(57)【要約】      （修正有）【課題】インジェクタハーネスの電磁ノイズをシールドケーブルを使用せずに低減し、優れたノイズ対策性を備えたインジェクタ駆動回路を提供する。【解決手段】バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によってインジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作してインジェクタに所定の電流を流す期間に、充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、
当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、
前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作して前記インジェクタに所定の電流を流す期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にすることを特徴とするインジェクタ駆動回路。
【請求項２】
バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高電圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段と、前記インジェクタの電流を遮断するための第三のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、
当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、
前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、
前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段のスイッチング動作開始から前記第三のスイッチ手段によるインジェクタ電流の遮断までの期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にすることを特徴とするインジェクタ駆動回路。
【請求項３】
前記充放電制御スイッチ手段は、トランジスタ、逆阻止ＩＧＢＴ、或いは２つのＭＯＳ−ＦＥＴのソース・ソース端子間もしくはドレイン・ドレイン端子間を接続した複合素子、或いは２つのＩＧＢＴのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した複合素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載のインジェクタ駆動回路。
【請求項４】
前記制御手段は、前記充放電制御スイッチ手段がオンする以前に前記平滑コンデンサにバッテリ電圧に充電する制御を行うことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
【請求項５】
前記制御手段は、前記インジェクタに流れる電流値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
【請求項６】
前記制御手段は、前記インジェクタに印加される電圧値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御することを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
【請求項７】
前記平滑コンデンサは、セラミックコンデンサ、フィルムコンデンサ、Ｎｂコンデンサ、固体電解コンデンサ、電解コンデンサの何れかにより構成されていることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
【請求項８】
前記平滑コンデンサと前記充放電制御スイッチ手段が、インジェクタ駆動回路のプリント基板に実装されていることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載のインジェクタ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内燃機関（エンジン）の燃料噴射装置に用いられるインジェクタ駆動回路に係り、例えば、ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御によってインジェクタ電流を制御する型式のインジェクタ駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
エンジンの気筒（燃焼室）内に燃料を直接噴射する筒内燃料噴射式エンジンでは、噴射信号に対するインジェクタの高速応答性が求められる。この対策として、インジェクタが開弁するまでの時間を短縮するために噴射信号の立上がり時にはインジェクタに高電圧を印加して大電流を流し、インジェクタの開弁保持のためにバッテリ電圧をＰＷＭ制御のもとに印加してインジェクタ電流を一定に保持し、閉弁するまでの時間を短縮するためにインジェクタとアースと間に設置したスイッチング素子によって電流を遮断する方法が一般的である（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−６１５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、インジェクタの開弁保持の際には、ＰＷＭ方形波電圧がインジェクタハーネスに印加され、このことによって高レベルの電磁ノイズが放射される現象が生じる。電磁ノイズは、他電子機器の誤動作、ラジオノイズの原因になることから、その放射を極力低減する必要がある。このことを含むノイズ規格は、カーメーカ各社で、年々厳しくなる傾向にある。
【０００５】
この対策として、インジェクタハーネスのシールドケーブル化による電磁ノイズ遮蔽が考えられる。しかし、シールドケーブルは高価であり、インジェクタハーネスのシールドケーブル化は大幅なコストアップを避けられない。
【０００６】
本発明は前記解決しようとする課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、開弁保持電流を得るためのＰＷＭ制御に起因するインジェクタハーネスの電磁ノイズを、シールドケーブルを使用せずに低減し、優れたノイズ対策性を備えた燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明による内燃機関の燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路は、バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高圧圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段がスイッチング動作して前記インジェクタに所定の電流を流す期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明による内燃機関の燃料噴射装置のためのインジェクタ駆動回路は、バッテリ電圧から高電圧を発生する高電圧発生手段と、前記高電圧発生手段が出力する高圧圧を内燃機関の燃料噴射装置のインジェクタに印加して開弁電流を流す第一のスイッチ手段と、バッテリ電圧をスイッチング動作によって前記インジェクタに印加して所定の電流を流す第二のスイッチ手段と、前記インジェクタの電流を遮断するための第三のスイッチ手段とを備えたインジェクタ駆動回路であって、当該インジェクタ駆動回路の高電位側とアース側との間に接続された平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサの充放電を制御する充放電制御スイッチ手段と、前記充放電制御スイッチ手段のオン・オフを制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第二のスイッチ手段のスイッチング動作開始から前記第三のスイッチ手段によるインジェクタ電流の遮断までの期間に、前記充放電制御スイッチ手段をオン状態にする。
【０００９】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、充放電制御スイッチ手段が、トランジスタ、逆阻止ＩＧＢＴ、或いは２つのＭＯＳ−ＦＥＴのソース・ソース端子間もしくはドレイン・ドレイン端子間を接続した複合素子、或いは２つのＩＧＢＴのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した複合素子である。
【００１０】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記充放電制御スイッチ手段がオンする以前に前記平滑コンデンサにバッテリ電圧に充電する制御を行う。
【００１１】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記インジェクタに流れる電流値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御する。
【００１２】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記制御手段が、前記インジェクタに印加される電圧値に応じて、前記充放電制御スイッチ手段と前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段をそれぞれオン・オフ制御する。
【００１３】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記平滑コンデンサが、セラミックコンデンサ、フィルムコンデンサ、Ｎｂコンデンサ、固体電解コンデンサ、電解コンデンサの何れかにより構成されている。
【００１４】
本発明によるインジェクタ駆動回路は、好ましくは、前記平滑コンデンサと前記充放電制御スイッチ手段が、インジェクタ駆動回路のプリント基板に実装されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によるインジェクタ駆動回路によれば、第二のスイッチ手段のＰＷＭ動作期間は、充放電制御スイッチ手段をオン状態にし、ＰＷＭ制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサに流すことにより、ＰＷＭ制御に起因するインジェクタハーネスの電磁ノイズを低減でき、ノイズ対策のためのシールドケーブルを使用しなくて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態を添付の図を参照して詳細に説明する。
【００１７】
（実施形態１）
図１は、実施形態１によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示している。
【００１８】
インジェクタ駆動回路１は、バッテリ電源１００より電力供給され、電力出力側にインジェクタハーネス４によってインジェクタ２が接続されている。
【００１９】
インジェクタ駆動回路１は、昇圧回路５と、開弁電流をインジェクタ２に流すための第一のスイッチ手段である第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６と、所定の開弁保持電流をインジェクタ２に流すための第二のスイッチ手段である第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７と、インジェクタ電流を遮断するための第三のスイッチ手段である第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０と、第１〜第３ＭＯＳ−ＦＥＴ６、７、１０のゲート信号をオン・オフする制御ＩＣ（マイクロコンピュータ）１２とを有す。
【００２０】
昇圧回路５は、バッテリ電源１００より電力供給され、バッテリ電圧を高電圧に昇圧する高電圧発生手段である。
【００２１】
第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６は、昇圧回路５の高電位ラインにあって、制御ＩＣ１２によってオン・オフ制御されてインジェクタ２の開弁開始時期に、昇圧回路５の高電圧（ブースト電圧）をインジェクタ２に印加し、インジェクタ２に開弁電流を流す。
【００２２】
第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７は、バッテリ電源１の高電位ラインにあって、制御ＩＣ１２によってＰＷＭ制御されてインジェクタ２の開弁保持期間に、バッテリ電源１のバッテリ電圧をＰＷＭ制御によってインジェクタ２に印加し、インジェクタ２に所定の開弁保持電流を流す。
【００２３】
第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０は、インジェクタ２のアースラインにあり、制御ＩＣ１２によってオン・オフ制御されてインジェクタ２の通電終了時にインジェクタ電流を遮断するスイッチング作用を行う。
【００２４】
制御ＩＣ１２による第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のオン・オフ制御、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭ制御は、アースラインに設けられた電流検出抵抗１１により検出されるインジェクタ電流に基づいて行われる。
【００２５】
なお、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７の下位側には、これらＭＯＳ−ＦＥＴへの不正電圧印加を防ぐためのダイオード１６、８が直列に接続されている。
【００２６】
インジェクタ駆動回路１は、さらに、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６と第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７の双方のオフ期間に、インジェクタ２の電流をバッテリ電源１００に回生させるためのダイオード９と、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のオフ期間に、インジェクタ２の電流を昇圧回路５に回生させるためのダイオード１５と、ダイオード９と並列に接続されたコンデンサ１７を含む。
【００２７】
本実施形態のインジェクタ駆動回路１は、さらに、高電位側とアース側との間に、平滑コンデンサ１３と、平滑コンデンサ１３の充放電制御用のスイッチ（充放電制御スイッチ）１４との直列回路を接続されている。平滑コンデンサ１３は、電解コンデンサ、フィルムコンデンサやＮｂコンデンサ固体電解コンデンサであってよい。
【００２８】
上述の構成によるインジェクタ駆動回路（実施形態１）の動作を、図２の信号波形図を参照して説明する。
【００２９】
開弁初期期間Ｔ１の開始時点ｔ１に、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号と第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオンし、インジェクタ２を開弁するための大電流をインジェクタ２に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流Ｉ１となった時点ｔ２に、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値Ｉ２となった時点ｔ３から開弁保持期間Ｔ２中、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をＰＷＭ制御し、インジェクタ電流を一定電流Ｉ２に保つ。
【００３０】
開弁保持期間Ｔ２に亘って、充放電制御スイッチ１４の閉成（オン）し、ＰＷＭ制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ１３に流す。これにより、インジェクタ２、インジェクタハーネス４には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス４から電磁ノイズが発生しない。
【００３１】
インジェクタ２の閉弁期間Ｔ３では、時点ｔ４で第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をオフすると同時に第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオフにして、インジェクタ２の電流を遮断する。ここで、充放電制御スイッチ１４は、時点ｔ４或いはそれ以前に開成（オフ）する。
【００３２】
以上のように、本実施形態では、インジェクタ２の開弁保持のためのＰＷＭ制御時に、インジェクタハーネス４から発生する電磁ノイズの低減が図られ、ノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。さらに、インジェクタの開弁期間Ｔ１、閉弁期間Ｔ３には、充放電制御スイッチ１４がオフとなっていることから、この期間は、平滑コンデンサ１３へは充放電されず、インジェクタ２を高速に開・閉弁することができる。
【００３３】
（実施形態２）
図３は、実施形態２によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示している。なお、図３において、図１に対応する部分は、図１に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００３４】
本実施形態では、平滑コンデンサ１３の充放電制御用のスイッチ手段として、トランジスタ２１が用いられている。充放電制御トランジスタ２１は、平滑コンデンサ１３と直列に接続され、ベース端子を制御ＩＣ１２に接続されてオン・オフ動作する。
【００３５】
上述の構成によるインジェクタ駆動回路（実施形態２）の動作を、図４の信号波形図を参照して説明する。
【００３６】
開弁初期期間Ｔ１の開始時点ｔ１に、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号と第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオンし、インジェクタ２を開弁するための大電流をインジェクタ２に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流Ｉ１となった時点ｔ２に、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値Ｉ２となった時点ｔ３から開弁保持期間Ｔ２中、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をＰＷＭ制御し、インジェクタ電流を一定電流Ｉ２に保つ。
【００３７】
開弁保持期間Ｔ２に亘って、充放電制御トランジスタ２１のゲート信号をオンし、ＰＷＭ制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ１３に流す。これにより、インジェクタ２、インジェクタハーネス４には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス４から電磁ノイズが発生しない。
【００３８】
インジェクタ２の閉弁期間Ｔ３では、時点ｔ４で第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をオフすると同時に第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオフにして、インジェクタ２の電流を遮断する。ここで、充放電制御トランジスタ２１のゲート信号は、時点ｔ４或いはそれ以前にオフする。
【００３９】
以上のように、本実施形態では、インジェクタ２の開弁保持のためのＰＷＭ制御時に、インジェクタハーネス４から発生する電磁ノイズの低減が図られ、ノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。さらに、インジェクタの開弁期間Ｔ１、閉弁期間Ｔ３には、充放電制御スイッチ１４がオフとなっていることから、この期間は、平滑コンデンサ１３へは充放電されず、インジェクタ２を高速に開・閉弁することができる。
【００４０】
充放電制御トランジスタ２１は、オフ状態時にコレクタ側が負電圧になっても、電流を流さないため、オフ状態時に平滑コンデンサ１３への不要な充放電を防ぐことができる。このため、安定した動作が可能である。
【００４１】
充放電制御トランジスタ２１は、逆阻止ＩＧＢＴ、或いは２つのＭＯＳ−ＦＥＴのソース・ソース端子間或いはドレイン・ドレイン端子間を接続した素子、或いは２つのＩＧＢＴのエミッタ・エミッタ端子間もしくはコレクタ・コレクタ端子間を接続した素子であってもよい。これにより、充放電制御トランジスタ２１は、オフ時に双方向の電流を遮断することができ、オフ時における平滑コンデンサ１３への充放電を防ぐことができ、安定した動作が可能である。
【００４２】
図５に示されているように、インジェクタ２の開弁を開始する時点ｔ１以前の、時点ｔ０１からｔ０２のプリチャージ期間Ｔ０に、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７と充放電制御トランジスタ２１をオン状態にし、時点ｔ０１からｔ０２に亘って平滑コンデンサ１３にバッテリ電圧を印加し、平滑コンデンサ１３の予備充電を行ってもよい。
【００４３】
これにより、開弁保持期間Ｔ２における充放電制御トランジスタ２１のオン信号印加初期に、平滑コンデンサ１３が既に充電されることにより、インジェクタ電流の一時的な低下を防止することができる。
【００４４】
充放電制御トランジスタ２１のオン・オフタイミングは、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭ制御開始時点ｔ２・終了時点ｔ３と同じにしてもよい。つまり、充放電制御トランジスタ２１は、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭスイッチング動作の開始に同期してオンし、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０によるインジェクタ電流の遮断に同期してオフする。これにより、電磁ノイズ低減の最大の効果を得ると共に、制御ＩＣ１２の回路構成を簡素化することができる。
【００４５】
（実施形態３）
図６は、実施形態３によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示している。なお、図６において、図１、３に対応する部分は、図１、３に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００４６】
本実施形態では、制御ＩＣ１２は、インジェクタ電圧を取り込み、インジェクタ電圧の検出値に基づいて、各素子（第１、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ６、１０、充放電制御トランジスタ２１の）オン・オフ制御、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭ制御を行う。
【００４７】
上述の構成によるインジェクタ駆動回路（実施形態３）の動作を、実施形態２の説明で用いて図４の信号波形図を参照して説明する。
【００４８】
開弁初期期間Ｔ１の開始時点ｔ１に、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号と第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオンし、インジェクタ２を開弁するための大電流をインジェクタ２に流す。インジェクタ電流が所定のピーク電流Ｉ１となるインジェクタ電圧値を検出し、その検出時点ｔ２で、第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６のゲート信号をオフする。その後、インジェクタ電流が減少し、インジェクタ電流が所定の電流値Ｉ２となるインジェクタ電圧値を検出した時点ｔ３から開弁保持期間Ｔ２中、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をＰＷＭ制御し、インジェクタ電流を一定電流Ｉ２に保つ。
【００４９】
また、インジェクタ電流が所定の電流値Ｉ２となるインジェクタ電圧値を検出した時点ｔ３から開弁保持期間Ｔ２に亘って、充放電制御トランジスタ２１のゲート信号をオンし、ＰＷＭ制御時に発生する電流・電圧の交流成分を平滑コンデンサ１３に流す。これにより、インジェクタ２、インジェクタハーネス４には、直流成分のみが流れ、インジェクタハーネス４から電磁ノイズが発生しない。
【００５０】
インジェクタ２の閉弁期間Ｔ３では、時点ｔ４で第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のゲート信号をオフすると同時に第３ＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲート信号をオフにして、インジェクタ２の電流を遮断する。この実施形態でも、充放電制御トランジスタ２１のオン・オフタイミングを、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭ制御開始時点ｔ２・終了時点ｔ３と同じにすることにより、電磁ノイズ低減の最大の効果を得ると共に、制御ＩＣ１２の回路構成を簡素化することができる。
【００５１】
本実施形態では、インジェクタ電圧の検出値によって、第１、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ６、１０、充放電制御トランジスタ２１のオン・オフ制御、第３ＭＯＳ−ＦＥＴ７のＰＷＭ制御を行うので、インジェクタ電流を検出するための抵抗素子が不要となり、コスト低減することができる。
【００５２】
（実施形態４）
図７は実施形態４によるインジェクタ駆動回路を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示している。なお、図７において、図１、３、６に対応する部分は、図１、３、６に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００５３】
本実施形態では、前述の平滑コンデンサとして、セラミックコンデンサ６１が用いられている。
【００５４】
セラミックコンデンサ６１を使用することで、同程度の電気容量を持つ電解コンデンサに比べて寿命・信頼性を向上することができる。
【００５５】
セラミックコンデンサ６１は低寄生抵抗の素子であり、充放電制御トランジスタ２１は低オン抵抗の素子である。このため、これらは、インジェクタ駆動時に低発熱であり、プリント基板上に実装可能である。図８は、これらのプリント基板実装例を示している。
【００５６】
プリント基板７１上に、昇圧回路５，第１ＭＯＳ−ＦＥＴ６、第２ＭＯＳ−ＦＥＴ７、セラミックコンデンサ６１、充放電制御トランジスタ２１が実装されている（他の素子は図示省略）。
【００５７】
このため、金属基板、セラミック基板等を、単独、或いはプリント基板と複合的に使用した場合に比べ、低コストとなる。
【００５８】
なお、プリント基板７１を収容するインジェクタ駆動回路３の筐体７２には、冷却のためのフィンがついていてもよい。また、プリント基板７１と筐体７２との間には放熱シート、ゲル等が配置されていてもよい。
【００５９】
上述した各実施形態の効果は、次の通りである。
【００６０】
（１）インジェクタハーネス４からの電磁ノイズを低減できる。
（２）電磁ノイズ低減によるインジェクタハーネス４のノイズ対策用シールドケーブルを廃止できる。
（３）ノイズ対策用シールドケーブル廃止によって、コスト低減が図られ、併せてハーネス取り回しの容易性が向上する。
（４）インジェクタ開弁・閉弁の高速応答化を図ることができる。
（５）インジェクタ電流検出抵抗不要によるコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態１を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示す回路図。
【図２】実施形態１のインジェクタ電流波形及びインジェクタ駆動回路の各素子の信号波形を示す図。
【図３】本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態２を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示す回路図。
【図４】実施形態２のインジェクタ電流波形及びインジェクタ駆動回路の各素子の信号波形を示す図。
【図５】実施形態２の応用例のインジェクタ電流波形及びインジェクタ駆動回路の各素子の信号波形を示す図。
【図６】本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態３を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示す回路図。
【図７】本発明によるインジェクタ駆動回路の実施形態４を含むインジェクタ１気筒分の電気系の構成を示す回路図。
【図８】本発明によるインジェクタ駆動回路のプリント基板実装例を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００６２】
１      インジェクタ駆動回路
２      インジェクタ
４      インジェクタハーネス
５      昇圧回路
６      第１ＭＯＳ−ＦＥＴ
７      第２ＭＯＳ−ＦＥＴ
８      ダイオード
９      ダイオード
１０    第３ＭＯＳ−ＦＥＴ
１１    電流検出抵抗
１２    制御ＩＣ
１３    平滑コンデンサ
１４    充放電制御スイッチ
１５    ダイオード
１６    ダイオード
２１    充放電制御トランジスタ
６１    セラミックコンデンサ
７１    プリント基板
７２    筐体
１００  バッテリ電源
【図１】
2009243418.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009243418.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009243418.tif 000009
【図８】
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