(57)【要約】【課題】戻り光の反射防止機能を備えた半導体レーザ装置を容易に実現できるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、主面の面方位が（１−１００）である基板１１と、基板１１の上に形成され、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体１２と、基板１１における出射端面の少なくとも一部に形成された複数の錘状突起部１３とを備えている。出射端面の面方位は、（０００−１）である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体を用いた端面出射型の半導体レーザ装置であって、
主面の面方位が（１−１００）である六方晶窒化物半導体からなる基板と、
前記基板の上に形成され、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体と、
前記基板における出射端面の少なくとも一部に形成された複数の錘状突起部とを備え、
前記出射端面の面方位は、（０００−１）であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記錘状突起部は、六角錘状であり、面方位が（１−１０２）の面により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記半導体積層体は、下側から順次積層された、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を有し、
前記錘状突起部は、前記半導体積層体における前記出射端面の前記活性層よりも下側の領域の少なくとも一部にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
主面の面方位が（１−１００）である基板の上に、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体を形成する工程（ａ）と、
前記基板を前記半導体積層体が形成された面とは反対側からエッチングすることにより面方位が（０００−１）である内壁面を有する凹部を形成すると共に、前記内壁面上に面方位が（１−１０２）の面からなる錘状突起部を形成する工程（ｂ）とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングは、ウェットエッチングであることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチングは、アルカリ性の溶液をエッチャントとして用い、窒化物半導体の結晶に吸収される波長の光を照射しながら行うことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ性の溶液は、水酸化カリウムであることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）よりも後に、前記半導体積層体を劈開して共振器端面を形成する工程（ｃ）をさらに備え、
前記凹部は、前記劈開のガイド溝として機能することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ）よりも前に、前記基板における前記半導体積層体と反対側の面に、ｎ側電極を形成する工程（ｄ）をさらに備え、
前記工程（ｂ）では、前記ｎ側電極をマスクとして前記エッチングを行うことを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、特に、光ディスク装置等の光源として用いる半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置は、小型、安価で且つ高出力という優れた特徴を有し、特に光ディスク装置の記録再生用に多く用いられている。近年、ハイビジョン画質の綺麗な映像を記録再生するブルーレイ光ディスク装置等の高密度光ディスク装置用途として、窒化ガリウム（ＧａＮ）等のIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた波長が４０５ｎｍ程度の青紫色半導体レーザ装置の開発が精力的に進められている。
【０００３】
光ディスク装置においては、記録再生を行う光ピックアップ装置のノイズを低減する必要がある。光ピックアップ装置のノイズの原因の一つに、半導体レーザ装置の端面における光の反射がある。光ピックアップ装置の半導体レーザ装置から出射された光は、光ディスクの表面において反射され、反射された戻りレーザ光の一部は半導体レーザ装置に入射する。一般に、半導体レーザ装置の出射端面は劈開により形成された鏡面である。このため、光ディスクからの戻りレーザ光は、鏡面である出射端面において反射され、再び光学系に入りノイズとなる。
【０００４】
特に、３ビーム方式の光ピックアップにおいて、主ビームの両側に位置するトラッキング用の副ビームが、半導体レーザ装置の出射端面において反射され、光ディスク上に再びスポットを形成すると、光ピックアップのトラッキング動作に大きな影響を与える。
【０００５】
このような戻り光の反射によるノイズやトラッキング不良を防ぐ方法として、半導体レーザ装置の出射端面に感光性レジストを塗布し、レーザ光によりレーザ光の出射部のみを感光することにより透明化し、その他の部分を吸収層とすることにより、出射端面における戻り光の反射を防ぐことが試みられている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００６】
また、半導体レーザ装置の出射端面をドライエッチングにより曲面状に加工することにより、光を散乱させ、出射端面における戻り光の反射を防ぐことも試みられている（例えば、特許文献２を参照。）。
構造である。
【特許文献１】特許第２５８６５３６号明細書
【特許文献２】特開２００４−３４９３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来の戻り光の反射防止方法には以下のような問題がある。まず、感光性レジストにより光吸収層を形成する方法は、高密度光ディスク装置に用いる青紫色の半導体レーザ装置には適用が困難である。これは、波長が短い青紫色のレーザ光により樹脂の劣化が生じ、光吸収層の機能が劣化してしまうからである。
【０００８】
また、半導体レーザ装置の出射端面を曲面状に加工する方法は、加工が困難であり、安定して製品が得られないという問題がある。
【０００９】
本発明は、前記従来の問題を解決し、戻り光の反射防止機能を備えた半導体レーザ装置を容易に実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は半導体レーザ装置を、基板における出射端面の少なくとも一部に、基板の特定の結晶面により形成した錘状突起部を備える構成とする。
【００１１】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ装置は、窒化物半導体を用いた端面出射型の半導体レーザ装置を対象とし、主面の面方位が（１−１００）である六方晶窒化物半導体からなる基板と、基板の上に形成され、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体と、基板における出射端面の少なくとも一部に形成された複数の錘状突起部とを備え、出射端面の面方位は、（０００−１）であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体レーザ装置は、基板における出射端面の少なくとも一部に形成された複数の錘状突起部を備えている。このため、半導体レーザ装置の端面に入射した戻りレーザ光が散乱される。従って、戻りレーザ光の端面の鏡面反射による、ノイズの発生及びトラッキングエラーの発生等を低減できる。
【００１３】
本発明の半導体レーザ装置において、錘状突起部は六角錘状であり、面方位が（１−１０２）の面により構成されていてもよい。このようにすれば、錘状突起部が基板の結晶面により形成されるため、レジスト等のように劣化することがない。また、結晶面を露出させるだけであるため、再現性良く容易に形成することができる。
【００１４】
本発明の半導体レーザ装置において、半導体積層体は下側から順次積層された、ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層を有し、錘状突起部は半導体積層体における出射端面の活性層よりも下側の領域の少なくとも一部にも形成されている構成であってもよい。
【００１５】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、主面の面方位が（１−１００）である基板の上に、ストライプ状の光導波路を有する半導体積層体を形成する工程（ａ）と、基板を半導体積層体が形成された面とは反対側からエッチングすることにより面方位が（０００−１）である内壁面を有する凹部を形成すると共に、内壁面上に面方位が（１−１０２）の面からなる錘状突起部を形成する工程（ｂ）とを備えていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、基板を裏面からエッチングすることにより面方位が（０００−１）である内壁面を有する凹部を形成すると共に、内壁面上に面方位が（１−１０２）の面からなる錘状突起部を形成する。このため、基板における出射端面の少なくとも一部に錘状突起部が形成され、戻りレーザ光を散乱させることができる半導体レーザ装置を容易に形成できる。エッチングにより、基板の特定の結晶面を露出させるだけであるから、錘状突起部の形成を再現性良く容易に行うことができる。
【００１７】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法において、エッチングはウェットエッチングであることが好ましい。
【００１８】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法において、ウェットエッチングは、アルカリ性の溶液をエッチャントとして用い、窒化物半導体の結晶に吸収される波長の光を照射しながら行う構成としてもよい。
【００１９】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法において、アルカリ性の溶液は、水酸化カリウムとしてもよい。
【００２０】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、工程（ｂ）よりも後に、半導体積層体を劈開して共振器端面を形成する工程（ｃ）をさらに備え、凹部は、劈開のガイド溝として機能するようにしてもよい。
【００２１】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、工程（ｂ）よりも前に、基板における半導体積層体と反対側の面に、ｎ側電極を形成する工程（ｄ）をさらに備え、工程（ｂ）では、ｎ側電極をマスクとしてエッチングを行う構成としてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る半導体レーザ装置及びその製造方法によれば、戻り光の反射防止機能を備えた半導体レーザ装置を容易に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
まず、本発明の各実施形態に係る半導体レーザ装置に共通する構成材料について説明する。各実施形態において、６回対称構造を持つ六方晶（ウルツ鉱）結晶からなるIII−Ｖ族窒化物半導体材料を用いて半導体レーザ装置を形成している。III−Ｖ族窒化物半導体材料とは、一般式がＩｎ1-x-yＡｌyＧａxＮ（０≦ｘ，ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される材料である。
【００２４】
六方晶ＧａＮ結晶は有極性の結晶であり、同じ（０００１）面であっても、Ｖ族元素であるガリウム（Ｇａ）原子が配列した面とIII族元素である窒素（Ｎ）原子が配列した面の２種類が存在する。本願明細書においては、Ｖ族のＧａ等の原子が配列した面を（０００１）面と表記すると共に、III族のＮ原子が配列した面を（０００−１）面と表記する。
【００２５】
また、（０００１）面を＋ｃ面と表記すると共に、（０００−１）面を−ｃ面と表記する。同様にして、（１−１００）面を＋ｍ面と表記すると共に、（−１１００）面を−ｍ面と表記する。なお、単にｃ面等と表記している場合には、＋ｃ面及び−ｃ面を含む。なお、本願明細書において、例えば、（０００１）面という場合、（０００１）面だけでなく、（０００１）面から−５°〜＋５°程度傾いた範囲の面を含む。
【００２６】
（一実施形態）
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１及び２は一実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。図１は全体の立体構成を示し、図２は図１のII−II線における断面構成を示している。
【００２７】
図１及び２に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ装置は、端面出射型の半導体レーザ装置であり、主面の面方位が（１−１００）面であるｎ型のＧａＮからなる基板１１と、その上に形成された、ストライプ上の光導波路を有する半導体積層体１２とを備えている。半導体積層体１２は、下側から順次形成されたｎ型クラッド層２１、ｎ型光ガイド層２２、活性層２３、ｐ型光ガイド層２４、キャリアオーバフロー抑制層（ＯＦＳ層）２５、ｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７とを有している。ｐ型クラッド層２６は、リッジストライプ状に形成され、ｐ型コンタクト層２７が形成されたリッジストライプ部２０の上部を除いて誘電体層３１に覆われている。誘電体層３１の上には、リッジストライプ部２０を覆うようにｐ側電極３２が形成され、基板１１の半導体積層体１２と反対側の面（裏面）には、ｎ側電極３３が形成されている。
【００２８】
基板１１におけるレーザ光を出射する側の端面である出射端面には、錘状突起部１３が形成されている。錘状突起部１３は、後述するように窒化物半導体からなる基板１１をエッチングすることにより露出させた面方位が（１−１０２）である面（Ｒ面）により構成されている。
【００２９】
本実施形態の半導体レーザ装置は、錘状突起部１３を備えているため、半導体レーザ装置の出射端面に入射した戻りレーザ光は、錘状突起部１３により散乱される。このため、戻りレーザ光が、再び光ディスク上にスポットを形成することにより発生するノイズを大きく低減できる。また、錘状突起部１３は基板１１のＲ面であるため、レーザ光に対する耐性は基板１１の他の部分と同じである。従って、レジスト等を用いて光吸収層等を形成した場合と異なり、レーザ光による劣化が問題となることがない。また、基板１１のＲ面をエッチングにより露出させただけであるから、加工も容易である。
【００３０】
次に、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について説明する。まず、図３に示すように、主面の面方位が（１−１００）面であるｎ型のＧａＮからなる基板１１の主面上に、有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法等により、ｎ型クラッド層２１と、ｎ型光ガイド層２２と、活性層２３と、ｐ型光ガイド層２４と、ＯＦＳ層２５と、ｐ型クラッド層２６と、ｐ型コンタクト層２７とを順次成形し、半導体積層体１２を形成する。
【００３１】
ｎ型クラッド層２１は、厚さが２μｍのｎ型Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎとすればよく、ｎ型光ガイド層２２は、厚さが０．１μｍのｎ型ＧａＮとすればよい。活性層２３は、例えば、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎからなるバリア層とＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎからなる量子井戸層とを３周期分積層してなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造とすればよい。ｐ型光ガイド層２４は、厚さが０．１μｍのｐ型ＧａＮとすればよく、ＯＦＳ層２５は、厚さが１０ｎｍのＡｌ0.20Ｇａ0.80Ｎとすればよい。ｐ型クラッド層２６は、厚さがそれぞれ１．５ｎｍのｐ型Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ｎ層とＧａＮ層とを１６０周期分繰り返してなる厚さが０．４８μｍの歪超格子とすればよい。ｐ型コンタクト層２７は、厚さが０．０５μｍのｐ型ＧａＮとすればよい。
【００３２】
ＭＯＣＶＤ法により半導体積層体１２を形成する場合には、例えばＧａ原料、Ｉｎ原料及びＡｌ原料としてそれぞれ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用い、Ｎ原料としてアンモニア（ＮＨ3）を用いればよい。さらに、ｎ型不純物としてシラン（ＳｉＨ4）ガスを用いてＳｉを導入し、ｐ型不純物としてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いてＭｇを導入すればよい。
【００３３】
半導体積層体１２は、ＭＯＣＶＤ法に代えて、分子ビーム成長（ＭＢＥ）法又は化学ビーム成長（ＣＢＥ）法等の、III−Ｖ族窒化物半導体層が成長可能な成長方法を用いてもよい。
【００３４】
次に、図４に示すように誘電体層３１及びｐ側電極３２を形成する。まず、例えば熱ＣＶＤ法により、ｐ型コンタクト層２７の上に、膜厚が０．３μｍのＳｉＯ2からなる第１のマスク膜（図示せず）を成膜する。リソグラフィ法及びエッチング法により、第１のマスク膜を幅が１．５μｍのストライプ状で且つＣ軸方向と平行にパターニングする。
【００３５】
続いて、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング法により、第１のマスク膜を用いて半導体積層体１２の上部を０．３５μｍの深さにエッチングして、ｐ型コンタクト層２７及びｐ型クラッド層２６の上部にリッジストライプ部を形成する。その後、フッ化水素酸を用いて第１のマスク膜を除去し、再度、熱ＣＶＤ法により、露出したｐ型クラッド層２６の上にリッジストライプ部２０を含む全面にわたって、膜厚が２００ｎｍのＳｉＯ2からなる誘電体層（図示せず）を形成する。
【００３６】
次に、リソグラフィ法により、誘電体層におけるリッジストライプ部の上面に、リッジストライプ部に沿って幅が１．３μｍの開口部を有するレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、例えば三フッ化メタン（ＣＨＦ3）ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジストパターンをマスクとして誘電体層をエッチングすることにより、リッジストライプ部の上面にｐ型コンタクト層２７を露出する開口部を形成する。
【００３７】
次に、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法等により、少なくとも開口部から露出したｐ型コンタクト層２７の上に、厚さが４０ｎｍのパラジウム（Ｐｄ）と厚さが３５ｎｍの白金（Ｐｔ）とからなる金属積層膜を形成する。その後、レジストパターンを除去するリフトオフ法により、金属積層膜におけるリッジストライプ部を除く領域に形成された部分を除去して、図４に示すようなｐ側電極３２を形成する。
【００３８】
次に、図５に示すようにｐ側電極３２が形成された半導体積層体１２の上を覆うように基板１１上の全面にレジスト又はワックス等の樹脂系材料からなるエッチング保護膜４０を形成する。その後、基板１１の裏面をダイヤモンドスラリにより研磨し、基板１１の厚さを１００μｍ程度とする。
【００３９】
次に、図６に示すように、基板１１の裏面にｎ側電極３３を形成する。ｎ側電極３３の形成は以下のようにする。まず、基板１１の裏面にリソグラフィ法によりレジストパターン（図示せず）を形成した後、ＥＢ蒸着法等により、厚さが５ｎｍのＴｉ、厚さが１０ｎｍの白金及び厚さが１０００ｎｍのＡｕからなる金属積層膜を蒸着する。次に、レジストパターンを除去するリフトオフ法により金属積層膜の不要な部分を除去して、ｎ側電極３３を形成する。
【００４０】
次に、図７に示すように、ｎ側電極３３をマスクとしてウェットエッチングを行う。ウェットエッチングは、エッチャントとしてアルカリ溶液５０を用い、基板１１に対してＵＶ（紫外線）光を照射しながら行えばよい。基板１１にＵＶ光が吸収されることにより、電子正孔対が生成される。生成した電子正孔対のうちの電子は、基板１１からｎ側電極３３を通してアルカリ溶液５０中に放出される。つまり、ｎ側電極３３がカソード電極として機能する。また、生成した電子正孔対のうちの正孔は、アルカリ溶液５０中のＯＨ-基と共に基板１１のエッチングに寄与する。本実施形態においては、アルカリ溶液５０として水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いた。但し、ＫＯＨに限らず、ＮａＯＨ等を用いてもよい。また、照射する光は、ＵＶ光に限らず基板１１である窒化物半導体の結晶に吸収させる波長の光であればよい。
【００４１】
アルカリ溶液５０とＵＶ光照射とを用いたウェットエッチングにより、図８に示すように、基板１１に面方位が（０００−１）である内壁面を有する凹部４１が形成されると共に、凹部４１の内壁面のうち面方位が（０００−１）である＋Ｃ面側に六角錐状の錘状突起部１３が形成される。
【００４２】
次に、図９に示すようにエッチング保護膜４０を除去する。この後、ウェハ状態の基板１１を、凹部４１を用いてｃ軸方向の長さが６００μｍとなるように１次劈開する。その後、１次劈開された基板１１を、ａ軸方向の長さが２００μｍとなるように２次劈開する。これにより、基板１１における出射端面に錘状突起部１３を有する半導体レーザ装置が形成される。凹部４１は、１次劈開方向に延びる連続した溝部としても、錘状突起部１３が必要な部分のみに断続的に形成してもよい。
【００４３】
錘状突起部１３は、エッチングにより露出させた面方位が（１−１０２）であるＲ面により構成されている。このため、錘状突起部１３の形状は理想的には図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、Ｒ面が組み合わされて形成された六角錐形状となるはずである。なお、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は側面図である。エッチングによって形成される錘状突起部１３は、図１０（ａ）に示す平面図の対角線の長さが数十ｎｍから数μｍ程度のサイズとなる。典型的には、対角線の長さが０．５μｍから１．０μｍ程度の錘状突起部１３が形成される。これらの錘状突起部１３は、波長４０５ｎｍ程度の青紫色レーザ光を散乱させる機能を十分有している。また、対角線の長さが数十ｎｍ程度の錘状突起部は青紫色レーザ光の波長４０５ｎｍよりも十分小さいため、表面の実効屈折率が小さくなり反射防止構造としても機能する。
【００４４】
図１１（ａ）及び（ｂ）には、実際に得られた錘状突起部１３の電子顕微鏡写真を示している。図１１（ａ）に示すように、六角錐状の錘状突起部１３が得られている。しかし、エッチングの条件等によっては、図１１（ｂ）に示すような崩れた形状の錘状突起部１３が得られる場合もある。しかし、錘状突起部１３が完全な六角錐形状となっていなくても、戻りレーザ光を散乱させる効果に影響はない。
【００４５】
本実施形態においては、錘状突起部１３を、基板１１の端面にのみ形成している。しかし、活性層２３よりも下側の部分であれば、半導体積層体１２の端面にも形成されていてよい。この場合には、例えば図７において示したエッチング工程において、基板１１だけでなく半導体積層体１２の一部までエッチングすればよい。
【００４６】
また、錘状突起部１３を共振器幅方向の全面に形成した例を示しているが、戻りレーザ光の反射が特に生じ易い部分を特定できれば、その部分にのみ形成してもよい。例えば、光学系からの戻りレーザ光が半導体レーザ装置へ再入射する位置は、一般的にレーザ光出射位置より５０μｍ程度離れた位置といわれているため、この位置に錘状突起部１３を形成すればよい。
【００４７】
なお、本実施形態において光導波構造がリッジストライプ型の半導体レーザ装置について説明したが、例えば埋め込み型の半導体レーザ装置又は電極ストライプ型の半導体レーザ装置についても同様の効果が得られる。
【００４８】
また、基板１１はＧａＮだけでなく、ＡｌＧａＮ等の他のIII−Ｖ族窒化物半導体を含む六方晶窒化物半導体からなる基板であってもよい。この場合にも、同様の方法により錘状突起部を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る半導体レーザ装置は、戻り光の反射防止機能を備えた半導体レーザ装置を容易に実現でき、特に光ディスク装置等の光源として用いる半導体レーザ装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置における錘状突起部の構造を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置における錘状突起部の電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５１】
１１      基板
１２      半導体積層体
１３      錘状突起部
２０      リッジストライプ部
２１      ｎ型クラッド層
２２      ｎ型光ガイド層
２３      活性層
２４      ｐ型光ガイド層
２５      ＯＦＳ層
２６      ｐ型クラッド層
２７      ｐ型コンタクト層
３１      誘電体層
３２      ｐ側電極
３３      ｎ側電極
４０      エッチング保護膜
４１      溝部
５０      アルカリ溶液
【図１】
2009277922.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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