(57)【要約】【課題】光モジュールを実装した状態で光素子を非破壊で検査することができる光電子回路基板及び光電子回路基板の検査方法を提供する。【解決手段】この光電子回路基板１は、内部に光導波路１０Ｃを有する基板１０と、基板１０上に設けられ、ダミー用の発光素子と光導波路１０Ｃの一方の端部に光結合する光通信用の発光素子とを含むＬＤアレイ（発光素子アレイ）２００と、基板１０にダミー用の発光素子に対応して形成された発光用の貫通孔６０とを備える。貫通孔６０に光ファイバ４００を挿入し、ＬＤアレイ２００のダミー用の発光素子を駆動させて光信号を発生させ、その光信号を光ファイバ４００を介して受信することにより、ＬＤアレイ２００及びＬＤアレイ２００を駆動するドライバーＩＣが正常かどうかを検査することができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路を内部に有する基板と、
前記基板上に設けられ、ダミー用の光素子と前記光導波路に光結合する光通信用の光素子とを含む光素子アレイと、
前記基板に前記ダミー用の光素子に対応して形成された貫通孔とを備えた光電子回路基板。
【請求項２】
光導波路を内部に有する基板と、
前記基板上に設けられ、ダミー用の発光素子と前記光導波路の一方の端部に光結合する光通信用の発光素子とを含む発光素子アレイと、
前記基板上に設けられ、ダミー用の受光素子と前記光導波路の他方の端部に光結合する光通信用の受光素子とを含む受光素子アレイと、
前記基板に前記ダミー用の発光素子に対応して形成された発光用の貫通孔と、
前記基板に前記ダミー用の受光素子に対応して形成された受光用の貫通孔とを備えた光電子回路基板。
【請求項３】
光導波路を内部に有する基板を一方の面から他方の面に貫通する貫通孔に光ファイバを挿入する挿入段階と、
前記基板の他方の面上に設けられ、前記光導波路に光結合する光素子アレイに含まれるダミー用の光素子に電力を供給する供給段階と、
前記ダミー用の光素子に対し、前記光ファイバを介して検査光を送受信する送受信段階とを含む光電子回路基板の検査方法。
【請求項４】
光導波路を内部に有する基板を一方の面から他方の面に貫通する発光用の貫通孔又は受光用の貫通孔に光ファイバを挿入する挿入段階と、
前記基板の他方の面上に設けられた前記光導波路の一方の端部に光結合する発光素子アレイ、及び前記光導波路の他方の端部に光結合する受光素子アレイにそれぞれ含まれるダミー用の発光素子又はダミー用の受光素子に電力を供給する供給段階と、
前記ダミー用の発光素子から前記光ファイバを介して検査光を受信する受信段階と、
前記ダミー用の受光素子に前記光ファイバを介して検査光を送信する送信段階とを含む光電子回路基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板及び光電子回路基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低コストの光伝送装置として、面発光レーザやフォトダイオードなどの受発光部を備えた面型光素子を用いた光伝送装置が知られている。
【０００３】
このような光伝送装置として、非特許文献１には、プリント回路基板内に埋め込まれた光導波路と、埋め込まれた光導波路の両端部にそれぞれ設けられたミラーと、それぞれのミラーの直上に位置すると共にプリント回路基板上に固定される複数の光モジュールとを備える光伝送装置が記載されている（この文献では、インタポーザ基板を光モジュールの支持基板を指定するために使用している）。
【０００４】
非特許文献１に記載の光伝送装置によれば、光素子及び光導波路等の光部品がプリント回路基板の内部又は光モジュールを搭載した後の光伝送装置の内部に位置するので、光部品の存在を意識せずに光伝送装置を利用することができる。
【非特許文献１】光回路実装技術委員会、エレクトロニクス実装学会誌、Ｖｏｌ．８、Ｎｏ．１、ｐ．２９−３２（２００５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光モジュールを実装した状態で光素子を非破壊で検査することができる光電子回路基板及び光電子回路基板の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板及び光電子回路基板の検査方法を提供する。
【０００７】
［１］光導波路を内部に有する基板と、前記基板上に設けられ、ダミー用の光素子と前記光導波路に光結合する光通信用の光素子とを含む光素子アレイと、前記基板に前記ダミー用の光素子に対応して形成された貫通孔とを備えた光電子回路基板。
【０００８】
［２］光導波路を内部に有する基板と、前記基板上に設けられ、ダミー用の発光素子と前記光導波路の一方の端部に光結合する光通信用の発光素子とを含む発光素子アレイと、前記基板上に設けられ、ダミー用の受光素子と前記光導波路の他方の端部に光結合する光通信用の受光素子とを含む受光素子アレイと、前記基板に前記ダミー用の発光素子に対応して形成された発光用の貫通孔と、前記基板に前記ダミー用の受光素子に対応して形成された受光用の貫通孔とを備えた光電子回路基板。
【０００９】
［３］光導波路を内部に有する基板を一方の面から他方の面に貫通する貫通孔に光ファイバを挿入する挿入段階と、前記基板の他方の面上に設けられ、前記光導波路に光結合する光素子アレイに含まれるダミー用の光素子に電力を供給する供給段階と、前記ダミー用の光素子に対し、前記光ファイバを介して検査光を送受信する送受信段階とを含む光電子回路基板の検査方法。
【００１０】
［４］光導波路を内部に有する基板を一方の面から他方の面に貫通する発光用の貫通孔又は受光用の貫通孔に光ファイバを挿入する挿入段階と、前記基板の他方の面上に設けられた前記光導波路の一方の端部に光結合する発光素子アレイ、及び前記光導波路の他方の端部に光結合する受光素子アレイにそれぞれ含まれるダミー用の発光素子又はダミー用の受光素子に電力を供給する供給段階と、前記ダミー用の発光素子から前記光ファイバを介して検査光を受信する受信段階と、前記ダミー用の受光素子に前記光ファイバを介して検査光を送信する送信段階とを含む光電子回路基板の検査方法。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の光電子回路基板によれば、光モジュールを光電子回路に実装した状態で光素子を非破壊で検査することができる。
【００１２】
請求項２に記載の光電子回路基板によれば、光電子回路基板に実装された光モジュール内の発光素子アレイ及び受光素子アレイを非破壊で検査することができる。
【００１３】
請求項３に記載の光電子回路基板の検査方法によれば、光モジュールを光電子回路に実装した状態で、光素子を非破壊で検査することができる。
【００１４】
請求項４に記載の光電子回路基板の検査方法によれば、光電子回路基板に実装された光モジュール内の発光素子アレイ及び受光素子アレイを非破壊で検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１の実施の形態］
（光電子回路基板の構成）
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の構成の概略を示す。すなわち、図１Ａは、光電子回路基板の斜視図であり、図１Ｂ（ａ）は図１ＡのＡ−Ａ線における光電子回路基板の縦断面図であり、図１Ｂ（ｂ）は図１ＡのＢ−Ｂ線における光電子回路基板の縦断面図である。
【００１６】
本実施形態に係る光電子回路基板１は、図１Ａに示すように、光導波路１０Ｃを内部に有する基板１０を備える。すなわち、この光電子回路基板１は、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを挟んで形成される基板１０と、光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）において基板１０の実装面１３０上に搭載される光モジュールとしての発光ユニット２０と、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）において基板１０の実装面１３０上に搭載される光モジュールとしての受光ユニット３０とを備える。光導波路を内部に有する基板１０には、第２基板１０Ｂを有していない場合も含まれる。また、基板１０を構成する基板の数は、２つに限られず、３つ以上でもよい。
【００１７】
光導波路１０Ｃは、光を伝播する光伝播部としてのコア１００と、コア１００の屈折率よりも小さい屈折率を示すクラッド１０１とを有する。コア１００は、上面視にて略長方形に形成される。そして、コア１００は、縦断面図において略正方形に形成されており、コア１００の横断面における縦横寸法は、一例において、縦５０μｍ×横５０μｍである。また、光導波路１０Ｃは、複数のコア１００を有する。例えば、基板１０の内部、すなわち、クラッド１０１の内部に、４つのコア１００がクラッド１０１に包囲されて２５０μｍの間隔で形成される。
【００１８】
更に、光電子回路基板１は、発光ユニット２０が有する複数の発光素子のうち、検査用チャンネル（ダミー用）としての一の発光素子に電力を供給する一対の検査用端子１Ａ，１Ｂを、実装面１３０上の所定の位置に備える。また、光電子回路基板１は、受光ユニット３０が有する複数の受光素子のうち、検査用チャンネル（ダミー用）としての一の受光素子からの光電流を取り出す一対の検査用端子１Ｃ，１Ｅを、実装面１３０上の所定の位置に備える。
【００１９】
そして、図１Ｂ（ａ）に示すように、発光ユニット２０は、複数の発光素子としての半導体レーザ素子から構成される半導体レーザダイオードアレイ（ＬＤアレイ）２００を支持基板２２０の表面に搭載する。発光ユニット２０は、ＬＤアレイ２００が有する光を出射する出射面を基板１０の側に向けて、基板１０の実装面１３０上の所定の位置に固定される。また、受光ユニット３０は、複数の受光素子としてのＰＩＮフォトダイオードを有するフォトダイオードアレイ（ＰＤアレイ）３００を支持基板３２０の表面に搭載する。受光ユニット３０は、ＰＤアレイ３００が有する光を受ける受光面を基板１０の側に向けて、基板１０の実装面１３０上の所定の位置に固定される。
【００２０】
発光ユニット２０及び受光ユニット３０は、それぞれ外部接続用の複数の端子２３０及び複数の端子３３０と、基板１０上に予め形成された複数の端子１２０のそれぞれとをハンダボール４０を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。したがって、発光ユニット２０及び受光ユニット３０が基板１０上に接続されると、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００の発光面及び受光ユニット３０のＰＤアレイ３００の受光面は、後述する貫通孔６０及び貫通孔６５から光電子回路基板１０の外部に露出する部分を除き、外部から視認できない。
【００２１】
なお、複数の端子１２０は、それぞれＢＧＡ用のパッドとなる。また、ハンダボール４０は、例えば、鉛フリーハンダとしてのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ共晶合金材料（例えば、Ｓｎ９６．５％、Ａｇ３％、Ｃｕ０．５％、融点２１６℃）から形成される。そして、発光ユニット２０と受光ユニット３０とは、光導波路１０Ｃのコア１００を介して光信号２を送受信する。
【００２２】
基板１０は、複数のコア１００の一部のコア１００における光入射側端部としての端部１４０と、光出射側端部としての端部１４５とのそれぞれにおいて、コア１００を伝播する光の光路を所定の方向に変更する光路変換部としてのミラー部５０及びミラー部５５を有する。そして、発光ユニット２０は、ＬＤアレイ２００が発した光が端部１４０に設けられたミラー部５０に入射する位置となるように、基板１０の実装面１３０上に固定される。同様に、受光ユニット３０は、端部１４５に設けられたミラー部３３から出射する光がＰＤアレイ３００に入射する位置となるように、基板１０の実装面１３０上に固定される。
【００２３】
更に、基板１０は、図１Ｂ（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃの複数のコア１００のうち、少なくとも１つのコア１００の両端部において貫通孔６０及び貫通孔６５を有する。すなわち、基板１０は、ダミー用の一のコア１００の光入射側端部において第１基板１０Ａから第２基板１０Ｂまで貫通する貫通孔６０を有する。この場合において、貫通孔６０は、発光ユニット２０が有するＬＤアレイ２００の一の発光素子の光軸方向に沿って基板１０をエッチング又は切削加工して貫通させることにより形成される。
【００２４】
同様にして、基板１０は、一のコア１００の光出射側端部において、第１基板１０Ａから第２基板１０Ｂまで貫通する貫通孔６５を有する。この場合において、貫通孔６５は、受光ユニット３０が有するＰＤアレイ３００の一の受光素子の光軸方向に沿って基板１０を貫通することにより形成される。なお、貫通孔６０及び貫通孔６５の上面視における形状は、略円形又は略多角形である。
【００２５】
なお、基板１０が有するコア１００の数は上記の例に限られない。例えば、発光ユニット２０が有するＬＤアレイ２００が含む光通信のチャンネルとしての発光素子の数に対応させた数だけ、基板１０にコア１００を形成することができる。
【００２６】
図２Ａは、図１ＡのＡ−Ａ線における発光ユニットの部分断面図を示しており、図２Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線における受光ユニットの部分断面図を示す。また、図２Ｃ（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光ユニットの底面図を示しており、図２Ｃ（ｂ）は、第１の実施の形態に係る受光ユニットの底面図を示す。
【００２７】
図２Ａに示すように、発光ユニット２０は、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装できる支持基板２２０と、支持基板２２０のハンダボール４０が接合する側である裏面側に設けられる複数の端子２３０と、支持基板２２０の裏面側に搭載されるＬＤアレイ２００と、ＬＤアレイ２００とワイヤー１２２を介して電気的に接続されるドライバーＩＣ２１０とを有する。係る場合において、発光ユニット２０は、複数の端子２３０がハンダボール４０を介して基板１０の複数の端子１２０と接続することにより、基板１０の実装面１３０上に固定される。
【００２８】
また、発光ユニット２０は、ＬＤアレイ２００が搭載されている支持基板１２２の面と反対側の面に固定されるＬＳＩ等の制御部２４０を有する。制御部２４０は、例えば、支持基板１２２を貫通するスルーホール（図示しない）を介して、裏面のドライバーＩＣ２１０と電気的に接続される。そして、制御部２４０は、封止樹脂２５０により封止される。本実施形態に係る発光ユニット２０は、基板１０の方向に光を発するＬＤアレイ２００に含まれる複数の発光素子のそれぞれと、基板１０内に形成された光導波路１０Ｃの複数のコア１００のそれぞれとが光結合する位置に固定される。
【００２９】
一方、受光ユニット３０においては、図２Ｂに示すように、クラッド１０１を通してコア１００を伝播する光信号の受信が可能な光路上の所定の位置にＰＤアレイ３００が配置されるように、基板１０の実装面１３０上に固定される。なお、受光ユニット３０は、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００及びドライバーＩＣ２１０がそれぞれＰＤアレイ３００及びレシーバＩＣ３１０に変更された構成以外については発光ユニット２０と略同一の構成を有するので、受光ユニット３０の各構成についての詳細な説明は省略する。
【００３０】
（ＬＤアレイ）
ＬＤアレイ２００は、複数の面発光型の発光ダイオード、又は複数の面発光型半導体レーザダイオード等を含む発光素子（面発光型光素子）のアレイである。本実施形態においては、発光素子は面発光型半導体レーザダイオードである。すなわち、発光ユニット２０は、複数の発光素子が所定の方向に沿って配列されたＬＤアレイ２００を有する。例えば、図２Ｃ（ａ）に示すように、ＬＤアレイ２００は、所定のピッチ２７０をおいて、複数の発光素子を有する。そして、ＬＤアレイ２００は、複数の発光素子ごとにそれぞれ発光領域２０２を有する。
【００３１】
ここで、ＬＤアレイ２００が有する複数の発光素子のうち１つの発光素子は、検査用のチャンネルとしてのみ用いる。なお、複数の発光領域２０２間のピッチ２７０は、一例として２５０μｍであるが、基板１０が有する複数のコア１００のピッチと複数の発光領域２０２間のピッチ２７０とが一致する限り、当該間隔は係る値に限定されない。
【００３２】
具体的に、本実施形態に係るＬＤアレイ２００を構成する複数の発光素子としては、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を用いる。そして、ＬＤアレイ２００上に設けられ、ＬＤアレイ２００を構成する複数のＶＣＳＥＬに電力を供給する複数の端子２６０はそれぞれ、ＬＤアレイ２００を駆動するドライバーＩＣ２１０の複数の端子２６２とワイヤー１２２を介してそれぞれ電気的に接続される。
【００３３】
本実施形態に係る発光素子としてのＶＣＳＥＬは、閾値電流が１ｍＡであり、１．６Ｖから２．２Ｖの順電圧において、発光波長が８４０ｎｍから８６０ｎｍの範囲内、例えば、８５０ｎｍに発光波長を有する。すなわち、発光素子は、近赤外領域（波長：７００ｎｍから１０００ｎｍ）に発光波長を有する。また、本実施形態に係る発光素子の応答速度は、２．５Ｇｂｐｓである。
【００３４】
本実施形態に係るＬＤアレイ２００を構成するＶＣＳＥＬは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造を有する。例えば、ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板の上に、ｎ型下部反射鏡層としてのｎ型ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層としてのｐ型ＤＢＲ層、ｐ型コンタクト層が係る順に形成される。
【００３５】
ここで、ｎ型ＤＢＲは、例えば、ｎ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、ｐ型ＤＢＲは、例えば、ｐ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、活性層は、ｉ−ＧａＡｓのバルクの層、又は単一量子井戸層、若しくは多重量子井戸層から構成することができる。そして、電流狭窄層は、例えば、ｐ型ＤＢＲ層の所定の領域にプロトンを注入して高抵抗領域とすることにより形成できる。更に、ｐ型コンタクト層は、例えば、所定濃度のＺｎをドーピングしたＧａＡｓから形成できる。
【００３６】
ｎ型ＧａＡｓ基板のｎ型ＤＢＲが形成されている面の反対側にはｎ型電極が形成され、ｐ型コンタクト層の上にはｐ型電極が形成される。ここで、ｐ型電極は、活性層の発光領域の直上に開口としての発光領域２０２を有する。発光領域２０２は上面視にて略円状に形成され、５μｍから１０μｍの直径を有する。そして、発光領域２０２から近赤外領域の光が出射される。なお、応答速度が１０ＧｂｐｓであるＶＣＳＥＬを発光素子として用いてもよい。更に、本実施形態の変形例においては、発光波長が１３１０ｎｍ又は１５５０ｎｍであるＶＣＳＥＬを複数有したＬＤアレイ２００を形成することもできる。
【００３７】
（ＰＤアレイ）
ＰＤアレイ３００は、例えば、複数の面型のフォトダイオード等を受光素子として含む。本実施形態においては、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のフォトダイオードを、ＰＤアレイ３００を構成する複数の受光素子として用いる。受光ユニット３０は、複数の受光素子が所定の方向に沿って配列されたＰＤアレイ３００を有する。すなわち、図２Ｃ（ｂ）に示すように、ＰＤアレイ３００は、所定のピッチ３７０をおいて複数の受光素子を有する。そして、ＰＤアレイ３００は、複数の受光素子ごとにそれぞれ光を受ける受光領域３０２を有する。
【００３８】
ここで、ＰＤアレイ３００が有する複数の受光素子のうち１つの受光素子は、検査用のチャンネルとしてのみ用いる。なお、複数の受光素子のそれぞれのピッチ３７０は、ＬＤアレイ２００の発光領域２０２のピッチ２７０及び複数のコア１００のピッチと略同一である。
【００３９】
本実施形態に係るＰＤアレイ３００を構成する複数のフォトダイオードには、ＰＩＮフォトダイオードを用いる。そして、ＰＤアレイ３００上に設けられ、ＰＤアレイ３００を構成する複数のＰＩＮフォトダイオードのそれぞれに電力を供給する複数のｐ側の端子３６２及びｎ側の端子３６４は、ＰＤアレイ３００を駆動するレシーバＩＣ３１０の複数のｐ側用の端子３６４及び複数のｎ側用の端子３６６とワイヤー１２２を介してそれぞれ電気的に接続される。
【００４０】
本実施形態に係るＰＤアレイ３００を構成する受光素子としてのＰＩＮフォトダイオードは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構造を有する。例えば、ＰＩＮフォトダイオードは、ＧａＡｓ基板上に、ｐ型半導体層（ｐ層）と、真性半導体層（ｉ層）と、ｎ型半導体層（ｎ層）とが形成され、ｉ層がｐ層とｎ層との間に形成されるＰＩＮ構造を有する。そして、ＰＩＮフォトダイオードは、ｐ層に接続されたｐ側電極と、ｎ層に形成されたｎ側電極とを更に備え、ｎ側電極は、所定の領域に開口としての受光領域３０２を有する。ＰＩＮフォトダイオードは、受光領域３０２において光を受光する。ここで、ＰＩＮフォトダイオードは、波長が８５０ｎｍにおける感度が、例えば０．２（Ａ／Ｗ）であり、受光領域３０２の直径は、例えば約１ｍｍである。
【００４１】
本実施形態に係るＬＤアレイ２００及びＰＤアレイ３００を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造は、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等によって形成される。
【００４２】
（支持基板）
発光ユニット２０の支持基板２２０及び受光ユニット３０の支持基板３２０は、それぞれガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材料、すなわち、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。例えば、支持基板２２０及び支持基板３２０は、Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ  ４（ＦＲ−４）から形成される。そして、支持基板２２０は、外部回路への実装側となる裏面に銅、金、又はアルミニウム等の導電性材料から形成される複数の端子２３０を有する。同様にして支持基板３２０は、複数の端子２３０と同様の材料から形成される複数の端子３３０を有する。
【００４３】
また、支持基板２２０の制御部２４０が固定される表面には、端子２３０と同様の導電性材料から形成され、スルーホールを介して裏面のドライバーＩＣ２１０と電気的に接続する複数の端子が設けられる（図示しない）。なお、複数の当該端子は、支持基板２２０の制御部２４０が固定される表面上に予め形成された電力供給用の配線パターンと電気的に接続されている。
【００４４】
また、支持基板２２０の裏面にはグランドが予め形成されており、当該グランドと電気的にＬＤアレイ２００は接続する。例えば、ＬＤアレイ２００は、Ａｇペースト等の導電性接着剤を用いて支持基板２２０の裏面の所定の位置に固定される。この場合において、ＬＤアレイ２００のｎ側電極がＡｇペーストを介して支持基板２２０上のグランドに固定される。更に、ＬＤアレイ２００のｐ側の端子２６０とドライバーＩＣ２１０の端子２６２とが、例えば、金から形成されるワイヤー１２２を介して電気的に接続される。
【００４５】
同様にして、ＰＤアレイ３００は、図２Ｂに示すように、Ａｇペースト等の導電性接着剤を用いて、支持基板３２０の裏面に固定される。この場合において、ＰＤアレイ３００のｎ側電極がＡｇペーストを介して支持基板３２０上に予め形成されたグランドに固定される。更に、ＰＤアレイ３００のｐ側の端子３６２及びｎ側の端子３６０と、レシーバＩＣ３１０のｐ側の端子３６４及びｎ側の端子３６６とが、例えば、金から形成されるワイヤー１２２を介して電気的に接続される。
【００４６】
（制御部）
発光ユニット２０の制御部２４０は、ＬＤアレイ２００を駆動する駆動回路としてのドライバーＩＣ２１０を制御する。また、受光ユニット３０の制御部３４０は、ＰＤアレイ３００の受光素子が受光した光に基づいて、当該受光素子において光電変換された電気信号を増幅する増幅回路としてのレシーバＩＣ３１０を制御する。なお、他の変形例においては、制御部２４０が制御部３４０の機能を更に有していてもよく、制御部３４０が制御部２４０の機能を更に有していてもよい。
【００４７】
（封止樹脂）
封止樹脂２５０及び封止樹脂３５０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料から形成され、制御部２４０及び制御部３４０を光、熱、及び湿度等の環境から保護する。なお、封止樹脂２５０及び封止樹脂３５０はそれぞれ、主成分をエポキシ樹脂にして、シリカ等の充填材を加えて形成してもよい。
【００４８】
（基板）
基板１０の第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂとは、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。そして、第１基板１０Ａは、発光ユニット２０及び受光ユニット３０を搭載する実装面１３０の表面に、銅、金、アルミニウム等の導電性材料から形成される複数の端子１２０を有する。
【００４９】
また、第１基板１０Ａは、図２Ａに示すように、発光ユニット２０が設けられる位置にＬＤアレイ２００を構成する発光素子と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア１００とを光結合させる開口部５０ｃを有する。なお、光導波路１０Ｃのコア１００との光結合が可能であれば、開口部５０ｃには、ＬＤアレイ２００を構成する発光素子が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。
【００５０】
また、第１基板１０Ａは、図２Ｂに示すように、受光ユニット３０が設けられる位置にＰＤアレイ３００を構成する受光素子と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア１００とを光結合させる開口部５５ｃを有する。なお、開口部５５ｃについても開口部５０ｃと同様に、光導波路１０Ｃのコア１００との光結合が可能であれば、発光素子が発する光の波長に対して透明な光透過性材料を充填してもよい。
【００５１】
更に、第１基板１０Ａは、実装面１３０上に、端子１２０と同様の材料から形成され、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する複数の発光素子のうち、一の発光素子と実装面１３０上の回路パターン（図示しない）を介して電気的に接続されている一対の検査用端子１Ａ，１Ｂを有する。同様にして、第１基板１０Ａは、実装面１３０上に、端子１２０と同様の材料から形成され、受光ユニット３０のＰＤアレイ３００が有する複数の受光素子のうち、一の受光素子と実装面１３０上の回路パターン（図示しない）を介して電気的に接続されている一対の検査用端子１Ｃ，１Ｅを有する。
【００５２】
（光導波路）
光導波路１０Ｃは、コア１００と、コア１００の周囲に形成されコア１００を覆うクラッド１０１とを有する。コア１００は、第１基板１０Ａの光入射側端部としての端部１４０に対応する位置に設けられる開口部５０ｃ、及び光出射側端部としての端部１４５に対応する位置に設けられる開口部５５ｃの位置に、コア１００を伝播する光の伝播方向に対して４５度に傾斜して設けられる入射側の光路変換部及び出射側の光路変換部としてのミラー５０Ａ及びミラー５５Ａを含む。
【００５３】
ミラー５０Ａ及びミラー５５Ａは、ＬＤアレイ２００の発光素子、コア１００、及びＰＤアレイ３００の受光素子の間の光路上にそれぞれ設けられる。そして、ミラー５０Ａ及びミラー５５Ａの周囲にはクラッド１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂５０Ｂ及び光透過性樹脂５５Ｂが充填される。なお、ミラー５０Ａ及びミラー５５Ａの表面を、光透過性樹脂により被覆してもよい。
【００５４】
本実施形態において、光導波路１０Ｃは、コア１００とクラッド１０１とを含む厚さが１００〜２００μｍの範囲の厚さで形成される。なお、光導波路１０Ｃは以下のように作成できる。まず、コア１００に対応する領域にコア１００の形状のくぼみを有する鋳型を作成する。そして、作成した鋳型に、クラッド用フィルム基材を密着させる。続いて、鋳型のくぼみの領域に、コア１００を形成する材料である硬化性樹脂を充填する。
【００５５】
次に、くぼみ内の硬化性樹脂を硬化させてコア１００を形成した後、鋳型を取り除く。これにより、クラッド１０１となるクラッド用フィルム基材上にコア１００が残される。そして、クラッド用フィルム基材のコア１００が形成された面側に、コア１００を覆うクラッド１０１を設ける。これにより、光導波路１０Ｃが作成される。なお、係る光導波路１０Ｃの作成方法は、鋳型を用いて光導波路を形成する方法であるが、他にも、例えば耐熱性の光反応性の高分子材料を直接露光して光導波路を形成する方法なども用いることができる。本実施形態では、係る工程により形成された光導波路１０Ｃのコア１００にミラー５０Ａ及びミラー５０Ｂを設ける。
【００５６】
なお、本実施形態に係るミラー５０Ａ及びミラー５５Ａは、第１基板１０Ａの開口部５０ｃ及び開口部５５ｃに対応する位置に、コア１００を伝播する光の伝播方向に対して４５度に傾斜して設けられているが、コア１００に対するミラー５０Ａ及びミラー５５Ａの角度は４５度に限定されない。
【００５７】
また、本実施形態に係る発光ユニット２０と受光ユニット３０とは、それぞれＬＤアレイ２００とＰＤアレイ３００とを有する一方向型の光モジュールであるが、発光ユニット２０及び受光ユニット３０はそれぞれ、ＬＤアレイ２００及びＰＤアレイ３００の双方を有する双方向型の光モジュールとして形成することもできる。
【００５８】
更に、本実施形態においては、以下に示すように複数のコア１００のうち、少なくとも１つのコア１００の両端部に貫通孔６０及び貫通孔６５を設ける。すなわち、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する複数の発光素子のうち、１つの発光素子に対応するコア１００の一方の端部に貫通孔６０を設ける。更に、受光ユニット３０のＰＤアレイ３００が有する複数の受光素子のうち、１つの受光素子に対応する当該コア１００の他方の端部に貫通孔６５を設ける。
【００５９】
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る基板の上面図を示しており、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ線での縦断面図である。
【００６０】
基板１０は、一例として、４つのコア１００を有する。コア１００間のピッチ１６０は、例えば２５０μｍである。そして、図３（ａ）に示すように、基板１０上の発光ユニット２０を実装する領域である発光ユニット実装領域１３２内には、光入射口としての開口部５０ｃが形成されると共に、複数のコア１００のうちダミー用の１つのコア１００の光入射側端部としての端部に対応する領域に貫通孔６０が形成される。
【００６１】
同様にして、基板１０上の受光ユニット３０を実装する領域である受光ユニット実装領域１３６内には、光出射口としての開口部５５ｃが形成されると共に、複数のコア１００のうちダミー用の１つのコア１００の光出射側端部としての端部に対応する領域に貫通孔６５が形成される。ここで、図３（ｂ）に示すように、貫通孔６０及び貫通孔６５は、それぞれ基板１０を構成する第１基板１０Ａ、光導波路１０Ｃ、及び第２基板１０Ｂのそれぞれを貫通して形成される。
【００６２】
本実施形態に係る貫通孔６０及び貫通孔６５の直径は、外径が２５０μｍの光ファイバ素線を挿入することができると共に光導波路１０Ｃと干渉しない範囲で形成される。例えば、貫通孔６０及び貫通孔６５の直径２５０μｍから４００μｍの範囲で形成される。一方、開口部５０ｃにおいては、３つのコア１００の光入射側端部のそれぞれにミラー部５０が形成されている。同様にして、光出射口としての開口部５５ｃにおいては、３つのコア１００の光出射側端部のそれぞれにミラー部５５が形成されている。
【００６３】
貫通孔６０及び貫通孔６５を基板１０に形成しない場合、発光ユニット２０及び受光ユニット３０並びにコア１００を含む光導波路１０Ｃの部分は光電子回路基板１の外部からは視認できない。しかしながら、貫通孔６０及び貫通孔６５を基板１０に形成することにより、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する複数の発光素子のうち、検査用チャンネル（ダミー用）としての１つの発光素子、及び受光ユニット３０のＰＤアレイ３００が有する複数の受光素子のうち、検査用チャンネル（ダミー用）としての１つの受光素子が外部から視認可能に曝されることとなる。
【００６４】
（検査装置の構成）
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る検査装置のブロック図を示す。
【００６５】
本実施形態に係る検査装置４は、発光ユニット２０が有するダミー用の一の発光素子が発した光信号を光ファイバ４００を介して受光する受光部４１０と、受光部４１０が受光した光信号を検出する信号検出部４２０と、光を発する発光部４１５と、発光部４１５を駆動させる駆動部４４０と、発光部４１５が発した光に応じた光電流を受光ユニット３０が有するダミー用の一の受光素子から検出する電流検出部４５０と、発光ユニット２０に電気プローブ４０２を介して電力を供給する電源部４６０とを備える。
【００６６】
また、検査装置４は、駆動部４４０、電流検出部４５０、及び電源部４６０の動作を制御すると共に、信号検出部４２０が検出した信号の処理を実行する検査制御部４３０と、検査制御部４３０の制御に応じて所定の情報を出力する出力部４７０とを更に備える。
【００６７】
なお、受光部４１０は、光電子回路基板１が有する受光ユニット３０のＰＤアレイ３００と同様に、例えば、ＰＩＮフォトダイオードを含んで形成される。また、発光部４１５は、光電子回路基板１が有する発光ユニット２０のＬＤアレイ２００と同様に、ＶＣＳＥＬを含んで形成される。したがって、受光部４１０及び発光部４１５についての詳細な説明は省略する。
【００６８】
（光ファイバ）
検査装置４側のコネクタ４０５と、光ファイバ４００の一方の端部に予め連結されているコネクタ４００Ａとが接続されることにより、光ファイバ４００のコアと受光部４１０又は発光部４１５の光軸とが一致する。光ファイバ４００は、例えば、外径が２５０μｍの石英ガラスから形成される。なお、光ファイバ４００は、プラスチック光ファイバから形成されてもよい。
【００６９】
（信号検出部）
信号検出部４２０は、受光部４１０が受光した光信号を、当該光信号に応じた電気信号として検出する。信号検出部４２０は、検出した電気信号を検査制御部４３０に供給する。例えば、受光部４１０と信号検出部４２０とで光パワーメータが構成され、当該光パワーメータの一部としての信号検出部４２０が、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有するダミー用の発光素子が出力した光の量を測定する。
【００７０】
（駆動部）
駆動部４４０は、検査制御部４３０に制御されて、発光部４１５を駆動させる。例えば、駆動部４４０は、発光部４１５を駆動して発光させ、発光部４１５から所定の光信号を出力させる。そして、発光部４１５が出力する光信号は、コネクタ４０５にコネクタ４００Ａを介して接続された光ファイバ４００を伝播して、光電子回路基板１に搭載されている受光ユニット３０が有するＰＤアレイ３００の一の受光素子に照射される。
【００７１】
（電流検出部）
電流検出部４５０は、光電子回路基板１に搭載されている受光ユニット３０からの光電流を検出する。具体的には、まず、コネクタ４０５にコネクタ４００Ａを介して接続された光ファイバ４００を通して、発光部４１５が発した光が受光ユニット３０の一の受光素子に照射される。そして、電流検出部４５０は、光が照射されることによりＰＤアレイ３００が有するダミー用の受光素子において生じた光電流を、コネクタ４０６にコネクタ４０２Ａを介して接続された電気プローブ４０２を通して検出する。電流検出部４５０は、検出した光電流に応じた信号を検査制御部４３０に供給する。
【００７２】
（電源部）
電源部４６０は、検査制御部４３０に制御されて、光電子回路基板１に搭載されている発光ユニット２０に電気プローブ４０２を介して、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する一の発光素子を発光させる電力を供給する。具体的には、電気プローブ４０２を介して、光電子回路基板１の発光ユニット２０の検査用チャンネル（ダミー用）としての一の発光素子に電力を供給する。
【００７３】
（制御部）
検査制御部４３０は、例えばＬＳＩ等の集積回路であり、検査装置４が備える各部の動作を制御する。すなわち、検査制御部４３０は、駆動部４４０を制御して、発光部４１５の発光動作を制御する。また、検査制御部４３０は、電源部４６０を制御して、発光ユニット２０への電力の供給を制御する。
【００７４】
更に、検査制御部４３０は、信号検出部４２０から受け取った電気信号に基づいて、光信号回路基板１の発光ユニット２０の動作状況を判断する。また、検査制御部４３０は、電流検出部４５０から受け取った信号に基づいて、信号回路基板１の受光ユニット３０の動作状況を判断する。検査制御部４３０は、検査制御部４３０において判断された発光ユニット２０の動作状況を示す情報、及び受光ユニット３０の動作状況を示す情報を出力部４７０に供給する。
【００７５】
（出力部）
出力部４７０は、検査制御部４３０において判断された発光ユニット２０の動作状況を示す情報、及び受光ユニット３０の動作状況を示す情報を視認可能に出力する。例えば、出力部４７０はモニタであり、発光ユニット２０の一の発光素子の発光パターン、光量、及び光量変化等、或いは判断結果を示すテキストデータを出力する。同様にして、出力部４７０は、受光ユニット３０の一の受光素子から出力される光電流の値等、或いは判断結果を示すテキストデータを出力する。なお、出力部４７０は、プリンタであってもよい。
【００７６】
（光電子回路基板及び検査装置の動作）
図５は、本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバを貫通孔に挿入した状態の発光ユニット及び基板の部分断面図を示す。
【００７７】
本実施形態においては、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する複数の発光素子のうち検査用チャンネルとしての一の発光素子に対応して基板１０に形成される貫通孔６０に、光ファイバ４００を挿入する。具体的には、光ファイバ４００の一端にはコネクタ４００Ａが連結されており、受光部４１０に結合しているコネクタ４０５とコネクタ４００Ａとを接続する。そして、光ファイバ４００のコネクタ４００Ａが連結していない他端を、貫通孔６０に挿入する。係る場合において、光ファイバ４００の位置決めを不要とすべく、貫通孔６０の直径は、光ファイバ４００の外径と略同一であることが好ましい。
【００７８】
また、光ファイバ４００の貫通孔６０に挿入された端面と検査用チャンネルの一の発光素子とが接触することを防止すべく、光ファイバ４００の所定の位置にストッパーが設けられていてよい。例えば、ストッパーは、光ファイバ４００の所定の位置において光ファイバ４００の外周に接して光ファイバ４００を保持すると共に、第２基板１０Ｂの表面と接触することにより光ファイバ４００の端部が発光素子と接触することを防止する。なお、光ファイバ４００の外周に、光ファイバ４００を貫通孔６０に挿入した場合に光ファイバ４００の端面が発光素子と接触しない位置を示す線を形成してもよい。
【００７９】
そして、コネクタ４０２Ａを介してコネクタ４０６と接続している電気プローブ４０２を通して、電源部４６０から発光ユニット２０へ電力を供給することにより、ＬＤアレイ２００の一の発光素子に電力が供給される。これにより、当該一の発光素子が正常動作する場合は、当該一の発光素子から光５００が発せられ、光５００は光ファイバ４００を介して受光部４１０に照射される。そして、受光部４１０は、受光した光の量に応じた電気信号を、信号検出部４２０に供給する。
【００８０】
図６は、本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバを貫通孔に挿入した状態の受光ユニット及び基板の部分断面図を示す。
【００８１】
本実施形態においては、受光ユニット３０のＰＤアレイ３００が有する複数の受光素子のうち検査用チャンネルとしての一の受光素子に対応して基板１０に形成される貫通孔６５に、光ファイバ４００を挿入する。具体的には、光ファイバ４００の一端にはコネクタ４００Ａが連結されており、発光部４１５に結合しているコネクタ４０５とコネクタ４００Ａとを接続する。そして、光ファイバ４００のコネクタ４００Ａが連結していない他端を、貫通孔６５に挿入する。係る場合において、光ファイバ４００の位置決めを不要とすべく、貫通孔６５の直径は、光ファイバ４００の外径と略同一であることが好ましい。
【００８２】
また、光ファイバ４００の端面とＰＤアレイ３００の一の受光素子とが接触することを防止すべく、図５の上記説明と同様にして、光ファイバ４００の所定の位置にストッパーが設けられていてよい。ストッパーを設けることにより、光ファイバ４００の端部が受光素子と接触することが防止される。なお、光ファイバ４００の外周に、光ファイバ４００を貫通孔６５に挿入した場合に光ファイバ４００の端面が受光素子と接触しない位置を示す線を形成してもよい。
【００８３】
そして、検査制御部４３０が駆動部４４０を制御して、発光部４１５からＰＤアレイ３００の一の受光素子に、光ファイバ４００を介して所定の光５０２を照射する。当該一の受光素子が正常動作する場合は、当該一の受光素子は光５０２に応じた光電流を発生する。この場合において、電流検出部４５０と連結しているコネクタ４０６と接続している電気プローブ４０２を介して、電流検出部４５０は、当該一の受光素子において発生した光電流を検出する。
【００８４】
図７は、本実施形態に係る光電子回路基板の発光ユニットの検査方法の流れを示す。
【００８５】
まず、検査装置４の初期設定が実行される（Ｓ７００）。具体的には、検査装置４に電源が投入され、予め定められた動作条件に応じて検査制御部４３０等の各部についての初期設定が実行される。例えば、受光部４１０に所定の電力を供給して、受光部４１０を受光可能な状態に設定する。
【００８６】
続いて、光ファイバ４００が、ＬＤアレイ２００の一の発光素子の直下に対応する基板１０に形成された貫通孔６０に挿入される（挿入段階：Ｓ７１０）。具体的には、まず、受光部４１０に連結されたコネクタ４０５に光ファイバ４００と連結しているコネクタ４００Ａが接続される。そして、光ファイバ４００の一端が発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する検査用チャンネルとしての一の発光素子に対応して基板１０に設けられた貫通孔６０に挿入される。
【００８７】
続いて、電源部４６０と連結しているコネクタ４０６に、コネクタ４０２Ａと連結している電気プローブ４０２を接続する。そして、基板１０に設けられている検査用端子１Ａ及び検査用端子１Ｂのそれぞれに電気プローブ４０２を接触させて、電源部４６０から、発光ユニット２０のＬＤアレイ２００が有する検査用チャンネルとしての一の発光素子に電力が供給される（電力供給段階：Ｓ７２０）。
【００８８】
そして、受光部４１０は、一の発光素子の発光に応じた光電流を信号検出部４２０に供給する。ここで、信号検出部４２０が、一の発光素子の発光に応じた電気信号を検出した場合（光検出段階：Ｓ７３０：Ｙｅｓ）、すなわち、電源部４６０から電気プローブ４０２を介して電力を供給された一の発光素子が光を発したことにより、受光部４１０が光ファイバ４００を介して当該光を受光した場合、検査制御部４３０は、発光ユニット２０が正常に動作すると判断する（判断段階：Ｓ７４０）。
【００８９】
一方、信号検出部４２０が一の発光素子の発光に応じた電気信号を検出しない場合（Ｓ７３０：Ｎｏ）、すなわち、受光部４１０が光ファイバ４００を介して光を受光しない場合、検査制御部４３０は、発光ユニット２０が正常動作しておらず、不良であると判断する（Ｓ７５０）。そして、検査制御部４３０は、判断結果を出力部４７０に出力させる。
【００９０】
また、検査制御部４３０は、信号検出部４２０が検出した電気信号を解析して、予め定められた光量を一の発光素子が発光していない場合、又は、一の発光素子が所定期間において発する光の光量が予め定められた基準値の範囲を超えて変動する場合においても、発光ユニット２０が不良であると判断する。
【００９１】
なお、不良とは、発光ユニット２０を基板１０上に実装した際に、発光ユニット２０が実装時の熱等により破壊されたことを意味する。例えば、基板１０上に発光ユニット２０をハンダボール４０を介して接続する場合におけるリフロー時に、リフロー温度（例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ共晶合金材料の融点である２１６℃）を有する環境に発光ユニット２０が曝されて破壊されたことを意味する。
【００９２】
図８は、本実施形態に係る光電子回路基板の受光ユニットの検査方法の流れを示す。
【００９３】
まず、図７の上記説明における初期設定の工程（Ｓ７００）と同様に、検査装置４の初期設定が実行される（Ｓ８００）。
【００９４】
続いて、光ファイバ４００が、ＰＤアレイ３００の一の受光素子の直下に対応する基板１０の位置に形成された貫通孔６５に挿入される（挿入段階：Ｓ８１０）。具体的には、まず、発光部４１５に連結されたコネクタ４０５に光ファイバ４００と連結しているコネクタ４００Ａが接続される。そして、光ファイバ４００の一端が受光ユニット３０のＰＤアレイ３００が有する検査用チャンネルとしての一の受光素子に対応して基板１０に設けられた貫通孔６５に挿入される。
【００９５】
続いて、電流検出部４５０と連結しているコネクタ４０６に、コネクタ４０２Ａと連結している電気プローブ４０２を接続する。そして、基板１０に設けられている検査用端子１Ｃ及び検査用端子１Ｄと電機プローブ４０２とをそれぞれ接触させる。次に、検査制御部４３０は駆動部４４０を制御して発光部４１５を発光させ、光ファイバ４００を介して一の受光素子に光を照射させる（光照射段階：Ｓ８２０）。
【００９６】
この場合において、電流検出部４５０は、一の受光素子が受光した光の量に応じた光電流を電気プローブ４０２を介して検出する。ここで、電流検出部４５０が、一の受光素子が受光した光の量に応じた光電流を検出した場合（電流検出段階：Ｓ８３０：Ｙｅｓ）、すなわち、発光部４１５から光ファイバ４００を介して光の照射を受けた一の受光素子が受光した光に応じた光電流を発生したことにより、電流検出部４５０が電気プローブ４０２を介して当該光電流を検出した場合、検査制御部４３０は、受光ユニット３０が正常に動作すると判断する（判断段階：Ｓ８４０）。
【００９７】
一方、電流検出部４５０が、一の受光素子からの光電流を検出しない場合（Ｓ８３０：Ｎｏ）、検査制御部４３０は、受光ユニット３０が正常に動作しておらず、不良であると判断する（Ｓ８５０）。また、検査制御部４３０は、電流検出部４５０が検出した光電流の値を解析して、予め定められた光電流値に達しない場合、又は、所定期間における光電流の値が予め定められた基準値の範囲から所定値を超えて変動する場合においても、受光ユニット３０が不良であると判断する。
【００９８】
なお、不良とは、受光ユニット３０を基板１０上に実装した際に、発光ユニット２０の場合と同様に、受光ユニット３０が実装時の熱等により破壊されたことを意味する。そして、検査制御部４３０は、判断結果を出力部４７０に出力させる。
【００９９】
［第２の実施の形態］
（基板の構成）
図９は、本発明の第２の実施の形態に係る基板の上面図を示す。
【０１００】
本実施形態に係る光電子回路基板を構成する基板１１は、複数の発光ユニット２０と複数の受光ユニット３０とを搭載する点を除き第１の実施の形態に係る基板１０と略同一の構成を有するので、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【０１０１】
基板１１は、発光ユニット実装領域１３３に、４つの発光素子を含むＬＤアレイ２００を有する発光ユニット２０を２つ搭載する。同様にして基板１１は、受光ユニット実装領域１３７に、４つの受光素子を含むＰＤアレイ３００を有する受光ユニット２０を２つ搭載する。なお、基板１１は、発光ユニット実装領域１３３に、８つの発光素子から形成されるＬＤアレイを有する発光ユニットを搭載することもできる。同様に、基板１１は、受光ユニット実装領域１３７に、８つの受光素子から形成されるＰＤアレイを有する受光ユニットを搭載することもできる。
【０１０２】
本実施形態に係る基板１１は、８つのコア１００を有する。そして、８つのコア１００のうち２つのコアを検査用のコア１００として用い、２つの検査用のコア１００の両端において貫通孔６０ａ及び貫通孔６０ｂ、並びに貫通孔６５ａ及び貫通孔６５ｂを有する。すなわち、第１の発光ユニット２０が有するＬＤアレイ２００の一の発光素子に対応する基板１０の位置に貫通孔６０ａが形成されると共に、第２の発光ユニット２０が有するＬＤアレイ２００のダミー用の一の発光素子に対応する基板１０の位置に貫通孔６０ｂが形成される。
【０１０３】
同様にして、第２の受光ユニット３０が有するＰＤアレイ３００のダミー用の一の受光素子に対応する基板１０の位置に貫通孔６５ａが形成されると共に、第２の受光ユニット３０が有するＰＤアレイ３００のダミー用の一の受光素子に対応する基板１０の位置に貫通孔６５ｂが形成される。そして、検査装置４は、貫通孔６０ａ及び貫通孔６０ｂと、貫通孔６５ａ及び貫通孔６５ｂとを用いて、２つの発光ユニット２０及び２つの受光ユニット３０についての検査を実行する。
【０１０４】
また、他の変形例において、基板１１は、発光ユニット実装領域１３３に、４つの発光素子を含むＬＤアレイ２００と４つの受光素子を含むＰＤアレイ３００とを有する第１の受発光ユニットを搭載することができる。そして、基板１１は、受光ユニット実装領域１３７についても、発光ユニット実装領域１３３と同様に、４つの発光素子を含むＬＤアレイ２００と４つの受光素子を含むＰＤアレイ３００とを有する第２の受発光ユニットを搭載することができる。
【０１０５】
係る場合においては、第１の受発光ユニットのＬＤアレイ２００と第２の受発光ユニットのＰＤアレイ３００との間で光通信が実行される。また、第１の受発光ユニットのＰＤアレイ３００と第２の受発光ユニットのＬＤアレイ２００との間で光通信が実行される。そして、第１の受発光ユニットの一の発光素子に対応する貫通孔６０ａとダミー用一の受光素子に対応する貫通孔６０ｂとを用いて、検査装置４は、第１の受発光ユニットについて検査する。同様に、第２の受発光ユニットのダミー用の一の発光素子に対応する貫通孔６５ａと一の受光素子に対応する貫通孔６５ｂとを用いて、検査装置４は、第２の受発光ユニットについて検査する。
【０１０６】
なお、更に他の変形例においては、基板１１の内部に更に複数のコア１００を形成することもできる。例えば、１２個のコア１００、１６個のコア１００、又は４×ｎ（ｎは正の整数）個のコア１００を、基板の内部に形成することもできる。そして、４つのコアごとにそれぞれ発光ユニット２０及び受光ユニット３０、又は受発光ユニットを基板上に搭載することができる。
【０１０７】
以上、本発明に係る実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１Ａ】図１Ａは、第１の実施の形態に係る光電子回路基板の斜視図である。
【図１Ｂ】（ａ）は図１ＡのＡ−Ａ線における光電子回路基板の縦断面図であり、（ｂ）は図１ＡのＢ−Ｂ線における光電子回路基板の縦断面図である。
【図２Ａ】図１ＡのＡ−Ａ線における発光ユニットの部分断面図である。
【図２Ｂ】図１ＡのＡ−Ａ線における受光ユニットの部分断面図である。
【図２Ｃ】（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光ユニットの底面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る受光ユニットの底面図である。
【図３】（ａ）は、第１の実施の形態に係る基板の上面図であり、（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ線での縦断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る検査装置のブロック図である。
【図５】第１の実施の形態に係る光ファイバを貫通孔に挿入した状態の発光ユニット及び基板の部分断面図である。
【図６】第１の実施の形態に係る光ファイバを貫通孔に挿入した状態の受光ユニット及び基板の部分断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る光電子回路基板の発光ユニットの検査方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】第１の実施の形態に係る光電子回路基板の受光ユニットの検査方法の流れを示すフローチャートである。
【図９】第２の実施の形態に係る基板の上面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１  光電子回路基板
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｅ  検査用端子
２  光信号
４  検査装置
１０、１１  基板
１０Ａ  第１基板
１０Ｂ  第２基板
１０Ｃ  光導波路
２０  発光ユニット
３０  受光ユニット
４０  ハンダボール
５０、５５  ミラー部
５０Ａ、５５Ａ  ミラー
５０Ｂ、５５Ｂ  光透過性樹脂
５０ｃ、５５ｃ  開口部
６０、６０ａ、６０ｂ、６５、６５ａ、６５ｂ  貫通孔
１００  コア
１０１  クラッド
１２０  端子
１２２  ワイヤー
１３０  実装面
１３２、１３３  発光ユニット実装領域
１３６、１３７  受光ユニット実装領域
１４０、１４５  端部
１６０、２７０、３７０  ピッチ
２００  ＬＤアレイ
２０２  発光領域
２１０  ドライバーＩＣ
２２０、３２０  支持基板
２３０、３３０  端子
２４０、３４０  制御部
２５０、３５０  封止樹脂
２６０、２６２  端子
３００  ＰＤアレイ
３０２  受光領域
３１０  レシーバＩＣ
３６０、３６２、３６４、３６６  端子
４００  光ファイバ
４００Ａ、４０２Ａ  コネクタ
４０２  電気プローブ
４０５、４０６  コネクタ
４１０  受光部
４１５  発光部
４２０  信号検出部
４３０  検査制御部
４４０  駆動部
４５０  電流検出部
４６０  電源部
４７０  出力部
５００、５０２  光
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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