(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが繰り返し積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の集合体を形成した後、前記多層プリント配線板の集合体を切断する多層プリント配線板の製造方法であって、
複数の層からなる、多層プリント配線板の集合体を構成する導体回路のうち、全ての層の導体回路を形成する際に、
個々の多層プリント配線板を区画する多層プリント配線板非製造領域の一部に、多層プリント配線板の導体回路と電気的に接続しておらず、幅が５０〜３５０μｍのダミー導体層を同時に形成し、
前記多層プリント配線板の導体回路と前記ダミー導体層との間を、１００〜５００μｍ離すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
多層プリント配線板の集合体を構成する層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも一の層の層間樹脂絶縁層を形成する際には、樹脂フィルムを貼付する工程を含む請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記層間樹脂絶縁層は、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂及びこれらの樹脂の共重合体からなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなる請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されている。
通常、多層プリント配線板の製造においては、複数の多層プリント配線板が同時に製造され、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより、多層プリント配線板の集合体が作製される。この多層プリント配線板の集合体を各区画に分割することにより、１つの多層プリント配線板を製造する。多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより、製造された多層プリント配線板の集合体（以下、配線板集合体ともいう）には、導体回路が形成されていない多層プリント配線板非製造領域（以下、単に配線板非製造領域という）が存在する。
【０００６】
図２（ａ）は、製造途中の従来の配線板集合体を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は、その断面の一部を模式的に示した部分拡大断面図である。この図は、導体回路が２層と層間樹脂絶縁層が２層積層形成された配線板集合体を示している。なお、図２では、導体回路を簡略化し、ベタの導体層２０４、２１４として示している。
【０００７】
このような従来の配線板集合体の場合、図２（ｂ）に示すように、配線板非製造領域２０６では、導体層（導体回路）２０４、２１４を全く形成せず、層間樹脂絶縁層２０２、２１２のみを積層することになるため、この配線板非製造領域２０６は、他の部分に比べて厚さが薄くなり、窪んだ形状となってしまう。その結果、配線板非製造領域２０６に近い部分、すなわち、１個の多層プリント配線板の外縁部では、層間樹脂絶縁層２０２、２１２の厚さｄが、他の部分の厚さＤに比べて薄くなってしまい、場合によっては、外縁部に近い上下の導体回路２０４、２１４の間で短絡が発生するという問題があった。
【０００８】
また、図２（ｂ）に示すように、多層プリント配線板の外縁部では、層間樹脂絶縁層２０２、２１２が薄いことに起因して、凹凸が発生するため、その上に形成されるバイアホールや導体回路２１４が変形し、層間樹脂絶縁層２０２、２１２の剥離や上下の導体回路２０４、２１４間の接続不良等を引き起こすことがあった。
【０００９】
また、層間樹脂絶縁層２１２表面の凹凸は、その後、導体回路２０４、２１４と層間樹脂絶縁層２０２、２１２とを交互に積層した後にも残るため、多層プリント配線板に傾斜や凹凸等が発生する原因となる。その結果、このような傾斜面や凹凸等を有する多層プリント配線板に、コンデンサ等の微小部品を実装すると、この傾斜等によって、部品が傾いたり、浮き上がったりしてしまい、内部の導体回路等と適切な接続が行えず、実装不良を引き起こすことがあった。
さらに、配線板非製造領域には、導体層等の金属層が形成されていないため、機械的な強度が弱く、個々の多層プリント配線板に分割した後、熱衝撃がかかったり、機械的が力が作用すると、この部分にクラック等が入りやすかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題に鑑みて鋭意研究した結果、複数の層からなる、配線板集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することにより、配線板非製造領域での窪みがなくなり、その結果、層厚が一定で、平坦化された層間樹脂絶縁層を形成することができ、相互間で短絡がなく、機械的強度および接続信頼性に優れた多層プリント配線板を製造することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【００１１】
即ち、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、導体回路を形成した基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが繰り返し積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板の集合体を形成した後、上記多層プリント配線板の集合体を切断する多層プリント配線板の製造方法であって、
複数の層からなる、多層プリント配線板の集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、上記多層プリント配線板の製造方法においては、多層プリント配線板の集合体を構成する層間樹脂絶縁層のうち、少なくとも一の層の層間樹脂絶縁層を形成する際には、樹脂フィルムを貼付する工程を含むことが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、導体回路を形成した基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが繰り返し積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された配線板集合体を形成した後、上記配線板集合体を切断する多層プリント配線板の製造方法であって、
複数の層からなる、配線板集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、配線板集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成するので、配線板非製造領域において、層間樹脂絶縁層が窪んだ形状とならず、その結果、１個の多層プリント配線板の外縁部でも、層間樹脂絶縁層の厚さが薄くなることはないので、外縁部に近い上下の導体回路の間で短絡が発生することはない。
また、配線板非製造領域において、層間樹脂絶縁層が窪んだ形状とならないため、その上に形成されるバイアホールや導体回路が変形することはなく、層間樹脂絶縁層の剥離や上下の導体回路間の接続不良等を引き起こすこともない。
【００１５】
また、多層プリント配線板の表面に凹凸が形成されることもないため、コンデンサ等の微小部品を実装しても、実装不良を引き起こすこともなく、好適に上記部品を実装することができる。
さらに、配線板非製造領域には、導体層等の金属層が形成されているため、分割された個々の多層プリント配線板の周辺部分は、機械的強度が増し、熱衝撃がかかったり、機械的が力が作用しても、この部分にクラック等が入ることはない。
【００１６】
以下に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することを特徴とするものであり、配線板非製造領域に形成する導体層（以下、ダミー導体層という）は、通常、多層プリント配線板の導体回路を形成する際に、同時に形成するものである。
【００１７】
従って、本来は、個々の多層プリント配線板を製造する工程について、詳細に説明しながら、配線板集合体の配線板非製造領域の一部にダミー導体層を形成する方法について説明するべきである。しかしながら、多層プリント配線板の製造工程は複雑であるため、このような説明の仕方では、本発明の主要部分を把握しにくくなってしまう。
【００１８】
そこで、まず初めに、配線板非製造領域に注目し、この領域でどのような方法でダミー導体層を形成するかについて主に説明を行い、個々の多層プリント配線板の製造方法については、後で詳しく説明することにする。また、この説明では、随時、後述する個々の多層プリント配線板の製造方法についての説明を引用しながら説明していくことにする。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法において、配線板集合体を製造する際、基板に導体回路およびダミー導体層を形成した状態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した導体回路等が形成された基板の断面図である。なお、この図は、導体回路が２層と層間樹脂絶縁層が２層積層形成された配線板集合体を示している。また、この図では、導体回路を簡略化し、ベタの導体層１０４、１１４として示している。
【００２０】
ここでは、まず、基板上に導体回路を形成する工程について説明する。
この工程では、後述する（１）の工程の方法、すなわち、例えば、基板１０１の両面に無電解めっき処理と電解めっき処理等を施し、配線板集合体の全体に、いわゆるベタの導体層を形成した後、その上に導体回路のパターンに対応したエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路１０４を形成する。
本発明では、通常は、導体回路を形成しない配線板非製造領域１０６の一部にダミー導体層１０５を形成する。
【００２１】
ダミー導体層１０５の形成方法は、上記方法の場合、フィルム等を接着することより全面にエッチングレジストを形成した後、ダミー導体層１０５を形成しようとする部分のエッチングレジストを残し、エッチングを行えばよい。
ダミー導体層１０５は、上記したように、導体回路１０４を形成する際に同時に形成することが望ましい。
【００２２】
ただし、このダミー導体層１０５は、単に層間樹脂絶縁層１０２のレベルを一定にするために形成するものであり、導体層としての電気的な機能はないので、図１（ａ）に示したように、個々の多層プリント配線板の導体回路１０４とは接続されないよう、孤立したものとする必要がある。
このような孤立したダミー導体層１０５を配線板非製造領域１０６に形成することにより、従来、凹部となっていた部分が、導体回路１０４とほぼ同一平面となる。
【００２３】
導体回路１０４とダミー導体層１０５との間は、１００〜５００μｍ離れていることが望ましい。導体回路１０４とダミー導体層１０５との間に短絡を発生させず、かつ、導体回路１０４とダミー導体層１０５との間に凹部が形成されないようにするためである。
また、ダミー導体層の幅は特に限定されず、配線板集合体の設計等を考慮して適宜選択すればよく、通常、５０〜３５０μｍ程度が望ましい。
【００２４】
この工程の後、後述する（３）〜（４）の工程を行うことにより、導体回路１０４上に層間樹脂絶縁層１０２を形成するが、その際、図１（ｂ）に示すように、配線板非製造領域１０６の層間樹脂絶縁層１０２に凹部は形成されず、配線板集合体１０１の全体にほぼ同一平面からなる層間樹脂絶縁層１０２が形成される。従って、従来の場合のように、配線板非製造領域１０６に凹部が形成されることにより、個々の多層プリント配線板の外縁部で、層間樹脂絶縁層の厚さｄが、他の部分の厚さＤに比べて薄くなってしまい、上述した導体回路同士の短絡や層間樹脂絶縁層の剥離等、種々の不都合が発生することはない。
【００２５】
この後、後述の（５）の工程において、層間樹脂絶縁層１０２に粗化面を形成し、（６）〜（８）の工程において、この層間樹脂絶縁層１０２の上に上層の導体回路１１４を形成する。
この際、層間樹脂絶縁層１０２の上に無電解めっきにより、薄膜導体層を形成した後、この薄膜導体層の上に所定形状のめっきレジストを形成し、電解めっき、エッチングを行うことにより、上層の導体回路１１４を形成する。
【００２６】
本発明では、層間樹脂絶縁層１０２上に薄膜導体層を形成した後、配線板非製造領域１０６のダミー導体層を形成しようとする薄膜導体層上には、めっきレジストを形成せず、電解めっきを行うことにより、導体回路と同じ厚さの上層のダミー導体層１１５を形成する。これにより、図１（ｂ）に示すように、上層の導体回路１１４とダミー導体層１１５とがほぼ同一の高さとなり、この上に層間樹脂絶縁層１１２を形成しても、層間樹脂絶縁層１１２に凹部が形成されることはなく、配線板非製造領域１０６の層間樹脂絶縁層１１２と他の領域の層間樹脂絶縁層１１２とが、ほぼ同一平面となる。
その結果、上述した導体回路１０４、１１４同士の短絡や層間樹脂絶縁層１０２、１１２の剥離等の種々の不都合が発生することはない。
【００２７】
さらにこの後、必要により、後述する（３）〜（８）の工程を繰り返し、導体回路と層間樹脂絶縁層とを積層形成するが、導体回路を形成する際には、上述のように、配線板非製造領域内にもダミー導体層を形成し、この部分に凹部が形成されるのを防止する。
【００２８】
上記説明では、個々の多層プリント配線板に複数層の導体回路を形成する際に、それぞれ全ての層において、配線板非製造領域に上記ダミー導体層を形成する方法を説明したが、全ての層に上記ダミー導体層を形成する必要は、必ずしもなく、上記ダミー導体層が形成されていない層が存在してもよい。
ただし、配線板非製造領域にダミー導体層を形成するのに余分の工程は必要なく、導体回路を形成する際に、単に配線板非製造領域にダミー導体層も同時に形成すればよい。従って、全ての層に上記ダミー導体層を形成することが望ましい。
【００２９】
次に、多層プリント配線板の製造方法の全製造工程について、個々の多層プリント配線板の製造方法を中心に工程順に説明する。
なお、本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、以下の製造方法により配線板集合体を製造し、この配線板集合体を切断し、各区画に分割することにより、１つの多層プリント配線板とする。
【００３０】
（１）本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、まず、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施し、ベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより形成すればよい。この際、上述した方法を用いて、ダミー導体層を配線板非製造領域に形成する。
【００３１】
なお、無電解めっき処理を施した後、電解めっきを施すことにより導体層の厚さを厚くしてもよい。
また、上記導体層は、未硬化の樹脂フィルムの片面に、銅箔等の金属層により導体層のパターンが形成された樹脂フィルムを貼付することにより形成してもよい。
【００３２】
上記基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（ＢＴ樹脂基板）、フッ素樹脂基板等が挙げられる。
また、銅張積層板やＲＣＣ基板等を、ベタの導体層が形成された基板として用いてもよい。
【００３３】
また、必要に応じて、上記無電解めっき処理を施す際に、予め、この絶縁性基板に貫通孔を形成しておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続するスルーホールとしてもよい。
また、スルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。
【００３４】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いることができる。
【００３５】
（３）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【００３６】
上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹脂を塗布した後、加熱処理を施す。
上記加熱処理を施すことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができる。
なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口や貫通孔を形成した後に行ってもよい。
【００３７】
このような樹脂層の形成において使用する熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００３８】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００３９】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂が望ましい。
【００４０】
上記シクロオレフィン系樹脂としては、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。
上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
また、上記ポリオレフィン樹脂は、有機フィラーを含むものであってもよい。
【００４１】
上記ポリフェニレンエーテル樹脂としては、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化学式（２）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００４２】
【化１】
0004863557.tif 000002
【００４３】
（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）
【００４４】
【化２】
0004863557.tif 000003
【００４５】
（式中、ｍは、２以上の整数を表す。また、Ｒ1 、Ｒ2 は、メチレン基、エチレン基または−ＣＨ2 −Ｏ−ＣＨ2 −を表し、両者は同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００４６】
また、上記化学式（１）で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有しているが、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のアルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフッ素で置換された誘導体等であってもよい。
【００４７】
また、上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
【００４８】
上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００４９】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述するバイアホール用開口を形成する工程において、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【００５０】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましい。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れているため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生しにくい。
【００５１】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５２】
上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
【００５３】
上記無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５４】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５５】
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００５６】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００５７】
上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【００５８】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５９】
上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
【００６０】
また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。
これらの可溶性の物質は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６１】
上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴマーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。
上記液相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。
【００６２】
上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分離するように）ように、これらの物質を選択する必要がある。
上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂または液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製することができる。
【００６３】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
本発明では、形成した層間樹脂絶縁層は、配線板非製造領域においても窪まず、個々の多層プリント配線板の縁部において、層間樹脂絶縁層の薄くなることもない。
【００６４】
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【００６５】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【００６６】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。
これらのレーザは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【００６７】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【００６８】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【００６９】
上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円であることが望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。
また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
レーザ光にてバイアホール用開口を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。
【００７０】
また、上記した方法で形成する層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、５〜５０μｍが望ましい。
また、上記バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。
【００７１】
また、層間樹脂絶縁層を形成した後、必要に応じて、該層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔を形成してもよい。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等を用いて形成すればよい。
このような貫通孔を形成した場合には、後工程で、層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する際に、該貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成することにより、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ２層の導体回路間は勿論のこと、この２層の導体回路と基板の両面に形成された２層の導体回路との計４層の導体回路間を電気的に接続するスルーホールを形成することができる。このようにして導体回路間を接続することにより、信号伝送距離を短くすることができるため、信号遅延等が発生しにくくなり、多層プリント配線板の性能の向上に繋がる。
【００７２】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成した場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【００７３】
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。
次工程に、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
【００７４】
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
【００７５】
（６）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ましい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【００７６】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングにより形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
なお、上記（４）の工程で貫通孔を形成した場合には、この工程で貫通孔の内壁面にも金属からなる薄膜導体層を形成することにより、スルーホールとすることができる。
【００７７】
また、上記したように貫通孔の内壁面に薄膜導体層を形成し、スルーホールとした場合には、この後、スルーホール内を樹脂充填材で充填することが望ましい。上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられる。
【００７８】
また、スルーホール内を樹脂充填材により充填した場合には、スルーホール上に樹脂充填材を覆う蓋めっき層を形成してもよく、蓋めっき層を形成した場合には、該蓋めっき層の直上に、バイアホールや半田パッドを形成することができるため、信号伝送距離を短くすることができる。
【００７９】
（７）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成する。
このとき、バイアホール用開口を電気めっきで充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホール用開口に導電性ペーストを充填した後、その上に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。
【００８０】
（８）電気めっき層を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。
また、配線板非製造領域内においては、めっきレジストを形成せず、この領域に電気めっきを行うことにより、厚膜の導体層を形成し、この後、エッチングを行うことにより、孤立したダミー導体層とする。
【００８１】
エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として上述した第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【００８２】
また、上記（７）および（８）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電気めっき層を形成した後、該電気めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電気めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路を形成してもよい。この場合、配線板非製造領域内にもエッチングレジストを形成することにより、ダミー導体層を形成することができる。
【００８３】
（９）この後、上記（３）〜（８）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製する。
（１０）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【００８４】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成することができ、これらの樹脂の具体例としては、例えば、層間樹脂絶縁層に用いた樹脂と同様の樹脂等が挙げられる。
【００８５】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００８６】
上記２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオール類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げられ、その市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、ＰＭ２、ＰＭ２１等が挙げられる。
【００８７】
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
エラストマーが配合されていることにより、形成されるソルダーレジスト層は、エラストマーの有する柔軟性および反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した場合でも、該応力を吸収したり、緩和したりすることができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造した多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を搭載した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生することを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合でも該クラックが大きく成長することがほとんどない。
また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
【００８８】
次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【００８９】
（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に半田バッドを有するソルダーレジスト層に、半田ペーストを印刷することにより、半田ペースト層を形成し、該半田ペースト層にリフロー処理を施すことにより半田ペーストを形成する。
【００９０】
上記半田ペーストを印刷する場合は、ソルダーレジスト層上に、半田バンプ形成用開口に対向する部分に開口を有するマスクを載置した後、半田ペーストを印刷してもよい。
マスクを載置して、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを選択的に印刷することにより、半田バンプ形成用開口の壁面を除くソルダーレジスト層の表面に半田ペーストが付着することがなく、後工程で、ソルダーレジスト層表面に付着した半田ペーストを除去する必要がないからである。
【００９１】
また、上記マスクの種類としては特に限定されず、プリント配線板製造用の印刷マスクやその他の印刷マスクで用いられている材質全てのものを用いることができる。
具体的には、例えば、ニッケル合金、ニッケル−コバルト合金、ＳＵＳ等からなるメタルマスク；エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるプラスチックマスク等が挙げられる。また、マスクの製造方法としてはエッチング、アディテイブ加工、レーザ加工等が挙げられる。
【００９２】
また、マスクが有する開口は、ソルダーレジスト層に対して垂直な壁面を有するように形成されていてもよいが、徐々にソルダーレジスト層側に拡径する形態のテーパが形成されていることが望ましい。半田ペーストの抜け性に優れ、半田バンプ形成用開口に半田ペーストをより確実に充填することができるからである。また、マスクの厚さは特に限定されず、半田ペーストの抜け性等を考慮して適宜選択すればよく、通常、３０〜７０μｍが望ましく、３０〜５０μｍがより望ましい。
【００９３】
また、上記半田ペーストとしては特に限定されず、一般にプリント配線板の製造で使用されるもの全てを用いることができる。具体的には、例えば、Ｓｎ：Ｐｂ（重量比）＝６３：３７、Ｓｎ：Ｐｂ：Ａｇ＝６２：３６：２、Ｓｎ：Ａｇ＝９６．５：３．５等からなるものや、ＳｎとＳｂとからなるものが挙げられる。また、半田粒子の粒子径は、２〜４０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。
【００９４】
上記半田ペーストの粘度は、２５℃で１５０〜３５０Ｐａ・ｓが望ましい。
また、半田ペーストの流動性を上げることにより、半田ペーストを半田バンプ形成用開口により確実に充填することができる。特に、その底面に窪みを有する半田バンプ形成用開口を確実に充填することができる。
また、流動性の高い半田ペーストで半田バンプ形成用開口を充填した場合には、半田バンプを形成した際によりボイドが発生しにくい。
半田ペーストの粘度を低下させる方法としては、半田ペーストに添加する溶剤の量を多くしたり、フラックスの含有量を多くしたり、半田粒子の粒径を小さくしたりする方法等が挙げられる。
【００９５】
ここで、半田パッドがバイアホール上に形成されている場合、該半田パッドの形状は、その一部に窪みを有するものとなる。
このような、底面に窪みを有する半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填する際には、２回に分けて半田ペースト印刷を行うことにより、半田バンプ形成用開口に半田ペーストをより確実に充填することができる。
【００９６】
また、上記半田ペーストを印刷する際には、通常、印刷用スキージを用いる。
上記印刷形成用スキージの材質は特に限定されず、例えば、ポリエチレン等のゴム；鉄、ステンレス等の金属；セラミック等の一般にプリント配線板の印刷に用いられる材質を使用することができる。
これらのなかでは、弾力性を有し、基板表面の凹凸（アンジュレーション）に対する追従性が高いため、より確実に開口内に半田ペーストを印刷することができる点から硬度６０°以上のゴムが望ましく、目減りしにくく、摩耗による半田ペーストへの異物混入が起こりにくい点から金属が望ましい。
【００９７】
上記スキージの形状としては、平型、角型等の種々の形状が挙げられる。上記形状のスキージに、適時切れ込みを入れることにより半田ペーストの充填性を向上させることもできる。
上記スキージの厚さは特に限定されないが、通常、１０〜３０ｍｍが望ましく、１５〜２５ｍｍがより望ましい。繰り返し印刷を行っても、反りやたわみがないからである。また、金属性のスキージの場合は、その厚さは５０〜３００μｍが望ましい。
【００９８】
また、上記半田ペーストの印刷は、密閉式のスキージユニットを用いて行ってもよい。このようなスキージとしては、例えば、エアー圧入型、ローラー圧入型、ピストン圧入型等が挙げられる。隣合う半田バンプ同士の距離が２００μｍ以下の半田バンプを形成する場合、このような半田バンプを形成することができる半田ペースト層は、通常のスキージ印刷を用いて形成することが困難であるため、密閉式のスキージユニットを用いて形成することが望ましい。
また、上記密閉式のスキージユニットのなかでは、印刷圧力の安定性に優れる点からピストン圧入型が望ましい。
【００９９】
また、半田バンプ形成用開口の壁面を除くソルダーレジスト層の表面に半田ペーストが付着している場合には、付着した半田ペーストを除去するのが望ましい。また、形成した半田ペースト層にリフロー処理を施す前に、予め、該半田ペースト層に導電性ピンを取り付けておき、外部端子と接続するためのＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成してもよい。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
【０１００】
この後、得られた配線板集合体を個々の多層プリント配線板に分割し、半導体チップ等を実装するための配線板として使用するが、個々の多層プリント配線板の周辺部分には、金属層が形成されているため、機械的強度に優れ、熱衝撃が加わったり、周辺部に大きな力が作用しても、この部分にクラック等が発生することはない。
なお、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、上述の多層ビルドアップ配線板の製造方法の場合に限られるものではない。
【０１０１】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０１０２】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２５±１℃で３０〜８０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１０３】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図３（ａ）参照）。
この銅張積層板は、縦３５０ｍｍ、横５２０ｍｍで、６０個の多層プリント配線板を一度に製造することができるようになっている。
【０１０４】
まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
この際、配線板非製造領域の一部のエッチングは行わず、この配線板非製造領域に、図１に示すようなダミー導体層を形成した。ダミー導体層の幅は、０．２ｍｍであった。
【０１０５】
（２）次に、スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図３（ｂ）参照）。
【０１０６】
（３）次に、上記Ｂに記載した貫通孔充填用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図３（ｃ）参照）。
【０１０７】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材１０を硬化させた。
【０１０８】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図３（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填材１０の表面と下層導体回路４、ダミー導体層の表面が同一平面となる。
【０１０９】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面をエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図４（ａ）参照）。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１１０】
（６）基板の両面に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形成した（図４（ｂ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０１１１】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径７５μｍのバイアホール用開口６を形成した（図４（ｃ）参照）。
【０１１２】
（８）さらに、バイアホール用開口６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面とした（図４（ｄ）参照）。
【０１１３】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１１４】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき層１２を形成した（図５（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                 ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１１５】
（１１）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき層１２に貼り付け、導体回路および配線板非製造領域の一部に形成するダミー導体層のパターンに相当する部分に開口を有するマスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト３を設けた（図５（ｂ）参照）。
【０１１６】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図５（ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【０１１７】
（１３）さらに、めっきレジスト３を５％ＮａＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）およびダミー導体層（図示せず）とした（図５（ｄ）参照）。この工程では、配線板非製造領域内に、ダミー導体層（幅０．１５ｍｍ）を形成した。
【０１１８】
（１４）上記（５）〜（１３）の工程を繰り返すことにより、さらに、上層の層間樹脂絶縁層２、ならびに、上層の導体回路５（バイアホール７を含む）およびダミー導体層を形成した（図６（ａ）〜図７（ａ）参照）。
その後、上記上層の導体回路５の表面にエッチング液を用いて粗化面を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した（図７（ｂ）参照）。
【０１１９】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１２０】
（１６）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。なお、半田バンプ形成用開口の開口径は８０μｍであり、隣合う半田バンプ形成用開口間の距離は１５０μｍである。
また、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０１２１】
（１７）次に、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液を、そのエッチング能が毎分２μｍ程度になるように調製し、このエッチング液中にソルダーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面を形成した。
さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。
【０１２２】
（１８）この後、ソルダーレジスト層１４上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開口を半田ペーストで完全に充填した。
【０１２３】
（１９）その後、上記（１８）の工程で印刷した半田ペーストを２５０℃でリフローし、フラックス洗浄を行った。
さらに、このように製造された配線板集合体を切断し、各区画に分割することにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図７（ｃ）参照）。
【０１２４】
（実施例２）
Ａ．実施例１と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製、および、貫通孔充填用樹脂組成物の調製を行った。
【０１２５】
Ｂ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路３４を形成した（図８（ｂ）参照）。
この際、配線板非製造領域の一部のエッチングは行わず、この配線板非製造領域に、図１に示すようなダミー導体層を形成した。ダミー導体層の幅は、０．３ｍｍであった。
【０１２６】
（２）下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路３４の表面に粗化面３４ａを形成した（図８（ｃ）参照）。
【０１２７】
（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付け、樹脂フィルム層５０αを形成した（図８（ｄ）参照）。
さらに、樹脂フィルム層５０αを貼り付けた基板３０に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔３５を形成した（図８（ｅ）参照）。
【０１２８】
（４）次に、樹脂フィルム層５０α上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で樹脂フィルム層５０αに、直径７５μｍのバイアホール用開口５２を形成し、層間樹脂絶縁層５０とした（図９（ａ）参照）。
【０１２９】
（５）バイアホール用開口５２を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、貫通孔３５の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口５２の内壁面を含むその表面に粗化面５０ａ、５２ａを形成した（図９（ｂ）参照）。
【０１３０】
（６）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口５２の内壁面を含む）、および、貫通孔３５の壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１３１】
（７）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面（バイアホール用開口５２の内壁面を含む）、および、貫通孔３５の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４２を形成した（図９（ｃ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【０１３２】
（８）次に、無電解銅めっき膜４２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、導体回路および配線板非製造領域の一部に形成するダミー導体層のパターンに相当する部分に開口を有するマスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト４３を設けた（図９（ｄ）参照）。
【０１３３】
（９）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト４３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４４を形成した（図９（ｅ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０１３４】
（１０）次に、めっきレジスト４３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４３下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、スルーホール３６、上層導体回路４５（バイアホール４６を含む）、および、ダミー導体層（図示せず）とした（図１０（ａ）参照）。ここでは、配線板非製造領域には、ダミー導体層（幅０．２ｍｍ）を形成した。
【０１３５】
（１１）次に、スルーホール３６等を形成した基板３０をエッチング液に浸漬し、スルーホール３６、ならびに、上層導体回路（バイアホール４６を含む）、および、導体層（図示せず）の表面に粗化面３６ａ、４６ａを形成した（図１０（ｂ）参照）。
なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【０１３６】
（１２）次に、上記Ａに記載した貫通孔充填用樹脂組成物を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板の片面のバイアホール４６内に樹脂充填材４０、５４の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に貫通孔充填用樹脂組成物を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、バイアホール４６に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いてバイアホール４６内に貫通孔充填用樹脂組成物を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥を行った。
さらに、同様にして、基板の他方の面のバイアホール４６内にも貫通孔充填用樹脂組成物を充填した（図１０（ｃ）参照）。
【０１３７】
（１３）次に、上記（１２）の処理を終えた基板の両面にバフ研磨を施し、スルーホール３６およびバイアホール４６から露出した樹脂充填材４０、５４の層の表面を平坦にした。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行うことにより、樹脂充填材４０、５４の層を硬化させた（図１０（ｄ）参照）。
【０１３８】
（１４）次に、層間樹脂絶縁層５０の表面、および、樹脂充填材４０、５４の露出面に、上記（６）と同様の処理を行いてパラジウム触媒（図示せず）を付与した。
次に、上記（７）と同様の条件で無電解めっき処理を施し、層間樹脂絶縁層５０の表面、および、樹脂充填材４０、５４の露出面に無電解めっき膜５６を形成した（図１１（ａ）参照）。
【０１３９】
（１５）次に、上記（８）と同様の方法を用いて、無電解めっき膜５６上に、厚さ２０μｍのめっきレジストを設けた（図示せず）。さらに、上記（９）と同様の条件で電解めっきを施して、めっきレジスト非形成部に電解めっき膜５７を形成した。その後、めっきレジストと、その下に存在する無電解めっき膜５６とを除去し、スルーホール３６上およびバイアホール４６上に、無電解めっき膜５６と電解めっき膜５７とからなる蓋めっき層５８を形成した（図１１（ｂ）参照）。この工程において、配線板非製造領域内に、めっきレジスト非形成部を設けることにより、ダミー導体層（幅０．０５ｍｍ）を形成した。
【０１４０】
（１６）次に、蓋めっき層５８の表面に上記（１１）で用いたエッチング液（メックエッチボンド）を用いて粗化面５８ａを形成した（図１１（ｃ）参照）。
（１７）次に、上記（３）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層６０、導体回路（バイアホール６６を含む）を形成し、多層配線板を得た（図１１（ｄ）参照）。なお、この工程においても、配線板非製造領域の一部にダミー導体層を形成した。
【０１４１】
（１８）次に、実施例１の（１６）および（１７）と同様にして、半田バンプ形成用開口が形成され、その底面に、半田パッド６６を有するソルダーレジスト層６０を形成した（図１２（ａ）〜（ｃ）参照）。なお、半田バンプ形成用開口の開口径は８０μｍであり、隣合う半田バンプ形成用開口間の距離は１５０μｍである。
【０１４２】
（１９）この後、ソルダーレジスト層１４上に、全ての半田バンプ形成用開口に対向する部分に直径１００μｍの開口を有するマスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、凹形状の半田バンプ形成用開口を半田ペーストで完全に充填した。
【０１４３】
また、ソルダーレジスト層１４の他の一面には、Ｓｎ：Ｓｂ＝９５：５の半田ペースト層を形成した後、導電性ピン７８を取り付けた（図１３参照）。
【０１４４】
（２０）その後、上記（１９）の工程で形成した半田ペースト層を２６０℃でリフローし、フラックス洗浄を行った。
さらに、このように製造された配線板集合体を切断し、各区画に分割することにより、半田バンプとＰＧＡ（Pin Grid Array）とを備えた多層プリント配線板を得た。
【０１４５】
（比較例１）
配線板非製造領域にダミー導体層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４６】
（比較例２）
配線板非製造領域にダミー導体層を形成しなかった以外は、実施例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４７】
実施例１、２および比較例１、２で得られた多層プリント配線板について、層間樹脂絶縁層の層厚の観察、信頼性試験前後の性能評価を下記の評価方法を用いて行った。
【０１４８】
評価方法
（１）層間樹脂絶縁層の層厚の観察
プリント配線板を切断し、１００倍の光学顕微鏡を用いて断面を観察し、層間樹脂絶縁層の厚さおよび凹凸を調べた。
【０１４９】
（２）信頼性試験
１３５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間放置した後、下記する導通試験を行った。また、これとは別に多層プリント配線板を切断し、層間樹脂絶縁層と導体回路との剥離の有無を調べた。
【０１５０】
（３）導通試験
多層プリント配線板を製造した後、上記信頼性試験前後に導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
（４）ヒートサイクル試験
製造した多層プリント配線板を−５５℃で３０分保持した後、１２５℃で３０分保持するヒートサイクルを１０００回繰り返し、多層プリント配線板の周辺の状態を観察した。また、得られた多層プリント配線板のクロスカットを行い、層間樹脂絶縁層と導体回路との接着状態を観察した。
【０１５１】
実施例１、２の多層プリント配線板では、層間樹脂絶縁層の層厚は一定で、凹凸も殆どなく、平坦であった。また、上下層間での導体回路の短絡もなく、信頼性試験前後に行った導通試験にも全く問題はなく、信頼性試験後、および、ヒートサイクル試験後にも、層間樹脂絶縁層と導体回路との剥離等は見当たらなかった。また、多層プリント配線板の周辺部分にクラック等は発生していなかった。
【０１５２】
一方、比較例１、２の多層プリント配線板では、実施例１、２と比べて、多層プリント配線板の外縁部で層間樹脂絶縁層の層厚が薄くなっており、配線板非製造領域の部分が窪んでいた。また、導通試験に関しては、信頼性試験前は特に問題がなかったが、信頼性試験後には短絡、断線が発生した。これは、多層プリント配線板の外縁部で層間樹脂絶縁層の層厚が薄くなっていることにより、上下層間の導体回路の絶縁性が確保されなかったためであると推定された。また、ヒートサイクル試験後に、層間樹脂絶縁層と導体回路との剥離が発見され、一部の多層プリント配線板では、周辺部分にクラックが発生していた。
【０１５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層プリント配線板の製造方法では、複数の層からなる、配線板集合体を構成する導体回路のうち、少なくとも一の層の導体回路を形成する際に、配線板非製造領域の一部に導体層を形成することにより、層厚が一定で、平坦化された層間樹脂絶縁層を形成することができ、相互間で短絡がなく、接続信頼性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
この得られた多層プリント配線板の周辺部分には、金属層が形成されているため、この多層プリント配線板に熱衝撃が加わったり、大きな力が作用した場合であっても、周辺部分にクラック等が発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、そのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ）は、従来の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図１３】本発明の製造方法により得られる多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１、３０、１０１、２０１  基板
８、３２  銅箔
４、３４  下層導体回路
９、３６  スルーホール
６、５２  バイアホール用開口
１２、４２  薄膜導体層（無電解めっき膜）
３、４３  めっきレジスト
１３、４４  電解めっき膜
２、５０  層間樹脂絶縁層
１０、５４  樹脂充填材
５８  蓋めっき層
１４、７０  ソルダーレジスト層
１７、７６  半田バンプ
７８  導電性ピン
１０４、２０４  導体回路
１０５  ダミー導体層
【図１】
0004863557.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004863557.tif 000013
【図１１】
0004863557.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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