(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される被加熱体の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、上記複数のゾーンで上記被加熱体の加熱または冷却を行うことによって、上記被加熱体の一面にはんだ付けを行うリフロー装置において、
上記被加熱体の加熱を行う上記ゾーンは、
上記搬送路上の上記被加熱体の下側の一面と対向し、上記一面に対して下方から熱風を吹きつける輻射パネルおよび送風機を有する加熱部と、
上記搬送路上の上記被加熱体の上側の他面と近接する開口面と、該開口面の上方に位置し、該開口面と対向する閉塞面とを有し、送風機および輻射パネルを有しない箱状の筐体部とを備え、
上記加熱部と上記筐体部とは上記搬送路を介して対向して設けられ、
上記加熱部と上記筐体部との間に、上記開口面の開口を小さくして上記加熱部からの上記熱風を遮蔽するための遮蔽板が設けられ、
上記搬送路から上記筐体部の上記閉塞面までの距離が、上記搬送路から上記輻射パネルまでの距離に比してより長いものとされることを特徴とするリフロー装置。
【請求項２】
上記筐体部は、該筐体部内の温度を低下させるためのガスを導入するガス導入部を有することを特徴とする請求項１記載のリフロー装置。
【請求項３】
上記ガス導入部から導入される上記ガスの流量は、上記複数のゾーンごとに調整可能であることを特徴とする請求項２記載のリフロー装置。
【請求項４】
上記筐体部内の温度を測定する温度測定部と、
上記ガス導入部から導入される上記ガスの流量を調整する制御部とを備え、
上記制御部は、上記温度測定部により測定された測定温度と、所望の設定温度との比較に基いて上記ガスの流量を調整することを特徴とする請求項２記載のリフロー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リフロー装置に関し、詳しくは、プリント配線基板の片面にリフローはんだ付けを行うリフロー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品またはプリント配線基板に対して予めはんだを供給しておき、リフロー炉の中にプリント配線基板を搬送コンベヤで搬送し、はんだ付けを行うために、リフロー装置が使用されている。
【０００３】
リフロー装置は、被加熱体例えばプリント配線基板を搬送する搬送コンベヤと、この搬送コンベヤによって基板が搬入されるリフロー炉本体とを備えている。リフロー炉は、例えば、搬入口から搬出口に至る搬送経路に沿って、複数のゾーンに分割されており、これらの複数のゾーンがインライン状に配列されている。複数のゾーンは、その機能によって、加熱ゾーン、冷却ゾーンなどの役割を有し、基板の表面温度を所望の温度プロファイルにしたがって制御することによって、所望のはんだ付けを行うことができる。
【０００４】
加熱ゾーンのそれぞれには、例えば送風機や輻射パネルなどから構成される加熱部が設けられる。例えば図８に概略的に示すように、電子部品１０１が搭載されたプリント配線基板などの被加熱体Ｗの片面にリフローはんだ付けを行う場合（以下、被加熱体Ｗにおいてリフローはんだ付けを行う面をリフロー面Ｗ１と適宜称する）、加熱部１０２はリフロー面Ｗ１に対して熱風を吹きつけたり、赤外線を照射したりすることによって被加熱体Ｗを加熱し、リフロー面Ｗ１上のはんだを溶融させて電極に付着させる。リフロー面Ｗ１上に実装される電子部品１０１は、はんだの溶融温度以上の高温にさらされることから、耐熱性の高いものが用いられる。
【０００５】
ところで、このような被加熱体Ｗのはんだ付けを行わない面（以下、被加熱体Ｗにおいてリフローはんだ付けを行わない面を非リフロー面Ｗ２と称する）に、耐熱温度の低いコンデンサ、ＩＣ（Integrated Circuit）などの弱耐熱性部品が実装されている場合、リフロー面Ｗ１にリフローはんだ付けを行うと、非リフロー面Ｗ２もリフロー加熱による影響を受けて表面温度が上昇するため、弱耐熱性部品の耐熱性が損なわれるおそれがある。
【０００６】
そこで、例えば下記特許文献１には、リフロー炉で基板下面を全面的に加熱して基板下面にリフローはんだ付けを行うと共に、基板上面に冷却風を供給することによって基板上面を冷却し、基板上面に実装された部品の温度上昇を抑制することが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−５９０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述の特許文献１に記載のものは、給気ファンから送られる冷却風を基板に均一に供給できるよう、複数の偏向板を適切に設置する必要があるため、装置が大型化しやすく、構成が複雑となるという問題があった。
【０００９】
また、基板の非リフロー面を冷却することにより、リフロー面の表面温度が低下しやすくなり、はんだの接続不良を起こしやすくなるという問題もある。リフロー面では高温度を保ちつつ、非リフロー面では温度上昇を抑制するためには、リフロー面の表面温度と非リフロー面の表面温度との間に差を確保する必要がある。しかしながら、リフロー面および非リフロー面の表面温度をそれぞれ制御してこれらの温度差を確保することは困難である。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、簡単な構成で、基板などの被加熱体のリフロー面と非リフロー面との温度差を確保し、非リフロー面に実装された弱耐熱性部品を熱的に保護することができるリフロー装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、この発明は、搬送される被加熱体の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、複数のゾーンで被加熱体の加熱または冷却を行うことによって、被加熱体の一面にはんだ付けを行うリフロー装置において、
被加熱体の加熱を行うゾーンは、
搬送路上の被加熱体の下側の一面と対向し、一面に対して下方から熱風を吹きつける輻射パネルおよび送風機を有する加熱部と、
搬送路上の被加熱体の上側の他面と近接する開口面と、該開口面の上方に位置し、該開口面と対向する閉塞面とを有し、送風機および輻射パネルを有しない箱状の筐体部とを備え、
加熱部と筐体部とは搬送路を介して対向して設けられ、
加熱部と筐体部との間に、開口面の開口を小さくして加熱部からの熱風を遮蔽するための遮蔽板が設けられ、
搬送路から筐体部の閉塞面までの距離が、搬送路から輻射パネルまでの距離に比してより長いものとされることを特徴とするリフロー装置である。
【００１２】
この発明では、搬送路から筐体部の閉塞面までの距離が、搬送路から輻射パネルまでの距離に比してより長いので、ゾーンの筐体部内の温度を加熱部内の温度よりも低下させることができる。
【００１３】
この発明では、筐体部は、筐体部内の温度を低下させるためのガスを導入するガス導入部を有することが好ましい。ゾーンの筐体部内の温度をより低下させることができるからである。
【００１４】
さらに、この発明では、加熱部と筐体部との間に、加熱部からの熱風を遮蔽するための遮蔽板が設けられることが好ましい。加熱部および筐体部の雰囲気の相互の移動を抑制することにより、ゾーンの筐体部内の温度と加熱部内の温度との差をより大きくすることができるからである。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、簡単な構成で、ゾーンの筐体部内の温度と加熱部内の温度とに差をつけることができるため、被加熱体のリフロー面の表面温度と非リフロー面の表面温度との間に差を確保することができる。したがって、基板などの被加熱体のリフロー面を高温に加熱しつつ、非リフロー面の温度上昇を抑制することができるので、非リフロー面に実装された弱耐熱性部品の耐熱限界を超えることを防止し、弱耐熱性部品を熱的に保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の一実施の形態によるリフロー装置の外板を除く概略的構成を示す。プリント配線基板の一面にはんだおよび表面実装用電子部品が搭載され、他面に弱耐熱性部品が実装された被加熱体が搬送コンベヤの上に置かれ、搬入口１１からリフロー装置内に搬入される。搬送コンベヤが所定速度で矢印方向（図１に向かって左から右方向）へ被加熱体を搬送し、被加熱体が搬出口１２から取り出される。
【００１７】
搬入口１１から搬出口１２に至る搬送経路に沿って、リフロー炉が例えば６個のゾーンＺ１からＺ６に順次分割され、これらのゾーンＺ１〜Ｚ６がインライン状に配列されている。フラックス回収システム１３ａが搬入口側に設けられ、搬出口側にフラックス回収システム１３ｂが設けられている。入り口側から５個のゾーンＺ１〜Ｚ５が加熱ゾーンであり、出口側のゾーンＺ６が冷却ゾーンである。冷却ゾーンＺ６に関連して強制冷却ユニット１４が設けられている。なお、ゾーン数は、一例であって、他の個数のゾーンを備えても良い。
【００１８】
上述した複数のゾーンＺ１〜Ｚ６がリフロー時の温度プロファイルにしたがって被加熱体の温度を制御する。図２に、温度プロファイルの例の概略を示す。横軸が時間であり、縦軸が被加熱体の表面温度である。最初の区間が加熱によって温度が上昇する昇温部Ｒ１であり、次の区間が温度がほぼ一定のプリヒート（予熱）部Ｒ２であり、次の区間が本加熱部Ｒ３であり、最後の区間が冷却部Ｒ４である。
【００１９】
昇温部Ｒ１は、常温からプリヒート部Ｒ２（例えば１５０°Ｃ〜１７０°Ｃ）まで被加熱体を加熱する期間である。プリヒート部Ｒ２は、等温加熱を行い、フラックスを活性化し、電極、はんだ粉の表面の酸化膜を除去し、また、被加熱体の加熱ムラをなくすための期間である。本加熱部Ｒ３（例えばピーク温度で２２０°Ｃ〜２４０°Ｃ）は、はんだが溶融し、接合が完成する期間である。本加熱部Ｒ３では、はんだの溶融温度を超える温度まで昇温が必要とされる。本加熱部Ｒ３は、プリヒート部Ｒ２を経過していても、温度上昇のムラが存在するので、はんだの溶融温度を超える温度までの加熱が必要とされる。最後の冷却部Ｒ４は、急速にプリント配線基板を冷却し、はんだ組成を形成する期間である。
【００２０】
図２において、曲線１は、鉛フリーはんだの温度プロファイルを示す。共晶はんだの場合の温度プロファイルは、曲線２で示すものとなる。鉛フリーはんだの融点は、共晶はんだの融点より高いので、プリヒート部Ｒ２における設定温度が共晶はんだに比して高いものとされている。
【００２１】
このリフロー装置では、図２における昇温部Ｒ１の温度制御を、主としてゾーンＺ１が受け持つ。プリヒート部Ｒ２の温度制御は、主としてゾーンＺ２およびＺ３が受け持つ。本加熱部Ｒ３の温度制御は、ゾーンＺ４およびＺ５が受け持つ。冷却部Ｒ４の温度制御は、ゾーンＺ６が受け持つ。
【００２２】
加熱ゾーンＺ１〜Ｚ５のそれぞれは、加熱部１５と、筐体部３５とを有する。加熱部１５と、筐体部３５とは搬送コンベヤ４１を介して対向して設けられ、加熱部１５と筐体部３５との間に設けられた搬送コンベヤ４１に沿って被加熱体が通過する。加熱ゾーンＺ１〜Ｚ５のそれぞれの加熱部１５は、搬送コンベヤ４１の一方の側、例えば搬送コンベヤの下方側に設けられ、加熱ゾーンＺ１〜Ｚ５のそれぞれの筐体部３５は、搬送コンベヤ４１の他方の側、例えば搬送コンベヤ４１の上方側に設けられる。被加熱体のリフローはんだ付けされるリフロー面が、加熱部１５と対向するように搬送され、加熱部１５から被加熱体のリフロー面に対して熱風が吹きつけられる。
【００２３】
図３および図４を参照して、加熱ゾーンＺ１〜Ｚ５の構成の一例について説明する。例えばゾーンＺ５の構成が図３および図４に示されており、図４は図３の破線Ｉ−Ｉ’に沿った断面図である。加熱部１５と筐体部３５との対向間隙内で、リフロー面Ｗ１にはんだおよび表面実装用電子部品が搭載され、非リフロー面Ｗ２に弱耐熱性電子部品が搭載された被加熱体Ｗが、搬送コンベヤ４１上に置かれて搬送される。搬送コンベヤ４１は例えば一対のチェーンコンベヤで構成され、このチェーンコンベヤから突出された搬送ピン上に被加熱体Ｗが載置される。加熱部１５内および筐体部３５内には、雰囲気ガス例えば窒素（Ｎ2）が充満している。
【００２４】
加熱部１５は、主加熱源１６、副加熱源１７、送風機１８、輻射パネル１９、熱風循環ダクト２０、開口部２１などからなる。主加熱源１６、副加熱源１７は、例えば電熱ヒータで構成され、加熱部１５内の雰囲気ガスを加熱する。また、主加熱源１６は、輻射パネル１９も加熱する。
【００２５】
送風機１８は、ファンと、ファンを回転駆動するモータ等から構成されている。ファンとしては、例えば、ターボファン、シロッコファンを用いることができる。
【００２６】
輻射パネル１９は、例えばアルミニウムからなり、送風機１８からの風を通過させる多数の通風孔が形成されている。この通風孔を通じた熱風（熱せられた雰囲気ガス）は、開口部２１を通過して、被加熱体Ｗのリフロー面Ｗ１に均一に吹きつけられる。これにより、被加熱体Ｗのリフロー面Ｗ１は温度ムラなく均一に加熱される。なお、赤外線を照射しても良い。
【００２７】
熱風は、送風機１８によって循環される。すなわち、（主加熱源１６→輻射パネル１９→開口部２１→被加熱体Ｗ→熱風循環ダクト２０→副加熱源１７→熱風循環ダクト２０→送風機１８→主加熱源１６）の経路を介して熱風が循環する。
【００２８】
加熱部１５の下部に設けた孔２２ａおよび２２ｂは、フラックス回収用の孔であり、図示しないが、ホースを通じて回収容器が接続されている。
【００２９】
搬送コンベヤ４１を介して加熱部１５の反対側には、筐体部３５が設けられる。筐体部３５は、搬送コンベヤと近接する開口面３６から、開口面３６に対向する閉塞面３７に向かって閉塞され、筐体部３５内部に空間を形成する。筐体部３５の、例えば閉塞面３７には、ガス導入部３８と、温度センサ３９とが設けられる。
【００３０】
搬送コンベヤ４１から筐体部３５の閉塞面３７までの距離は、搬送コンベヤ４１から輻射パネル１９までの距離に比してより長くなるよう構成される。これにより、筐体部３５内の空間体積を加熱部１５内の空間体積よりも大きくすることができるため、加熱部１５から筐体部３５内に波及した熱が拡散され、筐体部３５内の温度を加熱部１５内の温度よりも低くすることができ、温度差をつけることができる。この発明の構成と異なり、筐体部３５の閉塞面３７までの距離が、搬送コンベヤ４１から輻射パネル１９までの距離よりも短い乃至同程度の場合、筐体部３５内の空間が狭いため、加熱部１５からの熱がこもりやすくなってしまう。
【００３１】
ガス導入部３８は、筐体部３５内の温度を低下させるための雰囲気ガスを外部から導入する孔である。この雰囲気ガスは、筐体部３５内の温度よりも低い常温域の雰囲気ガスで、筐体部３５内に充満している雰囲気ガスに合わせて例えば窒素（Ｎ2）が用いられる。筐体部３５内の温度は加熱部１５からの熱風の影響で高温となるが、ガス導入部３８から常温の窒素（Ｎ2）を導入することにより、筐体部３５内の温度上昇を抑制することができる。したがって、筐体部３５内の温度と加熱部１５内の温度との差をより大きくすることができる。
【００３２】
ガス導入部３８からの窒素（Ｎ2）ガスと加熱部１５からの熱風とは筐体部３５内で攪拌され、筐体部３５内の温度はほぼ均一となる。筐体部３５内の温度は、温度検出を行う温度センサ３９により検出される。詳細は後述するが、温度センサ３９により検出された温度に基いて、ガス導入部３８から導入される窒素（Ｎ2）の流量を調節するようにしてもよい。
【００３３】
なお、図３に示すガス導入部３８および温度センサ３９の配置は一例であって、設置箇所は他の場所であっても良い。また、ガス導入部３８および温度センサ３９を複数設けても良い。
【００３４】
図４に示すように、加熱部１５と筐体部３５との間には、加熱部１５からの熱風を遮蔽するための遮蔽板４０ａおよび４０ｂとが設けられる。遮蔽板４０ａおよび４０ｂは、搬送コンベヤ４１と互いに重ならないように設けられ、例えば筐体部３５の開口面３６と平行に設けられる。遮蔽板４０ａおよび遮蔽板４０ｂにより、加熱部１５と筐体部３５との間の搬送コンベヤ４１および被加熱体Ｗ以外の部分が塞がれるので、この部分の加熱部１５内および筐体部３５内の窒素（Ｎ2）の移動が抑制される。したがって、加熱部１５内の温度と筐体部３５内の温度との相互の影響が少なくなり、これらの温度差をより大きくすることができる。
【００３５】
また、図示はしないが、遮蔽板４０ａおよび４０ｂを、例えばリフロー装置の外装ケースの内壁から搬送コンベヤ４１に向かって、加熱部１５と筐体部３５との間対向間隙を遮蔽するように設けても良い。
【００３６】
このように、この発明の一実施の形態では、簡単な構成で、加熱部１５内の温度と筐体部３５内の温度とに差をつけることができるため、被加熱体Ｗのリフロー面Ｗ１と非リフロー面Ｗ２との間に温度差を確保することができる。したがって、非リフロー面Ｗ２に実装された弱耐熱性部品を損なうことなく、リフロー面Ｗ１にリフローはんだ付けをすることができる。
【００３７】
次に、ガス導入部３８から導入される窒素（Ｎ2）の流量調節の一例について、図５を参照して説明する。図５に示すように、加熱を受け持つゾーンＺ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５のそれぞれの筐体部３５に対してガス導入部３８を介して窒素（Ｎ2）が供給される。窒素（Ｎ2）発生装置４５からの窒素（Ｎ2）が、分岐部４６によってメイン供給とサブ供給とに分離される。例えば超低温の液化窒素を気化させることで窒素（Ｎ2）が発生される。
【００３８】
サブ供給経路は例えば５個に分岐され、各分岐に対して電子的制御可能なバルブＶ１、バルブＶ２、バルブＶ３、Ｖ４およびＶ５が設けられ、各ゾーンのガス導入部３８に接続される。バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４およびＶ５を切り替えることによって、各ゾーンに対する窒素（Ｎ2）の導通、遮断が制御される。なお、図示しないが、各ゾーンに対する窒素（Ｎ2）の供給路中には、レギュレータ、圧力センサー等が配されている。
【００３９】
ガス導入部３８から導入される窒素（Ｎ2）の流量は、制御部により調整することができる。制御部は、温度センサ３９より供給される筐体部３５内の温度検出結果と、目標とする筐体部３５内の温度（設定温度）とを比較し、導入される窒素（Ｎ2）の流量を調整する。例えば検出された温度が設定温度よりも高い場合には導入される窒素（Ｎ2）の流量を増やすように制御し、検出された温度と設定温度との差が小さくなってくると、導入される窒素（Ｎ2）の流量を減らしていくように制御する。なお、導入される窒素（Ｎ2）の流量を多くしても、被加熱体Ｗには積極的に吹き付けない程度の流量とされる。このような制御は例えばＰＩＤ制御によって行われ、筐体部３５内の温度をほぼ設定温度に保つことができる。図４では簡単のため制御部によりバルブＶ５を制御する例を示しているが、バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４のそれぞれを制御可能な構成とすることについては言うまでもない。
【００４０】
また、図示はしないが手動の流量調整ボリュームを設けて、導入される窒素（Ｎ2）の流量を調整することができる。上述したような窒素（Ｎ2）の流量調整により、例えば、筐体部３５内の温度が高いゾーン、すなわち加熱部を受け持つゾーンＺ４およびゾーン５に近いゾーンほど窒素（Ｎ2）の流量が多くされる。このように、筐体部３５内に外部から窒素（Ｎ2）を導入し、この流量を調整することで、筐体部３５内の温度上昇を抑制し、筐体部３５内部の温度をある程度一定に保つことができる。
【００４１】
図６に、この発明の一実施の形態のリフロー装置を用いて被加熱体Ｗにリフローはんだ付けを行ったときの、リフロー面Ｗ１および非リフロー面Ｗ２の表面温度変化の概略の一例を示す。横軸が時間であり、縦軸が温度であり、曲線３および曲線４がリフロー面Ｗ１の面内の異なる位置での表面温度の変化をそれぞれ示し、曲線５および曲線６が非リフロー面Ｗ２の面内の異なる位置での表面温度の変化をそれぞれ示している。
【００４２】
図６に示すように、曲線３および曲線４と、曲線５および曲線６との間に温度差を確保することができる。特に、最も被加熱体Ｗの表面温度が高くなる本加熱部Ｒ３の期間においてもリフロー面Ｗ１と非リフロー面Ｗ２との間に十分な温度差を確保できるため、非リフロー面Ｗ２に実装された弱耐熱性部品を損なうことなく、リフロー面にリフローはんだづけを行うことができる。
【００４３】
また、リフロー面Ｗ１が均一に加熱されることから、曲線３と曲線４との温度差はほとんどなく、リフロー面Ｗ１の温度ムラは小さい。同様に、非リフロー面Ｗ２が均一に冷却されることから、曲線５と曲線６との温度差はほとんどなく、非リフロー面Ｗ２の面内の温度ムラは小さい。このように、一実施の形態のリフロー装置では、リフロー面Ｗ１および非リフロー面Ｗ２の面内の表面温度をそれぞれほぼ均一に保ちつつ、リフロー面Ｗ１と非リフロー面Ｗ２との表面温度差を確保し、弱耐熱性部品を熱的に保護することができる。
【００４４】
図７に、この発明の一実施の形態のリフロー装置、および筐体部３５内にパネルを設けた比較の形態のリフロー装置における、被加熱体Ｗの表面温度差の一例を示す。なお、比較の形態のリフロー装置は、筐体部３５内に閉塞面３７とほぼ平行になるようにパネルを設けることにより、搬送コンベヤ４１から筐体部３５内のパネルまでの距離と、搬送コンベヤ４１から加熱部１５内の輻射パネル１９までの距離とをほぼ等しくしたものである。図７に示す数値は、ゾーンＺ５における被加熱体Ｗのリフロー面Ｗ１と非リフロー面Ｗ２との表面温度差（℃）をそれぞれ示し、筐体部３５内に窒素（Ｎ2）を供給した場合としない場合のそれぞれの測定値である。なお、窒素（Ｎ2）の供給量は、１００ｎｌ／ｍｉｎである。
【００４５】
図７に示すように、一実施の形態のリフロー装置は、筐体部３５内にパネルが無く、搬送コンベヤ４１から筐体部３５の閉塞面３７までの間に空間が形成されるため、比較の形態のリフロー装置よりも温度差を大きくすることができる。
【００４６】
また、窒素（Ｎ2）を供給することにより、筐体部３５内の温度上昇を防ぎ、リフロー面Ｗ１と非リフロー面Ｗ２との表面温度の差をより大きくすることが可能になる。
【００４７】
本加熱部を受け持つゾーンＺ５では、例えばリフロー面Ｗ１の表面温度はピーク温度で２２０℃〜２４０℃まで加熱されるが、筐体部３５内に窒素（Ｎ2）を供給した一実施の
形態では、被加熱体Ｗの非リフロー面Ｗ２のピーク温度を、例えば約１９０〜２１０℃まで抑えることができる。非リフロー面Ｗ２に実装されるＩＣなどの弱耐熱性部品の耐熱温度を例えば約２３０℃以下とすると、リフロー面Ｗ１の表面温度と弱耐熱性部品の耐熱温度との差を確保することができるため、弱耐熱性部品を熱的に保護することができる。
【００４８】
以上、この発明の実施の形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、雰囲気ガスとして窒素ガスの代わりに窒素ガス以外の不活性ガスまたは大気を用いても良い。また、筐体部３５に設けられるガス導入部３８は、少なくとも被加熱体の加熱を受け持つゾーンに設けられるが、加熱を受け持つ全てのゾーンにガス導入部３８を設ける必要はなく、例えば本加熱を受け持つゾーンにのみガス導入部３８を設けても良い。また、搬送路４１に対して上部に加熱部１５を設け、下部に筐体部３５を設ける構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】この発明の一実施の形態によるリフロー装置の概略を示す略線図である。
【図２】リフロー時の温度プロファイルの例を示すグラフである。
【図３】この発明の一実施の形態における１つのゾーンの構成の一例を示す断面図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図５】この発明の一実施の形態におけるＮ2導入の流量調整を説明するための略線図である。
【図６】この発明の一実施の形態におけるリフロー時の被加熱体のリフロー面および非リフロー面の表面温度変化の例を示すグラフである。
【図７】この発明の一実施の形態および比較の形態の１つのゾーンにおける被加熱体のリフロー面および非リフロー面の表面温度の差を示す図である。
【図８】リフロー炉の加熱ゾーンにおけるリフロー加熱を説明するための略線図である。
【符号の説明】
【００５０】
Ｚ１〜Ｚ９  ゾーン
Ｗ  被加熱体
Ｗ１  リフロー面
Ｗ２  非リフロー面
１１  被加熱体の搬入口
１２  被加熱体の搬出口
１５  加熱部
１６  主加熱源
１７  副加熱源
１８  送風機
１９  輻射パネル
２０  熱風循環ダクト
２１  開口部
３５  筐体部
３６  開口面
３７  閉塞面
３８  ガス導入部
３９  温度センサ
４０ａ、４０ｂ  遮蔽板
４１  搬送コンベヤ
【図１】
0005103064.tif 000002
【図２】
0005103064.tif 000003
【図３】
0005103064.tif 000004
【図４】
0005103064.tif 000005
【図５】
0005103064.tif 000006
【図６】
0005103064.tif 000007
【図７】
0005103064.tif 000008
【図８】
0005103064.tif 000009