(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察対象に荷電粒子線を照射して発生する二次信号を検出し観察対象の画像を生成する荷電粒子線装置において、前記観察対象を載置し連続的に移動するステージと、該ステージの移動中に該移動軸方向へ偏向させながら、該移動軸方向に対して略直角方向に荷電粒子線を繰返し走査させる走査信号を偏向器へ与える偏向制御回路とを備え、前記荷電粒子線の照射の時間的間隔を可変とすることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記走査信号は前記ステージの移動速度変化または偏向視野内の特定の位置から走査位置までの距離の変化に応じて、前記移動軸方向への偏向量を調節することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項２の記載において、前記移動軸方向への偏向量の調節を、走査ライン毎もしくは複数ラインの走査を繰返すと同時に実行することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項２の記載において、前記移動軸方向への偏向量を表示するインターフェースを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１の記載において、前記走査信号は前記ステージの移動速度変化または偏向視野内の特定の位置から走査位置までの距離の変化に応じて、前記荷電粒子線照射の時間的間隔を調節することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項５の記載において、前記荷電粒子線照射の時間的間隔の調節を、走査ライン毎もしくは複数ラインの走査を繰返すと同時に実行することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項５の記載において、前記荷電粒子線照射の時間的間隔を表示するインターフェースを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項１の記載において、前記ステージ移動軸方向への偏向量を可変とし、前記荷電粒子線照射の時間的間隔を一定にすることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項１の記載において、前記ステージ移動軸方向への偏向量を一定にすることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項１の記載において、前記ステージ移動軸方向への偏向量を可変にすることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０の記載において、前記インターフェースは推移を表示することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１において、前記荷電粒子線の、該移動軸方向への偏向と該移動軸方向に対し略直角方向への走査の繰返しを制御するための条件指示用インターフェースを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記偏向と前記走査繰返しを制御するための条件指示を補助するための自動設定機能を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１４】
観察対象に荷電粒子線を照射して発生する二次信号を検出し前記観察対象の画像を生成する荷電粒子線装置における画像生成方法において、前記観察対象を載置し連続的に移動させ、該観察対象の移動中に移動軸方向へ偏向させながら、該移動軸方向に対して略直角方向に前記荷電粒子線を繰返し走査させる走査信号を偏向器へ与える画像生成方法であって、前記荷電粒子線の照射の時間的間隔を可変とすることを特徴とした荷電粒子線装置における画像生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスや液晶等の微細なパターンを有する基板の欠陥を検査する技術に係わり、特に、基板に荷電粒子線を照射して基板から発生する二次信号を検出し、基板上のパターンの欠陥を検査する荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置における画像検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の例として、半導体ウエハの検査を一例として説明する。半導体デバイスは、半導体ウエハ上にフォトマスクに形成されたパターンをリソグラフィー処理、及びエッチング処理により転写する工程を繰返すことにより製造される。半導体デバイスの製造過程において、リソグラフィー処理やエッチング処理、その他の処理の良否や異物の発生等は、半導体デバイスの製造歩留まりに大きく影響を及ぼす。したがって、このような製造過程における異常や不良発生を早期にあるいは事前に検知するために、製造過程の半導体ウエハ上のパターンを検査する各種装置が用いられている。
【０００３】
半導体ウエハ上のパターンに存在する欠陥を検査する方法としては、半導体ウエハに光を照射し、光学画像を用いて複数のＬＳＩの同種の回路パターンを比較する欠陥検査装置や、半導体ウエハに電子線等の荷電粒子線を照射し、発生する二次電子や反射電子を検出し、その信号を画像化し、欠陥を検出する欠陥検査装置が実用化されている。
【０００４】
走査型電子顕微鏡を応用した欠陥検査用荷電粒子線装置では、検査対象を連続移動させたまま荷電粒子線を走査させるステージ追従方式を採用する事で、スループット向上を図ったものが知られている（例えば、特許文献１参照）。しかし、ステージの移動方向と走査方向が予め決まっており、画像取得時の自由度が少ないため、画像の歪みが発生したときの対応や、スループットの低減が困難であるといった課題が残っている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２５８７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の荷電粒子線装置では、前述のように、ステージを連続移動させながら、荷電粒子線を走査させることで、画像取得のスループット向上を図っている。本発明の目的は、ステージ追従方式において荷電粒子線の偏向を制御する事で、状況や目的に応じて走査を最適化し、画像の歪みを低減し、スループット，画質，欠陥検出率が向上した荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施態様によれば、検査対象に荷電粒子線を照射して発生する二次電子を検出し、検査対象の異常を検出する検査装置であって、検査対象を載置し連続的に移動するステージと、該ステージの移動中にステージの移動速度変化に応じて該ステージ移動軸方向（ステージ進行方向またはその逆方向を示す）へ偏向させながら、該ステージ移動軸方向に対して略直角方向に荷電粒子線を繰返し走査させる走査信号を偏向器へ与える偏向制御回路とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、検査対象の移動速度変化に応じて移動軸方向への荷電粒子線の偏向制御を行う事で、画像の歪みを低減し、スループット，画質，検出率が向上した荷電粒子線装置を得る事ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
図１は、荷電粒子線を用いた回路パターン検査装置の構成図であり、主要な構成を略縦断面図と機能図とで表している。回路パターン検査装置１は、室内が真空排気される検査室２と、検査室２内に被検査基板９を搬送するための予備室（図示せず）を備えており、この予備室は検査室２とは独立して真空排気できるように構成されている。また、回路パターン検査装置１は検査室２と予備室の他に画像処理部５から構成されている。
【００１１】
検査室２内は大別して、電子光学系カラム３，試料室８，光学顕微鏡室４から構成されている。電子光学系カラム３は、電子銃１０，引き出し電極１１，コンデンサレンズ１２，ブランキング偏向器１３，絞り１４，走査偏向器１５，対物レンズ１６，反射板１７，ＥｘＢ偏向器１８，二次電子検出器２０から構成され、一次電子線１９を被検査基板９へ照射するとともに、被検査基板９から発生した二次電子を検出する。
【００１２】
光学顕微鏡室４は、検査室２の室内における電子光学系カラム３の近傍であって、互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に配置されている。光学顕微鏡室４は光源４０，光学レンズ４１，ＣＣＤカメラ４２により構成されている。電子光学系カラム３と光学顕微鏡室４の間の距離は既知であり、Ｘステージ３１又はＹステージ３２が電子光学系カラム３と光学顕微鏡室４の間の既知の距離を往復移動するようになっている。
【００１３】
二次電子検出部７は、二次電子検出器２０からの出力信号を増幅するプリアンプ２１，増幅信号をアナログからデジタルへ変換するＡＤ変換器２２を備え、それぞれを駆動するためのプリアンプ駆動電源２７，ＡＤ変換器駆動電源２８，逆バイアス電源２９と、これらに電気を供給する高圧電源２６を備える。増幅されたデジタル信号は光変換手段２３で光信号に変換され、光伝送手段２４を通って電気変換手段２５で電気信号に変換され、画像処理部５の記憶部４５へ送られる。なお、図示していないが、ＣＣＤカメラ４２で取得した光学画像も同様にして、画像処理部５へ送られる。
【００１４】
画像処理部５は、記憶部４５，画像処理回路４６，欠陥データバッファ４７，演算部４８，全体制御部４９から構成されている。記憶部４５に記憶された信号は画像処理回路４６で画像化されるとともに、特定位置離れた画像同士の位置合わせ，信号レベルの規格化，ノイズ信号を除去するための各種画像処理を施し、画像信号を比較演算する。演算部４８は比較演算された差画像信号の絶対値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値よりも差画像信号レベルが大きい場合に欠陥候補と判定し、インターフェース６にその位置や欠陥数等を送る。全体制御部４９はこれらの画像処理や演算を制御し、状況を補正制御回路６１へ送信する。
【００１５】
電子線画像あるいは光学画像は、インターフェース６の画像表示部５６に表示される。回路パターン検査装置１の各部の動作命令及び動作条件は、インターフェース６から指示命令が入力され、画像処理部５の全体制御部４９から補正制御回路６１へ送られる。インターフェース６では、一次電子線１９の発生時の加速電圧，偏向幅，偏向速度，二次電子検出部７の信号取り込みタイミング，Ｘステージ３１やＹステージ３２の移動速度等の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して設定できる。インターフェース６は例えばディスプレイの機能を有し、マップ表示部５５には、検出された複数の欠陥の分布が、ウエハを模式的に表したマップの上に記号化されて表示される。画像取得指示領域５７は、検出された欠陥ごと、あるいは領域ごとに電子線画像あるいは光学画像を取得する指示を出す部分である。画像処理指示領域５８は、取得した画像の明るさ調整やコントラスト調整を指示する部分である。処理条件設定指示部５９は、一次電子線１９を被検査基板９に照射するときの偏向幅，偏向速度，対物レンズの焦点距離，焦点深度などの各種条件を設定する部分である。
【００１６】
補正制御回路６１は、一次電子線１９の発生時の加速電圧，偏向幅，偏向速度，二次電子検出部７の信号取り込みタイミング，Ｘステージ３１やＹステージ３２の移動速度等が、画像処理部５の全体制御部４９から送られた指示命令に従うように制御する。また、位置モニタ測長器３４，被検査基板高さ測定器３５の信号から被検査基板９の位置や高さをモニタし、その結果から補正信号を生成し、走査信号発生器４３や対物レンズ電源４４に補正信号を送り、一次電子線１９が常に正しい位置に照射されるように偏向幅，偏向速度，対物レンズの焦点距離，焦点深度を変える。
【００１７】
電子銃１０には拡散補給型の熱電界放出電子源が使用されている。この電子銃１０を用いることにより、従来の例えばタングステン・フィラメント電子源や、冷電界放出型電子源に比べて安定した電子線電流を確保することができるため、明るさ変動の少ない電子線画像が得られる。また、この電子銃１０により電子線電流を大きく設定することができるため、後述するような高速検査を実現できる。
【００１８】
一次電子線１９は、電子銃１０と引き出し電極１１との間に電圧を印加することで電子銃１０から引き出される。一次電子線１９の加速は、電子銃１０に高電圧の負の電位を印加することで決まる。これにより、一次電子線１９はその電位に相当するエネルギーで試料台３０の方向に進み、コンデンサレンズ１２で収束され、さらに対物レンズ１６により細く絞られて試料台３０に搭載された被検査基板９に照射される。
【００１９】
ブランキング偏向器１３，走査偏向器１５は、ブランキング信号及び走査信号を発生する走査信号発生器４３により制御される。ブランキング偏向器１３は、一次電子線１９が絞り１４の開口部を通過しないように一次電子線１９を偏向し、一次電子線１９の被検査基板９への照射を防ぐことができる。一次電子線１９は対物レンズ１６により細く絞られているので、走査偏向器１５により、被検査基板９上で走査される。
【００２０】
自動検査装置では検査速度が速いことが必須となる。従って、通常のＳＥＭのようにｐＡオーダーの電子線電流の電子線を低速で走査したり、多数回の走査及び各々の画像の重ね合せは行わない。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子線走査は高速で一回あるいは数回程度にする必要がある。そこで本実施例では、通常のＳＥＭに比べ約１００倍以上の、例えば１００ｎＡの大電流電子線を一回のみ走査することにより画像を形成する構成とした。また、走査幅は例えば１００μｍとし、１画素は０.１μｍ□とし、１回の走査を１μｓで行うようにした。
【００２１】
対物レンズ１６には、対物レンズ電源４４が接続されている。コンデンサレンズ１２にも図示しないレンズ電源が接続されている。そしてこれらのレンズ強度はレンズ電源の電圧を変えることによって、補正制御回路６１で調整される。
【００２２】
被検査基板９には、リターディング電源３６により負の電圧を印加できるようになっている。リターディング電源３６の電圧を調節することにより、一次電子線１９を減速させ、電子銃１０の電位を変えることなしで被検査基板９への電子線照射エネルギーを調節することができる。
【００２３】
Ｘステージ３１，Ｙステージ３２の上には被検査基板９が搭載されている。検査実行時には、Ｘステージ３１，Ｙステージ３２を静止させ、一次電子線１９を二次元に走査する方法と、Ｘステージ３１を静止させ、Ｙステージ３２をＹ方向に連続して一定速度で移動させながら一次電子線１９をＸ方向に走査する方法とがある。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合には、前者のステージを静止させて検査する方法が、比較的広い領域を検査するときは、後者のステージを連続的に一定速度で移動して検査する方法が有効である。
【００２４】
Ｘステージ３１またはＹステージ３２の一方を連続的に移動させながら、被検査基板９の画像を取得する場合、ステージの移動方向に対して略直角方向に一次電子線１９を走査し、被検査基板９から発生した二次電子を一次電子線１９の走査及びステージの移動と同期して二次電子検出器２０で検出する。被検査基板９上に一次電子線１９を照射することによって発生した二次電子は、被検査基板９に印加された負の電圧により加速される。被検査基板９の上方に、ＥｘＢ偏向器１８が配置され、これにより加速された二次電子は所定の方向へ偏向される。ＥｘＢ偏向器１８に印加する電圧で磁界の強度を変え、偏向量を調整することができる。また、ＥｘＢ偏向器１８の電磁界は、被検査基板９に印加した負の電圧に連動させて可変させることができる。ＥｘＢ偏向器１８により偏向された二次電子は、所定の条件で反射板１７に衝突する。この反射板１７は、被検査基板９に照射する一次電子線１９の偏向器１５のシールドパイプを兼ね、円錐形状をしている。この反射板１７に加速された二次電子が衝突すると、反射板１７からは数Ｖから５０ｅＶのエネルギーを持つ第二の二次電子が発生する。
【００２５】
位置モニタ測長器３４として、本実施例ではレーザ干渉を原理とした測長計をＸ方向とＹ方向に用い、Ｘステージ３１及びＹステージ３２の位置を一次電子線１９を照射しながら測定し、補正制御回路６１に送信されるように構成されている。また、Ｘステージ３１，Ｙステージ３２，回転ステージ３３の各駆動モータの回転数も各々のドライバ回路から補正制御回路６１に送信されるように構成されている。補正制御回路６１は、これらのデータに基づいて一次電子線１９が照射されている領域や位置が正確に把握できるようになっており、一次電子線１９の照射位置の位置ずれを補正制御回路６１より補正する。また、一次電子線１９を照射した領域を記憶できるようになっている。
【００２６】
被検査基板高さ測定器３５には、電子線以外の測定方式である光学式測定器、例えばレーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定する反射光式測定器が使用される。例えば、スリットを通過した細長い白色光を透明な窓越しに該被検査基板９に照射し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の変動から高さの変化量を算出する方式が知られている。被検査基板高さ測定器３５は、Ｘステージ３１，Ｙステージ３２に搭載され、被検査基板９の高さを測定する。被検査基板高さ測定器３５の測定データに基づいて、一次電子線１９を細く絞るための対物レンズ１６の焦点距離がダイナミックに補正され、常に非検査領域に焦点が合った一次電子線１９を照射できるようになっている。また、被検査基板９の反りや高さ歪みを一次電子線１９の照射前に予め測定し、そのデータに基づいて対物レンズ１６の検査領域毎の補正条件を設定するように構成することも可能である。
【００２７】
図２はインターフェースのディスプレイに表示される画像の一例を示す画面図である。ディスプレイの画面の大きな領域には、マップ表示部５５と画像表示部５６が配置される。下方にはモード切替えボタン６０が配置され、「検査」「欠陥確認」「レシピ作成」「ユーティリティ」の各モードを選択できる。「レシピ作成」モードは自動検査の条件を設定するモードである。「ユーティリティ」モードは、他のモードには現れない補助機能を呼び出すモードであり、通常は使用しない。
【００２８】
図３は被検査基板９の一次電子線１９の走査の制御を説明する概念図であり、図３（ａ）は被検査基板９の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ部の拡大図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＢ部の拡大図、図３（ｄ）は一次電子線１９の走査時間とＸ方向の位置との関係を表わす関係図である。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、ステージを移動させながらステージ移動方向に直交する方向に一次電子線１９を走査させる。ステージが移動しているので、一次電子線１９は被検査基板９上を走査しながら図中の矢印で示す検査ストライプ１０１の方向に進むことになる。矩形で表示されたひとつひとつがチップ１０２であり、最終製品は矩形の境界で切断され、電気端子が接合される。
【００３０】
図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ部で囲んだチップ１０２のひとつを拡大したものであり、内部に複数のセル１０３が配置されている。一次電子線１９の走査の幅が１００μｍのとき、セル１０３の幅が１００μｍ以下であれば、セル１０３の一列を１回のステージ移動で走査できることになる。
【００３１】
図３（ｃ）は、図３（ｂ）のＢ部を拡大したもので、ひとつのセル１０３内にプラグ１０４と呼ばれる回路が複数個並んでいる状況を示したものである。一次電子線１９は、サンプリング（１），サンプリング（２），サンプリング（３）というように順番にセル１０３を走査し、発生した二次電子信号が同時に検出され、画像化される。
【００３２】
図３（ｄ）は、一次電子線１９の走査時間とＸ方向の位置との関係を表わす関係図であり、サンプリング（１）についてＴ１時間（例えば１μ秒）とし、これを照射の時間的間隔（以下、照射間隔とする）として繰返す。
【００３３】
検査対象の帯電状況や移動手段の精度、または検査の目的などに応じて、照射間隔や移動軸方向の照射位置をリアルタイムで制御することで、検出する検査画像の質や検査のスループットの向上を図る事ができる。これを調節機能と称し、この例を以下に示す。
【００３４】
検査対象を移動させるステージを連続的に一定速度で移動して検査する方法を例に説明する。ステージをＹ方向へ移動し、Ｘ方向（移動方向に対し略直角方向）へ一次電子線１９を走査するものとする。該検査方法において一次電子線１９は、Ｙ偏向量と照射間隔を調節する事で制御する事が可能で、次の四通りの制御方法が考えられる。（１）Ｙ偏向量と照射間隔の両方を固定とする方法、（２）Ｙ偏向量を固定とし照射間隔を調節する方法、（３）Ｙ偏向量を調節し照射間隔を固定とする方法、そして、（４）Ｙ偏向量と照射間隔の両方を調節する方法である。
【００３５】
制御方法（１）を図４を用いて説明する。図４の（ａ）は、偏向視野２０１から見た電子線の照射位置を説明する概念図であり、図４の（ａ）は常に偏向視野２０１の中心２０２を通るように、一次電子線１９を照射している状態を示す。図４の（ｂ）は該方法での一次電子線１９の走査時間および待ち時間とＸ方向の位置との関係を表す関係図であり、走査時間Ｔ１を走査（１）と走査（２）の照射間隔とし、走査時間Ｔ２を走査（２）と走査（３）の照射間隔とする。走査時間Ｔ３を固定的に制御するとき、Ｔ１とＴ２が同じ時間になるように走査することで、照射毎の待ち時間Ｔ４とＴ５を均一にする。
【００３６】
制御方法（１）のように照射間隔を一定にする事で、帯電状況を均一にし、コントラスト斑の発生を抑える事ができる。また、Ｙ偏向量を一定にする事で、Ｙ方向への偏向による焦点歪みなどの補正処理や、偏向視野外判定の処理などが不要になり、処理の簡素化により信頼性および処理速度を向上しスループット向上に寄与する事ができる。
【００３７】
制御方法（２）を図５を用いて説明する。図５の（ａ）は、図４の（ａ）と同じく、偏向視野２０１から見た電子線の照射位置を説明する概念図であり、図５の（ａ）は常に偏向視野２０１の中心２０２を通るように、一次電子線１９を照射している状態を示す。図５の（ｂ）は、図４の（ｂ）と同様に、該方法での一次電子線１９の走査時間および待ち時間とＸ方向の位置との関係を表す関係図であり、走査時間Ｔ１を走査（１）と走査（２）の照射間隔とし、走査時間Ｔ２を走査（２）と走査（３）の照射間隔とする。走査時間Ｔ３を固定的に制御するとき、照射間隔Ｔ１やＴ２を必要に応じて変化させる。
【００３８】
制御方法（２）のように照射間隔を可変にする事で、ステージ速度の斑を吸収する事ができ、電子線照射位置の精度向上を図る事ができる。また、制御方法（１）と同様に、Ｙ偏向量を一定にする事で、信頼性および処理速度を向上しスループット向上に寄与する事ができる。
【００３９】
制御方法（３）を図６を用いて説明する。図６の（ａ）は、図５の（ａ）と同様に、偏向視野２０１から見た電子線の照射位置を説明する概念図であり、図６の（ａ）は検査対象であるセル１０３上の照射目標位置へ照射するように、状況に応じてＹ方向へも偏向して、一次電子線１９を照射している状態を示す。図６の（ｂ）は、図４の（ｂ）と同じく、該方法での一次電子線１９の走査時間および待ち時間とＸ方向の位置との関係を表す関係図であり、走査時間Ｔ１を走査（１）と走査（２）の照射間隔とし、走査時間Ｔ２を走査（２）と走査（３）の照射間隔とし、Ｔ１とＴ２が同じ時間になるように走査している状態を示す。
【００４０】
制御方法（１）の場合と同様に、制御方法（３）のように照射間隔を一定にする事で、帯電状況を均一にし、コントラスト斑の発生を抑える事ができる。また、Ｙ偏向量を状況に応じて調節する事で、ステージ速度の斑を吸収する事ができ、電子線照射位置の精度向上を図る事ができる。
【００４１】
制御方法（４）を図７を用いて説明する。図７の（ａ）は、図６の（ａ）と同じく、偏向視野２０１から見た電子線の照射位置を説明する概念図であり、図７の（ａ）は検査対象であるセル１０３上の照射目標位置へ照射するように、状況に応じてＹ方向へも偏向して、一次電子線１９を照射している状態を示す。図７の（ｂ）は、図５の（ｂ）と同じく、該方法での一次電子線１９の走査時間および待ち時間とＸ方向の位置との関係を表す関係図であり、走査時間Ｔ１を走査（１）と走査（２）の照射間隔とし、走査時間Ｔ２を走査（２）と走査（３）の照射間隔とする。走査時間Ｔ３を固定的に制御するとき、照射間隔Ｔ１やＴ２を必要に応じて変化させる。
【００４２】
制御方法（７）のように照射間隔およびＹ偏向量の両方を調節する事で、ステージ速度の斑を吸収する事ができ、電子線照射位置の精度向上を図る事ができる。また、両方を調節する事でそれぞれの調節量を抑える事ができ、電子線照射位置の偏向視野からの逸脱を防止し、帯電状況の均一化によるコントラスト斑発生を抑制する効果も期待できる。
【００４３】
図８はＹ偏位量と照射間隔の調節機能の処理フローを示す。オペレータにより該調節機能の条件が設定され（ステップ３０１）、該条件およびステージ速度などのそのほかの装置作動条件に基づき、Ｙ偏向量や照射間隔などの初回照射条件が算出され（ステップ３０２）、初回走査の照射目標位置がＹ偏向量で示す位置付近に到達したら（ステップ３０３）、初回走査による検査を開始する（ステップ３０４）。照射間隔経過や照射目標位置到達などの照射条件が成立し、走査が実行される（ステップ３０５）とステージ速度変動などの様々な要因および照射間隔やＹ偏向量の調整により、場合によっては照射間隔やＹ偏向量が変動する。新たな照射間隔やＹ偏位量、および偏向視野に対する照射目標位置などを入力値とし、次のＹ偏向量や照射間隔などの照射条件を算出する（ステップ３０６）。任意のライン数の走査を実行し検査終了するまで（ステップ３０７）、走査ステップ３０５および照射条件算出を繰返し実行する。
【００４４】
Ｙ偏位量と照射間隔の監視の他、Ｙ偏位量と照射間隔を調節するパラメータをスキャン条件毎に最適化する必要があるため、調節用インターフェースを要する。インターフェース６上の処理条件設定指示部５９、あるいは別のＹ偏位量および照射間隔の監視用画面にステージ速度，Ｙ偏位量、および照射間隔を表示する。図９はＹ偏位量および照射間隔の監視用画面２０３の一例であり、ステージ速度をステージ速度推移表示部２０４に、Ｙ偏位量をＹ偏位量推移表示部２０５に、そして、照射の時間的間隔を照射間隔推移表示部２０６に、それぞれ、各状態の推移のグラフで表示する。また、速度数値情報表示部２０７，距離数値情報表示部２０８，間隔数値情報表示部２０９に、それぞれの数値を表示できるようになっている。
【００４５】
図１０はＹ偏位量および照射間隔、またはこれらの制御を調整するための条件指示用画面２１０の一例であり、追従モード選択部２１１はＹ偏位量および照射間隔の調節機能の使用または不使用、もしくは該機能を実現するフィードバック・アルゴリズムなどのアルゴリズムなどの選択を可能にする。設定値入力部２１２は前記追従モードに対応したパラメータの入力を可能にする。自動設定機能起動ボタン２１３は、設定補助機能を起動させる。
【００４６】
トレードオフの関係にあるＹ偏位量と照射間隔の両方を調節し制御する場合など、Ｙ偏位量と照射間隔の制御を最適化するための調整は困難な場合があり、Ｙ偏位量と照射間隔の推移を表示する事で、制御パラメータの最適化の作業効率を向上する事ができる。また、一次電子線を実際には照射せずに、異なるパラメータで繰返しスキャンを行うことで、Ｙ偏位量や照射間隔から自動的に最適なパラメータを決定させる前記設定補助機能も考えられる。
【００４７】
このように、装置の状態，検査対象，目的などに応じて、的確に上記偏向制御方法を適用する事で検出画像のコントラストのばらつきや像の歪みを低減したり、検査スループットを向上したりする事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】荷電粒子線を用いた回路パターン検査装置の構成図。
【図２】インターフェースのディスプレイに表示される画像の一例を示す画面図。
【図３】被検査基板の一次電子線の走査の制御を説明する概念図。
【図４】被検査基板の一次電子線の走査の制御を説明する概念図。
【図５】被検査基板の一次電子線の走査の制御を説明する概念図。
【図６】被検査基板の一次電子線の走査の制御を説明する概念図。
【図７】被検査基板の一次電子線の走査の制御を説明する概念図。
【図８】安定化機能の制御フローを説明する概念図。
【図９】電子線走査調整機能の監視用インターフェースの一例を示す画面図。
【図１０】電子線走査調整機能の条件設定指示用インターフェースの一例を示す画面図。
【符号の説明】
【００４９】
１  回路パターン検査装置
２  検査室
３  電子光学系カラム
４  光学顕微鏡室
５  画像処理部
６  インターフェース
７  二次電子検出部
８  試料室
９  被検査基板
４３  走査信号発生器
４５  記憶部
４６  画像処理回路
４７  欠陥データバッファ
４９  全体制御部
５５  マップ表示部
５６  画像表示部
６１  補正制御回路
１０１  検査ストライプ
１０２  チップ
１０３  セル
１０４  プラグ
２０１  偏向視野
２０２  偏向視野中心
２０３  監視用画面
２０４  ステージ速度推移表示部
２０５  Ｙ偏位量推移表示部
２０６  照射間隔推移表示部
２０７  速度数値情報表示部
２０８  距離数値情報表示部
２０９  間隔数値情報表示部
２１０  条件指示用画面
２１１  追従モード選択部
２１２  設定値入力部
２１３  自動設定機能起動ボタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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