(57)【要約】【課題】良好にエイジングを行う。【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ素子３３０と有機ＥＬ素子を駆動する駆動部とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法である。駆動部を構成するスイッチング素子３１０、３２０とスイッチング素子３１０、３２０に接続された有機ＥＬ素子３３０とを有する有機ＥＬパネル１Ｂを用意した後に、有機ＥＬ素子３３０を加熱する加熱処理と、スイッチング素子３１０、３２０にその許容範囲内で電気信号を供給し、かつスイッチング素子３１０、３２０をオンして有機ＥＬ素子３３０に電流を流す駆動処理と、を有している。加熱処理と駆動処理とを少なくとも所定の期間並行して行うエイジング工程を備えている。【選択図】図３
2009140843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動部とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記駆動部を構成するスイッチング素子と該スイッチング素子に接続された有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬパネルを用意した後に、前記有機ＥＬ素子を加熱する加熱処理と、前記スイッチング素子にその許容範囲内で電気信号を供給し、かつ該スイッチング素子をオンして前記有機ＥＬ素子に電流を流す駆動処理と、を有し、前記加熱処理と前記駆動処理とを少なくとも所定の期間並行して行うエイジング工程を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬパネルは、前記スイッチング素子に接続されかつ前記駆動部を構成する駆動源を有し、前記エイジング工程では、該駆動源により前記スイッチング素子に電気信号を供給することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記有機ＥＬパネルは、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子を有し、前記エイジング工程は、前記有機ＥＬ素子に流す電流の電流密度及び／又は前記有機ＥＬ素子に電流を流す時間を、所定の発光波長とされた有機ＥＬ素子ごとに異ならせて行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記エイジング工程では、前記有機ＥＬ素子を４０℃以上８５℃以下の温度に加熱すること特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子と正孔との再結合により発光が生じる現象を用いた発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称す）が知られている。有機ＥＬ素子は、正孔を供給する陽極及び電子を供給する陰極の間に、有機ＥＬ材料からなる有機発光層を有するものである。供給された正孔及び電子が有機発光層内で再結合して、光を生じるようになっている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子は、駆動時間が長くなるにつれてその発光輝度が低下し、その低下は特に形成直後の駆動初期において顕著であることが知られている。また、陽極と陰極との間における電圧及び電流の関係（電気特性）も駆動時間が長くなるにつれて、大きく変化してしまうことも知られている。このような有機ＥＬ素子を、形成後にそのまま発光素子として用いると、短時間のうちに所望の特性が得られなくなり、焼き付き等の表示品質劣化のおそれがある。
【０００４】
そこで、製品の状態で有機ＥＬ素子の発光特性の変化や電気特性の変化が小さくなるように、製品前の有機ＥＬ素子を初期劣化（エイジング）させて、発光特性及び電気特性を安定化することが考えられている（例えば特許文献１）。特許文献１では、実際に駆動する場合の５〜１０００倍の電流密度で有機発光層に電流を流すことにより、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の初期劣化を加速させている。これにより、エイジングする時間を短縮することが可能となっている。
【特許文献１】特開平８−１８５９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の方法は、エイジングする時間を短縮する効果があると考えられるが、良好に有機ＥＬ素子をエイジングするためには改善点もある。すなわち、実際の駆動時よりも高い電流密度の電流を流すためには、実際の駆動時とは別の駆動手段を用いる必要があり、エイジングのための装置コストが高くなる。特に、フルカラー表示の有機ＥＬ装置にあっては、例えば３種類の単色光（赤、緑、青）に対応する３種類の有機ＥＬ素子を備えており、エイジングが高コスト化してしまう。これは、発光波長の違い、すなわち有機発光層の形成材料の違い等により、初期劣化の程度が異なっているためである。青に対応するものは赤よりも劣化しやすいため、赤よりもエイジングの程度を軽くする必要がある。ところが、有機ＥＬ素子を対応する単色光ごとにエイジングしようとすれば、エイジングに用いる駆動手段が複雑化し、その装置コストが高くなってしまう。
【０００６】
また、実際の駆動時よりも高い電流密度の電流を流してエイジングすると、有機ＥＬ素子やこれに接続されたスイッチング素子に形成材料の溶融や絶縁破壊等の損傷を生じるおそれもある。スイッチング素子や有機ＥＬ素子に損傷を生じると、これらを機能させることができないので、有機ＥＬ装置の品質が低下してしまうことや、極端な場合には有機ＥＬ装置の歩留りが損なわれてしまうことがある。このような不都合を回避するためにスイッチング素子の強度を高めると、実際の駆動時においてスイッチング素子の特性を最適にすることができなるおそれや、スイッチング素子の形成コスト等が高くなってしまうおそれがある。また、スイッチング素子等に不具合を生じない程度に電流密度を低くすると、エイジングの効果が十分に得られなかったり、エイジング時間が長くなったりするおそれがある。
【０００７】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、有機ＥＬ素子を良好にエイジングすることにより良好な有機ＥＬ装置を製造することができる方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ素子と該有機ＥＬ素子を駆動する駆動部とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記駆動部を構成するスイッチング素子と該スイッチング素子に接続された有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬパネルを用意した後に、前記有機ＥＬ素子を加熱する加熱処理と、前記スイッチング素子にその許容範囲内で電気信号を供給し、かつ該スイッチング素子をオンして前記有機ＥＬ素子に電流を流す駆動処理と、を有し、前記加熱処理と前記駆動処理とを少なくとも所定の期間並行して行うエイジング工程を備えていることを特徴とする。
【０００９】
前記エイジング工程では、スイッチング素子にその許容範囲内で電気信号を供給するので、スイッチング素子の損傷が防止され、歩留りの低下を回避することができる。また、スイッチング素子の許容範囲内、すなわち実際の動作時と同程度の電気信号を有機ＥＬ素子に流すことができるので、有機ＥＬ素子の損傷を回避することができるとともに実際の動作時と同程度の初期劣化を再現することができ、良好な有機ＥＬ素子とすることができる。また、有機ＥＬ素子を加熱してエイジングを行うので、有機ＥＬ素子の初期劣化を加速することができ、エイジング時間を短縮することができる。このように、良好な有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を効率よくしかも良好な歩留りで製造することができる。
【００１０】
また、前記有機ＥＬパネルは、前記スイッチング素子に接続されかつ前記駆動部を構成する駆動源を有し、前記エイジング工程では、該駆動源により前記スイッチング素子に電気信号を供給することが好ましい。
このようにすれば、エイジング工程でスイッチング素子に電気信号を供給する装置を前記駆動源と別に設ける必要がなくなり、エイジング工程の低コスト化が図られる。また、エイジング工程では、実際の動作時においてスイッチング素子に電気信号を供給する駆動源を用いるので、スイッチング素子に実際の動作時と同程度の電圧（電気信号）を印加（供給）することができる。これにより、エイジング工程でスイッチング素子に損傷を生じることが確実に防止される。このように、低コストかつ良好な歩留りで有機ＥＬ装置を製造することができるようになる。
【００１１】
また、前記有機ＥＬパネルは、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子を有し、前記エイジング工程は、前記有機ＥＬ素子に流す電流の電流密度及び／又は前記有機ＥＬ素子に電流を流す時間を、所定の発光波長とされた有機ＥＬ素子ごとに異ならせて行うことが好ましい。
一般に、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子は、その形成材料が異なることにより、発光波長に応じて初期劣化の程度が異なる。
所定の発光波長とされた有機ＥＬ素子ごとに、有機ＥＬ素子に流す電流の電流密度及び／又は前記有機ＥＬ素子に電流を流す時間を異ならせてエイジング工程を行えば、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子において、初期劣化の程度を均一にすることができる。また、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子を形成すれば、複数色の光を取り出すことが可能となり、例えばフルカラー表示の有機ＥＬ装置を製造することができる。前記のように有機ＥＬ素子の初期劣化の程度を均一にすることができ、これにより製造された有機ＥＬ装置にあっては、実際の動作時における特性変化が、発光波長の異なる複数の有機ＥＬ素子において均一になる。したがって、発光波長によって特性変化がばらつくことが防止され、例えばカラーバランスの変化が防止された良好な有機ＥＬ装置となる。このように、本発明によれば良好な有機ＥＬ装置を製造することができるようになる。
【００１２】
前記エイジング工程では、前記有機ＥＬ素子を４０℃以上８５℃以下の温度に加熱することが好ましい。
通常、駆動された有機ＥＬ素子は自己発熱してその温度が１０〜２０℃（代表的には１５℃）程度上昇する。また、有機ＥＬ素子を構成する有機発光層等は、その温度が１００℃を超えると材質劣化により実際の動作時と異なる劣化を生じる。
前記エイジング工程で有機ＥＬ素子を４０℃以上の温度に加熱すれば、有機ＥＬ素子を十分にかつ迅速にエイジングすることができる。また、８５℃以下の温度に加熱すれば、有機ＥＬ素子の自己発熱による温度上昇を加味しても、有機ＥＬ素子の温度をほぼ１００℃以下にすることができるので、有機ＥＬ素子に実際の動作時と異なる劣化を生じることが防止される。このように、良好に有機ＥＬ素子をエイジングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。なお、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の説明に先立ち、本発明により得られる有機ＥＬ装置の構成例を説明する。本例の有機ＥＬ装置は、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置であり、発光波長の異なる３種類の有機ＥＬ素子を備えている。有機ＥＬ素子の発光波長は、赤色光、緑色光、青色光のいずれかに対応しており、これら３種類の有機ＥＬ素子からの光によりフルカラー表示の最小単位が構成されている。このような場合に、単色光を発する画素はサブ画素と称されることもある。
【００１４】
図１は、本例の有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）を用いたアクティブマトリクス方式のものである。図１に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に直交して延びる複数の信号線２０１と、それぞれの信号線２０１に並列に延びる複数の電源線４０１（駆動源）と、を備えている。信号線２０１には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を有する信号線駆動回路（駆動源）２００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを有する走査線駆動回路（駆動源）１００が接続されている。
【００１５】
また、走査線１０１及び信号線２０１により区画される領域には、画素３００が設けられている。画素３００は、発光素子として機能する有機ＥＬ素子３３０と、有機ＥＬ素子３３０に供給される電気信号をスイッチングするスイッチング素子と、前記電気信号を保持する保持容量３４０と、を備えている。本例では、前記スイッチング素子として、第１スイッチング素子３１０と第２スイッチング素子３２０とを備えている。
【００１６】
第１スイッチング素子３１０のソース電極は、信号線２０１から分岐されたものであり、第１スイッチング素子３１０のドレイン電極は、第２スイッチング素子３２０のゲート電極に電気的に接続されている。また、第１スイッチング素子３１０の能動層は、ゲート絶縁膜を介して信号線２０１と重なり合うように設けられており、重なり合う部分の信号線２０１がゲート電極として機能するようになっている。
【００１７】
第２スイッチング素子３２０のソース電極は、電源線４０１から分岐されたものであり、第２スイッチング素子３２０のドレイン電極は、有機ＥＬ素子３３０の画素電極（後述する）と電気的に接続されている。保持容量３４０は、その一端が第１スイッチング素子３１０のドレイン電極と第２スイッチング素子３２０のゲート電極との間に電気的に接続されているともに、他端が電源線４０１に電気的に接続されている。保持容量３４０により、第２スイッチング素子３２０のゲート電極に送られた電気信号を一定期間保持することができるようになっている。
【００１８】
このような構成により、走査線駆動回路１００から所定のタイミングで発せられた電気信号は、走査線１０１を介して第１スイッチング素子３１０のゲート電極に供給され、第１スイッチング素子３１０をオンにするようになっている。第１スイッチング素子３１０がオンになると、信号線駆動回路２００からの電気信号は、信号線２０１を介して第１スイッチング素子３１０のソース電極に供給され、第１スイッチング素子３１０の能動層及びドレイン電極を介して、第２スイッチング素子３２０のゲート電極に供給されこれをオンにする。第２スイッチング素子３２０がオンになると、電源線４０１からの電気信号は、第２スイッチング素子３２０のソース電極及びドレイン電極を介して有機ＥＬ素子３３０の画素電極に供給されるようになっている。このように、走査線駆動回路１００や信号線駆動回路２００、電源線４０１からの電気信号を第１スイッチング素子３１０及び第２スイッチング素子３２０でスイッチングすることにより、有機ＥＬ素子３３０に所定の電気信号が所定のタイミングで供給されるようになっている。
【００１９】
図２は、有機ＥＬ素子３３０の構成を示す模式図である。前記のように、有機ＥＬ装置１は、発光波長の異なる３種類の有機ＥＬ素子を備えているが、ここではそのうちの１種類のみを図示する。３種類の有機ＥＬ素子における違いは、有機機能層の形成材料や画素電極の厚み等である。
【００２０】
図２に示すように、本例の有機ＥＬ素子３３０は、ガラス等からなる基板１Ａ上に順に形成された画素電極３３１、有機機能層３３２、及び共通電極３３３を備えている。ここでは、画素電極３３１が陽極として機能するようになっており、共通電極３３３が陰極として機能するようになっている。また、詳細を図示しないものの、有機ＥＬ素子３３０は、この上に設けられた保護膜により保護されており、さらに缶封止等により封止されている。画素電極３３１は、第２スイッチング素子３２０のドレイン電極に電気的に接続されている。第２スイッチング素子３２０のソース電極は、電源線４０１を介して有機ＥＬ装置１の内部又は外部に設けられた電源４００と接続可能とされており、共通電極３３３は、配線４０２を介して電源４００と接続可能とされている。なお、電源が交流電源である場合等に、電源と電源線との間にインバータが設けられる場合もある。
【００２１】
画素電極３３１は、仕事関数が高い（例えば５ｅＶ以上）導電材料、具体的にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなっており、画素電極３３１から有機機能層３３２に正孔（キャリア）が効率的に供給されるようになっている。また、ＩＴＯは透光性を有する材料であり、有機機能層３３２から発せられた光を画素電極３３１側から取り出すことが可能となっている。
共通電極３３３は、仕事関数が低い（例えば５ｅＶ以下）材料からなっている。仕事関数が低い材料としては、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物であるフッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体等が挙げられる。本例では、有機機能層３３２上に図示略のカルシウム層、及びアルミニウム層が順次形成された多層構造となっている。カルシウム層は、有機機能層３３２に電子を注入する電子注入層、あるいは有機機能層３３２に電子を輸送する電子輸送層等として機能するようになっており、アルミニウム層は共通電極３３３を低抵抗化するとともに有機機能層３３２から発せられた光を画素電極３３１側に反射する反射層としても機能するようになっている。
【００２２】
有機機能層３３２は、有機ＥＬ材料からなる有機発光層を有するものである。一般に、有機機能層は、陽極側から正孔注入層、有機発光層が順次積層された構造となっており、この他に、正孔注入層と有機発光層との間に正孔輸送層を設けた構造、正孔注入層に替えて正孔注入輸送層を設けた構造、さらに有機発光層の陰極側に電子注入（輸送）層を設けた構造等を用いることができる。ここでは、画素電極３３１上に順に形成された正孔注入層３３２ａ及び有機発光層３３２ｂからなる構造を採用している。
有機機能層の形成材料としては、公知のものをもちいることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
正孔注入層の形成材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層の形成材料としては、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピロ-ＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥ１、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＴＦ、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
有機発光層の形成材料としては、前記した正孔輸送層の形成材料の他、ペニレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素などの有機高分子材料、あるいはこれら有機高分子材料に例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしたもの、ＣＢＰ（４．４．―ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）誘導体、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体等の燐光材料等が挙げられる。
電子輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
【００２３】
以上のような構成により、有機ＥＬ素子３３０が電源４００と電気的に接続された状態で第２スイッチング素子３２０のゲート電極に電気信号が伝わりこれがオンになると、画素電極３３１と共通電極３３３との間に所定の電圧（電気信号）が印加（供給）される。これにより、画素電極３３１側から有機発光層３３２ｂに正孔が供給されるとともに、共通電極３３３側から有機発光層３３２ｂに電子が供給される。供給された正孔及び電子が有機発光層３３２ｂで再結合することにより、前記電気信号に応じた光を発するようになっている。画素電極３３１側に発せられた光が基板１Ａ側から取り出されるとともに、共通電極３３３側に発せられた光も共通電極３３３により反射されて基板１Ａ側から取り出されるようになっている。発光波長の異なる３つの有機ＥＬ素子からの光は、赤色光、緑色光、青色光が混じり合うことにより、フルカラー表示の最小単位一つを構成するようになっている。
なお、本例はボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であるが、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用することもできる。いずれの型を採用する場合であっても、次に説明する本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を適用し、その効果を得ることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一実施形態を有機ＥＬ装置１に基づいて説明する。
【００２５】
図３は、本発明の特徴部分であるエイジング工程の一実施形態を示す模式図である。
まず、基板上に、発光波長が異なる複数の有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃと、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれに接続された第２スイッチング素子３２０と、第２スイッチング素子のそれぞれに接続された第１スイッチング素子３１０と、を備えた有機ＥＬパネル１Ｂを用意する。有機ＥＬパネル１Ｂは、例えば形成されたものを購入して用いてもよいし、公知の形成材料や形成方法等を用いて形成して用いてもよい。ここでは以下のような方法で形成したものを用いる。
【００２６】
まず、ガラス等の透明材料からなる基板１Ａ上に、図１に示した第１スイッチング素子３１０となるＴＦＴを形成するとともに、第２スイッチング素子３２０となるＴＦＴを形成する。また、走査線１０１や、信号線２０１、電源線４０１等の各種配線を形成する。
次いで、図２に示した基板１Ａ上に、第２スイッチング素子３２０のドレイン電極と導通する画素電極３３１を形成する。画素電極３３１は、ＩＴＯ等の透光性の導電材料をスパッタリング法や蒸着法等で成膜した後、この膜をパターニングすること等により形成することができる。次いで、例えば画素電極３３１間に隔壁を形成した後、隔壁間に液滴吐出法で液状の有機ＥＬ材料を配し、これを固化して有機機能層３３２を形成する。ここでは、発光波長が異なる３種類の有機ＥＬ素子を形成するために、それぞれの発光波長に応じた有機ＥＬ材料を前記隔壁間に選択的に吐出する。また、前記有機ＥＬ材料としては、赤色光、緑色光、青色光に対応したものを適宜選択して用いる。次いで、複数の隔壁間に設けられた有機機能層３３２上に一括して共通電極３３３を形成する。これにより、赤色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ａ、緑色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ｂ、青色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ｃを形成することができる。次いで、共通電極３３３と導通する配線４０２を形成する。また、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃ上に一括して、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃを保護する保護膜（図示略）を形成し、さらに缶封止等により有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃを封止する。これにより有機ＥＬパネル１Ｂが得られる。
【００２７】
次いで、本実施形態では、走査線１０１に接続させて走査線駆動回路１００を設けるとともに、信号線２０１に接続させて信号線駆動回路２００を設ける。ここでは、有機ＥＬパネル１Ｂと独立して形成された走査線駆動回路１００や信号線駆動回路２００を有機ＥＬパネル１Ｂに実装する。なお、走査線駆動回路１００や信号線駆動回路２００は、製造後の有機ＥＬ装置を実際に駆動する際にも用いるものである。
【００２８】
次いで、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃのそれぞれに電流を流してエイジングし、それぞれの特性を安定させる。具体的には、走査線駆動回路１００及び信号線駆動回路２００が設けられた有機ＥＬパネル１Ｂにおける電源線４０１と配線４０２との間に、例えば有機ＥＬパネル１Ｂの外部に設けられた電源４００を接続する。また、有機ＥＬパネル１Ｂの外部に設けられたヒーター等の加熱手段により有機ＥＬパネル１Ｂを加熱すること等により、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃを４０〜８５℃程度に加熱する加熱処理を行う。また、走査線駆動回路１００、信号線駆動回路２００、及び電源線４０１からの電気信号を、第１スイッチング素子３１０及び第２スイッチング素子３２０にスイッチングさせて、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃを駆動する駆動処理を行う。本発明では、前記加熱処理と前記駆動処理とを少なくとも所定の期間並行して行うことにより、エイジング工程を行う。
【００２９】
本実施形態では、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに流す電流のエイジングの度合いを所定の発光波長とされたものごと異ならせて前記駆動処理を行う。エイジングの度合いとしては、寿命が長い有機ＥＬ素子ほど強くする。なお、エイジングの度合いは、有機ＥＬ素子に流す電流の電流密度、及びエイジングする時間により規定され、電流密度が大きくなるほど、またエイジング時間が長くなるほど強くなる。また、有機ＥＬ素子の寿命とは、有機ＥＬ素子の発光輝度が所定の値（例えば形成直後の半分）に減少するまでの駆動時間により規定される時間である。
【００３０】
具体的には、走査線駆動回路１００により、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃのそれぞれに接続された第１スイッチング素子３１０のゲート電極に、それぞれ電気信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３を供給する。また、信号線駆動回路２００により、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃのそれぞれに接続された第１スイッチング素子３１０のソース電極に、それぞれ電気信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を供給する。電気信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を供給するタイミングを制御することにより、第２スイッチング素子３２０がオンとなる期間を制御することができる。
【００３１】
また、電源線４０１を介して、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃのそれぞれに接続された第２スイッチング素子３２０のソース電極に、それぞれ電気信号Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３を供給する。第２スイッチング素子３２０がオンとなっている期間には、これら電気信号Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３に応じた電圧が、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃのそれぞれに印加され、電圧に応じた電流密度の電流を有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに流すことができる。電気信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の電圧値を制御することにより、第２スイッチング素子３２０のチャネル領域の抵抗値を制御することや、電気信号Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３の電圧値を制御すること等により、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに流す電流の電流密度を制御することができる。
【００３２】
一般に、有機ＥＬ素子の寿命は赤色光、緑色光、青色光の順に短くなり、ここでも赤色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ａ、緑色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ｂ、青色光に対応した有機ＥＬ素子３３０Ｃの順に電流密度を小さく設定して前記駆動処理を行う。これにより、寿命に応じて有機ＥＬ素子をエイジングすることができ、発光波長が異なる複数の有機ＥＬ素子においてエイジング後の劣化の度合いを均一にすることができる。
【００３３】
走査線駆動回路１００、信号線駆動回路２００、及び電源４００は、実際の動作時にも用いるものであり、これらにより供給される電気信号は、第１スイッチング素子３１０及び第２スイッチング素子３２０に、これらの許容範囲内の電圧、ここでは実際の駆動時と同程度の電圧を印加するものである。第１スイッチング素子３１０及び第２スイッチング素子３２０は、当然ながら実際の動作時における電圧に対して十分な耐性や強度を有して設計されているので、これらが形成材料の溶融や絶縁破壊等により損傷することはない。
【００３４】
また、第１スイッチング素子３１０及び第２スイッチング素子３２０に、その許容範囲内の電圧が印加されることにより、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに流れる電流は、これらの許容範囲内の電流密度となり、これらに損傷を生じることもない。特に、実際の動作時と同程度の電流密度の電流を有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに流すことにより、実際の動作時と同程度の初期劣化を再現することができ、良好にエイジングすることができる。
【００３５】
また、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃを４０℃以上の温度に加熱しているので、これらを十分にかつ迅速にエイジングすることができる。また、８５℃以下の温度に加熱しているので、自己発熱による温度上昇を加味しても、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃの温度をほぼ１００℃以下にすることができ、実際の動作時と異なる劣化を生じることが防止される。また、以上のようなエイジング工程の後に、有機ＥＬパネル１Ｂと、その他の部品等を組み立てること等により有機ＥＬ装置１が得られる。
【００３６】
［試験例］
次に、実施例、及び比較例の発光輝度の時間変化を説明する。実施例は、図３に示した有機ＥＬパネル１Ｂを用意した後、これを５０℃まで加熱するとともに、有機ＥＬ素子３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃに、電流密度３５ｍＡ/ｃｍ２の電流を流してエイジングしたものである。また、比較例は、実施例と同じ有機ＥＬパネル１Ｂを用意した後、これを加熱せずに有機ＥＬ素子に、電流密度３５ｍＡ/ｃｍ２の電流を流してエイジングしたものである。
【００３７】
図４は、実施例、及び比較例の有機ＥＬ素子における発光輝度の時間変化を示すグラフである。実施例Ｔ１は、前記の条件で４時間エイジングしたもの、実施例Ｔ２は１２時間エイジングしたもの、実施例Ｔ３は、２４時間エイジングしたものである。また、比較例Ｔ０は、前記の条件で２４時間エイジングしたものである。図４に示したグラフにおいて、縦軸は所定の時間エイジングした後の初期発光輝度を１として標準化した発光輝度を示しており、横軸はエイジング後の駆動時間を示している。
【００３８】
実施例Ｔ３と比較例Ｔ０との違いは、エイジングにおける加熱処理の有無のみであるが、図４に示したように、実施例Ｔ３は、比較例Ｔ０に比べて、発光輝度が所定の値に減少するまでの時間が長くなっており、長寿命のものとなっていることが分かる。また、実施例Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の違いはエイジングの時間のみであるが、実施例Ｔ２、Ｔ３は発光輝度の減少が同程度となっている。すなわち、１２時間エイジングを行えば十分であり、２４時間エイジングを行った比較例Ｔ０よりも、エイジング時間を短縮することができ、かつエイジング後の有機ＥＬ素子を長寿命化することができることが分かる。また、実施例Ｔ１は実施例Ｔ２、Ｔ３よりも発光輝度の減少が僅かに大きくなっているが、比較例Ｔ０よりは発光輝度の減少が小さくなっており、エイジング時間を格段に短縮することができ、かつエイジング後の有機ＥＬ素子を長寿命化することができることが分かる。
【００３９】
なお、前記実施例Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の他にも、８５℃に加熱し、電流密度１０ｍＡ/ｃｍ２の電流を流してエイジングしたものや、４０℃に加熱し、電流密度４０ｍＡ/ｃｍ２の電流を流してエイジングしたものを製造し、同様の試験を行ったところ、いずれもエイジング時間の短縮が可能であり、かつエイジングされた有機ＥＬ素子が長寿命化されることが確認された。
【００４０】
以上のように、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法にあっては、スイッチング素子にその許容範囲内で電気信号を供給するので、スイッチング素子や機ＥＬ素子の損傷を防止することができる。また、［試験例］に示したように、有機ＥＬ素子を加熱してエイジングを行うので、エイジング時間を短縮することができ、しかもエイジングされた有機ＥＬ素子は長寿命のものとなる。このように、良好な有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を効率よくしかも良好な歩留りで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】有機ＥＬ素子の構成を示す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造方法を模式的に示す工程図である。
【図４】実施例及び比較例の発光輝度の時間変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１・・・有機ＥＬ装置、１Ａ・・・基板、１Ｂ・・・有機ＥＬパネル、１００・・・走査線駆動回路（制御源）、２００・・・信号線駆動回路（制御源）、３００・・・画素、３１０・・・第１スイッチング素子（スイッチング素子）、３２０・・・第２スイッチング素子（スイッチング素子）、３３０、３３０Ａ、３３０Ｂ、３３０Ｃ・・・有機ＥＬ素子、４０１・・・電源線（駆動源）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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