(57)【要約】【課題】固体封止技術を用いた有機ＥＬパネルにおいて、保護膜のピンホール検出は困難であり、表示品質を低下させる要因となっていた。【解決手段】有機ＥＬパネル１０は、絶縁基板３０の上に、発光素子２４と、発光素子２４を覆う保護膜３２と、保護膜３２上に配置された導電膜３３と、を有している。保護膜３２を挟む発光素子２４の第二電極３６及び導電膜３３は、それぞれ引き出し電極３７及び３８を有している。これらの第二電極用引き出し電極３７と、導電膜用引き出し電極３８との間の導通の有無を測定することにより、保護膜３２に発生したピンホールの検出を行う。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に、前記絶縁基板側から順に第一電極と、発光層と、第二電極とを積層して形成された発光素子と、
前記発光素子を覆う保護膜と、
前記保護膜上に配置された導電膜と、
を備え、
前記保護膜は前記第二電極と前記導電膜とを絶縁し、
前記第二電極は前記保護膜から露出した第二電極用引き出し電極を有し、前記第二電極用引き出し電極と前記導電膜との導電性を測定可能であることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記保護膜及び前記導電膜は、透光性を有し、
前記発光素子は、前記絶縁基板とは反対面に光を放出する上面発光型であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記導電膜の表面に封止層を有し、前記導電膜は導電膜用引き出し電極を有し、前記第二電極用引き出し電極及び前記導電膜用引き出し電極は前記封止層から露出して形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記第二電極用引き出し電極及び前記導電膜用引き出し電極は前記絶縁基板上の周縁のうち同一辺側に形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機ELパネル。
【請求項５】
前記導電膜は、前記保護膜の表面全体を覆うように形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記導電膜は、枠状に形成され、前記保護膜の外周にのみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記有機ＥＬパネルは、前記絶縁基板に対向して配置された封止基板を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項８】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に、前記絶縁基板と接する側から順に第一電極と、発光層と、第二電極とを積層して形成された発光素子と、
前記発光素子を覆う保護膜と、
前記保護膜上に前記第二電極と絶縁されて形成される導電膜と、
を備えた有機ＥＬパネルの欠陥検出方法において、
前記導電膜及び前記保護膜の表面を封止する封止層と、を備え、
前記第二電極及び前記導電膜のそれぞれが引き出し電極を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの欠陥検出方法であって、
前記第二電極と前記導電膜間の導電性を測定し、あらかじめ設定した所定の値と比較することによって、ピンホールの発生の有無を検出することを特徴とする有機ＥＬパネルの欠陥検出方法。
【請求項９】
前記所定の値は抵抗値を基準として設定されることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬパネルの欠陥検出方法。
【請求項１０】
前記導電膜は、枠状に前記保護膜の外周にのみ形成され、前記外周の範囲のみのピンホールを検出することを特徴とする請求項８または９に記載の有機ＥＬパネルの欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルに関し、特に、保護膜上に導電膜を有し、保護膜に発生したピンホールの検出が可能な構造の有機ＥＬパネル、及び有機ＥＬパネルの欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用パネル（以下有機ＥＬパネルという）は、活性が高く化学的に不安定な発光素子を備えて構成されているため、水分等による酸化により特性が劣化し易いという特徴を有する。
【０００３】
酸化した発光素子は、電流を流した場合であっても発光しないため、表示に寄与しない、いわゆるダークスポットとなり表示品質の低下を招く。
【０００４】
近年、有機ＥＬパネルの薄型化に伴い、発光素子を保護膜によって封止する固体封止技術が検討されている。一例として、特許文献１によれば、保護膜として無機保護膜及び有機保護膜の二層を設け、水分浸入を抑制する固体封止技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００７−２９９７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の保護膜を積層する構造であっても、保護膜自体にピンホールが発生した場合、水分に対する保護性能を十分に発揮することができない。具体的には、有機ＥＬパネルを製造する工程において、保護膜の表面に異物等が付着した際にピンホールが発生する。このようなピンホールから水分が浸入することにより、発光素子が劣化してダークスポットが生じる点が問題となる。
【０００６】
図１０は従来技術である固体封止技術の構造を説明するための断面図であり、図１１は図１０に示す破線部（Ｒ１）を拡大した断面図であり、保護膜を成膜する際に異物が付着した状態を説明するための図である。
【０００７】
異物が付着した場合、異物周辺には間隙が生じ、ピンホールとなりうる。そのため、保護膜３２の上に積層された封止層３４から水分が拡散し伝播した場合、水分はピンホールを通して保護膜３２の下層に位置する発光素子に浸入し、表示品質を低下させるおそれがある。
【０００８】
一方で、ピンホールの有無を検出する技術としては、対象物に光を当てその反射光を検出することにより行う技術がある。しかしながら、有機ＥＬパネルでは、光の利用効率を上げるため光が拡散し易く設計されているため、上述したような技術でピンホールを検出することは困難である。
【０００９】
本発明は、保護膜上に導電膜を形成し、発光素子を構成する電極及び導電膜間の導通の有無を検出することで、保護膜上のピンホール発生の有無を検出することが可能な構造の有機ＥＬパネル及び有機ＥＬパネルの欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の態様に係る有機ＥＬパネルは、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に、前記絶縁基板側から順に第一電極と、発光層と、第二電極とを積層して形成された発光素子と、前記発光素子を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された導電膜と、を備え、前記保護膜は前記第二電極と前記導電膜とを絶縁し、前記第二電極は前記保護膜から露出した第二電極用引き出し電極を有し、前記第二電極用引き出し電極と前記導電膜との導電性を測定可能であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の態様による有機ＥＬパネルの欠陥検出方法は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に、前記絶縁基板と接する側から順に第一電極と、発光層と、第二電極とを積層して形成された発光素子と、前記発光素子を覆う保護膜と、前記保護膜上に前記第二電極と絶縁されて形成される導電膜と、を備えた有機ＥＬパネルの欠陥検出方法において、前記導電膜及び前記保護膜の表面を封止する封止層と、を備え、前記第二電極及び前記導電膜のそれぞれが引き出し電極を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの欠陥検出方法であって、前記第二電極と前記導電膜間の導電性を測定し、あらかじめ設定した所定の値と比較することによって、ピンホールの発生の有無を検出することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の有機ＥＬパネルによれば、発光素子を構成する第二電極の引き出し電極と導電膜の引き出し電極とにそれぞれ外部機器を接続することが可能であり、このような有機ＥＬパネルの欠陥検出方法は、それぞれの引き出し電極を介して第二電極と導電膜との間の導電性を測定することにより、両者の導通の有無を検出し、第二電極と導電膜との間の保護膜におけるピンホールの発生の有無を検出することを特徴としている。このため、駆動回路などの高価な部品を実装する前に、水分に対する保護性能が不十分な製品を確実に検出することが可能となる。また、長時間にわたる高温高湿環境下での試験などを行うことなく、短時間の検出工程で、保護膜におけるピンホールの有無を検出することが可能である。したがって、製造時間の短縮、さらには、製造コストの低減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施の形態では、乾燥剤及び中空構造を有さず封止層により発光素子を封止する固体封止技術を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルを例として説明する。特に、ここでは、絶縁基板とは反対面に光を放出する（つまり、封止層などを介して光を放出する）上面発光型の発光素子を備えた有機ＥＬパネルについて説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明による有機ＥＬパネルの実施の形態を図１乃至図４を参照して詳細に説明する。 
図１は実施の形態にかかる有機ＥＬパネル１０を概略的に示す斜視図であり、図２は図１に示した有機ＥＬパネル１０を概略的に示す一部切欠平面図である。また、図３は図１のＡ−Ａ線に沿って有機ＥＬパネル１０を切断した断面図である。さらに、図４は図１のB−B線に沿って有機ＥＬパネル１０を切断した断面図である。
【００１５】
有機ＥＬパネル１０は、素子基板２１を備えている。この素子基板２１は、ガラス基板等の絶縁基板３０と、絶縁基板３０上に形成された積層体２３とを備えている。また、この有機ＥＬパネル１０は、絶縁基板３０に対向して配置された封止基板２２を備えている。つまり、封止基板２２は、積層体２３を介して絶縁基板３０と互いに向き合うように配置されている。
【００１６】
このような有機ＥＬパネル１０は、マトリクス状に配置された画素ＰＸによって構成される表示エリアＤＳＰを有している。各画素ＰＸは、土手部（リブ）３９によって囲まれ、隣接する画素と分離されている。
【００１７】
積層体２３は、絶縁基板３０側から順に発光素子２４と、保護膜３２と、導電膜３３と、封止層３４と、を備えている。
【００１８】
発光素子２４は、各画素ＰＸに形成されており、絶縁基板３０側から順に第一電極３５と、発光層３１と、第二電極３６とを積層することにより形成されている。つまり、この発光素子２４は、絶縁基板３０の上に形成された陽極である第一電極３５と陰極である第二電極３６とが発光層３１を挟持してなり、各画素ＰＸに配置されたスイッチング素子を含む画素回路によって制御される。このような発光素子２４は、発光層３１に電流を流すことにより発光する。
【００１９】
発光層３１は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜であるが、発光効率を増すため、バッファ層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいても良い。
【００２０】
第一電極３５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム・ティン・オキサイド（以下ＩＴＯという）等の導電材料によって形成されている。本実施の形態の有機ＥＬパネル１０は、上面発光型の発光素子２４を備えた構成であるため、発光層３１よりも下面（つまり絶縁基板３０側）は透光性を有する必要はないが、発光層３１よりも上面（つまり封止基板２２側）は透光性を有する必要がある。そのため、発光層３１よりも封止基板２２側に位置する第二電極３６は、透光性を有するＩＴＯ等、透光性を有する導電材料によって形成されている。
【００２１】
保護膜３２は、発光素子２４を覆うように配置されている。つまり、保護膜３２は、第二電極３６及び土手部３９の上に配置されている。この保護膜３２は、発光素子２４への水分浸入を抑制する水分保護性能を有している。このような保護膜３２は、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの窒素化合物を主成分とする無機系材料によって形成されている。なお、この保護膜３２は、第二電極３６と同様に透光性を有している。
【００２２】
導電膜３３は、保護膜３２の上に配置されている。導電膜３３は、保護膜３２の表面全体を覆うように形成されている。この導電膜３３はＩＴＯ等の透光性を有する導電材料によって形成されている。
【００２３】
封止層３４は、導電膜３３及び保護膜３２の表面を封止する。この封止層３４は、例えば熱硬化型の樹脂材料によって形成され、絶縁基板３０及び封止基板２２を接着封止する。封止基板２２は、ガラス基板等の透光性を有する絶縁基板であり、有機ＥＬパネル１０の防水性及び耐久性を向上させる。
【００２４】
ところで、第二電極３６は、第二電極用引き出し電極３７を有している。また、導電膜３３は、導電膜用引き出し電極３８を有している。これらの引き出し電極３７及び３８は、保護膜３２及び封止層３４の外側に引き出され、後述する保護膜３２を対象としたピンホール検出を行う際に、テスターまたはブリッジ等の外部測定機器と接続可能に形成されている。
【００２５】
ここに示した例では、引き出し電極３７及び３８は、封止層３４や封止基板２２よりも外側に延出した絶縁基板３０の上に配置されている。
【００２６】
なお、引き出し電極３７は、例えば第二電極３６と一体に形成しても良いし、別部材によって形成し第二電極３６と電気的に接続されていても良い。同様に、引き出し電極３８は、例えば導電膜３３と一体に形成しても良いし、別部材によって形成し導電膜３３と電気的に接続されていても良い。また、第二電極３６及び導電膜３３を封止層３４の外側にそのまま引き出すことでそれぞれ引き出し電極としてもよい。
【００２７】
次に、本発明による有機ＥＬパネル１０の製造工程において、特に、本発明の特徴である第二電極３６、保護膜３２、導電膜３３、及び、引き出し電極３７、３８の製造工程について説明する。
【００２８】
まず、２枚のマザーガラス基板を用意する。一方のマザーガラス基板は素子基板２１用の第一マザー基板に相当し、また、他方のマザーガラス基板は封止基板２２用の第二マザー基板に相当する。
【００２９】
第一電極３５及び土手部３９を形成した第一マザー基板において、第一電極３５の上に発光層３１を成膜する。そして、発光層３１の上に、スパッタリング法を用いて、第二電極３６として、ＩＴＯを成膜する。ここで、ＩＴＯの膜厚は、例えば、１００ｎｍとした。また、ここに示す例では、第二電極３６を形成する際、形成範囲を拡張することで第二電極３６と同一材料により一体的な第二電極用引き出し電極３７を形成する。
【００３０】
次に、第二電極３６の上側に保護膜３２を成膜する。この保護膜３２は、例えばプラズマＣＶＤ法により窒素化合物を用いて形成する。保護膜３２の膜厚は、例えば、１μmとした。この保護膜３２の形成範囲は、第二電極用引き出し電極３７を除く第二電極３６全面である。つまり、第二電極用引き出し電極３７は、保護膜３２から露出している。
【００３１】
その後、保護膜３２の上側に導電膜３３を形成する。この導電膜３３は、例えばスパッタリング法によりＩＴＯを用いて形成する。導電膜３３の膜厚は、例えば１００ｎｍとした。なお、ここでは、第二電極用引き出し電極３７と同様に、導電膜３３を形成する際、形成範囲を拡張することで導電膜３３と同一材料により一体的な導電膜用引き出し電極３８を形成する。
【００３２】
さらに、発光素子２４、保護膜３２、導電膜３３を形成した第一マザー基板と第二マザー基板とを、封止層３４となる樹脂性充填剤を介して真空チャンバー中で貼り合わせ、樹脂性充填剤を硬化することにより、第一マザー基板と第二マザー基板とを接着し、マザー基板対を形成する。第二電極用引き出し電極３７及び導電膜用引き出し電極３８は、封止層３４から露出している。
【００３３】
最後に、マザー基板対を割断し、複数のセルを形成する。このような工程により、有機ＥＬパネル１０が形成される。
【００３４】
以下、本発明による保護膜３２を対象とした有機ＥＬパネルの欠陥検出方法について説明する。この欠陥検出方法では、発光素子２４を覆う保護膜３２におけるピンホールの有無を検出する。
【００３５】
すなわち、ピンホールの検出は、保護膜３２を挟持する第二電極３６と導電膜３３との導通の有無を検出することによって行われる。つまり、第二電極３６と導電膜３３とが導通している場合には、保護膜３２にピンホールが発生したことを検出できる。このような第二電極３６と導電膜３３との導通の有無は、第二電極用引き出し電極３７と導電膜用引き出し電極３８との間の導電性の測定によって行う。
【００３６】
図５は、保護膜３２におけるピンホールの有無を検出するための電気的な測定方法を説明するための概念図である。
【００３７】
まず、第二電極用引き出し電極３７及び導電膜用引き出し電極３８と、テスターまたはブリッジ等の外部測定機器とをそれぞれ接続する。そして、第二電極用引き出し電極３７と導電膜用引き出し電極３８との導通の有無を計測する。ここでは、両引き出し電極３７及び３８間の抵抗値に基づいて、導通の有無を検出している。
【００３８】
すなわち、予め設定した所定の抵抗値を基準とし、第二電極用引き出し電極３７と導電膜用引き出し電極３８との間の抵抗値が基準を下回る場合には、保護膜３２にピンホールが発生していることを検知することができる。また、第二電極用引き出し電極３７と導電膜用引き出し電極３８との間の抵抗値が基準を上回る場合には、保護膜３２にピンホールが発生していないことを検知することができる。
【００３９】
抵抗値の基準は、例えば1Ｍオームとし、１Ｍオーム以上の抵抗値の場合を導通なし（つまりピンホール無し）、１Ｍオームを下回る抵抗値の場合を導通あり（つまりピンホール有り）とする。なお、基準となる抵抗値は、保護膜３２の膜厚、被覆した面積によって異なるため、所望の値を用いることができる。
【００４０】
なお、本実施の形態では、抵抗値を基準に導通有無を測定する場合を例に説明したが、例えば電流値などに基づいて導通の有無を測定することも可能である。
【００４１】
当該条件の場合、ピンホールの検出は直径が０．５μｍ以上であれば検出しやすくなる傾向がある。一般的な光学的測定によるピンホールの検出は、有機ＥＬパネル１０を対象とした場合、直径１０μｍ以上のものであるため、本実施の形態による検出は光学的測定を用いた場合と比較して、より高精度な検出が可能であるといえる。
【００４２】
本実施の形態により、有機ＥＬパネル１０の状態でのピンホールの発生確認が可能となる。そのため、例えばピンホール検出を行わず有機ＥＬパネル１０に表示ユニットを取り付け、有機ＥＬ素子を作製した後に廃棄する場合と比べ、表示ユニットの無駄をなくし、コストの削減を図ることができる。
【００４３】
さらに、本発明にかかるピンホールの検出は、有機ＥＬパネル１０を作成した後に限らず、導電膜３３を成膜した後であれば所望のタイミングで行うことができる。そのため、ピンホールが検出された絶縁基板３０に対し、導電膜３３成膜以降の工程を行わないとすることで、よりコストの削減を図ることができる。
【００４４】
本願発明者は、本実施の形態の有効性を検証するために、有機ＥＬパネル１０を高温高湿槽（８５℃／８５％ＲＨ）に投入し、５００時間経過後のダークスポットの発生の有無を目視にて調査する実験を行った。本実験では、１Ｍオーム以上の抵抗値の場合を導通無しと判断し、１Ｍオームを下回る抵抗値の場合を導通有りと判断した。
【００４５】
図６は、本実施の形態にかかる導電膜３３の形成範囲、保護膜３２を介した導通有無、及び、ダークスポットの発生有無の関係を表す図である。
【００４６】
図６に示したように、保護膜３２を介した導通がなしと検出された有機ＥＬパネルの数は３枚であり、ダークスポットが発生しなかった有機ＥＬパネルの数は３枚であり、導通なしと検出された有機ＥＬパネルとダークスポット発生なしの有機ＥＬパネルとは一致していた。
【００４７】
つまり、上述したような保護膜を介した導通の有無によるピンホールの検出はきわめて精度が高く、欠陥検出方法の有効性が確認できた。すなわち、長時間にわたる高温高湿環境下での試験を行うことなく、短時間の検出で、保護膜におけるピンホールの有無を検出することが可能である。
【００４８】
なお、導通があったにもかかわらずダークスポットが視認されない有機ＥＬパネル１０が確認された。これは、ピンホールが発生したものの、水分の浸入が困難な位置、例えば有機ＥＬパネル１０の周縁部から離れた中央部にピンホールが発生したため、ダークスポットが発生しなかったものと考えられる。この点に関しては実施の形態２に示すよう導電膜３３の形成範囲を限定することにより対応することができる。
【００４９】
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１と比較して、導電膜３３の形成範囲を限定する点で相違する。
【００５０】
以下、本実施の形態を図７及び図８を参照して詳細に説明する。なお、実施の形態１と同一部分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５１】
図７は実施の形態２にかかる有機ＥＬパネル１０を概略的に示す断面図であり、図８は図７に示す導電膜３３の形成範囲と、保護膜３２の形成位置との関係を説明するための平面図である。
【００５２】
この実施の形態２においては、導電膜３３は、保護膜３２を覆うように全面に形成した実施の形態１とは異なり、枠状に形成されており、保護膜３２の周縁部を覆うように配置されている。つまり、導電膜３３は、水分の浸入が生じ易い保護膜３２の周縁部にのみ形成され、水分の浸入が困難な保護膜３２の中央部については導電膜３３から露出している。
【００５３】
このような構成の実施形態２によれば、ダークスポットの発生につながらないピンホールの検出を除外することができ、過剰なピンホール検出によりダークスポットが生じないあるいは生じる可能性が極めて少ない有機ＥＬパネル１０の廃棄を防ぐことができる点で極めて有効である。
【００５４】
導電膜３３によって覆われる保護膜３２の周縁部の範囲は、導電膜３３の外周３３ｏｕｔと内周３３ｉｎとの間の距離（ｄ）によって異なるが、ピンホールの検出を重視する場合には、ｄは、例えば、１２ｍｍとする。また、ダークスポットに寄与しないピンホール検出の排除を重視する場合は、ｄは、例えば、８ｍｍとする。
【００５５】
なお、本実施の形態にかかる導電膜３３の成膜工程は、スパッタリング法によりＩＴＯを被覆する際、パターンを変更することにより行う。
【００５６】
本願発明者は、本実施の形態の有効性を検証した。ここでは、ｄを１２ｍｍとした有機ＥＬパネル１０と、ｄを８ｍｍとした有機ＥＬパネル１０とを用意して、それぞれの有機ＥＬパネル１０を高温高湿槽（８５℃／８５％ＲＨ）に投入し、５００時間経過後のダークスポットの発生の有無を目視にて調査する実験を行った。本実験では、１Ｍオーム以上の抵抗値の場合を導通なしと判断し、１Ｍオームを下回る抵抗値の場合を導通ありと判断する。
【００５７】
図９は、本実施の形態にかかる導電膜３３の形成範囲、保護膜３２を介した導通有無、及び、ダークスポットの発生有無の関係を表す図である。
【００５８】
図９に示したように、ｄを１２ｍｍとした場合には、導通がなしと確認された有機ＥＬパネルの数は５枚であり、ダークスポットが発生しなかった有機ＥＬパネルの数も５枚であった。つまり、導通がなしと確認された有機ＥＬパネル１０では、ダークスポットの発生は確認されなかった。
【００５９】
また、ｄを８ｍｍとした場合には、導通がなしと確認された有機ＥＬパネルの数は６枚であり、ダークスポットが発生した有機ＥＬパネルの数は５枚であった。導通がなしと確認された有機ＥＬパネル１０であっても、わずかながらダークスポットの発生が確認されたが、一定のピンホール検出効果を奏した。
【００６０】
このように、導電膜３３の形成範囲を限定した場合であっても、保護膜を介した導通の有無に基づくピンホールの検出は極めて有効であることが確認された。
【００６１】
なお、ｄを１２mmとした場合、導通がありと確認された有機ＥＬパネルの数は３枚であり、ダークスポットが発生した有機ＥＬパネルの数も３枚であり、一致していた。また、ｄを８mmとした場合、導通がありと確認された有機ＥＬパネルの数は２枚であり、ダークスポットが発生した有機ＥＬパネル数も２枚であり、一致していた。つまり、いずれの例においても、導通が有りと視認された有機ＥＬパネル１０では、確実にダークスポットが発生しており、検出の精度が高いことが確認できた。
【００６２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、発光素子を覆う保護膜におけるピンホールの有無を検出することが可能な構造の有機ＥＬパネル及び有機ＥＬパネルの欠陥検出方法を提供することができる。特に、保護膜の上に導電膜を形成した後であれば、いかなるタイミングであっても保護膜におけるピンホールの発生の有無を検出可能となる。しかも、このようなピンホールの発生の有無は、短時間の検出工程で実現可能である。したがって、製造時間の短縮、さらには、製造コストの低減が可能となる。
【００６３】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００６４】
本実施の形態では、積層体２３上に封止基板２２を備える固体封止構造の有機ＥＬパネル１０について説明したが、封止基板２２を備えない薄膜封止構造の場合であっても同一の構造または同一の欠陥検出方法を適用することができ、この場合には同一の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態にかかる有機ＥＬパネルを概略的に示す斜視図。
【図２】図１に示した有機ＥＬパネルを概略的に示す一部切欠平面図。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した有機ＥＬパネルの断面図。
【図４】図１のB−B線に沿って切断した有機ＥＬパネルの断面図。
【図５】保護膜におけるピンホールの有無を検出するための電気的な測定方法を説明するための概念図。
【図６】実施の形態１にかかる導電膜の形成範囲、保護膜を介した導通有無、及びダークスポットの発生有無の関係を表す図。
【図７】実施の形態２にかかる有機ＥＬパネルを概略的に示す断面図。
【図８】図７に示す導電膜の形成範囲と保護膜の形成位置との関係を説明するための平面図。
【図９】実施の形態２にかかる導電膜の形成範囲、保護膜を介した導通有無、及びダークスポットの発生有無の関係を表す図。
【図１０】従来の固体封止技術の構造の有機ＥＬパネルを概略的に示す拡大断面図。
【図１１】図１０に示す破線部（Ｒ１）を拡大した保護膜上のピンホールの発生例を示す断面図。
【符号の説明】
【００６６】
１０…有機ＥＬパネル、２１…素子基板、２２…封止基板、２３…積層体、２４…発光素子、３０…絶縁基板、３１…発光層、３２…保護膜、３３…導電膜、３４…封止層、３５…第一電極、３６…第二電極、３７…第二電極用引き出し電極、３８…導電膜用引き出し電極、３９…土手部（リブ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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