(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第１の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記蛍光体層の表面における一部領域には、前記蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数が高い材料を構成要素として含む高ガンマ部が被覆形成されており、
前記蛍光体層の表面における残りの領域と、前記高ガンマ部とは、ともに前記空間を臨み、
前記第１の基板の表面上には、複数本の第１電極が形成され、当該第１電極を覆うように誘電体層および前記蛍光体層が形成されてなり、
前記高ガンマ部は、前記第１電極の積層上方領域を含む範囲に形成されている
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第１の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記蛍光体層の表面における一部領域には、前記蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数が高い材料を構成要素として含む高ガンマ部が被覆形成されており、
前記蛍光体層の表面における残りの領域と、前記高ガンマ部とは、ともに前記空間を臨み、
前記第１の基板の表面上には、複数本のデータ電極が形成され、
前記第２の基板の表面上には、前記データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、
前記スキャン電極の各側縁辺から前記第１の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、
前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面の内、前記垂線によって囲まれる領域に存する部分を有する
プラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、前記第１の基板における前記空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記蛍光体層の表面における一部領域には、前記蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数が高い材料を構成要素として含む高ガンマ部が被覆形成されており、
前記蛍光体層の表面における残りの領域と、前記高ガンマ部とは、ともに前記空間を臨み、
前記高ガンマ部は、前記蛍光体層の表面に対して、１％以上５０％以下の被覆率を以って形成されている
プラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の気体放電からの放射を利用した平面表示装置としてプラズマディスプレイ装置（以下では、「ＰＤＰ装置」と記載する。）の商品化が図られている。このＰＤＰ装置には直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）があるが、大型表示装置として、面放電型ＡＣ型ＰＤＰ装置がより高い技術的ポテンシャルを持ち寿命特性がすぐれ商品化されている。ＰＤＰ装置のパネル部であるプラズマディスプレイパネル（以下では、「ＰＤＰ」と記載する。）の構成について、図２６（ａ）を用いて説明する。図２６（ａ）は、従来の代表的な面放電型ＡＣ型ＰＤＰの一部の放電セル構造を示す展開斜視図（一部断面図）である。
【０００３】
図２６（ａ）に示すように、ＰＤＰは、前面パネル７１０と背面パネル７２０とが対向配置された構成を有する。前面パネル７１０は、前面基板７１１と、この表面上に形成された表示電極対７１２、およびその上に順次積層される誘電体層７１５および誘電体保護層７１６などからなる。この内、表示電極対７１２は、ストライプ状に延びたスキャン電極７１３とサスティン電極７１４とで構成され、その各々の電極７１３、７１４は、透明電極要素７１３ａ、７１４ａとバスライン７１３ｂ、７１４ｂとの積層により構成されている。ここで、バスライン７１３ｂ、７１４ｂは、透明電極要素７１３ａ、７１４ａの高抵抗を補うため、即ち、電気抵抗を下げるために金属材料などで細幅に形成されるものである。
【０００４】
誘電体層７１５は、低融点ガラスから形成され、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有する。誘電体保護層７１６は、スキャン電極７１３およびサスティン電極７１４の表面を保護すると共に、２次電子を効率よく放出し放電開始電圧を低下させる機能を有する。そして、誘電体保護層７１６の材料としては、２次電子放出係数γが大きく、且つ、耐スパッタ性が高く、光学的に透明な電気絶縁性材料である金属酸化物のＭｇＯ（酸化マグネシウム）が広く用いられている。
【０００５】
背面パネル７２０は、背面基板７２１と、この表面上にストライプ状に複数形成され、画像データを書き込むためのデータ電極７２２と、さらにデータ電極７２２および背面基板７２１表面の少なくとも一部を覆うように、背面側の誘電体層７２３が低融点ガラスにより積層される。隣接する放電セル（図示省略）との間の誘電体層７２３上には、所定の高さの隔壁７２４が低融点ガラスによってストライプ状や井桁状（図２６（ａ）では、一例として井桁状。）などに形成され、さらに誘電体層７２３の表面と隔壁７２４の側壁には、蛍光体層７２５が塗布焼成され配置された構造としている。蛍光体層７２５は、放電セル毎に赤、緑、青発光の３色の蛍光体材料のそれぞれが区分けされ使用されている。
【０００６】
ＰＤＰは、前面パネル７１０と背面パネル７２０とを、スキャン電極７１３およびサスティン電極７１４とデータ電極７２２とが交差する方向に、配置され封着されて構成されている。ここで、前面パネル７１０と背面パネル７２０との間に形成される放電空間７３０は、製造過程で残留する大気や不純物ガスを排気した後、放電ガスとして希ガスのキセノン（Ｘｅ）・ネオン（Ｎｅ）あるいはキセノン（Ｘｅ）・ヘリウム（Ｈｅ）などが充填されている。放電ガスは、全圧に対するＸｅの分圧比率が５（％）〜６（％）であって、封入圧力（全圧）が約数十（ｋＰａ）で設定される。そして、ＰＤＰでは、表示電極対７１２とデータ電極７２２とが立体交差する各領域が放電単位である放電セルに対応し、複数の放電セルがマトリクス状に配列した構成となっている。
【０００７】
さらに、ＰＤＰは、各電極７１３、７１４、７２２に対してマトリクス状に駆動する駆動回路やこれらを制御する制御回路などが接続され、これによってＰＤＰ装置が構成される。
上記ＡＣ型ＰＤＰは、（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セルをアドレスし、各放電セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータの書き込み期間、（３）表示状態にある放電セルを表示発光させる維持期間とから構成される駆動方式により駆動表示されている。
【０００８】
表示するために直接発光させるのは、前面パネル７１０のスキャン電極７１３とサスティン電極７１４とを用いてであり、データ電極７２２は、表示発光させようとする放電セルを選択するために機能するものであって、表示発光には直接寄与していない。上記（２）の書き込み期間において、背面パネル７２０のデータ電極７２２を用いて書き込みデータが入力され、対向する前面パネル７１０の誘電体保護層７１６の表面に壁電荷が形成される。
【０００９】
上記（３）の維持期間において、上記壁電荷が存在する放電セルで、表示電極対７１２のスキャン電極７１３とサスティン電極７１４とのそれぞれに対し、電圧パルス（例えば、約２００（Ｖ）の矩形波電圧）が互いに位相が異なるように印加される。即ち、維持期間では、上記表示電極対７１２間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた放電セルに対し、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させることができる。この維持放電の発生により、表示発光は、放電空間７３０の励起Ｘｅ原子から波長１４７（ｎｍ）の共鳴線が発生し、励起Ｘｅ分子からは波長１７３（ｎｍ）主体の分子線が放射される。
【００１０】
次いで、上記紫外放射が、背面パネル７２０に設けられた蛍光体層７２５で可視放射に変換され、これにより可視光が得られる。ここで、誘電体保護層７１６に壁電荷が書き込まれていない放電セルでは、維持期間に交流電圧が印加されても維持放電が発生することはなく、表示状態は黒表示となる。なお、ＡＣ型ＰＤＰの表示画素単位は、通常、それぞれに赤、緑および青色発光の蛍光体層７２５を設けた３つの表示放電単位である放電セルから構成される。
【００１１】
従来、ＰＤＰの３つの上記動作期間の内、全表示セルの壁電荷分布を初期化状態にする初期化期間において、コントラスト比を向上させるために、弱放電（初期化放電）と呼ばれる弱い小さな放電を安定して起こさせる工夫がなされている。通常、電圧−時間推移が緩やかな傾斜で上下するランプ波形高電圧を、前面パネル７１０のスキャン電極７１３と背面パネル７２０のデータ電極７２２との間に印加し、小さな放電電流を定常的に流すことにより、弱放電が安定して起きるようにしている。
【００１２】
初期化期間における上りランプ波形電圧印加時の放電は、データ電極７２２あるいは２次電子放出係数γが小さい蛍光体層７２５側がカソード（陰極）となる放電であるので、放電開始電圧が高くなり弱放電が不安定となって強い放電が起きやすくなる。このため、この放電の際には、映像に無関係な初期化による誤発光（以下、初期化輝点と呼ぶ）が発生しやすいという問題がある。
【００１３】
そこで、従来においては、初期化期間における弱放電を安定して発生させるために、蛍光体層７２５の表面を改質するという開発がなされている。このように蛍光体層７２５の表面を改質することにより、初期化期間では、蛍光体層７２５側がカソードとなる時の放電開始電圧を低下させて弱放電を安定化させ、正確な書き込み制御ができるようにして初期化輝点の発生を抑制することが考えられる。
【００１４】
ところで、ＰＤＰの開発にあたっては、輝度向上のために放電ガスにおける全圧に対するＸｅ分圧比率を上げて（高Ｘｅ化を図って）発光効率を向上させることが提案されている。しかし、ＰＤＰの放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比率を上げた場合には、発光効率は向上するが放電開始電圧が上昇することや、初期化期間における上記ランプ波形印加時において弱放電が不安定になり、正確な初期化ができなくなるという大きな問題が生じる。即ち、高Ｘｅ化を図ったＰＤＰでは、放電開始時に印加される電圧が大きくなり、また放電遅れが大きくなるので、発生する初期化放電が弱放電ではなく強い放電が発生し易くなり、不正確な壁電荷量が移動し、初期化輝点となってＰＤＰの黒表示部分が光って白表示となり正確な表示ができなくなるという大きな問題があった。
【００１５】
従来においては、駆動電圧を下げ、また隔壁７２４側面や蛍光体層７２５表面での荷電粒子の損失を低減し、発光効率を高めるために蛍光体層７２５、隔壁７２４、背面パネル７２０の放電空間７３０を臨む部分全てを、２次電子放出係数γが高い材料からなる皮膜で被覆するという技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
図２６（ｂ）は、特許文献１に開示されている一実施例を示す断面図である。図２６（ｂ）に示すように、背面パネル７４０では、背面基板７２１の内側（放電空間７３０の側）に形成された蛍光体層７２５の表面の放電空間７３０を臨む部分全てが、２次電子放出係数γが高い材料からなる蛍光体皮膜７４６で被覆されている。なお、この実施例では、隔壁７２４の表面が放電空間７３０に露出する場合には、その露出部分も皮膜７４６で被覆する。
【００１６】
図２６（ｂ）に示す特許文献１に係るＰＤＰでは、書き込み期間以外の期間では、データ電極７２２の付近の蛍光体層７２５表面に正の壁電荷が蓄積され、さらにデータ電極７２２付近の放電空間７３０に正イオン群が浮遊し、隔壁７２４側面や蛍光体層７２５表面では放電空間７３０中を拡散する電粒子が損失して、発光効率に悪影響を及ぼしているとしている。そこで、背面パネル７４０の中で放電空間７３０を臨む部分（蛍光体層７２５の表面に対応）に、２次電子放出係数γが高い材料を用いて皮膜７４６を形成することにより、正イオンが皮膜７４６表面に衝突する際、放電空間７３０に放出される２次電子により浮遊している正イオン群を中和することで放電空間７３０の電界を強め、次の放電をより低電圧・低消費電力で引き起こすことができるとしている。
【００１７】
従って、特許文献１においては、維持期間における放電の電力を下げることはある程度可能となると考えられる。
また、他の従来技術としては、従来、長時間にわたり安定してＰＤＰの発光輝度を保つために、蛍光体層７２５の表面を覆ってＭｇＯからなる膜を成膜するという技術が開発されている（例えば、特許文献２参照）。この技術では、蛍光体層７２５の表面をＭｇＯ膜で被覆した構成を採用することにより、２次電子放出性能を高めて放電状態の活性化が行われるとともに、蛍光体層７２５が放電時のスパッタから保護される。よって、この技術を採用するＰＤＰでは、長期間にわたり安定して発光輝度を維持することができると考えられる。
【特許文献１】
特開２００２−１１００４６号公報
【特許文献２】
特開平０８−２１２９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかし、上記特許文献１、２を含む従来の技術では、初期化期間における弱放電の発生を安定化させるということは困難である。具体的には、上記特許文献１の技術では、蛍光体層、隔壁の放電空間を臨む部分全てに、２次電子放出係数γが高い材料で構成した皮膜を備える構成を採用するが、このような構成では、初期化期間における弱放電の安定化を図り初期化輝点の発生を抑制するという課題を解決することは困難であると考えられる。特に、上述のように、放電ガス中における全圧に対するＸｅ分圧比率を高めていく場合には、弱放電の安定化は困難である。
【００１９】
また、上記特許文献１の技術では、蛍光体層７２５の表面全体を皮膜で覆っているので、放電空間７３０の励起Ｘｅ原子から放射される共鳴線の一部が蛍光体層７２５上に形成された膜で吸収されるに至り、蛍光体層７２５に到達する共鳴線が減少する。このため、この技術を採用するＰＤＰでは、発光効率が低下し輝度が低下すると推定される。
また、上記特許文献２のＰＤＰでは、蛍光体層７２５表面を覆ってＭｇＯ膜を成膜する構成としているが、この構成では、初期化期間における弱放電の安定化を図ることは困難であると考えられる。また、この技術のＰＤＰにおいても、蛍光体層７２５の表面全体を０．５（μｍ）〜２０（μｍ）の厚膜の皮膜７４６で覆うので、上記特許文献１のＰＤＰと同様に、放電空間７３０の励起Ｘｅ原子から放射される波長１４７（ｎｍ）の共鳴線が皮膜７４６で吸収されて蛍光体層７２５に届き難くなり、発光効率が大幅に低下するものと推定される。
【００２０】
本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、放電ガスでの全圧に対するＸｅ分圧比率を上げても、初期化期間において弱放電を常に安定化させて放電開始電圧を低下させ、初期化輝点の発生を抑制して画質を向上させ、且つ、発光効率の低下を抑え輝度の低下を抑制し輝度を向上させることが可能なＰＤＰと、当該ＰＤＰを簡易に製造可能な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明に係るＰＤＰは、第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第１の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる構成を有するものであって、蛍光体層の表面における一部領域には、蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料を構成要素に含む高ガンマ部（以下では、「高γ部」と記載する。）が被覆形成されており、蛍光体層の表面における残りの領域（即ち、高γ部が形成されていない領域）と、高γ部とは、ともに空間を臨む、という構成を有する。
【００２２】
また、本発明に係るＰＤＰは、第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第１の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなる構成を有するものであって、蛍光体層の表面には、蛍光体層を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料を構成要素に含む皮膜状の高γ部が被覆形成されており、高γ部は、その膜厚が１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下である、という構成を有する。
【００２３】
また、本発明に係るＰＤＰの製造方法は、第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第１の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるＰＤＰを製造する方法であって、次の各ステップを有する。
※蛍光体層形成ステップ；第１の基板の上であって、第２の基板と対向させる側の表面部分に蛍光体層を形成する。
【００２４】
※高γ部形成ステップ；蛍光体層の表面における一部領域に、蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料を用いて、高γ部を被覆形成する。
ここで、高γ部形成ステップでは、蛍光体層の表面における残りの領域（蛍光体層の表面における高γ部が形成されていない領域）と高γ部とがともに空間を臨むように高γ部の形成を実施することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明に係るＰＤＰの製造方法は、第１の基板と第２の基板とが間に空間をあけて対向配置され、第１の基板における空間側の領域に蛍光体層が形成されてなるＰＤＰを製造する方法であって、次の各ステップを有する。
※蛍光体層形成ステップ；第１の基板の上であって、第２の基板と対向する側の表面部分に蛍光体層を形成する。
【００２６】
※高γ部形成ステップ；蛍光体層の表面に、蛍光体層を形成するのに用いた蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料を用いて、皮膜状の高γ部を被覆形成する。
ここで、高γ部形成ステップでは、高γ部を１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下の膜厚を以って形成することを特徴とする。
また、本発明に係る高γ部の形成装置は、表面に電極と、当該電極を被覆する蛍光体層が形成された基板に対して、蛍光体層の表面であって電極の表面に相当する部分内に当該蛍光体層よりも２次電子放出係数γが高い材料を以って高γ部を形成する装置であって、高γ部の形成に用いる形成材料を帯電させる帯電手段と、帯電された形成材料を散布する散布手段と、散布された形成材料を、蛍光体層の表面であって電極の表面に相当する部分内に偏在して堆積させるために、電極に電圧を印加する印加手段とを備える、という構成を有する。
【発明の効果】
【００２７】
本願発明者らは、従来の構成を有するＰＤＰの駆動において、初期化期間における強い放電の発生がランプ波形印加時の中でも、特に上りランプ波形印加時に発生し易いことを見出した。即ち、初期化期間には、スキャン電極に対して正の傾きを有する上りランプ波形電圧を印加し、その後に、負の傾きを有する下りランプ波形電圧を印加して全セルの初期化を行うのであるが、上りランプ波形印加時において、背面パネルのデータ電極あるいは２次電子放出係数γが小さい蛍光体層の側がカソードとなる際に、初期化放電が不安定となり、不所望の強い放電を生じ易い。
【００２８】
これに対して、本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が空間を臨む状態で形成されているので、パネル駆動の初期化期間において、ランプ波形印加時に蛍光体層の側がカソードとなる場合の放電開始電圧を低下させ、強い放電の発生を抑制することで安定した初期化放電の発生を生じさせることができる。
また、本発明に係るＰＤＰでは、蛍光体層の表面の一部が空間を臨むことから、駆動時において空間内で発生した紫外線が大きく減衰することなく蛍光体層に入射し、蛍光体層の表面全体をＭｇＯで覆ってしまう特許文献１の技術を採用した場合のＰＤＰに比べて、パネルの発光効率が低下してしまうのを抑制することができる。
【００２９】
従って、本発明に係るＰＤＰでは、初期化期間における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。このＰＤＰにおいては、次のようなバリエーションを採用することが可能である。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、前記蛍光体層の表面において、斑点状または縞状に形成されているという構成を採用することができる。
【００３０】
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、蛍光体層の表面に粒子状の材料が付着されることで形成されているという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、粒子の粒径を、０．０５（μｍ）以上２０（μｍ）以下にすることが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、粒子の１次粒子の径を、０．０５（μｍ）以上１（μｍ）以下にすることが望ましい。
【００３１】
上記本発明に係るＰＤＰでは、粒子の２次粒子の径を、２（μｍ）以上２０（μｍ）以下にすることが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、第１の基板の表面上に複数本の第１電極が形成され、当該第１電極を覆うように誘電体層および蛍光体層が積層されてなる構成を採用する場合において、高γ部が、第１電極の積層上方領域を含む範囲に形成されているという構成を採用することができる。
【００３２】
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、蛍光体層の表面において偏在して形成されているという構成を採用することが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、具体的に、高γ部が、第１電極の表面に相当する部分に偏在して形成されているという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、第１の基板の表面上には、複数本の第１電極が形成され、第２の基板の表面上には、第１の基板上における第１電極と交差する方向であって、互いに平行な第２電極および第３電極で対をなす電極対が複数対形成されており、高γ部が、第１電極と表示電極対とが立体的に交差する領域に相当する部分又は当該領域付近に相当する部分で偏在しているという構成を採用することができる。
【００３３】
上記本発明に係るＰＤＰでは、第２電極と第３電極との一方がスキャン電極であり、他方がサスティン電極であって、高γ部は、第１電極（データ電極に相当）とスキャン電極とが立体的に交差する領域に相当する部分に偏在した状態で存在しているという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、第１電極、第２電極および第３電極の各々に対し入力映像データに基づく電圧が印加され、入力映像データに基づき選択された放電セルにおいて、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されることによって書き込み放電が発生し、当該書き込み放電の発生により壁電荷の形成がなされるという構成を採用することができる。
【００３４】
上記本発明に係るＰＤＰでは、第１の基板の表面上に複数本のデータ電極が形成され、第２の基板の表面上にデータ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、スキャン電極の各側縁辺から前記第１の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高γ部が、蛍光体層の表面の内、上記垂線によって囲まれる領域に存する部分を有するという構成を採用することができる。
【００３５】
上記本発明に係るＰＤＰでは、複数のデータ電極を覆うように第１の基板に誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合うデータ電極どうしの間であってデータ電極と並行する方向に延び、当該第１の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有する隔壁が立設されており、蛍光体層が第１の基板の誘電体層の表面と隣り合う隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、高γ部は、上記垂線で囲まれる領域を含み、隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されているという構成を採用することができる。
【００３６】
上記本発明に係るＰＤＰでは、複数のデータ電極を覆うように第１の基板に誘電体層が形成されるとともに、当該誘電体層の表面に、隣り合うデータ電極どうしの間であってデータ電極と並行する方向に延びる第１隔壁と、この第１隔壁に交差する方向であって、第２の基板に形成された隣り合う電極対どうしの間に延びる第２隔壁とが立設されているものであって、蛍光体層が第１の基板の誘電体層の表面と隣り合う第１隔壁および第２隔壁とに囲まれる各凹部の壁面に形成されているものであって、第２隔壁が第１の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有し、高γ部が上記垂線で囲まれる領域を含み、第２隔壁の斜面上に形成された蛍光体層表面を覆う状態に形成されているという構成を採用することができる。
【００３７】
上記本発明に係るＰＤＰでは、データ電極の各側縁辺から第２の基板の表面に対して第２の垂線を下ろすときに、高γ部が、上記垂線と第２の垂線とによって囲まれる領域に損する部分を有するという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、サスティン電極の各側縁辺から第１の基板の表面に対して第３の垂線を下ろすときに、蛍光体層の表面の内、第３の垂線によって囲まれる領域が空間を臨んでいるという構成を採用することができる。
【００３８】
上記本発明に係るＰＤＰでは、蛍光体層の表面の内、上記垂線によって囲まれる領域の外の領域が空間を臨んでいるという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が膜状に形成され、その膜厚が１００（ｎｍ）以上３（μｍ）以下に設定されているという構成を採用することが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が金属酸化物を含み構成されているという構成を採用することができる。
【００３９】
上記本発明に係るＰＤＰでは、上記金属酸化物の具体例として、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＮＯおよびＺｎＯの物質群の中から選択される少なくとも１種を含むという構成を採用することが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、上記金属酸化物の別の具体例として、ＭｇＯおよびＳｒＯの少なくとも一方を含むという構成を採用することが望ましい。
【００４０】
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよびＡｌＮの物質群の中から選択される少なくとも１種を含むという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｇ、Ｔａ、ＷおよびＮｉの金属材料群の中から選択される少なくとも１種を含むという構成を採用することができる。
【００４１】
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、ＰｔおよびＭｇの少なくとも１種を含むという構成を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、蛍光体層の表面に対して、１（％）以上５０（％）以下の被覆率を以って形成されているという構成を採用することが望ましい。
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が、蛍光体層の表面に対して、３（％）以上２０（％）以下の被覆率を以って形成されているという構成を採用することが望ましい。
【００４２】
また、本発明に係るＰＤＰは、上述のように、１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下の膜厚で、蛍光体層の表面を被覆する状態に高γ部が形成された構成を採用する場合においては、パネル駆動時において、空間（放電空間）で発生した１４７（ｎｍ）の共鳴線を含む真空紫外線が高γ部で実質的に多く吸収されることはなく、高い効率で蛍光体層へと透過される。よって、本発明に係るＰＤＰでは、蛍光体層の表面に高γ部を形成しているものの、その膜厚を上記数値範囲に規定することによって発光効率の低下を招き難い。なお、このように高γ部の膜厚を１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下に規定する場合には、高γ部で蛍光体層の表面の略全域を覆うという構成を採用することができる。ここでいう「略全域を覆う」とは、例えば、高γ部の形成過程において、その形成ムラなどにより膜状の高γ部に若干のピンホールなどが生じても、本発明の範疇に含むということを示す。
【００４３】
また、上記本発明に係るＰＤＰでは、空間を臨むように高γ部を形成しているので、パネル駆動時の初期化期間において、ランプ波形電圧の印加時に蛍光体層の側がカソードとなる場合の放電開始電圧の低下を図ることができ、弱放電の発生を安定化させることができる。
従って、本発明に係るＰＤＰは、初期化期間における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。このような構成を採用する本発明に係るＰＤＰでは、次のようなバリエーションを採用することができる。
【００４４】
上記本発明に係るＰＤＰでは、高γ部が金属酸化物を含むという構成を採用することができる。具体的な金属酸化物としては、ＭｇＯおよびＳｒＯの少なくとも一方を含むことが望ましい。さらに、上記本発明に係るＰＤＰでは、金属酸化物がＭｇＯを含み、高γ部が、金属酸化物を電子ビーム蒸着法を用い蒸着形成されたものであるという構成を採用することがより望ましい。
【００４５】
上記本発明に係るＰＤＰでは、第１の基板と第２の基板との間に形成された空間（放電空間）にＸｅを含む放電ガスが充填されており、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧の比率を、５（％）以上１００（％）以下にすることができる。
上記本発明に係るＰＤＰでは、より望ましいＸｅ分圧比率として、５（％）以上５０（％）以下の範囲を採用することができる。
【００４６】
また、本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部およびこれを備える上記本発明に係るＰＤＰを容易且つ確実に製造することができる。本発明に係るＰＤＰの製造方法は、次のようなバリエーションを採ることが可能である。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、スプレー法、分散堆積法あるいは電子ビーム蒸着法の何れかを用いて、蛍光体層の表面に対して斑点状または縞状に皮膜を形成することで、高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
【００４７】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、散布法、スプレー法、分散堆積法あるいは電着法の何れかを用いて、蛍光体層の表面に対して粒子状の材料を付着させることで、高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第１の基板の表面上に複数本の第１電極を互いに平行に形成し、当該第１電極を覆うように誘電体層を積層形成し、高γ部形成ステップにおいては第１電極の積層上方領域を含む範囲に高γ部を被覆形成するという具体的方法を採用することができる。
【００４８】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第１の基板の表面上に複数本の第１電極を互いに平行に形成し、当該第１電極を覆うように誘電体層を積層形成し、第２の基板の表面上に、第１の基板における第１電極と交差する方向であって、互いに平行な第２電極および第３電極で対をなす表示電極対を複数対形成し、高γ部形成ステップにおいては、第１電極と第２電極とが交差する領域を含む範囲に高γ部を形成するという手段を採用することができる。
【００４９】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、ＭｇＯまたはＳｒＯを含む材料を用いて高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、カーボンナノチューブ、ナノファイバー、フラーレンおよびＡｌＮで構成される物質群の中から選択される少なくとも１種の材料を用いて高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
【００５０】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、ＰｔまたはＭｇを含む材料を用いて高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、蛍光体層の表面に対する高γ部の被覆率を３（％）以上２０（％）以下に規定することが望ましい。
また、高γ部形成ステップにおいて、１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下の膜厚を以って蛍光体層の表面を覆う状態に高γ部を形成する上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、次のようなバリエーションを採用することができる。
【００５１】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、電子ビーム蒸着法を用いて高γ部を蒸着形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、ＭｇＯまたはＳｒＯを含む材料を用いて高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、第１の基板と第２の基板との互いの外周部を封止する封止ステップと、放電空間内にＸｅを含む放電ガスを充填するガス充填ステップとを有し、ガス充填ステップにおいては、全圧に対するＸｅ分圧の比率を５（％）以上５０（％）以下に調整された放電ガスを用いるとういう具体的方法を採用することができる。
【００５２】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、高γ部の形成材料を帯電させるとともに、その帯電された形成材料を、静電力により蛍光体層の表面における上記規定された一部領域に堆積させるという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、蛍光体層形成ステップにおける蛍光体層の形成に先行して、第１の基板の表面上に、複数本の第１電極を互いに形成し、当該第１電極を覆うように誘電体層を積層形成し、高γ部形成ステップにおいては、高γ部の形成材料を正に帯電させるとともに、第１電極に負の電圧を印加することにより、帯電状態の高γ部の形成材料を堆積させるという具体的方法を採用することができる。
【００５３】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、第１電極への負の電圧の印加を、時間の経過と共に負側に大きくなるように行うという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、第１電極への負の電圧の印加を、負側に連続的または段階的に大きくなるように行うという具体的方法を採用することができる。
【００５４】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、上記のように帯電された形成材料を、蛍光体層の表面に向けて散布するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、高γ部の形成材料を、プラズマ中で帯電させ、当該帯電された形成材料を、電子ビーム蒸着により堆積させるという具体的方法を採用することができる。
【００５５】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、高γ部の形成材料に、プラズマビームを照射させて帯電させ、当該帯電された形成材料を成膜することにより堆積させるという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、高γ部の形成材料として、少なくともＭｇＯを含む材料を用いることができる。
【００５６】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第１の基板の表面上に複数本のデータ電極を互いに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、誘電体層の表面上に第２の基板の側に向けて、隣り合うデータ電極どうしの間で並行して延び、且つ、第１の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まっていく状態の斜面を有する隔壁を形成するものであって、蛍光体層形成ステップでは、隣り合う隔壁間において、当該隔壁および誘電体層とで構成される凹部の内壁面に対して、蛍光体層を形成し、隔壁が第１の基板の主表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、第２の基板の表面上に、データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、スキャン電極の各側縁辺から第１の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高γ部形成ステップにおいて、上記垂線に対して交差する角度を以って、隔壁の斜面上における蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により高γ部の被覆形成を行うという方法を採用することができる。
【００５７】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、第２の基板の表面上に、データ電極と交差する方向であって、互いに平行なスキャン電極およびサスティン電極で対をなす電極対が複数形成されており、蛍光体層形成ステップでの蛍光体層の形成に先行して、第１の基板の表面上に、複数本のデータ電極を互いに平行に形成し、当該データ電極を覆うように誘電体層を積層形成し、誘電体層の表面上に、第２の基板の側に向けて、隣り合うデータ電極どうしの間で並行して延びる第１隔壁を形成し、且つ、同じく誘電体層の表面上に、第２の基板の側に向けて、第１隔壁に交差する方向であって、第２の基板に形成された隣り合う前記電極対どうしの間に延びる第２隔壁（第１隔壁と第２隔壁とで、所謂、井桁状隔壁を構成する。）を形成するものであって、蛍光体層形成ステップにおいて、誘電体層および第１隔壁および前記第２隔壁とで構成される凹部の内壁面に対して蛍光体層を形成し、第２隔壁が第１の基板の表面に向けて互いの間隔が狭まって行く状態の斜面を有し、スキャン電極の各側縁辺から第１の基板の表面に対して垂線を下ろすときに、高γ部形成ステップにおいて、上記垂線に対して交差する角度を以って、第２隔壁の斜面上における蛍光体層の表面に対して斜め蒸着法により高γ部の被覆形成を行うという方法を採用することができる。
【００５８】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、上記角度を維持した状態で、第１の基板をその主面方向に搬送するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、ＭｇＯを含む金属酸化物材料を用い、電子ビーム蒸着法により高γ部を膜状に形成するという具体的方法を採用することができる。
【００５９】
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、膜厚が１００（ｎｍ）以上３（μｍ）以下の膜状に高γ部を形成するという具体的方法を採用することができる。
上記本発明に係るＰＤＰの製造方法では、高γ部形成ステップにおいて、蛍光体層の表面の内、上記垂線で囲まれる領域の外の領域を放電空間を臨む状態に維持するという具体的方法を採用することができる。
【００６０】
また、本発明に係る高γ部の形成装置は、上記構成を採用することにより、上述のような規定箇所に高γ部を形成することができる。そして、この装置を用いることで、上記本発明に係るＰＤＰを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
以下では、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参酌しながら説明する。なお、以下の説明で用いるプラズマディスプレイパネル（以下では「ＰＤＰ」と記載する。）の各構成などについては、本発明の一例として示すものであって、本発明は、上述のような特徴的部分以外について、適宜変更が可能である。
【００６１】
（実施の形態１）
１．ＰＤＰ１の全体構成
実施の形態１に係るＰＤＰ１の全体構成について、図１を用いて説明する。図１は、ＰＤＰ１の要部を抜き出して描いた要部斜視図である。
図１に示すように、ＰＤＰ１は、大きく分けて前面パネル１０と背面パネル２０とから構成されている。この内、前面パネル１０は、前面基板１１の一方の主面上（図１においては、Ｚ軸方向下向きの主面）に表示電極対１２が複数対形成され、この表示電極対１２を覆うように誘電体層１３および誘電体保護層１４が順に積層され構成されている。構成要素の内、表示電極対１２は、スキャン電極（以下では、「Ｓｃｎ電極」と記載する。）１２１とサスティン電極（以下では、「Ｓｕｓ電極」と記載する。）１２２とで構成されている。Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２の各々は、透明電極要素１２１ａ、１２２ａにバスライン１２１ｂ、１２２ｂがそれぞれ積層され構成されている。
【００６２】
各電極１２１、１２２を構成する部分の内、透明電極要素１２１ａ、１２２ａは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどから構成されており、バスライン１２１ｂ、１２２ｂは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔなどから構成されている。なお、前面パネル１０における各電極１２１、１２２については、本実施の形態で示す２層構造のものに限らず、Ａｇなどの金属からなる単層構造のものや、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒなどの３層以上の構造のものを採用することもできる。
【００６３】
また、前面基板１１は、例えば、ソーダライムガラスなどを用い形成され、誘電体層１３は、例えば、鉛系の低融点ガラス材料を用い形成され、誘電体保護層１４は、例えば、ＭｇＯを用い形成されている。なお、誘電体保護層１４の形成にあたっては、通常、真空蒸着法などを用いることができるが、斜め蒸着法を用いることもできるし、また、重量密度を単結晶材料の７０（％）〜８５（％）程度の範囲内に設定しておくことなどもできる。
【００６４】
背面パネル２０は、背面基板２１の一方の主面上（図１においては、Ｚ方向上向きの主面）に複数条のデータ電極（以下では、「Ｄａｔ電極」と記載する。）２２がストライプ状に形成され、Ｄａｔ電極２２を覆うように誘電体層２３が形成され構成されている。背面パネル２０における誘電体層２３の表面には、隣り合うＤａｔ電極２２間のそれぞれ隔壁２４が立設され、誘電体層２３と隔壁２４とで構成される凹（溝）部分の内壁面に各色に対応の蛍光体層２５が形成されている。蛍光体層２５は、溝毎に色分けされて構成された赤色（Ｒ）蛍光体層２５Ｒ、緑色（Ｇ）蛍光体層２５Ｇ、青色（Ｂ）蛍光体層２５Ｂから構成されている。各々の蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、例えば、次のような蛍光体材料から形成されている。
【００６５】
赤色（Ｒ）蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ
緑色（Ｇ）蛍光体；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
青色（Ｂ）蛍光体；ＢａＭｇ2Ａｌ14Ｏ24：Ｅｕ
そして、本実施の形態に係るＰＤＰ１では、蛍光体層の表面上に斑点状の蛍光体皮膜２６が形成されている。蛍光体皮膜２６は、蛍光体層２５の表面の一部領域を覆い形成されており、蛍光体層２５の表面の一部と、蛍光体皮膜２６の表面とが、ともに放電空間３０を臨む状態となっている。
【００６６】
なお、背面パネル２０を構成する各部の内、背面基板２１は、前面基板１１と同様に、例えばソーダライムガラスから形成され、Ｄａｔ電極２２は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔなどから構成されている。また、誘電体層２３は、基本的には誘電体層１３と同様に、鉛系の低融点ガラスを用い形成されているが、ＴｉＯ2が混入されていることもある。また、背面パネル２０における隔壁２４については、図１に示すようなストライプ状のものだけでなく、井桁状のものなどを採用することも可能である。
【００６７】
蛍光体皮膜２６の構成については、後述する。
図１に示すように、前面パネル１０と背面パネル２０とは、各々の表示電極対１２およびＤａｔ電極２２などが形成された主面どうしが向き合うように、且つ、表示電極対１２とＤａｔ電極２２とが交差する方向に対向配置され、互いの外周部がフリットガラスなどを用いて封止されている。そして、前面パネル１０と背面パネル２０との間に形成される放電空間３０には、Ｘｅ−Ｎｅ系の放電ガス（希ガス）が約６０（ｋＰａ）の圧力を以って充填されている。なお、放電ガスについては、Ｘｅ−Ｎｅ系のもの以外に、Ｘｅ−Ｎｅ−Ｈｅ系の混合ガスを用いることもできる。そして、放電ガスにおける全圧に対するＸｅ分圧の比率は、パネルの発光効率を左右する大きな要因となるが、本実施の形態では、例えば、全圧に対するＸｅ分圧比率が５（％）以上５０（％）以下に設定されている。
【００６８】
２．蛍光体皮膜２６の構成
本実施の形態に係るＰＤＰ１の構成要素の内でも、最も特徴的となる蛍光体皮膜２６の構成について、図２を用いて説明する。図２は、（ａ）が背面パネル２０における蛍光体層２５を平面視した図であり、（ｂ）がその断面図である。
図２（ａ）に示すように、ＰＤＰ１では、背面パネル２０における蛍光体層２５の表面に斑点状に蛍光体皮膜２６が形成されている。蛍光体皮膜２６は、蛍光体層２５の表面上において、点在する状態に形成されており、蛍光体層２５の表面に対する被覆率は、１（％）以上５０（％）以下の範囲内に設定されている。なお、被覆率については、３（％）以上２０（％）以下の範囲内とすることがより望ましい。
【００６９】
図２（ｂ）に示すように、蛍光体皮膜２６は、蛍光体層２５の表面における一部領域に被覆形成されており、放電空間３０に対して露出している。また、蛍光体皮膜２６は、蛍光体層２５の表面の一部領域に形成されているため、蛍光体皮膜２６が形成されていない蛍光体層２５の表面は放電空間３０に対して露出されている。
蛍光体皮膜２６は、蛍光体層２５を構成する各蛍光体材料よりも高い２次電子放出係数γを有する材料であって、且つ、蛍光体材料とは異なる材料から構成されており、この皮膜２６の形成部分が本実施の形態に係るＰＤＰ１での高γ部に相当する。蛍光体皮膜２６の構成材料としては、例えば、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＮＯやＺｎＯなどの金属酸化物をあげることができる。また、蛍光体層皮膜２６の構成材料としては、金属酸化物以外に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）などのナノファイバー、Ｃ６０などのフラーレン、ＡｌＮなど、さらには、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉなどの材料を採用することも可能である。
【００７０】
蛍光体皮膜２６の構成に用いることのできる材料として列挙した上記材料の内、特に、金属酸化物の場合には、ＭｇＯやＳｒＯなどが２次電子放出係数γなどの観点から望ましく、また、上記金属材料を用いる場合には、ＰｔやＭｇが望ましい。
なお、蛍光体皮膜２６の形成においては、上記材料以外の材料や不純物材料が含まれていてもよい。即ち、蛍光体皮膜２６の形成に用いる材料には、総合的に蛍光体材料よりも大きい２次電子放出係数γとなっていればよい。
【００７１】
３．蛍光体皮膜２６の形成
図２に示す蛍光体皮膜２６は、例えば、ＭｇＯ材料を含む混合有機溶剤によるスプレー法や分散堆積法、電子ビーム蒸着法などを用いることで形成可能である。例えば、スプレー法を用いる場合には、次のようにステップを経て蛍光体皮膜２６の形成がなされる。
（１）エタノールなどにＭｇＯ材料を混合し、混合有機溶剤を作製する。
（２）蛍光体層２５の表面に沿ってマスクを装着し、このマスクに形成された孔を通して、混合有機溶剤を蛍光体層２５の表面の一部領域上に塗布する。
（３）蛍光体層２５の表面の一部領域上に塗布された混合有機溶剤を乾燥させ、有機溶剤を揮発させる。
【００７２】
以上のようにして、図２に示すような蛍光体皮膜２６が形成される。
また、分散堆積法を用いる場合には、例えば、有機溶剤にＭｇＯ材料を分散させておき、このＭｇＯ材料が分散された有機溶剤を用い、この溶剤表面に浮かせたＭｇＯ材料を静かに背面パネルの蛍光体層の所定の部分に堆積させる。この後、これを乾燥させ有機溶剤を揮発させることで蛍光体表面の一部領域上への蛍光体皮膜２６の被覆形成がなされる。なお、ＭｇＯ材料の堆積に先行して蛍光体層表面における蛍光体皮膜２６を形成したくない部分には、レジストマスクを形成しておけば、図２に示すような斑点状の蛍光体皮膜２６の形成が可能である。
【００７３】
４．ＰＤＰ１の駆動方法
上記構成のＰＤＰ１では、図示を省略するが、各電極１２１、１２２、２２に対し、各ドライバを含む制御駆動部が接続された構成となっている。このように駆動制御部が接続されたＰＤＰ１の駆動方法について、図３を用いて説明する。図３は、アドレス・表示分離駆動方式を以って表示駆動される。この駆動方法では、例えば図３に示すように、２５６階調を表現するために１フィールドを８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分割し、それぞれのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に初期化期間Ｔ1、書き込み期間Ｔ2、維持期間Ｔ3の３期間を設定する。
【００７４】
先ず、ＰＤＰ１の駆動では、初期化期間Ｔ1において、ＰＤＰ１の全放電セルに対して初期化放電を発生させ、これによって当該サブフレームよりも前のサブフレームにおける放電の有無による影響の除去や放電特性のバラツキを吸収するための初期化が実施される。初期化期間Ｔ1における初期化放電は、図３に示すように、電圧−時間推移が緩やかに傾斜して上下するランプ波形を、Ｓｃｎ電極１２１とＤａｔ電極２２との間に印加し、小さな放電電流を定常的に流す。これにより、ＰＤＰ１に形成された全放電セルで、上り傾斜のランプ波形部分と下りランプ波形部分とで各１回づつ弱放電である初期化放電が発生する。
【００７５】
次に、書き込み期間Ｔ2において、サブフィールドデータに基づいてＳｃｎ電極１２１（１）〜１２１（ｋ）を１ライン毎に順にスキャンして行き、当該サブフィールドで維持放電させたい放電セルに対して、Ｓｃｎ電極１２１とＤａｔ電極２２との間で書き込み放電（微小な放電）を発生させる。このようにＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極２２との間で書き込み放電を生じた放電セルでは、前面パネル１０の誘電体保護層１４の表面に壁電荷が蓄えられる。
【００７６】
その後、維持期間Ｔ3において、Ｓｕｓ電極１２２およびＳｃｎ電極１２１に対し、所定の周期（例えば、６μｓｅｃ．）、所定の電圧（例えば、１８０Ｖ）で矩形波の維持パルスＰｓｕｓ、Ｐｓｃｎを印加する。Ｓｕｓ電極１２２に印加する維持パルスＰｓｕｓと、Ｓｃｎ電極１２１に印加する維持パルスＰｓｃｎとは、互いに同一の周期を有し、且つその位相が半周期ずれた状態となっており、ＰＤＰ１における全放電セルに対して同時に印加される。
【００７７】
図３に示すようなパルスの印加によって、ＰＤＰ１では、書き込みがなされた放電セルにおいて、維持期間Ｔ3での交流電圧の印加を以って電圧極性が変化するたびにパルス放電が発生する。このような維持放電の発生により、表示発光は、放電空間３０の励起Ｘｅ原子からは１４７（ｎｍ）の共鳴線が、励起Ｘｅ分子からは１７３（ｎｍ）主体の分子線が放射され、次いで発生の紫外線を背面パネル２０における蛍光体層２５で可視光変換して画像表示がなされることになる。
【００７８】
５．ＰＤＰ１の優位性
本実施の形態に係るＰＤＰ１では、図２（ａ）に示すように、蛍光体層２５の表面における一部領域上に、蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い特性を有するＭｇＯで高い２次電子放出係数γを有する部分（高γ部）としての蛍光体皮膜２６を被覆形成し、蛍光体層２５の表面の残りの領域と蛍光体皮膜２６とがともに放電空間３０を臨む構成となっている。このような構成のＰＤＰ１では、蛍光体層２５の表面の一部が放電空間３０を臨むことから、維持期間Ｔ3においてパネル駆動時において放電空間３０内で発生した紫外線が大きく減衰することなく蛍光体層２５に入射し、特許文献１に係るＰＤＰのように蛍光体層の表面全体をＭｇＯ膜で被覆する場合に比べて、パネルの発光効率が低下してしまうのを抑制することができる。そして、本実施の形態では、蛍光体層２５の全表面に対する蛍光体皮膜２６の被覆率を１（％）以上５０（％）以下、より望ましくは、３（％）以上２０（％）以下に規定している。この数値範囲の規定については、後述する。
【００７９】
また、本実施の形態に係るＰＤＰ１では、蛍光体皮膜２６が放電空間３０を臨む状態で形成されているので、パネル駆動の初期化期間Ｔ1において、ランプ波形印加時（特に、上りランプ波形印加時）に蛍光体層２５の側がカソードとなる場合の放電開始電圧を低下させることができ、強い放電の発生を抑制し、安定した初期化放電（弱放電）の発生を生じさせることができる。これは、仮に蛍光体層２５の表面に全く蛍光体皮膜２６が形成されていない場合には、Ｘｅ分圧を高く設定すると見かけ上の電子放出が小さくなり放電が安定しないのに対し、ＰＤＰ１のように蛍光体皮膜２６を有する場合には、オージェ中和した際の蛍光体皮膜２６が受け取るエネルギが大きく、このために弱放電を安定的に生じさせることができるためである。
【００８０】
また、本実施の形態に係るＰＤＰ１では、上述のように安定的な初期化放電を発生し得るので、放電ガスでの全圧に対するＸｅ分圧の比率を５（％）以上５０（％）以下の範囲まで上げても、画質の低下を招くことがない。
従って、本実施の形態１に係るＰＤＰ１では、初期化期間Ｔ1における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。
【００８１】
６．蛍光体皮膜２６の被覆率
本実施の形態に係るＰＤＰ１では、蛍光体層２５の全表面に対する蛍光体皮膜２６の被覆率を１（％）以上５０（％）以下、望ましくは３（％）以上２０（％）以下と規定したが、これは、次のような理由によるものである。
被覆率を１（％）未満にした場合には、放電空間３０を臨む表面が初期化期間Ｔ１における初期化放電の発生を安定化させる機能を実質的に発揮し得ないことから、蛍光体皮膜２６の被覆率は、最低でも１（％）以上、望ましくは３（％）以上とする必要がある。また、ＭｇＯなどからなる蛍光体皮膜２６は、放電空間３０に面する表面積に応じて放電空間３０内で発生した真空紫外線を吸収してしまい、被覆率を５０（％）以上にした場合には、蛍光体層２５にまで届く紫外線量が少なくなり過ぎ、パネルの発光効率を実用となるレベル以下まで低下させてしまう。なお、ＰＤＰ１の他の構成要素などを考慮した際の望ましい被覆率の上限値は、同様の理由から２０（％）以下である。
【００８２】
７．確認実験
本実施の形態に係るＰＤＰ１が有する優位性については、上述の通りであるが、以下では、その確認のために実施した実験について説明する。
実験では、上述の製造方法により本実施の形態に係る構成を有する実施例に係るＰＤＰを作製した。即ち、背面パネル２０における蛍光体層２５の表面に被覆率５（％）でＭｇＯからなる膜厚０．５（μｍ）〜２０（μｍ）の蛍光体皮膜２６を形成した。形成にあたっては、ＭｇＯおよびエタノールなどを含む混合分散有機溶剤によるスプレー法を用いた。そして、放電空間３０には、全圧に対するＸｅ分圧比率が約３０（％）の高Ｘｅ放電ガスを充填した。
【００８３】
また、本確認実験では、比較例として、上記特許文献１に係る構成を採用したＰＤＰを作製した。即ち、蛍光体層の表面全体を膜厚０．５（μｍ）〜２０（μｍ）のＭｇＯ膜で被覆した構成のＰＤＰを比較例として作製した。
優位性の確認は、上記実施例および比較例の各ＰＤＰを表示駆動し、その発光効率および初期化期間Ｔ1における弱放電発生の安定性などを測定し、その結果を蛍光体皮膜を有さない従来のパネルと比較した。その結果によると、本形態に係る構成を有するＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて、初期化期間Ｔ1における弱放電が安定化し、誤書き込みの低減による画質性能の向上がみられた。また、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を３０（％）まで上昇させていることから、発光効率が約３（ｌｍ／Ｗ）まで向上した。
【００８４】
一方、蛍光体層の表面全体をＭｇＯ膜で被覆した比較例ＰＤＰでは、発光効率は約０．１（ｌｍ／Ｗ）であった。これは、蛍光体層の表面上に全く膜形成をしていない従来のＰＤＰに比べて、約１／１０という低いものであった。これは、比較例ＰＤＰにおいては蛍光体層の表面上に被覆形成されたＭｇＯ膜が放電空間で発生した共鳴線を含む真空紫外線を吸収してしまうためであると考えられる。
【００８５】
以上の結果より、実施例のように蛍光体層２５の表面の一部領域上に２次電子放出係数γが蛍光体材料よりも大きい材料からなる高γ部（蛍光体皮膜２６）を形成し、蛍光体層２５と蛍光体皮膜２６とがともに放電空間３０を望む構成を採用することにより、発光効率の低下の抑制を図るとともに、初期化期間Ｔ1における蛍光体層２５側がカソードとなるときの放電開始電圧の低減を図ることができる。よって、実施例に係るＰＤＰでは、初期化期間Ｔ1における弱放電の安定的な発生を確保し、誤書き込みによる画質の低下を抑制することが可能となる。また、実施例に係るＰＤＰでは、放電ガス中におけるＸｅ分圧を５（％）以上に設定する場合においても、画質の低下を招き難いので、発光効率の向上と画質の向上とを両立できる。
【００８６】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係るＰＤＰ２の構成について、図４および図５を用いて説明する。なお、前面パネル１０の構成、および背面パネル４０の蛍光体皮膜４６の形成形態を除く部分については、上記実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
図４（ａ）に示すように、ＰＤＰ２における蛍光体皮膜４６は、蛍光体層４５の表面の一部領域上に形成されている点では、上記実施の形態１と同様であるが、その形成形態は、Ｄａｔ電極４２の上に相当する領域ＷDATに設定されている。また、図４（ａ）のＡ−Ａ断面である図４（ｂ）に示すように、蛍光体皮膜４６は、前面パネル１０に形成された表示電極対１２の内のＳｃｎ電極１２１の下に相当する領域ＷSCNに設定されている。
【００８７】
図５は、ＰＤＰ２を構成する各要素の内の電極１２１、１２２、４２と、隔壁４４と、蛍光体皮膜４６とを抜き出して模式的に描いたものである。図５に示すように、蛍光体皮膜４６は、各放電セルの蛍光体層４５の表面上におけるＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極４２とが交差する領域に形成されている。ここで、ＰＤＰ２では、蛍光体層４５の表面に対する蛍光体皮膜４６の被覆率は、上記実施の形態１と同様に、１（％）以上５０（％）以下、望ましくは３（％）以上２０（％）以下に設定されている。この理由に付いては、上記同様である。
【００８８】
蛍光体皮膜４６の構成材料には、上記実施の形態１と同様に、蛍光体層４６を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが大きい材料を用いることができ、例えば、上記実施の形態１に係る蛍光体皮膜２６の形成に用いることができるのと同様の材料を用いることができる。
本実施の形態では、初期化期間Ｔ1において弱放電を生じさせようとするＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極４２との交差部分に蛍光体皮膜４６を形成することで、初期化期間Ｔ1にＳｃｎ電極１２１とＳｕｓ電極４２との間にランプ波形パルスが印加された場合にも、弱放電（初期化放電）が安定的に発生する。特に、放電ガス中におけるＸｅ分圧を５（％）以上に上昇させた場合の弱放電発生の安定性は、従来のＰＤＰに比べて優れている。
【００８９】
従って、本実施の形態に係るＰＤＰ２では、初期化期間Ｔ1における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。
なお、本実施の形態に係るＰＤＰ２における蛍光体皮膜４６も、上記実施の形態１と同様の方法を以って形成することが可能である。
また、本実施の形態では、蛍光体皮膜４６を蛍光体層４５の表面上におけるＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極４２との交差部分に形成することとしたが、Ｓｃｎ電極１２１に関係なくＤａｔ電極４２の上方部分全体に形成することとしてもよい。
【００９０】
（実施の形態３）
実施の形態３に係るＰＤＰ３について、図６を用いて説明する。なお、ＰＤＰ３の構成の内、前面パネル１０および背面パネル５０における高γ部を除く部分についての構成は、上記実施の形態１、２と同様であるので説明を省略する。
１．ＰＤＰ３の構成
図６に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ３では、蛍光体層５５の表面上において、粒状体５６が付着配置されている。この粒状体５６は、蛍光体層５５を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが大きい材料からなるものであって、例えば、上記実施の形態１の蛍光体皮膜２６を構成する材料などを用いることができる。本実施の形態に係るＰＤＰ３では、蛍光体層５６の表面における粒状体５６が付着配置された部分が、高γ部相当する。に一例として、材料にＭｇＯ、ＳｒＯなどの金属酸化物を用いる場合には、粒径が０．０５（μｍ）以上１（μｍ）以下の金属酸化物粒子を、圧縮窒素ガスなどを用いて散布することで粒状体５６の付着配置がなされ、蛍光体層５５の表面上に高γ部の形成がなされる。
【００９１】
本実施の形態においても、蛍光体層５５の表面に対する粒状体５６の被覆率は、１（％）以上５０（％）以下、望ましくは３（％）以上２０（％）以下に設定される。
このように蛍光体層５５の表面上に上記数値範囲内の被覆率を以って粒状体５６を付着形成したＰＤＰ３では、放電空間３０に対して２次電子放出係数γが高い粒状体５６と蛍光体層５５とがともに露出されることになる。よって、本実施の形態に係るＰＤＰ３では、パネル駆動における初期化期間Ｔ1における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。
【００９２】
なお、蛍光体層５５の表面に対する粒状体５６の付着形成の方法には、上記散布法以外にも、スプレー法、分散堆積法および電着法などを用いることができる。
２．粒状体５６の粒子径
高γ部を構成する粒状体５６については、上述のように各粒子径が０．０５（μｍ）以上１（μｍ）以下のものが散布形成されているので、複数の粒子が凝集することで２次粒子径が２（μｍ）以上２０（μｍ）以下となり、高γ部は、０．０５（μｍ）以上２０（μｍ）以下、あるいはそれ以上の範囲の粒状体５６により構成されることになる。ここで、０．０５（μｍ）よりも小さな粒状体については、作製すること自体が困難であって、また、散布した際に凝集し難くなることから、実際に用いることはできない、。他方、２０（μｍ）よりも大きな径の粒状体については、放電空間３０内で発生する共鳴線や分子線を吸収し易くなり、パネルの発光効率を低下させるため、実際に用いることはできない。
【００９３】
３．確認実験
以下では、本実施の形態に係るＰＤＰ３の上記優位性を確認するために実施した実験について説明する。
本実験用のＰＤＰとしては、背面パネルにおける蛍光体層５５の表面上に、粒径が０．１（μｍ）以上０．６（μｍ）以下のＭｇＯ粒子を散布法を用いて散布した。そして、この散布により形成された高γ部（粒状体５６の形成部分）の蛍光体層５５の表面に対する被覆率は、約１０（％）に規定した。なお、上記方法を以って高γ部を構成した際における粒状体５６の凝集粒子径は、０．２（μｍ）以上５（μｍ）以下であった。また、本実験に用いたＰＤＰでは、放電空間３０に充填の放電ガス中における全圧に対するＸｅ分圧比率を約１５（％）とした。
【００９４】
実験では、以上のように構成されたＰＤＰを表示駆動し、その発光効率および初期化期間Ｔ1における弱放電発生の安定性などを測定した。本実験に用いたＰＤＰでは、初期化期間Ｔ1における蛍光体層５５側がカソードとなる際の放電開始電圧が低下し、弱放電の安定化が図られ、誤書き込みの低減により画質が向上した。また、全圧に対するＸｅ分圧比率を１５（％）まで高めたことで、発光効率が約２（ｌｍ／Ｗ）となり、従来のＰＤＰよりも向上した。
【００９５】
以上の結果より、本実験に係るＰＤＰでは、蛍光体層５５の表面上に粒状体５６を付着配置することで高γ部を形成し、これによって発光効率を高く維持しながら、初期化期間Ｔ1における弱放電の安定化を図ることができたことがわかる。そして、粒状体５６の付着配置にあたっては、散布粒子単体の１次粒子径が０．０５（μｍ）以上１（μｍ）以下で、凝集粒子の場合の２次粒子径が２（μｍ）以上２０（μｍ）の粒子の採用が適する。
【００９６】
また、このように高γ部を形成することによって、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を５（％）以上に高く設定する場合にも、初期化期間Ｔ1における弱放電の安定化を図ることが可能となり、発光効率を高めることも可能となる。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４に係るＰＤＰ４について、図７および図８を用いて説明する。なお、前面パネル１０の構成、および背面パネル６０の粒状体６６の形成形態を除く部分については、上記実施の形態１〜３と同様であるので、説明を省略する。
【００９７】
１．ＰＤＰ４の構成
図７（ａ）に示すように、ＰＤＰ４における粒状体６６は、蛍光体層６５の表面上におけるＤａｔ電極６２の上に相当する領域ＷDATに付着配置されており、また、図７（ｂ）に示すように、粒状体６６は、前面パネル１０に形成された表示電極対１２の内のＳｃｎ電極１２１の下に相当する領域ＷSCNに設定されている。即ち、上記実施の形態２と同様の位置に粒状体６６の形成がなされており、これによって、高γ部が形成されている。
【００９８】
ここで、ＰＤＰ４についても、蛍光体層６５の表面に対する蛍光体皮膜４６の被覆率は、上記実施の形態１と同様に、１（％）以上５０（％）以下、望ましくは３（％）以上２０（％）以下に設定されている。この理由に付いては、上記同様である。
蛍光体皮膜６６の構成材料には、上記実施の形態１と同様に、蛍光体層６６を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが大きい材料を用いることができ、例えば、上記蛍光体皮膜２６、４６、５６の形成に用いることができるのと同様の材料を用いることができる。
【００９９】
本実施の形態では、初期化期間Ｔ1において弱放電を生じさせようとするＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極６２との交差部分に粒状体６６を付着配置し、高γ部を形成することで、初期化期間Ｔ1にＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極６２との間にランプ波形の電圧パルスが印加された場合にも、弱放電（初期化放電）が安定的に発生する。特に、放電ガス中におけるＸｅ分圧を５（％）以上に上昇させた場合の弱放電発生の安定性は、従来のＰＤＰに比べて優れている。
【０１００】
従って、本実施の形態に係るＰＤＰ４では、初期化期間Ｔ1における安定的な弱放電の発生を図ることができ、高い発光効率と高い画質性能との両立を図ることが可能である。
２．粒状体６６の付着配置方法
本実施の形態に係るＰＤＰ４における粒状体６６の付着配置方法について、図８を用いて説明する。図８は、粒状体６６の付着配置工程を示す模式断面図である。なお、図８では、図示の便宜上、背面パネルにおける隔壁６４の形成個数を４条としているが、実際には、より多い隔壁６４の形成がなされた背面パネルを用いる。
【０１０１】
図８に示すように、散布容器５０１内の底部分に背面基板６１を載置する。このとき、背面基板６１は、散布容器５０１内で略水平となるようにする。載置される背面基板６１上には、複数のＤａｔ電極６２が形成され、その上を覆うように下地誘電体層６３、さらにその上に隔壁６４および蛍光体層６５が形成されている。
次に、散布容器５０１の底部分に載置した背面基板６１の上に所望のパターン形状に合わせて設けられた透孔５０４ａを有するメタルマスク５０４を配置する。図８は模式図のため、メタルマスク５０４の固定具などの図示を省略しているが、実際のメタルマスク５０４は、透孔５０４ａの位置が背面基板６１および散布容器５０１に対してずれないように固定具などを用いて固定されている。
【０１０２】
散布容器５０１の上方部分には、粒子挿入部５０２が設けられており、この粒子挿入部５０２の内方に、例えば、ＭｇＯなどの粒子６６０を所定量入れる。そして、粒子挿入部５０２に対して窒素ガスや空気などの圧縮ガスを供給し、粒子６６０をノズル５０３から背面基板６１の上に設けられた蛍光体層６５の表面に向けて勢いよく噴出させる。このように粒子６６０を噴出させた後、圧縮ガスの供給を停止し、粒子６６０を一定時間にわたって自然落下させる。このようにして、蛍光体層６５の表面上への粒子の散布がなされる。
【０１０３】
以上のように蛍光体層６５の表面上に散布された粒子６６０を乾燥させることで粒状体６６の付着配置がなされ、高γ部の形成が完了する。
ここで、蛍光体層６５の表面に対する粒状体６６による被覆率は、上述のように１（％）以上５０（％）以下、望ましくは３（％）以上２０（％）以下と設定し、また、図７に示すような位置に高γ部を配置するが、これらの設定は、メタルマスク５０４における透孔５０４ａの設定、および背面基板６１に対するメタルマスク５０４の相対位置の設定などを以って実施することが可能となる。
【０１０４】
なお、上記散布法による粒状体６６の付着配置において、散布容器５０１の形状やサイズ、散布条件などについては、その形成しようとする形状、サイズ、用いる粒子６６０の材質などによって適宜設定されるものである。また、散布時においては、帯電などの手法を用いて均一な散布を実施したり、粒子どうしの凝集を抑制するために乾式・湿式方法などの種々の方法を採用することも勿論可能である。これらは、液晶パネルを製造する際に用いられるスペーサ散布方法を用いることで容易に実施することができるものであるため、ここでの説明を省略する。
【０１０５】
また、粒状体６６の付着配置の方法としては、上記散布法の他に、スプレー法、分散堆積法および電着法などを用いることも可能である。例えば、スプレー法を用いる場合には、蛍光体層６５の表面上に所定パターンのレジストマスクなどを形成しておき、これに対して粒子６６０およびエタノールを含む混合有機溶剤をスプレー散布して、その後これを乾燥させる。そして、レジストマスクを除去することにより、図７に示すような所定のパターンでの粒状体６６の付着配置が可能となる。
【０１０６】
また、分散堆積法については、蛍光体層６５の表面上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成した背面基板６１を、混合有機溶剤の表面に浮いた粒子６６０を静かに堆積させ、これを乾燥させた後にレジストマスクを除去することで実施可能である。
さらに、電着法では、粒子６６０を含む電解溶液中で背面基板６１上に形成されたＤａｔ電極６２を用いて背面基板６１の側に電圧を印加する。これにより、帯電した粒子６６０は、蛍光体層６５の表面上におけるＤａｔ電極６２上の位置に引き寄せられ固着する。このような方法によっても、粒状体６６の付着配置を実施することが可能である。
【０１０７】
（実施の形態５）
次に、実施の形態５に係るＰＤＰ５の構成について、図９を用いて説明する。
１．ＰＤＰ５の構成
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ５では、背面パネル７０における蛍光体層７５の表面の略全域を覆う状態に蛍光体皮膜７６が形成されている。なお、この蛍光体皮膜７６の形成形態以外の構成部分については、上記実施の形態１〜４に係る各ＰＤＰ１、２、３、４と同様である。また、上記において、「略全域を覆う状態」とは、例えば、製造過程で生じるピンホールや形成ムラなどを許容するものである旨を示す。
【０１０８】
本実施の形態に係るＰＤＰ５では、上記実施の形態１〜４に係る各ＰＤＰ１、２、３、４と相違し、蛍光体層７５の表面全体を覆うように蛍光体皮膜７６が形成されているのであるが、上記特許文献１に係るＭｇＯ膜との違いはその膜厚ｔを規定しているところにある。即ち、特許文献１に係るＰＤＰでは、膜厚の規定をすることなく蛍光体層の表面を覆うようにＭｇＯ膜を形成している。このため、特許文献１に係るＰＤＰでは、上記実施の形態１の実験の考察のように、発光効率が実際に適用できない程度に低いものとなる。
【０１０９】
これに対して、本実施の形態に係るＰＤＰ５では、図９（ｂ）拡大部分に示すように、膜厚ｔを１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下に規定した上で、蛍光体層７５の表面全体を覆い蛍光体皮膜７６を形成している。このように極薄い蛍光体皮膜７６では、放電空間３０で発生した共鳴線や分子線が膜でほとんど吸収されることなく蛍光体層７５へと透過される。そのため、ＰＤＰ５では、パネルの発光効率が大きく低下することはない。
【０１１０】
ＰＤＰ５における蛍光体皮膜７６は、その膜厚ｔが上気数値範囲と極薄いものの、パネル駆動時の初期化期間Ｔ1において、ランプ波形のパルス印加の際の蛍光体層７５の側がカソードとなるときの放電開始電圧は上記実施の形態１〜４と同様に低減され、弱放電の安定的な発生を図ることができる。このような優位性は、発光効率向上のために放電ガス中におけるＸｅ分圧を５（％）以上に高く設定する場合にも変わることはない。
【０１１１】
なお、本実施の形態においても蛍光体皮膜７６の形成には、上記実施の形態１〜４と同様に、少なくとも蛍光体層７５を構成する蛍光体材料よりも２次電子放出係数γが高い材料を用いることが必要である。例えば、上記列挙の材料などを用いることができる。
２．蛍光体皮膜７６の形成方法
蛍光体皮膜７６の形成には、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などを採用することができるが、その膜厚を極薄い範囲内に規定することから、電子ビーム蒸着法を用いることが特に望ましい。
【０１１２】
電子ビーム蒸着法を用いて蛍光体皮膜７６を形成するのには、以下のような手順を踏むことで達成される。
電子ビーム蒸着装置内にＭｇＯなどの皮膜材料を入れ、これに電子ビームを照射する。電子ビームの照射を受けた皮膜材料は、背面基板７１上に形成された蛍光体層７５の表面上に蒸着される。このようにして蛍光体皮膜７６の形成がなされる。この形成方法を用いることで、蛍光体皮膜７６形成時における蛍光体層７５表面へのダメージはほとんどない。このため、ＰＤＰ５では、蛍光体皮膜７６の形成による輝度の低下を生じることはない。
【０１１３】
３．蛍光体皮膜７６の膜厚規定
本実施の形態に係るＰＤＰ５では、蛍光体皮膜７６の膜厚ｔを１（ｎｍ）以上１０（ｎｍ）以下に規定したが、これは、次のような理由に基づくものである。
蛍光体皮膜７６の膜厚ｔを１（ｎｍ）未満とした場合には、蛍光体皮膜形成による初期化期間Ｔ1における安定的な弱放電の維持を図ることは困難となる。即ち、膜厚が１（ｎｍ）未満の蛍光体皮膜では、初期化期間Ｔ1の蛍光体層７５の側がカソードとなる際の放電開始電圧を低減することはできず、弱放電が不安定となり、強い放電を生じることもある。
【０１１４】
一方、図１０に示すように、蛍光体皮膜７６の膜厚ｔを１０（ｎｍ）よりも厚くした場合には、紫外線透過率が約８３（％）よりも小さくなってしまい、蛍光体皮膜で吸収される共鳴線や分子線の量が大きくなる。このため、例えば、放電ガス中のＸｅ分圧を現状の５（％）から１０（％）程度まで上げることで得られる輝度向上が約１２０（％）程度であることから、膜厚ｔを１０（ｎｍ）よりも厚く設定することで紫外線透過率が８３（％）以下まで低下してしまうと、発光効率の向上を実質的に得られなくなってしまう。従って、膜厚が１０（ｎｍ）よりも厚い蛍光体皮膜を有する場合には、蛍光体皮膜を形成することによるデメリットの方が、弱放電の安定化というメリットを相殺してしまうことになり、実際に適用することができなくなってしまう。
【０１１５】
なお、上記図１０は、ＢａＭｇ2Ａｌ14Ｏ24：Ｅｕ（ＢＡＭ）蛍光体材料からなる蛍光体層をベースとするときの蛍光体皮膜の膜厚と紫外線透過率との関係を表すものであるが、他の蛍光体材料からなる蛍光体層をベースとするときにおいても、同様の結果が得られる。
また、本実施の形態に係るＰＤＰ５では、膜厚ｔを上記数値範囲内に規定した上で、蛍光体層７５の表面全体を覆うように蛍光体皮膜７６を形成することとしているが、ここでの膜厚ｔの規定は必ずしも全域で均一な厚みとする必要はない。また、部分的に僅かの領域で膜厚ｔが１０（ｎｍ）を超えるような箇所を有する場合にあっても、実効的に上記数値範囲内にその膜厚ｔが１（ｎｍ）〜１０（ｎｍ）の範囲に収まっていれば同様の効果を得ることが可能である。特に、実際の蛍光体層７５の表面は、凹凸を有するものであるため、粒子と粒子との間の部分などで局所的に膜厚ｔが１０（ｎｍ）を超えるようなところがあっても、本実施の形態に係るＰＤＰ５が奏する効果に大きな影響を及ぼすものではない。
【０１１６】
（実施の形態１〜５に関するその他の事項）
上記実施の形態１〜５については、本発明の構成およびそれより得られる効果について、分かりやすく説明するために一例として用いたものであって、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、実施の形態１〜５では、Ｓｃｎ電極１２１、Ｓｕｓ電極１２２、Ｄａｔ電極２２、４２、５２、６２、７２の３電極を用いてパネルの表示駆動を行う構成のＰＤＰを一例としたが、背面パネル２０、４０、５０、６０、７０に第４の電極、第５の電極を設けておき、初期化期間Ｔ1〜維持期間Ｔ3に適宜これらの電極に電圧を印加することとしてもよい。
【０１１７】
また、実施の形態１〜５に係る各ＰＤＰ１、２、３、４、５では、背面パネル２０、４０、５０、６０、７０における隔壁２４、４４、５４、６４、７４をＤａｔ電極２２、４２、５２、６２、７２と平行なストライプ状のものとしたが、井桁状やミアンダ状のものを採用することも可能である。
また、上記図３の印加パルスの波形図についても、種々の変形例を適用することができる。例えば、１フィールドを８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分割するのではなく、９以上のサブフィールドに分割、あるいは逆に７以下のサブフィールドに分割するような駆動方法を採用することも可能である。
【０１１８】
また、実施の形態１では、蛍光体層２５の表面上における蛍光体皮膜２６の形成形態について、図１および図２のように略規則正しく整列した状態としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、不規則に形成されたものとすることもできる。また、図２のような斑点状ではなく、縞状などとすることも可能である。
さらに、上記実施の形態におけるＰＤＰの各構成材料、あるいは形成方法などについても適宜変更が可能である。蛍光体皮膜２６、４６、７６の形成方法や粒状体５６、６６の付着配置の方法などについても、その形成形態および用いる材料などに適用して変更することが可能である。
【０１１９】
（実施の形態６）
次に、実施の形態６に係るＰＤＰ６について説明する。
１．ＰＤＰ６の全体構成
図１１は、本実施の形態に係るＰＤＰ６の１画素を構成する部分を切り出して描いた要部斜視図（一部断面図）である。図１２（ａ）は、図１１のＤ方向から１放電セルを見た拡大図であり、図１２（ｂ）は、図１１での前面パネル１０を仮想的に取り除いて背面パネルを図１１のＥ方向から見た平面図である。なお、本実施の形態に係るＰＤＰ６の構成は、背面パネル８０を除き、上記実施の形態１〜５と同一であるので、同一部分についての繰り返しの説明を省略する。
【０１２０】
ＰＤＰ６における背面パネル８０は、背面基板８１と、当該背面基板８１の表面に形成されたＤａｔ電極８２と、当該Ｄａｔ電極８２が形成された背面基板８１の表面を覆うように形成された誘電体層８３とを備える。この場合における「表面」とは、上記前面パネル１０の場合と同様に、放電空間３０側に位置する表面を示し、さらに換言すると、放電空間３０を臨む表面をいう。具体的には、背面基板８１におけるＺ軸方向上側の表面となる。
【０１２１】
Ｄａｔ電極８２は、画像データを書き込むためのものであり、放電セルのほぼ中央の位置であって上記表示電極対１２の延伸方向に直交する方向（図１１ではＹ軸方向）へとストライプ状に延伸している。なお、背景技術の欄でも説明したが、表示電極対１２とＤａｔ電極８２とが立体交差する各箇所が、放電単位である放電セルである。
背面パネル８０における誘電体層８３上であって、隣接する放電空間３０の間には、隔壁８４が、図１１、１２に示すように、Ｄａｔ電極８２の延伸方向に沿ってストライプ状に形成されている。
【０１２２】
隣り合う隔壁８４と誘電体層８３とで構成される各凹部の内壁面には、凹部毎に発光色の異なる蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂが形成されている。さらに、これら蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの表面の一部領域には、高γ部８６が形成されている。本実施の形態に係る高γ部８６についても、上記実施の形態１〜５と同様に、２次電子放出係数γが蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂよりも大きく、且つ、蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの構成材料とは異なる材料によって構成されている。即ち、本実施の形態に係るＰＤＰ６においても、蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの各表面に対し、偏在した状態で高γ部８６が形成されている。
【０１２３】
高γ部８６は、上記実施の形態４などと同様に、蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの表面に偏在して形成されている。具体的に高γ部８６は、蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの表面において、Ｄａｔ電極８２のオモテ側に相当する部分で偏在している。なお、本実施の形態では、確認的に後述するが、高γ部８６は、上記実施の形態１〜５などと同様に、ＭｇＯ粒子により構成されている。このため、図１２（ａ）では、便宜上、高γ部８６を粒状で表している。
【０１２４】
なお、ＰＤＰ６の表示駆動については、上記実施の形態１に係るＰＤＰ１と同じであるので、繰り返しての説明を省略する。
２．実施例
上記本実施の形態に係るＰＤＰ６の構成についての具体的について説明する。なお、ここでの説明は一つの例であり、本発明は、本実施例に限定されるものではない。
【０１２５】
先ず、前面板３について説明する。
Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２を構成する透明電極部１２１ａ、１２２ａは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等からなり、また、バスライン１２１ｂ、１２２ｂは、Ｃｒ−Ｃｕ−ＣｒやＡｇ等から形成されている。
前面パネル１０の誘電体層１３は低融点ガラスにより構成されており、当該構成のガラスペーストを使用して、スクリーン印刷などにより、表示電極対１２が形成された前面基板１１の表面を覆うように塗布され、その後焼成されて形成される。
【０１２６】
誘電体保護層１４は、薄膜プロセスまたは印刷法を用いて形成されており、材料には電気絶縁性で透明なＭｇＯ膜が通常使用され、その厚さは例えば０．６（μｍ）程度である。なお、誘電体保護層１４の構成材料であるＭｇＯは、２次電子放出係数が高く、透明で耐スパッタ性に優れる。
次に、背面パネル８０におけるＤａｔ電極８２は、Ａｇにより形成されている。Ｄａｔ電極８２の幅（図１１におけるＸ軸方向の寸法）は、１００（μｍ）である。
【０１２７】
背面パネル８０の誘電体層８３は、上記前面パネル１０の誘電体層１３と同様に、低融点ガラスで形成されており、形成方法も同じ方法を採用することができる。
隔壁８４は、低融点ガラスから構成されており、誘電体層８３の表面に前記低融点ガラスからなるペーストを塗布・焼成した後、Ｄａｔ電極８２の延伸方向に沿う放電空間３０に合わせてストライプ状のパターンで、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法等によりリブ形状に形成される。
【０１２８】
蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂは、その発光色がそれぞれ赤、緑、青の３色であり、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：ＭｎおよびＢａＭｇ2Ａｌ14Ｏ24：Ｅｕなどの蛍光体を含み形成されている。蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂは、上記隔壁８４の側面と、誘電体層８３の表面上で隔壁８４が形成されていない部分に対して、上記蛍光体の発光色毎に印刷塗布、焼成工程を行うことにより、誘電体層８３と隔壁８４とで構成される凹部の表面に形成される。
【０１２９】
高γ部８６は、蛍光体層８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂの構成材料とは異なる材料で、且つ、高い２次電子放出係数γを有する金属酸化物材料を用いて形成される。用いられる金属酸化物材料は、上記実施の形態１〜５などと同様に、例えばＭｇＯであり、粒径が０．０５（μｍ）〜１（μｍ）の範囲内にある粒子が、Ｄａｔ電極８２の表面上に対応する部分に、その厚さが１（μｍ）になるように形成されている。なお、本実施例における高γ部８６の形成方法については、後で詳細に説明する。
【０１３０】
また、放電ガスに用いられる希ガスとしては、例えば、キセノン・ネオンを含む希ガスが用いられ、これらが約６０（ｋＰａ）の圧力で封入されている。なお、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比率は、１５（％）である。
４．高γ部８６の形成方法
先ず、高γ部８６の形成方法の概略を説明すると、高γ部８６を構成する材料、つまり、２次電子放出係数γが蛍光体層８５（以下では、符号８５Ｒ、８５Ｇ、８５Ｂを纏めて、符号８５と記載する。）よりも大きく、且つ、蛍光体層８５の構成材料とは異なる材料を帯電させて、この帯電した材料を静電力によってＤａｔ電極８２の上方に集積することで、高γ部８６を形成する（この方法を、「電圧印加粒子散布集積法」ということにする）。
【０１３１】
つまり、高γ部８６は、当該高γ部８６を形成する材料である金属粒子を帯電させる帯電工程と、Ｄａｔ電極８２を帯電する金属粒子より低い電位にすることによって、蛍光体層８５の表面であって、Ｄａｔ電極８２の上方に相当する部分に金属粒子を静電力により集積する集積工程とを経て形成される。具体的な形成方法について、図１３を用いて説明する。図１３は、高γ部８６の形成方法を説明するための概略図である。
【０１３２】
以下、高γ部８６を構成する材料としてＭｇＯ（粒子）を用いた例で説明する。
図１３（ａ）に示すように、隔壁８４が形成された背面パネル８０用の板８０ａ（この板に高γ部８６を形成して背面パネル８０が完成する（つまり、背面板が完成する前段階である）ので、この板を、「前段背面パネル」と記載する。）８０ａを用意し、背面基板８１の主面が略水平であって蛍光体層８５が上側となるように配する。この前段背面パネル８０ａは、上記構成の欄で説明した、背面基板８１、Ｄａｔ電極８２、誘電体層８３、隔壁８４を備えるとともに、隔壁８４の側面および誘電体層８３の表面であって、隔壁８４が形成されている部分を除く部分に蛍光体層８５が形成されているものである。
【０１３３】
高γ部８６の形成は、図１３（ｂ）に示す粒子散布装置５１０を利用して行われる。
この粒子散布装置５１０は、粒子散布容器５１１と、ＭｇＯ粒子６７０を格納する格納容器５１２と、格納容器５１２内のＭｇＯ粒子を帯電させる帯電手段５１４と、格納容器５１２内で帯電されたＭｇＯ粒子６７０を粒子散布容器５１１内に散布する散布手段と、散布されたＭｇＯ粒子６７１を集積するために前段背面パネル８０ａのＤａｔ電極８２に所望の電圧を印加する印加手段５１４とを備える。
【０１３４】
ここで、格納容器５１２は、粒子散布容器５１１の上壁５１１ａの外側に配されており、散布手段は、格納容器５１２の内部と粒子散布容器５１１の内部とを連通させるノズル５１３と、格納容器５１２内に、窒素ガスや空気等の圧縮ガスを流入される流入手段（図示省略）とにより構成される。
また、帯電手段は、図１３（ｂ）に示すように、格納容器５１２およびノズル５１３に所定の電圧を印加することで、格納容器５１２内およびノズル５１３内のＭｇｏ粒子６７０を帯電させる。格納容器５１２およびノズル５１３への印加は、高電圧直流電源装置５１４により行われる。なお、Ｄａｔ電極８２への電圧の印加も、上記高電圧直流電源装置５１４により行われる。
【０１３５】
上記構成の粒子散布装置５１０を用いた高γ部８６の形成方法の具体例について説明する。
図１３（ｂ）に示すように、先ず、粒子散布容器５１１の上壁５１１ａ上の格納容器５１２に、例えば、直径０．０５（μｍ）〜1（μｍ）のＭｇＯ粒子６７０を所定量入れる。そして、ＭｇＯ粒子６７０を格納する格納容器５１２やノズル５１３に、高電圧直流電源装置５１４により数千（Ｖ）〜１万（Ｖ）の正の電圧(＋Ｖ１)を印加して、ＭｇＯ粒子６７０を帯電させる。
【０１３６】
一方、前段背面パネル８０ａのＤａｔ電極８２には、高電圧直流電源装置５１４によって、Ｍｇｏ粒子６７０を帯電させるために印加した極性と反対である負の一定の大きさの電圧（−Ｖ２）、例えば−１００（Ｖ）〜０（Ｖ）を印加する。
そして、圧縮ガスを格納容器５１２の内部に流入させて、帯電したＭｇＯ粒子６７０をノズル５１３から吹き出させて散布する。これにより、正に帯電して散布されたＭｇＯ粒子６７１が下方に向かって落下して行く。
【０１３７】
その後、圧縮ガスの流入を止め、正に帯電して散布されたＭｇＯ粒子６７１は、自然落下しつつ、負の一定の大きさの電圧が印加されたＤａｔ電極８２による静電力によって吸引され、やがて、吸引されているＭｇＯ粒子６７１は、前段背面パネル８０ａの蛍光体層８５の表面であってＤａｔ電極８５の上方に相当する部分に堆積されてゆく。これによって、図１３（ｃ）の如く、ＭｇＯ粒子６７０、６７１からなる高γ部８６が蛍光体層８５の表面上に偏在形成される。
【０１３８】
上記電圧印加粒子散布集積法による高γ部８６の形成では、帯電状態のＭｇＯ粒子６７１は、静電力によりＤａｔ電極８２に吸引されて、Ｄａｔ電極８２の上部に相当する部分（電極部分を含む。）に堆積され、Ｄａｔ電極８２から離れた部分にはＭｇＯ粒子６７１は付着しないので、精度良く所望の範囲に高γ部８６を形成できる（高γ部８６を偏在形成させることができる）と共に、略均一な厚さでしかも所望の密度で高γ部４１を形成できる。
【０１３９】
一方、高γ部８６の厚さは、Ｄａｔ電極８２に印加する電圧値および帯電したＭｇＯ粒子６７１の散布量によって決定できるので、本実施の形態に係る方法を用いた場合には、高γ部８６の厚さの管理を容易に行える。しかも、図１３（ｃ）に示すように、前段背面パネル８０ａの蛍光体層８５の表面であってＤａｔ電極８２の上方に対応する部分に、絶縁物材料であるＭｇＯ粒子６７１が略均一に、且つ、所望の面密度で静電力により集積され、図１１および図１３（ｃ）に示すような、高γ部８６を形成することができる。
【０１４０】
なお、蛍光体層８５の表面に高γ部８６を偏在形成しようとすると、従来の方法では、例えば、電子ビーム蒸着法により蛍光体層表面の全体にＭｇＯ膜を形成し、そのあと、形成したＭｇＯ膜を所望のパターンにエッチング等により加工しなければならなかった。しかしながら、本実施の形態に係る形成方法では、ＭｇＯ粒子６７０を帯電させ、Ｄａｔ電極８２に電圧を印加するだけで形成できるので、従来の方法に比べて、極めて簡易に、且つ、高精度に高γ部８６を成形できる。
【０１４１】
上記の電圧印加粒子散布集積法では、粒子散布装置５１０の粒子散布容器５１１などの形状や、圧縮ガスの流入量、流入速度や、格納容器５１２に充填するＭｇｏ粒子６７０の量、Ｍｇｏ粒子６７０に印加する電圧値等の種々の条件を適切に設定することにより、高γ部８６の厚みを、さらに均一な状態で堆積させることができる。また、上記において、電圧印加粒子散布集積法と呼ぶことにしたが、構成材料を帯電させ静電力でＤａｔ電極８２の上方に堆積させる方法であれば如何なる呼称の方法でもよい。
【０１４２】
４．評価実験
上述した方法で、実施例の高γ部８６を形成してなるＰＤＰ６を作成して、当該ＰＤＰ６を用いて画面の表示試験を行った。試験の内容は、初期化期間Ｔ1に、電圧−時間推移が緩やかに傾斜して上下するランプ波形の電圧を前面パネル１０側のＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極８２との間に印加し、書き込み期間Ｔ2において、書き込みパルスの印加の有無により放電セルの選択を行い、維持期間Ｔ3において選択された放電セルでの放電を実行し、意図した画像表示が行われているかどうかを確認することである。
【０１４３】
実験結果によれば、本実施の形態に係るＰＤＰ６では、初期化期間Ｔ1において蛍光体層８５側がカソードとなる放電であっても初期化輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下を抑えることができた。そして、結果的に発光効率の低下は、蛍光体層の表面に高γ部８６（ＭｇＯ膜）がない場合に対し、約５（％）に抑えられた。
これに対して、蛍光体層８５、隔壁８４の放電空間３０を臨む部分全てにＭｇＯからなる皮膜（高γ部に相当）７４６を形成した従来のＰＤＰ（図２６（ｂ）に示す構成）でも、初期化期間Ｔ1において蛍光体層７２５側がカソードとなる放電であっても初期化輝点の発生が低減したが、蛍光体層７２５の全表面に付けた皮膜７４６によって共鳴線を含む真空紫外線が吸収されるため輝度低下が大きい。そして、結果的に発光効率は、蛍光体層に皮膜７４６がない場合に対し、約１／１０に激減した。
【０１４４】
これは、高γ部８６が、２次電子放出係数γが蛍光体層８５よりも大きく、且つ、蛍光体層８５の構成材料とは異なる材料によって、蛍光体層８５の表面であってＤａｔ電極８２の上方に相当する部分のみに偏在形成されているので、初期化期間Ｔ1において、この高γ部８６から２次電子が放出される。これによって、ランプ波形電圧印加時において、蛍光体層８５側がカソードとなるときの放電遅れが減少し、弱放電が安定して起きやすくなったと考えられる。
【０１４５】
さらに、高γ部８６は、Ｄａｔ電極８２の上方に相当する部分のみに偏在形成されているので、蛍光体層８５における高γ部８６が形成されていない部分が放電空間３０を直接臨むことになり、輝度の低下を少なく、結果的に発光効率の低下を少なくできたと考えられる。
５．その他
上記で説明した高γ部８６は、蛍光体層８５の表面であって、Ｄａｔ電極８２の表面に相当する部分を覆うように全範囲に形成することとしたが、上記領域の全範囲に高γ部８６を形成していなくても良い。以下、Ｄａｔ電極８２の表面に相当する部分の全範囲に形成されていない、実施の形態１における変形例１として説明する。
【０１４６】
（１）構成
図１４は、変形例１に係るＰＤＰの放電セルの一部を切り欠いた平面図である。
ここでは、高γ部１０８６（の大きさ）と、蛍光体層１０８５の形成範囲以外は上記実施の形態６と同じであるため、高γ部１０８６および蛍光体層１０８５以外の部分については、上記実施の形態６と同じ符号を使用する。また、図１４は、ＰＤＰの表示面（前面パネルの前面基板１１における放電空間３０と反対側に位置する面）と直交する方向から、１つの放電セルを見た図である。
【０１４７】
高γ部１０８６は、図１４に示すように、表示電極対１２のＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極１０８２とが立体交差している蛍光体層１０８５の表面に形成されている。つまり、前面パネルの主面と直交する方向から当該前面パネル側を見たとき（図１４となる。）に、蛍光体層１０８５の表面上であって、Ｄａｔ電極１０８２の上方（前面パネル側）に相当する領域と、前面パネルのＳｃｎ電極１２１の下方（背面パネル１０８０側）に相当する領域とが重なる部分（本発明の「前記Ｄａｔ電極と前記表示電極対とが立体的に交差する領域に相当する部分」である。）に形成されている。
【０１４８】
なお、高γ部１０８６を構成する材料は、上記実施の形態６などと同じであり、２次電子放出係数γが蛍光体層１０８５の構成材料よりも大きく、且つ、蛍光体層１０８５の構成材料とは異なる材料（ＭｇＯ）である。また、蛍光体層１０８５は、本変形例１では、誘電体層１０８３の表面であって、隔壁１０８４が形成されていない部分に形成されており、隔壁１０８４の側面には形成されていない（図１４を参照）。
【０１４９】
（２）形成方法
本変形例に係る高γ部１０８６の形成方法について、図１５を用いて説明する。図１５は、変形例１の高γ部の形成状態を示す図である。
図１５に示すように、本変形例１における高γ部１０８６の形成は、上記実施の形態６における電圧印加粒子散布集積法を用いて行われる。本変形例１では、高γ部１０８６をＤａｔ電極１０８２とＳｃｎ電極１２１とが立体的に交差する部分に相当する部分に形成されているため、ここで説明する粒子散布装置５５０は、高γ部１０８６を選択的に形成するための選択手段５５５を備えている点で、上記実施の形態１での粒子散布装置５１０と異なる。
【０１５０】
本変形例１における粒子散布装置５５０は、粒子散布容器５５１と、ＭｇＯ粒子６８０を格納する格納容器５５２と、格納容器５５２内のＭｇＯ粒子６８０を帯電させる帯電手段５５４と、格納容器５５２内で帯電されたＭｇＯ粒子６８０を粒子散布容器５５１内に散布する散布手段と、散布されたＭｇＯ粒子６８１を集積するために前段背面パネル１０８０ａのＤａｔ電極１０８２に所望の電圧を印加する印加手段５５４と、高γ部１０８６を選択的に形成するための選択手段５５５とを備える。
【０１５１】
選択手段５５５は、高γ部１０８６の形成部分に相当する部分に貫通孔５５６を有するマスク５５７により構成される。そして、帯電状態でのＭｇＯ粒子６８０がノズル５５３から散布されると、帯電して散布されたＭｇＯ粒子６８１が、マスク５５７の貫通孔５５６を通って、貫通孔５５６の開口部分に対応する所望の範囲に堆積される。これにより、高γ部１０８６は、前段背面パネル１０８０ａのＤａｔ電極１０８２に対応する範囲で、且つ、前面パネル１０のＳｃｎ電極１２１の背面パネル１０８０側に対応する部分のみに部分的に偏在形成される。
【０１５２】
ここで説明した形成方法によると、選択手段５５５を用いることで、高γ部１０８６を部分的に偏在した状態で容易に形成することができる。
（３）実験結果
上記変形例１におけるＰＤＰについても、上記実施の形態６と同様に評価試験を行った。この実験によれば、本変形例１におけるＰＤＰは、初期化期間Ｔ1において、蛍光体層１０８５側がカソードとなる放電であっても初期化輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下を抑えることができ、蛍光体層、隔壁の放電空間側の部分全てに高γ部である皮膜７４６を形成した従来のＰＤＰ（図２６（ｂ）に示す構成）の発光効率よりも高い発光効率が得られた。
【０１５３】
これは、本変形例に係る高γ部１０８６が、２次電子放出係数γが蛍光体層１０８６よりも大きく、且つ、蛍光体層１０８５の構成材料とは異なる材料によって、Ｄａｔ電極１０８２の上方のみで、且つ、Ｓｃｎ電極１２１の下方のみに偏在形成されているため、初期化期間Ｔ1におけるランプ波形電圧印加時において、Ｄａｔ電極１０８２の上方で、且つ、Ｓｃｎ電極１２１の下方のみに形成された高γ部１０８６から２次電子が効率的に放出され、蛍光体層１０８５側がカソードとなる時の放電開始電圧が低下することにより、弱放電が安定して起きやすくなり、初期化輝点の発生が抑えられたと考えられる。
【０１５４】
また、高γ部１０８６は、Ｄａｔ電極１０８２の上方のみで、且つ、Ｓｃｎ電極１２１の下方のみに偏在している。つまり、蛍光体層１０８５は、高γ部１０８６の形成されていない部分の面積が、実施の形態６よりも広くなり、それだけ広い範囲で放電空間３０を直接臨むことになり、実施の形態６に比べて、発光効率の低下を抑制できたと考えられる。
【０１５５】
（実施の形態７）
上記実施の形態６に係る隔壁８４は、Ｄａｔ電極８２の延伸方向に沿ってストライプ状に形成されていたが、本実施の形態では、所謂、井桁状に形成されている。
１．構成
図１６は、ＰＤＰ１００６における１画素を構成する部分を切り出し、隔壁の様子が分かるように前面板の一部を切り欠いて描いた斜視図である。図１７（ａ）は、図１６のＧ−Ｇ線における断面図であって矢印方向に見た図であり、（ｂ）は、１つの放電セル分をＦ方向に見た図であり、図１７（ｂ）において、高γ部１１８６は網掛けで示している。なお、ここでも、上記実施の形態６と構造が同じ部分・部材については同じ符号を用いる。
【０１５６】
図１６に示すように、前面パネル１０は、上記実施の形態６と同様に、前面基板１１、表示電極対１２、誘電体層１３、誘電体保護層１４を備える。また、表示電極対１２は、Ｓｃｎ電極１２１とＳｕｓ電極１２２とを備える。
背面パネル１１８０は、図１６および図１７（ｂ）に示すように、背面基板１１８１、Ｄａｔ電極１１８２、誘電体層１１８３、蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂ、隔壁１１８４（１１８４ａ、１１８４ｂ）および高γ部１１８６を備える。ここで、本実施の形態では、上記実施の形態６に対し、隔壁１１８４の形状、高γ部１１８６が形成される蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂの形状が異なる。
【０１５７】
なお、前面パネル１０と背面パネル１１８０との封着は、前面パネル１０の表示電極対１２と背面パネル１１８０のＤａｔ電極１１８２とが立体的に直交するようになされている。
隔壁１１８４は、図１６および図１７に示すように、各放電空間３０の周りを囲むように井桁状をしており、上記実施の形態６と同様に、誘電体層１１８３上に形成され、隣接する放電空間３０どうしの間を区画している。なお、隔壁１１８４は、図１７（ｂ）に示すように、４つの隔壁要素１１８４ａ、１１８４ｂから構成されている。
【０１５８】
なお、井桁状の隔壁１１８４の成形は、材料として低融点ガラスを塗布焼成し、放電セルの複数個の配列を行および列を仕切る井桁状のパターンでサンドブラスト法やフォトリソ法などの方法を使用して、隔壁１１８４をリブ形状に形成する。
一方、蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂ（便宜上、符号１１８５Ｂについては、不図示。）は、誘電体層１１８３の表面であって隔壁１１８４が形成されていない部分と、隔壁１１８４の側面とに形成されている。このため、蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂは、誘電体層１１８３上に形成された底部と、隔壁１１８４の側面から前記底部へと傾斜状に形成された傾斜部とを有する。
【０１５９】
前面パネル１０の表示電極対１２と背面パネル１１８０の隔壁１１８４との位置関係は、種々採り得るが、表示電極対１２と隔壁１１８４とが近接する場合、表示電極対１２の下方側に位置する部分の蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂは、その傾斜部と当該傾斜部から少し底部に跨った部分となる。
そして、高γ部１１８６は、図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、蛍光体層１１８５Ｂの表面であって、Ｄａｔ電極１１８２の上方に相当する領域とＳｃｎ電極１２１の下方に相当する領域とが立体交差する部分（平面視において、Ｄａｔ電極１１８２とＳｃｎ電極１２１とが重なる部分）に形成されている。
【０１６０】
図１７（ｂ）に示すように、特に、蛍光体層１１８５Ｂは、上述したように、隔壁１１８４に近い箇所では、傾斜状になっているため、蛍光体層１１８５ＢにおけるＳｃｎ電極１２１の外側（Ｄａｔ電極１１８２の延伸方向であってＳｕｓ電極１２２の反対側）に位置する隔壁１１８４ｂの側面に形成された傾斜部と当該傾斜部から少し底部に跨った部分とに形成されている。
【０１６１】
高γ部１１８６は、上記実施の形態６と同様に、ＭｇＯ粒子により形成され、この形成には、上記実施の形態６と同様の電圧印加粒子散布集積法を用いている。なお、高γ部１１８６は、蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂの表面上に部分的に形成されるため、上記変形例１で用いた選択手段５５５等を用いる必要がある。
本実施の形態のように、Ｓｃｎ電極１２１とＤａｔ電極１１８２との間の蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂの表面が傾斜している場合には、初期化期間Ｔ1における放電が、見かけ上、Ｓｃｎ電極１２１と蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂの傾斜部の表面付近との間で生じる。このため、放電が生じている蛍光体層１１８５Ｒ、１１８５Ｇ、１１８５Ｂの傾斜部および当該傾斜部から底部とに跨る部分に高γ部１１８６があると、高γ部１１８６から放出された２次電子を有効に作用し、放電開始電圧を効果的に下げることができる。
【０１６２】
（実施の形態８）
上記実施の形態６および実施の形態７における高γ部８６、１１８６は、電圧印加粒子散布集積法により形成されていたが、他の形成方法によっても形成できる。本実施の形態８では、蒸着法を利用して高γ部８６、１１８６を形成する場合ついて説明する。なお、ここでは、実施の形態６での前段背面パネル８０ａに高γ部８６を形成する場合について説明する。
【０１６３】
この高γ部８６は、ＭｇＯを少なくとも含む材料によって、蒸着法、例えば、電子ビーム蒸着法により、電子ビーム蒸着装置内でターゲットであるＭｇＯに電子ビ−ムを照射することによって、例えば、膜厚が１０（ｎｍ）〜１（μｍ）のＭｇＯからなる皮膜が、Ｄａｔ電極８２の上方にのみに蒸着され形成される。
では、電子ビーム蒸着法よる高γ部８６の形成方法について、以下説明する。
【０１６４】
図１８は、本実施の形態８に係る高γ部８６の形成方法を説明するための概略図である。高γ部８６の形成方法は、蒸着装置５６０内において、前段背面パネル８０ａのＤａｔ電極８２に負あるいは接地電位を付与しておき、蒸着装置５６０内の前段背面パネル８０ａの下方でＲＦプラズマ５６３を発生させておく。
この状態で、電子銃５６７によって電子ビーム５６９をターゲットであるＭｇＯ６９０に照射させて飛散させる。この飛散するＭｇＯ粒子６９１は、上記ＲＦプラズマ５６３中で正の電位に帯電し、その後、負あるいは接地電位のＤａｔ電極８２に吸引されて、蛍光体層８５の表面であって、且つ、Ｄａｔ電極８２のオモテ側に相当する部分に集積・堆積する。
【０１６５】
このように高γ部８６は、電子銃５６７により電子ビーム５６９をターゲットであるＭｇＯ６９０に照射して蒸着させて、ＲＦプラズマ中で正に帯電したＭｇＯ粒子６９１が、高電圧直流電源装置（印加手段）６９２によって少なくとも負あるいは接地電位に付与されたＤａｔ電極８２に吸引されて蒸着するので、簡易な方法で成形できると共に、薄膜からなる高γ部８６を効率よく形成することができる。
【０１６６】
なお、上記成形方法で形成された高γ部８６を有するＰＤＰについても、実施の形態６と同様の試験を行った。
この実験に用いたＰＤＰは、放電セルの背面板において、蛍光体層８５表面のＤａｔ電極８２の上方のみに存在するように、２次電子放出係数γが蛍光体層８５の構成材料よりも大きいＭｇＯ材料を、ＲＦプラズマ５６３中で帯電させながら電子ビーム蒸着する電子ビーム蒸着法によって蒸着することにより、例えば、高γ部８６を膜厚約０．５（μｍ）に形成し、その他は実施の形態６の実験と同様にして作成されている。
【０１６７】
本実験によって、上記実施の形態６と同様に、初期化期間Ｔ1において弱放電が常に安定して起き、初期化輝点の発生が低減し、さらに輝度の低下が最小限に抑えられることが確認できた。
以上、本発明に係る構成上および作用・効果面での特徴を各実施の形態に基づいて説明したが、本発明の内容が、上記各実施の形態に示された具体例に限定されないことは勿論であり、例えば、以下のような変形例をさらに実施することができる。
【０１６８】
１．高γ部
（１）形成範囲について
実施の形態６、７および変形例１における高γ部８６、１０８６、１１８６は、蛍光体層８５、１０８５、１１８５の表面であって、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表面に相当する部分にのみ形成されていたが、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表面に相当する部分以外に高γ部８６、１０８６、１１８６が形成されていても良い。なお、「データ電極の表面に相当する部分にのみ」には、高γ部８６、１０８６、１１８６の形成範囲が、Ｄａｔ電極８２、１０８６、１１８２の表面に相当する部分を若干はみ出して形成されている場合も含んでいる。
【０１６９】
つまり、高γ部８６、１０８６、１１８６は、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表側に相当する部分を含む範囲に厚さが不均一な高γ部８６、１０８６、１１８６が形成されている場合、その厚さが最も厚い位置がＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分内にあるように偏在していれば良い。
但し、この場合、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表面に相当する部分以外では、高γ部８６、１０８６、１１８６の厚さを、放電ガス等から発せられた、例えば、共鳴線が殆ど吸収されない程度の厚さにする必要がある。具体的には、この厚さは、平均で０．５（μｍ）以下である。
【０１７０】
また、実施の形態６、７および変形例１における高γ部８６、１０８６、１１８６は、蛍光体層８５、１０８５、１１８５の表面であって、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表面に相当する部分、あるいは、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方（前面パネル１０側）に位置する部分とＳｃｎ電極１２１の下方（背面パネル８０、１０８０、１１８０側）に位置する部分との重なり部分（この部分を、単に、「データ電極と走査電極との重なり部分」という。）に均一に形成されていたが、不均一であっても良い。例えば、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分、またはＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２とＳｃｎ電極１２１との重なり部分内に、高γ部８６、１０８６、１１８６の形成されていない部分があっても良い（つまり、高γ部８６、１０８６、１１８６が島状に偏在していても良い）。さらには、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分、またはＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２とＳｃｎ電極１２１との重なり部分（立体交差部分）の略中央で、高γ部８６、１０８６、１１８６の厚さが最大となるように偏在しても良い。
【０１７１】
また、形成範囲について別の言い方をすれば、高γ部８６、１０８６、１１８６は、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分では、蛍光体層８５、１０８５、１１８５を覆う被覆率が、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分よりも大きくなっている。つまり、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２のオモテ側に相当する部分に集中して形成されていることになる。
【０１７２】
（２）材料について
上記各実施の形態６〜８および変形例１では、高γ部８６、１０８６、１１８６の構成材料としてＭｇＯを用いたが、他の材料を用いることもできる。例えば、他の材料として用いることが可能であるのは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＮＯおよびＺｎＯの内の少なくとも一種を含んだ金属酸化物材料、絶縁体としてのＣＮＴ（カーボンナノチューブ）などのナノファイバー、Ｃ６０等のフラーレンおよびＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の材料の少なくとも１種を含む絶縁物材料を使用することができる。これらには他の材料や不純物材料も含まれていても良い。
【０１７３】
また、上記において、高γ部８６、１０８６、１１８６として絶縁物質材料であるＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０を使用して説明したが、他の粒子として、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）およびＮｉ（ニッケル）の少なくとも１種を含む金属材料からなる粒子を使用しても同様に実施可能である。これらの粒子群は、仕事関数の値が小さくて２次電子放出係数γが蛍光体層よりも大きい値を有し、酸化されにくい金属粒子であり、初期化期間Ｔ1において蛍光体層８５、１０８５、１１８５側がカソードとなる時の放電開始電圧を低下させることができ、弱放電を安定して起こさせ、初期化輝点の発生を抑えることができる。
【０１７４】
２．電圧印加粒子散布集積法について
上記実施の形態６〜８および変形例１において、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する工程が、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成するための材料を正に帯電し、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に負の電圧を印加するとして説明したが、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する工程が、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に一定の大きさの負の電圧を印加し続ける工程を有していても構わず、また、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２上に時間の経過と共に負側に大きくなるように電圧を印加する工程を有していても構わず、また、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２上に時間の経過と共に負側に連続的、例えば、直線状、或いは曲線状に大きくなるように電圧を印加する工程を有していても構わず、また、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２上に時間の経過と共に負側に段階的に大きくなるように電圧を印加する工程を有していても構わず、また、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に負電圧のパルスを印加する工程を有していても構わない。
【０１７５】
これらの製造方法により、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に負の電圧を印加する方法として、上記各種方法をとることにより、正に帯電したＭｇＯ絶縁性材料を負の電圧に印加したＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２に集積させる過程で、ＭｇＯ粒子６７１、６８１、６９１の電荷により、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方の表面電位が上昇し、ＭｇＯ粒子がＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方に堆積しにくくなるのを防止することができる。
【０１７６】
帯電したＭｇＯ粒子が付着することにより上昇するＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上部の表面電位を、例えば、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に時間の経過と共に負側に大きくなるように電圧を印加する方法により、上昇するＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方の表面電位を略一定の所定の電位とすることが可能となり、表面電位が下がることがないので、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方にＭｇＯ粒子６７１、６８１、６９１を均一に集積させることができる。
【０１７７】
当然他の上記方法によっても同様に実施可能であって、効率よく簡易な方法で高γ部８６、１０８６、１１８６をＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方に形成することができる。また、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上部の表面電位を検出しフィードバックしながら上記負の電圧を調節する方法により、高γ部８６、１０８６、１１８６をＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の上方に形成することも可能である。
【０１７８】
また、各実施の形態では、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する材料として、ＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０を使用している。このＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０は、正に帯電しやすい性質を有しているため、実施の形態では、ＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０を正に帯電させて、データ電極に負の電圧を印加した。
しかしながら、例えば、ＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０を負に帯電させた場合は、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２には正の電圧を印加する必要がある。このように高γ部８６、１０８６、１１８６の形成においては、当該高γ部８６、１０８６、１１８６の形成する材料の帯電の極性は、その材料の帯電のし易さによって決定され、この帯電の極性によってＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２に印加する電圧の極性が決まることになる。
【０１７９】
さらに、各実施の形態では、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する材料として、ＭｇＯ粒子６７０、６８０、６９０を使用し、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２に負の電圧を印加させていたが、例えば、Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２を接地電位としても、正に帯電したＭｇＯ粒子６７１、６８１、６９１はＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２に吸引される。これは、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する材料を負に帯電した場合であっても同様のことが言える。
【０１８０】
３．高γ部８６、１０８６、１１８６の形成について
上記実施の形態６、７および変形例１において、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成する工程が、電圧印加粒子散布集積法による工程であるとして説明したが、さらに、実施の形態８で説明した電子ビーム蒸着法以外の製造方法として、高γ部８６を形成する工程が、高γ部８６を形成する材料にプラズマビームを照射して帯電させ成膜するプラズマビーム照射成膜法による工程であっても同様に実施可能である。
【０１８１】
これにより、簡易な方法により、プラズマビーム照射によって正に帯電したＭｇＯ粒子６９０を少なくとも負あるいは接地電位に付与されたデータ電極の上部に飛散集積させて蒸着し、薄膜からなる高γ部８６を効率よく形成することができる。
さらに、蒸着よりＭｇＯからなる皮膜を形成し、フォトエッチング等によりＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２の表面に相当する部分にのみ皮膜が残るようにして高γ部８６、１０８６、１１８６を形成しても良い。逆に、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成しない部分をマスキングして、蛍光体層８５、１０８５、１１８５の表面であってＤａｔ電極８２、１０８２、１１８２上に相当する部分にだけ、高γ部８６、１０８６、１１８６を形成しても良い。
【０１８２】
４．Ｄａｔ電極８２、１０８２、１１８２について
上記実施の形態６、７におけるＤａｔ電極８２、１１８２は、Ａｇ（銀）により形成されていたが、他の材料を用いて形成することも可能である。他の材料としては、例えば、Ａｕ（金）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）や、これらを適宜組合わせたものがある。
【０１８３】
５．隔壁８４、１０８４、１１８４について
上記実施の形態６、７および変形例１における背面パネル８０、１０８０、１１８０は隔壁８４、１０８４、１１８４を備えていたが、例えば、前面パネル１０の側に隔壁８４、１０８４、１１８４を備える構造であっても良い。また、隔壁８４、１０８４、１１８４を、前面パネル１０およ背面パネルと別の構成として成形して、前面パネル１０と背面パネル８０、１０８０、１１８０とを対向配置させるときに、前記隔壁８４、１０８４、１１８４を両者間に介在させて、ＰＤＰを形成しても良い。
【０１８４】
６．蛍光体層８５、１０８５、１１８５について
蛍光体層８５、１０８５、１１８５を構成する各蛍光体材料は、上記実施の形態６における材料に限定するものではなく、例えば、ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6：ＥｕやＹＢＯ3：Ｔｂなどを採用することもできる。
７．その他について
上記蛍光体材料や放電ガス種、圧力は上記に特定するものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用できる材料、条件が適用できる。また、上記の変形例で説明した内容をそれぞれ組合わせても良いのは言うまでもない。
【０１８５】
（実施の形態９）
１．ＰＤＰ１の構成
本発明の実施の形態９に係るＰＤＰ７の構成について、図１９を用いて説明する。図１９は、実施の形態９に係るＰＤＰ７の構造を示す要部斜視図（一部断面図）である。なお、基本的な構成および前面パネル１０の基本的な構成については、上記実施の形態１〜８などと変わるところがないが、確認的に以下で説明する。
【０１８６】
１−１．前面パネル１０の構成
前面パネル１０は、前面基板１１における背面パネル９０と対向する側の面（図１９では下面）に、Ｓｃｎ電極１２１とＳｕｓ電極１２２からなる表示電極対１２が、互いに平行に複数配設され、この表示電極対１２を覆うように、誘電体層１３および誘電体保護層１４が順に被覆形成されている。
【０１８７】
前面基板１１は、例えば、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラスから構成されている。また、Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２の各々は、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＳｎＯ2（酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などからなる幅広であって膜厚約１００ｎｍの透明電極要素１２１ａ、１２２ａと、高抵抗な透明電極要素１２１ａ、１２２ａを補い電気抵抗を下げるためのバスライン１２１ｂ、１２２ｂとをそれぞれ積層した状態で構成されている。バスライン１２１ｂ、１２２ｂは、例えば、膜厚が数（μｍ）程度であって、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）あるいはパラジウム（Ｐｄ）などから構成されている。なお、透明電極要素１２１ａ、１２２ａについては、ストライプ状あるいは突出形状に形成される（図１９では、ストライプ状）。
【０１８８】
また、誘電体層１３は、鉛系や非鉛系の低融点ガラス材料や酸化珪素（ＳｉＯ2）材料などを用い、厚膜形成プロセスまたは薄膜形成プロセスで膜厚数（μｍ）〜数十（μｍ）で形成され、誘電体保護層１４については、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）あるいはＭｇＦ2（弗化マグネシウム）などを主材料として膜厚が数百（ｎｍ）で構成されている。
なお、前面基板１１の表面において、隣り合う表示電極対１２どうしの間には、隣り合う放電セルの光が互いに漏れ出るのを防止するためのブラックストライプが設けられることもある。
【０１８９】
１−２．背面パネル９０の構成
背面パネル９０は、背面基板９１における前面パネル１０と対向する側の面（図１９では上面）に、表示電極対１２と略直交する方向において、Ｄａｔ電極９２が複数配置されており、このＤａｔ電極９２を覆うように、誘電体層９３が形成されている。また、この誘電体層９３上には、隣り合うＤａｔ電極９２間に主隔壁要素９４ａが立設され、さらに、この主隔壁要素９４ａと略直行する方向に補助隔壁要素９４ｂが形成されている。
【０１９０】
ＰＤＰ７では、これら主隔壁要素９４ａと補助隔壁要素９４ｂとを以って背面パネル９０における隔壁９４を構成している。なお、図面上では詳細に示していないが、Ｚ軸方向において、補助隔壁要素９４ｂの上端は、主隔壁要素９４ａの上端よりも若干低く設定されている。
誘電体層９３と隣り合う２条の主隔壁要素９４ａおよび２条の補助隔壁要素９４ｂとで囲まれた凹部の内壁面には、蛍光体層９５が設けられている。蛍光体層９５は、窪み毎に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各々に分けられている。
【０１９１】
背面パネル９０における背面基板９１についても、上記前面パネル１０の前面基板１１と同様に、高歪点ガラスあるいはソーダライムガラスなどから構成されている。Ｄａｔ電極９２は、例えば、銀（Ａｇ）などの金属材料から形成されており、背面基板９１の表面上にＡｇペーストをスクリーン印刷して形成されている。なお、Ｄａｔ電極９２の形成材料としては、Ａｇの他に、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄや、例えば、これらを積層するなどの方法で組み合わせたものも用いることもできる。
【０１９２】
誘電体層９３は、基本的に前面パネル１０の誘電体層１３と同じく、鉛系や非鉛系の低融点ガラス材料、ＳｉＯ2材料などから形成されているが、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や酸化チタン（ＴｉＯ2）が含まれたものでもよい。また、隔壁９４は、例えば、低融点ガラス材料を用い、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法などの方法で形成されている。ここで、隔壁９４は、各放電セルにおいて直方体形状の穴を掘るように形成されることから、その側壁が、背面基板９１に対して垂直ではなく、Ｚ軸方向の下向に隣り合う隔壁９４間の間隔が狭くなるような傾斜状となっている（図１９では、省略）。
【０１９３】
蛍光体層９５は、凹部毎に、次に示すような各色蛍光体を用い形成されている。
Ｒ蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ
Ｇ蛍光体；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
Ｂ蛍光体；ＢａＭｇ2Ａｌ14Ｏ24：Ｅｕ
また、本実施の形態に係るＰＤＰ７では、蛍光体層９５の表面の一部を覆うように、蛍光体皮膜９６が形成されている。この蛍光体皮膜９６については、その形成領域を含め、後述する。
【０１９４】
１−３．前面パネル１０と背面パネル９０との配置
ＰＤＰ７は、前面パネル１０と背面パネル９０とが、ギャップ材として背面パネル９０に形成された隔壁９４を間に挟み、且つ、表示電極対１２とＤａｔ電極９２とが略直交する方向に配され、この状態で各々のパネル１０、２０の外周部どうしが封止されて構成されている。これによって、前面パネル１０と背面パネル９０との間には、各隔壁９４によって仕切られた放電空間３０が形成され、両パネル１０、９０が密閉容器を形成することになる。ＰＤＰ７における放電空間３０には、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｈｅ等が混合されてなる放電ガスが充填され構成されている。放電ガスの封入圧力は、例えば、５０（ｋＰａ）〜８０（ｋＰａ）程度である。
【０１９５】
なお、放電ガス中における全圧に対するＸｅ分圧の比率については、従来、５（％）未満に設定されていたものであるが、パネルの発光輝度向上を目的として５（％）〜１００（％）の範囲の高い値に設定される。
また、ＰＤＰ７の製造においては、両パネル１０、９０を貼り合わせて組み立てた後、真空置換された放電ガス中で同時に封着封止する方法を採用しても構わない。また、上記ガス種は上記に特定するものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用できる材料、条件も適用できる。
【０１９６】
ＰＤＰ７では、表示電極対１２とＤａｔ電極９２とが立体交差する各箇所が放電セル（不図示）に対応する。そして、ＰＤＰ７には、複数の放電セルがマトリックス配列された状態となっている。
２．蛍光体皮膜９６
本実施の形態に係るＰＤＰ７において、構成上の特徴となる蛍光体皮膜９６の構成について、図２０および図２１を用いて説明する。図２０は、ＰＤＰ７の１つの放電セルを抜き出して示す断面図であり、（ａ）がＰＤＰ７をＸＺ断面で切り取った図であり、（ｂ）がＰＤＰ７をＹＺ断面で切り取った図である。
【０１９７】
図２０（ａ）に示すように、ＰＤＰ７では、Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２の延設方向（Ｙ方向）に沿ってほぼ平行に形成配置された隔壁９４の放電空間３０を臨む側の傾斜部表面に、蛍光体層９５が傾斜する形で形成される。また、蛍光体層９５は、誘電体層９３の表面を含めて他の内壁表面にも積層形成されている。
本実施の形態に係るＰＤＰ７においては、後述するように、初期化期間Ｔ1において２次電子を放出させるために、放電セル内において、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５を構成する上記蛍光体材料とは異なる材料により、蛍光体層９５の表面の一部を覆うように蛍光体皮膜９６が形成されている。図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、蛍光体皮膜９６の形成領域は、Ｓｃｎ電極１２１の各側縁辺（Ｘ軸方向の両縁）から背面基板９１の表面に対して垂線（Ｚ方向）を下ろすとき、この垂線で囲まれる蛍光体層９５の表面部分を含んでいる。また、ＰＤＰ７では、Ｓｕｓ電極１２２の下の領域や誘電体層９３の表面に積層された部分では蛍光体層９５の表面が放電空間３０を臨む状態となっている。
【０１９８】
図２１に示すように、ＰＤＰ７の蛍光体層９５をＺ方向における前面パネル１０の側から見るとき、蛍光体皮膜９６は、上記Ｓｃｎ電極１２１の下の領域の内でもバスライン１２１ｂの下の領域にある蛍光体層傾斜部分９５ａを含んで形成されている。そして、蛍光体層９５の他の傾斜部分９５ｂ〜９５ｄおよび底面（誘電体層９３の表面に積層された部分）には蛍光体皮膜９６が形成されていない状態となっている。
【０１９９】
蛍光体皮膜９６は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）を含む金属酸化物材料からなり、電子ビーム蒸着法を用いて膜厚数十（ｎｍ）〜数千（ｎｍ）で形成されている。蛍光体皮膜９６の膜厚については、１００（ｎｍ）〜３０００（ｎｍ）の薄膜状とするのがより望ましい。蛍光体皮膜９６は、蛍光体層９５の表面上における傾斜部分９５ａで平均として上記範囲の値の膜厚でよく、一定の膜厚である必要はない。また、蛍光体皮膜９６は、極めて薄い膜として島状に形成されていてもよい。なお、蛍光体皮膜９６の形成方法に関しては、後述する。
【０２００】
３．ＰＤＰ７の駆動および優位性
以下では、本実施の形態に係るＰＤＰ７を駆動する方法について説明する。ＰＤＰ７には、各電極１２１、１４、２２に対して所定タイミングで電圧を印加する駆動回路が接続されている（図示を省略）。そして、本実施の形態に係るＰＤＰ７においても、上記実施の形態１に係るＰＤＰ１と同様に、次の３つの動作期間を繰り返す、所謂、アドレス・表示分離駆動方式を用いてＰＤＰ７は表示駆動される。
（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間Ｔ1
（２）各放電セルごとにアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータの書き込み期間Ｔ2
（３）表示状態にある放電セル１を表示発光させる維持期間Ｔ3
上記（３）の維持期間Ｔ3において、Ｓｃｎ電極１２１とＳｕｓ電極１２２とで構成される表示電極対１２に対して、電極電圧パルスの矩形波電圧を互いに位相が異なるように印加する。即ち、表示電極対１２間に交流電圧を印加して、表示状態データが書き込まれた放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させる。
【０２０１】
上記維持放電により、放電空間３０の中の励起キセノン原子からは１４７（ｎｍ）の共鳴線が、励起キセノン分子からは１７３（ｎｍ）主体の分子線が放射され、次いで上記紫外放射を背面パネル９０の蛍光体層９５で可視放射に変換することにより、ＰＤＰ７の表示発光が得られる。
上述のように、蛍光体層９５の表面の一部領域に蛍光体皮膜９６が形成されてなる背面パネル９０を有するＰＤＰ７では、次のような優位性を有する。図２０、図２１に示すように、Ｚ軸方向におけるＳｃｎ電極１２１の下の領域にある蛍光体層９５の傾斜部分９５ａに、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５を構成する蛍光体材料とは異なる材料によって、蛍光体皮膜９６が被覆形成されてる。また、ＰＤＰ７では、蛍光体層９５の他の表面領域（他の傾斜部分９５ｂ、９５ｃ、９５ｄを含む。）が放電空間３０を臨む状態になっている。
【０２０２】
蛍光体層９５の表面における傾斜部分９５ａに被覆されてなる蛍光体皮膜９６は、２次電子放出係数γが大きく、且つ、耐スパッタ性が高い材料であるＭｇＯを含む金属酸化物材料により形成されることにより、ＰＤＰ７の駆動の初期化期間Ｔ1において、蛍光体層９５側がカソードとなる時の放電開始電圧をさらに低下させて弱放電をさらに安定化させ、且つ、耐スパッタ性が高い材料であるので、高画質および高信頼性にすることができる。
【０２０３】
また、蛍光体皮膜９６は、初期化期間Ｔ1において、蛍光体層９５側がカソードとなる時の放電開始電圧を低下させ、弱放電を安定して起こさせて画質を向上させるとともに、極く薄い膜で形成されることにより、放射される１４７（ｎｍ）の共鳴線を含む真空紫外線をほとんど吸収することがない。よって、ＰＤＰ７では、放電空間３０で発生した真空紫外線が蛍光体層９５に高効率に届けられ、発光効率が高く維持される。。
【０２０４】
また、蛍光体皮膜９６は、蛍光体層９５の表面における傾斜部分９５ａを含む少なくとも一部に設けられ、他の傾斜部分９５ｂ、９５ｃ、９５ｄおよび誘電体層９３の上に当たる部分には形成されていないので、ＰＤＰ７では、弱放電を起こさせる必要な箇所には蛍光体皮膜９６が形成され、不必要な個所には蛍光体皮膜９６が形成されていないので、蛍光体皮膜９６による紫外線放射の吸収が最小限の範囲に抑えられる。
【０２０５】
４．実験
実験において、上述したＰＤＰ７と同一構成のパネルを作成した。即ち、ＰＤＰ７の背面パネル９０の蛍光体層９５までを形成した後、Ｓｃｎ電極１２１の下の領域（傾斜部分９５ａ）を含む蛍光体層９５の表面の少なくとも一部領域に、ＭｇＯ材料を使用して電子ビーム蒸着法によって、蛍光体皮膜９６を膜厚約１０００（ｎｍ）で薄膜状に形成した。
【０２０６】
蛍光体皮膜９６は、後述する斜め蒸着法による製造方法によって、蛍光体層９５の表面における上記傾斜部分９５ｂ、９５ｃ、９５ｄなどの部分には少なくとも形成しないようにした。そして、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を約１５（％）の高い値として約６０（ｋＰａ）で封入し、ＰＤＰ７を作成し、次のような評価した。
上記ＰＤＰ７に対して、全表示セルを初期化状態にする初期化期間Ｔ1において、Ｓｃｎ電極１２１とＤａｔ電極９２との間に電圧−時間推移が緩やかに上下する高電圧のランプ波形を印加し評価した。
【０２０７】
実験結果によれば、本実施の形態に係るＰＤＰ７では、蛍光体層９５の表面における傾斜部分９５ａを含む一部の領域に蛍光体皮膜９６を形成したので、放電ガスの全圧に対するＸｅ分圧比率を約１５（％）と高く設定しているにも関わらず、初期化期間Ｔ1においてＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極９２との間にランプ波形高電圧が印加され、蛍光体層９５側がカソードとなったときに、蛍光体皮膜９６により、放電開始電圧が５０（Ｖ）〜１００（Ｖ）低下し、弱放電が常に安定して起きるようになって初期化輝点の発生が無くなり、画質が大幅に向上した。
【０２０８】
また、蛍光体皮膜９６を蛍光体層９５の表面における上記傾斜部分９５ｂ、９５ｃ、９５ｄなどの部分には少なくとも形成しないようにしたので、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を上げても発光効率の低下が抑えられて輝度の低下を抑制させることができ、高ＸｅのＰＤＰとして輝度が大幅に向上した。なお、ＰＤＰ７では、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を５（％）〜１００（％）の範囲の値に上げても弱放電が常に安定して発生し、且つ、輝度はＸｅ分圧比率に対応して向上した。
【０２０９】
一方、図２６（ｂ）に示すように、蛍光体層７２５の表面全体を覆ってＭｇＯからなる厚みの厚い蛍光体皮膜７４６を成膜した従来例のＰＤＰにおいては、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を上げた場合、初期化期間Ｔ1において、蛍光体層７２５側がカソードとなる時の放電開始電圧が下がって弱放電は安定化するものの、蛍光体層７２５の全表面に付けた厚い蛍光体皮膜７４６によって共鳴線を含む真空紫外線が吸収され、発光効率が抑制され、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を上げても、本実施の形態に係るＰＤＰ７に比較して輝度はその約１／１０となって向上しなかった。
【０２１０】
以上の結果より、本実施の形態に係るＰＤＰ７では、蛍光体層９５の表面における傾斜部分９５ａの少なくとも一部を含む部分に蛍光体皮膜９６を形成し、且つ、これ以外の部分を放電空間３０を臨む状態としておくことで、全表示セルを初期化状態にする初期化期間Ｔ1において、弱放電が安定して起きやすくなって初期化輝点の発生を抑制するとともに、維持期間Ｔ3における発光効率の低下を抑え輝度の低下を抑制するので、画質を向上させ、かつ高輝度とすることができる。
【０２１１】
上述のように、蛍光体皮膜９６は、蛍光体層９５の表面における傾斜部分９５ａの少なくとも一部を含む部分に設けられ、他の傾斜部分９５ｂ、９５ｃ、９５ｄ、特にＳｕｓ電極１２２の下の部分（傾斜部分９５ｂに相当。）には形成されない状態となっているので、初期化期間Ｔ1において、放電開始電圧が下がり弱放電を安定化させることができ、かつ紫外放射効率の低下を抑え発光効率の低下がおさえられる。このため、ＰＤＰ7では、高画質で高輝度あるいは低消費電力という優位性を有する。
【０２１２】
（実施の形態１０）
実施の形態１０に係るＰＤＰ７の製造方法について、図２２を用いて説明する。図２２は、実施の形態１０に係るＰＤＰ７の製造方法の内、背面パネル９０の蛍光体皮膜９６の形成に係る工程を示す工程概念図である。なお、本実施の形態に係る方法を以って製造しようとするＰＤＰ７の構成は、上記実施の形態９のＰＤＰ７と同一の構成のものである。
【０２１３】
図２２（ａ）に示すように、背面基板９１の一方の主面上にＤａｔ電極９２をパターン化して形成し、Ｄａｔ電極９２と背面基板９１表面の少なくとも一部を覆って低融点ガラスペーストを塗布焼成して誘電体層９３を形成する。さらに、誘電体層９３の表面上に隔壁９４を立設する。隔壁９４の形成に用いる材料としては、例えば、低融点ガラスを用い、隔壁９４の形成においては、この材料を塗布焼成した後、放電セルの複数個の配列の行および列を仕切って、隣接放電セルとの境界周囲を仕切る例えば井桁形状などのパターンで、サンドブラスト法やフォトリソ法あるいは転写法などの方法を使用して実施する。
【０２１４】
上記実施の形態９のように、井桁形状の隔壁９４として、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿って平行に形成した隔壁９４の側壁面を、隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部２４ｂ１（図２２（ｂ）を参照。）としている。同様に、Ｓｕｓ電極１２２側の隔壁９４の側壁面を、隔壁９４のＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２としている。もちろんその他の隔壁９４の側壁面にも、隔壁の傾斜部を形成している。
【０２１５】
図２２（ａ）に示すように、例えば井桁形状パターンで形成された隔壁９４に対して、蛍光体材料を印刷塗布、焼成を実施し、隔壁９４の側壁面および誘電体層９３の表面に蛍光体層９５を形成する。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）発光の各蛍光体層９５の形成には、上記３色の蛍光体材料をＲＧＢ各放電セル単位にそれぞれ使用する。なお、用いる蛍光体材料は、上記に特定するものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用する材料が適用できる。
【０２１６】
Ｓｃｎ電極１２１の延設方向（Ｙ軸方向）に沿ってほぼ平行に形成した隔壁９４の表面におけるＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１には、蛍光体層９５を傾斜して形成している。同様に、隔壁９４の表面におけるＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２にも、蛍光体層９５を傾斜して形成している。また、蛍光体層９５は、その他の隔壁９４の側壁面および誘電体層９３の表面にも形成ししている。
【０２１７】
本実施の形態に係るＰＤＰ７の製造方法での特徴は、背面パネル９０の加工面形成工程が、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５の構成材料とは異なる材料により、Ｓｃｎ電極１２１の各側縁辺から背面基板９１の表面に向けて下ろす垂線で囲まれる領域において、蛍光体層９５の斜面部分９５ａ（図２１を参照。）の少なくとも一部を含む部分に、蛍光体皮膜９６を形成する工程を有するものであり、以下に詳述する。
【０２１８】
図２２（ｂ）に示すように、背面基板９１上にＤａｔ電極９２、誘電体層９３、隔壁９４や蛍光体層９５を順次形成した背面板加工面を、Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２の延設方向をＹ軸方向（紙面垂直方向）に、Ｄａｔ電極９２の長軸方向をＸ軸方向（紙面水平）に配置する。そして、背面板加工面に対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向（Ｙ軸方向）と直交する方向から、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、これを形成する蛍光体材料とは異なる材料を使用して、斜め蒸着方法により蛍光体皮膜９６を形成する。
【０２１９】
蛍光体皮膜９６の形成に用いる材料としては、例えば、ＭｇＯを含む金属酸化物材料をあげることができる。そして、蛍光体皮膜９６の形成は、上記材料を用い、電子ビーム蒸着法などの薄膜形成プロセスによりＳｃｎ電極１２１の延設方向（Ｙ軸方向）と直交する方向から、背面板加工面の法線方向（Ｚ軸方向）からの傾斜角θのＣ方向から斜め蒸着して形成する。斜め蒸着での蛍光体皮膜９６の形成に際しては、その膜厚を数十（ｎｍ）〜６０００（ｎｍ）の範囲となるようにする。なお、蛍光体皮膜９６の膜厚に関しては、１００（ｎｍ）〜３０００（ｎｍ）の範囲の値の薄膜とするのが望ましく、さらに極薄膜として島状に形成してもよい。
【０２２０】
図２２（ｃ）に示すように、背面板加工面の放電セル内において、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向（Ｙ軸方向）と直交する方向で、且つ、Ｓｕｓ電極１２２の側の隔壁９４を手前に設けた遮蔽壁として利用し、Ｓｃｎ電極１２１の側の隔壁９４の底辺より手前のＳｕｓ電極１２２の側には蒸着しないような傾斜角θで斜め蒸着する。このように、本実施の形態に係る製造方法では、Ｓｕｓ電極１２２の側の隔壁９４を手前に設けた遮蔽壁として利用し、Ｓｃｎ電極１２１の側の隔壁９４の底辺よりＳｕｓ電極１２２の側には蛍光体皮膜９６が形成されない傾斜角θを設定することにより、斜め蒸着の傾斜角の値を適切な範囲に設定することが可能となる。このようにして、隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１に形成した蛍光体層９５の傾斜表面の少なくとも一部に蛍光体皮膜９６を形成し、蛍光体層９５底面および隔壁９４の他の傾斜部９４ｂ２の蛍光体層の表面には蛍光体皮膜９６の形成を行わないようにする。
【０２２１】
上記の製造方法では、蛍光体皮膜９６を蛍光体層９５の表面の一部（Ｓｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１上の部分）に形成した背面パネル９０と、上記実施の形態９のように、Ｓｃｎ電極１２１とＳｕｓ電極１２２とを交互に平行に延設した表示電極対１２を少なくとも有する前面パネル１０とを、間に放電空間３０を挟んで対向配置し、放電セルを複数個配列し形成してＰＤＰ７が構成される。なお、放電空間３０には、全圧に対する分圧比率が高い状態でＸｅを含む放電ガスを充填する。このようにして、高画質で高輝度のＰＤＰ７を歩留まりよく安定して製造することができる。
【０２２２】
本実施の形態に係るＰＤＰ７の製造方法では、背面板加工面の形成工程が、放電セル内において、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５の材料とは異なる材料により、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿って形成した隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１上の蛍光体層９５の少なくとも一部表面に蛍光体皮膜９６を形成する工程を有することにより、完成したＰＤＰ７の駆動において、初期化期間Ｔ1に弱放電を安定して起こしやすく初期化輝点の発生を抑制する、且つ、維持期間Ｔ3における輝度の低下を抑えて高画質、高輝度という優位性を有することが可能となる。
【０２２３】
また、本実施の形態に係るＰＤＰ７の製造方法では、ＭｇＯを含む金属酸化物材料を、電子ビーム蒸着法により、背面板加工面に対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向から、Ｓｕｓ電極１２２の側の隔壁９４を遮蔽壁とする傾斜角度で斜め蒸着するという簡易な方法により、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿って形成した隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１の蛍光体層９５の表面の少なくとも一部を含む部分に、金属酸化物材料を含んでなる蛍光体皮膜９６を形成することができる。そして、この製造方法では、窪みの底面における蛍光体層９５、隔壁９４のＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２の蛍光体層９５表面には蛍光体皮膜９６を形成しないようにするので、ＰＤＰ７の駆動において、初期化期間Ｔ1に弱放電を安定して起こしやすく初期化輝点の発生を抑制し、且つ、維持期間Ｔ3における輝度の低下を抑える高画質、高輝度のＰＤＰを歩留まりよく安定して製造することができる。
【０２２４】
（実施の形態１１）
実施の形態１１に係るＰＤＰの製造方法について、図２３を用いて説明する。図２３は、実施の形態１１に係るＰＤＰの製造方法の内、背面パネル９０の一部を形成する別の実施例の工程を示す工程概念図である。上記図２０および図２２を参照しながら、実施の形態１０の製造方法のさらに具体的な実施例として、実施の形態９に係るＰＤＰ７の背面パネル９０の一部を形成する工程について説明する。図１９〜２２と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。
【０２２５】
図２３において、図示を省略するが、背面パネル９０における蛍光体層９５までを形成した背面板加工面９００ｆの放電セル単位の構成は、上記図２０（ｂ）、図２２（ａ）と同じである。図２３の拡大部分に示すように、井桁形状の隔壁９４には、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿ってほぼ平行に形成した隔壁９４の側面を、Ｓｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１としている。同様に、Ｓｕｓ電極１２２の側の隔壁９４側面を、Ｓｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２としている。
【０２２６】
また、蛍光体層９５として、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向（Ｘ軸方向）に沿ってほぼ平行に形成した隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１の表面においては、蛍光体層９５を傾斜して形成している。同様に、隔壁９４のＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２の表面においても、蛍光体層９５を傾斜して形成している。
図２３に示すように、電子ビーム蒸着装置（図示省略）内において、背面基板９１面上に複数個の放電セル単位の背面板加工面９００ｆを形成配列した前段背面パネル９００を、背面板加工面９００ｆを下側（Ｚ軸方向）にして水平に配置する。即ち、図２３において、上記図２２（ａ）における背面板加工面を下側（Ｚ軸方向）に向けて配置し、Ｓｃｎ電極１２１およびＳｕｓ電極１２２の延設方向をＹ軸方向（紙面垂直方向）に、Ｄａｔ電極９２をＸ軸方向になるように前段背面パネル９００を配置する。
【０２２７】
図２３に示すように、前段背面パネル９００と、材料ターゲット６９５および電子銃５７７との間には、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と平行方向（Ｙ軸方向）に長軸方向を有する例えば長方形状の穴である開口部５７２ｈを設けた例えばメタルマスク５７２を、材料ターゲット６９５と開口部５７２ｈを結んだ線とメタルマスク５７２の面法線（背面板加工面法線）とが、ほぼ傾斜角θを有するように配置する。
【０２２８】
次に、前段背面パネル９００をＳｃｎ電極１２１の延設方向（Ｙ軸方向）と直交するＸ軸方向へ、あるいはＸ軸方向から一定の速度で移動させながら、例えばＭｇＯを含む金属酸化物材料からなる材料ターゲット６９５に電子銃５７７から電子ビームを照射し、傾斜角θの下側Ｊ方向からＭｇＯを含む金属酸化物材料を斜め蒸着する。即ち、前段背面パネル９００を一定速度でＸ軸方向に移動させながら、背面板加工面９００ｆに対して、メタルマスク５７２の開口部５７２ｈを介して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向で、且つ、背面板加工面９００ｆの法線方向から傾斜角θを略維持して傾斜させた方向から、電子ビーム蒸着法によって、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５の材料とは異なるＭｇＯを含む金属酸化物材料を斜め蒸着することにより、高γ部である蛍光体皮膜９６を形成する。
【０２２９】
以上のようにして、蛍光体皮膜９６を形成する工程は、背面板加工面９００ｆに対する傾斜角θを略一定に維持して、前段背面パネル９００を一定速度で移動させながら、背面板加工面９００ｆに対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向で、且つ、傾斜した方向から斜め蒸着するという簡易な上記製造方法により、背面板加工面９００ｆの各放電セル単位に対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向から、Ｓｕｓ電極１２２の側の隔壁９４を遮蔽壁として一定の蒸着速度で一定の方向から斜め蒸着することになる。
【０２３０】
上記による簡易な製造方法によって、放電セルとして、隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１上の蛍光体層９５の少なくとも一部表面に、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく、且つ、蛍光体層９５の材料とは異なる材料による蛍光体皮膜９６を形成し、凹部の底面における蛍光体層９５の表面および隔壁９４のＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２上の蛍光体層９５の表面には蛍光体皮膜９６を形成せず、高輝度高画質のＰＤＰを安定してかつ安価に製造することができる。
【０２３１】
また、上記製造方法では、蛍光体皮膜９６を形成する工程が、背面板加工面９００ｆに対する傾斜角度θを略一定に維持したまま、前段背面パネル９００を一定速度で移動させながら、背面板加工面９００ｆに対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向で、且つ、傾斜した方向から斜め蒸着するという簡易な製造方法により、放電セル内において、蛍光体層９５の材料とは異なる２次電子放出係数γが大きい材料により、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿う隔壁９４のＳｃｎ電極側傾斜部９４ｂ１上の蛍光体層９５の少なくとも一部に蛍光体皮膜９６を形成し、凹部の底面の蛍光体層９５表面および隔壁９４のＳｕｓ電極側傾斜部９４ｂ２上の蛍光体層９５の表面には蛍光体皮膜９６を形成しないので、完成したＰＤＰの駆動において、初期化期間Ｔ1に弱放電が安定し初期化輝点の発生を抑え、かつ維持放電時の輝度の低下を抑制した、高輝度、高画質という優位性を有するパネルを、安定してかつ安価に製造することができる。
【０２３２】
（実施の形態１２）
実施の形態１２に係るＰＤＰ８の構成について、図２４を用いて説明する。図２４は、上記実施の形態９の変形例として、実施の形態１２に係るＰＤＰ８の一部構成を示す断面図および平面概念図である。図２０（ｃ）と同じ構成のものは同じ参照番号を付与し、一部省略している。
【０２３３】
図２４（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ８が上記ＰＤＰ７と相違するのは、蛍光体皮膜１０９６の形成領域である。具体的には、Ｓｃｎ電極１２１におけるバス電極１２１ｂの両側縁辺から背面基板１０９１の表面に向けて垂線を下ろすときに、蛍光体皮膜１０９６は、この蛍光体層１０９５上における２本の垂線で囲まれる領域Ｋに形成されている。
【０２３４】
図２４（ｂ）に示すように、Ｓｃｎ電極１２１のバス電極１２１ｂと背面パネルに形成される蛍光体層１０９５の表面とが平面的に重なる領域Ｋは、かなり緩やかな傾斜面になっている。このため、領域Ｋの面積はかなり広い。蛍光体皮膜１０９６を領域Ｋにおける蛍光体層１０９５の表面上に設けることにより、ＰＤＰ８では、その駆動において、初期放電時でのＳｃｎ電極１２１とＤａｔ電極１０９２との間で発生する放電に対して、蛍光体皮膜１０９６を強く寄与させることができ、放電開始電圧を安定して低下させ、弱放電を安定して発生させることができる。また、例え蛍光体皮膜１０９６がＳｃｎ電極１２１やＤａｔ電極１０９２と平面的に重ならない領域に形成されるものであっても、斜め方向の電界で放電に寄与させることができる。
【０２３５】
また、蛍光体皮膜１０９６が、領域Ｋにおける蛍光体層９５の表面上に限定して形成されるので、蛍光体皮膜１０９６による紫外放射の吸収が減少し、輝度を低下させることがない。
以上により、本実施の形態に係るＰＤＰ８では、領域Ｋにおける蛍光体層１０９５の表面領域にＭｇＯを含む蛍光体皮膜１０９６が形成されることにより、放電空間３０内の放電ガス中におけるＸｅ分圧比率を上げても、ＰＤＰ８の駆動での初期化期間Ｔ1において、Ｓｃｎ電極１２１とＤａｔ電極９２との間において蛍光体層１０９５側がカソードとなる時の放電開始電圧を低下させ、弱放電の発生をさらに安定化させ易くすることが可能となる。
【０２３６】
従って、ＰＤＰ８では、特に全圧に対するＸｅ分圧比率を高い値に設定した場合において、初期化輝点の発生をさらに抑えることができるようになって、さらに高い画質を得ることができ、且つ、蛍光体皮膜１０９６が領域Ｋの蛍光体層１０９５の表面上に限定して形成されるので、蛍光体皮膜１０９６による紫外放射の吸収が上記ＰＤＰ７に比べてさらに減少し、輝度をさらに低下させることがなく、特に高Ｘｅの放電ガスを採用した場合において、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率に応じて輝度を向上させることができる。
【０２３７】
なお、上記において、初期化輝点の発生を抑え、且つ、輝度の低下をさらに抑制するという本発明の効果は、放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率を上げて封入されたＰＤＰにおいて特に顕著であるが、通常の５（％）〜６（％）のＸｅ分圧比率を有するＰＤＰに対しても有効である。放電ガス中の全圧に対するＸｅ分圧比率が５（％）〜６（％）の範囲にある従来のＰＤＰの場合のように、低輝度あるいは消費電力が高いかつ初期化期間Ｔ1における弱放電が不安定なＰＤＰであっても、上記本実施の形態に係る構成を採用することによって、隔壁１０９４のＳｃｎ電極側傾斜部（実施の形態９などを参照。）上の蛍光体層１０９５の表面に蛍光体皮膜１０９６を形成し、Ｓｕｓ電極側傾斜部（実施の形態９などを参照。）や凹部の底面（実施の形態９などを参照。）における蛍光体層１０９５の表面などには蛍光体皮膜１０９６を形成しないことにより、放電開始電圧は下がるので初期化期間Ｔ1での弱放電を安定化させ改善することができ、且つ、輝度の低下を抑制することができる。
【０２３８】
また、上記ＰＤＰ８では、表示電極対１２を、前面基板１１の主面上において、透明電極要素１２１ａ、１２２ａとバスライン１２１ｂ、１２２ｂとの積層構造のものを採用したが、前面基板１１の主面上にバスライン１２１ｂ、１２２ｂを先に形成し、その上に透明電極要素１２１ａ、１２２ａを形成することとしても構わない。
（実施の形態１３）
実施の形態１３に係るＰＤＰ９の構成について、図２５を用いて説明する。図２５は、ＰＤＰ９の一部構成を示す断面図および平面概念図である。図２０（ｃ）および図２４と同じ構成のものは同じ参照番号を付与し、一部省略している。
【０２３９】
図２５（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ９では、蛍光体皮膜１１９６が上記実施の形態１２に係るＰＤＰ８と同様に、Ｓｃｎ電極１２１におけるバスライン１２１ｂの両側縁辺から背面基板１１９１の表面に向けて垂線を下ろすときに、この蛍光体層１１９５上における２本の垂線で囲まれる領域に形成されているのであるが、上記実施の形態１２とは相違し、本実施の形態では、図２５（ｂ）に示すように、さらに、Ｘ−Ｙ平面において、Ｓｃｎ電極１２１のバスライン１２１ｂとＤａｔ電極１１９２とが重畳する領域Ｅに限定して設定されている。
【０２４０】
このような構成を有する本実施の形態に係るＰＤＰ９では、上記実施の形態９および実施の形態１２に係るＰＤＰ７、ＰＤＰ８と同様の効果を有し、輝度の低下抑制という観点からより望ましいものである。
（その他の事項）
なお、上記各実施の形態９〜１３では、隔壁９４、１０９４、１１９４として、隣接放電セルとの境界周囲を仕切る隔壁を井桁形状のものを一例として適用したが、ミアンダ隔壁のように波形凸凹形状で隣接放電セルとの境界周囲を仕切る隔壁でもよく、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向に沿う隔壁９４、１０９４、１１９４の形状が波形凸凹形状となっていても同様に実施可能である。
【０２４１】
また、上記各実施の形態９〜１３では、蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６を形成する工程が、背面板加工面９００ｆに対して、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と直交する方向から斜め蒸着することとしたが、Ｓｃｎ電極１２１の延設方向と略直交する方向としてよく、直交方向から約±３０（°）の範囲の方向からでも構わない。
また、上記各実施の形態９〜１３では、蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６の構成材料としてＭｇＯを採用することとしたが、この他にＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＺｎＯの内の少なくとも一種を含んだ金属酸化物材料を使用しても構わない。また、これらには、他の材料や不純物材料が含まれていてもよい。これら材料は、蛍光体層９５、１０９５、１１９５を構成する蛍光体材料とは異なる材料であり、２次電子放出係数γが蛍光体層９５よりも大きく高い値を有する材料として、本発明の蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６を形成する材料として有用である。
【０２４２】
また、高γ部の形成に用いる材料としては、上記実施の形態１〜１３で用いたものを適用することができるのであるが、ＰＤＰにおける放電セル毎に高γ部の構成材料を買えることも可能である。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの放電セル間では、使われている蛍光体材料などによって各々の蛍光体層の２次電子放出係数γに違いが生じるが、このような場合には、放電セルの蛍光体層に用いられる蛍光体材料種類に応じて高γ部の構成材料や被覆率などを変えるということも可能である。
【０２４３】
また、上記各実施の形態１０、１１では、電子ビーム蒸着法により電子銃５７７からの電子ビーム照射により斜め蒸着することとしたが、電子銃５７７の個数は複数個でもよくこれらを基板に平行に配列させ、同様に平行に配列させた複数個の材料ターゲット６９５に電子ビームをそれぞれ照射することによって、基板面により均一に蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６を形成することになるので、高輝度高画質の大画面、高精細なＰＤＰを製造することができる。
【０２４４】
また、上記各実施の形態１０、１１では、電子ビーム蒸着法により斜め蒸着するとして説明したが、この他にスパッタ法やイオンガン蒸着法などの方法を使用しても同様に実施可能である。
また、上記実施の形態１０、１１では、蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６を形成する工程が、背面板加工面９００ｆに対する傾斜角度θを略一定に維持したまま、前段背面パネル９００を一定速度でＸ軸方向へ移動させながら斜め蒸着するとして説明したが、基板をＹ軸方向に往復させつつＸ軸方向へ移動させながら斜め蒸着しても同様に実施可能である。これにより、蛍光体皮膜９６、１０９６、１１９６をより均一に蒸着させることができるので、より高画質、高精細のさらに均質な大画面ＰＤＰを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２４５】
本発明は、高い発光効率と高い画質性能との両立が要求される、特に大型のテレビジョンや高精細なテレビジョン、あるいは大型表示装置等を実現するのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【０２４６】
【図１】  実施の形態１に係るＰＤＰ１の構成を示す要部斜視図（一部断面図）である。
【図２】  ＰＤＰ１の背面パネル２０を模式的に示す平面図および断面図である。
【図３】  ＰＤＰ１の駆動に際し、各電極１２１、１２２、２２に印加されるパルスの波形図である。
【図４】  実施の形態２に係るＰＤＰ２の構成を示す要部断面図である。
【図５】  ＰＤＰ２における各電極１２１、１２２、４２と蛍光体皮膜４６の形成領域との位置関係を示す模式平面図である。
【図６】  実施の形態３に係るＰＤＰ３の構成を示す要部断面図である。
【図７】  実施の形態４に係るＰＤＰ４の構成を示す要部断面図である。
【図８】  ＰＤＰ４における粒状体６６の形成工程を示す模式装置図である。
【図９】  実施の形態５に係るＰＤＰ５の構成を示す要部断面図である。
【図１０】  蛍光体皮膜の膜厚と紫外線透過率との関係を示す特性図である。
【図１１】  実施の形態６に係るＰＤＰ６における１画素を構成する部分を切り出して描いた斜視図（一部断面図）である。
【図１２】  （ａ）は、図１１のＤ方向から１放電セルを見た拡大図であり、（ｂ）は、図１１での前面パネル１０を取り除いて背面パネル８０を図１１のＥ方向から見た平面図である。
【図１３】  実施の形態１に係る高γ部８６の形成方法を説明するための概略図である。
【図１４】  変形例１におけるＰＤＰの放電セルの一部を切り欠いた平面図である。
【図１５】  変形例１の高γ部１０８６の形成状態を示す模式図である。
【図１６】  実施の形態７に係るＰＤＰ１００６における１画素を構成する部分を切り出し、背面パネル１１８０の内部構成が分かるように前面パネル１０の一部を切り欠いて描いた斜視図である。
【図１７】  （ａ）は、図１６のＧ−Ｇ断面図であり、（ｂ）は、１放電セルをＦ方向に見た平面図である。
【図１８】  実施の形態８に係る高γ部８６の形成方法を説明するための概略図である。
【図１９】  実施の形態９に係るＰＤＰ７の構成を示す要部斜視図である。
【図２０】  ＰＤＰ７の構成の内、１つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である。
【図２１】  ＰＤＰ７の構成の内、１つの放電セルを平面的に示す平面概念図である。
【図２２】  実施の形態１０に係るＰＤＰの製造方法の内、蛍光体皮膜９６の形成に係る工程の一部を示す工程概念図である。
【図２３】  実施の形態１１に係るＰＤＰの製造方法の内、蛍光体皮膜９６の形成に係る工程の一部を示す工程概念図である。
【図２４】  実施の形態１２に係るＰＤＰ８の構成の内、１つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である。
【図２５】  実施の形態１３に係るＰＤＰ９の構成の内、１つの放電セルのみを抜き出して示す断面概念図である。
【図２６】  従来の面放電型ＡＣ型ＰＤＰの構成のを示す断面概念図である。
【符号の説明】
【０２４７】
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１００６．ＰＤＰ
１０．前面パネル
１１．前面基板
１２．表示電極対
１３．誘電体層
１４．誘電体保護層
２０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１０８０、１１８０、１１９０．背面パネル
２１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１０８１、１１８１、１１９１．背面基板
２２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０８２、１１８２、１１９２．データ電極
２３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１０８３、１１８３、１１９３．誘電体層
２４、４４、５４、６４、７４、８４、９４、１０８４、１１８４、１１９４．隔壁
２５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１０８５、１１８５、１１９５．蛍光体層
２６、４６、７６、９６、１１９６．蛍光体皮膜
５６、６６．粒状体
８６、１０８６、１１８６．高γ部
１２１．スキャン電極
１２２．サスティン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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