(57)【要約】【課題】ダイシング時のヒゲ状切削屑の発生を抑制するとともに、エキスパンド性に優れるウエハ加工用テープを提供すること。【解決手段】本発明のウエハ加工用テープは、基材フィルム１の最上層１ａが、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなり、破断伸び率が５００％以下、層厚が５〜４０μｍであり、最下層１ｂが、破断伸び率が５００％を超えるとともに層厚が２０〜１５０μｍであり、基材フィルム１全体の破断伸び率が、５００％を超える。【選択図】図１
2009200076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に、粘着剤層又は粘接着剤層が形成されたウエハ加工用テープであって、
前記基材フィルムは、２層以上の複数層からなり、
前記複数層のうち、前記粘着剤層又は粘接着剤層と接触する最上層は、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなり、破断伸び率が５００％以下、層厚が５〜４０μｍであり、
前記複数層のうち、最下層は、破断伸び率が５００％を超えるとともに層厚が２０〜１５０μｍであり、
前記基材フィルム全体の破断伸び率が、５００％を超えることを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
前記基材フィルムの最下層は、エラストマー成分を２０〜５０質量％含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項４】
前記粘着剤層上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項５】
前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）前記ウエハ加工用テープの接着剤層にウエハ裏面を貼合するとともに、該テープの表面周辺部にウエハダイシング用フレームを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハと前記接着剤層とをチップ単位にダイシングする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用され、
前記ウエハ加工用テープの表面周辺部のダイシング用フレーム貼合予定部分には、前記粘着剤層のみが存在することを特徴とする請求項４に記載のウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の加工のために使用されるウエハ加工用テープに関し、より詳細には、ウエハのダイシング工程にて使用されるダイシングテープ、及び、ダイシング工程とダイシングされたチップをリードフレームや他のチップに接着させるためのダイボンディング工程との両工程に使用されるダイシング・ダイボンディングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターンが形成された半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウエハをチップ単位に切断（ダイシング）する工程、切断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。
【０００３】
上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたダイシングテープの他、基材フィルム上に粘着性と接着性を兼ね備えた粘接着剤層が設けられたダイシング・ダイボンディングテープや、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層がこの順に積層されたダイシング・ダイボンディングテープが提案されている（例えば、特許文献１及び２）。
【０００４】
ダイシングテープは、半導体ウエハをダイシングする工程で、切断されたチップが飛び散らないようにウエハを固定するものであり、ウエハを強力に固定する高い粘着力が求められる一方で、チップのピックアップ時には、チップから容易に剥がれることが求められる。
【０００５】
ダイシング・ダイボンディングテープは、上記ダイシングテープのウエハ固定機能に加え、ダイ（チップ）接着機能を有する。ダイシング・ダイボンディングテープを用いる場合、テープの接着剤層にウエハ裏面を貼り合わせた後、接着剤層はウエハとともにダイシングされ、その後のピックアップ工程において、粘着剤層から剥離して、チップの裏面に付着した状態でチップとともにピックアップされる。このようなダイシング・ダイボンディングテープを用いることで、接着剤層付きのチップを、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着可能であるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
【０００６】
ダイシング工程では、従来、高速回転する薄い円盤状砥石によってウエハを切削、分断するブレードダイシング法が一般に用いられている。ブレードダイシング法では、チップ形状に沿ってウエハ及び接着剤層を分断するだけでなく、粘着剤層の一部まで、あるいは、基材フィルムの一部まで切削される。これは、以下のような理由によるものである。すなわち、切削に利用されるブレードは切削作業の進行に伴って磨耗してゆくが、ブレードの磨耗によって切削作業初めの設定よりも切削深さが浅くなることで必要な深さまで切削することができなくなることがある。このような場合、ブレードの位置調整ないし交換操作を行なうことで対処するのが一般的であるが、頻繁にそのような操作を行なうことは半導体加工速度を遅くすることに繋がる。その為、ある程度ブレードが磨耗して切削作業初めの設定よりも切削深さが浅くなったとしても必要な深さまで切削できるように、あらかじめ基材フィルムの切削深さを大きくすることによって、ブレードの位置調整ないし交換操作の回数を少なくすることを目的としている。
【０００７】
しかしながら、上記のダイシング工程において、ウエハ加工用テープの基材フィルムの途中までダイシングする場合、基材フィルムを構成する樹脂の切削屑が基材フィルムから分離せずにブレードに引っ張られることで、切削溝からヒゲ状に長く伸びた切削屑が発生するという問題がある。ヒゲ状切削屑が発生すると、チップ回路面の汚染、ピックアップ工程でのピックアップ不良、及びダイボンディング工程での接着不良などを引き起こし、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。このような問題は、特に、基材フィルムとして、エラストマー系樹脂のような破断伸び率の大きい樹脂を用いた場合に顕著となる。
【０００８】
ヒゲ状切削屑の発生を抑制可能なウエハ加工用テープとして、例えば、特許文献３には、基材フィルムの破断伸び率が５００％以下で、かつ破断強度が１０〜４０ＭＰａであるダイシングダイボンドテープが開示されている。また、特許文献３には、粘接着剤層と接触する基材フィルム層として、エチレン-酢酸ビニル共重合体をベースポリマーとした層が好ましいことが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２２６７９６号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８２７６号公報
【特許文献３】特開２００６−１５６７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体装置の製造工程においては、ダイシング工程の後、ダイシングされたウエハを保持した状態のウエハ加工用テープを周方向にエキスパンドするエキスパンド工程が実施される場合がある。このエキスパンド工程は、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるため、及び、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。
【００１０】
エキスパンド工程では、その後のピックアップをより確実に行うことができるように、エキスパンド時にテープに与える張力を大きくすることが望まれている。このため、ウエハ加工用テープには、エキスパンドによってテープが裂けることなく、チップ間隔を大きく広げることが可能なエキスパンド性を有すること、すなわち大きな破断伸び率を有することが要求される。
【００１１】
しかしながら、テープのエキスパンド性を向上させるために基材フィルムの破断伸び率を大きくするほど、ヒゲ状切削屑が発生しやすくなり、逆に、ヒゲ状切削屑の発生を抑制するために、基材フィルムの破断伸び率を小さくすると、エキスパンド時の張力を大きくした場合にテープが破断しやすくなる。上記特許文献３には、上述のような構成によって、ヒゲ状切削屑の発生を抑制し、良好な切削性を実現できることが記載されているが、破断伸び率が低いことから、大きな張力でエキスパンドを行った場合に、テープが破断するおそれがある。
【００１２】
このように、ウエハ加工用テープのエキスパンド性とダイシング時のヒゲ状切削屑の抑制とはトレードオフの関係にあり、これらを両立するウエハ加工用テープの開発が望まれている。
【００１３】
そこで、本発明は、ダイシング時のヒゲ状切削屑の発生を抑制するとともに、エキスパンド性に優れるウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様は、基材フィルム上に、粘着剤層又は粘接着剤層が形成されたウエハ加工用テープであって、
前記基材フィルムは、２層以上の複数層からなり、
前記複数層のうち、前記粘着剤層又は粘接着剤層と接触する最上層は、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなり、破断伸び率が５００％以下、層厚が５〜４０μｍであり、
前記複数層のうち、最下層は、破断伸び率が５００％を超えるとともに層厚が２０〜１５０μｍであり、
前記基材フィルム全体の破断伸び率が、５００％を超えることを特徴とするウエハ加工用テープである。
なお、本明細書中において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸及びメタクリル酸のいずれかを意味し、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとは、アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルのいずれかを意味する。
【００１５】
本発明の第２の態様は、上記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記基材フィルムの最下層は、エラストマー成分を２０〜５０質量％含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の第３の態様は、上記第１又は第２の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層は、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第４の態様は、上記第１から第３のいずれかの態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記粘着剤層上に、さらに接着剤層を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第５の態様は、上記第４の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）前記ウエハ加工用テープの接着剤層にウエハ裏面を貼合するとともに、該テープの表面周辺部にウエハダイシング用フレームを貼合する工程と、
（ｂ）前記ウエハと前記接着剤層とをチップ単位にダイシングする工程と
を含む半導体装置の製造方法に使用され、
前記ウエハ加工用テープの表面周辺部のダイシング用フレーム貼合予定部分には、前記粘着剤層のみが存在することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のウエハ加工用テープは、基材フィルムが、破断伸び率が５００％以下の伸びにくく固いアイオノマー樹脂からなる最上層と、破断伸び率が５００％を超える伸びやすい最下層とを含む積層構造を有する。このような構成により、伸びやすい最下層で基材フィルム全体としてのエキスパンド性を確保しつつ、ダイシング時には、伸びにくく固い最上層がダイシングブレードで切削されることで、切削屑がダイシングブレードに引っ張られて長く伸びることが抑制される。よって、従来、両立が困難であったウエハ加工用テープのエキスパンド性とダイシング時のヒゲ状切削屑の抑制を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１〜図３に、本発明のウエハ加工用テープの３つの例を示す。図１は、基材フィルム１上に、粘着剤層２及び接着剤層３が積層されたダイシング・ダイボンディングテープ１０を示す断面図であり、図２は、基材フィルム１上に、粘着性及び接着性を兼ね備えた粘接着剤層４が形成されたダイシング・ダイボンディングテープ２０を示す断面図であり、図３は、基材フィルム１上に粘着剤層２のみが形成されたダイシングテープ３０を示す断面図である。図１〜図３においては、ウエハ加工用テープに半導体ウエハＷとダイシング用リングフレーム１２とが貼り合わされた様子が示されている。
【００２１】
それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。
以下に、各層について詳細に説明する。
【００２２】
＜基材フィルム＞
基材フィルム１は、互いに組成及び特性の異なる最上層１ａと最下層１ｂとを含む積層構造を有する。最上層１ａは、後述するアイオノマー樹脂からなり、破断伸び率が５００％以下の固くて伸びにくい層であり、最下層１ｂは、破断伸び率が５００％を超える柔軟で伸びやすい層である。さらに、基材フィルム１全体では、破断伸び率が５００％を超える高エキスパンド性を有する。このような構成の基材フィルム１を使用することで、ウエハ加工用テープのエキスパンド性とダイシング時のヒゲ状切削屑の抑制の両立を図ることができる。
【００２３】
なお、図示の例では、基材フィルム１は、それぞれ最上層１ａ及び最下層１ｂの２層構造を有しているが、これに限定されず、本発明の趣旨を損なわない範囲で、最上層１ａと最下層１ｂとの間に他の層を介在させた３層以上の複数層構造であってもよい。
（基材フィルム最上層）
基材フィルムの最上層１ａは、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とした３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂からなる。最上層１ａの破断伸び率は５００％以下であり、より好ましくは２００％〜５００％である。
【００２４】
前記３元共重合体の（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、アルキル基が長くなるほど樹脂は柔らかくなることから、炭素数が１〜４であることが好ましい。このような（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸プロピル、メタアクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル等が挙げられる。
【００２５】
共重合体の分子間を架橋する金属イオンとしては、亜鉛、アトリウム等が挙げられるが、中でも亜鉛が好ましい。これは、半導体ウエハ上に形成された回路に、アイオノマー樹脂中のナトリウムイオンが移行し、金属不純物汚染や腐食を引き起こす可能性があるからである。
【００２６】
最上層１ａの層厚としては、ダイシングブレードの切削深さ以上に設定するのが好ましく、エキスパンド性やピックアップ応答性を考慮すれば、通常は、５〜４０μｍが適当である。
【００２７】
本発明のウエハ加工用テープは、このような構成の最上層１ａを有することで、ダイシング時には、伸びにくく固い最上層１ａがダイシングブレードで切削されることになるので、ヒゲ状切削屑の発生を抑制することが可能となる。
【００２８】
また、上記アイオノマー樹脂は、特許文献３に記載のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベースポリマーよりもヒゲ状切削屑の抑制効果に優れ、ブレードダイシング層として優位である。
【００２９】
（基材フィルム最下層）
基材フィルム１の最下層１ｂは、破断伸び率が５００％を超える柔軟で伸びやすい樹脂層からなる。最下層１ｂとしては、上記破断伸び率を有する限り特に限定されないが、柔軟性及び伸張性を発揮するためには、エラストマー成分を２０〜５０質量％含むことが好ましい。エラストマー成分が多すぎると、ブロッキング（基材フィルムをロールに巻いた状態でフィルム同士がくっついてしまうこと）しやすく、取扱が難しくなる。したがって、エラストマー成分の含有量は、２０〜５０質量％が好ましく、より好ましくは、２０〜３０質量％である。
【００３０】
最下層１ｂを構成するベース樹脂としては、ポリオレフィンであることが好ましい。ポリオレフィンとしては、ポリプロピレン、ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体などのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。これらベース樹脂とエラストマーとを混合した樹脂組成物で最下層１ｂを構成することにより、優れた柔軟性及び伸張性が得られ、基材フィルム全体として良好なエキスパンド性を発揮することが可能となる。
後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着強度が低下するタイプを用いる場合には、基材シートは、放射線透過性であることが好ましい。
【００３１】
最下層１ｂの層厚は、２０〜１５０μｍに設定される。最下層１ｂの層厚を２０μｍ未満であると、基材フィルム１の全体としての破断伸び率を５００％超とすることが困難となり、エキスパンド時の張力が大きい高エキスパンドに対応できなくなるおそれがある。また、１５０μｍを超えると、基材フィルム全体としての強度が不足したり取扱性が低下したりする。したがって、最下層１ｂの層厚は、２０〜１５０μｍに設定されることが好ましい。
【００３２】
また、最上層１ａと最下層１ｂとの間の密着性を向上させるために、両方の成分を混合した中間層を設けてもよい。
【００３３】
以上のような、２層以上の複数層の基材フィルムの製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
【００３４】
＜粘着剤層＞
粘着剤層２は、基材フィルム１の最上層１ａ上に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープを構成する粘着剤層に特に制限はなく、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
【００３５】
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。
【００３６】
粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
【００３７】
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下、Ｔｇという。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。
【００３８】
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
【００３９】
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
単量体（（1）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００４０】
化合物（２）において、用いられる官能基としては、化合物（１）、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００４１】
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００４２】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
【００４３】
化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００４４】
次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００４５】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。
【００４６】
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４７】
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部、好ましくは０．４〜３重量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
【００４８】
また、本発明において、粘着剤層には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００４９】
さらに本発明に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００５０】
＜接着剤層＞
接着剤層３は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００５１】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープにおいて、接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着剤フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンド用粘接着テープのカバーフィルムとして使用し、ウエハ等を貼合する際に剥離してもよい。
【００５２】
接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、図１に示すように、ウエハＷが貼合される部分には接着剤層３があり、ダイシング用のリングフレーム１２が貼合される部分には接着剤層３がなく粘着剤層２のみが存在する。一般に、接着剤層は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。
【００５３】
＜粘接着剤層＞
粘接着剤層４は、粘着性と接着性とを兼ね備えた層であり、ダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性を有し、ウエハとともにダイシングされた後、チップをピックアップする際に、基材フィルムから剥離してチップに付着し、基材フィルムからの剥離が容易とする特性を有するものであればよい。粘接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用される粘接着剤であれば良く、例えば、先に挙げた粘着剤層にふくまれる化合物と接着剤層に含まれる化合物の混合物を用いることができる。
【００５４】
次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５５】
（実施例１〜６，比較例１〜５）
表１〜表４に示した各構成の基材フィルムを、押出機を使用して作成した。表１〜表４に記載の各材料を以下に示す。
アイオノマー樹脂Ａ：三井デュポン社製  ハイミラン１７０５（ナトリウムイオン架橋エチレン−アクリル酸共重合体）
アイオノマー樹脂Ｂ：三井デュポン社製  ハイミラン１８５５（亜鉛イオン架橋エチレン−メタクリル酸−アクリル酸エステル３元共重合体）
ＥＶＡ:日本ポリケム社製  ＦＷ３Ｅ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）
ＰＰ：日本ポリケム社製  ノバテックＰＰ  ＦＧ４（ポリプロピレン）
エラストマー：ＪＳＲ社製  ダイナロン１３２０Ｐ（スチレン−ブタジエン共重合体）
【００５６】
【表１】
2009200076.tif 000003
【００５７】
【表２】
2009200076.tif 000004
【００５８】
【表３】
2009200076.tif 000005
【００５９】
【表４】
2009200076.tif 000006
【００６０】
各基材フィルム表面にコロナ処理後、アクリル系放射性硬化型粘着剤層を厚さ１０μｍに形成した。粘着剤層を形成後、該粘着層上にあらかじめフィルム状に成型されたエポキシ系熱硬化型接着剤層を厚さ６０μｍで塗工し、実施例１〜６及び比較例１〜５のウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）を作成した。
得られた各ダイシング・ダイボンディングテープにつき、下記の方法で特性を評価した。
【００６１】
＜破断伸び率＞
実施例１〜６及び比較例１〜５の各基材フィルムにつき、基材フィルム全体、最上層１ａ、及び最下層１ｂの機械加工方向の破断伸び率を、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に基づき、以下の条件にて測定した。結果を表５及び表６に示す。
測定環境：温度２５℃、湿度５０％
標線間およびつかみ間距離：５０ｍｍ
引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
【００６２】
【表５】
2009200076.tif 000007
【００６３】
【表６】
2009200076.tif 000008
【００６４】
＜ヒゲ状切削屑＞
ダイシング・ダイボンディングテープを直径６インチ、厚さ７５μｍ、裏面荒さ♯２０００のシリコンウエハに、７０℃、２０秒で貼合した。
シリコンウエハ貼合後、６インチ用のダイシング用リングフレームにダイシング・ダイボンディングテープをフレーム内に先に貼合したシリコンウエハが収まるようにして貼合した後、Ｄｉｓｃｏ社製  ＤＦＤ６３４０を用いて以下の条件でダイシングした。
ダイシングブレード(薄型回転砥石)：１回目  Ｄｉｓｃｏ社製  ＺＨ  １０５Ｆ−ＳＥ  ２７ＨＥＥＥ、２回目  Ｄｉｓｃｏ社製  ＺＨ  ２０５０  ２７ＨＥＤＤ
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ブレード送り速度：４０ｍｍ／ｓ
チップサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
切削深さ：１回目  シリコンウエハへ２５０μｍ、２回目  ダイシングテープ基材フィルムへ１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ
ダイシング後、顕微鏡で、分割されたシリコンウエハ上を観察し、長さ５μｍ以上のヒゲ状切削屑の本数を数えた。結果を表７及び表８に示す。
【００６５】
【表７】
2009200076.tif 000009
【００６６】
【表８】
2009200076.tif 000010
【００６７】
＜ピックアップ成功率＞
ダイシング後、メタルハライド高圧水銀灯で窒素雰囲気下で３０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２で紫外線をテープ基材の粘接着剤層の反対側から照射した。
紫外線を照射後、キャノンマシナリー社製ＣＡＰ−３００IIでテープに貼合されたダイシング用リングフレームをＣＡＰ−３００IIのエキスパンドリングにより押し下げることでテープのシリコンウエハ貼合部位外周のウエハに重ならない部分を円形の突き上げ部材に押し付けることでエキスパンドを実施し、エキスパンドされた状態で、ダイシングにより分割されたチップのピックアップ試験を実施した。結果を表９〜表１２に示す。なお、表中のＥＰ量は、押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の間の高さ、すなわちエキスパンド量を示す。また、○はエキスパンド時に破断しなかった事を示し、×はエキスパンド時に破断した事を示す。
【００６８】
【表９】
2009200076.tif 000011
【００６９】
【表１０】
2009200076.tif 000012
【００７０】
【表１１】
2009200076.tif 000013
【００７１】
【表１２】
2009200076.tif 000014
【００７２】
以上の結果より、実施例１〜６のウエハ加工用テープによれば、ダイシング時のヒゲ状切削屑の抑制と、優れたエキスパンド性（高いピックアップ成功率）とを両立できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼合された状態を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼合された状態を示す断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼合された状態を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態にかかるウエハ加工用テープに、半導体ウエハとダイシング用リングフレームとが貼合された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１：基材フィルム
１ａ：基材フィルム最上層
１ｂ：基材フィルム最下層
１ｃ：基材フィルム中間層
２：粘着剤層
３：接着剤層
４：粘接着剤層
１０：ダイシングテープ
１２：ダイシング用リングフレーム
２０，３０：ダイシング・ダイボンディングテープ
【図１】
2009200076.tif 000015
【図２】
2009200076.tif 000016
【図３】
2009200076.tif 000017
【図４】
2009200076.tif 000018