(57)【要約】【課題】主磁極上面の平坦化形成とその高精度化を可能とし、また、トレーリングギャップ形状の高精度化、およびサイドシールド、トレーリングシールドの効率的形成とその高精度化を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】磁極を覆うように、且つ側方位置の厚みが所定のサイドシールドギャップ幅となるようにストッパ層を形成し、磁極の側方位置の厚みが所定のサイドシールド幅となるようにレジスト層を形成し、その上に絶縁層を形成した後、ＣＭＰプロセスによりストッパ層の上面が表出するまで研磨し、次いで、ドライエッチングにより磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去し、次いで、ＣＭＰプロセスにより磁極の上面が平坦化されるまで研磨し、次いで、レジスト層を除去して、それにより表出したストッパ層を除去した後、トレーリングシールドとサイドシールドとを形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を順次積層して記録用の磁極を形成する工程と、
前記磁極を覆うように、且つ前記磁極の側方位置における厚みが所定のサイドシールドギャップ幅となるようにストッパ層を形成する工程と、
前記磁極の周囲の前記ストッパ層を覆うように、且つ前記磁極の側方位置における厚みが所定のサイドシールド幅となるようにレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を覆うように、絶縁層を形成する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記ストッパ層の上面が表出するまで前記絶縁層および前記レジスト層を研磨する工程と、
反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程と、
エッチングによって、前記レジスト層を除去する工程と、
反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記レジスト層の除去により表出した箇所のストッパ層を除去する工程と、
前記磁極の上面にトレーリングギャップ層を形成する工程と、
鍍金によって、前記磁極の上方のトレーリングシールドと、側方のサイドシールドとを形成する工程と、
ＣＭＰプロセスによって、前記トレーリングシールドの上面が所定高さとなるまで研磨する工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ストッパ層は、タンタルもしくはルテニウムを用いて構成されること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記反応性ガスを用いるドライエッチングとして、ＲＩＥプロセスが用いられること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記レジスト層を除去するエッチングとして、酸素を使用するプラズマエッチングプロセスが用いられること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、基板上に所定の薄膜を順次積層して形成される記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
【０００３】
このような背景下、垂直記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気記録ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の記憶装置において、高記録密度化を目的とする狭トラック化を図るため、隣接トラックへの漏れ磁界を防いで、隣接トラックへのはみ出し記録（サイド（トラック）イレーズ）を防ぐことが課題となっている。この課題に対しては、主磁極の周りにトレーリングサイドシールドを設け、そのトレーリング側のギャップ長を高精度化する方法（特許文献１参照）等が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５００７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
サイドシールドが逆台形形状の主磁極の両側に任意の距離を保って配置され、且つ主磁極がトレーリング側に狭ギャップをもつトレーリングシールドを有する薄膜磁気ヘッド（記録ヘッド）の製造方法としては、例えば、逆台形形状の主磁極形状を作成した後に非磁性の層を成膜し、その後、サイドシールドを兼ねたトレーリング（サイド）シールドを鍍金等により形成する方法が公知である。しかし、レジストリフロー（詳細は後述）による鍍金形成では、鍍金により主磁極上面が湾曲形状となるため、上記の方法では主磁極の上面を平坦にできないといった課題もあった。
【０００６】
本発明は、主磁極上面の平坦化形成およびその高精度化を可能とし、また、トレーリングギャップ形状の高精度化、およびサイドシールド、トレーリングシールドの効率的形成およびその高精度化を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。  
【０００８】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して記録用の磁極を形成する工程と、前記磁極を覆うように、且つ前記磁極の側方位置における厚みが所定のサイドシールドギャップ幅となるようにストッパ層を形成する工程と、前記磁極の周囲の前記ストッパ層を覆うように、且つ前記磁極の側方位置における厚みが所定のサイドシールド幅となるようにレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を覆うように、絶縁層を形成する工程と、ＣＭＰプロセスによって、前記ストッパ層の上面が表出するまで前記絶縁層および前記レジスト層を研磨する工程と、反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記磁極の上面が表出するまで前記ストッパ層を除去する工程と、ＣＭＰプロセスによって、前記磁極の上面が平坦化されるまで研磨する工程と、エッチングによって、前記レジスト層を除去する工程と、反応性ガスを用いるドライエッチングによって、前記レジスト層の除去により表出した箇所のストッパ層を除去する工程と、前記磁極の上面にトレーリングギャップ層を形成する工程と、鍍金によって、前記磁極の上方のトレーリングシールドと、側方のサイドシールドとを形成する工程と、ＣＭＰプロセスによって、前記トレーリングシールドの上面が所定高さとなるまで研磨する工程と、を備えることを要件とする。
【０００９】
なお、前記ストッパ層は、タンタルもしくはルテニウムを用いて構成されることが好適である。また、前記反応性ガスを用いるドライエッチングとして、ＲＩＥプロセスが用いられることが好適であり、前記レジスト層を除去するエッチングとして、酸素を使用するプラズマエッチングプロセスが用いられることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レジストリフロープロセスによる鍍金形成方法を採用しつつ、薄膜磁気ヘッドにおける主磁極の上面を平坦化することが可能となる。また、主磁極を取り囲むサイドシールドおよびトレーリングシールドを一体的に効率よく且つ高精度に形成することが可能となる。
さらに、サイドシールドをサイドイレーズ防止に最適な形状に容易に形成することが可能となり、また、トレーリングギャップを高精度に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１の構成例を示す概略図（ヘッドハイト方向の断面図）である。図２〜図５は、その薄膜磁気ヘッド１の製造方法を説明するための説明図である。図６は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのサイドシールド形状を説明するための上面図（概略図）である。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する薄膜磁気ヘッドである。
記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、薄膜磁気ヘッド１の構成について、垂直記録型の薄膜磁気ヘッドを例にとり説明する。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。
【００１３】
薄膜磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、図１に示すように、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型薄膜磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型薄膜磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図中の符合５は浮上面を表すが、本来、浮上面は、下記の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、以下に説明する途中工程においては、厳密には浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
【００１４】
先ず、再生ヘッド部２の構成に関して、より具体的には、当該多層構造として、基板１１上に、下部シールド層１３、磁気抵抗効果型再生素子１４、上部シールド層１５が積層される。例えば、基板１１は、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ等の絶縁材料を用いて構成される。
【００１５】
ここで、磁気抵抗効果型再生素子１４は、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子を用いて構成される。これらＴＭＲ素子およびＧＭＲ素子の膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
【００１６】
下部シールド層１３は、磁性材料（軟磁性材）であるＮｉＦｅ等を用いて構成される。また、上部シールド層１５も、下部シールド層１３と同様にＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
【００１７】
本実施の形態においては、上部シールド層１５の上層には、絶縁材料からなる磁性分離層１６が設けられて、その上に記録ヘッド部３が設けられる。
【００１８】
次に、記録ヘッド部３の構成に関して、より具体的には、ＮｉＦｅ等の磁性材料からなる下部リターンヨーク１８が設けられる。また、下部リターンヨーク１８上には、コイル下部絶縁層２０が設けられる。コイル下部絶縁層２０は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。また、符号１９は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層である。
なお、例えばコイル下部絶縁層２０中に、記録ヘッド部３の浮上面方向への意図的な突き出し量制御を行うためのＤＦＨヒータ（不図示）を設ける構成としてもよい。
【００１９】
コイル下絶縁層２０上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に下部コイル層２２が形成される。
また、下部コイル層２２の層間および層上に下部コイル絶縁層２４が設けられる。下部コイル絶縁層２４は、一例として、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。
【００２０】
下部コイル層２２、下部コイル絶縁層２４の上には、一部に絶縁層２６を介しつつ、補助磁極２８が設けられる。なお、一例として、補助磁極２８はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成され、絶縁層２６はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される。また、符号２７は、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層である。
【００２１】
本実施の形態においては、基板１１から、絶縁層２７、補助磁極２８で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。
なお、基体６については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
【００２２】
基体６の上には、鍍金ベース５０を介して主磁極３０が設けられる。一例として、主磁極３０は、厚さ方向に磁性層を２層に積層して形成され、上層の磁性層を高Ｂｓ材料のＦｅＣｏ（例えば６９．５％ＦｅＣｏ）を用いて形成し、下層の磁性層を低いＢｓ材料のＮｉＦｅ（例えば９０％ＮｉＦｅ）を用いて形成する。このような構成によって、主磁極の残留磁化成分によって生じるポールイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能となる。なお、主磁極３０の積層構造は上記２層構造には限定されない。
一方、鍍金ベース５０は、一例として、下層から順にＴａ（タンタル）層５１、Ｒｕ（ルテニウム）層５２、ＮｉＦｅ層５３の３層構造である。
【００２３】
また、主磁極３０の上には、トレーリングギャップ３２および接続部３６が設けられ、トレーリングギャップ３２の一部の上に、トレーリングシールド３４（３４ｃ）が設けられる。一例として、トレーリングギャップ３２はＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成され、トレーリングシールド３４（３４ｃ）および接続部３６はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成される。
なお、トレーリングシールド３４（３４ｃ）および接続部３６の周囲は、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層３８が積層される。本実施の形態においては、この段階で、トレーリングシールド３４（３４ｃ）、接続部３６、絶縁層３８の上面が同一平面に平坦化されて構成される。
【００２４】
さらに、その上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に上部コイル層４２が形成される。
また、上部コイル層４２の巻線間および巻線上に上部コイル絶縁層４４が設けられる。上部コイル絶縁層４４は、一例として、レジスト等の絶縁材料により構成される。
【００２５】
上部コイル絶縁層４４の上には、上部リターンヨーク４７が設けられる。一例として、上部リターンヨーク４７はＮｉＦｅ等の磁性材料により構成される。
また、上部リターンヨーク４７の上には、Ａｌ２Ｏ３等を用いた絶縁層４８が積層される。
【００２６】
続いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。
当該製造方法の概要として、再生ヘッド部２を形成した後、磁性分離層１６を設けて、その上に前記構成を備える記録ヘッド部３を形成することとなるが、本実施の形態に特徴的な工程から説明を行う。
【００２７】
先ず、前記絶縁層２７、補助磁極２８で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体６を形成した後、一例としてそれらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化し、当該基体６上に鍍金ベース５０を介して主磁極３０を形成する。主磁極３０の浮上面側端部の形状（断面図）を図２（ａ）に示す（基体６等は不図示）。
なお、主磁極３０の形成は、レジスト塗布−露光−現像−電解鍍金のいわゆるレジストリフロープロセスによって行う。ここで、鍍金ベース５０は、一例として、下層から順にＴａ層５１、Ｒｕ層５２、ＮｉＦｅ層５３を積層して形成する。
【００２８】
次いで、後の工程で実施されるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）プロセス（第１のＣＭＰプロセス）におけるストッパ層となるＴａ層３１をスパッタリングによって、主磁極３０および鍍金ベース５０上に形成する（図２（ｂ）参照）。
このとき、ストッパ層３１は、主磁極３０を覆うように形成すると共に、主磁極３０の側方位置における厚みが所定のサイドシールドギャップ幅（一例として、片側の厚みが１００［ｎｍ］程度）となるように形成する。すなわち、当該ストッパ層３１は、主磁極３０の上方において、ＣＭＰプロセスのストッパとして機能する（後に除去される）と共に、主磁極３０の側方において、サイドシールドギャップの機能を果たす層を構成する。
以上のことから、ストッパ層３１は、非磁性材料であって、後の工程である反応性ガスを用いたドライエッチング（本実施形態では「ＲＩＥ」）によって容易に除去することが可能な材料で形成する。例えば、上記タンタル（Ｔａ）の他に、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属材料等が考えられる。
【００２９】
次いで、図２（ｃ）に示すように、主磁極３０の周囲のストッパ層３１を覆うようにレジスト層５５を形成する。例えば、一般的なレジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって形成する。
このとき、レジスト層５５の主磁極３０の側方位置における厚み、すなわちトラック幅方向（図２（ｃ）中の左右方向）の厚みが所定のサイドシールド幅となるように形成する。すなわち、当該レジスト層５５は、後の工程において鍍金により形成されるサイドシールドの形状を規定する作用を生じさせる。このように、本実施形態においては、最初からサイドシールドを形成するのではなく、レジスト層５５によって、サイドシールドの形状を一旦規定しておき、その後、当該レジスト層５５を除去したうえで、サイドシールドの形成を行う点が特徴的な構成となっている（詳細は後述）。ちなみに、サイドシールド３４ａ、３４ｂの形状を上面図（概略断面図）で示すと、図６のようになる（符号３２該当層は不図示）。
この工程によれば、フォトリソグラフィプロセス、特にレジスト塗布およびパターニングによって、サイドシールド形状（幅）が制御できるため、対サイドトラックイレーズに最適な幅、膜厚に形成することが容易となる。
【００３０】
次いで、図２（ｄ）に示すように、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層５６を、レジスト層５５を覆うように形成する。なお、絶縁層５６は、レジスト層５５の側方において、所定高さまで形成されていれば足りる。
【００３１】
次いで、図３（ａ）に示すように、ＣＭＰプロセス（第１のＣＭＰプロセス）によって、ストッパ層３１の上面が表出するまで、絶縁層５６および途中で表出してくるレジスト層５５を研磨する。このとき、ストッパ層３１を構成するＴａは、絶縁層５６を構成するＡｌ２Ｏ３等とはいわゆる選択比が大きく異なるため、当該ＣＭＰプロセスではほとんど膜減りしない。
また、以上のことから、レジスト層５５は、ＣＭＰプロセスによって研磨することが可能なレジスト材料によって形成する。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、反応性ガスを用いるドライエッチング（例えばＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって、主磁極３０の上面が表出するまでストッパ層３１を除去する。なお、他の例として、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）によりドライエッチングを行ってもよい。
【００３３】
このとき、反応性ガスとして、フッ素系反応性ガス、もしくはフッ素系反応性ガスとＡｒ（アルゴン）との混合ガスを用いる。ここで、フッ素系反応性ガスの例として、ＣＦ４が挙げられ、その他にＣ２Ｆ６あるいはＳＦ６等の使用も考えられる。
本実施の形態においては、ＣＦ４とＡｒとの混合ガスを用いる。それによって、ＣＦ４のみを用いる場合には、ストッパ層（Ｔａ層）３１のエッチングレートが速くなってしまいプロセス制御が困難となり得るが、前記混合ガスを用いることで制御性を向上させることが可能となる。また、当該エッチングレートが高い状態では、主磁極３０の両脇においてサイドシールドギャップとなるＴａ層３１にもダメージを与える可能性があり、後に形状異常の原因となり得るため、当該混合ガスを用いて低いエッチングレートでドライエッチングを行うことが好適である。
【００３４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ＣＭＰプロセス（第２のＣＭＰプロセス）により、主磁極３０の上面が平坦化されるまで研磨する工程を実施する。なお、レジスト層５５、絶縁層５６も共に研磨される。一例として、主磁極３０高さを１８０［ｎｍ］程度に形成する。
ここで、当該主磁極３０上面の平坦化工程を、ＣＭＰプロセスに代えて、ドライエッチング（例えば「イオンミリング」）によって行う方法も考えられるが、平坦化精度を向上させる観点においては、ＣＭＰプロセスが好適である。
【００３５】
次いで、図３（ｄ）に示すように、エッチングプロセスにより、レジスト層５５を除去する工程を実施する。
当該エッチングプロセスは、レジスト層５５を構成する材料に応じて好適な方法を採用する。一例として、酸素（Ｏ２）を使用するプラズマエッチングが挙げられる。なお、レジスト材料によっては、いわゆるウェットエッチングを用いることも考えられる。
【００３６】
次いで、図４（ａ）に示すように、前工程におけるレジスト層５５の除去により表出したストッパ層３１ｃ、３１ｄを、反応性ガスを用いるドライエッチングによって除去する工程を実施する。なお、当該ドライエッチングプロセスは、一例としてＲＩＥプロセスによって行うが、図３（ｂ）における説明と同様であるため、記載を省略する。
【００３７】
当該図４（ａ）のように、ストッパ層３１として成膜された層であって、主磁極３０の側方に位置する構成部分（図中符号３１ａ、３１ｂ）は、前述の通りサイドシールドギャップとしての機能を果たすこととなるが、その形状に関して、仮に図３（ｄ）の状態のように、ストッパ層のボトム層（表出箇所）３１ｃ、３１ｄが、それぞれ、サイドシールドギャップ３１ａ、３１ｂと連続したまま主磁極３０の側方位置に残る構成とした場合に、サイドイレーズを防止する観点において不利であることが、本願発明者らの検証によって明らかになった。より詳しくは、サイドシールド長さ（媒体トラック方向の長さ）が短くなると、サイドイレーズ磁界を抑制する効果が減少することが明らかとなった。
すなわち、当該サイドシールド長さを適度に長く形成すること、換言すれば、ストッパ層のボトム層３１ｃ、３１ｄを除去することがサイドイレーズを防止するために有利となる。しかし、従来は、ストッパ層３１の形成に次いで、当該ストッパ層のボトム層３１ｃ、３１ｄ上にサイドシールド層を鍍金形成する工程を採用していたため、当該ボトム層３１ｃ、３１ｄを除去することができなかった。
しかし、本実施の形態では、ストッパ層のボトム層３１ｃ、３１ｄ上に、レジスト層５５を形成して、サイドシールドの形状を一旦規定しておき、その後、当該レジスト層５５を除去する工程を経ることによって、サイドシールド形状を規定しつつ、その下層に設けられるボトム層３１ｃ、３１ｄを表出させることが可能となる。それにより、当該ボトム層３１ｃ、３１ｄの除去が可能となり、サイドシールドギャップ３１ａ、３１ｂを最適形状に形成することが可能となる。その結果、薄膜磁気ヘッド１におけるサイドイレーズ防止特性を向上させることが可能となる。
【００３８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、一例としてスパッタリングによって、主磁極３０の上面にトレーリングギャップ層３２を形成する工程を実施する。本実施の形態においては、Ａｌ２Ｏ３を用いて３０［ｎｍ］以下程度の厚さに形成する。なお、その際は、主磁極３０の上面以外の領域においても成膜がなされるため、不要な成膜箇所はイオンミル等で除去を行う。
ここで、トレーリングギャップ層３２の形成精度は、記録特性（分解能）に大きく影響を与える。この点、本実施の形態においては、その下層となる主磁極３０の上面をＣＭＰプロセス（第２のＣＭＰプロセス）によって高精度に平坦化を行っており、その結果、トレーリングギャップ層３２の形状（膜厚）を高精度化することが可能となる。
加えて、従来の実施形態の例のように、逆台形形状の主磁極形状を作成した後にトレーリングギャップ層を成膜する場合は、当該トレーリングギャップ層の膜厚をエッチングにより制御しなければならなかったため、成膜時の誤差とエッチング時の誤差との双方の誤差が相乗的に生じることとなり、それぞれの誤差が小さいものであっても結果として大きな誤差となってトレーリングギャップ層の形状（膜厚）にバラツキが生じる原因となっていたが、本実施の形態では、主磁極−サイドシールド間距離、トレーリングギャップ膜厚を別々に制御するためトレーリングギャップ層の形成は成膜工程のみで可能となり、その結果、当該トレーリングギャップ層の形状（膜厚）のバラツキを低減させることが可能となる。
上記によって、トレーリングギャップ層の形状（膜厚）における誤差の低減すなわち形状精度の向上を図ることが可能となる。
【００３９】
次いで、図４（ｃ）に示すように、鍍金ベース（不図示）を介してサイドシールド３４ａ、３４ｂおよびトレーリングシールド３４ｃを一体で鍍金形成する（鍍金層３４）。
なお、当該鍍金層３４の形成は、レジストリフロープロセスによって行う。図中の符号５７はレジストマスクであって、主としてトレーリングシールド３４ｃの形状を規定する機能を果たす。
【００４０】
次いで、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク５７を除去した後、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料により構成される絶縁層５８を、鍍金層３４を覆うように形成する。なお、絶縁層５８は、鍍金層３４の側方において、所定高さまで形成されていれば足りる。
【００４１】
次いで、図５に示すように、ＣＭＰプロセス（第３のＣＭＰプロセス）により、トレーリングシールド３４ｃの上面が所定高さとなるまで研磨する工程を行う。
【００４２】
その後、公知の所定層を上層に積層する工程（不図示）を実施して、最終的に図１に示す薄膜磁気ヘッド１に形成される。
【００４３】
以上説明した通り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極を形成する方法としてレジストリフロープロセスによる鍍金形成方法を採用しつつ、主磁極上面の平坦化およびその高精度化が可能となる。また、主磁極を取り囲むサイドシールドおよびトレーリングシールドを効率的に且つ高精度に形成することが可能となる。また、トレーリングギャップを高精度に形成することが可能となる。
さらに、主磁極、サイドシールド、トレーリングシールド形状の高精度化によって、サイドイレーズの問題を解消し、より高密度の記録が可能な薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００４４】
なお、垂直記録型薄膜磁気ヘッドを例にとり説明を行ったが、本発明の適用をこれに限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの構成例を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の途中工程における薄膜磁気ヘッドの上面図（概略図）である。
【符号の説明】
【００４６】
１  薄膜磁気ヘッド
２  再生ヘッド部
３  記録ヘッド部
５  浮上面
６  基体
１１  基板
１３  下部シールド層
１４  磁気抵抗効果型再生素子
１５  上部シールド層
１６  磁性分離層
１８  下部リターンヨーク
２０  コイル下部絶縁層
２２  下部コイル層
２４  下部コイル絶縁層
２６、２７、３８、４８  絶縁層
２８  補助磁極
３０  主磁極
３２  トレーリングギャップ
３４  トレーリングシールド
３６  接続部
４２  上部コイル層
４４  上部コイル絶縁層
４７  上部リターンヨーク
５０  鍍金ベース
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009277314.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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