(57)【要約】【課題】  優れた放電応答性を有するプラズマディスプレイ装置を提供すること。【解決手段】  放電空間を介して対向配置された前面側の基板と背面側の基板とを備え、前面側の基板に第１電極及び第２電極で構成された対向表示放電を行う表示電極対と、該第１電極と第２電極を少なくとも部分的に覆う誘電体膜と、前記誘電膜を覆う保護膜が配置され、背面側の基板には放電ガスの放電で発生する紫外線による励起で可視光を発生する蛍光膜、及び前記表示電極対と交差する方向に設置されたアドレス電極が配置されたプラズマディスプレイ装置において、前記保護膜は、主成分が互いに共通し、且つ、最も含有重量の多い不純物元素が互いに異なる第１保護膜領域と第２保護膜領域を有することにより、優れた放電応答性を有するプラズマディスプレイ装置を提供する。【選択図】図１
2009217940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイ装置であって、
放電空間を介して対向配置された前面側の基板と背面側の基板とを備え、
前面側の基板に第１電極及び第２電極で構成された対向表示放電を行う表示電極対と、該第１電極及び第２電極を少なくとも部分的に覆う誘電体膜と、前記誘電体膜を覆う保護膜が配置され、
前記背面側の基板には放電ガスの放電で発生する紫外線による励起で可視光を発生する蛍光膜、及び前記表示電極対と交差する方向に設置されたアドレス電極が配置されており、
前記保護膜は、主成分が互いに共通しかつ、最も含有重量の多い不純物元素が互いに異なる第１保護膜領域と第２保護膜領域を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域は、共に前記誘電体膜に接することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記保護膜が前記表示電極対と重ならない領域は前記第１保護膜領域に含まれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１保護膜領域は前記誘電体膜の表面に被覆されており、
前記第２保護膜領域は、前記第１保護膜領域の表面の少なくとも一部領域に積層されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１保護膜領域の膜厚は、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、前記第２保護膜領域の膜厚は、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記保護膜の主成分が酸化マグネシウムであることを特徴とする請求項１から請求項５記載のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記保護膜に含まれる不純物元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ca）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び水素（Ｈ）のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第１保護膜領域に含有される前記不純物元素は、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）及びカルシウム（Ｃａ）のうちの少なくとも１つであり、前記第２保護膜領域に含有される前記不純物は、スカンジウム（Ｓｃ）であることを特徴とする請求項１から請求項６記載のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１保護膜領域に含有される前記不純物元素は、スカンジウム（Ｓｃ）であり、前記第２保護膜領域に含有される前記不純物は、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）及びカルシウム（Ｃａ）のうちの少なくとも１であることを特徴とする請求項１から請求項６記載のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域に含有される前記不純物元素の含有量は、５ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域は、禁制帯中に伝導帯寄りの１ｅＶ以下の準位を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１保護膜領域と前記第２保護膜領域では放電性能が異なることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２記載のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置であって、前記放電ガスは、Ｘｅを組成比１０％以上で含んでいることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：以下、プラズマパネルまたはＰＤＰとも称する）に関し、良好な放電応答性が実現できるプラズマパネル構造とその製造方法、その駆動方法、および駆動装置を含めたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは、他ディスプレイデバイスに比べ、動画性能が良い、視野角が広い、大型化が容易という特徴を有する。
【０００３】
図１は典型的なプラズマパネルの分解斜視図である。また、プラズマディスプレイ装置の概略構成を図２に示す。プラズマディスプレイ装置２３は、プラズマディスプレイパネル２０とこれらプラズマディスプレイパネルに電圧を印加する駆動電源２１と映像信号を生成する映像源２２から構成される。
【０００４】
プラズマディスプレイパネルは、前面板１と背面板６を貼り合わせた構造であり、これら基板間に複数の放電セルが形成されている。放電セルには、電圧を印加するための３種類の電極が形成されている。前面基板１上には、維持放電のための透明電極とバス電極からなる電極対１４（通常、電極対の一方をX電極と称し、他方をY電極と称す）が形成され、それら電極対１４は誘電体４と保護膜５により覆われている。一方、背面基板６上には、アドレス電極９が形成され、アドレス電極９は誘電体８で覆われている。さらに誘電体８上には、隔壁７（リブとも称す）が構成され、隔壁間には赤、青、緑色蛍光体膜１０が形成されている。図１からも分かるように隔壁７及び誘電体８は、蛍光体膜１０に直接接しており、蛍光膜の保持手段としての機能も有している。
【０００５】
前面基板１側の電極１４と背面基板６側の電極９とが互いに概略直交するように（場合によっては、単に互いに交差するように）、前面基板１と背面基板６の向きを合わせて、前面基板１と背面基板６とが封着され、両基板間の空隙部分である放電空間１１にはＮｅ＋Ｘｅの混合ガス、またはＨｅ＋Ｎｅ＋Ｘｅの混合ガスなどの放電ガスが封入され、両基板間に複数の放電セルが形成されている。前面基板１側の電極対１４と背面基板６側のアドレス電極９に電圧を選択的に印加することで、前記複数の放電セルの内の所望の放電セルに放電を起こす。本放電により真空紫外線（１４６ｎｍ及び１７２ｎｍ）が発生し、発生した真空紫外線が背面基板６に配置した蛍光体１０を励起し、可視光を発する。ＰＤＰ装置では各表示セルに用いられる蛍光体１０としてそれぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する蛍光体を用い、これらを塗り分けることにより、フルカラー表示を行うことが出来る。
【０００６】
ＰＤＰ保護膜５は一般的に酸化マグネシウム（ＭｇＯと称す）を用いて形成されている。保護膜５の役割は、大きく三つある。まず、放電の際に発生するプラズマから誘電体４を保護し、誘電体４がスパッタリングされるのを防ぐ役割である。次に、イオン入射による二次電子の放出による放電開始電圧を低下させる作用である。プラズマイオンに対する保護膜５を形成している材料からの二次電子放出係数が重要となり、二次電子放出係数が高い材料の検討がなされている。最後に、放電の種火となる電子を放出してプラズマを発生・持続させる役割、特に電子等のプライミング粒子（荷電粒子）を放出して放電開始を促進する役割がある。プライミング粒子とは予備放電をさせる効果を有する励起粒子などのことである。
【０００７】
近年、プラズマディスプレイを取り巻く市場においては、液晶ディスプレイなど他のフラットパネルディスプレイ（FPD（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ））も含めた性能競争が激しく、プラズマディスプレイにおいても、高輝度化（高効率化）、高コントラスト化が要求されている。また、今後の高解像度デジタル放送に向けてフルＨＤ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）対応化（高精細化）が必要となっている。
【０００８】
ＰＤＰの高品位の画質を実現するために、ＰＤＰの高精細化、高性能化が要求されている。しかし、上記要求に伴い、セルサイズの縮小化、セル構造の高精細化に伴う走査線数の増加、高Ｘｅ濃度化のために、放電遅れと呼ばれる問題がある。
【０００９】
映像を表示する場合、１フィールドにあたる１／６０秒内ですべての制御を終了する必要がある。１／６０秒にあたる１フレーム期間は複数のサブフィールドに分けられている。その各サブフィールドは、初期化期間で画面全体の壁電荷を初期化するためのリセット期間と、点灯すべき放電セルのみに壁電荷を蓄積するために走査ラインを選択して、走査ラインでセルを選択するためのアドレス期間と、放電維持期間ですべての放電セルに対して一斉にサステイン電圧を印加し、放電回数により階調を実現するためのサステイン期間に分けられている。ＰＤＰで高品位の画質を実現するためには、適切なアドレス期間が確保されなければならない。ＰＤＰが高精細になるほどスキャンするライン数は増加することにより、アドレス期間が長くなり、サステイン期間の確保が難しくなる。これに対応するためには、アドレス期間に印加するアドレスパルスのパルス幅を狭くして高速に駆動を行う必要がある。しかし、パルスの立ち上がりからかなり遅れて放電が行われると、パルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等が出来ずに点灯不良が生じる場合がある。点灯セル選択がランダムに失敗すると、表示のちらつき（黒ノイズとも呼ばれる）が発生する。この放電遅れの問題は良好なＰＤＰの表示性能を得る上で解決すべき課題である。
【００１０】
また、パネルを２分割して上下にデータドライバを配置し、それぞれのデータドライバでパネルの半分ずつを駆動するデュアルスキャン方式から、片側駆動であるシングルスキャン方式などの簡易駆動方式による低コスト化などに伴い、放電の高速応答化が要求されるようになってきている。
【００１１】
さらには、高性能のテレビ装置としてＰＤＰ装置の高発光効率化を目的とするＰＤＰ構造の改善検討が進められている。その一つの方法として、Ｎｅを主成分とする放電ガス中のＸｅガスの組成比を増加させ、発生するＸｅ２分子線を積極的に利用しようとする検討が盛んに行われている。通常、放電ガス中のキセノンガス組成比（５％程度）より多い組成比領域でこうしたＰＤＰの発光高効率化を達成する検討がなされている。しかし、Ｘｅ分圧を増大すると放電開始電圧の上昇と放電遅れの増大の問題が起こることも知られている。これらの要求に対して、従来の保護膜であるＭｇＯでは放電遅れが発生しやすく、点灯不良が発生する課題を有している。
【００１２】
このようなＰＤＰ保護膜に対し、非特許文献１に記載されるように、プライミング粒子の放出源としてＭｇＯにシリコン（Ｓｉ）等の不純物を添加する手法が報告されている。また、特許文献１に記載されるように、ＭｇＯにシリコン（Ｓｉ）を添加することによって黒ノイズの発生率を低減する手法が報告されている。また、特許文献２及び特許文献３に記載されるように、スカンジウム（Sc）等の元素をＭｇＯに添加することによって放電応答性を改善する手法が報告されている。
【００１３】
【非特許文献１】ＩＤＷ０６、ＰＤＰ１−１  ２００６年、  ｐ３３３
【特許文献１】特開平１０−３３４８０９号公報
【特許文献２】特開２００６−１６９６３６号公報
【特許文献３】特開２００６−２０７０１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、放電遅れに関する対策は、未だ十分になされているとは言い難い現状にある。具体的には、特許文献１の技術では、ＭｇＯにシリコン（Ｓｉ）を添加することで、ある程度不点灯領域の発生を抑制できるが、一方で各セルにおける放電遅れのバラツキが顕著になるという新たに問題が生じることが分かっている。このことについては、例えば、特願２００４―１１３７８９に記載されている。
【００１５】
さらに、特許文献２の技術では、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）を添加することで放電遅れが改善することが示されている。しかしながら、本発明者らが検討した結果、放電遅れの高温領域では温度依存性が悪化するという問題があることが明らかになっている。また、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）、カルシウム（Ｃａ）及びシリコン（Ｓｉ）を共ドープすることが示されている。しかしながら、本発明者らが検討した結果、これら不純物元素を添加したＭｇＯの放電遅れでは、休止時間依存性が悪化するという問題があることが明らかになっている。
【００１６】
図３にＭｇＯのエネルギーバンド図を示す。ＭｇＯ膜中には、酸素欠陥に電子が二つ捕獲されたＦセンタ、電子が一つ捕獲されたＦ＋センタが存在することが知られている。また、存在する水素（Ｈ）原子がプロトンの形でFセンタの位置に入ったものを[Ｈ−]＋、正味で正の電荷を持つ[Ｈ−]＋が電子をトラップした状態［Ｈ２−］があり、この［Ｈ２−］が電子供給源になっていると考えられている。［Ｈ２−］は伝導帯から０．６ｅＶ程度の深さの浅いところに存在する。ＭｇＯに不純物元素を添加した場合、この準位の深さ、もしくはこの準位深さ近くにトラップ準位を形成することにより、プライミング電子が増大し、放電遅れが改善すると考えられている。このことについては、例えば、ＩＤＷ０６、ＰＤＰ１−１  ２００６年、  ｐ３３３に記載されている。
【００１７】
しかし、ＭｇＯ膜中でスカンジウム（Ｓｃ）が形成するトラップ準位深さとシリコン（Ｓｉ）が形成するトラップ準位深さは、［Ｈ２−］準位深さ０．６ｅＶとほぼ同等、もしくは、スカンジウム（Ｓｃ）が形成するトラップ準位深さの方が浅いことが熱発光曲線測定結果から推測される。そのため、スカンジウム（Ｓｃ）とシリコン（Ｓｉ）が形成するトラップ準位に重なる部分が存在することが推測される。これらから、上記ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）を添加した場合、トラップ準位が浅くなっているため、放電遅れの高温領域での遅延が発生することが推測される。
【００１８】
また、サブフィールド法の一斉リセット期間におけるリセット放電によってすべての放電セルの放電空間内にプライミング粒子が形成されるが、このプライミング粒子は時間の経過と共に減少していくため、一斉リセット後、選択動作が行われる（走査パルスが印加される）までの時間間隔が長くなってしまう表示ラインほどプライミング電子が少なくなってしまう。そのため、上記ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）、カルシウム（Ｃａ）及びシリコン（Ｓｉ）を共ドープした場合、トラップ準位の重なりにより、放電遅れの休止時間依存性が悪化することが推測される。
【００１９】
優れた表示性能を得る上で十分な効果が有るとは言い難いのが現状である。このため、放電特性を一層向上させることが可能なＭｇＯ膜の実現が望まれている。
【００２０】
したがって本発明の目的は，上記従来の保護膜の性能改善を図ることであり、優れた放電応答性を有するプラズマディスプレイパネル装置を提供することにある。さらには、優れた放電応答性を有するプラズマディスプレイパネル装置の製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述と添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明では、プラズマディスプレイ装置の放電応答性向上という課題を解決し、高画質と低コストを両立する高品位なプラズマディスプレイ装置を提供することを目的として、以下の手段を用いる。
【００２３】
上記課題を解決するために、本発明は、放電空間を介して対向配置された前面側の基板と背面側の基板とを備え、前面側の基板に第１電極及び第２電極で構成された対向表示放電を行う表示電極対と、該第1電極及び第２電極を少なくとも部分的に覆う誘電体膜と、誘電体膜を覆う保護膜が配置され、背面側の基板には放電ガスの放電で発生する紫外線による励起で可視光を発生する蛍光膜、及び表示電極対と交差する方向に設置されたアドレス電極が配置されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記保護膜は、最も含有重量の多い不純物元素が互いに異なる第１保護膜領域と第２保護膜領域を有することを特徴とした。ここで、最も含有重量の多い不純物元素とは、保護膜を形成する主成分以外で、任意に添加した不純物元素の中で、最も多く含まれる不純物元素のことである。また、放電空間に臨む保護膜の表面全体を２つに分割し、一つを第１保護膜領域、もう一方を第２保護膜領域とした。
【００２４】
また、前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域は、共に前記誘電体膜に接することを特徴とした。
【００２５】
さらに、前記保護膜が前記表示電極対と重ならない領域は前記第１保護膜領域に含まれることを特徴とした。
【００２６】
また、前記第１保護膜領域は前記誘電体膜の表面に被覆されており、前記第２保護膜領域は、前記第１保護膜領域の表面の少なくとも一部領域に積層されていることを特徴とした。
【００２７】
ここで、前記一部積層した保護膜は、前記第１保護膜領域と前記第２保護膜領域の各領域から構成され、前記表示電極対が配設されていない部分には前記第１保護膜領域が前記放電空間を臨む状態で配設されていることを特徴とした。
【００２８】
さらに、前記保護膜の第１保護膜領域の膜厚は、５００ｎｍ以上２０００ｎｍであり、前記第２保護膜領域の膜厚は、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とした。
【００２９】
ここで、前記保護膜の主成分が酸化マグネシウムであることを特徴とした。
【００３０】
また、前記保護膜に含まれる不純物元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ca）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）及び水素（Ｈ）の内の少なくとも１つであることを特徴とした。
【００３１】
さらに、前記第１保護膜領域に含有される前記不純物元素は、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）及びカルシウム（Ｃａ）のうちの少なくとも１つであり、前記第２保護膜領域に含有される前記不純物は、スカンジウム（Ｓｃ）であることを特徴とした。
【００３２】
さらに、前記第１保護膜領域に含有される前記不純物元素は、スカンジウム（Ｓｃ）であり、前記第２保護膜領域に含有される前記不純物は、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）及びカルシウム（Ｃａ）のうちの少なくとも１つであることを特徴とした
ここで、前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域に含有される前記不純物元素の含有量は、５ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍであることを特徴とした。
【００３３】
さらに、前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域に含有される前記不純物元素の含有量は、２０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍであることを特徴とした。
【００３４】
また、前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域は、禁制帯中に伝導帯寄りの１ｅＶ以下の準位を有することを特徴とした。
【００３５】
さらに、前記第１保護膜領域と前記第２保護膜領域では放電性能が異なることを特徴とした。ここでの、異なる放電性能とは、放電遅れのことであり、前記第１保護膜領域と前記第２保護膜領域で放電応答性能が違うことを表している。
【００３６】
また、前記プラズマディスプレイ装置において、前記放電ガスは、組成比１０％以上となる量でＸｅを含んで構成されたガスであることを特徴とした。ここで、組成比とは、放電ガスがXeガスを含み、前記放電ガスのモル濃度をngとし、前記Xeガスのモル濃度をnXeとし、前記放電ガス中のXeモル濃度比をaXeとし、Xeモル濃度比aXe=nXe/ngとして表される。
【００３７】
また、本発明の効果を得るための別の構成として、放電空間を介して対向配置された前面側の基板と背面側の基板とを備え、前面側の基板に第１電極及び第２電極で構成された対向表示放電を行う表示電極対と、該第１電極及び第２電極を少なくとも部分的に覆う誘電体膜と、電極及び誘電体膜を覆う保護膜が配置され、背面側の基板には放電ガスの放電で発生する紫外線による励起で可視光を発生する蛍光膜、及び前記表示電極対と交差する方向に設置されたアドレス電極が配置されたプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護膜は、最も含有重量の多い不純物元素が互いに異なる第１保護膜領域と第２保護膜領域を有することを特徴とした。
【００３８】
さらに、プラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記第１保護膜領域及び前記第２保護膜領域は、共に前記誘電体膜に接することを特徴とした。
【００３９】
ここで、プラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記第１保護膜領域は前記誘電体膜の表面に被覆されており、前記第２保護膜領域は、前記第１保護膜領域の表面の少なくとも一部領域に積層されていることを特徴とした。
【００４０】
また、プラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護膜に含まれる不純物元素は、スカンジウム（Ｓｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、カルシウム（Ca）、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び水素（Ｈ）のうちの少なくとも１つであることを特徴とした。
【００４１】
ここで、プラズマディスプレイ装置の製造方法において、前記放電ガスは、Ｘｅを組成比１０％以上で含んで構成されたガスを封入する段階を含むことを特徴とした。
【００４２】
また、プラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記第１保護膜領域及び第２保護膜領域は真空蒸着工程により前記プラズマディスプレイ装置に形成されることを特徴とした。
【発明の効果】
【００４３】
本発明のＰＤＰによれば、保護膜として、最も含有重量の多い不純物元素が互いに異なる第１保護膜領域と第２保護膜領域を有するように構成することにより、放電応答性が良好なプラズマディスプレイ装置を提供することができる。さらには、放電応答性が良好なプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではい。さらに、本発明は、３電極型のプラズマディスプレイに限らず、図４に示すような背面基板側のセル構造がボックス型のものにも適用することで、良好な放電応答性の効果を得ることができる。なお、実施例を説明する全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００４５】
まず、図５に示した放電セルで構成されるプラズマディスプレイパネルを作製した。本実施例のような面放電型カラーＰＤＰのＰＤＰ２００では、例えば一対の表示電極１４（走査電極１３と維持電極１２で構成される）のうちの一方（一般に、走査電極１３と呼ぶ）に負の電圧を，アドレス電極９ともう一方の残りの表示電極１４に正の電圧（前記表示電極に印加される電圧に比して正の電圧）を印加することにより放電が発生し、これにより、一対の表示電極の間で放電を開始するための補助となる壁電荷が形成される（これを書き込みと称する）。この状態で一対の表示電極の間に、適当な逆の電圧を印加すると、誘電体層４（及び保護膜５）を介して、電極対１４の間の放電空間１１で放電が発生する。
【００４６】
放電終了後、前記一対の表示電極１４に印加する電圧を逆にすると、新たに放電が発生する。これを繰り返すことにより継続的に放電が発生する（これを維持放電又は表示放電と呼ぶ）。この放電により、放電空間１１内に封入されたガスから発生する紫外線を放電空間１１内に設けた蛍光体１０に当てることにより表示を行う。
【００４７】
本実施例であるＰＤＰ２００は、前面基板１上に、複数対の走査電極１３と維持電極１２がストライプ状に形成され、一対の表示電極対１４が構成される。なお、表示電極１４の材料には、透明電極２の材料には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ）、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）など、バス電極３の材料には銀（Ａｇ）の他、アルミニウム（Ａｌ）などからなる金属膜、または、クロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／クロム（Ｃｒ）の積層膜なども適用可能である。
【００４８】
上記を覆うようにしてガラス系の材料で構成される誘電体層４が形成される。当該誘電体層４を覆うようにして保護層５ａが形成される。
【００４９】
保護膜５ａは、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及び（Ａｌ）を添加した層状の第１保護膜領域１５ａと、ＭｇＯを主成分とし、第１領域１５ａとは異なる不純物元素として、スカンジウム（Ｓｃ）を添加した層状の第２保護膜領域１６ａとから構成される。この保護膜５ａの構成については後述する。
【００５０】
また、背面基板６上に、銀などで構成されている複数並設されたアドレス電極９と、前記アドレス電極９を覆うようにして、ガラス系の材料で構成される誘電体層８を形成した後、同じくガラス系の材料で構成される隔壁材を厚膜印刷し、ブラストマスクを用いたブラスト除去により、隔壁７を形成する。
【００５１】
次に、この隔壁７上に，赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各蛍光体層１０を該当する隔壁７間の溝面を被覆する形で、順次ストライプ状に形成する。
【００５２】
ここで、各蛍光体層１０は、赤、緑及び青にそれぞれ対応し、赤蛍光体粒子を３５重量部（ビヒクルを６５重量部）、緑蛍光体粒子を３５重量部（ビヒクルを６５重量部）、青蛍光体粒子を３５重量部（ビヒクルを６５重量部）とし、それぞれビヒクルと混ぜて蛍光体ペーストとし、スクリーン印刷により塗布した後、乾燥及び焼成工程により蛍光体ペースト内の揮発成分の蒸発と有機物の燃焼除去を行って形成する。
【００５３】
また、各蛍光体の材料については，例えば、赤蛍光体は（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ蛍光体、緑色蛍光体はＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、青蛍光体はＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体を用いる。
【００５４】
次に、上記表示電極１４、誘電体層４、及び保護膜５ａを形成した前面基板１と、アドレス電極９、誘電体層８、隔壁７、及び蛍光体層１０を形成した背面基板６の表示電極１４とアドレス電極９とが直交するように対向配置されフリット封着することで、隣接する２本の隔壁７で区分けされたなる放電空間１１が複数形成される。当該放電空間１１を真空状態にし、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｈｅ等からなる放電用の混合ガスが封入されＰＤＰが完成する。放電ガスの封入圧力は、例えば、５０〜８０ｋＰａ程度である。
本実施例では放電ガスのXe組成比が１２％以上を用いた。これは、プラズマディスプレイ装置の発光効率を増大するためには、放電の紫外線発生効率を増大させることが非常に重要なためである。Xe組成比は、従来技術では通常４％〜１０％である。本実施例では、さらにXe組成比を１２％以上と高めて効率を上げている。
【００５５】
ここでは、上述した保護膜５ａにおける第１保護膜領域１５ａと第２保護膜領域１６ａの状態について、図６を用いて説明する。図６（ａ）は図５におけるＰＤＰ２００のＸＺ平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＤ位置から見たＸＹ平面図である。
【００５６】
図６（ａ）に示すように、放電応答性を改善する不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及び（Ａｌ）を添加したＭｇＯからなる第１保護膜領域１５ａが誘電体層４の表面全体を覆う状態で形成されている。この第１保護膜領域１５ａの放電空間１１側（Ｚ方向の負方向側）の表面には、図６（ｂ）に示されるように不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯからなる第２保護膜領域１６ａがＹ方向に延びて、ＸＹ平面において、表示電極対１４の配設部分と第２保護膜領域１６ａの形成部分が重なるように位置している。
【００５７】
なお、ここでは、第１保護膜領域は、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及び（Ａｌ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域は、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯとしたが、第１保護膜領域に不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域に不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及び（Ａｌ）を添加したＭｇＯを形成しても構わない。
【００５８】
前述したように、ＭｇＯにシリコン（Ｓｉ）のみを添加した場合、各セルにおける放電遅れのバラツキが顕著になるという問題が生じることが分かっている。また、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）を添加することで放電遅れが改善することが示されているが、放電遅れの高温領域では温度依存性が悪化するという問題があることが明らかになっている。上記問題のため、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）、カルシウム（Ｃａ）及びシリコン（Ｓｉ）を共ドープすることが提案されているが、放電遅れの休止時間依存性が悪化するという問題があることが明らかになっている。そのため、本実施の形態において、図６のように、保護膜５ａの放電空間１１に臨む領域を分割し、それぞれの保護膜領域に異なる不純物元素を添加することにより、放電応答性の性能低下を抑制することができる。従って、上記構成により、保護膜５ａが第１保護膜領域１５ａのみ、または第２保護膜領域１６ａのみで構成されている場合と比較して、良好な放電応答性を得ることができる。
【００５９】
本実施の形態においては、表示電極対１４が配設されていない部分においては、第１保護膜領域１５ａは第２保護膜領域１６ａにより被覆されていないが、第１保護膜領域１５ａの一部分が放電空間１１に露出されしていれば、表示電極対１４が配設されていない部分にも第２保護膜領域１６ａが形成されていても構わない。
【００６０】
成膜した保護膜５ａの放電応答性と寿命特性の評価は以下のようにして行う。放電応答性の評価では、前面基板１の一対の表示電極対１４のうちの一方の走査電極１３と背面基板６のアドレス電極９間における放電遅延時間測定を行う。通常、前面基板１の走査電極１３と背面板６のアドレス電極９間に電圧を印加した直後では放電が起こらず、電圧印加後から時間が経ってから放電が起こる。この電極間に放電開始電圧以上の電圧を印加した時刻から、放電が形成される時刻までの時間を放電遅れと呼ぶ。放電遅れは、形成遅れと統計遅れに分けられる。
【００６１】
駆動方法は、前面基板１の走査電極１３と維持電極１２と背面基板６のアドレス電極９を駆動装置に接続し、図７で示される駆動波形の電圧を印加する。最初に維持電極１２と走査電極１３間で面放電（サステイン放電）を行い、一定の休止時間の後に走査電極１３とアドレス電極９で対向放電（アドレス放電）を行う。放電特性は、対向放電での放電遅れを測定している。
【００６２】
図８は、休止時間とＭｇＯへの不純物添加材料の違いによる放電遅れへの影響の関係である。ここでは、放電遅れの内、統計遅れの結果について示した。ＭｇＯにシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した場合、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）、シリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した場合、ＭｇＯにスカンジウム（Ｓｃ）を添加した場合を示した。保護膜の第１保護膜領域と第２保護膜領域を異なる不純物を添加したＭｇＯにすることにより、ハッチングした部分の範囲の放電遅れが得られることとなり、良好な放電特性を得ることができる。
【００６３】
この不純物を所定量含む保護膜５ａの構成により、ＰＤＰ２００では、保護膜の第１保護膜領域と第２保護膜領域から放出される放電に寄与するプライミング電子の数が増加することとなり、放電遅れ時間の増加の発生を抑制する効果が奏される。しかしながら、添加する不純物元素の組み合わせによっては、不純物元素スカンジウム（Ｓｃ）、シリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）添加したＭｇＯのように、放電遅れが悪化する場合がある。そのため、優れた画像表示性能の実現が可能である良好な放電応答性を得るためには不純物元素の組み合わせは重要である。
【００６４】
以下では、ＰＤＰ２００の製造方法の内でも、本実施の形態で特徴を有する部分である保護膜５ａの形成方法について図６及び９を用いて説明する。
【００６５】
本実施例では、誘電体膜４を覆うようにＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加して形成された第１保護膜領域１５ａと、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加した第２保護膜領域１６ａとからなる保護膜５ａが形成される。但し、第１保護膜領域１５ａは、表示電極対１４の配設部分において、その厚み方向（Ｚ方向の正の方向）に凹部を有しており、上記凹部には、第２保護膜領域１６ａが形成されている。
【００６６】
図５に示すように、まず、一方の主面上に表示電極対１４が形成され、その表面を被覆する状態でガラス系の材料で構成される誘電体膜４が形成された前面基板１を準備する。
【００６７】
次に、この前面基板１の誘電体膜４の表面全体にわたって、所定の膜厚の保護膜として、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加して形成された第１保護膜領域１５ａを電子線ビーム蒸着法を用い成膜する。この本発明における適量のシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含有する第１保護膜領域１５ａは電子ビーム蒸着法を用いて得ることができる。
【００６８】
成膜に用いる蒸着源としては、例えば粉末状のＭｇＯと粉末状のシリコン化合物、カルシウム化合物、アルミニウム化合物及びスカンジウム化合物とを混合したものを用いるか、ペレット状のＭｇＯに対して、ペレット状または粉末状のシリコン化合物、カルシウム化合物、アルミニウム化合物及びスカンジウム化合物を混合したもの、
あるいは、その混合物の焼結体を用いる。上記シリコン化合物、カルシウム化合物、アルミニウム化合物及びスカンジウム化合物は、それらの酸化物及び塩化物、硝酸塩または炭酸塩などの塩よりなる群から選択された１つ以上から由来する成分を含むことが出来る。例えば、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ（ＮＯ３）３、Ｃａ（ＮＯ３）２、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ（ＮＯ３）３などが含まれるが、これらに限定されるものではない。上記シリコン化合物、カルシウム化合物、アルミニウム化合物及びスカンジウム化合物濃度はそれぞれ５重量ｐｐｍ以上５０００重量ｐｐｍ以下とする。そして、電子ビームガンを加熱源として、上記蒸着源を加熱し所望の膜を形成する。膜質を制御するために酸素ガスや水素ガスを供給しても構わない。
【００６９】
なお、第１保護膜領域１５ａ、第２保護膜領域１６ａにおいて、その蒸着源作製及び成膜過程において極微量の不純物が混在することがあり得る。ここでの不純物が含まれるＭｇＯ蒸着源の純度とは、ＭｇＯ蒸着源に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）、酸素（Ｏ）、含有添加不純物（Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｃ等）以外の含有割合を１００％（蒸着源の総重量）から引いた値をいう。ここで算出時に考慮した元素としては、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｃｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍなどの元素が挙げられる。
【００７０】
ここで蒸着源中及び保護膜中の不純物元素の含有量は二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により調べることが出来る。
【００７１】
また、上記含まれる不純物元素濃度は、５重量ｐｐｍ以上５０００重量ｐｐｍ以下である。この不純物元素濃度は、蒸着源もしくは保護膜１００重量％に対する濃度である。ここで不純物濃度を５重量ｐｐｍ以上５０００重量ｐｐｍ以下に限定したのは、５ｐｐｍ未満では濃度の安定制御が難しく、５０００重量ｐｐｍを越える範囲では放電遅れが長くなるからである。
【００７２】
この前面基板１の誘電体膜４の表面全体にわたってＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加して形成された第１保護膜領域１５ａ１を形成した後に、この第１保護膜領域１５ａ１に沿ってメタルマスク３０を配置する。メタルマスク３０には、第２保護膜領域１６ａの形成部に相当する部分以外に窓３１が設けられている。
【００７３】
続いて、メタルマスク３０を配した前面基板１を電子ビーム蒸着装置内にセットし、メタルマスク３０の窓部３１を通して、第１保護膜領域１５ａ１の上にさらに第１保護膜領域物質を蒸着する。
【００７４】
次に、図９（ｂ）に示すように、所要のパターンをもって第１保護膜領域１５ａが形成された前面基板１に対し、その第１保護膜領域１５ａが形成された側にメタルマスク３２を沿わせて配置する。メタルマスク３２には、形成しようとする第２保護膜領域１６ａのパターンに対応する窓３３が設けられている。そして、電子ビーム蒸着装置内にセットし、メタルマスク３２の窓３３を通して所定の領域に第２保護膜領域物質を蒸着する。
なお、これらの領域の膜厚の一例として、第１保護膜領域１５ａが６００ｎｍ、第２保護膜領域１６ａが１００ｎｍである。ただし、膜厚はこれに限定されるものではなく、保護膜としての機能を有することができるものであれば構わない。
【００７５】
第１保護膜領域、第２保護膜領域の膜厚に関しては、本実施例に記載されているものだけに限定されず、第１保護膜領域は５００ｎｍ以上から２０００ｎｍ以下、第２保護膜領域は１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であれば構わない。上述した膜厚範囲の場合、誘電体層４などの下地層の影響や、保護層５ａに発生する膜応力の影響などを受けない。１０ｎｍ未満では耐スパッタ性が不十分なため、良好な放電応答性を得ることができない。また、２０００ｎｍを越える厚さでは、ＭｇＯの柱状結晶構造が成長し、その構造間に隙間ができるため、クラックが生じる。
【００７６】
図９に示すように、上記過程を経ることで、第１保護膜領域１５ａと第２保護膜領域１６ａからなる保護膜５ａを形成することが出来る。
【００７７】
なお、上記保護膜５ａの形成方法において、メタルマスク３２を用い、第２保護膜領域１６ａを第１保護膜領域１５ａ上に形成したが、本発明はこの方法に限定されるものではなく、フォトリソ法、化学気相蒸着法、スパッタリング法、あるいはこれらを組み合わせても良い。
【００７８】
フォトリソ法を用いる場合にはまず、誘電体層４の表面全体にわたって第１保護膜領域１５ａを形成した後、フォトリソ工程により、形成しようとする第１保護膜領域１５ａのパターンでレジストパターンを形成し、エッチング液によりエッチングして、所定のパターンで第１保護膜領域１５ａを形成する。次に、第２保護膜領域１６ａを所定の条件で蒸着した後、形成しようとする第２保護膜領域１６ａのパターンのレジストパターンを形成し、この後に、エッチングをして、第２保護膜領域１６ａを形成する。このようにして、保護膜５ａを形成することが可能である。
【００７９】
また、本実施例では、短冊状に形成することとしたが、これ以外の形状、例えば、斑点状、ジグザグ状、円状、楕円状、多角形状などとすることもできる。
【００８０】
また、各保護膜領域の形成における主成分材料には、ＭｇＯ以外の材料として、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一種を含んだ金属酸化物材料、もしくは、これらを組み合わせた材料により形成することもできる。
【００８１】
さらに、本実施例では、この不純物添加元素として、シリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）及びスカンジウム（Ｓｃ）を挙げている。この放電遅れ改善の効果は、ＭｇＯに不純物元素を添加したことによる伝導帯から０．６ｅＶ程度の深さの浅いところに存在するトラップ準位の形成により、プライミング電子が増大したためと考えられている。そのため、同様にトラップ準位を形成するその他、ランタン（Ｌａ）、サマリウム（Ｓｍ）、イットリウム（Ｙ）、水素（Ｈ）の内の少なくとも一種を含んだ不純物元素を含有させても構わない。
【００８２】
また、本実施の形態では、表示電極対１４の配設部分上に第２保護膜領域１６ａが位置する構成となっているが、すくなくとも当該配設部分上を覆う範囲内に第２保護膜領域１６ａが形成されていれば、表示電極対１４の配設部分外であっても第２保護膜領域１６ａが形成されていても構わない。但し、その際に第１保護膜領域１５ａの少なくとも一部が放電空間１１に露出されていることが望ましい。
【実施例２】
【００８３】
上記実施の形態における実施例１とは異なるＰＤＰ２００について、図５及び図１０を用いて説明する。ただし、実施例１と異なる箇所は保護膜５ｂの構成部分のみであり、それ以外の箇所の同じ構成であるため、それ以外の箇所の説明は省略する。図１０（ａ）はＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）における点Ｄの位置から見たＸＹ平面図である。
【００８４】
本実施例では、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加した第２保護膜領域１６ｂは、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した第１保護膜領域１５ｂ上における表示電極対１４が配設されている部分上に形成されているが、実施例１とは異なり、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示されるように、表示電極対１４の配設部分上において、Ｙ方向に延びると共に、Ｘ方向にストライプ状に形成されている。従って、第１保護膜領域１５ｂは、表示電極対１４の配設部分上においても放電空間１１に露出する領域を複数有している。
【００８５】
上述したように表示電極対１４の配設部分の一部分上において、第１保護膜領域１５ｂである不純物元素を添加したＭｇＯと第２保護膜領域１６ｂである不純物元素を添加したＭｇＯの放電応答性が異なり、このような構成を有するＰＤＰでは、上述の実施例１に係るＰＤＰと同様に放電応答性をさらに高めることとなる。また、望ましい数値範囲、あるいは製造方法などについても、上記実施例１と同様である。
【００８６】
なお、ここでは、第１保護膜領域は、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域は、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯとしたが、第１保護膜領域に不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域に不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯを形成しても構わない。
【実施例３】
【００８７】
上記実施の形態における実施例１と実施例２とは異なるＰＤＰ２００について、図５及び図１１を用いて説明する。但し、異なる箇所は保護膜５ｃの構成部分と形成方法であり、それ以外の箇所に関しては説明を省略する。図１１（ａ）はＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、点Ｄの位置から見たＸＹ平面図は図１１（ｂ）である。
【００８８】
本実施例では、誘電体層４を覆うようにＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した第１保護膜領域１５ｃと、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加した第２保護膜領域１６ｃとからなる保護膜５ｃが形成されている。但し、第１保護膜領域１５ｃは、表示電極対１４の配設部分間に介在しており、当該配設領域には第２保護膜領域１６ｃが形成されている。
【００８９】
なお、ここでは、第１保護膜領域は、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域は、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯとしたが、第１保護膜領域に不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域に不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯを形成しても構わない。
【００９０】
本実施例では、第１保護膜領域１５ｃである不純物元素を添加したＭｇＯと第２保護膜領域１６ｃである不純物元素を添加したＭｇＯの放電応答性が異なり、このような構成を有するＰＤＰでは、上述の実施例１及び２に係るＰＤＰと同様に放電応答性をさらに高めることとなる。
【００９１】
また、第１保護膜領域１５ｃと第２保護膜領域１６ｃの形成順序に関しては、順序に限定を受けるものではない。すなわち、第２保護膜領域１６ｃを先に形成した後、第１保護膜領域１５ｃを形成しても構わない。
【００９２】
また、本実施の形態においても、上記実施例１、２と同様に、その構成等を適宜変更することが可能である。
【実施例４】
【００９３】
上記実施の形態における実施例１から実施例３とは異なるＰＤＰ２００について、図５及び図１２を用いて説明する。但し、異なる箇所は保護膜５ｄの構成部分であり、それ以外の箇所についての説明は省略する。図１２（ａ）はＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、点Ｄの位置から見たＸＹ平面図は図１２（ｂ）である。
【００９４】
本実施例も、表示電極対１４の配設部分に第２保護膜領域１６ｄが第１保護膜領域１５ｄを覆うようにして形成されている。
【００９５】
図１３に示すように、実施例１と同様に、前面基板１の誘電体層４を覆うようにＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した第１保護膜領域１５ｄを形成した後、この第１保護膜領域１５ｄに沿ってメタルマスク４０を配置する。メタルマスク４０には、第２保護膜領域１６ｄの形成部に相当する部分に窓４１が設けられている。
【００９６】
続いて、メタルマスク４０の窓部４１を通して、所定の領域に第２保護膜領域１６ｄとしてＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加して形成された保護膜を上記成膜方法により形成する。
【００９７】
図１３に示すように、上記過程を経ることで、第１保護膜領域１５ｄと第２保護膜領域１６ｄからなる保護膜５ｄを形成することが出来る。第１保護膜領域１５ｄ及び第２保護膜領域１６ｄは不純物元素を添加してＭｇＯを形成するが、成膜過程において極僅かな不純物元素が混入することはあり得るが、第１及び第２保護膜領域の不純物元素量はこれよりも多いものである。
【００９８】
なお、上記保護膜５ｄの形成方法において、メタルマスク４０を用い、第２保護膜領域１６ｄを第１保護膜領域１５ｄ上に形成したが、本発明はこの方法に限定されるものではなく、フォトリソ法、化学気相蒸着法、スパッタリング法、あるいはこれらを組み合わせても良い。
【００９９】
また、ここでは、第１保護膜領域は、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域は、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯとしたが、第１保護膜領域に不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域に不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯを形成しても構わない。
【０１００】
本実施例では、保護膜５ｄを互いに放電応答性の異なる第１保護膜領域１５ｄである不純物元素を添加したＭｇＯと第２保護膜領域１６ｄである不純物元素を添加したＭｇＯから構成しており、第１及び第２の各保護膜領域１５ｄ、１６ｄにそれぞれ異なる放電応答性を維持できる。これにより、保護膜５ｄ全体としてさらに放電応答性を向上させることができるようになる。また、本実施例においても、上記実施例１〜３と同様に、その構成等を適宜変更することが可能である。
【実施例５】
【０１０１】
上記実施の形態における実施例１から実施例４とは異なるＰＤＰ２００について、図５及び図１４を用いて説明する。但し、異なる箇所は保護膜５ｅの構成部分であり、それ以外の箇所についての説明は省略する。図１４（ａ）はＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、点Ｄの位置から見たＸＹ平面図は図１４（ｂ）である。
【０１０２】
本実施例も、表示電極対１４の配設部分に第２保護膜領域１６ｅが第１保護膜領域１５ｆを覆うようにして形成されている。実施例４とは異なり、第１保護膜領域１５ｅの一部が放電空間１１に露出されている形状となっている。
【０１０３】
本実施例では、誘電体層４を覆うようにＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加した第１保護膜領域１５ｅと、ＭｇＯを主成分とし、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加した第２保護膜領域１６ｅとからなる保護膜５ｅが形成されている。
【０１０４】
なお、ここでは、第１保護膜領域１５ｅは、不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域１６ｅは、不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯとしたが、第１保護膜領域１５ｅに不純物元素としてスカンジウム（Ｓｃ）を添加したＭｇＯ、第２保護膜領域１６ｅに不純物元素としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を添加したＭｇＯを形成しても構わない。
【０１０５】
本実施例では、第１保護膜領域１５ｅである不純物元素を添加したＭｇＯと第２保護膜領域１６ｅである不純物元素を添加したＭｇＯの放電応答性が異なり、このような構成を有するＰＤＰでは、上述の実施例１から４に係るＰＤＰと同様に放電応答性をさらに高めることとなる。また、本実施例においても、上記実施例１〜４と同様に、その構成等を適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
放電応答性が良好なプラズマディスプレイ装置を提供することができ、さらには、放電応答性が良好なプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供することができるため、高画質と低コストを両立する高品位なＰＤＰ表示装置への適用効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】プラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。
【図２】ＰＤＰを用いた画像表示システムを示した図である。
【図３】酸化マグネシウムのエネルギーバンド図である。
【図４】背面基板がボックス型であるパネルの斜視図である。
【図５】実施の形態の本発明の基本構造を示す斜視図である。また、実施例のＰＤＰの構造を示す斜視図でもある。
【図６】（ａ）は実施例１におけるＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、（ｂ）は（ａ）における点Ｄの位置からみた平面図である。
【図７】実施例の駆動波形である。
【図８】放電遅れの改善の状態を示すグラフである。
【図９】実施例１におけるＰＤＰ２００の製造工程の内、前面基板の保護膜５ａの形成に係る工程を示し工程図である。
【図１０】（ａ）は実施例２におけるＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、（ｂ）は（ａ）における点Ｄの位置からみた平面図である。
【図１１】（ａ）は実施例３におけるＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、（ｂ）は（ａ）における点Ｄの位置からみた平面図である。
【図１２】（ａ）は実施例４におけるＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、（ｂ）は（ａ）における点Ｄの位置からみた平面図である。
【図１３】実施例４におけるＰＤＰ２００の製造工程の内、前面基板の保護膜５ｄの形成に係る工程を示し工程図である。
【図１４】（ａ）は実施例５におけるＰＤＰ２００のＸＺ断面図であり、（ｂ）は（ａ）における点Ｄの位置からみた平面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１    前面基板
２    透明電極
３    バス電極
４    誘電体膜
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ    保護膜
６    背面基板
７    隔壁
８    誘電体膜
９    アドレス電極
１０    蛍光膜
１１    放電空間
１２    維持電極
１３    走査電極
１４    表示電極対
１５ａ、１５ａ１、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ    第１保護膜領域
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１５ｅ    第２保護膜領域
１００、２００    ＰＤＰ
２０    プラズマディスプレイパネル
２１    駆動電源
２２    映像源
２３    プラズマディスプレイパネル装置。
【図１】
2009217940.tif 000003
【図２】
2009217940.tif 000004
【図３】
2009217940.tif 000005
【図４】
2009217940.tif 000006
【図５】
2009217940.tif 000007
【図６】
2009217940.tif 000008
【図７】
2009217940.tif 000009
【図８】
2009217940.tif 000010
【図９】
2009217940.tif 000011
【図１０】
2009217940.tif 000012
【図１１】
2009217940.tif 000013
【図１２】
2009217940.tif 000014
【図１３】
2009217940.tif 000015
【図１４】
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