(57)【要約】【課題】エッチング処理による残渣の発生がなく、反射電極を構成する金属反射層のエッチャントに対し耐性を有する透明導電膜が設けられた半透過・半反射電極基板を提供すること。【解決手段】ガラス基板１と、この基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電膜９と、上記基板に設けられかつ透明導電膜とＴＦＴ素子とを電気的に接続させると共に反射電極11を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板であって、上記透明導電膜が酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられかつ外光を反射すると共に上記透明導電層と電気的に接続されて反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板において、
上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とする半透過・半反射電極基板。
【請求項２】
上記透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、透明導電層中におけるＩｎの組成比率＝［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることを特徴とする請求項１に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項３】
反射電極を構成する上記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項４】
透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられたＴＦＴ素子と、透明基板に設けられかつ上記透明導電層とＴＦＴ素子とを電気的に接続させると共に反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板において、
上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とする半透過・半反射電極基板。
【請求項５】
上記透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、透明導電層中におけるＩｎの組成比率＝［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることを特徴とする請求項４に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項６】
反射電極を構成する上記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層を有することを特徴とする請求項４または５に記載の半透過・半反射電極基板。
【請求項７】
請求項１〜３に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法において、
透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、
透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と電気的に接続された金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程、
の各工程を具備することを特徴とする半透過・半反射電極基板の製造方法。
【請求項８】
請求項４〜６に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法において、
透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、
透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と透明基板に設けられたＴＦＴ素子とを電気的に接続させる金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程、
の各工程を具備することを特徴とする半透過・半反射電極基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６に記載の半透過・半反射電極基板と、この半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層とを具備することを特徴とする半透過半反射型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射電極と透明電極のいずれをも備えた半透過半反射型液晶表示装置に係り、特に、この液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板とその製造方法および半透過半反射型液晶表示装置の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半透過半反射型液晶表示装置とは、反射電極と透明電極のいずれをも備えた液晶表示装置で、透過型液晶表示装置の機能と反射型液晶表示装置の機能とを同時に備えており、以下に示す理由等から鋭意研究開発がなされている。
（１）液晶表示装置が半透過半反射型であるため、比較的外光の強い屋外では、外光を利用して液晶表示を行う反射型として使用でき、比較的外光の弱い屋内では、バックライトを利用して液晶表示を行う透過型として使用できる。このため、屋外、屋内を問わず高い明度で表示できる。
（２）明るい場所（外光の強い場所）で使用する場合、液晶表示装置を反射型として使用できるので消費電力を節約できる。
（３）屋外では反射型として使用できるため、低消費電力で作動可能である。このため、携帯用ディスプレイに好適である。
（４）フルカラー化も容易である。
【０００３】
そして、この種の半透過半反射型液晶表示装置において、反射率の向上を図る試みとして、銀を含む反射膜を基板に形成した後、この反射膜を保護膜で覆いかつ保護膜の上に液晶駆動用の透明電極を設けた構造を有する半透過半反射型液晶表示装置が特許文献１および特許文献２において提案されている。そして、これ等特許文献１、２においては、銀を含む反射膜と液晶駆動用の透明電極とが互い違いに配置されることにより、半透過半反射機能を発揮する半透過半反射液晶駆動電極が形成されるとしている。また、特許文献３においても、金属系半透過反射層の下に補助的な反射機能を持つＳｉ薄膜等を配置した半透過反射膜が開示されている。
【０００４】
しかし、この種の半透過半反射型液晶表示装置において反射膜の構成材料としては、通常、アルミニウムが一般的に使用されるため、銀を含む反射膜や反射機能を持つＳｉ薄膜等を配置する特許文献１〜特許文献３に記載の方法は現実的とはいえなかった。
【特許文献１】特開２００２−４９０３４号公報
【特許文献２】特開２００２−４９０３３号公報
【特許文献３】特開２００１−３０５５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記反射膜における構成材料の種類如何に関らず、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる従来の半透過・半反射電極基板においては、透明電極の部分と反射電極の部分とは別々にエッチングされてそれぞれ形成されている。このため、透明電極の部分となる層と反射電極の部分となる層とを形成するには「成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング−成膜−フォトリソグラフィーによるエッチング」という工程を繰り返し行う必要があった。そして、透明電極の部分となる層と反射電極の部分となる層とは電気的に接続されているため、これ等電極の層をエッチングする際に使用される現像液やエッチャント、剥離剤によって電池反応が発生し、局所的に反射電極の部分が腐食されてしまうことがあった。
【０００６】
また、半透過・半反射電極基板における電極のレイアウト如何によって透明電極の上に反射電極が設けられる場合があり、反射電極を構成する金属反射層をエッチングした際に透明電極にダメージを与えてしまう恐れがあった。特に、透明電極を構成する材料として広く用いられているＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）と、反射電極を構成する材料として広く用いられているＡｌとが接触した場合、上記電池反応を起こし易い問題があった。
【０００７】
また、透明電極に用いられるＩＴＯが結晶質の場合、結晶質のＩＴＯは王水や塩酸等の強酸でないとエッチングができないため、例えば、予め設けられたＴＦＴの配線材料等を腐食してしまう問題が存在した。他方、透明電極に用いられるＩＴＯが非晶質の場合には、透明基板（下地基板）との密着性の低下がしばしば確認され、ＴＦＴ配線材料との接触抵抗の増大を招いてしまうこともあった。更に、ＩＴＯをエッチング処理した際に残渣が発生する場合があり、この残査に起因して電極間のショートや液晶駆動のトラブルを発生する恐れもあった。また、透明電極に用いられる非晶質系の材料としてＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）も提案されている。しかし、このＩＺＯはＡｌのエッチャントに溶解する性質を有しているため、電極のレイアウト如何によってＡｌを含む反射電極が透明電極上に配置される場合、その適用は困難であった。
【０００８】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、エッチング処理による残渣等の発生がほとんどなく、しかも反射電極を構成する金属反射層のエッチャントに対しても耐性を有する透明導電層が設けられた半透過・半反射電極基板を提供し、かつ、この半透過・半反射電極基板を効率よく製造できる半透過・半反射電極基板の製造方法を提供すると共に、この半透過・半反射電極基板が用いられた半透過半反射型液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、請求項１に係る発明は、
透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられかつ外光を反射すると共に上記透明導電層と電気的に接続されて反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板を前提とし、
上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とし、
請求項２に係る発明は、
請求項１に記載の発明に係る半透過・半反射電極基板を前提とし、
上記透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、透明導電層中におけるＩｎの組成比率＝［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることを特徴とし、
また、請求項３に係る発明は、
請求項１または２に記載の発明に係る半透過・半反射電極基板を前提とし、
反射電極を構成する上記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層を有することを特徴とする。
【００１０】
次に、請求項４に係る発明は、
透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられたＴＦＴ素子と、透明基板に設けられかつ上記透明導電層とＴＦＴ素子とを電気的に接続させると共に反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板を前提とし、
上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とし、
請求項５に係る発明は、
請求項４に記載の発明に係る半透過・半反射電極基板を前提とし、
上記透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、透明導電層中におけるＩｎの組成比率＝［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることを特徴とし、
また、請求項６に係る発明は、
請求項４または５に記載の発明に係る半透過・半反射電極基板を前提とし、
反射電極を構成する上記金属反射層が、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層を有することを特徴とする。
【００１１】
次に、請求項７に係る発明は、
請求項１〜３に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法を前提とし、
透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、
透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と電気的に接続された金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程、
の各工程を具備することを特徴とし、
請求項８に係る発明は、
請求項４〜６に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法を前提とし、
透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、
透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と透明基板に設けられたＴＦＴ素子とを電気的に接続させる金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程、
の各工程を具備することを特徴とし、
また、請求項９に係る発明は、
半透過・半反射電極基板が用いられた半透過半反射型液晶表示装置を前提とし、
請求項１〜６に記載の半透過・半反射電極基板と、この半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１〜６に記載の半透過・半反射電極基板によれば、
透明基板に設けられる透明導電層が酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有しているため、弱酸（蓚酸等の有機酸）を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する際に残渣等の発生がほとんどなく、かつ、反射電極を構成する金属反射層のエッチャント（燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸）に対して耐性を有している。
【００１３】
従って、本発明に係る半透過・半反射電極基板は加工性に優れる効果を有する。
【００１４】
次に、請求項７〜８に記載の半透過・半反射電極基板の製造方法によれば、
蓚酸を含むエッチャントにより透明導電層をエッチングして透明電極を形成する工程において残渣等の発生がほとんどなく、かつ、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により金属反射層をエッチングして反射電極を形成する工程において透明電極にダメージを与えてしまう恐れもない。
【００１５】
従って、半透過・半反射電極基板を製造する際の歩留りが向上する効果を有する。
【００１６】
また、請求項９に記載の半透過半反射型液晶表示装置によれば、
透明導電層のエッチング処理時における残渣がなく、かつ、金属反射層のエッチング処理時において透明電極の劣化がない半透過・半反射電極基板を用いているため、電極間のショートや液晶駆動のトラブルも起り難い優れた特性を具備している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
（１）まず、本発明に係る第一の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられかつ外光を反射すると共に上記透明導電層と電気的に接続されて反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板を前提とし、上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とするものである。
【００１８】
ここで、透明導電層が「酸化インジウムを主成分とする」とは、酸化インジウムを主要な成分として含むことを意味し、概ね原子組成比率で５０％以上の場合を意味する。
【００１９】
また、透明導電層が「ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する」とは、ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子が酸化インジウムの透明導電層中に原子レベルで分散して含有していることを意味する。よって、酸化ゲルマニウム［ＧｅＯ２やＧｅＯδ（０＜δ＜２）］相や金属ゲルマニウム［Ｇｅクラスター］相の形態で、あるいは酸化シリコン［ＳｉＯ２やＳｉＯδ（０＜δ＜２）］相や金属シリコン［Ｓｉクラスター］相の形態で含有するのではなく、ゲルマニウムまたはシリコン原子は酸素に囲まれた形態で分散し膜中に含有されている。
【００２０】
上記ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子を含有させることにより、透明導電層を成膜した後、この透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いてエッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由は、基板温度を室温未満に制御するためには冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度が２００℃を超える温度とすると、透明導電層の結晶化等により蓚酸を含むエッチャントでのエッチングができなくなる場合があるからである。また、透明導電層の成膜中の雰囲気ガス中に水や水素を添加することもできる。水や水素を添加することにより、蓚酸を含むエッチャントを用いて成膜された透明導電層をエッチングする際、エッチングがし易くなりより残渣を低減させることができる。
【００２１】
また、上記ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子を含有させることにより、成膜された上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化させることができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸による透明導電層のダメージを回避することができる。また、透明導電層中に、酸化タングステン、酸化モリブデンまたは酸化ニオブを添加することにより上述した電池反応を抑えることができる。
【００２２】
ここで、上記透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、更に好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇する場合があり、一方、透明導電層の膜厚が５００ｎｍを超えた場合、透過率が低下しあるいは加工精度に問題を生ずることがある。
【００２３】
次に、上記金属反射層の反射率は８０％以上であることが好ましい。尚、本発明に係る上記反射率は、縦軸（Ｙ軸）に反射率を表し、横軸（Ｘ軸）に波長を表したグラフを用いて測定している。すなわち、反射率は、このグラフ中の波長４００〜７００ｎｍにおける測定範囲において、各波長での反射率を１００％とした場合の面積を１００とし、この面積に対して、金属反射層についての実測データの面積の割合を％で表示した値と定義する。ここで、上記面積とは、上記グラフ中の波長４００〜７００ｎｍの測定範囲において、Ｘ軸と、反射率のスペクトルとで囲まれた面積のことである。この面積は、反射率のスペクトルについて、４００〜７００ｎｍまで、積分した値に等しいことはいうまでもない。
【００２４】
次に、金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、更に好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍを超えた場合、加工精度に問題が生ずることがある。
【００２５】
また、上記透明導電層は光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属反射層は光をほぼ反射する機能を備えている。このような機能を備えた透明導電層と、この透明導電層と電気的に接続された上記金属反射層とを同時に備えることにより、本発明に係る第一の半透過・半反射電極基板となる。
（２）ここで、上記透明導電層中におけるＩｎの組成比率については、透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることが好ましい。Ｉｎの上記組成比率が０．８５未満では、透明導電層の抵抗値が増大し、あるいは、透明導電層が成膜された基板を２００℃以上に加熱しても透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、Ｉｎの上記組成比率が０．９９を超えた場合、透明導電層の成膜時に透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングがされ難くなり、また、残渣が大量に発生してしまう場合があるからである。
【００２６】
尚、上記透明導電層中に、第３の原子として、Ｗ、Ｓｎ、Ｚｎを添加することもできる。ここで、第１の原子とは酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とはゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子である。
【００２７】
そして、第３の原子としてＷを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＷの組成比率は、［Ｗ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは［Ｗ］／［全メタル］＜０．０５である。上記値が０．１以上になると、透明導電層の抵抗値が増大し、また、透明導電層が成膜された基板を２００℃以上に加熱しても透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。尚、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数を表す。
【００２８】
同様に、第３の原子としてＳｎを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。上記値が０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生したりする場合がある。ここで、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数を表す。
【００２９】
更に、第３の原子としてＺｎを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。上記値が０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により金属反射層をエッチングする時、透明導電層にダメージを与えてしまうことがある。ここで、［Ｚｎ］は亜鉛原子の単位体積当たりの数を表す。
（３）また、本発明に係る第一の半透過・半反射電極基板において、上記金属反射層は、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層により構成される。ＡｌまたはＡｇの他にＮｄ等のランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を添加してもよい。添加するランタノイド系金属および重金属の含有量は好ましくは０．１〜５ｗｔ％（重量％）であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、更に好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属および重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属および重金属の含有量が５ｗｔ％を超えると金属反射層の反射率が低下したりする場合がある。
（４）次に、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板は、透明基板と、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられたＴＦＴ素子と、透明基板に設けられかつ上記透明導電層とＴＦＴ素子とを電気的に接続させると共に反射電極を構成する金属反射層とを備え、半透過半反射型液晶表示装置に用いられる半透過・半反射電極基板を前提とし、上記透明導電層が、酸化インジウムを主成分としかつゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有することを特徴とする。尚、ＴＦＴ素子とは、Thin Film Transistor（薄膜トランジスタ）素子のことである。
【００３０】
そして、上記ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子を含有させることにより、透明導電層を成膜した後、この透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントを用いてエッチングすることが可能となる。成膜基板温度は、Ｒ．Ｔ．（室温）〜２００℃であることが好ましく、より好ましくは８０℃〜１８０℃である。成膜時の基板温度を上記範囲とする理由は、基板温度を室温未満に制御するためには冷却が必要でエネルギーの損失になり、一方、基板温度が２００℃を超える温度とすると、透明導電層の結晶化等により蓚酸を含むエッチャントでのエッチングができなくなる場合があるからである。また、透明導電層の成膜中の雰囲気ガス中に水や水素を添加することもできる。水や水素を添加することにより、蓚酸を含むエッチャントを用いて成膜された透明導電層をエッチングする際、エッチングがし易くなりより残渣を低減させることができる。
【００３１】
また、上記ゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子を含有させることにより、成膜された上記透明導電層をエッチングした後、基板の温度を２００℃以上に加熱することにより、基板上の透明導電層を簡単に結晶化させることができる。この結晶化温度は、好適には２２０℃以上であり、より好ましくは２３０℃以上である。透明導電層を結晶化させることにより、金属反射層のエッチャントである燐酸・酢酸・硝酸の混酸による透明導電層のダメージを回避することができる。
【００３２】
ここで、上記透明導電層の膜厚は、好ましくは２０〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、更に好ましくは３０〜２００ｎｍである。透明導電層の膜厚が２０ｎｍ未満では、透明導電層の表面抵抗が上昇する場合があり、一方、透明導電層の膜厚が５００ｎｍを超えた場合、透過率が低下しあるいは加工精度に問題を生ずることがある。
【００３３】
次に、上記金属反射層の反射率は８０％以上であることが好ましい。尚、反射率の定義は、第一の半透過・半反射電極基板と同様である。また、金属反射層の膜厚は、好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは３０〜３００ｎｍであり、更に好ましくは５０〜２００ｎｍである。金属反射層の膜厚が１０ｎｍ未満では、反射率が８０％以上にならない場合があり、一方、１０００ｎｍを超えた場合、加工精度に問題が生ずることがある。
【００３４】
また、上記透明導電層は光をほぼ透過する機能を備え、一方、金属反射層は光をほぼ反射する機能を備えている。また、上記透明導電層とＴＦＴ素子とを金属反射層により電気的に接続させることにより、透明導電層と金属反射層が液晶表示装置に用いられる電極として機能するようになり、かつ、上記金属反射層は反射電極として機能するようになる。このような機能を備えた透明導電層と、この透明導電層と電気的に接続された上記金属反射層とを同時に備えることにより本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板となる。
（５）次に、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板においても上記透明導電層中におけるＩｎの組成比率については、透明導電層中のインジウム原子の単位体積当たりの数を［Ｉｎ］、透明導電層中の全金属原子の単位体積当たりの数を［全メタル］と定義した場合、［Ｉｎ］／［全メタル］が、０．８５から０．９９であることが好ましい。Ｉｎの上記組成比率が０．８５未満では、透明導電層の抵抗値が増大し、あるいは、透明導電層が成膜された基板を２００℃以上に加熱しても透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。また、Ｉｎの上記組成比率が０．９９を超えた場合、透明導電層の成膜時に透明導電層が結晶化して、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングがされ難くなり、また、残渣が大量に発生してしまう場合があるからである。
【００３５】
尚、透明導電層中に、第３の原子として、Ｗ、Ｓｎ、Ｚｎを添加することもできる。ここで、第１の原子とは酸化インジウム中のインジウム原子であり、第２の原子とはゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方の原子である。
【００３６】
そして、第３の原子としてＷを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＷの組成比率は、［Ｗ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは［Ｗ］／［全メタル］＜０．０５である。上記値が０．１以上になると、透明導電層の抵抗値が増大し、また、透明導電層が成膜された基板を２００℃以上に加熱しても透明導電層が結晶化しなくなる場合がある。尚、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数を表す。
【００３７】
同様に、第３の原子としてＳｎを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＳｎの組成比率は、［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．２であることが好ましく、より好ましくは［Ｓｎ］／［全メタル］＜０．１である。上記値が０．２以上になると、エッチング時に残渣が発生したりする場合がある。ここで、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数を表す。
【００３８】
更に、第３の原子としてＺｎを添加する場合には、上記透明導電層中におけるＺｎの組成比率は、［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．１であることが好ましく、より好ましくは［Ｚｎ］／［全メタル］＜０．０５である。上記値が０．１以上になると、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸により金属反射層をエッチングする時、透明導電層にダメージを与えてしまうことがある。ここで、［Ｚｎ］は亜鉛原子の単位体積当たりの数を表す。
（６）また、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板において、上記金属反射層は、ＡｌまたはＡｇを金属成分として含む層により構成される。尚、金属反射層の反射率が８０％未満であると外光の反射率が低くなることがあり、液晶表示が見え難くなったりする場合がある。また、ＡｌまたはＡｇの他に、Ｎｄ等のランタノイド系金属、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を添加することも好ましい。添加するランタノイド系金属および重金属の含有量は、好ましくは０．１〜５ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜３ｗｔ％であり、更に好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。ランタノイド系金属および重金属の含有量が０．１ｗｔ％未満では、添加効果がほとんど現れない場合があり、一方、ランタノイド系金属および重金属の含有量が５ｗｔ％を超えると金属反射層の反射率が低下したりする場合がある。
（７）次に、本発明に係る第一の半透過・半反射電極基板は、透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と電気的に接続された金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程の各工程を具備する方法により得ることができる。
【００３９】
ここで、蓚酸を含む上記エッチャントの蓚酸濃度は１〜１０ｗｔ％であることが好ましく、より好ましくは１〜５ｗｔ％である。蓚酸濃度が１ｗｔ％未満では、透明導電層のエッチング速度が遅くなる場合があり、１０ｗｔ％を超えると、蓚酸を含むエッチャントの水溶液中に蓚酸の結晶が析出する場合があるからである。
【００４０】
また、金属反射層のエッチングに用いる上記混酸中の燐酸・酢酸・硝酸の各濃度は適宜選択できるが、燐酸濃度としては４０〜９５ｗｔ％であることが好ましく、酢酸濃度としては５〜６０ｗｔ％であることが好ましく、硝酸濃度としては０．５〜５ｗｔ％であることが好ましい。この混酸は、適宜水で希釈することもできる。
【００４１】
上記金属反射層を成膜する前若しくは成膜した後、透明導電層が成膜された基板を２００℃以上、好ましくは２２０℃以上、より好ましくは２３０℃以上に加熱して、透明導電層を結晶化させることが望ましい。透明導電層を結晶化させておくことにより、燐酸・酢酸・硝酸の混酸を用いて金属反射層をエッチングする時の透明導電層へのダメージを低減できる。
（８）また、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板は、透明基板に成膜されかつ酸化インジウムを主成分としゲルマニウムまたはシリコンから選ばれる少なくとも一方を含有する透明導電層を、蓚酸を含むエッチャントによりエッチングして透明電極を形成する工程と、透明基板に成膜されかつ上記透明導電層と透明基板に設けられたＴＦＴ素子とを電気的に接続させる金属反射層を、燐酸・酢酸・硝酸を含む混酸によりエッチングして反射電極を形成する工程の各工程を具備する方法により得ることができる。
【００４２】
そして、透明導電層とＴＦＴ素子とを金属反射層により電気的に接続させることにより、透明導電層および金属反射層はＴＦＴ駆動方式の液晶駆動電極として機能させることができる。また、上述したように透明導電層は光をほぼ透過する機能を備え、金属反射層は光をほぼ反射する機能を備えている。このため、上記金属反射層が反射電極として機能することにより本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板となる。
（９）次に、本発明に係る半透過半反射型液晶表示装置は、上記第一の半透過・半反射電極基板または第二の半透過・半反射電極基板と、この半透過・半反射電極基板により駆動される液晶層とを具備することを特徴とするものである。
【００４３】
そして、本発明に係る半透過半反射型液晶表示装置は、上記半透過・半反射電極基板が用いられているため、反射型液晶表示装置としての機能と透過型液晶表示装置としての機能とを同時に備えている。
【００４４】
以下、本発明の実施例について図面を用いて具体的に説明する。
【実施例１】
【００４５】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）＝０．９９
図１は、実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の部分断面図を示している。
【００４６】
以下、上記ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の製造工程を説明することにより、このアクティブマトリックス基板１００の構成を具体的に説明する。
【００４７】
まず、透光性のガラス基板１上に高周波スパッタリングによりその膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上にその膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。尚、上記ガラス基板１は、本発明における透明基板の一例に相当する。
【００４８】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、堆積した上記金属Ａｌおよび金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２およびゲート電極配線１２を形成した。
【００４９】
次に、ゲート電極２とゲート電極配線１２が形成されたガラス基板１と、ゲート電極２およびゲート電極配線１２上に、グロー放電ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）をその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積し、続いて、このゲート絶縁膜３上にａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４をその膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、更に、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を上記ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上にその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００５０】
この時、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３およびチャンネル保護層５については、放電ガスとしてＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４についてはＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより図１に示す形状にエッチングした。
【００５１】
続いて、上記ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４および上記チャンネル保護層５上にａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いてその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【００５２】
次に、堆積したａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、更に金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍ、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍ、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるようにスパッタリング法により順に堆積した。
【００５３】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を図１に示す形状にエッチングして、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターンとした。また、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、および、ヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４およびａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターンおよびａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。
【００５４】
更に、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成し、かつ、図１に示すようにスルーホール１０ａ等のパターンを形成した。
【００５５】
次に、透明樹脂レジスト１０の保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）の値が０．９９となるように調製されたゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数を表す。
【００５６】
上記スパッタリングは、ゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。この条件で作製した透明導電膜中のＧｅ原子比はターゲット中のＧｅ原子比とほぼ同じであることをＩＣＰ発光分光法による組成分析で確認しており、この透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【００５７】
尚、Ｇｅが上記ターゲット内に含まれる形態は、ＧｅＯ２、ＧｅＯ２―δ（０＜δ＜２）等の酸化ゲルマニウムの形で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、Ｉｎ２Ｇｅ２Ｏ７等の酸化インジウム−酸化ゲルマニウム間の複合酸化物の形で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよく、また、金属Ｇｅの形で酸化焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、ゲルマニウム原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、ゲルマニウムが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。全てのゲルマニウムが酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶して酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【００５８】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は５．７×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。
【００５９】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。尚、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、本発明に係る蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。
【００６０】
次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に、金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。尚、これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層は、本発明に係る金属反射層の一例に相当する。
【００６１】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８がエッチング液で溶出することはなかった。
【００６２】
尚、上記反射電極１１の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。また、反射電極１１は本発明に係る金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、本発明に係る燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
【００６３】
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）および遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。
【００６４】
このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設け、かつ、液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【００６５】
尚、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、また、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、本発明に係る半透過半反射型液晶表示装置の一例に相当する。
【実施例２】
【００６６】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）＝０．９５
実施例２に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【００６７】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【００６８】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）の値が０．９５となるように調製されたゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数を表す。
【００６９】
上記スパッタリングは、ゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【００７０】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は４．１×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＧｅ原子比はターゲット中のＧｅ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【００７１】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【００７２】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【００７３】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【００７４】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例３】
【００７５】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）＝０．９０
実施例３に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【００７６】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【００７７】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）の値が０．９０となるように調製されたゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数を表す。
【００７８】
上記スパッタリングは、ゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【００７９】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は８．６×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＧｅ原子比はターゲット中のＧｅ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【００８０】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【００８１】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【００８２】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【００８３】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例４】
【００８４】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）＝０．８５
実施例４に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【００８５】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【００８６】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］）の値が０．８５となるように調製されたゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数を表す。
【００８７】
上記スパッタリングは、ゲルマニウム含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【００８８】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は２．５×１０−３Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＧｅ原子比はターゲット中のＧｅ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【００８９】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【００９０】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【００９１】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【００９２】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例５】
【００９３】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］）＝０．９０
［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］）＝０．０４
実施例５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【００９４】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムとタングステンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【００９５】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｗ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］）の値が０．９０、ターゲット中におけるＷの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｗ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］）の値が０．０４となるように調製されたゲルマニウムおよびタングステン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【００９６】
上記スパッタリングは、ゲルマニウムおよびタングステン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【００９７】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は３．９×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＧｅ原子比とＷ原子比は、ターゲット中のＧｅ原子比とＷ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【００９８】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【００９９】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１００】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１０１】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例６】
【０１０２】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．９０
［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．０４
［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．０２
実施例６に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１０３】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウム、タングステンと亜鉛を含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１０４】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．９０、ターゲット中におけるＷの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．０４、ターゲット中におけるＺｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．０２となるように調製されたゲルマニウム、タングステンおよび亜鉛含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数、［Ｚｎ］は亜鉛原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【０１０５】
上記スパッタリングは、ゲルマニウム、タングステンおよび亜鉛含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１０６】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は４．５×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＧｅ原子比とＷ原子比およびＺｎ原子比は、ターゲット中のＧｅ原子比とＷ原子比およびＺｎ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１０７】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１０８】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１０９】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１１０】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例７】
【０１１１】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｓｎ］）＝０．８５
［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｓｎ］）＝０．１０
実施例７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１１２】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にゲルマニウムとスズを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１１３】
このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｓｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｓｎ］）の値が０．８５、ターゲット中におけるＳｎの全金属（Ｉｎ＋Ｇｅ＋Ｓｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｇｅ］＋［Ｓｎ］）の値が０．１０となるように調製されたゲルマニウムおよびスズ含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｇｅ］はゲルマニウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【０１１４】
上記スパッタリングは、ゲルマニウムおよびスズ含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１１５】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は３．９×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＧｅ原子比とＳｎ原子比は、ターゲット中のＧｅ原子比とＳｎ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１１６】
次に、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１１７】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１１８】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１１９】
そして、以下、実施例１と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例８】
【０１２０】
実施例１〜７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００においては反射電極１１が金属Ｍｏ層と金属Ａｌ層により構成されているが、実施例８に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記反射電極１１が金属Ｍｏ層と金属Ａｇ層により構成されている点を除き実施例１〜７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と同一である。
【０１２１】
そして、実施例８に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００においても、上述した実施例１〜７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同様の作用効果を奏することが確認された。
【０１２２】
また、実施例１〜７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００において上記反射電極１１に含まれる金属Ａｌ層は純Ａｌ（Ａｌ：１００％）により構成されているが、金属Ａｌ層については、金属Ａｌの他にＮｄ等のランタノイド系金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を含有させてもよく、同様に、金属Ａｌ層に代えて金属Ａｇ層が適用された場合にも、金属Ａｇの他にＮｄ等のランタノイド系金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を含有させてもよい。
【０１２３】
そして、これ等の場合においても上述した実施例１〜７に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同様の作用効果を奏することが確認されている。
【実施例９】
【０１２４】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）＝０．９９
図１は、実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の部分断面図を示している。
【０１２５】
以下、上記ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）アクティブマトリックス基板１００の製造工程を説明することにより、このアクティブマトリックス基板１００の構成を具体的に説明する。
【０１２６】
まず、透光性のガラス基板１上に高周波スパッタリングによりその膜厚が１５００オングストロームとなるように金属Ａｌを堆積し、この金属Ａｌ上にその膜厚が５００オングストロームとなるように金属Ｍｏを堆積した。尚、上記ガラス基板１は、本発明における透明基板の一例に相当する。
【０１２７】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は１２：６：１：１である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、堆積した上記金属Ａｌおよび金属Ｍｏを図１に示す形状にエッチングし、ゲート電極２およびゲート電極配線１２を形成した。
【０１２８】
次に、ゲート電極２とゲート電極配線１２が形成されたガラス基板１と、ゲート電極２およびゲート電極配線１２上に、グロー放電ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜３となる窒化シリコン膜（以下、ＳｉＮ膜と記載することもある）をその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積し、続いて、このゲート絶縁膜３上にａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４をその膜厚が３５００オングストロームとなるように堆積し、更に、チャンネル保護層５となる窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を上記ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４上にその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【０１２９】
この時、ＳｉＮ膜から形成されるゲート絶縁膜３およびチャンネル保護層５については、放電ガスとしてＳｉＨ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、一方、ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４についてはＳｉＨ４−Ｎ２系混合ガスをそれぞれ用いた。また、このＳｉＮ膜から形成されるチャンネル保護層５は、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチングにより図１に示す形状にエッチングした。
【０１３０】
続いて、上記ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４および上記チャンネル保護層５上にａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を、ＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いてその膜厚が３０００オングストロームとなるように堆積した。
【０１３１】
次に、堆積したａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６上に、更に金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を、下層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍ、金属Ａｌの膜厚が０．２μｍ、上層の金属Ｍｏの膜厚が０．０５μｍとなるようにスパッタリング法により順に堆積した。
【０１３２】
燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：８：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により、上記金属Ｍｏ／金属Ａｌ／金属Ｍｏ三層膜を図１に示す形状にエッチングして、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターンとした。また、ＣＨＦ系ガスを用いたドライエッチング、および、ヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜から形成されるａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４およびａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６についてエッチングを行い、図１に示す形状のａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターンおよびａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンとした。
【０１３３】
更に、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成し、かつ、図１に示すようにスルーホール１０ａ等のパターンを形成した。
【０１３４】
次に、透明樹脂レジスト１０の保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）の値が０．９９となるように調製されたシリコン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数を表す。
【０１３５】
上記スパッタリングは、シリコン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。この条件で作製した透明導電膜中のＳｉ原子比はターゲット中のＳｉ原子比とほぼ同じであることをＩＣＰ発光分光法による組成分析で確認しており、この透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１３６】
尚、Ｓｉが上記ターゲット内に含まれる形態は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ２―δ（０＜δ＜２）等の酸化シリコンの形で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよいが、Ｉｎ２Ｓｉ２Ｏ７等の酸化インジウム−酸化シリコン間の複合酸化物の形で酸化インジウム焼結体中に分散している形態でもよく、また、金属Ｓｉの形で酸化焼結体中に分散している形態でもよい。好ましくは、シリコン原子が、酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、シリコンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している形態である。全てのシリコンが酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶して酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、低抵抗の透明導電膜９を得るためには有効である。
【０１３７】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は５．７×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。
【０１３８】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。尚、この蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液は、本発明に係る蓚酸を含むエッチャントの一例に相当する。
【０１３９】
次に、上記透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に、金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。尚、これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層は、本発明に係る金属反射層の一例に相当する。
【０１４０】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８がエッチング液で溶出することはなかった。
【０１４１】
尚、上記反射電極１１の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。また、反射電極１１は本発明に係る金属反射層の一例に相当し、燐酸・酢酸・蓚酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液は、本発明に係る燐酸・酢酸・硝酸からなる混酸の一例に相当する。
【０１４２】
この後、ＳｉＮパッシベーション膜（図示せず）および遮光膜パターン（図示せず）を形成して、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造した。
【０１４３】
このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設け、かつ、液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【０１４４】
尚、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、本発明に係る第二の半透過・半反射電極基板の一例に相当し、また、ＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、本発明に係る半透過半反射型液晶表示装置の一例に相当する。
【実施例１０】
【０１４５】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）＝０．９５
実施例１０に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１４６】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１４７】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）の値が０．９５となるように調製されたシリコン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数を表す。
【０１４８】
上記スパッタリングは、シリコン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１４９】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は４．１×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＳｉ原子比はターゲット中のＳｉ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１５０】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１５１】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１５２】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１５３】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１１】
【０１５４】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）＝０．９０
実施例１１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１５５】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１５６】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）の値が０．９０となるように調製されたシリコン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数を表す。
【０１５７】
上記スパッタリングは、シリコン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１５８】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は８．６×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＳｉ原子比はターゲット中のＳｉ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１５９】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１６０】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１６１】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１６２】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１２】
【０１６３】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）＝０．８５
実施例１２に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１６４】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１６５】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］）の値が０．８５となるように調製されたシリコン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数を表す。
【０１６６】
上記スパッタリングは、シリコン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１６７】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は２．５×１０−３Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、上記透明導電膜中のＳｉ原子比はターゲット中のＳｉ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１６８】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１６９】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１７０】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１７１】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１３】
【０１７２】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］）＝０．９０
［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］）＝０．０４
実施例１３に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１７３】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンとタングステンを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１７４】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｗ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］）の値が０．９０、ターゲット中におけるＷの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｗ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］）の値が０．０４となるように調製されたシリコンおよびタングステン含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【０１７５】
上記スパッタリングは、シリコンおよびタングステン含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１７６】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は３．９×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＳｉ原子比とＷ原子比は、ターゲット中のＳｉ原子比とＷ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１７７】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１７８】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１７９】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１８０】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１４】
【０１８１】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．９０
［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．０４
［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）＝０．０２
実施例１４に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１８２】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコン、タングステンと亜鉛を含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１８３】
スパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．９０、ターゲット中におけるＷの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｗ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．０４、ターゲット中におけるＺｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｗ＋Ｚｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｗ］＋［Ｚｎ］）の値が０．０２となるように調製されたシリコン、タングステンおよび亜鉛含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数、［Ｗ］はタングステン原子の単位体積当たりの数、［Ｚｎ］は亜鉛原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【０１８４】
上記スパッタリングは、シリコン、タングステンおよび亜鉛含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１８５】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は４．５×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＳｉ原子比とＷ原子比およびＺｎ原子比は、ターゲット中のＳｉ原子比とＷ原子比およびＺｎ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１８６】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１８７】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１８８】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１８９】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１５】
【０１９０】
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｓｎ］）＝０．８５
［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｓｎ］）＝０．１０
実施例１５係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が相違する点を除き実施例９に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０１９１】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、酸化インジウムを主成分とし、更にシリコンとスズを含む非晶質の透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０１９２】
このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｓｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｓｎ］）の値が０．８５、ターゲット中におけるＳｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｉ＋Ｓｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｉ］＋［Ｓｎ］）の値が０．１０となるように調製されたシリコンおよびスズ含有酸化インジウム焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｉ］はシリコン原子の単位体積当たりの数、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数をそれぞれ表す。
【０１９３】
上記スパッタリングは、シリコンおよびスズ含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０１９４】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが分かった。また、このＩｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９の比抵抗は３．９×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、十分に透明電極として使用できる膜であることが確認された。また、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９中のＳｉ原子比とＳｎ原子比は、ターゲット中のＳｉ原子比とＳｎ原子比とほぼ同じであることがＩＣＰ発光分光法による組成分析により確認され、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜である透明導電膜９は本発明に係る透明導電層の一例に相当することが確認された。
【０１９５】
次に、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ−Ｏ膜である上記透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行い、これにより図１に示す透明導電膜９の非晶質電極よりなる透過画素電極のパターンがエッチング残渣を生じることなく形成することができた。
【０１９６】
次に、透明導電膜９が形成された基板を２５０℃にて３０分間熱処理した後、高周波スパッタリングにより透明樹脂レジスト１０の保護膜上に金属Ｍｏをその膜厚が５００オングストロームとなるように堆積し、この金属Ｍｏ上に金属Ａｌをその膜厚が２０００オングストロームとなるようにそれぞれ堆積した。これらの金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる層の反射率を測定したところその反射率は８０％以上であった。
【０１９７】
次に、燐酸・酢酸・硝酸・水（その体積比は９：６：１：２である）系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌをエッチングし、図１において「ソース・ドレイン取り出し部」「反射部分」「ゲート配線取り出し部」と表示された反射電極１１のパターンを形成した。この時、「反射部分」と表示された上記金属Ｍｏおよび金属Ａｌからなる反射電極１１のパターンは、図１に示すようにソース電極８のパターンと透明導電膜９からなる透過画素電極のパターンとが電気的に接触するようなパターンに形成されており、このエッチング処理により金属Ａｌを含むドレイン電極７およびソース電極８が、断線または線細りすることはなかった。
【０１９８】
そして、以下、実施例９と同様に行って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造し、このａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板（背面板）１００上に液晶層を設けかつ液晶層上に前面板を配置することによりＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。
【実施例１６】
【０１９９】
実施例９〜１５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００においては反射電極１１が金属Ｍｏ層と金属Ａｌ層により構成されているが、実施例１６に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、上記反射電極１１が金属Ｍｏ層と金属Ａｇ層により構成されている点を除き実施例９〜１５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と同一である。
【０２００】
そして、実施例１６に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００においても、上述した実施例９〜１５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同様の作用効果を奏することが確認された。
【０２０１】
また、実施例９〜１５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００において上記反射電極１１に含まれる金属Ａｌ層は純Ａｌ（Ａｌ：１００％）により構成されているが、金属Ａｌ層については、金属Ａｌの他にＮｄ等のランタノイド系金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を含有させてもよく、同様に、金属Ａｌ層に代えて金属Ａｇ層が適用された場合にも、金属Ａｇの他にＮｄ等のランタノイド系金属や、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｃｕ等の重金属を含有させてもよい。
【０２０２】
そして、これ等の場合においても上述した実施例９〜１５に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同様の作用効果を奏することが確認されている。
［比較例１］
Ｇｅ、Ｓｉを含まないＩＴＯ：［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．９０
比較例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００は、透明導電膜９の組成が従来のＩＴＯ膜である点を除き実施例１に係るａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００と略同一である。
【０２０３】
すなわち、ドレイン電極７のパターンおよびソース電極８のパターン等が形成されたガラス基板１に対し透明樹脂レジスト１０を用いて保護膜を形成した後、上記保護膜から露出するゲート絶縁膜３上に、ゲルマニウム、シリコンを含まない従来のスズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）で構成された透明導電膜９をスパッタリング法により堆積した。
【０２０４】
このスパッタリング法に用いるターゲットは、ターゲット中におけるＩｎの全金属（Ｉｎ＋Ｓｎ）に対する原子比（組成比率）＝［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．９０となるように調製されたスズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）焼結体である。尚、［Ｉｎ］はインジウム原子の単位体積当たりの数、［Ｓｎ］はスズ原子の単位体積当たりの数を表す。
【０２０５】
上記スパッタリングは、このスズ含有酸化インジウム焼結体をプレーナマグネトロン型のカソードに配置して用い、その膜厚が１０００オングストロームとなるように透明導電膜９を堆積した。スパッタリング時の放電ガスは、純アルゴンガスまたは１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスが混合したアルゴンガスを用い、放電ガス圧を０．３Ｐａとし、ターゲット基板間距離を５０ｍｍとし、ターゲットへの投入電力を２．２Ｗ／ｃｍ２とした。
【０２０６】
上記スパッタリングにより成膜されたＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜（ＩＴＯ膜）である透明導電膜９は、Ｘ線回折法で分析すると小さなピークが観察され、電子線回折測定等の結果も合わせて判断すると、結晶質と非晶質が混在した膜であることが分かった。また、このＩＴＯ膜である透明導電膜９の比抵抗は、５．９×１０−４Ω・ｃｍ程度であった。
【０２０７】
このＩＴＯ膜である透明導電膜９について、蓚酸３．２ｗｔ％の水溶液をエッチャントとして用いたホトエッチング法により透過画素電極のパターンになるようにエッチングを行ったところ、エッチング残渣が大量に生じてしまい、図１に示す透明導電膜９の電極よりなる透過画素電極のパターンを形成することができなかった。
【０２０８】
従って、図１に示すａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板１００を製造することができず、当然のことながらＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造することもできなかった。
【産業上の利用可能性】
【０２０９】
本発明に係る半透過・半反射電極基板は加工性に優れるため、半透過半反射型液晶表示装置に適用される産業上の利用可能性を有している。
【図面の簡単な説明】
【０２１０】
【図１】ａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板の部分断面図。
【符号の説明】
【０２１１】
１  ガラス基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
５  チャンネル保護層
６  ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
７  ドレイン電極
８  ソース電極
９  透明導電膜
１０  透明樹脂レジスト
１０ａ  スルーホール
１１  反射電極
１２  ゲート電極配線
１００  ａ−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板
【図１】
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