(57)【要約】【課題】１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、各サブフィールドにおいて画素をオンオフすることにより中間階調を表現する場合に、画素の温度依存性に起因する階調乱れを防止する。【解決手段】階調レベル「ｐ」である場合に、連続する３つ以上のサブフィールドからなるサブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにわたってオンとさせる。階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベル「ｐ＋１」の階調を表現する場合に、サブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを構成するサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィールド６１をオフさせる。【選択図】図２
2009008880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々を、１フィールドを時間軸上に複数に分割したサブフィールド毎に、
階調レベルにしたがってオンまたはオフのいずれかに制御する電気光学装置の中間階調表
示方法であって、
階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、連続する３つ以上のサブフィールドに
わたってオンとなるように制御し、
当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルの階調を表現する場合に、当
該連続する３つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィ
ールドをオフさせる
ことを特徴とする電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項２】
前記階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、当該オンに制御した３つ以上のサ
ブフィールドのうち、時間軸で終端に位置するサブフィールドの終了タイミングにおける
画素の明るさがオンの飽和値に達しているように制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項３】
当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルから、前記オフ方向に向かっ
て前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベルまで変化させたときに、
当該階調レベルの変化に対してオフさせたサブフィールドをオフに維持する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項４】
前記画素を前記階調レベルｐよりもオフ方向の明るさとさせる階調レベルの階調を表現
する場合に、連続する４つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除い
たサブフィールドを２つ以上連続させてオフさせたとき、
当該階調レベルの変化に対してオフさせた連続する２つ以上のサブフィールドをオフに
維持する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項５】
階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、オンとさせた連続する３つ以上のサブ
フィールドが複数群あり、
当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルから、前記オフ方向に向かっ
て前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベル（ｑ−１）まで、連続する３つ以上の
サブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィールドをオフさせ、
当該階調レベル（ｑ−１）よりもオフ方向の階調レベルを表現する場合に、所定個数の
サブフィールドを連続させてオフさせる一方、１フィールド内にあってオフさせるサブフ
ィールドよりも時間軸で前方側および後方側に位置するとともに、階調レベル（ｑ−１）
の階調をさせる場合にオフさせていたサブフィールドをオンとさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項６】
階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、オンとさせた連続する３つ以上のサブ
フィールドが複数群あり、
当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルから、前記オフ方向に向かっ
て前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベル（ｑ−１）まで、連続する３つ以上の
サブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィールドをオフさせ、
当該階調レベル（ｑ−１）よりもオフ方向の階調レベルを表現する場合に、前記複数群
のサブフィールドのうち、時間軸で先端側または後端側を含む複数のサブフィールドを連
続でオフさせる一方、１フィールド内にあってオフさせるサブフィールドよりも時間軸で
前方側および後方側に位置するとともに、階調レベル（ｑ−１）の階調をさせる場合にオ
フさせていたサブフィールドをオンとさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の中間階調表示方法。
【請求項７】
複数の画素の各々を、１フィールドを時間軸上に複数に分割したサブフィールド毎に、
階調レベルにしたがってオンまたはオフのいずれかに制御する電気光学装置であって、
階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、連続する３つ以上のサブフィールドに
わたってオンとなるように制御し、
当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルの階調を表現する場合に、当
該連続する３つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィ
ールドをオフさせる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、各サブフィール
ドにおいて画素をオンオフすることにより中間階調を表現する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子のような表示素子を画素に有する電気光学装置において中間階調表示を行う場
合、電圧変調方式に代わるものとして次のような技術が提案されている。すなわち、１フ
ィールドを複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドにおいて画素（液晶素子）
をオンまたはオフさせ、１フィールドにおいて画素がオンする時間の割合を変化させるこ
とによって中間階調表示を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
一方、このように中間階調表示を行う場合に、動画表示する際の擬似輪郭の発生を抑え
るとともに階調表現性を両立させるために、隣接する階調レベルにおいてオンさせる期間
の重心（発光重心）の移動量を小さくなるように設定した技術も提案されている（特許文
献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１１４６６１号公報
【特許文献２】特開２００４−３２５９９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、液晶の電気−光学応答特性は、一般には温度が高くなるにつれて高速化
するので、常温では適切に表現された中間階調が、温度変化したときに、特に隣接する階
調レベルと比較して適切に表現されなくなる（温度依存性に起因する階調乱れ）、という
問題が発生した。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、温度などによっ
て応答速度が変化しても、適切な階調表現が可能な電気光学装置の中間階調表示方法、電
気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の中間階調表示方法にあっては、
複数の画素の各々を、１フィールドを時間軸上に複数に分割したサブフィールド毎に、階
調レベルにしたがってオンまたはオフのいずれかに制御する電気光学装置の中間階調表示
方法であって、階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、連続する３つ以上のサブ
フィールドにわたってオンとなるように制御し、当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣
接する階調レベルの階調を表現する場合に、当該連続する３つ以上のサブフィールドのう
ち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィールドをオフさせることを特徴とする。こ
の方法によれば、階調レベルｐで指定される階調を、温度変化したときであっても、隣接
する階調レベルと比較して適切に表現することが可能となる。
ここで、本発明において、前記階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、当該オ
ンに制御した３つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で終端に位置するサブフィールド
の終了タイミングにおける画素の明るさがオンの飽和値に達しているように制御すること
が好ましい。
【０００５】
本発明において、当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルから、前記
オフ方向に向かって前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベルまで変化させたとき
に、当該階調レベルの変化に対してオフさせたサブフィールドをオフに維持しても良い。
また、前記画素を前記階調レベルｐよりもオフ方向の明るさとさせる階調レベルの階調
を表現する場合に、連続する４つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端
を除いたサブフィールドを２つ以上連続させてオフさせたとき、当該階調レベルの変化に
対してオフさせた連続する２つ以上のサブフィールドをオフに維持しても良い。
さらに、階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、オンとさせた連続する３つ以
上のサブフィールドが複数群あり、当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レ
ベルから、前記オフ方向に向かって前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベル（ｑ
−１）まで、連続する３つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除い
たサブフィールドをオフさせ、当該階調レベル（ｑ−１）よりもオフ方向の階調レベルを
表現する場合に、所定個数のサブフィールドを連続させてオフさせる一方、１フィールド
内にあってオフさせるサブフィールドよりも時間軸で前方側および後方側に位置するとと
もに、階調レベル（ｑ−１）の階調をさせる場合にオフさせていたサブフィールドをオン
とさせても良い。
階調レベルがｐの階調の画素を表現する場合に、オンとさせた連続する３つ以上のサブ
フィールドが複数群あり、当該階調レベルｐに対してオフ方向に隣接する階調レベルから
、前記オフ方向に向かって前記ｐよりも所定レベルだけ離間した階調レベル（ｑ−１）ま
で、連続する３つ以上のサブフィールドのうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフ
ィールドをオフさせ、当該階調レベル（ｑ−１）よりもオフ方向の階調レベルを表現する
場合に、前記複数群のサブフィールドのうち、時間軸で先端側または後端側を含む複数の
サブフィールドを連続でオフさせる一方、１フィールド内にあってオフさせるサブフィー
ルドよりも時間軸で前方側および後方側に位置するとともに、階調レベル（ｑ−１）の階
調をさせる場合にオフさせていたサブフィールドをオンとさせても良い。
本発明は、電気光学装置の中間階調表示方法のみならず、電気光学装置それ自体、さら
には、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施形態に係る中間階調表示方法について図面を参照して説明する。図
１は、本実施形態に係る中間階調を表示するにあたってのフィールドの構成を示す図であ
る。
この図に示されるように、１フィールドが時間軸上においてサブフィールドｓｆ１、ｓ
ｆ２、…、ｓｆ（ｎ−１）、ｓｆｎのｎ個に分割されている。本実施形態は、画素の制御
を、１フィールドではなく、サブフィールドを単位としてオンオフ制御することによって
中間階調を表示するものであって、詳細には、階調をオフ方向に変化させるときに、オフ
させるサブフィールドをどのようにして規定したのか、というものである。
【０００７】
なお、本実施形態では、画素として例えば液晶素子を想定する。説明の便宜上、当該液
晶素子を、反射型であって電圧無印加状態において白色となるノーマリーホワイトモード
であるとする。このため、本実施形態において、液晶素子の反射率（透過型とする場合で
も良いが、その場合には透過率）は、当該液晶素子に印加・保持される電圧の実効値がゼ
ロまたはその近傍値であるときに白色となり、当該実効値が大きくなるにつれて暗くなる
。
【０００８】
ここで、ノーマリーホワイトモードにおいて、最も暗い状態の反射率を相対反射率０％
とし、最も明るい状態の反射率を相対反射率１００％としたとき、オフ方向の９０％の相
対反射率を光学的飽和値といい、オン方向の１０％の相対反射率を光学的しきい値という
。一般的な電圧変調方式であれば、液晶素子の反射率が光学的しきい値から光学的飽和値
までの範囲で変化するように液晶素子への電圧実効値を制御する。これに対して、本実施
形態においては画素をサブフィールド毎にオンまたはオフというように２値的に制御する
。なお、液晶素子の実際の反射率（輝度）は、液晶素子に電圧を印加しても、瞬時に当該
印加電圧に相当する輝度にはならず、電圧が印加される期間の積分値におおよそ比例する
。
【０００９】
次に、本実施形態において階調レベルに対して、各サブフィールドのオンオフをどのよ
うに割り当てるかについて図２を参照して説明する。
ここで、階調レベルとは、画素の階調を指定する十進値であり、「０」が最低階調の黒
色を指定し、値が増加するにつれて徐々に暗くし、値が「Ｍax」であるときに、最高階調
の白色を指定するものとする。また、図において、オンのサブフィールドは■で示され、
オフのサブフィールドは□で示されている。
上述したように本実施形態において液晶素子はノーマリーホワイトモードを想定してい
るので、最低階調の黒色を指定する階調レベル「０」であれば、すべてのサブフィールド
にわたってオンにさせる一方、最高階調の白色を指定する階調レベル「Ｍax」であれば、
すべてのサブフィールドにわたってオフにさせる。
【００１０】
階調レベルが「０」から増加するとき、輝度を黒色から明るくさせることを意味するの
で、いくつかのサブフィールドを段階的にオフにさせる。このときオフさせるサブフィー
ルドについては、１フィールドの開始端の部分ｅ１、１フィールドの途中部分ｅ２、ｅ３
、ｅ４および１フィールドの終了端の部分ｅ５としている。
階調レベルが「ｐ」（ｐ＞０）であるときに、１フィールドを構成する全サブフィール
ドのうち、部分ｅ１〜ｅ５のサブフィールドをすべてオフとし、それ以外をオンさせるも
のとする。換言すれば、階調レベルが「ｐ」に指定された画素については、１フィールド
を構成するサブフィールドのうち、部分ｅ１〜ｅ５を除いたサブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ
、Ｄにおいてオンを維持している。ここで、サブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各々は、
いずれも連続する３つ以上のサブフィールドから構成されている。
なお、サブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各終了タイミング（図において↓で示される
）を含めて、オンさせるサブフィールドの終了タイミングにおいて、液晶素子の輝度が、
オン方向の飽和値である光学的しきい値、すなわち、相対反射率１０％の値、以下になる
ように設定される。
【００１１】
次に、階調レベルが「ｐ」よりも１レベルだけ大きな「ｐ＋１」であるとき、例えばサ
ブフィールド群Ｂのうち、時間軸における先端および後端を除いたサブフィールド６１を
オフさせる。ここで、階調レベルが大きくなるとき、ノーマリーホワイトモードにおいて
明状態の方向に、すなわち、画素の輝度をオフ方向に、変化させることを意味する。この
ため、階調レベル「ｐ＋１」とは、階調レベル「ｐ」に対してオフ方向に隣接する階調レ
ベルとなる。
続いて、階調レベルが「ｐ＋１」よりもさらに１レベルだけ大きな「ｐ＋２」とすると
きに、サブフィールド群Ｂにおいてオフさせたサブフィールド６１をオンに戻すとともに
、サブフィールド群Ｃのうち、時間軸における先端および後端を除いたサブフィールドで
あって、図２の例では連続する２個のサブフィールド６２をオフにさせる。
なお、ここでは、階調レベルが「ｐ＋１」であるときにサブフィールド群Ｂにおいてオ
フさせたサブフィールド６１を、階調レベルが「ｐ＋２」であるときにオンに戻している
が、後述するように戻さずに、オフに維持しても良い。また、オフさせるサブフィールド
の個数については、実際には、液晶素子の電気−光学応答特性を考慮して決められる。
【００１２】
以下同様に、階調レベル「ｐ」から「ｑ−１」まで、サブフィールド群Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
のうち、時間軸で先端および後端を除いたサブフィールドを、当該階調レベルの増加に応
じてオフさせる。
なお、階調レベル「ｑ−１」では、階調レベル「ｐ」と比較して、サブフィールド群Ａ
におけるサブフィールド６３、６４、サブフィールド群Ｂにおけるサブフィールド６１、
６５、サブフィールド群Ｃにおいて２個連続するサブフィールド６６、６２、および、サ
ブフィールド群Ｄにおけるサブフィールド６８、６９、７０がオフとなっている。
【００１３】
液晶素子のような表示素子では、オフからオンに変化するときの応答速度は、オンから
オフに変化するときの応答速度よりも遙かに速い。このため、図３（ｂ）に示されるよう
に、例えばサブフィールド群Ｂのうち、例えば時間軸で後端に位置するサブフィールド９
１をオフさせると、そのオフによる輝度変化は、次のサブフィールド群Ｃの先端までにわ
たるので、１フィールド全体でみたときの平均的な輝度は、積分値でみたときに大きく変
化してしまう。このため、隣接する階調レベル同士をなだらかに表現するためには、別の
サブフィードをオンさせる必要があり、階調レベルに対して各サブフィールドをオンオフ
させるかの割り当てが複雑化する。
また、温度などによって応答速度が高速化すると、図３（ｂ）における輝度変化の傾斜
もが大きくなるので、サブフィールド９１のオフは、１フィールド全体でみたときの平均
的な輝度を大きく変化させてしまう。
ここでは、サブフィールド群Ｂのうち、時間軸で後端のサブフィールド９１をオフさせ
たときの説明をしているが、時間軸で先端に位置するサブフィールド９２をオフさせても
、図３（ｃ）に示されるように、オフによる輝度変化が大きくなって、同様な問題が生じ
る。
【００１４】
これに対して、本実施形態のように、サブフィールド群Ｂのうち、時間軸で先端および
後端を除いたサブフィールド６１をオフさせている。このようにサブフィールド群Ｂの中
間部分のサブフィールド６１をオフさせたときにの輝度変化が及ぼす影響は、図３（ａ）
に示されるように、当該サブフィールド群Ｂの期間で収まるので、１フィールド全体でみ
たときの平均的な輝度も、当該サブフィールド６１をオフさせたことに起因する量で（明
るくなる方向に）所定通り変化させることができる。このため、温度などによって応答速
度が変化しても、１フィールド全体でみたときの平均的な輝度が大きく変化しないので、
隣接する階調レベル同士をなだらかに表現することができる。
【００１５】
なお、図２に示した例では、階調レベル「ｐ＋１」においてオフさせたサブフィールド
６１を、階調レベル「ｐ＋２」において再びオンとしたが、図４に示されるように、階調
レベル「ｐ＋２」以降でも、オンに戻すことなくオフに維持しても良い。このように、サ
ブフィールドをオフに維持すると、１フィールド全体でみたときの平均的な輝度が温度等
によって大きく変化しないだけでなく、１フィールドにおいてオンするサブフィールドの
重心移動量が小さくなるので、擬似輪郭の発生も抑えられる。
特に、連続した２つ以上のサブフィールドをオフとさせる場合では、時間的に離れたサ
ブフィールドを同じ個数だけオフさせた場合と比較して、輝度変化量が大きくなる。この
ため、連続した２つ以上のサブフィールドをオフとさせたときには、以降の階調レベルの
増加に対してオフに維持することが好ましい。
なお、ここでいう連続した２つ以上のサブフィールドについても、サブフィールド群Ａ
〜Ｄのうち、時間軸で先端および後端を除いたものである。このため、連続した２つ以上
のサブフィールドをオフとさせる場合のサブフィールド群とは、連続個数が４つ以上のサ
ブフィールドであることが前提となる。
【００１６】
ところで、階調レベルが、例えば「ｑ−１」にまで増加すると、オフさせるサブフィー
ルドが虫食い状に配列することになるので、図２または図５に示されるように、次の階調
レベル「ｑ」において、連続してオンさせるサブフィールド群を再び作り出す必要に迫ら
れる場合がある。そこで、図示の例では、階調レベル「ｑ」において、サブフィールド群
Ｂのうち、サブフィールド６１、６５をオンに戻す一方で、時間軸の先端から連続する複
数のサブフィールド７５をオフさせることによって、サブフィールド群Ｂの後端部分にお
いて、オンさせるサブフィールドを再び連続させている。
【００１７】
このように、サブフィールド群においてオンさせるサブフィールドを再構成すると、連
続する多数のサブフィールド７５がオフすることになり、上述したように１フィールド全
体でみたときの平均的な輝度の変化が大きく変化する。したがって、互いに隣接する階調
レベル「ｑ−１」、「ｑ」同士において、なだらかな輝度となるようにするためには、階
調レベル「ｑ」において、サブフィールド群Ｂ以外のサブフィールドのいくつかについて
もオンに戻さなければならないが、この際に、擬似輪郭の発生を抑えるためにオンに戻す
サブフィールドの時間的な位置を考慮する必要がある。
詳細には、１フィールド内において、サブフィールド群Ｂでオフさせたサブフィールド
７５よりも時間軸で前方側および後方側に位置するサブフィールド群Ａ、Ｃ、Ｄからオフ
させるサブフィールドを選択して、階調レベル「ｑ−１」から「ｑ」に変化するときに、
オンするサブフィールドの重心位置の移動量を小さくさせる。図２または図５の例では、
階調レベル「ｑ」において、サブフィールド６２、６３、６４、６８をオンさせている。
なお、図示の例では、階調レベル「ｑ」において、サブフィールド群Ｂのうち、時間軸
で先端を含む前方側で連続する複数のサブフィールド７５をオフさせているが、後端を含
む後方側で複数のサブフィールドを連続してオフさせても良い。
サブフィールド群Ｂのうち、前方側（または後方側）で連続する複数のサブフィールド
７５をオフさせたとき、残りのサブフィールドを、新たなサブフィールド群Ｅとして扱う
。そして、階調レベルが増加した場合に、このサブフィールド群Ｅのサブフィールドをオ
フさせるときには、先端と後端を除いたサブフィールドをオフにさせる。図５の例では、
サブフィールド６１をオフさせている。
また、連続する複数のサブフィールド７５をオフとさせたときの輝度変化量が大きいの
で、サブフィールド７５については、以降の階調レベルの増加に対してオフに維持するこ
とが好ましい。
【００１８】
また、階調レベル「ｑ」において、サブフィールド群Ｂのうち、前方側または後方側に
おいて連続する複数のサブフィールドをオフさせるのではなく、図６に示されるように、
先端および後端を除いた部分で、すなわち、途中部分において、連続する２以上のサブフ
ィールド８２をオフさせても良い。
サブフィールド群Ｂにおいて、連続する２以上のサブフィールド８２をオフさせたとき
、残りのオン部分を、新たなサブフィールド群Ｆ、Ｇとして扱う。そして、階調レベルが
増加した場合に、サブフィールド群Ｆ、Ｇのサブフィールドをオフさせるときには、先端
と後端を除いたサブフィールドをオフにさせる。図６の例では、サブフィールド７７をオ
フさせている。
また、２以上のサブフィールド８２をオフさせると、輝度変化量が大きいので、サブフ
ィールド８２については、以降の階調レベルの増加に対してオフに維持することが好まし
いのは、先の例と同様である。
【００１９】
このようにオフさせるサブフィールドを決定することについては、１フィールドを構成
するサブフィールドの終了タイミングにおける液晶素子の輝度が上記光学的しきい値（相
対反射率１０％）に達していることを条件として繰り返す。この条件を満たした階調レベ
ルの範囲では、温度変化しても、隣接する階調レベル同士でなだらかに表現することがで
きるとともに、疑似輪郭の発生も抑えることが可能となる。
【００２０】
なお、実施形態では、ｎ個のサブフィールドの時間長を互いに等しくしているが、例え
ば階調レベルを規定するビットの重みに応じた時間長として異ならせても良い。
また、実施形態では、液晶素子をノーマリーホワイトモードとして説明したが、電圧無
印加状態で黒色表示となるノーマリーブラックモードとしても良い。なお、ノーマリーブ
ラックモードである場合においても、オンの応答速度がオフより速いが、この場合には、
オンは画素の輝度が明るくなる方向への変化である。
くわえて、表示素子としては、液晶素子に限られず、例えばＥＬ（Electronic Lumines
cence）素子、電子放出素子、電気泳動素子、ディジタルミラー素子などを用いた装置や
、プラズマディスプレイなどにも適用可能である。
【００２１】
次に、実施形態に係る中間階調表示方法を適用した電気光学装置について説明する。図
７は、この電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１は、制御回路１０、メモリ２０、変換テーブ
ル３０、駆動回路５０および表示パネル１００を有する。このうち、制御回路１０は、同
期信号に同期して各部を制御するものである。表示パネル１００には、例えば液晶パネル
であって、画素１１０がマトリクス状に配列している。ここで、画素１１０は、例えばア
クティブマトリクス型であって上述した反射型の液晶素子を含む。
【００２２】
メモリ２０は、画素１１０のマトリクス配列に対応した記憶領域を有し、各記憶領域は
、それぞれに対応する画素１１０の映像データを記憶する。映像データは、画素１１０の
明るさ（階調レベル）を指定するものであり、本実施形態では、「０」から「Ｍax」まで
、「１」刻みで画素の階調を段階的に指定する。
なお、この映像データは、図示しない上位装置から同期信号に同期して供給され、制御
回路１０により画素に対応する記憶領域に記憶される一方で、表示パネル１００で走査さ
れる画素、すなわち、駆動回路５０によって表示パネル１００で駆動される画素に対応し
たものがメモリ２０から表示データＤaとしてサブフィールド毎に読み出される構成とな
っている。
【００２３】
変換テーブル３０は、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、当該表示データ
Ｄaで指定される階調レベル、および、サブフィールド番号にしたがって、画素１１０（
液晶素子）をオンまたはオフのいずれとさせるのかを示すデータＤbに変換するものであ
る。
駆動回路５０は、詳細については省略するが、画素１１０の行を所定の順番ですべて選
択する動作を、サブフィールド毎に実行するＹドライバと、選択された行に位置する画素
に対し、データＤbで指定されたオンまたはオフに相当するデータ信号を供給するＸドラ
イバと、を有する。
なお、上述した液晶素子では、実際には交流駆動する必要があるので、データ信号とし
ては、オンまたはオフの２通りと、正・負極性の２通りとの計４通りがある。ただし、液
晶素子に印加される電圧の実効値としては、極性の概念が排除されるので、オンオフの２
通りである。
また、制御回路１０は、駆動回路５０による動作が、いずれのサブフィールドであるか
を示すサブフィールド番号Ｎo.を、変換テーブル３０に通知する。
【００２４】
＜電子機器＞
次に、上記電気光学装置を用いた電子機器の一例として、電気光学装置１をライトバル
ブとして用いたプロジェクタについて説明する。図８は、このプロジェクタの構成を示す
平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ１１００は、実施形態に係る反射型の電気光学
装置１を、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に１つずつ用いた３板式である。プロジェクタ
１１００内部には、偏光照明装置１１１０がシステム光軸ＰＬに沿って配置している。こ
の偏光照明装置１１１０において、ランプ１１１２からの出射光は、リフレクタ１１１４
による反射で略平行な光束となって、第１のインテグレータレンズ１１２０に入射する。
この第１のインテグレータレンズ１１２０により、ランプ１１１２からの出射光は、複数
の中間光束に分割される。この分割された中間光束は、第２のインテグレータレンズを光
入射側に有する偏光変換素子１１３０によって、偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束
（ｓ偏光光束）に変換されて、偏光照明装置１１１０から出射されることとなる。
【００２５】
さて、偏光照明装置１１１０から出射されたｓ偏光光束は、偏光ビームスプリッタ１１
４０のｓ偏光光束反射面１１４１によって反射される。この反射光束のうち、青色光（Ｂ
）の光束がダイクロイックミラー１１５１の青色光反射層にて反射され、反射型のライト
バルブ１００Ｂによって変調される。また、ダイクロイックミラー１１５１の青色光反射
層を透過した光束のうち、赤色光（Ｒ）の光束は、ダイクロイックミラー１１５２の赤色
光反射層にて反射され、反射型のライトバルブ１００Ｒによって変調される。一方、ダイ
クロイックミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のうち、緑色光（Ｇ）の光束は
、ダイクロイックミラー１１５２の赤色光反射層を透過して、反射型のライトバルブ１０
０Ｇによって変調される。
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂは、上述した実施形態におけ
る表示パネル１００と同様であり、供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応するデータ信号で
それぞれ駆動されるものである。すなわち、このプロジェクタ１１００では、表示パネル
１００を含む電気光学装置１が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応して３組設けられて、Ｒ、Ｇ、
Ｂの各色に対応する映像データに応じてサブフィールド毎に駆動される構成となっている
。
【００２６】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された赤色、緑色、
青色の光は、ダイクロイックミラー１１５２、１１５１、偏光ビームスプリッタ１１４０
によって順次合成された後、投射光学系１１６０によって、スクリーン１１７０に投射さ
れることとなる。なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇには、ダイクロ
イックミラー１１５１、１１５２によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光束が入射す
るので、カラーフィルタは必要ない。
【００２７】
電子機器としては、図８を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイン
ダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジ
タルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして
、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言うま
でもない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態の中間階調表示方法におけるフィールドの構成を示す図である。
【図２】同実施形態の階調レベルに対するサブフィールドのオンオフを示す図である。
【図３】サブフィールドのオンオフと輝度変化との関係を示す図である。
【図４】階調レベルに対するサブフィールドのオンオフの別例を示す図である。
【図５】階調レベルに対するサブフィールドのオンオフの別例を示す図である。
【図６】階調レベルに対するサブフィールドのオンオフの別例を示す図である。
【図７】実施形態の中間階調表示方法を適用した電気光学装置の構成を示す図である。
【図８】実施形態に係る電気光学装置を用いたプロジェクタの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
１…電気光学装置、１０…制御回路、２０…メモリ、３０…変換テーブル、５０…駆動回
路、１００…表示パネル、１１００…プロジェクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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