(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変光減衰器と、
出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定部と、
出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御部と、
を有する光伝送装置。
【請求項２】
前記制御部は、所定のサイクルで検出される出力光レベルの中から、前検出サイクル時に検出した出力光レベルと現検出サイクル時に検出した出力光レベルとの変動量が第２の閾値範囲を逸脱していると前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を低下させないように制御する請求項１に記載の光伝送装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記変動量が第２の閾値範囲を逸脱し、かつ、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値より大きな所定の値以下であるものと前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を変更しないように制御する請求項２に記載の光伝送装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記変動量が第２の閾値範囲を逸脱し、かつ、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値より大きな所定の値を上回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を増加させるように制御する請求項２に記載の光伝送装置。
【請求項５】
可変光減衰器と、
出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定部と、
出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御部と、
を有する光多重ユニット。
【請求項６】
可変光減衰器から出力される出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定手順と、
出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定手順により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御手順と、
をコンピュータに実行させる光多重処理プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光伝送装置、光多重ユニットおよび光多重処理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバ中に異なる波長の光を同時に伝送させることで高速通信を実現するＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）システムというものが存在する。
【０００３】
上記のＷＤＭシステムを構成する光波長多重伝送装置は、光波長多重分離を行うＭＵＸ／ＤＭＵＸユニットと、伝送距離に応じて光増幅を行うＡＭＰユニットを備える。
【０００４】
また、例えば、図１７に示すように、ＭＵＸユニットには、多重される各波長の光レベルを均一化することを目的として、光レベル可変機能を司るＶＡＴ（Variable Attenuator）制御部（例えば、λ１〜λ３）が備えられている。
【０００５】
ＶＡＴ制御部は、光の減衰量を減らして出力光レベルを目標値に引き上げるように、光アッテネータの値を調節するフィードバック制御を行うＡＬＣ状態と、光の減衰量を一定に保って出力光レベルを引き下げるように、光アッテネータの値を調節する制御を行うＡＬＤ状態とからなる内部状態を有する。
【０００６】
また、ＡＬＣ状態には、ＡＬＤ状態からＡＬＣ状態に遷移した後、出力光レベルをある程度引き上げるための猶予期間として、ＡＬＤ状態への遷移することのない保護期間が設けられている。
【０００７】
以下に、図１８を参照しつつ、ＶＡＴ制御部における出力光レベルと内部状態の遷移を説明する。同図に示すように、ＡＬＤ状態にあるＶＡＴ制御部は、出力光レベルのモニタ値がＡＬＣ遷移閾値を上回っている場合には、内部状態をＡＬＣ状態に遷移して保護期間動作を開始する。
【０００８】
そして、同図に示すように、ＶＡＴ制御部は、内部状態がＡＬＣ状態の保護期間内にあるので、出力光レベルがＡＬＤ遷移閾値を下回っていてもＡＬＤ状態に遷移することなく、光の減衰量を減らして出力光レベルを目標値に引き上げるように、光アッテネータの値を調節するフィードバック制御を行う。
【０００９】
また、同図に示すように、ＶＡＴ制御部は、内部状態がＡＬＣ状態の保護期間を抜け、出力光レベルのモニタ値がＡＬＤ遷移閾値を下回っている場合には、内部状態をＡＬＤ状態に遷移して、光の減衰量を一定に保って出力光レベルを引き下げるように、光アッテネータの値を調節する制御を行う。
【００１０】
なお、上記した従来技術に関連する技術として、特許文献１には、波長分割多重通信システムにおけるノードにおいて、任意の波長パスのスイッチングを行うための光分岐挿入スイッチの制御方法が開示されている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−６７７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記したＶＡＴ制御部は、以下に説明するような問題点があった。
【００１３】
すなわち、ＡＬＣ状態の保護期間中に、ファイバの引き抜きなどにより、そのファイバの光入力が断たれた後、ファイバの再挿入（あるいは、増設）などにより、そのファイバの光入力が復旧するという事態（図１９の（２）および（３）参照）が発生した場合に、ＶＡＴ制御部は、ＡＬＣ状態にあることから、光の減衰量を減らす方向に働き続ける結果、サージを発生させる恐れがある。
【００１４】
そして、ＶＡＴ制御部に発生したサージがＡＭＰユニットに入力されると、既設の他チャンネルに関する波長の増幅量が減少してしまう結果、他チャンネルの主信号エラーを引き起こしたり、次のノードのＡＭＰユニットの破壊の原因となったりするという問題点があった。
【００１５】
そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、サージの発生を抑制し、サージの発生に起因する主信号エラー、および機器破壊を防止することが可能な光伝送装置、光多重ユニットおよび光多重処理プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、開示の装置は、可変光減衰器と、出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定部と、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御部と、を有する。
【００１７】
また、開示のプログラムは、可変光減衰器から出力される出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定手順と、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定手順により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御手順と、をコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、サージの発生を抑制し、サージの発生に起因する主信号エラー、および機器破壊を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に添付図面を参照して、光伝送装置、光多重ユニットおよび光多重処理プログラムの一実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
［語句の説明］
以下の実施例で用いる「ＡＬＣ状態」とは、光伝送装置のＭＵＸユニットが有する内部状態（ＶＡＴ制御状態）の一つであり、入力光を減衰させるためのＶＡＴ減衰量を調節して、出力光のレベルを漸増制御する。
【００２１】
また、「ＡＬＤ状態」とは、上記のＡＬＣ状態のほかに、光伝送装置のＭＵＸユニットが有するもう一つの内部状態であり、固定のＶＡＴ減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する。
【実施例１】
【００２２】
［光伝送装置の概要（実施例１）］
図１は、実施例１に係る光伝送装置を説明するための図である。図２は、実施例１に係る入出力光レベルの変動および状態遷移を示す図である。
【００２３】
実施例１に係る光伝送装置は、他のノードからの入力光を構成する各波長の出力レベルを調節して多重し、その他のノードに出力することを概要とする。
【００２４】
そして、実施例１に係る光伝送装置は、出力レベルがＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移に状態遷移させるための条件を満足しても（ＡＬＤ遷移閾値を下回っていても）、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移が行われない保護期間中に、所定の条件を満足する場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に遷移させるように制御することで、サージの発生を抑制する。
【００２５】
具体的に説明すると、図１に示すように、実施例１に係る光伝送装置のＭＵＸユニットにおいて、プロセッサは、ＶＡＴ制御部からの出力光レベルに対応するモニタ値を入力する（図１の（１）参照）。
【００２６】
次に、プロセッサは、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っているか否かを判定する（図１の（２）参照）。
【００２７】
判定の結果、プロセッサは、入力した出力光レベルが、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を切り替えて遷移させ、保護期間を終了する（図１の（３）参照）。
【００２８】
そして、プロセッサは、ＡＬＤ動作を開始して、所定の固定減衰量となるような制御電圧をＶＡＴ制御部に出力する（図１の（４）参照）。
【００２９】
ＶＡＴ制御部は、プロセッサから入力した制御電圧に応じて、ＶＡＴ減衰量を変更して調節し、調節されたＶＡＴ減衰量で出力光レベルを制御する（図１の（５）参照）。
【００３０】
図２を参照しつつ、入出力光レベルの変動および内部状態の遷移について説明する。同図に示すように、ファイバの接続（（１）参照）などによって、ＭＵＸユニットは、ＡＬＣ状態に遷移し、これと同時に保護時間が開始される。
【００３１】
ＡＬＣ状態に遷移することにより、出力光レベルは徐々に上がっていくが、ここで、ファイバの引き抜き（図２の（２）参照）などが行われると、入力光レベルの急激な低下に応じて出力光のレベルも低下する。
【００３２】
通常であれば、ＭＵＸユニットは、出力光レベルがＡＬＤ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＤ状態に遷移して、所定の固定減衰量で出力光レベルを減衰させるように制御する。
【００３３】
しかしながら、背景技術で説明したように、内部状態がＡＬＣ状態の保護期間内にあるので、ＭＵＸユニットは、ＡＬＤ状態に遷移することなく、ＶＡＴ減衰量を減らす方向に働き続ける。
【００３４】
その結果、ファイバの再接続（あるいは、増設）などにより（図２の（３）参照）、入力光のレベルが急激に上がった場合には、サージを発生させる恐れがある。
【００３５】
そこで、ＭＵＸユニットは、出力光レベルがＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を遷移させて保護期間を終了する。
【００３６】
そして、ＭＵＸユニットは、ＡＬＤ動作を開始して、所定の固定減衰量となるようにＶＡＴ減衰量を変更して調節し（図２の［Ａ］参照）、調節されたＶＡＴ減衰量で出力光レベルを制御する。
【００３７】
その後、ファイバの再接続などにより、入力光のレベルが急激に上がっても、出力光レベルが急激に上昇して目標出力レベルを超えるようなことはないので、サージの発生を抑制することができる。
【００３８】
このようにして、実施例１に係る光伝送装置は、保護期間中であっても、所定の条件を満足する場合には、ＡＬＤ状態に遷移させるように制御することで、サージの発生を抑制する。
【００３９】
［光伝送装置の構成（実施例１）］
図３および図４は、実施例１に係るＭＵＸユニットの構成を示す図である。なお、図３および図４には、実施例１に係る光伝送装置に関連する部分を図示する。
【００４０】
図３に示すように、実施例１に係る光伝送装置のＭＵＸユニット１００は、複数のＶＡＴ制御部１１０（ｃｈ１〜ｃｈ３）と、ＭＵＸ部１２０と、メモリ１３０と、プロセッサ１４０とを有する。
【００４１】
ＶＡＴ制御部１１０は、多重される各波長の光レベルを変更するための光レベル可変機能を司る制御部であり、図３に示すように、ＰＤ（Photo Detector）１１１と、Ａ／Ｄコンバータ１１２と、Ｄ／Ａコンバータ１１３と、ＶＡＴ部１１４とを有する。
【００４２】
ＰＤ１１１は、受光面に入射した光量に比例した電圧を出力する光検出素子であり、あらかじめ設定された所定時間ごとに、ＶＡＴ部１１４からの出力光を検出し、検出された出力光のレベルに対応する電圧をＡ／Ｄコンバータ１１２に出力する。
【００４３】
Ａ／Ｄコンバータ１１２は、アナログデータをデジタルデータに変換する変換器であり、出力光レベルに対応する電圧をＰＤ１１１から入力するごとに、デジタル値（モニタ値）に変換して、プロセッサ１４０に出力する。
【００４４】
Ｄ／Ａコンバータ１１３は、デジタルデータをアナログデータに変換する変換器であり、プロセッサ１４０から制御電圧値を入力するごとに、制御電圧値を制御電圧に変換してＶＡＴ部１１４に出力する。
【００４５】
ＶＡＴ部１１４は、光アッテネータの値（ＶＡＴ減衰量）を調節することにより、出力光のレベルを制御する処理部であり、Ｄ／Ａコンバータ１１３から制御電圧を入力するごとに、制御電圧に応じてＶＡＴ減衰量を調節することにより、出力光レベルを制御する。
【００４６】
ＭＵＸ部１２０は、ＶＡＴ制御部１１０から入力された各波長の出力光を多重して、後段のＡＭＰユニットへ出力する光合成器である。
【００４７】
メモリ１３０は、後述するプロセッサ１４０による処理に用いられる各種パラメータ等を記憶する記憶部であり、出力光レベルの目標値（目標レベル値）、ＡＬＣへの遷移閾値、ＡＬＤへの遷移閾値およびＡＬＤ時の固定減衰量などを記憶している。
【００４８】
プロセッサ１４０は、ＭＵＸユニット１００の内部状態の切り替えを制御するプロセッサである。
【００４９】
そして、プロセッサ１４０は、出力レベルがＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移に状態遷移させるための条件を満足しても（ＡＬＤ遷移閾値を下回っていても）、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態への状態遷移が行われない保護期間中に、所定の条件を満足する場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に遷移させることで、ＶＡＴ減衰量の調節を制御（ＶＡＴ制御）する。
【００５０】
具体的には、プロセッサ１４０は、ＭＵＸユニット１００の起動時にメモリ１３０から、出力光レベルの目標値（目標レベル値）、ＡＬＣへの遷移閾値、ＡＬＤへの遷移閾値およびＡＬＤ時の固定減衰量などを読込む。
【００５１】
そして、プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から、出力光レベルに対応するデジタル値（モニタ値）を入力すると、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っているか否かを判定する。
【００５２】
プロセッサ１４０は、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を切り替えて遷移させ、保護期間を終了する。
【００５３】
そして、プロセッサ１４０は、ＡＬＤ動作を開始して、メモリ１３０から読込んだ固定減衰量となるような制御電圧値をＤ／Ａコンバータ１１３に出力する。
【００５４】
なお、プロセッサ１４０は、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っていない場合には、現時点の出力光レベルと目標出力レベル値とを比較して、出力光レベルが目標値に近づく減衰量となるような制御電圧値を算出して、Ｄ／Ａコンバータ１１３に出力する。
【００５５】
プロセッサ１４０は、内部状態がＡＬＣ状態の保護期間中である場合、出力光レベルに対応するデジタル値（モニタ値）をＡ／Ｄコンバータ１１２から入力するごとに、上述してきた処理を繰り返し実行する。
【００５６】
なお、ＭＵＸユニット１００の構成は、図３に示す場合に限られるものではない。すなわち、図４に示すように、ＶＡＴ制御部１１０が有するＶＡＴ部１１４の代わりに、ＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）を応用したものを利用するようにしてもよい。
【００５７】
また、図４に示すように、ＰＤ１１１の代わりに、ＷＤＭモニタ１５０をＶＡＴ制御部１１０の外部に配置して、ＭＵＸ部１２０から出力される出力光のレベルを波長ごとに検出し、ＶＡＴ制御部１１０の外部に配置したＡ／Ｄコンバータ１１２を介して、出力光レベルに対応するモニタ値をプロセッサ１４０に出力するようにしてもよい。
【００５８】
［光伝送システムの処理（実施例１）］
図５は、実施例１に係るＭＵＸユニットの処理の流れを示す図である。なお、図５は、ＭＵＸユニットの保護期間中の処理の流れである。
【００５９】
同図に示すように、プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から、出力光レベルに対応するデジタル値（モニタ値）を入力すると、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っているか否かを判定する（ステップＳ５０１）。
【００６０】
プロセッサ１４０は、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っている場合には（ステップＳ５０１肯定）、ＡＬＣ状態からＡＬＤ状態に内部状態を切り替えて遷移させ（ステップＳ５０２）、保護期間を終了する（ステップＳ５０３）。
【００６１】
そして、プロセッサ１４０は、ＡＬＤ動作を開始して（ステップＳ５０４）、メモリ１３０から読込んだ固定減衰量となるような制御電圧をＤ／Ａコンバータ１１３に出力する（ステップＳ５０５）。
【００６２】
ＶＡＴ制御部１１０は、Ｄ／Ａコンバータ１１３を介して制御電圧を入力すると、制御電圧に応じてＶＡＴ減衰量を調節することにより、出力光レベルを制御する（ステップＳ５０６）。
【００６３】
なお、プロセッサ１４０は、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリから読込んだＡＬＣ遷移閾値を下回っていない場合には（ステップＳ５０１否定）、現時点の出力光レベルと目標出力レベル値とを比較して、出力光レベルが目標値に近づくＶＡＴ減衰量となるような制御電圧値を算出して、Ｄ／Ａコンバータ１１３に出力する（ステップＳ５０５）。
【００６４】
［実施例１による効果］
上述してきたように、実施例１によれば、保護期間中であっても、所定の条件を満足する場合には、ＡＬＤ状態に遷移させるように制御することで、ファイバの挿入あるいは増設などによるサージの発生を抑制することができるとともに、サージの発生に起因する主信号エラー、および機器破壊を防止することができるという効果を奏する。
【実施例２】
【００６５】
以下に、光伝送装置の他の実施形態を説明する。
【００６６】
［光伝送装置の構成（実施例２）］
実施例２に係る光伝送装置は、実施例１に係る光伝送装置と以下に説明する点が異なる。
【００６７】
メモリ１３０は、出力光レベルの目標値（目標レベル値）、ＡＬＣへの遷移閾値、ＡＬＤへの遷移閾値およびＡＬＤ時の固定減衰量のほかに、後述する制御条件ＣおよびＤで用いるパラメータ値（出力光レベルの変動量と比較するためのＸ（例えば、３ｄＢ）、および出力光レベルと比較するためのＹ（例えば、−２４ｄＢ））をさらに記憶する。
【００６８】
プロセッサ１４０は（例えば、図３参照）、Ａ／Ｄコンバータ１１２から、出力光レベルに対応するデジタル値（モニタ値）を入力すると、Ａ／Ｄコンバータ１１２から入力した現時点の出力光レベルを内部に記憶する。
【００６９】
次に、プロセッサ１４０は、前回入力した出力光レベル（モニタ値）と、現に入力した出力光レベルとの差を算出して出力光レベルの変動量を求める。
【００７０】
そして、プロセッサ１４０は、メモリ１３０から読み込んだ各種パラメータを用いて、現に入力した出力光レベル、および出力光レベルの前回入力からの変動量が、以下に説明する各制御条件のいずれの適用範囲にあるかを判定し、判定結果に応じてＶＡＴ制御の動作内容を決定する。
【００７１】
図６は、実施例２に係る出力光レベルの変動量と制御条件の対応関係を示す図である。図７は、実施例２に係る制御条件を示す図である。図８は、実施例２に係る出力光レベルの変動量と制御条件の適用範囲との関係を示す図である。
【００７２】
例えば、図６に、保護期間中における各制御時刻（ｔ１〜ｔ７）に対応付けて、出力光レベルの変動量（ｄ１〜ｄ７）と、制御条件（［Ａ］〜［Ｄ］）と、ＶＡＴ制御の動作内容との対応関係を示す。
【００７３】
ここで、出力光レベルの変動量とは、前回時刻（例えば、ｔ１）と現時刻（例えば、ｔ２）の出力レベルの差を表す。
【００７４】
また、上記制御条件のうち、制御条件Ａは、図７に示すように、現在の出力レベルがＡＬＣ遷移閾値を下回っているという条件を満足する場合には、ＡＬＤ状態へ遷移させるための制御条件Ａである。この制御条件Ａは、上述した実施例１でプロセッサ１４０が内部状態の切り替えに用いた条件と同様である。
【００７５】
さらに、同図に示すように、制御条件Ｂは、変動量がＸ（例えば、３ｄＢ）より小さいという条件を満足する場合には、従来通り（通常時と同様に）、現時刻の出力光レベルと目標出力レベル値とを比較して、出力光レベルが目標値に近づくＶＡＴ減衰量（フィードバック量）となるような制御電圧値を算出するための制御条件である。
【００７６】
さらに、同図に示すように、制御条件Ｃは、変動量がＸ（例えば、３ｄＢ）よりも大きく、かつ現在の出力レベルがＹ（例えば、−２４ｄＢ）以下という条件を満足する場合には、現時点のＶＡＴ減衰量を変更しない（フィードバック量を０とする）ための制御条件である。
【００７７】
さらに、同図に示すように、制御条件Ｄは、変動量がＸ（例えば、３ｄＢ）よりも大きく、かつ現在の出力レベルがＹ（例えば、−２４ｄＢ）よりも大きいという条件を満足する場合には、ＶＡＴ減衰量を増加する（フィードバック量をＺ（例えば、３ｄＢ）とする）ための制御条件である。
【００７８】
そして、図８は、保護期間中における出力光レベルの変動と制御条件の適用範囲との関係を明示したものであるが、例えば、出力光レベルの変動量がｄ１およびｄ４の時には（図８の（１）参照）は、図６に示す対応関係および図７に示す制御条件のうち、制御条件Ｂの適用範囲となる。
【００７９】
同様に、出力光レベルの変動量がｄ２の時には（図８の（２）参照）、制御条件Ｃが適用され、出力光レベルの変動量がｄ３、ｄ５およびｄ６の時には（図８の（３）参照）、制御条件Ｄの適用範囲となり、出力光レベルの変動量がｄ７の時には（図８の（４）参照）、制御条件Ａの適用範囲となる。
【００８０】
上述してきたようにして、プロセッサ１４０は、現に入力した出力光レベル、および出力光レベルの変動量が、制御条件Ａ〜Ｄのいずれの適用範囲にあるかを判定し、判定結果に応じてＶＡＴ制御の動作内容を決定する。
【００８１】
図９は、実施例２に係る制御条件［Ｃ］未適用時のサージ発生例を示す図である。ＡＬＣ状態に遷移して保護期間開始後、ファイバの光入力が劣化していくと（同図の（２）参照）、制御条件Ｃを適用していない場合には、プロセッサ１４０のＶＡＴ制御によりＶＡＴ減衰量が急激に低下していく。
【００８２】
上記のような状況でファイバの光入力が復旧すると、ＶＡＴ減衰量が低下しているので、出力光レベルが急激に上昇してサージを発生させることとなる。
【００８３】
そこで、制御条件Ｃを適用することにより、プロセッサ１４０は、変動量がＸ（例えば、３ｄＢ）よりも大きく、かつ現在の出力レベルがＹ（例えば、−２４ｄＢ）以下という条件を満足する場合には、現時点のＶＡＴ減衰量を変更しない（図１０の［Ｃ］参照）。
【００８４】
その結果、出力光レベルが急激に上昇することを防止することができ、サージの発生を抑制することができる。
【００８５】
図１１は、実施例２に係る制御条件［Ｄ］未適用時のサージ発生例を示す図である。図９に示す場合と同様に、制御条件Ｄを適用していない場合には、ＶＡＴ減衰量が低下しているので、出力光レベルが急激に上昇してサージを発生させることとなる。
【００８６】
そこで、制御条件Ｄを適用することにより、プロセッサ１４０は、変動量がＸ（例えば、３ｄＢ）よりも大きく、かつ現在の出力レベルがＹ（例えば、−２４ｄＢ）よりも大きいという条件を満足する場合には、現時点のＶＡＴ減衰量を増加させる（図１２の［Ｄ］参照）。
【００８７】
なお、制御条件ＣおよびＤにより、ファイバの引き抜きなどにより光入力がなくなった場合にだけでなく、光入力の劣化など光入力が弱くなった場合にも、ＶＡＴ減衰量が小さくになることを防ぎ、小さなサージの発生を抑制できる。
【００８８】
［光伝送装置による処理（実施例２）］
図１３は、実施例２に係るＭＵＸユニットの処理の流れを示す図である。なお、図１３には、保護期間以外を含めたＭＵＸユニットの全体的な処理の流れを示す。
【００８９】
同図に示すように、プロセッサ１４０は、メモリ１３０に記憶されている各パラメータ（目標レベル値、ＡＬＣへの遷移閾値、ＡＬＤへの遷移閾値、Ｘ、Ｙおよび固定減衰量）を読み込む（ステップＳ１３０１）。
【００９０】
次に、プロセッサ１４０は、内部状態をＡＬＤ状態とする（ステップＳ１３０２）。そして、ＰＤ１１１は、所定時間ごとに光レベル（出力光レベル）を検出する（ステップＳ１３０３）。
【００９１】
Ａ／Ｄコンバータ１１２は、出力光レベルに対応する電圧をＰＤ１１１から入力するごとに、デジタル値（モニタ値）に変換する（ステップＳ１３０４）。
【００９２】
プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から、出力光レベルに対応するデジタル値（モニタ値）を入力すると、内部状態がＡＬＤ状態であるか否かを確認する（ステップＳ１３０５）。
【００９３】
確認の結果、内部状態がＡＬＤ状態である場合には（ステップＳ１３０５肯定）、プロセッサ１４０は、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えているか（上回っているか）否かを判定する（ステップＳ１３０６）。
【００９４】
判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えていない（下回っている）場合には（ステップＳ１３０６否定）、プロセッサ１４０は、後述するＡＬＤ動作を継続して（ステップＳ１３０７）、現状の出力光レベルを内部に記憶する（ステップＳ１３０８）。
【００９５】
ＶＡＴ制御部１１０は、Ｄ／Ａコンバータ１１３を介して、プロセッサ１４０から制御電圧を入力すると、制御電圧に応じてＶＡＴ減衰量を調節する（ステップＳ１３０９）。
【００９６】
一方、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えている（上回っている）場合には（ステップＳ１３０６肯定）、プロセッサ１４０は、内部状態をＡＬＣ状態に遷移させ、保護期間および後述するＡＬＣ動作を開始する（ステップＳ１３１０およびステップＳ１３１１）。
【００９７】
そして、上述したステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【００９８】
ここで、ステップＳ１３０５の説明に戻ると、確認の結果、内部状態がＡＬＤ状態ではない場合には（ステップＳ１３０５否定）、プロセッサ１４０は、保護期間中であるか否かをさらに確認する（ステップＳ１３１２）。
【００９９】
確認の結果、保護期間中ではない場合には（ステップＳ１３１２否定）、プロセッサ１４０は、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＤ遷移閾値を超えているか（上回っているか）否かを判定する（ステップＳ１３１３）。
【０１００】
判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＤ遷移閾値を超えていない（下回っている）場合には（ステップＳ１３１３否定）、プロセッサ１４０は、内部状態をＡＬＤ状態に遷移させてＡＬＤ動作を開始する（ステップＳ１３１４）。
【０１０１】
そして、上述したステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１０２】
一方、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＤ遷移閾値を超えている（上回っている）場合には（ステップＳ１３１３肯定）、プロセッサ１４０は、そのままＡＬＣ動作を継続する（ステップＳ１３１５）。
【０１０３】
そして、上述したステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１０４】
確認の結果、保護期間中である場合には（ステップＳ１３１２肯定）、プロセッサ１４０は、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えているか（上回っているか）否かを判定する（ステップＳ１３１６）。
【０１０５】
判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えていない（下回っている）場合には（ステップＳ１３１６否定）、プロセッサ１４０は、上述した制御条件Ａに該当するものとして、内部状態をＡＬＤ状態に遷移させて保護期間を終了し（ステップＳ１３１７）、および後述するＡＬＤ動作を開始する（ステップＳ１３１８）。
【０１０６】
そして、上述したステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１０７】
一方、判定の結果、入力した出力光レベル（モニタ値）が、メモリ１３０から読込んだＡＬＣ遷移閾値を超えている（上回っている）場合には（ステップＳ１３１６肯定）、プロセッサ１４０は、続いて、現在の出力光レベルと前回入力した出力光レベルとの差（変動量）が、Ｘ（３ｄＢ）以上であるか否かを判定する（ステップＳ１３１９）。
【０１０８】
判定の結果、現在の出力光レベルと前回入力した出力光レベルとの差（変動量）が、３ｄＢ（Ｘ）以上ではない場合には（ステップＳ１３１９否定）、プロセッサ１４０は、上述した制御条件Ｂに該当するものとして、ＡＬＣ動作を継続する（ステップＳ１３２０）。
【０１０９】
さらに、プロセッサ１４０は、その時点で保護期間をオーバーしている場合には、保護期間を終了する（ステップＳ１３２１）。
【０１１０】
そして、上述したステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１１１】
一方、判定の結果、現在の出力光レベルと前回入力した出力光レベルとの差（変動量）が、３ｄＢ（Ｘ）以上である場合には（ステップＳ１３１９肯定）、プロセッサ１４０は、現在の光出力レベルが−２４ｄＢ以上であるか否かを判定する（ステップＳ１３２２）。
【０１１２】
判定の結果、現在の光出力レベルが−２４ｄＢよりも小さい場合には（ステップＳ１３２２否定）、プロセッサ１４０は、上述した制御条件Ｃに該当するものとして、現状と同じ（フィードバック量が０）の制御電圧値をＤ／Ａコンバータ１１３に出力する（ステップＳ１３２３）。
【０１１３】
そして、上述したステップＳ１３２１、ステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１１４】
一方、判定の結果、現在の光出力レベルが−２４ｄＢ以上である場合には（ステップＳ１３２２肯定）、プロセッサ１４０は、上述した制御条件Ｄに該当するものとして、ＶＡＴ減衰量を現状よりも３ｄＢ大きくするような制御電圧値を計算して、Ｄ／Ａコンバータ１１３に出力する（ステップＳ１３２４）。
【０１１５】
そして、上述したステップＳ１３２１、ステップＳ１３０８およびステップＳ１３０９の処理へ移行する。
【０１１６】
図１４は、ＡＬＤ動作の流れを示す図である。同図に示すように、プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から出力光レベル（モニタ値）を入力するごとに、ＡＬＤ動作中である場合には、ＶＡＴ減衰量が１０ｄＢ（固定値）になるような制御電圧値をＤ／Ａコンバータ１１３に繰り返し出力する（ステップＳ１４０１）。
【０１１７】
図１５は、ＡＬＣ動作の流れを示す図である。同図に示すように、プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から出力光レベルを入力するごとに、ＡＬＣ動作中である場合には、以下のように動作する。
【０１１８】
すなわち、プロセッサ１４０は、Ａ／Ｄコンバータ１１２から入力した出力光レベル（入力（モニタ）値）と、メモリ１３０から読込んでおいた目標出力光レベル値とを比較して、出力光レベルが目標出力光レベル値に近づくＶＡＴ減衰量となるような制御電圧値を計算して、Ｄ／Ａコンバータ１１３に繰り返し出力する（ステップＳ１５０１）。
【０１１９】
［実施例２による効果］
上述してきたように、実施例２によれば、保護期間中において、ファイバの引き抜きなどにより光入力がなくなった場合にだけでなく、光入力の劣化など光入力が弱くなった場合にも、ＶＡＴ減衰量が小さくなることを防ぎ、小さなサージの発生を抑制できるという効果を奏する。
【実施例３】
【０１２０】
さらに、以下の実施形態を開示する。
【０１２１】
（１）装置構成等
図３および図４に示した光伝送装置のＭＵＸユニット１００の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。
【０１２２】
すなわち、光伝送装置のＭＵＸユニット１００の分散・統合の具体的形態は図３または図４に示すものに限られず、例えば、ＶＡＴ制御部１１０の各チャネル（例えば、ｃｈ１〜ｃｈ３）ごとに、上述したメモリ１３０およびプロセッサ１４０をそれぞれ設置するなど、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
【０１２３】
さらに、光伝送装置のＭＵＸユニット１００にて行なわれる各処理機能（図５または図１３参照）は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【０１２４】
（２）光多重処理プログラム
また、上記の実施例で説明したＭＵＸユニット１００にて行なわれる各処理機能（図５または図１３参照）は、あらかじめ用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータシステムで実行することによって実現することができる。
【０１２５】
そこで、以下では、図１６を用いて、上記の実施例で説明したＭＵＸユニット１００と同様の機能を有する光多重処理プログラムを実行するコンピュータの一例を説明する。図１６は、光多重処理プログラムを実行するコンピュータを示す図である。
【０１２６】
同図に示すように、コンピュータ２００は、入力部２１０、出力部２２０、ＨＤＤ２３０、ＲＡＭ２４０およびＣＰＵ２５０をバス３００で接続して構成される。
【０１２７】
ここで、入力部２１０は、ユーザから各種データの入力を受け付ける。出力部２２０は、各種情報を表示する。ＨＤＤ２３０は、ＣＰＵ２５０による各種処理の実行に必要な情報を記憶する。ＲＡＭ２４０は、各種情報を一時的に記憶する。ＣＰＵ２５０は、各種演算処理を実行する。
【０１２８】
そして、ＨＤＤ２３０には、図１６に示すように、上記の実施例に示したＭＵＸユニット１００のプロセッサ１４０と同様の機能を発揮する光多重処理プログラム２３１と、メモリ１３０に記憶されているパラメータと同様の光多重処理用データ２３２とがあらかじめ記憶されている。
【０１２９】
なお、この光多重処理プログラム２３１を適宜分散させて、ネットワークを介して通信可能に接続された他のコンピュータの記憶部に記憶させておくこともできる。
【０１３０】
そして、ＣＰＵ２５０が、この光多重処理プログラム２３１をＨＤＤ２３０から読み出してＲＡＭ２４０に展開することにより、図１６に示すように、光多重処理プログラム２３１は光多重処理プロセス２４１として機能するようになる。
【０１３１】
そして、光多重処理プロセス２４１は、光多重処理用データ２３２等をＨＤＤ２３０から読み出して、ＲＡＭ２４０において自身に割り当てられた領域に展開し、この展開したデータ等に基づいて各種処理を実行する。
【０１３２】
なお、光多重処理プロセス２４１は、図３（あるいは、図４）に示したＭＵＸユニット１００のプロセッサ１４０において実行される処理にそれぞれ対応する。
【０１３３】
なお、上記した光多重処理プログラム２３１については、必ずしも最初からＨＤＤ２３０に記憶させておく必要はなく、例えば、コンピュータ２００に挿入されるフレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカードなどの「可搬用の物理媒体」、さらには、公衆回線、インターネット、ＬＡＮ、ＷＡＮなどを介してコンピュータ２００に接続される「他のコンピュータ（またはサーバ）」などに各プログラムを記憶させておき、コンピュータ２００がこれらから各プログラムを読み出して実行するようにしてもよい。
【０１３４】
（３）光多重方法
上記の実施例で説明したＭＵＸユニット１００により、以下のような光多重処理方法が実現される。
【０１３５】
すなわち、入力光を減衰させるための減衰量を調節することにより出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定するステップと（図５のステップＳ５０１、図１３のステップＳ１３１６等参照）、出力光のレベルがフィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っている場合には、フィードバック制御状態から固定減衰量制御状態へ状態遷移させるように制御する制御ステップと（図５のステップＳ５０２、図１３のステップＳ１３１７等参照）、を含んだ光多重処理方法が実現される。
【０１３６】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１３７】
（付記１）可変光減衰器と、出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定部と、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御部と、を有する光伝送装置。
【０１３８】
（付記２）前記制御部は、所定のサイクルで検出される出力光レベルの中から、前検出サイクル時に検出した出力光レベルと現検出サイクル時に検出した出力光レベルとの変動量が第２の閾値範囲を逸脱していると前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を低下させないように制御する付記１に記載の光伝送装置。
【０１３９】
（付記３）前記制御部は、前記変動量が第２の閾値範囲を逸脱し、かつ、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値より大きな所定の値以下であるものと前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を変更しないように制御する付記２に記載の光伝送装置。
【０１４０】
（付記４）前記制御部は、前記変動量が第２の閾値範囲を逸脱し、かつ、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値より大きな所定の値を上回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記減衰量を増加させるように制御する付記２に記載の光伝送装置。
【０１４１】
（付記５）可変光減衰器と、出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定部と、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定部により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御部と、を有する光多重ユニット。
【０１４２】
（付記６）可変光減衰器から出力される出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定手順と、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定手順により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御手順と、をコンピュータに実行させる光多重処理プログラム。
【０１４３】
（付記７）可変光減衰器から出力される出力光のレベルを漸増制御するフィードバック制御状態から、固定の前記可変光減衰器の減衰量を用いて出力光のレベルを減衰制御する固定減衰量制御状態に状態遷移させるための条件を出力レベルが満足しても、前記状態遷移を行わないように制御する保護期間中において、前記固定減衰量制御状態から前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を出力光のレベルが下回っているか否かを判定する判定ステップと、出力光のレベルが前記フィードバック制御状態への状態遷移閾値以下の所定の値を下回っているものと前記判定手順により判定された場合には、前記フィードバック制御状態から前記固定減衰量制御状態へ前記可変光減衰器の制御状態を状態遷移させるように制御する制御ステップと、を含んだ光多重処理方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】実施例１に係る光伝送装置を説明するための図である。
【図２】実施例１に係る入出力光レベルの変動および状態遷移を示す図である。
【図３】実施例１に係るＭＵＸユニットの構成を示す図である。
【図４】実施例１に係るＭＵＸユニットの構成を示す図である。
【図５】実施例１に係るＭＵＸユニットの処理の流れを示す図である。
【図６】実施例２に係る出力光レベルの変動量と制御条件の対応関係を示す図である。
【図７】実施例２に係る制御条件を示す図である。
【図８】実施例２に係る出力光レベルの変動量と制御条件の適用範囲との関係を示す図である。
【図９】実施例２に係る制御条件［Ｃ］未適用時のサージ発生例を示す図である。
【図１０】実施例２に係る制御条件［Ｃ］適用時の入出力光レベルの変動および状態遷移を示す図である。
【図１１】実施例２に係る制御条件［Ｄ］未適用時のサージ発生例を示す図である。
【図１２】実施例２に係る制御条件［Ｄ］適用時の入出力光レベルの変動および状態遷移を示す図である。
【図１３】実施例２に係るＭＵＸユニットの処理の流れを示す図である。
【図１４】ＡＬＤ動作の流れを示す図である。
【図１５】ＡＬＣ動作の流れを示す図である。
【図１６】光多重処理プログラムを実行するコンピュータを示す図である。
【図１７】従来技術を説明するための図である。
【図１８】従来技術を説明するための図である。
【図１９】従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１００  ＭＵＸユニット
１１０  ＶＡＴ制御部
１１１  ＰＤ
１１２  Ａ／Ｄコンバータ
１１３  Ｄ／Ａコンバータ
１１４  ＶＡＴ部
１２０  ＭＵＸ部
１３０  メモリ
１４０  プロセッサ
１５０  ＷＤＭモニタ
２００  コンピュータ
２１０  入力部
２２０  出力部
２３０  ＨＤＤ（Hard Disk Drive）
２３１  光多重処理プログラム
２３２  光多重処理用データ
２４０  ＲＡＭ（Random Access Memory）
２４１  光多重処理プロセス
２５０  ＣＰＵ（Central Processing Unit）
３００  バス
【図１】
0005067273.tif 000002
【図２】
0005067273.tif 000003
【図３】
0005067273.tif 000004
【図４】
0005067273.tif 000005
【図５】
0005067273.tif 000006
【図６】
0005067273.tif 000007
【図７】
0005067273.tif 000008
【図８】
0005067273.tif 000009
【図９】
0005067273.tif 000010
【図１０】
0005067273.tif 000011
【図１１】
0005067273.tif 000012
【図１２】
0005067273.tif 000013
【図１３】
0005067273.tif 000014
【図１４】
0005067273.tif 000015
【図１５】
0005067273.tif 000016
【図１６】
0005067273.tif 000017
【図１７】
0005067273.tif 000018
【図１８】
0005067273.tif 000019
【図１９】
0005067273.tif 000020