(57)【要約】【課題】安定した量産ができ、さらに好適には絶縁性能を向上させることができる光結合半導体装置、光結合半導体装置の製造方法および光結合半導体装置を搭載した電子機器を提供する。【解決手段】第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２に搭載された発光素子２および受光素子３と、発光素子２および受光素子３を樹脂封止するインナーパッケージ４およびアウターパッケージ５とからなり、インナーパッケージ４の上部パッケージ部４ａが下部パッケージ部４ｂよりも幅狭に形成され下部パッケージ部４ｂおよび先端部１ａ２，１ｂ２上面それぞれの一部分が上部パッケージ部４ａで覆われず露出しており、露出している部位の一部分に、上端部の高さが先端部１ａ２，１ｂ２と本体部１ａ１，１ｂ１との境界部位Ｐ１，Ｐ２上面の高さに一致している樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が形成されている。【選択図】図１
2009200171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第１リードフレームと、先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第２リードフレームと、前記第１リードフレームの先端部に搭載された発光素子と、前記第２リードフレームの先端部に搭載された受光素子と、前記発光素子および受光素子を樹脂封止する透光性樹脂を用いて形成されたインナーパッケージと、当該インナーパッケージ表面を覆う非透光性樹脂を用いて形成されたアウターパッケージとから構成されており、前記インナーパッケージが、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの上側に配置された上部パッケージ部と、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの下側に配置された下部パッケージ部とからなり、前記上部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅が前記下部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅よりも幅狭に形成されることで、前記下部パッケージ部上面の一部と前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の一部とが前記上部パッケージ部で覆われずに露出した構造の光結合半導体装置において、
前記露出部分に前記インナーパッケージを構成する樹脂形成部が配置されていることを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部は、前記下部パッケージ部の露出部分の一部、または前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに配置されている光結合半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部は、その上端部の高さが前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面より高くなるように形成されている光結合半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部は、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分とを除く他の露出部分に配置されている光結合半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部は、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分とに配置されている光結合半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部は、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分を除く他の露出部分に配置されている光結合半導体装置。
【請求項７】
請求項１または２記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部が、下部パッケージ部上面の各端辺部のうち、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して直交する端辺部に沿って、前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに配置されている光結合半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つの請求項記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部の、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して平行な面の形状が、三角形、扇形、台形または半円形である光結合半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つの請求項記載の光結合半導体装置において、前記樹脂形成部の上端部の高さが上部パッケージ部上面の高さに一致している光結合半導体装置。
【請求項１０】
先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第１リードフレームの各先端部のうちの１つの先端部に発光素子を搭載し、先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第２リードフレームの各先端部のうちの１つの先端部に受光素子を搭載する素子搭載工程と、下金型の凹部と上金型の凹部とによって形成された１つの中空部内に前記発光素子および受光素子を配置した状態で、前記中空部内に透光性樹脂を充填し硬化させて、下金型の凹部に充填された透光性樹脂が硬化することにより形成された下部パッケージ部と上金型の凹部に充填された透光性樹脂が硬化することにより形成された下部パッケージ部とからなるインナーパッケージを形成するインナーパッケージ形成工程と、当該インナーパッケージ表面を覆うアウターパッケージを非透光性樹脂を用いて形成するアウターパッケージ形成工程とから構成されており、前記上部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅を前記下部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅よりも幅狭に形成することで、前記下部パッケージ部上面の一部と前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の一部とを前記上部パッケージ部で覆わずに露出させた光結合半導体装置の製造方法において、
前記露出部分に前記インナーパッケージを構成する樹脂形成部を形成することを特徴とする光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、前記下部パッケージ部の露出部分の一部、または前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、その上端部の高さが前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面より高くなるように形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０または１１記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分とを除く他の露出部分に形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０または１１記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分とに形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０または１１記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分を除く他の露出部分に形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０または１１記載の光結合半導体装置の製造方法において、前記樹脂形成部を、下部パッケージ部上面の各端辺部のうち、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して直交する端辺部に沿って、前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに形成する光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜９のいずれか一つの請求項記載の光結合半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１リードフレームおよび第２リードフレームと、これら第１リードフレームおよび第２リードフレーム上にそれぞれ搭載された発光素子および受光素子と、発光素子および受光素子を樹脂封止する透光性樹脂を用いて形成されたインナーパッケージと、インナーパッケージ表面を覆う非透光性樹脂を用いて形成されたアウターパッケージとから構成された２重トランスファモールドの光結合半導体装置、光結合半導体装置の製造方法および光結合半導体装置を搭載した電子機器に関するものであり、特に、前記インナーパッケージが、前記第１リードフレーム上面および第２リードフレーム上面上に配置された上部パッケージ部と、前記第１リードフレーム上面および第２リードフレーム上面下に配置された下部パッケージ部とから構成されており、前記上部パッケージ部が前記下部パッケージ部よりも幅狭に形成され下部パッケージ部上面および先端部上面それぞれの一部分が上部パッケージ部で覆われておらず露出している光結合半導体装置、光結合半導体装置の製造方法および光結合半導体装置を搭載した電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光結合半導体装置の一例として、特開２００４−２４１７５７号公報に開示されている光結合半導体装置がある。
【０００３】
図２０は、従来の光結合半導体装置の一例を示す断面図である。
【０００４】
この光結合半導体装置は、図２０に示すように、本体部１０１ａ１，１０１ｂ１と先端部１０１ａ２，１０１ｂ２とをそれぞれ有する板状の第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂと、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの各先端部１０１ａ２，１０１ｂ２上面に搭載された発光素子１０２および受光素子１０３と、発光素子１０２と受光素子１０３とを覆う透光性樹脂を用いて形成された透光性樹脂部材（インナーパッケージ）１０４と、この透光性樹脂部材１０４表面を覆う非透光性樹脂を用いて形成された非透光性樹脂部材（アウターパッケージ）１０５とから構成されている。
【０００５】
前記透光性樹脂部材１０４は、発光素子１０２および受光素子１０３表面を覆うとともに、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂを、各先端部１０１ａ２，１０１ｂ２が予め設定された間隔を保ち、かつ、各本体部１０１ａ２，１０１ｂ２が同一平面上に位置するよう支持している。一方、非透光性樹脂部材１０５は、外乱光の入光や内部から外部への光漏れ無く発光素子１０２から受光素子１０３への光信号伝達を行うために形成されている。
【０００６】
また、図２０に示す光結合半導体装置を製造する際には、まず、Ｃｕ（銅）合金またはＦｅ（鉄）合金等の金属材料を用いて形成された第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの各一つの先端部１０１ａ２，１０１ｂ２上面に発光素子１０２および受光素子１０３を各々個別にＡｇ（銀）ペースト等の導電性ペーストを用いて素子搭載（以下、ダイボンドと言う。）し、前記一つの先端部１０１ａ２近傍に配置された他の第１リードフレーム１０１ａの先端部１０１ａ２である電極パッド部（不図示）と発光素子１０２とをＡｕ（金）線１１２等を用いて結線接続（以下、ワイヤボンドと言う。）し、同様に、前記一つの先端部１０１ｂ２近傍に配置された他の第２リードフレーム１０１ｂの先端部１０１ｂ２である電極パッド部（不図示）と受光素子１０３とをＡｕ線１１３等を用いてワイヤボンドする。
【０００７】
続いて、前記発光素子１０２表面を応力緩和のためのシリコーン樹脂部１２２で被覆（以下、プリコートと言う。）した後、図２１に示すように、上金型１１４と下金型１２４とからなる金型内に第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの各先端部１０１ａ２，１０１ｂ２とともに発光素子１０２および受光素子１０３を配置した状態で、例えば透光性エポキシ樹脂を用いて１次トランスファモールドを実施して、図２２に示すように透光性樹脂部材１０４を形成する。なお、透光性樹脂部材１０４を形成する際には、前記発光素子１０２から受光素子１０３への光路形成を行うために、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの各先端部１０１ａ２，１０１ｂ２を上面側から下方向へ加圧して屈曲させる屈曲加工が同時に実施される。
【０００８】
次いで、透光性樹脂部材１０４を形成する際に樹脂漏れなどにより生じた余分な箇所（樹脂バリ）のバリ取りを行った後、遮光性エポキシ樹脂を用いて２次トランスファモールドを実施して図２０に示す非透光性樹脂部材１０５を形成する。
【０００９】
最後に、タイバーカット（隣接するリードフレーム間を支持するとともに、トランスファモールド等の樹脂封止の際樹脂漏れを低減するよう設けられた補助リード部の切除）と、フォーミング（外部端子の形成、即ち、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの非透光性樹脂部材１０５から露出している部分への成形加工）と、絶縁耐圧試験（発光素子１０２および受光素子１０３間の絶縁性評価）と、電気特性検査と、外観検査と、梱包工程とを経て光結合半導体装置を得る。
【００１０】
また、前記屈曲加工は、透光性樹脂部材１０４を形成する際に用いられる金型に設けられた屈曲手段によって実施される。
【００１１】
前記金型は、図２３に示すように、上金型１１４と下金型１２４とから構成されている。前記上金型１１４および下金型１２４は凹部１１４ａ，１２４ａをそれぞれ有しており、前記上金型１１４の凹部１１４ａの断面形状は上底が下底よりも幅狭な台形状であり、一方、下金型１２４の凹部１２４ａの断面形状は下底が上底よりも幅狭な台形状である。さらに、前記上金型１１４の凹部１１４ａの幅Ｗ１０１は、下金型１２４の凹部１２４ａの幅Ｗ１０２よりも狭くなっている。前記幅Ｗ１０１は、凹部１１４ａ下縁部の第１リードフレーム１０１ａ上面当接部位から第２リードフレーム１０１ｂ上面当接部位までの距離であり、前記幅Ｗ１０２は、凹部１２４ａ上縁部の第１リードフレーム１０１ａ下面当接部位から第２リードフレーム１０１ｂ下面当接部位までの距離である。
【００１２】
また、透光性樹脂部材１０４を形成する際、図２１および図２３に示すように、下金型１２４の凹部１２４ａ上縁部は、第１リードフレーム１０１ａの本体部１０１ａ１および先端部１０１ａ２の境界部位Ｐ１０１と、第２リードフレーム１０１ｂの本体部１０１ｂ１および先端部１０１ｂ２の境界部位Ｐ１０２とに当接する。また、上金型１１４の凹部１１４ａ周辺部のうち、前記境界部位Ｐ１０１に対向する位置から凹部１１４ａ下縁部までの領域Ａ１０１で示す傾斜部と、前記境界部位Ｐ１０２に対向する位置から凹部１１４ａ下縁部までの領域Ａ１０２で示す傾斜部とは、傾斜角度を完成時の先端部１０１ａ２，１０１ｂ２の傾斜角度と一致させた屈曲手段となっている。
【００１３】
このような形状の金型を用いているので、金型を開いている状態で上金型１１４と下金型１２４との間に第１リードフレーム１０１ａと第２リードフレーム１０１ｂとを配置し、上金型１１４を下降させて（または下金型１２４を上昇させて）金型を閉じると、図２１に示すように、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂの各先端部１０１ａ２，１０１ｂ２が、上金型１１４の領域Ａ１０１，Ａ１０２によって押し下げられる。その結果、前記境界部位Ｐ１０１，Ｐ１０２が予め設定された角度に屈曲して先端部１０１ａ２，１０１ｂ２が傾斜し、第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂへの屈曲加工が完了する。
【特許文献１】特開２００４−２４１７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、前述の特開２００４−２４１７５７号公報に開示されている光結合半導体装置では、図２１に示すように、透光性樹脂部材１０４を形成する際に用いる金型の上金型１１４と下金型１２４とで幅Ｗ１０１，Ｗ１０２が異なっているため、透光性樹脂部材１０４の、上金型１１４の凹部１１４ａに充填された透光性樹脂によって形成された部位（上部パッケージ部）と、下金型１２４の凹部１２４ａに充填された透光性樹脂によって形成された部位（下部パッケージ部）との体積比が大きく異なってしまう。その結果、１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部の一部が上金型１１４内に残り、透光性樹脂部材１０４に欠落部位が形成されてしまう可能性があり、透光性樹脂部材の成形性が低下するといった問題があった。
【００１５】
また、前述の特開２００４−２４１７５７号公報に開示されている光結合半導体装置では、図２１に示すように、上金型１１４に屈曲手段（領域Ａ１０１，Ａ１０２）を設けたため、上部パッケージの幅（上金型１１４の凹部１１４ａの幅Ｗ１０１に等しい）が狭くなってしまう。その結果、図２４に示すように、透光性樹脂部材１０４と非透光性樹脂部材（不図示）との境界面に沿った第１リードフレーム１０１ａおよび第２リードフレーム１０１ｂ間の最短離間距離である内部沿面距離Ｌ１０１が短くなってしまうといった問題点もあった。
【００１６】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、透光性樹脂部材であるインナーパッケージが欠落する可能性を低減することによりインナーパッケージの成形性を向上させることによって安定した量産ができ、さらに好適には、内部沿面距離を長距離化することにより絶縁性能を向上させることができる光結合半導体装置、光結合半導体装置の製造方法および光結合半導体装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明の光結合半導体装置は、図１に示すように、先端部１ａ２および本体部１ａ１をそれぞれ備えた複数の第１リードフレーム１ａと、先端部１ｂ２および本体部１ｂ１をそれぞれ備えた複数の第２リードフレーム１ｂと、先端部１ａ２に搭載された発光素子２と、先端部１ｂ２に搭載された受光素子３と、前記発光素子２および受光素子３を樹脂封止する透光性樹脂を用いて形成されたインナーパッケージ４と、当該インナーパッケージ４表面を覆う非透光性樹脂を用いて形成されたアウターパッケージ５とから構成されている。さらに、前記インナーパッケージ４は、前記第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの上側に配置された上部パッケージ部４ａと、前記第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの下側に配置された下部パッケージ部４ｂとから構成されている。また、前記光結合半導体装置は、前記上部パッケージ部４ａのリードフレーム長さ方向の幅が前記下部パッケージ部４ｂのリードフレーム長さ方向の幅よりも幅狭に形成されることで、前記下部パッケージ部４ｂ上面の一部と前記第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２上面の一部とが前記上部パッケージ部４ａで覆われずに露出した構造となっている。本発明の光結合半導体装置は、前述のような構成において、前記露出部分に前記インナーパッケージ４を構成する樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が配置されていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、前記樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４は、前記下部パッケージ部４ｂの露出部分の一部に配置されていてもよく、また、前記下部パッケージ部４ｂの露出部分の一部と第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２の露出部分の一部とに配置されていてもよい。
【００１９】
これにより、上部パッケージ部の体積が従来の光結合半導体装置の上部パッケージ部よりも大きくなるため、金型を用いて実施される１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部の一部が金型内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００２０】
また、前記樹脂形成部は、その上端部の高さが前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面より高くなるように形成されていることが好ましい。
【００２１】
また、前記樹脂形成部は、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分とを除く他の露出部分（即ち、下部パッケージ部の露出部分のうち前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域）に配置されていてもよい。
【００２２】
この場合には、従来の光結合半導体装置よりも内部沿面距離を長距離化することができ、絶縁性能を向上させることができる。
【００２３】
また、前記樹脂形成部を前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域に配置することが困難である場合は、前記樹脂形成部は、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分とに配置されていてもよい。
【００２４】
また、前記樹脂形成部は、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分を除く他の露出部分（即ち、下部パッケージ部の露出部分のうち前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域と、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と）に配置されていてもよい。
【００２５】
この場合には、透光性樹脂部材の成形性をより向上させることができ、より安定した量産が可能となる。
【００２６】
また、前記樹脂形成部が、下部パッケージ部上面の各端辺部のうち、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して直交する端辺部に沿って、前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに配置されていてもよい。
【００２７】
この場合には、上部パッケージ部および下部パッケージ部の各表面積を近似化することができるため、金型を用いて実施される１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部の一部が金型内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００２８】
また、前記樹脂形成部の、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して平行な面の形状が、三角形、扇形、台形または半円形であることが好ましい。
【００２９】
また、前記樹脂形成部の上端部の高さが上部パッケージ部上面の高さに一致していてもよい。
【００３０】
この場合には、樹脂形成部上面と上部パッケージ部上面とが同一平面を形成するため、インナーパッケージの一部が欠落してしまう可能性をさらに低減することができ、より安定した量産が可能となる。
【００３１】
本発明の光結合半導体装置の製造方法は、先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第１リードフレームの各先端部のうちの１つの先端部に発光素子を搭載し、先端部および本体部をそれぞれ備えた複数の第２リードフレームの各先端部のうちの１つの先端部に受光素子を搭載する素子搭載工程と、下金型の凹部と上金型の凹部とによって形成された１つの中空部内に前記発光素子および受光素子を配置した状態で、前記中空部内に透光性樹脂を充填し硬化させて、下金型の凹部に充填された透光性樹脂が硬化することにより形成された下部パッケージ部と上金型の凹部に充填された透光性樹脂が硬化することにより形成された下部パッケージ部とからなるインナーパッケージを形成するインナーパッケージ形成工程と、当該インナーパッケージ表面を覆うアウターパッケージを非透光性樹脂を用いて形成するアウターパッケージ形成工程とから構成されている。さらに、本発明の光結合半導体装置の製造方法によって製造される光結合半導体装置は、前記上部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅を前記下部パッケージ部のリードフレーム長さ方向の幅よりも幅狭に形成することで、前記下部パッケージ部上面の一部と前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の一部とを前記上部パッケージ部で覆わずに露出させた構造となっている。本発明の光結合半導体装置の製造方法は、このような構造において、前記露出部分に前記インナーパッケージを構成する樹脂形成部を形成することを特徴とするものである。
【００３２】
また、前記樹脂形成を、前記下部パッケージ部の露出部分の一部に形成してもよく、また、前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに形成してもよい。
【００３３】
これにより、上部パッケージ部の体積が従来の光結合半導体装置の上部パッケージ部よりも大きくなるため、金型を用いて実施される１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部の一部が金型内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００３４】
また、前記樹脂形成部を、その上端部の高さが前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面より高くなるように形成することが好ましい。
【００３５】
また、前記樹脂形成部を、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分とを除く他の露出部分（即ち、下部パッケージ部の露出部分のうち前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域）に形成してもよい。
【００３６】
この場合には、従来の光結合半導体装置よりも内部沿面距離を長距離化することができ、絶縁性能を向上させることができる。
【００３７】
また、前記樹脂形成部を前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域に形成することが困難である場合は、前記樹脂形成部を、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分とに形成してもよい。
【００３８】
また、前記樹脂形成部を、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部上面の露出部分を除く他の露出部分（即ち、下部パッケージ部の露出部分のうち前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面に隣接する領域と、前記複数の第１リードフレームの間の露出部分と、前記複数の第２リードフレームの間の露出部分と）に形成してもよい。
【００３９】
この場合には、透光性樹脂部材の成形性をより向上させることができ、より安定した量産が可能となる。
【００４０】
また、前記樹脂形成部を、下部パッケージ部上面の各端辺部のうち、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの長さ方向に対して直交する端辺部に沿って、前記下部パッケージ部の露出部分の一部と第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部の露出部分の一部とに形成してもよい。
【００４１】
この場合には、上部パッケージ部および下部パッケージ部の各表面積を近似化することができるため、金型を用いて実施される１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部の一部が金型内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００４２】
本発明の電子機器は、前述の光結合半導体装置を搭載したことを特徴とするものである。
【００４３】
このような特徴により、機器の安全性に対してより好ましい設計および仕様を実現することができる。
【発明の効果】
【００４４】
本発明は上記のように構成したので、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となり、さらに好適には内部沿面距離をより長距離化することができ、絶縁性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の光結合半導体装置およびこの光結合半導体装置を搭載した電子機器の実施形態について説明する。
【００４６】
＜実施形態１＞
まず初めに、本発明の光結合半導体装置の実施形態１について図面を参照しつつ説明する。
【００４７】
図１は本発明の光結合半導体装置の実施形態１を示す断面図である。図２は図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、図３は図２のＡ１−Ａ１線断面説明図であり、図４は図２のＡ２−Ａ２線断面説明図であり、図２〜図４は１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示し、図２中の破線は上金型の凹部および欠落防止用凹部の下縁部を示す。また、図５は図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、図６は図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、図５および図６は１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【００４８】
図１に示す光結合半導体装置は、本体部１ａ１，１ｂ１と先端部１ａ２，１ｂ２とをそれぞれ有する薄板状の第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂと、第１リードフレーム１ａの先端部１ａ２上面に搭載された発光素子２と、第２リードフレーム１ｂの先端部１ｂ２上面に搭載された受光素子３と、発光素子２および受光素子３を樹脂封止する透光性樹脂を用いて形成されたインナーパッケージ４と、このインナーパッケージ４表面を覆う非透光性樹脂を用いて形成されたアウターパッケージ５とから構成された２重トランスファーモールドの光結合半導体装置である。
【００４９】
また、前記インナーパッケージ４は、図３に示すように、凹部１４ａを備えた上金型１４と凹部２４ａを備えた下金型２４とから構成された金型を用いて形成される。この金型を第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの側面に対向する側から見た場合、前記上金型１４の凹部１４ａの断面形状は例えば上底が下底よりも幅狭な台形状であり、下金型２４の凹部２４ａの断面形状は例えば下底が上底よりも幅狭な逆台形状である。
【００５０】
さらに、上金型１４に後述の屈曲手段を設けるために、前記上金型１４の凹部１４ａの幅Ｗ１は、下金型２４の凹部２４ａの幅Ｗ２よりも狭くなっている。なお、前記幅Ｗ１は、凹部１４ａ下縁部の第１リードフレーム１ａ上面当接部位から第２リードフレーム１ｂ上面当接部位までの距離であり、前記幅Ｗ２は、凹部２４ａ上縁部の第１リードフレーム１ａ下面当接部位から第２リードフレーム１ｂ下面当接部位までの距離である。
【００５１】
前記インナーパッケージ４は、上金型１４の凹部１４ａに充填された透光性樹脂により形成された上部パッケージ部４ａと下金型２４の凹部２４ａに充填された透光性樹脂によって形成された下部パッケージ部４ｂとからなり、前述したような形状の上金型１４および下金型２４を用いて形成されるため、上部パッケージ部４ａのリードフレーム長さ方向の幅（前記幅Ｗ１に等しい）が前記下部パッケージ部４ｂのリードフレーム長さ方向の幅前記幅Ｗ２に等しい）よりも幅狭に形成される。そのため、図５に示すように、下部パッケージ部４ｂ上面の左右両側部分は、上部パッケージ部４ａ下面によって覆われず露出した状態となっており、この露出部分に位置する第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２もそれぞれその上面が露出した状態となっている。
【００５２】
なお、本明細書において、「左」とは第１リードフレーム１ａが配置されている側を言い、「右」とは第２リードフレーム１ｂが配置されている側を言う。
【００５３】
前記屈曲手段は、第１リードフレーム１ａの先端部１ａ２および第２リードフレーム１ｂの先端部１ｂ２を下方向に押し下げるための部材であり、上金型１４の凹部１４ａ周辺部のうち、第１リードフレーム１ａの本体部１ａ１および先端部１ａ２の境界部位Ｐ１に対向する位置から凹部１４ａ下縁部までの傾斜部１４ｂ１と、第２リードフレーム１ｂの本体部１ｂ１および先端部１ｂ２の境界部位Ｐ２に対向する位置から凹部１４ａ下縁部までの傾斜部１４ｂ２とから構成されている。これら傾斜部１４ｂ１および傾斜部１４ｂ２の傾斜角度は、完成時の先端部１ａ２，１ｂ２の傾斜角度に従って設定されている。
【００５４】
また、上金型１４には、図２および図４に示すように、前記凹部１４ａに加えて欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４がさらに形成されている。前記欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４は、図２に示すように、下部パッケージ部４ａの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａの間の露出部分と２本の第２リードフレーム１ｂの間の露出部分と第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２上面の露出部分とを除く他の露出部分、即ち、前記第１リードフレームおよび第２リードフレームの外側側面Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４に隣接する領域（下部パッケージ部４ａ上面の四隅）に樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４を形成するための凹部である。本実施形態では、前記欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４に充填された透光性樹脂によって、断面形状が三角形の樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が形成される。なお、前記断面形状とは、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの側面に対して平行な面の形状のことであり、本発明においては、三角形に限定されるものではなく、例えば扇形、台形または円形であってもよい。
【００５５】
また、前記欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４は上金型１４の凹部１４ａと一体形成されている。このような構成により、インナーパッケージ４形成時には、上金型１４の凹部１４ａ、下金型２４の凹部２４ａおよび欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４によって１つの中空部が形成されるため、前記上部パッケージ部４ａ、前記下部パッケージ部４ｂおよび前記樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４は一体形成される。なお、図１および図５ではわかりやすくするために上部パッケージ部４ａ、前記下部パッケージ部４ｂおよび樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４の各境界線を二点鎖線Ｂで示した。
【００５６】
次に、前述した光結合半導体装置の製造方法の実施形態１について図１、図３および図４を参照しつつ説明する。
【００５７】
＜素子搭載工程＞
図１に示す光結合半導体装置を製造する際には、まず、Ｃｕ合金またはＦｅ合金等の金属材料を用いて形成された第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各一つの先端部１ａ２，１ｂ２上面に発光素子２および受光素子３を導電性ペーストを用いてダイボンドし、前記一つの先端部１ａ２近傍に配置された他の第１リードフレーム１ａの先端部である電極パッド部（不図示）と発光素子２とをＡｕ線１２を用いてワイヤボンドし、同様に、前記一つの先端部１ｂ２近傍に配置された他の第２リードフレーム１ｂの先端部である電極パッド部（不図示）と受光素子３とをＡｕ線１３を用いてワイヤボンドする。
【００５８】
続いて、前記発光素子２表面をジャンクションコーティング用シリコーン樹脂部２２でプリコートする。
【００５９】
＜インナーパッケージ形成工程＞
その後、開いた状態の上金型１４と下金型２４との間に第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂごと発光素子２および受光素子３を配置し、上金型１４下降または下金型２４上昇を行って上金型１４と下金型２４とを密着させ、２つの凹部１４ａ，２４ａで形成された１つの中空部内に、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２とともに、発光素子２および受光素子３を配置する。このとき、図３に示すように、前記屈曲手段である傾斜部１４ｂ１および傾斜部１４ｂ２による先端部１ａ２，１ｂ２への屈曲加工が同時に実施される。さらに、このような状態で、例えば透光性エポキシ樹脂を凹部１４ａ，２４ａおよび欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４内に充填し加熱硬化する１次トランスファモールドを実施して、図４に示すように、上部パッケージ部４ａ、下部パッケージ部４ｂおよび樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４からなるインナーパッケージ４を形成する。
【００６０】
＜アウターパッケージ形成工程＞
次いで、インナーパッケージ４形成時の樹脂漏れなどにより生じた余分な箇所（樹脂バリ）およびタイバー（不図示。隣接するリードフレーム間を支持するとともに、トランスファモールド等の樹脂封止の際樹脂漏れを低減するよう設けられた補助リード部）をバリ抜き用金型等で機械的に除去した後、遮光性エポキシ樹脂を用いて２次トランスファモールドを実施してアウターパッケージ５を形成する。
【００６１】
＜仕上げ工程＞
最後に、アウターパッケージ５形成時の樹脂漏れなどにより生じた樹脂バリおよびタイバー（不図示）をバリ抜き用金型等で機械的に除去した後、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂへのフォーミング工程と、絶縁耐圧試験工程と、電気特性検査工程と、外観検査工程と、梱包工程とを経て光結合半導体装置を得る。
【００６２】
本実施形態によれば、光結合半導体装置が樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４を備えているため、上部パッケージ部の体積が従来の光結合半導体装置の上部パッケージ部よりも大きくなり（図１参照）、１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部４ａの一部が上金型１４内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００６３】
なお、本実施形態では、図４に示すように、樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４上面の高さをパーティングライン（本体部１ａ１，１ｂ１および先端部１ａ２，１ｂ２の境界部位における本体部１ａ１，１ｂ１上面の高さ）Ｌ１に一致させているが、上部パッケージ部４ａ上面の高さに一致させてもよい。この場合には、樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４上面と上部パッケージ部４ａ上面とが同一平面を形成するため、インナーパッケージ４の一部が欠落してしまう可能性をさらに低減することができ、より安定した量産が可能となる。
【００６４】
また、本実施形態によれば、前記樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が、下部パッケージ部４ｂ上面の露出部分のうち、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各外側側面に隣接する領域に、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各上面よりも高い位置に形成されているため、従来の光結合半導体装置よりも内部沿面距離Ｌ２を長距離化することができる。その結果、絶縁性能を向上させることができる。
【００６５】
＜実施形態２＞
次に、本発明の光結合半導体装置の実施形態２について図面を参照しつつ説明する。
【００６６】
図７は本発明の光結合半導体装置の実施形態２を示す断面図である。図８は図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を上金型の凹部および欠落防止用凹部の下縁部を示す破線とともに示す。また、図９は図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、図１０は図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、図９および図１０は１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【００６７】
前述の実施形態１の光結合半導体装置では、図２に示すように、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの外側側面Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４に隣接する領域に樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が形成されていたが、本実施形態の光結合半導体装置では、図８に示すように、下部パッケージ部４ｂの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａの間の露出部分および２本の第２リードフレーム１ｂの間の露出部分、即ち、２本の第１リードフレーム１ａの内側側面Ｓ１１，Ｓ１２に挟まれた領域と２本の第２リードフレーム１ｂの内側側面Ｓ１３、Ｓ１４に挟まれた領域との２箇所に樹脂形成部４ｃ１１，４ｃ１２がそれぞれ配置されている。さらに、樹脂形成部４ｃ１１，４ｃ１２の断面形状は扇形である。なお、本発明において、断面形状は扇形に限定されるものではなく、例えば三角形、台形または円形であってもよい。
【００６８】
即ち、本実施形態の光結合半導体装置は、樹脂形成部の形成位置が異なっている点以外は前述の実施形態１の光結合半導体装置と同様の構成を有するものである。
【００６９】
本実施形態において、前記インナーパッケージ４は、図８に示すように、実施形態１の光結合半導体装置を形成する場合とほぼ同様の、凹部１４ａを備えた上金型１４と凹部を備えた下金型（不図示）とから構成された金型を用いて形成される。但し、実施形態１の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４は、図２に示すように、前記下部パッケージ部４ｂの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａおよび２本の第２リードフレーム１ｂの各外側側面に隣接する領域に対向する位置に欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４を備えているが、本実施形態の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４は、図８に示すように、下部パッケージ部４ｂの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａの内側側面Ｓ１１，Ｓ１２で挟まれた領域および２本の第２リードフレーム１ｂの内側側面Ｓ１３，Ｓ１４で挟まれた領域に対向する位置に欠落防止用凹部１４ａ１１，１４ａ１２をそれぞれ備えている。
【００７０】
なお、本実施形態の光結合半導体装置の製造方法は、前述した実施形態１の光結合半導体装置の場合と同様であるため説明を省略する。
【００７１】
本実施形態の光結合半導体装置は、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの外側側面に隣接する領域に樹脂形成部を形成することが困難な場合に有効なものである。
【００７２】
本実施形態の光結合半導体装置によれば、光結合半導体装置が樹脂形成部４ｃ１１，４ｃ１２を備えているため、インナーパッケージ４のうち上金型１４によって形成される部位の体積が従来の光結合半導体装置よりも大きくなり（図７参照）、１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部４ａの一部が上金型１４内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００７３】
また、インナーパッケージ４の一部が欠落してしまう可能性をより低減することによって安定した量産が可能となるように、本実施形態では、図７および図９に示すように、樹脂形成部４ｃ１１，４ｃ１２上面の高さを上部パッケージ部４ａ上面の高さに一致させているが、樹脂形成部４ｃ１１，４ｃ１２上面の高さを前記パーティングラインに一致させた場合においても透光性樹脂部材の成形性を向上させることができる。
【００７４】
＜実施形態３＞
次に、本発明の光結合半導体装置の実施形態３について図面を参照しつつ説明する。
【００７５】
図１１は本発明の光結合半導体装置の実施形態３を示す断面図である。図１２は図１１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を上金型の凹部および欠落防止用凹部の下縁部を示す破線とともに示す。また、図１３は図１１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【００７６】
前述の実施形態１の光結合半導体装置では、図２に示すように、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの外側側面Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４に隣接する４箇所の領域のみに樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４が形成されていたが、本実施形態の光結合半導体装置では、図１２に示すように、下部パッケージ部４ｂの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａの間の露出部分および２本の第２リードフレーム１ｂの間の露出部分、即ち、２本の第１リードフレーム１ａの内側側面Ｓ１１，Ｓ１２に挟まれた領域と２本の第２リードフレーム１ｂの内側側面Ｓ１３、Ｓ１４に挟まれた領域との２箇所にも樹脂形成部４ｃ５，４ｃ６がそれぞれ配置されている。なお、本発明において、前記断面形状は三角形に限定されるものではなく、例えば扇形、台形または円形であってもよい。
【００７７】
即ち、本実施形態の光結合半導体装置は、樹脂形成部の形成位置が異なっている点以外は前述の実施形態１の光結合半導体装置と同様の構成を有するものである。
【００７８】
本実施形態において、前記インナーパッケージ４は、図１２に示すように、実施形態１の光結合半導体装置を形成する場合とほぼ同様の、凹部１４ａを備えた上金型１４と凹部を備えた下金型（不図示）とから構成された金型を用いて形成される。但し、本実施形態の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４には、実施形態１の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４の欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４に加えて、下部パッケージ部４ｂの露出部分のうち、２本の第１リードフレーム１ａの内側側面Ｓ１１，Ｓ１２で挟まれた領域および２本の第２リードフレーム１ｂの内側側面Ｓ１３，Ｓ１４で挟まれた領域に対向する位置に１４ａ３５，１４ａ３６をそれぞれ備えている。
【００７９】
なお、本実施形態の光結合半導体装置の製造方法は、前述した実施形態１の光結合半導体装置の場合と同様であるため説明を省略する。
【００８０】
本実施形態の光結合半導体装置によれば、前述の実施形態１の光結合半導体装置の場合と同じ効果が得られるとともに、欠落防止用凹部の数を増やして上部モールド部側面の表面積を増やすことができるため、上部モールド部を側面より支える面積を増やすことができる。そのため、１次トランスファモールドでの離型時に上部パッケージ部４ａの一部が上金型１４内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性をより低減することができる。その結果、透光性樹脂部材の成形性をより向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００８１】
なお、本実施形態においては、図１１に示すように、樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４，４ｃ５，４ｃ６上面の高さをパーティングラインに一致させているが、上部パッケージ部４ａ上面の高さに一致させてもよい。この場合には、樹脂形成部４ｃ１，４ｃ２，４ｃ３，４ｃ４，４ｃ５，４ｃ６上面と上部パッケージ部４ａ上面とが同一平面を形成するため、インナーパッケージ４の一部が欠落してしまう可能性をさらに低減することができ、より安定した量産が可能となる。
【００８２】
＜実施形態４＞
次に、本発明の光結合半導体装置の実施形態４について図面を参照しつつ説明する。
【００８３】
図１４は本発明の光結合半導体装置の実施形態４を示す断面図である。図１５は図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す断面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。また、図１６は図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、図１７は図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、図１６および図１７は本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の一具体例を示し、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。また、図１８および図１９は、本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の他の具体例を示す斜視図であり、図１８および図１９は１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【００８４】
前述の実施形態１〜実施形態３の光結合半導体装置では、第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの外側側面に隣接する領域および（または）内側側面で挟まれた領域に、前記第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの長さ方向に対して平行に樹脂形成部が形成されているが、本実施形態の光結合半導体装置では、図１４および図１５に示すように、下部パッケージ部４ｂ上面の左端辺部および右端辺部（即ち、図１６および図１７に示すように、下部パッケージ部４ｂ上面の各端辺部のうち、前記第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの長さ方向Ｄ１に対して直交する端辺部）に沿って、前記下部パッケージ部４ｂ上面の露出部分の一部と第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２上面の露出部分の一部とに樹脂形成部４ｃ２１，４ｃ２２がそれぞれ配置されている。
【００８５】
前記樹脂形成部４ｃ２１，４ｃ２２の断面形状の具体例としては、図１６に示すような三角形、図１８に示すような台形または図１９に示すような半円形があげられる。
【００８６】
即ち、本実施形態の光結合半導体装置は、樹脂形成部の形成位置が異なっている点以外は前述の実施形態１の光結合半導体装置と同様の構成を有するものである。
【００８７】
本実施形態において、前記インナーパッケージ４は、図１５に示すように、実施形態１の光結合半導体装置を形成する場合とほぼ同様の、凹部１４ａを備えた上金型１４と凹部２４ａを備えた下金型２４とから構成された金型を用いて形成される。但し、実施形態１の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４は、図２に示すように、前記下部パッケージ部４ｂの露出部部のうち、２本の第１リードフレーム１ａおよび２本の第２リードフレーム１ｂそれぞれの外側側面に隣接する４箇所の領域に対向する位置に欠落防止用凹部１４ａ１，１４ａ２，１４ａ３，１４ａ４を備えているが、本実施形態の光結合半導体装置を形成する際に用いられる上金型１４は、図１５に示すように、前記下部パッケージ部４ｂ上面の露出部分と第１リードフレーム１ａおよび第２リードフレーム１ｂの各先端部１ａ２，１ｂ２上面の露出部分とのうち前記左端部と右端部とに沿った領域に対向する位置に、欠落防止用凹部１４ａ２１，１４ａ２２をそれぞれ備えている。
【００８８】
また、本実施形態においては、上金型１４の凹部１４ａと欠落防止用凹部１４ａ２１，１４ａ２２とは一体形成されておらず、凹部１４ａと欠落防止用凹部１４ａ２１，１４ａ２２との間の各上金型下面部１４ｂ１１，１４ｂ１２が屈曲手段を構成している。
【００８９】
なお、本実施形態の光結合半導体装置の製造方法は、前述した実施形態１の光結合半導体装置の場合と同様であるため説明を省略する。
【００９０】
本実施形態によれば、光結合半導体装置が樹脂形成部４ｃ２１，４ｃ２２を備えているため、従来の光結合半導体装置と比較して、インナーパッケージ４のうち上金型１４によって形成される部位の表面積と下金型２４によって形成される部位の表面積とをより近似化することができる。これにより、１次トランスファモールドでの離型時にインナーパッケージ４に掛る負荷を分散させることができる。その結果、上部パッケージ部４ａの一部が上金型１４内に残りインナーパッケージが欠落してしまう可能性を低減することができ、透光性樹脂部材の成形性を向上させることができ、安定した量産が可能となる。
【００９１】
なお、本発明の光結合半導体装置は、前述した実施形態に限定されるものではなく、下部パッケージ部上面の露出された領域のうち屈曲手段が配置される領域を除く領域に少なくとも１つの樹脂形成部が形成されたものであればよい。また、前述の実施形態では、インナーパッケージの第１リードフレームおよび第２リードフレームの上面上の部分を上金型で形成し、インナーパッケージの第１リードフレームおよび第２リードフレームの上面より下の部分を下金型で形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、インナーパッケージの第１リードフレームおよび第２リードフレームの下面より上の部分、または下面から上面までの間のいずれかの高さより上の部分を上金型で形成し、インナーパッケージの第１リードフレームおよび第２リードフレームの下面より下の部分、または下面から上面までの間のいずれかの高さより下の部分を下金型で形成している場合にも適用可能である。
【００９２】
また、本発明の電子機器は、例えば電位および（または）インピーダンスの異なる回路間の信号伝達回路、スイッチング電源の出入力間のフィードバック制御回路、または、ＡＣ（交流）アダプタの電源フィードバック制御回路であり、前述した実施形態１〜実施形態４の光結合半導体装置のうちのいずれか１つの光結合半導体装置を信号伝達回路デバイスとして搭載したものである。そのため、機器の安全性に対してより好ましい設計および仕様を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明の光結合半導体装置およびこの光結合半導体装置を搭載した電子機器は、第１リードフレームおよび第２リードフレームの各先端部を下方に押下げるための屈曲手段を備えた金型を用いてインナーパッケージが形成される場合に活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の光結合半導体装置の実施形態１を示す断面図である。
【図２】図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。
【図３】図２のＡ１−Ａ１線断面説明図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。
【図４】図２のＡ２−Ａ２線断面説明図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。
【図５】図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図６】図１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図７】本発明の光結合半導体装置の実施形態２を示す断面図である。
【図８】図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を上金型の凹部下縁部を示す破線とともに示す。
【図９】図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１０】図７に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１１】本発明の光結合半導体装置の実施形態３を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を上金型の凹部下縁部を示す破線とともに示す。
【図１３】図１１に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１４】本発明の光結合半導体装置の実施形態４を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す断面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。
【図１６】図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す斜視図であり、本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の一具体例を示し、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１７】図１４に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の一具体例を示し、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１８】本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の他の具体例を示す斜視図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図１９】本実施形態の光結合半導体装置を構成する樹脂形成部の他の具体例を示す斜視図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図２０】従来の光結合半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す断面図であり、１次トランスファモールド実施後の状態を金型とともに示す。
【図２２】図２０に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す断面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【図２３】図２０に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す側面図であり、１次トランスファモールド実施時に金型を構成する上金型と下金型とを閉じる前の状態を示す。
【図２４】図２０に示す光結合半導体装置の製造過程の状態を示す上面図であり、１次トランスファモールド実施後に金型を除去した状態を示す。
【符号の説明】
【００９５】
１ａ    第１リードフレーム
１ａ１    本体部
１ａ２    先端部
１ｂ    第２リードフレーム
１ｂ１    本体部
１ｂ２    先端部
２    発光素子
３    受光素子
４    インナーパッケージ
４ｃ１〜４ｃ６    樹脂形成部
４ｃ１１，４ｃ１２    樹脂形成部
４ｃ２１，４ｃ２２    樹脂形成部
５    アウターパッケージ
１４    上金型
１４ａ    凹部
１４ａ１〜１４ａ６    欠落防止用凹部
１４ａ１１，１４ａ１２    欠落防止用凹部
１４ａ２１，１４ａ２２    欠落防止用凹部
２４    下金型
２４ａ    凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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