(57)【要約】【課題】、パッケージに対するＭＥＭＳデバイス実装時のアライメンが容易で且つアライメント精度が高く、パッケージの小型化も可能にするＭＥＭＳモジュールを提供することにある。【解決手段】パッケージ３の台座部１９に複数のリードピン２０を設けると共にＭＥＭＳデバイス２の該リードピン２０に対応する位置にリードピン挿通孔１７を設け、リードピン挿通孔１７にリードピン２０を挿通して台座部１９上にＭＥＭＳデバイス２を載置した後、リードピン２０とＭＥＭＳデバイス２の電極パッドを電気的に接続した。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
台座部及び前記台座部を貫通する複数のリードピンを備えたパッケージと、
電極パッド及び前記リードピンに対応する位置にリードピン挿通孔を設けたＭＥＭＳデバイスを有し、
前記リードピン挿通孔に前記リードピンが挿通されて前記ＭＥＭＳデバイスが前記台座部に載置されると共に前記リードピンと前記電極パッドが電気的に接続されていることを特徴とするＭＥＭＳモジュール。
【請求項２】
前記台座部の前記ＭＥＭＳデバイスが実装される面と前記ＭＥＭＳデバイスの前記台座部側の面は略同形同寸法であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項３】
前記リードピン及び前記リードピン挿通孔の数がいずれも複数であることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項４】
前記リードピンは、前記台座部の前記ＭＥＭＳデバイスが実装される面よりも突出していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳモジュールに関するものであり、詳しくは、ＭＥＭＳデバイスがパッケージに実装されてなるＭＥＭＳモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスは微小構造の電気機械システムを実現するデバイスであり応用分野も多岐にわたっているが、そのうち光学分野においては、例えば光スイッチ、光減衰器、光スキャナー等に広く用いられている。
【０００３】
この場合、ＭＥＭＳデバイスはその一部にマイクロミラーが形成されており、マイクロミラーの機械的な動きを電気的に制御することにより、光源からマイクロミラーに向けて照射された光がマイクロミラーの反射面で反射された反射光の、光軸を切り換え、或いは光軸を傾け、或いは光軸を高速走査するものであり、よって光スイッチ、光減衰器、光スキャナーの夫々において主要構成要素の一役を担うものである。
【０００４】
光学分野においてＭＥＭＳデバイスを応用するためには、ＭＥＭＳデバイスを採用した光学系に対する、マイクロミラーによる反射光の光軸の高いアライメント精度が必要であり、それを実現するためにはＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装精度を高めることが非常に重要な要件となる。
【０００５】
ところで、ＭＥＭＳデバイスの従来の実装形態として、図７に示すようなＭＥＭＳモジュール５０が提案されている。それは凹形状の下側パッケージ部５１と開口部を有する上側パッケージ部５２が繋がって一体化されたパッケージ本体５３の該繋ぎ目部分に、パッケージ本体５３内からパッケージ本体５３外に延びるリードピン５４が設けられている。
【０００６】
そして、ＭＥＭＳデバイス５５が下側パッケージ部５１の内底面５６に載設（ダイボンディング）されると共に、ＭＥＭＳデバイス５５に形成された電極パッド（図示せず）とリードピン５４をボンディングワイヤ５７で接続（ワイヤボンディング）することによりＭＥＭＳデバイス５５とリードピン５４の電気的導通を図ったものである（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
また、他の実装形態として、図８に示すようなＭＥＭＳモジュール６０が考えられる。それは、複数のリードピン６１が挿通された、絶縁性を有する台座部６２上にＭＥＭＳデバイス６３がダイボンディング（以下、Ｄ／Ｂと略称する）され、ＭＥＭＳデバイス６３に形成された電極パッド６４とリードピン６１をボンディングワイヤ６５でワイヤボンディング（以下、Ｗ／Ｂと略称する）することによりＭＥＭＳデバイス６３とリードピン６１の電気的導通を図ったものである。
【特許文献１】特開２００７−２８１０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記いずれの実装形態においても、ＭＥＭＳデバイスのＤ／Ｂ時の位置合わせ（アライメント）は、ダイボンダーに取り付けられた撮像カメラで撮像された、ＭＥＭＳデバイスがＤ／Ｂされる面に施されたアライメントマークとＭＥＭＳデバイスの画像に基づいて行われる。
【０００９】
そのため、図７の構成のＭＥＭＳモジュール５０は、ＭＥＭＳデバイス５５のパッケージ５３に対する実装精度が主に製造装置であるダイボンダーの機械精度によって決まり、実装精度を高めるためのダイボンダーの高精度化は他方では製造装置のコスト上昇を伴う。
【００１０】
また、複数のダイボンダーを稼働させる場合、個々の製造装置の性能の違いがＭＥＭＳデバイスの実装精度の違いを生み、製造装置間におけるＭＥＭＳデバイスの実装精度のばらつきとなる。つまり、性能品質が安定しない製品が製造されることになる。
【００１１】
一方、図８の構成のＭＥＭＳモジュール６０は、上記同様にＭＥＭＳデバイス６３の実装精度がダイボンダーの機械精度に依存すると共に、ＭＥＭＳデバイス６３を実装する台座部６２の、実装するＭＥＭＳデバイス６３の外形に対応する位置よりも外側にアライメントマーク６６を施す必要がある。そのため、台座部６２の寸法がＭＥＭＳデバイス６３の外形寸法の一回り以上大きくなり、その結果、ＭＥＭＳモジュール６０の寸法が大きくなってＭＥＭＳデバイス６３の小型化の利点が生かされない。
【００１２】
また、ＭＥＭＳデバイス６３は多くの場合、ＭＥＭＳデバイス６３内に可動部を備えた構造を有しており、Ｄ／Ｂ時のＭＥＭＳデバイス６３のピックアップにおいて、ＭＥＭＳデバイス６３の可動部となる部分を上部から吸引チャックする方式はデバイスの諸特性に悪影響を及ぼす懸念がある。
【００１３】
従って、このような方式のダイボンダーは使用することができず、換わってＭＥＭＳデバイスの対向する両端を挟んでピックアップする方式のダイボンダーが使用される。
【００１４】
但し、このような方式のダイボンダーを使用する場合、ピックアップヘッドの移動範囲内にパッケージが位置することは許されず、パッケージを大型化せざるを得ないという問題がある。
【００１５】
ＭＥＭＳデバイスの加工プロセスにおいて該ＭＥＭＳデバイスの一部にアライメント用の挿通孔を形成し、パッケージに取り付けられたアライメントピンに挿通孔を挿通することにより、パッケージに対するＭＥＭＳデバイスのアライメントを自動的に行う方式（ピンアライメント方式）もある。
【００１６】
このアライメント方式は、ＭＥＭＳデバイスに設けられた電極パッドとハウジングに設けられたリードピンの距離が離れているため、電極パッドとリードピンを接続してＭＥＭＳデバイスとハウジングの電気的導通を図るボンディングワイヤの架空配線の距離が長くなる。そのためボンディングワイヤがデバイスに接触して電気的な不具合が生じないようにボンディングワイヤを上側に膨らんだループ状に配線しなければならない。
【００１７】
その結果、パッケージの小型化が妨げられると共に、ボンディングワイヤによるＬ（インダクタンス）及びＣ（キャパシタンス）成分の増加が高周波信号の遅延の要因となり、Ｒ（レジスタンス）成分の増加が電力損失の要因となる。
【００１８】
ボンディングワイヤは金線やアルミ線からなり、ボンディングワイヤの配線が長くなることにより材料コストの増加も懸念される。
【００１９】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、パッケージに対するＭＥＭＳデバイス実装時のアライメンが容易で且つアライメント精度が高く、パッケージの小型化も可能なＭＥＭＳモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、
台座部及び前記台座部を貫通する複数のリードピンを備えたパッケージと、
電極パッド及び前記リードピンに対応する位置にリードピン挿通孔を設けたＭＥＭＳデバイスを有し、
前記リードピン挿通孔に前記リードピンが挿通されて前記ＭＥＭＳデバイスが前記台座部に載置されると共に前記リードピンと前記電極パッドが電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記台座部の前記ＭＥＭＳデバイスが実装される面と前記ＭＥＭＳデバイスの前記台座部側の面は略同形同寸法であることを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は２のいずれか１項において、前記リードピン及び前記リードピン挿通孔の数がいずれも複数であることを特徴とするものである。
【００２３】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１〜３のいずれか１項において、前記リードピンは、前記台座部の前記ＭＥＭＳデバイスが実装される面よりも突出していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、パッケージの台座部に複数のリードピンを設けると共にＭＥＭＳデバイスの該リードピンに対応する位置にリードピン挿通孔を設け、リードピン挿通孔にリードピンを挿通して台座部上にＭＥＭＳデバイスを載置した後、リードピンとＭＥＭＳデバイスの電極パッドを電気的に接続した。
【００２５】
その結果、パッケージに対するＭＥＭＳデバイス実装時のアライメンが容易で且つアライメント精度が高く、パッケージの小型化も可能なＭＥＭＳモジュールが実現できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、この発明の好適な実施形態を図１から図６を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【実施例１】
【００２７】
実施例１はＭＥＭＳデバイスを用いた光偏向器モジュールである。光偏向器モジュール１は図１に示すように光偏向機能を有するＭＥＭＳデバイス２とパッケージ３で構成され、図２のようにＭＥＭＳデバイス２をパッケージ３の台座部１９上に実装した構造となっている。
【００２８】
図１において、符号４はＳＯＩ基板、１２ａ〜１２ｄは圧電アクチュエータ部、１３はミラー部、１５ａ〜１５ｄは振動部、１６ａ、１６ｂは弾性支持部、１７はリードピン挿通孔である。図２において、符号１９は台座部、２０はリードピンである。
【００２９】
ＭＥＭＳデバイスの製造方法について図３の工程図を参照して説明する。なお、図３は図１におけるＸ−Ｘ断面図である。
【００３０】
図３（ａ）の工程において、基板を３層構造のＳＯＩ基板４とし、層厚２μｍの中間酸化膜層（Ｂｏｘ層）５を挟んだ両側に、層厚５２５μｍの単結晶シリコンからなる支持層（Ｈａｎｄｌｅ層）６と層厚３０μｍの単結晶シリコンからなる活性層（ＳＯＩ層）７が位置している。そして、ＳＯＩ基板４の活性層７上及び支持層６上に拡散炉を用いて膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２膜（熱酸化シリコン膜）８ａ、８ｂを成膜する。
【００３１】
（ｂ）の工程において、ＳｉＯ２膜８ａ上にスパッタ法により該ＳｉＯ２膜８ａ側から順次膜厚５０ｎｍのＴｉ膜及び膜厚１５０ｎｍのＰｔ膜を成膜し、２層構造の下部電極９を形成する。
【００３２】
次に、反応性アーク放電イオンプレーティング法（特開２００１−２３４３３１号公報、特開２００２−１７７７６５号公報、及び特開２００３−８１６９４号公報を参照）により下側電極９のＰｔ膜上に膜厚３μｍの、圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛膜（以下、ＰＺＴと呼称する）を成膜し、圧電膜１０を形成する。
【００３３】
更に、圧電膜１０上にスパッタ法により膜厚１５０ｎｍのＰｔ膜を成膜し、上部電極１１を形成する。
【００３４】
（ｃ）の工程において、フォトリソ技術及びドライエッチング技術によりＰｔ上部電極１１のパターニングを行い夫々分離独立した４箇所の上部電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄを形成し、同様にＰＺＴ圧電膜１０及びＰｔ／Ｔｉ下部電極９のパターニングを行い夫々上部電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの下側に位置する圧電膜１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ及び下部電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄを形成し、実質３層構造の圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄを作製する。
【００３５】
このとき、Ｐｔ／Ｔｉ下部電極９の中央部はレジストによってドライエッチングから保護され、残った下部電極９ｅはＭＥＭＳデバイスのミラー部１３を構成する反射膜として機能する。
【００３６】
なお、ミラー部１３の光反射効率を高める場合には、ＡｌあるいはＡｕ等の金属反射材料をスパッタ成膜した後、フォトリソ技術及びドライエッチング技術によりミラー部１３の下部電極９ｅ上にＡｌあるいはＡｕ等による金属反射膜を形成する。
【００３７】
（ｄ）の工程において、圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ及びミラー部１３が形成された側の面を全面に亘って厚膜レジストで保護し、支持層６側のＳｉＯ２膜８ｂをバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で除去した後に支持層６上にＡｌ膜１４をスパッタ成膜する。更にその後、フォトリソ技術及びドライエッチング技術によりＡｌ膜１４のパターニングを行い、Ａｌ膜１４によるＩＣＰ−ＲＩＥのハードマスクを形成する。
【００３８】
（ｅ）の工程において、圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ及びミラー部１３が形成された側の面に設けられた厚膜レジストを剥離し、再度同面側からフォトリソ技術によるレジストパターンをマスクにしてＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いてＳＯＩ基板４上のＳｉＯ２膜８ａ及びＳＯＩ基板４の活性層７の不要な部分を除去加工する。
【００３９】
すると、ＳＯＩ基板４の中間酸化膜層５上に、夫々分離独立したミラー部１３、各圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの下側に位置する振動部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、及び弾性支持部１６ａ、１６ｂが形成される。
【００４０】
但し、除去された部分には、パッケージ台座に実装するときに、後述するリードピン２０が挿通されてアライメント機能を果たすリードピン挿通孔１７ａも含まれている。
【００４１】
（ｆ）の工程において、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いたドライエッチングにより不要な部分の支持層６を除去加工し、ミラー部１３の揺動空間１８及びリードピン挿通孔１７ｂを形成する。
【００４２】
（ｇ）の工程において、不要な部分の中間酸化膜層５をＢＨＦ溶液で除去し、ミラー部１３の揺動空間１８及びリードピン挿通孔１７を形成する。
【００４３】
その後、後工程のダイシング工程において上述のＳＯＩウエハを切断分割することにより、個片化した複数の、光偏向機能を有するＭＥＭＳデバイス２が完成する。
【００４４】
上記製造工程を経て作製されたＭＥＭＳデバイス２を実装するパッケージ３は、図１のように、実装するＭＥＭＳデバイス２と同等の外形寸法を有する台座部１９と、台座部１９の、ＭＥＭＳデバイス２のリードピン挿通孔１７に対応する位置に設けられたリードピン２０で構成されている。
【００４５】
リードピン２０は台座部１９を貫通する直線状のストレートピンで互い平行に並設されており、リードピン２０の、台座部１９のＭＥＭＳデバイス２が実装される側の端面２０ａは、台座部１９のＭＥＭＳデバイス実装面１９ａから６００μｍ突出した位置にある。
【００４６】
そして、図２のように、パッケージ３のリードピン２０にＭＥＭＳデバイス２のリードピン挿通孔１７を嵌め込むことによってパッケージ３に対するＭＥＭＳデバイス２の位置アライメントを行い、エポキシ樹脂等の接着剤（図示せず）を介してＭＥＭＳデバイス２をパッケージ３の台座部１９上に接着固定する。
【００４７】
最後に、各リードピン２０の端面２０ａとＭＥＭＳデバイス２の電極パッド（圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの上部電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）をボンディングワイヤ２１で接続し、光偏向器モジュール１が完成する。なお、必要に応じて光学窓付きの封止キャップをＭＥＭＳデバイス２上方に、台座部１９と一体に配設する。
【００４８】
次に、上記光偏向器モジュールについて行った動作試験及びその試験結果について説明する。外部電源から光偏向器モジュール１のリードピン２０及びボンディングワイヤ２１を介して、分離独立して設けられた４箇所の圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのうち２箇所の圧電アクチュエータ部１２ａ、１２ｂに正弦波のバイアス電圧を印加した。印加電圧は周波数５ｋＨｚ、振幅（Ｖｐｐ）２０Ｖであった。
【００４９】
同時に、他の２個所の圧電アクチュエータ部１２ｃ、１２ｄに前記印加電圧と周波数及び振幅が同一で位相のみが異なる（逆位相）正弦波のバイアス電圧を印加し、そのときのミラー部１３の回転振動について検証を試みた。
【００５０】
検証方法として、ミラー部１３の反射面にＨｅ−Ｎｅレーザからのレーザ光を照射し、該ミラー部１３の反射面で反射された反射光を所定の距離をおいて配置されたスクリーンに投影することによりミラー部１３の回転角度を算出した。その結果、回転角度は±１０°であることがわかった。
【００５１】
つまり、本実施例の光偏向器モジュール１は、ＭＥＭＳデバイス２の電圧アクチュエータ部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの駆動周波数を弾性支持部１６ａ、１６ｂを含むミラー部１３の機械的共振周波数（５ｋＨｚ）と一致させることにより、低電圧駆動でもミラー部１３の回転振動の回転角を大きくできることが実証できた。
【００５２】
同時に、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装時に、ＭＥＭＳデバイスのリードピン挿通孔にパッケージのリードピンを挿通することにより、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装位置のアライメントが自動的に且つ高精度に行われる。
【００５３】
そのため、本発明の光偏向器モジュールを備えたレーザ走査光学系においては、光偏向器モジュールを支持するホルダーの光偏向器モジュール保持部の形状寸法を光偏向器モジュールの外形寸法に合致させることにより、光偏向器モジュールがホルダーに支持されるとレーザ走査光学系における光偏向器モジュールの光学的アライメントが自動的に、且つ高精度に行われる。つまり、レーザ走査光学系における光偏向器モジュールの光学的アライメントが容易に精度良くできる。
【実施例２】
【００５４】
図４は、実施例２に係るパッケージを示す概略図である。なお、実施例２は、使用するＭＥＭＳデバイスの構造及び製造工程が上記実施例１で使用したものと同一であると共に、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法も実施例１と同様に行われ、パッケージの形状のみが異なる。よって、以下、パッケージの説明のみを行い、ＭＥＭＳデバイスの説明、及びＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法は省略する。
【００５５】
図４より、パッケージ３に設けられたリードピン２０が台座部１９のＭＥＭＳデバイスを実装する面から突出しており、台座部１９の反対側の面に略平行に且つ外側に向かって略直角に折り曲げられている。このパッケージを使用した実施例２の光偏向器モジュールは回路基板に対して表面実装に適している。
【実施例３】
【００５６】
図５は、実施例３に係るパッケージを示す概略図である。なお、実施例３は、使用するＭＥＭＳデバイスの構造及び製造工程が上記実施例１及び２で使用したものと同一であると共に、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法も実施例１及び２と同様に行われ、パッケージの形状のみが異なる。よって、以下、パッケージの説明のみを行い、ＭＥＭＳデバイスの説明、及びＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法は省略する。
【００５７】
図５より、パッケージ３に設けられたリードピン２０が台座部１９のＭＥＭＳデバイスを実装する面から突出しており、台座部１９の反対面側からは平板化されたリードピン２０が該反対面及び側面に沿って折り曲げられている。このパッケージを使用した実施例２の光偏向器モジュールは回路基板に対して印刷ハンダリフローによる表面実装に適している。
【実施例４】
【００５８】
図６は、実施例４に係るパッケージを示す概略図である。なお、実施例４は、使用するＭＥＭＳデバイスの構造及び製造工程が上記実施例１、２、及び３で使用したものと同一であると共に、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法も実施例１、２、及び３と同様に行われ、パッケージの形状のみが異なる。よって、以下、パッケージの説明のみを行い、ＭＥＭＳデバイスの説明、及びＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方法は省略する。
【００５９】
図６より、リードピン２０は台座部１９を貫通する直線状のストレートピンであるが、リードピン２０の配置が、各リードピン２０を頂点とする四角形の互いに対向する頂角同士が等角度とならないような非対称の配置となっている。これに伴って、ＭＥＭＳデバイスのリードピン挿通孔もリードピン２０に対応した位置に設けられる。
【００６０】
そのため、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装方向が一義的に決まり、誤った向きの実装によって発生する電気的不具合を防止することができる。特に、ＭＥＭＳデバイスの面方向の構造が非対称である場合は必須となるパッケージ構成である。
【００６１】
以上詳細に説明したように、本発明のＭＥＭＳモジュールは、パッケージに設けられたリードピンをＭＥＭＳデバイスの実装時の位置決合わせにも使用するものであり、そのためパッケージを大きくすることなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００６２】
また、ＭＥＭＳデバイスのパッケージに対する実装時の位置合わせに使用されるリードピン挿通孔は、ＭＥＭＳデバイスの可動部を支持する枠部に、該ＭＥＭＳデバイスの製造プロセスの工程内で形成される。そのため、ＭＥＭＳデバイスにリードピン挿通孔を形成するためだけの別個のプロセスを必要としない。
【００６３】
また、パッケージに設けられたリードピンをＭＥＭＳデバイスの実装時の位置決合わせに使用するため、製造設備に従来のような、撮像カメラを含めた画像認識手段を搭載する必要がない。
【００６４】
また、パッケージをＭＥＭＳデバイスと同等の大きさにすることができるため、ＭＥＭＳデバイスが実装されたＭＥＭＳモジュールを小型化することが可能になると共に、ＭＥＭＳデバイスに設けられた電極パッドとハウジングに設けられたリードピンの距離が短縮されて電極パッドとリードピンを接続してＭＥＭＳデバイスとハウジングの電気的導通を図るボンディングワイヤの架空配線の距離が短くなり、優れた高周波特性を実現すると共に電力損失が少なくなる。ボンディングワイヤの短縮化は材料コストの低減にも寄与する。
【００６５】
また、パッケージの台座部の、ＭＥＭＳデバイスの実装面からのリードピンの突出長をＭＥＭＳデバイスの厚み＋αとすることで、ボンディングワイヤのループ状に膨らんだ配線を解消することができ、優れた高周波特性を有すると共に電力損失が少ないＭＥＭＳモジュールを実現することができる。
【００６６】
更に、ＭＥＭＳデバイスのリードピン挿通孔の近傍に電極パッドを設けることにより、該電極パッドとリードピンの接続をハンダや導電性ペーストを介して行うことが可能となり、ボンディングワイヤを必要としないワイヤレス給電も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施例１を示す分解立体図である。
【図２】同様に本発明の実施例１を示す概略図。
【図３】本発明に係るＭＥＭＳデバイスの製造工程図である。
【図４】本発明の実施例２に係るパッケージの概略図である。
【図５】本発明の実施例３に係るパッケージの概略図である。
【図６】本発明の実施例４に係るパッケージの概略図である。
【図７】従来例の概略説明図である。
【図８】同じく、従来例の概略説明図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  光偏向器モジュール
２  ＭＥＭＳデバイス
３  パッケージ
４  ＳＯＩ基板
５  中間酸化膜層
６  支持層
７  活性層
８ａ、８ｂ  ＳｉＯ２膜
９  下部電極
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ  下部電極
１０  圧電膜
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  圧電膜
１１  上部電極
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ  上部電極
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ  圧電アクチュエータ部
１３  ミラー部
１４  Ａｌ膜
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ  振動部
１６ａ、１６ｂ  弾性支持部
１７  リードピン挿通孔
１７ａ、１７ｂ  リードピン挿通孔
１８  揺動空間
１９  台座部
１９ａ  ＭＥＭＳデバイス実装面
２０  リードピン
２０ａ  端面
２１  ボンディングワイヤ
【図１】
2009154264.tif 000003
【図２】
2009154264.tif 000004
【図３】
2009154264.tif 000005
【図４】
2009154264.tif 000006
【図５】
2009154264.tif 000007
【図６】
2009154264.tif 000008
【図７】
2009154264.tif 000009
【図８】
2009154264.tif 000010