(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄流体を空間に導入する入口、少なくとも部分的に前記空間を規定する洗浄対象表面、及び
前記空間の少なくとも一部の周囲を密封して、前記空間を囲む気体が前記洗浄流体と接触するのを阻止する、液体で構成された液体シール、
を備える液浸リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記洗浄流体が前記空間を去ることができるようにする出口をさらに備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記液体シールが、液体を供給する入口及び液体を除去する出口を備える、請求項１又は２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４】
前記液体供給入口が、前記液体除去出口より前記空間に近い、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項５】
前記洗浄流体を導入する前記入口、前記液体供給入口及び前記液体除去出口が、少なくとも部分的に前記空間を規定する表面を有する流体ハンドリング構造内に形成される、請求項４に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記洗浄される表面が基板テーブルの上面である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項７】
前記空間内で前記洗浄流体を攪拌するための洗浄アクセラレータデバイスをさらに備える、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記洗浄流体が発泡性洗浄流体である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記洗浄流体を導入する前記入口、及び前記液体シールが、少なくとも部分的に前記空間を規定する流体ハンドリング構造上にある、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記洗浄流体を導入する前記入口、前記液体供給入口及び前記液体除去出口が、基板テーブル上に配置される、請求項４に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板を支持する基板テーブル、及び
投影システムと前記基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造、を備え、
前記基板テーブルが、前記基板テーブルの残りの部分から断熱されている上面の断熱領域を備え、前記断熱領域が、前記投影システムの下から前記基板テーブルが移動する間に前記流体ハンドリング構造の下を通過する前記基板テーブルの縁部に隣接しており、
前記基板テーブル上面の断熱領域が、前記流体ハンドリング構造によって液体が適用される領域より大きい面積を有する、液浸リソグラフィ装置。
【請求項１２】
投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造、
表面を備える洗浄ステーション、
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封して、洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止する、前記入口の半径方向内側のシール、
を備える液浸リソグラフィ装置。
【請求項１３】
投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置の洗浄ステーションであって、
表面、
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封して、洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止する、前記入口の半径方向内側のシール、
を備える洗浄ステーション。
【請求項１４】
液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
洗浄される表面によって少なくとも部分的に規定された空間へと、入口を通して洗浄流体を導入すること、及び
前記空間の少なくとも一部の周囲を密封して、前記空間を囲む気体が前記洗浄流体と接触するのを阻止する、液体で構成された液体シールを提供すること、を含む方法。
【請求項１５】
断熱領域を備える基板テーブル上で基板を支持すること、
流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと前記基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供することであって、前記断熱領域が前記基板テーブルの残りの部分から断熱された上面の部分である、該提供すること、及び
前記基板テーブルが前記投影システムの下から移動する間に、前記断熱領域を前記流体ハンドリング構造の下に通すことを含み、前記断熱領域が前記基板テーブルの縁部に隣接して配置され、
前記基板テーブル上面の断熱領域が、前記流体ハンドリング構造によって液体が適用される領域より大きい面積を有する、デバイス製造方法。
【請求項１６】
液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供すること、
入口からの洗浄流体を前記流体ハンドリング構造と洗浄ステーションの表面の間に提供すること、及び
洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止するために、前記入口の半径方向内側に配置されたシールを使用して前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封すること、を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は液浸リソグラフィ装置及び液浸リソグラフィ装置の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。実施形態では液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本明細書の実施形態は液体に関して説明される。しかし、別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なことがある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることができることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族及び／又はフルオロハイドロカーボンなどの炭化水素、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  提案されている構成の１つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを使用して、基板の局所領域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供する（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
[0006]  局所液体供給システムがある液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、投影される投影ビームが通る穴が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去されて、投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組み合わせの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは不活性である）。
【０００７】
[0007]  提案されている別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間にある空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を、液体供給システムに備えることである。このような構成が図５に図示されている。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止していてよいが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。液体閉じ込め部と基板の表面との間にシールが形成される。実施形態では、シールは液体閉じ込め構造と基板の表面との間に形成され、ガスシールなどの非接触シールでよい。このようなシステムが、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
【０００８】
[0008]  それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開第ＥＰ１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置は、基板を支持する２つのテーブルを備える。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【０００９】
[0009]  ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５号は、液浸液が閉じ込められないオールウェット液浸構成を開示している。このようなシステムは、基板の上面全体が液体で覆われる。これは、基板の上面全体が実質的に同じ状態に曝露しているので有利なことがある。これは、基板の温度制御及び処理にとって利点を有する。ＷＯ２００５／０６４４０５号では、液体供給システムが投影システムの最終要素と基板の間のギャップに液体を提供する。この液体は、基板の残りの部分の上に漏れることができる。基板テーブルの縁部にあるバリアは、液体が逃げるのを防止し、したがって制御された方法で基板テーブルの上面からこれを除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御及び処理を改良するが、それでも液浸液の蒸発が生じることがある。その問題の軽減に役立つ１つの方法が、米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。全ての位置で基板Ｗを覆い、液浸液を自身と基板及び／又は基板を保持する基板テーブルの上面との間に延在させるように構成された部材が提供される。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  液浸リソグラフィ機械で遭遇する１つの問題は、液浸システム内及び基板の表面上に汚染粒子が発生することである。液浸システム内の粒子の存在は、例えば投影システムと露光中の基板との間に粒子が存在する場合、露光プロセス中に欠陥の発生を引き起こすことがある。汚染は、例えば流体閉じ込めシステムの性能に悪影響を及ぼすことがある。したがって、液浸システム内の粒子の存在を減少させることが望ましい。したがって、液浸リソグラフィ内に洗浄システムがあることが望ましい。洗浄は、特定の洗浄流体とレンズ及び他の光学コーティングとの互換性がないので、問題になることがある。
【００１１】
[0011]  基板テーブル上の液体の存在は熱偏差を引き起こす。このような熱偏差が規則的に発生する（例えば基板テーブル上の液浸システムの同じ経路で発生する）場合、これを予想及び／又は補償することができる。しかし、液体供給システムが特定の位置で（例えば洗浄中、又は次の基板が準備されるのを待機している間に）通常より長い時間を費やすことになる異常事象は、基板テーブルの不規則な熱膨張／収縮効果につながることがある。このような不規則な熱膨張／収縮効果は、結像欠陥、特にオーバーレイエラーにつながることがある。
【００１２】
[0012]  液浸リソグラフィ装置の部分を洗浄するシステムを提供することが望ましい。さらに、液体供給システムを基板テーブルに対して特定の位置に長期間配置することにより導入されるエラーを軽減するか、最小化する方法を提供することが望ましい。
【００１３】
[0013]  本発明の態様によれば、洗浄流体を空間に導入する入口、少なくとも部分的に空間を規定し、洗浄される表面、及び空間の少なくとも一部の周囲を密封して、空間を囲む流体が空間に入るのを阻止する液体シール、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
[0014]  本発明の態様によれば、基板を支持する基板テーブル、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造を備え、基板テーブルが、基板テーブルの残りの部分から断熱されている上面の断熱領域を備え、断熱領域が、投影システムの下から基板テーブルが移動する間に流体ハンドリング構造の下を通過する基板テーブルの縁部に隣接している液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の態様によれば、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造、表面を備える洗浄ステーション、流体ハンドリング構造と表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び流体ハンドリング構造と表面の間を密封して、洗浄流体が投影システムへと通過するのを阻止する、入口の半径方向内側のシール、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の態様によれば、投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置の洗浄ステーションが提供され、洗浄ステーションは、表面、流体ハンドリング構造と表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び流体ハンドリング構造と表面の間を密封して、洗浄流体が投影システムへと通過するのを阻止する、入口の半径方向内側のシール、を備える。
【００１７】
[0017]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、方法は、洗浄される表面によって少なくとも部分的に規定された空間へと、入口を通して洗浄流体を導入すること、及び空間を囲む流体が空間に入るのを阻止するために、空間の少なくとも一部の周囲で液体シールを密封すること含む。
【００１８】
[0018]  本発明の態様によれば、断熱領域を備える基板テーブル上で基板を支持すること、流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供することを含み、断熱領域が、基板テーブルの残りの部分から断熱された上面の部分であり、基板テーブルが投影システムの下から移動する間に、断熱領域をして流体ハンドリング構造の下に通すことをさらに含み、断熱領域が基板テーブルの縁部に隣接して配置されるデバイス製造方法が提供される。
【００１９】
[0019]  本発明の態様によれば、液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、方法は、流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供すること、入口からの洗浄流体を流体ハンドリング構造と洗浄ステーションの表面の間に提供すること、及び洗浄流体が投影システムへと通過するのを阻止するために、入口の半径方向内側に配置されたシールを使用して流体ハンドリング構造と表面の間を密封することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００２１】
【図１】[0021]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0022]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示した図である。
【図３】[0022]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムとしての流体ハンドリング構造を示した図である。
【図４】[0023]リソグラフィ投影装置に使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0024]液体供給システムとして本発明の実施形態に使用できるバリア部材を示した断面図である。
【図６】[0025]本発明の実施形態に使用できる別のバリア部材を示した断面図である。
【図７Ａ】[0026]基板テーブル上の洗浄ステーションを示した平面図である。
【図７Ｂ】[0026]基板テーブル上の洗浄ステーションを示した断面図である。
【図７Ｃ】[0027]使用中の図７Ｂの洗浄ステーションを示した図である。
【図８Ａ】[0028]バリア部材１２の抽出器を洗浄するために使用中の洗浄ステーションの実施形態を示した断面図である。
【図８Ｂ】[0028]バリア部材１２の抽出器を洗浄するために使用中の洗浄ステーションの実施形態を示した断面図である。
【図９】[0029]洗浄流体の泡立ちを回避するように最適化された洗浄ステーションの実施形態を示した断面図である。
【図１０】[0030]基板の縁部に隣接する基板テーブルの領域を示した断面図である。
【図１１】[0031]基板テーブルの断熱部分を示した断面図である。
【図１２】[0032]基板テーブルの上面を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0033]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
【００２３】
[0034]−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００２４】
[0035]−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００２５】
[0036]−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
【００２６】
[0037]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２７】
[0038]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２８】
[0039]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２９】
[0040]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００３０】
[0041]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００３１】
[0042]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、任意のタイプの投影システムを網羅するものとして、広義に解釈されるべきである。投影システムのタイプは、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む。投影システムの選択又は組み合わせは、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜とする。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００３２】
[0043]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００３３】
[0044]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００３４】
[0045]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３５】
[0046]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３６】
[0047]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、投影システムＰＳを通過する。投影システムは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブラインアラインメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３７】
[0048]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３８】
[0049]  ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３９】
[0050]  スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００４０】
[0051]  別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００４１】
[0052]  上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４２】
[0053]  投影システムＰＳの最終要素と基板の間に液体を提供する構成が、いわゆる局所液浸システムである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体ハンドリングシステムが使用される。液体によって充填された空間は基板の上面より平面図で小さく、液体で充填された領域は、基板Ｗがその領域の下で移動している間、投影システムＰＳに対して静止したままである。４つの異なるタイプの局所液体供給システムが、図２から図５に図示されている。図２から図４に開示した液体供給システムについては以上で説明した。
【００４３】
[0054]  図５は、バリア部材１２がある局所液体供給システムを概略的に示す。バリア部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下で基板Ｗの表面に言及する場合、それは他に明示していない限り追加的又は代替的に基板テーブルの表面にも言及していることに留意されたい。）バリア部材１２は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。実施形態では、バリア部材と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、これは流体シール、望ましくはガスシールのような非接触シールでよい。
【００４４】
[0055]  バリア部材１２は、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。基板Ｗの表面と投影システムＰＬの最終要素の間の空間内に液体が閉じ込められるように、基板Ｗに対する非接触シール１６を、投影システムの像フィールドの周囲に形成することができる。空間は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲むバリア部材１２によって少なくとも部分的に形成される。液体を、液体入口１３によって投影システムの下方で、バリア部材１２内の空間１１に入れる。液体は液体出口１３によって除去することができる。バリア部材１２は投影システムの最終要素の少し上まで延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。実施形態では、バリア部材１２は、その上端が投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができる内周を有し、例えば円形でよい。底部では、内周が像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形でよいが、そうである必要はない。
【００４５】
[0056]  実施形態では、液体は、使用中にバリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気によって形成されるが、実施形態ではＮ2又は別の不活性ガスによって形成される。ガスシール内の気体は圧力下で入口１５を介してバリア部材１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成することができる。バリア部材１２と基板Ｗの間で液体にかかる気体の力が、液体を空間１１に封じ込める。これらの入口／出口は、空間１１を囲む環状溝でよい。環状溝は連続的又は不連続的でよい。気体の流れ１６は、液体を空間１１に封じ込めるのに有効である。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４６】
[0057]  他の構成が可能であり、以下の説明から明白になるように、本発明の実施形態は、任意のタイプの局所液体供給システムを液体供給システムとして使用することができる。
【００４７】
[0058]  １つ又は複数の局所液体供給システムは、液体供給システムの一部と基板Ｗの間を密封する。シールは、液体供給システムの一部と基板Ｗの間にある液体のメニスカスによって規定することができる。液体供給システムのこの部分と基板Ｗとの相対運動がシール、例えばメニスカスの破壊につながり、それにより液体が漏れることがある。この問題は、高いスキャン速度でさらに重大になることがある。スループットが増加するので、スキャン速度を上げることが望ましい。
【００４８】
[0059]  図６は、液体供給システムの部分であるバリア部材１２を示す。バリア部材１２は、投影システムＰＳの最終要素の周囲（例えば円周）に延在し、したがってバリア部材（シール部材と呼ぶことがある）は、例えば実質的に全体的形状が環状である。投影システムＰＳは円形でなくてもよく、バリア部材１２の外縁も円形でなくてよく、したがってバリア部材がリング形である必要はない。バリアは、投影ビームが投影システムＰＳの最終要素から出て通過できる開口を有する限り、他の形状でもよい。開口は中心に配置することができる。したがって露光中に、投影ビームは、バリア部材の開口に封じ込められた液体を通過して、基板Ｗに当たることができる。バリア部材１２は、例えば実質的に長方形でよく、バリア部材１２の高さにおいて投影システムＰＳの最終要素と必ずしも同じ形状ではない。
【００４９】
[0060]  バリア部材１２の機能は、投影ビームが液体を通過できるように、液体を投影システムＰＳと基板Ｗの間の空間内に少なくとも部分的に維持するか閉じ込めることである。液体の最上位は、単にバリア部材１２の存在によって封じ込められる。空間中の液体のレベルは、液体がバリア部材１２の頂部を越えて溢れないように維持される。
【００５０】
[0061]  液浸液はバリア部材１２によって空間１１に提供される（したがって、バリア部材を流体ハンドリング構造と見なすことができる）。液浸液の通路又は流路は、バリア部材１２を通る。流路の一部はチャンバ２６で構成される。チャンバ２６は２つの側壁２８、２２を有する。液体は第一側壁２８を通過してチャンバ２６に入り、次に第二側壁２２を通過して空間１１に入る。複数の出口２０が液体を空間１１に提供する。液体は空間１１に入る前に、それぞれ板２８、２２の貫通穴２９、２２を通過する。貫通穴２０、２９の位置はランダムでよい。
【００５１】
[0062]  バリア部材１２の底部と基板Ｗの間にシールが設けられる（この特徴部は、バリア部材が流体ハンドリング構造でよいことを示す）。図６では、シールデバイスが非接触シールを提供するように構成され、幾つかのコンポーネントで構成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側へと（任意選択の）フロープレート５０が提供され、これは空間内に延在して（しかし投影ビームの経路内には延在せず）、出口２０からの液浸液の流れを空間全体で実質的に平行に維持するのに役立つ。フロー制御プレートは、投影システムＰＳ及び／又は基板Ｗに対してバリア部材１２の光軸の方向での動作への抵抗を減少させるために、貫通穴５５を有する。
【００５２】
[0063]  バリア部材１２の底面でフロー制御プレート５０の半径方向外側には、入口１８０があってよい。入口１８０は、基板に向かう方向に液体を提供することができる。結像中に、これは基板Ｗと基板テーブルＷＴの間のギャップを液体で充填することにより、液浸液中に気泡が形成されるのを防止するのに有用であり得る。
【００５３】
[0064]  入口１８０の半径方向外側には、バリア部材１と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの間から液体を抽出する抽出器アセンブリ７０があってよい。抽出器７０は、以下でさらに詳細に説明され、バリア部材１２と基板Ｗの間に生成される非接触シールの部分を形成する。抽出器は単相又は２相抽出器として動作することができる。
【００５４】
[0065]  抽出器アセンブリ７０の半径方向外側には窪み８０があってよい。窪みは、入口８２を通して雰囲気に接続される。窪みは、出口８４を介して低圧源に接続される。窪み８２は、出口８４に対して半径方向外側に配置することができる。窪み８０の半径方向外側にはガスナイフ９０があってよい。抽出器、窪み及びガスナイフの配置構成は、米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号でさらに詳細に開示されている。しかし、その文書では、抽出器アセンブリの配置構成が異なる。
【００５５】
[0066]  抽出器アセンブリ７０は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願ＵＳ２００６−００３８９６８号で開示されているような液体除去デバイス又は抽出器又は入口を備える。任意のタイプの液体抽出器を使用することができる。実施形態では、液体除去デバイス７０は、液体を気体から分離して、１つの液相の液体を抽出できるように使用される多孔質材料１１０で覆われた入口を備える。多孔質材料１１０の下流のチャンバ１２０は、わずかに低圧に維持され、液体で充填される。チャンバ１２０内の低圧は、多孔質材料の穴に形成されたメニスカスによって周囲気体が液体除去デバイス７０のチャンバ１２０に引き込まれるのを防止することができるような圧力である。しかし、多孔質表面１１０が液体に接触した場合は、流れを制限するメニスカスがなく、液体が液体除去デバイス７０のチャンバ１２０内に自由に流れることができる。多孔質表面１１０は、バリア部材１２に沿って半径方向内側に（さらに空間の周囲に）延在する。多孔質表面１１０を通る抽出速度は、液体によって覆われる多孔質材料１１０の量に従って変化する。
【００５６】
[0067]  多孔質材料１１０は、それぞれ５から５０μｍという範囲の例えば幅、直径などの寸法ｄholeを有する多数の小さい穴を有する。多孔質材料は、液体が除去される表面、例えば基板Ｗの表面から５０から３００μｍの範囲の高さに維持される。実施形態では、多孔質材料１１０は少なくともわずかに親水性である。つまり例えば水などの液浸液に対して９０°未満、望ましくは８５°未満、又は望ましくは８０°未満の接触角を有する。
【００５７】
[0068]  液体除去デバイスに気体が引き込まれるのを防止することが常に可能なわけではないが、多孔質材料１１０は、振動を引き起こし得る大きい不均一な流れを防止する。電気鋳造、フォトエッチング及び／又はレーザ切断によって作成されたマイクロシーブを、多孔質材料１１０として使用することができる。適切なシーブを、オランダのEerbeekのStock Veco B.V.が作成している。孔のサイズが、使用中に経験する圧力差でメニスカスを維持するのに適切であれば、他の多孔質板又は多孔質材料の中実ブロックも使用することができる。
【００５８】
[0069]  （基板がバリア部材１２及び投影システムＰＳの下を移動する）基板Ｗのスキャン中に、移動する基板によって与えられる抵抗力によって、基板Ｗとバリア部材１２の間に延在するメニスカス１１５を、光軸に向かって、又は光軸から離れるように引っ張ることができる。これは、上述したように液体の蒸発、基板の冷却、及びその結果としての収縮及びオーバーレイエラーという結果を招く液体の損失につながり得る。追加的又は代替的に、液滴間の相互作用及びレジストの光化学により液体汚れが残ることがある。
【００５９】
[0070]  図６には特に図示されていないが、液体供給システムは液体のレベルの変動に対処する構成を有する。これは、投影システムＰＳとバリア部材１２の間に蓄積する液体を処理でき、零さないような構成である。このような液体の蓄積は、以下で説明するような投影システムＰＳに対するバリア部材１２の相対運動の間に生じ得る。この液体を処理する１つの方法は、投影システムＰＳに対してバリア部材１２が移動する間に、バリア部材１２の周囲（例えば円周）に圧力勾配がほとんどないように、非常に大きくなるようなバリア部材１２０を提供することである。代替的又は追加的な構成では、例えば抽出器７０に類似した単相抽出器などの抽出器を使用して、バリア部材１２の頂部から液体を除去することができる。代替的又は追加的な特徴は、疎液性又は疎水性コーティングである。このコーティングは、開口を囲むバリア部材１２の頂部の周囲及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲で帯を形成することができる。コーティングは、投影システムの光軸の半径方向外側にあってよい。疎液性又は疎水性コーティングは、液浸液を空間内に維持するのに役立つ。
【００６０】
[0071]  例えばそれぞれが基板を担持する２つの基板テーブル又はステージが設けられた装置では、投影システムの下方からの１つの基板テーブルを投影システムの下方にある別の基板テーブルと交換する間に、問題がある。というのは、テーブルを交換する前に液体供給システムからの液体を除去すると、投影システムの最終要素に乾燥汚れが現れることがあるからである。この問題に対して提案されている１つの可能な解決法は、基板テーブルの交換中に投影システムの下に配置可能なダミー基板などのシャッタ部材を提供することである。この方法で、液体供給システムを基板の交換中にオンにしておくことができ、乾燥汚れが形成され得ない。このようなダミー基板が、例えば欧州特許出願公開ＥＰ−１，４２０，２９９号に記載されている。シャッタ部材の別の形態では、第二基板テーブルを第一基板テーブルに近づける。２つの基板テーブルを投影システムの下で同時に移動させる。２つの基板テーブル間のギャップが小さい（又は少なくともその下にドレインがある）場合、液体損は最少になるはずである。幾つかの場合、基板テーブルＷＴは、可動橋の形態のように回転又は後退可能でよい突起の分だけ延在した上面を有する。このような構成が米国特許出願公開ＵＳ２００７−０２１６８８１号に開示されている。シャッタ部材のこの形態の変形では、第二テーブルが第二基板テーブルではなく、その表面が基板の交換中にシャッタ部材として機能する。このようなテーブルは測定に使用することができ、測定テーブルと呼べる。第一又は第二基板テーブルは、例えば露光などのために基板が使用可能な場合に、投影システムの下で後退する。認識されるように、シャッタ部材は追加的又は代替的に、例えば基板テーブル上で基板の交換中に、投影システムＰＳを液体と接触させ続けるために、基板テーブル１つの装置で使用することができる。
【００６１】
[0072]  図５及び図６のような液体ハンドリングシステムの問題は、液浸システム、特にバリア部材１２の下側が汚染され得ることである。これは、多孔質部材１１０の表面に対する液浸液の表面接触角の変化（増加）及び／又は多孔質部材１１０の穴の閉塞につながることがある。多孔質部材の性質が親液性から疎液性へと変化すると、抽出器７０の性能が失われることがある。例えば、通常より多い気体を抽出することがある。抽出器７０の性能が低下した場合、液体が空間１１から漏れ、基板表面上に残ることがある。これは望ましくない。追加的又は代替的に、基板Ｗの上面又は基板テーブルＷＴの上面に汚染が残ることがある。このような汚染が液浸液に達することがあるので、これも望ましくない。以下では、このタイプの汚染を洗浄できる幾つかの方法について説明する。
【００６２】
[0073]  粒子汚染は、小板、小滴及び／又はフィラメントを含んでよい。通常、この粒子汚染はフォトレジスト及び／又はトップコートの材料である。
【００６３】
[0074]  液浸フード又は液体閉じ込めシステム又は液体供給システム内で単相抽出器を使用できる方法のさらなる例を、例えば欧州特許出願公開ＥＰ１，６２８，１６３号及び米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号に見ることができる。大部分の出願では、多孔質部材は液体供給システムの下側にあり、基板Ｗが投影システムＰＳの下で移動できる最高速度は、多孔質部材１１０を通る液体の除去効率によって少なくとも部分的に決定される。
【００６４】
[0075]  単相抽出器は、液体と気体の両方（例えば５０％の気体、５０％の液体）が抽出される２相モードでも使用することができる。単相抽出器という用語は、本明細書では１つの相を抽出する抽出器のみではなく、より一般的に抽出される気体及び／又は液体が通る多孔質部材を組み込んだ抽出器として解釈するものとする。実施形態では、ガスナイフ（つまり気体供給リング３３）が存在しなくてよい。
【００６５】
[0076]  上述した単相抽出器は、基板の上面の局所領域にのみ液体を供給する液体供給システム内で使用することができる。さらに、このような抽出器は、他のタイプの液浸装置で使用してよい。抽出器は、水以外の液浸液で使用してもよい。抽出器は、いわゆる「漏れシール」("leaky seal")液体供給システム内で使用することができる。このような液体供給システム内では、投影システムの最終要素と基板の間の空間に液体が提供される。その液体は、その空間から半径方向外側に漏れることができる。例えば、場合に応じて自身と基板又は基板テーブルの上面との間にシールを形成しない液浸フード又は液体閉じ込めシステム又は液体供給システムを使用する。液浸液は、「漏れシール」装置内で基板の半径方向外側にて回収できるだけである。単相抽出器に関するコメントは、他のタイプの抽出器、例えば多孔質部材がない抽出機にも当てはまる。このような抽出器は、液体と気体の両方を抽出する２相抽出器として使用することができる。
【００６６】
[0077]  本発明の実施形態を、以下では液浸液を供給するために最適化された液浸システムに関して説明する。しかし本発明の実施形態は、液浸媒体として液体以外の流体を供給する流体供給システムを使用する液浸システムでの使用に、等しく適用可能である。
【００６７】
[0077]  本発明の実施形態は、特にインライン洗浄を指向する。つまり、洗浄作業がリソグラフィ投影装置内で実行される。洗浄は、２つの基板の結像間に、又は第一バッチの基板と第二バッチの基板との結像間に実行できることが望ましい。これは、洗浄をオフラインで実行する必要がある場合よりも時間的効率が良い。しかし、本発明の実施形態はオフライン構成にも適用することができる。
【００６８】
[0079]  インライン洗浄の問題は、あるコンポーネントの洗浄に適切な溶剤が別のコンポーネントを損傷し得ることである。例えば、液体ハンドリングシステムの下側、特に抽出器７０内の洗浄に良好な溶剤が、投影システムＰＳにとって有害なことがある。例えば、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）は、抽出器からの有機物質の洗浄に特に適切である。しかし、投影システムを液浸液に適合させるために投影システムＰＳに適用可能な側部シール及びコーティングは、ＰＧＭＥＡとの接触に敏感なことがある。
【００６９】
[0080]  本発明の第一の実施形態が図７Ａから図７Ｃに図示されている。洗浄ステーション２００が設けられている。洗浄ステーションは表面２０５を備える。実施形態では、表面２０５は主要表面の窪み２１０に形成される。主要表面は基板テーブルＷＴの上面でよい。窪み２１０に表面２０５を設けるのは、洗浄流体が別のコンポーネント上へと零れる危険を低下させるので有利である。
【００７０】
[0081]  表面２０５は、洗浄される表面に洗浄流体を提供する入口２２０を備える。実施形態では、洗浄される表面は図７Ｃに示すように、液体ハンドリングシステムのバリア部材１２の下側の一部である。したがって、入口２２０は、液体ハンドリングシステムと表面２０５の間に洗浄流体を提供する。窪みは、バリア部材１２の下面を受けるように成形される。使用時には、バリア部材１２は投影システムＰＳの光軸の周囲に構成される。したがって、洗浄ステーション２００に関する以下の記述は、投影システムＰＳの光軸に対して説明される。しかし、洗浄ステーションはそれ以外、異なる形状のコンポーネントの表面を洗浄するように構成し、構築することができ、それは半径方向に配置しなくてもよい。
【００７１】
[0082]  シール２３０が、光軸に対して入口２２０の半径方向内側に配置される。シール２３０は、表面２０５と洗浄される表面、例えばバリア部材１２との間で入口２２０の半径方向内側を密封するためのものである。シール２３０は、バリア部材１２の底面の内縁と抽出器７０との間を密封する。それにより、シール２３０は洗浄流体がシール２３０を越えて半径方向内側に漏れるのを防止する。つまり、図７Ｃに見られるように、洗浄流体が投影システムＰＳに到達するのを防止する。
【００７２】
[0083]  表面２０５の入口２２０の半径方向外側には、出口２４０が規定される。出口２４０は、表面２０５から洗浄流体を除去するために、表面２０５内にある。したがって、入口２２０から出口２４０へという洗浄流体の半径方向外側への流れがある。これは、洗浄流体の流れが投影システムＰＳから離れるようになるので望ましい。任意選択で、出口２４０の半径方向外側にさらなるシールがあってよい。さらなるシールは、シール２３０と同様である。
【００７３】
[0084]  シールは、環状リング又はＯリングのようにリングの形態でよい。代替的又は追加的に、シール２３０は表面２０５からの突起の形態でよい。後者の場合は、洗浄される表面、例えばバリア部材１２の下面に特徴部を設け、突起に対するシールを形成することが望ましいことがある。例えば、突起は、バリア部材１２の低圧源の出口に当たってもよい。低圧源の出口は、バリア部材１２の底面に既に存在するコンポーネント、又はこの目的のみのために設けられた口でよい。
【００７４】
[0085]  図７Ｂの断面図の平面図である図７Ａに見られるように、入口２２０、出口２４０及びシール２３０は全て環状であり、特に円形である。他の形状も可能である。形状は、例えば液体ハンドリングシステムのように洗浄される表面の形状に平面図で一致できるような形状である。
【００７５】
[0086]  図６の液体ハンドリングシステムが図７の実施形態によって洗浄されている場合、シール２３０は多孔質部材１１０の半径方向内側でバリア部材１の下側に突き当たる。例えば、シール２３０は、貫通穴５５の半径方向外側で流れ制御プレート５０に突き当たってよい。
【００７６】
[0087]  図７Ｂに最も明瞭に図示されているように、さらなる入口２５０がシール２３０の半径方向内側に設けられる。さらなる入口２５０は、投影システムＰＳによって区切られた空間に流体を提供することができる。流体は、過剰圧力で提供することができる。過剰圧力は、シール２３０の完全性を維持するのに役立つ。第二入口２５０は、例えば投影システムＰＳの下の空間に気体を提供することができる。
【００７７】
[0088]  図７Ａから図７Ｃの入口及び出口は連続的であるように図示されているが、そうである必要はない。各入口及び出口は連続的又は不連続的でよく、例えば複数の別個の入口／出口の形態でよい。不連続な構成は、入口又は出口が例えば液体ハンドリングシステムなどの洗浄対象表面の特徴の形状に平面図で一致するような構成とすることができる。
【００７８】
[0089]  認識されるように、洗浄ステーション２００を窪み２１０に設ける場合は、例えば液体ハンドリングシステムなどの洗浄される表面の底部をシール２３０と係合させるために、Ｚ方向（投影システムＰＳの光軸の方向）での多少の動作が必要になることがある。このＺ方向の動作は、基板テーブルＷＴを上方向に動かすか、例えばバリア部材１２などの洗浄される表面を下方向に動かすことによって達成することができる。実施形態では、シール２３０の上面はテーブルＷＴの上面と同じ高さであるか、それより下である。これは、偶発的な衝突の防止に役立つことができる。
【００７９】
[0090]  洗浄中に装置を制御するために、コントローラ又はソフトウェアを提供してよい。例えば、コントローラ又はソフトウェアは、Ｚ方向の動作を処理し、表面２０５の入口及び出口を通る流体の流れを制御することができる。
【００８０】
[0091]  認識されるように、入口２２０、２５０及び出口２４０の幾つか又は全部を、表面２０５ではなく、例えば液体ハンドリングシステムなどの洗浄対象表面自体に配置することが可能である。その場合、入口及び出口は、例えば結像中などに他の機能を有してよい。代替的又は追加的に、入口又は出口は洗浄中にのみ作用可能とすることができる。
【００８１】
[0092]  図８Ａ及び図８Ｂは、以下の説明以外は図７の実施形態と同じであるさらなる実施形態を示す。認識されるように、図７の洗浄ステーション２００を使用するために、基板テーブルＷＴは投影システムＰＳの下で静止していなければならない。これは、装置のスループットの全体的な減少の点で有害なことがある。上述したように、流体の流れを空間１１全体で維持し、それによって投影システムＰＳの最終要素上の乾燥汚れを回避できるために、基板の交換中にダミー基板などの可動シャッタ部材を、液体ハンドリングシステムの底部に取り付けることがある。図８Ａ及び図８Ｂの実施形態では、液体ハンドリングシステムの下側（特に抽出器７０の多孔質部材１１０）を洗浄できるために、ダミー基板３００が改修されている。これは、基板の交換中に、例えば投影システムＰＳの下で第一基板テーブルを第二基板テーブルと交換することによって基板を交換している間に実行することができる。別の実施形態では、基板を別の基板と交換している間に、シャッタ部材を投影システムの下に保持しておくことができる。
【００８２】
[0093]  図８Ａに見られるように、ダミー基板３００は、基板交換中に通常通りに液体ハンドリングシステム又はバリア部材１２に取り付けられる。これは、例えば電磁気を使用する取り付け機構によって、又はさらに一般的にはダミー基板３００とバリア部材１２の底部との間に低圧を生成することによって実行することができる。これは、ガスナイフ９０をオフに切り換え、出口８４に低圧を加えることによって実行してもよい。ダミー基板３００をバリア部材の下側に取り付ける他の任意の手段を使用してもよい。
【００８３】
[0094]  ２つのシール３１０、３２０がダミー基板３００に設けられる。これらのシールは、多孔質部材１１０のいずれかの側を密封する。これで、洗浄流体を多孔質部材１１０とシール３１０、３２０とダミー基板３００の間のギャップに導入することができる。シール３１０、３２０は、バリア部材１２の下側にある別の特徴部８０、９０のいずれかの側に設けることができる。シールは、洗浄流体を導入できるギャップが、２つ以上の特徴部７０、８０、１１０を配置したバリア部材１２の下側によって部分的に規定されるように設けることができる。実質的に、バリア部材１２の下面全体がギャップの表面を規定することができる。
【００８４】
[0095]  洗浄流体は、例えばバリア部材１２の底面にある入口１８０を通して導入することができる。この場合、その入口１８０の半径方向内側に内部シール３１０を配置する必要がある。入口１８０は、洗浄動作中に使用するためにのみ設けることができる。代替的に、洗浄流体はダミー基板３００の入口を通して提供することができる。
【００８５】
[0096]  したがって、入口１８０から出て、シール３１０、３１０によって区切られた液体ハンドリングシステムとダミー基板Ｗの間の空間に入り、多孔質部材１１０を通って出る洗浄流体の流れが提供される。この方法で、多孔質部材１１０の底面を洗浄することができる。この洗浄は、例えば第一基板テーブルを投影システムの下で第二基板テーブルと交換している間に実行できるので有利である。洗浄動作によって導入される熱負荷があれば、全て基板テーブルではなくダミー基板３００へと分離することができる。ダミー基板３００が基板テーブルＷＴの断熱アイランド又は領域に装着されている場合、これはダミー基板３００を戻して基板テーブルＷＴに配置した後に、熱負荷が基板テーブルＷＴに加えられるのを防止できるので有利である。断熱アイランドの実施形態について、図１１に関してさらに詳細に説明する。
【００８６】
[0097]  図８Ａの実施形態では。２つのシール３１０、３２０がＯリングタイプのシールであるように図示されている。しかし、異なるタイプのシールも可能である。図８Ｂの実施形態では、基板３００に突起３４０、３５０が設けられ、これらの突起がシールとして作用する。
【００８７】
[0098]  図８Ｂの実施形態は、図８Ａの実施形態と同じ方法で作用する。違いは、ダミー基板３００に適用された図８Ａのシール３１０、３２０が、図８Ｂの実施形態では、ダミー基板の表面プロフィールの変形物によって取って代わられていることである。図８Ａの実施形態と同様に、洗浄流体はダミー基板３００の入口を通して提供することができる。突起３４０、３５０は、バリア部材の１つ又は複数の特徴部８０、９０、１１０、又はバリア部材１２の下面全体を、ギャップを規定するバリア部材の下面の部分に配置できるように、バリア部材１２に対して配置することができる。１つ又は複数の特徴部８０、９０、１００が、バリア部材１２上の突起３４０、３５０間にあってよい。
【００８８】
[0099]  図８Ｂに見られるように、多孔質部材１１０とダミー基板３００の上面との間のギャップは、シール３５０の半径方向外側で液体ハンドリングシステムの底面とダミー基板３００の上面との間のギャップより大きい。例えば、第一ギャップは５００〜５０μｍ、望ましくは１５０μｍのオーダでよく、第二ギャップは２０μｍ以下のオーダでよい。これは、洗浄中に多孔質部材１１０の下に大きい流体の流れのための空間があるように実行される。例えば、毎分約０．１から１リットルの流体の流れが可能である。他方で、窪み８０の下に小さいギャップがあることは、ダミー基板を液体ハンドリングシステムに当てて保持するために、出口８４に適用する低圧を他で必要な値より小さくできる、ということである。
【００８９】
[00100]  図８Ａと図８Ｂの両方の事例で、シール３１０、３２０、３４０、３５０は１ｍｍのオーダの幅でよい。
【００９０】
[00101]  言うまでもなく、図８Ａ及び図８Ｂのダミー基板３００は、実際には基板テーブルＷＴ上に形成され、それによりダミー基板の場合のように基板テーブルＷＴから取り外し可能ではなくてよいことが認識される。その場合、洗浄メカニズムは同じ方法で作用する。しかし、ガスナイフ９０及び窪み８０を同じ方法で制御する必要はない。というのは、液体ハンドリングシステムとダミー基板３００との間の引力が、もはや必要ないことがあるからである。特にこの実施形態では、洗浄流体は、２つのシール３１０、３２０、３４０、３５０の間に配置された基板テーブルＷＴの入口を通して提供することができる。図７の実施形態のように、上述した方法で洗浄ステーションを作動させるために、コントローラ又はソフトウェアを提供することができる。
【００９１】
[00102]  図８Ａ及び図８Ｂの実施形態では、使用される洗浄流体が投影システムＰＳにとって有害でない場合は、半径方向で最も内側のシール３１０、３４０がなくてよい。その場合、洗浄流体は入口１８０ではなく穴２０を通して提供することができる。認識されるように、この構成では、液体ハンドリングシステムに入口１８０が存在しなくてよい。これは、液浸システムの他の部分、例えばバリア部材１２の半径方向内側に向いた表面及び投影システムＰＳの最終光学要素の表面を洗浄するのに望ましいことがある。
【００９２】
[00103]  両方の実施形態では、洗浄を実行するのと同時に、入口２０を通して液浸液を提供することが可能である。したがって、基板の交換中に投影システムの最終要素をウェット状態に維持する上で、ダミー基板の機能を維持することができる。
【００９３】
[00104]  図７の実施形態のように、内部シール３１０、３４０の半径方向内側の位置と半径方向外側の位置との間に小さい圧力差を提供して、そのシールの性能を改良することが可能である。これは、例えばシール３１０と３２０の間の領域を投影システムＰＳの下の領域と比較して低圧にすることによって達成することができる。代替的又は追加的に、投影システムＰＳの下の領域に過剰圧力を生成してよい。これは、例えば２００７年１１月２８日出願の米国特許出願ＵＳ６０／９９６，６５４号に記載されているように、バリア部材１２と投影システムＰＳの間で弾性部材を使用して達成することができる。以上の実施形態の全てで、洗浄流体の流れは弁の使用によって制御される。入口が２つの目的に働く場合は、切り換え弁が存在してよい。
【００９４】
[00105]  図７及び図８の実施形態は任意の洗浄流体で使用することができる。洗浄流体は超純水、石鹸、洗浄溶剤及び／又は少なくとも０．１％より高い濃度のＰＧＭＥＡなどの薬剤を含む。ＰＧＭＥＡは、約１００％の濃度で使用することが望ましい。ＰＧＭＥＡを水と混合する場合、これは泡立ちにつながり得るので望ましくない。洗浄後に、洗浄剤を除去するために水洗が必要なことがある。例えば、存在する洗浄剤の濃度が１ｐｐｂ未満になるまで、水洗が必要なことがある。典型的な石鹸は、Tokyo Ohka Koyo Co., Ltd.が製造するＴＬＤＲ−Ａ００１又はＴＬＤＲ−Ａ００１−Ｃ４でよい。このような溶剤は泡立ちやすいが、投影システムＰＳに使用される疎液性（例えば疎水性）コーティングに適合する。洗浄流体は、石鹸と溶剤の混合物でよい。
【００９５】
[00106]  図９は、泡立ちに苦しむ洗浄溶剤とともに使用するように設計された洗浄ステーション４００を示す。ＰＧＭＥＡは、泡立ちの問題に悩まされることがある有機溶剤である。泡立ちの問題は、洗浄溶剤と流体、特に気体との間の境界面で生じる傾向がある。したがって、図９の実施形態では、洗浄溶剤を空間４１１に提供するために入口４１０が設けられる。空間４１１が周囲の流体と接触しないように密封するために、液体シール４２０を設けて、空間４１１の少なくとも一部の周囲を密封する。周囲の流体は、液体及び／又は気体、特に気体雰囲気でよい。この方法で、空間４１１内の洗浄流体と洗浄される表面を囲む気体との接触が回避される。シール４２０は、１００から２５０μｍのギャップに延在することができる。
【００９６】
[00107]  図９の実施形態は、洗浄ステーション４００が基板テーブルＷＴの上面を洗浄できる方法を示す。以下では放射状構成について説明する。しかし、これは説明の容易さを促進するためのもので、制限的ではない。この説明は、放射状構成を有するか否かに関係なく、説明と同様の方法で作動する任意のタイプの洗浄ステーションの構成に当てはまる。
【００９７】
[00108]  基板テーブルＷＴの上面を全部洗浄できるように、基板テーブルＷＴの表面に対して動作可能な部材４０２が提供される。部材は、部材４０２と基板テーブルＷＴの間の空間４１１に液体を提供する入口４１０を備える。空間４１１の他方側には、空間４１１から洗浄流体を除去する出口４１２が設けられる。したがって、入口４１０から出口４１２への洗浄流体の流れを達成することができる。入口及び出口の半径方向外側には、液体シール４２０がある。液体シールは入口４２２及び出口４２４を備える。出口４２４は、空間４１１に対して入口４２２の半径方向外側に配置してよい。しかし、出口４２４及び入口４２２の半径方向の位置は交換可能である。入口４２２から出口４２４への液体の流れが生成される。例えば、液体は超純水でよい。この方法で、洗浄流体は液体シール４２０の液体と接触するが、周囲の気体雰囲気からの気体とは一切接触しない。これによって、泡立ちを回避することができる。さらに、シール４２０からの液体は、表面の熱を調整するのに役立ち、洗浄中に表面の温度を実質的に一定に維持するのに役立つ。
【００９８】
[00109]  図９に示すように、洗浄を補助するために、空間４１１内にアクセラレータ４５０を設けるか、動作可能にしてよい。アクセラレータ４５０は攪拌手段とすることができる。攪拌手段は、空間４１１内の洗浄流体を攪拌する任意のデバイス又はシステムとすることができる。攪拌手段は、磁気攪拌機を含んでよいが、それに限定されない。アクセラレータ４５０はヒータ、電磁放射源（例えば望ましくは１８５ｎｍの水銀ランプからのＵＶ放射）、又は音波変換器（例えば超音波又はメガ音波変換器）を含んでよいが、それに限定されない。これらのアクセラレータの組み合わせが存在してよい。上述したタイプのアクセラレータが、どの実施形態に存在してもよい。
【００９９】
[00110]  液体シール４２０に超純水を提供することの利点は、基板テーブルＷＴの上面の乾燥汚れを回避できることである。というのは、超純水の流れが洗浄溶剤を効果的に除去するからである。洗浄溶剤を液体シール４２０の液体と周囲の大気の間にあるメニスカスから遠ざけておくことにより、メニスカスの表面張力が実質的に一定のままであり、したがってメニスカスの不安定さを回避することができる。出口４２４を入口４２２の外側にすることで、液体シールに同伴する洗浄流体が液体シールの半径方向外側のメニスカスに到達するのを防止するのに役立てることができる。メニスカスの不安定さは、液体の損失につながり得るので望ましくない。
【０１００】
[00111]  この実施形態は、基板テーブルの上面を洗浄する部材４２０を提供するように例証されてきたが、別の表面の洗浄に同じ原理を使用することができる。入口４１０、４２２の一方又は両方及び／又は出口４１２、４２４の一方又は両方を、基板テーブルＷＴに設けることができる。これは、例えば図７に示したものと同様の方法で、液体ハンドリングシステムの下面を洗浄するために適切である。さらに、バリア部材１２が洗浄ステーション４００として機能するように、入口及び出口を液体ハンドリングシステム自体に設けてもよい。このような実施形態はいずれも液体シールを利用して、洗浄流体が導入される空間の少なくとも一部の周囲を密封する。この方法で、空間を囲む気体は空間に入ることを阻止され、泡立ちの発生率を低下させることができる。
【０１０１】
[00112]  洗浄ステーション４００を洗浄に使用できる（又は説明した他の実施形態のいずれかの原理を洗浄に使用できる）他の表面は、基板テーブルＷＴ上のコンポーネントである。これは、センサ６１０（図１２に図示）及び任意のシール（例えば基板テーブルＷＴの上面と基板テーブルＷＴ上に装着されたオブジェクト、例えば図１１に示すようなカバー５３０との間のシール）のいずれかを含んでよい。これらの特徴部は、レジスト及びトップコートの薄片などの残骸を収集することができる。
【０１０２】
[00113]  図１０は、洗浄ステーション４００によって洗浄できる３つのさらなる特定の特徴部を示す。これらは第一及び第二ドレイン１０、１７及び基板支持領域３０である。使用することにより、これらの特徴部の表面は液浸流体との接触角が変化し、その性能が低下することが分かる。これらの特徴部を洗浄すると、性能を再び改良することができる。以下で特徴部について説明する。
【０１０３】
[00114]  基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間にギャップ５が存在する。ギャップ５は、結像中に基板が配置される窪みの外側領域又は縁部にある。基板Ｗは、基板テーブルＷＴの基板支持領域３０上で支持することができる。局所領域液体供給システムを使用する液浸リソグラフィ機械では、基板Ｗの縁部を結像している場合（又は上述したように、基板Ｗが最初に投影システムＰＳの下で移動するような他の時に）、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間のギャップ５は、例えば液体で充填された空間１１などの下を通過する。その結果、空間１１からの液体がギャップに入ることがある。他の液体供給システムでは、液体はいつでもギャップ５に入ることができる。
【０１０４】
[00115]  そのギャップに入る液体に対処するために、基板Ｗの縁部に少なくとも１つのドレイン１０、１７を設けて、ギャップ５に入る液体を全て除去することができる。図１０の実施形態では、２つのドレイン１０、１７が図示されているが、ドレインが１つのみ、又は３つ以上のドレインがあってもよい。ドレイン１０、１７は、基板Ｗの全周を囲むように、例えば環状である。ドレインの開口は連続的又は不連続的でよい。
【０１０５】
[00116]  第一ドレイン１０の主な機能は、気体の泡が液体ハンドリングシステム１２の液体１１に入るのを防止するのに役立つことである。このような気泡は全て、基板Ｗの結像に悪影響を及ぼし得る。第二ドレイン１７は、ギャップ５から基板Ｗの下に到達する液体があった場合、これが結像後に基板テーブルＷＴから基板Ｗを効率的に外すのを妨害することを防止するために設けることができる。基板Ｗは、複数の突起３２を備えるピンプルテーブル３０によって、基板支持テーブル上に保持される。ピンプルテーブル３０によって基板Ｗと基板テーブルＷＴの間に加えられる低圧は、基板Ｗが所定の位置にしっかり保持されることを保証するのに役立つ。しかし、基板Ｗとピンプルテーブル３０の間に液体が入ると、これは特に基板Ｗをアンロードする場合に問題につながることがある。ピンプルテーブル３０の下に第二ドレイン１７を設けると、基板Ｗの下に到達した液体により発生し得る問題を軽減又は解消するのに役立つ。
【０１０６】
[00117]  第一ドレイン１０は、低圧によって液体を除去する。つまり第一ドレイン１０は出口１４２を介して低圧源に接続される。この低圧源は、ドレインに入る全ての液体を効果的に除去する。低圧源は、基板テーブルＷＴ上のギャップ５の外側からドレイン１０を通して気体を引き込み、出口１４２を通して出すのに効果的である。液体がギャップ５に入る可能性がある場合は、出口１４２を低圧源に接続するためにのみ措置を執ることができる。
【０１０７】
[00118]  第一ドレイン１０の正確な幾何形状は重要ではない。通常、第一ドレイン１０は、チャンバ１４０をギャップ５と流体連絡させる入口１００を備える。チャンバ１４０は例えば環状でよい。出口１４２はチャンバ１４０と流体連絡する。さらなるチャンバを含めて、他の幾何形状も可能である。チャンバは、圧力変動を弱め、それにより振動の軽減を助けるのに有用である。入口１１０（連続的な溝又は複数の個別的な貫通穴でよい）を通して気体及び／又は液体を引き込むと、ギャップ５に入った液体の蒸発につながることがある。液体の蒸発は局所的冷却につながる。局所的冷却の結果、周囲の基板テーブルＷＴが物理的に収縮することがあり、オーバーレイエラーにつながり得る。
【０１０８】
[00119]  次に、第二ドレイン１７について説明する。第二ドレイン１７の出口９５は、ピンプルテーブル３０の低圧（例えば０．５バール）よりわずかに高い低圧（例えば０．６バール）に保持される。これは、ギャップ５ばかりでなくピンプルテーブル３０からも出口９５への気体の流れがあることを保証するのに役立つ。実施形態では、第二ドレイン１７は過剰圧力に保持することができる。この場合は、出口９５から出てギャップ５に向かう気体の流れがある。これを毛管圧と組み合わせて使用し、液体がピンプルテーブル３０上に達するのを減少させるか、防止することができる。
【０１０９】
[00120]  ここで見られるように、基板Ｗの下に２つの突起９１及び９２が設けられる。半径方向外側の突起９１は、いわゆる「ウェットシール」("wet seal")であり、自身と基板Ｗの底面との間に液浸液が通過するようである。半径方向内側の突起９２は乾燥シールで、自身と基板Ｗの間には気体しか通過しないようである。
【０１１０】
[00121]  ２つの突起９１、９２の間には、チャンバ９４につながる流路９３がある。流路９４は、低圧源に接続された出口９５と流体連絡する。この第二ドレイン１７及び第一ドレイン１０のさらなる詳細は、２００７年６月１日出願の米国特許出願ＵＳ１１／８０６，６６２号に見ることができる。
【０１１１】
[00122]  上述したように、液体ハンドリングシステムが、例えば洗浄中に、又は基板交換のために次の基板テーブルの準備が整うのを待機している間に、基板テーブルＷＴ上の所与の位置である時間を費やした場合、予想外の熱負荷が基板テーブルＷＴに加えられることがある。これは、オーバーレイエラーをもたらすことがある。この問題を緩和する１つの方法は、基板テーブルＷＴ上に断熱されたアイランド又は領域を設けることである。したがって本発明の実施形態では、熱膨張／収縮の問題を回避するために、洗浄ステーションのいずれも断熱アイランド上に配置することができる。
【０１１２】
[00123]  図１１は、基板テーブルＷＴ内のこのような断熱アイランドを断面図で示す。断熱アイランド５００は、基板テーブルＷＴの残りの部分から分離された部材５０２を備える。例えば空気などの気体のギャップ５１０が、部材５０２と基板テーブルＷＴの残りの部分との間に配置される。つまり、部材５０２は基板テーブルＷＴの上面の窪みに位置し、断熱された足５２０によって基板テーブルＷＴ上に支持される。例えば部材５０２を支持する３つの断熱足５２０があってよい。ギャップ５１０は、底部で約１ｍｍ、側部で約０．７５ｍｍでよい。最上部では、ギャップはさらに小さくてよい。したがって基板テーブルＷＴと部材５０２の間のギャップは例えばステッカなどのカバー５３０によって架橋することができ、したがって液体ハンドリングシステムを部材５０２上で位置決めするために液体ハンドリングシステムに対して基板テーブルＷＴを動かす場合に、液体がギャップ５１０内に浸透することができない。つまり、液体ハンドリングシステムが基板テーブルＷＴ上にある状態から部材５０２上にある状態へと移る場合である。
【０１１３】
[00124]  温度センサ５４０が部材５０２の温度を測定する。ヒータ５５０を使用して、断熱アイランド５００の温度を制御する。ヒータ５５０付きのセンサ５４０が作動すると、断熱アイランド５００を実質的に一定の温度に維持することができる。そのために、コントローラ又はソフトウェアを提供してよい。図１１に示すように、チャンバ５６０又は１つの環状チャンバ５６０を部材５０２内に設けることができる。チャンバ５６０は例えば空気などの気体で充填される。この特徴部は、部材５０２をテーブルＷＴからさらに断熱することができる。これは、その熱質量を減少させることによって部材５０２の熱容量を減少させることができ、したがって液浸液の温度に影響せずに、その温度に迅速に到達し、したがってヒータ５５０に迅速に反応することができる。
【０１１４】
[00125]  基板テーブルの一方又は他方又は両方が存在することによって、液体が液体ハンドリングシステム内に封じ込められるように、基板の交換中に基板テーブルが一緒に投影システムの下を通過するように基板テーブルＷＴが設計されている場合、断熱アイランド５００を各基板テーブル上に配置させることが望ましい。これによって、次の基板テーブルを準備する際に遅延があった場合に、交換前に液体ハンドリングシステムを断熱アイランド上に配置することができる。いずれにしても液体ハンドリングシステムは、次の基板テーブルのために待機している間にここに配置する必要があるので、これはスループットの損失がない状態で洗浄を実行するのに適切な機会を与える。したがって、洗浄ステーションは断熱アイランド５００に、又はその上に配置することができる。
【０１１５】
[00126]  図１２は、このような基板テーブルＷＴを平面図で示す。このような基板テーブルＷＴは、米国特許出願公開ＵＳ２００７−０２１６８８１号に記載されているように、基板交換に使用される突起又はブリッジ６０２（回転又は後退可能なブリッジなど）のようなシャッタ表面を含んでよい。ここに見られるように、基板テーブルＷＴは自身上に基板Ｗを配置するための中心区間６００を有する。様々なセンサ６１０が存在する。これで、断熱アイランド５００の位置のために４つの潜在的な領域が残る。これらは、各縁部の実質的に中央にある。断熱アイランドの最適位置は、基板交換が実行される縁部である。図１２に示すように、底縁６２０は、図示の基板テーブルＷＴが次の基板テーブルＷＴとドッキングする側である。したがって、断熱アイランド５００はその縁部の中央に配置される。実施形態では、熱アイランド５００は基板テーブルＷＴの縁部に沿って別の位置に最適位置を有することがある。実施形態では、最適位置は基板テーブルＷＴの隅部に位置してよい。
【０１１６】
[00127]  この位置に断熱アイランドを配置すると、スループットを増加させることができる。スループットの増加を達成できるのは、基板テーブルＷＴがすぐ交換できる状態で所定の位置にて待機できるからである。次の基板テーブルが、投影システムＰＬの下の位置へと平行移動すべき所定の位置になると、交換が実行される。交換が実行されると、基板テーブルＷＴが最適には短距離、望ましくは基板テーブル間で投影システムを移動させ、液浸液を投影システムとブリッジ６０２のシャッタ表面又は基板テーブルＷＴの一方又は両方との間に維持するのに可能な最短距離だけ変位する。
【０１１７】
[00128]  断熱アイランドにとって同様の最適位置を、基板を支持しない測定テーブルのような、基板テーブルの形態のシャッタ部材上で使用することができる。測定テーブル上の断熱アイランドの最適位置は、基板の交換中に投影システムの下でテーブルを移動するための時間及び変位を最小化できるので最適である。この位置はテーブルの縁部でよい。この位置はテーブルの縁部に沿った位置でよい。この位置は、測定テーブルの縁部の実質的に中央であることが望ましい。代替的又は追加的に、断熱アイランドは実質的に測定テーブルの隅部にあってよい。
【０１１８】
[00129]  基板テーブルＷＴ上に洗浄ステーションを設けた場合、断熱アイランド５００の位置はその最適位置である。洗浄ステーションを測定テーブル上に、望ましくは断熱アイランド５００上に設けることができる。洗浄ステーションの位置は、基板交換中に基板テーブルＷＴを投影システムＰＳの下に配置するための基板テーブルの時間及び動作、及び／又は基板テーブルＷＴ上に存在する基板Ｗの露光の後及び／又は前に、洗浄ステーションを投影システムの下に配置するための基板テーブルの時間及び動作を最小化するのに役立てるために、最適化することができる。
【０１１９】
[00130]  図７ａ、図７ｂ、図７ｃ、図８ａ、図８ｂ及び図９の実施形態は全て、洗浄される表面の上、下又は側部で外部環境から密封された空間を提供する。つまり、洗浄される表面が空間の境界の一部を形成する。以上では、開口を通して洗浄液をこれらの空間に提供できると説明している。実施形態では追加的又は代替的に、洗浄液を噴霧（例えば２相の流れ）、望ましくはエアロゾル噴霧の形態で洗浄される表面に提供することができる。空間は実質的に密封されているので、噴霧の液滴は実質的に空間内に封じ込められ、したがって洗浄される表面及び空間を規定する全ての他の表面以外の表面を汚染しない。次に、噴霧からの液体を上述したのと同じ方法で収集することができる。２００７年１２月１８日出願の米国特許出願第６１／００６，０９２号及び米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１３２７３１Ａ１号は、閉じ込められた空間内のエアロゾル噴霧洗浄を開示し、エアロゾル噴霧洗浄に関してその出願に記載された原理を本発明の実施形態に等しく適用することができる。特に、図７ａ、図７ｂ、図７ｃ、図８ａ、図８ｂ及び図９の実施形態の空間への入口は、エアロゾル噴霧オリフィスでよい。実施形態では、洗浄液は洗浄気体（オゾンなど）又はプラズマ又は溶解したＯ3、１％のＨ2Ｏ2のような酸化剤（任意選択でＵＶ放射を含む）に変更するか、追加的にこれを含むことができる。気体状及びプラズマ洗浄剤が、米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１３２７３１Ａ１号及び２００８年２月７日出願の米国特許出願第６１／００６，９５１号に記載され、そこに記載された洗浄法及び薬剤を本発明の実施形態に使用することができる。酸化剤洗浄剤が２００７年９月２７日出願の米国特許出願第１１／８６２，８１７号に記載され、そこに記載された洗浄方法及び薬剤を本発明の実施形態に使用することができる。このような照明を必要とするこれらの酸化方法でのＵＶ放射の誘導は、２００８年１月２５日出願の米国特許第６１／００６，６６１号に記載されたように、洗浄される表面付近で開口がある光ファイバを使用することによって達成することができる。開口は、直接照明するのが困難な場所、例えばバリア部材１２、洗浄ステーションの窪み２１０、ダミー基板３００、２つの突起３４０、３５０間に規定された窪み、又は洗浄ステーション４００の表面内に配置することができる。
【０１２０】
[00131]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１２１】
[00132]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１２２】
[00133]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。
【０１２３】
[00134]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１２４】
[00135]  上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。
【０１２５】
[00136]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０１２６】
[00137]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０１２７】
[00138]  さらに、本発明を特定の実施形態及び例に関して開示してきたが、本発明は特に開示された実施形態を越えて、他の代替実施形態及び／又は本発明及び明白な改修及びその同等物の使用にまで拡大されることが当業者には理解される。また、本発明の多くの変形を詳細に図示し、説明してきたが、本開示に基づいて本発明の範囲に入る他の改修が当業者には容易に明白になる。例えば、実施形態の特定の特徴及び態様の様々なコンビネーション又はサブコンビネーションを作成することができ、それでもこれが本発明に入ることが想定される。したがって、開示された発明の様々なモードを形成するために、開示された実施形態の様々な特徴及び態様を相互に組み合わせるか、置換できることを理解されたい。例えば、図７及び図８に存在するシール（２３０、３１０、３２０、３４０、３５０）の特徴部は、これらの図、さらに図９の任意の実行可能な組み合わせで存在してよい。液浸液及び／又は洗浄流体は、バリア部材１２、洗浄ステーション４００、図７に示すような窪み２１０内のような基板テーブルＷＴ及び／又はダミー基板３００のようなシャッタ部材の開口１１０、１２０、１８０、２２０、２４０、２５０、４１０、４１２、４２２及び４２４を通して提供し、除去することができる。断熱領域５００を窪み２１０内に配置することができる。窪み２１０は、洗浄及び／又は保存のために洗浄ステーション４００を受け入れるような寸法にすることができる。シール３４０、３５０によって生成される空間は、洗浄ステーション４００の下側に形成してよい。したがって、本明細書で開示された本発明の範囲は、上述した特定の開示実施形態には制限されず、請求の範囲を公正に読んでのみ決定されるものとする。
【０１２８】
[00139]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を改修できることが当業者には明白である。
【０１２９】
[00140]  １．洗浄流体を空間に導入するように構成された入口、前記空間を少なくとも部分的に規定する洗浄される表面、及び
前記空間の周囲の流体が前記空間に入るのを阻止するために、前記空間の少なくとも一部の周囲を密封するように構成された液体シール、
を備える液浸リソグラフィ装置。
２．洗浄流体が前記空気を去ることができるようにする出口をさらに備える、請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
３．前記液体シールが、液体を供給する入口及び液体を除去する出口を備える、請求項２に記載の液浸リソグラフィ装置。
４．前記液体供給入口が、前記液体除去出口より前記空間に近い、請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
５．前記液体供給入口及び前記液体除去出口が平面図で前記空間を囲む、請求項３又は４に記載の液浸リソグラフィ装置。
６．洗浄流体を導入するように構成された前記入口及び前記液体シールの特徴部が、少なくとも部分的に前記空間を規定する表面を有する流体ハンドリング構造内に形成される、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
７．前記洗浄される表面が基板テーブルの上面である、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
８．前記空間内で動作可能な洗浄アクセラレータデバイスをさらに備える、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
９．前記洗浄アクセラレータデバイスが、（ｉ）攪拌器、又は（ｉｉ）ヒータ、又は（ｉｉｉ）紫外線放射源、又は（ｉｖ）音波変換器、又は（ｖ）（ｉ）〜（ｉｖ）から選択された任意の組み合わせを備える、請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
１０．洗浄流体が発泡性洗浄流体である、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１１．前記発泡性洗浄流体がＰＧＭＥＡである、請求項１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
１２．前記シールが超純水を使用するように構成される、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１３．洗浄流体を導入する前記入口、及び前記液体シールが、流体ハンドリング構造上にある、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１４．洗浄流体を導入する前記入口、及び前記液体シールの特徴部が、基板テーブル上に配置される、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１５．洗浄流体を導入する前記入口、及び前記液体シールの前記特徴部が、前記基板テーブルの断熱されたアイランド上にある、請求項１４に記載の液浸リソグラフィ装置。
１６．前記洗浄される表面が流体ハンドリング構造上にある、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１７．洗浄流体を導入する前記入口、及び前記液体シールの特徴部が基板テーブルから分離されている、前記請求項のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
１８．基板を支持する基板テーブル、及び
投影システムと前記基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造、を備え、
前記基板テーブルが、前記基板テーブルの残りの部分から断熱されている上面の断熱領域を備え、前記断熱領域が、前記投影システムの下から前記基板テーブルが移動する間に前記流体ハンドリング構造の下を通過する前記基板テーブルの縁部に隣接している
液浸リソグラフィ装置。
１９．前記断熱領域が平面図で、前記流体ハンドリング構造によって液体が適用される領域より大きいサイズである、請求項１８に記載の液浸リソグラフィ装置。
２０．前記断熱領域上に配置された洗浄ステーションをさらに備える、請求項１８又は１９に記載の液浸リソグラフィ装置。
２１．投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造、
表面を備える洗浄ステーション、
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封して、洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止する、前記入口の半径方向内側のシール、を備える
液浸リソグラフィ装置。
２２．前記シールが物理的シールである、請求項２１に記載の液浸リソグラフィ装置。
２３．前記物理的シールが突起である、請求項２２に記載の液浸リソグラフィ装置。
２４．前記物理的シールがリングである、請求項２２に記載の液浸リソグラフィ装置。
２５．前記入口が前記表面に規定される、請求項２１から２４のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
２６．洗浄流体を除去するように構成され、前記表面に規定された出口をさらに備える、請求項２１から２５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
２７．前記投影システムの下の圧力を上げるさらなる入口をさらに備える、請求項２１から２６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
２８．前記さらなる入口が前記基板テーブルに規定される、請求項２７に記載の液浸リソグラフィ装置。
２９．前記表面が、前記基板テーブルから取り外し可能な可動シャッタ部材の表面である、請求項２１から２６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３０．前記流体ハンドリング構造が、前記可動シャッタ部材を前記流体ハンドリング構造に取り付けるために低圧に接続された入口を備える、請求項２９に記載の液浸リソグラフィ装置。
３１．前記シールが、前記流体ハンドリング構造の底面の内縁と前記流体ハンドリング構造の前記底部内の抽出器との間を密封するように構成される、請求項２１から３０のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３２．前記シールの半径方向外側にあるさらなるシールをさらに備える、請求項２１から３１のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３３．前記入口が前記流体ハンドリング構造内に規定される、請求項２１から３２のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３４．前記投影システムによって区切られた空間に液体を提供するさらなる入口をさらに備える、請求項２１から３３のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３５．前記さらなる入口が前記流体ハンドリング構造内に規定される、請求項３４に記載の液浸リソグラフィ装置。
３６．前記表面内に、前記流体ハンドリング構造を受ける窪みが規定される、請求項２１から３５のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３７．前記表面が基板テーブルの表面である、請求項２１から３６のいずれか１項に記載の液浸リソグラフィ装置。
３８．投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する流体ハンドリング構造を備える液浸リソグラフィ装置の洗浄ステーションであって、
表面、
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間に洗浄流体を提供する入口、及び
前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封して、洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止する、前記入口の半径方向内側のシール、を備える洗浄ステーション。
３９．液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
洗浄される表面によって少なくとも部分的に規定された空間へと、入口を通して洗浄流体を導入すること、及び
前記空間を囲む流体が前記空間に入るのを阻止するために、前記空間の少なくとも一部の周囲で液体シールを密封することを含む方法。
４０．断熱領域を備える基板テーブル上で基板を支持すること、
流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと前記基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供することであって、前記断熱領域が、前記基板テーブルの残りの部分から断熱された上面の部分である、該提供すること、及び
前記基板テーブルが前記投影システムの下から移動する間に、前記断熱領域を前記流体ハンドリング構造の下に通すことを含み、前記断熱領域が前記基板テーブルの縁部に隣接して配置される
デバイス製造方法。
４１．液浸リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
流体ハンドリング構造からの液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供すること、
入口からの洗浄流体を前記流体ハンドリング構造と洗浄ステーションの表面の間に提供すること、及び
洗浄流体が前記投影システムへと通過するのを阻止するために、前記入口の半径方向内側に配置されたシールを使用して前記流体ハンドリング構造と前記表面の間を密封することを含む方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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