(57)【要約】【課題】光軸ずれが発生し難く、しかも、接着強度が大きい光モジュールを提供する。【解決手段】導波路を有する発光側及び受光側のマウント基板１、３と、外部導波路を有する外部導波路基板２とを備える。マウント基板１、３の導波路は、第１突き合わせ面１７ａを有するコア部１７を備えている。外部導波路基板２の外部導波路は、第２突き合わせ面２１ａを有するコア部２１を備えている。そして、第１突き合わせ面１７ａと第２突き合わせ面２１ａとを突き合わせることにより、マウント基板１、３の導波路と外部導波路基板２の外部導波路とが光学的に結合されるとともに、連結片５がマウント基板１に重ね合わされてその一部が接着剤によって接着される。【選択図】図１
2009008766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光素子が設けられるマウント基板と、このマウント基板と光学的に結合可能に連結する外部導波路基板とを備えた光モジュールであって、
前記マウント基板には、前記光素子と光学的に結合するコア部を有する導波路が設けられ、
前記導波路のコア部は、第１突き合わせ面を備え、
前記外部導波路基板には、前記マウント基板の導波路と光学的に結合し得るコア部を有する外部導波路が設けられ、
前記外部導波路のコア部は、第２突き合わせ面を備え、この第２突き合わせ面と前記第１突き合わせ面とが互いに突き合わされることにより、前記導波路と前記外部導波路とが光学的に結合し、
更に、前記マウント基板と前記外部導波路基板とのいずれか一方には、連結片が設けられ、
この連結片は、前記第１突き合わせ面と第２突き合わせ面との突き合わせに際して、前記マウント基板と前記外部導波路基板とのいずれか他方の一部に重ね合わされてその重ね合わされた一部又は全体が接着剤によって接着されることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記連結片は、前記他方の外部導波路基板又は前記マウント基板の一部に、その厚さ方向に重ね合わされ、
前記互いに突き合わされた第１突き合わせ面と第２突き合わせ面とのいずれか一方は、厚さ方向に傾斜した傾斜面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】
前記他方の外部導波路基板又は前記マウント基板の端部に、前記一方のマウント基板又は前記外部導波路基板の端部一部を受容して接着剤により接着する受容凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記受容凹部には、前記受容凹部の内面から所定の深さであけられた溝が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信あるいは受信する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光信号を送信あるいは受信する光モジュールとして、例えばコア部を有する導波路（光導波路）が形成された高分子光導波路フィルム（外部導波路基板）を、光素子（発光素子、受光素子）を保持したサブマウント（マウント基板）における光素子の上方側に配設して接着剤により接着し、光素子から射出された光が光導波路の入射端面に結合されるようにしたものが知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２４３４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のように高分子光導波路フィルムをサブマウントに接着したのでは、高分子光導波路フィルムとサブマウントとを互いに位置ずれしないように、高分子光導波路フィルムの外形寸法等を正確に形成しておく必要があり、製作が困難である。
【０００４】
又、高分子光導波路フィルムの外形に対して光導波路の位置がずれている場合もあり、その場合は、高分子光導波路フィルムをサブマウントの所定位置に配設しても光導波路の位置がずれてしまい、その結果、光軸ずれが発生し、光結合効率が低下するおそれが高い。
【０００５】
また、光素子の上に高分子光導波路フィルムを配設しているため、その配設時や接着時に光素子にダメージを与える危険性があるとともに、光素子表面を汚す危険性がある。
【０００６】
更には、光導波路を設けた高分子光導波路フィルムと光素子を保持したサブマウントとを、その間に接着剤を入れるため、光導波路と光素子との距離が大きくなり、光結合効率が低下するおそれが高い。
【０００７】
本発明は、光軸ずれが発生し難く、しかも、接着強度が大きい光モジュールを提供することを目的とするものである。
【０００８】
本発明は、接着に際し、光素子にダメージを与え、あるいは、表面を汚す危険性の少ない光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明は、光素子が設けられるマウント基板と、このマウント基板と光学的に結合可能に連結する外部導波路基板とを備えた光モジュールであって、前記マウント基板には、前記光素子と光学的に結合するコア部を有する導波路が設けられ、前記導波路のコア部は、第１突き合わせ面を備え、前記外部導波路基板には、前記マウント基板の導波路と光学的に結合し得るコア部を有する外部導波路が設けられ、前記外部導波路のコア部は、第２突き合わせ面を備え、この第２突き合わせ面と前記第１突き合わせ面とが互いに突き合わされることにより、前記導波路と前記外部導波路とが光学的に結合し、更に、前記マウント基板と前記外部導波路基板とのいずれか一方には、連結片が設けられ、この連結片は、前記第１突き合わせ面と第２突き合わせ面との突き合わせに際して、前記マウント基板と前記外部導波路基板とのいずれか他方の一部に重ね合わされてその重ね合わされた一部又は全体が接着剤によって接着されることを特徴とする光モジュールを提供する。
【００１０】
前記連結片は、前記他方の外部導波路基板又は前記マウント基板の一部に、その厚さ方向に重ね合わされ、前記互いに突き合わされた第１突き合わせ面と第２突き合わせ面とのいずれか一方は、厚さ方向に傾斜した傾斜面に形成されていることが好ましい。
【００１１】
前記他方の外部導波路基板又は前記マウント基板の端部に、前記一方のマウント基板又は前記外部導波路基板の端部一部を受容して接着剤により接着する受容凹部が設けられていることが好ましい。
【００１２】
前記受容凹部には、前記受容凹部の内面から所定の深さであけられた溝が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、導波路のコア部の第１突き合わせ面と外部導波路のコア部の第２突き合わせ面とを互いに突き合わせることにより、導波路と外部導波路とを光学的に結合するため、コア部同士を位置あわせしながら行うことができ、光軸ずれを抑えることができる。
【００１４】
又、その突き合わせに際して連結片を前記外部導波路基板又は前記マウント基板の一部に重ね合わせてその一部又は全体を接着剤によって接着するため、接着強度のあるものにできる。
【００１５】
請求項２の発明によれば、マウント基板と外部導波路基板とが接着剤により接着された際、マウント基板と外部導波路基板との間に接着剤層が形成されて両者のコア部が厚さ方向に位置ずれした場合でも、光がコア部の傾斜面で屈折して一方のコア部から他方のコア部に効率良く入光させることができ、光結合ロスを抑えることができる。
【００１６】
請求項３の発明によれば、マウント基板と外部導波路基板とのいずれか他方の端部に設けた受容凹部によって、一方の端部を受容して接着するため、接着面積が広くなって接着強度を高めることができる。又、例えば外部導波路基板を曲げた場合に、マウント基板と外部導波路基板との端部同士の近傍に応力がかかり難くなり、端部同士の境界部から破断し難いものにできる。
【００１７】
請求項４の発明によれば、溝によって、受容凹部に接着剤を回り易くできるとともに、アンカー効果によって、接着強度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールの概略図である。この光モジュールは、発光側のマウント基板１と、受光側のマウント基板３と、これらのマウント基板１、３を光学的に結合可能に連結した外部導波路基板２とを備えている。なお、以下の説明において、図１の上下方向を上下方向、紙面と直交する方向を左右方向というとともに、図１の左側を前方、右側を後方という。
【００２０】
発光側のマウント基板１は、前後方向に延びる長方形状をなしており、厚さが２００μｍ〜２ｍｍ程度のものである。尚、マウント基板１全体の大きさは、実装される素子や部品により異なる。
【００２１】
このマウント基板１は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光伝送効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の位置変動を極力抑制する必要がある。このため、マウント基板１としては、シリコン基板が採用されている。
【００２２】
また、マウント基板１は、後述の発光素子１２ａと線膨張係数の近い材料で構成されていることが好ましく、シリコン以外には、後述するＶＣＳＥＬ材料と同系統のＧａＡｓ等の化合物半導体で構成されていてもよい。あるいは、セラミックス基板や使用環境によっては樹脂基板でも良い。
【００２３】
このマウント基板１の上面となる厚さ方向の一方面１１には、電気信号を光信号に変換する発光素子１２ａと、この発光素子１２ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板１３ａとが実装されている。
【００２４】
発光素子１２ａとして、この実施形態では、半導体レーザである面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser））が採用されている。この発光素子１２ａは、上記半導体レーザの他、ＬＥＤ等でも良いが、指向性がないために、後述する４５°ミラー面を介して導波路に光結合する光の割合が小さいので、光の効率に余裕があることが条件となり、その場合には低価格という点で有利である。
【００２５】
この発光素子１２ａは、フリップチップボンディングによりマウント基板１に実装されている。フリップチップボンディングでは、ダイボンディングやワイヤボンディングを行う場合よりも実装精度が高く、チップに形成したアライメントマークを認識することにより１μｍ以下の実装精度を実現することができる。
【００２６】
ＩＣ基板１３ａは、上記ＶＣＳＥＬを駆動させるドライバＩＣであり、発光素子１２ａの近傍に配置されている。そして、発光素子１２ａおよびＩＣ基板１３ａは、図示しないが、金バンプでマウント基板１の一方面１１に形成された配線パターンに接続されている。また、このＩＣ基板１３ａは、発光素子１２ａと同時にマウント基板１に実装される。
【００２７】
なお、図示は省略するが、発光素子１２ａとマウント基板１の間およびＩＣ基板１３ａとマウント基板１の間には、アンダーフィル材が充填されている。発光素子１２ａとマウント基板１の間に充填するアンダーフィル材としては、発光素子１２ａの発光波長に対して透明性が要求されるとともに、ＶＣＳＥＬが応力により特性が変化することからある程度の弾性が要求されるため、例えばシリコーン製樹脂やエポキシ製樹脂が好適である。また、ＩＣ基板１３ａとマウント基板１の間に充填するアンダーフィル材としては、実装強度の観点から例えばエポキシ系材料が採用可能である。
【００２８】
また、マウント基板１には、発光素子１２ａの真下となる位置に、光路を９０°屈曲させるためのミラー部１５が形成されている。このミラー部１５は、マウント基板１がエッチングされることにより形成された４５°傾斜面に金やアルミニウムを蒸着することにより形成することができる。なお、４５°傾斜面は、例えば水酸化カリウム溶液による異方性エッチングにより形成することができる。
【００２９】
又、マウント基板１には、発光素子１２ａと光学的に結合する導波路１６が設けられている。この導波路１６は、ミラー部１５から後方に延在していて、図２（ｂ）、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、前記マウント基板１の後端面１０まで延ばされている。
【００３０】
導波路１６は、光が伝播する屈折率の高い断面略正方形状のコア部１７と、それよりも屈折率の低いクラッド部１８とから構成されており、マウント基板１に形成された導波路形成用溝１６ａ内に配設されている。
【００３１】
このコア部１７の左右の両面及び下面は、クラッド部１８に覆われている。コア部１７の厚さ方向の一方面である上面は、前記マウント基板１の上面１１とほぼ面一に形成されるとともに、クラッド部１８に覆われずに露出している。又、コア部１７の長手方向の後端面は、この実施形態では、マウント基板１の後端面１０とほぼ面一とされて露出している。そして、このコア部１７の後端面は、後述する外部導波路基板２のコア部２１の第２突き合わせ面２１ａと突き合わされる第１突き合わせ面１７ａを構成する。
【００３２】
コア部１７およびクラッド部１８のサイズは、発光素子１２ａから導波路１６までの距離、発光素子１２ａの発散角度および後述する受光素子のサイズから光効率を優先して決定される。
【００３３】
例えば、５〜１０Ｇｂｐｓ以上の高速伝送に使用される一般的なＶＣＳＥＬや受光素子であるＰＤ（フォトダイオード）では、ＶＣＳＥＬの発光径が５〜１０μｍ、発散角度が２０°程度であり、ＰＤの受光径が６０μｍ程度であるので、コア部１７のサイズを４０μｍ、クラッド部１８の厚みを２〜１０μｍとするのが好ましい。
【００３４】
なお、短距離の機器内データ伝送の場合、分散の影響が小さいため、光伝送はシングルモード伝送の必要はなく、位置合わせが容易である大きなサイズのマルチモード導波路を用いた方が有利である。更なる高速性が要求される場合には、シングルモードが用いられ、光源であるＶＣＳＥＬやＰＤも高速応答可能なものを選択する。
【００３５】
また、マウント基板１の上面１１には、後述する外部導波路基板２の連結片５が重ね合わされる重ね合わせ面１４が備えられている。重ね合わせ面１４は、上面における後端面１０から、連結片５の長さ分だけ前方側に形成される。
【００３６】
次に、図１に戻り、受光側のマウント基板３について説明する。この受光側のマウント基板３の基本的な構成は、上記発光側のマウント基板１と同様に構成されている。ただし、受光側のマウント基板３の一方面である上面３１に、光信号を電気信号に変換する受光素子１２ｂと、この受光素子１２ｂから電気信号を受信するためのＩＣ回路が形成されたＩＣ基板１３ｂとが実装されている点で、上記の発光側のマウント基板１と異なる。この受光素子１２ｂとしては、ＰＤが採用されており、ＩＣ基板１３ｂは、電流・電圧の変換を行うＴＩＡ（Trans-impedance Amplifier）などの素子である。
【００３７】
次に、外部導波路基板２について、図１、図２（ａ）、図３（ａ）、図３（ｂ）に基づいて説明する。外部導波路基板２は、発光側のマウント基板１の導波路１６のコア部１７及び受光側のマウント基板３の導波路１６のコア部１７夫々と光学的に結合可能な外部導波路を備えている。
【００３８】
この外部導波路基板２の外部導波路は、コア部２１とクラッド部２２とから構成されている。又、この実施形態では、外部導波路基板２の全体がコア部２１とクラッド部２２とからなる外部導波路を構成し、マウント基板１よりも幅狭なフレキシブルなフィルム状で、長尺状のものからなる。また、この実施形態における外部導波路基板２の厚さは、数十μｍ〜５００μｍ程度であるが、屈曲性が要求されない場合は、１〜３ｍｍ程度のもので良い。ただし、光伝送方向が一方向に限定されているような場合でも、伝送後方の導波路コア部寸法を前方の導波路より小さくして光効率を向上させることも可能である。
【００３９】
又、この実施形態のコア部２１は、その軸Ｏ２（図２（ａ）に図示）と、外部導波路基板２の軸とがほぼ一致するようにして全長に渡って設けられている。また、コア部２１の長手方向の先後の両端面は、夫々、上記マウント基板１、３の第１突き合わせ面１７ａと突き合わされる第２突き合わせ面２１ａを構成し、外部導波路基板２の先端面２０とほぼ面一とされて露出している。
【００４０】
又、クラッド部２２は、図２（ａ）に示すようにコア部２１の全周を被覆するようにして板状に形成されている。尚、外部導波路基板２の外部導波路を構成するコア部２１及びクラッド部２２は、マウント基板１のコア部１７、クラッド部１８の夫々と同じ材料から構成されている。コア部２１の厚さ及び幅の寸法は、マウント基板１のコア部１７の厚さ及び幅の寸法とほぼ同じとされている。
【００４１】
外部導波路基板２の長手方向の両端部には、発光側のマウント基板１に連結する連結片５、受光側のマウント基板に連結する連結片５が、夫々、設けられている。これらは、前後対称に形状されており、以下に、発光側のマウント基板１に連結する連結片５についてのみ説明し、受光側のマウント基板に連結する連結片５の説明を省略する。
【００４２】
この連結片５は、図２（ａ）に示すように、外部導波路基板２の前端面２０から前方側に、外部導波路基板２と同じ幅、及び所定の厚さで突設された板状のものからなる。この実施形態では、連結片５は、クラッド部２２と同じ材料で、クラッド部２２と一体的に形成されている。
【００４３】
又、この連結片５の下面（図２（ａ）では上側に表されている）は、発光側のマウント基板１の重ね合わせ面１４に重ね合わせられた際に、その重ね合わせ面１４と対向して当接する当接面５１を構成する。この当接面５１は、コア部２１の上面とほぼ面一に形成されている。
【００４４】
以上のように構成された発光側のマウント基板１と外部導波路基板２とを連結させるには、図３に示すように発光側のマウント基板１のコア部１７の第１突き合わせ面１７ａと外部導波路基板２のコア部２１の第２突き合わせ面２１ａとを突き合わせる。これにより、発光側のマウント基板１のコア部１７と外部導波路基板２のコア部２１とが光学的に結合する。
【００４５】
その際、図３（ｂ）に示すように外部導波路基板２の当接面５１と外部導波路基板２のコア部２１の上面とが面一にされているとともに、マウント基板１の重ね合わせ面１４とコア部１７の上面とが面一にされているため、両者のコア部１７、２１の軸Ｏ１、Ｏ２の上下方向（厚さ方向）の位置が合致する。従って、光軸ずれのほとんどないものにできる。
【００４６】
又、この状態で、マウント基板１の重ね合わせ面１４と外部導波路基板２の当接面５１との間に接着剤を入れる。これにより、両者が接着する。
【００４７】
また、発光素子１２ａ、１２ｂやＩＣ基板１３ａ、１３ｂを、マウント基板１，３の上面１１における導波路１６の側方側に配設するため、マウント基板１，３と外部導波路基板２との接着に使用する接着剤が附着するおそれのないものにできる。
【００４８】
尚、この実施形態では、接着剤として、エポキシ系の熱硬化性のものを使用した。接着剤は、エポキシ系の熱硬化性のものに限定されず、例えば光硬化性のものを使用することも可能である。しかし、マウント基板１にシリコン基板を用いる場合には、硬化しない未硬化部分が発生するおそれがあるため、熱硬化性のものを用いるのが好ましい。ただし、外部導波路を、光硬化の波長に対して透明体にすれば未硬化部分を防げる。
【００４９】
この実施形態では、光モジュールとして、光電気変換装置について説明したが、２つの基材の上に形成された導波路同士の結合に適用可能である。例えば光スプリッタと導波路フィルムのような光受発光素子を有しないパッシブ部品でも適用可能である。
【００５０】
次に、第２実施形態の光モジュールについて、図４（ａ）、図４（ｂ）に基づいて説明する。第２実施形態の光モジュールの発光側のマウント基板７０１は、図４（ａ）に示すように、コア部７１７の第１突き合わせ面７１７ａが、連結片７０５側、即ち厚さ方向の一方側である上方に行くに従い漸次外部導波路基板７０２のコア部７２１との距離が狭くなるように傾斜した傾斜面に形成されている。その他は、先の第１実施形態のものと同構成を採っている。
【００５１】
このように構成することにより、マウント基板７０１と外部導波路基板７０２の連結片７０５とが接着剤により接着された際、発光側のマウント基板７０１の重ね合わせ面７１４と、連結片７０５の当接面７５１との間に接着剤層７００が形成されてマウント基板７０１に設けられたコア部７１７が外部導波路基板７０２のコア部７２１に対して厚さ方向の他方側である下方位置に配設された場合でも、マウント基板７０１のコア部７１７からの光は、第１突き合わせ面７１７ａで外部導波路のコア部７２１の方向の斜め上方向に屈折して外部導波路基板７０２のコア部７２１の第２突き合わせ面７２１ａに入光する。これにより、光結合ロスを抑えることができる。
【００５２】
又、外部導波路基板７０２のコア部７２１からマウント基板に設けられたコア部に入光させる場合、例えば図４（ｂ）に示すように、受光側のマウント基板７０３に設けられたコア部７１７の第１突き合わせ面７１７ａと突き合わされる外部導波路基板７０２のコア部７２１の第２突き合わせ面７２１ａが、連結片７０５側の上方側に行くに従い漸次受光側のマウント基板７０２のコア部７１７との距離が広くなるように傾斜した傾斜面に形成する。
【００５３】
これにより、接着剤層７００によって、受光側のマウント基板７０３に設けられたコア部７１７が外部導波路基板７０２のコア部７１７に対して低い位置に配設された場合でも、外部導波路基板７０２のコア部７１７からの光は、第２突き合わせ面７２１ａで受光側のマウント基板７０３のコア部７１７側の斜め下方向に屈折してマウント基板７０３に設けられたコア部７１７に入光し、光結合ロスを抑えることができる。
【００５４】
次に、第３実施形態の光モジュールについて、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に基づいて説明する。第３実施形態の光モジュールの発光側のマウント基板１０１は、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、後端側に、外部導波路基板２の前端部を受容して接着する受容凹部１４０が設けられている。
【００５５】
詳しくは、発光側のマウント基板１０１は、その後端面１１０の上部に、発光側のマウント基板１０１の後端面１１０の上部の一部を、幅全体にカットすることにより、発光側のマウント基板１０１に設けられたコア部１７の軸Ｏ１とほぼ直交するように形成された側面１４１と、その側面１４１とほぼ直交するように形成された底面１４２とを有する受容凹部１４０が設けられている。又、コア部１７の第１突き合わせ面１７ａは、上記側面１４１とほぼ面一とされている。その他は、先の第１実施形態のものと同構成を採っている。
【００５６】
そして、このように構成された発光側のマウント基板１０１の第１突き合わせ面１７ａと、外部導波路基板２のコア部２１の第２突き合わせ面２１ａとを突き合わせる。その状態で、マウント基板１と連結片５との間に接着剤を入れるとともに、受容凹部１４０に、外部導波路基板２の側方側から接着剤を充填する。これにより、接着剤１００が毛細管現象により、受容凹部１４０と外部導波路基板２との間に侵入してマウント基板１０１の後端と外部導波路基板２の先端とを接着できる。
【００５７】
従って、マウント基板１と連結片５との接着に加え、受容凹部８４０でも接着でき、接着面積が広くなって接着強度を高めることができる。又、外部導波路基板２を曲げた場合に、発光側のマウント基板１０１のコア部１７の第１突き合せ面１７ａと外部導波路基板２のコア部２１の第２突き合せ面２１ａとが離れ難いものにできる。
【００５８】
尚、受容凹部１４０の深さは、５００μｍの厚さの発光側のマウント基板１０１を用い、５０μｍ〜４００μｍの外部導波路基板２を用いる場合、５０μｍ〜５００μｍである。又、受容凹部１４０の形成方法は、特に限定されないが、例えばダイシングによるハーフカット、ＲＩＥ等によるドライエッチング等により行うことができる。又、受容凹部１４０の形状は、図４（ｂ）に示すものに限らず、例えば図４（ｃ）に示すように、受容凹部１４０ａの側面１４１ａから底面１４２ａにかけての部分を湾曲状にしても良く、適宜変更し得る。
【００５９】
次に、第４実施形態の光モジュールについて、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）に基づいて説明する。第４実施形態の光モジュールの発光側のマウント基板２０１は、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、受容凹部２４０に溝２４３が設けられたものから構成されている。
【００６０】
詳しくは、第４実施形態における発光側のマウント基板２０１は、先の第３実施形態の受容凹部１４０と同様に、後端面２１０から切り込んで形成された受容凹部２４０が設けられている。又、受容凹部２４０の底面２４２には、溝２４３が設けられている。この実施形態の溝２４３は、受容凹部２４０の側面２４１に沿って、所定の深さ及び幅で形成されている。その他は、先の第１実施形態のものと同構成を採っている。
【００６１】
このように構成することにより、受容凹部２４０に接着剤を塗布した際、接着剤が毛細管現象によって溝２４３に入り込み易い。又、溝２４３に入り込んだ接着剤はアンカー効果によって溝２４３から出難くなり、接着強度を増すことができる。
【００６２】
尚、溝２４３の深さは、限定されないが、１０μｍ〜２００μｍで効果がある。又、溝の長さについても特に限定されず、例えば受容凹部２４０（マウント基板２０１）の幅全体に設け、あるいは、外部導波路基板２の幅寸法とほぼ同じ長さだけ設けるようにしても良い。
【００６３】
又、溝の形状についても、図６（ｂ）に示すように、断面四角形状のものに限らず、例えば図６（ｃ）に示すように、断面半円弧状の溝２４３ａに形成する等、適宜変更できる。尚、この溝２４３、２４３ａの形成についても、例えばダイシングによるハーフカット、ＲＩＥ等によるドライエッチング等により行うことができる。
【００６４】
また、上記実施形態では、連結片を、外部導波路基板に設けているが、発光側のマウント基板又は受光側のマウント基板に設けるようにしても良く、適宜変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光モジュールの全体の概略図である。
【図２】（ａ）は、その外部導波路基板を裏返した状態の要部拡大斜視図、（ｂ）は、その発光側のマウント基板の要部拡大斜視図である。
【図３】（ａ）は、その発光側のマウント基板と外部導波路基板とを連結した状態の要部拡大平面図、（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の説明図に係り、（ａ）は、その発光側のマウント基板と外部導波路基板とが連結した状態の要部拡大断面図、（ｂ）は、その外部導波路基板と受光側のマウント基板とが連結した状態の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態の説明図に係り、（ａ）は、その発光側のマウント基板と外部導波路基板とが連結した状態の要部拡大平面図、（ｂ）は、図５（ａ）のＶ−Ｖ線断面図、（ｃ）は、他の実施形態の受容凹部を設けた発光側のマウント基板と外部導波路基板とが連結した状態の要部拡大断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態の説明図に係り、（ａ）は、その発光側のマウント基板と外部導波路基板とが連結した状態の要部拡大平面図、（ｂ）は、図６（ａ）のＶＩ−ＶＩ線断面図、（ｃ）は、他の実施形態の溝を有する受容凹部を設けた発光側のマウント基板と外部導波路基板とが連結した状態の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１、１０１、２０１、７０１  発光側のマウント基板
２、７０２      外部導波路基板
３、７０３      受光側のマウント基板
５、７０５      連結片
１７、７１７      導波路のコア部
１７ａ、７１７ａ      第１突き合わせ面
２１、７２１      外部導波路のコア部
２１ａ、７２１ａ      第２突き合わせ面
【図１】
2009008766.tif 000003
【図２】
2009008766.tif 000004
【図３】
2009008766.tif 000005
【図４】
2009008766.tif 000006
【図５】
2009008766.tif 000007
【図６】
2009008766.tif 000008