(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜と、
前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、
前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、
からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置され、
前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続され、列毎に、互いに隣り合う薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極とを導通させて直列に接続されており、
前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を前記薄膜ホール素子行毎に順次流すための電流供給系に接続され、
前記列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子列は、それぞれ、前記薄膜ホール素子列の一端の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記薄膜ホール素子列の他端の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極との間の電圧を前記薄膜ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されている、
ことを特徴とする磁気検知型入力パネル。
【請求項２】
半導体薄膜と、
前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、
前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、
からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置され、
前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続されており、
前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、
前記複数の薄膜ホール素子は、それぞれ、前記複数の薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記第４の電極との間の電圧を前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されている、
ことを特徴とする磁気検知型入力パネル。
【請求項３】
画像表示と、画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示と、を行う表示素子と、
前記表示素子の観察側とその反対側とのいずれか一方に配置され、
半導体薄膜と、
前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、
前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、
からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置された、磁気検知型入力パネルと、
を備え、
前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続され、列毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極とを導通させて直列に接続されており、
前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を前記薄膜ホール素子行毎に順次流すための電流供給系に接続され、
前記列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子列は、それぞれ、前記薄膜ホール素子列の一端の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記薄膜ホール素子列の他端の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極との間の電圧を前記薄膜ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されている、
ことを特徴とする入力パネル付き表示装置。
【請求項４】
前記表示素子は、光の透過を制御して前記画像及び前記キーパターンを表示する液晶表示素子であり、前記液晶表示素子の観察側とは反対側に、前記液晶表示素子に向けて照明光を照射する面光源が配置されていることを特徴とする請求項３に記載の入力パネル付き表示装置。
【請求項５】
前記磁気検知型入力パネルは、前記液晶表示素子と前記面光源との間に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の入力パネル付き表示装置。
【請求項６】
前記磁気検知型入力パネルは、前記面光源の前記液晶表示素子と対向する側とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の入力パネル付き表示装置。
【請求項７】
画像表示と、画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示と、を行う表示素子と、
前記表示素子の観察側とその反対側とのいずれか一方に配置され、
半導体薄膜と、
前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、
前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、
からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置された、磁気検知型入力パネルと、
を備え、
前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続されており、
前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、
前記複数の薄膜ホール素子は、それぞれ、前記複数の薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記第４の電極との間の電圧を前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されている、
ことを特徴とする入力パネル付き表示装置。
【請求項８】
前記表示素子は、光の透過を制御して前記画像及び前記キーパターンを表示する液晶表示素子であり、前記液晶表示素子の観察側とは反対側に、前記液晶表示素子に向けて照明光を照射する面光源が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の入力パネル付き表示装置。
【請求項９】
前記磁気検知型入力パネルは、前記液晶表示素子と前記面光源との間に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の入力パネル付き表示装置。
【請求項１０】
前記磁気検知型入力パネルは、前記面光源の前記液晶表示素子と対向する側とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の入力パネル付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
入力パネル付き表示装置等に利用される磁気検知型入力パネルとしては、従来、基板上に、磁場の変化により発生する誘導電流を検出するセンサコイルを設けた電磁誘導型入力パネルがある（特許文献１参照）。
【０００３】
この電磁誘導型入力パネルは、磁場発生コイルを備えた電磁ペンによる入力を行うものであり、前記電磁ペンを前記センサコイルに接近させたときに前記センサコイルに発生する、前記電磁ペンからの磁場の強さとその変化に応した誘導電流を検出するものである。
【特許文献１】特開２００４−３０２４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記電磁誘導型入力パネルは、電磁誘導を利用するものであるため、感度を高くするには、前記センサコイルの巻き数を多くし、前記電磁ペンにより与えられる磁場の強さに対応した充分な強さの誘導電流を前記センサコイルに生じさせるようにしなければならず、そのために、センサコイルが大きく、また厚くなるという問題があった。
【０００５】
この発明は、小型化及び薄型化をはかることがきる磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した目的を達成するため、この発明の磁気検知型入力パネルの一様態は、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置され、前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続され、列毎に、互いに隣り合う薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極とを導通させて直列に接続されており、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を前記薄膜ホール素子行毎に順次流すための電流供給系に接続され、前記列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子列は、それぞれ、前記薄膜ホール素子列の一端の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記薄膜ホール素子列の他端の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極との間の電圧を前記薄膜ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されている、ことを特徴とする。
【０００７】
上述した目的を達成するため、この発明の磁気検知型入力パネルの一様態は、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置され、前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続されており、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、前記複数の薄膜ホール素子は、それぞれ、前記複数の薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記第４の電極との間の電圧を前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されている、ことを特徴とする。
【０００８】
上述した目的を達成するため、この発明の入力パネル付き表示装置の一様態は、画像表示と、画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示と、を行う表示素子と、前記表示素子の観察側とその反対側とのいずれか一方に配置され、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置された、磁気検知型入力パネルと、を備え、前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続され、列毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極とを導通させて直列に接続されており、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を前記薄膜ホール素子行毎に順次流すための電流供給系に接続され、前記列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子列は、それぞれ、前記薄膜ホール素子列の一端の前記薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記薄膜ホール素子列の他端の前記薄膜ホール素子の前記第４の電極との間の電圧を前記薄膜ホール素子列毎に検出するための電圧検出系に接続されている、ことを特徴とする。
【０００９】
上述した目的を達成するため、この発明の入力パネル付き表示装置の一様態は、画像表示と、画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示と、を行う表示素子と、前記表示素子の観察側とその反対側とのいずれか一方に配置され、半導体薄膜と、前記半導体薄膜の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１の電極と第２の電極と、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜の前記第１の電極と前記第２の電極との間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３の電極と第４の電極と、からなる薄膜ホール素子が、基板上に複数行及び複数列に配列させて配置された、磁気検知型入力パネルと、を備え、前記複数行及び前記複数列に配列された複数の前記薄膜ホール素子は、行毎に、互いに隣り合う前記薄膜ホール素子のうちの一方の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と他方の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極とを導通させて直列に接続されており、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子からなる各薄膜ホール素子行は、それぞれ、前記薄膜ホール素子行の一端の前記薄膜ホール素子の前記第１の電極と前記薄膜ホール素子行の他端の前記薄膜ホール素子の前記第２の電極との間に電流を流すための電流供給系に接続され、前記複数の薄膜ホール素子は、それぞれ、前記複数の薄膜ホール素子の前記第３の電極と前記第４の電極との間の電圧を前記複数の薄膜ホール素子毎に検出するための電圧検出系に接続されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明の磁気検知型入力パネル及び入力パネル付き表示装置は、上記のような構成であるため、小型化及び薄型化をはかることがきる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
図１〜図４はこの発明の第１の実施例を示しており、図１は入力パネル付き表示装置の断面図、図２は磁気検知型入力パネルの平面図である。
【００１６】
この入力パネル付き表示装置は、図１のように、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子１と、前記表示素子１の観察側（図１において上側）とその反対側のいずれか一方、例えば観察側とは反対側に配置された磁気検知型入力パネル１５とを備えている。
【００１７】
前記表示素子１は、例えば、光の透過を制御して画像及びキーパターンを表示する液晶表示素子であり、この実施例の入力パネル付き表示装置は、前記液晶表示素子１の観察側とは反対側に配置され、前記液晶表示素子１に向けて照明光を照射する面光源１２をさらに備えている。
【００１８】
前記液晶表示素子１は、枠状のシール材４を介して接合された観察側とその反対側の透明な一対の基板２，３と、これらの前記一対の基板２，３間の前記シール材４で囲まれた領域に封入された液晶層５と、前記一対の基板２，３の対向する内面それぞれに互いに対向させて設けられ、互いに対向する領域毎に、前記液晶層５に電界を印加して液晶分子の配向状態を制御するための画素領域を形成する透明な第１と第２の電極６，７と、前記一対の基板２，３の外面にそれぞれ配置された一対の偏光板１０，１１と、からなっている。
【００１９】
この液晶表示素子１は、一方の基板、例えば観察側とは反対側の基板３の内面に、複数の画素電極７を行方向及び列方向にマトリックス状に配列させて設け、他方の基板、つまり観察側の基板２の内面に、前記複数の画素電極７の配列領域に対向する一枚膜状の対向電極６を設けたアクティブマトリックス液晶表示素子であり、図では省略しているが、前記複数の画素電極７が設けられた反対側基板３の内面には、前記複数の画素電極７にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と、各行のＴＦＴにゲート信号を供給する複数の走査線と、各列のＴＦＴにデータ信号を供給する複数の信号線が設けられている。
【００２０】
また、観察側基板２の内面には、前記複数の画素電極７と対向電極６とが互いに対向する領域からなる複数の画素の間の領域及び前記複数の画素の配列領域の周囲に対応させて形成された遮光膜（ブラックマスク）８と、前記複数の画素にそれぞれ対応させて形成された赤、緑、青の３色のカラーフィルタ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂが設けられており、前記対向電極６は、前記カラーフィルタ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの上に形成されている。
【００２１】
さらに、前記一対の基板２，３の内面にはそれぞれ、前記第１と第２の電極６，７を覆って配向膜（図示せず）が設けられており、前記液晶層５の液晶分子は、前記一対の基板２，３間において、前記配向膜により規定される配向状態に配向している。
【００２２】
この液晶表示素子１は、液晶分子をツイスト配向させたＴＮまたはＳＴＮ型、液晶分子を前記一対の基板２，３面に対して垂直に配向させた垂直配向型、液晶分子をツイストさせることなく前記一対の基板２，３面に対して平行に配向させた水平配向型、液晶分子をベンド配向させるベンド配向型のいずれか、あるいは強誘電性または反強誘電性液晶表示素子であり、前記一対の偏光板９，１０は、それぞれの透過軸の向きを、良好なコントラストが得られるように設定して配置されている。
【００２３】
なお、前記液晶表示素子１は、前記一対の基板２，３の内面それぞれに設けられた電極６，７間に電界を生じさせて液晶分子の配向状態を変化させるものに限らず、前記一対の基板２，３のいずれか一方の内面に複数の画素を形成する例えば櫛状の第１と第２の電極を設け、これらの電極間に横電界（基板面に沿う方向の電界）を生じさせて液晶分子の配向状態を変化させる横電界制御型のものでもよい。
【００２４】
前記面光源１２は、前記液晶表示素子１の少なくとも画面エリアに対向する面積を有する板状の透明部材からなり、その一端面に光を入射させる入射端面１３ａが形成され、２つの板面の一方に前記入射端面１３ａから入射した光を出射させる出射面１３ｂが形成され、他方の板面に前記入射端面１３ａから入射した光を前記出射面１３ｂに向けて内面反射する反射面１３ｃが形成された導光板１３と、前記導光板１３の入射端面１３ａに対向させて配置され、前記導光板１３の入射端面１３ａに向けて光を発するＬＥＤ(発光ダイオード)等の発光素子１４とからなっており、前記液晶表示素子１の観察側とは反対側に、前記導光板１３の出射面１３ｂを前記液晶表示素子１に対向させて配置されている。
【００２５】
なお、前記液晶表示素子１は、複数の画素にそれぞれ対応する赤、緑、青の３色のカラーフィルタ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを備えたものに限らず、カラーフィルタを備えないフィールドシーケンシャル表示用の液晶表示素子でもよく、その場合は、前記面光源１２に、赤色光を発する発光素子と、緑色光を発する発光素子と、青色光を発する発光素子とを備えさせればよい。
【００２６】
前記液晶表示素子１は、図示しない表示駆動回路により駆動され、常時は、複数の画素の配列領域に対応する画面エリアの全域に画像を表示し、前記磁気検知型入力パネル１５に対する入力時に、前記画面エリア内の予め定めた位置に、入力部を示す複数のキーパターン（キー形状とキーの種類を示す数字や記号等）を表示する。
【００２７】
なお、図１では前記液晶表示素子１の画素ピッチを大きく誇張しているが、前記複数の画素は、５０〜１００μｍのピッチで配列形成されており、前記複数のキーパターンはそれぞれ、数十ずつの画素群によって表示される。
【００２８】
そして、前記磁気検知型入力パネル１５は、前記液晶表示素子１と前記面光源１２との間に配置されている。
【００２９】
この磁気検知型入力パネル１５は、ガラス等からなる透明で絶縁性の基板１６上に、前記液晶表示素子１の前記複数のキーパターンの表示位置にそれぞれ対応させて複数の薄膜ホール素子１８を設けたものである。なお、前記基板１６上には窒化シリコン等からなる透明な下地膜１７が形成されており、前記複数の薄膜ホール素子１８は、前記下地膜１７の上に形成されている。
【００３０】
前記薄膜ホール素子１８は、前記下地膜１７の上に、前記液晶表示素子１により表示されるキーパターンの外形に対応する位置に形成された半導体薄膜１９と、前記半導体薄膜１９の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて配置され、前記半導体薄膜１９と電気的に接続された第１と第２の電極２０，２１と、前記半導体薄膜１９の前記第１と第２の電極２０，２１の間の領域を挟んで前記半導体薄膜１９の前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて配置され、前記半導体薄膜１９と電気的に接続された第３と第４の電極２２，２３とからなっている。
【００３１】
前記半導体薄膜１９は、約１００ｎｍの膜厚に形成されたｉ型アモルファスシリコン膜からなっており、前記各電極２０，２１，２２，２３は、例えばモリブデンまたはクロム等の金属により形成され、これらの電極２０，２１，２２，２３と同じ形状に形成されたｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層２４を介して前記半導体薄膜１９と電気的に接続されている。なお、この実施例では、前記下地膜１７の上に前記半導体薄膜１９を形成し、この半導体薄膜１９の各縁部の上に、前記第１〜第４の各電極２０，２１，２２，２３を形成している。
【００３２】
前記半導体薄膜１９は、例えば矩形形状に形成されており、前記第１と第２の電極２０，２１は、前記半導体薄膜１９の長手方向の両端縁にそれぞれ、その端縁の長さ方向と平行な帯状の形状に形成され、前記第３と第４の電極２２，２３は、前記半導体薄膜１９の短手方向の両端縁にそれぞれ、その端縁の長さ方向と平行な帯状の形状に形成されている。
【００３３】
前記薄膜ホール素子１８は、前記第１と第２の電極２０，２１間に電流が流され、且つ前記半導体薄膜１９の前記第１と第２の電極２０，２１の間の領域に磁場が印加されたときに、ホール効果による電圧、つまりホール電圧を、前記第３と第４の電極２２，２３間に発生する。
【００３４】
すなわち、前記半導体薄膜１９に、前記第１と第２の電極２０，２１の一方から他方に向かって電流を流し、且つ前記半導体薄膜１９に、その膜面に対して交差する方向から磁場を作用させると、前記半導体薄膜１９の前記電流が流れる方向に対して直交する方向、つまり前記第３と第４の電極２２，２３間に、前記ホール電圧が発生する。
【００３５】
図３は、前記薄膜ホール素子１８において、Ｎ極性の磁場を印加したときの、前記第１と第２の電極２０，２１との間に流す電流値に対する前記第３と第４の電極２２，２３間に発生するホール電圧との関係を示したホール電圧特性図である。
【００３６】
図３のように、前記薄膜ホール素子１８は、前記第１と第２の電極２０，２１間に電流が流れていないときは、無磁場のときも磁場が作用したときも、前記第３と第４の電極２２，２３間の電圧は０である。そして、前記第１と第２の電極２０，２１間に電流を流すと、前記第３と第４の電極２２，２３間に、前記磁場の強さと前記第１と第２の電極２０，２１間に流した電流値に対応したホール電圧を発生する。なお、前記薄膜ホール素子１８は、Ｓ極性の磁場が作用したときも、前記第３と第４の電極２２，２３間に前記磁場の強さと前記第１と第２の電極２０，２１間に流した電流値に対応したホール電圧を発生する。
【００３７】
前記複数の薄膜ホール素子１８は、前記基板１６上（下地膜１７の上）に、複数行及び複数列に配列させて配置されている。なお、この実施例では、前記液晶表示素子１に、入力部を示す９つのキーパターンを、行方向（画面エリアの左右方向）と列方向（画面エリアの上下方向）とにそれぞれ３つずつ配列させて表示させるようにし、前記磁気検知型入力パネル１５に、前記液晶表示素子１の各キーパターンの表示位置にそれぞれ対応させて配置された９個の薄膜ホール素子１８を備えさせている。
【００３８】
前記９個の薄膜ホール素子１８はいずれも、前記第１と第２の電極２０，２１が形成された端縁と前記第３と第４の電極２２，２３が形成された端縁のいずれか一方、例えば第１と第２の電極２０，２１が形成された２つの端縁を、前記行方向に向けて形成されている。
【００３９】
そして、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子１８は、行毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と他方のホール素子１８の第２の電極２１とを、これらの電極２０，２１と一体に形成された行方向接続線２６を介して互いに導通させて直列に接続され、列毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と他方のホール素子１８の第４の電極２３とを、これらの電極２２，２３と一体に形成された列方向接続線２７を介して互いに導通させて直列に接続されている。
【００４０】
また、前記基板１６上の行方向の両端部には、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子行にそれぞれ対応させて複数の電流供給用端子２８ａ，２８ｂが形成され、前記基板１６上の列方向の両端部には、列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子列にそれぞれ対応させて複数の電圧検出用端子２９ａ，２９ｂが形成されている。
【００４１】
そして、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０は、前記行方向の一端側に形成された各電流供給用端子２８ａにそれぞれ、これらの電極２１及び端子２８ａと一体に形成された行方向リード線３０ａを介して接続され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１は、前記行方向の他端側に形成された各電流供給用端子２８ｂにそれぞれ、これらの電極２２及び端子２８ｂと一体に形成された行方向リード線３０ｂを介して接続されている。
【００４２】
また、前記各ホール素子列の一端の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２は、前記列方向の一端側に形成された各電圧検出用端子２９ａにそれぞれ、これらの電極２２及び端子２９ａと一体に形成された列方向リード線３１ａを介して接続され、前記各ホール素子列の他端の薄膜ホール素子１８の第４の電極２３は、前記列方向の他端側に形成された各電圧検出用端子２９ｂにそれぞれ、これらの電極２３及び端子２９ｂと一体に形成された列方向リード線３１ｂを介して接続されている。
【００４３】
前記複数の薄膜ホール素子１８はそれぞれ、前記液晶表示素子１の１つのキーパターンを表示するための前記数十の画素群に対応させて形成されており、これらの薄膜ホール素子１８の第１〜第４の各電極２０，２１，２２，２３と、前記行方向接続線２６及び列方向接続線２７と、前記行方向リード線３０ａ，３０ｂ及び列方向リード線３１ａ，３１ｂはそれぞれ、前記面光源１２から前記液晶表示素子１に向けて照射される照明光のうちの前記液晶表示素子１の各画素に向かう光を遮らないようにするために、前記液晶表示素子１の隣合う画素間の領域に対応させて形成されている。
【００４４】
なお、前記第１〜第４の各電極２０，２１，２２，２３と行方向接続線２６及び列方向接続線２７と前記各リード線３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂは、ＩＴＯ膜等の透明導電膜により形成してもよく、その場合は、これらを前記画素内に入り込んだ形状に形成してもよい。
【００４５】
また、前記複数の薄膜ホール素子１８と、前記行方向接続線２６及び列方向接続線２７と、前記行方向リード線３０ａ，３０ｂ及び列方向リード線３１ａ，３１ｂは、前記基板１６上に、前記複数の電流供給用端子２８ａ，２８ｂ及び電圧検出用端子２９ａ，２９ｂが形成された周縁部を除いて形成された窒化シリコン等の絶縁物からなる透明な保護膜３７により覆われている。
【００４６】
さらに、この磁気検知型入力パネル１５は、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系３８（図４参照）と、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子１８の第４の電極２３との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系３９（図４参照）とを備えている。
【００４７】
図４は前記磁気検知型入力パネル１５の駆動方法を示す模式図であり、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１は、この第２の電極２１に接続された前記電流供給用端子２８ｂを介して接地され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０は、この第１の電極２０に接続された前記電流供給用端子２８ａを介して前記電流供給系３８に接続されており、前記各ホール素子列の一端の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２は、この第３の電極２２に接続された前記電圧検出用端子２９ａを介して接地され、前記各ホール素子列の他端の薄膜ホール素子１８の第４の電極２３は、この第４の電極２３に接続された前記電圧検出用端子２９ｂを介して前記電圧検出系３９に接続されている。
【００４８】
前記電流供給系３８は、その構成は図示しないが、定電流電源と、前記定電流電源からの電流を前記磁気検知型入力パネル１５の各ホール素子行に順次供給するスイッチング回路とにより構成されており、図４に第１〜第３の各ホール素子行にそれぞれ供給する電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の波形を示したように、例えば０．１〜０．３秒の範囲内の予め定めた単位時間Ｔ毎に、前記単位時間Ｔを３分割した各期間ｔ１，ｔ２，ｔ３のうちの第１期間ｔ１に第１ホール素子行に一定値の電流を供給し、第２期間ｔ２に第２ホール素子行に前記一定値の電流を供給し、第３期間ｔ３に第３ホール素子行に前記一定値の電流を供給する動作を繰返す。
【００４９】
また、前記電圧検出系３９は、その構成は図示しないが、第１〜第３の各ホール素子列の薄膜ホール素子１８の出力電圧をそれぞれ、前記各ホール素子行への電流供給に同期して、検出する第１〜第３の電圧センサを備えており、前記各期間ｔ１，ｔ２，ｔ３毎に、これらの電圧センサによる電圧検出信号を出力する。
【００５０】
前記入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル１５に対する入力を、前記液晶表示素子１の観察側から、磁場を発生する入力ペン、例えば永久磁石からなるペン先４４を有する磁石ペン４３（図１参照）によって行うものであり、その入力時に、前記液晶表示素子１に前記複数のキーパターンを表示させ、前記磁気検知型入力パネル１５の各ホール素子行に対する前記電流供給系３８からの電流供給を開始すると共に、前記電圧検出系３９をオンさせる。
【００５１】
前記磁気検知型入力パネル１５に対する入力は、前記液晶表示素子１により表示された複数のキーパターンのうちの１つを選択し、前記液晶表示素子１の観察面（観察側偏光板１０の外面）の選択したキーパターン表示部に、前記磁石ペン４３のペン先４４を近接または接触させることにより行われる。
【００５２】
このように、前記磁石ペン４３のペン先４４を前記液晶表示素子１の観察面に近接または接触させると、前記磁石ペン４３のペン先４４からの磁場が、前記液晶表示素子１を通って前記磁気検知型入力パネル１５の複数の薄膜ホール素子１８のうちの、前記磁石ペン４３のペン先４４を近接または接触させたキーパターン表示部に対応する薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９に作用し、この薄膜ホール素子１８の第３と第４の電極２２，２３間にホール電圧が発生する。
【００５３】
なお、磁場は、前記液晶表示素子１をその電気光学特性に影響を及ぼすこと無く通過するため、前記磁石ペン４３による入力を前記液晶表示素子１の観察側から行っても、前記液晶表示素子１の表示が乱れることは無い。
【００５４】
また、前記磁気検知型入力パネル１５は、前記液晶表示素子１と、この液晶表示素子１の観察側とは反対側に配置された面光源１２との間に配置されているため、前記面光源１２から前記液晶表示素子１に向けて照射された照明光が、前記磁気検知型入力パネル１５の各薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９を透過するが、その光は、前記半導体薄膜１９に対して、前記第１と第２の電極２０，２１間に流される電流を増加させるように作用する。
【００５５】
そして、例えば図４に示したように、前記磁気検知型入力パネル１５の第２ホール素子行のうちの第１列目の薄膜ホール素子１８に磁場が作用したときは、前記単位時間Ｔのうちの前記第２ホール素子行に電流を供給した第２期間ｔ２に、第１薄膜ホール素子列からホール電圧が出力される。
【００５６】
すなわち、前記第２ホール素子行のうちの第１列の薄膜ホール素子１８に磁場が作用したときは、第２と第３ホール素子列からの出力電圧Ｖ２，Ｖ３は前記単位時間Ｔの第１〜第３期間ｔ１，ｔ２，ｔ３のいずれでも０であり、第１ホール素子列からの出力電圧Ｖ１が、前記単位時間Ｔのうちの第２期間ｔ２に前記ホール電圧になる。
【００５７】
同様に、例えば第１ホール素子行のうちの第２列の薄膜ホール素子１８に磁場が作用したときは、第１と第３ホール素子列からの出力電圧Ｖ１，Ｖ３は前記単位時間Ｔの第１〜第３期間ｔ１，ｔ２，ｔ３のいずれでも０であり、第２ホール素子行からの出力電圧Ｖ２が、前記単位時間Ｔのうちの第１期間ｔ１に前記ホール電圧になる。
【００５８】
第１〜第３の各ホール素子列からの出力電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３は、前記第１〜第３期間ｔ１，ｔ２，ｔ３毎に前記電圧検出系３９の第１〜第３の電圧センサにより検出され、これらの電圧センサによる電圧検出信号が前記電圧検出系３９から図示しない入力判定回路に出力される。
【００５９】
前記入力判定回路は、前記電圧検出系３９からの電圧検出信号に基づいて、前記ホール電圧を出力したホール素子列の列番と、前記第１〜第３期間ｔ１，ｔ２，ｔ３のうちの前記ホール素子列からホール電圧が出力された期間とから、前記磁石ペン４３からの磁場が作用した薄膜ホール素子１８の位置を判定し、前記液晶表示素子１により表示された複数のキーパターンにそれぞれ対応する各入力情報のうちの、前記磁場が作用した薄膜ホール素子１８に対応するキーパターン、つまり前記磁石ペン４３のペン先４４が近接または接触されたキーパターンに対応した入力情報を出力する。
【００６０】
なお、前記磁気検知型入力パネル１５に対する入力は、前記磁石ペン４３に限らず、例えば直流磁場または交流磁場を発生するコイルを備えた電磁ペンによって行ってもよく、その場合も、同様な入力検出を行うことができる。
【００６１】
このように、前記磁気検知型入力パネル１５は、半導体薄膜１９と、前記半導体薄膜１９の互いに直交する２つの方向の一方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜１９と電気的に接続させて形成され、互いの間に電流を流すための第１と第２の電極２０，２１と、前記半導体薄膜１９の前記第１と第２の電極２０，２１の間の領域を挟んで前記２つの方向の他方に相互間に予め定めた間隔を設けて前記半導体薄膜１９と電気的に接続させて形成され、前記半導体薄膜１９の前記第１と第２の電極２０，２１の間の領域に印加される磁場によって発生するホール電圧を検出するための第３と第４の電極２２，２３とからなる薄膜ホール素子１８が基板１６上に設けたものであるため、ホール効果を利用した入力検出を行うことができる。
【００６２】
そして、この磁気検知型入力パネル１５は、基板１６上に前記薄膜ホール素子１８を設けたものであるため、小型で且つ極く薄型であるという長所をもっている。
【００６３】
また、上記実施例の磁気検知型入力パネル１５は、前記基板１６上に、複数の薄膜ホール素子１８を、複数行及び複数列に配列させて配置したものであるため、これらの薄膜ホール素子１８にそれぞれ対応した複数の入力部への選択的な入力を行うことができる。
【００６４】
さらに、前記磁気検知型入力パネル１５は、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子１８を、行毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と他方のホール素子１８の第２の電極２１とを互いに導通させて直列に接続し、列毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と他方のホール素子の第４の電極２３とを互いに導通させて直列に接続し、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子行をそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１との間に、前記各ホール素子行毎に順次電流を流すための電流供給系３８に接続し、列毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子列をそれぞれ、前記ホール素子列の一端の薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と、前記ホール素子列の他端の薄膜ホール素子１８の第４の電極２３との間の電圧を、前記各ホール素子列毎に検出するための電圧検出系３９に接続しているため、前記ホール電圧を出力したホール素子列の列番と、前記各ホール素子行に順次電流を流す各期間（上記実施例では第１〜第３期間ｔ１，ｔ２，ｔ３）のうちの前記ホール素子列からホール電圧が出力された期間とから、磁場が作用した薄膜ホール素子１８の位置を判定することができる。
【００６５】
また、前記入力パネル付き表示装置は、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う液晶表示素子１と、前記液晶表示素子１の観察側とは反対側に配置され、基板１６上に、前記液晶表示素子１の前記キーパターンの表示位置に対応させて前記薄膜ホール素子１８が設けられた磁気検知型入力パネル１５とを備えたものであるため、ホール効果を利用した入力検出を行うことができる。
【００６６】
そして、この入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル１５が極く薄型であるため、装置全体の小型化及び薄型化をはかることができる。
【００６７】
さらに、上記実施例の入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル１５を、前記液晶表示素子１と、この液晶表示素子１の観察側とは反対側に配置された面光源１２との間に配置されているため、前記面光源１２から前記液晶表示素子１に向けて照射された照明光を、前記磁気検知型入力パネル１５の各薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９に対して、前記第１と第２の電極２０，２１間に流される電流を増加させるように作用させ、その電流値に応じてホール電圧が高くなから、高感度の入力検出を行うことができる。
【００６８】
（第２の実施形態）
図５はこの発明の第２の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図である。なお、この実施例において、上記第１の実施例に対応するものには図に同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。
【００６９】
この実施例の入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル１５を、前記液晶表示素子１の観察側とは反対側に配置された面光源１２の前記液晶表示素子と対向する側とは反対側（以下、後側という）に配置したものであり、他の構成は上記第１の実施例と同じである。
【００７０】
この入力パネル付き表示装置は、前記磁気検知型入力パネル１５を前記面光源１２の後側に配置しているが、前記面光源１２の導光板１３にその入射端面１３ａから入射した光の一部が、前記導光板１３の反射面１３ｃを透過して後側に漏れるため、その漏れ光を、前記磁気検知型入力パネル１５の各薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９に対して、前記第１と第２の電極２０，２１間に流される電流を増加させるように作用させ、その電流値に応じてホール電圧が高くなから、より高感度の入力検出を行うことができる。
【００７１】
（第３の実施形態）
図６及び図７はこの発明の第３の実施例を示しており、図６は磁気検知型入力パネルの平面図、図７は前記磁気検知型入力パネルの模式図である。なお、この実施例において、上記第１の実施例に対応するものには図に同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。
【００７２】
この磁気検知型入力パネル１５ａは、基板１６上に、上記第１の実施例と同じ構成の複数の薄膜ホール素子１８を複数行及び複数列に配列させて配置したものであり、この実施例では、９個の薄膜ホール素子１８を、行方向と列方向とにそれぞれ３つずつ配列させて配置している。
【００７３】
そして、この磁気検知型入力パネル１５ａでは、前記複数行及び前記複数列に配列された複数の薄膜ホール素子１８は、行毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と他方のホール素子１８の第２の電極２１とを、これらの電極２０，２１と一体に形成された行方向接続線２６を介して互いに導通させて直列に接続している。
【００７４】
また、前記基板１６上の行方向の両端部には、行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子行にそれぞれ対応させて複数の電流供給用端子２８ａ，２８ｂが形成されており、前記各ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０は、前記行方向の一端側に形成された各電流供給用端子２８ａにそれぞれ、これらの電極２１及び端子２８ａと一体に形成された行方向リード線３０ａを介して接続され、前記各ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１は、前記行方向の他端側に形成された各電流供給用端子２８ｂにそれぞれ、これらの電極２２及び端子２８ｂと一体に形成された行方向リード線３０ｂを介して接続されている。
【００７５】
さらに、前記基板１６上の周縁部、例えば行方向の一端部には、１つの接地端子３２が形成され、前記行方向の他端部には、前記薄膜ホール素子１８の数に対応した数の電圧検出用端子３３ａ，３３ｂ．３３ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇ，３３ｈ．３３ｉが形成されており、前記各薄膜ホール素子１８の第３の電極２２は、これらの薄膜ホール素子１８の第３の電極２２を共通接続する接地リード線３４を介して前記１つの接地端子３２に接続され、前記各薄膜ホール素子１８の第４の電極２３は、各薄膜ホール素子１８毎に形成された複数の電圧出力リード線３５を介して、これらの薄膜ホール素子１８に対応する前記複数の電圧検出用端子３３ａ〜３３ｉにそれぞれ接続されている。
【００７６】
そして、前記各ホール素子行はそれぞれ、前記電流供給用端子２８ａ，２８ｂを介して、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１との間に電流を流すための電流供給系４０に接続されており、また、前記複数の薄膜ホール素子１８はそれぞれ、これらの薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と第４の電極２３との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子１８毎に検出するための電圧検出系４３に接続されている。
【００７７】
前記電流供給系４０は、図７のように、定電流電源４１を備えており、磁気検知型入力パネル１５ａに対する入力（例えば、図１に示した磁石ペン４３による入力）時に、前記定電流電源４１からの電流を、前記各ホール素子行に一括して供給する。
【００７８】
また、前記電圧検出系４３は、その構成は図示しないが、前記複数の薄膜ホール素子１８の出力電圧を各薄膜ホール素子１８毎に検出する複数（薄膜ホール素子１８の数と同数）の電圧センサを備えており、これらの電圧センサによる電圧検出信号を出力する。
【００７９】
この磁気検知型入力パネル１５ａは、基板１６上に、複数の薄膜ホール素子１８を、複数行及び複数列に配列させて配置し、前記複数行及び複数列に配列された複数の薄膜ホール素子１８を、行毎に、隣合う薄膜ホール素子１８，１８のうちの一方の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と他方のホール素子１８の第２の電極２１とを互いに導通させて直列に接続し、前記行毎に直列に接続された前記複数の薄膜ホール素子１８からなる各ホール素子行をそれぞれ、前記ホール素子行の一端の薄膜ホール素子１８の第１の電極２０と、前記ホール素子行の他端の薄膜ホール素子１８の第２の電極２１との間に電流を流すための電流供給系４０に接続し、前記複数の薄膜ホール素子１８をそれぞれ、これらの薄膜ホール素子１８の第３の電極２２と第４の電極２３との間の電圧を、前記複数の薄膜ホール素子１８毎に検出するための電圧検出系４２に接続しているため、前記複数の薄膜ホール素子１８にそれぞれ対応した複数の入力部への選択的な入力を行うことができる。
【００８０】
（第４の実施形態）
図８はこの発明の第４の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図であり、この実施例の磁気検知型入力パネル１５ｃは、上記第１の実施例の磁気検知型入力パネル１５において、前記複数の薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９上にそれぞれ、ｎ型アモルファスシリコン膜及び金属膜（またはＩＴＯ膜）の成膜とこれらの膜のパターニングによりコンタクト層２４及び第１〜第４の各電極２０，２１，２２，２３を形成する際に前記半導体薄膜１９がダメージを受けるのを防ぐための窒化シリコン等からなるエッチングストッパ層２５を設けたものである。
【００８１】
（第５の実施形態）
図９はこの発明の第５の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図であり、この実施例の磁気検知型入力パネル１５ｄは、上記第１の実施例の磁気検知型入力パネル１５において、前記薄膜ホール素子１８の半導体薄膜１９を、複数の薄膜ホール素子１８の配置領域の全体にわたって一枚膜上に形成するとともに、各薄膜ホール素子１８にそれぞれ、上記第４の実施例と同様にエッチングストッパ層２５を設けたものである。
【００８２】
（他の実施形態）
なお、上記実施例の入力パネル付き表示装置は、画像表示と、前記画像を表示する画面エリア内の予め定めた位置に入力部を示すキーパターンを表示するキー表示とを行う表示素子として液晶表示素子を備え、この液晶表示素子の観察側とは反対側に面光源１２を配置したものであるが、前記表示素子は、液晶表示素子に限らず、他の表示素子、例えば面光源を必要としない自発光型の表示素子でもよい。
【００８３】
すなわち、前記磁気検知型入力パネル１５，１５ａ，１５ｃ，１５ｄを表示素子の観察側とは反対側に配置する場合、前記表示素子は、磁場の影響を受けず、且つ磁場を通過させるものであれば、液晶表示素子でも、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示素子等の自発光型の表示素子でもよい。
【００８４】
さらに、前記磁気検知型入力パネル１５，１５ａ，１５ｃ，１５ｄは、表示素子の観察側に配置してもよく、その場合は表示素子に対する磁場の影響が極く小さいか、或いはほとんど無いため、表示素子は、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子、プラズマ表示素子等のいずれでもよい。
【００８５】
また、前記磁気検知型入力パネル１５，１５ａ，１５ｃ，１５ｄは、入力パネル付き表示装置に限らず、他の用途にも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】この発明の第１の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図。
【図２】第１の実施例の磁気検知型入力パネルの平面図。
【図３】薄膜ホール素子の電流−ホール電圧特性図。
【図４】第１の実施例の磁気検知型入力パネルの模式図。
【図５】この発明の第２の実施例を示す入力パネル付き表示装置の断面図。
【図６】この発明の第３の実施例を示す磁気検知型入力パネルの平面図。
【図７】第３の実施例の磁気検知型入力パネルの模式図。
【図８】この発明の第４の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図。
【図９】この発明の第５の実施例を示す磁気検知型入力パネルの断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１…液晶表示素子、１２…面光源、１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…磁気検知型入力パネル、１６…基板、１７…下地膜、１８…薄膜ホール素子、１９…半導体薄膜、２０…第１の電極、２１…第２の電極、２２…第３の電極、２３…第４の電極、２４…コンタクト層、３７…保護膜、３８，４０…電流供給系、３９，４２…電圧検出系、４３…磁石ペン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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