(57)【要約】【課題】より高精度のアライメントが可能なインターポーザの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】１層目となる配線層を形成し、上記１層目の配線層上に絶縁層を形成する工程、上記絶縁層にマスクを用いて露光して、２層目となる配線層を設けるための配線用凹部、および１層目の配線層と上記配線用凹部とを繋げる開口であるビアホールを形成する工程、上記配線用凹部に導電体を充填して２層目の配線層を形成し、上記ビアホールに導電体を充填し１層目の配線層と２層目の配線層を電気的に接続するビアを形成する工程、および、２層目の配線層に不要な絶縁層を除去する工程を含み、上記マスクには、上記配線用凹部を形成するための配線部、および上記ビアホールを形成するためのビア部が設けられ、上記配線部よりも上記ビア部の方が露光量が多くなるように、上記配線部と上記ビア部とに露光差を設け、上記配線用凹部よりも上記ビアホールを深く形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層目となる配線層を形成し、上記１層目の配線層上に絶縁層を形成する工程、
上記絶縁層にマスクを用いて露光して、２層目となる配線層を設けるための配線用凹部、および１層目の配線層と上記配線用凹部とを繋げる開口であるビアホールを形成する工程、
上記配線用凹部に導電体を充填して２層目の配線層を形成し、上記ビアホールに導電体を充填し１層目の配線層と２層目の配線層を電気的に接続するビアを形成する工程、
および、２層目の配線層に不要な絶縁層を除去する工程を含み、
上記マスクには、上記配線用凹部を形成するための配線部、および上記ビアホールを形成するためのビア部が設けられ、
上記配線部よりも上記ビア部の方が露光量が多くなるように、上記配線部と上記ビア部とに露光差を設け、上記配線用凹部よりも上記ビアホールを深く形成することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項２】
上記ビアホールを形成する工程で上記ビアホールが上記１層目の配線層と完全に繋がっていない場合、全面に均一な分布をもつエッチング手法を用いて、上記ビアホールをさらに深く形成し、上記１層目の配線層と完全に繋がった開口とする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のインターポーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードにおいてトランスフォーマーなどに用いる中継用基板であるインターポーザの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードにおいてトランスフォーマーなどに用いるインターポーザの製造方法は、下地層に配線層および絶縁層をアライメントを取りながら露光を行う工程を含んでいる。
【０００３】
具体的な製造方法を説明すると、図３（ａ）に示すように１層目となる配線層１を形成し上記１層目の配線層１に絶縁層２を形成し、次に図３（ｂ）に示すように上記絶縁層２にマスク１１を用いて露光し現像することによって１層目の配線層１に繋がる開口であるビアホール１２を形成する。この時に１回目のアライメントを行う。
【０００４】
そして、レジスト１３を塗布し、さらに別のマスク１４を用いて露光し現像することにより２層目の配線層１６を設けるための配線用凹部１５を形成する。この時に２回目のアライメントを行う。上記配線用凹部１５を形成した後、上記配線用凹部１５および上記ビアホール１２に導電体を充填し、２層目の配線層１６および上記１層目の配線層１と上記２層目の配線層１６を電気的に接続するビア１７を形成する。例えば、導電体としてめっき等を用いて２層目の配線層１６およびビア１７を形成する。最後に、余分なレジスト１３を除去し、２層目の配線層１６の形成が完了する。
【０００５】
この工程を繰り返し行うことで所定の層厚のインターポーザを製造するが、このような従来のインターポーザの製造方法では、ここまでの工程で２回のアライメントを行う必要があり、上述の工程を繰り返し行うことでさらに多数のアライメントを行う必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、従来のインターポーザの製造方法では、各層ごとにアライメントを行う必要があり、各工程でアライメントのずれが生じ、そのずれがアライメントの回数に応じて積算されていくと１層目と最上層とのアライメントが大きなずれが生じるという問題があった。
【０００７】
本願発明では、このような問題点を鑑みて、アライメントの回数を少なくすることによってアライメント精度の高いインターポーザの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインターポーザの製造方法は、１層目となる配線層を形成し、上記１層目の配線層上に絶縁層を形成する工程、上記絶縁層にマスクを用いて露光して、２層目となる配線層を設けるための配線用凹部、および１層目の配線層と上記配線用凹部とを繋げる開口であるビアホールを形成する工程、上記配線用凹部に導電体を充填して２層目の配線層を形成し、上記ビアホールに導電体を充填し１層目の配線層と２層目の配線層を電気的に接続するビアを形成する工程、および、２層目の配線層に不要な絶縁層を除去する工程を含み、上記マスクには、上記配線用凹部を形成するための配線部、および上記ビアホールを形成するためのビア部が設けられ、上記配線部よりも上記ビア部の方が露光量が多くなるように、上記配線部と上記ビア部とに露光差を設け、上記配線用凹部よりも上記ビアホールを深く形成することを特徴とする。
【０００９】
上記ビアホールを形成する工程で上記ビアホールが上記１層目の配線層と完全に繋がっていない場合、全面に均一な分布をもつエッチング手法を用いて、上記ビアホールをさらに深く形成し、上記１層目の配線層と完全に繋がった開口とする工程を含むようにする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のインターポーザの製造方法は、１層目となる配線層を形成し、上記１層目の配線層上に絶縁層を形成する工程、上記絶縁層にマスクを用いて露光して、２層目となる配線層を設けるための配線用凹部、および１層目の配線層と上記配線用凹部とを繋げる開口であるビアホールを形成する工程、上記配線用凹部に導電体を充填して２層目の配線層を形成し、上記ビアホールに導電体を充填し１層目の配線層と２層目の配線層を電気的に接続するビアを形成する工程、および、２層目の配線層に不要な絶縁層を除去する工程を含み、上記マスクには、上記配線用凹部を形成するための配線部、および上記ビアホールを形成するためのビア部が設けられ、上記配線部よりも上記ビア部の方が露光量が多くなるように、上記配線部と上記ビア部とに露光差を設け、上記配線用凹部よりも上記ビアホールを深く形成することが可能となる。
【００１１】
上記ビアホールを形成する工程で上記ビアホールが上記１層目の配線層と完全に繋がっていない場合、全面に均一な分布をもつエッチング手法を用いて、上記ビアホールをさらに深く形成し、上記１層目の配線層と完全に繋がった開口とする工程を含むことにより、ビアホールの形成不良をなくすことができ、より高精度なインターポーザを製造することができるようになる。
【本発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に図を用いて本発明のインターポーザの製造方法について、詳しく説明する。
【００１３】
まず初めに、本発明のインターポーザの製造方法で用いるマスク３について説明する。上記マスク３は１層目の配線層１上に設けた絶縁層２を露光し、２層目となる配線層２を設けるための配線用凹部６、および１層目の配線層１と上記配線用凹部６とを繋げる開口であるビアホール７を形成する工程で用いる。図２に示すのが上記マスク３の平面図であり、上記マスク３は上記配線用凹部６を形成するための配線部４と、上記ビアホール７を形成するためのビア部５を設けており、上記配線部４と上記ビア部５には露光差を設けている。
【００１４】
つまり、上記絶縁層２に配線用凹部６とビアホール７を同時に露光して形成するためには、同じ露光量では配線用凹部６とビアホール７を同じ深さにしか形成できないので、上記ビアホール７を上記配線用凹部６よりも深く形成できるように上記ビア部５を上記配線部４よりも露光量を多くする必要がある。
【００１５】
露光差を設ける方法としては、例えば、上記配線部４には露光光源と露光対象の厚みから決まる解像限界よりも小さいピッチで穴を開け、上記ビア部５を完全に開口にするという方法を用いることが出来る。
【００１６】
このようにして上記配線部４と上記ビア部５に露光差を設けた上記マスク３を用いてインターポーザを製造する方法を図１を用いて詳しく説明する。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、１層目となる配線層１を形成した後、上記１層目の配線層１上に絶縁層２を形成する。上記１層目の配線層１の製作方法としては、レジストパターニングとめっきを組み合わせた方法や、インクジェットによる方法などが一般的であり、特に限定するものではない。
【００１８】
次に、アライメントを行い、図１（ｂ）に示すように、上記絶縁層２に対して上記マスク３を用いて露光し現像する。これにより、図１（ｃ）に示すように、上記絶縁層２に２層目の配線層８を設けるための配線用凹部６、および１層目の配線層１と上記配線用凹部６を繋ぐ開口であるビアホール７を形成する。この時、上記ビアホール７は、図１（ｃ）に示すように上記１層目の配線層１と完全に繋がっていない場合には、以下の工程を行う。
【００１９】
上記ビアホール７が上記１層目の配線層１と繋がっていない場合、図１（ｄ）に示すように、続いて全面に均一な分布を持つエッチングを行う。均一な分布を有しているエッチングとしては一般的にはＲＩＥなどのドライエッチングが挙げられるが、所望のエッチング分布を有していれば良く、特に限定されるものではない。そして、上記エッチングにより、上記ビアホール７を１層目の配線層１と完全に繋がった開口の状態とする。
【００２０】
このようにして、上記配線用凹部６と上記ビアホール７の形成が完了したら、図１（ｅ）に示すように、上記配線用凹部６に導電体を充填した２層目の配線層８と、上記ビアホールに７に導電体を充填し上記１層目の配線層１と上記２層目の配線層８とを電気的に接続するビア９を形成する。その方法としては、導電性ペーストをインクジェットなどの手法によって埋め込む方法、もしくは全面めっきを行い、研磨によって２層目の配線層８及びビア９だけを残す方法などを用いる。
【００２１】
このようにして上記２層目の配線層８の形成が終わったら、図１（ｃ）に示すような上記２層目の配線層８に不要な絶縁層１０を、図１（ｆ）に示すように、選択的に除去できるエッチングあるいは研磨を施すなどの方法で除去する。
【００２２】
ここまでの工程を繰り返し行い、上記絶縁層２と上記配線層８とを所定の層数形成することによってインターポーザの製造が完了する。このように、本発明のインターポーザの製造方法は、露光差を有するマスクを使用して配線用凹部６とビアホール７を同時に形成することにより、従来に比べアライメントを行う回数を少なくすることが出来るので、よりアライメント精度の高いインターポーザを製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】インターポーザの製造手順を示す概略断面図である。
【図２】インターポーザの製造に使用するマスクの平面図である。
【図３】従来のインターポーザの製造手順を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１    １層目の配線層
２    絶縁層
３    マスク
４    配線部
５    ビア部
６    配線用凹部
７    ビアホール
８    ２層目の配線層
９    ビア
１０  余分な絶縁層
１１  マスク
１２  ビアホール
１３  レジスト
１４  マスク
１５  配線用凹部
１６  ２層目の配線層
１７  ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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