(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ炭素及び／又は炭素化合物からなる第１の記録層及び第２の記録層を備え、
ｓｐ2結合とｓｐ3結合との比率が、前記第１の記録層と、前記第２の記録層とで異なることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記第１の記録層及び前記第２の記録層は、それぞれ、必須成分としてＣxＨy（ｘは１〜５の自然数であり、ｙは２〜１０の自然数）及びＨ2を、任意成分としてＮ2及び／又はＮＨ3を含む混合ガスを用いてプラズマ反応成膜することにより形成されたものであり、
前記第１の記録層の形成に用いる前記混合ガスと、前記第２の記録層の形成に用いる前記混合ガスとでは、Ｈ2、及び／又は前記任意成分の混合比率が異なることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記第１の記録層及び前記第２の記録層のうちの少なくとも一方に隣接して、保護層を有することを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記第１の記録層及び前記第２の記録層よりも下層に、反射層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に断熱層を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
必須成分としてＣxＨy（ｘは１〜５の自然数であり、ｙは２〜１０の自然数）及びＨ2を、任意成分としてＮ2及び／又はＮＨ3を含む混合ガスを用いてプラズマ反応成膜することにより第１の記録層及び第２の記録層を形成し、
前記第１の記録層の形成に用いる前記混合ガスと、前記第２の記録層の形成に用いる前記混合ガスとでは、Ｈ2、及び／又は前記任意成分の混合比率が異なることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２値以上の多値記録が可能な光記録媒体、及び光記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、実用化されている光記録媒体としては、読み出し専用型、追記型、及び書き換え型がある。読み出し専用型には、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭがあり、追記型には、ＣＤ−Ｒがあり、書き換え型としては、ＣＤ−ＲＷのような相変化記録方式、又は、ＭＯのようか光磁気記録方式のものがある。
【０００３】
各光記録媒体では、所定の波長を有する光を記録層に照射し、記録ピットを形成することにより、情報の記録を行う。また、光を照射したときにおける、記録ピットと、その他の部分との反射強度の違いを利用して、情報の再生を行う（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７７１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光記録媒体は、その種類により、記録・再生に用いる光の波長が異なるため、記録層を構成する材料の光学的バンドギャップも、その種類により異なる。従来は、記録層の光学的バンドギャップを異なるものとするためには、記録層を構成する材料自体を変更する必要があり、異なる種類の光記録媒体を作り分けることが困難であった。
【０００５】
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、容易に記録層における光学的バンドギャップが異なる光記録媒体、及び光記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）請求項１の光記録媒体は、それぞれ炭素及び／又は炭素化合物からなる第１の記録層及び第２の記録層を備え、ｓｐ2結合とｓｐ3結合との比率が、第１の記録層と、第２の記録層とで異なる。
【００１０】
第１の記録層と第２の記録層とでは、ｓｐ2結合とｓｐ3結合との比率が異なることにより、光学的バンドギャップが異なる。そのため、記録に用いるレーザの波長を使い分ければ、第１の記録層と第２の記録層のうちの一方のみに記録ピットを形成することもできるし、それらの両方に記録ピットを形成することもできる。第１の記録層と第２の記録層のうちの一方のみに記録ピットを形成した部分、それらの両方に記録ピットを形成した部分、及び全く記録ピットを形成していない部分は、それぞれ、再生用のレーザを照射したときの反射率が異なるから、結果として、多値記録を実現することができる。
【００１１】
多値記録を用いれば、２値化の場合よりも、記録密度ははるかに向上する。例えば、１６ビットを１ワードとした場合、２値化で表せる情報量は２１６＝６．５５×１０4であるが、３値化の場合は３１６＝４．３０５×１０7である。
【００１２】
また、本発明の光記録媒体は、記録状態が安定し、記録マージンが広く、エラーが発生しにくいという特徴を有する。
（２）請求項２の光記録媒体では、第１の記録層及び第２の記録層は、それぞれ、必須成分としてＣxＨy及びＨ2を、任意成分としてＮ2及び／又はＮＨ3を含む混合ガスを用いてプラズマ反応成膜することにより形成されたものである。そして、第１の記録層の形成に用いる混合ガスと、第２の記録層の形成に用いる混合ガスとでは、Ｈ2、及び／又は任意成分の混合比率が異なる。本発明では、混合ガスの組成を変えることにより、第１の記録層と第２の記録層とで、ｓｐ2結合とｓｐ3結合との比率を異なるものとすることができる。
（３）請求項３の光記録媒体は、第１の記録層及び第２の記録層のうちの少なくとも一方に隣接して、保護層を有するため、熱や機械的なダメージを防ぐことができる。
（４）請求項４の光記録媒体は、反射層を有するため、再生のときの記録、未記録部のコントラストを向上させることができる。
（５）請求項５の発明は、第１の記録層と第２の記録層との間に断熱層を有するため、記録時の熱干渉を防ぐことができる。
（６）請求項６の製造方法では、第１の記録層の形成に用いる混合ガスと、第２の記録層の形成に用いる混合ガスとで、Ｈ2、及び／又は任意成分の混合比率が異なる。そのことにより、本発明により製造された光記録媒体における第１の記録層と、第２の記録層とでは、光学的バンドギャップが異なる。そのため、記録に用いるレーザの波長を使い分ければ、第１の記録層と第２の記録層のうちの一方のみに記録ピットを形成することもできるし、それらの両方に記録ピットを形成することもできる。第１の記録層と第２の記録層のうちの一方のみに記録ピットを形成した部分、それらの両方に記録ピットを形成した部分、及び全く記録ピットを形成していない部分は、それぞれ、再生用のレーザを照射したときの反射率が異なるから、結果として、多値記録を実現することができる。
前記混合ガスとしては、例えば、ＣxＨy及びＨ2から成るもの、ＣxＨy、Ｈ2、及びＮ2から成るもの、ＣxＨy、Ｈ2、及びＮＨ3から成るもの、ＣxＨy、Ｈ2、Ｎ2、及びＮＨ3から成るものがある。前記ＣxＨyにおいて、ｘは１〜５までの自然数であり、ｙは、２〜１０の自然数である。ＣxＨyとしては、例えば、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ4、Ｃ3Ｈ6、Ｃ4Ｈ6、Ｃ4Ｈ8、Ｃ4Ｈ10、Ｃ5Ｈ8等が挙げられる。
前記混合ガスにおけるＨ2の比率を高くすると、記録層におけるｓｐ2結合／ｓｐ3結合の比率が低くなり、光学的バンドギャップが大きくなる。また、混合ガスが、Ｎ2、又はＮＨ3のうちの少なくとも一方を含む場合、それらの比率を高くすると、記録層におけるｓｐ2結合／ｓｐ3結合の比率が高くなり、光学的バンドギャップが小さくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００１４】
（ａ）光記録媒体１の構成及び製造方法
光記録媒体１は、図１に示すように、基板３の表面に、反射層５、第２記録層７、第１記録層９、及び光入射保護層１１を順次積層した構成を有する。
【００１５】
基板３はガラスまたはポリカーボネイト等のプラスチック基板であり、レーザ光の位置を案内するためのトラッキング用の溝、凹凸（図示略）等が設けてあっても良い。実際には、厚さ１．１ｍｍ、直径１２ｃｍ、深さ２７ｎｍでピッチ０．３２μｍのスパイラル案内溝を設けたポリカーボネイト基板を使用した。
【００１６】
反射層５は、Ａｌ、Ａｇ等から成り、スパッタ法で形成された層である。反射層５の厚みは１００ｎｍである。
第２記録層７は、パルス電源プラズマＣＶＤ法で成膜した。成膜条件は、ＣＨ4濃度１０％（Ｈ2：ＣＨ4＝１０：９０）の混合ガスのガス流量を１００ｓｃｃｍとして、ガス圧９０ｔｏｒｒ、周波数８００Ｈｚ、デューティ２０％、電圧１１００Ｖ、電流０．９Ａとした。第２記録層７の厚みは１００ｎｍである。
【００１７】
第１記録層９は、基本的には、第２記録層７と同様の成膜方法であるが、成膜に用いる混合ガスの組成比（体積比）を、ＣＨ4濃度２０％（Ｈ2：ＣＨ4＝２０：８０）の混合ガスとする方法で成膜した。第１記録層９の厚みは２０ｎｍである。
【００１８】
光入射保護層１１は、ポリカーボネイト樹脂シートを、厚みが０．１ｍｍになるように、紫外線硬化樹脂接着剤を用いて貼り合わせたものである。
（ｂ）光記録媒体１の特性
第２記録層７及び第１記録層９のそれぞれについて、ｓｐ2結合とｓｐ3結合との比率（以下、「ｓｐ2／ｓｐ3の比率」とする）、及び光学的バンドギャップを測定した。
【００１９】
ｓｐ2／ｓｐ3の比率は、まず、図２に示すように、ラマン分光分析法で、ｓｐ2結合、ｓｐ3結合のピークを検出し、そのピークの大きさ又は面積の比率から算出した。
光学的バンドギャップは、周知の方法を用い、次のようにして算出した。まず、図３に示すように、第２記録層７又は第１記録層９における透過率の分光特性を求め、また、図４に示すように、第２記録層７又は第１記録層９における反射率の分光特性を求めた。次に、図３に示す結果に基づき、分光光度計で、分光透過率（Ｔ）を測定した。また、図４に示す結果に基づき、分光光度計で反射率（Ｒ）を測定した。また、触針式膜厚計で、第２記録層７、第１記録層９の膜厚ｄをそれぞれ測定した。次に、数式１により、それぞれの記録層の光吸収係数αを算出した。
【００２０】
【数１】
0005029280.tif 000002
このαを用いて、図５に示すように、（αｈν）1/2−Ｅプロットを描き、その直線が横軸（光学的エネルギー）と交わる点を光学的バンドギャップとした。なお、図５に示す例では、算出した光学的バンドギャップの値は４．９ｅＶである。
【００２１】
測定結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
0005029280.tif 000003
この結果から、混合ガスにおけるＨ2の混合比率を調整するだけで、第２記録層７及び第１記録層９の光学的バンドギャップを調整できることが確認できた。
【００２３】
また、混合ガスにおけるＨ2の混合比率を調整するだけで、第２記録層７及び第１記録層９におけるｓｐ2／ｓｐ3の比率が変化することが確認できた。
（ｃ）光記録媒体１への記録、及び再生の方法
光記録媒体１に情報を記録する方法、及び記録した情報を再生する方法を、図１、図６、及び図７に基づいて説明する。
【００２４】
上述したように、第２記録層７の光学的バンドギャップは、第１記録層９の光学的バンドギャップよりも大きいため、記録前における、入射する光の波長と光吸収率（光学定数：複素屈折率）との関係（以下、「光吸収特性」とする）は、図６に示すようになる。なお、記録後は、第２記録層７と第１記録層９とは、ともに、図６において「記録後」と示す光吸収特性を現す。
【００２５】
ここで、第１レーザ波長を４１０ｎｍとし、第２レーザ波長を３８０ｎｍとする。第１レーザ波長は、図６に示すように、第２記録層７には吸収されるが、第１記録層９には吸収されない波長である。一方、第２レーザ波長は、第２記録層７と第１記録層９との両方に吸収される波長である。
【００２６】
第１レーザ波長で光記録媒体１に対し記録すると、図７に示すように、光吸収のない第１記録層９には記録ピットが形成されず（情報が記録されず）、光吸収のある第２記録層７のみに記録ピット１３が形成される。第１レーザ波長で記録を行った部分と、記録されていない部分１５とでは、再生用のレーザ光（第１レーザ波長）を照射したとき、光干渉効果により、反射率が相違する。特に、第２記録層７と、第１記録層９との間で光干渉が大きくなると、第１レーザ波長で記録を行った部分における反射率の低下が著しくなる。
【００２７】
また、第２レーザ波長で光記録媒体１に対し記録すると、図７に示すように、第２記録層７と第１記録層９との両方にわたって記録ピット１７が形成される。第２レーザ波長で記録を行った部分と、第１レーザ波長で記録を行った部分と、記録されていない部分１５とでは、再生用のレーザ光を照射したとき、反射率がそれぞれ相違する。
【００２８】
実際には、記録されていない部分１５の反射率は３５％であり、対物レンズ開口数０．８５の光ヘッドを用い、第１レーザ波長、線速５．３ｍ／ｓのマルチパス記録の条件で、５．５ｍＷ照射した場合、反射率は７％になった。また第２レーザ波長で５．１ｍＷ照射した部分の反射率は２３％になった。
【００２９】
反射率２１％のところでスレッショルドを引くと、第２レーザ波長で照射した信号が読み取れ、反射率２９％のところでスレッショルドを引くと、第１レーザ波長と第２レーザ波長で記録した信号が読み取れる。すなわち、図７に示すように、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。また、ランダムパターン記録時のレーザ光のパワーマージンも±1ｍＷでジッターが８％以下であり、広いことがわかった。
【００３０】
なお、記録ピットは、以下のように形成される。すなわち、第２記録層７及び第１記録層９は水素を含有しており、光吸収の熱により炭素と水素の結合が分解して光学定数が変化し、反射率が変化する部分（記録ピット）が生じる。このことは、ＦＴ−ＩＲで熱処理前後の記録層を分析したことにより確認された。混合ガスにＮ2やＮＨ3が含まれ、記録層に窒素が含まれる場合は、炭素と窒素との結合の分解も、記録ピットの生成に寄与すると考えられる。
【００３１】
また、光記録媒体１に対し記録を行う際は、複数の異なった記録再生レーザ光を持つ光学ヘッドで、単一波長または複数波長を同時に照射して記録することができる。こうすることにより、多波長による多値記録を実現することができる。
【実施例２】
【００３２】
光記録媒体１は、図８に示すように、基板３の表面に、反射層５、第２記録層７、第１記録層９、保護層１９、及び光入射保護層１１を順次積層した構成を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、反射層５、第２記録層７、第１記録層９、及び光入射保護層１１は、前記実施例１と同様に形成されたものである。
【００３３】
保護層１９は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、スパッタにより３５ｎｍの厚みで成膜したものである。この保護層１９は、記録レーザ光による記録層（第２記録層７、第１記録層９）の変形を少なくする効果がある。
【００３４】
光記録媒体１に対し、第１レーザ波長でマルチパス記録を用いて、５．７ｍＷ照射した場合、反射率は７．１％になった。また第２レーザ波長で５．３ｍＷ照射した場合、反射率は２２％になった。
【００３５】
よって、適切な反射率をスレッショルドとすると、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。また、ランダムパターン記録時のレーザ光のパワーマージンも±1ｍＷでジッターが８％以下であり、広いことがわかった。
【実施例３】
【００３６】
光記録媒体１は、図９に示すように、基板３の表面に、反射層５、保護層２１、第２記録層７、第１記録層９、保護層１９、及び光入射保護層１１を順次積層した構成を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、反射層５、第２記録層７、第１記録層９、保護層１９、及び光入射保護層１１は、前記実施例２と同様に形成されたものである。
【００３７】
保護層２１は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、スパッタにより３５ｎｍの厚みで成膜したものである。この保護層２１は、記録レーザ光による記録層（第２記録層７、第１記録層９）の変形を少なくする効果がある。
【００３８】
光記録媒体１に対し、第１レーザ波長でマルチパス記録を用いて、５．８ｍＷ照射した場合、反射率は７．３％になった。また第２レーザ波長で５．９ｍＷ照射した場合、反射率は２２．５％になった。
【００３９】
よって、適切な反射率をスレッショルドとすると、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。また、ランダムパターン記録時のレーザ光のパワーマージンも±1ｍＷでジッターが８％以下であり、広いことがわかった。
【実施例４】
【００４０】
光記録媒体１は、図１０に示すように、基板３の表面に、反射層５、保護層２１、第２記録層７、断熱層２３、第１記録層９、保護層１９、及び光入射保護層１１を順次積層した構成を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、反射層５、保護層２１、第２記録層７、第１記録層９、保護層１９、及び光入射保護層１１は、前記実施例３と同様に形成されたものである。
【００４１】
断熱層２３は、ＣＨ4濃度を３％とした混合ガス（ＣＨ4：Ｈ2＝３：９７）を使用し、パルス電源プラズマＣＶＤで、５０ｎｍの厚みに成膜したものである。この断熱層２３は、記録レーザ光の過剰な熱による記録ピットの肥大化を防ぐ効果がある。
【００４２】
光記録媒体１に対し、第１レーザ波長でマルチパス記録を用いて、５．０ｍＷ照射した場合、反射率は７．０％になった。また第２レーザ波長で５．１ｍＷ照射した場合、反射率は２２％になった。
【００４３】
よって、適切な反射率をスレッショルドとすると、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。また、ランダムパターン記録時のレーザ光のパワーマージンも±1ｍＷでジッターが８％以下であり、広いことがわかった。
【実施例５】
【００４４】
図１１に示すように、光記録媒体１は、基板３の下面に、第１記録層９、第２記録層７、反射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層２５を順次積層した構造を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、第１記録層９、第２記録層７、及び反射層５は、前記実施例１と同様に形成されたものである。ＵＶ硬化樹脂保護層２５は、スピンコート、ＵＶ照射硬化で成膜した。
【００４５】
光記録媒体１に記録、再生を行うとき、レーザ光は、基板３の側から入射させる。レーザパワーと反射率との関係は、前記実施例１と同等であった。すなわち、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。
【実施例６】
【００４６】
光記録媒体１は、図１２に示すように、基板３の下面に、保護層１９、第１記録層９、第２記録層７、反射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層２５を順次積層した構造を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、第１記録層９、第２記録層７、反射層５、及びＵＶ硬化樹脂保護層２５は、前記実施例５と同様に形成されたものである。
【００４７】
保護層１９は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、スパッタにより３５ｎｍの厚みで成膜したものである。この保護層１９は、記録レーザ光による記録層（第２記録層７、第１記録層９）の変形を少なくする効果がある。
【００４８】
光記録媒体１に記録、再生を行うとき、レーザ光は、基板３の側から入射させる。レーザパワーと反射率との関係は、前記実施例２と同等であった。すなわち、前記実施例２と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。
【実施例７】
【００４９】
光記録媒体１は、図１３に示すように、基板３の下面に、保護層１９、第１記録層９、第２記録層７、保護層２１、反射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層２５を順次積層した構造を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、保護層１９、第１記録層９、第２記録層７、反射層５、及びＵＶ硬化樹脂保護層２５は、前記実施例６と同様に形成されたものである。
【００５０】
保護層２１は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を、スパッタにより３５ｎｍの厚みで成膜したものである。この保護層２１は、記録レーザ光による記録層（第２記録層７、第１記録層９）の変形を少なくする効果がある。
【００５１】
光記録媒体１に記録、再生を行うとき、レーザ光は、基板３の側から入射させる。レーザパワーと反射率との関係は、前記実施例３と同等であった。すなわち、前記実施例３と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。
【実施例８】
【００５２】
光記録媒体１は、図１４に示すように、基板３の下面に、保護層１９、第１記録層９、断熱層２３、第２記録層７、保護層２１、反射層５、ＵＶ硬化樹脂保護層２５を順次積層した構造を有する。基板３は前記実施例１と同様のものであり、保護層１９、第１記録層９、第２記録層７、保護層２１、反射層５、及びＵＶ硬化樹脂保護層２５は、前記実施例７と同様に形成されたものである。
【００５３】
断熱層２３は、ＣＨ4濃度を３％とした混合ガス（ＣＨ4：Ｈ2＝３：９７）を使用し、パルス電源プラズマＣＶＤで、５０ｎｍの厚みに成膜したものである。この断熱層２３は、記録レーザ光の過剰な熱による記録ピットの肥大化を防ぐ効果がある。
【００５４】
光記録媒体１に記録、再生を行うとき、レーザ光は、基板３の側から入射させる。光記録媒体１に対し、第１レーザ波長でマルチパス記録を用いて、５．０ｍＷ照射した場合、反射率は７．０％になった。また第２レーザ波長で５．１ｍＷ照射した場合、反射率は２２％になった。すなわち、適切な反射率をスレッショルドとすると、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。
【実施例９】
【００５５】
基本的には前記実施例１と同様の製造方法であるが、第２記録層７の成膜に用いる混合ガスの組成比（体積比）を、Ｈ2：ＣＨ4：Ｎ2＝１０．８：８６．６：２．６とし、第１記録層９の成膜に用いる混合ガスの組成比（体積比）を、Ｈ2：ＣＨ4：Ｎ2＝１０．８：８６．１：３．１として、光記録媒体１を製造した。
【００５６】
前記実施例１の場合と同様に、第２記録層７及び第１記録層９のそれぞれについて、ｓｐ2／ｓｐ3の比率、光学的バンドギャップを測定した。
測定結果を表２に示す。
【００５７】
【表２】
0005029280.tif 000004
この結果から、混合ガスにおけるＮ2の混合比率を調整するだけで、第２記録層７及び第１記録層９の光学的バンドギャップを調整できることが確認できた。
【００５８】
また、混合ガスにおけるＮ2の混合比率を調整するだけで、第２記録層７及び第１記録層９におけるｓｐ2／ｓｐ3の比率が変化することが確認できた。
レーザパワーと反射率との関係は、前記実施例１と同等であった。すなわち、前記実施例１と同様に、再生レーザの信号の組み合わせにより３値の信号を読み取ることが可能となる。
【００５９】
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
例えば、前記実施例９において、第２記録層７及び第１記録層９の形成に用いる混合ガスは、ＣＨ4、Ｈ2、及びＮＨ3から成るもの、または、ＣＨ4、Ｈ2、Ｎ2、及びＮＨ3から成るものであってもよい。これらの場合、混合ガスにおけるＮＨ3の比率、又はＮ2とＮＨ3の比率を高くすることで、記録層における光学的バンドギャップを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図２】記録層をラマン分光法で測定した結果を表すチャートである。
【図３】分光光度計を用いて記録層の透過率を測定した結果を表すチャートである。
【図４】分光光度計を用いて記録層の反射率を測定した結果を表すチャートである。
【図５】光学的バンドギャップを算出する方法を表す説明図である。
【図６】記録層の光吸収特性を表すグラフである。
【図７】光記録媒体１に対し多値記録を行う方法を表す説明図である。
【図８】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図９】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図１０】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図１１】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図１２】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図１３】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【図１４】光記録媒体１の構成を表す側断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・光記録媒体、３・・・基板、５・・・反射層、７・・・第２記録層、
９・・・第１記録層、１１・・・光入射保護層、１３、１７・・・記録ピット、
１９、２１・・・保護層、２３・・・断熱層、２５・・・ＵＶ硬化樹脂保護層、
ｄ・・・膜厚、α・・・光吸収係数
【図２】
0005029280.tif 000005
【図３】
0005029280.tif 000006
【図４】
0005029280.tif 000007
【図５】
0005029280.tif 000008
【図６】
0005029280.tif 000009
【図１】
0005029280.tif 000010
【図７】
0005029280.tif 000011
【図８】
0005029280.tif 000012
【図９】
0005029280.tif 000013
【図１０】
0005029280.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005029280.tif 000017
【図１４】
0005029280.tif 000018