(57)【要約】      （修正有）【課題】保磁力Ｈｃ及び飽和磁場Ｈｓをも考慮して、ＲＦＰＥに対するさらなる改善を図り得る垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板１１０上に軟磁性層１１４と垂直磁気記録層１２２とを備える垂直磁気記録媒体１００において、核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．３５以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２３以上とした。Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性に基づいて、保磁力Ｈｃに対して核生成磁界Ｈｎ及び飽和磁場Ｈｓを上記範囲にすることで、Return Fieldに対して逆磁区を形成させにくくした。核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．４０以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２４以上とすることにより、ＲＦＰＥ値をほぼ０にすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性層と垂直磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．３５以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２３以上としたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
保磁力Ｈｃが４０００〜４６００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１８２０〜１８９０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを７５５０〜７８９０Ｏｅとしたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
保磁力Ｈｃが４６００〜４８００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１８９０〜１９８０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを７８９０〜８２３０Ｏｅとしたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
保磁力Ｈｃが４８００〜５０００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１９８０〜２０６０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを８２３０〜８５８０Ｏｅとしたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
保磁力Ｈｃが５０００〜５４００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを２０６０〜２２２０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを８５８０〜９２８０Ｏｅとしたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
基板上に軟磁性層と垂直磁気記録層とを形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．３５以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２３以上としたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータの記憶装置などに広く用いられている磁気記録媒体に関し、より詳細には垂直磁気記録方式ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録ディスク等の垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報化社会は急激な高度化を続けており、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に代表される磁気記録装置においては、例えば、磁気記録媒体である２．５インチ径磁気ディスクに対して、一枚辺り１６０Ｇバイトを超える情報記録容量が求められるようになってきた。
【０００３】
磁気ディスクにおいて、高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を形成する磁気結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式（長手磁気記録方式又は水平磁気記録方式とも呼称される）の磁気ディスクの場合、磁気結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により熱安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。
【０００４】
このような高記録密度で安定した記録再生を行うには、磁気記録再生方式として垂直磁気記録方式を採用することが好ましいとされる。垂直磁気記録方式の場合、面内磁気記録方式とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に磁気結晶粒子を配向するように調整されている。垂直磁気記録方式は、面内磁気記録方式に比べ、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００５】
垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性層からなる軟磁性裏打ち層と、硬磁性層からなる垂直磁気記録層とを設けた二層型垂直磁気記録媒体が、高記録密度領域において安定した記録再生を実現できるとされている。
【０００６】
図６は、垂直磁気記録媒体として二層型垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気記録方式の概念図である。二層型垂直磁気記録媒体１０は、基板上に形成された軟磁性層からなる軟磁性裏打ち層１１と、軟磁性裏打ち層１１上に形成された硬磁性層からなる垂直磁気記録層１２とを備える。垂直磁気記録用ヘッドは、記録磁界の発生源となるメインポール１３と、メインポール１３を励磁するコイル１４と、メインポール１３からの磁束を導いて軟磁性裏打ち層１１と共に磁気回路を構成するリターンヨーク（トレイリング側リターンヨーク１５、リーディング側リターンヨーク１６）とからなる。
【０００７】
二層型垂直磁気記録媒体１０において、軟磁性裏打ち層１１とは、軟磁性特性を示す磁性体（軟質磁性体)からなる層のことであり、硬磁性層とは、硬磁性特性を示す磁性体（硬質磁性体）からなる層のことである。通常、硬磁性層が垂直磁気記録層１２となる。一方、軟磁性裏打ち層１１は、二層型垂直磁気記録媒体１０に付属する磁気ヘッドとなるメインポール１３が、硬磁性層からなる垂直磁気記録層１２へ信号記録することを助ける働きをしている。メインポール１３からメディアに垂直に磁束が進入して記録する。進入した磁束は軟磁性裏打ち層１１を介してRetune Poleとなるトレイリング側リターンヨーク１５に戻る。
【特許文献１】特開２００７−４９８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図６に示すように、軟磁性裏打ち層１１を有する二層型垂直磁気記録媒体１０において、トレーディングシールド（TS）を持つTrailing edge shielded pole head（SPH）は急峻な磁場を発生することができる。その反面、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、トレーディングシールドのエッジ部直下ではメインポール１３からの磁場とは逆向きの磁場が発生する。ＡＢＳ面から見たメインポール１３の面積に対して、トレーディングシールド１７の面積は十分に大きいが、ギャップが狭いためにメインポール１３側のトレーディングシールド１７のエッジ部の磁場が強くなる。その結果、図７（ｃ）に示すように、メインポール１３により書き込んだ直後に、そのリターンフィールドにより逆磁区が形成されノイズの原因となる。この現象がＲＦＰＥ（Return Field-induced Partial Erasure）である。この現象は書き込み電流が大きいほど顕著に現れ、さらに媒体及びビットの反磁場の影響を受けやすく反磁場の強いビット中央部、さらに低周波信号にて起こりやすいことが特徴に挙げられる。
【０００９】
従来、この問題に対する媒体からの改善策として軟磁性裏打ち層の膜厚や逆磁区核生成磁界Ｈｎを調整することでＲＦＰＥの低減をはかっていた。
【００１０】
しかしながら、軟磁性裏打ち層の膜厚やＨｎの調整だけではＲＦＰＥに対する改善にも限界があり、さらなるＲＦＰＥに対する改善が望まれている。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、保磁力Ｈｃ及び飽和磁場Ｈｓをも考慮することで、ＲＦＰＥに対するさらなる改善を図り得る垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性を発見し、保磁力Ｈｃに対して核生成磁界Ｈｎ及び飽和磁場Ｈｓをある一定の範囲にすることで、Return Fieldに対して逆磁区を形成させにくくできることを見出し、本発明を完成した。
【００１３】
本発明は、基板上に軟磁性層と垂直磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．３５以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２３以上としたことを特徴とする。
【００１４】
核生成磁場Ｈｎ/保磁力Ｈｃを０．４０以上、かつ核生成磁場Ｈｎ/飽和磁場Ｈｓを０．２４以上とすることにより、ＲＦＰＥ値をほぼ０にすることができる。
【００１５】
また、Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性から、ＲＦＰＥ値を希望値まで小さくし得る静磁気特性を決定することができる。
【００１６】
保磁力Ｈｃが４０００〜４６００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１８２０〜１８９０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを７５５０〜７８９０Ｏｅとする。保磁力Ｈｃが４６００〜４８００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１８９０〜１９８０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを７８９０〜８２３０Ｏｅとする。保磁力Ｈｃが４８００〜５０００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを１９８０〜２０６０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを８２３０〜８５８０Ｏｅとする。さらに、保磁力Ｈｃが５０００〜５４００Ｏｅで、核生成磁場Ｈｎを２０６０〜２２２０Ｏｅ、飽和磁場Ｈｓを８５８０〜９２８０Ｏｅとする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板上に軟磁性層と垂直磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、Ｈｃに対してＨｎ及びＨｓをある一定の範囲にすることで、Return Fieldに対して逆磁区を形成させにくくすることが可能となり、ＲＦＰＥを改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。なお、以下の実施例に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００１９】
図１は、本実施形態による垂直磁気記録ディスク１００の構造を示した断面図である。かかる垂直磁気記録ディスク１００は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、配向制御層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、微細化促進層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、連続層１２４、媒体保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４として機能し、第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８として機能し、第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２として機能する。
【００２０】
上記ディスク基体１１０は、非磁性のガラスであることが好ましい。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。アルミノシリケートガラスは、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、特に、磁気ヘッドの浮上量をより安定して低減できる。また、アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。軟磁性層１１４がアモルファスである場合には、ディスク基体１１０もアモルファスガラスとするのが好ましい。ディスク基体１１０にアルミノシリケートガラスを用いる場合には、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成する。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得る。
【００２１】
続いて、得られたディスク基体１１０上に、真空成膜装置としてのスパッタリング装置２００としてＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行い、媒体保護層１２６は真空成膜装置としてのＣＶＤ(Chemical
Vapour Deposition)装置により成膜した。この後、潤滑層１２８をディップコート法により形成した。なお、量産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成について説明する。
【００２２】
以下に、各層の構成および製造方法について詳述する。
付着層１１２は、ディスク基体１１０との間の密着性を向上させるための層であり、軟磁性層１１４の剥離を防止することができる。付着層１１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。付着層１１２の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。たとえば、１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜して付着層１１２を形成する。
【００２３】
軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができる。こうして、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することが可能となる。
【００２４】
第１軟磁性層１１４ａおよび第２軟磁性層１１４ｃの組成としてＦｅＣｏＴａＺｒを用いることができる。スペーサ層１１４ｂの組成としてはルテニウム（Ｒｕ）を用いることができる。なお、第１軟磁性層１１４ａおよび第２軟磁性層１１４ｃは上記組成に限定されず、例えば、ＣｏＦｅ系合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＣｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、Ｆｅ系合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ系合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）等を用いることができる。軟磁性層１１４の総膜厚は４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、好ましくは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００２５】
配向制御層１１６は、軟磁性層１１４を防護する作用と、下地層１１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層１１６の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００２６】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。従って、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層１１８の材質としては、Ｒｕを用いることができるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００２７】
本実施形態において、下地層１１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００２８】
微細化促進層１２０は非磁性のグラニュラー層で構成される。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００２９】
磁気記録層１２２は、膜厚の薄い第１磁気記録層１２２ａと、膜厚の厚い第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。第１磁気記録層１２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層１２０のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。第２磁気記録層１２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層１２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００３０】
ここで、第１磁気記録層１２２ａの雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とした。このように高圧の雰囲気ガスを用いて成膜することにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができた。第２磁気記録層１２２ｂの雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とした。このように低圧の雰囲気ガスを用いて成膜することにより、高い耐衝撃性を得ることができた。
【００３１】
本実施の形態では、第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂで異なる材料（ターゲット）を用いているが、材料を相異させる必要性はなく、組成や種類が同じ材料であってもよい。なお、非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯＸ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００３２】
連続層１２４は、グラニュラー構造の磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（補助記録層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高耐熱性を付け加えることができる。連続層１２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００３３】
媒体保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜し、ダイアモンドライクカーボンを含んで構成される。媒体保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。媒体保護層１２６には、例えば、Ｃ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の材料を用いることができる。また、高記録密度化の観点から、媒体保護層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３４】
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層１２８には、例えば、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸等の材料も用いることができる。潤滑層１２８の膜厚は約１ｎｍである。
【００３５】
（評価方法）
以下に、ＲＦＰＥの評価方法について説明する。
図１に示す構造を有する垂直磁気記録ディスク１００と同一構造のメディアを評価対象として用いた。Ｒ／Ｗアナライザと、記録側がTrailing edge shielded pole head（ＳＰＨ）、再生側がＴＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドを用いた。
【００３６】
評価対象となる各メディアで保磁力Ｈｃ、核生成磁場Ｈｎ及び飽和磁場Ｈｓを異ならせた。メディアの保磁力Ｈｃは４６００〜５４００Ｏｅ（×１０３／４π  Ａ／ｍ）とした。また、メディアの核生成磁場Ｈｎは１８２０〜２２２０Ｏｅの範囲で値を振り、飽和磁場Ｈｓは７５５０〜９２８０Ｏｅの範囲で値を振っている。
【００３７】
図２は、Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性を示す図である。Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/Ｈｓの相関をとったところ、ＲＦＰＥ依存性があることが判明した。Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/Ｈｓの双方を大きくすることで、ＲＦＰＥ値が減少する傾向が確認できた。ＲＦＰＥ値を０．２よりも小さくするためには、Ｈｎ/Ｈｃが０．３５より大きく、かつＨｎ/Ｈｓが０．２３よりも大きい値となるように、静磁気特性（Ｈｃ，Ｈｎ，Ｈｓ）を決めることが有効である。さらに、ＲＦＰＥ値を０に近づけるためには、Ｈｎ/Ｈｃが０．４０より大きく、かつＨｎ/Ｈｓが０．２４よりも大きな値となるようにメディアの静磁気特性（Ｈｃ，Ｈｎ，Ｈｓ）を制御することが望ましい。
【００３８】
以上のようなＨｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性を利用することで、ＲＦＰＥ値を小さくすることのできるメディアの静磁気特性を決めることができる。図３は、Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性に基づいて、メディアの保磁力Ｈｃに対して核生成磁場Ｈｎ及び飽和磁場Ｈｓを定めた対応表である。ここでは、保磁力Ｈｃを４つのクラスに分けている。保磁力Ｈｃが４０００〜４６００Ｏｅに対して、核生成磁場Ｈｎを１８２０〜１８９０Ｏｅとし、飽和磁場Ｈｓを７５５０〜７８９０Ｏｅとしている。同様に、保磁力Ｈｃが４６００〜４８００、４８００〜５０００、５０００〜５４００に対して、核生成磁場Ｈｎ、飽和磁場Ｈｓをそれぞれ定めている。図３に示す静磁気特性からＨｎ/ＨｃとＨｎ/Ｈｓを計算すると明らかなように、Ｈｎ/Ｈｃが０．４０より大きく、かつＨｎ/Ｈｓが０．２４よりも大きな値となり、ＲＦＰＥ値をほぼ０にすることが可能になる。
【００３９】
図４はＲＦＰＥ改善前のＳＮＲ特性を示しており（ＲＦＰＥ＝１．５ｄＢ）、図５はＲＦＰＥ改善後のＳＮＲ特性を示している（ＲＦＰＥ＝０．１ｄＢ）。なお、この現象（ＲＦＰＥ）を値として評価するために、低Ｉｗ（書き込み電流）及び低ＯＶＳ（オーバーシュート：波形が一時的に規定レベルを超えること）のときのＳＮＲをＲｅｆｅｒｅｎｃｅとし、高Ｉｗ及び高ＯＶＳのときのＳＮＲをＳｔｒｅｓｓｅｄとしたとき、ＲｅｆｅｒｅｎｃｅとＳｔｒｅｓｓｅｄのＳＮＲの差を評価した。高Ｉｗ及び高ＯＶＳにする理由は、ＲＦＰＥが顕著に現れるため各媒体間の差を明確に確認するためである。
この差が大きいほど記録ヘッドの書き込み性能によりＲＦＰＥの値は変化するが、ヘッド間の相関が得られていることを確認している。
【００４０】
図４に示すＲＦＰＥ改善前は、書き込み電流Ｉｗが大きくなるとＳＮが低下している。これに対して、図５に示すＲＦＰＥ改善後は、書き込み電流Ｉｗが大きくなっても高いＳＮを維持していることが判る。また、ＲｅｆｅｒｅｎｃｅとＳｔｒｅｓｓｅｄのＳＮの差がほとんど発生していないことが判る。
【００４１】
上記実施の形態における層構成、部材の材質、個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施形態による垂直磁気記録ディスクの構造を示した断面図
【図２】Ｈｎ/ＨｃとＨｎ/ＨｓのＲＦＰＥ依存性を示す図
【図３】メディアの保磁力Ｈｃに対して核生成磁場Ｈｎ及び飽和磁場Ｈｓを定めた対応表を示す図
【図４】ＲＦＰＥ改善前のＳＮＲ特性を示す図
【図５】ＲＦＰＥ改善後のＳＮＲ特性を示す図
【図６】二層型垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気記録方式の概念図
【図７】ＲＦＰＥを説明するための図
【符号の説明】
【００４３】
１００…垂直磁気記録ディスク
１１０…ディスク基体
１１２…付着層
１１４…軟磁性層
１１４ａ…第１軟磁性層
１１４ｂ…スペーサ層
１１４ｃ…第２軟磁性層
１１６…配向制御層
１１８ａ…第１下地層
１１８ｂ…第２下地層
１２０…微細化促進層
１２２ａ…第１磁気記録層
１２２ｂ…第２磁気記録層
１２４…連続層
１２６…媒体保護層
１２８…潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009277319.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009277319.tif 000007
【図６】
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【図７】
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