(57)【要約】【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】非接触式シール機構２９は、スピンベース１０に固定された回転環３４と、基部３０によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環３４に対向配置された非回転環３２とを備えている。非回転環３２は、基部３０に保持された複数のばね３１の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環３２および非回転環３４はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環３２は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μｍ〜数十μｍ回転環３４から離間しており、これによって、非回転環３２と回転環３４とが互いに非接触になっている。【選択図】図３
2009022880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる基板保持回転手段と、
前記基板保持回転手段の基板を保持する側とは反対側に配設されたベース部と、
前記基板保持回転手段の基板を保持する側とは反対側と前記ベース部との間をシールするシール手段とを備え、
前記シール手段は、
前記基板保持回転手段側に設けられた環状の回転環と、
前記ベース部側に設けられ前記回転環に対向する環状の非回転環と、
前記回転環と前記非回転環との間に気体を供給する気体供給手段とを備え、
前記回転環および前記非回転環は、当該回転環と当該非回転環とが互いに反発するように働く磁石をそれぞれ含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記シール手段は、前記回転環および前記非回転環を互いに接近させる接近手段をさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記接近手段は、前記非回転環の前記回転環と対向する側とは反対側に配設され前記非回転環を保持する保持手段を備え、
前記非回転環および前記保持手段は、当該非回転環と当該保持手段とが互いに反発するように働く磁石をそれぞれ含む、請求項２記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程において用いられる枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に薬液等の処理液を供給するためのノズルとを備えている。スピンチャックによって基板を水平面内で回転させつつ、ノズルから基板に処理液を供給させることによって、基板に対する処理液による処理が行われる。
【０００３】
スピンチャックは、鉛直方向に沿って配置された回転軸と、この回転軸の上端にほぼ水平に取り付けられたスピンベースと、このスピンベースの上面に配置された複数のチャックピンとを備えている。回転軸はモータの駆動軸と一体化されている。複数のチャックピンによって基板が挟持された状態でモータが回転軸を回転させることにより、スピンベースとともに基板が回転される。
【０００４】
モータは、筒状のカバー部材によって包囲されている。カバー部材の上端はスピンベースの下面近傍まで及んでいる。カバー部材の上端とスピンベースの下面との間は、シール機構によってシールされている。これにより、処理液成分を含む腐食性雰囲気がモータなどを含む回転機構部に至ったり、その回転機構部からの発塵（パーティクル）を含む雰囲気が基板に至ったりすることが防止されている。前記シール機構としては、いわゆる非接触式シール機構が用いられることがある（たとえば特許文献１，２参照）。
非接触式シール機構は、カバー部材の上端部に複数のばねを介して支持された固定環と、スピンベースの下面に固定され、固定環と対向配置された回転環とを備えている。固定環の上面には複数のクリーンガス吹き出し口が開口されており、これらのクリーンガス吹き出し口から固定環と回転環との間にクリーンガスが供給されるようになっている。
【０００５】
クリーンガス吹き出し口から固定環と回転環との間にクリーンガスが供給されると、そのクリーンガスの圧力によって固定環が回転環に対して数μｍ〜数十μｍ離間し、固定環と回転環とが非接触状態になる。このとき、固定環と回転環との間に供給されるクリーンガスは、カバー部材の内側と外側とに分かれて流れ、これによって、固定環と回転環との間のシールが達成される。
【特許文献１】特開２００６−１１４８５２号公報
【特許文献２】特開２０００−１００９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板（スピンベース）の回転中は、固定環と回転環との非接触状態を保つために、固定環と回転環との間にクリーンガスが供給され続ける。ところが、クリーンガスの配管系統やクリーンガス供給源の故障などが原因で、固定環と回転環との間に供給されるクリーンガスの流量が低下することがある。クリーンガスの流量が低下すると、固定環と回転環との間におけるクリーンガスの圧力が低下し、固定環と回転環との非接触状態が維持できなくなる。したがって、クリーンガスの流量が低下すると、回転環が固定環に接触しながら回転し、固定環および／または回転環の摩耗粉による雰囲気汚染が生じるおそれがある。そして、発塵を含む雰囲気が基板に至り、基板が汚染されるおそれがある。
【０００７】
この問題に対して、クリーンガスの流量の低下に応答してモータの駆動を停止させ、基板の処理を停止させるインタロック制御を行うことが考えられる。しかしながら、インタロック制御を行っても、モータの駆動停止からスピンベースの回転停止までの数秒間程度は回転環が固定環と接触しながら回転するため、前記と同様の不具合が生じる。またこのような不具合を生じると、故障箇所の修理に加えて、摩耗粉の除去のための清掃を行わなければならず、基板処理装置のダウンタイム（基板の処理を行うことができない期間）が長くなってしまう。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、非接触式シールを用いた構成において、固定環（非回転環）と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して回転させる基板保持回転手段（１）と、前記基板保持回転手段の基板を保持する側とは反対側に配設されたベース部（２４，２７）と、前記基板保持回転手段の基板を保持する側とは反対側と前記ベース部との間をシールするシール手段（２９，１２９，２２９）とを備え、前記シール手段は、前記基板保持回転手段側に設けられた環状の回転環（３４）と、前記ベース部側に設けられ前記回転環に対向する環状の非回転環（３２）と、前記回転環と前記非回転環との間に気体を供給する気体供給手段（３９，４０，４２，４３，４４）とを備え、前記回転環および前記非回転環は、当該回転環と当該非回転環とが互いに反発するように働く磁石をそれぞれ含む、基板処理装置である。
【００１０】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
この発明によれば、回転環と非回転環との間で生じる磁石の反発力によって回転環と非回転環との間に微小な隙間が形成され、回転環と非回転環とが非接触状態になる。そして、この微小な隙間に気体供給手段からの気体が供給されることで、前記反対側とベース部との間がシールされる。
【００１１】
すなわち、回転環と非回転環とは、従来の構成のように、気体供給手段からの気体の圧力によって非接触にされるのではなく、磁石の反発力によって非接触にされる。したがって、回転環の回転中に気体供給手段に故障などが生じて、気体供給手段による気体の供給流量や供給圧が減少しても、回転環と非回転環との非接触状態が確実に維持される。これにより、回転環および／または非回転環の摩耗粉による雰囲気汚染が生じることが防止される。その結果、発塵を含む雰囲気が基板に至ることが防止される。また、故障箇所の修理が完了すれば、すぐに基板の処理を再開することができるので、基板処理装置のダウンタイム（基板の処理を行うことができない期間）が短縮される。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記シール手段は、前記回転環および前記非回転環を互いに接近させる接近手段（３１，５２，５３，１３０）をさらに備える、請求項１記載の基板処理装置である。
この発明によれば、回転環と非回転環との間で生じる磁石の反発力と、接近手段による接近力との釣り合いによって、回転環と非回転環との間の間隔が一定にされる。これにより、回転環と非回転環との間がより確実にシールされる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、前記接近手段は、前記非回転環の前記回転環と対向する側とは反対側に配設され前記非回転環を保持する保持手段（１３０）を備え、前記非回転環および前記保持手段は、当該非回転環と当該保持手段とが互いに反発するように働く磁石をそれぞれ含む、請求項２記載の基板処理装置である。
この発明によれば、回転環と非回転環との間で生じる磁石の反発力と、非回転環と保持手段との間で生じる磁力の反発力との釣り合いによって、回転環と非回転環との間の間隔が一定にされる。すなわち、非回転環と保持手段との間で生じる磁力の反発力が、回転環と非回転環とを互いに接近させる接近力として作用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図解図である。基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を保持して回転させる基板保持回転手段としてのスピンチャック１を備えている。
スピンチャック１は、ウエハＷをほぼ水平に保持して、そのウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線まわりに当該ウエハＷを回転させることができる。また、スピンチャック１には、鉛直方向に延びる処理液供給管２が挿通されている。処理液供給管２の上端は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面（裏面）中央に近接配置された後述の裏面ノズル１６（図２参照）に結合されている。
【００１５】
処理液供給管２には、純水バルブ３を介して純水供給源が接続されており、薬液バルブ４を介して薬液供給源が接続されている。処理液供給管２には、純水および薬液が選択的に供給されるようになっている。また、処理液供給管２に供給された純水または薬液は、裏面ノズル１６の吐出口から、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面中央に向けて吐出されるようになっている。
【００１６】
また、スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面（表面）に純水を供給するための純水ノズル５と、ウエハＷの上面に薬液を供給するための薬液ノズル６とが配置されている。純水ノズル５には、純水バルブ７を介して純水供給源からの純水が供給されるようになっている。また、薬液ノズル６には、薬液バルブ８を介して薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。
【００１７】
基板処理装置は、スピンチャック１によってウエハＷを回転させながら、そのウエハＷの上面および下面の少なくとも一方に対して、処理液としての純水および／または薬液を供給することができる。
図２は、スピンチャック１の内部構成を示す縦断面図である。スピンチャック１は、鉛直方向に沿って配置された回転軸９と、この回転軸９の上端にほぼ水平に固定された円板状のスピンベース１０と、スピンベース１０の下方に配置されたモータ１１とを備えている。回転軸９は、モータ１１の駆動軸と一体化された中空軸であり、その内部には処理液供給管２が挿通されている。
【００１８】
スピンベース１０は、円板状の上カバー１２と、同じく円板状の下カバー１３とを備えている。上カバー１２と下カバー１３とは、互いに重ね合わせられており、その周縁部において、ボルト１４を用いて互いに固定されている。上カバー１２の中央部および下カバー１３の中央部には、それぞれ挿通孔が形成されている。
回転軸９の上端部は、下カバー１３の挿通孔を挿通している。また、回転軸９の上端部は、上カバー１２の下面に当接しており、ボルト１５を用いて上カバー１２に固定されている。これにより、回転軸９とスピンベース１０とが互いに固定されている。上カバー１２および下カバー１３の各挿通孔には、裏面ノズル１６が貫通して設けられている。裏面ノズル１６の下端部は、回転軸９内まで延びており、この回転軸９内において、処理液供給管２の上端部に連結されている。
【００１９】
スピンベース１０の上面の周縁部には、ほぼ等角度間隔で複数（この実施形態では３つ）の挟持部材１７が配置されている。各挟持部材１７は、板状のベース部１８と、ウエハＷの下面の周縁部に点接触する略円錐形状の支持部１９と、ウエハＷの周端面に接触する柱状の挟持部２０とを含む。支持部１９および挟持部２０は、それぞれ対応するベース部１８上に立設されている。
【００２０】
これらの挟持部材１７は、ウエハＷの周端面に各挟持部２０を当接させることにより協働してウエハＷを挟持することができる。また、各挟持部材１７は、これらの挟持部材１７を連動させるリンク機構２２に接続されている。リンク機構２２は、上カバー１２と下カバー１３とによって区画された収容空間Ｓ１内に収容されている。
また、モータ１１の周囲には、当該モータ１１を包囲するケーシング２３が配置されている。このケーシング２３は、さらに、筒状のカバー部材２４によって包囲されている。カバー部材２４の内方には、モータ１１等が収容されたモータ収容空間Ｓ２が形成されている。
【００２１】
カバー部材２４の上端は、スピンベース１０の下カバー１３の下面近傍にまで及んでいる。カバー部材２４の上端付近の内面には、ほぼ水平な段差面２５が形成されている。また、ケーシング２３の上端部には、モータ収容空間Ｓ２内に配置された図示しない所定の機構部（たとえばリンク機構２２を駆動するための機構部など）を支持するための支持体２７が、ボルト２８を用いて固定されている。段差面２５および支持体２７の上面と、下カバー１３との間には、この間をシールして、モータ収容空間Ｓ２を外部雰囲気（処理対象のウエハＷが収容される空間の雰囲気）から遮断するための非接触式のシール機構２９が配置されている。本実施形態では、カバー部材２４と支持体２７とが、「ベース部」として機能する。
【００２２】
図３は、シール機構２９の縦断面図である。図２および図３を参照して、シール機構２９の詳細を説明する。シール機構２９は、段差面２５および支持体２７の上面に跨って配置された円環状の基部３０と、この基部３０に保持された円環状の非回転環３２と、下カバー１３の下面に固定され非回転環３２に対向配置された円環状の回転環３４と、非回転環３２とカバー部材２４の内面との間に配置されたスペーサ３３とを備えている。
【００２３】
基部３０は、ボルト３５によって段差面２５に固定されるとともに、ボルト３６によって支持体２７の上面に固定されている。また、基部３０には、下方に窪む円環状の保持凹部３７が形成されている。非回転環３２の一部は、この保持凹部３７内で保持されている。非回転環３２は、鉛直方向に移動可能に基部３０に保持されている。
また、保持凹部３７の底部には、下方に窪む複数の円柱状の凹部３８がほぼ等間隔に形成されている。この複数の凹部３８には、それぞればね３１が配置されている。各凹部３８内に配置されたばね３１は、非回転環３２をその下方から弾性的に支持している。各ばね３１は、ほぼ一定の付勢力で非回転環３２を上方に向けて付勢している。本実施形態では、複数のばね３１による付勢力が、非回転環３２および回転環３４を互いに接近させる接近力として作用している。
【００２４】
回転環３４は、スピンベース１０とともに回転する。回転環３４は、永久磁石によって構成されている。また、非回転環３２は、永久磁石によって構成されている。非回転環３２および回転環３４には、それぞれ互いの永久磁石による反発力が働いている。非回転環３２は、この永久磁石の反発力によって、複数のばね３１による付勢力に抗して回転環３４に対して数μｍ〜数十μｍ下方に離間させられている。これにより、非回転環３２と回転環３４との間に微小な隙間が形成され、非回転環３２と回転環３４とが非接触状態になっている。また、非回転環３２と回転環３４との間の間隔は、永久磁石による反発力と複数のばね３１による付勢力との釣り合いによってほぼ一定に保たれている。
【００２５】
非回転環３２および回転環３４は、それぞれ、その全体が永久磁石によって構成されていてもよく、また、その一部が永久磁石によって構成されていてもよい。より具体的には、非回転環３２および回転環３４の互いの対向部分のみがそれぞれ永久磁石によって構成されていてもよい。また、前記永久磁石としては、たとえば、ニッケルやコバルトを原料とするアルニコ磁石や、酸化鉄を主原料とするフェライト磁石などを用いることができる。また、薬液成分を含む腐食性雰囲気との接触を考慮して、耐薬液性を有するたとえばフッ素系の樹脂によるコーティングを非回転環３２および回転環３４のそれぞれの表面に施してもよい。
【００２６】
非回転環３２の内部には、非回転環３２の外周面から水平方向に延びる水平ガス路３９と、この水平ガス路３９の先端部に接続されており、その接続部分から非回転環３２の上面に向けて鉛直に延びる鉛直ガス路４０とが形成されている。これらの水平ガス路３９および鉛直ガス路４０は、非回転環３２の周方向にほぼ等間隔で複数組（たとえば、７組）形成されていて、各鉛直ガス路４０の先端（上端）は、非回転環３２の上面において開口している。非回転環３２の外周面は、スペーサ３３の内周面に接触しており、たとえば耐酸性を有するフッ素系の合成ゴムで形成された２つのＯリング４６によってスペーサ３３の内周面との間がシールされている。
【００２７】
スペーサ３３の外周面は、カバー部材２４の内周面に接触している。そして、スペーサ３３の外周面には、カバー部材２４の内周面との間をシールするためのたとえば前記フッ素系の合成ゴムで形成された２つのＯリング４７が埋設されている。スペーサ３３には、各水平ガス路３９に連通する連通路４２が水平方向に貫通して形成されている。
一方、カバー部材２４の内部には、各連通路４２に連通するガス供給路４３が形成されている。各ガス供給路４３には、図示しないガス供給源から、ガス供給配管４４を介して、窒素ガスまたはクリーンエアなどのクリーンガスが供給されるようになっている。図２に示すように、各ガス供給配管４４は、途中で集合してガス供給源に接続されており、その集合部分には、ガス供給源から供給されるクリーンガスの流量を調整するための流量調整バルブ４５が介装されている。
【００２８】
また、図２に示すように、この基板処理装置は、ＣＰＵ、ＲＡＭおよびＲＯＭを含む制御部４９を備えている。この制御部４９には、ガス供給源からのクリーンガスの供給流量を検出するための流量センサ５０が接続されている。制御部４９は、モータ１１の駆動および流量調整バルブ４５の開閉を制御する。
具体的には、制御部４９がモータ１１を駆動することで、回転軸９およびスピンベース１０が回転される。また、制御部４９がモータ１１の駆動を停止することで、回転軸９およびスピンベース１０の回転が停止される。一方、制御部４９が流量調整バルブ４５を開くことで、ガス供給源からのクリーンガスが、ガス供給配管４４に供給される。また、制御部４９が流量調整バルブ４５を閉じると、ガス供給源からガス供給配管４４へのクリーンガスの供給が停止される。
【００２９】
ガス供給配管４４に供給されたクリーンガスは、ガス供給路４３、連通路４２、水平ガス路３９および鉛直ガス路４０を介して、非回転環３２の上面に形成された複数の開口から回転環３４の下面に向けて勢いよく吐出される。これにより、非回転環３２と回転環３４との間がクリーンガスによって満たされ、非回転環３２と回転環３４との間のシールが達成される。またこのとき、各開口から吐出されたクリーンガスは、非回転環３２の径方向内方と径方向外方とに分かれて流れる。これにより、モータ収容空間Ｓ２が前記外部雰囲気から確実に遮断され、処理液成分を含む外部雰囲気がモータ収容空間Ｓ２内に配置されたモータ１１やその他の機構部に至ったり、モータ収容空間Ｓ２内のパーティクルを含む雰囲気がウエハＷに至ったりすることが防止される。
【００３０】
本実施形態では、非回転環３２と回転環３４との間の間隔がほぼ一定に保たれているので、非回転環３２と回転環３４との間が確実にクリーンガスによって満たされ、非回転環３２と回転環３４との間のシール性が高められている。
また、非回転環３２と回転環３４とは、非回転環３２と回転環３４との間に供給されたクリーンガスの圧力ではなく、非回転環３２と回転環３４との間に生じる永久磁石による反発力によって、互いに非接触にされているので、スピンベース１０の回転中に、クリーンガスの配管系統やクリーンガス供給源の故障などが生じて、各鉛直ガス路４０に供給されるクリーンガスの流量が異常低下しても、非回転環３２と回転環３４との非接触状態が確実に維持される。そのため、回転環３４が非回転環３２と接触しながら回転することが防止され、非回転環３２および／または回転環３４の摩耗粉による雰囲気汚染が生じることが防止される。その結果、パーティクルを含む雰囲気がウエハＷに至ることが確実に防止される。また、故障箇所の修理が完了すれば、すぐにウエハＷの処理を再開することができるので、基板処理装置のダウンタイム（ウエハＷの処理を行うことができない期間）を短縮することができる。
【００３１】
さらに、制御部４９が流量センサ５０の検出結果に基づいてモータ１１の駆動を制御する場合、より具体的には、制御部４９がクリーンガスの供給流量の異常低下に応答してモータ１１の駆動を停止させウエハＷの処理を停止させるインタロック制御を行う場合、モータ１１の駆動停止からスピンベース１０の回転停止まで数秒間ほど要するが、この間も非回転環３２と回転環３４との非接触状態が確実に維持されるので、非回転環３２および／または回転環３４の摩耗粉による雰囲気汚染の問題を生じるおそれがない。
【００３２】
図４は、この発明の他の実施形態に係るシール機構１２９の縦断面図である。この図４において、前述の図２および図３に示された各部と同等の構成部分については、図２および図３と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この図４における実施形態と前述の実施形態との主要な相違点は、保持手段としての基部１３０が永久磁石で構成されていることにある。基部１３０は、その全体が永久磁石によって構成されていてもよく、また、その一部が永久磁石によって構成されていてもよい。より具体的には、非回転環３２に対向する基部１３０の一部（たとえば保持凹部３７の底部）のみが永久磁石によって構成されていてもよい。また、非回転環３２は、少なくとも回転環３４に対向する部分と、基部１３０に対向する部分とが永久磁石によって構成されている。
【００３３】
基部１３０および非回転環３２には、それぞれ互いの永久磁石による反発力が働いている。非回転環３２は、この反発力によって上方に付勢されている。非回転環３２と回転環３４との間の間隔は、非回転環３２と回転環３４との間で生じる永久磁石の反発力と、基部１３０と非回転環３２との間で生じる永久磁石の反発力との釣り合いによって、ほぼ一定に保たれている。
【００３４】
本実施形態では、基部１３０と非回転環３２との間で生じる永久磁石の反発力が、非回転環３２および回転環３４を互いに接近させる接近力として作用している。非回転環３２と回転環３４との間の間隔は、この永久磁石の反発力によって、より安定して一定に保たれている。
すなわち、前述の実施形態のように複数のばね３１の付勢力を前記接近力として作用させた場合、ばね３１のへたり等によって当該接近力が徐々に低下してしまう。一方、本実施形態のように、永久磁石の反発力を前記接近力として作用させることで、前記ばね３１の付勢力を前記接近力として作用させた場合に比べて、当該接近力の低下を抑制することができる。これにより、非回転環３２と回転環３４との間の間隔がより安定して一定に保たれる。したがって、非回転環３２と回転環３４との間がより安定して確実にシールされる。また、本実施形態では、前述の複数の凹部３８の加工や複数のばね３１が不要になるので、前述の実施形態と比べて基部の加工に要するコストや、部品点数を削減することができる。
【００３５】
図５は、この発明のさらに他の実施形態に係るシール機構２２９の縦断面図である。この図５において、前述の図２〜図４に示された各部と同等の構成部分については、図２〜図４と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この図５における実施形態と図２および図３における実施形態との主要な相違点は、複数のばね３１による付勢力に代わって、気体による圧力が非回転環３２および回転環３４を互いに接近させる接近力として作用していることにある。すなわち、非回転環３２の下面と保持凹部３７の底面５１との間にクリーンガスが供給されるようになっており、この間に供給されたクリーンガスの圧力によって、非回転環３２が上方に向けて付勢されている。
【００３６】
基部２３０には、複数のガス流通路５３が形成されており、各ガス流通路５３には、ガス供給配管５２を介してガス供給源からのクリーンガスが供給されるようになっている。各ガス流通路５３の先端（上端）は、保持凹部３７の底面５１において開口している。また、ガス供給配管５２には、ガス供給源からガス供給配管５２に供給されるクリーンガスの供給圧を調整する圧力調整バルブ５５が介装されており、制御部４９には、ガス供給配管５２に供給されたクリーンガスの供給圧を検出するための圧力センサ５４が接続されている。制御部４９が、圧力センサ５４の検出結果に基づいて圧力調整バルブ５５の開度を制御することで、非回転環３２の下面と保持凹部３７の底面５１との間におけるクリーンガスの圧力が制御される。
【００３７】
本実施形態では、非回転環３２と回転環３４との非接触状態が確実に維持されるとともに、非回転環３２の下面と保持凹部３７の底面５１との間におけるクリーンガスの圧力を調整することで、非回転環３２と回転環３４と間の間隔の大きさを調整することができる。また、クリーンガスの供給圧を監視することで、前記間隔の大きさの変動が即座に検知される。
【００３８】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、非回転環３２が永久磁石によって構成されている場合について説明したが、非回転環３２は、電磁石によって構成されていてもよい。
また、前述の実施形態では、クリーンガスの供給流量の低下に応答してインタロック制御が行われる例について説明したが、クリーンガスの供給圧の低下に応答してインタロック制御が行われるようにしてもよい。この場合、クリーンガスの供給圧を検出するための圧力センサを設けることで、各鉛直ガス路４０に供給されるクリーンガスの供給圧の変動が監視される。
【００３９】
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図解図である。
【図２】スピンチャックの内部構成を示す縦断面図である。
【図３】シール機構の縦断面図である。
【図４】この発明の他の実施形態に係るシール機構の縦断面図である。
【図５】この発明のさらに他の実施形態に係るシール機構の縦断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１      スピンチャック（基板保持回転手段）
２４    カバー部材（ベース部）
２７    支持体（ベース部）
２９    シール機構（シール手段）
３１    ばね（接近手段）
３２    非回転環
３４    回転環
３９    水平ガス路（気体供給手段）
４０    鉛直ガス路（気体供給手段）
４２    連通路（気体供給手段）
４３    ガス供給路（気体供給手段）
４４    ガス供給配管（気体供給手段）
５２    ガス供給配管（接近手段）
５３    ガス流通路（接近手段）
１２９  シール機構（シール手段）
１３０  基部（保持手段、接近手段）
２２９  シール機構（シール手段）
Ｗ      ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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