(57)【要約】【課題】導体層の腐食が有効に防止された、回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】支持基板２の上に、第１開口部１１が形成されるベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３の表面および第１開口部１１から露出する支持基板２の表面に、金属薄膜１３を形成し、ベース絶縁層３の上と第１開口部１１内とに形成される金属薄膜１３の表面に、金属薄膜１３を介して支持基板２に電気的に導通されるように、導体層４をめっきにより形成し、導体層４の上に、支持基板２を電解めっきのリードとして、電解めっきにより外部側接続端子部９を形成し、支持基板２に、第１開口部１１を被覆する被覆部１４が残存するように、第１開口部１１を囲む第２開口部１２を開口する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１開口部が形成される絶縁層と、
前記第１開口部内に充填され、前記絶縁層の上に形成される導体層と、
前記第１開口部から露出する前記導体層の表面を被覆し、前記導体層と前記絶縁層との間に介在されるように形成される金属薄膜と、
前記第１開口部を囲む第２開口部が形成され、前記絶縁層の下に形成される金属支持層とを備え、
前記金属支持層は、前記第２開口部内に設けられ、前記第１開口部を被覆する被覆部を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
金属支持層の上に、第１開口部が形成される絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層の表面および前記第１開口部から露出する前記金属支持層の表面に、金属薄膜を形成する工程、
前記絶縁層の上と前記第１開口部内とに形成される前記金属薄膜の表面に、前記金属薄膜を介して前記金属支持層に電気的に導通されるように、導体層をめっきにより形成する工程、
前記導体層の上に、前記金属支持層を電解めっきのリードとして、電解めっきにより端子部を形成する工程、および、
前記金属支持層に、前記第１開口部を被覆する被覆部が残存するように、前記第１開口部を囲む第２開口部を開口する工程
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属支持層と、金属支持層の上に形成される絶縁層と、絶縁層の上に形成される導体層と、導体層と絶縁層との間に介在される金属薄膜とを備える回路付サスペンション基板が知られている。
このような回路付サスペンション基板の製造では、絶縁層に第２開口部を形成し、導体層を第２開口部に充填されるように形成した後、金属支持層を電解めっきのリード部として利用して、パッド部を形成する。その後、金属支持層と導体層との短絡を防止するために、金属支持層における第２開口部との対向部分に、第１開口部を、第２開口部よりも大きく開口することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
そして、特許文献１の回路付サスペンション基板は、導体層が、第２開口部から直接露出することなく、金属薄膜により被覆されているので、外部に暴露されず、そのため、導体層が腐食することを防止している。
【特許文献１】特開２００５−１００４８８号公報（図２および図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、近年、回路付サスペンション基板には、より高い品質が要求されており、特許文献１に記載の回路付サスペンション基板では、導体層の腐食の防止が十分でない場合がある。
すなわち、回路付サスペンション基板の製造工程中において、超音波洗浄などにより第２開口部の端縁に応力がかかる場合には、金属薄膜が絶縁層から界面剥離し易い。その場合には、その後の処理工程において、薬液が、金属薄膜と絶縁層との界面に浸入して、その薬液がその界面に残存するため、導体層が変色（腐食）する場合がある。
【０００５】
また、第２開口部から露出する金属薄膜にピンホールなどの欠陥がある場合には、そのピンホールから露出する導体層が変色（腐食）するおそれもある。
本発明の目的は、導体層の腐食が有効に防止された、回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板は、第１開口部が形成される絶縁層と、前記第１開口部内に充填され、前記絶縁層の上に形成される導体層と、前記第１開口部から露出する前記導体層の表面を被覆し、前記導体層と前記絶縁層との間に介在されるように形成される金属薄膜と、前記第１開口部を囲む第２開口部が形成され、前記絶縁層の下に形成される金属支持層とを備え、前記金属支持層は、前記第２開口部内に設けられ、前記第１開口部を被覆する被覆部を備えていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持層の上に、第１開口部が形成される絶縁層を形成する工程、前記絶縁層の表面および前記第１開口部から露出する前記金属支持層の表面に、金属薄膜を形成する工程、前記絶縁層の上と前記第１開口部内とに形成される前記金属薄膜の表面に、前記金属薄膜を介して前記金属支持層に電気的に導通されるように、導体層をめっきにより形成する工程、前記導体層の上に、前記金属支持層を電解めっきのリードとして、電解めっきにより端子部を形成する工程、および、前記金属支持層に、前記第１開口部を被覆する被覆部が残存するように、前記第１開口部を囲む第２開口部を開口する工程を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の回路付サスペンション基板よれば、第１開口部が被覆部により被覆されているので、洗浄工程などにおいて、薬液が第１開口部内に浸入することを防止することができる。
とりわけ、製造工程中に、絶縁層やその第１開口部内に充填される導体層に応力がかかり、第１開口部内の金属薄膜が絶縁層から界面剥離する場合でも、第１開口部が被覆部により被覆されているので、第１開口部内における金属薄膜と絶縁層との界面に、薬液が浸入することを防止することができる。そのため、導体層の腐食を有効に防止することができる。
【０００９】
また、第１開口部から露出する金属薄膜に欠陥がある場合でも、第１開口部が被覆部により被覆されているので、導体層の腐食を有効に防止することができる。
一方、導体層が充填される第１開口部が第２開口部により囲まれるので、導体層と金属支持層との短絡を防止することができる。
その結果、導体層の腐食を防止しながら、高い信頼性を確保することができる。
【００１０】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、金属支持層に、第１開口部を被覆する被覆部が残存するように、第２開口部を開口する。そのため、洗浄工程などにおいて、薬液が第１開口部内に浸入することを防止することができる。
とりわけ、製造工程中に、絶縁層やその第１開口部内に充填される導体層に応力がかかり、第１開口部内の金属薄膜が絶縁層から界面剥離する場合でも、被覆部により第１開口部を被覆するので、第１開口部内における金属薄膜と絶縁層との界面に薬液が浸入することを防止することができる。そのため、導体層の腐食を有効に防止することができる。
【００１１】
また、第１開口部から露出する金属薄膜に欠陥がある場合でも、被覆部により第１開口部を被覆するので、導体層の腐食を有効に防止することができる。
一方、この方法では、金属支持層に、第１開口部を囲む第２開口部が設けられるように、金属支持層を開口するので、導体層と金属支持層との短絡を防止することができる。
その結果、高い信頼性が確保されながら、導体層の腐食が防止された回路付サスペンション基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図３（ｉ）は、図１に示す回路付サスペンション基板の要部拡大平面図、図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の被覆部（後述）の拡大底面図である。なお、図３（ｉ）は、回路付サスペンション基板における外部側接続端子部（後述）が形成される部分を含む、その回路付サスペンション基板の長手方向に沿う断面の一部を示している。
【００１３】
図１において、回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持する。この回路付サスペンション基板１には、磁気ヘッドと、外部回路としてのリード・ライト基板とを接続するための導体層４が、配線回路パターンとして一体的に形成されている。
【００１４】
回路付サスペンション基板１は、図１および図３（ｉ）に示すように、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板２と、支持基板２の上に形成される、絶縁体からなる絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に、配線回路パターンとして形成される導体層４とを備えている。また、回路付サスペンション基板１は、導体層４とベース絶縁層３との間に介在される金属薄膜１３を備えている。なお、この配線回路パターンは、互いに間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとして形成されている。
【００１５】
支持基板２の先端部（長手方向一端部）には、その支持基板２を切り抜くことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル５が形成されている。また、その支持基板２の先端部には、磁気ヘッドと各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとを接続するための端子部としての磁気ヘッド側接続端子部６が形成されている。
また、支持基板２の後端部には、リード・ライト基板７（仮想線）の端子部８（破線）と各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄとを接続するための端子部としての外部側接続端子部９が形成されている。この外部側接続端子部９は、配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの後端部（長手方向他端部）において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄに対応して、後述するカバー絶縁層１０がそれぞれ略矩形状に開口されるパッド開口部２５に露出する導体層４の上に、金めっき層２４およびニッケルめっき層２３からなるパッド１６として、それぞれ形成されている。
【００１６】
なお、図１においては、図示されていないが、実際には、導体層４の上には、絶縁体からなるカバー絶縁層１０が被覆されている。
そして、この回路付サスペンション基板１には、ベース絶縁層３に第１開口部１１が形成され、第１開口部１１内に導体層４が充填され、支持基板２に第２開口部１２が形成されている。
【００１７】
第１開口部１１は、図３（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３において、厚み方向を貫通するように形成されており、底面（平面）視において、パッド１６と異なる位置に設けられている。具体的には、第１開口部１１は、パッド１６と長手方向に間隔を隔てて配置されている。第１開口部１１は、図４の破線で示されるように、底面視において、略矩形状に形成されている。第１開口部１１の寸法は、その一辺の長さが、例えば、３０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜１０００μｍである。
【００１８】
導体層４は、第１開口部１１に対応するように形成されている。また、導体層４には、第１開口部１１内に充填される部分において、幅方向において各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄから膨出する膨出部１５が形成されている。また、導体層４は、図３（ｉ）に示すように、第１開口部１１から露出する表面が、金属薄膜１３に被覆されている。
第２開口部１２は、図３（ｉ）および図４に示すように、支持基板２において、第１開口部１１と厚み方向において対向配置され、厚み方向を貫通するように形成されている。より具体的には、第２開口部１２は、厚み方向に投影したときに、第１開口部１１（膨出部１５）を囲み、第１開口部１１より大きい底面視略矩形状に形成されている。
【００１９】
第２開口部１２の寸法は、その一辺の長さが、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、８０〜１０００μｍである。
そして、支持基板２は、被覆部１４を備えている。
被覆部１４は、第２開口部１２内に設けられており、第１開口部１１を被覆している。
すなわち、被覆部１４は、第２開口部１２の内側面と、間隔を隔てて配置されている。具体的には、被覆部１４の外側面が、底面視（厚み方向に投影したとき）において、第２開口部１２の内側面より内側（長手方向内側および幅方向内側）、かつ、第１開口部１１の内側面より外側（長手方向外側および幅方向両外側）に配置されている。つまり、被覆部１４の外側面は、底面視（厚み方向に投影したとき）において、第２開口部１２の内側面と第１開口部の内側面との間に位置している。
【００２０】
また、被覆部１４の上面は、第１開口部１１から露出する導体層４（第１開口部１１から露出する導体層４の下面に形成される金属薄膜１３）の下面、および、ベース絶縁層３における第１開口部１１の周端の下面と接触している。これにより、被覆部１４は、導体層４と金属薄膜１３を介して導通している一方、第２開口部１２の外周の支持基板２と電気的な導通が遮断されている。
【００２１】
被覆部１４の底面視における配置および寸法は、第１開口部１１および第２開口部１２の大きさにより適宜設定され、具体的には、被覆部１４の外側面と第２開口部１２の内側面との間の間隔Ｄ１は、例えば、３０〜３００μｍ、好ましくは、５０〜１００μｍであり、被覆部１４の外側面と第１開口部１１の内側面との間の間隔Ｄ２は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。
【００２２】
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態について、図２および図３を参照して説明する。なお、図２および図３は、回路付サスペンション基板１における外部側接続端子部９が形成される部分を含む、その回路付サスペンション基板１の長手方向に沿う断面の一部を示している。
この方法では、図２（ａ）に示すように、支持基板２を用意して、その支持基板２の上に、第１開口部１１が形成されるベース絶縁層３を所定パターンで形成する。
【００２３】
支持基板２としては、例えば、金属箔または金属薄板が用いられ、そのような金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられる。好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚さが、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍであり、その幅が、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
また、ベース絶縁層３を形成するための絶縁体としては、回路付サスペンション基板の絶縁体として使用できるものであれば、特に制限されることなく使用することができる。このような絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が挙げられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２４】
なお、ベース絶縁層３がポリイミド樹脂から形成され、かつ、支持基板２がステンレスから形成されている場合には、ベース絶縁層３における第１開口部１１の周端と被覆部１４とが、密着性よく接触することができる。そのため、被覆部１４によって、第１開口部１１への薬液の浸入を防止することができる。
感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を第１開口部１１を含む所定パターンで形成するには、例えば、支持基板２の表面に、感光性ポリイミド樹脂ワニスを塗布し、フォト加工後に硬化させる。なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、合成樹脂を、所定パターンで塗布またはドライフィルムとして貼着する。
【００２５】
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３の表面、および、第１開口部１１から露出する支持基板２の表面に、金属薄膜１３を形成する。
金属薄膜１３の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、金属薄膜１３となる金属としては、好ましくは、クロムや銅などが用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層３の表面（ベース絶縁層３の上面およびベース絶縁層３における第１開口部１１の内側面）、および、第１開口部１１から露出する支持基板２の表面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、クロム薄膜の厚みが、例えば、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、例えば、５００〜２０００Åである。
【００２６】
次いで、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上と第１開口部１１内とに形成される金属薄膜１３の表面に、導体層４をめっきにより形成する。
導体層４は、導体からなり、回路付サスペンション基板の導体として使用できるものであれば、特に制限されることなく使用することができる。そのような導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００２７】
導体層４をめっきにより形成するには、図示しないが、まず、金属薄膜１３の上に、配線回路パターンの反転パターンのめっきレジストを形成し、次いで、ベース絶縁層３におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、配線回路パターンと同一パターンの導体層４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましく、電解銅めっきが用いられる。
【００２８】
なお、このようにして形成される導体層４は、第１開口部１１内に充填されており、その第１開口部１１において、金属薄膜１３を介して支持基板２に電気的に導通されている。また、導体層４は、例えば、図１に示されるように、互いに所定間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄのパターンとして形成される。
導体層４の厚みは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄ間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００２９】
その後、めっきレジストを、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチングまたは剥離によって除去する。
次いで、図２（ｄ）に示すように、導体層４から露出する金属薄膜１３（つまり、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜１３）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチングにより除去する。
【００３０】
その後、図２（ｅ）に示すように、導体層４の表面、および、支持基板２の表面に、金属皮膜２０を形成する。この金属皮膜２０は、好ましくは、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル皮膜として形成する。金属皮膜２０の厚みは、導体層４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度である。
次いで、図３（ｆ）に示すように、導体層４を被覆するためのカバー絶縁層１０を、所定パターンで形成する。カバー絶縁層１０を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００３１】
カバー絶縁層１０の形成は、ベース絶縁層３を形成する方法と、同様の方法が用いられる。このようにして形成されるカバー絶縁層１０には、パッド開口部２５が形成されており、カバー絶縁層１０は、パッド開口部２５から、導体層４（導体層４の表面に形成される金属皮膜２０）を露出させる。また、カバー絶縁層１０の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００３２】
次いで、図３（ｇ）に示すように、パッド開口部２５から露出する金属皮膜２０を、例えば、剥離などにより除去する。なお、これと同時に、支持基板２の上に形成されている金属皮膜２０も除去する。
そして、図３（ｈ）に示すように、パッド開口部２５から露出する導体層４の上（上面）に、パッド１６を電解めっきにより形成する。電解めっきに用いられる金属としては、回路付サスペンション基板の端子部を形成し得るものであれば、特に制限されることなく使用することができ、例えば、銅、ニッケル、クロム、金などが用いられる。
【００３３】
電解めっきによってパッド１６を形成するには、例えば、まず、パッド１６を形成する部分を残して、支持基板２およびカバー絶縁層１０をめっきレジストにより被覆する。次いで、この工程においては、導体層４が、第１開口部１１内において金属薄膜１３を介して支持基板２に電気的に導通されていることから、支持基板２を、電解めっきのリードとして利用して、電解めっきする。
【００３４】
なお、パッド１６は、多層として形成してもよく、例えば、図３（ｈ）に示すように、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次実施して、ニッケルめっき層２３と、その上に金めっき層２４とを順次形成する。なお、ニッケルめっき層２３および金めっき層２４の厚さは、いずれも、例えば、１〜５μｍ程度である。
その後、図３（ｉ）に示すように、支持基板２を開口する。
【００３５】
支持基板２の開口は、例えば、ドライエッチングやウェットエッチング（化学エッチング）などのエッチング、例えば、ドリル加工やレーザ加工などが用いられる。好ましくは、エッチングが用いられる。
そして、支持基板２に、第１開口部１１を被覆する被覆部１４が残存するように、第１開口部１１を囲む第２開口部１２を開口する。
【００３６】
なお、この支持基板２の開口と同時に、図１に示すように、外形加工することにより、ジンバル５を形成して、回路付サスペンション基板１を得る。
なお、上記においては、磁気ヘッド側接続端子部６の形成方法を説明していないが、磁気ヘッド側接続端子部６も、外部側接続端子部９と同様にして形成される。
そして、この方法により得られる回路付サスペンション基板１では、第１開口部１１が被覆部１４により被覆されているので、回路付サスペンション基板１の製造後における洗浄工程などにおいて、薬液が第１開口部１１内に浸入することを防止することができる。
【００３７】
とりわけ、回路付サスペンション基板１の製造工程中に、ベース絶縁層３やその第１開口部１１内に充填される導体層４に応力がかかり、第１開口部１１内の金属薄膜１３がベース絶縁層３から界面剥離する場合でも、第１開口部１１が被覆部１４により被覆されているので、第１開口部１１内における金属薄膜１３とベース絶縁層３との界面に、薬液が浸入することを防止することができる。そのため、導体層４の腐食を有効に防止することができる。
【００３８】
また、第１開口部１１から露出する金属薄膜１３に欠陥がある場合でも、第１開口部１１が被覆部１４により被覆されているので、導体層４の腐食を有効に防止することができる。
一方、導体層４が充填される第１開口部１１が第２開口部１２により囲まれるので、導体層４と支持基板２との短絡を防止することができる。
【００３９】
その結果、導体層４の腐食を防止しながら、高い信頼性を確保することができる。
なお、この方法により得られる回路付サスペンション基板１では、図３（ｈ）に示すように、パッド開口部２５を開口する前における、電解めっきによってパッド１６を形成する工程においては、支持基板２が金属薄膜１３を介して導体層４と電気的に導通されているので、この工程において、支持基板２を、パッド１６を形成するための電解めっきのリードとして利用することができる。
【００４０】
なお、上記した説明では、第１開口部１１、第２開口部１２および被覆部１４を、底面視略矩形状に形成したが、その形状は特に限定されず、目的および用途に応じて適宜の形状に形成することができ、例えば、図示しないが、底面視において、略円形状、略多角形（矩形を除く）状などに形成することもできる。
また、上記した説明では、第１開口部１１内の導体層４に膨出部１５を形成したが、例えば、図示しないが、第１開口部１１の幅と各配線４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄの幅とが同一である場合には、膨出部１５を形成することなく、導体層４を直線状に形成することもできる。
【００４１】
また、上記した説明では、導体層４の表面に金属皮膜２０を形成したが、例えば、図示しないが、金属皮膜２０を形成せず、導体層４の表面にカバー絶縁層１０を直接形成することもできる。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らこれらに限定されることはない。
（回路付サスペンション基板の作製）
実施例１
厚さ２５μｍのステンレスからなる支持基板を用意し、次いで、その表面に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した。その後、皮膜を、フォトマスクを介して露光させ、露光部分を１８０℃に加熱して乾燥させた後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をパターンに形成した。
【００４３】
次いで、この皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、第１開口部を含むパターンで形成した（図２（ａ）参照）。なお、第１開口部は、平面視矩形状で、その一辺の長さは、６０μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の表面と、第１開口部から露出する支持基板の表面とに、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した（図２（ｂ）参照）。
【００４４】
その後、配線回路パターンの反転パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、次いで、電解銅めっきにより、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、配線回路パターンと同一パターンの導体層を形成した（図２（ｃ）参照）。
その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていた部分のクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した（図２（ｄ）参照）。
【００４５】
なお、この導体層は、第１開口部内に充填されており、第１開口部において、金属薄膜を介して支持基板に電気的に導通されていた。
また、導体層は、厚さ２０μｍで、そのパターンを、各配線の幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに間隔を隔てて平行状に配置される、４本の配線回路パターンとした。
【００４６】
次いで、導体層の表面、および、支持基板の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケルからなる金属皮膜を形成した（図２（ｅ）参照）。
その後、金属皮膜およびベース絶縁層の上に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した。その後、皮膜をフォトマスクを介して露光させ、露光部分を１８０℃に加熱して乾燥させた後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、皮膜を、導体層が被覆され、パッド開口部が形成されるパターンに形成した。
【００４７】
次いで、この皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、導体層の上に形成した（図３（ｆ）参照）。
その後、支持基板の表面と、導体層における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子のパッド開口部に形成されている金属皮膜を剥離した（図３（ｇ）参照）。
【００４８】
次いで、パッド開口部から露出する導体層の上面に、パッドを電解めっきにより形成した。パッドは、支持基板を電解めっきのリードとして利用して、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次実施した。パッドの厚みは、ニッケルめっき層で２μｍ、金めっき層で１μｍであった。
その後、支持基板を開口した。支持基板の開口では、第１開口部を被覆する被覆部が残存し、第１開口部を囲む第２開口部が設けられるように、金属支持層を化学エッチングした（図３（ｉ）参照）。これと同時に、外形加工することにより、ジンバルを形成して、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【００４９】
第１開口部は、底面視矩形状で、その一辺の長さは、１４０μｍであった。また、被覆部の外側面と第２開口部の内側面との間の間隔（Ｄ１）は７０μｍであり、被覆部の外側面と第１開口部の内側面との間の間隔（Ｄ２）は２０μｍであった。
比較例１
支持基板の開口において、被覆部を残存させなかった以外は、実施例１と同様にして、第２開口部を設けて、回路付サスペンション基板を得た。
【００５０】
すなわち、第２開口部内において、第１開口部が露出するように、支持基板を開口した。
（評価）
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板について、超音波洗浄試験を実施した。すなわち、回路付サスペンション基板を超音波洗浄機で純水中、１３２ＫＨｚ、３０分間、超音波処理した。次いで、アルカリエッチング液に３０分浸漬した後、引き上げて乾燥させた後、導体層を目視にて観察した。
【００５１】
その結果、実施例１の回路付サスペンション基板では、導体層の変色（腐食）を観察できなかった。
一方、比較例１の回路付サスペンション基板では、導体層の変色（腐食）が観察された。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であって、（ａ）は、支持基板の上に、第１開口部が形成されるベース絶縁層を形成する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の表面、および、第１開口部から露出する支持基板の表面に、金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、導体層をめっきにより形成する工程、（ｄ）は、導体層から露出する金属薄膜を除去する工程、（ｅ）は、金属皮膜を形成する工程を示す。
【図３】図２に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であって、（ｆ）は、パッド開口部が形成されるカバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、パッド開口部から露出する金属皮膜を除去する工程、（ｈ）は、パッド開口部から露出する導体層の表面に、パッドを電解めっきにより形成する工程、（ｉ）は、第２開口部が設けられ、かつ、被覆部が残存するように、支持基板を開口する工程を示す。
【図４】図１に示す回路付サスペンション基板の被覆部の拡大底面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    回路付サスペンション基板
２    支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体層
６    磁気ヘッド側接続端子部
９    外部側接続端子部
１１  第１開口部
１２  第２開口部
１３  金属薄膜
１４  被覆部
【図１】
2009259315.tif 000003
【図２】
2009259315.tif 000004
【図３】
2009259315.tif 000005
【図４】
2009259315.tif 000006