(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の一の層上に一の画素電極及び他の画素電極を形成する第１工程と、
前記一の画素電極から前記他の画素電極に渡って、前記一の画素電極及び前記他の画素電極を覆うように第１保護膜を形成する第２工程と、
前記第１保護膜上に第２保護膜を形成する第３工程と、
前記第２保護膜上から前記第２保護膜を研磨し、前記第２保護膜のうち前記一の画素電極及び前記他の画素電極間の電極間領域に残る残部の表面と、前記第１保護膜のうち前記一の画素電極を覆う第１部分の表面と、前記第１保護膜のうち前記他の画素電極を覆う第２部分の表面とが揃うように、前記残部、前記第１部分及び前記第２部分の夫々の表面からなる平坦なエッチング面を形成する第４工程と、
前記エッチング面上から前記残部、前記第１部分及び前記第２部分をエッチングすることによって、前記第１保護膜のうち前記残部の下側に延びる電極間部分、並びに、前記一の画素電極及び前記他の画素電極の夫々の表面を含む平坦な平坦面を形成する第５工程と、
前記平坦面に配向膜を形成する第６工程と
を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第４工程において、ＣＭＰ法を用いて前記第２保護膜を研磨すること
を特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１保護膜の研磨レートは、前記第２保護膜の研磨レートより低いこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶ライトバルブに用いられる液晶装置の製造方法、及びこのような液晶装置の製造方法によって製造された液晶装置、並びに液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶装置に応用される半導体装置では、溝が作り込まれる絶縁物にパターンを先に形成し、その後、パターンに対応した溝にアルミニウム等の電極材料を埋め込み、その上側からＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等の研磨法を用いて、電極の表面をその周辺部の表面と共に平坦化するダマシン技術が多く用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１４８３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、液晶装置の画素電極材料として用いられるＩＴＯ等の透明電極上に複数種類の保護膜を順に形成した場合、上述のダマシン技術をそのまま応用して画素電極及びその周辺部の夫々の表面を含む平坦な面を形成することは技術的に困難である。加えて、これら保護膜の表面には透明電極の厚みに応じて凹凸が形成されるため、凹凸が形成された複数の保護膜をその上側からエッチングした場合、これら複数の保護膜及び画素電極の夫々に対するエッチングの選択比（エッチングのされ易さ）の違いに起因してエッチング面に凹凸が残り、平坦なエッチング面を形成することが困難である。特に液晶装置では、画素電極上の凹凸面に配向膜が形成された場合、配向膜の凹凸に起因して液晶に対する配向規制力を均一にすることが困難となり、画質を向上させることが困難となる技術的問題点が生じる。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素電極およびその周辺部の夫々の表面からなる平坦面を簡便な工程で形成することによって画質を高めた液晶装置を製造可能な液晶装置の製造方法、及びそのような液晶装置の製造方法を用いて製造された液晶装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る液晶装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の一の層上に一の画素電極及び他の画素電極を形成する第１工程と、前記一の画素電極から前記他の画素電極に渡って、前記一の画素電極及び前記他の画素電極を覆うように第１保護膜を形成する第２工程と、前記第１保護膜上に第２保護膜を形成する第３工程と、前記第２保護膜上から前記第２保護膜を研磨し、前記第２保護膜のうち前記一の画素電極及び前記他の画素電極間の電極間領域に残る残部の表面と、前記第１保護膜のうち前記一の画素電極を覆う第１部分の表面と、前記第１保護膜のうち前記他の画素電極を覆う第２部分の表面とが揃うように、前記残部、前記第１部分及び前記第２部分の夫々の表面からなる平坦なエッチング面を形成する第４工程と、前記エッチング面上から前記残部、前記第１部分及び前記第２部分をエッチングすることによって、前記第１保護膜のうち前記残部の下側に延びる電極間部分、並びに、前記一の画素電極及び前記他の画素電極の夫々の表面を含む平坦な平坦面を形成する第５工程と、前記平坦面に配向膜を形成する第６工程とを備える。
【０００７】
本発明に係る液晶装置の製造方法によれば、一の画素電極及び他の画素電極は、例えば、基板上にマトリクス状に形成された複数の画素電極のうち相互に隣り合う画素部の夫々に形成された画素電極である。第１工程では、例えば、スパッタ等の汎用の膜形成法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料を所定のパターンに成膜し、一の画素電極及び他の画素電極を形成される。一の層は、例えば、基板上に形成され、且つこれら画素電極の下地膜となる絶縁膜であり、単層の絶縁膜、或いは相互に積層された多層の絶縁膜から構成されている。
【０００８】
第２工程では、前記一の画素電極から前記他の画素電極に渡って、前記一の画素電極及び前記他の画素電極に重なるように、言い換えれば、一の画素電及び他の画素電極を覆うだけでなく、これら画素電極間の隙間を埋めるように、第１保護膜を形成する。
【０００９】
第３工程では、前記第１保護膜上に第２保護膜を形成する。尚、第１保護膜及び第２保護膜は、半導体装置或いは液晶装置において層間絶縁膜として汎用される絶縁材料を、例えば、プラズマＣＶＤ法等の汎用の成膜法を用いて成膜することによって形成される。
【００１０】
第４工程では、前記第２保護膜上から前記第２保護膜を研磨する。この際、前記第２保護膜のうち前記一の画素電極及び前記他の画素電極間の電極間領域に残る残部の表面と、前記第１保護膜のうち前記一の画素電極上を覆う第１部分の表面と、前記第１保護膜のうち前記他の画素電極を覆う第２部分の表面とが揃うように、言い換えれば、後述する配向膜による液晶の配向規制力が少なくとも凹凸によって乱されないように、残部、並びに第１部分及び第２部分の夫々の表面が揃えられる。尚、第２保護膜のうち一の画素電極及び他の画素電極の夫々に重なる部分が除去され、第１部分及び第２部分の夫々が露出するタイミングは、第１保護膜及び第２保護膜の夫々の材料の違いによる研磨レートの違いに応じて容易に特定でき、特定されたタイミングで研磨を止めることによって、前記残部、前記第１部分及び前記第２部分の夫々の表面からなる平坦なエッチング面を形成することが可能である。
【００１１】
第５工程では、前記エッチング面上から前記残部、前記第１部分及び前記第２部分をエッチングする。ここで、エッチング面は平坦な面であるため、前記第１保護膜のうち前記残部の下側に延びる電極間部分、並びに、前記一の画素電極及び前記他の画素電極の夫々の表面を含む平坦な平坦面を容易に形成できる。
【００１２】
第６工程では、前記平坦面に配向膜を形成する。したがって、配向膜は、画素電極と、隣り合う画素電極の間に隙間に生じた隙間との段差に起因して生じる凹凸を有することなく平坦な膜として形成されることになる。よって、配向規制力が基板上で均一になり、液晶装置の表示性能、より具体的には、配向規制力のばらつきに応じた表示むら等の表示不良を低減でき、画質を向上させることが可能である。
【００１３】
以上、説明したように、本発明に係る液晶装置の製造方法によれば、画素電極およびその周辺部の夫々の表面からなる平坦面を簡便な工程で形成することによって画質を高められた液晶装置を簡便に製造することが可能である。
【００１４】
本発明に係る液晶装置の製造方法の一の態様では、前記第４工程において、ＣＭＰ法を用いて前記第２保護膜を研磨してもよい。
【００１５】
この態様によれば、前記残部の厚みと、前記電極間部分の厚みとを合わせた合計厚み、並びに、前記第１保護膜のうち前記一の画素電極及び前記他の画素電極の夫々の上に各々延びる第１部分及び第２部分の夫々の厚みとが揃うように、研磨を止めるタイミングを特定でき、そのタイミングで研磨を止めることによって、容易にこれら厚みを揃えることが可能である。
【００１６】
本発明に係る液晶装置の製造方法の他の態様では、前記第１保護膜の研磨レートは、前記第２保護膜の研磨レートより低くてもよい。
【００１７】
この態様によれば、シリコン酸化膜等の第２保護膜に対してＣＭＰ法等の研磨を進めていった場合、シリコン窒化膜等の第１保護膜に研磨が到達したタイミングで研磨を止めることが可能である。より具体的には、研磨レートの異なる深さまで研磨を進めていった際に、研磨レートの違いに応じて被研磨対象に対する研磨を進み具合が異なるため、そのタイミングを検知することによって研磨を止めるタイミングを正確に特定できる。したがって、そのタイミングで研磨を止めることによって、第１部分及び第２部分の表面が露出した段階で研磨を止めることが可能である。
【００２２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る液晶装置の製造方法、及び液晶装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。
【００２４】
＜１：液晶装置の構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、後述する液晶装置の製造方法で製造される、本実施形態に係る液晶装置の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置を対向基板側から見た平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。ここでは、液晶装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げている。このような液晶装置は、例えば、液晶プロジェクタ等の投写型表示装置のライトバルブとして用いられる。
【００２５】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「基板」の一例である素子基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２６】
液晶層５０は、例えば、ＴＮ液晶を含んで構成されている。液晶層５０は、その駆動時に応じて画像のコントラスト及び液晶装置１の透過率が可変となるように構成されている。
【００２７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて素子基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００２８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、対向基板２０上において、電極より上層側に配置されて形成されてもよいし、素子基板１０側に内蔵遮光膜として形成されてもよい。
【００２９】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１、及び外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って複数設けられている。液晶装置１を駆動させるための電源及び各種信号は、外部回路に電気的に接続された外部回路端子１０２を介して液晶装置１に供給される。これにより液晶装置１が動作状態となる。
【００３０】
走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられた素子基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、素子基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００３１】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、素子基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３２】
図２において、素子基板１０上には、画素スイッチング用のスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する。）や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、本発明の「配向膜」の一例である配向膜１６が形成されている。他方、詳細な構成については省略するが、液晶装置１において、対向基板２０に形成された電極が、画素電極９ａと対向するように配置されており、この電極上には、配向膜２２が形成されている。液晶装置１によれば、後述する液晶装置の製造方法によって配向膜１６が画素電極９ａ上で平坦な膜として形成されているため、配向膜１６が凹凸形状を有する場合に比べて、液晶層５０に対する作用する配向規制力が均一となる。したがって、液晶装置１の表示性能、言い換えれば、表示される画像の画質が、配向膜１６が凹凸形状を有する場合に比べて高められている。
【００３３】
＜２：液晶装置の製造方法＞
次に、図３乃至図５を参照しながら本実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法における主要な工程を示したフローチャートである。図４及び図５は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部の工程、より具体的には素子基板形成工程の一部の工程を詳細に示した工程断面図である。
【００３４】
図３において、素子基板１０の本体に画素回路部及び配向膜等を形成することによって素子基板１０を形成する（ステップＳ１）。これと相前後して、或いは並行して、対向電極及び配向膜等が形成された対向基板２０を形成する（ステップＳ２）。次に、素子基板１０又は対向基板２０上のシール領域に未硬化のシール材を塗布する（Ｓ３）。
【００３５】
ここで、図４及び図５を参照しながら、素子基板１０の製造プロセスを詳細に説明する。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、素子基板１０上の、本発明の「一の層」の一例である絶縁層８０上にスパッタ法等の汎用の成膜法及びパターニング法を用いてＩＴＯ等の透明導電材料を所定のパターンに成膜し、複数の画素電極９ａを形成する（第１工程）。本実施形態では、絶縁層８０上に複数の画素部の夫々に対応して複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されるが、説明の便宜上、複数の画素電極９ａのうち相互に隣り合う２つの画素電極の図示している。したがって、図中、一方の画素電極９ａ１が、本発明の「一の画素電極」の一例であり、他方の画素電極９ａ２が、本発明の「他の画素電極」の一例である。絶縁層８０は、素子基板１０上に形成され、且つ画素電極９ａの下地膜となる絶縁膜であり、単層の絶縁膜、或いは相互に積層された多層の絶縁膜から構成されている。また、絶縁層８０は、研磨処理によりその表面が平坦化されている。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、画素電極９ａ１から画素電極９ａ２に渡って、画素電極９ａ１及び９ａ２に重なるように、本発明の「第１保護膜」の一例であるＳｉ３Ｎ４等のシリコン窒化膜８１をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する（第２工程）。第２工程では、画素電極９ａ１から画素電極９ａ２に渡って、画素電極９ａ１及び９ａ２を覆うだけでなく、これら画素電極間の隙間を埋めるように、シリコン窒化膜８１を形成される。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜８１上に、本発明の「第２保護膜」の一例であるＳｉＯ２等のシリコン酸化膜８２をシリコン窒化膜８１と同様の成膜法を用いて形成する（第３工程）。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜８２上からシリコン酸化膜８２を研磨する（第４工程）。この際、除去されなかったシリコン酸化膜８２ａのうち画素電極９ａ１及び９ａ２間の電極間領域Ｒに残る残部８２ｂの表面と、シリコン窒化膜８１のうち画素電極９ａ１を覆う第１部分８１ａの表面と、シリコン窒化膜８１のうち画素電極９ａ２を覆う第２部分８１ｂの表面とが揃うように、言い換えれば、後述する配向膜による液晶の配向規制力が少なくとも凹凸によって乱されないように、残部８２ｂ、並びに第１部分８１ａ及び第２部分８１ｂの夫々の表面が揃えられる。尚、シリコン酸化膜８２のうち画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々に重なる部分が除去され、第１部分８１ａ及び第２部分８１ｂの夫々が露出するタイミングは、シリコン窒化膜８１及びシリコン酸化膜８２の夫々の材料の違いによる研磨レートの違いに応じて容易に特定でき、特定されたタイミングで研磨を止めることによって、残部８２ｂ、第１部分８１ａ及び第２部分８１ｂの夫々の表面からなる平坦なエッチング面８４ｓを形成することが可能である。
【００４０】
特に本実施形態では、シリコン窒化膜８１の研磨レートは、シリコン酸化膜８２の研磨レートより低いため、シリコン酸化膜８２に対してＣＭＰ法等の研磨を進めていった場合、シリコン窒化膜８１に研磨が到達したタイミングで研磨を正確に止めることが可能である。より具体的には、研磨レートの異なる深さまで研磨を進めていった際に、研磨レートの違いに応じて被研磨対象に対する研磨を進み具合が異なるため、そのタイミングを検知することによってシリコン窒化膜８１に対する研磨を止めるタイミングを正確に特定できる。したがって、そのタイミングで研磨を止めることによって、第１部分８１ａ及び第２部分８１ｂの表面が露出した段階で研磨を正確に止めることが可能である。
【００４１】
次に、図５（ｅ）に示すように、エッチング面８４ｓ上から残部８２ｂ、第１部分８１ａ及び第２部分８１ｂをウェットエッチングによりエッチングバックする（第５工程）。ここで、エッチング面８４ｓは平坦な面であるため、シリコン窒化膜８１のうち残部８２ｂの下側に延びる電極間部分８１ｃ、並びに、画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の表面を含む平坦な平坦面８５ｓを容易に形成できる。その後、平坦面８５ｓに配向膜１６を平坦に形成する（第６工程）。
【００４２】
このような素子基板形成工程によれば、配向膜１６は、画素電極９ａ１及び９ａ２間の隙間と、これら画素電極との間に生じた段差に起因して生じる凹凸を有することなく平坦な膜として形成されることになる。したがって、配向規制力が素子基板１０上で均一になり、液晶装置１の表示性能、より具体的には、配向規制力のばらつきに応じた表示むら等の表示不良を低減でき、画質を向上させることが可能である。
【００４３】
再び、図３において、真空中において、未硬化のシール材を介して素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせる（Ｓ４）。尚、素子基板１０及び対向基板２０を相互に貼り合わせる基板貼り合わせ工程は、素子基板１０及び対向基板２０の相対的な位置合わせを精度良く行うアライメント工程を含んでいる。ここで、シール材の塗布工程と、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合せる基板貼り合せ工程とが真空中で行われているため、後述する硬化工程の前段階の工程で、シール材に空気が触れることない。したがって、塗布されたシール材に空気が含まれることがなく、空気に含まれる酸素によってシール材が変質することを低減できる。
【００４４】
次に、塗布されたシール材を硬化させ、素子基板１０及び対向基板２０を硬化したシール材５２を介して相互に接着する（Ｓ５）。シール材５２は、紫外線（ＵＶ光）等が照射されることによって硬化されていてもよいし、熱を加える熱硬化によって硬化されてもよい。また、ＵＶ硬化及び熱硬化を順次連続して行うことによって、硬化されてもよい。
【００４５】
次に、シール材５２が部分的に形成されなった領域に位置する液晶注入口から素子基板１０及び対向基板２０間に液晶を注入する（ステップＳ６）。次に、液晶注入口に未硬化のＵＶ硬化樹脂を充填し、ＵＶ光を照射することによって硬化させる。これにより、液晶注入口が封止され（ステップ７）、液晶装置１が組み上がる。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、画素電極およびその周辺部の夫々の表面からなる平坦面を簡便な工程で形成することによって配向膜を平坦に形成でき、画質が高められた液晶装置を簡便に製造することが可能である。
【００４７】
＜３：電子機器＞
次に、図６を参照しながら、上述した液晶装置を用いた投写型表示装置の一例を説明する。本実施形態に係る投写型表示装置は、上述した液晶装置をライトバルブに用い、当該ライトバルブの光入射側及び光出射側の夫々の側に上述の位相差板を配置した光学系を有するプロジェクタである。図６は、本実施形態に係るプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００４８】
図６に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００４９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルに入射する光或いは出射される光は上述の位相差膜によって光学補償されている。液晶パネル及び位相差板を含む光学系から出射された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５１】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００５２】
このようなプロジェクタは、ライトバルブとして上述の液晶装置を具備してなるので、スクリーン等の投写面に投写される投写画像の画質が高められており、高品位の画像を表示可能である。
【００５３】
尚、本実施形態に係る液晶装置は、上述した投写型表示装置に適用される場合に限定されるものではなく、直視型の液晶表示装置の一部を構成することも可能である。また、ＬＣＯＳ等の反射型の液晶装置を構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を順に示したフローチャートである。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程の工程断面図（その１）である。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程の工程断面図（その２）である。
【図６】本実施形態に係る電子機器の一例を示した平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１・・・液晶装置、１０・・・素子基板、１６・・・配向膜、２０・・・対向基板、５０・・・液晶層、８２ｂ・・・残部、８１・・・シリコン窒化膜、８１ａ・・・第１部分、８１ｂ・・・第２部分、８２・・・シリコン酸化膜、８４ｓ・・・エッチング面。８５ｓ・・・平坦面
【図１】
0005109681.tif 000002
【図２】
0005109681.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005109681.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005109681.tif 000007