(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状又は多角形状の外部導体と，
前記外部導体の略中心部に配置され，軸を有する柱状をなし，かつ減衰極を発生させるための切欠きを有する誘電体共振素子と，
前記外部導体の側面に略９０度の角度をなすように配置される，電気信号入力部及び電気信号出力部と，を具備し，
前記切欠きは，前記誘電体共振素子をその端部を含むようにして，前記軸の方向を基準とする斜め４５度に研削して形成され，かつ前記電気信号入力部から正方向に略４５度及び略２２５度の少なくとも一方の位置に配置される
ことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項２】
円筒状又は多角形状の外部導体と，
前記外部導体の略中心部に配置され，軸を有する柱状をなし，かつ減衰極を発生させるための切欠きを有する誘電体共振素子と，
前記外部導体の側面に略９０度の角度をなすように配置される，電気信号入力部及び電気信号出力部と，を具備し，
前記切欠きは，前記誘電体共振素子をその端部を含むようにして，前記軸と平行な方向に研削して形成され，かつ前記電気信号入力部から正方向に略４５度及び略２２５度の少なくとも一方の位置に配置される
ことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項３】
前記誘電体共振素子が円状，楕円状，または多角形状の断面を有する柱状であることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体共振器。
【請求項４】
円筒状又は多角形状の外部導体と，前記外部導体の略中心部に配置され，軸を有する柱状をなす誘電体共振素子と，前記外部導体の側面に略９０度の角度をなすように配置される，電気信号入力部及び電気信号出力部と，を具える誘電体共振器の制御方法であって，
前記誘電体共振素子の一部に切欠きを形成することより，前記誘電体共振器の共振状態を制御し減衰極を発生させ，
前記切欠きは，前記誘電体共振素子が，前記切欠きに起因した斜め４５度の断面を有するようにして，前記誘電体共振素子をその端部を含むようにして，前記軸の方向を基準とする斜め４５度に研削して形成され，前記電気信号入力部から正方向に略４５度及び略２２５度の少なくとも一方の位置に配置される，ことを特徴とする誘電体共振器の制御方法。
【請求項５】
前記誘電体共振素子が円状，楕円状，または多角形状の断面を有する柱状であることを特徴とする請求項４に記載の誘電体共振器の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体共振器、及び誘電体共振器の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯情報端末や通信端末に代表される電子機器では、高機能化及び小型化がめざましい。これら携帯情報端末や通信端末には共振器フィルタが組み込まれており、上述した携帯情報端末などの小型化に伴って、前記共振器フィルタにおいても小型化が要求され、その結果、誘電体共振器が用いられるようになってきている。
【０００３】
上記誘電体共振器としては、例えば特許文献１に記載されているように、空洞共振器内に誘電体共振器素子を配置するとともに、前記空洞共振器において、前記誘電体共振器素子に向けて金属ねじを設け、共振結合モードを行うことによって、複数の周波数に対応した多重モード誘電体共振器が開示されている。しかしながら、このような誘電体共振器においては、共振器内に金属ねじが存在するために、共振に供する電気信号の伝送ロスが大きくなってしまうという問題がある。
【０００４】
上記問題を解決すべく、特許文献２には、誘電体共振器素子に対して円柱状の穴を開けて共振結合モードを行い、複数の周波数に対応した多重モード誘電体共振器が開示されている。しかしながら、これらの誘電体共振器は切削などの加工を伴うために製造コストが増大し、また、十分な共振結合モードを行うことができず、実用に足る複数の周波数に対応した多重モードの共振器を実現することができないでいた。
【特許文献１】特開昭５７−１９４６０３号公報
【特許文献２】特開昭６２−２０４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、電気信号の伝送ロスがなく、多重モードに対応した簡易な構成の誘電体共振器、及びこの誘電体共振器における共振状態（結合モード）を制御する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく、本発明は、
円筒状又は多角形状の外部導体と、
前記外部導体の略中心部に配置され，かつ減衰極を発生させるための切欠きを有する誘電体共振素子と、
電気信号入力部及び電気信号出力部とを具えることを特徴とする誘電体共振器に関する。
【０００７】
また、本発明は、
円筒状又は多角形状の外部導体と、前記外部導体の略中心部に配置された誘電体共振素子とを具える誘電体共振器の制御方法であって、
前記誘電体共振素子の一部に切欠きを形成することより、前記誘電体共振器の共振状態を制御して減衰極を発生させることを特徴とする誘電体共振器の制御方法に関する。
【０００８】
本発明によれば、外部導体内に円柱状又は多角形状の誘電体共振素子を設けるという従来類似の基本構成に対し、前記誘電体共振素子に切欠きを形成するようにして、誘電体共振器の共振状態（結合モード）を制御するようにしている。したがって、従来のように、共振状態（結合モード）を制御するに際し、金属ねじなどを用いないために、共振に供すべき電気信号の伝送ロスなどを生じることがない。また、誘電体共振素子の加工など煩雑な工程を用いないので、上述のような共振状態（結合モード）を制御した誘電体共振器を簡易に得ることができる。
【０００９】
前記切欠きは、前記誘電体共振器のフィルタ特性に減衰極が発生する位置に設けられる。これは、例えば、上記誘電体共振器における電気信号入力部及び電気信号出力部との結合性が小さい箇所とすることができる。具体的には、前記電気信号入力部及び前記電気信号出力部を、前記外部導体の側面に略９０度の角度をなすようにして配置し、前記切欠きを、前記電気信号入力部から略４５度及び２２５度の少なくとも一方の位置に設ける。
【００１０】
なお、上記のようにして、誘電体共振器の共振状態（結合モード）が変化する理由は、誘電体共振器内に導入された電気信号に対するインダクタンス及び／又は結合容量が変化するためと考えられる。
【００１１】
本発明の一態様においては、前記切欠きは、前記誘電体共振素子の、前記誘電体共振器に設けられた電気信号入力部及び電気信号出力部と相対向しないようにして形成する。これによって、前記誘電体共振器の共振状態（結合モード）をより効果的に制御することができる。なお、この場合は、前記誘電体共振器内に導入された電気信号の、モード間のインダクタンスはほとんど変化せず、主として結合容量が変化すると考えられる。
【００１２】
また、前記切欠きは、前記誘電体共振素子が、前記切欠きに起因した高さ方向の垂直な断面を有するように、前記誘電体共振素子を高さ方向に沿って垂直に研削して形成することができる。さらに、前記誘電体共振素子が、前記切欠きに起因した高さ方向の垂直な断面の溝部を有するようにして、前記誘電体共振素子を高さ方向に沿って垂直に研削して形成することができる。また、前記誘電体共振素子が、前記切欠きに起因した斜め４５度の断面を有するようにして、前記誘電体共振素子をその端部を含むようにして斜め４５度に研削して形成することができる。
【００１３】
上記態様によれば、より効果的に誘電体共振器の共振状態（結合モード）を制御することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、電気信号の伝送ロスがなく、多重モードに対応した簡易な構成の誘電体共振器、及びこの誘電体共振器における共振状態（結合モード）を制御する方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における誘電体共振器の平面図であり、図２は、図１に示す誘電体共振器の側面図である。また、図３は、図１及び２に示す誘電体共振器の等価回路である。
【００１７】
図１及び２に示すように、本実施形態における誘電体共振器１０は、円筒状の外部導体１１と、外部導体１１の略中心部に配置された円柱状の誘電体共振素子１２と、外部導体１１の円周面上において互いに９０度の角度をなすようにして配置された電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５とを具えている。なお、誘電体共振素子１２は、図示しない、例えばアルミナなどから構成される支持台上に配置されている。
【００１８】
また、誘電体共振素子１２には、誘電体共振器１０に設けられた電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして、誘電体共振素子１２を高さ方向に沿って垂直に研削してなる切欠き１２Ａが形成されている。この結果、誘電体共振素子１２は、切欠き１２Ａに起因した高さ方向の垂直な断面を有するようになる。
【００１９】
なお、図３におけるＣ１は、電気信号入力部１４と誘電体共振器１０の共振回路とを容量結合する容量結合回路であり、Ｃ５は、電気信号出力部１５と誘電体共振器１０の共振回路とを容量結合する容量結合回路である。また、Ｃ２及びＬ１並びにＣ４及びＬ２は、誘電体共振器１０の共振回路を構成する容量結合回路及びインダクタンスである。さらに、Ｃ３は、切欠き１２Ａによって形成される断間結合容量である。
【００２０】
図３における容量結合回路Ｃ１及びＣ５は、それぞれ電気信号入力部１４、電気信号出力部１５を構成する材料、並びにそれらの大きさなどによって変化する。また、図３における容量結合回路Ｃ２、Ｃ４及びインダクタンスＬ１、Ｌ２は、切欠き１２Ａ及び外部導体１１を構成する材料などによって変化する。
【００２１】
本実施形態においては、特に切欠き１２Ａを設けることによって、容量結合回路Ｃ２及びＣ４、並びにＣ３の値を制御しするとともに、インダクタンスＬ１及びＬ２の値を制御して、共振状態(結合モード)の制御を行う。
【００２２】
図４は、本実施形態における誘電体共振器１０の、電気信号入力部１４を基準とした、切欠きの相対的な位置関係に依存した電気信号の減衰状態を示すグラフである。図４から明らかなように、本実施形態では、電気信号入力部１４からそれぞれ４５度及び２２５度の位置において減衰効果を呈している（周波数特性上，減衰極が発生している）ことが分かる。
【００２３】
すなわち、このような位置に誘電体共振素子１２の切欠き１２Ａを形成することによって、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５との結合性が小さくなり、さらに上述したように、切欠き１２Ａを電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないように設けているので、誘電体共振器１０内に導入した電気信号の共振状態（結合モード）を良好な状態で制御することができるようになる。本実施形態では、図１及び２に示すように、切欠き１２Ａを２２５度の位置に設けているので、上述した作用効果を享受している。
【００２４】
また、本実施形態では、図１中に示すように、２つのＥＨモード（ＥＨ１及びＥＨ２）の結合を行って二重モードの共振状態を実現することができる。
【００２５】
（第２の実施形態）
図５は、本実施形態における誘電体共振器の平面図であり、図６は、図５に示す誘電体共振器の側面図である。なお、図１及び２に示す誘電体共振器の構成要素と類似及び同一の構成要素に対しては同じ参照符号を用いて表している。
【００２６】
図５及び６に示すように、本実施形態における誘電体共振器２０は、円筒状の外部導体１１と、外部導体１１の略中心部に配置された円柱状の誘電体共振素子１２と、外部導体１１の上面に設けられた電気信号入力部１４と、外部導体１１の円周面上に設けられた電気信号出力部１５とを具えている。なお、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５は、上述のような配置の結果、互いに９０度の角度をなすようにして配置されている。また、誘電体共振素子１２は、図示しない、例えばアルミナなどから構成される支持台上に配置されている。
【００２７】
また、誘電体共振素子１２には、誘電体共振器２０に設けられた電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして、誘電体共振素子１２の下端部を含むようにして斜め４５度に研削してなる切欠き１２Ａを有し、その結果、誘電体共振素子１２は、切欠き１２Ａに起因した斜め４５度の断面を有するようになる。
【００２８】
なお、特に図示しないが、本実施形態でも、上記実施形態と同様に、図３に示すような等価回路が構成される。
【００２９】
本実施形態では、上述のように、誘電体共振素子１２の切欠き１２Ａは、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして形成している。したがって、誘電体共振素子１２において切欠き１２Ａを形成することによって、図３における等価回路では、主として容量結合回路Ｃ２が変化することによって、誘電体共振器２０の共振状態（結合モード）が制御されるものと考えられる。
【００３０】
本実施形態では、上述のように、誘電体共振素子１２の切欠き１２Ａは、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして形成している。したがって、誘電体共振素子１２において切欠き１２Ａを形成することによって、図３における等価回路では、主として容量結合回路Ｃ２が変化することによって、誘電体共振器２０の共振状態（結合モード）が制御されるものと考えられる。
【００３１】
図７は、本実施形態における誘電体共振器２０の、電気信号入力部１４を基準とした切欠きの相対的な位置関係に依存した電気信号の減衰状態を示すグラフである。図７から明らかなように、本実施形態では、電気信号入力部１４から電気信号出力部１５に向けた方向を正とした場合において、それぞれ４５度及び２２５度の位置において減衰効果を呈している（周波数特性上，減衰極が発生している）ことが分かる。
【００３２】
すなわち、このような位置に誘電体共振素子１２の切欠き１２Ａを形成することによって、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５との結合性が小さくなり、さらに上述したように、切欠き１２Ａを電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないように設けているので、誘電体共振器２０内に導入した電気信号の共振状態（結合モード）を良好な状態で制御することができるようになる。本実施形態では、図５及び６に示すように、切欠き１２Ａを２２５度の位置に設けているので、上述した作用効果を享受している。
【００３３】
また、本実施形態では、ＴＭモード及びＥＨモード（ＴＭ及びＥＨ２）の結合を行って二重モードの共振状態を実現している。
【００３４】
（第３の実施形態）
図８は、本実施形態における誘電体共振器の平面図であり、図９は、図８に示す誘電体共振器の側面図である。なお、図１及び２に示す誘電体共振器の構成要素と類似及び同一の構成要素に対しては同じ参照符号を用いて表している。
【００３５】
図８及び９に示すように、本実施形態における誘電体共振器３０は、円筒状の外部導体１１と、外部導体１１の略中心部に配置された円柱状の誘電体共振素子１２と、外部導体１１の円周面上において互いに９０度の角度をなすようにして配置された電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５とを具えている。なお、誘電体共振素子１２は、図示しない、例えばアルミナなどから構成される支持台上に配置されている。
【００３６】
また、誘電体共振素子１２には、誘電体共振器３０に設けられた電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして、誘電体共振素子１２を高さ方向に沿って垂直に研削することによって形成した溝部からなる切欠き１２Ａを有している。なお、特に図示しないが、本実施形態でも、上記実施形態と同様に、図３に示すような等価回路が構成される。
【００３７】
本実施形態では、上述のように、誘電体共振素子１２の切欠き１２Ａは、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないようにして形成している。したがって、誘電体共振素子１２において切欠き１２Ａを形成することによって、図３における等価回路では、主として容量結合回路Ｃ２が変化することによって、誘電体共振器３０の共振状態（結合モード）が制御されるものと考えられる。
【００３８】
なお、本実施形態でも、切欠き１２Ａは、図４に示すような減衰効果を示すような、電気信号入力部１４から２２５度の位置に形成されている。したがって、電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５との結合性が小さくなる。結果として、上述したような、切欠き１２Ａを電気信号入力部１４及び電気信号出力部１５と相対向しないように設けていることと相伴って、誘電体共振器３０内に導入した電気信号の共振状態（結合モード）を良好な状態で制御することができるようになる。
【００３９】
また、本実施形態では、２つのＥＨモード（ＥＨ１及びＥＨ２）の結合を行って二重モードの共振状態を実現している。
【００４０】
次に、上記第１の実施形態及び第３の実施形態における切欠き１２Ａの大きさと、誘電体共振器１０、３０内に導入された２つの電気信号（ＥＨ１モード及びＥＨ２モード）の結合状態との相関について調べた。結果を図１０及び１１に示す。
【００４１】
図１０に示すように、第１の実施形態においては、切欠き１２Ａの研削量（深さＨ）が増大するにつれて上記結合係数が上昇し、約１．５−３ｍｍの深さＨにおいて前記結合係数が安定化していることが分かる。したがって、切欠き１２Ａを前述の範囲内に設定しておくことにより、ＥＨ１モード及びＥＨ２モードの結合状態が良好となり、二重モードの共振を実現できることが判明した。
【００４２】
また、図１１に示すように、第３の実施形態においては、切欠き１２Ａの研削量（深さＨ）が増大するにつれて上記結合係数が上昇し、約２−３．５ｍｍの深さＨにおいて前記結合係数が安定化していることが分かる。したがって、切欠き１２Ａを前述の範囲内に設定しておくことにより、ＥＨ１モード及びＥＨ２モードの結合状態が良好となり、二重モードの共振を実現できることが判明した。なお、切欠き１２Ａの幅は０．５ｍｍとした。
【００４３】
（変形例）
以下，変形例として，上記実施形態において，誘電体共振フィルタまたは切り欠きの形状を変化させた場合を説明する。以下に示すように，これらの形状が異なっていても切り欠きの角度を適切に規定することで，減衰極を発生させ，特性の狭帯域化を図ることができる。
【００４４】
Ａ．変形例１
第１の実施形態において，切欠き１２Ａの高さＨを変化させた場合（変形例１）につき説明する。図１２は、誘電体共振器２０の切欠き１２Ａの高さＨを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ１１〜Ｇ１７それぞれで，高さＨが０．２５，０．５，０．７５，１．００，１．５０，１．７５，２．００ｍｍである。図１３は，高さＨと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。高さＨを０．２５〜２．０ｍｍの範囲で変化させることで，共振周波数ｆｋは２．０１５〜２．０３５ＧＨｚ，結合係数ｋは０．０１〜０．００１の範囲で変化している。
【００４５】
Ｂ．変形例２
第１の実施形態において，切欠き１２Ａを誘電体共振素子１２の軸方向の溝形状とした場合（変形例２）につき説明する。図１４は，変形例２に係る誘電体共振素子１２を表す平面図である。変形例２では，切欠き１２Ａは，１の底面および２つの側面を有する略直方体形状の溝であり，誘電体共振素子１２の軸方向に配置される。図１５，図１６はそれぞれ、変形例２において誘電体共振器２０の切欠き１２Ａの高さＨおよび幅Ｄを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ２１〜Ｇ２４それぞれにおいて，高さＨが５ｍｍで，幅Ｄが２．５，５．０，７．５，１０．０ｍｍである。グラフＧ２５〜Ｇ２８それぞれにおいて，幅Ｄが５ｍｍで，高さＨが２．５，５．０，７．５，１０．０ｍｍである。図１７，図１８はそれぞれ，幅Ｄおよび高さＨと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。変形例１の場合と比較すると，高さＨによる共振周波数ｆｋの変化は大きく，結合係数ｋはほぼ同等の範囲で変化している。なお，幅Ｄのみを変化させた場合，共振周波数ｆｋは変化する一方，結合係数ｋはほぼ一定である。
【００４６】
Ｃ．変形例３
第１の実施形態において，切欠き１２Ａを誘電体共振素子１２の径方向の溝形状とした場合（変形例３）につき説明する。図１９は，変形例３に係る誘電体共振素子１２を表す平面図である。変形例３では，切欠き１２Ａは，１の底面および２つの側面を有する略直方体形状の溝であり，誘電体共振素子１２の径方向に配置される。図２０，図２１はそれぞれ、変形例３において誘電体共振器２０の切欠き１２Ａの高さＨおよび厚さＴを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ３１〜Ｇ３３それぞれにおいて，高さＨが５ｍｍで，厚さＴが１，２，４ｍｍである。グラフＧ３５〜Ｇ３８それぞれにおいて，厚さＴが２ｍｍで，高さＨが２．５，５．０，７．５，１０．０ｍｍである。図２２，図２３はそれぞれ，厚さＴおよび高さＨと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。変形例１の場合と比較すると，高さＨによる共振周波数ｆｋの変化は大きく，結合係数ｋはほぼ同等の範囲で変化している。
【００４７】
Ｄ．変形例４
第１の実施形態において，切欠き１２Ａを誘電体共振素子１２の径方向の溝形状（半円柱状）とした場合（変形例４）につき説明する。図２４は，変形例４に係る誘電体共振素子１２を表す平面図である。変形例４では，切欠き１２Ａは，半円状の側面を有する溝であり，誘電体共振素子１２の径方向に配置される。図２５は、変形例４において誘電体共振器２０の切欠き１２Ａの高さＨを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ４１〜Ｇ４４それぞれにおいて，高さＨが１．２５，２．５０，３．７５，５．００ｍｍである。図２６は，高さＨと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。変形例１の場合と比較すると，高さＨによる共振周波数ｆｋの変化は大きく，結合係数ｋはほぼ同等の範囲で変化している。
【００４８】
Ｅ．変形例５
第１の実施形態において，誘電体共振素子１２の形状を楕円形状とした場合（変形例５）につき説明する。図２７は，変形例５に係る誘電体共振素子１２を表す上面図である。変形例５では，誘電体共振素子１２は楕円状の柱状であり，その長手側の両側面に切欠き１２Ａが配置される。図２８は、変形例５において誘電体共振器２０の楕円の長さＬｒを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ７１〜Ｇ７７それぞれにおいて，長さＬｒが０．２５，０．３７５，０．５，０．６２５，０．７５，０．８７５，１．０ｍｍである。図２９は，長さＬｒと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。変形例１の場合と比較すると，共振周波数ｆｋは低周波側にシフトし，結合係数ｋの変化量は小さくなる。
【００４９】
Ｆ．変形例６
第１の実施形態において，誘電体共振素子１２の形状を正８角形状とした場合（変形例６）につき説明する。図３０は，変形例６に係る誘電体共振素子１２を表す上面図である。変形例６では，誘電体共振素子１２は正８角状の柱状であり，その１辺に沿って切欠き１２Ａが配置される。図３１は、変形例６において切欠き１２Ａの高さＨを変化させた場合における、周波数と電気信号の減衰状態との対応関係を示すグラフである。グラフＧ８１〜Ｇ８４それぞれにおいて，高さＨが３，５，６，６．５ｍｍである。図３２は，高さＨと，共振周波数ｆｋ，結合係数ｋの関係を表すグラフである。高さＨを３〜６．５ｍｍの変位で変化させることで，共振周波数ｆｋは２．０１５〜２．０３５ＧＨｚ，結合係数ｋは０．０１〜０．１の範囲で変化する。
【００５０】
以上、本発明について具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５１】
既述のように，誘電体共振器および切欠きには種々の形状が適用できる。上記実施形態に示したように，誘電体共振器として，円柱，楕円柱，正８角柱を利用できる。これに加えて，これらの中間的な形状，例えば，４角柱を利用できる。柱状以外に板状も利用できる。上記実施形態に示したように，切欠きとして，平板状，溝形状等種々の形状を利用できる。
【００５２】
上記具体例では、誘電体共振素子片を外部導体の減衰効果を呈する箇所に配置しているが、必ずしも減衰効果を奏しない箇所に配置した場合においても、誘電体共振素子における切欠きの位置及び大きさを適宜に制御することによって、十分に共振状態（結合モード）の制御を行うことができるようになる。但し、上述のように、誘電体共振素子片を減衰効果の奏する箇所に配置することによって、より簡易かつ効果的に共振状態(結合モード)を制御することができる。
【００５３】
また、上記具体例は、数々のシミュレーションやそれに基づいて実施した実験結果に基づくものであって、実際に誘電体共振素子における切欠きの大きさをどの程度に調節するかなどの具体的な指針は、誘電体共振器の構成によって異なる。例えば、第１の実施形態におけるような配置の電気信号入力部と電気信号出力部とを有する誘電体共振器と、第２の実施形態におけるような配置の電気信号入力部と電気信号出力部とを有する誘電体共振器とでは、誘電体共振素子及び切欠きの大きさの共振状態(結合モード)の依存性は全く異なるようになる。
【００５４】
したがって、具体的な設定は、個別具体的な構成の誘電体共振器において独自に行う必要がある。但し、外部導体に対する、誘電体共振素子の大きさ（高さ及び直径）の選択が基本となることは従来と同様である。
【００５５】
また、上記具体例では、誘電体共振器を円筒状の外部導体から構成する場合についてのみ示したが、多角形状の外部導体から構成した場合についても同様の作用効果を得ることができる。
【００５６】
さらに、本発明においては、本発明の切欠きによる作用効果を阻害しない範囲において、従来のように、金属ねじや樹脂製ねじを誘電体共振素子に向けて外部導体に設けることを排除するものではない。
【００５７】
また、電気信号入力部又は電気信号出力部と誘電体共振器とは、容量結合である必要はなく、誘導結合であっても良い。いずれの場合においても、上述した本発明の要件を満足する限り、本発明の作用効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１の実施形態における誘電体共振器の平面図である。
【図２】図１に示す誘電体共振器の側面図である。
【図３】図１及び２に示す誘電体共振器の等価回路である。
【図４】第１の実施形態における誘電体共振器の、電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図５】第２の実施形態における誘電体共振器の平面図である。
【図６】図５に示す誘電体共振器の側面図である。
【図７】第２の実施形態における誘電体共振器の、電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図８】第３の実施形態における誘電体共振器の平面図である。
【図９】図８に示す誘電体共振器の側面図である。
【図１０】実施例における誘電体共振器の結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図１１】同じく、実施例における誘電体共振器の結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図１２】変形例１における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図１３】変形例１における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図１４】変形例２における誘電体共振器の平面図である。
【図１５】変形例２における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図１６】変形例２における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図１７】変形例２における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、幅依存性を示すグラフである。
【図１８】変形例２における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図１９】変形例３における誘電体共振器の平面図である。
【図２０】変形例３における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図２１】変形例３における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図２２】変形例３における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、厚さ依存性を示すグラフである。
【図２３】変形例３における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図２４】変形例４における誘電体共振器の平面図である。
【図２５】変形例４における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図２６】変形例４における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【図２７】変形例５における誘電体共振器の平面図である。
【図２８】変形例５における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図２９】変形例５における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、長さ依存性を示すグラフである。
【図３０】変形例６における誘電体共振器の平面図である。
【図３１】変形例６における誘電体共振器の電気信号の減衰状態を示すグラフである。
【図３２】変形例６における誘電体共振器の共振周波数および結合係数の、切欠き深さ依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５９】
１０，２０，３０  誘電体共振器
１１  外部導体
１２  誘電体共振素子
１２Ａ  切欠き
１４  電気信号入力部
１５  電気信号出力部
【図１】
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【図２】
0004921438.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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