(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローバを介してＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、当該パネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置において、前記プローバのプローブピンと電極との電気的接触状態を検査するプローブピンの接触検査方法であって、
前記プローブピンを介してＴＦＴアレイ基板に給電する駆動信号の駆動波形の変化を求め、当該駆動波形変化に基づいてプローブピンと電極との電気的接触状態を検査することを特徴とするプローブピンの接触検査方法。
【請求項２】
前記駆動波形変化は、前記駆動信号の給電時の駆動波形の波形歪みの歪み時間であり、
前記プローブピンと電極との電気的接触状態の検査を、前記歪み時間がＴＦＴアレイ基板に設けられた複数のパネルの内で接触が良好であるパネルの面数に応じて比例的に増減にすることに基づいて行うことを特徴とする、請求項１に記載のプローブピンの接触検査方法。
【請求項３】
ＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、当該パネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
前記ＴＦＴアレイを駆動する駆動信号を生成するＴＦＴ駆動回路と、
ＴＦＴアレイ基板の電極と接触して前記駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電するプローバと、
前記駆動信号の駆動波形の時間変化を目視で観察可能とする駆動波形観察装置とを備え、
前記駆動波形観察装置は、前記駆動波形の時間変化からプローブピンと電極との電気的接触状態を検査することを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項４】
前記駆動波形変化は、前記駆動信号の給電時の駆動波形の波形歪みの歪み時間であり、
前記駆動波形観察装置は、前記駆動波形を表示し、
駆動波形の波形歪みの歪み時間とＴＦＴアレイ基板に設けられた複数のパネルの内で接触が良好であるパネルの面数との比例的な増減関係に基づいて、前記表示された駆動波形の波形歪みの歪み時間からプローブピンと電極との電気的接触状態を検査することを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項５】
ＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、当該パネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
前記ＴＦＴアレイを駆動する駆動信号を生成するＴＦＴ駆動回路と、
ＴＦＴアレイ基板の電極と接触して前記駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電するプローバと、
前記駆動信号の駆動波形の時間変化を測定する駆動波形測定装置とを備え、
前記駆動波形測定装置は、前記測定した駆動波形の時間変化からプローブピンと電極との電気的接触状態を検査することを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項６】
前記駆動波形変化は、前記駆動信号の給電時の駆動波形の波形歪みの歪み時間であり、
前記駆動波形測定装置は、前記歪み時間を測定し、
駆動波形の波形歪みの歪み時間とＴＦＴアレイ基板に設けられた複数のパネルの内で接触が良好であるパネルの面数との比例的な増減関係に基づいて、前記測定された駆動波形の波形歪みの歪み時間からプローブピンと電極との電気的接触状態を検査することを特徴とする、請求項５に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項７】
前記ＴＦＴアレイ基板に給電する駆動信号の電流を制限する電流制限回路を備え、前記駆動波形の時間変化幅を延ばすことを特徴とする、請求項３から６の何れかに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項８】
前記駆動波形測定装置は、駆動信号を印加してから所定電圧に上昇するまでの時間幅、又は、駆動信号を印加してから所定電圧に上昇するまでの時間幅の基準時間幅に対する比率を測定することを特徴とする、請求項５又は６に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項９】
前記駆動波形測定装置は、駆動信号の印加を停止してから所定電圧に下降するまでの時間幅、又は、駆動信号の印加を停止してから所定電圧に下降するまでの時間幅の基準時間幅に対する比率を測定することを特徴とする、請求項５又は６に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ基板等の基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するプローブピンの接触状態の検査に関し、ＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置に適用することができるものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアレイは、例えば液晶表示装置の画素電極を選択するスイッチング素子として用いられる。ＴＦＴアレイを備える基板は、例えば、走査線として機能する複数本のゲートラインが平行に配設されると共に、信号線として記載する複数本のソースラインがゲートラインに直交して配設され、両ラインが交差する部分の近傍にＴＦＴ（Thin film  transistor）が配設され、このＴＦＴに画素電極が接続される。
【０００３】
ＴＦＴアレイは格子状に配置することによってパネルを形成する。通常、液晶基板の製造では、一枚のガラス基板上に複数のパネルを形成し、各種工程を経た後に、各パネルに切り分けている。
【０００４】
液晶基板等のＴＦＴアレイが形成された半導体基板の製造過程では、製造過程中にパネル上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査工程を含み、このＴＦＴアレイ検査工程において、ＴＦＴアレイの欠陥検査が行われている。このＴＦＴアレイ検査工程では、前記したゲートラインやソースラインに欠陥検査用の信号パターンの駆動信号を印加してＴＦＴアレイを駆動し、このＴＦＴアレイの駆動状態を検出することによってＴＦＴアレイ検査を行う。
【０００５】
このＴＦＴアレイ検査では、ＴＦＴアレイを駆動した際のＩＴＯ電位を電子線照射によって発生する二次電子の強度で検出することが知られている。
【０００６】
ガラス基板上には、多面取りと呼ばれるように、一枚のガラス基板上に複数のパネルが形成されている。この多面取りのＴＦＴガラス基板を検査する場合、ＴＦＴガラス基板上に形成された全パネルに駆動信号を印加して同時に全パネルのＴＦＴアレイを駆動するとともに、このガラス基板を支持するステージを一定速度で移動させながら、パネルに電子線を連続的に走査させることで、ガラス基板上に形成される各パネルのＴＦＴアレイを順に検査している（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
駆動信号のＴＦＴアレイ基板への印加はプローバを介して行われる。プローバは、複数のプローブピンとこのプローブピンを保持するプローバフラームから構成され、プローブピンをＴＦＴアレイ基板の電極に接触させることによって、駆動信号を電極を介してＴＦＴアレイ基板に給電している。
【０００８】
ＴＦＴアレイ基板の検査を良好に行うには、プローブピンと電極との電気的な接触が良好であることが求められる。従来、このプローブピンと電極との接触状態を確認するために、ＴＦＴアレイ基板にプローバを位置合わせしてプローブピンを電極に接触させた後、実際に測定動作を実施して画像を取得し、取得した画像を目視で観察している。観察像からコンタクトの不良等による給電不良箇所を特定し、不良が認められる場合には、プローバフレームの位置や各プローブピンの位置を調整している。
【特許文献１】特開２００６−１７０６９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の観察像による方法では、駆動信号を印加して測定動作を行った後、画像が取得されるまで待つ必要がある。駆動信号を印加してから画像が取得されるまでの間は、接触状態を確認することができず、画像が取得されるまで待ち時間を要するという問題がある。そのため、プローバフレームやプローブピンの調整時間を短縮することが困難であった。
【００１０】
そこで、本発明は上記課題を解決して、プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮することを目的とする。
【００１１】
また、プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮することによって、プローバフレームやプローブピンの調整時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電し、この駆動信号の駆動波形変化に基づいてプローバのプローブピンとＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態を確認するものである。この駆動波形変化に基づく接触状態の確認では、単にＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電し、そのときの駆動信号の駆動波形の波形変化を取得するだけで行うことができる。そのため、従来の方法のように、画像を取得するために、駆動信号を給電すると共にステージを駆動させてＴＦＴアレイ基板を移動させ、ＴＦＴアレイ基板上を走査するという測定動作を不要とすることができる。
【００１３】
本発明は、プローブピンとＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態に応じて、駆動信号の駆動波形が変化することを利用するものである。
【００１４】
プローバのプローブピンがＴＦＴアレイ基板の電極に接触している場合には、ＴＦＴアレイのゲート電極配線上に存在する浮遊容量に対して充放電を行う必要がある。
【００１５】
ＴＦＴアレイ検査装置では、真空チャンバ内に測定用のステージを配置し、真空チャンバの上部に検査用の電子線を照射する電子銃を配置し、電子銃から照射した電子線をステージ上に載置した基板に照射する。この電子線が照射する照射範囲は、１パネルの面積と比較して極めて小さいため、電子線の照射方向を制御したり、ステージを一定速度で移動させることによって基板上において電子線を連続的に走査させている。
【００１６】
基板上に複数のパネルを配置する場合、ＴＦＴアレイ検査では、基板上に配置される全パネルを駆動している。ステージが移動する方向に複数のパネルが配置される場合において、一つの電子銃からの電子線が照射する場所は、基板上に配置されるパネルの内の一つのパネル内に過ぎないが、従来のＴＦＴアレイ駆動では、基板上に配置される全パネルを同時に駆動している。
【００１７】
ＴＦＴアレイが構成され部位には種々の電気容量が存在する。図１は液晶表示装置が備えるＴＦＴアレイの構成例を示している。ＴＦＴアレイ３２は、ＴＦＴスイッチ３３が接続された画素電極（ＩＴＯ電極）３４を備える。液晶画素は、画素電極（ＩＴＯ電極）３４と対向電極（図示していない）との間に液晶層を挟むことで構成され、画素電極３４と対向電極との間に画素容量が形成される。また、ＴＦＴアレイ３２には上記の画素容量以外に浮遊容量が存在する。この浮遊容量としては、例えば、ＴＦＴスイッチ２１のゲート側に存在するゲート寄生容量Ｃｇ、ＴＦＴスイッチ３３のソース側に存在するソース寄生容量Ｃｄ、画素電極３４に付加される付加容量（Ｃｓ）等がある。付加容量（Ｃｓ）の一方は画素電極３４に接続され、他方は共通ラインあるいはゲートラインに接続される。なお、上記した浮遊容量は一例であってこれらに限られるものではない。
【００１８】
ＴＦＴアレイを駆動するには、これら各パネルに存在する静電容量を充放電する必要がある。この静電容量の充放電に要する時間は、静電容量と印加電流に依存する。この浮遊容量に対する充放電によって、ゲートラインに流れる駆動信号の電流が制限されるため、立ち上がりおよび立ち下がり時の波形に波形歪みが生じる。パネル数が増加すると、充放電を必要とする静電容量が増加するため、充放電に要する時間も長くなる。
【００１９】
図２はＴＦＴアレイの容量の充電状態を説明するための図である。ＴＦＴアレイに印加する電流を一定とした場合には、所定の電圧に達するまでに要する時間はＴＦＴアレイが含む容量に依存し、浮遊容量等によって容量がＣａからＣｂに増加すると充電に要する時間はＴａからＴｂに延びることになる。また、放電に要する時間も同様である。
【００２０】
この波形歪みの歪み状態は、ＴＦＴアレイ基板に設けられた複数のパネルの内で、接触が良好に行われているパネルの面数に応じて変化し、歪み波形の歪み時間は、ＴＦＴアレイ基板に設けられた複数のパネルの内で、接触が良好に行われているパネルの面数に応じて比例的に増減する。
【００２１】
本発明は、このプローブピンとＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態と、駆動信号の駆動波形が変化との関係を利用し、駆動信号を給電した時に得られる駆動波形の波形歪みを、ＴＦＴアレイの全パネルが良好に接触しているときの波形歪みと比較することによって、プローバのプローブピンとＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態を確認する。
【００２２】
また、駆動信号を給電した時に得られる駆動波形の波形歪みの歪み時間を、ＴＦＴアレイの全パネルが良好に接触しているときの波形歪みの歪み時間と比較することによって、プローバのプローブピンとＴＦＴアレイ基板の電極との接触状態を確認する。
【００２３】
本発明によれば、単に駆動信号を給電した際の駆動信号の駆動波形変化を求めるだけでよく、画像を取得するためにステージを駆動して基板をスキャンする走査動作を不要とすることができるため、プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮し、プローバフレームやプローブピンの調整時間を短縮することができる。
【００２４】
本発明はプローブピンの接触検査方法の態様と、この接触検査方法を用いたＴＦＴアレイ検査装置の態様とすることができる。
【００２５】
本発明のプローブピンの接触検査方法の態様は、プローバを介してＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、このパネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置において、プローバのプローブピンと電極との電気的接触状態を検査するプローブピンの接触検査方法である。
【００２６】
この接触検査方法において、プローブピンを介してＴＦＴアレイ基板に給電する駆動信号の駆動波形の変化を求め、この駆動波形変化に基づいてプローブピンと電極との電気的接触状態を検査する。
【００２７】
また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の態様は、ＴＦＴアレイ基板に駆動信号を給電してパネルを駆動し、このパネルの電圧状態によってＴＦＴアレイ基板を検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、駆動波形変化を目視で観察する第１の形態と、駆動波形変化を時間測定する第２の形態を含むものである。
【００２８】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態は、ＴＦＴアレイを駆動する駆動信号を生成するＴＦＴ駆動回路と、ＴＦＴアレイ基板の電極と接触して前記駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電するプローバと、駆動信号の駆動波形の時間変化を目視で観察可能とする駆動波形観察装置とを備える構成である。この第１の形態によれば、駆動波形観察装置によって、駆動波形の時間変化を目視によりリアルタイムで観察することで接触状態を確認するができる。
【００２９】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態は、ＴＦＴアレイを駆動する駆動信号を生成するＴＦＴ駆動回路と、ＴＦＴアレイ基板の電極と接触して駆動信号をＴＦＴアレイ基板に給電するプローバと、駆動信号の駆動波形の時間変化を測定する駆動波形測定装置とを備える構成である。この第２の形態によれば、駆動波形測定装置によって、駆動波形の時間変化を時間測定し、この測定した時間長を比較することで接触状態を確認することができる。
【００３０】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態および第２の形態において、ＴＦＴアレイ基板に給電する駆動信号の電流を制限する電流制限回路を備える構成とすることができる。電流制限回路による駆動信号の電流制限によって、駆動波形の時間変化幅が延び、歪み波形の目視による観察、および駆動波形の時間幅による比較を容易とすることができる。
【００３１】
また、駆動波形測定装置は、駆動信号を印加してから所定電圧に上昇するまでの時間幅、又は、駆動信号を印加してから所定電圧に上昇するまでの時間幅の基準時間幅に対する比率を測定する他に、駆動信号の印加を停止してから所定電圧に下降するまでの時間幅、又は、駆動信号を印加を停止してから所定電圧に下降するまでの時間幅の基準時間幅に対する比率を測定することができる。
【００３２】
また、上昇と下降の両変化における時間幅あるいは時間比率を用いて接触状態を確認してもよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮することができる。
【００３４】
また、プローブピンと電極との接触状態の確認に要する時間を短縮することによって、プローバフレームやプローブピンの調整時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、駆動波形を観察する第１の形態、駆動波形の歪み時間を測定する第２の形態について図を参照しながら詳細に説明する。
【００３７】
はじめに、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態について図３の概略図を用いて説明する。
【００３８】
図３に示すＴＦＴアレイ検査装置１は、真空チャンバ１９内に設けた試料ステージ２０上にＴＦＴガラス基板３０を配置し、このＴＦＴガラス基板３０に形成される複数のパネルＡ〜パネルＤ（３１Ａ〜３１Ｄ）に駆動信号を印加し、この駆動信号によって駆動状態となったパネルについてＴＦＴアレイ検査を行う。
【００３９】
なお、ここでは、ＴＦＴガラス基板３０に形成されるパネルとしてパネルＡ〜パネルＤ（３１Ａ〜３１Ｄ）の４枚のパネルの例を示しているが、このパネル数は説明上から示した一例であり、このパネル数に限られるものではない。
【００４０】
ＴＦＴアレイ検査装置１は、真空チャンバ１９内に内蔵する試料ステージ２０と、真空チャンバ１９の上部に設けた電子銃１７（１７ａ，１７ｂ）を備える他、ＴＦＴアレイを駆動する回路構成として、試料ステージ２０を駆動するステージ駆動回路１２、試料ステージ２０に載置するＴＦＴガラス基板３０のパネルのＴＦＴアレイを駆動するＴＦＴ駆動回路（パネルドライバ）１３、電子銃１７ａ、１７ｂを制御し駆動する電子銃制御コントローラ１５および電子銃制御回路１６、およびＴＦＴアレイ検査装置１の全体を制御する制御コントローラ１１を備える。なお、制御コントローラ１１および電子銃制御コントローラ１５は、ＣＰＵおよびこのＣＰＵを駆動するアルゴリズムを記述したソフトウエアを格納するＲＯＭや信号処理のためのＲＡＭ等のメモリ手段等によってソフトウエア処理で制御を行うことができる。
【００４１】
試料ステージ２０は、ＴＦＴガラス基板３０を支持する。また、試料ステージ２０は、ステージ駆動回路１２から出力される駆動信号に基づいて、試料ステージ２０上に載せたＴＦＴガラス基板３０を所定の方向に移動させる。このＴＦＴガラス基板３０の移動は、例えば、パネル上を走査する電子線の走査速度に合わせて一定速度とすることができる。
【００４２】
ここで、試料ステージ２０に駆動信号を供給するステージ駆動回路１２は、制御コントローラ１１からの移動指令を受けて駆動し、電子銃制御コントローラ１５により電子線の照射方向の制御とともに、電子線をパネル上において走査する。
【００４３】
ＴＦＴ駆動回路（パネルドライバ）１３は、制御コントローラ１１から駆動指令を受けると、図示しない記憶手段に格納している駆動波形データを用いて駆動信号ａを生成し、プローバ４０に送る。プローバ４０は、パネル３１が備える電極（図示していない）と接触するプローブピン４２と、このプローブピン４２を指示するプローバフレーム４１を備える。駆動信号ａは、プローブピン４２とパネル３１の電極との間の電気的接触を通して、各パネル３１のＴＦＴアレイに給電される。
【００４４】
なお、ここでは、ＴＦＴ駆動回路（パネルドライバ）１３を１つ備える構成を示しているが、設置個数は１個に限らず、駆動信号の波形数に応じて定めることができ、選択回路によって選択してパネルに給電することができる。
【００４５】
また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は、ＴＦＴ駆動回路（パネルドライバ）１３とプローブ４０との間に波形観察装置１８Ａを備える。この波形観察装置１８Ａは、ＴＦＴ駆動回路１３がパネル３１に給電する駆動信号の信号波形を検出し、目視可能に表示する。波形観察装置１８Ａは、例えば、オッシレータを用いることができる。また、ＴＦＴ駆動回路１３は電流制限回路１３ａを備え、駆動信号ａの電流値を制限する。
【００４６】
また、制御コントローラ１１は電子銃制御コントローラ１５に電子線走査指令を送って電子銃制御回路１６を駆動する。電子銃制御回路１６は、電子銃制御コントローラ１５の制御に基づいて電子銃１７ａ，１７ｂを制御し、照射する電子線を制御する。
【００４７】
ここで、制御コントローラ１１は、パネル上における電子線走査において試料ステージ２０制御する移動指令と、電子銃１７からの電子線５０の照射を制御する電子線走査指令の各指令出力が同期するよう制御する。
【００４８】
この制御コントローラ１１により同期した指令によって、ステージ駆動回路１２によるステージ駆動と、電子銃制御コントローラ１５による電子線照射制御とを同期させ、ステージ駆動回路１２によって目的とするパネルを電子銃の電子線照射位置に移動させ、電子銃制御コントローラ１５によって目的とするパネルに電子銃から電子線を照射させる。
【００４９】
駆動信号の選択は、電子線を走査する間に行うことができるため、パネルを複数回走査することなく、一回の走査の間にパネル中に含まれる複数種の欠陥を検出することができる。
【００５０】
図３に示すＴＦＴアレイ検査装置１において、ＴＦＴガラス基板３０上の各パネル３１Ａ〜３１Ｄに形成されたＴＦＴアレイを検査する際には、ＴＦＴガラス基板３０上にプローバフレーム４１を載置し、プローブピン４２を各パネル３１Ａ〜３１Ｄに設けられた電極に接触させる。
【００５１】
制御コントローラ１１は、走査制御によって移動指令、駆動指令、および電子線走査指令を形成する。
【００５２】
ステージ駆動回路１２は移動指令を受けて試料ステージ２０を駆動し、電子銃１７ａ，１７ｂに対するパネル３１Ａ〜３１Ｄのｙ方向の位置を変更する。ＴＦＴ駆動回路１３は駆動指令を受けて駆動信号ａを形成し、プローブピン４２および電極を通して駆動信号ａをパネル３１に給電する。
【００５３】
電子銃制御コントローラ１５は電子線走査指令を受けて電子銃制御回路１６を制御し、電子銃１７ａ，１７ｂから照射する電子線５０ａ，５０ｂの照射のオンオフおよび照射方向を制御する。
【００５４】
パネル上の電子線の走査は、試料ステージ２０によるパネル３１Ａ〜３１Ｄのｙ方向の移動と、電子銃１７ａ，１７ｂから照射される電子線のｘ方向の偏向とによって行われる。
【００５５】
駆動信号ａをパネル上のＴＦＴアレイに給電しながら電子線を走査することによって、図示しない検出器によってＴＦＴアレイの電位状態を検出し、ＴＦＴアレイの欠陥検査を行う。
【００５６】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は、上記した検査を行う前に、プローブピン４２とパネルの電極との接触状態を確認する。この接触状態の確認では、試料ステージ２０によるパネル３１Ａ〜３１Ｄの移動と、電子銃１７ａ，１７ｂから照射される電子線の偏向を行うことなく、単に駆動信号ａのみを給電することで行う。このとき、移動指令および電子線走査指令は無出力あるいは固定状態とし、駆動指令のみをＴＦＴ駆動回路１３に送信することで行う。
【００５７】
ＴＦＴ駆動回路１３は、駆動指令を受けると駆動信号ａを形成してプローバ４０に送る。プローバ４０では、プローブピン４２と接触する電極（図示していない）を通してパネル３１Ａ〜３１Ｄに駆動信号ａを給電する。
【００５８】
このときに給電される駆動信号ａの電圧の上昇あるいは下降状態は、パネル３１Ａ〜３１Ｄ側の浮遊容量に依存する。前記図２で示したように、パネル３１Ａ〜３１Ｄ側の浮遊容量が大きい場合には駆動信号ａの電圧の上昇あるいは下降に要する時間が長くなり、一方、パネル３１Ａ〜３１Ｄ側の浮遊容量が小さい場合には駆動信号ａの電圧の上昇あるいは下降に要する時間が短くなる。本発明は、この駆動信号ａの電圧変化の状態を用いることによって、パネルとプローブピンとの接触状態を把握する。図３の構成では、波形観測装置１８Ａによって駆動信号ａの電圧変化を目視で観察することができる。
【００５９】
図４は、波形観測装置１８Ａが観測する駆動信号の一例を示している。図４中に示す駆動信号１００は、パネルとプローブピンとの接触状態に応じて変化する。前記図２に示すように、パネルの浮遊容量が増加するほど充電時間あるいは放電時間が延び、駆動信号の波形歪みの程度が大きくなる。
【００６０】
ここで、プローブピン４２とパネル３１の電極とが接触状態にある場合には、ＴＦＴ駆動回路１３側から見たときの浮遊容量が増加するため、駆動信号の波形歪みの程度が大きくなる。一方、プローブピン４２とパネル３１の電極とが非接触状態にある場合には、ＴＦＴ駆動回路１３側から見たときの浮遊容量が減少し、駆動信号の波形歪みの程度が小さくなる。
【００６１】
図４中の駆動信号１０１〜１０５は、プローブピンと電極との接触状態をパネル単位で見たときの例を示している。なお、ここでは、４枚のパネルの場合について示している。
【００６２】
駆動信号１０１は、プローブピン４２が何れのパネル３１にも接触していない状態にあるときの波形を示している。駆動信号１０２は、プローブピン４２が１枚のパネル３１と接触し、残りの３枚のパネル３１とは非接触であるときの波形を示している。駆動信号１０３は、プローブピン４２が２枚のパネル３１と接触し、２枚のパネル３１とは非接触であるときの波形を示している。駆動信号１０４は、プローブピン４２が３枚のパネル３１と接触し、１枚のパネル３１とは非接触であるときの波形を示している。また、駆動信号１０５は、プローブピン４２が４枚のパネル３１と接触したときの波形を示している。
【００６３】
各駆動信号について立ち上がり部分で比較すると、駆動信号１０１は、何れのパネル３１にも接触していないため、パネル側の浮遊容量の影響を受けることがないため、歪むことなく急峻に立ち上がる。一方、駆動信号１０２〜１０５は、それぞれパネル３１と接触していりため、パネル側の浮遊容量の影響を受けて立ち上がりの遅れが生じ、波形歪みが生じる。立ち上がりの遅れの程度は、接触するパネルの枚数に応じて変化する。また、駆動信号の立ち下がりにおいても同様に変化する。
【００６４】
したがって、駆動信号１００の波形歪みの状態からプローブピンとパネルとの接触状態を確認することができる。
【００６５】
また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置１において、ＴＦＴ駆動回路１３は電流制限回路１３ａを備え、出力する駆動信号ａの電流値を制御することができる。駆動信号ａの電流値を制御することによって、駆動信号ａの波形歪みの程度を広げて観察することができる。
【００６６】
図５は、供給電流と充放電時間との関係を説明するための図である。
【００６７】
図５（ａ）は、制限電流Ｉ0よりも大きな供給電流Ｉ2の場合を示し、図５（ｂ）は、供給電流Ｉ1を制限して制限電流Ｉ0よりも小さくした場合を示している。図５（ｃ）は充電時間の供給電流による長短の状態を示している。
【００６８】
大きな供給電流Ｉ2（図５（ａ））をＴＦＴアレイに印加すると、容量を充電するための充電時間を充電時間Ｔ1に短縮される、一方、供給電流Ｉ1を制限して制限電流Ｉ0よりも小さくした場合（図５（ｂ））には、浮遊容量等の容量を充電するために長い充電時間Ｔ1を要することになる。
【００６９】
本発明は、上述した供給電流と充放電時間との関係を利用して、供給電流を制限することによって波形歪みの時間幅を伸ばす。これによって、接触状態の相違による波形歪みの時間幅の差異を大きくし、プローブピンとパネルとの接触状態の比較を容易とする。
【００７０】
次に、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態について図６の概略図を用いて説明する。
【００７１】
第２の形態は、第１の形態が備える波形観測装置１８Ａに代えて波形測定時間表示装置１８Ｂを備える構成である。波形測定時間表示装置１８Ｂの構成を除く他の構成は第１の形態と同様とすることができるため、ここでは波形測定時間表示装置１８Ｂについてのみ説明し、他の部分の説明は省略する。
【００７２】
第１の形態が備える波形観測装置１８Ａは、駆動信号の波形を目視可能に表示する装置であるのに対して、第２の形態が備える波形測定時間表示装置１８Ｂは駆動信号の波形歪みの時間を測定し、数値化して表示する。図６において、波形測定時間表示装置１８ＢはＴＦＴ駆動回路１３とプローバ４０との間に接続され、ＴＦＴ駆動回路１３からプローバ４０に給電する駆動信号の入力し、駆動波形の時間測定を行う。駆動波形の時間測定は、例えば、図４において、駆動信号１００の立ち上がり時点から所定のしきい値Ｖthに至るまでに要する時間を計時する。各駆動信号１０１〜１０５の波形の比較は、計時した時間幅で比較する他、全パネルが良好に接触した時の駆動信号１０５の波形歪みの時間幅を１００％とし、３／４のパネルが良好に接触し１／４のパネルの接触が不良である時の駆動信号１０４の波形歪みの時間幅を７５％とし、２／４のパネルが良好に接触し２／４のパネルの接触が不良である時の駆動信号１０３の波形歪みの時間幅を５０％とし、１／４のパネルが良好に接触し３／４のパネルの接触が不良である時の駆動信号１０４の波形歪みの時間幅を２５％として標準化した数値によって比較してもよい。
【００７３】
図７は波形測定時間表示装置１８Ｂの一構成例を説明するための図である。図７において、計時回路１８ｂはクロック回路１８ｃからのクロック信号をカウントすることで、波形歪みの時間幅を測定する。計時回路１８ｂは、測定信号Ｖの入力によりカウントを開始し、比較回路１８ａからの出力によってカウントを停止する。比較回路１８ａには測定信号としきい値Ｖthが入力され、測定信号がしきい値Ｖthが達した時点で計時回路１８ｂにカウントを停止する信号を出力する。
【００７４】
計時回路１８ｂで計数された数値は、波形歪みの時間幅を表している。表示制御回路１８ｄは、計時回路１８ｂの出力を時間幅として表示装置１８ｅに表示する他に、時間幅を標準化し、パネルの接触状態を数値表示する。例えば、図６で示した場合には、１００％を表示することで全パネルが良好に接触していることを確認することができ、また、７５％を表示することで３／４のパネルが良好に接触し１／４のパネルの接触が不良であることを確認することができる。
【００７５】
次に、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第３、４の形態について図８、９の概略図を用いて説明する。
【００７６】
第３、４の形態は、第１，２の形態において、駆動信号ａをＴＦＴガラス基板３０上に設けれた各パネル３１Ａ〜３１Ｄに個別に給電し、各パネル３１Ａ〜３１Ｄに給電する駆動信号の波形を、波形測定時間表示装置１８Ｂによってそれぞれ個別に測定する構成である。図８は、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第３の形態を説明するための概略図であり、図９は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第３の形態を説明するための概略図である。
【００７７】
図８において、第３の形態が備える波形測定時間表示装置１８Ｂは、ＴＦＴ駆動回路１３と各パネルに接続するためのプローブピン４２との間に接続し、各パネルに給電する駆動信号ａを個別に測定する。パネルへの駆動信号の給電の構成を除く他の構成は第２の形態と同様とすることができる。
【００７８】
また、図９において、第４の形態が備える波形測定時間表示装置１８Ｂは、ＴＦＴ駆動回路１３と各パネルに接続するためのプローブピン４２との間に切替回路１４を介して接続し、切替制御回路１４ａによって各パネルに給電する駆動信号ａを切り替えることで個別に測定する。パネルへの駆動信号の給電の構成を除く他の構成は第２の形態と同様とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、液晶製造装置におけるＴＦＴアレイ検査工程の他、有機ＥＬや種々の半導体基板が備えるＴＦＴアレイの欠陥検査に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】液晶表示装置が備えるＴＦＴアレイの構成例を示す図である。
【図２】ＴＦＴアレイの容量の充電状態を説明するための図である。
【図３】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態を説明するための概略図である。
【図４】本発明の波形観測装置が観測する駆動信号の一例を示す図である。
【図５】供給電流と充放電時間との関係を説明するための図である。
【図６】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態を説明するための概略図である。
【図７】本発明の波形測定時間表示装置の一構成例を説明するための図である。
【図８】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第３の形態を説明するための概略図である。
【図９】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第４の形態を説明するための概略図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…ＴＦＴアレイ検査装置、１１…制御コントローラ、１２…ステージ駆動回路、１３…ＴＦＴ駆動回路、１３ａ…電流制限回路、１４…切替回路、１４ａ…切替制御回路、１５…電子銃制御コントローラ、１６…電子銃制御回路、１７ａ，１７ｂ…電子銃、１８Ａ…波形観測装置、１８Ｂ…波形測定時間表示装置、１８ａ…比較回路、１８ｂ…計時回路、１８ｃ…クロック回路、１８ｄ…表示制御回路、１８ｅ…表示装置、１９…真空チャンバ、２０…試料ステージ、３０…ＴＦＴガラス基板、３１Ａ〜３１Ｄ…パネル、３２…ＴＦＴアレイ、３３…ＴＦＴ、３４…画素電極、４０…プローバ、４１…プローバフラーム、４２…プローブピン、５０ａ，５０ｂ…電子線、１００〜１０５…駆動信号。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図３】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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