(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングされた放射ビームを形成するよう前記放射ビームの断面内にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイス支持体と、
基板を保持するように構成された基板支持体と、
前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
位置設定信号に応答して前記基板支持体のうち１つの位置を制御するように構成されたステージ制御システムと、を備え、
前記ステージ制御システムが、
フィードバック方式で前記位置を制御するように構成され、かつ、設定値入力を有する、フィードバック制御ループと、
前記フィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成するように構成された加速度フィードフォワードと、を有し、
前記フィードフォワード信号が前記位置設定信号から導出され、
前記ステージ制御システムは、前記位置設定信号を変更された位置設定信号へ変更し、前記変更された位置設定信号が前記フィードバック制御ループの前記設定値入力に受け取られ、前記変更された位置設定信号が前記基板支持体のうち１つの非剛体挙動を考慮に入れるように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ステージ制御システムが、前記位置設定信号に設定値形成信号を加算することにより前記変更された設定信号を生成するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記ステージ制御システムが、前記フィードフォワード信号に設定値形成関数を掛けることによって前記設定値形成信号を求めるように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記設定値形成関数が前記支持体のうち１つの位置決め誤差を補償するように選択され、前記位置決め誤差は、前記フィードフォワード信号と前記基板支持体のうち１つの伝達関数部分を掛けたものと実質的に等しく、前記伝達関数部分が前記基板支持体のうち１つの前記非剛体挙動をモデル化する、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
移動ステージと、
位置設定信号に応答して前記移動ステージの位置を制御するように構成されたステージ制御システムと、を備え、
前記ステージ制御システムが、フィードバック方式で前記位置を制御するように構成され、かつ、設定値入力を有する、フィードバック制御ループと、
前記フィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成するように構成された加速度フィードフォワードと、を有し、
前記フィードフォワード信号が前記位置設定信号から導出され、
前記ステージ制御システムは、位置設定信号を変更された位置設定信号に変更し、前記フィードバック制御ループの前記設定値入力が前記変更された位置設定信号を受け取り、前記変更された位置設定信号が前記移動ステージの非剛体挙動を考慮に入れるように構成される、ステージシステム。
【請求項６】
前記ステージ制御システムが、前記位置設定信号に設定値形成信号を加算することにより前記変更された設定信号を生成するように構成される、請求項５に記載のステージシステム。
【請求項７】
前記ステージ制御システムが、前記フィードフォワード信号に設定値形成関数を掛けることによって前記設定値形成信号を求めるように構成される、請求項６に記載のステージシステム。
【請求項８】
前記設定値形成関数が前記移動ステージの位置決め誤差を補償するように選択され、
前記位置決め誤差は、前記フィードフォワード信号と前記移動ステージの伝達関数部分を掛けたものと実質的に等しく、前記伝達関数部分が前記移動ステージの前記非剛体挙動をモデル化する、請求項７に記載のステージシステム。
【請求項９】
位置設定信号に応答して移動ステージの位置を制御するための、リソグラフィ装置のステージ制御方法であって、
設定値入力を有するフィードバック制御ループを用いてフィードバック方式で前記移動ステージの位置を制御するステップと、
前記フィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成するステップと、を含み、
前記フィードフォワード信号が前記位置設定信号から導出され、
前記位置設定信号を変更された位置設定信号へ変更し、前記変更された位置設定信号が前記フィードバック制御ループの前記設定値入力に受け取られ、前記変更された位置設定信号が前記移動ステージの非剛体挙動を考慮に入れる、方法。
【請求項１０】
前記位置設定信号に設定値形成信号を加算することにより前記変更された設定信号が生成される、請求項９に記載のリソグラフィ装置のステージ制御方法。
【請求項１１】
前記フィードフォワード信号に設定値形成関数を掛けることによって前記設定値形成信号が求められる、請求項１０に記載のリソグラフィ装置のステージ制御方法。
【請求項１２】
前記設定値形成関数が前記移動ステージの位置決め誤差を補償するように選択され、前記位置決め誤差は、前記フィードフォワード信号と前記移動ステージの伝達関数部分を掛けたものと実質的に等しく、前記伝達関数部分が前記移動ステージの前記非剛体挙動をモデル化する、請求項１１に記載のリソグラフィ装置のステージ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、ステージシステムおよびステージ制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。そのような場合には、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたはいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網を含むことになる。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィでは、位置、速度、加速度および／または基板ステージ（基板テーブルまたはウェーハテーブルとも称する）または支持体（マスクテーブルまたはマスクステージとも称する）など他の可動部の位置パラメータを制御するために制御システムが利用される。そのような制御システムでは、制御システムの正確な応答をもたらすためにフィードバック制御ループが利用される。また、高速応答を実現するために、加速度フィードフォワードなどのフィードフォワードが利用されてよい。そのような加速度フィードフォワードは、ステージまた他の当該可動部品を移動させるための所望の力を与えることができ、この加速度フィードフォワードは、所望の加速度にステージまたは他の可動部品の質量を掛けることにより求められる。しかし、ステージは、無限に堅いわけではなく、すなわち剛体ではなく、また、たわみモードなどの内部共振モードがフィードフォワードに対して反応することがあり、それによって加速中または減速中にステージの変形が生じる恐れがある。
【０００４】
[0004]  フィードバックループでは、ステージの位置を求めるために位置測定が与えられる。しかし、ステージの、アクチュエータ力が印加される位置ポイントと同じ位置ポイントで位置測定が行われるわけではなく、このことによって、ステージの上記変形が発生すると、結果として位置誤差が生じる。そのような誤差をキャンセルすることができるように、スナップフィードフォワードを用いて追加の力を印加してよく、これによって（ほとんど）瞬間的なステージの移動がもたらされる。スナップフィードフォワードは、制御図表現では加速度フィードフォワードと平行な追加のフィードフォワード経路として設けられ、対応する設定信号を入力されてよい。この文献では、用語スナップは、加速度の２次導関数と理解されることになっている。スナップフィードフォワードを適用することによって、位置測定されるステージのポイントが、より正確に所望の位置の設定値に対応する。しかし、このスナップフィードフォワードによって変形はキャンセルされていない。減速段階では、変形が反対方向に向く反対の影響が生じることがある。したがって、動的状況ではスナップフィードフォワードの適用にもかかわらずステージの変形が生じることがあり、スナップフィードフォワードの適用によるステージの瞬間移動がステージの移動に高周波成分を付加することがあって、スナップフィードフォワードの適用によって残差が生じる恐れがある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  ステージの動特性を改善するのが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングされた放射ビームを形成するよう放射ビームの断面内にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、この基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、設定信号に応答して支持体および基板テーブルのうち１つの位置を制御するステージ制御システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、ステージ制御システムは、フィードバック方式で位置を制御するためのフィードバック制御ループであって、設定値入力を有するフィードバック制御ループと、前方にフィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成するための加速度フィードフォワードとを有し、フィードフォワード信号は設定信号から導出され、このステージ制御システムは、位置設定信号を変更された位置設定信号に変更し、フィードバック制御ループの設定値入力が変更された位置設定信号を受け取り、変更された位置設定信号が基板テーブルおよび支持体のうち１つの非剛体挙動を考慮に入れるように構成される。
【０００７】
[0007]  本発明の別の実施形態では、移動ステージと、設定信号に応答してこのステージの位置を制御するステージ制御システムとを含むリソグラフィ装置向けのステージシステムが提供され、ステージ制御システムは、フィードバック方式で位置を制御するためのフィードバック制御ループであって、設定値入力を有するフィードバック制御ループと、前方にフィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成する加速度フィードフォワードとを有し、フィードフォワード信号は設定信号から導出され、このステージ制御システムは、位置設定信号を変更された位置設定信号に変更し、フィードバック制御ループの設定値入力が変更された位置設定信号を受け取り、変更された位置設定信号がステージの非剛体挙動を考慮に入れるように構成される。
【０００８】
[0008]  本発明の別の実施形態によれば、設定値入力を有するフィードバック制御ループによってフィードバック方式でステージ位置を制御するステップと、前方にフィードバック制御ループへ送り込まれることになるフィードフォワード信号を生成するステップとを含む、設定信号に応答して移動ステージの位置を制御するための、リソグラフィ装置のステージ制御方法が提供され、フィードフォワード信号は設定信号から導出され、位置設定信号を変更された位置設定信号へ変更し、フィードバック制御ループの設定値入力が、変更された位置設定信号を受け取り、変更された位置設定信号が、ステージの非剛体挙動を考慮に入れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明の諸実施形態が、添付の概略図を参照しながら、単に例として次に説明される。図では同じ参照符号は同じ部品を示す。
【００１０】
【図１】[0010]本発明の一実施形態が与えられ得るリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0011]従来型フィードバック−フィードフォワード制御システムの概略図である。
【図３】[0012]本発明の一実施形態による制御システムの概略図である。
【図４】[0013]本発明の一実施形態および現況技術による、トラッキングエラー対ステージ位置決め時間を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0014]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射または何らかの他の適当な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、ならびにパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに正確に従ってパターニングデバイスを位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されるパターニングデバイス支持体または支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴを含む。この装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに正確に従って基板を位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持体」も含む。この装置は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば屈折性の投影レンズシステム）ＰＳも含む。
【００１２】
[0015]  この照明システムは、放射を導くか、形作るか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００１３】
[0016]  パターニングデバイス支持体すなわち支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に左右される形でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持体すなわち支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他のクランプ技法を用いることができる。パターニングデバイス支持体すなわち支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式かまたは可動式でよい。パターニングデバイス支持体すなわち支持構造体は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のどんな使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされ得る。
【００１４】
[0017]  本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作成するように、その横断面内にパターンを備えた放射ビームを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しないであろうということに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能の層に対応するはずである。
【００１５】
[0018]  パターニングデバイスは透過性かまたは反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、マスクタイプとして、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどの他に様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、入ってくる放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス配置を使用する。傾けられたミラーが、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１６】
[0019]  本明細書に使用される用語「投影システム」は、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のどんな使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００１７】
[0020]  ここで記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でよい。
【００１８】
[0021]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブルまたは「基板支持体」（および／または複数のマスクテーブルまたは「マスク支持体」）を有するタイプでよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルまたは支持体が並行して使用され得るが、あるいは１つまたは複数のテーブルまたは支持体が露光に使用されている間に、１つまたは複数の他のテーブルまたは支持体上で準備ステップが行われ得る。
【００１９】
[0022]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間のスペースを充填するように、基板の少なくとも一部分が比較的高屈折率を有する液体、例えば水によって包まれ得るタイプでもよい。リソグラフィ装置内の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間にも液浸液が適用されてよい。投影システムの開口数を増加させるために液浸技術を用いることができる。本明細書に使用される用語「液浸」は、液体に基板などの構造体を沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ、露光の間投影システムと基板の間に液体が配置されることを意味するだけである。
【００２０】
[0023]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
【００２１】
[0024]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内輝度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）は調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他の構成要素を含んでよい。イルミネータは、放射ビームがその横断面内の所望の均一性および輝度分布を有するように調節するために使用されてよい。
【００２２】
[0025]  放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体または支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横切って、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集中させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路内へ個別のターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）は、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴの動作は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の動作は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、または固定されてよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図示された基板アライメントマーク（スクライブレーンアライメントマークとして既知である）は専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に複数のダイが与えられる状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置されてよい。
【００２３】
[0026]  図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用され得る。
【００２４】
[0027]  １．ステップモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持体」ならびに基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」は基本的に静止状態に保たれ、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち単一の静的露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」がＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一の静的露光で結像されたターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
【００２５】
[0028]  ２．スキャンモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持体」と基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」が同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一の動的露光）。パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性およびイメージ反転特性によって決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が単一の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限するのに対して、スキャン運動の長さがターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。
【００２６】
[0029]  ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスク支持体」がプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」が移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の各動作後に、またはスキャン中連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスク無しリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0030]  前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も使用されてよい。
【００２８】
[0031]  図２は、ステージＳＴのフィードフォワード−フィードバック制御システムを示す。ステージＳＴは、パターニングデバイス支持体または基板支持体の位置を制御するように構成されてよい。図２に示された制御図では、ステージＳＴは、ステージの剛体挙動をモデル化した剛体ｒｂの伝達関数およびｆｌｅｘとして図２に示されているステージの可撓体（非剛体）挙動をモデル化した可撓体の伝達関数によって表わされる。出力すなわちステージの位置パラメータは、干渉計出力、エンコーダ出力または他の位置パラメータに関する出力と見なし得るｉｆｍによって測定される。設定値発生器ＳＧＰは、制御システムに設定値を与える。設定値と位置測定ｉｆｍの間の差は、フィードバックループのコントローラＣに誤差信号として与えられ、次にコントローラＣがステージに対してアクチュエータ駆動信号を供給する。加速度フィードフォワードは、ステージアクチュエータの追加のアクチュエータ駆動信号を与えるが、加速度フィードフォワード信号は、例えば位置の設定値を２回微分し、それにステージの質量を掛けて力信号を取得し、この力信号からアクチュエータ駆動信号を求めることによって設定値から求められる。
【００２９】
[0032]  上記で説明されたスナップフィードフォワードは、図２の加速度フィードフォワードと実質的に平行な追加のフィードフォワードによって形成することができ、適当な入力を与えられるが、例としては、スナップフィードフォワードに対する入力として位置の設定値が供給され得て、同様に微分されるものがある。
【００３０】
[0033]  図３は、本発明の一実施形態によるステージ制御システムの概略の制御ブロック図を示す。設定値発生器、コントローラ、ステージ、位置センサの出力信号ｉｆｍ、および加速度フィードフォワードＡｃｃＦＦは、図２を参照しながら前述したものと同じ機能を有してよい。
【００３１】
[0034]  本発明の一実施形態によれば、位置設定信号は変更され、変更された位置設定信号は、コントローラＣを含むフィードバック制御ループに与えられる。変更された位置設定信号は、ステージの非剛体挙動を考慮に入れたものである。ここで、フィードバック制御ループに与えられることになる設定値は、ステージの可撓性を考慮に入れるように適合されており、このことが、制御偏差における速い過渡現象を回避し、したがってステージ制御およびステージ駆動において高周波成分が生じるのを防止する。変更された設定信号へ設定信号を変更する設定信号の補正は、加速度フィードフォワードの初期のフィードフォワードによってもたらされたステージの変形と実質的に等しいものでよい。一実施形態では、そのような補正は、加速度フィードフォワードによって与えられたフィードフォワード信号に実質的に対応するように求められ得て、設定値形成関数を掛けられ、それによって設定値形成信号を生成する。次いで、設定値形成信号は、設定値発生器ＳＧＰによって与えられた設定値に加算され、加算の結果は、閉ループ制御ループに対して設定信号として与えられる。設定信号に設定値形成信号を加算することにより変更された設定信号が生成される実施形態では、設定値自体の変更が望まれることがなく、このことによって、既存の設定値プロファイルおよび顧客が設計した設定値プロファイルとの互換性がもたらされ、設定値のプログラマがここで説明された原理を考慮に入れる必要性を回避する。好ましい実施形態によってフィードフォワード信号から設定値形成信号を求めることにより、ステージの動的挙動が発生する場合、すなわち加速度フィードフォワードが有効になる場合に設定値形成が行われることになり、それによって、設定信号を変更するのに便利で必要とする処理パワーの低い解決策を提供する。好ましい別の実施形態では、設定値形成関数はステージの位置決め誤差を観測することにより求めることができ、加速度フィードフォワード信号にステージの可撓体すなわち非剛体の挙動を掛けたものがこの誤差をもたらしていると見なし得る。加速度フィードフォワード、ステージ伝達関数の可撓部分および生じる誤差を知ることにより、当業者なら、次に、残りの誤差を実質的に低下させるように、設定値形成のための伝達関数を求めることができる。ステージの共振周波数が、設定値発生器によって与えられる設定値の高調波成分より十分に高い場合には、設定値形成関数を定数で近似することができ、このことは、高速で、必要とする処理パワーの低い、設定値形成関数割出しを提供する。
【００３２】
[0035]  一般に、設定値を変更することにより、ステージの共振挙動は、フィードバック制御ループに与えられる設定値を変更してこの挙動の励起を回避することによって対処することができる。現況技術によれば、加速度フィードフォワードは位置設定値の２回微分から求められ、それによって加速度設定値を形成する。そのような２回微分は、ステージが剛体によって形成されていると暗に想定する。しかし、本発明の一実施形態によれば、ステージの理想的でない挙動が考慮に入れられ、これによって、位置フィードバック制御ループ向けの設定値と加速度フィードフォワードの間の関係が異なることになる。一実施形態によれば、これは、ステージの非剛体挙動を考慮に入れるように位置設定信号を変更することにより達成される。
【００３３】
[0036]  図３に関して説明された制御システムは、リソグラフィ装置の任意の制御システムに、具体的には、パターニングデバイスのステージ制御システム、基板テーブル制御システム、レチクルマスクの位置制御システム、液浸液供給システムの位置制御システムなどのステージ位置制御システムに適用することができる。
【００３４】
[0037]  図２および図３に示された制御システムは、アナログ制御システム、ハードウェアを実装したデジタル制御システム、ソフトウェアを実装したデジタル制御システムまたは他の適当な処理系など任意の適当な制御システムによって形成されてよい。
【００３５】
[0038]  図４は、前述の位置制御システムの残留誤差を示し、トラッキング誤差が時間に対して示されている。トラッキング誤差は、設定値発生器ＳＧＦによって生成された設定値による所望の位置と位置測定信号ＩＦＭによって与えられるステージ位置の間の差として定義される。図４に示されるように、スナップフィードフォワード（２で示される）は、質量フィードフォワード（１で示される）に対して約１０倍トラッキング誤差が低減する。しかし、前述のように、設定値形成の導入（３で示される）によって、かなりのさらなる低減が得られる。具体的には、ステージの共振モードの励起が回避されてトラッキング誤差中の共振挙動分が小さくなっていることに留意されたい。
【００３６】
[0039]  ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、平面パネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有し得ることを理解されたい。熟練工なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のどんな使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことを理解するはずである。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に使用される用語の基板は、既に複数の処理層を含んでいる基板も意味してよい。
【００３７】
[0040]  本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されるはずである。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。
【００３８】
[0041]  本明細書に使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線と同様に紫外線（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、またはそのくらいの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００３９】
[0042]  用語「レンズ」は、文脈上可能であれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電気の光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意のものまたはその組合せを意味してよい。
【００４０】
[0043]  本発明の特定の実施形態が上記に説明されてきたが、本発明は、説明されたものと違う風に実行され得ることが理解されるはずである。例えば、本発明は、上記に開示された方法を記述した機械可読な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されているデータ格納媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形式をとってよい。
【００４１】
[0044]  上記の記述は、説明を意図したものであり、限定しようとするものではない。したがって、以下に詳述される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態が作成され得ることが当業者には明白なはずである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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