(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均組成が一般式ＭＳｉｘ（但し、ＭはＷ，Ｍｏ，Ｔａ，ＴｉおよびＮｂから選択される少なくとも１種の金属であり、２≦ｘ≦４を満足する。）で表わされ、金属シリサイドが連鎖状に形成される一方、Ｓｉ粒子が結合して形成されたＳｉ相が上記金属シリサイドの間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有するスパッタリングターゲットにおいて、このスパッタリングターゲットがＡｕおよびＡｇの少なくとも一方を元素を１０〜３００ｐｐｍの範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタリングターゲット全体におけるＡｕおよびＡｇの少なくとも一方の元素の含有量のばらつきが３０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタリングターゲットの相対密度が９９％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】
平均組成が一般式ＭＳｉｘ（但し、ＭはＷ，Ｍｏ，Ｔａ，ＴｉおよびＮｂから選択される少なくとも１種の金属であり、２≦ｘ≦４を満足する。）で表わされ、金属シリサイドが連鎖状に形成される一方、Ｓｉ粒子が結合して形成されたＳｉ相が上記金属シリサイドの間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、ＡｕおよびＡｇの少なくとも一方を元素を１０〜３００ｐｐｍの範囲で含有するスパッタリングターゲットの製造方法において、
Ｍ金属粉末とシリコン（Ｓｉ）粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比で２〜４になるように混合して均一な原料混合体を調製する工程と、
得られた原料混合体を加熱して金属シリサイドを合成し仮焼結体を調製する工程と、
得られた仮焼結体を粉砕し、この粉砕粉にＡｇ粉末およびＡｕ粉末の少なくとも一方を１０〜３００ｐｐｍ添加して均一に混合し、得られた混合体を真空中にて温度１１００〜１２００℃で２〜３時間加熱する液相分散化熱処理を行って、添加したＡｇ粉末およびＡｕ粉末を均一に分散させる工程と、
上記混合体を２８〜４０ＭＰａの加圧下において温度１３００〜１４００℃で加熱して緻密化焼結する工程と、を具備することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、Ｍ金属粉末として最大粒径１０μｍ以下の金属粉末を使用するとともに、Ｓｉ粉末として最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末を使用することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
請求項４記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、前記Ａｇ粉末またはＡｕ粉末として最大粒径２０μｍ以下の粉末を用いることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は金属薄膜を形成するために用いられるスパッタリングターゲットおよびその製造方法に係り、特に成膜時に発生するパーティクルおよび異常放電を低減でき安定した成膜操作が可能になる上にパーティクル等による不良を低減し、半導体装置の製造歩留りを改善できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化および高密度化の進展に伴って電極や配線も細長化しているため電気信号の遅延が発生し易い問題が顕在化している。電気信号の遅延は、半導体デバイスにおける高速処理の実現への障害となり、デバイス機能の低下を招くことを意味する。そのため、半導体装置の電極や配線を構成する金属材料としては、より低抵抗な導電材料が希求されている。
【０００３】
特に半導体装置のゲート電極材としては、抵抗値が低いタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）またはそれらの珪化物（金属シリサイド）が有用である。
【０００４】
従来から半導体装置の電極あるいは配線用の金属薄膜を形成する方法として、スパッタリング法やＣＶＤ（化学的蒸着）法が広く使用されている。特に、スパッタリング法は、ＣＶＤ法と比較して成膜の量産性、製造コストと成膜の安定性に優れている。このスパッタリング法は、金属シリサイドの円盤状ターゲットにアルゴンイオンを衝突させてターゲット構成金属を放出させ、この放出金属を、ターゲット板に対向したウエハー基板上に薄膜として堆積させる方法である。したがって、スパッタリングで形成したシリサイド薄膜の性質は、ターゲットの特性に大きく左右されることになる。
【０００５】
上記スパッタリングターゲットの製造方法としては、電子ビーム（ＥＢ）によって原材料を溶解して固化させるＥＢ溶解等を利用した溶解法や、原料粉末をホットプレス処理（ＨＰ）したり、熱間静水圧（ＨＩＰ）処理したりして所定形状に緻密化する粉末焼結法などが広く使用されている。
【０００６】
例えば特開平５−２１４５２３号公報では、Ｓｉ粉末と高融点金属（Ｍ）粉末とを、高融点金属に対するＳｉの原子比（Ｓｉ／Ｍ比）が２〜４程度になるように混合した原料混合体を加熱して高融点金属シリサイドを合成する工程と、得られたシリサイド粉末を高真空中で高プレス圧力下で加圧焼結を行い緻密化する工程とを具備する高融点金属シリサイドターゲットの製造方法を開示している。
【０００７】
この高融点金属シリサイド薄膜の形成に用いられているスパッタリングターゲットには、半導体素子の高集積化および緻密化の進展に伴って、パーティクル（微細な粒子）発生量の低減が強く要求されている。
【０００８】
これはスパッタリング中にターゲットから発生した０．２〜１０μｍ前後の非常に微細なパーティクルが堆積中の薄膜に混入し、これが回路配線間のショートや配線のオープン不良などの不具合を招き、その結果、半導体製品の歩留りが大幅に低下するなど深刻な問題となっているためである。
【０００９】
現在では高融点金属シリサイドから成るスパッタリングターゲットとしては、形成するシリサイド膜の組成の制御が容易である点に着目して、粉末焼結法で製造されたターゲットが一般的に使用されている。すなわち、金属シリサイド製ターゲットは、タングステン，モリブデン等の高融点金属（Ｍ）粉末とシリコン（Ｓｉ）粉末とを反応合成して得た金属シリサイド（以下、「ＭＳｉ２」と記す。）とＳｉ粉末とを共にホットプレス（ＨＰ）処理あるいは熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理して製造されるものが一般的に使用されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のスパッタリングターゲットの製造方法においては、合成されたシリサイド（ＭＳｉ２）粉末にＳｉ粉末を所定比率で加えて焼結体を製造しているため、例えば、平均組成がＭＳｉ２．２〜３の焼結体では、Ｓｉ相の占有容積率は約８〜２５％の範囲となり、ＭＳｉ２相の占有率と比較して非常に小さな値となる。したがって、粉砕されて得られたＭＳｉ２粒子の周囲に、くまなくＳｉ相が行き渡るようにターゲット組織を形成することは容易ではない。そのため、ＭＳｉ２粒子同士の凝集部が形成されたり、局所的にＳｉ相が偏在するなどの欠陥が多い不均一な組織を有するスパッタリングターゲットが形成され易い。
【００１１】
また、高融点金属Ｍの融点の相違もターゲット性能に大きく影響し、スパッタリング特性を低下させる要因になっている。例えば、ＷＳｉ２，ＭｏＳｉ２，ＴｉＳｉ２，ＴａＳｉ２などの金属シリサイド（ＭＳｉ２）の融点は、それぞれ２１６５℃、２０３０℃、１５４０℃、２２００℃と異なっている。このように融点が大きく異なるＭＳｉ２相と、融点が１４１４℃であるＳｉ相とを、その共晶温度直下の温度で加圧焼結しているため、熱的に安定なＭＳｉ２粒子間では焼結が十分に進行せず、ＭＳｉ２粒子間の結合力は弱く破壊され易いポア（空孔）が残存してターゲットの緻密化が不十分となる。
【００１２】
このようなターゲットを用いてスパッタリングを実施すると、スパッタリング時のＡｒ照射エネルギによりＭＳｉ２粒子間の結合が切れ、ターゲットのスパッタ面から前記欠陥部を起点として破壊が生じ易くなり、破壊した部分が欠落してパーティクルが発生し成膜中に混入する。また、このような欠陥部は局所的な異常放電の原因となり、スパッタリング操作の安定性が阻害される。
【００１３】
上記のようなパーティクル発生現象および異常放電現象は、特に配線間隔が精細化した高密度集積回路を使用した半導体装置の製品歩留りを大幅に低下させる要因となっており、高集積化および高速化を指向する半導体装置を低コストで製造する場合において解決すべき技術上の課題となっている。
【００１４】
本発明は上記課題を解決するためになされたものでおり、特に成膜時に発生するパーティクルおよび異常放電を低減でき安定した成膜操作が可能になる上にパーティクル等による不良を低減し、半導体装置の製造歩留りを改善できるスパッタリングターゲット、その製造方法および電子部品を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者らは高融点金属シリサイド製スパッタリングターゲットを対象として成膜特性の向上および製品歩留りの向上のために種々の解決手段の検討を重ねた。その結果、ターゲット中に銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）の少なくとも一方の元素を所定の範囲で添加したときに、ターゲットを使用して安定した成膜操作が初めて実現するとともに、パーティクルおよび異常放電の発生が減少し、これらの現象による欠陥発生量が低減され、製品歩留りを大幅に向上させることが可能になるという知見を得た。また、特に上記ＡｇおよびＡｕの添加量のばらつきを同一ターゲット内で３０％以下とすることにより、上記パーティクルの低減効果および異常放電防止効果をさらに高めることが可能になるという知見も得た。本発明はこれらの知見に基づいて完成されたものである。
【００１６】
すなわち、本発明に係るスパッタリングターゲットは、平均組成が一般式ＭＳｉｘ（但し、Ｍはタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）から選択される少なくとも１種の金属であり、２≦ｘ≦４を満足する。）で表わされ、金属シリサイドが連鎖状に形成される一方、Ｓｉ粒子が結合して形成されたＳｉ相が上記金属シリサイドの間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有するスパッタリングターゲットにおいて、このスパッタリングターゲットがＡｕおよびＡｇの少なくとも一方を元素を１０〜３００ｐｐｍの範囲で含有することを特徴とする。
【００１７】
また、上記スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングターゲット全体におけるＡｕおよびＡｇの少なくとも一方の元素の含有量のばらつきが３０％以下であることが好ましい。さらに、スパッタリングターゲットの相対密度が９９％以上であることが望ましい。
【００１８】
本発明のスパッタリングターゲットにおいては、シリサイドターゲット本体にＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を１０〜３００ｐｐｍ（質量比）の範囲で含有させている。ここで、ＡｇおよびＡｕは、周期律表の各種元素の中でも最もスパッタリング率が高く、かつイオン化効率が高い元素であり、これらの元素自体がイオン化してターゲットに戻り、自己維持スパッタする特性を有している。このような特性を有する金属元素（以下、「自己維持放電性元素」という。）をシリサイドターゲット中に適量添加することによって、ターゲット構成成分のイオン化が促進されるため、シリサイドターゲットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間に亘って安定に維持することが可能となる。
【００１９】
すなわち、高融点金属シリサイドターゲットから放出されるイオン数が増加するためターゲットが効率良くスパッタされるとともに、異常放電およびパーティクルの発生も減少するため、安定的にスパッタ放電を長時間に亘って安定的に持続させることが可能になる。
【００２０】
上述したようなＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素の含有量は、これらの元素の合計含有量として質量比で１０〜３００ｐｐｍの範囲とする。自己維持放電性元素の合計含有量が１０ｐｐｍ未満であると、上記したターゲットの構成成分のイオン化を促進させる効果が得られず、従来品と同様のスパッタ特性を示し、異常放電、パーティクルの発生等の問題が顕著になる。
【００２１】
一方、自己維持放電性元素の合計含有量が３００ｐｐｍを超えると、放電自体への悪影響は少ないが、スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下する。すなわち、通常のスパッタ装置における膜厚の面内均一性は５％以下が標準であるが、自己維持放電性元素の合計含有量が３００ｐｐｍを超えると５％以上、さらには１５％近くまで膜厚の面内均一性が低下し、ばらつきを与えてしまう問題が発生する。このようなことから、自己維持放電性元素の合計含有量は３００ｐｐｍ以下とする。
【００２２】
本発明のスパッタリングターゲットを構成するシリサイド組織中のＡｇおよびＡｕの合計含有量は３０〜２００ｐｐｍの範囲とすることがより好ましく、さらには５０〜１００ｐｐｍの範囲とすることが望ましい。このような量的範囲で自己維持放電性元素を含有させることによって、スパッタ膜の膜厚の面内均一性とプラズマ状態の安定化効果とを、より良好に両立させることが可能となる。
【００２３】
さらに、Ａｇ，Ａｕの各元素は、例えばシリサイド膜の比抵抗に対しても影響を及ぼす。シリサイド膜の比抵抗は不純物量が増加するに連れて増大するが、ＡｇおよびＡｕの合計含有量を適宜に設定することによって、シリサイド膜の比抵抗を所望の範囲に制御することができる。このように、ＡｇやＡｕの元素を含有するシリサイド膜は、本発明のターゲットをスパッタリングすることにより形成される。例えばシリサイド膜の比抵抗の制御に対しても有効に機能するものである。但し、シリサイド膜中のＡｇおよびＡｕの含有量があまり多くなり過ぎると膜の比抵抗が上昇するため、ＡｇおよびＡｕの含有量は適宜に調整するものとする。
【００２４】
また、本発明のスパッタリングターゲットにおいて、上記した自己維持放電性元素（Ａｇ，Ａｕ）の含有量のばらつきは、ターゲット全体として３０％以下とすることが好ましい。なお、ここでいう自己維持放電性元素の含有量のばらつきとは、ターゲット各部におけるＡｇおよびＡｕの合計含有量（各元素の微視的な含有量の合計）を比較した場合のばらつきを示すものである。
【００２５】
このように、ターゲット全体に対するＡｇおよびＡｕの合計含有量のばらつきを低く抑えることによって、ターゲット全体として構成成分のイオン化を促進させることができ、プラズマ状態をより一層安定化させることが可能となる。
【００２６】
さらに、ターゲット全体に対するＡｇおよびＡｕの合計含有量のばらつきが大きくなると、スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下するとともに、スパッタ膜中のＡｇおよびＡｕの量が局所的に増大し、膜の比抵抗を上昇させるなど膜特性が変化するおそれがある。このような点からもＡｇおよびＡｕの合計含有量は３０％以内とすることが好ましい。これら金属元素の合計含有量のばらつきは１５％以内とすることがさらに好ましく、より望ましくは１０％以内である。
【００２７】
ここで、本発明のスパッタリングターゲットにおける自己維持放電性元素の含有量（ＡｇおよびＡｕの合計含有量）は、以下に示す方法により測定された値を示すものとする。
【００２８】
すなわち、図１に示すように、例えば円板状ターゲットの中心部（位置１）と、中心部を通り円周を均等に分割した４本の直線上で中心から半径の９０％の距離だけ離れた位置（位置２〜９）および中心から半径５０％の距離の位置（位置１０〜１７）とから、それぞれ長さ１０ｍｍ、幅１０ｍｍの試験片を採取する。これら１７点の試験片のＡｇ含有量、Ａｕ含有量をそれぞれ測定し、これらの測定値を平均した値を、シリサイドターゲットのＡｇ含有量、Ａｕ含有量とする。自己維持放電性元素の合計含有量は、これら各元素の含有量の平均値を合計した値を示すものである。Ａｇ量、Ａｕ量はＩＣＰ−ＡＥＳ法に基づいて測定する。
【００２９】
さらに、ターゲット全体の自己維持放電性元素の合計含有量のばらつきは、上記した１７点の試験片から求めたＡｇおよびＡｕの合計含有量の最大値および最小値から、｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×１００（％）の式に基づいて求めた値を示すものとする。
【００３０】
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したようにシリサイドターゲット中にＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の自己維持放電性元素を所定量含有させたことに特徴を有するものであるが、ターゲットを構成する成分の純度レベル（ＡｇおよびＡｕ量を除く純度）をあまり上げ過ぎると、プラズマ状態が不安定になる虞がある。
【００３１】
このようなことから、本発明のスパッタリングターゲットは、不純物元素としての鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），アルミニウム（Ａｌ），ナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）の合計含有量が１００ｐｐｍ以下の高純度材料で構成することが好ましい。言い換えると、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，ＮａおよびＫの含有量（質量％）の合計量を１００％から引いた値［１００−（Ｆｅ％＋Ｎｉ％＋Ｃｒ％＋Ａｌ％＋Ｎａ％＋Ｋ％）が９９．９９〜９９．９９９％の範囲の高純度材料を用いることが好ましい。
【００３２】
上記した不純物元素の合計含有量が１００ｐｐｍを超えると、得られるシリサイド膜の比抵抗が高くなり過ぎて、例えば配線膜としての特性が低下してしまう。このようなことから、シリサイドターゲット中の不純物元素としてのＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，ＮａおよびＫの合計含有量は１００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００３３】
本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、平均組成が一般式ＭＳｉｘ（但し、ＭはＷ，Ｍｏ，Ｔａ，ＴｉおよびＮｂから選択される少なくとも１種の金属であり、２≦ｘ≦４を満足する。）で表わされ、金属シリサイドが連鎖状に形成される一方、Ｓｉ粒子が結合して形成されたＳｉ相が上記金属シリサイドの間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、ＡｕおよびＡｇの少なくとも一方を元素を１０〜３００ｐｐｍの範囲で含有するスパッタリングターゲットの製造方法において、Ｍ金属粉末とシリコン（Ｓｉ）粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比で２〜４になるように混合して均一な原料混合体を調製する工程と、得られた原料混合体を加熱して金属シリサイドを合成し仮焼結体を調製する工程と、得られた仮焼結体を粉砕し、この粉砕粉にＡｇ粉末およびＡｕ粉末の少なくとも一方を１０〜３００ｐｐｍ添加して均一に混合し、得られた混合体を真空中にて温度１１００〜１２００℃で２〜３時間加熱する液相分散化熱処理を行い、添加したＡｇ粉末およびＡｕ粉末を均一に分散させる工程と、上記混合体を２８〜４０ＭＰａの加圧下において温度１３００〜１４００℃で加熱して緻密化焼結する工程と、を具備することを特徴とする。
【００３４】
ここでターゲットの構成成分となる金属（Ｍ）としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）等の、比抵抗の小さい金属シリサイド薄膜の形成が可能な金属が使用されるが、特に、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ等の高融点金属が好ましい。
【００３５】
これらの金属は従来の電極配線材と比較して、比抵抗が小さく、高温における耐腐食性が高いため、そのシリサイドを半導体の電極配線に用いると、半導体装置における演算の高速化が可能となり、また半導体製造時における薬品による腐食や高温処理による酸化を受けにくいという利点を有する。
【００３６】
本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、基本的には高融点金属（Ｍ）粉末とシリコン（Ｓｉ）粉末との混合体を加熱して反応合成して得た金属シリサイド粉末をホットプレスなどにより緻密化焼結する各工程から成る。しかしながら、必須の添加元素である自己維持放電性元素としてのＡｕおよびＡｇの融点がそれぞれ１０６４℃および９６０℃と低いために、これらの元素を添加する時期が重要となる。すなわち、これらの元素を原料粉末の混合段階で添加すると、その後の反応合成工程で発生する反応熱によって揮散してしまう可能性がある。
【００３７】
そのため本発明の製造方法では、まず一旦、Ｍ粉末とＳｉ粉末との原料混合体を加熱してシリサイドを形成した後に、上記自己維持放電性元素としてのＡｇやＡｕを添加し、その均質化処理を実施した後にホットプレス法などで緻密化焼結を実施している。
【００３８】
まず、前記製造方法の第１の工程は、Ｍ粉末とＳｉ粉末とを組成がＳｉ／Ｍ原子比で２〜４になるように配合、混合する工程である。
【００３９】
このＭ粉末とＳｉ粉末を混合する工程では、両者の粉末粒径がシリサイド合成により生成するＭＳｉ２粒径と介在するＳｉの粒径とに影響を及ぼす。特に微細な混合組織を得るためには、最大粒径１０μｍ以下のＭ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末を使用することが好ましい。
【００４０】
ここで組成ＭＳｉｘのＸ値を２〜４の範囲に限定した理由は、Ｘ値が２未満になると、形成されたシリサイド膜に大きな引張り応力が発生して基板との密着性が悪くなり剥離し易くなる。一方、Ｘ値が４を超えると、膜のシート抵抗が高くなって電極配線膜としては不適当となるためである。
【００４１】
そして原料Ｍ粉末とＳｉ粉末とをＳｉ／Ｍ原子比で２〜４に配合し、ボールミルあるいはＶ形ミキサ等を用いて十分均一に乾式混合する。混合が不均一であると、ターゲットの組織と組成が不均一となって膜特性が劣化するので好ましくない。ここで粉末混合は、酸素汚染を防止するため真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００４２】
次に第２工程として、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱して金属シリサイドを合成し仮焼結体を調製する。ＭとＳｉの混合粉末を加熱すると、Ｓｉは軟化するとともにＭと反応して粒状の金属シリサイド（ＭＳｉ２）を形成するため、ＭとＳｉが接した部分では、ＭＳｉ２の生成熱により局所的に昇温して一層軟化する。そのためＭＳｉ２粒子の表面および周囲にＭＳｉ２化した粒子が凝集し、粒状のＭＳｉ２が連鎖状に結合した状態となり、Ｓｉ粒子が結合して形成されたＳｉ相が上記金属シリサイドの間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有する仮焼結体が得られる。
【００４３】
次に第３工程として、得られた仮焼結体を粉砕し、この粉砕粉にＡｇ粉末およびＡｕ粉末の少なくとも一方を１０〜３００ｐｐｍ添加して均一に混合し、得られた混合体を真空中にて温度１１００〜１２００℃で２〜３時間加熱する液相分散化熱処理を実施する。
【００４４】
この液相分散化熱処理（均一化処理）により、Ａｇ成分およびＡｕ成分が液相状態となって粉砕粉周囲に流動化して均一に分散した混合体が得られる。
【００４５】
上記粉砕粉に添加するＡｇ粉末およびＡｕ粉末としては、より均一分散化を実現するために最大粒径が２０μｍ以下の粉末を使用することが好ましい。
【００４６】
上記液相分散化熱処理および後述する緻密化焼結における加熱条件についても、前記自己維持放電性元素としてのＡｇおよびＡｕの融点がシリサイドの焼結温度に対して低いために厳格に制御する必要がある。
【００４７】
すなわち本発明では、添加物としてのＡｇおよびＡｕを均一に分散させるために温度１１００〜１２００℃で２〜３時間加熱する液相分散化熱処理を、本焼結（緻密化焼結）に先立って実施する。この液相分散化熱処理の温度が１１００℃未満であると、添加元素（Ａｇ，Ａｕ）の均一分散が困難であり、そのまま加圧して焼結すると添加元素が凝集したままの状態で焼結されてしまう。
【００４８】
一方、処理温度が１２００℃を超えると、添加元素が液相分散する前にシリサイド粒子の焼結が進行し、添加元素が組織内に閉じ込められ、いずれも結果的に分散せず凝集してしまうためである。したがって、上記液相分散化処理時の温度は、添加元素が液相となって流動し易く、なおかつシリサイド粒子の焼結の進行度が小さい１１００〜１２００度の温度範囲が適切である。
【００４９】
次に第４工程として、上記混合体を２８〜４０ＭＰａの加圧下において温度１３００〜１４００℃で加熱して緻密化焼結する工程を実施する。加熱温度はＳｉ成分の融点直下の温度である１３００〜１４００℃の範囲とされる。加熱温度が１３００℃未満である場合には、緻密化が不十分となり、相対密度が９９％以上のターゲットは得られない。一方、加熱温度が１４００℃を超えると、共晶反応が進行して粗大なＭＳｉ２が生成し易くなるとともに、Ｓｉが溶融して連続的な組織を有するターゲットになり易い。
【００５０】
また上記緻密化焼結工程における加圧力が２８ＭＰａ未満であると、緻密化が不十分となり相対密度が９９％以上のターゲットが得にくくなる。一方、加圧力が４０ＭＰａを超えるとＭＳｉ２粒子が粗大化して微細な混合組織が得にくくなる。
【００５１】
上記のような本発明の製造方法を実施することにより、金属シリサイドが連鎖状に形成される一方、Ｓｉ相が金属シリサイドの間隙に不連続に存在し、かつＡｇ，Ａｕの自己維持放電性元素が均一に分散化した微細な混合組織を有するスパッタリングターゲットが得られる。また、上記Ａｇ，Ａｕの含有量のばらつきが３０％以下であるターゲットを容易に製造することが可能になる。
【００５２】
上記構成に係るスパッタリングターゲットおよびその製造方法によれば、連鎖状に形成された金属シリサイドの間隙に珪素相が不連続に存在し、かつＡｇ，Ａｕの自己維持放電性元素が均一に分散した微細な混合組織を有するターゲットとしているため、製膜時に発生するパーティクルおよび異常放電を低減でき、安定した成膜操作が可能になる上にパーティクル等による不良を低減し、半導体装置の製造歩留りを大幅に改善できる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態について以下の実施例に基づいて具体的に説明する。
【００５５】
実施例１
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｗ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．８となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００５６】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＷシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｇ粉末を５０ｐｐｍ添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００５７】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度１２００度で２時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３５０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体（相対密度９９％以上）を製造した。
【００５８】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法（装置名：セイコー電子工業株式会社製  ＳＰＳ−１２００Ａ）によりＡｇ含有量を計測し、その含有量のばらつきを調査した。その結果、Ａｇ含有量は添加時と同じく５０ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは２０％に抑制することができた。
【００５９】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００６０】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを計測した。
【００６１】
なお、異常放電に関しては、マイクロアークモニターを用い、２００ｍＶ以上の電圧値の発生を一回の異常放電として計測した。またパーティクルに関しては、直径が０．２μｍ以上のパーティクルを対象としてパーティクルカウンターによって計測した。また、膜厚に関しては図１に示すターゲットに対応するウェハー上に設定された１７箇所のシリサイド膜の厚さを膜厚計測器（ａｌｐｈａ−ｓｔｅｐ２０００）を使用して計測し、この膜厚分布から、Ａｇ，Ａｕ含有量のばらつきを求める計算式と同様の式に基づいて膜厚のばらつきを算出した。
【００６２】
その結果、異常放電回数は１５回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは１０％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り２０個に抑制されており、良好なスパッタリング特性が得られることが判明した。
【００６３】
実施例２
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｍｏ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．７となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００６４】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＭｏシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｕ粉末を１００ｐｐｍ添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００６５】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度１１００℃で２時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に２９．４Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３００℃で７時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体（相対密度９９％以上）を製造した。
【００６６】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｕ含有量を計測し、その含有量のばらつきを調査した。その結果、Ａｕ含有量は添加時と同じく１００ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは１５％に抑制することができた。
【００６７】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００６８】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。その結果、異常放電回数は９回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは８％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り１４個に抑制されており、良好なスパッタリング特性が得られることが判明した。
【００６９】
実施例３
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｔａ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．６となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００７０】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＴａシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｕ粉末を２００ｐｐｍ添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００７１】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度１１５０℃で３時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３８０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体（相対密度９９％以上）を製造した。
【００７２】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｕ含有量を計測し、その含有量のばらつきを調査した。その結果、Ａｕ含有量は添加時と同じく２００ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは１０％に抑制することができた。
【００７３】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００７４】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。その結果、異常放電回数は２０回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは１８％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り２５個に抑制されており、良好なスパッタリング特性が得られることが判明した。
【００７５】
実施例４〜８
表１に示す通り、ターゲットを構成するＭ金属の種類，Ｓｉ／Ｍ原子比，ＡｇやＡｕの添加量，液相均質化熱処理条件を変更した点以外は実施例１と同様の条件で原料粉末の混合、シリサイド合成反応，緻密化焼結を実施してそれぞれ各実施例に係るターゲット焼結体（相対密度９９％以上）を製造した。
【００７６】
各ターゲット焼結体について実施例１と同様にして、添加物としてのＡｇ，Ａｕ含有量の分布を測定し、この分布値からＡｇ，Ａｕ含有量のばらつきを算出して表１に示す結果を得た。
【００７７】
また各ターゲット焼結体を機械研削加工して実施例１と同一寸法のスパッタリングターゲットを作製し、同様にスパッタリング操作を実施した。そして各スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜厚のばらつきを測定して表１に示す結果を得た。
【００７８】
比較例１
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｗ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．８となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００７９】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＷシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｕ粉末を１ｐｐｍと過少に添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００８０】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度１２００℃で５時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３５０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体を製造した。
【００８１】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｕ含有量は添加時と同じく１ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは１４％に抑制することができた。
【００８２】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００８３】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。その結果、異常放電回数は７５回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは１４％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り７２個と増加していた。すなわち、比較例１に係るターゲットにおいては、Ａｕ含有量が過少であったために、従来のターゲット並みに異常放電の発生頻度が高く、その結果、パーティクルの混入数も多くなることが確認できた。
【００８４】
比較例２
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｍｏ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．６となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００８５】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＭｏシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｇ粉末を５００ｐｐｍと過剰に添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００８６】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度１１５０度で３時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に２９．４Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３００℃で７時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体を製造した。
【００８７】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｇ含有量を計測し、その含有量のばらつきを調査した。その結果、Ａｇ含有量は添加時と同じく５００ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは２４％に抑制することができた。
【００８８】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００８９】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。その結果、異常放電回数は２０回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは６０％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り１７個であった。すなわち、比較例２のターゲットにおいては、Ａｇ含有量が過剰であったため、形成したシリサイド膜の膜厚の均一性が著しく低下しており、製膜の歩留りが悪化することが判明した。
【００９０】
比較例３
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｔａ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．６となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００９１】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＴａシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｇ粉末を０．５ｐｐｍと過少に添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００９２】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度９００度で５時間加熱してＡｇ成分を分散させる液相均質化熱処理を実施した。その後に３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３８０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体を製造した。
【００９３】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｇ含有量を計測し、その含有量のばらつきを調査した。その結果、Ａｇ含有量は添加時と同じく０．５ｐｐｍであり、その含有量のばらつきは４８％であった。すなわち、比較例３に係るターゲットでは、分散化熱処理温度が低く、そのまま焼結したため、Ａｇ成分がターゲット組織内に均一に分散せず、凝集してしまう結果となった。
【００９４】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【００９５】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。
【００９６】
その結果、異常放電回数は１０２回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは２０％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り９５個であった。すなわち、比較例３のターゲットにおいては、Ａｇの含有量が過少であり、かつそのＡｇ成分の分散度が低い状態であったため、従来のターゲットより異常放電が頻発することになり、その結果、パーティクルの混入数も増加し、安定したスパッタリング操作は困難であった。
【００９７】
比較例４
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｗ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が２．８となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【００９８】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＷシリサイド粉末を得た。この粉末に、最大粒径２０μｍ以下のＡｕ粉末を４５０ｐｐｍと過剰に添加し、ボールミルによって３時間均一に混合して均質化を図った。
【００９９】
次に得られた混合体を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において温度８００℃で４時間加熱する液相均質化熱処理を実施した。その後に３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３５０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体を製造した。
【０１００】
得られたターゲット焼結体について図１に示す１７箇所の位置より試料片を採取し、その相対密度をアルキメデス法によって測定して平均値を算出する一方、ＩＣＰ発光分光分析法によりＡｕ含有量を計測し、その含有量のぎらつきを調査した。その結果、Ａｕ含有量は添加時と同じく４５０ｐｐｍであったが、その含有量のばらつきは６２％と増大した。すなわち、比較例４のターゲットでは、分散化熱処理温度が低い上に、そのまま焼結していたためにＡｕ成分が均一に分散せずに凝集してしまう結果となった。
【０１０１】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【０１０２】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。
【０１０３】
その結果、異常放電回数は１１０回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは５５％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り８０個であった。すなわち、比較例４のターゲットにおいては、Ａｕ成分の分散度が低いため、従来のターゲットより多くの異常放電が発生し、その結果、パーティクルの混入数も増大した。さらにＡｕ含有量が過大であるため、シリサイド膜の膜厚の均一性が著しく悪化し、製膜の歩留りが大幅に低下した。
【０１０４】
比較例５
高融点金属（Ｍ）粉末として最大粒径１０μｍの高純度Ｔｉ粉末と最大粒径３０μｍ以下のＳｉ粉末とを、Ｓｉ／Ｍ原子比が３．０となるように配合し、高純度Ａｒガスで置換したボールミルで４８時間混合して均一な原料混合体を調製した。
【０１０５】
次に、得られた原料混合体を１０００〜１２００℃に加熱してシリサイド合成反応を生起せしめ仮焼結体とした。さらに仮焼結体を９６〜１４４時間粉砕してＴｉシリサイド粉末を得た。この粉末に自己維持放電性元素としてのＡｕやＡｇを全く添加しない状態で、そのまま粉砕粉を黒鉛製の成形用型に充填し、この成形用型をホットプレス装置に挿入し、真空度５×１０−２Ｐａ以下の真空中において３４．３Ｍｐａの加圧力を作用させた状態で温度１３６０℃で５時間加熱する緻密化焼結を実施し、円盤状のターゲット焼結体を製造した。
【０１０６】
さらに上記のように調製したターゲット焼結体を機械研削加工することにより直径１２７ｍｍ×厚さ６ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットをスパッタリング装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＨ−５５０）に装着し、Ａｒ圧力を２．０×１０−１Ｐａとした条件下でスパッタリング操作を実行し、５インチウェハー上に厚さ２０００Åのシリサイド膜を堆積させた。
【０１０７】
そして、上記スパッタリング操作中に発生した異常放電回数を測定するとともに、形成したシリサイド膜中に混入したパーティクル数およびシリサイド膜の膜厚のばらつきを実施例１と同様にして計測した。
【０１０８】
その結果、異常放電回数は５０回であり、シリサイド膜の膜厚のばらつきは９％であり、直径０．２μｍ以上のパーティクルの混入数は１ウェハー当り４０個であった。すなわち、この比較例５に係るターゲットは、Ａｕ，Ａｇ成分を含有しない従来のターゲットに相当し、自己維持放電性元素としてのＡｕ，Ａｇを含有していないため、異常放電が多く、その結果、シリサイド膜へのパーティクル混入量も多くなることが再確認できた。
【０１０９】
上記のように調製した各実施例および比較例に係るスパッタリングターゲットの組成、添加物としてのＡｇ，Ａｕ含有量、処理条件、ターゲット特性値をまとめて下記表１に示す。
【０１１０】
【表１】
0004921653.tif 000002
【０１１１】
上記表１に示す結果から明らかなように、本発明の各実施例および比較例に係るターゲットの特性を比較すると、自己維持放電性元素としてのＡｇ，Ａｕを所定量含有し均一な微細混合組織を有する各実施例のターゲットでは、異常放電回数，膜厚のばらつき，パーティクル混入数が大幅に減少しており、従来より安定したスパッタリング特性を示すことが判明した。また欠陥が少ない安定した製膜操作が可能となるため、半導体装置の電極および配線用の高品質の薄膜を形成する際に極めて有用であり、半導体製品の製造歩留りを大幅に改善できることが判明した。そして、本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜した薄膜を具備する電子部品は信頼性が高いものであった。
【０１１２】
【発明の効果】
以上説明の通り、本発明に係るスパッタリングターゲット、その製造方法によれば、連鎖状に形成された金属シリサイドの間隙に珪素相が不連続に存在し、かつＡｇ，Ａｕの自己維持放電性元素が均一に分散した微細な混合組織を有するターゲットとしているため、製膜時に発生するパーティクルおよび異常放電を低減でき、安定した成膜操作が可能になる上にパーティクル等による不良を低減し、半導体装置の製造歩留りを大幅に改善でき、信頼性の高い電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを使用して形成したシリサイド膜の特性を測定するための試料片の採取位置および測定位置を示す平面図。
【符号の説明】
１〜１７  試料片の採取位置，測定位置
【図１】
0004921653.tif 000003