(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置から制御を受けてパルスレーザビームを出射する炭酸ガスレーザ発振器と、
前記炭酸ガスレーザ発振器から出射したパルスレーザビームが入射する位置に配置され、外部からの制御を受けて、入射するパルスレーザビームのパルスエネルギを低下させて、加工用経路に出射させるエネルギ調整器と、
前記エネルギ調整器から加工用経路に出射されたパルスレーザビームが入射する位置に加工対象物を保持するステージと、
前記加工用経路に沿って伝搬するパルスレーザビームの入射位置が、前記ステージに保持された加工対象物の表面上で移動するように、該パルスレーザビームを走査するビーム走査器と、
前記炭酸ガスレーザ発振器、エネルギ調整器、及びビーム走査器を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記ステージに保持された加工対象物の表面上の複数の被加工点の位置情報及び加工の順番を記憶し、
被加工点間の距離と、前記エネルギ調整器によるパルスエネルギの低下量を規定する物理量との対応関係を記憶し、
ある被加工点から、次に加工する被加工点までの距離を算出し、該距離に、前記対応関係を適用して、パルスエネルギの低下量を規定する物理量を算出し、該被加工点にパルスレーザビームを入射させるときに、算出された低下量になるように前記エネルギ調整器を制御し、
前記パルスレーザビームの入射位置が前記被加工点に整定した後に、前記パルスレーザビームを出射させる制御装置と
を有するレーザ加工装置。
【請求項２】
前記エネルギ調整器は、音響光学素子を含み、前記物理量は、該音響光学素子の回折効率、または前記加工用経路に出射させるパルスレーザビームのパルス幅である請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記炭酸ガスレーザ発振器は、出射するパルスレーザビームのパルスの繰り返し周波数が高くなるに従ってパルスエネルギが低下する周波数特性を有し、
前記ビーム走査器は、直前に加工した被加工点から、次に加工すべき被加工点までの距離が長くなるに従って、レーザビームの入射位置が、直前に加工した被加工点から次に加工すべき被加工点まで移動する時間が長くなる特性を有し、
直前に加工した被加工点から次に加工すべき被加工点までの、レーザビームの入射位置の移動時間のばらつきに起因して、前記炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのパルスエネルギがばらつき、
前記制御装置は、前記加工用経路に沿って伝搬するパルスレーザビームのパルスエネルギのばらつきが、前記エネルギ調整器に入射する前のパルスレーザビームのパルスエネルギのばらつきよりも小さくなるように、前記エネルギ調整器を制御する請求項１または２に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
（ａ）表面に複数の被加工点が画定された加工対象物をステージに保持する工程と、
（ｂ）炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのレーザパルスが、前記加工対象物の被加工点に順番に入射するように、該パルスレーザビームを走査し、該パルスレーザビームの入射位置が被加工点に整定された後に、該パルスレーザビームを出射してレーザ加工を行う工程と
を有し、
前記工程（ｂ）において、前記パルスレーザビームを走査して、パルスレーザビームの入射位置が、直前に加工された被加工点から次に加工すべき被加工点に移動するまでの時間に基づいて、炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのパルスエネルギの低下量を規定する物理量を算出し、算出された物理量に基づいて、前記炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのパルスエネルギを低下させて、次に加工すべき被加工点にパルスレーザビームを入射させるレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工装置及び加工方法に関し、特に、加工対象物上の複数の被加工点に、順番にパルスレーザビームを入射させて加工を行うレーザ加工装置及び加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に、樹脂基板上に銅箔が密着した加工対象物に穴を形成するレーザ加工方法が開示されている。特許文献１に開示された方法では、レーザ発振器から出射されたレーザビームのスポットサイズが銅箔の表面で最小になる条件で、銅箔にレーザパルスを入射させ、銅箔を貫通する穴を形成する。その後、パルスエネルギを低下させると共に、スポットサイズを大きくして、同一箇所にレーザパルスを入射させる。これにより、樹脂基板に穴が形成される。樹脂基板に穴を形成するためのレーザパルスのパルスエネルギは、銅箔に穴を形成するために必要なパルスエネルギよりも低いため、このレーザパルスの入射では銅箔は除去されない。このため、１回目のレーザパルスの入射で銅箔に穴が形成され樹脂が露出した部分にのみ、２回目のレーザパルスの入射によって穴が形成される。
【０００３】
表面に銅箔が設けられておらず全面に樹脂が露出した基板の被加工点にレーザビームを入射させて、樹脂膜に穴を形成することも可能である。この加工方法は、「ダイレクト工法」と呼ばれる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９０９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
炭酸ガスレーザ発振器から出射されるパルスレーザビームの各レーザパルスのパルスエネルギは、パルスの繰り返し周波数に依存する。例えば、繰り返し周波数を高くするに従って、パルスエネルギが低下する。
【０００６】
ガルバノスキャナ等のビーム走査器でビームを走査しながら、レーザパルスを被加工点に入射させることにより、被加工点に穴を形成する。ビーム入射位置が、ある被加工点から次の被加工点に移動する時間は、２つの被加工点間の距離に依存する。このため、複数の被加工点に順番にレーザパルスを入射させる際に、レーザパルスの繰返し周波数が一定にならない。レーザパルスの繰り返し周波数が変化すると、パルスエネルギが変動してしまうため、加工品質にばらつきが生じる。特に、ダイレクト工法で穴開けを行う場合に、加工品質のばらつきが大きくなる。
【０００７】
本発明の目的は、加工される穴の加工品質のばらつきを抑制することができるレーザ加工装置及び加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によると、
制御装置から制御を受けてパルスレーザビームを出射する炭酸ガスレーザ発振器と、
前記炭酸ガスレーザ発振器から出射したパルスレーザビームが入射する位置に配置され、外部からの制御を受けて、入射するパルスレーザビームのパルスエネルギを低下させて、加工用経路に出射させるエネルギ調整器と、
前記エネルギ調整器から加工用経路に出射されたパルスレーザビームが入射する位置に加工対象物を保持するステージと、
前記加工用経路に沿って伝搬するパルスレーザビームの入射位置が、前記ステージに保持された加工対象物の表面上で移動するように、該パルスレーザビームを走査するビーム走査器と、
前記炭酸ガスレーザ発振器、エネルギ調整器、及びビーム走査器を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
前記ステージに保持された加工対象物の表面上の複数の被加工点の位置情報及び加工の順番を記憶し、
被加工点間の距離と、前記エネルギ調整器によるパルスエネルギの低下量を規定する物理量との対応関係を記憶し、
ある被加工点から、次に加工する被加工点までの距離を算出し、該距離に、前記対応関係を適用して、パルスエネルギの低下量を規定する物理量を算出し、該被加工点にパルスレーザビームを入射させるときに、算出された低下量になるように前記エネルギ調整器を制御し、
前記パルスレーザビームの入射位置が前記被加工点に整定した後に、前記パルスレーザビームを出射させる制御装置と
を有するレーザ加工装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の観点によると、
（ａ）表面に複数の被加工点が画定された加工対象物をステージに保持する工程と、
（ｂ）炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのレーザパルスが、前記加工対象物の被加工点に順番に入射するように、該パルスレーザビームを走査し、該パルスレーザビームの入射位置が被加工点に整定された後に、該パルスレーザビームを出射してレーザ加工を行う工程と
を有し、
前記工程（ｂ）において、前記パルスレーザビームを走査して、パルスレーザビームの入射位置が、直前に加工された被加工点から次に加工すべき被加工点に移動するまでの時間に基づいて、炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのパルスエネルギの低下量を規定する物理量を算出し、算出された物理量に基づいて、前記炭酸ガスレーザ発振器から出射されたパルスレーザビームのパルスエネルギを低下させて、次に加工すべき被加工点にパルスレーザビームを入射させるレーザ加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
炭酸ガスレーザ発振器から出射するパルスレーザビームのパルスの繰り返し周波数の変動に起因するパルスエネルギのばらつきを補償し、加工対象物に入射するパルスエネルギのばらつきを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１に、実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源１が、パルスレーザビームＬ１を出射する。レーザ光源１として、例えば炭酸ガスレーザ発振器を用いることができる。レーザ光源１は、制御装置２０からトリガ信号ｔｒｇを受信している期間、レーザパルスを出射する。トリガ信号ｔｒｇを送出する周期を変化させることにより、レーザ光源１から出射されるパルスレーザビームのパルスの繰り返し周波数を変化させることができる。
【００１２】
図７に、パルスの繰り返し周波数と、出射されるパルスレーザビームのパルスエネルギとの関係を示す。横軸は、パルスの繰り返し周波数を単位「ｋＨｚ」で表し、縦軸は、パルスエネルギを単位「ｍＪ」で表す。繰り返し周波数が高くなるに従って、パルスエネルギが低下することがわかる。このように、レーザ光源１は、パルスの繰り返し周波数が高くなるに従って、パルスエネルギが低下する周波数特性を有する。
【００１３】
レーザ光源１から出射されたレーザビームＬ１が、ビームエキスパンダ２により、ビーム径が拡大された平行ビームになる。ビーム径の拡大された平行ビームのビーム断面が、マスク３により整形される。
【００１４】
マスク３を透過したレーザビームが、エネルギ調整器５に入射する。エネルギ調整器５は、音響光学偏向素子（ＡＯＤ）５Ａと、ドライバ５Ｂとを含む。ドライバ５Ｂは、ＡＯＤ５Ａに、ＲＦ信号を印加する。ＡＯＤ５Ａは、ＲＦ信号が印加されると、入射するレーザビームを回折させる。ＲＦ信号の周波数によって回折角が決まり、ＲＦ信号の電圧によって回折効率が決まる。
【００１５】
ＡＯＤ５ＡにＲＦ信号が入力されていない期間は、ＡＯＤ５Ａに入射したレーザビームが直進し、ビームダンパ６に入射する。ＲＦ信号が入力されている期間は、その電圧に応じた回折効率で、レーザビームを、加工用経路に向けて回折させる。回折したレーザビームＬ２は、加工用経路に沿って伝搬し、折り返しミラー７、ビーム走査器９、ｆθレンズ１０を経由して、加工対象物５０に入射する。加工対象物５０は、ＸＹステージ１１上に保持される。
【００１６】
ドライバ５Ｂに、回折効率指令信号ｖｃｏｎと、切替指令信号ｓｃｏｎとが、制御装置２０から入力される。ドライバ５Ｂは、切替指令信号ｓｃｏｎが入力されている期間、ＡＯＤ５ＡにＲＦ信号を印加する。また、回折効率指令信号ｖｃｏｎで指令された回折効率になるように、ＡＯＤ５Ａに印加するＲＦ信号の電圧を制御する。このように、エネルギ調整器５は、入射するパルスレーザビームの光強度及びパルス幅の両方、または一方を変化させて、加工用経路に出射させることができる。
【００１７】
制御装置２０は、切替指令信号ｓｃｏｎをエネルギ調整器５に送信することにより、所望の期間だけ、レーザビームＬ２を加工用経路に沿って伝搬させることができる。すなわち、加工用経路に沿って伝搬するレーザビームＬ２のパルス幅を制御することができる。さらに、回折効率指令信号ｖｃｏｎで回折効率を制御することにより、加工用経路に沿って伝搬するレーザビームＬ２の光強度を所望の低下量だけ低下させることができる。
【００１８】
ビーム走査器９は、制御装置２０から制御信号ｇｃｏｎを受けて、入射したレーザビームを２次元方向に走査する。ビーム走査器９として、例えばＸ用揺動ミラーとＹ用揺動ミラーを含むガルバノスキャナを用いることができる。揺動ミラーを揺動させ、レーザビームの入射位置が指令された位置に整定されると、ビーム走査器９から制御装置２０に、整定完了信号ｇｒｅｓが送信される。
【００１９】
ｆθレンズ１０は、マスク３の位置の物点を、加工対象物５０の表面に結像させる。なお、結像位置で加工を行う方法に代えて、ｆθレンズ１０の後側焦点位置で加工を行う焦点加工法を採用することも可能である。ビーム走査器９でレーザビームを走査することにより、レーザビームの入射位置を、加工対象物５０の表面上で移動させることができる。レーザビームの入射目標位置は、制御信号ｇｃｏｎにより指令される。
【００２０】
ビーム走査器９は、レーザビームの入射位置を、ある被加工点から次に加工すべき被加工点に移動させるとき、２つの被加工点間の距離が長くなるに従って、レーザビームの入射位置が、次に加工すべき被加工点に整定するまでの時間も長くなる特性を有する。
【００２１】
図２Ａに、加工対象物５０の平面図を示す。加工対象物５０の被加工面に、正方格子で区分された複数の単位加工領域５１が画定されている。単位加工領域５１の大きさは、図１に示したビーム走査器９によってレーザビームを走査することにより、レーザビームの入射位置を移動させることができる範囲に対応する。このため、ＸＹステージ１１を静止させた状態で、ビーム走査器９を制御することにより、１つの単位加工領域５１内の加工を行うことができる。単位加工領域５１は、例えば一辺の長さが５ｃｍの正方形である。１つの単位加工領域５１内の加工が完了すると、ＸＹステージ１１を駆動して、他の単位加工領域５１を、レーザビームの走査可能範囲内に移動させ、その単位加工領域５１内の加工を行う。
【００２２】
単位加工領域５１内に、複数の被加工点Ｐが画定されている。これらの被加工点Ｐの加工の順番が決められている。第ｉ番目に加工する被加工点を「Ｐ（ｉ）」と表記することとする。
【００２３】
図２Ｂに、加工対象物５０の、被加工点Ｐ（ｉ）を通過する断面図を示す。コア基板５５の表面上に、内層銅パターン５６が形成されている。内層銅パターン５６を覆うように、コア基板５５の上に、樹脂層５７が配置されている。被加工点Ｐ（ｉ）にパルスレーザビームを入射させることにより、樹脂層５７を貫通し、内層銅パターン５６の上面まで達するビアホール５８を形成することができる。例えば４〜５ショットのレーザパルスを入射させることにより、１つのビアホール５８が形成される。
【００２４】
複数の被加工点を加工する方法として、「サイクルモード加工」と「バーストモード加工」とが知られている。
【００２５】
サイクルモード加工では、各被加工点Ｐにレーザパルスを１ショットずつ入射させながら、レーザビームの入射位置を移動させ、１つの単位加工領域５１内の全ての被加工点Ｐにレーザパルスを入射させる。この処理を１サイクルとして、４〜５サイクル繰り返す。これにより、１つの被加工点Ｐに、４〜５ショットのレーザパルスが入射することになる。
【００２６】
バーストモード加工では、１つの被加工点Ｐに、４〜５ショットのレーザパルスを続けて入射させる。１つの被加工点Ｐ（ｉ）にビアホール５８が形成されると、次に加工すべき被加工点Ｐ（ｉ＋１）に、４〜５ショットのレーザパルスを続けて入射させ、ビアホール５８を形成する。
【００２７】
図３Ａに示す被加工点Ｐの位置情報が、制御装置２０に記憶されている。例えば、被加工点Ｐ（ｉ）の座標は、（ｘｉ、ｙｉ）である。なお、ｘｙ座標系は、単位加工領域５１に対して定義される。加工対象物５０上に形成されたアライメントマーク等の位置を検出することにより、単位加工領域５１に対して定義されたｘｙ座標を、ビーム走査器９に対して定義される座標に換算することができる。
【００２８】
制御装置２０には、既に加工の順番が決められた被加工点Ｐの座標を入力するようにしてもよいし、入力された被加工点Ｐの座標に基づいて、制御装置２０が加工の順番を決定するようにしてもよい。
【００２９】
図３Ｂに、被加工点間の距離、パルスの繰り返し周波数、パルスレーザビームＬ１のパルスエネルギの相対値、目標回折効率、及び目標パルス幅の対応関係を示す。被加工点Ｐ（ｉ−１）とＰ（ｉ）との間の距離によって、レーザビームの入射位置が被加工点Ｐ（ｉ）に整定するまでの時間が変動する。整定後に、パルスレーザビームを出射するため、整定するまでの時間が長くなると、レーザパルスの出射間隔を長くしなければならない。すなわち、パルスの繰り返し周波数を低くしなければならない。被加工点間の距離が決定すると、レーザビームの入射位置の移動に必要な時間が決定される。この時間から、パルスの繰り返し周波数を決定することができる。例えば、被加工点間の距離が、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ未満であれば、レーザビームの入射位置が整定するまでの時間は、０．５ｍｓよりもやや短い。このため、パルスレーザビームのレーザパルスの周期を０．５ｍｓとすればよい。このとき、パルスの繰り返し周波数は、２．０ｋＨｚとなる。
【００３０】
パルスの繰り返し周波数が低くなると、レーザ光源１から出射されるパルスレーザビームＬ１のパルスエネルギが大きくなる。図３Ｂでは、パルスの繰り返し周波数が０．５ｋＨｚのときのパルスエネルギを１００％としたときの相対値で、各パルスエネルギを示している。
【００３１】
加工用経路に向かうパルスレーザビームＬ２のパルスエネルギの変動を小さくするためには、パルスレーザビームＬ１のパルスエネルギが大きくなるに従って、エネルギ調整器５の目標回折効率を低くすればよい。ＡＯＤ５Ａの最大回折効率が８０％である場合、繰り返し周波数が２．２ｋＨｚのときの目標回折効率を最大の８０％とする。繰り返し周波数が変化したときに、図３Ｂに示した目標回折効率とすることにより、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギをほぼ一定にすることができる。
【００３２】
図３Ｂに示した被加工点間距離と目標回折効率との関係が、制御装置２０に記憶されている。制御装置２０は、図３Ａに示した被加工点Ｐ（ｉ−１）からＰ（ｉ）までの距離を算出し、図３Ｂに示した関係を適用して目標回折効率を求める。さらに、求められた目標回折効率になるように、エネルギ調整器５を制御する。
【００３３】
また、回折効率を８０％に固定し、目標パルス幅を図３Ｂに示したように調整することによっても、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギをほぼ一定にすることができる。
【００３４】
図４に、サイクルモード加工を行う場合の各種信号のタイミングチャートを示す。制御装置２０は、被加工点Ｐ（ｉ−１）へ入射するレーザパルスが立ち下がった後、時刻ｔ１において、ビーム走査器９に、次に加工すべき被加工点Ｐ（ｉ）の位置を指令するための制御信号ｇｃｏｎを送出する。その直後の時刻ｔ２に、エネルギ調整器５に、回折効率指令信号ｖｃｏｎを送出する。回折効率指令信号ｖｃｏｎにより、被加工点Ｐ（ｉ−１）からＰ（ｉ）までの距離に対応付けられた目標回折効率が指令される。
【００３５】
ビーム走査器９は、制御信号ｇｃｏｎを受信すると、レーザビームの入射位置が制御信号ｇｃｏｎで指令された位置に移動するように、動作する。レーザビームの入射位置が被加工点Ｐ（ｉ）の位置に整定すると、時刻ｔ３において、ビーム走査器９から制御装置２０に整定完了信号ｇｒｅｓを送出する。具体的には、整定完了信号ｇｒｅｓを立ち下げることにより、整定完了を通知する。
【００３６】
制御装置２０は、整定完了が通知されると、時刻ｔ４からｔ７の期間、レーザ光源１にトリガパルスｔｒｇを送出する。レーザ光源１は、トリガパルスｔｒｇが立ち上がるとレーザビームＬ１の出射を開始し、立ち下がると出射を停止する。なお、パルスレーザビームＬ１のレーザパルスは、立ち上がり開始から定常状態に達するまで、及び立ち下がり開始から完全に出射が停止するまでに、遅延が生ずる。
【００３７】
制御装置２０は、パルスレーザビームＬ１の光強度が定常状態に達した後、時刻ｔ５において、切替指令信号ｓｃｏｎの送出を開始する。トリガパルスｔｒｇを立ち下げるよりも前の時刻ｔ６において、切替指令信号ｓｃｏｎの送出を停止する。時刻ｔ５〜ｔ６の期間、回折効率指令信号ｖｃｏｎは、エネルギ調整器５に送出されたままである。
【００３８】
エネルギ調整器５は、切替指令信号ｓｃｏｎを受信している時刻ｔ５からｔ６までの期間、入射するパルスレーザビームを回折させて、加工用経路に振り向ける。それ以外の期間は、パルスレーザビームはＡＯＤ５Ａを直進して、ビームダンパ６に入射する。従って、時刻ｔ５からｔ６までの期間、加工用経路にパルスレーザビームＬ２が現れる。
【００３９】
パルスレーザビームＬ２の光強度は、回折効率指令信号ｖｃｏｎで指令されている回折効率に依存する。例えば、回折効率が８０％であるとき、パルスレーザビームＬ２の光強度Ｉ２は、エネルギ調整器５に入射するパルスレーザビームＬ１の光強度Ｉ１の８０％になる。
【００４０】
制御装置２０は、トリガパルスｔｒｇが立ち下がった後、時刻ｔ１１において、次に加工すべき被加工点Ｐ（ｉ＋１）の位置を指令するための制御信号ｇｃｏｎを、ビーム走査器９に送出する。なお、切替指令信号ｓｃｏｎが立ち下がった時刻ｔ６以降は、ビーム走査器９にパルスレーザビームが入射しないため、時刻ｔ６からｔ７までの間に、制御装置２０からビーム走査器９に制御信号ｇｃｏｎの送出を開始してもよい。
【００４１】
また、制御装置２０は、切替指令信号ｓｃｏｎが立ち下がった時刻ｔ６以降に、回折効率指令信号ｖｃｏｎの送出を停止する。
【００４２】
パルスレーザビームＬ２のパルス幅Ｐｗを一定、例えば２０μｓにし、回折効率を調整することにより、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギを、全ての被加工点についてほぼ一定にすることができる。
【００４３】
また、回折効率を一定、例えば８０％にし、切替指令信号ｓｃｏｎを送出する時間ｔ５〜ｔ６を調整して、パルスレーザビームＬ２のパルス幅Ｐｗを制御してもよい。図３Ｂに示した被加工点間距離とパルス幅との対応関係に基づいてパルス幅を設定することにより、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギを、全ての被加工点についてほぼ一定にすることができる。
【００４４】
図５に、サイクルモード加工により、被加工点Ｐ（ｉ−２）からＰ（ｉ＋２）までの５個の被加工点に１ショットずつレーザパルスを入射させる場合のタイミングチャートを示す。例えば、被加工点Ｐ（ｉ−２）〜Ｐ（ｉ＋２）にレーザパルスを入射させるときのパルスレーザビームＬ１のパルスエネルギが、それぞれ１００％、８０％、１００％、８６％、及び９０％であるとする。これらの被加工点を加工するときの回折効率は、図３Ｂの対応関係から、それぞれ６４％、８０％、６４％、７４．４％、及び７１．１％と求まる。求められた回折効率が、回折効率指令信号ｖｃｏｎにより、エネルギ調整器５に指令される。切替指令信号ｓｃｏｎが送信されている期間、パルスレーザビームＬ２が、被加工点Ｐに入射する。
【００４５】
パルスレーザビームＬ１のパルスエネルギは、被加工点ごとにばらついているが、実際に入射するパルスレーザビームＬ２のパルスエネルギは、被加工点に依らずほぼ一定である。
【００４６】
図６に、バーストモード加工を行う場合の各種信号のタイミングチャートを示す。１つの被加工点Ｐに、５ショットのレーザパルスを入射させるとする。１つの被加工点Ｐに入射している期間のパルスの繰り返し周波数は、２ｋＨｚとする。
【００４７】
１つの被加工点に入射する最初のレーザパルスを出射するときの出射間隔は、直前に加工を行った被加工点から、次に加工すべき被加工点までの距離に依存した繰り返し周波数に相当する周期まで長くなる。例えば、被加工点Ｐ（ｉ−１）及びＰ（ｉ）に入射する最初のレーザパルスの、エネルギ調整前のパルスエネルギが、それぞれ９５％及び１００％であったとする。各被加工点に入射する２番目から５番目のレーザパルスのエネルギ調整前のパルスエネルギは、繰り返し周波数が２ｋＨｚであるため、いずれも８３％である。
【００４８】
被加工点Ｐ（ｉ−１）及びＰ（ｉ）に入射する最初のレーザパルスの回折効率を、それぞれ６７．４％及び６４％とし、２番目から５番目に入射するレーザパルスの回折効率を７７．１％とすることにより、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギを一定にすることができる。
【００４９】
なお、２番目から５番目のレーザパルスの回折効率を、ＡＯＤ５Ａの最大回折効率、例えば８０％に設定してもよい。この場合、被加工点Ｐ（ｉ−１）及びＰ（ｉ）に入射する最初のレーザパルスの回折効率を、それぞれ６９．９％及び６６．４％とすることにより、パルスレーザビームＬ２のパルスエネルギを一定にすることができる。
【００５０】
上記実施例において、エネルギ調整器５の回折効率またはパルス幅は、エネルギ調整前のパルスレーザビームＬ１のパルスエネルギの低下量を規定する物理量に相当する。このように、直前に加工された被加工点から、次に加工すべき被加工点までの距離に基づいて、パルスエネルギの低下量を規定する物理量を算出し、算出された物理量に基づいてパルスエネルギを低下させることにより、加工対象物に入射するパルスレーザビームのパルスエネルギを一定に近づけることができる。
【００５１】
なお、加工用経路に沿って伝搬するパルスレーザビームＬ２のパルスエネルギを厳密に一定にする必要はない。パルスレーザビームＬ１のパルスエネルギのばらつきが、エネルギ調整器５に入射する前のパルスレーザビームＬ１のパルスエネルギのばらつきよりも小さくなるようにエネルギ調整器５を制御することにより、回折効率やパルス幅の制御を行わない場合にくらべて、ビアホールの加工品質のばらつきを小さくすることができる。
【００５２】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施例によるレーザ加工装置の概略図である。
【図２】（２Ａ）及び（２Ｂ）は、それぞれ加工対象物の平面図及び断面図である。
【図３】（３Ａ）は、被加工点の位置情報を示す図表であり、（３Ｂ）は、被加工点間距離、パルスの繰り返し周波数、パルスレーザビームＬ１のパルスエネルギ、目標回折効率、及び目標パルス幅の対応関係を示す図表である。
【図４】実施例による加工方法における各種信号のタイミングチャートである。
【図５】サイクルモード加工を行うときのタイミングチャートである。
【図６】バーストモード加工を行うときのタイミングチャートである。
【図７】レーザ光源のパルスの繰り返し周波数と、パルスエネルギとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５４】
１  レーザ光源
２  ビームエキスパンダ
３  マスク
５  エネルギ調整器
６  ビームダンパ
７  折り返しミラー
９  ビーム走査器
１０  ｆθレンズ
１１  ＸＹステージ
２０  制御装置
５０  加工対象物
５１  単位加工領域
５５  コア基板
５６  内層銅パターン
５７  樹脂層
５８  ビアホール
【図１】
0005025391.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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