(57)【要約】【課題】磁気ディスク用ガラス基板の端面の面取り加工に用いる砥石の再調整を適切に行い、ガラス基板の端面研削の精度を適切に向上させる。【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、砥粒を埋設した回転砥石２０によりガラス基板の端面の面取り加工を行う形状加工工程と、回転砥石２０に押し当てられるドレス材３０と、回転砥石２０とが取り付けられるドレッシング装置２００を用いて、回転砥石２０にドレッシング処理を行うドレッシング工程とを備え、ドレッシング装置２００は、ドレス材３０と回転砥石２０との位置関係を合わせ、位置関係を管理しつつドレス材３０と回転砥石２０とを圧接触させることにより、回転砥石２０にドレッシング処理を行う。【選択図】図４
2009154255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
砥粒を埋設した砥石によりガラス基板の端面の面取り加工を行う形状加工工程と、
前記砥石に押し当てられるドレス材と、前記砥石とが取り付けられるドレッシング装置を用いて、前記砥石にドレッシング処理を行うドレッシング工程と
を備え、
前記ドレッシング装置は、前記ドレス材と前記砥石との位置関係を合わせ、前記位置関係を管理しつつ前記ドレス材と前記砥石とを圧接触させることにより、前記砥石にドレッシング処理を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記砥石は、回転砥石であり、
前記ドレッシング工程において、前記ドレッシング装置は、前記砥石を回転させつつ前記ドレッシング処理を行い、
前記ドレッシング工程は、
前記ドレッシング装置により、前記砥石に対して相対的に前記ドレス材を押し込む押し込み段階と、
前記ドレッシング装置により、前記押し込み段階よりも弱い圧力で前記ドレス材と前記砥石とを圧接触させることにより、前記砥石において前記ドレス材と接触する表面をならすならし段階と
を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記ならし段階において、前記ドレッシング装置は、前記砥石に対して相対的に前記ドレス材が近づく接近速度を、前記押し込み段階における前記接近速度よりも小さくすることにより、前記押し込み段階よりも弱い圧力で前記ドレス材と前記砥石とを接触させることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記砥石は、回転砥石であり、
前記ドレッシング工程において、前記ドレッシング装置は、前記砥石を回転させつつ前記ドレッシング処理を行い、
前記ドレッシング工程は、
前記ドレッシング装置により、前記ドレス材と前記砥石とが接触しない範囲で前記ドレス材と前記砥石とを近づける接近段階と、
前記接近段階において近づいた前記ドレス材と前記砥石とを、前記ドレッシング装置により更に近づけることにより、前記ドレス材と前記砥石とを接触させる接触段階と、
前記接触段階の後に、前記ドレッシング装置により、前記砥石に対して相対的に前記ドレス材を押し込む押し込み段階と
を有し、
前記接触段階において、前記ドレッシング装置は、前記砥石に対して相対的に前記ドレス材が近づく接近速度を、前記接近段階における前記接近速度、及び前記押し込み段階における前記接近速度のいずれよりも小さくすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
磁気ディスクの製造方法であって、
請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造されるガラス基板上に、少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化技術の高度化に伴い、情報記録技術、特に磁気記録技術は著しく進歩している。磁気記録媒体のひとつであるＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気記録媒体用基板としては、アルミニウム基板が広く用いられてきた。しかし磁気ディスクの小型化、薄板化、及び高密度記録化に伴い、アルミニウム基板に比べ基板表面の平坦性及び基板強度に優れたガラス基板に徐々に置き換わりつつある。
【０００３】
また、磁気記録技術の高密度化に伴い、磁気ヘッドの方も、薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移してきており、磁気ヘッドの基板からの浮上量が１０ｎｍ程度にまで狭くなってきている。このような磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドには、固有の障害としてサーマルアスペリティ障害を引き起こす場合がある。サーマルアスペリティ障害とは、磁気ディスク面上の微小な凸あるいは凹形状上を磁気ヘッドが浮上飛行しながら通過するときに、空気の断熱圧縮又は接触により磁気抵抗効果型素子が加熱されることにより、読み出しエラーを生じる障害である。従って、磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドに対しては、磁気ディスク表面には、極めて高度な平滑度及び平坦度が求められる。また、塵挨や異物が付着したまま磁性層を形成すると、凸部が形成されてしまうため、ガラス基板には、凹凸をなくすことによる発塵の防止、異物の除去する高度な洗浄が求められている。
【０００４】
更に近年は、携帯機器に大容量の磁気記録媒体を搭載すべく、基板のサイズは縮小化の傾向がある。このため、従来の３．５インチ基板や２．５インチ基板から、１．８インチ基板、１インチ基板、もしくは更に小さな基板が求められるようになってきている。基板が小さくなれば許容される寸法誤差も小さくなり、更に精密な外形加工が求められている。
【０００５】
上記のような状況において、従来からも、ガラス基板の端面に面取り加工を行う方法が用いられている（例えば、特許文献１、２参照）。例えば、特許文献１には、プーリー状の回転砥石を用いてガラス基板の端面を研削する構成が記載されている。特許文献１では、ガラス基板の表面に対する砥石入射角を特定し、また、研削面に微細な冷却水吐出穴を複数配置することにより、ガラス基板端部のチッピングあるいはクラックの進行を抑制し、更に砥石の寿命を延長することができるとしている。
【０００６】
ここで、ガラス基板に面取り加工を行うのは、基板端部を平滑にすることにより、欠けや異物の発生を防止するためである。ガラス基板の端面の表面状態が平滑でないと、この端面が樹脂製ケースの壁面と擦過して発生する樹脂やガラスのパーティクルや、ガラス基板の内周端面及び外周端面部に捕捉されるその他のパーティクルが、後に基板の主表面に付着するおそれがある。パーティクルがガラス基板の主表面に付着したまま磁性層を形成すると、膜欠陥の原因となったり、磁気ディスク表面に凸部が形成されて適正なグライド・ハイトが得られず、またサーマルアスペリティを引き起こす原因となる。
【０００７】
また、端部が欠けることにより、ガラス基板の強度が低下したり、同心度の精度が低下してしまうおそれがある。すなわち、基板端部の研削は、欠けの発生率を低下させて生産効率を向上し、製造コストを低下させるために、大きな課題となっている。
【特許文献１】特開平１１−２６７９７５号公報
【特許文献２】特開２００７−９８４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ガラス基板の端面を研削する砥石は、使用によって摩耗又は消耗する。そして、消耗した砥石を使用し続けていると、ガラス基板に欠けが生じることが多くなる。このため、砥石は。状態に応じて交換又は再調整（形状の修復）をする必要がある。砥石の再調整は、例えば、砥石にサファイアを当てるドレッシング処理により行う。
【０００９】
砥石を交換、再調整する基準としては、例えば、研削後のガラス基板の真円度や端面のプロファイル、１００枚研削する毎に行う目視検査の結果を用いることができる。この目視検査は、例えば、ハロゲンランプを当てて、研削後のガラス基板の端面をルーペで観察することにより、欠け、ヒビ、割れなどの外観不良を確認する。
【００１０】
この交換や再調整は、ガラス基板の端面を適切に研削するためには必要である。しかし、頻繁であると、生産性が低下し、製造コストの上昇を招いてしまう。そのため、従来、例えば、より効率よく砥石の再調整を行う方法が求められていた。また、これにより、ガラス基板の端面に対する研削の精度をより適切に向上し、端面からの発塵を抑え、かつ砥石を長期間良好な状態に保つことのできる技術が求められていた。そこで、本発明は、上記の課題を解決できる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
近年、磁気ディスクに要求される記録密度の高まりにより、ガラス基板の端面形状の精度に対する要求も高くなっている。そのため、本願の発明者は、例えば１平方インチあたり１６０Ｇビットを超える記録密度を実現しようとする場合には、ガラス基板の加工の初期段階である、研削加工の精度までもが重要になっていると考えた。そして、研削加工の精度を適切に高めるためには、砥石の再調整であるドレッシング処理をより適切に行うことが重要であることを見出した。
【００１２】
ここで、砥石のドレッシング処理を行う方法としては、例えば、作業者の手作業により行う方法が考えられる。十分な精度のドレッシング処理を行えるのであれば、手作業によるドレッシング作業は、臨機応変な対応が可能であり、効率的である。
【００１３】
しかし、手作業によるドレッシング処理は、作業者により、精度に差が出やすい。特に、例えばガラス基板の端面に対する面取り加工には、端面に溝が形成された回転砥石が用いられる。この場合、例えば平坦な砥石に対する一般的なドレッシング処理と比べて、作業者による精度の差が出やすいこととなる。
【００１４】
そのため、例えば１平方インチあたり１６０Ｇビットを超える記録密度を実現しようとする場合、ドレッシング処理の精度のばらつきの影響が大きくなると考えられる。そして、ドレッシング処理の精度のばらつきの影響が大きくなると、砥石の寿命や性能のばらつきが大きくなり、ガラス基板の端面の精度や生産性への影響が生じるおそれがある。そこで、本願の発明者は、砥石に対するドレッシング処理をより適切に行う方法について鋭意研究を行い、本発明に至った。本発明は、以下の構成を有する。
【００１５】
（構成１）磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、砥粒を埋設した砥石によりガラス基板の端面の面取り加工を行う形状加工工程と、砥石に押し当てられるドレス材と、砥石とが取り付けられるドレッシング装置を用いて、砥石にドレッシング処理を行うドレッシング工程とを備え、ドレッシング装置は、ドレス材と砥石との位置関係を合わせ、位置関係を管理しつつドレス材と砥石とを圧接触させることにより、砥石にドレッシング処理を行う。
【００１６】
ドレッシング工程は、例えば、砥石のメンテナンスを行う場合に行われる工程である。ドレッシング工程は、例えば、形状加工工程で一定枚数のガラス基板の面取り加工を行う毎や、一定期間毎に、次の形状加工工程の前に行われる。
【００１７】
このようにすれば、例えば、ドレッシング処理の結果のばらつきを適切に抑えることができる。そのため、形状加工工程において、ガラス基板の面取り加工を、長期間、安定的に行うことができる。また、これにより、高い記録密度の磁気記録を行う磁気記録媒体に適した磁気ディスク用ガラス基板を適切に製造できる。
【００１８】
尚、形状加工工程における面取り加工の精度には、砥石の軸振れの影響が生じる。そのため、高い精度で面取り加工を行うためには、砥石の軸振れを十分に小さくする必要がある。しかし、軸振れを十分に小さくした場合でも、砥石のドレッシング処理の精度が悪いと、高い精度で面取り加工を行うことは困難になる。
【００１９】
これに対し、構成１のようにすれば、高い精度のドレッシング処理を安定して行うことにより、形状加工工程において、高い精度で面取り加工を行うことが可能になる。また、これにより、例えば、形状加工後のガラス基板の主表面に対する最大内接円の半径と最小外接円の半径の差である真円度を適切に高めることができる。例えば、構成１のようにすれば、形状加工工程後のガラス基板の真円度を、３μｍ以下にすることが可能になる。
【００２０】
形状加工工程で用いられる砥石は、例えば、ダイヤモンド砥粒等の砥粒をメッキ層中に保持する電着砥石である。ドレッシング工程は、例えば、ドレス材と砥石とを圧接触させることにより、砥石表面における不要なメッキ層を剥がし、かつ、砥粒の高さを揃える。これにより、ドレッシング工程は、砥石の再生、修復、及び目立て等を行い、砥石を再調整する。
【００２１】
また、ドレス材は、ドレッシング処理において砥石の再調整に用いられる調整板である。ドレス材の形状は、例えば、主表面が長方形の板状である。また、ドレス材としては、例えばサファイア板を好適に用いることができる。
【００２２】
また、形状加工工程において面取り加工されるガラス基板は、例えば、円板状のガラス基板である。形状加工工程で用いられる砥石は、例えば回転砥石である。この回転砥石の外周端面には、例えば、ガラス基板の端面に形成すべき面取り形状に対応する溝が、回転砥石の円周方向に延伸して形成されている。形状加工工程は、例えば、回転砥石の外周端面をガラス基板の端面に押しつけることによりガラス基板の端面を研削して、ガラス基板の端面に対する面取り加工を行う。
【００２３】
（構成２）砥石は、回転砥石であり、ドレッシング工程において、ドレッシング装置は、砥石を回転させつつドレッシング処理を行い、ドレッシング工程は、ドレッシング装置により、砥石に対して相対的にドレス材を押し込む押し込み段階と、ドレッシング装置により、押し込み段階よりも弱い圧力でドレス材と砥石とを圧接触させることにより、砥石においてドレス材と接触する表面をならすならし段階とを有する。
【００２４】
ならし段階は、例えば、弱い圧力での圧接触により砥石の表面を平滑化することにより、砥石の表面をならす。このようにすれば、ドレッシング工程において、適切にドレッシング処理を行うことができる。また、これにより、例えば、形状加工工程において、高い精度の面取り加工を安定して行うことができる。
【００２５】
尚、押し込み段階は、砥石とドレス材とを接触させた状態で、接触の圧力が高まる方向へ砥石及びドレス材の少なくとも一方を動かすことにより、砥石に対して相対的にドレス材を押し込む。押し込み段階は、例えばドレス材を固定し、砥石を移動させることにより、砥石に対して相対的にドレス材を押し込んでよい。
【００２６】
（構成３）ならし段階において、ドレッシング装置は、砥石に対して相対的にドレス材が近づく接近速度を、押し込み段階における接近速度よりも小さくすることにより、押し込み段階よりも弱い圧力でドレス材と砥石とを接触させる。
【００２７】
このようにすれば、ドレッシング工程のならし段階において、砥石の表面を適切にならすことができる。ならし段階は、例えば接近速度を０にして、ドレス材と砥石との接触を維持してもよい。
【００２８】
尚、例えば手作業によるドレッシング処理を行う場合、一定の小さな接近速度や、接近速度が０の状態を維持することは困難である。これに対し、構成３のようにした場合、ドレッシング装置を用いることにより、小さな接近速度や接近速度が０の状態を高い精度で確実に維持できる。また、これにより、砥石の表面を高い精度で適切にならすことができる。
【００２９】
（構成４）砥石は、回転砥石であり、ドレッシング工程において、ドレッシング装置は、砥石を回転させつつドレッシング処理を行い、ドレッシング工程は、ドレッシング装置により、ドレス材と砥石とが接触しない範囲でドレス材と砥石とを近づける接近段階と、接近段階において近づいたドレス材と砥石とを、ドレッシング装置により更に近づけることにより、ドレス材と砥石とを接触させる接触段階と、接触段階の後に、ドレッシング装置により、砥石に対して相対的にドレス材を押し込む押し込み段階とを有し、接触段階において、ドレッシング装置は、砥石に対して相対的にドレス材が近づく接近速度を、接近段階における接近速度、及び押し込み段階における接近速度のいずれよりも小さくする。
【００３０】
このようにすれば、ドレス材と砥石とをより穏やかに接触させることができる。また、これにより、ドレス材と砥石との接触時に生じる影響を抑え、より適切にドレッシング処理を行うことができる。
【００３１】
（構成５）磁気ディスクの製造方法であって、構成１から４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造されるガラス基板上に、少なくとも磁気記録層を形成する。このようにすれば、例えば、高い記録密度の実現に適した磁気ディスクを適切に提供できる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、例えば、磁気ディスク用ガラス基板の端面の面取り加工に用いる砥石の再調整を適切に行うことができる。また、これにより、例えば、ガラス基板の端面研削の精度をより適切に向上し、端面からの発塵を抑えることができる。更には、例えば、砥石を長期間良好な状態に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一例により製造されるガラス基板１０を切断してみたときの斜視図である。ガラス基板１０は、例えば２．５インチ径の磁気ディスク用ガラス基板であり、中心部を貫通する円孔１２を有する。ガラス基板１０において、主表面、内周端面１４、及び外周端面１６は、鏡面研磨されている。内周端面１４及び外周端面１６は、面取りした面取り部（Ｃ面）と、側壁部（Ｔ面）とをそれぞれ有する。
【００３４】
尚、ガラス基板１０は、例えば回転数５４００ｒｐｍ以上（例えば７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ以上等）の磁気ディスク用ガラス基板である。ガラス基板１０の厚さは、例えば０．５〜０．８ｍｍ、より好ましくは０．６〜０．７ｍｍ（例えば０．６３５ｍｍ）である。
【００３５】
ここで、ガラス基板１０の製造方法について説明する。本例のガラス基板１０は、形状加工工程、研磨工程、及び化学強化工程を経て製造される。また、形状加工工程で用いられる回転砥石に対するドレス処理を行うドレッシング工程が、製造工程の一環として、例えば定期的に行われる。
【００３６】
形状加工工程は、円板状のガラス基板１０に対する研削及び所定の粗さへのラッピング加工を行う工程である。本例において、形状加工工程は、砥粒を埋設した砥石により、ガラス基板１０の端面の面取り加工（チャンファリング加工）を行う。例えば、形状加工工程は、回転砥石の外周端面をガラス基板１０の外周端面１６に押しつけることにより、ガラス基板１０の外周端面１６に対する面取り加工を行う。また、形状加工工程は、例えば、回転砥石の外周端面をガラス基板１０の内周端面１４に押しつけることにより、ガラス基板１０の内周端面１４に対する面取り加工を行う。
【００３７】
研磨工程は、ガラス基板１０の内周端面１４、外周端面１６、及び主表面を鏡面研磨する工程である。鏡面研磨された内周端面１４及び外周端面１６の算術平均表面粗さＲａは、０．０５μｍ以下、より好ましくは０．０４μｍ以下、更に好ましくは０．０３μｍ以下である。また、鏡面研磨された内周端面１４及び外周端面１６の最大高さＲｍａｘは、０．５μｍ以下、より好ましくは０．４μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。尚、算術平均表面粗さＲａ及び最大高さＲｍａｘは、例えば、それぞれ日本工業規格ＪＩＳＢ０６０１の算術平均表面粗さＲａ及び最大高さＲｍａｘに準拠して算出される。
【００３８】
また、鏡面研磨された主表面の算術平均表面粗さＲａは、０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．４ｎｍ以下、更に好ましくは０．３ｎｍ以下である。また、鏡面研磨された主表面の最大高さＲｍａｘは、５ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以下、更に好ましくは３ｎｍ以下である。化学強化工程は、ガラス基板１０を化学強化する工程である。
【００３９】
以上の工程を経て、ガラス基板１０は完成する。そして、完成したガラス基板１０は、磁気ディスクの製造に用いられる。磁気ディスクの製造工程においては、ガラス基板１０上に、少なくとも磁気記録層が形成される。
【００４０】
尚、ドレッシング工程は、例えば、形状加工工程で使用される回転砥石のメンテナンスを行う場合に行われる。ドレッシング工程は、例えば、形状加工工程で一定枚数のガラス基板の面取り加工を行う毎や、一定期間毎に、次の形状加工工程の前に行われる。
【００４１】
図２は、形状加工工程で用いられる砥石の一例である回転砥石２０の構成の一例を示す。図２（ａ）は、回転砥石２０の回転軸１０２と平行な方向から見た回転砥石２０の上面図である。図２（ｂ）は、回転砥石２０の断面図である。
【００４２】
本例において、回転砥石２０は、台座の上にダイヤモンド砥粒を電着メッキさせたダイヤモンドホイールであり、例えば、ガラス基板１０の外周端面１６（図１参照）の面取り加工に用いられる。回転砥石２０の外周端面２２には、所定の面取り形状の溝２４が、回転砥石２０の円周方向に延伸して形成されている。この面取り状形状は、例えば、ガラス基板１０の外周端面１６に形成されるべき面取り部に応じた側壁面を有する形状である。溝２４の断面は、例えば、底部側に上底を向けた台形状である。尚、ガラス基板１０の内周端面１４（図１参照）の面取り加工においても、例えば、回転砥石２０と同様の回転砥石を用いることができる。
【００４３】
図３は、形状加工工程の一例の概略を示す図であり、ガラス基板１０の外周端面１６に対する面取り加工を行う方法の概略を示す。本例において、形状加工工程は、形状加工装置１００を用いて、ガラス基板１０の面取り加工を行う。
【００４４】
形状加工装置１００は、所定の回転軸１０４に対して回転可能に、ガラス基板１０を保持する。回転軸１０４は、ガラス基板１０の主表面の中心を通り、かつ、ガラス基板１０の主表面と垂直な軸である。また、形状加工装置１００は、回転砥石２０の回転軸１０２とガラス基板１０の回転軸１０４とを平行にして、かつ、回転砥石２０の外周端面２２とガラス基板１０の外周端面１６とを対向させて、回転砥石２０を保持する。
【００４５】
そして、形状加工装置１００は、ガラス基板１０及び回転砥石２０をそれぞれの回転軸に対して回転させつつ、回転砥石２０をガラス基板１０に近づけ、両者を圧接触させる。この圧接触により、形状加工装置１００は、回転砥石２０の外周端面２２により、ガラス基板１０の外周端面１６を研削する。そして、回転砥石２０の外周端面２２の溝２４の形状を、回転砥石２０の外周端面１６に転写する。これにより、ガラス基板１０の外周端面１６は、回転砥石２０の溝２４の形状に応じて、面取り加工される。
【００４６】
尚、形状加工工程において、ガラス基板１０の内周端面１４（図１参照）を面取り加工する場合には、例えば、外周端面１６の面取り加工用と比べて小型の回転砥石が用いられる。この回転砥石は、例えば、ガラス基板１０の円孔１２（図１参照）内に挿入され、円孔１２内においてガラス基板１０の内周端面１４と接触して、内周端面１４の面取り加工を行う。
【００４７】
図４は、ドレッシング工程の一例の概略を示す図である。図４（ａ）は、ドレッシング工程においてドレッシング処理を行う方法の概略を示す側面図である。図４（ｂ）は、回転砥石２０とドレス材３０との位置関係を示す上面図である。図４（ｃ）は、回転砥石２０とドレス材３０とが接近した状態を示す側断面図である。
【００４８】
本例において、ドレッシング工程は、回転砥石２０及びドレス材３０が取り付けられるドレッシング装置２００を用いて、回転砥石２０に対するドレッシング処理を行う。ドレッシング装置２００は、回転軸１０２に対して回転可能に回転砥石２０を保持する。また、ドレッシング装置２００は、一端を回転砥石２０の外周端面２２に向けた状態で、回転砥石２０に押し当てられるドレス材３０を、所定の固定位置２０４に保持する。本例において、ドレス材３０は、主表面が長方形のサファイア板であり、長手方向の一端を回転砥石２０の外周端面２２に向けた状態で、ドレッシング装置２００に保持される。
【００４９】
ドレッシング工程において、ドレッシング装置２００は、先ず、取り付けられたドレス材３０及び回転砥石２０の位置関係を合わせる。例えば、本例において、ドレッシング装置２００は、ドレス材３０の一端と回転砥石２０の外周端面とを対向させ、ドレス材３０の一端と回転砥石２０の外周端面２２との距離を、予め設定された初期距離ｄ０に合わせる。そして、ドレッシング装置２００は、回転砥石２０を回転させて、初期距離ｄ０を基準にして両者の位置関係を管理しつつ、位置を固定したドレス材３０に向かって、回転砥石２０を移動させる。これにより、ドレッシング装置２００は、ドレス材３０と回転砥石２０とを圧接触させ、回転砥石２０にドレッシング処理を行う。
【００５０】
ここで、本例において、回転砥石２０の外周端面２２における溝２４の幅ｈ１は、１ｍｍ程度（例えば０．８〜１．２ｍｍ）である。また、ドレス材３０の高さ（厚さ）ｈ２も、溝２４の幅と同程度であり、１ｍｍ程度（例えば０．８〜１．２ｍｍ）である。ドレス材３０は、回転砥石２０の外周端面２２と圧接触することにより、溝２４の形状に沿って徐々に削られつつ、溝２４の表面部分の不要なメッキ層を剥がし、かつ、砥粒の高さを揃える。これにより、ドレッシング工程は、回転砥石２０の再生、修復、及び目立て等を行い、回転砥石２０を再調整する。
【００５１】
本例によれば、例えば、回転砥石２０のドレッシング処理を適切に行うことができる。また、ドレッシング装置２００を用いて自動的にドレッシング処理を行うことにより、ドレッシング処理の精度のばらつきを抑えることができる。そのため、形状加工工程において、ガラス基板１０（図３参照）の面取り加工を、長期間、安定的に行うことができる。
【００５２】
また、高い精度のドレッシング処理を安定して行うことにより、形状加工工程において、高い精度で面取り加工を行うことが可能になる。これにより、例えば、形状加工後のガラス基板１０の真円度を適切に高めることができる。例えば、本例によれば、形状加工工程後のガラス基板の真円度を、３μｍ以下にすることが可能になる。また、これにより、高い記録密度の磁気記録を行う磁気記録媒体に適した磁気ディスク用ガラス基板を適切に製造できる。
【００５３】
尚、ドレッシング装置２００としては、例えば、形状加工工程で用いられる形状加工装置１００（図３参照）を兼用して用いることもできる。この場合、ドレッシング装置２００において、ドレス材３０は、例えば、形状加工装置１００として用いられる場合のガラス基板１０の位置に取り付けられる。この場合、形状加工装置１００における回転軸１０４に対応する軸を固定軸に設定し、回転軸１０４の位置にガラス基板１０を取り付けるのと同様の方法により、この固定軸の位置に、ドレス材３０が取り付けられる。この場合も、回転砥石２０のドレッシング処理を高い精度で適切に行うことができる。
【００５４】
図５は、ドレッシング装置２００によるドレス材３０と回転砥石２０との圧接触を制御する制御方法の一例を示す。図５（ａ）は、制御方法の第１の例を示す。本例において、ドレッシング装置２００は、接近段階、接触段階、押し込み段階、ならし段階の４段階の制御により、ドレス材３０と回転砥石２０とを圧接触させる。
【００５５】
接近段階は、ドレス材３０と回転砥石２０とが接触しない範囲でドレス材３０と回転砥石２０とを近づける段階である。本例の接近段階において、ドレッシング装置２００は、ドレス材３０の一端から初期距離ｄ０だけ離れた位置にある回転砥石２０を、ドレス材３０に向かって、１０ｍｍ／分の接近速度で３０秒移動させる。尚、初期距離ｄ０は、各段階で移動すべき距離に応じて、適宜設定されている。
【００５６】
接触段階は、接近段階よりも小さい速度でドレス材３０と回転砥石２０とを更に近づけることにより両者を接触させる段階である。本例の接触段階において、ドレッシング装置２００は、回転砥石２０を、ドレス材３０に向かって、３ｍｍ／分の接近速度で１分間移動させる。
【００５７】
押し込み段階は、実質的にドレッシング処理を行う段階であり、回転砥石２０を更に移動させることにより、回転砥石２０に対して相対的にドレス材３０を押し込む。本例の押し込み段階において、ドレッシング装置２００は、回転砥石２０を、ドレス材３０に向かって、接触段階よりも小さな１ｍｍ／分の接近速度で、１分間移動させる。
【００５８】
ならし段階は、押し込み段階よりも弱い圧力でドレス材３０と回転砥石２０とを圧接触させることにより、回転砥石２０においてドレス材３０と接触する表面をならす段階である。ならし段階は、例えば、弱い圧力での圧接触により回転砥石２０の表面を平滑化することにより、回転砥石２０の表面をならす。本例のならし段階において、ドレッシング装置２００は、接近速度を０にすることで圧接触の圧力を実質的に０にした状態を、３分間維持する。
【００５９】
本例によれば、ドレッシング工程において、適切にドレッシング処理を行うことができる。また、これにより、形状加工工程において、高い精度の面取り加工を安定して行うことができる。
【００６０】
尚、押し込み段階は、例えば０．５Ａ以下の圧力で、ドレス材３０と回転砥石２０とを圧接触させることが好ましい。ならし段階は、例えば０．３Ａ以下の圧力で、ドレス材と砥石とを圧接触させることが好ましい。ならし段階において、ドレッシング装置２００は、接近速度を０より大きな速度に設定してもよい。この場合、ドレッシング装置２００は、ならし段階における接近速度を、押し込み段階の接近速度よりも小さく設定する。
【００６１】
また、ドレッシング装置２００は、接近速度を、各段階の中で更に変化させてもよい。例えば、ならし段階において、ドレッシング装置２００は、接近速度を徐々に小さく変化させてもよい。また、形状加工装置１００と兼用されるドレッシング装置２００を用いる場合、ドレッシング装置２００は、ドレス材３０と回転砥石２０との接近速度を、例えば取りしろ量の設定に基づいて制御してもよい。
【００６２】
図５（ｂ）は、制御方法の第２の例を示す。本例の接触段階において、ドレッシング装置２００は、接近速度を、接近段階及び押し込み段階のいずれよりも小さくする。例えば、ドレッシング装置２００は、接触段階の接近速度を、０．５ｍｍ／分に設定する。
【００６３】
ドレッシング処理を行う前の状態において、回転砥石２０の表面には、形状加工工程で研削されたガラス等が付着している場合がある。また、砥粒の高さが不均一になっていて、表面が凹凸状になっている場合もある。
【００６４】
このような場合に、ドレッシング工程において、不用意にドレス材３０と回転砥石２０とを接触させると、回転砥石２０の表面やドレス材３０の表面が接触によって一時的に荒れてしまうおそれがある。また、回転砥石２０の表面やドレス材３０の表面が荒れてしまうと、例えば、高い精度のドレッシング処理を行うために必要な時間が増大するおそれもある。また、接触時に生じる影響が大きすぎると、高い精度のドレッシング処理を行うことが困難になるおそれもある。
【００６５】
これに対し、本例によれば、ドレス材３０と回転砥石２０とを穏やかに接触させることができる。また、これにより、接触時に生じる影響を抑え、より適切にドレッシング処理を行うことができる。
【００６６】
上記以外の点において、本例の制御方法は、第１の例と同一又は同様である。例えば、本例において、接触段階以外の各段階は、第１の例と同一又は同様である。本例においても、ドレッシング工程において、適切にドレッシング処理を行うことができる。また、これにより、形状加工工程において、高い精度の面取り加工を安定して行うことができる。
【００６７】
以下、実施例及び比較例により、本発明を更に詳しく説明する。
（実施例１）
図５（ａ）を用いて示した制御方法により、ドレッシング装置２００を用いて、回転砥石２０に対するドレッシング処理を行った。回転砥石２０としては、２．５インチ径の磁気ディスク用のガラス基板１０の外周端面の面取り加工用の公知の砥石を用いた。
【００６８】
（比較例１）
ドレッシング装置２００を用いず、手作業により、回転砥石２０に対するドレッシング処理を行った。それ以外の条件は、実施例１と同様にした。
【００６９】
（評価）
ドレッシング処理を行った回転砥石２０を用いて、形状加工工程を行い、公知の２．５インチ径の磁気ディスク用のガラス基板１０の外周端面１６に対する面取り加工を行った。そして、１回のドレッシング処理の後に適切な面取り加工を行い得るガラス基板１０の枚数を評価した。
【００７０】
ここで、面取り加工後のガラス基板１０に対しては、幅が５０μｍより大きなチッピング、及びクラック（ヒビ）の発生の有無を検査した。チッピングとは、研削によって生じるガラス基板１０の欠けである。磁気ディスク用ガラス基板においては、後の研磨工程等で除去できない大きさのチッピングが問題となる。
【００７１】
本評価においては、実施例１、比較例１について、ドレッシング処理と面取り加工との組み合わせをそれぞれ複数回行った。実施例１においては、いずれの回においても、ドレッシング処理後、５０００枚以上のガラス基板１０を加工する間、問題となるチッピング及びクラックは発生しなかった。また、より厳しい基準を用い、幅が３０μｍより大きなチッピングの有無を検査した場合にも、問題となるチッピングは発生しなかった。そのため、実施例１においては、安定して高い精度のドレッシング処理が可能であることが確認できた。
【００７２】
一方、比較例１においては、ドレッシング処理後、１００枚以下のガラス基板を加工する間に、問題となるチッピング又はクラックが発生する場合があった。これは、手作業によるドレッシング処理では、回転砥石２０に対するドレス材３０の位置関係や接触圧力等の当て方が作業者や作業時によってばらつき、ドレッシング処理の精度がばらつくためであると考えられる。そのため、比較例１においては、ドレッシング処理の精度がばらつき、安定したドレッシング処理が困難になるおそれがある。
【００７３】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、例えば、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一例により製造されるガラス基板１０を切断してみたときの斜視図である。
【図２】形状加工工程で用いられる砥石の一例である回転砥石２０の構成の一例を示す図である。図２（ａ）は、回転砥石２０の回転軸１０２と平行な方向から見た回転砥石２０の上面図である。図２（ｂ）は、回転砥石２０の断面図である。
【図３】形状加工工程の一例の概略を示す図である。
【図４】ドレッシング工程の一例の概略を示す図である。図４（ａ）は、ドレッシング工程においてドレッシング処理を行う方法の概略を示す側面図である。図４（ｂ）は、回転砥石２０とドレス材３０との位置関係を示す上面図である。図４（ｃ）は、回転砥石２０とドレス材３０とが接近した状態を示す側断面図である。
【図５】ドレッシング装置２００によるドレス材３０と回転砥石２０との圧接触を制御する制御方法の一例を示す図である。図５（ａ）は、制御方法の第１の例を示す。図５（ｂ）は、制御方法の第２の例を示す。
【符号の説明】
【００７６】
１０・・・ガラス基板、１２・・・円孔、１４・・・内周端面、１６・・・外周端面、２０・・・回転砥石、２２・・・外周端面、２４・・・溝、３０・・・ドレス材、１００・・・形状加工装置、１０２・・・回転軸、１０４・・・回転軸、２００・・・ドレッシング装置、２０４・・・固定位置
【図１】
2009154255.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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