(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、当該発光素子を上面に搭載し、下面に電極パターンが形成された平板状の搭載基板、及び当該搭載基板上で前記発光素子を封止する封止部を含む発光体と、
実装面において前記搭載基板の前記電極パターンと回路パターンが電気的に接続されることにより前記発光体を実装する実装基板と、
前記発光体を当接しつつ受容する開口部が形成され、前記実装基板の前記実装面に被せられ、前記発光体から発せられる光を反射する、可撓性を有する多孔質の反射シートと、
前記実装基板上に設けられて前記発光体から側方へ出射される光を上方へ反射させる反射面を有したリフレクタと、を備え、
前記反射シートは、前記発光体の前記搭載基板の前記電極パターンと前記実装基板の前記回路パターンの電気的接続部分と、前記リフレクタと、の間に介在すると共に、前記開口部の縁が前記発光体の前記搭載基板の側面に当接していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記反射シートは、前記開口部の近傍が撓んでいる請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射シートは、前記開口部と連続的に形成され前記開口部から離隔する方向へ延びる切り込み部を有する請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射シートは、不織布である請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記反射シートは、フッ素系の樹脂からなる請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記実装基板は、金属ベース部と、絶縁層と、回路パターン層と、白色レジスト層とが下側からこの順に形成された金属ベース基板からなる請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記搭載基板は、平面視にて矩形状である請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光体の前記封止部は、直方体状のガラスである請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
実装面に回路パターンが形成された実装基板を準備する工程と、
発光素子、当該発光素子を上面に搭載し、下面に電極パターンが形成された平板状の搭載基板、及び当該搭載基板上で前記発光素子を封止する封止部を含む発光体を、前記電極パターンと前記回路パターンとの電気的な接続により前記実装基板に実装する工程と、
可撓性を有する多孔質の反射シートに、前記発光体よりも平面視で小さく形成された開口部を形成する工程と、
前記反射シートを、前記開口部に前記発光体を受容させて、前記実装基板に被せ、前記開口部の縁を前記発光体の前記搭載基板の側面に当接させる工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記反射シートに前記開口部を形成する工程にて、前記開口部から離隔する方向へ延びる切り込み部を前記開口部と連続的に形成する請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記反射シートを前記実装基板に被せる工程にて、前記反射シートをリフレクタの下面に取り付けた状態で前記実装基板に被せる請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板の上に反射シートを被せた発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置として、ＬＥＤが基体の配線パターンの上に実装され透明な凸レンズで封止されるＬＥＤデバイスを、実装基板にマウントさせたものが知られている（特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置では、実装基板は配線パターンを備えており、この配線パターンに対しＬＥＤデバイスの基体の裏面まで回り込んでいる配線パターンが半田付けされる。これにより、実装基板に対してＬＥＤデバイスが電気的に接続されるとともに機械的にも固定される。実装基板においては、ＬＥＤデバイスがマウントされる以外の領域に白色レジストが積層されている。
【特許文献１】特開２００７−２８１３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置では、ＬＥＤデバイスと実装基板との電気的接続部分が露出しているので、塵埃等が電気的接続部分に侵入すると電気的に短絡するおそれがある。
【０００４】
本発明は前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光体と実装基板との電気的接続部分に塵埃等が侵入することのない発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、発光素子、当該発光素子を上面に搭載し、下面に電極パターンが形成された平板状の搭載基板、及び当該搭載基板上で前記発光素子を封止する封止部を含む発光体と、実装面において前記搭載基板の前記電極パターンと回路パターンが電気的に接続されることにより前記発光体を実装する実装基板と、前記発光体を当接しつつ受容する開口部が形成され、前記実装基板の前記実装面に被せられ、前記発光体から発せられる光を反射する、可撓性を有する多孔質の反射シートと、前記実装基板上に設けられて前記発光体から側方へ出射される光を上方へ反射させる反射面を有したリフレクタと、を備え、前記反射シートは、前記発光体の前記搭載基板の前記電極パターンと前記実装基板の前記回路パターンの電気的接続部分と、前記リフレクタと、の間に介在すると共に、前記開口部の縁が前記発光体の前記搭載基板の側面に当接している発光装置が提供される。
【０００６】
上記発光装置において、前記反射シートは、前記開口部の近傍が撓んでいることが好ましい。
【０００７】
上記発光装置において、前記反射シートは、前記開口部と連続的に形成され前記開口部から離隔する方向へ延びる切り込み部を有することが好ましい。
【０００８】
上記発光装置において、前記反射シートは、不織布であることが好ましい。
【０００９】
上記発光装置において、前記反射シートは、フッ素系の樹脂からなることが好ましい。
【００１０】
上記発光装置において、前記実装基板は、金属ベース部と、絶縁層と、回路パターン層と、白色レジスト層とが下側からこの順に形成された金属ベース基板からなることが好ましい。
【００１１】
上記発光装置において、前記搭載基板は、平面視にて矩形状であることが好ましい。
【００１２】
上記発光装置において、前記発光体の前記封止部は、直方体状のガラスであることが好ましい。
【００１４】
また、本発明によれば、発光素子、当該発光素子を上面に搭載し、下面に電極パターンが形成された平板状の搭載基板、及び当該搭載基板上で前記発光素子を封止する封止部を含む発光体を実装基板に実装する工程と、可撓性を有する多孔質の反射シートに、前記発光体よりも平面視で小さく形成された開口部を形成する工程と、前記反射シートを、前記開口部に前記発光体を受容させて、前記実装基板に被せ、前記開口部の縁を前記発光体の前記搭載基板の側面に当接させる工程と、を含む発光装置の製造方法が提供される。
【００１５】
上記発光装置の製造方法において、前記反射シートに前記開口部を形成する工程にて、前記開口部から離隔する方向へ延びる切り込み部を前記開口部と連続的に形成することが好ましい。
【００１６】
上記発光装置の製造方法において、前記反射シートを前記実装基板に被せる工程にて、前記反射シートをリフレクタの下面に取り付けた状態で前記実装基板に被せることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、発光体と実装基板との電気的接続部分が反射シートにより覆われるので、当該電気的接続部分に塵埃等が侵入することはなく、発光装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１から図５は本発明の一実施形態を示し、図１は斜め上方から見た発光装置の全体斜視図である。
図１に示すように、発光装置１は、発光体としてのＬＥＤ装置２と、ＬＥＤ装置２がフレキシブル基板６を介して搭載される下ブロック３と、下ブロック３の上面を覆う反射シート４と、反射シート４を介して下ブロック３に載置されるリフレクタ５と、下ブロック３及び反射シート４の間に配置されＬＥＤ装置２と電気的に接続されるフレキシブル基板６と、を備えている。下ブロック３とリフレクタ５は、反射シート４を介して一体的に直方体形状を呈している。フレキシブル基板６は、下ブロック３及びリフレクタ５から突出する延出部６１と、延出部６１の先端に形成されたアノード電極６２及びカソード電極６３を有している。
【００１９】
図２は斜め下方から見た発光装置の分解斜視図である。
図２に示すように、リフレクタ５は、上下を開口した直方体状に形成されている。リフレクタ５の内面は反射面５２をなし、上方へ向かって拡開し、ＬＥＤ装置２から側方へ出射した光を上方へ反射させる。本実施形態においては、反射面５２は、傾斜角（ＬＥＤ装置２の光軸とのなす角）が比較的大きい断面直線状の第１傾斜区間５３と、第１傾斜区間５３の上側に形成され第１傾斜区間５３よりも傾斜角が小さい第２傾斜区間５４と、を連続的に有している。リフレクタ５の下面には、下ブロック３との固定に用いられるかしめ部５１が突出形成されている。リフレクタ５は、反射率が良好な金属からなり、本実施形態においてはアルミニウムからなる。また、リフレクタ５の表面を、例えばアクリル等の透明樹脂によりコーティングすることが好ましい。
【００２０】
反射シート４は、リフレクタ５のかしめ部５１が挿通されるかしめ孔４１と、ＬＥＤ装置２を受容する開口部４２と、を有している。反射シート４は、白色を呈するフッ素系の樹脂からなり、可撓性を有するとともに、ＬＥＤ装置２から発せられる光を反射する。本実施形態においては、反射シート４は、無色透明なフッ素樹脂を延伸加工し、０．１μｍオーダーの孔を有する多孔質化を行うことにより作製される。反射シート４の材質は、ポリテトラフロロエチレンが好ましい。尚、反射シート４は、可撓性を有していれば、フッ素系以外の樹脂であってもよい。
【００２１】
実装基板としてのフレキシブル基板６は、樹脂材をベースとした可撓性を有するフィルム状の基板であり、実装面にＬＥＤ装置２が実装される。尚、実装基板として可撓性を有さない基板を用いることもできるし、実装基板を金属をベースとした基板としてもよい。
【００２２】
下ブロック３は、直方体状に形成され、リフレクタ５のかしめ部５１が挿通するかしめ孔３１が形成されている。また、下ブロック３の上面には、フレキシブル基板６が配置される凹部３２が形成される。下ブロック３は、熱伝導率が良好な金属からなり、本実施形態においては銅からなる。
【００２３】
図３は反射シートの平面図である。
図３に示すように、反射シート４は、平面視にて正方形に形成され、開口部４２が中央に形成されている。また、反射シート４は、開口部４２と連続的に形成され開口部４２から離隔する方向へ延びる切り込み部４３を有している。本実施形態においては、ＬＥＤ装置２が平面視にて矩形状に形成されていることから、ＬＥＤ装置２に対応して開口部４２は平面視矩形状に形成されている。また、切り込み部４３は、開口部４２の４つの角部からシートの外縁角部へ向かって所定寸法だけ延びている。
【００２４】
開口部４２は、平面視にて、ＬＥＤ装置２よりも小さく形成される。本実施形態においては、開口部４２の１辺の寸法は０．８ｍｍであり、ＬＥＤ装置２の１辺の寸法は１．０ｍｍである。また、４つの切り込み部４３の端部は、１．２ｍｍ四方となるよう形成されている。
【００２５】
図４は発光装置の一部縦断面図である。
図４に示すように、ＬＥＤ装置２は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子２２と、ＬＥＤ素子２２を上面に搭載する搭載基板としてのセラミック基板２１と、セラミック基板２１に形成されＬＥＤ素子２２へ電力へ供給するための各パターン２４，２５，２６と、ＬＥＤ素子２２をセラミック基板２１上にて封止するガラス封止部２３と、を備えている。
【００２６】
発光素子としてのＬＥＤ素子２２は、ＧａＮからなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、ｎ型層と、ＭＱＷ層と、ｐ型層とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子２２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子２２は、ｐ型層の表面に設けられるｐ側電極２２ａを有するとともに、ｐ型層からｎ型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層に形成されるｎ側電極２２ｂを有する。ｐ側電極２２ａとｎ側電極２２ｂには、それぞれバンプが形成される。本実施形態においては、ＬＥＤ素子２２は、厚さ２５０μｍで３４６μｍ角に形成される。
【００２７】
セラミック基板２１は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の多結晶焼結材料からなり、平面視にて矩形状である。本実施形態においては、セラミック基板２１は、厚さ方向寸法が０．２５ｍｍ、１辺の寸法が１．０ｍｍの平板状に形成される。上面パターン２４はセラミック基板２１の上面に形成されてＬＥＤ素子２２と電気的に接続され、電極パターン２６はセラミック基板２１の下面に形成されてフレキシブル基板６と電気的に接続され、ビアパターン２５は上面パターン２４と電極パターン２６を電気的に接続する。上面パターン２４及び電極パターン２６は、セラミック基板２１の表面に形成されるＷ層と、Ｗ層の表面を覆う薄膜状のＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の表面を覆う薄膜状のＡｇメッキ層と、を含んでいる。ビアパターン２５は、Ｗからなり、セラミック基板２１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。電極パターン２６はセラミック基板２１の所定方向両端に形成され、一方がアノード電極、他方がカソード電極をなす。
【００２８】
ガラス封止部２３は、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、Ｌｉ２Ｏを含有していなくてもよいし、任意成分としてＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を含んでいてもよい。さらに、ガラス封止部２３は、熱融着ガラスに限らず、金属アルコキシドを出発原料としたゾルゲルガラスであってもよい。図４に示すように、ガラス封止部２３は、セラミック基板２１上に直方体状に形成され、セラミック基板２１の上面にてＬＥＤ素子２２を封止する。本実施形態においては、ガラス封止部２３におけるセラミック基板２１の上面からの高さは０．５ｍｍとなっている。ガラス封止部２３の側面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスが、セラミック基板２１とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、ガラス封止部２３の上面は、ホットプレス加工によってセラミック基板２１と接着された板ガラスの一面である。この熱融着ガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が６×１０−６／℃、屈折率が１．７となっている。
【００２９】
また、ガラス封止部２３には蛍光体２３ａが分散されている。蛍光体２３ａは、ＭＱＷ層から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体２３ａとしてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体２３ａは、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。
【００３０】
フレキシブル基板６は、第１ポリイミド層６４、回路パターン層６５、第２ポリイミド層６６を下側からこの順に有している。第１ポリイミド層６４は、下ブロック３の凹部３２の上面と接触する。回路パターン層６５は、例えば銅からなり、ＬＥＤ装置２の電極パターン２６とはんだ材７１を介して接続される。第２ポリイミド層６６は、回路パターン層６５が露出して電極パターン２６と接続される部位を除き、回路パターン層６５を被覆する。
【００３１】
反射シート４は、下ブロック３及びフレキシブル基板６に被せられ、ＬＥＤ装置２及びフレキシブル基板６の電気的接続部分とリフレクタ５との間に介在している。反射シート４の開口部４２は、ＬＥＤ装置２と当接している。本実施形態においては、開口部４２は、ＬＥＤ装置２のセラミック基板２１の側面と当接する。また、開口部４２の縁がＬＥＤ装置２と当接することにより、反射シート４の開口部４２の近傍が撓んでおり、反射シート４とフレキシブル基板６の間には空間Ｓが形成されている。
【００３２】
以上のように構成された発光装置１の製造方法を図５を参照して説明する。
まず、下ブロック３にフレキシブル基板６を載置し、フレキシブル基板６にＬＥＤ装置２を実装する。このとき、接着剤を用いてフレキシブル基板６を下ブロック３に接着してもよい。
一方、反射シート４にＬＥＤ装置２よりも平面視で小さく形成された開口部４２とともに切り込み部４３を形成し、図５に示すように、かしめ孔４１にかしめ部５１を挿通させて、反射シート４をリフレクタ５の下面に取り付ける。このとき、接着剤を用いて反射シート４をリフレクタ５に接着してもよい。
【００３３】
次いで、かしめ孔３１にかしめ部５１を挿通させてリフレクタ５を下ブロック３に組み付け、開口部４２にＬＥＤ装置２を当接させつつ受容させて、反射シート４を下ブロック３及びフレキシブル基板６に被せる。このとき、リフレクタ５の下面が反射シート４に覆われているので、ＬＥＤ装置２とリフレクタ５が干渉して互いに損傷することなく、反射シート４の開口部４２にＬＥＤ装置２が受容される。また、開口部４２はＬＥＤ装置２よりも小さいため、開口部４２の縁がＬＥＤ装置２の各側面と当接して拡開する。本実施形態においては、切り込み部４３が形成されているので、開口部４２の縁をスムースに変形させることができる。この後、かしめ部５１を利用してリフレクタ５と下ブロック３を締結する。
【００３４】
以上のように構成された発光装置１によれば、反射シート４によりＬＥＤ装置２とフレキシブル基板６の電気的接続部分が覆われるので、当該部分への塵埃等の侵入を阻止して電気的短絡を防止することができる。
また、ＬＥＤ装置２とリフレクタ５との間に反射シート４が介在しているので、製造時にリフレクタ５がＬＥＤ装置２と接触してＬＥＤ装置２が損傷することはないし、電極パターン２６とリフレクタ５の電気的短絡を防止することができる。
また、反射シート４によりフレキシブル基板６が覆われるようにしたので、ＬＥＤ装置２から発せられる光によるフレキシブル基板６の劣化を抑制することができる。さらに、白色を呈する反射シート４により、反射シート４より反射率の低いフレキシブル基板６の表面が隙間なく覆われていることから、ＬＥＤ装置２からフレキシブル基板６側へ発せられる光を漏れなく上方へ反射させることができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００３５】
また、反射シート４は、化学的に安定なフッ素樹脂であるため、ＬＥＤ装置２から発せられる熱によって例えば２００℃程度に加熱されても変色することはなく、経時的に光吸収が大きくなることはない。また、反射シート４は無色透明な材料を延伸加工することによって０．１μｍレベルの孔を有する多孔質となっているので、反射シート４へ入射する光を散乱反射させる。これにより、反射シート４は比較的高い反射率を有しており、可視光から紫外光の広範囲な波長に対して反射シート４の部材による光吸収はない。従って、ＬＥＤ装置２から発せられる４７０ｎｍ（青色）から３６０ｎｍ（ＵＶ光）といった短波長の光によっても、経時的に反射シート４の光吸収が大きくなることはない。
【００３６】
また、反射シート４は、樹脂からなり熱伝導率が低いことに加え、多孔質であることから断熱性が高い。そして、反射シート４が下ブロック３とリフレクタ５の間に介在しているので、ＬＥＤ装置２から下ブロック３へ伝達した熱はリフレクタ５へ伝達し難い。これにより、外部へ露出しているリフレクタ５の温度上昇を抑制することができ、例えば、人間がリフレクタ５を把持して装置を取り扱う場合に好適である。尚、下ブロック３とリフレクタ５の間に、両者よりも熱伝導率の低い材料を配置することにより、リフレクタ５の温度上昇を抑制することができるが、多孔質シートや不織布のように、中空部を有する材料を用いると抑制効果を大きくすることができる。
【００３７】
尚、前記実施形態においては、下ブロック３とリフレクタ５がかしめにより締結される発光装置１を示したが、例えばねじにより締結してもよく、下ブロック３とリフレクタ５の固定方法は任意である。また、前記実施形態においては、反射面５２が断面直線状を呈するものを示したが、例えば反射面がＬＥＤ装置を頂点とした放物線形状を呈していてもよく、反射面が断面曲線状を呈するものであってもよい。また、リフレクタ５は、図１に示したように、切削加工や鍛造加工によって形成されたバルク状のものに限らず、絞り加工や板材の曲げ加工により形成された薄板状のものであってもよい。リフレクタ５を薄板状とすることにより、軽量化、製造コスト低減等を図ることができる。
【００３８】
また、前記実施形態においては、１つのＬＥＤ装置２を有する発光装置１を示したが、例えば図６に示すように、複数のＬＥＤ装置２を有する発光装置１０１であってもよい。図６の発光装置１０１は、計１６のＬＥＤ装置２が縦横に４つずつ並べられ、反射シート１０４には、各ＬＥＤ装置２を受容する複数の開口部４２及び切り込み部４３が形成されている。尚、各ＬＥＤ装置２は前記実施形態と同様であり、各開口部４２及び各切り込み部４３も前記実施形態と同様である。また、リフレクタ１０５は、各ＬＥＤ装置２ごとではなく、各ＬＥＤ装置２に対して１つ設けられており、前記実施形態によりも大型となっている。
【００３９】
また、前記実施形態においては、ＬＥＤ装置２に１つのＬＥＤ素子２２が搭載されるものを示したが、例えば図７に示すように、ＬＥＤ装置２に複数のＬＥＤ素子２２が搭載されるものであってもよい。図７においては、１つのＬＥＤ装置２０２に、計９つのＬＥＤ素子２２が縦横に３つずつ並べられている。図７の発光装置２０１は、計９つのＬＥＤ装置２０２が縦横に３つずつ並べられ、反射シート２０４には各ＬＥＤ装置２０２に対応した開口部２４２及び切り込み部２４３が形成されている。また、リフレクタ２０５は、各ＬＥＤ装置２０２ごとに、上方へ向かって拡開する反射面２５２が形成されている。
【００４０】
図８は図７の発光装置の一部縦断面図である。
図８に示すように、ＬＥＤ装置２０２は、セラミック基板２２１の下面には、所定方向両端に電極パターン２６が形成され、各電極パターン２６の間には放熱パターン２２７が形成されている。ガラス封止部２２３は、複数のＬＥＤ素子２２を一括して封止し、蛍光体２３ａを含有している。ガラス封止部２２３の上面には、蛍光体２３ａをガラス封止部２２３よりも高濃度で含有する透光性部材２２８が形成されている。透光性部材２２８は、例えば、蛍光体２３ａを含有する無機ペーストからなる。
【００４１】
図８においては、ＬＥＤ装置２は、金属ベース部２６１と、絶縁層２６２と、回路パターン層２６３と、白色レジスト層２６４とが下側からこの順に形成された金属ベース基板２０６に実装されている。金属ベース部２６１は例えば銅からなり、金属ベース基板２０６に剛性を付与するとともに、発光装置２０２にて生じた熱を放散させる。金属ベース部２６１は、はんだ材７２により発光装置２０２の放熱パターン２２７と接続されている。また、金属ベース部２６１の下側は、例えば銅からなる放熱部材２０８に接続されている。絶縁層２６２は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等からなり、導電性を有する金属ベース部２６１と回路パターン層２６３との絶縁を図る。尚、絶縁層２６２は、発光装置２０２の放熱パターン２２７に対応したエリアには形成されていない。これは、ＬＥＤ装置２にて生じた熱を、熱伝導率の低い絶縁層２６２を介さずに、金属ベース部２６１へ直接的に放熱するためである。回路パターン層２６３は、例えば表面に薄膜状の金を有する銅からなり、はんだ材７１により発光装置２０２の電極パターン２６と接続される。白色レジスト層２６４は、例えば酸化チタンのフィラーが混入されたエポキシ系の樹脂からなる。
【００４２】
また、前記実施形態においては、発光装置１及びＬＥＤ装置２が平面視にて正方形状に形成されたものを示したが、例えば図９に示すように、発光装置３０１及びＬＥＤ装置３０２が平面視にて所定方向へ延びる長方形状に形成されたものであってもよい。図９のＬＥＤ装置３０２は、前後に並んだ計２４個のＬＥＤ素子２２をガラス封止部３２３により一括して封止している。この発光装置３０１では、各ＬＥＤ素子２２は電気的に直列に接続され、家庭用のＡＣ１００Ｖの電源を利用すると、各ＬＥＤ素子２２に約４．０Ｖの順方向電圧が印加され、各ＬＥＤ素子２２が所期の動作をするようになっている。反射シート３０４は、平面視にてＬＥＤ装置３０２より小さい矩形状に形成された開口部３４２を有し、開口部３４２の角部から延びる切り込み部３４３が形成されている。リフレクタ３０５は、ＬＥＤ装置３０２の各側面と対向する反射面３５２を有し、反射面３５２は、傾斜角が比較的大きい断面直線状の第１傾斜区間３５３と、第１傾斜区間３５３の上側に形成され第１傾斜区間３５３よりも傾斜角が小さい第２傾斜区間３５４と、を連続的に有している。
【００４３】
図１０の光源装置４０１は、発光装置３０１に導光板４１０を取り付けたものである。導光板４１０は、例えばアクリル等の透明樹脂からなり、リフレクタ５の開口から出射される光が入射する入射面４１１と、入射面４１１から入射した光が反射する反射面４１２と、反射面４１２にて反射した光が出射する出射面４１３と、を有している。入射面４１１は導光板４１０の端面をなし、出射面４１３は導光板４１０の表面をなし、反射面４１２は導光板４１０の裏面をなしている。反射面４１２は、入射面４１１から離隔するにつれて出射面４１３側へ傾斜している。図１０の光源装置４０１では、反射面４１２は、出射面４１３に対して傾斜する傾斜面４１２ａと、出射面４１３と平行な平行面４１２ｂとが交互に形成されている。尚、リフレクタ３０５の上端には、導光板４１０が嵌め込まれる嵌合部３５５が形成されている。
【００４４】
以上のように構成された光源装置４０１によれば、発光装置３０１から発せられ反射率の低いフレキシブル基板３０６表面へ直接的に至る光のみならず、導光板４１０から発光装置３０１へ戻る光も含めて上方へ反射させることができ、光を有効に利用することができる。特に、導光板４１０が粗面部などの散乱面を備える場合、発光装置３０１へ戻る光の量が多くなるので、この効果が大きい。
【００４５】
また、リフレクタ３０５とフレキシブル基板３０６の金属ベース部との間に、熱伝導率の低い多孔質の反射シート３０４が配されているので、リフレクタ３０５の温度上昇が抑制され、リフレクタ３０５と接触している導光板４１０の温度上昇も抑制される。従って、導光板４１０の熱膨張による反りの発生を抑制することができる。
【００４６】
また、リフレクタ３０５、フレキシブル基板３０６及び導光板４１０により、ＬＥＤ装置３０２が配置された空間が閉鎖されているので、当該空間への塵埃等の侵入が阻止される。従って、当該空間内のリフレクタ３０５、反射シート３０４等が汚損されることによる反射率の低下を抑制することができる。また、リフレクタ３０５とフレキシブル基板３０６との間に多孔質で通気性を有する反射シート４が配されているので、閉鎖空間は反射シート４を通じて外部と気体の流出入が可能であり、閉鎖空間内の気体の熱膨張収縮が生じても、閉鎖空間内の気体の圧力が過度に高くなったり低くなることはないし、このときに反射シート４が塵埃等を除去するフィルタとして機能するので、塵埃等の侵入も抑制される。
【００４７】
また、前記実施形態においては、ＬＥＤ装置２としてガラス封止部２３の内部に蛍光体２３ａが分散されたものを示したが、ガラス封止部２３の内部に蛍光体２３ａを分散させず、ガラス封止部２３の上面に蛍光体２３ａが分散された樹脂、ガラス等の透明材からなる蛍光層を形成してもよい。さらには、ＬＥＤ装置２として、樹脂封止のものを用いてもよい。また、波長変換を行う蛍光体２３ａを使用せずに、ＬＥＤ素子２２の発光色で発光するＬＥＤ装置としてもよい。前記実施形態では、青色で発光するＬＥＤ素子２２を例示しているが、紫色、緑色、赤色等で発光するＬＥＤ素子を用いてもよいことは勿論である。
【００４８】
また、前記実施形態においては、ポリイミドをベースとしたフレキシブル基板５を示したが、例えば液晶ポリマーをベースとしたフレキシブル基板を用いてもよい。また、下ブロック３として銅を用い、リフレクタ５としてアルミニウムを用いたものを示したが、例えば、下ブロックをアルミニウム等の他の金属としたり、反射ブロックをセラミックとしてもよい。さらにまた、下ブロック３及びリフレクタ５を省略した構成としてもよく、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は本発明の一実施形態を示す斜め上方から見た発光装置の全体斜視図である。
【図２】図２は斜め下方から見た発光装置の分解斜視図である。
【図３】図３は反射シートの平面図である。
【図４】図４は発光装置の一部縦断面図である。
【図５】図５は反射シートを取り付けた状態の斜め下方から見たリフレクタの斜視図である。
【図６】図６は変形例を示す発光装置の平面図である。
【図７】図７は変形例を示す発光装置の平面図である。
【図８】図８は変形例を示す発光装置の一部縦断面図である。
【図９】図９は変形例を示す発光装置の平面図である。
【図１０】図１０は変形例を示す発光装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…発光装置、２…ＬＥＤ装置、３…下ブロック、４…反射シート、５…リフレクタ、６…フレキシブル基板、２１…セラミック基板、２２…ＬＥＤ素子、２２ａ…ｐ側電極、２２ｂ…ｎ側電極、２３…ガラス封止部、２３ａ…蛍光体、２４…上面パターン、２５…ビアパターン、２６…電極パターン、３１…かしめ孔、３２…凹部、４１…かしめ孔、４２…開口部、４３…切り込み部、５１…かしめ部、５２…反射面、５３…第１傾斜区間、５４…第２傾斜区間、６１…延出部、６２…アノード電極、６３…カソード電極、６４…第１ポリイミド層、６５…回路パターン層、６６…第２ポリイミド層、７１…はんだ材、７２…はんだ材、１０１…発光装置、１０４…反射シート、１０５…リフレクタ、１４２…開口部、１４３…切り込み部、２０１…発光装置、２０２…ＬＥＤ装置、２０４…反射シート、２０６…金属ベース基板、２０８…放熱部材、２２１…セラミック基板、２２３…ガラス封止部、２２７…放熱パターン、２２８…透光性部材、２４２…開口部、２４３…切り込み部、２６１…金属ベース部、２６２…絶縁層、２６３…回路パターン層、２６４…白色レジスト層、３０１…発光装置、３０２…ＬＥＤ装置、３０４…反射シート、３０５…リフレクタ、３０６…フレキシブル基板、３２３…ガラス封止部、３４２…開口部、３４３…切り込み部、３５２…反射面、３５３…第１傾斜区間、３５４…第２傾斜区間、３５５…嵌合部、４０１…発光装置、４１０…導光板、４１１…入射面、４１２…反射面、４１２ａ…傾斜面、４１２ｂ…平行面、４１３…出射面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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