(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面に電子部品が粘着されたテープ部材の他方の主面である第２の主面にベローフラムを接触させる工程と、
前記第２の主面に前記ベローフラムを接触させた後、前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラム及び前記テープ部材を変形させ、前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程と、を含み、
前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程は、前記電子部品を吸着装置により吸着保持しながら行われ、
前記吸着装置による吸引圧力と、前記電子部品が前記吸着装置に接触する接触力とを検出する工程と、
前記吸引圧力及び前記接触力の検出結果に基づき、前記ベローフラムの内部の圧力及び前記吸着装置の位置を制御する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法。
【請求項２】
第１の主面に電子部品が粘着されたテープ部材の他方の主面である第２の主面にベローフラムを接触させる工程と、
前記第２の主面に前記ベローフラムを接触させた後、前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラム及び前記テープ部材を変形させ、前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程と、を含み、
前記ベローフラムは複数の構成部を含み、
前記電子部品の前記粘着テープからの剥離状態に応じて、前記構成部の一部を作動させることを特徴とする電子部品の剥離方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子部品の剥離方法であって、
前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程では、前記ベローフラム及び前記テープ部材の変形により、前記電子部品を上昇させることを特徴とする電子部品の剥離方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の電子部品の剥離方法であって、
前記吸着装置と前記電子部品との距離が予め設定された距離になるように、前記吸着装置を前記ベローフラムの上方に配置する工程と、
前記ベローフラムの内部の圧力が予め設定された圧力になるように、前記ベローフラムの内部を加圧する工程と、
前記電子部品が前記吸着部に接触した後に、前記電子部品の前記吸着装置による吸着を開始する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法。
【請求項５】
請求項１記載の電子部品の剥離方法であって、
前記電子部品が前記吸着部に接触する力が所定の値を超え、且つ、前記吸着部の内部が真空状態でないことが検出される場合には、異常状態の発生と判定されることを特徴とする電子部品の剥離方法。
【請求項６】
テープ部材に貼着された電子部品の剥離装置であって、
前記テープ部材の前記電子部品とは逆側に配置されるベローフラムと、
前記ベローフラムの周囲に配置され、前記テープ部材を吸着するテープ吸着部と、
前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラムを変形させて、前記電子部品を前記テープ部材から剥離する流体供給装置と、
前記テープ部材から剥離される前記電子部品を吸着保持する吸着装置と、
前記吸着装置による吸引圧力を検出する真空状態検出器と、
前記電子部品が前記吸着装置に接触する接触力を検出する接触力検出器と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離装置。
【請求項７】
請求項６記載の電子部品の剥離装置であって、
前記ベローフラム気室と前記テープ吸着部とは一体構成されてなることを特徴とする電子部品の剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の剥離方法及び剥離装置に関し、より具体的には、半導体素子等の電子部品を粘着テープから剥離する方法及びこれを実行する剥離装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置などの半導体装置の製造工程に於いては、所謂ウェハープロセスが適用されて一枚の半導体基板（ウェハー）に形成された複数個の半導体素子（半導体集積回路素子）を個々に分割する所謂ダイシング処理（個片化処理）が施される。
【０００３】
即ち、半導体装置の製造工程に於いては、所謂ウェハープロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板の一方の主面に、トランジスタなどの能動素子、抵抗素子、容量素子などの受動素子、並びにこれらの機能素子間を接続する配線層から構成される電子回路を含む半導体素子が、複数個形成される。
【０００４】
そして、当該半導体基板に対しては、その他方の主面（裏面、電子回路非形成面）の研削処理が施され、当該半導体基板の厚さが減じられる。
【０００５】
更に、当該半導体基板に対して、所謂ダイシング処理が施され、当該半導体基板は、個々の半導体素子に分離（個片化）される。
【０００６】
個片化された半導体素子（半導体チップ）は、直接に、或いはトレイなどに収容されて搬送され、配線基板或いはリードフレームなどの支持部材上に搭載され、電極またはリード線の接続、ならびに封止処理が施されて半導体装置が形成される。
【０００７】
かかる製造工程に於いて、ダイシング処理は、被処理半導体基板の他方の主面を、表面が粘着性を有するテープ上に貼り付けて固定し、かかる状態において、ダイシングブレード法あるいはレーザーダイシング法などを適用して、個々の半導体素子に分割（個片化）する。
【０００８】
尚、かかるダイシング工程に於いて適用されるテープは、ダイシングテープと称されるが、ダイシングテープ自体に粘着性を持たせず、当該ダイシングテープ上に接着性テープを介して半導体基板を固定する方法も用いられる。
【０００９】
個片化された半導体素子は、前記ダイシングテープの裏面から突き上げ用治具により押圧される（突き上げられる）と共に、その上面が吸着用治具（吸着コレット）により吸着・保持されて、当該ダイシングテープから剥離される。
【００１０】
当該吸着用治具に保持された半導体素子は、前述の如く、例えば搬送用トレイなどに収納されるなどして、回路基板上への搭載工程など次の工程に向け搬送される。
【００１１】
前記ダイシング処理の後、ダイシングテープから半導体素子を取り出す（ピックアップ）ための処理方法ならびに処理装置は、従来、例えば図１に示す構成が採られていた。
【００１２】
即ち、ダイシング処理により個片化された半導体素子１が複数個貼り付けられた状態にあるダイシングテープ２１は処理装置１００に装着され、突き上げ用治具３により当該ダイシングテープ２１の裏面から一つの半導体素子毎に突き上げられる。これにより、半導体素子１のダイシングテープ２１への粘着面積が減少する。
【００１３】
また、かかる突き上げに対応して、半導体素子１はその上面が吸着用治具（吸着コレット）４により吸着・保持され、持ち上げられることにより、ダイシングテープ２１から剥離される。
【００１４】
前記突き上げ用治具３は、半導体素子１の外形寸法に略対応した平坦部３１と当該平坦部の周囲を囲む筒状の壁部３２を備え、前記平坦部３１には複数の貫通孔３３が配設されている。
【００１５】
そして、当該貫通孔３３に対応して、複数本のニードル３４が、ニードル支持部３５により上下動可能（矢印Ｐ）に保持されている。前記平坦部３２が前記ダイシングテープ２１に接した状態に於いて、前記貫通孔３３を介して真空吸引し、当該ダイシングテープ２１を固定する。
【００１６】
かかる状態に於いて、前記ニードル支持部３５を上昇せしめ、これによりニードル３４を、貫通孔３３内を通過させ、ダイシングテープ２１を押圧するか、あるいは当該ダイシングテープ２１を貫通させて半導体素子１の裏面を押圧する。
【００１７】
一方、前記突き上げ用治具３に対応して、前記被処理半導体素子１の上方には、吸着用治具４が、上下動可能（矢印Ｑ）に配設されている。
【００１８】
当該吸着用治具４は、吸着用コレットとも称され、その吸着用開口４１は、真空吸引装置（図示せず）に接続されている。
【００１９】
かかる処理装置１００に於ける、ダイシングテープ２１からの半導体素子１の剥離処理は以下の様になされる。
【００２０】
即ち、当該ダイシングテープ２１上に保持されている被処理半導体素子１が突き上げ用治具３の直上に、また吸着用治具４が当該半導体素子１の直上に位置せしめられる。
【００２１】
次いで、突き上げ用治具３をダイシングテープ２１に近接し、当該突き上げ用治具３に於ける貫通孔３３を介して、当該ダイシングテープ２１を吸着し、その平坦部３１上に固定する。
【００２２】
かかる状態に於いて、前記ニードル支持部３５を上昇せしめ、これによりニードル３４を、貫通孔３３内を通過させてダイシングテープ２１を押圧するか、当該ダイシングテープ２１中を貫通させて半導体素子１の裏面を押圧する。
【００２３】
これにより、当該半導体素子１は、ダイシングテープ２１表面より剥離する。
【００２４】
かかる剥離に対応して、前記吸着用治具４を降下させ、その吸着用開口４１を通しての吸引により半導体素子１を吸着し、これを保持して上昇する。
【００２５】
そして当該吸着用治具４は、当該半導体素子１を、搬送用トレイなどに搬送する。
【００２６】
尚、複数本のニードルによる突き上げ方式の一つとして、半導体素子の略中央部に位置する突き上げピンとその周囲に位置する突き上げピンとに時間差を与えて突出させ（押上げ）、当該半導体素子のダイシングテープからの剥離を容易とすることが提案されている。（特許文献１参照）
また、他の手段として、上面に複数の半導体素子を接着した粘着シートを、延伸リングに緊張架張し、粘着シートの下面から面状の押圧面を有する押圧ブロックで、粘着シートを破ることなく複数の半導体素子の各々を押圧して、粘着シートから個々の半導体素子を剥離する態様が提案されている。（特許文献２参照）
更に、他の手段として、上面に複数の半導体素子を接着した粘着シートの裏面より、ゴムなどの可撓性を有する弾性体を球面状に整形したシート押上部材を用いて、粘着シートを破ることなく半導体素子を押圧し、粘着シートから個々の半導体素子を剥離する態様が提案されている。（特許文献３参照）
【特許文献１】特開平１１−２９７７９３号公報
【特許文献２】特開平６−８５０６０号公報
【特許文献３】特開２００７−１０９９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
前記図１に示される処理装置１００に於ける、ダイシングテープ２１から半導体素子１の剥離処理にあっては、被処理半導体素子１の背面に対して、複数のニードル３４により押圧する処理がなされる。
【００２８】
従って、当該半導体素子１にあっては、ニードル３４により直接的に押圧される部位と当該ニードル３４により押圧されない部位とが生じ、ダイシングテープ２１からの剥離状態が不均一となり、当該半導体素子１のダイシングテープ２１との接触面が、不均一に剥離されることを生じ易い。
【００２９】
この為、剥離された形態が一定とならず、吸着用治具４に吸着・保持される状態はなしを得ない場合がある。
【００３０】
また、かかる手段によれば、複数本あるニードル３４の先端部の位置（高さ）が均一であることが必要である。即ち、当該先端部の磨耗あるいは湾曲などに起因して、複数本のニードル３４の先端部の位置が不均一であると、被処理半導体素子１のダイシングテープ２１との接触面に対して均一な押圧力を与えることができない。
【００３１】
この様に、複数本のニードル３４の先端部の位置が不均一であると、半導体素子１に於いて、割れ（クラック）などを生じ易い。
【００３２】
しかも、この様な複数本のニードル３４の先端部の状態については、目視による検査などが非常に困難である。従って、かかる構成を揺する処理装置１００にあっては、ダイシングテープ２１からの半導体素子１の剥離処理を安定して実施することが困難である。
【００３３】
かかる問題は、同様に複数本の突き上げピンを用いる、前記特許文献１に開示された技術にあっても存在する。
【００３４】
また、特許文献１に開示された技術にあっては、半導体素子の略中央部に位置する突き上げピンとその周囲に位置する突き上げピンとに時間差を与えて突出（押上）させることから、半導体素子のダイシングテープからの剥離は容易になされる可能性はあるが、当該突き上げピンの先端の形状、先端部の位置の不均一などに基づく、半導体素子への影響は存在する。
【００３５】
一方、特許文献２に開示された技術にあっては、上面に複数個の錐形体が配置された押圧ブロックあるいは上面が多面体とされた押圧ブロックを用いて、ダイシングテープからの半導体素子の剥離処理が行われるが、押上後にあってもダイシングテープと半導体素子との接触面積が大きく、当該半導体素子の剥離が困難である。
【００３６】
そして、特許文献３に開示された技術にあっては、可撓性を有する弾性体を球体状に整形したシート押上部材が用いられ、当該シート押上部材の弾性変形、即ちその上部面が平坦面から球面へと変形することにより、シートからのチップの剥離処理が行われる。
【００３７】
この時、かかる処理方法に於いて、シート押上部材の上面を予め球面状から平面とする際には、取出しノズルの多孔質吸着板をチップに当接させ、当該チップの下に位置するシートを介してシート状押上部材に圧力を加えている。即ち、加圧開始時、当該チップは極めて小さな面積をもってシート押上部材に押圧される。従って、特にチップが比較的大きな面積を有し且つその厚さが薄い形態である場合には、当該チップに割れ、欠けなどを生じ易い。
【００３８】
一方、電子機器の小形化、高機能化要求に対応すべく、半導体素子１に対しても、より高機能化が要求され、チップサイズが大形化する一方、その厚さをより減ずる、即ち薄形化が求められている。
【００３９】
この様に、薄形化される一方、大形化（大面積化）されて機械的強度が低下した半導体素子をダイシングテープから剥離する際には、その破壊を招来しない様に、より慎重な剥離処理の実行が必要とされる。
【００４０】
本発明は、この様な点に鑑みてなされたものであり、半導体素子等の電子部品をダイシングテープ等の粘着テープから剥離する方法、及びにこれを実施する剥離装置であって、剥離の際に生じる応力を分散させ、電子部品に損傷を与えることなく安定した剥離処理を実施することができる剥離方法及びに剥離装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
本発明の実施の形態の一の観点によれば、第１の主面に電子部品が粘着されたテープ部材の他方の主面である第２の主面にベローフラムを接触させる工程と、前記第２の主面に前記ベローフラムを接触させた後、前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラム及び前記テープ部材を変形させ、前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法が提供される。
【００４２】
本発明の実施の形態の他の観点によれば、テープ部材に貼着された電子部品の剥離装置であって、前記テープ部材の前記電子部品とは逆側に配置されるベローフラムと、前記ベローフラムの周囲に配置され、前記テープ部材を吸着するテープ吸着部と、前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラムを変形させて、前記電子部品を前記テープ部材から剥離する流体供給装置と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離装置が提供される。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の実施の形態によれば、半導体素子等の電子部品をダイシングテープ等の粘着テープから剥離する方法及び装置であって、当該剥離の際に生じる応力を分散させて前記電子部品に与える損傷を少なくすると共に、前記電子部品の剥離姿勢の悪化を招くことなく、安定した剥離を実現することができる方法及び装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について、被処理電子部品として半導体素子を、またテープ部材としてダイシングテープを掲げて説明する。
【００４５】
ここでは、先ず当該電子部品の剥離装置の構成について説明し、次いで当該剥離装置を用いての剥離処理方法について説明する。
【００４６】
１．電子部品の剥離装置
本発明にかかる電子部品の剥離装置２００の構成を、図２に示す。
【００４７】
即ち、当該電子部品の剥離装置２００は、ベローフラム収容部２１０、当該ベローフラム収容部２１０の周囲に当該ベローフラム収容部２１０を囲繞して配設されたテープ吸着部２２０、前記ベローフラム収容部２１０の上方に配置される吸着用ユニット２３０、ならびにこれらの機構を制御する制御部２４０を具備している。
【００４８】
かかる構成に於いて、前記ベローフラム収容部２１０にあっては、被処理電子部品の平面形状に対応させて、上面の平面形状が矩形状とされた基体部２１１上に、ゴムなどの弾性体からなるベローフラム２１２が配置される。
【００４９】
基体部２１１ならびにベローフラム２１２の平面形状は、被処理電子部品の平面形状に対応して設定される。当該電子部品が一般の半導体素子であれば、矩形状に設定される。
【００５０】
また当該平面形状の寸法は、被処理電子部品と同等であり、若干大きめの寸法とされる。そして、ベローフラム２１２の気室（ベローフラム気室）２１３は、基体部２１１を貫
通する貫通孔２１４、ならびにこれに連通するパイプ２１５を介して、電空レギュレータ２１６に接続されている。
【００５１】
また、前記ベローフラム収容部２１０を囲繞して配設されるテープ吸着部２２０は、その上面にテープの吸着を行う貫通孔２２１が複数個配設され、当該貫通孔２２１は連通する空洞部２２２ならびに下部貫通孔２２３を介して、更にパイプ（図示せず）などを介して、真空吸引装置（図示せず）に接続されている。
【００５２】
尚、当該テープ吸着部２２０は、ベローフラム収容部２１０の周囲に於いて、一つのブロックとして形成されるか、複数個のブロックに分割され、それぞれが独立して真空吸引装置へ接続される構成を採ることもできる。
【００５３】
また、当該ベローフラム収容部２１０の上方に配置される吸着用ユニット２３０は、被吸着電子部品を真空吸引する貫通孔２３１を複数具備する電子部品吸着部２３２と、当該電子部品吸着部２３２を弾性的に支持する箱状の支持部２３３から構成され、支持アーム（図示せず）により上下動ならびに回動可能に支持されている。
【００５４】
電子部品吸着部２３２は、支持部２３３に嵌挿され、且つバネ２３４により弾性的に支持されている。
【００５５】
当該支持部２３３は、開口２３５、パイプ２３６を介して真空吸引装置２３７に接続されている。そして、当該パイプ２３６には、差圧検出器（真空状態検出器）２３８が配設されている。
【００５６】
また、当該支持部２３３内に於いて、当該支持部２３３と電子部品吸着部２３２との間には、接触力検出器として歪ゲージ２３９が配設されている。
【００５７】
尚、前記電子部品吸着部２３２は、複数の貫通孔２３１を具備する形態に限られるものではなく、多孔質材料からなる板状の部材をもって構成することもできる。
【００５８】
一方、前記電子部品吸着部２３２に於ける被吸着電子部品への対向部（接触部）の形状、面積は、被吸着電子部品の被吸着面の形状、面積に対応するものとされ、当該電子部品が吸着されると、複数個の貫通孔２３１は当該電子部品により全て閉じられる。
【００５９】
そして、前記電空レギュレータ２１６、真空吸引装置２３７、差圧検出器２３８ならびに歪ゲージ２３９は、制御部２４０に接続され、当該制御部２４０により制御される。
【００６０】
この様な構成を有する剥離装置２００に於いて、剥離処理を開始する前にあっては、ベローフラム２１２の上面と、その周囲に配設されたテープ吸着部２２０の上面とがほぼ同一の高さを有し連続する平面を形成するよう、ベローフラム２１２の上面の高さが設定される。
【００６１】
そして、かかるテープ吸着部２２０の上面とベローフラム２１２の上面とにより形成された平面上に、一方の主面上に被処理物である半導体素子１０１が複数個貼り付けられたシート状のダイシングテープ１２１が、当該一方の主面を上面として、即ち半導体素子１０１の被粘着面を上面として載置される。
【００６２】
そして、被処理半導体素子の一つが、前記ベローフラム２１２上に位置するように、当該ダイシングテープ１２１が配置される。
【００６３】
尚、ここでは、被処理半導体素子１０１として、背面研削により除去された量（被研削量）が少ない、即ち比較的厚い半導体基板から個片化された半導体素子が、ダイシングテープ１２１上に粘着されている。
【００６４】
そして、表面が粘着性を有するダイシングテープ１２１が適用されて、当該ダイシングテープ１２１から剥離された半導体素子１０１は、配線基板、インターポーザなどの支持基板に対し、予め配置された接着剤を介して固着される。
【００６５】
ベローフラム２１２の上面とその周囲に配設されたテープ吸着部２２０の上面とにより形成された平面上に載置されたところの、複数個の半導体素子１０１が貼り付けられたダイシングテープ１２１に対し、テープ吸着部２２０に於いて真空吸引を行い、当該ダイシングテープ１２１をテープ吸着部２２０上に吸着保持する。即ち、図中に矢印Ａにて示す方向に、真空吸引処理を行う。
【００６６】
次いで、前記ダイシングテープ１２１下に位置するベローフラム２１２の気室２１３内に、電空レギュレータ２１６より圧気を導入（図中の矢印Ｂ）し、当該ベローフラム２１２を膨張せしめる。
【００６７】
この時、当該ベローフラム２１２はその周囲がテープ吸着部２２０により囲繞されていることから、当該ベローフラム２１２は、ダイシングテープ１２１側に凸状に膨張する。
【００６８】
当該ベローフラム２１２の膨張に伴って、ダイシングテープ１２１は押し上げられ、当該ベローフラム２１２の形状に対応して湾曲する。
【００６９】
ダイシングテープ１２１が略半球状に押し上げられ、その表面が湾曲することにより、当該ダイシングテープ１２１と共に押し上げられる半導体素子１０１と当該ダイシングテープ１２１との間の粘着力に勝る力が印可されて、当該半導体素子１０１はその外周部、特にその四隅（コーナー）近傍に於いてダイシングテープ１２１からの剥離が開始される。
【００７０】
この時、前記吸着用ユニット２３０は、制御部２４０により制御されて、前記半導体素子１０１の直上に配置され且つ降下する。そして、その電子部品吸着部２３２を、ダイシングテープ１２１と共に押し上げられる半導体素子１０１の上面に近接させる。
【００７１】
この時、制御部２４０により真空吸引装置２３７も駆動され、真空吸引（図中の矢印Ｃ）が開始される。
【００７２】
当該電子部品吸着部２３２と半導体素子１０１とが近接し、更に当該電子部品吸着部２３２と半導体素子１０１とが接触すると、かかる接触は歪ゲージ２３９により検出され、当該検出結果は制御部２４０に伝達される。
【００７３】
そして、当該電子部品吸着部２３２と半導体素子１０１とが更に接近し、適切な接触状態、即ち当該半導体素子１０１の上面と電子部品吸着部２３２とがほぼ並行状態をもって接触すると、当該電子部品吸着部２３２に於ける貫通孔２３１の全てが半導体素子１０１により覆われる。即ち、当該半導体素子１０１は、電子部品吸着部２３２に真空吸着される。この結果、吸着用ユニット２３０の支持部２３３内の圧力が低下する。
【００７４】
かかる圧力の変化は前記差圧検出器２３８に於いて検出され、これをもって半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に吸着されことが検出される。
【００７５】
かかる検出結果に基づき、当該吸着用ユニット２３０は、電子部品吸着部２３２の貫通孔２３１に半導体素子１０１を吸引・保持しつつ上昇する。
【００７６】
かかる吸着用ユニット２３０の上昇に伴い、その電子部品吸着部２３２に吸引・保持された半導体素子１０１は、前記ダイシングテープ１２１から剥離し、ダイシングテープ１２１とは分離される。
【００７７】
しかる後、当該吸着用ユニット２３０は、制御部２４０からの制御信号に基づき支持アームなどにより移動され、半導体素子１０１を搬送用トレイ（図示せず）などへ移送する。
【００７８】
半導体素子１０１のダイシングテープ１２１からの剥離がなされると、制御部２４０からの制御信号に基づいて電空レギュレータ２１６が制御されることにより、ベローフラム２１２の気室２１３内の圧力が低下されて、当該ベローフラム２１２は収縮し、その高さが減じられる。
【００７９】
そして、当該ベローフラム２１２の上面は、テープ吸着部２２０の上面と同等の高さとされる。
【００８０】
かかる状態に於いて、ダイシングテープ１２１のなす平面に沿って、ベローフラム収容部２１０、テープ吸着部２２０、ならびに吸着用ユニット２３０を移動させるか、或いは、当該ダイシングテープ１２１を、ベローフラム収容部２１０及びテープ吸着部２２０が形成する平面上を於いて移動させることにより、次なる被処理半導体素子をベローフラム２１２上に位置せしめる。
【００８１】
そして、前述の如き手順に沿って、当該半導体素子のダイシングテープからの剥離処理を行う。
【００８２】
尚、前記電子部品吸着部２３２に対し半導体素子が適切な接触状態をもって吸着されない状態、例えば当該半導体素子の一部が電子部品吸着部２３２に接した後、当該半導体素子の上面全体が電子部品吸着部２３２に接しない状態が生じた場合、かかる状態は前記差圧検出器２３８に於いて圧力の変化が生じないことをもって検出される。
【００８３】
この様な場合には、吸引・剥離作業を停止して、対象となる半導体素子の除去を含む対応処置を施す。半導体素子自体の薄形化がなされつつあり、当該半導体素子に於いて湾曲あるいは欠けなどが生じ易い状態にあることから、この様な状態の監視・検出ならびに対応処置は必要とされる。
【００８４】
尚、ベローフラムの膨張による変位量が小である場合には、接触力検出器としてロードセルを用いることもできる。
【００８５】
２．電子部品の剥離方法
前述の如き、本発明による剥離装置２００を用いての、電子部品の剥離方法について、図３乃至図９ならびに図１０を用いて詳細に説明する。
【００８６】
図３乃至図９に於いて、当該剥離装置２００を用いて、ダイシングテープ１２１から半導体素子１０１を剥離する工程を説明する。
【００８７】
尚、図３乃至図７の図（ｂ）に於いては、当該ダイシングテープ１２１と半導体素子１０１の裏面に配設された接着剤１３１との接触面積の変化を、模式的に示している。
【００８８】
即ち、ここでは、シート状のダイシングテープ１２１の表面に、個片化された半導体素子１０１が、その裏面に配置されたシート状接着剤１３１を介してダイシングテープ１２１上に粘着され、保持されてなる場合を示している。
【００８９】
当該半導体素子１０１は、背面研削処理（バックグラインディング処理）によりその厚さが大きく減じられ、より薄化された半導体基板から、ダイシング処理により個片化された半導体素子である。
【００９０】
この様に、その厚さが薄くされた半導体素子１０１は、配線基板、インターポーザなどの支持基板上に接着剤を介して固着される際、当該接着剤が支持基板上に配設された形態によっては破壊される恐れがある。
【００９１】
即ち、支持基板上に予め配設された接着剤の形態が平坦でない場合、当該接着剤上に厚さが薄い半導体素子を圧着しようとすると、当該接着剤の凹凸により半導体素子に割れなどを生じてしまう。従って、厚さが薄い半導体素子にあっては、配線基板、インターポーザなどの支持基板上に固着されるに先立って、当該半導体素子の裏面に接着剤が配設されていることが望ましい。
【００９２】
この為、前記背面研削処理に続くダイシング処理に際しては、先ず半導体基板の裏面にダイ付けフィルムと称するシート状接着剤１３１を貼り付ける。そして、当該シート状接着剤１３１をもって、当該半導体基板をダイシングテープ１２１上に貼り付ける。
【００９３】
尚、かかる工程の後、前記背面研削工程に於いて半導体基板の上面に貼り付けられていたバックグラインディングテープ（ＢＧテープ）は剥離・除去される。
【００９４】
この様に、その裏面にシート状接着剤１３１を介してダイシングテープ１２１上に貼り付けられた半導体基板に対してダイシング処理が行われた後、個片化された半導体素子は、ダイシングテープから剥離される際に、当該半導体素子の裏面にシート状接着剤が配設された状態をもって取り出される。
【００９５】
半導体素子１０１の裏面にシート状接着剤１３１が配置されていることにより、当該半導体素子を支持基板上に搭載する際に、支持基板上に予め接着剤を配置する必要が無くなると共に、前述の如き問題は生じない。
【００９６】
本実施の形態にあっては、一方の主面にシート状接着剤１３１を介してダイシングテープ１２１上に固着された半導体基板に対するダイシング処理後、当該ダイシングテープから剥離される半導体素子は、それぞれその裏面にシート状接着剤が配設された状態をもって取り出される。
【００９７】
また、当該剥離工程に於ける、吸着用ユニット２３０の配置状態、ベローフラム２１２の気室２１３に於ける圧力の変化などの時間的変化を図１０に示す。
【００９８】
即ち、吸着用ユニット２３０と、剥離処理が開始される前の被吸着半導体素子の上面（初期平面）との間の距離Ｄの時間的変化を、図１０（ａ）に示す。一方、ベローフラム気室２１３内に於ける圧力の時間的変化を、図１０（ｂ）に示す。また、ベローフラム２１２の膨張・拡大に伴う、電子部品吸着部２３２と被処理半導体素子の上面との距離の時間的変化を図１０（ｃ）に示す。また、当該電子部品吸着部２３２に於ける被処理半導体素子の吸着状態の時間的変化を、図１０（ｄ）に示す。更に、被処理半導体素子を介し吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２に対して印可される押圧力の時間的変化を、図１０（ｅ）に示す。
【００９９】
２−１．位置合わせ
シート状を有するダイシングテープ１２１の一方の主面上に、シート状接着剤１３１を介して粘着されている被剥離処理半導体素子（以下、単に半導体素子とする）１０１Ｓを、当該ダイシングテープ１２１から剥離するために、先ず当該半導体素子１０１Ｓを、ベローフラム収容部２１０上に位置せしめる。（図１０に於ける時刻ｔ０）
この時、当該ベローフラム収容部２１０に於けるベローフラム２１２の気室２１３は、当該ベローフラム２１２の上面が、テープ吸着部２２０の上面と同等の高さを有して共通の平面を形成する様、電空レギュレータ２１６により与圧（圧力Ｐ１）されている。（図１０（ｂ））尚、常圧に於いてかかる形態が得られるならば、加圧は必要とされない。
【０１００】
そして、当該テープ吸着部２２０に於いては、その上面に配設された貫通孔２２１を通して、半導体素子１０１Ｓの周囲に於けるダイシングテープ１２１を真空吸着（矢印Ａの方向）し、当該ダイシングテープ１２１を固定する。
【０１０１】
一方、半導体素子１０１Ｓの上方には、当該半導体素子１０１Ｓの上表面から離間して、吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２の先端部が対向配置される。
【０１０２】
かかる状態を、図３に示す。
【０１０３】
この段階では、個々の半導体素子１０１Ｓの裏面に配設されたシート状接着剤１３１は、その全域がダイシングテープ１２１上に接している。（図３（ｂ）参照）
２−２．吸着ユニットの降下
前記の如く位置合わせがなされた吸着用ユニット２３０を、その電子部品吸着部２３２の先端部が、半導体素子１０１Ｓの上方に、当該半導体素子１０１Ｓの上面の在る平面（初期平面Ｓ）から所定の距離Ｄ（Ｄ＝０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ）離間して位置する様に下降せしめる。（図１０に於ける時刻ｔ１）
そして、当該吸着用ユニット２３０の支持部２３３は、前記半導体素子１０１の上面の在る平面（初期平面Ｓ）から所定の距離をもって固定される。即ち、当該支持部２３３は、その上面と前記初期平面Ｓとの間に距離ＤＳをもって固定される。
【０１０４】
かかる状態を、図４に示す。
【０１０５】
そして、当該吸着用ユニット２３０の内部の真空吸引が開始され、貫通孔２３１を通して外気が流入される。（図中の矢印Ｃ方向）
かかる状態にあっては、半導体素子１０１Ｓの裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓは、その全域がダイシングテープ１２１上に粘着されている。（図４（ｂ）参照）
２−３．剥離処理の開始
次いで、前記電空レギュレータ２１６の作動により、ベローフラム２１２の気室２１３内に空気の圧入を開始し、当該ベローフラム気室２１３内の圧力を高める。（Ｐ１＋α）
これにより当該ベローフラム気室２１３を膨張・拡大せしめ、ベローフラム２１２の上面を上昇せしめる。（図１０に於ける時刻ｔ２）
かかるベローフラム２１２の上面の上昇に伴い、当該上面に位置する半導体素子１０１Ｓは距離Ｄを移動（上昇）し、その上面は吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２の先端部（下端部）に当接する。（図１０における時刻ｔ３）
かかる状態を、図５に示す。
【０１０６】
前述の如く、電子部品吸着部２１０は真空吸引を開始しており、これにより半導体素子１０１Ｓは、電子部品吸着部２３２の先端部に真空吸着される。
【０１０７】
即ち、当該半導体素子１０１Ｓの吸着により、電子部品吸着部２３２の先端部開口、即ち複数の貫通孔２３１は全て封じられる。（図１０（ｃ）参照）
この為、吸着用ユニット２３０内はより減圧され、その電子部品吸着部２３２は、バネ２３４に抗して支持部２３３内を若干移動（上昇）する。
【０１０８】
この結果、電子部品吸着部２３２は歪ゲージ２３９に当接し、当該電子部品吸着部２３２の先端部（下端部）に於いて、半導体素子１０１Ｓの吸着がなされたことが検知される。
【０１０９】
また、当該半導体素子１０１Ｓの吸着が、正常になされたか否か、即ち当該半導体素子１０１Ｓは電子部品吸着部２３２の先端部の複数の貫通孔２３１を全て封じて吸着されたか否かは、差圧検出器２３８により検出される。
【０１１０】
尚、半導体素子１０１Ｓが、電子部品吸着部２３２の先端部の平面に対して傾いて接触した場合には、完全な真空吸着に至る迄に時間を要する。
【０１１１】
この時、ベローフラム気室２１３の膨張・拡大に伴い、ベローフラム２１２の上面は、略円弧状の側面を呈しつつ上昇する。
【０１１２】
これにより、半導体素子１０１Ｓの下面にあるシート状接着剤１３１Ｓは、まず当該半導体素子１０１の四隅（コーナー）部のそれぞれに於いて、ダイシングテーブ１２１からの剥離を生ずる。（図５（ｂ）参照）
尚、この様に、半導体素子１０１Ｓを、吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２の先端部（下端部）に吸着・保持するために、当該半導体素子１０１Ｓの上面と電子部品吸着部２３２の先端部との距離Ｄ、当該半導体素子１０１Ｓの裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓがダイシンクテープ１２１から剥離するに必要な距離（Ｄ＋β）、並びにベローフラム気室２１３に導入される空気の圧力（Ｐ１＋α）、その加圧速度などが予め設定される。
【０１１３】
これらは、ダイシングテープ１２１の材質に基づく強度、伸び率、粘着性、並びにその厚さ、更にはシート状接着剤１３１の材質などに基づき設定される。
【０１１４】
例えば、当該ダイシングテープ１２１が伸び易く、且つ粘着性が大である場合には、ベローフラム気室２１３の圧力をより高く、又は半導体素子吸着部２３２の先端部と半導体素子１０１の上面との間の距離Ｄを長く設定する。
【０１１５】
また、ダイシングテープ１２１の粘着性が低い場合には、ベローフラム気室２１３の上面を僅かに上昇させることにより半導体素子１０１下のシート状接着剤１３１の剥離が開始されるため、ベローフラム気室２１３の圧力を低く、又は半導体素子吸着部２３２の下端部と半導体素子１０１の上面との間の距離Ｄを短く設定する。
【０１１６】
２−４．剥離処理の進行
前述の如く、ベローフラム気室２１３内への空気の導入（圧入）に伴い、ベローフラム２１２は更に膨張・拡大し、その上面は上昇を継続する。
【０１１７】
かかるベローフラム２１２上面の上昇に伴い、半導体素子１０１Ｓは押し上げられ、当該半導体素子１０１Ｓを吸着している電子部品吸着部２３２は、バネ２３４に抗して、支持部２３３内を更に上昇し、半導体素子１０１Ｓの表面は位置（Ｄ＋β）に至る。
【０１１８】
この結果、当該半導体素子１０１Ｓ及びその裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓは、ダイシングテープ１２１から、更に剥離される。
【０１１９】
かかる状態を、図６に示す。
【０１２０】
この時、半導体素子１０１Ｓの裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓは、当該半導体素子１０１Ｓの四隅部だけでなく、その四辺の近傍に位置する部分に於いても、ダイシングテーブ１２１からの剥離を生ずる。（図６（ｂ）参照）
当該シート状接着剤１３１Ｓのダイシングテーブ１２１からの剥離は、半導体素子１０１Ｓの四隅部並びに四辺近傍から、当該半導体素子１０１Ｓの中央部に向かって進行する。
【０１２１】
そして、時間の経過と共にベローフラム気室２１３内の圧力が上昇することにより、半導体素子１０１Ｓの上昇が更に進行し、電子部品吸着部２３２はバネ２３４に抗して更に支持部２３３内を更に上昇する。
【０１２２】
そして、当該半導体素子１０１Ｓはその裏面が、所定の位置（Ｄ＋β）にほぼ到達する。（図１０における時刻ｔ４）
かかる状態を、図７に示す。
【０１２３】
この結果、半導体素子１０１Ｓの裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓは、当該半導体素子１０１Ｓの裏面の略中心部に於いて、略点状に、即ち最小面積をもってダイシングテープ１２１に接することとなる。（図７（ｂ）参照）
２−５．接着剤とダイシングテープとの分離
しかる後、前記吸着用ユニット２３０を上昇させ、電子部品吸着部２３２の先端部（下端部）に吸着・保持された半導体素子１０１Ｓの上面が、前記所定の位置（Ｄ＋β）を越える位置まで上昇せしめる。
【０１２４】
一方、ベローフラム気室２１３内の空気を排出してその内部圧力を低下させ、ベローフラム２１２上面の高さを減じる。（図１０に於ける時刻ｔ５）
即ち、吸着用ユニット２３０は、その支持部２３３の位置が、時刻ｔ１〜時刻ｔ５の間固定されている。
【０１２５】
これらの動作により、半導体素子１０１Ｓはその裏面に配設されたシート状接着剤１３１Ｓと共に、ダイシングテープ１２１から剥離される。
【０１２６】
この結果、当該半導体素子１０１Ｓは、電子部品吸着部２３２の先端部（下端部）に吸着・保持される。
【０１２７】
尚、当該電子部品吸着部２３２は、その先端に吸着された半導体素子１０１Ｓを通して引加されていたベローフラム２１２の押圧力が除去されたことから、支持部２３３内にあってバネ２３４により押し下げられる。
【０１２８】
そして、当該半導体素子１０１Ｓを吸着・保持した吸着用ユニット２３０は、駆動機構（図示せず）により駆動されて、当該半導体素子１０１Ｓを、リードフレーム若しくはプリント基板等の基板などへのダイボンディング工程へ、或いは搬送用トレイなどへ搬送せしめる。
【０１２９】
一方、ダイシングテープ１２１に於いて、前記半導体素子１０１Ｓが保持されていた部位は、その高さを減じて、テープ吸着部２２０に吸着されているダイシングテープ部位と略連続する平面を形成する。
【０１３０】
かかる状態を、図８に示す。
【０１３１】
２−６．次なる半導体素子の剥離処理
前述の如き平面が形成された状態に於いて、テープ吸着部２２０によるダイシングテープ１２１の吸引を停止し、吸着状態を開放する。
【０１３２】
しかる後、当該ダイシングテープ１２１を横方向に移動して、次の剥離対象である半導体素子１０１Ｎを、ベローフラム気室２１３上に位置せしめる。
【０１３３】
かかる状態を、図９に示す。
【０１３４】
そして、前述の如き吸着用ユニット２３０の位置合わせ、下降、そしてベローフラム２１２の加圧・膨張の処理を実行して、当該剥離対象半導体素子１０１Ｎのダイシングテープ１２１からの剥離処理を行う。
【０１３５】
本発明に於ける、この様な半導体素子の剥離処理にあっては、ベローフラム気室２１２内の圧力、並びに吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２に於ける当該半導体素子の吸着状態を、歪ゲージ２３９並びに差圧検出器２３８により監視する。
【０１３６】
一つに、ベローフラム気室２１２内の圧力の時間当たりの上昇率は、歪ゲージ２３９により検出される。これにより、半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に接触する力が、時間の経過と共に所望の変化を伴っているか否かが検出される。
【０１３７】
当該歪ゲージ２３９により、半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に接触する力を検出することにより、半導体素子１０１がどのような状態で電子部品吸着部２３２に吸着しているのかを把握することができ、必要な対応を採ることができる。
【０１３８】
例えば、半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に接触する力の値が所定値を超えた場合には、制御部２４０により電空レギュレータ２１６を作動させ、ベローフラム気室２１２内の圧力を下げる、又は駆動機構（図示せず）を作動せしめ電子部品吸着部２３２を上昇させて、半導体素子１０１と当該電子部品吸着部２３２とを離間させることにより、半導体素子１０１の破損を防止する。
【０１３９】
また、当該歪ゲージ２３９により検出されるところの、半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に接触する力が所定の値以上の値を有しているにも拘わらず、差圧検出器２３８の検出結果に於いて、半導体素子吸着ユニット２３０内が減圧状態に至らない場合には、当該電子部品吸着部２３２に於ける貫通孔２３１部に半導体素子１０１が正常に吸着されていないと判断される。
【０１４０】
即ち、かかる場合には、半導体素子１０１は、当該電子部品吸着部２３２に於ける貫通孔２３１部に対し、傾斜して接している、回転して接している、或いは損傷を生じている恐れがある。
【０１４１】
そして、本発明にかかる剥離動作の一連のサイクルが予め設定した範囲、即ち、吸着用ユニット２３０の位置、当該吸着用ユニット２３０に於ける電子部品吸着部２３２の下端面とその下方に位置する半導体素子１０１の上面（被吸着面）の位置する平面（初期平面Ｓ）との間の距離Ｄの時間的変化が、また差圧検出器２３８により検出される吸着用ユニット２３０の電子部品吸着部２３２の下端面に半導体素子１０１の吸着されている状態が、ならびにベローフラム気室２１３内の圧力の時間的変化が、更に歪ゲージ２３９により検出される半導体素子１０１が電子部品吸着部２３２に接触する力の時間的変化が、図１０（ａ）乃至図１０（ｅ）に示す変化と同様であれば、半導体素子１０１はダイシングテープ１２１から正常に剥離されたとみなすことができる。
【０１４２】
一方、本発明にかかる剥離動作の一連のサイクルが、予め設定した範囲に無い場合には、異常状態の発生と判定し、剥離装置２００の動作を停止して対応する等の処置を施すことができる。
【０１４３】
例えば、歪ゲージ２３９により検出される電子部品吸着部２３２の下端面への半導体素子１０１の接触（図１０に於ける時刻ｔ３）のタイミング、及び差圧検出器２３８により検出される半導体素子吸着部２３２の下面への半導体素子２５の吸着（図１０に於ける時刻ｔ４）のタイミングが、設定したタイミングより早ければ、半導体素子１０１の剥離動作が開始する前に既に半導体素子１０１が剥離している異常状態の発生と判定する。そして剥離装置２０の動作を停止等して、半導体素子１０１に於ける損傷の発生を防止する。
【０１４４】
また、差圧検出器２３８により検出される電子部品吸着部２３２の下面への半導体素子１０１の吸着（図１０に於ける時刻ｔ４）のタイミングが、設定したタイミングより遅い場合には、半導体素子１０１とダイシングテープ１２１とが設定した状態よりも強固に粘着していて、ダイシングテープ１２１からの半導体素子１０１の剥離が困難な状態と判定し、剥離装置２０の動作を停止等して、半導体素子１０１に於ける損傷の発生を防止する。
【０１４５】
この様に、本発明に於ける電子部品の剥離方法及び剥離装置によれば、半導体素子１０１の大きさと略同一の（僅かに大きい）ベローフラム２１２の上面全面が上昇して、ダイシングテープ１２１に貼着された半導体素子１０１を上昇させることによって、ベローフラム２１２の上面全面に於いてダイシングテープ１２１から剥離させる力を半導体素子１０１の背面（下面）全面に付与している。
【０１４６】
従って、従来技術の如く、ニードル（針）を用いて半導体素子１０１をダイシングテープから剥離する態様に比べ、当該剥離の際に生じる応力を軽減（分散）させることができる。
【０１４７】
従って、半導体素子１０１に与える損傷を少なくすることができ、更に半導体素子１０１がダイシングテープから剥離される際の形態の悪化を招くことなく、安定した剥離を実施することができる。
【０１４８】
また、本発明による電子部品の剥離方法及び剥離装置においては、吸着ユニット２３０内の真空状態により、当該電子部品吸着部２３２に於ける貫通孔２３１の下端面に半導体素子が正常に吸着されているか否かを検出している。
【０１４９】
一方、半導体素子１０１が吸着ユニット２３０の電子部品吸着部２３２に接触する力を、歪ゲージ２３９により検出している。
【０１５０】
これらの検出結果に基づき、剥離動作の異常状態を判定して、剥離装置の動作を停止する等の処置を施すことができ、もって半導体素子１０１に於ける損傷の発生を防止・抑制することができる。
【０１５１】
尚、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形が可能である。
【０１５２】
即ち、前記実施の形態に於ける剥離装置２００にあっては、ベローフラム収容部２１０と当該ベローフラム収容部２１０を囲繞して配設されたテープ吸着部２２０とを分離しているが、当該ベローフラム収容部並びにテープ吸着部を一体に形成してもよい。
【０１５３】
ベローフラム収容部２１０に於けるベローフラム気室２１２の上面は被処理半導体素子の形状・面積に対応することから、これを囲繞して位置するテープ吸着部２２０も、被処理半導体素子の形状・面積に対応することが望ましい。
【０１５４】
かかる点から、ベローフラム収容部とテープ吸着部を共通の基盤に一体に形成してなるユニット構成として、被処理半導体素子の種類に対応させることにより、剥離処理の効率化、歩留りの向上を図ることができる。
【０１５５】
また、前記実施の形態にあっては、ダイシングフィルムに粘着された被剥離処理半導体素子に対し、一つのベローフラムを用い、当該ベローフラムの膨張・拡大により、当該半導体素子をダイシングフィルムより剥離したが、当該ベローフラムは、以下の様な配設構成を採ることもできる。
【０１５６】
一つに、図１１に示される如く、当該ベローフラムを、その平面上の配置構成として二重構造を有するものとし、第１のベローフラム５１２Ａと、当該第１のベローフラムから離間し、且つ当該第１のべローフラム５１２Ａを囲繞して配設された第２のベローフラム５１２Ｂから構成する。
【０１５７】
これらのベローフラムによって形成される平面の形状、面積は、被剥離処理半導体素子の形状、面積と略同等のものとされる。面積は若干大きなものであっても良い。
【０１５８】
そして、当該ベローフラム５１２Ａ、ベローフラム５１２Ｂは、それぞれ独立して電空レギュレータに接続される。
【０１５９】
この様に平面上の配置構成として二重構造を有するベローフラムを用いて半導体素子の剥離を行う際には、先ずベローフラム５１２Ｂの気室を膨張・拡大して、当該半導体素子の周縁部の下に位置するダイシングテープを所定の高さまで押し上げ、当該半導体素子の周縁部に於ける接着剤のダイシングテープからの剥離を行う。
【０１６０】
しかる後、ベローフラム５１２Ａの気室を膨張・拡大して、被処理半導体素子の略中央部を押し上げ、当該半導体素子の中央部に於ける接着剤のダイシングテープからの剥離を行う。
【０１６１】
この様なベローフラム配置構成によれば、ベローフラム５１２Ｂによって被処理半導体素子の周縁部が略均等に押し上げられることから、押圧に対抗して発生する応力を分散することができ、半導体素子の破壊を防止することができる。
【０１６２】
また、当該ベローフラム５１２Ｂの内側に、ベローフラム５１２Ａを独立して配設することにより、当該半導体素子の中央部に於ける接着剤の剥離を確実に行うことができる。
【０１６３】
また、図１２に示される如く、ベローフラムを、その平面上の配置構成として四分割され、格子状に配列されたベローフラム６１２Ａ乃至６１２Ｄをもって構成する。 
当該ベローフラム６１２Ａ乃至６１２Ｄは、その上面が互いに同等の形状、面積を有し、これらのベローフラムによって形成される平面の形状、面積は、被剥離処理半導体素子裏面の形状、面積と略同等のものとされる。面積は若干大きなものであっても良い。
【０１６４】
また、当該ベローフラム６１２Ａ乃至６１２Ｄは、それぞれ独立して電空レギュレータに接続される。
【０１６５】
この様なベローフラム配置構成によれば、複数のベローフラム６１２によって被処理半導体素子の底面を略均等に押し上げることが可能であり、押圧に対抗して発生する応力を分散することができる。これにより、半導体素子の破壊を防止することができる。
【０１６６】
また、当該半導体素子の特定の部位に於ける剥離が進行しない場合には、当該部位の下に位置するベローフラムの膨張・拡大を進行させて、当該部位に於ける剥離を実施することができる。
【０１６７】
更に、本発明は、前述の如く、本発明は、ダイシングテープ自体は粘着性を有せず、個片化された半導体素子などの電子部品が接着剤をもって当該ダイシングテープ上に粘着される形態、或いは表面に粘着性が付与されたダイシングテープを用いて電子部品を粘着する形態の何れにも適用することができる。
【０１６８】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
第１の主面に電子部品が粘着されたテープ部材の他方の主面である第２の主面にベローフラムを接触させる工程と、
前記第２の主面に前記ベローフラムを接触させた後、前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラム及び前記テープ部材を変形させ、前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記２）
付記１記載の電子部品の剥離方法であって、
前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程では、前記ベローフラム及び前記テープ部材の変形により、前記電子部品を上昇させることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記３）
付記２記載の電子部品の剥離方法であって、
前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程は、前記電子部品を吸着装置により吸着保持しながら行われることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記４）
付記３記載の電子部品の剥離方法であって、
前記吸着装置と前記電子部品との距離が予め設定された距離になるように、前記吸着装置を前記ベローフラムの上方に配置する工程と、
前記ベローフラムの内部の圧力が予め設定された圧力になるように、前記ベローフラムの内部を加圧する工程と、
前記電子部品が前記吸着部に接触した後に、前記電子部品の前記吸着装置による吸着を開始する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記５）
付記１乃至４いずれか一項記載の電子部品の剥離方法であって、
予め設定される、前記吸着部の下面と前記電子部品の上面との長さ及び前記ベローフラムの内部の圧力は、前記テープ部材の特性に基づいて決定されることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記６）
付記１乃至５いずれか一項記載の電子部品の剥離方法であって、
前記テープ部材から前記電子部品を剥離する工程は、
前記吸着装置による吸引圧力と、前記電子部品が前記吸着装置に接触する接触力とを検出する工程と、
前記吸引圧力及び前記接触力の検出結果に基づき、前記ベローフラムの内部の圧力及び前記吸着装置の位置を制御する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記７）
付記６記載の電子部品の剥離方法であって、
前記電子部品が前記吸着部に接触する力が所定の値を超え、且つ、前記吸着部の内部が真空状態でないことが検出される場合には、異常状態の発生と判定されることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記８）
付記６記載の電子部品の剥離方法であって、
前記吸着部の下面に前記電子部品が接触するタイミング及び前記吸着部の下面に前記電子部品が吸着するタイミングが、予め設定したタイミングよりも早い場合には、異常状態の発生と判定されることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記９）
付記６記載の電子部品の剥離方法であって、
前記吸着部の下面に前記電子部品が吸着するタイミングが、予め設定したタイミングよりも遅い場合には、異常状態の発生と判定されることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記１０）
付記１乃至９いずれか一項記載の電子部品の剥離方法であって、
前記ベローフラムは複数の構成部を含み、
前記電子部品の前記粘着テープからの剥離状態に応じて、前記構成部の一部を作動させることを特徴とする電子部品の剥離方法。
（付記１１）
テープ部材に貼着された電子部品の剥離装置であって、
前記テープ部材の前記電子部品とは逆側に配置されるベローフラムと、
前記ベローフラムの周囲に配置され、前記テープ部材を吸着するテープ吸着部と、
前記ベローフラムに流体を供給することにより、前記ベローフラムを変形させて、前記電子部品を前記テープ部材から剥離する流体供給装置と、を含むことを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１２）
付記１１記載の電子部品の剥離装置であって、
前記テープ部材から剥離される前記電子部品を吸着保持する吸着装置を含むことを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１３）
付記１２記載の電子部品の剥離装置であって、
前記吸着装置による吸引圧力を検出する真空状態検出器と、
前記電子部品が前記吸着装置に接触する接触力を検出する接触力検出器と、
を含むことを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１４）
付記１３記載の電子部品の剥離装置であって、
前記真空状態検出器及び前記接触力検出器の検出結果に基づいて、前記吸着部の動作を制御し、前記吸着部の内部の圧力を制御し、又は前記ベローフラム気室の圧力を制御する制御部を更に備えたことを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１５）
付記１３又は１４記載の電子部品の剥離装置であって、
前記吸着部は、真空引き用管を介して真空源に接続されており、
前記真空状態検出器は、前記真空引き用管に設けられていることを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１６）
付記１３乃至１５いずれか一項記載の電子部品の剥離装置であって、
前記接触力検出器は、前記吸着部に設けられていることを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１７）
付記１１乃至１６いずれか一項記載の電子部品の剥離装置であって、
前記ベローフラム気室は複数に分割されて成ることを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１８）
付記１７記載の電子部品の剥離装置であって、
前記ベローフラム気室は、中空形状を有する外側ベローフラム気室と内側ベローフラム気室とから構成され、
前記外側ベローフラム気室の中空部分に、前記中空部分と略同心状に前記内側ベローフラム気室が設けられていることを特徴とする電子部品の剥離装置。
（付記１９）
付記１１記載の電子部品の剥離装置であって、
前記ベローフラム気室と前記テープ吸着部とは一体構成されてなることを特徴とする電子部品の剥離装置。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】従来の剥離装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る電子部品の剥離装置の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る電子部品の剥離方法を説明するためのグラフである。
【図４】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況及び剥離対象の半導体素子のダイシングテープに対する接着状態を示す図（その１）である。
【図５】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況及び剥離対象の半導体素子のダイシングテープに対する接着状態を示す図（その２）である。
【図６】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況及び剥離対象の半導体素子のダイシングテープに対する接着状態を示す図（その３）である。
【図７】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況及び剥離対象の半導体素子のダイシングテープに対する接着状態を示す図（その４）である。
【図８】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況及び剥離対象の半導体素子のダイシングテープに対する接着状態を示す図（その５）である。
【図９】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況を示す図（その６）である。
【図１０】ダイシングテープから半導体素子を剥離する過程における剥離装置の状況を示す図（その７）である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る電子部品の剥離装置の第１の変形例のベローフラム気室の平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る電子部品の剥離装置の第２の変形例のベローフラム気室の平面図である。
【符号の説明】
【０１７０】
１０１      半導体素子
１２１      ダイシングテープ
２００      剥離装置
２１０      ベローフラム気室収容部
２１２、５１２、６１２      ベローフラム
２１３      ベローフラム気室
２１６      電空レギュレータ
２２０      テープ吸着部
２３０      半導体素子吸着ユニット
２３２      電子部品吸着部
２３８      差圧検出器
２３９      歪ゲージ
２４０      制御部
【図１】
0004985513.tif 000002
【図２】
0004985513.tif 000003
【図３】
0004985513.tif 000004
【図４】
0004985513.tif 000005
【図５】
0004985513.tif 000006
【図６】
0004985513.tif 000007
【図７】
0004985513.tif 000008
【図８】
0004985513.tif 000009
【図９】
0004985513.tif 000010
【図１０】
0004985513.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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