(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングされた放射ビームを形成するように、前記放射ビームにその断面でパターンを与えることが可能であるパターニングデバイスを支持するように構築されたパターニングデバイスサポートと、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
物体を保持し位置決めするように構成され、ベースおよび拘束層を備えるチャックと、を備え、
粘弾性材料を含む制振層が前記ベースと前記拘束層の間に設けられ、
前記拘束層の弾性率が、前記制振層の弾性率より高く、
前記拘束層が切込みを含むことにより、前記制振層と前記拘束層との両方がセグメント化されている、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記粘弾性材料が、前記ベースと前記拘束層の間で少なくとも部分的に延在する、かつそれらに接着剤で接続された粘弾性ポリマー層である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記粘弾性材料が、前記ベースを前記拘束層と接続する粘弾性接着剤である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記ベースが、前記制振層、または前記拘束層、または前記制振層と前記拘束層の両方によって覆われる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ベース、または前記拘束層、または前記ベースと前記拘束層の両方が、ガラスまたはセラミック製である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記制振層、または前記拘束層、または前記制振層と前記拘束層の両方が、制振しようとするモード形状で高い歪みを示す前記チャックの領域の、半分を超える領域を覆う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ベースが、内部リブを有する箱として構築される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記物体が前記パターニングデバイスであり、前記チャックが、前記パターニングデバイスを前記パターニングデバイスサポート上に保持し位置決めするように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記物体が前記基板であり、前記チャックが、前記基板を前記基板テーブル上に保持し位置決めするように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、およびそのようなリソグラフィ装置内で使用するためのチャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造時に使用される。そのような場合、選択可能にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用し、ＩＣの個々の層に形成しようとする回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像による。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる、網状の隣り合うターゲット部分を含むことになる。従来のリソグラフィ装置には、パターン全体を一度にターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）で放射ビームを介してパターンをスキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板を同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  パターニングデバイスを保持し位置決めするために、パターニングデバイスステージの一部として、パターニングデバイスステージの対応するサポート上で、チャックを使用することができる。また、チャックは、基板を保持し位置決めするために、基板ステージの一部として、基板ステージの対応するテーブル上で使用される。パターニングデバイスから基板に向かって転写しようとするパターンがますます小さくなるにつれて、リソグラフィ装置の様々なコンポーネントに対する要求が増大する。具体的には、チャックの位置決め許容値が減少し、これは、ステージ用の位置決め制御システムに対して直接影響を及ぼす。
【０００４】
[0004]  重量が０．５キログラム以下の、たとえばパターニングデバイスのような物体を前進させ位置決めするために、一般に、約１０〜１５キログラムのチャックが望ましい。そのようなチャック用には、パターニングデバイスを正確に前進させ位置決めするために、重量が約千キログラムのステージを使用することが望ましい。適度なコストで高いスループットを達成するために、チャックの重量を削減することができる。たとえば、チャックは、内部にリブがあるボックス構造を有するガラスブロックとして構築することができる。得られる軽量チャックは、ステージ全体にわたって、より軽いコンポーネントを可能にし、コストを著しく削減し、スループットを増大する。
【０００５】
[0005]  しかし、一般に、高い固有振動数を有するそのような超軽量構造は、極めて不十分な制振挙動を内包している。この不十分な制振は、最適な、高いステージサーボ帯域を阻む。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  オーバーレイおよびフェージングを物理的限界に対してさらに遠くに押し出すことができるように、ステージサーボ帯域を改善することが望ましい。同時に、スループットがさらに増大されることが望ましい。より具体的には、高い固有振動数と良好な制振挙動を有する超軽量構造としてチャックを構築することが望ましい。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、パターニングされた放射ビームを形成するように、放射ビームにその断面でパターンを与えることが可能であるパターニングデバイスを支持するように構築されたパターニングデバイスサポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、パターニングデバイスをパターニングデバイスサポート上に、または基板を基板テーブル上に保持し位置決めするように構成されたチャックであって、ベースおよびベースに接続された拘束層（constraining layer）を含むチャックとを含み、粘弾性材料を含む制振層がベースと拘束層の間に設けられるリソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の他の実施形態では、概して物体を保持し位置決めするように構成されたチャックであって、ベースおよびベースに接続された拘束層を含んでおり、粘弾性材料を含む制振層がベースと拘束層の間に設けられるチャックが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  次に、例示にすぎないが、本発明の諸実施形態について、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して述べる。
【００１０】
【図１】[0010]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２Ａ】[0011]ベース、粘弾性制振層、および拘束層を有する、本発明の一実施形態によるチャックの分解図を概略的に示す図である。
【図２Ｂ】[0012]ベース、粘弾性制振層、および拘束層が共に接着された、図２ａに対応する図である。
【図３】[0013]セグメント化された層を有する、本発明の一実施形態によるチャックを概略的に示す図である。
【図４】[0014]変形されていない状態および変形された状態にある、ベース部上に取り付けようとする第１の拘束層、粘弾性制振層、および第２の拘束層のスタックを有する、本発明の一実施形態によるチャックを概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0015]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射または任意の他の放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートまたは支持構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴを含む。また、この装置は、基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」を含む。さらにこの装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１２】
[0016]  照明システムは、放射を誘導する、形作る、または制御するために、屈折コンポーネント、反射コンポーネント、磁気コンポーネント、電磁コンポーネント、静電コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはその任意の組合せなど様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１３】
[0017]  パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、また、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなど他の条件によって決まる方式でパターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用し、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、必要に応じて固定または可動とすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用することがあればそれは、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１４】
[0018]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内でパターンを生み出すように、放射ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広く解釈するべきである。放射ビームに与えられるパターンは、たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分内で生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１５】
[0019]  パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡のマトリックス配置を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡のマトリックスによって反射される放射ビーム内でパターンを与える。
【００１６】
[0020]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用など他の要因にとって適切なように、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈するべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用することがあればそれは、「投影システム」という、より一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００１７】
[0021]  本明細書では、本装置は、（たとえば、透過マスクを使用する）透過タイプのものである。別法として、本装置は、（たとえば、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）反射タイプのものとすることができる。
【００１８】
[0022]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板サポート」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」機では、追加テーブルまたはサポートを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルまたはサポートが露光用に使用されている間に、１つまたは複数のテーブルまたはサポートに対して準備ステップを実施することができる。
【００１９】
[0023]  リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることができる。また、液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影システムの間で与えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大するために使用することができる。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板など、ある構造を液体内に沈めなければならないことを意味しておらず、逆に、液体が、露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するにすぎない。
【００２０】
[0024]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに渡される。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれることがある。
【００２１】
[0025]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用し、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節することができる。
【００２２】
[0026]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ上で保持されているパターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを横切って、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、たとえば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭと（図１には明示的に図示されない）別の位置センサを使用し、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータだけに接続することも、固定とすることもできる。パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分間の空間内に位置してもよい（これらは、スクライブラインアライメントマークとして知られる）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイ間に位置してもよい。
【００２３】
[0027]  図の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
【００２４】
[0028]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」および基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回で投影される（すなわち、１回の静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」がＸおよび／またはＹ方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２５】
[0029]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」および基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が同期してスキャンされる（すなわち、１回の動的露光）。パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向での）幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の（スキャン方向での）高さが決定される。
【００２６】
[0030]  ３．別のモードでは、パターニングデバイスサポート（たとえば、マスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」が、プログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的に静止したままであり、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中、連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0031]  上述の使用モードに対する組合せおよび／または変形形態、または全く異なる使用モードをも使用することができる。
【００２８】
[0032]  図２〜５では、典型的には、たとえば図１に示されているリソグラフィ装置内で使用することができるチャック１が概略的に示されている。チャック１は、パターニングデバイスをパターニングデバイス（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ上で、または基板を基板テーブルＷＴ上で保持するように構成される。また、このチャックは、リソグラフィ装置内で、鏡など別の物体を保持し位置決めするために使用することもできる。チャック１は、ガラス材料製とすることができるベース２を含む。ベース２は、内部リブを有する箱として、軽量に構築される。さらに、チャック１は、制振層８と、ガラス材料製とすることができる拘束層９とのスタック６を含む。スタック６は、たとえば適切な接着剤を使用して、ベース２に接続される。スタック６のそれぞれの層は、具体的にはやはり適切な接着剤によって、互いに接続される。スタック６は、結合するベース表面が拘束層９に比べて高い歪みを受けるモードに対して制振を加えるように構成され、（粘性の）制振層８内で高い剪断を引き起こす。
【００２９】
[0033]  本発明の一態様によれば、制振層８は、粘弾性材料、特に、たとえばゴムなど粘弾性ポリマー層を含む。図２では、粘弾性制振層８ならびに拘束層９は、実質的にベース２の上側全体を覆って延在する。しかし、諸層がベース２の上側全体を覆うことは必要ではない。たとえば、一実施形態では、制振しようとするモード形状で比較的高い歪みを受けるベースの、半分を超える（しかし表面全体より小さい）表面が覆われる。
【００３０】
[0034]  拘束層９と粘弾性制振層８のスタック６を有する構造により、ベース２には、剛性、高い固有振動数、ならびに適正な制振特性がもたらされる。チャック１の構造全体は、いまや軽量であり、かつ曲げに対する抵抗力があり、同時に良好な制振挙動を有し、したがってサーボ帯域をさらに最適化することを可能にする。粘弾性制振層８は、ベース表面と拘束層表面との相対的な変形差を吸収かつ制振することを可能にする。これにより制振層には剪断が加わり、それに対して、制振層は高い制振特性を有する。この技法を用いれば、グローバルな曲げモードを、しかし局所的なプレートモードをも制振することができる。さらに、（サンプル周波数の半分である）折り返し周波数（folding frequency）より上方で発生する局所的なプレートモードは、サーボ帯域を制限する周波数範囲に折り返される可能性がある。
【００３１】
[0035]  粘弾性制振層８は、約１００〜１０００ｍｕ間の厚さを有することができる。一実施形態では、粘弾性制振層８は、約２００ｍｕの厚さである。拘束層９は、約０．５〜５ｍｍ間の厚さを有することができる。拘束層９は、約１ｍｍの厚さである。ベース２は、約４０〜７０ｍｍ間の厚さを有することができる。一実施形態では、ベース２は、約５５ｍｍであり、そのうち、内部リブ４が約２〜６ｍｍ間の厚さ、特に約３ｍｍの厚さを有することができる。
【００３２】
[0036]  拘束層９の弾性率は、粘弾性制振層８の弾性率より、少なくとも１０倍高いことが好ましい。層を接続するために接着剤が使用される場合には、拘束層９の弾性率は、接着剤の弾性率より高いことが好ましく、接着剤の弾性率は、粘弾性制振層８の弾性率より高いことが好ましい。接着剤の剪断弾性率（shear module）は、制振中に粘弾性制振層８に載荷することができるように十分高いことが望ましい。
【００３３】
[0037]  ここでは、拘束層９は、その上面内に長手方向の切込み１２を備えることができる。切込み１２は、層９の厚さ全体にわたって延在することが好ましい。望むなら、切込みは、ある程度、粘弾性制振層８内に延在することもできる。切込み１２は、緩みによるチャック１のドリフト、および／または粘弾性制振層８のクリープを防止する助けとなる。たとえば、これは、ホットメルト接着剤を使用してそれぞれの層を互いに接続する間に、しかしまた、動作中の温度変動によるチャック変形を防止するためにも、有益となる可能性がある。
【００３４】
[0038]  図３に示されているように、制振層と拘束層のスタックをそれぞれが含むいくつかのセグメント１５を有することも可能である。ここでは、セグメント１５は、ベースの最も重要な部分だけを覆い、具体的には、各セグメント１５は、制振されると想定されるモード形状で高い歪みを示す表面を覆う。これはすでに、そのように形成されたチャック全体の１次ねじれおよび曲げ挙動を改善していることが有益である。具体的には、粘弾性制振層と拘束層（のセグメント）は、少なくとも、比較的高い歪みを有するベース表面の上側の半分を覆う。
【００３５】
[0039]  図４に示されているように、第１の上部拘束層２０と粘弾性制振層２１と第２の下部拘束層２２のスタックを構築することも可能であり、これらの層は、接着剤２４を使用して互いに接続され、このスタックは、スタックを接続しようとするベース（図示せず）と共にチャックを形成することになる。やはりこの場合にも、粘弾性制振層２１は、ベースと層のスタックとの間の、適切な量の剪断変形を吸収することができる。
【００３６】
[0040]  図の実施形態の他に、多数の変形実施形態が可能であることが理解されるであろう。たとえば、本発明によるチャックはまた、接触リソグラフィツールなど投影光学系を含まないリソグラフィツール内で、またマスクレスリソグラフィツール内で、またこの例と実質的に異なる投影光学系設計を有するリソグラフィツール内で使用することができる。拘束層−粘弾性制振層のスタックとおそらくはベース部の上面上の別の拘束層を接続するではなく、拘束層、たとえばガラスのふたを、粘弾性接着剤によってベース部上に直接接続することも可能である。その場合には、粘弾性接着剤は、ベースと拘束層の間の、適切な量の剪断変形を吸収することができる粘弾性制振層を形成する。
【００３７】
[0041]  ベースおよび／または拘束層は、ガラスではなく、たとえばセラミック材料または好適な金属のような他の材料から形成することもできる。また、ベースは、たとえば、それらの間に中空を有する複数のピンを含むことのように別のタイプのオープン構造によって、別の仕方で軽量に構築することができる。また、粘弾性制振層は、たとえば両面接着粘弾性箔のような他の材料から形成することができる。
【００３８】
[0042]  本発明をチャックのベース部の上側に設けることに加えて、またはその代わりに、粘弾性制振層および拘束層（１つまたは複数）のアセンブリを、ベース部の他の側で位置決めすることもできる。
【００３９】
[0043]  本文中では、ＩＣの製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替の応用分野の文脈において、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層をすでに含む基板を指すこともある。
【００４０】
[0044]  上記では、本発明の実施形態の使用を、光リソグラフィの文脈で具体的に参照することがあるが、本発明は、他の応用分野、たとえばインプリントリソグラフィで使用することができ、状況において可能な場合、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィにより、基板上に生み出されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジストの層内に押し付けることができ、そのとき、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、レジストから移動され、レジスト内にパターンを残す。
【００４１】
[0045]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、および（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなど粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００４２】
[0046]  「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ、または組合せを指すことがある。
【００４３】
[0047]  上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。
【００４４】
[0048]  上記の説明は、制限するものでなく、例示的なものであるものとする。したがって、以下で述べられている特許請求の範囲から逸脱することなしに、述べられている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１】
0004932862.tif 000002
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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