(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子内蔵基板を製造するに際し、
回路素子を絶縁材に埋設させる工程と、
前記回路素子の埋設面とは反対側の前記絶縁材面を第１保持用部材に接着する工程と  、
前記第１保持用部材から、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を分離した後に、前記  回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設け、かつこの配線を一方の検査用端子まで  延設する工程と、
前記回路素子の他方の電極に取り出し用配線を設け、かつこの配線を他方の検査用端  子まで延設する工程と
を有する、回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設した側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設け、他方側の面に前記回路素子の他方の電極の取り出し用配線を設け、更にこれらの取り出し用配線を前記絶縁材の端部の前記検査用端子まで延設する、請求項１に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の同一側縁に設ける、請求項１に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設ける、請求項１に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記一方の電極に接続した配線と、前記他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材に設ける、請求項３に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記一方の電極に接続した配線と、前記他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に前記検査用端子を設ける、請求項４に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
基体から転写し、前記絶縁材に埋設した前記回路素子を得る、請求項１に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記転写前に、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を前記基体に保持させる、請求項７に記載した回路素子内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
電気回路装置を製造するに際し、
請求項１〜８のいずれか１項に記載した製造方法によって回路素子内蔵基板を得る工  程と、
前記検査用端子を介して前記回路素子の特性を検査する工程と、
前記検査後に、前記電極と前記検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設し  た前記絶縁材をチップ化する工程と、
前記チップを配線回路基板に固定する工程と、
前記配線を前記配線回路基板に接続する工程と
を有する、電気回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記検査用端子にプロービング端子を接触して検査する、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記検査後に、前記電極と前記検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前記絶縁材をチップ化する、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の同一側縁に設ける、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１３】
前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設ける、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１４】
基体から転写し、前記絶縁材に埋設した前記回路素子の特性を検査する、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１５】
前記転写前に、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を前記基体に保持させる、請求項１４に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１６】
前記回路素子の特性をライン毎又は／及び個別に検査する、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１７】
前記回路素子を発光素子とし、この発光素子の点灯検査を行う、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【請求項１８】
画像表示装置又は光源装置を製造する、請求項９に記載した電気回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば画像表示装置等に用いられる発光素子等の検査に好適な回路素子の検査方法及び検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体発光素子として、これまでサファイア基板上に全面に低温バッファ層、ＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ側コンタクト層を形成し、その上にＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ側クラッド層、ＳｉをドープしたＩｎＧａＮからなる活性層、ＭｇをドープしたＡｌＧａＮからなるｐ側クラッド層と、ＭｇをドープしたＧａＮよりなるｐ側コンタクト層などを積層した素子が知られている。このような構造を有し市販されている製品として、４５０ｎｍから５３０ｎｍを含む青色、緑色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）が量産されている。
【０００３】
また、窒化ガリウムを成長させようとする場合、サファイア基板が使用されることが多く、通常はＣ面を主面とするサファイア基板が使用され、主面上に形成される窒化ガリウム層の表面もＣ面を有し、必然的に基板主面と平行な面に形成される活性層やそれを挟むクラッド層もＣ面に平行な面に延在される。このように基板主面を基準に各結晶層を積層した構造の半導体発光素子では、基板主面の平滑性を生かして電極形成などに必要な平滑性が得られている。
【０００４】
ところが、サファイア基板と成長させる窒化ガリウムの間の格子不整合による結晶欠陥の発生、微細なチップの切り出しが難しい、製造コストが大きく、生産性が悪い等の問題があった。
【０００５】
【発明に至る経過】
本出願人は、このような問題を解決すべく、結晶性も良好で素子の微細化が可能であり、製造コストを抑制しつつモジュール化が可能であり、搬送や基体への実装も容易な表示素子及びその製造方法を特願２００１−１４４５９２等において既に提起した。
【０００６】
この表示素子（以下、先願発明と称する。）は、例えば図３０に示す構造からなっている。即ち、例えば中央部の発光ダイオード２２を例にとれば、その電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極層５７に対応して、これらを電気的に接続するために、チップを被覆していた絶縁層５９に開口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、さらに配線６３、６４、７１が形成されている。
【０００７】
その製造方法は、図１５に示すように、基板主面をＣ＋面とするサファイア基板３０上に、まず５００℃の低温でＡｌＮまたはＧａＮのいずれかのバッファ層を形成する。その後１０００℃に昇温してシリコンドープのＧａＮ層３１を形成する。次に、ＳｉＯ2又はＳｉＮを用いたマスク層を全面に厚さ１００〜５００ｎｍの範囲で形成し、フォトリソグラフィーとフッ酸系エッチャントを用いて１０μｍ程度の円形状のマスク３２を形成する。
【０００８】
次いで、図１６に示すようにＧａＮ層３１を約半分の厚さにエッチングする。その結果、マスク３２の形状部分とその他の部分とで段差３９のあるシリコンドープのＧａＮ層３１が形成される。
【０００９】
次いで図１７に示すように、マスク３２を除去してもう一度結晶成長を行うが、このときは１０００℃程度に成長温度を上昇し、シリコンドープのＧａＮ層３３を成長する。シリコンドープのＧａＮ層３３はマスク跡の凸状部のＧａＮ層３１上に成長し、やがて基板主面に対して傾斜したＳ面によって周囲が囲まれた六角錐形状となる。この場合、時間をかけるだけ、六角錐形状のＧａＮ層３３が大きく成長するが、成長してもＧａＮ層３３同士が干渉せず、かつ素子間の分離のためのマージンを確保するために、ＧａＮ層３１のピッチは十分に離しておく。
【００１０】
六角錐の大きさが例えば幅１５〜２０μｍ程度（一辺が７．５〜１５μｍ程度）になった時、高さは六画錐としてその一辺の１．６倍程度（即ち１０〜１６μｍ程度）になる。六角錐の大きさを幅１０μｍ程度とすることも可能である。
【００１１】
次いで、成長温度を低減し、図１８に示すように、ＩｎＧａＮ層３４を成長する。その後、成長温度を上昇し、ＩｎＧａＮ層３４上にマグネシウムドープのＧａＮ層３５を成長する。その際のＩｎＧａＮ層３４の厚さは０．５ｎｍから３ｎｍ程度である。更に活性層を（Ａｌ）ＧａＮ／ＩｎＧａＮの量子井戸層や多重量子井戸層などにすることもあり、ガイド層として機能するＧａＮ又はＩｎＧａＮを用いて多重構造とすることもある。その場合はＩｎＧａＮ上の層にはＡｌＧａＮ層を成長することが望ましい。
【００１２】
次いで図１９に示すように、六角錐状に成長した最表層にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕを蒸着することによりｐ電極３７が形成される。また、活性層であるＩｎＧａＮ層３４及びｐ型クラッド層であるＧａＮ層３５の一部を基板に近い側で除去してＧａＮ層３３の一部を露出させ、除去した基板に近い部分にＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ電極を蒸着してｎ電極を形成することもある。
【００１３】
図２０は、上記の製造工程で製造された一つの発光素子（以下、発光ダイオードと称することがある。）２２の拡大図を示す。図示の如く、その構成はＣ＋面を基板主面とするサファイア基板３０上に結晶層としてのシリコンドープのＧａＮ層３３を有している。このシリコンドープのＧａＮ層３３は基板主面とは傾斜してなるＳ面を有しており、このＳ面に平行に延在してなる形状で活性層であるＩｎＧａＮ層３４が形成され、更にそのＩｎＧａＮ層３４上にクラッド層としてマグネシウムドープのＧａＮ層３５が形成されている。ｐ電極３７はマグネシウムドープのＧａＮ層３５の上面に形成されている。
【００１４】
この発光ダイオード２２のみの断面図である図２１（ａ）及びその平面図である（ｂ）に示すように、下地成長層としてのＧａＮ層３１上に選択成長され、ピラミッド型の六角錐形状にＧａＮ層３３が形成されている。そしてこのＧａＮ層３３の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。更にＧａＮ層３３の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３４が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３５が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能する。
【００１５】
この発光素子２２はＧａＮ系の発光ダイオードであり、このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長層との間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００１６】
これらの発光素子２２はサファイア基板３０上に密に形成され、図示省略した転写工程により樹脂２３上に離間して転写され、これらにアノード側のｐ電極を形成後に、模式的に示す図２２、２３のようにチップ化される。
【００１７】
即ち、図２３に示すように、樹脂チップ２４は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂チップ２４の形状は樹脂２３を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子２２を含むように全面に塗布し、これを硬化した後、図１に示したダイシングライン６をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００１８】
略平板状の樹脂２３の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド２６、２７（後述する発光ダイオードの電極パッド１６、４９に相当する。）が形成される。これら電極パッド２６、２７の形成は全面に電極パッド２６、２７の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターニングすることで形成される。これら電極パッド２６、２７は発光素子である素子２２のｐ電極とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂２３にビアホールなどが形成される。
【００１９】
ここで電極パッド２６、２７は樹脂チップ２４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能である。電極パッド２６、２７の位置がずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド２６、２７の形状も正方形に限定されず他の形状としてもよい。
【００２０】
このような樹脂形成チップ２４を構成することで、素子２２の周りが樹脂２３で被覆され、平坦化によって精度良く電極パッド２６、２７を形成できると共に、素子２２に比べて広い領域に電極パッド２６、２７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。即ち、後述するように、最終的な配線が第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド２６、２７を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【００２１】
次に、図２４から図３０までを参照しながら、前記工程を経て作製された図１９の状態の発光素子２２の配列方法を説明する。図２４に示すように、第一基板３０の主面上には複数の発光ダイオード２２がマトリクス状に形成されている。発光ダイオード２２の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板３０の構成材料としてはサファイア基板などのように発光ダイオード２２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いられる。
【００２２】
発光ダイオード２２にはｐ電極までは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード２２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基板３０を一時保持用部材４３に対峙させて図２４に示すように選択的な転写を行う。
【００２３】
一時保持用部材４３の第一基板３０に対峙する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形成されている。一時保持用部材４３としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、一時保持用部材４３上の剥離層４４としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。
【００２４】
また一時保持用部材４３の接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかを用いることができる。一例としては、一時保持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜５μｍを形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【００２５】
一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写すべき発光ダイオード２２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整は、図示してはいないが、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード２２を転写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態にすればよい。
【００２６】
このようなアライメントの後、転写対象位置の発光ダイオード２２に対し、図２４に示すようにレーザ光４６を第一基板３０の裏面から照射し、その発光ダイオード２２を第一基板３０からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード２２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザ光４６としてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。
【００２７】
このレーザアブレーションを利用した剥離によって、選択照射にかかる発光ダイオード２２はＧａＮ層と第一基板３０の界面で分離し、図２５に示すように、反対側の接着剤層４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード２２については、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域４５ｓであり、レーザも照射されていないために、一時保持用部材４３側に転写されることはない。
【００２８】
なお、図２４では１つの発光ダイオード２２だけが選択的にレーザ照射されているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード２２はレーザ照射されているものとする。このような選択的な転写によって、図２５に示すように、発光ダイオード２２が第一基板３０上に配列されている時よりも更に離間して一時保持用部材４３上に配列される。
【００２９】
発光ダイオード２２は一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード２２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード２２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図２５に示すように電極パッド２７を形成すれば、電極パッド２７は発光ダイオード２２の裏面と電気的に接続される。
【００３０】
接着剤層４５は例えば酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板３０から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド２７をパターニングする。
【００３１】
このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド２７としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、図２２、２３に示したように大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【００３２】
上記電極パッド１６の形成の後、ダイシングプロセスにより発光ダイオード２２毎に硬化した接着剤層４５を分断し、図２２及び図２３のように各発光ダイオード２２に対応した樹脂形成チップとする。そのダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、或いはレーザビームを用いたレーザダイシングにより行う。ダイシングによる切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤層４５で覆われた発光ダイオード２２の大きさに依存するが、例えば２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには、上記レーザビームを用いたレーザによる加工を行うことが必要である。レーザビームとしては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。
【００３３】
図２６は一時保持用部材４４から発光ダイオード２２を第二の一時保持用部材４７に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノード側電極パッド２６を形成し、樹脂からなる接着剤層４５を樹脂チップ２４にダイシングした状態を示している。
【００３４】
このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード２２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード２２を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。第二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【００３５】
このプロセスの例として、接着剤層４５の表面を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出してくるまでエッチングする。ビアホール５０の形成は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどを用いて行う。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシングプロセスは上記の通り、レーザビームを用いたダイシングにより行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着剤層３５で覆われた発光ダイオード２２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザにて幅約４０μｍの溝加工を行いチップの形状を形成する。
【００３６】
次に、図２７に示すように機械的手段を用いて発光ダイオード２２（樹脂チップ２４）が第二の一時保持用部材３７から剥離される。このとき、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形成されている。この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて形成することができる。このような剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から例えばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これにより、例えば剥離層４８としてポリイミドを用いた場合は、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード２２は第二の一時保持部材４７から上記機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００３７】
図２７は、第二の一時保持用部材４７上に配列している発光ダイオード２２を吸着装置５３でピックアップする状態を示した図である。このときの吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。
【００３８】
この吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはステンレス（ＳＵＳ）などの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード２２の吸着が可能になる。発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆われており、その上面は略平坦化されており、このために吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００３９】
図２８は発光ダイオード２２を第二基板６０に転写するところを示した図である。第二基板６０に装着する際に第二基板６０に予め接着剤層５６が塗布されており、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６を硬化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着して配列させることができる。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発光ダイオード２２との吸着による結合が解除され、発光ダイオード２２は第二基板６０側に転写される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成することができる。
【００４０】
発光ダイオード２２が配置される位置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板６０の裏面から矢印で示すように供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード２２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様にレーザ照射にて接着剤を溶融させて接着を行う。
【００４１】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成する。このようにすることで画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が早く硬化するようにすることができる。この転写時のＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約１０００ｍＪ／ｃｍ2を照射する。
【００４２】
図２９はＲ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード２２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。図２８で用いた吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ずしも同じ形状でなくともよい。
【００４３】
図２９では赤色の発光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード２２、６１、６２は既に樹脂チップとして樹脂４３で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現される。
【００４４】
次に、図３０に示すように、発光ダイオード２２の電極パッド２６、２７や第二基板６０上の電極層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成も例えばレーザビームを用いて行う。
【００４５】
このときに形成する開口部即ちビアホールは、発光ダイオード２２、６１、６２の電極パッド２６、２７の面積を大きくしているので、ビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、このビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるので、形成に当たっては例えばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを開口する。
【００４６】
絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード２２、６１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図２９の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【００４７】
上述のような発光素子の配列方法においては、図２５に示したように、一時保持用部材４３に発光ダイオード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの大きい電極パッド２６、２７などを設けることが可能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド２６、２７を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。
【００４８】
また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され、平坦化によって精度良く電極パッド２６、２７を形成できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド２６、２７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。
【００４９】
上記したように、先願発明は、発光素子を絶縁性材料に埋め込むことにより、取り扱い易い大きさに再形成しモジュール化しているので、製造コストを抑えながら、ハンドリング性を確保することができる。例えば、表示素子の搬送なども容易であり、このモジュール化された表示素子の表面に発光素子の駆動電極が引き出し形成されているので、基体上に形成された電源線や信号線などを簡単にこれら駆動電極と接続することができ、基体への実装も極めて容易である。
【００５０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、先願発明は、上記した如き特長を有しているが、なお改善すべき問題点が存在することが判明した。
【００５１】
即ち、先願発明による発光素子が絶縁層に埋設された状態では特性の検査はできない設計、構造であるため、その状態での点灯検査が行えず、ＬＥＤの輝度バラツキや絶縁材に埋設状態においてはパッド電極の不良の有無等の情報が得られなかった。そのため製品化後に点灯しない又は輝度が不均一な場合は製品を廃棄せざるを得ず、歩留りを低下させる結果を招いていた。
【００５２】
そこで、本発明の目的は、先願発明の特長を保持しながら、回路素子の製品化以前の状態での回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法を提供することにある。
【００５３】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、絶縁材に回路素子を埋設した状態でこの回路素子の電極に接続した配線を検査用端子まで延設し、前記検査用端子を介して前記回路素子の特性を検査する、回路素子の検査方法（以下、本発明の検査方法と称する。）に係るものである。
【００５４】
本発明の検査方法によれば、絶縁材に回路素子を埋設した状態で、この回路素子の電極に接続した配線を検査用端子まで延設し、この検査用端子を介して検査するので、半製品の如き状態で検査することにより、製品化以前の段階で回路素子の特性の情報が得られ、特性の均一化された回路素子を選択することができる。
【００５５】
また、本発明は、絶縁材に回路素子が埋設された状態でこの回路素子の電極に接続した配線が前記回路素子特性検査用端子まで延設されている、回路素子の検査構造（以下、本発明の検査構造と称する。）に係るものである。
【００５６】
本発明の検査構造によれば、上記した本発明の検査方法に基づく構造であるので、本発明の検査方法と同様の効果が奏せられる検査構造を提供することができる。
【００５７】
また、本発明は、上記した検査構造が基板上に設けられている、回路素子内蔵基板（以下、本発明の回路素子内蔵基板と称する。）に係るものである。
【００５８】
本発明の回路素子の内蔵基板によれば、上記した本発明の検査構造が基板上に設けられているので、本発明の検査方法によって十分に特性検査された回路素子が内蔵され、本発明の検査方法と同様な効果が奏せられる回路素子内蔵基板を提供することができる。
【００５９】
また、本発明は、上記した回路素子内蔵基板を製造するに際し、
回路素子を絶縁材に埋設させる工程と、
前記回路素子の埋設面とは反対側の前記絶縁材面を第１保持用部材に接着する工程と、
前記第１保持用部材から、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を分離した後に、前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設け、かつこの配線を一方の検査用端子まで延設する工程と、
前記回路素子の他方の電極に取り出し用配線を設け、かつこの配線を他方の検査用端子まで延設する工程と
を有する、回路素子内蔵基板の製造方法（以下、本発明の回路素子内蔵基板の製造方法と称する。）に係るものである。
【００６０】
本発明の回路素子内蔵基板の製造方法によれば、上記した本発明の検査構造を有する回路素子内蔵基板が得られるので、それと同様の効果が奏せられる再現性の良い回路素子内蔵基板の製造方法を提供することができる。
【００６１】
また、本発明は、回路素子が絶縁材に埋設され、前記回路素子の電極に接続した配線が前記絶縁材の側端にまで延設されてここに露呈しており、前記配線が更に配線回路基板に接続されている電気回路装置（以下、本発明の電気回路装置と称する。）に係るものである。
【００６２】
本発明の電気回路装置によれば、回路素子が上記した本発明の検査構造に基づいて形成されるので、上記した本発明の検査方法によって十分に特性を検査することができ、同様の効果が奏せられる回路素子を有する電気回路装置を提供することができる。
【００６３】
また、本発明は、上記した本発明の検査構造の回路素子を有する電気回路装置を製造するに際し、
上記した検査構造の製造方法によって回路素子内蔵基板を得る工程と、
前記検査用端子を介して前記回路素子の特性を検査する工程と、
前記検査後に、前記電極と前記検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前記絶縁材をチップ化する工程と、
前記チップを配線回路基板に固定する工程と、
前記配線を前記配線回路基板に接続する工程と
を有する、電気回路装置の製造方法（以下、本発明の電気回路装置の製造方法と称する。）に係るものである。
【００６４】
本発明の電気回路装置の製造方法によれば、上記した検査構造の回路素子が上記した検査方法により特性の検査後に、チップ化されて配線回路基板に接続されるので、上記検査方法と同様の効果が奏せられる再現性の良い電気回路装置の製造方法を提供することができる。
【００６５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００６６】
上記した本発明の検査方法、検査構造、回路素子内蔵基板、回路素子内蔵基板の製造方法、電気回路装置及び電気回路装置の製造方法においては、前記絶縁材上に、前記回路素子を埋設した側の面に前記回路素子の一方の電極の取り出し用配線を設け、他方側の面に前記回路素子の他方の電極の取り出し用配線を設け、更にこれらの取り出し用配線を前記絶縁材の端部の前記検査用端子まで延設し、前記検査用端子にプロービング端子を接触して検査することが望ましい。
【００６７】
そして、前記検査後に、前記電極と前記検査用端子との間を切断して、前記回路素子を埋設した前記絶縁材をチップ化することが望ましい。
【００６８】
この場合、前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の同一側縁に設けてもよく、前記検査用端子の正極及び負極を前記絶縁材の異なる側縁にそれぞれ設けてもよい。
【００６９】
そして、前記検査用端子の正極及び負極を同一側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配線と、前記他方の電極に接続した配線とを同一の絶縁材に設けることが望ましい。
【００７０】
また、前記検査用端子の正極と負極とを異なる側縁に設ける場合は、前記一方の電極に接続した配線と、前記他方の電極に接続した配線上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に前記検査用端子を設けることが望ましい。
【００７１】
そして、回路素子を基体から転写し、前記絶縁材に埋設した前記回路素子の特性を検査することが望ましい。
【００７２】
この場合、前記転写前に、前記回路素子を埋設した前記絶縁材を前記基体に保持させることが望ましい。
【００７３】
そして、前記回路素子の特性をライン毎又は／及び個別に検査し、発光素子である回路素子の点灯検査を行うことができる。
【００７４】
これにより、前記絶縁材上に設けた絶縁層を介して、前記配線が前記回路配線基板に導かれている画像表示装置又は光源装置に用いられる前記発光素子の点灯検査を良好に行うことができる。
【００７５】
上記した本発明の好ましい実施の形態を具体的に説明する。
【００７６】
図１（ａ）は実施の形態１、図１（ｂ）は実施の形態２を示し、いずれも延設配線及び検査用端子の模式図を示す。これらの図においてチップ領域２４Ａは、既述した図２２及び図２３の樹脂チップ２４として切り出す前の状態を示している。なお、これらの図において電極パッド１６（既述の２７に対応）、電極パッド４９（既述の２６に対応）の形状は図２２及び図２３と同一形状に図示している。また、実施の形態２とことわり書きがない限り、実施の形態１の例として説明する。
【００７７】
実施の形態１は図１（ａ）に示すように、検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶縁材の同一側縁に設けた例であり、各チップ領域２４Ａに形成した電極パッド４９から配線３ｂを、電極パッド１６から配線３ａをそれぞれ延設し、延設配線が検査用端子１又は２まで導かれている。チップ領域には電極パッド１６、４９が接続される発光素子（以下、発光ダイオードと称することがある。）が存在しているが、図示省略している。図１（ｂ）も同様。
【００７８】
また、実施の形態２は図１（ｂ）に示すように、検査用端子（＋）１及び検査用端子（−）２を絶縁材の異なる側縁に設けた例であり、図１（ａ）と同様に各チップ領域２４Ａに形成した電極パッド４９から配線３ｂを、電極パッド１６から配線３ａを夫々延設し、延設配線が検査用端子１又は２まで導かれている。
【００７９】
これらの製造工程を以下に説明するが、既述した先願発明の製造工程と同一の工程（図２以前の工程）は省略した。即ち、図２６以降の工程に対応する製造工程で本実施の形態を説明する。
【００８０】
即ち、先願発明における図１６〜２０の工程を経て作製された発光ダイオード２２が、図２５に示すように選択的なレーザ照射によって一時保持用部材４３の接着材層４５に保持された状態を図２は示している。
【００８１】
図２に示すように、発光ダイオード２２が第１の一時保持用部材４３の接着剤層４５に保持され、発光ダイオード２２の裏面はｎ電極側（カソード電極側）であるため、その裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されており、この面にカソード側のｎ電極パッド１６を形成し、更にこの電極パッド１６から配線３ａを延設して不図示の検査用端子へ導く。
【００８２】
接着剤層４５の洗浄は先願発明と同様（図２５参照）に、例えば酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板３０から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液若しくは希硝酸で行う。
【００８３】
カソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド１６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極は発光ダイオードの発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる
【００８４】
延設配線３ａを形成後、この面を図３に示すように、接着剤層４８を介して第２の一時保持用部材４７に接着する。続いて図４に示すように、この反対側面の第１の一時保持用部材４３を分離する。
【００８５】
図５は、一時保持用部材４３の剥離層４４から発光ダイオード２２を剥離して第二の一時保持用部材４７に転写し、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成すると共に、カソード側の延設配線３ａを第２の一時保持用部材４７の端部に露出させ、検査用端子（−）２を形成した状態を示している。
【００８６】
次に、図６に示すように、ビアホール５０上にアノード側のｐ電極パッド４９を形成し、更にこの電極パッド４９の延設配線３ｂを設け、これを第２の一時保持用部材４７の端部へ導き、この端部に検査用端子（＋）１を形成する。
【００８７】
本実施の形態の発光ダイオード２２は、製造過程のこの段階でそれぞれの点灯検査を行うものであり、図７はこの検査状態を示している。即ち、一方の検査用端子１にプロービングパッドの端子５ａが、他方の検査用端子２にプロービング端子５ｂを接触して検査が行われる。これにより発光ダイオード２２をライン毎に検査することができる。
【００８８】
上記のように図７（図１（ａ）のVII−VII線断面相当）は実施の形態１を示すが、実施の形態２は図８（図１（ｂ）のVIII−VIII線断面相当）のようになる。
【００８９】
即ち、実施の形態２は、前記例のように図２の工程ではカソード側のｎ電極パッド１６は形成されず、図６の工程においてアノード側のｐ電極パッド４９及びその延設配線３ｂを形成後、図８（ａ）に示すように、絶縁材層４５の端部の検査用端子１の領域以外を絶縁材層１０で被覆し、更に発光ダイオード２２に接続するスルーホール８を設けて、これにＮｉ、Ｐｔ又はＡｕ等を埋め込んでカソード側のｎ電極パッド１６Ａを形成し、これに延設配線３ａを施し、その端部に検査用端子２を形成する。
【００９０】
このように実施の形態２は、それぞれの電極パッドからの延設配線を異なる層に設けることにより、図１（ｂ）における配線の交差部７において、正極と負極の配線が図８（ｂ）に示すように隔設されるため、発光ダイオード２２を個別に検査することができる。しかし、層を異ならせなくても、上記した図７のような構成でも絶縁材層４５を挟んで配線することでも可能である。
【００９１】
これらの検査により、３色ＬＥＤ（発光ダイオード）パネルの製造段階で輝度のばらつきの情報を収集でき、輝度を均一化するための選択データを得ることができると共に、検査時に点灯しなかった場合は、製造を中止することにより、その発光ダイオード２２のその後のボンディング等の無駄な製造工程が省ける。
【００９２】
図９は、発光ダイオード２２を素子ごとに区分けするために、第２の一時保持用部材４７を残し、ダイシングによって素子分離溝５１を設けた状態を示し、図１（ａ）、（ｂ）に示したダイシングライン６に沿ってダイシングされる。従って、延設配線３ａ、３ｂもこのダイシングによって同時に切断され、延設配線３ａ、３ｂを切断する特別のプロセスも必要ではない。第二の一時保持用部材４７は、例えばプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布された、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【００９３】
このダイシングプロセスにより発光ダイオード２２毎に硬化した接着剤層４５を分断し、図２２、２３に示したような各発光ダイオード２２に対応した樹脂チップ２４Ａが形成され、上記した延設配線３ａ、３ｂも同時に切断され、延設配線の切断面が端部に露出する。ダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、或いはレーザビームを用いたレーザダイシングにより行い、ダイシングによる切り込み幅を、例えば２０μｍ以下の狭い幅に切り込みが必要なときには、先願発明と同様に、上記レーザビームを用いたレーザによる加工を行うことが必要でありレーザビームとしては、エキシマレーザ、光調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。
【００９４】
上記したプロセスは、接着剤層４５の表面を酸素プラズマで発光ダイオード２２の表面が露出してくるまでエッチングし、ビアホール５０の形成は、やはりエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどを用いて行うのがよい。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはＮｉ、Ｐｔ又はＡｕなどで形成する。また、ダイシングは、例えばエキシマレーザにて幅約４０μｍの溝加工を行いチップ２４Ａを形成する。
【００９５】
次に、図１０に示すように、機械的手段を用いて、発光ダイオード２２を埋設した樹脂チップ２４Ａを第二の一時保持用部材４７から剥離する。第二の一時保持用部材４７上の剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて形成することができる。そして、剥離層４８を形成した一時保持部材４７の裏面から例えばＹＡＧ第３高調波レーザを照射する。これにより、例えば剥離層４８としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード２２は第二の一時保持部材４７から上記機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００９６】
図１０は、第二の一時保持用部材４７上に配列した発光ダイオード２２を吸着装置５３でピックアップする状態を示す図である。このときの吸着孔５５が画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口しているため、発光ダイオード２２を多数個、一括で吸着できる。この開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口され、一度に約３００個を吸着できる。
【００９７】
この吸着孔５５の部材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、若しくはステンレス（ＳＵＳ）などの金属板５２をエッチングで穴加工したものを使用する。金属板５２の吸着孔４５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード２２の吸着が可能である。発光ダイオード２２はこの段階では接着剤層４５で覆われており、その上面は略平坦化されているため、吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００９８】
図１１は発光ダイオード２２を第二基板６０に転写する状態を示す図である。第二基板６０に装着する際には第二基板６０に予め接着剤層５６を塗布しておき、その発光ダイオード２２下面の接着剤層５６を硬化させ、発光ダイオード２２を第二基板６０に固着する。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発光ダイオード２２との吸着による結合が解除され、発光ダイオード２２は第二基板６０側に転写される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等を用いることができる。
【００９９】
発光ダイオード２２を配置する位置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間した位置にする。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板６０の裏面から供給する。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード２２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤の場合は、同様にレーザ照射にて接着剤を溶融させて接着を行う。
【０１００】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の画面側の表面、即ちこの表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成する。これにより画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射するビーム７３によって接着剤層５６を早く硬化することができる。この転写時のＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約１０００ｍＪ／ｃｍ2を照射するのがよい。
【０１０１】
図１２はＲ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード２２、６１、６２を第二基板６０に配列し、絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。この場合、上記した吸着装置５３を使用して、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。３色の発光ダイオード２２、６１、６２は必ずしも同じ形状でなくともよい。
【０１０２】
図１２では赤色の発光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造であり、他の発光ダイオード２２、６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード２２、６１、６２を既に樹脂形成チップとして樹脂４３で覆われているものの、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが実現できる。
【０１０３】
次に、図１３に示すように、発光ダイオード２２の電極パッド１６、４９や第二基板６０上の電極層５７に対応して、これらを電気的に接続するために開口部（ビアホール）６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成し、さらに配線を形成する。この開口部の形成も例えばレーザビームを用いて行う。
【０１０４】
この開口部（即ちビアホール）は、発光ダイオード２２、６１、６２の電極パッド１６、４９の面積を大きくしているので、ビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。例えば、このビアホールは約６０μｍ角の電極パッド１６、４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるので、形成に当たっては例えばレーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さを開口する。
【０１０５】
絶縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０を形成した後、発光ダイオード１６、６１、６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルが完成する。この保護層は図２９の絶縁層５９と同様、透明エポキシ接着剤などの材料が使用できる。この保護層を加熱硬化し配線を完全に覆うが、これにより、各発光ダイオード２２が製品化前に点灯検査されているため、良好な発光ダイオード２２を内蔵したパネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して良好な駆動パネルを製作することができる。
【０１０６】
図１４は実施の形態２の例であり、検査用端子の正極及び負極を絶縁材の異なる側縁に設けて点灯検査（図８参照）を行った発光ダイオード２２の場合であり、上記した図１３とは一部分が異なる。即ち、図８のような構成を基に上記と同様の製造工程において、実施の形態２に対応する工程で製造されるため、図１３における絶縁層１０の上に、更に絶縁層５９が設けられて電極パッド１６Ａが被覆され、この電極１６Ａをスルーホール１１を介して外部へ引き出し、配線７１に接続されることが異なるが、図１３と同様に機能する。
【０１０７】
上述したような発光素子の配列方法により、先願発明と同様に一時保持用部材４３に発光ダイオード２２を保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広がった間隔を利用して比較的サイズの大きい電極パッド１６、４９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズの大きな電極パッド１６、４９を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。
【０１０８】
また、本実施の形態の発光素子の配列方法では、発光ダイオード２２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され、平坦化によって精度良く電極パッド１６、４９を形成できると共に、素子に比べて広い領域に電極パッド１６、４９を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱いが容易になる。
【０１０９】
本実施の形態によれば、発光ダイオード２２の製造段階でアノード側及びカソード側の配線１６、４９に延設配線３ａ、３ｂを設け、これを検査用端子１、２へ導き、製品化前に点灯検査ができるので、３色ＬＥＤパネルを作製する前に各ＬＥＤの輝度ばらつきの情報を収集でき、均一な輝度の画面にするためのＬＥＤ選択のデータにできると共に、点灯しなかった場合は製造を中止して、不良品はボンディング等のその後の無駄な工程を省くことができる。また、延設した配線は、その後の必須なダイシング工程で同時に切断するので特別なプロセスも必要でない。
【０１１０】
上記した本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて変形することができる。
【０１１１】
例えば、実施の形態の回路素子は発光ダイオードの例としたが、それ以外に、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、半導体レーザ、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子等にも適用することができる。また、素子２２の大きさとしては、実施の形態以外の大きさにすることもできる。
【０１１２】
また、検査用端子１及び２の形状や設置場所、配線の延設方法、積層構造、製造プロセス等も実施の形態以外の適宜に実施することも可能である。
【０１１３】
【発明の作用効果】
上述した如く、本発明の回路素子の検査方法及びその検査構造、回路素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電気回路装置及びその製造方法は、絶縁材に回路素子を埋設した状態で、この回路素子の電極に接続した配線を検査用端子まで延設し、この検査用端子を介して検査するので、半製品の如き状態でこの検査をすることにより、製品化以前の段階で回路素子の特性の情報が得られ、特性の均一化された回路素子を選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による検査用端子形成の一例を示す模式図であり、（ａ）は実施の形態１、（ｂ）は実施の形態２である。
【図２】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図３】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図４】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図５】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図６】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図７】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図８】同、実施の形態２による回路素子内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図９】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１０】同、実施の形態１による回路素子内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１１】同、実施の形態１による電気回路装置の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１２】同、実施の形態１による電気回路装置の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図１３】同、実施の形態１による電気回路装置の製造工程の更に他の一工程を示す概略図である。
【図１４】同、実施の形態２による電気回路装置の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１５】先願発明による回路素子内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図１６】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図１７】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図１８】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図１９】同、回路素子内蔵基板の製造工程の他の一工程を示す概略図である。
【図２０】図１９の一部分の拡大図である。
【図２１】図２０の詳細図であり、（ａ）は一部分の断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２２】先願発明による回路素子内蔵基板の製造段階における状態を模式的に示した斜視図である。
【図２３】図２２の平面図である。
【図２４】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図２５】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図２６】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図２７】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図２８】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図２９】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の一工程を示す概略図である。
【図３０】先願発明による回路素子の内蔵基板の製造工程の更に他の一工程を示す概略図である。
【符号の説明】
１…検査用端子（＋）、２…検査用端子（−）、３ａ、３ｂ…延設配線、
５ａ、５ｂ…プロービング端子、６…ダイシングライン、７…交差部、
８、１１…スルーホール、９…配線、
１０、４５、４８…接着剤層（絶縁材層）、
１６、１６Ａ、２６、２７、４９…電極パッド、
２２、６１、６２…素子（発光ダイオード）、２３…樹脂、
２４、２４Ａ…樹脂チップ、３０…サファイア基板（第１基板）、
３１、３３…ＧａＮ層、３２…マスク、３４…ＩｎＧａＮ層、
３５…ＭａＧａＮ層、３７ｐ電極、４２ｇ…溝、４３…第１保持用部材、
４４…剥離層、４５ｓ…硬化領域、４５ｙ…未硬化領域、
４６、７３…レーザ光、４７…第２保持用部材、５３…吸着装置、
５９…絶縁層、６０…第２基板
【図１】
0004876356.tif 000002
【図２】
0004876356.tif 000003
【図３】
0004876356.tif 000004
【図４】
0004876356.tif 000005
【図５】
0004876356.tif 000006
【図６】
0004876356.tif 000007
【図７】
0004876356.tif 000008
【図８】
0004876356.tif 000009
【図９】
0004876356.tif 000010
【図１０】
0004876356.tif 000011
【図１１】
0004876356.tif 000012
【図１２】
0004876356.tif 000013
【図１３】
0004876356.tif 000014
【図１４】
0004876356.tif 000015
【図１５】
0004876356.tif 000016
【図１６】
0004876356.tif 000017
【図１７】
0004876356.tif 000018
【図１８】
0004876356.tif 000019
【図１９】
0004876356.tif 000020
【図２０】
0004876356.tif 000021
【図２１】
0004876356.tif 000022
【図２２】
0004876356.tif 000023
【図２３】
0004876356.tif 000024
【図２４】
0004876356.tif 000025
【図２５】
0004876356.tif 000026
【図２６】
0004876356.tif 000027
【図２７】
0004876356.tif 000028
【図２８】
0004876356.tif 000029
【図２９】
0004876356.tif 000030
【図３０】
0004876356.tif 000031