(57)【要約】【課題】切削時に生じた切削屑を、人手を介さずに自動的且つ確実に移動させて固着を解くことができ、ヒューマンエラーを防止しながら時間を極力かけずに効率の良い修正作業を行うこと。【解決手段】基板２とマスクパターン３とを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、欠陥部分５を切削除去加工して修正する方法であって、観察データに基づいて加工エリアＥ１を設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアＥ２として設定するエリア設定工程と、加工エリア内においてプローブにより欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、切削屑除去加工エリア内において探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、切削屑を移動させる移動工程と、を備えているフォトマスク欠陥修正方法を提供する。【選択図】図３
2009003322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、マスクパターンから基板上に突出した突起状の欠陥部分を、ＡＦＭ探針を用いて切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、
前記フォトマスクを固定するステージと、
前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、
前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、
前記観察データに基づいて、前記欠陥部分を切削除去加工するための加工エリアを設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、前記切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアとして前記基板上又は前記マスクパターン上の少なくともいずれか一方に設定するエリア設定部と、
前記変位測定手段による測定結果に基づいて前記プローブの押し付け力を調整しながら前記移動手段を制御して、前記欠陥部分を切削除去加工させると共に該切削除去加工時に発生した切削屑を移動させる制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記加工エリア内において前記探針を所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って前記欠陥部分を切削除去加工させた後、前記切削屑除去加工エリア内において前記探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、前記切削屑を移動させることを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記エリア設定部は、前記加工エリアのサイズ又は前記切削除去加工時の走査方向の少なくともいずれか一方に基づいて、前記切削屑除去加工エリアのサイズ及び配置を設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記エリア設定部は、前記加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップするように前記切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記エリア設定部は、前記基板上に前記切削屑除去加工エリアを設定する場合には、前記マスクパターンのエッジから所定距離だけ離間するように切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記エリア設定部が、前記切削屑除去加工エリアを前記基板上及び前記マスクパターン上の両方に設定した場合には、
前記制御手段は、前記マスクパターン上に設定された前記切削屑除去加工エリア内を先に走査するように制御することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記マスクパターンのエッジに対して平行方向に前記探針を走査して前記欠陥部分を切削除去加工した場合には、
前記エリア設定部は、前記欠陥部分に隣接するように前記マスクパターン上に前記切削屑除去加工エリアを設定すると共に、前記平行方向における前記欠陥部分の両側に位置するように切削屑除去エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正装置において、
前記切削屑の移動が終了した前記基板表面を洗浄する洗浄機構を備えていることを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。
【請求項８】
基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、マスクパターンから基板上に突出した突起状の欠陥部分を先端に探針を有するプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、
前記観察データに基づいて、前記欠陥部分を切削除去加工するための加工エリアを設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアとして前記基板上又は前記マスクパターン上の少なくともいずれか一方に設定するエリア設定工程と、
該エリア設定工程後、前記加工エリア内において前記探針を所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って、前記欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、
該加工工程後、前記切削屑除去加工エリア内において前記探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、前記切削屑を移動させる移動工程と、を備えていることを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項９】
請求項８に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記エリア設定工程の際、前記加工エリアのサイズ又は前記切削除去加工時の走査方向の少なくともいずれか一方に基づいて、前記切削屑除去加工エリアのサイズ及び配置を設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項１０】
請求項８又９に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記エリア設定工程の際、前記加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップするように前記切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記エリア設定工程の際、前記基板上に前記切削屑除去加工エリアを設定する場合には、前記マスクパターンのエッジから所定距離だけ離間するように切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記エリア設定工程の際、前記切削屑除去加工エリアを前記基板上及び前記マスクパターン上の両方に設定した場合には、
前記移動工程を行う際に、前記マスクパターン上に設定された前記切削屑除去加工エリア内を先に走査することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項１３】
請求項８から１２のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記加工工程の際、前記マスクパターンのエッジに対して平行方向に前記探針を走査して前記欠陥部分を切削除去加工した場合には、
前記エリア設定工程の際、前記欠陥部分に隣接するように前記マスクパターン上に前記切削屑除去加工エリアを設定すると共に、前記平行方向における前記欠陥部分の両側に位置するように切削屑除去エリアを設定することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【請求項１４】
請求項８から１３のいずれか１項に記載のフォトマスク欠陥修正方法において、
前記移動工程後、前記切削屑の移動が終了した前記基板表面を洗浄する洗浄工程を備えていることを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥部分を切削除去加工して、正常なフォトマスクに修正するフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する際に使用されるフォトマスクは、パターンの原版となるものであるので、マスク基板上にマスクパターンを描画した後、欠陥部分の有無を必ず検査すると共に必要に応じて欠陥部分の修正を適宜行っている。
このフォトマスクは、予め設計された描画データに基づいて描画装置によりマスク基板上に描かれている。これにより、マスク基板上にマスクパターンが描画されたフォトマスクが作製されている。また、フォトマスクを作製した後、欠陥検査装置により、フォトマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場合にはウエハへ転写する前にフォトマスク欠陥修正装置により欠陥修正処理が行われている。
【０００３】
マスクパターンの欠陥としては、例えば、所望するパターンから余分に突出して突起となってしまったもの（protrusion）や、所望するパターンに欠け等の凹部が生じてしまったもの（Intrusion）等がある。このような欠陥部分は、欠陥検査装置によって位置が特定された後、フォトマスク欠陥修正装置によって詳細に欠陥部の形状等が認識されると共に、突起となってしまったものに関しては除去加工が、パターン欠けに関しては凹部に遮光膜が膜付けされて修正されている。
【０００４】
この際の除去加工方法としては、様々な方法が知られているが、その１つとして原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）を利用して欠陥部分を修正する方法が知られている（非特許文献１参照）。
この方法は、先端に探針が設けられたプローブによりマスク基板上の所定範囲をＡＦＭ観察して、マスクパターンの欠陥部分を詳細に特定した後、該欠陥部分を同じプローブを利用して切削除去加工することで修正を行う方法である。特に、欠陥部分が所望するパターンから余分に突出して突起状となっている場合に有効な方法である。
【非特許文献１】Y.Morikawa、H.Kokubo、M.Nishiguchi、N.Hayashi、R.White、R.Bozak、L.Trrill著「Defect repair performance using the nanomachining repair technique」、２００３年、Proc.of SPIE５１３０、Ｐ５２０−Ｐ５２７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の方法では、以下の問題点がまだ残されていた。
従来の方法によれば、プローブの先端に設けられている探針によって欠陥部分を切削することができるが、切削時に必ず切削屑が生じてしまうものであった。この切削屑は、欠陥部分を切削した際の切削量に応じて発生量が異なるが、発生量に関係なく、切削除去加工の終了後には加工エリアの周辺に散らばった状態となってしまう。この際、散らばり具合はその都度異なるものであり、加工エリアから遠く離れた位置に付着したり、加工エリアの近くに付着したりしている。但し、切削屑のほとんどが、加工エリアの近くに付着しているのが現状である。なおこれら切削屑は、マスク基板上に付着する場合もあるし、マスクパターン上に付着する場合もある。
【０００６】
上述した非特許文献には、切削屑に関して何ら記載はないが、切削屑が付着したままではフォトマスクとして使用することができないので、ウェット洗浄やドライアイス洗浄等を行って除去する必要がある。ところが、加工エリアの周辺に散らばっている切削屑、特に加工エリアの近くに付着する切削屑は、単に付着しているのではなく、何らかの理由で固着している場合が多い。そのため、上述した洗浄を行ったとしても切削屑を完全に除去することができなかった。以下、固着とは、切削屑が洗浄で簡単に除去できないほどに強固に固着しているということを意味するとする。
また、洗浄で切削屑が除去しきれないフォトマスクは、フォトマスクとして使用することができないので、修正を諦めて破棄して作り直すか、再度フォトマスク欠陥修正装置に入れて洗浄で落ちなかった切削屑を削り取って再度洗浄することになるが、いずれにしてもスループットを大きく低下させてしまう。また、ハーフトーン型位相シフトマスクは、洗浄により膜減りが生じるため洗浄回数が制限されており、追加加工と洗浄とを何度も繰り返すことは望ましくない。
【０００７】
そこで、洗浄を行う前に、固着していそうな切削屑に予め外力を加えて移動させ、固着を解く作業を行う必要があった。具体的には、切削除去加工が終了した後、再度プローブによりＡＦＭ観察を行って切削屑の位置を確認する。そして、その位置データに基づいて探針を固着していそうな切削屑に接触させた後、下地であるマスク基板やマスクパターンに影響を与えないように切削時よりも弱い力で走査を行って、切削屑を移動させる。このように、切削屑の固着を解く作業を、切削除去加工と洗浄との間に行う必要があった。
【０００８】
従って、時間がかかってしまい、効率の良い作業を行うことができなかった。特に、切削屑の固着を解く作業は、数ある切削屑の中から作業者が固着していそうな切削屑を適宜選択しながら行っている。そのため、作業者の経験や判断に左右され易く、洗浄後に切削屑が残ってしまうというヒューマンエラーが生じ易かった。この場合には、固着を解く作業を再度行う必要があるので、余計に時間がかかってしまうだけでなく、作業者に負担が大きくかかってしまうものであった。
【０００９】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、欠陥部分を切削した後、切削時に生じた固着していそうな切削屑を、人手を介さずに自動的且つ確実に移動させて固着を解くことができ、ヒューマンエラーを防止しながら時間を極力かけずに効率の良い修正作業を行うことができるフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、マスクパターンから基板上に突出した突起状の欠陥部分を、ＡＦＭ探針を用いて切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、前記フォトマスクを固定するステージと、前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、前記観察データに基づいて、前記欠陥部分を切削除去加工するための加工エリアを設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、前記切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアとして前記基板上又は前記マスクパターン上の少なくともいずれか一方に設定するエリア設定部と、前記変位測定手段による測定結果に基づいて前記プローブの押し付け力を調整しながら前記移動手段を制御して、前記欠陥部分を切削除去加工させると共に該切削除去加工時に発生した切削屑を移動させる制御手段と、を備え、前記制御手段が、前記加工エリア内において前記探針を所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って前記欠陥部分を切削除去加工させた後、前記切削屑除去加工エリア内において前記探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、前記切削屑を移動させることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを予めＡＦＭ観察した観察データに基づいて、マスクパターンから基板上に突出した突起状の欠陥部分を先端に探針を有するプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、前記観察データに基づいて、前記欠陥部分を切削除去加工するための加工エリアを設定すると共に、該加工エリアに隣接したエリアを、切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑を除去加工する切削屑除去加工エリアとして前記基板上又は前記マスクパターン上の少なくともいずれか一方に設定するエリア設定工程と、該エリア設定工程後、前記加工エリア内において前記探針を所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って、前記欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、該加工工程後、前記切削屑除去加工エリア内において前記探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、前記切削屑を移動させる移動工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、まず、エリア設定部が予めＡＦＭ観察によって取得された観察データに基づいて、欠陥部分の形状を認識し、欠陥部分を切削除去加工するための加工エリアを設定する。また、エリア設定部は、これと同時に、切削除去加工時に発生する固着しそうな切削屑が飛び散る範囲を予想して、切削屑が固着しそうな切削屑除去加工エリアを設定する。この際、加工エリアに隣接するように、基板上又はマスクパターン上の少なくともいずれか一方に切削屑除去加工エリアを設定する。
【００１３】
このエリア設定工程が終了した後、制御手段は移動手段を制御して予め設定した加工エリア内にプローブを移動させると共に、該エリア内において探針を所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行わせて欠陥部分を切削除去加工する加工工程を行う。この際、制御手段は、変位測定手段による測定結果に基づいてプローブの押し付け力を調整しているので、所望する力で欠陥部分を切削することができ、削り残しをすることなく確実に除去することができる。ところで、この切削除去加工によって削られた欠陥部分は、切削屑となって加工エリア周辺の基板上やマスクパターン上に飛散して付着する。特に、加工エリアの近傍に付着した切削屑は、単に付着するだけでなく、固着した状態となっている可能性がある。
【００１４】
そこで制御手段は、欠陥部分の切削除去加工が終了した後、固着していそうな切削屑に外力を加えて移動させ、固着を解くための移動工程を加工工程に続いて連続的に行う。まず、制御手段は移動手段を制御して予め設定した切削屑除去加工エリアにプローブを移動させると共に、該エリア内において探針を切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査を繰り返し行う。このように、固着しそうな切削屑の飛散を予め予想したエリア内でプローブを走査させことで、このエリア内に実際に存在する固着していそうな切削屑に外力を加えて移動させることができる。これにより、飛散した後、何らかの原因によって切削屑が基板やマスクパターンに固着していたとしても、この移動によって固着を解くことができる。
【００１５】
従って、この後、洗浄等の処理を行うことで、切削除去加工時に固着していた切削屑もきれいに除去することができる。特に、作業者が自らの判断で固着していそうな切削屑だけを移動させていた従来の方法とは異なり、飛散した切削屑が固着しそうなエリアを予想して設定した切削屑除去加工エリア内で繰り返しプローブを走査させるので、固着した切削屑を人手によることなく確実に除去加工できる。つまり、従来では作業者の経験や判断によって移動させる切削屑が選択されていたが、この発明によれば、作業者の判断に関係なく、切削屑除去加工エリア内に存在する固着した切削屑を全て移動させることができる。従って、結果的に切削屑が残ってしまうというようなヒューマンエラーを排除することができ、確実な修正作業を行うことができる。
【００１６】
また、予め加工エリア及び切削屑除去加工エリアを設定しているので、切削除去加工及び切削屑の除去加工移動を自動的且つ連続的に行うことができる。従って、従来よりも時間を遥かに短縮することができ、効率の良い作業を行うことができる。また、切削屑の移動に関して従来のように作業者の手を煩わせることがないので、作業者にかかる負担を軽減することができる。また、切削屑除去加工エリア内でプローブを走査させて切削屑を除去加工移動させる場合には、切削除去加工時よりも弱い力で探針を押し付けている。よって、基板やマスクパターンに対して、過度な力を与えてダメージ等の悪影響を与えてしまうといったことを防止しながら、固着した切削屑を除去加工移動させることができる。
【００１７】
更に、観察データに基づいて、加工エリアと同じタイミングで切削屑除去加工エリアを設定するので、欠陥部分の形状やマスクパターンのエッジを認識した上で切削屑除去加工エリアを事前に設定することができる。仮に、切削屑が大量に発生して、これらがマスクパターンのエッジ周辺に付着した場合には、従来では切削除去加工後に再度ＡＦＭ観察を行うので、切削屑が邪魔してマスクパターンのエッジを明確に認識することが困難な場合があった。そのため、固着していそうな切削屑を移動させる際に、誤ってマスクパターンのエッジに探針を接触させてしまい、欠け等の新たな欠陥部分を発生させてしまう恐れがあった。
しかしながら、上述したように欠陥部分の形状やマスクパターンのエッジを認識した上で切削屑除去加工エリアを設定するので、従来のような不具合が発生することがない。
【００１８】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記エリア設定部が、前記加工エリアのサイズ又は前記切削除去加工時の走査方向の少なくともいずれか一方に基づいて、前記切削屑除去加工エリアのサイズ及び配置を設定することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記エリア設定工程の際、前記加工エリアのサイズ又は前記切削除去加工時の走査方向の少なくともいずれか一方に基づいて、前記切削屑除去加工エリアのサイズ及び配置を設定することを特徴とするものである。
【００２０】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、切削屑除去加工エリアを設定する際に、加工エリアのサイズ又は切削除去加工時のプローブの走査方向のうち、少なくともいずれか一方の条件に基づいて飛散する切削屑が固着しそうな範囲を予想してエリアを設定する。例えば、欠陥部分が大きいため加工エリアを広範囲に設定した場合には、やはり広範囲に固着しそうな切削屑が飛散する可能性が高いので、切削屑除去加工エリアも広範囲に設定する必要がある。また、プローブの走査方向側に切削屑が飛散する可能性が高いので、加工エリアの走査方向側に隣接するように必ず切削屑除去加工エリアを配置すると共に、該エリアを広範囲に設定する必要がある。
このように、加工エリアのサイズやプローブの走査方向に基づいて、固着していそうな切削屑を除去加工移動させるための切削屑除去加工エリアを最適な位置及びサイズに設定するので、より効率良く切削屑の固着を解くことができる。
【００２１】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記エリア設定部が、前記加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップするように前記切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記エリア設定工程の際、前記加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップするように前記切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするものである。
【００２３】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、切削屑除去加工エリアを設定する際に、該エリアが加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップする（重なる）ように設定する。欠陥部分を切削除去加工する際に、加工エリア内でプローブの走査を繰り返すので、発生する切削屑は加工エリア外に飛散し易いが、加工エリア内に留まっている可能性もある。そこで、切削屑除去加工エリアを加工エリアの少なくとも一部にオーバーラップさせることで、加工エリア内に留まってしまった固着していそうな切削屑に関しても固着を解くことができる。なお、加工エリアの全体にオーバーラップするように、切削屑除去加工エリアを設定しても構わない。
【００２４】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記エリア設定部が、前記基板上に前記切削屑除去加工エリアを設定する場合には、前記マスクパターンのエッジから所定距離だけ離間するように切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするものである。
【００２５】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記エリア設定工程の際、前記基板上に前記切削屑除去加工エリアを設定する場合には、前記マスクパターンのエッジから所定距離だけ離間するように切削屑除去加工エリアを設定することを特徴とするものである。
【００２６】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、切削屑除去加工エリアを設定する際に、基板上に設定した場合には、マスクパターンのエッジから切削屑除去加工エリアの境界線が所定距離だけ離間するように設定する。こうすることで、切削屑除去加工エリア内でプローブを走査させる際に、マスクパターンのエッジに誤って探針が接触することを確実に防止することができる。
【００２７】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記エリア設定部が、前記切削屑除去加工エリアを前記基板上及び前記マスクパターン上の両方に設定した場合には、前記制御手段が、前記マスクパターン上に設定された前記切削屑除去加工エリア内を先に走査するように制御することを特徴とするものである。
【００２８】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記エリア設定工程の際、前記切削屑除去加工エリアを前記基板上及び前記マスクパターン上の両方に設定した場合には、前記移動工程を行う際に、前記マスクパターン上に設定された前記切削屑除去加工エリア内を先に走査することを特徴とするものである。
【００２９】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、切削屑除去加工エリアを設定する際に、基板上及びマスクパターン上の両方に設定した場合には、マスクパターン上に設定した切削屑除去加工エリア内を先に走査させる。この走査によって移動した切削屑は、マスクパターン上から基板上に落下する可能性があるが、落下した際の影響で再度固着することが考えられる。しかしながら、次に基板上に設定した切削屑除去加工エリアを走査するので、落下した切削屑に関しても移動させることができ、固着を解くことができる。よって、切削屑の固着を解く作業をより確実に行い易い。
【００３０】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記マスクパターンのエッジに対して平行方向に前記探針を走査して前記欠陥部分を切削除去加工した場合には、前記エリア設定部が、前記欠陥部分に隣接するように前記マスクパターン上に前記切削屑除去加工エリアを設定すると共に、前記平行方向における前記欠陥部分の両側に位置するように切削屑除去エリアを設定することを特徴とするものである。
【００３１】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記加工工程の際、前記マスクパターンのエッジに対して平行方向に前記探針を走査して前記欠陥部分を切削除去加工した場合には、前記エリア設定工程の際、前記欠陥部分に隣接するように前記マスクパターン上に前記切削屑除去加工エリアを設定すると共に、前記平行方向における前記欠陥部分の両側に位置するように切削屑除去エリアを設定することを特徴とするものである。
【００３２】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、
欠陥部分を切削除去加工する際に、マスクパターンのエッジに対して平行方向に探針を走査させた場合には、固着しそうな切削屑が欠陥部分に隣接するマスクパターン上と、平行方向における欠陥部分の両側に位置する基板上との、合計３箇所に特に飛散すると予想して切削屑除去加工エリアを設定する。このように、切削除去加工時の走査方向に基づいて、固着していそうな切削屑を移動させるための切削屑除去エリアを設定するので、より確実に切削屑の固着を解くことができる。
【００３３】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正装置において、前記切削屑の移動が終了した前記基板表面を洗浄する洗浄機構を備えていることを特徴とするものである。
【００３４】
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、上記本発明のフォトマスク欠陥修正方法において、前記移動工程後、前記切削屑の移動が終了した前記基板表面を洗浄する洗浄工程を備えていることを特徴とするものである。
【００３５】
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、設定した切削屑除去加工エリア内の走査が終了、即ち、切削屑を移動させて固着を解いた後に、洗浄機構により基板表面を洗浄する洗浄工程を行う。その結果、切削除去加工時に発生した切削屑をきれいに除去することができる。特に、ヒューマンエラーが起き易かった従来の方法とは異なり、見落としなく、周囲に飛散して固着していそうな切削屑の固着を解いているので、効率良く切削屑を除去することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、欠陥部分を切削した後、切削時に生じた固着していそうな切削屑を、人手を介さずに自動的且つ確実に移動させて固着を解くことができ、ヒューマンエラーを防止しながら時間を極力かけずに効率の良い修正作業を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置１及びフォトマスク欠陥修正方法の一実施形態について、図１から図８を参照して説明する。なお、本実施形態では、光てこ方式を利用した場合を例に挙げて説明する。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置１は、図１に示す基板２と該基板２上に所定のパターンで形成された遮光膜マスクパターン（以下、単にマスクパターンと言う）３とを有するフォトマスク４をＡＦＭ観察して、マスクパターン３から突出した突起状の余剰欠陥部分（以下、単に欠陥部分と言う）５をＡＦＭ観察して形状を認識した後に、該欠陥部分５を切削除去加工して修正する装置である。
【００３８】
なお、フォトマスク４は、図示しない描画装置によって作製されたものであり、予め設計された描画データに基づいて基板２上にマスクパターン３が描画されている。また、描画装置によって作製された後、フォトマスク４は図示しない欠陥検査装置によって検査されており、欠陥部分５の位置が既に特定されている。また、フォトマスク４の基板２は、光の透過部でマスク基板となるものであり、例えばガラス又は石英基板である。
【００３９】
本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置１は、図２に示すように、欠陥切削機構７と、洗浄機構８とを備えている。  
欠陥切削機構７は、フォトマスク４を固定するステージ１０と、基板２に対向配置された探針１１ａを先端に有するプローブ１１と、基板２と探針１１ａとを基板表面２ａに平行なＸＹ方向及び基板表面２ａに垂直なＺ方向に相対的に移動させる移動手段１２と、プローブ１１の変位（撓み）を測定する変位測定手段１３と、後述する加工エリアＥ１及び切削屑除去加工エリアＥ２を設定するエリア設定部１４と、これら各構成品を総合的に制御する制御手段１５と、を備えている。
【００４０】
上記探針１１ａは、欠陥部分５を容易に切削することができるように硬い材質、例えばダイヤモンド等からなるものであり、切削除去加工の際に欠陥部分５に当たる面が垂直になるように形成されている。また、プローブ１１は、シリコン等により形成されており、本体部１１ｂによって片持ち状態に支持されている。このプローブ１１は、切削加工時の加工抵抗で捩れて刃先に対して加工に十分な荷重がかからなくならないように、従来のプローブよりもバネ定数の高いものを使用している。本体部１１ｂは、ホルダ部２０に固定された斜面ブロック２１の載置面２１ａに図示しないワイヤ等を利用して着脱自在に固定されている。これによりプローブ１１は、基板表面２ａに対して所定角度傾いた状態で固定されている。
【００４１】
ホルダ部２０は、基板２の上方に位置するように図示しない架台に取り付けられている。また、このホルダ部２０には、プローブ１１の裏面に形成された図示しない反射面に向けて、後述するレーザ光Ｌを入射させると共に、反射面で反射したレーザ光Ｌを出射させる開口部２０ａが形成されている。
上記ステージ１０は、ＸＹＺスキャナ２２上に載置されており、該ＸＹＺスキャナ２２は図示しない防振台上に載置されている。このＸＹＺスキャナ２２は、例えばピエゾ素子であり、ＸＹ走査系とＺサーボ系を含むＸＹＺスキャナ制御部２３から電圧を印加されることで、ＸＹ方向及びＺ方向にそれぞれ微小移動するようになっている。即ち、これらＸＹＺスキャナ２２及びＸＹＺスキャナ制御部２３は、上記移動手段１２として機能する。
【００４２】
また、ホルダ部２０の上方には、プローブ１１の裏面側に形成された反射面に向けてレーザ光Ｌを照射するレーザ光源２５と、反射面で反射されたレーザ光Ｌを、ミラー２６を利用して受光する光検出部２７と、が設けられている。なお、レーザ光源２５から照射されたレーザ光Ｌは、ホルダ部２０の開口部２０ａ内を通過しながら反射面に達し、反射面で反射された後、再度開口部２０ａ内を通過して光検出部２７に入射するようになっている。
【００４３】
光検出部２７は、例えば入射面が２分割或いは４分割されたフォトダイオードであり、レーザ光Ｌの入射位置からプローブ１１の変位（撓み）を検出する。そして、光検出部２７は、検出したプローブ１１の変位をＤＩＦ信号としてプリアンプ２８に出力している。即ち、これらレーザ光源２５、ミラー２６、光検出部２７は、プローブ１１の変位を測定する上記変位測定手段１３として機能する。
【００４４】
また、光検出部２７から出力されたＤＩＦ信号は、プリアンプ２８によって増幅された後、Ｚ電圧フィードバック回路２９に送られる。Ｚ電圧フィードバック回路２９は、送られてきたＤＩＦ信号が常に一定となるように、ＸＹＺスキャナ制御部３０２３をフィードバック制御する。これにより、基板表面２ａをＡＦＭ観察する際に、基板２と探針１１ａとの距離をプローブ１１の変位が一定となるように高さ制御することができる。
【００４５】
また、Ｚ電圧フィードバック回路２９には、制御部３０が接続されており、該制御部３０がＺ電圧フィードバック回路２９により上下させる信号に基づいて、基板表面２ａ上の観察データを取得することができるようになっている。これにより、基板２上に形成されているマスクパターン３や該マスクパターン３の欠陥部分５の画像を取得することができるようになっている。
即ち、これらＺ電圧フィードバック回路２９及び制御部３０は、上記制御手段１５として機能する。なお、この制御手段１５は、ＡＦＭ観察を行って、切削除去加工の対象物である欠陥部分５を詳細に認識した後、引き続き欠陥部分５を切削除去加工するように設定されている。
【００４６】
また、上記制御部３０には、オペレータが各種の情報を入力することができる入力部３１が接続されており、該入力部３１を介して図３に示すようにＡＦＭ観察を行う観察範囲Ｅ０等を自在に設定できるようになっている。これによりオペレータは、欠陥検査装置によって特定された欠陥部分５の大体の位置データに基づいて、観察範囲Ｅ０を設定することが可能とされている。そして制御部３０は、観察範囲Ｅ０が設定されると、該観察範囲Ｅ０内でＡＦＭ観察を行うように設定されている。
【００４７】
また、制御部３０には、図２に示すように、上記エリア設定部１４が接続されている。このエリア設定部１４は、ＡＦＭ観察によって取得された観察データに基づいて欠陥部分５の形状やマスクパターン３のエッジ３ａを認識したうえで、欠陥部分５を切削除去加工するための図３に示す加工エリアＥ１を自動的に設定する機能を有している。更に、エリア設定部１４は、加工エリアＥ１を設定した後、固着しそうな切削屑Ｘが飛散する範囲を予想して、加工エリアＥ１に隣接したエリアを、図３に示すように飛散した切削屑Ｘが固着していそうな切削屑除去加工エリアＥ２として、基板２上又はマスクパターン３上の少なくともいずれか一方に自動的に設定するようになっている。
【００４８】
また、制御部３０は、加工エリアＥ１及び切削屑除去加工エリアＥ２が設定されると、変位測定手段１３による測定結果に基づいて、プローブ１１の押し付け力を調整しながら移動手段１２を制御して、欠陥部分５を切削除去加工させると共に該切削除去加工時に発生した固着しそうな切削屑Ｘを移動させるように制御を行うようになっている。つまり、制御部３０は、加工エリアＥ１内において探針１１ａを所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って欠陥部分５を切削除去加工させた後、切削屑除去加工エリアＥ２内において探針１１ａを切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査を繰り返し行って切削屑除去加工を行い、切削屑除去加工エリアＥ２内に存在する切削屑Ｘを移動させるように制御するようになっている。これについては、後に詳細に説明する。
【００４９】
なお本実施形態では、ＡＦＭ観察及び切削除去加工を行う際に、図４に示すように、探針１１ａをマスクパターン３のエッジ３ａに対して平行な方向（矢印Ｃ方向）に走査させると共に、該走査を欠陥部分５の先端側からマスクパターン３側に向かう方向（矢印Ｄ方向）に複数回繰り返すように、制御手段１５が各構成品を制御している。
【００５０】
また、洗浄機構８は、切削屑Ｘの移動が終了したフォトマスク４を受け取って、基板表面２ａを溶液洗浄やドライアイス洗浄等により洗浄する機構である。
【００５１】
次に、このように構成されたフォトマスク欠陥修正装置１により、マスクパターン３の欠陥部分５の形状を詳細に認識した後、切削除去加工を行って修正するフォトマスク欠陥修正方法について、以下に説明する。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正方法は、エリア設定工程と、加工工程と、移動工程と、洗浄工程と、を備えている。エリア設定工程は、欠陥検査装置によって位置が特定された欠陥部分５をより詳細にＡＦＭ観察した後、該観察データに基づいて、欠陥部分５を切削除去加工するための加工エリアＥ１を設定すると共に、該加工エリアＥ１に隣接したエリアを、切削除去加工で生じ固着していそうな切削屑Ｘを除去加工する切削屑除去加工エリアＥ２として基板２及びマスクパターン３上に設定する工程である。加工工程は、加工エリアＥ１内において探針１１ａを所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行って欠陥部分５を切削除去加工する工程である。移動工程は、切削屑除去加工エリアＥ２内で探針１１ａを切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査して切削屑除去加工を行い、切削屑Ｘを移動させる工程である。洗浄工程は、切削屑Ｘの移動が終了した基板表面２ａを洗浄する洗浄工程と、を備えている。これら各工程について、以下に詳細に説明する。
【００５２】
まず初めに、初期設定を行う。即ち、ステージ１０上にフォトマスク４を固定した後、プローブ１１の反射面に確実にレーザ光Ｌが入射するように、また、反射したレーザ光Ｌが光検出部２７に確実に入射するように、レーザ光源２５及び光検出部２７の位置や、プローブ１１の取付け状態等を調整する。続いてオペレータは、入力部３１を介して、欠陥検査装置によって位置が特定された欠陥部分５の周辺を、図３及び図４に示すように観察範囲Ｅ０として指定する。
【００５３】
この初期設定が終了した後、観察を開始させる。
観察が開始されると、制御手段１５は指定された観察範囲Ｅ０内でプローブ１１を走査させてＡＦＭ観察により観察画像を取得し、欠陥部分５の形状を詳細に認識する。
具体的に説明すると、まず、ＸＹＺスキャナ２２を駆動して、探針１１ａを図４に示すポイントＰ１に移動させると共に、該ポイントＰ１で探針１１ａと基板２とを接近させ、探針１１ａとマスクパターン３とを微小な力で接触させる。この際、探針１１ａが接近するにつれて、徐々にプローブ１１が撓んで変位する。よって、この変位に基づいて、探針１１ａが微小な力で接触したか否かを高精度に検出することができる。
【００５４】
次いで、プローブ１１の変位が一定となるように高さ制御しながら、ＸＹＺスキャナ２２を駆動して探針１１ａをマスクパターン３のエッジ３ａに対して平行な方向（矢印Ｃ方向）に走査させると共に、該走査を欠陥部分５の先端側からマスクパターン３に向かう方向（矢印Ｄ方向）に複数回繰り返し行う。この際、凹凸に応じてプローブ１１が撓んで変位しようとするので、光検出部２７に入射するレーザ光Ｌの位置が異なる。すると光検出部２７は、入射位置の変位に応じたＤＩＦ信号をプリアンプ２８に出力する。出力されたＤＩＦ信号は、プリアンプ２８によって増幅された後、Ｚ電圧フィードバック回路２９に送られる。
【００５５】
Ｚ電圧フィードバック回路２９は、送られてきたＤＩＦ信号が常に一定となるように（つまり、プローブ１１の変位が一定となるように）、ＸＹＺスキャナ制御部２３によりＸＹＺスキャナ２２をＺ方向に微小移動させてフィードバック制御を行う。これにより、プローブ１１の変位が一定となるように高さ制御した状態で走査を行うことができる。また、制御部３０は、Ｚ電圧フィードバック回路２９により上下させる信号に基づいて、観察範囲Ｅ０内の表面観察を行うことができる。その結果、観察範囲Ｅ０内において、マスクパターン３の一部及び欠陥部分５の画像データを取得することができ、欠陥部分５の形状を詳細に認識することができる。
その結果、欠陥部分５のサイズが例えば、図５に示すように、突出高さＨが１００ｎｍ、幅Ｗが３００ｎｍ、厚みＴが１００ｎｍであると認識することができる。
【００５６】
ＡＦＭ観察が終了すると、エリア設定部１４がＡＦＭ観察によって取得された上記観察データに基づいて、欠陥部分５の形状を認識し、該欠陥部分５を切削除去加工するための加工エリアＥ１を設定する。また、エリア設定部１４は、これと同時に、切削除去加工時に発生する固着しそうな切削屑Ｘが飛び散る範囲を予想して、切削屑除去加工エリアＥ２を設定する。
本実施形態では、切削除去加工時のプローブ１１の走査方向から固着しそうな切削屑Ｘが飛散する範囲を予想して、欠陥部分５に隣接するマスクパターン３上の１箇所と、切削除去加工時のプローブ１１の走査方向における欠陥部分５の両側に位置する基板２上の２箇所との合計３箇所に切削屑除去加工エリアＥ２を設定する場合を例に挙げて説明する。
【００５７】
上記エリア設定工程が終了すると、制御手段１５は、移動手段１２を制御して先ほど設定した加工エリアＥ１内にプローブ１１を移動させると共に、該エリア内において探針１１ａを所定の力で押し付けながら走査を繰り返し行わせて欠陥部分５を切削除去加工する加工工程を行う。
具体的に説明すると、まず、ＸＹＺスキャナ２２を駆動して、探針１１ａを図６に示すポイントＰ２に移動させると共に、該ポイントＰ２で探針１１ａと基板２とを接近させ、探針１１ａとマスクパターン３とを所定の力で接触させる。この際、探針１１ａを押し付けるにつれて、徐々にプローブ１１が撓んで変位するので、この変位に基づいて探針１１ａを所定の力で確実に押し付けることができる。
【００５８】
次いで、この押し付け力を制御しながら、ＸＹＺスキャナ２２を駆動して探針１１ａをマスクパターン３のエッジ３ａに対して平行な方向（矢印Ｃ方向）に走査させると共に、図６に示すように、該走査を欠陥部分５の先端側からマスクパターン３側に向かう方向（矢印Ｄ方向）に複数回繰り返し行う。これにより、欠陥部分５を徐々に切削することができ、図７に示すように、最終的に欠陥部分５の全体を切削して除去することができる。特に、欠陥部分５の先端側から切削除去加工を行うので、小さい切削抵抗で加工することができ、効率良く短時間で切削を行うことができる。
なお、この切削除去加工を行う際に、基板表面２ａを若干（数ｎｍ程度）削るように切削除去加工を行うと良い。こうすることで、削り残しをすることなく欠陥部分５を確実に除去することができる。
【００５９】
ところで、上記加工工程を行っている最中において、切削除去加工によって削られた欠陥部分５は、図８に示すように、切削屑Ｘとなって加工エリアＥ１の周辺の基板２上やマスクパターン３上に飛散して付着する。特に、加工エリアＥ１の近傍に付着した切削屑Ｘは、単に付着するだけでなく、固着した状態となっている可能性がある。
【００６０】
そこで、制御手段１５は、欠陥部分５の切削除去加工が終了した後、固着していそうな切削屑Ｘに外力を加えて移動させ、固着を解くための移動工程を加工工程に続いて連続的に行う。まず、制御手段１５は、移動手段１２を制御して、予め設定した切削屑除去加工エリアＥ２にプローブ１１を移動させると共に、該エリア内において探針１１ａを切削除去加工時よりも弱い力で押し付けながら走査を繰り返し行う。
この際、最初にマスクパターン３上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２内の走査を行う。この走査を行うことで、マスクパターン３上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２内に実際に存在する切削屑Ｘに外力を加えて移動させることができる。これにより、飛散した後、何らかの原因によって切削屑Ｘがマスクパターン３に固着していたとしても、この移動によって固着を解くことができる。なお、このときのプローブ１１の高さ設定としては、マスクパターン３の表面を基準高さ“０”として設定する
【００６１】
続いて、制御手段１５は、基板２上に設定した２箇所の切削屑除去加工エリアＥ２にプローブ１１を順次移動させると共に、該エリア内でプローブ１１を同様に走査させる。これにより、飛散した後、切削屑Ｘが基板２に固着していたとしても、同様にこの固着を解くことができる。なお、マスクパターン３上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２から基板２上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２に移行する場合には、プローブ１１の高さを先ほど設定した高さから欠陥部分５の厚みＴだけマイナス（−１００ｎｍ）に設定すれば良い。
そして、全ての切削屑除去加工エリアＥ２内の走査が終了した後、フォトマスク４を洗浄機構８に受け渡す。すると、洗浄機構８は、基板表面２ａを溶液洗浄やドライアイス洗浄等により洗浄する。その結果、切削除去加工時に発生した切削屑Ｘをきれいに除去することができる。
【００６２】
特に、本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置１及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、作業者が自らの判断で固着していそうな切削屑Ｘだけを移動させていた従来の方法とは異なり、飛散した切削屑Ｘが固着しそうなエリアを予想して設定した切削屑除去加工エリアＥ２内で繰り返しプローブ１１を走査させている。よって、固着した切削屑Ｘを人手によることなく確実に除去加工できる。つまり、従来では作業者の経験や判断によって移動させる切削屑Ｘが選択されていたが、本実施形態によれば作業者の判断に関係なく、切削屑除去加工エリアＥ２内に存在する固着した切削屑Ｘを全て移動させることができる。従って、結果的に切削屑Ｘが残ってしまうというようなヒューマンエラーを排除することができ、確実な修正作業を行うことができる。
【００６３】
また、予め加工エリアＥ１及び切削屑除去加工エリアＥ２を設定しているので、切削除去加工及び切削屑Ｘの移動を自動的且つ連続的に行うことができる。従って、従来よりも時間を遥かに短縮することができ、効率の良い作業を行うことができる。また、切削屑Ｘの移動に関して、従来のように作業者の手を煩わせることがないので、作業者にかかる負担を軽減することができる。
また、切削屑除去加工エリアＥ２内でプローブ１１を走査させて固着していそうな切削屑Ｘを移動させる場合には、切削除去加工時よりも弱い力で探針１１ａを押し付けている。よって、基板２やマスクパターン３に対して、過度な力を与えてダメージ等の悪影響を与えてしまうといったことを防止しながら、固着していそうな切削屑Ｘだけを移動させることができる。
【００６４】
また、観察データに基づいて、加工エリアＥ１と同じタイミングで切削屑除去加工エリアＥ２を設定するので、欠陥部分５の形状やマスクパターン３のエッジ３ａを認識した上で切削屑除去加工エリアＥ２を事前に設定することができる。仮に、切削屑Ｘが大量に発生して、これらがマスクパターン３のエッジ３ａ周辺に付着した場合には、従来では切削除去加工後に再度ＡＦＭ観察を行うので、切削屑Ｘが邪魔してマスクパターン３のエッジ３ａを明確に認識することが困難な場合があった。そのため、固着していそうな切削屑Ｘを移動させる際に、誤ってマスクパターン３のエッジ３ａに探針１１ａを接触させてしまい、欠け等の新たな欠陥部分を発生させてしまう恐れがあった。
しかしながら、上述したように欠陥部分５の形状やマスクパターン３のエッジ３ａを認識した上で切削屑除去加工エリアＥ２を設定するので、従来のような不具合が発生することがない。このように、本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置１及びフォトマスク欠陥修正方法は、大量に切削屑Ｘが発生した場合に特に有効なものである。
【００６５】
更に、固着していそうな切削屑Ｘを移動させる際に、マスクパターン３上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２内を先に走査している。この走査によって移動した切削屑Ｘは、マスクパターン３上から基板２上に落下する可能性があるが、この場合には落下した切削屑Ｘが落下時の影響で再度固着することが考えられる。しかしながら、次に基板２上に設定した切削屑除去加工エリアＥ２を走査するので、落下した切削屑Ｘに関しても移動させることができ、固着を解くことができる。よって、切削屑Ｘの固着を解く作業をより確実に行い易い。
【００６６】
上述したように、本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置１及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、欠陥部分５を切削した後、切削時に生じた固着しそうな切削屑Ｘを、人手を介さずに自動的且つ確実に移動させて固着を解くことができ、ヒューマンエラーを防止しながら時間を極力かけずに効率の良い修正作業を行うことができる。
【００６７】
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。
【００６８】
例えば、上記実施形態では、基板２側を３次元方向に移動させるスキャン方式としたが、この場合に限られず、プローブ１１側を３次元方向に移動させるようにしても構わない。また、プローブ１１側をＺ方向に移動させると共に、基板２側をＸＹ方向に移動させるように構成しても構わない。いずれの場合であっても、スキャン方式が異なるだけで、上記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００６９】
また、上記実施形態では、ホルダ部２０に形成された開口部２０ａを通してプローブ１１にレーザ光Ｌを入射させると共に、反射したレーザ光Ｌを出射させる構成としたが、この場合に限られるものではない。例えば、ホルダ部２０を光学的に透明な材料（例えば、ガラス）で形成して開口部２０ａをなくしても構わない。
また、上記実施形態では、変位測定手段１３が光てこ方式によりプローブ１１の変位検出を行ったが、光てこ方式に限定されるものではない、例えば、プローブ１１自身に変位検出機能（例えば、ピエゾ抵抗素子等）を設けた自己検知方式を採用しても構わない。
【００７０】
また、上記実施形態では、マスクパターン３上に１箇所、基板２上に２箇所の合計３箇所に切削屑除去加工エリアＥ２を設定した場合を例に挙げたが、この場合に限定されるものではなく、状況に応じて適宜切削屑除去加工エリアＥ２を設定すれば良い。
特に、加工エリアＥ１のサイズ又は切削除去加工時の走査方向の少なくともいずれか一方の条件に基づいて固着しそうな切削屑Ｘが飛散する範囲を予想し、切削屑除去加工エリアＥ２を設定することが好ましい。
【００７１】
例えば、欠陥部分５が大きいため加工エリアＥ１を広範囲に設定した場合には、やはり広範囲に固着しそうな切削屑Ｘが飛散する可能性が高いので、切削屑除去加工エリアＥ２も広範囲に設定する必要がある。また、プローブ１１の走査方向側に切削屑Ｘが飛散する可能性が高いので、加工エリアＥ１の走査方向側に隣接するように必ず切削屑除去加工エリアＥ２を配置すると共に、該エリアＥ２をより広範囲に設定する必要がある。このように、加工エリアＥ１のサイズやプローブ１１の走査方向に基づいて、固着しそうな切削屑Ｘを移動させるための切削屑除去加工エリアＥ２を最適な位置及びサイズに設定することで、より効率良く切削屑Ｘの固着を解くことができる。
従って、上記実施形態の場合には、図９に示すように、切削除去加工時にプローブ１１を走査方向側に位置する切削屑除去加工エリアＥ２をより広範囲に設定すると良い。
【００７２】
また、上記実施形態において、切削屑除去加工エリアＥ２を設定する際に、図１０に示すように、該切削屑除去加工エリアＥ２が加工エリアＥ１の一部にオーバーラップするように設定しても構わない。欠陥部分５を切削除去加工する際に、加工エリアＥ１内でプローブ１１の走査を繰り返すので、発生する切削屑Ｘは加工エリアＥ１外に飛散し易いが、加工エリアＥ１内に留まっている可能性もある。そこで、切削屑除去加工エリアＥ２を加工エリアＥ１の一部にオーバーラップさせることで、加工エリアＥ１内に留まってしまった切削屑Ｘに関しても固着を解くことができる。
なお、図１１に示すように、加工エリアＥ１の全体にオーバーアップするように切削屑除去加工エリアＥ２を設定しても構わない。この場合には、上述した効果を顕著に奏することができる。
【００７３】
また、上記実施形態において、基板２上に切削屑除去加工エリアＥ２を設定する際に、図１２に示すように、マスクパターン３のエッジ３ａから切削屑除去加工エリアＥ２の境界線が所定距離（例えば、１０ｎｍ程度）Ｓだけ離間するように設定することが好ましい。こうすることで、切削屑除去加工エリアＥ２内でプローブ１１を走査させる際に、マスクパターン３のエッジ３ａに誤って探針１１ａが接触してしまうことを確実に防止することができる。
【００７４】
また、上記実施形態では、ライン状にパターニングされたマスクパターン３に欠陥部分５が生じた場合を例に挙げたが、この場合に限られず、図１３（ａ）に示すように、基板２が略正方形のホール状に露出するようにマスクパターン３がパターニングされており、ホールの中に欠陥部分５が生じている場合であっても、本発明を適用することが可能である。この場合には、例えば、マスクパターン３上に切削屑除去加工エリアＥ２を３箇所設定すれば良い。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
また、図１３（ｂ）に示すようにマスクパターン３がパターニングされている場合であっても、本発明を同様に適用することができる。この場合には、例えば、基板２上に切削屑除去加工エリアＥ２を１箇所設定すると共に、マスクパターン３上に切削屑除去加工エリアＥ２を２箇所設定すれば良い。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置で修正を行うフォトマスクの斜視図である。
【図２】本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置の一実施形態を示す構成図である。
【図３】図１に示すフォトマスク欠陥修正装置によりマスクパターンに生じた欠陥部分を修正する際の一工程を示す図であって、欠陥部分と、観察範囲と、加工エリアと、切削屑除去加工エリアとの関係を示した図である。
【図４】図１に示すフォトマスク欠陥修正装置によりマスクパターンに生じた欠陥部分を修正する際の一工程を示す図であって、設定された観察範囲内でＡＦＭ観察を行っているときの探針の動きを、マスクパターンの上方から見た図である。
【図５】図４に示す観察の結果得られた、マスクパターン及び欠陥部分の画像イメージ図である。
【図６】図１に示すフォトマスク欠陥修正装置によりマスクパターンに生じた欠陥部分を修正する際の一工程を示す図であって、観察終了後、欠陥部分を切削除去加工しているときの探針の動きを、マスクパターンの上方から見た図である。
【図７】切削除去加工を行った後のマスクパターンの斜視図である。
【図８】切削除去加工後に、切削屑がマスクパターン上及び基板上に飛散した状態を示す図である。
【図９】図３とは異なる切削屑除去加工エリアの設定を示す図であって、基板上に設定した切削屑除去加工エリアの一つを広範囲に設定した状態を示す図である。
【図１０】図３とは異なる切削屑除去加工エリアの設定を示す図であって、基板上に設定した切削屑除去加工エリアを加工エリアの一部にオーバーラップさせた状態を示す図である。
【図１１】図３とは異なる切削屑除去加工エリアの設定を示す図であって、基板上に設定した切削屑除去加工エリアを加工エリアに完全にオーバーラップさせた状態を示す図である。
【図１２】図３とは異なる切削屑除去加工エリアの設定を示す図であって、基板上に設定した切削屑除去加工エリアをマスクパターンのエッジから所定距離離間させた状態を示す図である。
【図１３】本発明の変形例を示す図であって、（ａ）は欠陥部分の状況に応じて、マスクパターン上に３つの切削屑除去加工エリアを設定した状態を示す図であり、（ｂ）は基板上に１つの切削屑除去加工エリアを設定すると共にマスクパターン上に２つの切削屑除去加工エリアを設定した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
Ｅ１    加工エリア
Ｅ２    切削屑除去加工エリア
１    フォトマスク欠陥修正装置
２    基板
２ａ    基板表面
３    マスクパターン
４    フォトマスク
５    欠陥部分
８    洗浄機構
１０    ステージ
１１    プローブ
１１ａ    探針
１２    移動手段
１３    変位測定手段
１４    エリア設定部
１５    制御手段
【図１】
2009003322.tif 000003
【図２】
2009003322.tif 000004
【図３】
2009003322.tif 000005
【図４】
2009003322.tif 000006
【図５】
2009003322.tif 000007
【図６】
2009003322.tif 000008
【図７】
2009003322.tif 000009
【図８】
2009003322.tif 000010
【図９】
2009003322.tif 000011
【図１０】
2009003322.tif 000012
【図１１】
2009003322.tif 000013
【図１２】
2009003322.tif 000014
【図１３】
2009003322.tif 000015