(57)【要約】【課題】複数種類のレーザ光源や集光系を用意することなく、工程数を増やすことなく、大判多層基板を分割して所望のサイズの多層基板を得るための多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】多層基板の製造方法は、互いに異なる種類の材料からなる第１の基板としてのガラス基板１１と第２の基板としてのＳｉ基板１２とが積層された大判多層基板１０を分割予定ライン１３に沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、分割予定ライン１３に沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、分割予定ライン１３に沿って前記第１の基板にレーザ光１５の照射を行なって改質領域１６を形成する工程と、この改質領域１６をきっかけとして大判多層基板１０を分割する工程とを備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる種類の材料からなる第１の基板と第２の基板とが積層された大判多層基板を分割予定ラインに沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、
前記分割予定ラインに沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、
前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、前記分割予定ラインに沿って前記第１の基板にレーザ光の照射を行なって改質領域を形成する工程と、
前記改質領域をきっかけとして前記大判多層基板を分割する工程とを備える、多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の基板の材料を以って構造体を形成するために前記第２の基板をパターニングするための工程を含み、
前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程は、前記第２の基板をパターニングするための工程と兼ねて同時に行なわれる、請求項１に記載の多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程は、エッチングによって行なわれるものであり、前記エッチングは、前記第２の基板の材料に反応し、前記第１の基板の材料には反応しないエッチング流体を用いて行なわれる、請求項１または２に記載の多層基板の製造方法。
【請求項４】
第１の基板と第２の基板と第３の基板とが積層された大判多層基板を分割予定ラインに沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、
前記第１の基板の上面に前記第１の基板とは異なる材料からなる前記第２の基板を接合する工程と、
前記分割予定ラインに沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、
前記第２の基板の上面に前記第１の基板と同じ材料からなる前記第３の基板を接合する工程と、
前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、前記分割予定ラインに沿って前記第１の基板および前記第３の基板にそれぞれレーザ光の照射を行なうことによって前記第１の基板および前記第３の基板にそれぞれ改質領域を形成する工程と、
前記改質領域をきっかけとして前記大判多層基板を分割する工程とを備える、多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記改質領域を形成する工程は、前記レーザ光の照射を同じ側から繰り返して行なうものであり、前記第１の基板に前記改質領域を形成する際と前記第３の基板に前記改質領域を形成する際とでは、前記レーザ光の集光点を変えて照射するものである、請求項４に記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板の製造方法に関するものである。特に、複数枚の基板が積層された大判多層基板を分割することによって多層基板を製造するための方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の多層基板の製造方法としては、特開２００６−２３１４１３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１の段落００６４〜００６８すなわち実施例５には、共通電極が形成されたガラス基板であるところの「基板」と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）が形成されたＳｉ基板であるところの「積層部」とが互いに貼り合わせられた構造体に対して、一方の面の側からレーザ光の照射を２回繰り返すことによって基板および積層部にそれぞれ改質領域を形成し、その後でこの構造体にナイフエッジを押し当てて割って切断する様子が記載されている。分割の際にこのような方法を採用することで、ダイシングマシンで切断する場合に比べて、切粉が発生しない、切りしろを設けなくてよいなどのメリットがある。
【特許文献１】特開２００６−２３１４１３号公報（段落００６４〜００６８、図２０、図２１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載された技術においては、ガラスとＳｉという異なる材料からなる部材にそれぞれ適切な改質領域を形成する必要があるので、それぞれの材料に合わせて２種類のレーザ光源や集光系を用意する必要があった。また、上記特許文献１に記載された技術では、レーザ光の照射を２回行なう必要があることから工程数が増えてしまい、コストの上昇を招いていた。
【０００４】
そこで、本発明は、複数種類のレーザ光源や集光系を用意することなく、工程数を増やすことなく、大判多層基板を分割して所望のサイズの多層基板を得るための多層基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に基づく多層基板の製造方法は、互いに異なる種類の材料からなる第１の基板と第２の基板とが積層された大判多層基板を分割予定ラインに沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、前記分割予定ラインに沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、前記分割予定ラインに沿って前記第１の基板にレーザ光の照射を行なって改質領域を形成する工程と、前記改質領域をきっかけとして前記大判多層基板を分割する工程とを備える。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、２層のうち１層である第２の基板の材料を予め分割予定ラインに沿って所定幅で除去した状態で、レーザ光の照射を行なって第１の基板に改質領域を形成することができるので、改質領域形成用の設備を少なく済ませることができる。したがって、複数種類のレーザ光源や集光系を用意することなく、工程数を増やすことなく、大判多層基板を分割して所望のサイズの多層基板を得るための多層基板の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（実施の形態１）
（製造方法）
図１〜図６を参照して、本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法について説明する。
【０００８】
本実施の形態における多層基板の製造方法は、互いに異なる種類の材料からなる第１の基板と第２の基板とが積層された大判多層基板を分割予定ラインに沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、前記分割予定ラインに沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、前記分割予定ラインに沿って前記第１の基板にレーザ光の照射を行なって改質領域を形成する工程と、前記改質領域をきっかけとして前記大判多層基板を分割する工程とを備える。
【０００９】
以下、各工程についてより詳しく説明する。まず、図１に分割前の大判多層基板１０を示す。大判多層基板１０は、第１の基板としてのガラス基板１１と、第２の基板としてのＳｉ基板１２とが積層されたものであり、分割予定ライン１３を有する。第１の基板としてのガラス基板１１は厚さ４００μｍであり、第２の基板としてのＳｉ基板１２は厚さ３０μｍである。第１の基板としてのガラス基板１１の厚さは、１００〜１０００μｍの範囲で他の値であってもよい。
【００１０】
ガラス基板１１とＳｉ基板１２とは陽極接合されることによって貼り合わせられている。陽極接合を採用することによって接合強度、気密性に優れた電子部品とすることができる。図１に示した例では、のちにＳｉ基板１２の一部から形成されるＳｉ構造体が変位することができるようにガラス基板１１の上面に凹部１１ｕが設けられている。この凹部１１ｕは、ガラス基板１１とＳｉ基板１２とを貼り合わせる前にガラス基板１１の上面に対してサンドブラスト加工をすることによって形成されたものである。Ｓｉ基板１２の側に何らかの凹部が設けられた構造であってもよい。
【００１１】
分割予定ライン１３に沿ってＳｉ基板１２の材料を所定幅で除去する工程として、図２〜図４に示す工程を行なう。まず、図２に示すように、Ｓｉ基板１２の表面にフォトレジスト層１４を所望のパターンで形成する。このフォトレジスト層１４は、Ｓｉ基板１２をパターニングしてＳｉ構造体を形成するためのものである。ただし、このフォトレジスト層１４のパターニングの際には、分割予定ライン１３に沿った領域も開口するようにしておく。図３に示すように、フォトレジスト層１４をマスクとしてドライエッチングを施すことによって、Ｓｉ基板１２をパターニングする。パターニングされたＳｉ基板１２およびフォトレジスト層１４のうち凹部１１ｕの上の部分が宙に浮いているように見えるが、この部分は紙面奥または手前において他の部分とつながって支持されている。
【００１２】
このとき、分割予定ライン１３に沿った領域はフォトレジスト層１４によって覆われていないので、第２の基板１２の材料は分割予定ライン１３に沿って所定幅で除去される。ここでいう「所定幅」とはたとえば５０μｍである。この工程で除去すべき幅は、５０μｍに限らず１〜１００μｍの範囲内で他の値であってもよい。ドライエッチングの後にフォトレジスト層１４を除去することによって図４に示す構造となる。
【００１３】
次に、分割予定ライン１３に沿って第１の基板１１にレーザ光の照射を行なって改質領域を形成する工程を行なう。すなわち、図５に示すように、第２の基板としてのＳｉ基板１２の側からレーザ光１５を照射した結果、第１の基板としてのガラス基板１１の一部に改質領域１６が形成される。このレーザ光１５は、ガラス基板１１に焦点が合うように照射される。そのため、レーザ光１５はＳｉ基板１２の位置においては焦点が合わず広がった状態となっているが、Ｓｉ基板１２の位置におけるレーザ光１５は、Ｓｉ基板１２の材料が上述のように除去された幅の中に収まっていればよい。
【００１４】
次に、改質領域１６をきっかけとして大判多層基板１０を個別の多層基板４０に分割する工程を行なう。こうして大判多層基板１０が図６に示すように個別の多層基板４０に分割される。この工程は、「エキスパンド」すなわち面方向に沿って各個別の多層基板４０が互いに遠ざかるように引っ張ることによって行なうことができる。あるいは、吸引チャックによっていずれかの多層基板４０の部分のみを吸引して上方などへ持ち上げることによって行なうこと（この方法を「ピックアップ」ともいう。）としてもよい。
【００１５】
なお、ここでいう「改質」とは、相変化や結晶構造の変化を引き起こして材料の強度を下げ、分割しやすくする処理をいう。「改質領域」とは、そのような処理によって、材料の強度が下がり、分割しやすくなった領域をいう。「改質領域をきっかけとして」とは、大判多層基板に対してエキスパンド、ピックアップなどのように何らかの外力を加えることによって改質領域内に破断を生じさせて大判多層基板を分割することを意味する。
【００１６】
（作用・効果）
従来であれば、材料の異なる基板同士が貼り合わせられたものに改質領域を形成するためには、各材料に適した改質領域形成用の設備を複数準備しなければならないが、本発明では、２層のうち１層である第２の基板の材料を予め分割予定ラインに沿って所定幅で除去した状態で、レーザ光の照射を行なって第１の基板に改質領域を形成することができるので、改質領域形成用の設備を少なく済ませることができる。したがって、複数種類のレーザ光源や集光系を用意することなく、工程数を増やすことなく、大判多層基板を分割して所望のサイズの多層基板を得るための多層基板の製造方法を実現することができる。
【００１７】
なお、本発明に基づく多層基板の製造方法としては、第２の基板としてのＳｉ基板１２の材料を以って構造体を形成するためにＳｉ基板１２をパターニングするための工程を含み、Ｓｉ基板１２の材料を所定幅で除去する工程は、Ｓｉ基板１２をパターニングするための工程と兼ねて同時に行なわれることが好ましい。本実施の形態では、上述したように、第２の基板の材料を所定幅で除去する工程は、第２の基板をパターニングしてＳｉ構造体を形成するための工程と兼ねて同時に行なわれている。このようにすれば、工程数が増えることを防止することができる。
【００１８】
本発明に基づく多層基板の製造方法としては、第２の基板としてのＳｉ基板１２の材料を所定幅で除去する工程は、エッチングによって行なわれるものであり、このエッチングは、第２の基板の材料に反応し、第１の基板の材料には反応しないエッチング流体を用いて行なわれることが好ましい。本実施の形態では、上述したように、第２の基板としてのＳｉ基板１２の材料を所定幅で除去する工程をドライエッチングで行なっている。このドライエッチングはフッ素系ガスで行なうことができる。このドライエッチングのためのフッ素系ガスとしては、たとえばＳＦ6を用いてよい。「エッチング流体」とは、気体であっても液体であってもよい。エッチング流体は、ドライエッチングにおいては気体であるが、ウェットエッチングにおいては液体である。このように除去する工程をエッチングによって行なうこととすれば、分割予定ラインに沿った第２基板の材料の除去と、第２基板の材料による構造体の形成とを同時に行ないやすい。また、確実に一方の材料のみを除去することができる。
【００１９】
（実施の形態２）
（製造方法）
図７〜図１８を参照して、本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法について説明する。
【００２０】
本実施の形態における多層基板の製造方法は、第１の基板と第２の基板と第３の基板とが積層された大判多層基板を分割予定ラインに沿って分割することによって多層基板を製造するための方法であって、前記第１の基板の上面に前記第１の基板とは異なる材料からなる前記第２の基板を接合する工程と、前記分割予定ラインに沿って前記第２の基板の材料を所定幅で除去する工程と、前記第２の基板の材料を前記所定幅で除去する工程より後に、前記第２の基板の上面に前記第１の基板と同じ材料からなる前記第３の基板を接合する工程と、前記分割予定ラインに沿って前記第１の基板および前記第３の基板にそれぞれレーザ光の照射を行なうことによって前記第１の基板および前記第３の基板にそれぞれ改質領域を形成する工程と、前記改質領域をきっかけとして前記大判多層基板を分割する工程とを備える。
【００２１】
以下、各工程についてより詳しく説明する。まず、図７に示すように、第１の基板としてのガラス基板１１とＳｉ基板１２ｒとを貼り合わせる。Ｓｉ基板１２ｒに研削加工、ポリッシング加工を施して薄くすることによって、Ｓｉ基板１２ｒを、図１に示したような第２の基板としてのＳｉ基板１２とする。さらに、実施の形態１において図２〜図４に示した各工程を行なう。図４に示す構造に至ったら、図８に示すように、第３の基板としてもう１枚のガラス基板１７を上側から接合する。ガラス基板１７はガラス基板１１とは表裏逆向きとなるように接合される。この接合も陽極接合によって行なわれる。ガラス基板１７はＳｉ基板１２と接する側の面に凹部１７ｕを有する。次に図９に示すように、ガラス基板１７にビアホール１８を形成することによって、内部のＳｉ基板１２を露出させる。ビアホール１８の形成はサンドブラスト加工によって行なうことができる。
【００２２】
次に図１０に示すように、ガラス基板１７の表面の一部を覆うように電極を形成する。電極はビアホール１８の内面および底面を覆うように形成する。この電極形成は、蒸着、スパッタ、めっきなどによる成膜工程と、フォトレジストを用いたパターニング工程との組合せによって、リフトオフ法やウェットエッチ法により行なうことができる。
【００２３】
図１１に示すように、ガラス基板１１，１７のうち分割予定ライン１３に沿った領域にレーザ光を照射して改質領域１６，１６ｆを形成する。次にエキスパンドすることによって分割し、図１２に示すように個別サイズの多層基板４１を得る。エキスパンドした際には改質領域１６，１６ｆにおいて破断が生じるので、円滑に個別サイズの多層基板４１を得ることができる。
【００２４】
図１１、図１２に示した改質領域の形成の工程および個別サイズへの分割の工程についてより詳しく説明する。少なくとも以下の２通りの例が考えられる。
【００２５】
まず、第１の例について説明する。図１０に示した状態から図１１に示した状態に至るためには、図１３に示すように、まず下側にあるガラス基板１１に焦点を合わせてレーザ光を照射し、ガラス基板１１にのみ改質領域１６を形成する。ただし、レーザ光は図中上側から照射されており、ガラス基板１７を透過してガラス基板１１に焦点が合わされている。次に図１４に示すように、ガラス基板１１の下面に粘着シート２０を貼り付ける。さらに図１５に示すように、上側にあるガラス基板１７に焦点を合わせて図中上側からレーザ光の照射を行なうことによって、ガラス基板１７に改質領域１６ｆを形成する。図１６に示すように粘着シート２０を外側に向けて引っ張る。こうすることによって、ガラス基板１１が粘着シート２０につられて外側に引っ張られるので、改質領域１６，１６ｆで破断が生じ、結果的に個別サイズの多層基板４１を得ることができる。多層基板４１はそれぞれ粘着シート２０に固定された状態で得られる。
【００２６】
第２の例について説明する。図１０に示した状態から図１１に示した状態に至るためには、図１７に示すようにガラス基板１１の下面に粘着シート２０を貼り付ける。その状態で、下側にあるガラス基板１１に焦点を合わせてレーザ光を照射し、図１８に示すようにガラス基板１１にのみ改質領域１６を形成する。ただし、レーザ光は上側から照射されており、ガラス基板１７を透過してガラス基板１１に焦点が合わされている。次に、上側にあるガラス基板１７に焦点を合わせてレーザ光の照射を行なうことによって、図１５に示すようにガラス基板１７に改質領域１６ｆを形成する。以降の工程は第１の例と同じである。結果的に図１６に示すように個別サイズの多層基板４１を得ることができる。
【００２７】
（作用・効果）
本実施の形態では、２枚のガラス基板を含む構造の多層基板について本発明を適用した例を示した。本実施の形態における多層基板の製造方法においても、実施の形態１で説明したのと同様の効果を得ることができる。
【００２８】
ここではレーザ光の照射はいずれも上側からするものとして説明したが、いずれも下側から照射することとしてもよい。ただし、前記改質領域を形成する工程は、前記レーザ光の照射を同じ側から繰り返して行なうものであり、前記第１の基板に前記改質領域を形成する際と前記第３の基板に前記改質領域を形成する際とでは、前記レーザ光の集光点を変えて照射するものであることが好ましい。このように同じ側から繰り返して照射することとすれば、基板を裏返す必要がなく、作業を効率良く進められるからである。
【００２９】
２枚あるガラス基板に対してレーザ光の照射によって改質領域を形成する際には、レーザ光を照射している側から遠い側のガラス基板において先に改質領域を形成し、近い側のガラス基板においては後から改質領域を形成することが好ましい。このようにすれば、後で改質領域を形成する方のガラス基板に向けてレーザ光を照射する際に、既存の改質領域を透過することなく目指す領域に向けてレーザ光を到達させることができ、既存の改質領域による影響を確実に排除することができるからである。
【００３０】
（実施の形態３）
（製造方法）
図１９〜図２１を参照して、本発明に基づく実施の形態３における多層基板の製造方法について説明する。本実施の形態では、分割予定ラインの配置について詳しく説明する。
【００３１】
まず第１の例では、図１９に示すように、ノッチ付きの円板形状である基板６０に対して分割予定ライン１３は格子状に設定されている。このような分割ライン１３で分割した結果得られる個々の素子の断面を図２０に示す。なお、ここで示す「断面」とは、分割ラインで分割することによって露出する断面のことではなく、個々の素子の隠れた内部を表示するために設定した仮想的な断面である。
【００３２】
硼珪酸ガラス層６１，６３の間に単結晶シリコン層６２が挟まれるようにしてこれら３層が積層されている。単結晶シリコン層６２は全面にあるわけではなく一定のパターンに形成されている。単結晶シリコン層６２の一部は振動子として働く構造となっており、振動子となる部分の上下においては、硼珪酸ガラス層６１，６３に凹部が形成されており、振動子は、これらの凹部によって構成された空間の内部で振動することができるようになっている。
【００３３】
上側の硼珪酸ガラス層６３を貫通するようにいくつかの箇所においてビアホール６８が形成されている。ビアホール６８の下端は単結晶シリコン層６２に到達している。ビアホール６８の内面を覆ってさらに硼珪酸ガラス層６３の上面に延在するように外部電極６４が形成されている。外部電極６４はアルミニウムで形成されている。外部電極６４のうち硼珪酸ガラス層６３の上面に延在する部分にはＡｕ電極６５が形成されている。
【００３４】
製造方法のうち他の工程は、基本的に実施の形態１または２で説明したものと同じである。
【００３５】
（作用・効果）
このようにすれば、シリコンウエハなどを用いて単結晶シリコンの振動子を備えた製品を効率良く生産することができる。通常のダイシングによって基板を分割する場合は、切断線は直線になるので図１９に示したように個々の製品の形状は矩形になる。
【００３６】
しかし、分割予定ライン１３は、図１９に示したように格子状に設定する以外に、第２の例として図２１に示すように、個々の製品が六角形などの多角形になるように設定してもよい。このようにすることで、大判基板の中での製品のレイアウトの自由度が上がる。また、製品の小型化を図ることができ、１枚の大判基板から取得できる製品の個数を増やすこともできる。その結果、コストダウンを図ることができる。
【００３７】
接合後の多層基板製品が受ける熱応力に起因する負荷は、通常、製品の長辺方向にかかる。製品の外形を多角形にすることで、長辺の長さを短くすることができるので、信頼性の高い製品を作製することができる。
【００３８】
なお、上記各実施の形態では、第２の基板がＳｉ基板である例を示したが、Ｓｉ基板に代えて、水晶、ＰＺＴ、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3などの基板であってもよく、ここに示した以外の何らかの圧電材料の基板であってもよい。
【００３９】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第５の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における多層基板の製造方法の第６の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第５の工程の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第６の工程の説明図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の第１の例の第１の説明図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の改質領域形成に関する第１の例の第２の説明図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の個別の多層基板への分割に関する第１の説明図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の個別の多層基板への分割に関する第２の説明図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の改質領域形成に関する第２の例の第１の説明図である。
【図１８】本発明に基づく実施の形態２における多層基板の製造方法の改質領域形成に関する第２の例の第２の説明図である。
【図１９】本発明に基づく実施の形態３における多層基板の製造方法の分割予定ラインの説明図である。
【図２０】本発明に基づく実施の形態３における多層基板の製造方法で得られる個別の製品の断面斜視図である。
【図２１】本発明に基づく実施の形態３における多層基板の製造方法の分割予定ラインの他の例の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  大判多層基板、１１，１７  ガラス基板、１１ｕ，１７ｕ  凹部、１２，１２ｒ  Ｓｉ基板、１３  分割予定ライン、１４  フォトレジスト層、１５  レーザ光、１６，１６ｆ  改質領域、１８，６８  ビアホール、１９  電極、２０  粘着シート、４０，４１  多層基板、６０  基板、６１，６３  硼珪酸ガラス層、６２  単結晶シリコン層、６４  外部電極、６５  Ａｕ電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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