(57)【要約】【課題】電子内視鏡が完成した状態で、ＯＦＤパルスのオフセット電圧を再調整することができる電子内視鏡装置を提供する。【解決手段】電子内視鏡１０の先端部１７には、縦型オーバーフロードレイン構造を有するＣＣＤ４０が内蔵されており、ＣＣＤ４０には、回路基板４２に設けられたＣＣＤ駆動回路４６から発せられる駆動パルスが電圧調整回路４７を介して入力される。該駆動パルスには、ＯＦＤパルスが含まれ、電圧調整回路４７は、ＯＦＤパルスのオフセット電圧を調整する。電子内視鏡１０のＣＰＵ４４は、プロセッサ装置１１のＣＰＵ５１と通信を行い、キーボード５６から入力された設定値に基づいて、電圧調整回路４７によるオフセット電圧の調整量を制御する。【選択図】図３
2009273825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦型オーバーフロードレイン構造を有するＣＣＤ型固体撮像素子と、
前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力するオーバーフロードレインパルスを発生するパルス発生手段と、
前記パルス発生手段により発生されたオーバーフロードレインパルスのオフセット電圧を調整する電圧調整手段と、
前記電圧調整手段によるオフセット電圧の調整量を、設定操作部から入力された設定値に基づいて制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする電子内視鏡装置。
【請求項２】
電子内視鏡と、前記電子内視鏡が着脱されるプロセッサ装置とからなり、
前記ＣＣＤ型固体撮像素子、前記パルス発生手段、前記電圧調整手段、及び前記制御手段は、前記電子内視鏡に内蔵されており、前記制御手段は、前記プロセッサ装置から入力される設定値に基づいて前記制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子内視鏡装置。
【請求項３】
前記電子内視鏡は、前記設定値を記憶する記憶手段を備え、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された設定値に基づいて前記制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の電子内視鏡装置。
【請求項４】
前記パルス発生手段は、前記オーバーフロードレインパルスに加えて、前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力する水平転送パルス及びリセットパルスを発生し、
前記電圧調整手段は、前記パルス発生手段により発生された水平転送パルス及びリセットパルスの振幅を、前記制御手段の制御に基づいて調整することを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の電子内視鏡装置。
【請求項５】
前記電圧調整手段は、前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力するリセットドレイン電圧の電圧値を、前記制御手段の制御に基づいて調整することを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の電子内視鏡装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子内視鏡装置に関し、特に、縦型オーバーフロードレイン構造を有するＣＣＤ（Charge Coupled Device）型固体撮像素子を備えた電子内視鏡装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子内視鏡装置は、体腔内等へ挿入される挿入部を備えた電子内視鏡と、電子内視鏡が着脱自在に装着され、電子内視鏡へ照明光を供給するとともに電子内視鏡から撮像信号を受信して画像を生成するプロセッサ装置とから構成されている。電子内視鏡の挿入部の先端には、固体撮像素子が内蔵されている。この固体撮像素子として、縦型オーバーフロードレイン（ＶＯＤ：Vertical Overflow Drain）構造を備えたＣＣＤ型固体撮像素子（以下、単にＣＣＤという）を用いた電子内視鏡装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ＶＯＤ構造とは、電荷蓄積時（露光時）に入射光によってＣＣＤの受光部に蓄積される電荷が、基板バイアスによって規定される飽和蓄積電荷量に達すると、それ以上の電荷を余剰電荷として基板（サブストレート）に放出するといった機能を構成するものであり、入射光量が多いときに生じるブルーミングやスミア等のノイズを軽減することができる。つまり、ブルーミングやスミアを軽減するには、飽和蓄積電荷量を下げるように基板バイアスを調整すれば良い。この基板バイアスは、ＣＣＤの基板に外部から電子シャッタパルスとして印加されるオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）パルスのオフセット電圧（ＤＣ電圧）として与えられる。
【０００４】
基板バイアスの増減により飽和蓄積電荷量を変化させることは、ＣＣＤの感度を変化させることになる。上記ノイズの軽減を図るように基板バイアスを変更するとＣＣＤの感度が低下するため、ノイズと感度との兼ね合いから最適な基板バイアスを決定する必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２３５７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＣＣＤは、製造バラツキによって受光部の飽和蓄積電荷量が変動するため、基板バイアスを決定するＯＦＤパルスのオフセット電圧を一律に決定することができない。特に、電子内視鏡装置では、ＯＦＤパルスを発生するＣＣＤ駆動部とＣＣＤとが挿入部に挿通された長いケーブルを介して接続されており、これにより電圧変動が生じるため、オフセット電圧の調整が必要である。このオフセット電圧の調整は、電子内視鏡の製造時に、電子内視鏡内の回路基板上に設けた可変抵抗器を調整することにより行われており、製造後に再調整を行うことができないといった問題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、電子内視鏡が完成した状態で、ＯＦＤパルスのオフセット電圧を容易に再調整することができる電子内視鏡装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の電子内視鏡装置は、縦型オーバーフロードレイン構造を有するＣＣＤ型固体撮像素子と、前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力するオーバーフロードレインパルスを発生するパルス発生手段と、前記パルス発生手段により発生されたオーバーフロードレインパルスのオフセット電圧を調整する電圧調整手段と、前記電圧調整手段によるオフセット電圧の調整量を、設定操作部から入力された設定値に基づいて制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
なお、本発明の電子内視鏡装置は、電子内視鏡と、前記電子内視鏡が着脱されるプロセッサ装置とからなり、前記ＣＣＤ型固体撮像素子、前記パルス発生手段、前記電圧調整手段、及び前記制御手段は、前記電子内視鏡に内蔵されており、前記制御手段は、前記プロセッサ装置から入力される設定値に基づいて前記制御を行うことが好ましい。
【０００９】
また、前記電子内視鏡は、前記設定値を記憶する記憶手段を備え、前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された設定値に基づいて前記制御を行うことが好ましい。
【００１０】
また、前記パルス発生手段は、前記オーバーフロードレインパルスに加えて、前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力する水平転送パルス及びリセットパルスを発生し、前記電圧調整手段は、前記パルス発生手段により発生された水平転送パルス及びリセットパルスの振幅を、前記制御手段の制御に基づいて調整することが好ましい。
【００１１】
さらに、前記電圧調整手段は、前記ＣＣＤ型固体撮像素子に入力するリセットドレイン電圧の電圧値を、前記制御手段の制御に基づいて調整することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子内視鏡装置は、パルス発生手段により発生されたオーバーフロードレイン（ＯＦＤ）パルスのオフセット電圧を調整する電圧調整手段と、電圧調整手段によるオフセット電圧の調整量を、設定操作部から入力された設定値に基づいて制御する制御手段とを備えるので、電子内視鏡が完成した状態で、ＯＦＤパルスのオフセット電圧を容易に再調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１において、電子内視鏡装置２は、電子内視鏡１０、プロセッサ装置１１、光源装置１２などから構成される。電子内視鏡１０は、体腔内に挿入される可撓性の挿入部１４と、挿入部１４の基端部分に連設された操作部１５と、プロセッサ装置１１及び光源装置１２に接続されるユニバーサルコード１６とを備えている。
【００１４】
挿入部１４の先端には、撮像素子としてＣＣＤ４０（図３参照）を内蔵した先端部１７が連設されている。先端部１７の後方には、複数の湾曲駒を連結した湾曲部１８が設けられている。湾曲部１８は、操作部１５に設けられたアングルノブ１９が操作されて、挿入部１４内に挿設されたワイヤが押し引きされることにより、上下左右方向に湾曲動作する。これにより、先端部１７が体腔内の所望の方向に向けられる。
【００１５】
ユニバーサルコード１６の基端は、コネクタ２０に連結されている。コネクタ２０は、複合タイプのものであり、コネクタ２０にはプロセッサ装置１１が接続される他、光源装置１２が接続される。
【００１６】
プロセッサ装置１１は、ＣＣＤ４０から出力された撮像信号を受信し、受信した撮像信号に各種信号処理を施して画像データに変換する。プロセッサ装置１１で変換された画像データは、プロセッサ装置１１にケーブル接続されたモニタ２１に観察像として表示される。また、プロセッサ装置１１は、コネクタ２０を介して光源装置１２と電気的に接続され、電子内視鏡装置２の動作を統括的に制御する。
【００１７】
図２において、先端部１７の端面１７ａには、観察窓３０、照明窓３１、鉗子出口３２、及び送気・送水用ノズル３３が設けられている。観察窓３０は、先端部１７の片側中央に配置されている。照明窓３１は、観察窓３０に関して対称な位置に２個配され、体腔内の被観察部位に光源装置１２からライトガイド６２（図３参照）を介して導かれた照明光を照射する。鉗子出口３２は、挿入部１４内に配設された鉗子チャンネルに接続され、操作部１５に設けられた鉗子口２２（図１参照）に連通している。鉗子口２２には、注射針や高周波メスなどが先端に配された各種処置具が挿通され、各種処置具の先端が鉗子出口３２から露出される。送気・送水用ノズル３３は、操作部１５に設けられた送気・送水ボタン２３（図１参照）の操作に応じて、光源装置１２に内蔵された送気・送水装置から供給される洗浄水や空気を、観察窓３０に向けて噴射する。
【００１８】
図３において、電子内視鏡１０の先端部１７には、ＣＣＤ４０が内蔵されている。ＣＣＤ４０は、観察窓３０に対向して設けられた対物レンズ４１の結像位置に配設されている。ＣＣＤ４０は、図４に示すように、インターライン転送方式のＣＣＤ型イメージセンサとして構成されている。ＣＣＤ４０は、２次元マトリクス状に配置され、光電変換により入射光に応じた信号電荷を生成して蓄積する複数の受光素子（フォトダイオード）７０と、受光素子７０の垂直列ごとに設けられ、受光素子７０から信号電荷を読み出し、読み出した信号電荷を垂直転送する複数の垂直転送部７１と、各垂直転送部７１の出力端に共通に接続され、垂直転送部７１から出力された信号電荷を水平転送する水平転送部７２と、水平転送部７２の出力端に接続され、水平転送部７２から出力された信号電荷を電圧に変換して出力する出力部７３とから構成されている。
【００１９】
垂直転送部７１は、第１〜第４垂直転送ゲート端子Ｖ１〜Ｖ４に入力される垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４により４相駆動される。また、水平転送部７２は、第１，第２水平転送ゲート端子Ｈ１，Ｈ２に入力される水平転送パルスφＨ１，φＨ２により２相駆動される。
【００２０】
出力部７３は、水平転送部７２の出力端から順に配設された出力ゲート７４、フローティングディフュージョン（ＦＤ）部７５、リセットゲート７６、及びリセットドレイン７７と、ＦＤ部７５に入力端子が接続されたソースフォロア回路７８とから構成されている。出力ゲート７４は、水平転送部７２の水平転送動作に応じて水平転送部７２の出力端から出力される信号電荷をＦＤ部７５へ通過させる。
【００２１】
ＦＤ部７５は、出力ゲート７４を介して水平転送部７２から転送された信号電荷を蓄積し、信号電荷の蓄積電荷量に応じた電圧を生成する。ソースフォロア回路７８は、ＦＤ部７５での電荷電圧変換により生じた電圧を検出し、検出した電圧を緩衝増幅（インピーダンス変換）して、撮像信号として信号出力端子ＯＳから出力する。リセットゲート７６には、リセットゲート端子ＲＳに入力されるリセットパルスφＲが印加され、水平転送部７２からＦＤ部７５に次の画素の信号電荷が転送される前に、ＦＤ部７５内に蓄積された電荷電圧変換後の信号電荷をリセットドレイン７７へ破棄する。リセットドレイン７７には、リセットドレイン電源端子ＲＤに入力されるリセットドレイン電圧ＶＲＤが印加されている。
【００２２】
図示は省略するが、ＣＣＤ４０の受光面には、複数の色セグメントからなるカラーフィルタ（例えば、ベイヤー配列の原色カラーフィルタ）が設けられており、各受光素子７０は、カラーフィルタを透過した所定の波長帯の光を受光する。
【００２３】
また、ＣＣＤ４０は、縦型オーバーフロードレイン（ＶＯＤ）構造を備えている。ＣＣＤ４０の受光部の概略的な断面構造を示す図５において、ｎ型半導体基板８０の表層には、ｐウェル８１が形成されており、ｐウェル８１内には、信号電荷（電子）を蓄積するｎ型半導体層からなる電荷蓄積部８２が形成されている。電荷蓄積部８２は、遮光膜８３に形成された開口８３ａ下に位置し、ｐウェル８１との界面（ｐｎ接合部）により前述の受光素子７０を構成している。電荷蓄積部８２の表層には、暗電流の発生を抑制するために、ｐ＋層８４が形成されている。
【００２４】
遮光膜８３下のｐウェル８１の表層には、ｎ型半導体層からなる垂直転送チャネル８５が形成されている。垂直転送チャネル８５は、電荷蓄積部８２から離間しており、ゲート絶縁膜８６を介して形成された垂直転送電極８７とによって、前述の垂直転送部７１を構成している。
【００２５】
ｐウェル８１は、電荷蓄積部８２下において薄くなっており、この薄部８１ａとｎ型半導体基板８０とにより、前述のＶＯＤが構成されている。薄部８１ａは、電荷蓄積部８２に電位井戸を形成するための電位障壁部となっている。薄部８１ａの電位障壁は、ｎ型半導体基板８０に導通したオーバーフロードレイン端子ＳＵＢに印加されるＯＦＤパルスφＳにより変化する。
【００２６】
図６は、図５のＡ−Ａ’線に沿う電位分布を示す。オーバーフロードレイン端子ＳＵＢに、ＯＦＤパルスφＳの最小電圧であるオフセット電圧Ｖｏ（図７参照）が印加された場合には、薄部８１ａに電位障壁Δφが形成されることにより、電荷蓄積部８２に電位井戸が形成される。受光動作（電荷蓄積動作）はこの電位状態で行われ、電荷蓄積部８２の電位井戸に信号電荷が蓄積される。電荷蓄積部８２の信号電荷が過剰になると、オーバーフローした信号電荷は電位障壁Δφを乗り越え、ｎ型半導体基板８０に排出される。このオフセット電圧Ｖｏに応じて、電荷蓄積部８２の飽和蓄積電荷量、つまりＣＣＤ４０の感度が変化する。
【００２７】
一方、オーバーフロードレイン端子ＳＵＢに、ＯＦＤパルスφＳの最大電圧であるパルス電圧Ｖｐ（図７参照）が印加された場合には、電位障壁Δφが消失し、電荷蓄積部８２内のほぼすべての電荷がｎ型半導体基板８０に排出される。この排出動作は、受光動作を開始する直前のいわゆる電子シャッタ動作として行われる。
【００２８】
図示を省略するが、ＣＣＤ４０には、前述の外部端子（信号出力端子ＯＳ、第１〜第４垂直転送ゲート端子Ｖ１〜Ｖ４、第１，第２水平転送ゲート端子Ｈ１，Ｈ２、リセットゲート端子ＲＳ、オーバーフロードレイン端子ＳＵＢ）の他に、電源端子、グランド端子、入力保護トランジスタのバイアス端子が設けられている。
【００２９】
図３において、ＣＣＤ４０から出力された撮像信号は、回路基板４２に設けられたアナログ信号処理回路（ＡＦＥ）４３に入力される。回路基板４２は、電子内視鏡１０の操作部１５に内蔵されており、ＡＦＥ４３の他に、ＣＰＵ４４、ＥＥＰＲＯＭ４５、ＣＣＤ駆動回路４６、電圧調整回路４７が設けられている。
【００３０】
ＡＦＥ４３は、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）４８、プログラマブルゲインアンプ（ＰＧＡ）４９、及びアナログ／デジタル変換器（Ａ／Ｄ）５０により構成されている。ＣＤＳ４８は、ＣＣＤ４０から出力される撮像信号に対して相関二重サンプリング処理を施し、ＣＣＤ４０で生じるリセット雑音及びアンプ雑音の除去を行う。ＰＧＡ４９は、ＣＤＳ４８によりノイズ除去が行われた撮像信号を、ＣＰＵ４４から指定される所定の増幅率で増幅する。Ａ／Ｄ５０は、ＡＧＣ４９により増幅された撮像信号を、所定のビット数のデジタル信号に変換し、前述のコネクタ２０を介してプロセッサ装置１１に入力する。
【００３１】
ＣＰＵ４４は、プロセッサ装置１１内のＣＰＵ５１と通信を行うとともに、回路基板４２の各部の制御を行う。ＥＥＰＲＯＭ４５には、設定値が記憶されており、この設定値は、ＣＰＵ４４によって書き替え可能となっている。ＣＣＤ駆動回路４６は、タイミングジェネレータを内蔵し、ＣＣＤ４０を駆動するための駆動パルス（垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４、水平転送パルスφＨ１，φＨ２、リセットパルスφＲ、ＯＦＤパルスφＳ）を生成する。
【００３２】
電圧調整回路４７は、詳しくは後述するが、ＣＰＵ４４から出力されるアナログ電圧に基づき、ＣＣＤ駆動回路４６から出力された駆動パルスの電圧値や波形形状を調整するとともに、リセットドレイン電圧ＶＲＤを生成する。この電圧調整回路４７は、ＣＣＤ４０の種類や個体差、ＣＣＤ４０と回路基板４２との間を接続するケーブルの長さ等に応じて変動する電圧を調整するために設けられている。この電圧調整は、ＥＥＰＲＯＭ４５に記憶された設定値に応じて、ＣＰＵ４４が電圧調整回路４７に出力する各アナログ電圧を変更することで行われる。
【００３３】
プロセッサ装置１１には、ＣＰＵ５１、ＲＯＭ５２、デジタル信号処理回路（ＤＳＰ）５３、画像処理回路５４、デジタル／アナログ変換器（Ｄ／Ａ）５５などが設けられている。ＣＰＵ５１は、電子内視鏡１０のＣＰＵ４４及び光源装置１２のＣＰＵ５７と通信を行うとともに、ＲＯＭ５２に記憶された制御プログラムに基づき、キーボード５６や不図示の操作ボタンの操作に応じて、各部の制御を行う。ＤＳＰ５３は、ＣＰＵ５１の制御に基づき、電子内視鏡１０のＡＦＥ４３から入力された撮像信号に対し、色分離、色補間、ゲイン補正、ホワイトバランス調整、ガンマ補正等を行い、画像データを生成する。画像処理回路５４は、画像データに対し、患部等の視認性を高めるように画像強調処理を行う。Ｄ／Ａ５５は、画像処理回路５４により処理が施された画像データを、アナログ電圧に変換してモニタ２１に出力する。このようにしてモニタ２１には、ＣＣＤ４０により撮像された観察像が表示される。
【００３４】
光源装置１２には、ＣＰＵ５７、光源５８、光源ドライバ５９、絞り機構６０、集光レンズ６１などが設けられている。ＣＰＵ５７は、プロセッサ装置１１のＣＰＵ５１と通信し、光源ドライバ５９及び絞り機構６０の制御を行う。光源５８は、キセノンランプやハロゲンランプなどからなり、光源ドライバ５９により駆動制御される。絞り機構６０は、光源５８の光射出側に配置され、集光レンズ６１に入射される光量を増減させる。集光レンズ６１は、絞り機構６０を通過した光を集光して、光源装置１２に接続された電子内視鏡１０のライトガイド６２の入射端に導く。ライトガイド６２は、電子内視鏡１０の基端から先端部１７まで挿通され、出射端が前述の各照明窓３１に接続されている。
【００３５】
図８において、ＣＣＤ駆動回路４６は、ＣＰＵ４４の制御に基づいて生成した駆動パルスのうち、水平転送パルスφＨ１，φＨ２、リセットパルスφＲ、ＯＦＤパルスφＳを電圧調整回路４７に入力する。なお、ＣＣＤ駆動回路４６は、垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４を生成するが、垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４は、水平転送パルスφＨ１，φＨ２やリセットパルスφＲと比べて周波数が低く、高精度な波形調整を必要としないため、電圧調整回路４７を介さずＣＣＤ４０に直接入力されている。
【００３６】
ＣＣＤ駆動回路４６から出力されたＯＦＤパルスφＳは、電圧調整回路４７に入力されると、まず、コンデンサと抵抗器で構成されるハイパスフィルタ９０によりＤＣ成分が除去され、オフセット電圧加算部９１に入力される。オフセット電圧加算部９１は、コンデンサとダイオードで構成される。オフセット電圧加算部９１には、ＣＰＵ４４から出力されるアナログ電圧Ｃ１が増幅回路９２及びエミッタフォロア回路９３を介して入力される。
【００３７】
具体的には、ＣＰＵ４４から出力されるアナログ電圧Ｃ１は、０Ｖ〜５Ｖの間の電圧値を取り、増幅回路９２により、例えば３．２倍のゲインで増幅される。増幅されたアナログ電圧Ｃ１は、エミッタフォロア回路９３によりインピーダンス変換されてオフセット電圧加算部９１に入力される。オフセット電圧加算部９１では、エミッタフォロア回路９３から入力されたアナログ電圧Ｃ１を、前述のオフセット電圧Ｖｏとして、ハイパスフィルタ９０から入力されたＯＦＤパルスφＳに加算する。このように、ＣＰＵ４４は、出力するアナログ電圧Ｃ１の電圧値を変更することで、電圧調整回路４７によるＯＦＤパルスφＳのオフセット電圧Ｖｏの調整量を制御することができる。
【００３８】
また、ＣＣＤ駆動回路４６から出力された水平転送パルスφＨ１，φＨ２、及びリセットパルスφＲは、それぞれ駆動回路（バッファ回路）９４ａ〜９４ｃに入力される。駆動回路９４ａ〜９４ｃの電源には、ＣＰＵ４４からエミッタフォロア回路９５を介して入力されるアナログ電圧Ｃ２が供給されており、各パルスφＨ１，φＨ２，φＲの振幅を該アナログ電圧Ｃ２まで増幅する。駆動回路９４ａ〜９４ｃから出力された各パルスφＨ１，φＨ２，φＲは、波形補償用の微分回路９６ａ〜９６ｃに入力される。なお、ＣＰＵ４４から出力されるアナログ電圧Ｃ２は、０Ｖ〜５Ｖの間の電圧値を取る。
【００３９】
微分回路９６ａ〜９６ｃは、入力されたパルスを微分して、ＣＣＤ４０に到達するまでの間に生じる歪みを相殺するための成分（歪み成分）をパルスに重畳する。微分回路９６ａ〜９６ｃから出力された各パルスφＨ１，φＨ２，φＲは、ＣＣＤ４０に到達するまでの間で歪みが生じ、重畳された歪み成分が消失する。この結果、ＣＣＤ４０に到達した時点でほぼ矩形波形となる。このように、ＣＰＵ４４は、出力するアナログ電圧Ｃ２の電圧値を変更することで、電圧調整回路４７による水平転送パルスφＨ１，φＨ２及びリセットパルスφＲの振幅の調整量を制御することができる。
【００４０】
さらに、ＣＰＵ４４は、リセットドレイン電圧ＶＲＤを生成するためにアナログ電圧Ｃ３を出力する。アナログ電圧Ｃ３は、増幅回路９７及びエミッタフォロア回路９８を介して、リセットドレイン電圧ＶＲＤとして出力される。具体的には、ＣＰＵ４４から出力されるアナログ電圧Ｃ３は、０Ｖ〜５Ｖの間の電圧値を取り、増幅回路９７により、例えば３．２倍のゲインで増幅される。増幅されたアナログ電圧Ｃ３は、エミッタフォロア回路９８によりインピーダンス変換されて出力される。このように、ＣＰＵ４４は、出力するアナログ電圧Ｃ３の電圧値を変更することで、電圧調整回路４７によるリセットドレイン電圧ＶＲＤの調整量を制御することができる。
【００４１】
なお、ＣＰＵ４４は、Ｄ／Ａコンバータを内蔵しており、上記のアナログ電圧Ｃ１〜Ｃ３は、このＤ／Ａコンバータから出力される。また、ＣＰＵ４４は、アナログ電圧Ｃ１〜Ｃ３の値を、ＥＥＰＲＯＭ４５に記憶された設定値に基づいて決定する。つまり、この設定値を変更することにより、アナログ電圧Ｃ１〜Ｃ３の値を変更することが可能となっている。
【００４２】
また、ＣＰＵ４４は、ＥＥＰＲＯＭ４５内の設定値を変更し、アナログ電圧Ｃ１〜Ｃ３の値を変更することにより、上記各駆動パルスφＨ１，φＨ２，φＲ，φＳ及びリセットドレイン電圧ＶＲＤを調整する調整モードが実行可能となっている。この調整モードは、プロセッサ装置１１のＣＰＵ５１の制御に基づいて行われる。
【００４３】
図９のフローチャートに示すように、キーボード５６や操作ボタンの操作に応じて、調整モードが選択されると、ＣＰＵ５１は、電子内視鏡１０のＣＰＵ４４に指示を与え、ＣＣＤ４０を駆動させるとともに、ＣＣＤ４０により撮像された観察像をモニタ２１に表示させる。ユーザは、この状態で、ＯＦＤパルスφＳのオフセット電圧Ｖｏ、水平転送パルスφＨ１，φＨ２及びリセットパルスφＲの振幅、リセットドレイン電圧ＶＲＤを設定することができる。この設定値の入力は、キーボード５６を用いて行われる。
【００４４】
上記の設定値が入力されると、ＣＰＵ５１は、電子内視鏡１０のＣＰＵ４４に指示を与え、ＥＥＰＲＯＭ４５内の設定値をキーボード５６から入力された設定値に書き替える。設定値が書き替えられると、アナログ電圧Ｃ１〜Ｃ３の値が変更され、上記各駆動パルスφＨ１，φＨ２，φＲ，φＳの波形及びリセットドレイン電圧ＶＲＤの値が変更される。この後、キーボード５６や操作ボタンにより終了操作が行われなければ、再び設定値の入力が可能となる。終了操作が行われると、調整モードが終了する。
【００４５】
上記のように構成された電子内視鏡装置２で体腔内を観察する際には、電子内視鏡１０、プロセッサ装置１１、光源装置１２、及びモニタ２１の電源をオンにして、電子内視鏡１０の挿入部１４を体腔内に挿入し、光源装置１２からの照明光で体腔内を照明しながら、ＣＣＤ４０により撮像される体腔内の観察像をモニタ２１で観察する。
【００４６】
この観察像に、ブルーミング、スミア、固定パターンノイズ、縦縞などが見られる場合には、キーボード５６や操作ボタンの操作により電子内視鏡装置２を調整モードとし、キーボード５６を操作することにより上記の電圧設定を行うことができる。ブルーミング、スミア、固定パターンノイズは、ＯＦＤパルスφＳのオフセット電圧Ｖｏを調整し、ＣＣＤ４０の感度を変更することにより、軽減が可能である。縦縞は、水平転送パルスφＨ１，φＨ２及びリセットパルスφＲの振幅を調整することにより、軽減が可能である。また、リセットドレイン電圧ＶＲＤは、ＣＣＤ４０の種類により適正値が異なり、この調整モード時に設定が可能である。調整モードが終了すると、ＣＣＤ４０は、各設定値に基づいて撮像動作を行う。
【００４７】
以上説明したように、本発明の電子内視鏡装置２では、電子内視鏡１０を分解することなく、製造後の完成状態のまま、ＯＦＤパルスφＳのオフセット電圧Ｖｏを含む各種駆動電圧の再調整を容易に行うことができる。また、これにより、ＣＣＤ４０の種類や個体差などに依らず、回路基板４２を共通化することができ、コストの削減を図ることも可能となる。
【００４８】
なお、上記実施形態では、プロセッサ装置１１のＣＰＵ５１が調整モードの制御を行っているが、本発明はこれに限定されることなく、プロセッサ装置１１に接続された外部コンピュータが調整モードの制御を行うように構成しても良い。この場合、観察像を外部コンピュータに接続されたモニタに表示することが好ましい。
【００４９】
また、上記実施形態では、電圧調整回路４７において、駆動回路９４ａ〜９４ｃの後段に波形補償用の微分回路９６ａ〜９６ｃを設けているが、本発明はこれに限定されることなく、微分回路９６ａ〜９６ｃは必ずしも設けなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の電子内視鏡装置を示す外観図である。
【図２】電子内視鏡の先端部の端面を示す図である。
【図３】電子内視鏡装置の構成を示す図である。
【図４】ＣＣＤの構成を示す図である。
【図５】ＣＣＤの受光部の断面構造を示す図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿う電位分布を示す図である。
【図７】ＯＦＤパルスを示す図である。
【図８】電圧調整回路を示す回路図である。
【図９】調整モードの動作を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００５１】
２  電子内視鏡装置
１０  電子内視鏡
１１  プロセッサ装置
１２  光源装置
４０  ＣＣＤ（ＣＣＤ型固体撮像素子）
４２  回路基板
４４  ＣＰＵ（制御手段）
４５  ＥＥＰＲＯＭ（記憶手段）
４６  ＣＣＤ駆動回路（パルス発生手段）
４７  電圧調整回路（電圧調整手段）
５１  ＣＰＵ
５６  キーボード（操作設定部）
８０  ｎ型半導体基板
８１  ｐウェル
８１ａ  薄部
８２  電荷蓄積部
９０  ハイパスフィルタ
９１  オフセット電圧加算部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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