(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室にガスを供給するガス供給口と、
前記プラズマ処理室からガスを排出するガス排出口と、
前記プラズマ処理室の内部に配置され、素子を載置する載置部と、
前記載置部の上部に配置され、前記ガス供給口から供給されたガスに対し前記素子の上部空間を遮蔽するとともに、前記ガス供給口によって供給される前記ガスを前記素子に誘導する遮蔽部材と、
を備え、
前記遮蔽部材は、前記素子の直上の空間全体を塞ぎ、
前記遮蔽部材は、ガス流路となる溝部が形成されたブロックであって、前記溝部を下向きにして前記載置部に載置され、
前記溝部は前記素子を収容し、前記溝部にガスが導入されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室にガスを供給するガス供給口と、
前記プラズマ処理室からガスを排出するガス排出口と、
前記プラズマ処理室の内部に配置され、素子を載置する載置部と、
前記載置部の上部に配置され、前記ガス供給口から供給されたガスに対し前記素子の上部空間を遮蔽するとともに、前記ガス供給口によって供給される前記ガスを前記素子に誘導する遮蔽部材と、
を備え、
前記載置部は前記プラズマ処理室にプラズマ空間を生成する電極を備え、
前記電極上に前記素子が載置され、
前記遮蔽部材は複数の遮蔽部材からなり、任意の遮蔽部材が着脱自在に取り付けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽部材は、前記素子の直上の空間全体を塞ぐことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記載置部は前記プラズマ処理室にプラズマ空間を生成する電極を備え、
前記電極上に前記素子が載置されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材は複数の遮蔽部材からなり、任意の遮蔽部材が着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項１又は４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記ガス供給口は、不活性ガス、還元性ガス及び酸化性ガスのいずれかを切り替えて供給することを特徴とする請求項１乃至５いずれか記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ガス供給口が供給するガスは、アルゴン、水素又は酸素のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記素子は、半田ボールを介して基板上に備えられた半導体チップであって、
前記基板と前記半導体チップとの接合部に対して前記ガスを誘導させることを特徴とする請求項１乃至７いずれか記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記素子は、半田ボールを介して基板上に備えられた半導体チップであって、
前記ブロックの下面が前記半導体チップに対して張り出された前記基板と当接又は近接し、
前記溝部の内部に前記半導体チップが収容されるように構成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか記載のプラズマ処理装置を用いた素子を備える半導体装置の製造方法であって、
前記載置部に前記素子を載置し、前記プラズマ処理室にガスを導入して前記素子をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記素子は、フラックスを用いて基板と半田接合された半導体チップであって、
不活性ガス又は還元性ガスを用いて前記半導体チップと前記基板との接合部をプラズマ処理する工程と、
酸化性ガスを用いて前記接合部をプラズマ処理する工程と、
を含み、
前記接合部に付着した前記フラックスを洗浄することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子をプラズマ処理するプラズマ処理装置とこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のうち、フリップチップ接続にて基板と半導体チップとを接続するフリップチップＢＧＡ等は、基板と半導体チップとの接続に半田を用いる。
【０００３】
従来、この接続の際、フラックスを使用して半田の溶融を容易にして仮接続後、加熱工程であるリフローを行ってフリップチップ接続を行っている。そのため、アンダーフィル樹脂を注入する際に、基板と半導体チップとの間に残留しているフラックス及び不純物を除去し、アンダーフィル樹脂を注入しやすいように、基板及び半導体チップ面の濡れ性を改善する必要がある。
【０００４】
従来の技術では、フリップチップ接続を行った後、液体によりフラックスを洗浄し乾燥した後、アンダーフィル樹脂の濡れ性を良くするために酸素プラズマ処理を実施していた。
【０００５】
図５は、従来の液体洗浄装置の模式図である。図５で示されるように、従来の液体洗浄装置では、基板８５に接続された半導体チップ８３を治具８１にセットし、液体を流すことで洗浄を行う。
【０００６】
図６は、従来のプラズマ洗浄装置を示す図である。図６で示されるように、真空チャンバ９１内に基板８５上に実装させた半導体チップ８３をセットした上で、ガス排出口９５から真空チャンバ９１内のガスを排出して真空状態にした後、ガス導入口９３から酸素ガスを注入して電極９７によりプラズマ空間を生成して酸素プラズマ雰囲気での処理を行っている。
【特許文献１】特開２００１−１１０８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記文献記載の従来技術では、液体によるフラックス洗浄を行うため、乾燥工程が必要となる。したがって、装置も大型化し、洗浄時間もかかる上、工程数が増えて、コストアップに繋がる。
【０００８】
また、液体洗浄をプラズマ処理に置き換えるとすると、上記の従来のプラズマ処理装置では、ガスの流れが半導体チップを狙ったものではないため、時間がかかり、同じくコストアップに繋がっていた。
【０００９】
これらの課題は、半導体チップに限られず、プラズマ処理を行う一般的な素子に共通した課題である。
【００１０】
本発明は、半導体チップ等の素子を短時間で効率よくプラズマ処理する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、
プラズマ処理室と、
プラズマ処理室にガスを供給するガス供給口と、
プラズマ処理室からガスを排出するガス排出口と、
プラズマ処理室の内部に配置され、素子を載置する載置部と、
載置部の上部に配置され、ガス供給口から供給されたガスに対し素子の上部空間を遮蔽するとともに、ガス供給口によって供給されるガスを素子に誘導する遮蔽部材と、
を備えるプラズマ処理装置
が提供される。
【００１２】
この装置は、ガス供給口およびガス排出口を備え、ガス供給口によって供給されたガスをプラズマ化して素子をプラズマ処理するものである。この装置によれば、素子の上部空間を遮蔽する遮蔽部材を備えることにより、ガス供給口によって供給されるガスを素子に誘導し、素子の周囲のプラズマ密度を安定的に高くすることができる。これにより、素子を集中的にプラズマ処理することができ、プラズマ処理を短時間で効率よく行うことができる。
【００１３】
また、本発明によれば、
上記に記載のプラズマ処理装置を用いた素子を備える半導体装置の製造方法であって、
上記載置部に素子を載置し、上記プラズマ処理室にガスを導入して素子をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法
が提供される。
【００１４】
この発明によれば、素子の上部空間を遮蔽する遮蔽部材を備えることにより、ガス供給口によって供給されるガスを素子に誘導することができ、素子のプラズマ洗浄を短時間で効率よく行うことができる。
【００１５】
なお、本発明では前後左右上下の方向を規定しているが、これは本発明の構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定したものであり、本発明を実施する場合の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、素子を短時間で効率よくプラズマ処理する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１８】
図１は、本実施形態のプラズマ洗浄装置の模式的に表した断面図である。
【００１９】
本実施形態のプラズマ洗浄装置１は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１にガスを供給するガス導入口１３と、真空チャンバ１１からガスを排出するガス排出口１５と、真空チャンバ１１の内部に配置され、半導体チップ１９を載置する下部電極２３と、下部電極２３の上部に配置され、ガス導入口１３から供給されたガスに対し半導体チップ１９の上部空間を遮蔽するとともに、ガス導入口１３によって供給されるガスを半導体チップ１９に誘導する品種対応治具１７とを備える。
【００２０】
品種対応治具１７は、半導体チップ１９の直上の空間全体を塞いている。
図２は、本実施形態のプラズマ洗浄装置が備える品種対応治具を表す模式図である。図２（ａ）は、図１と同一方向から見た品種対応治具１７を示す図である。また、図２（ｂ）は、品種対応治具１７の底面図である。また、図２（ｃ）は、図１において、品種対応治具１７をガス導入口１３から見た図である。図２で示されるように、品種対応治具１７は、ガス流路となる溝１０１が形成されたブロックであって、溝１０１を下向きにして下部電極２３に載置される。溝１０１は半導体チップ１９を収容し、溝１０１にガスが導入される。
【００２１】
ガス導入口１３とガス排出口１５とは、互いに対向する位置に配置される。こうすることにより、ガス導入口１３とガス排出口１５との間にガス流路が形成される。また、ガス導入口１３とガス排出口１５との間に半導体チップ１９を載置させる。こうすることにより、ガス流路に半導体チップ１９が載置されることとなり、半導体チップ１９の周囲のプラズマ密度を高めることができる。
【００２２】
品種対応治具１７は複数の品種対応治具１７からなり、任意の品種対応治具１７が着脱自在に取り付けられている。これにより、半導体チップ１９が複数種類の形状を有していてもそれぞれの形状に最適な専用の治具を用いることができ、半導体チップ１９に集中的にガスを誘導させることができる。
【００２３】
溝１０１は、対向する２つの面のうち、一方の面からガスを導入し、他方の面からガスが排出される構造とする。こうすることにより溝１０１に収容された半導体チップ１９はガスの流路に配置されることとなり、半導体チップ１９に集中的にガスを誘導させることができる。
【００２４】
半導体チップ１９は、半田ボールを介して基板２１上に備えられている。プラズマ処理装置１は、品種対応治具１７の下面が半導体チップ１９に対して張り出された基板２１と当接又は近接し、溝１０１の内部に半導体チップ１９が収容されるように構成されている。図２（ｂ）で示すように、溝１０１の開口面は、品種対応治具１７と基板２１との接合面と同じ面に備えられる。これにより、半導体チップ１９と基板２１との接合部に集中的にガスを誘導させることができる。したがって、半導体チップ１９と基板２１との接合部の周囲のプラズマ密度を高めることができ、効率よく、半導体チップ１９と基板２１との接合部を洗浄することができる。
【００２５】
基板２１と半導体チップ１９とを含む半導体装置は、以下のように作製される。半導体チップ１９には多数の半田ボールが備えられている。この半田ボールを含む半導体チップの表面にフラックスを塗布し、基板２１と接触させる。基板表面には共晶半田が接続されているため、リフローを行うことにより、半田が溶融し、半導体チップ１９と基板２１とが接続される。
【００２６】
品種対応治具１７には、図２（ｂ）で示されるように、本実施形態のプラズマ洗浄装置１の実装部品の部分と接触しないように穴（実装部品のニゲ１０３）が開けられている。実装部品の例としては、チップコンデンサ等が挙げられる。この実装部品のニゲ１０３は、品種対応治具１７の底面に設けられている。このように、品種対応治具１７は、ガスの流路を半導体チップ１９周辺部のみに絞り込むことが可能であれば、本実施形態のプラズマ洗浄装置１の形状に合わせた構造とすることもできる。
【００２７】
ガス排出口１５は、真空吸引装置（図示せず）に接続されている。真空吸引装置を駆動させることにより、ガス排出口１５を介して真空チャンバ１１内のガスが排出される。これにより、真空チャンバ１１内を真空状態にさせることができる。
【００２８】
ガス導入口１３は、不活性ガス、還元性ガス及び酸化性ガスのいずれかを切り替えて供給する。ガス導入口１３は、各種のガス供給装置に接続されている。このガス供給装置が供給するガスとしては、プラズマを発生させるガス、リーク用ガスが挙げられる。不活性ガス、還元性ガス又は酸化性ガスを用いることによりプラズマを発生することができる。不活性ガスとして、たとえば、アルゴンガスを用いることができる。また、還元性ガスとして、たとえば、窒素ガス、水素ガス又はアンモニアガスを用いることができる。また、酸化性ガスとして、酸素ガス、オゾンガス、一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化炭素又は二酸化炭素等を用いることができる。また、リーク用ガスには窒素ガスを用いることができる。
【００２９】
半田溶融により仮接合された半導体チップ１９及び基板２１は、アンダーフィル樹脂が注入されることにより、完全に接合されることとなる。アンダーフィル樹脂を注入するとき、フラックスが除去されていないと、樹脂の流れ性が悪くなる。そこで、本実施形態の装置では、ガス導入口１３を介して真空チャンバ内に酸素ガスを供給し、プラズマ処理を行うことができる。酸素ガスを使用したプラズマ処理によれば、極性の高い酸素イオン・酸素ラジカルが半導体チップ１９と基板２１との接合部に付着する。この酸素イオン・酸素ラジカルの化学的印加作用が働くため、樹脂の流れ性は改善される。
【００３０】
各種ガスは、切り替えバルブ（図示せず）を介してガス導入口１３から導入される。したがって、複数種類のガスを切り替えて真空チャンバ１１内に供給させることができる。また、半導体チップ１９は、サイズに応じて最適化された品種対応治具１７に設けられているため、真空吸引装置と、ガス供給装置を適宜調整することにより、種類の異なるガスを迅速に切り替えることができる。
【００３１】
本実施形態のプラズマ洗浄装置１が有する電極は、真空チャンバ１１内の上下方向に対向配置される上部電極２５と下部電極２３とからなり、半導体チップ１９は、負に帯電する下部電極２３上に載置される。
【００３２】
上部電極２５及び下部電極２３は、真空チャンバ１１に上下に対向して設けられることにより、上部電極２５及び下部電極２３との間にプラズマ空間を生成する。下部電極２３は載置部としての役割もあり、下部電極２３上に半導体チップ１９が載置される。
【００３３】
上部電極２５及び下部電極２３は、高周波電源（図示せず）に接続されている。上部電極２５は、高周波電源が駆動されることにより、上部電極２５と下部電極２３との間に高周波電圧が印加される。真空チャンバ１１内を真空状態にし、プラズマ反応用のガスを供給させることにより、プラズマが発生して真空チャンバ１１内及び溝１０１にプラズマ空間を生成させることができる。プラズマ中のプラスイオン（アルゴンイオンまたは酸素プラズマ）が、負に電荷した下部電極に引き寄せられるため、半導体チップ１９及び基板２１との接合部に衝突し、フラックス等の不純物を削り取って洗浄していくこととなる。
【００３４】
プラズマ洗浄後は、ガス供給装置が切り替えられて、リーク用ガスがガス導入口１３を介して真空チャンバ１１内に供給される。これにより、真空チャンバ１１内を常圧に戻すことができる。
【００３５】
上部電極２５と下部電極２３との間にプラズマ空間が生成されるとき、ガス導入口１３は、複数種類のガスの供給を切り替えることができる。これにより、異なる種類のプラズマ処理を１つの装置で行うことができる。従来のプラズマ洗浄装置の場合、真空チャンバ１１内のガスを置換するには長時間を要する。本実施形態では、品種対応治具１７を用いてガス流路を形成し、このガス流路に半導体チップ１９を載置する。したがって、半導体チップ１９の周囲のガスを迅速に置換することができる。
【００３６】
続いて、本実施形態のプラズマ洗浄装置１を用いて基板２１と半導体チップ１９とを含む半導体装置を洗浄する工程について図３を用いて説明する。
【００３７】
半導体チップ１９をフリップチップ方式により基板２１に実装する（図３（ａ））。半導体チップ１９は、フラックスを用いて基板２１と半田接合される。
【００３８】
プラズマ洗浄装置１に半導体チップ１９のサイズに合わせた品種対応治具１７を取り付け、溝１０１に半導体チップ１９を収容させる（図３（ｂ））。
【００３９】
続いて、真空吸引装置を駆動してガス排出口１５から真空チャンバ１１内の空気を排出させて真空チャンバ１１内を真空状態にする。その後、ガス導入口１３からアルゴンガスを供給し、高周波電源を駆動して下部電極２３と、上部電極２５との間に高周波電圧を印加させる。これにより、真空チャンバ１１内及び溝１０１にプラズマが発生し、半導体チップ１９と基板２１との接合部がアルゴンプラズマ雰囲気３１にさらされる（図３（ｃ））。これにより、半導体チップ１９と基板２１との接合部がアルゴンイオンにより洗浄される。
【００４０】
一定時間経過後、ガス供給装置を切り替えて、ガス導入口１３から真空チャンバ１１内に酸素ガスを導入させる。下部電極２３と、上部電極２５との間に高周波電圧を印加させて、半導体チップ１９と基板２１との接合部を酸素プラズマ雰囲気３３にさらす。これにより、酸素プラズマによって生じた酸素イオンや酸素ラジカルにより、接合部が洗浄される（図３（ｄ））。
【００４１】
さらに一定時間経過後、高周波電圧及び真空吸引装置の駆動が停止される。ガスの供給を切り替えて、ガス導入口１３から真空チャンバ１１内に窒素ガスを供給する。その後、真空チャンバ１１内が窒素ガスにより常圧に戻され、プラズマ洗浄処理を終了する。
【００４２】
その後、半導体チップ１９と基板２１との接合部にアンダーフィル樹脂３５を注入し、樹脂を硬化させる（図３（ｅ））。
【００４３】
続いて、本実施形態の効果について説明する。
【００４４】
本実施形態のプラズマ洗浄装置１は、ガス導入口１３およびガス排出口１５を備え、ガス導入口１３によって供給されたガスをプラズマ化して半導体チップ１９をプラズマ処理するものである。この装置によれば、半導体チップ１９の上部空間を遮蔽する遮蔽部材となる品種対応治具１７を備えることにより、ガス導入口１３によって供給されるガスを半導体チップ１９に誘導し、半導体チップ１９の周囲のプラズマ密度を安定的に高くすることができる。これにより、半導体チップ１９を集中的にプラズマ処理することができ、プラズマ処理を短時間で効率よく行うことができる。
【００４５】
また、品種対応治具１７を備えることにより、ガス導入口１３によって供給されるガスを半導体チップ１９に誘導することができ、半導体チップ１９の周囲のガス交換を容易にする。したがって、使用するガスを切り替えて複数種類のガスを用いたプラズマ洗浄を短時間で効率よく行うことができる。
【００４６】
本実施形態では、ガス流路となる溝１０１に半導体チップ１９を収容することができる。これにより、プラズマを発生させるためのガスを集中的に半導体チップ１９の周囲に流すことができる。したがって、半導体チップ１９の周囲のプラズマ密度を安定して高くすることができ、半導体チップ１９を集中的に洗浄することができる。
【００４７】
基板２１上に備えられた半導体チップ１９は下部電極２３上に配置される。また、品種対応治具１７は、半導体チップ１９から張り出した基板２１上に設けられることにより、半導体チップ１９と、半導体チップ１９と基板２１との接合部のみが品種対応治具１７に収容されることとなる。したがって、発生した荷電したプラズマは、下部電極２３に誘引されて半導体チップ１９と基板２１との接合部に付着する。たとえば、アルゴンガスを使用した場合、下部電極２３が負に荷電することにより、陽イオンのアルゴンイオンが下部電極２３に誘引される。これにより、半導体チップ１９と基板２１との接合部を効率よく洗浄させることができる。
【００４８】
従来の液体によるフラックス洗浄を行った場合、乾燥工程が必要となる。したがって、装置も大型化し、洗浄時間もかかる上、工程数が増えて、コストアップに繋がるという問題があった。また、液体洗浄をプラズマ処理に置き換えるとすると、従来のプラズマ処理装置では、ガスの流れが半導体チップを狙ったものではないため、時間がかかり、同じくコストアップに繋がっていた。
【００４９】
一方、本実施形態のプラズマ洗浄装置１を使用することにより、半導体チップ１９と基板２１との接合部を集中的に洗浄させることができる。したがって、半導体チップ１９と基板２１との接合部に付着するフラックス等の不純物を集中的に洗浄することができるため、従来の液体フラックス洗浄をプラズマ洗浄に置き換えることができる。したがって、液体フラックス洗浄で必要とされた乾燥工程を省略することができ、フラックス洗浄工程を簡略化することができる。
【００５０】
また、従来のプラズマ処理を用いてフラックス洗浄を行う場合、アンダーフィル樹脂の濡れ性を良くするための酸素プラズマ処理を行うためには、フラックス洗浄用のガスを酸素ガスに切り替えてプラズマ処理を行うことが必要となる。従来のプラズマ処理装置では、ガスの流れが半導体チップを狙ったものではないため、ガスの切り替えにさらに時間を要するという問題がある。
【００５１】
一方、本実施形態のプラズマ洗浄装置１によれば、品種対応治具１７を用いることにより、半導体チップ１９をガスの流路に収容することができる。したがって、半導体チップ１９周囲のガス交換が容易であるため、プラズマ洗浄中に導入するガスの種類を切り替えて、異なる種類のプラズマ洗浄を迅速に行うことができる。これにより、フラックス等の不純物を除去するためのプラズマ洗浄と基板表面のアンダーフィル樹脂濡れ性を改善するための酸素プラズマ処理とを１つの装置で行うことできる。したがって、短時間で効率的にフラックスの洗浄とアンダーフィル樹脂の濡れ性改善を実現することができる。
【００５２】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
本実施形態では、遮蔽部材として、溝が形成されたブロックを例示したが、素子の上部空間を遮蔽するものであれば、遮蔽部材の形状及び材質はこれに限定されるものではない。素子の上部空間のうち、ガス供給口側の上部空間を遮蔽することにより、素子に向かって集中的にガスを誘導させることができる。また、上部空間の全体を塞ぐことにより、さらに効果的にガスを素子に誘導させることができる。
【００５３】
また、基板上に、複数の半導体チップが実装されたマルチチップの半導体装置にも本発明を適用することができる。この場合、溝が複数備えられた遮蔽部材を用いる。
【００５４】
図４は、本発明に用いられる遮蔽部材の変形例を示す模式図である。この遮蔽部材は、図１の品種対応治具１７と置き換えて用いることができる。図４（ａ）は、図１と同一方向から見た遮蔽部材を示す図である。また、図４（ｂ）は、遮蔽部材の底面図である。また、図４（ｃ）は、図１において、ガス導入口１３から見た遮蔽部材の図である。この変形例では、基板２１上に２つの半導体チップ１９が実装されている。遮蔽部材には、２つの溝１０１が設けられている。
【００５５】
従来、マルチチップのような複雑なパッケージの場合には、複雑な形状をした部分を治具の複数箇所に作製する必要があり、遮蔽部材のコストアップに繋がっていた。本発明の治具を用いれば、半導体チップ及び実装部品の部分だけ逃げるような形状とすればよい。このように、遮蔽部材を適宜設計することで、マルチチップ等さまざまなタイプの半導体装置にも本発明を適用することができる。
なお、本発明は、以下の構成を適用することも可能である。
（１）
プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室にガスを供給するガス供給口と、
前記プラズマ処理室からガスを排出するガス排出口と、
前記プラズマ処理室の内部に配置され、素子を載置する載置部と、
前記載置部の上部に配置され、前記ガス供給口から供給されたガスに対し前記素子の上部空間を遮蔽するとともに、前記ガス供給口によって供給される前記ガスを前記素子に誘導する遮蔽部材と、
を備えるプラズマ処理装置。
（２）
前記遮蔽部材は、前記素子の直上の空間全体を塞ぐことを特徴とする（１）記載のプラズマ処理装置。
（３）
前記遮蔽部材は、ガス流路となる溝部が形成されたブロックであって、前記溝部を下向きにして前記載置部に載置され、
前記溝部は前記素子を収容し、前記溝部にガスが導入されることを特徴とする（２）記載のプラズマ処理装置。
（４）
前記載置部は前記プラズマ処理室にプラズマ空間を生成する電極を備え、
前記電極上に前記素子が載置されることを特徴とする（１）乃至（３）いずれか記載のプラズマ処理装置。
（５）
前記遮蔽部材は複数の遮蔽部材からなり、任意の遮蔽部材が着脱自在に取り付けられていることを特徴とする（３）又は（４）記載のプラズマ処理装置。
（６）
前記ガス供給口は、不活性ガス、還元性ガス及び酸化性ガスのいずれかを切り替えて供給することを特徴とする（１）乃至（５）いずれか記載のプラズマ処理装置。
（７）
前記ガス供給口が供給するガスは、アルゴン、水素又は酸素のいずれかであることを特徴とする（６）に記載のプラズマ処理装置。
（８）
前記素子は、半田ボールを介して基板上に備えられた半導体チップであって、
前記基板と前記半導体チップとの接合部に対して前記ガスを誘導させることを特徴とする（１）乃至（７）いずれか記載のプラズマ処理装置。
（９）
前記素子は、半田ボールを介して基板上に備えられた半導体チップであって、
前記ブロックの下面が前記半導体チップに対して張り出された前記基板と当接又は近接し、
前記溝部の内部に前記半導体チップが収容されるように構成されていることを特徴とする（３）記載のプラズマ処理装置。
（１０）
（１）乃至（９）いずれか記載のプラズマ処理装置を用いた素子を備える半導体装置の製造方法であって、
前記載置部に前記素子を載置し、前記プラズマ処理室にガスを導入して前記素子をプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（１１）
前記素子は、フラックスを用いて基板と半田接合された半導体チップであって、
不活性ガス又は還元性ガスを用いて前記半導体チップと前記基板との接合部をプラズマ処理する工程と、
酸化性ガスを用いて前記接合部をプラズマ処理する工程と、
を含み、
前記接合部に付着した前記フラックスを洗浄することを特徴とする（１０）記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施の形態に係るプラズマ処理装置の模式的に表した断面図である。
【図２】実施の形態に係るプラズマ処理装置が備える遮蔽部材を表した模式図である。図２（ａ）は、遮蔽部材の断面図である。図２（ｂ）は、遮蔽部材の底面図である。図２（ｃ）は、遮蔽部材の側面図である。
【図３】実施の形態に係るプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】実施の形態に係るプラズマ処理装置が備える遮蔽部材を表した模式図である。図４（ａ）は、遮蔽部材の断面図である。図４（ｂ）は、遮蔽部材の底面図である。図４（ｃ）は、遮蔽部材の側面図である。
【図５】従来の洗浄装置を表した模式図である。
【図６】従来のプラズマ処理装置を表した模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    プラズマ洗浄装置
１１    真空チャンバ
１３    ガス導入口
１５    ガス排出口
１７    品種対応治具
１９    半導体チップ
２１    基板
２３    下部電極
２５    上部電極
３１    アルゴンプラズマ雰囲気
３３    酸素プラズマ雰囲気
３５    アンダーフィル樹脂
８１    治具
８３    半導体チップ
８５    基板
９１    真空チャンバ
９３    ガス導入口
９５    ガス排出口
１０１    溝
１０３    ニゲ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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