(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）の配合量がエポキシ樹脂組成物全体に対して０．５〜６重量％、前記硬化剤（Ｂ）の配合量がエポキシ樹脂組成物全体に対して０．５〜６重量％、かつ前記エポキシ樹脂（Ａ）に対する前記硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５であり、前記充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９３重量％を越え９８重量％以下であり、かつエポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする１ｍｍ以下の厚みの鉛フリー半田に適用するパッケージを備えた半導体装置。
【化１】
0005061415.tif 000013
【請求項２】
硬化剤（Ｂ）が下記一般式（II）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする１ｍｍ以下の厚みの鉛フリー半田に適用するパッケージを備えた半導体装置。
【化２】
0005061415.tif 000014
【請求項３】
化学式（II）で表される化合物が下記一般式（III）で表される化合物を含有することを特徴とする請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする１ｍｍ以下の厚みの鉛フリー半田に適用するパッケージを備えた半導体装置。
【化３】
0005061415.tif 000015
【請求項４】
充填材（Ｃ）が全充填材量に対し球状溶融シリカを９０重量％以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする１ｍｍ以下の厚みの鉛フリー半田に適用するパッケージを備えた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐リフロー信頼性及び成形性に優れ、特に半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特性および接着性などに優れており、さらに配合処方により種々の特性が付加できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材料など工業材料として利用されている。
【０００３】
例えば、半導体装置などの電子回路部品の封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッチックシールと共にフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００４】
最近はプリント基板への半導体装置パッケージの実装において高密度化、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのため湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、耐リフロー信頼性、高温信頼性、耐湿信頼性などの信頼性が今後ますます重要となってくる。特に最近ではＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等厚さ１ｍｍ以下のパッケージにおける耐リフロー信頼性の向上が求められている。
【０００５】
表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置パッケージを載せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさらされるため、封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半導体チップの間、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こる。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿してリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームとの界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題になっている。更に、近年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることになりこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められている。
【０００６】
一般的に耐リフロー信頼性を向上させるには封止樹脂組成物中の充填材の割合を上げることが有効であることが知られていた。封止樹脂組成物中の樹脂成分を減らすことにより吸湿性が低下するからである。しかしながら、単純に封止樹脂組成物中の充填材の割合を大きくするだけだと流動性が悪化し、パッケージ未充填やステージシフトなどの問題が起こる。
【０００７】
そのため、耐リフロー信頼性を向上するため、エポキシ樹脂としてテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂を配合し充填材を２５〜９３重量％含有するエポキシ樹脂組成物が提案されている（特開平８−１３４１８３号公報）が、効果はそれなりに奏するものの未だ十分ではない。さらに、さらなる耐リフロー信頼性、特に１ｍｍ以下の厚みのパッケージにおいてさらに膨れ特性の優れる樹脂組成物が求められている。
【０００８】
一方、最近連続成形時におけるパッケージ表面の外観（表面汚れ）についても要求が一層厳しくなってきており、この点についても改良を要求されようになってきている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、より高温のリフロー温度において耐リフロー信頼性に優れ、連続成形時のパッケージ外観が優れるエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【００１１】
本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９３重量％を越え９８重量％以下であり、かつエポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【００１２】
【化４】
0005061415.tif 000002
」である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】
本発明は必須成分として、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填材（Ｃ）を含有する。
【００１５】
本発明においては 、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を必須成分として含有することを特徴とする。
【００１６】
【化５】
0005061415.tif 000003
【００１７】
エポキシ樹脂に一般式（I）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有させることによりリフロー時の膨れ特性が向上する。また、本エポキシ樹脂は連続成形時のパッケージ表面外観に優れる。さらには、粘度を下げ成形性を向上する効果も得られる。一般式（I）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂エポキシ樹脂（ａ）の含有量はエポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、エポキシ樹脂（Ａ）全量に対して５０重量％以上であることががさらに好ましい。
【００１８】
用途によっては一般式（I）で表されるエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマー全般である。例えばアルキル置換基を持たないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、  ４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、トリフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。その他のエポキシ樹脂として２種以上用いても良い。
【００１９】
２種以上のエポキシ樹脂を併用する場合、一般式（I）で表されるエポキシ樹脂の他のエポキシ樹脂として特に好ましいものとしては例えば４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、アルキル置換基を持たないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、一般式（IV）で表されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００２０】
２種以上のエポキシ樹脂を併用する場合、膨れ特性改良の観点から一般式（I）で表されるエポキシ樹脂の含有量は添加効果をより高く発揮するためエポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、エポキシ樹脂（Ａ）全量に対して５０重量％以上であることがさらに好ましい。
エポキシ樹脂（Ａ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．５〜６重量％、特に１〜３重量％が好ましい。
【００２１】
本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどのノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビスフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられ、これらを単独で用いても、２種以上の硬化剤を併用しても良い。硬化剤（Ｂ）の溶融粘度はＩＣＩ（１５０℃）粘度で１Ｐａ・s以下、さらには０．３Ｐａ・ｓ以下のものが特に好ましく使用される。
【００２２】
硬化剤（Ｂ）としてはリフロー信頼性の点から下記一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂が特に好ましく使用され、さらに好ましくは下記一般式（III）で表されるp-キシレン型フェノールアラルキル樹脂が良い。
【００２３】
【化６】
0005061415.tif 000004
【００２４】
【化７】
0005061415.tif 000005
２種以上の硬化剤を併用する場合、一般式（II）で表される硬化剤の含有量は硬化剤（Ｂ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましい。
【００２５】
２種以上の硬化剤を併用する場合、さらに好ましくは膨れ特性改良の観点から一般式（III）で表される硬化剤の含有量は硬化剤（Ｂ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上であることがより好ましい。
【００２６】
硬化剤（Ｂ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．５〜６重量％、特に１〜３重量％が好ましい。さらにはエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機械的性質、及び耐湿性も点からエポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５、特に０．７〜１．３の範囲にあることが好ましい。
【００２７】
また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いても良い。硬化触媒は硬化反応を促進するものであれば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物があげられる。なかでも信頼性および成形性の点から有機ホスフィン化合物が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用いられる。
【００２８】
これらの硬化触媒は、用途によっては二種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲が望ましい。
【００２９】
本発明における充填材（Ｃ）としては、無機充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタンや酸化アンチモンなどの金属酸化物、アスベスト、ガラス繊維およびガラス球などが挙げられるが、中でも非晶性シリカは線膨脹係数を低下させる効果が大きく、低応力化に有効ななため好ましく用いられる。形状としては、破砕状のものや球状のものが用いられ、流動性の点から球状のものが特に好ましく使用される。
【００３０】
ここでいう非晶性シリカは、一般的には真比重が２．３以下のものを意味する。この非晶性シリカは公知の任意の方法で製造方法でき、例えば結晶性シリカを溶融する方法および金属ケイ素の酸化による方法、アルコキシシランの加水分解など、各種原料からの合成方法が使用できる。
【００３１】
非晶性シリカのなかでも石英を溶融して製造される球状溶融シリカが特に好ましく使用され、球状溶融シリカを全充填材中に９０重量％以上含有することが特に好ましい。
【００３２】
充填材（Ｃ）の粒径および粒度分布については、特に限定はないが、流動性、成形時のバリ低減の点から、平均粒径（メディアン径を意味する。以下同じ。）が５〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。また、平均粒径または粒度分布の異なる充填材を２種以上組み合わせることもできる。
【００３３】
本発明において、充填材（Ｃ）の割合が全樹脂組成物に対して９３重量％を越え９８重量％以下であることが必要である。充填剤（Ｃ）の含有量が９３重量％以下であると封止樹脂の低吸湿化、高弾性化が不十分であり、厳しい要求レベルにおいては十分な耐リフロー信頼性が得られない。充填剤（Ｃ）の割合が９３重量％以下であると、特に薄型パッケージにおける膨れ特性が不足するが、充填材（Ｃ）の割合が９３重量％を越えると膨れ特性が著しく改良されたエポキシ樹脂組成物を得ることができる。膨れ特性向上の観点からは充填材（Ｃ）の割合は９５重量％を越えることが好ましい。一方、９８重量％を超えると接着性やパッケージ充填性が低下してしまう。
【００３４】
樹脂組成物全体における充填材の割合を高めると難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することができる。このことにより、従来から難燃剤として使用してきたハロゲン成分を封止材成分に添加する必要がなくなり、環境保護の点で好ましい。
【００３５】
本発明では、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などのカップリング剤を配合することができる。これらのカップリング剤で充填材を、他の構成成分とブレンドする以前に処理しておくことがより好ましい。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましく使用され、シランカップリング剤としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基などの加水分解性基および有機基がケイ素原子に直結したもの、およびその部分加水分解縮合物が一般的に用いられる。シランカップリング剤中の有機基としては、窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、硫黄原子などによって置換された炭化水素基のものが使用される。シランカップリング剤の具体的な例としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、γ−（２，３−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロピル）メチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカトプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３６】
カップリング剤の配合割合としてはエポキシ樹脂組成物全量に対して０．１〜２重量％添加することが流動性及び充填性の点で好ましい。
【００３７】
本発明のエポキシ樹脂組成物では、前述のように充填材の割合が高いため、難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することができる。しかし、必須成分ではないが難燃性をさらに向上させる目的でブロム化合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に限定されない。ブロム化合物の好ましい具体例としては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。
【００３８】
同様に、本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられる。
【００３９】
これら難燃剤、難燃助剤を添加する場合、エポキシ樹脂組成物から発生する不要物の廃棄の容易さ、および半導体装置の信頼性の観点からハロゲン原子およびアンチモン原子それぞれが、エポキシ樹脂組成物に対して０．２重量％以下が好ましい。
【００４０】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラストマー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなどの各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。
【００４１】
本発明のエポキシ樹脂組成物は上記各成分を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえば各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用される。
【００４２】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融し押し出ししてさらに切断したペレットの形状などの状態で使用できる。
【００４３】
そしてこれらの形状から半導体素子の封止に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うことができる。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はここに掲げた実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中の％は重量％を示す。
【００４５】
[実施例１〜７、比較例１〜４]
表１に示した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサーによりドライブレンドした後、ロール表面温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４６】
【表１】
0005061415.tif 000006
【００４７】
【化８】
0005061415.tif 000007
【００４８】
【化９】
0005061415.tif 000008
【００４９】
【化１０】
0005061415.tif 000009
【００５０】
【化１１】
0005061415.tif 000010
【００５１】
＜膨れ特性（耐リフロー信頼性）評価＞
得られた樹脂組成物について１４４ｐｉｎＴＱＦＰ（外形：２０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍのものを用いた。
【００５２】
上記成形により得られた１４４ｐｉｎＴＱＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポストキュアーした後、マイクロメーターにてパッケージ中央部の厚みＩ（μm）を計測した。これを８５℃／６０％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理した。なお、リフロー炉の温度プロファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１００秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度を１．５〜２．５℃／秒とした。
パッケージがリフロー炉を出た５秒後、再びマイクロメーターにてパッケージの中央部の厚みII（μm）を計測した。さらに１０個それぞれのパッケージについて（厚みII−厚みＩ）を算出し、この１０個の平均値を「膨れ」（μm）とした。なお、膨れは小さい方が好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００５３】
＜連続成形性（パッケージ表面汚れ）評価＞
上記と同様の方法でパッケージを成形して連続成形性の評価を行った。ただし、キュアータイムは４０秒とした。金型クリーニングのためメラミン樹脂で１ショット成形を行い、続いて金型と樹脂の離型性を回復するため東レ製離型回復材“ＴＲ−４”で２ショット成形をおこなった。その後続いて上述の樹脂組成物で連続１０ショット成形を行った後のパッケージ外観を観察し、連続成形性の評価をおこなった。パッケージ表面汚れを目視で観察し、その面積がパーケージ表面の３％以上に達したものを×、３％未満１％以上のものを△、１％未満のものを○として判定した。
【００５４】
＜成形性（パッケージ充填性）評価＞
上記成形により得られた１４４ｐｉｎＴＱＦＰパッケージ１０個を成形後に目視および断面切断後、２０倍の顕微鏡を用いて観察し、ステージ変位・未充填の有無を調べた。ステージ変位・未充填が発生した不良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。ステージ変位についてはパッケージゲート部とベント部の傾きが１００μｍ以上のものを不良とした。
【００５５】
【表２】
0005061415.tif 000011
【００５６】
【表３】
0005061415.tif 000012
【００５７】
表２〜３に評価結果を示す。表２〜３に見られるように充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の９３重量％以下の場合、膨れ特性が不十分である（比較例１）。また、一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を用いていない場合、連続成形性、パッケージ充填性が不十分である（比較例３、４）。それに対し、本発明のエポキシ樹脂組成物はリフロー時の、膨れ特性、パッケージ充填性、連続成形性のいずれも優れている。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればリフロー時の膨れ特性などの耐リフロー信頼性、成形時の充填性および連続成形性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物によって封止してなる半導体装置を得ることができる。