(57)【要約】【課題】  垂直磁気ヘッド及び垂直磁気記憶装置に関し、微細加工を必要としない簡単な磁気記憶ヘッドの構成によりポールイレーズを抑制する。【解決手段】  複数のリード素子の内の第１のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置中心からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置する。【選択図】          図１
2009217911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリード素子を備えた垂直磁気ヘッドであって、前記複数のリード素子の内の第１のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッド。
【請求項２】
前記リード素子が３個であり、前記３個のリード素子の内の第２のリード素子の前記第１のリード素子に対するずれ方向が、前記３個のリード素子の内の第３のリード素子の前記第１のリード素子に対するずれ方向と反対側である請求項１記載の垂直磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置。
【請求項４】
前記垂直磁気ヘッドを構成するライト素子の中心位置が、記憶再生時に前記磁気記憶媒体のガードバンド上に位置するように制御する制御機構を備えた請求項３記載の垂直磁気記憶装置。
【請求項５】
前記磁気記憶媒体としてパターンド媒体を用いた請求項３または４に記載の磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気ヘッド及び垂直磁気記憶装置に関し、特に、記録後の主磁極の残留磁化によるイレーズ（ポールイレーズ）を抑制するための構成に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種の情報機器の記録手段として磁気記憶装置が使用されているが、このような、磁気記録に対する高密度記録化の要請に応えるために、磁気記録ヘッドとして、垂直磁気記録ヘッドを用いた垂直磁気記憶装置が開発されている。
【０００３】
従来の垂直磁気記憶装置では、記録後に主磁極の磁化方向が一様に揃ったまま保持されることにより、記録動作を行わない場合でも、例えば、再生時に磁気記録ヘッドがトラック上を移動するために、主磁極の残留磁化によりイレーズが発生する。
このため、再生時のポールイレーズを抑えることが課題であった。
【０００４】
また、ポールイレーズは、高密度化に伴う記録ヘッドの狭コア幅化により交換結合力の影響が増加し、磁化が揃い安くなるため、このような、主磁極の残留磁化によるポールイレーズがより深刻になると予想されている。
【０００５】
そこで、このようなポールイレーズを抑制するためには、各種の提案がなされている（例えば、特許文献１或いは特許文献２参照）。
一例を挙げれば、記録後にライトコイルに消磁電流を流し主磁極の磁化を消磁する方法が提案されている。
【０００６】
或いは、磁気記録ヘッドの主磁極を多層構造とすることにより、磁性層間の静磁気的あるいは反強磁性的な結合により、磁化を反平行にする方法が提案されている。
さらには、主磁極の形状を考慮することによってポールイレーズを抑制することも提案されている。
【特許文献１】特開２００７−３１１０１３号公報
【特許文献２】特開２００７−２６５５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、記録後にライトコイルに消磁電流を流し主磁極の磁化を消磁する方法の場合には、消磁のために余分な操作が必要になるとともに、消費電力が増大するという問題があり、特に、電池で駆動する携帯情報機器の場合にはその影響が大きくなる。
【０００８】
また、主磁極の多層構造化による抑制方法の場合には、製造工程が増加し、製造コストが上昇するという問題がある。
さらに、主磁極の形状を考慮しただけでは、記録ビットが微小化して記憶密度が高まった場合に、充分なポールイレーズ抑制効果を得ることが困難である。
【０００９】
したがって、本発明は、微細加工を必要としない簡単な磁気記録ヘッドの構成によりポールイレーズを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、前記複数のリード素子の内の第１のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッドが提供される。
【００１１】
また、本発明の他の観点によれば、上記の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の垂直磁気記録ヘッド及び垂直磁気記憶装置によれば、複数のリード素子をライト素子に対してずらして配置するだけで、微細加工技術を要することなく、ポールイレーズを抑制することが可能になる。
【００１３】
この時、第１のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分、具体的には、１／２±５％ずらして配置することによって、再生時或いはシーク時にライト素子をガードバンド上に位置させることができる。
【００１４】
特に、磁気記憶媒体として、パターンド媒体を用いた場合には、トラック間のガードバンドを広く取ることができるために、ポールイレーズを効果的に抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
ここで、図１及び図２を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の実施の形態の磁気記録ヘッドの概念的構成図であり、磁気記憶媒体との関連で示しており、図１（ａ）は再生時におけるスキュー角が０°の場合のライト−リード配置図であり、図１（ｂ）は、再生時におけるスキュー角が１５°の場合のライト−リード配置図である。
なお、図１（ｂ）は、Ｗ2 とθの関係が分かりやすいように、磁気記憶媒体の部分は簡略化して示している。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、この複合型薄膜磁気ヘッドは、一つのライト素子１０と複数のリード素子から構成され、ここでは、２つのリード素子２１，２２の場合を示している。
図に示すように、リード素子２２は、下部磁気シールド層２３と中間磁気シールド層２４との間に挟まれ、また、他方のリード素子２１は、中間磁気シールド層２４と上部磁気シールド層２５との間に挟まれた構造となっている。
なお、各磁気シールド層は、リード素子２１，２２にセンス電流を流す電極を兼ねるものであり、中間磁気シールド層２４は電気的に二層に分離されたものでも良い。
また、ライト素子１０は、リード素子２１と反対側にリターンヨーク１１を備えている。
【００１７】
この場合、リード素子２１は、スキュー角が０°の場合に、その中心線がライト素子１０の中心線に対してＷ1 がトラック幅Ｔｗの略半分となるずれた位置に設ける。その結果、再生時に、ライト素子２１を磁気記憶媒体３０に設けた記録ビット３１からなるトラック３２1 上に位置させると、ライト素子１０がガードバンド３３の上に位置することになる。
なお、リード素子２１ならびライト素子の製造プロセスにおける製造バラツキを考慮すると、±５％程度の配置バラツキは許容されるものである。
【００１８】
一方、他方のリード素子２２は、ライト素子１０の中心線に対してリード素子２１とは反対側にＷ2 だけずれた位置に設ける。
この時、図１（ｂ）示すように、最大スキュー角がθの場合に、リード素子２２の中心線が同じトラック３２1 上に位置するようにずらす必要がある。
【００１９】
ここで、ライト素子１０とリード素子２２との距離をＬ（＝Ｌ1 ＋Ｌ2 ）とすると、Ｗ2 は、
Ｗ2 ＝Ｌ2 ×ｔａｎθ＝（Ｌ−Ｌ1 ）×ｔａｎθ
となる。
Ｌ1 ＝（Ｔw ／２）／ｓｉｎθ
であるので、
Ｗ2 ＝Ｌ×ｔａｎθ−（Ｔw ／２）／ｃｏｓθ                    ・・・（１）
となる。
したがって、最大スキュー角を１５°に設計する場合には、リード素子２２の中心線をライト素子１０の中心線からＷ2 ＝｛Ｌｔａｎ１５°−（Ｔw ／２）／ｃｏｓ１５°｝だけずらして配置すると、リード素子２２の中心位置での再生ができる。
【００２０】
なお、再生時には、スキュー角が磁気記憶媒体におけるトラック位置とともに変動しても、常にライト素子の中心がガードバンド３３の中心に位置するように制御する機構を設ける。
この場合のオフトラックのマージンを考慮すると、リード素子２１の中心線をライト素子１０の中心線に対してトラック幅Ｔｗの１／２だけずらす場合に、±５％程度の誤差が許容される。
【００２１】
スキュー角θが小さい場合はリード素子２１で再生し、スキュー角が大きい場合は、リード素子２２で再生する。
【００２２】
また、最大スキュー角を１５°に設定した場合、ライト素子２２のずれ量Ｗ2 を、例えば、θ＝１１°に設定することによって、リード素子２１でスキュー角０°〜７．５°の範囲を再生し、リード素子２２でスキュー角７．５°〜１５°の範囲を再生するように切り替えても良い。
この時、リード素子２１とリード素子２２との切り替えは、スキュー角は再生するトラックの位置で決まっているので、再生するトラックの位置に応じて切り替えることになる。
【００２３】
次に、図２を参照して、スキュー角が負の場合の対応を説明する。
図２は、リード素子を３つ設けた場合の磁気記録ヘッドの概念的構成図であり、磁気記憶媒体との関連で示しており、図２（ａ）は再生時におけるスキュー角が０°の場合のライト−リード配置図であり、図２（ｂ）は、再生時におけるスキュー角が−１５°の場合のライト−リード配置図である。
なお、図２（ｂ）は、Ｗ3 とφの関係が分かりやすいように、磁気記憶媒体の部分は簡略化して示している。
【００２４】
図２（ａ）に示すように、図１の場合と同様に、リード素子２１は、スキュー角が０°の場合に、その中心線がライト素子１０の中心線に対してトラック幅Ｔｗの１／２ずれた位置に設ける。その結果、再生時に、ライト素子２１を磁気記憶媒体３０に設けた記録ビット３１からなるトラック３２1 上に位置させると、ライト素子１０がガードバンド３３の上に位置することになる。
なお、リード素子２１及びリード素子２２の位置関係は図１の場合と同様である。第３のリード素子２６を最下部磁気シールド層２７と下部磁気シールド層２３との間に挟み込むように設ける。
【００２５】
一方、第３のリード素子２６は、最下部磁気シールド層２７と下部磁気シールド層２３との間に挟み込むように設けるものであり、ライト素子１０の中心線に対してリード素子２１と同じ側にＷ3 だけずれた位置に設ける。
この時、図２（ｂ）に示すように、負側の最大スキュー角がφの場合に、第３のリード素子２６の中心線が同じトラック３２1 上に位置するようにずらす必要がある。
【００２６】
ここで、ライト素子１０とリード素子２２との距離をＬとすると、Ｗ3 は、
Ｗ3 ＝Ｌ×ｔａｎφ＋（Ｔw ／２）／ｃｏｓφ        ・・・（２）
となる。
したがって、負側の最大スキュー角を１５°に設計する場合には、第３のリード素子２６の中心線をライト素子１０の中心線からＷ3 ＝Ｌ×ｔａｎ１５°＋（Ｔw ／２）／ｃｏｓ１５°だけずらして配置すると、第３のリード素子２６の中心位置での再生ができる。
【００２７】
また、負側の最大スキュー角を−１５°に設定した場合、ライト素子２６のずれ量Ｗ3 を、例えば、φ＝１１°に設定することによって、リード素子２１でスキュー角０°〜−７．５°の範囲を再生し、リード素子２６でスキュー角−７．５°〜−１５°の範囲を再生するように切り替えても良い。
【実施例１】
【００２８】
以上を前提として、次に、図３を参照して本発明の実施例１の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
なお、電解メッキ工程におけるメッキベース層については図示を省略する。
図３は、本発明の実施例１の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図であり、図３（ａ）は概略的要部正面図であり、また、図３（ｂ）は、正面図におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
まず、スライダーの母体となる、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜（いずれも図示を省略）を介して下部磁気シールド層４１を設け、この下部磁気シールド層４１上にＴＭＲ膜４３を設けるとともに、ＴＭＲ膜４３の側面にＡｌ2 Ｏ3 膜（図示を省略）を介して磁区制御膜４４を設けて第２オフセットリード素子４２を形成する。
【００２９】
この場合の第２オフセットリード素子４２のライト素子を構成する主磁極先端部に対するオフセット量Ｗ2 は、上述のように、後述するライト素子を構成する主磁極先端部との距離をＬとし、最大スキュー角を１５°した場合に、例えば、θ＝１１°に設定して、Ｗ2 ＝｛Ｌｔａｎ１１°−（Ｔw ／２）／ｃｏｓ１１°｝とする。
また、ＴＭＲ膜４３は、例えば、Ｔａ膜／反強磁性層／ピンド層／トンネル絶縁膜／フリー層を順次積層した構成とし、また、磁区制御膜４４はＣｏＣｒＰｔ等で構成する。
【００３０】
次いで、所定形状に加工した第２オフセットリード素子４２をＡｌ2 Ｏ3 膜４５で埋め込んで平坦化したのちＴＭＲ膜４３の上部電極になる第１中間磁気シールド層４６を設ける。
【００３１】
次いで、第１中間磁気シールド層４６上に絶縁分離用のＡｌ2 Ｏ3 膜４７を介して第２中間磁気シールド層４８を設ける。
次いで、第２中間磁気シールド層４８上にＴＭＲ膜５０を設けるとともに、ＴＭＲ膜５０の側面にＡｌ2 Ｏ3 膜（図示を省略）を介して磁区制御膜５１を設けて第１オフセットリード素子４９を形成する。
【００３２】
この場合の第１オフセットリード素子４９のライト素子を構成する主磁極先端部に対するオフセット量Ｗ1 は、上述のように、使用する磁気記憶媒体のトラック幅Ｔw の１／２に設定する。
また、ＴＭＲ膜５０も、例えば、Ｔａ膜／反強磁性層／ピンド層／トンネル絶縁膜／フリー層を順次積層した構成とし、また、磁区制御膜５１はＣｏＣｒＰｔ等で構成する。
【００３３】
次いで、所定形状に加工した第１オフセットリード素子４９をＡｌ2 Ｏ3 膜５２で埋め込んで平坦化したのち、上部磁気シールド層５３を設ける。
この上部磁気シールド層５３はＴＭＲ膜５０の上部電極になり、また、第２中間磁気シールド層４８はＴＭＲ膜５０の下部電極になる。
【００３４】
次いで、上部磁気シールド層５３上にＡｌ2 Ｏ3 膜５４を全面に設けたのち、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜５４上に厚さが１〜３μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅからなる主磁極補助層５５を設ける。
【００３５】
次いで、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰを用いて平坦化することによって、ヘッド媒体対向面側の凹部をＡｌ2 Ｏ3 埋込層５６で埋め込む。
次いで、選択電解メッキ法を用いて全面に厚さが２００〜３００ｎｍ、例えば、２５０ｎｍの主磁極となるＣｏＮｉＦｅ層５７を形成する。
【００３６】
次いで、レジストパターン（図示を省略）をマスクとして傾斜方向からＡｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによってＣｏＮｉＦｅ層５７及びＡｌ2 Ｏ3 埋込層５６の先端部を選択的に除去して断面形状が逆台形状の主磁極先端部５８を形成する。
【００３７】
次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰを用いて平坦化することによって、Ａｌ2 Ｏ3 埋込層５９を形成する。次いで、スパッタリング法を用いて厚さが、例えば、１０〜１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させてギャップ層６０とする。
【００３８】
次いで、選択電解メッキ法を用いてギャップ層６０上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状のライトコイル６１を形成したのち、ライトコイル６１を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜６２とする。
【００３９】
次いで、再び、選択電解メッキ法を用いてＮｉＦｅ層を堆積させ、被覆絶縁膜６２上に堆積したＮｉＦｅ層をリターンヨーク６３とし、被覆絶縁膜６２のヘッド媒体対向面側の側面に堆積したＮｉＦｅ層をトレーリングシールド６４とする。
なお、ライトコイル６１は主磁極とリターンヨーク６３とを磁気的に接続する接続部６５を中心として巻回した構造となっている。
【００４０】
最後に、全体をＡｌ2 Ｏ3 膜（図示は省略）で被覆したのち、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにＡＢＳ面を研磨することによって、本発明の実施例１の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。
【００４１】
このように、本発明の実施例１の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、オフセット方向が互いに異なる２つのリード素子を設けているので、再生時或いはシーク時にライト素子を常にガードバンド上に位置させた状態でトラックに対する記録再生が可能になる。
【実施例２】
【００４２】
次に、図４及び図５を参照して、本発明の実施例２の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体を説明する。
なお、各処理は基板の両面に対して行うものであるが、ここでは図示を簡単にするためには、片面の構成のみ説明する。
【００４３】
まず、図４（ａ）に示すように、例えば、ガラス基板７１上に、ＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる裏打層７２を形成したのち、裏打層７２上に厚さが、例えば、５ｎｍの磁性層７３を堆積させる。
この場合の磁性層７３は、Ｆｅ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｐｄの２種類以上の元素を含むものとし、例えば、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子磁性層で構成する。
【００４４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ナノインプリント技術により、例えば、Ｔａからなるとともに、厚さが、例えば、１〜１０ｎｍの金属マスク７４のパターンを作製する。
金属マスクの作製方法は、金属マスク、レジストの順序で積層し、スタンパを押し当ててレジストにパターンを転写する。その後、エッチングにより金属マスクにパターンを転写し、最後にレジストを除去する。
この場合の金属マスク７４のサイズは、記録ビットのサイズに対応するものであり、例えば、媒体全面とし、また、そのピッチは１０〜５０ｎｍとする。
【００４５】
次いで、図４（ｃ）に示すように、金属マスク７４をマスクとして、Ａｒ，Ｏ，Ｎ、例えば、Ａｒイオン７５を１×１０15〜１×１０17ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入することによって、注入領域をアモルファス化して非磁性領域７６を形成する。
この時、磁性体のままの領域はドット状の記録ビット７７となる。
【００４６】
次いで、図４（ｄ）に示すように、金属マスク７４を除去したのち、ナノインプリント技術により、例えば、Ｔａからなるとともに、厚さが、例えば、１〜１０ｎｍの金属マスク７８のパターンを作製する。
この場合の金属マスク７８は、記録ビット７７の位置に対応するとともに、記録ビット７７のサイズより小さなサイズの開口部７９を有している。
この場合の開口部７９のサイズは、高保磁力領域の枠の寸法が、記録ビット７７の長さ及び幅の内の小さい方の寸法の２０％〜４０％になるように設定する。
したがって、低保磁力領域のサイズは、記録ビット７７のサイズに対して、３６％（＝０．６×０．６）〜４％（＝０．２×０．２）となる。
【００４７】
次いで、図４（ｅ）に示すように、金属マスク７８をマスクとして、Ａｒ，Ｏ，Ｎ、例えば、Ａｒイオン８０をイオン注入することによって、注入領域を低保磁力領域８１とする。
この場合の低保磁力領域８１の保磁力が、保磁力が元のままの高保磁力領域８２の保磁力の８０〜９０％に低下するようにドーズ量を設定する。
【００４８】
これは、ドット状の記録ビット７７を構成する材料として、反転磁界が少なくてすむＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）媒体を用いることを前提とした場合である。
したがって、反転磁界の低下分相当を、ドット状の磁気ビット７６の内部を保磁力が互いに異なった構造とすることで作製している。
【００４９】
次いで、図５に示すように、金属マスク７８を除去することによって、ビットパターンド媒体の基本構造が完成する。ビットパターンド媒体の製造工程として、金属マスクを用いる方が望ましいが、金属マスクを用いず、レジストのみとしても良い。
なお、図５（ａ）は概略的要部断面図であり、また、図５（ｂ）は概略的要部平面図であり、記録ビット７７の列がトラック８３を構成し、トラック８３の間の非磁性領域７６がガードバンド８４になる。
以降は、必要に応じて、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等の保護膜を設けたのち、パーフルオロカーボン系の潤滑剤を塗布することによって、ビットパターンド媒体が完成する。
【００５０】
本発明のビットパターンド媒体を用いることにより、ポールイレーズを抑制できるため、媒体の保磁力を低く設定できる。
即ち、ビットパターンド媒体の構造として、ガードバンドに近いビットの周辺部はライト素子の主磁極先端部がかかる可能性があるため保磁力を高いままの高保磁力領域とし、中心部はポールイレーズ発生の懸念がないため、保磁力を低く設定した低保磁力領域とする。  これにより、ビットの書き込みが容易になるメリットが得られる。
【実施例３】
【００５１】
次に、図６を参照して、本発明の実施例３の垂直磁気記憶装置を説明するが、この磁気ディスク装置は上述の実施例１の垂直記憶用複合型薄膜磁気ヘッド及び実施例２のバタンド媒体を搭載したものである。
図６は、本発明の実施例３の磁気ディスク装置の平面図であり、磁気ディスク装置９０は、スピンドルモータ９１の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング９２によって固定された上述の実施例２に記載したパターンド媒体からなる磁気ディスク９３、磁気ディスク９３に書き込まれた磁気情報を読み取るとともに、磁気ディスク９３に磁気情報を書き込む実施例１に記載した垂直記憶用複合型薄膜磁気ヘッドを備えたスライダー９４、スライダー９４の先端部に取り付けた微動アーム９５、微動アーム９５を駆動する一対の圧電アクチュエータ（図示を省略）、微動アーム９５を軸９６により揺動支持するとともに磁気ディスク装置９０のシャーシ９７に回動可能に支持されたベースアーム９８、ベースアーム９８を駆動する電磁アクチュエータ９９によって構成される。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態及び各実施例を説明してきたが、本発明は実施の形態及び各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能である。例えば、上記の実施例３においては、実施例２で説明したビットパターンド媒体を搭載することを前提としているが、ビットパターンド媒体に限られるものではなく、例えば、トラックがパターンとして分離されたディスクリート媒体を用いても良い。
【００５３】
さらに、本発明は、ビットパターンド媒体やディスクリート媒体に限られるものではなく、通常の連続媒体にも適用されるものであり、この場合も、再生時或いはシーク時に、ライト素子の中心が常にガードバンド上に位置するように制御すれば良い。
但し、連続媒体では、ガードバンド幅が狭いため、再生時に記録ヘッドをガードバンド上に退避させても、データ上に主磁極が残る領域が大きいため、パターンド媒体に比べて効果は小さくなるが、有効である。
【００５４】
また、スキュー角が負の場合に、図１（ｂ）の場合には、第３のリード素子を用いているが、負のスキュー角が小さい場合は、第３のリード素子を設けることなく、第１のリード素子（２１）で対応するようにしても良い。
【００５５】
また、ヒータ加熱によりスライダーの浮上量を制御するＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｆｌｙｉｎｇ  Ｈｅｉｇｈｔ）ヘッドの場合には、記録、再生時以外でライト素子がトラック上を横断する場合には、ＤＦＨのヒータをＯＦＦにして使用することによりヘッドの浮上量を上げ、ライトヘッドがトラックを横切る場合のポールイレーズを抑制するようにしても良い。
【００５６】
また、オフセットリード素子を３個配置する場合に、ライト素子に対してトラック幅の１／２だけ位置をずらす基準となる第１のオフセットリード素子を主磁極に近い側に配置しているが、中段或いは下段のオフセットリード素子を基準としても良いものである。
【００５７】
以上の実施例１乃至実施例３を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）  複数のリード素子を備えた垂直磁気ヘッドであって、前記複数のリード素子の内の第１のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置した垂直磁気ヘッド。
（付記２）  前記リード素子が３個であり、前記３個のリード素子の内の第２のリード素子の前記第１のリード素子に対するずれ方向が、前記３個のリード素子の内の第３のリード素子の前記第１のリード素子に対するずれ方向と反対側である付記１記載の垂直磁気ヘッド。
（付記３）  付記１または２に記載の垂直磁気ヘッドと磁気記憶媒体を搭載した垂直磁気記憶装置。
（付記４）  前記垂直磁気ヘッドを構成するライト素子の中心位置が、記録再生時に前記磁気記憶媒体のガードバンド上に位置するように制御する制御機構を備えた付記３記載の垂直磁気記憶装置。
（付記５）  前記磁気記憶媒体としてパターンド媒体を用いた付記３または４に記載の磁気記憶装置。
（付記６）  前記パターンド媒体が、非磁性領域に囲まれたドット状記録部の中心部を前記ドット状記録部の周辺部に比べて低保磁力にした付記５記載の垂直磁気記憶装置。
（付記７）  前記ドット状記録部の中心部の保磁力を、前記ドット状記録部の周辺部の保磁力より１０〜２０％低減した付記６記載の垂直磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態の磁気記録ヘッドの概念的構成図である。
【図２】リード素子を３つ設けた場合の磁気記録ヘッドの概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例１の垂直記憶複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。
【図４】本発明の実施例２の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施例２の垂直磁気記憶装置に搭載するビットパターンド媒体の図４以降の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例３の磁気ディスク装置の平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  ライト素子
１１  リターンヨーク
２１，２２  リード素子
２３  下部磁気シールド層
２４  中間磁気シールド層
２５  上部磁気シールド層
２６  第３のリード素子
２７  最下部磁気シールド層
３０  磁気記憶媒体
３１  記録ビット
３２1,３２2   トラック
３３  ガードバンド
４１  下部磁気シールド層
４２  第２オフセットリード素子
４３  ＴＭＲ膜
４４  磁区制御膜
４５  Ａｌ2 Ｏ3 膜
４６  第１中間磁気シールド層
４７  Ａｌ2 Ｏ3 膜
４８  第２中間磁気シールド層
４９  第１オフセットリード素子
５０  ＴＭＲ膜
５１  磁区制御膜
５２  Ａｌ2 Ｏ3 膜
５３  上部磁気シールド層
５４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
５５  主磁極補助層
５６  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
５７  ＣｏＮｉＦｅ層
５８  主磁極先端部
５９  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
６０  ギャップ層
６１  ライトコイル
６２  被覆絶縁膜
６３  リターンヨーク
６４  トレーリングシールド
６５  接続部
７１  ガラス基板
７２  裏打層
７３  磁性層
７４  金属マスク
７５  Ａｒイオン
７６  非磁性領域
７７  記録ビット
７８  金属マスク
７９  開口部
８０  Ａｒイオン
８１  低保磁力領域
８２  高保磁力領域
８３  トラック
８４  ガードバンド
９０  磁気ディスク装置
９１  スピンドルモータ
９２  ディスククランプリング
９３  磁気ディスク
９４  スライダー
９５  微動アーム
９６  軸
９７  シャーシ
９８  ベースアーム
９９  電磁アクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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