(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域と、該画素領域と基板縁部とによって挟まれた領域で複数のパッドが前記基板縁部に沿って配列されたパッド形成領域とを基板上に備え、該基板上には、異方性導電材により前記複数のパッドの各々に電気的に接続された複数の導電パターンを備えた配線基板が接続された電気光学装置用基板であって、
前記基板上には、前記パッド形成領域と前記画素領域とによって挟まれたガードリング迂回領域を通って前記基板の外周縁に沿って延在するガードリングが形成され、当該ガードリング迂回領域では、前記パッド形成領域から前記画素領域に向けて延在する配線が前記ガードリングと層間絶縁膜を介して交差していることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記基板上において、前記層間絶縁膜の下層側に形成された１乃至複数の導電層を第１導電層とし、前記層間絶縁膜の上層側に形成された１乃至複数の導電層を第２導電層としたとき、
前記配線は、前記第２導電層により形成され、
前記ガードリングは、前記第１導電層により形成された下層側導電層と、該下層側導電層に接続する前記第２導電層により形成された上層側導電層とを備え、
前記ガードリングは、前記ガードリング迂回領域では、前記下層側導電層および前記上層側導電層のうち、上層側導電層が途切れて下層側導電層のみにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記基板上において、前記層間絶縁膜の下層側に形成された１乃至複数の導電層を第１導電層とし、前記層間絶縁膜の上層側に形成された１乃至複数の導電層を第２導電層としたとき、
前記配線は、前記第１導電層により形成され、
前記ガードリングは、前記第１導電層により形成された下層側導電層と、該下層側導電層に接続する前記第２導電層により形成された上層側導電層とを備え、
前記ガードリングは、前記ガードリング迂回領域では、前記下層側導電層および前記上層側導電層のうち、下層側導電層が途切れて上層側導電層のみにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記パッドは、前記第２導電層により形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第１導電層および前記第２導電層は各々、前記画素領域において電極および／または配線を構成していることを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記上層側導電層の表面が絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記絶縁膜では、前記上層側導電層の表面を直接覆う層が耐湿性絶縁膜であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記上層側導電層は、表面が絶縁膜から露出した状態にあることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を備えた電気光学装置。
【請求項１０】
前記電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に配置された基板との間に液晶が保持されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記画素電極上には有機エレクトロルミネッセンス素子用の機能層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１２の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置などの電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、当該電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として代表的なものとしては、液晶装置や有機ＥＬ装置などが挙げられ、かかる電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板は、製造工程の途中までは大型基板の状態であって、その最終段階でのスクライブ工程により、大型基板から切り出される。その際、ダイシングの機械的なダメージや静電気の影響が電気光学装置用基板の内側に形成された画素領域や駆動回路に及ばないように、大型基板において電気光学装置用基板として切り出される領域には、スクライブラインに沿って金属材料からなるガードリングが形成される。また、ガードリングは、切断面から侵入した水分が内側に侵入することを防止する機能も発揮する。
【０００３】
ここで、電気光学装置用基板には基板縁部に沿って複数のパッドが形成され、パッドにはフレキシブル配線基板（ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板）が接続される。このため、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、ガードリング５は、複数のパッド１０２が配列されたパッド形成領域１２と基板の縁部１ｙ（スクライブ工程での切断箇所）とに挟まれた縁領域１ｚを通るように形成される。図１０（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置用基板の基材は、例えば、単結晶シリコンなどのＰ型の半導体基板１であり、その表面には、半導体基板１よりも不純物濃度が高いＰ型のウェル領域１ｘが形成されている。また、半導体基板１の表面には素子分離用の厚いフィールド酸化膜１ｉ、および薄い二酸化シリコン膜２ｃが形成されている。フィールド酸化膜１ｉおよび二酸化シリコン膜２ｃの上には第１層間絶縁膜７１が形成され、第１層間絶縁膜７１の上には第１導電層６ｅ、６ｓが形成されている。第１導電層６ｅ、６ｓの上には第２層間絶縁膜７２が形成され、第２層間絶縁膜７２の上には第２導電層８ｅ、８ｓが形成されている。第２導電層８ｅ、８ｓの上には、窒化シリコン膜７３および二酸化シリコン膜７４からなる絶縁膜７０が形成されており、絶縁膜７０には開口部７０ｂが形成されている。
【０００４】
第２導電層８ｅは、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｅを介して、配線としての第１導電層６ｅに電気的に接続されており、絶縁膜７０の開口部７０ｂから露出している部分がパッド１０２として利用される。第２導電層８ｓは、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｓを介して第１導電層６ｓに接続されており、第１導電層６ｓは、第１層間絶縁膜７１および二酸化シリコン膜２ｃに形成されたビアホール７１ｓを介してＰ型のウェル領域１ｘに接続されている。ここで、第２導電層８ｓおよび第１導電層６ｓは、縁領域１ｚを通って半導体基板１の外周縁に沿って延在し、ガードリング５を構成している（特許文献１参照）。
【０００５】
このように構成した電気光学装置用基板によれば、ガードリング５が厚い絶縁膜７０で覆われているので、樹脂基材９２上に導電パターン９１が形成されたフレキシブル配線基板９０をパッド１０２に接続する際の短絡を防止することができる。
【０００６】
しかしながら、図１０（ｃ）に示すように、パッド１０２とフレキシブル配線基板９０とを接続する際、樹脂マトリクス９７中に導電粒子９６が分散されている異方性導電材９５を用いると、導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ってガードリング５と接続し、導電パターン９１同士、およびパッド１０２同士がガードリング５を介して短絡するという問題点がある。
【０００７】
一方、ガードリング５を形成する際、縁領域１ｚに第２導電層８ｓを一切形成せずに第１導電層６ｓのみを形成し、縁領域１ｚから外れた位置で第１導電層６ｓと第２導電層８ｓとを接続した構成が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−６６２４１号公報
【特許文献２】特開平１−１５９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示の構成のように、縁領域１ｚに第２導電層８ｓを形成せずに第１導電層６ｓのみを形成した場合でも、導電粒子９６が絶縁膜７０および第２層間絶縁膜７２を突き破って第１導電層６ｓに接続することがあり、パッド１０２同士がガードリング５を介して短絡することを完全に防止することができないという問題点がある。かといって、パッド形成領域１２の周辺にガードリング５を一切形成しない構造を採用すると、パッド形成領域１２に相当する広い領域にわたって、ガードリング５による保護を一切行なえない構造となってしまう。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、配線基板とパッドとを異方性導電材で接続した場合でも、基板の外周縁に沿って形成したガードリングを介してパッド同士が短絡することを確実に防止することのできる電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明では、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域と、該画素領域と基板縁部とによって挟まれた領域で複数のパッドが前記基板縁部に沿って配列されたパッド形成領域とを基板上に備え、該基板上には、異方性導電材により前記複数のパッドの各々に電気的に接続された複数の導電パターンを備えた配線基板が接続された電気光学装置用基板であって、前記基板上には、前記パッド形成領域と前記画素領域とによって挟まれたガードリング迂回領域を通って前記基板の外周縁に沿って延在するガードリングが形成され、当該ガードリング迂回領域では、前記パッド形成領域から前記画素領域に向けて延在する配線が前記ガードリングと層間絶縁膜を介して交差していることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、基板の外周縁に沿ってガードリングを形成するにあたって、基板縁部の側では、ガードリングをパッド形成領域に対して当該基板縁部とは反対側に位置するガードリング迂回領域に通している。このため、配線基板とパッドとを異方性導電材で接続した際、パッド形成領域と基板縁部とに挟まれた縁領域で配線基板が異方性導電材を介して固定された場合でも、かかる縁領域にはガードリングが形成されていないので、導電粒子が絶縁膜などを突き破った場合でも、配線基板の導電パターン同士、およびパッド同士がガードリングを介して短絡するという事態が発生しない。また、パッド形成領域に対して基板縁部の側にはガードリングが形成されていないが、パッド形成領域に対して基板縁部とは反対側にはガードリングが形成されている。このため、大型基板から電気光学装置用基板を切り出す際、ダイシングの機械的なダメージや静電気の影響が電気光学装置用基板の内側に形成された画素領域や駆動回路に及ばない。また、ガードリングによって、切断面から侵入した水分が内側に侵入することを防止することもできる。
【００１２】
本発明では、前記基板上において、前記層間絶縁膜の下層側に形成された１乃至複数の導電層を第１導電層とし、前記層間絶縁膜の上層側に形成された１乃至複数の導電層を第２導電層としたとき、前記配線は、前記第２導電層により形成され、前記ガードリングは、前記第１導電層により形成された下層側導電層と、該下層側導電層に接続する前記第２導電層により形成された上層側導電層とを備え、前記ガードリングは、前記ガードリング迂回領域では、前記下層側導電層および前記上層側導電層のうち、上層側導電層が途切れて下層側導電層のみにより構成されている構成を採用することができる。このように構成すると、ガードリング迂回領域で、配線を構成する第２導電層と、ガードリングの下層側導電層とを層間絶縁膜を介して交差させることができる。
【００１３】
本発明において、前記基板上には、前記層間絶縁膜の下層側に形成された１乃至複数の導電層を第１導電層とし、前記層間絶縁膜の上層側に形成された１乃至複数の導電層を第２導電層としたとき、前記配線は、前記第１導電層により形成され、前記ガードリングは、前記第１導電層により形成された下層側導電層と、該下層側導電層に接続する前記第２導電層により形成された上層側導電層とを備え、前記ガードリングは、前記ガードリング迂回領域では、前記下層側導電層および前記上層側導電層のうち、下層側導電層が途切れて上層側導電層のみにより構成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、ガードリング迂回領域で、配線を構成する第１導電層と、ガードリングの上層側導電層とを層間絶縁膜を介して交差させることができる。
【００１４】
本発明において、前記パッドは、例えば、前記第２導電層により形成されている。このように構成すると、パッドを別工程で形成する必要がないので、少ない製造工程数で電気光学装置用基板を製造することができる。
【００１５】
本発明において、前記第１導電層および前記第２導電層は各々、前記画素領域において電極および／または配線を構成していることが好ましい。このように構成すると、パッド、ガードリング、配線を形成する際、新たな導電層を追加する必要がないので、少ない製造工程数で電気光学装置用基板を製造することができる。
【００１６】
本発明において、前記上層側導電層は、表面が絶縁膜により覆われている構成を採用することができる。この場合、前記絶縁膜では、前記上層側導電層の表面を直接覆う層が耐湿性絶縁膜であることが好ましい。このように構成すると、表面からの水分の侵入を耐湿性絶縁膜で防ぐことができる。また、ガードリングが耐湿性絶縁膜と直接、接する構造になるので、切断面から侵入した水分が内側に侵入することを防止することができる。
【００１７】
本発明において、前記上層側導電層は、表面が絶縁膜から露出した状態にある構成を採用してもよい。本発明では、縁領域にはガードリングが形成されていないので、配線基板の導電パターン同士、およびパッド同士がガードリングを介して短絡するという事態が発生しない。従って、ガードリングの表面を絶縁膜で覆う必要がないので、その分、画素領域に余計な絶縁膜を形成する必要がない。それ故、画素領域での余計な光の反射や減衰を防止することができるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００１８】
本発明は、液晶装置、有機ＥＬ装置、デジタルライトプロセッシング装置（以下、ＤＬＰ（Digital Light Processing）装置という）などの電気光学装置に適用することができる。すなわち、これらの電気光学装置はいずれも、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域と、基板縁部に沿って複数のパッドが配列されたパッド形成領域とを電気光学装置基板上に備えているので、配線基板とパッドとを異方性導電材で接続した場合でも、基板の外周縁に沿って形成したガードリングを介してパッド同士が短絡することを防止することができる。
【００１９】
これらの電気光学装置を例えば液晶装置として構成する場合、本発明を適用した電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に配置された基板との間に液晶が保持されている構成となる。また、電気光学装置を有機ＥＬ装置として構成する場合、本発明を適用した電気光学装置用基板では、前記画素電極上には有機ＥＬ素子用の機能層が形成されている構成となる。
【００２０】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器において直視型の表示部などとして用いられる。また、本発明を適用した電気光学装置が液晶装置である場合、かかる電気光学装置は、投射型表示装置（電子機器）のライトバルブとして用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、図１０を参照して説明した従来例との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。また、電界効果型トランジスタでは、印加する電圧によってソースとドレインが入れ替わるが、以下の説明では、説明の便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとして説明する。
【００２２】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００は液晶装置であり、かかる電気光学装置１００に用いられる電気光学装置用基板（第１基板１０）の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、および画素電極９ａを制御するための画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ａ（画素トランジスタ）が形成されている。また、第１基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域にはデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている。ここで、データ線駆動回路１０１から延びたデータ線６ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１は、データ線６ａに画像信号を線順次で供給する。走査線駆動回路１０４から延びた走査線３ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのゲートに電気的に接続されており、走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに走査信号を順次排他的に供給する。画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０ａのドレインに電気的に接続されており、電気光学装置１００では、電界効果型トランジスタ３０ａを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号を各画素１００ａの液晶容量５０ａに所定のタイミングで書き込む。
【００２４】
液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画像信号は、第１基板１０に形成された画素電極９ａと、後述する対向基板の共通電極との間で一定期間保持される。画素電極９ａと共通電極との間には蓄積容量６０が形成されており、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置１００が実現される。本形態では、蓄積容量６０を構成するにあたって、走査線３ａと並行するように容量線３ｂが形成されているが、前段の走査線３ａとの間に蓄積容量６０が形成される場合もある。本形態では、電気光学装置１００として、ＴＮ（Twisted Nematic）モードあるいはＶＡＮ（Vertically Aligned Nematic）モードを採用した液晶装置を例に説明するが、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶装置の場合、共通電極は、画素電極９ａと同様、第１基板１０上に形成される。
【００２５】
図２（ａ）、（ｂ）に示す電気光学装置１００は、反射型のアクティブマトリクス型液晶装置である。この電気光学装置１００では、素子基板としての第１基板１０（電気光学装置用基板）の上にシール材１０７が矩形枠状に設けられており、シール材１０７によって、第１基板１０は、対向基板としての第２基板２０と所定の隙間を介して貼り合わされている。第２基板２０とシール材１０７とは略同一の輪郭を備えており、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。なお、シール材１０７の角部分などには第１基板１０と第２基板２０との間で電気的な接続を行なうための基板間導通部（図示せず）が配置されている。また、図示を省略するが、シール材１０７は一部が途切れており、かかる途切れ部分を利用して、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶を充填するとともに、液晶を充填後、途切れ部分は封止材で塞がれる。
【００２６】
第１基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には、データ線駆動回路１０１、および複数のパッド１０２が第１基板１０の一辺（縁部１ｙ）に沿って配列されており、図２（ｂ）に示すように、パッド形成領域１２から縁部１ｙを覆うように、外部回路との電気的な接続を行なうフレキシブル配線基板９０が接続されている。また、第１基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には、パッド１０２が配列された縁部１ｙに隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、第１基板１０には、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が形成されることもある。詳しくは後述するが、第１基板１０には、画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの表面には配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２７】
第２基板２０には、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４と対向する領域に遮光膜２３ｂが形成されており、かかる遮光膜２３ｂは、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に光が入射することを防止するともに、額縁としての機能を担っている。第２基板２０にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１が形成され、画素電極９ａの表面には配向膜（図示せず）が形成されている。ここで、遮光膜２３ｂを共通電極２１と接続しておけば、遮光膜２３ｂを共通電極２１と同一の電位に保持することができる。第２基板２０には、第１基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることもあり、かかる遮光膜は、遮光膜２３ｂと同一の遮光材料から形成される。さらに、電気光学装置１００をカラー表示用の液晶装置として構成する場合、第２基板２０には、各色のカラーフィルタが形成される。
【００２８】
このような構成の電気光学装置１００を製造する際、第１基板１０および第２基板２０は、製造工程の途中までは大型基板の状態であって、大型基板の状態で貼り合せ工程や液晶充填工程を行なった後、スクライブ工程により、大型基板から切り出される。その際、ダイシングの機械的なダメージや静電気が第１基板１０の内側に形成された画素領域１０ｂや駆動回路（データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４）に及ばないように、大型基板において第１基板１０として切り出される領域には、スクライブラインに沿って金属材料からなるガードリング５が形成される。かかるガードリング５は、切断面から水分が内側に侵入することを防止する機能も発揮する。このため、電気光学装置１００に使用されている状態で、ガードリング５は、第１基板１０の外周縁に沿って延在していることになる。かかるガードリング５やパッド１０２の詳細な構成は、図４を参照して後述する。
【００２９】
なお、本形態では、第１基板１０の基材として半導体基板１が用いられており、半導体基板１の裏面にガラスあるいはセラミック等からなる補強基板を接合して強度を高めた構造を採用することもある。
【００３０】
（画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の相隣接する画素１つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ′線における断面図であり、図３（ａ）では、走査線３ａおよびそれと同時形成された導電膜は太い実線で示し、データ線６ａなどの第１導電層は太い一点鎖線で示し、ドレイン電極などの第２導電層は二点鎖線で示し、フィールド酸化膜の除去領域は短い点線で示し、画素電極９ａは長い点線で示してある。
【００３１】
図３（ａ）において、第１基板１０上には、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して複数の画素１００ａがマトリクス状に配置され、複数の画素１００ａの各々に光反射性の画素電極９ａが形成されている。第１基板１０には、走査線３ａと並列して容量線３ｂが形成されている。
【００３２】
図３（ｂ）に示す第１基板１０では、その基材として、単結晶シリコンのようなＰ型の半導体基板１が用いられており、半導体基板１の表面には、半導体基板１より不純物濃度の高いＰ型のウェル領域１ｘが形成されている。ウェル領域１ｘは、複数の画素１００ａの各々に形成されている構成を採用できるが、本形態では、全ての画素１００ａに対して共通のウェル領域として形成されている。但し、画素領域１０ｂのウェル領域１ｘと、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４などが形成されているウェル領域とは必要に応じて分離して形成することもある。
【００３３】
半導体基板１の表面には、選択熱酸化により、厚さが５００〜７００ｎｍのＬＯＣＯＳ(Local Oxidation of Silicon)膜からなるフィールド酸化膜１ｇが形成されており、フィールド酸化膜１ｇには一画素につき２つの開口部１ｔ、１ｕが形成されている。一方の開口部１ｔにはゲート絶縁膜２ａが形成されており、ゲート絶縁膜２ａの上にはポリシリコンあるいはメタルシリサイド等からなる走査線３ａがゲート電極として通っている。ゲート絶縁膜２ａは、熱酸化によって形成された二酸化シリコン膜であり、厚さは４０〜８０ｎｍである。走査線３ａは、ポリシリコン膜により形成する場合には１００〜２００ｎｍの厚さに形成され、高融点金属のシリサイド膜により形成する場合には１００〜３００ｎｍの厚さに形成される。半導体基板１の表面において、走査線３ａの両側にはウェル領域１ｘよりも不純物濃度が高いＮ型ドープ領域からなるソース領域１ｆおよびドレイン領域１ｅが形成されており、それにより、図１を参照して説明した電界効果型トランジスタ３０ａが構成されている。ソース領域１ｆおよびドレイン領域１ｅは、走査線３ａをマスクとしてＮ型不純物をイオン打ち込みすることにより自己整合的に形成されている。
【００３４】
フィールド酸化膜１ｇに形成された他方の開口部１ｕの基板表面にはＰ型ドープ領域１ｈが形成されているとともに、このＰ型ドープ領域１ｈの表面には、熱酸化によりゲート絶縁膜２ａと同時形成された二酸化シリコン膜からなる誘電体膜２ｂが形成されている。誘電体膜２ｂの上には、ポリシリコンあるいはメタルシリサイド等からなる容量線３ｂが通っており、かかる容量線３ｂは、走査線３ａと同時形成されてなる。このようにして、容量線３ｂ、誘電体膜２ｂおよびＰ型ドープ領域１ｈによって蓄積容量６０が構成されている。
【００３５】
走査線３ａ、容量線３ｂおよびフィールド酸化膜１ｇの上には第１層間絶縁膜７１が形成されており、第１層間絶縁膜７１上には、アルミニウムなどを主体とする金属膜（第１導電層）からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは各々、第１層間絶縁膜７１およびゲート絶縁膜２ａに形成されたビアホール７１ａ、７１ｂを介してソース領域１ｆおよびドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。ドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜７１およびゲート絶縁膜２ａに形成したビアホール７１ｃを介して蓄積容量６０を構成するＰ型ドープ領域１ｈにも電気的に接続されている。ビアホール７１ａ、７１ｂ、７１ｃは、同一の工程により同時形成される。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは同時形成された導電膜からなり、例えば、厚さが１０〜６０ｎｍのＴｉ膜（下層）、厚さが１００ｎｍ程度のＴｉＮ膜（中間層）、および厚さが３０〜６０ｎｍのＴｉ膜（上層）からなる積層膜により構成されている。
【００３６】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上には第２層間絶縁膜７２が形成されている。第２層間絶縁膜７２は、例えばＬＴＯ（Low Temperature Oxide)からなる二酸化シリコン膜などの絶縁膜を形成後、ＳＯＧ（Spin On Glass）からなる平坦化膜を塗布、エッチバックなどの平坦化処理後、再びＬＴＯ等の絶縁膜を形成することにより構成される。
【００３７】
第２層間絶縁膜７２の上には、アルミニウムなどを主体とする金属膜（第２導電層）からなる遮光膜８ａおよび中継電極８ｂが形成されており、中継電極８ｂは、第２層間絶縁膜７２に形成したビアホール７２ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。遮光膜８ａは、第２基板２０の側から入射した光が電界効果型トランジスタ３０ａに入射するのを防止する。中継電極８ｂは、ドレイン電極６ｂと重なる領域に島状に形成されている一方、遮光膜８ａは、中継電極８ｂとの間に隙間８ｎを介して中継電極８ｂの周りを囲むように形成されている。
【００３８】
遮光膜８ａおよび中継電極８ｂの上方には、耐湿性絶縁膜としての窒化シリコン膜７３が１００〜５００ｎｍの厚さで形成され、その上にはＬＴＯからなる二酸化シリコン膜７４が形成されている。これらの窒化シリコン膜７３と二酸化シリコン膜７４とからなる絶縁膜７０は、第３層間絶縁膜として機能する。窒化シリコン膜７３および二酸化シリコン膜７４は各々、減圧ＣＶＤ法などにより形成される。絶縁膜７０の厚さは８００〜１２００ｎｍであり、絶縁膜７０の表面は、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法などにより平坦化されている。なお、耐湿性絶縁膜としては、窒化シリコン膜７３に代えて、酸窒化シリコン膜を用いることもできる。
【００３９】
絶縁膜７０の上には、アルミニウム膜などからなる光反射性の画素電極９ａが形成されており、絶縁膜７０において、画素電極９ａと中継電極８ｂとの重なり部分にはビアホール７０ａが形成されている。ビアホール７０ａの内部には、ＣＶＤ法などにより形成された導電膜が接続プラグ４ａとして埋め込まれており、画素電極９ａは、接続プラグ４ａを介して中継電極８ｂに電気的に接続されている。このようにして、画素電極９ａは、接続プラグ４ａ、中継電極８ｂ、ドレイン電極６ｂを介して、電界効果型トランジスタ３０ａのドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００４０】
（ガードリングおよびパッドの構成）
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図４（ｂ）、（ｃ）は各々、図４（ａ）のＡ２−Ａ２′断面図、および図４（ｂ）のＢ２−Ｂ２′断面図に相当する。なお、図４（ａ）には、多数のパッド１０２を４つのパッド１０２として簡略化して表してある。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、第１基板１０では、縁部１ｙ（スクイライブ工程での切断箇所）に沿って、複数のパッド１０２が配列されたパッド形成領域１２が形成されており、かかるパッド形成領域１２は、図１および図２（ａ）、（ｂ）に示すように、縁部１ｙと画素領域１０ｂとに挟まれた位置にある。また、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側において、画素領域１０ｂとパッド形成領域１２とによって挟まれた領域には、ガードリング迂回領域１ｗが形成されており、ガードリング５は、ガードリング迂回領域１ｗを通って第１基板１０の外周縁に沿って延在している。このため、ガードリング５は、パッド形成領域１２と縁部１ｙとに挟まれた縁領域１ｚには形成されていない。
【００４２】
このようなパッド１０２およびガードリング５を構成するにあたって、本形態では、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、半導体基板１の表面にはＰ型のウェル領域１ｘが形成され、半導体基板１の上には素子分離用の厚いフィールド酸化膜１ｉが形成されている。また、フィールド酸化膜１ｉにおいて、第１基板１０の縁部１ｙには開口部１ｅが形成され、ガードリング５の形成領域のうち、ガードリング迂回領域１ｗを除く領域には開口部１ｓが形成されている。かかる開口部１ｅ、１ｓにおいて、ウェル領域１ｘの表面には薄い二酸化シリコン膜２ｅ、２ｓが形成されている。二酸化シリコン膜２ｅ、２ｓは、図３（ｂ）を参照して説明したゲート絶縁膜２ａおよび誘電体膜２ｂと同時形成された熱酸化膜である。
【００４３】
フィールド酸化膜１ｉおよび二酸化シリコン膜２ｅ、２ｓの上には第１層間絶縁膜７１が形成されており、第１層間絶縁膜７１の上には第１導電層６ｅ、６ｓが形成されている。第１導電層６ｅ、６ｓは、図３（ｂ）を参照して説明したデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同時形成された導電膜である。第１導電層６ｅ、６ｓのうち、第１導電層６ｅはパッド形成領域１２に形成され、第１導電層６ｓは、下層側導電層として、ガードリング迂回領域１ｗも含めて、ガードリング５の形成領域全体にわたって形成されている。
【００４４】
第１導電層６ｅ、６ｓの上には第２層間絶縁膜７２が形成され、第２層間絶縁膜７２の上には第２導電層８ｅ、８ｓが形成されている。第２導電層８ｅ、８ｓは、図３（ｂ）に示す中継電極８ｂおよび遮光膜８ａと同時形成された導電膜である。
【００４５】
第２導電層８ｅ、８ｓのうち、第２導電層８ｅはパッド形成領域１２からガードリング迂回領域１ｗを横切って画素領域１０ｂに向かう配線として形成されている。これに対して、第２導電層８ｓは、上層側導電層として、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されているが、ガードリング迂回領域１ｗには形成されておらず、途切れている。
【００４６】
第２導電層８ｅ、８ｓの上には、耐湿性絶縁膜としての窒化シリコン膜７３、および二酸化シリコン膜７４からなる絶縁膜７０が形成されており、絶縁膜７０には開口部７０ｂが形成されている。開口部７０ｂは、図３（ｂ）に示すビアヒール７０ａと同時形成された穴である。
【００４７】
このように構成した第１基板１０において、第２導電層８ｅは、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｅを介して、第１導電層６ｅに電気的に接続されており、絶縁膜７０の開口部７０ｂから露出している部分がパッド１０２として利用される。
【００４８】
第１導電層６ｓは、ガードリング迂回領域１ｗも含めて、ガードリング５の形成領域全体にわたって形成されており、第１層間絶縁膜７１および二酸化シリコン膜２ｓに形成されたビアホール７１ｓを介してＰ型のウェル領域１ｘに接続されている。これに対して、第２導電層８ｓは、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されているが、ガードリング迂回領域１ｗには形成されておらず、途切れている。但し、第２導電層８ｓは、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｓを介して第１導電層６ｓに接続されている。
【００４９】
ここで、ビアホール７１ｓは、ガードリング迂回領域１ｗには形成されていないが、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されている。また、ビアホール７２ｓも、ビアホール７１ｓと同様、ガードリング迂回領域１ｗには形成されていないが、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されている。言い換えると、ビアホール７２ｓは、第２導電層８ｓの形成領域の略全体にわたって形成されている。このため、第１導電層６ｓと第２導電層８ｓとは、ガードリング迂回領域１ｗを除く全ての領域でビアホール７２ｓを介して接続し、かつ、第１導電層６ｓとウェル領域１ｘとは、ガードリング迂回領域１ｗを除く全ての領域でビアホール７１ｓを介して接続している。
【００５０】
このようにして、本形態では、第１導電層６ｓおよび第２導電層８ｓによってガードリング５が形成され、かかるガードリング５は、ガードリング迂回領域１ｗに第２導電層８ｓを備えていないが、第１導電層６ｓを備えている。このため、スクライブ工程により、大型基板から第１基板１０を切り出す際、ダイシングの機械的ダメージや静電気がガードリング５で止められ、第１基板１０の内側に形成された画素領域１０ｂや駆動回路（データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４）に及ばない。また、切断部分から侵入した水分はガードリング５で止められ、内側に侵入しない。それ故、侵入した水分によって、画素領域１０ｂに形成した電界効果型トランジスタ３０ａの劣化、画素電極９ａの劣化、駆動回路（データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４）の劣化、液晶層５０の劣化などが発生せず、かつ、層間剥離なども発生しない。
【００５１】
また、第２導電層８ｅは、パッド形成領域１２からガードリング迂回領域１ｗを横切って画素領域１０ｂに向かう配線として延在している一方、ガードリング５は、ガードリング迂回領域１ｗにおいて第２導電層８ｅ（配線）と交差する方向に延在している。それでも、ガードリング迂回領域１ｗにおいて、ガードリング５は、第２導電層８ｓが途切れて第１導電層６ｓのみにより形成されており、第１導電層６ｓと第２導電層８ｅは、第２層間絶縁膜７２を介して交差している。このため、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙと反対側、すなわち、第２導電層８ｅ（配線）が延在している側にガードリング迂回領域１ｗを形成した場合でも、ガードリング５と、第２導電層８ｅとが短絡することがない。
【００５２】
（本形態の主な効果）
本形態の第１基板１０を電気光学装置１００に用いる際、パッド形成領域１２には、図４（ｂ）に示すように、フィルム状の異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film）、あるいはペースト状の異方性導電剤からなる異方性導電材９５によりフレキシブル配線基板９０が接続される、フレキシブル配線基板９０には、樹脂基材９２上に、複数のパッド１０２の各々に電気的に接続される複数の導電パターン９１がパッド１０２およびその延長線と重なるように帯状に形成されている。異方性導電材９５では、樹脂マトリクス９７中に導電粒子９６が分散されている。従って、第１基板１０とフレキシブル配線基板９０との間に異方性導電材９５を挟んだ状態で、フレキシブル配線基板９０を加熱しながら第１基板１０を圧着すると、第１基板１０とフレキシブル配線基板９０は、異方性導電材９５の樹脂マトリクス９７により固定されるとともに、パッド１０２と導電パターン９１とが電気的に接続される。
【００５３】
ここで、フレキシブル配線基板９０は、パッド形成領域１２から第１基板１０の縁部１ｙに向けて延びるように配置され、縁領域１ｚでも、第１基板１０とフレキシブル配線基板９０とが異方性導電材９５で固定される。このため、フレキシブル配線基板９０は、第１基板１０に強固に接続されるので、フレキシブル配線基板９０が剥離するなどの問題が発生しない。
【００５４】
また、ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。このため、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。それ故、本形態によれば、フレキシブル配線基板９０とパッド１０２とを異方性導電材９５で接続したときでも、ガードリング５を介してパッド１０２同士が短絡することを確実に防止することができる。
【００５５】
また、ガードリング迂回領域１ｗは、画素領域１０ｂとパッド形成領域１２とによって挟まれた領域にあり、第２導電層８ｅ（配線）は、ガードリング迂回領域１ｗを横切っているが、ガードリング迂回領域１ｗでは、ガードリング５の第２導電層８ｓが形成されておらず、第１導電層６ｓのみが形成されている。このため、ガードリング迂回領域１ｗにおいて、第２導電層８ｅと第１導電層６ｓとは第２層間絶縁膜７２を介して交差しているので、ガードリング迂回領域１ｗを画素領域１０ｂとパッド形成領域１２との間に配置しても、第２導電層８ｅとガードリング５とが短絡することを回避することができる。
【００５６】
また、第１基板１０の表面の大部分は窒化シリコン膜７４で覆われ、しかも、ガードリング迂回領域１ｗを除く全ての領域で第２導電層８ｓの表面は直接、窒化シリコン膜７４で覆われている。このため、第１基板１０では、表面側からは水分が侵入しにくく、第１基板１０の側面（スクライブされた面）から侵入した水分が内側に侵入することを防止することができる。
【００５７】
［実施の形態１の改良例］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１の改良例に係る電気光学装置１００に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図５（ｂ）、（ｃ）は各々、図５（ａ）のＡ１−Ａ１′断面図、および図５（ｂ）のＢ１−Ｂ１′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５８】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。このため、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。また、ガードリング迂回領域１ｗは、画素領域１０ｂとパッド形成領域１２とによって挟まれた領域にあり、第２導電層８ｅ（配線）は、ガードリング迂回領域１ｗを横切っているが、ガードリング迂回領域１ｗでは、ガードリング５の第２導電層８ｓが形成されておらず、第１導電層６ｓのみが形成されている。このため、ガードリング迂回領域１ｗにおいて、第２導電層８ｅと第１導電層６ｓとは第２層間絶縁膜７２を介して交差しているので、ガードリング迂回領域１ｗを画素領域１０ｂとパッド形成領域１２との間に配置しても、第２導電層８ｅとガードリング５とが短絡することを回避することができる。
【００５９】
本形態では、実施の形態１と違って、ビアホール７１ｓは、ガードリング迂回領域１ｗも含めて、ガードリング５の形成領域の全体にわたって形成されている。このため、ガードリング迂回領域１ｗでも、第１導電層６ｓはビアホール７１ｓを介して半導体基板１のウェル領域１ｘに接続している。このため、本形態によれば、ガードリング迂回領域１ｗでも、侵入した水分がガードリング５の内側に侵入することを確実に防止することができる。その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６０】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図６（ｂ）、（ｃ）は各々、図６（ａ）のＡ３−Ａ３′断面図、および図６（ｂ）のＢ３−Ｂ３′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６１】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。このため、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。
【００６２】
ここで、ガードリング迂回領域１ｗは、画素領域１０ｂとパッド形成領域１２とによって挟まれた領域にある。このため、パッド形成領域１２から画素領域１０ｂに向けて配線が延在し、かかる配線はガードリング５と交差することになる。かかる配線とガードリング５との交差部分での短絡を防止するにあたって、実施の形態１では、第２導電層８ｅ（配線）とガードリング５の第１導電層６ｓとを第２層間絶縁膜７２を介して交差する構成（図４参照）を採用したが、本形態では、以下に詳述するように、第１導電層６ｅによって配線を形成し、ガードリング５の第２導電層６ｓおよび第２導電層８ｓのうち、第１導電層６ｓがガードリング迂回領域１ｗで途切れている構成を採用することにより、第１導電層６ｅ（配線）とガードリング５の第２導電層８ｓとを第２層間絶縁膜７２を介して交差させている。
【００６３】
まず、本形態では、第１層間絶縁膜７１の上に第１導電層６ｅ、６ｓが形成されており、第１導電層６ｅは、パッド形成領域１２からガードリング迂回領域１ｗを横切って画素領域１０ｂに向かう配線として形成されている。また、第１導電層６ｓは、第１層間絶縁膜７１および二酸化シリコン膜２ｓに形成されたビアホール７１ｓを介してＰ型のウェル領域１ｘに接続されている。ここで、第１導電層６ｓは、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されているが、ガードリング迂回領域１ｗには形成されていない。
【００６４】
第１導電層６ｅ、６ｓの上には第２層間絶縁膜７２が形成されており、かかる第２層間絶縁膜７２の上に第２導電層８ｅ、８ｓが形成されている。第２導電層８ｅ、８ｓは各々、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｅ、７２ｓを介して第１導電層６ｅ、６ｓに接続されている。第２導電層８ｅ、８ｓの上には、耐湿性絶縁膜としての窒化シリコン膜７３、および二酸化シリコン膜７４からなる絶縁膜７０が形成されている。絶縁膜７０には開口部７０ｂが形成されており、第２導電層８ｅにおいて、開口部７０ｂから露出している部分がパッド１０２として利用される。第２導電層８ｓは、ガードリング迂回領域１ｗも含めて、ガードリング５の形成領域全体にわたって形成されており、第２層間絶縁膜７２に形成されたビアホール７２ｓを介して第１導電層６ｓに接続されている。
【００６５】
ここで、ビアホール７１ｓは、ガードリング迂回領域１ｗには形成されていないが、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されている。また、ビアホール７２ｓも、ビアホール７１ｓと同様、ガードリング迂回領域１ｗには形成されていないが、ガードリング５の形成領域の略全体にわたって形成されている。このため、第１導電層６ｓと第２導電層８ｓとは、ガードリング迂回領域１ｗを除く全ての領域でビアホール７２ｓを介して接続し、かつ、第１導電層６ｓとウェル領域１ｘとは、ガードリング迂回領域１ｗを除く全ての領域でビアホール７１ｓを介して接続している。このようにして本形態では、第１導電層６ｓおよび第２導電層８ｓによってガードリング５が形成され、かかるガードリング５は、ガードリング迂回領域１ｗには第１導電層６ｓを備えていないが、第２導電層８ｓを備えている。
【００６６】
本形態において、第１導電層６ｅは、パッド形成領域１２からガードリング迂回領域１ｗを横切って画素領域１０ｂに向かう配線として延在している一方、ガードリング５は、ガードリング迂回領域１ｗにおいて第１導電層６ｅ（配線）と交差する方向に延在している。それでも、ガードリング迂回領域１ｗにおいて、ガードリング５は、第１導電層６ｓが途切れて第２導電層８ｓのみにより形成されており、第２導電層８ｓと第１導電層６ｅは、第２層間絶縁膜７２を介して交差している。このため、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙと反対側、すなわち、第２導電層８ｅ（配線）が延在している側にガードリング迂回領域１ｗを形成した場合でも、ガードリング５と、第２導電層８ｅとが短絡することがない。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６７】
［実施の形態２の改良例］
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例に係る電気光学装置１００に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図７（ｂ）、（ｃ）は各々、図７（ａ）のＡ４−Ａ４′断面図、および図７（ｂ）のＢ４−Ｂ４′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６８】
図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、本形態でも、実施の形態１、２と同様、ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。このため、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。従って、第２導電層８ｓの上層には厚い絶縁膜７０が不要である。
【００６９】
そこで、本形態では、第２導電層８ｓの上層に絶縁膜が形成されておらず、表面が露出している。また、画素領域１０ｂには窒化シリコン膜が形成されていない。このため、画素領域１０ｂでの光透過性を向上することができるので、明るい画像を表示することができる。すなわち、窒化シリコン膜の屈折率は、液晶の屈折率に対して大きいため、画素領域１０ｂに窒化シリコン膜が形成されていると、その膜厚のばらつきによって可視光領域の反射率が大きく変化するという問題があるが、本形態では、第２導電層８ｓの上層に窒化シリコン膜を形成する必要がないので、画素領域１０ｂにも窒化シリコン膜を形成する必要がなく、絶縁膜７０として二酸化シリコン膜７４のみを形成すればよいので、品位の高い画像を表示することができる。その他の構成は、実施の形態２と同様であるため、説明を省略する。また、本例の構成は実施の形態１にも適用することができる。
【００７０】
［実施の形態３］
本発明は、実施の形態１、２で説明した液晶装置に適用できる他、有機ＥＬ装置やデジタルライトプロセッシング装置（ＤＬＰ（Digital Light Processing）装置）にも適用でき、以下、本発明を有機ＥＬ装置に適用した例を簡単に説明する。なお、以下の説明では、実施の形態１、２との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
【００７１】
図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的構成を示すブロック図である。図８に示す電気光学装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、第１基板１０上には、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して並列して延在する複数の電源線３ｅとを有している。また、第１基板１０において、矩形形状の画素領域１０ｂには複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。画素領域１０ｂの外側領域には、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている。データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続され、走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されている。画素領域１０ｂの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する蓄積容量６０と、蓄積容量６０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃと、この電界効果型トランジスタ３０ｃを介して電源線３ｅに電気的に接続したときに電源線３ｅから駆動電流が流れ込む画素電極９ａ（陽極層）と、この画素電極９ａと陰極層８５との間に有機機能層が挟まれた有機ＥＬ素子８０を構成している。
【００７２】
かかる構成によれば、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の電界効果型トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が蓄積容量６０に保持され、蓄積容量６０が保持する電荷に応じて、駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の電界効果型トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線３ｅから画素電極９ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して対極層に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００７３】
なお、図８に示す構成では、電源線３ｅは走査線３ａと並列していたが、電源線３ｅがデータ線６ａに並列している構成を採用してもよい。また、図８に示す構成では、電源線３ｅを利用して蓄積容量６０を構成していたが、電源線３ｅとは別に容量線を形成し、かかる容量線によって蓄積容量６０を構成してもよい。
【００７４】
このような構成の電気光学装置１００を製造する際も、第１基板１０は、製造工程の途中までは大型基板の状態であって、スクライブ工程により、大型基板から切り出される。その際、ダイシングの機械的ダメージや静電気が第１基板１０の内側に形成された画素領域１０ｂや駆動回路（データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４）に及ばないように、大型基板において第１基板１０として切り出される領域には、スクライブラインに沿って金属材料からなるガードリング５が配置される。また、切断面からの水分の侵入を防止することを目的にガードリング５が形成される。このため、ガードリング５は、第１基板１０の外周縁に沿って延在するように形成されることになる。
【００７５】
このようなガードリング５を構成する場合も、実施の形態１、２と同様、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通るようにガードリング５を形成し、縁領域１ｚにはガードリング５を形成しない。このため、縁領域１ｚにおいて導電粒子９６が絶縁膜７０を突き破ることがあっても、ガードリング５とフレキシブル配線基板９０の導電パターン９１とが異方性導電材９５を介して短絡することがない。それ故、本形態によれば、フレキシブル配線基板９０とパッド１０２とを異方性導電材９５で接続したときでも、ガードリング５を介してパッド１０２同士が短絡することを確実に防止することができる。
【００７６】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る電気光学装置１００のうち、実施の形態１、２に係る反射型の液晶装置は、図９（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図９（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器などに用いることができ、実施の形態３に係る有機ＥＬ装置は、図９（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器などに用いることができる。
【００７７】
図９（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の電気光学装置１００（反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００７８】
また、図９（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図９（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）４０００は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００７９】
さらに、第２基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な電気光学装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した電気光学装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【００８０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第２層間絶縁膜７２の下層側に形成された１層の第１導電層と、第２層間絶縁膜７２の上層側に形成された１層の第２導電層とによって、パッド１０２およびガードリング５を形成したが、第２層間絶縁膜７２の下層側に形成された複数の第１導電層と、第２層間絶縁膜７２の下層側に形成された複数の第２導電層を用いて、パッド１０２およびガードリング５を形成してもよい。この場合も、配線を上層側の第２導電層により形成した場合には、ガードリング迂回領域１ｗでは、第２導電層により形成された上層側導電層については途切れた構成にし、第１導電層により形成された下層側導電層のみによりガードリング５を構成すればよい。また、配線を下層側の第１導電層により形成した場合には、ガードリング迂回領域１ｗでは、第１導電層により形成された下層側導電層については途切れた構成にし、上層側導電層のみによりガードリング５を構成すればよい。
【００８１】
上記形態において、層間絶縁膜の上下に接続された第１導電層と第２導電層を接続するにあたって、ビアホールの内部を第２導電層で埋めたが、ビアホール内に接続プラグを埋め込み、かかる接続プラグを介して第１導電層と第２導電層を接続してもよい。
【００８２】
また、上記実施の形態１〜３は、第１基板１０（電気光学装置用基板）の基材として半導体基板を用いたが、かかる基材として、ガラス基板、金属基板、セラミック基板を用いた電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態１〜３では、第１基板１０の基材として半導体基板を用いたため、電気光学装置１００を反射型液晶装置やトップエミッション型の有機ＥＬ装置として構成したが、第１基板１０の基材として、石英基板やガラス基板などの透光性基板を用いれば、電気光学装置１００を透過型あるいは半透過反射型の液晶装置やボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として構成でき、かかる電気光学装置において第１基板１０（電気光学装置用基板）にガードリング５を形成する際、本発明を適用してもよい。このように構成した場合も、電気光学装置１００は、各種電子機器において、直視型の表示装置、あるいは透過型投射装置のライトバルブとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）に用いた素子基板の電気的な構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の相隣接する画素１つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１の改良例に係る電気光学装置に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例に係る電気光学装置に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド形成領域と画素領域との間に形成されたガードリング迂回領域を通って基板の縁部と平行な方向に第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置（有機ＥＬ装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、従来の電気光学装置に用いた第１基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第１基板を切断した様子を模式的に示す断面図、および第１基板にフレキシブル配線基板を異方性導電材により接続したときの説明図である。
【符号の説明】
【００８４】
１・・半導体基板、1ｙ・・基板の縁部、１ｚ・・縁領域、１ｗ・・ガードリング迂回領域、５・・ガードリング、６ｓ・・第１導電層（下層側導電層）、８ｓ・・第２導電層（上層側導電層）、９ａ・・画素電極、１０・・第１基板（電気光学装置用基板）、１０ｂ・・画素領域、１２・・パッド形成領域、２０・・第２基板、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ・・電界効果型トランジスタ（画素トランジスタ）、５０・・液晶層、７０・・絶縁膜、７２・・第２層間絶縁膜、７２ｓ・・ビアホール、７３・・窒化シリコン膜（耐湿性絶縁膜）、９０・・フレキシブル配線基板、９５・・異方性導電材、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１０２・・パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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