(57)【要約】  【課題】本発明は、磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法、求められた特性を基に、ライト素子の実効コア幅や実効ギャップ幅を求める磁気ヘッド測定方法、磁気ヘッド測定装置、磁気ヘッド測定装置を使用して作成された磁気ヘッド、およびその磁気ヘッドを用いる磁気記録装置を提供することを目的とする。  【解決手段】磁気ヘッドのライト磁界中で磁界じょう乱手段を動かして、じょう乱手段の位置によるライトコイルの電気応答特性の変化を計測することにより、磁気ヘッドのライト磁界の分布特性を測定することが可能になる。磁界じょう乱手段の透磁率、保磁力、磁気異方性などの磁気特性を制御し、ライトコイルのインピーダンスの実部と虚部を解析することにより、磁界強度や磁界ベクトル成分の検出が可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法であって、
前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、
前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、
前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法。
【請求項２】
磁気ヘッドのライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法であって、
前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、
前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、
前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求め、
前記ライト素子の位置に対する前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法。
【請求項３】
磁気ヘッドのライト素子のライトコイルに交流電流を流して前記ライトコイルの電気応答特性を測定する電気応答特性測定手段と、
前記ライト素子の近傍を走査する磁界じょう乱部材を備えた磁界じょう乱手段と、
前記ライト素子と前記磁界じょう乱手段との相対位置を制御する位置制御手段とを有し、
前記ライト素子の近傍において前記磁界じょう乱手段を走査したときの前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定装置。
【請求項４】
前記磁界じょう乱部材は先端が尖った針状の形状を有することを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置。
【請求項５】
前記磁界じょう乱部材は直線的な稜線を有する形状であることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置。
【請求項６】
前記磁界じょう乱部材は複数の矩形状の薄膜が隔離的に設けられたことを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法、求められた特性を基に、ライト素子の実効コア幅や実効ギャップ幅を求める磁気ヘッド測定方法、磁気ヘッド測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドのライト素子の特性を測定する方法としては、磁気ディスク装置の動作と同様に、回転磁気媒体上で磁気ヘッドを浮上させてライトした結果を同じ磁気ヘッドのリード素子でリードして検査を行うヘッドテスタを使用する方法が一般的である。
【０００３】
しかし、ヘッドテスタを使用する方法においては、磁気ヘッドを磁気ディスク装置に組み込む状態と同様なライト用とリード用の配線を備える板バネ状のサスペンションに実装した状態まで完成させる必要があり、製造の途中段階における測定ができない。また、被測定磁気ヘッドのリード素子を使用してライト素子を計測するため、リード素子の特性がライト磁界の計測結果に影響し、ライト素子単独の特性が測定できない。さらに、磁気ヘッドの浮上量がライト過程とリード過程の両方に影響して、ライト素子単独の特性が測定できないという問題がある。
【０００４】
磁気ヘッドの製造においては、できるだけ製造工程の早い段階で良、不良やその原因を簡単に素早く判定できることが望ましい。また、磁気ヘッドの開発段階においては、ライト素子の特性をリード素子などの特性の影響を受けずに測定できることが望ましい。
【０００５】
ヘッドテスタを使用しない方法として、例えば非特許文献１、非特許文献２、特許文献３ように、探針として磁性針を使用した走査型磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）や高周波磁気力顕微鏡（ＨＦ−ＭＦＭ）を利用して磁気ヘッドに直流および高周波電流を流したときのライト磁界分布を測定する方法も開示されている。これら方法において、磁性探針に働く力を検出するためには、探針先端を試料表面より僅かに浮かす必要がある。最近の磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドのライト磁極面と回転記録媒体表面との距離が１０ｎｍ程度と非常に小さくなっており、ライト磁界を測定する際にも同程度の距離か、あるいは高い空間分解能を得るためにはさらに接近させて測定することが望まれる。この場合においては、探針には磁界による力の他に、試料表面との間に働く近距離での強い斥力や、やや離れた位置まで働く引力であるファンデルワールス力、さらに、場合によっては表面に付着している潤滑剤等の液体による力などが作用する。これらの力が働く状況で、探針と試料間の精密な距離制御を行いながら磁界による力のみを他の力から分離して計測することは困難である。また、通常、ＭＦＭやＨＦ−ＭＦＭで検出される量は、磁界分布の１階、２階の空間微分が寄与していて単純ではなく、測定結果の解釈も困難である。
【０００６】
その他の方法として、例えば特許文献４に示されるように、誘導型磁気ヘッドのコイルのインダクタンスの測定結果から、磁極のギャップ長さやギャップ深さを計測する方法が開示されている。また、特許文献５に示されるように、誘導型磁気ヘッドの磁気ギャップを開放したときのインピーダンスと、磁気ギャップを高透磁率磁性体により磁気的に短絡したときのインピーダンスの変化から、リード素子としての再生効率を計算する方法が開示されている。しかしながら、特許文献４、５よる測定方法では、ライト磁界の発生分布を計測することはできない。
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS, VOL.27, NO.6, NOVEMBER 1991.              p.5178-5180「Magnetic Force Microscopy of Recording Heads」
【非特許文献２】APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 74, NUMBER 9              p.1308-1310「Measuring the gigahertz response of recording heads with the magnetic force microscope.
【特許文献１】特開２００３−８５７１７号公報
【特許文献２】特開平０８−９６３３１号公報
【特許文献３】特開昭６１−２４６９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明は、磁気ヘッドのライト素子近傍の磁界分布の特性を求める簡易的な方法、求められた特性を基にライト素子の実効コア幅や実効ギャップ幅を求める磁気ヘッド測定方法、および磁気ヘッド測定装置を提供することを目的とする。
【０００８】
さらに他の目的は、上記の磁気ヘッド測定装置を使用して作成された磁気ヘッド、およびその磁気ヘッドを用いる磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に記載の発明は、磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法であって、前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法である。
【００１０】
請求項１記載の発明によれば、磁気ヘッドのライト素子のライトコイルに交流電流を流してライトコイルの電気応答特性を計測する電気応答測定器と、ライト素子の近傍において走査される磁界じょう乱部材を備えた磁界じょう乱手段と、ライト素子と磁界じょう乱部材との相対位置を計測かつ制御する位置決定手段とにより、位置決定手段で決定した位置と電気応答測定器の出力との関係を記録して解析することにより、磁気ヘッドのライト素子近傍の出力磁界分布の特性を求めることを可能にする方法である。
【００１１】
ここで、磁界分布の特性を求めるというのは、本発明においては、出力磁界分布を直接定量的に測定するのではなく、例えば出力磁界の強度分布を間接的かつ簡便に求めることを意味する。
【００１２】
また、磁界じょう乱部材とは、磁界内に存在することにより、磁界を乱す性質を有する部材であって、強磁性体や導電体が使用される。強磁性体を使用する場合は、磁化した強磁性体の発生する磁界がライト磁界に影響を与えたり、ライト磁界により強磁性体の磁化状態が変化し、ライト磁界からエネルギーを受け取ってその一部を熱に変えたり、ライト磁界への影響に変化が生じる。導電体を使用する場合は、ライト磁界の変化により導電体に誘導電流が生じることによりライト磁界からエネルギーを受け取ってその一部を熱に変えたり、誘導電流により発生する磁界がライト磁界に影響を与える。本発明においては、ライト磁界中に磁界じょう乱部材を置くことにより、上記のような作用によりライト素子の磁気回路の特性が変化するため、ライトコイルの電気応答特性が変化することを利用している。
【００１３】
磁界じょう乱手段は、磁界じょう乱部材を磁気ヘッドのライト磁極面（あるいはライト素子の先端の表面）から一定の距離だけ離すように制御しながら走査してもよいが、ＭＦＭやＨＦ−ＭＦＭとは異なり、本発明の測定装置においては、磁界じょう乱手段に働く磁気力を検出する必要がないため、ライト磁極面に接触させた状態、または磨耗を防ぐために振動により間欠的に僅かに接触させた状態で走査して測定することも可能である。
【００１４】
本願におけるライトコイルの電気応答特性というのは、例えば、以下のようなものである。ライトコイルに正弦波電流を流しながら、磁界じょう乱部材をライト磁極面の近傍で走査することにより、ライト素子の磁気回路に特性変化が生ずると、ライトコイルの電流波形と電圧波形に変化が観察される。そこで、ライトコイルの電気応答特性の１つとして、電圧と電流との比である複素インピーダンスＺをとれば、Ｚは実部と虚部の和として、Ｚ＝Ｒ＋ｊ×Ｘと表わされる。 
【００１５】
ここで、Ｒはライトコイルの抵抗値で発熱や電磁放射によるエネルギーの消耗を伴う電気応答を表し、ｊは虚数単位を表し、Ｘはリアクタンスでエネルギーの消耗を伴わない電気応答を表す。さらに、ｆをライト電流の周波数として、Ｘ＝２πｆＬと書けば、Ｚ＝Ｒ＋ｊ×２πｆＬとなり、ライトコイルのインピーダンスＺを抵抗ＲとインダクタンスＬの直列回路で単純化して表現したことになる。インピーダンスＺの関数Ｆ（Ｚ）としては、例えば上記のＲやＸやＬをとることができる。磁界じょう乱部材のライト磁極面の近傍における位置に対する関数Ｆ（Ｚ）の値の分布を求めることにより、ライト磁極面の近傍における磁界強度分布に対応する分布が得られる。
【００１６】
この場合の関数Ｆ（Ｚ）の値が、電気応答特性の関数値の一例である。
【００１７】
また、インピーダンスＺはライト電流の周波数、電流振幅やバイアス電流値などの条件によっても変化するため、これらの複数の条件で測定した複数のＺの関数を電気応答特性の関数値とすることもできる。
【００１８】
さらに、実際にはライトコイルの電気応答特性は非線形性を示し、正弦波入力に対して高次の高調波も生じるため、高調波成分を検出してこれらを含む関数を電気応答特性としてもよい。
【００１９】
ライトコイルの電流と電圧の関係を計測する電気応答測定器としては、例えば、正弦波電流を流しながら電流波形と電圧波形を観察して電圧と電流との比であるインピーダンスを計測するインピーダンスアナライザが使用できる。また、ライトコイルに高周波電気信号を入力して、透過、又は反射電気信号を計測する高周波用の電気応答測定器としては、ネットワークアナライザが使用できる。
【００２０】
位置制御手段は、例えばピエゾステージなどを磁界じょう乱手段又は被測定磁気ヘッド側に組み込んである。さらに、磁界じょう乱手段と磁気ヘッドのライト磁極面との間の接触検出手段や距離制御手段があることが望ましいが、磁界じょう乱手段をカンチレバーの先端に取り付けて、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）と同様にカンチレバーの変位を光テコ法や光干渉法などを用いて検出することにより、接触検出や距離制御を行ってもよい。
【００２１】
本発明における磁気ヘッドのライト素子は面内磁気記録、垂直磁気記録どちらの方式のものでも構わない。
【００２２】
本発明の請求項２に記載の発明は、磁気ヘッドのライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法であって、前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求め、前記ライト素子の位置に対する前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法である。
【００２３】
請求項２記載の発明において、ライト素子の実効寸法というのは、例えばライト素子のコア幅やライトギャップ幅の実効寸法を指す。ライト素子のライト磁極の物理的なコア幅寸法とは別に、ライト素子に対向する磁気記録媒体と一定間隔（例えば１０ｎｍ）をもった所定方向の磁界強度が所定値以上である領域の幅が、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの書き込み幅、すなわちトラック幅と密接に関係するため、こちらを実効コア幅として知り、ライト素子の合否の判定基準に用いる。すなわち、磁気ヘッドの製造過程において、物理的なコア寸法幅の公差内にあるライト素子のうち、さらに、上記の実効コア幅を検査項目として導入することにより、より精度の高い実際的なライト素子を提供することができる。ライトギャップにおける、いわゆるライトギャップ幅も同様にして実効ギャップ幅を知っておくことが重要となる。これら実効コア幅、実効ギャップ幅は、本発明におけるライト素子の実効寸法に含まれる。
【００２４】
本発明により、上記のライト素子の実効寸法をヘッド製造工程の少しでも前の段階で知ることは、工程内の歩留、品質向上に大きな役割を果たすことが期待される。
【００２５】
本発明の請求項３に記載の発明は、磁気ヘッドのライト素子のライトコイルに交流電流を流して前記ライトコイルの電気応答特性を測定する電気応答特性測定手段と、前記ライト素子の近傍を走査する磁界じょう乱部材を備えた磁界じょう乱手段と、前記ライト素子と前記磁界じょう乱手段との相対位置を制御する位置制御手段とを有し、前記ライト素子の近傍において前記磁界じょう乱手段を走査したときの前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定装置である。
【００２６】
請求項３記載の発明によれば、磁気ヘッドのライト素子のライトコイルに電流を流して電気応答特性を計測する電気応答測定器と、ライト素子の近傍に置いた磁界じょう乱部材と、ライト素子と磁界じょう乱部材との相対位置を計測かつ制御する位置決定手段とを備え、位置決定手段で決定した位置と電気応答測定器の出力との関係を記録して解析し、磁気ヘッドのライト素子近傍の出力磁界分布の特性を求めることによりライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定装置である。
【００２７】
ここで、磁界分布の特性を求めるというのは、本発明においては、出力磁界分布を直接定量的に測定するのではなく、例えば出力磁界の強度分布を間接的かつ簡便に求めることを意味する。
【００２８】
ライトコイルの電気応答特性を計測する電気応答測定器としては、例えば、正弦波電流を流しながら電圧波形を観察して電圧と電流との比であるインピーダンスを計測するインピーダンスアナライザが使用できる。
また、ライトコイルに高周波電気信号を入力して、透過、又は反射電気信号を計測する高周波用の電気応答測定器としては、ネットワークアナライザが使用できる。
【００２９】
磁界じょう乱手段は、磁気ヘッドのライト磁極面（あるいはライト素子の先端の表面）から一定の距離だけ離すように制御しながら走査してもよいが、ＭＦＭやＨＦ−ＭＦＭとは異なり、本発明の測定装置においては、磁界じょう乱手段に働く磁気力を検出する必要がないため、ライト磁極面に接触させた状態、または磨耗を防ぐために振動により間欠的に僅かに接触させた状態で走査して測定することも可能である。
【００３０】
位置制御手段は、例えばピエゾステージなどを磁界じょう乱手段又は被測定磁気ヘッド側に組み込んである。さらに、磁界じょう乱手段と磁気ヘッドのライト磁極面との間の接触検出手段や距離制御手段があることが望ましいが、磁界じょう乱手段をカンチレバーの先端に取り付けて、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）と同様にカンチレバーの変位を光テコ法や光干渉法などを用いて検出することにより、接触検出や距離制御を行ってもよい。
【００３１】
本発明における磁気ヘッドのライト素子は面内磁気記録、垂直磁気記録どちらの方式のものでも構わない。
【００３２】
本発明の請求項４に記載の発明は、前記磁界じょう乱部材は先端が尖った針状の形状を有することを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置である。
【００３３】
磁界じょう乱部材の先端を尖った針状の形状を有することにより、ライト素子からの漏洩磁界を、ライト素子に対し微細な距離間隔で検知することができる。
【００３４】
本発明の請求項５に記載の発明は、前記磁界じょう乱部材は直線的な稜線を有する形状であることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置である。
【００３５】
磁界じょう乱部材を直線的な稜線を有する形状にすることにより、ライト素子からの漏洩磁界の急峻な変化域を感度よく捉えることができる。
【００３６】
本発明の請求項６に記載の発明は、前記磁界じょう乱部材は複数の矩形状の薄膜が隔離的に設けられたことを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド測定装置である。
【００３７】
磁界じょう乱部材を複数の矩形状の薄膜が隔離的に設けられていることにより、複数ある矩形状の薄膜のどれか１つがライト素子の先端の表面の近傍に位置することにより、矩形状の薄膜とライト素子との位置関係を広い範囲から探し出す手間を省いて、短時間で測定を行うことができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、ＭＦＭやＨＦＭＦＭのような磁気ヘッドとプローブとの間に働く磁気力以外の力と分離するための手段が不要となり、磁界じょう乱手段を磁気ヘッドのライト磁極面に接触させて走査し、ライト磁界分布の特性を容易に測定することができる。
【００３９】
さらに、磁界の検出感度や検出したい磁界強度を調整したり、検出する磁界ベクトルの方向を選択することが可能である。
【００４０】
また、針形計状の磁界じょう乱部材を使用した磁界じょう乱手段を走査することにより測定される２次元面内磁界分布、３次元磁界分布だけでなく、磁性膜パターン形状の磁界じょう乱手段を使用した走査測定により、ライト磁界分布の１次元プロファイルを高速に計測することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下に図面を参照して本発明の詳細を説明する。本発明の説明の中で各図において示されている符号で同じ符号のものは同じものを意味しているものとする。
【００４２】
図１は本発明による磁気ヘッド測定装置の第一の実施例を示す。磁気ヘッドのライト素子１は、プロセス技術によってセラミック等の基板の上に層状に成膜される強磁性材料を用いたライト磁極１−１、非磁性絶縁層により形成されるライトギャップ１−２と、ライト磁極１−１とライトギャップ１−２を介してライト素子１に磁気回路を形成する強磁性材料により生成されるリターンヨーク１−３と、ライト素子１の磁気回路に磁束を流すためのライトコイル１−４を備えている。ライトコイル１−４はライト磁極１−１とリターンヨーク１−３とからは電気的に絶縁され、ライト素子１の周囲は図示されていない非磁性絶縁層で覆われている。ライト磁極１−１とリターンヨーク１−３とこれらの周囲の非磁性絶縁層は、表面が概略平らに形成される。
【００４３】
また、プロセス技術によって形成されるライト素子１に隣接して形成されるＧＭＲ素子あるいはＴＭＲ素子といったリード素子も図示省略されている。
【００４４】
ライトコイル１−４に伝送線３を介して電気応答特性計測手段２が接続され、ライトコイル１−４に所望の交流電流を流してライトコイルの電気応答特性、例えば電圧波形と電流波形の関係、または、その比であるインピーダンスを計測するようになっている。
【００４５】
ライト磁極１−１からライト素子１の外部に発生するライト磁界をじょう乱するための磁界じょう乱手段１１が位置制御手段４に取り付けられている。磁界じょう乱手段１１は磁界じょう乱部材１１−１とこれを位置制御手段４に取り付けるホルダ１１−２を備えている。図において、磁界じょう乱部材１１−１の形状は球形をしており、ライト磁極１−１の端面（以下に、ライト磁極面と称す）から磁界じょう乱部材１１−１下端との高さはｈで表わされている。また、図において、位置制御手段４は、例えば位置制御手段４の取付面が水平面をもつ剛性を有する図示されていない取付アームに保持されている。また、ライト素子１は図示されていない、例えば水平な載物面を有するＸＹテーブルの載物台に固定され、取付アームと、ＸＹテーブルを支持するベースとは剛性をもって機械的に結合されている。以下、説明する他の磁気ヘッド測定装置の実施例においても同様である。
【００４６】
磁界じょう乱手段１１は、図中のｘ、ｙ、ｚ方向に位置制御手段４によりライト素子１に対し所望の相対位置を保って走査されるようになっている。例えば、ライト磁極面から磁界じょう乱部材１１−１下端とのｚ方向の高さｈを一定に保ちながら、ｘ方向あるいはｙ方向へ走査される。
【００４７】
磁界じょう乱部材１１−１としては、強磁性体や導電体が使用される。磁界じょう乱部材１１−１として強磁性体を使用する場合は、強磁性体の磁化状態がライト磁界により変化したり、強磁性体からの磁界がライト磁界と相互作用する。磁界じょう乱部材１１−１として導電体を使用する場合は、ライト磁界の変化により導電体に誘導電流が生じて磁界を発生し、ライト磁界と相互作用する。図においては、磁界じょう乱部材１１−１が球状の形状をもつ例を示している。
【００４８】
このように、ライトギャップ１−２近傍に発生するライト磁界中に磁界じょう乱部材１１−１が置かれると、ライト素子１の磁気回路の特性が変化するため、ライトコイル１−４の電気応答特性が変化する。従って、ライト素子１の先端（図１において、ライトコイル１−４が配置されている端部と反対側のライト磁極面あるいはリターンヨーク１−３の端面のうち磁気記録媒体の表面に対向する最も近い面）近傍の磁界中で磁界じょう乱部材１１−１を走査しながら、電気応答特性測定手段２の出力を記録することで、ライト素子１の先端近傍におけるライト磁界の分布を反映した出力分布を得ることができる。本実施例においては、リターンヨーク１−３の先端の面とライト磁極面のｚ方向の高さは同じとしているが、ライト磁極面とリターンヨーク１−３先端の面のｚ方向の高さの異なるタイプのライト素子１であっても構わない。
【００４９】
電気応答特性測定手段２として、ライトコイル１−４に流れる電流と電圧の関係の計測する電気応答測定器、例えば、ライトコイル１−４に正弦波電流を流しながら電流波形と電圧波形を観察して電圧と電流との比であるインピーダンスを計測できるＬＣＲメータ、インピーダンスアナライザ、ネットワークアナライザなどの測定器が使用できる。ライト素子１の近傍に位置する磁界じょう乱部材１１−１とライト素子１との相対位置を制御かつ計測する位置制御手段４により決められた位置と電気応答特性測定手段２の出力との関係を記録して解析することにより、ライト素子１の出力磁界分布の特性を計測する。
【００５０】
伝送線３に関する説明は図１１、図１２を用いて詳細に後述するが、磁気ヘッドのライトコイル１−４の高周波までの応答特性を測定するために、ライトコイル１−４に伝送線３として高周波伝送線を介して高周波対応の電気応答測定器が接続されている。高周波伝送線としては、例えば同軸ケーブル、マイクロストリップラインなどの伝送線路などが使用できる。
【００５１】
磁界じょう乱手段１１は、磁気ヘッドのライト磁極面から一定の距離だけ離すように制御しながら走査してもよいが、ＭＦＭやＨＦ−ＭＦＭとは異なり、本発明の測定においては磁界じょう乱手段に働く磁気力を検出する必要がないため、ライト磁極面あるいはリターンヨーク１−３の先端の面や周囲の非磁性絶縁層の表面に接触させた状態、または磨耗を防ぐために磁界じょう乱手段１１を振動させて間欠的に僅かに接触させた状態で走査して測定することも可能である。
【００５２】
位置制御手段４としては、例えばピエゾステージを磁界じょう乱手段１１、又は被測定磁気ヘッド側に使用する。さらに、磁界じょう乱手段１１の磁界じょう乱部材１１−１の形状にかかわらず、ライト磁極面との間に、図示されていない接触検出手段や距離制御手段があることが望ましいが、磁界じょう乱手段１１をカンチレバーの先端に取り付けて、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で使用されているようなカンチレバーの変位を光テコ法や光干渉法などを用いて検出することにより、接触検出や距離制御を行っても構わない（図示省略）。
【００５３】
図２は本発明による磁気ヘッド測定装置の第二の実施例を示す。図２においては、磁界じょう乱手段１２として先端が針上の形状をした磁界じょう乱部材１２−１を使用している。針状の先端部のみに磁界じょう乱手段が付いたものでももちろん構わない。先端が針上の形状をした磁界じょう乱部材１２−１を使用することにより、磁界分布の特性を２次元走査面や３次元空間内において測定する場合に高い分解能を得ることができる。先端が針状の形状をした磁界じょう乱部材１２として、ＡＦＭ用の探針に磁性膜をコートしたものや、ＭＦＭ用の針を使うことも可能である。
【００５４】
磁界じょう乱手段は、ライト素子１の表面から一定の距離だけ離すように制御しながら走査してもよいが、ＭＦＭやＨＦ−ＭＦＭとは異なり、本発明の測定装置においては、磁界じょう乱手段に働く磁気力を検出する必要がないため、ライト磁極面に接触させた状態で走査して測定することも可能である。
【００５５】
したがって、磁界じょう乱部材１２−１の先端を、ライト素子１の先端の面に接触あるいは接触位置から一定の高さｈ＝１０ｎｍにおいてｘ軸やｙ軸方向に走査しながらライトコイル１−４のインピーダンスを計測することにより、インピーダンスのｘ軸、ｙ軸方向に対する分布が得られる。
【００５６】
図３は図２における磁界じょう乱部材１２−１とライト磁極面からの高さｈ＝１０ｎｍに保ち、ｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例を示す。縦軸はライトコイルの電気応答特性の関数、具体的には、複素インピーダンスＺの関数Ｆ（Ｚ）であり、例えば、測定された複素インピーダンスＺを、Ｚ＝Ｒ＋ｊ×Ｘ＝Ｒ＋ｊ×２πｆLと表わしたときの抵抗ＲやリアクタンスＸやインダクタンスＬが使用できる。ｆは測定周波数である。ここでは、前述の式において、Lを関数Ｆ（Ｚ）とした場合の磁界分布の傾向を示す特性として例示している。磁界じょう乱部材１２のｘ軸方向の位置の違いによりＦ３１、Ｆ３２、Ｆ３３などの複数の曲線が得られる。Ｆ（Ｚ）の分布のベースレベルからの変化量として設定した値ΔＦを超えるｙ軸の幅Ｗの値が、ライト磁極１−１の実効コア幅に対応する。
【００５７】
ここで、実効コア幅と言うのは、ライト磁極１−１のｙ軸方向の物理的なコア寸法幅を用いるより、ライト素子１に対向する磁性媒体に対し一定の高さにおける所定方向の磁界強度が所定値以上であるｙ軸方向の領域の幅が、磁性媒体面における磁気ヘッドの書き込み幅、すなわちトラック幅と密接に関係するため、こちらを実効コア幅として知り、ライト素子１の合否の判定基準に用いる。すなわち、磁気ヘッドの製造過程において、物理的なコア寸法幅の公差内にあるライト素子１のうち、さらに、上記の実効コア幅を検査項目として導入することにより、より精度の高い実際的なライト素子１を提供することができる。ライトギャップ１−２における、いわゆるギャップ幅も同様にして実効ギャップ幅を知っておくことが重要となる。これら実効コア幅、実効ギャップ幅は、本発明におけるライト素子の実効寸法に含まれる。
【００５８】
ライト磁界のピーク値のヘッド間ばらつきが実効コア幅のばらつきに比べてあまり問題にならないような場合には、ΔＦの設定値として、例えば、Ｆ（Ｚ）の分布のベースレベルとピークレベルの５０パーセントのレベルとしてもよい。ΔＦの設定値、または測定された実効コア幅Ｗは、磁界じょう乱手段の磁界じょう乱部材の先端サイズを考慮して補正したり、ヘッドテスタなどの他の測定装置で計測されたコア幅との相関関係を調べて補正しても構わない。
【００５９】
図４は本発明による磁気ヘッド測定装置の第三の実施例を示す。磁界じょう乱手段として、直線的な稜線、例えば図の前面下部に示す直線的なエッジ部分を持つ膜状の強磁性体からなる磁界じょう乱部材１４−１を、Ｓｉウェハやガラス等の基板でつくられたホルダ１４−２の表面に成膜した磁界じょう乱手段１４を使用し、位置制御手段４に磁界じょう乱手段１４を構成する磁界じょう乱部材１４−１をｚ方向に垂直に立ててエッジ部分をライト素子１の表面に近接または接触させて走査し、ライトコイル１−４の電気応答特性を電気応答特性測定手段により計測する。
【００６０】
これにより、ライト磁界分布を磁界じょう乱部材１４−１のエッジ部分によるｚ方向の半平面と磁性膜の厚みで積分したものに概略対応する１次元プロファイルを得ることができる。この１次元プロファイルの幅から、ライト磁界の幅を計測することができる。この実施例においては、磁界じょう乱部材１４−１の走査方向におけるライト磁界の急峻な変化を鋭敏に捉えることができる。
【００６１】
また、上記において、磁性膜として、磁性膜を２層以上積層させた多層膜を使用してもよい。多層膜を構成する膜に軟磁性膜を含んでも良いし、層間に非磁性膜を含んでもよい。
【００６２】
特に、実際に記録媒体に使用される磁性膜と同様な構成としてもよい。垂直磁気ヘッドでは、記録媒体の記録磁性膜の下地に軟磁性層を用いてライト磁界を増強する役割をさせるが、磁界じょう乱手段として用いる磁性膜として記録媒体と同様の構成のものを用いることで、磁界測定の条件を実際の記録条件に近づけることができる。
【００６３】
ライト磁極面と磁界じょう乱部材とが接触する場合を考慮しての間に、必要に応じて、ライト磁極面と磁界じょう乱部材との間に潤滑剤を入れてもよい。
【００６４】
磁界じょう乱部材として使用する磁性体の透磁率の調整により、磁界検出感度を変えることができる。また、磁界じょう乱部材として使用する磁性体の保磁力Ｈｃの調整により、検出したい磁界強度の閾値を変えることができる。
【００６５】
図５は、図４における磁界じょう乱手段のエッジ部分をｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例を示す。磁界じょう乱手段１４の直線状のエッジ部分をｙ軸と直角方向に位置づけ、ｙ軸方向に走査するのである。
【００６６】
縦軸は、図３の説明と同様にライトコイルの複素インピーダンスＺの関数Ｆ（Ｚ）である。Ｆ（Ｚ）の分布のベースレベルからの変化量が設定した値ΔＦを超えるｙ軸方向の幅Ｗの値が、ライト磁極の実効コア幅になる。ライト磁界のピーク値のヘッド間ばらつきが実効コア幅のばらつきに比べてあまり問題にならないような場合には、ΔＦの設定値として、Ｆ（Ｚ）の曲線のベースレベルとピークレベルの５０パーセントのレベルとしてもよい。
【００６７】
この方法においては、磁界じょう乱手段を１次元方向に走査してＦ（Ｚ）を測定することにより、実効コア幅を短時間で測定できる。ΔＦの設定値、または測定された実効コア幅Ｗは、磁界じょう乱部材１４−１の膜厚を考慮して補正したり、ヘッドテスタなどの他の測定装置で計測されたコア幅との相関関係を調べて補正してもよい。
【００６８】
図６は本発明による磁気ヘッド測定装置の第四の実施例を示す。磁界じょう乱手段１６として、直線の稜線を有するエッジ部分をもつ膜状の強磁性体の磁界じょう乱部材１６−１を使用し、磁界じょう乱部材１６−１の膜面をライト素子１の先端の面に平行にしてエッジ部分をライト磁極面に近接または接触させて走査し、ライトコイル１−４の電気応答特性を電気応答特性測定手段２により計測する。
この実施例においては、ライト磁界分布を磁界じょう乱部材１６−１のエッジ部分による水平方向の半平面と磁性膜の厚みで積分したものに概略対応する１次元プロファイルを得ることができる。この１次元プロファイルの遷移幅から、ライト磁極１−１の実効コア幅を計測することができる。この実施例においても、磁界じょう乱部材１６−１の走査方向におけるライト磁界の急峻な変化を鋭敏に捉えることができる。
【００６９】
また、上記において、磁性膜として、磁性膜を２層以上積層させた多層膜を使用してもよい。多層膜を構成する膜に軟磁性膜を含んでも良いし、層間に非磁性膜を含んでもよい。
【００７０】
特に、実際に記録媒体に使用される磁性膜と同様な構成としてもよい。垂直磁気ヘッドでは、記録媒体の記録磁性膜の下地に軟磁性層を用いてライト磁界を増強する役割をさせるが、磁界じょう乱手段として用いる磁性膜として記録媒体と同様の構成のものを用いることで、磁界測定の条件を実際の記録条件に近づけることができる。
【００７１】
ライト磁極面と磁界じょう乱部材とが接触する場合を考慮しての間に、必要に応じて、ライト磁極面と磁界じょう乱部材との間に磨耗を少なくするために潤滑剤を入れてもよい。
【００７２】
磁界じょう乱部材として使用する磁性体の透磁率の調整により、磁界検出感度を変えることができる。また、磁界じょう乱部材として使用する磁性体の保磁力Ｈｃの調整により、検出したい磁界強度の閾値を変えることができる。
【００７３】
図７に、図６における磁界じょう乱手段のエッジ部分をｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例を示す。磁界じょう乱手段１６の磁界じょう乱部材１６−１のエッジ部分をライト磁極面からの高さｈ＝１０ｎｍに保ち、ｙ軸方向に走査している。
【００７４】
縦軸は、図３の説明と同様にライトコイルの複素インピーダンスＺの関数Ｆ（Ｚ）である。この１次元プロファイルの遷移幅から、ライト素子１の実効コア幅を計測することができる。例えば、Ｆ（Ｚ）の分布曲線のベースレベルからの変化量が設定した値ΔＦ１とΔＦ２を切るｙ軸の幅Ｗの値が、ライト素子１の実効コア幅に対応する。
【００７５】
ライト磁界のピーク値のヘッド間ばらつきが実効コア幅のばらつきに比べてあまり問題にならないような場合には、ΔＦ１とΔＦ２の設定値として、Ｆ（Ｚ）の曲線のベースレベルとハイレベルの間の例えば２０パーセントと８０パーセントのレベルとする。
【００７６】
図８は本発明による磁気ヘッド測定装置の第五の実施例を示す。磁界じょう乱手段には、
Ｓｉウェハやガラス等の基板でつくられたホルダ１８−２の表面に複数の矩形状の強磁性体の膜を等間隔に配置して成膜された磁界じょう乱部材１８−１としてのパターン膜を有し、図においてライト素子１の先端の面に磁界じょう乱部材１８−１が平行に近接して対向するように位置制御手段４によって保持され、ｘ軸、ｙ軸方向に走査されるようになっている。パターン膜は図のように矩形状あるいは線状のパターンが一方向に並んだものでもよいし、同一パターンの配列でなくても直線状の稜線が複数平行に配列された部分をもてばよい。またはホルダ１８−２の表面にｘ軸、ｙ軸方向の２方向に配列したものでも、あるいは任意の形のドット形状のものでもよい。磁性パターンは一定の規則で配置されていても、ランダムな位置に配置されていてもよい。複数あるパターン膜のどれか１つがライト素子１の先端の表面の近傍にあればよく、パターン膜とライト素子１との位置関係を広い範囲から探し出す手間を省いて、短時間で測定を行うことができる。
【００７７】
なお、上記において、磁性膜や磁性パターンを着ける基板としては、ガラス、シリコンのような結晶体、弾性体、ゴム、テープなどが使用できる。
【００７８】
また、上記において、磁性膜として、磁性膜を２層以上積層させた多層膜を使用してもよい。多層膜を構成する膜に軟磁性膜を含んでも良いし、層間に非磁性膜を含んでもよい。特に、実際に記録媒体に使用される磁性膜と同様な構成としてもよい。垂直磁気ヘッドでは、記録媒体の記録磁性膜の下地に軟磁性層を用いてライト磁界を増強する役割をさせるが、磁界じょう乱手段として用いる磁性膜として記録媒体と同様の構成のものを用いることで、磁界測定の条件を実際の記録条件に近づけることができる。
【００７９】
ライト磁極面と磁界じょう乱部材とが接触する場合を考慮しての間に、必要に応じて、ライト磁極面と磁界じょう乱部材の一方あるいは両方の表面に潤滑剤をコートしたり、あるいは両者の間に潤滑剤を入れてもよい。
【００８０】
磁界じょう乱部材として使用する磁性体の透磁率の調整により、磁界検出感度を変えることができる。また、磁界じょう乱部材として使用する磁性体の保磁力Ｈｃの調整により、検出したい磁界強度の閾値を変えることができる。
【００８１】
磁界じょう乱部材とライト素子との間の位置関係を測定するために、原子間力の他に、ライト磁極と磁界じょう乱部材との間に電圧を印加することにより、磁界じょう乱部材とライト素子表面との電気容量や電位やトンネル電流を検出してもよい。
【００８２】
図９は本発明による磁気ヘッド測定装置の第六の実施例を示す。磁界じょう乱部材１９−１は磁気異方性を有し、一定の方向に制御されている。図においては、磁界じょう乱部材１９−１は磁化容易軸をｚ方向としている。磁界じょう乱部材１９−１の形状は、針状の形状、板状、膜状でもあるいは他の形状、例えば球状でもよい。これにより、磁界じょう乱部材１９−１の磁化応答がライト磁界のベクトル方向に依存するようになる。例えば、磁界じょう乱部材１９−１の磁化困難軸方向への角度の磁化回転を生じるような可逆的な回転磁化過程では磁性体でのエネルギーの損失が少ないため、ライトコイル１−４の複素インピーダンスの虚数部分に変化が生じ、この変化を検出することにより、磁界じょう乱部材１９−１の磁性体の磁化困難軸方向の磁界成分が検出できる。
【００８３】
また、ライト磁界により磁界じょう乱部材１９−１の磁性体の磁化容易軸方向での磁化反転が生じる状況では、エネルギーの損失が生じるため、ライトコイルの複素インピーダンスの実数部に変化が生じ、この変化を検出することにより、磁界じょう乱部材１９−１の磁性体の磁化容易軸方向の磁界成分が検出できる。
【００８４】
図１０は本発明による磁界じょう乱部材の表面に被膜をコーティングした一実施例を示す。
【００８５】
磁界じょう乱部材として、針状の形状の磁界じょう乱部材１０１の表面に、所定の厚さであって磁界をじょう乱しない、あるいは磁界じょう乱手段に比べてじょう乱の十分小さい被膜１０２をコートしている。これにより、磁界じょう乱部材１０１を磁気ヘッド１００のライト素子先端の表面に押し付けても、磁界じょう乱部材１０１とライト磁極面との距離を一定に保つことができ、距離制御が簡単になる。膜状の磁界じょう乱部材を用いる場合も同様に適用できる。
【００８６】
さらに、磁界じょう乱部材１０１をカンチレバー１０５の先端に取り付けて、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で使用されているようなカンチレバーの変位を光テコ法や光干渉法などを用いて検出することにより、接触検出や距離制御を行うことができる。
【００８７】
また、磁界じょう乱部材の先端をライト素子先端の表面に押し付けても測定はできるが、磁界じょう乱部材の表面に上記のような被膜がコートされていれば、ライト素子先端の表面から磁界じょう乱部材の下端までの高さを一定に保てること、そして磁界じょう乱部材の表面および磁気ヘッド表面に傷をつけることを防止することができる。
【００８８】
磁界じょう乱手段とライト素子の表面との間の位置関係を測定するために、磁界じょう乱手段を探針として使用して原子間力顕微鏡と同様な検出方法の他に、ライト磁極と磁界じょう乱部材との間に電圧を印加することにより、磁界じょう乱手段と磁気ヘッドやライト磁極との電気容量やトンネル電流を検出してもよい。
【００８９】
ここで、本発明における電気応答特性測定器を使ったライトコイルのインピーダンスの測定について詳しく述べる。
【００９０】
１）ライト素子のライトコイルに、例えば、正弦波電流を流しながら電圧波形を観察して電圧と電流との比であるインピーダンスを計測する電気応答測定器としては、インピーダンスアナライザが使用できる。
【００９１】
２）ライト素子のライトコイルに高周波電気信号を入力して、透過、又は反射電気信号を計測する高周波用の電気応答測定器としては、ネットワークアナライザが使用できる。
【００９２】
本発明においては、目的に応じて、１）と２）のどちらの電気応答測定器も使用できるが、１）の測定方法では高周波数での測定が困難であるが、２）の測定方法では高周波数における測定が可能になる。
【００９３】
図１１は、本発明におけるライトコイルの電気応答測定の説明図Ａである。図１１−１は、本発明におけるライトコイルの電気応答測定として一般的な場合である。磁気ヘッド１１１のライトコイル１１１−２に電気応答計測器１１４ａが接続されている。
【００９４】
磁気ヘッド１１１のライト磁界をじょう乱するための磁界じょう乱部材１１２が位置制御手段１１３に接続されている。ライト磁界中に磁界じょう乱体１１２が置かれると、ライトヘッドの磁気回路の特性が変化するため、ライトコイル１１１−２の電気応答特性、例えばインピーダンスが変化する。従って、ライト磁極１１１−１の表面近傍に発生する磁界中で磁界じょう乱体１１２を走査しながら、電機応答測定器１１４ａの出力を記録することで、ライト磁界分布を反映した傾向を示すインピーダンスの関数の分布を得ることができる。
【００９５】
図１１−２は、本発明において磁気ヘッド１１１のライトコイル１１１−２の高周波までの応答特性を測定するために、ライトコイル１１１−２に高周波伝送線１１４ｂ−２を介して高周波対応の電気応答測定器１１４ｂが接続されている。高周波伝送線１１４ｂ−２としては、例えば同軸ケーブル、マイクロストリップラインなどの伝送線路などが使用できる。高周波対応の電気応答測定器１１４ｂとしては、例えばネットワークアナライザなどが使用できる。高周波対応の電気応答測定器１１４ｂの１つのポート１１４ｂ−１からライトコイル１１１−２に高周波電気信号を入力し、ライトコイル１１１−２で反射した信号を同じポートで検出する。
【００９６】
ライトコイル１１１−２の高周波電気応答特性を計測するための方法としては、上記の方法の代わりに、図１２−１、図１２−２に示す方法をとってもよい。
【００９７】
図１２は、本発明におけるライトコイルの電気応答測定の説明図Ｂである。
【００９８】
図１２−１においては、ライトコイル１１１−２の両端の２つの端子が、高周波用の電気応答測定器１１４ｃのポートI１１４ｃ−１とポートII１１４ｃ−３に接続されている。ポートI１１４ｃ−１から高周波電気信号をライトコイル１１１−２に入力し、ポートII１１４ｃ−３で透過信号を検出する。また、ポートI１１４ｃ−１に反射した信号を検出することもできる。また、ポートI１１４ｃ−１とポートII１１４ｃ−３を１つの差動伝送線路として使い、差動信号をライトコイル１１１−２に入力して反射信号を両ポートで検出することもできる。
【００９９】
図１２−２においては、ポートI１１４ｄ−１とポートII１１４ｄ−３に各々接続された高周波伝送線I１１４ｄ−２と高周波伝送線I１１４ｄ−４の先端同士をライトコイル１１１−２の一端に接続し、ライトコイル１１１−２の他端を高周波伝送線I１１４ｄ−２と高周波伝送線I１１４ｄ−４のアース線に接続している。ポートI１１４ｄ−１から高周波電気信号をライトコイル１１１−２に入力し、ポートII１１４ｄ−３で透過信号を検出する。また、ポートI１１４ｄ−１に反射した信号を検出することもできる。
【０１００】
図１３は本発明による磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一実施例を示す。磁気ディスク装置は実際には図の上側がカバーで覆われているが、説明のため、カバーを外した内部の斜視図である。図１３において磁気ディスク装置内の剛性を有したベース１３０には磁気記録媒体であるディスク１３５を回転支持するスピンドルモータ（図示省略）が取り付けられ、ディスク１３５はスピンドルモータのディスク回転軸１３６に固定されている。また、ディスク１３５へ情報を書き込み、また読み出しを行う記録／再生素子が設けられた磁気ヘッドであって、本発明による磁気ヘッド測定方法または磁気ヘッド測定装置を使用して検査された磁気ヘッド１３１は、例えば、ステンレス製のバネ鋼の板を加工したサスペンション１３２に取り付けられ、さらに、サスペンション１３２は金属製のアーム１３３の先端部に取り付けられている。ここで、サスペンション１３２には、記録／再生素子との信号のやり取りするための図示されていないＦＰＣがサスペンション１３２の表面に接着層を介して強固に貼り付けられ一体化されている。
【０１０１】
アーム１３３は、アーム１３３を左右に揺動させるアクチュエータ１３４の回転軸１３４−２に固定され、サスペンション１３２の取り付けられたアーム１３３の先端部と回転軸１３４−２に対して反対側の後端には、図示されていないコイルが取り付けられている。磁気回路１３４−１の磁界中をアーム１３３のコイルに電流が流れることにより、アーム１３３は回転軸１３４−２を中心に、電流の方向によって左右に揺動し、ヘッド１３１をディスク１３５の表面の決められたトラック１３５−１上に位置決めするようになっている。
【０１０２】
ベース１３０の裏面に実装されている回路基板（図示省略）には磁気ディスク装置の動作を制御する制御部が搭載されており、アクチュエータ１３４あるいは磁気ヘッド１３１に関わる制御信号や駆動電流等の送受は回路基板と接続されているＦＰＣ１３４−３を介して行われている。
【０１０３】
さらに、外部の機器との接続のためのコネクタ部１３７がベース１３０に設けられている。
【０１０４】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ＭＦＭやＨＦＭＦＭのような磁気ヘッドとプローブとの間に働く磁気力以外の力と分離するための工夫が不要になり、ライト磁界分布の特徴を容易に測定することが可能である。また、ライト磁界の検出感度や検出したい磁界強度を調整することができる。さらに、検出したい磁界ベクトル成分を選択することが可能である。さらに、針状の形状の磁界じょう乱部材を使用した走査測定による２次元面内分布、３次元分布だけでなく、半平面形状やパターン形状の磁界じょう乱部材を使用した走査測定により、ライト磁界分布の１次元積分プロファイルを高速に計測することが可能である。
【０１０５】
ここで、再び図１乃至図１３を参照して、本発明の詳細な特性を改めて説明する。
（付記１）
磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法であって、前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求める方法。
（付記２）
磁気ヘッドのライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法であって、前記ライト素子のライトコイルに交流電流を流し、前記ライト素子の外部に漏洩する磁界を乱す磁界じょう乱部材を前記ライト素子の近傍にて走査し、前記磁界じょう乱部材の前記ライト素子に対する位置と、前記ライトコイルの電気応答特性の測定により得られる前記電気応答特性の関数値との関係から磁気ヘッドのライト素子近傍における磁界分布の特性を求め、  前記ライト素子の位置に対する前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定方法。
（付記３）
磁気ヘッドのライト素子のライトコイルに交流電流を流して前記ライトコイルの電気応答特性を測定する電気応答特性測定手段と、前記ライト素子の近傍を走査する磁界じょう乱部材を備えた磁界じょう乱手段と、前記ライト素子と前記磁界じょう乱手段との相対位置を制御する位置制御手段とを有し、前記ライト素子の近傍において前記磁界じょう乱手段を走査したときの前記電気応答特性の関数値の変化から前記ライト素子の実効寸法を求める磁気ヘッド測定装置。
（付記４）
前記磁界じょう乱部材は先端が尖った針状の形状を有することを特徴とする付記３記載の磁気ヘッド測定装置。
（付記５）
前記磁界じょう乱部材は直線的な稜線を有する形状であることを特徴とする付記３記載の磁気ヘッド測定装置。
（付記６）
前記磁界じょう乱部材は複数の矩形状の薄膜が隔離的に設けられたことを特徴とする付記３記載の磁気ヘッド測定装置。
（付記７）
前記磁界じょう乱部材は磁気異方性を有することを特徴とする付記３乃至６のいずれかに記載の磁気ヘッド測定装置。
（付記８）
前記磁界じょう乱部材の表面には非強磁性被膜がコーティングされていることを特徴とする付記３乃至７のいずれかに記載の磁気ヘッド測定装置。
（付記９）
付記３乃至付記８のいずれかに記載の磁気ヘッド測定装置を用いて作成された磁気ヘッド。
（付記１０）
付記９記載の磁気ヘッドを用いる磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明による磁気ヘッド測定装置の第一の実施例
【図２】本発明による磁気ヘッド測定装置の第二の実施例
【図３】図２における磁界じょう乱手段の位置をｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例
【図４】本発明による磁気ヘッド測定装置の第三の実施例
【図５】図４における磁界じょう乱手段のエッジ部分をｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例
【図６】本発明による磁気ヘッド測定装置の第四の実施例
【図７】図６における磁界じょう乱手段のエッジ部分をｙ軸方向に走査したときのライトコイルの電気応答特性変化の一例
【図８】本発明による磁気ヘッド測定装置の第五の実施例
【図９】本発明による磁気ヘッド測定装置の第六の実施例
【図１０】本発明による磁界じょう乱部材の表面に被膜をコーティングした一実施例
【図１１】本発明におけるライトコイルの電気応答測定の説明図Ａ
【図１２】本発明におけるライトコイルの電気応答測定の説明図Ｂ
【図１３】本発明の磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一実施例
【符号の説明】
【０１０７】
１                              ライト素子
２                              電気応答特性測定手段
３                              伝送線
４，１０４，１１３              位置制御手段
１１、１４、１６、１８          磁界じょう乱手段
１２、１９，１０１、１１２      磁界じょう乱部材
１００，１１１，１３１          磁気ヘッド
１０２                          被膜
１０５                          カンチレバー
１３０                          ベース
１３２                          サスペンション
１３３                          アーム
１３４                          アクチュエータ
１３５                          ディスク
１３６                          ディスク回転軸
１３７                          コネクタ部
【図１】
2009199658.tif 000003
【図２】
2009199658.tif 000004
【図３】
2009199658.tif 000005
【図４】
2009199658.tif 000006
【図５】
2009199658.tif 000007
【図６】
2009199658.tif 000008
【図７】
2009199658.tif 000009
【図８】
2009199658.tif 000010
【図９】
2009199658.tif 000011
【図１０】
2009199658.tif 000012
【図１１】
2009199658.tif 000013
【図１２】
2009199658.tif 000014
【図１３】
2009199658.tif 000015