(57)【要約】【課題】各基板の接合界面におけるボイドの発生を抑制し、良好な基板の接合体を得ることのできる接合体の製造方法及び発光装置の製造装置を提供する。【解決手段】第１基板１２０が予め設定された設定反り形状となるように、設定反り形状と予め対応付けられた雰囲気圧力にて、薄膜を第１基板１２０の接合面に形成する薄膜形成工程と、薄膜が形成された第１基板１２０と、第２基板１１０と、を接着材１１３，１２２を介し、挟圧して接合する接合工程と、により接合体１４０を製造するようにした。【選択図】図１
2009277944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板が予め設定された設定反り形状となるように、前記設定反り形状と予め対応付けられた雰囲気圧力にて、薄膜を前記第１基板の接合面に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜が形成された前記第１基板と、第２基板と、を接着材を介し、挟圧して接合する接合工程と、を含む接合体の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板の前記設定反り形状は、前記第２基板に対して凸となる形状である請求項１に記載の接合体の製造方法。
【請求項３】
前記薄膜形成工程にて、前記薄膜はスパッタリング法により形成される請求項２に記載の接合体の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜は、前記接着材の拡散を防止するバリアメタル層である請求項３に記載の接合体の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板と前記第２基板の一方は、発光層を含む窒化物系半導体層が形成された成長基板であり、
前記第１基板と前記第２基板の他方は、支持基板である請求項４に記載の接合体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の製造方法によって接合体を製造した後、
前記成長基板と前記窒化物系半導体層とを分離する発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記成長基板は、サファイア基板であり、
前記支持基板は、シリコン基板である請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着材は、鉛フリーはんだであり、
前記バリアメタル層は、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆ又はこれらの合金からなる層を少なくとも１層有する請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１基板及び第２基板が接着材を介して接合される接合体の製造方法及び発光装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体分野においては、２つの基板を貼り合わせて接合させる技術が用いられている（例えば、特許文献１、２及び３参照）。
【特許文献１】特開２００４−２６６２４０号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５５０６号公報
【特許文献３】特開２００５−０４４８４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、２つの基板を貼り合わせると、接合界面にボイドが残留して非接合部分が形成され、各基板の接合強度が低下するという問題がある。
【０００４】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、各基板の接合界面におけるボイドの発生を抑制し、良好な基板の接合体を得ることのできる接合体の製造方法及び発光装置の製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明では、第１基板が予め設定された設定反り形状となるように、前記設定反り形状と予め対応付けられた雰囲気圧力にて、薄膜を前記第１基板の接合面に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜が形成された前記第１基板と、第２基板と、を接着材を介し、挟圧して接合する接合工程と、を含む接合体の製造方法が提供される。
【０００６】
上記接合体の製造方法において、前記第１基板の前記設定反り形状は、前記第２基板に対して凸となる形状であることが好ましい。
【０００７】
上記接合体の製造方法において、前記薄膜形成工程にて、前記薄膜はスパッタリング法により形成されることが好ましい。
【０００８】
上記接合体の製造方法において、前記薄膜は、前記接着材の拡散を防止するバリアメタル層であることが好ましい。
【０００９】
上記接合体の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板の一方は、発光層を含む窒化物系半導体層が形成された成長基板であり、前記第１基板と前記第２基板の他方は、支持基板であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明では、上記製造方法によって接合体を製造した後、前記成長基板と前記窒化物系半導体層とを分離する発光装置の製造方法が提供される。
【００１１】
上記発光装置の製造方法において、前記成長基板は、サファイア基板であり、前記支持基板は、シリコン基板であることが好ましい。
【００１２】
上記発光装置の製造方法において、前記接着材は、鉛フリーはんだであり、前記バリアメタル層は、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆ又はこれらの合金からなる層を少なくとも１層有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、各基板の接合界面におけるボイドの発生を抑制し、良好な基板の接合体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１から図９は本発明の一実施形態を示すもので、図１は発光装置の構成説明図であり、（ａ）は完成した状態のものを示し、（ｂ）は窒化物系半導体層、バリアメタル層及び接着材が形成されたサファイア基板を示し、（ｃ）はバリアメタル層及び接着材が形成されたシリコン基板を示し、（ｄ）はサファイア基板とシリコン基板を接合する直前の状態を示し、（ｅ）はサファイア基板とシリコン基板を接合した直後の接合体を示す。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の発光装置１００は、支持基板としてのシリコン基板１２０上に窒化物系半導体層１１１が形成されている。この発光装置１００は、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０とを接合した後、サファイア基板１１０をレーザリフトオフ法により除去して製造される。発光装置１００の製造にあたり、図１（ｂ）に示すように、成長基板としてのサファイア基板１１０に、窒化物系半導体層１１１、バリアメタル層１１２及び接着材１１３をサファイア基板１１０側からこの順で形成する。窒化物系半導体層１１１は、例えば、サファイア基板１１０側からバッファ層、ｎ型ＧａＮ系半導体層、発光層、ｐ型ＧａＮ系半導体層及びｐ型コンタクト層を含んでいる。バリアメタル層１１２は、例えば、窒化物半導体層１１１上に形成される所定ペア数のＴｉ／Ｗ／Ｔｉの層と、この層の表面に形成されるＮｉ層を含んでいる。接着材１１３は、例えば、Ａｕ−Ｓｎはんだからなる。
【００１６】
一方、図１（ｃ）に示すように、支持基板としてのシリコン基板１２０に、バリアメタル層１２１及び接着材１２２をシリコン基板１２０側からこの順で形成する。本実施形態においては、バリアメタル層１２１は、例えば、シリコン基板１２０上に形成されるＴｉ層と、Ｔｉ層の上に形成されるＷ層と、を含んでいる。また、本実施形態においては、接着材１２２は、例えば、Ａｕ−Ｓｎはんだからなる。
【００１７】
そして、図１（ｄ）に示すように、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０とを互いに接着材１１３，１２２を接触させた状態で加熱して接触させる。この後、図１（ｅ）に示すように、接着材１１３，１２２を溶融固化してサファイア基板１１０とシリコン基板１２０が接着層１３０により接合された接合体１４０を作製する。次いで、サファイア基板１１０をレーザリフト法により除去した後、窒化物系半導体層１１１にｎ側電極１５０を形成し、研磨により６０〜２５０μｍ程度まで薄くしたシリコン基板１２０にｐ側電極１６０を形成する。
【００１８】
図１（ｄ）に示すように、接合体１４０の作製にあたっては、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０の間にボイド等が発生しないように、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０の少なくとも一方を所定の反り形状とすることが好ましい。本実施形態においては、サファイア基板１１０及びシリコン基板１２０は、それぞれ円板状に形成されており、シリコン基板１２０は中央側がサファイア基板１１０に対して凸となる反り形状となっている。この反り形状は、シリコン基板１２０にバリアメタル層１２１を形成する際に制御される。以下、シリコン基板１２０にバリアメタル層１２１を形成するスパッタ装置１について説明する。
【００１９】
図２は、スパッタ装置の構成説明図である。
図２に示すように、基板反り装置としてのスパッタ装置１は、内部にてスパッタ膜を形成するチャンバ２と、チャンバ２内の下側に配置されターゲット３を保持するターゲット電極４と、チャンバ２内の上側に配置されてシリコン基板１２を固定する基板電極５と、ターゲット電極４と基板電極５に電圧を印加する直流電源６と、を備えている。また、スパッタ装置１は、チャンバ２に接続されたガス導入管７及びガス排気管８と、ガス導入管７の上流側に接続されスパッタガスを供給するガス供給源７ａと、ガス導入管７に設けられスパッタガスの流量を制御するガス導入バルブ７ｂと、ガス排気管８の下流側に接続されチャンバ２内を排気する真空ポンプ８ａと、ガス排気管８に設けられチャンバ２内の圧力を制御する圧力制御バルブ８ｂと、を備えている。本実施形態においては、スパッタガスとして例えばＡｒが用いられる。
【００２０】
図３は、スパッタ装置の制御ブロック図である。
図３に示すように、直流電源６、真空ポンプ８ａ、ガス導入バルブ７ｂ及び圧力制御バルブ８ｂは、制御部９のインターフェース部１０に接続されており、制御部９からの指令に基づいて動作する。制御部９は、直流電源６の電圧、真空ポンプ８ａの動作、ガス導入バルブ７ｂ及び圧力制御バルブ８ｂの開度を制御する各種の制御プログラム１１ａを記憶する記憶部１１を有する。記憶部１１は、例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなり、インターフェース部１０及び例えばＣＰＵ等からなる演算部１２とバスによって接続されている。また、記憶部１１には、バリアメタル層１２１を形成する際のチャンバ２内の圧力と、バリアメタル層１２１形成後のシリコン基板１２０の反り量と、を対応づけた反り形状データ１１ｂが記憶されている。また、制御部９のインターフェース部１０には、例えばキーボード、タッチパネル等からなる入力部１３と、例えばディスプレイ等からなる表示部１４が接続されている。入力部１３は、制御プログラム１１ａ及び反り形状データ１１ｂを入力可能に構成されている。また、表示部１４は、直流電源６の電圧、真空ポンプ８ａの動作、ガス導入バルブ７ｂ及び圧力制御バルブ８ｂの開度や、スパッタリングの進行状況等を表示可能に構成されている。制御部９は、入力部１３から入力された反り量と反り形状データ１１ｂとを照合し、チャンバ２内の圧力を決定して当該圧力によりバリアメタル層１２１を形成する。
【００２１】
このスパッタ装置１を用いたスパッタ方法を説明する。ターゲット電極４にターゲット３を固定し、シリコン基板１２０を基板電極５に固定する。次いで、真空ポンプ８ａを作動させてチャンバ２内を真空にし、ガス導入バルブ７ｂを開いてガス供給源７ａからスパッタガスをチャンバ２内へ導入する。チャンバ２内の圧力は、圧力制御バルブ８ｂの開度により制御する。次いで、直流電源６によりターゲット電極４に電圧を印加してプラズマを生じさせ、プラズマがターゲット３の表面に衝突してターゲット３をスパッタリングし、シリコン基板１２０上に薄膜としてのバリアメタル層１２１が形成される。
【００２２】
本実施形態においては、チャンバ２内の圧力制御により、シリコン基板１２０の反り形状を制御する。ここで、バリアメタル層１２１の形成時の圧力と、シリコン基板１２０の反り量についての具体例を表１に示す。表１は、厚さが０．６５ｍｍの３インチのシリコン基板１２０に、Ｔｉ層及びＷ層からなるバリアメタル層１２１を形成した際の反り量を示している。スパッタガスはＡｒとし、Ｔｉ層の膜厚は全て１０００Åとした。Ａｒガスの流量を２０ｓｃｃｍ、放電電力を７００Ｗとし、Ｗ層の膜厚を１０００Å、２０００Å、３０００Åに変化させるとともに、チャンバ２内の圧力を０．１２Ｐａ、１．２Ｐａ、１．８Ｐａに変化させて、シリコン基板１２０の反り量を測定した。反り量は、バリアメタル層１２１を形成した後の、シリコン基板１２０の中央と外縁の厚さ方向位置の差により算出した。反り量の測定は、キーエンス社製のレーザー変位計ＬＴ−８０１０を用いて行った。
【００２３】
【表１】
2009277944.tif 000003
【００２４】
図４は、バリアメタル層形成面を上側としたシリコン基板の反り形状の例であり、（ａ）は基板中央が上方へ突出した形状を示し、（ｂ）は基板中央が下方へ突出した形状を示している。
表１における反り量がプラスの状態は、図４（ａ）に示すようにシリコン基板１２０がバリアメタル層１２１が形成された面側に凸となった状態である。また、表１における反り量がマイナスの状態は、図４（ｂ）に示すようにシリコン基板１２０がバリアメタル層１２１が形成された面側に凹となった状態である。
【００２５】
表１に示すように、チャンバ２内の圧力を０．１２Ｐａとした場合及び１．２Ｐａとした場合、いずれも反り量がプラスであった。また、チャンバ２内の圧力を１．８Ｐａとした場合、反り量がマイナスであった。具体的に、Ｗ層の膜厚を１０００Åとすると、シリコン基板１２０の反り量は、０．１２Ｐａで＋９８μｍ、１．２Ｐａで＋５３μｍ、１．８Ｐａで−１４．５８μｍであった。また、Ｗ層の膜厚を２０００Åとすると、シリコン基板１２０の反り量は、０．１２Ｐａで＋２１３μｍ、１．２Ｐａで＋７８μｍ、１．８Ｐａで−４２．７４μｍであった。さらに、Ｗ層の膜厚を３０００Åとすると、シリコン基板１２０の反り量は、０．１２Ｐａで＋２８７μｍ、１．２Ｐａで＋１０１μｍ、１．８Ｐａで−６４．６６μｍであった。
【００２６】
図５は、横軸をＷ層の厚さとし縦軸をシリコン基板の反り量としたグラフである。図５に示すように、Ｗ層の厚さと反り量の関係はほぼ比例関係であり、Ｗ層の膜厚が大きくなると反り量が大きくなる傾向がある。
【００２７】
このように、バリアメタル層１２１の形成時の雰囲気圧力で、シリコン基板１２０の反り量が変化する。本実施形態においては、シリコン基板１２０が、接合後にボイドや割れが生じない設定反り形状となるように、この設定反り形状と予め対応付けられた雰囲気圧力にて、バリアメタル層１２１をシリコン基板１２０の接合面に形成する（薄膜形成工程）。そして、薄膜形成工程の後、バリアメタル層１２１が形成されたシリコン基板１２０と、サファイア基板１１０と、を接着材１１３，１２２を介し、挟圧して接合している（接合工程）。接合体の貼り合わせ装置２１について後述する。記憶部１１には、バリアメタル層１２１の所定の材質及び膜厚について、予め測定されたチャンバ２内の圧力及びシリコン基板１２０の反り量に関する反り形状データ１１ｂが記憶されている。そして、使用者が入力部１３からシリコン基板１２０の所望の反り量を入力すると、制御部９は、当該反り量に対応する圧力を反り形状データ１１ｂに基づいて導出し、当該圧力にてシリコン基板１２０にバリアメタル層１２１を形成する。
【００２８】
図６は、接合体の貼り合わせ装置の構成説明図である。
図６に示すように、接合体の貼り合わせ装置２１は、外気を遮断可能なチャンバ２２と、サファイア基板１１０が固定される上側加熱板２３と、上側加熱板２３を上下に移動させるシリンダ２４と、シリコン基板１２０が固定される下側加熱板２５と、下側加熱板２５を支持する支持部２６と、を備えている。上側加熱板２３及び下側加熱板２５は、チャンバ２２内に配置され、シリンダ２４によりサファイア基板１１０及びシリコン基板１２０を挟み込んで荷重を加えることができるよう構成される。本実施形態においては、上側加熱板２３及び下側加熱板２５は、互いに平行な同径の円盤状に形成され、それぞれ内部に加熱器を有している。また、貼り合わせ装置２１は、チャンバ２２に接続されたガス導入管２７及びガス排気管２８と、ガス導入管２７の上流側に接続され不活性ガスを供給するガス供給源２７ａと、ガス導入管２７に設けられスパッタガスの流量を制御するガス導入バルブ２７ｂと、ガス排気管２８の下流側に接続されチャンバ２２内を排気する真空ポンプ２８ａと、ガス排気管２８に設けられチャンバ２２内の圧力を制御する圧力制御バルブ２８ｂと、を備えている。本実施形態においては、不活性ガスとして例えばＮ２が用いられる。
【００２９】
この貼り合わせ装置２１を用いた貼り合わせ方法を、図７から図９を参照して説明する。図７は上側加熱板及び下側加熱板によりサファイア基板及びシリコン基板を挟み込む直前の模式説明図、図８は上側加熱板及び下側加熱板によりサファイア基板及びシリコン基板を挟み込んだ状態の模式説明図である。
図７に示すように、接合体１４０の製造にあたっては、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０を互いに位置決めする。図７においては、シリコン基板１２０は、サファイア基板１１０に対して凸形状を呈している。この後、図８に示すように、シリンダ２４を伸張して上側加熱板２３を移動させて、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０を接着材１１３，１２２を介して挟み込む。
【００３０】
図９に、上側加熱板及び下側加熱板の温度と経過時間の関係のグラフの一例を示す。本実施形態においては、図９に示すように、予め設定された加熱時間をかけて上側加熱板２３及び下側加熱板２５を所定温度まで加熱し、上側加熱板２３及び下側加熱板２５を所定温度にて予め設定された保持時間だけ保持し、予め設定された冷却時間をかけて上側加熱板２３及び下側加熱板２５を常温まで冷却する。接合体１４０の接合条件は任意に設定することができるが、本実施形態においては、各基板１１０，１２０の加圧荷重は１００〜１００００Ｎであり、加熱時間は３０分、所定温度は１００℃〜５００℃、保持時間は３０分、冷却時間は１２０分である。
【００３１】
これにより、上側加熱板１０及び下側加熱板３０が挟圧されたサファイア基板１１０及びシリコン基板１２０は、互いに接着材１１３，１２２の形成面を対向させた状態で、上側加熱板２３及び下側加熱板２５により加熱しつつ挟圧される。このとき、シリコン基板１２０がサファイア基板１１０に対して凸形状を呈していることから、シリコン基板１２０及びサファイア基板１１０は基板の中央側から順次当接していき、各基板１１０，１２０の間にボイドが残留することを抑制することができる。また、シリコン基板１２０は、設定反り形状として実験によりボイド及び割れの発生が最も抑制される形状が選択され、バリアメタル層１２１の形成時の圧力制御により設定反り形状に成型されているので、ボイドの残留及び基板の割れを殆どなくすことができる。
【００３２】
接合体１４０を製造した後、レーザリフトオフ法により、シリコン基板１２０側に接合された窒化物系半導体層１１１を残してサファイア基板１１０を分離する。このとき、接合体１４０の反りが抑制されていることから、レーザ光を所期の分離部位へ的確に照射することができる。すなわち、本実施形態の接合体の製造方法及び製造装置は、成長基板上に半導体層を形成した後、支持基板を接合し、成長基板を分離して作製される発光ダイオードに固有の問題を解決したものである。
【００３３】
ここで、本実施形態の製造方法を用いた発光装置の実施例を説明する。
実施例では、厚さ０．４ｍｍの３インチのシリコン基板に、厚さ１０００ÅのＴｉ層、厚さ３０００ÅのＷ層、厚さ１５００ÅのＴｉ層及び厚さ１５００ÅのＮｉ層からなるバリアメタル層をスパッタリング法により形成した。各Ｔｉ層及びＮｉ層は雰囲気圧力を０．１２Ｐａとし、Ｗ層は雰囲気圧力を１．２Ｐａとして形成した。Ｗ層について１．２Ｐａとした理由は、設定反り形状に対応する圧力が１．２Ｐａであったからである。尚、条件を変化させたのは圧力のみで、各Ｔｉ層、Ｗ層及びＮｉ層の形成に際しては、スパッタガスであるＡｒガスの流量は２０ｓｃｃｍ、放電電力は７００Ｗで、それぞれ一定とした。バリアメタル層の形成にあたっては、同様の材質及び層構成のバリアメタル層について、スパッタリング時の圧力を変化させてシリコン基板の反り量を測定しておき、これに基づいて圧力と反り量の関係を予め取得しておいた。このようにシリコン基板にバリアメタル層を形成した後、抵抗加熱式真空蒸着機を用いてＡｕ−Ｓｎはんだからなる接着材を２μｍ形成した。
【００３４】
一方、厚さ０．５ｍｍの３インチのサファイア基板に、厚さ４０００ｎｍのｎ型層、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造からなる厚さ４０ｎｍの発光層、厚さ１４００ｎｍのｐ型層をこの順に含む窒化物系半導体層をエピタキシャル成長に形成した。ここで、窒化物系半導体層はIII族窒化物系化合物半導体からなり、III族窒化物系化合物半導体は、一般式ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（但し、ｘ、ｙ、ｘ＋ｙはいずれも０以上１以下）で表される半導体であって、任意の不純物を添加したもの、或いは他のIII族元素でＡｌ、Ｇａ及び／又はＩｎの一部組成を置き換えたもの、他のＶ族元素でＮの一部組成を置き換えたものを含むものとする。この後、窒化物系半導体層の上に、厚さ３００ｎｍで銀を主成分とする合金からなる反射電極を形成し、さらにＷ／Ｔｉ／Ｎｉからなるバリアメタル層を形成した後、厚さ２μｍのＡｕ−Ｓｎはんだからなる接着材を形成した。
【００３５】
次いで、反り形状のシリコン基板と平板状のサファイア基板とを、所定温度を３００℃とし、加圧荷重を１００Ｎとして接合した。接合後に各基板に割れは生じず、Ｘ線による検査でもボイドは確認されず、良好な接合体を得ることができた。
【００３６】
尚、前記実施形態においては、シリコン基板１２０をサファイア基板１１０へ向かって凸となるようにしたものを示したが、例えば図１１に示すようにサファイア基板１１０がシリコン基板１２０へ向かって凸となるようにし、図１２に示すように接合体１４０を製造するようにしてもよい。この場合、サファイア基板１１０のバリアメタル層１１２を形成する際の圧力を変化させて、サファイア基板１１０を所望の設定反り形状となるよう制御すればよい。
【００３７】
また、前記実施形態においては、第１基板としてサファイア基板１１０を用いたものを示したが、第１基板としてＧａＮ基板、ＳｉＣ基板等を用いてもよい。第２基板としてシリコン基板１２０を用いたものを示したが、導電性を有するものであれば他の基板を用いることもできる。また、接着層１３０として、Ａｕ−Ｓｎはんだを用いたものを示したが、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ等の他のはんだを用いてもよい。接着材１１３，１２２としては、鉛を含まない鉛フリーはんだが好ましい。また、接着層１３０の金属の拡散を防止するバリアメタル層１１２，１２１として、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｈｆ又はこれらの合金からなる層を少なくとも１層有するものを用いることができる。
【００３８】
また、前記実施形態においては、サファイア基板１１０とシリコン基板１２０の直径が３インチであるものを示したが、第１基板及び第２基板の大きさは任意である。尚、第１基板と第２基板の大きさは、１インチ以上であると接合体の反り、割れ等が生じやすくなるので、反り、割れ等の抑制効果が顕著となる。
【００３９】
また、前記実施形態においては、半導体装置の一例として発光ダイオード装置を示したが、第１基板と第２基板とを接合するものであれば、他の半導体装置の製造にあっても反り、割れ等を抑制することができ、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は本発明の一実施形態を示す発光装置の構成説明図であり、（ａ）は完成した状態のものを示し、（ｂ）は窒化物系半導体層、バリアメタル層及び接着材が形成されたサファイア基板を示し、（ｃ）はバリアメタル層及び接着材が形成されたシリコン基板を示し、（ｄ）はサファイア基板とシリコン基板を接合する直前の状態を示し、（ｅ）はサファイア基板とシリコン基板を接合した直後の接合体を示す。
【図２】図２はスパッタ装置の構成説明図である。
【図３】図３はスパッタ装置の制御ブロック図である。
【図４】図４はバリアメタル層形成面を上側としたシリコン基板の反り形状の例であり、（ａ）は基板中央が上方へ突出した形状を示し、（ｂ）は基板中央が下方へ突出した形状を示している。
【図５】図５は横軸をＷ層の厚さとし縦軸をシリコン基板の反り量としたグラフである。
【図６】図６は接合体の貼り合わせ装置の構成説明図である。
【図７】図７は上側加熱板及び下側加熱板によりサファイア基板及びシリコン基板を挟み込む直前の模式説明図である。
【図８】図８は上側加熱板及び下側加熱板によりサファイア基板及びシリコン基板を挟み込んだ状態の模式説明図である。
【図９】図９は上側加熱板及び下側加熱板の温度と経過時間の関係のグラフの一例である。
【図１０】図１０は、変形例であって、上側加熱板及び下側加熱板によりサファイア基板及びシリコン基板を挟み込んだ状態の模式説明図である。
【図１１】図１１は、変形例であって、上側加熱板及び下側加熱板の温度と経過時間の関係のグラフの一例である。
【符号の説明】
【００４１】
１      スパッタ装置
２      チャンバ
３      ターゲット
４      ターゲット電極
５      基板電極
６      直流電源
７      ガス導入管
７ａ    ガス供給源
７ｂ    ガス導入バルブ
８      ガス排気管
８ａ    真空ポンプ
８ｂ    圧力制御バルブ
９      制御部
１０    インターフェース部
１１    記憶部
１１ａ  制御プログラム
１１ｂ  反り形状データ
１２    演算部
１３    入力部
１４    表示部
２１    貼り合わせ装置
２２    チャンバ
２３    上側加熱板
２４    シリンダ
２５    下側加熱板
２６    支持部
２７    ガス導入管
２７ａ  ガス供給源
２７ｂ  ガス導入バルブ
２８    ガス排気管
２８ａ  真空ポンプ
２８ｂ  圧力制御バルブ
１００  発光装置
１１０  サファイア基板
１１１  窒化物系半導体層
１１２  バリアメタル層
１１３  接着材
１２０  シリコン基板
１２１  バリアメタル層
１２２  接着材
１３０  接着層
１４０  接合体
１５０  ｎ側電極
１６０  ｐ側電極
【図１】
2009277944.tif 000004
【図２】
2009277944.tif 000005
【図３】
2009277944.tif 000006
【図４】
2009277944.tif 000007
【図５】
2009277944.tif 000008
【図６】
2009277944.tif 000009
【図７】
2009277944.tif 000010
【図８】
2009277944.tif 000011
【図９】
2009277944.tif 000012
【図１０】
2009277944.tif 000013
【図１１】
2009277944.tif 000014