(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隙を挟んで対向する固定電極および可動電極を備え、加速度による可動電極の動きにより生じるこれらの電極間隙の距離変化に伴う静電容量の変化を検出することによって加速度を測定する容量型加速度センサの製造方法であって、
少なくとも一表面が電気的絶縁を有する基板上に、固定電極と、外部との接続を行う配線とを形成する工程と、
前記固定電極および配線が形成された前記基板の表面に、所定の開口部を有する第１のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第１のフォトレジスト層が形成された前記基板の表面に、第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の表面に、所定の開口部を有する第２のフォトレジスト層を形成する工程と
前記第２のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第２の金属層を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト層および前記第２の金属層の表面に、所定の開口部を有する第３のフォトレジスト層を形成する工程と、
前記第３のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第３の金属層を形成する工程と、
前記第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程と、
前記第１の金属層を、前記第２および第３の金属層をマスクとしてエッチングする工程と
前記第１のフォトレジスト層を除去する工程と、を備えていることを特徴とする加速度センサの製造方法。
【請求項２】
前記第１のフォトレジスト層を除去した後、前記第１の金属層のうち表面露出残部をエッチングする工程と、
前記第２および第３の金属層の露出表面と前記第１の金属層の断面露出部とに無電解めっきによる第４の金属層を形成する工程と、をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項３】
前記第１の金属層が、少なくともクロムと銅の２層以上からなる金属層であることを特徴とする請求項１または２に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項４】
前記第２の金属層が、ニッケルまたはニッケル合金からなる金属層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項５】
前記第２の金属層が、少なくともニッケルまたはニッケル合金と、金、銅およびこれらを含む合金との２層以上からなる金属層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項６】
前記第３の金属層が、少なくともニッケルまたはニッケル合金を含んでいることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項７】
前記第４の金属層が、金、ニッケルまたはこれらを含む合金から選ばれる金属層を少なくとも含む層からなることを特徴とする請求項２に記載の加速度センサの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の加速度センサの製造方法によって製造されたことを特徴とする加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向した電極間距離の加速度による変化を、これら電極により形成されるコンデンサの静電容量の変化として検出することにより、加速度を測定する容量型加速度センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
容量型加速度センサは、固定電極と可動電極との間にできる間隙によるコンデンサの静電容量を検出することより加速度を測定する。このような加速度センサを構成する可動電極は、固定電極が形成されている構造体と梁により保持されており、この梁の加速度によるたわみが可動電極の動きを発生し、固定電極との間のコンデンサ容量の変化を発生させている。固定電極と可動電極の間隙は、数μｍから数十μｍ程度であり、可動電極を保持する梁の厚みも数μｍから数十μｍである。また、梁のたわみを大きくするために、可動電極には錘がとりけられた構造を有している。このような容量型加速度センサはその寸法精度などから、シリコンを用いたＭＥＭＳによる方法が多く採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−３２０３４３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、シリコンをもちいたＭＥＭＳによる方法では、シリコン本体を錘としたり、錘や可動電極を保持し、可動電極を可動するための梁をシリコンの窒化膜や酸化膜により作製する。この場合、シリコンを高アスペクト比でエッチングする工程や、前記のシリコン化合物をエッチングずる工程を通す必要がある。このとき高額なドライエッチング装置を用いて危険性が高い特殊なガスを使用し、また、湿式エッチングに際しても、シリコン化合物を使用していることからフッ化水素酸のような危険な薬品を多用する。このため、製造設備は高額となり、コスト高となると同時に、製造における安全面についても問題がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、製造設備負担をできるだけ小さく抑え、使用する薬品類も安全性が高いものを使用することができる加速度センサの製造方法および加速度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
【０００６】
本発明に係る加速度センサの製造方法は、間隙を挟んで対向する固定電極および可動電極を備え、加速度による可動電極の動きにより生じるこれらの電極間隙の距離変化に伴う静電容量の変化を検出することによって加速度を測定する容量型加速度センサの製造方法であって、少なくとも一表面が電気的絶縁を有する基板上に、固定電極と、外部との接続を行う配線とを形成する工程と、前記固定電極および前記配線が形成された前記基板の表面に、所定の開口部を有する第１のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト層が形成された前記基板の表面に、第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層の表面に、所定の開口部を有する第２のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第２の金属層を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層および前記第２の金属層の表面に、所定の開口部を有する第３のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第３のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第３の金属層を形成する工程と、前記第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程と、前記第１の金属層を、前記第２および第３の金属層をマスクとしてエッチングする工程と、前記第１のフォトレジスト層を除去する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００７】
この発明は、固定電極と可動電極につながる配線とが形成されている基板に、可動電極につながる所定の部分に開口部を有し、所定の厚みを有する第１のフォトレジスト層を形成してから、表面全体に第１の金属層を形成することにより、基板表面全体に導電性を与えることとなる。加速度センサの錘を兼ねた可動電極を保持するための梁の形状の開口部を有する第２のフォトレジスト層に、梁となる第２の金属層を電気めっきや無電解めっきの湿式めっき法により形成することができ、それと同時に梁と基板に形成されている電極とを接続することができる。可動電極形状の開口部を有する第３のフォトレジスト層の開口部に、錘を兼ねた可動電極となる第３の金属層を電気めっきや無電解めっきの湿式めっき法により形成することができる。第３のフォトレジスト、第２のフォトレジストを剥離し、梁部形状となっている第２の金属層と可動電極形状となっている第３の金属層をマスクとして、第１の金属層をエッチングすることにより、第１のフォトレジスト層が現れる。この第１のフォトレジストを梁部の下や可動電極の下を含めて、そのすべてを除去する。これにより、梁と可動電極は基板と間隙をつくり、加速度センサを提供することとなる。間隙の距離は、第１のフォトレジスト層の厚みにより定めることができる。
【０００８】
本発明に係る加速度センサの製造方法は、間隙を挟んで対抗する固定電極および可動電極を備え、加速度による可動電極の動きにより生じるこれらの電極間隙の距離変化に伴う静電容量の変化を検出することによって加速度を測定する容量型加速度センサの製造方法であって、少なくとも一表面が電気的絶縁を有する基板上に、固定電極と、外部との接続を行う配線とを形成する工程と、前記固定電極および配線が形成された前記基板の表面に、所定の開口部を有する第１のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト層が形成された前記基板の表面に、第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層の表面に、所定の開口部を有する第２のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第２の金属層を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト層および前記第２の金属層の表面に、所定の開口部を有する第３のフォトレジスト層を形成する工程と、前記第３のフォトレジスト層の開口部に、湿式めっき法により第３の金属層を形成する工程と、前記第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程と、前記第１の金属層を、前記第２および第３の金属層をマスクとしてエッチングする工程と、前記第１のフォトレジスト層を除去する工程と、前記第１のフォトレジスト層を除去した後、前記第１の金属層のうち表面露出残部をエッチングする工程と、前記第２および第３の金属層の露出表面と前記第１の金属層の断面露出部とに無電解めっきによる第４の金属層を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
この発明は、固定電極と可動電極につながる配線とが形成されている基板に、可動電極につながる所定の部分に開口部を有し、所定の厚みを有する第１のフォトレジスト層を形成してから、表面全体に第１の金属層を形成することにより、基板表面全体に導電性を与えることとなる。加速度センサの錘を兼ねた可動電極を保持するための梁の形状の開口部を有する第２のフォトレジスト層に、梁となる第２の金属層を電気めっきや無電解めっきの湿式めっき法により形成することができ、それと同時に梁と基板に形成されている電極とを接続することができる。可動電極形状の開口部を有する第３のフォトレジスト層の開口部に、錘を兼ねた可動電極となる第３の金属層を電気めっきや無電解めっきの湿式めっき法により形成することができる。第３のフォトレジスト、第２のフォトレジストを剥離し、梁部形状となっている第２の金属層と可動電極形状となっている第３の金属層をマスクとして、第１の金属層をエッチングすることにより、第１のフォトレジスト層が現れる。この第１のフォトレジストを梁部の下や可動電極の下を含めて、そのすべてを除去する。第１のフォトレジスト層を除去した後、前記第１の金属層のうち第１のフォトレジストによりエッチングされなかった分である表面露出残部をエッチングすること、前記第２および第３の金属層の露出表面と第１の金属層の断面露出部とに無電解めっきによる第４の金属層を形成することにより、耐薬品性に劣る金属層を除去でき、かつ、不可避的に現れる耐薬品性に劣る金属層部を耐食性、耐久性に優れた第４の金属で完全に覆うことができ、耐久性に優れた加速度センサを提供できる。これにより、梁と可動電極は基板と間隙をつくり、加速度センサを提供することとなる。間隙の距離は、第１のフォトレジスト層の厚みにより定めることができる。
【００１０】
また、本発明に係る加速度センサの製造方法は、第１の金属層が、少なくともクロムと銅の２層以上からなる金属層であることを特徴とする。
【００１１】
この発明は、基板上に形成されている可動電極につながる電極部と第１の金属層との密着をクロムにより高めると同時に、第１のフォトレジスト層の開口部を通じて、湿式法で表面清浄化が容易な第１の金属層を構成する銅を介して、第２の金属層との密着を高める。さらに、第１の金属層のエッチングに際して、アルカリ性のエッチング液を使用することができるので、その他の部分を構成する金属層や基板および固定電極等の金属配線に対して、腐食、エッチング等のダメージを与えない。
【００１２】
また、本発明に係る加速度センサの製造方法は、第２の金属層が、ニッケルまたはニッケル合金からなる金属層であることを特徴とする。
【００１３】
この発明は、梁となるべき第２の金属層がニッケルまたはニッケル合金であるため、製造方法が容易でコストメリットが高い電気めっきや無電解めっきのような湿式めっきで形成することができる。また、ニッケルまたはニッケル合金であるため、アルカリ性の薬品に対して、高い耐食性を有しているので、第１の金属層のエッチングに対して、何ら損傷を受けず、加速度センサとしての信頼性も高くなる。
【００１４】
また、本発明に係る加速度センサの製造方法は、第２の金属層が、少なくともニッケルまたはニッケル合金と、金、銅およびこれらを含む合金との２層以上からなる金属層であることを特徴とする。
【００１５】
この発明は、梁となるべき第２の金属層がニッケルまたはニッケル合金と、金、銅およびこれらを含む合金との２層以上からなる金属層であることから、第３のフォトレジスト層の開口部を介して、梁と可動電極本体とをつなぐに当たり、電気めっきや無電解めっき等の湿式めっき法で密着良く接続できる。
【００１６】
また、本発明に係る加速度センサの製造方法は、第３の金属層が、少なくともニッケルまたはニッケル合金を含んでいることを特徴とする。
【００１７】
この発明は、第３のフォトレジスト層の開口部に第３の金属層を形成するにあたり、第３の金属層をニッケルまたはニッケル合金とすることにより、電気めっきや無電解めっき等の湿式めっき法で容易に形成することができる。さらにタングステンなどの比重が大きな物質をニッケルめっきと共析することにより、より比重の大きな錘を形成することができる。
【００１８】
また、本発明に係る加速度センサの製造方法は、第４の金属層が、金、ニッケルまたはこれらを含む合金から選ばれる金属層を少なくとも含む層からなることを特徴とする。
【００１９】
この発明は、加速度センサを構成する可動電極、梁および梁の保持部の表面を、金、ニッケルまたはこれらを含む合金から選ばれる金属層により覆われるので、耐腐食性が高まり、信頼性が向上する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、金属からなる錘および梁を有する容量型加速度センサを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明に係る実施の形態について、図１から図１４を参照して説明する。
【００２２】
本発明に係る加速度センサの上方および断面方向から示した図１に示すごとく、加速度センサは、少なくとも一表面が電気的に絶縁性を有する基板１と、基板１の表面に設けられた固定電極２ａ、２ｂ、２ｃおよび２ｄと、後述する可動電極と外部との接続を行う配線３と、基板１の表面に設けられ、後述する梁を固定する支持部４と、支持部４に固定された梁５ａ、５ｂ、５ｃおよび５ｄと、固定電極２ａ〜２ｄのそれぞれに対して基板の表面と垂直方向に間隙を挟んで対向するように梁５ａ〜５ｄのそれぞれに支持された、錘を兼ねた可動電極６ａ、６ｂ、６ｃおよび６ｄとから構成されている。また、支持部４と、梁５ａ〜５ｄと、可動電極６ａ〜６ｄとは、それぞれ金属からなっている。
【００２３】
このような構成からなる加速度センサの製造工程は、図２に示すように、基板１に固定電極２ａ〜２ｄおよび配線３を形成する、基板上に電極を形成する工程（Ｓ１０）と、固定電極２ａ〜２ｄと支持部４の一部及び可動電極６ａ〜６ｄとの間の間隙を作るための、第１のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１１）と、梁５ａ〜５ｄおよび可動電極６ａ〜６ｄを湿式めっき法で形成するための第１の金属層１３を作る、第１の金属層を形成する工程（Ｓ１２）と、梁５ａ〜５ｄの形状を与えるための、第２のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１３）と、梁５ａ〜５ｄとなる第２の金属層を形成する工程（Ｓ１４）と、可動電極６ａ〜６ｄの形状を与えるための、第３のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１５）と、可動電極６ａ〜６ｄとなる第３の金属層を形成する工程（Ｓ１６）と、第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程（Ｓ１７）と、第１の金属層をエッチングする工程（Ｓ１８）と、第１のフォトレジスト層を除去する工程（Ｓ１９）と、第１の金属層１３のうち表面露出残部を除去するための、第１の金属表面路露出部をエッチングする工程（Ｓ２０）と、第２および第３の金属層の露出表面と第１の金属層の断面露出部に無電解めっきによる第４の金属層を形成する工程（Ｓ２１）とを備えている。
【００２４】
以下、各ステップについて説明する。
【００２５】
基板上に電極を形成する工程（Ｓ１０）では、図３（ａ）に示すように、表面に熱酸化膜が形成され、電気的に絶縁性を有するシリコン基板７上に、スパッタリングにより、シリコン基板７側から、クロム５０ｎｍ、ニッケル２００ｎｍ、金１００ｎｍからなる金属層８を順次形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、所望とする電極パターンのフォトレジスト層９を形成する。その後、金、ニッケルおよびクロムを順次エッチングし（図３（ｃ））、フォトレジスト層９を剥離、除去することにより、配線が施された基板１０を作製する。
【００２６】
第１のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１１）では、図４（ａ）に示すように、配線が施された基板１０上に、ポジ型フォトレジスト１１を塗布し、加熱することにより溶剤を蒸発する。このとき、ポジ型フォトレジスト１１の厚みは、固定電極２ａ〜２ｄと可動電極６ａ〜６ｄとの静止時の間隙距離となるようにする。次いで、ポジ型フォトレジスト１１を露光、現像することにより、第１のフォトレジスト層１２を形成する。
【００２７】
第１の金属層を形成する工程（Ｓ１２）では、図５に示すように、スパッタリングによりクロム膜５０ｎｍ、銅膜２００ｎｍからなる第１の金属層１３を、配線が施された基板１０の処理面全面に形成する。
【００２８】
第２のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１３）では、図６に示すように、第１の金属層表面１３の表面に、厚み精度に優れているアクリル系ネガ型フォトレジストであるドライフィルムフォトレジスト１４を貼付する。次に、露光、現像することにより、第２のフォトレジスト層１５を形成する。
【００２９】
第２の金属層を形成する工程（Ｓ１４）では、図７に示すように、第２のフォトレジスト層１５の開口部に所望とする厚みまで、電気めっきによりニッケルめっき層１６を形成し、その上にさらに電気めっきにより銅めっき層１７を形成し、めっき層１８を形成する。次いで、必要に応じて、研磨を行うことにより、第２の金属層１８の厚みを調整する。この際、第２の金属層１８において、ニッケルめっき層１６上に銅めっき層１７を形成することにしたのは、ニッケルめっき層１６が表面に出た場合、表面に除去が困難な酸化層を形成し、後工程の層形成において密着性に問題を起こしやすくなるため、研磨は処理が容易である銅めっき層１７で覆うようにしたのであり、ニッケルめっき層１６のみで後工程に対して問題を生じなければ、必ずしも銅めっき層１７を形成する必要はない。なお、第２の金属層１８の膜厚分布や平坦度が良い場合には、この研磨工程は行う必要はない。
【００３０】
第３のフォトレジスト層を形成する工程（Ｓ１５）では、図８に示すように、表面に厚み精度が優れているアクリル系ネガ型フォトレジストであるドライフィルムフォトレジスト１９を貼付する。次に、露光、現像することにより、第３のフォトレジスト層２０を形成する。
【００３１】
第３の金属層を形成する工程（Ｓ１６）では、図９に示すように、第３のフォトレジスト層２０の開口部に所望とする厚みまで、電気めっきによりニッケルめっき層を形成することにより第３の金属層２１を形成する。次いで、必要に応じて研磨を行うことにより第２の金属層２１の厚みおよび表面状態を安定化する。
【００３２】
第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程（Ｓ１７）では、図１０に示すように、ドライフィルムフォトレジストからなる第３および第２のフォトレジスト層を有機溶剤またはアルカリ性の剥離液により除去する。有機溶剤またはアルカリ性剥離液をもちいることにより、加速度センサを構成する部材を侵すことなくドライフィルムフォトレジストを除去することができる。
【００３３】
第１の金属層をエッチングする工程（Ｓ１８）では、図１１に示すように、第１の金属層１３を構成する金属である銅膜とクロム膜を順次エッチングする。過硫酸アンモニウム水溶液にアンモニアを添加したエッチング液を用いることにより、その他の部分を構成するニッケル、クロム、金を侵すことなく銅膜のエッチングを行うことができる。第２の金属層１８における銅めっき層１７は、その表面の一部が露出しているが、第１の金属層１３を構成する銅膜の膜厚２００ｎｍに対して十分厚く形成されていれば、エッチング量として問題となることはなく、薄い場合は、この銅めっき層１７のうち表面部に露出している部分をエッチングにより除去しても第２の金属層１８と第３の金属層２１との接続に対しては断面方向に露出しているだけなので、エッチングがほとんど進行せず問題とはならない。クロム膜は、フェリシアン化カリウムのアルカリ性水溶液をエッチング液として用いることにより、他の金属部に影響を及ぼさずにエッチングすることができる。
【００３４】
第１のフォトレジスト層を除去する工程（Ｓ１９）では、図１２に示すように、第１のフォトレジスト１２を構成するポジ型フォトレジストを、剥離液としてアルカリ性水溶液を用いることにより除去する。
【００３５】
以上、Ｓ１０からＳ１９の工程により、加速度センサを作製できる。この製造方法による加速度センサでは、第１の金属層１３の一部と第２の金属層１８とにより、梁５ａ〜５ｄが構成されるが、これらの層の一部に、銅とクロムが露出している部分があるため、より高い信頼性を要求される場合は、以下の、工程を通す。
【００３６】
第１の金属層表面露出残部をエッチングする工程（Ｓ２０）では、図１３に示すように、第１の金属層をエッチングする工程（Ｓ１８）で残った第１の金属層１３のうち、第１のフォトレジスト層を除去する工程（Ｓ１９）により第２の金属層１８の下部に付着している第１の金属層１３を構成するクロム膜と銅膜をそれぞれエッチングする。クロム膜のエッチングには、フェリシアン化カリウムのアルカリ性水溶液をエッチング液として用い、銅膜のエッチングには、過硫酸アンモニウム水溶液にアンモニアを添加したエッチング液を用いることにより、他の部分に影響を及ぼさずに表面に露出している第１の金属層１３をエッチングすることができる。
【００３７】
第４の金属層を形成する工程（Ｓ２１）では、図１４に示すように、露出している金属部表面の一部または全体に無電解めっき法により第４の金属層２２を形成する。無電解めっきには、ニッケル、金およびこれらの合金めっきを用いる。無電解めっきとして、ニッケルまたはニッケル合金めっきを用いる場合、第２および第３の金属層にニッケルを用いているので、無電解めっきはニッケルの自己触媒作用により析出し、一部表面に現れている銅表面にも同時に析出するが、析出が不十分な場合には、置換型パラジウム触媒をニッケルおよび銅の表面に付着せしめ、その後、無電解ニッケルめっきを施しても良い。また、より信頼性を高める場合には、無電解金めっきを直接、もしくは、無電解ニッケルめっきを施した後に施しても良い。この場合、加速度センサの金属部はすべて金により覆われることになるので、電気的な特性に非常に優れたものとなる。また、作製された加速度センサは、基板１を除きすべて金属からなっており、強度、信頼性の点で各段に優れている。
【００３８】
このように、本発明に係る加速度センサの製造方法を適用することにより、シリコンやシリコン化合物のように脆性を有する材料を使うことなく、強度が高い金属材料で加速度センサを提供できる。また、加速度センサを製造する方法を高額な設備や危険なガス、薬品等を使うことが無いので、比較的安全な方法で、かつ、安価に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る加速度センサの上方および断面方向から示した図である。
【図２】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法を示すフロー図である。
【図３】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、基板上に電極を形成する工程を示す説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第１のフォトレジスト層を形成する工程を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第１の金属層を形成する工程を形成する工程を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第２のフォトレジスト層を形成する工程を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第２の金属層を形成する工程を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第３のフォトレジスト層を形成する工程を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第３の金属層を形成する工程を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第３および第２のフォトレジスト層を除去する工程を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第１の金属層をエッチングする工程を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第１のフォトレジスト層を除去する工程を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第１の金属層表面露出残部をエッチングする工程を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る加速度センサを作製するための製造方法のうち、第４の金属層を形成する工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  基板
２ａ，２ｂ、２ｃ、２ｄ  固定電極
３ａ，３ｂ、３ｃ、３ｄ  配線
４  支持部
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ  梁
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ  可動電極
７  シリコン基板
８  金属層
９  フォトレジスト層
１０  配線が施された基板
１１  ポジ型フォトレジスト
１２  第１のフォトレジスト層
１３  第１の金属層
１４、１９  ドライフィルムフォトレジスト
１５  第２のフォトレジスト層
１６  ニッケルめっき層
１７  銅めっき層
１８  第２の金属層
２０  第３のフォトレジスト層
２１  第３の金属層
２２  第４の金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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