(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
基板（１）を準備する工程；
基板（１）上に第１の微細加工機能層（５）を設ける工程；
第１の微細加工機能層（５）が可動にすべきセンサ構造体（６）を有するように、前記の第１の微細加工機能層（５）を構造化する工程；
構造化された第１の微細加工機能層（５）上に第１の封止層（８）を設け、かつ構造化する工程；
少なくとも遮蔽機能を有しかつ少なくとも部分的に第１の微細加工機能層（５）内に固定されている第１の封止層（８）上に、第２の微細加工機能層（１０）を設け、かつ構造化する工程；
センサ構造体（６）を可動にする工程；及び
第２の微細加工機能層（１０）上に第２の封止層（１３）を設ける工程；
を有する、微細加工構成素子の製造方法において、
第１の封止層（８）によって、トレンチ底部には到達しない栓体（９）の形で封止可能な最大トレンチ幅（６６）を算出する工程；及び
センサ構造体（６）に、算出された最大トレンチ幅（６６）よりも大きくない幅のトレンチ（７）を設る工程
を有することを特徴とする、微細加工構成素子の製造方法。
【請求項２】
センサ構造体（６）内に相互に咬み合う櫛歯を有する櫛状構造体を設ける工程を有し、櫛歯の幅（３３）と、次に隣り合う櫛歯までの両方の距離（４４）との合計が、最大トレンチ幅（６６）よりも小さいか又は同じであるように設計する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
センサ構造体（６）内に折り返されたたわみばね構造体を設ける工程を有し、折り返し部の間隔が最大トレンチ幅（６６）と同じであるように設計し、そのため最大振幅幅（５５）は折り返し部の数と最大トレンチ幅（６６）とを掛けた値と同じである、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
基板（１）上に犠牲層（４）を設ける工程；及び
センサ構造体（６）を可動にするために犠牲層（４）及び第１の封止層をエッチングする工程
を有する、請求項１、２又は３記載の方法。
【請求項５】
第１の微細加工機能層（５）が犠牲層（４）にまで達する第１の通路（７）を有するように、第１の微細加工機能層（５）を構造化する工程；
第２の微細加工機能層（１０）が第１の封止層（８）にまで達する第２の通路（１１）を有するように、第２の微細加工機能層（１０）を構造化し、前記の第２の通路（１１）が第１の封止層（８）の接続領域（１６）を通過して第１の通路（７）と接続する工程；
第２の通路（１１）をエッチング通路として使用して、第１の封止層（８）を、接続領域（１６）が除去されるまでエッチングする工程；及び
接続領域（１６）の除去により相互に接続した第１の及び第２の通路（７，１１）をエッチング通路として使用して、犠牲層（４）をエッチングする工程
を有する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
埋設されたポリシリコン層（３）を第１の又は第２の微細加工機能層（５，１０）の下方に設ける、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第１の及び第２の封止層（８，１３）を、第１の及び第２の微細加工機能層（５，１０）よりも薄く形成する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
第１の及び／又は第２の封止層（８，１３）を、コンフォーマルでない堆積により、第１のもしくは第２の通路（７，１１）が上部領域内で密栓されるように設ける、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
第１の及び／又は第２の通路（７，１１）を、上方に向かって狭くなっているトレンチ又は孔として構成する、請求項５から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
第１の及び／又は第２の微細加工機能層（５，１０）を導電性材料、有利にポリシリコンから製造する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
第１の及び／又は第２の封止層（８，１３）を誘電性材料、有利に二酸化ケイ素から製造する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
第２の封止層（１３）上に、有利にアルミニウムからなる１又は複数の条導体層（１５）を設ける、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
第２の微細加工機能層（１０）内に条導体構造体が組み込まれている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、基板を準備する工程、前記の基板上に第１の微細加工機能層を設ける工程、前記の第１の微細加工機能層を、この機能層が可動にすべきセンサ構造体を有するように構造化する工程、構造化された第１の微細加工機能層上に第１の封止層を設けかつ構造化する工程、少なくとも遮蔽機能を有しかつ第１の微細加工機能層内に少なくとも部分的に固定されている第１の封止層上に、第２の微細加工機能層を設けかつ構造化する工程、センサ構造体を可動にする工程、及び第２の微細加工機能層上に第２の封止層を設ける工程を有する微細加工構成素子の製造方法に関する。同様に、本発明は相応する微細加工構成素子に関する。この種の方法及びこの種の微細加工構成素子は、先願のドイツ連邦共和国特許出願第１００１７４２２．１号明細書から公知である。
【０００２】
任意の微細加工構成素子及び構造体、特にセンサ及びアクチュエータに適用できるのだが、本発明並びに本発明に基づく問題をシリコン−表面マイクロマシニングの技術において製造可能な微細加工構成素子、たとえば加速度センサに関して説明する。
【０００３】
一般に、表面マイクロマシニング（ＯＭＭ）においてモノリスに集積された慣性式センサは公知であり、この場合、感応性の可動の構造体は保護されずにチップ上に設けられている（アナログデバイス）。それにより取り扱い及び実装の際に比較的高い費用がかかる。
【０００４】
この問題は、ＯＭＭ−構造体が第２のキャップウェハでカバーされているセンサにより回避することができる。この種の実装技術はＯＭＭ−加速度センサのコストの大部分（約７５％）を占める。このコストはキャップウェハとセンサウェハとの間のシール面の高い所要面積により及びキャップウェハの繁雑な構造化（２〜３回のマスク、バルクマイクロマシニング）によって生じる。
【０００５】
ＤＥ１９５３７８１４Ａ１には機能層システムの構造及び表面マイクロマシニングにおいてセンサを気密に密閉する方法が記載されている。この場合、公知の技術方法を用いたセンサ構造体の製造が説明されている。前記の気密な密閉は、高価な構造化プロセス、たとえばＫＯＨ−エッチングを用いて構造化されたシリコンからなる別個のキャップ−ウェハを用いて行う。このキャップ−ウェハはハンダガラス（シール−ガラス）を用いてセンサを備えた基板（センサ−ウェハ）上に載置される。このために、キャップの十分な付着及び気密性を保証するために各センサチップの周囲に幅広の接続領域が必要となる。これはセンサ−ウェハ当たりのセンサ−チップの数を著しく制限する。著しい所要面積及びキャップ−ウェハの高価な製造によって、センサ−密閉に関して著しいコストがかかる。
【０００６】
先願のドイツ連邦共和国特許出願第１００１７４２２．１号明細書に開示された製造方法並びに構成素子は、少なくとも１０μｍの厚さを有するエピタキシーポリシリコンを微細加工機能層の形成のために製造する公知のＯＭＭ−プロセスを基礎とする。密封機能及びレベリング機能を有する封止層の製造の工程が新規であるにすぎない。
【０００７】
少なくとも遮蔽機能を担う第２の微細加工機能層に基づいて、キャップウェハは使用されず、この構造体は上方から接触することができるため、ＯＭＭ−プロセスの簡素化がもたらされる。
【０００８】
さらに、このプロセスは機能性を増す、つまり設計者にこの構成素子の実現のためにさらに別の機械的及び／又は電気的な構成素子を提供する。特に次の機能性素子を製造できる：
−  第２の微細加工機能層内の圧力センサダイアフラム；
−  第２の微細加工機能層内の条導体構造体、この条導体構造体は第２の封止層の上方に設けられた別の条導体構造体と交差することができる；
−  第２の封止層の上方に設けられた別の条導体構造体内のアルミニウムからなる極めて低抵抗の配線；
−  縦型の差動コンデンサ；
−  第２の微細加工機能層内での第１の微細加工機能層の構造体のさらなる固定。
【０００９】
通常のＩＣ−実装、たとえばハイブリッド、プラスチック、フリップ−チップなども使用できる。
【００１０】
図６は本発明の根底をなす課題を説明するための微細加工構成素子の部分断面図Ｖを示す。
【００１１】
図６において、１はシリコン基板ウェハを、４は犠牲酸化物を、５はエピタキシーポリシリコン層の形の第１の微細加工機能層を、６は犠牲層４及び層８のエッチングにより後に可動にされるセンサ構造体（櫛状構造）を、７は第１の微細加工機能層５内のトレンチを、８は第１の封止酸化物（ＬＴＯ、ＴＥＯＳなど）−再充填層とも称される−を、９はトレンチ７内の封止酸化物８からなる栓体を、１０はエピタキシーポリシリコン層の形の遮蔽機能を有する第２の微細加工機能層を表す。
【００１２】
層８の堆積のための再充填プロセスにおいて、可動にすべきセンサ構造体６のトレンチ７は充填されるか、もしくは図示されたように、その上方側だけで密栓され、それにより平坦な表面が生じ、次いでこの表面上に遮蔽機能を有する第２の微細加工機能層１０がたとえばエピタキシーポリシリコン層として設置される。特に、前記の表面マイクロマシニング−エピタキシーポリシリコンから製造される高アスペクト比を有するセンサ構造体６の場合には、深いトレンチ７を完全に充填することは極めて困難であり、従って図示されたように、ウェハの表面だけが遮蔽され、トレンチ７は上方で閉鎖されるかもしくは栓体９で密栓される。
【００１３】
この再充填プロセスは、たとえばトレンチ７を単に約５μｍの幅まで閉鎖もしくは遮蔽することができ、トレンチ７の底部に多くの酸化物は堆積されない。この最大幅Ａから、たとえばヨーレートセンサを形成する該当する可動のセンサ構造体６の最大振幅幅が生じる。
【００１４】
図７は、本発明の根底をなす課題の説明のための図６の部分断面図の改良形を示す。
【００１５】
図６に関して記載した再充填プロセスの際に幅の広いトレンチ７７（たとえば１５μｍの幅を有する）を遮蔽する場合、可動のセンサ構造体６はその可能な最大たわみ幅Ａ′において、つまり可動のセンサ構造体６（再充填材料８の除去後）の側壁での再充填材料８の厚さに制限されてしまう。
【００１６】
図８は、本発明の根底をなす課題の説明のための図６の部分断面図の改良形を示す。
【００１７】
図８との関連で、見やすさのためから、表面上での再充填材料８の堆積は寸法通りに示されていないことを述べておく。
【００１８】
可動のセンサ構造体６の最大たわみ幅Ａ″は、拡張されたトレンチ７７と同じ大きさであるため、拡張されたトレンチ７７は再充填材料８で完全に充填されていなければならず、それにより遮蔽−ポリシリコン１０はセンサ構造体６の上方にだけ堆積する。それによりこのプロセス実施の次のような欠点が生じる：
−  再充填材料８の長い堆積プロセス；
−  再充填材料８の必要な付加的平坦化（高い段が生じてしまい、たとえばコンタクトホール２２のために必要な正確なリソグラフィーがもはや不可能となるため）；及び
−  再充填材料の除去のために長時間の高価なプロセス。
【００１９】
従って、本発明の根底をなす課題は、一般に、再充填プロセスにもかかわらず、プロセスの変更なしに大きな最大振幅幅を有する可動のセンサ構造体を実現できる点であった。
【００２０】
発明の利点
請求項１の特徴部に記載された本発明による製造方法もしくは請求項１３記載の微細加工構成素子は、可動のセンサ構造体のために可能な最大たわみ振幅幅を常に達成できるという利点を有する。
【００２１】
引用形式請求項においては、本発明のそれぞれの対象の有利な実施態様が記載されている。
【００２２】
有利な実施態様によると、センサ構造体内に相互に咬み合う櫛歯を有する櫛状構造体が設けられており、櫛歯の幅と次に隣り合う櫛歯までの２つの距離との合計が、最大トレンチ幅よりも小さいか又は同じであるように設計されている。
【００２３】
有利な実施態様によると、センサ構造体内に折り返されたたわみばね構造体が設けられており、折り返し部の間隔は最大トレンチ幅と同じであるように設計され、その結果、最大振幅幅は折り返し部の数と最大トレンチ幅とを掛けた値と同じである。
【００２４】
もう一つの有利な実施態様によると、基板上に犠牲層が設けられており、この犠牲層はセンサ構造体を可動にするためにエッチングされる。簡素化された態様の場合この基板に犠牲層と第１の微細加工機能層がＳＯＩ（Silicon on Insulator）構造体として設けられていてもよい。
【００２５】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の微細加工機能層の構造化を、前記の第１の微細加工機能層が犠牲層にまで達する第１の通路を有するように行う。さらに、第２の微細加工機能層の構造化を、前記の第２の微細加工機能層が第１の封止層にまで達する第２の通路を有し、前記の第２の通路は第１の封止層の接続領域を通じて第１の通路と接続するように構造化する。その後で、第２の通路をエッチング通路として使用して、第１の封止層を接続領域の除去のためにエッチングする。最終的に、接続領域の除去により相互に接続した第１の及び第２の通路をエッチング通路として使用して犠牲層のエッチングを行う。これはエッチングプロセスのための費用を最小にする、それというのも犠牲層及び第１の封止層は同一のプロセスでエッチングできるためである。
【００２６】
場合により設けられた犠牲層を除去するために、つまり第１の及び第２の微細加工機能層及びその間に介在する第１の封止層を貫通するエッチング通路が作成される。それにより、第２の微細加工機能層の厚さは高めることができ、この第２の微細加工機能層の強度及び剛性は改善される。その結果、より大きな面積に張力をかけることができ、この構成素子をより高いストレスにさらすことができる。犠牲層の除去の際に、条導体−アルミニウムなどに配慮する必要はない、それというのもこれは後の時点で初めて設置されるためである。
【００２７】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の又は第２の微細加工機能層の下方に埋設されたポリシリコン層が設けられる。埋設されたポリシリコン及びその下にある絶縁層の省略も同様に可能である、それというのもセンサ構造体の上方に別の配線平面を提供されるためである。
【００２８】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の及び第２の封止層は、第１の及び第２の微細加工機能層よりも極めて薄く構成される。
【００２９】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の及び／又は第２の封止層は、コンフォーマルでない堆積により、第１のもしくは第２の通路が上部領域内で密栓されるように設けられる。このことは犠牲層除去の際のエッチング時間を短縮する、それというのも通路の一部が密栓されているにすぎないためである。
【００３０】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の及び／又は第２の通路はトレンチ又は孔として構成されており、これらは上方に向かって狭くなっている。
【００３１】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の及び／又は第２の微細加工機能層は導電性材料、有利にポリシリコンから製造される。
【００３２】
もう一つの有利な実施態様によると、第１の及び／又は第２の封止層は誘電性材料、有利に二酸化ケイ素から製造される。
【００３３】
もう一つの有利な実施態様によると、第２の封止層上に、有利にアルミニウムからなる１又は複数の条導体−層が設けられる。
【００３４】
もう一つの有利な実施態様によると、第２の微細加工機能層内に条導体−構造体が組み込まれている。
【００３５】
図面
本発明の実施例を図面及び次の記載で詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の第１の微細加工機能層の図式化した平面図を表す。
【００３７】
図２は、第１のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００３８】
図３は、第２のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００３９】
図４は、第３のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００４０】
図５は、第４のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００４１】
図６は、本発明の根底をなす課題を説明するための、微細加工構成素子の部分断面図Ｖを表す。
【００４２】
図７は、本発明の根底をなす課題を説明するための、図６の改良された部分断面図を表す。
【００４３】
図８は、本発明の根底をなす課題を説明するための、図６のもう一つの改良された部分断面図を表す。
【００４４】
実施例の記載
図面において、同じ引用符号は同じ又は機能的に同じ部材を表す。
【００４５】
図１は、本発明の第１の実施例による微細加工構成素子の第１の微細加工機能層の図式化した平面図を表す。
【００４６】
図１に示した第１の実施態様において、微細加工機能層５内に、次のデザイン特性を有する振動方向９９に櫛状駆動部を備えた櫛状構造体が設けられている。
【００４７】
２つの構造体素子の間の距離は、再充填プロセスにより遮蔽することができる最大距離６６よりも長くない。たとえばこの最大距離は約５μｍである。それにより、常に最大たわみ幅が達成される。
【００４８】
櫛状構造体内では、櫛歯の幅２２と、隣り合う櫛歯までの２つの距離４４との合計が最大距離６６よりも小さいか又は同じである（たとえば、櫛歯の幅  ２μｍ  ＋  ２×距離  １．５μ  ＝  ５μｍ）。
【００４９】
振幅方向９９に対して垂直方向にある、可動のセンサ構造体６の各エッジ部８８は、横方向に延びる櫛状構造体を備えている。
【００５０】
この横方向に延びる櫛状構造体は、たとえばセンサ構造体６の振動を生じさせるための駆動構造体及び検出構造体として使用される。振動方向９９での最大振幅幅５５は、デザインによって簡単に設定することができる。
【００５１】
さらに、折り返されたたわみばね６０の場合には、最大振幅幅５５は折り返し部の数によって拡張され、最大振幅幅５５は折り返し部（この場合６つ）の数と最大間隔６６もしくは最大トレンチ幅とを掛けた値と同じである。
【００５２】
このデザインは、湾曲し、横方向に延びる櫛状構造体を実現することにより、通常は回転振動する構造体に適用することができる。
【００５３】
図２は、第１のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００５４】
図２において、１はシリコン−基板ウェハを、２は下側の酸化物を、３は埋設されたポリシリコン層を、４は犠牲酸化物を、２０は下側の酸化物２内のコンタクトホールを、２１は犠牲酸化物４内のコンタクトホールを表す。
【００５５】
図２に示された構造体の製造のために、まず下側の酸化物２をシリコン−基板ウェハの全面に堆積させる。次の工程でポリシリコンを堆積させかつ構造化し、条導体を埋設されたポリシリコン層３として製造する。
【００５６】
次に、犠牲酸化物４を全ての構造体の全面に、たとえばＬＴＯ（低温酸化物）法又はＴＥＯＳ（テトラエチル−オルトシリケート）法により設置する。引き続きコンタクトホール２０及び２１を予定する箇所に通常のフォト技術及びエッチング技術により作成する。
【００５７】
図３は、第２のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００５８】
図３において、すでに記載した引用符号に加えて、５はエピタキシーポリシリコン層の形の第１の微細加工機能層を、６は後に可動にすべきセンサ構造体（櫛状構造体）を、７は第１の微細加工機能層５中のトレンチを、８は第１の封止酸化物（ＬＴＯ、ＴＥＯＳなど）、９は封止酸化物８からなる、トレンチ７内の栓体を、１６は後の犠牲酸化物エッチングのための酸化物接続領域を、２２は封止酸化物８内のコンタクトホールを表す。
【００５９】
図３に示された構造体を製造するために、まず、第１の微細加工機能層５の形成のために公知のようにエピタキシーポリシリコンを堆積させ、この微細加工機能層５を構造化して、可動にすべきセンサ構造体６及びトレンチ７を形成させる。
【００６０】
続いて、トレンチ７を封止酸化物８で閉鎖するために再充填プロセスを行い、引き続き場合により平坦化を行う。以後特別に述べることはないが、このような平坦化は原則としてそれぞれ全面に層を堆積させた後に行う。
【００６１】
図示した実施例の場合には、再充填は完全ではなく、その下にある構造体を上方で１００％まで覆っているにすぎず、同様に密閉されている。これは図６に詳細に示されている。
【００６２】
次に、コンタクトホール２２を形成するプロセスを通常のフォト技術及びエッチング技術によって行う。このコンタクトホール２２は後に設置すべき第２の微細加工機能層１０（図４参照）の固定のため及び後の犠牲酸化物エッチングのための酸化物接続領域１６の限定のために用いられる。
【００６３】
図４は、第３のプロセス工程での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００６４】
図４において、すでに記載した引用符号に加えて、１０はエピタキシーポリシリコン層の形の形の第２の微細加工機能層を、１１は第２の微細加工機能層１０内のトレンチを表す。
【００６５】
図４に示された構造体を構築するために、第２の微細加工機能層１０を、第１の微細加工機能層５と同様に、その下にあるセンサ構造体６用の安定な封止層として堆積させる。この封止機能の他に、第２の微細加工機能層１０はもちろんこの構成部材に対する接触のため、配線として、上側の電極などとして使用できる。次いで、トレンチ１１の製造のためにこの層１０を構造化し、このトレンチ１１は後にトレンチ９と一緒に犠牲酸化物エッチングのために必要となる。
【００６６】
図５は、第４のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図を表す。
【００６７】
図５において、すでに記載した引用符号に加えて、１３は第２の封止酸化物（ＬＴＯ、ＴＥＯＳなど）を、１４は前記の封止酸化物１３内のコンタクトホールを、１５はコンタクトホール１４を介して第２の微細加工機能層１０と接続しているアルミニウムからなる条導体を表す。
【００６８】
図４で示したプロセス段階から出発して、図５によるプロセス段階に到達するまでに次の工程を実施する。まず、酸化物接続領域１６の除去のためにエッチング通路として第２のトレンチ１１を使用して封止酸化物８をエッチングする。その後に、接続領域１６の除去により相互に接続した第１の及び第２のトレンチ７，１１をエッチング通路として使用して犠牲層４をエッチングする。表面上にアルミニウムが存在しないために、長時間の犠牲酸化物エッチングも可能である。
【００６９】
後続するプロセス工程において、第２の封止酸化物１３の形成のために第２の再充填プロセスを行い、その際、この堆積は同様にコンフォーマルな堆積ではなく、トレンチ１１をその表面でだけ密栓する。これは図６において詳細に図示されている。センサ構造体６内に封入される内部圧力もしくは内部雰囲気は、再充填プロセスにおけるプロセス条件に依存する。このパラメータはたとえばセンサ構造体の減衰を決定する。
【００７０】
引き続き、コンタクトホール１４の形成のために第２の封止酸化物１３を構造化し、アルミニウムからなる条導体層１５を堆積並びに構造化する。
【００７１】
本発明を上記のように有利な実施例を用いて説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明は多様に変更可能である。
【００７２】
特に任意の微細加工基本材料、たとえばゲルマニウムを使用することができ、例示的に記載したシリコン基板だけではない。
【００７３】
任意のセンサ構造体も作成することができ、図示された加速度センサだけではない。
【００７４】
これらの図面に示していないが、トレンチ７もしくは１１は上方に向かって狭くなるように構成されていてもよく、第１のもしくは第２の封止層８，１３のコンフォーマルでない堆積が促進される。
【００７５】
第１の及び第２の微細加工機能層５，１０の層厚は、エピタキシープロセス及び平坦化プロセスによって簡単に変えることができる、それというのも犠牲層エッチングは第２の微細加工機能層の透過性に依存しないためである。
【００７６】
もちろん、微細加工機能層／封止層の工程を複数回行うこともでき、埋設された条導体もそれぞれの微細加工機能層の下側で、その下にある微細加工機能層の上側に設けることができる。
【００７７】
最終的に、アルミニウム又はその他の適当な金属の形の別の配線平面を、その間に存在する誘電体と共に設置することもできる。
【００７８】
たとえば化学機械研磨を用いる個々の平面の場合による平坦化は、唯一のポリシング工程で行うこともでき、有利に第２の封止層に対してだけ行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の第１の微細加工機能層の図式化した平面図
【図２】  第１のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図
【図３】  第２のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図
【図４】  第３のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図
【図５】  第４のプロセス段階での本発明の第１の実施態様による微細加工構成素子の図式化した断面図
【図６】  本発明の根底をなす課題を説明するための、微細加工構成素子の部分断面図
【図７】  本発明の根底をなす課題を説明するための、図６の改良された部分断面図
【図８】  本発明の根底をなす課題を説明するための、図６のもう一つの改良された部分断面図
【図１】
0004886147.tif 000002
【図２】
0004886147.tif 000003
【図３】
0004886147.tif 000004
【図４】
0004886147.tif 000005
【図５】
0004886147.tif 000006
【図６】
0004886147.tif 000007
【図７】
0004886147.tif 000008
【図８】
0004886147.tif 000009