(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成後の基板本体を構成し、ガラス成分の含有量が５〜１０質量％である複数のグリーンシートうち、少なくとも１つのグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き工程と、
焼成後の基板本体を構成し、上記グリーンシートの貫通孔の内面および他のグリーンシートにおいて追ってキャビティの底面となる表面に対し、ガラス成分の含有量が２．０質量％以下であるセラミックペーストを塗布または印刷する塗布工程と、
表面にセラミックペーストが塗布または印刷された上記他のグリーンシートの上層側に、貫通孔の内面にセラミックペーストが塗布された上記グリーンシートを積層する積層工程と、
上記積層工程において上記セラミックペーストが塗布または印刷された複数の前記グリーンシートを積層して得られた未焼成の基板本体を焼成し、上記セラミックペーストを焼成して得られたセラミック表層部における気孔の分布密度が、上記各グリーンシートを焼成して得られた各セラミック層における気孔の分布密度よりも高い基板本体を得る焼成工程と、を含む、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記グリーンシートの貫通孔の内面、および前記他のグリーンシートの表面に、塗布または印刷されたセラミックペーストは、焼成後の厚みが１０μｍ以上で且つ５００μｍ以下となるように塗布あるいは印刷される、
請求項１に記載の発光素子実装用配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記他のグリーンシートにおいて、前記セラミックペーストが塗布または印刷された表面を除く前記キャビティの底面となる表面に対し、発光素子を実装するためのメタライズ層、および該発光素子と導通される電極用のメタライズ層を形成するための導電性ペーストを印刷するための印刷工程を、更に有する、
請求項１または２に記載の発光素子実装用配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記焼成工程の後に、更に前記メタライズ層の表面に金属メッキ層を被覆するメッキ工程を施される、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の発光素子実装用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティに発光素子を実装でき、且つ該発光素子が発光する光を効率良く反射し得る発光素子実装用配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、実装すべき発光ダイオード素子からの光の反射率を高めるため、該発光ダイオード素子を実装するためのベース体、およびその周囲の上方に積層されて反射面となるカバー体に、気孔の直径が０．１０〜１．２５μｍのアルミナセラミック、あるいは気孔率が１０％以上のアルミナセラミックを用いる発光ダイオード用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２８７１３２号公報（第１〜１９頁、図１〜１７）
【０００３】
前記特許文献１の発光ダイオード用パッケージのように、発光ダイオード素子を実装するためのベース体、およびその周囲の上方に積層され且つキャビティの側面が反射面となるカバー体に、特定の気孔率などを有するアルミナセラミックを用いることは、それなりに反射率を向上させ得る。これに関連して、発光素子を実装するためのキャビティを形成する上層側のセラミック層に、前記アルミナセラミックを用いることが考えられる。
【０００４】
しかし、前記特許文献１の発光ダイオード用パッケージでは、メッキ工程でパッケージ全体をメッキ液に浸漬した際に、前記アルミナセラミックからなるベース体およびカバー体の気孔内に、全方向からメッキ液が浸入する。その結果、カバー体に囲まれたキャビティの内側に充填した封止樹脂を硬化させるための加熱時に、上記気孔内に浸入していた残渣メッキ液が蒸発し、封止樹脂内で気泡なるため、光の反射率を低下させたり、上記封止樹脂のハガレを招くおそれがあった。
しかも、前記ベース体やカバー体のように、発光素子を実装するためのキャビティの底面および側面を形成するセラミック層に気孔が多く含まれていると、該セラミック層自体の強度が低下してしまうため、発光素子を実装するためのセラミック多層配線基板の品質が低下するおそれがある、という問題もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子を実装するためのキャビティを有し、該発光素子が発光する光の反射率を高められ且つ所要の強度を有する発光素子実装用配線基板を、確実に得られる発光素子実装用配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、光の反射面のみを気孔の多い部分とするため、該反射面を所定量のガラス成分を含むセラミックペーストによって形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による発光素子実装用配線基板の製造方法（請求項１）は、焼成後の基板本体を構成し、ガラス成分の含有量が５〜１０質量％である複数のグリーンシートうち、少なくとも１つのグリーンシートに貫通孔を形成する打ち抜き工程と、焼成後の基板本体を構成し、上記グリーンシートの貫通孔の内面および他のグリーンシートにおいて追ってキャビティの底面となる表面に対し、ガラス成分の含有量が２．０質量％以下であるセラミックペーストを塗布または印刷する塗布工程と、表面にセラミックペーストが塗布または印刷された上記他のグリーンシートの上層側に、貫通孔の内面にセラミックペーストが塗布された上記グリーンシートを積層する積層工程と、該積層工程において上記セラミックペーストが塗布または印刷された複数の前記グリーンシートを積層して得られた未焼成の基板本体を焼成し、上記セラミックペーストを焼成して得られたセラミック表層部における気孔の分布密度が、上記各グリーンシートを焼成して得られた各セラミック層における気孔の分布密度よりも高い基板本体を得る焼成工程と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、ガラス成分の含有量が５〜１０質量％であり、追ってキャビティの側面となる前記グリーンシートの貫通孔の内面、および上記と同じ含有量でガラス成分を含有し且つ上記キャビティの底面となる他のグリーンシートの表面にのみ、ガラス成分の含有量が２．０質量％以下のセラミックペーストを塗布または印刷し、これらのグリーンシートを積層および焼成することで、キャビティの側面および底面に沿って、ガラス成分の含有量が相対的に少ない上記セラミックペーストからなるセラミック表層部が形成される。その結果、前記各グリーンシートの積層体の焼成後において、キャビティの側面および底面が高い光の反射率のセラミック表層部に覆われると共に、追って発光素子が実装され、その光を反射させるキャビティの側面および底面（光の反射面）を覆うセラミック表層部のみが、相対的に多くの気孔を含むものとなる。
しかも、光の反射面付近以外は、気孔が少ないセラミックであるので、追って施す電解メッキ工程で、前記グリーンシートが焼成されたセラミック層の気孔内へのメッキ液の侵入を抑制し、その後に行うキャビティ内に充填した封止樹脂の加熱時に、メッキ液の蒸発量を抑えられる。その結果、封止樹脂内の気泡を低減できるため、発光素子の光を一層効率良く反射でき、且つ封止樹脂のハガレも抑制することができる。従って、光の反射率が向上し、且つ封止樹脂のハガレも防止できると共に、得られる発光素子実層配線基板の強度を保つことも可能となる。
【０００８】
前記グリーンシートにおけるガラス成分の含有量が１０質量％を越えると、ガラス成分が過剰となり、焼成後に得られるセラミック層の強度が不足するおそれがあるため、この範囲を除外した。
また、前記セラミックペーストにおけるガラス成分の含有量を２．０質量％以下（０を含む）としたのは、焼成後のセラミック表層部内に平均粒径が１μｍ以下の気孔が生じ易くなるためである。一方、２．０質量％を越えると、セラミック粒子の焼成が容易となり、平均粒径が１μｍ以下の気孔が生じにくくなるため、かかる範囲を除外した。
更に、前記気孔は、セラミックペーストや前記グリーンシートを焼成して得られるセラミック表層部やセラミック層内において、隣接するセラミック粒子間に位置する微小な空間であり、その平均直径は、１μｍ以下である。
【０００９】
尚、前記グリーンシートは、前記ガラス成分の他に、アルミナなどの白色系のセラミック粉末、有機バインダ、および溶剤などを含んでいる。
また、前記貫通孔には、単数または複数のグリーンシートを貫通する同じ内径である断面円形や長円形などの形態のほか、複数のグリーンシートを一定の傾斜角度で連続して貫通するほぼ逆円錐形などの傾斜面を内面とする形態も含まれる。
更に、前記セラミックペーストは、前記ガラス成分の含有量の他は、前記グリーンシートとほぼ同様な組成からなり、且つ塗布や印刷に適した柔軟性を有する。
加えて、前記発光素子には、発光ダイオード（ＬＥＤ）の他、半導体レーザも含まれる。
【００１０】
また、本発明には、前記グリーンシートの貫通孔の内面、および前記他のグリーンシートの表面に、塗布または印刷されたセラミックペーストは、焼成後の厚みが１０μｍ以上で且つ５００μｍ以下となるように塗布あるいは印刷される、発光素子実装用配線基板の製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記セラミックペーストの焼成後における厚みが前記範囲で塗布または印刷されるため、前記キャビティの側面および底面において、光を反射させるのに必要な１μｍ以下の気泡の分布密度が不足しないと共に、比較的均一な厚みで塗布ないし印刷することが可能となる。
前記セラミックペーストの焼成後の厚みが１０μｍ未満になると、前記光を反射させるのに必要な気泡分布密度が不足となり、一方、上記厚みが５００μｍを越えると、セラミックペーストを均一な厚みで塗布ないし印刷し難くなる。このため、セラミックペーストの焼成後の厚みを前記の範囲とした。
【００１１】
更に、本発明には、前記他のグリーンシートにおいて、前記セラミックペーストが塗布または印刷された表面を除く前記キャビティの底面となる表面に対し、発光素子を実装するためのメタライズ層、および該発光素子と導通される電極用のメタライズ層を形成するための導電性ペーストを印刷するための印刷工程を、更に有する、発光素子実装用配線基板の製造方法（請求項３）も含まれる。
これによれば、追ってキャビティの底面となる前記他のグリーンシートの表面において、前記セラミックペーストが塗布または印刷された部分を除いた位置に、導電性ペーストを印刷することで、発光素子を実装するためのメタライズ層、および該発光素子と導通される電極用のメタライズ層を形成できる。その結果、発光素子に通電することで、所定の光を発光させ、且つその光を前記セラミックペーストが焼成されたキャビティの底面で、効率良く反射させることが可能となる。
【００１２】
加えて、本発明には、前記焼成工程の後に、更に前記メタライズ層の表面に金属メッキ層を被覆するメッキ工程を施される、発光素子実装用配線基板の製造方法（請求項４）も含まれる。
これによれば、表面にＮｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層などが被覆された発光素子実装用のメタライズ層、およびこれに導通される電極用のメタライズ層を、キャビティの底面に確実に形成することが可能となる。
しかも、光の反射面付近以外は、気孔が少ないセラミックであるので、前記メッキ時において、前記グリーンシートが焼成されたセラミック層の気孔へのメッキ液の侵入を抑制し、その後においてキャビティに充填した封止樹脂を硬化させるべく加熱する際に、該メッキ液の蒸発量も低減できる。その結果、封止樹脂中での気泡の発生を防げ、発光素子の光の反射率を一層高められると共に、上記封止樹脂自体のハガレを防ぎ、その封止性も確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明によって製造される一形態の発光素子実装用配線基板（以下、単に配線基板と称する）１ａを示す模式的な垂直断面図である。
配線基板１ａは、図１に示すように、複数のセラミック層Ｓ１〜Ｓ４を積層してなり、平面視がほぼ正方形（矩形）の表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、該基板本体２ａの表面３に開口し、平面視が円形の底面６およびその周囲から垂直に立設する円柱形の側面７からなるキャビティ５と、を備えている。
前記セラミック層Ｓ１〜Ｓ４は、アルミナおよび１０質量％以下のガラス成分を含む。また、前記キャビティ５の底面６および側面７の表層は、ガラス成分の含有量が約０．２〜２．０質量％で且つ厚み１０〜５００μｍであり、前記セラミック層Ｓ１〜Ｓ４に比べて、気孔の分布密度が高いセラミック表層部１０，１２に覆われている。尚、図１中において、セラミック層Ｓ２〜Ｓ４とセラミック表層部１０，１２との境界を示す破線は、明確に出現していない場合もある。
【００１４】
図１に示すように、キャビティ５の底面６において、前記セラミック表層部１０を除いた中心部付近には、平面視が角形を呈し、追って発光素子２０を実装するためのメタライズ層１６が形成され、その付近には、発光素子２０と図示しないボンディングワイヤを介して導通される電極用のメタライズ層１７が形成されている。該メタライズ層１６，１７は、ＷまたはＭｏ、あるいはこれらの何れかをベースとする合金からなり、その表面には図示しないＮｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層が被覆されており、セラミック表層部１０とほぼ同じ厚みである。
更に、セラミック層Ｓ１，Ｓ２間には、所定パターンの配線層１８が形成され、基板本体２の裏面４における各コーナ付近には、裏面端子電極１９が形成されている。前記メタライズ層１６，１７、上記配線層１８、および裏面端子電極１９は、セラミック層Ｓ１，Ｓ２を貫通するビア導体Ｖを介して、相互に導通している。尚、配線層１８、裏面端子電極１９、およびビア導体Ｖも、Ｗなどからなる。  また、前記メタライズ層１６の表面には、追って発光ダイオード（発光素子）が実装され、前記メタライズ層１７との間に、Ａｕの細線からなるボンディングワイヤが接続された後、キャビティ５の内側に、封止用の樹脂（図示せず）が充填される。
【００１５】
図２は、本発明によって得られる異なる形態の配線基板１ｂを示す模式的な垂直断面図である。
配線基板１ｂは、図２に示すように、複数のセラミック層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６を積層してなり、前記同様の表面３および裏面４を有する基板本体２ｂと、該基板本体２ｂの表面３に開口し、平面視が円形の底面６およびその周囲から表面３に向かって斜めに立ち上がるほぼ逆円錐形の側面９からなるキャビティ８と、を備えている。セラミック層Ｓ５，Ｓ６も、アルミナおよび１０質量％以下のガラス成分を含む。また、前記キャビティ８の底面６および側面９の表層は、ガラス成分の含有量が２．０質量％以下で且つ厚み１０〜５００μｍであり、前記セラミック層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６に比べて、気孔の分布密度が高いセラミック表層部１０，１４に覆われている。
尚、図２中において、セラミック層Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６とセラミック表層部１０，１４との境界を示す破線は、明確に出現していない場合もある。
【００１６】
また、図２に示すように、キャビティ８の底面６において、前記セラミック表層部１０を除いた中心部付近には、前記同様のメタライズ層１６が形成され、その付近には、前記同様のメタライズ層１７が形成されている。
更に、セラミック層Ｓ１，Ｓ２間には、前記同様の配線層１８が形成され、基板本体２の裏面４には、前記同様の裏面端子電極１９が形成されており、上記メタライズ層１６，１７、上記配線層１８、および裏面端子電極１９は、前記同様のビア導体Ｖを介して、相互に導通している。
尚、前記メタライズ層１６の表面には、追って発光ダイオード（発光素子）が実装され、前記メタライズ層１７との間に、Ａｕの細線からなるボンディングワイヤが接続された後、キャビティ８の内側に、封止用の樹脂（何れも図示せず）が充填される。
【００１７】
以上のような配線基板１ａ，１ｂによれば、基板本体２ａ，２ｂを構成するセラミック層Ｓ１〜Ｓ６に比べて、キャビティ５，８の底面６および側面７，９を覆う厚みが１０〜５００μｍのセラミック表層部１０，１２，１４における気孔の分布密度が相対的に高くなっている。その結果、キャビティ５，８の底面６中央部のメタライズ層１６の上方に発光ダイオード２０を実装すると、これから発光される光は、キャビティ５，８の底面６および側面７，９を覆うセラミック表層部１０，１２，１４によって、高い反射率により外部に放射される。更に、光の反射面であるセラミック表層部１０，１２，１４以外のセラミック層Ｓ１〜Ｓ６は気孔が少ないため、メッキ工程においてメッキ液の気孔への侵入が抑制され、追ってキャビティ５，８の内側に充填される封止樹脂を加熱する際に、上記メッキ液の蒸発量を低減できる。このため、上記封止樹脂の中に気泡が形成されにくいため、該封止樹脂のハガレも防止できる。
従って、配線基板１ａ，１ｂによって、実装される発光ダイオードの光を効率良く反射して外部に放射できると共に、封止樹脂のハガレを防ぎ、セラミック層Ｓ１〜Ｓ６から構成される基板本体２ａ，２ｂの強度も保つことができる。
【００１８】
以下において、前記配線基板１ａの製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、１０質量％以下（例えば、８．５質量％）のガラス成分、所定量の有機バインダ、および溶剤を個別に瓶量し、これらを攪拌して得られたセラミックスラリをドクターブレード法によってシート状に成形することで、図３に示すように、グリーンシートｇ１〜ｇ４を製作した。
次に、追って前記セラミックＳ３，Ｓ４となるグリーンシートｇ３，ｇ４の中央部に対し、パンチングによる打ち抜き加工を施して、図３に示すように、断面が円形の貫通孔Ｈ１をそれぞれ形成した。また、追って前記セラミックＳ１，Ｓ２となるグリーンシートｇ１，ｇ２ごとの所定の位置に対し、上記同様の打ち抜き加工を施して、個別にビアホールｈを形成した。
【００１９】
次いで、グリーンシートｇ１，ｇ２のビアホールｈごとに、図示しないメタルマスクおよびスキージを用いて、Ｗ粉末を含む導電性ペーストを充填することで、図４に示すように、未焼成のビア導体ｖを形成した。
更に、グリーンシートｇ３，ｇ４の貫通孔Ｈ１ごとの内面に対し、アルミナ粉末、２．０質量％以下（例えば、０．５質量％）のガラス成分、所定量の有機バインダ、および溶剤などからなるセラミックペーストｓｐを、反対側の開口部側から吸引しつつ負圧とした状態で、一方の開口部側から塗布した。その結果、図４に示すように、グリーンシートｇ３，ｇ４の貫通孔Ｈ１ごとの内面には、焼成後の厚みが１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）となるセラミックペーストｓｐが塗布された。
【００２０】
一方、グリーンシートｇ１，ｇ２の表面および裏面の少なくとも一方に対し、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷することで、図５に示すように、グリーンシートｇ１の表・裏面に未焼成の配線層１８および裏面端子電極１９が個別に形成され、グリーンシートｇ２の表面に未焼成のメタライズ層１６，１７が形成された。この際、上記配線層１８と裏面端子電極１９とは、個別にビア導体ｖに接続され、メタライズ層１６，１７も個別にビア導体ｖに接続された。
更に、グリーンシートｇ２の表面において、上記メタライズ層１６，１７を除いた中央部に対し、前記同様のセラミックペーストｓｐをスクリーン印刷した。その結果、図５に示すように、グリーンシートｇ２の表面に、平面視が円形で且つメタライズ層１６，１７を囲むセラミックペーストｓｐが形成された。該セラミックペーストｓｐの厚みも、焼成後の厚みが１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）となるように印刷された。
【００２１】
次に、貫通孔Ｈ１の内面にセラミックペーストｓｐが塗布された前記グリーンシートｇ３，ｇ４、表面にメタライズ層１６，１７が形成され、且つその周囲にセラミックペーストｓｐが印刷された前記グリーンシートｇ２、および表・裏面に配線層１８，裏面端子電極１９が形成された前記グリーンシートｇ１を、図６中の矢印で示すように、それらの厚み方向に積層した後、圧着した。
その結果、図７に示すように、グリーンシートｇ１〜ｇ４を積層してなり、表面３および裏面４を有する未焼成の基板本体２ａと、その表面３に開口し、円形の底面６および円柱形の側面７からなるキャビティ５と、を備えたグリーンシート積層体Ｓａが形成された。更に、前記積層・圧着工程において、グリーンシートｇ３，ｇ４の貫通孔Ｈ１ごとの内面に塗布されたセラミックペーストｓｐが垂直方向に連続し、該セラミックペーストｓｐの下端は、キャビティ５の底面６を覆うセラミックペーストｓｐと接続された。この際、キャビティ５の内側に突出したセラミックペーストｓｐの一部は、除去した。
【００２２】
次いで、前記グリーンシート積層体Ｓａを、図示しない焼成炉に挿入し、所定の温度帯で焼成した。その結果、グリーンシートｇ１〜ｇ４は、相対的に気孔を少なく含む前記セラミック層Ｓ１〜Ｓ４となり、前記基板本体２ａを構成した。同時に、前記セラミックペーストｓｐは、前記セラミック表層部１０，１２となり、これらは、セラミック層Ｓ１〜Ｓ４に比べ、相対的に気孔を多く含むと共に、１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）の厚みで、キャビティ５の底面６および側面７を覆っていた。
そして、上記基板本体２ａを図示しない電解Ｎｉ、電解Ａｕ、および電解Ａｇメッキ槽に順次浸漬し、且つ基板本体２ａに設けた図示しないメッキ用結線などを用いて外部電極と通電してそれぞれごとの電解メッキを施した。その結果、キャビティ５の底面６に露出する前記メタライズ層１６，１７、および基板本体２ａの裏面４に露出する裏面端子電極１９の表面に、厚みが約４μｍのＮｉメッキ層、厚みが約０．０５μｍのＡｕメッキ層、および厚みが約１０μｍのＡｇメッキ層（金属メッキ層）が、順次被覆された。この際、メタライズ層１６，１７の表面とセラミック表層部１０の表面とは、ほぼ面一となった。
【００２３】
以上のような各工程を経ることによって、前記図１で示した配線基板１ａを製造することができた。かかる配線基板１ａの製造方法によれば、追ってキャビティ５の側面７となる前記グリーンシートｇ３，ｇ４の貫通孔Ｈ１の内面、およびキャビティ５の底面６となる他のグリーンシートｇ２の表面にのみ、ガラス成分の含有量が０．２〜２．０質量％のセラミックペーストｓｐを塗布または印刷し、これらを含むグリーンシートｇ１〜ｇ４を積層することで、キャビティ５の底面６および側面７に沿って、上記セラミックペーストｓｐが形成された。そして、前記グリーンシートｇ１〜ｇ４の積層体Ｓａを焼成することで、追って発光素子２０が実装され、その光を反射させるキャビティ５の側面６および底面７を覆うセラミック表層部１０，１２が形成された。該セラミック表層部１０，１２は、相対的に多くの気孔を含むため、反射率が向上した。しかも、基板本体２ａの強度を保てると共に、キャビティ５に追って充填される封止樹脂内の気泡の発生を抑制でき、且つ該樹脂のハガレも防げるため、光の反射率の向上が保証可能となった。
尚、配線基板１ａは、多数個取りのプロセスによって製造することもできる。
【００２４】
次に、前記配線基板１ｂの製造方法の概略について説明する。
予め、前記同様にして、グリーンシートｇ１，ｇ２，ｇ５，ｇ６を製作した。このうち、追って前記セラミック層Ｓ５，Ｓ６となるグリーンシートｇ５，ｇ６の中央部に対し、パンチとその外径よりも大きな内径の受入れ孔を有するダイとによる打ち抜き加工を施して、図８に示すように、ほぼ逆円錐形の貫通孔Ｈ２，Ｈ３を形成した。尚、該貫通孔Ｈ２，Ｈ３の傾斜角度（仰角）は同じである。
また、追って前記セラミックＳ１，Ｓ２となるグリーンシートｇ１，ｇ２ごとの所定の位置に対し、前記同様の打ち抜き加工を施して、個別にビアホールｈを形成した。次いで、該グリーンシートｇ１，ｇ２のビアホールｈごとに、前記同様の導電性ペーストを充填して、未焼成のビア導体ｖを形成した。
【００２５】
更に、グリーンシートｇ３，ｇ４の貫通孔Ｈ２，Ｈ３ごとの傾斜した内面に対し、小さな内径の開口部から吸引しつつ負圧とした状態で、図８に示すように、大きな内径の開口部側から、前記同様のセラミックペーストｓｐを塗布した。その結果、グリーンシートｇ５，ｇ６の貫通孔Ｈ２，Ｈ３の内面には、焼成後の厚みが１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）となるセラミックペーストｓｐが塗布された。
一方、グリーンシートｇ１，ｇ２の表・裏面の一方または双方に対し、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図８に示すように、グリーンシートｇ１の表・裏面に未焼成の配線層１８および裏面端子電極１９を個別に形成し、グリーンシートｇ２の表面に未焼成のメタライズ層１６，１７を形成した。
【００２６】
更に、グリーンシートｇ２の表面における上記メタライズ層１６，１７を除いた中央部に対し、前記同様のセラミックペーストｓｐをスクリーン印刷した。その結果、図８に示すように、グリーンシートｇ２の表面に、メタライズ層１６，１７を囲み且つ平面視が円形のセラミックペーストｓｐが形成された。該セラミックペーストｓｐの厚みも、焼成後の厚みが１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）となるように印刷された。
次に、貫通孔Ｈ２，Ｈ３の内面にセラミックペーストｓｐが塗布された前記グリーンシートｇ５，ｇ６、表面にメタライズ層１６，１７が形成され、且つその周囲にセラミックペーストｓｐが印刷された前記グリーンシートｇ２、および表・裏面に配線層１８，裏面端子電極１９が形成された前記グリーンシートｇ１を、図８中の矢印で示すように、それらの厚み方向に積層した後、圧着した。
【００２７】
その結果、図９に示すように、グリーンシートｇ１，ｇ２，ｇ５，ｇ６を積層してなり、表面３および裏面４を有する未焼成の基板本体２ｂと、その表面３に開口し、円形の底面６およびほぼ逆円錐形の側面９からなるキャビティ８と、を備えたグリーンシート積層体Ｓｂが形成された。更に、前記積層・圧着工程において、グリーンシートｇ５，ｇ６の貫通孔Ｈ２，Ｈ３ごとの内面に塗布されたセラミックペーストｓｐが斜め方向に沿って連続し、該セラミックペーストｓｐの下端は、キャビティ８の底面６を覆うセラミックペーストｓｐと接続された。この際、キャビティ８の内側に突出したセラミックペーストｓｐの一部は、除去した。
次いで、前記グリーンシート積層体Ｓｂを、前記同様にして所定の温度帯で焼成した。その結果、グリーンシートｇ１，ｇ２，ｇ５，ｇ６は、相対的に気孔を少なく含む前記セラミック層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６となり、前記基板本体２ｂを構成した。
【００２８】
同時に、前記セラミックペーストｓｐは、前記セラミック表層部１０，１２となり、これらは、相対的により気孔を多く含むと共に、１０〜５００μｍ（例えば、５０μｍ）の厚みで、キャビティ８の底面６および側面９を覆っていた。
そして、上記基板本体２ｂを図示しない電解Ｎｉ、電解Ａｕ、および電解Ａｇメッキ槽に順次浸漬して、それぞれ前記同様の電解メッキを施した。その結果、キャビティ５の底面６に露出する前記メタライズ層１６，１７の表面、および基板本体２ｂの裏面４に露出する裏面端子電極１９の表面に、前記同様のＮｉ、Ａｕ、およびＡｇメッキ層が順次被覆された。この際、メタライズ層１６，１７の表面とセラミック表層部１０とは、ほぼ面一となった。
以上のような各工程を経ることによって、前記図２で示した配線基板１ｂを製造することができた。
【００２９】
前記配線基板１ｂの製造方法によれば、追ってキャビティ８の側面９となる前記グリーンシートｇ５，ｇ６の貫通孔Ｈ２，Ｈ３の傾斜した内面、およびキャビティ８の底面６となる他のグリーンシートｇ２の表面にのみ、前記セラミックペーストｓｐを塗布または印刷し、これらを含むグリーンシートｇ１，ｇ２，ｇ５，ｇ６を積層することで、キャビティ８の底面６および側面９に沿って、上記セラミックペーストｓｐが形成された。そして、前記グリーンシートｇ１，ｇ２，ｇ５，ｇ６の積層体Ｓｂを焼成することで、追って発光素子２０が実装され、その光を反射させるキャビティ８の側面９および底面６を覆うセラミック表層部１０，１２が形成された。該セラミック表層部１０，１２では、光の反射率が向上し、且つ基板本体２ｂの強度を保つことも可能となった。しかも、キャビティ８に追って充填される封止樹脂内の気泡および該封止樹脂のハガレも抑制可能となることも相俟って、反射率の向上が容易に保証可能となった。
尚、配線基板１ｂも、多数個取りのプロセスによって製造することもできる。
【００３０】
本発明は、前述した各形態に限定されるものではない。
例えば、追ってキャビティの側面となる前記貫通孔を形成するグリーンシートは、１層のみでも、３層以上であっても良い。
また、追ってキャビティの底面となる前記他のグリーンシートは、その下層に別のグリーンシートが積層されず、且つ基板本体の裏面をも形成するものであっても良い。
更に、前記キャビティは、平面視が長円形で且つ全体が長円柱形、平面視が長円形で且つ全体がほぼ長円錐形、平面視が楕円形で且つ全体が楕円柱形、あるいは、平面視が楕円形で且つ全体がほぼ楕円錐形を呈する形態であっても良い。これらのキャビティを有する配線基板の基板本体の表・裏面は、平面視で長方形の形態が望ましい。
加えて、前記キャビティの底面には、複数の発光素子を実装するためのメタライズ層、およびこれと同数の電極用のメタライズ層を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明にて得られる一形態の配線基板を示す模式的な垂直断面図。
【図２】本発明にて得られる異なる形態の配線基板を示す模式的な垂直断面図。
【図３】本発明による図１の配線基板の製造方法における工程を示す概略図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略図。
【図７】図６に続く製造工程を示す概略図。
【図８】本発明による図２の配線基板の製造方法における工程を示す概略図。
【図９】図８に続く製造工程を示す概略図。
【符号の説明】
【００３２】
１ａ，１ｂ…配線基板（発光素子実装用配線基板）
５，８………キャビティ
６……………キャビティの底面
１６，１７…メタライズ層
２０…………発光ダイオード（発光素子）
ｇ１〜ｇ６…グリーンシート
Ｈ１〜Ｈ３…貫通孔
ｓｐ…………セラミックペースト
Ｓａ，Ｓｂ…グリーンシート積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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