(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子と、
上面視にて四角形状に形成され、前記ＬＥＤ素子が搭載される上面と、相対する第１の２つの側面から下面にかけてそれぞれ形成される第１の２つの段状部と、
相対する第２の２つの側面から下面にかけてそれぞれ形成される第２の２つの段状部と、を有する基板と、
前記基板の上面に形成され、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続される上面パターンと、
前記ＬＥＤ素子及び前記上面パターンを封止する封止部と、
前記基板の前記下面の各角部と離隔し、相互に接触しないようにして前記基板の前記第１の２つの段状部にそれぞれ形成される一対の電極パターンと、
前記基板の内部にて該基板の厚さ方向へ延び、前記上面パターン及び前記電極パターンを接続するビアパターンと、
前記基板の前記下面の各角部と隔離し、前記基板の前記第２の２つの段状部にかけて前記一対の電極パターンと接触しないようにして形成される放熱パターンと、を備えた発光装置を製造するにあたり、
複数の前記基板が連結された連結基板を準備する基板準備工程と、
前記連結基板に前記上面パターン、前記電極パターン、前記ビアパターン、及び前記放熱パターンを形成するパターン形成工程と、
前記基板の上面にＬＥＤ素子を搭載する素子搭載工程と、
前記封止部を形成する封止部形成工程と、
前記上面パターン、前記電極パターン、前記ビアパターン、及び前記放熱パターンが形成された前記連結基板をダイサーにより前記基板毎に前記第１及び第２の２つの段状部において分割するダイシング工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の前記上面は平坦に形成され、
前記封止部は前記基板の前記上面と全面的に接合され、
前記上面パターンは前記基板の前記上面の外縁と離隔して形成される請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板はセラミックからなり、
前記封止部はガラスからなる請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ素子を上面に搭載し下面に電極パターンが形成される基板装置、この基板装置を備えた発光装置、及び、この発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、樹脂によりＬＥＤ素子を封止する発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、複数の絶縁層を積層して成り、上面に発光素子を収容し搭載する凹部を有する略直方体状の絶縁基体に、凹部の底面から絶縁基体の下面にかけて発光素子の電極が電気的に接続される配線層が形成されている。そして、絶縁基体の下面の対角の角部に絶縁基体の下面と側面との間を平面視でＬ字形状に切り欠くように形成された段差部が設けられており、該段差部の側面に配線層が電気的に接続された側面導体が形成されている。
【０００３】
また、ガラスによりＬＥＤ素子を封止する発光装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の発光装置は、フリップチップ型のＧａＮ系ＬＥＤ素子と、正方形状に形成されて上面にＧａＮ系ＬＥＤ素子を搭載する多層構造の基板と、基板の上面および層内に形成される回路パターンと、ＧａＮ系ＬＥＤ素子と回路パターンとを電気的に接続するバンプと、ＧａＮ系ＬＥＤ素子を封止するとともに基板と接合されガラスからなる封止部と、基板の下面の四隅において層内の中間層から露出した底面回路パターンと、を有している。すなわち、基板の角部は他の部分よりも薄く形成され、基板の下面の四隅は段状に形成され、この段状部分に底面回路パターンが形成されている。
【特許文献１】特開２００４−２０７５４２号公報
【特許文献２】国際公開第０４／０８２０３６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の発光装置は、いずれも基板下面の角部に電極をなすパターンが形成されていることから、発光装置の製造時にダイシングにより基板を分割する際に、当該パターンを形成する金属のダレにより各パターン間で短絡するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記事情により提案されたものであり、ＬＥＤ素子と、上面視にて四角形状に形成され、前記ＬＥＤ素子が搭載される上面と、相対する第１の２つの側面から下面にかけてそれぞれ形成される第１の２つの段状部と、相対する第２の２つの側面から下面にかけてそれぞれ形成される第２の２つの段状部と、を有する基板と、前記基板の上面に形成され、前記ＬＥＤ素子と電気的に接続される上面パターンと、前記ＬＥＤ素子及び前記上面パターンを封止する封止部と、前記基板の前記下面の各角部と離隔し、相互に接触しないようにして前記基板の前記第１の２つの段状部にそれぞれ形成される一対の電極パターンと、前記基板の内部にて該基板の厚さ方向へ延び、前記上面パターン及び前記電極パターンを接続するビアパターンと、前記基板の前記下面の各角部と隔離し、前記基板の前記第２の２つの段状部にかけて前記一対の電極パターンと接触しないようにして形成される放熱パターンと、を備えた発光装置を製造するにあたり、複数の前記基板が連結された連結基板を準備する基板準備工程と、前記連結基板に前記上面パターン、前記電極パターン、前記ビアパターン、及び前記放熱パターンを形成するパターン形成工程と、前記基板の上面にＬＥＤ素子を搭載する素子搭載工程と、前記封止部を形成する封止部形成工程と、前記上面パターン、前記電極パターン、前記ビアパターン、及び前記放熱パターンが形成された前記連結基板をダイサーにより前記基板毎に前記第１及び第２の２つの段状部において分割するダイシング工程と、を含む発光装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板に形成される一対の電極パターン間における短絡を防止し、歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１から図６は本発明の一実施形態を示し、図１は発光装置の上面図である。尚、各図においては、説明のために、実際の装置の各部寸法と寸法を異にして図示している部分がある。
【００１４】
図１に示すように、発光装置１は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を上面に搭載するセラミック基板１１と、セラミック基板１１の上面に形成されＬＥＤ素子１２へ電力へ供給するための上面パターン１４と、ＬＥＤ素子１２及び上面パターン１４をセラミック基板１１上にて封止する封止部１３と、を備えている。本実施形態においては、１つの発光装置１に、前後及び左右に３列ずつ並ぶ計９つのＬＥＤ素子１２が搭載される。各ＬＥＤ素子１２は、上面パターン１４により電気的に直列に接続されている。
【００１５】
ＬＥＤ素子１２は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層と、ｎ型層と、ＭＱＷ層と、ｐ型層とがこの順で形成されている。このＬＥＤ素子１２は、７００℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は６００℃以上であり、低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、ＬＥＤ素子１２は、ｐ型層の表面に設けられるｐ側電極と、ｐ側電極上に形成されるｐ側パッド電極と、を有するとともに、ｐ型層からｎ型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したｎ型層に形成されるｎ側電極を有する。ｐ側パッド電極とｎ側電極には、それぞれバンプ１８（図１中不図示）が形成される。本実施形態においては、ＬＥＤ素子１２は、厚さ１００μｍで３４６μｍ角に形成される。
【００１６】
セラミック基板１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の多結晶焼結材料からなり、上面視四角形状に形成される。本実施形態においては、セラミック基板１１は、厚さ方向（上下方向）寸法が０．１５ｍｍ、一辺の寸法が３．１５ｍｍの上面視正方形状に形成される。
【００１７】
図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
図２に示すように、セラミック基板１１は、厚さ寸法が０．１５ｍｍの一般部１１ａと、一般部１１ａよりも薄肉に形成された薄肉部１１ｂと、を有し、上面が全面にわたって平坦に形成されている。本実施形態においては、各薄肉部１１ｂは、セラミック基板１１の所定方向（図２においては左右方向）の外縁側に形成される。一般部１１ａと各薄肉部１１ｂは上面が面一に形成されており、セラミック基板１１の下面における一般部１１ａと各薄肉部１１ｂの境界部分に、上下に延びる垂直面を有する段状部１１ｃが形成される。すなわち、各段状部１１ｃは、セラミック基板１１の相対する２つ側面の下部から下面にかけてそれぞれ形成される。各薄肉部１１ｂの形成方法は任意であるが、例えばセラミック基板１１を多層構造として中間の層を露出させることで形成することができる。
【００１８】
図１に示すように、上面パターン１４は、ＬＥＤ素子１２と電気的に接続され、セラミック基板１１の厚さ方向へ延びるビアパターン１５を介して一対の電極パターン１６と電気的に接続される。上面パターン１４は、セラミック基板１１の上面の外縁と離隔して形成されている。電極パターン１６は、セラミック基板１１の下面に形成され、例えば外部の実装基板３１と電気的に接続される。電極パターン１６はセラミック基板１１の所定方向両端に形成され、一方が正電極、他方が負電極をなす。また、セラミック基板１１の下面における各電極パターン１６の間には、放熱パターン１７が形成される。
【００１９】
上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７は、導電性の金属からなる。本実施形態においては、上面パターン１４、電極パターン１６及び放熱パターン１７は、セラミック基板１１の表面に形成されるＷ層と、Ｗ層の表面を覆う薄膜状のＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の表面を覆う薄膜状のＡｇメッキ層と、を含んでいる。また、ビアパターン１５は、Ｗからなり、セラミック基板１１を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられる。
【００２０】
封止部１３は、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、Ｌｉ２Ｏを含有していなくてもよいし、任意成分としてＺｒＯ２、ＴｉＯ２等を含んでいてもよい。図２に示すように、封止部１３は、セラミック基板１１と全面的に接合されており、セラミック基板１１上に直方体状に形成され、セラミック基板１１の上面からの高さが０．５ｍｍとなっている。封止部１３の側面は、ホットプレス加工によってセラミック基板１１と接着された板ガラスが、セラミック基板１１とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、封止部１３の上面は、ホットプレス加工によってセラミック基板１１と接着された板ガラスの一面である。この熱融着ガラスは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４９０℃、屈伏点（Ａｔ）が５２０℃、１００℃〜３００℃における熱膨張率（α）が６×１０−６／℃、屈折率が１．７となっている。
【００２１】
また、封止部１３には蛍光体１３ａが分散されている。蛍光体１３ａは、ＭＱＷ層から発せられる青色光により励起されると、黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体である。本実施形態においては、蛍光体１３ａとしてＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。尚、蛍光体１３ａは、珪酸塩蛍光体や、ＹＡＧと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したもの等であってもよい。
【００２２】
図２に示すように、実装基板３１は、金属からなる基板本体３２と、基板本体３２上に形成され樹脂からなる絶縁層３３と、絶縁層３３上に形成され金属からなる回路パターン３４と、を有している。基板本体３２は、例えば銅（熱伝導率：３８０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）からなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の放熱パターン１７とはんだ材３６を介して接続される。絶縁層３３は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等からなり、導電性を有する基板本体３２と回路パターン３４との絶縁を図る。回路パターン３４は、例えば表面（上面）に薄膜状の金を有する銅からなり、各ガラス封止ＬＥＤ２の電極パターン１６とはんだ材３７を介して接続される。尚、図２には発光装置１が搭載される実装基板３１の一例を図示しており、発光装置１が搭載される実装基板３１は任意に変更可能である。例えば、実装基板３１が、回路パターン３４を被覆する白色のレジスト層３５を備えたものであってもよいし、例えばアルミベース基板のように銅以外の金属をベースとした基板であってもよい。さらに、実装基板３１を、ポリイミドや液晶ポリマーをベースとしたフレキシブル基板としてももよい。
【００２３】
図３は発光装置の下面図である。
図３に示すように、各電極パターン１６及び放熱パターン１７は、平面視にて矩形状に形成される。各電極パターン１６は、セラミック基板１１の別個の段状部１１ｃにそれぞれ形成される。また、各電極パターン１６は、セラミック基板１１の下面の各角部と離隔し、当該下面の各辺部の中央側に形成されている。また、放熱パターン１７は、各電極パターン１６と間隔をおいて形成され、各電極パターン１６が形成されていない対向する各辺部の外縁同士にわたって延びている。
【００２４】
以上のように構成された発光装置１では、実装基板３１を通じて各電極パターン１６に電圧が印加されると、各ＬＥＤ素子１２から青色光が発せられる。そして、青色光の一部が蛍光体１３ａにより黄色に変換され、発光装置１からは青色光と黄色光の組合せにより白色光が発せられる。また、各ＬＥＤ素子１２にて生じた熱は、放熱パターン１７を介して基板本体３２に伝達される。
【００２５】
ここで、封止部１３をガラスでなく樹脂としてもよいが、樹脂封止ではＬＥＤ素子１２から発せられる光、熱によっても黄変等の劣化が生じるため、経時的に光量低下や色度変化が生じる。また、封止材の熱膨張率が大きい（例えば、シリコーンでは１５０〜２００×１０−６／℃）ことにより、温度変化による膨張収縮が生じるため、ＬＥＤ素子１２の電気接続箇所にて断線が生じ易い。このため、本実施形態のようなガラス封止が好ましく、光や熱に対して劣化がなく、また熱膨張率がＬＥＤ素子１２と比較的近い値であるため、電気的断線が生じ難い。尚、ガラスは低融点のガラスに限定されず、例えば、アルコキシドを出発原料として形成されるゾルゲルガラスであってもよい。
【００２６】
この発光装置１の製造方法について、図４の工程説明図を参照して以下に説明する。
まず、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ系の熱融着ガラスを粉砕して、平均粒径が３０μｍのガラスの粉末体を生成する。これに、平均粒径が１０μｍのＹＡＧからなる蛍光体１３ａを混合し、蛍光体１３ａがガラスの粉末内に均一に分散された混合粉末を生成する（混合工程）。
【００２７】
混合工程にて生成された混合粉末を荷重を加えながら溶融した後に、この混合粉末を固化して蛍光体分散ガラス４３を生成する（ガラス生成工程）。生成された蛍光体分散ガラス４３は、ガラス封止部１３の厚さに対応するよう板状に加工される（板状加工工程）。
【００２８】
図５は、ダイサーにより各発光装置のセラミック基板を分割する前の状態を示す連結基板の下面図である。
図５に示すように、蛍光体分散ガラス４３とは別個に、ビアホール及び段状部１１ｃが形成され、複数の発光装置１のセラミック基板１１が辺部にて互いに連結された状態の連結基板４１を用意する。本実施形態においては、段状部１１ｃがセラミック基板１１の相対する辺部にそれぞれ形成されていることから、連結基板４１において隣接するセラミック基板１１の境界部分に２つの段状部１１ｃが一体に形成されている。次いで、連結基板４１に上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７に応じてＷペーストをスクリーン印刷する。この後、Ｗペーストを印刷された連結基板４１を１０００℃余で熱処理することによりＷを連結基板４１に焼き付け、さらに、Ｗ上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで上面パターン１４、ビアパターン１５、電極パターン１６及び放熱パターン１７を形成する（パターン形成工程）。
【００２９】
次に、セラミック基板１１の上面パターン１４に複数のＬＥＤ素子２を例えばＡｕからなるバンプ１８によって電気的に接合する（素子実装工程）。本実施形態においては、ｐ側１点、ｎ側１点の合計２点のバンプ接合が施される。
【００３０】
図６はホットプレス加工の状態を示す模式説明図である。
次いで、各ＬＥＤ素子１２を実装した連結基板４１を下金型９１、板状の蛍光体分散ガラス４３を上金型９２にセットする。下金型９１及び上金型９２にはそれぞれヒータが配置され、各金型９１，９２で独立して温度調整される。そして、図６に示すように、略平坦な連結基板４１の上面に蛍光体分散ガラス４３を重ねて、下金型９１及び上金型９２を加圧し、窒素雰囲気中でホットプレス加工を行う。これにより、ＬＥＤ素子１２が搭載された連結基板４１に蛍光体分散ガラス４３が融着され、ＬＥＤ素子１２は連結基板４１上で蛍光体分散ガラス４３により封止される（ガラス封止工程）。本実施形態においては、加圧圧力を２０〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２程度として加工を行っている。ここで、ホットプレス加工は、各部材に対して不活性な雰囲気中で行えばよく、窒素雰囲気の他に例えば真空中で行うようにしてもよい。
【００３１】
これにより、蛍光体分散ガラス４３は連結基板４１とこれらに含まれる酸化物を介して接着される。ここで、ホットプレス加工での熱融着ガラスの粘度は１０５〜１０７ポアズとすることが好ましい。この粘度範囲とすることにより、粘度が低いことに起因するガラスの上金型９２へ接合、ガラスの外部流出等を抑制して歩留まりを良好にすることができるとともに、粘度が高いことに起因するガラスの連結基板４１への接合力低下、各バンプ１８のつぶれ量の増大等を抑制することができる。
【００３２】
また、連結基板４１は多結晶アルミナで表面が粗面状に形成されており、蛍光体分散ガラス４３側の接合部の界面が連結基板４１の表面に沿って粗面状に形成される。これは、例えば、ホットプレス加工時に圧力を加えるとともに、大気圧より低い減圧雰囲気で加工を行うことにより実現される。ここで、粗面化された多結晶アルミナの凹みにガラスが十分入り込む状態であれば、ホットプレス加工時の圧力条件や雰囲気の減圧条件は任意であり、例えば、ホットプレス時の加圧と雰囲気の減圧についていずれか一方だけ行って加工するようにしてもよいことは勿論である。この結果、封止部１３とセラミック基板１１との間に隙間のない状態となり、封止部１３とセラミック基板１１との接合強度を担保することができる。
【００３３】
ここで、ホットプレス加工のサイクルタイムを短縮するために、プレス前に予熱ステージを設けて蛍光体分散ガラス４３を予め加熱したり、プレス後に徐冷ステージを設けて蛍光体分散ガラス４３の冷却速度を制御するようにしてもよい。また、予熱ステージ及び徐冷ステージにおいてプレスすることも可能であり、ホットプレス加工時の工程は適宜に変更可能である。
【００３４】
以上の工程で、複数の発光装置１が横方向に連結された状態の図６に示すような中間体５１が作製される。この後、蛍光体分散ガラス４３と一体化された連結基板４１をダイサー(dicer)にセットして、発光装置１の単位ごとに蛍光体分散ガラス４３及び連結基板４１を分割して発光装置１が完成する（ダイシング工程）。このとき、封止部１３及びセラミック基板１１がともにダイサーによりカットされることで、セラミック基板１１及び封止部１３の側面が面一となる。
【００３５】
ダイシング工程においては、中間体５１を異なる２方向に分割して、上面視四角形状をなす複数の発光装置１を製造する。異なる２方向のうち一方向へのダイシングにより、セラミック基板１１における電極パターン１６が形成される２つの相対する辺部が形成され、他方向へのダイシングにより他の相対する辺部が形成される。
【００３６】
ここで、セラミック基板１１には相対する辺部に別個に一対の電極パターン１６が形成されている。従って、一方向に分割する際に電極パターン１６を形成する金属のダレが生じたとしても、１つのセラミック基板１１について異なる電極パターン１６同士が短絡することはない。そして、各発光装置１の電極パターン１６がセラミック基板１１の角部から離隔して形成されているので、他方向に分割する際にダイサーが電極パターン１６と接触することはない（図５参照）。これにより、他方向に分割する際に電極パターン１６をなす金属のダレが生じることはなく、各電極パターン１６の短絡を確実に防止することができる。
【００３７】
このように、本実施形態によれば、発光装置１の各電極パターン１６間の短絡を確実に防止し、発光装置１の歩留まりを向上させることができる。
【００３８】
また、セラミック基板１１の下面に段状の電極パターン１６を形成したので、はんだ材３７が電極パターン１６の水平面に加えて垂直面にも接合され（図２参照）、実装基板３１との接合強度を飛躍的に向上させることができる。従って、実装基板３１からの発光装置１の脱落を抑制することができる。
【００３９】
また、上面パターン１４がセラミック基板１１の外縁から離隔して形成されているので、セラミック基板１１は外周にわたって封止部１３と酸化物を介した化学結合により接合される。これにより、上面パターン１４がセラミック基板１１の外縁の少なくとも一部に形成された場合のように、外部から過度の負荷が加わった際に、比較的接合力の小さい上面パターン１４と封止部１３の界面を起点として封止部１３がセラミック基板１１から剥がれることはない。また、セラミック基板１１と封止部１３の接合界面を通じて外部から気体、液体等が侵入することはなく、良好な耐候性を得ることができる。
【００４０】
さらに、封止部１３を樹脂よりもセラミックに熱膨張率が近いガラスとすることにより、ホットプレス加工により高温で接着された後、常温あるいは低温状態としても剥離、クラック等の接着不良が生じにくい。ここで、ガラスは引っ張り応力にはクラックが生じ易いが、圧縮応力にはクラックは生じにくく、封止部１３のガラスをセラミック基板１１に対し熱膨張率が小さいものとすることが好ましい。
【００４１】
また、各ＬＥＤ素子１２は、フリップ実装することによりワイヤを不要とできるので、高粘度状態のガラスによる封止加工に対しても電極の不具合を生じない。ＬＥＤ素子１２の電極とセラミック基板１１の上面パターン１４をワイヤで電気的に接続するフェイスアップ型のＬＥＤ素子を封止する場合、ガラス封止加工時にワイヤの潰れや変形を生じることがある。また、ワイヤのボンディングスペースが不要で、かつ、ガラスとセラミックの強固な接合によって、わずかなスペースでの接着でも界面剥離が生じないので、発光装置１を小型とすることができる。
【００４２】
さらにまた、アルミナからなるセラミック基板１１を用いることで、部材コストの低減を図ることができる。また、アルミナの入手が容易であることから、量産性を向上して装置コストの低減を実現できる。また、アルミナが熱伝導性に優れているので、大光量化、高出力化に対して余裕のある構成とできる。さらにアルミナは光の吸収率が小さいので光学的にも有利である。
【００４３】
尚、前記実施形態においては、セラミック基板１１の下面における電極パターン１６が形成される外縁部分にのみ段状部１１ｃを形成したものを示したが、例えば図７に示すように、放熱パターン１７が形成される外縁部分に段状部１１１ｃを形成してもよいことは勿論である。図７の発光装置１０１のセラミック基板１１は、前述の薄肉部１１ｂに加えて、放熱パターン１７に対応した薄肉部１１１ｂを有している。これにより、放熱パターン１７に接続されるはんだ材３６が放熱パターン１７の水平面に加えて垂直面に接合され、実装基板との接合強度がさらに向上する。
【００４４】
また、前記実施形態においては、セラミック基板１１が上面視にて正方形状に形成されたものを示したが、セラミック基板１１は、例えば、短辺と長辺の長さが異なる長方形状に形成されていてもよいし、平行四辺形状に形成されていてもよい。また、セラミック基板１１の上面が平坦なものを示したが、封止部１３を収容する凹部が形成されたものであってもよい。さらに、上面パターン１４がセラミック基板１１の外縁から離隔して形成されたものを示したが、前記実施形態より封止部１３とセラミック基板１１との接合強度が劣るものの、上面パターン１４がセラミック基板１１の外縁にまで延びるものであってもよい。
【００４５】
また、前記実施形態においては、板状の蛍光体分散ガラス４３がホットプレス加工により連結基板４１と接合されるものを示したが、ガラスと蛍光体の混合粉末を減圧高温雰囲気にて連結基板４１上で溶融固化することによりガラスを連結基板４１に融着してもよい。
また、前記実施形態においては、ＬＥＤ素子１２を実装して蛍光体分散ガラス４３により封止した後に連結基板４１をダイシングするものを示したが、連結基板４１をダイシングした後にＬＥＤ素子１２の実装及び封止を行うようにしてもよい。すなわち、セラミック基板１１と、上面パターン１４と、電極パターン１６と、ビアパターン１５と、を備えた基板装置の形態であっても、電極パターン１６の短絡を防止することができる。そして、素子実装工程及びガラス封止工程を省略して、パターン形成工程と、ダイシング工程と、を含んだ発光装置の製造方法であっても、電極パターン１６の短絡を防止することができる。
【００４６】
また、前記実施形態においては、発光装置１から白色光が発せられるものを示したが、例えば、封止部１３に蛍光体１３ａが含まれない構成として、発光装置１から青色光が発せられるようにしてもよい。また、ＬＥＤ素子１２をフリップチップ型としたものを示したが、フェイスアップ型としてもよい。さらに、１つのセラミック基板１１に搭載されるＬＥＤ素子１２の個数、ＬＥＤ素子１２の配置状態は任意である。このように、発光装置１の細部構成、発光色等については適宜に変更が可能である。さらにまた、ガラスより信頼性等が劣るものの、封止部１３を樹脂としてもよい。
【００４７】
また、前記実施形態においては、セラミック基板１１がアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるものを示したが、アルミナ以外のセラミックから構成するようにしてもよい。アルミナより熱伝導性に優れる高熱伝導性材料からなるセラミック基板として、例えば、ＢｅＯ（熱膨張率α：７．６×１０−６／℃、熱伝導率：２５０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いても良い。さらに、他の高熱伝導性基板として、例えばＷ−Ｃｕ基板を用いても良い。Ｗ−Ｃｕ基板としては、Ｗ９０−Ｃｕ１０基板（熱膨張率α：６．５×１０−６／℃、熱伝導率：１８０Ｗ／（ｍ・ｋ））、Ｗ８５−Ｃｕ１５基板（熱膨張率α：７．２×１０−６／℃、熱伝導率：１９０Ｗ／（ｍ・ｋ））を用いることにより、ガラス封止部との良好な接合強度を確保しながら高い熱伝導性を付与することができ、ＬＥＤの大光量化、高出力化に余裕をもって対応することが可能になる。さらには、基板としてセラミック以外の材料を用いることも可能であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態を示す発光装置の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】発光装置の下面図である。
【図４】発光装置の製造方法の工程説明図である。
【図５】ダイサーにより各発光装置のセラミック基板を分割する前の状態を示す連結基板の下面図である。
【図６】ホットプレス加工の状態を示す模式説明図である。
【図７】変形例を示す発光装置の下面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１        発光装置
１１      セラミック基板
１１ａ    一般部
１１ｂ    薄肉部
１１ｃ    段状部
１２      ＬＥＤ素子
１３      封止部
１３ａ    蛍光体
１４      上面パターン
１５      ビアパターン
１６      電極パターン
１７      放熱パターン
１８      バンプ
３１      実装基板
３２      基板本体
３３      絶縁層
３４      回路パターン
３５      レジスト層
３６      はんだ材
３７      はんだ材
４１      連結基板
４３      蛍光体分散ガラス
５１      中間体
９１      下金型
９２      上金型
１０１    発光装置
１１１ｂ  薄肉部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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