(57)【要約】【課題】スループットの低下を抑えつつ、ダイシングを高精度に行うことが可能なレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供する。【解決手段】第１のダイシングラインに沿って、ウェーハの表面の凹凸形状情報を取得し（Ｓ１０）、取得した凹凸形状情報に基づいてレーザー光の焦点位置を調節しながら、第１のダイシングラインに沿って改質領域を形成する（Ｓ１２）。Ｓ１０で取得した第１のダイシングラインに沿った凹凸形状情報に基づいて第２のダイシングラインに沿った凹凸形状情報を算出する（Ｓ１８）。Ｓ１８で算出した凹凸形状情報に基づいてレーザー光の焦点位置を調節しながら、第２のダイシングラインに沿って改質領域を形成する（Ｓ２０）。【選択図】図５
2009140959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光によりウェーハに改質領域を形成するレーザーダイシング装置であって、
前記ウェーハの第１の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第１の照射手段と、
前記ウェーハの第２の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第２の照射手段と、
前記第１の照射予定線に沿って前記ウェーハのウェーハ情報を取得する情報取得手段と、
前記情報取得手段が取得する前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報を算出する情報算出手段と、
前記情報取得手段が取得する前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第１の照射手段を制御する第１の制御部と、
前記情報算出手段が算出する前記第２の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射手段を制御する第２の制御部とを備えるレーザーダイシング装置。
【請求項２】
前記第１の照射予定線は、前記ウェーハの第１の方向に沿った複数の直線であり、
前記第２の照射予定線は、前記第１の方向に略直交する第２の方向に沿った複数の直線であることを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイシング装置。
【請求項３】
前記ウェーハ情報は、前記ウェーハの表面の凹凸形状情報を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザーダイシング装置。
【請求項４】
レーザー光によりウェーハに改質領域を形成するダイシング方法であって、
前記ウェーハの第１の照射予定線に沿って前記ウェーハのウェーハ情報を取得する情報取得工程と、
前記情報取得工程において取得される前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記ウェーハの第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報を算出する情報算出工程と、
前記情報取得工程において取得される前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第１の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第１の照射工程と、
前記情報算出工程において算出される前記第２の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第２の照射工程とを含むダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを個々のチップに分割するレーザーダイシング装置及びダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハを個々のチップに分割するダイシング装置として、レーザー光によりチップ分割用の改質領域をウェーハ内部に形成するレーザーダイシング装置が知られている（特許文献１など）。
【０００３】
このようなレーザーダイシング装置は、ウェーハの内部にレーザー光を高密度に集光させて多光子吸収を誘起することにより、レーザー光の焦点の近傍に改質領域を形成する。このレーザー光をダイシングライン（照射予定線）上で走査することにより、ダイシングラインに沿って改質領域を連続的に形成することができる。このようにして形成される改質領域をきっかけとして、ウェーハは、個々のチップに分割（ダイシング）される。
【０００４】
ウェーハは、改質領域をきっかけとしてチップに分割されるので、ダイシングを高精度に行うためには、改質領域が形成される位置（深さ）を調整する必要がある。
【０００５】
ところが、改質領域が形成される位置は、ウェーハ表面の凹凸の影響を受ける。このことについて、図７を参照して具体的に説明する。
【０００６】
図７は、ウェーハ表面の凹凸の影響を受けた改質領域１１０を示す図である。改質領域形成用のレーザー光Ｌは、コンデンスレンズ４６を通過して、ウェーハＷに入射し、焦点Ｐにおいて集光する。そして、焦点Ｐの近傍には改質領域１１０が形成される。
【０００７】
図７に示すように、ウェーハＷの凹凸の影響により、焦点ＰのＺ方向位置（深さ）は変動する。このため、レーザー光Ｌを加工方向（図７の右から左の方向）に走査するときに形成される改質領域１１０は、ウェーハＷの凹凸の影響により、上下に変動する。
【特許文献１】特開２００５−１７５１４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ウェーハＷの凹凸の影響を受けずに、改質領域１１０を所定の位置に形成するために、ダイシングラインに沿ってウェーハＷの凹凸形状を予め測定しておいて、当該凹凸形状に基づいてレーザー光Ｌの焦点ＰのＺ方向位置を調整する方法が考えられる。これにより、高精度なダイシングを行うことが可能になる。
【０００９】
上述の方法では、ウェーハＷの凹凸形状の測定はダイシングラインごとに行われるため、凹凸形状の測定に要する時間は、ダイシングラインの長さ及びダイシングラインの本数に依存する。
【００１０】
近年、ウェーハの大型化に伴ってダイシングラインは長くなる傾向にあり、また、チップの小型化に伴ってダイシングラインの本数は増加の一途をたどっている。したがって、凹凸形状の測定に要する時間はますます増大し、スループットの低下を招く。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、スループットの低下を抑えつつ、ダイシングを高精度に行うことが可能なレーザーダイシング装置及びダイシング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の一態様は、レーザー光によりウェーハに改質領域を形成するレーザーダイシング装置であって、前記ウェーハの第１の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第１の照射手段と、前記ウェーハの第２の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第２の照射手段と、前記第１の照射予定線に沿って前記ウェーハのウェーハ情報を取得する情報取得手段と、前記情報取得手段が取得する前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報を算出する情報算出手段と、前記情報取得手段が取得する前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第１の照射手段を制御する第１の制御部と、前記情報算出手段が算出する前記第２の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射手段を制御する第２の制御部とを備えるレーザーダイシング装置に関する。
【００１３】
このレーザーダイシング装置によれば、第１の照射予定線に沿ったウェーハ情報に基づいて第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報が算出されるので、第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報の測定を省略することができ、スループットの低下を抑えることができる。また、第１の照射予定線に沿ったウェーハ情報又は第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報に基づいて、ウェーハに改質領域を形成することにより、高精度にダイシングを行うことができる。
【００１４】
ここで、「ウェーハ情報」とは、ウェーハの表面形状（例えば、ウェーハのうねり・反りやウェーハ表面の凹凸など）、ウェーハに対するレーザー光の透過率、並びにウェーハに添加されるドーパントの種類及びドープ量などのウェーハに関する情報であって、改質領域が形成される位置に影響する因子を指す。
【００１５】
なお、第１の照射手段及び第２の照射手段として兼用可能な一体の照射手段を設けてもよいし、独立した照射手段として設けてもよい。同様に、第１の制御部及び第２の制御部として兼用可能な一体の制御部を設けてもよいし、独立した制御部として設けてもよい。
【００１６】
前記第１の照射予定線は、前記ウェーハの第１の方向に沿った複数の直線であり、前記第２の照射予定線は、前記第１の方向に略直交する第２の方向に沿った複数の直線であってもよい。
【００１７】
前記ウェーハ情報は、前記ウェーハの表面の凹凸形状情報を含んでもよい。
【００１８】
また上記目的を達成するため、本発明の一態様は、レーザー光によりウェーハに改質領域を形成するダイシング方法であって、前記ウェーハの第１の照射予定線に沿って前記ウェーハのウェーハ情報を取得する情報取得工程と、前記情報取得工程において取得される前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記ウェーハの第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報を算出する情報算出工程と、前記情報取得工程において取得される前記第１の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第１の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第１の照射工程と、前記情報算出工程において算出される前記第２の照射予定線に沿った前記ウェーハ情報に基づいて、前記第２の照射予定線に沿って前記レーザー光を照射する第２の照射工程とを含むダイシング方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１の照射予定線に沿ったウェーハ情報に基づいて第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報が算出されるので、第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報の測定を省略することができ、スループットの低下を抑えることができる。また、第１の照射予定線に沿ったウェーハ情報又は第２の照射予定線に沿ったウェーハ情報に基づいて、ウェーハに改質領域を形成することにより、高精度にダイシングを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下添付図面に従って本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング装置１０の概略を示す構成図である。
【００２２】
レーザーダイシング装置１０は、図１に示すように、ウェーハＷを移動させるウェーハ移動部２０と、ウェーハＷの凹凸形状情報を取得する観察光学部３０と、ウェーハＷにレーザー光を照射するレーザー光学部４０と、操作条件が入力される入力部５２と、制御部５０とを備える。ウェーハ移動部２０、観察光学部３０、レーザー光学部４０及び入力部５２は、制御部５０に接続されている。
【００２３】
図２は、レーザーダイシング装置１０に搬入されるワークウェーハ１２の一例を示す斜視図である。ワークウェーハ１２は、フレームＦにたるみなく張られたダイシングテープＳと、ダイシングテープＳの上に固定されたウェーハＷとを含む。
【００２４】
ワークウェーハ１２は、任意の方法により、レーザーダイシング装置１０に搬入されて、図１に示す吸着ステージ２４に載置される。例えば、ワークウェーハ１２を格納したカセットが、エレベータ（図示せず）により運ばれて、所定の位置まで上下移動する。そして、ワークウェーハ１２が、当該カセットから取り出されて、搬送装置（図示せず）に送られ、当該搬送装置により吸着ステージ２４まで搬送される。
【００２５】
図１に示すウェーハ移動部２０は、本体ベース２６上に設けられたＸＹＺθテーブル２２と、ワークウェーハ１２を吸着保持する吸着ステージ２４とを備え、制御部５０の指示に従って、ウェーハＷを図１に示すＸＹＺθ方向に移動させる。なお、図１に示す例では、ＸＹＺの３方向は互いに直交し、このうちＸ方向およびＹ方向は水平方向であり、Ｚ方向は鉛直方向である。またθ方向は、鉛直方向軸（Ｚ軸）を回転軸とする回転方向である。
【００２６】
ＸＹＺθテーブル２２は、不図示のガイドレールを備え、制御部５０に制御されてＸＹＺθの４方向に移動可能である。
【００２７】
ＸＹＺθテーブル２２上に固定された吸着ステージ２４は、不図示のポンプを有するとともに、複数の吸着穴が表面に設けられている。吸着ステージ２４は、ポンプを作動させることにより、吸着穴を介してワークウェーハ１２を吸着保持する。
【００２８】
図３は、観察光学部３０及びレーザー光学部４０の構成を示す図である。図３に示すように、観察光学部３０は、照明光を発光する照明装置３２と、ハーフミラー３４で反射した当該照明光を集光させるコンデンスレンズ３６と、コンデンスレンズ３６を光軸上で微小移動させるアクチュエータ３８と、ウェーハＷからの反射光を全光量値（ＳＦＶ値）に変換するＣＣＤ素子３３とを有する。照明装置３２、ＣＣＤ素子３３、ハーフミラー３４、コンデンスレンズ３６及びアクチュエータ３８は、観察光学部３０の本体３１に収容されている。
【００２９】
ＣＣＤ素子３３は、ウェーハＷからの反射光を全光量値に変換して、当該全光量値を図１に示す制御部５０に送る。
【００３０】
アクチュエータ３８は、中空の円筒形状の圧電素子であり、上端が本体３１に固定されており、下端がコンデンスレンズ３６を保持するレンズフレーム（図示せず）に固定されている。このような構成を有するアクチュエータ３８は印加電圧に応じて伸縮し、コンデンスレンズ３６はアクチュエータ３８の伸縮に応じて光軸方向（Ｚ方向）に微小移動する。
【００３１】
ＣＣＤ素子３３により取得されるウェーハＷからの反射光の全光量値は、ウェーハＷとコンデンスレンズ３６との距離に依存する。この性質を利用して、観察光学部３０は、ウェーハＷの表面位置を測定する。以下、観察光学部３０によるウェーハＷの表面位置測定原理について説明する。
【００３２】
上述のように、ウェーハＷからの反射光の全光量値Ａは、コンデンスレンズ３６とウェーハＷの表面との距離ｄに依存し、全光量値Ａが一定であれば、距離ｄも一定である。
【００３３】
アクチュエータ３８に印加される電圧Ｖは、ＣＣＤ素子３３から送られる全光量値Ａが一定に維持されるように（すなわち、距離ｄが一定に維持されるように）、制御部５０により調節される。
【００３４】
ウェーハＷの表面のＺ方向位置Ｈ２は、コンデンスレンズ３６のＺ方向位置Ｈ１、距離ｄとを用いて、Ｈ２＝Ｈ１−ｄと表される。ここで、距離ｄは一定に維持されている。また、コンデンスレンズ３６の位置Ｈ１は印加電圧Ｖから算出可能である。したがって、Ｈ２＝Ｈ１−ｄの式に基づいて、印加電圧ＶからウェーハＷの表面のＺ方向位置Ｈ２を算出することができる。
【００３５】
上述のような観察光学部３０によるウェーハＷの表面位置の測定は、所定の照射予定線（以下、「ダイシングライン」という。）上で連続的に行われる。これにより、ダイシングラインに沿ったウェーハＷの凹凸形状情報が得られる。
【００３６】
図４は、ダイシングライン１２０ａ（実線）、１２０ｂ（破線）を示すウェーハＷの平面図である。図４に示す例では、第１のダイシングライン１２０ａは、Ｘ方向に平行である複数の直線であり、第２のダイシングライン１２０ｂは、第１のダイシングライン１２０ａと直交し、Ｙ方向に平行である複数の直線である。
【００３７】
図３に示す観察光学部３０は、第１のダイシングライン１２０ａに沿って、ウェーハＷに対して相対移動しながら、ウェーハＷの表面位置を測定して、第１のダイシングライン１２０ａに沿ったウェーハＷの凹凸形状情報（以下、「第１の凹凸形状情報」という。）を取得する。第１の凹凸形状情報は、第１のダイシングライン１２０ａに沿って改質領域１１０を形成する際に、レーザー光の焦点位置の調整に用いられる。
【００３８】
一方、第２のダイシングライン１２０ｂ上では、観察光学部３０は、ウェーハＷの表面位置の測定を行わない。第２のダイシングライン１２０ｂに沿った凹凸形状情報（以下、「第２の凹凸形状情報」という。）は、制御部５０により、第１の凹凸形状情報に基づいて算出される。すなわち、第１のダイシングライン１２０ａ及び第２のダイシングライン１２０ｂの交点Ｍ（Ｘ,Ｙ）（図４参照）におけるウェーハＷの表面のＺ方向位置は、第１の凹凸形状情報により既知だから、最小２乗法などの公知の近似手法を適用することにより、ダイシングライン１２０ｂに沿った第２の凹凸形状情報が算出される。
【００３９】
このようにして算出される第２の凹凸形状情報は、第２のダイシングライン１２０ｂに沿って改質領域１１０を形成する際に、レーザー光の焦点位置の調整に用いられる。
【００４０】
図３に示すレーザー光学部４０は、制御部５０の指示に従って、ウェーハＷにレーザー光を照射する。このレーザー光学部４０は、レーザー光を発振するレーザー発振装置４２と、レーザー発振装置４２により発振されたレーザー光を平行光に揃えるコリメートレンズ４４と、コリメートレンズ４４を通過したレーザー光を集光するコンデンスレンズ４６と、コンデンスレンズ４６を光軸上で微小移動させるアクチュエータ４８とを有する。レーザー発振装置４２、コリメートレンズ４４、コンデンスレンズ４６及びアクチュエータ４８は、レーザー光学部４０の本体４１に収容されている。
【００４１】
レーザー発振装置４２は、制御部５０の指示に従って、ウェーハＷのドーパント種、ドープ量、或いはウェーハ厚さ等に基づいて、発振するレーザー光のパワーやピーク強度を調節する。例えば、レーザー発振装置４２は、パルス幅が１μｓ以下であって、焦点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上となるレーザー光を発振する。
【００４２】
レーザー発振装置４２により発振されたレーザー光は、コリメートレンズ４４およびコンデンスレンズ４６を経て、ウェーハＷの内部の焦点Ｐにおいて集光される。なお焦点Ｐの鉛直方向位置（Ｚ方向位置）は、制御部５０の指示に従って作動するアクチュエータ４８の作用により、コンデンスレンズ４６がＺ方向に微小移動することにより調節される。
【００４３】
本実施形態では、アクチュエータ４８として圧電素子を使用している。この圧電素子は、中空の円筒形状であり、上端が本体４１に固定されており、下端がコンデンスレンズ４６を保持するレンズフレーム（図示せず）に固定されている。このような構成を有するアクチュエータ４８は印加電圧に応じて伸縮し、コンデンスレンズ４６はアクチュエータ４８の伸縮に応じて光軸方向（Ｚ方向）に微小移動する。
【００４４】
焦点Ｐの近傍では多光子吸収が誘起されて、改質領域１１０が形成される。レーザー光学部４０は、ウェーハＷに対して、所定の加工方向（図３の右から左の方向）に相対移動し、改質領域１１０が、焦点Ｐの軌跡に沿って連続的に形成される。このようにして、改質領域１１０を形成することにより、ウェーハＷは、自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断される。
【００４５】
図１に示す入力部５２は、レーザーダイシング装置１０の操作条件が入力されるユーザーインターフェイスである。入力部５２を介して入力された操作条件は、制御部５０に送られて、ウェーハ移動部２０、観察光学部３０及びレーザー光学部４０の制御に用いられる。操作条件としては、例えば、レーザー光のパワーやパルス幅、ウェーハＷに対する観察光学部３０の移動速度およびレーザー光学部４０の移動速度などが挙げられる。
【００４６】
図１に示す制御部５０は、ＣＰＵ、メモリ及び入出力回路を備え、ウェーハ移動部２０と、観察光学部３０と、レーザー光学部４０とを制御する。
【００４７】
例えば、制御部５０は、レーザー光学部４０が第１のダイシングライン１２０ａ（図３参照）に沿って改質領域１１０を形成する際に、第１の凹凸形状情報に基づいて、改質領域１１０が一定の位置に形成されるようにアクチュエータ４８に印加する電圧を調整する。
【００４８】
同様に、制御部５０は、レーザー光学部４０が第２のダイシングライン１２０ｂ（図３参照）に沿って改質領域１１０を形成する際に、第２の凹凸形状情報に基づいて、改質領域１１０が一定の位置に形成されるようにアクチュエータ４８に印加する電圧を調整する。
【００４９】
このように、制御部５０が第１の凹凸形状情報又は第２の凹凸形状情報に基づいて、アクチュエータ４８を制御することにより、ウェーハＷの表面の凹凸の影響を受けずに、改質領域１１０を所定の位置（深さ）に形成することができる。
【００５０】
次にレーザーダイシング装置１０を用いたダイシング方法について、図５を参照して説明する。図５はレーザーダイシング装置１０を用いたダイシング方法の流れを示すフローチャートである。
【００５１】
まず、観察光学部３０により、第１のダイシングライン１２０ａ上で、ウェーハＷの表面位置が測定されて、第１のダイシングライン１２０ａに沿った第１の凹凸形状情報が取得される（図５のＳ１０）。
【００５２】
次に、第１の凹凸形状情報に基づいてレーザー光の焦点Ｐの位置（深さ）を調整しながら、レーザー発振装置４２により発振されたレーザー光により、第１のダイシングライン１２０ａに沿って改質領域１１０を形成する（Ｓ１２）。
【００５３】
全ての第１のダイシングライン１２０ａについて改質領域形成加工が終了していない場合は（Ｓ１４のＮＯ判定）、次の第１のダイシングライン１２０ａに移動して（Ｓ１６）、当該次の第１のダイシングライン１２０ａについてＳ１０及びＳ１２を繰り返す。
【００５４】
一方、全ての第１のダイシングラインについて改質領域形成加工が終了した場合は（Ｓ１４のＹＥＳ判定）、Ｓ１０で取得した第１の凹凸形状情報に基づいて、第２のダイシングライン１２０ｂに沿った第２の凹凸形状情報を算出する（Ｓ１８）。
【００５５】
次に、ＸＹＺθテーブル２２をθ方向に９０度回転させて、レーザー発振装置４２により発振されたレーザー光により、第２のダイシングライン１２０ｂに沿って改質領域１１０を形成する（Ｓ２０）。このとき、Ｓ１８で算出した第２の凹凸形状情報に基づいて、レーザー光の焦点Ｐの位置が調節される。
【００５６】
全ての第２のダイシングライン１２０ｂについて改質領域形成加工が終了していない場合は（Ｓ２２のＮＯ判定）、次の第２のダイシングライン１２０ｂに移動して（Ｓ２４）、当該次の第２のダイシングライン１２０ｂについてＳ２０を繰り返す。
【００５７】
一方、全ての第２のダイシングライン１２０ｂについて改質領域形成加工が終了した場合は（Ｓ２２のＹＥＳ判定）、改質領域１１０の形成を終了し、レーザーダイシング装置１０からウェーハＷを取り出す。
【００５８】
以上説明したように本実施形態によれば、第１の凹凸形状情報又は第２の凹凸形状情報に基づいて、ウェーハＷに改質領域１１０を所定の位置に形成することにより、高精度にダイシングを行うことができる。
【００５９】
また本実施形態に寄れば、第１のダイシングライン１２０ａに沿った第１の凹凸形状情報に基づいて、第２のダイシングライン１２０ｂに沿った第２の凹凸形状情報を知ることができるため、第２のダイシングライン１２０ｂ上の凹凸形状測定を省くことができ、ウェーハの凹凸形状情報の取得に要する時間を半減させることができる。
【００６０】
特に、大型のウェーハを小型チップに分割する場合は、凹凸形状情報を取得すべきダイシングラインは長く、数も多いので、本実施形態のように第２のダイシングライン１２０ｂ上の凹凸形状測定を省くことができれば、スループットの低下を効果的に抑えることができる。
【００６１】
また、チップの小型化が進めば、第１のダイシングライン１２０ａの数が増加して、第１の凹凸形状情報に基づいて算出される第２の凹凸形状情報の精度が向上する。したがって、スループットの低下を抑えつつ、より高精度なダイシングを行うことが可能となる。
【００６２】
本発明の一例について詳細に説明したが、本発明は、これに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
【００６３】
例えば、上述の実施形態では、観察光学部３０を用いてウェーハＷの凹凸形状情報を取得する例について説明したが、ラマン分光器や赤外分光器などを用いて、改質領域１１０の形成位置に影響する他の因子（例えば、ウェーハＷに対するレーザー光の透過率やウェーハＷに添加されているドーパントの種類・ドープ量）に関する情報を取得してもよい。この場合でも、スループットの低下を抑えつつ、より高精度なダイシングを行うことができる。
【００６４】
また、上述の例では、第１のダイシングライン１２０ａ及び第２のダイシングライン１２０ｂは互いに直交する場合（図４参照）について説明したが、図６に示すように、Ｘ方向とＹ方向に第１のダイシングライン１２０ａ及び第２のダイシングライン１２０ｂが交互に並べられているような場合にも本発明を適用することができる。図６に示す例では、観察光学部３０による第１の凹凸形状情報の取得が行われる第１のダイシングライン１２０ａは、Ｘ方向に平行な直線とＹ方向に平行な直線を含む。したがって、第２のダイシングライン１２０ｂに沿った第２の凹凸形状情報を算出する場合には、交点Ｍ（Ｘ,Ｙ）（図６参照）における点情報のみならず、当該第２のダイシングライン１２０ｂに隣接する第１のダイシングライン１２０ａの線情報も利用できるため、第２の凹凸形状情報をより高精度に算出することができる。
【００６５】
また、上述の例では、観察光学部３０を用いてウェーハＷの凹凸形状情報を取得する例について説明したが、非接触式あるいは接触式の公知の測定方法により、ウェーハＷの凹凸形状情報を取得してもよい。例えば、レーザー発振装置４２により発振されたレーザー光のうち、ウェーハＷにより反射されたレーザー光を、４分割フォトダイオードで受光することによりウェーハＷの凹凸形状情報を取得する非点収差法を用いてもよい。
【００６６】
また、表面位置検出用の模様（レチクル）が彫刻されたコンデンスレンズ３６を用いてウェーハＷの凹凸形状情報を取得してもよい。具体的には、コンデンスレンズ３６を介して照明光をウェーハＷに照射し、ウェーハＷからの反射光をＣＣＤ素子３３で受光して、ウェーハＷの表面を撮像する。このとき、撮像されたウェーハ表面画像にレチクルが現れれば、照明光の焦点がウェーハ表面に一致していることになる。したがって、当該レチクルの有無を公知の画像認識手法で判断することにより、ウェーハＷの表面位置を検出することができる。
【００６７】
さらに、上述の例では、第１の凹凸形状情報に基づいて、第２のダイシングライン１２０ｂに沿った第２の凹凸形状情報を算出しているが、第１の凹凸形状情報に基づいてウェーハＷの全面にわたって凹凸形状情報を算出（マッピング）してもよい。
【００６８】
なお、レーザーダイシング装置の稼働状況（加工中、加工終了、非常停止等）を示す表示灯が設けられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング装置の構成図
【図２】図１に示すレーザーダイシング装置に搬入されるワークウェーハを示す斜視図
【図３】図１に示すレーザーダイシング装置の観察光学部及びレーザー光学部を示す構成図
【図４】第１のダイシングライン及び第２のダイシングラインの一例を示すウェーハの平面図
【図５】図１に示すレーザーダイシング装置を用いたダイシング方法の流れを示すフローチャート
【図６】第１のダイシングライン及び第２のダイシングラインの他の一例を示すウェーハの平面図
【図７】ウェーハ表面の凹凸の影響を受けた改質領域を示す断面図
【符号の説明】
【００７０】
１０…レーザーダイシング装置、１２…ワークウェーハ、２０…ウェーハ移動部、２２…ＸＹＺθテーブル、２４…吸着ステージ、２６…本体ベース、３０…観察光学部、３２…照明装置、３３…ＣＣＤ素子、３４…ハーフミラー、３６…コンデンスレンズ、３８…アクチュエータ、４０…レーザー光学部、４２…レーザー発振装置、４４…コリメートレンズ、４６…コンデンスレンズ、４８…アクチュエータ、５０…制御部、５２…入力部、１１０…改質領域、１２０ａ…第１のダイシングライン、１２０ｂ…第２のダイシングライン
【図１】
2009140959.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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