(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子部を備える配線回路基板を形成するための製品形成領域と、前記配線回路基板の良否を判定するための判定部を形成するための判定部形成領域とが区画されている金属支持基板を準備する工程と、
前記製品形成領域および前記判定部形成領域に、前記端子部に対応する段部を有するベース絶縁層および前記判定部を、絶縁層からそれぞれ形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記端子部を備える導体層を形成する工程と、
前記金属支持基板をエッチングした後、前記ベース絶縁層および前記判定部を同時にエッチングし、前記端子部の下面を露出させる工程と、
前記判定部の厚みを測定する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板の製造に好適に用いられる、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機器などに用いられる配線回路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が形成されている。
【０００３】
このような端子部として、近年の電子機器の高密度化および小型化に対応すべく、配線回路基板の導体層の両面を露出させるフライングリードが知られている。
【０００４】
フライングリードを形成する方法として、例えば、支持基板の上にベース層を形成し、ベース層の上に導体層を形成し、支持基板およびベース層を開口することにより、導体層の表面を露出させて、その露出した導体層を、端子を形成するための端子形成部分とする配線回路基板の製造方法において、ベース層の形成において、ベース層における導体層を露出させるための開口部分の厚さを、フォトマスクを用いてベース層における開口部分と他の部分とを異なる露光量で露光させることにより、ベース層における他の部分の厚さよりも薄く形成する方法が提案されている（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３５０２７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、特許文献１に記載の方法では、ベース層をエッチングして、導体層を露出させるときに、ベース層を過度にエッチングして、端子形成部分以外の導体層を露出させてしまう場合がある。
【０００６】
端子形成部分以外の導体層は、通常、ベース層によって被覆されているが、露出することによって、外部からの要因などで損傷しやすくなり、また、次工程において、めっきリードをエッチングする場合には、そのときにエッチングされてしまい、断線する場合がある。
【０００７】
本発明の目的は、ベース絶縁層が過度にエッチングされた配線回路基板を判別し、配線回路基板の品質の安定性を向上させることのできる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、端子部を備える配線回路基板を形成するための製品形成領域と、前記配線回路基板の良否を判定するための判定部を形成するための判定部形成領域とが区画されている金属支持基板を準備する工程と、前記製品形成領域および前記判定部形成領域に、前記端子部に対応する段部を有するベース絶縁層および前記判定部を、絶縁層からそれぞれ形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記端子部を備える導体層を形成する工程と、前記金属支持基板をエッチングした後、前記ベース絶縁層および前記判定部を同時にエッチングし、前記端子部の下面を露出させる工程と、前記判定部の厚みを測定する工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
この方法では、金属支持基板の判定部形成領域に、配線回路基板の良否を判定するための判定部が、ベース絶縁層と同じ絶縁層から形成されている。
【００１０】
そして、この方法では、端子部の下面を露出させる工程において、ベース絶縁層と判定部とが同時にエッチングされる。そのため、ベース絶縁層と判定部とは、同じ深さでエッチングされる。
【００１１】
その結果、エッチングした後に判定部の厚みを測定することで、ベース絶縁層が適切にエッチングされているか否かを効率よく判定することができる。よって、ベース絶縁層が過度にエッチングされ、導体層が損傷または破断している可能性のある配線回路基板を判別することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、ベース絶縁層が過度にエッチングされた配線回路基板を判別することができ、配線回路基板の品質の安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、配線回路基板が複数形成される配線回路基板集合体シートの一実施形態を示す平面図である。
【００１４】
図２（ａ）は、図１に示される配線回路基板集合体シートのＡ−Ａ断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の要部拡大図、図２（ｃ）は、ベース絶縁層が適度にエッチングされた場合の（ｂ）を示す要部拡大図、図２（ｄ）は、ベース絶縁層が過度にエッチングされた場合の（ｂ）を示す要部拡大図である。
【００１５】
図３および図４は、配線回路基板集合体シートの製造工程図である。
【００１６】
配線回路基板集合体シート１は、図１に示されるように、長尺な平板状の金属支持基板７から形成されている。
【００１７】
金属支持基板７には、複数の平面視略矩形状のブロック２が区画されており、ブロック２には、配線回路基板としての回路付サスペンション基板５を形成するための製品形成領域３と、回路付サスペンション基板５の良否を判定するための判定部６を形成するための判定部形成領域４とが区画されている。
【００１８】
回路付サスペンション基板５は、ブロック２の長手方向および幅方向（長手方向および層厚方向の両方と直交する方向。以下同じ。）に沿って、互いに間隔を隔てて、複数、形成されている。
【００１９】
また、回路付サスペンション基板５は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成され、図１および図２に示されるように、金属支持基板７、ベース絶縁層８、端子部としての端子１１と配線１２とを備えた導体層としての導体パターン９、およびカバー絶縁層１０を備えている。
【００２０】
金属支持基板７は、製造の最終工程において、各回路付サスペンション基板５ごとに、打ち抜きなどにより外形加工される。金属支持基板７には、各端子１１に対応して、基板
側開口部１８が厚み方向を貫通するように形成されている。
【００２１】
ベース絶縁層８は、図１に示されるように、製品形成領域３に、ブロック２の長手方向に沿って、平面視略矩形状に形成されている。
【００２２】
また、ベース絶縁層８は、図２（ａ）に示されるように、金属支持基板７の上に形成され、端子１１に対応して、下側開口部２０および上側開口部２１が形成されている。
【００２３】
下側開口部２０は、底面視において、基板側開口部１８と同じ大きさおよび配置で、ベース絶縁層８の厚み方向下側部分に形成されている。
【００２４】
上側開口部２１は、底面視において、下側開口部２０より小さい相似形状で、下側開口部２０と連通するように、ベース絶縁層８の厚み方向上側部分に形成されている。上側開口部２１は、下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状に形成されている。
【００２５】
導体パターン９は、ベース絶縁層８の上に形成されている。
【００２６】
導体パターン９は、図１に示されるように、複数の端子１１と、各端子１１に対応するように各端子１１から連続して形成される複数の配線１２とを備えている。
【００２７】
各端子１１は、各配線１２よりも幅広のランドとして形成され、回路付サスペンション基板５の長手方向両端部において、回路付サスペンション基板５の幅方向に沿って間隔を隔てて配置されている。また、各端子１１は、図２（ａ）に示されるように、その上下両面が露出するフライングリードとして形成されている。すなわち、端子１１は、上側開口部２１内に充填されるとともに、上側開口部２１の周辺のベース絶縁層８の上に積層されており、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成されている。端子１１の下面は、下側開口部２０と上側開口部２１との境界面と面一となるように配置され、下側開口部２０および基板側開口部１８から露出している。また、端子１１の上面は、次に述べるカバー側開口部２３から露出している。
【００２８】
また、各端子１１の露出されている中央部の上面および下面には、金属めっき層１９が形成されている。
【００２９】
各配線１２は、図１に示されるように、幅方向に沿って間隔を隔てて配置され、回路付サスペンション基板５の長手方向に沿って、一方の端部の端子１１と他方の端部の端子１１とに連続するように、形成されている。
【００３０】
カバー絶縁層１０は、ベース絶縁層８よりもやや小さな平面視略矩形状に形成されている。すなわち、カバー絶縁層１０は、その長手方向および幅方向の長さがベース絶縁層８の長手方向および幅方向の長さよりも短く形成されている。そして、カバー絶縁層１０の長手方向両端面および幅方向両端面は、ベース絶縁層８の長手方向両端面および幅方向両端面よりも、長手方向および幅方向において内側に形成されている。
【００３１】
また、カバー絶縁層１０は、図２（ａ）に示されるように、各配線１２と各端子１１の周端部とを被覆し、各端子１１の中央部を露出するカバー側開口部２３が形成されるように、ベース絶縁層８の上に形成されている。
【００３２】
カバー側開口部２３は、基板側開口部１８および下側開口部２０と同じ大きさおよび配置で形成されている。
【００３３】
判定部６は、図１に示されるように、判定部形成領域４に、平面視略円形状に、複数形成され、ブロック２の四隅に１つずつ配置されている。
【００３４】
また、各判定部６は、図２（ａ）に示されるように、金属支持基板７の上において、下方に開放される断面略コ字形状に形成されている。より具体的には、判定部６は、金属支持基板７の上に立設する周端脚部２４と、周端脚部２４の上端部を被覆するように設けられている厚み測定部２５とを一体的に備えている。周端脚部２４内には、基板側開口部１８および下側開口部２０が形成されている。
【００３５】
次に、本実施形態の配線回路基板集合体シート１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
【００３６】
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板７を準備する。
【００３７】
金属支持基板７は、例えば、ステンレス、４２アロイ、銅などの金属のシートから形成されている。金属としては、好ましくは、ステンレスが用いられる。
【００３８】
また、金属支持基板７の厚みは、例えば、８〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。また、金属支持基板７に区画されるブロック２は、長手方向長さが、例えば、２〜３０ｃｍ、好ましくは、３〜２８ｃｍ、幅方向長さが、例えば、２〜３０ｃｍ、好ましくは、３〜２８ｃｍである。
【００３９】
次いで、この方法では、図３（ｂ）〜（ｄ）に示すように、ベース絶縁層８および判定部６を同一の絶縁層からそれぞれ形成する。
【００４０】
絶縁層を形成するための絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００４１】
ベース絶縁層８および判定部６を形成するには、例えば、感光性ポリイミドを用いて、金属支持基板７の上に、絶縁層を所定のパターンで形成する。より具体的には、まず、金属支持基板７の上に、図３（ｂ）に示すように、感光性ポリイミドの前駆体の溶液を、金属支持基板７の全面に塗工した後、乾燥して、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘを形成する。
【００４２】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク１３を介して、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘを階調露光し、その後、現像することにより、所定のパターンを形成する。なお、図３（ｃ）は、ネガ型でパターンニングする態様を示している。
【００４３】
フォトマスク１３は、遮光部分１４、透過部分１５および半透過部分１６からなる階調パターンとして形成されている。
【００４４】
遮光部分１４は、光を遮る部分であり、遮光部分１４の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜は、露光されないため、現像により除去される。
【００４５】
透過部分１５は、光を透過する部分であり、透過部分１５の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜は、露光され、現像後も残存する。
【００４６】
半透過部分１６は、光を一部透過する部分であり、半透過部分１６の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜は、露光され、現像により一部除去されるとともに、一部残存する。
【００４７】
そして、ベース絶縁層８（各端子１１を形成する部分を除く。）および判定部６を形成する部分には、透過部分１５を対向配置し、各端子１１を形成する部分には、半透過部分１６を対向配置し、それ以外の部分には、遮光部分１４を対向配置して、露光し、現像する。
【００４８】
すると、図３（ｄ）に示すように、遮光部分１４と対向する部分は除去され、透過部分１５と対向する部分に、ベース絶縁層８および判定部６が形成される。さらに、ベース絶縁層８のうち、半透過部分１６と対向する部分は、透過部分１５と対向する部分よりも薄く形成され、各端子１１に対応する段部としての凹部１７が形成される。
【００４９】
次いで、パターン化された皮膜８Ｘを、加熱により硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミドからなるベース絶縁層８および判定部６を所定のパターンでそれぞれ形成する。
【００５０】
なお、上記の方法では、階調パターンのフォトマスク１３を用いたが、例えば、パターンが異なる複数のフォトマスクを用いて（例えば、凹部１７を形成する部分を露光するパターンと、露光しないパターンとを用いる。）、少なくとも２回以上の露光を順次行なって凹部１７を形成することもできる。
【００５１】
さらには、ベース絶縁層８および判定部６の形成において、感光性樹脂を用いない場合には、例えば、金属支持基板７の上に、樹脂を、所定のパターンで、塗工またはドライフィルムとして積層すればよく、この場合において、ベース絶縁層８における凹部１７の厚みを、ベース絶縁層８におけるその他の部分の厚みよりも薄く形成するには、例えば、樹脂の積層を複数回に分けて行ない、凹部１７の積層回数を、その他の部分の積層回数よりも少なくなるようにする。
【００５２】
このようにして形成されるベース絶縁層８（凹部１７が形成されている部分を除く。）および判定部６の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、４〜１２μｍである。
【００５３】
ベース絶縁層８において、凹部１７が形成されている部分の厚みは、例えば、１〜７μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。ベース絶縁層８の凹部１７の長手方向長さは、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。ベース絶縁層８の凹部１７の幅方向長さは、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
【００５４】
判定部６は、図１では、１つのブロック２に４箇所形成しているが、実際には、例えば、１〜８箇所、好ましくは、２〜４箇所形成される。また、判定部６の形状は、特に限定されず、平面視略円形状以外に、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを適宜選択することができる。判定部６が平面視略円形状に形成される場合、判定部６の直径は、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、２〜５ｍｍであり、平面視略円形状以外の場合の最大長さは、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、２〜５ｍｍである。
【００５５】
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、ベース絶縁層８の上に、導体パターン９を形成する。
【００５６】
導体パターン９は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００５７】
また、導体パターン９を形成するには、ベース絶縁層８の表面に、導体パターン９を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。これらのパターンニング法のなかでは、アディティブ法が好ましく用いられる。
【００５８】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層８の表面に、必要により接着剤層を介して金属層を積層し、次いで、その上に、導体パターン９に対応させてエッチングレジストを形成し、次いで、金属層をエッチングして、その後、エッチングレジストを除去する。
【００５９】
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層８の上に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。次いで、金属薄膜の表面に、導体パターン９の反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。その後、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターン９を形成する。導体パターン９は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより形成する。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去した後、導体パターン９から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。
【００６０】
このようにして形成された導体パターン９の端子１１は、凹部１７内に充填されるとともに、凹部１７の周辺のベース絶縁層８の上に積層されており、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成される。つまり、ベース絶縁層８の凹部１７に対応するように、端子１１が形成される。
【００６１】
導体パターン９の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１４μｍであり、各端子１１の幅は、例えば、４０〜１０００μｍ、好ましくは、６０〜５００μｍであり、各端子１１間の間隔は、例えば、４０〜１０００μｍ、好ましくは、６０〜５００μｍである。各配線１２の幅は、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍであり、各配線１２間の間隔は、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、１５〜１００μｍである。
【００６２】
次いで、図４（ｆ）に示すように、カバー絶縁層１０をカバー側開口部２３が形成される所定のパターンとして形成する。カバー絶縁層１０を形成するための絶縁層としては、ベース絶縁層８と同様の絶縁層が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。カバー絶縁層１０を形成するには、ベース絶縁層８の形成方法と同様の方法が用いられる。
【００６３】
カバー絶縁層１０の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、３〜１０μｍである。
【００６４】
次いで、図４（ｇ）に示すように、ベース絶縁層８の凹部１７が形成されている部分の下面が金属支持基板７から露出するように、金属支持基板７に基板側開口部１８を形成する。同時に、同一条件下、判定部６の下面を露出するように、金属支持基板７に基板側開口部１８を形成する。
【００６５】
基板側開口部１８を形成するには、ベース絶縁層８の凹部１７が形成されている部分および判定部６の下面が露出するように、金属支持基板７をエッチングする。
【００６６】
金属支持基板７のエッチングは、公知の方法でよく、例えば、基板側開口部１８を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングする。
【００６７】
基板側開口部１８の幅方向長さは、ベース絶縁層８側において、例えば、４０〜７０００μｍ、好ましくは、６０〜５０００μｍであり、判定部６側において、例えば、２〜１０ｍｍ、好ましくは、３〜５ｍｍである。また、基板側開口部１８の長手方向長さは、ベース絶縁層８側において、例えば、４０〜７０００μｍ、好ましくは、６０〜５０００μｍであり、判定部６側において、例えば、２〜１０ｍｍ、好ましくは、３〜５ｍｍである。
【００６８】
次いで、図４（ｈ）に示すように、端子１１の中央部の下面が露出するまで、基板側開口部１８から露出しているベース絶縁層８の、凹部１７が形成されている部分および判定部６をエッチングする。
【００６９】
ベース絶縁層８および判定部６のエッチングは、公知の方法でよく、例えば、化学エッチング、プラズマエッチングなどにより形成する。好ましくは、化学エッチングにより形成する。化学エッチングは、公知の方法でよく、たとえば、アルカリエッチングする。
【００７０】
そして、ベース絶縁層８の凹部１７が形成されている部分をエッチングすると、下側開口部２０と上側開口部２１とが形成され、判定部６をエッチングすると、周端脚部２４と厚み測定部２５とが形成される。ベース絶縁層８の凹部１７が形成されている部分および判定部６は、同時に同一条件でエッチングされるので、同じ深さにエッチングされる。
【００７１】
このようにして、金属支持基板７をエッチングした後、ベース絶縁層８および判定部６を同時にエッチングし、端子１１の下面を露出させる。
【００７２】
また、周端脚部２４の厚み方向長さは、例えば、１〜９μｍ、好ましくは、２〜５μｍであり、厚み測定部２５の厚みは、例えば、１〜９μｍ、好ましくは、５〜８μｍである。
【００７３】
その後、図４（ｉ）に示すように、露出している端子１１の両面に、金属めっき層１９を、めっきにより同時に形成する。金属めっき層１９の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層の上に金めっき層を形成する。
【００７４】
電解めっきを用いる場合には、端子１１にめっきリード（図示せず）を配置するため、金属めっき層を形成した後に、エッチングによりめっきリードを除去する。
【００７５】
なお、ニッケルめっき層および金めっき層の厚みは、いずれも、好ましくは、１〜５μｍ程度である。
【００７６】
次いで、ブロック２毎に、複数、配置されている判定部６の厚み測定部２５の厚みをすべて測定し、そのすべての厚みが１〜８μｍ、好ましくは、２〜６μｍの範囲内にあれば、適合ブロックとして判定し、判定部６の厚み測定部２５の厚みが１つでも上記範囲よりも薄いと、エッチングし過ぎている可能性があるため、不適合ブロックと判定する。そして、適合ブロックの回路付サスペンション基板５のみを製品とする。
【００７７】
そして、この方法では、同時に同一条件でベース絶縁層８および判定部６をエッチングし、判定部６の厚み測定部２５の厚みを測定することで、端子１１の下面が適度に露出するようにエッチングされているかどうかを、効率よく判定することができる。
【００７８】
すなわち、端子１１の下面が適切に露出している場合には、図２（ｂ）に示すように、端子１１の下面と、下側開口部２０と上側開口部２１との境界面とが面一となる場合、および、図２（ｃ）に示すように、下側開口部２０と上側開口部２１との境界面が、端子１１の下面（破線参照。）とベース絶縁層８の上面との間に形成される場合が含まれる。このような場合には、端子１１は、上側開口部２１内において、ベース絶縁層８に、適切に支持されている。
【００７９】
しかし、ベース絶縁層８が過度にエッチングされると、図２（ｄ）に示すように、端子１１が露出してしまう場合がある。すると、端子１１が損傷しやすくなり、また、次工程において、めっきリードをエッチングにより除去する場合には、端子１１も同時にエッチングされ、断線してしまう場合がある。
【００８０】
そこで、この方法では、ベース絶縁層８とは別途、判定部６を設けて、同時に同一条件でベース絶縁層８および判定部６をエッチングし、判定部６の厚み測定部２５の厚みを測定している。
【００８１】
これにより、ベース絶縁層８および判定部６は同じ深さにエッチングされるため、端子１１の下面が適度に露出するようにエッチングされているかどうかを、厚み測定部２５の厚みを測定することにより、効率よく判定することができる。
【００８２】
そのため、ベース絶縁層８が過度にエッチングされ、導体パターン９が損傷または破断する可能性のある回路付サスペンション基板５が形成されている不適合ブロックを、判別することができる。
【００８３】
そして、適合ブロックの回路付サスペンション基板５のみを製品にすることで、品質の安定性を向上させることができる。
【００８４】
なお、本実施形態では、ブロック２の四隅に１つずつ判定部６を配置したが、判定部６が形成される位置は、四隅に限定されない。さらに、判定部形成領域４についても、ブロック２の周縁部に限られず、例えば、ブロック２の中央部に区画されていてもよい。
【実施例】
【００８５】
実施例１
（配線回路基板集合体シートの作製）
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を準備した。金属支持基板には、長手方向長さ４．０ｃｍ、幅方向長さ９．０ｃｍの平面視略矩形状の複数のブロックを区画し、各ブロックには、製品形成領域と判定部形成領域とを区画した。
【００８６】
次いで、その金属支持基板の全面に、感光性ポリイミドの前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）溶液（ワニス）を塗工した後、乾燥して、皮膜を形成した（図３（ｂ）参照。）。この皮膜を、フォトマスクを介して階調露光させ（ネガ型）、アルカリ現像液を用いて現像することにより、凹部が形成されたベース絶縁層および判定部をパターンとして形成した（図３（ｃ）参照。）。パターン化された皮膜を加熱硬化させて、平面視略矩形状のベース絶縁層および平面視略円形状の判定部を同時に形成した（図３（ｄ）参照。）。
【００８７】
ベース絶縁層は、ブロックの長手方向および幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて４つ形成された。判定部は、ブロック毎に４箇所形成され、四隅に１つずつ形成された。ベース絶縁層の両端部には、幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて、４つの凹部が形成された。
【００８８】
ベース絶縁層および判定部の厚みは、１０μｍであった。ベース絶縁層において、凹部が形成されている部分の厚みは、５μｍであり、その長手方向長さは、４５００μｍ、その幅方向長さは、５００μｍであった。また、判定部の直径は、５ｍｍであった。
【００８９】
次いで、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、導体薄膜を形成し、その後、導体薄膜の上に、導体パターンの反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより導体パターンを形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去し、４つの端子および４本の配線を備えた導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成した（図３（ｅ）参照。）。端子は、凹部内に充填されるとともに、凹部周辺のベース絶縁層の上に積層され、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成された。
【００９０】
なお、導体パターンを形成すると同時に、各端子から連続するように、めっきリードを形成した。
【００９１】
導体パターンの厚みは、１２μｍであり、端子の幅は２８０μｍであり、互いに隣接した端子の間隔は、５００μｍであった。また、配線の幅は５０μｍであり、互いに隣接した配線の間隔は、４０μｍであった。
【００９２】
次いで、ベース絶縁層と同様にして、カバー側開口部が形成されるパターンで、厚み４μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成した（図４（ｆ）参照。）。
【００９３】
次いで、金属支持基板を、塩化第二鉄溶液を用いて化学エッチングして、端子に対応するベース絶縁層および判定部の下面を金属支持基板から露出させるように、ベース絶縁層および判定部にそれぞれ基板側開口部を形成した（図４（ｇ）参照。）。
【００９４】
基板側開口部の幅方向長さは、ベース絶縁層側において、０．３ｍｍであり、判定部側において、４ｍｍであった。また、基板側開口部の長手方向長さは、ベース絶縁層側において、０．３ｍｍであり、判定部側において、４ｍｍであった。
【００９５】
次いで、端子の下面を露出させるまで、基盤側開口部から露出している、ベース絶縁層および判定部を同時にアルカリエッチングした。ベース絶縁層をエッチングして、下側開口部と上側開口部とを形成し、判定部をエッチングして、周端脚部と厚み測定部とを形成した（図４（ｈ）参照。）。
【００９６】
周端脚部の厚み方向長さは、５μｍであり、厚み測定部の厚みは、５μｍであった。
【００９７】
その後、めっきリードから各端子に給電して、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次実施することにより、各端子の両面に、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み３μｍの金属めっき層を形成した（図４（ｉ）参照。）。
【００９８】
次いで、めっきリードを、塩化第二鉄溶液を用いるエッチングにより除去し、配線回路基板集合体シートを得た。
（判定部の厚みの測定）
得られた配線回路基板集合体シートから無作為に１つのブロックを選び、各判定部の厚み測定部の厚みを測定すると、いずれも４〜５μｍの範囲内であった。
【００９９】
このブロックに形成された回路付サスペンション基板の端子は、断線していなかった。
【０１００】
実施例２
実施例１で選んだブロック以外の任意のブロックを選んだ以外は、実施例１と同様にして各判定部の厚み測定部の厚みを測定すると、いずれも２〜６μｍの範囲内であった。
【０１０１】
このブロックに形成された回路付サスペンション基板の端子は、断線していなかった。
【０１０２】
比較例
実施例１および２で選んだブロック以外の任意のブロックを選んだ以外は、実施例１と同様にして各判定部の厚み測定部の厚みを測定すると、１μｍ未満の判定部が１箇所あった。
【０１０３】
このブロックに形成された回路付サスペンション基板の端子は、断線していた。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】配線回路基板が複数形成される配線回路基板集合体シートの一実施形態を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示される配線回路基板集合体シートのＡ−Ａ断面図、（ｂ）は、（ａ）の要部拡大図、（ｃ）は、ベース絶縁層が適度にエッチングされた場合の（ｂ）を示す要部拡大図、（ｄ）は、ベース絶縁層が過度にエッチングされた場合の（ｂ）を示す要部拡大図である。
【図３】配線回路基板集合体シートの製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を準備する工程、（ｂ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を、フォトマスクを介して露光させる工程、（ｄ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を硬化させ、ベース絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、導体パターンを形成する工程を示す。
【図４】図３に続く配線回路基板集合体シートの製造工程図であって、（ｆ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、金属支持基板をエッチングする工程、（ｈ）は、ベース絶縁層および判定部をエッチングする工程、（ｉ）は、金属めっき層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【０１０５】
３      製品形成領域
４      判定部形成領域
５      回路付サスペンション基板
６      判定部
７      金属支持基板
８      ベース絶縁層
９      導体パターン
１１    端子
１７    凹部
【図１】
0004934101.tif 000002
【図２】
0004934101.tif 000003
【図３】
0004934101.tif 000004
【図４】
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