(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、
上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、
上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、
上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、
上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、
上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、
上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、
上記複数の電極パッドの大きさとそれぞれの電極パッドにおける新たな針跡の重心とに基づいて上記複数のプローブそれぞれの接触可能領域を上記各電極パッド内で求める第６の工程と、を備えた
ことを特徴とする検査方法。
【請求項２】
載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、
上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、
上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、
上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、
上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、
上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、
上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、
上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の電極パッドそれぞれの新たな針跡の画像を抽出し、これらの複数の抽出画像と上記第２の画像の針跡のない空き領域とを比較し、上記複数の抽出画像がそれぞれの空き領域に含まれる時には上記各空き領域内に上記複数の抽出画像を配置しそれぞれの重心を求める第６Ａの工程と、
上記複数のプローブそれぞれの接触位置を上記各空き領域内に配置された上記複数の抽出画像の重心に合わせる補正をする第７の工程と、を備えた
ことを特徴とする検査方法。
【請求項３】
載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、
上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、
上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、
上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、
上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、
上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、
上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、
上記複数の電極パッドの大きさとそれぞれの電極パッドにおける新たな針跡の重心とに基づいて上記複数のプローブそれぞれの接触可能領域を上記各電極パッド内で求める第６の工程と、
上記複数の接触可能領域それぞれが上記第２の画像の上記複数の電極パッド内にそれぞれ含まれる否かを判断する第７Ａの工程と、
上記複数の接触可能領域それぞれが上記複数の電極パッドに含まれる時には上記第１の画像と第２の画像に基づいて上記複数の電極パッド内の新たな針跡の画像を抽出する第８の工程と、
上記複数の抽出画像と上記複数の電極パッドそれぞれの接触可能領域内の針跡のない空き領域とをそれぞれ比較し、上記複数の抽出画像が上記各空き領域に含まれる時には上記各空き領域内に上記複数の抽出画像を配置しそれぞれの重心を上記複数のプローブそれぞれの接触位置として求める第９の工程と、を備えた
ことを特徴とする検査方法。
【請求項４】
載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、
上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、
上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、
上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、
上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、
上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、
上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、
上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の新たな針跡の画像をそれぞれ抽出し、これら複数の抽出画像の重心とそれぞれの電極パッドの中心に基づいて上記第１〜第３の工程と同様の手順で上記複数のプローブが次の検査で接触する接触予定位置をそれぞれ求める第６Ｂの工程と、
上記複数の接触予定位置にそれぞれ配置された上記複数の抽出画像が既存の針跡と互いに重なる時にはその重なりが最小になる位置へ上記各接触予定位置を最短距離で移動させて、上記接触予定位置の補正をする第７Ｂの工程と、を備えた
ことを特徴とする検査方法。
【請求項５】
載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、
上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、
上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、
上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、
上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、
上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、
上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、
上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の新たな針跡の画像をそれぞれ抽出し、これら複数の抽出画像の重心とそれぞれの電極パッドの中心に基づいて上記第１〜第３の工程と同様の手順で上記複数のプローブが次の検査で接触する接触予定位置をそれぞれ求める第６Ｂの工程と、
上記第２の画像の上記複数の電極パッド内それぞれで上記既存の複数の針跡に基づいてボロノイ図を作成し、上記複数の接触予定位置に配置された上記各抽出画像の重心を最寄りのボロノイ境界線上まで最短距離で移動させて上記各接触予定位置をそれぞれ補正する７Ｃの工程と、備えた
ことを特徴とする検査方法。
【請求項６】
上記新たな針跡は、予め所定温度に設定された被検査体を用いて形成されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
上記第２の工程で求める位置ズレ量は、上記複数の電極パッドの中心と、上記複数の電極それぞれに形成された上記針跡の重心と、を用いて最小二乗法により求められることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項８】
上記第６の工程で求める接触可能領域のｘ座標値の範囲は、上記複数の電極パッドの中心を原点として、上記電極パッドのマイナス側のエッジのｘ座標値に上記新たな針跡のｘ方向の幅の半分を加算した補正ｘ座標値及びこの補正ｘ座標値に最大のｘ座標値を有する上記新たな針跡の重心位置のｘ座標値を加算したうちの大きい方を最小のｘ座標として求めると共に、上記電極パッドのプラズ側のエッジのｘ座標値及びそのエッジに最小のｘ座標値を有する上記新たな針跡の重心位置のｘ座標値を加算したうちの小さい方を最大のｘ座標として求め、且つ、上記接触可能領域のｙ座標の範囲は、上記ｘ座標値の範囲と同様にして求めることを特徴とする請求項１または請求項３に記載の検査方法。
【請求項９】
コンピュータを駆動させて、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、
上記針跡を利用して上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する際に、上記プログラムは、上記コンピュータを駆動させて、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の検査方法を実行することを特徴とするプログラム記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロ-ブカードを用いて半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行う検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体に関し、更に詳しくは、検査の信頼性を高めることができる検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
検査装置は、互いに隣接するローダ室とプローバ室を備えている。ローダ室は、被検査体（例えば、半導体ウエハ）をカセット単位で載置する載置部と、カセット内から半導体ウエハを一枚ずつ搬送する半導体ウエハ搬送機構と、半導体ウエハを搬送する途中で半導体ウエハのプリアライメントを行うサブチャックと、を備えている。プローバ室は、ローダ室のウエハ搬送機構によって搬送されてきた半導体ウエハを載置する温度調節可能で且つ移動可能なメインチャックと、メインチャックの上方に配置されたプローブカードと、プローブカードの複数のプローブとメインチャック上の半導体ウエハに形成された複数のデバイスそれぞれの複数の電極パッドとのアライメントを行うアライメント機構と、を備え、アライメント機構を介して半導体ウエハの電極パッドとプローブとのアライメントを行った後、メインチャックを介して半導体ウエハを所定の温度に設定し、この設定温度で被検査体の電気的特性検査を行うように構成されている。
【０００３】
半導体ウエハの個々のデバイスについて電気的特性検査を行う場合には、アライメント機構の撮像手段（例えば、ＣＣＤカメラ）を用いて、半導体ウエハに形成された複数の電極パッドを含むデバイスを撮像すると共にプローブカードの複数のプローブの針先を撮像して、これら両者の位置情報に基づいて複数の電極パッドと複数のプローブとのアライメントを行う。その後、載置台を介して半導体ウエハを所定寸法だけ上昇させ、更にオーバードライブさせて複数の電極パッドと複数のプローブを電気的に接触させることによりデバイスの電気的特性検査を行う。ところが、デバイスの高集積化により電極パッドが急激に微細化すると共にパッド数が増加し、プローブカードのプローブの本数も急激に増加している。そのため、アライメント時にＣＣＤカメラでプローブの検出が難しくなってきている。
【０００４】
ところが、検査を繰り返すうちに、複数のプローブの変形等で針先位置が変動する。複数のプローブが変形して針先位置が徐々に高くなると、半導体ウエハをオーバードライブさせても複数のプローブと複数の電極パッドとの導通がとれないことがある。そこで、特許文献１にはオーバードライブ量を、実際のパッド上に形成された針跡をカメラで検出して比較し、針先位置が高くなると、比較結果に基づいてメインチャックを上昇させて常に適正なオーバードライブ量を与えて、安定した検査を行えるプローバについて記載されている。
【０００５】
特許文献２には仮想的なパッド（設計上のパッド）とプローブとの接触状態により位置ズレ情報を得て、実際のパッドとプローブとの接触状態を予め仮想的にモニタリングするだけでなく、その接触状態で得られた結果を基に、最適な接触状態に補正できる検査装置について記載されている。
【０００６】
特許文献３には針の位置及び電極の位置をそれぞれ検出し、表示装置に針跡の画像及び針跡の位置を示す針跡マークを表示し、針跡マークの位置ズレを算出し、オペレータが画像上で針跡マークの位置を修正し、針跡マークの位置ズレを算出し、算出されたズレに基づいて半導体ウエハの移動量演算補正値を修正するプローバについて記載されている。
【０００７】
また、特許文献４には電極パッドに形成された針痕を基に次に接触するプローブの位置ズレ量を求める検査装置について記載されている。また、この検査装置では既存の針痕が形成された電極パッドにプローブが接触した後、その電極パッドを含む領域を示す接触後画像を得た後、その画像と接触前の画像と比較することにより、最新の針痕を取得し、最新の針痕を用いて位置ズレ量を補正し、その位置ズレ量を次の検査に使用する技術が記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−０３６７６５号
【特許文献２】特開平７−２８８２７０号
【特許文献３】特開２００６−３３９１９６号
【特許文献４】特開２００６−２７８３８１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の技術は、いずれも複数の電極と複数のプローブとの位置ズレ量を求めることにより、複数の電極パッドと複数のプローブとの位置ズレを補正することができるが、この補正により複数のプローブがそれぞれの電極パッド内で確実に接触するという保証はなく、また、接触するとしても既存の針跡に新たな針跡が繰り返し重複して接触すると電極パッドが傷み、延いてはデバイスが損傷する虞がある。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電極パッドが微細化及び薄膜化した場合であっても電極パッドに形成された針跡を利用することにより被検査体の電極パッドとプローブとを高精度に繰り返し接触させて信頼性の高い検査を行うことができる検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体を提供することを目的としている。また、本発明は、電極パッドが微細化及び薄膜化した場合であっても電極パッドに形成された針跡を利用することにより被検査体の電極パッドを損傷させることなくプローブと高精度に繰り返し接触させて信頼性の高い検査を行うことができる検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体を併せて提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載の検査方法は、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、上記複数の電極パッドの大きさとそれぞれの電極パッドにおける新たな針跡の重心とに基づいて上記複数のプローブそれぞれの接触可能領域を上記各電極パッド内で求める第６の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項２に記載の検査方法は、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の電極パッドそれぞれの新たな針跡の画像を抽出し、これらの複数の抽出画像と上記第２の画像の針跡のない空き領域とを比較し、上記複数の抽出画像がそれぞれの空き領域に含まれる時には上記各空き領域内に上記複数の抽出画像を配置しそれぞれの重心を求める第６Ａの工程と、上記複数のプローブそれぞれの接触位置を上記各空き領域内に配置された上記複数の抽出画像の重心に合わせる補正をする第７の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項３に記載の検査方法は、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、上記複数の電極パッドの大きさとそれぞれの電極パッドにおける新たな針跡の重心とに基づいて上記複数のプローブそれぞれの接触可能領域を上記各電極パッド内で求める第６の工程と、上記複数の接触可能領域それぞれが上記第２の画像の上記複数の電極パッド内にそれぞれ含まれる否かを判断する第７Ａの工程と、上記複数の接触可能領域それぞれが上記複数の電極パッドに含まれる時には上記第１の画像と第２の画像に基づいて上記複数の電極パッド内の新たな針跡の画像を抽出する第８の工程と、上記複数の抽出画像と上記複数の電極パッドそれぞれの接触可能領域内の針跡のない空き領域とをそれぞれ比較し、上記複数の抽出画像が上記各空き領域に含まれる時には上記各空き領域内に上記複数の抽出画像を配置しそれぞれの重心を上記複数のプローブそれぞれの接触位置として求める第９の工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項４に記載の検査方法は、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の新たな針跡の画像をそれぞれ抽出し、これら複数の抽出画像の重心とそれぞれの電極パッドの中心に基づいて上記第１〜第３の工程と同様の手順で上記複数のプローブが次の検査で接触する接触予定位置をそれぞれ求める第６Ｂの工程と、上記複数の接触予定位置にそれぞれ配置された上記複数の抽出画像が既存の針跡と互いに重なる時にはその重なりが最小になる位置へ上記各接触予定位置を最短距離で移動させて、上記接触予定位置の補正をする第７Ｂの工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項５に記載の検査方法は、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法であって、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程は、上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記針跡を検出するために上記複数の電極パッドを撮像して第１の画像を得る第１の工程と、上記第１の画像を用いて、上記複数の電極パッドそれぞれの中心とこれらの電極パッドにおける上記各針跡それぞれの重心との位置ズレ量を求める第２の工程と、上記検査に使用される複数のプローブの上記複数の電極に対する接触位置を、上記複数の針跡の位置とそれぞれの位置ズレ量を用いて上記複数の電極パッドの中心にそれぞれ合わせる補正をする第３の工程と、上記第３の工程での補正後に上記検査に使用される複数のプローブと上記複数の電極パッドとを接触させて新たな針跡を上記複数の電極パッドにそれぞれ形成する第４の工程と、上記新たな針跡がそれぞれ形成された複数の電極パッドを撮像して第２の画像を得る第５の工程と、上記第１の画像と上記第２の画像を比較して上記複数の新たな針跡の画像をそれぞれ抽出し、これら複数の抽出画像の重心とそれぞれの電極パッドの中心に基づいて上記第１〜第３の工程と同様の手順で上記複数のプローブが次の検査で接触する接触予定位置をそれぞれ求める第６Ｂの工程と、上記第２の画像の上記複数の電極パッド内それぞれで上記既存の複数の針跡に基づいてボロノイ図を作成し、上記複数の接触予定位置に配置された上記各抽出画像の重心を最寄りのボロノイ境界線上まで最短距離で移動させて上記各接触予定位置をそれぞれ補正する７Ｃの工程と、備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項６に記載の検査方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記新たな針跡は、予め所定温度に設定された被検査体を用いて形成されることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項７に記載の検査方法は、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発明において、上記第２の工程で求める位置ズレ量は、上記複数の電極パッドの中心と、上記複数の電極それぞれに形成された上記針跡の重心と、を用いて最小二乗法により求められることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項８に記載の検査方法は、請求項１または請求項３に記載の発明において、上記第６の工程で求める接触可能領域のｘ座標値の範囲は、上記複数の電極パッドの中心を原点として、上記電極パッドのマイナス側のエッジのｘ座標値に上記新たな針跡のｘ方向の幅の半分を加算した補正ｘ座標値及びこの補正ｘ座標値に最大のｘ座標値を有する上記新たな針跡の重心位置のｘ座標値を加算したうちの大きい方を最小のｘ座標として求めると共に、上記電極パッドのプラズ側のエッジのｘ座標値及びそのエッジに最小のｘ座標値を有する上記新たな針跡の重心位置のｘ座標値を加算したうちの小さい方を最大のｘ座標として求め、且つ、上記接触可能領域のｙ座標の範囲は、上記ｘ座標値の範囲と同様にして求めることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項９に記載のプログラム記録媒体は、コンピュータを駆動させて、載置台上に載置された被検査体の複数の電極パッドと上記載置台の上方に配置されたプローブカードの複数のプローブとを電気的に接触させ、上記被検査体の電気的特性の検査を行って上記複数の電極パッドそれぞれに形成された上記複数のプローブの針跡を利用して、上記検査に備えて上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する工程を含む検査方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、上記針跡を利用して上記複数の電極パッドと複数のプローブとの接触位置を補正する際に、上記プログラムは、上記コンピュータを駆動させて、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の検査方法を実行することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、電極パッドが微細化及び薄膜化した場合であっても電極パッドに形成された針跡を利用することにより被検査体の電極パッドとプローブとを高精度に繰り返し接触させて信頼性の高い検査を行うことができる検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体を提供することを目的としている。また、本発明によれば、電極パッドが微細化及び薄膜化した場合であっても電極パッドに形成された針跡を利用することにより被検査体の電極パッドを損傷させることなくプローブと高精度に繰り返し接触させて信頼性の高い検査を行うことができる検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体を併せて提供することを目的としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の検査装置及び検査方法の一実施形態について図１〜図８を参照しながら説明する。各図中、図１は本発明方法の一実施形態を実施するために用いられる検査装置の構成を示すブロック図、図２は図１に示す検査装置を用いる本発明の検査方法の一実施形態を示すフローチャート、図３は図１に示すフローチャートの一部を更に詳細を示すフローチャート、図４の（ａ）、（ｂ）はそれぞれデバイスの電極パッドにおけるプローブの針跡に基づいて位置ズレ量の補正を示す平面図で、（ａ）は補正後の状態を示す図で、（ｂ）は理想上のプローブの針跡を示す図、図５の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ第２の画像の電極パッド上の針跡から第１の画像の電極パッドの既存の針跡を用いて新たな針跡を抽出する工程を示す平面図、図６の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の検査方法の他の実施形態を説明する説明図、図７の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ電極パッドにおけるプローブの接触可能領域を示す平面図、図８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ電極パッドにおけるプローブの接触可能領域と次の検査で割り振るプローブの配置領域の関係を示す図、図９の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ電極パッド内の空き領域内にプローブの接触予定位置を最適配置する方法を示す説明するための平面図、図１０の（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置と既存の針跡の重なった状態を説明するための平面図、図１１の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれプローブの接触予定位置と既存の針跡の重なった状態を説明するための平面図、図１２の（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する方法を説明するための平面図、図１３はプローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する方法を具体的に説明するための平面図、図１４はプローブの接触予定位置がパッシベーション層に掛かった時の最適位置へ移動させて接触予定位置を補正する方法を説明するための平面図、図１５の（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する他の方法を説明するための平面図である。
【００２２】
第１の実施形態
まず、本発明の検査方法を記録したプログラム記録媒体を具備した検査装置について説明する。この検査装置１０は、例えば図１に示すように、被検査体である半導体ウエハＷを載置し且つ温度調整機構を内蔵する移動可能な載置台１１と、この載置台１１の上方に配置されたプローブカード１２と、このプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａと載置台１１上の半導体ウエハＷとのアライメントを行うアライメント機構１３と、アライメント機構１３を構成する撮像手段（例えば、ＣＣＤカメラ）１３Ａと、ＣＣＤカメラ１３Ａによって撮像された画像を表示する表示画面１４を有する表示装置と、これらの構成機器を制御するコンピュータを主体とする制御装置１５と、を備え、制御装置１５の制御下で、アライメント機構１３によって載置台１１上の半導体ウエハＷとプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａとのアライメントを行った後、複数のプローブ１２Ａと半導体ウエハＷとを電気的に接触させて半導体ウエハＷの電気的特性検査を行うように構成されている。
【００２３】
また、検査装置１０は、図１に示すように表示画面１４、キーボード等の入力部１６を備え、入力部１６によって本発明の検査方法を実行するために種々の検査条件を入力することができ、表示画面１４上に表示されたメニューやアイコンを操作して種々のプログラム等を実行することができる。
【００２４】
載置台１１は、図１に示すように駆動機構１１Ａ及び検出器（例えば、エンコーダ）１１Ｂを備え、駆動機構１１Ａを介してＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動すると共にエンコーダ１１Ｂを介して移動量を検出するように構成されている。駆動機構１１Ａは、載置台１１が配置されたＸＹテーブルを駆動する、例えばモータとボールねじを主体とする水平駆動機構（図示せず）と、載置台１１に内蔵された昇降駆動機構と、載置台１１をθ方向に回転させるθ駆動機構と、を備えている。エンコーダ１１Ｂは、モータの回転数を介してＸＹテーブルのＸ、Ｙ方向への移動距離をそれぞれ検出し、それぞれの検出信号を制御装置１５へ送信する。制御装置１５は、エンコーダ１１Ｂからの信号に基づいて駆動機構１１Ａを制御し、もって載置台１１のＸ、Ｙ方向への移動量を制御する。
【００２５】
アライメント機構１３は、上述のようにＣＣＤカメラ１３Ａ及びアライメントブリッジ１３Ｂを備えている。図１に示すように、ＣＣＤカメラ１３Ａはアライメントブリッジ１３Ｂに装着されている。ＣＣＤカメラ１３Ａはズーム機能を備え、所定の倍率で半導体ウエハＷを撮像する。
【００２６】
ＣＣＤカメラ１３Ａは、アライメントブリッジ１３Ｂを介してプローバ室の背面からプローブセンタまで進出してプローブカード１２と載置台１１との間に位置し、ここで載置台１１がＸ、Ｙ方向へ移動する間に、半導体ウエハＷを上方から所定の倍率で撮像し、撮像信号を制御装置１５へ送信し、制御装置１５を介してその半導体ウエハの画像を表示画面１４上に表示する。
【００２７】
制御装置１５は、中央演算処理部１５Ａと、本発明の検査方法を実行するためのプログラムを含む各種のプログラムが記憶されたプログラム記憶部１５Ｂと、種々のデータを記憶する記憶部１５Ｃと、ＣＣＤカメラ１３Ａからの撮像信号を画像処理する画像処理部１５Ｄと、この画像処理部１５Ｄからの画像信号を画像データとして記憶する画像記憶部１５Ｅと、この画像信号に基づいて表示画面１４に撮像画像等を表示するための表示制御部１５Ｆと、を備え、中央演算処理部１５Ａとプログラム記憶部１５Ｂ、記憶部１５Ｃとの間で信号を送受信して検査装置１０の各種の構成機器を制御する。
【００２８】
中央演算処理部１５Ａには入力部１６が接続され、入力部１６から入力された各種のデータ信号を中央演算処理部１５Ａで処理し、記憶部１５Ｃへ格納する。本実施形態ではプログラム記憶部１５Ｂに本発明の検査方法を実行するためのプログラムが格納され、表示画面１４には撮像画像１４Ａ及び操作パネル１４Ｂ等が表示される。操作パネル１４Ｂは、後述するようにアライメントに先立って載置台１１を移動操作し、あるいはプローブカード１２の位置データ等の画像情報を登録する機能を有している。即ち、載置台１１は、操作パネル１４Ｂの水平移動操作キーＫ１を押圧することでＸ、Ｙ方向へ移動すると共に、操作パネル１４Ｂの上下移動操作キーＫ２を押圧することでＺ方向へ移動するように構成されている。
【００２９】
また、中央演算処理部１５Ａには画像記憶部１５Ｅ及び表示制御部１５Ｆが接続され、ＣＣＤカメラ１３Ａによる撮像画像を中央演算処理部１５Ａ及び表示制御部１５Ｆを介して表示画面１４上にそれぞれ表示する。画像記憶部１５ＥにはＣＣＤカメラ１３Ａによる現在の撮像画像以外に、過去の撮像画像や加工画像等を格納することができる。
【００３０】
本発明の検査方法等のプログラムは、種々の記録媒体を介してプログラム記憶部１５Ｂに格納されている。また、これらのプログラムは、通信媒体によって各種の検査装置にダウンロードすることもできる。本実施形態では、プログラム記憶部１５Ｂに格納された検査方法のプログラムを実行するようにしてある。
【００３１】
次に、本発明の検査方法の一実施形態について図２〜図６をも参照しながら説明する。本実施形態の検査方法は、検査装置１０に付帯する針跡のインスペクション機能を用いて、前回の検査で電極パッドに形成された既存の針跡（以下、「旧針跡」と称す。）を用い、今回の検査前に複数のプローブの接触位置を補正した後、複数の電極パッドに複数のプローブを接触させて新たな針跡（以下、「新針跡」と称す。）を形成し、新針跡を用いて次回の最適な接触位置を求める点に特徴がある。従って、本実施形態の検査方法で用いられる半導体ウエハＷは、既に少なくとも一回の電気的特性検査が実施されて、複数のデバイスの電極パッドにはそれぞれプローブの針跡が少なくとも一つずつ形成されている。そして、今回の検査では前回の検査で使用されたプローブカードと同一のものが用いられる。
【００３２】
本実施形態の検査方法は、例えば図２に示すフローチャートに従って複数のプローブ１２Ａの接触位置が補正される。以下では半導体ウエハＷの高温検査を行う場合について説明する。
【００３３】
即ち、図２に示すように今回の接触前に旧針跡Ｆのある電極パッドＰ（図４参照）を有するデバイスＤをＣＣＤカメラ１３Ａによって撮像する（ステップＳ１）。それには、検査装置１０において、制御装置１５の制御下でウエハ搬送機構によってローダ室からプローバ室内の載置台１１上に半導体ウエハＷを載置すると共に温度調整機構を用いて半導体ウエハＷを所定の温度（例えば、１５０℃）まで加熱する。この間、アライメントブリッジ１３Ｂがプローバ室の背面からプローブセンタまで進出して停止する。
【００３４】
然る後、載置台１１がＸ、Ｙ方向へ移動する間に、アライメントブリッジ１３ＢのＣＣＤカメラ１３Ａが低倍率で半導体ウエハＷ中の所定のデバイスＤを探し出し、そのデバイスＤがＣＣＤカメラ１３Ａの真下に達すると、ＣＣＤカメラ１３Ａが高倍率になって所定のデバイスＤを撮像する（ステップＳ１）。ＣＣＤカメラ１３Ａは撮像信号を画像処理部１５Ｄへ送信し、ここで例えば所定の閾値を基準にして撮像信号に基づいて撮像画像の二値化処理を行った後、画像記憶部１５Ｅでその画像を第１の画像として記憶する。更に、制御装置１５の表示制御部１５Ｆが作動して、画像記憶部１５Ｅの第１の画像を表示画面１４へ図１に示すように表示する。
【００３５】
図１に示す第１の画像を拡大したものが図４の（ａ）に示す画像である。図４の（ａ）において、デバイスＤの画像は、二値化画像として表示され、電極パッドＰが白く、旧針跡Ｆを含む他の部分が黒く表示されている。各電極パッドＰ内で直交する破線は各電極パッドＰの各辺の中点を通り、各破線の電極パッドＰ内での交点が電極パッドＰのｘｙ座標の原点Ｏになる。また、旧針跡Ｆのクロスマークはその重心を示している。
【００３６】
また、図４の（ｂ）は設計通りに作製された理想的なプローブカードの針跡Ｆｉを示している。理想的なプローブカードであれば、図４の（ｂ）に示すように複数のプローブが電極パッドＰに接触すると針跡Ｆｉの重心が対応する電極パッドＰの原点Ｏと一致する。ところが、現実のプローブカード１２は、製作上の誤差等が含まれており、上述のように各プローブ１２Ａの針先位置が電極パッドＰの原点からｘ、ｙ方向に多少外れている。
【００３７】
そこで、今回の検査では第１の画像の電極パッドＰの旧針跡Ｆと理想のプローブカードの針跡Ｆｉを利用して接触位置を補正する（ステップＳ２）。この補正を行うには、複数のプローブ１２Ａの旧針跡Ｆとそれぞれの理想の針跡Ｆｉとの位置ズレ量を求める必要がある。そこで、図４の（ａ）に示すように旧針跡Ｆの重心位置のｘｙ座標を（ｘｉ，ｙｉ）と定義し、図４の（ｂ）に示すように理想の針跡Ｆｉの重心のｘｙ座標を（ｕｉ，ｖｉ）と定義とする。そして、半導体ウエハＷのｘ方向及びｙ方向へそれぞれ誤差分（ｘ，ｙ）だけ移動させてプローブカード１２の接触位置を補正するものとする。誤差Ｌｔは次の式１によって求めることができる。但し、電極パッドＰはｎ個あるものとする。尚、図４の（ａ）、（ｂ）では各電極パッドＤに付いた針跡Ｆｉ、Ｆの重心のｘｙ座標値は各電極パッドＰに隣接して記入してある。
Ｌｔ＝Σ（（ｘｉ−（ｘ＋ｕｉ））２＋（ｙｉ−（ｙ＋ｖｉ））２）・・・式１
【００３８】
ここで誤差Ｌｔが最小値になる（ｘ，ｙ）を求めれば良いことになる。誤差Ｌｔは、ｘ、ｙの二次関数であることから必ず極小値が存在する。そこで、この極小値はＬｔをｘ、ｙで偏微分することによって求めることができる。Ｌｔをｘ及びｙで偏微分すると次の式２Ａ及び式２Ｂになる。
ｄＬｔ／ｄｘ＝２ｎｘ＋２（Σ（ｕｉ−ｘｉ））＝０・・・式２Ａ
ｄＬｔ／ｄｙ＝２ｎｙ＋２（Σ（ｖｉ−ｙｉ））＝０・・・式２Ｂ
【００３９】
式２Ａ及び式２Ｂから次に示す式３Ａ及び式３Ｂが得られる。これらの式から明らかなように、（ｕｉ−ｘｉ）及び（ｖｉ−ｙｉ）は、それぞれ旧針跡Ｆと理想の針跡Ｆｉとのズレ量であるから、補正量は実際の複数のプローブ１２Ａの旧針跡Ｆの重心のそれぞれの電極パッドの中心からのズレ量の平均値になる。今回の検査で複数のプローブ１２Ａをそれぞれの電極パッドＰの中心に接触させるためには、旧針跡Ｆの重心をズレ量の平均値分だけ半導体ウエハＷをｘ方向、ｙ方向へ補正すれば良いことになる。そこで、この平均値を位置ズレの補正量として用いることで、今回の検査では旧針跡Ｆの重心を補正することができる。但し、位置ズレを補正するには半導体ウエハＷを逆向きに移動させるため補正量は（−ｘ，−ｙ）となる。
ｘ＝（Σ（ｕｉ−ｘｉ））／ｎ・・・式３Ａ
ｙ＝（Σ（ｖｉ−ｙｉ））／ｎ・・・式３Ｂ
【００４０】
ステップＳ２ではプローブカード１２の接触位置の補正量を求めた後、載置台１１がｘ方向及びｙ方向へそれぞれ補正量だけ移動し、複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａの接触位置を補正する。これにより半導体ウエハＷとプローブカード１２のアライメントが終了する。このアライメントでは複数のプローブ１２Ａの全てについて行うため、精度の高いアライメントを行うことができる。アライメント終了後、載置台１１を上昇させて既に１５０℃まで加熱された半導体ウエハＷとプリヒートされたプローブカード１２を接触させ、更に載置台１１をオーバードライブさせてデバイスＤの複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａを電気的に接触させて新たな針跡を形成する（ステップＳ３）。例えば、第１の画像のある電極パッドＰには図５の（ａ）に示すように旧針跡Ｆが形成されていて、プリヒートされたプローブカード１２の該当するプローブ１２Ａは図５の（ｂ）に示すように新たな針跡、即ち新針跡Ｆｎを形成する。
【００４１】
引き続き、制御装置１５の制御下で、載置台１１が所定位置まで下降して半導体ウエハＷがプローブカード１２から離れた後、アライメントブリッジ１３Ｂがプローブセンタまで進出し、ＣＣＤカメラ１３Ａで電極パッドＰを撮像する（ステップＳ４）。ＣＣＤカメラ１３Ａが撮像信号を画像処理部１５Ｄへ送信し、ここで画像処理して二値画像を得た後、この二値画像を画像記憶部１５Ｅで第２の画像として記憶する。
【００４２】
然る後、制御装置１５の制御下で、表示画面１４には新針跡Ｆｎが形成された複数の電極パッドＰを有するデバイスＤが第２の画像として表示される。このデバイスＤの複数の電極パッドＰに形成された新針跡Ｆｎを用いて次の高温検査に備えて複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａの接触位置を補正する。それには、ステップ２と同様に、新針跡Ｆｎの重心のｘｙ座標値と電極パッドＰの中心のｘｙ座標値を式３Ａ及び式３Ｂに当て嵌めて次の高温検査で必要とされる補正量を求める（ステップＳ５）。
【００４３】
本実施形態では、次の高温検査で必要となる補正量を求めるだけでなく、図３に示すフローチャートに従って電極パッドＰにおけるプローブ１２Ａの接触可能領域Ｓを求め、更にこの接触可能領域Ｓにプローブ１２Ａが既存の針跡Ｆと極力重なることなく接触し得る空き領域があるか否かを判断し、そのような空き領域があれば、その空き領域に針跡を形成するプローブ１２Ａの補正量を求める。
【００４４】
プローブ１２Ａの接触可能領域Ｓを求める方法について図６を参照しながら説明する。図６の（ａ）はプローブとして垂直プローブを使用し、垂直プローブの針先がｘ方向にのみ位置ズレし、ｙ方向には位置ズレのない状態を示している。ｙ方向に位置ズレがある場合にはｘ方向の場合と同様に取り扱うことができる。ここでは接触可能領域Ｓを求める方法を単純化するため垂直針を用いて電極パッドに円形の針跡が形成される場合について説明するが、カンチレバータイプのプローブ１２Ａでは図４等に示すように略長円形の針跡を形成するが、この場合にも原理は全く変わらない。
【００４５】
各電極パッドＰの針跡ＦがΔｘ１、Δｘ２、・・・Δｘｎにだけ電極パッドＰの中心（理想の針跡）から位置ズレしたバラツキがあるものと仮定する。この説明ではΔを省略して説明する。複数の電極パッドＰの中からｘ方向の位置ズレが最も小さい針跡Ｆの重心をｘｍｉｎ＝ｍｉｎ（ｘ１，ｘ２，・・・ｘｎ）と、ｘ方向の位置ズレが最も大きい針跡Ｆの重心をｘｍａｘ＝ｍａｘ（ｘ１，ｘ２，・・・ｘｎ）と定義する。
【００４６】
垂直プローブの接触可能領域Ｓのｘ方向の最小値Ｃｍｉｎ及びｘ方向の最大値Ｃｍａｘは下記の式４Ａ及び式４Ｂによって求めることができる。但し、これらの式において、ｗ１は電極パッドＰの幅寸法であり、ｗ２は垂直プローブの直径を意味している。尚、下記の式４Ａ、４Ｂは、電極パッドＰの幅ｗ１及び垂直プローブの直径ｗ２がそれぞれ全て一定の値と仮定した場合の式である。式４Ａ、４Ｂで求めた垂直プローブの接触可能領域Ｓは、図６の（ｂ）にハッチングで示した矩形領域になる。式４Ａ及び式４Ｂにおいてｗ２／２を加算し、減算しているのは、垂直プローブの半径を考慮し、垂直プローブが電極パッドＰを囲むパッシベーションエッジからはみ出さないようにしている。
Ｃｍｉｎ＝ｍａｘ（−ｗ１／２＋ｗ２／２，−ｗ１／２＋ｗ２／２＋ｘｍａｘ）
・・・式４Ａ
Ｃｍａｘ＝ｍｉｎ（ｗ１／２−ｗ２／２，ｗ１／２−ｗ２／２＋ｘｍｉｎ）
・・・式４Ｂ
【００４７】
上記の式４Ａ及び４Ｂは、電極パッドＰの大きさ及びプローブ１２Ａの針跡Ｆの大きさがそれぞれ同一であることを前提としている。電極パッドＰの大きさ及びプローブ１２Ａの針跡Ｆ大きさがそれぞれ異なる場合には、上記の式４Ａ、４Ｂに対応する式として下記の式４Ｃｉ、４Ｄｉが成り立つ。下記の式４Ｃｉ、４Ｄｉでは、ｉ番目の電極パッドＰの幅寸法をｗ１ｉ、ｉ番目のプローブ１２Ａの直径をｗ２ｉと定義し、電極パッドＰ及びプローブ１２Ａの針跡Ｆがそれぞれ固有の大きさを持っており、全て異なる大きさを持つ場合もあれば、幾つかは同一の大きさを持つものもある。電極パッドＰの大きさ及びプローブ１２Ａの針跡Ｆの大きさがそれぞれ必ずしも同一でない場合には下記の式４Ｃｉ、４Ｄｉを用いてｉ番目の電極パッドＰにおける接触可能領域Ｓを求めた後、下記の式４Ｃｉ、４Ｄｉを用いて全ての電極パッドＰを対象とした接触可能領域Ｓを下記の式４Ｃ、４Ｄから求める。次いで、上記式４Ａ、４Ｂで接触可能領域Ｓを求める場合と同様の処理を行って図３に示すフローチャートを実行する。
Ｃｍｉｎ(i)＝ｍａｘ（−ｗ１ｉ／２＋ｗ２ｉ／２，−ｗ１ｉ／２＋ｗ２ｉ／２＋ｘｉ）
・・・式４Ｃｉ
Ｃｍａｘ(i)＝ｍｉｎ（ｗ１ｉ／２−ｗ２ｉ／２，ｗ１ｉ／２−ｗ２ｉ／２＋ｘｉ）
・・・式４Ｄｉ
Ｃｍｉｎ＝ｍａｘ（Ｃｍｉｎ(1)，Ｃｍｉｎ(2)，Ｃｍｉｎ(3)，・・・Ｃｍｉｎ(n)）
・・・式４Ｃ
Ｃｍａｘ＝ｍｉｎ（Ｃｍａｘ(1)，Ｃｍａｘ(2)，Ｃｍａｘ(3)，・・・Ｃｍａｘ(n)）
・・・式４Ｄ
【００４８】
即ち、式４Ａ及び式４Ｂに新針跡Ｆｎの重心のｘｙ座標値を代入することによって、図３に示すようにステップＳ１１を実行して高温検査におけるプリヒート後の複数のプローブ１２Ａの接触可能領域Ｓを算出することができる。接触可能領域Ｓを求めた後、この接触可能領域Ｓが電極パッドＰ内にあるか否かを中央演算処理部１５Ａにおいて判断する（ステップＳ１２）。接触可能領域Ｓが電極パッドＰ内にあれば、複数のプローブ１２Ａは、全ての電極パッドＰ内で確実に接触し、デバイスＤの検査を行うことができる。しかし、接触可能領域Ｓが電極パッドＰから一部でもはみ出すと複数のプローブ１２Ａの中に電極パッドＰからはみ出すプローブ１２Ａが存在することになり、高温検査を行えなくなるため、そのような場合には制御装置１５の働きで警告を発するなどして注意を喚起する（ステップＳ１２Ａ）。
【００４９】
ところで、接触可能領域Ｓが図７の（ａ）に示すように電極パッドＰの原点Ｏを含む場合には制御装置１５の制御下で、旧針跡Ｆの重心に基づいて求められた補正量をそのまま使用して半導体ウエハＷを接触位置へ移動させることにより、今回の複数のプローブ１２Ａをそれぞれに対応する複数の電極パッドＰの中心に接触させることができる。しかし、図７の（ｂ）に示すように接触可能領域Ｓが電極パッドＰの中心から外れている場合に上述の補正量をそのまま使用すると、プローブ１２Ａを接触可能領域Ｓから外れた電極パッドＰの中心に補正することになり、複数のプローブ１２Ａの何れかが接触可能領域Ｓから外れて高温検査を行うことができない。そこで、このような場合には電極パッドＰの中心に最も近い接触可能領域Ｓのｘｙ座標値をオフセット量として上記補正量に加算して半導体ウエハＷを移動させることにより、今回の複数のプローブ１２Ａをそれぞれに対応する複数の電極パッドＰの中心に接触させることができる。更に、接触可能領域Ｓが形成されない場合、あるいは予め指定したサイズよりも電極パッドが小さい場合には、補正量として適切でないため、警告を発して注意を喚起する。この接触可能領域Ｓは今回の高温検査においても使用することができる。
【００５０】
接触可能領域Ｓが電極パッドＰ内に形成される場合には、今回の高温検査を行うことができ、更に、次の高温検査に使用される補正量も求めることができる。ここでは、この補正量を第２の補正量と定義する。次の高温検査に備えて第２の補正量を求める場合には、今回の高温検査に当たって形成された新針跡Ｆｎを用いて、旧針跡Ｆに基づく補正量と同一要領で第２の補正量を求めることができる。即ち、まず複数のプローブ１２Ａの新針跡Ｆｎの重心を求めた後、これらの新針跡Ｆｎの重心座標を式３Ａ及び式３Ｂに当て嵌めて第２の補正量を算出する。
【００５１】
新針跡Ｆｎは、図５の（ｂ）に示すように旧針跡Ｆの近傍に形成されている。この図に示す新針跡Ｆｎは旧針跡Ｆと重なっていないため、旧針跡Ｆと同様に新針跡Ｆｎの重心を求めることができる。しかし、旧針跡Ｆに新針跡Ｆｎが部分的に重なると、新針跡Ｆｎの重心が判らなくなる。この場合には、例えば本出願人が提案している特開２００６-２７８３８１号公報に記載の技術を適用することができる。ここでは新針跡Ｆｎが旧針跡Ｆに重なっていない場合について説明する。
【００５２】
しかし、図５の（ｂ）に示す場合でも旧針跡Ｆと新針跡Ｆｎを区別することができない。そこで、本実施形態では、ステップＳ２で撮像した旧針跡Ｆを含む二値化された第１の画像と、旧針跡Ｆ及び新針跡Ｆｎの双方を含む二値化された第２の画像を用いて新針跡Ｆｎのみを抽出する（ステップＳ１３）。即ち、制御装置１５の制御下で、画像記憶部１５Ｅから第１、第２の画像を中央演算処理部１５Ａに読み出し、ここで第２の画像から第１の画像の差を求めると、図５の（ｃ）に破線で示すように旧針跡Ｆが消失し、新針跡Ｆｎだけが抽出される。このようにして抽出された画像（以下、「抽出画像」と称す。）に基づいて新針跡Ｆｎの重心を求めることができる。新針跡Ｆｎは複数のプローブ１２Ａの全てについて求める。
【００５３】
然る後、図８の（ａ）に示すように第２の画像に接触可能領域Ｓ及び抽出画像を当て嵌め、抽出画像の重心が電極パッドＰの接触可能領域Ｓ内で且つ旧針跡Ｆ及び新針跡Ｆｎのない空き領域内に入るか否かにつて判断する（ステップＳ１４）。抽出画像が図８の（ａ）に一点鎖線で示すように接触可能領域Ｓ内で空き領域内に配置できる場合には、そこに抽出画像に基づくプローブ１２Ａの接触予定位置Ｆｓとして配置した後（ステップＳ１５）、その接触予定位置Ｆｓの重心を求める（ステップＳ１６）。接触予定位置Ｆｓの重心が上記の条件を満足せず、図８の（ｂ）に示すように電極パッドＰの空き領域にあっても、接触予定位置Ｆｓの重心が接触可能領域Ｓからはみ出す場合には、接触不良を起こすプローブ１２Ａが含まれていることになり、高温検査を行うことができないため、警告を発して注意を喚起する（ステップＳ１４Ａ）。更に、図８の（ｃ）に示すように接触予定位置Ｆｓの重心が接触可能領域Ｓ内にあるが、接触予定位置Ｆｓが空き領域に配置できない場合には、既存の旧針跡Ｆ及び新針跡Ｆｎとの重なりが極力小さくなるように接触予定位置Ｆｓを配置する。この際には接触予定位置Ｆｓが空き領域に配置できない旨の注意を喚起するように設定し、その注意の喚起に基づいて重なりを極力小さくなるように接触予定位置Ｆｓを配置すれば良い。
【００５４】
以上のようにして接触予定位置Ｆｓの重心を求めると、これらのデータを画像記憶部１５Ｅに格納して、画像記憶部１５Ｅ内で記憶する。これらデータは、次の高温検査を行う場合に用いられる。また、次の高温検査を他の検査装置で行う場合には、これらのデータを通信媒体あるいは磁気記録媒体等を用いて他の検査装置に移植する。
【００５５】
以上の操作が終了すると、検査装置１０では制御装置１５の制御下で載置台１１によって半導体ウエハＷのインデックス送りを実行して今回の高温検査を行う。一枚の半導体ウエハＷの高温検査が終了すると、後続の半導体ウエハＷを載置台１１上に載置する。この半導体ウエハＷは、前回の半導体ウエハＷと同一であるため、アライメントを省略し、半導体ウエハＷのインデックス送りを行うことで高温検査を行う。
【００５６】
以上説明したように本実施形態によれば、今回の高温検査に当たり、載置台１１上に載置された半導体ウエハＷの複数の電極パッドＰと載置台１１の上方に配置されたプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａとを電気的に接触させ、半導体ウエハＷ内の複数のデバイスＤの電気的特性の検査を行って複数の電極パッドＰそれぞれに形成された複数のプローブ１２Ａの旧針跡Ｆを利用して、検査に備えて複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａとの接触位置を補正する工程を含み、複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａとの接触位置を補正する工程は、複数の電極パッドＰそれぞれに形成された旧針跡Ｆを検出するために複数の電極パッドＰを撮像して第１の画像を得る工程と、第１の画像を用いて、複数の電極パッドＰそれぞれの中心とこれらの電極パッドＰにおける各旧針跡Ｆそれぞれの重心との位置ズレ量を求める工程と、今回の検査に使用される複数のプローブＰの複数の電極パッＰに対する接触位置を、複数の旧針跡Ｆの重心とそれぞれの位置ズレ量を用いて複数の電極パッドＰの中心にそれぞれ合わせる補正をする工程と、この工程での補正後に今回の検査に使用される複数のプローブ１２Ａと複数の電極パッドＰとを接触させて新針跡Ｆｎをそれぞれ形成する工程と、新針跡Ｆｎがそれぞれ形成された複数の電極パッドＰを撮像して第２の画像を得る工程と、複数の電極パッドＰの大きさとそれぞれの電極パッドＰにおける新たな針跡Ｆｎの重心とに基づいて複数のプローブ１２Ａそれぞれの接触可能領域Ｓを各電極パッドＰ内に求める工程と、を備えているため、電極パッドＰが微細化した場合であってもＣＣＤカメラ１３Ａによって旧針跡Ｆを確実に検出して今回の検査における複数のプローブ１２のアライメントを行って新針跡Ｆｎを形成し、更に、新針跡Ｆｎを用いて複数のプローブ１２Ａの接触可能領域Ｓを求め、複数の電極パッドＰとこれらの対応する複数のプローブ１２Ａを電気的に確実に接触させて信頼性の高い高温検査を確実に行うことができる。
【００５７】
また、本実施形態によれば、複数の電極パッドＰと複数のプローブ１２Ａとの接触位置を検査に備えて補正する工程は、複数の電極パッドＰそれぞれに形成された旧針跡Ｆを検出するために複数の電極パッドＰを撮像して第１の画像を得る工程と、第１の画像を用いて、複数の電極パッドＰそれぞれの中心とこれらの電極パッドＰにおける各旧針跡Ｆそれぞれの重心との位置ズレ量を求める工程と、今回の検査に使用される複数のプローブＰの複数の電極パッＰに対する接触位置を、複数の旧針跡Ｆの重心とそれぞれの位置ズレ量を用いて複数の電極パッドＰの中心にそれぞれ合わせる補正をする工程と、この工程での補正後に今回の検査に使用される複数のプローブ１２Ａと複数の電極パッドＰとを接触させて新針跡Ｆｎをそれぞれ形成する工程と、新針跡Ｆｎがそれぞれ形成された複数の電極パッドＰを撮像して第２の画像を得る工程と、第１の画像と第２の画像を比較して複数の電極パッドＰそれぞれの新針跡Ｆｎの画像を抽出し、これら複数の抽出画像と第２の画像の針跡のない空き領域とを比較し、複数の抽出画像がそれぞれの空き領域に含まれる時には各空き領域内に複数の抽出画像に基づくプローブ１２Ａの接触予定位置Ｆｓとして配置しそれぞれの重心を求める工程と、複数のプローブ１２Ａそれぞれの接触位置を各空き領域内に配置された複数の接触予定位置Ｆｓの重心に合わせる補正をする工程と、を備えているため、電極パッドＰが微細化した場合であっても電極パッドＰに形成された旧針跡Ｆを利用することにより、次の高温検査で複数のプローブ１２Ａをそれぞれの電極パッドＰの空き領域に接触させ、それぞれの電極パッドＰの損傷を防止し、信頼性の高い高温検査を行うことができる。
【００５８】
更に、本実施形態によれば、複数の接触可能領域Ｓそれぞれが複数の電極パッドＰに含まれる時には第１の画像と第２の画像から抽出される複数の電極パッドＰ内の新たな針跡の抽出画像を求める工程と、複数の抽出画像と複数の電極パッドＰそれぞれの接触可能領域Ｓ内で且つ針跡のない空き領域とをそれぞれ比較し、複数の抽出画像が各空き領域に含まれる時には各空き領域内の複数の抽出画像に基づくプローブ１２Ａの接触予定位置Ｆｓとして配置しそれぞれの重心を求める工程と、複数のプローブ１２Ａそれぞれの接触位置と空き領域内に配置された複数の接触予定位置Ｆｓの重心に合わせるように補正する工程と、を備えているため、次の高温検査で複数のプローブ１２Ａをそれぞれの電極パッドＰの空き領域により確実に接触させ、それぞれの電極パッドＰの損傷を防止し、信頼性の高い高温検査を行うことができる。
【００５９】
第２の実施形態
本実施形態では、電極パッドＰでの複数の針跡の間に形成された空き領域内でプローブ１２Ａを効率よく接触させる検査方法について図９〜図１３を参照しながら説明する。空き領域とは、電極パッドＰ内で既存の針跡と重なることなくプローブ１２Ａが接触できる領域のことを云う。既存の針跡が複数あって既存の針跡と重なることなくプローブ１２Ａが接触できない時には、既存の針跡との重なりが最小限になる接触予定位置の最適位置を探し出す。既存の針跡との重なりを最小限に抑制することで、電極パッドの損傷、延いてはデバイスの損傷を防止することができる。接触予定位置は第１の実施形態と同一の手順で求めることができる。尚、図９〜図１４では針跡の代わりに針跡の外接四角形が示されている。
【００６０】
空き領域を探し出す方法には２通りがある。第１の方法は、電極パッド内の既存の針跡との重なりが最小となる位置で、接触予定位置に最も近い位置にプローブ１２Ａを移動させる方法である。第２の方法は、接触予定位置周辺の既存の針跡との位置関係を保った上で、電極パッドＰ内の既存の針跡との重なりが最小となる位置で、接触予定位置に最も近い位置にプローブ１２Ａを移動させる方法である。
【００６１】
例えば、図９の（ａ）に示すように、電極パッドＰ内に２つの既存の旧針跡（針跡の外接四角形で示されている）Ｆ１、Ｆ２と、一方の旧針跡Ｆ２を用いて今回のプローブ１２Ａの接触位置を補正して得られた新針跡（針跡の外接四角形で示されている）Ｆｎを形成し、この新針跡Ｆｎの重心と電極パッドＰの中心との位置ズレ量を用いて第１の実施形態と同一要領で新針跡Ｆｎの位置を補正して次の検査におけるプローブ１２Ａの接触予定位置（針跡の外接四角形で示されている）Ｆｓを求めたものである。この接触予定位置Ｆｓは、同図の（ａ）に示すように旧針跡Ｆ２と新針跡Ｆｎと部分的に重なっている。そこで、本実施形態では、接触予定位置Ｆｓの旧針跡Ｆ２と新針跡Ｆｎとの重なりが最小になる位置を接触予定位置Ｆｓの最適位置Ｆｃとして補正する。
【００６２】
第１の方法では、電極パッドＰ全体の中から最適位置（既存の針跡Ｆ１、Ｆ２、Ｆｎと重ならない位置）Ｆｃを図９の（ｂ）に示すようにいずれの針跡とも重ならない位置を探し、その位置を次の検査の接触予定位置Ｆａとして求める。この場合、重なり部分は０になる。しかし、この方法は、次の検査を行う時には、空き領域が一気に減少する問題がある。
【００６３】
第２の方法では、既存の旧針跡Ｆ２と新針跡Ｆｎとの位置関係を保持しつつ、空き領域を求めて接触予定位置Ｆｓを最適位置Ｆｃに補正する。接触予定位置Ｆｓと既存針跡Ｆ２、Ｆｎとの重なりを極力少なくして電極パッドＰの損傷を防止する。空き領域を求める場合でも最適位置Ｆｃはなるべく接触予定位置Ｆｓに近い方が好ましい。なぜなら、プローブ１２Ａが最適位置Ｆｃへ接触した後、接触位置を接触予定位置Ｆｓへ戻し、別の位置に接触することもあり、空き領域であれば自由に接触できる訳ではないからである。そこで、以下では第２の方法について図１０〜図１３を参照しながら更に説明する。
【００６４】
接触予定位置Ｆｓから空き領域内で最適位置Ｆｃを求めるためには、既存の新針跡Ｆｎの重心と電極パッドＰの中心の位置ズレ量に基づいて補正した接触予定位置Ｆｓが例えば図１０の（ａ）、（ｂ）に示すように既存の新針跡Ｆｎとの間に部分的に重なっているとする。
【００６５】
この方法では、図１０の（ａ）、（ｂ）において接触予定位置Ｆｓと新針跡Ｆｎの重なりを調べ、例えば接触予定位置Ｆｓのどの辺が新針跡Ｆｎと重なっているかを特定する。接触予定位置Ｆｓの重なっている辺のうち、重なりの大きい辺を対象切片と定義する。図１０の（ａ）では接触予定位置Ｆｓの太線で示す右辺の切片が上辺の切片より大きいから、太線で示す右辺の切片が対象切片となる。同図の（ｂ）では接触予定位置Ｆｓの太線で示す上辺の切片が右辺の切片より大きいから、太線で示す上辺の切片が対象切片となる。対象切片は、図１０の（ａ）、（ｂ）に示す他、例えば図１１の（ａ）〜（ｄ）に示す類型がある。
【００６６】
接触予定位置Ｆｓと新針跡Ｆｎの位置関係を維持しつつ、重なりを最小または０にするには、対象切片の垂直方向へ他方の辺の重なり部分を基準に接触予定位置Ｆｓを移動させることによって、接触予定位置Ｆｓの重なりを最小または０にすることができる。図１０の（ａ）に示す場合であれば図１２の（ａ）から同図の（ｂ）に示すように接触予定位置Ｆｓを左方向に他方の辺の重なり分だけ移動させると重なりが０になる。図１０の（ｂ）に示す場合であれば接触予定位置Ｆｓを下方向に他方の辺の重なり分だけ移動させると重なりが０になる。図１１の（ａ）の類型は図１０の類型を含み、対象切片に基づいて最適位置へ補正することができる。また、図１１の（ｂ）、（ｃ）に示す類型の場合にも一つの対象切片を含むため、接触予定位置Ｆｓを最適位置へ補正することができる。しかしながら、図１１の（ｄ）に示す類型の場合には、対象切片が複数あるため、最適位置を設定することができない。従って、図１１の（ｄ）の類型の場合には、最適位置への補正を行わない。
【００６７】
また、図９の（ａ）及び図１３に示すように接触予定位置Ｆｓが旧針跡Ｆ２及び新針跡Ｆｎの双方と重なっている場合には、重なりが０になるように接触予定位置Ｆｓを移動させることができない。この場合には、左右の重なりが均等になるように対象切片がその垂直方向へ移動するように接触予定位置Ｆｓを移動させる。このように重なり部分を左右に均等に分けることで双方の針跡における損傷を軽減することができる。図１３において、接触予定位置Ｆｓと新針跡Ｆｎの対象切片の長さをａｙ、他の重なり辺の長さをａｘとし、接触予定位置Ｆｓと旧針跡Ｆ２の対象切片の長さをｂｙ、他の重なり辺の長さをｂｘとすると、そのｘ方向への移動量ｘは次の式によって求めることができる。
ＳＬ（移動後の旧針跡との重なり面積）＝（ｂｘ−ｘ）×ｂｙ
ＳＲ（移動後の新針跡との重なり面積）＝（ａｘ＋ｘ）×ａｙ
ここでＳＬ＝ＳＲの関係からｘを求める。
（ｂｘ−ｘ）×ｂｙ＝（ａｘ＋ｘ）×ａｙ
よって、移動量ｘ＝（ｂｘｂｙ−ａｘａｙ）／（ａｙ＋ｂｙ）
となる。
【００６８】
このようにしてｘ方向の移動量を求めた後、ｙ方向の移動量をｘ方向の移動量と同一要領で求めて、接触予定位置Ｆｓを最適化する。
【００６９】
重なり量が左右で均等になる移動量ではなく、左右の重なり面積の合計が最小になる移動量や重なり幅（図１３ではａｘ、ｂｘ）が均等になるような移動量を求めても良い。
【００７０】
上述のようにしてｘ方向に最適化移動させるためには、予め既存値の隣接関係を表す、既存の針跡と接触予定位置をノードとする有向グラフ（以下、「隣接関係グラフ」と称す。）を作成しておき、隣接関係グラフから接触予定位置Ｆｓと関係する既存の針跡を特定し、既存の針跡との重なり幅等の評価量を求めると良い。
【００７１】
接触予定位置Ｆｓが図１４に示すように新針跡Ｆｎとパッシベーションエッジの双方と重なる場合には、パッシベーションエッジから一定距離だけ内側の辺を既存の針跡外接四角形の辺と同様に考えれば、上述した方法で新針跡Ｆｎとパッシペーションの間の最適位置に接触予定位置Ｆｓを移動させることができる。また、パッシベーションエッジから一定距離以上離す条件を満足しなければならない場合には、その条件を満たした上で、既存の新針跡Ｆｎとの重なりがなるべく小さくなる移動量を求める。尚、図１４において、破線の外側がパッシベーション層である。
【００７２】
尚、本実施形態では接触予定位置Ｆｓを最適位置Ｆｃに移動させる場合に、針跡の外接四角形を用いて移動量を求める方法について説明したが、実際の針跡領域を示す二値化画像を用いてビットマップ演算により重なり部分を計算しても良い。
【００７３】
以上説明したように本実施形態によれば、第１の実施形態と同一の手順で複数のプローブ１２Ａが次の検査で接触する接触予定位置Ｆｓをそれぞれ求めた後の工程として、複数の接触予定位置Ｆｓにそれぞれ配置された複数の針跡の抽出画像（外接四角形）Ｆｎが既存の針跡（外接四角形）Ｆ１と互いに重なる時にはその重なりが最小になる位置、即ち接触予定位置Ｆｓの対象切片をその垂直方向へ各接触予定位置Ｆｓを最短距離で移動させて、接触予定位置Ｆｓの補正をする工程を備えているため、接触予定位置Ｆｓを空き領域に効率よく配置して、既存の針跡Ｆ１、Ｆｎの損傷を抑制することができ、延いてはデバイスの損傷を抑制することができる外、第１の実施形態と同様に作用効果を期することができる。
【００７４】
第３の実施形態
本実施形態では、図１５に示すように既存の針跡の重心に対してボロノイ図を作成する。尚、本実施形態でも針跡は、第２の実施形態と同様に針跡の外接四角形で表されている。ボロノイ図とは、ある距離空間上の任意の位置に配置された複数個の点（母点）に対して、同一距離空間の点がどの母点に近いかによって領域分けされた図のことを云う。領域の境界線は、それぞれの領域の母点の二等分線の一部になる。図１５の（ａ）に示すように、ボロノイ境界線Ｌは、既存の針跡Ｆ１、Ｆ２、Ｆｎの重心から最も遠い位置であることになる。図１５の（ｂ）に示すように新針跡Ｆｎに基づいて求められた接触予定位置Ｆｓの重心からボロノイ境界線Ｌに最も近い位置が最適化後の最適位置Ｆｃになる。
【００７５】
本実施形態によれば、第２の実施形態において針跡Ｆ１、Ｆｓの外接四角形を用いて空き領域にプローブ１２の接触予定位置Ｆｓを効率よく配置する代わりに、既存の針跡Ｆ１、Ｆ２、Ｆｎのボロノイ図を用いて接触予定位置Ｆｓを効率よく配置することができ、第２の実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００７６】
尚、上記実施形態では被検査体の高温検査について説明したが、高温検査に限らずその他の種々の検査にも同様に適用することができる。本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行う検査装置に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明方法の一実施形態を実施するために用いられる検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す検査装置を用いる本発明の検査方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図３】図１に示すフローチャートの一部を更に詳細を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれデバイスの電極パッドにおけるプローブの針跡に基づいて位置ズレ量の補正を示す平面図で、（ａ）は旧針跡を示す図で、（ｂ）は理想上のプローブの針跡を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ第２の画像の電極パッド上の針跡から第１の画像の電極パッドの既存の針跡を用いて新たな針跡を抽出する工程を示す平面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の検査方法の他の実施意形態を説明する説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ電極パッドにおけるプローブの接触可能領域を示す平面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ電極パッドにおけるプローブの接触可能領域と次の検査で割り振るプローブの配置領域の関係を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ電極パッド内の空き領域内にプローブの接触予定位置を最適配置する方法を示す説明するための平面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置と既存の針跡の重なった状態を説明するための平面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれプローブの接触予定位置と既存の針跡の重なった状態を説明するための平面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する方法を説明するための平面図である。
【図１３】プローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する方法を具体的に説明するための平面図である。
【図１４】プローブの接触予定位置がパッシベーション層に掛かった時の最適位置へ移動させて接触予定位置を補正する方法を説明するための平面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれプローブの接触予定位置を最適位置へ移動させて補正する他の方法を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０    検査装置（検査装置）
１１    載置台（載置台）
１２    プローブカード
１２Ａ  プローブ
１３Ａ  ＣＣＤカメラ
１５    制御装置（コンピュータ）
１５Ａ  中央演算処理部
Ｄ  デバイス
Ｆ  旧針跡（針跡）
Ｆｎ  新針跡
Ｆｓ  抽出画像
Ｐ    電極パッド
Ｗ    半導体ウエハ（被検査体）
【図１】
0004997127.tif 000002
【図２】
0004997127.tif 000003
【図３】
0004997127.tif 000004
【図４】
0004997127.tif 000005
【図５】
0004997127.tif 000006
【図６】
0004997127.tif 000007
【図７】
0004997127.tif 000008
【図８】
0004997127.tif 000009
【図９】
0004997127.tif 000010
【図１０】
0004997127.tif 000011
【図１１】
0004997127.tif 000012
【図１２】
0004997127.tif 000013
【図１３】
0004997127.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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