(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層と、
前記第１の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層と、
前記第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、
前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）との界面に形成された第１の２次元電子ガス層と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と前記第２の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第２の２次元電子ガス層と、
前記第２の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）との界面に形成された第３の２次元電子ガス層と
を備え、
前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、
前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）である場合、前記第１の窒化物系化合物半導体層および前記第２の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄（Ｆｅ）のドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である半絶縁性になされ、
前記第２の窒化物系化合物半導体層の厚さは、１μｍ以上であり、
前記第２の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第２の２次元電子ガス層と前記第３の２次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第２の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、
前記第１の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第１の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、前記基板上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層と、前記第１の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層と、前記第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）との界面に形成された第１の２次元電子ガス層と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と前記第２の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第２の２次元電子ガス層と、前記第２の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）との界面に形成された第３の２次元電子ガス層とを備える半導体装置の製造方法であって、
基板上に第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）を形成する工程と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第２遷移金属原子をドープした前記第２の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）を形成する工程と、
前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を有し、
前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、
前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）である場合、前記第１の窒化物系化合物半導体層および前記第２の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄（Ｆｅ）のドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である半絶縁性になされ、
前記第２の窒化物系化合物半導体層の厚さは、１μｍ以上であり、
前記第２の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第２の２次元電子ガス層と前記第３の２次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第２の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、
前記第１の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第１の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）等で構成され、安定した高周波性能を得る大電力用の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を利用した電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）は、電流コラプスやリーク電流が大きいことが知られている。その原因としてエピタキシャル結晶中にある転位や結晶欠陥が挙げられる。
【０００３】
結晶欠陥はリーク電流の増大や電流コラプス現象の発生などといった基本的な性能を低下させてしまうため、結晶欠陥の少ないエピタキシャル層を得ることは非常に重要である。
【０００４】
この結晶の転位や欠陥を少なくするために、ＧａＮ層中にアルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）層や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層を挿入することが知られていた。
【０００５】
従来の半導体装置は、図４に示すように、例えばＳｉＣからなる基板１０と、基板１０上に配置されたＧａＮ層１２０と、ＧａＮ層１２０上に配置されたＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６と、ＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６上に配置されたＧａＮ層２００と、ＧａＮ層２００上に配置されたＡｌＧａＮ層２２と、ＡｌＧａＮ層２２上に配置されたゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８とを備える。
【０００６】
しかし、ＧａＮとＡｌＧａＮまたはＡｌＮは格子定数差が大きく、ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層間にピエゾ分極による電荷が発生してしまい、このＧａＮ層中に発生した電荷は、半導体装置の高周波特性を極端に落としてしまうという問題があった。
【０００７】
例えば図４において、ＧａＮ層１２０とＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６は格子定数差が大きく、ＧａＮ層１２０とＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６間にピエゾ分極による電荷が発生してしまい、このＧａＮ層１２０中に発生した電荷は、半導体装置の高周波特性を極端に落としてしまうという問題がある。同様に、ＧａＮ層２００とＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６は格子定数差が大きく、ＧａＮ層２００とＡｌＮ層若しくはＡｌＧａＮ層１６間にピエゾ分極による電荷が発生してしまい、このＧａＮ層２００中に発生した電荷は、半導体装置の高周波特性を極端に落としてしまうという問題がある。
【０００８】
このようなピエゾ分極による電荷は、ＧａＮ層１２０或いは２００の導電性を増大させ、ゲート電極２６とソース電極２４間或いはドレイン電極２８間のリーク電流を増大させ、半導体装置の電力増幅利得を低下させる原因となる。
【０００９】
ゲート寸法を０．１μｍ級に形成することができ、かつゲート電極およびソース電極或いはドレイン電極間にリーク電流を生じさせないＧａＮ系半導体を用いた電界効果トランジスタおよびその製造方法については、既に開示されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１においては、断面形状がＴ字型であるゲート電極を有する電界効果トランジスタを用いて、ゲートリーク電流を低減している。
【００１０】
また、抵抗値の高いＩＩＩ族窒化物半導体結晶、ＩＩＩ族窒化物半導体基板、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法については、既に開示されている（例えば、特許文献２参照。）。特許文献２においては、例えば遷移金属としてＦｅが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０16ｃｍ-3以下であるＦｅドープＧａＮ層が開示されている。ＦｅドープＧａＮ層のＦｅ原子密度は、５×１０17ｃｍ-3〜１０20ｃｍ-3である。また、上記ＦｅドープＧａＮ層からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板上に形成された半導体層を有する半導体装置についても開示されている。
【００１１】
また、所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できる半導体素子についても、既に開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかしながら、特許文献３においては、抵抗値の高いＩＩＩ族窒化物半導体結晶を得るための、ＦｅドープＧａＮ層については、開示されていない。
【特許文献１】特開２００２−１４１４９９号公報（第３−４頁、第１図）
【特許文献２】特開２００７−１８４３７９号公報（第６−７頁、第４図および第５図）
【特許文献３】特開２００７−２２１００１号公報（第１図、第７図および第１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、ＡｌＧａＮ層またはＡｌＮ層の上下を挟む窒化ガリウム（ＧａＮ）層中に遷移金属原子をドープすることにより、ピエゾ電荷を不活性化し、高抵抗な半導体層を得ることで高周波特性を向上し、高性能な半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、ＧａＮ層の結晶欠陥を低減して、リーク電流や電流コラプスを減らし、安定した高周波性能の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層と、前記第１の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層と、前記第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）との界面に形成された第１の２次元電子ガス層と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と前記第２の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第２の２次元電子ガス層と、前記第２の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）との界面に形成された第３の２次元電子ガス層とを備え、前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）である場合、前記第１の窒化物系化合物半導体層および前記第２の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄（Ｆｅ）のドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である半絶縁性になされ、前記第２の窒化物系化合物半導体層の厚さは、１μｍ以上であり、前記第２の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第２の２次元電子ガス層と前記第３の２次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第２の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、前記第１の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第１の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされる半導体装置が提供される。
【００１８】
本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層と、前記第１の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層と、前記第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上に配置されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）との界面に形成された第１の２次元電子ガス層と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）と前記第２の窒化物系化合物半導体層との界面に形成された第２の２次元電子ガス層と、前記第２の窒化物系化合物半導体層と前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）との界面に形成された第３の２次元電子ガス層とを備える半導体装置の製造方法であって、基板上に第１遷移金属原子をドープした第１の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、前記第１の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）を形成する工程と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）上に第２遷移金属原子をドープした第２の窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、前記第２遷移金属原子をドープした前記第２の窒化物系化合物半導体層上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）を形成する工程と、前記アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有し、前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子であり、前記第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）である場合、前記第１の窒化物系化合物半導体層および前記第２の窒化物系化合物半導体層は、前記鉄（Ｆｅ）のドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である半絶縁性になされ、前記第２の窒化物系化合物半導体層の厚さは、１μｍ以上であり、前記第２の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第２の２次元電子ガス層と前記第３の２次元電子ガス層との間にキャパシタが形成され、前記第２の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされ、前記第１の窒化物系化合物半導体層が高抵抗層化されることで、前記第１の窒化物系化合物半導体層と前記基板との間にキャパシタが形成され、前記第１の２次元電子ガス層は高周波的に接地状態になされる半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ＡｌＧａＮ層またはＡｌＮ層の上下を挟む窒化ガリウム（ＧａＮ）層中に遷移金属原子をドープすることにより、ピエゾ電荷を不活性化し、高抵抗な半導体層を得ることで高周波特性を向上し、高性能な半導体装置およびその製造方法を提供するができる。
【００２０】
また、本発明によれば、ＧａＮ層の結晶欠陥を低減して、リーク電流や電流コラプスを減らし、安定した高周波性能の半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００２２】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００２３】
[第１の実施の形態]
（素子構造）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に配置され,第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４と、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され,第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８と、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２上に配置されたゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８とを備える。
【００２４】
第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４と、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６との界面には、２次元電子ガス層１３が形成される。
【００２５】
同様に、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され,第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８との界面には、２次元電子ガス層１７が形成される。
【００２６】
さらに、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８と、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２との界面には、２次元電子ガス層２１が形成される。
【００２７】
基板１０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、半絶縁性シリコン基板上、サファイア基板などで構成することができる。
【００２８】
窒化物系化合物半導体層１４および窒化物系化合物半導体層１８は、例えばＧａＮ層で形成される。
【００２９】
ゲート電極２６は、例えばＮｉ／Ａｕで形成することができ、ソース電極２４およびドレイン電極２８は、例えばＴｉ／Ａｕで形成することができる。
【００３０】
第１遷移金属原子および第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子である。
【００３１】
特に、第１遷移金属原子および第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）の場合、窒化物系化合物半導体層１４および窒化物系化合物半導体層１８におけるドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である。望ましくは、ドープ量は７×１０17ｃｍ-3以上とする。窒化物系化合物半導体層１４および窒化物系化合物半導体層１８を確実に半絶縁性とすることができるからである。
【００３２】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６の上下を挟むＧａＮ層１４とＧａＮ層１８中に遷移金属原子をドープすることにより、ピエゾ電荷を不活性化し、高抵抗なＧａＮ層１４、１８を得ることができる。
【００３３】
その結果、ゲート電極２６とソース電極２４或いはドレイン電極２８間のリーク電流を低減することができる。また、ＧａＮ層１８が高抵抗層化されることで、ＧａＮ層１８を挟んで、２次元電子ガス層１７と２１間にはキャパシタが形成され、２次元電子ガス層１７は高周波的に接地状態になされる。ＧａＮ層１８の厚さを、例えば１μｍ程度の所定値以上にすることで、寄生キャパシタも低減され、半導体装置の高周波特性もさらに向上する。
【００３４】
また、ＧａＮ層１４が高抵抗層化されることで、ＧａＮ層１４を挟んで、２次元電子ガス層１３とＳｉＣ基板１０間にはキャパシタが形成され、２次元電子ガス層１３は、２次元電子ガス層１７、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６と共に高周波的に接地状態になされる。
【００３５】
結果として、寄生キャパシタも低減され、半導体装置の高周波特性もさらに向上する。
【００３６】
また、本発明第１の実施の形態によれば、ＧａＮ層の結晶欠陥を低減して、リーク電流や電流コラプスを減らし、電力増幅利得の向上した、安定した高周波性能の半導体装置を提供することができる。
【００３７】
[第２の実施の形態]
（素子構造）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置は、図２に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４と、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８と、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８上に配置され,アンドープの窒化物系化合物半導体層２０と、アンドープの窒化物系化合物半導体層２０上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２上に配置されたゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８とを備える。
【００３８】
第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４を、窒化物系化合物半導体層１２とアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６との間に介在させることで、ピエゾ分極による電荷を不活性化することができる。その結果、窒化物系化合物半導体層１２とアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６の界面を高抵抗層化し、リーク電流の発生を抑制することができる。
【００３９】
同様に、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８を、アンドープの窒化物系化合物半導体層２０とアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６との間に介在させることで、ピエゾ分極による電荷を不活性化することができる。その結果、アンドープの窒化物系化合物半導体層２０とアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６の界面を高抵抗層化し、リーク電流の発生を抑制することができる。
【００４０】
アンドープの窒化物系化合物半導体層２０と、アンドープの窒化物系化合物半導体層２０上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２との界面には、図１と同様に、２次元電子ガス層２１が形成されるが、図２では図示を省略している。
【００４１】
基板１０は、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、半絶縁性シリコン基板上、サファイア基板などで構成することができる。
【００４２】
窒化物系化合物半導体層１２、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８、およびアンドープの窒化物系化合物半導体層２０は、例えばＧａＮ層で形成される。
【００４３】
ゲート電極２６は、例えばＮｉ／Ａｕで形成することができ、ソース電極２４およびドレイン電極２８は、例えばＴｉ／Ａｕで形成することができる。
【００４４】
第１遷移金属原子および第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子である。
【００４５】
特に、第１遷移金属原子および第２遷移金属原子が、鉄（Ｆｅ）の場合、窒化物系化合物半導体層１４および窒化物系化合物半導体層１８におけるドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である。
【００４６】
（製造方法）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１０上に第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４を形成する工程と、窒化物系化合物半導体層１４上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６を形成する工程と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８を形成する工程と、第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８上にアンドープの窒化物系化合物半導体層２０を形成する工程と、アンドープの窒化物系化合物半導体層２０上にアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２を形成する工程と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２上にゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８を形成する工程とを有する。
【００４７】
以下に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００４８】
（ａ）ＳｉＣ基板１０上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアガスを流し、エピタキシャル成長によりＧａＮ層１２を、例えば約１μｍ程度の厚さに形成する。
【００４９】
（ｂ）次に、同様のガス系を使用して、エピタキシャル成長によりＧａＮ層１４を、例えば約０．１μｍ程度の厚さに形成する。その際には、フェロセン（Ｃｐ2Ｆｅ：ビス（シクロペンタジエニル）鉄）、或いは（ＨＣＬ）Ｆｅを使用してＦｅをドーピングする。
【００５０】
（ｃ）次に、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）とアンモニアガスを流し、エピタキシャル成長によりアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６を、例えば約２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の厚さに形成する。
【００５１】
（ｄ）次に、（ｂ）と同様に、エピタキシャル成長によりＦｅをドープしたＧａＮ層１８を、例えば約０．１μｍ程度の厚さに形成する。
【００５２】
（ｅ）次に、（ａ）と同様に、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアガスを流し、エピタキシャル成長によりＧａＮ層２０を、例えば約１μｍ程度の厚さに形成する。
【００５３】
（ｆ）最後に、エピタキシャル成長によりＡｌ組成比率約３０％程度のアルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ0.3Ｇａ1-0.3Ｎ）（０．１≦y≦１）２２を約２０ｎｍ程度の厚さに形成する。
【００５４】
（ｇ）次に、ソース電極２４、ドレイン電極２８をＴｉ／Ａｌなどを蒸着し、オーミック電極を形成する。
【００５５】
（ｈ）次に、ゲート電極２６をＮｉ／Ａｕなどを蒸着し、ショットキー電極を形成する。
【００５６】
以上の（ａ）〜（ｈ）の工程により、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を完成する。平面構造としては、例えばマルチフィンガー型の大電力半導体装置を形成することもできる。
【００５７】
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６の上下を挟むＧａＮ層１４とＧａＮ層１８中に遷移金属原子をドープすることにより、ピエゾ電荷を不活性化し、高抵抗なＧａＮ層１４、１８を得ることができる。
【００５８】
その結果、ゲート電極２６とソース電極２４或いはドレイン電極２８間のリーク電流を低減することができる。また、ＧａＮ層１８が高抵抗層化されることで、ＧａＮ層２０を挟んで、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６とアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２にはキャパシタが形成される。ＧａＮ層２０の厚さを、例えば１μｍ程度の所定値以上にすることで、寄生キャパシタも低減され、半導体装置の高周波特性もさらに向上する。
【００５９】
また、ＧａＮ層１４が高抵抗層化されることで、ＧａＮ層１２を挟んで、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６とＳｉＣ基板１０間にはキャパシタが形成される。ＧａＮ層１２の厚さを、例えば１μｍ程度の所定値以上にすることで、寄生キャパシタも低減され、半導体装置の高周波特性もさらに向上する。
【００６０】
また、本発明第２の実施の形態によれば、ＧａＮ層の結晶欠陥を低減して、リーク電流や電流コラプスを減らし、電力増幅利得の向上した、安定した高周波性能の半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【００６１】
[第３の実施の形態]
（素子構造）
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置は、図１に示された、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４,窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６,アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され,第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８からなる３層構造が複数回繰り返し形成された積層構造（１４,１６,１８）を備える。
【００６２】
すなわち、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置は、基板１０と、基板１０上に配置され,第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４, 第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６,アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され,第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８からなる３層構造が複数回、例えば約２〜３回程度繰り返し形成された積層構造（１４,１６,１８）と、積層構造（１４,１６,１８）上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）上に配置されたゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８とを備える。
【００６３】
各層の詳細は第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
【００６４】
（第３の実施の形態の変形例）
さらに、本発明の第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置は、図３に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され, 第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４と、第１遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１６上に配置され, 第２遷移金属原子をドープした窒化物系化合物半導体層１８からなる４層構造が複数回、例えば約２〜３回程度繰り返し形成された積層構造（１２／１４／１６／１８,２０／３０／３２／３４,３６／３８／４０／４２）と、積層構造上に配置されたアンドープの窒化物系化合物半導体層４４と、アンドープの窒化物系化合物半導体層４４上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）２２と、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）２２上に配置されたゲート電極２６、ソース電極２４およびドレイン電極２８とを備える。
【００６５】
第１遷移金属原子および第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、或いは銅（Ｃｕ）からなる群から選ばれる一または二以上の遷移金属原子である。
【００６６】
第１遷移金属原子および前記第２遷移金属原子は、鉄（Ｆｅ）の場合、窒化物系化合物半導体層（１４,３０,３８）および窒化物系化合物半導体層（１８,３４,４２）におけるドープ量がいずれも１×１０１７ｃｍ-3以上である。
【００６７】
各層の詳細は第２の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
【００６８】
本発明の第３の実施の形態およびその変形例に係る半導体装置によれば、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）の上下に配置され,遷移金属原子をドープされた窒化物系化合物半導体層からなる層構造が、複数回繰り返し形成された積層構造を形成することによって、アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）の選択横方向エピタキシャル成長（ＬＯＧ：Lateral OverGrowth）における転位抑制効果によって、結晶性を改善することができる。
【００６９】
本発明の第３の実施の形態およびその変形例によれば、ＡｌＧａＮ層またはＡｌＮ層の上下を挟む窒化ガリウム（ＧａＮ）層中に遷移金属原子をドープすることにより、ピエゾ電荷を不活性化し、高抵抗な半導体層を得ることで高周波特性を向上し、さらに積層化により結晶性を改善することができ、高性能な半導体装置を提供するができる。
【００７０】
また、本発明によれば、ＧａＮ層の結晶欠陥を低減して、リーク電流や電流コラプスを減らし、さらに積層化により結晶性を改善することができ、安定した高周波性能の半導体装置を提供することができる。
【００７１】
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１乃至第３の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００７２】
なお、電力増幅用半導体素子はＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴに限らず、ＬＤＭＯＳ（Lateral Doped Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）やＨＢＴ（Hetero-junction Bipolar Transistor）など他の増幅素子にも適用できることは言うまでもない。
【００７３】
基板領域は、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板上にＧａＮエピタキシャル層を形成した基板、Ｓｉ基板上にＧａＮエピタキシャル層を形成した基板、ＳｉＣ基板上にＧａＮ／ＧａＡｌＮからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板上にＧａＮエピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板若しくはダイヤモンド基板を備えていても良い。
【００７４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の実施の形態に係る半導体装置は、ＳｉＣ基板やＧａＮウェハ基板を有する半導体装置に適用され、内部整合型電力増幅素子、電力ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）、マイクロ波電力増幅器、ミリ波電力増幅器などの幅広い適用分野を有する。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造図。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造図。
【図４】従来例に係る半導体装置の模式的断面構造図。
【符号の説明】
【００７７】
１０…基板
１２…窒化物系化合物半導体層（ＧａＮ層）
１３、１７、２１…２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層
１４、３０、３８…第１遷移金属をドープした窒化物系化合物半導体層（ＧａＮ層）
１６、３２、４０…アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌxＧａ1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）
１８、３４、４２…第２遷移金属をドープした窒化物系化合物半導体層（ＧａＮ層）
２０、３６、４４…アンドープの窒化物系化合物半導体層（ＧａＮ層）
２２…アルミニウム窒化ガリウム層（ＡｌyＧａ1-yＮ）（０．１≦y≦１）
２４…ソース電極
２６…ゲート電極
２８…ドレイン電極
【図１】
0005100413.tif 000002
【図２】
0005100413.tif 000003
【図３】
0005100413.tif 000004
【図４】
0005100413.tif 000005