(57)【要約】【課題】基板上に絶縁シートをビルドアップにより形成される多層配線回路基板に、残留スミアが少ないビアホールを開設する。【解決手段】基板上に絶縁膜２を介して形成された第１配線６を被覆する第１絶縁膜３ａを形成し、第１絶縁膜３ａに第１配線６を表出する第１開口３ａ−１を形成する。次いで、第１絶縁膜３上に第１開口３ａ−１を蓋するように第２絶縁層３ｂを貼着し、第１開口３ａ−１直上の第２絶縁層３ｂに第２開口３ｂ−１を形成する。次いで、第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１にビアを形成する。第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１を各別に形成するので、開口時の開口のアスペクト比が小さく、スミアが少なくかつ容易にデスミアされる。このため、信頼性の高いビアが形成される。【選択図】図３
2009200151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配線を形成する工程と、
前記基板上に前記配線を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に前記配線を表出する第１開口を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第１開口上を覆うように第２絶縁層を貼着する工程と、
前記第１開口の直上の前記第２絶縁層に第２開口を形成する工程と、
前記第１及び第２開口内に、前記配線と接続するビアを形成する工程とを有する回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１開口を形成した後、前記第２絶縁層の貼着前に、前記第１開口内をデスミア処理する工程と、
前記第２開口を形成した後、前記ビアの形成前に、前記第２開口内をデスミア処理する工程とを有することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記ビアの形成工程は、前記第１及び第２開口の表面を被覆する導電膜からなるシード層を形成する工程と、
前記シード層を電極とする電解めっきにより前記シード層上にめっき金属層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１又は２記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
基板上に配線を形成する工程と、
前記基板上に前記配線を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に前記配線を表出する第１開口を形成する工程と、
前記第１開口内に、前記配線と接続する第１ビアを形成する工程と、
前記第１絶縁層上に前記第１ビアを覆うように第２絶縁層を貼着する工程と、
前記第２絶縁層に前記第１ビアの上面を表出する第２開口を形成する工程と、
前記第２開口内に、前記第１ビアと接続する第２ビアを形成する工程とを有し、
前記第１開口の直径の０．６倍以下の厚さの前記第１絶縁層と、前記第２開口の直径の０．６倍以下の厚さの前記第２絶縁層とを用いた回路基板の製造方法。
【請求項５】
基板上に形成された配線と、
前記配線及び前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に貼着された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成され、前記配線を表出するアスペクト比が０．６以下の第１開口と、
前記第１開口直上の前記第２絶縁層に形成され、前記第１開口の上面より小さな底面を有しかつ上面から底面に向けて直径が減少する第２開口と、
前記第１開口及び前記第２開口内に形成された前記配線と接続するビアとを有する回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高アスペクト比を有するビアが形成された回路基板及びその製造方法に関し、とくにビアホール内のスミアに起因するビアの強度劣化及び導電不良が少ない回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を収容するパッケージのインターポーザあるいは半導体素子を搭載するマザーボードには、多層配線を備えた回路基板が多く用いられている。これらの回路基板は、有機樹脂からなる絶縁シートを絶縁層として一層づつ積層し、一層の絶縁層を積層するごとに絶縁層を貫通するビア及び絶縁層上の配線を形成するビルドアップ工法により製造されることが多い。
【０００３】
近年、半導体回路の高集積の進行に伴い回路配線の配線ピッチが短縮され、これらの配線間を接続するビアも細くかつ高密度に形成されるようになってきた。しかし、配線層間を分離する絶縁層、例えば絶縁シートの厚さは、ビアの直径又はピッチの縮小程には薄くならない。このため、ビアのアスペクト比が大きくなり、ビア形成のために絶縁層に形成されるビアホールのアスペクト比も大きくなっている。
【０００４】
しかし、ビアホールの形成工程において、ビアホールの内部に、デスミア処理後にもスミアが残留することがある。スミアは、レーザ加工を用いて有機材料からなる絶縁層にビアホールを形成したとき、変質した有機材料がビアホール内に付着して生成する。このスミアは、アスペクト比が大きなビアホールでとくに発生し易い。しかも、アスペクト比が大きいためにデスミア処理によっても容易に除去されない。かかるスミアが残留するビアホール内にビアを形成すると、ビアの導電不良あるいはビアの剥離強度の低下を招き、ビアの信頼性が損なわれる。
【０００５】
図８は従来の回路基板断面図であり、２段に積み重ねられたビアを表している。以下、その製造工程を説明する。
【０００６】
図８を参照して、回路基板を構成する絶縁層１０１上に配線１０２が形成され、その上に有機樹脂をベースとする絶縁シートからなる絶縁層１０３が貼着される。絶縁層１０３にはビアホール１０３−１がレーザ加工により形成され、そのビアホール１０３−１内を埋め込むシード層１０５ａ及びそのシード層１０５ａ上に電解めっきにより形成されためっき金属層１０５ｂからなるビア１０５が形成される。
【０００７】
絶縁層１０３及びビア１０５を被覆するように有機樹脂をベースとする絶縁シートからなる絶縁層１０４が貼着され、ビア１０５上にレーザ加工によりビアホール１０４−１が形成される。そして、ビアホール１０４−１内を埋め込むシード層１０６ａ及びそのシード層１０６ａ上に形成されためっき金属層１０６ｂからなるビア１０６が形成される。これにより、２層の絶縁層１０３、１０４を貫通する深い、即ちアスペクト比が大きな１個のビアが形成される。（例えば特許文献１参照。）。
【０００８】
しかし、絶縁層１０３、１０４は、それぞれ通常の層間絶縁層の厚さを有し、従って、ビアホール１０３−１、１０４−１は、それぞれ通常のビアホール程度の大きさのアスペクト比を有する。このため、ビアホール１０３−１、１０４−１の底面にデスミア処理により除去されなかったスミア１２１、１２０が残ることがある。これらのスミア１２１、１２０は、導電不良及び接着不良を引き起こし、ビアの信頼性を損なう。
【０００９】
かかる厚い絶縁シートを用いることなく、層間絶縁層の１／Ｎ（Ｎは自然数）の厚さを有するＮ枚の絶縁シートのそれぞれに予め開口を形成し、開口が重なるようにＮ枚の絶縁シートを積層して厚い層間絶縁層を形成する回路基板の製造方法が知られている。（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
この回路基板の製造方法では、各絶縁シートに形成される開口のアスペクト比が小さく、かつ、レーザ加工による開口はフィルム状の絶縁シートに対してなされるから、開口内に付着するスミアが少なく、また発生したスミアはデスミア処理により容易に除去される。従って、スミアの少ない信頼性の高いビアが形成される。
【特許文献１】特開２００１−１５６４５５号公報
【特許文献２】特開２０００−３１２０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、基板上に形成された絶縁層、例えば絶縁シートにビアホールを形成し、そのビアホール内にビアを形成する従来の回路基板の製造方法では、絶縁層の厚さに対してビアホールの直径が小さくなると、即ちビアホールのアスペクト比が大きくなると、ビアホール内にビアホール形成に起因するスミアが残留してビアの信頼性が損なわれるという問題がある。
【００１２】
さらに、予め開口が形成された絶縁シートを複数枚基板上に積層して厚い層間絶縁層とする回路基板の製造方法では、複数の絶縁シートに予め形成されている開口を基板上の配線上に位置合せして貼着しなければならない。この位置合せが不十分では、配線上の所定位置に精密にビアホールを配置することができず、また、ビアホールの途中に段差が形成されてビアの信頼性が損なわれてしまう。かかる不都合を防ぐには、絶縁シートの精密な位置合せ装置を必要としコスト上昇を招くという問題がある。
【００１３】
本発明は、基板上に形成された多層配線の配線層間の絶縁層に、スミアが少ないビアホールを形成することにより、信頼性の高いビアを有する回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、基板上に配線を形成する工程と、前記基板上に前記配線を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に前記配線を表出する第１開口を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１開口上を覆うように第２絶縁層を貼着する工程と、前記第１開口の直上の前記第２絶縁層に第２開口を形成する工程と、前記第１及び第２開口内に、前記配線と接続するビアを形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の別の観点によれば、基板上に配線を形成する工程と、前記基板上に前記配線を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に前記配線を表出する第１開口を形成する工程と、前記第１開口内に、前記配線と接続する第１ビアを形成する工程と、前記第１絶縁層上に前記第１ビアを覆うように第２絶縁層を貼着する工程と、前記第２絶縁層に前記第１ビアの上面を表出する第２開口を形成する工程と、前記第２開口内に、前記第１ビアと接続する第２ビアを形成する工程とを有し、前記第１開口の直径の０．６倍以下の厚さの前記第１絶縁層と、前記第２開口の直径の０．６倍以下の厚さの前記第２絶縁層とを用いた回路基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明のさらに別の観点によれば、基板上に形成された配線と、前記配線及び前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に貼着された第２絶縁層と、前記第１絶縁層に形成され、前記配線を表出するアスペクト比が０．６以下の第１開口と、前記第１開口直上の前記第２絶縁層に形成され、前記第１開口の上面より小さな底面を有しかつ上面から底面に向けて直径が減少する第２開口と、前記第１開口及び前記第２開口内に形成された前記配線と接続するビアとを有する回路基板が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板上に貼着された絶縁層にスミア付着の少ないビアホールを形成することができるので、導電不良及び剥離が少ない信頼性の高いビアを有する回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の第１実施形態は、複数の樹脂シートからなる絶縁層を積層して形成されるインターポーザ用の多層配線回路基板に関する。
【００１９】
図１は本発明の第１実施形態の回路基板断面図であり、上下両面に多層配線が形成されたインターポーザ用の回路基板を表している。
【００２０】
図１を参照して、本発明の第１実施形態の回路基板は、中央に基板１（コア基板）を有し、その基板１の上下面に、多層配線を構成するビルド層１１が形成されている。
【００２１】
基板１は、絶縁板、例えばエポキシ系の樹脂からなるコア１ａと、コア１ａを貫通する無電解Ｃｕめっき層及び電解Ｃｕめっき層の２層からなる円筒状のビア１ｂとを有し、コア１ａの上下面には、ビア１ｂの上下端に接続する電解Ｃｕめっき層からなる配線１ｄが形成されている。なお、ビア１ｂの内側はエポキシ系樹脂からなる穴埋め樹脂１ｃにより充填されている。
【００２２】
ビルド層１１は、積層された３層のそれぞれ絶縁性の樹脂、例えばエポキシ樹脂からなる絶縁層２、３、４を有し、絶縁層２、３上に、それぞれ配線６、８が形成されている。絶縁層２には、基板１表面に表出する配線１ｄと絶縁層２上に形成された配線６とを接続するビア７が形成されている。また、絶縁層３には、絶縁層２上に形成された配線６と絶縁層３上に形成された配線８とを接続するビア９が形成されている。なお、後述するように、ビア７及びビア９は、いずれもビア７、９上端にそれぞれ接続する配線６及び配線８と一体に形成されている。
【００２３】
ビルド層１１は、さらに、配線８上に形成された、外部装置との接続に用いるための接続用電極１０を含む。この接続用電極１０は、配線８を被覆し絶縁層３上に延在する例えばエポキシ樹脂からなる絶縁層４に形成された開口４−１内に形成される。また、絶縁層４上に、接続用電極１０を表出する開口５−１を備えたソルダーレジスト５が形成されている。ソルダーレジスト５の開口５−１内に表出する接続用電極１０上に、例えばはんだからなる突起電極１９が形成されている。外部装置とは、この突起電極１９を介して接続される。
【００２４】
以下、本第１実施形態に係る回路基板の製造方法を説明する。なお、簡明を期すため、以下、基板１上面（図１の紙面上方）の多層配線の製造方法を説明するが、下面の多層配線についても同様の工程により製造される。
【００２５】
まず、基板１（コア基板）を準備する。基板１は、通常のインターポーザ用の回路基板に用いられる基板（コア基板）であり、通常のインターポーザの製造工程により製造することができる。(図１参照)
次いで、基板１上に絶縁層２を形成する。絶縁層２は、例えば下面に接着層を有する有機樹脂シートからなる絶縁シートを貼着する、又は、有機樹脂シートを接着剤を用いて基板１上に貼着する方法により形成することができる。これにより、有機樹脂シート及び接着層（又は接着剤の層）からなる絶縁層２が基板１上に形成される。
【００２６】
次いで、レーザ加工により、絶縁層２を貫通し、配線１ｄ上面を表出するビアホール２−１を形成する。次いで、導電膜、例えば厚さ４００ｎｍの無電解Ｃｕめっき層からなるシード層６ａを堆積する。その後、シード層６ａを一方の電極とする電解めっきにより、シード層６ａ上に、ビアホール２−１を埋め込み絶縁層２上に延在するめっき金属層６ｂ、例えば電解Ｃｕめっき層を堆積する。さらに、必要ならばめっき金属層６ｂ上に固相拡散の障壁となるバリア層６ｃ（図２（ａ）参照）を堆積する。
【００２７】
次いで、バリア層６ｃ、めっき金属層６ｂ及びシード層６ａをパターニングして、ビアホール２−１を埋め込むビア７及びビア７に接続し絶縁層２上に延在する配線６（以下「第１配線６」という。）を形成する。ここまでの工程は、通常の回路基板の製造工程と同様である。
【００２８】
次いで、絶縁層２及び第１配線６を被覆する絶縁層３、及び、絶縁層３を貫通するビア９及び絶縁層３上に延在する配線８（以下「第２配線８」という。）を形成する。この絶縁層３は、エポキシ樹脂からなる第１絶縁層３ａ及びエポキシ樹脂からなる第２絶縁層３ｂの積層からなり、絶縁層３を貫通するビア９はビア７よりも大きなアスペクト比を有する。なお、第１絶縁層３ａと第２絶縁層３ｂとの間には配線は形成されず、従って、絶縁層３は一層の層間絶縁層として機能する。
【００２９】
以下、絶縁層３、ビア９及び第２配線８の形成工程を詳細に説明する。
【００３０】
図２〜図４は、本発明の第１実施形態における製造工程断面図（その１）〜（その３）を示す。ここでは、前記図１に示す回路基板のビア９が形成される領域の近傍を表している。
【００３１】
まず、基板１上に絶縁層２を介して形成された第１配線６及びその外側に表出する絶縁層２上面を被覆する第１絶縁層３ａを形成する。第１絶縁層３ａとして、例えば裏面（図２の紙面下方の面）に接着層が設けられた有機樹脂シートからなる厚さ２０μｍの絶縁シートを用い、この絶縁シートを第１配線６及び絶縁層２上に貼着することで第１絶縁層３ａを形成することができる。(図２（ａ）参照)
次いで、レーザ加工（レーザアブレーション）を用いて、第１絶縁層３ａに、底面に第１配線６を表出する上端の直径約５０μｍの第１開口３ａ−１を形成する。このとき、第１開口３ａ−１の底面及び底面近くの内壁面に、第１絶縁層３ａのレーザ加工により生成された有機樹脂の変成物からなるスミア２０が付着する。(図２（ｂ）参照)
次いで、例えばアルカリ過マンガン酸溶液系のデスミア処理液を用いてデスミア処理を行い、第１開口３ａ−１内のスミア２０を除去する。必要ならば、他のデスミア処理、例えはプラズマ処理を用いることもできる。(図２（ｃ）参照)
次いで、第１絶縁層３ａ上に、厚さ２０μｍの第２絶縁層３ｂを貼着する。この第２絶縁層３ｂとして、裏面に接着層が設けられた有機樹脂シートからなる絶縁シートを用いることができる。他に、有機樹脂シートを接着剤を用いて貼着してもよい。このとき、第２絶縁層３ｂの裏面（下面）により第１開口３ａ−１の上面が塞がれるように、第２絶縁層３ｂを貼着する。(図３（ｄ）参照)
次いで、第２絶縁層３ｂの第１開口３ａ−１直上の位置に、レーザ加工により上端の直径が約５０μｍの第２開口３ｂ−１を形成する。なお、開口３ｂ−１を底面に向けて縮径するように形成することが、開口３ｂ−１の底面が開口３ａ−１内に確実に含まれるようにするという観点から好ましい。この結果、第１絶縁層３ａ及び第２絶縁層３ｂの積層膜からなる絶縁層３を貫通する、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１の積み重ねからなるビアホール３−１が形成される。このとき生成されたスミア２１は、一部が第２開口３ｂ−１の底面近くの内壁面に付着し、残りの一部は第２開口３ｂ−１の底から第１開口３ａ−１内に落下する。(図３（ｅ）参照)
次いで、例えばアルカリ過マンガン酸溶液系のデスミア処理液を用いてデスミア処理を行い、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１内に付着するスミア２１を除去する。このデスミア処理は、他のデスミア処理、例えばプラズマ処理を用いてもよい。(図４（ｆ）参照)
次いで、絶縁層２の上面及びビアホール３−１の内面に導電性薄膜、例えば厚さ約４００ｎｍの無電解Ｃｕめっき層からなるシード層８ａを形成する。次いで、シード層８ａを一方の電極とする電解めっきにより、シード層８ａ上にビアホール３−１を平坦に埋め込む例えば電解Ｃｕめっき層からなるめっき金属層８ｂを形成する。次いで、めっき金属層８ｂ及びシード層８ａをパターニングして、めっき金属層８ｂ及びシード層８ａからなる第２配線８を形成する。同時に、ビアホール３−１を埋め込み第１配線６と第２配線８とを接続するビア９が、第２配線８と一体に形成される。(図４（ｇ）参照)
以上の工程を経て、絶縁層３、ビア９及び第２配線８が形成される。
【００３２】
しかる後、絶縁層３上に、第２配線８及びその外側に表出する絶縁層３上面を被覆する絶縁層４を形成する。この絶縁層４は、例えば下面に接着層を備えた有機樹脂シートからなる絶縁シートを、絶縁層３上に貼着して形成することができる。また、有機樹脂シートを接着剤を用いて貼着してもよい。
【００３３】
次いで、レーザ加工を用いて、絶縁層４に第２配線８を表出する開口４−１を形成する。次いで、開口４−１底面に表出する第２配線８上に、例えば無電解Ｎｉ層からなる接続用電極１０を形成する。さらに、第２配線８及び絶縁層４上面を被覆するソルダーレジスト５を形成し、露光及び現像して、底面に第２配線８上の接続用電極１０を表出する開口５−１を形成する。
【００３４】
以上の工程を経て本第１実施形態に係る回路基板が製造される。
【００３５】
上述した本第１実施形態では、絶縁層３を第１及び第２絶縁層３ａ、３ｂの２層から構成するから、第１及び第２絶縁層３ａ、３ｂに形成される第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１のアスペクト比を、絶縁層３に形成されるビアホール３−１に比べて小さく（例えば１／２に）することができる。このように第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１のアスペクト比を小さくすることができるので、生成されるスミア２０、２１の量が少なく、かつ、スミア２０、２１の開口３ａ−１、３ｂ−１内壁面への付着強度も弱くなる。従って、デスミア処理により容易にスミア２０、２１が除去される。又、アスペクト比を小さくすることにより、第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１の内部にデスミア処理液が入り易くなるので、このことによっても、スミア２０、２１が容易に除去されることになる。
【００３６】
また、第２開口３ｂ−１の底面は第１開口３ａ−１内に開放されるため、第２開口３ｂ−１の形成時に生成するスミア２１は第１開口３ａ−１内に落下する。従って、第２開口３ｂ−１の内面、とくに底面近傍の内壁へのスミア２１の付着が抑制される。さらに第１開口３ａ−１内に落下したスミア２１は付着力が弱い。このため、デスミア処理により容易にスミア２１は除去される。
【００３７】
さらにまた、本第１実施形態では、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１を一体としたビアホール３−１を形成したのち、そのビアホール３−１内を埋め込むビア９を形成する。このように、絶縁層３を貫通するビア９は、一体の導電体として、言い換えればつなぎ目のないビアとして形成される。従って、図８に示すような各別の工程で形成されたビアを積み重ねた場合のように、上下のビアの界面（積層された上下のビアのつなぎ目）の剥離強度の低下又は導電不良によりビアの信頼性が損なわれることがない。従って、信頼性の高いビアが形成される。
【００３８】
このように、本第１実施形態によれば、残留するスミア２０、２１が少なくかつアスペクト比の大きなビアホール３−１を容易に形成することができる。なお、デスミア処理により容易にスミアを除去するには、第１開口３ａ−１又は第２開口３ｂ−１のアスペクト比（開口の深さを開口上面の直径で除した値）を０．６以下とすることが好ましい。とくに、第１開口３ａ−１の底面は配線６により閉塞されているので、スミア２０が第１開口３ａ−１内壁上へ固着し易い。かかる第１開口３ａ−１内壁へのスミア２０の固着を抑制するという観点から、第１開口３ａ−１のアスペクト比を０．６以下とすることが望ましい。さらに、第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１をともに０．６以下のアスペクト比とすることがより好ましい。
【００３９】
さらに加えて、本第１実施形態では、第２絶縁層３ｂに形成される第２開口３ｂ−１は、第２絶縁層３ｂを基板１上に貼着したのち、第１開口３ａ−１に合わせた位置に形成される。従って、位置合せは、開口の形成の位置合せに用いられる通常の位置合せ装置、例えばレーザ加工装置で用いられる位置合せ装置で足り、絶縁シートの位置合せのような特別な装置を必要としない。このため、製造コストの上昇が抑制される。
【００４０】
また、レーザ加工により容易に、開口上面から底面方向に縮径した形状の第２開口３ｂ−１を形成することができる。このように第２開口３ｂ−１の底面を小さくすることで、第２開口３ｂ−１の底面が第１開口内に確実に表出するように位置合わせすることが容易になる。
【００４１】
本第１実施形態のデスミア処理は、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１のそれぞれの形成後に行なうことが好ましい。これにより、その後の工程においてスミア２０、２１が固着することが防止されるので、デスミア処理により容易にスミナ２０、２１を除去することができる。もちろん、工程を簡素化するために、デスミア処理を第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１の形成後にまとめて行なうこともできる。
【００４２】
上述した本発明の第１実施形態では、２層の絶縁層３ａ、３ｂを貼着したが、これに限らず３層以上の絶縁層を貼着することもできる。これにより、絶縁層の厚さが薄くなり、レーザ加工により形成される各絶縁層の開口のアスペクト比が小さくなる。このため、残留するスミアがより少なく信頼性の高いビアが形成される。
【００４３】
なお、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１のアスペクト比の下限はとくに制限されない。しかし、絶縁層３を構成する絶縁層の積層枚数を少なくして積層工数を削減する観点から、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１のアスペクト比が０．６以下の範囲で、絶縁層３を構成する各絶縁層の層厚が厚いことが好ましい。
【００４４】
さらに第１実施形態において、第１絶縁層３ａをＣＤＶ法又は塗布法により形成してもよい。また、第１絶縁層３ａは有機樹脂層に限らず、無機物の絶縁層とすることもできる。なお、このような無機物からなる第１絶縁層３ａには、エッチングにより第１開口３ａ−１を形成することができる。
【００４５】
本発明の第２実施形態は、第１実施形態のビアの他の形態に関し、複数の細いビアを有し全体として１個のビアとして機能するビアに関する。
【００４６】
図５は本発明の第２実施形態ビア構造説明図であり、図５（ａ）は上面から見たビアの平面パターンを、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡＢ断面によるビアの断面構造を表したものである。
【００４７】
図５を参照して、第１実施形態と同様に、絶縁層２上に、シード層６ａ、めっき金属層６ｂ及びバリア層６ｃの積層からなる第１配線６が形成される。そして、本発明の第２実施形態では、第１配線６上に接続する複数のビア１５−１〜１５−４が並列に接続されて一個のビア１６を構成する。各ビア１５−１〜１５−４は、第１絶縁層３ａに形成された第１開口３ａ−１及び第２絶縁層３ｂに形成された第２開口３ｂ−１から構成されたビアホール３−１中に形成される。
【００４８】
これら第１開口３ａ−１、第２開口３ｂ−１及びビアホール３−１は、上述した第１実施形態と同様の工程により形成される。その後、第１実施形態と同様に、ビアホール３−１内壁面上及び絶縁層３上面にシード層１６ａを形成し、さらにシード層１６ａ上にめっき金属層１６ｂを形成して、ビア１５−１〜１５−４を形成する。次いで、第２絶縁層３ｂ上面に形成されためっき金属層１６ｂ及びシード層１６ａをビア１６形成領域内に残してパターニングし、その領域の外側のめっき金属層１６ｂ及びシード層１６ａを除去する。これにより、複数のビア１５−１〜１５−４が上端でめっき金属層１６ｂ及びシード層１６ａにより接続され、１個のビアとして機能するビア１６が形成される。なお、ビア１６のパターニングは第２配線８（図１参照）を含むパターンとしてパターニングしてもよく、このときビア１６は第２配線８と一体として形成される。
【００４９】
上述した本第２実施形態のビア１６は、複数のビア１５−１〜１５−４により上下の配線（第１配線６及び例えば第２配線８）間を接続するから、完全な導電不良の発生が抑制され信頼性が高まる。
【００５０】
本発明の第３実施形態は、ビルドアップ工法により製造されるビアを有する回路基板に関する。
【００５１】
図６及び図７は本発明の第３実施形態製造工程断面図（その１）及び（その２）であり、ビルドアップ工法により形成される回路基板の断面を表している。
【００５２】
本第３実施形態では、図１を参照して、絶縁層３、ビアホール３−１及びビア９の形成方法が異なる他、他の構造及び製造工程は第１実施形態と同様である。
【００５３】
図６（ａ）を参照して、本発明の第３実施形態では、基板１上に、絶縁層２及び第１配線６を形成する工程までは第１実施形態と同様である。次いで、絶縁層２上に形成された第１配線６を被覆するように、絶縁層２上に下面に接着層が設けられた有機樹脂シートからなる厚さ３０μｍの第１絶縁層３ａを貼着する。次いで、レーザ加工により、第１絶縁層３ａに、底面に第１配線６を表出する上端の直径が５０μｍの第１開口３ａ−１を形成する。その後、第１開口３ａ−１内をデスミア処理する。
【００５４】
次いで、図６（ｂ）を参照して、無電解めっきにより第１開口３ａ−１内壁面及び第１絶縁層３ａ上面を被覆するシード層１８ａを形成する。その後、シード層１８ａを一方の電極とする電解めっきにより、シード層１８ａ上に第１開口３ａ−１を埋め込む例えばＣｕからなるめっき金属層１８ｂを形成する。さらに、めっき金属層８ｂ及びシード層８ａをパターニングして、第１開口３ａ−１を埋め込む第１ビア１８−１を形成する。
【００５５】
次いで、図７（ｃ）を参照して、第１ビア１８−１及び第１絶縁層３ａの上に、下面に接着層が設けられた有機樹脂シートからなる厚さ３０μｍの第２絶縁層３ｂを貼着する。次いで、レーザ加工により、第２絶縁層３ｂに、第１ビア１８−１の上面を表出する上端の直径が５０μｍの開口３ｂ−１を形成し、開口３ｂ−１内のスミアをデスミア処理により除去する。
【００５６】
次いで、第１ビア１８−１と同様の工程により、シード層１８ａ及びめっき金属層１８ｂの積層からなり、開口３ｂ−１内を埋め込む第２ビア１８−２を形成する。これにより、第１及び第２絶縁層３ａ、３ｂの積層からなる絶縁層３を貫通する、第１ビア１８−１及び第２ビア１８−２の積層からなるビア１８が形成される。
【００５７】
この第３実施形態では、レーザ加工により形成される第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１は、いずれもアスペクト比が０．６又はそれより小さく設計される。このため、第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１内に残るスミアが少ない。従って、絶縁シート３ａ、３ｂの積層からなる厚い絶縁層３に、０．６を超える大きなアスペクト比を有するビア１８をビルドアップ工程を用いて形成した場合でも、スミアの残留が少ない信頼性の高いビア１８が形成される。
【００５８】
なお、上述した本発明の第３実施形態において、３層以上の絶縁層を貼着することもできる。これにより、絶縁層の厚さが薄くなり、レーザ加工により形成される各絶縁層の開口のアスペクト比が小さくなる。このため、残留するスミアがより少なく信頼性の高いビアが形成される。
【００５９】
なお、本発明の第３実施形態においても、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１のアスペクト比の下限はとくに制限されない。しかし、第１開口３ａ−１及び第２開口３ｂ−１のアスペクト比が０．６以下の範囲で、絶縁層３を構成する各絶縁層の層厚が厚いことが、絶縁層３を構成する絶縁層の積層枚数を少なくして積層工数を削減する観点から好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態の回路基板断面図
【図２】本発明の第１実施形態製造工程断面図（その１）
【図３】本発明の第１実施形態製造工程断面図（その２）
【図４】本発明の第１実施形態製造工程断面図（その３）
【図５】本発明の第２実施形態ビア構造説明図
【図６】本発明の第３実施形態製造工程断面図（その１）
【図７】本発明の第３実施形態製造工程断面図（その２）
【図８】従来の回路基板断面図
【符号の説明】
【００６１】
１  基板
１ａ  コア
１ｂ  ビア
１ｃ  穴埋め樹脂
１ｄ  配線
２、３、４、１０３、１０４  絶縁層
２−１、３−１、１０３−１、１０４−１  ビアホール
３ａ  第１絶縁層
３ａ−１  第１開口
３ｂ  第２絶縁層
３ｂ−１  第２開口
５  ソルダーレジスト
４−１、５−１  開口
６  配線（第１配線）
６ａ、８ａ、１６ａ、１８ａ、１０５ａ、１０６ａ  シード層
６ｂ、８ｂ、１６ｂ、１８ｂ、１０５ｂ、１０６ｂ  めっき金属層
６ｃ  バリア層
７、９、１５−１〜１５−４、１６、１８  ビア
８  配線（第２配線）
１０  接続用電極
１１  ビルド層
１８−１  第１ビア
１８−２  第２ビア
１９  突起電極
２０、２１、１２０、１２１  スミア
１０５、１０６  ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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