(57)【要約】【課題】複数の表示パネルを有する表示モジュールにおいて、ＩＣチップなどの部品点数を減らして、表示モジュール及びそれを搭載する電子機器の小型化、薄型化を図ることを課題とする。ＩＣチップなどの部品点数を減らして、安価な表示モジュール及びそれを搭載する電子機器を提供することを課題とする。【解決手段】電子機器又は表示モジュールは２つの表示パネルを有し、一方の表示パネルに（すなわち、一方の表示パネルの表示領域の周辺部）、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器に必要な回路を形成する。そして、当該表示パネルに組み込まれた回路によって、当該表示パネル、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器を駆動する。【選択図】図１
2009003436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子を有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
集積回路と、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
センサと、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記センサは、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
集積回路と、
センサと、を有し、
前記回路群は、前記配線を介して前記第１の表示パネルと電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第１の表示パネルと電気的に接続され、前記配線を介して前記第２の表示パネルと電気的に接続され、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続され、
前記センサは、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
集積回路と、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子と、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
センサと、を有し、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記センサは、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子と、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、
第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、
配線を有する基板と、
集積回路と、
センサと、を有し、
前記回路群は、前記配線を介して前記第１の表示パネルと電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第１の表示パネルと電気的に接続され、
前記回路群は、前記第２の端子及び前記配線を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記集積回路は、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続され、
前記センサは、前記配線を介して前記第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の表示画面の対角寸法は、前記第２の表示画面の対角寸法よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の表示画面の画素数は、前記第２の表示画面の画素数よりも多いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記回路群は、タイミングコントローラを含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記回路群は、電源回路を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記回路群は、前記第１の表示パネルと前記第２の表示パネルとで共有化されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第２の表示パネルは、半導体層が単結晶半導体であるトランジスタを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の表示パネルは、半導体層が多結晶半導体であるトランジスタを有し、
前記第２の表示パネルは、半導体層が単結晶半導体であるトランジスタを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の表示パネルは、半導体層が非結晶半導体であるトランジスタを有し、
前記第２の表示パネルは、半導体層が単結晶半導体であるトランジスタを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記回路群は、半導体層が単結晶半導体であるトランジスタを有し、
前記第２の表示画面は、半導体層が多結晶半導体であるトランジスタを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記回路群は、半導体層が単結晶半導体であるトランジスタを有し、
前記第２の表示画面は、半導体層が非結晶半導体であるトランジスタを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項に記載の液晶表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、物を生産する方法に関する。特に、表示装置または半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の電子機器の画像表示部には、液晶パネルを用いて画像を表示する液晶表示モジュールが使用されている。他にも、液晶パネルに替えて有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）パネルを用いた表示モジュールの実用化も進められている。
【０００３】
表示モジュールは、液晶や有機ＥＬ素子で形成される表示パネルと、ドライバＩＣや電源ＩＣが実装された回路基板とをフレキシブル配線基板で連結して構成されている。フレキシブル配線基板は樹脂フィルムの上に配線パターンを形成したものであり、この上にドライバＩＣを直接実装したものも用いられている。
【０００４】
ところで、携帯電話機等の電子機器は高機能化が進み、折り畳み式の筐体の表裏にメイン画面とサブ画面を設け、さらにデジタルスチルカメラやビデオカメラを設けたものが主流となっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、携帯電話機等の電子機器における高機能化や高付加価値化に伴い、筐体内に納めなければならない部品の数が増大し、各種のＩＣチップやＣＣＤカメラなどを実装したプリント基板が占める割合が無視できないものとなっている。その一方で、携帯電話機等の電子機器は小型化、薄型化及び軽量化が求められており、高付加価値化と二律背反の関係となっている。そこで、特許文献２は、表示モジュール及びそれを搭載する電子機器の小型化、薄型化を実現しようとしている。
【特許文献１】特開２００４―２６０４３３号公報
【特許文献２】特開２００７―４７７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の問題点として、多くのＩＣチップを用いるため、表示モジュール及びそれを搭載する電子機器の小型化、薄型化の限界がある。
【０００７】
このような問題に鑑み、ＩＣチップなどの部品点数を減らして、表示モジュール及びそれを搭載する電子機器の小型化、薄型化を図ることを課題とする。ＩＣチップなどの部品点数を減らして、安価な表示モジュール及びそれを搭載する電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
電子機器又は表示モジュールは２つの表示パネルを有し、一方の表示パネルに（すなわち、一方の表示パネルの表示領域の周辺部）、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器に必要な回路を形成する。そして、当該表示パネルに組み込まれた回路によって、当該表示パネル、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器を駆動する。
【０００９】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子を有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板とを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、集積回路とを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、センサとを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、センサは、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、集積回路と、センサとを有し、回路群は、配線を介して第１の表示パネルと電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第１の表示パネルと電気的に接続され、配線を介して第２の表示パネルと電気的に接続され、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第２の端子と電気的に接続され、センサは、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板とを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、集積回路とを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子と、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、センサとを有し、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、センサは、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の液晶表示装置の一は、第１の液晶素子を含む第１の表示画面と、第１の端子と、レベルシフタと、駆動回路とを有する第１の表示パネルと、第２の液晶素子を含む第２の表示画面と、第２の端子と、回路群とを有する第２の表示パネルと、配線を有する基板と、集積回路と、センサとを有し、回路群は、配線を介して第１の表示パネルと電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第１の表示パネルと電気的に接続され、回路群は、第２の端子及び配線を介して第１の端子と電気的に接続され、集積回路は、配線を介して第２の端子と電気的に接続され、センサは、配線を介して第２の端子と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
なお、スイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることができる。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることができる。
【００１８】
スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流を抑えたい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を有するトランジスタやマルチゲート構造を有するトランジスタ等がある。または、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）の電位に近い状態で動作する場合はＮチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）の電位に近い状態で動作する場合はＰチャネル型トランジスタを用いることが望ましい。なぜなら、Ｎチャネル型トランジスタではソース端子が低電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、Ｐチャネル型トランジスタではソース端子が高電位側電源の電位に近い状態で動作するとき、ゲートとソースの間の電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作をさせやすいからである。ソースフォロワ動作をしてしまうことが少ないため、出力電圧の大きさが小さくなってしまうことが少ないからである。
【００１９】
なお、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタの両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型トランジスタまたはＮチャネル型トランジスタのどちらか一方のトランジスタが導通すれば電流が流れるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることができる。さらに、スイッチをオンまたはオフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることができるので、消費電力を小さくすることもできる。
【００２０】
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、スイッチは、入力端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合、スイッチは、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、トランジスタよりもダイオードをスイッチとして用いた方が、端子を制御するための配線を少なくすることができる。
【００２１】
なお、ＡとＢとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気的に接続されている場合と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合と、ＡとＢとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
【００２２】
例えば、ＡとＢとが電気的に接続されている場合として、ＡとＢとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオードなど）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢとが機能的に接続されている場合として、ＡとＢとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きくできる回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＡとＢとの間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、ＡとＢとが直接接続されている場合として、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を挟まずに、ＡとＢとが直接接続されていてもよい。
【００２３】
なお、ＡとＢとが直接接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが直接接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に他の素子や他の回路を間に介さずに接続されている場合）と、ＡとＢとが電気的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続されている場合）とを含むものとする。
【００２４】
なお、ＡとＢとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＡとＢとが直接接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
【００２５】
なお、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有することができる。例えば、表示素子、表示装置、発光素子または発光装置としては、ＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を用いることができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
【００２６】
なお、ＥＬ素子とは、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に挟まれたＥＬ層とを有する素子である。なお、ＥＬ層としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するもの、３重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、ＥＬ素子として様々なものを用いることができる。
【００２７】
なお、電子放出素子とは、先鋭な陰極に高電界を集中して電子を引き出す素子である。例えば、電子放出素子として、スピント型、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）型、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、ＭＯＳ型、シリコン型、薄膜ダイオード型、ダイヤモンド型、表面伝導エミッタＳＣＤ型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型、ＨＥＥＤ型、ＥＬ型、ポーラスシリコン型、表面伝導（ＳＥＤ）型などを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子放出素子として様々なものを用いることができる。
【００２８】
なお、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）、バナナ型液晶などが挙げられる。また、液晶の軌道方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモードなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々なものを用いることができる。
【００２９】
なお、電子ペーパーとしては、光学異方性と染料分子配向のような分子により表示されるもの、電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化のような粒子により表示されるもの、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して自発光により表示されるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーとして、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッテイング、光散乱（透明／白濁変化）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機ＥＬなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、電子ペーパーとして様々なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによって、電気泳動方式の欠点である泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射率、広視野角、低消費電力、メモリー性などのメリットを有する。
【００３０】
なお、プラズマディスプレイパネルは、電極を表面に形成した基板と、電極及び微小な溝を表面に形成し且つ溝内に蛍光体層を形成した基板とを狭い間隔で対向させて、希ガスを封入した構造を有する。なお、電極間に電圧をかけることによって紫外線を発生させ、蛍光体を光らせることで、表示を行うことができる。なお、プラズマディスプレイパネルとしては、ＤＣ型ＰＤＰ、ＡＣ型ＰＤＰでもよい。ここで、プラズマディスプレイパネルとしては、ＡＷＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｗｈｉｌｅ  Ｓｕｓｔａｉｎ）駆動、サブフレームをリセット期間、アドレス期間、維持期間に分割するＡＤＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｓｅｐａｒａｔｅｄ）駆動、ＣＬＥＡＲ（Ｈｉｇｈ  Ｃｏｎｔｒａｓｔ，  Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ａｄｄｒｅｓｓ  ａｎｄ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｆａｌｓｅ  Ｃｏｎｔｏｕｒ  Ｓｅｑｕｅｎｃｅ）駆動、ＡＬＩＳ（Ａｌｔｅｒｎａｔｅ  Ｌｉｇｈｔｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ）方式、ＴＥＲＥＳ（Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｏｆ  Ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｒ）駆動などを用いることができる。ただし、これに限定されず、プラズマディスプレイパネルとして様々なものを用いることができる。
【００３１】
なお、光源を必要とする表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）を用いた表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた表示装置などの光源としては、エレクトロルミネッセンス、冷陰極管、熱陰極管、ＬＥＤ、レーザー光源、水銀ランプなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、光源して様々なものを用いることができる。
【００３２】
なお、トランジスタとして、様々な形態のトランジスタを用いることができる。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることができる。ＴＦＴを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、又は製造装置の大型化を図ることができる。製造装置を大きくできるため、大型基板上に製造できる。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造できるため、低コストで製造できる。さらに、製造温度が低いため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。そのため、透明基板上にトランジスタを製造できる。そして、透明な基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することができる。あるいは、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透過させることができる。そのため、開口率が向上させることができる。
【００３３】
なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路（信号線駆動回路）、信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に一体形成することができる。
【００３４】
なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。このとき、レーザー照射を行うことなく、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることができる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路の一部（アナログスイッチなど）を基板上に一体形成することができる。さらに、結晶化のためにレーザー照射を行わない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる。そのため、綺麗な画像を表示することができる。
【００３５】
ただし、触媒（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリコンや微結晶シリコンを製造することは可能である。
【００３６】
なお、シリコンの結晶性を、多結晶または微結晶などへと向上させることは、パネル全体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シリコンの結晶性を向上させてもよい。選択的に結晶性を向上させることは、レーザー光を選択的に照射することなどにより可能である。例えば、画素以外の領域である周辺回路領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。または、ゲートドライバ回路、ソースドライバ回路等の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。あるいは、ソースドライバ回路の一部（例えば、アナログスイッチ）の領域にのみ、レーザー光を照射してもよい。その結果、回路を高速に動作させる必要がある領域にのみ、シリコンの結晶化を向上させることができる。画素領域は、高速に動作させる必要性が低いため、結晶性が向上されなくても、問題なく画素回路を動作させることができる。結晶性を向上させる領域が少なくて済むため、製造工程も短くすることができ、スループットが向上し、製造コストを低減させることができる。必要とされる製造装置の数も少なくて製造できるため、製造コストを低減させることができる。
【００３７】
または、半導体基板やＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを形成することができる。これらにより、特性やサイズや形状などのバラツキが少なく、電流供給能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。これらのトランジスタを用いると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
【００３８】
または、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯなどの化合物半導体または酸化物半導体を有するトランジスタや、さらに、これらの化合物半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることができる。これらにより、製造温度を低くでき、例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することができる。なお、これらの化合物半導体または酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることもできる。例えば、これらの化合物半導体または酸化物半導体を抵抗素子、画素電極、透明電極として用いることができる。さらに、それらをトランジスタと同時に成膜又は形成できるため、コストを低減できる。
【００３９】
または、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることができる。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造することができる。マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することができる。さらに、レジストを用いる必要がないので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。さらに、必要な部分にのみ膜を付けるため、全面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
【００４０】
または、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することができる。そのため、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタなどを用いた装置は衝撃に強くできる。
【００４１】
さらに、様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどをトランジスタとして用いることができる。ＭＯＳ型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることができる。よって、多数のトランジスタを搭載することができる。バイポーラトランジスタを用いることにより、大きな電流を流すことができる。よって、高速に回路を動作させることができる。
【００４２】
なお、ＭＯＳ型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを１つの基板に混在させて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することができる。
【００４３】
その他、様々なトランジスタを用いることができる。
【００４４】
なお、トランジスタは、様々な基板を用いて形成することができる。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板としては、例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（表皮、真皮）又は皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置してもよい。トランジスタが転置される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（表皮、真皮）又は皮下組織をトランジスタが転置される基板として用いてもよい。または、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その基板を研磨して薄くしてもよい。研磨される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（表皮、真皮）又は皮下組織を研磨される基板として用いてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
【００４５】
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるため、複数のトランジスタが直列に接続された構成となる。マルチゲート構造により、オフ電流の低減、トランジスタの耐圧向上による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、マルチゲート構造により、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、傾きがフラットである電圧・電流特性を得ることができる。傾きがフラットである電圧・電流特性を利用すると、理想的な電流源回路や、非常に高い抵抗値をもつ能動負荷を実現することができる。その結果、特性のよい差動回路やカレントミラー回路を実現することができる。別の例として、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値の増加、又は空乏層ができやすくなることによるＳ値の低減を図ることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
【００４６】
あるいは、チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネル領域の下にゲート電極が配置されている構造でもよい。あるいは、正スタガ構造または逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、チャネル領域が並列に接続されていてもよいし、チャネル領域が直列に接続されていてもよい。あるいは、チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なる構造にすることにより、チャネル領域の一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。あるいは、ＬＤＤ領域を設けても良い。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流の低減、又はトランジスタの耐圧向上による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、ＬＤＤ領域を設けることにより、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、傾きがフラットである電圧・電流特性を得ることができる。
【００４７】
なお、トランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板を用いて形成させることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、同一の基板に形成されていてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板を用いて形成されていてもよく、さまざまな基板を用いて形成されていてもよい。所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部が、ある基板に形成されており、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていなくてもよい。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基板に形成され、単結晶基板を用いて形成されたトランジスタで構成されたＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）でガラス基板に接続して、ガラス基板上にそのＩＣチップを配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点数の削減によるコストの低減、又は回路部品との接続点数の低減による信頼性の向上を図ることができる。あるいは、駆動電圧が高い部分及び駆動周波数が高い部分の回路は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分の回路は同じ基板に形成せず、そのかわりに、例えば、単結晶基板にその部分の回路を形成して、その回路で構成されたＩＣチップを用いるようにすれば、消費電力の増加を防ぐことができる。
【００４８】
なお、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合がある。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向において、画素が直線上に並んで配置されている場合、又はギザギザな線上に配置されている場合を含む。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合、又は三つの色要素のドットがデルタ配置されている場合も含む。さらに、ベイヤー配置されている場合も含む。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）、又はＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低消費電力化、又は表示素子の長寿命化を図ることができる。
【００４９】
なお、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
【００５０】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）やＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。さらに、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
【００５１】
なお、アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
【００５２】
なお、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことができる。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本明細書においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを第１の電極、第２の電極と表記する場合がある。あるいは、ソース領域、ドレイン領域と表記する場合がある。
【００５３】
なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第２端子と表記する場合がある。
【００５４】
なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域を形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。なお、ゲート電極の一部は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域またはソース領域（またはドレイン領域）と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている場合もある。ゲート配線とは、各トランジスタのゲート電極の間を接続するための配線、各画素の有するゲート電極の間を接続するための配線、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
【００５５】
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分（領域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線の一部とチャネル領域がオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜、配線など）はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００５６】
なお、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線など）も、ゲート配線と呼んでも良い。このような部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていない場合、又は別のゲート電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様などの関係で、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線など）がある。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）もゲート電極またはゲート配線と呼んでも良い。
【００５７】
なお、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのゲート電極と、別のゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための部分（領域、導電膜、配線など）であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのトランジスタと見なすこともできるため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極またはゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極またはゲート配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線など）は、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。さらに、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続させている部分の導電膜であって、ゲート電極またはゲート配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００５８】
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の部分（領域、導電膜、配線など）または、ゲート電極と電気的に接続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のことを言う。
【００５９】
なお、ある配線をゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線などと呼ぶ場合、配線にトランジスタのゲートが接続されていない場合もある。この場合、ゲート配線、ゲート線、ゲート信号線、走査線、走査信号線は、トランジスタのゲートと同じ層で形成された配線、トランジスタのゲートと同じ材料で形成された配線またはトランジスタのゲートと同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。
【００６０】
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各トランジスタのソース電極の間を接続するための配線、各画素の有するソース電極の間を接続するための配線、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
【００６１】
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分（領域、導電膜、配線など）も存在する。そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線の一部とソース領域とがオーバーラップしている場合、その部分（領域、導電膜、配線など）はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００６２】
なお、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と同じ島（アイランド）を形成してつながっている部分（領域、導電膜、配線など）や、ソース電極とソース電極とを接続する部分（領域、導電膜、配線など）も、ソース電極と呼んでも良い。さらに、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線と同じ島（アイランド）を形成してつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような部分（領域、導電膜、配線など）は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していない場合がある。しかし、製造時の仕様などの関係で、ソース電極またはソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極またはソース配線とつながっている部分（領域、導電膜、配線など）がある。よって、そのような部分（領域、導電膜、配線など）もソース電極またはソース配線と呼んでも良い。
【００６３】
なお、例えば、ソース電極とソース配線とを接続させている部分の導電膜であって、ソース電極またはソース配線とは異なる材料で形成された導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００６４】
なお、ソース端子とは、ソース領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている部分（領域、導電膜、配線など）について、その一部分のことを言う。
【００６５】
なお、ある配線をソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線などと呼ぶ場合、配線にトランジスタのソース（ドレイン）が接続されていない場合もある。この場合、ソース配線、ソース線、ソース信号線、データ線、データ信号線は、トランジスタのソース（ドレイン）と同じ層で形成された配線、トランジスタのソース（ドレイン）と同じ材料で形成された配線またはトランジスタのソース（ドレイン）と同時に成膜された配線を意味している場合がある。例としては、保持容量用配線、電源線、基準電位供給配線などがある。
【００６６】
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
【００６７】
なお、半導体装置とは半導体素子（トランジスタ、ダイオード、サイリスタなど）を含む回路を有する装置のことをいう。さらに、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を半導体装置と呼んでもよい。また、半導体材料を有する装置のことを半導体装置と言う。
【００６８】
なお、表示素子とは、光学変調素子、液晶素子、発光素子、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電子放出素子、電気泳動素子、放電素子、光反射素子、光回折素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、などのことを言う。ただし、これに限定されない。
【００６９】
なお、表示装置とは、表示素子を有する装置のことを言う。なお、表示装置は、表示素子を含む複数の画素を含んでいても良い。なお、表示装置は、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路を含んでいても良い。なお、複数の画素を駆動させる周辺駆動回路は、複数の画素と同一基板上に形成されてもよい。なお、表示装置は、ワイヤボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆる、チップオングラス（ＣＯＧ）で接続されたＩＣチップ、または、ＴＡＢなどで接続されたＩＣチップを含んでいても良い。なお、表示装置は、ＩＣチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）を含んでもよい。なお、表示装置は、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などを介して接続され、ＩＣチップ、抵抗素子、容量素子、インダクタ、トランジスタなどが取り付けられたプリント配線基盤（ＰＷＢ）を含んでいても良い。なお、表示装置は、偏光板または位相差板などの光学シートを含んでいても良い。なお、表示装置は、照明装置、筐体、音声入出力装置、光センサなどを含んでいても良い。ここで、バックライトユニットのような照明装置は、導光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管など）、冷却装置（水冷式、空冷式）などを含んでいても良い。
【００７０】
なお、照明装置とは、バックライトユニット、導光板、プリズムシート、拡散シート、反射シート、光源（ＬＥＤ、冷陰極管、熱陰極管など）、冷却装置などを有している装置のことをいう。
【００７１】
なお、発光装置とは、発光素子などを有している装置のことをいう。表示素子として発光素子を有している場合は、発光装置は、表示装置の具体例の一つである。
【００７２】
なお、反射装置とは、光反射素子、光回折素子、光反射電極などを有している装置のことをいう。
【００７３】
なお、液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置には、直視型、投写型、透過型、反射型、半透過型などがある。
【００７４】
なお、駆動装置とは、半導体素子、電気回路、電子回路を有する装置のことを言う。例えば、ソース信号線から画素内への信号の入力を制御するトランジスタ（選択用トランジスタ、スイッチング用トランジスタなどと呼ぶことがある）、画素電極に電圧または電流を供給するトランジスタ、発光素子に電圧または電流を供給するトランジスタなどは、駆動装置の一例である。さらに、ゲート信号線に信号を供給する回路（ゲートドライバ、ゲート線駆動回路などと呼ぶことがある）、ソース信号線に信号を供給する回路（ソースドライバ、ソース線駆動回路などと呼ぶことがある）などは、駆動装置の一例である。
【００７５】
なお、表示装置、半導体装置、照明装置、冷却装置、発光装置、反射装置、駆動装置などは、互いに重複して有している場合がある。例えば、表示装置が、半導体装置および発光装置を有している場合がある。あるいは、半導体装置が、表示装置および駆動装置を有している場合がある。
【００７６】
なお、Ａの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されている、と明示的に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００７７】
従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、と明示的に記載されている場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよいし、複層でもよい。
【００７８】
さらに、Ａの上方にＢが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同様であり、Ａの上にＢが直接接していることに限定されず、ＡとＢとの間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でもよいし、複層でもよい。
【００７９】
なお、Ａの上にＢが直接接して形成されている、と明示的に記載する場合は、Ａの上に直接接してＢが形成されている場合を含み、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合は含まないものとする。
【００８０】
なお、Ａの下にＢが、あるいは、Ａの下方にＢが、の場合についても、同様である。
【００８１】
なお、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数として記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定されず、単数であることも可能である。
【発明の効果】
【００８２】
２つの表示パネルのうち、一方の表示パネルに（すなわち、一方の表示パネルの表示領域の周辺部）、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器に必要な回路を形成することにより、表示モジュールを小型化することができる。表示モジュールに実装する電子部品を少なくできるので、表示モジュールを薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本発明の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
【００８４】
（実施の形態１）
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）並びに図２を参照して、本実施の形態に係わる表示モジュールについて説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）並びに図２は、本実施の形態に係る表示モジュールの構成を示す図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図１（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図１（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。図２は、表示モジュールを一方の方向から見た上面図である。なお、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）で示す表示モジュールは、表示パネルの配置が違う点以外同じであるため、符号の説明等は共通である。
【００８５】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す表示モジュールは、第１表示パネル１０２、第２表示パネル１０４及び信号処理回路基板１０６を有している。第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４は、文字、図形、記号などを含む画像を表示する面が異なるように設けられている。第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４は画面のサイズが異なり、一方で主画面を構成し、他方で副画面を構成する。
【００８６】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４の外形寸法を異ならせ、一方に比べ他方の外形寸法（すなわちパネル面積）が小さくなるようにしている。代表的には、主画面を構成する第１表示パネル１０２に対して、副画面を構成する第２表示パネル１０４を小さくする。その上で、表示モジュールとしてコンパクトにするために、図１（Ｂ）に示すように、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４を背中合わせとして、密接または近接して配置させる。例えば、第１表示パネル１０２の面内内側に第２表示パネル１０４を配置させる。
【００８７】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す信号処理回路基板１０６は、第１端子１１２で第１表示パネル１０２の端子１１８と導電性部材１２０を介して接続している。導電性部材１２０は第１端子１１２と端子１１８で挟んだときに、この両端子間の電気抵抗が低くなり、隣接する端子間では電気的に絶縁するように電気的異方性を示す。このような導電性部材１２０は、例えば、導電性微粒子（若しくは導電表面を有する微粒子）を互いに相互作用しないように局在化する程度の濃度で樹脂媒体中に分散させたもので提供される。この場合、第１端子１１２と端子１１８が導電性微粒子程度の間隔である場合に、両端子間の導通が形成される。同様に、信号処理回路基板１０６の第２端子１３４は、第２表示パネル１０４の端子１４８に導電性部材１２０を介して接続されている。
【００８８】
なお、導電性部材１２０としては、異方性導電材料を用いることができる。異方性導電材料は、接着、導電、そして絶縁という３つの機能を有している。特に、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）及びＡＣＰ（異方性導電ペースト）と呼ばれる高分子材料は、熱圧着加工により、厚み方向に対しては導通性をもち、面方向に対しては絶縁性をもっている。
【００８９】
信号処理回路基板１０６は、これらの接続部から配線が伸びて、第１表示パネル１０２の端子１１８と第２表示パネル１０４の端子１４８とが電気的に接続される面を有している。この場合、第２表示パネル１０４の端子１４８と電気的な接続を構成する第２端子１３４は、第１表示パネル１０２の上に配置されている。図１（Ｂ）に示すように、第１表示パネル１０２の表示面とは反対側の面を有効利用することにより、表示モジュールをコンパクトに構成することができる。
【００９０】
図１（Ｂ）に示すように、第１表示パネル１０２の端子１１８と電気的な接続を構成する第１端子１１２と第２表示パネル１０４の端子１４８とを接続するために、信号処理回路基板１０６は、絶縁表面を形成する可撓性基板１１４を用いて形成されていることが好ましい形態となる。可撓性基板１１４として、典型的にはポリイミドフィルムが適用されるが、それ以外の樹脂フィルムや繊維強化プラスチックを用いても良い。可撓性基板１１４の厚さは３０〜３００μｍ、典型的には８０〜１６０μｍとすれば良い。信号処理回路基板１０６の厚さに対し、その内側に配設される第２表示パネル１０４が厚い場合には、信号処理回路基板１０６の一部をくり抜いた開口部を設け、第２端子１３４が第２表示パネル１０４の端子１４８と重なるようにすれば良い。
【００９１】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す第２表示パネル１０４には、回路ユニット４０１が形成されている。回路ユニット４０１は、第２表示パネル１０４の端子１４８と電気的に接続されている。回路ユニット４０１としては、例えば表示パネルの駆動回路、タイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路、光通信、ＬＡＮ、ＵＳＢなどその他の外部装置接続インターフェース回路などさまざまなものがある。なお、本明細書では、表示パネルの駆動回路、タイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路、光通信、ＬＡＮ、ＵＳＢなどその他の外部装置接続インターフェース回路のうち、いずれか一または複数の機能を有する回路を回路群ともいう。
【００９２】
図２では回路ユニット４０１として、表示パネルに送る信号を制御するタイミングコントローラ４０１ａ、タイミングコントローラ４０１ａに送る信号を制御する音声・画像処理プロセッサ４０１ｂ、ＣＰＵ４０１ｃ、メモリ４０１ｄ、電源ＩＣ４０１ｅ、パワートランジスタ４０１ｆ、コンデンサ４０１ｇ、コイル４０１ｈを示している。タイミングコントローラ４０１ａは、切替スイッチ若しくはプログラムにより信号を送り出す先を選択して、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４において共用化することができる。ＣＰＵ４０１ｃは、キー入力信号の制御、電源系統の管理を行っている。
【００９３】
第１表示パネル１０２は、第１基板１２２の上に表示部１２４と端子１１８が形成されている。その他に、走査線駆動回路１２８、信号線駆動回路１２６が形成されていても良い。勿論、これらの駆動回路の一部又は全部は、第２表示パネル１０４に回路ユニット４０１又は回路ユニット４０１の一部として形成されていても良い。表示部１２４は画像表示の最小単位である１ドット（以下「絵素」ともいう）を複数個、すなわちＸ方向及びＹ方向に二次元的に配列させて構成している。表示部１２４の要素としては、駆動素子アレイ１２４ａと表示素子アレイ１２４ｂが含まれる。より細分化すると、駆動素子アレイ１２４ａは信号のオンオフを制御するスイッチング素子を含み、必要に応じて電流の流れを制御する非線形素子を組み合わせても良い。
【００９４】
走査線駆動回路１２８及び／又は信号線駆動回路１２６は、駆動素子アレイ１２４ａと同じ素子で作製することができる。この場合、素子として多く用いられるのはトランジスタであり、より好ましくは薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ともいう）である。勿論その他にも容量素子、抵抗素子、誘導素子が含まれていても良い。端子１１８についても、これらの素子の電極若しくは配線と同じ導電層を使って形成している。
【００９５】
代表的なスイッチング素子としては、代表的にトランジスタが用いられる。トランジスタは、一対のソース及びドレイン間にチャネル形成領域を備えたシングルドレイン構造、チャネル形成領域とドレインとの間に低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けたＬＤＤ構造などを用いることができる。トランジスタは一対のソース及びドレイン間に複数のゲート電極を介在させた（複数のチャネル形成領域を直列に配設した）マルチゲート構造としても良い。さらに、トランジスタを形成する導体層としては単結晶シリコン、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを用いることができる。トランジスタの構造としては、半導体層の後にゲート電極が形成されるトップゲート型のトランジスタの他、ゲート電極の後に半導体層を形成するボトムゲート構造としても良い。特に、アモルファスシリコンを用いる場合には後者の方が望ましい。ただし、これに限定されず、スイッチング素子として様々なものを用いることができる。
【００９６】
表示素子アレイ１２４ｂは、電気的作用により光学特性が変化する素子（例えば、液晶素子）、キャリアの注入により発光する素子（エレクトロルミネセンス素子（以下、「ＥＬ素子」ともいう）、発光ダイオード、発光トランジスタなど）、電荷を放出する素子（電子源素子など）などで構成することができる。ただし、これに限定されず、表示素子アレイ１２４ｂとして様々なものを用いることができる。
【００９７】
第２表示パネル１０４は、第２基板１４２の上に表示部１３６と回路ユニット４０１と端子１４８が形成されている。その他に、走査線駆動回路１３８、信号線駆動回路１４０が形成されていても良い。表示部１３６における駆動素子アレイ１３６ａ、表示素子アレイ１３６ｂについても第１表示パネル１０２と同様な構成である。このような表示部の構成について、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４は同じ種類の駆動素子アレイ表示素子アレイでそれぞれ構成することができ、あるいは、異なる構成としても良い。例えば、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４で、表示素子アレイを両者ともＥＬ素子で形成することもできるし、一方を液晶素子とする組み合わせも適用することができる。第２表示パネル１０４に形成する回路ユニット４０１の面積を小さくするためには、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４で回路の共有化できることが好ましく、その場合には、表示素子アレイを両者ともＥＬ素子で形成する場合のように同じものとすることが好ましい。なお、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４での回路の共有化とは、表示パネルを駆動するための回路、例えばタイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路等の機能を同じ回路群を用いて動作させる構成とすることをいう。
【００９８】
ここで、回路ユニット４０１が有するトランジスタの半導体層としては、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いることが望ましい。こうすることで、単結晶半導体の結晶方位は一定であるため、均一で高性能なトランジスタを得ることができる。すなわち、閾値電圧や移動度などトランジスタ特性として重要な特性値の不均一性を抑制し、高移動化などの高性能化を達成することができる。この絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを回路ユニット４０１に適用することによって、回路ユニット４０１の処理速度の高速化のみならず低消費電力化を図ることができる。ただし、これに限定されず、回路ユニット４０１が有するトランジスタの半導体層として、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン又は非結晶シリコンなど、様々なものを用いることができる。
【００９９】
なお、第２表示パネル１０４に形成されている駆動素子アレイ１３６ａ、走査線駆動回路１３８及び信号線駆動回路１４０を構成する素子として、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを用いることができる。同様に、第１表示パネル１０２に形成されている駆動素子アレイ１２４ａ、走査線駆動回路１２８及び信号線駆動回路１２６を構成する素子として、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを用いることができる。
【０１００】
第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４はさまざまな組み合わせを適用することができる。例えば、第１表示パネル１０２の駆動素子アレイ１２４ａをＴＦＴで構成して所謂アクティブマトリクス駆動方式のパネルとし、第２表示パネル１０４も同じアクティブマトリクス駆動方式とすることができる。この組み合わせにおいて、第２表示パネル１０４の駆動素子アレイ１３６ａを省略して単純マトリクス型としても良いし、若しくはセグメント表示パネルとしても良い。
【０１０１】
第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４の画面サイズと画素数は異ならせることができる。例えば、携帯電話機の用途では、第１表示パネル１０２を２．４インチ型、ＱＶＧＡとして３２０×２４０の画素数（３２０×２４０×３（ＲＧＢ）の絵素数）として、第２表示パネル１０４を１．１インチ型で１２８×９６の画素数とすることができる。ノート型のように開閉式の表示画面を備えたコンピュータの用途では、第１表示パネル１０２を１５インチ型、ＸＧＡとして１０２４×７６８の画素数（１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）の絵素数）として、第２表示パネル１０４を３インチ型、ＱＶＧＡで３２０×２４０の画素数とすることができる。その他にも、第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４の画面サイズと画素数を適宜組み合わせてさまざまな電子機器に適用することができる。
【０１０２】
第１表示パネル１０２は、少なくとも表示部１２４を第１封止基板１３０で覆っている。第１封止基板１３０は封止材１３２により第１基板１２２に固定されている。この構成は、特に表示素子アレイ１２４ｂにＥＬ素子を用いるときに好適に採用される。第１基板１２２は、表示部１２４、走査線駆動回路１２８、信号線駆動回路１２６、端子１１８を互いに有機的に連結させて固定することの他に、平板状の表示パネルとして機械的な強度を保持するための機能を備えている。機械的強度とは、この表示モジュールを電子機器等の筐体に組み込んだときに、衝撃や振動で容易に破損しない厚さであり、あるいは製造時における装置のハンドリングにおいて破損しない程度に十分な強度をいう。この場合、第１基板１２２を機械的強度が保てる一定の厚さにすれば、第１封止基板１３０はその厚さよりも薄くすることができる。なお、第１基板１３０を薄板化する場合には、それに樹脂フィルムなどの補強材を合わせて強度を補っても良い。
【０１０３】
第２表示パネル１０４についても同様であり、第２封止基板１４４が封止材１３２によって第２基板１４２に固定されている。この場合、第２基板１４２を機械的強度が保てる一定の厚さにすれば、第２封止基板１４４はその厚さよりも薄くすることができる。さらに、第１表示パネル１０２に対して第２表示パネル１０４が小さい場合には、第１基板１２２よりも第２基板１４２を薄くすることができ、第２封止基板１４４についても、第１封止基板１３０よりも薄く形成することができる。
【０１０４】
なお、第２表示パネル１０４は、回路ユニット４０１を第２封止基板１４４で覆っている。したがって、作製工程中での回路ユニット４０１の損傷を防ぐことができる。回路ユニット４０１を構成する材料の酸化を防ぐことができる。ただし、これに限定されず、第２表示パネル１０４は、回路ユニット４０１を第２封止基板１４４で覆っていなくてもよい。この場合の表示モジュールの断面図を図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図１２（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図１２（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。なお、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）で示す表示モジュールは、表示パネルの配置が違う点以外同じであるため、符号の説明等は共通である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す表示モジュールは、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す表示モジュールとは異なり、回路ユニット４０１が封止されていないことで、第２封止基板１４４を小さくできる。回路ユニット４０１の寄生容量が低減される。
【０１０５】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す第１表示パネル１０２の第１封止基板１３０と第２表示パネル１０４の第２封止基板１４４を密接させる場合には、封止基板の両者をより薄くすることができる。或いは、第２表示パネル１０４の封止基板を省略して、第１封止基板１３０を第１表示パネル１０２と第２表示パネル１０４で共用しても良い。
【０１０６】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す第１基板１２２と第１封止基板１３０を、例えば、厚さ０．５ｍｍのガラス基板で形成し、第２基板１４２を厚さ０．５ｍｍのガラス基板、第２封止基板１４４を０．３ｍｍのガラス基板で形成すると、合計の厚さは１．８ｍｍとなる。これに、厚さ３０μｍ〜３００μｍの可撓性基板１１４を考慮しても、合計の厚さは２ｍｍ程度となる。表示部における駆動素子アレイ、表示素子アレイ及び封止材の厚さを考慮してもそれらの合計膜厚は１ｍｍに満たないので、本実施の形態の表示モジュールは３ｍｍ以下の厚さとすることができる。表示モジュールにおいて、最も厚さに影響を与えるガラス基板の厚さは、表示パネルの大きさを考慮して決める必要があるが、０．１ｍｍ〜２ｍｍ、好ましくは０．４〜０．７ｍｍの範囲から自由に選択することができる。
【０１０７】
ここで、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）並びに図２では、第２表示パネル１０４に、第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４の動作に必要な、若しくは第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４が組み込まれる電子機器に必要な回路及び様々な素子を回路ユニット４０１として形成した場合について説明した。しかし、これに限定されず、表示モジュールとして様々な構成を用いることができる。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）並びに図２とは別の表示モジュールについていくつか説明する。
【０１０８】
まず、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）、図４、並びに図５を参照して、回路ユニット４０１の一部をＩＣチップとして表示モジュールに実装した場合について説明する。なお、ＩＣチップとしては、例えば表示パネルの駆動回路、タイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路、光通信、ＬＡＮ、ＵＳＢなどその他の外部装置接続インターフェース回路などさまざまなものがある。
【０１０９】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）、図４、並びに図５は、表示モジュールの構成を示す図である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図３（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図３（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。図４は、表示モジュールを一方の方向から見た上面図である。図５は、図４と異なる表示モジュールを、一方の方向から見た上面図である。なお、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）並びに図２の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。
【０１１０】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す信号処理回路基板１０６は、第１端子１１２で第１表示パネル１０２の端子１１８と導電性部材１２０を介して接続している。そして、信号処理回路基板１０６は、この接続部から配線１１６が延びてＩＣチップ１０８が実装される面を有している。ＩＣチップ１０８は個別の部品として用意され、適宜配設された配線１１６の接続部と電気的な接続を形成するように装着されている。ＩＣチップ１０８の実装には、フェイスダウンボンディングやワイヤボンディングなどの接続方法が適用される。その実装面は第１表示パネル１０２と重なるように配置している。この場合、第２表示パネル１０４の端子１４８と電気的な接続を構成する第２端子１３４は、第１表示パネル１０２の上に配置されている。
【０１１１】
図４では信号処理回路基板１０６に実装されているものとして、ＣＰＵ１０８ｃ、メモリ１０８ｄを示している。その他に、第１表示パネル１０２、第２表示パネル１０４の駆動用ＩＣ（走査線駆動用、信号線駆動用）をここに実装することもできる。回路ユニット４０１として、表示パネルに送る信号を制御するタイミングコントローラ４０１ａ、タイミングコントローラ４０１ａに送る信号を制御する音声・画像処理プロセッサ４０１ｂ、電源ＩＣ４０１ｅ、パワートランジスタ４０１ｆ、コンデンサ４０１ｇ、コイル４０１ｈを示している。図４では、大規模（トランジスタ数が多い）なＣＰＵをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、回路ユニットの面積を小さくすることができる。高速動作が必要なＣＰＵをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、歩留まりを高くすることができる。メモリをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、第２表示パネルの工程を簡略化することができる。
【０１１２】
図４とは別の一例を示す。図５では、信号処理回路基板１０６に実装されているものとして、電源ＩＣ１０８ｅ、パワートランジスタ１０８ｆ、コンデンサ１０８ｇ、コイル１０８ｈを示している。回路ユニット４０１として、表示パネルに送る信号を制御するタイミングコントローラ４０１ａ、タイミングコントローラ４０１ａに送る信号を制御する音声・画像処理プロセッサ４０１ｂ、ＣＰＵ４０１ｃ、メモリ４０１ｄを示している。図５では、電源系の回路及び素子をＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、電流能力が高いバイポーラトランジスタによって電源系の回路及び素子を構成することができる。回路ユニットにバイポーラトランジスタを形成する必要がないため、第２表示パネルの工程を簡略化することができる。
【０１１３】
なお、図４及び図５は一例である。したがって、図４及び図５の構成に限定されず、表示モジュールとして、第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４の動作に必要な、若しくは第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４が組み込まれる電子機器に必要な回路及び様々な素子の一部が第２表示パネル１０４に形成され、別の一部がＩＣチップ１０８として信号処理回路基板１０６に実装されているものを用いることができる。
【０１１４】
次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）並びに図７を参照して、センサチップを表示モジュールに実装した場合について説明する。なお、センサチップとしては、例えば光センサ、ＣＣＤモジュール（カメラ）、温度センサ、湿度センサ、加速度センサ、振動センサ、方位センサ、ガスセンサ、微粒子センサ（煙センサ、花粉センサなど）などさまざまなものがある。
【０１１５】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）並びに図７は、表示モジュールの構成を示す図である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図６（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図６（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。図７は、表示モジュールを一方の方向から見た上面図である。なお、図１乃至図５の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。
【０１１６】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）信号処理回路基板１０６は、第１端子１１２で第１表示パネル１０２の端子１１８と導電性部材１２０を介して接続している。そして、信号処理回路基板１０６は、この接続部から配線１１６が延びてセンサチップ１１０が実装される面を有している。センサチップ１１０は個別の部品として用意され、適宜配設された配線１１６の接続部と電気的な接続を形成するように装着されている。センサチップ１１０の実装には、フェイスダウンボンディングやワイヤボンディングなどの接続方法が適用される。その実装面は第１表示パネル１０２と重なるように配置している。この場合、第２表示パネル１０４の端子１４８と電気的な接続を構成する第２端子１３４は、第１表示パネル１０２の上に配置されている。
【０１１７】
図７では信号処理回路基板１０６に実装されているものとして、ＣＣＤモジュール１１０ａ、光センサ１１０ｂを示す。ＣＣＤモジュール１１０ａを表示モジュールに実装することによって、表示モジュールはスチールカメラ又はビデオカメラとしての機能を有することができる。光センサ１１０ｂを表示モジュールに実装することによって、周辺の輝度の変化によって表示パネルの明るさを変えることができる。
【０１１８】
次に、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）並びに図９を参照して、回路ユニット４０１の一部をＩＣチップとして表示モジュールに実装し、且つセンサチップを表示モジュールに実装した場合について説明する。
【０１１９】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）並びに図９は、表示モジュールの構成を示す図である。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図８（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図８（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。図９は、表示モジュールを一方の方向から見た上面図である。なお、図１乃至図７の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。
【０１２０】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す信号処理回路基板１０６は、第１端子１１２で第１表示パネル１０２の端子１１８と導電性部材１２０を介して接続している。そして、信号処理回路基板１０６は、この接続部から配線１１６が延びてＩＣチップ１０８及びセンサチップ１１０が実装される面を有している。ＩＣチップ１０８及びセンサチップ１１０は個別の部品として用意され、適宜配設された配線１１６の接続部と電気的な接続を形成するように装着されている。ＩＣチップ１０８及びセンサチップ１１０の実装には、フェイスダウンボンディングやワイヤボンディングなどの接続方法が適用される。その実装面は第１表示パネル１０２と重なるように配置している。この場合、第２表示パネル１０４の端子１４８と電気的な接続を構成する第２端子１３４は、第１表示パネル１０２の上に配置されている。
【０１２１】
図９では信号処理回路基板１０６に実装されているものとして、ＣＣＤモジュール１１０ａ、光センサ１１０ｂ、ＣＰＵ１０８ｃ、メモリ１０８ｄを示している。その他に、第１表示パネル１０２、第２表示パネル１０４の駆動用ＩＣ（走査線駆動用、信号線駆動用）をここに実装することもできる。回路ユニット４０１として、表示パネルに送る信号を制御するタイミングコントローラ４０１ａ、タイミングコントローラ４０１ａに送る信号を制御する音声・画像処理プロセッサ４０１ｂ、電源ＩＣ４０１ｅ、パワートランジスタ４０１ｆ、コンデンサ４０１ｇ、コイル４０１ｈを示している。ＣＣＤモジュール１１０ａを表示モジュールに実装することによって、表示モジュールはスチールカメラ又はビデオカメラとしての機能を有することができる。光センサ１１０ｂを表示モジュールに実装することによって、周辺の輝度の変化によって表示パネルの明るさを変えることができる。大規模（トランジスタ数が多い）なＣＰＵをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、回路ユニットの面積を小さくすることができる。高速動作が必要なＣＰＵをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、歩留まりを高くすることができる。メモリをＩＣチップとして表示モジュールに実装することによって、第２表示パネルの工程を簡略化することができる。
【０１２２】
なお、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）と、図９とは一例である。したがって、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）と、図９との構成に限定されず、表示モジュールとして、第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４の動作に必要な、若しくは第１表示パネル１０２及び第２表示パネル１０４が組み込まれる電子機器に必要な回路及び様々な素子の一部が第２表示パネル１０４に形成され、別の一部がＩＣチップ１０８として信号処理回路基板１０６に実装されているものを用いることができる。
【０１２３】
以上説明したように、背中合わせとして配置された２つの表示パネルのうち、一方の表示パネルに、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該パネルが組み込まれる電子機器に必要な様々な回路及び様々な素子を形成することにより、実装される電子部材（ＩＣチップ）を少なく又はなくすことができる。電子部材が少ない又はないので、低コストで安価な表示モジュールを提供することができる。電子部材が少ない又はないので、表示モジュールの小型化を図ることができる。電子部材が少ない又はないので、表示モジュールの薄型化を図ることができる。
【０１２４】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１２５】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１２６】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０１２７】
（実施の形態２）
本実施の形態は、主画面と副画面を構成する複数の液晶表示パネルを有する表示モジュールについて、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）を参照して説明する。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、表示モジュールの断面図であり、図１０（Ａ）は表示パネルを同一平面に配置した断面図、図１０（Ｂ）は表示パネルを背中合わせに配置した断面図である。なお、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）で示す表示モジュールは、表示パネルの配置が違う点以外同じであるため、符号の説明等は共通である。なお、図１乃至図９の構成と共通するところは共通の符号を用いて、その説明を省略する。
【０１２８】
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示す本実施の形態に係る表示モジュールは、第１表示パネル３０２、第２表示パネル３０４及びこの両表示パネルのタイミングコントローラを含む信号処理回路基板１０６を有している。第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４は、文字、図形、記号などを含む画像を表示する面が異なるように設けられている。なお、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４は画面のサイズが異なり、一方で主画面を構成し、他方で副画面を構成する。
【０１２９】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）では、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４の外形寸法を異ならせ、一方に比べ他方の外形寸法（すなわちパネル面積）が小さくなるようにしている。代表的には、主画面を構成する第１表示パネル３０２に対して、副画面を構成する第２表示パネル３０４を小さくする。そして、表示モジュールとしてコンパクトにするために、図１０（Ｂ）に示すように、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４を背中合わせとして、その両者の間にバックライトユニット３０８が挟まれている。バックライトユニット３０８は、導光板に拡散板、レンズシートなどが組み合わされて、光源３１０からの光を面放射するように構成されている。この場合、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４のそれぞれに対してバックライトユニット３０８を設けても良い。
【０１３０】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す信号処理回路基板１０６は、第１端子１１２で第１表示パネル３０２の端子３１８と導電性部材１２０を介して接続している。導電性部材１２０は第１端子１１２と端子３１８で挟んだときに、この両端子間の電気抵抗が低くなり、隣接する端子間では電気的に絶縁するように電気的異方性を示す。このような導電性部材１２０は、例えば、導電性微粒子（若しくは導電表面を有する微粒子）を互いに相互作用しないように局在化する程度の濃度で樹脂媒体中に分散させたもので提供される。この場合、第１端子１１２と端子３１８が導電性微粒子程度の間隔である場合に、両端子間の導通が形成される。同様に、信号処理回路基板１０６は、第２端子３３４で第２表示パネル３０４の端子３４８と導電性部材１２０を介して接続されている。
【０１３１】
信号処理回路基板１０６は、これらの接続部から配線が伸びて、第１表示パネル３０２の端子３１８と第２表示パネル３０４の端子３４８とが電気的に接続される面を有している。この場合、第２表示パネル３０４の端子３４８と電気的な接続を構成する第２端子３３４は、第１表示パネル３０２の上に配置されている。図１０（Ｂ）に示すように、第１表示パネル３０２の表示面とは反対側の面を有効利用することにより、表示モジュールをコンパクトに構成することができる。
【０１３２】
図１０（Ｂ）に示すように、第１表示パネル３０２の端子３１８と電気的な接続を構成する第１端子１１２と第２表示パネル３０４の端子３４８とを接続するために、信号処理回路基板１０６は、絶縁表面を形成する可撓性基板１１４を用いて形成されていることが好ましい形態となる。可撓性基板１１４として、典型的にはポリイミドフィルムが適用されるが、それ以外の樹脂フィルムや繊維強化プラスチックを用いても良い。可撓性基板１１４の厚さは３０〜３００μｍ、典型的には８０〜１６０μｍとすれば良い。信号処理回路基板１０６の厚さに対し、その内側に配設される第２表示パネル３０４が厚い場合には、信号処理回路基板１０６の一部をくり抜いた開口部を設け、第２端子３３４が第２表示パネル３０４の端子３４８と重なるようにすれば良い。
【０１３３】
図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す第２表示パネル３０４には、回路ユニット４０１が形成されている。回路ユニット４０１は、第２表示パネル３０４の端子３４８と電気的に接続されている。ここで、回路ユニット４０１としては、例えば表示パネルの駆動回路、タイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路、光通信、ＬＡＮ、ＵＳＢなどその他の外部装置接続インターフェース回路、バックライト制御ユニットなどさまざまなものがある。
【０１３４】
第１表示パネル３０２は、第１基板３２２の上に表示部３２４と端子３１８が形成されている。その他に、走査線駆動回路３２８（及び信号線駆動回路３２６）が形成されていても良い。勿論、これらの駆動回路の一部又は全部は、第２表示パネル３０４に回路ユニット４０１又は回路ユニット４０１の一部として形成されていても良い。表示部３２４は絵素を複数個、すなわちＸ方向及びＹ方向に二次元的に配列させて構成している。表示部３２４の要素としては、駆動素子アレイ３２４ａと表示素子アレイ３２４ｂ、カラーフィルタアレイ３２４ｃが含まれる。
【０１３５】
駆動素子アレイ３２４ａは信号のオンオフを制御するスイッチング素子を含み、必要に応じて電流の流れを制御する非線形素子を組み合わせても良い。代表的なスイッチング素子としては、代表的にトランジスタが用いられる。トランジスタは、一対のソース及びドレイン間にチャネル形成領域を備えたシングルドレイン構造、チャネル形成領域とドレインとの間に低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けたＬＤＤ構造などを用いることができる。トランジスタは一対のソース及びドレイン間に複数のゲート電極を介在させた（複数のチャネル形成領域を直列に配設した）マルチゲート構造としても良い。さらに、トランジスタを形成する半導体層としては単結晶シリコン、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを用いることができる。トランジスタの構造としては、半導体層の後にゲート電極が形成されるトップゲート型のトランジスタの他、ゲート電極の後に半導体層を形成するボトムゲート構造としても良い。特に、アモルファスシリコンを用いる場合には後者の方が望ましい。
【０１３６】
なお、駆動素子アレイ３２４ａには、トランジスタの他に、ＭＩＭ素子を用いても良い。なお、表示部３２４を単純マトリクス型とする場合には、駆動素子アレイ３２４ａは省略可能である。
【０１３７】
表示素子アレイ３２４ｂは、電気的作用により光学特性が変化する液晶素子で構成している。液晶素子は、一対の電極間に充填されている液晶材料で構成される。液晶材料は、第１基板３２２と第２基板３３０の間に挟まれ、シール材３３２で封入されている。対向電極と画素電極の間に挟まれた液晶素子はその両電極の差電圧が印加され、その電圧に応じて、液晶を透過する光の偏光状態が変化する。すなわち、バックライトユニット３０８から供給される光に対して、液晶を透過した光を偏光板３０６に通すことにより、光の偏光状態に応じた明暗が表示されることとなる。これにカラーフィルタアレイ３２４ｃを組み合わせることにより、カラー表示を行うことができる。液晶材料には、代表的にはＴＮ液晶を用いる。このようにして液晶パネルが完成する。この場合、画素電極の構造を変更して、ＭＶＡモードやＩＰＳモードで動作する表示素子アレイ３２４ｂを適用することができる。
【０１３８】
第２表示パネル３０４は、第２基板３４２の上に表示部３３６と回路ユニット４０１と端子３４８が形成されている。その他に、駆動回路３４０が形成されていても良い。第２表示パネル１０４の第２基板３４２における駆動回路３４０、表示部３３６の駆動素子アレイ３３６ａ、表示素子アレイ３３６ｂ、カラーフィルタアレイ３３６ｃは、第１表示パネル３０２と同じものから選択して構成することができる。第２表示パネル３０４に形成する回路ユニット４０１の面積を小さくするためには、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４とで回路の共有化ができるようにすることが好ましく、その場合には、表示素子アレイを両者とも液晶素子で形成する場合のように同じものとすることが好ましい。
【０１３９】
ここで、回路ユニット４０１が有するトランジスタの半導体層としては、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いることが望ましい。こうすることで、単結晶半導体の結晶方位は一定であるため、均一で高性能なトランジスタを得ることができる。すなわち、閾値電圧や移動度などトランジスタ特性として重要な特性値の不均一性を抑制し、高移動化などの高性能化を達成することができる。この絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを回路ユニット４０１に適用することによって、回路ユニット４０１の処理速度の高速化のみならず低消費電力化を図ることができる。ただし、これに限定されず、回路ユニット４０１が有するトランジスタの半導体層として、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン又は非結晶シリコンなど、様々なものを用いることができる。
【０１４０】
なお、第２表示パネル３０４に形成されている駆動素子アレイ３３６ａ、駆動回路３４０を構成する素子として、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを用いることができる。同様に、第１表示パネル１０２に形成されている駆動素子アレイ３２４ａ、走査線駆動回路３２８（及び信号線駆動回路３２６）を構成する素子として、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）を用いたトランジスタを用いることができる。
【０１４１】
第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４の画面サイズと画素数は異ならせることができる。例えば、携帯電話機の用途では、第１表示パネル３０２を２．１インチ型、ＱＶＧＡとして３２０×２４０の画素数（３２０×２４０×３（ＲＧＢ）の絵素数）として、第２表示パネル３０４を０．９インチ型で８８×６４の画素数とすることができる。ノート型のように開閉式の表示画面を備えたコンピュータの用途では、第１表示パネル３０２を１５インチ型、ＸＧＡとして１０２４×７６８の画素数（１０２４×７６８×３（ＲＧＢ）の絵素数）として、第２表示パネル３０４を３インチ型、ＱＶＧＡで３２０×２４０の画素数とすることができる。その他にも、第１表示パネル３０２と第２表示パネル３０４の画面サイズと画素数を適宜組み合わせてさまざまな電子機器に適用することができる。
【０１４２】
バックライトユニット３０８の光源３１０は、第２表示パネル３０４に形成された回路ユニット４０１に組み込んでおくこともできる。光源３１０としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）の他に、冷陰極管やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）光源を用いることができる。そして、バックライトユニット３０８と、第２表示パネル３０４及び信号処理回路基板１０６との間には、遮光板３１２を設けている。この構造は、第１表示パネル３０２と比較して面積の小さい第２表示パネル３０４側にバックライトユニット３０８の光が漏れないようにしている。遮光板３１２には、第２表示パネル３０４の表示画面にバックライトユニット３０８からの光が届くように開口部が形成されている。
【０１４３】
なお、第１の実施の形態と同様に、回路ユニット４０１の一部をＩＣチップとして表示モジュールに実装してもよい。センサチップを表示モジュールに実装してもよい。回路ユニット４０１の一部をＩＣチップとして表示モジュールに実装し、且つセンサチップを表示モジュールに実装してもよい。なお、ＩＣチップとしては、例えば表示パネルの駆動回路、タイミングコントローラ、音声や映像信号処理回路、メモリ、電源回路、高周波回路、フィルタ、セキュリティ回路、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、増幅回路、光通信、ＬＡＮ、ＵＳＢなどその他の外部装置接続インターフェース回路などさまざまなものがある。なお、センサチップとしては、例えば光センサ、ＣＣＤモジュール（カメラ）、温度センサ、湿度センサ、加速度センサ、振動センサ、方位センサ、ガスセンサ、微粒子センサ（煙センサ、花粉センサなど）などさまざまなものがある。
【０１４４】
以上説明したように、背中合わせとして配置された２つの表示パネルのうち、一方の表示パネルに、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該パネルが組み込まれる電子機器に必要な様々な回路及び様々な素子を形成することにより、実装される電子部材（ＩＣチップ）を少なく又はなくすことができる。電子部材が少ない又はないので、低コストで安価な表示モジュールを提供することができる。電子部材が少ない又はないので、表示モジュールの小型化を図ることができる。電子部材が少ない又はないので、表示モジュールの薄型化を図ることができる。
【０１４５】
本実施の形態では、液晶表示パネルを用いる場合について説明したが、電子放出素子を用いたフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌｙ）、コントラスト媒体（電子インク）を用いたディスプレイを用いることもできる。
【０１４６】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１４７】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１４８】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０１４９】
（実施の形態３）
本実施の形態は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態で示した表示モジュールの動作について、図１１を参照して説明する。
【０１５０】
表示モジュールは、主画面を構成する第１表示パネル１１１０と、副画面を構成する第２表示パネル１１２０とを有している。そして、第１表示パネル１１１０は、レベルシフタ１１１１、駆動部１１１２及び表示部１１１３を有している。第２表示パネル１１２０は、回路ユニット１１２１、切り替えスイッチ１１２２、駆動部１１２３及び表示部１１２４を有している。なお、表示モジュールにはＩＣチップが実装されている。あるいは、表示モジュールにＩＣチップが外付けされている。本実施の形態では、表示モジュールに実装されているＩＣチップと表示モジュールに外付けされているＩＣチップとを外部ＩＣ１１０１と呼ぶこととする。
【０１５１】
なお、第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層に多結晶シリコン、微結晶シリコン又は非結晶シリコンが用いられ、第２表示パネル１１２０を構成するトランジスタの半導体層に絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板上に接合された結晶方位が一定の単結晶半導体層（ＳＯＩ層）が用いられている場合について説明する。
【０１５２】
表示モジュールの動作について、簡単に説明する。信号が外部ＩＣ１１０１から第２表示パネル１１２０の回路ユニット１１２１に入力される。この信号には、ビデオ信号、クロック信号又はスタート信号などが含まれる。回路ユニット１１２１は、第１表示パネル１１１０又は第２表示パネル１１２０を駆動するための信号を出力する。そして、この信号が第１表示パネル１１１０の駆動部１１１２にレベルシフタ１１１１を介して入力されるか、第２表示パネル１１２０の駆動部１１２３に入力されるかが切り替えスイッチ１１２２２によって選択される。そして、信号が駆動部１１１２に入力されると、駆動部１１１２は表示部１１１３を駆動する。一方、信号が駆動部１１２３に入力されると、駆動部１１２３は表示部１１２４を駆動する。
【０１５３】
表示モジュールの動作電圧について説明する。外部ＩＣ１１０１は、低い電圧（例えば、０／３．３Ｖ）で動作している。なぜなら、外部ＩＣ１１０１を構成するトランジスタは、半導体層として単結晶シリコンが用いられることが多いため、しきい値電圧が低く、移動度が高く、ばらつきが小さいからである。
【０１５４】
ここで、第２表示パネル１１２０を構成するトランジスタの半導体層として単結晶半導体が用いられている。したがって、回路ユニット１１２１は、外部ＩＣ１１０１とおおよそ同一の動作電圧で駆動することができる。よって、回路ユニット１１２１と外部ＩＣ１１０１とは、電源又はクロック信号などを共有することができる。一方、第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層として、多結晶シリコン、微結晶シリコン又は非結晶シリコンが用いられる。したがって、駆動部１１１２は、回路ユニット１１２１の動作電圧又は外部ＩＣ１１０１の動作電圧よりも大きい動作電圧が必要となる。よって、回路ユニット１１２１から入力される信号はレベルシフタ１１１１によって大きくされる。そして、その大きくされた信号が駆動部１１１２に入力される。
【０１５５】
以上説明したように、第１表示パネル１１１０は、大きい動作電圧が必要となるため、レベルシフタ１１１１を有している。そして、第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層として、多結晶半導体、微結晶半導体又は非結晶半導体を用いている。したがって、低コストで安価に作製することができる。
【０１５６】
ここで、回路ユニット１１２１を構成するトランジスタの半導体層と、駆動部１１２３を構成するトランジスタの半導体層と、表示部１１２４を構成するトランジスタの半導体層とは、同一でなくてもよい。例えば、回路ユニット１１２１を構成するトランジスタの半導体層を単結晶半導体とし、駆動部１１２３を構成するトランジスタの半導体層及び表示部１１２４を構成する半導体層を多結晶半導体、微結晶半導体又は非結晶半導体としてもよい。別の例として、回路ユニット１１２１を構成するトランジスタの半導体層及び駆動部１１２３を構成するトランジスタの半導体層を単結晶半導体とし、表示部１１２４を構成するトランジスタの半導体層を多結晶半導体、微結晶半導体又は非結晶半導体としてもよい。ただし、これに限定されず、様々な構成を用いることができる。
【０１５７】
なお、回路ユニット１１２１を構成するトランジスタの半導体層は、第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層よりも結晶性が高いことが好ましい。なぜなら、第２表示パネル１１２０は第１表示パネル１１１０よりも早く動作する必要があるからである。例えば、第２表示パネル１１２０を構成するトランジスタの半導体層を多結晶半導体とし、第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層を微結晶半導体又は非結晶半導体とすることができる。ただし、これに限定されず、回路ユニット１１２１を構成するトランジスタの半導体層と第１表示パネル１１１０を構成するトランジスタの半導体層とは同一の種類でもよい。
【０１５８】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１５９】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１６０】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０１６１】
（実施の形態４）
ＳＯＩ基板を図１３（Ａ）（Ｂ）に示す。図１３（Ａ）においてベース基板２１００は絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板であり、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板が適用される。その他に石英ガラス、シリコンウエハーのような半導体基板も適用可能である。ＳＯＩ層２１０２は単結晶半導体であり、代表的には単結晶シリコンが適用される。その他に、水素イオン導入剥離法のようにして単結晶半導体基板若しくは多結晶半導体基板から剥離可能であるシリコン、ゲルマニウム、その他、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体による結晶性半導体層を適用することもできる。
【０１６２】
このようなベース基板２１００とＳＯＩ層２１０２の間には、平滑面を有し親水性表面を形成する接合層２１０４を設ける。この接合層２１０４として酸化シリコン膜が適している。特に有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜が好ましい。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【０１６３】
上記平滑面を有し親水性表面を形成する接合層２１０４は５ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さで設けられる。この厚さであれば、被成膜表面の表面荒れを平滑化すると共に、当該膜の成長表面の平滑性を確保することが可能である。また、接合する基板との歪みを緩和することができる。ベース基板２１００にも同様の酸化シリコン膜を設けておいても良い。すなわち、絶縁表面を有する基板若しくは絶縁性のベース基板２１００にＳＯＩ層２１０２を接合するに際し、接合を形成する面の一方若しくは双方に、好ましくは有機シランを原材料として成膜した酸化シリコン膜でなる接合層２１０４を設けることで強固な接合を形成することができる。
【０１６４】
図１３（Ｂ）はベース基板２１００に窒化シリコン層２１０５と接合層２１０４を設けた構成を示す。ＳＯＩ層２１０２をベース基板２１００に接合した場合に、ベース基板２１００として用いられるガラス基板からアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のような可動イオン不純物が拡散してＳＯＩ層２１０２が汚染されることを防ぐことができる。また、ベース基板２１００側の接合層２１０４は適宜設ければ良い。
【０１６５】
図１４（Ａ）はＳＯＩ層２１０２と接合層２１０４の間に窒素含有絶縁層２１２０を設けた構成を示す。窒素含有絶縁層２１２０は窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜を積層して形成する。例えば、ＳＯＩ層２１０２側から酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜を積層して窒素含有絶縁層２１２０とすることができる。接合層２１０４がベース基板２１００と接合を形成するために設けるのに対し、窒素含有絶縁層２１２０は、可動イオンや水分等の不純物がＳＯＩ層２１０２に拡散して汚染されることを防ぐために設けることが好ましい。
【０１６６】
なお、ここで酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、ＲＢＳ及びＨＦＳを用いて測定した場合に、濃度範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。但し、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を１００原子％としたとき、窒素、酸素、Ｓｉ及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【０１６７】
図１４（Ｂ）はベース基板２１００に接合層２１０４を設けた構成である。ベース基板２１００と接合層２１０４との間には窒化シリコン層２１０５が設けられていることが好ましい。ベース基板２１００として用いられるガラス基板からアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のような可動イオン不純物が拡散してＳＯＩ層２１０２が汚染されることを防ぐためである。また、ＳＯＩ層２１０２には酸化シリコン膜２１２１が形成されている。この酸化シリコン膜２１２１が接合層２１０４と接合を形成し、ベース基板２１００上にＳＯＩ層を固定する。酸化シリコン膜２１２１は熱酸化により形成されたものが好ましい。また、接合層２１０４と同様にＴＥＯＳを用いて化学気相成長法により成膜したものを適用しても良い。また、酸化シリコン膜２１２１としてケミカルオキサイドを適用することもできる。ケミカルオキサイドは、例えばオゾン含有水で半導体基板表面を処理することで形成することができる。ケミカルオキサイドは半導体基板の表面の平坦性を反映して形成されるので好ましい。
【０１６８】
このようなＳＯＩ基板の製造方法について図１５（Ａ）乃至（Ｃ）と図１６を参照して説明する。
【０１６９】
図１５（Ａ）に示す半導体基板２１０１は清浄化されており、電界で加速されたイオンを所定の深さに打ち込み、イオンドーピング層２１０３を形成する。イオンの打ち込みはベース基板に転置するＳＯＩ層の厚さを考慮して行われる。当該ＳＯＩ層の厚さは５ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ乃至２００ｎｍの厚さとする。イオンを打ち込む際の加速電圧はこのような厚さを考慮して、半導体基板２１０１に打ち込まれるようにする。イオンドーピング層は水素、ヘリウム若しくはフッ素に代表されるハロゲンのイオンを打ち込むことで形成される。この場合、一又は複数の同一の原子から成る質量数の異なるイオンを打ち込むことが好ましい。水素イオンを打ち込む場合には、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンを含ませると共に、Ｈ３＋イオンの割合を高めておくことが好ましい。水素イオンを打ち込む場合には、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンを含ませると共に、Ｈ３＋イオンの割合を高めておくと打ち込み効率を高めることができ、打ち込み時間を短縮することができる。このような構成とすることで、分離を容易に行うことができる。
【０１７０】
イオンを高ドーズ条件で打ち込む必要があり、半導体基板２１０１の表面が粗くなってしまう場合がある。そのためイオンが打ち込まれる表面に窒化シリコン膜若しくは窒化酸化シリコン膜などによりイオン打ち込みに対する保護膜を５０ｎｍ乃至２００ｎｍの厚さで設けておいても良い。
【０１７１】
次に、図１５（Ｂ）で示すようにベース基板と接合を形成する面に接合層２１０４として酸化シリコン膜を形成する。酸化シリコン膜としては上述のように有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜が好ましい。その他に、シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜を適用することもできる。化学気相成長法による成膜では、単結晶半導体基板に形成したイオンドーピング層２１０３から脱ガスが起こらない温度として、例えば３５０℃以下の成膜温度が適用される。また、単結晶若しくは多結晶半導体基板からＳＯＩ層を分離する熱処理は、成膜温度よりも高い熱処理温度が適用される。
【０１７２】
図１５（Ｃ）はベース基板２１００と半導体基板２１０１の接合層２１０４が形成された面とを密接させ、この両者を接合させる態様を示す。接合を形成する面は、十分に清浄化しておく。そして、ベース基板２１００と接合層２１０４を密着させることにより接合が形成される。この接合はファン・デル・ワールス力が作用しており、ベース基板２１００と半導体基板２１０１とを圧接することで水素結合により強固な接合を形成することが可能である。
【０１７３】
良好な接合を形成するために、表面を活性化しておいても良い。例えば、接合を形成する面に原子ビーム若しくはイオンビームを照射する。原子ビーム若しくはイオンビームを利用する場合には、アルゴン等の不活性ガス中性原子ビーム若しくは不活性ガスイオンビームを用いることができる。その他に、プラズマ照射若しくはラジカル処理を行う。このような表面処理により２００℃乃至４００℃の温度であっても異種材料間の接合を形成することが容易となる。
【０１７４】
ベース基板２１００と半導体基板２１０１を、接合層２１０４を介して貼り合わせた後は、加熱処理又は加圧処理を行うことが好ましい。加熱処理又は加圧処理を行うことで接合強度を向上させることが可能となる。加熱処理の温度は、ベース基板２１００の耐熱温度以下であって、先のイオンの照射でイオンドーピング層２１０３に含ませた元素が離脱する温度であることが好ましい。加圧処理においては、接合面に垂直な方向に圧力が加わるように行い、ベース基板２１００及び半導体基板２１０１の耐圧性を考慮して行う。
【０１７５】
図１６において、ベース基板２１００と半導体基板２１０１を貼り合わせた後、熱処理を行い、イオンドーピング層２１０３を劈開面として半導体基板２１０１をベース基板２１００から分離する。熱処理の温度は接合層２１０４の成膜温度以上、ベース基板２１００の耐熱温度以下で行うことが好ましい。例えば、４００℃乃至６００℃の熱処理を行うことにより、イオンドーピング層２１０３に形成された微小な空洞の体積変化が起こり、イオンドーピング層２１０３に沿って劈開することが可能となる。接合層２１０４はベース基板２１００と接合しているので、ベース基板２１００上には半導体基板２１０１と同じ結晶性のＳＯＩ層２１０２が残存することとなる。
【０１７６】
図１７はベース基板側に接合層を設けてＳＯＩ層を形成する工程を示す。図１７（Ａ）は酸化シリコン膜２１２１が形成された半導体基板２１０１に電界で加速されたイオンを所定の深さに打ち込み、イオンドーピング層２１０３を形成する工程を示している。水素、ヘリウム若しくはフッ素に代表されるハロゲンのイオンの打ち込みは図１５（Ａ）の場合と同様である。半導体基板２１０１の表面に酸化シリコン膜２１２１を形成しておくことでイオンドーピングによって表面がダメージを受け、平坦性が損なわれるのを防ぐことができる。
【０１７７】
図１７（Ｂ）は、窒化シリコン層２１０５及び接合層２１０４が形成されたベース基板２１００と半導体基板２１０１の酸化シリコン膜２１２１が形成された面を密着させて接合を形成する工程を示している。ベース基板２１００上の接合層２１０４と半導体基板２１０１の酸化シリコン膜２１２１を密着させることにより接合が形成される。
【０１７８】
その後、図１７（Ｃ）で示すように半導体基板２１０１を分離する。半導体層を分離する熱処理は図１６の場合と同様にして行う。このようにして図１４（Ｂ）で示すＳＯＩ基板を得ることができる。
【０１７９】
このように、本形態によれば、ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下のベース基板２１００であっても接合部の接着力が強固なＳＯＩ層２１０２を得ることができる。ベース基板２１００として、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスの如き無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板を適用することが可能となる。すなわち、一辺が１メートルを超える基板上に単結晶半導体層を形成することができる。このような大面積基板を使って液晶ディスプレイのような表示装置のみならず、半導体集積回路を製造することができる。
【０１８０】
図２２（Ａ）乃至（Ｃ）と図２３（Ａ）乃至（Ｂ）は、半導体基板２１０１にＢＯＸ層２１２２を設けてＳＯＩ層を形成する場合の工程を示す。図２２（Ａ）はＢＯＸ層２１２２を有する半導体基板２１０１に電界で加速されたイオンを所定の深さに打ち込み、イオンドーピング層２１０３を形成する工程を示している。水素、ヘリウム若しくはフッ素に代表されるハロゲンのイオンの打ち込みは図１５（Ａ）の場合と同様である。ここで、イオン分布のピーク位置がＢＯＸ層２１２２となるようにする。つまり、イオンドーピング層２１０３がＢＯＸ層２１２２の中となる。
【０１８１】
図２２（Ｂ）は、ベース基板と接合を形成する面に接合層２１０４として酸化シリコン膜を形成する工程を示す。酸化シリコン膜としては上述のように有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜が好ましい。その他に、シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜を適用することもできる。化学気相成長法による成膜では、単結晶半導体基板に形成したイオンドーピング層２１０３から脱ガスが起こらない温度として、例えば３５０℃以下の成膜温度が適用される。また、単結晶若しくは多結晶半導体基板からＳＯＩ層を分離する熱処理は、成膜温度よりも高い熱処理温度が適用される。
【０１８２】
図２２（Ｃ）は、ベース基板２１００と半導体基板２１０１の接合層２１０４が形成された面とを密接させ、この両者を接合させる工程を示す。接合を形成する面は、十分に清浄化しておく。そして、ベース基板２１００と接合層２１０４を密着させることにより接合が形成される。この接合はファン・デル・ワールス力が作用しており、ベース基板２１００と半導体基板２１０１とを圧接することで水素結合により強固な接合を形成することが可能である。
【０１８３】
良好な接合を形成するために、表面を活性化しておいても良い。例えば、接合を形成する面に原子ビーム若しくはイオンビームを照射する。原子ビーム若しくはイオンビームを利用する場合には、アルゴン等の不活性ガス中性原子ビーム若しくは不活性ガスイオンビームを用いることができる。その他に、プラズマ照射若しくはラジカル処理を行う。このような表面処理により２００℃乃至４００℃の温度であっても異種材料間の接合を形成することが容易となる。
【０１８４】
ベース基板２１００と半導体基板２１０１を、接合層２１０４を介して貼り合わせた後は、加熱処理又は加圧処理を行うことが好ましい。加熱処理又は加圧処理を行うことで接合強度を向上させることが可能となる。加熱処理の温度は、ベース基板２１００の耐熱温度以下であることが好ましい。加圧処理においては、接合面に垂直な方向に圧力が加わるように行い、ベース基板２１００及び半導体基板２１０１の耐圧性を考慮して行う。
【０１８５】
図２３（Ａ）において、ベース基板２１００と半導体基板２１０１を貼り合わせた後、熱処理を行い、イオンドーピング層２１０３を劈開面として半導体基板２１０１をベース基板２１００から分離する。熱処理の温度は接合層２１０４の成膜温度以上、ベース基板２１００の耐熱温度以下で行うことが好ましい。例えば、４００℃乃至６００℃の熱処理を行うことにより、イオンドーピング層２１０３に形成された微小な空洞の堆積変化が起こり、イオンドーピング層２１０３に沿って劈開することが可能となる。接合層２１０４はベース基板２１００と接合しているので、ベース基板２１００上には半導体基板２１０１と同じ結晶性のＳＯＩ層２１０２が残存することとなる。
【０１８６】
図２３（Ｂ）は、半導体基板２１０１に残存するＢＯＸ層２１２２を希フッ酸でウエットエッチングして除去する工程を示す。
【０１８７】
図２２（Ａ）乃至（Ｃ）と図２３（Ａ）乃至（Ｂ）とに示した工程では、分離する面のダングリングボンド、結晶欠陥などは、ＢＯＸ層２１２２に発生する。つまり、半導体基板２１０１が有する半導体層には、ダングリングボンド、結晶欠陥などが発生しない。そして、ＢＯＸ層２１２２を除去することによって、半導体層の膜厚均一性を損なうことを防止することができる。
【０１８８】
次いで、ＳＯＩ基板を用いた半導体装置について図１８と図１９を参照して説明する。図１８（Ａ）において、ベース基板２１００に接合層２１０４を介してＳＯＩ層２１０２が設けられている。ＳＯＩ層２１０２上には、素子形成領域に合わせて窒化シリコン層２１０５、酸化シリコン層２１０６を形成する。酸化シリコン層２１０６は、素子分離のためにＳＯＩ層２１０２をエッチングするときのハードマスクとして用いる。窒化シリコン層２１０５はエッチングストッパーである。
【０１８９】
ＳＯＩ層２１０２の膜厚は５ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ乃至２００ｎｍの厚さとすることが好ましい。ＳＯＩ層２１０２の厚さは、図１５で説明したイオンドーピング層２１０３の深さを制御することにより適宜設定できる。ＳＯＩ層２１０２にはしきい値電圧を制御するために、硼素、アルミニウム、ガリウムなどのｐ型不純物を添加する。例えば、ｐ型不純物として硼素を５×１０１６ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３以下の濃度で添加すれば良い。
【０１９０】
図１８（Ｂ）は、酸化シリコン層２１０６をマスクとしてＳＯＩ層２１０２、接合層２１０４をエッチングする工程である。ＳＯＩ層２１０２及び接合層２１０４の露出した端面に対してプラズマ処理により窒化する。この窒化処理により、少なくともＳＯＩ層２１０２の周辺端部には窒化シリコン層２１０７が形成される。窒化シリコン層２１０７は絶縁性であり、ＳＯＩ層２１０２の端面でのリーク電流が流れるのを防止する効果がある。また、耐酸化作用があるので、ＳＯＩ層２１０２と接合層２１０４との間に、端面から酸化膜が成長してバーズビークが形成されるのを防ぐことができる。
【０１９１】
図１８（Ｃ）は、素子分離絶縁層２１０８を堆積する工程である。素子分離絶縁層２１０８はＴＥＯＳを用いて酸化シリコン膜を化学気相成長法で堆積する。素子分離絶縁層２１０８はＳＯＩ層２１０２が埋め込まれるように厚く堆積する。
【０１９２】
図１８（Ｄ）は窒化シリコン層２１０５が露出するまで素子分離絶縁層２１０８を除去する工程を示している。この除去工程は、ドライエッチングによって行うこともできるし、化学的機械研磨によって行っても良い。窒化シリコン層２１０５はエッチングストッパーとなる。素子分離絶縁層２１０８はＳＯＩ層２１０２の間に埋め込まれるように残存する。窒化シリコン層２１０５はその後除去する。
【０１９３】
図１８（Ｅ）において、ＳＯＩ層２１０２が露出した後ゲート絶縁層２１０９、ゲート電極２１１０、サイドウオール絶縁層２１１１を形成し、第１不純物領域２１１２、第２不純物領域２１１３を形成する。絶縁層２１１４は窒化シリコンで形成し、ゲート電極２１１０をエッチングするときのハードマスクとして用いる。
【０１９４】
図１９（Ａ）において、層間絶縁層２１１５を形成する。層間絶縁層２１１５はＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜を形成してリフローにより平坦化させる。また、ＴＥＯＳを用いて酸化シリコン膜を形成し化学的機械研磨処理によって平坦化しても良い。平坦化処理においてゲート電極２１１０上の絶縁層２１１４はエッチングストッパーとして機能する。層間絶縁層２１１５にはコンタクトホール２１１６を形成する。コンタクトホール２１１６は、サイドウオール絶縁層２１１１を利用してセルフアラインコンタクトの構成となっている。
【０１９５】
その後、図１９（Ｂ）で示すように、六フッ化タングステンを用い、ＣＶＤ法でコンタクトプラグ２１１７を形成する。さらに絶縁層２１１８を形成し、コンタクトプラグ２１１７に合わせて開口を形成して配線２１１９を設ける。配線２１１９はアルミニウム若しくはアルミニウム合金で形成し、上層と下層にはバリアメタルとしてモリブデン、クロム、チタンなどの金属膜で形成する。
【０１９６】
このように、ベース基板２１００に接合されたＳＯＩ層２１０２を用いて電界効果トランジスタを作製することができる。本形態に係るＳＯＩ層２１０２は、結晶方位が一定の単結晶半導体であるため、均一で高性能な電界効果トランジスタを得ることができる。すなわち、閾値電圧や移動度などトランジスタ特性として重要な特性値の不均一性を抑制し、高移動化などの高性能化を達成することができる。
【０１９７】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１９８】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１９９】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０２００】
（実施の形態５）
ＳＯＩ基板の製造方法について実施の形態４とは別の方法について図２０と図２１を参照して説明する。図２０（Ａ）は、自然酸化膜が除去された単結晶シリコン基板２３０１にＳｉＨ４ガスとＮ２Ｏガスを用い、プラズマＣＶＤ法で１００ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜２３０５を形成する。さらにＳｉＨ４ガス、Ｎ２Ｏガス及びＮＨ３ガスを用い、５０ｎｍの厚さで窒化酸化シリコン膜２３０６を成膜する。
【０２０１】
そして、図２０（Ｂ）で示すように、窒化酸化シリコン膜２３０６の表面からイオンドーピング装置を用い水素イオンを打ち込む。イオンドーピング装置はイオン化したガスを質量分離せず、そのまま電界で加速して基板に打ち込む方式である。この装置を用いると、大面積基板であっても高効率に高ドーズのイオンドーピングを行うことができる。本例では、水素をイオン化して単結晶シリコン基板２３０１にイオンドーピング層２３０３を形成する。イオンドーピングは加速電圧８０ｋＶで、ドーズ量は２×１０１６／ｃｍ２として行う。
【０２０２】
この場合、一又は複数の同一の原子から成る質量数の異なるイオンを打ち込むことが好ましい。水素イオンを打ち込む場合には、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンを含ませると共に、Ｈ３＋イオンの割合を約８０％にまで高めておくことが好ましい。このように質量数が小さく高次のイオンを単結晶シリコン基板２３０１に多く含ませることにより、熱処理工程においてイオンドーピング層２３０３の劈開を容易なものとすることができる。この場合において、単結晶シリコン基板２３０１のイオンドーピング面に窒化酸化シリコン膜２３０６及び酸化窒化シリコン膜２３０５を設けておくことで、イオンドーピングにより単結晶シリコン基板２３０１の表面荒れを防ぐことができる。
【０２０３】
次に、図２０（Ｃ）で示すように窒化酸化シリコン膜２３０６上に酸化シリコン膜２３０４を形成する。酸化シリコン膜２３０４はプラズマＣＶＤ法で、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素ガスを用いて５０ｎｍの厚さで成膜する。成膜温度は３５０℃以下として、イオンドーピング層２３０３から水素が離脱しないようにする。
【０２０４】
図２０（Ａ）は、オゾン含有水を用いて超音波洗浄されたガラス基板２３００と単結晶シリコン基板２３０１を、酸化シリコン膜２３０４を挟んで重ね合わせ、押圧することで接合を形成する工程を示している。その後、窒素雰囲気中で、４００℃の熱処理を１０分間行い、さらに５００℃にて２時間の熱処理を行い、さらに４００℃で数時間保持した後、室温まで徐冷した。これによりイオンドーピング層２３０３に亀裂を形成させて単結晶シリコン基板２３０１を分離させると共に、酸化シリコン膜２３０４とガラス基板２３００との接合を強固なものとすることができる。
【０２０５】
このようにしてガラス基板２３００上に単結晶シリコン層２３０２を、ガラス基板２３００が歪まない温度で形成することができる。本例で作製される単結晶シリコン層２３０２はガラス基板２３００と強固に接合しており、テープ剥離試験を行っても該シリコン層が剥離することはない。すなわち、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスの如き無アルカリガラスと呼ばれる電子工業用に使われる各種ガラス基板上に単結晶シリコン層を設けることが可能となり、一辺が１メートルを超える基板を使って様々な集積回路、表示装置を製造することが可能となる。
【０２０６】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２０７】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２０８】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０２０９】
（実施の形態６）
本実施形態においては、表示装置の画素構造について説明する。特に、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の画素構造について説明する。
【０２１０】
図４０（Ａ）は、１つの画素に２つのトランジスタを有する画素の上面図（レイアウト図）の一例である。図４０（Ｂ）は、図４０（Ａ）に示すＸ−Ｘ’の部分の断面図の一例である。
【０２１１】
図４０は、第１のトランジスタ６０１０５、第１の配線６０１０６、第２の配線６０１０７、第２のトランジスタ６０１０８、第３の配線６０１１１、対向電極６０１１２、コンデンサ６０１１３、画素電極６０１１５、隔壁６０１１６、有機導電体膜６０１１７、有機薄膜６０１１８及び基板６０１１９を示している。なお、第１のトランジスタ６０１０５はスイッチング用トランジスタとして、第１の配線６０１０６はゲート信号線として、第２の配線６０１０７はソース信号線として、第２のトランジスタ６０１０８は駆動用トランジスタとして、第３の配線６０１１１は電流供給線として、それぞれ用いられるのが好適である。
【０２１２】
第１のトランジスタ６０１０５のゲート電極は、第１の配線６０１０６と電気的に接続され、第１のトランジスタ６０１０５のソース電極及びドレイン電極の一方は、第２の配線６０１０７と電気的に接続され、第１のトランジスタ６０１０５のソース電極及びドレイン電極の他方は、第２のトランジスタ６０１０８のゲート電極及びコンデンサ６０１１３の一方の電極と電気的に接続されている。なお、第１のトランジスタ６０１０５のゲート電極は、複数のゲート電極によって構成されている。こうすることで、第１のトランジスタ６０１０５のオフ状態におけるリーク電流を低減することができる。
【０２１３】
第２のトランジスタ６０１０８のソース電極及びドレイン電極の一方は、第３の配線６０１１１と電気的に接続され、第２のトランジスタ６０１０８のソース電極及びドレイン電極の他方は、画素電極６０１１５と電気的に接続されている。こうすることで、画素電極６０１１５に流れる電流を、第２のトランジスタ６０１０８によって制御することができる。
【０２１４】
画素電極６０１１５上には、有機導電体膜６０１１７が設けられ、さらに有機薄膜６０１１８（有機化合物層）が設けられている。有機薄膜６０１１８（有機化合物層）上には、対向電極６０１１２が設けられている。なお、対向電極６０１１２は、全ての画素で共通に接続されるように、一面に形成されていてもよく、シャドーマスクなどを用いてパターン形成されていてもよい。
【０２１５】
有機薄膜６０１１８（有機化合物層）から発せられた光は、画素電極６０１１５又は対向電極６０１１２のうちいずれかを透過して発せられる。
【０２１６】
図４０（Ｂ）において、画素電極側、すなわちトランジスタ等が形成されている側に光が発せられる場合を下面放射、対向電極側に光が発せられる場合を上面放射と呼ぶ。
【０２１７】
下面放射の場合、画素電極６０１１５は透明導電膜によって形成されるのが好適である。逆に、上面放射の場合、対向電極６０１１２は透明導電膜によって形成されるのが好適である。
【０２１８】
カラー表示の発光装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光色を持つＥＬ素子を塗り分けても良いし、単色のＥＬ素子を一面に塗り、カラーフィルタによってＲ，Ｇ，Ｂの発光を得るようにしても良い。
【０２１９】
なお、図４０に示した構成はあくまで一例であり、画素レイアウト、断面構成、ＥＬ素子の電極の積層順等に関して、図４０に示した構成以外にも、様々な構成をとることができる。また、発光層は、図示した有機薄膜で構成される素子の他に、ＬＥＤのような結晶性の素子、無機薄膜で構成される素子など、様々な素子を用いることができる。
【０２２０】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２２１】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２２２】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【０２２３】
（実施の形態７）
本実施形態においては、電子機器の例について説明する。
【０２２４】
図２４は表示パネル９００１０１と、回路基板９００１１１を組み合わせた表示パネルモジュールを示している。表示パネル９００１０１は画素部９００１０２、走査線駆動回路９００１０３及び信号線駆動回路９００１０４を有している。回路基板９００１１１には、例えば、コントロール回路９００１１２及び信号分割回路９００１１３などが形成されている。表示パネル９００１０１と回路基板９００１１１とは接続配線９００１１４によって接続されている。接続配線にはＦＰＣ等を用いることができる。
【０２２５】
表示パネル９００１０１は、画素部９００１０２と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などで表示パネル９００１０１に実装してもよい。こうすることで、回路基板９００１１１の面積を削減でき、小型の表示装置を得ることができる。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）又はプリント基板を用いて表示パネル９００１０１に実装してもよい。こうすることで、表示パネル９００１０１の面積を小さくできるので、額縁サイズの小さい表示装置を得ることができる。
【０２２６】
例えば、消費電力の低減を図るため、ガラス基板上にトランジスタを用いて画素部を形成し、全ての周辺駆動回路をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ又はＴＡＢで表示パネルに実装してもよい。
【０２２７】
図２４に示した表示パネルモジュールによって、テレビ受像機を完成させることができる。図２５は、テレビ受像機の主要な構成を示すブロック図である。チューナ９００２０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路９００２０２と、映像信号増幅回路９００２０２から出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路９００２０３と、その映像信号を駆動回路の入力仕様に変換するためのコントロール回路９００２１２により処理される。コントロール回路９００２１２は、走査線駆動回路９００２１４と信号線駆動回路９００２１５にそれぞれ信号を出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路９００２１３を設け、入力デジタル信号をｍ個（ｍは正の整数）に分割して供給する構成としても良い。走査線駆動回路９００２１４及び信号線駆動回路９００２１５は、表示パネル９００２１６に電気的に接続する。
【０２２８】
チューナ９００２０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路９００２０５に送られ、その出力は音声信号処理回路９００２０６を経てスピーカ９００２０７に供給される。制御回路９００２０８は受信局（受信周波数）及び音量の制御情報を入力部９００２０９から受け、チューナ９００２０１又は音声信号処理回路９００２０６に信号を送出する。
【０２２９】
図２５とは別の形態の表示パネルモジュールを組み込んだテレビ受像器について図２６（Ａ）に示す。図２６（Ａ）において、筐体９００３０１内に収められた表示画面９００３０２は、表示パネルモジュールで形成される。なお、スピーカ９００３０３、操作スイッチ９００３０４、入力手段９００３０５、センサ９００３０６（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００３０７などが適宜備えられていてもよい。
【０２３０】
図２６（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体９００３１２にはバッテリー及び信号受信器が収められており、そのバッテリーで表示部９００３１３、スピーカ部９００３１７、センサ９００３１９（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）及びマイクロフォン９００３２０を駆動させる。バッテリーは充電器９００３１０で繰り返し充電が可能となっている。充電器９００３１０は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。図２６（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６によって制御される。あるいは、図２６（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６を操作することによって、充電器９００３１０に信号を送ることが可能である。つまり、映像音声双方向通信装置であってもよい。あるいは、図２６（Ｂ）に示す装置は、操作キー９００３１６を操作することによって、充電器９００３１０に信号を送り、さらに充電器９００３１０が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能である。つまり、汎用遠隔制御装置であってもよい。なお、入力手段９００３１８などが適宜備えられていてもよい。なお、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を表示部９００３１３に適用することができる。
【０２３１】
図２７（Ａ）は、表示パネル９００４０１とプリント配線基板９００４０２を組み合わせたモジュールを示している。表示パネル９００４０１は、複数の画素が設けられた画素部９００４０３と、第１の走査線駆動回路９００４０４、第２の走査線駆動回路９００４０５と、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路９００４０６を備えていてもよい。
【０２３２】
プリント配線基板９００４０２には、タイミングコントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、メモリ９００４０９、電源回路９００４１０、音声処理回路９００４１１及び送受信回路９００４１２などが備えられている。プリント配線基板９００４０２と表示パネル９００４０１は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３により接続されている。フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）９００４１３には、保持容量、バッファ回路などを設け、電源電圧又は信号にノイズの発生、及び信号の立ち上がり時間の増大を防ぐ構成としても良い。なお、タイミングコントローラ９００４０７、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１０などは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル９００４０１に実装することもできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板９００４０２の規模を縮小することができる。
【０２３３】
プリント配線基板９００４０２に備えられたインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１４を介して、各種制御信号の入出力が行われる。そして、アンテナとの間の信号の送受信を行うためのアンテナ用ポート９００４１５が、プリント配線基板９００４０２に設けられている。
【０２３４】
図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ９００４０９としてＶＲＡＭ９００４１６、ＤＲＡＭ９００４１７、フラッシュメモリ９００４１８などが含まれている。ＶＲＡＭ９００４１６にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ９００４１７には画像データ又は音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。
【０２３５】
電源回路９００４１０は、表示パネル９００４０１、タイミングコントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９、送受信回路９００４１２を動作させる電力を供給する。ただし、パネルの仕様によっては、電源回路９００４１０に電流源が備えられている場合もある。
【０２３６】
中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８は、制御信号生成回路９００４２０、デコーダ９００４２１、レジスタ９００４２２、演算回路９００４２３、ＲＡＭ９００４２４、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８用のインターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９などを有している。インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１９を介して中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ９００４２２に保持された後、演算回路９００４２３、デコーダ９００４２１などに入力される。演算回路９００４２３では、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ９００４２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路９００４２０に入力される。制御信号生成回路９００４２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路９００４２３において指定された場所、具体的にはメモリ９００４０９、送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、タイミングコントローラ９００４０７などに送る。
【０２３７】
メモリ９００４０９、送受信回路９００４１２、音声処理回路９００４１１、タイミングコントローラ９００４０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
【０２３８】
入力手段９００４２５から入力された信号は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）部９００４１４を介してプリント配線基板９００４０２に実装された中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８に送られる。制御信号生成回路９００４２０は、ポインティングデバイス又はキーボードなどの入力手段９００４２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ９００４１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、タイミングコントローラ９００４０７に送付する。
【０２３９】
タイミングコントローラ９００４０７は、パネルの仕様に合わせて中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル９００４０１に供給する。タイミングコントローラ９００４０７は、電源回路９００４１０から入力された電源電圧、又は中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ  Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル９００４０１に供給する。
【０２４０】
送受信回路９００４１２では、アンテナ９００４２８において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいてもよい。送受信回路９００４１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８からの命令に従って、音声処理回路９００４１１に送られる。
【０２４１】
中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路９００４１１において音声信号に復調され、スピーカ９００４２７に送られる。マイク９００４２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路９００４１１において変調され、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８からの命令に従って、送受信回路９００４１２に送られる。
【０２４２】
タイミングコントローラ９００４０７、中央処理装置（ＣＰＵ）９００４０８、電源回路９００４１０、音声処理回路９００４１１、メモリ９００４０９を、本実施形態のパッケージとして実装することができる。
【０２４３】
勿論、本実施の形態はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅又は空港などにおける情報表示盤、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することができる。
【０２４４】
次に、図２８を参照して、携帯電話の構成例について説明する。
【０２４５】
表示パネル９００５０１はハウジング９００５３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング９００５３０は表示パネル９００５０１のサイズに合わせて、形状又は寸法を適宜変更することができる。表示パネル９００５０１を固定したハウジング９００５３０はプリント基板９００５３１に嵌入されモジュールとして組み立てられる。
【０２４６】
表示パネル９００５０１はＦＰＣ９００５１３を介してプリント基板９００５３１に接続される。プリント基板９００５３１には、スピーカ９００５３２、マイクロフォン９００５３３、送受信回路９００５３４、ＣＰＵ、タイミングコントローラなどを含む信号処理回路９００５３５及びセンサ９００５４１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）が形成されている。このようなモジュールと、入力手段９００５３６、バッテリー９００５３７を組み合わせ、筐体９００５３９に収納する。筐体９００５３９にはアンテナ９００５４０が設けられている。表示パネル９００５０１の画素部は筐体９００５３９に形成された開口窓から視認できように配置する。
【０２４７】
表示パネル９００５０１は、画素部と一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の低い駆動回路）を基板上にトランジスタを用いて一体形成し、一部の周辺駆動回路（複数の駆動回路のうち動作周波数の高い駆動回路）をＩＣチップ上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で表示パネル９００５０１に実装しても良い。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）又はプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このような構成とすることで、携帯電話の低消費電力化を図り、携帯電話機の一回の充電による使用時間を長くすることができる。携帯電話機の低コスト化を図ることができる。
【０２４８】
図２８に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバイブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発生する機能を有する。なお、図２８に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２４９】
図２９で示す携帯電話機は、操作スイッチ９００６０４、マイクロフォン９００６０５、入力手段９００６１２などが備えられた本体（Ａ）９００６０１と、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パネル（Ｂ）９００６０９、スピーカ９００６０６、センサ９００６１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）などが備えられた本体（Ｂ）９００６０２とが、蝶番９００６１０で開閉可能に連結されている。表示パネル（Ａ）９００６０８と表示パネル（Ｂ）９００６０９は、回路基板９００６０７と共に本体（Ｂ）９００６０２の筐体９００６０３の中に収納される。表示パネル（Ａ）９００６０８及び表示パネル（Ｂ）９００６０９の画素部は筐体９００６０３に形成された開口窓から視認できるように配置される。
【０２５０】
表示パネル（Ａ）９００６０８と表示パネル（Ｂ）９００６０９は、その携帯電話機９００６００の機能に応じて画素数などの仕様を適宜設定することができる。例えば、表示パネル（Ａ）９００６０８を主画面とし、表示パネル（Ｂ）９００６０９を副画面として組み合わせることができる。
【０２５１】
本実施形態に係る携帯電話機は、その機能又は用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、蝶番９００６１０の部位に撮像素子を組み込んで、カメラ付きの携帯電話機としても良い。操作スイッチ９００６０４、表示パネル（Ａ）９００６０８、表示パネル（Ｂ）９００６０９を一つの筐体内に納めた構成としても、上記した作用効果を奏することができる。表示部を複数個そなえた情報表示端末に本実施形態の構成を適用しても、同様な効果を得ることができる。
【０２５２】
図２９に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能を有する。表示部に表示した情報を操作又は編集する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて他の携帯電話、固定電話又は音声通信機器と通話する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じてバイブレータが動作する機能を有する。着信、データの受信、又はアラームに応じて音が発生する機能を有する。なお、図２９に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２５３】
本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０２５４】
図３０（Ａ）はディスプレイであり、筐体９００７１１、支持台９００７１２、表示部９００７１３、入力手段９００７１４、センサ９００７１５（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００７１６、スピーカ９００７１７、操作キー９００７１８、ＬＥＤランプ９００７１９等を含む。図３０（Ａ）に示すディスプレイは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図３０（Ａ）に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２５５】
図３０（Ｂ）はカメラであり、本体９００７３１、表示部９００７３２、受像部９００７３３、操作キー９００７３４、外部接続ポート９００７３５、シャッターボタン９００７３６、入力手段９００７３７、センサ９００７３８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００７３９、スピーカ９００７４０、ＬＥＤランプ９００７４１等を含む。図３０（Ｂ）に示すカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。撮影した画像（静止画、動画）を自動で補正する機能を有する。撮影した画像を記録媒体（外部又はデジタルカメラに内蔵）に保存する機能を有する。撮影した画像を表示部に表示する機能を有する。なお、図３０（Ｂ）に示すカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２５６】
図３０（Ｃ）はコンピュータであり、本体９００７５１、筐体９００７５２、表示部９００７５３、キーボード９００７５４、外部接続ポート９００７５５、ポインティングデバイス９００７５６、入力手段９００７５７、センサ９００７５８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００７５９、スピーカ９００７６０、ＬＥＤランプ９００７６１、リーダ／ライタ９００７６２等を含む。図３０（Ｃ）に示すコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信又は有線通信などの通信機能を有する。通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図３０（Ｃ）に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２５７】
図３７（Ａ）はモバイルコンピュータであり、本体９０１４１１、表示部９０１４１２、スイッチ９０１４１３、操作キー９０１４１４、赤外線ポート９０１４１５、入力手段９０１４１６、センサ９０１４１７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１４１８、スピーカ９０１４１９、ＬＥＤランプ９０１４２０等を含む。図３７（Ａ）に示すモバイルコンピュータは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。表示部にタッチパネルの機能を有する。カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能を表示部に有する。様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能を有する。無線通信機能を有する。無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能を有する。無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能を有する。なお、図３７（Ａ）に示すモバイルコンピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２５８】
図３７（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、本体９０１４３１、筐体９０１４３２、表示部Ａ９０１４３３、表示部Ｂ９０１４３４、記録媒体読み込み部９０１４３５（ＤＶＤ等）、操作キー９０１４３６、スピーカ部９０１４３７、入力手段９０１４３８、センサ９０１４３９（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１４４０、ＬＥＤランプ９０１４４１等を含む。表示部Ａ９０１４３３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ９０１４３４は主として文字情報を表示することができる。
【０２５９】
図３７（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体９０１４５１、表示部９０１４５２、イヤホン９０１４５３、支持部９０１４５４、入力手段９０１４５５、センサ９０１４５６（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１４５７、スピーカ９０１４５８、ＬＥＤランプ９０１４５９等を含む。図３７（Ｃ）に示すゴーグル型ディスプレイは、外部から取得した画像（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能を有する。なお、図３７（Ｃ）に示すゴーグル型ディスプレイが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２６０】
図３８（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９０１５１１、表示部９０１５１２、スピーカ部９０１５１３、操作キー９０１５１４、記憶媒体挿入部９０１５１５、入力手段９０１５１６、センサ９０１５１７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１５１８、ＬＥＤランプ９０１５１９等を含む。図３８（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図３８（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２６１】
図３８（Ｂ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、本体９０１５３１、表示部９０１５３２、操作キー９０１５３３、スピーカ９０１５３４、シャッターボタン９０１５３５、受像部９０１５３６、アンテナ９０１５３７、入力手段９０１５３８、センサ９０１５３９（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１５４０、ＬＥＤランプ９０１５４１等を含む。図３８（Ｂ）に示すテレビ受像機付きデジタルカメラは、静止画を撮影する機能を有する。動画を撮影する機能を有する。撮影した画像を自動で補正する機能を有する。アンテナから様々な情報を取得する機能を有する。撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を保存する機能を有する。撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示する機能を有する。なお、図３８（Ｂ）に示すテレビ受像機付きデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２６２】
図３９は携帯型遊技機であり、筐体９０１６１１、第１表示部９０１６１２、第２表示部９０１６１３、スピーカ部９０１６１４、操作キー９０１６１５、記録媒体挿入部９０１６１６、入力手段９０１６１７、センサ９０１６１８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９０１６１９、ＬＥＤランプ９０１６２０等を含む。図３９に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能を有する。他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図３９に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２６３】
図３０（Ａ）乃至（Ｃ）、図３７（Ａ）乃至（Ｃ）、図３８（Ａ）乃至（Ｂ）、及び図３９に示したように、電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。電子機器は、２つの表示パネルを具備する構成であれば、一方の表示パネルに（すなわち、一方の表示パネルの表示領域の周辺部）、当該表示パネルの動作に必要な、若しくは当該表示パネルが組み込まれる電子機器に必要な回路を形成することにより、電子機器を小型化することができる。表示部に実装する電子部品を少なくできるので、電子機器を薄型化することができる。
【０２６４】
次に、半導体装置の応用例を説明する。
【０２６５】
図３１に、半導体装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図３１は、筐体９００８１０、表示部９００８１１、操作部であるリモコン装置９００８１２、スピーカ部９００８１３等を含む。半導体装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
【０２６６】
図３２に、建造物内に半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。表示パネル９００９０１は、ユニットバス９００９０２と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル９００９０１の視聴が可能になる。表示パネル９００９０１は入浴者が操作することで情報を表示する機能を有する。広告又は娯楽手段として利用できる機能を有する。
【０２６７】
なお、半導体装置は、図３２で示したユニットバス９００９０２の側壁だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、鏡面の一部又は浴槽自体と一体にするなどとしてもよい。このとき、表示パネル９００９０１の形状は、鏡面又は浴槽の形状に合わせたものとなっていてもよい。
【０２６８】
図３３に、半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示す。表示パネル９０１００２は、柱状体９０１００１の曲面に合わせて湾曲させて取り付けられている。なお、ここでは柱状体９０１００１を電柱として説明する。
【０２６９】
図３３に示す表示パネル９０１００２は、人間の視点より高い位置に設けられている。電柱のように屋外で繰り返し林立している建造物に表示パネル９０１００２を設置することで、不特定多数の視認者に広告を行なうことができる。ここで、表示パネル９０１００２は、外部からの制御により、同じ画像を表示させること、及び瞬時に画像を切替えることが容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が期待できる。表示パネル９０１００２に自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても、視認性の高い表示媒体として有用であるといえる。電柱に設置することで、表示パネル９０１００２の電力供給手段の確保が容易である。災害発生時などの非常事態の際には、被災者に素早く正確な情報を伝達する手段ともなり得る。
【０２７０】
なお、表示パネル９０１００２としては、たとえば、フィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設けて表示素子を駆動することにより画像の表示を行なう表示パネルを用いることができる。
【０２７１】
なお、本実施形態において、建造物として壁、柱状体、ユニットバスを例としたが、本実施形態はこれに限定されず、様々な建造物に半導体装置を設置することができる。
【０２７２】
次に、半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。
【０２７３】
図３４は、半導体装置を、自動車と一体にして設けた例について示した図である。表示パネル９０１１０２は、自動車の車体９０１１０１と一体に取り付けられており、車体の動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能を有していてもよい。
【０２７４】
なお、半導体装置は、図３４で示した車体９０１１０１だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、ガラス窓、ドア、ハンドル、シフトレバー、座席シート、ルームミラー等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０１１０２の形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。
【０２７５】
図３５は、半導体装置を、列車車両と一体にして設けた例について示した図である。
【０２７６】
図３５（ａ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスに表示パネル９０１２０２を設けた例について示した図である。従来の紙による広告に比べて、広告切替えの際に必要となる人件費がかからないという利点がある。表示パネル９０１２０２は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、たとえば、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替えることができ、より効果的な広告効果が期待できる。
【０２７７】
図３５（ｂ）は、列車車両のドア９０１２０１のガラスの他に、ガラス窓９０１２０３、及び天井９０１２０４に表示パネル９０１２０２を設けた例について示した図である。このように、半導体装置は、従来では設置が困難であった場所に容易に設置することが可能であるため、効果的な広告効果を得ることができる。半導体装置は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、広告切替え時のコスト及び時間が削減でき、より柔軟な広告の運用及び情報伝達が可能となる。
【０２７８】
なお、半導体装置は、図３５で示したドア９０１２０１、ガラス窓９０１２０３、及び天井９０１２０４だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、つり革、座席シート、てすり、床等と一体にしてもよい。このとき、表示パネル９０１２０２の形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。
【０２７９】
図３６は、半導体装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図である。
【０２８０】
図３６（ａ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井９０１３０１に表示パネル９０１３０２を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示パネル９０１３０２は、天井９０１３０１とヒンジ部９０１３０３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部９０１３０３の伸縮により乗客は表示パネル９０１３０２の視聴が可能になる。表示パネル９０１３０２は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。広告又は娯楽手段として利用できる機能を有する。図３６（ｂ）に示すように、ヒンジ部を折り曲げて天井９０１３０１に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる。なお、緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させることで、情報伝達手段及び誘導灯としても利用可能である。
【０２８１】
なお、半導体装置は、図３６で示した天井９０１３０１だけではなく、様々な場所に設置することができる。たとえば、座席シート、座席テーブル、肘掛、窓等と一体にしてもよい。多数の人が同時に視聴できる大型の表示パネルを、機体の壁に設置してもよい。このとき、表示パネル９０１３０２の形状は、設置するもの形状に合わせたものとなっていてもよい。
【０２８２】
なお、本実施形態において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体について例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。半導体装置は、外部からの信号により、移動体内における表示パネルの表示を瞬時に切り替えることが可能であるため、移動体に半導体装置を設置することにより、移動体を不特定多数の顧客を対象とした広告表示板、災害発生時の情報表示板、等の用途に用いることが可能となる。
【０２８３】
なお本実施の形態で示した構成のうち、表示パネルを単数または表示パネルを複数具備するものを併せて説明したが、上記実施の形態で説明したように、第１の表示パネル及び第２の表示パネルを具備する構成であってもよい。なお、第１の表示パネル及び第２の表示パネルを具備する構成の場合には、第１の表示パネルの背中合わせに第２の表示パネルを具備する構成とすることにより、表示モジュールをコンパクトにすることができるため、電子機器の小型化を図ることができる。
【０２８４】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２８５】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２８６】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、又は置き換えを自由に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０２８７】
【図１】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図２】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図３】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図４】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図５】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図６】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図７】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図８】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図９】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図１０】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図１１】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図１２】本発明の表示モジュールの構成を示す図。
【図１３】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１４】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１５】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１６】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１７】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１８】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図１９】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図２０】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図２１】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図２２】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図２３】本発明に用いられるＳＯＩ基板を説明する図。
【図２４】本発明の電子機器について説明する図。
【図２５】本発明の電子機器について説明する図。
【図２６】本発明の電子機器について説明する図。
【図２７】本発明の電子機器について説明する図。
【図２８】本発明の電子機器について説明する図。
【図２９】本発明の電子機器について説明する図。
【図３０】本発明の電子機器について説明する図。
【図３１】本発明の電子機器について説明する図。
【図３２】本発明の電子機器について説明する図。
【図３３】本発明の電子機器について説明する図。
【図３４】本発明の電子機器について説明する図。
【図３５】本発明の電子機器について説明する図。
【図３６】本発明の電子機器について説明する図。
【図３７】本発明の電子機器について説明する図。
【図３８】本発明の電子機器について説明する図。
【図３９】本発明の電子機器について説明する図。
【図４０】本発明の画素について説明する図。
【符号の説明】
【０２８８】
１０２    第１表示パネル
１０４    第２表示パネル
１０６    信号処理回路基板
１０８    ＩＣチップ
１１０    センサチップ
１１２    端子
１１４    可撓性基板
１１６    配線
１１８    端子
１２０    導電性部材
１２２    基板
１２４    表示部
１２６    信号線駆動回路
１２８    走査線駆動回路
１３０    基板
１３２    封止材
１３４    端子
１３６    表示部
１３８    走査線駆動回路
１４０    信号線駆動回路
１４２    基板
１４４    基板
１４８    端子
３０２    表示パネル
３０４    表示パネル
３０６    偏光板
３０８    バックライトユニット
３１０    光源
３１２    遮光板
３１８    端子
３２２    基板
３２４    表示部
３２６    信号線駆動回路
３２８    走査線駆動回路
３３０    基板
３３２    シール材
３３４    端子
３３６    表示部
３４０    駆動回路
３４２    基板
３４８    端子
４０１    回路ユニット
１０８ｃ    ＣＰＵ
１０８ｄ    メモリ
１０８ｅ    電源ＩＣ
１０８ｆ    パワートランジスタ
１０８ｇ    コンデンサ
１０８ｈ    コイル
１１０１    外部ＩＣ
１１０ａ    ＣＣＤモジュール
１１０ｂ    光センサ
１１１０    第１表示パネル
１１１１    レベルシフタ
１１１２    駆動部
１１１３    表示部
１１２０    第２表示パネル
１１２１    回路ユニット
１１２２    スイッチ
１１２３    駆動部
１１２４    表示部
１２４ａ    駆動素子アレイ
１２４ｂ    表示素子アレイ
１３６ａ    駆動素子アレイ
１３６ｂ    表示素子アレイ
２１００    ベース基板
２１０１    半導体基板
２１０２    ＳＯＩ層
２１０３    イオンドーピング層
２１０４    接合層
２１０５    窒化シリコン層
２１０６    酸化シリコン層
２１０７    窒化シリコン層
２１０８    素子分離絶縁層
２１０９    後ゲート絶縁層
２１１０    ゲート電極
２１１１    サイドウオール絶縁層
２１１２    不純物領域
２１１３    不純物領域
２１１４    絶縁層
２１１５    層間絶縁層
２１１６    コンタクトホール
２１１７    コンタクトプラグ
２１１８    絶縁層
２１１９    配線
２１２０    窒素含有絶縁層
２１２１    酸化シリコン膜
２１２２    ＢＯＸ層
２３００    ガラス基板
２３０１    単結晶シリコン基板
２３０２    単結晶シリコン層
２３０３    イオンドーピング層
２３０４    酸化シリコン膜
２３０５    酸化窒化シリコン膜
２３０６    窒化酸化シリコン膜
３２４ａ    駆動素子アレイ
３２４ｂ    表示素子アレイ
３２４ｃ    カラーフィルタアレイ
３３６ａ    駆動素子アレイ
３３６ｂ    表示素子アレイ
３３６ｃ    カラーフィルタアレイ
４０１ａ    タイミングコントローラ
４０１ｂ    音声・画像処理プロセッサ
４０１ｃ    ＣＰＵ
４０１ｄ    メモリ
４０１ｅ    電源ＩＣ
４０１ｆ    パワートランジスタ
４０１ｇ    コンデンサ
４０１ｈ    コイル
１１２２２    スイッチ
６０１０５    トランジスタ
６０１０６    配線
６０１０７    配線
６０１０８    トランジスタ
６０１１１    配線
６０１１２    対向電極
６０１１３    コンデンサ
６０１１５    画素電極
６０１１６    隔壁
６０１１７    有機導電体膜
６０１１８    有機薄膜
６０１１９    基板
９００１０１    表示パネル
９００１０２    画素部
９００１０３    走査線駆動回路
９００１０４    信号線駆動回路
９００１１１    回路基板
９００１１２    コントロール回路
９００１１３    信号分割回路
９００１１４    接続配線
９００２０１    チューナ
９００２０２    映像信号増幅回路
９００２０３    映像信号処理回路
９００２０５    音声信号増幅回路
９００２０６    音声信号処理回路
９００２０７    スピーカ
９００２０８    制御回路
９００２０９    入力部
９００２１２    コントロール回路
９００２１３    信号分割回路
９００２１４    走査線駆動回路
９００２１５    信号線駆動回路
９００２１６    表示パネル
９００３０１    筐体
９００３０２    表示画面
９００３０３    スピーカ
９００３０４    操作スイッチ
９００３０５    入力手段
９００３０６    センサ
９００３０７    マイクロフォン
９００３１０    充電器
９００３１２    筐体
９００３１３    表示部
９００３１６    操作キー
９００３１７    スピーカ部
９００３１８    入力手段
９００３１９    センサ
９００３２０    マクロフォン
９００４０１    表示パネル
９００４０２    プリント配線基板
９００４０３    画素部
９００４０４    走査線駆動回路
９００４０５    走査線駆動回路
９００４０６    信号線駆動回路
９００４０７    タイミングコントローラ
９００４０８    中央処理装置（ＣＰＵ）
９００４０９    メモリ
９００４１０    電源回路
９００４１１    音声処理回路
９００４１２    送受信回路
９００４１３    フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）
９００４１４    インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４１５    アンテナ用ポート
９００４１６    ＶＲＡＭ
９００４１７    ＤＲＡＭ
９００４１８    フラッシュメモリ
９００４１９    インターフェース（Ｉ／Ｆ）部
９００４２０    制御信号生成回路
９００４２１    デコーダ
９００４２２    レジスタ
９００４２３    演算回路
９００４２４    ＲＡＭ
９００４２５    入力手段
９００４２６    マイク
９００４２７    スピーカ
９００４２８    アンテナ
９００５０１    表示パネル
９００５１３    ＦＰＣ
９００５３０    ハウジング
９００５３１    プリント基板
９００５３２    スピーカ
９００５３３    マイクロフォン
９００５３４    送受信回路
９００５３５    信号処理回路
９００５３６    入力手段
９００５３７    バッテリー
９００５３９    筐体
９００５４０    アンテナ
９００５４１    センサ
９００６００    携帯電話機
９００６０１    本体（Ａ）
９００６０２    本体（Ｂ）
９００６０３    筐体
９００６０４    操作スイッチ
９００６０５    マイクロフォン
９００６０６    スピーカ
９００６０７    回路基板
９００６０８    表示パネル（Ａ）
９００６０９    表示パネル（Ｂ）
９００６１０    蝶番
９００６１１    センサ
９００６１２    入力手段
９００７１１    筐体
９００７１２    支持台
９００７１３    表示部
９００７１４    入力手段
９００７１５    センサ
９００７１６    マイクロフォン
９００７１７    スピーカ
９００７１８    操作キー
９００７１９    ＬＥＤランプ
９００７３１    本体
９００７３２    表示部
９００７３３    受像部
９００７３４    操作キー
９００７３５    外部接続ポート
９００７３６    シャッターボタン
９００７３７    入力手段
９００７３８    センサ
９００７３９    マイクロフォン
９００７４０    スピーカ
９００７４１    ＬＥＤランプ
９００７５１    本体
９００７５２    筐体
９００７５３    表示部
９００７５４    キーボード
９００７５５    外部接続ポート
９００７５６    ポインティングデバイス
９００７５７    入力手段
９００７５８    センサ
９００７５９    マイクロフォン
９００７６０    スピーカ
９００７６１    ＬＥＤランプ
９００７６２    リーダ／ライタ
９００８１０    筐体
９００８１１    表示部
９００８１２    リモコン装置
９００８１３    スピーカ部
９００９０１    表示パネル
９００９０２    ユニットバス
９０１００１    柱状体
９０１００２    表示パネル
９０１１０１    車体
９０１１０２    表示パネル
９０１２０１    ドア
９０１２０２    表示パネル
９０１２０３    ガラス窓
９０１２０４    天井
９０１３０１    天井
９０１３０２    表示パネル
９０１３０３    ヒンジ部
９０１４１１    本体
９０１４１２    表示部
９０１４１３    スイッチ
９０１４１４    操作キー
９０１４１５    赤外線ポート
９０１４１６    入力手段
９０１４１７    センサ
９０１４１８    マイクロフォン
９０１４１９    スピーカ
９０１４２０    ＬＥＤランプ
９０１４３１    本体
９０１４３２    筐体
９０１４３３    表示部Ａ
９０１４３４    表示部Ｂ
９０１４３５    記録媒体読み込み部
９０１４３６    操作キー
９０１４３７    スピーカ部
９０１４３８    入力手段
９０１４３９    センサ
９０１４４０    マイクロフォン
９０１４４１    ＬＥＤランプ
９０１４５１    本体
９０１４５２    表示部
９０１４５３    イヤホン
９０１４５４    支持部
９０１４５５    入力手段
９０１４５６    センサ
９０１４５７    マイクロフォン
９０１４５８    スピーカ
９０１４５９    ＬＥＤランプ
９０１５１１    筐体
９０１５１２    表示部
９０１５１３    スピーカ部
９０１５１４    操作キー
９０１５１５    記憶媒体挿入部
９０１５１６    入力手段
９０１５１７    センサ
９０１５１８    マイクロフォン
９０１５１９    ＬＥＤランプ
９０１５３１    本体
９０１５３２    表示部
９０１５３３    操作キー
９０１５３４    スピーカ
９０１５３５    シャッターボタン
９０１５３６    受像部
９０１５３７    アンテナ
９０１５３８    入力手段
９０１５３９    センサ
９０１５４０    マイクロフォン
９０１５４１    ＬＥＤランプ
９０１６１１    筐体
９０１６１２    表示部
９０１６１３    表示部
９０１６１４    スピーカ部
９０１６１５    操作キー
９０１６１６    記録媒体挿入部
９０１６１７    入力手段
９０１６１８    センサ
９０１６１９    マイクロフォン
９０１６２０    ＬＥＤランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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