパーの製造方法は、一方の面に凹凸パターンが形成された平板状のスタンパー本体における少なくとも他方の面側が結晶構造となるように当該スタンパー本体を形成した後に、当該スタンパー本体における当該他方の面に非晶質構造の層を形成し、その後に当該非晶質構造の層の表面を研磨処理してスタンパーを製造する。なお、本明細書では、「その大半が非晶質構造となっている層（一例として、非晶質部分が５０％以上を占める構造となっている層）」を「非晶質構造の層」とする。
【００１０】
また、本発明に係るスタンパーの製造方法は、前記スタンパー本体における前記結晶構造の部位と前記非晶質構造の層とを主成分が同一の材料で形成する。この場合、「主成分が同一の材料で形成する」とは、「対象部位を形成している材料のうちの原子数比率で８０％以上を占める材料が同一となるように形成する」を意味する。
【００１１】
さらに、本発明に係るスタンパーの製造方法は、前記スタンパー本体における前記結晶構造の部位をＮｉで形成すると共に、前記非晶質構造の層をＮｉＰおよびＮｉＢのいずれかで形成する。
【００１２】
また、本発明に係る樹脂成形物の製造方法は、上記のいずれかのスタンパーの製造方法に従って製造した前記スタンパーを原型として用いて射出成形処理を実行することにより、当該スタンパーにおける前記凹凸パターンを樹脂材料に転写して樹脂成形物を製造する。
【００１３】
また、本発明に係るスタンパーは、一方の面に凹凸パターンが形成されると共に少なくとも他方の面側が結晶構造となるように形成された平板状のスタンパー本体を備え、当該スタンパー本体における前記他方の面に表面が研磨処理された非晶質構造の層が形成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るスタンパーの製造方法では、一方の面に凹凸パターンが形成された平板状のスタンパー本体における少なくとも他方の面側が結晶構造となるようにスタンパー本体を形成した後に、スタンパー本体における他方の面に非晶質構造の層を形成し、その後に非晶質構造の層の表面を研磨処理してスタンパーを製造する。また、本発明に係るスタンパーは、一方の面に凹凸パターンが形成されると共に少なくとも他方の面側が結晶構造となるように形成された平板状のスタンパー本体を備え、スタンパー本体における他方の面に表面が研磨処理された非晶質構造の層が形成されている。したがって、このスタンパーの製造方法およびスタンパーによれば、電解めっき処理によって形成したスタンパー本体の裏面（結晶構造の部位）を直接研磨処理して平坦化する従来のスタンパー製造方法によって製造したスタンパーとは異なり、非晶質構造の層を研磨処理して平坦化することで、スタンパー本体を構成する各結晶粒を消失単位として切削される事態を回避することができる結果、研磨処理後の表面粗さＲａを十分に良好とすることができる。また、このスタンパーの製造方法およびスタンパーによれば、例えば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法と比較して、十分な厚みのスタンパー本体を電解めっき処理等によって短時間で形成することができる。したがって、このスタンパーの製造方法およびスタンパーによれば、製造時間が長くなることに起因してその製造コストが高騰する事態を回避することができる。また、このスタンパーの製造方法およびスタンパーによれば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法とは異なり、薄厚の非晶質構造の層を形成するだけでその表面粗さＲａを十分に良好とすることができるため、この非晶質構造の層が有する応力の大小を問わず、非晶質構造の層の存在に起因してスタンパーに大きな反りが生じる事態を回避することができる。
【００１５】
また、本発明に係るスタンパーの製造方法によれば、スタンパー本体における結晶構造の部位と非晶質構造の層とを主成分が同一の材料で形成することにより、スタンパー本体における結晶構造の部位と非晶質構造の層とが十分に強く結合した状態となるため、例えば樹脂スタンパーの射出成形時にスタンパー本体における結晶構造の部位と非晶質構造の層との間に剥離が生じる事態を回避することができる。
【００１６】
さらに、本発明に係るスタンパーの製造方法によれば、スタンパー本体における結晶構造の部位をＮｉで形成すると共に、非晶質構造の層をＮｉＰおよびＮｉＢのいずれかで形成することにより、Ｎｉが化学的に安定しており、しかも、延性や展性に優れているため、劣化、破損および変形を招くことなく、このスタンパーを繰り返して使用することができる。また、調達が容易で、しかも、安価に調達できるＮｉを主成分とする材料を使用することでスタンパーの製造コストを十分に低減することができる。
【００１７】
また、本発明に係る樹脂成形物の製造方法によれば、上記のいずれかのスタンパーの製造方法に従って製造したスタンパーを原型として用いて射出成形処理を実行することによってスタンパーにおける凹凸パターンを樹脂材料に転写して樹脂成形物（インプリント処理用の樹脂スタンパーや、光ディスクおよび光磁気ディスク用の樹脂基板）を製造することにより、スタンパーの裏面（スタンパー本体における他方の面側）が十分に平坦化されているため、原型としてのスタンパーの裏面に生じている凹凸に起因して凹凸パターンの転写不良が生じる事態（樹脂成形物における凹凸パターンのパターン形状が悪化する事態）を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るスタンパーの製造方法、樹脂成形物の製造方法およびスタンパーの最良の形態について説明する。
【００１９】
図１に示す樹脂スタンパー製造システム１は、本発明に係るスタンパーの製造方法に従って本発明における樹脂成形物に相当するスタンパー４０（樹脂スタンパー：図１４参照）を製造するための製造システムであって、めっきスタンパー製造装置２および射出成形装置３を備えて構成されている。この場合、射出成形装置３は、めっきスタンパー製造装置２によって製造したスタンパー３０（図２参照）を原型として、ポリカーボネート等の樹脂材料を成形用材料として用いた射出成形処理を実行して前述したスタンパー４０を製造する。また、スタンパー４０は、一例として、ディスクリートトラック型の磁気ディスク（パターンド媒体：図示せず）の製造に際して、磁気ディスク製造用の中間体の上にインプリント法によってエッチング処理用のマスクパターンを形成するためのスタンパーであって、図１４に示すように、複数の凸部４５ａおよび凹部４５ｂを有する凹凸パターン４５が形成されて全体として円板状に形成されている。なお、スタンパー４０を使用したインプリント処理によってマスクパターンを形成する方法や、マスクパターンを使用したエッチング処理によって情報記録媒体を製造する方法については、公知のため、その説明および図示を省略する。
【００２０】
一方、めっきスタンパー製造装置２は、本発明に係るスタンパーの製造方法に従って本発明に係るスタンパーに相当するスタンパー３０を製造するための製造装置であって、蒸着装置４、電解めっき装置５、無電解めっき装置６および研磨装置７を備えて構成されている。蒸着装置４は、スタンパー３０を製造するためのスタンパー２０の製造に際して、図４に示すように、シリコン基板１１（原盤１０）の一面に蒸着処理によって電極層２１を形成する。電解めっき装置５は、上記のスタンパー２０の製造に際して、図５に示すように、蒸着装置４によって形成された電極層２１を電極層として用いた電解めっき処理を実行して、電極層２１の上に電解めっき層２２を形成する。また、電解めっき装置５は、スタンパー３０の製造に際して、図６に示すように、スタンパー２０を電極として用いた電解めっき処理を実行して、スタンパー２０の第１面２０ａ（電極層２１の表面）に電解めっき層３１を形成する。無電解めっき装置６は、上記のスタンパー３０の製造に際して、図９に示すように、電解めっき層３１の第２面３０ｂ（本発明における「他方の面」）に無電解めっき処理によって無電解めっき層３２を形成する。研磨装置７は、研磨対象体を保持しつつ回転させるターンテーブル（図示せず）と、研磨用テープ７ａ（図１１参照）と、研磨用テープ７ａを研磨対象体に押し付ける押圧用ローラ７ｂ（図１１参照）とを備え、無電解めっき装置６によって形成された無電解めっき層３２の表面を研磨して平坦化する。
【００２１】
この場合、上記したように、スタンパー３０は、スタンパー４０を射出成形する際に原型として使用されるめっきスタンパー（金属スタンパー）であって、図６に示すスタンパー２０の凹凸パターン２５を電解めっき処理によってスタンパー形成材料（めっき材料）に転写して形成されている。このスタンパー３０は、図２に示すように、その第１面３０ａ（本発明における「一方の面」）に上記の凹凸パターン２５を転写して形成した凹凸パターン３５が形成された平板状の電解めっき層３１を備えると共に、電解めっき層３１における第２面３０ｂ（本発明における「他方の面」）に無電解めっき層３２が形成され、かつ無電解めっき層３２の表面が研磨処理によって平坦化されている。
【００２２】
また、電解めっき層３１は、本発明におけるスタンパー本体を構成し、後述するようにして、第１面３０ａ（一例として、上記の凹凸パターン３５における凸部３５ａの突端面）から第２面３０ｂまでの全体がＮｉをめっき材料として用いた電解めっき処理によって結晶構造となるように形成されている。さらに、無電解めっき層３２は、本発明における「非晶質構造の層」を構成し、後述するようにして、一例として、ＮｉＰ（一例として、原子数比率において「Ｐ」が５％以上２０％以下）をめっき材料として用いた無電解めっき処理によって非晶質構造となるように形成されている。なお、出願人は、上記のようにめっき処理によって電解めっき層３１を形成したスタンパー３０では、例えばＮｉの薄板を用いてダイレクトマスタリング法によってスタンパー本体を形成したスタンパー（図示せず）と比較して、酸化が生じ難いとの利点が存在するのを確認している。
【００２３】
このスタンパー３０の製造に際しては、まず、マスタースタンパーとしてのスタンパー２０を製造する。具体的には、図３に示すように、まず、シリコン基板１１の一面に凹凸パターン１５が形成された原盤１０を用意する。この原盤１０は、一例として、フォトリソグラフィ法（電子ビームリソグラフィ法）によって形成したマスクパターン（図示せず）をマスクとして使用したエッチング処理によって上記の凹凸パターン１５がシリコン基板１１に形成されている。この場合、シリコン基板１１に形成されている凹凸パターン１５は、スタンパー３０における凹凸パターン３５の各凸部３５ａに対応して各凸部１５ａが形成されると共に、凹凸パターン３５の各凹部３５ｂに対応して各凹部１５ｂが形成されている。なお、フォトリソグラフィ法によるマスクパターンの形成方法や、マスクパターンを使用したエッチング処理によって原盤１０を製作する方法については、公知のため、その説明および図示を省略する。
【００２４】
次いで、原盤１０を蒸着装置４にセットして、図４に示すように、原盤１０における凹凸パターン１５の表面に蒸着処理によってＮｉを蒸着することにより、厚み１０〜７０ｎｍ程度の電極層（導電層）２１を形成する。この場合、蒸着処理による電極層２１の形成方法に代えて、無電解めっき処理やスパッタ処理の各種方法で電極層を形成することもできる。続いて、電極層２１の形成が完了した原盤１０を電解めっき装置５にセットして、図５に示すように、めっき材料としてＮｉを使用し、かつ、電極層２１を電極として用いて電解めっき処理（電鋳処理）を実行して、厚み３００μｍ程度の電解めっき層２２を電極層２１の上に形成する。この際には、同図に示すように、原盤１０に形成された凹凸パターン１５が金属材料（この例では、Ｎｉ）に転写されて、凹凸パターン１５における各凹部１５ｂに対応する複数の凸部２５ａと、凹凸パターン１５における各凸部１５ａに対応する複数の凹部２５ｂとを有する凹凸パターン２５が形成される。次いで、原盤１０から電極層２１および電解めっき層２２の積層体を剥離することにより、マスタースタンパーとしてのスタンパー２０が完成する。
【００２５】
なお、このスタンパー２０を原型として使用した射出成形処理によってインプリント処理用の樹脂スタンパー（樹脂成形物）を製造することもできる。この場合には、後述するようにして、スタンパー２０の第２面２０ｂ（本発明における「他方の面」）に本発明における非結晶構造の層を形成した後に研磨処理を実行してスタンパー２０の裏面を平坦化する。一方、高価なスタンパー２０を使用することで樹脂スタンパーの製造コストが高騰するおそれがある。したがって、この例では、以下に説明する手順に従ってスタンパー２０の凹凸パターン２５を他のスタンパー形成部材に転写することで、１枚のスタンパー２０から複数枚の原型（スタンパー３０）を製作する。具体的には、まず、スタンパー２０を電解めっき装置５にセットして、めっき材料としてＮｉを使用し、かつ、スタンパー２０を電極として用いた電解めっき処理を実行することにより、図６に示すように、厚み２９０μｍ程度の電解めっき層３１を形成する。この際には、電流密度を１０．０Ａ／ｄｍ２程度とすることにより、３時間程度の短い処理時間で十分な厚みの電解めっき層３１が形成される。これにより、スタンパー２０の凹凸パターン２５が金属材料（この例ではＮｉ）に転写されて、凹凸パターン２５における各凹部２５ｂに対応する複数の凸部３５ａと、凹凸パターン２５における各凸部２５ａに対応する複数の凹部３５ｂとを有する凹凸パターン３５が形成される。この場合、電解めっき層３１（本発明におけるスタンパー本体）は、上記したように、Ｎｉをめっき材料として使用した電解めっき処理によって形成したことで結晶構造となっている。
【００２６】
次いで、図７に示すように、スタンパー２０から電解めっき層３１を剥離する。この場合、電解めっき層３１の第２面３０ｂは、図８に示すように、大きく凹凸して、その高低差（凸部の突端部と凹部の底部との厚み方向に沿った距離）が１μｍ程度となっている。なお、同図および後に参照する図１０，１２では、一例として、上記の凹凸パターン３５における凸部３５ａの突端面を第１面３０ａとして図示している。続いて、電解めっき層３１を無電解めっき装置６にセットして、図９に示すように、ＮｉＰをめっき材料として使用した無電解めっき処理によって電解めっき層３１の第２面３０ｂに厚み１０μｍ程度の無電解めっき層３２を形成する。この場合、一般的には、単一の材料（極く僅かな量の酸素や不純物等が混入した材料を含む）で結晶構造となるように形成した層（例えば、Ｎｉをめっき材料として使用した電解めっき処理によって形成した電解めっき層３１）が有する応力よりも、２以上の材料（意図的に２以上の材料を混合した材料：１種類の材料に極く僅かな量の酸素や不純物等が混入した材料は含まない）で非結晶構造となるように形成した層（例えば、主成分（Ｎｉなど）に対して添加材料（ＰやＢなど）を含有させためっき材料で形成した層（例えば無電解めっき処理によって形成した無電解めっき層３２））が有する応力の方が大きくなる。
【００２７】
このため、ＮｉＰやＮｉＢ等で形成した非結晶構造の層が、Ｎｉ等で形成した結晶構造の層に対して過剰に厚い状態では、両層の応力の相違に起因して、その積層体に反りが生じるおそれがある。これに対して、このスタンパーの製造方法では、無電解めっき層３２の厚みが１０μｍと非常に薄厚のため、形成された無電解めっき層３２が有する応力の大小を問わず、この無電解めっき層３２の存在に起因して電解めっき層３１に大きな反りが生じる事態が回避される。なお、図１０に示すように、無電解めっき層３２の表面（同図における下面）は、電解めっき層３１における第２面３０ｂの凹凸に沿って大きく凹凸している。
【００２８】
次いで、電解めっき層３１および無電解めっき層３２の積層体を研磨装置７にセットして、図１１に示すように、無電解めっき層３２の表面を研磨する。この際には、一例として、＃４０００程度の粗さの研磨用テープ７ａを使用して、２０分程度の研磨処理を実行することにより、無電解めっき層３２から電解めっき層３１の第２面３０ｂが露出しない程度（第２面３０ｂの凹凸における凸部の突端部が露出しない程度）まで無電解めっき層３２を研磨する。この場合、無電解めっき層３２は、ＮｉＰをめっき材料として使用したことで非晶質構造となっている。したがって、電解めっき処理によって形成された層（結晶構造の層）を研磨する従来のスタンパーの製造方法とは異なり、結晶粒を消失単位として切削される事態を招くことなく、無電解めっき層３２が極く小さな消失単位で切削される。これにより、図１２に示すように、電解めっき層３１の第２面３０ｂにおける凹凸の各凹部に無電解めっき層３２を構成する非晶質構造の材料（この例では、ＮｉＰ）が埋め込まれた状態で第２面３０ｂが十分に平坦化されて、その表面粗さＲａが２ｎｍ程度となる。以上により、図２に示すように、マザースタンパーとしてのスタンパー３０が完成する。
【００２９】
一方、スタンパー３０を用いてインプリント処理用のスタンパー４０を製造する際には、スタンパー３０を射出成形装置３にセットする。この際に、上記したようにスタンパー３０に大きな反りが生じていないため、射出成形装置３のスタンパーホルダ（図示せず）に対して確実に密着する。次いで、一例として、ポリカーボネートを成形用材料（樹脂材料４１）として使用して射出成形処理を実行する。この際には、図１３に示すように、スタンパー３０の凹凸パターン３５が樹脂材料４１に転写されて、凹凸パターン３５における各凹部３５ｂに対応する複数の凸部４５ａと、凹凸パターン３５における各凸部３５ａに対応する複数の凹部４５ｂとを有する凹凸パターン４５が形成される。この場合、上記したように、スタンパー３０における電解めっき層３１の第２面３０ｂ側（無電解めっき層３２の表面）は、十分に平坦化されている。このため、樹脂材料が注入されることでスタンパー３０がスタンパーホルダに押し付けられた際に（スタンパー３０に大きな圧力が加えられた際に）、スタンパー３０の裏面に生じている凹凸の存在に起因して凹凸パターン４５のパターン形状が悪化する事態が回避される。次いで、スタンパー３０から樹脂材料４１を剥離することにより、図１４に示すように、凹凸パターン４５が形成されたチャイルドスタンパーとしてのスタンパー４０が完成する。この場合、１枚のスタンパー３０から複数枚のスタンパー４０を製作することにより、このスタンパー４０を用いて製造する情報記録媒体（磁気ディスク）の製造コストを十分に低減することができる。
【００３０】
このように、上記のスタンパー３０の製造方法では、第１面３０ａに凹凸パターン３５が形成された平板状の電解めっき層３１（スタンパー本体）における少なくとも第２面３０ｂ側（この例では、電解めっき層３１の全体）が結晶構造となるように電解めっき層３１を形成した後に、電解めっき層３１における第２面３０ｂに無電解めっき層３２（非晶質構造の層）を形成し、その後に無電解めっき層３２の表面を研磨処理して平坦化してスタンパー３０を製造する。また、この製造方法に従って製造されたスタンパー３０では、第１面３０ａに凹凸パターン３５が形成されると共に少なくとも第２面３０ｂ側（この例では、電解めっき層３１の全体）が結晶構造となるように形成された平板状の電解めっき層３１を備え、電解めっき層３１における第２面３０ｂに、表面が研磨処理されて平坦化された無電解めっき層３２が形成されている。
【００３１】
したがって、このスタンパー３０の製造方法およびスタンパー３０によれば、電解めっき処理によって形成したスタンパー本体の裏面（結晶構造の部位）を直接研磨処理して平坦化する従来のスタンパー製造方法によって製造したスタンパーとは異なり、非晶質構造の無電解めっき層３２を研磨処理して平坦化することで、スタンパー本体（電解めっき層３１）を構成する各結晶粒を消失単位として切削される事態を回避することができる結果、研磨処理後の表面粗さＲａを十分に良好とすることができる。また、このスタンパー３０の製造方法およびスタンパー３０によれば、例えば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法と比較して、十分な厚みのスタンパー本体（電解めっき層３１）を電解めっき処理によって短時間で形成することができる。したがって、このスタンパー３０の製造方法およびスタンパー３０によれば、製造時間が長くなることに起因してその製造コストが高騰する事態を回避することができる。また、このスタンパー３０の製造方法およびスタンパー３０によれば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法とは異なり、薄厚の非晶質構造の層（無電解めっき層３２）を形成するだけでその表面粗さＲａを十分に良好とすることができるため、無電解めっき層３２が有する応力の大小を問わず、無電解めっき層３２の存在に起因してスタンパー３０に大きな反りが生じる事態を回避することができる。
【００３２】
また、上記のスタンパー３０の製造方法によれば、電解めっき層３１および無電解めっき層３２を主成分（この例では、Ｎｉ）が同一の材料で形成することにより、電解めっき層３１と無電解めっき層３２とが十分に強く結合した状態となるため、例えばスタンパー４０の射出成形時に電解めっき層３１と無電解めっき層３２との間に剥離が生じる事態を回避することができる。
【００３３】
さらに、上記のスタンパー３０の製造方法によれば、電解めっき層３１をＮｉで形成すると共に、無電解めっき層３２をＮｉＰで形成することにより、Ｎｉが化学的に安定しており、しかも、延性や展性に優れているため、劣化、破損および変形を招くことなく、このスタンパー３０を繰り返して使用することができる。また、調達が容易で、しかも、安価に調達できるＮｉを主成分とする材料を使用することでスタンパー３０の製造コストを十分に低減することができる。
【００３４】
また、上記のスタンパー４０の製造方法によれば、スタンパー３０を原型として用いて射出成形処理を実行することによってスタンパー３０における凹凸パターン３５を樹脂材料４１に転写してスタンパー４０を製造することにより、スタンパー３０の裏面（電解めっき層３１における第２面３０ｂ側）が十分に平坦化されているため、原型としてのスタンパー３０の裏面に生じている凹凸に起因して凹凸パターン３５の転写不良が生じる事態（スタンパー４０における凹凸パターン４５のパターン形状が悪化する事態）を回避することができる。
【実施例】
【００３５】
次に、実施例を挙げて本発明に係るスタンパーの製造方法およびスタンパーについてさらに詳細に説明する。
【００３６】
図１５に示すように、本発明に係るスタンパーの製造方法に従って実施例１〜９の各スタンパーを製造すると共に、従来のスタンパーの製造方法に従って比較例１〜７の各スタンパーを製造した。また、製造した各スタンパーにおける裏面の表面粗さＲａと、スタンパーに生じた反りの反り量とをそれぞれ測定した。これらの測定結果を図１５に示す。なお、実施例１〜９および比較例１〜７の各スタンパーの製造条件は、以下のとおりとした。
【００３７】
［実施例１］
前述したスタンパー３０の製造時と同様の手順でスタンパーを製造した。この場合、本発明におけるスタンパー本体（スタンパー３０における電解めっき層３１に相当する部位）の形成時（電解めっき処理時）には、ノベルテクノロジー社製の電鋳装置を使用し、昭和化学製のスルファミン酸ニッケル（比重＝１．３）をめっき材料として使用し、めっき温度を５５℃とし、ｐＨを４．０とし、電流密度を１０．０Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を３．０時間として厚み３００μｍの電解めっき層を形成した。また、本発明における非結晶構造の層（スタンパー３０における無電解めっき層３２に相当する部位）の形成時（無電解めっき処理時）には、めっき液として、日本化学産業社製のＨＰ−５５を使用し、めっき温度を８５℃とし、処理時間を３分として厚み１μｍの無電解めっき層を形成した。さらに、研磨処理時には、サンシン社製のテープ研磨装置を使用して、＃４０００程度の粗さの研磨用テープを用いて２０分に亘って研磨処理を実行した。
【００３８】
［実施例２］
本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を５分として厚み２μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００３９】
［実施例３］
本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を１５分として厚み５μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４０】
［実施例４］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．９時間として厚み２９０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を２０分として厚み１０μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４１】
［実施例５］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．８時間として厚み２８０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を６０分として厚み２０μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４２】
［実施例６］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．８時間として厚み２８０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を１２０分として厚み２５μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４３】
［実施例７］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．７時間として厚み２７０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を１８０分として厚み３０μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４４】
［実施例８］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．７時間として厚み２７０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を３００分として厚み３５μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４５】
［実施例９］
本発明におけるスタンパー本体の形成時（電解めっき処理時）における処理時間を２．６時間として厚み２６０μｍの電解めっき層を生成すると共に、本発明における非結晶構造の層の形成時（無電解めっき処理時）における処理時間を４５０分として厚み４０μｍの無電解めっき層を形成した以外は、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４６】
［比較例１］
本発明における非結晶構造の層に相当する部位の形成（無電解めっき処理）を実行せず、かつ、研磨処理に際してスタンパー本体における裏面を直接研磨した点を除き、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４７】
［比較例２］
研磨処理時の処理時間を４０分とした以外は、比較例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４８】
［比較例３］
研磨処理時の処理時間を６０分とした以外は、比較例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００４９】
［比較例４］
研磨処理時の処理時間を８０分とした以外は、比較例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００５０】
［比較例５］
本発明におけるスタンパー本体に相当する部位の形成時（電解めっき処理時）における電流密度を５．０Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を６．０時間として厚み３００μｍの電解めっき層を生成した。また、研磨処理に際しては、スタンパー本体における裏面を直接研磨した。その他の処理については、本発明における非結晶構造の層に相当する部位の形成（無電解めっき処理）を実行しない点を除き、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００５１】
［比較例６］
本発明におけるスタンパー本体に相当する部位の形成時（電解めっき処理時）における電流密度を２．０Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を１５．０時間として厚み３００μｍの電解めっき層を生成した。その他の処理については、本発明における非結晶構造の層に相当する部位の形成（無電解めっき処理）を実行せず、かつ、研磨処理に際してスタンパー本体における裏面を直接研磨した点を除き、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００５２】
［比較例７］
本発明におけるスタンパー本体に相当する部位の形成時（電解めっき処理時）における電流密度を１．０Ａ／ｄｍ２とし、処理時間を３０．０時間として厚み３００μｍの電解めっき層を生成した。その他の処理については、本発明における非結晶構造の層に相当する部位の形成（無電解めっき処理）を実行せず、かつ、研磨処理に際してスタンパー本体における裏面を直接研磨した点を除き、実施例１のスタンパーの製作時と同じ処理を実行した。
【００５３】
［表面粗さＲａの測定］
Ｚｙｇｏ社製の干渉光顕微鏡を使用して、測定エリア＝２×２ｍｍの範囲を測定した。
【００５４】
［反り量の測定］
製造した各スタンパーについて、凹凸パターンの形成面を上向きにして（研磨処理した面を下向きにして）定盤の上に載置したときに、定盤の表面から最も離間する部位の定盤の表面からの距離を測定した。
【００５５】
図１５に示すように、その一方の面に凹凸パターンが形成されているスタンパー本体（電解めっき層）の裏面に非晶質構造の層（無電解めっき層）を形成した後に研磨処理して製造した実施例１〜９のスタンパーでは、その研磨処理面（凹凸パターンが形成されている面の裏面）の表面粗さＲａが１１．０ｎｍ以下と非常に良好となっている。これに対して、実施例１〜９のスタンパーと同じ処理によってスタンパー本体（電解めっき層）を形成し、非晶質構造の層（無電解めっき層）を形成することなく、スタンパー本体の裏面を直接研磨処理して製造した比較例１〜４のスタンパーでは、その研磨処理面（凹凸パターンが形成されている面の裏面）の表面粗さＲａが１７．０以上と非常に悪化している。
【００５６】
この場合、研磨処理の処理時間を実施例１〜９の各スタンパーの製造時と同じ時間とした比較例１のスタンパーと比較して、研磨処理の処理時間を４０分、６０分および８０分とした比較例２〜４のスタンパーでは、比較例１のスタンパーの表面粗さＲａ＝２０ｎｍよりも僅かに表面粗さＲａが良好となっている。しかしながら、比較例１のスタンパーに対して、研磨処理の処理時間を２倍、３倍および４倍と長くしたにも拘わらず、その効果が小さいばかりか、いずれのスタンパーにおいても、実施例１〜９のスタンパーとは比較にならないほど、その表面粗さＲａが悪化している。このため、本発明における非晶質構造の層を形成しないスタンパーの製造方法では、研磨処理の処理条件（この例では、処理時間）を変更したとしても、その表面粗さＲａの改善を図るのが困難であるのが理解できる。
【００５７】
また、スタンパー本体の形成時（電解めっき処理）時に、形成される結晶粒の粒径を小さくするために、電流密度を小さくして処理した比較例５〜７のスタンパーでは、上記の比較例１〜４の各スタンパーと同様にしてスタンパー本体の裏面を直接研磨処理しているにも拘わらず、その表面粗さＲａが１０．１ｎｍ以下と非常に良好となっている。この場合、電流密度を２．０Ａ／ｄｍ２、また１．０Ａ／ｄｍ２とした比較例６，７のスタンパーでは、電流密度を５．０Ａ／ｄｍ２とした比較例５のスタンパーと比較して、その表面粗さＲａが良好となっている。しかしながら、電流密度を小さくした比較例５〜７の各スタンパーでは、十分な厚み（この例では、３００μｍ）の電解めっき層（スタンパー本体）を形成するのに非常に長い時間を要している。このため、これらの比較例５〜７のスタンパーを製造するには、処理時間の長さに比例して、その製造コストが上昇するという問題点がある。
【００５８】
一方、本発明における非晶質構造の層に相当する無電解めっき層を形成した後に研磨処理して製造した実施例１〜９のスタンパーのなかでも、無電解めっき層の厚みを２μｍ以上とした実施例２〜９のスタンパーでは、無電解めっき層の厚みが１μｍの実施例１のスタンパーと比較して、その表面粗さＲａが５．７ｎｍ以下と非常に良好となっている。この場合、例えば、ｎｍオーダでファインピッチ化が進むパターンド媒体（ディスクリートトラック媒体等）の製造時に使用するスタンパーにおいては、その表面粗さＲａが５．７ｎｍ以下であることは、良品のパターンド媒体を製造するうえで理想的な状態であるといえる。したがって、このようなスタンパーの製造時においては、非晶質構造の層（無電解めっき層）の厚みを２μｍ以上とするのが好ましい。
【００５９】
この場合、非晶質構造の層（無電解めっき層）の厚みを３５μｍ以上とした実施例８，９のスタンパーでは、その表面粗さＲａが、非晶質構造の層（無電解めっき層）の厚みを３０μｍ以下とした実施例１〜７のスタンパーと大差ないことが理解できる。また、実施例８，９のスタンパーでは、非晶質構造の層（無電解めっき層）を形成するのに３００分以上を要すると共に、完成したスタンパーに生じる反り量が２６０μｍ以上となっている。この場合、これらのスタンパーを使用する射出成形装置のなかには、反り量が２００μｍ以上のスタンパーを良好に保持することができないタイプの装置が存在する。したがって、反り量が２００μｍ以下で、その表面粗さＲａを十分に良好にし得る非晶質構造の層（無電解めっき層）を短時間で製造するためは、非晶質構造の層（無電解めっき層）の厚みを３０μｍ以下とするのが好ましい。
【００６０】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、上記の例では、本発明におけるスタンパー本体に相当する電解めっき層３１をＮｉで形成すると共に、本発明における非晶質構造の層に相当する無電解めっき層３２をＮｉＰで形成しているが、本発明におけるスタンパー本体や非晶質構造の層を形成するための材料は、ＮｉおよびＮｉＰに限定されない。具体的には、例えば、ＮｉＢ（一例として、原子数比率において「Ｂ」が５％以上２０％以下）、ＮｉＣｏ（一例として、原子数比率において「Ｃｏ」が５％以上２０％以下）、およびＣｏＡｇ（一例として、原子数比率において「Ａｇ」が５％以上２０％以下）などを使用することができる。より具体的には、上記の電解めっき層３１をＮｉで形成すると共に上記の無電解めっき層３２をＮｉＢで形成してスタンパー３０を製造したり、上記の電解めっき層３１をＣｏで形成すると共に上記の無電解めっき層３２をＣｏＡｇで形成してスタンパー３０を製造したりすることができる。このような材料を使用した場合においても、本発明に係るスタンパーの製造方法に従って製造することで、その電解めっき層３１における第２面３０ｂ側を十分に平坦化することができる。
【００６１】
また、マザースタンパーとしてのスタンパー３０の製造時に本発明に係るスタンパーの製造方法を実施する例について説明したが、本発明に係るスタンパーの製造方法および本発明に係るスタンパーはこれに限定されない。具体的には、本発明に係るスタンパーの他の一例に相当するスタンパー２００（図１８参照）を製造する際に、本発明に係るスタンパーの製造方法を実施することができる。具体的には、まず、図１６に示すように、上記のスタンパー２０における第２面２０ｂ（凹凸パターン２５が形成されている第１面２０ａの裏面）に本発明における非晶質構造の層に相当する無電解めっき層２３を無電解めっき処理によって形成する。この場合、この無電解めっき層２３については、前述したスタンパー３０における無電解めっき層３２と同様の手順で、同様の材料を使用して製造すればよい。
【００６２】
次いで、図１７に示すように、無電解めっき層２３の形成が完了したスタンパー２０を研磨装置７にセットして、無電解めっき層２３の表面を研磨する。この際には、一例として、前述したスタンパー３０の製造時に無電解めっき層３２を研磨処理した条件と同様の条件で無電解めっき層２３の表面を研磨する。この場合、無電解めっき層２３は、前述したスタンパー３０における無電解めっき層３２と同様にして、ＮｉＰをめっき材料として使用したことで非晶質構造となっている。したがって、電解めっき処理によって形成された層を研磨する従来のスタンパーの製造方法とは異なり、結晶粒を消失単位として切削される事態を招くことなく、無電解めっき層２３が極く小さな消失単位で切削される。これにより、図１８に示すように、スタンパー２０の第２面２０ｂ（電解めっき層２２の表面）における凹凸の各凹部に無電解めっき層２３を構成する非晶質構造の材料（この例では、ＮｉＰ）が埋め込まれた状態で第２面２０ｂが十分に平坦化されて、スタンパー２００が完成する。
【００６３】
このように、このスタンパー２００の製造方法およびスタンパー２００によれば、上記のスタンパー３０の製造方法およびスタンパー３０と同様にして、非晶質構造の無電解めっき層２３を研磨処理して平坦化することで、スタンパー本体（この例では、電極層２１および電解めっき層２２で構成されているスタンパー２０の電解めっき層２２）を構成する各結晶粒を消失単位として切削される事態を回避することができる結果、研磨処理後の表面粗さＲａを十分に良好とすることができる。また、スタンパー２００の製造方法およびスタンパー２００によれば、例えば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法と比較して、十分な厚みのスタンパー本体（この例では、電解めっき層２２）を電解めっき処理によって短時間で形成することができる。したがって、このスタンパー２００の製造方法およびスタンパー２００によれば、製造時間が長くなることに起因してその製造コストが高騰する事態を回避することができる。また、このスタンパー２００の製造方法およびスタンパー２００によれば、スタンパー本体を無電解めっき処理によって形成するスタンパーの製造方法とは異なり、薄厚の非晶質構造の層（無電解めっき層２３）を形成するだけでその表面粗さＲａを十分に良好とすることができるため、無電解めっき層２３が有する応力の大小を問わず、無電解めっき層２３の存在に起因してスタンパー２００に大きな反りが生じる事態を回避することができる。
【００６４】
また、上記のスタンパー２００では、蒸着処理によってＮｉで形成した電極層２１、および電解めっき処理によってＮｉで形成した電解めっき層２２の２つの層によって本発明におけるスタンパー本体を構成しているが、図１８に示すスタンパー２００Ａのように、上記のスタンパー２００における上記の電極層２１に代えて、例えば、ＮｉＰをめっき材料として使用した無電解めっき処理によって電極層（無電解めっき層）２１ａを形成し、その電極層２１ａを電極として使用した電解めっき処理を実行してＮｉによって電解めっき層２２を形成することによって、本発明におけるスタンパー本体を構成することもできる。この場合、スタンパー２００Ａでは、ＮｉＰで形成された電極層２１ａが非晶質構造となっている（スタンパー本体における一方の面側が非晶質構造となっているスタンパーの一例）。
【００６５】
また、このスタンパー２００Ａでは、処理時間当りの成長率が電解めっき処理よりも低い無電解めっき処理によって電極層２１ａ（スタンパー本体における一方の面側）を形成しているため、前述したスタンパー３０のようにスタンパー本体（電解めっき層３１）の全体を電解めっき処理によって形成するのと比較して、無電解めっき処理によって形成した電極層２１ａの分だけ、製造に要する時間が僅かに長くなっている。しかしながら、電極層２１ａが十分に薄厚であり、スタンパー本体に占める電極層２１ａの厚み方向の割合が十分に小さくなっているため、スタンパー本体における電極層２１ａ以外の部位（電解めっき層２２）を処理時間当りの成長率が高い電解めっき処理によって形成することで、その製造に要する時間が過剰に長くなる事態が回避されている。なお、上記のスタンパー２００Ａのように、非結晶構造の層（この例では、電極層２１ａ）および結晶構造の層（この例では、電解めっき層２２）の２層で本発明におけるスタンパー本体を構成する場合には、スタンパー本体の大半（一例として、上記のスタンパー２００Ａのように、スタンパー本体の一方の面に形成した凹凸パターン２５における各凸部２５ａの一部を含むスタンパー本体の主要部位（電極層２１ａを構成する部位を除く部位））を結晶構造の層（一例として、処理時間当りの成長率が高い電解めっき処理によって形成した層）で構成するのが好ましい。
【００６６】
さらに、上記の例では、無電解めっき処理によって本発明における非晶質構造の層に相当する無電解めっき層３２を形成しているが、本発明はこれに限定されず、無電解めっき処理に代えて、スパッタ処理、蒸着処理およびスピンコート処理等の各種処理によって本発明における非晶質構造の層を形成することができる。また、上記の例では、研磨用テープ７ａを押圧用ローラ７ｂによって処理対象体に押し付けて研磨する研磨装置７を使用して無電解めっき層３２の表面を研磨する方法を採用しているが、本発明における研磨処理は、これに限定されず、ＣＭＰ法、ラッピング法および電解研磨法などの各種研磨法によって無電解めっき層３２の表面を研磨処理することができる。
【００６７】
また、射出成形用のスタンパー３０，２００を製造する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、インプリント処理用の金属スタンパー（図示せず）を本発明に係るスタンパー製造方法に従って製造することもできる。この場合、本発明に係るスタンパー製造方法に従って製造したスタンパーを用いてインプリント処理を実行することにより、原型としてのスタンパーの裏面に生じている凹凸に起因して凹凸パターンの転写不良が生じる事態（インプリント処理によって形成される凹凸パターンのパターン形状が悪化する事態）を回避することができる。加えて、本発明に係る樹脂成形物の製造方法は、上記したインプリント処理用の樹脂スタンパーの製造方法に限定されず、例えば、光ディスクや光磁気ディスク用の樹脂基板（本発明における樹脂成形物の他の一例：図示せず）を製造する際に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】樹脂スタンパー製造システム１の構成を示す構成図である。
【図２】スタンパー３０の断面図である。
【図３】スタンパー２０を製造するための凹凸パターン１５が形成された原盤１０の断面図である。
【図４】凹凸パターン１５を覆うようにして電極層２１を形成した状態の原盤１０の断面図である。
【図５】電解めっき処理によって電解めっき層２２を形成した状態（スタンパー２０が形成された状態）の原盤１０の断面図である。
【図６】電解めっき処理によって電解めっき層３１を形成した状態のスタンパー２０の断面図である。
【図７】電解めっき処理の完了後にスタンパー２０から剥離した電解めっき層３１の断面図である。
【図８】電解めっき層３１における第２面３０ｂ側の拡大断面図である。
【図９】第２面３０ｂに無電解めっき層３２を形成した状態の電解めっき層３１の断面図である。
【図１０】無電解めっき層３２を形成した電解めっき層３１の拡大断面図である。
【図１１】無電解めっき層３２の表面を研磨処理している状態の電解めっき層３１および無電解めっき層３２の断面図である。
【図１２】研磨処理が完了した状態のスタンパー３０の拡大断面図である。
【図１３】スタンパー３０を用いた射出成形処理によってスタンパー４０を製造している状態の断面図である。
【図１４】スタンパー４０の断面図である。
【図１５】実施例１〜９および比較例１〜７の各スタンパーの製造条件と、裏面の表面粗さＲａおよび反り量との関係について説明するための説明図である。
【図１６】裏面に無電解めっき層２３を形成した状態の電極層２１および電解めっき層２２の断面図である。
【図１７】無電解めっき層２３を研磨処理している状態の電極層２１および電解めっき層２２の断面図である。
【図１８】スタンパー２００（２００Ａ）の断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  樹脂スタンパー製造システム
２  めっきスタンパー製造装置
３  射出成形装置
４  蒸着装置
５  電解めっき装置
６  無電解めっき装置
７  研磨装置
７ａ  研磨用テープ
７ｂ  押圧用ローラ
１０  原盤
１１  シリコン基板
１５，２５，３５，４５  凹凸パターン
１５ａ，２５ａ，３５ａ，４５ａ  凸部
１５ｂ，２５ｂ，３５ｂ，４５ｂ  凹部
２０，３０，４０，２００，２００Ａ  スタンパー
２０ａ，３０ａ  第１面
２０ｂ，３０ｂ  第２面
２１，２１ａ  電極層
２２，３１  電解めっき層
２３，３２  無電解めっき層
４１  樹脂材料
【図１】
2009277289.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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