(57)【要約】      （修正有）【課題】薄厚化半導体基板における重金属汚染測定法を提供する。【解決手段】有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により半導体基板に形成し、水銀プローブ法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成するゲート酸化膜形成工程と、これらの素子の接合容量特性から重金属の表面濃度を算出し重金属の検出および定量化をおこなう工程とを有する。【選択図】図５
2009259960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により半導体基板に形成し、水銀プローブ法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成するゲート酸化膜形成工程と、
これらの素子の接合容量特性から重金属の表面濃度を算出し重金属の検出および定量化をおこなう工程とを有することを特徴とする半導体基板の重金属検出方法。
【請求項２】
前記半導体基板の厚みが７００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の重金属検出方法。
【請求項３】
前記半導体基板をホットプレート上で室温あるいは５０℃以上２００℃以下で加熱し水銀プローブ法を用いて接合容量の温度特性を測定する測定工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体基板の重金属検出方法。
【請求項４】
基準半導体基板表面にあらかじめ所定の濃度とされる初期表面重金属汚染を発生させる初期汚染工程と、
前記基準半導体基板を熱処理し、重金属を拡散させる拡散熱処理工程と、
前記ゲート酸化膜形成工程により前記基準半導体基板にゲート酸化膜を形成する初期ゲート酸化膜形成工程と、
前記測定工程によって前記基準半導体基板における接合容量の温度特性を測定する初期測定工程と、
前記初期表面重金属汚染濃度と前記接合容量の温度特性との相関直線を求める定量化工程と、
前記測定工程によって被測定半導体基板における接合容量の温度特性を測定する測定工程と、
前記測定工程の測定結果から前記相関直線に基づいて前記被測定半導体基板表面における重金属濃度分布を検出する検出工程と、
を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の半導体基板の重金属検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の重金属検出方法に関し、特に、薄厚半導体チップおよびシリコンウェーハにおける重金属の検出方法に用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機器の伸展に伴い機器内部に実装される電子部品は小型・軽量化が要求されている。このため半導体パッケージの厚みを低減させるために半導体チップの厚みを可能な範囲で薄厚加工することが行われている。薄厚加工の工程において重金属汚染が生じた際に重金属を捕獲するゲッタリングシンクが薄厚加工にて減少しているためゲッタリング能力の低下が顕著となりデバイスの良品率が低下する問題が生じている。
【０００３】
デバイス活性層近傍における重金属汚染を回避するために、従来からシリコン基板に酸素析出物を形成するＩＧ（イントリンシックゲッタリング）法、シリコン基板の裏面にバックサイドダメージなどのゲッタリングサイトを形成するＥＧ（エキシントリックゲッタリング）法が利用されている。
【０００４】
特許文献１、２には、ＩＧ法に関する技術が、特許文献３には、０００５段にＥＧ法の例が記載されている。また、特許文献４，５には、Ｈｇ−ＣＶ法が記載されている。
【特許文献１】特開平６−３３８５０７号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３４３４号公報
【特許文献３】特開２００６−３１３９２２号公報
【特許文献４】特開平６−１４０４７８号公報
【特許文献５】特表２００２−５１６４８６号公報
【０００５】
さらに、薄厚半導体基板（シリコンウェーハまたは半導体チップ）に重金属が不純物混入する要因としては、第一に、単結晶引き上げ、スライス、面取り、および、研磨、研削、エッチング、エピタキシャル層成膜等の処理からなるシリコン基板の製造工程における金属汚染、第二にシリコン基板に回路を形成するデバイス製造工程およびその後の研削などによる薄厚化工程等からなるデバイス工程であるデバイス素子の製造工程における重金属汚染があげられる。さらにシリコン基板あるいはデバイスの製造工程における高温長時間の熱処理が必要であることから、この熱処理工程中や工程間におけるシリコン基板への金属汚染の増加も懸念される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近デバイスの薄厚化が進み、厚みとして５０μｍから４０μｍ以下、３０μｍ程度が要求されるとともに、重金属汚染の発生は、特に、デバイス製造最終工程の薄厚化工程において最も発生するため、薄厚加工にともなう重金属汚染によるデバイスの良品率が低下する問題があり、デバイス不良を改善するための原因究明および状態改善をおこなう際には、主要因である重金属の検出が必須となる。
【０００７】
しかしながら、このような薄厚基板における重金属検出は、薄厚化された基板のハンドリングが７００μｍ〜１０００μｍ程度のシリコン基板とは異なるため、現在ではその技術が確立されていない。
特に、薄厚化に伴う強度の低下や、測定対象である重金属が検出時の高温熱処理によって拡散してしまうこと、あるいは、測定の不安定性、または、測定時の熱処理によるさらなる重金属汚染の発生など、測定結果の正確性が担保できないことに起因していると考えられる。
【０００８】
その結果、デバイス製造の最終工程である薄厚化工程時において充分なゲッタリング能を呈するかどうかの評価をおこなうことができず、シリコン基板製造において、デバイスの不良要因を排除できない可能性があるという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．薄厚化半導体基板における重金属汚染測定法を確立すること。
２．薄厚化半導体基板における重金属汚染測定の正確性を向上すること。
３．半導体基板（シリコンウェーハ）製造時において後工程であるデバイス工程で呈するゲッタリング能を測定可能とする
４．ゲッタリング能力の確実性を向上可能な半導体基板の製造を可能とすること。
５．半導体薄厚パッケージを形成する組立工程においてシリコンウェーハへ不純物混入する重金属を検出しデバイス不良要因を明確にし、デバイスの不良率を低減させる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体基板の重金属検出方法は、有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により半導体基板に形成し、水銀プローブ法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成するゲート酸化膜形成工程と、
これらの素子の接合容量特性から重金属の表面濃度を算出し重金属の検出および定量化をおこなう工程と
を有することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記半導体基板の厚みが７００μｍ以下であることがより好ましい。
本発明は、前記半導体基板をホットプレート上で室温あるいは５０℃以上２００℃以下で加熱し水銀プローブ法を用いて接合容量の温度特性を測定する測定工程を有することが可能である。
また、本発明において、基準半導体基板表面にあらかじめ所定の濃度とされる初期表面重金属汚染を発生させる初期汚染工程と、
前記基準半導体基板を熱処理し、重金属を拡散させる拡散熱処理工程と、
前記ゲート酸化膜形成工程により前記基準半導体基板にゲート酸化膜を形成する初期ゲート酸化膜形成工程と、
前記測定工程によって前記基準半導体基板における接合容量の温度特性を測定する初期測定工程と、
前記初期表面重金属汚染濃度と前記接合容量の温度特性との相関直線を求める定量化工程と、
前記測定工程によって被測定半導体基板における接合容量の温度特性を測定する測定工程と、
前記測定工程の測定結果から前記相関直線に基づいて前記被測定半導体基板表面における重金属濃度分布を検出する検出工程と、
を有することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係わる半導体基板の重金属検出方法は、本発明は、有機酸化膜を２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下の低温で成長しゲート酸化膜を形成できることから簡便に金属・酸化膜・半導体接合素子を形成し接合容量のバイアス依存性から重金属の表面汚染濃度を定量する方法の実現を提供することができる。
【００１２】
本発明によれば、薄厚半導体チップあるいはシリコンウェーハに有機酸化膜を形成することにより簡便に金属・酸化膜・半導体接合素子を作製し接合容量のバイアス依存性から重金属の汚染濃度を定量化することを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る半導体基板の重金属検出方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における半導体基板の重金属検出方法を示すフローチャートである。
【００１４】
本実施形態においては、図１に示すように、初期汚染工程Ｓ１と、拡散熱処理工程Ｓ２と、初期ゲート酸化膜形成工程Ｓ３と、初期測定工程Ｓ４と、定量化工程Ｓ５と、測定工程Ｓ６と、検出工程Ｓ７と、を有するものとされる。これらの工程は、工程順の変更、省略等目的に応じ適宜工程は変更することが可能である。
【００１５】
本実施形態において、重金属汚染の測定・検出の対象となる半導体基板（半導体チップおよびシリコンウェーハ）は、シリコン基板（ウェーハ）としては、ＣＺ法により引き上げられた単結晶からスライスされたものとされ、厚さ７００μｍ程度、５００〜８００μｍとされ、この状態でエピタキシャル層を表面に成膜することも可能であり、表面にデバイス素子を形成することが可能なものであり、デバイス形成および後工程に対応した薄厚化工程として３０〜５０μｍ程度に研削等により薄厚化されたものである。
【００１６】
また本実施形態において汚染源である重金属とは、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの遷移金属でありシリコン結晶中での拡散定数が大きなもので、かつ、デバイス特性に影響を与えるものを対象とする。以下の説明では銅を汚染源として測定する場合について説明する。
【００１７】
まず、被測定半導体基板において重金属汚染の測定を可能とするために、重金属表面汚染濃度と接合容量との相関直線を得るための試料を作製する。
図１に示す初期汚染工程Ｓ１として、上記の厚さとされた基準半導体基板表面に、０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ （無汚染）、１×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ 、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ 、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ 、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２ とされる５段階の濃度で、あらかじめ初期表面重金属（銅）汚染を発生させる。
【００１８】
初期重金属汚染濃度としては、後述するように相関直線を求めることが可能なように、４〜６段階設定することが必要であり、また、実際のウェーハ製造工程やデバイス工程（薄厚化工程）における汚染状態を考慮して上記の濃度とすることが好ましいが、相関直線を得ることが可能であれば、上記の濃度に限定されるものではない。
【００１９】
次に、図１に示す拡散熱処理工程Ｓ２として、９００℃、３０分またはこの条件に対応する熱処理により重金属（銅）を拡散させる。この拡散熱処理により銅はウェーハ内部のバルクへ拡散する。バルクに拡散した銅は、結晶中において正電荷状態（正イオン）を保持し、結晶空間を拡散しうる状態にある。９００℃、３０分またはこの条件に対応する熱処理とは、同程度にバルク中で銅が拡散する条件を満たすことを意味する。
【００２０】
次に、図１に示す初期ゲート酸化膜形成工程Ｓ３として、前記基準半導体基板表面にゲート酸化膜として有機系酸化膜をスピンコート法、ゾルゲル法により形成する。
この際、スピンコート法としては、コート剤としてポリメチルメタクリエートを塗布し、ゾルゲル法としてもポリメチルメタクリエートを塗布し、１８０℃以下、１０分程度の熱処理により、有機酸化膜（ゲート酸化膜）Ｓを形成する。
ゲート酸化膜の厚さは、１μｍ程度に設定されることができる。
【００２１】
さらに、水銀プローブ（Ｈｇ−ＣＶ）法を用いて金属・酸化膜・半導体接合素子を形成する。
図２は本実施形態におけるゲート電極を水銀プローブとして利用し接合容量のバイアス依存性を測定する接合容量測定システムを示すものであり、図３、図４は、本実施形態の抵抗率測定装置を示す模式図である。
【００２２】
図３、図４に示すように、本実施形態の抵抗率測定装置１は、半導体基板（シリコンウェーハ）１０表面の酸化膜Ｓに接触して測定をおこなうための金属電極３を備えた測定プローブ４と、ウェーハ１０に接触する測定電極５と、各電極３、５に接続されてウェーハ１０の抵抗率を測定する測定部６とを具備して概略構成されている。
【００２３】
また、抵抗率測定装置１にはエピタキシャルウェーハ１０を載置するためのＸＹステージ３０と、前処理済みのウェーハ１０を前処理部２からＸＹステージ３０に搬送するための図示略の搬送手段が備えられている。そして、ＸＹステージ３０に載置されたウェーハ１０に対して、測定プローブ４の金属電極３がウェーハ１０の上面に接するように構成されている。また、本実施形態ではＸＹステージに替えてＲ−θステージを用いても良い。
【００２４】
また、抵抗率測定装置１には支持アーム７が備えられており、この支持アーム７の先端７ａ側に測定プローブ４が取り付けられ、他端側７ｂにはアーム駆動機構８が備えられている。アーム駆動機構８は、支持アーム７を左右方向および上下方向に駆動自在に構成され、これにより測定プローブ４をエピタキシャルウェーハ１０の任意の測定位置に移動できるようになっている。
【００２５】
また、金属電極３は配線６ａにより測定部６に接続され、測定電極５は配線６ｂによって測定部６に接続されており、ウェーハ１０と電極３、５と測定部６とによって測定回路が構成されている。尚、測定部６は容量（Ｃ）−電圧（Ｖ）特性を測定可能（容量−電圧法により測定可能）なものであればどのようなものでもよい。
【００２６】
本実施形態の抵抗率測定装置１においては、ウェーハ１０がＸＹステージ３０に載置され、次に金属電極３および測定電極５がウェーハ１０に接続され、次に金属電極３および測定電極５並びに測定部６によってウェーハ１０の抵抗率を測定できるようになっている。
【００２７】
図３、図４に示すように、測定プローブ４は、毛細管（以下、キャピラリーと表記する）４１が内部に設けられてなるプローブ本体４２に、圧縮ガス供給管４３と電極端子４４とが接続されて概略構成されている。キャピラリー４１は、プローブ本体４２の長手方向に沿ってプローブ本体４２の先端部４２ａから基端部４２ｂの間を貫通するように設けられている。キャピラリー４１の先端部４２ａ側には水銀柱（水銀電極）４６が充填されており、この水銀柱４６によってキャピラリー４１の先端部４２ａ側が閉塞されている。また、プローブ本体４２の基端部４２ｂ側には電極端子４４が取り付けられており、この電極端子４４によってキャピラリー４１の基端部４２ｂ側が閉塞されている。またプローブ本体４２の基端部寄りにはキャピラリー４１の分岐路４５が設けられ、この分岐路４５の先には圧縮ガス供給管４３が接続されている。更に圧縮ガス供給管４３の先には、図示略の気圧調整手段が接続されている。
【００２８】
図示略の気圧調整手段を作動させることによって、圧縮ガス供給管４３を介してキャピラリー４１の内圧を調整できるように構成されている。キャピラリー４１は、その基端部４２ｂ側が電極端子４４によって閉塞され、先端部４２ａ側が水銀柱４６によって閉塞されているので、キャピラリー４１の内圧が変動されることによって、先端部４２ａ側の水銀柱４６がその内圧に応じてキャピラリー４１の長手方向に沿って移動させられる。キャピラリー４１の内圧は、水銀柱４６の先端４６ａがプローブ本体４２の先端部４２ａよりも突出するように設定することが望ましい。水銀柱４６の先端部４６ａは水銀の表面張力によって液滴状となり、この液滴状の先端部４６ａのみがウェーハ１０の表面に接触される。
【００２９】
また、電極端子４４には、キャピラリー４１内部に挿入された金属ワイヤ４７が取り付けられ、金属ワイヤ４７の先端が水銀柱４６に接している。この水銀柱４６と金属ワイヤ４７とによって金属電極３が構成されている。また、電極端子４４には配線６ａが接続されており、この配線６ａによって金属ワイヤ４７および水銀柱４６が測定部６に接続されている。
更に支持アーム７にはガス供給管４８が備えられており、このガス供給管４８によって水銀柱４６の先端部４６ａ近傍に例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給できるように構成されている。
【００３０】
測定電極５をウェーハ１０裏面に接触させるとともに、水銀電極３をウェーハ１０の酸化膜Ｓ表面に接触させることにより、図２に示すように、水銀電極と酸化膜との間でショットキー接合が形成される。
【００３１】
なお、測定電極５は単にウェーハ１０裏面に接触するのではなく蒸着して形成することもできる。
【００３２】
次に、図１に示す初期測定工程Ｓ４として、前記半導体基板１０をホットプレート上で室温あるいは５０℃以上２００℃以下で加熱し水銀プローブ法を用いて接合容量の温度特性を測定する。
ＸＹステージ３０には図示しない温度制御手段が設けられており、この温度制御手段によって、上記の測定温度条件に設定する。
【００３３】
この際、ウェーハ１０裏面に接触した測定電極５と、ウェーハ１０の酸化膜Ｓ表面に接触した水銀電極３とによって、水銀電極と酸化膜との間でショットキー接合を形成した状態で、測定部６から電気的刺激をウェーハ１０に与え、この電気的刺激に対するウェーハ１０の反応を測定部６により検出してこの検出結果をＣ−Ｖ特性（容量−電圧特性）に変換する。
【００３４】
本実施形態においては、有機酸化膜の塗布により形成されたゲート酸化膜Ｓに水銀プローブ法により負バイアスを印加すると正に帯電している銅はゲート酸化膜Ｓ界面に局在し、接合容量を増大させる。接合容量の増大は、界面に局在する正に帯電した銅イオンに強く依存する。これにより、Ｃ−Ｖ特性から接合容量のバイアス依存性を測定する。Ｃ−Ｖ特性の測定例を図５に示す。
【００３５】
次に、図１に示す定量化工程Ｓ５として、初期測定工程Ｓ４で測定されたＣ−Ｖ特性から、ウェーハ１０表面付近に存在する重金属濃度を評価するために、図６に示すように、Ｃ−Ｖ特性の測定結果から、測定部６における演算手段によって、初期汚染工程Ｓ１で設定した重金属濃度と接合容量Ｆとの関係を算出し、その相関直線を特定するとともに、測定部６の記憶手段に記憶する。
【００３６】
次に、図１に示す測定工程Ｓ６として、前述の初期測定工程Ｓ３と同様にして、重金属濃度のわかっていない被測定半導体基板におけるＣ−Ｖ特性を測定する。
この際、拡散熱処理工程Ｓ２と同様の熱処理を測定前におこなうことが可能である。
【００３７】
次に、図１に示す検出工程Ｓ７として、測定工程Ｓ６で測定したＣ−Ｖ特性から、測定部６の演算手段により、定量化工程Ｓ５で求めた相関直線に基づいて被測定半導体基板の重金属濃度分布を評価・検出する。
【００３８】
本実施形態によれば、半導体基板（薄厚半導体チップあるいはシリコンウェーハ）に有機酸化膜を形成することにより簡便に金属・酸化膜・半導体接合素子を作製し接合容量のバイアス依存性から重金属の汚染濃度を定量化することを実現できる。
【００３９】
また、薄厚化された半導体基板であっても、本実施形態の検出方法によればハンドリング性を悪化させることがないので、容易に測定・検出をおこなうことが可能となる。
【００４０】
また、被測定半導体基板におけるドーパント種類・濃度と同様の基準半導体基板を用意することで、汚染重金属以外の要因による影響を排除することが可能となる。
【００４１】
なお、本実施形態では、銅をシリコン結晶中に拡散した場合について説明したが、図６に示した相関直線を汚染金属元素に応じて作成すれば、未知のサンプルを測定した際の接合容量のバイアス依存性から得られた接合容量から汚染金属の表面汚染濃度を定量化可能である。
【００４２】
また、初期汚染工程Ｓ１での汚染濃度の設定、および、初期熱処理工程Ｓ２、測定工程Ｓ６での熱処理条件の設定において、対象とするデバイス工程での熱処理を模すことで、実際のデバイス工程後における重金属汚染の程度を推定することが可能となる。さらに、本実施形態の検出方法によって、実際のデバイス製造における重金属汚染がどの程度であるか検出可能となるので、これにより、デバイス特性に影響を与えないために必要なゲッタリング能を、半導体基板（シリコンウェーハ）製造においてどの程度付与すればよいかという設計を正確におこなうことが可能となる。
【００４３】
また、酸化膜形成において、炭素含有物塗布後に１８０℃以下の熱処理をおこなったが、熱処理に変えて、紫外線照射による酸化膜形成とすることも可能である。
この場合、半導体基板表面に塗布する炭素含有化合物としては、シリコンに対して親和性を有する有機化合物であればどのようなものでも良いが、界面活性剤であることが好ましい。界面活性剤は、公知のカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性活性剤のいずれでも良い。なかでも非イオン性界面活性剤が好ましい。
【００４４】
上記の非イオン性界面活性剤として具体的には、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル（ＡＰＥ）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル（ＡＥ）、脂肪酸アルカノールアミド等が例示できる。
さらに具体的には、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルとしては、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等が例示できる。
【００４５】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルとしては、炭素数が１２〜２２のアルキル基を構成アルキル基とするものが例示できる。ここでアルキル基とは、飽和および不飽和のいずれでも良く、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれでも良い。
脂肪酸アルカノールアミドとしては、脂肪酸モノエタノールアミド、脂肪酸ジエタノールアミド、脂肪酸モノイソプロパノールアミド、脂肪酸ジイソプロパノールアミド等が例示できる。前記脂肪酸としては、高級脂肪酸であれば飽和および不飽和のいずれでも良く、具体的には、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等が例示できる。
【００４６】
これらのなかでも、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルが好ましく、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルがより好ましく、ポリオキシエチレン−ｐ−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェニルエーテルが特に好ましい。
さらに、前記炭素含有化合物は、単独で用いても良く、二種以上を併用しても良い。
【００４７】
前記炭素含有化合物は、市販品を用いても良いし、公知の製造方法で製造して用いても良い。例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルは、アルカリ触媒存在下でアルキルフェノールに酸化エチレンを付加重合させ、適宜後処理および取り出しを行うことで製造できる。ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、アルカリ触媒存在下でアルコールに酸化エチレンを付加重合させ、適宜後処理および取り出しを行うことで製造できる。脂肪酸アルカノールアミドは、アルカノールアミンと脂肪酸を縮合させ、適宜後処理および取り出しを行うことで製造できる。
【００４８】
照射する紫外光光源は、１８５ｎｍ〜２５４ｎｍ程度の波長の紫外光を照射できるものが好ましい。１８５ｎｍ程度の紫外光を照射することにより、酸素含有雰囲気中、例えば大気中の酸素分子を原子状の酸素若しくはオゾンに変化させることができる。また、２５４ｎｍ程度の紫外光を照射することにより、一旦発生したオゾンを分解して原子状の酸素を更に発生させることができる。こうして発生させた原子状の酸素は、エピタキシャル層表面に接触してエピタキシャル層の表面を酸化させ、これにより安定したショットキー接合を形成させ得る良質な酸化膜を形成させることが可能になる。また、紫外光の照射時間は１５秒〜７５秒程度が好ましく、３０秒〜４５秒程度がより好ましい。
【００４９】
また紫外線照射による酸化膜形成の場合には、酸化膜の厚みは、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。厚みが０．５ｎｍ以上であれば、抵抗率の測定を安定して行うことができる。また、厚みが３ｎｍ以下であれば、抵抗率測定後のウェーハ１０から酸化膜を容易に除去することができ、ウェーハの再評価を容易に行うことができる。更に、酸化膜中に含まれる炭素の含有率は１０％以上であることが望ましい。含有率が１０％以上であれば、抵抗率の測定を安定して行うことができる。なお、酸化膜中の炭素の含有率は例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ法）によって検出された結合エネルギーの強度比から求めることができる。また測定法はＸＰＳに限らず、ＳＩＭＳ、オージェ分光法等の高感度分析法を用いても良い。
【００５０】
さらに、ウェーハに炭素含有化合物を付着させてから酸素含有雰囲気中で紫外光を照射することにより、酸素分子が紫外光で分解されて原子状の酸素が発生し、この原子状の酸素をウェーハに接触させることで、炭素が含有された酸化膜を形成することができる。このようにして形成された酸化膜は、ウェーハの表面における負電荷の帯電を防止するので、ウェーハの抵抗率を安定して測定することができる。また、炭素含有化合物として界面活性剤を用いることにより、評価値のばらつきをより小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係る半導体基板の重金属検出方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図２】ゲート電極を水銀プローブとして利用し接合容量のバイアス依存性を測定する接合容量測定システムを示す模式図である。
【図３】抵抗率測定装置の構成を示す模式図である。
【図４】抵抗率測定装置の測定プローブの構成を示す分解模式図である。
【図５】本発明の実施形態に係るＣ−Ｖ特性を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る相関直線を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…シリコン基板
【図１】
2009259960.tif 000003
【図２】
2009259960.tif 000004
【図３】
2009259960.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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