(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波誘導加熱により電子部品を回路基板に半田付けする際に、前記電子部品を前記回路基板の接合部に位置決めする電子部品の位置決め治具であって、
前記回路基板上に載置され、前記高周波誘導加熱により加熱され易い強磁性金属材料からなる第１治具部材と、
前記第１治具部材の内側に配置され、前記回路基板の接合部に対して半田を介して前記電子部品を配置する位置決め部を有し、前記電子部品よりも硬度が低い材料からなる第２治具部材と、を備えることを特徴とする位置決め治具。
【請求項２】
前記第１治具部材は、その裏面に前記回路基板の端部と接触する嵌合部を有しており、
前記第２治具部材は、前記位置決め部を複数備えている請求項１に記載の位置決め治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波誘導加熱により半田を溶融させて電子部品を回路基板に接合する際に用いる位置決め治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波誘導加熱で発生させた熱により半田を溶融して電子部品（例えば、半導体素子）を回路基板に接合する半田付け装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載の半田付け装置は、高周波加熱コイルに高周波電流を流すことで形成される高周波磁束内に導体からなる加熱対象物を配置し、その加熱対象物が電磁誘導作用によって発した熱で半田を溶融させて半田付けを行うものである。この種の半田付け装置においては、半田付けを行う際に、位置決め治具を用いて半導体素子を回路基板の接合部に位置決めしている。
【０００３】
また、位置決め治具自体を加熱対象物とし、当該位置決め治具の発する熱で半田を溶融させて半田付けを行う場合がある。
【特許文献１】特開２００７−１８０４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
位置決め治具自体を加熱対象物とする場合には、半田を効率的に加熱するために位置決め治具の昇温速度を速くする必要がある。このため、位置決め治具の形成材料として、高周波誘導加熱によって加熱されやすい材料、例えば、強磁性金属材料を用いることが考えられる。しかしながら、強磁性金属材料からなる位置決め治具は、高周波誘導加熱により加熱されると熱膨張し、半田溶融後に加熱が停止されて冷却されると収縮する。この時、位置決め治具が、半田付けによって回路基板に固定された半導体素子側へ収縮すると、強磁性金属材料からなる位置決め治具の一部分が半導体素子を噛み込んでしまい、半導体素子を損傷させてしまう虞がある。このような、位置決め治具による半導体素子の損傷を防ぐために、半導体素子よりも硬度の低い材料からなる位置決め治具（例えば、カーボン製の位置決め治具）を用いることが考えられる。ところが、カーボン製の位置決め治具は強磁性金属材料からなる位置決め治具に比較して高周波誘導加熱によって加熱されにくく、そのため昇温速度が遅くなり、半田付けにかかる時間が長くなるという不具合が発生する。
【０００５】
本発明の目的は、位置決め治具によって電子部品を位置決めした状態で、半田付けを行う際に、電子部品の損傷を抑制し、かつ、半田への熱伝達効率を向上し得る位置決め治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、高周波誘導加熱により電子部品を回路基板に半田付けする際に、前記電子部品を前記回路基板の接合部に位置決めする電子部品の位置決め治具であって、前記回路基板上に載置され、前記高周波誘導加熱により加熱され易い強磁性金属材料からなる第１治具部材と、前記第１治具部材の内側に配置され、前記回路基板の接合部に対して半田を介して前記電子部品を配置する位置決め部を有し、前記電子部品よりも硬度が低い材料からなる第２治具部材と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
この発明によれば、強磁性金属材料からなる第１治具部材が高周波誘導加熱により効率的に加熱され、その熱が回路基板を介して半田に伝達されるので、半田の加熱が効率的に行われる。また、電子部品よりも硬度が低い材料よりなる第２治具部材の位置決め部に、電子部品が半田を介して配置されている。よって、半田付けする際に、例えば、第２治具部材が高周波誘導加熱により加熱されて熱膨張し、その後冷却されることで電子部品側へ収縮して当該電子部品と当接したとしても、第２治具部材は位置決めされる電子部品よりも硬度が低い材料で構成されるので、電子部品が損傷することを抑制することができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１治具部材は、その裏面に前記回路基板の端部と接触する嵌合部を有しており、前記第２治具部材は、前記位置決め部を複数備えていることを要旨とする。
【００１０】
この発明では、第１治具部材の嵌合部が回路基板の端部に接触することによって、第１治具部材が回路基板に対して位置決めされる。また、第２治具部材は位置決め部を複数有しているので、複数の電子部品の半田付けを同時に行うことができる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、位置決め治具によって電子部品を位置決めした状態で、半田付けを行う際に、電子部品の損傷を抑制し、かつ、半田への熱伝達効率を向上し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１は、電子機器の部品となる半導体装置としての半導体モジュール１０を示している。半導体モジュール１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に半田付けにより接合される電子部品としての複数の半導体素子１２とを備えている。回路基板１１は、表面に金属回路１３を有するセラミック基板１４が金属製のヒートシンク１５に金属板１６を介して一体化された冷却回路基板（ヒートシンク付き基板）である。ヒートシンク１５は冷却媒体が流れる冷媒流路１５ａを備えている。ヒートシンク１５は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。金属板１６は、セラミック基板１４とヒートシンク１５とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。
【００１３】
金属回路１３は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板１４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。半導体素子１２としては、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やダイオードが用いられている。半導体素子１２は、金属回路１３に半田付けされている。すなわち、金属回路１３は半導体素子１２を回路基板１１上に接合するための接合部１３ａを備えている。半導体素子１２は、半田層Ｈによって金属回路１３に接合（半田付け）される。半田層Ｈを構成する半田材料としては四角板状をなす半田シート１９（図２参照）が用いられる。
【００１４】
図２は、高周波加熱方式の半田付けに用いられる半田付け装置２１の構成を概略的に示している。半田付け装置２１は、回路基板１１の金属回路１３に、高周波誘導加熱で半田を溶融させて半導体素子１２を半田付けするための装置として構成されている。
【００１５】
半田付け装置２１は、密閉可能なチャンバ２４を備え、チャンバ２４は開口部２５ａを有する箱型の本体部２５と当該本体部２５の開口部２５ａを開放及び閉鎖する蓋部２６とから構成されている。本体部２５には、半導体モジュール１０を位置決めし、支持する支持台２７が設置されている。また、本体部２５には、蓋部２６の装着部位にパッキン２８が配設されている。蓋部２６は、本体部２５の開口部２５ａを閉鎖可能な大きさで形成されており、本体部２５に蓋部２６を装着することによりチャンバ２４内には密閉空間Ｓが形成されるようになっている。
【００１６】
半田付け装置２１において、チャンバ２４内の上部には、四角パイプ状をなす、対となる二本の高周波加熱コイル２０が設置されている。対となる二本の高周波加熱コイル２０は高周波電流の流れる方向が異なっている。高周波加熱コイル２０は半田付け装置２１が備える図示しない高周波発生装置に電気的に接続されている。
【００１７】
そして、チャンバ２４内に設置された温度センサ（図示せず）の計測結果に基づき、高周波発生装置の出力が制御されるようになっている。また、高周波加熱コイル２０は、四角パイプの内部が冷却水を通すための通路を形成し、半田付け装置２１が備える図示しない冷却水タンクに接続されている。
【００１８】
また、図２に示すように、半田付け装置２１には、チャンバ２４内に還元性ガス（この実施形態では水素）を供給するための還元ガス供給部３０が接続されている。還元ガス供給部３０は、配管３０ａと、当該配管３０ａの開閉バルブ３０ｂと、水素タンク３０ｃとを備えている。また、半田付け装置２１には、チャンバ２４内に不活性ガス（この実施形態では窒素）を供給するための不活性ガス供給部３１が接続されている。不活性ガス供給部３１は、配管３１ａと、当該配管３１ａの開閉バルブ３１ｂと、窒素タンク３１ｃとを備えている。また、半田付け装置２１には、チャンバ２４内に充満したガスを外部に排出するためのガス排出部３２が接続されている。ガス排出部３２は、配管３２ａと、当該配管３２ａの開閉バルブ３２ｂと、真空ポンプ３２ｃとを備えている。半田付け装置２１は、還元ガス供給部３０、不活性ガス供給部３１及びガス排出部３２を備えることにより、チャンバ２４内の圧力を調整可能な構成とされており、チャンバ２４内の圧力は、圧力調整によって加圧されたり、減圧されたりする。
【００１９】
また、半田付け装置２１には、半田付け後のチャンバ２４内に熱媒体（冷却用ガス）を供給するための熱媒供給部３３が接続されている。熱媒供給部３３は、配管３３ａと、当該配管３３ａの開閉バルブ３３ｂと、ガスタンク３３ｃとを備えている。熱媒供給部３３は、チャンバ２４内に収容した半導体モジュール１０のヒートシンク１５に冷却用ガスを供給するように接続されている。なお、熱媒供給部３３から供給される熱媒体を冷却液としてもよい。
【００２０】
半田付け装置２１を用いた半導体モジュール１０の製造方法において、回路基板１１上に半導体素子１２を半田付けする場合、半田付けは高周波誘導加熱で半田を溶融させるが、半田を直接高周波誘導加熱で溶融させるのではない。すなわち、半田付けは、高周波誘導加熱により加熱可能な発熱部材（加熱対象物）を使用するとともに、発熱部材の発熱を半田に伝導させて溶融させる。そして、この実施形態では、発熱部材として位置決め治具１８を使用する。図２に示すように、位置決め治具１８は、半田付け時において金属回路１３上に半田シート１９と、半導体素子１２とを位置決めするために使用される。このため、位置決め治具１８には、後述する位置決め部としての位置決め孔１８ａが形成されている。
【００２１】
半田付け装置２１において、対となる二本の高周波加熱コイル２０の上側には、該高周波加熱コイル２０の延びる方向にコア４０が配設されている。コア４０は、フェライトや電磁鋼板といった高い透磁率の材料より形成されている。コア４０は平面視が矩形状に形成されるとともに、コア４０の長さ方向に沿った断面視が横Ｅ型状に形成されている。そして、図２に示すように、コア４０には下方に開口する収容凹部４０ａが二箇所形成され、各収容凹部４０ａ内に高周波加熱コイル２０が収容されている。よって、コア４０は、対となる二本の高周波加熱コイル２０を跨ぐようにして二本の高周波加熱コイル２０上に配設されている。
【００２２】
コア４０において、各収容凹部４０ａを挟むように収容凹部４０ａの両側に位置するとともに各高周波加熱コイル２０の外側となる位置には、位置決め治具１８に向けて延びる磁路形成部４０ｂが形成されている。すなわち、コア４０には三つの磁路形成部４０ｂが設けられている。そして、高周波加熱コイル２０に高周波電流が通電されると磁路形成部４０ｂによって、コア４０と位置決め治具１８を通るように高周波加熱コイル２０周りに磁路が形成されるようになっている。
【００２３】
次に、位置決め治具１８について詳述する。図３，図４は、位置決め治具１８を構成する第１治具部材５１及び第２治具部材６１を示している。第１治具部材５１は、図２に示すように、半田付け時にコア４０の磁路形成部４０ｂと対向するように前記回路基板１１上に載置され、第２治具部材６１は、第１治具部材５１を上下方向へ貫通するように形成される嵌合孔５２に上側から嵌合される。すなわち、第２治具部材６１は、第１治具部材５１の内側に配置される。第１治具部材５１及び第２治具部材６１は、半田シート１９及び半導体素子１２を接合部１３ａ、すなわち金属回路１３上に位置決めするために使用される。
【００２４】
第１治具部材５１は、回路基板１１を構成するセラミック基板１４と同一の大きさ（外形）をなす略平板状に形成されている。第１治具部材５１は、高周波誘導加熱によって加熱され易い強磁性金属材料より形成されており、例えば低熱膨張金属材料であるインバー合金が使用されている。図３，図４に示すように、第１治具部材５１の嵌合孔５２は、平面視矩形状になっている。第１治具部材５１の長手方向（図３に示す矢印Ｘの方向）と直交する嵌合孔５２の両壁面には、該壁面と直交する方向に嵌合孔５２の内側へ突出する係止凸部５２ａ，５３ａがそれぞれ対向するように形成されている。係止凸部５２ａ，５３ａの上側の面は、第２治具部材６１を載置するための載置面５２ｂ，５３ｂとなっており、載置面５２ｂ，５３ｂは平坦面となっている。この実施形態の第１治具部材５１では、嵌合孔５２は、第１治具部材５１の長手方向における嵌合孔５２の開口幅Ｌ１（開口端部の幅）が、係止凸部５２ａの先端と係止凸部５３ａの先端との間の開口幅Ｌ２よりも大きくなっている。係止凸部５２ａ，５３ａにおける突出方向と直交する幅は、第１治具部材５１の短手方向（図３に示す矢印Ｙの方向）における嵌合孔５２の開口幅Ｌ４と等しくなっている。
【００２５】
第１治具部材５１の裏面には、半田付け時に第１治具部材５１が回路基板１１（セラミック基板１４）上に載置されるときに、金属回路１３と嵌合可能な嵌合部としての嵌合凹部５４が形成されている。嵌合凹部５４は、第１治具部材５１の裏面側から見て平面視矩形状をしているとともに、回路基板１１を構成する金属回路１３の外形とほぼ同一の形状をしている。嵌合凹部５４の一部分は嵌合孔５２と連通しているとともに、嵌合凹部５４は、第１治具部材５１の裏面側から見ると嵌合孔５２を囲むように第１治具部材５１の周縁部近傍まで形成されている。嵌合凹部５４は、第１治具部材５１の裏面から金属回路１３の厚さと同じ寸法の深さを有した凹部となっており、嵌合凹部５４の底面は、係止凸部５２ａ，５３ａの下側の面と同一平面となっている。
【００２６】
図３，図４に示すように、第２治具部材６１は、第１治具部材５１の嵌合孔５２と嵌合可能な略平板形状に形成されている。第２治具部材６１は、半導体素子１２よりも硬度が低い材料により形成されており、例えば、低熱膨張炭素材料が使用される。第２治具部材６１には、該第２治具部材６１を上下方向へ貫通する前記位置決め孔１８ａが２つ形成されている。各位置決め孔１８ａは、それぞれ平面視矩形状をしている。第２治具部材６１の長手方向（第１治具部材５１の長手方向と同じ方向）と直交する側面における裏面側の角部には、第２治具部材６１の内側に形成される切欠６２ａ，６３ａがそれぞれ設けられている。切欠６２ａ，６３ａにおける第２治具部材６１の短手方向（第１治具部材５１の短手方向と同じ方向）の幅は、第２治具部材６１の短手方向の幅Ｌ８と等しくなっている。切欠６２ａ，６３ａの下側の面は、第１治具部材５１の載置面５２ｂ，５３ｂとそれぞれ接触する接触面６２ｂ，６３ｂとなっており、接触面６２ｂ，６３ｂは平坦面となっている。第２治具部材６１の長手方向の幅Ｌ６は、第１治具部材５１の長手方向における嵌合孔５２の開口幅Ｌ１と同じ幅である。切欠６２ａの内側端部と切欠６３ａの内側端部との間の幅Ｌ７は、係止凸部５２ａの先端と係止凸部５３ａの先端との間の開口幅Ｌ２と同じ幅である。第２治具部材６１の短手方向の幅Ｌ８は、第１治具部材５１の短手方向における嵌合孔５２の開口幅Ｌ４と同じ幅である。
【００２７】
半田付け時に第１治具部材５１の載置面５２ｂ，５３ｂと第２治具部材６１の接触面６２ｂ，６３ｂとがそれぞれ接触することで、第２治具部材６１の接触面６２ｂ，６３ｂが第１治具部材５１の載置面５２ｂ，５３ｂ上に載置される。よって、第２治具部材６１は、図２に示すように、第１治具部材５１の嵌合孔５２に嵌合される。第２治具部材６１が嵌合孔５２に嵌合された状態において、嵌合凹部５４の底面は、第２治具部材６１の裏面と同一平面となっている。ここで、第２治具部材６１の裏面とは、第２治具部材６１の切欠６２ａ，６３ａの下側の面（接触面６２ｂ，６３ｂ）を除いた第２治具部材６１の裏側の面を示す。
【００２８】
第１治具部材５１は、嵌合凹部５４が金属回路１３の裏面を除くほぼ全ての面を覆うように金属回路１３と接触することで、嵌合凹部５４と金属回路１３とが嵌合するとともに、回路基板１１上に載置される。第２治具部材６１は、該第２治具部材６１の裏面と金属回路１３とが接触することで、回路基板１１上に載置される。第１治具部材５１の嵌合凹部５４は、金属回路１３と接触している。第２治具部材６１は、第２治具部材６１の裏面と重合する部分における金属回路１３の面と接触している。
【００２９】
位置決め孔１８ａは、前記半田シート１９及び半導体素子１２を挿入可能とするように、半田シート１９及び半導体素子１２の外形よりもやや大きく形成されている。図２に示すように、位置決め孔１８ａ内に半田シート１９及び半導体素子１２が挿入された状態では、位置決め孔１８ａの壁面１８ｂと、半田シート１９及び半導体素子１２の全周に亘る周縁部との間には僅かな隙間Ｎが形成されるようになっている。すなわち、位置決め孔１８ａ内に半田シート１９及び半導体素子１２が挿入され、金属回路１３上に載置された状態では、該半田シート１９及び半導体素子１２は、位置決め孔１８ａの壁面１８ｂによって、接合部１３ａ、すなわち金属回路１３上に位置決めされる。
【００３０】
次に、前記半田付け装置２１及び位置決め治具１８を用いて半導体モジュール１０の製造における一工程である半導体素子１２の半田付け工程について説明する。なお、この実施形態の半田付け装置２１及び位置決め治具１８を用いて半田付けを行うのに先立って、金属回路１３を有するセラミック基板１４をヒートシンク１５と一体化した回路基板１１を予め作製しておく。
【００３１】
半田付けを行う際には、最初に、本体部２５から蓋部２６を外し、開口部２５ａを開放する。そして、図２に示すように本体部２５の支持台２７上に回路基板１１を置き、位置決めする。次に、第１治具部材５１と第２治具部材６１とを嵌合させた状態で、回路基板１１（セラミック基板１４）上に第１治具部材５１が金属回路１３と嵌合されるように置き、第２治具部材６１の位置決め孔１８ａに半田シート１９と半導体素子１２を配置する。半田シート１９は、回路基板１１（金属回路１３）と半導体素子１２との間に配置する。この状態において、回路基板１１（金属回路１３）上には、金属回路１３側から順に半田シート１９、半導体素子１２が積層される。半田シート１９、半導体素子１２は、半田付け装置２１の上下方向に積層される。さらに、図示しない支持部によって高周波加熱コイル２０及びコア４０が本体部２５に支持される。高周波加熱コイル２０及びコア４０は、回路基板１１の上方に配置される。この状態において、蓋部２６を本体部２５に取り付け、開口部２５ａを閉鎖して、チャンバ２４内に密閉空間Ｓを形成する。
【００３２】
次に、ガス排出部３２を操作してチャンバ２４内を真空引きするとともに、不活性ガス供給部３１を操作してチャンバ２４内に窒素を供給し、チャンバ２４内を不活性ガスで充満させる。この真空引きと窒素の供給を数回繰り返した後、還元ガス供給部３０を操作してチャンバ２４内に水素を供給し、チャンバ２４内を還元ガス雰囲気とする。
【００３３】
次に、高周波発生装置を作動させ、高周波加熱コイル２０に高周波電流を流す。すると、高周波加熱コイル２０の周りには磁路形成部４０ｂを通り、かつ、対向する第１治具部材５１の縁部５１ａ，５１ｂを通る磁路（図２に示す矢印Ａ）が形成され、高周波の磁束が発生し、第１治具部材５１には磁束の通過によって渦電流が発生する。このとき、磁路形成部４０ｂの端面が第１治具部材５１の縁部５１ａ，５１ｂに対向し、近づけられているため磁束密度の高い磁路が形成される。高周波加熱コイル２０の磁束内に置かれた第１治具部材５１は強磁性金属材料のインバー合金からなるため、電磁誘導作用により加熱されやすく、その熱が回路基板１１（金属回路１３）を介して半田シート１９に伝わり、半田シート１９を効率良く溶融させる。一方、第２治具部材６１は、低膨張炭素材料からなるため、半田シート１９を溶融させる際に、高周波誘導加熱により加熱されても熱膨張しにくい。
【００３４】
高周波加熱コイル２０への電流供給を停止後、冷却用の熱媒供給部３３を操作してチャンバ２４内に冷却用ガスを供給する。冷却用ガスは、ヒートシンク１５の冷媒流路１５ａの入口又は出口に向かって吹き込まれるとともに、チャンバ２４内に供給された冷却用ガスは、冷媒流路１５ａ及びヒートシンク１５の周囲を流れて、半導体モジュール１０を冷却する。この結果、溶融した半田は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属回路１３と半導体素子１２とを接合する。第２治具部材６１は、半田シート１９を溶融させる際に、例えば、高周波誘導加熱により加熱されることで熱膨張し、その後冷却されることで半導体素子１２側へ収縮して半導体素子１２と当接することがある。しかし、第２治具部材６１は、半導体素子１２よりも硬度が低いことから、第２治具部材６１の一部分が半導体素子１２と当接したとしても半導体素子１２が損傷されずに位置決め孔１８ａに位置決めされる。
【００３５】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）高周波誘導加熱によって加熱されやすいインバー合金からなる第１治具部材５１を使用しているので、第１治具部材５１が高周波誘導加熱により加熱され、その熱を、回路基板１１を介して半田シート１９に伝達するので、半田シート１９の加熱を効率的に行うことができる。また、半導体素子１２よりも硬度の低い材料である低熱膨張炭素材料からなる第２治具部材６１の位置決め孔１８ａに半導体素子１２が位置決めされている。よって、半田付けする際に、第２治具部材６１の一部分が半導体素子１２と当接したとしても、半導体素子１２が損傷することを抑制することができる。
【００３６】
（２）第１治具部材５１の嵌合凹部５４が金属回路１３の端部に接触することによって、第１治具部材５１が回路基板１１に対して位置決めされる。また、第２治具部材６１は位置決め孔１８ａを複数有しているので、複数の半導体素子１２の半田付けを同時に行うことができる。
【００３７】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○  第１治具部材５１の材質はインバー合金に限らず、例えば、鉄やニッケル等の強磁性金属材料またはそれらの合金であってもよい。
【００３８】
○  第２治具部材６１の材質は、例えば、グラファイトやセラミックであってもよい。
○  第２治具部材６１の位置決め孔１８ａの数は、金属回路１３上に半田付けされる半導体素子１２の数に対応させて適宜変更してもよい。
【００３９】
○  回路基板１１はヒートシンク１５を備えたヒートシンク付き基板に限らず、複数の接合部を有するものであればよい。例えば、セラミック基板１４の片面に金属回路１３が複数形成されたものや、樹脂基板の片面に複数の金属回路１３が形成された構成としてもよい。
【００４０】
○  半田付けに使用する半田は半田シート１９に限らず、半田ペーストを使用してもよい。
○  半導体モジュール１０を構成する回路基板１１の金属回路１３に半田付けで接合される電子部品は、半導体素子１２に限らず、半導体素子１２と他の電子部品、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサなどが混在してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施形態の半導体モジュールを示す縦断面図。
【図２】実施形態の半田付け装置を概略的に示す断面図。
【図３】実施形態の位置決め治具を示す斜視図。
【図４】実施形態の位置決め治具の平面図。
【符号の説明】
【００４２】
１１…回路基板、１２…電子部品としての半導体素子、１３ａ…接合部、１８…位置決め治具、１８ａ…位置決め部としての位置決め孔、１９…半田としての半田シート、５１…位置決め治具を構成する第１治具部材、５４…嵌合部としての嵌合凹部、６１…位置決め治具を構成する第２治具部材。
【図１】
0004985536.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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