(57)【要約】【課題】機械研磨実施後のロウバー上においてスメアが発生している薄膜磁気ヘッドの特定を可能にすると共に、当該薄膜磁気ヘッドのみに対してスメアの除去を行うことを可能にすることにより、ＰＴＲが深くなってしまう問題の解決を図る。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッド、および該薄膜磁気ヘッドに隣接して設けられるＥＬＧ素子、が複数連続して構成されるロウバーの状態で、ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第１の抵抗値として取得する工程と、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第２の抵抗値として取得する工程と、第１の抵抗値と第２の抵抗値との差分により、薄膜磁気ヘッドの浮上面におけるスメアの発生有無を判定する工程と、スメアの発生が有ると判定された薄膜磁気ヘッドのみに対して該スメアの除去を行う工程とを備える。【選択図】図１
2009217858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生ヘッドを備えて構成される薄膜磁気ヘッド、および該薄膜磁気ヘッドに隣接して設けられるＥＬＧ素子、が複数連続して構成されるロウバーの状態で、
前記ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第１の抵抗値として取得する工程と、
前記薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第２の抵抗値として取得する工程と、
前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値との差分により、前記薄膜磁気ヘッドの浮上面におけるスメアの発生有無を判定する工程と、
前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみに対して該スメアの除去を行う工程と、を備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記スメアの除去を行う工程は、前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみを研磨パッドにより研磨して該スメアを除去すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記スメアの除去を行う工程は、前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみをイオンビームによりエッチングして該スメアを除去すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記スメアの除去を行う工程は、前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみをウエットエッチングして該スメアを除去すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記スメアの除去を行う工程の後、前記薄膜磁気ヘッドの浮上面が含まれるロウバーの一面全体をイオンビームによりエッチングする工程を備えること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、さらに詳細には、磁気抵抗効果型素子を有する再生ヘッドを備えて構成される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。
現在、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型の記録ヘッドが開発されている。例えば、磁気ディスク装置には、上記の再生ヘッドと記録ヘッドとを一体に形成した複合型の薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
ここで、薄膜磁気ヘッドは、一般にアルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等のセラミックスからなる基材、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスからなる保護膜・絶縁膜、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ）等の複合材料からなる磁性金属膜等を備えて構成され、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面は遊離砥粒スラリーを用いた研磨加工工程を経て製造される。アルチックやアルミナ等のセラミックスは硬質材料であり、パーマロイやセンダスト等の磁性金属膜部分は軟質材料である。そのため、材料間の硬度の違いにより軟質材料が選択的に研磨され、セラミックスからなるエアベアリング面よりも磁極部等の金属膜が後退するいわゆるポールチップリセッション（Ｐｏｌｅ  Ｔｉｐ  Ｒｅｃｅｓｓｉｏｎ：ＰＴＲ）が発生してしまう。ＰＴＲの発生は記録媒体との磁気ヘッドの間隔を増大させ、実質的なヘッドの浮上量を増加させてしまうといった問題点があった。このため研磨加工における最も重要な課題の一つとして、上記の被研磨物の選択研磨の問題が挙げられ、これらの加工段差の発生を防止する加工方法について検討がなされている。
【０００４】
一方、遊離砥粒スラリーを用いた薄膜磁気ヘッドの研磨加工におけるもう一つの課題として材料間の硬度の違いにより軟質材料表面が選択的に研磨され、研磨面の面粗れやスクラッチが発生することが挙げられる。特に研磨面上に横断して生じたスクラッチは、電気的な短絡すなわちショートの原因となり、薄膜磁気ヘッドの磁気特性を低下させてしまう問題がある。近年、磁極部等の金属膜や絶縁膜は磁気ヘッドの磁気特性向上に伴い薄膜化され、スクラッチによるショートが発生し易くなっている。
【０００５】
とりわけ、再生ヘッドにＴＭＲ素子のようなＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｐｌａｎｅ）構造を備える磁気抵抗効果素子が用いられる場合には、エアベアリング面を、従来より行われている機械研磨により加工すると、強磁性層等の金属層から出た金属の微細な研磨くず（以下、「スメア」という）がトンネルバリア層の側面に残ってしまい、トンネルバリア層が電気的にショートして素子の特性が発揮されない問題が生じ易い。
しかし、エアベアリング面の機械研磨は、エアベアリング面から垂直方向に素子をどのくらい残すか、すなわちエアベアリング面に対して垂直な方向における素子の長さ（以下、素子高さと言う）を決定する重要な意味を有しており、省略することはできない。そのため、従来は、エアベアリング面を機械研磨した後、ドライエッチングあるいはイオンミリング等によって、スメア等の機械研磨の残留物の除去を行っていた（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１７５９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記機械研磨終了後のスメア除去工程は、通常、個片の薄膜磁気ヘッドに切断される前のロウバー状態において行われるものであるが、当該除去をイオンミリングによって行う場合には、表面（ＡＢＳ）を削る量は、ロウバー全体に対してスメアが除去される最大公約量とする必要があるため、同一真空容器内において全ての薄膜磁気ヘッドに同時にイオンミリング処理がなされて、前述のＰＴＲが深くなってしまう問題が生じる。
一方、スメア除去をバフ材等を用いた擦り取りによって行う場合には、擦り作業中に発生し得るパーティクル等によって、スメアの存在しなかった箇所に逆にスメアを作ってしまう可能性が高く、完全な除去が困難であるという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、機械研磨実施後のロウバー上においてスメアが発生している薄膜磁気ヘッドの特定が可能であると共に、当該薄膜磁気ヘッドのみに対してスメアの除去を行うことが可能であって、ＰＴＲが深くなってしまう問題の解決が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
【００１０】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法は、再生ヘッドを備えて構成される薄膜磁気ヘッド、および該薄膜磁気ヘッドに隣接して設けられるＥＬＧ素子、が複数連続して構成されるロウバーの状態で、前記ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第１の抵抗値として取得する工程と、前記薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子部の抵抗を測定し、第２の抵抗値として取得する工程と、前記第１の抵抗値と前記第２の抵抗値との差分により、前記薄膜磁気ヘッドの浮上面におけるスメアの発生有無を判定する工程と、前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみに対して該スメアの除去を行う工程と、を備えることを要件とする。
【００１１】
また、前記スメアの除去を行う工程は、前記スメアの発生が有ると判定された前記薄膜磁気ヘッドのみを研磨パッドにより研磨して該スメアを除去すること、あるいは当該薄膜磁気ヘッドのみをイオンビームによりエッチングして該スメアを除去すること、あるいは当該薄膜磁気ヘッドのみをウエットエッチングして該スメアを除去することを要件とする。
【００１２】
また、前記スメアの除去を行う工程の後、前記薄膜磁気ヘッドの浮上面が含まれるロウバーの一面全体をイオンビームによりエッチングする工程を備えることを要件とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの製造において、機械研磨工程実施後のロウバー上においてスメアが発生している薄膜磁気ヘッドの特定が可能となり、また、当該薄膜磁気ヘッドのみに対してスメアの除去を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１（ロウバー１０）の構成例を示す概略図である。図２は、その薄膜磁気ヘッド１のＡ−Ａ’線断面図である。図３は、その薄膜磁気ヘッド１のａ−ａ’線断面図である。図４は、薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部の抵抗値ＭＲ−Ｒから換算された素子高さＭＲ−ｈと、ＥＬＧ素子１４の磁気抵抗効果型素子部３０の抵抗値ＥＬＧ−Ｒから換算された素子高さＥＬＧ−ｈとの差分をプロットしたグラフである。図５は、ロウバー１０内位置に対応させて、各薄膜磁気ヘッド１の換算後素子高さＭＲ−ｈと、各ＥＬＧ素子１４の換算後素子高さＥＬＧ−ｈとの差分をプロットしたグラフである。図６〜８は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるスメア除去工程を説明するための説明図である。図９は、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１（ロウバー１０）の他の例を示す概略図である。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド１として、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッドと磁気抵抗効果を利用して磁気信号を読み出す再生ヘッドとを有する複合型薄膜磁気ヘッドを例にとり説明する。この複合型薄膜磁気ヘッドは、ヘッドスライダに加工されて、回転する記録ディスク（磁気記録媒体）上において、当該ヘッドスライダを浮上させて記録・再生を行うものである。
なお、本発明の適用を当該複合型薄膜磁気ヘッドに限定するものではない。
【００１６】
本実施の形態に係る製造方法においては、単体の薄膜磁気ヘッド１に加工する前に、ウェハから複数の薄膜磁気ヘッド１が一列に配列されて形成されたロウバー（Ｒｏｗ  Ｂａｒ）１０を切り出し、当該ロウバー１０を規定寸法となるようにラップ定盤（不図示）に所定圧力にて押圧し、機械研磨加工を行う。
【００１７】
ここで、ロウバー１０は、再生ヘッドと記録ヘッドとから構成される薄膜磁気ヘッド１、および当該薄膜磁気ヘッド１に隣接して設けられるＥＬＧ素子１４、が複数連続する構成を備える。ロウバー１０の構成例を、図１に示す（上図は全体図、下図は部分拡大図である）。なお、図中、ＡＢＳと記載された面が、エアベアリング面であって、機械研磨工程における研磨面となる。
ロウバー１０には前記のように数十個の薄膜磁気ヘッド１が作り込まれて、各々非常に厳しい精度が要求される。そのため、各薄膜磁気ヘッド１に対して１つずつ加工モニター用のＥＬＧ（エレクトリックラップガイド）素子１４を隣接して配置し、各薄膜磁気ヘッド１の研摩量を個別に制御して研摩精度を高めている。
【００１８】
図２は、図１におけるＥＬＧ素子１４のＡ−Ａ’線断面図である。図３は、図１におけるＥＬＧ素子１４のａ−ａ’線断面図である。２５はアルチック基板等の非磁性基板、２６は非磁性基板２５上に形成されたアルミナ等から成る基板保護膜である。この基板保護膜２６上にセンダストから成る下部シールド層２７が形成される。下部シールド層２７上にリードギャップとなるアルミナ層２８が形成され、このアルミナ層２８上に公知の磁気抵抗効果型素子部（センス部）３０が形成される。本実施の形態においては、磁気抵抗効果型素子部（センス部）３０の構成として、ＣＩＰ−ＧＭＲ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ−ＧＭＲ）素子を用いる。
【００１９】
３１、３１は磁区制御用の、ＣｏＣｒＰｔからなるハード膜層であり、磁気抵抗効果型素子部３０の両端に接続している。３２、３２はハード膜層３１、３１上に形成された銅等から成る引出し層である。この引出し層３２、３２の端部には、図３に示されるように銅等から成る端子柱３３が形成される。
【００２０】
アルミナ層２８上および引出し層３２、３２上には、リードギャップ並びにライトギャップとなるアルミナ層３５が形成される。さらに、このアルミナ層３５および端子柱３３を覆って保護層となるオーバーコートアルミナ層３６が形成される。このオーバーコートアルミナ層３６を端子柱３３が露出するまで研摩し、露出した端子柱３３の頂面に金パッドからなるモニター用のパッド２２ａ、２２ｂが形成される。
【００２１】
一方、薄膜磁気ヘッド１に関して、１６は薄膜磁気ヘッド１の素子部である。また１８ａ、１８ｂは再生用の外部接続用パッド、２０ａ、２０ｂは記録用の外部接続用端子であり、ロウバー１０の表面に形成されている。外部接続用パッド１８ａ、１８ｂは、ＥＬＧ素子１４側の端子柱３３と同様に形成した銅等から成る端子柱３８、３８（図１中、破線で表示）、銅等から成る内部引出し層３９、３９、およびハード膜層（不図示）を介して素子部１６の磁気抵抗効果型素子部（センス部）（不図示）に接続する。本実施の形態においては、素子部１６の磁気抵抗効果型素子部（センス部）の構成として、ＴＭＲ素子を用いる。
【００２２】
同様に、外部接続用パッド２０ａ、２０ｂは、ＥＬＧ素子１４側の端子柱３３と同様に形成した銅等から成る端子柱４１、４１（図１中、破線で表示）、銅等から成る内部引出し層４２、４２を介して素子部１６の薄膜コイル導体層（不図示）に接続する。
【００２３】
なお、ロウバー１０の構成に関して、その変形例を図９に示す。より具体的には、二つの薄膜磁気ヘッド１の両側にＥＬＧ素子１４を隣接して配置する構成である。この構成によれば、各薄膜磁気ヘッド１に関してＥＬＧ素子１４によるモニターを可能としつつ、当該ＥＬＧ素子１４の個数を前記実施例と比較して減少させることが可能となる。
【００２４】
続いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法について説明する。
【００２５】
上記ロウバー１０は、所定の治具（不図示）に貼着され、図１のＡＢＳが機械研磨される。これにより、ＥＬＧ素子１４の磁気抵抗効果型素子部３０と薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部が同時に研磨される。この研磨の際に、ＥＬＧ素子１４はパッド２２ａ、２２ｂを介してモニター（不図示）に接続され、磁気抵抗効果型素子部３０が研摩されることによる当該磁気抵抗効果型素子部３０の抵抗値変化が計測される。
【００２６】
ここで、ＥＬＧ素子１４の磁気抵抗効果型素子部３０の抵抗値ＥＬＧ−Ｒの変化分と、薄膜磁気ヘッド１の研磨量（高さｈ）とは理論的に関係付けられるため、当該ＥＬＧ素子１４の抵抗値ＥＬＧ−Ｒをモニターして、この抵抗値ＥＬＧ−Ｒから薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部の素子高さＭＲ−ｈに換算を行う。
このようにして、薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部の素子高さＭＲ−ｈが所要値となったところで機械研磨を終了するように制御が行われる。
【００２７】
ただし、上記の制御により機械研磨が終了しても、その時点において、当該研磨面（ＡＢＳ）にスメアが発生しているか否かを判定することはできない。
そこで従来は、発生し得るスメアが大きいものであってもその除去を可能とするために、最大公約量として所定条件のイオンビームによる一定時間のエッチングを実施していた。しかし当該エッチングは、ロウバー全体に対して一律に行うため、スメアが発生していない薄膜磁気ヘッド１においては、ＡＢＳにおけるＰＴＲが深くなってしまう結果ともなっていた。
【００２８】
ここで、本実施の形態に特徴的な構成として、前記機械研磨の終了後に、ＥＬＧ素子１４の磁気抵抗効果型素子部３０の抵抗値ＥＬＧ−Ｒを測定し、また、薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部の抵抗値ＭＲ−Ｒを測定して、抵抗値ＥＬＧ−Ｒと抵抗値ＭＲ−Ｒとの差分により、薄膜磁気ヘッド１のＡＢＳにおけるスメアの発生有無を判定する工程を行う。
【００２９】
ここで、スメアの発生有無の具体的な判定方法について説明する。
まず、ＥＬＧ素子１４の磁気抵抗効果型素子部３０はＣＩＰ構造であるため、スメアがその抵抗値ＥＬＧ−Ｒに影響を与えることはほぼ無いと言ってよい一方で、薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部にＴＭＲ素子を用いる場合等においては特に、該素子がＣＰＰ構造であることに起因して、スメアが当該素子の抵抗値ＭＲ−Ｒに与える影響が大きい。
すなわち、薄膜磁気ヘッド１の磁気抵抗効果型素子部（ＴＭＲ素子）にスメアが存在した場合、ショートによって当該素子部の抵抗値が低くなり、その結果、理論式から換算される素子高さＭＲ−ｈは、抵抗値ＥＬＧ−Ｒから換算された素子高さＥＬＧ−ｈと比較して、見掛け上長くなる。この原理を利用すれば、ＭＲ−ｈからＥＬＧ−ｈを差し引いた値が、正の値となる場合に、スメアが発生していると判定することが可能となる。
ちなみに、実際には薄膜磁気ヘッド１とＥＬＧ素子１４とは隣接する配置であって、完全な重ね合せは不可能であり、位置ずれが存在するため、正の値をとるもの全てがスメア発生であると判定することはできない。この点に関しては、複数サンプルを用いた実験による確認等を踏まえて、ＭＲ−ｈからＥＬＧ−ｈを差し引いた値が、所定のしきい値以上となる場合にスメア発生と判定する方法が考えられる。一例として、本実施の形態においては、当該しきい値を+０．０３μｍと設定している（図４参照）。
【００３０】
上記判定方法を用いることによって、ロウバー１０上においてスメアが発生している薄膜磁気ヘッド１を特定することが可能となる（図５参照）。したがって、次の工程として、スメアの発生が有ると判定された薄膜磁気ヘッド１のみに対して該スメアの除去を行うことが可能となる。
【００３１】
スメア除去工程の第一実施例として、図６に示すように、ロウバー１０上において、スメアの発生が有ると判定された薄膜磁気ヘッド１位置までパッド（バフ材）６１を、パッド移動レール６２上で移動させた後、スメア除去を行う範囲内（例えば図中の矢印範囲）で往復させることによって除去する方法が考えられる。
【００３２】
スメア除去工程の第二実施例として、図７に示すように、ロウバー１０上において、スメアの発生が有ると判定された薄膜磁気ヘッド１以外を金属マスク６４にて保護した後、当該スメア除去を行う範囲（例えば図中の符号６５で示す範囲）をイオンビームを用いてエッチングすることによって除去する方法が考えられる。
【００３３】
スメア除去工程の第三実施例として、図８に示すように、ロウバー１０上において、スメアの発生が有ると判定された薄膜磁気ヘッド１以外にレジストによる保護層６６を形成した後、当該スメア除去を行う範囲（例えば図中の符号６７で示す範囲）をウエットエッチングすることによって除去する方法が考えられる。
【００３４】
前述の通り、ＭＲ−ｈからＥＬＧ−ｈを差し引いた値により、スメアの発生箇所のみならずスメアの程度（大きさ、個数）の概要が判別可能となるため、当該判定されたスメアの状態に応じて、除去工程として上記第一実施例〜第三実施例の中で何れの手法が最適であるかを事前に判断することが可能となる。
また、その結果、スメアの存在している箇所のみをその状態に適した除去方法にて除去することが可能となるため、二次的な悪影響（スメア除去工程における二次的スメア発生等）を抑制することが可能となる。
【００３５】
前記スメアの除去を行う工程の実施後においては、薄膜磁気ヘッド１のエアベアリング面が含まれるロウバー１０の一面全体をイオンビームによりエッチングする工程を行う。
この工程は、エアベアリング面の残留物を除去するための最終工程となるが、従来、最大公約量のイオンビームエッチングによって、ＰＴＲが深くなり過ぎる等の問題を生じていたのに対し、本実施の形態では、スメア発生箇所を特定して行う前記スメア除去工程を備えることで、当該イオンビームエッチングの時間を最低限度まで短縮することが可能となり、当該ＰＴＲに関する問題の解消が可能となる。
【００３６】
以上の工程を経て研磨が終了したロウバー１０は、ＥＬＧ素子１４部分が切断除去されて各個片の薄膜磁気ヘッド素子１として形成される。
【００３７】
なお変形例として、スメア発生の有る薄膜磁気ヘッド１のみを特定しておき、ロウバー１０を切断して各個片の薄膜磁気ヘッド素子１に形成した後にスメア除去を行う方法も考えられる。
【００３８】
以上説明した通り、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、機械研磨実施後のロウバー上においてスメアが発生している薄膜磁気ヘッドの特定が可能となり、また、当該薄膜磁気ヘッドのみに対してスメアの除去を行うことが可能となる。
すなわち、スメアによるショートの問題を解消することが可能となると共に、エアベアリング面の残留物を除去するための最終工程において、イオンビームエッチングの時間を短縮することが可能となり、ＰＴＲが深くなる問題を解消することが可能となる。
その結果、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面を高精度に形成することが可能となるため、高精度の再生特性を備える薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００３９】
なお、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子部にＴＭＲ素子を用い、ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果素子部にＧＭＲ素子を用いる場合を例にとり説明を行ったが、これに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド（ロウバー）の構成例を示す概略図である。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドのＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドのａ−ａ’線断面図である。
【図４】図１の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子部の抵抗値ＭＲ−Ｒから換算された素子高さＭＲ−ｈと、ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果型素子部の抵抗値ＥＬＧ−Ｒから換算された素子高さＥＬＧ−ｈとの差分をプロットしたグラフである。
【図５】図１のロウバー上の位置に対応させて、各薄膜磁気ヘッドの換算後素子高さＭＲ−ｈと、各ＥＬＧ素子の換算後素子高さＥＬＧ−ｈとの差分をプロットしたグラフである。
【図６】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるスメア除去工程（第一実施例）を説明するための説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるスメア除去工程（第二実施例）を説明するための説明図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法におけるスメア除去工程（第三実施例）を説明するための説明図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造される薄膜磁気ヘッド（ロウバー）の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  薄膜磁気ヘッド
１０  ロウバー
１２  磁気ヘッド素子
１４  ＥＬＧ素子
１６  薄膜磁気ヘッドの素子部
１８ａ、１８ｂ  再生用の外部接続用パッド
２０ａ、２０ｂ  記録用の外部接続用パッド
２２ａ、２２ｂ  モニター用のパッド
２５  非磁性基板
２６  基板保護膜
２７  下部シールド層
２８  アルミナ層
３０  ＥＬＧ素子の磁気抵抗効果型素子部（センス部）
３１  ハード膜層
３２  引出し層
３３  端子柱
３５  アルミナ層
３６  オーバーコートアルミナ層
３８  端子柱
３９  内部引出し層
４１  端子柱
４２  内部引出し層
６１  パッド（バフ材）
６２  パッド移動レール
６４  金属マスク
６６  レジスト層
【図１】
2009217858.tif 000003
【図２】
2009217858.tif 000004
【図３】
2009217858.tif 000005
【図９】
2009217858.tif 000006
【図４】
2009217858.tif 000007
【図５】
2009217858.tif 000008
【図６】
2009217858.tif 000009
【図７】
2009217858.tif 000010
【図８】
2009217858.tif 000011