(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密容器の製造方法であって、
気密容器を構成する第１の部材及び第２の部材の互いに対向する面の一方の面に、第２の接合材を環状に配置し、且つ該第２の接合材よりも押付圧力に対する圧縮率が小さい第１の接合材を、該第１の接合材の高さが該第２の接合材よりも小さくなるように、該第２の接合材に併設させて配置する、接合材配置工程と、
前記第１の接合材及び前記第２の接合材が、前記互いに対向する面の他方の面に接触するように、該他方の面を前記第１の接合材及び前記第２の接合材に押付ける加圧工程と、
前記他方の面に接触した前記第１の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させる加熱工程と、
前記第１の接合材の加熱溶融した部分を冷却する工程と、を有し、
前記加圧工程は、前記第２の接合材が押し潰されて前記第１の接合材の高さと一致した後に、前記第１の接合材が潰れない温度及び圧力で行われる、気密容器の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程は、前記第１の接合材の複数の部分を同時に加熱溶融させることを含む、請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項３】
前記加熱工程は、前記第１の接合材の加熱位置を変えながら複数回の加熱を行うことによって、前記第１の接合材の全てを加熱溶融させることを含む、請求項１または２に記載の気密容器の製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程は、前記第１の接合材に沿って加熱位置を走査しながら該第１の接合材を順次加熱溶融させることを含む、請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項５】
前記加熱工程は第１の接合材を局所加熱することを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【請求項６】
前記局所加熱は、レーザの照射によって行われる、請求項５に記載の気密容器の製造方法。
【請求項７】
前記局所加熱は、ハロゲンランプを照射することによって行われる、請求項５に記載の気密容器の製造方法。
【請求項８】
前記第１の部材及び前記第２の部材はガラスからなり、
前記第１の接合材は金属またはガラスフリットからなる、
請求項７に記載の気密容器の製造方法。
【請求項９】
前記接合材配置工程は、前記第１の接合材として、シート状に焼成されたガラスフリットを用いることを含む、請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項１０】
前記接合材配置工程は、前記第１の接合材として、シート状のアルミニウムを用いることを含む、請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項１１】
気密容器内に電子放出素子と画像形成部材とを有する画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器が、請求項１から１０のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法によって形成されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気密容器および画像形成装置の製造方法に関し、特に画像形成装置の外囲器の接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置の一つである画像表示装置としてリアプレートに画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子が設けられフェースプレートに電子の照射を受けて発光し画像を表示する蛍光膜が設けられ、内部が真空に維持される画像表示装置が知られている。このような画像表示装置では、さらにフェースプレートとリアプレートの間に支持枠が設けられ、支持枠がフェースプレートとリアプレートの双方と接合されて外囲器を形成する構成が多い。外囲器が真空容器として機能するためには、接合部が強固に固定されるだけでなく、十分なシール性を有していることが必要である。
【０００３】
特許文献１には、シール機能を有するシール材によって気密接合した接合部を有し、接着機能を有する接着材によって気密な接合を補強した外囲器の製造方法が記載されている。この技術によれば、接合部の一方の面に、周長に沿ってシール材を設け、加熱して軟化させ、被接合物（例えば、フェースプレート）を押付ける。これによって、シール材が接合部に満遍なく行き渡り、高いシール性が得られる。その後、接着剤をシール材の周辺に塗布し、接合強度を高める。これによって、シール性と接合強度とを兼ね備えた接合部が形成される。
【特許文献１】国際公開第００/５１１５５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の従来技術では、容器の気密性の更なる改善が望まれていた。具体的には、被接合物と押し付ける際にシール材が軟化するために、その上に固定されるフェースプレートの姿勢が不安定となり、接合部の厚さが部位によって変動する可能性がある。シール材は厚さ１ｍｍにも満たない薄い部材であるため、厚さのわずかな変動がシール性に大きな影響を与える。シール性が低下すると、外囲器内部の真空度を確保し、維持することができない。また、フェースプレートの姿勢が不安定であると、フェースプレートがリアプレートと平行に固定されない可能性も生じる。このため、シール材の高さの不均一は、画像品質に大きな影響を与えるおそれがある。
【０００５】
本発明は、シール材をより均一な高さで形成し、容器の気密性をさらに向上させることができる気密容器の製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、このような気密容器の製造方法を用いた、画像形成装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の気密容器の製造方法は、気密容器を構成する第１の部材及び前記第２の部材の互いに対向する面の一方の面に、第２の接合材を環状に配置し、且つ該第２の接合材よりも押付圧力に対する圧縮率が小さい第１の接合材を、該第１の接合材の高さが該第２の接合材よりも小さくなるように、該第２の接合材に併設させて配置する、接合材配置工程と、
前記第１の接合材及び前記第２の接合材が、前記互いに対向する面の他方の面に接触するように、該他方の面を前記第１の接合材及び前記第２の接合材に押付ける加圧工程と、
前記他方の面に接触した前記第１の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させる加熱工程と、
前記第１の接合材の加熱溶融した部分を冷却する工程と、を有し、
前記加圧工程は、前記第２の接合材が押し潰されて前記第１の接合材の高さと一致した後に、前記第１の接合材が潰れない温度及び圧力で行われる。
【０００７】
本発明の画像形成装置の製造方法は、気密容器内に電子放出素子と画像形成部材とを有し、該気密容器が、上記本発明の気密容器の製造方法によって形成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、シール材をより均一な高さで形成し、容器の気密性をさらに向上させることができる気密容器の製造方法を提供することができる。また本発明は、このような気密容器の製造方法を用いた、画像形成装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。本発明の気密容器の製造方法は、真空容器を用いる画像表示装置の製造方法に好適に使用することができる。特に、真空外囲器のフェースプレートに蛍光膜および電子加速電極が形成され、リアプレートに電子源が形成された画像表示装置は、本発明が適用される好ましい形態である。
【００１０】
図１は、本発明の対象となる画像表示装置の一例を示す部分破断斜視図である。画像表示装置１１は、第１の部材１２と、第２の部材１３とを有し、第１の部材１２と第２の部材１３の互いに対向する面同士が接合されることによって密閉された内部空間を有する気密容器である外囲器１０が形成されている。気密容器内（外囲器１０の内部）は真空に維持されている。第１の部材１２はリアプレート（第１のプレート）２２と支持枠２６とからなり、第２の部材１３はフェースプレート３２からなる。支持枠２６のリアプレート２２に固定された面の反対面が、フェースプレート３２と対向する面となる。第１の部材１２はリアプレート２２と支持枠２６とを接合することによって作成されるが、一体物として作成されていてもよい。リアプレート２２及びフェースプレート３２はガラス部材からなる基板を備えている。
【００１１】
リアプレート２２のガラス基板２１には、画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子２７が設けられ、画像信号に応じて各電子放出素子２７を作動させるための配線（Ｘ方向配線２８，Ｙ方向配線２９）が形成されている。フェースプレート３２のガラス基板３３には、電子の照射を受けて発光し画像を表示する、画像形成部材である蛍光膜３４が設けられている。ガラス基板３３上にはさらにブラックストライプ３５が設けられている。蛍光膜３４とブラックストライプ３５は交互に配列して設けられている。蛍光膜３４の上にはＡｌ薄膜よりなるメタルバック３６が形成されている。メタルバック３６は電子を引き付ける電極としての機能を有し、外囲器１０に設けられた高圧端子Ｈｖから電位の供給を受ける。メタルバック３６の上にはＴｉ薄膜よりなる非蒸発型ゲッタ３７が形成されている。
【００１２】
次に、本発明の実施の形態について、図２〜４を用いて具体的に説明する。図２は、本発明のプロセスフロー（接合部）を示す断面図である。図３は、接合部の上面図である。図４は、接合部の一例を示す断面図である。
【００１３】
（ステップＳ１：接合材配置工程）まず、リアプレート２２と支持枠２６とを接合した第１の部材１２を準備する（図２（ａ）参照）。次に、支持枠２６のフェースプレート３２と対向する面に、周長に沿って、第１の接合材１を塗布し焼成する（図２（ｂ），（ｃ）参照）。第１の接合材１は金属またはガラスフリットからなる。ここで、第１の接合材１は、後述する第２の接合材２よりも押付圧力に対する圧縮率が小さいものを選択する。また、第１の接合材１は、その高さが後述の第２の接合材の高さよりも小さくなるようにする。次に、第１の接合材１よりも押付圧力に対する圧縮率が大きい第２の接合材２を環状に、第１の接合材１と併設させて塗布する（図２（ｄ）参照）。圧縮率が大きいとは、第２の接合材２が第１の接合材１よりも軟らかく、押し潰されやすいことを意味する（詳細は後述）。換言すると、圧縮率が小さい第１の接合材１は、第２の接合材２よりも硬く、押し潰されにくいことを意味する。第２の接合材２は、その高さが第１の接合材の高さよりも大きくなるように塗布する。また、第１の接合材と第２の接合材とが併設するように第２の接合材を配置する。図示の実施形態では第１の接合材１を外側に、第２の接合材２を内側に塗布しているが、逆であってもよく、互いに並列して設けられていればよい。第２の接合材２は接合部の接着性だけでなく、シール性を確保するために設けられる。従って、第２の接合材２は支持枠２６のフェースプレート３２と対向する面の全周に渡って環状に塗布することが望ましい。一方、第１の接合材１は接合部の接着性を強化するために設けられる。従って、本実施形態では、第１の接合材１は支持枠２６のフェースプレート３２と対向する面の全周に渡って塗布されているが、必ずしもそのようにする必要はない。具体的には、第１の接合材は、環状に配置された第２の接合材に添って、離散的に配置されていてもよい。ただしこの場合も、第１の接合材は、第２の接合材の高さ（厚み）を規定するため、第２の接合材と併設されている必要がある。図４に示すように、第２の接合材２の接合をしやすくするために、支持枠２６及びフェースプレート３２にあらかじめ下引き層４ａ，４ｂを形成しておいてもよい。
【００１４】
（ステップＳ２：加圧工程）次に、スペーサ８を配線２７，２８上に配置する（図２（ｅ）参照）。そして、第１の接合材１及び第２の接合材２が塗布された支持枠２６の面（一方の面）に、フェースプレート３２の当該面と対向する面（他方の面）を押付ける（図２（ｆ），（ｇ）参照）。図３（ａ）は図２（ｇ）の状態における平面図である。これによって、第２の接合材２が変形し、その高さが徐々に減少し、第１の接合材１の高さと一致する。その結果、第２の接合材と第１の接合材１が共にフェースプレート３２に接触する。
【００１５】
（ステップＳ３：加熱工程）次に、第１の接合材１の一部のみを加熱溶融させ、次に一部とは異なる他の一部のみを加熱溶融させ、さらに必要なだけこのステップを繰り返す（図２（ｈ）参照）、つまり、第１の接合材を部分ごとに順次加熱溶融させていく。具体的には、フェースプレート３２が第２の接合材２を介して支持枠２６に圧着された状態で、加圧を解除し、第１の接合材１の溶融させたい部位だけを局所的かつ部分的に加熱する。図３（ｃ）は図２（ｇ）の状態における平面図である。各加熱ステップでは、第１の接合材１の複数個所あるいは複数部分を同時に局所加熱してもよいし（図３（ｂ）参照）、１箇所あるいは１部分のみを局所加熱してもよい（図３（ｂ）'参照）。加熱工程は、第１の接合材１の加熱位置を変えながら複数回の加熱を行うことによって、第１の接合材１の全てを加熱溶融させることが望ましい。
【００１６】
加圧は図２（ｇ）から図２（ｈ）の工程の間で解除すればよい。すなわち、図２（ｇ）のように第２の接合材２を第１の接合材１の高さまで押し潰した後に加圧を解除してもよいし、加圧した状態のままで、図２（ｈ）の加熱工程まで行ってもかまわない。尚、加熱工程は、図５に示すように、第１の接合材１に沿って加熱位置を走査しながら第１の接合材１を順次加熱溶融させてもよい。
【００１７】
（ステップＳ４：冷却工程）第１の接合材１の加熱溶融した部分を冷却する。これによって、支持枠２６とフェースプレート３２とが第２の接合材２によってシールされつつ、第１の接合材１によって強固に固定される。
【００１８】
（ステップＳ５：ベーク工程）外囲器１０の内部空間の真空度を高めるため、加熱工程の後に、所定の温度（第１の温度）でベーキングを行う。具体的には、外囲器１０を真空チャンバー（不図示）内に設置し、外囲器１０内部を排気孔７を介して真空排気しながら、チャンバー内の真空度を１０-3Ｐａ台に下げ、外囲器１０全体を加熱し、非蒸発型ゲッタ３７を活性化させる。さらに、封止材６と封止蓋５で排気孔７を封止し、画像表示装置１１を形成する。封止蓋５はリアプレート２２と同じ材質が好ましいが、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の真空ベーク中で溶融しない金属、合金でもかまわない。）
図６は、押付圧力に対する圧縮率の概念を示すグラフである。圧縮率は、初期における接合材の高さをｚ（０）、加圧圧力Ｐ（Ｐａ）における接合材の高さをｚ(Ｐ)、高さ歪をΔｚ(Ｐ)=ｚ(０)−ｚ(Ｐ）とするとき、
Δｚ（Ｐ)/ｚ(０)＝１−ｚ(Ｐ)/ｚ(０)
として定義される。圧縮は、弾性変形による高さ方向の圧縮と塑性変形による高さ方向の圧縮の合計を意味する。圧縮率が０とは圧縮されないことを示し、圧縮率が増えるに従い圧縮されやすくなることを示す。「第２の接合材の押付圧力に対する圧縮率が、第１の接合材の押付圧力に対する圧縮率よりも大きい」とは、想定される加圧圧力範囲において、第２の接合材の圧縮率が第１の接合材の圧縮率を上回ることを意味する。換言すると、「第１の接合材の押付圧力に対する圧縮率が、第２の接合材の押付圧力に対する圧縮率よりも小さい」とは、想定される加圧圧力範囲において、第１の接合材の圧縮率が第２の接合材の圧縮率を下回ることを意味する。想定圧力範囲は連続的な幅（レンジ）である必要はなく、離散的に設定してもよい。
【００１９】
接合材の高さｚ(Ｐ）と押付圧力Ｐ（Ｐａ）の関係は、少なくとも室温（２５℃）及び工程上必要な温度（例：３５０℃，４３０℃など）であらかじめ測定しておくことが望ましい。実際の圧縮率は、接合材の材質だけではなく、断面形状、サイズ、及び設置面の変形の度合いに依存するので、圧縮率の測定をする際には、実施しようとするプロセスに従って測定条件を決める事が望ましい。さらに、特に低融点金属材料等を用いる場合、材料の圧縮率は材料の幅にも依存するので、実際に使用する幅で測定する方が好ましい。
【００２０】
図６には２種類の材料の圧縮率が温度をパラメータとして示されている。タイプ１の材料は室温（２５℃）でも押付圧力を加えると共に潰すことができ、３５０℃及び４３０℃ではさらに潰れやすくなる。タイプ２の材料は室温（２５℃）及び３５０℃では５０ＭＰａ程度までの押付圧力では潰れないが、４３０℃では押付圧力を加えると潰れていく。本実施形態では第１の接合材１としてタイプ２の材料を用い、第２の接合材２としてタイプ１の材料を用いている。このため、第２の接合材２の押付圧力に対する圧縮率が、第１の接合材１の押付圧力に対する圧縮率よりも大きくなっている。
【００２１】
画像表示装置の外囲器に適用可能な接合材は、さらに以下の条件を満たしている必要がある。
１．耐熱性：真空中ベーク工程における耐熱性（上述のステップ５）
２．気密性：高真空を経時的に維持する気密性
３．接着性：被接合物（枠部材、フェースプレート材）との接着性
４．放出ガス特性：低放出ガス特性
これらの条件及び図６の条件を満たす第１の接合材１としては、少なくとも有機バインダーをバーンアウトするため焼成まで行ったガラスフリットや、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属あるいは合金があげられる。第２の接合材２としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属あるいは合金があげられる。Ｉｎ、Ｓｎ等の低融点金属、もしくはＩｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇを用いた合金からなる低融点金属は、第２の接合材２の最も好ましいものの一つである。
【００２２】
図２（ｆ）から図２（ｇ）の状態に向けて室温で第２の接合材２に押付圧力を加えると、タイプ１の材料は室温で潰れるためその高さが徐々に減少していき、接合材１の高さまで押し潰される。しかし、タイプ２の材料を用いた第１の接合材１は５０ＭＰａまでは潰れないので、第２の接合材２の厚さは第１の接合材１の高さで安定し、それ以上小さくならない。つまり、第２の接合材２の圧縮変形が第１の接合材１によって規制されるため、加圧工程中に第２の接合材２の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。
【００２３】
一方、加熱工程は４３０℃程度（第２の温度）で実施されるため、第１の接合材１も溶融し、圧縮変形が生じやすくなる。しかし、上述のように第１の接合材１はその一部のみを加熱溶融させ、次に当該一部とは異なる他の一部のみを加熱溶融させる、つまり部分ごとに順次加熱溶融させる、という方法で加熱溶融させられるため、第１の接合材１の全体が同時に溶融することはない。換言すれば、第１の接合材１の加熱溶融していない部位が、いわば脚部のようにフェースプレートからの押付圧力を支えるため、第１の接合材１の全体形状が維持される。従って、加熱工程においても、第２の接合材２の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。
【００２４】
さらに、加熱工程後には、真空排気と、加熱工程より低い３５０℃程度（第１の温度）の温度でのベークを受ける（図２（ｈ）参照）が、この温度では第１の接合材１の圧縮率は実質的に０であり、第１の接合材１が潰れることはない。従って、ベーク工程においても、第２の接合材２の厚さが部位によってばらつく可能性が大きく低減する。このようにして、シール機能を実現する第２の接合材２が、加圧工程、加熱工程、及びベーク工程の際に、その周長に沿って膜厚のばらつく可能性が低減し、より信頼性の高いシール性能を発揮することができる。
【００２５】
なお、図６の例では、加圧工程時の第１の接合材１の圧縮変形は実質的に０であるが、多少変形が生じても、第２の接合材２よりも圧縮率が小さければ、依然として第２の接合材２の圧縮変形を防止することは可能である。
【実施例】
【００２６】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。以下に示す各実施例の画像表示装置は、フェースプレート３２と、リアプレート２２と、を備えている（図１参照）。リアプレート２２には、ガラス基板２１上に、複数(２４０行×７２０列)の表面伝導型電子放出素子２７が、Ｘ方向配線２８及びＹ方向配線２９と電気的に接続するように、単純マトリクス配線されている。フェースプレート３２には、画像形成部材である蛍光膜３４の上に、Ａｌ薄膜よりなるメタルバック３６が、スパッタリング法により０.１μｍの厚さに形成されている。さらに、非蒸発型ゲッタ３７としてＴｉ膜が、電子ビーム真空蒸着法により０.１μｍの厚さで形成されている。
【００２７】
（実施例１）（ガラスフリット塗布後焼成＋Ｉｎ＋タック）
まず、図６に示すような押付圧力と接合材の圧縮率との関係を、室温、３５０℃、４３０℃でそれぞれ測定する。本実施例では、第１の接合材１として、３５０℃では厚さが変化しないガラスフリット（図６中のタイプ２）を用いる。第２の接合材２として、第１の接合材１よりも軟らかく室温でも押し潰せるＩｎを用いる。
【００２８】
工程−ａ
リアプレート２２と支持枠２６とをガラスフリット３で接合する。(図２(ａ))
工程−ｂ
次に、テルピネオールとエルバサイトと第１の接合材１の母材となるガラスフリットとを調合したペーストを、第１の接合材１の前駆体として、ディスペンサーを用いて、支持枠２６の全周上に厚さ約０.５ｍｍ、幅２ｍｍで塗布する。(図２(ｂ))
工程−ｃ
工程−ｂで塗布した第１の接合材１の前駆体を４３０℃で焼成し、ターピネオール等の有機物をバーンアウトし、厚さ０.３ｍｍ、幅２ｍｍの第１の接合材１を形成する(図２(ｃ))。
【００２９】
工程−ｄ
第１の接合材１の内側に、Ｉｎからなる第２の接合材２を、幅２ｍｍ、膜厚５μｍの下引き層４ａに沿って、超音波はんだ装置を用いて、支持枠２６の全周に厚さ０.５ｍｍ、幅２ｍｍで配置する(図２(ｄ))。下引き層４ａは、銀ペーストを焼成してあらかじめ形成しておく。
【００３０】
工程−ｅ
その後、第２の接合材２より高さが低く、第１の接合材１とほぼ同じ高さになるようにスペーサ８を配線上に配置する(図２(ｅ))。
【００３１】
工程−ｆ、ｇ
スペーサ８を配置したリアプレート２２と、幅２ｍｍ、膜厚５μｍの下引き層４ｂが形成されたフェースプレート３２とを所定の位置で位置合わせし(図２(ｆ))、フェースプレート３２と第１の接合材１とを接触させる。すなわち、第２の接合材２を第１の接合材１の厚さまで押し潰し、第２の接合材２によって気密性を確保する(図２(ｇ)、図３(ａ))。下引き層４ｂは、銀ペーストを焼成してあらかじめ形成しておく。
【００３２】
工程−ｈ
次いで、フェースプレート３２側からハロゲンランプを集光し、第１の接合材１の複数の位置に同時に照射し(図２(ｈ)、図３(ｂ))、第１の接合材１を部分的に溶融させる。これによって、フェースプレート３２、支持枠２６、及びリアプレート２２からなる外囲器１０が形成される(図２(ｈ)、図３(ｃ))。
【００３３】
工程−ｉ
次に、外囲器１０を真空チャンバー（不図示）内に設置し、排気孔７によって外囲器１０内を真空排気しながら、チャンバー内の真空度を１０-3Ｐａ台に下げ、外囲器１０全体を３５０℃まで加熱し、非蒸発型ゲッタ３７を活性化させる。その後、Ｉｎからなる封止材６とガラス基板からなる封止蓋５で排気孔７を封止し、画像表示装置１１を形成する。（図１、図２(ｉ)、図４）
以上のように製造された本実施例の画像表示装置１１では、部分的かつ局所的に第１の接合材１が溶融する（工程−ｈ）ため、第１の接合材１（ガラスフリット）の高さが変わらない。そのため、第２の接合材２（Ｉｎ）の厚さが保持される。さらに工程−ｉでも、３５０℃の加熱時に第２の接合材２であるＩｎは溶融状態になるが、第１の接合材１であるガラスフリットは溶融しないため、第２の接合材２（Ｉｎ）の厚さが保持される。そのため気密性に優れた画像表示装置を得ることができる。また、フェースプレート３２と支持枠２６とが第１の接合材１で、支持枠２６とリアプレート２２とがガラスフリット３でそれぞれ固定されているため、これらの部材のあらかじめ決めた相対位置関係も保持される。
【００３４】
（実施例２）（ガラスフリット塗布後焼成＋Ｉｎ＋タック+レーザ）
本実施例では、工程−ｈにおいて、レーザの照射を用いている。具体的には、波長８１０ｎｍ、１００Ｗ、有効径０.８ｍｍのパワーの半導体レーザを第１の接合材１の複数個所に部分的かつ局所的に同時に照射し（図３（ｂ））、第１の接合材１を溶融させた。これによって、フェースプレート３２と支持枠２６とリアプレート２２とからなる外囲器１０が形成される（図３（ｃ））。これ以外の工程は実施例１と同様である。
【００３５】
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、レーザの照射を用いて部分的かつ局所的に第１の接合材１を溶融し、フェースプレート３２と支持枠２６とを接合するため、第２の接合材２Ｉｎの厚さがさらに保持されやすく、気密性が一層改善される。特に、レーザ照射を用いると、狭い領域でも正確な照射が可能であり、局所加熱が一層効果的に行える。これによって、第２の接合材の厚さ（高さ）の均一性が高まり、より高い気密性が得られる。
【００３６】
（実施例３）（ガラスフリット塗布後焼成＋Ｉｎ＋全周＋レーザ）
本実施例では図５に示すように、工程−ｈにおいて、半導体レーザを第１の接合材１に対し部分的かつ局所的に連続的に走査しながら、順次照射し(図５(ｂ))、第１の接合材１を溶融させている。これによって、フェースプレート３２と支持枠２６とリアプレート２２とからなる外囲器１０が形成される(図５(ｃ))。これ以外の工程は実施例１と同様である。
【００３７】
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、第１の接合材１を連続的、部分的かつ局所的に溶融し、フェースプレート３２と支持枠２６とを接合するため、第１の接合材１自体でもシール性が保持でき、画像表示装置の気密性が向上する。また、再現性も向上し、製造上のばらつきが改善される。
【００３８】
（実施例４）（シートガラスフリット＋Ｉｎ＋全周＋レーザ）
本実施例では、第２の接合材２を配置した後、あらかじめシート状に焼成した幅２ｍｍ、厚さ３００μｍのガラスフリットを第１の接合材１として、第２の接合材２の外側全周に配置する。これ以外の工程は実施例１と同様である。
【００３９】
以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、第１の接合材１を連続的、部分的かつ局所的に溶融し、フェースプレート３２と支持枠２６とを接合するため、第１の接合材１自体でもシール性が保持でき、画像表示装置の気密性が向上する。また、再現性も向上し、製造上のばらつきが改善される。さらに、本実施例ではガラスフリットをあらかじめシート状に焼成してあるため、図２（ｂ）の工程が省け、第２の接合材２の設置工程（図２（ｄ））を先に行うことが可能となるなど、プロセスの自由度が増える効果がある。
【００４０】
（実施例５）（Ａｌ＋Ｉｎ＋全周＋レーザ）
本実施例では、第１の接合材１として幅２ｍｍ、厚さ５０μｍのシート状のＡｌ（アルミニウム）箔を用い、第２の接合材２として幅２ｍｍ、厚さ１００μｍのＩｎを用いる。これ以外は実施例４と同様である。Ａｌは、室温時及び３５０℃時において、Ｉｎからなる第２の接合材２より硬い（圧縮率が小さい）材料として選択した。
【００４１】
以上のように製造された本実施例の画像表示装置では、実施例４と同様の効果が得られる。Ａｌ箔を用いることで図２（ｂ）の工程が省け、第２の接合材２の設置工程（図２（ｄ））を先に行うことが可能となるなど、プロセスの自由度が増える効果がある。また、金属を用いるため、真空排気及びベーク（図２（ｉ））の際の放出ガスを減らすことができ、外囲器内部の真空度が向上する。
【００４２】
（実施例６）（ガラスフリット＋Ｉｎ＋全周＋レーザ）
本実施例では図７に示すように、８０℃に加熱した４ｍｍ幅の支持枠２６の片面外周全周に、テルピネオールとエルバサイトと第１の接合材１の母材となるガラスフリットとを調合したペーストを、ディスペンサーを用いて、幅２ｍｍ、厚さ０.５ｍｍで塗布した。その後、支持枠２６を反転させ、Ａｌ板上に置き、押し潰して厚さ０.４ｍｍに平坦化した後、支持枠２６のもう一方の面に同様の方法で、同じペーストを幅４ｍｍ、厚さ０.８ｍｍで塗布する。すなわち、支持枠２６の対向する２面に順次ガラスフリットを設ける。次いで、３８０℃で仮焼成した後、支持枠２６をＡｌ板から剥がし、再度反転して、平坦化されていないフリットをリアプレートと接触させ、支持枠２６をリアプレート２２の所定の位置に配置した。その後、４３０℃で焼成し、支持枠２６とリアプレート２２とを接合する幅２ｍｍの第１の接合材１と、ガラスフリット３の焼成を同時に行い、図２（ｃ）の状態にする。尚、このときの第１の接合材の厚さは０．３ｍｍと成っていた。
【００４３】
その後、第２の接合材２として、幅２ｍｍ、厚さ５００μｍのＳｎ−Ａｇ系合金を用い、図２（ｆ）、（ｇ）の工程を１５０℃で行い、図２（ｉ）の工程では、封止蓋５としてＡｌ板、封止材６としてＳｎ−Ａｇ系合金を用いる。これ以外は実施例３と同様の方法で画像表示装置を形成する。以上のように製造された本実施例の画像表示装置は、実施例３と同様の効果が得られる。
【００４４】
以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、上述の実施形態及び実施例では、支持枠２６とフェースプレート３２との接合部に本発明を適用したが、支持枠２６とリアプレート２２の間の接合部に本発明を適用してもよい。同様に、支持枠２６とフェースプレート３２との接合部、及び支持枠２６とリアプレート２２の間の接合部の双方に本発明を適用してもよい。なお、実施形態及び実施例では支持枠２６とフェースプレート３２との接合部のみに本発明を適用しているが、これは支持枠２６とリアプレート２２の間の接合部は比較的厚い肉厚とすることができ、シール性を確保しやすいためである。また、支持枠２６とリアプレート２２の間の接合部に本発明を適用する場合、リアプレート２２を下に置き、第１、第２の接合材をリアプレート２２に塗布し、支持枠２６で第２の接合材を変形させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の画像表示装置の概略図である。
【図２】本発明のプロセスフロー（接合部）の断面図である。
【図３】本発明の接合部の上面図である。
【図４】本発明の接合部の部分断面図である。
【図５】実施例３のプロセスの一例を示す模式図である。
【図６】本発明に用いられる接合材の押付圧力と圧縮率の関係の一例を示す図である。
【図７】実施例６のプロセスの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  第１の接合材
２  第２の接合材
１２  第１の部材
１３  第２の部材
２２  リアプレート（第１のプレート）
２６  支持枠
２７  電子放出素子
３２  フェースプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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