(57)【要約】【課題】小型でシステム設計の自由度が高い光モジュール、光電気複合基板、光信号伝送装置及び画像形成装置を提供する。【解決手段】第１の光電気複合基板２Ａの第１の３層型光モジュール５は、第１のプリント基板（被実装基板）２０Ａに実装され、プリント基板２０Ａ内で光伝送を行うＢＧＡ型の第１のパッケージ（第１の光電変換部）５１０と、第１のパッケージ５１０上に接着剤５０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第２のパッケージ５２０と、第２のパッケージ５２０上に接着剤５０１によって接着されて積層され、第２の光電気複合基板２Ｂと光伝送を行うＢＧＡ型の第３のパッケージ（第２の光電変換部）５３０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装される被実装基板内で光伝送を行う第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを備えた光モジュール。
【請求項２】
前記第１の光電変換部は、光を入力又は出力する面と反対側に実装面を有する表面実装型の光電変換素子を備え、前記光電変換素子は、光を入力又は出力する方向が前記被実装基板に垂直な方向となるように配置された請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記第２の光電変換部は、光を入力又は出力する面と反対側に実装面を有する表面実装型であって、光を入力又は出力する方向が前記被実装基板に垂直な方向となるように配置された光電変換素子と、前記光電変換素子の前記光を入力又は出力する面上に位置する光路変換面を一方の端部に有する光導波路と、前記光導波路の他方の端部に前記外部と光結合する光コネクタとを備えた請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記第１の光電変換部は、前記被実装基板に実装される第１の中継基板と、前記第１の中継基板上に実装された発光又は受光に係る第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子を封止する第１の封止樹脂とを備え、
前記第２の光電変換部は、前記第１の中継基板に積層されて前記第１の中継基板に電気的に接続された第２の中継基板と、前記第２の中継基板上に実装された受光又は発光に係る第２の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子を封止する第２の封止樹脂とを備えた請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記第１の光電変換部は、前記第１の中継基板に実装されて前記第１の封止樹脂により封止され、前記第１の光電変換素子を駆動する駆動回路又は前記第１の光電変換素子の出力信号を増幅する増幅回路を備え、
前記第２の光電変換部は、前記第２の中継基板に実装されて前記第２の封止樹脂により封止され、前記第２の光電変換素子の出力信号を増幅する増幅回路又は前記第２の光電変換素子を駆動する駆動回路を備えた請求項４に記載の光モジュール。
【請求項６】
内部に光導波路を有する被実装基板と、
前記被実装基板に実装され、前記光導波路の一方の端部と光結合する光電変換部と、
前記被実装基板に実装され、前記光導波路の他方の端部と光結合し、前記光電変換部との間で前記光導波路を介して光伝送を行う第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを備えた光電気複合基板。
【請求項７】
内部に光導波路を有する第１の被実装基板と、前記第１の被実装基板に実装され、前記光導波路の一方の端部と光結合する光電変換部と、前記第１の被実装基板に実装され、前記光導波路の他方の端部と光結合し、前記光電変換部との間で前記光導波路を介して光伝送を行う第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記第１の被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを有する第１の光電気複合基板と、
第２の被実装基板と、前記第２の被実装基板上に実装されて光信号と電気信号との間で変換を行う第３の光電変換部とを有する第２の光電気複合基板と、
前記第１の光電気複合基板の前記第２の光電変換部と前記第２の光電気複合基板の前記第３の光電変換部との間で光伝送を行う光伝送媒体とを備えた光信号伝送装置。
【請求項８】
前記光電変換部、及び前記第１乃至第３の光電変換部は、アレイ状に配列された複数の光電変換素子を備え、前記光伝送媒体は、画像信号を伝送する複数の光ファイバを備えた請求項７に記載の光信号伝送装置と、
前記画像信号を記録媒体に印刷する印刷部とを備えた画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール、光電気複合基板、光信号伝送装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化・高機能化に伴い、それに使用される機器や媒体の部品点数の削減、及び小型化が要求されている。
【０００３】
このような要求を満たす技術として、複数の半導体素子を積層して一つのパッケージとするパッケージオンパッケージ(PoP：Package on Package）が開発されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００４】
パッケージオンパッケージでは、基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージ上に別の半導体パッケージを積層して一体化し、複数の機能を１つのパッケージ実装で実現することができる。さらに、パッケージ化するデバイスの選択自由度が高くなる、パッケージ毎にテストすることが可能となり歩留まりロスを軽減できるなどの利点を有している。
【０００５】
特許文献１に記載された光電子集積素子は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型のパッケージの側面に発光素子と受光素子をアレイ状に一体化したものであり、電気配線基板上に光配線層を積層してなる光電気混載配線基板に設けた凹部に装着して用いられる。また、光電気混載配線基板間の光通信は、光電子集積素子とは別に光電気混載配線基板の端部に設けた光コネクタを光導波路シートに接続して行っている。
【０００６】
特許文献２に記載された光モジュールは、基板上に実装された半導体チップと、基板と半導体チップを貫通するように形成された穴に挿通された光ファイバと、半導体チップ上に実装された光素子とを備え、半導体チップ及び光素子を樹脂で封止してパッケージ化されている。このように構成された光モジュールを有する電子機器間の光通信は、光ファイバから導出した光ファイバによって行っている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３６１９７号公報
【特許文献２】特開２００１−５９９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、小型でシステムの自由度が高い光モジュール、光電気複合基板、光信号伝送装置及び画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、以下の光モジュール、光電気複合基板、光信号伝送装置及び画像形成装置を提供する。
【００１０】
［１］実装される被実装基板内で光伝送を行う第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを備えた光モジュール。
【００１１】
［２］前記第１の光電変換部は、光を入力又は出力する面と反対側に実装面を有する表面実装型の光電変換素子を備え、前記光電変換素子は、光を入力又は出力する方向が前記被実装基板に垂直な方向となるように配置された前記［１］に記載の光モジュール。
【００１２】
［３］前記第２の光電変換部は、光を入力又は出力する面と反対側に実装面を有する表面実装型であって、光を入力又は出力する方向が前記被実装基板に垂直な方向となるように配置された光電変換素子と、前記光電変換素子の前記光を入力又は出力する面上に位置する光路変換面を一方の端部に有する光導波路と、前記光導波路の他方の端部に前記外部と光結合する光コネクタとを備えた前記［１］又は［２］に記載の光モジュール。
【００１３】
［４］前記第１の光電変換部は、前記被実装基板に実装される第１の中継基板と、前記第１の中継基板上に実装された発光又は受光に係る第１の光電変換素子と、前記第１の光電変換素子を封止する第１の封止樹脂とを備え、前記第２の光電変換部は、前記第１の中継基板に積層されて前記第１の中継基板に電気的に接続された第２の中継基板と、前記第２の中継基板上に実装された受光又は発光に係る第２の光電変換素子と、前記第２の光電変換素子を封止する第２の封止樹脂とを備えた前記［１］に記載の光モジュール。
【００１４】
［５］前記第１の光電変換部は、前記第１の中継基板に実装されて前記第１の封止樹脂により封止され、前記第１の光電変換素子を駆動する駆動回路又は前記第１の光電変換素子の出力信号を増幅する増幅回路を備え、前記第２の光電変換部は、前記第２の中継基板に実装されて前記第２の封止樹脂により封止され、前記第２の光電変換素子の出力信号を増幅する増幅回路又は前記第２の光電変換素子を駆動する駆動回路を備えた前記［４］に記載の光モジュール。
【００１５】
［６］内部に光導波路を有する被実装基板と、
前記被実装基板に実装され、前記光導波路の一方の端部と光結合する光電変換部と、
前記被実装基板に実装され、前記光導波路の他方の端部と光結合し、前記光電変換部との間で前記光導波路を介して光伝送を行う第１の光電変換部と、
前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを備えた光電気複合基板。
【００１６】
［７］内部に光導波路を有する第１の被実装基板と、前記第１の被実装基板に実装され、前記光導波路の一方の端部と光結合する光電変換部と、前記第１の被実装基板に実装され、前記光導波路の他方の端部と光結合し、前記光電変換部との間で前記光導波路を介して光伝送を行う第１の光電変換部と、前記第１の光電変換部に積層されて前記第１の光電変換部に電気的に接続され、前記第１の被実装基板以外の外部と光伝送を行う第２の光電変換部とを有する第１の光電気複合基板と、
第２の被実装基板と、前記第２の被実装基板上に実装されて光信号と電気信号との間で変換を行う第３の光電変換部とを有する第２の光電気複合基板と、
前記第１の光電気複合基板の前記第２の光電変換部と前記第２の光電気複合基板の前記第３の光電変換部との間で光伝送を行う光伝送媒体とを備えた光信号伝送装置。
【００１７】
［８］前記光電変換部、及び前記第１乃至第３の光電変換部は、アレイ状に配列された複数の光電変換素子を備え、前記光伝送媒体は、画像信号を伝送する複数の光ファイバを備えた前記［７］に記載の光信号伝送装置と、
前記画像信号を記録媒体に印刷する印刷部とを備えた画像形成装置。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に係る光モジュールによれば、小型でシステム設計の自由度が高くなる。
【００１９】
請求項２に係る光モジュールによれば、高さ方向の小型化が図れる。
【００２０】
請求項３に係る光モジュールによれば、高さ方向の小型化が図れ、外部との接続の自由度が高くなる。
【００２１】
請求項４に係る光モジュールによれば、発光に係る光電変換素子及び駆動回路から受光に係る光電変換素子及び増幅回路へノイズが混入するのを抑制することができる。
【００２２】
請求項５に係る光モジュールによれば、取り扱いが容易になり、異常検証を光電変換部単体で行うことができる。
【００２３】
請求項６に係る光電気複合基板によれば、小型でシステム設計の自由度が高くなる。
【００２４】
請求項７に係る光信号伝送装置によれば、小型でシステム設計の自由度が高くなる。
【００２５】
請求項８に係る画像形成装置によれば、小型でシステム設計の自由度が高くなり、画像信号の高速伝送が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号伝送装置の概略の構成例を示す斜視図である。
【００２７】
この光信号伝送装置１は、光回路と電気回路が複合して形成された第１の光電気複合基板２Ａと、光回路と電気回路が複合して形成され、第１の光電気複合基板２Ａと光伝送媒体３を介して光通信する第２の光電気複合基板２Ｂとを有して構成されている。
【００２８】
第１の光電気複合基板２Ａは、光導波路２１Ａを内部に有する第１のプリント基板（被実装基板）２０Ａと、この第１のプリント基板２０Ａ上に実装された第１の２層型光モジュール４及び第１の３層型光モジュール５とを備える。
【００２９】
第２の光電気複合基板２Ｂは、光導波路２１Ｂを内部に有する第２のプリント基板（被実装基板）２０Ｂと、この第２のプリント基板２０Ｂ上に実装された第２の３層型光モジュール６及び第２の２層型光モジュール７とを備える。
【００３０】
図２は、第１の２層型光モジュール及び第１のプリント基板の構成例を示す、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、第１の３層型光モジュール及び第１のプリント基板の構成例を示す、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【００３１】
＜第１の２層型光モジュール＞
この第１の２層型光モジュール４は、図２に示すように、第１のプリント基板２０Ａに実装されるＢＧＡ型の第１のパッケージ（光電変換部）４１０と、第１のパッケージ４１０上に接着剤４０１によって接合されて積層されたＢＧＡ型の第２のパッケージ４２０とを備える。なお、光モジュール４のパッケージ数は、２つに限られず、１つ又は３つ以上でもよい。
【００３２】
（第１のパッケージ）
第１のパッケージ４１０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第１の中継基板４１１と、第１の中継基板４１１の下面４１１ａに実装され、光を出力する光出力面４１２ａと反対側に実装面を有する表面実装型の発光素子アレイ４１２と、第１の中継基板４１１の上面４１１ｂに実装され、発光素子アレイ４１２を駆動する駆動用ＩＣ４１３とを備え、発光素子アレイ４１２及び駆動用ＩＣ４１３をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂４１８Ａ，４１８Ｂにより封止してパッケージ化している。
【００３３】
発光素子アレイ４１２を封止する封止樹脂４１８Ａは、発光素子アレイ４１２の光出力面４１２ａの光出力部が露出するように光透過用窓４１８ａを設けている。なお、光出力面４１２ａと光導波路２１Ａとの間の空隙を透光性を有する光学樹脂によって充填してもよい。
【００３４】
第１の中継基板４１１の下面４１１ａ及び上面４１１ｂには、それぞれパッド４１４を含む配線パターンが形成され、下面４１１ａ及び上面４１１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール４１５によって接続されている。また、第１の中継基板４１１は、下面４１１ａのパッド４１４に接続された半田ボール（導電性ボール）４１６を介して第１のプリント基板２０Ａに電気的に接続される。
【００３５】
発光素子アレイ４１２は、複数（例えば４つ）の発光素子（光電変換素子）が一列に配列され、発光素子は、例えば、面型発光ダイオードや面発光レーザ等を用いることができる。本実施の形態では、面発光レーザを用いる。この面発光レーザを用いた面発光レーザアレイは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ側電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面にｎ側電極を形成したものであり、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、およびｐ側電極は、発光素子毎に形成されている。そして、ｎ側電極が導電性接着剤によって第１の中継基板４１１の下面４１１ａ中央に形成されたパッド４１４上に接合され、ｐ側電極がワイヤ４１７によって下面４１１ａ周辺に形成されたパッド４１４に電気的に接続されている。
【００３６】
駆動用ＩＣ４１３は、接着剤によって第１の中継基板４１１の上面４１１ｂに接合され、ワイヤ４１７によって上面４１１ｂのパッド４１４に電気的に接続されている。
【００３７】
（第２のパッケージ）
第２のパッケージ４２０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第２の中継基板４２１と、第２の中継基板４２１の上面４２１ｂに実装された画像データ等の情報を記憶するメモリＩＣ４２２とを備え、メモリＩＣ４２２をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂４２８により封止してパッケージ化している。
【００３８】
第２の中継基板４２１の下面４２１ａ及び上面４２１ｂには、それぞれパッド４２４を含む配線パターンが形成され、下面４２１ａ及び上面４２１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール４２５によって接続されている。また、第２の中継基板４２１は、下面４２１ａのパッド４２４に接続された半田ボール（導電性ボール）４２６を介して第１の中継基板４１１に電気的に接続されている。
【００３９】
メモリＩＣ４２２は、接着剤によって第２の中継基板４２１の上面４２１ｂに接合され、ワイヤ４２７によって上面４２１ｂのパッド４２４に電気的に接続されている。
【００４０】
＜第１の３層型光モジュール＞
第１の３層型光モジュール５は、図３に示すように、第１のプリント基板２０Ａに実装されるＢＧＡ型の第１のパッケージ（第１の光電変換部）５１０と、第１のパッケージ５１０上に接着剤５０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第２のパッケージ５２０と、第２のパッケージ５２０上に接着剤５０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第３のパッケージ（第２の光電変換部）５３０とを備える。なお、光モジュール５のパッケージ数は、３つに限られず、１つ、２つ又は４つ以上でもよい。
【００４１】
（第１のパッケージ）
第１のパッケージ５１０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第１の中継基板５１１と、第１の中継基板５１１の下面５１１ａに実装され、光を入力する光入力面５１２ａと反対側に実装面を有する表面実装型の受光素子アレイ５１２と、第１の中継基板５１１の上面５１１ｂに実装され、受光素子アレイ５１２の出力信号を増幅する増幅用ＩＣ５１３とを備え、受光素子アレイ５１２及び増幅用ＩＣ５１３をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂５１８Ａ，５１８Ｂにより封止してパッケージ化している。
【００４２】
受光素子アレイ５１２を封止する封止樹脂５１８Ａは、受光素子アレイ５１２の光入力面５１２ａの光入力部が露出するように光透過用窓５１８ａを設けている。なお、光入力面５１２ａと光導波路２１Ａとの間の空隙を透光性を有する光学樹脂によって充填してもよい。
【００４３】
第１の中継基板５１１の下面５１１ａ及び上面５１１ｂには、それぞれパッド５１４を含む配線パターンが形成され、下面５１１ａ及び上面５１１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール５１５によって接続されている。また、第１の中継基板５１１は、下面５１１ａのパッド５１４に接続された半田ボール（導電性ボール）５１６を介して第１のプリント基板２０Ａに電気的に接続される。
【００４４】
受光素子アレイ５１２は、複数（例えば４つ）の受光素子（光電変換素子）が一列に配列され、受光素子は、例えば、面型のフォトダイオード等を用いることができる。本実施の形態では、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。このＰＩＮフォトダイオードを用いた受光素子アレイ５１２は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層およびＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ側電極と、Ｎ層に形成されたｎ側電極とを備え、Ｐ層、Ｉ層、Ｎ層、ｐ側電極およびｎ側電極は、受光素子毎に形成されされている。そして、受光素子アレイ５１２は、接着剤によって第１の中継基板５１１の下面５１１ａに接合され、ｐ側電極およびｎ側電極がワイヤ５１７によって下面５１１ａに形成されたパッド５１４に電気的に接続されている。
【００４５】
増幅用ＩＣ５１３は、接着剤によって第１の中継基板５１１の上面５１１ｂに接合され、ワイヤ５１７によって上面５１１ｂのパッド５１４に電気的に接続されている。
【００４６】
（第２のパッケージ）
第２のパッケージ５２０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第２の中継基板５２１と、第２の中継基板５２１の上面５２１ｂに実装され、増幅用ＩＣ５１３の出力信号に所定の処理を施すＬＳＩ５２２とを備え、ＬＳＩ５２２をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂５２８により封止してパッケージ化している。
【００４７】
第２の中継基板５２１の下面５２１ａ及び上面５２１ｂには、それぞれパッド５２４を含む配線パターンが形成され、下面５２１ａ及び上面５２１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール５２５によって接続されている。また、第２の中継基板５２１は、下面５２１ａのパッド５２４に接続された半田ボール（導電性ボール）５２６を介して第１の中継基板５１１に電気的に接続されている。
【００４８】
ＬＳＩ５２２は、接着剤によって第２の中継基板５２１の上面５２１ｂに接合され、ワイヤ５２７によって上面５２１ｂのパッド５２４に電気的に接続されている。
【００４９】
（第３のパッケージ）
第３のパッケージ５３０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第３の中継基板５３１と、第３の中継基板５３１の上面５３１ｂに実装された発光素子アレイ５３２、及び発光素子アレイ５３２を駆動する駆動用ＩＣ５３３と、一方の端部で発光素子アレイ５３２と光結合する光導波路５４１と、光導波路５４１の他方の端部に設けられた光コネクタ５４２とを備え、発光素子アレイ５３２、駆動用ＩＣ５３３、及び光導波路５４１の一方の端部側をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂５３８により封止してパッケージ化している。
【００５０】
第３の中継基板５３１の下面５３１ａ及び上面５３１ｂには、それぞれパッド５３４を含む配線パターンが形成され、下面５３１ａ及び上面５３１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール５３５によって接続されている。また、第３の中継基板５３１は、下面５３１ａのパッド５３４に接続された半田ボール（導電性ボール）５３６を介して第２の中継基板５２１に電気的に接続されている。
【００５１】
光導波路５４１は、コア５４１ａと、コア５４１ａの周囲に形成され、コア５４１ａよりも小さい屈折率を有するクラッド５４１ｂと、一方の端部に形成された傾斜面に設けられた金属膜５４１ｃとを備える。この光導波路５４１は、例えば、厚さ０．１〜０．２ｍｍ、許容曲げ半径３ｍｍ以下の可撓性を有する高分子導波路フィルムを用いることができる。なお、光導波路５４１は、光ファイバでもよい。
【００５２】
発光素子アレイ５３２は、第１の２層型光モジュール４の発光素子アレイ４１２と同様の構成を用いることができ、ｎ側電極が導電性接着剤によって第３の中継基板５３１の上面５３１ｂ中央に形成されたパッド５３４上に接合され、ｐ側電極がワイヤ５３７によって上面５３１ｂ周辺に形成されたパッド５３４に電気的に接続されている。
【００５３】
駆動用ＩＣ６１３は、接着剤によって第３の中継基板５３１の上面５３１ｂに接合され、ワイヤ５３７によって上面５３１ｂのパッド５３４に電気的に接続されている。
【００５４】
＜第１のプリント基板＞
第１のプリント基板２０Ａは、第１の基板２００Ａと第２の基板２０１Ａとの間に、光導波路２１Ａを配置した構造を有する。なお、第１のプリント基板２０Ａを構成する基板の数は、２つに限られず、３つ以上でもよいし、第２の基板２０１Ａが無くてもよい。
【００５５】
（第１の基板）
第１の基板２００Ａは、例えば、厚みが０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の上面に形成され、端子２０３を含む各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続される導電性パターンとを有する。また、第１の基板２００Ａには、発光素子アレイ４１２に対応する位置に発光側開口２０２ａが形成され、受光素子アレイ５１２に対応する位置に受光側開口２０２ｂが形成されている。
【００５６】
（第２の基板）
第２の基板２０１Ａは、例えば、厚みが１ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続される導電性パターンとを有する。
【００５７】
（光導波路）
光導波路２１Ａは、例えば、全体の厚みが０．１〜０．２ｍｍであり、５０×５０μｍの断面矩形状を有する４本のコア２１０と、これらのコア２１０の周囲に形成されてコア２１０より屈折率が小さいクラッド２１１とで構成される。また、光導波路２１Ａは、発光素子アレイ４１２に対向する位置に光路変換面２１２Ａを有し、受光素子アレイ５１２に対向する位置に光路変換面２１２Ｂを有する。
【００５８】
図４は、第２の３層型光モジュール及び第２のプリント基板の構成例を示す、図１のＣ−Ｃ断面図である。図５は、第２の２層型光モジュール及び第２のプリント基板の構成例を示す、図１のＤ−Ｄ断面図である。
【００５９】
＜第２の３層型光モジュール＞
第２の３層型光モジュール６は、図４に示すように、第２のプリント基板２０Ｂに実装されるＢＧＡ型の第１のパッケージ（第１の光電変換部）６１０と、第１のパッケージ６１０上に接着剤６０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第２のパッケージ６２０と、第２のパッケージ６２０上に接着剤６０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第３のパッケージ（第２の光電変換部）６３０とを備える。なお、光モジュール６のパッケージ数は、３つに限られず、１つ、２つ又は４つ以上でもよい。
【００６０】
（第１のパッケージ）
第１のパッケージ６１０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第１の中継基板６１１と、第１の中継基板６１１の下面６１１ａに実装され、光を出力する光出力面６１２ａと反対側に実装面を有する表面実装型の発光素子アレイ６１２と、第１の中継基板６１１の上面６１１ｂに実装され、発光素子アレイ６１２を駆動する駆動用ＩＣ６１３とを備え、発光素子アレイ６１２及び駆動用ＩＣ６１３をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂６１８Ａ，６１８Ｂにより封止してパッケージ化している。
【００６１】
発光素子アレイ６１２を封止する封止樹脂６１８Ａは、発光素子アレイ６１２の光出力面６１２ａの光入力部が露出するように光透過用窓６１８ａを設けている。なお、光出力面６１２ａと光導波路２１Ａとの間の空隙を透光性を有する光学樹脂によって充填してもよい。
【００６２】
第１の中継基板６１１の下面６１１ａ及び上面６１１ｂには、それぞれパッド６１４を含む配線パターンが形成され、下面６１１ａ及び上面６１１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール６１５によって接続されている。また、第１の中継基板６１１は、下面６１１ａのパッド６１４に接続された半田ボール（導電性ボール）６１６を介して第２のプリント基板２０Ｂに電気的に接続される。
【００６３】
発光素子アレイ６１２は、第１の２層型光モジュール４の発光素子アレイ４１２と同様の構成を用いることができ、ｎ側電極が導電性接着剤によって第１の中継基板６１１の下面６１１ａ中央に形成されたパッド６１４上に接合され、ｐ側電極がワイヤ６１７によって下面６１１ａ周辺に形成されたパッド６１４に電気的に接続されている。
【００６４】
駆動用ＩＣ６１３は、接着剤によって第１の中継基板６１１の上面６１１ｂに接合され、ワイヤ６１７によって上面６１１ｂのパッド６１４に電気的に接続されている。
【００６５】
（第２のパッケージ）
第２のパッケージ６２０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第２の中継基板６２１と、第２の中継基板６２１の上面６２１ｂに実装されたＬＳＩ６２２とを備え、ＬＳＩ６２２をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂６２８により封止してパッケージ化している。
【００６６】
第２の中継基板６２１の下面６２１ａ及び上面６２１ｂには、それぞれパッド６２４を含む配線パターンが形成され、下面６２１ａ及び上面６２１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール６２５によって接続されている。また、第２の中継基板６２１は、下面６２１ａのパッド６２４に接続された半田ボール（導電性ボール）６２６を介して第１の中継基板６１１に電気的に接続されている。
【００６７】
ＬＳＩ６２２は、接着剤によって第２の中継基板６２１の上面６２１ｂに接合され、ワイヤ６２７によって上面６２１ｂのパッド６２４に電気的に接続されている。
【００６８】
（第３のパッケージ）
第３のパッケージ６３０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第３の中継基板６３１と、第３の中継基板６３１の上面６３１ｂに実装された受光素子アレイ６３２、及び受光素子アレイ６３２の出力信号を増幅する増幅用ＩＣ６３３と、一方の端部で受光素子アレイ６３２と光結合する光導波路６４１と、光導波路６４１の他方の端部に設けられた光コネクタ６４２とを備え、受光素子アレイ６３２、増幅用ＩＣ６３３、及び光導波路６４１の一方の端部側をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂６３８により封止してパッケージ化している。
【００６９】
第３の中継基板６３１の下面６３１ａ及び上面６３１ｂには、それぞれパッド６３４を含む配線パターンが形成され、下面６３１ａ及び上面６３１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール６３５によって接続されている。また、第３の中継基板６３１は、下面６３１ａのパッド６３４に接続された半田ボール（導電性ボール）６３６を介して第２の中継基板６２１に電気的に接続されている。
【００７０】
光導波路６４１は、コア６４１ａと、コア６４１ａの周囲に形成され、コア６４１ａよりも小さい屈折率を有するクラッド６４１ｂと、一方の端部に形成された傾斜面に設けられた金属膜６４１ｃとを備える。この光導波路６４１は、例えば、厚さ０．１〜０．２ｍｍ、許容曲げ半径３ｍｍ以下の可撓性を有する高分子導波路フィルムを用いることができる。なお、光導波路６４１は、光ファイバでもよい。
【００７１】
受光素子アレイ６３２は、第１の３層型光モジュール５の受光素子アレイ５１２と同様のものを用いることができ、接着剤によって第３の中継基板６３１の上面６３１ｂに接合され、ｐ側電極およびｎ側電極は、ワイヤ６３７によって上面６３１ｂに形成されたパッド６３４に電気的に接続されている。
【００７２】
増幅用ＩＣ６３３は、接着剤によって第３の中継基板６３１の上面６３１ｂに接合され、ワイヤ６３７によって上面６３１ｂのパッド６３４に電気的に接続されている。
【００７３】
＜第２の２層型光モジュール＞
第２の２層型光モジュール７は、図５に示すように、第２のプリント基板２０Ｂに実装されるＢＧＡ型の第１のパッケージ（光電変換部）７１０と、第１のパッケージ７１０上に接着剤７０１によって接着されて積層されたＢＧＡ型の第２のパッケージ７２０とを備える。なお、光モジュール７のパッケージ数は、２つに限られず、１つ又は３つ以上でもよい。
【００７４】
（第１のパッケージ）
第１のパッケージ７１０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第１の中継基板７１１と、第１の中継基板７１１の下面７１１ａに実装され、光を入力する光入力面７１２ａと反対側に実装面を有する表面実装型の受光素子アレイ７１２と、第１の中継基板７１１の上面７１１ｂに実装され、受光素子アレイ７１２の出力信号を増幅する増幅用ＩＣ７１３とを備え、受光素子アレイ７１２及び増幅用ＩＣ７１３をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂７１８Ａ，７１８Ｂによる封止してパッケージ化している。
【００７５】
受光素子アレイ７１２を封止する封止樹脂７１８Ａは、受光素子アレイ７１２の光入力面７１２ａの光入力部が露出するように光透過用窓７１８ａを設けている。なお、光入力面７１２ａと光導波路２１Ｂとの間の空隙を透光性を有する光学樹脂によって充填してもよい。
【００７６】
第１の中継基板７１１の下面７１１ａ及び上面７１１ｂには、それぞれパッド７１４を含む配線パターンが形成され、下面７１１ａ及び上面７１１ｂに形成された配線パターン間は、スルーホール７１５によって接続されている。また、第１の中継基板７１１は、下面７１１ａのパッド７１４に接続された半田ボール（導電性ボール）７１６を介して第２のプリント基板２０Ｂに電気的に接続される。
【００７７】
受光素子アレイ７１２は、第１の３層型光モジュール５の受光素子アレイ５１２と同様のものを用いることができ、接着剤によって第１の中継基板７１１の下面７１１ａに接合され、ｐ側電極およびｎ側電極がワイヤ７１７によって下面７１１ａに形成されたパッド７１４に電気的に接続されている。
【００７８】
（第２のパッケージ）
第２のパッケージ７２０は、樹脂、ガラス、セラミック等の絶縁性材料からなる第２の中継基板７２１と、第２の中継基板７２１の上面７２１ｂに実装され、増幅用ＩＣ７１３の出力信号に所定の処理を施す信号処理用ＬＳＩ７２２とを備え、信号処理用ＬＳＩ７２２をエポキシ樹脂等の絶縁性材料からなる封止樹脂７２８により封止してパッケージ化している。
【００７９】
第２の中継基板７２１の下面７２１ａ及び上面７２１ｂには、それぞれパッド７２４を含む配線パターンが形成されている。下面７２１ａに形成された配線パターンと上面７２１ｂに形成された配線パターンとは、スルーホール７２５によって接続されている。第２の中継基板７２１は、下面７２１ａのパッド７２４に接続された半田ボール（導電性ボール）７２６を介して第１の中継基板７１１に電気的に接続されている。
【００８０】
信号処理用ＬＳＩ７２２は、接着剤によって第２の中継基板７２１の上面７２１ｂに接合され、ワイヤ７２７によって上面７２１ｂのパッド７２４に電気的に接続されている。
【００８１】
＜第２のプリント基板＞
第２のプリント基板２０Ｂは、第１のプリント基板２０Ａと同様に構成されており、第１の基板２００Ｂと第２の基板２０１Ｂとの間に、光導波路２１Ｂを配置した構造を有する。なお、第２のプリント基板２０Ｂを構成する基板の数は、２つに限られず、３つ以上でもよいし、第２の基板２０１Ｂが無くてもよい。
【００８２】
（第１の基板）
第１の基板２００Ｂは、例えば、厚みが０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の上面に形成され、端子２０３を含む各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続される導電性パターンとを有する。また、第１の基板２００Ｂには、発光素子アレイ６１２に対応する位置に発光側開口２０２ａが形成され、受光素子アレイ７１２に対応する位置に受光側開口２０２ｂが形成されている。
【００８３】
（第２の基板）
第２の基板２０１Ｂは、例えば、厚みが１ｍｍのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基材と、この基材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続される導電性パターンとを有する。
【００８４】
（光導波路）
光導波路２１Ｂは、例えば、全体の厚みが０．１〜０．２ｍｍであり、５０×５０μｍの断面矩形状を有する４本のコア２１０と、これらのコア２１０の周囲に形成されてコア２１０より屈折率が小さいクラッド２１１とで構成される。また、光導波路２１Ｂは、発光素子アレイ６１２に対向する位置に光路変換面２１２Ａを有し、受光素子アレイ７１２に対向する位置に光路変換面２１２Ｂを有する。
【００８５】
図６は、光伝送媒体３の構成例を示す斜視図である。光伝送媒体３は、第１の光電気複合基板２Ａの光コネクタ５４２に接続する光コネクタ３１Ａと、第２の光電気複合基板２Ｂの光コネクタ６４２に接続する光コネクタ３１Ｂと、光コネクタ３１Ａ，３１Ｂに端部が固定された光ファイバ３０とを備える。光コネクタ５４２には、両端に一対のピン穴５４２ａが形成され、光コネクタ３１Ａには、一対のピン穴５４２ａに嵌合する一対のピン３２が突設されている。光コネクタ６４２には、両端に一対のピン穴６４２ａが形成され、光コネクタ３１Ｂには、一対のピン穴６４２ａに嵌合する一対のピン３２が突設されている。光コネクタ３１Ａのピン３２を光コネクタ５４２のピン穴５４２ａに嵌合され、光コネクタ３１Ｂのピン３２を光コネクタ６４２のピン穴６４２ａに嵌合されることにより、第１の光電気複合基板２Ａの光コネクタ５４２と、第２の光電気複合基板２Ｂの光コネクタ６４２とが光学的に接続される。なお、光コネクタ５４２，３１Ａ間、及び光コネクタ６４２，３１Ｂ間は、光コネクタ５４２，３１Ａ、及び光コネクタ６４２，３１Ｂにばね材料から形成された固定部材をそれぞれ装着することで固定してもよい。
【００８６】
（光信号伝送装置の動作）
以下に、光信号伝送装置１の動作について説明する。
【００８７】
（１）光信号の送受信
ここでは、一例として、画像信号を第１の光電気複合基板２Ａから第２の光電気複合基板２Ｂに送信する場合について説明する。第１の２層型光モジュール４の駆動用ＩＣ４１３は、メモリＩＣ４２２に記憶されている画像データに基づいて発光素子アレイ４１２に駆動信号を出力する。発光素子アレイ４１２は、駆動信号に基づいて光信号を光透過用窓４１８ａ及び第１のプリント基板２０Ａの発光側開口２０２ａを介して光導波路２１Ａの光路変換面２１２Ａに向けて送信する。このとき、発光素子のｐ型電極とｎ型電極間に駆動信号の電圧が印加され、発光層の発光領域から例えば、波長８５０ｎｍのレーザ光を光信号として出力する。
【００８８】
光路変換面２１２Ａに入射した光信号は、光路変換面２１２Ａで光路が変換され、コア２１０を伝播し、他方の光路変換面２１２Ｂで光路が変換された後、受光側開口２０２ｂ及び光透過用窓５１８ａを通過して第１の３層型光モジュール５の受光素子アレイ５１２に受光される。受光素子は、受光した光信号を電気信号に変換して増幅用ＩＣ５１３に出力する。
【００８９】
増幅用ＩＣ５１３は、変換された電気信号を増幅し、ＬＳＩ５２２は、増幅用ＩＣ５１３からの信号を処理して画像信号を生成し、駆動用ＩＣ５３３に出力する。
【００９０】
駆動用ＩＣ５３３は、画像信号に基づいて発光素子アレイ５３２に駆動信号を出力する。発光素子アレイ５３２は、駆動信号に基づいて光信号を光導波路５４１の金属膜５４１ｃに向けて出射する。光信号は、金属膜５４１ｃで光路が変換し、コア５４１ａを伝播し、光伝送媒体３を介して第２の光電気複合基板２Ｂの第２の３層型光モジュール６に送られる。第１の光電気複合基板２Ａから第２の光電気複合基板２Ｂに送信する画像信号は、例えば、Ｒ信号、Ｇ信号、Ｂ信号、クロック信号である。
【００９１】
第２の光電気複合基板２Ｂの第２の３層型光モジュール６の受光素子アレイ６３２が、画像信号を受信すると、それを電気信号に変換する。増幅用ＩＣ６３３は、受光素子アレイ６３２からの電気信号を増幅し、ＬＳＩ６２２は、増幅用ＩＣ６３３からの信号に所定の処理を施し、駆動用ＩＣ６１３に送信する。駆動用ＩＣ６１３は、駆動信号を発光素子アレイ６１２に送信する。発光素子アレイ６１２は、駆動信号に基づいて光信号を出力する。発光素子アレイ６１２から出力された光信号は、光透過用窓６１２ａ及び発光側開口２０２ａを介して光導波路２１Ｂの光路変換面２１２Ａに入射する。光路変換面２１２Ａに入射した光信号は、光路変換面２１２Ａで光路が変換され、コア２１０を伝播し、他方の光路変換面２１２Ｂで光路が変換された後、受光側開口２０２ｂ及び光透過用窓７１８ａを介して受光素子アレイ７１２に入射する。
【００９２】
受光素子アレイ７１２は、受光した光信号を電気信号に変換し、増幅用ＩＣ７１３に出力する。増幅用ＩＣ７１３は、受光素子アレイ７１２からの電気信号を増幅し、信号処理用ＬＳＩ７２２は、増幅された電気信号に所定の処理を施して第２のプリント基板２０Ｂ上の電子部品に出力する。
【００９３】
［第２の実施の形態］
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号伝送装置が適用された画像形成装置の概略の構成を示すブロック図である。
【００９４】
この画像形成装置４０は、原稿から画像データを光学的に読み取ってＲＧＢデータを得るスキャナユニット５０と、スキャナユニット５０により読み取られたＲＧＢデータをＣＭＹＫデータに変換する画像処理ユニット６０と、画像形成装置４０全体を制御する本体ユニット７０と、ユーザが操作する操作部及びユーザに表示する表示部を有するユーザインターフェイスユニット８０と、画像処理ユニット６０によって形成されたＣＭＹＫデータに画像出力特性に応じた補正、加工、編集を施して得られた画像データを用紙、プラスチックシート、電子ペーパ等の記録媒体に印刷する画像形成ユニット９０とを有して構成されている。
【００９５】
スキャナユニット５０には、光モジュール５２が実装されたスキャナユニット用基板５１が設けられている。画像処理ユニット６０には、光モジュール６２、６４が実装された画像処理ユニット用基板６１が設けられている。本体ユニット７０には、光モジュール７２、７４が実装された本体ユニット用基板７１が設けられている。ユーザインターフェイスユニット８０には、光モジュール８２が実装されたユーザインターフェイスユニット用基板８１が設けられている。画像形成ユニット９０には、光モジュール９２が実装された画像形成ユニット用基板９１が設けられている。なお、図７中、各ユニット４０，５０，６０，７０，８０，９０間を結ぶ実線で示す矢印は、制御信号を示し、白抜きで示す矢印は、画像データを示し、破線で示す矢印は、ビデオデータを示す。
【００９６】
図８は、図７に示す画像形成装置の要部を示す斜視図である。
【００９７】
スキャナユニット用基板５１には、上記光モジュール５２が実装され、光モジュール５２から光導波路５２ａ及び光コネクタ５２ｂが導出されている。
【００９８】
画像処理ユニット用基板６１は、第１の実施の形態の第１の光電気複合基板２Ａに相当するものであり、光導波路６３を内部に有し、光導波路６３の両端にそれぞれ上記光モジュール６２と上記光モジュール６４が光結合し、光モジュール６４から光導波路６４ａ及び光コネクタ６４ｂが導出されている。
【００９９】
本体ユニット用基板７１は、第１の実施の形態の第２の光電気複合基板２Ａに相当するものであり、光導波路７３を内部に有し、光導波路７３の両端にそれぞれ上記光モジュール７２と上記光モジュール７４が光結合し、光モジュール７２から光導波路７２ａ及び光コネクタ７２ｂが導出され、光モジュール７４から光導波路７４ａ及び光コネクタ７４ｂが導出されている。
【０１００】
ユーザインターフェイスユニット用基板８１には、上記光モジュール８２が実装され、光モジュール８２から光導波路８２ａ及び光コネクタ８２ｂが導出されている。
【０１０１】
画像形成ユニット用基板９１には、上記光モジュール９２が実装され、光モジュール９２から光導波路９２ａ及び光コネクタ９２ｂが導出されている。
【０１０２】
スキャナユニット用基板５１の光モジュール５２、画像処理ユニット用基板６１の光モジュール６４、本体ユニット用基板７１の光モジュール７２、及び画像形成ユニット用基板９１の光モジュール９２間は、図６に示す構成と同様に、光ファイバ３１１の両端に光コネクタ３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄを設けた光伝送媒体３１０によって接続されている。本体ユニット用基板７１の光モジュール７４、及びユーザインターフェイスユニット用基板８１の光モジュール８２間は、図６に示す構成と同様に、光ファイバ３２１の両端に光コネクタ３２２ａ，３２２ｂを設けた光伝送媒体３２０によって接続されている。
【０１０３】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、パッケージは、発光又は受光に係る光素子を用いて一方向で光伝送を行ったが、発光素子及び受光素子を実装させて双方向で光伝送を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光信号伝送装置の斜視図である。
【図２】図２は、第１の２層型光モジュール及び第１のプリント基板の構成例を示す、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、第１の３層型光モジュール及び第１のプリント基板の構成例を示す、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図４は、第２の３層型光モジュール及び第２のプリント基板の構成例を示す、図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図５は、第２の２層型光モジュール及び第２のプリント基板の構成例を示す、図１のＤ−Ｄ断面図である。
【図６】図６は、光伝送媒体の構成例を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る光信号伝送装置が適用された画像形成装置の概略の構成を示すブロック図である。
【図８】図７に示す画像形成装置の要部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１…光信号伝送装置、２Ａ…第１の光電気複合基板、２Ｂ…第２の光電気複合基板、３…光伝送媒体、４…第１の２層型光モジュール、５…第１の３層型光モジュール、６…第２の３層型光モジュール、７…第２の２層型光モジュール、２０Ａ…第１のプリント基板、２０Ｂ…第２のプリント基板、２１Ａ…光導波路、２１Ｂ…光導波路、３０…光ファイバ、３１Ａ，３１Ｂ…光コネクタ、３２…ピン、４０…画像形成装置、５０…スキャナユニット、５１…スキャナユニット用基板、５２…光モジュール、５２ａ…光導波路、５２ｂ…光コネクタ、６０…画像処理ユニット、６１…画像処理ユニット用基板、６２，６４…光モジュール、６３…光導波路、６４ａ…光導波路、６４ｂ…光コネクタ、７０…本体ユニット、７１…本体ユニット用基板、７２，７４…光モジュール、７２ａ…光導波路、７２ｂ…光コネクタ、７３…光導波路、７４ａ…光導波路、７４ｂ…光コネクタ、８０…ユーザインターフェイスユニット、８１…ユーザインターフェイスユニット用基板、８２…光モジュール、８２ａ…光導波路、８２ｂ…光コネクタ、９０…画像形成ユニット、９１…画像形成ユニット用基板、９２…光モジュール、９２ａ…光導波路、９２ｂ…光コネクタ、２００Ａ，２００Ｂ…第１の基板、２０１Ａ，２０１Ｂ…第２の基板、２０２ａ…発光側開口、２０３…端子、２１０…コア、２１１…クラッド、２１２Ａ，２１２Ｂ…光路変換面、３１０…光伝送媒体、３１１…光ファイバ、３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄ…光コネクタ、３２０…光伝送媒体、３２１…光ファイバ、３２２ａ，３２２ｂ…光コネクタ、４０１…接着剤、４１０…第１のパッケージ、４１１…第１の中継基板、４１１ａ…下面、４１１ｂ…上面、４１２…発光素子アレイ、４１２ａ…光出力面、４１３…駆動用ＩＣ、４１４…パッド、４１５…スルーホール、４１７…ワイヤ、４１８Ａ，４１８Ｂ…封止樹脂、４１８ａ…光透過用窓、４２０…第１のパッケージ、４２１…第２の中継基板、４２１ａ…下面、４２１ｂ…上面、４２２…メモリＩＣ、４２４…パッド、４２５…スルーホール、４２７…ワイヤ、４２８…封止樹脂、５０１…接着剤、５１０…第１のパッケージ、５１１…第１の中継基板、５１１ａ…下面、５１１ｂ…上面、５１２…受光素子アレイ、５１２ａ…光入力面、５１３…増幅用ＩＣ、５１４…パッド、５１５…スルーホール、５１７…ワイヤ、５１８Ａ，５１８Ｂ…封止樹脂、５１８ａ…光透過用窓、５２０…第２のパッケージ、５２１…第２の中継基板、５２１ａ…下面、５２１ｂ…上面、５２４…パッド、５２５…スルーホール、５２６…半田ボール、５２７…ワイヤ、５２８…封止樹脂、５３０…第３のパッケージ、５３１…第３の中継基板、５３１ａ…下面、５３１ｂ…上面、５３２…発光素子アレイ、５３３…駆動用ＩＣ、５３４…パッド、５３５…スルーホール、５３７…ワイヤ、５３８…封止樹脂、５４１…光導波路、５４１ａ…コア、５４１ｂ…クラッド、５４１ｃ…金属膜、５４２…光コネクタ、５４２ａ…ピン穴、６０１…接着剤、６１０…第１のパッケージ、６１１…第１の中継基板、６１１ａ…下面、６１１ｂ…上面、６１２…発光素子アレイ、６１２ａ…光出力面、６１３…駆動用ＩＣ、６１４…パッド、６１５…スルーホール、６１７…ワイヤ、６１８Ａ，６１８Ｂ…封止樹脂、６１８ａ…光透過用窓、６２０…第２のパッケージ、６２１…第２の中継基板、６２１ａ…下面、６２１ｂ…上面、６２２…ＬＳＩ、６２４…パッド、６２５…スルーホール、６２８…封止樹脂、６３０…第３のパッケージ、６３１…第３の中継基板、６３１ａ…下面、６３１ｂ…上面、６３２…受光素子アレイ、６３３…増幅用ＩＣ、６３４…パッド、６３５…スルーホール、６３７…ワイヤ、６３８…封止樹脂、６４１…光導波路、６４１ａ…コア、６４１ｂ…クラッド、６４１ｃ…金属膜、６４２…光コネクタ、６４２ａ…ピン穴、７０１…接着剤、７１０…第１のパッケージ、７１１…第１の中継基板、７１１ａ…下面、７１１ｂ…上面、７１２…受光素子アレイ、７１２ａ…光入力面、７１３…増幅用ＩＣ、７１４…パッド、７１５…スルーホール、７１７…ワイヤ、７１８Ａ，７１８Ｂ…封止樹脂、７１８ａ…光透過用窓、７２０…第２のパッケージ、７２１…第２の中継基板、７２１ａ…下面、７２１ｂ…上面、７２２…信号処理用ＬＳＩ、７２４…パッド、７２５…スルーホール、７２６…半田ボール、７２７…ワイヤ、７２８…封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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