(57)【要約】【課題】放熱効率を良好にできると共にフルカラーＬＥＤの場合には、白色発生時の光度バラツキや色温度バラツキを抑えることができるパッケージ発光部品およびその製造法を提供する。【解決手段】発光部品１は、波長の異なる光を発する複数の発光素子（ＬＥＤ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ）を１つの基板４の表面に配置し、１つのパッケージにしたパッケージ発光部品１において、表面とは反対側の裏面に、個々の発光素子の光度が所定範囲となるようそれぞれ抵抗値調整された個々の発光素子に対応する定電流回路用の複数の抵抗素子３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆが設けられる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長の異なる光を発する複数の発光素子を１つの基板の表面に配置し、１つのパッケージにしたパッケージ発光部品において、上記表面とは反対側の裏面に、個々の上記発光素子の光度が所定範囲となるようそれぞれ抵抗値調整された上記個々の発光素子に対応する定電流回路用の複数の抵抗素子が設けられることを特徴とするパッケージ発光部品。
【請求項２】
前記抵抗値調整された複数の抵抗素子と定電流回路用のその他の抵抗素子が整列して前記裏面に配置されることを特徴とする請求項１記載のパッケージ発光部品。
【請求項３】
前記抵抗素子と前記発光素子との電気接続は、前記基板の表面と裏面とを結ぶ端面でなされ、上記端面の電気接続の部分が前記パッケージ発光部品の外部端子を兼ねることを特徴とする請求項１または２記載のパッケージ発光部品。
【請求項４】
前記個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる＋入力端子と−入力端子との間に、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、
上記第１の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、上記発光素子、第１のＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、
上記第２の伝送路には、上記＋入力端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、上記第１のＮＰＮ型トランジスタとは別の第２のＮＰＮ型トランジスタが接続され、
上記第１および第２のＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが上記＋入力端子側、エミッタが上記−入力端子側と接続するように配置され、
上記第２の伝送路の上記第２の抵抗素子と上記第２のＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から導出する第３の伝送路が、上記第１のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、
上記第１の伝送路の上記第１のＮＰＮ型トランジスタと上記第１の抵抗素子との間の第２の接点から導出する第４の伝送路が、上記第２のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１，２または３記載のパッケージ発光部品。
【請求項５】
前記個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる第１の＋入力端子と第１の−入力端子との間に、第１の伝送路を有し、
上記第１の伝送路には、上記第１の＋入力端子側から順に、上記発光素子、ＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、
上記ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが上記第１の＋入力端子側、エミッタが上記第１の−入力端子側と接続するように上記第１の伝送路上に配置され、
さらに、各定電流回路の一部として共通使用される第２の伝送路を有し、この第２の伝送路は、電源が接続される電源端子とグランドに接続されるグランド端子を有し、
上記電源端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、ツェナーダイオードが接続され、
上記ツェナーダイオードは、そのアノードと上記グランド端子、そのカソードと上記その他の抵抗素子とがそれぞれ接続するように配置され、
上記第２の伝送路上の上記第２の抵抗素子と上記ツェナーダイオードの間の第１の接点から導出される第３の伝送路が、各々の上記ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１，２または３記載のパッケージ発光部品。
【請求項６】
前記個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる第１の＋入力端子と第１の−入力端子との間に、第１の伝送路を有し、
上記第１の伝送路には、上記第１の＋入力端子側から順に、上記発光素子、ＮＰＮ型トランジスタ、前記抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、
上記ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが上記第１の＋入力端子側、エミッタが上記第１の−入力端子側と接続するように上記第１の伝送路上に配置され、
さらに、各定電流回路の一部として共通使用される第２の伝送路を有し、この第２の伝送路は、電源が接続される電源端子とグランドに接続されるグランド端子を有し、
上記電源端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、シャントレギュレータが接続され、
上記シャントレギュレータは、そのアノードと上記グランド端子、そのカソードと上記その他の抵抗素子とがそれぞれ接続するように配置され、
上記第２の伝送路上の上記第２の抵抗素子と上記シャントレギュレータの間の第１の接点から導出される第３の伝送路が、各々の上記ＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、
上記シャントレギュレータのリファレンスが、いずれかの上記発光素子が接続される上記第１の伝送路上であって、上記ＮＰＮ型トランジスタと上記第１の抵抗素子との間に接続されることを特徴とする請求項１，２または３記載のパッケージ発光部品。
【請求項７】
表面に縦横に交差する線状分割部を有し、上記線状分割部で囲われる一単位の絶縁基板（以下、単位絶縁基板という）を複数有する分割部付き大型絶縁基板の裏面であって、上記単位絶縁基板各々の裏面に抵抗値調整されていない定電流回路用の未調整抵抗素子を複数形成する抵抗形成工程と、
上記単位絶縁基板各々の裏面とは反対側の面の表面に、波長の異なる光を発する複数の発光素子からなる発光素子群を上記単位絶縁基板に複数組配置する配置工程と、
上記未調整抵抗素子と上記発光素子の相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、
上記配置工程および上記導体形成工程の終了後に、上記単位絶縁基板に配置される上記各発光素子の光度が所定範囲となるよう上記各未調整抵抗素子の抵抗値を調整するトリミング工程と、
上記トリミング工程の終了後に、上記線状分割部に沿って上記分割部付き大型絶縁基板を個々の上記単位絶縁基板へと分割する分割工程と、
を有することを特徴とするパッケージ発光部品の製造法。
【請求項８】
前記抵抗形成工程を前記配置工程よりも先に行うことを特徴とする請求項７記載のパッケージ発光部品の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ発光部品およびその製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）に代表される発光部品は、その用途範囲が広がってきている。たとえば、赤と青と緑の発光色のＬＥＤを各々１つずつ計３つを一つの基板に搭載し、これらの発光色を混色して、白色等の任意の色を発光させる発光部品についての技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１８０１８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＬＥＤは、発光させることで熱を放出することが知られている。よって、一つの基板に複数のＬＥＤが搭載されるパッケージ発光部品では、放出される熱量も多い。さらに、発光部品に別の発熱を伴う素子が搭載または形成されているものもある。そのような発光部品は、より熱を放出し、周囲に搭載される他の部品等の熱による特性へ悪影響を及ぼす場合がある。
【０００５】
また、特許文献１記載のフルカラーＬＥＤでは、外部の抵抗器等で電流制限を行っているが、この方式の場合、電圧の変動に対して、一定の電流に調整することが困難である。このため、全てを点灯させた場合、白色に光度のバラツキや色温度のバラツキの問題が生じている。
【０００６】
そこで本発明が解決しようとする課題は、放熱効率を良好にできると共にフルカラーＬＥＤの場合には、白色発生時の光度バラツキや色温度バラツキを抑えることができるパッケージ発光部品およびその製造法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の発光部品は、波長の異なる光を発する複数の発光素子を１つの基板の表面に配置し、１つのパッケージにしたパッケージ発光部品において、表面とは反対側の裏面に、個々の発光素子の光度が所定範囲となるようそれぞれ抵抗値調整された個々の発光素子に対応する定電流回路用の複数の抵抗素子が設けられる。
【０００８】
この発明によれば、パッケージ発光部品は、発光素子と、通電によってジュール熱を発する抵抗素子とが基板の表裏面に分けて配置されるため、複数の発光素子が配置されていても熱の発生部分が集中し難く、放熱効率が良好なパッケージ発光部品を提供することができる。また、定電流回路用の抵抗素子が裏面に配置されるので、定電流回路がパッケージに内蔵されても、熱の影響は少ないものとなり、安定した定電流回路とすることができる。しかも、複数の発光素子によってフルカラーＬＥＤが形成された場合、定電流回路を内蔵したものとすることができ、光度のバラツキや色温度のバラツキが抑えられるものとなる。
【０００９】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の発明に加え、抵抗値調整された複数の抵抗素子と定電流回路用のその他の抵抗素子が整列して裏面に配置される。この構成を採用することによって、定電流回路用の複数の抵抗素子が全て裏面に配置されるので、発光素子への熱影響がより小さいものとなる。また、複数の抵抗素子が裏面に整列して配置されるので、抵抗素子の製造が容易とる。
【００１０】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の発明に加え、抵抗素子と発光素子との電気接続は、基板の表面と裏面とを結ぶ端面でなされ、端面の電気接続の部分が発光部品の外部端子を兼ねる。この構成を採用することによって、外部端子を別に設ける必要がなくなるため、構造の単純なパッケージ発光部品を提供できる。
【００１１】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の発明に加え、個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる＋入力端子と−入力端子との間に、分岐する第１の伝送路と第２の伝送路とを有し、第１の伝送路には、＋入力端子側から順に、発光素子、第１のＮＰＮ型トランジスタ、抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、第２の伝送路には、＋入力端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、第１のＮＰＮ型トランジスタとは別の第２のＮＰＮ型トランジスタが接続され、第１および第２のＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが＋入力端子側、エミッタが−入力端子側と接続するように配置され、第２の伝送路の第２の抵抗素子と第２のＮＰＮ型トランジスタの間の第１の接点から導出する第３の伝送路が、第１のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、第１の伝送路の第１のＮＰＮ型トランジスタと第１の抵抗素子との間の第２の接点から導出する第４の伝送路が、第２のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されている。この構成を採用することにより、部品数の少ない現実的な定電流回路を構成でき、それぞれの発光素子に定電流を印加できる。このため、フルカラーＬＥＤとした場合、白色発光時における光度や色温度のバラツキが少ないものとすることができる。
【００１２】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の発明に加え、個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる第１の＋入力端子と第１の−入力端子との間に、第１の伝送路を有し、第１の伝送路には、第１の＋入力端子側から順に、発光素子、ＮＰＮ型トランジスタ、抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが第１の＋入力端子側、エミッタが第１の−入力端子側と接続するように第１の伝送路上に配置され、さらに、各定電流回路の一部として共通使用される第２の伝送路を有し、この第２の伝送路は、電源が接続される電源端子とグランドに接続されるグランド端子を有し、電源端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、ツェナーダイオードが接続され、ツェナーダイオードは、そのアノードとグランド端子、そのカソードとその他の抵抗素子とがそれぞれ接続するように配置され、第２の伝送路上の第２の抵抗素子とツェナーダイオードの間の第１の接点から導出される第３の伝送路が、各々のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続されている。この構成を採用することにより、部品数の少ない現実的な定電流回路を構成でき、それぞれの発光素子に定電流を印加できる。このため、フルカラーＬＥＤとした場合、白色発光時における光度や色温度のバラツキが少ないものとすることができる。
【００１３】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の発明に加え、個々の発光素子に対応する定電流回路を有し、各定電流回路は、対となる第１の＋入力端子と第１の−入力端子との間に、第１の伝送路を有し、第１の伝送路には、第１の＋入力端子側から順に、発光素子、ＮＰＮ型トランジスタ、抵抗値調整された抵抗素子である第１の抵抗素子が接続され、ＮＰＮ型トランジスタは、そのコレクタが第１の＋入力端子側、エミッタが第１の−入力端子側と接続するように第１の伝送路上に配置され、さらに、各定電流回路の一部として共通使用される第２の伝送路を有し、この第２の伝送路は、電源が接続される電源端子とグランドに接続されるグランド端子を有し、電源端子側から順に、その他の抵抗素子である第２の抵抗素子、シャントレギュレータが接続され、シャントレギュレータは、そのアノードとグランド端子、そのカソードとその他の抵抗素子とがそれぞれ接続するように配置され、第２の伝送路上の第２の抵抗素子とシャントレギュレータの間の第１の接点から導出される第３の伝送路が、各々のＮＰＮ型トランジスタのベースに接続され、シャントレギュレータのリファレンスが、いずれかの発光素子が接続される第１の伝送路上であって、ＮＰＮ型トランジスタと第１の抵抗素子との間に接続される。この構成を採用することにより、部品数の少ない現実的な定電流回路を構成でき、それぞれの発光素子に定電流を印加できる。このため、フルカラーＬＥＤとした場合、白色発光時における光度や色温度のバラツキが少ないものとすることができる。
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明の発光部品の製造法は、表面に縦横に交差する線状分割部を有し、線状分割部で囲われる一単位の絶縁基板（以下、単位絶縁基板という）を複数有する分割部付き大型絶縁基板の裏面であって、単位絶縁基板各々の裏面に抵抗値調整されていない定電流回路用の未調整抵抗素子を複数形成する抵抗形成工程と、単位絶縁基板各々の裏面とは反対側の面の表面に、波長の異なる光を発する複数の発光素子からなる発光素子群を単位絶縁基板に複数組配置する配置工程と、未調整抵抗素子と発光素子の相互間を接続する導体を配置する導体形成工程と、配置工程および導体形成工程の終了後に、単位絶縁基板に配置される各発光素子の光度が所定範囲となるよう各未調整抵抗素子の抵抗値を調整するトリミング工程と、トリミング工程の終了後に、線状分割部に沿って分割部付き大型絶縁基板を個々の単位絶縁基板へと分割する分割工程と、を有する。
【００１５】
この発明によれば、製造されるパッケージ発光部品は、発光素子と、通電によってジュール熱を発する抵抗素子とが基板の表裏面に分けて配置されるため、複数の発光素子が配置されていても熱の発生部分が集中し難く、放熱効率が良好なパッケージ発光部品を提供することができる。
【００１６】
他の発明は、上述のパッケージ発光部品の製造法の発明に加え、抵抗形成工程を配置工程よりも先に行う。この製造法を採用することにより、抵抗形成工程の際に基板を高温に曝す必要がある場合でも、発光素子をその高温から保護できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、ＬＥＤ等の発光素子が複数搭載され、それら以外に発熱を伴う素子が形成されているパッケージ発光部品であっても、その放熱効率を良好にできるパッケージ発光部品およびその製造法を提供することができる。また、フルカラーＬＥＤの場合には、白色発生時の光度バラツキや色温度バラツキを抑えることができるパッケージ発光部品およびその製造法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態に係るパッケージ発光部品（以下、「発光部品」という。）について説明する。なお、説明に当っては、各構成部材と定電流回路構成に分けて、図面を参照しながら説明し、発光部品の機能は、定電流回路構成と併せて説明することとする。なお、発光部品の製造法については最後の方に記述する。
【００１９】
図１から図４は、本発明の実施の形態に係る発光部品１を示しており、図１は発光部品１の正面図で、図２は平面図である。図３（Ａ）は隠れて見えない部分を点線で示した平面図、図３（Ｂ）は同様な方法にて示す底面図である。図４（Ａ）は隠れて見えない部分を点線で示した正面図、図４（Ｂ）は同様な方法にて示す左側面図、図４（Ｃ）は同様な方法にて示す右側面図、図４（Ｄ）は同様な方法にて示す背面図である。図５は発光部品１を構成する基板４の平面図である。図６は発光部品１を構成する貫通部材１２の平面図である。
【００２０】
この発光部品１の構成について説明する。この発光部品１は、光を発する発光素子（ＬＥＤ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ、これらの総称をＬＥＤ２とする。）や、抵抗素子３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ（これらの総称を抵抗素子３とする。）等が配置される基板４と、その基板４上に固定される貫通部材１２とから主に構成される。基板４は、さらにトランジスタ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ（これらの総称をトランジスタ５とする。）が配置される。貫通部材１２は、ＬＥＤ２の投光方向に進むに従い径が次第に大きくなる貫通孔１２Ｃを有する。
【００２１】
抵抗素子３は、図３（Ｂ）に示すようにＬＥＤ２の光度が所定範囲となるよう抵抗値調整（トリミング）が施され基板４の裏面であって一対の対向する辺に沿って２列に整列して配置されている。ＬＥＤ２とトランジスタ５は、図２、図３（Ａ）に示すように、基板４の表面に配置されている。そして、抵抗素子３と、トランジスタ５を構成要素とする定電流回路が、基板４の表面、裏面に渡って３つ形成されている。これらの定電流回路は、ＬＥＤ２Ａ，２Ｂ，２Ｃに各々一つずつ割り当てられ定電流を供給するものとなる。なお、ＬＥＤ２Ａは赤色光を発し、ＬＥＤ２Ｂは緑色光を発し、ＬＥＤ２Ｃは青色光を発するものである。
【００２２】
（各構成部材について）
基板４は、一対の対向する端面に半円柱形の切り欠き部４Ｄ（図５参照）が等間隔で３つずつ合計６つ有する外形が正方形のアルミナセラミックからなる。そして基板４には、図３に示すように、その表面と裏面とをつなげる端面に円柱状のスルーホール１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ（これらの総称をスルーホール１１という）が６箇所設けられている。基板４の厚みは１．５ｍｍである。なお、基板４には、アルミナセラミック以外のセラミック、たとえば窒化アルミニウム等からなるもの、ガラス繊維混入エポキシ系樹脂成形体等の樹脂系のものを用いることができる。
【００２３】
基板４の表面には、図２、図３（Ａ）に示すように貫通部材１２と、貫通部材１２の貫通孔１２Ｃの中に充填される透光性樹脂（図示省略）と、透光性樹脂で覆われる部材、すなわちトランジスタ５、導体１５、導体１５と接触するパッド１３ａ〜パッド１３ｔ（これらの総称をパッド１３という）、ランド１５ａ〜ランド１５ｇ（これらの総称をランド１５ａ等という）およびＬＥＤ２ならびにトランジスタ５とパッド１３を電気接続するボンディングワイヤ１６ａ〜金線１６ｓ（これらの総称を金線１６という）の各部材が形成または配置されている。また、導体１５は、スルーホール１１の周囲および内壁、ならびに切り欠き部４Ｄの周囲およびその切り欠き部４Ｄとなる半円柱状の内壁（端面）に配置され、外部端子１５Ａ〜外部端子１５Ｆ（これらを総称して外部端子１５Ａ等という）となっている。
【００２４】
そして基板４の裏面には、図３（Ｂ）に示すように、６つの抵抗素子３のための外部端子１５Ａ等およびスルーホール１１の内壁から延在する６対の抵抗素子用電極３Ａ１，３Ａ２，３Ｂ１，３Ｂ２，３Ｃ１，３Ｃ２，３Ｄ２１，３Ｄ２，３Ｅ１，３Ｅ２，３Ｆ１，３Ｆ２（これらの総称を抵抗素子用電極３Ａ１等という）が配置されている。その対となる抵抗素子用電極３Ａ１等に重なり合うよう抵抗体膜１８ａ，１８ｂが配置されている。また、図１および図３（Ｂ）に示すように、６つの抵抗素子３は、そのほぼ全域を被覆するガラス膜１９を有し、ガラス膜１９および抵抗体膜１８ａ，１８ｂに渡ってトリミング溝２３が形成されている。このトリミング溝２３が形成された状態のものが抵抗素子３となる。そして、トリミング溝２３を保護するため、ガラス膜１９の上に載置されたオーバーコート膜２０が配置されている。
【００２５】
抵抗素子３は、厚膜形成されている。この厚膜に代えて、薄膜によって構成されるものとしても良い。また、抵抗素子３に代えて、チップ型で且つトリミング（抵抗値調整）が可能なトリマブルチップ抵抗器としても良い。また、抵抗素子３を構成するガラス膜１９は、抵抗素子用電極３Ａ１等の一部を露出させる程度に基板４の裏面の略全域を覆っているが、抵抗体膜１８ａ，１８ｂの一部または全部を覆う程度としても良い。
【００２６】
円筒状の貫通孔１２Ｃを有する貫通部材１２は、基板４に対してｘ方向とｙ方向が同じ長さとされた上面から見た形状が正方形となる形状とされている。この貫通部材１２は、基板４の表面に固着されている。この貫通部材１２は、液晶ポリマー樹脂の成形体である。この液晶ポリマーは放熱性が良好な樹脂であり、抵抗素子３およびトランジスタ５が発する熱を逃がし、抵抗素子３およびトランジスタ５の特性を維持するのに有利である。その放熱性を得るためには、液晶ポリマー樹脂に代えて、ポリフェニレンサンファイド（ＰＰＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）等を用いることができる。
【００２７】
貫通部材１２は、その貫通孔１２Ｃが基板４の表面に対向するように基板４に固着されている。この固着部分であって、基板４の表面に搭載されたトランジスタ５および金線１６は、貫通部材１２の内部に埋め込まれている。この固着の結果、貫通孔１２Ｃ部分が、基板４の表面を底面とするキャビティ（凹部）１２Ｆとなる。このような凹部１２Ｆを有する発光部品１を構成する貫通部材１２と基板４の双方に相当する別の部材としては、たとえば、セラミック粉末にガラス等を含ませたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）を用い、成形性の良好な条件下で基板４に相当する部分と、貫通部材１２に相当する部分とを一体成形し、焼成する方法で得られる部材である。このときは、一体成形された基板に凹部１２Ｆが設けられることとなる。なお、凹部１２Ｆの形状は、発光部品１の形状、トランジスタ５等の凹部１２Ｆに収容されるＬＥＤ２の駆動回路部材の数、または発光部品１の仕様、貫通部材１２の強度等の観点から、適宜その形状または大きさを採択できる。凹部１２Ｆの形状について言えば、円柱状、円錐台形状、直方体形状等を採択できる。凹部１２Ｆの形状を円柱状とする利点は、光の反射回数を多くでき、複数の色の光の混色が確実に行われやすいことがある点である。
【００２８】
貫通部材１２は、その上面の四隅の隣接する二つにカソードマーク１２Ａ（図３（Ａ）、図６等参照）と言われる切り欠き部を有している。このカソードマーク１２Ａは、発光部品１を実装基板に実装する際に、実装方向が分かるようにする役割を担っている。このカソードマーク１２Ａは、正方形の基板４を用いる発光部品１にとって重要である。
【００２９】
凹部１２Ｆの底面であって、基板４の表面に形成され他の導体１５とは接続していない浮島状のランドの上には、ＬＥＤ２Ａ，２Ｃが、そして導体１５と接続するランド１５ｃの上には、ＬＥＤ２Ｂが凹部１２Ｆの開口部側に向かって発光するように凹部１２Ｆの円の中心を中心とする略正三角形の頂点となる位置に配置されている。このようなＬＥＤ２の凹部１２Ｆの中心を中心とする略正三角形の頂点となる位置（以下、基板の中央という。）への配置と、このＬＥＤ２を囲むような駆動用回路部材の配置は、光の方向を凹部１２Ｆの開口部方向へと集中させ、意図しない方向への投光を抑制できる点で有利である。また、この配置は、ＬＥＤ２の光を偏在化させず均一な混色を実現できる点でも有利である。なお、ＬＥＤ２の周囲の駆動用回路部材の配置等の状況によってはＬＥＤ２を少し偏心した位置に配置するようにしても良い。
【００３０】
また、凹部１２Ｆの内側面（側面および／または底面）に光反射層を設けることが好ましい。その理由は、光反射層は、凹部１２Ｆの内側面に照射された光の反射を促進して、発光部品１の光量を減少させないようにすることができるためである。この光反射層の配置には、めっき法、スパッタリング法等の薄膜形成技術、金属箔の貼り付けの技術等を採用することができる。また光反射層の材質は、ニッケル、銅、金、銀、チタン、白金等の金属とすることができる。また、これら金属の２種以上を積層して、光反射層を形成することができる。さらに、これら金属の２種以上からなる合金を用いて、光反射層を形成することができる。
【００３１】
またＬＥＤ２は、基板４の中央に配置されている。このように基板４の中央にＬＥＤ２を配置する利点は、発光部品１を複数個並べて使用した場合にも、等間隔にＬＥＤ２を配置でき、自然な発光状態を実現できる点である。この利点、すなわち、ＬＥＤ２を基板４の中央に配置することの利点は、ＬＥＤ２を、上述した凹部１２Ｆの底面に配置するか否かに関わらず、得ることができる。ここで、この利点を得る別の方法には、ＬＥＤ２の配置位置を、複数個の全ての発光部品１について、基板４における同様の位置とする方法がある。この方法を採用しても良い。ただし、そのような方法を採用した場合には、個々の発光部品１を実装基板へと実装する際に、実装方向を揃える負担が生ずる。
【００３２】
本発明の実施の形態に係る発光素子は、ＬＥＤとしている。しかしＬＥＤに代えて、たとえば半導体レーザ、有機ＥＬ（electro-luminescence）等のＥＬ素子、または蛍光表示管等の他の発光素子を用いることができる。
【００３３】
発光部品１を構成するトランジスタ５、導体１５、導体１５と接触するパッド１３およびＬＥＤ２およびトランジスタ５とパッド１３を電気接続する金線１６からなるＬＥＤ２の駆動用回路部材は、３つのＬＥＤ２を結ぶ略正三角形で囲まれる範囲の外側の周囲に配置されている。このような配置にすることによって、上述したようにＬＥＤ２が発する光をトランジスタ５、導体１５およびパッド１３に反射させて、光を偏在化させずに分散化し、その結果として、発光部品１の光度のばらつきを低減することができる。また、この構成を採用することによって、ＬＥＤ２を凹部１２Ｆの底面の中央へ配置できない場合であっても、光の分散を促進し、発光部品１の発光方向での光度変化を減少させることができる上に、分散した光が光源を拡げるため、発光部品１を複数個並べた発光部品群として使用した場合に、発光状態がより自然となる。
【００３４】
ここで、ＬＥＤ２の周囲に配置される、ＬＥＤ２の駆動用回路部材の一部であるトランジスタ５は、ＬＥＤ２よりも背丈が小さいことが好ましい。そうすることで、ＬＥＤ２が発する光を計算上求め易くなると共に、光度の発光方向の依存性が少なくなる。すなわち、ＬＥＤ２の光度のばらつきを、より低減することができる。しかし、トランジスタ等の背丈を大きくしても、ＬＥＤ２を囲むように配置すれば、光の方向が分散され、好ましいものとなる。また、貫通部材１２の凹部１２Ｆの内壁面も同様に、前述のようにＬＥＤ２が発する光の反射・分散をさせる効果を有している。なお、トランジスタ５をＬＥＤ２の周囲に配置することによって、それら相互間を金線１６を用いてワイヤーボンディング等で電気接続する際に、作業性が良く、有利となる。
【００３５】
発光部品１を構成するトランジスタ５の一部は、凹部１２Ｆの周りの基板４面に配置している。しかし、トランジスタ５やその他の駆動用回路部材の全部を凹部１２Ｆの内側へと配置しても良い。
【００３６】
発光部品１を構成するトランジスタ５およびＬＥＤ２は、いわゆるワイヤボンディング技術によって金線１６を用いて電気接続されている。しかし、この電気接続は、いわゆるフリップチップボンディングによって実現されても良い。フリップチップボンディングとは、トランジスタ５とＬＥＤ２の配線のためのバンプ（電極端子）と呼ばれる突起部分を発光部品１の下面に設けて、発光部品１が実装される実装基板のランドにバンプを接続し、そのランドパターンを利用して電気接続を実現するものである。
【００３７】
凹部１２Ｆの内部には、透光性の樹脂が充填されている（図示省略）。この透光性の樹脂は、ＬＥＤ２、トランジスタ５、金線１６等の相互間の電気接続状態を維持する役割も担っている。この透光性の樹脂は、凹部１２Ｆの内部のみに存している。透光性の樹脂には、シリコーン系樹脂を用いている。このシリコーン系樹脂は、ＬＥＤ２が発する光成分のうち、紫外線領域の成分が多く含まれている場合に、封止樹脂の劣化を抑制できる。但し、発光部品１の仕様、用途、光度等によって、他の材質（たとえばエポキシ系樹脂等）を使用することができる。また、透光性の樹脂の透光度は、発光部品１の仕様、用途、光度等によって、変更・調整できる。さらに透光性の樹脂は、発光部品１のように凹部１２Ｆの内側のみに充填しても良いし、凹部１２Ｆの内部から外部に渡って溢れた状態で充填しても良い。ただし、透光性の樹脂を凹部１２Ｆの内部から外部に渡って溢れた状態とすることにより、発光部品１の発光状態が不安定となり易い。その理由は、凹部１２Ｆから溢れ出した部分の透光性の樹脂は、形状が一定化し難く、発光部品１の発光状態を乱す場合があるためである。なお、敢えて透光性の樹脂を凹部１２Ｆから溢れ出させて、貫通部材１２の上面全体に均一な高さとする等の形状調整をすれば、発光部品１の発光状態は安定する。また、凹部１２Ｆから球状に突出するように透光性の樹脂を設ける、すなわち凸レンズの機能を果たすように透光性の樹脂を設けることにしても良い。このようにすると、ＬＥＤ２から放射される光が所定距離の所で合焦するような光となり、光度を強めたいときに有効となる。逆に透光性の樹脂の上面を凹面鏡のようにすると、ＬＥＤ２からの光が発散することとなり、全体的に光量を均一化したいときに有利となる。
【００３８】
抵抗素子３と、ＬＥＤ２および駆動用回路部材（導体１５、パッド１３、トランジスタ５）との基板４の表裏に渡る電気接続は、外部端子１５Ａ等およびスルーホール１１を通じて実現されている。外部端子１５Ａを用いてこの基板４の表裏に渡る電気接続を実現することによって、スルーホール１１の数を増やすことなく発光部品１を構成できる利点を有する。しかし、その基板４の表裏に渡る電気接続は、基板４の端面であって、半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面では無い端面を通じて、もしくはスルーホール１１のみを通じて、または金線１６等の電気線を通じて実現されていても良い。
【００３９】
外部端子１５Ａ等を基板４の端面の半円柱形の切り欠き部４Ｄの内側面に配置する別の利点は、発光部品１の製造が容易となる場合がある点である。たとえば、後述するスルーホール印刷法によって外部端子１５Ａ等を形成する場合には、抵抗素子３を構成する電極と同時に形成することができる。そのため、基板４の端面にのみ外部端子１５Ａ等をわざわざ別工程で形成するような煩わしさを要しない。そして、後述するその後の分割工程を行うことによって、円形のスルーホールの中心を通る直線に沿って大型の絶縁基板が分割され、外部端子１５Ａ等が配置された半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面を得ることができる。この実施の形態では、外部端子１５Ａ等が配置される場所を半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面としているが、後述するスルーホール印刷法が可能なスルーホール形状であれば、半円柱形の切り欠き部４Ｄに代えて直方体空間、半楕円柱空間等の他の空間形状とし、その内側面に外部端子１５Ａ等を配置するようにしても良い。
【００４０】
また、外部端子１５Ａ等には、発光部品１が実装される実装基板のランドへのはんだ付けのための外部端子１５Ａ等のはんだ濡れ性を良好にするため、通常は後述するめっき工程におけるバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層（図示省略）がこの順に配置される。バレルめっき法は、めっき浴中に浸漬した籠体内に、多数の発光部品１を、ダミーボールと呼ばれる金属の粒状体と一緒に投入し、籠体を回転または振動等させ、かつ通電しながらめっきするものである。ここで、このダミーボールと、外部端子１５Ａ等が接触する確率が高まるに従い、めっき層の形成速度が速くなる。その確率は、外部端子１５Ａ等の形状が複雑であると高くなる傾向にある。外部端子１５Ａ等が半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面に形成されていると、外部端子１５Ａ等の全体形状が複雑となる。よって、外部端子１５Ａ等を半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面に配置すると、外部端子１５Ａ等へのめっき速度が速くなる利点もある。
【００４１】
また、外部端子１５Ａ等は、半円柱形の切り欠き部４Ｄの側面に配置されているため、発光部品１の側面の引っ込んだ部分に配置されていることとなる。よって、発光部品１を取り扱う際、たとえばチップマウンターを用いて実装基板へと実装するために発光部品１を持ち上げて移動する際に、外部端子１５Ａ等が他の物（たとえば、チップマウンターの部品持ち上げ部材等）によって損傷を受け難い効果を有する。この効果は、外部端子１５Ａ等が形成されている基板４の上部に貫通部材１２、すなわち、その側面に引っ込んだ部分を有しない樹脂製の部材が存在することで、より顕著に得られる。その理由は、貫通部材１２が他の物と先に接触することによって、その物と外部端子１５Ａ等が近づくことが阻止され、外部端子１５Ａ等が他の物と接触する確率を低くなるためである。また樹脂（貫通部材１２）の弾性によって、衝撃から外部端子１５Ａ等を保護しているためである。また、別の理由は、この半円柱形の切り欠き部４Ｄの一方の端部となる基板４の表面に沿った部分は、貫通部材１２の底面によって塞がれており、貫通部材１２が外部端子１５Ａ等を上述の他の物から遮蔽しているためである。特に、外部端子１５Ａ等が後述するスルーホール印刷法によって配置されたものの場合等は、その膜厚が薄くなり、損傷を受け易いため、本構成は好ましい。
【００４２】
外部端子１５Ａ等の表面には上述したニッケルめっき層およびはんだめっき層がこの順に配置されている（図示省略）。はんだめっき層は、発光部品１が実装される実装基板へのはんだを用いて実装されるときに、はんだ濡れ性を良好にする役割を担っている。ニッケルめっき層は、外部端子１５Ａ等とはんだとが合金化し、外部端子１５Ａ等が溶融してしまうのを防ぐ役割を担っている。両めっき層とも、層厚みは３μｍから１２μｍの間であることが好ましい。層厚みが３μｍを下回ると、めっき層の形成が不十分である場合がある。層厚みが１２μｍを上回ると、発光部品１の外形寸法が意図したものと異なってくる場合がある。特に、発光部品１が小型化された場合には、その外形寸法の影響が大きくなる。
【００４３】
（定電流回路について）
次に、この発光部品１の構成要素である定電流回路について説明する。発光部品１は、３つのＬＥＤ２のそれぞれに個別に定電流回路が形成されており、３つの定電流回路の回路構成は同一である。そこで、発光部品１の定電流回路の説明に当っては、一つの定電流回路についてのみ説明する。
【００４４】
発光部品１は、図７に示す定電流回路６Ａを有している。発光部品１は、３つのＬＥＤ２のそれぞれに定電流回路６Ａ１，６Ａ２，６Ａ３を有している。なお、説明に当っては図７の左側に示す定電流回路６Ａ１を例に回路構成を説明する。
【００４５】
ここで、図７と図１の対応関係について説明する。図７に示す＋入力端子７、−入力端子８、トランジスタ５，５Ａ、およびＬＥＤ２Ａは、図１に示す同符号を付した部材にそれぞれ相当する。
【００４６】
定電流回路６Ａ１は、電源端子を兼ねる＋入力端子７とグランド端子を兼ねる−入力端子８を有している。そして、＋入力端子７と−入力端子８との間には、分岐する第１の伝送路９Ａと第２の伝送路９Ｂとが設けられている。そして、第１の伝送路９Ａには、＋入力端子７側から順に、ＬＥＤ２Ａ、第１のＮＰＮ型トランジスタとなる上述したトランジスタ５Ａ、第１の抵抗素子３Ａ（上述した抵抗素子３Ａに相当）が接続されている。そして、トランジスタ５Ａは、そのコレクタよりもエミッタを−入力端子８側に位置させるように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂには、＋入力端子７側から順に、第２の抵抗素子３Ｂ（上述した抵抗素子３Ｂに相当）、第２のＮＰＮ型トランジスタとなるトランジスタ５Ｂが接続されている。そして、トランジスタ５Ｂは、そのエミッタがコレクタよりも−入力端子８側に位置するように配置されている。そして、第２の伝送路９Ｂの第２の抵抗素子３Ｂとトランジスタ５Ｂの間の第１の接点１０Ａと、トランジスタ５Ａのベースとが第３の伝送路９Ｃによって接続されている。そして、第１の伝送路９Ａのトランジスタ５Ａと第１の抵抗素子３Ａとの間の第２の接点１０Ｂと、トランジスタ５Ｂのベースとが第４の伝送路９Ｄによって接続されている。
【００４７】
次に定電流回路６Ａの動作を図７の左側に示す定電流回路６Ａ１を例に説明する。
【００４８】
＋入力端子７と−入力端子８の間に電圧が印加されると、第２の抵抗素子３Ｂによるバイアス抵抗によってトランジスタ５Ａのベースに電圧が印加され、トランジスタ５Ａがオンの状態となる。すると、トランジスタ５Ａのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、ＬＥＤ２に電流が供給される。そのとき、＋入力端子７から−入力端子８へと電流が流れることとなる。その際に、第１の抵抗素子３Ａに電流が流れ、トランジスタ５Ｂのベースに電圧が印加される。第１の伝送路９Ａに流れる電流が多くなり、トランジスタ５Ｂのベース電圧値がトランジスタ５Ｂをオンにするような、所定の電圧値以上となると、トランジスタ５Ｂのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となる。すると、トランジスタ５Ｂのベース−エミッタ間の電圧Ｖ１は一定に維持される。よって第１の抵抗素子３Ａに流れる電流Ｉ１は、第１の抵抗素子３Ａの抵抗値をＲ１とすると、Ｉ１＝Ｖ１／Ｒ１となり、一定となる。第１の抵抗素子３Ａに流れる電流Ｉ１は、ＬＥＤ２Ａへ流れる電流と同じであり、ＬＥＤ２Ａへ流れる電流は「Ｉ１」で一定となる。このようにして、ＬＥＤ２Ａへと流れる電流、すなわち第１の伝送路９Ａを流れる電流を印加電圧によらず一定にして、ＬＥＤ２Ａの光度のばらつきを低減する。
【００４９】
次に、定電流回路６Ａの具体的構成を図３および図４に対応させて説明する。
【００５０】
図７に示す第１の伝送路９Ａは、＋入力端子７と同一の機能を担う外部端子１５Ａから基板４の表側のパッド１３ａまでの導体１５およびパッド１３ａからＬＥＤ２Ａのアノード端子を接続する金線１６ａ、ＬＥＤ２Ａのカソード端子とパッド１３ｂを接続する金線１６ｂ、パッド１３ｂとトランジスタ５Ａのコレクタ端子に接続するランド１５ａとの間の導体１５、トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１３ｃを接続する金線１６ｃ、パッド１３ｃからスルーホール１１Ａの内壁を経由して基板４の裏側の抵抗素子３Ａの抵抗素子用電極３Ａ１までの導体１５および抵抗素子用電極３Ａ２、および抵抗素子用電極３Ａ２から−入力端子８と同一の機能を担う外部端子１５Ｂまでの導体１５に相当する。
【００５１】
図７に示す第２の伝送路９Ｂは、＋入力端子７と同一の機能を担う外部端子１５Ａから基板４の裏側の抵抗素子３Ｂの抵抗素子用電極３Ｂ１までの導体１５、抵抗素子３Ｂの抵抗素子用電極３Ｂ２からスルーホール１１Ｂの内壁を経由して基板４の表側のトランジスタ５Ｂのコレクタ端子に接続するランド１５ｂまでの導体１５、トランジスタ５Ｂのエミッタ端子からパッド１３ｄまでを接続する金線１６ｄ、およびパッド１３ｄから−入力端子８と同一の機能を担う外部端子１５Ｂまでの導体１５に相当する。
【００５２】
図７に示す第１の接点１０Ａは、スルーホール１１Ｂに相当する。そして第３の伝送路９Ｃは、基板４の表側のパッド１３ｅからトランジスタ５Ａのベース端子までを接続する金線１６ｅに相当する。また、第２の接点１０Ｂは、基板４の表側のトランジスタ５Ａのエミッタ端子と接続するパッド１３ｃに相当する。そして第４の伝送路９Ｄは、基板４の表側のパッド１３ｃからパッド１３ｆまでの導体１５およびパッド１３ｆとトランジスタ５Ｂのベース端子に接続する金線１６ｆに相当する。
【００５３】
そして、ＬＥＤ２Ｂが接続された定電流回路６Ａ２について説明すると、図７に示す第５の伝送路９Ｅは、＋入力端子７Ａと同一の機能を担う外部端子１５Ｃから基板４の表側のＬＥＤ２Ｂのアノード端子に接続するランド１５ｃまでの導体１５、ＬＥＤ２Ｂのカソード端子とパッド１３ｇとを接続する金線１６ｇ、パッド１３ｇと接続しトランジスタ５Ｃのコレクタ端子に接続するランド１５ｇ、トランジスタ５Ｃのエミッタ端子からパッド１３ｈを接続する金線１６ｈ、パッド１３ｈからスルーホール１１Ｃの内壁を経由して基板４の裏側の抵抗素子３Ｃの抵抗素子用電極３Ｃ１までの導体１５、および抵抗素子３Ｃの抵抗素子用電極３Ｃ２から−入力端子８Ａと同一の機能を担う外部端子１５Ｄまでの導体１５に相当する。
【００５４】
図７に示す第６の伝送路９Ｆは、＋入力端子７Ａと同一の機能を担う外部端子１５Ｃから基板４の裏側の抵抗素子３Ｄの抵抗素子用電極３Ｄ１までの導体１５、抵抗素子３Ｄの抵抗素子用電極３Ｄ２からスルーホール１１Ｄの内壁を経由して基板４の表側のトランジスタ５Ｄのコレクタ端子に接続するランド１５ｄまでの導体１５、トランジスタ５Ｄのエミッタ端子からパッド１３ｊに接続する金線１６ｊ、およびパッド１３ｊから−入力端子８Ａと同一の機能を担う外部端子１５Ｄまでの導体１５に相当する。
【００５５】
図７に示す第３の接点１０Ｃは、スルーホール１１Ｄに相当する。そして第７の伝送路９Ｇは、スルーホール１１Ｄから基板４の表側のパッド１３ｋまでの導体１５およびパッド１３ｋからトランジスタ５Ｃのベース端子までを接続する金線１６ｋに相当する。また、第４の接点１０Ｄは、スルーホール１１Ｃに相当する。そして第８の伝送路９Ｈは、スルーホール１１Ｃから基板４の表側のパッド１３ｌを経由してトランジスタ５Ｄのベース端子に接続する金線１６ｌに相当する。
【００５６】
そして、ＬＥＤ２Ｃが接続された定電流回路６Ａ３について説明すると、図７に示す第９の伝送路９Ｊは、＋入力端子７Ｂと同一の機能を担う外部端子１５Ｅから基板４の表側のパッド１３ｍまでの導体１５、パッド１３ｍからＬＥＤ２Ｃのアノード端子までを接続する金線１６ｍ、ＬＥＤ２Ｃのカソード端子からパッド１３ｎを接続する金線１６ｎ、パッド１３ｎからトランジスタ５Ｅのコレクタ端子に接続するランド１５ｅまでの導体１５、トランジスタ５Ｅのエミッタ端子からパッド１３ｐに接続する金線１６ｐ、パッド１３ｐからスルーホール１１Ｆの内壁を経由して基板４の裏側の抵抗素子３Ｅの抵抗用電極３Ｅ２までの導体１５、および抵抗素子３Ｅの抵抗用電極３Ｅ２から−入力端子８Ｂと同一の機能を担う外部端子１５Ｆまでの導体１５に相当する。
【００５７】
図７に示す第１０の伝送路９Ｋは、＋入力端子７Ｂと同一の機能を担う外部端子１５Ｅから基板４の裏側の抵抗素子３Ｆの抵抗用電極３Ｆ１までの導体１５、抵抗素子３Ｆの抵抗用電極３Ｆ２からスルーホール１１Ｅの内壁を経由して基板４の表側のトランジスタ５Ｆのコレクト端子に接続するランド１５ｆまでの導体１５、トランジスタ５Ｆのエミッタ端子からパッド１３ｑを接続する金線１６ｑ、およびパッド１３ｑから−入力端子８Ｂと同一の機能を担う外部端子１５Ｆまでの導体１５に相当する。
【００５８】
図７に示す第５の接点１０Ｅは、スルーホール１１Ｅに相当する。そして第１１の伝送路９Ｌは、スルーホール１１Ｅから基板４の表側のパッド１３ｓまでの導体１５およびパッド１３ｓとトランジスタ５Ｅのベース端子を接続する金線１６ｒに相当する。第６の接点１０Ｆは、スルーホール１１Ｆに相当する。そして第１２の伝送路９Ｍは、スルーホール１１Ｆから基板４の表側のパッド１３ｔまでの導体１５およびパッド１３ｔとトランジスタ５Ｆのベース端子を接続する金線１６ｓに相当する。
【００５９】
本発明の実施の形態に係る発光部品１の定電流回路６Ａは、この定電流回路６Ａ以外に、たとえば以下に説明する図８（Ａ）に示す定電流回路６Ｂ、図８（Ｂ）に示す定電流回路６Ｃ等とすることができる。
【００６０】
図８（Ａ）に示す定電流回路６Ｂの回路構成について説明する。
【００６１】
定電流回路６Ｂは、３つのＬＥＤ２Ｄ，２Ｅ，２Ｆの各々に対応する対となる＋入力端子７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆと−入力端子８Ｃ，８Ｄ，８Ｅ，８Ｆを有している。この＋入力端子７Ｃは所定の直流電源と接続され−入力端子８Ｃは、基準電位点（ＧＮＤ）と接続している。そして、対となる＋入力端子７Ｄと−入力端子８Ｄとの間、＋入力端子７Ｅと−入力端子８Ｅとの間、＋入力端子７Ｆと−入力端子８Ｆとの間、には、それぞれ伝送路９Ｐ，９Ｑ，９Ｒが設けられている。そして、伝送路９Ｐ，９Ｑ，９Ｒには、＋入力端子７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ側から順に、発光素子２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈ、抵抗値調整された抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋがそれぞれ接続されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈは、そのコレクタが＋入力端子７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ側、エミッタが−入力端子８Ｄ，８Ｅ，８Ｆ側と接続するように各伝送路９Ｐ，９Ｑ，９Ｒ上に配置されている。そして、＋入力端子７Ｃと−入力端子８Ｃとの間には、伝送路９Ｎが配置され、その伝送路９Ｎには、＋入力端子７Ｃ側から順に、その他の抵抗素子である抵抗素子３Ｇ、ツェナーダイオード１４が接続されている。そして、ツェナーダイオード１４は、そのアノードと−入力端子８Ｃ、そのカソードと抵抗素子３Ｇとがそれぞれ接続するように配置されている。そして、伝送路９Ｎ上の抵抗素子３Ｇとツェナーダイオード１４の間の第７の接点１０Ｇから導出される伝送路９Ｓが、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆのベースに、伝送路９Ｓ上の第８の接点１０Ｈから分岐する伝送路９ＴがＮＰＮ型トランジスタ５Ｈのベースに、かつ伝送路９Ｔ上の第９の接点１０Ｊから分岐する伝送路９ＵがＮＰＮ型トランジスタ５Ｇのベースに接続されている。
【００６２】
次に、定電流回路６Ｂの動作を説明する。
【００６３】
＋入力端子７Ｄと−入力端子８Ｄとの間、＋入力端子７Ｅと−入力端子８Ｅとの間、＋入力端子７Ｆと−入力端子８Ｆとの間にそれぞれ同一の電圧が印加され、＋入力端子７Ｃと−入力端子８Ｃとの間に所定の電圧が印加されると、抵抗素子３Ｇによるバイアス抵抗によってＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのベースにそれぞれ電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈがそれぞれオンの状態となる。すると、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、ＬＥＤ２Ｄ，２Ｅ，２Ｆに電流が供給される。そのとき、＋入力端子７Ｄから−入力端子８Ｄへ、＋入力端子７Ｅから−入力端子８Ｅへ、＋入力端子７Ｆから−入力端子８Ｆへと電流が流れることとなる。その際に、抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋにも電流が流れる。他方、伝送路９Ｎのツェナーダイオード１４にも電流が流れる。このツェナーダイオード１４に逆方向に電流を流すと、ツェナーダイオード１４の抵抗値が急激に小さくなるため、余剰分の電流は伝送路９Ｎを通りＧＮＤへと流れる。ツェナーダイオード１４のツェナー電圧によって生ずる電圧降下は、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆのベース−エミッタ間の電圧降下と抵抗素子３Ｈによる電圧降下とを加えたもの、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｇのベース−エミッタ間の電圧降下と抵抗素子３Ｊによる電圧降下とを加えたもの、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｈのベース−エミッタ間の電圧降下と抵抗素子３Ｋによる電圧降下とを加えたものとそれぞれ等しくなる。この結果、抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋのそれぞれの抵抗値をＲ１とし、ツェナーダイオード１４の電圧降下分から各ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのベース・エミッタ間の電圧降下分を差し引いた電圧をＶ３としたとき、抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋを流れる電流Ｉ３は、Ｖ３／Ｒ１となり、それぞれ一定となる。このように、＋入力端子７Ｄ，７Ｅ，７Ｆに印加される電圧がばらついてもＬＥＤ２Ｄ，２Ｅ，２Ｆへと流れる電流をそれぞれ一定にして、ＬＥＤ２Ｄ，２Ｅ，２Ｆのそれぞれの光度のばらつきを低減する。
【００６４】
次に、定電流回路６Ｂの具体的動作の例を説明する。
【００６５】
＋入力端子７Ｄと−入力端子８Ｄとの間、＋入力端子７Ｅと−入力端子８Ｅとの間、＋入力端子７Ｆと−入力端子８Ｆとの間にそれぞれ同一の電圧が印加され、＋入力端子７Ｃと−入力端子８Ｃとの間に所定の電圧が印加されると、ツェナーダイオード１４のツェナー電圧（ここでは、Ｖｚ＝２．０Ｖとする）によって、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのベース電圧（ＶＢ）がＶｚとなり、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈがオンとなる。そしてＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのエミッタ電圧（ＶＥ）は、（Ｖｚ−Ｖｂｅ）となる。ここでＶｂｅは、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｆ，５Ｇ，５Ｈのベース・エミッタ間電圧であり、ここでは０．６５Ｖとする。そのとき、抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋの抵抗値Ｒ１を６７．５Ωとする抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋを有する伝送路９Ｐ，９Ｑ，９Ｒに流れる電流（ＩＥ）は、（ＶＥ／Ｒ１＝（２．０−０．６５）／６７．５）で制限され、それぞれ定電流（２０ｍＡ）となる。なお、抵抗素子３Ｈ，３Ｊ，３Ｋが抵抗値調整された結果、異なる抵抗値となった場合、その抵抗値で決定される電流が常時、その抵抗部分またはその抵抗と接続されるＬＥＤ２を流れることとなる。
【００６６】
図４（Ｂ）に示す定電流回路６Ｃの回路構成について説明する。
【００６７】
定電流回路６Ｃは、３つのＬＥＤ２Ｇ，２Ｈ，２Ｊの各々に対応する対となる＋入力端子７Ｇ，７Ｈ，７Ｊ，７Ｋと−入力端子８Ｇ，８Ｈ，８Ｊ，８Ｋを有している。この＋入力端子７Ｇは所定の直流電源と接続され−入力端子８Ｇは、ＧＮＤと接続している。そして、対となる＋入力端子７Ｈと−入力端子８Ｈとの間、＋入力端子７Ｊと−入力端子８Ｊとの間、＋入力端子７Ｋと−入力端子８Ｋとの間、には、それぞれ伝送路９Ｗ，９Ｘ，９Ｙが設けられている。そして、伝送路９Ｗ，９Ｘ，９Ｙには、＋入力端子７Ｈ，７Ｊ，７Ｋ側から順に、ＬＥＤ２Ｇ，２Ｈ，２Ｊ、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊ，５Ｋ，５Ｌ、抵抗値調整された抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐがそれぞれ接続されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊ，５Ｋ，５Ｌは、そのコレクタが＋入力端子７Ｈ，７Ｊ，７Ｋ側、エミッタが−入力端子８Ｈ，８Ｊ，８Ｋ側と接続するように伝送路上に配置されている。そして、＋入力端子７Ｇと−入力端子８Ｇとの間には、伝送路９Ｖが設けられ、その伝送路９Ｖには、＋入力端子７Ｇ側から順に、その他の抵抗素子である抵抗素子３Ｌ、シャントレギュレータ１７が接続されている。そして、シャントレギュレータ１７は、伝送路９Ｖにおいて、そのアノードと−入力端子８Ｇ、そのカソードと抵抗素子３Ｌとがそれぞれ接続するように配置されている。そして、伝送路９Ｖ上の抵抗素子３Ｌとシャントレギュレータ１７の間の第１０の接点１０Ｋから導出される伝送路９Ｚが、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊのベースに、伝送路９Ｚ上の第１１の接点１０Ｌから分岐する伝送路９ａがＮＰＮ型トランジスタ５Ｌのベースに、かつ伝送路９ａ上の第９の接点１０Ｍから分岐する伝送路９ｂがＮＰＮ型トランジスタ５Ｋのベースにそれぞれ接続されている。そして、シャントレギュレータ１７のリファレンス端子が、伝送路９Ｗ上であって、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊと抵抗素子３Ｍとの間に接続されている。
【００６８】
次に、定電流回路６Ｃの動作を説明する。
【００６９】
＋入力端子７Ｈと−入力端子８Ｈとの間、＋入力端子７Ｊと−入力端子８Ｊとの間、＋入力端子７Ｋと−入力端子８Ｋとの間にそれぞれ同一の電圧が印加され、＋入力端子７Ｇと−入力端子８Ｇとの間に所定の電圧が印加されると、抵抗素子３Ｌによるバイアス抵抗によってＮＰＮ型トランジスタ５Ｊ，５Ｋ，５Ｌのベースにそれぞれ電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊ，５Ｋ，５Ｌがそれぞれオンの状態となる。すると、ＮＰＮ型トランジスタ５Ｊ，５Ｋ，５Ｌのコレクタ−エミッタ間の導通が可能となり、ＬＥＤ２Ｇ，２Ｈ，２Ｊに電流が供給される。そのとき、＋入力端子７Ｈから−入力端子８Ｈへ、＋入力端子７Ｊから−入力端子８Ｊへ、＋入力端子７Ｋから−入力端子８Ｋへと電流が流れることとなる。その際に、抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐにも電流が流れる。他方、伝送路９Ｖのシャントレギュレータ１７は、上述のツェナーダイオード１４と同様に動作する結果、抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐのそれぞれの抵抗値をＲ１とし、各抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐに印加される電圧をＶ３としたとき、抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐを流れる電流Ｉ３は、Ｖ３／Ｒ１となり、一定となる。このように、ＬＥＤ２Ｇ，２Ｈ，２Ｊへと流れる電流を一定にして、ＬＥＤ２Ｇ，２Ｈ，２Ｊの光度のばらつきを低減する。なお、抵抗素子３Ｍ，３Ｎ，３Ｐが抵抗値調整された結果、異なる抵抗値となった場合、その抵抗値で決定される電流が常時、その抵抗部分またはその抵抗と接続されるＬＥＤ２を流れることとなる。
【００７０】
定電流回路６Ａは、部品コストを低く抑えることができる点等で有利である。定電流回路６Ｂ，６Ｃは、通電前後に渡る温度変化が小さい点等で有利である。
【００７１】
次に、本発明の実施の形態に係る発光部品１の製造法について、図面を参照しながら、以下に説明する。
【００７２】
（発光部品１の製造法）
発光部品１の製造法は、３つのＬＥＤ２を基板４の表面に実装する実装工程と、表面とは反対側の裏面に、個々のＬＥＤ２の光度が所定範囲となるようそれぞれ抵抗値調整される個々のＬＥＤ２に対応する３つの抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅおよびその他の３つの抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆのみを形成する形成工程と、を有し、形成工程を実装工程よりも先に行うものである。
【００７３】
また、発光部品１の製造法は、図９に示すように、抵抗値調整されていない抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅとその他の抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆの未調整抵抗素子のみを複数形成する抵抗形成工程（Ｓ１）と、ＬＥＤ２およびトランジスタ５を基板４に複数配置する配置工程（Ｓ２）と、未調整抵抗素子とＬＥＤ２およびトランジスタ５の相互間を接続する導体を配置する導体形成工程としてのワイヤボンディング工程（Ｓ３）と、貫通部材１２を基板４に固着する貫通部材固着工程と（Ｓ４）、貫通部材１２の貫通孔１２Ｃに樹脂を供給する樹脂封止工程と（Ｓ５）、各ＬＥＤ２の光度が所定範囲となるよう未調整抵抗素子となる抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅの抵抗値を調整するトリミング工程（Ｓ６）と、抵抗値調整後の抵抗素子３のトリミング溝２３を保護するオーバーコートを形成するオーバーコート形成工程と（Ｓ７）、線状分割部４Ｂに沿って分割部付き大型絶縁基板４Ｃを個々の単位絶縁基板４Ａへと分割する分割工程（Ｓ８）と、外部端子１５Ａ等の表面にめっき層を形成するめっき工程と（Ｓ９）、を有しこの順に行う。
【００７４】
本発明の実施の形態に係る発光部品１の製造に当っては、図１０（Ａ）に示すように、表面に縦横に交差する線状分割部４Ｂを有し、線状分割部４Ｂで囲われる単位絶縁基板４Ａを複数有する分割部付き大型絶縁基板４Ｃを用いる。
【００７５】
発光部品１の製造法を各工程に分けて説明する。
【００７６】
（抵抗形成工程（Ｓ１））
まず、アルミナセラミックからなる分割部付き大型絶縁基板４Ｃを用意する（図１０（Ａ）参照）。この分割部付き大型絶縁基板４Ｃは、表面に縦横に交差する線状分割部４Ｂ（分割用溝）、スルーホール１１および分割用スルーホール２２が形成されている。この分割用スルーホール２２は円柱状であり、その円の中心が線状分割部４Ｂの線上に位置するようｙ方向に等間隔に形成されている。そして、各単位絶縁基板４Ａの対向するｙ方向の２辺は、分割用スルーホール２２のうち半円柱状の形状のものをそれぞれ３つずつ有している。また各単位絶縁基板４Ａは、スルーホール１１をそれぞれ６つずつ有している。各抵抗形成工程は、この分割部付き大型絶縁基板４Ｃに対して行う。以降の抵抗形成工程および抵抗形成工程より後の工程については、図１に示す単位絶縁基板４Ａ（基板４）となったものを参照しながら説明する。
【００７７】
次に、導体１５を分割部付き大型絶縁基板４Ｃへ形成する。導体１５の一部は、配置の対象となる抵抗素子３の抵抗用電極３Ａ１等となる。また導体１５の一部は、各種伝送路９Ａ等の一部となる。なお、基板４の表面側に形成する、ＬＥＤ２Ａ，２Ｃが載置される浮島状のランドも導体１５と同時に同様に形成する。この浮島状のランドは、ＬＥＤ２Ａ，２Ｃを配置する際の配置位置の目印としての役割を担っている。
【００７８】
導体１５の形成方法について述べる。最初に分割部付き大型絶縁基板４Ｃの裏面に、銀−パラジウム合金粉末のメタルグレーズペースト（インク）を、スルーホール印刷法によって配置し、それを焼成して導体１５を形成する。そして、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面にも同様のスルーホール印刷を行い、焼成する。ここで、スルーホール印刷法とは、印刷面とは反対側の分割部付き大型絶縁基板４Ｃ面側からスルーホール１１および分割用スルーホール２２を介して吸気しながらスクリーン印刷を行うことである。このスルーホール印刷法によって、インクがスルーホール１１および分割用スルーホール２２の内壁面の一部または全部を覆う。よって、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの両面に対してスルーホール印刷を行うことで、スルーホール１１および分割用スルーホール２２の内壁面（＝貫通孔の外周面）において、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表裏両面に形成した導体１５が接続する。
【００７９】
次に、表面にパッド１３を形成する。ここでは、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に対して、金ペーストを用いたスクリーン印刷を行う。この金ペーストは、導体１５と接触する位置であって後に金線１６ａ等を接続する位置に印刷配置する。その後、分割部付き大型絶縁基板４Ｃを焼成してパッド１３を固定する。このパッド１３は、導体１５とボンディングワイヤとなる金線１６との接続を確実ならしめる役割を担う。なお、このパッド１３および抵抗素子３を構成しない導体１５は、厳密には抵抗素子３の形成とは無関係であるため、抵抗形成工程に含める必要はないが、スクリーン印刷を行い、高温で焼成する工程であり、他の抵抗形成工程と同様な点が多いため、抵抗形成工程に含めている。
【００８０】
次に抵抗体膜１８ａを裏面に形成する。そこで、酸化ルテニウムと金属との混合粉末のメタルグレーズペースト（インク）を用い、基板４の裏面の、対となる抵抗用電極３Ａ１等の双方に接触するように、スクリーン印刷によって単位基板４Ａ当たりまず３つ配置し、それを焼成して形成する。この３つの抵抗膜１８ａは、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係るものである。次いでインクの種類を変えて抵抗体膜１８ｂの形成を抵抗膜１８ａと同様に行い、単位基板４Ａ当たり３つ配置する。この３つの抵抗膜１８ｂは、抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆに係るものである。そうすることで、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係る抵抗膜１８ａと、抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆに係る抵抗膜１８ｂの固有抵抗値を異ならせる。
【００８１】
次にガラス膜１９を形成する。ここでは、ガラスペースト（インク）を用い、先に形成した抵抗体膜１８ａ，１８ｂのみならず、基板４（分割部付き大型絶縁基板４Ｃ）の裏面を、外部端子１５Ａ等の部分を除いて覆うようにスクリーン印刷によって配置し、それを焼成して形成する。ここで、ガラス膜１９は、抵抗用電極３Ａ１等と抵抗体膜１８ａ，１８ｂが重なり合う部分にも形成している。ただし、ガラス膜１９は、トリミング溝２３の形成の際にトリミングされない部分の抵抗体膜１８ａ，１８ｂを保護するのが主たる役割である。よって、トリミング溝２３の形成がされると想定できる領域のみにガラス膜１９を形成することとしても良い。以上で未調整抵抗素子が形成される。
【００８２】
（配置工程（Ｓ２））
次に単位絶縁基板４Ａ当たり３つのＬＥＤ２およびＬＥＤ２と同等以上の背丈の６つのトランジスタ５を基板４の表面に配置する。これらの配置作業の際には、チップマウンターを用いる。ＬＥＤ２およびトランジスタ５と、基板４の表面との固着には熱硬化性の導電性樹脂接着剤（ダイボンディングペースト）を用いる。この接着剤は針先に付着させて、その針先を基板４の表面に配置されているランド１５ａ等に接触させることで供給する。また、注射器のようなシリンジを用いてその導電性樹脂接着剤を供給しても良い。なお、この工程によって、トランジスタ５の底面にあるコレクタ端子と、ランド１５ａ等とが電気接続する。この配置工程は、実装工程の一部となる。
【００８３】
（ワイヤボンディング工程（Ｓ３））
このワイヤボンディング工程では、抵抗形成工程（Ｓ１）および配置工程（Ｓ２）で形成された導体１５等、パッド１３、未調整抵抗素子、ＬＥＤ２およびトランジスタ５が、図７に示す定電流回路６Ａを構成するように、１７本の金線１６ａ等を用いたワイヤボンディングを行う。このワイヤボンディング工程は、実装工程の一部となる。なお、上述した配置工程（Ｓ２）とワイヤボンディング工程（Ｓ３）とを併せて実装工程とする。
【００８４】
次に定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ１を形成するための導体形成工程を、図３（Ａ）および図７を参照しながら説明する。金線１６ａによって、ＬＥＤ２Ａのアノード端子とパッド１３ａを接続する。この接続でＬＥＤ２Ａのアノード端子と＋入力端子７とが接続される。そして金線１６ｂによって、ＬＥＤ２Ａのカソード端子とパッド１３ｂを接続する。この接続で、ＬＥＤ２Ａのカソード端子とトランジスタ５Ａのコレクタが接続される。そして、金線１６ｃによって、トランジスタ５Ａのエミッタ端子とパッド１３ｃを接続する。この接続で、トランジスタ５Ａのエミッタ端子と抵抗素子３Ａに係る未調整抵抗素子が接続される。そして金線１６ｄによって、トランジスタ５Ｂのエミッタ端子とパッド１３ｄを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｂのエミッタ端子と−入力端子８とが接続される。そして金線１６ｅによって、トランジスタ５Ａのベース端子とパッド１３ｅを接続する。この接続で、トランジスタ５Ａのベース端子と第１の接点１０Ａが接続される。そして金線１６ｆによって、トランジスタ５Ｂのベース端子とパッド１３ｆを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｂのベース端子と第２の接点１０Ｂが接続される。これで定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ１の部分が形成される。
【００８５】
定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ２の部分を形成するための導体形成工程を、図３（Ａ）および図７を参照しながら説明する。金線１６ｇによって、ＬＥＤ２Ｂのカソード端子とパッド１３ｓを接続する。この接続で、ＬＥＤ２Ｂのカソード端子とトランジスタ５Ｃのコレクタ端子を接続する。そして金線１６ｈによって、トランジスタ５Ｃのエミッタ端子とパッド１３ｈを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｃのエミッタ端子と抵抗素子３Ｃに係る未調整抵抗素子が接続する。そして金線１６ｊによって、トランジスタ５Ｄのエミッタ端子とパッド１３ｊを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｄのエミッタ端子と−入力端子８Ａとが接続される。そして金線１６ｋによって、トランジスタ５Ｃのベース端子とパッド１３ｋを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｃのベース端子と第３の接点１０Ｃが接続される。そして金線１６ｌによって、トランジスタ５Ｄのベース端子とパッド１３ｌを接続する。この接続で、トランジスタ５Ｄのベース端子と第４の接点１０Ｄが接続される。これで定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ２の部分が形成される。
【００８６】
定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ３を形成するための導体形成工程を、図３（Ａ）および図７を参照しながら説明する。金線１６ｍによって、ＬＥＤ２Ｃのアノード端子とパッド１３ｍを接続する。この接続でＬＥＤ２Ｃのアノード端子と＋入力端子７Ｂとが接続される。そして金線１６ｎによって、ＬＥＤ２Ｃのカソード端子とパッド１３ｎを接続する。この接続でＬＥＤ２Ｃのカソード端子とトランジスタ５Ｅのコレクタ端子が接続される。そして金線１６ｐによって、トランジスタ５Ｃのエミッタ端子とパッド１３ｐを接続する。この接続でトランジスタ５Ｃのエミッタ端子と抵抗素子３Ｅが接続される。そして金線１６ｑによって、トランジスタ５Ｆのエミッタ端子とパッド１３ｑを接続する。この接続でトランジスタ５Ｆのエミッタ端子と−入力端子８Ｂとが接続される。そして金線１６ｒによって、トランジスタ５Ｅのベース端子とパッド１３ｋを接続する。この接続でトランジスタ５Ｅのベース端子と第５の接点１０Ｅとが接続される。そして金線１６ｓによって、トランジスタ５Ｆのベース端子とパッド１３ｔを接続する。この接続でトランジスタ５Ｆのベース端子と第６の接点１０Ｆとが接続される。これで定電流回路６Ａのうち定電流回路６Ａ３が形成される。
【００８７】
（貫通部材固着工程（Ｓ４））
次に貫通部材固着工程について説明する。この貫通部材固着工程の際には、縦横に多数の貫通部材１２が繋がった大型貫通部材１２Ｄを成型する。成型後の大型貫通部材１２Ｄの平面図を図１０（Ｂ）に示す。大型貫通部材１２Ｄは、多数に分割されることで、複数の貫通部材１２を形成するものである。この大型貫通部材１２Ｄは、液晶ポリマー成形体である。大型貫通部材１２Ｄの裏面には、貫通部材用分割線１２Ｅが、線状分割部４Ｂと同一の間隔で縦横に形成されている。さらに大型貫通部材１２Ｄには、図１に示すカソードマーク１２Ａに相当する部分を有している。
【００８８】
貫通部材固着工程では、配置工程が終了した分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面（ＬＥＤ２が配置されている側の面）に成型金型を設置して、大型貫通部材１２Ｄの裏面（貫通部材用分割線１２Ｅが形成されている側の面）を分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面上で射出成型する。この射出成型に際しては、大型貫通部材１２Ｄの複数の貫通孔１２Ｃの一つが３つのＬＥＤ２を囲うように、かつ、両者が有する縦横に形成された線状分割部４Ｂと貫通部材用分割線１２Ｅとが重なり合うように成型する。この結果、貫通孔１２Ｃと分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面とで多数の凹部１２Ｆが形成される。また、貫通孔１２Ｃ以外の部分の貫通部材１２は、４つのトランジスタ５およびそれに接続するボンディングワイヤ１６ｃ等が埋設されている。
【００８９】
なお、この貫通部材固着工程の実施時期は、後述するトリミング工程後であっても良い。また、貫通部材固着工程は、貫通孔１２Ｃの内部にトランジスタ５およびＬＥＤ２の全てを配置した後、予め成型しておいた大型貫通部材１２Ｄを分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面に固着させる工程とすることができる。
【００９０】
（樹脂封止工程（Ｓ５））
次に樹脂封止工程について説明する。凹部１２Ｆの中のみに透光性樹脂（図示省略）を供給して、金線１６、ＬＥＤ２およびトランジスタ５Ｃ，５Ｄを封止する。透光性樹脂にはシリコーン系接着剤を用いている。そして透光性樹脂の供給には、ディスペンスまたはスクリーン印刷法を用いる。その供給後、分割部付き大型絶縁基板４Ｃを加熱して、透光性樹脂を硬化させる。このように、凹部１２Ｆの中のみに透光性樹脂を配置することによって、線状分割部４Ｂに沿った基板領域に透光性樹脂が存在しないこととなる。よって、後述する分割工程において、分割部付き大型絶縁基板４Ｃの分割を阻害しない。なお、透光性樹脂を凹部１２Ｆの外に溢れるように形成したり、表面側を凸形状としたり、凹形状としたりしても良いことは前述のとおりである。
【００９１】
（トリミング工程（Ｓ６））
次に行うトリミング工程について説明する。トリミング工程では、単位絶縁基板４Ａ当りに形成された６つの未調整抵抗素子のうち抵抗膜１８ａを用いているものと、抵抗膜１８ｂを用いているものに対しては、異なる指標（目標値）で抵抗値調整を行う。すなわち、以下のようにトリミング工程を進める。まず図３（Ｂ）に示す抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆに係る未調整抵抗素子（後に図１（Ｂ）に示す抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆとなる）について、その両端の抵抗素子用電極３Ｂ１，３Ｂ２等にトリミングプローブを接触させ、未調整抵抗素子の抵抗値を測定しながら、抵抗体膜１８ｂをガラス膜１９と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝２３を形成する。それによって目的とする抵抗値となるまで未調整抵抗素子の電流流路を狭める。
【００９２】
このトリミングをすることで、図７に示すトランジスタ５Ａ，５Ｃ，５Ｅのバイアス電流を調整する。その結果、伝送路９Ａ，９Ｅ，９Ｊに電流を流して、発光部品１を発光させることができる。またこの結果、抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆに係る未調整抵抗素子が完成した抵抗素子３Ｂ，３Ｄ，３Ｆとなる。ここでガラス膜１９は、トリミング溝２３形成の際の抵抗体膜１８ｂの過剰な破壊を抑制するように作用する。
【００９３】
その後、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係る未調整抵抗素子（後に図１（Ｂ）に示す抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅとなる）に対してトリミングを行う。このトリミングの際には、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係る未調整抵抗素子の両端（図１（Ｂ）における抵抗素子用電極３Ａ２等）にトリミングプローブを接触させ、＋入力端子７と−入力端子８の間、＋入力端子７Ａと−入力端子８Ａの間、＋入力端子７Ｂと−入力端子８Ｂの間にそれぞれ電流を流して、未調整抵抗素子に流れる電流値を測定し、未調整抵抗素子の抵抗体膜１８ａをガラス膜１９と共にレーザー照射によって局部的に蒸発させて、トリミング溝２３を形成する。そして目的とする電流値となるまで未調整抵抗素子の電流流路を狭める。
【００９４】
この抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係る未調整抵抗素子のトリミングをすることで、主として定電流回路６ＡがＬＥＤ２へ供給する電流値を所定範囲（たとえば２０ｍＡ）となるよう調整する。この結果、未調整抵抗素子が完成した抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅとなり、目標となる光度、色温度が得られる。また、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅのトリミングの際には、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに所定の定電圧を印加し、そのとき、特定の電流値を目標値として抵抗値の調整をするようにしても良い。
【００９５】
定電流回路６Ａは、通電によって、または光が照射されることによってトランジスタ５およびＬＥＤ２の発熱等による特性変化が起こる。しかし、本発明の実施の形態に係るトリミング工程では、＋入力端子７と−入力端子８の間に電流を流しながらトリミングを行い、所定の電流となるようにする。よって、その特性変化を踏まえた上で、第１の抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅのトリミングをすることとなるため、現実に使用する際の状態を考慮した、精度の高いトリミングを行うことができる。また、ＬＥＤ２が配置された面とは異なる分割部付き大型絶縁基板４Ｃの面に未調整抵抗素子を形成しているため、ＬＥＤ２の発熱等による影響を受け難いため好ましい。
【００９６】
このトリミング工程を行うに当たっては、抵抗素子３Ａ，３Ｃ，３Ｅに係る未調整抵抗素子に流れる電流値を測定しながら行っている。この電流値に代えて、ＬＥＤ２の光度および／または色温度を測定しながらトリミング工程を行うことができる。すなわち、トリミング工程終了の指標を、ＬＥＤ２の光度および／または色温度とするのである。このような指標にてトリミングを行う場合には、封止樹脂によって発光状態が変化し得ることから、樹脂封止工程（Ｓ５）終了後にトリミング工程（Ｓ６）を行うことが特に好ましい。ＬＥＤ２の光度を測定しながらのトリミング工程の一例の様子を示す簡略図を図１１に示す。図１１では、トリミング工程を経ていない１個の発光部品１について示しているが、実際は、後述する分割工程前の状態でこのトリミング工程が行われる。図１１の説明に際しては、トリミング工程を経ていない発光部品を発光部品１’とし、未調整抵抗素子を未調整抵抗素子３’とする。
【００９７】
図１１では、発光部品１’を動作させながら、トリミング装置２４から発せられたレーザ光２５を未調整抵抗素子３’の抵抗体膜１８部分にガラス膜１９を破り照射して、ガラス膜１９と抵抗体膜１８にトリミング溝２３を形成している。そして、トリミング溝２３の形成に伴うＬＥＤ２の発光（符号２７で示す）の光度の変化を光度計２６にて測定している。目的となる光度を得ることができたなら、レーザー光（符合２５で示す）の照射を止める。なお、色温度を測定しながらトリミングを行う場合は、色温度計を用い目的の色温度を得ることができたならレーザー光の照射を止める。また、光度と色温度との両者にそれぞれ目標値を設定し、その目標値となったらレーザー光の照射を止めることとしても良い。
【００９８】
ＬＥＤ２の光度および／または色温度を測定しながらのトリミング工程および前述の本発明の実施の形態に係るトリミング工程において、ＬＥＤ２が配置される側の分割部付き大型絶縁基板４Ｃの表面側へは、反対側の基板面側からの光が入ってこないような遮蔽手段（たとえば図７に示す遮蔽板２８）を設けておくことが好ましい。その理由は、レーザー光２５等の光がＬＥＤ２の発する光に混入すると、精度の高いＬＥＤ２の光度および／または色温度の測定が困難となるためである。また、蒸発した抵抗体膜１８ａ，１８ｂおよびガラス膜１９が、冷却して粉末状となり、ＬＥＤ２の発光面に付着して発光部品１’の光度に影響する等の不都合を、その遮蔽手段によって抑制できるためである。なお、この付着防止効果は、図１１に示すように、基板４におけるＬＥＤ２の配置面と未調整抵抗素子３’の配置面を異ならせていること、すなわち互いに反対となる面としていることで、ＬＥＤ２と未調整抵抗素子３’の距離を大きく取っているため、少なからず得られている。この遮蔽手段としては、遮蔽板２８を設けずに、または遮蔽板２８を設けることに加えて、粉末を吸引する、または粉末をＬＥＤ２とは反対側へと吹き飛ばす手段等とすることができる。また遮蔽手段は、図に示すような平面角型の箱形状ではなく、円筒形状としたり、遮蔽板の側面２８ｂを設けず、底部２８ａのみとしたりしても良い。
【００９９】
また、ＬＥＤ２の光度を測定しながらトリミング工程を行うことは、ＬＥＤ２の輝度を測定しながらトリミング工程を行うことに比べ、好ましい。光度とは、発光体の放つ光の強さであり、光源からある方向に向かう単位立体角に含まれる光束の大きさである。輝度とは、発光体の単位面積当たりの明るさである。よって輝度は光源からの距離によって値が異なることとなるが、光度は光源からの距離によって値が異なることはない。トリミング工程では光源から光度計までの距離が変わってくることが想定できる。
【０１００】
（オーバーコート形成工程（Ｓ７））
この工程では、トリミング工程で形成したトリミング溝２３を被覆するように、エポキシ系樹脂ペーストを用いた樹脂膜を形成し、オーバーコート２０を配置する。そのためには、先に形成した単位絶縁基板４Ａ当たり６つの抵抗素子３のトリミング溝２３を両方とも覆うようにスクリーン印刷によって帯状にエポキシ樹脂を配置し、それを熱硬化する。
【０１０１】
（分割工程（Ｓ８））
次に行う分割工程について説明する。まず分割部付き大型絶縁基板４Ｃの、縦横に交差する線状分割部４Ｂ（分割用溝）の縦または横の一方の分割用の溝を開く方向に応力を付与する。すると、アルミナセラミックが線状分割部４Ｂの線に沿って破壊する。それに伴って、破壊した線状分割部４Ｂと重なり合う位置にある大型貫通部材１２Ｄの貫通部材用分割線１２Ｅ（分割用溝）も破壊される。その結果、多数の短冊状の基板を得ることができる。以下、この工程を第一次分割工程と記す。
【０１０２】
次いで、第一次分割工程の結果得られる短冊状の基板に残されている、分割部付き大型絶縁基板４Ｃおよび大型貫通部材１２Ｄの他方の貫通部材用分割線１２Ｅ（分割用溝）を開く方向に応力を付与する。すると、アルミナセラミックが線状分割部４Ｂの線に沿って破壊される。それと共に、破壊した線状分割部４Ｂと重なり合う位置にある大型貫通部材１２Ｄの分割用溝も破壊される。その結果、多数の貫通部材１２付き単位絶縁基板４Ａ、すなわち発光部品１を得ることができる。以下、この工程を第二次分割工程と記す。以上で分割工程が終了する。
【０１０３】
ここで、線状分割部４Ｂを分割用溝とせず、ダイシングソーを用いて線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅに沿って縦横に切断（分割）することもできる。このダイシングソーを用いた分割は、第一次および第二次分割について行うことができる。また、ダイシングソーを用いた分割は、第一次分割についてのみ行い、第二次分割については、分割用溝を開くように応力付与する方法を採用することもできる。この分割用溝を開くように応力付与する方法は、製造コストを低く抑えることができる利点がある。また、ダイシングソーを用いた分割は、分割位置精度が高い利点および発光部品１が小型化した場合でも容易に対応できる利点を有している。また、ダイシングソーを用いた分割を行う場合は、線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅは溝でなくても良いし、線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅは不可視のものであっても良い。
【０１０４】
また、大型貫通部材１２Ｄは、分割工程を精度良く行うために、縦横に形成された線状分割部４Ｂおよび貫通部材用分割線１２Ｅの横方向に沿って厚みを薄くした薄肉部を設けても良い。また、分割工程をより精度良く行うためには、その横方向ばかりでなく、縦方向に沿っても設けることが好ましい。しかし、薄肉部１２Ｂは発光部品１の発光機能に寄与しないため、発光部品１の小型化を図る上では極力薄肉部１２Ｂを設けないことが好ましい。
【０１０５】
（めっき工程（Ｓ９））
次に、得られた多数の単位絶縁基板４Ａの外部端子１５Ａ等の表面に、ニッケルめっき、はんだめっきをこの順に行う。これら外部端子１５Ａ等の表面に上述したバレルめっき法によってニッケルめっき層およびはんだめっき層を各々形成する。ニッケルめっき層およびはんだめっき層の厚みは、各々３μｍから１２μｍとなるようにめっき時間、めっき浴の温度等のめっき条件を調整して行う。以上でめっき工程が終了する。また、以上で発光部品１の製造法が終了する。さらに発光部品１は、フルカラーＬＥＤとなっており、抵抗値調整された定電流回路を内蔵することで、白色発光時の光度バラツキや色温度バラツキが抑えられたものとなる。
【０１０６】
（本発明の実施の形態によって得られる主な効果）
発光部品１は、ＬＥＤ２と抵抗素子３とが基板４の表裏面に分けて配置されるため、複数のＬＥＤ２が配置されていても熱の発生部分が集中し難く、放熱効率が良好となる。また、抵抗素子３が整列して基板４に配置されるため、さらに基板４の裏面には抵抗素子３のみが配置されるため、複数の抵抗素子をまとめて製造することが容易となり、上述の抵抗形成工程（Ｓ１）、トリミング工程（Ｓ６）およびオーバーコート形成工程（Ｓ７）を容易に行うことができると共に、抵抗素子の寸法を大きくできるため抵抗素子自身の発熱量を小さくすることが可能である。また抵抗素子３とＬＥＤ２との電気接続の一部は、外部端子１５Ａ等でなされるため、外部端子１５Ａ等を別に設ける必要がなくなり、構造の単純な発光部品１となる。また、定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃを備えることで、部品数が少なくてもＬＥＤ２に定電流を印加でき、各々のＬＥＤ２が発する光度を一定にするのが容易となり、混色された色のばらつき、その色の明るさのばらつきが小さくなる。また、定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃの抵抗素子３が全て裏面に配置されるので、抵抗が多い定電流回路を内蔵する発光部品１を構成しやすい。さらに発光部品１は、フルカラーＬＥＤとなっており、抵抗値調整された定電流回路を内蔵することで、白色発光時の光度バラツキや色温度バラツキが抑えられたものとなる。また、上述の発光部品１の製造法によれば、抵抗形成工程（Ｓ１）を配置工程（Ｓ２）およびワイヤボンディング工程（Ｓ３）よりも先に行うため、抵抗形成工程（Ｓ１）の際に基板４を高温に曝す焼成の過程があっても、ＬＥＤ２およびトランジスタ５はその高温によって影響されない。さらに、分割部付き大型絶縁基板４Ｃおよび大型貫通部材１２Ｄを用いて発光部品１を製造するため、発光部品１を効率的に製造できる。
【０１０７】
（他の形態）
以上、本発明の実施の形態に係る発光部品１およびその製造法について説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限り種々変更実施可能である。たとえば、発光部品１の、定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃ、貫通部材１２、透光性封止樹脂、オーバーコート膜２０、ニッケルめっき層およびはんだめっき層は必須ではない。そのため、これらのうちの１つまたは複数を省略しても良い。また本発明の実施の形態に係る発光部品１の製造法では、樹脂封止工程（Ｓ５）、めっき工程（Ｓ９）は必須でなく、一方または両方を省略しても良い。また、基板４にＬＴＣＣを用いる場合等には貫通部材固着工程（Ｓ４）は必須でないため、省略しても良い。また、導体１５は、スクリーン印刷法等によって厚膜形成した後に、その表面にニッケル−金合金等のシートめっきを施しても良い。
【０１０８】
また、上述の製造法では、導体１５を形成した後に、ＬＥＤ２等の部品を配置したが、ＬＥＤ２等の部品を配置した後に、金線１６ａ等で各部品をつなぎ、定電流回路６Ａ，６Ｂ，６Ｃを形成しても良い。また金線１６ａ等を使用せずに、全て導体１５で各部品を接続するようにしても良い。
【０１０９】
さらに、背丈が高い部品をＬＥＤ２の周囲に３つ以上配置する場合は、発光部品を中心として１２０度ずつ３分割した領域を仮想したとき、その３分割した領域に各１つ以上部品を配置するのが好ましい。また、金線１６ａ等の配置も各実施の形態に見られるように、発光素子となるＬＥＤ２の周囲１８０度以上に渡って配置するのが光の分散、金線１６の接続性の面等で好ましい。この効果は、金線１６ａ等の配置が２４０度以上になるとさらに向上するので、金線１６ａ等をＬＥＤ２の周囲２４０度以上となるように配置しても良い。なお、駆動用回路部材や金線１６ａ等の配置関係は、凹部１２Ｆが存在しない発光部品について適用できる。
【０１１０】
また、本発明の実施の形態に係る発光部品１の外部端子１５Ａ等は、部品の電気接続方法によって、それら各々の機能を適宜異ならせることができる。たとえば、＋入力端子、−入力端子の位置、トリミング工程においてトリミングプローブを接触させる位置は、適宜異ならせることができる。また、外部端子１５Ａ等は、実装時にオーバーコート２０よりも背丈を大きくして確実に実装ができるようにするため、裏面側に突出するバンプを形成することとしても良い。
【０１１１】
また、本発明の実施の形態に係る発光部品１は、ＬＥＤ２の発光色として赤色、緑色、青色の３色としたが、赤色または緑色の代わりにその他の色、たとえば黄色としても良い。また、発光部品１が備える発光素子の数は３つとしているが、２つ、４つ、５つ等、その他の複数としても良い。たとえば、青色と黄色の２つの発光素子の発光色を混色して白色の発光色を発する発光部品としても良い。また、発光部品１は、ＬＥＤ２の発光色として赤色、緑色、青色の３色とし、それぞれの発光の光度を変更して混色し、様々な色を発するようにできる。このように様々な色を発するようにするためには、各ＬＥＤに対して異なる電圧を印加することとしても良い。
【０１１２】
また、複数のＬＥＤ２は、そのうちの一つの発光素子の製品特性としての光度に合わせて他の発光素子の製品特性としての光度を選択することができる。こうすることによって抵抗素子３の大幅な抵抗値調整をすること、または個々の発光素子に対する抵抗値調整量の差が大きくなるのを避けることができる利点がある。たとえば、発光素子のうち製品特性としての光度が最も低くランクされたものに合わせて他の発光素子の光度を選択することができる。こうすることによって、上述の利点に加えて発光部品のコストダウンを図ることができる。このコストダウンの効果は、本発明の実施の形態に係るものでない発光部品についても得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る発光部品の正面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る発光部品の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る発光部品を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は底面図をそれぞれ示している。
【図４】本発明の実施の形態に係る発光部品を示しており、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は左側面図、（Ｃ）は右側面図、（Ｄ）は背面図、をそれぞれ示している。
【図５】本発明の実施の形態に係る発光部品を構成する基板の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る発光部品を構成する貫通部材の平面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る発光部品に用いられる定電流回路の回路図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る発光部品に用いられる定電流回路の変形例の回路図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る発光部品の製造のフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法に用いる部材を示す図で、（Ａ）は分割部付き大型絶縁基板の平面図、（Ｂ）は大型貫通部材の平面図をそれぞれ示している。
【図１１】本発明の実施の形態に係る発光部品の製造法におけるトリミング工程の一例の様子を示す簡略図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  発光部品（パッケージ発光部品）
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ  ＬＥＤ（発光素子）
３，３Ｂ，３Ｄ，３Ｆ  抵抗素子
３Ａ，３Ｃ，３Ｅ  その他の抵抗素子
４  基板
４Ａ  単位絶縁基板
４Ｂ  線状分割部
４Ｃ  分割部付き大型絶縁基板
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｆ  トランジスタ（ＮＰＮ型トランジスタ）
７  ＋入力端子
８  −入力端子
９Ａ  第１の伝送路
９Ｂ  第２の伝送路
９Ｃ  第３の伝送路
９Ｄ  第４の伝送路
１０Ａ  第１の接点
１０Ｂ  第２の接点
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ  スルーホール
１２  貫通部材
１２Ｃ  貫通孔
１２Ｄ  大型貫通部材
１３  凹部
１４  ツェナーダイオード
１７  シャントレギュレータ
Ｓ１  抵抗形成工程
Ｓ２  配置工程（実装工程の一部）
Ｓ３  ワイヤボンディング工程（実装工程の一部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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