(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドに供給される高温の溶融金属の主たる流動（Ｐ）を、鋳造の方向に沿って２つ以上の制御領域(I、II)に分割し、それぞれの制御領域で磁束密度を鋳造条件によって独立に制御した少なくとも１つの静的または低周波数の周期的な磁界の下で制動すると共に分岐させ、鋳造物の固化していない部分に制御された第２の流動状況を生起させる連続又は半連続金属鋳造法であって、鋳造工程を通じてモールド内の自由液面近傍で自由液面に沿った第２の流動状況を観測し、流動状況に変化があったときは観測された変化に関する情報を制御ユニットに送り、自由液面の近傍で自由液面に沿った制御された第２の流速（Ｖｍ）を所定の流速範囲に維持又は調節するために、自由液面における流速（Ｖｍ）の変化を評価して当該評価に基づいて、制御ユニット(４４)が有する、統計モデルを使用して基本的にオンラインで磁界密度を調整することを特徴とする方法。
【請求項２】
第２の流動状況（M、U、C1、C2、c3、c4、G1、G2、g3、g4、O1、O2、o3、o4）の流速はモールド中の少なくとも1点で連続的に測定することを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
第２の流動状況（M、U、C1、C2、c3、c4、G1、G2、g3、g4、O1、O2、o3、o4）の流速をモールド中の少なくとも1点でサンプリングすることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項４】
自由液面内の流速(Vm)を測定し、変化を検出するとその変化を評価してその評価に基づいて磁束密度を調節し、自由液面(Vm)内の流速を所定の範囲内に維持することを特徴とする前記請求項２又は請求項３の何れかに記載された方法。
【請求項５】
モールドの狭い側部における上向きの第２の流動 (Vu)を観測し、この流速の変化を検出するとこれを評価して、当該評価に基づいて磁束密度を調節し、自由液面近傍で自由液面に沿った上向きの流動 (Vu)の流速を維持しかつ調節することを特徴とする前記請求項１ないし４の何れかに記載された方法。
【請求項６】
モールドの狭い側部における上向きの第2の流動状況によって自由液面に発生する定在波の高さ(hw)、位置、および／または形状を観測し、変化を検出するとその変化を評価してこの評価に基づいて磁束密度を調節することを特徴とする前記請求項１ないし５の何れかに記載された方法。
【請求項７】
モールドを２つ以上の制御領域(I、II)に分割し、それぞれの制御領域で流動状況（P、M、U、O1、O2、o3、o4）を観測し、制御領域の何れかで流動状況の変化が検出されるとその評価に基づいて当該制御領域に影響を与える磁界の磁束密度を調節することを特徴とする前記請求項１ないし６の何れかに記載された方法。
【請求項８】
モールドを、それぞれ右半分と左半分に対応する２つの制御領域（I、II）に分割し、各制御領域において流動状況（P、M、U、O1、O2、o3、o4）を観測し、制御領域内の流動状況に影響を与える磁界の磁束密度を前記観測値に基づいて調節し、モールドの中に対照的でバランスのとれた流動状況を維持し、バランスの悪い傾いた流動状況の発生を抑制することを特徴とする請求項７に記載された方法。
【請求項９】
制御領域ごとに自由液面(Vm)における流速を測定することを特徴とする前記請求項7または請求項８に記載された方法。
【請求項１０】
両方の狭いモールドの側部で上向きの流動 (Vu)を測定することを特徴とする前記請求項7または請求項８に記載された方法。
【請求項１１】
モールドの狭い側部における上向きの第2の流動によって自由液面(Vm)に発生する定在波の高さ(hw)、位置、および／または形状を両方の狭いモールドの側部で間接的に観測することを特徴とする請求項7または請求項８の何れかに記載された方法。
【請求項１２】
パラメータとして
−モールドの寸法；
−ノズルの寸法と、開口部の角度と浸漬深さを含むノズル形状；
−磁極の寸法、形状及び位置；
−鋳造する金属の組成；
−使用するモールド粉の組成；および、
−排出するガスの流動状況；のうちの1つ以上を含み、
流動状況の変化の評価と磁束密度の調節に統計解析手法を使用することを特徴とする前記請求項９、１０または１１の何れかに記載された方法。
【請求項１３】
鋳造工程を通じて変化する可能性が高いパラメータを１つまたはそれ以上さらに観測し、それらのパラメータの値をオンラインでアルゴリズムに取り込み、流動状況の変化の評価と磁束密度の調節に統計手法を使用することを特徴とする前記請求項９ないし請求項１２の何れかに記載された方法。
【請求項１４】
鋳造工程を通じて変化する可能性が高いパラメータを１つまたはそれ以上さらに時間またはそれ以外のパラメータの関数としてアルゴリズムに取り込み、流動状況の変化の評価と磁束密度の調節に統計解析手法を使用することを特徴とする前記請求項９ないし請求項１２の何れかに記載された方法。
【請求項１５】
鋳造工程を通じて変化する可能性が高いパラメータ−モールドに導入する際の金属の余熱；
−ノズル出口位置での定常温度；
−ノズルから吐出される主たる流動状況の流速；
−モールド内のガス気泡；
−鋳造速度；
−モールド粉追加率；
−モールド中の自由液面とノズル出口に対する相対位置；
−モールドに対するノズル出口の相対位置；
−自由液面とノズル出口に対する磁界の相対位置；
−磁界の方向；および、
−第２の流動状況に影響を与えると共に鋳造過程で変化するその他の鋳造パラメータ、の内の1つまたはそれ以上さらに観測し、
それらのパラメータの値をオンラインでアルゴリズムに取り込み、
流動状況の変化の評価と磁束密度の調節に統計解析手法を使用することを特徴とする前記請求項１３または請求項１４の何れかに記載された方法。
【請求項１６】
モールドの内部の溶融物に影響を与える少なくとも１つの磁界を電磁ブレーキ(４２)によって発生させ、電源(４２１)から電磁ブレーキのまき線に供給される電流を制御して磁界の磁束密度を制御することを特徴とする前記請求項１ないし１５の何れかに記載された方法。
【請求項１７】
モールド内の金属に２つ以上の磁界が作用することを特徴とする前記請求項１ないし１６の何れかに記載された方法。
【請求項１８】
磁界が鋳造方向に沿って２つ以上のレベルで順次作用することを特徴とする前記請求項１ないし１７の何れかに記載された方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの第１のレベル(B、N)がノズルの出口またはその下流に設けられ、少なくとも１つの第２のレベル（A、L）が自由液面のレベルまたは自由液面とノズル出口との間に設けられることを特徴とする請求項１８に記載された方法。
【請求項２０】
少なくとも１つの第１のレベル(D)がノズルの出口に設けられ、少なくとも１つの第２のレベル（E）が当該第１のレベルの下流側に設けられたことを特徴とする請求項１８に記載された方法。
【請求項２１】
モールド内の金属に、磁束密度が互いに独立に制御された２つ以上の磁界が作用することを特徴とする前記請求項１７ないし請求項２０の何れかに記載された方法。
【請求項２２】
モールド内または加硫部分の溶融金属に少なくとも１つの交番磁界を加え、制御ユニットを鋼板磁界をオンラインで制御するようにしたことを特徴とする前記請求項１ないし２１の何れかに記載された方法。
【請求項２３】
鋳造物を成形するためのモールドと、モールド手段に溶融金属を供給して主たる流動 (P)を生起させる手段と、モールド内の金属に磁界を加える少なくとも１つの磁気的手段（４２）を有する金属の連続または半連続鋳造装置であって、モールドは鋳造方向に沿って制御領域(I、II)に分割されており、各制御領域は制御ユニット（４４）と、検出手段（４３ａ、４３ｂ、４５ａ、４５ｂ）と、領域内の流動状況に影響を与える磁気的手段（４２）とを具備し、当該磁気的手段は制御ユニット（４４）と連動し、制御ユニットは検出手段（４３、４３ａ、４３ｂ、４５、４５ａ、４５ｂ）と連動し、検出手段はモールド内の自由液面近傍で自由液面に沿った２次的流動状況を観測して流動状況の変化を検出するよう構成されており、制御ユニットは、鋳造パラメータを処理するための統計モデルの電子的プログラムとを有し、検出された自由液面における流速（Ｖｍ）の変化を評価する評価手段と検出された自由液面近傍で自由液面に沿った、所定の流速範囲における流速（Ｖｍ）の変化に基づいて、前記電子的プログラムによって磁界の磁束密度を基本的にオンラインで調節するための制御手段を有することを特徴とする装置。
【請求項２４】
モールドは鋳造方向に沿って制御領域(I、II)に分割されており、各制御領域は制御ユニット（４４）と、検出手段（４３ａ、４３ｂ、４５ａ、４５ｂ）と、領域内の流動状況に影響を与える磁気的手段（４２）とを具備したことを特徴とする前記請求項２３に記載された装置。
【請求項２５】
モールドは、それぞれがモールドの右半分と左半分に対応する２つの制御領域(I、II)を有していることを特徴とする前記請求項２４に記載された装置。
【請求項２６】
検出手段（４３、４３ａ、４３ｂ、４５、４５ａ、４５ｂ）が、渦流技術に基づく流量計か流速を測定観測する永久磁石を有し、検出手段と連動した制御ユニット（４４）は測定と流動状況とを関連付ける統計手法を適当なプログラムとして有することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項２５の何れかに記載された装置。
【請求項２７】
検出手段（４３、４３ａ、４３ｂ、４５、４５ａ、４５ｂ）が、少なくとも１つの温度計を有し、検出手段と連動した制御ユニット（４４）は測定温度と流動状況とを関連付ける統計手法を適当なプログラムとして有することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項２５の何れかに記載された装置。
【請求項２８】
検出手段（４３、４３ａ、４３ｂ、４５、４５ａ、４５ｂ）が、渦流技術に基づく液位制御磁気装置か、自由液面における上向きの流動状況によって発生する定在波の高さ（ｈｗ）、位置および／または形状を観測する永久磁石を有し、検出手段と連動した制御ユニット（４４）は自由液面の特性と流動状況とを関連付ける統計手法を適当なプログラムとして有することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項２５の何れかに記載された装置。
【請求項２９】
制御ユニット（４４）は、ニューラルネットワークを有することを特徴とする請求項２３ないし請求項２８の何れかに記載された装置。
【請求項３０】
制御ユニット（４４）は、鋳造パラメータを処理するためのアルゴリズム、統計モデルまたは多変量解析手法の電子的プログラムと、当該処理に基づいて磁束密度を調節する手段とを有することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項２９の何れかに記載された装置。
【請求項３１】
鋳造方向に沿って順次１つ以上のレベルに作用する磁気帯に作用する磁界を発生させるために複数の電磁石（４２）が設けられ、制御ユニット（４４）が少なくとも1つの磁気帯の磁束密度を調節する電磁石と連動することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項３０の何れかに記載された装置。
【請求項３２】
１つの制御ユニット（４４）が２つ以上の磁石のペア（４２）と連動して磁界を調節することを特徴とする前記請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
電磁的制動手段が２つ以上の制御ユニット（４４）と連動し、各制御ユニットは少なくとも1組の磁石（４２）と連動し、少なくとも１組の磁石は他の磁石の組から独立して制御することができることを特徴とする前記請求項３１に記載された装置。
【請求項３４】
制御ユニット（４４）は、モールド内の溶融物またはその下部の溶融物に作用して発生した磁界を調節するために交番電磁場を発生させる電磁的装置とさらに連動することを特徴とする前記請求項２３ないし請求項３３の何れかに記載された装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は金属の鋳造方法に関するものである。本発明は特に、鋳造工程においてモールド内部の溶融金属の未固化部分の流動を静的または低周波数の周期的磁界によって動かしかつ制御する連続または半連続鋳造方法に関するものである。本発明は又本発明にかかる方法を実施するための装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
連続または半連続鋳造では溶融金属は冷却されて長いストランド状に形成される。ストランドは断面の寸法によって鋼片、分塊あるいはスラブと呼ばれる。高温金属の主たる流動は、溶融金属を低温のモールドに供給して冷却し、金属が少なくとも部分的に固化してストランド状になる過程において発生する。冷却されて部分的に固化したストランドは連続的にモールドから排出される。ストランドがモールドから排出されるときには、ストランドは未だ固化していない内部を取り囲んで形状を維持することができる表皮を有する。冷却されたモールドは鋳造方向に沿って2箇所が開口しており、好ましくはモールドを支持する手段およびモールドと当該支持手段に冷却材を供給する手段を具備している。冷却されたモールドは好ましくは銅または適当な熱伝導性を有する材料からなる好ましくは4つのモールド板を有する。指示手段は好ましくは通常は水である冷却材を通すための内部流路を有する梁であり、したがってこの種の支持梁はしばしばウォータビームと呼ばれる。ウォータビームはモールドを支持して冷却するという2つの機能を果たすために，冷却されたモールドの周囲及び内部に良好な熱伝導が行うことができる構成である。
【０００３】
高温の第1の溶融金属は溶融金属内に沈設されたノズルを通って供給されるか、閉鎖鋳造、あるいは自由表面に対して吐出される、開放鋳造。この2種類の溶融金属供給方法によって流動状態が異なり加えるべき磁界は影響を受ける。高温の第1の溶融金属がモールド内に無秩序に供給されると鋳造されたストランドの内部に深く侵入し、製品の品質と生産効率を低下させる可能性が高い。金属以外の粒子および／またはガスが金属の内部に取り込まれて固化した金属に閉じ込められる可能性がある。ストランド内の制御されない高温溶融金属の流動状況は又鋳造されたストランドの内部構造に欠陥を生じさせる可能性がある。さらに、高温の第1の溶融金属が深く進入すると固化したスキンを再度溶融させ重大な作業の阻害を生じあるいは修復のために長い時間を要する事態となる可能性がある。この種の問題を回避しあるいは最小限に抑えて生産性を改善するために、ヨーロッパ特許出願公開EP-A1-0040383号によれば、モールドに流入する金属の流動状況を制動し、主たる流れを分岐させ、ストランドの未だ固化していない部分に制御された二次的な流動状況を生起させるために流入する金属に対して1つ以上の静的な磁界を作用させることが開示されている。磁界は、1つ以上の磁石を有するブレーキによって加えられる。好ましくは、電磁的装置、つまり磁心の周りに複数回巻いたコイルを1つまたはそれ以上有する装置、が使用される。この種の電磁的ブレーキはEMBRと呼ばれる。
【０００４】
ヨーロッパ特許公報EP-B1-0401504の開示によれば、沈設されたノズルを使用した閉鎖鋳造に対して、鋳造方向に沿って順次2つのレベルで磁界が加えられる。磁石は鋳造されたストランドの幅をほぼ全て覆う帯状の磁界を有しており、第1のレベルの1つは沈設されたノズルの上方に、第2のレベルの1つは沈設されたノズルの下方に設けられている。さらに、ヨーロッパ特許公報EP-B1-0401504は、鋳造条件、すなわち、ストランドまたはモールドの寸法と鋳造速度、によって磁束密度を変化させる必要があることを教示している。自由液面の凝固を防止すべく自由液面に対する十分な熱伝達が行われると共にガスや異物の混入の危険を生じないよう自由液面における流速を制限し制御するよう磁束及び磁束分布を設定する必要がある。自由液面において制御されない大きな流速が生じるとモールド粉が溶融部分に取り込まれる可能性がある。前出の公報ではさらに自由液面における流速には最適範囲が存在することが示されている、同公報の図9参照。同公報では、モールドを覆う磁束密度は、鋳造の開始前に、鋳造時に予想される具体的な状況に基づいて決定すべきことを示唆している。これを可能にするために、ヨーロッパ特許公報EP-B1-0401504は、磁極を基本的に軸方向に移動させてモールドを挟む位置で対向する1組の磁極の間の距離を変化させる機械的な装置を提案している、図15およびカラム8の34行から50行までを参照。この種の機械的な磁束制御装置は安定な磁束密度を実現するには、特にブレーキ操作を行う際の大きな磁力を発生させるには極めて剛性の高いものでなければならず、同時に、磁極の間の距離変化に敏感な磁束密度を調節するには微細な動きが可能でなければならない。このような機械的な磁束密度制御手段は重い規格材料、剛性の高い構造および磁界の方向に沿った小さな動きが要求され、実現が困難であると共に必然的に高価になる。1つの代替方法によれば、機械的な磁束密度調整装置は、磁極をステンレスのような非磁性材料によって置き換え、鋳造前の段階で磁極の形状を変化させて磁束の分布形状を変更する。磁極の形状に関する同様の考えは、ヨーロッパ特許出願公開EP-A1-577831号および国際出願公開WO92/12814号で議論されている。国際特許出願WO96/26029は、モールドの出口の下流側で1つまたはそれ以上のレベルで磁界を加えてモールド内部の二次的な流動をさらに制御することを開示している。機械的手段によって磁極の形状を変化させ、および/または、移動させることに基づくこの種の磁束密度制御装置は、予定の鋳造で想定される鋳造条件に対して設定された磁束密度を実現するための磁力に抗して磁心または磁心の一部を固定するために固定手段が必要であり、磁束密度をオンラインで制御するためにこの種の装置を使用するためには高価で手間のかかる装置の開発が必要になる。
【０００５】
ヨーロッパ特許出願公開EP-A1-0707909号によれば、流入を制御することができるノズルを通じて溶融金属がモールド内に供給され、モールドの全幅にわたって実質的に均一な静的磁束密度をモールド内の金属に加える連続鋳造法においては、自由液面における流速は0.20 - 0.40 m/秒の範囲にすることが必要である。この公報によれば、
−沈積されたノズルの開口の角度；
−モールド内のノズルの位置；
−磁界の位置；および、
−磁束密度
等のパラメータを設定することによって自由液面における流速を前出の範囲にすることができる。
ノズル開口の角度と位置および磁界の位置は鋳造の開始前にあらかじめ設定されており、磁束は2つの異なるアルゴリズムのうちの1つによって制御される。使用すべきアルゴリズムの選択は主たる流動状況に対する磁界の位置、つまり、ノズル開口から吐出される主たる流動状況が側部に到達する前に磁気的制動領域を通過するか否かによって選択される。アルゴリズムは1つの測定値、磁界が加えられない状態における自由液面位置での流速、つまり、鋳造がブレーキを作動させない状態で開始された場合には鋳造の開始時点での測定または先に行った測定の結果のみに基づくことになる。アルゴリズムのそれ以外の値は全てあらかじめ設定されている。含まれる値としては、真に一定の値であるモールドの幅と厚さ、および、ノズルの出口から吐出される溶融金属の流速、つまり、一定値であるかあるいは場合によってはあらかじめ時間の関数として設定された主たる流動状況である。従って、あらかじめ決定されたパラメータの値のみに依存する以上、本方法による磁束密度はあらかじめ決められた値であり、現実の鋳造条件の変化または動的に変化する工程を考慮することは無く、実際の流動状況の変化に基づいてオンラインで磁束密度を調節することはできない。鋳造中に変化する可能性がある二次的な流動状況に影響を与えるパラメータや条件の例としては、ノズル開口位置での圧力、ノズルの腐食や閉塞と関連するノズルの角度またはノズルの寸法、主たる流動状況金属の加熱状態、つまり融点に対する温度と自由液面(Vm)における冷却状況、モールド内の自由液面の位置がある。主たる流動状況もまた鋳造速度の変化や独立に制御される他の生産パラメータの変化があれば考慮される。
【０００６】
【発明の目的】
本発明の第1の目的は、鋳造工程を通じて、流入する第1の溶融金属の流動状況を制動、分割して制御された第2の流動状況パターンを発生させるために金属に影響を与える磁界の磁束密度をオンラインで制御することでモールド内の流動状況を制御する連続鋳造方法を提供することである。オンライン制御は、基本的には全鋳造工程を通じて、かつ、鋳造条件や運転パラメータに基づいて行うことで、同じかまたはより高い生産性と共に最小の欠陥で鋳造製品を製作する。
【０００７】
自由液面(Vm)での流動状況が不純物の除去、モールド粉やガスの除去、およびモールドの流動状況にとって重要な役割を果たすので、本発明の他の目的は、鋳造の間、直接または間接的な手段によって自由液面における流動状況を観測して、磁束密度の制御に流動状況で検出された変化を取り込み非金属含有物、モールド粉やガスが鋳造品に取り込まれ蓄積されることを最小限に抑える。この発明された方法を実行するための装置を提供することも本発明の目的の一つである。
【０００８】
本発明に上記以外の特徴は本発明および本発明の好ましい実施態様の記載から明らかになる。鋳造工程を通じてより良く制御された流動状況のパターンを発生させる性能に加えて、鋳造工程の途中でモールド寸法、金属組成等の処理条件が広い範囲で変化した場合や、何らかの理由によってパラメータの1つまたはそれ以上が変化したときにも鋳造製品の固化条件、鋳造製品から非金属不純物の除去、および鋳造製品からのモールド粉やガスの排出を一定に維持することができる。
【０００９】
【発明の要旨】
上記の目的を達成するために、本発明では第1の請求項の前提部分に記載された鋳造方法において、第1の請求項の特徴部分に記載された特徴によって特徴付けられる鋳造方法を提案する。本発明に基づく連続または半連続鋳造方法においては、モールドに高温の溶融金属を主たる流動にしたがって送り込み、モールド内の溶融金属に静的または低周波数の周期的な磁界を加える。1つまたはそれ以上の磁界が、主たる流動状況を制動して鋳造ストランドの未固化部分に制御された二次的な流動状況を発生させる。所望の二次的流動状況を発生させるために、磁界の磁束密度を鋳造条件に基づいて変化させる。本発明の第1の目的を達成するために、鋳造工程を通じてモールド内部の2次的な流動状況を観測し、流動状況に変化が検出されればそれを制御ユニットに贈って変化を評価する。磁束密度をこの評価に基づいて調整し制御された二次的流動状況の維持あるいは調整を行う。好ましくは、モールド内部の二次的な流動状況の流速を少なくとも1つの特定の位置で鋳造工程を通じて連続的に測定する。流速を連続的に測定することに代えて、他の方法としては、鋳造工程を通じて流速を不連続的に測定することや所定間隔を開けてサンプルすることも可能である。測定された流速に変化が検出されたときは、連続測定の結果であるかサンプリングの結果であるかにかかわらず、当該変化を制御ユニットに送って評価する。磁束密度を、その後この評価に基づいて調節する。
【００１０】
本発明の方法に基づく金属の連続または半連続鋳造装置は、鋳造ストランドを成形するためのモールドと、モールドに高温の溶融金属を供給する手段と、モールド内の金属に磁界を加えるための少なくとも1つの磁石手段を有し、当該磁石手段は制御ユニットと接続されている。制御ユニットは、モールド内の金属の流動状況を観測して流動状況の変化を検出する検出手段と接続されている。鋳造条件または流動状況に関する情報の変化を検出すると、当該変化は、検出された変化を評価する評価手段と検出された流動状況の評価に基づいて磁界の磁束密度を調節するための制御手段を有するコントロールユニットに送られる。
【００１１】
検出手段は高温の溶融金属の流速を直接または間接に検出することができる各種のセンサ、例えば渦流技術に基づく流量計や永久磁石を有する流量計、狭い側面の一方や自由液面(Vm)の温度特性を測定することができる温度センサ、モールド内の液位自由液面と溶融金属の表面状態を観察することができる表面測定装置である。
【００１２】
制御ユニットは、好ましくは、鋳造パラメータと測定手段からの流動状況に関する情報をアルゴリズム、統計モデルまたは多変量データ解析の形式のソフトウエアを有する電子装置と、当該処理の結果に基づいて磁束密度を調節する手段とを有する。本発明の1つの実施例では、制御ユニットは次のステップを監視制御する電子手段を有するニューラルネットワークと鋳造操作と関連した装置とが設けられている。制御ユニットはさらに、電磁ブレーキの磁束密度を制御する手段を有する。電磁ブレーキの場合には、電磁ブレーキの電磁石のまき船に供給される電流を制御することで制御するのが好ましい。これは制御ユニットからの出力信号によって制御される電流制御装置によって実現することができる。他の方法としては、制御ユニットからの出力信号によって電圧を制御する電源に電磁石を接続し、これによって間接的に電磁石のまき線を流動状況に基づいて電流を制御する方法がある。以下には制御ユニットのさらに別の例が示されている。本発明のさらに別の特徴は従属請求項に示されている。
【００１３】
モールド内の流動状況の状態は変化するので、場合によってはモールド内の2つ以上の点で流動状況を観測することが望ましく、また流動状況の測定値に基づいて複数の磁界をモールドの対応部分に向けて、それぞれの磁束密度が別個にかつ独立に調節できるようなやり方で発生させることが望ましい場合がある。このような状況は典型的には幅の広いスラブモールドの場合で、それぞれの半幅ごとに磁石回路が磁界を発生させる、つまり、モールドは鋳造方向に沿って2つの制御領域に分割され、領域はそれぞれモールドの半分に対応しており、幅の広い側面の中央線を含む平面の両側に位置する。自由液面での流動状況をそれぞれの制御領域で直接または間接に測定する、つまり、モールドの左側の制御領域のセンサはモールドの左半分の溶融金属に加わる磁界の磁束密度を調節する手段と連結しており、モールドの右側の制御領域のセンサはモールドの右半分の溶融金属に加わる磁界の磁束密度を調節する手段と連結している。モールドは、当然、いくつの領域に分割しても良く、それぞれの領域にはセンサとその領域に加わる磁界の磁束密度を調節する手段とが設けられる。2つの制御領域を使用すれば、モールドの上部に基本的に対称な2つのループ状の流動状態を創出することができ、非対称またはバランスの取れていない流動状態、モールドの半分ごとに対応する自由液面の流速が顕著に異なるいわゆるバイアス流やさらに極端な場合にはノズルの開口またはその近傍の下流側でモールドの側面から流れが立ち上がり自由液面を横切って反対側に達し加工してモールドの裏側に至る好ましくない1ループ流動が発生する可能性を実質上排除することができる。
【００１４】
実施例では自由液面(Vm)における流速を連続観測またはサンプリング観測する。自由液面(Vm)の位置における流速の変化が検出されると、この変化を制御ユニットに送ってそこで評価する。この評価に基づき、二次的な流動を維持するか必要なら変化させるように磁束密度を調節する。1つの好ましい実施例では、自由液面(Vm)における流速が所定の流速範囲になるように磁束密度を調節する。
【００１５】
他の実施例では、モールドの狭い側面における上向きの二次的流動(Vu)を観測またはサンプル的に測定する。この上向きの流速(Vu)に変化が検出されると、この変化に関する情報を制御ユニットに送る。この評価に基づき、(Vu)の流速を調整または維持し、あるいは、自由液面(Vm)における流速はこの上向きの流動の関数なので、自由液面(Vm)における流速が所定の範囲に入るように維持または調節する。この流速の範囲は鋳造速度、ノズルの形状、ノズルの浸漬深さ、およびガスを排出する場合にはガス流、余熱温度およびモールドの寸法に依存して変化するが、側面開口を有する浸漬ノズルによる中程度の鋳造速度のスラブ鋳造の場合は、既に述べた値の範囲になる。
【００１６】
さらに別の実施例では、自由液面(Vm)の特徴、この特徴またはパラメータは高さ(hw)、モールドの狭い側部に上向きの二次的な流動によって生起される定在波の位置および／または形状を基本的に全鋳造工程を通じて観測またはサンプル測定する。自由液面(Vm)の特徴、特に定在波の特徴は、上の段落で参照された自由液面での流速と同じように上向きの流動(Vu)に緊密に依存する。したがって、検出された高さ、定在波の位置と形状は収録と関連付けることができる。この関連付けまたは評価に基づいて、磁束密度を調節して定在波、上向きの流動および／または自由液面における流速を所定の範囲に維持することができる。
【００１７】
本発明の好ましい実施例に拠れば、検出された変化を評価するためのアルゴリズム、統計モデルまたはデータ解析手法は、さらにあらかじめ設定された、
−モールドの寸法；
−開口の角度を含むノズルの寸法とノズルの形状；
−磁極の寸法、形状および位置；
−鋳造金属の組成；
−使用された鋳造粉の組成；
のうちの1つまたはそれ以上のパラメータを含む。
これらのパラメータの値は、流動状況の所定の変化を評価してオンラインで磁界の磁束密度を調節するためのアルゴリズム、統計モデルまたはデータ解析手法に組み込まれている。パラメータの値は一定の値、または時間の関数のようなものであれば、時間の経過と共に所定の形であるいは他の鋳造パラメータまたは流動状況の関数として変化するものである。アルゴリズム、統計モデルまたはデータ解析手法に時間の関数または他のパラメータの関数として取り込むことができる従属的なパラメータは、例えば、
−ノズルの目詰まりおよび／または損耗による主たる流動性状の変化；
−主たる流動の予備加熱、つまり、モールドの入り口地点の金属の温度；
−ノズル出口での圧力である。
本発明の1つの好ましい実施例に拠れば、鋳造工程を通じて二次的な流動性状と共にいかに示すパラメータ、
−モールド入り口部での金属予備加熱温度；
−ノズル出口位置での静的圧力；
−ノズル出口位置での主たる流動の流速；
−モールド内部のガス気泡発生；
−鋳造速度；
−鋳造粉体の追加速度；
−ノズル出口に対するモールド内部の自由液面の位置；
−モールドに対するノズル開口の位置；
−自由液面とノズル開口に対する磁界の位置；
−磁界の向き；および、
−鋳造の過程で変化する可能性がある二次的流動状態に影響を与えると考えられるその他の鋳造パラメータ；
のうちの1つまたは2つ以上を観測する。好ましくは、全鋳造工程を通じてこれらのパラメータのうちの1つまたは2つ以上を観測またはサンプリングして、流動状況の変化を評価しオンラインで磁束密度を調節するためのアルゴリズム、統計モデルまたはデータ解析手法に取り込む。アルゴリズム、統計モデルまたは多変量データ解析に使用されるパラメータは変化に対応して二次的流動をよりよく制御することができるように磁束密度のオンラインで取り込まれる。
【００１８】
好ましくは、観測またはサンプリングされた流動パラメータと共に使用される多変量データ解析のためのアルゴリズム、数値モデルまたは方法はさらに、あらかじめ設定されまたは決定された定数、あらかじめ設定された関数、あるいは観測またはサンプリングされたパラメータ値としてその他の鋳造パラメータを有する。これによって制御された二次的流動はより安定しモールド内部で実際に起きる流動を好ましいものにすることができる。
【００１９】
さらに別の実施例に拠れば、制御ユニットはさらに1つまたは2つ以上の電磁的装置と協働し、当該装置がモールドまたはストランド内部の溶融金属に1つ以上の交番磁界を加える。この種の電子装置は、モールド内またはモールドの下流において、サンプと称する最終的に残存する溶融部分である溶融金属に作用する攪拌装置であっても良く、さらに好ましくは、予備昇温が低い場合には、自由液面近傍の溶融金属に高周波ヒータを作用させて凝固を予防し、モールド粉を溶融させ、良好な熱的状態を提供する。
【００２０】
本発明は、流動状態および熱的状態を設定することで、鋳造体の清浄性と生産性を維持しつつ鋳造体の所望の構造を実現する。さらに別のパラメータの観測またはサンプリングおよび／または生産パラメータの変化を含む実施例は、鋳造パラメータの検出によって磁束密度をどのような外乱に対しても変更するか変化の結果として生じるそのような外乱を最小限に抑えることができるので特に好ましいものである。以下に図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【００２１】
【好ましい実施例の説明】
大型スラブの典型的な連続鋳造を示した図１に示されているように、モールドは４つの冷却モールド板11,12を有すが、図にはそのうちの幅の狭い側面板のみを示す。これらの板は好ましくは、図示しない、水冷梁によって支持されている。これらの水冷梁は好ましくは水である冷却材を流すための空洞または溝を内部に有する。図1に示した本発明の実施例の場合には、鋳造時には溶融金属に浸漬されたノズル13を通って高温の金属が供給されて主たる流動を形成する。別な方法としては、高温の金属を自由表面に対して吐出する、自由液面鋳造も可能である。溶融した金属は冷却され、部分的に固化したストランドが形成される。ストランドは連続的にモールドから引き出される。もし高温の金属の主たる流れが制御されない状態でモールド内に流れ込むとすると、金属の主たる流れが鋳造されたストランドの内部にまで深く進入することになる。このように高温金属の主たる流れがストランド内に深く進入すると品質と生産性を損なうことになる可能性が高い。制御されない高温金属の流れがストランドに進入すると、非金属粒子および／またはガスを固化したストランド内に取り込むことになるか、あるいは凝固過程において熱および質量移動条件が乱されることによって鋳造されたストランドの内部構造に欠陥を生じる可能性がある。高温の流れが深く進入すると、さらに、モールド下部の固化した表皮が再度溶融して重大な障害や長期の補修を必要とすることになる可能性がある。図１に示した方法の場合、モールドに流入する溶融金属の主たる流れに対して１つ以上の磁界を作用させ、流動に制動力を加えると共に流れを分岐させる。このようにしてストランドの溶解金属部分に制御された流動パターンを作り出す。図に示した金属の連続鋳造方法によれば、金属の主たる流れは沈設された流入ノズルの側面開口からモールドに流入し、この流れがモールドの狭い側面に衝突して分岐すると共に二次的な流れを生じる。モールドの上部の流動は加えられている磁界によって制御され狭い側部に沿って上昇する流動U、自由液面14に沿って又この近傍に生じる流動M、狭い側部近傍の自由液面に生じる定在波15を生じる。逆方向の二次的流動、図7におけるO1とO2、モールドの中央部で上昇し狭い側部のほうに外向きに自由液面を流れる流動が特定の状況、つまり、ノズルへの沈積と目詰まりを排除するためにガスを排出した場合には生じることがある。自由液面での流動、特に流速Vmは不純物の除去、モールド粉とガスの排除、モールドの内部で発生している流動状況を表すものである。従って、発明の好ましい実施例の1つにおいては、鋳造工程を通じて直接または間接的に自由液面における流動状態を観測し、流動Mの変化を取り込んで磁束密度を調節することで鋳造される金属に金属以外の成分、モールド粉およびガスが取り込まれ又蓄積されることを最小限に抑えることが好ましいことが示されている。ほとんどの状況において自由液面の流動状態M、定在波15の高さ、位置および形状は上昇流Uに依存するので、本発明に基づくオンライン制御に上昇流Uの直接または間接的測定値または定在波の性質や位置を使用することが可能であることが示された。これらのパラメータは全て鋳造工程を通じて連続的にまたは時々サンプリ��グすることができる、つまり、渦流技術や永久磁石を有する流速測定または容器やひしゃく内の溶融金属や液位測定に使用する装置を使用することができる。本発明に基づく制御は好ましくはこれらのパラメータの連続測定またはサンプリングを含む。本発明の方法によって鋳造工程を通じて制御された安定な流動性状を創出することおよび必要に応じて流動性状を調節することが可能であることが示された。本発明の方法はさらに、複数の運転パラメータを連続的に観測し、それに基づいてモールド内の流動性状を制御し安定化して調節することによって鋳造製品の固化条件の改善、鋳造製品からの非金属成分の有効な除去、鋳造製品内へのモールド粉やガスの取り込みの最小化を実現し、理由の如何にかかわらず運転パラメータが鋳造工程において変化しても鋳造条件を基本的に一定に維持するかあるいは所定の好ましい範囲内に維持することができることが示された。
【００２２】
図2に示した流動性状は、溶融金属の主たる流れｐが浸漬ノズルの側部開口から流入し、モールド内の金属に
−自由液面のレベルまたは自由液面と側部開口との間のレベルで第1の磁力帯Aと、
−側部開口の下流側のレベルにおいて第2の磁力帯B
の位置でブレーキが作用する場合の典型的な流動状況を示したものである。
磁力帯の幅は、図2に示したように鋳造製品の全幅を覆うのが好ましい。この磁力帯A,Bの形状はモールドの頂部、磁力帯A,Bの2つのレベルの間に顕著な循環する流動C1とC2を発生させ、この様子は流動センサ43によって観測される。第2の磁力帯Bの下流域には、安定性が劣る2つの循環流動c3、c4が発生するが、この二次的な流動は、磁力帯Bによってせい動力を加えるとともに主たる流れを分岐させることを特徴とする図2に示した実施例によって鋳造を行い、磁界による力、誘導電流および2つの磁力帯内部における主たる流れの慣性力の協働作用によって発生する。図2に示した状況では二次的な流動C1,C2を自由液面か狭いほうの側部に設けたセンサ43を使用してたとえば定在波を観測することが望ましい。磁束密度は、流動C1、C2が所定の範囲に入るように制御することが望ましいが、状況によっては1つまたは両方の磁力帯に磁極の向きを逆転させるのが良い場合もある。流動C1,C2を観測するセンサ43をそれぞれ独立に設けてモールドの半分ずつに対して磁界の強さを制御すれば流動C1,C2をそれぞれ別個に制御することも可能である。
【００２３】
上記同様のモールドや閉鎖鋳造で使用することができる他の実施例においては、磁界は、
−浸漬流入ノズルの側部開口のレベルの第1の磁力帯D；と
−側部開口の下流レベルにある第2の磁力帯E
とにおいて作用する。
磁力帯D,Eの幅は、この実施例の場合にも、基本的に鋳造製品の全幅である。図3に示す磁力帯D,Eの構成の場合、主たる流れｐに対する制動力と磁力帯D,Eの間の領域で発生する二次的な流動G1,G2およびモールド上部の磁力帯の上方の小さいが安定した流動g3、g4と共に得られる。又この状況では主な二次的流動G1,G2を適当なセンサ45によって狭い側部から観測するのが望ましい。また適当なセンサ43によって頂部の小さな流動g3、g4も観測するのが望ましい。磁力帯Dに作用している磁界の磁束密度を調節するのが望ましい。流動G1,G2およびg3、g4を所定の値の幅に収めるのが望ましく、このためには磁界の磁極の向きを逆転させるのが望ましいことがある。流動G1,G2を個別に観測するセンサ45をもうけ、モールドの半分ごとに溶融金属に作用する磁力の大きさを制御することで流動G1,G2を独立に制御することが可能になる。
【００２４】
図4には本発明を実施するための主要な構成要素を示す。装置はモールド41とブレーキ42のほかに、
−モールド中の1つ以上の流動パラメータを観測するための測定手段43、45；
−測定手段34，35および磁石手段、つまり、ブレーキ42または自身の先端面とモールドとの間の距離を変化させて磁束密度を調節する機械的手段や磁石とモールドの間に板を挿入して磁界を変化させる手段等の磁束密度調節手段、との両方と連動する制御ユニット44を有する。図に示したモールド41は、1つまたは複数の鋳造ストランドを連続または半連続的に鋳造するために必要な全ての装置を具備したものであり、必要な装置とは、支持装置、冷却材意の供給と分配のための装置、モールド振動装置、モールドへの高温金属の供給装置、モールドの下流で鋳造されたストランドを取り扱うための完全な鋳造装置である。図に示したブレーキ42は、磁石およびそれに関連する図示しない磁石のヨークと電源装置421である。ブレーキ42はモールド中の溶融金属に対してモールド内に所望の流動状態を生起させるように作用する。電磁ブレーキに代えて、必要な磁束密度が得られれば永久磁石を使用することもできる。測定手段43，45は、制御されるべき流動を特徴付ける1つ以上のパラメータを観測するセンサを少なくとも有するが、さらに、好ましい実施例としてはさらに別の鋳造パラメータの連続的な観測またはサンプリングのためのセンサを有していても良い。流動に関するパラメータの観測またはサンプリングに好適なセンサとしては、例えば金属産業の分野では他の用途に使用するものとして広く知られている装置のように、渦流に基づく永久磁石を有する容器内の流動または液位測定装置を挙げることができる。制御ユニット44が具備する入力手段は、既に述べたような鋳造パラメータを観測またはモニタするセンサである測定装置43からの信号x1, x2, ... xnを受け取り、さらに別の実施例ではさらにy, w, t, uを受け取るよう構成されている。いくつかの実施例の場合には、入力手段は所定の状態またはパラメータからΔ、Φ、Σを受け取る。さらに別の実施例では、入力手段はさらに流動性状をどのように制御すべきかに関する指示、流動が変化しても良い場合には特定のパラメータの範囲等を受け取り、オペレータがオンラインで状態を変更することを可能にする、つまり、磁界の極性を逆転させて磁束密度を変化させることで流動方向を変更する等の操作を可能にする。制御ユニット44は、鋳造パラメータのような入力手段からの情報および検出手段43からの情報とその他の受け取った情報に基づいてこれを処理し、この処理結果に基づいて制御ユニットが有する出力手段を会して磁束密度を調節するために、好ましくはアルゴリズム、統計モデルまたは多変量解析手法の形のソフトウエアを搭載した既知の電子装置である。本発明の1つの実施例に基づけば、制御手段44と検出手段は、上記に続く処理を観測して制御する電子的手段と鋳造工程またはプラント内の全生産工程と接続された装置とを含むニューラルネットワークに組み込まれているかこれと接続されている。制御ユニット44に具備された出力手段は、少なくとも観測された流動パラメータについて検出された変化に関する情報を含む入力を制御ユニット44で処理した結果に基づいてマグネチックブレーキの磁束密度を調節することができる。電磁ブレーキの磁束密度の調節は好ましくは電源手段から当該電磁ブレーキの電磁石に供給される電流を調節することによって行���。これは制御ユニット44からの出力信号によって制御される電流制御装置を用いて行うことが可能である。別な方法として、電磁石を電圧を制御する電源装置に接続し、電圧を制御ユニットからの信号に基づいて制御することによって間接的に電磁石のコイルを流れる電流を制御するものでも良い。電磁石の代わりに永久磁石を有するブレーキの場合には、磁束密度は磁石の先端部分とモールドとの間の距離および／または磁石とモールドの間に介在する材質を変化させることによって調節することができる。
【００２５】
図5に示した流動性状は、高温溶融金属の主たる流れｐが、浸漬された流入ノズルの側部開口を通ってモールド内に流入し、側部開口の下流にある磁力帯Hの位置でブレーキがモールド内の流体に制動力を加える方法の場合に典型的に生起する流動性状である。磁力帯Hの幅は、図5に示したように好ましくは鋳造製品の全幅を覆う。磁力帯Hのこの構成によれば、頂部に循環する顕著な流動C1とC2を生じ、これが流動測定装置43によって観測される。磁力帯Hの下流では、さらに安定性の低い循環流c3、c4が発生するが、これらの二次的な流動は主たる流れに制動力が加わって主たる流れが分岐し、磁力帯Hの存在によって安定な二次的流動C1,C2が発生し、磁力と、誘導電流とモールド内の主たる流れの間勢力が協働した図5に示す方法において発生する。図5に示した状態の場合、自由液面、狭い側部に位置するセンサ43によって二次的な流動C1,C2を観測するか、定在波を観測することが好ましい。磁束密度は流動C1,C2が所定の値の範囲に入るように調節されることが望ましい、しかし状況によっては磁力帯の磁界の向きを逆転させることが望ましい場合もある。流動C1,C2をそれぞれ個別に測定するようセンサ43を構成し、モールドの半分ずつに対して加えられる磁界を独立に制御するように構成することで、流動C1,C2をそれぞれ独立に制御することができる。
【００２６】
同様なモールドや閉鎖鋳造に使用することができる他の実施例の場合には、磁界は浸漬流入ノズルの側部開口のレベルにある磁力帯Fに作用する。磁力帯Fの幅はこの実施例の場合にも、基本的には鋳造製品の全幅と同じである。図6に示した磁力帯Fの形状の場合、主たる流動ｐに対する良好な制動力および、磁力帯Fの下側領域における安定な二次的流動G1,G2とそれに伴う小さいが安定しているモールド上部領域、つまり磁力帯Fの上方、での流動g3、g4が得られる。この場合には、主な二次的流動G1,G2を適当なセンサ45によって狭い側部から観測することが望ましい。磁力帯Dに作用する磁界の磁束密度は調節されていることが望ましい。流動G1,G2およびg3、g4はあらかじめ定められた範囲に入るのが望ましいが、磁束密度を調節することに関しては極性を逆転させることが望ましい場合もある。流動G1,G2を観測するセンサ45がそれぞれ流動G1とG2とを別々に観測し、溶融金属に作用する磁界が独立にモールドの半分ずつに対して作用するなら、流動G1とG2をそれぞれ独立に制御することができる。
【００２７】
図7に示した流動パターンは、図5に示した方法にモールド内のアルゴンガスのようなガスの排出を加えたときに典型的に生起するものである。浸漬流入ノズルの側部開口を通って流入する高温の溶融金属がガスの気泡(Ar)と、側部開口の下流のレベルの磁力帯Kでモールド内の金属に作用する磁界によって撹乱される。磁力帯Kの幅は図5に示すように基本的に鋳造製品の全幅を覆うのが望ましい。この磁力帯Kとノズル表面に沿って上昇する気泡(Ar)との組み合わせによって、循環する顕著な流動O1,O2が生起され、この流動は、モールドの中央部で上昇し、自由液面で外側の狭い側部のように向かい、狭い側部に沿って降下し、磁力帯Kの上の位置で内側に向かう。逆向きの流動O1,O2は流動センサ43で観測される。磁力帯Kの下流には比較的不安定な流動c3、c4が発生し、その流動方向は正常あるいは逆向きである。図7に示した実施例に従ってノズルからガスを排出しながら方法を実施したときは、この二次的な流動は磁力帯Kで加えられる制動力と分岐およびガス気泡(Ar)によって生じる、磁力と誘導電流とガス気泡とノズル開口部での主たる流動が有する慣性力の作用で生じる安定な二次的流動C1,C2によって特徴付けられる。図7に示した状態では、逆方向の二次的な流動O1、O2または定在波を、自由液面、狭い側部に設けた適当なセンサ43によって観測することが望ましい。磁束密度は逆向きの流動性状を維持し又流速O1,O2を所定の値の範囲に維持するように調節するのが望ましいが、状況によっては1つまたはそれ以上の磁界の磁極を反転させることが好ましい場合もある。流動O1,O2を観測するセンサ43を独立に設け、モールドの半分ごとに作用する磁界を独立に制御することによって、流動O1,O2を独立に制御することが可能になる。
【００２８】
図8に示した流動性状は、高温の溶融金属の主たる流れｐが浸漬された流入ノズルの側部開口に流入し、ブレーキがモールド内部の金属に磁界を作用させるよう構成され、
−ノズルの側部に位置し、自由液面のレベルまたは自由液面と側部開口の間の位置に存在する第1の磁力帯Lに存在する2つのゾーンLI,LII；と、
−ノズルの側部に位置し、側部開口の下に存在する第2の磁力帯Nに存在する2つのゾーンNI,NIIに磁界が加えられる方法において典型的に発生する。
制御の目的のためにモールドは鋳造方向に沿って2つに分割されており、2つの制御領域I,IIを有し、領域Iには磁界領域LI,NIとゾーンI内部の流動を観測するための測定手段43a, 45aが存在し、領域IIには磁界領域LII,NIIとゾーンII内部の流動を観測するための測定手段43b, 45bが存在する。2つの制御領域を使用することによって、本来対照的でバランスの取れた2つのループ状の流動をモールドの上部領域に確実に発生させることができる。したがって、非対称でバランスの悪いいわゆる傾斜二重ループの発生あるいは極端な場合には、溶融金属が一方のモールド側面を上昇して、自由液面を他の側面に向けて横切り、モールドのレベルNに沿って降下してもとへもどるような循環流動の発生を防止することができる。傾斜流動は自由液面における乱流と渦の発生可能性を増大させ非金属成分の除去、ガス気泡の除去の排出が十分に行われず金属内部にモールド粉が混入する可能性を増大させることになる。磁界領域LI, LII, NI, NIIは好ましくは図8に示したようにノズルを含む中央領域に磁界がかからないように、かつ磁界を使用する領域の幅が制御領域I,IIの幅と基本的に同じであるように、つまりノズル全体または部分的に覆うようにすることで同様の二次的な流動を生起することができる。この磁界領域LI, LII, NI, NIIの形状によって、循環する顕著な二次的流動C1,C2を溶融金属の頂部、レベルLとNの間に、図2および図5と同様に生起させることができる。流動状況をセンサ43a, 43bによって観測する。c3, c4が発生するが、図8に示した方法による鋳造がゾーンNI,NIIで主たる流れに制動力を加えて分岐させ、磁界、誘導電流および2つのレベルの間の領域での主たる流動の有する慣性力によって安定な二次的流動C1,C2が発生するときは、この二次的な流動が発生する。図8に示した状態においては、二次的な流動C1,C2または定在波を自由液面か狭い側部の位置に設置したセンサ43a, 43bを使用して観測することが望ましい。LI、NIの一方または両方の磁束密度は、センサ43aを使用して流動C1を一定に維持するように、あるいは、流動C2を観測する43bを使用して流動C2が所定の値の範囲内であるように調節するのが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図1は、本発明の方法を実施するモールドの実施例の頂部における自由液面と二次的流動を模式的に示した図である。
【図２】  図2は、電磁ブレーキによって磁力による制動力がモールド内のレベルの異なる2つの独立した領域に作用し、高温の溶融金属の主たる流動が沈設されたノズルの側部開口からモールドに流入し、少なくとも1つの磁界領域が側部開口のレベルまたはその下流側に設けられた本発明の実施例によって得られる流動パターンを示す図である。
【図３】  図3は、電磁ブレーキによって磁力による制動力がモールド内のレベルの異なる2つの独立した領域に作用し、高温の溶融金属の主たる流動が沈設されたノズルの側部開口からモールドに流入し、少なくとも1つの磁界領域が側部開口のレベルまたはその下流側に設けられた本発明の実施例によって得られる流動パターンを示す図である。
【図４】  図4は、本発明の実施例である方法を実施するための装置であって、連続鋳造モールド、電磁ブレーキ、鋳造状況を観測してその変化に基づいてブレーキを調節する制御ユニットを具備する装置を示す概念図である。
【図５】  図5は、1つのレベルで磁界を加える本発明のさらに別の実施例によって得られる流動状況を例示した図である。
【図６】  図6は、1つのレベルで磁界を加える本発明のさらに別の実施例によって得られる流動状況を例示した図である。
【図７】  図7は、逆流防止のために本発明を使用した実施例によって得られる流動状況を例示した図である。
【図８】  図8は、モールドの半分ごとに流動性状を観測するとともに、モールドの片側に作用する磁界は他の半分に採用する磁界とは独立に制御される本発明の1実施例によって得られる流動状況を例示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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