(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力部と、
前記複数の測定値のうちの異なる２個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算する指標値演算部と、
前記複数の測定値の標準偏差を演算する標準偏差演算部と、
前記指標値及び前記標準偏差を基に判定の有効性を判断する有効性判断部と、
前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差を用いて前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品／不良品判定部と
を有することを特徴とする半導体デバイス試験装置。
【請求項２】
前記指標値演算部は、連続性のある２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス試験装置。
【請求項３】
前記指標値演算部は、測定順序が隣接する２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス試験装置。
【請求項４】
前記指標値演算部は、半導体ウェハ内の位置が隣接する２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス試験装置。
【請求項５】
複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力ステップと、
前記複数の測定値のうちの異なる２個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算する指標値演算ステップと、
前記複数の測定値の標準偏差を演算する標準偏差演算ステップと、
前記指標値及び前記標準偏差を基に判定の有効性を判断する有効性判断ステップと、
前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差を用いて前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品／不良品判定ステップと
を有することを特徴とする半導体デバイス試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車向け等の高い信頼性が必要とされる半導体デバイスにおいて、その信頼性を保つため、統計学的な手法により、その半導体デバイスに必要な規格を満足するために設定されている試験規格よりも厳しい規格を設定し、その規格を満足しない場合は、何らかの欠陥を含む不良半導体デバイスとして扱う方法がとられることがある。
【０００３】
図１を用いて、統計学的な手法を使った試験規格の算出方法を説明する。図１は、ある半導体ウェハ上の半導体デバイスの、スタンバイ電流の測定値をプロットした図で、横軸は測定順にサンプル番号を割り当てたものである。
【０００４】
ここで、スタンバイ電流の、半導体デバイスの仕様規格を満たすのに充分なマージンを持った試験規格の実線１０６に対して、測定値群１０５、１０３及び１０４は、全てそれ以下であるが、見て分かるとおり、一見して、測定値１０３及び１０４はその他の測定値群１０５に対して外れた値を示している。
【０００５】
このような値を示す半導体デバイスは、何らかの欠陥を含む可能性が高い。通常、開発段階で行われる信頼性試験により、このような特性を示す半導体デバイスにおいても、劣化等の問題がないことを確認して、高い信頼性を要求されない民生品を目的とした半導体デバイスの場合はそのまま出荷されることがあるが、自動車等、人命等に関わる高い信頼性を必要とされる目的に使用される場合は、試験で選別されるべきである。
【０００６】
そこで、一例として、測定値群１０５、１０３及び１０４が、正規分布に従っていると仮定して標準偏差σを算出し、上限を（平均値＋６σ）で示す点線１０１、下限を（平均値−６σ）で示す点線１０２と決めて、この限界を超える値を示す半導体デバイスを、不良品として選別する方法がある。ここで、ばらつきが正規分布に従っていると仮定すると、（平均値±６σ）の限界を超えるデバイスの発生率は、３ｐｐｍ〜４ｐｐｍである。
【０００７】
以上のような処理により、測定値１０３及び１０４の半導体デバイスは潜在的な不良品として扱われ、製品として出荷される半導体デバイスの信頼性をより高くすることができる。
【０００８】
このような統計学的手法を用いた方法は、例えば、下記の特許文献１に示されている。特許文献１には、半導体製品の製造において処理済みのウエハを測定し、得られた測定値が、その後に行う処理の条件決定に用いてよいものか否かを検定する測定値検定方法であって、前記ウエハの処理前に、処理条件を変えて作製した複数のウエハを測定することによって予め得ておいた複数の基準測定値から分散を求め、求めた分散にもとづいて測定値がとりうる範囲を予想し、処理後に、処理済みウエハを測定し、当該測定で得られた測定値が上記予想範囲に入るか否かによって前記検定を行う測定値検定方法が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１３３５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したような手法は、測定値のばらつきが正規分布に近い分布をしていることが前提である。そのため、正規分布とはかけ離れたようないびつな分布をしている場合、その役目を充分に果たせなくなる。例えば、図２は、測定中に何らかの設備上の不具合が発生し、サンプル番号９６の測定値２０１以降の測定値が全体的に１０μＡ程度高い値にずれた場合の測定値のプロットである。
【００１１】
この場合、実際の測定値のばらつき自体は、図１の場合と同じであるが、サンプル番号９６の測定値２０１以降の測定値が全体的にずれているために、標準偏差σを計算すると、非常に大きなばらつきがあるかのような値になってしまう。
【００１２】
そのため、（平均値＋６σ）で示される上限の点線２０３及び（平均値−６σ）で示される下限の点線２０２は、図に示すように大きく拡大され、まったくその役目を果たさなくなり、測定値２０５及び２０６の半導体デバイスも良品として扱われてしまう。
【００１３】
この例の場合、全ての測定値が、半導体デバイスの仕様規格を満たすのに充分な値に収まっているため、このようにプロット形式にして人の目で監視すれば明らかに異常な状態であるにもかかわらず、この異常が検出されない。
【００１４】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体デバイスの良品／不良品判定を行うことができる半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の半導体デバイス試験装置は、複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力部と、前記複数の測定値のうちの異なる２個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算する指標値演算部と、前記複数の測定値の標準偏差を演算する標準偏差演算部と、前記指標値及び前記標準偏差を基に判定の有効性を判断する有効性判断部と、前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差を用いて前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品／不良品判定部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
判定の有効性を判断し、判定が有効であると判断されたときに、標準偏差を用いて半導体デバイスの良品／不良品判定を行うので、信頼性の高い判定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図５は、本発明の実施形態による半導体デバイス試験装置（半導体テスタ）の構成例を示すブロック図である。半導体ウェハ５０３の状態で、半導体ウェハ５０３上に作製された複数の半導体デバイスを、半導体デバイス試験装置を使って試験する。半導体デバイス試験装置は、試験装置部５０１、プローブ５０２、半導体ウェハ位置制御部５０４及びコンピュータ５０５を有する。
【００１８】
コンピュータ５０５内の入力装置８０６（図８）上のユーザの操作により、コンピュータ５０５は、試験装置部５０１、プローブ５０２、及び半導体ウェハ位置制御部５０４を制御する。ここで、プローブ５０２は、半導体ウェハ５０３上に作製された１つ又は複数の半導体デバイスの各電源端子及び各入出力端子に対して、電気的に接触するための針状のピン群と、その他試験装置部５０１との接続に必要な回路から構成される。
【００１９】
また、コンピュータ５０５の制御により、プローブ５０２の位置の移動、又は半導体ウェハ位置制御部５０４による半導体ウェハ５０３の位置の移動を行い、試験対象となる半導体デバイスを変えることができ、半導体ウェハ５０３上の、全ての半導体デバイスを試験することができる。また、試験した結果及び測定値については、コンピュータ５０５内の外部記憶装置８０８（図８）へ記録することができる。
【００２０】
図８は、コンピュータ５０５のハードウェア構成例を示すブロック図である。バス８０１には、中央処理装置（ＣＰＵ）８０２、ＲＯＭ８０３、ＲＡＭ８０４、ネットワークインタフェース８０５、入力装置８０６、出力装置８０７及び外部記憶装置８０８が接続されている。
【００２１】
ＣＰＵ８０２は、データの処理又は演算を行うと共に、バス８０１を介して接続された各種構成要素を制御するものである。ＲＯＭ８０３には、予めＣＰＵ８０２の制御手順（コンピュータプログラム）を記憶させておき、このコンピュータプログラムをＣＰＵ８０２が実行することにより、起動する。外部記憶装置８０８にコンピュータプログラムが記憶されており、そのコンピュータプログラムがＲＡＭ８０４にコピーされて実行される。ＲＡＭ８０４は、データの入出力、送受信のためのワークメモリ、各構成要素の制御のための一時記憶として用いられる。外部記憶装置８０８は、例えばハードディスク記憶装置やＣＤ−ＲＯＭ等であり、コンピュータプログラム、測定値及び試験判定結果等を記憶する。ＣＰＵ８０２は、ＲＡＭ８０４内のコンピュータプログラムを実行することにより、後述する図３及び図４の処理等を行う。
【００２２】
ネットワークインタフェース８０５は、ネットワークに接続するためのインタフェースである。入力装置８０６は、例えばキーボード及びマウス等であり、各種指定又は入力等を行うことができる。出力装置８０７は、ディスプレイ及びプリンタ等である。
【００２３】
図３及び図４は、本実施形態による半導体デバイス試験装置の試験方法を示すフローチャートである。図３は、標準偏差σの値の有効性を判定するための指標値σｃを求める処理例を示すフローチャートである。本フローチャートは、ある試験数量単位で実施され、この説明では、その単位をロットと呼ぶことにする。
【００２４】
まず、ステップ３０１で処理が開始する。ユーザは、コンピュータ５０５内の入力装置８０６を操作して処理開始を指示する。
【００２５】
次に、ステップ３０２で試験を実行する。ここで、この試験の内容は、試験結果として何らかの測定値を出力するものとする。試験装置部５０１は、コンピュータ５０５の指示により、プローブ５０２を介して、半導体ウェハ５０３上の複数の半導体デバイスの測定を行い、測定値を取得する。この際、半導体ウェハ位置制御部５０４は、コンピュータ５０５の指示に応じて、半導体ウェハ５０３の位置を制御する。これにより、半導体ウェハ５０３上の複数の半導体デバイスの測定値を順に取得することができる。
【００２６】
例えば、図１及び図６に示すように、１枚の半導体ウェハ５０３上の１４９個の半導体デバイスのスタンバイ電流を測定値として取得する。図６は、試験順序６０１及び測定値６０２の表を示す図である。図１は、図６の表をプロットで示すグラフである。横軸のサンプル番号は試験順序６０１に対応し、縦軸のスタンバイ電流は測定値６０２に対応する。
【００２７】
図１及び図６は、正規分布に従った正常なばらつきを有する測定値を示す。これに対し、図２及び図７は、正規分布になっていない異常なばらつきを有する測定値を示す。図７は、試験順序７０１及び測定値７０２の表を示す図である。図２は、図７の表をプロットで示すグラフである。横軸のサンプル番号は試験順序７０１に対応し、縦軸のスタンバイ電流は測定値７０２に対応する。
【００２８】
半導体ウェハ５０３毎に、正常なばらつきの測定値（図１及び図６）、又は異常なばらつきの測定値（図２及び図７）が得られる可能性がある。
【００２９】
次に、ステップ３０３にて、ステップ３０２で試験を実行した対象半導体デバイスの付帯情報を保存する。ここで、付帯情報とは、例えば、試験順序、ウェハ内位置情報（横軸、縦軸）等である。例えば、コンピュータ５０５は、試験順序６０１を付帯情報として外部記憶装置８０８に記録する。
【００３０】
次に、ステップ３０４にて、ステップ３０３で保存した付帯情報に関連付ける形で、対象半導体デバイスの測定値を保存する。この保存データは、例えば、試験順序と測定値のテーブルデータである。例えば、コンピュータ５０５は、図１に示すように、測定値６０２を試験順序６０１に関連付けて外部記憶装置８０８に記録する。
【００３１】
次に、ステップ３０５にて、コンピュータ５０５は、ロット内の全ての試験対象半導体デバイスの試験が完了したかどうかをチェックする。完了したらステップ３０６へ進み、未だ試験対象半導体デバイスが残っていれば、ステップ３０２へ戻り、次の半導体デバイスについて上記の処理を繰り返す。
【００３２】
全ての試験対象半導体デバイスの試験が完了したら、ステップ３０６にて、コンピュータ５０５は次式（１）の指標値σｃを演算する。
【００３３】
【数１】
0005018474.tif 000002
【００３４】
指標値σｃは、付帯情報に連続性のある試験対象半導体デバイス同士の測定値Ｘi及びＸi+1の差の絶対値の平均値である。例えば、指標値σｃは、試験順序ｉが隣接する半導体デバイスの測定値Ｘi及びＸi+1の差の絶対値の平均値である。ここでは、例えば、付帯情報が試験順序だとすれば、自然数ｉを１からＮ−１（Ｎはロット内の試験対象半導体デバイスの全数量であって例えば１４９である）としたとき、全ての自然数ｉについて、ｉ番目の試験対象半導体デバイスの測定値Ｘiとｉ＋１番目の試験対象半導体デバイスの測定値Ｘi+1との差の絶対値を合計し、その合計をＮ−１で割った値が指標値σｃである。
【００３５】
次に、ステップ３０７にて、コンピュータ５０５は、次式（２）により、ロット内の全ての試験対象半導体デバイスの測定値Ｘｉの標準偏差σを計算する。
【００３６】
【数２】
0005018474.tif 000003
【００３７】
平均値μは、Ｎ個（例えば１４９個）の半導体デバイスの測定値Ｘｉの平均値である。標準偏差σは、各測定値Ｘｉと平均値μとの差の２乗値を合計し、その合計値をＮで割った値の平方根で表わされる。
【００３８】
次に、ステップ３０８にて、コンピュータ５０５は、標準偏差σを指標値σｃで割った値を判定値Ｒｃとして計算する。
【００３９】
標準偏差σは、式（２）に示すように、付帯情報に関係なく平均値μからのばらつきを示すものであるが、指標値σｃは、付帯情報の連続性を加味したばらつきを示すものである。
【００４０】
例えば、付帯情報が試験順序だった場合において、図２及び図７に示すように、ある時点から急に測定値が一定の数値だけずれるような異常が発生したとき、標準偏差σは大きくなり、指標値σｃは標準偏差σに対して比較的小さくなる。この時、判定値Ｒｃは限界値Ｒｍより大きくなる。
【００４１】
これに対し、図１及び図７に示すように、測定値のばらつきが正規分布に従うときには、標準偏差σは小さくなり、指標値σｃは標準偏差σに対して比較的大きくなる。この時、判定値Ｒｃは限界値Ｒｍより小さくなる。
【００４２】
図４は、図３の判定値Ｒｃを用いて半導体デバイスの良品／不良品判定を行う処理例を示すフローチャートである。
【００４３】
まず、ステップ４０１で処理が開始する。ユーザは、コンピュータ５０５内の入力装置８０６を操作して処理開始を指示する。
【００４４】
次に、ステップ４０２にてロット単位で試験を行い、ステップ４０３にてコンピュータ５０５はその試験結果から判定値Ｒｃを計算し、外部記憶装置８０８に保存する。このステップ４０２及び４０３の処理は、図３のフローチャートの処理と同じである。
【００４５】
次に、ステップ４０４にて、コンピュータ５０５は、判定値Ｒｃの正常値の限界値Ｒｍの数値見直しを行うかどうかを判断する。この判断は、例えば、３ヶ月等定期的に見直すか、一定の試験数量毎に見直すか、あるいは判定値Ｒｃの値を監視し、必要に応じて見直す等、適切な方法を採用する。もちろん、最初にこの運用を開始する前には、限界値Ｒｍを決める必要がある。見直しを行うと判断した場合にはステップ４０５へ進み、見直しを行わないと判断した場合にはステップ４０６へ進む。
【００４６】
限界値Ｒｃの見直しを行う場合、ステップ４０５にて、保存した各ロットの判定値Ｒｃ群の数値から、判定値Ｒｃとして正常と判定する限界値Ｒｍを決定する。この決定は、例えば、直近３ヶ月間の判定値Ｒｃ及び標準偏差σを用いて、Ｒｍ＝Ｒｃ＋６σとしてもよい。このとき、標準偏差σの計算には、前回の限界値Ｒｍを上回った異常なロットの結果を含めないのが望ましい。
【００４７】
次に、ステップ４０６にて、コンピュータ５０５は、試験したロットの判定値Ｒｃが限界値Ｒｍより大きいか否かをチェックする。大きい場合には標準偏差σによる判定は信用できないのでステップ４０７へ進み、大きくない場合には標準偏差σによる判定は信用できるのでステップ４０８へ進む。
【００４８】
ステップ４０８では、コンピュータ５０５は、標準偏差σによる判定は信用できると判断し、このロットにおいて、標準偏差σを用いた、平均的ばらつきから外れた測定値を持つ半導体デバイスを、欠陥を含む潜在的不良品と判定する処理を、図１に従い実施する。
【００４９】
例えば、測定値群１０５、１０３及び１０４が、正規分布に従っていると仮定し、標準偏差σ及び平均値μを基に、（μ＋６σ）で示す上限値１０１、（μ−６σ）で示す下限値１０２を求め、上限値１０１より大きい又は下限値１０２より小さい測定値の半導体デバイスを不良品として判定し、それ以外を良品として判定する。コンピュータ５０５は、その半導体デバイスの良品／不良品の判定結果を出力装置８０７に対して出力（表示又は印刷）する。
【００５０】
ステップ４０８の後、ステップ４０２に戻り、次のロットの処理を上記と同様に繰り返す。
【００５１】
ステップ４０７では、コンピュータ５０５は、標準偏差σによる判定は信用できないと判断し、異常ロットとして特別に調査して該当ロットの処置を検討する。例えば、図２及び図７に示すように測定値のばらつきが正規分布に従っていない場合のロットが該当する。何等かの原因により、サンプル番号９６の測定値２０１以降の測定値が全体的に１０μＡ程度高い値にずれている。
【００５２】
この場合、半導体ウェハ５０３に対するプローブ５０２の接触不良等の測定中に何らかの設備上の不具合が発生したことが原因である場合には、半導体ウェハ５０３上の半導体デバイスは良品であると判断することができる。
【００５３】
これに対し、半導体ウェハ５０３上のサンプル番号９６の測定値２０１以降の半導体デバイスにプロセス上の不具合が発生したことが原因である場合には、それらの半導体デバイスは不良品であると判断することができる。
【００５４】
以上のような処理により、試験対象半導体デバイスの付帯情報に対して依存関係を持つ原因による、著しい正規分布からのずれを検出することが可能となり、標準偏差σを用いた良品／不良品判定の信頼性をより高めることができる。
【００５５】
本実施形態では、試験項目のうち、例えば、スタンバイ電流の測定値のみを管理する場合を例に説明する。まず、ばらつきが正常な場合の例として、図６に、あるロットの試験結果の試験順序と測定値のテーブルを示す。このテーブルは、図５の半導体デバイス試験装置によって、ある半導体ウェハ１枚に作製された半導体デバイス全てを試験し、コンピュータ５０５の制御によって、外部記憶装置８０８に保存されたデータである。
【００５６】
ここでは、付帯情報の例として試験順序を使用しており、試験順序６０１と、その順番に試験された試験対象半導体デバイスの測定値６０２とを対応づけたテーブルデータを、外部記憶装置８０８に保存している。
【００５７】
次に、式（１）により、試験順序に連続性のある試験対象半導体デバイス同士の測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして計算する。本実施形態の場合、試験順序１の測定値ｘ1と試験順序２の測定値ｘ2との差の絶対値から、試験順序１４８の測定値ｘ148と試験順序１４９の測定値ｘ149との差の絶対値まで、１４８個の計算値の合計を、１４８で割ったものになり、その計算結果σｃは、約１．１３２である。
【００５８】
また、式（２）より、この１４９個の測定値の標準偏差σは、約１．３９３である。したがって、判定値Ｒｃ（＝σ÷σｃ）は約１．２３１である。ここで、仮に、多数のロットの判定値Ｒｃの蓄積と分析により、判定値Ｒｃを正常値と判断する限界値Ｒｍを、１．７と決めたとする。
【００５９】
図６のようにばらつきが正常であるロットの場合には、判定値Ｒｃが約１．２３１であり、限界値Ｒｍが１．７であるので、判定値Ｒｃは限界値Ｒｍより小さい。その結果、標準偏差σを用いた良品／不良品判定は信用できるとして、ステップ４０８に進む。
【００６０】
図７に、ばらつきが正常ではないロットの例として、試験順序の途中から、測定値にプラス側にずれが生じた場合の、試験順序と測定値のテーブルを示す。このロットでは、指標値σｃは、式（１）より約１．１５２である。標準偏差σは、式（２）より約２．５５９である。判定値Ｒｃは、約２．２５７である。限界値Ｒｍは１．７であり、判定値Ｒｃは限界値Ｒｍより大きいので、標準偏差σを用いた良品／不良品判定は信用できないとして、ステップ４０７に進む。
【００６１】
以上のように、本実施形態は、試験対象半導体デバイスの、半導体ウェハ内位置や測定順序等の付帯情報とその測定値との対応関係を示すテーブルを保存管理し、付帯情報に何らかの連続性のある半導体デバイス同士の測定値の差の絶対値をそれぞれ計算し、その平均値σｃを、標準偏差σと比較することにより、その標準偏差σの値の有効性を判定する。
【００６２】
このように、試験の途中で何らかのトラブルが発生し、測定値に影響が出た場合等、試験順序に依存した結果となるような異常が起きた場合は、判定値Ｒｃを限界値Ｒｍと比較して管理していれば、その異常を検出することができる。
【００６３】
本実施形態では、試験対象半導体デバイスの付帯情報として試験順序を利用しているが、その他にも、例えば、半導体ウェハ内の位置情報を利用すれば、その連続性のある、つまり、例えば各試験対象半導体デバイスに関してその上下左右の、試験対象半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして管理すれば、半導体ウェハ内の位置に依存した測定値の異常を検出することができる。本実施形態は、前述した付帯情報の例に限定するものではない。
【００６４】
以上のように、本実施形態の半導体デバイス試験装置は、複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力部（図３のステップ３０２〜３０４）と、前記複数の測定値のうちの異なる２個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして演算する指標値演算部（図３のステップ３０６）と、前記複数の測定値の標準偏差σを演算する標準偏差演算部（図３のステップ３０７）と、前記指標値σｃ及び前記標準偏差σを基に判定の有効性を判断する有効性判断部（図４のステップ４０６）と、前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差σを用いて前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品／不良品判定部（図４のステップ４０８）とを有する。
【００６５】
また、前記指標値演算部は、連続性のある２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして演算する。
【００６６】
また、前記指標値演算部は、測定順序が隣接する２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして演算する。
【００６７】
また、前記指標値演算部は、半導体ウェハ内の位置が隣接する２個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値σｃとして演算する。
【００６８】
また、前記有効性判断部は、前記標準偏差σを前記指標値σｃで割った判定値Ｒｃが限界値Ｒｍより大きいときには前記判定が有効でないと判断し、前記標準偏差σを前記指標値σｃで割った判定値Ｒｃが限界値Ｒｍより大きくないときには前記判定が有効であると判断する。
【００６９】
また、前記良品／不良品判定部は、前記標準偏差σ及び前記複数の半導体デバイスの測定値を基に前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行う。
【００７０】
また、前記良品／不良品判定部は、前記複数の測定値の平均値μ、前記標準偏差σ及び前記複数の半導体デバイスの測定値を基に前記複数の半導体デバイスの良品／不良品判定を行う。
【００７１】
判定の有効性を判断し、判定が有効であると判断されたときに、標準偏差σを用いて半導体デバイスの良品／不良品判定を行うので、信頼性の高い判定を行うことができる。
【００７２】
本実施形態は、コンピュータ５０５がプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体等のコンピュータプログラムプロダクトも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びコンピュータプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。記録媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。
【００７３】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】半導体ウェハ上の半導体デバイス群のスタンバイ電流値の例を示すプロット図である。
【図２】半導体ウェハ上の半導体デバイス群のスタンバイ電流値の他の例を示すプロット図である。
【図３】本発明の実施形態による半導体デバイス試験装置の試験方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態による半導体デバイス試験装置の試験方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態による半導体デバイス試験装置（半導体テスタ）の構成例を示すブロック図である。
【図６】正常なばらつきにおける測定値の例を示す図である。
【図７】異常なばらつきにおける測定値の例を示す図である。
【図８】コンピュータのハードウェア構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００７５】
５０１  試験装置部
５０２  プローブ
５０３  半導体ウェハ
５０４  半導体ウェハ位置制御部
５０５  コンピュータ
８０１  バス
８０２  ＣＰＵ
８０３  ＲＯＭ
８０４  ＲＡＭ
８０５  ネットワークインタフェース
８０６  入力装置
８０７  出力装置
８０８  外部記憶装置
【図１】
0005018474.tif 000004
【図２】
0005018474.tif 000005
【図３】
0005018474.tif 000006
【図４】
0005018474.tif 000007
【図５】
0005018474.tif 000008
【図６】
0005018474.tif 000009
【図７】
0005018474.tif 000010
【図８】
0005018474.tif 000011