(57)【要約】【課題】  樹脂封止型半導体パッケージの放熱性を向上させるとともに、製造歩留まりを向上させる。【解決手段】  半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄに接続されたドレイン端子５が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出され、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓに接続されたソース端子３の第１の部分３ａと半導体チップ２のゲートパッド電極に接続されたゲート端子の一部が封止樹脂部６の上面６ａで露出され、ソース端子３の第２の部分３ｂとゲート端子の他の部分が封止樹脂部６の裏面６ｂで露出されている。この半導体装置１を製造する際に、ドレイン端子５と半導体チップ２の間に接合材とフィルム部材８ａとを介在させ、ソース端子３およびゲート端子と半導体チップ２の間にペースト状接合材とフィルム部材８ｂを介在させ、ペースト状接合材を硬化して接合材７とする。フィルム部材８ａ，８ｂを用いたことで、接合材７の厚みのばらつきが抑制される。【選択図】  図３
2009200338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの第１主面に接合された第１導体部と、
前記半導体チップの前記第１主面とは反対側の第２主面に接合された第２導体部と、
前記半導体チップと、前記第１および第２導体部の一部とを封止する封止樹脂部とを有し、
前記封止樹脂部の第１面から前記第１導体部の表面が露出し、
前記封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から前記第２導体部の表面が露出した半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記第１導体部上に第１フィルム部材および第１接合材を介して前記半導体チップを、前記半導体チップの前記第１主面が前記第１導体部と対向するように搭載する工程、
（ｂ）前記半導体チップの前記第２主面上に、第２フィルム部材および第２接合材を介して前記第２導体部を搭載する工程、
（ｃ）前記第１接合材および前記第２接合材を硬化して、前記半導体チップの前記第１主面に前記第１導体部を接合し、前記半導体チップの前記第２主面に前記第２導体部を接合する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップ、前記第１導体部および前記第２導体部を封止する前記封止樹脂部を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程で用いられる前記第１接合材と前記（ｂ）工程で用いられる前記第２接合材とは、ペースト状の接合材であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程で用いられる前記第１および第２接合材は、半田ペーストまたは銀ペーストであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記第１導体部上に前記第１フィルム部材を配置する工程、
（ａ２）前記第１導体部上に、前記第１フィルム部材と重ならない位置に、前記第１接合材を配置する工程、
（ａ３）前記第１導体部上に前記第１フィルム部材および前記第１接合材を介して前記半導体チップを搭載する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程で用いられる前記第１および第２フィルム部材は、前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程で用いられる前記第１および第２接合材に比べて、荷重に対して変形しにくいものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程では、
前記第１導体部が前記第１接合材を介して前記半導体チップの前記第１主面に形成された電極と接合されて電気的に接続され、前記第２導体部が前記第２接合材を介して前記半導体チップの前記第２主面に形成された電極と接合されて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）前記第１および第２導体部と前記半導体チップとを、第１金型および第２金型により形成されるキャビティ内に配置する工程、
（ｄ２）前記第１導体部の前記表面が前記第１金型に接触し、前記第２導体部の前記表面が前記第２金型に接触した状態で、前記キャビティ内に前記封止樹脂部を形成するための材料を導入して、前記封止樹脂部を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体チップと、
前記半導体チップの第１主面に接合された第１導体部と、
前記半導体チップの前記第１主面とは反対側の第２主面に接合された第２導体部と、
前記半導体チップと、前記第１および第２導体部の一部とを封止する封止樹脂部とを有し、
前記封止樹脂部の第１面から前記第１導体部の表面が露出し、
前記封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から前記第２導体部の表面が露出した半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記第１導体部上に第１銀ペーストを介して前記半導体チップを、前記半導体チップの前記第１主面が前記第１導体部と対向するように搭載する工程、
（ｂ）前記半導体チップの前記第２主面上に、第２銀ペーストを介して前記第２導体部を搭載する工程、
（ｃ）前記第１および第２銀ペーストを硬化して、前記半導体チップの前記第１主面に前記第１導体部を接合し、前記半導体チップの前記第２主面に前記第２導体部を接合する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップ、前記第１導体部および前記第２導体部を封止する前記封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程で用いられる前記第１および第２銀ペーストは、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スペーサ粒子は、硬化させた熱硬化性樹脂の粒子、または金属粒子からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップを間に挟んだ前記第１導体部と前記第２導体部との間に圧力をかけながら熱処理を行うことで、前記第１および第２銀ペーストを硬化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）前記第１および第２導体部と前記半導体チップとを、第１金型および第２金型により形成されるキャビティ内に配置する工程、
（ｄ２）前記第１導体部の前記表面が前記第１金型に接触し、前記第２導体部の前記表面が前記第２金型に接触した状態で、前記キャビティ内に前記封止樹脂部を形成するための材料を導入して、前記封止樹脂部を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）前記半導体チップの前記第１主面に第１接合材を介して第１導体部を接合し、前記半導体チップの前記第２主面に第２接合材を介して第２導体部を接合する工程、
（ｃ）前記第２導体部の前記半導体チップと対向する側とは反対側の面上に、絶縁シートを貼り付ける工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップ、前記第１導体部、前記第２導体部および前記絶縁シートを封止する封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記封止樹脂部の第１面から前記絶縁シートの表面が露出し、
前記封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から、前記第１導体部の表面が露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁シートは、前記封止樹脂部よりも熱伝導率が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁シートは、弾力性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程では、
（ｄ１）前記第１および第２導体部、前記半導体チップおよび前記絶縁シートを、第１金型および第２金型により形成されるキャビティ内に配置する工程、
（ｄ２）前記第１導体部の前記表面が前記第１金型に接触し、前記絶縁シートの前記表面が前記第２金型に接触した状態で、前記キャビティ内に前記封止樹脂部を形成するための材料を導入して、前記封止樹脂部を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ２）工程では、
前記第２導体部と前記第２金型との間で前記絶縁シートを厚さ方向に収縮させた状態で、前記キャビティ内に前記封止樹脂部を形成するための材料を導入して、前記封止樹脂部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記封止樹脂部の前記第１面から前記絶縁シートの前記表面が突出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
（ａ）第１半導体チップと、前記第１半導体チップの第１主面に接合された第１導体部と、前記第１半導体チップの前記第１主面とは反対側の第２主面に接合された第２導体部と、それらを封止する第１封止樹脂部とを有する第１半導体装置を準備し、
第２半導体チップと、前記第２半導体チップの第３主面に接合された第３導体部と、前記第２半導体チップの前記第３主面とは反対側の第４主面に接合された第４導体部と、それらを封止する第２封止樹脂部とを有する第２半導体装置を準備する工程、
（ｂ）前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂部の第１面上に、第１フィルム部材および導電性の第１接合材を介して前記第２半導体装置を搭載する工程、
（ｃ）前記第１接合材を硬化して、前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂部の前記第１面上に、前記第２半導体装置を接合する工程、
を有し、
前記第１半導体装置は、前記第１封止樹脂部の前記第１面から前記第１導体部の表面が露出し、前記第１封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から前記第２導体部の表面が露出し、
前記第２半導体装置は、前記第２封止樹脂部の第３面から前記第３導体部の表面が露出し、前記第２封止樹脂部の前記第３面とは反対側の第４面から前記第４導体部の表面が露出し、
前記（ｂ）工程では、前記第２半導体装置の前記第２封止樹脂部の前記第４面が前記第２半導体装置の前記第２封止樹脂部の前記第１面に対向するように、前記第２半導体装置を搭載し、
前記（ｃ）工程では、前記第１封止樹脂部の前記第１面から露出する前記第１導体部の前記表面と、前記第２封止樹脂部の前記第４面から露出する前記第４導体部の前記表面とが、前記第１接合材で接合されて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）第１半導体チップと、前記第１半導体チップの第１主面に接合された第１導体部と、前記第１半導体チップの前記第１主面とは反対側の第２主面に接合された第２導体部と、それらを封止する第１封止樹脂部とを有する第１半導体装置を準備し、
第２半導体チップと、前記第２半導体チップの第３主面に接合された第３導体部と、前記第２半導体チップの前記第３主面とは反対側の第４主面に接合された第４導体部と、それらを封止する第２封止樹脂部とを有する第２半導体装置を準備する工程、
（ｂ）前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂部の第１面上に、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含む銀ペーストを介して、前記第２半導体装置を搭載する工程、
（ｃ）前記銀ペーストを硬化して、前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂部の前記第１面上に、前記第２半導体装置を接合する工程、
を有し、
前記第１半導体装置は、前記第１封止樹脂部の前記第１面から前記第１導体部の表面が露出し、前記第１封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から前記第２導体部の表面が露出し、
前記第２半導体装置は、前記第２封止樹脂部の第３面から前記第３導体部の表面が露出し、前記第２封止樹脂部の前記第３面とは反対側の第４面から前記第４導体部の表面が露出し、
前記（ｂ）工程では、前記第２半導体装置の前記第２封止樹脂部の前記第４面が前記第１半導体装置の前記第１封止樹脂部の前記第１面に対向するように、前記第２半導体装置を搭載し、
前記（ｃ）工程では、前記銀ペーストを間に挟んだ前記第１半導体装置と前記第２半導体装置との間に圧力をかけながら熱処理を行うことで、前記銀ペーストを硬化し、
前記第１封止樹脂部の前記第１面から露出する前記第１導体部の前記表面と、前記第２封止樹脂部の前記第４面から露出する前記第４導体部の前記表面とが、硬化された前記銀ペーストで接合されて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スペーサ粒子は、硬化させた熱硬化性樹脂の粒子、または金属粒子からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
（ａ）第１導体部上に第１銀ペーストを介して第１半導体チップを、前記第１半導体チップの第１主面が前記第１導体部と対向するように搭載する工程、
（ｂ）前記第１半導体チップの前記第１主面とは反対側の第２主面上に、第２銀ペーストを介して第２導体部を搭載する工程、
（ｃ）前記第２導体部の前記第１半導体チップと対向する側とは反対側の面上に第３銀ペーストを介して第２半導体チップを、前記２半導体チップの第３主面が前記第２導体部と対向するように搭載する工程、
（ｄ）前記第２半導体チップの前記第３主面とは反対側の第４主面上に、第４銀ペーストを介して第３導体部を搭載する工程、
（ｅ）前記第１、第２、第３および第４銀ペーストを硬化して、前記第１半導体チップの前記第１主面に前記第１導体部を接合し、前記第１半導体チップの前記第２主面に前記第２導体部を接合し、前記第２半導体チップの前記第３主面に前記第２導体部を接合し、前記第２半導体チップの前記第４主面に前記第３導体部を接合する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１および第２半導体チップ、前記第１、第２および第３導体部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記（ａ）工程、前記（ｂ）工程で、前記（ｃ）工程および前記（ｄ）工程で用いられる前記第１、第２、第３および第４銀ペーストは、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含み、
前記（ｅ）工程では、前記第１半導体チップ、前記第２導体部および前記第２半導体チップを間に挟んだ前記第１導体部と前記第３導体部との間に圧力をかけながら熱処理を行うことで、前記第１、第２、第３および第４銀ペーストを硬化し、
前記封止樹脂部の第１面から前記第１導体部の表面が露出し、
前記封止樹脂部の前記第１面とは反対側の第２面から前記第３導体部の表面が露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スペーサ粒子は、硬化させた熱硬化性樹脂の粒子、または金属粒子からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の半導体パッケージが用いられているが、半導体チップを封止樹脂部で封止した樹脂封止型の半導体パッケージがある。樹脂封止型の半導体パッケージでは、半導体チップが封止樹脂部内に封止されているので、半導体チップの信頼性を向上することができる。また、封止樹脂部の裏面で端子を露出させることで、樹脂封止型の半導体パッケージの面実装が可能になる。
【０００３】
特開２００４−２６６０９６号公報（特許文献１）には、半導体チップを封止する樹脂封止体と、半導体チップの第１主面の第１電極に接続された第１導電部材と、半導体チップの第１主面と反対側の第２主面の第２電極に接続された第２導電部材とを有し、第１導電部材は、樹脂封止体の第１主面から露出し、第２導電部材は、樹脂封止体の第１主面と反対側の第２主面及び側面から露出する半導体装置に関する技術が記載されている。
【０００４】
特開２００６−２２２１２１号公報（特許文献２）には、封止樹脂部を形成した後に、封止樹脂部を液体ホーニングにより研磨することで、封止樹脂部から端子を露出させる技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−２６６０９６号公報
【特許文献２】特開２００６−２２２１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００６】
樹脂封止型の半導体パッケージにおいて、封止樹脂部の下面（裏面）で端子を露出させることで、樹脂封止型の半導体パッケージの面実装が可能になる。更に、封止樹脂部の下面だけでなく、封止樹脂部の上下両面で端子を露出させることで、樹脂封止型の半導体パッケージの放熱性を向上させることができる。また、封止樹脂部は、モールド工程で上金型および下金型のキャビティ内に封止樹脂材料を注入して硬化することで形成できる。
【０００７】
このような封止樹脂部の上下両面で端子が露出した樹脂封止型の半導体パッケージを製造するには、複数の端子を半導体チップの上下に配置して半田や銀ペーストのような接合材で接合してから、この組立体を金型のキャビティ内に配置する。そして、半導体チップの上側の端子が上金型と接し、半導体チップの下側の端子が下金型と接するように金型を固定（クランプ）した状態で、金型のキャビティ内に封止樹脂材料を注入して硬化することで、封止樹脂部の上下両面で端子が露出するように封止樹脂部を形成することができる。
【０００８】
しかしながら、モールド工程において、半導体チップの上側の端子が上金型と接し、半導体チップの下側の端子が下金型と接するように金型をクランプした場合、モールド工程直前の組立体の高さ寸法がばらついたり、あるいは半導体チップの上側の端子と下側の端子の平行度がばらつくと、上金型と下金型から、半導体チップの上側の端子と半導体チップの下側の端子とを介して、半導体チップに上下から強い圧力が加わる可能性がある。半導体チップに上下から圧力が加わると、半導体チップにクラックなどが発生する可能性がある。これは、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置の製造歩留まりを低下させる。
【０００９】
また、樹脂封止型の半導体パッケージの高さがばらついていると、例えば、複数の半導体パッケージを実装基板に実装してから、それら複数の半導体パッケージ全体に対してヒートシンクを搭載した際に、ヒートシンクと各半導体パッケージとの間の接続状態がばらついてしまい、半導体パッケージごとに放熱状態が変動してしまう可能性がある。このため、樹脂封止型の半導体パッケージの放熱特性を向上させるためには、半導体パッケージの高さばらつきを低減させることが望まれる。
【００１０】
本発明の目的は、半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、半導体装置の放熱特性を向上できる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、封止樹脂部の上下両面に露出導体（第１導体部および第２導体部）を有する樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関するものである。この際、第１導体部上に第１フィルム部材および第１接合材を介して半導体チップ搭載し、その半導体チップ上に第２フィルム部材および第２接合材を介して第２導体部を搭載し、第１接合材および第２接合材を硬化して半導体チップの両面に第１導体部および第２導体部をそれぞれ接合してから、半導体チップ、第１導体部および第２導体部を封止する封止樹脂部を形成する。
【００１５】
また、他の代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、封止樹脂部の上下両面に露出導体（第１導体部および第２導体部）を有する樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関するものである。この際、第１導体部上に第１銀ペーストを介して半導体チップ搭載し、その半導体チップ上に第２銀ペーストを介して第２導体部を搭載し、第１銀ペーストおよび第２銀ペーストを硬化して半導体チップの両面に第１導体部および第２導体部をそれぞれ接合してから、半導体チップ、第１導体部および第２導体部を封止する封止樹脂部を形成する。そして、第１銀ペーストおよび第２銀ペーストは、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含むものである。
【００１６】
また、他の代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、半導体チップの両面に第１導体部および第２導体部を接合し、第２導体部の半導体チップと対向する側とは反対側の面上に、絶縁シートを貼り付けてから、半導体チップ、第１導体部、第２導体部および絶縁シートを封止する封止樹脂部を形成する。この際、封止樹脂部の第１面から絶縁シートの表面が露出し、封止樹脂部の第１面とは反対側の第２面から、第１導体部の表面が露出する。
【００１７】
また、他の代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、それぞれ封止樹脂部の上下両面に露出導体を有する樹脂封止型の第１半導体装置および第２半導体装置を積み重ねて接合するものである。この際、第１半導体装置の第１封止樹脂部の第１面上に、第１フィルム部材および導電性の第１接合材を介して第２半導体装置を搭載してから、第１接合材を硬化して第１半導体装置の第１封止樹脂部の第１面上に第２半導体装置を接合する。
【００１８】
また、他の代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、それぞれ封止樹脂部の上下両面に露出導体を有する樹脂封止型の第１半導体装置および第２半導体装置を積み重ねて接合するものである。この際、第１半導体装置の第１封止樹脂部の第１面上に、銀ペーストを介して第２半導体装置を搭載してから、銀ペーストを硬化して第１半導体装置の第１封止樹脂部の第１面上に第２半導体装置を接合する。そして、この銀ペーストは、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含み、銀ペーストを間に挟んだ第１半導体装置と第２半導体装置との間に圧力をかけながら熱処理を行うことで銀ペーストを硬化するものである。
【００１９】
また、他の代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを封止した封止樹脂部の上下両面に露出導体（第１導体部および第３導体部）を有する樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関するものである。この際、第１導体部上に第１銀ペーストを介して第１半導体チップ搭載し、第１半導体チップ上に第２銀ペーストを介して第２導体部を搭載し、第２導体部上に第３銀ペーストを介して第２半導体チップ搭載し、第２半導体チップ上に第４銀ペーストを介して第３導体部を搭載し、第１〜第４銀ペースト硬化してから、第１および第２半導体チップと第１〜第３導体部を封止する封止樹脂部を形成する。そして、第１〜第４銀ペーストは、Ａｇフィラーと、ベース樹脂となる熱硬化性樹脂と、スペーサ粒子とを含み、第１〜第４銀ペーストを硬化する際には、第１半導体チップ、第２導体部および第２半導体チップを間に挟んだ第１導体部と第３導体部との間に圧力をかけながら、硬化のための熱処理を行うものである。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２１】
代表的な実施の形態によれば、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００２２】
また、半導体装置の放熱特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２５】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２６】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の上面図（平面図）であり、図２はその下面図（底面図、裏面図、平面図）、図３および図４はその断面図（側面断面図）である。図１のＡ１−Ａ１線の断面（すなわち図２のＡ１−Ａ１線の断面）が図３にほぼ対応し、図１のＢ１−Ｂ１線の断面（すなわち図２のＢ１−Ｂ１線の断面）が図４にほぼ対応する。
【００２８】
本実施の形態の半導体装置（半導体パッケージ）１は、樹脂封止形で、面実装形の半導体パッケージである。すなわち、半導体装置１は、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置である。
【００２９】
図１〜図４に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２と、導電体によって形成されたソース端子（ソース用端子、ソース接続用導体部、導体部、第２導体部）３、ゲート端子（ゲート用端子、ゲート接続用導体部、導体部、第２導体部）４およびドレイン端子（ドレイン用端子、ドレイン接続用導体部、導体部、第１導体部）５と、これらを封止する封止樹脂部（封止部、封止樹脂）６とを備えている。
【００３０】
封止樹脂部６は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂部６を形成することができる。封止樹脂部６により、半導体チップ２、ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５が封止され、保護される。封止樹脂部６は、互いに反対側に位置する２つの主面である上面（表面、第２面）６ａおよび裏面（底面、下面、第１面）６ｂを有しており、封止樹脂部６の裏面６ｂ、すなわち半導体装置１の裏面（底面、下面）１ｂが、半導体装置１の実装面である。
【００３１】
半導体チップ２は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、封止樹脂部６内に封止されており、封止樹脂部６から露出されない。
【００３２】
本実施の形態では、半導体チップ２としては、例えばトレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）が形成された半導体チップなどを用いることができる。半導体チップ２は、互いに反対側に位置する２つの主面である表面（半導体素子形成側の主面、第２主面）２ａおよび裏面（表面２ａとは反対側の主面、第１主面）２ｂを有しており、半導体チップ２の表面２ａに形成されたソースパッド電極（表面電極）２ｓおよびゲートパッド電極（表面電極）２ｇと、半導体チップ２の裏面２ｂの全面に形成された裏面ドレイン電極（裏面電極）２ｄとを有している。ソースパッド電極２ｓは、半導体チップ２内に形成されているＭＩＳＦＥＴのソースに電気的に接続され、ゲートパッド電極２ｇは、半導体チップ２内に形成されているＭＩＳＦＥＴのゲート電極に電気的に接続され、裏面ドレイン電極２ｄは、半導体チップ２内に形成されているＭＩＳＦＥＴのドレインに電気的に接続されている。
【００３３】
図５は、半導体チップ２のチップレイアウトの一例を示す平面図（上面図）である。本実施の形態の半導体チップ２は、図５に示されるように、半導体チップ２の表面２ａにソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇが形成されているが、各電極の配置は必要に応じて変更可能である。
【００３４】
ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５は導電体からなり、例えば、銅（Ｃｕ）または銅合金などの金属材料からなる。半導体チップ２は、半導体チップ２の下側に位置するドレイン端子５と、半導体チップ２の上側に位置するソース端子３およびゲート端子４との間に、半導体チップ２の表面２ａ側が上方を向くように配置されている。
【００３５】
そして、導電性の接合材（接着材）７を介して、ソース端子３が半導体チップ２の表面２ａのソースパッド電極２ｓと接合（接着、接続）され、ゲート端子４が半導体チップ２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇと接合（接着、接続）され、ドレイン端子５が半導体チップ２の裏面２ｂの裏面ドレイン電極２ｄと接合（接着、接続）されている。このため、ソース端子３は半導体チップ２のソースパッド電極２ｓに接合材７を介して電気的に接続され、ゲート端子４は半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇに接合材７を介して電気的に接続され、ドレイン端子５は半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄに接合材７を介して電気的に接続されている。導電性の接合材７は、好ましくは半田または銀（Ａｇ）ペーストを硬化したものである。
【００３６】
ドレイン端子５の下面１５ｂは、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出されている。ドレイン端子５の側面（端面、端部）１５ｃは、封止樹脂部６の側面で露出され、ドレイン端子５の他の側面（端面、端部）は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。このドレイン端子５の露出する側面１５ｃは、半導体装置１を製造する際の切断工程（後述のステップＳ１１に対応）により生じた側面（端面）である。また、ドレイン端子５の上面１５ａの一部は、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄに導電性の接合材７を介して接合され、ドレイン端子５の上面１５ａの他の部分は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。
【００３７】
ソース端子３は、第１の部分（チップ接続部、導体部）３ａと、第２の部分（外部端子構成部、導体部）３ｂと、第１の部分３ａおよび第２の部分３ｂ間を連結する段差部（折曲げ部、連結部、導体部）３ｃとを有している。これら第１の部分３ａ、第２の部分３ｂおよび段差部３ｃは同じ導電体材料により一体的に形成されており、高さ位置が異なる第１の部分３ａと第２の部分３ｂとを段差部３ｃが連結している。
【００３８】
ソース端子３の第１の部分３ａの下面１３ａの一部は、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓに導電性の接合材７を介して接合され、ソース端子３の第１の部分３ａの下面１３ａの他の部分は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂは、封止樹脂部６の上面６ａで露出されている。ソース端子３の段差部３ｃは、封止樹脂部６に覆われて封止樹脂部６内に封止されている。ソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃは、封止樹脂部６の裏面６ｂ露出されている。ソース端子３の第２の部分３ｂの側面（端面、端部）１３ｄ（すなわち段差部３ｃに連結されている側とは逆側の端部側面１３ｄ）は、封止樹脂部６の側面で露出され、ソース端子３の第２の部分３ｂの他の側面（端面、端部）は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。このソース端子３の露出する側面１３ｄは、半導体装置１を製造する際の切断工程（後述のステップＳ１１に対応）により生じた側面（端面）である。
【００３９】
ゲート端子４は、第１の部分（チップ接続部、導体部）４ａと、第２の部分（外部端子構成部、導体部）４ｂと、第１の部分４ａおよび第２の部分４ｂ間を連結する段差部（折曲げ部、連結部、導体部）４ｃとを有している。これら第１の部分４ａ、第２の部分４ｂおよび段差部４ｃは同じ導電体材料により一体的に形成されており、高さ位置が異なる第１の部分４ａと第２の部分４ｂとを段差部４ｃが連結している。
【００４０】
ゲート端子４の第１の部分４ａの下面１４ａの一部は、半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇに導電性の接合材７を介して接合され、ゲート端子４の第１の部分４ａの下面１４ａの他の部分は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。ゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂは、封止樹脂部６の上面６ａで露出されている。ゲート端子４の段差部４ｃは、封止樹脂部６に覆われて封止樹脂部６内に封止されている。ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃは、封止樹脂部６の裏面６ｂ露出されている。ゲート端子４の第２の部分４ｂの側面（端面、端部）１４ｄ（すなわち段差部４ｃに連結されている側とは逆側の端部側面１４ｄ）は、封止樹脂部６の側面で露出され、ゲート端子４の第２の部分４ｂの他の側面（端面、端部）は、封止樹脂部６に覆われて封止されている。このゲート端子４の露出する側面１４ｄは、半導体装置１を製造する際の切断工程（後述のステップＳ１１に対応）により生じた側面（端面）である。
【００４１】
また、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とドレイン端子５の上面１５ａとの間には、接合材（接着材）７だけでなく、フィルム部材（接着用フィルム）８ａも介在している。半導体チップ２の裏面２ｂとドレイン端子５の上面１５ａとの間において、接合材７とフィルム部材８ａとは、平面的に（半導体チップ２の表面２ａに平行な平面で見て）重なっていない。半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）のうち、フィルム部材８ａが配置されていない領域に、接合材７が配置されている。
【００４２】
また、半導体チップ２の表面２ａとソース端子３の第１の部分３ａの下面１３ａおよびゲート端子４の第１の部分４ａの下面１４ａとの間には、接合材（接着材）７だけでなく、フィルム部材（接着用フィルム）８ｂも介在している。半導体チップ２の表面２ａとソース端子３およびゲート端子４の下面１３ａ，１４ａとの間において、接合材７とフィルム部材８ｂとは、平面的に（半導体チップ２の表面２ａに平行な平面で見て）重なっていない。フィルム部材８ｂは、好ましくは、半導体チップ２の表面２ａのうち、ソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇに重ならない位置に配置され、接合材７は、半導体チップ２の表面２ａのうち、ソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇ上に配置されている。
【００４３】
フィルム部材８ａとフィルム部材８ｂとは、平面形状が異なる以外は、好ましくは実質的に同種のフィルムにより形成されている。
【００４４】
封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃ、ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃ、およびドレイン端子５の下面１５ｂが、実質的に同一面上に形成されていることがより好ましい。
【００４５】
このように、封止樹脂部６の裏面６ｂに対応する半導体装置１の裏面（底面）１ｂで、ソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃと、ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃと、およびドレイン端子５の下面１５ｂとが露出する。そして、これら露出部（すなわちソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃ、ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃおよびドレイン端子５の下面１５ｂ）が半導体装置１の外部端子（端子、外部接続端子、外部接続用端子）として機能する。半導体装置１の裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）で外部端子としてのソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５が露出しているので、半導体装置１は面実装が可能であり、半導体装置１の裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）が半導体装置１の実装面となる。
【００４６】
また、本実施の形態の半導体装置１では、半導体装置１の上面（裏面１ｂとは逆側の主面）１ａで、すなわち封止樹脂部６の表面６ａで、ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂとゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂとが露出している。
【００４７】
このように、本実施の形態の半導体装置１は、上下両面に露出導体を有する樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置であり、ソース端子３の第１の部分３ａとゲート端子４の第１の部分４ａとが上面１ａ（上面６ａ）側の露出導体となり、ソース端子３の第２の部分３ｂとゲート端子４の第２の部分４ｂとドレイン端子５とが裏面１ｂ（裏面６ｂ）側の露出導体となる。半導体装置１の裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）側だけでなく、半導体装置１の上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）でも、半導体チップ２に接続（接合）した導体部（ソース端子３の第１の部分３ａおよびゲート端子４の第１の部分４ａ）を露出させることで、半導体装置１の放熱特性を向上し、半導体装置１の性能を向上させることができる。
【００４８】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。図６は、本実施の形態の半導体装置１の製造工程を示す工程フロー図である。図７および図８は、本実施の形態で用いられる半導体チップ２の製造工程中の要部断面図である。図９は、リードフレーム２１，２２を示す平面図である。図１０〜図２７は、本実施の形態の半導体装置１の製造工程を示す要部平面図、要部断面図または説明図である。図１０〜図２７のうち、図１０、図１２、図１５、図１７および図１９は平面図（要部平面図）であり、図１１、図１３、図１６、図１８および図２０〜図２７は断面図（要部断面図）である。なお、図１０と図１１とは同じ工程段階に対応し、図１２と図１３とは同じ工程段階に対応し、図１５と図１６とは同じ工程段階に対応し、図１７と図１８とは同じ工程段階に対応し、図１９と図２０と図２１とは、同じ工程段階に対応する。また、図２０と図２１とは同じ工程段階の異なる断面図に対応し、図２２と図２３とは同じ工程段階の異なる断面図に対応する。図１１、図１３、図１６、図１８、図２０、図２２、図２４〜図２７の断面図は、図１０、図１２、図１５、図１７および図１９に示されるＡ２−Ａ２線に沿った断面にほぼ対応し、上記図３にほぼ相当する断面図である。また、図２１および図２３の断面図は、図１９に示されるＢ２−Ｂ２線に沿った断面にほぼ対応し、上記図４にほぼ相当する断面図である。また、図１４は、フィルム部材８ａ，８ｂの準備工程の説明図である。
【００４９】
半導体装置１を製造するには、まず、半導体チップ２およびリードフレーム（導電体部材）２１，２２を準備する（ステップＳ１）。
【００５０】
半導体チップ２の製造工程の一例を図７および図８を用いて説明する。
【００５１】
半導体チップ２を製造するには、まず、図７に示されるように、例えばヒ素（Ａｓ）が導入されたｎ＋型の単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）１０１ａの主面上に、ｎ−型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１０１ｂを成長させて、半導体基板（半導体ウエハ、いわゆるエピタキシャルウエハ）１０１を形成する。それから、半導体基板１０１の主面に絶縁膜（酸化シリコン膜）を形成した後、この絶縁膜をパターン化して、絶縁膜１０２（ＳｉＯ２プレート）を形成する。
【００５２】
次に、半導体基板１０１の主面にｐ型の不純物（例えばホウ素（Ｂ））をイオン注入することなどにより、ｐ型ウエル１０３を形成する。
【００５３】
次に、フォトレジストパターン（図示せず）をエッチングマスクとして用いて半導体基板１０１をドライエッチングすることにより、トレンチゲート形成用の溝すなわちゲート用トレンチ１０４を形成する。ゲート用トレンチ１０４の深さはｐ型ウエル１０３よりも深く、かつエピタキシャル層１０１ｂの底部よりは浅くなる寸法である。
【００５４】
次に、例えば熱酸化法などを用いて、ゲート用トレンチ４の内壁面（側面および底面）上などに比較的薄いゲート絶縁膜（酸化シリコン膜）１０５を形成する。
【００５５】
次に、半導体基板１０１の主面上に、例えば低抵抗の多結晶シリコン膜などからなる導体膜（ゲート電極材料膜）を形成する。それから、ゲート配線形成領域を覆いかつそれ以外の領域を露出するようなフォトレジストパターン（図示せず）を上記導体膜上に形成し、このフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、上記導体膜をエッチバックすることにより、ゲート用トレンチ１０４内に埋め込まれた低抵抗の多結晶シリコンなどからなるゲート部１０６と、ゲート部１０６と一体的に形成されたゲート配線部１０６ａとを形成する。
【００５６】
次に、図８に示されるように、半導体基板１０１の主面に対してｐ型の不純物（例えばホウ素（Ｂ））をイオン注入することなどにより、チャネル領域１０７を形成する。それから、半導体ウエハ１の主面に対してｎ型の不純物（例えばヒ素（Ａｓ））をイオン注入することなどにより、ソース領域１０８を形成する。
【００５７】
次に、半導体基板１０１の主面上に絶縁膜１１２を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターン化する。この際、絶縁膜１１２には半導体基板１０１の主面を露出するコンタクトホール１１３と、ゲート配線部１０６ａの一部を露出するスルーホール１１４とが形成される。
【００５８】
次に、コンタクトホール１１３から露出する半導体基板１０１をエッチングして孔１１５を形成する。それから、コンタクトホール１１３および孔１１５から露出する半導体基板１０１に、例えばｐ型の不純物（例えばホウ素（Ｂ））をイオン注入するによって、ｐ＋型の半導体領域を形成する。
【００５９】
次に、半導体基板１０１の主面上に、例えばチタンタングステン膜（図示せず）を必要に応じて形成した後、その上にアルミニウム膜（またはアルミニウム合金膜）１１６をスパッタリング法などによって形成する。それから、チタンタングステン膜およびアルミニウム膜１１６の積層膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターン化する。これにより、ゲート電極１１６ａおよびソース配線１１６ｂのような表面電極が形成される。
【００６０】
次に、半導体基板１０１の主面上に、例えばポリイミド系の樹脂などからなる表面保護のための絶縁膜（保護膜）１１７を形成する。それから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて絶縁膜１１７をパターン化し、ゲート電極１１６ａおよびソース配線１１６ｂの一部が露出するような開口部（図示せず）を形成してボンディングパッドを形成する。絶縁膜１１７の開口部から露出するゲート電極１１６ａが、半導体チップ２の上記ゲートパッド電極２ｇとなり、絶縁膜１１７の開口部から露出するソース配線１１６ｂが上記ソースパッド電極２ｓとなる。
【００６１】
次に、半導体基板１０１の裏面を研削または研磨して薄くする。その後、半導体基板１０１の裏面に例えばニッケル、チタン、ニッケルおよび金を蒸着法などによって被着することにより、ドレイン電極１１８を形成する。このドレイン電極１１８が、半導体チップ２の上記裏面ドレイン電極２ｄとなる。
【００６２】
このようにして、トレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴのような半導体素子が半導体基板１０１にされる。
【００６３】
その後、半導体基板１０１は、ダイシングソーなどを用いて切断またはダイシングされて、個片化された半導体チップ２に分離される。このようにして、トレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴが形成された半導体チップ２が製造される。なお、縦型ＭＩＳＦＥＴとは、ソース・ドレイン間の電流が、半導体基板の厚さ方向（半導体基板の主面に略垂直な方向）に流れるＭＩＳＦＥＴに対応する。
【００６４】
また、半導体装置１の製造に用いられるリードフレーム２１，２２は、導電体からなる導電体部材であり、例えば銅（Ｃｕ）または銅合金などの金属材料により形成されている。
【００６５】
図９に示されるように、リードフレーム２１は、後でドレイン端子５となるドレイン端子部２５を有しており、複数のドレイン端子部２５がフレーム枠２１ａに一体的に連結された構造を有している。
【００６６】
また、リードフレーム２２は、後でソース端子３となるソース端子部２３と、後でゲート端子４となるゲート端子部２４とを有しており、ソース端子部２３とゲート端子部２４とが対となって、複数の対がフレーム枠２２ａに一体的に連結された構造を有している。
【００６７】
そして、リードフレーム２２の各ソース端子部２３は、後でソース端子３の第１の部分３ａとなるソース端子部２３の第１の部分２３ａと、後でソース端子３の第２の部分３ｂとなるソース端子部２３の第２の部分２３ｂと、後でソース端子３の段差部（折曲げ部）３ｃとなるソース端子部２３の段差部（折曲げ部）２３ｃとを有しており、これらは一体的に形成されている。また、リードフレーム２２の各ゲート端子部２４は、後でゲート端子４の第１の部分４ａとなるゲート端子部２４の第１の部分２４ａと、後でゲート端子４の第２の部分４ｂとなるゲート端子部２４の第２の部分２４ｂと、後でゲート端子４の段差部（折曲げ部）４ｃとなるゲート端子部２４の段差部（折曲げ部）２４ｃとを有しており、これらは一体的に形成されている。リードフレーム２２において、ソース端子部２３およびゲート端子部２４は、それぞれの端部（第２の部分２３ｂ，２４ｂの端部）でフレーム枠２０ｂに連結され、一体的に形成されている。
【００６８】
リードフレーム２１，２２は多連のリードフレームであり、リードフレーム２１，２２を使用して一度に複数の半導体装置１を製造することができる。この際、１つのドレイン端子部２５と一対のソース端子部２３およびゲート端子部２４によって、１つの半導体装置１が製造される。後述の図１０〜図１３および図１５〜図２１において示されたリードフレーム２１，２２は、図９に示される領域２０ａ，２０ｂに対応する。
【００６９】
また、リードフレーム２１，２２には、後述するリードフレーム２１，２２の切断を容易とするために、切断予定位置に沿って開口部（図示せず）を設けることもできる。リードフレーム２１，２２は、金属板（銅板など）を例えば成形（プレス加工）またはエッチングなどにより所定の形状に加工するなどにより、製造することができる。
【００７０】
図１０および図１１には、ステップＳ１の後、後述のステップＳ２を行う前の状態のリードフレーム２１のドレイン端子部２５が示されている。
【００７１】
半導体チップ２およびリードフレーム２１，２２が準備された後、図１２および図１３に示されるように、リードフレーム２１上にフィルム部材（接着用フィルム）８ａを配置（搭載、貼付け）する（ステップＳ２）。すなわち、ステップＳ２では、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面（上面）３５ａ上に、フィルム部材８ａを配置（搭載）する。フィルム部材８ａは、厚みＴ１を有している。なお、リードフレーム２１のドレイン端子部２５は、互いに反対側の第１主面（上面）３５ａおよび第２主面（下面）３５ｂを有しており、第１主面３５ａは、後でドレイン端子５の上面１５ａとなる面であり、第２主面３５ｂは、後でドレイン端子５の下面１５ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂからの露出面）となる面である。フィルム部材８ａは、半導体チップ２搭載予定領域の一部に配置（搭載）される。図１２には、理解を簡単にするために、後で半導体チップ２が配置される領域（半導体チップ２搭載予定領域）を点線で示してある。フィルム部材８ａおよび後で使用するフィルム部材８ｂとしては、例えばダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。
【００７２】
図１４は、フィルム部材８ａおよび後述のフィルム部材８ｂの準備工程の一例を示す説明図である。図１４中の（ａ）には切断前の状態が示され、図１４中の（ａ）の上側は模式的な平面図（上面図）であり、下側はハッチングは無いが模式的な断面図である。図１４中の（ｂ）には切断後の状態が示され、図１４中の（ｂ）の上側は模式的な平面図（上面図）であり、下側はハッチングは無いが模式的な断面図である。
【００７３】
図１４の（ａ）に示されるように、切断前のシート状のフィルム（フィルム部材）８が基材層（ベースフィルム）３７上に配置されたものを準備する。それから、図１４の（ｂ）に示されるように、フィルム８を所望の形状に切断する。この際、基材層３７は切断しない。切断後のフィルム８がフィルム部材８ａ（または後述のフィルム部材８ｂ）となる。そして、基材層３７からフィルム部材８ａを取り上げて（剥がして）、ステップＳ２でリードフレーム２１上に配置する。後述のステップＳ５では、基材層３７からフィルム部材８ｂを取り上げて、半導体チップ２上に配置する。
【００７４】
上記のようにステップＳ２でリードフレーム２１上にフィルム部材８ａを配置した後、上記図１２および図１３に示されるように、リードフレーム２１上に、導電性の接合材７ａを配置する（ステップＳ３）。すなわち、ステップＳ３では、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に、接合材７ａを配置（塗布）する。接合材７ａは、ペースト状の接合材であり、好ましくは半田ペーストまたは銀ペーストである。ステップＳ３では、接合材７ａは、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａのうち、半導体チップ２搭載予定領域でかつフィルム部材８ａが配置されていない領域に配置または塗布される。なお、図１２および図１３は、ステップＳ３の接合材７ａの配置工程までを行った状態が示されている。
【００７５】
次に、図１５および図１６に示されるように、リードフレーム２１上に、半導体チップ２を配置（搭載）する（ステップＳ４）。すなわち、ステップＳ４では、半導体チップ２の表面２ａ側が上方を向き、半導体チップ２の裏面２ｂ側（裏面ドレイン電極２ｄ側）がリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａに対向するように、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に半導体チップ２を配置（搭載）する。これにより、半導体チップ２は接合材７ａおよびフィルム部材８ａを介してリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に配置（搭載）され、接合材７ａおよびフィルム部材８ａの一方または両方の接着性（粘着性）により仮固定される。
【００７６】
次に、図１７および図１８に示されるように、半導体チップ２の表面２ａ上にフィルム部材（接着用フィルム）８ｂを配置（搭載、貼付け）する（ステップＳ５）。フィルム部材８ｂは、厚みｔ２を有している。フィルム部材８ｂは、半導体チップ２の表面２ａにおいて、ゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓに重ならない位置に配置（搭載）する。
【００７７】
次に、半導体チップ２の表面２ａ上に、導電性の接合材７ｂを配置する（ステップＳ６）。接合材７ｂは、ペースト状の接合材であり、好ましくは半田ペーストまたは銀ペーストである。接合材７ｂは、接合材７ａと同種の接合材であるため、接合材７ａが銀ペーストの場合は、接合材７ｂも銀ペーストからなり、接合材７ａが半田ペーストの場合は、接合材７ｂも半田ペーストからなる。ステップＳ６では、接合材７ｂは、半導体チップ２の表面２ａのうち、フィルム部材８ｂが配置されていない領域に配置または塗布されるが、ゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓ上に配置（塗布）する必要がある。なお、図１７および図１８は、ステップＳ６の接合材７ｂの配置工程までを行った状態が示されている。
【００７８】
次に、図１９〜図２１に示されるように、半導体チップ２の表面２ａ上にリードフレーム２２を配置する（ステップＳ７）。すなわち、ステップＳ７では、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａが配置され、かつ半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａが配置されるように、リードフレーム２１および半導体チップ２上にリードフレーム２２を配置する。これにより、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａ（の第１主面３３ａ）とゲート端子部２４の第１の部分２４ａ（の第１主面３４ａ）とが、接合材７ｂおよびフィルム部材８ｂを介して半導体チップ２の表面２ａ上に配置（搭載）され、接合材７ｂおよびフィルム部材８ａの一方または両方の接着性（粘着性）により仮固定される。
【００７９】
なお、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａは、互いに反対側の第１主面（下面）３３ａおよび第２主面（上面）３３ｂを有しており、第１主面３３ａは、後でソース端子３の第１の部分３ａの下面１３ａとなる面であり、第２主面３３ｂは、後でソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂ（封止樹脂部６の上面６ａからの露出面）となる面である。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａは、互いに反対側の第１主面（下面）３４ａおよび第２主面（上面）３４ｂを有しており、第１主面３４ａは、後でゲート端子４の第１の部分４ａの下面１４ａとなる面であり、第２主面３４ｂは、後でゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂ（封止樹脂部６の上面６ａからの露出面）となる面である。また、図２１には、理解を簡単にするために、後で封止樹脂部６で覆われる領域（封止樹脂６形成予定領域）を点線で示してある。
【００８０】
次に、接合材７ａ，７ｂの硬化を行う（ステップＳ８）。
【００８１】
接合材７ａ，７ｂが半田ペーストであった場合には、ステップＳ８では、半田リフローを行って、接合材７ａ，７ｂを溶融、固化（再固化）する。また、接合材７ａ，７ｂが銀ペーストであった場合には、ステップＳ８では、銀ペーストを硬化するための熱処理を行って、接合材７ａ，７ｂを硬化する。
【００８２】
ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程を行うことで、図２２および図２３に示されるように、接合材７（接合材７ａ，７ｂが硬化したもの）を介して、リードフレーム２１，２２のソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ、ゲートパッド電極２ｇおよび裏面ドレイン電極２ｄとが、それぞれ接合されて電気的に接続される。すなわち、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａ（の第１主面３３ａ）と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓとが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａ（の第１主面３４ａ）と半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇとが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２１のドレイン端子部２５（の第１主面３５ａ）とが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。
【００８３】
接合材７は、接合材７ａ，７ｂがステップＳ８の処理で硬化したものである。接合材７ａ，７ｂが半田ペーストであった場合には、半田ペーストからなる接合材７ａ，７ｂが、ステップＳ８の半田リフローにより溶融、固化して、半田からなる接合材７となる。また、接合材７ａ，７ｂが銀ペーストであった場合には、銀ペーストからなる接合材７ａ，７ｂが、ステップＳ８の熱処理により硬化して、接合材７となる。
【００８４】
また、ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程の熱処理により、フィルム部材８ａ，８ｂも硬化する。硬化したフィルム部材８ａは、半導体チップ２の裏面２ｂとドレイン端子部２５との間の接合（接着）に寄与し、また、硬化したフィルム部材８ｂは、半導体チップ２の表面２ａとソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａとの間の接合（接着）に寄与する。このため、フィルム部材８ａ，８ｂは接着用フィルム（フィルム型接着材、フィルム型接合材）とみなすこともできる。
【００８５】
また、接合材７ａ，７ｂが半田ペーストであった場合には、ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程で半田リフロー処理を行った後、必要に応じて洗浄を行い、フラックスなどを除去することもできる。
【００８６】
このようにして、接合材７を介して、半導体チップ２の表面２ａのソースパッド電極２ｓにリードフレーム２２のソース端子部２３を、半導体チップ２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇにリードフレーム２２のゲート端子部２４を、半導体チップ２の裏面２ｂの裏面ドレイン電極２ｄにリードフレーム２１のドレイン端子部２５を接合する。これにより、リードフレーム２１，２２およびそれらの間に接合された半導体チップ２からなる組立体（ワーク）４０が得られる。
【００８７】
次に、モールド工程（樹脂封止工程、例えばトランスファモールド工程）を行って、封止樹脂部６を形成し、半導体チップ２を封止樹脂部６によって封止する（ステップＳ９）。
【００８８】
図２４には、ステップＳ９のモールド工程において、組立体４０を金型４１，４２（上金型４１および下金型４２）に固定した状態が示されている。
【００８９】
ステップＳ９のモールド工程を行うには、まず、組立体４０を金型４１，４２に固定する。すなわち、図２４に示されるように、リードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４とリードフレーム２１のドレイン端子部２５とそれらの間の半導体チップ２とが、金型４１の下面４１ａと金型４２の上面４２ａとにより形成されるキャビティ４３内に配置されるように、リードフレーム２１，２２の外周部を金型４１，４２で挟んでクランプ（固定）する。
【００９０】
リードフレーム２１，２２を金型４１，４２でクランプした際には、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃと、リードフレーム２２のソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃとが、金型（下金型）４２の上面４２ａと接触（密着）するようにする。また、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂとリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとが金型（上金型）４１の下面４１ａと接触（密着）するようにする。
【００９１】
ここで、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂは、半導体チップ２の裏面２ｂに対向する側とは反対側の面、すなわち裏面ドレイン電極２ｄに接合した面とは反対側の面であり、半導体装置１の製造後にドレイン端子５の下面１５ｂとなる。また、リードフレーム２２のソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃは、半導体装置１の製造後にソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃとなる。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃは、半導体装置１の製造後にゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃとなる。また、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂは、半導体装置１の製造後にソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂとなる。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂは、半導体装置１の製造後にゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂとなる。
【００９２】
モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１（図２２および図２３に図示）は、金型４１，４２のキャビティ４３の高さ寸法ｈ０（図２４に図示）とほぼ同じであることが好ましい（ｈ１＝ｈ０）。ここで、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１は、ドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂから、ソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂまでの高さ（距離）に対応する。また、金型４１，４２のキャビティ４３の高さ寸法ｈ０は、金型４１，４２をクランプしたときのキャビティ４３における、金型４１の下面４１ａから金型４２の上面４２ａまでの距離に相当する。
【００９３】
図２４に示されるように金型４１，４２でリードフレーム２１，２２を固定してクランプした後、図２５に示されるように、金型４１，４２のキャビティ４３内に封止樹脂部６形成用の材料である封止樹脂材料４６を注入（導入、充填）し、注入した封止樹脂材料４６を硬化して封止樹脂部６を形成する。封止樹脂部６を形成するための封止樹脂材料４６は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともでき、例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いることができる。封止樹脂材料４６が熱硬化性樹脂材料からなる場合は、金型４１，４２のキャビティ４３内への封止樹脂材料４６の注入後、金型４１，４２の温度を所定の温度に加熱することで、封止樹脂材料４６を加熱し、硬化することができる。接合材７が半田の場合は、この封止樹脂材料４６の硬化時の温度は、接合材７を構成する半田の融点未満であることが好ましく、これにより、封止樹脂材料４６の硬化中に半田が溶融するのを防止できる。このようにして、封止樹脂部６が形成される。
【００９４】
また、他の形態として、図２４および図２５を上下逆さまにして、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄ側が上方を向くようにリードフレーム２１，２２および半導体チップ２を金型４１，４２にセットすることもできる。この場合、金型４１が下金型となり、金型４２が上金型となる。
【００９５】
封止樹脂材料４６が硬化して封止樹脂部６が形成されてから、封止樹脂部６が形成された組立体４０（すなわち組立体４０ａ）を金型４１，４２から離型する。このようにしてステップＳ９のモールド工程が行われる。その後、必要に応じて、封止樹脂部６のバリなどを除去する。これにより、図２６および図２７に示されるような組立体（ワーク）４０ａが得られる。組立体４０ａは、組立体４０に封止樹脂部６を形成したものである。形成された封止樹脂部６は、互いに反対側に位置する２つの主面である上面６ａおよび裏面６ｂを有している。組立体４０ａにおいて、封止樹脂部６は、半導体チップ２、ソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５を封止している。
【００９６】
ステップＳ９のモールド工程では、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃと、リードフレーム２２のソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃとは、金型４２の上面４２ａとの間に隙間がほとんどなかったため、その上に封止樹脂部６がほとんど形成されない。また、ステップＳ９のモールド工程では、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂとリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとは、金型４１の下面４１ａとの間に隙間がほとんどなかったため、その上に封止樹脂部６がほとんど形成されない。
【００９７】
このため、組立体４０ａにおいて、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃと、リードフレーム２２のソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃとは、封止樹脂部６の裏面６ｂから露出された状態となっている。また、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂとリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとは、封止樹脂部６の上面６ａから露出された状態となっている。また、これら封止樹脂部６の上面６ａおよび裏面６ｂから露出すべき各端子部の面（３３ｂ，３３ｃ，３４ｂ，３４ｃ，３５ｂ）上に封止樹脂部６のバリが形成されたとしても、モールド工程後のバリ取り工程で除去することができる。
【００９８】
このように、封止樹脂部６は、上面６ａおよび裏面６ｂの両面で導体部（ソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５）が露出した状態となっている。
【００９９】
次に、必要に応じてめっき処理を行って、リードフレーム２１，２２の封止樹脂部６から露出する部分（導電体からなる部分）上にめっき層（図示せず）を形成する（ステップＳ１０）。例えば鉛フリー半田のような半田めっき処理などを行うことができる。
【０１００】
次に、リードフレーム２１，２２を所定の位置で切断する（ステップＳ１１）。例えば、図２６および図２７において、点線で示される切断線４７に沿ってリードフレーム２１，２２を切断し、封止樹脂部６から突出するリードフレーム２１，２２を除去する。これにより、上記図１〜図４に示されるように、個片に分割された半導体装置１が得られる（製造される）。このようにして、半導体装置１が製造される。
【０１０１】
リードフレーム２２から切断されて分離されたソース端子部２３が半導体装置１のソース端子３となり、リードフレーム２２から切断されて分離されたゲート端子部２４が半導体装置１のゲート端子４となり、リードフレーム２１から切断されて分離されたドレイン端子部２５が半導体装置１のドレイン端子５となる。また、ソース端子部２３の第１の部分２３ａがソース端子３の第１の部分３ａとなり、ソース端子部２３の第２の部分２３ｂがソース端子３の第２の部分３ｂとなり、ソース端子部２３の段差部２３ｃがソース端子３の段差部３ｃとなる。また、ゲート端子部２４の第１の部分２４ａがゲート端子４の第１の部分４ａとなり、ゲート端子部２４の第２の部分２４ｂがゲート端子４の第２の部分４ｂとなり、ゲート端子部２４の段差部２４ｃがゲート端子４の段差部４ｃとなる。また、ソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂが、封止樹脂６の上面６ａから露出するソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂとなり、ゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂが、封止樹脂６の上面６ａから露出するゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂとなる。また、ドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂが、封止樹脂６の裏面６ｂから露出するドレイン端子３の下面１５ｂとなる。また、ソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃが、封止樹脂部６の裏面６ｂから露出するソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃとなり、ゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃが、封止樹脂部６の裏面６ｂから露出するゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃとなる。
【０１０２】
図２８は、複数の半導体装置１を実装基板５１上に実装した状態を示す側面図（断面図）である。
【０１０３】
図２８に示されるように、実装基板（配線基板）５１上に複数の半導体装置１を実装する。この際、半導体装置１の裏面（底面）１ｂ側が実装基板５１への実装面となり、半導体装置１の裏面１ｂで露出する外部接続端子、すなわちソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５（の各下面１３ｃ，１４ｃ，１５ｂ）が、実装基板５１の端子５２と半田などの導電性の接合材５３を介して接合され、電気的に接続される。なお、図２８の断面図では、半導体装置１の裏面１ｂで露出するソース端子３（の第２の部分３ｂの下面１３ｃ）とドレイン端子５（の下面１５ｂ）とが実装基板５１の端子５２に接合材５３を介して接合された状態が示されているが、他の断面において、半導体装置１の裏面１ｂで露出するゲート端子４（の第２の部分４ｂの下面１４ｃ）が実装基板５１の端子５２に接合材５３を介して接合されている。
【０１０４】
複数の半導体装置１の上面（表面）１ａ上に、熱伝導シート（放熱シート）５４を介して放熱フィン（放熱部品、ヒートシンク）５５が配置（搭載）されている。放熱フィン５５は、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金などの金属材料からなる放熱用の部材である。熱伝導シート５４は、弾性を有する絶縁性シートであり、熱伝導性が比較的高い。例えば、熱伝導シート５４は、シリコン系、アクリル系またはエチレンプロピレン系の材料などからなり、ゴム状またはゲル状のシートなどにより構成されている。ガラスクロスをベース材として上記材料を混ぜ合わせたものにより熱伝導シート５４を形成することもできる。熱伝導シート５４は、発熱体である半導体装置１と放熱部品である放熱フィン５５との間に挟み込んで、放熱効果を高めるように機能することができる。放熱フィン５５は、例えばネジ留めまたは固定金具留め（図示せず）などにより、実装基板５１に固定されている。また、熱伝導シート５４の代わりに放熱樹脂接着剤などを用いて放熱フィン５５を複数の半導体装置１の上面１ａに接合して固定することもできる。
【０１０５】
半導体装置１を作動させ、半導体装置１内の半導体チップ２を動作させると、半導体装置１内の半導体チップ２が発熱する。半導体チップ２には、ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５が接続されており、これらソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５は封止樹脂部６よりも熱伝導率が高い導電体（銅合金などの金属）により形成されている。このため、半導体装置１内の半導体チップ２で生じた熱は、ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５を介して、半導体装置１の外部に放熱される。この際、半導体チップ２の発熱は、ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５を介して実装基板５１側に放熱されるとともに、ソース端子３、ゲート端子４および熱伝導シート５４を介して放熱フィン５５に放熱される。放熱フィン５５には複数のフィンが形成されており、半導体装置１から放熱フィン５５に伝導された熱は、更に外気中に放熱される。
【０１０６】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体装置１の裏面１ｂで、ソース端子３（の第２の部分３ｂ）、ゲート端子４（の第２の部分４ｂ）およびドレイン端子５が外部接続端子として露出するとともに、ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂとゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂとが半導体装置１の上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）で露出している。このため、半導体装置１内の半導体チップ２の発熱を、半導体装置１の裏面１ｂ側（ソース端子３の第２の部分３ｂ、ゲート端子４の第２の部分４ｂおよびドレイン端子５）と上面１ａ側（ソース端子３の第１の部分３ａおよびゲート端子４の第１の部分４ａ）の両面（両側）から放熱することができる。これにより、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置の放熱特性（放熱性）を向上でき、性能を向上させることができる。
【０１０７】
しかしながら、半導体装置１のような上下両面で端子が露出した樹脂封止型半導体パッケージを製造する場合、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制することが重要である。その理由は、例えば次のようなものである。
【０１０８】
すなわち、組立体４０の高さ寸法ｈ１がばらついていると、上記図２４のように組立体４０を金型４１，４２に固定した際に、半導体チップ２に上下両側から圧力が加わり、半導体チップ２にクラックなどが発生する可能性があり、半導体装置の製造歩留まりの低下を招いてしまう。これは、組立体４０を金型４１，４２でクランプしたときに、組立体４０の高さ寸法ｈ１が金型４１，４２のキャビティ４３の高さ寸法ｈ０よりも大き過ぎると、金型４１，４２から、半導体チップ２の上側のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａと半導体チップ２の下側のドレイン端子部２５とを介して、半導体チップ２に上下両側から圧力が加わるためである。逆に、金型４１，４２のキャビティ４３の高さ寸法ｈ０よりも組立体４０の高さ寸法ｈ１が小さすぎると、ソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５のうちの封止樹脂６から露出すべき面が、封止樹脂部６で覆われて露出しなくなる。
【０１０９】
モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつきが生じるのは、半導体チップ２とリードフレーム２１，２２間の接合状態のばらつきや接合材の量のばらつきなどに起因する。接合材の量が多いと、半導体チップ２とリードフレーム２１，２２との間の接合材の層の厚みが厚くなるので、組立体４０の高さ寸法ｈ１が大きくなる。一方、接合材の量が少ないと、半導体チップ２とリードフレーム２１，２２との間の接合材の層の厚みが薄くなるので、組立体４０の高さ寸法ｈ１は小さくなる。しかしながら、製造工程中に供給する接合材の量を厳密に制御することは容易ではないため、接合材の供給量を制御することで半導体チップ２とリードフレーム２１，２２間の接合材の量のばらつきを低減するには限界がある。また、たとえ接合材の供給量を精密に制御できたとしても、半導体チップ２とリードフレーム２１，２２間の接合状態のばらつきは生じるので、この接合状態のばらつきによってモールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１が変動してしまう。
【０１１０】
また、最終的に製造された半導体装置（樹脂封止型の半導体パッケージ）の高さは、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１で規定されることになるので、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１がばらついていると、製造された半導体装置の高さがばらつくことにつながってしまう。上記図２８のように複数の半導体装置１を実装基板５１に実装してそれら複数の半導体装置１に熱伝導シート５４を介して放熱フィン５５を搭載した場合に、半導体装置１の高さがばらついていると、熱伝導シート５４を介した放熱フィン５５と半導体装置１との間の接続状態がばらついてしまい、半導体装置１ごとに放熱状態が変動してしまう可能性がある。
【０１１１】
それに対して、本実施の形態は、半導体チップ２とリードフレーム２１，２２との間に、接合材７（７ａ，７ｂ）だけでなくフィルム部材８ａ，８ｂも介在させ、それによって、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制している。
【０１１２】
すなわち、本実施の形態では、ステップＳ２〜Ｓ４で、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に、フィルム部材８ａおよび接合材７ａを介して半導体チップ２を配置（搭載）している。また、ステップＳ５〜Ｓ７で、半導体チップ２の表面２ａ上に、フィルム部材８ａおよび接合材７ｂを介して、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａを配置（搭載）している。
【０１１３】
このため、ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程直前の段階で、半導体チップ２の裏面２ｂとリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａとの間に、接合材７ａだけでなくフィルム部材８ａも介在している。また、半導体チップ２の表面２ａとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第１主面３３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第１主面３４ａとの間に、接合材７ｂだけでなくフィルム部材８ｂも介在している。
【０１１４】
本実施の形態とは異なり、フィルム部材８ａ，８ｂが無い場合には、上述のように、接続材７ａ，７ｂの供給量のばらつきなどに起因して、ステップＳ８で接合材７ａ，７ｂを硬化した後の組立体４０の高さ寸法ｈ１が、ばらついてしまう。
【０１１５】
それに対して、本実施の形態では、半導体チップ２とリードフレーム２１のドレイン端子部２５との間にフィルム部材８ａが介在するため、このフィルム部材８ａが、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面（上面）３５ａと半導体チップ２の裏面２ｂとの間の距離（間隔）Ｄ１を規定する。この距離Ｄ１はフィルム部材８ａの厚みＴ１にほぼ一致し（すなわちＤ１＝Ｔ１）、接合材７ａの供給量にはほとんど影響されない。また、半導体チップ２とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４との間にフィルム部材８ｂが介在するため、このフィルム部材８ｂが、半導体チップ２の表面２ａとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第１主面（下面）３３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第１主面（下面）３４ａとの間の距離（間隔）Ｄ２を規定する。この距離Ｄ２はフィルム部材８ｂの厚みＴ２にほぼ一致し（すなわちＤ２＝Ｔ２）、接合材７ａの供給量にはほとんど影響されない。
【０１１６】
フィルム部材８ａ，８ｂは、フィルム状の部材であるため、その厚みＴ１，Ｔ２を制御するのは容易である。例えば、上記１４のように、所望の厚みのフィルム８を所定の形状（フィルム部材８ａ，８ｂの形状）に切断することで、所望の厚みＴ１，Ｔ２を有するフィルム部材８ａ，８ｂを得ることができる。このため、フィルム部材８ａ，８ｂの厚みＴ１，Ｔ２がばらつくのを防止できる。
【０１１７】
フィルム部材８ａは、半導体チップ２とリードフレーム２１のドレイン端子部２５との間に介在して、ステップＳ８で接合材７ａ，７ｂを硬化するまで、半導体チップ２の裏面２ｂとリードフレーム２１のドレイン端子部２５との間の上記距離Ｄ１をほぼ一定に保つように機能する。また、フィルム部材８ｂは、半導体チップ２とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４との間に介在して、ステップＳ８で接合材７ａ，７ｂを硬化するまで、半導体チップ２の表面２ａとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａとの間の上記距離Ｄ２をほぼ一定に保つように機能する。
【０１１８】
接合材７ａが硬化して形成された接合材７は、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２１のドレイン端子部２５とに接して両者を接合するように形成されるが、その膜厚は、接合材７ａの供給量ではなく、フィルム部材８ａの膜厚で規定される。同様に、接合材７ｂが硬化して形成された接合材７は、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａとに接して両者を接合するように形成されるが、その膜厚は、接合材７ｂの供給量ではなく、フィルム部材８ｂの膜厚で規定される。接合材７ａ，７ｂの供給量の変動は、接合材７の平面寸法（面積）の変動で吸収できる。このため、フィルム部材８ａ，８ｂの膜厚を調整することで、接合材７の膜厚を所定の値に制御することができる。このため、所定の膜厚のフィルム部材８ａ，８ｂを用いることで、接合材７の膜厚のばらつき（変動）を抑制でき、それによって、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制することができる。
【０１１９】
従って、フィルム部材８ａ，８ｂは、接合材７ａ，７ｂに比べて、荷重（厚さ方向の荷重）に対して変形しにくいものであることが必要である。すなわち、フィルム部材８ａ，８ｂは、接合材７ａ，７ｂに比べて、荷重（厚さ方向の荷重）に対する変形率（厚さ方向の変形率）が小さいものであることが必要である。これは、ある平面上に接合材７ａ，７ｂとフィルム部材８ａ，８ｂとを配置して、それらに同じ荷重をかけたときに、接合材７ａ，７ｂよりも、フィルム部材８ａ，８ｂの方が変形しない（前記平面に垂直な厚さ方向に変形しない）ことを意味する。フィルム部材８ａ，８ｂは、フィルム状の部材であるため、ペースト状の接合材７ａ，７ｂに比べて、荷重に対して変形しにくい（変形率が小さい）。このため、半導体チップ２と端子との間に、接合材７ａ，７ｂだけでなくフィルム部材８ａ，８ｂも介在させることで、上記距離Ｄ１，Ｄ２をほぼ一定に保つことができる。
【０１２０】
また、フィルム部材８ａ，８ｂは、弾力性を有していれば更に好ましい。これにより、半導体装置内の熱応力を吸収し、半導体チップ２のクラックや接合材７の疲労破壊を、より的確に防止できるという効果が得られる。従って、フィルム部材８ａ，８ｂは、好ましくは、接合材７ａ，７ｂに比べて弾力性が高いものを用いる。
【０１２１】
また、ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程の熱処理またはリフロー処理において、フィルム部材８ａ，８ｂは、厚さ方向に変形せず、その厚みＴ１，Ｔ２をできるだけ維持し、上記距離Ｄ１，Ｄ２を所定の値にできるだけ保てるものが好ましい。
【０１２２】
このため、フィルム部材８ａ，８ｂとして好ましいのは、例えば、樹脂材料（ポリイミドまたはエポキシ樹脂など）からなるベースフィルム（基材層）中にスペーサ粒子を混ぜたものが挙げられる。すなわち、スペーサ粒子を混ぜた樹脂フィルム（ベースフィルム）により、フィルム部材８ａ，８ｂを形成するのである。スペーサ粒子としては、ステップＳ８の硬化工程での加熱によりほとんど変形しないものが好ましく、形状は球形が好ましい。スペーサ粒子としてより好ましいのは、金属粒子であるが、それ以外にも、予め硬化させた熱硬化性樹脂の粒子などをスペーサ粒子に用いることもできる。
【０１２３】
フィルム部材８ａ，８ｂにスペーサ粒子を混ぜた樹脂フィルムを用いる場合には、フィルム部材８ａ中のスペーサ粒子の直径は、フィルム部材８ａの厚みＴ１と同程度であることが好ましく、同様に、フィルム部材８ｂ中のスペーサ粒子の直径は、フィルム部材８ｂの厚みＴ２と同程度であることが好ましい。フィルム部材８ａ，８ｂとしてスペーサ粒子を混ぜた樹脂フィルムを用いれば、ステップＳ８の硬化工程での加熱により樹脂フィルムが収縮しても、スペーサ粒子はほとんど変形しないので、上記距離Ｄ１，Ｄ２を所定の値に的確に保つことができる。
【０１２４】
また、スペーサ粒子を含まない樹脂フィルムであっても、ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程（の熱処理またはリフロー処理）で厚さ方向に変形（収縮）しにくいものであれば、フィルム部材８ａ，８ｂとして使用可能である。
【０１２５】
また、フィルム部材８ａ，８ｂとしては、導電性のフィルム部材と絶縁性のフィルム部材のいずれも使用することができる。フィルム部材８ａに導電性のフィルム部材を使用すれば、接合材７だけでなくフィルム部材８ａも半導体チップ２の電極と端子との間の電気的接続に寄与することができるので、接続抵抗をより低減することができる。
【０１２６】
また、本実施の形態とは異なり、接合材７（７ａ，７ｂ）を用いずに、導電性のフィルム部材のみにより半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５とを接合することも考えられる。しかしながら、この場合、銀ペーストや半田などからなる導電性が高い接合材７を使用している場合に比べて、半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５との間の抵抗が大きくなってしまい、半導体装置の性能を低下させる。特に、半導体チップ２として、トレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴが形成された半導体チップを用いた場合には、流れる電流が大きいので、半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５との間の抵抗をできるだけ小さくすることが要求される。
【０１２７】
それに対して、本実施の形態では、接合材７（７ａ，７ｂ）を用いて半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５とを接合している。接合材７（７ａ，７ｂ）には、フィルム部材８ａ，８ｂよりも導電性が高い（電気抵抗率が低い）ものを用いることができるので、半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５との間の抵抗を小さくすることができ、それによって、半導体装置１の性能を向上させることができる。
【０１２８】
従って、本実施の形態では、接合材７は、フィルム部材８ａ，８ｂよりも導電性が高い（すなわち電気抵抗率が低い）、換言すれば単位面積（半導体チップ２の表面２ａまたは裏面２ｂに平行な平面での単位面積）あたりの抵抗が低いことが好ましい。これにより、半導体チップ２の電極とソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５との間の抵抗を小さくすることができ、半導体装置１の性能を向上させることができる。
【０１２９】
また、半導体チップ２とドレイン端子５（ドレイン端子部２５）との間に介在させるフィルム部材８ａは、上記図１２からも分かるように、平面的（半導体チップ２の裏面２ｂに平行な平面）に見て、半導体チップ２の裏面２ｂの中央部ではなく、半導体チップ２の裏面２ｂの周辺部に配置することが好ましい。これにより、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとドレイン端子５（ドレイン端子部２５）との間の接合を、主として導電性および接着性が高い接合材７に担わせることができる。
【０１３０】
また、半導体チップ２とドレイン端子５（ドレイン端子部２５）との間には、接合材７ａと少なくとも１つのフィルム部材８ａとを介在させるが、上記図１２からも分かるように、半導体チップ２の裏面２ｂ（好ましくは裏面２ｂの周辺部）に複数のフィルム部材８ａを配置すれば、より好ましい。上記図１２では、２つのフィルム部材８ａを配置している。この際、上記図１２のように、半導体チップ２の裏面２ｂの対角線方向の位置または対向する２辺に沿った位置に、複数のフィルム部材８ａが配置されていれば、より好ましく、これにより、ドレイン端子５（ドレイン端子部２５）の上面１５ａ（第１主面３５ａ）と半導体チップ２の裏面２ｂとの平行度を高めることができる。
【０１３１】
上記図１２の２つのフィルム部材８ａを連結させて１つのリング状の平面形状のフィルム部材とすることも考えられるが、その場合、接合材７ａの供給量が過剰であると、接合材７ａの逃げ道が無くなってしまうので、接合材７ａの供給量を比較的正確に調整する必要がある。
【０１３２】
それに対して、上記図１２に示されるように、半導体チップ２の裏面２ｂの周辺部にフィルム部材８ａを複数に分けて配置すれば、たとえ接合材７ａの供給量が過剰であっても、ステップＳ４で半導体チップ２を搭載した際に接合材７ａが外周側に逃げることができ、上記距離Ｄ１をフィルム部材８ａの厚みＴ１と同じにすることができる。このため、接合材７ａの供給量のマージンを確保することができる。
【０１３３】
また、半導体チップ２とソース端子３（ソース端子部２３）およびゲート端子４（ゲート端子部２４）との間に介在させるフィルム部材８ｂは、上記図１７からも分かるように、半導体チップ２の表面２ａにおいて、ゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓに重ならない位置に配置（搭載）することが好ましい。これにより、ステップＳ６で、ゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓ上に接合材７ｂを的確に配置できるようになる。
【０１３４】
また、半導体チップ２とソース端子３（ソース端子部２３）およびゲート端子４（ゲート端子部２４）との間には、接合材７ｂと少なくとも１つのフィルム部材８ｂとを介在させるが、上記図１７からも分かるように、半導体チップ２の表面２ａ（好ましくは表面２ａの周辺部）に複数のフィルム部材８ｂを配置すれば、より好ましい。上記図１７では、２つのフィルム部材８ｂを配置している。この際、上記図１７のように、半導体チップ２の表面２ａの対角線方向の位置または対向する２辺に沿った位置に、複数のフィルム部材８ｂが配置されていれば、より好ましく、これにより、半導体チップ２の表面２ａと、ソース端子３（ソース端子部２３）の下面１３ａ（第１主面３３ａ）およびゲート端子４（ゲート端子部２４）の下面１４ａ（第１主面３４ａ）との平行度を高めることができる。
【０１３５】
このように、本実施の形態では、半導体チップ２と端子との間に接合材７（７ａ，７ｂ）だけでなくフィルム部材８ａ，８ｂも介在させることで、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制することができる。これにより、モールド工程で半導体チップにクラックなどが発生するのを防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、製造された半導体装置１の高さを均一にすることができる。また、製造された半導体装置１の高さを均一にできるので、複数の半導体装置１に放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載した際に、各半導体装置１と放熱用部材との接続状態が均一になり、各半導体装置１の放熱状態を均一にすることができる。従って、半導体装置の放熱特性を均一にでき、性能を向上させることができる。
【０１３６】
また、本実施の形態では、半導体チップ２を複数の端子（ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５）で上下に挟んで、上下両面で端子が露出した樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置１を製造している。このため、表面２ａと裏面２ｂの一方にだけ電極を有する半導体チップ（すなわち表面２ａに電極を有しかつ裏面２ａに電極を有さない半導体チップ）を半導体チップ２として用いることもできるが、上記のように表面２ａと裏面２ｂの両面に電極を有する半導体チップ（すなわち表面電極と裏面電極とを有する半導体チップ）を半導体チップ２として用いる場合に本実施の形態を適用すれば、効果が大きい。このことは、以下の実施の形態２〜７でも同様である。
【０１３７】
また、本実施の形態で用いる半導体チップ２は、種々の半導体素子を形成した半導体チップを用いることができ、上記のようなトレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）が形成された半導体チップに限定されず、それ以外の種々の半導体チップを用いることもできる。但し、本実施の形態の半導体装置１は上下両面で端子を露出させることにより放熱性を向上しているので、半導体チップ２として発熱量が大きい半導体チップ、例えばパワーＭＩＳＦＥＴ等のようなパワートランジスタが形成された半導体チップ（電力増幅用の半導体増幅素子が形成された半導体チップ）を用いる場合に本実施の形態を適用すれば、効果が大きい。上記のようなトレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴが形成された半導体チップは、動作時の発熱量が比較的大きいので、トレンチ型ゲート構造を有する縦型のパワーＭＩＳＦＥＴが形成された半導体チップを半導体チップ２として用いる場合に本実施の形態を適用すれば、より効果が大きい。このことは、以下の実施の形態２〜７でも同様である。
【０１３８】
（実施の形態２）
上記実施の形態１では、半導体チップ２と端子との間に接合材７ａ，７ｂ（７）だけでなくフィルム部材８ａ，８ｂも介在させることで、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつきを抑制していた。本実施の形態では、フィルム部材８ａ，８ｂを用いずに、接合材７ａ，７ｂの種類および接合材７ａ，７ｂの硬化工程を工夫することによって、モールド工程直前の組立体の高さ寸法ｈ１のばらつきを抑制する。
【０１３９】
図２９は、本実施の形態の半導体装置１ｃの製造工程を示す工程フロー図である。図３０、図３１、図３４〜図３７は、本実施の形態の半導体装置１ｃの製造工程を示す要部断面図である。そのうち、図３０と図３１とは同じ工程段階の異なる断面図に対応し、図３４と図３５とは同じ工程段階の異なる断面図に対応し、図３６と図３７とは同じ工程段階の異なる断面図に対応する。なお、図３０は、上記実施の形態１の図２０と同じ工程段階の同じ位置の断面に対応し、図３１は、上記実施の形態１の図２１と同じ工程段階の同じ位置の断面にほぼ対応し、図３４は、上記実施の形態１の図２２と同じ工程段階の同じ位置の断面にほぼ対応し、図３５は、上記実施の形態１の図２３と同じ工程段階の同じ位置の断面にほぼ対応する。また、図３６は、上記実施の形態１の図３に相当する断面図であり、図３７は、上記実施の形態１の図４に相当する断面図である。また、図３２および図３３は銀ペースト７ｃの硬化工程の説明図であり、そのうち図３２は平面図、図３３は断面図に対応するが、図３３は図３０に対応する断面が示されている。
【０１４０】
本実施の形態では、上記ステップＳ２，Ｓ５（フィルム部材８ａ，８ｂ配置工程）を行わず、かつステップＳ３，Ｓ６（接合材７ａ，７ｂ配置工程）で接合材７ａ，７ｂとして銀ペースト７ｃを用いる（すなわちステップＳ３，Ｓ６の代わりにステップＳ３ａ，Ｓ６ａを行う）こと以外は、上記実施の形態１と同様にしてステップＳ７（リードフレーム２２配置工程）までを行う。これにより、上記実施の形態１の図２０および図２１に相当する図３０および図３１の構造が得られる。
【０１４１】
すなわち、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ１で半導体チップ２およびリードフレーム２１，２２を準備する。半導体チップ２およびリードフレーム２１，２２の構造と製法は上記実施の形態１と同様である。それから、上記実施の形態１とは異なり、上記ステップＳ２（フィルム部材８ａ配置工程）を行うことなく、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に、上記接合材７ａに対応するものとして銀（Ａｇ）ペースト７ｃ（第１銀ペースト）を配置（塗布）する（ステップＳ３ａ）。このステップＳ３ａ（銀ペースト７ｃ配置工程）は、上記接合材７ａとして銀ペースト７ｃを用いたこと以外は、上記ステップＳ３（接合材７ａ配置工程）とほぼ同様である。従って、銀ペースト７ｃは、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａのうち、半導体チップ２搭載予定領域に配置または塗布される。銀ペースト７ｃは、スペーサ粒子（後述のスペーサ粒子６６）を含んでいるが、詳細は後述する。
【０１４２】
次に、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ４で、リードフレーム２１のドレイン端子部２５上に半導体チップ２を配置（搭載）する。リードフレーム２１のドレイン端子部２５上への半導体チップ２の搭載の仕方は上記実施の形態１と同様である。これにより、半導体チップ２は銀ペースト７ｃを介してリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に配置（搭載）され、銀ペースト７ｃ接着性（粘着性）により仮固定される。本実施の形態では、上記ステップＳ２（フィルム部材８ａ配置工程）を省略したため、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面（上面）３５ａとの間には、銀ペースト７ｃのみが介在している。
【０１４３】
次に、上記実施の形態１とは異なり、上記ステップＳ５（フィルム部材８ｂ配置工程）を行うことなく、半導体チップ２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓ上に、上記接合材７ｂに対応するものとして銀（Ａｇ）ペースト７ｃ（第２銀ペースト）を配置（塗布）する（ステップ６ａ）。このステップＳ６ａ（銀ペースト７ｃ配置工程）は、上記接合材７ｂとして銀ペースト７ｃを用いたこと以外は、上記ステップＳ６（接合材７ａ配置工程）とほぼ同様である。
【０１４４】
次に、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ７で、半導体チップ２の表面２ａ上にリードフレーム２２を配置する。半導体チップ２の表面２ａ上へのリードフレーム２２の配置の仕方は上記実施の形態１と同様である。これにより、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａが銀ペースト７ｃを介して配置され、かつ半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１の部分２４ａが銀ペースト７ｃを介して配置され、銀ペースト７ｃの接着性（粘着性）により仮固定される。
【０１４５】
このようにして図３０および図３１の構造（仮組立体４０ｂ）が得られる。仮組立体４０ｂは、リードフレーム２１，２２およびそれらの間に銀ペースト７ｃを介して挟まれた半導体チップ２からなるが、銀ペースト７ｃは、この段階ではまだ硬化されていない。
【０１４６】
本実施の形態では、上記ステップＳ２，Ｓ５（フィルム部材８ａ，８ｂ配置工程）を省略したため、仮組立体４０ｂにおいて、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１主面（上面）３５ａとの間には、銀ペースト７ｃのみが介在している。そして、仮組立体４０ｂにおいて、半導体チップ２の表面２ａと、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第１主面３３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第１主面３４ａとの間には、銀ペースト７ｃのみが介在している。
【０１４７】
次に、銀ペースト７ｃの硬化を行う（ステップＳ８ａ）。このステップＳ８ａ（銀ペースト７ｃ硬化工程）は、上記ステップＳ８（接合材７ａ，７ｂ硬化工程）に対応するものである。ステップＳ８ａでは、熱処理（加熱）により銀ペースト７ｃを硬化する。
【０１４８】
本実施の形態では、ステップＳ８ａの銀ペースト７ｃの硬化工程において、半導体チップ２を間に介在したリードフレーム２１のドレイン端子部２５とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４とに圧力（荷重）をかけながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行うことが特徴である。図３０および図３１には、圧力（荷重）が矢印６７で模式的に示されており、矢印６７の向きが圧力（荷重）の印加方向である。
【０１４９】
図３２および図３３は銀ペースト７ｃの硬化工程の一例を示す説明図である。図３２には、仮組立体４０ｂを押え用治具６０のベース部６１上に配置した状態（蓋部６２ははずした状態）が平面図で示されている。図３３には、仮組立体４０ｂを押え用治具６０のベース部６１上に配置してから、押え用治具６０の蓋部６２をベース部６１に取り付けた状態が断面図で示されている。なお、図３３の断面の位置は、図３２のＣ１−Ｃ１線に相当する。
【０１５０】
銀ペースト７ｃの硬化工程を行うには、まず、図３２および図３３に示されるように、仮組立体４０ｂを押え用治具６０のベース部６１上に配置する。それから、押え用治具６０の蓋部６２をベース部６１に取り付ける。ベース部６１には、支柱状の高さ固定ピン６１ａが複数設けられており、この高さ固定ピン６１ａの頂部に設けられた穴部６１ｂに、蓋部６２の突起部（凸部）６２ａが嵌め合わされることで、蓋部６２がベース部６１に固定される。このようにして、仮組立体４０ｂを押え用治具６０にセットし、押え用治具６０の蓋部６２とベース部６１とによって仮組立体４０ｂを上下から押えることができる。
【０１５１】
リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面(下面)３５ｂは、押え用治具６０のベース部６１の上面６１ｃに接し、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂは、押え用治具６０の蓋部６２の下面６２ｃに接する。そして、ベース部６１と蓋部６２とで挟まれて押えられることにより、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂと、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面(下面)３５ｂとの間に、圧力（荷重）が印加される。なお、高さ固定ピン６１ａの高さを調節しておくことで、過剰な圧力（荷重）が仮組立体４０ｂに印加されるのを防止することができる。
【０１５２】
それから、押え用治具６０にセットされた仮組立体４０ｂを加熱（熱処理）することで、仮組立体４０ｂにおける銀ペースト７ｃを硬化する。これにより、銀ペースト７ｃは、硬化した銀ペーストからなる接合材７ｄとなる。接合材７ｄは、上記実施の形態１の接合材７に相当するものであるが、本実施の形態では、接合材７ｄ（接合材７に相当するもの）は、銀ペースト７ｃが硬化したものである。押え用治具６０を、この加熱処理に耐える材料で作製しておくことで、押え用治具６０で上下から押えた仮組立体４０ｂを、押え用治具６０ごと加熱炉に入れて加熱（銀ペースト７ｃ硬化のための加熱）することができる。
【０１５３】
このようにして、ステップＳ８ａの銀ペースト７ｃの硬化工程を行うことができる。これにより、図３４および図３５に示されるように、接合材７ｄ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）を介して、リードフレーム２１，２２のソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ、ゲートパッド電極２ｇおよび裏面ドレイン電極２ｄとが接合されて電気的に接続される。すなわち、リードフレーム２２のソース端子部２３（の第１主面３３ａ）と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓとが接合材７ｄを介して接合されて電気的に接続される。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４（の第１主面３４ａ）と半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇとが接合材７ｄを介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２１のドレイン端子部２５（の第１主面３５ａ）とが接合材７ｄを介して接合されて電気的に接続される。これにより、リードフレーム２１，２２およびそれらの間に接合材７ｄで接合された半導体チップ２からなる組立体（ワーク）４０ｃが得られる。
【０１５４】
組立体４０ｃは、仮組立体４０ｂの銀ペースト７ｃを硬化したものであり、上記実施の形態１の組立体４０に相当するが、上記組立体４０とは異なり、半導体チップ２と端子部との間に上記フィルム部材８ａ，８ｂが介在せず、接合材７ｄ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）を介して、リードフレーム２１，２２の各端子部と半導体チップ２の各電極とが接合されて電気的に接続されている。
【０１５５】
これ以降の工程は、上記実施の形態１と同様である。すなわち、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ９で封止樹脂部６を形成し、ステップＳ１０でめっき処理を行い、ステップＳ１１でリードフレーム２１，２２の切断を行う。これらの工程は、上記実施の形態１と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【０１５６】
このようにして、図３６および図３７に示されるように、本実施の形態の半導体装置１ｃが製造される。半導体装置１ｃの上面図および下面図は、上記実施の形態１の上記図１および図２と同様であるので、ここではその図示を省略する。
【０１５７】
図３６および図３７に示される半導体装置１ｃが、上記実施の形態１の半導体装置１と異なるのは、次の点である。すなわち、フィルム部材８ａ，８ｂを使用せず、かつ、導電性の接合材７ｄ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）を介して、ソース端子３が半導体チップ２の表面２ａのソースパッド電極２ｓと接合されて電気的に接続され、ゲート端子４が半導体チップ２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇと接合されて電気的に接続され、ドレイン端子５が半導体チップ２の裏面２ｂの裏面ドレイン電極２ｄと接合されて電気的に接続されている。半導体装置１ｃの他の構成は、上記実施の形態１の半導体装置１と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１５８】
次に、本実施の形態で用いた銀ペーストについて、より詳細に説明する。
【０１５９】
図３８は、銀ペースト７ｃの説明図である。図３８には、仮組立体４０ｂにおいて、半導体チップ２と端子部６４との間に銀ペースト７ｃが介在している状態が模式的に示されている。なお、図３８は、断面図であるが、図面を見易くするためにハッチングを省略してある。
【０１６０】
図３８の端子部６４は、リードフレーム２１のドレイン端子部２５、リードフレーム２２のソース端子部２３、またはリードフレーム２２のゲート端子部２４に対応するものである。端子部６４がドレイン端子部２５の場合は、銀ペースト７ｃを介して端子部６４に対向しているのは、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）である。端子部６４がソース端子部２３の場合は、銀ペースト７ｃを介して端子部６４に対向しているのは、半導体チップ２の表面２ａ（ソースパッド電極２ｓ）である。端子部６４がゲート端子部２４の場合は、銀ペースト７ｃを介して端子部６４に対向しているのは、半導体チップ２の表面２ａ（ゲートパッド電極２ｇ）である。
【０１６１】
一般に、銀ペーストは、Ａｇフィラーを熱硬化性エポキシ樹脂に混入した導電性樹脂で構成されている。それに対して、本実施の形態で使用する銀（Ａｇ）ペースト７ｃは、Ａｇ（銀）フィラー６５をベース樹脂となる熱硬化性樹脂（例えば熱硬化性エポキシ樹脂）に混入した通常の銀ペーストに、スペーサ粒子６６を配合したことにある。スペーサ粒子６６としては、上記ステップＳ８ａで銀ペースト７ｃを硬化する際に、ほとんど変形しないものが好ましく、形状は球形が好ましい。スペーサ粒子６６としてより好ましいのは、予め硬化させた熱硬化性樹脂の粒子であるが、それ以外にも、金属粒子などをスペーサ粒子６６に用いることもできる。スペーサ粒子６６の弾性率は、４ＧＰａ以下とすることが望ましい。
【０１６２】
スペーサ粒子６６の粒径（直径）が、上記接合材７ｄ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）の厚みになるので、スペーサ粒子６６の粒径は、好ましくは８μｍ〜２０μｍ程度である。その理由は、スペーサ粒子６６の粒径が小さすぎると、接合材７ｄの厚みが薄くなって接合強度が低下し、スペーサ粒子６６の粒径が大きすぎると、接合材７ｄの厚みが厚くなってボイドが発生する可能性が生じるためである。
【０１６３】
スペーサ粒子６６を配合した銀ペースト７ｃは、例えば次のようにして製造することができる。すなわち、まず、通常の銀ペーストに使用されるＡｇフィラー６５と熱硬化性樹脂（例えば熱硬化性エポキシ樹脂）とに溶剤を加えて粘度を調整した後、ロールで混練する。次に、この混練物を真空脱泡して内部の気泡を除去した後、例えば１０μｍ程度の粒径を有するスペーサ粒子６６を配合し、さらに混練する。スペーサ粒子６６を混練する際は、その潰れや破壊を防ぐために、ロールによる混練は避け、例えばミキサーを使って混練する。これにより、例えば１０μｍ程度の粒径を有するスペーサ粒子６６が配合された銀ペースト７ｃが完成する。
【０１６４】
一般の銀ペーストは、本実施の形態とは異なりスペーサ粒子６６が配合されておらず、ベース樹脂となる樹脂と溶剤とを含む液状樹脂にＡｇフィラーが充填されている。このような一般の銀ペーストを硬化させると、液状樹脂が収縮すると共に溶剤が揮発するために、Ａｇペーストの膜厚は硬化前に比べて薄くなる。しかしながら、銀ペーストの硬化前の膜厚を制御することが困難であるだけでなく、硬化工程で銀ペーストがどの程度薄くなるかを制御することも困難である。従って、硬化後の銀ペーストの膜厚を所定の厚みに制御することは困難である。そこで、上記実施の形態１では、フィルム部材８ａ，８ｂを用いることによって、接合材７の膜厚を所定の厚みに制御していた（接合材７の厚みがフィルム部材８ａ，８ｂの厚みとほぼ同じになるため）。
【０１６５】
それに対して、本実施の形態では、上述のようにスペーサ粒子６６が配合されている銀ペースト７ｃを用いている。銀ペースト７ｃは、上記ステップＳ８ａの硬化工程で、銀ペースト７ｃのベース樹脂となる樹脂と溶剤とを含む液状樹脂を硬化させた時にベース樹脂が収縮しても、スペーサ粒子６６は変形（収縮）しないので、銀ペースト７ｃの膜厚がスペーサ粒子６６の粒径以下に薄くなることはない。
【０１６６】
更に本実施の形態では、上記ステップＳ８ａで銀ペースト７ｃを硬化する際に、半導体チップ２を間に介在したリードフレーム２１のドレイン端子部２５とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４とに圧力（荷重）をかける。図３８には、圧力（荷重）が矢印６７で模式的に示されており、矢印６７の向きが圧力（荷重）の印加方向である。ステップＳ８ａ（銀ペースト７ｃの硬化工程）では、半導体チップ２を間に挟んだリードフレーム２１のドレイン端子部２５とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４とを上記押え用治具６０で押えながら（圧力をかけながら）、銀ペースト７ｃを硬化させるのである。
【０１６７】
すなわち、本実施の形態では、銀ペースト７ｃを間に挟んで対向するリードフレーム２１のドレイン端子部２５と半導体チップ２との間に圧力（荷重）を加え、かつ銀ペースト７ｃを間に挟んで対向するリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４と半導体チップ２との間に圧力（荷重）を加えながら、熱処理を行って銀ペースト７ｃを硬化させる。加えられた圧力（荷重）によって銀ペースト７ｃは薄くなろうとするが、銀ペースト７ｃ中に配合されたスペーサ粒子６６は、その圧力（荷重）ではほとんど変形しないため、銀ペースト７ｃの膜厚はスペーサ粒子６６の粒径（直径）と同じになり、この状態で、加熱により銀ペースト７ｃ（中のベース樹脂）が硬化する。このため、硬化した銀ペースト７ｃからなる接合材７ｄの膜厚は、スペーサ粒子６６の粒径（直径）とほぼ等しくなる。従って、銀ペースト７ｃ中に配合しておくスペーサ粒子６６の粒径を、接合材７ｄの所望の厚みに合わせておくことで、接合材７ｄの膜厚を所定の値に制御することができる。このため、所定の粒径のスペーサ粒子６６を配合した銀ペースト７ｃを用いることで、接合材７ｄの膜厚のばらつき（変動）を抑制でき、それによって、モールド工程直前の組立体４０ｃの高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制することができる。
【０１６８】
このように、本実施の形態では、スペーサ粒子６６を含む銀ペースト７ｃを用い、かつ圧力（荷重）をかけながら銀ペースト７ｃを硬化させることで、モールド工程直前の組立体４０ｃの高さ寸法ｈ１のばらつき（変動）を抑制することができる。これにより、モールド工程で半導体チップにクラックなどが発生するのを防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、製造された半導体装置１ｃの高さを均一にすることができる。また、製造された半導体装置１ｃの高さを均一にできるので、複数の半導体装置１ｃに放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載した際に、各半導体装置１ｃと放熱用部材との接続状態が均一になり、各半導体装置１ｃの放熱状態を均一にすることができる。従って、半導体装置の放熱特性を均一にでき、性能を向上させることができる。
【０１６９】
（実施の形態３）
上記実施の形態１では、半導体チップ２と端子との間に接合材７ａ，７ｂだけでなくフィルム部材８ａ，８ｂも介在させることで、モールド工程直前の組立体４０の高さ寸法ｈ１のばらつきを抑制していた。また、上記実施の形態２では、スペーサ粒子６６を含む銀ペースト７ｃを用い、かつ圧力（荷重）をかけながら銀ペースト７ｃを硬化させることで、モールド工程直前の組立体４０ｃの高さ寸法ｈ１のばらつきを抑制していた。それに対して、本実施の形態は、たとえモールド工程直前の組立体の高さ寸法がばらついたとしても、製造歩留まり良く、放熱特性に優れた半導体装置を提供する。
【０１７０】
図３９は、本実施の形態の半導体装置１ｄの製造工程を示す工程フロー図である。図４０〜図４８は、本実施の形態の半導体装置１ｄの製造工程を示す要部平面図または要部断面図である。図４０〜図４８のうち、図４０、図４１および図４６は平面図（要部平面図）であり、図４２〜図４５、図４７および図４８は断面図（要部断面図）である。なお、図４０〜図４３は同じ工程段階が示され、図４０は上面図であり、図４１は、図４０において熱伝導シート７１を透視した平面図に対応し、図４２は、図４１のＡ３−Ａ３線の断面図にほぼ対応し、図４３は、図４１のＢ３−Ｂ３線の断面図にほぼ対応する。また、図４０および図４１では、理解を簡単にするために、後で封止樹脂部６で覆われる領域（封止樹脂６形成予定領域）を点線で示してある。また、図４１では、理解を簡単にするために、透視した熱伝導シート７１の外形位置を二点鎖線で示してある。また、図４４および図４５は、図４２に相当する位置（断面位置）の異なる工程段階の断面図が示されている。また、図４６は、製造された半導体装置１ｄの上面図であり、図４７は、図４６のＡ４−Ａ４線の断面にほぼ対応し、上記実施の形態１の図３に相当するものであり、図４８は、図４６のＢ４−Ｂ４線の断面にほぼ対応し、上記実施の形態１の図４に相当するものである。
【０１７１】
本実施の形態では、上記ステップＳ２（フィルム部材８ａ配置工程）およびステップＳ５（フィルム部材８ｂ配置工程）を行わないこと以外は、上記実施の形態１と同様にして上記ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程までを行う。換言すれば、本実施の形態では、接合材７ａ，７ｂに上記実施の形態１と同様のもの（銀ペースト７ｃに限らない接合材）を用いたこと以外は、上記実施の形態２と同様にして上記ステップＳ７のリードフレーム２２の配置工程までを行ってから、上記実施の形態１と同様にして上記ステップＳ８の接合材７ａ，７ｂの硬化工程を行う。
【０１７２】
次に、図４０〜図４３に示されるように、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａ上に、熱伝導シート（絶縁シート、熱伝導絶縁シート）７１を配置（搭載、貼付け）する（ステップＳ２１）。すなわち、熱伝導シート７１は、互いに反対側の主面である上面７１ａおよび下面７１ｂを有しており、ステップＳ２１では、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂとゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとに熱伝導シート７１の下面７１ｂが接するように、熱伝導シート７１を貼付ける。これにより、リードフレーム２１，２２およびそれらの間に接合された半導体チップ２とリードフレーム２２上に貼り付けられた熱伝導シート７１とからなる組立体（ワーク）４０ｄが得られる。組立体４０ｄは、上記実施の形態１，２の組立体４０，４０ｃに相当するものであるが、熱伝導シート７１を貼り付けたことが主として異なっている。
【０１７３】
ステップＳ２１で貼り付けられた熱伝導シート７１は、図４１などからも分かるように、ソース端子部２３の第１の部分２３ａとゲート端子部２４の第１の部分２４ａとを平面的に内包していることが好ましい。これにより、半導体装置１ｄの放熱性を、より向上させることができる。熱伝導シート７１は、厚み（初期厚み）Ｔ３を有している。熱伝導シート７１の接着性により、熱伝導シート７１は、ソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａに仮固定される。
【０１７４】
熱伝導シート７１は、絶縁体からなり、絶縁性を有している。このため、熱伝導シート７１は絶縁シートである。これにより、製造された半導体装置１ｄにおいてソース端子３とゲート端子４とがショートするのを防止できる。また、熱伝導シート７１は、放熱に用いるので、熱伝導性が高いことが好ましく、少なくとも封止樹脂部６よりも熱伝導率が高いことが必要である。熱伝導シート７１の熱伝導率が５〜１０Ｗ／ｍ・Ｋであれば、更に好ましい。また、熱伝導シート７１は弾力性を有し、圧力（荷重）により厚さ方向に収縮可能に構成されている。このため、熱伝導シート７１の少なくとも一部が弾性体で形成されていれば、弾力性を容易に付与できるので好ましい。従って、熱伝導シート７１は、好ましくは弾性シートである。熱伝導シート７１の弾性率が１〜１００ＭＰａであれば、更に好ましい。例えば、シリコーンゴムのベースフィルム中に強度保持のためにガラスクロス（ガラス繊維の織布）を内在させ、更に熱伝導性の向上のためのフィラーを含有させたものを、熱伝導シート７１として用いることができる。
【０１７５】
モールド工程直前の組立体４０ｄの高さ寸法ｈ４（図４２および図４３に図示）は、熱伝導シート７１を貼付ける前の高さ寸法ｈ３に熱伝導シート７１の厚みＴ３を足したものに対応する（すなわちｈ４＝ｈ３＋Ｔ３）。ここで、組立体４０ｄの高さ寸法ｈ４は、ドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂから、ソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａ上の熱伝導シート７１の上面７１ａまでの高さ（距離）に対応する。また、高さ寸法ｈ３は、ドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂから、ソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂまでの高さ（距離）に対応する。この熱伝導シート７１貼付け前の高さ寸法ｈ３が、上記実施の形態１，２のモールド工程直前の組立体の高さ寸法ｈ１に相当する。
【０１７６】
次に、モールド工程（樹脂封止工程、例えばトランスファモールド工程）を行って、封止樹脂部６を形成し、半導体チップ２を封止樹脂部６によって封止する（ステップＳ９ａ）。このステップＳ９ａ（モールド工程）は、上記実施の形態１，２の上記ステップＳ９（モールド工程）に対応する工程であるが、上記ステップＳ９（モールド工程）との相違点を図４４を参照して説明する。
【０１７７】
図４４は、組立体４０ｄを金型４１，４２でクランプ（固定）して、金型４１，４２のキャビティ内に封止樹脂部６形成用の封止樹脂材料（上記樹脂材料４６に対応）を注入し、注入した封止樹脂材料を硬化して封止樹脂部６を形成した状態が示されており、上実施の形態１の図２５に相当するものである。本実施の形態のステップＳ９ａのモールド工程が上記実施の形態１の上記ステップＳ９のモールド工程と異なるのは、以下の点である。
【０１７８】
本実施の形態では、図４４に示されるように、金型（上金型）４１の下面４１ａとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａとの間に熱伝導シート７１が介在するため、ソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂとゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとは、金型（上金型）４１の下面４１ａとは接触しない。
【０１７９】
そして、本実施の形態では、金型４１，４２のキャビティの高さ寸法ｈ０（図４４に図示）は、モールド工程直前の組立体４０ｄの高さ寸法ｈ４（図４２および図４３に図示）よりも小さいことが好ましい（ｈ０＜ｈ４）。ここで、金型４１，４２のキャビティの高さ寸法ｈ０は、金型４１，４２をクランプしたときのキャビティにおける、金型４１の下面４１ａから金型４２の上面４２ａまでの距離に相当する。但し、金型４１，４２のキャビティの高さ寸法ｈ０は、熱伝導シート７１を貼付ける前の組立体４０ｄの高さ寸法ｈ３よりも大きくしておくことが必要である（すなわちｈ０＞ｈ３）。
【０１８０】
これにより、リードフレーム２１，２２を金型４１，４２でクランプした際に、金型（上金型）４１の下面４１ａとリードフレーム２２のソース端子部２３の第１の部分２３ａの第２主面（上面）３３ｂおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａの第２主面（上面）３４ｂとの間の距離Ｄ３（ここでＤ３＝ｈ０−ｈ３が成り立つ）が、熱伝導シート７１の厚み（初期厚み）Ｔ３よりも小さくなる（すなわち０＜Ｄ３＜Ｔ３となる）。
【０１８１】
このため、金型４１，４２をクランプすると、熱伝導シート７１は、上面７１ａが金型４１の下面４１ａと密着するとともに、金型４１によって下方に押され（押圧され）、厚さ方向に収縮する。すなわち、ソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａと金型４１の下面４１ａとの間での熱伝導シート７１の厚みが、上記距離Ｄ３に等しくなるように、熱伝導シート７１が厚さ方向に収縮する。熱伝導シート７１の厚さ方向の収縮量は、上記厚みＴ３と上記距離Ｄ３との差（すなわちＴ３−Ｄ３）にほぼ対応する。熱伝導シート７１は弾力性を有しているため、金型４１による圧力（荷重）は熱伝導シート７１で吸収され、半導体チップ２にクラックなどが発生するのを防止できる。
【０１８２】
このように、ソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａと金型４１との間で熱伝導シート７１が厚さ方向に押しつぶされた（収縮した）状態で、封止樹脂部６が形成される。
【０１８３】
それから、封止樹脂部６が形成された組立体４０ｄ（すなわち組立体４０ｅ）を金型４１，４２から離型し、必要に応じて、封止樹脂部６のバリなどを除去する。このようにしてステップＳ９ａのモールド工程が完了する。これにより、図４５に示されるような組立体（ワーク）４０ｅが得られる。組立体４０ｅは、組立体４０ｄに封止樹脂部６を形成したものであり、上記実施の形態１，２の組立体４０ａ，４０ｃに相当するものである。組立体４０ｅにおいて、封止樹脂部６は、半導体チップ２、ソース端子部２３、ゲート端子部２４、ドレイン端子部２５および熱伝導シート７１を封止している。
【０１８４】
上記実施の形態１，２と同様、本実施の形態においても、組立体４０ｅにおいて、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２主面（下面）３５ｂと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第２の部分２４ｂの下面３４ｃと、リードフレーム２２のソース端子部２３の第２の部分２３ｂの下面３３ｃとが、封止樹脂部６の裏面６ｂから露出された状態となっている。
【０１８５】
しかしながら、本実施の形態では、モールド工程でリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４と金型４１の下面４１ａとの間に熱伝導シート７１が介在していたため、上記実施の形態１，２とは異なり、組立体４０ｅにおいて、リードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４は、封止樹脂部６の上面６ａで露出していない。
【０１８６】
その代わりに、本実施の形態では、モールド工程で熱伝導シート７１の上面７１ａが金型４１の下面４１ａと密着した状態で封止樹脂部６を形成するため、組立体４０ｅにおいて、図４５に示されるように、熱伝導シート７１の上面７１ａが封止樹脂部６の上面６ａで露出した状態となる。
【０１８７】
また、上述のように、熱伝導シート７１が厚さ方向に押しつぶされた（収縮した）状態で封止樹脂部６が形成されるが、組立体４０ｅを金型４１，４２から離型すると、金型４１からの圧力（荷重）から開放されるので、熱伝導シート７１は、弾性力により元の厚みＴ３に戻ろうとする。このため、図４５に示されるように、封止樹脂部６の上面６ａと熱伝導シート７１の上面７１ａとが平面的に一致せず、熱伝導シート７１の上面７１ａが封止樹脂部６の上面６ａからやや突出した状態となる。封止樹脂部６の上面６ａからの熱伝導シート７１の突出量（厚み）Ｔ４は、モールド工程での熱伝導シート７１の厚さ方向の収縮量にほぼ対応したもの（すなわちＴ４＝Ｔ３−Ｄ３）となるため、モールド工程直前の組立体４０ｄの高さ寸法ｈ４と金型４１，４２のキャビティの高さ寸法ｈ０との差にほぼ等しくなる（すなわちＴ４＝ｈ４−ｈ０）。ここで、上記突出量（厚み）Ｔ４は、ソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａ上での熱伝導シート７１の上面７１ａの高さ位置と封止樹脂部６の上面６ａの高さ位置との差である。
【０１８８】
このように、本実施の形態では、封止樹脂部６は、裏面６ｂで導体部（ソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５）が露出し、上面６ａで、導体部（ソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５）は露出しないが、熱伝導シート７１が露出した状態となっている。
【０１８９】
これ以降の工程は、上記実施の形態１，２と同様である。すなわち、上記実施の形態１，２と同様に、上記ステップＳ１０でめっき処理を行い、上記ステップＳ１１でリードフレーム２１，２２の切断を行う。これらの工程は、上記実施の形態１，２と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【０１９０】
このようにして、図４６〜図４８に示されるように、本実施の形態の半導体装置１ｄが製造される。半導体装置１ｄの下面図は、上記実施の形態１の上記図２と同様であるので、ここではその図示を省略する。
【０１９１】
図４６〜図４８に示される半導体装置１ｄが、上記実施の形態１の半導体装置１と異なるのは、次の点である。すなわち、フィルム部材８ａ，８ｂを使用していない点と、熱伝導シート７１を使用している点と、封止樹脂部６の上面６ａで、ソース端子３（の第１の部分３ａ）およびゲート端子４（の第１の部分４ａ）が露出しておらず、熱伝導シート７１が露出している点である。ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂとゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂとは熱伝導シート７１の下面７１ｂと密着し、
封止樹脂部６の上面６ａと熱伝導シート７１の上面７１ａとは平面的に一致せず、熱伝導シート７１の上面７１ａが封止樹脂部６の上面６ａからやや突出した状態となっている（突出量は上記突出量Ｔ４と同じ）。但し、熱伝導シート７１の少なくとも一部（下部）は封止樹脂部６内に埋まって封止されている。半導体装置１ｄの他の構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１９２】
本実施の形態の半導体装置１ｄは、半導体装置１ｄの裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）で、ソース端子３（の第２の部分３ｂ）、ゲート端子４（の第２の部分４ｂ）およびドレイン端子５が外部接続端子として露出している。そして、半導体装置１ｄの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）では、端子は露出していないが、熱伝導シート７１が露出している。この熱伝導シート７１は熱伝導性が高く（少なくとも封止樹脂部６よりも熱伝導率が高く）、封止樹脂部６の内部でソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂおよびゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂが熱伝導シート７１の下面７１ｂに密着している。このため、半導体チップ２の発熱を、ソース端子３（の第２の部分３ｂ）、ゲート端子４（の第２の部分４ｂ）およびドレイン端子５を介して半導体装置１ｄの裏面１ｂ側から放熱するとともに、ソース端子３（の第１の部分３ａ）およびゲート端子４（の第１の部分４ａ）と熱伝導シート７１とを介して、半導体装置１ｄの上面１ａ側からも放熱することができる。すなわち、半導体装置１ｄの上下両面から放熱することができる。これにより、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置の放熱特性を向上でき、性能を向上させることができる。
【０１９３】
また、本実施の形態では、金型４１とソース端子部２３の第１の部分２３ａおよびゲート端子部２４の第１の部分２４ａとの間に弾力性を有する熱伝導シート７１を介在させて封止樹脂部６を形成している。このため、たとえ熱伝導シート７１を貼付ける前の組立体の高さ寸法ｈ３がばらついていたとしても、そのばらつきは、金型４１，４２のクランプ時に熱伝導シート７１が厚さ方向に収縮する量が変動することによって、吸収できる。これにより、モールド工程で半導体チップにクラックなどが発生するのを防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１９４】
また、本実施の形態では、封止樹脂部６の上面６ａと熱伝導シート７１の上面７１ａとは平面的に一致せず、熱伝導シート７１の上面７１ａが封止樹脂部６の上面６ａから突出した状態となっている。このため、半導体装置１ｄの上に放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載する際に、放熱用部材を半導体装置１ｄの熱伝導シート７１に密着させることができ、半導体装置の放熱特性を向上させることができる。従って、上記熱伝導シート５４のようなものを別途用意して半導体装置１ｄと放熱用部材の間に改めて介在させる必要がない。これにより、半導体装置１ｄ上への放熱用部材の搭載が容易になる。また、本実施の形態では、上記図２８の場合に比べて、１つの半導体装置当たりに必要な熱伝導シート（本実施の形態では熱伝導シート７１、上記図２８では熱伝導シート５４）の面積が少なくてすむので、コストを低減することができる。
【０１９５】
また、本実施の形態３は、上記実施の形態１，２と組み合わせることもできる。本実施の形態と上記実施の形態１を組み合わせる場合は、上記実施の形態１に従ってステップＳ８（接合材７ａ，７ｂ硬化工程）までを行って上記組立体４０を得た後、その組立体４０に対して、本実施の形態のようにステップＳ２１で熱伝導シート７１を貼り付けてから、本実施の形態のようにステップＳ９ａ（モールド工程），Ｓ１０（めっき処理工程），Ｓ１１（リードフレーム２１，２２切断工程）を行えばよい。また、本実施の形態と上記実施の形態２を組み合わせる場合は、上記実施の形態２に従ってステップＳ８ａ（銀ペースト７ｃ硬化工程）までを行って上記組立体４０ｃを得た後、その組立体４０ｃに対して、本実施の形態のようにステップＳ２１で熱伝導シート７１を貼り付けてから、本実施の形態のようにステップＳ９ａ（モールド工程），Ｓ１０（めっき処理工程），Ｓ１１（リードフレーム２１，２２切断工程）を行えばよい。このように、本実施の形態を上記実施の形態１，２と組み合わせることで、上記実施の形態１，２で得られる効果に加えて、更に本実施形態の効果も得ることができる。
【０１９６】
（実施の形態４）
上記実施の形態１では、半導体チップの下側（半導体装置の裏面側）の端子をドレイン端子５とし、半導体チップの上側（半導体装置の上面側）の端子をソース端子３およびゲート端子４とした構造の半導体装置（いわゆるドレインボトム型の半導体装置）について説明した。本実施の形態は、上記実施の形態１を、半導体チップの下側（半導体装置の裏面側）の端子をソース端子３およびゲート端子４とし、半導体チップの上側（半導体装置の上面側）の端子をドレイン端子５とした構造の半導体装置（いわゆるドレイントップ型の半導体装置）に適用した場合について説明する。
【０１９７】
図４９は、本実施の形態の半導体装置１ｅの上面図（平面図）であり、図５０はその下面図（底面図、裏面図、平面図）、図５１および図５２はその断面図（側面断面図）である。図４９のＡ４−Ａ４線の断面（すなわち図５０のＡ４−Ａ４線の断面）が図５１にほぼ対応し、図４９のＢ４−Ｂ４線の断面（すなわち図５０のＢ４−Ｂ４線の断面）が図５２にほぼ対応する。
【０１９８】
図４９〜図５２に示される本実施の形態の半導体装置１ｅについて、上記実施の形態１の半導体装置１との相違点を主として説明する。
【０１９９】
上記実施の形態１の半導体装置１では、ドレイン端子５が平坦な構造で、ソース端子３およびゲート端子５が途中で折れ曲がった構造を有していたが、図４９〜図５２に示される本実施の形態の半導体装置１ｅでは、ソース端子３およびゲート端子５が平坦な構造で、ドレイン端子５が途中で折れ曲がった構造を有している。
【０２００】
すなわち、本実施の形態のソース端子３は、上記第１の部分３ａと上記第２の部分３ｂとを、上記段差部３ｃ無しで一体的に連結したような平坦な構造を有している。また、本実施の形態のゲート端子４は、上記第１の部分４ａと上記第２の部分４ｂとを、上記段差部４ｃ無しで一体的に連結したような平坦な構造を有している。一方、本実施の形態のドレイン端子５は、上記実施の形態１のソース端子３およびゲート端子４のように、第１の部分（チップ接続部、導体部）５ａと、第２の部分（外部端子構成部、導体部）５ｂと、第１の部分５ａおよび第２の部分５ｂ間を連結する段差部（折曲げ部、連結部、導体部）５ｃとを有している。これら第１の部分５ａ、第２の部分５ｂおよび段差部５ｃは同じ導電体材料により一体的に形成されており、高さ位置が異なる第１の部分５ａと第２の部分５ｂとを段差部５ｃが連結して、ドレイン端子５が構成されている。
【０２０１】
半導体チップ２は、半導体チップ２の下側に位置するソース端子３およびゲート端子４と半導体チップ２の上側に位置するドレイン端子５との間に、半導体チップ２の表面２ａ側が下方を向くように配置されている。そして、導電性の接合材７を介して、ソース端子３が半導体チップ２の表面２ａのソースパッド電極２ｓと接合されて電気的に接続され、ゲート端子４が半導体チップ２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇと接合されて電気的に接続され、ドレイン端子５が半導体チップ２の裏面２ｂの裏面ドレイン電極２ｄと接合されて電気的に接続されている。
【０２０２】
封止樹脂部６により、半導体チップ２、ソース端子３、ゲート端子４およびドレイン端子５が封止されているが、封止樹脂部６の裏面６ｂ（第２面）で、ソース端子３の下面１３ｆとゲート端子４の下面１４ｆとドレイン端子５の第２の部分５ｃの下面１５ｇとが露出され、封止樹脂部６の上面６ａ（第１面）で、ドレイン端子５の第１の部分５ｃの上面１５ｆが露出されている。半導体装置１ｅの実装面である封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するソース端子３の下面１３ｆとゲート端子４の下面１４ｆとドレイン端子５の第２の部分５ｃの下面１５ｇとが、半導体装置１ｅの外部接続端子となり、好ましくは実質的に同一面上に形成されている。
【０２０３】
また、上記実施の形態１と同様に、本実施の形態でも、半導体チップ２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とドレイン端子５の第１の部分５ａとの間には、接合材７だけでなくフィルム部材８ａも介在し、半導体チップ２の表面２ａとソース端子３およびゲート端子４との間には、接合材７だけでなくフィルム部材８ｂも介在している。
【０２０４】
このように、上記実施の形態１の半導体装置１と同様に、本実施の形態の半導体装置１ｅも、上下両面に露出導体を有する樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置であり、半導体装置１ｅの放熱特性を向上し、半導体装置１ｅの性能を向上させることができる。
【０２０５】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。
【０２０６】
図５３〜図６０は、本実施の形態の半導体装置１ｅの製造工程を示す要部平面図または要部断面図である。図５３〜図６０のうち、図５３、図５５および図５７は平面図（要部平面図）であり、図５４、図５６および図５８〜図６０は断面図（要部断面図）である。なお、図５３および図５４は、上記実施の形態１の図１２および図１３と同じ工程段階に対応し、図５５および図５６は、上記実施の形態１の図１７および図１８と同じ工程段階に対応し、図５７および図５８は、上記実施の形態１の図１９および図２０と同じ工程段階に対応し、図５９は、上記実施の形態１の図２２と同じ工程段階に対応し、図６０は、上記実施の形態１の図２６と同じ工程段階に対応する。また、図５４、図５６および図５８〜図６０は、図５３、図５５および図５７に示されるＡ５−Ａ５線に沿った断面にほぼ対応し、上記図５１にほぼ相当する断面図である。また、理解を簡単にするために、図１２には、後で半導体チップ２が配置される領域（半導体チップ２搭載予定領域）を点線で示し、図５７では、後で封止樹脂部６で覆われる領域（封止樹脂６形成予定領域）を点線で示してある。
【０２０７】
本実施の形態の半導体装置１ｅは、リードフレーム２１，２２の形状が異なる以外は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様にして製造される。
【０２０８】
すなわち、まず、上記ステップＳ１で半導体チップ２およびリードフレーム２１，２２を準備する。ここで、本実施の形態で用いられるリードフレーム２２は、後でソース端子３となるソース端子部２３と、後でゲート端子４となるゲート端子部２４とを有しているが、上述のようにソース端子３およびゲート端子４が平坦であることに伴い、ソース端子部２３およびゲート端子部２４も平坦である。また、本実施の形態で用いられるリードフレーム２１は、後でドレイン端子５となるドレイン端子部２５を有しているが、上述のようにドレイン端子５が第１の部分５ａと第２の部分５ｂと段差部３ｃとで構成されている。これに伴い、リードフレーム２１のドレイン端子部２５は、後でドレイン端子５の第１の部分５ａとなるドレイン端子部２５の第１の部分２５ａと、後でドレイン端子５の第２の部分５ｂとなるドレイン端子部２５の第２の部分２５ｂと、後でドレイン端子５の段差部５ｃとなるドレイン端子部２５の段差部２５ｃとを有しており、これらは一体的に形成されている。これ以外のリードフレーム２１，２２の構成は、上記実施の形態１と同様である。
【０２０９】
次に、上記実施の形態１と同様に、図５３および図５４に示されるように、上記ステップＳ２でリードフレーム２１上にフィルム部材８ａを配置してから、上記ステップＳ３でリードフレーム２１上に接合材７ａを配置する。この際、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第１主面３５ｅ上に、フィルム部材８ａおよび接合材７ａを配置する。リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａは、互いに反対側の第１主面３５ｅおよび第２主面３５ｆを有しており、第２主面３５ｆは、後でドレイン端子５の第１の部分５ａの上面１５ｆ（封止樹脂部６からの露出面）となる面である。それ以外は、上記実施の形態１と同様にしてステップＳ２，Ｓ３を行う。フィルム部材８ａの構成、機能および用いた効果についても、上記実施の形態１と同様である。
【０２１０】
次に、上記実施の形態１と同様に、図５５および図５６に示されるように、上記ステップＳ４でリードフレーム２１上に半導体チップ２を配置してから、上記ステップＳ５で半導体チップ２の表面２ａ上にフィルム部材８ｂを配置し、その後、上記ステップＳ６で半導体チップ２の表面２ａ上に接合材７ｂを配置する。この際、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第１主面３５ｅ上にフィルム部材８ａおよび接合材７ａ介して半導体チップ２を配置すること以外は、上記実施の形態１と同様にしてステップＳ４，Ｓ５，Ｓ６を行う。フィルム部材８ｂの構成、機能および用いた効果についても、上記実施の形態１と同様である。
【０２１１】
次に、上記実施の形態１と同様に、図５７および図５８に示されるように、上記ステップＳ７で半導体チップ２の表面２ａ上にリードフレーム２２を配置する。ソース端子部２３およびゲート端子部２４が平坦か折り曲げられているかの違いはあるが、半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２のソース端子部２３（の一部）が配置され、かつ半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２のゲート端子部２４（の一部）が配置されるように、リードフレーム２１および半導体チップ２上にリードフレーム２２を配置する点は、上記実施の形態１と同様である。
【０２１２】
次に、上記実施の形態１と同様に、上記ステップＳ８で接合材７ａ，７ｂの硬化を行う。これにより、図５９に示されるように、接合材７（接合材７ａ，７ｂが硬化したもの）を介して、リードフレーム２１，２２のソース端子部２３、ゲート端子部２４およびドレイン端子部２５と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓ、ゲートパッド電極２ｇおよび裏面ドレイン電極２ｄとが、それぞれ接合されて電気的に接続される。すなわち、リードフレーム２２のソース端子部２３と半導体チップ２のソースパッド電極２ｓとが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。また、リードフレーム２２のゲート端子部２４と半導体チップ２のゲートパッド電極２ｇとが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａとが接合材７を介して接合されて電気的に接続される。なお、図５９は、図５８の構造を上下反転させている。
【０２１３】
次に、上記実施の形態１と同様に、図６０に示されるように、上記ステップＳ９でモールド工程を行って、封止樹脂部６を形成する。
【０２１４】
本実施の形態のモールド工程は、以下の点が上記実施の形態１と異なっている。すなわち、リードフレーム２１，２２を上記金型４１，４２でクランプした際には、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２の部分の第１主面３５ｇと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１主面（ここでは図示されていない）と、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１主面３３ｆとが、上記金型４２の上面４２ａと接触（密着）するようにする。また、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第２主面３５ｆが上記金型４１の下面４１ａと接触（密着）するようにする。それ以外は、上記実施の形態１と同様にしてモールド工程を行うことができる。すなわち、上記のような状態で上記金型４１，４２のキャビティ４３内に上記封止樹脂材料４６を注入して硬化することで封止樹脂部６を形成する。
【０２１５】
これにより、封止樹脂部６の裏面６ｂで、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２の部分の第１主面３５ｇと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１主面（ここでは図示されていない）およびソース端子部２３の第１主面３３ｆとが露出する。また、封止樹脂部６の上面６ａで、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第２主面３５ｆが露出する。
【０２１６】
封止樹脂部６の上面６ａで露出するリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第２主面３５ｆは、半導体装置１ｅの製造後にドレイン端子５の第１の部分５ａの上面１５ｆとなる。また、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するリードフレーム２２のソース端子部２３の第１主面３３ｆは、半導体チップ２に対向する側とは反対側の面、すなわちソースパッド電極２ｓと接合した面とは反対側の面であり、半導体装置１の製造後にソース端子３の下面１３ｆとなる。また、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するリードフレーム２２のゲート端子部２４の第１主面（ここでは図示されていない）は、半導体チップ２に対向する側とは反対側の面、すなわちゲートパッド電極２ｇと接合した面とは反対側の面であり、半導体装置１ｅの製造後にゲート端子４の下面１４ｆとなる。また、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２の部分の第１主面３５ｇは、ドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第１主面３５ｅと同じ側の面であり、半導体装置１ｅの製造後にドレイン端子５の第２の部分５ａの下面１５ｇとなる。
【０２１７】
これ以降の工程は、上記実施の形態１と同様である。すなわち、上記実施の形態１と同様に、上記ステップＳ１０でめっき処理を行い、上記ステップＳ１１でリードフレーム２１，２２の切断を行い、上記４９〜図５２に示されるような本実施の形態の半導体装置１ｅが製造される。
【０２１８】
本実施の形態のようなドレイントップ型の半導体装置１ｅの場合にも、上述のように上記実施の形態１と同様の手法（フィルム部材８ａ，８ｂの使用）を適用することで、上記実施の形態１とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０２１９】
また、上記実施の形態２を本実施の形態のようなドレイントップ型の半導体装置に適用することもでき、これを以下に説明する。
【０２２０】
図６１は、本実施の形態の他の半導体装置（上記実施の形態２をドレイントップ型の半導体装置に適用した場合）の製造工程中の断面図であり、上記実施の形態２の図３３に対応するものである。
【０２２１】
まず、上述の半導体装置１ｅの製造工程において、上記ステップＳ２，Ｓ５（フィルム部材８ａ，８ｂ配置工程）を行わず、かつ上記ステップＳ３，Ｓ６（接合材７ａ，７ｂ配置工程）で接合材７ａ，７ｂとして銀ペースト７ｃを用いること以外は、上述の半導体装置１ｅの製造工程と同じ工程を上記ステップＳ７（リードフレーム２２配置工程）まで行う。これにより、図６１に示される仮組立体４０ｆ（上記実施の形態２の仮組立体４０ｂ）が作製される。
【０２２２】
次に、上記実施の形態２と同様に、図６１に示されるように、上記ステップＳ８ａで銀ペースト７ｃの硬化を行う。このステップＳ８ａの銀ペースト７ｃの硬化工程は、上記実施の形態２と同様に、半導体チップ２を間に介在したリードフレーム２１のドレイン端子部２５とリードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４とに圧力をかけながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行う。
【０２２３】
例えば、上記実施の形態２と同様に、図６１に示されるように、仮組立体４０ｆを押え用治具６０のベース部６１上に配置してから、押え用治具６０の蓋部６２をベース部６１に取り付けることにより、押え用治具６０の蓋部６２とベース部６１とによって仮組立体４０ｆを上下から押える。ベース部６１と蓋部６２とで挟まれて押えられることにより、リードフレーム２２のソース端子部２３およびゲート端子部２４（図６１では図示されない）と、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａとの間に、圧力（荷重）が印加される。そして、押え用治具６０にセットされた仮組立体４０ｆを加熱（熱処理）することで、仮組立体４０ｆにおける銀ペースト７ｃを硬化する。
【０２２４】
それ以降の工程は、上述した半導体装置１ｅの製造工程（ステップＳ９〜Ｓ１１に対応する工程）と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２２５】
本実施の形態のようなドレイントップ型の半導体装置の場合にも、上述のように上記実施の形態２と同様の手法（銀ペースト７ｃの使用および銀ペースト７ｃ硬化工程の工夫）を適用することで、上記実施の形態２とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０２２６】
また、上記実施の形態３を本実施の形態のようなドレイントップ型の半導体装置に適用することもでき、これを以下で説明する。
【０２２７】
図６２は、本実施の形態の他の半導体装置（上記実施の形態３をドレイントップ型の半導体装置に適用した場合）の製造工程中の断面図であり、図６３は、製造された半導体装置の断面図である。図６２は、上記実施の形態３の図４２に対応し、図６３は、上記実施の形態３の図４７および本実施の形態の上記図５１に対応するものである。
【０２２８】
まず、上述の半導体装置１ｅの製造工程において、上記ステップＳ２，Ｓ５（フィルム部材８ａ，８ｂ配置工程）を行わないこと以外は、上述の半導体装置１ｅの製造工程と同じ工程を上記ステップＳ８（接合材７ａ，７ｂの硬化工程）まで行う。
【０２２９】
次に、上記実施の形態３と同様に、図６２に示されるように、上記ステップＳ２１でリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａ上に熱伝導シート７１を配置（搭載、貼付け）する。ソース端子部２３およびドレイン端子部２４ではなく、ドレイン端子部２５の第１の部分２５ａ上に熱伝導シート７１を貼付ける点が、上記実施の形態３と異なっている。リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａの第２主面３５ｆに熱伝導シート７１の下面７１ｂが接するように、熱伝導シート７１を貼付ける。貼り付けられた熱伝導シート７１は、ドレイン端子部２５の第１の部分２５ａを平面的に内包していることが好ましく、これにより、半導体装置の放熱性を、より向上させることができる。
【０２３０】
次に、上記実施の形態３と同様に、上記ステップＳ９ａでモールド工程を行って封止樹脂部６を形成する。
【０２３１】
本実施の形態のモールド工程は、以下の点が上記実施の形態３と異なっている。すなわち、リードフレーム２１，２２を上記金型４１，４２でクランプした際には、リードフレーム２１のドレイン端子部２５の第２の部分の第１主面３５ｇと、リードフレーム２２のゲート端子部２４の第１主面（後で上記ゲート端子４の下面１４ｆとなる面）と、リードフレーム２２のソース端子部２３の第１主面３３ｆとが、上記金型４２の上面４２ａと接触（密着）するようにする。また、熱伝導シート７１が介在するのは、金型４１の下面４１ａとリードフレーム２１のドレイン端子部２５の第１の部分２５ａとの間である。これ以外は、上記実施の形態３と同様に上記ステップＳ９ａのモールド工程を行う。このため、ドレイン端子部２５の第１の部分２５ａと金型４１との間で熱伝導シート７１が厚さ方向に押しつぶされた（収縮した）状態で、封止樹脂部６が形成される。
【０２３２】
それ以降の工程は、上述した半導体装置１ｅの製造工程（ステップＳ１０，Ｓ１１に対応する工程）と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２３３】
このようにして製造された図６３に示される半導体装置は、以下の点で図４９〜図５２の半導体装置１ｅと異なっている。すなわち、封止樹脂部６の裏面６ｂ側の端子の露出の仕方は上記半導体装置１ｅと同じであるが、封止樹脂部６の上面６ａでは、上記実施の形態３のように、ドレイン端子５は露出せず、熱伝導シート７１が露出した状態となっている。また、ドレイン端子５の第１の部分５ａの上面１５ｆは熱伝導シート７１の下面７１ｂと密着し、封止樹脂部６の上面６ａと熱伝導シート７１の上面７１ａとは平面的に一致せず、熱伝導シート７１の上面７１ａが封止樹脂部６の上面６ａからやや突出した状態となっている。突出する理由は、上記実施の形態３で説明した理由と同様である。図６３の半導体装置の他の構成は図４９〜図５２の半導体装置１ｅとほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２３４】
本実施の形態のようなドレイントップ型の半導体装置の場合にも、上述のように上記実施の形態３と同様の手法（熱伝導シート７１の使用およびモールド工程の工夫）を適用することで、上記実施の形態３とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０２３５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態１〜４で説明したような上下両面で導体（端子）が露出した樹脂封止型の半導体装置（半導体パッケージ）を、複数積み重ねる手法について説明する。
【０２３６】
図６４は、本実施の形態の半導体装置１ｈの製造工程を示す工程フロー図である。図６５は、本実施の形態の半導体装置１ｈを製造するのに使用する第１半導体装置１ｆの上面図であり、図６６は第１半導体装置１ｆの下面図、図６７および図６８は、第１半導体装置１ｆの断面図（側面断面図）である。図６５および図６６のＡ６−Ａ６線の断面図が図６７に対応し、図６５および図６６のＢ６−Ｂ６線の断面図が図６８に対応する。図６９は、本実施の形態の半導体装置１ｈを製造するのに使用する第２半導体装置１ｇの上面図であり、図７０は第２半導体装置１ｇの下面図、図７１および図７２は、第２半導体装置１ｇの断面図（側面断面図）である。図６９および図７０のＡ７−Ａ７線の断面図が図７１に対応し、図６９および図７０のＢ７−Ｂ７線の断面図が図７２に対応する。図７３〜図７６は、本実施の形態の半導体装置１ｈの製造工程中の要部平面図または要部断面図であり、そのうち図７３が平面図、図７４〜図７６が断面図である。なお、図７３と図７４とは同じ工程段階に対応し、図７５および図７６は、同じ工程段階の異なる断面図に対応する。図７３のＡ８−Ａ８線の断面図が図７４に対応する。また、図７５は、図６７、図７１および図７４と同じ位置（断面位置）の断面図が示されており、図７６は、図６８および図７２と同じ位置（断面位置）の断面図が示されている。
【０２３７】
本実施の形態の半導体装置１ｈを製造するのに使用する第１半導体装置１ｆは、図６５〜図６８に示されるような構造を有している。この第１半導体装置１ｆは、上記実施の形態１の半導体装置１と以下の点で相違している。
【０２３８】
すなわち、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂと、ゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとは、封止樹脂部６の側面から突出している。また、封止樹脂部６の上面６ａでは、ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂは露出しているが、ゲート端子４（第１の部分４ａの上面１４ｂ）は露出していない。また、ソース端子３の第１の部分３ａに比べて、ゲート端子４の第１の部分４ａは、厚みが薄くなっている。これ以外の第１半導体装置１ｆの構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２３９】
このような構造の第１半導体装置１ｆは、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様にして製造することができるが、以下の点で製造工程が相違している。
【０２４０】
すなわち、リードフレーム２２は、ソース端子部２３およびゲート端子部２４が平坦なものを用いる（リードフレーム２１は上記実施の形態１と同様のものを用いる）。そして、上記ステップＳ１１でリードフレーム２１，２２を切断してから、封止樹脂部６の側面から突出するソース端子３およびゲート端子４を折り曲げ加工して、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂと、ゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとを形成する。これにより、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂとゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとは、封止樹脂部６内ではなく、封止樹脂部６外に形成される。また、リードフレーム２２において、ゲート端子４のうち、少なくとも第１の部分４ａについて、ソース端子３の第１の部分３ａよりも薄くしておく。これにより、上記ステップＳ９のモールド工程で封止樹脂部６を形成した際に、封止樹脂部６の上面６ａで、ソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂが露出するが、ゲート端子４（第１の部分４ａの上面１４ｂ）は露出しない構造が得られる。これ以外の第１半導体装置１ｆの製造工程は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２４１】
第１半導体装置１ｆにおいて、好ましくは、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出するドレイン端子５の下面１５ｂと、ソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃと、ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃとは、実質的に同一面上に形成されている。
【０２４２】
第１半導体装置１ｆの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）で露出するソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂと、次に説明する第２半導体装置１ｇの裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）で露出するドレイン端子５の下面１５ｂとは、後述の半導体装置１ｈの製造工程において、接合材７ｆ（７ｅ）で接合されて電気的に接続される。
【０２４３】
本実施の形態の半導体装置１ｈを製造するのに使用する第２半導体装置１ｇは、図６９〜図７２に示されるような構造を有している。この第２半導体装置１ｇは、上記実施の形態１の半導体装置１と以下の点で相違している。
【０２４４】
すなわち、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂと、ゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとは、封止樹脂部６の側面から突出している。また、ソース端子３における第１の部分３ａと第２の部分３ｂとの高低差（段差部３ｃによる段差の高さ）と、ゲート端子４における第１の部分４ａと第２の部分４ｂとの高低差（段差部４ｃによる段差の高さ）とが、上記実施の形態１の半導体装置１の場合よりも大きくなっている。これにより、ソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃと、ゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃとは、封止樹脂部６の裏面６ｂよりも、上記第１半導体装置１ｆの高さに相当する分だけ、低い位置にある。これ以外の第２半導体装置１ｇの構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２４５】
このような構造の第２半導体装置１ｇは、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様にして製造することができるが、以下の点で製造工程が相違している。
【０２４６】
すなわち、リードフレーム２２は、ソース端子部２３およびゲート端子部２４が平坦なものを用いる（リードフレーム２１は上記実施の形態１と同様のものを用いる）。そして、上記ステップＳ１１でリードフレーム２１，２２を切断してから、封止樹脂部６の側面から突出するソース端子３およびゲート端子４を折り曲げ加工して、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂと、ゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとを形成する。これにより、ソース端子３の段差部３ｃおよび第２の部分３ｂとゲート端子４の段差部４ｃおよび第２の部分４ｂとは、封止樹脂部６内ではなく、封止樹脂部６外に形成される。これ以外の第２半導体装置１ｇの製造工程は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２４７】
このような第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇを用い、次のようにして、本実施の形態の半導体装置１ｈを製造する。
【０２４８】
まず、上記のような第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇを準備する（ステップ３１）。
【０２４９】
次に、図７３および図７４に示されるように、第１半導体装置１ｆ上にフィルム部材（接着用フィルム）８ｃを配置（搭載、貼付け）する（ステップＳ３２）。すなわち、ステップＳ３２では、第１半導体装置１ｆの上面１ａ上に、フィルム部材８ｃを配置する。ここで、半導体装置１の上面１ａは、封止樹脂部６の表面６ａ側の主面である。フィルム部材８ｃは、上記実施の形態１で使用したフィルム部材８ｃと同様のものであるので、ここではその説明は省略する。
【０２５０】
また、図７３からも分かるように、フィルム部材８ｃは、第１半導体装置１ｆの上面１ａの中央部ではなく、第１半導体装置１ｆの上面１ａの周辺部に配置することが好ましい。これにより、第１半導体装置１ｆの上面１ａにおいて、フィルム部材８ｃと露出するソース端子３との重なりをできるだけ少なくすることができ、第１半導体装置１ｆのソース端子３と、後で搭載する第２半導体装置１ｇのドレイン端子５との間の接合を、主として導電性および接着性が高い接合材７ｆに担わせることができるようになる。
【０２５１】
また、図７３からも分かるように、第１半導体装置１ｆの上面１ａにおいて、フィルム部材８ｃを複数配置すれば、より好ましい。図７３では、２つのフィルム部材８ｃを配置している。この際、図７３のように、第１半導体装置１ｆの上面１ａにおいて、対向する２辺に沿った位置にフィルム部材８ｃを配置すれば更に好ましく、これにより、第１半導体装置１ｆと、後で搭載する第２半導体装置１ｇとの平行度を高めることができる。
【０２５２】
次に、第１半導体装置１ｆ上に接合材７ｅを配置する（ステップＳ３３）。すなわち、ステップＳ３３では、第１半導体装置１ｆの上面１ａ上に、接合材７ｅを配置（塗布）する。接合材７ｅは、導電性の接合材であり、ペースト状の接合材であり、好ましくは半田ペーストまたは銀ペーストである。ステップＳ３３では、接合材７ｅは、第１半導体装置１ｆの上面１ａにおけるソース端子３の露出面（すなわちソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂ）上で、かつフィルム部材８ｃが配置されていない領域に配置または塗布される。なお、図７３および図７４は、ステップＳ３３の接合材７ｅの配置工程までを行った状態が示されている。
【０２５３】
次に、図７５および図７６に示されるように、第１半導体装置１ｆ上に第２半導体装置１ｇを配置（搭載）する（ステップＳ３４）。すなわち、ステップＳ３４では、第２半導体装置１ｇの上面１ａ側（封止樹脂部６の上面６ａ側）が上方を向き、第２半導体装置１ｇの裏面１ｂ側（封止樹脂部６の裏面６ｂ側）が、第１半導体装置１ｆの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）に対向するように、第１半導体装置１ｆの上面１ａ上に第２半導体装置１ｇを配置（搭載）する。これにより、第２半導体装置１ｇは、接合材７ｅおよびフィルム部材８ｃを介して第１半導体装置１ｆの上面１ａ上に配置（搭載）され、接合材７ｅおよびフィルム部材８ｃの一方または両方の接着性（粘着性）により仮固定される。
【０２５４】
次に、接合材７ｅの硬化を行う（ステップＳ３５）。接合材７ｅが半田ペーストであった場合には、ステップＳ３５では、半田リフローを行って、接合材ｅを溶融、固化（再固化）する。また、接合材７ｅが銀ペーストであった場合には、ステップＳ３５では、銀ペーストを硬化するための熱処理を行って、接合材７ｅを硬化する。
【０２５５】
ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程を行うことで、図７５および図７６に示されるように、下側に位置する第１半導体装置１ｆのソース端子３の第１の部分３ａと、上側に位置する第２半導体装置１ｇのドレイン端子５とが、接合材７ｆ（接合材７ｅが硬化したもの）を介して接合されて電気的に接続される。
【０２５６】
接合材７ｆは、接合材７ｅがステップＳ３５の処理で硬化したものである。接合材７ｅが半田ペーストであった場合には、半田ペーストからなる接合材７ｅが、ステップＳ３５半田リフローにより溶融、固化して、半田からなる接合材７ｆとなる。また、接合材７ｅが銀ペーストであった場合には、銀ペーストからなる接合材７ｅがステップＳ３５の熱処理により硬化して、硬化した銀ペーストからなる接合材７ｆとなる。
【０２５７】
また、ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程の熱処理により、フィルム部材８ｃも硬化する。硬化したフィルム部材８ｃは、上側の第２半導体装置１ｇの裏面１ｂ（封止樹脂部６の裏面６ｂ）と、下側の第１半導体装置１ｆの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）との間の接合（接着）に寄与する。このため、フィルム部材８ｃは接着用フィルム（フィルム型接着材、フィルム型接合材）とみなすこともできる。
【０２５８】
また、第１半導体装置１ｆと第２半導体装置１ｇの一方または両方における接合材７（半導体チップ２と端子とを接合する接合材７）に半田を使用している場合は、ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程の熱処理時に接合材７が溶融しないようにしておくことが好ましい。これは、第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇ中の接合材７に使用する半田の融点を、ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程の熱処理温度（熱処理の最高温度）よりも高くしておくことで、実現できる。これにより、ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程の熱処理で、第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇ中で接合材７による半導体チップ２と端子との接合状態が変化するのを防止でき、接続の信頼性をより向上させることができる。
【０２５９】
また、接合材７ｅが半田ペーストであった場合には、ステップＳ３５の接合材７ｅの硬化工程で半田リフロー処理を行った後、必要に応じて洗浄を行い、フラックスなどを除去することもできる。
【０２６０】
このようにして、本実施の形態の半導体装置１ｈが製造される。
【０２６１】
本実施の形態の半導体装置１ｈにおいては、下側の第１半導体装置１ｆのドレイン端子５の下面１５ｂとソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃとゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃと、上側の第２半導体装置１ｇのソース端子３の第２の部分３ｂの下面１３ｃとゲート端子４の第２の部分４ｂの下面１４ｃとが、外部接続用の端子となり、好ましくは実質的に同一面上に形成されている。このため、半導体装置１ｈは、面実装型の半導体装置（半導体パッケージ）である。
【０２６２】
また、下側の第１半導体装置１ｆのソース端子３の第１の部分３ａと、上側の第２半導体装置１ｇのドレイン端子５とが、接合材７ｆを介して電気的に接続されているため、下側の第１半導体装置１ｆの半導体チップ２のソースパッド電極２ｓと、上側の第２半導体装置１ｇの半導体チップ２の裏面ドレイン電極２ｄとが電気的に接続された状態となっている。このため、下側の第１半導体装置１ｆのソース端子３は、上側の第２半導体装置１ｇのドレイン端子を兼ねることになる。従って、上側の第２半導体装置１ｇのドレイン端子５は、半導体装置１ｈの実装面（側の第１半導体装置１ｆの下面）まで伸ばす必要は無い。このようにして、下側の第１半導体装置１ｆの半導体チップ２に形成されたＭＩＳＦＥＴと、上側の第２半導体装置１ｇの半導体チップ２に形成されたＭＩＳＦＥＴとを直列に接続することができる。
【０２６３】
また、半導体装置１ｈの上面となる上側の第２半導体装置１ｇの上面１ａでは、上側の第２半導体装置１ｇのソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂおよびゲート端子４の第１の部分４ａの上面１４ｂが露出している。この露出部を介して、内部の半導体チップ２で生じた熱を、半導体装置１ｈの上面側からも放熱することができる。これにより、放熱特性を向上でき、半導体装置１ｈの性能を向上させることができる。
【０２６４】
本実施の形態とは異なり、第１半導体装置１ｆと第２半導体装置１ｇの間にフィルム部材８ｃを介在させない場合には、両者を接合する接合材７ｆの厚みが変動し、製造された半導体装置１ｈの高さ寸法がばらついてしまう。ここで、半導体装置１ｈの高さ寸法は、下側の第１半導体装置１ｆの下面１ｂ（封止樹脂部６の下面６ｂ）から上側の第２半導体装置１ｇの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ｂ）までの高さ（距離）に対応する。
【０２６５】
それに対して、本実施の形態では、第１半導体装置１ｆと第２半導体装置１ｇの間にフィルム部材８ｃが介在するため、このフィルム部材８ａが、下側の第１半導体装置１ｆの上面１ａと上側の第２半導体装置１ｇの下面１ｂとの間の距離（間隔）を規定する。そして、フィルム部材８ｃは、第１半導体装置１ｆの上面と第２半導体装置１ｇの下面の間に介在して、ステップＳ３５で接合材７ｅを硬化するまで、第１半導体装置１ｆの上面と第２半導体装置１ｇの下面との間の距離をほぼ一定に保つように機能する。
【０２６６】
従って、フィルム部材８ｃは、接合材７ｅに比べて、荷重（厚さ方向の荷重）に対する変形率（厚さ方向の変形率）が小さいものであることが必要である。すなわち、ある平面上に接合材７ｅとフィルム部材８ｃとを配置して、それらに同じ荷重をかけたときに、接合材７ｅよりも、フィルム部材８ｃの方が変形しない（前記平面に垂直な厚さ方向に変形しない）ことが必要である。フィルム部材８ｃは、フィルム状の部材であるため、ペースト状の接合材７ｅに比べて、荷重に対する変形率が小さい。このため、第１半導体装置１ｆと第２半導体装置１ｇの間に接合材７ｅだけでなくフィルム部材８ｃも介在させることで、第１半導体装置１ｆの上面と第２半導体装置１ｇの下面との間の距離をほぼ一定に保つことができる。
【０２６７】
このため、接合材７ｅが硬化して形成された接合材７ｆは、下側に位置する第１半導体装置１ｆのソース端子３の第１の部分３ａと、上側に位置する第２半導体装置１ｇのドレイン端子５とに接して両者を接合するように形成されるが、その膜厚は、フィルム部材８ｃの膜厚で規定される。従って、フィルム部材８ｃの膜厚を調整することで、接合材７ｆの膜厚を所定の値に制御することができる。このため、所定の膜厚のフィルム部材８ｃを用いることで、接合材７ｆの膜厚のばらつき（変動）を抑制できる。これにより、それによって、製造された半導体装置１ｈの高さ寸法のばらつき（変動）を抑制することができる。
【０２６８】
また、半導体装置１ｈを製造するのに用いる第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇは、上記実施の形態１にほぼ従って製造したものであり、フィルム部材８ａ，８ｂを使用したため、第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇの各高さ寸法のばらつき（変動）が少ない。このため、本実施の形態では、高さ寸法のばらつきが少ない第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇを用い、かつフィルム部材８ｃを使用したことで接合材７ｆの膜厚のばらつきを抑制できるので、製造された半導体装置１ｈの高さ寸法のばらつきを的確に抑制することができる。
【０２６９】
また、製造された半導体装置１ｈの高さ寸法を均一にできるので、複数の半導体装置１ｈに放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載した際に、各半導体装置１ｈと放熱用部材との接続状態が均一になり、各半導体装置１ｈの放熱状態を均一にすることができる。従って、半導体装置の放熱特性を均一にでき、性能を向上させることができる。
【０２７０】
（実施の形態６）
上記実施の形態５では、上記実施の形態１のようなフィルム部材を接合材とともに用いる手法で複数の半導体装置を積み重ねている。本実施の形態では、上記実施の形態２のような銀ペースト７ｃを用いる手法で複数の半導体装置を積み重ねる。
【０２７１】
図７７は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。図７８は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【０２７２】
本実施の形態の半導体装置を製造するのに使用する第１半導体装置１ｊと上記実施の形態２の半導体装置１ｃとの間の相違点（構造および製法の相違点）は、上記実施の形態５で説明した第１半導体装置１ｆと上記実施の形態１の半導体装置１との間の相違点と同様であるので、ここではその説明は省略する。この相違点以外は、第１半導体装置１ｊは、上記実施の形態２の半導体装置１ｃとほぼ同様である。
【０２７３】
また、本実施の形態の半導体装置を製造するのに使用する第２半導体装置１ｋと上記実施の形態２の半導体装置１ｃとの間の相違点（構造および製法の相違点）は、上記実施の形態５で説明した第２半導体装置１ｇと上記実施の形態１の半導体装置１との間の相違点と同様であるので、ここではその説明は省略する。この相違点以外は、第２半導体装置１ｋは、上記実施の形態２の半導体装置１ｃとほぼ同様である。
【０２７４】
このような第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋを用い、次のようにして、本実施の形態の半導体装置１ｈを製造する。
【０２７５】
まず、上記のような第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋを準備する（ステッ
プ３１ａ）。
【０２７６】
次に、図７８に示されるように、第１半導体装置１ｊ上に銀ペースト７ｃを配置する（ステップＳ３３ａ）。すなわち、ステップＳ３３ａでは、第１半導体装置１ｊの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）で露出するソース端子３の第１の部分３ａの上面１３ｂ上に、銀ペースト７ｃを配置または塗布する。銀ペースト７ｃは、上記実施の形態２で使用したものと同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０２７７】
次に、第１半導体装置１ｊ上に第２半導体装置１ｋを配置（搭載）する（ステップＳ３４ａ）。すなわち、ステップＳ３４ａでは、第２半導体装置１ｋの上面１ａ側（封止樹脂部６の上面６ａ側）が上方を向き、第２半導体装置１ｋの裏面１ｂ側（封止樹脂部６の裏面６ｂ側）が、第１半導体装置１ｊの上面１ａ（封止樹脂部６の上面６ａ）に対向するように、第１半導体装置１ｊの上面１ａ上に第２半導体装置１ｋを配置（搭載）する。これにより、第２半導体装置１ｋは、銀ペースト７ｃを介して第１半導体装置１ｊの上面１ａ上に配置（搭載）され、銀ペースト７ｃの接着性（粘着性）により仮固定される。
【０２７８】
次に、銀ペースト７ｃの硬化を行う（ステップＳ３５ａ）。すなわち、ステップＳ３５ａでは、硬化の熱処理を行って、銀ペースト７ｃを硬化する。
【０２７９】
上記実施の形態２のステップＳ８ａの銀ペースト７ｃの硬化工程と同様の考え方により、本実施の形態のステップ３５ａの銀ペースト７ｃの硬化工程においても、銀ペースト７ｃを介在した上側の第２半導体装置１ｋと下側の第１半導体装置１ｊとの間に圧力（荷重）をかけながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行う。図７８には、圧力（荷重）が矢印６７ａで模式的に示されており、矢印６７ａの向きが圧力（荷重）の印加方向である。例えば、図７８の構造体（第１半導体装置１ｊ上に銀ペースト７ｃを介して第２半導体装置１ｋを搭載したもの）を、上記押え用治具６０のようなものを用いて上下から押えながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行うことができる。すなわち、ステップＳ３５ａ（銀ペースト７ｃの硬化工程）で、銀ペースト７ｃを間に挟んだ第１半導体装置１ｊと第２半導体装置１ｋとを上記押え用治具６０のようなもので押えながら（圧力をかけながら）、銀ペースト７ｃを硬化させるのである。
【０２８０】
硬化した銀ペースト７ｃが接合材７ｇとなり、この接合材７ｇ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）によって、下側に位置する第１半導体装置１ｆのソース端子３の第１の部分３ａと、上側に位置する第２半導体装置１ｇのドレイン端子５とが、接合されて電気的に接続される。
【０２８１】
このようにして、本実施の形態の半導体装置が製造される。製造された半導体装置における各端子の機能や接続関係は上記実施の形態５の半導体装置１ｈと同様であるため、ここではその説明は省略する。
【０２８２】
本実施の形態では、第１半導体装置１ｊ上に第２半導体装置１ｋを接合するのに、銀ペースト７ｃを用い、かつ圧力（荷重）を加えながら熱処理を行って銀ペースト７ｃを硬化している。このため、銀ペースト７ｃが硬化して形成された接合材７ｇは、下側に位置する第１半導体装置１ｊのソース端子３の第１の部分３ａと、上側に位置する第２半導体装置１ｋのドレイン端子５とに接して両者を接合するように形成されるが、その膜厚は、銀ペースト７ｃ中の上記スペーサ粒子６６の粒径（直径）とほぼ等しくなる。その理由は、上記実施の形態２で接合材７ｄについて説明した理由と同様である。このため、銀ペースト７ｃ中に配合しておく上記スペーサ粒子６６の粒径を、接合材７ｇの所望の厚みに合わせておくことで、接合材７ｇの膜厚を所定の値に制御することができ、また、接合材７ｇの膜厚のばらつき（変動）を抑制できる。これにより、製造された半導体装置（第１半導体装置１ｊ上に第２半導体装置１ｋを積み重ねたもの）の高さ寸法のばらつき（変動）を抑制することができる。
【０２８３】
また、製造された半導体装置の高さ寸法を均一にできるので、複数の半導体装置に放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載した際に、各半導体装置と放熱用部材との接続状態が均一になり、各半導体装置の放熱状態を均一にすることができる。従って、半導体装置の放熱特性を均一にでき、性能を向上させることができる。
【０２８４】
また、第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋは、上記実施の形態２にほぼ従って製造したものであり、第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋの各高さ寸法のばらつき（変動）が少ない。このため、本実施の形態では、高さ寸法のばらつきが少ない第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋを用い、かつ両者を接合する接合材７ｇの膜厚のばらつきを抑制できるので、製造された半導体装置（第１半導体装置１ｊ上に第２半導体装置１ｋを積み重ねたもの）の高さ寸法のばらつきを的確に抑制することができる。
【０２８５】
また、本実施の形態において、第１半導体装置１ｊの代わりに上記実施の形態５で使用した第１半導体装置１ｆを用いることもできる。また、本実施の形態において、第２半導体装置１ｋの代わりに上記実施の形態５で使用した第２半導体装置１ｇを用いることもできる。また、上記実施の形態５において、上記第１半導体装置１ｆの代わりに本実施の形態で使用した第１半導体装置１ｊを用いることもできる。また、上記実施の形態５において、上記第２半導体装置１ｇの代わりに本実施の形態で使用した第２半導体装置１ｋを用いることもできる。
【０２８６】
また、本実施の形態および上記実施の形態５では、２つの半導体装置（本実施の形態では第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋ、上記実施の形態５では第１半導体装置１ｆおよび第２半導体装置１ｇ）を積み重ねる場合について説明したが、積み重ねる数は２つ以上（すなわち複数）であればよい。
【０２８７】
本実施の形態および上記実施の形態５は、封止樹脂部６の上下両面に露出導体を有する樹脂封止型の半導体装置（第１半導体装置１ｆ，１ｊや第２半導体装置１ｇ，１ｋ）を複数積み重ねて接合したものである。このため、熱抵抗やインダクタンスを低減できる。また、第１半導体装置１，１ｊや第２半導体装置１ｇ，１ｋを個々に実装基板などに実装する場合に比べて、実装面積（実装基板の面積）を低減できる。
【０２８８】
また、本実施の形態および上記実施の形態５では、積み重ねる半導体装置は、上記第１半導体装置１ｆ，１ｊや上記第２半導体装置１ｇ，１ｋに限らず、封止樹脂部の上下両面に露出導体を有する樹脂封止型の半導体装置であればよい。これにより、積み重ねられた半導体装置間を接合する接合材（上記接合材７ｆ，７ｇに相当するもの）の膜厚を均一化できるという効果を得られる。
【０２８９】
但し、本実施の形態および上記実施の形態５のように複数の半導体装置を積み重ねる場合には、個々の半導体装置の高さ寸法のばらつきが積算されるため、積み重ねた半導体装置間の接合材（上記接合材７ｆ，７ｇに相当するもの）の膜厚を均一化するだけでなく、積み重ねる前の個々の半導体装置の高さ寸法のばらつきを、できるだけ低減しておくことが、より望ましい。
【０２９０】
このため、本実施の形態および上記実施の形態５で説明したように、上記実施の形態１または上記実施の形態２を適用した半導体装置（ここでは第１半導体装置１ｆ，１ｊおよび第２半導体装置１ｇ，１ｋ）を積み重ねることが、より好ましい。これにより、積み重ねられた半導体装置間を接合する接合材（上記接合材７ｆ，７ｇに相当するもの）の膜厚を均一化できるだけでなく、積み重ねる前の個々の半導体装置自身の高さ寸法のばらつきも抑制できるため、複数の半導体装置を積み重ねて形成した半導体装置全体の高さ寸法を、より的確に均一化することができる。
【０２９１】
また、本実施の形態および上記実施の形態５では、複数の半導体装置を積み重ねているが、最も上側の半導体装置（ここでは上記第２半導体装置１ｇ，１ｋ）については、上記実施の形態３（半導体装置１ｄ）のように熱伝導シート７１を使用した半導体装置を用いることもできる。
【０２９２】
（実施の形態７）
上記実施の形態５，６では、半導体チップ２を封止樹脂部６で封止した後に、封止体（第１半導体装置１ｆ、第２半導体装置１ｇ、第１半導体装置１ｊおよび第２半導体装置１ｋに対応）を積み重ねていた。本実施の形態では、封止樹脂部で封止する前に、半導体チップ２を積み重ねる。
【０２９３】
図７９〜図８８は、本実施の形態の半導体装置１ｍの製造工程中の要部平面図または要部断面図である。図７９〜図８８のうち、図７９、図８１、図８３および図８５は平面図（要部平面図）であり、図８０、図８２、図８４、図８６〜図８８は断面図（要部断面図）である。なお、図７９と図８０とは同じ工程段階に対応し、図８１と図８２とは同じ工程段階に対応し、図８３と図８４とは同じ工程段階に対応し、図８５と図８６とは同じ工程段階に対応する。なお、図８０、図８２、図８４、図８６〜図８８の断面図は、図７９、図８１、図８３および図８５に示されるＡ９−Ａ９線に沿った断面にほぼ対応する。また、図８９〜図９１は、製造された本実施の形態の半導体装置１ｍの断面図（側面断面図）である。
【０２９４】
まず、半導体チップ８１，８２とリードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃを準備する。本実施の形態では、１つの半導体装置１ｍを製造するのに複数の半導体チップ２、ここでは２つの半導体チップ８１，８２を用いる。半導体チップ８１，８２は上記半導体チップ２と同様の構成を有しており、その表面２ａにソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇを有し、その裏面２ｂの全面に裏面ドレイン電極を有している。また、リードフレーム２１ｂは上記実施の形態２のリードフレーム２１に相当するものであり、ドレイン端子部２５を有している。また、リードフレーム２２ｂ，２２ｃは、それぞれ、上記実施の形態２のリードフレーム２２に相当するものであり、ソース端子部２３およびゲート端子部２４を有している。
【０２９５】
次に、上記実施の形態２のステップＳ３ａと同様に、図７９および図８０に示されるように、リードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に、銀（Ａｇ）ペースト７ｃを配置（塗布）する。銀ペースト７ｃは、上記実施の形態２と同様のものである。銀ペースト７ｃは、リードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５の第１主面３５ａのうち、半導体チップ８１搭載予定領域に配置または塗布される。
【０２９６】
次に、上記実施の形態２のステップＳ４と同様に、リードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５上に半導体チップ８１（半導体チップ２）を配置（搭載）する。これにより、半導体チップ８１は銀ペースト７ｃを介してリードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５の第１主面３５ａ上に配置（搭載）され、銀ペースト７ｃ接着性（粘着性）により仮固定される。このようにして、図７９および図８０の構造が得られる。半導体チップ８１の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とリードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５の第１主面（上面）３５ａとの間には、銀ペースト７ｃのみが介在している。
【０２９７】
次に、図８１および図８２に示されるように、上記実施の形態２のステップＳ６ａと同様に、半導体チップ８１の表面２ａのゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓ上に、銀ペースト７ｃを配置（塗布）する。
【０２９８】
次に、上記実施の形態２のステップＳ７と同様に、半導体チップ８１の表面２ａ上にリードフレーム２２ｂを配置する。この際、半導体チップ８１のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２ｂのソース端子部２３が配置され、かつ半導体チップ８１のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２ｂのゲート端子部２４が配置されるように、リードフレーム２１ｂおよび半導体チップ８１上にリードフレーム２２ｂを配置する。これにより、半導体チップ８１のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２ｂのソース端子部２３が銀ペースト７ｃを介して配置され、かつ半導体チップ８１のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２ｂのゲート端子部２４が銀ペースト７ｃを介して配置され、銀ペースト７ｃの接着性（粘着性）により仮固定される。このようにして、図８１および図８２の構造が得られる。
【０２９９】
次に、図８３および図８４に示されるように、リードフレーム２２ｂのソース端子部２３の第１主面（上面）３３ｄ上に、銀ペースト７ｃを配置（塗布）する。この際、銀ペースト７ｃは、リードフレーム２２ｂのソース端子部２３の第１主面３３ｄのうち、半導体チップ８２搭載予定領域に配置または塗布される。なお、リードフレーム２２ｂのソース端子部２３の第１主面３３ｄは、半導体チップ８１に対向する側とは反対側の主面である。
【０３００】
次に、リードフレーム２２ｂのソース端子部２３上に半導体チップ８２（半導体チップ２）を配置（搭載）する。これにより、半導体チップ８２は銀ペースト７ｃを介してリードフレーム２２ｂのソース端子部２３の第１主面３３ｄ上に配置（搭載）され、銀ペースト７ｃ接着性（粘着性）により仮固定される。このようにして、図８３および図８４の構造が得られる。半導体チップ８２の裏面２ｂ（裏面ドレイン電極２ｄ）とリードフレーム２２ｂのソース端子部２３の第１主面（上面）３３ｄとの間には、銀ペースト７ｃのみが介在している。
【０３０１】
図７９、図８１および図８３からも分かるように、リードフレーム２２ｂのソース端子部２３は、半導体チップ８１のゲートパッド電極２ｇに平面的に重ならないように配置し、このリードフレーム２２ｂのソース端子部２３上に半導体チップ８２を配置している。このため、半導体チップ８２は、半導体チップ８１と平面的に見てずれた位置に配置される。このため、半導体チップ８１の裏面ドレイン電極２ｄは、リードフレーム２２ｂのゲート端子部２４とは接触しない。
【０３０２】
次に、図８５および図８６に示されるように、半導体チップ８１対して行ったのと同様に、半導体チップ８２の表面２ａのゲートパッド電極２ｇおよびソースパッド電極２ｓ上に、銀ペースト７ｃを配置（塗布）する。
【０３０３】
次に、半導体チップ８２の表面２ａ上にリードフレーム２２ｃを配置する。この際、半導体チップ８２のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２ｃのソース端子部２３が配置され、かつ半導体チップ８２のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２ｃのゲート端子部２４が配置されるように、リードフレーム２２ｃを配置する。これにより、半導体チップ８２のソースパッド電極２ｓ上にリードフレーム２２ｃのソース端子部２３が銀ペースト７ｃを介して配置され、かつ半導体チップ８２のゲートパッド電極２ｇ上にリードフレーム２２ｃのゲート端子部２４が銀ペースト７ｃを介して配置され、銀ペースト７ｃの接着性（粘着性）により仮固定される。
【０３０４】
このようにして図８５および図８６の構造（仮組立体４０ｇ）が得られる。仮組立体４０ｇは、リードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃおよびそれらの間に銀ペースト７ｃを介して挟まれた半導体チップ８１，８２からなるが、銀ペースト７ｃは、この段階ではまだ硬化されていない。
【０３０５】
次に、上記実施の形態２のステップＳ８ａと同様に、銀ペースト７ｃの硬化を行う。すなわち、熱処理（加熱）により銀ペースト７ｃを硬化する。上記実施の形態２と同様に、本実施の形態においても、銀ペースト７ｃの硬化工程において、仮組立体４０ｇに圧力（荷重）をかけながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行う。図８６には、圧力（荷重）が矢印６７ｂで模式的に示されており、矢印６７ｂの向きが圧力（荷重）の印加方向である。すなわち、半導体チップ８１とリードフレーム２２ｂのソース端子部２３と半導体チップ８２とを間に介在したリードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５とリードフレーム２２ｃのソース端子部２３およびゲート端子部２４とに圧力（荷重）をかけながら、銀ペースト７ｃの硬化処理（硬化のための熱処理）を行うのである。
【０３０６】
図８７は、本実施の形態のおける銀ペースト７ｃの硬化工程の一例を示す説明図（断面図）であり、上記実施の形態２の図３３に対応するものである。
【０３０７】
図８７に示されるように、仮組立体４０ｇを押え用治具６０のベース部６１上に配置してから、押え用治具６０の蓋部６２をベース部６１に取り付けることで、押え用治具６０の蓋部６２とベース部６１とによって仮組立体４０ｇを上下から押えることができる。これにより、リードフレーム２２ｃのソース端子部２３と、リードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５との間（半導体チップ８１，８２および銀ペースト７ｃが配置された領域）に圧力（荷重）が印加される。そして、押え用治具６０にセットされた仮組立体４０ｇを加熱（熱処理）することで、仮組立体４０ｇにおける銀ペースト７ｃを硬化する。すなわち、半導体チップとリードフレーム２２ｂのソース端子部２３と半導体チップ８２とを間に挟んだリードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５とリードフレーム２２ｃのソース端子部２３およびゲート端子部２４とを押え用治具６０で押えながら（圧力をかけながら）、銀ペースト７ｃを硬化させるのである。これにより、銀ペースト７ｃは、硬化した銀ペーストからなる接合材７ｈとなる。
【０３０８】
このようにして、銀ペースト７ｃの硬化工程を行うことができる。これにより、図８８に示されるように、半導体チップ８１の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５とが接合材７ｈ（銀ペースト７ｃが硬化したもの）を介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ８１のソースパッド電極２ｓとリードフレーム２２ｂのソース端子部２３とが接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ８１のゲートパッド電極２ｇとリードフレーム２２ｂのゲート端子部２４とが接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ８２の裏面ドレイン電極２ｄとリードフレーム２２ｂのソース端子部２３とが接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ８２のソースパッド電極２ｓとリードフレーム２２ｃのソース端子部２３とが接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続される。また、半導体チップ８２のゲートパッド電極２ｇとリードフレーム２２ｃのゲート端子部２４とが接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続される。これにより、リードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃおよびそれらの間に接合材７ｈで接合された半導体チップ７１，７２からなる組立体（ワーク）４０ｈが得られる。組立体４０ｈは、仮組立体４０ｇの銀ペースト７ｃを硬化したものである。
【０３０９】
その後、上記実施の形態２と同様に、ステップＳ９で封止樹脂部６を形成し、ステップＳ１０でめっき処理を行い、ステップＳ１１でリードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃの切断を行う。ここで、上記実施の形態２と異なるのは、リードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃのドレイン端子部２５、ゲート端子部２４およびソース端子部２３を平坦に形成しておき、封止樹脂部６の形成後、リードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃを切断してから、封止樹脂部６の側面から突出するソース端子部２３およびゲート端子部２４を折り曲げ加工することである。
【０３１０】
他の形態として、リードフレーム２２ｂ，２２ｃのゲート端子部２４およびソース端子部２３を予め折り曲げ加工しておき、折り曲げ部が封止樹脂部６内に封止されるように封止樹脂部６を形成することもできる（上記実施の形態２などはこの場合に相当する）。また、上記実施の形態１〜４において、リードフレームの端子部を平坦に形成しておき、封止樹脂部６の形成後に端子を折り曲げ加工することもできる。
【０３１１】
このようにして、図８９〜図９１に示されるように、本実施の形態の半導体装置１ｍが製造される。ここで、図８９は、図８６や図８８と同じ位置の断面（すなわち図８５のＡ９−Ａ９線に対応する位置の断面）が示され、図９０は、図８５のＢ９−Ｂ９線に対応する位置の断面）が示され、図９１は、図８５のＣ９−Ｃ９線に対応する位置の断面が示されている。
【０３１２】
リードフレーム２１ｂのドレイン端子部２５が半導体装置１ｍのドレイン端子５となる。リードフレーム２２ｂのソース端子部２３が半導体装置１ｍの第１ソース端子３ｄとなる。リードフレーム２２ｂのゲート端子部２４が半導体装置１ｍの第１ゲート端子４ｄとなる。リードフレーム２２ｃのソース端子部２３が半導体装置１ｍの第２ソース端子３ｅとなる。リードフレーム２２ｃのゲート端子部２４が半導体装置１ｍの第２ゲート端子４ｅとなる。
【０３１３】
半導体装置１ｍの裏面、すなわち封止樹脂部６の裏面６ｂでは、ドレイン端子５の下面１５ｂが露出されている。このドレイン端子５の下面１５ｂは、半導体チップ８１を搭載している側とは反対側の主面である。また、半導体装置１ｍの上面、すなわち封止樹脂部６の上面６ｂでは、第２ソース端子３ｅの上面１３ｂおよび第２ゲート端子４ｅの上面１４ｂが露出されている。この第２ソース端子３ｅの上面１３ｅおよび第２ゲート端子４ｅの上面１４ｅは、半導体チップ８２のソースパッド電極２ｓおよびゲートパッド電極２ｇに接続している側とは反対側の主面である。
【０３１４】
このように、本実施の形態の半導体装置１ｍは、半導体装置１の上面（封止樹脂部６の上面６ａ）側と、半導体装置１の下面（封止樹脂部６の裏面６ｂ）側の両面で端子が露出しており、上下両面に露出導体を有する樹脂封止型半導体パッケージ（半導体装置）である。このため、半導体装置１ｍの放熱特性を向上し、半導体装置１ｍの性能を向上させることができる。
【０３１５】
また、第１ソース端子３ｄ、第２ソース端子３ｅ、第１ゲート端子４ｄおよび第２ゲート端子４ｅは、封止樹脂部６から突出する部分で折り曲げ加工されている。折り曲げによって形成された第１ソース端子３ｄの下面１３ｃと、第２ソース端子３ｅの下面１３ｃと、第１ゲート端子４ｄの下面１４ｃと、第２ゲート端子４ｅの下面１４ｃとは、封止樹脂部６の裏面６ｂで露出されたドレイン端子５の下面１５ｂと実質的に同一平面上に形成されている。これら同一平面上にある、第１ソース端子３ｄの下面１３ｃ、第１ゲート端子４ｄの下面１４ｃ、第２ソース端子３ｅの下面１３ｃ、第２ゲート端子４ｅの下面１４ｃおよびドレイン端子５の下面１５ｂが、半導体装置１ｍの外部接続用の端子となる。このため、半導体装置１ｍは面実装型の半導体装置（半導体パッケージ）である。
【０３１６】
また、半導体装置１ｍにおいては、第１ソース端子３ｄ（リードフレーム２２ｂのソース端子部２３）は、下側の半導体チップ８１のソースパッド電極２ｓと、上側の半導体チップ８２の裏面ドレイン電極２ｄとの両方に接合材７ｈを介して接合されて電気的に接続されている。このため、下側の半導体チップ８１のソースパッド電極２ｓと、上側の半導体チップ８２の裏面ドレイン電極２ｄとが電気的に接続された状態となっている。このため、第１ソース端子３は、下側の半導体チップ８１のソース端子と、上側の半導体チップ８２のドレイン端子を兼ねることになる。従って、下側の半導体チップ８１に形成されたＭＩＳＦＥＴと、上側の半導体チップ８２に形成されたＭＩＳＦＥＴとを直列に接続することができる。
【０３１７】
本実施の形態では、半導体チップ８１，８２の電極と各端子とを接合するのに、上記スペーサ粒子６６が配合されている銀ペースト７ｃを用い、かつ圧力（荷重）を加えながら熱処理を行って銀ペースト７ｃを硬化している。このため、銀ペースト７ｃが硬化して形成された接合材７ｈの膜厚は、銀ペースト７ｃ中の上記スペーサ粒子６６の粒径（直径）とほぼ等しくなる。その理由は、上記実施の形態２で接合材７ｄについて説明した理由と同様である。このため、銀ペースト７ｃ中に配合しておく上記スペーサ粒子６６の粒径を、接合材７ｈの所望の厚みに合わせておくことで、接合材７ｈの膜厚を所定の値に制御することができ、また、接合材７ｈの膜厚のばらつき（変動）を抑制できる。これにより、モールド工程直前の組立体４０ｈの高さ寸法のばらつき（変動）を抑制することができる。従って、モールド工程で半導体チップ８１，８２にクラックなどが発生するのを防止でき、半導体装置１ｍの製造歩留まりを向上させることができる。また、製造された半導体装置１ｍの高さを均一にすることができる。また、製造された半導体装置１ｍの高さを均一にできるので、複数の半導体装置１ｍに放熱用部材（例えば上記放熱フィン５５）を搭載した際に、各半導体装置１ｍと放熱用部材との接続状態が均一になり、各半導体装置１ｍの放熱状態を均一にすることができる。従って、半導体装置の放熱特性を均一にでき、性能を向上させることができる。
【０３１８】
また、本実施の形態では、２つの半導体チップ８１，８２を積み重ねる場合について説明したが、積み重ねる半導体チップの数は２つ以上（すなわち複数）であればよい。
【０３１９】
また、本実施の形態では、上記実施の形態２の手法を適用し、銀ペースト７ｃを介して、リードフレーム２１ｂと半導体チップ８１とリードフレーム２２ｂと半導体チップ８２とリードフレーム２２ｃとを積み重ねた。他の形態として、上記実施の形態２の手法の代わりに上記実施の形態１の手法を適用し、接合材（上記接合材７ａ，７ｂに相当するもの）とフィルム部材（上記フィルム部材８ａ，８ｂに相当するもの）とを介して、リードフレーム２１ｂと半導体チップ８１とリードフレーム２２ｂと半導体チップ８２とリードフレーム２２ｃとを積み重ねることもできる。この場合にも、上記実施の形態１と同様、硬化した接合材７の膜厚をフィルム部材で制御でき、ほぼ同様の効果を得ることができる。
【０３２０】
本実施の形態の半導体装置１ｍは、内包する半導体チップの数が複数であり、封止樹脂部６の内部で複数の半導体チップの電極同士を接続している。このため、内包する半導体チップの数が１つである樹脂封止型の半導体装置を複数、個別に使用するのに比べて、熱抵抗やインダクタンスを低減できる。また、内包する半導体チップの数が１つである樹脂封止型の半導体装置を複数、個別に実装基板などに実装する場合に比べて、実装面積（実装基板の面積）を低減できる。
【０３２１】
また、本実施の形態に、上記実施の形態３を組み合わせることもできる。この場合、本実施の形態に従って上記組立体４０ｈを得た後、その組立体４０ｈに対して、上記実施の形態３のように熱伝導シート７１をリードフレーム２２ｃのソース端子部２３およびゲート端子部２４上に貼り付けてから、モールド（封止樹脂部６形成）工程、めっき処理工程、リードフレーム２１ｂ，２２ｂ，２２ｃ切断工程および端子（封止樹脂部６の側面から突出する端子）の折り曲げ加工工程を行えばよい。これにより、本実施の形態で得られる効果に加えて、更に上記実施の形態３の効果も得ることができる。
【０３２２】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０３２３】
本発明は、樹脂封止型半導体パッケージ形態の半導体装置の製造技術に適用して好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【０３２４】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の上面図である。
【図２】図１の半導体装置の下面図である。
【図３】図１の半導体装置の断面図である。
【図４】図１の半導体装置の他の断面図である。
【図５】図１の半導体装置に用いられる半導体チップのチップレイアウトの一例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図７】半導体チップの製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体チップの製造工程中の要部断面図である。
【図９】リードフレームを示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１１】図１０と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１２】図１０に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１３】図１２と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】フィルム部材の準備工程の説明図である。
【図１５】図１２に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１６】図１５と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１７】図１５に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１８】図１７と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１９】図１７に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図２０】図１９と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２１】図１９と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図２２】図２０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２３】図２２と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図２４】図２２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２７】図２６と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図２８】複数の半導体装置を実装基板上に実装した状態を示す断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図３０】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３１】図３０と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図３２】銀ペーストの硬化工程の説明図である。
【図３３】銀ペーストの硬化工程の説明図である。
【図３４】図３０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３５】図３４と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図３６】本発明の実施の形態２の半導体装置の断面図である。
【図３７】本発明の実施の形態２の半導体装置の他の断面図である。
【図３８】銀ペーストの説明図である。
【図３９】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図４０】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図４１】図４０と同じ半導体装置の製造工程中の上面透視図である。
【図４２】図４０と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４３】図４０と同じ半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図４４】図４２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４５】図４４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４６】本発明の実施の形態３の半導体装置の上面図である。
【図４７】本発明の実施の形態３の半導体装置の断面図である。
【図４８】本発明の実施の形態３の半導体装置の他の断面図である。
【図４９】本発明の実施の形態４の半導体装置の上面図である。
【図５０】図４９の半導体装置の下面図である。
【図５１】図４９の半導体装置の断面図である。
【図５２】図４９の半導体装置の他の断面図である。
【図５３】本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図５４】図５３と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５５】図５３に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図５６】図５５と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５７】図５５に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図５８】図５７と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５９】図５８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６０】図５９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６１】本発明の実施の形態４の半導体装置の他の製造工程中の断面図である。
【図６２】本発明の実施の形態４の半導体装置の他の製造工程中の断面図である。
【図６３】図６２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６４】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図６５】本発明の実施の形態５の半導体装置を製造するのに使用する第１半導体装置の上面図である。
【図６６】図６５の第１半導体装置の下面図である。
【図６７】図６５の第１半導体装置の断面図である。
【図６８】図６５の第１半導体装置の他の断面図である。
【図６９】本発明の実施の形態５の半導体装置を製造するのに使用する第２半導体装置の上面図である。
【図７０】図６９の第２半導体装置の下面図である。
【図７１】図６９の第２半導体装置の断面図である。
【図７２】図６９の第２半導体装置の他の断面図である。
【図７３】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図７４】図７３と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図７５】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図７６】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程中の他の断面図である。
【図７７】本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図７８】本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図７９】本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図８０】図７９と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８１】図７９に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図８２】図８１と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８３】図８１に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図８４】図８３と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８５】図８３に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図８６】図８５と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８７】銀ペーストの硬化工程の説明図である。
【図８８】図８５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８９】本発明の実施の形態７の半導体装置の断面図である。
【図９０】本発明の実施の形態７の半導体装置の他の断面図である。
【図９１】本発明の実施の形態７の半導体装置の他の断面図である。
【符号の説明】
【０３２５】
１，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｍ  半導体装置
１ａ  上面
１ｂ  裏面
１ｆ，１ｊ  第１半導体装置
１ｇ，１ｋ  第２半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｄ  半導体装置
１ｅ  半導体装置
２，８１，８２  半導体チップ
２ａ  表面
２ｂ  裏面
２ｄ  裏面ドレイン電極
２ｇ  ゲートパッド電極
２ｓ  ソースパッド電極
３  ソース端子
３ａ  第１の部分
３ｂ  第２の部分
３ｃ  段差部
３ｄ  第１ソース端子
３ｅ  第２ソース端子
４  ゲート端子
４ａ  第１の部分
４ｂ  第２の部分
４ｃ  段差部
４ｄ  第１ゲート端子
４ｅ  第２ゲート端子
５  ドレイン端子
５ａ  第１の部分
５ｂ  第２の部分
５ｃ  段差部
６  封止樹脂部
６ａ  上面
６ｂ  裏面
７，７ａ，７ｂ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ    接合材
７ｃ  銀ペースト
８  フィルム
８ａ，８ｂ，８ｃ  フィルム部材
１３ａ，１３ｃ，１３ｆ，１４ａ，１４ｃ，１５ａ，１５ｇ  下面
１３ｂ，１４ｂ，１５ａ  上面
１３ｄ，１４ｄ，１５ｃ  側面
２１，２１ｂ，２２，２２ｂ，２２ｃ  リードフレーム
２１ａ，２２ａ  フレーム枠
２３  ソース端子部
２３ａ，２４ａ，２５ａ  第１の部分
２３ｂ，２４ｂ，２５ｂ  第２の部分
２３ｃ，２４ｃ，２５ｃ  段差部
２４  ゲート端子部
２５  ドレイン端子部
３３ａ，３３ｆ，３４ａ，３５ａ，３５ｅ，３５ｇ  第１主面
３３ｂ，３４ｂ，３５ｂ，３５ｆ，  第２主面
３３ｃ，３４ｃ  下面
３７  基材層
４０，４０ａ，４０ｃ，４０ｅ，４０ｆ，４０ｈ  組立体
４０ｂ，４０ｇ  仮組立体
４１，４２  金型
４１ａ  下面
４２ａ  上面
４３  キャビティ
４７  切断線
５１  実装基板
５２  端子
５３  接合材
５４  熱伝導シート
５５  放熱フィン
６０  押え用治具
６１  ベース部
６１ａ  高さ固定ピン
６１ｂ  穴部
６２  蓋部
６２ａ  突起部
６５  銀ペースト
６６  スペーサ粒子
６７，６７ａ，６７ｂ  矢印（圧力または荷重）
７１  熱伝導シート
７１ａ  上面
７１ｂ  下面
１０１  半導体基板
１０１ａ  半導体基板
１０１ｂ  エピタキシャル層
１０２  絶縁膜
１０３  ｐ型ウエル
１０４  ゲート用トレンチ
１０５  ゲート絶縁膜
１０６  ゲート部
１０６ａ  ゲート配線部
１０７  チャネル領域
１０８  ソース領域
１１２  絶縁膜
１１３  コンタクトホール
１１４  スルーホール
１１５  孔
１１６  アルミニウム膜
１１６ａ  ゲート電極
１１６ｂ  ソース配線
１１７  絶縁膜
１１８  ドレイン電極
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３  距離
ｈ０，ｈ１，ｈ３，ｈ４  高さ寸法
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，  厚み
Ｔ４  突出量
【図１】
2009200338.tif 000003
【図２】
2009200338.tif 000004
【図３】
2009200338.tif 000005
【図４】
2009200338.tif 000006
【図５】
2009200338.tif 000007
【図６】
2009200338.tif 000008
【図７】
2009200338.tif 000009
【図８】
2009200338.tif 000010
【図９】
2009200338.tif 000011
【図１０】
2009200338.tif 000012
【図１１】
2009200338.tif 000013
【図１２】
2009200338.tif 000014
【図１３】
2009200338.tif 000015
【図１４】
2009200338.tif 000016
【図１５】
2009200338.tif 000017
【図１６】
2009200338.tif 000018
【図１７】
2009200338.tif 000019
【図１８】
2009200338.tif 000020
【図１９】
2009200338.tif 000021
【図２０】
2009200338.tif 000022
【図２１】
2009200338.tif 000023
【図２２】
2009200338.tif 000024
【図２３】
2009200338.tif 000025
【図２４】
2009200338.tif 000026
【図２５】
2009200338.tif 000027
【図２６】
2009200338.tif 000028
【図２７】
2009200338.tif 000029
【図２８】
2009200338.tif 000030
【図２９】
2009200338.tif 000031
【図３０】
2009200338.tif 000032
【図３１】
2009200338.tif 000033
【図３２】
2009200338.tif 000034
【図３３】
2009200338.tif 000035
【図３４】
2009200338.tif 000036
【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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