(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体に対して外部から印加する磁界を不要とする。【解決手段】基板１１上に、レーザービームＬＢの照射による局所過熱を利用して情報信号が記録され、また、この記録された情報信号が再生される磁性層である記録層１３と、前記局所過熱によりバイアス磁界が生じ、そのバイアス磁界を前記記録層に供給する磁性層であるバイアス層１５と、前記バイアス層による前記バイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層１６とを少なくとも備えた光磁気記録媒体１０において、前記記録層１３と、前記バイアス層１５又は前記バイアス補助層１６との間に、磁性を有さない誘電体層１４を所定の膜厚範囲内で介在させたことを特徴とする光磁気記録媒体１０を提供する。【選択図】図１
2009259303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、レーザービームの照射による局所過熱を利用して情報信号が記録され、また、この記録された情報信号が再生される磁性層である記録層と、前記局所過熱によりバイアス磁界が生じ、そのバイアス磁界を前記記録層に供給する磁性層であるバイアス層と、前記バイアス層による前記バイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層とを少なくとも備えた光磁気記録媒体において、
前記記録層と、前記バイアス層又は前記バイアス補助層との間に、磁性を有さない誘電体層を所定の膜厚範囲内で介在させたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記誘電体層の所定の膜厚範囲は、１５ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部から印加する磁界を不要とし、レーザービームの照射による局所過熱を利用して情報信号を超高密度に記録再生できる光磁気記録媒体において、記録層に対し交換結合していないバイアス層やバイアス補助層を有する光磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリー点又は補償温度近傍にまで昇温して、この部分の保磁力を減少させ、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カー効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録マーク長の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。
【０００３】
この際、情報信号の再生分解能は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レンズのＮＡ（開口数）で決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となるが、光源の波長λや対物レンズのＮＡ（開口数）による記録密度の向上には限界がある。
【０００４】
そこで、このような再生時の条件から規定される記録密度の問題点を解決するために、レーザービームの照射側から第１，第２，第３磁性層を順に成膜し、且つ、記録時にレーザービームを照射しながら外部磁界によって情報信号を垂直な方向に磁化容易軸を持った第３磁性層に磁区の形態で記録した後に磁区が第２磁性層を介して第１磁性層に交換結合され、再生時にレーザービームの照射による昇温で第２磁性層の磁化が消失されて第１磁性層内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせる磁壁移動（ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）型の光磁気記録媒体が一般的に知られている。
【０００５】
ところで、上記したような一般的に知られている磁壁移動型の光磁気記録媒体を用いて情報信号を記録再生する場合に、記録再生装置内にレーザービームを光磁気記録媒体に向かって出射する光ヘッドと、外部磁界を光磁気記録媒体に印加する磁気ヘッドとによる２種類のヘッドを備える必要があるために、記録再生装置の構成が複雑となり大型化してしまうなどの問題点が生じている。
【０００６】
上記した問題点を解決する従来例として、媒体外部から印加する記録磁界を不要とする熱磁気記録媒体がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３０２２０２号公報
【０００７】
上記した特許文献１に開示された従来の熱記録媒体では、ここでの図示を省略するものの、特許文献１を参照して簡略に説明すると、情報信号を記録するための記録層と、この記録層に対してバイアス磁界（浮遊磁界）を供給するバイアス層と、バイアス層によるバイアス磁界の供給を支援（アシスト）するバイアス補助層とを設けることで、媒体外部から印加する記録磁界を不要とすることができる旨が記載されている。
【０００８】
この際、記録層と、バイアス層又はバイアス補助層との間に、スイッチング層や初期化層を介在させている。
【０００９】
尚、記録層、バイアス層、バイアス補助層、スイッチング層、初期化層は全て磁性材料を用いて成膜されているものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上記した特許文献１に開示された熱記録媒体を適用すれば、熱記録媒体内にバイアス層及びバイアス補助層による磁界発生機能を持たせたために、記録再生装置内に磁気ヘッドを設けることなく、光ヘッドのみで情報信号を記録再生することが可能であるために、記録再生装置の構成を簡素化でき小型化が可能となるが、しかしながら、レーザービームを照射してバイアス層及びバイアス補助層により記録層に対してバイアス磁界（浮遊磁界）を供給しながら情報信号を記録した後に、レーザービームの照射をやめて発生磁界が低下する温度領域まで下がったときに、記録層（Ｗｒｉｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）と、バイアス層及びバイアス補助層との間にスイッチング層や初期化層が介在していて、スイッチング層や初期化層は記録層と磁気的に交換結合しているため、記録層の磁化の方向は初期化層の磁化の方向に揃えられることになる。したがって、記録した情報は記録層に保持されるものではなく、室温に戻る前に更に上層のメモリ層（Ｍｅｍｏｒｙ  Ｌａｙｅｒ）に交換結合力により転写保持される必要がある。
【００１１】
この原理により、ダイレクトオーバーライトが可能になるわけであるが、交換相互作用を制御すべき磁性層数が多くなるという新たな問題が生じている。
【００１２】
そこで、基板上に、情報信号が記録再生される磁性層である記録層と、記録層に対してバイアス磁界を供給する磁性層であるバイアス層と、バイアス層によるバイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層とを少なくとも備え、外部から印加する磁界を不要とし、レーザービームの照射による局所過熱を利用して情報信号を超高密度に記録再生できる光磁気記録媒体において、記録層に対する磁気的相互作用の制御を容易にし、かつ磁性層数を減らすことのできる光磁気記録媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第１の発明は、基板上に、レーザービームの照射による局所過熱を利用して情報信号が記録され、また、この記録された情報信号が再生される磁性層である記録層と、前記局所過熱によりバイアス磁界が生じ、そのバイアス磁界を前記記録層に供給する磁性層であるバイアス層と、前記バイアス層による前記バイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層とを少なくとも備えた光磁気記録媒体において、
前記記録層と、前記バイアス層又は前記バイアス補助層との間に、磁性を有さない誘電体層を所定の膜厚範囲内で介在させたことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１４】
また、第２の発明は、上記した第１の発明の光磁気記録媒体において、
前記誘電体層の所定の膜厚範囲は、１５ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る光磁気記録媒体によると、基板上に、レーザービームの照射による局所過熱を利用して情報信号が記録され、また、この記録された情報信号が再生される磁性層である記録層と、前記局所過熱によりバイアス磁界が生じ、そのバイアス磁界を前記記録層に供給する磁性層であるバイアス層と、前記バイアス層による前記バイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層とを少なくとも備え、とくに、記録層と、バイアス層又はバイアス補助層との間に、磁性を有さない誘電体層を所定の膜厚範囲（１５ｎｍ〜４０ｎｍ）内で介在させることで、外部から印加する磁界を不要とし、且つ、レーザービームを照射して情報信号を記録層に記録するときに記録層に対して誘電体層を介してバイアス層及びバイアス補助層によるバイアス磁界（浮遊磁界）を確実に供給できると共に、レーザービームの照射をやめて発生磁界が低下する温度領域まで下がったときに、バイアス層又はバイアス補助層からの記録層への交換結合力による磁化の転写が行われることがなく、交換相互作用を制御すべき磁性層の数を減らすことが可能になる。
【００１６】
これにより、記録再生装置内に外部磁界を印加する磁気ヘッドがなくても光ヘッドのみを用いて情報信号を超高密度に良好に記録再生することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例について図１〜図３を参照して詳細に説明する。
【実施例】
【００１８】
図１は本発明に係る実施例の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図、
図２は本発明に係る実施例の光磁気記録媒体において、第２誘電体層の膜厚に対するＣ／Ｎを示した特性図である。
【００１９】
図１に示した如く、本発明に係る実施例の光磁気記録媒体１０は、例えばＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に適用可能に構成されている。
【００２０】
上記した本発明に係る実施例の光磁気記録媒体１０では、透明な基板１１上に、第１誘電体層１２と、レーザービームＬＢの照射による局所過熱を利用して情報信号が記録され、また、この記録された情報信号が再生される磁性層である記録層１３と、第２誘電体層１４と、前記局所過熱によりバイアス磁界が生じ、そのバイアス磁界を記録層１３に供給する磁性層であるバイアス層１５と、前記バイアス層１５による前記バイアス磁界の供給を支援する磁性層であるバイアス補助層１６と、第３誘電体層１７と、熱制御層１８と、保護層１９とがこの順で積層されて構成されている。
【００２１】
この際、バイアス層１５と、バイアス補助層１６の成膜順を入れ替えても良いものである。
【００２２】
ここで、本発明に係る光磁気記録媒体１０の各構成部材１１〜１９について、順を追って説明する。
【００２３】
まず、上記した基板１１は、ＤＶＤ用として波長が６５０ｎｍ程度のレーザービームＬＢが照射される側に配置されている。また、この基板１１は、透明なポリカーボネイト樹脂やアクリル樹脂などを用いて厚みが略１．２ｍｍ，外径が１２０ｍｍ，中心孔の径が１５ｍｍで円盤状に形成されており、且つ、この基板１１上に凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂとが交互にＤＶＤ規格に準拠して例えば０．７４μｍ程度のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成されて、ランド１１ａ及びグルーブ１１ｂの少なくとも一方が記録トラックとして対応している。
【００２４】
次に、基板１１上に最初に成膜される第１誘電体層１２は、光学的に高い光透過性を有し、且つ、磁気的に分断できる誘電材料が好ましく、例えば、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ，ＺｎＳ，ＭｇＦ，ＴａＯなどのいずれかを用いて成膜されており、この実施例では、第１誘電体層１２がＳｉＮを用いて３５ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。この際、第１誘電体層１２は、基板１１上に交互に形成された凸状のランド１１ａと凹状のグルーブ１１ｂにならって成膜されている。
【００２５】
次に、第１誘電体層１２上に成膜される記録層１３は、室温において、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として、Ｔｂ−ＦｅやＤｙ−Ｆｅをベースとする磁性材料を用いるのが好ましく、この実施例では、記録層１３がＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを用いて４８ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００２６】
この際、記録層１３は、記録時にスポット状に照射される記録用レーザービームの局所過熱によって磁区の形態で記録され、且つ、記録用レーザービームよりもレーザーパワーが小さい再生用レーザービームの照射による昇温で磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせるために、複数の磁性層からなる磁壁移動型として構成されており、詳細な図示を省略するものの、複数の磁性層として、例えば、磁壁移動層、交換結合力制御層、メモリ層などから構成されている。
【００２７】
次に、記録層１３上に成膜される第２誘電体層１４は、この実施例の要部となるものであり、上記した第１誘電体層１２と同じ誘電材料を用いて後述する所定の膜厚範囲内で成膜されている。この際、第２誘電体層１４を記録層１３と下記するバイアス層１５又はバイアス補助層１６との間に介在させることで、記録層１３に対してバイアス層１５及びバイアス補助層１６からの交換結合による磁化の転写が室温に於いて行われないようになっており、この実施例では、第２誘電体層１４がＳｉＮを用いて１５ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００２８】
次に、第２誘電体層１４上に成膜されるバイアス層１５は、記録層１３を局所加熱する記録用レーザービームの温度上昇に伴ってバイアス磁界（浮遊磁界）を発生させる機能を有しており、垂直磁気異方性が大きなＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏを主成分とする磁性材料が好ましく、この実施例では、バイアス層１５がＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを用いて１５ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００２９】
次に、バイアス層１５上に成膜されるバイアス補助層１６は、バイアス層１５によるバイアス磁界（浮遊磁界）の供給を支援（アシスト）する機能を有しており、即ち、バイアス層１５と協調して必要な値のバイアス磁界（浮遊磁界）を得るためのものであり、且つ、高温で大きな磁化を持つことが必要で上記したバイアス層１５とは異なる磁性材料としてＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏを主成分とする磁性材料が好ましく、この実施例では、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを用いて８５ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００３０】
この際、上記したバイアス層１５は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金の薄膜を使用することで垂直磁気異方性が大きいために、磁化の方向は安定に保てるものの、高温時に飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が小さいために、情報信号を記録するに必要なバイアス磁界（浮遊磁界）がこのバイアス層１５だけでは得られないので、このバイアス層１５と、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏの薄膜を使用することで磁性材料飽和磁化Ｍｓ（単位：ｅｍｕ／ｃｍ３）の値が大きいバイアス補助層１６とで協調して必要な値のバイアス磁界（浮遊磁界）を得て記録層１３に供給するようになっている。
【００３１】
尚、この実施例では、バイアス層１５上に、バイアス補助層１６を成膜しているが、前述したように、両者の順番を入れ替えても良いものである。
【００３２】
次に、バイアス補助層１６上に成膜される第３誘電体層１７も、上記した第１，第２誘電体層１２，１４と同じ誘電材料を用いており、この実施例では第３誘電体層１７がＳｉＮを用いて５０ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００３３】
次に、第３誘電体層１７上に成膜される熱制御層１８は、レーザービームＬＢの昇温による熱を効果的に放熱する機能を有しており、熱伝導率が比較的高い材料で例えばＳｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｕなどの単体又はその混合物を用いた材料が好ましく、この実施例では、熱制御層１８がＳｉを用いて８０ｎｍ程度の膜厚で成膜されている。
【００３４】
次に、熱制御層１８上に成膜される保護層１９は、各層１２〜１８を保護するためのものであり、紫外線硬化高分子樹脂が用いられることが多く、更に、この保護層１９上にレーベルなどが印刷される場合がある。
【００３５】
上記のように構成した本発明に係る光磁気記録媒体１０において、この実施例の要部となる第２誘電体層１４は、上記したように、記録層１３と、バイアス層１５又はバイアス補助層１６との間に介在されている。
【００３６】
そして、この第２誘電体層１４によって、記録層１３と、バイアス層１５又はバイアス補助層１６とが交換結合力が及ばない構成になっているが、バイアス層１５及びバイアス補助層１６から生じるバイアス磁界（浮遊磁界）は接触していない記録層１３に対して静磁結合力によって磁気的な影響を及ぼし、その影響力は第２誘電体層１４の膜厚と等価である層間距離が近づくほど大きくなる。
【００３７】
即ち、第２誘電体層１４の膜厚によって、記録層１３と、バイアス層１５又はバイアス補助層１６との間が近づきすぎると、交換結合力が発現する可能性があり、所望の動作が実現しないことになる。
【００３８】
一方、記録層１３と、バイアス層１５又はバイアス補助層１６との間が遠すぎると、静磁的結合力が弱まってしまい、記録時にバイアス層１５及びバイアス補助層１６から十分なバイアス磁界（浮遊磁界）を記録層１３に供給することができないので、第２誘電体層１４の所定の膜厚範囲を後述するように１５ｎｍ〜４０ｎｍに設定して成膜することで、記録層１３に対して好適なバイアス磁界（浮遊磁界）の供給が可能となっている。
【００３９】
ここで、本発明に係る実施例の光磁気記録媒体１０の製造方法について簡略に説明する。
【００４０】
上記した光磁気記録媒体１０を製造するための成膜装置として不図示の直流マグネトロンスパッタリング装置を用いており、第１，第２，第３誘電体層１２，１４，１７を成膜する場合には、第１のプロセスチャンバーの真空容器内にＢ（ボロン）をドープしたＳｉのターゲットを取り付け、且つ、これと対向してポリカーボネイト樹脂製の基板１１を基板ホルダーに回転可能に取り付けて、内部を真空排気した上でＡｒガスとＮ２ガスとを導入した。
【００４１】
一方、記録層用，バイアス層用，バイアス補助層用の各磁性膜１３，１５，１６を成膜する場合には、第２のプロセスチャンバーの真空容器内にＧｄ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒの各ターゲットを取り付け、且つ、これと対向してポリカーボネイト樹脂製の基板１１を基板ホルダーに回転可能に取り付けて、内部を１０−５Ｐａ程度以下の高真空になるまでターボポンプ及びクライオポンプにて真空排気した上でＡｒガスを導入した。
【００４２】
この際、第１，第２のプロセスチャンバーを別々に用意した理由は、各磁性膜１３，１５，１６の成膜時にＮ２ガスが混入していると、各磁性膜１３，１５，１６が窒化などを起こし、磁気特性に影響を与えるために、磁性層用と誘電体層用とに分けている。
【００４３】
また、各層１２〜１８の膜厚の測定は、各層ごとにサンプル用薄膜を事前に成膜しておき、段差測定器を用いて成膜速度を求め、所望の時間だけ成膜することで各層１２〜１８を所望の膜厚に成膜した。
【００４４】
まず、第１のプロセスチャンバーの真空容器内にＡｒガスとＮ２ガスとを導入し、コンダクタンス調整により圧力を所望の値に設定して、基板１１上に第１誘電体層１２としてＳｉＮ層を膜厚３５ｎｍ程度で成膜した。
【００４５】
次に、第１誘電体層１２が形成された基板１１を、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒの各ターゲットが取り付けられた第２のプロセスチャンバーの真空容器内に搬送し、真空容器内を高真空にした後、真空容器内にＡｒガスを導入し、コンダクタンス調整により真空容器内の圧力を所定の値に設定し、記録層１３としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを膜厚４８ｎｍ程度で成膜した。
【００４６】
次に、第１誘電体層１２の成膜時と同様に、直流反応スパッタにより第２誘電体層１４としてＳｉＮ層を膜厚１０ｎｍ，１５ｎｍ，３０ｎｍ，４０ｎｍ，５０ｎｍでそれぞれ成膜し、膜厚がそれぞれ異なる第２誘電体層１４を成膜した基板１１を４つ用意すると共に、比較例として第２誘電体層１４を成膜しない（膜厚０ｎｍ）基板１１を用意した。
【００４７】
次に、バイアス層１５としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを膜厚１５ｎｍ程度で成膜し、このバイアス層１５上にバイアス補助層１６としてＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒを膜厚８５ｎｍ程度で成膜した。
【００４８】
次に、第１誘電体層１２及び第２誘電体層１４の成膜時と同様に、直流反応スパッタにより第３誘電体層１７としてＳｉＮ層を膜厚５０ｎｍ程度で成膜し、この第３誘電体層１７上に熱制御層１８としてＳｉを膜厚８０ｎｍ程度で成膜した。
【００４９】
次に、保護層１９として紫外線硬化高分子樹脂をスピンコート法により成膜した。
【００５０】
この後、上記のようにして製造した実施例の光磁気記録媒体１０を未記録状態にするために記録層用，バイアス層用，バイアス補助層用の各磁性膜１３，１５，１６の磁化方向を記録時の方向に対して逆方向に一定に揃えるために、外部から１５ＫＯｅの磁場を印加して初期化を行った。
【００５１】
そして、初期化を行なった光磁気記録媒体１０を不図示の記録再生装置内に装着し、外部磁界を印加することなく、波長が６５０ｎｍ程度のレーザービームＬＢをＮＡ（開口数）が０．６程度の対物レンズを介して光磁気記録媒体１０上にスポット状に照射し、記録再生時の線速度を１．５ｍ／ｓｅｃで記録再生することで、第２誘電体層１４の膜厚を１０ｎｍ，１５ｎｍ，３０ｎｍ，４０ｎｍ，５０ｎｍにそれぞれ成膜した各光磁気記録媒体１０と、第２誘電体層１４の膜厚を０ｎｍにした比較例の光磁気記録媒体とに対して動特性評価を行なった。
【００５２】
この際、光磁気記録媒体１０上に、光学系の分解能を超えた高密度な微細パターンとして記録マーク長を０．４μｍで記録し、その信号強度の指標としてＣ／Ｎを単一信号についてスペクトルアナライザを用いて測定し、図２に示したような結果が得られた。
【００５３】
この図２において、第２誘電体層１４の膜厚がそれぞれ０μｍ，１０μｍ，１５μｍ，３０μｍ，４０μｍ，５０μｍであるときに、Ｃ／Ｎはそれぞれ２７ｄＢ，２９ｄＢ，３１ｄＢ，３１ｄＢ，３１ｄＢ，２９ｄＢとなった。
【００５４】
一方、参考例として、バイアス層やバイアス補助層を持たずに外部磁界を印加することで情報信号を記録再生する一般的に知られている磁壁移動型の光磁気記録媒体を用いて、磁界強度３５０（Ｏｅ）の外部磁界を印加したときのＣ／Ｎは３１ｄＢであった。
【００５５】
従って、実施例の光磁気記録媒体１０において、バイアス層やバイアス補助層を持たない参考例の光磁気記録媒体と略同等の値のＣ／Ｎを得るためには、図２から明らかなように、第２誘電体層１４の膜厚範囲を１５μｍ〜４０μｍに設定すれば良いことになり、これによりバイアス層１５及びバイアス補助層１６からのバイアス磁界（浮遊磁界）が磁性を有さず且つ交換結合力を遮断する第２誘電体層１４を介して記録層１３に良好に供給されることが分かった。
【００５６】
尚、比較例として第２誘電体層１４の膜厚が０μｍの場合、即ち第２誘電体層１４を設けない場合には、記録層１３とバイアス層１５又はバイアス補助層１６との間で交換結合力が作用するために良好な記録再生ができないことは明らかである。
【００５７】
上記のように構成した本発明に係る実施例の光磁気記録媒体１０によると、基板１１上に、記録層１３と、バイアス層１５と、バイアス補助層１６とを少なくとも備え、とくに、記録層１３と、バイアス層１５又バイアス補助層１６との間に、磁性を有さない第２誘電体層１４を所定の膜厚範囲（１５ｎｍ〜４０ｎｍ）内で介在させることで、外部から印加する磁界を不要とし、且つ、記録用レーザービームを照射して情報信号を記録層１３に記録するときに記録層１３に対して第２誘電体層１４を介してバイアス層１５及びバイアス補助層１６によるバイアス磁界（浮遊磁界）を確実に供給できると共に、レーザービームの照射をやめて発生磁界が低下する温度領域まで下がったときに、バイアス層１５又はバイアス補助層１６からの記録層１３への交換結合力による磁化の転写が行われないため、交換相互作用を制御すべき磁性層の数を減らすことが可能になる。
【００５８】
これにより、記録再生装置内に外部磁界を印加する磁気ヘッドがなくても光ヘッドのみを用いて情報信号を超高密度に良好に記録再生することができる。
【００５９】
次に、実施例の光磁気記録媒体１０を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体１０’について図３を用いて簡略に説明する。
【００６０】
図３は本発明に係る実施例の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【００６１】
図３に示した如く、実施例を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体１０’は、先に説明した実施例の光磁気記録媒体１０（図１）の構成と一部を除いて同様の構成であり、ここでは説明の便宜上、先に示した構成部材に対しては同一の符号を付し、且つ、実施例と異なる構成部材に新たな符号を付して、実施例に対して異なる点についてのみ説明する。
【００６２】
上記した変形例の光磁気記録媒体１０’は、ＤＶＤよりも記録密度を高めた例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃに適用可能に構成した点が異なっており、実施例の光磁気記録媒体１０（図１）に対して各層の成膜順を上下方向で略反転させて構成したものである。
【００６３】
即ち、変形例の光磁気記録媒体１０’では、基板１１’がポリカーボネイト樹脂やアクリル樹脂などを用いて厚みが略１．１ｍｍで円盤状に形成され、且つ、この基板１１’上に凸状のランド１１ａ’と凹状のグルーブ１１ｂ’とが交互にＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ規格に準拠して例えば０．３２μｍ程度のトラックピッチで螺旋状又は同心円状に形成されて、ランド１１ａ’及びグルーブ１１ｂ’の少なくとも一方が記録トラックとして対応している。
【００６４】
そして、上記した基板１１’は、波長が４０５ｎｍ程度のレーザービームＬＢの入射側と反対側に配置されることにより、この基板１１’上に、熱制御層１８と、第３誘電体層１７と、バイアス層用の磁性層１５によるバイアス磁界の供給を支援するバイアス補助層用の磁性層（以下、バイアス補助層と記す）１６と、レーザービームＬＢによる局所過熱に伴って生じるバイアス磁界を第２誘電体層１４を介して記録層用の磁性層１３に供給するバイアス層用の磁性層（以下、バイアス層と記す）１５と、第２誘電体層１４と、レーザービームＬＢの照射による局所過熱だけで情報信号を記録再生する記録層用の磁性層（以下、記録層と記す）１３と、第１誘電体層１２とがこの順で積層された後に、波長が４０５ｎｍ程度のレーザービームＬＢの入射側に厚みが０．１ｍｍ程度の透明なカバー層２０を接着剤などにより第１誘電体層１２上に接着して構成されている。
【００６５】
この際、バイアス補助１６と、バイアス層１５の成膜順を入れ替えても良いものである。
【００６６】
従って、この変形例の光磁気記録媒体１０’でも、実施例と同様に、基板１１上に、記録層１３と、バイアス層１５と、バイアス補助層１６とを少なくとも備えた際、とくに、記録層１３と、バイアス層１５又バイアス補助層１６との間に、磁性を有さない第２誘電体層１４を所定の膜厚範囲（１５ｎｍ〜４０ｎｍ）内で介在させることで、外部から印加する磁界を不要とし、且つ、記録用レーザービームを照射して情報信号を記録層１３に記録するときに記録層１３に対して第２誘電体層１４を介してバイアス層１５及びバイアス補助層１６によるバイアス磁界（浮遊磁界）を確実に供給できると共に、レーザービームの照射をやめて発生磁界が低下する温度領域まで下がったときに、バイアス層１５又はバイアス補助層１６からの記録層１３への交換結合力による磁化の転写が行われないため、交換相互作用を制御すべき磁性層の数を減らすことが可能となる。
【００６７】
これにより、記録再生装置内に外部磁界を印加する磁気ヘッドがなくても光ヘッドのみを用いて情報信号を超高密度に良好に記録再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明に係る実施例の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【図２】本発明に係る実施例の光磁気記録媒体において、第２誘電体層の膜厚に対するＣ／Ｎを示した特性図である。
【図３】本発明に係る実施例の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体を摸式的に示した縦断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０…実施例の光磁気記録媒体、
１０’…実施例を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体、
１１，１１’…基板、１１ａ，１１ａ’…ランド、１１ｂ，１１ｂ’…グルーブ、
１２…第１誘電体層、１３…記録層用の磁性層（記録層）、１４…第２誘電体層、
１５…バイアス層用の磁性層（バイアス層）、
１６…バイアス補助層用の磁性層（バイアス補助層）、
１７…第３誘電体層、１８…熱制御層、１９…保護層、２０…カバー層、
ＬＢ…レーザービーム。
【図１】
2009259303.tif 000003
【図２】
2009259303.tif 000004
【図３】
2009259303.tif 000005