(57)【要約】【課題】再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を、効率良く（簡便でかつ、短時間で精度良く）評価する方法の提供。【解決手段】再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を評価する方法であって、下記の測定工程と推定工程とを備えたことを特徴とする光記録媒体の再生光耐久性評価方法。  ・測定工程：記録前の反射率を測定すると共に、所定の記録パワーで記録した後の反射率を測定する工程  ・推定工程：測定した記録前の反射率及び記録後の反射率に基づいて、再生光耐久性を推定する工程【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を評価する方法であって、下記の測定工程と推定工程とを備えたことを特徴とする光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
・測定工程：  記録前の反射率を測定すると共に、所定の記録パワーで記録した後の反射率を測定する工程
・推定工程：  測定した記録前の反射率及び記録後の反射率に基づいて、再生光耐久性を推定する工程
【請求項２】
前記測定工程と推定工程を下記のようにして行うことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
・測定工程：  記録前の反射率を測定すると共に、最適記録パワーに対して所定割合の複数の記録パワーでそれぞれ記録した後の反射率を測定する。
・推定工程：  次の（Ａ）〜（Ｃ）の手順で行う。
（Ａ）記録前の反射率に対する記録後の反射率の割合を、各記録パワー毎に求める。
（Ｂ）最適記録パワーに対する各記録パワーの割合と、（Ａ）で求めた反射率の割合
との関係を表わす一次の近似式を求める。
（Ｃ）一次の近似式の直線の傾きに基づいて、再生光耐久性を推定する。
【請求項３】
前記記録層が、ビスマス酸化物を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の再生光耐久性を評価する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体の中には、再生光の照射により記録層が劣化するものがある。本発明者等が開発を進めてきた、ビスマス酸化物を主成分とする記録層を備えた青色レーザ波長領域で記録再生が可能な追記型光記録媒体も、その一種であることが分かってきた。このような光記録媒体は、再生を繰り返した場合の記録層の安定性（再生光耐久性）を評価する必要がある。
再生光耐久性を評価する方法としては、通常の再生パワーよりも高い再生パワーで再生光耐久性を複数点調べ、その結果を用いて、再生光耐久回数の常用対数と再生パワーの関係式を最小二乗法を使って一次の近似式として求め、この近似式から任意の再生パワーにおける再生光耐久回数を推定する方法が知られている（特許文献１参照）。
しかし、この方法は、例えば１００万回の再生光耐久性を評価したい場合、１００万回よりも少ない再生回数で評価可能ではあるが、長時間に亘って多数回の再生を行う必要があることは従前と変わりないため、より効率良く再生光耐久性を評価できる方法が求められていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−００６９４１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を、効率良く（簡便でかつ、短時間で精度良く）評価する方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は次の１）〜３）の発明（以下、本発明１〜３という）によって解決される。
１）  再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を評価する方法であって、下記の測定工程と推定工程とを備えたことを特徴とする光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
・測定工程：記録前の反射率を測定すると共に、所定の記録パワーで記録した後の反射率を測定する工程
・推定工程：測定した記録前の反射率及び記録後の反射率に基づいて、再生光耐久性を推定する工程
２）  前記測定工程と推定工程を下記のようにして行うことを特徴とする１）に記載の光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
・測定工程：  記録前の反射率を測定すると共に、最適記録パワーに対して所定割合の複数の記録パワーでそれぞれ記録した後の反射率を測定する。
・推定工程：  次の（Ａ）〜（Ｃ）の手順で行う。
（Ａ）記録前の反射率に対する記録後の反射率の割合を、各記録パワー毎に求める。
（Ｂ）最適記録パワーに対する各記録パワーの割合と、（Ａ）で求めた反射率の割合
との関係を表わす一次の近似式を求める。
（Ｃ）一次の近似式の直線の傾きに基づいて、再生光耐久性を推定する。
３）  前記記録層が、ビスマス酸化物を含むことを特徴とする１）又は２）に記載の光記録媒体の再生光耐久性評価方法。
【０００６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明は再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体を対象とする。その例としては、本発明者等が開発を進めてきた、ビスマス酸化物を主成分とする記録層を備えた青色レーザ波長領域で記録再生が可能な追記型光記録媒体が挙げられる。
上記追記型光記録媒体は、再生を行ったとき、記録マーク部分は比較的安定であるが、記録マーク間のスペース部分が不安定であること、即ち、繰り返し再生光の照射により、段階的にスペース部分の記録後の反射レベル（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋの場合、Ｉ８Ｈレベル）が低下していくという問題があった。この低下量は媒体特有であり、媒体の層構成や記録層材料に依存する。
【０００７】
本発明者等は、上記の問題について検討した結果、所定の記録パワーで記録した時の、記録後の反射率Ｒ８Ｈ（％）を記録前の反射率Ｒｇｖ（％）で割った値（Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖ）と、多数回（例えば１００万回）の再生光耐久性試験を実施した時の反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）との間に相関があることを見出した。即ち、上記Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖの値が小さいほど、換言すれば、記録前の反射率に対する記録後の反射率の変動（低下）が大きいほど、ΔＩ８Ｈが大きいことを見出した。
この事実は、１００万回の再生光耐久性試験を実施しなくても、所定の記録パワーで記録したときのＲ８Ｈ／Ｒｇｖの値から再生光耐久性を推定できることを意味している。
なお、記録パワーは、最適記録パワー（ジッターが最小となる記録パワー）に限られるわけではなく、再生光耐久性を適正に推定することができる記録パワーであればよい。つまり、ある記録パワーで記録した場合に、上述したように、記録前の反射率に対する記録後の反射率の変動（低下）が大きいほど、多数回の再生光耐久性試験を実施した時の反射レベルの低下量が大きくなることを予め確認しておき、そのような記録パワーに設定して記録を行えばよい。
【０００８】
また、本発明者等は、繰り返し再生光の照射による反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）は、前記Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖの記録パワーに対する変化率と関係があることを見出した。例えば、最適記録パワーから記録パワーを上げて（又は下げて）記録したときに、記録前の反射率に対する記録後の反射率の割合が大きく変化する光記録媒体は、繰り返し再生光の照射による反射レベルの低下が大きく、他方、同様にして記録したときに、記録前の反射率に対する記録後の反射率の割合の変化が小さい光記録媒体は、繰り返し再生光の照射による反射レベルの低下が小さく、再生光耐久性に優れていることが分かった。
従って、記録前の反射率、及び最適記録パワーに対して所定割合の複数の記録パワーでそれぞれ記録した後の反射率を測定すれば、再生光耐久性を推定できることになる。この方法は、より正確な推定を行うことができるので好ましい。
【０００９】
具体的な手法の例としては、最適記録パワーに対して所定割合の複数の記録パワーにおける、記録前の反射率に対する記録後の反射率の割合を測定し、最適記録パワーに対する各記録パワーの割合の変化と、記録前後の反射率の割合との関係について、最小二乗法などを使って一次の近似式を求めることにより、近似式の直線の傾きから再生光耐久性を推定することができる。この傾きが０に近いほど、光記録媒体の再生光耐久性が優れていることになる。
上記所定割合の複数の記録パワーは、通常、最適記録パワーに対して±２０％以内とするが、必要に応じて適宜選択可能であり、±１０％以内、５〜２０％などの範囲であってもよい。つまり、ある記録パワーの範囲で記録した場合に、記録前後の反射率の割合に対して、最適記録パワーに対する各記録パワーの割合の変化量（一次式の傾き）が大きいほど、多数回の再生光耐久性試験を実施した時の反射レベルの低下量が大きくなることを予め確認しておき、そのような記録パワーの範囲に設定して記録を行えばよい。但し、複数の記録パワーの一つとして最適記録パワーを含むことが好ましい。
【００１０】
本発明の評価方法に適した光記録媒体としては、下記の構成の追記型光記録媒体が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。
（ａ）基板／ビスマス酸化物を含む記録層／上部保護層／反射層
（ｂ）基板／下部保護層／ビスマス酸化物を含む記録層／上部保護層／反射層
（ｃ）カバー層／ビスマス酸化物を含む記録層／上部保護層／反射層／基板
（ｄ）カバー層／下部保護層／ビスマス酸化物を含む記録層／上部保護層／反射層／基板
更に、上記構成を基本として、多層化した構造でも構わない。
例えば、上記（ａ）の構成を基本として多層化した場合、次のような構成とすることができる。
基板／ビスマス酸化物を含む記録層／上引層／反射層（半透明層）／接着層／ビスマス酸化物を含む記録層／上引層／反射層／基板
なお、光記録媒体の両面に基板と保護基板を設けた構造とすることもできる。
図１は、追記型光記録媒体の層構成の一例を示す概略断面図であり、基板６上に、反射層５、上部保護層４、記録層３、下部保護層２、カバー層１が順次設けられている。記録層３はビスマス酸化物を含有するものである。
【００１１】
次に、各構成層について説明する。
基板の素材としては、熱的、機械的に優れた特性を有し、基板側から（基板を通して）記録・再生が行われる場合には光透過特性にも優れたものであれば特別な制限はない。
具体例としては、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、非晶質ポリオレフィン、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられるが、ポリカーボネートや非晶質ポリオレフィンが好ましい。なお、基板の厚さは用途により異なり、特に制限はない。基板の表面に、トラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号等のプレフォーマットが形成されていてもよい。
保護基板は、この保護基板側からレーザ光を照射する場合には使用レーザ光に対し透明でなくてはならないが、単なる保護板として用いる場合には透明性は問わない。使用可能な保護基板材料は、前記の基板材料と全く同じである。
【００１２】
追記型光記録媒体の記録層は、再生光の照射により記録層が劣化するものであれば何でもよいが、例えばビスマス酸化物を含むものを用いることができる。ビスマス酸化物を含む記録層としては、例えば、スパッタ法により、Ｂｉ２Ｏｘをターゲット組成として形成されるＢｉＯ系薄膜、Ｂｉ３Ｆｅ５Ｏｘをターゲット組成として形成されるＢｉＦｅＯ、Ｂｉ２ＢＯｘをターゲット組成として形成されるＢｉＢＯ、Ｂｉ３ＡｌＯｘをターゲット組成として形成されるＢｉＡｌＯ系薄膜、Ｂｉ２ＢＧｅＯｘをターゲット組成として形成されるＢｉＢＧｅＯなどが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。これらのビスマス酸化物は、青色レーザ対応の記録層材料として非常に有効であり、熱伝導率が低く、耐久性が良好であり、高反射率化や高透過率化が実現しやすい（複素屈折率に起因する）という特徴がある。なお、ビスマス酸化物を含む記録層とは、単に添加物としてビスマス酸化物を含む記録層ではなく、ビスマス酸化物系の記録層を意味し、その記録原理は、ビスマス酸化物が金属ビスマスとビスマス酸化物とに相分離することで記録がなされると考えられている。
記録層の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲に設定することが好ましく、５〜１５ｎｍが更に好ましい。膜厚が５ｎｍ未満では、青色レーザ波長で良好な記録感度及び記録特性を確保することが難しく、膜厚が３０ｎｍを超えると、追記型光記録媒体としての反射率が急激に低下し、また追記型光記録媒体としての熱伝導率が高くなり過ぎ、トラック間の干渉によるクロストークの増大や記録再生特性が劣化する可能性がある。
【００１３】
下部保護層及び上部保護層の材料としては、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３〕、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物等を用いることができる。あるいは、ＺｎＳ・ＳｉＯ２などの非酸化物と酸化物との混合系を用いることもできる。
【００１４】
更に、下部保護層及び上部保護層の材料として、色素や樹脂などの有機材料を使用することもできる。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系、アゾ系、ホルマザン系各色素、及びこれらの金属錯体化合物などが挙げられる。
樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等を単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００１５】
有機材料を用いた下部保護層及び上部保護層は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、溶剤塗布などの通常の手段によって形成することができる。
塗布法を用いる場合には、上記有機材料などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で行なうことができる。用いられる有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
【００１６】
下部保護層は、主に記録層の保存信頼性を確保するために用いられる。即ち、基板やカバー層を透過してくる酸素、水分、その他のガスから記録層を守る働きをする。よって、その機能を十分に果たすためには、膜厚を１５ｎｍ以上とすることが好ましい。一方、生産性の観点から、膜厚を１５０ｎｍ以下に設定することが好ましい。
上部保護層は、膜厚が薄くなり過ぎると、記録層で発生した熱が必要以上に反射層から放熱されるため好ましくなく、１０ｎｍ以上の膜厚に設定することが好ましい。逆に膜厚が厚くなると、記録層で発生した熱が反射層から放熱されにくくなり、記録マーク間の熱干渉が大きくなるため、５０ｎｍ以下の膜厚に設定することが好ましい。
また、上部保護層材料に硫化物を用いた場合、反射層の劣化が問題になるが、上部保護層と反射層との間に、非硫化物材料、例えば上記、上下保護層材料の際に挙げた酸化物材料や窒化物材料からなる界面層を設けることにより反射層の劣化を防ぐことができる。
【００１７】
反射層には、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質が使用される。このような光反射性物質としては、例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｉｎ、Ａｌ−Ｎｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、半金属、及び合金を挙げることができる。これらの物質は単独で用いても二種以上を組合せて用いてもよい。
合金により反射層を形成する場合には、合金をターゲット材料としたスパッタ法で作製することができるが、これ以外に、チップオンターゲット方式（例えば、Ａｇターゲット上にＣｕチップを乗せて成膜）、共スパッタ法（例えば、ＡｇターゲットとＣｕターゲットを使用）によっても作製することができる。
また、金属以外の材料を用い、低屈折率層と高屈折率層を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
反射層の好ましい膜厚は、５〜１５０ｎｍである。
【００１８】
反射層や光透過層等の上に形成する保護層、カバー層、オーバーコート層の材料としては、反射層や光透過層等を外力から保護するものであれば特に限定されず、種々の有機材料や無機材料が用いられる。有機材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等が挙げられる。また、無機材料としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２等が挙げられる。
保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法等が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。
熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を用いて保護層、カバー層、オーバーコート層を形成する場合には、これらの樹脂を適当な溶剤に溶解して塗布した後、乾燥することにより形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、樹脂原料をそのまま塗布するか、あるいは適当な溶剤に溶解して塗布した後、紫外線を照射して硬化させることにより形成することができる。
紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独で用いても混合して用いてもよいし、多層膜にして用いてもよい。
【００１９】
保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲であるが、３〜３０μｍが好ましい。
また、反射層面又は光透過層面に更に基板を貼り合わせてもよく、反射層面や光透過層面相互を内面として対向させ、光学記録媒体２枚を貼り合わせた構成としてもよい。
更に、基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外線硬化樹脂層や無機材料層等を成膜してもよい。
接着層は、光記録媒体の構成層、例えば、オーバーコート層とダミー基板、反射層と記録層などの接着の役割を担うものであり、光記録媒体として要求される特性に障害を与えない材料であれば特に制約はないが、生産性を考えると紫外線硬化型接着剤から構成されるものが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、再生光の照射により記録層が劣化する光記録媒体の再生光耐久性を、効率良く（簡便でかつ、短時間で精度良く）評価する方法を提供できる。
即ち、多数回の再生を行わなくても、記録前後の反射率を求めることで、再生光耐久性を効率良く評価することができる。
更に、一次の近似式を求めれば、さほど手間をかけることなく、より正確に再生光耐久性を評価することができる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２２】
（実施例１）
図１に示すような構成の追記型光記録媒体を次のようにして作製した。
厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、Ａｇ−Ｂｉ合金（９９．５：０．５重量％）からなる膜厚６０ｎｍの反射層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの上部保護層、Ｂｉ２Ｏ３からなる膜厚１３ｎｍの記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚６０ｎｍの下部保護層を順次積層した。なお、スパッタリング装置には、Ｏｅｒｌｉｋｏｎ（エリコン）社製ＤＶＤ  Ｓｐｒｉｎｔｅｒを用いた。記録層のスパッタ時のＡｒ流量は１０ｓｃｃｍとした。
次いで、下部保護層上に、紫外線硬化樹脂（日本化薬社製  Ｒ２８）からなる厚さ０．１ｍｍのカバー層をスピンコーティング法により形成し、厚さ１．２ｍｍの追記型光記録媒体を得た。
【００２３】
（実施例２）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を１６ｎｍに変え、上部保護層と記録層の間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚４ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００２４】
（実施例３）
反射層の材料をＣｕ−Ｍｏ合金（９９．０：１．０重量％）に、膜厚を６０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００２５】
（実施例４）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を２０ｎｍに変えた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００２６】
上記実施例１〜４の追記型光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＯＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて記録再生評価を行った。なお、ＢＤ−Ｒ規格（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｄｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ  Ｆｏｒｍａｔ  Ｐａｒｔ１  Ｂａｓｉｃ  Ｆｏｒｍａｔ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｖｅｒｓｉｏｎ  １．２）に準拠した記録方法を用い、記録線速は９．８４ｍ／ｓ（２倍速記録に相当）とした。
再生光耐久性の評価は図２に示す手順に従って行った。
まず、光記録媒体へ記録する際の最適記録パワー（Ｐｗｏ）を求めた。ここでは最適記録パワーはジッタが最小となる値とした（工程１）。
次に、最適記録パワーから±２０％の範囲の各記録パワー（Ｐｗ）における、記録後の反射率：Ｒ８Ｈ（％）を記録前の反射率：Ｒｇｖ（％）で割った値（Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖ）を求めた（工程２）。即ち、記録前の反射率（Ｒｇｖ）を求めると共に、各記録パワー（Ｐｗ）で記録を行い、各記録パワー（Ｐｗ）について記録後の反射率（Ｒ８Ｈ）を求め、各記録パワー（Ｐｗ）における記録後の反射率を記録前の反射率で割った値（Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖ）を求めた。なお、ここでは波長４０５ｎｍで反射率を測定したが、再生光耐久性を評価可能な程度に反射率を測定できれば波長は特に限定されない。また、参考のため図３に、最適記録パワーから±２０％の範囲の記録パワーにおけるジッタの変化を示す。
次に、最適記録パワーに対する記録パワーの割合（Ｐｗ／Ｐｗｏ）と、Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖとの関係について、最小二乗法を使って一次の近似式を求めた（工程３、図４参照）。
次に、該近似式の直線の傾きに基づいて再生光耐久性との関係を求めた（工程４）。
図５に、実施例１〜４の光記録媒体の再生光耐久性試験の結果を示す。この試験では、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ規格に基づき、記録速度１９．６８ｍ／ｓ（４倍速に相当）で光記録媒体を回転させ、再生パワー０．６ｍＷ（高周波重畳あり）で１００万回再生試験をした時の反射レベルの低下量「ΔＩ８Ｈ（ｍＶ）」を測定した。
図６に、直線の傾き（α）の値と、反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）の関係をみるためプロットして示すが、両者の間には明らかに相関が見られ、本発明の効果を確認することが出来た。
つまり、１００万回の再生光耐久性試験を実施しなくても、図２に示したような手順で直線の傾き（α）を求めれば、光記録媒体の再生光耐久性を推定することが出来ることが分かる。
なお、ここでは、最適記録パワーに対して±２０％の範囲の記録パワーで記録をしたが、図４に示した記録パワーの範囲であれば、記録前後の反射率の割合に対して、最適記録パワーに対する各記録パワーの割合の変化量（一次式の傾き）が大きいほど、１００万回の再生光耐久性試験を実施した時の反射レベルの低下量が大きくなることが確認されるため、他の範囲（例えば±１０％の範囲）に設定することも可能である。
【００２７】
（実施例５）
図１に示すような構成の追記型光記録媒体を次のようにして作製した。
厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、Ａｇ−Ｂｉ合金（９９．５：０．５重量％）からなる膜厚６０ｎｍの反射層、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５（７．５：２２．５：６０．０：１０．０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの上部保護層、Ｂｉ２Ｏ３からなる膜厚１３ｎｍの記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚６０ｎｍの下部保護層を順次積層した。なお、スパッタリング装置には、Ｏｅｒｌｉｋｏｎ（エリコン）社製ＤＶＤ  Ｓｐｒｉｎｔｅｒを用いた。記録層のスパッタ時のＡｒ流量は１０ｓｃｃｍとした。
次いで、下部保護層上に、紫外線硬化樹脂（日本化薬社製  Ｒ２８）からなる厚さ０．１ｍｍのカバー層をスピンコーティング法により形成し、厚さ１．２ｍｍの追記型光記録媒体を得た。
【００２８】
（実施例６）
上部保護層の材料をＮｂ２Ｏ５に変えた点以外は、実施例５と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００２９】
（実施例７）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を１８ｎｍに変え、上部保護層と記録層の間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚２ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例５と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３０】
（実施例８）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を１３ｎｍに変え、上部保護層と記録層の間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚７ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例５と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３１】
（実施例９）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を１０ｎｍに変え、上部保護層と記録層の間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１０ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例５と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３２】
（実施例１０）
上部保護層の材料をＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３（９８．０：２．０重量％）に、膜厚を７ｎｍに変え、上部保護層と記録層の間に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１３ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例５と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３３】
（実施例１１）
記録層のスパッタ時のＡｒ流量を３０ｓｃｃｍとした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３４】
（実施例１２）
記録層のスパッタ時のＡｒ流量を５０ｓｃｃｍとした点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を得た。
【００３５】
上記実施例５〜１２に実施例１〜４を加えた合計１２枚の追記型光記録媒体について、実施例１〜４と同様にして記録再生評価を行った。
表１に、実施例１〜１２の追記型光記録媒体に対し、最適記録パワーで記録した時の、記録後の反射率Ｒ８Ｈ（％）を記録前の反射率Ｒｇｖ（％）で割った値（Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖ）、及び１００万回の再生光耐久性試験を実施した時の反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）を示す。なお、最適記録パワーはジッタが最小となる値とした。再生光耐久性試験の方法は、前述した実施例１〜４の場合と同様である。
【００３６】
表１から、最適記録パワーで記録したときのＲ８Ｈ／Ｒｇｖの値が小さいほど、即ち、記録前の反射率に対する記録後の反射率の変動（低下）が大きいほど、１００万回再生後の反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）が大きいことが分かる。
この結果は、１００万回の再生光耐久性試験を実施しなくても、最適記録パワーで記録したときのＲ８Ｈ／Ｒｇｖの値から追記型光記録媒体の再生光耐久性を、上記の方法に比べてより簡易に推定できることを示しており、本発明の効果を確認することが出来た。
なお、ここでは、最適記録パワーで記録をしたが、図４に示した記録パワーの範囲であれば、最適記録パワー以外の記録パワーで記録した場合でも、記録前の反射率に対する記録後の反射率の変動（低下）が大きいほど、１００万回再生後の反射レベルの低下量が大きいことが確認されるため、最適記録パワー以外の記録パワーに設定することも可能である。
また、表１には、初期のクロックジッタに対する１００万回再生後のクロックジッタの変化量（％）についても記した。この結果から分かるように、クロックジッタの変化量もＲ８Ｈ／Ｒｇｖと相関があるから、本評価方法が適切であることが分かる。
上部保護層の材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いた実施例１の再生光耐久性が、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５を用いた実施例４〜６に比べて悪くなったのは、入射奥側で記録層と接する上部保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ２が、再生光により記録層材料と混ざったためであると考えられる。
また、実施例１０、９、８、２、７の順に再生光耐久性が良くなったのは、入射奥側で記録層と接する上部保護層の膜厚は薄い方が良いためであると考えられる。
また、実施例１、１１、１２の順に再生耐久性が悪くなったのは、記録層をスパッタリングする際のＡｒ流量が１０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍと増えたことにより、記録層中のビスマス酸化物の酸化度が低くなったためであると考えられる。即ち、ビスマス酸化物を主成分とする記録層では酸化度が低いほど記録感度が向上するが、再生安定性は悪化する傾向にある。
【００３７】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】追記型光記録媒体の層構成の一例を示す概略断面図。
【図２】再生光耐久性の評価手順を示す図。
【図３】最適記録パワーから±２０％の範囲の記録パワーにおけるジッタの変化を示す図。
【図４】最適記録パワーに対する記録パワーの変化の割合（Ｐｗ／Ｐｗｏ）と、Ｒ８Ｈ／Ｒｇｖとの関係について、最小二乗法により求めた一次の近似式、及びその直線の傾き（α）を算出した結果を示す図。
【図５】実施例１〜４の光記録媒体の再生光耐久性の結果を示す図。
【図６】直線の傾き（α）の値と、再生光耐久性試験から得られた１００万回再生試験後の反射レベルの低下量（ΔＩ８Ｈ）の関係をみるためプロットした図。
【符号の説明】
【００３９】
１  カバー層
２  下部保護層
３  記録層
４  上部保護層
５  反射層
６  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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