(57)【要約】【課題】減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置及び成膜装置を提供する。【解決手段】上部電極側から発光する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に透明導電膜層を形成する透明導電膜層形成工程が、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。【選択図】図１
2009200001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第一電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第二電極とが基板側からこの順に積層され、第二電極側から発光する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
該第二電極は、少なくとも透明導電膜層を含み、
該製造方法は、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に透明導電膜層を形成する透明導電膜層形成工程を含み、
該透明導電膜層形成工程は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記透明導電膜層は、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウムタングステン酸化物及び錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に、第一電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第二電極と、保護膜とが基板側からこの順に積層された構造の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
該保護膜は、少なくとも絶縁層を含み、
該製造方法は、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、
該絶縁層形成工程は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、ケイ素、アルミニウム、チタン及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも一つの物質の酸化物及び窒素酸化物の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項３記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記酸素導入部は、基板までの距離が酸素分子の平均自由工程以上となる領域に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記酸素導入部は、蒸着源よりも基板側に配置されないことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法により製造された有機エレクトロルミネセンス素子を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
成膜室と、成膜室内に酸素を導入する酸素導入部と、成膜室内にプラズマを導入するプラズマ導入部と、蒸着源が装填される蒸着源装填容器とを備えた成膜装置であって、
該成膜装置は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たすように酸素導入部が配置されることを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
前記酸素導入部は、基板までの距離が酸素分子の平均自由工程以上となる領域に配置されることを特徴とする特徴とする請求項８記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記酸素導入部は、蒸着源よりも基板側に配置されないことを特徴とする請求項８又は９記載の成膜装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれかに記載の成膜装置によって形成された透明導電膜層及び絶縁層の少なくとも一方を有することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項１２】
請求項１１記載の有機エレクトロルミネセンス素子を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置及び成膜装置に関する。より詳しくは、透明導電膜及び保護膜の少なくとも一方を有する有機エレクトロルミネセンス素子に好適な有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置及び成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；以下、「ＥＬ」ともいう。）素子は、少なくとも一方が透光性を有する一対の電極間に、有機化合物からなる発光層と、必要に応じてホ−ル注入輸送層及び電子注入輸送層等の電荷輸送層とを挟持してなる構造を有するものである。このような有機エレクトロルミネセンス素子は、低電圧駆動及び高輝度の発光が可能であるといった特長を有することから、その研究開発が盛んに行われている。
【０００３】
有機エレクトロルミネセンス素子を備える有機エレクトロルミネセンス表示装置は、素子の駆動方法の違いにより、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。単純マトリクス方式は、デューティー比の増加に応じて各画素の瞬間発光輝度を高くする必要があるため、大型パネルに用いた場合には消費電力の増大を招いてしまう。このため、特に大型パネルでは、アクティブマトリクス方式が主流になりつつある。
【０００４】
アクティブマトリクス方式は、マトリクス状に配置された各画素に設けられる薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、「ＴＦＴ」ともいう。）を制御信号でＯＮとＯＦＦとを切り換えることにより、各々の有機ＥＬ素子の発光状態を制御し、画像表示する方式である。しかしながら、アクティブマトリクス方式に必須のＴＦＴは光を透過しないポリシリコン、アモルファスシリコン等で形成され、配線等も光を透過しない金属で形成されるため、従来の基板側から発光を取り出す方式（ボトムエミッション方式）では、画素面積に対する発光面積の割合（開口率）が小さくなる。とりわけ、画素毎の素子特性のばらつきを抑え、かつＥＬ材料の劣化によるパネル表示輝度の低下をより少なくするうえで有機ＥＬ素子を用いた表示パネルに適しているとされる電流駆動方式を採用した場合では、画素毎にＴＦＴを４つ程度配置する必要があり、より単純だが画素毎の素子特性のばらつき抑制等で劣る電圧駆動方式において必要なＴＦＴ（２つ）の数の倍となるため、開口率が更に小さくなってしまう。
【０００５】
これを解決する手段として、基板と反対側（上部の電極側）から発光を取り出す方式（トップエミッション方式）が考案されている。トップエミッション方式では、上部の電極を透光性材料で形成する必要があり、通常では、インジウム錫酸化物（Ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ；以下、「ＩＴＯ」ともいう。）やインジウム亜鉛酸化物（Ｚｉｎｃ−ｄｏｐｅｄ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ；以下、「ＩＺＯ」ともいう。）等が用いられる。一般的に、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜の形成にはスパッタ法が用いられる。しかしながら、スパッタ法は、成膜時において真空チャンバ内に高エネルギー粒子を発生させるため、先に形成されている有機層や電子注入層等に損傷を与え、有機ＥＬ素子の特性を劣化させてしまうという点で改善の余地があった。
【０００６】
そこで、有機層や電子注入層等に損傷を与えない成膜手法として、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行うイオンプレーティング法が考案されている。イオンプレーティング法に関連した技術としては、電子注入層を形成した基板を真空雰囲気下で搬送した後、透明電極層をイオンプレーティング装置で形成する有機ＥＬ装置の製造方法技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電膜を酸素を遮断した環境下で行うイオンプレーティング法によって形成する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。更に、基板上に薄膜を形成する成膜領域と、基板を待機させる待機領域と、成膜領域と待機領域の間に設けられたプラズマ遮蔽手段と、成膜領域と待機領域とを連通させる連通部とを具備している薄膜形成装置が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２２２７２５号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３１２４号公報
【特許文献３】特開２００５−３３０５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らは、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法として、イオンプレーティング法を用いた成膜について検討したところ、従来のイオンプレーティング装置を用いて形成された（上部）透明電極を備えるトップエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子は、真空蒸着法で電極形成したボトムエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子と比較して、同一輝度の発光を得るための電圧が高く、発光効率が低いことが判明した。
【０００８】
また、有機エレクトロルミネセンス素子に含まれる保護膜として、イオンプレーティング法により酸素を含む絶縁層を形成した場合にも、上記透明電極と同様に、発光効率が低くなることが判明した。
【０００９】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置及び成膜装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置及び成膜装置について種々検討したところ、上記手法を用いる成膜装置の一つであるイオンプレーティング装置の構造について着目した。
【００１１】
ここで、図を参照して従来の有機エレクトロルミネセンス素子の製造に用いられるイオンプレーティング装置の構造について説明する。図４は、従来のイオンプレーティング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、従来のイオンプレーティング装置６０では、通常、酸化物膜を成膜するための酸素等の反応性ガスは、プラズマ１２を照射するプラズマガン１３のプラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間で、かつ蒸着源１５と被処理基板１０１との間に配置されたガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒから成膜室１０内に導入される。これは、蒸着源１５を照射するプラズマ１２のエネルギーを効率よく利用し、酸素等の反応性ガスを効果的に活性化及び解離させることで、容易に酸化物膜を形成するためである。
【００１２】
有機エレクトロルミネセンス素子に用いられる有機層や低仕事関数金属は酸化されることで、容易に有機エレクトロルミネセンス素子の発光特性等の特性劣化を引き起こすことが知られているが、本発明者らの検討において、プラズマが無い状態で成膜に必要とされる量の酸素に有機エレクトロルミネセンス素子を曝しても、有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化が生じないことが判明した。つまり、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化は、プラズマによって活性化された高エネルギーの酸素によって引き起こされることを見いだした。
【００１３】
そして、更に検討したところ、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で有機層や低仕事関数金属上に、透明導電膜層や、保護膜として酸素を含む絶縁層を成膜することにより、プラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素の過剰な発生が抑制され、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化を低減することができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１４】
すなわち、本発明は、基板上に、第一電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第二電極とが基板側からこの順に積層され、第二電極側から発光する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、上記第二電極は、少なくとも透明導電膜層を含み、上記製造方法は、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に透明導電膜層を形成する透明導電膜層形成工程を含み、上記透明導電膜層形成工程は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法である。
【００１５】
これにより、透明導電膜層の成膜時に蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素が過剰に発生することを抑制し、有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる。これは、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たすことにより、蒸着源に照射されるプラズマの影響を受ける酸素の量が低減されるとともに、活性化され高エネルギーを有する酸素の基板へ到達する量が抑制されるためであると考えられる。また、基板から酸素導入部までの距離を基板から蒸着源までの距離以上とした場合、基板から酸素導入部までの距離を成膜条件における粒子の平均自由工程（例えば、成膜条件が０．１Ｐａ、室温の場合の酸素分子の平均自由工程は略１０ｃｍ）に対してより大きくすることが可能となり、基板に到達する活性化され高エネルギーを有する酸素、電子、イオン等の量を抑制することができると考えられる。このように、酸素導入部は、プラズマ導入部に対して蒸着源より遠い位置で、かつ基板に対して蒸着源より遠い位置に配置されることがより好ましい。また、酸素導入部は蒸着源上に配置されないことが好ましい。
【００１６】
本発明はまた、基板上に、第一電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第二電極と、保護膜とが基板側からこの順に積層された構造の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、上記保護膜は、少なくとも絶縁層を含み、上記製造方法は、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含み、上記絶縁層形成工程は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法である。
【００１７】
これにより、保護膜として、前述の透明導電膜と同様の課題を有する酸素を含む絶縁層を成膜したとしても、蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素に起因する有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化を低減し、有機エレクトロルミネセンス素子の特性を向上させることができる。すなわち、絶縁層形成工程において、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たすことにより、絶縁層成膜時に蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素に起因する有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化を低減し、有機エレクトロルミネセンス素子の特性を向上させることができる。
【００１８】
なお、本明細書において、保護膜とは、有機層に含まれる有機物や陰極に含まれる低仕事関数金属等の化学的に不安定な物質を、水分や酸素等による劣化から保護することを目的に形成される膜である。また、上記有機層は、単層であってもよいし、積層であってもよい。すなわち、少なくとも発光層を含む単層又は複数層の有機層であってもよい。
【００１９】
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法は、それぞれ上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。
本発明の半導体装置の製造方法における好ましい態様について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す態様は、適宜組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
上記絶縁層は、上記透明導電膜層を有する有機エレクトロルミネセンス素子の保護膜として形成されることが好ましい。すなわち、本発明は、基板上に、第一電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第二電極と、保護膜とが基板側からこの順に積層され、第二電極側から発光する有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、上記第二電極は、少なくとも透明導電膜層を含み、上記保護膜は、少なくとも絶縁層を含み、上記製造方法は、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に透明導電膜層を形成する透明導電膜層形成工程と、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを含み、上記透明導電膜層形成工程及び絶縁層形成工程は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態で行われる有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であることが好ましい。
【００２１】
なお、本明細書において、プラズマ導入部から蒸着源までの距離は、プラズマ導入部の中心から蒸着源表面の中心までの距離であることが好ましい。また、プラズマ導入部の中心とは、プラズマ導入部の形状には依らず、ある大きさを有するプラズマ導入部の略中央となる位置であることが好ましい。同様に、蒸着源表面の中心とは、蒸着源の形状には依らず、ある大きさを有する蒸着源表面の略中央となる位置であることが好ましい。更に、プラズマ導入部から蒸着源までの距離は、プラズマ導入部の中心から蒸着源のプラズマが照射される部分の中心までの距離であってもよく、蒸着源のプラズマが照射される部分の中心とは、プラズマが照射される部分の形状には依らず、ある大きさを有する蒸着源のプラズマが照射される部分の略中央となる位置であることが好ましい。
【００２２】
また、本明細書において、酸素導入部は、酸素導入位置であってもよく、より具体的には、例えば、酸素を導入するガス配管の先端部（先端の開口部）であってもよいし、酸素を導入するガス配管の先端部以外の部分（先端以外の開口部）であってもよいし、成膜室の壁面に設けられた開口部であってもよい。更に、酸素導入部は一つであってもよいし、複数設けてもよい。酸素導入部を複数設けた場合は、全ての酸素導入部が、第一条件及び第二条件を満たすことが好ましい。
【００２３】
また、本明細書において、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離は、プラズマ導入部の中心から酸素導入部の中心までの距離であることが好ましい。また、酸素導入部の中心とは、酸素導入部の形状には依らず、ある大きさを有する酸素導入部の略中央となる位置であることが好ましい。
【００２４】
また、酸素を導入するガス配管は、蒸着源上に配置されないことが好ましい。これにより、酸素を導入するガス配管がプラズマに晒されることを防止することができるため、プラズマの不安定化及び異常放電の発生を抑制するとともに、ガス配管に膜が付着することを防止し、ガス配管に付着した膜が剥離することによる膜質への影響を回避することができる。
【００２５】
また、上記第一条件において、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離は、プラズマ導入部から蒸着源までの距離の２倍以下であることが好ましい。同様に、上記第二条件において、基板から酸素導入部までの距離は、基板から蒸着源までの距離の１．５倍以下であることが好ましい。これにより、過大な装置を必要とすることなく膜質分布に優れた成膜が可能となり、かつ蒸着源に照射されるプラズマの影響を受ける酸素の量が低減するとともに、効率よく酸素を活性化及び解離させることができるため、蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素の過剰な発生を抑制しながら効率よく成膜を行うことができる。
【００２６】
上記透明導電膜層は、上述したように、酸素を含む雰囲気下で形成することから、酸素を含むことが好ましく、より具体的には、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウムタングステン酸化物及び錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属酸化物を含むことが好ましい。これにより、トップエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子に好適な透光性及び導電性を備えた透明導電膜層を形成することができる。なお、透明導電膜層は、単層であってもよいし、上記金属酸化物を一種あるいは複数種含む積層であってもよい。
【００２７】
上記絶縁層は、上述したように、酸素を含む雰囲気下で形成することから、酸素を含むことが好ましく、より具体的には、ケイ素、アルミニウム、チタン及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも一つの物質の酸化物及び窒素酸化物の少なくとも一方を含むことが好ましい。これにより、トップエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子に好適な透明な絶縁層を形成することができる。酸化物及び窒素酸化物の例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＯＮ等が挙げられる。なお、絶縁層は、単層であってもよいし、酸化物及び窒素酸化物を一種あるいは複数種含む積層であってもよいし、他の無機絶縁膜材料や樹脂材料等との積層であってもよい。上記酸化物及び／又は窒素酸化物を用いて形成した絶縁層は透明膜であり、トップエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子において好適に用いられるが、ボトムエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子においても用いることができる。
【００２８】
上記酸素導入部は、基板までの距離が酸素分子の平均自由工程以上となる領域に配置されることが好ましい。これにより、蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素、電子、イオン等が基板に到達する量を低減することができるため、有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化をより確実に低減し、有機エレクトロルミネセンス素子の特性を向上させることができる。なお、平均自由工程は、圧力、温度等の成膜条件により変動するので、上記酸素導入部は、成膜条件に基づいて、基板までの距離が酸素分子の平均自由工程以上となる領域に配置されることがより好ましい。
【００２９】
上記酸素導入部は、蒸着源よりも基板側に配置されないことが好ましい。これにより、過大な装置を必要とすることなく、蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーを有する酸素の過剰な発生を抑制しながら効率よく成膜を行うことができる。
【００３０】
本発明はまた、成膜室と、成膜室内に酸素を導入する酸素導入部と、成膜室内にプラズマを導入するプラズマ導入部と、蒸着源が装填される蒸着源装填容器とを備えた成膜装置であって、上記成膜装置は、プラズマ導入部から酸素導入部までの距離がプラズマ導入部から蒸着源までの距離以上であるという第一条件と、基板から酸素導入部までの距離が基板から蒸着源までの距離以上であるという第二条件とを満たすように酸素導入部が配置される成膜装置でもある。これにより、蒸着源に照射されるプラズマによって活性化された高エネルギーの酸素の過剰な発生を抑制した条件で成膜を行うことができるため、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法に好適に用いることができる。なお、本発明の成膜装置は、イオンプレーティング装置であってもよい。
【００３１】
本発明の成膜装置の構成としては、上述の構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。
本発明の成膜装置における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種の形態は、適宜組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
本発明の製造方法と同様の観点から、上記酸素導入部は、基板までの距離が酸素分子の平均自由工程以上となる領域に配置されることが好ましい。また、上記酸素導入部は、蒸着源よりも基板側に配置されないことが好ましい。
【００３３】
なお、これらの形態の他、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法において説明した各種の形態についても、本発明の成膜装置に適宜適用することができる。
【００３４】
本発明は更に、本発明の成膜装置によって形成された透明導電膜層及び絶縁層の少なくとも一方を有する有機エレクトロルミネセンス素子でもある。これにより、発光効率に優れた有機エレクトロルミネセンス素子を実現することができる。
【００３５】
本発明はそして、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法により製造された有機エレクトロルミネセンス素子、又は、本発明の成膜装置によって形成された透明導電膜層及び絶縁層の少なくとも一方を有する有機エレクトロルミネセンス素子を備える有機エレクトロルミネセンス表示装置でもある。これにより、高精細で明るい表示が可能な有機エレクトロルミネセンス表示装置を実現することができる。また、画素ごとの輝度のばらつきが少ない、高品位な表示を得ることができる。更に、絶縁層を形成して保護膜とした場合、水分や酸素等に起因する有機エレクトロルミネセンス素子の特性劣化を抑制することができるため、高い信頼性を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法によれば、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に透明導電膜層を形成する透明導電膜層形成工程が第一条件及び第二条件を満たした状態で行われることにより、プラズマにより活性化され高エネルギーを有する酸素の被処理基板へ到達する量が抑制されるため、被成膜部材への損傷を低減することができる。これにより、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる。同様にして、酸素を含む減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射して基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程においても、被成膜部材への損傷を低減し、減圧雰囲気下で蒸着源にプラズマを照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上することができる。本発明により形成された透明導電膜層及び絶縁層は、例えば、トップエミッション型有機エレクトロルミネセンス素子の上部電極や保護膜等に好適に用いることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に本発明の実施形態を掲げ、図面を参照して本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００３８】
（実施形態１）
本発明に係る減圧雰囲気下の成膜室内で蒸着源にプラズマを照射して膜材料を蒸発させることにより被処理基板に成膜を行う手法に用いる実施形態１の成膜装置（イオンプレーティング装置）について、図１を参照して説明する。図１は実施形態１のイオンプレーティング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態のイオンプレーティング装置５０は、成膜室１０内の下方に蒸着源１５を、成膜室１０内の上方に被処理基板（基板）１０１を配置し、蒸着源１５を照射するプラズマ１２は蒸着源１５と被処理基板１０１との間で成膜室１０内の側壁部に取り付けられたプラズマガン１３のプラズマ導入部Ｑより射出される。プラズマ導入部Ｑから射出されたプラズマ１２は蒸着源１５を照射し、膜材料を蒸発又は昇華させることで蒸着源１５上方に配置した被処理基板１０１に膜堆積を行う。蒸着源１５は、銅等で作製された蒸着源装填容器であるハース１４内に装填され、透明導電膜層用の蒸着源１５としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ２）等が用いられ、保護膜である絶縁層の蒸着源１５としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＯＮ等が用いられる。蒸着源１５は一般的には焼結体が用いられるが、本発明はこれに何ら制限されるものではなく、粉末状、粒状、ペレット状等の形態でも用いることができる。プラズマ１２生成のためにプラズマガン１３に導入されるガスとしてはＡｒガスが用いられ、酸化物等の酸素を含んだ膜を成膜するためには別途反応させるための酸素をガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒから成膜室１０内に導入する。酸素導入部Ｒは、蒸着源１５上に配置されないことが好ましく、酸素を導入するガス配管１１も、蒸着源１５上に配置されないことがより好ましい。これにより、酸素を導入するガス配管１１がプラズマ１２に晒されることを防止することができるため、プラズマ１２の不安定化及び異常放電の発生を抑制するとともに、ガス配管１１に膜が付着することを防止し、ガス配管１１に付着した膜が剥離することによる膜質への影響を回避することができる。
【００３９】
なお、図４に示すように、従来のイオンプレーティング装置６０においては、蒸着源１５に照射するプラズマ１２のエネルギーを効率よく利用し、酸素等の反応性ガスを効果的に活性化及び解離させることで、容易に酸化物膜を形成するべく、酸素導入部Ｒは、蒸着源１５と被処理基板１０１との間で、かつ蒸着源１５とプラズマ導入部Ｑとの間に配置される。また、酸素導入部Ｒは、蒸着源１５と被処理基板１０１との間又は蒸着源１５とプラズマ導入部Ｑとの間に配置されることもある。
【００４０】
一方、本実施形態のイオンプレーティング装置５０においては、蒸着源１５に照射されるプラズマ１２の影響を受ける酸素の量を低減するとともに、活性化され高エネルギーを有する酸素の被処理基板１０１へ到達する量を抑制することで、減圧雰囲気下で蒸着源１５にプラズマ１２を照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上するべく、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）がプラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）以上で、かつ被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）以上になるように酸素導入部Ｒを配置した。
【００４１】
形成される透明導電膜層は、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＡＺＯ膜、ＧＺＯ膜、ＩＷＯ膜からなる群より選ばれる少なくとも一つの膜が用いられ、単層であってもよいし、上記膜を一種あるいは複数種含む積層であってもよい。
【００４２】
また、酸素を含む絶縁層の形成工程においても、少なくとも酸素の導入において、蒸着源１５に照射されるプラズマ１２の影響を受ける酸素の量を低減するとともに、活性化され高エネルギーを有する酸素の基板１０１へ到達する量を抑制することで、減圧雰囲気下で蒸着源１５にプラズマ１２を照射することにより成膜を行う手法を用いて作製された有機エレクトロルミネセンス素子の特性、なかでも発光効率を向上するべく、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）がプラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）以上で、かつ被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）以上になるように酸素導入部Ｒを配置した。
【００４３】
なお、酸素以外の別のガス（例えば、Ａｒ、Ｎ２等）を導入する場合は、酸素との混合ガスを酸素導入部Ｒからガス導入することも可能であるし、酸素と異なる別の場所からガス導入することも可能である。酸素以外のガスの導入位置は、蒸着源１５と被処理基板１０１との間及び／又はプラズマ導入部Ｑと蒸着源１５の間に配置されたとしても、酸素導入部Ｒの場合のように、有機ＥＬ素子の陰極に含まれる低仕事関数金属の酸化等に影響は与えないと考えられるが、酸素以外のガスもプラズマによって有機ＥＬ素子に含まれる部材に影響を与えることが懸念される。したがって、酸素導入部Ｒと同様に、酸素以外のガスの導入位置についても、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素以外のガスの導入位置の中心までの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離以上で、かつ被処理基板１０１から酸素以外のガスの導入位置の中心までの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上とすることが好ましい。更に、酸素を導入するガス配管１１と同様に、酸素以外のガスを導入する配管も蒸着源１５上に配置されないことが好ましい。これにより、酸素以外のガスを導入する配管がプラズマ１２に晒されることを防止することができるため、プラズマ１２の不安定化及び異常放電の発生を抑制するとともに、酸素以外のガスを導入する配管に膜が付着することを防止し、酸素以外のガスの導入位置を含む配管に付着した膜が剥離することによる膜質への影響を回避することができる。
【００４４】
形成する絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＯＮからなる群より選ばれる少なくとも一つの酸素を含む材料を用いることができ、単層であってもよいし、上記材料を一種あるいは複数種含む積層であってもよい。また、他の無機絶縁膜材料や樹脂材料等との積層であってもよい。トップエミッション方式においては、保護膜である絶縁層は透明であることが必要であるため、透明膜である上記の絶縁層は、トップエミッション型有機ＥＬ素子において好適に用いられるが、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子においても用いることができる。
【００４５】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造工程について説明する。具体的には、有機ＥＬ素子の製造工程のうち、第二電極（陰極）の透明電極層形成工程において、酸素を含む減圧雰囲気下の成膜室１０内で蒸着源１５にプラズマ１２を照射して膜材料を蒸発させることによって被処理基板１０１に透明導電膜層を形成する際に、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）がプラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）以上で、かつ被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）以上になるように酸素導入部Ｒを配置する。更に、上述の透明導電膜層形成工程と同様に、保護膜である絶縁層形成工程においても、酸素を含む減圧雰囲気下の成膜室１０内で蒸着源１５にプラズマ１２を照射して膜材料を蒸発させることによって被処理基板１０１に絶縁層を形成する際に、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）がプラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）以上で、かつ被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）以上になるように酸素導入部Ｒを配置し、透明電極層（透明導電膜層）の上方に保護膜として酸素を含む絶縁層を形成する。
【００４６】
本発明に係る実施形態１の有機ＥＬ素子を図２を参照して説明する。図２は、実施形態１の有機ＥＬ素子の断面構成の一例を示す模式図である。図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、基板１０１上に第一電極（陽極）１０２と、有機層１０５と、第二電極（陰極）１０８と、保護膜（絶縁層）１０９とが基板１０１側からこの順に積層された構造を有する。第二電極１０８は透光性を有する金属層１０６と透明電極層（透明導電膜層）１０７とからなる。
【００４７】
有機層１０５を構成する材料は、低分子材料であっても高分子材料であってもよい。本実施形態においては、図２に示すように、有機層１０５は正孔注入層１０３と有機発光層（発光層）１０４との積層構造としているが、単層構造であっても上述した以外の多層構造であってもよく、例えば、以下に示す（１）〜（５）のような構造であってもよい。なお、本発明はこれらに限定されるものではない。
（１）有機発光層
（２）正孔輸送層／有機発光層
（３）有機発光層／電子輸送層
（４）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
【００４８】
上記（１）〜（５）に示す有機発光層１０４は、単層構造であっても多層構造であってもよい。また、母体材料に添加共存物質（ドーパント）を添加（ドープ）した層であってもよい。以下、本実施形態では、有機ＥＬ素子１００の有機発光層１０４の形成に高分子材料を用いた場合について記載するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。
【００４９】
図２に示す有機発光層１０４は、従来公知の方法で成膜することが可能であり、例えば有機発光層形成用塗液を用いて、スピンコート法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等のウェットプロセスで成膜することが可能である。
【００５０】
有機発光層形成用塗液は、発光材料を含有する溶液である限り、含有する発光材料は一種類であっても多種類であってもよい。また、その他に湿潤浸透剤（レベリング剤）、発光アシスト（ＥＡ）剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）、電荷輸送剤、発光ドーパント等を含有していてもよい。発光材料としては、有機ＥＬ素子用の従来公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、高分子発光材料、高分子発光材料の前駆体等に分類される。以下に具体的な化合物を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５１】
高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられる。また、高分子発光材料の前駆体としては、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等が挙げられる。また、塗液用溶剤としては、発光材料を溶解又は分散できるものであればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。
【００５２】
正孔輸送層１０３及び電子輸送層（以下、両者を合わせて「電荷輸送層」ともいう。）は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。電荷輸送層は有機発光層１０４と同様、従来公知の方法で成膜が可能である。電荷輸送材料としては、従来公知の材料が使用可能である。以下に具体的な化合物を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
正孔輸送材料としては、例えば、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン誘導体）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の高分子材料前駆体が挙げられる。電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の低分子材料、ポリ［オキサジアゾール］等の高分子材料が挙げられる。また、溶剤としては、発光材料の形成に使用する溶剤が使用可能である。
【００５４】
陽極１０２及び陰極１０８には、それぞれ従来公知の電極材料を用いることが可能である。また、陽極１０２及び有機層１０５の界面と陰極１０８及び有機層１０５の界面とには必要に応じてキャリア注入層等の膜を挿入することも可能である。
【００５５】
陽極１０２としては、仕事関数の大きな金属材料（アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等）や導電性金属酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２等）からなる単層膜又は複数の材料の積層膜を用いることができる。また、陽極１０２上に導電性を大きく妨げない程度の厚み（例えば１ｎｍ程度）の酸化物を有機層１０５に接する側に積層したものを用いてもよい。例えば、ＳｉＯ２等の薄い酸化物層の付加により、有機発光材料塗液やキャリア輸送材料塗液の被覆性を更に良好なものにすることができる。
【００５６】
陰極１０８としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、セシウム（Ｃｓ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）等の仕事関数が４．０ｅＶ以下の低仕事関数金属を用いることができるが、有機発光層１０４として高分子有機発光層を適用した場合には、上記低仕事関数金属の中でもＣａ、Ｂａを好適に用いることができる。また、通常、陰極１０８は、酸素や水等による低仕事関数金属の変質を抑え、かつ電極としての導電性を得るために、ニッケル（Ｎｉ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）等の化学的に比較的安定で、かつ導電性の高い金属と低仕事関数金属との合金からなる単層膜又は複数の材料の積層膜とすることが好ましい。また、陰極１０８の金属層１０６の部分に、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の有機材料に上記の低仕事関数金属をドーパントとして用いた電子注入性を有する有機材料を用いることもできる。
【００５７】
また、トップエミッション型有機ＥＬ素子では、陰極１０８に透光性を与えるために薄く形成し、かつ電極として充分な導電性を確保する必要があるため、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＩＷＯ、ＳｎＯ２等の導電性金属酸化物を透明電極層１０７として透光性を有する金属層１０６上に形成する。透明電極層１０７は、単層であってもよいし、複数の材料の積層であってもよい。
【００５８】
また、保護膜１０９である絶縁層としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＯＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＴａＯＮ等の酸化物及び窒素酸化物の層を用いることができ、第二電極１０８上方に形成する。これらの絶縁層は、透明であることからトップエミッション型有機ＥＬ素子に好適に用いられるが、ボトムエミッション型有機ＥＬ素子でも用いることができる。保護膜１０９は上記の絶縁層の単層であってもよいし、単一又は複数の材料の積層であってもよい。また、保護膜１０９を積層体とする場合は、第二電極１０８の直上に酸素を含む絶縁層を形成してもよいし、第二電極１０８と酸素を含む絶縁層との間にＳｉＮ等の無機絶縁膜やアクリル樹脂等の他の材料を挿入してもよい。保護膜１０９を積層構造とすることで、基板１０１表面の凹凸に対するカバレージ性の改善や平坦性の改善をもたらすとともに、パーティクル等の欠陥に対する冗長となり、高い信頼性を有する有機ＥＬ素子１００の作製が可能となる。
【００５９】
本発明の有機ＥＬ素子の構成としては、第一電極と、少なくとも有機発光層を含む有機層と、第二電極とを有するものであればよく、例えば上述した第一電極及び有機層の界面に挿入される酸化物層（ＳｉＯ２層）のように、第一電極、有機層、第二電極以外の層を含んでいてもよい。
【００６０】
以下に実施例を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００６１】
（実施例１）
図２を参照しながら、実施例１の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
５ｃｍ×５ｃｍ角の絶縁性の基板１０１上に、電子ビーム（ＥＢ）蒸着装置を用い、第一電極１０２として厚さ略１５０ｎｍのＰｔ電極を幅２ｍｍ、長さ５ｃｍのストライプ状に形成した。次に、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）との混合水溶液をスピンコート法により塗布し、１５０℃で２０分間乾燥して、正孔注入層１０３を形成した。正孔注入層１０３の膜厚は溶液の濃度、スピンコート時の回転数を制御することにより、略６０ｎｍの厚さにした。次に、ポリフルオレン誘導体の溶液も同様にスピンコート法で塗布し、乾燥することにより、有機発光層１０４を形成した。次に、透光性を有する金属層１０６として、カルシウム（Ｃａ）を５ｗｔ％含むアルミニウム（Ａｌ）からなる膜を抵抗加熱蒸着法でＰｔ電極のストライプパターンに直交するようなパターンで成膜し、膜厚を１０ｎｍとした。最後に、図１に示す成膜装置５０を用いて透明導電膜層１０７としてＩＴＯ電極を１００ｎｍの膜厚で透光性を有する金属層１０６と同じパターンで成膜した。
【００６２】
ＩＴＯ電極の成膜について更に詳細に説明する。具体的には、図１に示すイオンプレーティング装置５０を用いて、プラズマガン１３のプラズマ導入部ＱからＡｒガスを用いたプラズマ１２をハース１４内に装填された蒸着源１５に照射することで透明導電膜層１０７であるＩＴＯ電極を成膜した。ＩＴＯ焼結体を粒状に粉砕したものを蒸着源１５として用い、直径１６ｃｍのハース１４に蒸着源１５を装填した。ハース１４の中心上に位置する蒸着源１５表面の中心Ｐは、プラズマ導入部Ｑから成膜室１０の水平方向で２０ｃｍの距離である。すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｈ２）は２０ｃｍとした。酸素を導入するガス配管１１は、プラズマ導入部Ｑの付設されている面と相対する面の容器壁から蒸着源１５に向かって配管し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面からガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）は３４ｃｍとした。このとき、プラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）は２２．４ｃｍとなり、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）は３６．６ｃｍとなる。被処理基板１０１は蒸着源１５より５０ｃｍ上方に配置し、酸素導入部Ｒは被処理基板１０１に対して蒸着源１５と同様に５０ｃｍ離れた位置に配置して酸素を導入した。すなわち、被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）を５０ｃｍとし、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を５０ｃｍとした。蒸着源１５に照射するプラズマ１２は、被処理基板１０１と蒸着源１５の間で蒸着源１５より１０ｃｍ上方の成膜室１０の側壁に位置するプラズマ導入部Ｑから射出した。プラズマ１２は、蒸着源１５表面の中心Ｐを照射するように設定した。このように、プラズマ導入部Ｑから酸素導入部Ｒまでの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの距離以上であるという第一条件と、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒまでの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態でＩＴＯ電極を成膜した。
【００６３】
本実施例におけるイオンプレーティング装置５０を用いたＩＴＯ電極形成の詳細な成膜条件について、表１に示す。なお、表１中のスパッタガス流量単位ｓｃｃｍは、標準条件（ｓｔａｎｄａｒｄ；１０１３ｈＰａ、２５℃）におけるｃｃ（ｃｍ３）／ｍｉｎの略称である。
【００６４】
【表１】
2009200001.tif 000003
【００６５】
このようにして作製した有機ＥＬ素子１００に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子１００では、８．２ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。なお、電流効率は、輝度計を用いて測定した有機ＥＬ表示装置の発光輝度と、輝度測定時の有機ＥＬ表示装置に流れている電流値と、有機ＥＬ表示装置の発光面積とから、下記式より算出した。
電流効率（ｃｄ／Ａ）＝発光輝度（ｃｄ／ｍ２）／｛電流値（Ａ）×発光面積（ｍ２）｝
【００６６】
（実施例２）
透明導電膜層１０７の材料として蒸着源１５にＩＺＯの焼結体を粒状にしたものを用い、成膜時の酸素導入部Ｒを被処理基板１０１から５３ｃｍ離れた位置、すなわち、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）が５３ｃｍとなる位置に配置し、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を３７．５ｃｍにした以外は、実施例１と同様にして、実施例２の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＺＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、８．３ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００６７】
（実施例３）
透明導電膜層１０７の材料として蒸着源１５にＩＺＯの焼結体を粒状にしたものを用い、成膜時の酸素導入部Ｒをプラズマ導入部Ｑの付設されている面から成膜室１０の水平方向で２０ｃｍ離れた位置、すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）が２０ｃｍとなる位置に配置し、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を２４．１ｃｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３の有機ＥＬ素子を作製した。この際、酸素を導入するガス配管１１は、ハース１４上にこないように配置した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＺＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、７．９ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００６８】
（比較例１）
透明導電膜層１０７の成膜時、酸素導入部Ｒを被処理基板１０１から４５ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の高さ方向において、プラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間に配置し、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を４５ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を３５．５ｃｍとした。それ以外は、実施例１と同様にして、ＩＴＯ電極を成膜し、比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、３．９ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００６９】
（比較例２）
透明導電膜層１０７の成膜時、酸素導入部Ｒを被処理基板１０１から２０ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の高さ方向において、プラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間に配置し、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を２０ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を４０．５ｃｍとした。それ以外は、実施例１と同様にして、ＩＴＯ電極を成膜し、比較例２の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、４．１ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００７０】
（比較例３）
透明導電膜層１０７の成膜時、酸素導入部Ｒをプラズマ導入部Ｑの付設されている面から１０ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の水平方向において、プラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間に配置し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）を１０ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を１６．８ｃｍとした。それ以外は、実施例１と同様にして、ＩＴＯ電極を成膜し、比較例３の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、３．８ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００７１】
比較例１、２及び３の有機ＥＬ素子は、実施例１、２及び３の有機ＥＬ素子に比べていずれも低い発光効率となった。この理由は、比較例１及び２の有機ＥＬ素子では、酸素導入部Ｒが蒸着源１５から基板１０１の間に配置されており、比較例３の有機ＥＬ素子では、酸素導入部Ｒがプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの間に配置されていたため、プラズマ導入部Ｑから蒸着源１５に照射されるプラズマ１２の影響を受けて成膜室１０に導入された酸素が活性化し、高エネルギーを有する酸素が過剰に発生して被処理基板１０１へ到達することによって、有機層１０５等の被処理部材を損傷し、有機ＥＬ素子の特性劣化を招いたと考えられる。
【００７２】
（実施例４）
実施例１と同様にして、ＩＴＯ電極まで形成した有機ＥＬ素子上に、イオンプレーティング装置５０を用いて、保護膜１０９として酸素を含む絶縁層であるＳｉＯＮ膜を形成した。ＳｉＯＮ膜は、発光に必要な電流を印加するために、被処理基板１０１の端部周辺の略５ｍｍ幅の領域に成膜されないようにマスキングを行い、その他の領域は有機ＥＬ素子を覆うように１００ｎｍの膜厚で形成した。
【００７３】
ＳｉＯＮ膜の形成を更に詳細に説明する。具体的には、図１に示すイオンプレーティング装置５０を用いて、プラズマガン１３のプラズマ導入部ＱからＡｒガスを用いたプラズマ１２をハース１４内に装填された蒸着源１５に照射することで絶縁層であるＳｉＯＮ膜を成膜した。ＳｉＯ焼結体を粒状に粉砕したものを蒸着源１５として用い、直径１６ｃｍのハース１４に蒸着源１５を装填した。ハース１４の中心上に位置する蒸着源１５表面の中心Ｐは、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から成膜室１０の水平方向で２０ｃｍの距離である。すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｈ２）は２０ｃｍとした。酸素を導入するガス配管１１は、プラズマ導入部Ｑの付設されている面と相対する面の容器壁から蒸着源１５に向かって配管し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面からガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）は３４ｃｍとした。このとき、プラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）は２２．４ｃｍとなり、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）は３６．６ｃｍとなる。被処理基板１０１は蒸着源１５より５０ｃｍ上方に配置し、酸素導入部Ｒは被処理基板１０１に対して蒸着源１５と同様に５０ｃｍ離れた位置に配置して酸素を導入した。すなわち、被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）を５０ｃｍとし、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を５０ｃｍとした。蒸着源１５に照射するプラズマ１２は、被処理基板１０１と蒸着源１５との間で蒸着源１５より１０ｃｍ上方の成膜室１０の側壁に位置するプラズマ導入部Ｑから射出した。プラズマ１２は、蒸着源１５表面の中心Ｐを照射するように設定した。このように、プラズマ導入部Ｑから酸素導入部Ｒまでの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの距離以上であるという第一条件と、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒまでの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態でＳｉＯＮ膜を成膜した。
【００７４】
本実施例におけるイオンプレーティング装置５０を用いたＳｉＯＮ膜形成の詳細な成膜条件を表２に示す。
【００７５】
【表２】
2009200001.tif 000004
【００７６】
このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、７．７ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００７７】
（実施例５）
実施例２と同様にして、ＩＺＯ電極まで形成した有機ＥＬ素子上に、図１に示す成膜装置５０を用いて保護膜１０９として絶縁層であるＡｌ２Ｏ３膜を形成した。Ａｌ２Ｏ３膜は、発光に必要な電流を印加するために、被処理基板１０１の端部周辺の略５ｍｍ幅の領域に成膜されないようにマスキングを行い、有機ＥＬ素子のその他の領域を覆うように１００ｎｍの膜厚で形成した。
【００７８】
Ａｌ２Ｏ３膜の形成を更に詳細に説明する。具体的には、図１に示すイオンプレーティング装置５０を用いて、プラズマガン１３のプラズマ導入部ＱからＡｒガスを用いたプラズマ１２をハース１４内に装填された蒸着源１５に照射することで絶縁層であるＡｌ２Ｏ３膜を成膜した。Ａｌ２Ｏ３焼結体を粒状に粉砕したものを蒸着源１５として用い、直径１６ｃｍのハース１４に蒸着源１５を装填した。ハース１４の中心上に位置する蒸着源１５表面の中心Ｐは、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から成膜室１０の水平方向で２０ｃｍの距離である。すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｈ２）は２０ｃｍとした。酸素を導入するガス配管１１は、プラズマ導入部Ｑの付設されている面と相対する面の容器壁から蒸着源１５に向かって配管し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面からガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）は３４ｃｍとした。このとき、プラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）は２２．４ｃｍとなり、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）は３７．５ｃｍとなる。被処理基板１０１は蒸着源１５より５０ｃｍ上方に配置し、酸素導入部Ｒは被処理基板１０１に対して５３ｃｍ離れた位置に配置して酸素を導入した。すなわち、被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）を５０ｃｍとし、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を５３ｃｍとした。蒸着源１５に照射するプラズマ１２は、被処理基板１０１と蒸着源１５との間で蒸着源１５より２０ｃｍ上方の成膜室１０の側壁に位置するプラズマ導入部Ｑから射出した。プラズマ１２は、蒸着源１５表面の中心Ｐを照射するように設定した。このように、プラズマ導入部Ｑから酸素導入部Ｒまでの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの距離以上であるという第一条件と、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒまでの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態でＡｌ２Ｏ３膜を成膜した。このようにして作製した実施例５の有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＺＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、７．８ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００７９】
（実施例６）
保護膜１０９として絶縁層であるＳｉＯＮ膜を成膜する際に、成膜時の酸素導入部Ｒをプラズマ導入部Ｑの付設されている面から成膜室１０の水平方向で２０ｃｍ離れた位置、すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）が２０ｃｍとなる位置に配置し、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を２４．１ｃｍとした以外は、実施例４と同様にして、実施例６の有機ＥＬ素子を作製した。この際、酸素を導入するガス配管１１は、ハース１４上にこないように設置した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＺＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、７．５ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００８０】
（比較例４）
ＳｉＯＮ膜の成膜時、酸素導入部Ｒを被処理基板１０１から４５ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の高さ方向において、プラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間に配置し、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を４５ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を３５．５ｃｍとした。それ以外は、実施例４と同様にして、比較例４の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、３．７ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００８１】
（比較例５）
Ａｌ２Ｏ３膜成膜時、酸素導入部Ｒを被処理基板１０１から２０ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の高さ方向において、プラズマ導入部Ｑと蒸着源１５との間に配置し、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を２０ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を４０．５ｃｍとした。それ以外は、実施例４と同様にして、比較例５の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＺＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、３．９ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００８２】
（比較例６）
ＳｉＯＮ膜成膜時、酸素導入部Ｒをプラズマ導入部Ｑの付設されている面から１０ｃｍ離れた位置、つまり成膜室１０内の水平方向において、プラズマ導入部Ｑから蒸着源１５表面の中心Ｐまでの間に酸素導入部Ｒを配置し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）を１０ｃｍとし、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）を１６．８ｃｍとした。それ以外は、実施例６と同様にして、比較例６の有機ＥＬ素子を作製した。このようにして作製した有機ＥＬ素子に、Ｐｔ電極が正、ＩＴＯ電極が負になるように直流電圧を印加すると、発光層１０４からの緑色発光が蛍光灯下で観察された。この有機ＥＬ素子では、３．５ｃｄ／Ａの電流効率が得られた。
【００８３】
比較例４、５及び６の有機ＥＬ素子は、本発明の実施例４、５及び６の有機ＥＬ素子と比べていずれも低い発光効率となった。この理由は、比較例４及び５の有機ＥＬ素子では、酸素導入部Ｒが蒸着源１５から基板１０１の間に配置されており、比較例６の有機ＥＬ素子では、酸素導入部Ｒがプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの間に配置されていたため、プラズマ導入部Ｑから蒸着源１５に照射されるプラズマ１２の影響を受けて、成膜室１０に導入された酸素が活性化し、高エネルギーを有した酸素が過剰に発生し、被処理基板１０１へ到達することによって、有機層１０５等の被処理部材を損傷し、有機ＥＬ素子の特性劣化を招いたと考えられる。
【００８４】
（実施例７）
以下、図３を参照して、本発明に係る有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。図３は、実施例７の有機ＥＬ表示装置の断面構成の一例を示す模式図である。図３に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示装置２００は、アクティブマトリクス基板２０１の上に有機ＥＬ素子１００が形成されている。アクティブマトリクス基板２０１は、基板１０１と、基板１０１上に画素ごとに形成された複数のＴＦＴ２０２と、これらのＴＦＴ２０２を覆う平坦化膜２０３とを有している。各ＴＦＴ２０２は、それぞれゲート電極２０４と、ゲート電極２０４の上にゲート絶縁膜２０５を介して形成された島状半導体層（図示せず）と、島状半導体層の両端部をそれぞれ覆うように設けられたソース電極２０６及びドレイン電極２０７とを有している。すなわち、ＴＦＴ２０２はボトムゲート構造である。各ＴＦＴ２０２は、それぞれソース配線２０８及びゲート配線２０９と接続されている。平坦化膜２０３には、各ＴＦＴ２０２のドレイン電極２０７に達するスルーホール２１０が設けられている。平坦化膜２０３の上層には、有機ＥＬ素子１００が形成されている。有機ＥＬ素子１００の陽極１０２は、平坦化膜２０３上及びスルーホール２１０の内部に堆積された導電層をパターニングすることにより、画素ごとに形成されている。各陽極１０２は、それぞれ対応するＴＦＴ２０２のドレイン電極２０７とスルーホール２１０を介して接続されている。これらの陽極１０２は、各陽極１０２のエッジ部及びスルーホール２１０を覆うように形成された絶縁膜（エッジカバー、バンク）２１１によって互いに絶縁されている。この陽極１０２及び絶縁膜２１１の上層に、正孔注入層１０３と、発光層１０４と、金属層１０６であるＣａドープＡｌ層と、透明導電膜層１０７であるＩＴＯ膜と、保護膜１０９とが基板１０１側からこの順で形成されている。
【００８５】
透明導電膜層１０７であるＩＴＯ膜は、実施例１と同様にして成膜した。具体的には、本発明に係るイオンプレーティング装置５０を用いて、プラズマガン１３のプラズマ導入部ＱからＡｒガスを用いたプラズマ１２をハース１４内に装填された蒸着源１５に照射することで透明導電膜層１０７であるＩＴＯ電極を成膜した。ＩＴＯ焼結体を粒状に粉砕したものを蒸着源１５として用い、直径１６ｃｍのハース１４に蒸着源１５を装填した。ハース１４の中心上に位置する蒸着源１５表面の中心Ｐは、プラズマ導入部Ｑから成膜室１０の水平方向で２０ｃｍの距離である。すなわち、プラズマ導入部Ｑの付設されている面から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｈ２）は２０ｃｍとした。酸素を導入するガス配管１１は、プラズマ導入部Ｑの付設されている面と相対する面の容器壁から蒸着源１５に向かって配管し、プラズマ導入部Ｑの付設されている面からガス配管１１の先端部にある酸素導入位置である酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｈ１）は３４ｃｍとした。このとき、プラズマ導入部Ｑから蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離（ｋ２）は２２．４ｃｍとなり、プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｋ１）は３６．６ｃｍとなる。被処理基板１０１は蒸着源１５より５０ｃｍ上方に配置し、酸素導入部Ｒは被処理基板１０１に対して蒸着源１５と同様に５０ｃｍ離れた位置に配置して酸素を導入した。すなわち、被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離（ｄ２）を５０ｃｍとし、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離（ｄ１）を５０ｃｍとした。蒸着源１５に照射するプラズマ１２は、被処理基板１０１と蒸着源１５の間で蒸着源１５より１０ｃｍ上方の成膜室１０の側壁に位置するプラズマ導入部Ｑから射出した。プラズマ１２は、蒸着源１５表面の中心Ｐを照射するように設定した。このように、プラズマ導入部Ｑから酸素導入部Ｒまでの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸着源１５までの距離以上であるという第一条件と、被処理基板１０１から酸素導入部Ｒまでの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上であるという第二条件とを満たした状態でＩＴＯ電極を成膜した。保護膜１０９は、イオンプレーティング装置５０を用いて、酸素を含む絶縁層であるＳｉＯＮ膜を実施例４と同様にして成膜した。
【００８６】
図３に示す有機ＥＬ表示装置２００は、透明導電膜層１０７と保護膜１０９である酸素を含む絶縁層との成膜において、酸素を含む減圧雰囲気下の成膜室１０内で蒸着源１５にプラズマ１２を照射して膜材料を蒸発させることによって被処理基板１０１に成膜する際に、プラズマ導入部Ｑから酸素導入部Ｒまでの距離がプラズマ導入部Ｑから蒸発源１５までの距離以上で、かつ被処理基板１０１から酸素導入部Ｒまでの距離が被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離以上となるように酸素導入部Ｒを配置したことにより、蒸着源１５に照射されるプラズマ１２の影響によって、活性化され高エネルギーを有する粒子（酸素）の被処理基板１０１への到達を抑制することにより、活性化され高エネルギーを有した粒子（酸素）による発光層１０４等の下地層の損傷を抑制し、電子注入効率の低下を抑え、高い発光効率を得ることができた。これにより、高精細で明るい表示を実現することができた。また、画素ごと（すなわち有機ＥＬ素子１００ごと）の輝度のばらつきも小さく、高品位な表示が得ることができた。更に、図１に示すイオンプレーティング装置５０を用いて保護膜１０９を成膜した有機ＥＬ表示装置２００は、水分や酸素等に起因する有機ＥＬ素子１００の劣化を抑えることができるので、高い信頼性を得ることができた。
【００８７】
以上、実施形態及び実施例により本発明について説明したが、本発明の有機ＥＬ表示装置の構成は、上記に限定されない。例えば、ＴＦＴはトップゲート構造であっても良い。本発明の有機ＥＬ素子の構成も上記に限定されず、図２を参照して説明したような様々な構成を適用できる。また、本発明の有機ＥＬ素子を用いて単純マトリクス方式の表示装置を構成することもできる。更に、本発明の有機ＥＬ表示装置には、画素ごとに２個のＴＦＴを必要とする電圧駆動方式を採用してもよいし、画素ごとに４個のＴＦＴを必要とする電流駆動方式を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】実施形態１のイオンプレーティング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】実施形態１の有機ＥＬ素子の断面構成の一例を示す模式図である。
【図３】実施例７の有機ＥＬ表示装置の断面構成の一例を示す模式図である。
【図４】従来のイオンプレーティング装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０：成膜室
１１：ガス配管
１２：プラズマ
１３：プラズマガン
１４：ハース
１５：蒸着源
５０、６０：イオンプレーティング装置
１００：有機ＥＬ素子
１０１：被処理基板（基板）
１０２：第一電極（陽極）
１０３：正孔注入層
１０４：有機発光層（発光層）
１０５：有機層
１０６：金属層
１０７：透明電極層（透明導電膜層）
１０８：第二電極（陰極）
１０９：保護膜
２００：有機ＥＬ表示装置
２０１：アクティブマトリクス基板
２０２：ＴＦＴ
２０３：平坦化膜
２０４：ゲート電極
２０５：ゲート絶縁膜
２０６：ソース電極
２０７：ドレイン電極
２０８：ソース配線
２０９：ゲート配線
２１０：スルーホール
２１１：絶縁膜（エッジカバー、バンク）
ｄ１：被処理基板１０１から酸素導入部Ｒの中心までの距離
ｄ２：被処理基板１０１から蒸着源１５までの距離
ｈ１：プラズマ導入部Ｑの付設されている面から酸素導入部Ｒの中心までの距離
ｈ２：プラズマ導入部Ｑの付設されている面から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離
ｋ１：プラズマ導入部Ｑの中心から酸素導入部Ｒの中心までの距離
ｋ２：プラズマ導入部Ｑの中心から蒸着源１５表面の中心Ｐまでの距離
Ｐ：蒸着源１５表面の中心
Ｑ：プラズマ導入部
Ｒ：酸素導入部
【図１】
2009200001.tif 000005
【図２】
2009200001.tif 000006
【図３】
2009200001.tif 000007
【図４】
2009200001.tif 000008