(57)【要約】【課題】ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣにおいて、ヘッドの出力特性のばらつきを高速に調整して、リードチャネルのＡＧＣの入力ダイナミックレンジに収める。【解決手段】リードチャネル（１０２）に接続されたヘッドＩＣ（１０３）に、ＡＧＣアンプ（１０）と、ヘッドの抵抗測定回路（１１２）を設け、ＡＧＣアンプ（１０）の調整を、抵抗測定回路（１１２）のヘッドの抵抗値を測定した結果から換算した予測ゲイン値を初期値として、行う。ＡＧＣの引き込み時間の増大防止、安定性の保証、ＡＧＣの誤判定防止を図る事が可能になる。【選択図】図２
2009140585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、
前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、
前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、
前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、
測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、
前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する
ことを特徴とするヘッドＩＣ。
【請求項２】
前記インタフェース回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、外部に読み出し、且つ前記外部から前記読み出した初期値を受信して、前記ラッチ回路に設定する
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項３】
前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有する
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項４】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、
前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、
前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、
測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、
前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する
ことを特徴とするリード回路。
【請求項５】
前記インタフェース回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、外部に読み出し、且つ前記外部から前記読み出した初期値を受信して、前記ラッチ回路に設定する
ことを特徴とする請求項４のリード回路。
【請求項６】
前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有する
ことを特徴とする請求項４のリード回路。
【請求項７】
媒体の情報を読み取るヘッドと、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルと、
前記ヘッドのリード動作を制御する制御回路とを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、
前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、
前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、
前記制御回路との信号の受け渡しのためのインタフェース回路とを有し、
前記制御回路は、前記抵抗測定回路により測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記インタフェース回路を介し、前記ラッチ回路にセットし、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する
ことを特徴とする媒体記憶装置。
【請求項８】
前記制御回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、読み出し、保持し、且つ前記ゲイン値を、前記ラッチ回路に設定する
ことを特徴とする請求項７の媒体記憶装置。
【請求項９】
媒体の情報を読み取るヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法において、
前記ヘッドの抵抗値を測定するステップと、
前記抵抗値から、差動増幅器とＡＧＣ回路で構成された前記ヘッドＩＣのＡＧＣアンプの予測ゲイン値を換算するステップと、
前記ＡＧＣアンプに、前記予測ゲイン値をセットするステップと、
前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作するステップとを有する
ことを特徴とするヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【請求項１０】
前記換算ステップは、
前記抵抗値から前記ヘッドの出力電流を予測するステップと、
前記ＡＧＣアンプの目標出力値と、前記出力電流値から、前記予測ゲイン値を計算するステップと有する
ことを特徴とする請求項９のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドの読み取り信号の出力レベルを調整するヘッドＩＣ、リード回路、媒体記憶装置及びヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法に関し、特に、出力レベルが異なるヘッドの読み取り信号を所定のレベルに調整するヘッドＩＣ、リード回路、媒体記憶装置及びヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
媒体記憶装置、例えば、磁気ディスク装置においては、ヘッドが媒体からデータを読み出す。近年のトラック密度の増加に伴い、媒体の磁束の検出感度が高いヘッドが提供されている。例えば、ＭＲ（Magnetic Resistance）素子が、リードヘッドに使用されている。更に、より検出感度の高い素子として、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ（又はＴＭＲ）素子の適用が検討されている。
【０００３】
このようなリード素子は、検出感度が高いため、均一な特性の素子を作成することは、難しい。このため、リード素子個々の出力レベルは一定でなく、且つ温度変動による素子の特性変化や浮上量の変動により、出力レベルは変化する。従って、データを復調する前に、リード素子の出力レベルを調整する回路が必要となる。
【０００４】
図１１は、従来の媒体記憶装置の構成図、図１２は、従来のリード回路のブロック図である。図１１に示すように、媒体（磁気ディスク）２１０のデータを読み取る磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００の先端に設けられる。
【０００５】
アクチュエータ２００は、回転軸２０４を中心に回転し、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂを磁気ディスク２１０の所望のトラックに位置づける。磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００に設けられたヘッドＩＣ（Integrated Circuit）２２０に接続され、ヘッドＩＣ２２０は、アクチュエータ２００の外の制御回路２３０に接続される。
【０００６】
磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂから制御回路２３０までの距離が長いため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂの信号レベルが変化したり、ノイズが混入する。これを防止するため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂと制御回路２３０との間に、ヘッドＩＣ２２０を設け、信号レベルの調整を行うものである。このヘッドＩＣ２２０は、磁気ヘッドと制御回路との間の多数の信号線を纏め、配線を容易にする目的もある。例えば、制御回路２３０とヘッドＩＣ２２０間は、シリアルインターフェース（ＳＩ）で接続し、ヘッドＩＣ２２０と各磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂ間は、個別の信号線で接続する。
【０００７】
図１２は、図１１のリード系回路の詳細図であり、磁気ヘッド２０２ａ（又は２０２ｂ）のリード素子２０２−１に接続するヘッドＩＣ２２０には、可変ゲインアンプ（プリアンプ）２２０−１が設けられており、設定されたゲインで、リード素子２０２の出力を増幅する。可変ゲインアンプ２２０−１は、ゲイン調整範囲は、４段階であり、装置出荷時に、ヘッド毎に調整して、ヘッド毎に、設定される。
【０００８】
一方、ヘッドＩＣ２２０に接続される制御回路２３０には、リードチャネル２３０−１が設けられ、リードチャネル２３０−１に設けられたＡＧＣ（Automatic Gain Control）アンプ２３０−２が、ヘッドＩＣ２２０の可変ゲインアンプ２２０−１の出力を受ける。
【０００９】
ＡＧＣアンプ２３０−２は、差動増幅器２３０−３と、ＡＧＣ回路２３０−４で構成される。ＡＧＣ回路２３０−４は、差動増幅器２３０−３の出力値と基準の出力値とを比較して、比較結果をフィードバックして、差動増幅器２３０−３のゲインを調整し、差動増幅器２３０−３の出力レベルを基準レベルに調整する（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このＡＧＣ回路２３０−４は、磁気ディスク２１０のトラックの１セクタ内の変化を追従するような高速のフィードバック係数（周波数、ゲイン変更量）を設定し、１セクタ内の信号レベルを均一化する。
【特許文献１】特開平１０−０２１６４７号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来技術では、このような素子自体の特性や浮上量変動等の環境条件の変動による出力レベルの変動は、主に、リードチャネルのＡＧＣアンプにより、調整していた。
【００１２】
しかしながら、近年の記録密度の向上により、リード素子もより検出感度の高いＴｕＭＲ素子の利用が望まれている。この検出感度の高いリード素子は、検出感度が、ＭＲ素子の１０倍程度とされているが、個々のリード素子個々の信号出力レベルのばらつきは、これに応じて大きい。
【００１３】
又、検出感度が高いため、温度変動や浮上量の変動による信号レベルの変動も大きい。このような大きな信号レベルの変動があると、リードチャネルのＡＧＣアンプで調整するのが困難となるおそれがある。
【００１４】
又、記録密度の向上により、回路周波数が高くなり、リードチャネルのＡＧＣアンプも高速化が要求され、ＡＧＣの入力ダイナミックレンジが狭くなっている。このため、レベル変動をリードチャネルのＡＧＣアンプの変更で、調整することが、困難となる。
【００１５】
このため、可変ゲインアンプの設定値を調整することも考えられるが、可変ゲインアンプの設定値は、４段階程度のため、調整が難しい。又、可変ゲインアンプの設定値の段数を増加して、調整することも考えられるが、このようにすると、初期設定時に、ゲイン設定段数が、大幅に増加し、リード素子が、ディスクのシステムエリアを読める程度まで、ゲインを調整するための時間がかかる。
【００１６】
更に、このように多段階にすると、リードチャネルのＡＧＣアンプのダイナミックレンジとの関係も考慮する必要があり、より調整時間が長くなり、且つレベル変動の調整に制限がある。
【００１７】
従って、本発明の目的は、ヘッド出力レベルのばらつきが大きくても、ヘッド個々の出力のばらつきを自動的に調整するためのヘッドＩＣ、リード回路、媒体記憶装置及びヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法を提供することにある。
【００１８】
又、本発明の他の目的は、リードチャネルのＡＧＣ回路の入力ダイナミックレンジが狭くなっても、ヘッド個々の出力のばらつきを自動的に調整するためのヘッドＩＣ、リード回路、媒体記憶装置及びヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法を提供することにある。
【００１９】
更に、本発明の他の目的は、ヘッド個々の出力のばらつきを調整する時間を短縮し、且つ安定に、ヘッドの出力変動を自動調整するためのヘッドＩＣ、リード回路、媒体記憶装置及びヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この目的を達成するため、本発明のヘッドＩＣは、ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する。
【００２１】
又、本発明のリード回路は、ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する。
【００２２】
又、本発明の媒体記憶装置は、媒体の情報を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルと、前記ヘッドのリード動作を制御する制御回路とを有し、前記ヘッドＩＣは、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、前記制御回路との信号の受け渡しのためのインタフェース回路とを有し、前記制御回路は、前記抵抗測定回路により測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記インタフェース回路を介し、前記ラッチ回路にセットし、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作する。
【００２３】
又、本発明のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法は、媒体の情報を読み取るヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法において、前記ヘッドの抵抗値を測定するステップと、前記抵抗値から、差動増幅器とＡＧＣ回路で構成された前記ヘッドＩＣのＡＧＣアンプの予測ゲイン値を換算するステップと、前記ＡＧＣアンプに、前記予測ゲイン値をセットするステップと、前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作するステップとを有する。
【００２４】
更に、本発明では、好ましくは、前記インタフェース回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、外部に読み出し、且つ前記外部から前記読み出した初期値を受信して、前記ラッチ回路に設定する。
【００２５】
更に、本発明では、好ましくは、前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有する。
【００２６】
更に、本発明では、好ましくは、前記差動増幅器は、前記ＡＧＣイネーブル信号がオンの時に、前記ＡＧＣ回路により、ＡＧＣアンプとして動作し、前記ＡＧＣイネーブル信号がオフの時に、前記外部からの設定ゲインにより固定アンプとして、動作する。
【００２７】
更に、本発明では、好ましくは、複数の前記ヘッドの１つを選択するヘッド選択回路を更に有し、前記ラッチ回路は、前記選択されたヘッドに対応する予測ゲイン値がセットされる。
【００２８】
更に、本発明では、好ましくは、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、読み出し、メモリに保持するステップと、且つヘッドのリード動作開始時に、前記メモリのゲイン値を、前記ＡＧＣアンプに設定するステップを更に有する。
【００２９】
更に、本発明では、好ましくは、前記換算ステップは、前記抵抗値から前記ヘッドの出力電流を予測するステップと、前記ＡＧＣアンプの目標出力値と、前記出力電流値から、前記予測ゲイン値を計算するステップと有する。
【発明の効果】
【００３０】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、このＡＧＣアンプの調整を、ヘッドの抵抗値を測定した結果から換算した予測ゲイン値を初期値として、行うため、ＡＧＣの引き込み時間の増大防止、安定性の保証、ＡＧＣの誤判定防止を図る事が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、媒体記憶装置、リード回路の構成、リード回路の動作、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。
【００３２】
（媒体記憶装置）
図１は、本発明の一実施の形態の媒体記憶装置の構成図である。図１は、媒体記憶装置として、磁気ディスク装置を示す。図１に示すように、磁気記憶媒体である磁気ディスク１１７が、スピンドルモータの回転軸１１８に設けられている。スピンドルモータは、磁気ディスク１１７を回転する。アクチュエータ（ＶＣＭ）１１９は、先端に磁気ヘッド１２６を備え、磁気ヘッド１２６を磁気ディスク１１７の半径方向に移動する。
【００３３】
アクチュエータ１１９は、回転軸を中心に回転するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で構成される。磁気ディスク装置に、２枚の磁気ディスク１１７が搭載される場合には、各磁気ディスクの面をリード／ライトする４つの磁気ヘッド１２６が、同一のアクチュエータ１１９で同時に駆動される。
【００３４】
磁気ヘッド１２６は、リード素子と、ライト素子とからなる。例えば、磁気ヘッド１２６は、スライダに、トンネル効果磁気抵抗（ＴｕＭＲ）素子を含むリード素子を積層し、その上にライトコイルを含むライト素子を積層して、構成される。
【００３５】
ヘッドＩＣ１０３は、図１１で示したように、アクチュエータ１１９の側面に設けられ、図２以下で後述するように、ＡＧＣアンプを含むリード系回路と、ライト系回路からなる。そして、ヘッドＩＣ１０３は、リードモードでは、磁気ヘッド１２６のリード素子からの読み取り信号を増幅して、出力し、ライトモードでは、磁気ヘッド１２６のライト素子にライト駆動電流を流す。
【００３６】
リードチャネル１０２は、リード系回路と、ライト系回路とを有し、リード系回路は、ＡＧＣアンプ１０７と、信号復調回路１０６とを備える。マイクロコントローラ（ＭＣＵ）１０４は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａと、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１０４ｂとを備える。
【００３７】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａは、コマンドの解析を行い、サーボ信号のセクタ番号を基準にして，１周内の位置を判断し，データの記録・再生を制御し、且つリードデータやライトデータを一時格納する。ＭＰＵ１０４ｂは、各部の制御を行うとともに、信号復調回路１０６からのサーボ位置信号から現在位置を検出（復調）し、検出した現在位置と目標位置との誤差に従い、アクチュエータ１１９のＶＣＭ駆動指令値を演算する。
【００３８】
サーボ・コンボ回路１０５は、ＶＣＭ駆動指令値で、アクチュエータ１１９を駆動し（駆動電流を流し）、又、スピンドルモータを駆動する。インタフェース回路１０１は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus），ＳＡＴＡ(Serial AT Attached)やＳＣＳＩ(Small Component System Interface)等のインタフェースで、ホストと通信する。
【００３９】
磁気ディスク１１７には、外周から内周に渡り、各トラックにサーボ信号（位置信号）が、円周方向に等間隔に配置される。又、各トラックは、複数のセクタで構成され、セクタ毎に、サーボ信号が記録される。サーボ信号は，サーボマークと、トラック番号と、インデックスと、オフセット情報（サーボバースト）ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤとからなる。
【００４０】
この位置信号をヘッド１２６で読み取り、トラック番号とオフセット情報ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤを使い，磁気ヘッドの半径方向の位置を検出する。さらに、インデックス信号Ｉｎｄｅｘを元にして，磁気ヘッドの円周方向の位置を把握する。
【００４１】
このような，位置信号やデータを読み取るため、磁気ヘッド１２６のリード素子の読み取り出力を、ヘッドＩＣ１０３でレベル調整し、且つリードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７で所定レベルに調整する。
【００４２】
（リード回路の構成）
図２は、本発明のリード回路の一実施の形態の回路図、図３は、図２の構成のヘッドＩＣの搭載図、図４は、図２の抵抗測定回路の回路図、図５は、図２のゲイン調整回路の回路図である。図２において、図１で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３には、４つ（４チャネル）のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−０〜１２６−３が接続される。
【００４３】
ヘッドＩＣ１０３は、各々リード素子１２６−０〜１２６−３の出力を増幅する第1の差動増幅器５０−０〜５０−３と、ヘッド選択信号により、いずれかの差動増幅器５０−０〜５０−３の出力を選択するヘッド選択回路（マルチプレクサ）５２とを有する。
【００４４】
又、ヘッドＩＣ１０３は、リード回路１０３ａと、図４で後述する抵抗測定回路１１２とを有する。リード回路１０３ａは、ＡＧＣアンプ部を有する。このＡＧＣアンプ部は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−０〜１２６−３の両端電圧が、マルチプレクサ５２から入力される差動増幅器１２と、差動増幅器１２の出力値と基準値とを比較して、差動増幅器１２のゲインを調整するＡＧＣ回路１４とを有する。
【００４５】
又、ヘッドＩＣ１０３のリード回路１０３ａは、シリアルデータエネーブル信号ＳＤＥＮ，シリアルデータＳＤＡＴＡ、シリアルクロックＳＣＬＫを、リードチャネル１０２を介し、ＭＰＵ１０４ｂから受けるシリアルインタフェース部３２と、差動増幅器１２の出力を、リードチャネル１０２のＡＧＣアンプ１０７に出力するためのバッファアンプ５４とを有する。
【００４６】
抵抗測定回路１１２は、各リード素子１２６−０〜１２６−３に接続され、シリアルインタフェース部３２を介するＭＰＵ１０４ｂからの測定開始指示により、各リード素子１２６−０〜１２６−３に測定電流（又は測定電圧）を与え、リード素子１２６−０〜１２６−３の端子間電圧を、ＭＰＵ１０４ｂに出力する。
【００４７】
ＭＰＵ１０４ｂは、演算部１５２と、メモリ１３４とを有し、機能として、プリアンプ（ヘッドＩＣ）制御部１３６を有する。メモリ１３４は、測定した各リード素子の電圧値と、電圧値から計算した抵抗値と、抵抗値から得たゲイン初期値とを格納する。
【００４８】
演算部１５２は、測定した電圧値から抵抗値を計算し、抵抗値からゲイン初期値を計算する。プリアンプ制御部１３６は、ＡＧＣの制御を行うものであり、ＡＧＣのオン／オフの制御を行う。
【００４９】
又、ＭＰＵ１０４ｂには、環境状態測定部１１４が接続される。環境状態測定部１１４は、時間測定部、温度測定部、電圧測定部、圧力測定部等を有する。
【００５０】
図３は、ヘッドＩＣ１０３の搭載例を示す図であり、先端に、磁気ヘッド１２６が搭載されたアクチュエータ１１９の根元に、ヘッドＩＣ１０３が取り付けられる。そして、ヘッドＩＣ１０３は、磁気ヘッド１２６と、接続線（Ｔｒａｃｅ  Ｌｉｎｅ）１１０により接続される。
【００５１】
次に、図４により、抵抗測定回路１１２を説明する。ここでは、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−０を例に説明するが、他のリード素子も同様である。
【００５２】
電流測定モードのため、リード素子１２６−０の両端に、各々スイッチ１５８，１６２を介し、測定用電流源（プラス側とマイナス側）１５６，１６２が接続される。又、抵抗測定時に、両スイッチ１５８，１６２をオンとし、２つの測定用電流源１５６，１６２により、リード素子１２６−０に測定用電流Ｉ１，Ｉ２を流す。
【００５３】
又、電圧測定モード（即ち、電圧の印加によっても、測定が可能）も行えるように、スイッチ１５２を介し第１のトランジスタ１５０が、リード素子１２６−０の一端に、接続され、スイッチ１５４を介し、第２のトランジスタ１５４が、リード素子１２６−０の他端に接続される。
【００５４】
この第１のトランジスタ１５０のベースは、第１の電流源１４０と接地された抵抗１４２との接続点に接続され、電圧Ｖ１を供給する。又、第２のトランジスタ１４８のベースは、接地された抵抗１４４と第２の電流源１４６との接続点に接続され、電圧Ｖ２を供給する。
【００５５】
抵抗測定時に、両スイッチ１５２，１５４をオンとし、２つのトランジスタ１５０，１４８から、リード素子１２６−０に測定用電圧Ｖ１，Ｖ２を印加する。
【００５６】
電流測定モード又は電圧測定モードにより、リード素子１２６−０に、測定用電流（ＤＣ電流）が、流れる。前置アンプ１６４は、リード素子１２６−０の両端電圧を増幅し、スイッチ１６８，１７０を介し、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）コンバータ１７２に出力する。Ａ／Ｄコンバータ１７２は、リード素子１２６−０の両端電圧差を、デジタル値に変換して、ＭＰＵ１０４ｂに出力する。
【００５７】
従って、抵抗測定指示が与えられると、電流測定モードでは、スイッチ１５８，１６０、１６８，１７０をオンとし、リード素子１２６−０に測定用ＤＣ電流を流し、Ａ／Ｄコンバータ１７２より、リード素子１２６−０の両端電圧差を、デジタル値で、ＭＰＵ１０４ｂが受ける。
【００５８】
又、電圧測定モードでは、スイッチ１５２，１５４、１６８，１７０をオンとし、リード素子１２６−０に測定用ＤＣ電圧を印加し、Ａ／Ｄコンバータ１７２より、リード素子１２６−０の両端電圧差を、デジタル値で、ＭＰＵ１０４ｂが受ける。
【００５９】
次に、ＡＧＣ回路１４を、図５により説明する。図５に示すように、ＡＧＣ回路１４は、差動増幅器１２のマイナス側電圧と、差動増幅器１２のプラス側電圧との差をとり、振幅を抽出する差動信号変換器２２と、抽出した振幅をアナログ／デジタル変換するＡＤＣ（Analog Digital Converter）２０と、振幅の目標値を格納するメモリ１５と、デジタルの振幅値と目標値を比較するゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【００６０】
ゲインエラー検出器１６は、メモリ１５の振幅の目標値からＡＤＣ２０からの検出した振幅との差を演算する演算器で構成される。この差が、ゲインエラーである。
【００６１】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。
【００６２】
更に、ＡＧＣ回路１４は、差動増幅器１２のゲインをラッチするゲインラッチ回路２６と、シリアルインタフェース部３２からのＡＧＣイネーブル信号により、ゲインラッチ回路２６を、ゲイン乗算器１９の出力又はシリアルインタフェース部３２からの初期ゲインとのいずれかに接続するためのゲインスイッチ２４とを有する。
【００６３】
従って、ＡＧＣ回路１４は、初期時に、ゲインスイッチ２４より、ゲインラッチ回路２６に初期ゲインがセットされ、次に、ＡＧＣイネーブル信号が与えられると、ゲインスイッチ２４が、ゲイン乗算器１９に接続され、且つ図示しないＡＧＣシーケンサが、ＡＧＣ回路１４（ブロック２２，２０，１６，１８，１９）をアクテイブとする。
【００６４】
このため、ＡＧＣ制御は、そのリード素子の特性に合ったゲイン初期値から開始することができ、ＡＧＣのゲイン収束までの時間を大幅に、短縮できる。このゲイン初期値として、後述するように、リード素子の測定抵抗値から得ているため、そのリード素子の出力特性に合ったゲイン初期値を設定できる。
【００６５】
（リード回路の動作）
図６は、図２のＭＰＵが実行するＡＧＣシーケンス処理フロー図、図７は、図２のＭＰＵが実行するＡＧＣ初期値キャリブレーションフロー図、図８は、図６の測定抵抗値と、出力電流との関係図、図９は、初期値を設定しない場合のＡＧＣ動作の説明図、図１０は、本実施例による初期値を設定した場合のＡＧＣ動作の説明図である。
【００６６】
図８乃至図１０を用いて、図６により、抵抗測定によるＡＧＣ処理を説明する。尚、図６は、装置出荷前に実行する測定処理を示す。
【００６７】
（Ｓ１０）電源オンとなると、ＭＰＵ１０４ｂは、ヘッドアンプを起動する。即ち、図２において、ヘッドＩＣ１０３は、リード／ライト端子からリード信号を受け、第1の増幅器５０−０〜５０−３、マルチプレクサ５２、差動増幅器１２、バッファアンプ５４とを、イネーブルとし、リードパスを形成する。
【００６８】
（Ｓ１２）次に、ＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣゲイン設定シーケンスを開始する。
【００６９】
（Ｓ１４）ＭＰＵ１０４ｂは、測定するヘッド番号（ヘッド選択信号）を、シリアルインタフェース部３２に送る。これにより、マルチプレクサ５２にヘッド選択信号が与えられ、マルチプレクサ５２は、ヘッド選択信号で指示されたヘッドの出力（即ち、第１の増幅器の出力）を選択する。又、抵抗測定回路１１２は、ヘッド選択信号で指示されたヘッドを図４の測定回路に接続する。
【００７０】
（Ｓ１６）ＭＰＵ１０４ｂは、シリアルインタフェース部３２を介し、抵抗測定回路１１２に測定開始を指示する。これにより、図４で説明したように、抵抗測定回路１１２は、選択されたヘッドのリード素子に、測定電流（又は電圧）を与える。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、Ａ／Ｄコンバータ１７２を介し、リード素子の両端電圧差Ｖｍを得て、メモリ１３４に格納する。ＭＰＵ１０４ｂは、両端電圧差Ｖｍを、測定電流Ｉｍで割り、そのリード素子の抵抗値Ｒｍを得る。この抵抗値Ｒｍは、メモリ１３４に格納される。
【００７１】
（Ｓ１８）ＭＰＵ１０４ｂは、この測定抵抗値からヘッド出力を換算し、且つ必要な振幅出力から初期ゲイン値を計算する。この測定抵抗値からヘッド出力振幅を換算する場合に、測定した抵抗値は、ＤＣバイアスをかけて測定したものであり、実際のヘッド出力（ＡＣ）振幅とは、必ずしも一致しない。
【００７２】
図８は、工場内の試験工程で測定したヘッド抵抗値と、ヘッド出力振幅との相関関係を示す図である。図８の横軸は、ヘッド抵抗値であり、縦軸は、ヘッドの出力振幅値である。図８に示すように、ヘッド抵抗値と、出力振幅値は、大まかに見て、比例関係にあるが、細かに見ると、同じ抵抗値でも、出力振幅値が異なる傾向にある。例えば、ヘッド抵抗値が、３００ｏｈｍでも、出力振幅値は、１０〜１６ｍＶｐ−ｐと、ある程度の範囲で、ばらつく。従って、ヘッド抵抗値が、そのまま出力振幅値に対応するとは、限らない。
【００７３】
このため、図８の測定結果から、ヘッド抵抗値ｘとヘッド出力値ｙとの近似式ＡＦＭを予め作成しておく。図８の測定結果からは、近似式は、下記（１）式で示される。
【００７４】
ｙ＝０．０６７６ｘ−６．７６９８                  （１）
ＭＰＵ１０４ｂは、測定したヘッド抵抗値ｘを式（１）に代入して、ヘッド出力値ｙを計算する。このような近似式を用いることにより、比較的正確で、且つ高速に、ヘッド出力値ｙに換算できる。
【００７５】
更に、ＭＰＵ１０４ｂは、初期ゲイン値Ｇを計算する。この場合、ＡＧＣアンプ１２の出力の目標値ＶＴを、ヘッド出力値ｙで割り、初期ゲイン値Ｇを計算する。そして、この初期ゲイン値Ｇを、メモリ１３４に書き込む。
【００７６】
（Ｓ２０）次に、ＭＰＵ１０４ｂは、メモリ１３４の計算された初期ゲインＧを読み出し、リードチャネル１０２、シリアルインタフェース部３２に出力するとともに、同様のルートで、ＡＧＣ回路１４のＡＧＣシーケンサに、ゲイン設定指示を与える。これにより、図５で説明したように、スイッチ２４により、初期ゲイン値は、ゲインラッチ回路２６に設定される。従って、差動増幅器１２は、この設定された初期ゲイン値のゲインで、信号増幅する。
【００７７】
（Ｓ２２）そして、ＭＰＵ１０４ｂは、ＭＣＵ１０４は、リードチャネル回路１０２を介し、ヘッドＩＣ１０３のシリアルインタフェース部３２に、ＡＧＣイネーブル信号を送信する。図５で説明したように、これにより、スイッチ２４が、ゲイン乗算器１９側に切り替わり、且つ差動信号変換器２２、ＡＤＣ２０、比較・ゲイン決定回路１５，１６，１８，１９が、イネーブルとなる。
【００７８】
これにより、ゲインエラー検出回路１６は、ＡＤＣ２０からの差動増幅器１２のマイナス側電圧、プラス側の電圧の差である振幅と、メモリ１５の振幅の目標値との差を演算し、ゲインエラー値を出力し、フィード制御器１８、ゲイン乗算器１９は、ゲインエラー値より、増幅率（ゲイン）を決定し、スイッチ２４を介し、ゲインラッチ回路２６のゲインを更新する。
【００７９】
この動作を、所定のゲイン調整時間分行い、ＡＧＣ動作を停止する。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣ調整されたラッチ回路２６のゲイン値を、シリアルインタフェース部３２を介し、読み出し、メモリ１３４のその選択ヘッドのゲイン値を、読み出し値で更新する。
【００８０】
（Ｓ２４）ＭＰＵ１０４ｂは、全ヘッドの測定処理が終了したかを判定する。終了していない場合には、ステップＳ１４に戻り、次のヘッドの測定を行う。一方、測定が終了していれば、ヘッドＩＣのＡＧＣ調整を終了する。
【００８１】
このような調整処理後、メモリ１３４には、搭載した全てのヘッドの各々に対する最適ゲイン値が、格納される。この最適ゲイン値は、磁気ディスク１１７のシステムエリアに、装置のステータス情報として、書き込まれる。尚、磁気ディスク１１７のシステムエリアには、装置のステータス情報（各ヘッドの最適ゲイン／リード電流／電圧、ライト波形のブースト量、各種の設定パラメータ）が、記憶される。
【００８２】
次に、装置の出荷後のリード動作では、ＭＣＵ１０４は、ヘッドＩＣ１０３，リードチャネル回路１０２を介し、磁気ディスク１１７のシステムエリアのデータを読み出し、メモリ１３４に格納した後、各部に設定する。又、ＭＣＵ１０４は、リードチャネル回路１０２を介し、ヘッドＩＣ１０３に、ＴｕＭＲ素子のリード電流／電圧、ライト素子のライト波形のブースト量を設定する。これにより、データのリード／ライト動作の準備が完了する。
【００８３】
ＭＣＵ１０４が、リード又はライトを行う場合に、リードチャネル回路１０２を介し、ヘッドＩＣ１０３にヘッド選択信号を与える。これにより、ヘッドＩＣのマルチプレクサ５２は、指示されたヘッドを選択する。又、リードチャネル回路１０２を介し、選択ヘッドのゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のシリアルインタフェース（ＳＩＦ）部３２に与える。これにより、スイッチ２４を介し、ラッチ回路２６に、与えられたゲイン初期量がセットされる。即ち、ＡＧＣアンプ１２は、セットされたゲイン量で、増幅動作する。即ち、固定ゲインで、動作する。そして、このゲインで、データ読み取りを開始する。
【００８４】
同様に、ヘッドチェンジが生じた場合には、ヘッドＩＣ１０３にヘッド選択信号を与えられ、マルチプレクサ５２は、指示されたヘッドを選択する。そして、リードチャネル回路１０２を介し、その選択ヘッドのゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のシリアルインタフェース（ＳＩＦ）部３２に与える。これにより、スイッチ２４を介し、ラッチ回路２６に、与えられたゲイン初期量がセットされる。即ち、ＡＧＣアンプ１２は、セットされたゲイン量で、増幅動作する。
【００８５】
このため、ＡＧＣのゲイン調整モードを使用して、初期ゲインを調整でき、ヘッドの特性のばらつきが大きくても、高速に、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路のダイナミックレンジに入る振幅に調整できる。
【００８６】
又、この調整初期値を、メモリに格納しておくことにより、ヘッド選択時に、対応する初期ゲインを読み出し、ＡＧＣアンプ１２に設定することにより、ＡＧＣ動作が必要なく、最適ゲインに設定できる。即ち、ＡＧＣ検出回路１４を動作させないため、消費電力の軽減の効果が大きい。特に、携帯機器に搭載される場合には、供給電力が限られているため、この低消費電力化の効果は、大きい。特に、ＡＧＣの実行時間を最小限とでき、結果として、全体の消費電力を下げ、且つヘッドのばらつきが大きくても、最適なゲインでリード動作できる。
【００８７】
更に、この実施の形態では、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、図８で説明したように、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【００８８】
又、図７に示すように、環境状態測定部１１４からの温度、電圧、圧力、時間等の変化に従い、プリアンプ制御部１３０が、ＡＧＣ測定インターバルを決めておき、ＡＧＣインターバルがオンとなると、図６のＡＧＣ調整を実行しても良い。即ち、キャリブレーションの一貫として、温度又は電圧又は圧力変化量が、規定量以上であれば、又、前回のキャリブレーションから所定時間経過した場合に、ＡＧＣインターバルをオンとし、図６のＡＧＣ調整を実行する。
【００８９】
図９及び図１０は、本実施例の効果を説明する図であり、図９は、ゲイン初期値を設定しない場合のＡＧＣ動作を説明する図であり、図１０は、ゲイン初期値を設定した場合のＡＧＣ動作を説明する図である。
【００９０】
図９では、ヘッドからの入力信号が、１０ｍＶで、ＡＧＣアンプ（プリアンプ）１２のゲインが、５倍から５０倍までの１０段階であり、ターゲット（目標値）を２８０ｍＶとすると、５倍、１０倍、１５倍、２０倍、２５倍、３０倍と順次、ゲインを変更し、３０倍で、ターゲット２８０ｍＶを越えたため、２５倍が選択される。ゲイン値を上又は下から順に選択し、このターゲットに適応する出力を探すため、ゲイン選択に要する時間がかかる。
【００９１】
一方、図１０では、抵抗値からゲイン初期値を求め、初期ゲインとして設定した後、ＡＧＣ調整する。例えば、抵抗値が、２１０Ωであるとすると、ヘッド出力値は、１０ｍＶと換算され、更に、２８０ｍＶ／１０ｍＶ＝２８倍の初期ゲイン値が得られる。前述の１０段階のゲイン設定では、２５倍の初期ゲイン値が設定される。このため、ＡＧＣ調整では、２５倍のゲインから開始し、次に、３０倍のゲインに変更される。これにより、３０倍で、ターゲット２８０ｍＶを越えたため、２５倍が選択される。このため、抵抗値から求めた予測ゲイン値から開始するため、ゲイン選択の時間を大幅に短縮できる。
【００９２】
このヘッドの抵抗測定回路は、抵抗測定により、ヘッドへのバイアス電流値の決定や、ヘッドの劣化検出のため、備えられており、この測定結果を利用することにより、容易に実現できる。
【００９３】
（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、ＡＧＣ回路を、図５等の構成で説明したが、アナログ形式のＡＧＣ回路や、ピークホールド回路や積分回路を持つＡＧＣ回路等の他のＡＧＣ回路を適用できる。又、磁気ディスク装置のヘッドのリード回路の例で説明したが、他の媒体記憶装置のリード回路にも適用できる。
【００９４】
更に、差動増幅器１２のゲイン調整は、装置出荷後の磁気ディスク装置の最初のパワーオン時に、行い、各ヘッド（チャネル）の測定ゲインを、メモリ（又はディスクのシステムエリア）に格納するようにしても良い。
【００９５】
同様に、磁気ディスク装置の動作中に、所定時間毎に、又は温度等の環境変化が生じた場合や、リード信号のエラーレートを測定し、エラーレートが基準値を越えた場合に、キャリブレーションの１つとして、差動増幅器１２のゲイン調整を行い、各ヘッド（チャネル）の測定ゲインで、メモリ（又はディスクのシステムエリア）のゲインを更新するようにしても良い。
【００９６】
以上、本発明を、実施の形態で説明したが、本発明は、その趣旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これを本発明の範囲から排除するものではない。
【００９７】
（付記１）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作することを特徴とするヘッドＩＣ。
【００９８】
（付記２）前記インタフェース回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、外部に読み出し、且つ前記外部から前記読み出した初期値を受信して、前記ラッチ回路に設定することを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【００９９】
（付記３）前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有することを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１００】
（付記４）前記差動増幅器は、前記ＡＧＣイネーブル信号がオンの時に、前記ＡＧＣ回路により、ＡＧＣアンプとして動作し、前記ＡＧＣイネーブル信号がオフの時に、前記外部からの設定ゲインにより固定アンプとして、動作することを特徴とする付記２のヘッドＩＣ。
【０１０１】
（付記５）複数の前記ヘッドの１つを選択するヘッド選択回路を更に有し、前記ラッチ回路は、前記選択されたヘッドに対応する予測ゲイン値がセットされることを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１０２】
（付記６）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記ラッチ回路にセットするためのインタフェース回路とを有し、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作することを特徴とするリード回路。
【０１０３】
（付記７）前記インタフェース回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、外部に読み出し、且つ前記外部から前記読み出した初期値を受信して、前記ラッチ回路に設定することを特徴とする付記６のリード回路。
【０１０４】
（付記８）前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有することを特徴とする付記６のリード回路。
【０１０５】
（付記９）前記差動増幅器は、前記ＡＧＣイネーブル信号がオンの時に、前記ＡＧＣ回路により、ＡＧＣアンプとして動作し、前記ＡＧＣイネーブル信号がオフの時に、前記外部からの設定ゲインにより固定アンプとして、動作することを特徴とする付記７のリード回路。
【０１０６】
（付記１０）複数の前記ヘッドの１つを選択するヘッド選択回路を更に有し、前記ラッチ回路は、前記選択されたヘッドに対応する予測ゲイン値がセットされることを特徴とする付記６のリード回路。
【０１０７】
（付記１１）媒体の情報を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルと、前記ヘッドのリード動作を制御する制御回路とを有し、前記ヘッドＩＣは、前記ヘッドの読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器のゲインをラッチするラッチ回路と、前記差動増幅器の振幅レベルと基準レベルとの差を取り、前記差動増幅器のゲインをフィードバックループで自動調整し、前記ラッチ回路を更新するＡＧＣ回路と、前記ヘッドの抵抗値を測定する抵抗測定回路と、前記制御回路との信号の受け渡しのためのインタフェース回路とを有し、前記制御回路は、前記抵抗測定回路により測定された前記ヘッドの抵抗値から換算した予測ゲイン値を、前記インタフェース回路を介し、前記ラッチ回路にセットし、前記ラッチ回路に前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作することを特徴とする媒体記憶装置。
【０１０８】
（付記１２）前記制御回路は、ＡＧＣイネーブル信号により、前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、前記ラッチ回路から、読み出し、保持し、且つ前記ゲイン値を、前記ラッチ回路に設定することを特徴とする付記１１の媒体記憶装置。
【０１０９】
（付記１３）前記ＡＧＣ回路と、前記インタフェース回路とを、前記ラッチ回路に選択的に接続するためのスイッチを更に有することを特徴とする付記１１の媒体記憶装置。
【０１１０】
（付記１４）前記差動増幅器は、前記ＡＧＣイネーブル信号がオンの時に、前記ＡＧＣ回路により、ＡＧＣアンプとして動作し、前記ＡＧＣイネーブル信号がオフの時に、前記外部からの設定ゲインにより固定アンプとして、動作することを特徴とする付記１２の媒体記憶装置。
【０１１１】
（付記１５）前記ヘッドＩＣは、複数の前記ヘッドの１つを選択するヘッド選択回路を更に有し、前記ラッチ回路は、前記選択されたヘッドに対応する予測ゲイン値がセットされることを特徴とする付記１１の媒体記憶装置。
【０１１２】
（付記１６）媒体の情報を読み取るヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法において、前記ヘッドの抵抗値を測定するステップと、前記抵抗値から、差動増幅器とＡＧＣ回路で構成された前記ヘッドＩＣのＡＧＣアンプの予測ゲイン値を換算するステップと、前記ＡＧＣアンプに、前記予測ゲイン値をセットするステップと、前記予測ゲイン値をセットした後、前記ＡＧＣ回路を動作するステップとを有することを特徴とするヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【０１１３】
（付記１７）前記ＡＧＣ回路を動作して得たゲイン値を、読み出し、メモリに保持するステップと、且つヘッドのリード動作開始時に、前記メモリのゲイン値を、前記ＡＧＣアンプに設定するステップを更に有することを特徴とする付記１６のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【０１１４】
（付記１８）前記換算ステップは、前記抵抗値から前記ヘッドの出力電流を予測するステップと、前記ＡＧＣアンプの目標出力値と、前記出力電流値から、前記予測ゲイン値を計算するステップと有することを特徴とする付記１６のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【０１１５】
（付記１９）前記出力電流を予測するステップは、前記抵抗値と前記出力値との関係の近似式を用いて、前記抵抗値から前記出力値を換算するステップからなることを特徴とする付記１６のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【０１１６】
（付記２０）前記抵抗値の測定ステップは、前記ヘッドＩＣに接続された複数の前記ヘッドの各々について、前記抵抗値を測定するステップと、前記予測ゲイン値を換算するステップと、前記予測ゲイン値をセットするステップと、前記ＡＧＣ回路を動作するステップとを実行することを特徴とする付記１６のヘッドＩＣのアンプゲイン調整方法。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、このＡＧＣアンプの調整を、ヘッドの抵抗値を測定した結果から換算した予測ゲイン値を初期値として、行うため、ＡＧＣの引き込み時間の増大防止、安定性の保証、ＡＧＣの誤判定防止を図る事が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の媒体記憶装置の一実施形態の構成図である。
【図２】本発明のリード回路の一実施の形態の回路図である。
【図３】図２のリード回路の搭載例の説明図である。
【図４】図２の抵抗測定回路の回路図である。
【図５】図２のＡＧＣ回路の回路図である。
【図６】本発明のアンプゲイン調整方法の一実施の形態の処理フロー図である。
【図７】本発明のアンプゲイン調整方法の他の実施の形態の処理フロー図である。
【図８】図６の抵抗値対出力値の特性図である。
【図９】比較例としてのゲイン初期値を設定しない場合のＡＧＣ動作の説明図である。
【図１０】本発明によるゲイン初期値を設定した場合のＡＧＣ動作の説明図である。
【図１１】従来の媒体記憶装置の説明図である。
【図１２】従来のリード回路の説明図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１２  差動増幅器
１４  ＡＧＣ回路
２０  ＡＤＣ（ＡＧＣ回路）
２２  差動信号変換器（ＡＧＣ回路）
２４  スイッチ
３２  インタフェース部
２６  ゲインラッチ回路
５２  マルチプレクサ（ヘッド切り替え部）
１０２  リードチャネル
１０３  ヘッドＩＣ
１０７  ＡＧＣアンプ
１０４ｂ  ＭＰＵ
１１２  抵抗測定回路
１２６−０〜１２６−３  リード素子
【図１】
2009140585.tif 000003
【図２】
2009140585.tif 000004
【図３】
2009140585.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009140585.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009140585.tif 000011
【図１０】
2009140585.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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