(57)【要約】【課題】音響センサとしてのＭＥＭＳマイクロホンにおける単体の音響センサによって、音・振動・圧力と共に光も検出することができる、小型、薄型、軽量の複合センサを提供する。【解決手段】本発明の複合センサは、第１の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第２の電極とを具備したコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子と、前記出力端子に接続され、前記増幅器の出力を、光信号と、音響信号とに分割する帯域分割フィルタを具備した信号分離部とを具備したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第１の電極に対向して配設された第２の電極とを具備したコンデンサ部と、
前記コンデンサ部の前記第１の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、
前記コンデンサ部の第２の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備え
前記出力端子に接続され、前記増幅器の出力を、光信号と、音響信号に分岐する信号分離部とを具備した複合センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の複合センサであって、前記コンデンサ部の第２の電極に接続されるコンデンサ電極端子と接地端子とが、内部または外部で接続された複合センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の複合センサであって、
前記出力信号のうち周波数１００Ｈｚ以上の出力信号を音信号として用いるとともに、１００Ｈｚ未満の出力信号を光センサ信号として用いる複合センサ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の複合センサであって、
前記コンデンサ部、前記増幅器は、容器内に収納され、
前記電圧供給端子と、前記出力端子と前記コンデンサ電極端子と前記接地端子が、前記容器から導出され、前記信号分離部に接続された複合センサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の複合センサであって、
前記コンデンサ部、増幅器および信号分離部は、同一の基板の第1の面上に搭載され、
前記コンデンサ電極端子、前記電圧供給端子、前記接地端子および前記出力端子が、前記基板の第２の面に、面実装端子として配設された複合センサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の複合センサであって、
前記コンデンサ部は、ＭＥＭＳマイクロホンで構成された複合センサ。
【請求項７】
請求項６に記載の複合センサであって、
前記ＭＥＭＳマイクロホンは第１導電型のシリコン基板で構成され、前記第１又は第２の電極の少なくとも一方が第２導電型のシリコンで構成された複合センサ。
【請求項８】
請求項７に記載の複合センサであって、
前記コンデンサ部、増幅器および信号分離部は、同一のシリコン基板上に形成され、前記信号分離部は能動型フィルタであり、前記ＭＥＭＳマイクロホンの誘電体膜が永久電荷を保持する膜である複合センサ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の複合センサを用いた複合マイクロホン装置。
【請求項１０】
第１の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第２の電極とを具備したコンデンサ部と、
前記コンデンサ部の前記第１の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、
前記コンデンサ部の第２の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備え
前記増幅器の出力が、光信号と、音響信号である複合センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合センサおよびこれを用いた複合マイクロホン装置にかかり、特に音響センサ機能に加えて光センサ機能を具備した複合装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
音・振動・圧力・加速度等の物理量、ならびに、光という物理量を検出可能な、多変量検出センサは、例えば、特許文献１に記載されている。
この特許文献１に記載されている多変量検出センサでは、エレクトレットコンデンサと光センサを組み合わせて利用する。
すなわち、音・振動・圧力・加速度といった物理量は静電容量の変化を電圧に変換するなどし、これに基づいて各パラメータの物理量を検出する。また、光という物理量に関しては、エレクトレットコンデンサ型センサとは別のセンサを用いて検出している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５４１９９号公報（第１頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術では、以下の２つの不都合が生じる場合がある。
（１）従来構造のエレクトレットコンデンサ型センサ単体では、音・振動・圧力は検出できるが、同時に光を検出することができない。
（２）したがって、光も検出する場合には、別のセンサを組み合わせて使用する必要がある。例えば、光を熱量に変換し、これを圧力に換算するセンサを設け、その圧力の値をエレクトレットコンデンサ型センサにより検出して出力することができる。しかし、この場合、光から熱に変換することは非常に変換効率が悪く、少量の光の検出は困難である。また、構造が複雑化、大型化する傾向も生じる。
【０００５】
図６は、ＭＥＭＳマイクロホンＭの一例を示している。このＭＥＭＳマイクロホンＭはシリコン基板上に、半導体製造技術を用いて多数のマイクロホンチップが同時に作りこまれ、最終的に個々に分割されて形成される。図６は、分割された１つのマイクロホンチップの側面図を示している。このＭＥＭＳマイクロホンＭは、例えばｐ型のシリコン基板２１上に、第１の絶縁層２２を介して、振動膜電極２３とエレクトレット膜２４とを有しており、また、その上に、第２の絶縁層２５を介して、音孔２７が形成された固定電極２６を有している。また、振動膜電極２３の背面には、シリコン基板２１をエッチングして、背気室２８が形成されている。
【０００６】
振動膜電極２３は、ｎドープにより導電性をもたせたポリシリコンで形成され、エレクトレット膜２４は、窒化シリコン膜やシリコン酸化膜で形成され、また、固定電極２６は、ｎドープにより導電性をもたせたポリシリコンとシリコン酸化膜やシリコン窒化膜とを積層して形成されている。
【０００７】
このＭＥＭＳマイクロホンＭでは、振動膜電極２３が音圧によって振動すると、振動膜電極２３と固定電極２６とで構成される平板コンデンサの静電容量が変化し、電圧変化として取り出される。
【０００８】
ところで、マイクロホンやスピーカの製造現場では、感度が極めて重要な課題となっているが、本発明者らは種々の検証の結果、蛍光灯の定常的なまたたき（瞬きは商用周波数の２倍の周波数となるは公に知られている）のなかにおかれたＭＥＭＳマイクロホンが、ノイズを拾っていることを発見した。これは、商用周波数の2倍の周波数で、周期的な出力であり、蛍光灯がまたたく光を検出したものであることがわかった。
【０００９】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、上記発見に着目し、ＭＥＭＳマイクロホン、すなわち音響センサとしてのＭＥＭＳマイクロホンにおける単体の音響センサによって、音・振動・圧力と共に光も検出することができる、小型、薄型、軽量の複合センサを提供することを目的とする。
また光センサ機能を備えた複合マイクロホン装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで本発明の複合センサは、第１の電極としての振動膜と、前記振動膜に固着された誘電体膜と、前記第1の電極に対向して配設された第２の電極とを具備したコンデンサ部と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器と、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、前記増幅器に接続される電圧供給端子と、接地端子と、前記増幅器からの出力端子とを備え、前記出力端子に接続され、前記増幅器の出力をが、光信号と、音響信号となるに分割する帯域分割フィルタを具備した信号分離部とを具備したことを特徴とする。
また、上記の複合センサであって、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と接地端子とが、内部または外部で接続されている複合センサであってもよい。
本発明者らは、上述したように、コンデンサ部の出力が、蛍光灯のまたたきと同じ周波数の信号出力を含むという発見に着目し、考察を行なった結果、第1の電極と第2の電極との間の静電容量の変化を検出するコンデンサ部の出力として、音・振動・圧力に起因する信号(以下音響信号とする)に起因する振動による機械電気変換出力に加え、光信号に起因する光電変換出力を得ることができるのではないかという見識を得た。そこで、種々の実験を行い、光に対しては発音しないＬＥＤ光で、ＬＥＤのオンオフ変調に完全に同期した信号を確認することで、音に対しては、発光しないスピーカーの音に対応した信号を確認し、１つのセンサの一つの出力信号線上に、光と音に対応する信号が得られることを見出した。
この一つの出力信号線上の信号を、帯域分割フィルタを用いて、光信号と音響信号とに分割することにより光信号と音響信号の両方を1つのセンサで取り出すことに成功した。
従って上記構成によれば、帯域分割フィルタを用いて、光信号と音響信号とに分割することにより光信号と音響信号の両方を1つのセンサで取り出すことができる。なおこの帯域分割フィルタは、センサ外に設けるようにしてもよい。
【００１１】
また前記帯域分割フィルタは、１００Ｈｚ以上と１００Ｈｚ未満とに分割するものである。
人間の耳に聞こえる周波数は、通常20Hzから、個人差があるが15000Hzないし20000Hz程度であり、この周波数帯域を可聴域という。さらに、人間の聴力特性を加味した場合、可聴域の低域側の周波数は２００Ｈｚないし３００Ｈｚにとなることがフレッチャーマンソンのラウドネス特性により知られている。
一方蛍光灯のまたたきは商用周波数の2倍である。そこで、帯域分割フィルタを、１００Ｈｚ以上と１００Ｈｚ未満とに分割することで、音響信号と、光信号を効率よく分離して取り出すことができる。
【００１２】
また本発明は、上記複合センサにおいて、前記コンデンサ部、前記増幅器および信号分離部は、容器内に収納され、前記電圧供給端子と、前記出力端子と前記コンデンサ電極端子と前記接地端子が、前記容器から導出され、前記信号分離部に接続されたものを含む。
【００１３】
また本発明は、上記複合センサにおいて、前記コンデンサ部、増幅器は、同一の基板の第1の面上に搭載され、前記コンデンサ電極端子、前記電圧供給端子、前記接地端子および前記出力端子が、前記基板の第２の面に、面実装端子として配設されたものを含む。
【００１４】
また、上記複合センサにおいて、前記コンデンサ部の第2の電極に接続されるコンデンサ電極端子と接地端子とが、内部または外部で接続されているものも含む。
【００１５】
また本発明は、上記複合センサにおいて、前記コンデンサ部は、ＭＥＭＳマイクロホンで構成されたものを含む。
【００１６】
また本発明は、上記複合センサにおいて、前記ＭＥＭＳマイクロホンのシリコン基板は第１導電型のシリコン基板で構成され、電極が第２導電型のシリコンで構成されたものを含む。
種々の実験結果から、ｐ型のシリコン基板をＭＥＭＳプロセスにより形状加工し、電極としてｎドープのポリシリコン層を用いた場合に、良好な光電変換効率を得ることができることがわかった。またさらに実験を進めた結果、これは第１導電型のシリコン基板を出発材料として、電極が逆導電型すなわち第２導電型のシリコンで構成されている場合に有効であることもわかった。
【００１７】
また本発明は、上記複合センサにおいて、前記コンデンサ部、増幅器および信号分離部は、同一のシリコン基板上に形成され、前記信号分離部は能動型フィルタであるものを含む。
この構成により、シリコン基板上に信号分離部を形成することで、伝送損失を最小限に抑え効率よくフィルタリングを行なうことが可能となる。
また、前記ＭＥＭＳマイクロホンの誘電体膜が永久電荷を保持する膜であるものも含む。
【００１８】
また本発明は、上記複合センサを用いた複合マイクロホン装置を提供する。
この構成によれば、光によるスイッチング機能を備えたマイクロホン装置を提供するなど多様な用途が可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、1つのセンサで光信号および音響信号の両方を検出することができ、小型でかつ高感度の出力を得ることができる。またこれを複合マイクロホン装置として用いた場合には、小型で高感度の光信号および音響信号の両方を検出可能となり、高機能のマイクロホン装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態における複合センサを用いた光リモコン付きマイクロホン装置の装置構成を示す概略図である。
本実施の形態では、図１に示すように、ケーブル等の伝送路を通して複合マイクロホン装置１０の出力Ｅｏ（図２参照）を伝送し、受信端に帯域分割フィルタ２０を接続するとともに、帯域分割フィルタ２０で分割された光電変換信号Ｓｌｉｇｈｔと、音響信号Ｓａｕｄｉｏとに基づき信号処理回路３０を介して、信号出力Ｓｏｕｔが得られるように構成されている。この構成では、図１に示すように、リモコンスイッチ４０として２０Ｈｚから４０Ｈｚ程度のＬＥＤを点灯することで、複合マイクロホン装置１０の光電変換部が光信号を出力する一方で、複合マイクロホン装置１０のコンデンサ部が出力する信号出力Ｓｏｕｔとして音響信号を出力できるように構成されている。
【００２１】
この複合マイクロホン装置は、ｐ型のシリコン基板を形状加工するとともにｎドープのポリシリコンで電極を形成したコンデンサ部および光電変換部を構成するＭＥＭＳマイクロホンチップＭで構成されており、このＭＥＭＳマイクロホンチップＭの第２の電極に接続されるコンデンサ電極端子と、接地端子とを、別途導出し、これらコンデンサ電極端子と、接地端子との間に所望の電圧を印加することで、感度調整が可能なように構成されている。
【００２２】
このマイクロホン装置は、図２にこの複合マイクロホン装置を含んだ構成図、図３（ａ）乃至（ｃ）に複合マイクロホン装置の上面図、側面図および下面図、図４（ａ）および（ｂ）にこの複合マイクロホン装置の内部構成を示す上面図および断面図、図５にＭＥＭＳチップの断面図を示すように、通例のコンデンサ部を構成するＭＥＭＳマイクロホン（チップ）Ｍとこれに接続され、増幅器を構成するＣＭＯＳアンプＡとが実装用の回路基板１００上に搭載され、メタルキャップ１０１で封止されたものである。このマイクロホン装置の等価回路図は、図２乃至４に示すようにコンデンサ部ＭとＣＭＯＳアンプＡとが接続され、コンデンサ部の第２の電極であるコンデンサ電極端子Ｅｉと、ＣＭＯＳアンプＡの接地端子ＥＧとが、それぞれコンデンサ電極パッドＰｉ、接地パッドＰＧとして独立して取り出されて、外部端子を構成している。詳細については後述するが、図２に示したようにコンデンサ電極端子Ｅｉと、ＣＭＯＳアンプＡの接地端子ＥＧとを別途取り出し、コンデンサ電極パッドＰｉと、接地パッドＰＧとの間に感度調整部の可変電圧ＶＲで構成された感度制御電圧を接続して感度可変マイクロホンとして用いる。
【００２３】
また、図５に示すように、このマイクロホン装置はコンデンサ部の第２の電極であるコンデンサ電極端子Ｅｉと、ＣＭＯＳアンプＡの接地端子ＥＧとをマイクロホン装置内部たとえば自身の回路基板上で接続もしくは、実装時の相手側の回路基板で接続する構成をとることもできる。
この場合は、コンデンサ電極パッドＰｉと、接地パッドＰＧとの間に感度調整部の可変電圧ＶＲで構成された感度制御電圧の替わりに、マイクロホンの誘電体膜を永久電荷を保持する膜とすることで、固定感度のマイクロホン装置を構成できる。
【００２４】
すなわち本発明の複合マイクロホン装置は、ｐ型のシリコン基板で構成された支持部としての基台２１に絶縁膜２２としての酸化シリコン膜を介して形成された振動膜２３であるｎドープのポリシリコンからなる第１の電極と、この第１の電極に対向して配設された固定電極２６としてのｎドープのポリシリコンからなる第２の電極とを具備したマイクロホンで構成されたコンデンサ部（図６参照）と、前記コンデンサ部の前記第1の電極に接続され、前記コンデンサ部からの信号を増幅する増幅器Ａとがメタルキャップ１０１からなる容器内に実装され、図３（ａ）乃至（ｃ）にその外観図(上面図、側面図、下面図)を示すように、前記コンデンサ部の第２の電極に接続されるコンデンサ電極端子Ｅｉと、前記増幅器Ａに接続される電圧供給端子ＥＶと、接地端子ＥＧと、前記増幅器Ａからの出力端子ＥＯとが前記容器から導出され、回路基板１００の裏面側にそれぞれパッド（コンデンサ電極パッドＰｉと、電圧供給パッドＰＶと、接地パッドＰＧと、前記増幅器（ＣＭＯＳアンプ）Ａからの出力パッドＰＯを形成している。
【００２５】
そしてこの複合マイクロホン装置の内部は、図４に示すように、コンデンサ部ＭとＣＭＯＳアンプＡとが回路パターンを形成したプリント配線基板（回路基板）１００上に実装され、メタルキャップ１０１で封止されており、この回路基板１００の裏面側には上述した４つのパッドすなわち、コンデンサ電極パッドＰｉと、電圧供給パッドＰＶと、接地パッドＰＧと、出力パッドＰＯが形成されている。
【００２６】
このシリコンマイクロホン用チップＭは、図６に示すように、ｐ型のシリコン基板２１と、酸化シリコン膜２２を介してこの表面に形成されたｎドープのポリシリコン膜からなり、コンデンサの一極として機能する第１の電極としての振動膜２３と、エレクトレット膜（エレクトレット化対象の膜）２４としての酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜からなるスペーサ部２５と、コンデンサの他極として機能する固定電極２６とシリコン基板２１をエッチングすることで形成される背気室２８とを有する。固定電極２６には、複数の音孔（音波を振動膜２３に導くための開口部）２７が設けられている。なお、参照符号Ｇはエアギャップ、Ｈは電気的接続のためのコンタクトホールを示す。
また、固定電極２６は、ｎドープにより導電性をもたせたポリシリコンとシリコン酸化膜やシリコン窒化膜とを積層して形成されている。
【００２７】
マイクロホンを構成する振動膜２３、固定電極２６、無機誘電体膜２４は、ｐ型のシリコン基板２１を出発材料とするシリコンの微細加工技術と、ＣＭＯＳ（相補型電界効果トランジスタ）の製造プロセス技術とを利用して製造され、いわゆるＭＥＭＳ素子を構成する。
【００２８】
図７は蛍光灯の点灯有り無し時のＭＥＭＳマイクロホンの出力信号を測定した結果を示す図であり、図８はＬＥＤ光のＯＮ／ＯＦＦによる出力を示す図である。図７において縦軸はＳａｕｄｉｏ室内の蛍光灯を点灯した時と点灯しない時のマイクロホン出力電圧のスペクトラムを示し、この図から、Ｓｌｉｇｈｔ蛍光灯のフリッカー周波数に出力が見られることがわかった。図７によればノイズを含む複雑な出力信号となっているが、蛍光灯のまたたき周波数である商用周波数の２倍の周波数に対応した周波数に信号が表れており顕著な光検出信号となっている。図８は光リモコンの信号発生に使用されるＬＥＤ光のＯＮ／ＯＦＦによる出力であり、リモコンにはかかせないＯＮ／ＯＦＦ信号に同期した信号が得られている。
図９は、感度制御電圧の大きさと極性を変えた場合の光信号の大きさと周波数特性を示したものであり、
感度制御電圧の大きさや極性に対しての特性を示すものである。
【００２９】
一方、音信号に対しては、図１０は、感度制御電圧の極性と電圧の大きさを変えた場合の感度特性を示しており、可変電圧ＶＲからなる電圧調整部を接続して、印加電圧を変化させた結果、感度を可変にすることができる。
したがって、完成後にこの電圧制御によって感度ばらつきを調整することも可能となる。また、使用時に感度を変更したい場合にも電圧制御のみで極めて容易に所望の感度を得ることができる。
また、感度周波数特性は図１１に示すように、マイクロホンとしての十分な特性となっている。
【００３０】
ここで本実施の形態によれば、図６に示すように例えばｐ型のシリコン基板２１と、この表面に形成された第１の電極２３を構成するｎドープのポリシリコン膜の間は膜厚７００ｎｍ程度の酸化シリコン膜からなる絶縁膜２２が形成されている。この第１の電極２３や約３ｕｍ程度の絶縁層２５をはさんだ第２の電極２６とｐ型のシリコン基板２１との間にはＭＯＳ構造が形成されると考えることができ、シリコン基板２１側にはなんらかの形で、空乏層ができると考えられる。またたく蛍光灯やＬＥＤのＯＮ／ＯＦＦ光で空乏層の厚さが変調されると考えると、容量の変調がおこり、この光での容量変調は音で容量が変化して出力電圧が表れるのと同じことと考えられ、出力として光変調出力がえられるのではないかと推定される。従って、本実施形態の複合マイクロホンからは、変調光に対応する出力と音入力に対する出力が同一出力線上に表れることになる。この光信号を帯域分割フィルタにより出力信号から分離することで音響信号と光信号を分離して取り出すことが可能となる。
【００３１】
この複合マイクロホン装置を用いて、外部に接続された帯域分割フィルタによって光リモコン信号と音響信号に分離し、この光リモコン信号と音響信号とを信号処理回路３０でアンド回路にかけることで、光リモコンスイッチがオンなっているときのみ音響信号を出力できるようにすることができる。
【００３２】
なお、前記実施の形態では、ｐ型のシリコン基板に電極としてｎドープのポリシリコン層を用いた場合に特に光信号の取出しが容易であった。また、逆にｎ型のシリコン基板に電極としてｐドープのポリシリコン層を用いた場合にも光信号の取出しが容易であった。これらを構成するシリコンの結晶型については特にこの組み合わせに限定されるものではなく、アモルファスシリコン、μクリスタルシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンおよびこれらの組み合わせから選択可能である。
【００３３】
また、前記実施の形態では、基板と第１の電極とが逆導電型である場合について説明したが、基板と第２の電極、あるいは第１の電極と第２の電極とが逆導電型である場合についても、本発明の複合センサが適用可能である場合もある。
【００３４】
また、前記実施の形態では、ＤＣバイアスタイプのＭＥＭＳマイクロホン装置を用いた場合について説明したが、本発明は、その他、エレクトレットタイプの静電型電気音響変換器を対象とすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の複合マイクロホン装置によれば、１つのセンサで光信号と音響信号の両方を検出することができるため、小型でかつ信頼性が高いことから、エレクトレットコンデンサマイクロホン装置などに広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態１の複合マイクロホン装置の概念説明図
【図２】本発明の実施の形態１で用いられる複合マイクロホン装置の等価回路図
【図３】本発明の実施の形態で用いられるマイクロホン装置を示す図、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は下面図
【図４】本発明の実施の形態で用いられるマイクロホン装置の内部構成を示す図
【図５】本発明の実施の形態で用いられるマイクロホン装置を示す図
【図６】ＭＥＭＳチップの断面図
【図７】ＭＥＭＳマイクロホンの出力信号を測定した結果を示す図
【図８】ＬＥＤ光のＯＮ／ＯＦＦによる出力を示す図
【図９】感度制御電圧の大きさと極性を変えた場合の光信号の大きさと周波数特性を示す図
【図１０】感度制御電圧の極性と電圧の大きさを変えた場合の感度特性を示す図
【図１１】感度周波数特性を示す図
【符号の説明】
【００３７】
１０  複合マイクロホン装置
２０  帯域分割フィルタ
３０  信号処理回路
４０  光リモコン
２１  シリコン基板
２２  絶縁層
２３  振動膜電極
２４  エレクトレット膜
２５  第２の絶縁層
２６  固定電極
２７  音孔
２８  背気室
Ｍ    ＭＥＭＳマイクロホン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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