(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報及び基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報を格納する設計データ格納部と、
インプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布を前記テンプレートのパターン密度に応じて複数格納する揮発補填分格納部と、
前記テンプレート情報に基づき前記凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布を算出し、前記残膜厚設定値情報に基づき残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、前記テンプレート情報からテンプレートのパターン密度を算出し、このパターン密度に対応する揮発補填分塗布量分布を前記揮発補填分格納部から取り出し、この取り出した揮発補填分塗布量分布と、前記パターン充填分塗布量分布と、前記残膜厚分塗布量分布と、を足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出する演算部と、
前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、
を備えるインプリントシステム。
【請求項２】
前記演算部は前記パターン密度を前記テンプレート内の任意の領域毎に算出し、前記領域毎に対応する揮発補填分塗布量分布を前記揮発補填分格納部から取り出すことを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。
【請求項３】
テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報を格納する第１の設計データ格納部と、
インプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布を前記テンプレートのパターン密度に応じて複数格納する揮発補填分格納部と、
前記テンプレート情報からテンプレートのパターン密度を算出し、このパターン密度に対応する揮発補填分塗布量分布を前記揮発補填分格納部から取り出し、この取り出した揮発補填分塗布量分布が凹凸パターンへの充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布となるダミーテンプレートパターンを算出し、このダミーテンプレートパターンと前記テンプレートの凹凸パターンとを合成して合成パターンを作成する第１の演算部と、
前記合成パターンを含む合成パターン情報及び基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報を格納する第２の設計データ格納部と、
前記合成パターン情報に基づいて前記合成パターンの凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す合成パターン充填分塗布量分布を算出し、前記残膜厚設定値情報に基づき残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、前記合成パターン充填分塗布量分布と前記残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出する第２の演算部と、
前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、
を備えるインプリントシステム。
【請求項４】
テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報に基づいて前記凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布を算出し、
基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報に基づいて残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、
前記テンプレート情報に基づいて前記テンプレートのパターン密度を算出し、
前記算出したパターン密度に応じたインプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布と、前記パターン充填分塗布量分布と、前記残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出し、
前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布するインプリント方法。
【請求項５】
前記テンプレートのパターン密度を前記テンプレート内の任意の領域毎に算出し、前記領域毎に前記パターン密度に応じた揮発補填分塗布量分布と、前記パターン充填分塗布量分布と、前記残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出することを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法及びインプリントシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が要求され、装置コストが高くなるという欠点があった。
【０００３】
これに対し、微細パターンの形成を低コストで実施するための技術として、光ナノインプリント法が提案されている（例えば特許文献１参照）。これは基板上に形成したいパターンと同じ凹凸を有するスタンパ（テンプレート）を、被転写基板表面に形成された光硬化性有機材料層に押しつけ、これに光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から分離（離型）することで、レジストパターンを転写する方法である。
【０００４】
インプリント材（光硬化性有機材料）はインクジェット法により塗布される。インプリント材は揮発するため、インプリント材塗布量はテンプレートのパターン充填分、残膜厚分及び揮発量補填分の合計から求められる。この揮発量は基板上において一様ではなく、装置特性に応じて様々な分布をとる。
【０００５】
従来のインプリント装置はその装置に応じた１種類の揮発量補填分のインプリント材塗布分布を用いていた。
【０００６】
しかし、揮発量は使用されるテンプレートのパターン密度によって異なる。そのため、テンプレートのパターン密度によっては揮発量補填分のインプリント材塗布量と実際の揮発量とが異なり、転写されるパターンの形状精度が低下する。このようなパターンをレジストとしてエッチング等のプロセス処理を行うと加工形状の異常が発生する等の問題が生じる。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はインプリント材の塗布量を最適化し、転写されるパターンの形状精度が高いインプリント方法及びインプリントシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるインプリントシステムは、テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報及び基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報を格納する設計データ格納部と、インプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布を前記テンプレートのパターン密度に応じて複数格納する揮発補填分格納部と、前記テンプレート情報に基づき前記凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布を算出し、前記残膜厚設定値情報に基づき残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、前記テンプレート情報からテンプレートのパターン密度を算出し、このパターン密度に対応する揮発補填分塗布量分布を前記揮発補填分格納部から取り出し、この取り出した揮発補填分塗布量分布と、前記パターン充填分塗布量分布と、前記残膜厚分塗布量分布と、を足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出する演算部と、前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、を備えるものである。
【０００９】
また、本発明の一態様によるインプリントシステムは、テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報を格納する第１の設計データ格納部と、インプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布を前記テンプレートのパターン密度に応じて複数格納する揮発補填分格納部と、前記テンプレート情報からテンプレートのパターン密度を算出し、このパターン密度に対応する揮発補填分塗布量分布を前記揮発補填分格納部から取り出し、この取り出した揮発補填分塗布量分布が凹凸パターンへの充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布となるダミーテンプレートパターンを算出し、このダミーテンプレートパターンと前記テンプレートの凹凸パターンとを合成して合成パターンを作成する第１の演算部と、前記合成パターンを含む合成パターン情報及び基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報を格納する第２の設計データ格納部と、前記合成パターン情報に基づいて前記合成パターンの凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す合成パターン充填分塗布量分布を算出し、前記残膜厚設定値情報に基づき残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、前記合成パターン充填分塗布量分布と前記残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出する第２の演算部と、前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、を備えるものである。
【００１０】
本発明の一態様によるインプリント方法は、テンプレートの凹凸パターンの位置及び深さを含むテンプレート情報に基づいて前記凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すパターン充填分塗布量分布を算出し、基板上に一様に形成される残膜の膜厚を含む残膜厚設定値情報に基づいて残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す残膜厚分塗布量分布を算出し、前記テンプレート情報に基づいて前記テンプレートのパターン密度を算出し、前記算出したパターン密度に応じたインプリント材の揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す揮発補填分塗布量分布と、前記パターン充填分塗布量分布と、前記残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出し、前記インプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、インプリント材の塗布量を最適化し、転写されるパターンの形状精度を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１に本発明の実施形態に係るインプリントシステムの概略構成を示す。インプリントシステムは演算部１０、記憶部２０、塗布部３０を備える。記憶部２０は設計データ格納部２１、揮発補填分格納部２２、塗布量分布格納部２３を有する。
【００１４】
設計データ格納部２１は、残膜厚設定値情報及びテンプレート情報を格納する。テンプレート情報はテンプレート作成時のパターンデータ（ＧＤＳ等）であり、テンプレートに形成された凹凸パターンの深さや位置等を含む。
【００１５】
揮発補填分格納部２２はテンプレートのパターン密度に応じた複数の揮発補填分塗布量分布を有する。基板上に塗布されたインプリント材は揮発するものであり、揮発補填分塗布量分布はこの揮発分を補填するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示すものである。ここで、テンプレートのパターン密度に応じた揮発補填分塗布量分布は、インプリント材の揮発量を予め測定して実験的に求めておくことが可能である。
【００１６】
演算部１０は設計データ格納部２１に格納されているテンプレート情報に基づいてパターン密度を算出し、対応する揮発補填分塗布量分布を揮発補填分格納部２２から取り出す。また、演算部１０はテンプレート情報に基づきパターン充填分塗布量分布を算出する。また、演算部１０は残膜厚設定値情報に基づいて残膜厚分塗布量分布を算出する。パターン充填分塗布量分布及び残膜厚分塗布量分布については後述する。
【００１７】
そして揮発補填分塗布量分布、パターン充填分塗布量分布及び残膜厚分塗布量分布を足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出し、塗布量分布格納部２３に格納する。
【００１８】
塗布部３０は塗布量分布格納部２３に格納されたインプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する。
【００１９】
基板にインプリント材を塗布してからの処理を図２を用いて説明する。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、基板２０１上に塗布された液状の光硬化性有機材料（インプリント材）２０２に形成したいパターンと同じ凹凸を有するテンプレート２０３を接触させる。光硬化性有機材料２０２は例えばアクリルモノマーである。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、液状のインプリント材２０２はテンプレート２０３の凹凸パターンに従って流動して入り込む。
【００２２】
図２（ｃ）に示すように凹凸パターン内にインプリント材２０２が充填された後、光を照射し、インプリント材２０２を硬化させる。照射する光は、インプリント材２０２を硬化させるものであれば良く、例えばランプ光などを用いることができる。テンプレート２０３はこの光を透過するような材料、例えば石英ガラス、により形成されている。
【００２３】
図２（ｄ）に示すように、テンプレート２０３をインプリント材２０２から分離する。既にこの状態ではインプリント材２０２は硬化されているので、テンプレート２０３が接触していたときの状態（形状）に維持される。
【００２４】
このような工程を繰り返し、基板上に所望の凹凸パターンを有するインプリント材を複数形成する。
【００２５】
続いて、テンプレート２０３により形成したパターンをマスクとして基板の被加工膜（図示しない）をエッチングし、エッチングにより形成されたパターンの溝への配線材料の埋め込み、ＣＭＰ等の処理を行い、素子を形成する。
【００２６】
上述のインプリント材塗布量のうちパターン充填分とは図２（ｅ）に示す領域Ａ１に相当し、残膜厚分とは領域Ａ２に相当する。つまり、パターン充填分とはテンプレートの凹凸パターン内に充填される分であり、残膜厚分とは基板２０１上に一様に形成される膜（残膜）の分である。
【００２７】
従って、パターン充填分塗布量分布はテンプレートの凹凸パターン内への充填分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す。また、残膜厚分塗布量分布は残膜分に相当するインプリント材の塗布位置及び塗布量を示す。
【００２８】
次にインプリント材塗布量分布の算出方法について説明する。まず図３に示すようなテンプレートＴ１を用いる場合を説明する。図３（ａ）は凹凸パターンを下方に向けた状態のテンプレートＴ１の下面図を示す。テンプレートＴ１内の四隅及び中央に凹凸パターンＰ１〜Ｐ５が形成されており、それ以外の領域には凹凸パターンは形成されていない。図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ′線におけるテンプレートＴ１の縦断面、図３（ｃ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ′線におけるテンプレートＴ１の縦断面を示す。
【００２９】
このようなテンプレートＴ１によりパターンが形成される基板におけるパターン充填分塗布量分布は図４（ａ）に示すようになる。すなわちテンプレートＴ１の凹凸パターンＰ１〜Ｐ５に対応する領域に凹凸パターンを充填する量のインプリント材が塗布される。このパターン充填分塗布量分布は演算部１０が設計データ格納部２１に格納されたテンプレート情報に含まれる凹凸パターンの位置、深さ等に基づいて算出する。
【００３０】
残膜厚分塗布量分布を図４（ｂ）に示す。残膜厚分のインプリント材は基板上に一様に塗布される。この残膜厚分塗布量分布は演算部１０が設計データ格納部２１に格納された残膜厚設定値情報に基づいて算出する。
【００３１】
図５（ａ）に基板上におけるインプリント材の揮発量分布の一例を示す。左、右、下の３方向の端部で揮発量が大きく、中心に向かって小さくなるものとする。このような揮発量分布の場合、インプリント材の揮発補填分塗布量分布は図５（ｂ）に示すようになる。すなわち左、右、下の３方向の端部で塗布量が多く、中心に向かって少なくなる。
【００３２】
インプリント処理中の温度や湿度を調整するためのガスの気流等により、インプリント材の揮発量が異なることがある。この気流等の影響により基板面の上部領域の揮発量が低下する場合は、本実施形態のように基板面の上部領域の揮発補填分塗布量を他の領域の塗布量に対して少なく設定する。
【００３３】
この揮発補填分塗布量分布はテンプレートのパターン密度に応じて揮発補填分格納部２２に複数格納されており、演算部１０がテンプレート情報からパターン密度を算出し、対応する揮発補填分塗布量分布を揮発補填分格納部２２から取り出す。ここでパターン密度とはテンプレートの任意の領域内の凹凸パターンの凹部の割合をいう。本実施形態では、図３に示すテンプレート全体におけるパターン密度に応じて基板に塗布すべき揮発補填分塗布量分布を決定する。
【００３４】
演算部１０はパターン充填分塗布量分布と、残膜厚分塗布量分布と、揮発補填分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を求め、塗布量分布格納部２３に格納する。例えば図６（ａ）に示す（図４（ａ）と同じ）パターン充填分塗布量分布と、図６（ｂ）に示す（図４（ｂ）と同じ）残膜厚分塗布量分布と、図６（ｃ）に示す（図５（ｂ）と同じ）揮発補填分塗布量分布とを足し合わせることで、図６（ｄ）に示すようなインプリント材塗布量分布が得られる。
【００３５】
このインプリント材塗布量分布に基づいてインプリント材を塗布し、図２（ａ）〜（ｄ）に示すような処理を行うことにより、図７に示すような残膜厚が一定で形状精度が高いパターン７０１が基板７０２上に形成される。図７はテンプレートＴ１の図３（ｃ）に相当する部分で形成されるパターンの縦断面図である。
【００３６】
続いて、図３に示すテンプレートＴ１とはパターン密度が異なるテンプレートＴ２を用いた場合のインプリント材塗布量分布の算出方法について説明する。
【００３７】
ここで用いるテンプレートＴ２の凹凸パターンを下方に向けた状態の下面図を図８（ａ）に示す。図３に示すテンプレートＴ１と同様に、テンプレートＴ２内の四隅及び中央に凹凸パターンＰ１〜Ｐ５が形成されている。また、それ以外の領域には凹凸パターンＰ１〜Ｐ５よりピッチ（ライン／スペース）が大きいパターンが形成されている。
【００３８】
図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ′線におけるテンプレートＴ２の縦断面、図８（ｃ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ′線におけるテンプレートＴ２の縦断面を示す。
【００３９】
このようなテンプレートＴ２によりパターンが形成される基板におけるパターン充填分塗布量分布は図９（ａ）に示すようになる。すなわちテンプレートＴ２の凹凸パターンが存在する領域に凹凸パターンを充填する量のインプリント材が塗布される。
【００４０】
残膜厚分塗布量分布を図９（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示すものと同様に、残膜厚分のインプリント材が基板上に一様に塗布される。
【００４１】
インプリント材の揮発補填分塗布量分布を図１０に示す。図８に示すテンプレート全体におけるパターン密度に応じて基板に塗布すべき揮発補填分塗布量分布を決定する。揮発量分布は図５（ａ）に示すものと同様に左、右、下の３方向の端部で多く、中心に向かって少なくなるものとする。図１０に示すように、揮発補填分のインプリント材は左、右、下の３方向の端部で塗布量が多く、中心に向かって少なくなる。これは前述したように、温度や湿度を調整するガスの気流等による揮発量低下の影響である。
【００４２】
テンプレートＴ１とテンプレートＴ２とでテンプレート密度が異なるため、揮発量が異なる。従って、揮発補填分の塗布量は図５（ｂ）に示すものとは異なる。
【００４３】
インプリント材塗布量分布は図１１（ａ）に示す（図９（ａ）と同じ）パターン充填分塗布量分布と、図１１（ｂ）に示す（図９（ｂ）と同じ）残膜厚分塗布量分布と、図１１（ｃ）に示す（図１０と同じ）揮発補填分塗布量分布とを足し合わせた図１１（ｄ）に示すようなものになる。
【００４４】
このインプリント材塗布量分布に基づいてインプリント材を塗布し、図２（ａ）〜（ｄ）に示すような処理を行うことにより、図１２に示すような残膜厚が一定で形状精度が高いパターン１２０１が基板１２０２上に形成される。図１２はテンプレートＴ２の図８（ｃ）に相当する部分で形成されるパターンの縦断面図である。
【００４５】
複数の揮発補填分塗布量分布の中からテンプレートのパターン密度に基づいて揮発補填分塗布量分布を選択し、それにパターン充填分塗布量分布と残膜厚分塗布量分布とを足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出する。このインプリント材塗布量分布に基づいてインプリント材を塗布してパターン形成を行うため、残膜厚が一定で形状精度が高いパターンを形成することができる。
【００４６】
（比較例）比較例によるインプリント方法について説明する。比較例によるインプリント方法では用いられる揮発補填分塗布量分布が１種類のみである。そのため、例えば図３に示すようなテンプレートＴ１を用いる場合と、図８に示すようなテンプレートＴ２を用いる場合とでインプリント材塗布量分布の算出の際に足し合わされる揮発補填分塗布量分布は同じものになる。
【００４７】
このようにして算出されたインプリント材塗布量分布に基づいてインプリント材を塗布し、図２（ａ）〜（ｄ）に示すような処理を行った場合、図１３に示すようなパターンが形成される。図１３（ａ）はテンプレートＴ１により形成されるパターン、図１３（ｂ）はテンプレートＴ２により形成されるパターンを示す。
【００４８】
図１３に示すように、テンプレートＴ１により形成されるパターンは残膜厚が均一で形状精度が高い。一方テンプレートＴ２により形成されるパターンは残膜厚が不均一で形状精度が低い。このようなパターンをレジストとしてエッチング等のプロセス処理を行うと加工形状の異常が発生する。
【００４９】
このように残膜厚が不均一になるのは、１種類のみの揮発補填分塗布量分布ではパターン密度によって異なるインプリント材の実際の揮発量を補填できないためである。
【００５０】
これに対し、上記実施形態によるインプリントシステムは、複数の揮発補填分塗布量分布を有し、テンプレートのパターン密度に応じた揮発補填分塗布量分布を用いるため、実際のインプリント材揮発量を補正することができる。
【００５１】
従って、使用されるテンプレートのパターン密度が異なっても残膜厚が均一で形状精度が高いパターンを形成することができる。
【００５２】
（第１の変形例）テンプレートのパターン密度が領域毎に異なる場合、各領域に対応する揮発補填分塗布量分布を組み合わせるようにしてもよい。
【００５３】
図１４に示すように左上及び右下部分がテンプレートＴ２による凹凸パターン、右上及び左下部分がテンプレートＴ１による凹凸パターンとなるようなパターンを形成する場合を例に説明する。
【００５４】
図１５（ａ）に示すテンプレートＴ１の揮発補填分塗布量分布のうち、右上及び左下部分（図１５（ｂ））と、図１５（ｃ）に示すテンプレートＴ２の揮発補填分塗布量分布のうち左上及び右下部分（図１５（ｄ））とを組み合わせて、図１５（ｅ）に示すような揮発補填分塗布量分布を作成する。
【００５５】
また、同様にして図１６（ａ）に示すようなパターン充填分塗布量分布が得られる。
【００５６】
図１６（ａ）に示すパターン充填分塗布量分布と、図１６（ｂ）に示す残膜厚分塗布量分布と、図１６（ｃ）に示す（図１５（ｅ）と同じ）揮発補填分塗布量分布とを足し合わせて、図１６（ｄ）に示すようなインプリント材塗布量分布が得られる。
【００５７】
このようにして、１つのテンプレート内でパターン密度が領域毎に異なる場合でも最適なインプリント材塗布量分布を求めることができ、残膜厚が均一で形状精度が高いパターンを形成することができる。
【００５８】
（第２の変形例）第２の変形例によるインプリントシステムの概略構成を図１７に示す。インプリントシステムは第１の演算部１７１０、第２の演算部１７２０、第１の記憶部１７３０、第２の記憶部１７４０、塗布部１７５０を備える。
【００５９】
第１の記憶部１７３０は第１の設計データ格納部１７３１、揮発補填分格納部１７３２、合成テンプレート情報格納部１７３３を有する。第２の記憶部１７４０は第２の設計データ格納部１７４１、塗布量分布格納部１７４２を有する。
【００６０】
第１の設計データ格納部１７３１は、テンプレート情報を格納する。テンプレート情報はテンプレート作成時のＧＤＳデータ等である。
【００６１】
揮発補填分格納部１７３２はテンプレートのパターン密度に応じた複数の揮発補填分塗布量分布を有する。
【００６２】
第１の演算部１７１０は第１の設計データ格納部１７３１に格納されているテンプレート情報に基づいてパターン密度を算出し、対応する揮発量補正分塗布量分布を揮発量補正分格納部１７３２から取り出す。そして取り出された揮発量補正分塗布量分布がパターン充填分塗布量分布となるようなテンプレートパターン（ダミーテンプレートパターン）を作成する。
【００６３】
第１の演算部１７１０はテンプレート情報に基づく実際のテンプレートのパターンと、このダミーテンプレートパターンとを足し合わせて合成テンプレートパターンを作成し、合成テンプレート情報格納部１７３３に格納する。
【００６４】
第２の設計データ格納部１７４１には合成テンプレートパターンを含む合成テンプレート情報及び残膜厚設定値情報が格納される。
【００６５】
第２の演算部１７２０は合成テンプレート情報に基づき合成テンプレートパターンを充填する合成パターン充填分塗布量分布を算出する。合成テンプレートパターンはテンプレートのパターン密度に応じた揮発補填分が考慮されたものである。従って、ここで算出される合成パターン充填分塗布量分布には揮発補填分が含まれている。
【００６６】
また、第２の演算部１７２０は残膜厚設定値情報に基づいて残膜厚分塗布量分布を算出する。そして合成パターン充填分塗布量分布及び残膜厚分塗布量分布を足し合わせてインプリント材塗布量分布を算出し、塗布量分布格納部１７４２に格納する。
【００６７】
塗布部１７５０は塗布量分布格納部１７４２に格納されたインプリント材塗布量分布に基づいて基板上にインプリント材を塗布する。
【００６８】
テンプレートのパターン密度に応じた揮発量を補填するインプリント材が塗布されるため、その後のインプリント処理により残膜厚が均一で形状精度が高いパターンを形成することが出来る。
【００６９】
また、第１の演算部１７１０及び第１の記憶部１７３０での処理、すなわち合成テンプレートパターンの作成をオフラインデータ処理にすることで、第２の演算部１７２０、第２の記憶部１７４０及び塗布部１７５０を有するインプリント装置内に揮発補填分格納部を設ける必要がなく、装置コストを低減することができる。
【００７０】
上述した実施形態は一例であって限定的なものではないと考えられるべきである。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施形態に係るインプリントシステムの概略構成図である。
【図２】同実施形態によるインプリント方法を示す工程断面図である。
【図３】テンプレートの概略構成図である。
【図４】パターン充填分塗布量分布及び残膜厚分塗布量分布を示す図である。
【図５】揮発量分布及び揮発量補正分塗布量分布を示す図である。
【図６】インプリント材塗布量分布の算出方法を示す図である。
【図７】形成されるパターンの縦断面図である。
【図８】テンプレートの概略構成図である。
【図９】パターン充填分塗布量分布及び残膜厚分塗布量分布を示す図である。
【図１０】揮発量補正分塗布量分布図である。
【図１１】インプリント材塗布量分布の算出方法を示す図である。
【図１２】形成されるパターンの縦断面図である。
【図１３】比較例によるインプリント方法により形成されるパターンの縦断面図である。
【図１４】第１の変形例により形成されるパターンの上面図である。
【図１５】揮発量補正分塗布量分布の算出方法を示す図である。
【図１６】インプリント材塗布量分布の算出方法を示す図である。
【図１７】第２の変形例によるインプリントシステムの概略構成図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０  演算部
２０  記憶部
２１  設計データ格納部
２２  揮発量補正分格納部
２３  塗布量分布格納部
３０  塗布部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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