(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを複数の放射ビームに分割するよう構成された分割デバイスと、
一組の対応するアライメントビームの（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するよう構成された一組のセンサと、
前記測定に応じて前記複数の放射ビームの各々を補正するよう構成されるとともに、前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の素子を備える個別制御可能素子のアレイと、
補正された放射ビームにパターンを付与するよう構成されるとともに、前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の固定素子を備えるパターニング用デバイスと、
パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系と、
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記一組のセンサおよび前記一組のアライメントビームは、３個のセンサおよび３個のアライメントビームを備え、
３個のアライメントビームは、前記個別制御可能素子のアレイの前記複数の素子に照射された後、前記パターニング用デバイスの前記複数の固定素子に導かれて照射され、３個のセンサは、前記複数の固定素子からの各アライメントビームの（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定することでリソグラフィ装置内において生じたテレセントリック性をリアルタイムに測定し、前記個別制御可能素子のアレイは、測定されたテレセントリック性に関して前記複数の放射ビームの各々を補正する、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記個別制御可能素子の各々は、前記複数の放射ビームが前記パターニング用デバイスを照射する角度を調整するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記測定に応じて前記放射ビームの（１）角度および（２）位置のうち少なくとも一つを調整するよう構成されたレンズをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記一組のアライメントビームを生成するよう構成された、前記アライメントビームに数が対応する一組の光源をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記一組の光源は、ヘリウムネオンレーザを備えることを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記分割デバイスは、前記一組の対応するアライメントビームを生成するよう構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記センサは、前記投影系の入射口に近接して位置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記測定に応じて複数の放射ビームの各々を補正するよう構成された一つまたは複数の追加の個別制御可能素子のアレイをさらに備えることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正するシステムであって、
放射ビームを複数の放射ビームに分割するよう構成された分割デバイスと、
一組の対応するアライメントビームの（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するよう構成された一組のセンサと、
前記測定に応じて前記複数の放射ビームの各々を補正するよう構成されるとともに、前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の素子を備える個別制御可能素子のアレイと、
を備え、
前記リソグラフィ装置は、前記個別制御可能素子のアレイにより補正された放射ビームにパターンを付与するよう構成されたパターニング用デバイスを備え、
前記パターニング用デバイスは、前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の固定素子を備え、
前記一組のセンサおよび前記一組のアライメントビームは、３個のセンサおよび３個のアライメントビームを備え、
３個のアライメントビームは、前記個別制御可能素子のアレイの前記複数の素子に照射された後、前記パターニング用デバイスの前記複数の固定素子に導かれて照射され、３個のセンサは、前記複数の固定素子からの各アライメントビームの（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定することでリソグラフィ装置内において生じたテレセントリック性をリアルタイムに測定し、前記個別制御可能素子のアレイは、測定されたテレセントリック性に関して前記複数の放射ビームの各々を補正する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記個別制御可能素子の各々は、前記複数の放射ビームが前記パターニング用デバイスを照射する角度を調整するよう構成されていることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記測定に応じて前記放射ビームの（１）角度および（２）位置のうち少なくとも一つを調整するよう構成されたレンズをさらに備えることを特徴とする請求項９または１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記一組のアライメントビームを生成するよう構成された、前記アライメントビームに数が対応する一組の光源をさらに備えることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記一組の光源は、ヘリウムネオンレーザを備えることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記分割デバイスは、前記一組の対応するアライメントビームを生成するよう構成されることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１５】
前記測定に応じて前記複数の放射ビームの各々を補正するよう構成された第２の個別制御可能素子のアレイをさらに備えることを特徴とする請求項９から１４のいずれかに記載のシステム。
【請求項１６】
リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する方法であって、
放射ビームを分割して複数の放射ビームを生成するステップと、
一組のセンサを用いて一組のアライメントビームの各々の（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するステップと、
個別制御可能素子のアレイを用いて前記測定に応じて複数の放射ビームの各々を補正するステップであって、前記個別制御可能素子のアレイが前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の素子を備える、ステップと、
補正された放射ビームにパターニング用デバイスを用いてパターンを付与するステップであって、前記パターニング用デバイスが前記アライメントビームの各々を調整するよう構成された複数の固定素子を備える、ステップと、
パターン付与されたビームを基板の目標部分に投影するステップと、
を備え、
前記一組のセンサおよび前記一組のアライメントビームは、３個のセンサおよび３個のアライメントビームを備え、
３個のアライメントビームは、前記個別制御可能素子のアレイの前記複数の素子に照射された後、前記パターニング用デバイスの前記複数の固定素子に導かれて照射され、３個のセンサは、前記複数の固定素子からの各アライメントビームの（１）角度、（２）位置、（３）エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定することでリソグラフィ装置内において生じたテレセントリック性をリアルタイムに測定し、前記個別制御可能素子のアレイは、測定されたテレセントリック性に関して前記複数の放射ビームの各々を補正する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記補正ステップは、複数の放射ビームの各々が前記パターニングステップを実行するパターニング用デバイスを照射する角度を調整するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記補正ステップは、測定されたビームのエネルギー分布に応じて放射ビームの（１）位置および（２）角度のうち少なくとも一つを調整するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記一組のアライメントビームを対応する数の放射源を用いて生成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
ヘリウムネオンレーザを備える放射源を設けるステップをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置におけるテレセントリック性の測定および補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置はたとえばフラットパネルディスプレイや集積回路（ＩＣ）、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。従来の装置において、光は、マスク、レチクル、個別にプログラム可能または制御可能である素子の配列（マスクレス）または同様のものと称されるパターニング用デバイスに導かれる。パターニング用デバイスを使用して、ＩＣ、フラットパネルディスプレイ、または他のデバイスの各層に対応した回路パターンを形成する。このパターンは、基板に塗布された照射感応材料（たとえばレジスト）層への像形成により基板（たとえばガラスプレート、ウエハなど）の全体または一部に転写される。像形成は、ミラー、レンズ、ビームスプリッタなどの光学素子を含む投影系を通った光の処理を含んでもよい。その他のコンポーネントまたはデバイスがリソグラフィ装置に存在してもよい。その他のコンポーネントまたはデバイスは、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）などの光学素子を含んでもよく、これらは、パターニングより前に放射ビームを多数の個別のビームに分割する光学素子を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
リソグラフィは、高精度で基板上にパターンを投影することが要求される。しかしながら、リソグラフィ装置の光学素子間の相対運動は、装置のアライメントに影響を及ぼす可能性があり、投影パターンの精度を低下させるテレセントリック効果を生じさせる可能性がある。とりわけ、投影系は、照明系の重要な（クリティカルな）光学素子間の相対運動によって生じるテレセントリック性に特に敏感である可能性がある。
【０００４】
一般に、マスクレスリソグラフィ装置は、マスクを使用したリソグラフィ装置よりもテレセントリック性に対して敏感である。多くの周知のマスクレスリソグラフィ装置において経験されるようにテレセントリック性に対する感度が増大しているのは、これらの装置内に用いられるレンズ倍率に実質的に原因がある。多くのマスクレスリソグラフィ装置に採用されるレンズ倍率は、比較可能なマスクを用いたリソグラフィ装置におけるレンズ倍率よりも２桁大きいかもしれない。テレセントリック効果に対する感度はレンズ倍率に対応するので、一般のマスクレスリソグラフィ装置に要求されるテレセントリックトレランスは、比較可能なマスクを用いたリソグラフィ装置に要求されるものよりも２桁厳しい。同様のテレセントリックトレランスが、マスクレスリソグラフィ装置に一般的に採用されるものと同じような桁のレンズ倍率を採用するマスクを用いたリソグラフィ装置に要求されるであろう。
【０００５】
相対運動を低減するために、マスクレスリソグラフィ装置における重要な光学素子は、通常、多数の分離構造においてお互いに対して安定して支持されている。さらに、高い精度で投影がなされるようにするために、リソグラフィ装置は様々なキャリブレーション測定を実行してもよく、場合によってはリソグラフィ装置はこれらの測定に応じて調整されてもよい。
【０００６】
残念なことに、リソグラフィ装置の光学素子間における相対運動を完全に取り除くことは困難である。さらに、既存のキャリブレーション技術は、通常、テレセントリック性のリアルタイムの測定および補正を行うのには不十分である。これらの技術は、テレセントリック性を測定するためによく化学光を用いる。そして基板の露光は、測定およびそれに続くアライメントの間に中断していなければならない。このように、リソグラフィ装置において生じたテレセントリック性を測定する既存の技術は、化学光を効率的に利用しておらず、リソグラフィ装置のスループットを低下させている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ウエハのスループットに影響を与えることなく、または化学光を浪費することなく、リソグラフィ装置のテレセントリック効果を測定または補正するためのシステムまたは方法が提供される。
【０００８】
ある態様においては、ソース放射ビームを複数の放射ビームに分割するよう構成された分割デバイスを含むリソグラフィ装置が提供される。この装置はまた、一組の対応するアライメントビームの角度、位置、またはエネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するよう構成された一組のセンサを含む。さらにこの装置は、測定に応じて複数の放射ビームの各々を補正するよう構成された個別制御可能素子のアレイを含む。この装置はまた、補正された放射ビームにパターンを付与するよう構成されたパターニング用デバイスと、パターン付与されたビームを基板の目標部分に投影するよう構成された投影系とを含む。様々な実施例において、補正は、複数の放射ビームの各々がパターニングアレイを照射する角度を調整することを含んでもよい。
【０００９】
一実施例において、アライメントビームはモジュールより下流に位置された非化学光源により生成されてもよい。非化学放射源は、ヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザを含んでもよいが、これに限定されない。第２の実施例において、アライメントビームは化学光を備え、モジュールによりソースビームから分割されてもよい。さらに、別の実施例において、リソグラフィ装置は、モジュールの上流に位置され、測定に応じてソース放射ビームの位置および角度を調整するよう構成されたレンズを含んでもよい。
【００１０】
別の態様においては、リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正するシステムが提供される。このシステムは、ソース放射ビームを複数の放射ビームに分割するよう構成された分割デバイスを含む。このシステムはまた、一組の対応するアライメントビームの角度、位置、またはエネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するよう構成された一組のセンサを含む。さらにこのシステムは、測定に応じて複数の放射ビームの各々を補正するよう構成された個別制御可能素子のアレイを含む。様々な実施例において、補正は、複数の放射ビームがパターニング用デバイスを照射する角度を調整することを含んでもよい。
【００１１】
一実施例において、アライメントビームはモジュールの下流に位置された非化学光源により生成されてもよい。非化学放射源は、ヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザを含んでもよいが、これに限定されない。第２の実施例において、アライメントビームはモジュールによりソース放射ビームから分割されてもよい。さらに、別の実施例において、このシステムは、モジュールの上流に位置され、測定に応じてソース放射ビームを調整するよう構成されたレンズを含んでもよい。
【００１２】
さらなる態様においては、リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する方法が提供される。この方法は、３個またはそれ以上のアライメントビームの各々の角度、位置、エネルギー分布のうち少なくとも一つを測定するステップを含む。この方法はまた、測定に応じて複数の放射ビームの各々を調整するステップと、それに続く複数の調整された放射ビームの各々を基板の目標部分に投影するステップとを含む。一実施例において、調整ステップは、複数の照射ビームがパターニングアレイを照射する角度を調整する。追加の実施例において、ソース放射ビームの位置および角度のうち少なくとも一つは、測定に応じて調整される。
【００１３】
本発明のさらなる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。
【００１４】
添付の図面は、ここに組み込まれ、本明細書の一部を構成しているが、明細書と共に本発明を説明し、さらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を利用するのに役立つものである。
【００１５】
本発明の一つ以上の実施の形態は、添付の図面を参照して説明される。図面では、類似の参照番号は、同一または機能的に類似の要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
本明細書において「一実施形態」、「実施形態の一実施例」とは、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。
【００１８】
本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい（たとえば、コンピュータデバイス）。たとえば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置を模式的に示す図である。この装置は、照明光学系ＩＬ、パターニング用デバイスＰＤ、制御部ＣＲ、基板テーブルＷＴ、及び投影光学系ＰＳを備える。照明光学系（照明器）ＩＬは、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射）を調整するよう構成されている。
【００２０】
本明細書ではリソグラフィを取りあげて説明しているが、本発明の範囲から逸脱することなく、パターニングデバイスＰＤは、ディスプレイシステム （たとえばＬＣＤテレビジョンまたはプロジェクタ）により構成することもできる。この場合、パターン付与ビームは、たとえば基板やディスプレイデバイス等の様々な対象物に投影することができる。
【００２１】
パターニング用デバイスＰＤは、パターニング用デバイスに与えられたパターンを制御するよう構成された制御部ＣＲに接続されている。たとえば制御部ＣＲは、パターニング用デバイスＰＤへの一連の所望のパターンを切り替えてもよい。
【００２２】
基板テーブルＷＴは、基板（たとえばレジストが塗布された基板）Ｗを支持するよう構成されており、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めする位置決め装置ＰＷに接続されている。
【００２３】
投影光学系（たとえば屈折投影レンズ光学系）ＰＳは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗの（たとえば１つ又は複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている。本明細書では投影光学系または投影系という用語は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影光学系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影光学系にはたとえば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である投影光学系または投影系という用語と同義に用いられ得る。
【００２４】
照明光学系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００２５】
パターニング用デバイスＰＤ（たとえばレチクル、マスク、または個別制御可能素子アレイ）はビームを変調する。普通は個別制御可能素子アレイは投影光学系ＰＳに対して位置が固定されるが、あるパラメータに従って正確に位置決めする位置決め装置に接続されていてもよい。
【００２６】
本明細書において「パターニング用デバイス」または「コントラストデバイス」なる用語は、たとえば基板の目標部分にパターンを生成する等、放射ビーム断面を変調するのに用い得るいかなるデバイスをも示すよう広く解釈されるべきである。これらのデバイスは静的なパターニング用デバイス（たとえばマスクやレチクル）であってもよいし、動的なパターニング用デバイス（たとえばプログラム可能な素子の配列）であってもよい。簡単のために本説明のほとんどは動的パターニング用デバイスの観点でなされているが、本発明の範囲を逸脱することなく静的パターニング用デバイスを用いることも可能であるものと理解されたい。
【００２７】
放射ビームに付与されるパターンは、パターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャをたとえば含む場合には基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。また、基板に最終的に形成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ上に形成されるパターンにどの時点においても一致しないようになっていてもよい。このような事態は、基板の各部に形成される最終的なパターンが所定時間または所定回数の露光の重ね合わせにより形成され、かつこの所定の露光中に個別制御可能素子アレイ上のパターン及び／またはアレイと基板との相対位置が変化する場合に起こりうる。
【００２８】
通常、基板の目標部分に生成されるパターンは、その目標部分に生成されるデバイスたとえば集積回路やフラットパネルディスプレイの特定の機能層に対応する（たとえばフラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層）。パターニング用デバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、ＬＥＤアレイ、グレーティングライトバルブ、及びＬＣＤアレイなどがある。
【００２９】
電子的手段（たとえばコンピュータ）によりパターンをプログラム可能であるパターニング用デバイスは、たとえば複数のプログラム可能な素子を含むパターニング用デバイス（たとえば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。パターニング用デバイスは少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラム可能な素子を備えてもよい。
【００３０】
プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層と反射表面とを有するマトリックス状のアドレス指定可能な表面を備えてもよい。この装置の基本的な原理はたとえば、反射表面のうちアドレス指定されている区域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていない区域が入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射光ビームから非回折光を取り除いて回折光だけを基板に到達させるようにすることができる。このようにして、マトリックス状のアドレス指定可能表面にアドレス指定により形成されるパターンに従ってビームにパターンが付与される。
【００３１】
なお代替例として、フィルタにより回折光を取り除いて基板に非回折光を到達させるようにしてもよい。
【００３２】
同様にして回折光学ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイスを用いることもできる。一例としては、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するよう変形される複数の反射性のリボン状部位を備える。
【００３３】
プログラマブルミラーアレイの他の例においては、マトリックス状の微小ミラーの配列が用いられる。各微小ミラーは局所的に電界を適宜付与されることによりまたは圧電駆動手段を使用することにより各々が独立に軸周りに傾斜しうる。繰り返しになるが、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能に構成されており、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにしてマトリックス状のアドレス指定可能なミラーにより形成されるパターンに従って反射ビームにパターンが付与されうる。必要とされるマトリックス状アドレス指定は、適宜の電子的手段を使用して実行することができる。
【００３４】
パターニング用デバイスＰＤの他の例はプログラム可能なＬＣＤアレイである。
【００３５】
露光装置は１つ以上のコントラストデバイスを備えてもよい。たとえば、露光装置は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、それぞれの素子が互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別制御可能素子アレイのうちのいくつかのアレイまたはすべてのアレイが少なくとも１つの照明光学系（または照明光学系の一部）を共有していてもよい。斯かるアレイは当該アレイ用の支持構造及び／または投影光学系（または投影光学系の一部）を共有していてもよい。
【００３６】
一実施例としては、図１に示される実施形態のように、基板Ｗは実質的に円形状である。基板Ｗは周縁部にノッチ及び／または平坦部を有していてもよい。他の実施例としては、基板はたとえば長方形などの多角形形状でもよい。
【００３７】
基板の形状が実質的に円形の場合、基板の直径は少なくとも２５ｍｍ、少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍである。あるいは、基板の直径は長くても５００ｍｍ、長くても４００ｍｍ、長くても３５０ｍｍ、長くても３００ｍｍ、長くても２５０ｍｍ、長くても２００ｍｍ、長くても１５０ｍｍ、長くても１００ｍｍ、または長くても７５ｍｍである。
【００３８】
基板がたとえば長方形などの多角形の場合、基板の少なくとも１辺の長さ、またはたとえば少なくとも２辺または少なくとも３辺の長さが、少なくとも５ｃｍ、少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍである。
【００３９】
基板の少なくとも１辺の長さは、長くても１０００ｃｍ、長くても７５０ｃｍ、長くても５００ｃｍ、長くても３５０ｃｍ、長くても２５０ｃｍ、長くても１５０ｃｍ、または長くても７５ｃｍである。
【００４０】
一実施例においては、基板Ｗはウエハであり、たとえば半導体ウエハである。ウエハの材料は、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＳｉＧｅＣ（シリコンゲルマニウムカーボン）、ＳｉＣ(炭化ケイ素)、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)、ＩｎＰ（インジウムリン）、ＩｎＡｓ（インジウムヒ素）から成るグループから選択される。一実施例ではウエハはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハであってよい。一実施例ではウエハはシリコンウエハであってよい。一実施例では基板はセラミック基板であってよい。一実施例では基板はガラス基板であってよい。一実施例では基板はプラスチック基板であってよい。一実施例では基板は（ヒトの裸眼で）透明であってよい。一実施例では基板は有色であってよい。一実施例では基板は無色であってよい。
【００４１】
この基板の厚さは、基板材料及び／または基板寸法に応じてある程度変更される。基板の厚さは、少なくとも５０μｍ、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍとすることができる。あるいは、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、たとえば厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍであってもよい。
【００４２】
基板は露光前または露光後においてたとえばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板に設けられる。
【００４３】
投影系は、個別制御可能素子アレイにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投影系は二次光源の像を形成してもよく、この場合個別制御可能素子アレイの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系は、たとえば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、たとえばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ  ｌｅｎｓ  ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。合焦用素子のアレイ（たとえばＭＬＡ）は少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個の合焦用素子を備えてもよい。
【００４４】
パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。合焦用素子のアレイにおける１つ以上（たとえばたいていは各アレイにつき１０００以上）の合焦用素子は、個別制御可能素子アレイにおける１つ以上（たとえば２つ以上、または３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上）の個別制御可能素子に光学的に連関していてもよい。
【００４５】
ＭＬＡは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向にたとえば１以上のアクチュエータを用いて移動可能であってもよい。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができる場合には、基板を動かすことなくたとえば焦点合わせをすることが可能となる。
【００４６】
図１に示されるように、本装置は反射型（たとえば反射型の個別制御可能素子アレイを用いる）である。透過型（たとえば透過型の個別制御可能素子アレイを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。
【００４７】
露光装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルを備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００４８】
露光装置は、基板の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有するたとえば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、たとえばパターニング用デバイスと投影系との間などの露光装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００４９】
図１に示されるように照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源により、少なくとも５ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１−１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射が供される。あるいは、放射源ＳＯにより供される放射は、長くても４５０ｎｍ、長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍ、または長くても１７５ｎｍの波長を有する。この放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／または１２６ｎｍの波長を含んでもよい。
【００５０】
たとえば光源がエキシマレーザである場合には、光源と露光装置とは別体であってもよい。この場合、光源は露光装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤはたとえば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００５１】
照明器ＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００５２】
照明器ＩＬまたは追加の関連構成要素は、放射ビームを複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。たとえば各分割ビームが個別制御可能素子アレイにおける１つまたは複数の個別制御可能素子に対応するように構成してもよい。追加の実施形態において、放射ビームを分割ビームに分割するのにたとえば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム」という用語は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含するが、これに限定されないものとする。
【００５３】
放射ビームＢは、パターニング用デバイスＰＤ（たとえば、個別制御可能素子アレイ）に入射して、当該パターニング用デバイスにより変調される。放射ビームはパターニング用デバイスＰＤにより反射され、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（たとえば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、たとえば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。また、個別制御可能素子アレイ用の位置決め手段が設けられ、たとえば走査中にビームＢの経路に対してパターニング用デバイスＰＤの位置を正確に補正するために用いられてもよい。
【００５４】
一実施例においては、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により基板テーブルＷＴの移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図１には明示されていない。一実施例では基板テーブルＷＴを移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。個別制御可能素子アレイを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／または個別制御可能素子アレイの位置を固定する一方、放射ビームＢを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置の大きさを小さくするのに役立ち得る。たとえばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投影系ＰＳを固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように構成してもよい。たとえば基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度で基板Ｗを走査させるための機構を備えてもよい。
【００５５】
図１に示されるように、放射ビームＢはビームスプリッタＢＳによりパターニング用デバイスＰＤに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタＢＳは、放射ビームがまずビームスプリッタＢＳにより反射されてパターニング用デバイスＰＤに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームをパターニング用デバイスに入射させるようにすることもできる。放射ビームは０度から９０度の間の角度でパターニング用デバイスに入射する。またはたとえば５度から８５度の間、１５度から７５度の間、２５度から６５度の間、または３５度から５５度の間の角度であってもよい（図１には９０度の例が示されている）。パターニング用デバイスＰＤは放射ビームＢを変調し、再度ビームスプリッタＢＳに向かって戻るように放射ビームＢを反射する。ビームスプリッタＢＳは変調されたビームを投影系ＰＳへと伝達する。しかしながら放射ビームＢをパターニング用デバイスＰＤに入射させ、そのまま更に投影系ＰＳに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニング用デバイスが用いられる場合には図１に示される構成は必要とはされない。
【００５６】
図示の装置はいくつかのモードで使用することができる。
【００５７】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００５８】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００５９】
３．パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Ｗの目標部分Ｃにパターンの全体が投影される。基板テーブルＷＴが実質的に一定の速度で移動して、ビームＢは基板上を線状に走査させられる。個別制御可能素子アレイ上のパターンは放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数の目標部分Ｃが連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の１つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームＢにより基板Wが走査されることになる。この短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Ｗは完全に露光される。
【００６０】
４．連続スキャンモードは基本的にパルスモードと同様である。異なるのは、変調された放射ビームＢに対して基板Ｗが実質的に等速で走査され、ビームＢが基板Ｗ上を走査し露光しているときに個別制御可能素子アレイ上のパターンが更新されることである。個別制御可能素子アレイのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。
【００６１】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
【００６２】
図２は、本発明の実施形態に係るリソグラフィ装置の配置を示す。図１に示すものと対応する素子は、同一の符号で示している。また、上記の様々な実施形態の記載、たとえば、基板、コントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビームなどの様々な構成は、適用可能である。
【００６３】
図２に示されるように、フォールディングミラーＦＭは、放射ビームＢを照明器ＩＬからパターニング用デバイスＰＤに導く。図１の実施形態と比較すると、フォールディングミラーＦＭは、放射ビームＢを非直角にパターニングアレイＰＤへと導く。たとえば、放射ビームｂは、９０°未満の角度でパターニングアレイＰＤ上に入射する。様々な実施形態において、フォールディングミラーＦＭは、放射ビームＢを０°と９０°の間、５°と８５°の間、１５°と７５°の間、２５°と６５°の間、または３５°と５５°の間の角度でパターニング用デバイスＰＤへと導いてもよい。その後パターニング用デバイスＰＤは、放射ビームＢを変調し、変調ビームを投影系ＰＳに送る。投影系ＰＳは、個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つまたは複数のダイを備える）に投影するよう構成されている。
【００６４】
リソグラフィは、高精度で基板上にパターンを投影することが必要である。しかしながら、リソグラフィ装置の光学素子間の相対運動は、テレセントリック効果を引き起こす可能性がある。これは放射ビームのアライメントを変化させ、投影パターンの精度を低下させる。さらに、投影が要求される精度で行われるように、リソグラフィ装置は様々なキャリブレーション測定（たとえば、生じたテレセントリック性の測定）を行い、場合によっては、リソグラフィ装置は、これらの測定に応じて調整されてもよい。
【００６５】
図３は、本発明の実施形態に係る、リソグラフィ装置のテレセントリック性を測定および補正する典型的なシステム３００を示す。典型的なシステム３００は、リソグラフィ装置の重要な光学素子間の相対運動により生じたテレセントリック性を測定する。光学素子は、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）モジュール３０４、個別制御可能ミラー素子の組立体３１０、パターニング用デバイス３２０、および投影系３２８を含むが、これらに限定されない。そして典型的なシステム３００は、多くの一般に知られる測定技術の特徴であるウエハのスループットの減少や、化学線の浪費をすることなく、生じたテレセントリック性をリアルタイムで補正する。
【００６６】
図３の実施形態において、ソース放射ビーム３０２は、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）モジュール３０４に入射する。ＭＦＲモジュール３０４は、重要な光学素子（図示せず）およびＭＦＲマスク（図示せず）を含み、これらはソースビーム３０２をビーム３０６および３０８などの複数の放射ビームにまとめて分割する。ソースビーム３０２は、水銀灯により供給されるＵＶ放射ビーム、ＫｒＦエキシマレーザにより生成されるＤＵＶ放射ビームなどであってよい。さらに、図３には図示されていないが、ＭＦＲモジュール３０４の上流に位置する追加のモジュールによりソースビーム３０２を調整して、ソースビーム３０２の瞳の形状を変化させたり、ソースビーム３０２の強度を変化させてもよい。
【００６７】
ビーム３０６および３０８は、個別制御可能ミラー素子の組立体３１０を照射する。各ミラー素子は、制御部３８５（たとえば、テレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）制御部）からの制御信号に応じて駆動される。一実施形態において、各個別制御可能ミラー素子は、複数の放射ビームのうち一つをテレセントリック性のために補正するテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）である。組立体３１０と相互作用した後、ビーム３０６および３０８は、リレー３１２、光学素子３１４、３１６、および３１８へと導かれ、パターニング用デバイス３２０（たとえば、パターニングアレイ）を照射する。
【００６８】
一実施形態において、パターニングアレイ３２０は、特定のパターンに応じた制御信号により駆動されるマルチＳＬＭアレイ（ＭＳＡ）であってよい。ＭＳＡは、列３２２および列３２４に配置された複数のＳＬＭを備え、ＭＳＡプレート３２５により支持されており、ＭＳＡ内における各ＳＬＭは、複数の入射する放射ビームのうち一つを変調してもよい。たとえば、ＳＬＭ３２１は、ビーム３０６を変調してよく、ＳＬＭ３２３は、ビーム３０８を変調してよい。パターンが付与されると、その後ビーム３０６および３０８は、投影系３２８により基板（図示せず）の一部に投影される。
【００６９】
ＭＦＲモジュール３０４、アレイ３１０、パターニングアレイ３２０、および投影系３２８などのリソグラフィ装置の光学素子間の相対運動は、装置のアライメントに影響を及ぼし、投影系３２８により投影されるパターンの精度を低下させるテレセントリック効果を引き起こす可能性がある。たとえば、投影系３２８は、ＭＦＲモジュール３０４の光学素子間の相対運動およびリソグラフィ装置の照明系内におけるその他の光学素子間の相対運動により生じるテレセントリック性に特に敏感である。
【００７０】
リソグラフィシステムの素子により生じる任意のテレセントリック性を測定および補正するために、放射源３４０、３４２および３４４がＭＦＲモジュール３０４の下流に配置されており、それぞれアライメントビーム３５０、３５２および３５４を生成する。一実施形態において、放射源３４０、３４２および３４４はヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザであってよく、または、放射源３４０、３４２および３４４は化学光を生成しない追加の放射源であってもよい。
【００７１】
アライメントビーム３５０、３５２および３５４は、それぞれ組立体３１０の素子３６０、３６２および３６４を照射する。一実施形態において、素子３６０、３６２および３６４は、入射するアライメントビームを反射する固定ミラーであってよい。あるいはまた、素子３６０、３６２および３６４は、ＴＣＭ制御部３８５からの制御信号に応答する個別制御可能ミラー素子であってもよい。アライメントビーム３５０、３５２および３５４は、その後リレー３１２および光学素子３１４、３１６および３１８を通って導かれ、パターニングアレイ３２０を照射する。パターニングアレイ３２０内の固定ミラー素子３７０、３７２および３７４は、それぞれアライメントビーム３５０、３５２および３５４をセンサ３８０、３８２および３８４へと導く。一実施形態において、センサ３８０、３８２および３８４は、投影系３２８の入射面付近に配置されてもよく、投影系３２８のハウジング上に配置されてもよい。
【００７２】
センサ３８０、３８２および３８４は、各アライメントビーム３５０、３５２および３５４の位置、角度、および／またはエネルギー分布のリアルタイム測定を提供するよう構成されている。従って、リソグラフィ装置内において生じたテレセントリック性のリアルタイム測定が提供される。一実施形態において、センサ３８０、３８２および３８４は、それぞれビーム３５０、３５２および３５４の位置、角度、および／またはエネルギー分布を少なくとも６自由度で測定してもよい。
【００７３】
センサ３８０、３８２および３８４は、角度、位置、および／またはエネルギー分布の測定結果をＴＣＭ制御部３８５へ供給する。ＴＣＭ制御部３８５は、受信した測定結果を処理し、組立体３１０の個別制御可能素子のうち適切なものに制御信号を提供する。制御信号は、個別制御可能素子のうち適切なものを駆動するために用いられ、検出された生じたテレセントリック性に関して入射ビーム３０６および３０８を実質的に補正する。たとえば、制御部３８５は、各ビーム３０６および３０８がそれぞれパターニングアレイ３２０を照射する角度を調整するために、素子３１１および３１２を駆動する制御信号を提供してもよい。加えて、または代えて、制御部３８５は、測定されたエネルギー分布に応じてビーム３０６および３０８の位置および／または角度をそれぞれ調整するために、素子３１１および３１３を駆動する制御信号を提供してもよい。これは、リソグラフィ装置の光学素子間の相対運動により生じる可能性のあるテレセントリック性に関してビームを実質的に補正するためになされてもよい。
【００７４】
図３において、センサ３８０、３８２および３８４は、投影系３２８の入射面３２６における各アライメントビーム３５０、３５２および３５４の角度、位置、およびエネルギー分布を測定してもよい。加えて、または代えて、テレセントリックエラーは、センサ３８０、３８２および３８４の位置を動かすことにより、ビーム３０６および３０８の光路に沿った任意のポイントにおいて測定されてもよい。たとえば、センサ３８０、３８２および３８４は、リレー３１２に近接して（たとえば、入射口の近傍に）配置されてもよく、または光軸に沿った任意の追加的な位置に配置されてもよく、アライメントビーム３５０、３５２および３５４の測定された位置および角度は、制御部３８５を介して、組立体３１０の適切な個別制御可能素子を駆動するために用いられてもよい。
【００７５】
別の実施形態では、ＭＦＲモジュール３０４内の光学素子間の相対運動により生じる可能性のあるテレセントリック性の直接的な測定を提供するために、ソース３４０、３４２および３４４は、ＭＦＲモジュール３０４に近接して（たとえば、入射口の近傍に）配置されてもよく、センサ３８０、３８２および３８４は、ＭＦＲモジュール３０４に近接して（たとえば、出射口の近傍に）配置されてもよい。組立体３１０は、その後、検出された生じたテレセントリック性に関して複数の放射ビーム３０６および３０８を補正する。このようなアレンジメントは、ビーム３０６および３０８の光路に沿った特定のモジュールにより生じるテレセントリック性を測定するために変更されてもよい。
【００７６】
さらに別の実施形態では、ソース３４０、３４２および３４４は、ＭＦＲモジュール３０４に近接して（たとえば入射口の近傍に）配置されてもよく、一連のセンサは、ＭＦＲモジュール３０４に近接（たとえば、出射口の近傍）し、かつビーム３０６および３０８の光路に沿った様々な追加的な位置に配置されてもよい。このようなアレンジメントは、ビーム３０６および３０８の光路に沿った多数の光学素子により生じたテレセントリック性の同時測定を容易とする。
【００７７】
図３の典型的なシステムにおいては、非化学線（non-actinic）のアライメントビーム３５０、３５２および３５４の位置、角度、およびエネルギー分布の測定は、生じたテレセントリック性のリアルタイムの測定をもたらす。しかしながら、追加の実施形態においては、化学光（actinic light）のビームは、マスクレスリソグラフィ装置で生じたテレセントリック性を測定するために用いられてもよい。図４は、本発明の実施形態に係る別の典型的なシステム４００を示す。このシステム４００は、リソグラフィ装置において生じたテレセントリックエラー、たとえばＭＦＲモジュール４０４、個別制御可能素子４１０の組立体４１０、パターニングアレイ４２０、および投影系４２８の間の相対運動により生じたるテレセントリック性など、を測定および補正するために化学光を用いる。
【００７８】
図４において、放射ビーム４０２は、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）モジュール４０４に入射する。ＭＦＲモジュール４０４は、ビーム４０２を複数のビームに分割する。図２の典型的なシステムと比較すると、ＭＦＲモジュール４０４は、ソースビーム４０２をたとえばビーム４０６および４０８などの化学光のビームに同時に分割する。これらのビームは、その後パターニング用デバイス４２０を用いてパターンを付与され、投影系４２８を用いて基板（図示せず）上に投影される。たとえばアライメントビーム４５０、４５２および４５４などの化学光のビームは、生じたテレセントリック性の測定を容易にする。
【００７９】
アライメントビーム４５０、４５２および４５４と放射ビーム４０６および４０８の両方は、個別制御可能ミラー素子の組立体４１０を照射する。個別制御可能ミラー素子は、制御部４８５からの信号に応じて駆動されてもよい。一実施形態において、組立体４１０内の各個別制御可能ミラー素子は、入射する放射ビームをテレセントリック性に関して補正するために２自由度で位置付けが可能なテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）であってよい。
【００８０】
図４において、素子４６０、４６２および４６４は、組立体４１０に組み込まれており、それぞれアライメントビーム４５０、４５２および４５４を反射する。一実施形態において、素子４６０、４６２および４６４は、固定ミラー素子であるが、追加の実施形態においては、素子４６０、４６２および４６４は、ＴＣＭ制御部４８５からの制御信号に応答する個別制御素子であってもよい。
【００８１】
放射ビーム４０６および４０８、並びにアライメントビーム４５０、４５２および４５４は、その後リレー４１２および光学素子４１４、４１６および４１８を介してパターニング用デバイス４２０（たとえばパターニングアレイ）を照射するために導かれる。一実施形態において、パターニングアレイ４２０は、特定のパターンに応じた制御信号により駆動されるマルチＳＬＭアレイ（ＭＳＡ）である。ＭＳＡは、列４２２および４２４に配置された複数のＳＬＭを備え、ＭＳＡプレート４２５により支持されている。ＭＳＡ内の各ＳＬＭは、複数の入射する放射ビームのうち一つを変調してよい。たとえば、ＳＬＭ４２１は、ビーム４０６を変調してよく、ＳＬＭ４２３は、ビーム４０８を変調してよい。パターン付与されたビーム４０６および４０８は、その後、投影系４２８により基板（図示せず）の一部に投影される。
【００８２】
図４において、ミラー素子４６０、４６２および４６４は、それぞれアライメントビーム４５０、４５２および４５４をセンサ４８０、４８２および４８４に反射する。一実施形態において、センサ４８０、４８２および４８４は、投影系４２８の（たとえば入射）面４２６に近接して配置されてもよい。さらに、センサ４８０、４８２および４８４は、投影系４２８のハウジング上に配置されてもよい。
【００８３】
センサ４８０、４８２および４８４は、アライメントビーム４５０、４５２および４５４の位置、角度、および／またはエネルギー分布のリアルタイムの測定を提供するよう構成されており、それによりリソグラフィ装置内において生じるテレセントリック性のリアルタイム測定が提供される。一実施形態において、センサ４８０、４８２および４８４は、アライメントビーム４５０、４５２および４５４の位置、アライメント、およびエネルギー分布を最大６自由度で測定してもよい。
【００８４】
センサ４８０、４８２および４８４は、これらの測定結果をＴＣＭ制御部４８５に供給し、ＴＣＭ制御部４８５は、測定結果を処理し、組立体４１０の個別制御可能素子の適切なものに制御信号を与える。これにより、適切な素子が駆動され、その後、リソグラフィ装置の光学素子間の相対運動により生じたテレセントリック性に関して入射ビーム４０６および４０８が補正される。たとえば、制御部４８５は、素子４１１および４１３を駆動する制御信号を与え、ビーム４０６および４０８がそれぞれパターニングアレイ４２０を照射する角度を調整してもよい。このようにして、ビーム４０６および４０８において生じたテレセントリック性が実質的に補正される。加えて、または代えて、制御部４８５は、素子４１１および４１３を駆動する制御信号を与え、測定されたエネルギー分布に応じてビーム４０６および４０８の角度をそれぞれ調整してもよい。
【００８５】
図４の実施形態において、センサ４８０、４８２および４８４は、生じたテレセントリック性について、ＭＦＲモジュール４０４より下流に位置する光学素子にリアルタイムのフィードバックを与えてもよい。しかしながら、化学線のアライメントビーム４０６および４０８の位置、角度、およびエネルギー分布の測定はまた、ＭＦＲモジュール４０４の上流に位置する補正素子に対してフィードバックを与えてもよい。
【００８６】
加えて、または代えて、ビーム４０６および４０８において測定されたテレセントリック性に応じてソースビーム４０２を調整するために、ＴＣＬ制御部４９５に接続されたテレセントリック制御レンズ（ＴＣＬ）４９０が、ＭＦＲモジュール４０４の上流に配置されてもよい。センサ４８０、４８２および４８４は、生じたテレセントリック性の測定結果をＴＣＬ制御部４９５に供給してもよい。ＴＣＬ制御部４９５は、測定結果を処理し、テレセントリック効果に関してソースビーム４０２のアライメントを補正するために、ＴＣＬ４９０を移動させる制御信号を提供する。
【００８７】
追加の実施形態において、センサ４８０、４８２および４８４は、ＴＣＭ組立体４１０などのＭＦＲモジュール４０４の下流に位置する補正素子、およびＴＣＬ４９０などのＭＦＲモジュール４０４の上流に位置する補正素子に対して同時フィードバック（simultaneous feedback）を与える。
【００８８】
図３および図４の典型的なシステムは、３個のアライメントビーム（たとえば、図３のアライメントビーム３５０、３５２および３５４、ならびに図４のアライメントビーム４５０、４５２および４５４）により説明された。これらは、２個の放射ビーム（たとえば、図３の放射ビーム３０６および３０８、並びに図４のビーム４０６および４０８）に生じたテレセントリック性の測定を容易にする。図３および図４の実施形態が、ソース放射ビームから分割された任意の数の放射ビームを含んでもよいことは本明細書を読んだ当業者にとって明らかであろう。１３個の放射ビームまたは１４個の放射ビームを含んでもよいが、これには限定されない。さらに、追加の構成が任意の数のアライメントビームおよび対応するセンサを組み込むことができることは本明細書を読んだ当業者にとって明らかであろう。
【００８９】
図３および図４の典型的なシステムにおいて、個別制御可能ミラーの単一の組立体は、生じたテレセントリック性の測定に応じて放射ビームの位置および／または角度を調整する。しかしながら、追加の実施形態において、マスクレスリソグラフィ装置におけるテレセントリックエラーを補正するために、個別制御可能ミラーの複数の組立体が用いられてもよい。従って、図５は、本発明の実施形態に係る典型的なシステム５００を示す。システム５００は、個別制御可能ミラーの複数の組立体を用いてリソグラフィ装置のテレセントリック性を測定および補正する。
【００９０】
図５の実施形態において、ソース放射ビーム５０２は、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）モジュール５０４に入射する。ＭＦＲモジュール５０４は、重要な（クリティカルな）光学素子（図示せず）と、ＭＦＲマスク（図示せず）とを含み、ソースビーム５０２をビーム５０６および５０８などの複数の放射ビームにまとめて分割する。さらに、図５には示されていないが、ＭＦＲモジュール５０４の上流に位置する追加のモジュールがソースビーム５０２を調整して、ソースビーム５０２の瞳における形状を変化させたり、ソースビーム５０２の強度を変化させてもよい。
【００９１】
リソグラフィシステムの素子により生じるテレセントリック性に関して測定および補正するために、放射源５４０、５４２および５４４がＭＦＲモジュール５０４の下流に位置しており、それぞれアライメントビーム５５０、５５２および５５４を生成する。一実施形態において、放射源５４０、５４２および５４４は、ヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザであってもよいし、あるいはまた、放射源５４０、５４２および５４４は、化学光を発生しない追加の放射源であってもよい。
【００９２】
アライメントビーム５５０、５５２および５５４と、放射ビーム５０６および５０８の両方は、個別制御可能ミラー素子の第１組立体５１０を照射する。個別制御可能ミラー素子は、制御部５８５からの信号に応じて駆動されてもよい。一実施形態において、組立体５１０内の各個別制御可能ミラー素子は、入射する放射ビームのテレセントリック性を補正するために２自由度で位置付けが可能なテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）であってもよい。
【００９３】
図５において、素子５６０、５６２および５６４は、組立体５１０に組み込まれており、それぞれアライメントビーム５５０、５５２および５５４を反射する。一実施形態において、素子５６０、５６２および５６４は、固定ミラー素子であるが、追加の実施形態において、素子５６０、５６２および５６４はＴＣＭ制御部５８５からの制御信号に応答する個別制御可能素子であってもよい。
【００９４】
図３および図４の典型的なシステムと比較すると、放射ビーム５０６および５０８、並びにアライメントビーム５５０、５５２および５５４は、その後、個別制御可能ミラー素子の第２組立体５９０を照射する。個別制御可能ミラー素子は、制御部５９５からの信号に応じて駆動されてもよい。上記のように、組立体５９０内の各個別制御可能ミラー素子は、入射する放射ビームのテレセントリック性に対して追加の補正を与えるために、２自由度で位置付け可能なテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）であってもよい。
【００９５】
素子５９２，５９４および５９６は、第２組立体５９０に組み込まれており、それぞれアライメントビーム５５０、５５２および５５４を反射する。一実施形態において、素子５９２、５９４および５９６は、固定ミラー素子であるが、追加の実施形態では、素子５９２、５９４および５９６は、ＴＣＭ制御部５９５からの制御信号に応答する個別制御可能素子であってもよい。
【００９６】
放射ビーム５０６および５０８、並びにアライメントビーム５５０、５５２および５５４は、その後、パターニング用デバイス５２０（たとえば、パターニングアレイ）を照射する。一実施形態において、パターニングアレイ５２０は、マルチＳＬＭアレイ（ＭＳＡ）である。ＭＳＡは、特定のパターンに応じた制御信号により駆動されてもよい。ＭＳＡは、列５２２および５２４に配置された複数のＳＬＭを備え、ＭＳＡプレート５２５により支持されている。ＭＳＡ内の各ＳＬＭは、複数の入射する放射ビームのうち一つを変調してもよい。たとえば、ＳＬＭ５２１はビーム５０６を変調してよく、ＳＬＭ５２３はビーム５０８を変調してよい。パターン付与されたビーム５０６および５０８は、その後、投影系５２８により基板（図示せず）の一部に投影される。
【００９７】
図５において、ミラー素子５７０、５７２および５７４は、それぞれアライメントビーム５５０、５５２および５５４をセンサ５８０、５８２および５８４に反射する。一実施形態において、センサ５８０、５８２および５８４は、投影系５２８の（たとえば入射）面５２６に近接して配置されてもよい。さらに、センサ５８０、５８２および５８４は、投影系５２８のハウジング上に配置されてもよい。
【００９８】
センサ５８０、５８２および５８４は、アライメントビーム５５０、５５２および５５４の位置、角度、および／またはエネルギー分布のリアルタイムの測定を提供するよう構成されており、それによりリソグラフィ装置内において生じたテレセントリック性のリアルタイムの測定が提供される。一実施形態において、センサ５８０、５８２および５８４は、アライメントビーム５５０、５５２および５５４の位置、角度、およびエネルギー分布を最大６自由度で測定してもよい。
【００９９】
センサ５８０、５８２および５８４は、これらの測定結果をＴＣＭ制御部５８５および５９５に供給する。ＴＣＭ制御部５８５および５９５は、それぞれ測定結果を処理し、それぞれ第１組立体５１０および第２組立体５９０の個別制御可能素子のうち適切なものに制御信号を与える。それにより、適切な素子が駆動され、入射ビーム５０６および５０８がリソグラフィ装置の光学素子間の相対運動により生じたテレセントリック性に関して補正される。たとえば、制御部５８５は、ビーム５０６および５０８がそれぞれ第２組立体５９０を照射する角度を調節するよう、素子５１１および５１３を駆動する制御信号を与えてもよい。これによりビーム５０６および５０８において生じたテレセントリック性が実質的に補正される。さらに、制御部５９５は、測定されたエネルギー分布に応じてビーム５０６および５０８の角度および／または位置を調整するよう、素子５９１および５９３を駆動する制御信号を与えてもよい。これにより、ビーム５０６および５０８において生じたテレセントリック性がさらに補正される。
【０１００】
加えて、図４のＴＣＬ３９０などのテレセントリック制御レンズ（ＴＣＬ）（図示せず）は、図４のＴＣＬ制御部４９５などのＴＣＬ制御部に接続されてもよく、ビーム５０６および５０８において測定されたテレセントリック性に応じてソースビーム５０２を調整するためにＭＦＲモジュール５０４の上流に配置されてもよい。センサ５８０、５８２および５８４は、生じたテレセントリック性の測定結果をＴＣＬ制御部に供給してもよい。ＴＣＬ制御部は、測定結果を処理し、ソースビーム５０２のアライメントをテレセントリック効果に関して補正するようＴＣＬを移動させる制御信号を与える。
【０１０１】
追加の実施形態において、センサ５８０、５８２および５８４は、ＴＣＭ組立体５１０および５９０などのＭＦＲモジュール５０４の下流に位置する補正素子、およびＴＣＬなどのＭＦＲモジュール５０４の上流に位置する補正素子に対し同時フィードバック（simultaneous feedback）を与えてもよい。
【０１０２】
図６は、個別制御可能素子の組立体６００を示す。図３〜５の典型的なシステムの一つまたは全てに組み込むことが可能である。一実施形態において、組立体６００は、複数のテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）素子を備え、ミラー素子は、だいたい列６０２および６０４に配置されている。列６０２および６０４の各ミラー素子は、それぞれ、図２のＴＣＭ制御部２８５などの制御部（図示せず）から受信した制御信号に応じて、生じたテレセントリック性に関して入射する放射ビームを補正するよう構成されている。
【０１０３】
組立体６００はまた、図３のビーム３５０、３５２および３５４などの対応する一組のアライメントビーム（図示せず）を調整する素子６６０、６６２および６６４を組み込む。一実施形態において、素子６６０、６６２および６６４は、入射するアライメントビームを反射する固定ミラーであってもよいが、追加の実施形態では、素子６６０、６６２および６６４は、制御信号、たとえば列６０２の素子を駆動する制御信号に応答する個別制御可能素子であってもよい。
【０１０４】
図６の実施形態において、組立体６００は、２つの列６０２および６０４に配置された１３個の個別制御可能ミラー素子を備え、これらは少なくとも２自由度で移動可能である。しかしながら、ＴＣＭ組立体６００は、このようなアレンジメントに限定されない。ＴＣＭ組立体６００が任意の数の構造に配置された任意の数のエレメントを組み込んでもよいことは、本明細書を読んだ当業者に理解されるであろう。さらに、ＴＣＭ組立体６００が任意の自由度での移動により特徴付けられる素子を組み込んでもよいことは、本明細書を読んだ当業者に理解されるであろう。
【０１０５】
図７は、パターニング用デバイス７００（たとえば、パターニングアレイ）を示す。パターニング用デバイス７００は、図２および図３の典型的なシステムの一つまたは両方に組み込むことが可能である。一実施形態において、パターニングアレイ７００は、特定のパターンを形成するよう制御信号により駆動されるマルチＳＬＭアレイ（ＭＳＡ）であってよい。ＭＳＡは、複数の空間光変調器（ＳＬＭ）を備える。それらは列７０４および７０６に配置されており、それぞれＭＳＡプレート７０８により支持されている。図７には示していないが、ＭＳＡプレート７０８は、各ＳＬＭに信号を与える電気回路、および各ＳＬＭに温度制御を与える追加の機構を含んでもよい。温度制御機構は、冷却液のパイプを含むがこれに限定されない。
【０１０６】
パターニングアレイ７００はまた、ミラー素子７７０、７７２および７７４を含む。ミラー素子７７０、７７２および７７４は、固定ミラー素子であってよく、これらもまたＭＳＡプレート７０８により支持されている。固定ミラー素子７７０、７７２および７７４は、図２のアライメントビーム２７０、２７２および２７４などの多数の入射するアライメントビームを、何のパターンも付与することなく反射するよう構成されている。
【０１０７】
図７の実施形態において、ＭＳＡは、列７０４および７０６に配置された１３個のＳＬＭに温度制御を含む。しかしながら、パターニングアレイ７００は、このようなアレンジメントに限定されない。パターニングアレイ７００は任意の数の許容可能な構造に配置された任意の数のＳＬＭを含んでもよいことは当業者に理解されるであろう。パターニングアレイ７００は任意の数の追加の固定ミラー素子を組み込んでもよいことは当業者に理解されるであろう。
【０１０８】
図８は、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）マスク８００の概略図である。ＭＦＲマスク８００は、図３〜５の典型的なシステム３００、４００および５００に組み込み可能である。一実施形態において、ＭＦＲマスク８００は、たとえば図３のＭＦＲモジュール３０４、図４のＭＦＲモジュール４０４、および図５のＭＦＲモジュール５０４などのＭＦＲモジュール（図示せず）に組み込まれてもよい。これらは、ソース放射ビーム（図示せず）を複数のビームに分割する。ＭＦＲマスク８００は、列８０２、８０４および８０８に配置された複数の開口を備え、入射ビームを基板（図示せず）に投影されるべき複数の化学光のビームに分割するよう構成される。
【０１０９】
図４を参照して上述したような追加の実施形態において、ＭＦＲマスク８００もまた、入射する放射ビームを図４のアライメントビーム４４０、４４２および４４４などのアライメントビームにさらに分割する開口８１０、８１２および８１４を備える。センサ（図示せず）は、分割されたアライメントビームの投影系（図示せず）の入射面における位置および角度を測定する。測定された位置および角度は、投影ビームにおけるテレセントリック性を補正するために用いられる。
【０１１０】
図８の実施形態において、ＭＦＲマスク８００は、ソース放射ビームを１３個の個別ビームおよび３個のアライメントビームに分割する１６個の開口を組み込んでいる。しかしながら、ＭＦＲマスク８００は、このような構成に限定されない。ＭＦＲマスク８００がソースビームを個別ビームおよびアライメントビームに分割する任意の数の追加の開口を収容してもよく、これらの追加の開口が任意の数の構造に配置されてもよいことは、当業者にとって明らかであろう。
【０１１１】
図９は、本発明の実施の形態に係る、リソグラフィ装置のテレセントリック効果を測定および補正するための典型的な方法９００を示す。たとえば、方法９００は、図１〜８を参照して上述したシステムの一つまたは複数により実行可能である。ステップ９０２において、たとえば、ソース放射ビーム３０２は複数の放射ビーム３０６および３０８に分割される。一実施形態において、マルチフィールドリレー（ＭＦＲ）モジュール３０４または二次元回折格子を用いてソース放射ビームは複数の放射ビーム３０６および３０８に分割される。複数のアライメントビーム３５０、３５２および３５４がステップ９０４において生成される。これらのアライメントビーム３５０、３５２および３５４は、リソグラフィ装置内において、複数の放射ビーム３０６および３０８と類似の光路をたどる。
【０１１２】
一実施形態において、複数のアライメントビーム３５０、３５２および３５４は、対応する複数の放射源３４０，３４２および３４４により生成されてもよい。典型的なアライメント源はヘリウムネオン（ＨｅＮｅ）レーザを含むが、これに限定されない。代替的な実施形態において、複数のアライメントビーム３５０、３５２および３５４と、複数の放射ビーム３０６および３０８の両方は、同一のソース放射ビーム３０２から分割されてもよい。このような実施形態において、ステップ９０２および９０４は、同時に実行されてもよい。
【０１１３】
複数のアライメントビーム３５０、３５２および３５４の各々の位置、角度、および／またはエネルギー分布は、ステップ９０６において測定される。測定された位置、角度、およびエネルギー分布は、リソグラフィ装置の光学素子間の相対移動により生じたテレセントリック性の測定を提供する。一実施形態において、複数のアライメントビーム３５０、３５２および３５４の位置および角度は、対応する複数のセンサ３８０、３８２および３８４により測定されてもよく、複数のセンサ３８０、３８２および３８４は、リソグラフィ装置の投影系３２８の入射口３２６の周囲に配置されてもよい。追加の実施形態において、複数のセンサ３８０、３８２および３８４は、入射するアライメントビームの位置、角度および／またはエネルギー分布を測定するために、追加の光学素子の周囲に配置されてもよい。
【０１１４】
ステップ９０８において、複数の放射ビームの各々は、ステップ９０６で測定された生じたテレセントリック性に関して補正される。一実施形態において、複数の放射ビーム３０６および３０８は、複数の個別制御可能ミラー素子を備える組立体３１０に入射してもよい。ステップ９０６で測定されたテレセントリック性に応じて、複数の放射ビーム３０６および３０８の各々がパターニングアレイ３２０を照射する角度を調整するよう個別制御可能ミラー素子うち適切な素子３１１および３１３が駆動されてもよい。これにより、複数の放射ビーム３０６および３０８が生じたテレセントリック性に関して補正される。個別制御可能素子３１１および３１３は、２自由度を有するミラー素子を含んでもよいが、これに限定されない。加えて、または代えて、ステップ９０８において、ビーム３０６および３０８の角度および／または位置が測定されたエネルギー分布に応じて調整されてもよい。
【０１１５】
追加の実施形態において、選択的なテレセントリック制御レンズ４９０がソース放射ビーム４０２を分割するＭＦＲモジュール４０４の上流に配置されてもよい。測定されたテレセントリック性に応じて、テレセントリック制御レンズ４９０は、測定されたテレセントリック性に応じてソースビーム４０２の位置および／または角度を調整するために、２自由度で位置付けられてもよい。さらに別の実施形態において、測定されたテレセントリック性は、テレセントリック制御レンズ４９０と、素子４１１および４１３などの複数の個別制御可能素子との任意の組み合わせを駆動するよう機能してもよく、その結果リソグラフィ装置内のテレセントリック性に関してリアルタイムの補正が提供される。
【０１１６】
一旦テレセントリック効果を補償するよう調整されると、複数の調整された放射ビームは個別制御可能素子のパターニングアレイ３２０により変調され、ステップ９０１において投影系３２８により基板の一部に投影される。生じたテレセントリック性を瞬間的に測定することにより、典型的なシステム９００は、既存のテレセントリック性補正技術に伴う基板のスループットの損失を被ることなく、生じたテレセントリック性を補正する。
【０１１７】
説明した本発明の実施形態はミラーアレイについて言及したが、任意の適切な個別制御可能素子が用いられてもよい。さらに、上述した使用モードまたは全く異なる使用モードの組み合わせおよび／または変形が採用されてもよい。
【０１１８】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。たとえば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、たとえばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１１９】
結語
「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。
【０１２０】
本発明は、特定の機能およびその関係の実現を図解する機能ブロックを用いて説明されている。これらの機能ブロックの境界は、ここでは説明の便宜のために任意に定義されている。特定の機能およびその関係が適切に実行されている限り、代わりの境界を定義することが可能である。
【０１２１】
特定の実施形態に関する上述の説明は、本発明の一般的な性質を十分に明らかにするものであるので、当業者の知識を応用することにより、必要以上の実験を行うこと無しに、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々なアプリケーションのためにそのような特定の実施形態を容易に変更および／または適合することが可能である。それ故、このような適合および変更は、本明細書に開示された教示およびガイダンスに基づいて、開示された実施形態の均等物の意味および範囲内であることが意図されている。本明細書の専門用語は、説明を目的とするものであって限定ではなく、本明細書の専門用語は教示およびガイダンスに照らして当業者により解釈されるべきであると理解されたい。
【０１２２】
本発明の種々の実施形態を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではないことを理解されたい。本発明の精神と範囲に反することなく、構造および細部において種々に変更することができることは、関連技術の当業者には明らかなことである。従って、本発明の範囲と精神は上記で述べた典型的な実施形態に限定されるべきではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】典型的なリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】典型的なリソグラフィ装置を示す図である。
【図３】リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する典型的なシステムを示す図である。
【図４】リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する第２の典型的なシステムを示す図である。
【図５】リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する第３の典型的なシステムを示す図である。
【図６】図３〜図５の典型的なシステムに組み込み可能なテレセントリック制御ミラー（ＴＣＭ）の組立体を示す図である。
【図７】図３〜図５の典型的なシステムに組み込み可能なパターニングアレイを示す図である。
【図８】図３〜図５の典型的なシステムに組み込み可能なマルチフィールドリレー（ＭＦＲ）マスクを示す図である。
【図９】リソグラフィ装置におけるテレセントリック性を測定および補正する典型的な方法のフローチャートを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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