(57)【要約】【課題】簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるＭＥＭＳセンサおよび製造工程の簡素化を図ることができるＭＥＭＳセンサを提供すること。【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に接触して設けられた下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。下薄膜５は、下部電極８と、下部電極８を被覆する下薄膜絶縁層７とを備えている。下薄膜絶縁層７には、その厚さ方向に下薄膜絶縁層７を貫通する複数の下貫通孔１２が形成されている。また、上薄膜６は、上部電極１４と、上部電極１４を被覆する上薄膜絶縁層１３とを備えている。上薄膜絶縁層１３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層１３を貫通する複数の上貫通孔１８が形成されている。【選択図】図１
2009028807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方面に接触して設けられた下薄膜と、
前記下薄膜に対して、前記基板と反対側に間隔を空けて対向配置された上薄膜と、を含む、ＭＥＭＳセンサ。
【請求項２】
前記下薄膜には、複数の下貫通孔がその厚さ方向に貫通して形成されており、
前記上薄膜には、前記上薄膜と一体的に形成され、前記上薄膜における前記下薄膜との対向面から前記下貫通孔に向けて突出した上部突出部が形成されている、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
【請求項３】
前記下薄膜には、前記上薄膜との対向面に、前記上薄膜に向けて突出した下部突出部が形成されている、請求項１または２に記載のＭＥＭＳセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＭＥＭＳセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、携帯電話機などに搭載されるマイクとして、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により製造される、Ｓｉ（シリコン）マイクなどのＭＥＭＳセンサが用いられている。
【０００３】
図５Ａ〜図５Ｋは、従来のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。図５Ａ〜図５Ｋを参照して、従来のＳｉマイクの製造方法を説明するとともに、その構造を説明する。
【０００４】
従来のＳｉマイク１０１の製造に際しては、まず、図５Ａに示すように、熱酸化処理によって、ＳｉウエハＷ２の全面に、ＳｉＯ２（酸化シリコン）が堆積される。これにより、ＳｉウエハＷ２の上面には、ＳｉＯ２からなる下部犠牲層１１１が形成される。また、ＳｉウエハＷ２の下面には、ＳｉＯ２膜１１９が形成される。
【０００５】
次いで、図５Ｂに示すように、下部犠牲層１１１の上面に、所定パターンの孔１２１を有するフォトレジスト１２０が形成される。そして、このフォトレジスト１２０をマスクとして下部犠牲層１１１がエッチングされることにより、図５Ｃに示すように、下部犠牲層１１１の上面に、複数（図５では４つ）の凹部１１２が形成される。凹部１１２形成後は、フォトレジスト１２０が除去される。
【０００６】
次に、ＬＰＣＶＤ法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：減圧化学気相成長法）により、下部犠牲層１１１およびＳｉＯ２膜１１９の全面に、ポリシリコンが堆積される。下部犠牲層１１１の上面全域を覆うポリシリコンは、リンドープの後、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって、複数の凹部１１２を含む所定領域上に存在する部分を除いて除去される。これにより、下部犠牲層１１１の所定領域上には、図５Ｄに示すように、薄膜状のポリシリコンプレート１０４が形成される。また、ＳｉＯ２膜１１９上には、ポリシリコン膜１１３が形成される。
【０００７】
続いて、ＰＥＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：プラズマ化学気相成長法）により、下部犠牲層１１１およびポリシリコンプレート１０４の全面に、ＳｉＯ２が堆積される。そして、このＳｉＯ２の不要部分が、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって除去される。これにより、図５Ｅに示すように、ポリシリコンプレート１０４およびその周辺の領域上に、ＳｉＯ２からなる上部犠牲層１１４が形成される。
【０００８】
次いで、ＬＰＣＶＤ法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition：減圧化学気相成長法）により、下部犠牲層１１１、上部犠牲層１１４およびポリシリコン膜１１３上に、ポリシリコンが堆積される。これにより、図５Ｆに示すように、ポリシリコン膜１１３上に堆積されたポリシリコンとポリシリコン膜１１３とが一体化して、ポリシリコン膜１１５となる。一方、下部犠牲層１１１および上部犠牲層１１４上に堆積されたポリシリコンは、リンドープの後、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングされる。これにより、図５Ｆに示すように、上部犠牲層１１４上に、多数の孔１０６を有する薄膜状のバックプレート１０５が形成される。
【０００９】
次に、図５Ｇに示すように、バックプレート１０５を含む上部犠牲層１１４上の全領域に、所定パターンの孔１２３を有するフォトレジスト１２２が形成される。そして、このフォトレジスト１２２をマスクとして上部犠牲層１１４がエッチングされる。これにより、図５Ｈに示すように、上部犠牲層１１４の上面に、複数（図５では４つ）の凹部１１７が形成されるとともに、下部犠牲層１１１の不要部分（上部犠牲層１１４と対向する部分以外の部分）が除去される。凹部１１７形成後は、フォトレジスト１２２が除去される。
【００１０】
次いで、ポリシリコン膜１１５が除去され、その後、図５Ｉに示すように、ＰＥＣＶＤ法により、ＳｉウエハＷ２の上面側の領域上に、ＳｉＮ（窒化シリコン）膜１０７が形成される。
【００１１】
次いで、図５Ｊに示すように、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、ＳｉＮ膜１０７に、バックプレート１０５の各孔１０６に連通する孔１１８が形成される。これにより、上部犠牲層１１４が孔１０６，１１８を介して部分的に露出する。また、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、ＳｉＯ２膜１１９におけるポリシリコンプレート１０４に対向する部分に開口が形成される。そして、この開口を介してＳｉウエハＷ２がエッチングされることにより、ＳｉウエハＷ２に貫通孔１０３が形成される。その結果、下部犠牲層１１１が貫通孔１０３を介して部分的に露出する。
【００１２】
次いで、貫通孔１０３および孔１０６，１１８から、ＳｉＯ２をエッチング可能なエッチング液が供給されることにより、上部犠牲層１１４および下部犠牲層１１１がウェットエッチングされる。これにより、図５Ｋに示すように、ＳｉウエハＷ２とポリシリコンプレート１０４との間に微小な間隔の空洞１２４が形成され、ポリシリコンプレート１０４がＳｉウエハＷ２の上面から浮いた状態になる。また、ポリシリコンプレート１０４とバックプレート１０５との間に微小な間隔の空洞１１０が形成され、バックプレート１０５がポリシリコンプレート１０４の上面から浮いた状態になる。
【００１３】
その後、ＳｉウエハＷ２が各素子サイズのＳｉ基板１０２に分割されることにより、ポリシリコンプレート１０４とバックプレート１０５とが空洞１１０を介して対向する、Ｓｉマイク１０１が得られる。ＳｉＮ膜１０７における上部犠牲層１１４の各凹部１１７に入り込んでいた部分は、ポリシリコンプレート１０４に向けて突出する凸部１０９となり、ポリシリコンプレート１０４とバックプレート１０５との密着および短絡を防止するためのストッパとして機能する。また、ポリシリコンプレート１０４における下部犠牲層１１１の各凹部１１２に入り込んでいた部分は、ＳｉウエハＷ２の上面に向けて突出する凸部１０８となり、Ｓｉ基板１０２とポリシリコンプレート１０４との密着を防止するためのストッパとして機能する。なお、ポリシリコンプレート１０４およびバックプレート１０５は、図示しない配線で支持されている。
【００１４】
ポリシリコンプレート１０４とバックプレート１０５とは、空洞１１０を介して対向するコンデンサ部分１２５を形成している。そして、Ｓｉマイク１０１では、貫通孔１０３から音圧（音波）が入力されると、その音圧（音波）によりポリシリコンプレート１０４およびバックプレート１０５が振動し、これらのプレートの振動により生じるコンデンサ部分１２５の静電容量の変化に応じた電気信号が出力される。
【特許文献１】特表２００１−５１８２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、Ｓｉマイク１０１では、貫通孔１０３からの音圧（音波）の入力により、ポリシリコンプレート１０４およびバックプレート１０５の両方が振動するため、入力された音波が共振するおそれがある。
【００１６】
また、Ｓｉ基板２とポリシリコンプレート１０４との間に空洞１２４が形成され、ポリシリコンプレート１０４とバックプレート１０５との間に空洞１１０が形成されて、ポリシリコンプレート１０４およびバックプレート１０５は、それぞれ空中に浮いた状態となるように、図示しない配線により支持されている。そのため、Ｓｉマイク１０１は、コンデンサ部分１２５の構造が複雑である上に、コンデンサ部分１２５の耐衝撃性があまり高くない。
【００１７】
また、コンデンサ部分１２５に２つの空洞（空洞１１０および空洞１２４）を形成するために、下部犠牲層１１１を形成する工程（図５Ａ参照）と、上部犠牲層１１４を形成する工程（図５Ｅ参照）との２工程が、空洞形成のための犠牲層を形成する工程として必要とされる。さらに、上部犠牲層１１４および下部犠牲層１１１の除去に要する時間を短縮するために、ＳｉウエハＷ２に貫通孔１０３を形成し、この貫通孔１０３と孔１０６，１１８とからエッチング液を供給することにより、犠牲層１１４のエッチングと並行して、ＳｉＯ２膜１１１Ａのエッチングを進行させている。ところが、ＳｉウエハＷ２に貫通孔１０３を形成するためには、ＳｉウエハＷ２の下面上のＳｉＯ２膜１１９に開口を形成し、その開口からＳｉウエハＷ２をエッチングしなければならない。すなわち、ＳｉＯ２膜１１９に開口を形成する工程と、ＳｉウエハＷ２をエッチングする工程との２工程の追加を余儀なくされる。これらの結果、Ｓｉマイク１の製造工程が複雑であるという不具合を生じる。
【００１８】
そこで、この発明の目的は、簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるＭＥＭＳセンサ提供することにある。
【００１９】
また、この発明の別の目的は、製造工程の簡素化を図ることができるＭＥＭＳセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板と、前記基板の一方面に接触して設けられた下薄膜と、前記下薄膜に対して、前記基板と反対側に間隔を空けて対向配置された上薄膜と、を含む、ＭＥＭＳセンサである。
【００２１】
この構成によれば、基板の一方面に接触して設けられた下薄膜に対して、基板と反対側に間隔を空けて、上薄膜が対向配置されている。上薄膜と下薄膜とは、所定の間隔の空洞を介して対向するコンデンサ部分を形成している。
【００２２】
このＭＥＭＳセンサでは、下薄膜が基板の一方面に接触して設けられているので、コンデンサ部分に音圧（音波）が入力されると、下薄膜は振動せず、上薄膜の振動により生じるコンデンサ部分の静電容量の変化に応じた電気信号が出力される。コンデンサ部分に音圧（音波）が入力されても、上薄膜および下薄膜の両方が振動することがないので、入力される音波の共振を抑制することができる。また、下薄膜が基板に接触して設けられ、下薄膜と基板との間に空洞が形成されていない。そのため、コンデンサ部分の構造が簡単であり、さらに、コンデンサ部分の耐衝撃性を向上させることもできる。
【００２３】
また、基板と下薄膜との間に空洞を有さないので、ＭＥＭＳセンサの製造工程において、基板の母体となるウエハと下薄膜との間に、空洞形成のための犠牲層を形成する必要がない。また、ウエハと下薄膜との間から犠牲層を除去するために、ウエハに貫通孔を形成する必要もない。そのため、ＭＥＭＳセンサの製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２４】
また、請求項２記載の発明は、前記下薄膜には、複数の下貫通孔がその厚さ方向に貫通して形成されており、前記上薄膜には、前記上薄膜と一体的に形成され、前記上薄膜における前記下薄膜との対向面から前記下貫通孔に向けて突出した上部突出部が形成されている、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサである。
【００２５】
下薄膜が複数の下貫通孔を有しているので、空洞形成のための犠牲層を下薄膜上に形成するに際して、犠牲層の材料として用いられる犠牲層材料（たとえば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、アルミニウム（Ａｌ）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）など）が下貫通孔に入り込む。そのため、犠牲層の上面には、下貫通孔に入り込んだ犠牲層材料の部分（犠牲層の下貫通孔と対向する部分）が凹むことにより、凹部が形成される。犠牲層に凹部が形成されるため、この犠牲層上に形成される上薄膜は、その一部が犠牲層の凹部に入り込む。そして、犠牲層が除去されることにより、上薄膜における犠牲層の凹部に入り込んでいた部分は、下貫通孔に向けて突出する上部突出部となる。
【００２６】
上薄膜に上部突出部が形成されているので、静電気力などによって上薄膜と下薄膜とが互いに引き付けられても、上部突出部が下薄膜に当接し、上薄膜と下薄膜とが広い接触面積で接触することを防止することができる。その結果、上薄膜と下薄膜とが密着し合うのを防止することができる。
【００２７】
また、請求項３に記載されているように、前記下薄膜における前記上薄膜との対向面に、前記上薄膜に向けて突出した下部突出部が形成されている構成によっても、上薄膜と下薄膜との密着を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
図１は、この発明の第１の実施形態に係るＳｉマイクの構造を説明するための模式的な断面図である。
【００３０】
Ｓｉマイク１は、静電容量の変化量を検知して動作する静電容量型センサ（ＭＥＭＳセンサ）である。このＳｉマイク１は、Ｓｉ基板２上に、センサ部３と、パッド部４と、を有している。
【００３１】
センサ部３は、Ｓｉマイク１において、入力された音圧を感知し、その音圧の大きさに応じた静電容量の変化量を電気信号として配線２２（後述）へと出力する部分である。
【００３２】
センサ部３は、Ｓｉ基板２の一方面（以下、この面を上面２９とする。）に接触して設けられた下薄膜５と、この下薄膜５の上方に、下薄膜５に対して間隔を空けて対向配置された上薄膜６と、を備えている。
【００３３】
下薄膜５は、下薄膜絶縁層７と、この下薄膜絶縁層７に被覆された下部電極８と、を備えている。
【００３４】
下薄膜絶縁層７は、下薄膜絶縁層７の下層をなす第１絶縁層９と、この第１絶縁層９上に形成され、下薄膜絶縁層７の上層をなす第２絶縁層１０と、を備えている。
【００３５】
第１絶縁層９は、パッド部４の第１絶縁層２１（後述）と一体的に形成されている。
【００３６】
第２絶縁層１０は、パッド部４の第２絶縁層２３（後述）と一体的に形成されている。また、第２絶縁層１０には、複数の凹部１１が形成されている。複数の凹部１１は、たとえば、全体としてｍ×ｎ（ｍ，ｎは自然数）の行列状に配置されている。
【００３７】
そして、下薄膜絶縁層７には、各凹部１１の底面から、下薄膜絶縁層７の厚さ方向に下薄膜絶縁層７を貫通する、下貫通孔１２が形成されている。これにより、下薄膜絶縁層７は、平面視において行列状の下貫通孔１２が形成された平面視矩形メッシュ状に形成されている。
【００３８】
下部電極８は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。下部電極８は、平面視矩形メッシュ状に形成されている。下部電極８は、第１絶縁層９の上面に配置されている。また、下部電極８の側面および上面は、第２絶縁層１０で覆われている。すなわち、下薄膜５において、下部電極８は、下層の第１絶縁層９と上層の第２絶縁層１０とで挟まれることにより、その全表面が下薄膜絶縁層７で被覆されている。第２絶縁層１０がメッシュ状の下部電極８上に形成されることにより、第２絶縁層１０の表面は、下部電極８に対向する部分で盛り上がり、下部電極８と対向しない部分に凹部１１を有する。
【００３９】
上薄膜６は、上薄膜絶縁層１３と、この上薄膜絶縁層１３に被覆された上部電極１４と、を備えている。
【００４０】
上薄膜絶縁層１３は、上薄膜絶縁層１３の下層をなす第３絶縁層１５と、この第３絶縁層１５上に形成され、上薄膜絶縁層１３の上層をなす第４絶縁層１６と、を備えている。
【００４１】
第３絶縁層１５は、パッド部４の第３絶縁層２４（後述）と一体的に形成されている。また、第３絶縁層１５には、下薄膜５と対向する下面９４（下薄膜との対向面）における各凹部１１（下貫通孔１２）と対向する部分に、凹部１１（下貫通孔１２）に向けて突出する、凸部１７（上部突出部）が形成されている。
【００４２】
第４絶縁層１６は、パッド部４の第４絶縁層２６（後述）と一体的に形成されている。
【００４３】
そして、上薄膜絶縁層１３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層１３を貫通する複数の上貫通孔１８が形成されている。
【００４４】
各上貫通孔１８は、各下貫通孔１２とずれた位置（たとえば、平面視において、隣接する下貫通孔１２の間）に配置されている。
【００４５】
上部電極１４は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。上部電極１４は、平面視矩形メッシュ状に形成されている。上部電極１４は、第３絶縁層１５上に配置されている。また、上部電極１４の側面および上面は、第４絶縁層１６で覆われている。すなわち、上薄膜６において、上部電極１４は、下層の第３絶縁層１５と上層の第４絶縁層１６とで挟まれることにより、その全表面が上薄膜絶縁層１３で被覆されている。また、上部電極１４は、下薄膜５の上面（第２絶縁層１０の上面９１）と所定の間隔を隔てた状態で、配線２５（後述）により支持されている。これにより、上部電極１４を上薄膜絶縁層１３で被覆してなる上薄膜６は、下薄膜５に対して、微小な間隔Ｌ１（たとえば、第２絶縁層１０の上面９１と第３絶縁層１５の下面９４との距離が４μｍ）の空洞２０を介して対向配置されている。
【００４６】
そして、上薄膜６は、下薄膜５に対して微小な間隔Ｌ１の空洞２０を介して対向し、下薄膜５とともに、振動によって静電容量が変化するコンデンサ構造のセンサ部３を形成している。すなわち、センサ部３では、音圧（音波）が入力されると、その音圧により上薄膜６が振動し、この上薄膜６の振動により生じるコンデンサ構造の静電容量の変化量に応じた電気信号が配線２２（後述）へと出力される。
【００４７】
パッド部４は、センサ部３から出力される電気信号を外部の配線へと出力する部分である。
【００４８】
パッド部４は、第１絶縁層２１と、配線２２と、第２絶縁層２３と、第３絶縁層２４と、配線２５と、第４絶縁層２６と、を備えている。
【００４９】
第１絶縁層２１は、Ｓｉ基板２の上面２９に形成されている。
【００５０】
配線２２は、第１絶縁層２１上に所定のパターンで形成されている。また、配線２２は、図示しない位置において、下部電極８と一体的に形成されているとともに、配線２５と電気的に接続されている。
【００５１】
第２絶縁層２３は、第１絶縁層２１上に形成され、第１絶縁層２１とともに配線２２を被覆している。
【００５２】
第３絶縁層２４は、第２絶縁層２３上に形成されている。
【００５３】
配線２５は、第３絶縁層２４上に所定のパターンで形成されている。また、配線２５は、上部電極１４と一体的に形成されているとともに、図示しない位置において配線２２と電気的に接続されている。
【００５４】
そして、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４には、これらの厚さ方向にこれらの層を貫通する開口部２７が形成されている。開口部２７は、配線２２の一部をボンディングパッドとして露出させるためのものである。
【００５５】
開口部２７上には、開口部２７から露出する配線２２を覆う金属薄膜２８が形成されている。金属薄膜２８は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。また、この金属薄膜２８には、たとえば、電気信号を処理する外部のＩＣチップ（図示せず）とＳｉマイク１とを電気接続するための電気配線（図示せず）が接続される。
【００５６】
第４絶縁層２６は、第３絶縁層２４上に形成されている。また、第４絶縁層２６には、金属薄膜２８を部分的に露出させる開口３８が形成されている。
【００５７】
図２Ａ〜図２Ｈは、図１のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
【００５８】
このＳｉマイク１の製造に際しては、たとえば、ＰＥＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：プラズマ化学気相成長法）により、Ｓｉ基板２の母体をなす円盤状のＳｉウエハＷ１の一方面（上面２９）上に、ＳｉＯ２が堆積される。これにより、図２Ａに示すように、ＳｉウエハＷ１の上面２９に、ＳｉＯ２からなる第１絶縁層３１が形成される。
【００５９】
続いて、たとえば、スパッタ法により、第１絶縁層３１上の全領域に、Ａｌ膜が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌ膜がパターニングされる。これにより、図２Ｂに示すように、第１絶縁層３１の上面に、平面視メッシュ状の下部電極８と所定パターンの配線２２とが形成される。
【００６０】
続いて、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、配線２２および下部電極８を含む第１絶縁層３１上の全領域に、第２絶縁層３２が形成される。このとき、この第２絶縁層３２（第２絶縁層１０）には、その下部電極８上の部分が下部電極８の厚み分突出することにより、隣接する突出部分の間に凹部１１が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２絶縁層３２および第１絶縁層３１がパターニングされ、Ｓｉ基板２上の構造物を、センサ部３とパッド部４とに区画する隙間３３が形成される。また、センサ部３における第１絶縁層３１および第２絶縁層３２には、このパターニングにより、凹部１１の底面から厚さ方向にＳｉ基板２に延びる下貫通孔１２が形成される。これにより、センサ部３における第１絶縁層３１が第１絶縁層９となり、第２絶縁層３２における第１絶縁層９上の部分が第２絶縁層１０となる。こうして、図２Ｃに示すように、センサ部３に、第１絶縁層９および第２絶縁層１０からなる下薄膜絶縁層７で下部電極８を被覆した構成の下薄膜５が形成される。
【００６１】
一方、パッド部４における第１絶縁層３１は、第１絶縁層２１となり、第２絶縁層３２における第１絶縁層２１上の部分は、第１絶縁層２１とともに配線２２を被覆する第２絶縁層２３となる。
【００６２】
次に、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、ＳｉウエハＷ１上の全領域に、Ａｌが堆積される。このＡｌは、下貫通孔１２および隙間３３を埋め尽くし、下薄膜５を覆い尽くす高さまで堆積される。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌがパターニングされる。これにより、図２Ｄに示すように、Ａｌからなる犠牲層３４が形成される。このとき、犠牲層３４には、下薄膜５の第２絶縁層１０に凹部１１が形成されていることにより、凹部１１に対向する位置において凹部３５が形成される。また、犠牲層３４には、下薄膜絶縁層７に下貫通孔１２が形成されていることにより、凹部３５の底面からさらに一段凹んだ凹部４０が形成される。
【００６３】
犠牲層３４が形成された後には、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、この犠牲層３４を含むＳｉウエハＷ１上の全領域に、ＳｉＯ２が堆積される。このＳｉＯ２は、凹部４０および凹部３５に入り込み、犠牲層３４を覆い尽くす高さまで堆積される。これにより、図２Ｅに示すように、犠牲層３４上の第３絶縁層１５と第２絶縁層２３上の第３絶縁層２４とからなる第３絶縁層３６が形成される。その後は、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第３絶縁層２４および第２絶縁層２３の一部が除去されて、配線２２の一部をボンディングパッドとして露出させる開口部２７が形成される。
【００６４】
次いで、たとえば、スパッタ法により、第３絶縁層３６上の全領域に、Ａｌ膜が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌ膜がパターニングされる。これにより、図２Ｆに示すように、第３絶縁層１５の上面において犠牲層３４を挟んで下薄膜５と対向する位置に、平面視メッシュ状の上部電極１４が形成される。一方、第３絶縁層２４の上面には、所定パターンの配線２５が形成される。さらに、開口部２７上には、開口部２７から露出する配線２２を覆う金属薄膜２８が形成される。
【００６５】
続いて、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、上部電極１４、配線２５および金属薄膜２８を含む第３絶縁層３６上の全領域に、ＳｉＯ２が堆積される。これにより、第３絶縁層１５上の第４絶縁層１６と第３絶縁層２４上の第４絶縁層２６とからなる第４絶縁層３７が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第４絶縁層３７および第３絶縁層３６がパターニングされる。これにより、図２Ｇに示すように、第４絶縁層１６および第３絶縁層１５に、これらの厚さ方向に犠牲層３４に延び、下貫通孔１２とずれた位置に配置される上貫通孔１８が形成される。こうして、下薄膜５上に、第３絶縁層１５および第４絶縁層１６からなる上薄膜絶縁層１３で上部電極１４を被覆した構成の上薄膜６が形成される。また、第４絶縁層２６には、金属薄膜２８を露出させる開口３８が形成される。
【００６６】
その後、上貫通孔１８を介して犠牲層３４にエッチングガス（たとえば、ＢＣｌ３（三塩化ホウ素）などの塩素系ガス）が供給され、犠牲層３４がドライエッチングされる。これにより、図２Ｈに示すように、犠牲層３４が除去されて、下薄膜５と上薄膜６との間に空洞２０が形成される。
【００６７】
そして、ＳｉウエハＷ１がＳｉ基板２のサイズに分割されることにより、図１に示すＳｉマイク１が得られる。第３絶縁層１５における犠牲層３４の各凹部３５，４０に入り込んでいた部分は、凹部１１（下貫通孔１２）に向けて突出する凸部１７となり、上薄膜６と下薄膜５との密着を防止するストッパとして機能する。  
以上のように、この第１の実施形態によれば、下薄膜５と上薄膜６とは、微小な間隔Ｌ１の空洞２０を介して対向するコンデンサ構造のセンサ部３を形成している。
【００６８】
このＳｉマイク１では、下薄膜５がＳｉ基板２の上面２９に接触して設けられているので、センサ部３に音圧（音波）が入力されると、下薄膜５は振動せず、上薄膜６の振動により生じるコンデンサ構造の静電容量の変化に応じた電気信号が出力される。センサ部３に音圧（音波）が入力されても、上薄膜６および下薄膜５の両方が振動することがないので、入力される音波の共振を抑制することができる。また、下薄膜５がＳｉ基板２に接触して設けられ、下薄膜５とＳｉ基板２との間に空洞が形成されていない。そのため、センサ部３の構造が簡単であり、さらに、センサ部３の耐衝撃性を向上させることもできる。
【００６９】
また、Ｓｉ基板２と下薄膜５との間に空洞を有さないので、Ｓｉマイク１の製造工程において、ＳｉウエハＷ１と下薄膜５との間に、空洞形成のための犠牲層を形成する必要がない。また、ＳｉウエハＷ１と下薄膜５との間から犠牲層を除去するために、ＳｉウエハＷ１に貫通孔を形成する必要もない。そのため、Ｓｉマイク１の製造工程の簡素化を図ることができる。
【００７０】
また、下薄膜５が、複数の凹部１１および下貫通孔１２を有しているので、犠牲層３４を形成するに際して、犠牲層３４の材料として用いられるＡｌが下貫通孔１２および凹部１１に入り込む。そのため、犠牲層３４には、凹部１１（下貫通孔１２）に対向する位置において凹部３５，４０が形成される。犠牲層３４に凹部３５，４０が形成されるため、この犠牲層３４上に形成される第３絶縁層１５は、その一部が凹部３５，４０に入り込む、そして、凹部３５，４０に入り込む部分は、犠牲層３４の除去による空洞２０の形成後、凹部１１（下貫通孔１２）に向けて突出する凸部１７となる。
【００７１】
Ｓｉマイク１に凸部１７が形成されることにより、静電気力などによって上薄膜６と下薄膜５とが互いに引き付けられても、凸部１７が下薄膜５に当接し、上薄膜６と下薄膜５とが広い接触面積で接触することを防止することができる。その結果、上薄膜６と下薄膜５とが密着し合うのを防止することができる。
【００７２】
図３は、この発明の第２の実施形態に係るＳｉマイクの構造を説明するための模式的な断面図である。
Ｓｉマイク４１は、静電容量の変化量を検知して動作する静電容量型センサ（ＭＥＭＳセンサ）である。このＳｉマイク４１は、Ｓｉ基板４２上に、センサ部４３と、パッド部４４と、を有している。
【００７３】
センサ部４３は、Ｓｉマイク４１において、入力された音圧を感知し、その音圧の大きさに応じた静電容量の変化量を電気信号として配線６１（後述）へと出力する部分である。
【００７４】
センサ部４３は、Ｓｉ基板４２の一方面（以下、この面を上面６８とする。）に接触して設けられた下薄膜４５と、この下薄膜４５の上方に、下薄膜４５に対して間隔を空けて対向配置された上薄膜４６と、を備えている。
【００７５】
下薄膜４５は、下薄膜絶縁層４７と、この下薄膜絶縁層４７に被覆された下部電極４８と、を備えている。
【００７６】
下薄膜絶縁層４７は、平面視矩形状に形成されており、下薄膜絶縁層４７の下層をなす第１絶縁層４９と、この第１絶縁層４９上に形成され、下薄膜絶縁層４７の上層をなす第２絶縁層５０と、を備えている。この下薄膜絶縁層４７には、第１の実施形態の下薄膜絶縁層７に形成された下貫通孔１２のような、下薄膜絶縁層４７を厚さ方向に貫通する貫通孔は形成されていない。
【００７７】
第１絶縁層４９は、パッド部４４の第１絶縁層６０（後述）と一体的に形成されている。
【００７８】
第２絶縁層５０は、パッド部４４の第２絶縁層６２（後述）と一体的に形成されている。
【００７９】
下部電極４８は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。下部電極４８は、平面視矩形状に形成されている。下部電極４８は、第１絶縁層４９の上面に配置されている。また、下部電極４８の側面および上面は、第２絶縁層５０で覆われている。すなわち、下薄膜４５において、下部電極４８は、下層の第１絶縁層４９と上層の第２絶縁層５０とで挟まれることにより、その全表面が下薄膜絶縁層４７で被覆されている。
【００８０】
上薄膜４６は、上薄膜絶縁層５３と、この上薄膜絶縁層５３に被覆された上部電極５４と、を備えている。
【００８１】
上薄膜絶縁層５３は、上薄膜絶縁層５３の下層をなす第３絶縁層５５と、この第３絶縁層５５上に形成され、上薄膜絶縁層５３の上層をなす第４絶縁層５６と、を備えている。
【００８２】
第３絶縁層５５は、パッド部４４の第３絶縁層６３（後述）と一体的に形成されている。
【００８３】
第４絶縁層５６は、パッド部４４の第４絶縁層６５（後述）と一体的に形成されている。
【００８４】
そして、上薄膜絶縁層５３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層５３を貫通する複数の上貫通孔５８が形成されている。複数の上貫通孔５８は、たとえば、全体としてｍ×ｎ（ｍ，ｎは自然数）の行列状に配置されている。これにより、上薄膜絶縁層５３は、平面視において行列状の上貫通孔５８が形成された平面視矩形メッシュ状に形成されている。
【００８５】
上部電極５４は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。上部電極５４は、平面視矩形メッシュ状に形成されている。上部電極５４は、第３絶縁層５５上に配置されている。また、上部電極５４の側面および上面は、第４絶縁層５６で覆われている。すなわち、上薄膜４６において、上部電極５４は、下層の第３絶縁層５５と上層の第４絶縁層５６とで挟まれることにより、その全表面が上薄膜絶縁層５３で被覆されている。また、上部電極５４は、下薄膜４５の上面（第２絶縁層５０の上面７８）と所定の間隔を隔てた状態で、配線６４（後述）により支持されている。これにより、上部電極５４を上薄膜絶縁層５３で被覆してなる上薄膜４６は、下薄膜４５に対して、微小な間隔Ｌ２（たとえば、第２絶縁層５０の上面７８と第３絶縁層５５の下面７７との距離が４μｍ）の空洞５９を介して対向配置されている。
【００８６】
下薄膜５における第２絶縁層５０の上面７８（上薄膜との対向面）には、複数（図３では、７つ）の凸部５１（下部突出部）が設けられている。各凸部５１は、たとえば、Ｓｉからなり、第２絶縁層５０の上面７８において、不規則に配置されている。
【００８７】
そして、上薄膜４６は、下薄膜４５に対して微小な間隔Ｌ２の空洞５９を介して対向し、下薄膜４５とともに、振動によって静電容量が変化するコンデンサ構造のセンサ部４３を形成している。すなわち、センサ部４３では、音圧（音波）が入力されると、その音圧により上薄膜４６が振動し、この上薄膜４６の振動により生じるコンデンサ構造の静電容量の変化量に応じた電気信号が配線６１（後述）へと出力される。
【００８８】
パッド部４４は、センサ部４３から出力される電気信号を外部の配線へと出力する部分である。
【００８９】
パッド部４４は、第１絶縁層６０と、配線６１と、第２絶縁層６２と、第３絶縁層６３と、配線６４と、第４絶縁層６５と、を備えている。
【００９０】
第１絶縁層６０は、Ｓｉ基板４２の上面６８に形成されている。
【００９１】
配線６１は、第１絶縁層６０上に所定のパターンで形成されている。また、配線６１は、図示しない位置において、下部電極４８と一体的に形成されているとともに、配線６４と電気的に接続されている。
【００９２】
第２絶縁層６２は、第１絶縁層６０上に形成され、第１絶縁層６０とともに配線６１を被覆している。
【００９３】
第３絶縁層６３は、第２絶縁層６２上に形成されている。
【００９４】
配線６４は、第３絶縁層６３上に所定のパターンで形成されている。また、配線６４は、上部電極５４と一体的に形成されているとともに、図示しない位置において配線６１と電気的に接続されている。
【００９５】
そして、第２絶縁層６２および第３絶縁層６３には、これらの厚さ方向にこれらの層を貫通する開口部６６が形成されている。開口部６６は、配線６１の一部をボンディングパッドとして露出させるためのものである。
【００９６】
開口部６６上には、開口部６６から露出する配線６１を覆う金属薄膜６７が形成されている。金属薄膜６７は、たとえば、Ａｕ、Ａｌなどの導電性材料からなり、この実施形態では、Ａｌが適用されている。また、この金属薄膜６７には、たとえば、電気信号を処理する外部のＩＣチップ（図示せず）とＳｉマイク４１とを電気接続するための電気配線（図示せず）が接続される。
【００９７】
第４絶縁層６５は、第３絶縁層６３上に形成されている。また、第４絶縁層６５には、金属薄膜６７を部分的に露出させる開口７５が形成されている。
【００９８】
図４Ａ〜図４Ｈは、図３のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
【００９９】
このＳｉマイク４１の製造に際しては、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ基板４２の母体をなす円盤状のＳｉウエハＷ３の一方面（上面６８）上に、ＳｉＯ２が堆積される。これにより、図４Ａに示すように、ＳｉウエハＷ３の上面６８に、ＳｉＯ２からなる第１絶縁層６９が形成される。
【０１００】
続いて、たとえば、スパッタ法により、第１絶縁層６９上の全領域に、Ａｌ膜が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌ膜がパターニングされる。これにより、図４Ｂに示すように、第１絶縁層６９の上面に、平面視矩形状の下部電極４８と所定パターンの配線６１とが形成される。
【０１０１】
続いて、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、配線６１および下部電極４８を含む第１絶縁層６９上の全領域に、第２絶縁層７０が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２絶縁層７０および第１絶縁層６９がパターニングされ、Ｓｉ基板４２上の構造物を、センサ部４３とパッド部４４とに区画する隙間７１が形成される。これにより、センサ部４３における第１絶縁層６９が第１絶縁層４９となり、第２絶縁層７０における第１絶縁層４９上の部分が第２絶縁層５０となる。こうして、図４Ｃに示すように、センサ部４３に、第１絶縁層４９および第２絶縁層５０からなる下薄膜絶縁層４７で下部電極４８を被覆した構成の下薄膜４５が形成される。
【０１０２】
一方、パッド部４４における第１絶縁層６９は、第１絶縁層６０となり、第２絶縁層７０における第１絶縁層６０上の部分は、第１絶縁層６０とともに配線６１を被覆する第２絶縁層６２となる。
【０１０３】
次に、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、ＳｉウエハＷ３上の全領域に、犠牲層材料が堆積される。この犠牲層材料は、エッチング選択比を有する複数種の材料の混合物からなり、たとえば、Ａｌ−Ｓｉ（ＡｌとＳｉとの混合物）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（ＡｌとＳｉとＣｕと混合物）、有機溶剤に粒状の異物を混入させた混合物などからなる。なお、この実施形態では、Ａｌに対するＳｉの混合比（体積比）が１％のＡｌ−Ｓｉが用いられる。
【０１０４】
続いて、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌ−Ｓｉがパターニングされて、図４Ｄに示すように、Ａｌ−Ｓｉからなる犠牲層７２が形成される。
【０１０５】
犠牲層７２が形成された後には、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、この犠牲層７２を含むＳｉウエハＷ３上の全領域に、ＳｉＯ２が堆積される。このＳｉＯ２は、犠牲層７２を覆い尽くす高さまで堆積される。これにより、図４Ｅに示すように、犠牲層７２上の第３絶縁層５５と第２絶縁層６２上の第３絶縁層６３とからなる第３絶縁層７３が形成される。その後は、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第３絶縁層６３および第２絶縁層６２の一部が除去されて、配線６１の一部をボンディングパッドとして露出させる開口部６６が形成される。
【０１０６】
次いで、たとえば、スパッタ法により、第３絶縁層７３上の全領域に、Ａｌ膜が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、このＡｌ膜がパターニングされる。これにより、図４Ｆに示すように、第３絶縁層５５の上面において犠牲層７２を挟んで下薄膜４５と対向する位置に、平面視メッシュ状の上部電極５４が形成される。一方、第３絶縁層６３の上面には、所定パターンの配線６４が形成される。さらに、開口部６６上には、開口部６６から露出する配線６１を覆う金属薄膜６７が形成される。
【０１０７】
続いて、たとえば、ＰＥＣＶＤ法により、上部電極５４、配線６４および金属薄膜６７を含む第３絶縁層７３上の全領域に、ＳｉＯ２が堆積される。これにより、第３絶縁層５５上の第４絶縁層５６と第３絶縁層６３上の第４絶縁層６５とからなる第４絶縁層７４が形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第４絶縁層７４および第３絶縁層７３がパターニングされる。これにより、図４Ｇに示すように、第４絶縁層５６および第３絶縁層５５に、これらの厚さ方向に犠牲層７２に延びる上貫通孔５８が形成される。こうして、下薄膜４５上に、第３絶縁層５５および第４絶縁層５６からなる上薄膜絶縁層５３で上部電極５４を被覆した構成の上薄膜４６が形成される。また、第４絶縁層６５には、金属薄膜６７を露出させる開口７５が形成される。
【０１０８】
その後、上貫通孔５８を介して犠牲層７２にエッチングガス（たとえば、ＢＣｌ３（三塩化ホウ素）などの塩素系ガス）が供給される。ＢＣｌ３（三塩化ホウ素）などの塩素系ガスは、犠牲層７２を形成するＡｌ−Ｓｉのうち、Ａｌ成分と化学的反応を起こし易い。そのため、エッチングガスが供給された犠牲層７２においては、Ａｌが優先的にエッチングされる。そして、エッチングガスが所定の時間（たとえば、犠牲層７２中のＡｌ成分を全て除去するのに必要な時間）供給された後、エッチングガスの供給が止められる。これにより、図４Ｈに示すように、犠牲層７２中のＡｌ成分が除去され、下薄膜４５と上薄膜４６との間に空洞５９が形成されるとともに、下薄膜４５の上面（第２絶縁層５０の上面７８）に、犠牲層７２の材料中のＡｌ以外の材料（Ａｌ成分以外の成分。この実施形態では、Ｓｉ）が複数の凸部５１となって残存する。
【０１０９】
そして、ＳｉウエハＷ３がＳｉ基板４２のサイズに分割されることにより、図３に示すＳｉマイク４１が得られる。
【０１１０】
以上のように、この第２の実施形態によれば、下薄膜４５と上薄膜４６とは、微小な間隔Ｌ２の空洞５９を介して対向するコンデンサ構造のセンサ部４３を形成しており、下薄膜４５は、Ｓｉ基板４２の上面６８に接触して設けられている。また、下薄膜４５とＳｉ基板４２との間に空洞が形成されていない。そのため、第１の実施形態の場合と同様の作用効果を得ることができる。
【０１１１】
さらに、この第２の実施形態では、犠牲層７２中のＡｌ成分が除去されることにより、下薄膜４５と上薄膜４６との間に空洞５９が形成されるとともに、下薄膜４５の上面（第２絶縁層５０の上面７８）には、複数の凸部５１が残存する。そのため、静電気力などによって上薄膜４６と下薄膜４５とが互いに引き付けられても、凸部５１が上薄膜４６に当接し、上薄膜４６と下薄膜４５とが広い接触面積で接触することを防止することができる。その結果、上薄膜４６と下薄膜４５とが密着し合うのを防止することができる。  以上、この発明の複数の実施形態について説明したが、この発明は、他の実施形態で実施することもできる。
【０１１２】
たとえば、第１の実施形態では、犠牲層３４は、Ａｌを用いて形成されるとしたが、犠牲層３４は、エッチング可能な物質であり、かつ、下薄膜絶縁層７および上薄膜絶縁層１３とエッチング選択比を有する物質であれば、たとえば、ＳｉＮ（窒化シリコン）を用いて形成されてもよい。
【０１１３】
また、前述の実施形態では、下薄膜絶縁層７，４７および上薄膜絶縁層１３，５３は、ＳｉＯ２を用いて形成されるとしたが、絶縁性材料であれば、たとえば、ＳｉＮなどを用いて形成されてもよい。下薄膜絶縁層７および上薄膜絶縁層１３が、ＳｉＯ２以外の材料を用いて形成される場合には、犠牲層３４は、ＳｉＯ２を用いて形成されてもよい。
【０１１４】
また、前述の実施形態では、静電容量型センサの一例として、Ｓｉマイク１を例にとったが、これに限らず、静電容量の変化量を検知して動作する圧力センサや加速度センサなどに、この発明が適用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。    
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るＳｉマイクの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２Ａ】図１のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態に係るＳｉマイクの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図４Ａ】図３のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図４Ｈ】図４Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ａ】従来のＳｉマイクの製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｆ】図５Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｇ】図５Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｈ】図５Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｉ】図５Ｈの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｊ】図５Ｉの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図５Ｋ】図５Ｊの次の工程を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１    Ｓｉマイク
２    Ｓｉ基板
３    センサ部
４    パッド部
５    下薄膜
６    上薄膜
７    下薄膜絶縁層
８    下部電極
１２  下貫通孔
１３  上薄膜絶縁層
１４  上部電極
１７  凸部
１８  上貫通孔
２０  空洞
２９  上面
４１  Ｓｉマイク
４２  Ｓｉ基板
４３  センサ部
４４  パッド部
４５  下薄膜
４６  上薄膜
４７  下薄膜絶縁層
４８  下部電極
５１  凸部
５３  上薄膜絶縁層
５４  上部電極
５８  上貫通孔
５９  空洞
６８  上面
７７  下面
７８  上面
９１  上面
９４  下面
Ｌ１  間隔
Ｌ２  間隔
Ｗ１  Ｓｉウエハ
Ｗ３  Ｓｉウエハ
【図１】
2009028807.tif 000003
【図２Ａ】
2009028807.tif 000004
【図２Ｂ】
2009028807.tif 000005
【図２Ｃ】
2009028807.tif 000006
【図２Ｄ】
2009028807.tif 000007
【図２Ｅ】
2009028807.tif 000008
【図２Ｆ】
2009028807.tif 000009
【図２Ｇ】
2009028807.tif 000010
【図２Ｈ】
2009028807.tif 000011
【図３】
2009028807.tif 000012
【図４Ａ】
2009028807.tif 000013
【図４Ｂ】
2009028807.tif 000014
【図４Ｃ】
2009028807.tif 000015
【図４Ｄ】
2009028807.tif 000016
【図４Ｅ】
2009028807.tif 000017
【図４Ｆ】
2009028807.tif 000018
【図４Ｇ】
2009028807.tif 000019
【図４Ｈ】
2009028807.tif 000020
【図５Ａ】
2009028807.tif 000021
【図５Ｂ】
2009028807.tif 000022
【図５Ｃ】
2009028807.tif 000023
【図５Ｄ】
2009028807.tif 000024
【図５Ｅ】
2009028807.tif 000025
【図５Ｆ】
2009028807.tif 000026
【図５Ｇ】
2009028807.tif 000027
【図５Ｈ】
2009028807.tif 000028
【図５Ｉ】
2009028807.tif 000029
【図５Ｊ】
2009028807.tif 000030
【図５Ｋ】
2009028807.tif 000031