(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタを印刷法を用いて作製する場合、第１の電極と第２の電極のあわせ精度が問題となる。ホトリソグラフィで作製すれば、各層のホトマスクが必要となりコストが増大する。【解決手段】本願発明の骨子は、基板上に、ゲートパターン用ホトマスクでの露光により形成されたレジストパタンを用いてゲート形状の加工のみならず、ソース・ドレイン電極の加工を、リフトオフを用いて行う。こうして、ソース・ドレイン電極とゲート電極の位置合わせが施される。【選択図】図１
2009200315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の導電膜と第１の絶縁膜とが積層される工程と、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程と、
加工された前記ホトレジスト膜を用いて、前記第１の導電膜と前記第１の絶縁膜の積層体が、第１の電極と第１の絶縁膜との積層体に加工される工程と、
前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程と、
前記一対の側壁に形成された第２の絶縁膜の側部及び前記第１の電極と前記第１の絶縁膜との積層体上に、第２及び第３の電極用の第２の導電膜が塗布によって形成される工程と、
前記第１の絶縁膜上のホトレジスト膜が除去されて、当該第１の絶縁膜上の第２及び第３の電極用の第２の導電膜が除去され、前記第２及び第３の電極が形成される工程と、
前記第２及び第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って、半導体材料を、塗布によって半導体膜を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電膜と前記第１の絶縁膜とが積層される工程は、前記第１の導電膜が陽極酸化によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程は、前記第１の電極の一対の側壁が陽極酸化によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記塗布がなされる半導体材料が、有機半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記塗布がなされる半導体材料が、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記塗布がなされる半導体材料が、シリコン含有半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記半導体材料を塗布する工程が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法のうち１種類、もしくは複数種類を使用してなされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記第１の電極がゲート電極であり、前記第２及び第３の電極が、各々ソース或いはドレイン電極であり、前記第１の絶縁膜がゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の導電膜と前記第１の絶縁膜とが積層される工程は、前記第１の導電膜が陽極酸化によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程は、前記第１の電極の一対の側壁が陽極酸化によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８において、
前記塗布がなされる半導体材料が、有機半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８において、
前記塗布がなされる半導体材料が、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８において、
前記塗布がなされる半導体材料が、シリコン含有半導体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８において、
前記半導体材料を塗布する工程が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法のうち１種類、もしくは複数種類を使用してなされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１において、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程では、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜がマトリクス条に複数個配置されて形成され、
且つ前記マトリクス条に配置の行又は列の、各半導体装置の第１の電極が前記第１の導電膜で接続されており、
且つ、前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記マトリクス条に配置の列又は行の各半導体装置の、第２或いは第３の電極が第３の導電膜で接続する工程を有し、
前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、マトリクス条に複数個配置された形態が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１において、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程では、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が少なくとも２つ配置されて形成され、
前記第１の電極と前記第１の絶縁膜との積層体に加工される工程の後に、前記２つの半導体装置の第１の半導体装置の前記積層体に接続する第４の導電膜を形成する工程を有し、
前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記２つの半導体装置のうちの第１の半導体装置に接続する前記第４の導電膜と、前記２つの半導体装置のうちの第２の半導体装置の前記第２或いは第３の電極とを接続する第５の導電膜を形成する工程を有し、
前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、少なくとも２つ配置された形態が形成される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第４の導電膜の形成は、塗布によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、有機半導体材料や酸化物半導体材料を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む半導体装置の製造方法に関し、特に、一つのホトマスクを使用することのみで、第１の電極と、一対の第２及び第３の電極とを位置あわせすることが可能な半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を形成する際の膜の形成方法において、印刷製法にて作製する場合の各種パターンの合わせずれの問題を回避する手段として、ホトリソグラフィのメリットと印刷法のメリットとを組み合わせるものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、有機半導体材料でＴＦＴを作製する方法として、ゲートパターニングを行い、酸化するのみでゲート絶縁膜まで加工してしまうものがあった（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６９７０９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４９２９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）装置を有する表示装置の様々な研究開発が行われている。このＴＦＴは、低消費電力・省スペースであるため、携帯電話、ノートパソコン、ＰＤＡなどの携帯装置の表示装置駆動用トランジスタとして使用され始めている。このようなＴＦＴは、結晶質シリコンや非晶質シリコンを代表とする無機半導体材料により大部分が作製されている。これは、従来の半導体装置の製造工程・製造技術を用いて作製できるためである。しかしながら、半導体製造工程を用いる場合、半導体膜形成時の処理温度が３５０℃以上になるため形成できる基板に制約がある。特に、プラスチックに代表されるフレキシブルな基板は、耐熱温度が２００℃以下のものが多く通常の半導体製造工程を用いた無機半導体材料のＴＦＴ作製は困難である。
【０００６】
この問題に対して、最近、低温で作製可能な、有機半導体材料や酸化物半導体材料を用いたＴＦＴ装置(以下、有機ＴＦＴ、酸化物ＴＦＴなどを含む総称とする)の研究開発が進められている。有機ＴＦＴ、酸化物ＴＦＴは、有機半導体膜が低温形成可能であるため、プラスチックなどの耐熱性の低い基板上への形成も可能となる。そのため、従来に無いフレキシブルな新デバイスの作製が可能となる。
【０００７】
有機ＴＦＴを形成する際の膜の形成方法としては、材料に依って、インクジェットなどの塗布・印刷法、回転塗布法、スプレー法、転写法、蒸着法、ディッピング法、キャスト法等の中から最適な方法が用いられている。例えば有機半導体材料の場合は、ペンタセン誘導体等の低分子化合物は蒸着法等で成膜されており、ポリチオフェン誘導体等の高分子化合物は、溶液から成膜される。印刷製法にて作製する場合には、各種パターンの合わせずれの問題があり、印刷では精度が２０μｍ程度である。この程度の合わせ精度では、電極間で寄生容量が起きてしまう。これを回避する手段として有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する例があり、例えば、上記特許文献１などをあげることが出来る。この例では、ホトリソグラフィのメリットと印刷法のメリットを組み合わせている。
【０００８】
最近では、インクジェット、マイクロディスペンス、転写法などに代表される塗布・印刷工程を用いることによって、無駄なく少量の有機半導体材料でＴＦＴのチャネル部を作製することで、更なる低価格化を進める研究開発が行われている。加えて、電極や配線部も塗布・印刷により作製する研究開発も行われ始めている。更に、ゲート材料とゲート絶縁膜の組み合わせも種々報告されている。例えば、ゲートパターニングを行い、酸化するのみでゲート絶縁膜まで加工してしまう例として上記特許文献２なども報告されている。
【０００９】
上述の様に、塗布・印刷技術の欠点を補うために、いわゆる裏面露光を用いた方法もあるが、この方法では、透明基板と、透明なゲート絶縁膜が必要となってくる。これらの材料にはある制限が有る。例えば、前記各部材の透明性が市販されている感光性材料の感光波長と合わない場合もある。この場合、これらの透明性に併せた感光性材料の開発も必要となってくる。そのため、一般的には通常複数枚のホトマスクを用いてのホトリソグラフィとなる。従って、印刷での低コストといったメリットが生かせなくなり、コスト的に飛躍的に高くなってしまう。
【００１０】
マスク数を減らすために、前記特許文献２の場合ように、ゲート絶縁膜を酸化で作りこむ方法も開示されている。しかし、この方法でも、その他の部材全て、ホトリソグラフィ加工を行うため、各層毎にマスクが必要であり、せいぜい、ゲート絶縁膜加工の一枚のマスクを減らせるのみである。
【００１１】
このような諸問題に対して、本願発明の目的は、塗布・印刷法を用いて、基板上に、第１の電極と第２及び第３の電極の位置合わせがなされた、高性能ＴＦＴを製造する方法を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明は、ホトマスク１枚使用することで、第１の電極と、一対の第２及び第３の電極の、位置あわせを実現するものである。従って、本願発明は、薄膜半導体層を用いた電界効果型トランジスタの製造に極めて有用である。又、本願発明は、ホトリソグラフィ技術と塗布或いは印刷法を用いて、例えば、フレキシブル基板上に、高性能なＴＦＴを作製する方法を提供することが出来る。
（１）本願発明の基本形態は次の通りである。即ち、
基板上に、第１の導電膜と第１の絶縁膜とが積層される工程と、
前記積層上に、ホトレジスト膜が形成される工程と、
第１の電極に対応して、前記ホトレジスト膜が加工される工程と、
加工された前記ホトレジスト膜を用いて、前記第１の導電膜と前記第１の絶縁膜の積層体が、第１の電極と第１の絶縁膜との積層体に加工される工程と、
前記第１の電極の一対の側壁に、第２の絶縁膜が形成される工程と、
前記一対の側壁に形成された第２の絶縁膜の側部及び前記第１の電極と第１の絶縁膜との積層体上に、第２及び第３の電極用の第２の導電膜（電極材料膜）が塗布（或いは印刷）によって形成される工程と、
前記第１の絶縁膜上のホトレジスト膜が除去されて、当該第１の絶縁膜上の第２及び第３の電極用の第２の導電膜が除去されて、前記第２及び第３の電極が形成される工程と、
前記第２及び第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って半導体材料が、塗布（印刷をも含む塗布）される工程と、を有する半導体装置の製造方法である。尚、本願明細書において、「塗布」なる用語は「印刷」をも含む包括的な意味として用いる。これらの具体的な方法は後述される。わけても、印刷によると、材料の使用量をパターンに対する必要量に抑えることが出来る。
【００１３】
本願発明の第２の形態は、即ち、電界効果型ＴＦＴが製造される形態である。即ち、前記第１の電極がゲート電極であり、前記第２及び第３の電極が各々ソース或いはドレイン電極であり、前記第１の絶縁膜がゲート絶縁膜であることを特徴とする前記第１形態の半導体装置の製造方法である。
【００１４】
本願発明の第３の形態は、前記第１の導電膜と絶縁膜とが積層される工程は、前記第１の導電膜が陽極酸化によって形成されることを特徴とする前記第１形態の半導体装置の製造方法である。
【００１５】
本願発明の第４の形態は、前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程は、前記第１の電極の一対の側壁が陽極酸化によって形成されることを特徴とする前記第１形態の半導体装置の製造方法である。
【００１６】
尚、これらの第２、第３及び第４の形態を、適宜合わせ実施することは当然可能であり、極めて有用である。尚、ここで、酸化膜の形成に陽極酸化を用いる場合、この陽極酸化によって酸化されては困る箇所、例えば、コンタクト部などには、酸化防止の方法を処置しておくことが必要なことはいうまでもない。各種本願発明の諸形態においても事情は同様である。以下の実施例３において、その具体例が示される。
【００１７】
更に、本願発明は、半導体装置の回路構成によって、各種具体的形態に適用することが可能である。半導体装置がマトリクス状に配置された例、並びに２つの半導体装置が相互に接続された例を例示すれば、次の通りである。
【００１８】
即ち、前者は、前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この両側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、マトリクス条に複数個配置された形態を有する。
【００１９】
そして、この場合、マトリクス条に配置の行又は列の、各半導体装置の第１の電極が前記第１の導電膜になる配線で接続されており、且つ、前記の基本工程における、前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記マトリクス条に配置の列又は行の各半導体装置の、第２或いは第３の電極が第３の導電膜で接続される工程を用いることが有用である。この第３の導電膜は、前記第２の導電膜と同様の方法によって形成することが実際的である。
【００２０】
更に、後者は、前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この両側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、少なくとも２つ配置された形態を有する。
【００２１】
そして、この場合、前記の基本工程における、前記第１の電極と前記第１の絶縁膜との積層体に加工される工程の後に、前記２つの半導体装置の第１の半導体装置の前記積層体に接続する第４の導電膜を形成する工程、且つ、
前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記２つの半導体装置のうちの第１の半導体装置に接続する前記第４の導電膜と、前記２つの半導体装置のうちの第２の半導体装置の前記第２或いは第３の電極とを接続する第５の導電膜を形成する工程を用いることが有用である。前記第４の導電膜の形成は、前記第２の導電膜と同様の方法によって形成することが実際的である。
【００２２】
尚両者の具体例は後述される。
【００２３】
前記塗布（即ち、印刷をも含む塗布）がなされる半導体材料は、有機半導体材料が代表的なものである。より具体的な材料は後述される。更に、本願発明は、当該半導体材料として、酸化物半導体材料或いはシリコン含有半導体材料なども、用いることが出来る。
【００２４】
尚、前記塗布（即ち、印刷をも含む塗布）法は、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法のうち１種類、もしくは複数種類を使用することが出来る。
【００２５】
本願発明の、ＴＦＴ製造の代表的な具体的形態のプロセスフローが、図１に例示される。その骨子は、基板上に陽極酸化可能な第１の導電膜（本例ではゲート膜）の材料を成膜し、表面を陽極酸化し、第１の絶縁膜を形成する。この上に、レジストを塗布し、その後ホトリソグラフィを用いてゲートパターン形状にレジストを加工する。そのパタンを用いて第１の絶縁膜（本例では陽極酸化膜）と第１の導電膜（本例ではゲート膜）の加工を行う。続いて、ソース・ドレイン材料を印刷により必要部分に塗布する。そして、残存するゲート・パターンレジストを用いて、リフトオフを行う。最後に、半導体材料をゲート直上に印刷する事によって、第１の電極（本例ではゲート電極）と一対の第２及び第３の電極（本例ではソース・ドレイン電極）とのあわせずれの無い高性能なＴＦＴを製造することが出来る。より具体的には、以下の「発明を実施するための最良の形態」の欄にて詳述される。
【発明の効果】
【００２６】
本願発明によれば、ホトマスク１枚使用するだけで、第１の電極と、一対の第２及び第３の電極の、位置あわせの加工を実現することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本願発明の諸形態を具体的に説明するに先立って、本願発明の主な形態並びに使用する具体的材料等につき更に詳細に説明する。
【００２８】
本願発明の骨子をＴＦＴの具体例を用いて説明すれば、次の通りである。即ち、所定の基板上に、ゲートパターン用ホトマスクでの露光により形成されたレジストパターンを用いてゲート形状の加工のみならず、ソース・ドレイン電極の加工をリフトオフを用いて行う。こうして、ソース・ドレイン電極とゲート電極の合わせが施される。この場合、ＴＦＴではフレキシブル基板を用いることが有用であり、ＴＦＴのより広範な応用が可能となる。
【００２９】
ＴＦＴの製造工程の代表的なフローは、上述した図１の工程である。
・図１の（ａ）
（１）基板上に、第１の導電膜（ゲート電極の材料膜）と第１の絶縁膜（加工後、ゲート絶縁膜となる）とを積層する工程。この工程の第１の絶縁膜は前記第１の導電膜の表面を陽極酸化によって形成することが、実際的で好適である。
・図１の（ｂ）
（２）その上にホトレジスト膜を形成し、所望形状（ＴＦＴの場合、ゲート電極の形状）に加工する工程。この加工は、通例、ホトマスクを用いての露光、そして現像でなされる。
【００３０】
ＴＦＴの高性能化の為、ゲート電極の加工は、ホトレジスト膜のパターニングによる加工が好ましい。即ち、本願発明における基本形状の高精度の加工が可能である。尚、上述のレジストパターンの為の、ホトレジストとしては、ポジ型、ネガ型の両者を原理的に用いることが出来る。一般的には、レジスト除去の容易さの観点からポジ型の方が、本願発明の目的には好ましい。
（３）この加工されたホトレジストパタンを用いて、前記第１の導電膜と第１の絶縁膜との積層体が、第１の電極（ＴＦＴの場合、ゲート電極に相当する）と第１の絶縁膜（ＴＦＴの場合、ゲート絶縁膜に相当する）の積層体に加工される。
・図１の（ｃ）
（４）前記第１の電極の対向する一対の側壁に、第２の絶縁膜が形成される工程。
【００３１】
この第２の絶縁膜は、前記第１の電極と、後の工程で形成される第２及び第３の電極（ＴＦＴの場合、ソース電極及びドレイン電極に相当する）との絶縁を図るものである。
【００３２】
第１の電極の対向する一対の側壁への第２の絶縁膜の形成は、陽極酸化による酸化物膜の形成或いは絶縁物膜の塗布による形成などを用いることが出来る。第１の電極の対向する一対の側壁への第２の絶縁膜の形成が、前記第１の電極の陽極酸化によることが実用的に好ましい。陽極酸化の方法自体は通例の方法で十分である。即ち、陽極酸化用溶液に、陽極酸化したい金属部を対向電極（通例、Ｐｔ電極が用いられる）と対向し、電圧印加、更に電流を通電してなされる。
【００３３】
この陽極酸化の方法は基板等が加熱する必要がない。従って、比較的耐熱性の低い基板材料、例えば、プラスチック基板等、有機高分子材料のものをも用いることが出来る。従って、本願発明は、例えば、フレキシブル基板を用いることを可能とする。
・図１の（ｄ）
（５）第２及び第３の電極領域と第１の電極パターン領域上に、当該第２及び第３の電極用材料を塗布（即ち、印刷をも含む塗布）にて、パターンが形成される工程。
・図１の（ｅ）
（６）第１の電極上のホトレジストを除去して、当該第１の電極上の第２及び第３の電極用材料が除去される工程。この工程は、リフトオフと通称される。こうして、第２及び第３の電極（ＴＦＴではソース・ドレイン電極）が形成される。
・図１の（ｆ）
（７）塗布（即ち、印刷をも含む塗布）可能な半導体材料層が、前記第２及び第３の電極間（ソース−ドレイン電極間）に塗布或いは印刷される工程。当然、各半導体材料によって定められた加熱処理がなされる。この半導体層が当該半導体装置の母材となる。
【００３４】
こうして、パターン形成用マスクが一枚のみで、第１の電極（ＴＦＴの場合、ゲート電極に相当）と第２及び第３の電極（ＴＦＴの場合、ソース・ドレイン電極に相当）の位置あわせが可能となる。
【００３５】
前記塗布法（即ち、印刷をも含む塗布）は、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法などが代表的な例である。本願発明の目的に、諸部分の形成に、これらの内の少なくとも一つを用いるのが、実際的である。
【００３６】
次に、本願発明に使用する具体的材料等につき説明する。
【００３７】
尚、前記フレキシブル基板の代表例は、金属薄膜シート、フレキシブルな樹脂製シートいわゆるプラスチックフィルムである。金属薄膜シートの場合は、デバイス作製に適用するためには表面が絶縁処理されている必要がある。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエテールスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリカーボネイト、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネート等を例としてあげることが出来る。前述したように、プラスチックフィルムはフレキシブルに曲がる特徴を有する。装置のフレキシブルな特徴を要請される各種応用に有利である。また、これら基板表面に処理を施し、印刷パターンの形成を補助しても良い。金属基板を用いる場合は、当該金属の表面に絶縁物コートがなされる。例えば、アルミニウム板やステンレス板などの表面に絶縁物コートがなされる。
【００３８】
上記第１の電極材料（ＴＦＴでのゲート電極材料）としては、アルミニウム、タンタルなどに代表される陽極酸化が可能な金属を挙げることが出来る。
【００３９】
又、第２及び第３の電極材料（ＴＦＴでのソース・ドレイン電極材料）としては、金属ナノ微粒子溶液、導電性高分子溶液など導電材料溶液が挙げられる。金属ナノ微粒子材料としては、中心に金属核を持ち、それを覆うように有機化合物が結合している形態をとる。中心金属核の代表例としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムなどが上げられる。核としては、これらの金属の一種類、もしくは複数種類が混合していても良い。金属核と有機化合物の結合部は、窒素、硫黄、酸素原子が代表例となる。有機化合物の部分は、直鎖状の炭化水素もしくは環状炭化水素であり、置換基を有しても良い。これらの金属ナノ微粒子は溶媒中に分散して液体材料を形成でき、印刷可能なインクとなる。更には、導電性高分子溶液なども塗布或いは印刷用材料として用いることが出来る。最終的に、こうした金属微粒子溶液は、加熱されて金属化（メタル化）される。このメタル化は、酸化することや、ハロゲン・ガスに暴露することによってもなされ得る。
【００４０】
上記有機半導体材料としては、ペンタセン、ルブレンに代表されるポリアセン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリエチレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリイソチアナフテン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導体、ポリアズレン誘導体、ポリピレン誘導体、ポリカルバゾール誘導体、ポリセレノフェン誘導体、ポリベンゾフラン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリインドール誘導体、ポリピリダジン誘導体、ポルフィリン誘導体、金属フタロシアニン誘導体、フラーレン誘導体、又、これらの繰り返し単位を２種類以上混合したポリマーもしくはオリゴマーなど例としてあげることが出来る。又、必要に応じてこれらの有機半導体材料にドーピング処理を施しても良い。また、有機半導体トランジスタ性能を向上させるために、有機半導体を印刷する以前の工程により、有機半導体と基板の接着面に表面処理を施しても良い。又、必要ならこれらの有機半導体を積層しても良い。
【００４１】
又、酸化物半導体材料の例としては、ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ（インジウムガリウムジンクオキサイド）等をあげることが出来る。
【００４２】
次に、本願発明の幾つかの実施例について具体的に説明する。実施例において、使用したインクジェット印刷装置は、位置精度、描画線幅最小値共に２０μｍであったため、ゲート電極線幅は２０μｍ以上とした。
【００４３】
＜実施例１＞
本例は有機半導体を用いた薄膜トランジスタ装置の例である。図２Ａ、２Ｂから図９Ａ、９Ｂまでは、この例を製造工程順に示した薄膜トランジスタ装置の断面図及び上面図である。本例は、ゲート・パターンマスク一枚を用いて、第１の電極（本例ではゲート電極に相当する）と第２及び第３の電極（本例ではソース・ドレイン電極に相当する）の位置合わせを行う例である。図番の末尾が「Ｂ」である各図は平面図、図番の末尾が「Ａ」である各図は上記平面図のそれぞれにおける線Ａ―Ａ’での断面図である。以下、本願明細書における製造工程順に示した装置の平面図及び断面図では、図２Ａ、２Ｂから図９Ａ、９Ｂまで、および図１７Ａ、１７Ｂから図２５Ａ、２５Ｂまでは、図番の末尾が「Ａ」である各図は断面図、図番の末尾が「Ｂ」である各図は平面図を示すものとし、図１０Ａ、１０Ｂから図１６Ａ、１６Ｂまでは、図番の末尾が「Ａ」である各図は平面図、図番の末尾が「Ｂ」である各図は断面図を示すものとする。
【００４４】
（１）基板１上に、第１の導電膜（ゲート電極の材料膜）と絶縁膜（加工後、ゲート絶縁膜となる）とを積層し、その上にホトレジスト膜を形成する。
即ち、基板として有機化合物であるポリカーボネイトを用い、基板１上にスパッタにより、第１の電極となるアルミニウム２を１００ｎｍの厚みに成膜した。この後、陽極酸化法により、アルミニウムの表面の３０ｎｍを酸化し、第１の絶縁膜であるアルミナ膜３を形成した。このアルミナ膜３は第１の絶縁膜、即ち、当該ＴＦＴではゲート絶縁膜となる。その後、i線用レジスト４を１μｍ塗布し１００℃で２分間焼成を行った（断面図：図２Ａ、平面図：図２Ｂ）。
【００４５】
尚、勿論、第１の絶縁膜３を堆積法等によって形成しても良い。以下の各実施例においても、同様である。
【００４６】
（２）ホトレジスト膜を所望形状（ＴＦＴの場合、ゲート電極の形状）に加工する。
即ち、ホトマスク５（本例ではゲートパターン用）を用いて、ホトレジスト４を高圧水銀灯からのi線６で露光した（断面図：図３Ａ、平面図：図３Ｂ）。基板を１００℃で２分間加熱し、テトラメチルアンモニウム２．３８ｗ％水溶液で現像を行なう。更に、水洗を施し、第１の電極のパターン（ゲート電極のパターンに相当）加工されたレジストパターン４を得た（断面図：図４Ａ、平面図：図４Ｂ）。
【００４７】
（３）この加工されたホトレジストパターンを用いて、前記第１の導電膜と前記第１の絶縁膜との積層体が、第１の電極２（ＴＦＴの場合、ゲート電極に相当する）と第１の絶縁膜３（ＴＦＴの場合、ゲート絶縁膜に相当する）の積層体に加工される。
即ち、テトラメチルアンモニウム２．３８ｗ％水溶液で、アルミナ層３とアルミニウム層２をウエットエッチングし、ゲートパターン形状を得た（断面図：図５Ａ、平面図：図５Ｂ）。
【００４８】
（４）前記第１の電極２の対向する一対の側壁に、第２の絶縁膜２１、２２が形成される。
即ち、パターン加工された第１の電極（本例ではアルミニウム層）２の側壁を陽極酸化した。こうして形成した第２の絶縁膜（本例では当該陽極酸化膜）２１、２２と基板１とに囲まれた第１の電極（本例ではアルミニウム）２のゲートパターンを得た（断面図：図６Ａ、平面図：図６Ｂ）。
【００４９】
（５）第２及び第３の電極領域と第１の電極パターン領域上に、当該第２及び第３の電極用材料（７、７１、７２）を塗布（即ち、印刷をも含む塗布）にて、パターンが形成される。
即ち、金属ナノ微粒子溶液を必要部にインクジェット法を用いて印刷を行い、１２０℃で２０分間加熱した（断面図：図７Ａ、平面図：図７Ｂ）。本例で用いた、金属ナノ微粒子は、ブタンチオレートで表面を保護した金ナノ微粒子をトルエン溶液に分散させたものを使用した。金属ナノ微粒子の金属核の粒径は平均４ｎｍであった。
【００５０】
（６）第１の電極２の上部のホトレジスト４を除去して、当該第１の電極上の第２及び第３の電極用材料７が、リフトオフによって除去される。こうして、第２及び第３の電極７１、７２が形成される。
即ち、テトラヒドロフランを用いて、レジスト４剥離を行うと共に、第１の電極２（本例ではゲート電極）の直上の金属７の剥離を行った（断面図：図８Ａ、平面図：図８Ｂ）。この時点での第２及び第３の電極（本例ではソース及びドレイン電極）７１、７２の高さは１００ｎｍであった。尚、図８Ａに見られるように、第２の絶縁膜２１、２２は、第１の電極２と、一対の第２及び第３の電極７１、７２との絶縁を図っている。
【００５１】
（７）塗布或いは印刷可能な半導体材料層が、前記第２及び第３の電極７１、７２間（本例では、ソース−ドレイン電極間）に、当該両電極７１、７２が半導体材料層８に接して、塗布（即ち、印刷をも含む塗布）される。
即ち、第１の電極２直上の、一対の第２及び第３の電極７１、７２の間に、有機半導体（Ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２、５−ｄｉｙｌ）Ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ）のクロロホルム５％溶液を用いインクジェット印刷法によりチャネル部となる半導体層８を印刷し、１２０℃５分間熱処理を行った（断面図：図９Ａ、平面図：図９Ｂ）。チャネル部となる半導体層８の厚さは、５μｍであった。
【００５２】
このトランジスタの移動度を求めたところ、０．０８５ｃｍ２／Ｖｓとなった。この値は、上下部両電極相互の位置ずれないと考えられる有機薄膜トランジスタの特性である。また、基板の反りや歪みも無く、パターン形成前とまったく同じ状態であった。
【００５３】
以下に、上記実施例の各部材を変更した例について説明する。
［ゲート電極材料について］
実施例１におけるアルミニウムを、タンタルにし、同様にトランジスタを作製したところ、移動度０．０８ｃｍ２／Ｖｓとなり、なんら遜色の無いトランジスタを得ることが出来た。
【００５４】
［基板について］
実施例１における基板を珪素化合物であるガラス基板とする以外は、全て実施例１と同様に行い有機薄膜トランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は、プラスチック基板と同等な０．１０５ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００５５】
実施例１における基板を表面をポリイミドコーティングした紙を用いたとする以外は、全て実施例１と同様に行い有機薄膜トランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は、プラスチック基板と同等な０．０９５ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００５６】
前述した例えば、基板としてのプラスチックフィルムが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエテールスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリカーボネイト、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネート等の場合も同様の効果を得ることができる。
【００５７】
［導電性材料について］
実施例１における金ナノ微粒子を銀ナノ微粒子に代える以外はすべて実施例１と同様に行いトランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０７７ｃｍ２／Ｖｓであった。白金ナノ微粒子を用いた場合、移動度は０．１ｃｍ２／Ｖｓ、銅ナノ微粒子の場合、移動度は０．０８ｃｍ２／Ｖｓとなり、金ナノ微粒子使用時と同等の性能となった。前記各種材料において、例えば金と銀の仕事関数の差による特性上の差異はあるが、十分本願発明の目的を達成することが出来る。これらの材料中、金ナノ微粒子は、性能上、或いは合成の容易さ、更には保存安定性の諸側面から、最も有利な材料である。さらに、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの水溶液を用いたところ、移動度が０．１１５ｃｍ２／Ｖｓとなり、同等の性能を得た。
【００５８】
金属ナノ微粒子材料の中心金属核として、金、銀、銅、白金、ニッケル、或いはパラジウムなどを用いても、十分本願発明の目的を達することが出来る。核として、これらの金属の一種類、もしくは複数種類が混合していても良い。
【００５９】
［半導体材料について］  
実施例１の（Ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２、５−ｄｉｙｌ）Ｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ）のクロロホルム溶液を、例えばエメラルディン塩をドープしたポリアニリン溶液に代える以外はすべて実施例１と同様に行い、トランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０５ｃｍ２／Ｖｓであった。こうした例も、十分本願発明の目的を達することが出来た。
【００６０】
又、実施例１の有機半導体をＰｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）/ｐｏｌｙ（ｓ，３−ｄｉｈｙｄｒｏｔｈｉｅｎｏ−［３，４−ｂ］−１，４−ｄｉｏｘｉｎ）の１．３ｗｔ％水溶液に変えてトランジスタを形成した。このトランジスタの移動度は０．０７８ｃｍ２／Ｖｓであった。この例はコスト的には若干有利である。
【００６１】
また、蒸着法を用いてペンタセンを使った場合は、移動度は０．１５ｃｍ２／Ｖｓとなった。この場合印刷法ではないが、一部分の置き換えのため、コスト的には大差が無かった。
【００６２】
また、半導体材料として、有機物ではなく、スパッタ成膜したＺｎＯを用いた場合、移動度４．０ｃｍ２／Ｖｓとなった。又、半導体材料として、ＩｎＧａＺｎＯ（インジウムガリウムジンクオキサイド）を用いた場合も、良好なＴＦＴを提供することが出来る。更に、シリコン含有半導体をも用いることが出来る。
【００６３】
更に、半導体材料として、上述したペンタセン、ルブレンに代表されるポリアセン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリエチレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリイソチアナフテン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導体、ポリアズレン誘導体、ポリピレン誘導体、ポリカルバゾール誘導体、ポリセレノフェン誘導体、ポリベンゾフラン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリインドール誘導体、ポリピリダジン誘導体、ポルフィリン誘導体、金属フタロシアニン誘導体、フラーレン誘導体、又、これらの繰り返し単位を２種類以上混合したポリマーもしくはオリゴマーなどの例を用いても良好なＴＦＴを提供することが出来る。
【００６４】
［絶縁膜について］  
実施例１の図２Ａ、２Ｂでアルミニウム上に形成する絶縁膜をエポキシ化ポリブタジエンの０．５％キシレン溶液を用いた場合、移動度は０．０９ｃｍ２／Ｖｓであった。この値は、実施例１の値とほぼ同等である。本例は、コスト的には若干有利である。
【００６５】
又、絶縁膜をポリヒドロキシスチレンの２％メチルアミルケトン溶液を用いた場合の移動度は０．０７ｃｍ２／Ｖｓであり、本発明の目的を達することが出来る。本例のポリヒドロキシスチレンは安価であり、安全溶剤のメチルアミルケトンが使用できるメリットがある。また、ポリイミドの３％メチルアミルケトン溶液を用いた場合の移動度は０．０７ｃｍ２／Ｖｓであり、本発明の目的を達することが出来る。
【００６６】
＜実施例２＞
本例は、実施例１と同様の手順で３×４のマトリックスにトランジスタを形成した例である。図１０Ａ、１０Ｂから図１６Ａ、１６Ｂまでに図示した。図番の末尾が「Ａ」である各図は平面図、図番の末尾が「Ｂ」である各図は上記平面図における線Ａ―Ａ’での断面図である。
【００６７】
本例は、多数のトランジスタを並置して形成する形態であるが、各トランジスタの形成方法は、複数のトランジスタが同一工程で形成され、且つそれらに必要な接続がなされる以外、実施例１と同様である。従って、ここでは、相違する点を中心に説明する。尚、本例において用いられる各部位の材料は実施例１と同様である。
【００６８】
（１）基板１上に、第１の導電膜（ゲート電極の材料膜）２と絶縁膜（加工後、ゲート絶縁膜となる）３とを積層し、その上にホトレジスト膜を形成する。ここで、前記絶縁膜３は前記第１の導電膜２の陽極酸化によった。図１０Ａ、１０Ｂがこの状態で、実施例１の図２Ｂ、２Ａの状態に相当する。
【００６９】
（２）ホトレジスト膜を所望形状（ゲート電極の形状）に加工する。
【００７０】
（３）この加工されたホトレジストパターン４を用いて、前記第１の導電膜と第１の絶縁膜との積層体が、第１の電極２（ゲート電極）と第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）３の積層体に加工される。
【００７１】
この例では、図１１Ａに見られるように、トランジスタの３×４のマトリックスに対応して、ホトレジスト膜４の形状は、４−ａ、４−ｂ、４−ｃの行と、４−１、４−２、４−３、４−４の列に対応して形成されている。更に、４−ｄの列は、必要に応じて、各行毎の接続などを行う部位が設けられている。
【００７２】
（４）前記第１の電極２の対向する一対の側壁に、第２の絶縁膜２１、２２が形成される（図１２Ａ、１２Ｂ）。本例においても、第２の絶縁膜２１、２２の形成は、第１の電極２の陽極酸化によった。
【００７３】
（５）第２及び第３の電極領域と第１の電極パターン領域上に、当該第２及び第３の電極用材料を塗布にて、半導体材料層７、７１、７２が形成される（図１３Ａ、１３Ｂ）。尚、列４−ｄの箇所はトランジスタが形成される箇所でないので、当然、半導体材料層は形成されない。
【００７４】
（６）第１の電極２上部のホトレジスト４を除去して、当該第１の電極２上の第２及び第３の電極用材料７が、リフトオフによって除去される。こうして、第２及び第３の電極７１、７２が形成される（図１４Ａ、１４Ｂ）。
【００７５】
（７）本例では、４本のゲート配線１１０と３本の第３の導電膜（ここでは、信号配線）１１１で１２個のトランジスタを結線している。尚、ゲート配線１１０は、直接図示されないが、上面図のゲート絶縁膜３の下部に存在するゲート電極２から延在する第１の導電膜で構成されている。
【００７６】
実施例１と異なる点は、図１５Ａで示したゲート配線１１０同士を分離する部分１２０を設けることと、第３の導電膜（ここでは、信号配線）１１１を用いて結線している点である。ゲート配線を分離する手順は、本実施例では、レーザー光照射により直接アルミニウム２を剥離した。レジストを全面塗布し、剥離する部分のみレーザー照射によりレジストを剥離し、アルカリ水溶液にてウエットエッチングを行っても良い。信号配線を形成する手順は、ソース・ドレイン電極を形成したものと同じ金ナノ微粒子溶液にて、ソース・ドレイン電極形成と同じ手順で作製した。各トランジスタ部の断面構造は図１５Ｂに示す通りで、実施例１のそれと、基本的に同様である。
【００７７】
（８）塗布或いは印刷可能な半導体材料層８が、前記第２及び第３の電極７１、７２間（ソース−ドレイン電極間）に塗布される（図１６Ａ、１６Ｂ）。
【００７８】
これらのトランジスタ一つ一つの性能を測定したところ、移動度が５％程度のばらつきであった。
【００７９】
尚、実施例２においても、実施例１において説明した、各部材の各種材料の変更によっても、本願発明の目的を十分達することが出来る。
【００８０】
＜実施例３＞
本例は、実施例１と同様の方法により有機半導体トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の２個を形成し、片方のトランジスタのゲート電極と他方のソース電極を結線した例である。図１７Ａ、１７Ｂから図２５Ａ、２５Ｂまでに製造方法を示した。図番の末尾が「Ｂ」である各図は平面図、図番の末尾が「Ａ」である各図は上記平面図における線Ａ―Ａ’での断面図である。本例によらず、本願発明においては、回路構成によって、トランジスタ相互の結線など種々の具体的形態を取り得ることはいうまでもない。
【００８１】
（１）基板１上に、第１の導電膜（ゲート電極の材料膜）２と絶縁膜（加工後、ゲート絶縁膜となる）３とを積層し、その上にホトレジスト膜を形成しする（断面図：図１７Ａ、平面図：図１７Ｂ）。この製法自体は実施例１と同様である。
【００８２】
（２）ホトレジスト膜を所望形状（ゲート電極の形状）に加工する。
【００８３】
即ち、ホトマスク５（本例ではゲートパターン用）を用いて、ホトレジスト４を高圧水銀灯からのi線６で露光した（断面図：図１８Ａ、平面図：図１８Ｂ）。基板を加熱し、ホトレジストの現像を行なう。更に、水洗を施し、第１の電極のパターン（ゲート電極のパターン）加工されたレジストパターン４を得た（断面図：図１９Ａ、平面図：図１９Ｂ）。
【００８４】
（３）この加工されたホトレジストパターン４を用いて、第１の導電膜２と絶縁膜３との積層体が、第１の電極（ゲート電極）と第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）の積層体に加工される（断面図：図２０Ａ、平面図：図２０Ｂ）。
【００８５】
（４）トランジスタの結線の為の第２の導電膜を形成する。
【００８６】
即ち、本実施例では、２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を結線するために、図２０Ｂに示すように金ナノ微粒子溶液にて、第４の導電膜（結線用補助パターン）９を形成している。金の場合、陽極酸化されないため、ゲート側壁の陽極酸化時（図２１Ａ、２１Ｂ）に、その表面は金属のままである。従って、図２４Ａ、２４Ｂに示す二つのトランジスタの結線を行うときにゲートからの引き出し電極として使用することができる。この第２の導電体層の形成方法は、前述の第１の導電体層の形成方法と同様で十分である。又、陽極酸化されない金属材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄなどをあげることができ、これら金属の微粒子溶液を、同じ目的に用いることが出来る。更には、前述したようにこれらの金属を含む導電性高分子溶液をも用いることが出来る。又、図では、第２の導電膜の形状が、上面が楕円形であるが、形状はこれに限定されるものでないことはいうまでもない。
【００８７】
（５）前記第１の電極２の対向する一対の側壁に、第２の絶縁膜２１、２２が形成される（図２１Ａ、２１Ｂ）。本例においても、第１の電極２の陽極酸化によった。
【００８８】
（６）第２及び第３の電極領域と第１の電極パターン領域上に、当該第２及び第３の電極用材料７、７１、７２が塗布される（図２２Ａ、２２Ｂ）。
【００８９】
（７）第１の電極２上部のホトレジスト４を除去して、当該第１の電極３上の第２及び第３の電極用材料４が、リフトオフによって除去される。こうして、第２及び第３の電極７１、７２が形成される（図２３Ａ、２３Ｂ）。この工程で、同時に第２の導電膜９の一部が除去されるが、当然、残存する第２の導電膜９と第１の導電膜２とは接続されている。
【００９０】
（８）第２の導電膜（結線用補助パターン）９を一方のトランジスタＴｒ１のゲート電極２から引き出し、他方のトランジスタＴｒ２の第２（或いは第３）の電極７１に、配線１２を用いて接続した。（図２４Ａ、２４Ｂ）
（９）塗布可能な半導体材料層８が、前記第２及び第３の電極間（ソース−ドレイン電極間）に塗布される（図２５Ａ、２５Ｂ）。
【００９１】
本実施例で作成した２つのトランジスタは、移動度が同じものが作製できた。
【００９２】
尚、実施例３においても、実施例１において説明した、各部材の各種材料の変更によっても、本願発明の目的を十分達することが出来る。
【００９３】
以上、本願発明を詳細に説明したが、有機半導体製造工程において、（１）印刷法により必要面積に必要材料を描き、（２）第１の電極と第２及び第３の電極の位置合わせの必要な部位は、第１の電極と第２及び第３の電極を自己整合して位置合せして作成する。この為、印刷法を用いて、絶縁膜を介して前記３つの電極が正確に位置合せされた電極基板を形成できる。加えて、本願発明の印刷法を用いれば最小限の面積に必要材料を用いるだけですみ、加えてゲートパターン用フォトマスク一枚だけで作製が可能となる。従って、製造コストが大幅に削減できる。
【００９４】
本願発明においては、すべての工程が低温形成できるため、基板がプラスチックなどのフレキシブルで、熱によって変形しえる熱可塑性を有する材質で形成されている場合にも、上部配線／電極を他の電極に対して自己整合して形成できる。このような基板は、例えば、フレキシブルな電子ペーパーのようなディスプレイを作る基板に好適である。
【００９５】
以上、本発明の上記各実施例によれば、ホトマスク１枚使用するだけで、第１の電極と、一対の第２及び第３の電極の、位置あわせの加工を実現することが出来る。そして、薄膜を用いた電界効果型トランジスタのゲート電極とソース・ドレイン電極のあわせを可能とする。そのため、上記各実施例の方法を用いて、塗布或いは印刷が可能な半導体材料を利用した電界効果型の薄膜トランジスタを提供することが出来る。更に、塗布或いは印刷が可能な半導体材料を用いることが可能でるとの観点から、上記各実施例はフレキシブル基板を用いることを可能とする。
【００９６】
このように、本発明の上記各実施例は、有機薄膜トランジスタ、酸化物トランジスタ、ならびに塗布或いは印刷可能な半導体材料をチャネル部に有する半導体装置の製造に用いて有用である。
【００９７】
以下、本願発明の主な形態を列挙すれば次の通りである。
（１）基板上に、第１の導電膜と絶縁膜とが積層される工程と、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程と、
加工された前記ホトレジスト膜を用いて、前記第１の導電膜と前記絶縁膜の積層体が、第１の電極と第１の絶縁膜との積層体に加工される工程と、
前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程と、
前記一対の側壁に形成された第２の絶縁膜の両側部及び前記第１の電極と前記第１の絶縁膜との積層体上に、第２及び第３の電極用の第２の導電膜（電極材料膜）を塗布或いは印刷によって形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上のホトレジスト膜が除去されて、当該第１の絶縁膜上の第２及び第３の電極用の第２の導電膜が除去され、前記第２及び第３の電極が形成される工程と、
前記第２及び第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って、塗布或いは印刷可能な半導体材料を、塗布或いは印刷によって半導体膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（２）前記第１の電極がゲート電極であり、前記第２及び第３の電極がソース或いはドレイン電極であり、前記第１の絶縁膜がゲート絶縁膜であることを特徴とする前項（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（３）前記第１の導電膜と絶縁膜とが積層される工程は、前記第１の導電膜が陽極酸化によって形成されることを特徴とする前項（１）〜（２）に記載の半導体装置の製造方法。
（４）前記第１の電極の一対の側壁に第２の絶縁膜が形成される工程は、前記第１の電極の一対の側壁が陽極酸化によって形成されることを特徴とする前項（１）〜（３）に記載の半導体装置の製造方法。
（５）前項（１）に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程では、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜がマトリクス条に複数個配置されて形成され、
且つ前記マトリクス条に配置の行又は列の、各半導体装置の第１の電極が前記第１の導電膜で接続されており、
且つ前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記マトリクス条に配置の列又は行の各半導体装置の、第２或いは第３の電極が第３の導電膜で接続する工程を有し、
前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この両側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、マトリクス条に複数個配置された形態を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（６）前項（１）に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記積層上に、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が形成される工程では、第１の電極に対応する前記ホトレジスト膜が少なくとも２つ配置されて形成され、
前記第１の電極と前記第１の絶縁膜との積層体に加工される工程の後に、前記２つの半導体装置の第１の半導体装置の前記積層体に接続する第４の導電膜を形成する工程、且つ、
前記第２及び第３の電極が形成される工程の後に、前記２つの半導体装置のうちの第１の半導体装置に接続する前記第４の導電膜と、前記２つの半導体装置のうちの第２の半導体装置の前記第２或いは第３の電極とを接続する第５の導電膜を形成する工程を有し、
前記第１の電極と、この上部の前記第１の絶縁膜と、前記第１の電極の一対の側面に形成された前記第２の絶縁膜と、この側部に設けられた前記第２及び前記第３の電極と、前記第２及び前記第３の電極に接し且つ前記第１の絶縁膜上を覆って設けられた前記半導体膜との組で構成される半導体装置が、少なくとも２つ配置された形態を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（７）前記第４の導電膜の形成は、塗布（印刷を含む塗布法）によって形成することを特徴とする前項（６）に記載の半導体装置の製造方法。当該第４の導電膜は陽極酸化されない材料であることが好ましい。
（８）前記塗布（印刷を含む塗布法）がなされる半導体材料が、有機半導体であることを特徴とする前項（１）〜（７）に記載の半導体装置の製造方法。
（９）前記塗布或いは印刷がなされる半導体材料が、酸化物半導体であることを特徴とする前項（１）〜（７）に記載の半導体装置の製造方法。
（１０）前記塗布（印刷を含む塗布法）がなされる半導体材料が、シリコン含有半導体であることを特徴とする前項（１）〜（７）に記載の半導体装置の製造方法。
（１１）前記塗布（印刷を含む塗布法）法が、インクジェット法、マイクロディスペンス法、転写法、スクリーン塗布・印刷法、スリットコート法、スプレーコート法、キャピラリコート法、ディップ法、回転塗布法のうち１種類、もしくは複数種類を使用することを特徴とする前項（１）〜（１０）に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明によるトランジスタ形成プロセスフローを示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図２Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図３Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図４Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図４Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図５Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図５Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図６Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図６Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図７Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図７Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図８Ａ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した図８Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図９Ａ】本発明の実施例１のトランジスタを有する半導体装置の製造工程順に示した図９Ｂの平面図の線Ａ―Ａ’での断面図である。
【図９Ｂ】本発明の実施例１のトランジスタを有する半導体装置の製造工程順に示した平面図である。
【図１０Ａ】本発明の実施例２のトランジスタを有する半導体装置の製造工程順に示した平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施例２のトランジスタを有する半導体装置の製造工程順に示した図１０Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１１Ａ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した図１１Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１２Ａ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図１２Ｂ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した図１２Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１３Ａ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図１３Ｂ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した図１３Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１４Ａ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した平面図である。
【図１４Ｂ】本発明の実施例２のトランジスタの製造工程順に示した図１４Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１５Ａ】本発明の実施例２の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施例２の配線基板の製造工程順に示した図１５Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１６Ａ】本発明の実施例２の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図１６Ｂ】本発明の実施例２の配線基板の製造工程順に示した図１６Ａの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１７Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図１７Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１７Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図１８Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図１８Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図１９Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図１９Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図１９Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２０Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２０Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２０Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２１Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２１Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２１Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２２Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２２Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２２Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２３Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２３Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２３Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２４Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２４Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２４Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【図２５Ａ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した図２５Ｂの平面図の線Ａ−Ａ’での断面図である。
【図２５Ｂ】本発明の実施例３の配線基板の製造工程順に示した平面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１：基板、２：第１の導電膜（加工後、例えば、第１の電極（ゲート電極））、３：第１の絶縁膜（例えば、ゲート絶縁膜）、４：レジスト、５：ゲートパターン形成用ホトマスク、６：露光光、７：第２の導電膜、８：半導体膜、９：第４の導電膜（例えば、配線用補助パターン）、１２：第５の導電膜（例えば、配線）、２１、２２：第２の絶縁膜、７１、７２：第２及び第３の電極（例えば、ソース及びドレイン電極）、１１０：ゲート配線、１１１：第３の導電膜（例えば、信号配線）、１２０：分離部。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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