(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域にゲート線とソース線とを間にゲート絶縁膜を介してマトリクス状に配設する
と共に基板の一辺近傍に線状の接続端子を設けて、前記ゲート線及びソース線と前記接続
端子とを前記表示領域の周囲に複数本の引回し線で接続した第１基板と、該第１基板と略
同じ形状を有する対向基板と、を備え、前記第１基板と対向基板とを貼り合わせた後、前
記対向基板の一部を切除して前記第１基板の前記接続端子を露出させた張出し部分を設け
た液晶パネルにおいて、
前記引回し線は、隣接する２本の引回し線を組にして第１絶縁膜を介して上下に重ねて
配設すると共に、前記組にした引回し線のうち上方の引回し線を第２絶縁膜で覆い、下方
の引回し線で前記ゲート線及び前記接続端子間を接続し、前記上方の引回し線は、その一
端を前記表示領域の近傍で前記第１、第２絶縁膜にコンタクトホールを形成して前記ゲー
ト線に接続し、他端を前記対向基板の切除部から離れた前記表示領域側で前記第１、第２
絶縁膜にコンタクトホールを形成して前記第１絶縁膜の下方に配設した接続線に接続して
、前記接続線を前記接続端子に接続したことを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記第１絶縁膜に第１コンタクトホール、前記第２絶縁膜に第２コンタクトホールをそ
れぞれ形成し、前記第１、第２コンタクトホールに接続電極を挿入して、前記上方の引回
し線と前記ゲート線及び前記上方の引回し線と前記接続線とをブリッジ接続したことを特
徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記接続電極は、前記表示領域内の画素電極と同一材料及び同一工程で形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記引回し線の幅長は、前記線状の接続端子の幅長より幅広に形成したことを特徴とす
る請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項５】
前記下方の引回し線は前記ゲート線と同一材料及び同一構成で形成され、前記上方の引
回し線は前記ソース線と同一材料及び同一構成で形成され、前記第１絶縁膜は前記ゲート
絶縁膜と同一材料及び同一構成で形成され、前記第２絶縁膜は前記ソース線を被覆する保
護絶縁膜と同一材料及び同一構成で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液
晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶パネルに係り、詳しくは表示領域の周辺に引回される配線を工夫して狭額
縁化した液晶パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、各種の電子機器、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機やその
他の携帯用情報端末等の表示装置に多く使用されている。近年、特に携帯電話機は、本来
の通話機能に加えて、電子メール機能、ナビゲーション機能、支払い決済機能及びテレビ
ジョン機能等多種多様のソフトウエアが搭載されて急激な進化を遂げてきている。このよ
うな状況から、この液晶パネルは、本来の薄型、小型及び軽量であるといった利点を保持
しながらも、一方で表示画面の拡大及び高精細化が要求されている。これらの要求に対応
するために、小型サイズを保持しながら有効表示領域を大きくした液晶パネルが開発され
ており、特許文献でも紹介されている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
図５は下記特許文献１に記載された液晶パネル基板に配線された導電パターンを示し、
図５Ａは導電パターンの一部平面図、図５Ｂは図５ＡのＶＢ−ＶＢ線の断面図、図５Ｃは
図５Ａの導電パターン変換部を拡大した断面図である。
【０００４】
下記特許文献１に開示された液晶表示装置１５は、図５に示すように、アレイ基板１６
と、この基板に対向配置される対向基板（図示省略）とを有し、これらの基板は間にシー
ル材を介在して貼り合わされて内部に所定の大きさの空間が形成されて、この空間に液晶
が注入された構成を有している。
【０００５】
アレイ基板１６は、所定大きさの表示領域と周辺領域とに区画されている。表示領域に
は、複数本のソース線１７とゲート線１８とがマトリクス状に配設されて、これらの配線
が交差する交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている。周辺領域には、一辺に
ゲート及びソース側ドライバが配設されており、他辺には各ソース線及びゲート線と外部
接続端子１７Ｔ、１８Ｔとを接続する導電パターンが形成されている。これらの導電パタ
ーンは、第１導電パターン１９と第２導電パターン２１とからなり、これら第１、第２導
電パターン１９、２１は、間に層間絶縁膜２０介して２層構造に配設され導電パターン変
換部２２において層間絶縁膜２０を介して接続されている。各導電パターン変換部２２は
、層間絶縁膜２０に形成されたコンタクト穴ＣＴを通して第１導電パターン１９と第２導
電パターン２１とを電気的に接続する構成となっている。
【０００６】
この構成によると、２本の導電パターンが２層構造に配設されるので、１本分のスペー
スに２本の導電パターンを配設することが可能となる。その結果、全体のパネルサイズを
大きくすることなく、周辺領域を狭くして狭額縁化を図ることができ、表示エリアの拡大
が可能になる。
【特許文献１】特開平９−３１１３４１号公報（段落〔０００９〕、〔００１０〕、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この種の液晶パネルは、通常、複数枚のパネルを同時に製造できる大きさのＴＦＴアレ
イ基板用のマザー基板（以下、ＴＦＴマザー基板という）と、このマザー基板に貼り合わ
されるカラーフィルタ基板用のマザー基板（以下、ＣＦマザー基板という）との２枚のマ
ザー基板を用い、各種の製造工程を経て製造されている。この製造工程では、まず、一方
のＴＦＴマザー基板に複数のパネル領域を区画して、これらパネル領域のうちの表示領域
内に、ゲート線、ソース線及びＴＦＴ等を設ける。次いで、表示領域の周囲にシール材を
塗布する。その後、ＴＦＴマザー基板をＣＦマザー基板と貼り合せ、貼り合されたマザー
基板を個々のパネルに分断する。さらに、分断された個々のパネルに液晶を封入する。
【０００８】
ところで、この製造工程には、ＴＦＴマザー基板とＣＦマザー基板とを貼り合わせた後
に、ＣＦ基板の一部を切除してアレイ基板の張出し部を露出させる切断工程が含まれてお
り、この際に、周辺領域に配設されている導電パターンが切除片に付着して剥がれたり、
切除片の端部で切断されたりする等してパネル不良が発生することがある。なお、上記特
許文献１の液晶表示装置では、積層構造上側に位置する第２導電パターンが露出されるた
め、対向基板を切除する際に断線される恐れがある。
【０００９】
そこで、本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたものであって
、本発明の目的は、狭額縁化を図って有効表示領域の拡大を図ると同時に、この狭額縁化
に伴い製造工程で発生し易い引回し配線の断線を防止した液晶パネルを提供することにあ
る。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の液晶パネルの発明は、表示領域にゲート線とソー
ス線とを間にゲート絶縁膜を介してマトリクス状に配設すると共に基板の一辺近傍に線状
の接続端子を設けて、前記ゲート線及びソース線と前記接続端子とを前記表示領域の周囲
に複数本の引回し線で接続した第１基板と、該第１基板と略同じ形状を有する対向基板と
、を備え、前記第１基板と対向基板とを貼り合わせた後、前記対向基板の一部を切除して
前記第１基板の前記接続端子を露出させた張出し部分を設けた液晶パネルにおいて、
前記引回し線は、隣接する２本の引回し線を組にして第１絶縁膜を介して上下に重ねて
配設すると共に、前記組にした引回し線のうち上方の引回し線を第２絶縁膜で覆い、下方
の引回し線で前記ゲート線及び前記接続端子間を接続し、前記上方の引回し線は、その一
端を前記表示領域の近傍で前記第１、第２絶縁膜にコンタクトホールを形成して前記ゲー
ト線に接続し、他端を前記対向基板の切除部から離れた前記表示領域側で前記第１、第２
絶縁膜にコンタクトホールを形成して前記第１絶縁膜の下方に配設した接続線に接続して
、前記接続線を前記接続端子に接続したことを特徴とする。
【００１１】
上記態様によれば、上方の引回し線は、その一端を表示領域の近傍でゲート線に接続し
、他端を対向基板の切除部から離れた表示領域側で接続端子に繋がれた接続線に接続した
ので、対向基板の一部切除時に、上方の引回し線と接続線との接続箇所に影響を及ぼすこ
とがなく切除片を第１基板から剥離することができる。また、この上方の引回し線は第１
、第２絶縁膜に被覆された接続線に接続されて、接続線が張出し部分に引回されるので、
この接続線は第１、第２絶縁膜により切除片から保護されるので、断線等を生じる可能性
も抑制できる。更に、引回し線は、周辺領域で２層構造に配設されるので、１本分のスペ
ースで２本の引回し線を配設されるので、パネルサイズを大きくすることなく周辺領域の
スペースを狭くして表示領域を広げることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様において、前記第１絶縁膜に第１コンタクトホール、前記第２絶
縁膜に第２コンタクトホールをそれぞれ形成し、前記第１、第２コンタクトホールに接続
電極を挿入して、前記上方の引回し線と前記ゲート線及び前記上方の引回し線と前記接続
線とをブリッジ接続したことを特徴とする。
【００１３】
上記態様によれば、第１、第２コンタクトホールは、画素電極とドレイン電極を同通さ
せる為のコンタクトホールを形成する際に同時形成できるので、上方の引回し線とゲート
線及び上方の引回し線と接続線とのブリッジ接続が容易に行えるようになる。
【００１４】
また、本発明の一態様において、前記接続電極は、前記表示領域内の画素電極と同一材
料及び同一工程で形成されていることを特徴とする。
【００１５】
上記態様によれば、特別な材料を使用することなく、しかも工程数を増やすことなく簡
単に接続電極を形成できる。
【００１６】
また、本発明の一態様において、前記引回し線の幅長は、前記線状の接続端子の幅長よ
り幅広に形成したことを特徴とする。
【００１７】
上記態様によれば、引回し線の電気抵抗を小さくすることができる上に、線幅が広くな
るので断線対策にもなる。
【００１８】
また、本発明の一態様において、前記下方の引回し線は前記ゲート線と同一材料及び同
一構成で形成され、前記上方の引回し線は前記ソース線と同一材料及び同一構成で形成さ
れ、前記第１絶縁膜は前記ゲート絶縁膜と同一材料及び同一構成で形成され、前記第２絶
縁膜は前記ソース線を被覆する保護絶縁膜と同一材料及び同一構成で形成されていること
を特徴とする。
【００１９】
上記態様によれば、特別な材料を使用することなく、しかも工程数を増やすことなく簡
単に、表示領域内の電極等の形成と同時に作成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶パネルを例示するものであって、本発明を
この液晶パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその
他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【００２１】
図１は液晶パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したＴＦＴアレイ基板の概略平面
図である。図２Ａは図１のIIＡ−IIＡ線の断面図、図２Ｂは図１のIIＢ−IIＢ線の断面図
である。図３は図１のIIIＡ部分を示したもので、図３Ａは平面図、図３Ｂは図３ＡのIII
Ｂ−IIIＢ線の断面図である。図４Ａは図１のIVＡ部分の平面図、図４Ｂは図４ＡのIVＢ
−IVＢ線の断面図である。
【実施例１】
【００２２】
図１及び図２を参照して、本発明の実施例に係る液晶パネルの概要を説明する。
液晶パネル１は、アクティブマトリクス方式を採用したものであって、一対の矩形状の
透明材料、例えば、それぞれガラス基板からなるＴＦＴアレイ基板（以下、ＡＲ基板とい
う）２と、これに対向配置されるカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）６と、を
有する。ＡＲ基板２は、ＣＦ基板６と対向配置させたときに張出し部分２ａ'が形成され
るようにＣＦ基板６よりサイズが大きいものが使用される。液晶パネル１は、これらＡＲ
基板２及びＣＦ基板６の外周囲にシール材８を塗布して、両基板を貼り合わせて内部に所
定大きさの空間を形成し、この空間にスペーサ９を配設するとともに、この空間内に液晶
１０を注入して構成される。ＡＲ基板２上には、画素電極、各種配線及び絶縁膜等が設け
られているが、これらは図２Ａに構造物３として図示されている。
【００２３】
ＡＲ基板２は、図１において、上下方向に対向する短辺２ａ、２ｂ及び左右方向に対向
する長辺２ｃ、２ｄを有する縦長な長方形状をなし、下方には、ＣＦ基板６から張出す張
出し部分２ａ'が設けられている。この張出し部分２ａ'は、液晶１０を駆動する液晶駆動
用ＩＣドライバが実装されるチップ実装領域となっている。この張出し部分２ａ'は、Ａ
Ｒ基板２とＣＦ基板６とを積層して貼合せた後に、上側に位置するＣＦ基板６をスクライ
ブ線に沿って切断することによって形成される。スクライブ線は、図１において点線で示
されている。
【００２４】
張出し部分２ａ'には、ゲート駆動ドライバＧＤＬ、ＧＤＲ及びソース駆動ドライバＳ
Ｄが搭載されるＩＣチップ実装領域Ｓ１〜Ｓ３が区画されている。それぞれのＩＣチップ
実装領域Ｓ１〜Ｓ３内には、各ドライバに接続される複数個の実装端子ｔ１、ｔ２が設け
られて、これらの実装端子ｔ１、ｔ２は、後述する引回し線Ｌ１〜ＬＮに接続されるよう
になっている。これらの実装端子ｔ１、ｔ２は、線状の接続端子で形成されている。
【００２５】
各ＩＣチップ実装領域Ｓ１〜Ｓ３には、組立て時にゲート駆動ドライバＧＤＬ、ＧＤＲ
及びソース駆動ドライバＳＤが搭載される。また、各ＩＣチップ実装領域Ｓ１〜Ｓ３から
短辺２ａに向かって複数本の外部接続端子Ｔが導出されている。これらの外部接続端子Ｔ
には、不図示のフレキシブル配線基板が接続される。
【００２６】
また、ＡＲ基板２は、中央部に表示領域ＤＡが配され、その左右に周辺領域ＰＡＬ、Ｐ
ＡＲ、底部に周辺領域ＰＡＢがそれぞれ区画されている。表示領域ＤＡには、ＣＦ基板６
と対向する面、すなわち、液晶と接触する面に、Ｃｒ、Ｍｏ−Ｔａ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ等
の金属からなる複数本のゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎと、Ａｌ等の金属からなる複数本のソー
ス線ＳＷ１〜ＳＷｎとがゲート絶縁膜４を介してマトリクス状に配設される。これらのゲ
ート線ＧＷ１〜ＧＷｎとソース線ＳＷ１〜ＳＷｎとが交差する箇所には、ゲート線ＧＷ１
〜ＧＷｎからの走査信号によってオン状態となるスイッチング素子（例えばＴＦＴ）及び
ソース線ＳＷ１〜ＳＷｎからの映像信号がスイッチング素子を介して供給される画素電極
が形成されている。
【００２７】
複数本のゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎは、上方の短辺２ｂから下方の短辺２ａへ向けて、所
定の等ピッチでそれぞれ平行に横列に配設されている。これらのゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎ
は、奇数番目のゲート線ＧＷ１、ＧＷ３、ＧＷ５、・・・と、偶数番目のゲート線ＧＷ２
、ＧＷ４、ＧＷ６、・・・とが左右にそれぞれ延在されており、各周辺領域ＰＡＬ、ＰＡ
Ｒにまで達している。
【００２８】
これらのゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎは、窒化シリコンや酸化シリコン等の透明絶縁材料か
らなるゲート絶縁膜４で覆われて、ゲート絶縁膜４の上に複数本のソース線ＳＷ１〜ＳＷ
ｎが各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎと交差するように配設されている。すなわち、これらのソ
ース線ＳＷ１〜ＳＷｎは、左側の長辺２ｃから右側の長辺２ｄへ向けて所定の等ピッチで
それぞれ平行に縦列に配設されている。これらのソース線ＳＷ１〜ＳＷｎは下方端が周辺
領域ＰＡＢまで延在されており、ＩＣチップ実装領域Ｓ２内の実装端子ｔ２に接続される
ようになっている。また、これらのソース線ＳＷ１〜ＳＷｎは保護絶縁膜（パッシベーシ
ョン膜ともいう）５で覆われている。
【００２９】
この配線構造により、ＡＲ基板２上にあって、各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎは、ゲート絶
縁膜４の下側に位置する下位配線となり、各ソース線ＳＷ１〜ＳＷｎはゲート絶縁膜４の
上側に位置する上位配線となっている。
【００３０】
左右の周辺領域ＰＡＬ、ＰＡＲには、それぞれゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎに接続されるゲ
ート引回し線（以下、単に引回し線という）Ｌ１〜Ｌｎが配設される。これらの引回し線
Ｌ１〜Ｌｎのうち、奇数番目のゲート線ＧＷ１、ＧＷ３、ＧＷ５、ＧＷ７、・・・は、図
１における右側の周辺領域ＰＡＲに設けられた引回し線Ｌ１、Ｌ３、Ｌ５、Ｌ７、・・・
に接続されている。また、偶数番目のゲート線ＧＷ２、ＧＷ４、ＧＷ６、ＧＷ８、・・・
は、左側の周辺領域ＰＡＬに設けられた引回し線Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８、・・・に接続
されている。
【００３１】
左右の周辺領域ＰＡＬ、ＰＡＲにおける各引回し線Ｌ１〜Ｌｎは、隣接する２本の引回
し線を第１絶縁膜４を間に介して上下に重ねて配設される。すなわち、右側の周辺領域Ｐ
ＡＲでは、互いに隣接する２本の第１、第２引回し線、例えば引回し線Ｌ１、Ｌ３及び引
回し線Ｌ５、Ｌ７を１組として、図２Ｂに示すように、ＡＲ基板２上に設けられた第１引
回し線Ｌ１、Ｌ５を第１絶縁膜４で覆い、この第１絶縁膜４上の、第１引回し線Ｌ１、Ｌ
５と平面視で重なる位置に第２引回し線Ｌ３、Ｌ７が配設される。また、左側の周辺領域
ＰＡＬの引回し線Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８・・・も同様に、例えば引回し線Ｌ２、Ｌ４及
び引回し線Ｌ６、Ｌ８を１組として２層に配線される。上側の引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７
、Ｌ８・・・は、第２絶縁膜５で覆われる。これら上下の引回し線は、線状の接続端子の
幅長より広く形成され、実装端子ｔ１、ｔ２に接続されている。引き回し線Ｌ１〜Ｌｎの
線幅を、夫々幅広にすることにより電気抵抗を小さくできる。従来はゲート線ＧＷ１〜Ｇ
Ｗｎを周辺領域ＰＡＬ、ＰＡＲまで伸延し、周辺領域引き回し線Ｌ１〜Ｌｎと電気的に接
続していた為、平面視ではＧＷ１〜ＧＷｎの夫々の引き回し配線が形成されていた。その
結果、配線占有面積を多く取らないと配置できない為、額縁部の配線間隔が必然的に狭く
なってしまっていた。そこで本発明の引き回し配線Ｌ１〜Ｌｎはゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎ
を絶縁膜４を介して引き回し配線を重ねて形成できるので、平面視では従来の配線占有率
の１／２となる。そのため、引き回し配線の線幅を従来の引き回し配線の１．５倍にして
も、従来のものよりは配線占有率は少ない。なお、上記第１絶縁膜４及び第２絶縁膜５は
、それぞれゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜５と同一材料で同一工程により形成されるもの
であるので、符号を共通にして記載している。
【００３２】
これらの引回し線Ｌ１〜Ｌｎは、一端が各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎに接続され、他端が
各ＩＣチップ実装領域Ｓ１、Ｓ３内の実装端子ｔ１に接続される。各引回し線Ｌ１〜Ｌｎ
の一端部と各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎとの接続は、それぞれ左右の周辺領域ＰＡＬ、ＰＡ
Ｒで行われる。すなわち、ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎと各引回し線Ｌ１〜Ｌｎとの接続は、
各ゲート線ＧＷ１〜ＧＷｎの全てがゲート絶縁膜４の下方に位置する下位配線で構成され
ているので、ゲート絶縁膜４の下方に位置する下方の引回し線（以下、下位引回し線とい
う）、例えば引回し線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ５、Ｌ６・・・とゲート線ＧＷ１、ＧＷ２、ＧＷ５
、ＧＷ６・・・とは、ＡＲ基板２上で直接接続される。この下位引回し線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ
５、Ｌ６・・・は、表示領域ＤＡ内のゲート線と同じ材料を使用して、このゲート線と同
時に形成されている。
【００３３】
一方、第１絶縁膜４の上方に位置する引回し線（以下、上位引回し線という）Ｌ３、Ｌ
４、Ｌ７、Ｌ８・・・とゲート線ＧＷ３、ＧＷ４、ＧＷ７、ＧＷ８・・・とは、間に第１
絶縁膜４が介在されているので直接接続することができない。そこで、これらの上位引回
し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・とゲート線ＧＷ３、ＧＷ４、ＧＷ７、ＧＷ８・・・と
は、第１及び第２絶縁膜４、５にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール間を
接続電極１１で電気的に接続することで接続される。この上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７
、Ｌ８・・・は、表示領域ＤＡ内のソース線ＳＷ１〜ＳＷｎと同じ材料を使用して、この
ソース線ＳＷ１〜ＳＷｎと同時に形成されている。
【００３４】
図３を参照して、上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・とゲート線ＧＷ３、ＧＷ
４、ＧＷ７、ＧＷ８・・・との接続構造について詳述する。なお、以下の説明においては
、複数本の上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・及びゲート線ＧＷ３、ＧＷ４、Ｇ
Ｗ７、ＧＷ８・・・のうち、１つの上位引回し線Ｌ３とゲート線ＧＷ３との接続状態を代
表して説明し、その他の配線構造については上位引回し線Ｌ３とゲート線ＧＷ３との接続
状態と同一のものとして説明を省略する。
【００３５】
上位引回し線Ｌ３とゲート線ＧＷ３との接続に際しては、先ず、上記引回し線Ｌ３の端
部とゲート線ＧＷ３の端部とはそれぞれ近接する位置まで延在させて配置する。そして、
延在されたそれぞれの端部の上部に積層配置された第１及び第２絶縁膜４、５にコンタク
トホールを形成する。このコンタクトホールは、ゲート線ＧＷ３の端部の上部に形成され
た第１及び第２絶縁膜４、５に形成された第１、第２コンタクトホール４１、５１と、引
回し線Ｌ３の端部の上部に形成された第２絶縁膜５に設けられた第２コンタクトホール５
２とから構成される。そして、これらの第１、第２コンタクトホール４１、５１、５２に
接続電極１１の両端部１１１及び１１２を挿入することにより、この接続電極１１でブリ
ッジ接続される。接続電極１１は、インジウム錫酸化物膜（ＩＴＯ）で形成される。この
接続電極１１をＩＴＯで形成することにより、表示領域ＤＡ内の画素電極材料と同じにな
り、同じ工程で形成できるので、工数を増やすことなく簡単に形成できる。
【００３６】
また、各引回し線Ｌ１〜Ｌｎの他端部と各実装端子ｔ１との接続は、左右周辺領域ＰＡ
Ｌ、ＰＡＲ、底部周辺領域ＰＡＢ及び各ＩＣチップ実装領域Ｓ１、Ｓ３内で行われる。こ
れらの接続で各ＩＣチップ実装領域Ｓ１、Ｓ３内の複数本の実装端子ｔ１は、第１絶縁膜
４とＡＲ基板２の間の層に位置しているので、第１絶縁膜４の下方に位置する下位引回し
線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ５、Ｌ６・・・と複数本の実装端子ｔ１とは、ＡＲ基板２上で直接接続
される。すなわち、第１絶縁膜４の下方に位置する下位引回し線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ５、Ｌ６
・・・はその他端部をそのまま実装端子ｔ１まで延長してＡＲ基板２上で直接接続される
。
【００３７】
一方、第１絶縁膜４の上方に位置する上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・と、
実装端子ｔ１とは、間に第１絶縁膜４が介在されているので直接接続することができない
。そこで、これらの上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・と実装端子ｔ１とは、製
造工程の基板切断工程においてＣＦ基板６の一部が切除される切断箇所から所定距離離れ
たＣＦ基板側、すなわち、スクライブ線から離れた表示エリア側で配線される層が変更さ
れる。
【００３８】
図４を参照して、上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・と実装端子ｔ１との接続
を説明する。なお、以下の説明においては、複数本の上位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ
８・・・のうち、１つの上位引回し線Ｌ３の接続状態を代表して説明し、その他の配線構
造については上位引回し線Ｌ３との接続状態と同一のものとして説明を省略する。
【００３９】
上位引回し線Ｌ３と実装端子ｔ１とは、上位引回し線Ｌ３の他端部と実装端子ｔ１との
間を接続する接続線Ｌ'を用いて接続される。この接続線Ｌ'は、下位引回し線Ｌ１、Ｌ２
、Ｌ５、Ｌ６・・・と同じ材料を用いて同一工程で形成されているので、この接続線Ｌ'
は第１絶縁膜４で覆われている。上位引回し線Ｌ３と実装端子ｔ１との接続は、先ず、上
記引回し線Ｌ３の端部と接続線Ｌ'の端部とは、底部周辺領域ＰＡＢにおいてそれぞれ近
接する位置まで延在させて配置する。そして、延在されたそれぞれの端部の上部に積層配
置された第１及び第２絶縁膜４、５にコンタクトホールを形成する。このコンタクトホー
ルは、接続線Ｌ'の端部の上部に形成された第１及び第２絶縁膜４、５に形成された第１
、第２コンタクトホール４１、５１と、上位引回し線Ｌ３の端部の上部に形成された第２
絶縁膜５に設けられた第２コンタクトホール５２とから構成される。そして、これらの第
１、第２コンタクトホール４１、５１、５２に接続電極１１の両端部１１１及び１１２を
挿入することにより、この接続電極１１でブリッジ接続される。この接続電極１１は、上
位引回し線Ｌ３、Ｌ４、Ｌ７、Ｌ８・・・とゲート線ＧＷ３、ＧＷ４、ＧＷ７、ＧＷ８・
・・とを接続している接続電極１１と同様、ＩＴＯで形成されており、表示領域ＤＡ内の
画素電極材料と同じ材料、同じ工程で形成できる。
【００４０】
このように上位、下位引回し線を間に絶縁膜を介して上下に重ね２層構造にすると、１
本分のスペースで２本分の引回し線を配設できるので、左右の周辺領域のスペースを狭く
できる。これにより、パネルを大きくすることなく表示領域を拡大できる。
【００４１】
一方ＣＦ基板６は、ＡＲ基板２のゲート線やソース線に対応する位置に遮光層が配置さ
れ、この遮光層によって区画された領域にカラーフィルタが設けられている。これらカラ
ーフィルタ等の具体的な構成は図示しないが、図２Ａではこれらを模式的に構造物７とし
て示してある。このカラーフィルタの上に酸化インジウム、酸化スズ等で構成された透明
材料からなる対向電極が設けられ、この対向電極の上に配向膜が形成されている。
【００４２】
このように構成したＡＲ基板２とＣＦ基板６とは、両基板貼り合わせ工程、液晶注入工
程、液晶注入口の封止工程等を経て液晶パネルへと製造される。しかしながらが、この製
造工程でＡＲ基板２の張出し部２ａ'を露出させるためのＣＦ基板６のスクライブ線から
切除しても、引回し線Ｌ１〜Ｌｎと接続線Ｌ'との接続箇所が表示エリア側に位置してい
るので、切除片を除去する際に引回し線Ｌ１〜Ｌｎが影響を受けて剥がれたり切除片の端
部で切断されたりする等してパネル不良が発生することがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】液晶パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したアクティブマトリクス基板の概略平面図である。
【図２】図２Ａは図１のIIＡ−IIＡ線の断面図、図２Ｂは図１のIIＢ−IIＢ線の断面図である
【図３】図１のIIIＡ部分を示したものであり、図３Ａは平面図、図３Ｂは図３ＡのIIIＢ−IIIＢ線の断面図である。
【図４】図４Ａは図１のIVＡ部分の平面図、図４Ｂは図４ＡのIVＢ−IVＢ線の断面図である。
【図５】図５は従来技術の液晶パネル基板に配線された導電パターンを示す。
【符号の説明】
【００４４】
１：液晶パネル  ２：ＴＦＴアレイ基板  ２ａ'：張出し部分  ４：ゲート絶縁膜、第
１絶縁膜  ４１：第１コンタクトホール  ５：保護絶縁膜、第２絶縁膜  ５１、５２：第
２コンタクトホール  ６：カラーフィルタ基板  ８：シール材  １０：液晶  １１：接続
電極  ＤＡ：表示領域  ＰＡＬ、ＰＡＲ：周辺領域  ＧＷ１〜ＧＷｎ：ゲート線  ＳＷ１
〜ＳＷｎ：ソース線  Ｌ１〜Ｌｎ：引回し線  Ｌ'：接続線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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