(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき面の周縁部をカソード接点に接触させめっき液中に浸漬させて鉛直に配置される基板と対向する位置に、めっき液に浸漬させて鉛直に配置され、前記カソード接点との間に電圧を印加して基板の被めっき面に電気めっきを行う電気めっき用アノードであって、
第１の不溶性材料から構成される第１の不溶性アノードと、前記第１の不溶性材料より酸素発生過電圧が高い第２の不溶性材料から構成される第２の不溶性アノードとを、互いに導通させつつ、前記第１の不溶性アノードの周囲を前記第２の不溶性アノードで同心状に包囲させて平面状に配置したことを特徴とする電気めっき用アノード。
【請求項２】
前記第１の不溶性アノードは、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムからなり、前記第２の不溶性アノードは、白金からなることを特徴とする請求項１記載の電気めっき用アノード。
【請求項３】
基板の被めっき面に対向してめっき液中に配置される電気めっき用アノードにおいて、
酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムから構成される第１の不溶性アノードと、白金から構成される第２の不溶性アノードとを、互いに導通させつつ、前記第１の不溶性アノードの周囲を前記第２の不溶性アノードで同心状に包囲させて平面状に配置したことを特徴とする電気めっき用アノード。
【請求項４】
基板の被めっき面の形状に相似形に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気めっき用アノード。
【請求項５】
めっき液を保持するめっき槽と、
基板を保持して基板の被めっき面を前記めっき槽内のめっき液に接触させる基板ホルダと、
前記めっき槽内のめっき液中に前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面に対向して配置される、請求項１乃至４のいずれかに記載のアノードと、
前記基板と前記アノードとの間に電圧を印加するめっき電源とを有することを特徴とする電気めっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面（被めっき面）に電気めっきを施す電気めっき装置、特に半導体ウェーハ等の基板の表面に設けられた微細な配線パターン内に埋込む導電体（配線材料）や、パッケージの電極等と電気的に接続するバンプ等を形成する電気めっき装置に使用されるアノード、及び該アノードを有する電気めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の表面（被めっき面）に電気めっきによって成膜されるめっき膜の膜厚は、基板の中心部が薄く、基板の外周部に行くに従って徐々に厚くなる傾向がある。これは、（１）アノードから出た電位線がカソードとなる基板の外周部に回り込むため、及び、（２）基板表面のシード層等の通電層に接触して該通電層をカソードとするカソード接点は、一般に基板外周部に配置されているため、基板中心においては、特にめっき開始直後に通電層のシート抵抗を受けて電流値が低くなってしまうためである。
【０００３】
基板表面に成膜されるめっき膜の膜厚のばらつきを補正するため、アノードとカソード（基板）との間に遮蔽板を入れて電場を変形させることが広く行われている。しかし、遮蔽板を用いても、電位線が基板の外周部に回り込む現象は根本的に解消しておらず、しかも、例えば、電気めっきで成膜されるめっき膜の材質（金属）を鉛から鉛フリーに移行する為には、めっき膜の膜厚の面内均一性を更に向上させる必要がある。
【０００４】
基板の表面に成膜されるめっき膜の膜厚の面内均一性を向上させるため、出願人は、アノードを複数の分割アノードから構成し、これらの各分割アノードを個別にめっき電源に接続するようにしたものを提案した（特許文献１参照）。また、特殊な構成のアノードを使用した電気めっき装置として、めっき液中に、金属組成が異なり且つそれぞれ電流を流せるようにした複数個の溶解性アノードを浸漬させて、基板表面に合金成分の均一なめっき膜を形成できるようにしたものを提案した（特許文献２参照）。更に、アノードを板状の溶解性アノードと不溶性アノードとを重ね合わせて構成して、溶解性アノードが溶解しても、常に正常な電場が形成できるようにしたものを提案した（特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１２９３８３号公報
【特許文献２】特開平１１−２０９９００号公報
【特許文献３】特開平１１−２０９８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の発明のように、アノードを複数の分割アノードから構成し、各分割アノードに個別にめっき電源を接続すると、装置が複雑化し、装置の大型化に繋がばかりでなく、コストアップの要因となる。なお、特許文献２、３に記載の発明は、基板の表面（被めっき面）に成膜されるめっき膜の面内均一性を向上させるようにしたものではない。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、比較的簡単な構成で、しかも、めっき電源の数を増やすことなく内部を流れる電流を制御して、アノードと対向して配置される基板の表面（被めっき面）に膜厚の面内均一性を向上させためっき膜を成膜できるようにした電気めっき用アノード、及び該アノードを有する電気めっき装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、被めっき面の周縁部をカソード接点に接触させめっき液中に浸漬させて鉛直に配置される基板と対向する位置に、めっき液に浸漬させて鉛直に配置され、前記カソード接点との間に電圧を印加して基板の被めっき面に電気めっきを行う電気めっき用アノードであって、第１の不溶性材料から構成される第１の不溶性アノードと、前記第１の不溶性材料より酸素発生過電圧が高い第２の不溶性材料から構成される第２の不溶性アノードとを、互いに導通させつつ、前記第１の不溶性アノードの周囲を前記第２の不溶性アノードで同心状に包囲させて平面状に配置したことを特徴とする電気めっき用アノードである。
【０００９】
酸素発生過電圧が低い不溶性材料から構成される不溶性アノードは、酸素発生過電圧が高い不溶性材料から構成される不溶性アノードよりも抵抗が小さい。このため、酸素発生過電圧が異なる不溶性材料からなる不溶性アノードを組合せて１つのアノードを構成することで、１つのめっき電源に接続されるアノード中に異なる値の電流が流れるようにすることができる。
【００１０】
前記第１の不溶性アノードと前記第２の不溶性アノードを、前記第１の不溶性アノードの周囲を前記第２の不溶性アノードが包囲する同心状に配置することにより、アノード中を流れる電流を同心状に制御することできる。同心形状は、円状であっても、矩形状であってもよい。
【００１１】
前記第１の不溶性アノードを構成する第１の不溶性材料は、前記第２の不溶性アノードを構成する第２の不溶性材料より酸素発生過電圧が低いことにより、単一材料で構成されるアノードと比較して、アノードと対向して配置される基板の中心部に流れる電流値を大きくすることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記第１の不溶性アノードは、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムからなり、前記第２の不溶性アノードは、白金からなることを特徴とする請求項１記載の電気めっき用アノードである。
請求項３に記載の発明は、基板の被めっき面に対向してめっき液中に配置される電気めっき用アノードにおいて、酸化イリジウムまたは酸化ルテニウムから構成される第１の不溶性アノードと、白金から構成される第２の不溶性アノードとを、互いに導通させつつ、前記第１の不溶性アノードの周囲を前記第２の不溶性アノードで同心状に包囲させて平面状に配置したことを特徴とする電気めっき用アノードである。
請求項４に記載の発明は、基板の被めっき面の形状に相似形に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気めっき用アノードである。
これにより、アノード形状を、被めっき面の形状（パターン）に合わせて最適化することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、めっき液を保持するめっき槽と、基板を保持して基板の被めっき面を前記めっき槽内のめっき液に接触させる基板ホルダと、前記めっき槽内のめっき液中に前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面に対向して配置される、請求項１乃至４のいずれかに記載のアノードと、前記基板と前記アノードとの間に電圧を印加するめっき電源とを有することを特徴とする電気めっき装置である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電気めっき用アノードによれば、比較的簡単な構成で、しかも、めっき電源の数を増やすことなく内部を流れる電流を制御して、アノードと対向して配置される基板の表面（被めっき面）に膜厚の面内均一性を向上させためっき膜を成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態の図面を参照して説明する。なお、以下の例において、同一または相当する部材に同一符号を付して重複した説明を省略する。
図１は、本発明の実施の形態の電気めっき装置を示す。この電気めっき装置は、いわゆるカップ式の電気めっき装置で、表面（被めっき面）を下向きにして基板Ｗを着脱自在に保持する上下動自在な基板ホルダ１０と、基板ホルダ１０の下方に配置されるめっき槽１２を有している。
【００１８】
基板ホルダ１０は、モータ１４の回転に伴って回転する回転軸１６の下端に連結されており、基板Ｗの下面周縁部に圧接して該周縁部下面をシールするシールリング１８と、このシールリング１８の外方に位置し、基板Ｗの表面に形成されたシード層等の通電層に接触して該通電層に給電するカソード接点２０を有している。
【００１９】
めっき槽１２は、めっき液Ｑを循環させながら内部に保持し、基板ホルダ１０で保持した基板Ｗの表面（下面）をめっき液Ｑに接触させてめっきを行うもので、外周部にオーバフロー槽２２を有し、このオーバフロー槽２２の底部に循環配管２４の一端が連結され、循環配管２４の他端は、めっき槽１２の側部に連結されている。循環配管２４には、循環ポンプ２６、温調器２８及びフィルタ３０がオーバフロー槽２２側から順に配置されている。これによって、めっき槽１２内のめっき液Ｑは、循環ポンプ２６の駆動に伴って、温調器２８及びフィルタ３０を順に通過しめっき槽１２に戻って循環する。
【００２０】
めっき槽１２の内部のめっき液Ｑに浸漬される位置には、基板Ｗの形状に沿った円板状のアノード３２が、アノードホルダ３４に保持されて、水平に配置されている。アノード３２は、図２に詳細に示すように、この例では、酸素発生過電圧が（第２の不溶性材料よりも）低い第１の不溶性材料で構成された円形の第１の不溶性アノード３６と、酸素発生過電圧が（第１の不溶性材料よりも）高い第２の不溶性材料で構成された平板リング状の第２の不溶性アノード３８を有している。そして、第１の不溶性アノード３６と第２の不溶性アノード３８は、第１の不溶性アノード３６の周りを第２の不溶性アノード３８が包囲する同心状に配置され、第１の不溶性アノード３６の外周端面と第２の不溶性アノード３８の外周端面とが接触して、ここで導通が取れるように平面状に配置されて、アノードホルダ３４内に収納されている。
【００２１】
酸素発生過電圧が（第２の不溶性材料よりも）低い第１の不溶性材料としては、例えば酸化イリジウムや酸化ルテニウムが挙げられる。酸素発生過電圧が（第１の不溶性材料よりも）高い第２の不溶性材料としては、例えば白金が挙げられる。
なお、この例では、アノードホルダ３４を備えた例を示しているが、第２の不溶性アノード３８の内部に第１の不溶性アノード３６を焼ばめにより嵌合して、アノードホルダ３４を備えることなく、第１の不溶性アノード３６と第２の不溶性アノード３８の導通を取るようにしてもよい。このことは、以下同様である。
【００２２】
めっきに際して、カソード接点２０は、めっき電源としての整流器４０の陰極に接続され、アノード３２は、整流器（めっき電源）４０の陽極に接続される。そして、周縁部下面をシールリング１８でシールし、表面のシード層等の通電層にカソード接点２０を接触させて基板Ｗを保持した基板ホルダ１０を下降させて、カソード接点２０を整流器（めっき電源）４０の陰極に、アノード３２を整流器（めっき電源）４０の陽極にそれぞれ接続されながら、基板Ｗの表面の通電層をめっき槽１２内のめっき液Ｑに接触させることで、カソード接点と接触してカソードとなる通電層の表面にめっき膜が成膜される。
【００２３】
めっき装置において、アノード電位、カソード電位及びめっき液電位の合計電位は、どの経路においても等しくなる。カソード電位はシード層等のカソード接点と接触してカソードとなる通電層の抵抗（シート抵抗）が、アノード電位はアノードの抵抗が、めっき液電位はめっき液の抵抗が関係する。
【００２４】
この例のように、基板の周縁部で通電層にカソード接点を接触させて通電層をカソードとする場合、基板の外周部から中心部に向かうにつれて、通電層の抵抗（シート抵抗）が徐々に高くなり、通電層を流れる電流値は徐々に小さくなる。これらの関係より、通電層（カソード）の中心部では電流値が低く、周辺部では電流値が高くなり、この結果、通電層（カソード）の表面に成膜されるめっき膜の膜厚は、基板の中心部で薄く、外周部に向かうに従って徐々に厚くなる。
【００２５】
酸素発生過電圧が低い不溶性物からなる不溶性アノードは、酸素発生過電圧が高い不溶性物からなる不溶性アノードよりも抵抗が低く、酸素発生過電圧が高い不溶性物からなる不溶性アノードは、酸素発生過電圧が低い不溶性物からなる不溶性アノードよりも抵抗が高い。このため、この例のように、酸素発生過電圧が（第２の不溶性材料よりも）低い第１の不溶性材料からなる第１の不溶性アノード３６と、酸素発生過電圧が（第１の不溶性材料よりも）高い第２の不溶性材料からなる第２の不溶性アノード３８とを、第１の不溶性アノード３６の周りを第２の不溶性アノード３８が包囲する同心状に配置してアノード３２を構成すると、アノード３２の第１の不溶性アノード３６に対応する中心部でのアノード電位は低く、第２の不溶性アノード３８に対応する周辺部のアノード電位は高くなる。これらより、アノード３２内におけるアノード電位が異なるので、対向する通電膜（カソード）内においてもカソード電位に電位差が生じ、導電膜（カソード）の周辺部ではカソード電位が低く、中心部ではカソード電位が高くなる。
【００２６】
上記のように、単一材料からなるアノードを使用すると、カソード内の電流分布は、周辺部が高く中心部が低くなる傾向になるが、この例のように、酸素発生過電圧が異なる不溶性材料からなる不溶性アノード３６，３８を組合せて１つのアノード３４を構成することで、カソード内の電流分布のばらつきを抑えて、カソード（通電膜）の表面に面内均一性を高めためっき膜を成膜することが可能となる。
【００２７】
なお、上記の例では、第１の不溶性アノード３６と第２の不溶性アノード３８を互いに導通させたアノード３２に、１つの整流器（めっき電源）４０の陽極を接続するようにしているが、図３に示すように、第１の不溶性アノード３６と第２の不溶性アノード３８に、別々の整流器（めっき電源）４０ａ，４０ｂの陽極を接続するようにしてもよい。これにより、アノード３２内を流れる電流値の微調整を行うことによって、酸素発生電位の差以上にアノード電位の差を得ることができる。
【００２８】
また、図４に示すように、整流器（めっき電源）４０と第１の不溶性アノード３６を繋ぐ導線内に可変抵抗器４２ａを、整流器（めっき電源）４０と第２の不溶性アノード３８を繋ぐ導線内に可変抵抗器４２ｂをそれぞれ介装して、一つの整流器（めっき電源）４０１で、第１の不溶性アノード３６と第２の不溶性アノード３８の電流値を制御するようにしてもよい。これによって、酸素発生電位の差以上にアノード電位の差を得ることができる。
【００２９】
更に、図５及び図６に示すように、中央部に位置する第１の可溶性アノード３６に、アノード３２と基板Ｗとを互いに対向させて配置した時に基板Ｗに向けて円錐状に突出する膨出部３６ａを設けてもよい。これにより、基板Ｗの表面に近い第１の可溶性アノード３６の中心部での電位線本数が最大となり、基板Ｗの表面の、カソードとなるシード層等の通電膜への電位線も、カソード（通電膜）の中心部で最大となる。通常めっき時では、カソードの外周部に電位線が集中して該外周部に成膜されるめっき膜の膜厚が他の部分より厚くなる傾向にあるが、このように、カソード（通電膜）の中心部で電位線が最大となるようにすることで、アノード中心部に成膜されるめっき膜の膜厚を厚くして、膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００３０】
なお、図７に示すように、中央部に位置する第１の可溶性アノード３６に、アノード３２と基板Ｗとを互いに対向させて配置した時に基板Ｗに向けて円柱状の突出する膨出部３６ｂを設けるようにしてもよい。
【００３１】
上記の各例では、酸素発生過電圧が異なる不溶性材料からなる不溶性アノードを組合せて１つのアノードを構成しているが、溶解性アノードと不溶性アノードを組合せて１つのアノードを構成するようにしてもよい。これは、溶解性アノードにおける金属の溶解電位が不溶性アノードにおける酸素発生過電圧より小さく、溶解性アノードは不溶性アノードよりアノード電位が低くなるためである。例えば、溶解性アノードに錫（Ｓｎ）を用いた場合、錫の溶解電位は、Ｓｎ→Ｓｎ２＋：−０．１４Ｖで、不溶性アノードに白金（Ｐｔ）を用いた場合、白金の酸素発生過電圧は＋０．６Ｖである。
【００３２】
このため、例えば図１乃至図６に示すカソード３２おいて、第１の不溶性アノード３６の代わりに溶解性アノードを、第２の不溶性アノード３８の代わりに任意の不溶性アノードをそれぞれ使用してもよく、これによっても、前述と同様に、カソード内の電流分布のばらつきを抑えて、カソード（通電膜）の表面に面内均一性を高めためっき膜を成膜することが可能となる。
【００３３】
図８は、他のアノード３２ａを示す。この例のアノード３２ａは、酸素発生過電圧がそれぞれ異なる不溶性材料からなる第１の不溶性アノード４４ａ、第２の不溶性アノード４４ｂ及び第３の不溶性アノード４４ｃを、互いに導通させつつ、平面状、かつ同心状に配置して構成されている。この中心に位置する第１の不溶性アノード４４ａは、酸素発生過電圧が最も低い不溶性材料で、外周に位置する第３の不溶性アノード４４ｃは、酸素発生過電圧が最も高い不溶性材料で、中間に中心に位置する第２の不溶性アノード４４ｂは、酸素発生過電圧が中間の不溶性材料で構成されている。
【００３４】
この例によれば、アノード３２ａの第１の不溶性アノード４４ａに対応する中心部でのアノード電位が最も低く、第３の不溶性アノード４４ｃに対応する外周部のアノード電位が最も高くなって、第２の不溶性アノード４４ｂに対応する中間部でのアノード電位は中間の値となる。これによって、このアノード３２ａと対向して配置されるカソード内の電流分布のばらつきを抑えて、カソード（通電膜）の表面に面内均一性を更に高めためっき膜を成膜することが可能となる。
【００３５】
図９は、更に他のアノード３２ｂを示す。この例のアノード３２ｂは、中心部に位置する、酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる円形の第１の不溶性アノード４６ａの周囲に、酸素発生過電圧の高い不溶性材料からなる第２の不溶性アノード４６ｂを配置し、更に、第２の不溶性アノード４６ｂの周縁部に、酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる小径の多数の第１の不溶性アノード４６ａを円周方向に沿った等間隔で配置して構成されている。この第１の不溶性アノード４６ａと第３の不溶性アノード４６ｃは、同じ材料で構成されていても、異なる材料で構成されていてもよい。
【００３６】
この例によれば、第３の不溶性アノード４６ｃと対面して基板の周縁部に成膜されるめっき膜の膜厚を、他の部分より厚くすることができる。これによって、例えば基板内のパターン配置によって、同一パターン以外に、基板の周縁部に成膜されるめっき膜の膜厚を厚くしたい場合に対処することができる。
【００３７】
図１０は、更に他のアノード３２ｃを示す。このアノード３２ａは、基板Ｗの表面の被めっき面のパターンに、密領域４８ａと粗領域４８ｂがある場合に、アノード３２ａの密領域４８ａに対向する領域に酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる第１の不溶性アノード５０ａを、アノード３２ａの粗領域４８ｂに対向する領域に酸素発生過電圧の高い不溶性材料からなる第２の不溶性アノード５０ｂを、それぞれ配置して構成されている。
【００３８】
この例によれば、例えば被めっき面のパターンに粗密が合った場合に、そのパターンの粗密に応じてアノードの構成を変えることで、被めっき面のパターンに粗密によることなく、膜厚の面内均一性を高めためっき膜を被めっき面の表面に成膜することができる。
この例にあっても、第１の不溶性アノード５０ａの代わりに溶解性アノードを、第２の不溶性アノード５０ｂの代わりに任意の不溶性アノードをそれぞれ使用するようにしてもよい。
【００３９】
上記の各例においては、半導体ウェーハ等の円形の基板表面（被めっき面）にめっき膜を成膜するようにしており、そのため、アノードとして、円形のものを使用している。例えば、例えばガラス基板等の矩形状の基板表面にめっきを行う場合には、図１１に示すように、矩形状のアノードを使用してもよい。
【００４０】
すなわち、図１１（ａ）に示すアノード５２は、矩形状で、中心部に位置する酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる第１の不溶性アノード５４ａの周囲に、酸素発生過電圧の高い不溶性材料からなる矩形枠状の第２の不溶性アノード５４ｂを配置して構成されている。図１１（ｂ）に示すアノード５２ａは、矩形状で、中心部に位置する酸素発生過電圧の最も低い不溶性材料からなる第１の不溶性アノード５６ａの周囲に、酸素発生過電圧が中間の不溶性材料からなる矩形枠状の第２の不溶性アノード５６ｂを配置し、更に、第２の不溶性アノード５６ｂの周囲に、酸素発生過電圧が最も高い不溶性材料からなる矩形枠状の第３の不溶性アノード５６ｃを配置して構成されている。図１１（ｃ）に示すアノード５２ｂは、矩形状で、中心部に位置する酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる第１の不溶性アノード５８ａの周囲に、酸素発生過電圧の高い不溶性材料からなる矩形枠状の第２の不溶性アノード５８ｂを配置し、更に第２の不溶性アノード５８ｂの周縁部に、酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる多数の矩形状の第３の不溶性アノード５８ｃを配置して構成されている。
【００４１】
図１２は、本発明の他の実施の形態の電気めっき装置を示す。このめっき装置は、いわゆるディップ式の電気めっき装置で、基板Ｗを着脱自在に保持する上下動自在な基板ホルダ７０と、基板ホルダ７０の下方に配置されるめっき槽７２とを有している。基板ホルダ７０は、基板Ｗを鉛直方向に立てた状態で上下動して、基板Ｗをめっき槽７２内のめっき液Ｑ中に浸漬させるよう構成されており、図示しないが、基板Ｗの周縁部をシールするシールリングと、基板表面のシード層等の通電層にシールリングの外方で接触して該通電層に給電するカソード接点が備えられている。
【００４２】
めっき槽７２は、外周部にオーバフロー槽７４を有し、このオーバフロー槽７４の底部に循環配管７６の一端が連結され、循環配管７６の他端は、めっき槽７４の底部に連結されている。循環配管７４には、循環ポンプ７８、温調器８０及びフィルタ８２がオーバフロー槽７４側から順に配置されている。これによって、めっき槽７２内のめっき液Ｑは、循環ポンプ７８の駆動に伴って、温調器８０及びフィルタ８２を順に通過しめっき槽７２に戻って循環する。
【００４３】
めっき槽７２の内部の、基板ホルダ７０を下降させて、基板ホルダ７０で保持した基板Ｗをめっき槽７２内のめっき液Ｑに浸漬させた時に、基板Ｗの表面と対向するめっき液Ｑに浸漬される位置に、アノードホルダ８４で保持されてアノード８６が配置されている。そして、基板Ｗとアノード８６との間に位置して、図１４に示すように、ほぼ基板Ｗの外形に沿った外径で、電場を調整する開口８８ａを有する遮蔽板８８と、基板Ｗと平行に移動してめっき液Ｑを攪拌するパドル９０が配置されている。
【００４４】
アノードホルダ８４は、図１３に示すように、めっき槽７２の外方に露出する支持棒９２の端部の導通部９４に接続されるリング状のアノードバンド９６を有している。アノード８６は、図１３に示すように、酸素発生過電圧が（第２の不溶性材料よりも）低い第１の不溶性材料で構成された円形の第１の不溶性アノード９８と、酸素発生過電圧が（第１の不溶性材料よりも）高い第２の不溶性材料で構成された平板リング状の第２の不溶性アノード１００を有している。そして、第１の不溶性アノード９８と第２の不溶性アノード１００は、第１の不溶性アノード９８の周りを第２の不溶性アノード１００が包囲する同心状に配置され、第１の不溶性アノード９８の外周端面と第２の不溶性アノード１００の外周端面とが接触して、ここで導通が取れるように平面上に配置されて、アノードバンド９６で保持されている。
【００４５】
めっきに際して、図１２に示すように、基板ホルダ７０のカソード接点は、めっき電源としての整流器１０２の陰極に接続され、アノード８６は、導通部９４及びアノードバンド９６を通して、整流器（めっき電源）１０２の陽極に接続される。そして、周縁部をシールリングでシールし、表面のシード層等の通電層にカソード接点を接触させて基板Ｗを保持した基板ホルダ７０を鉛直状態で下降させて、基板ホルダ７０のカソード接点を整流器（めっき電源）１０２の陰極に、アノード８６を整流器（めっき電源）１０２の陽極にそれぞれ接続しながら、基板Ｗの表面をアノード８６に対向させ、必要に応じて、パドル９０を介して、めっき液Ｑを攪拌することで、カソード接点と接触してカソードとなる通電層の表面にめっき膜が成膜される。
【００４６】
この例にあっても、上記と同様に、酸素発生過電圧が異なる不溶性材料からなる不溶性アノード９８，１００を組合せて１つのアノード８６を構成することで、カソード内の電流分布のばらつきを抑えて、カソード（通電膜）の表面に面内均一性を高めためっき膜を成膜することが可能となる。
【００４７】
なお、図１５に示すように、第２の不溶性アノード１００の周縁部における所定の領域を、平板リング状のアノードマスク１０４で覆って、アノード８６の開口径を任意に決めるようにしてもよい。
【００４８】
上記の例においては、半導体ウェーハ等の円形の基板表面（被めっき面）にめっき膜を成膜するようにしており、そのため、アノード８６として、円形のものを使用している。例えば、例えばガラス基板等の矩形状の基板表面にめっきを行う場合には、図１６に示すように、矩形状のアノード８６ａを使用してもよい。すなわち、このアノード８６ａは、矩形状で、中心部に位置する酸素発生過電圧の低い不溶性材料からなる第１の不溶性アノード１０６ａの周囲に、酸素発生過電圧の高い不溶性材料からなる矩形枠状の第２の不溶性アノード１０６ｂを配置して構成されている。
【００４９】
このような矩形状のアノード８６ａにあっては、例えば図１７に示すように、アノード８６ａの両側に配置される一対の側枠１０８を有するアノードホルダの該側枠１０８で左右から挟持されてアノード８６ａが保持され、この側枠１０８を通して、アノード８６ａとの導通が取られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態の電気めっき装置の概要を示す縦断正面図である。
【図２】図１に示す電気めっき装置のアノードの平面図である。
【図３】図１に示すめっき装置のアノードにおける他の導通例を示す平面図である。
【図４】図１に示すめっき装置のアノードにおける更に他の導通例を示す平面図である。
【図５】図１に示すめっき装置のアノードの変形例と示す斜視図である。
【図６】図５に示すアノードを使用して電気めっきを行う時にアノードと基板との間に発生する電位線を示す図である。
【図７】図１に示すめっき装置のアノードの他の変形例と示す斜視図である。
【図８】アノードの他の例を示す平面図である。
【図９】アノードの更に他の例を示す平面図である。
【図１０】アノードの更に他の例を示す概略斜視図である。
【図１１】アノードの更に他の例を示す平面図である。
【図１２】本発明の他の実施の形態の電気めっき装置の概略を縦断正面図である。
【図１３】図１２に示す電気めっき装置の基板ホルダを示す正面図である。
【図１４】図１２に示す電気めっき装置の遮蔽板を示す正面図である。
【図１５】図１２に示す電気めっき装置の基板ホルダの他の例を示す正面図である。
【図１６】アノードの他の例を示す正面図である。
【図１７】図１６に示すアノードを基板ホルダの側枠で保持した状態を示す正面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  基板ホルダ
１２  めっき槽
１８  シールリング
２０  カソード接点
２２  オーバフロー槽
２４  循環配管
３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ  アノード
３４  アノードホルダ
３６  第１の不溶性アノード
３８  第２の不溶性アノード
４０，４０ａ，４０ｂ  整流器（めっき電源）
４２ａ，４２ｂ  可変抵抗器
４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，５０ａ，５０ｂ  不溶性アノード
５２，５２ａ，５２ｂ  アノード
５４ａ，５４ｂ，５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ  不溶性アノード
７０  基板ホルダ
７２  めっき槽
７４  オーバフロー槽
７６  循環配管
８４  アノードホルダ
８６，８６ａ  アノード
８８  遮蔽板
９６  アノードバンド
９８  第１の不溶性アノード
１００  第２の不溶性アノード
１０２  整流器（めっき電源）
１０６ａ，１０６ｂ  不溶性アノード
１０８  側枠（基板ホルダ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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