(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の板材（１０）と第２の板材（２０）とを備え、
前記第１の板材（１０）は脆性材料よりなり、
前記第１の板材（１０）の一方の板面（１１）と前記第２の板材（２０）の一方の板面（２１）とが貼り合わせられており、
前記両板材（１０、２０）はモールド樹脂（６０）で封止されるとともに、前記第２の板材（２０）において前記第１の板材（１０）に貼り合わせられている一方の板面（２１）とは反対側の他方の板面（２２）は前記モールド樹脂（６０）から露出しているモールドパッケージにおいて、
前記両板材（１０、２０）に対して前記第１の板材（１０）の前記一方の板面（１１）と直交する方向へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、前記第２の板材（２０）の方が前記第１の板材（１０）よりも曲がりやすいものとなっており、
前記第２の板材（２０）の方が前記第１の板材（１０）よりも曲がりやすいものとなっていることは、前記第２の板材（２０）に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部（２３、２４、２５）を設けることによりなされていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記薄肉部は、前記第２の板材（２０）の厚さ方向に凹んだスリット（２３）であることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記スリット（２３）には、前記モールド樹脂（６０）よりも熱伝導率の高い樹脂（７０、７１）が充填されていることを特徴とする請求項２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
前記薄肉部は、前記第２の板材（２０）の厚さ方向に凹んだザグリ（２５）であることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
前記第１の板材（１０）には、駆動時に発熱する発熱素子（３０）が設けられており、
前記第２の板材（２０）は、前記第１の板材（１０）から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されており、
前記ザグリ（２５）は、前記第２の板材（２０）のうち前記発熱素子（３０）から外れた部位に設けられていることを特徴とする請求項４に記載のモールドパッケージ。
【請求項６】
前記ザグリ（２５）には、前記モールド樹脂（６０）よりも熱伝導率の高い樹脂（７０、７１）が充填されていることを特徴とする請求項４または５に記載のモールドパッケージ。
【請求項７】
前記第２の板材（２０）の内部には空洞部（２４）が設けられており、前記第２の板材（２０）の厚さ方向において前記空洞部（２４）を含む部位が前記薄肉部として構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項８】
前記第１の板材（１０）と前記第２の板材（２０）とは、前記両板材（１０、２０）よりもヤング率が低い可とう性接着剤もしくははんだよりなり且つ前記両板材（１０、２０）よりも厚さの小さい接着部材（７０）を介して、貼り合わせられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【請求項９】
前記接着部材（７０）は、ヤング率が１０ＭＰａ以下の熱硬化性接着剤であることを特徴とする請求項８に記載のモールドパッケージ。
【請求項１０】
前記第１の板材（１０）は脆性材料としてのセラミック、前記第２の板材（２０）は延性材料としての金属よりなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脆性材料よりなる第１の板材を第２の板材に貼り合わせたものを、モールド樹脂によりハーフモールドしてなるモールドパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種のモールドパッケージとしては、セラミック基板などよりなる第１の板材とアイランドやヒートシンクなどよりなる第２の板材と備え、これら両板材の互いの一方の板面同士を接着により貼り合わせるとともに、第２の板材のうち貼り合わせ面である一方の板面とは反対側の他方の板面が露出するように、これら両板材をモールド樹脂で封止したものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このようなモールドパッケージは、リードフレームでは配線できないような回路規模を保ったり、セラミックコンデンサなどの受動部品を複数内蔵するようなモールドＩＣにおいて、ベアのＩＣや電子部品を実装したセラミック基板をモールドする構成として適している。
【０００４】
ここで、第１の板材はたとえばセラミックなどの脆性材料よりなる。また、第２の板材は、特に限定されないが、金属などの延性材料よりなる。このような材料の異なる両板材を貼り合わせる場合、両板材の熱膨張係数の差から発生する応力などを吸収するため、通常は、可撓性の接着剤、たとえばシリコーン接着剤などを用いて接着するのが一般的である。
【０００５】
また、この種のモールドパッケージにおいては、上述したように、第２の板材の一方の板面とは反対側の他方の板面が、モールド樹脂から露出することで、放熱性の向上が図られている。
【０００６】
そして、このモールドパッケージは、通常のトランスファーモールド法によるモールド樹脂の封止が行われるが、大型モールド構造であることから、第２の板材の露出面にレジンフラッシュと呼ばれる樹脂膜が残りやすい。そこで、上記特許文献１では、モールド型に特殊なクランプ構造を設けることで対処している。
【特許文献１】特開平８−１３９２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したように、モールド型に特殊なクランプ構造を設けることは、たとえばできあがったパッケージにおいて当該クランプ部分の形状が残るなどの問題がある。そこで、本発明者は、一般的なモールド型で樹脂封止を行うことが望ましいと考え、鋭意検討を行った。
【０００８】
上述したが、この種のモールドパッケージは、セラミック基板などを含む大型モールド構造である。このことから、本発明者の検討によれば、モールド樹脂の未充填部分が無いように樹脂注入を行うためには、比較的大きな圧力により、樹脂を注入する（たとえば７〜２０ＭＰａ）必要がある。
【０００９】
この樹脂封止時には、貼り合わせられた両板材のうち第２の板材はモールド型に押し付けられており、第１の板材の上方から樹脂による圧力すなわち成型圧が加わる。この成型圧は、両板材の貼り合わせの板面と直交する方向へ加わる外力である。つまり、第１の板材について言えば、当該第１の板材の上記一方の板面と直交する方向に沿って各板材に加わる荷重が、成型圧である。
【００１０】
ここで、ヒートシンクなどの第２の板材は、比較的安価なプレス加工などにより成形するため、たとえば５０μｍ程度の反りが発生している。一方、セラミック基板などの第１の板材も、たとえば５０μｍ程度の反りが発生している。このような反りを有する両板材を貼り合わせた場合、当該反りによって両板材の貼り合わせ面同士は平行にならない可能性が多くなる。
【００１１】
そのため、これら両板材を貼り合わせて樹脂封止を行うと、上記成型圧により、脆性の大きな第１の板材が第２の板材に押しつけられ、第２の板材の反り形状に倣って第１の板材が反る。
【００１２】
すなわち、本発明者の検討によれば、第１の板材の貼り合わせである一方の板面と直交する方向へ第１の板材が曲がることにより、当該第１の板材の割れを引き起こすことがわかった。特に、両板材の互いの反りの方向が反対である場合には、第１の板材の上記曲げ変位はより大きなものとなる。
【００１３】
なお、上記した問題は、脆性材料よりなる第１の板材を第２の板材に貼り合わせ、これらをモールド樹脂によりハーフモールドしてなるモールドパッケージについては、共通して発生するものと考えられる。
【００１４】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなる第１の板材が第２の板材に押し付けられても、第１の板材が反って割れるのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、従来のモールドパッケージでは、第２の板材の方が第１の板材よりも厚いなどの理由により、樹脂封止時の成型圧が加わったときに、第１の板材の方が、第２の板材に存在する反り形状に倣って反りやすくなっていることに着目した。
【００１６】
すなわち、請求項１に記載の発明は、互いの一方の板面（１１、２１）にて貼り合わされている第１の板材（１０）および第２の板材（２０）に対して第１の板材（１０）の一方の板面（１１）と直交する方向へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、第２の板材（２０）の方が第１の板材（１０）よりも曲がりやすいものとなっていることを特徴とする。
【００１７】
それによれば、樹脂封止時には、貼り合わせられた両板材（１０、２０）のうち第１の板材（１０）の上方から成型圧が加わるが、このとき、成型圧により先に変形するのは第２の板材（２０）であり、この変形により第２の板材（２０）に反りが存在していても、第２の板材（２０）はモールド型に押し付けられて平坦な形状に近づく。そのため、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなる第１の板材（１０）が第２の板材（２０）に押し付けられても、第１の板材（１０）が反って割れるのを防止することができる。
【００１８】
ここで、請求項１に記載の発明では、第２の板材（２０）の方が第１の板材（１０）よりも曲がりやすいものとなっていることは、第２の板材（２０）に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部（２３、２４、２５）を設けることによりなされている（後述の図９〜図１２参照）。
【００１９】
それによれば、この薄肉部（２３〜２５）により第２の板材（２０）を部分的に薄くしてやることで、第２の板材（２０）の方が第１の板材（１０）よりも上記曲がりやすい構成とできる。
【００２０】
そして、このような薄肉部は、第２の板材（２０）の厚さ方向に凹んだスリット（２３）とすることができる（後述の図６〜図８参照）。また、このスリット（２３）には、モールド樹脂（６０）よりも熱伝導率の高い樹脂（７０、７１）が充填されていてもよい（後述の図７、図８参照）。それによれば、第１の板材（１０）の第２の板材（２０）を介した放熱性を向上させるうえで好ましい。
【００２１】
また、上記薄肉部は、第２の板材（２０）の厚さ方向に凹んだザグリ（２５）であってもよい（後述の図１０〜図１２参照）。
【００２２】
ここで、第１の板材（１０）に、駆動時に発熱する発熱素子（３０）が設けられ、第２の板材（２０）が、第１の板材（１０）から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されている場合、上記ザグリ（２５）は、第２の板材（２０）のうち発熱素子（３０）から外れた部位に設けられているものとしてもよい（後述の図１１、図１２参照）。
【００２３】
それによれば、発熱素子（３０）の直下ではザグリ（２５）を設けないことにより、放熱板としての第２の板材（２０）の厚さを確保することができ、放熱性を確保するうえで好ましい。
【００２４】
さらに、このザグリ（２５）においても、当該ザグリ（２５）に、モールド樹脂（６０）よりも熱伝導率の高い樹脂（７０、７１）を充填すれば（後述の図１２参照）、第１の板材（１０）の第２の板材（２０）を介した放熱性を向上させるうえで好ましい。
【００２５】
また、第２の板材（２０）の内部に空洞部（２４）を設け、第２の板材（２０）の厚さ方向において空洞部（２４）を含む部位を、上記薄肉部として構成してもよい（後述の図９参照）。
【００３４】
また、上記の各手段においては、第１の板材（１０）と第２の板材（２０）とは、両板材（１０、２０）よりもヤング率が低い可とう性接着剤もしくははんだよりなり且つ両板材（１０、２０）よりも厚さの小さい接着部材（７０）を介して、貼り合わせられていることが好ましく、その接着部材（７０）は、ヤング率が１０ＭＰａ以下の熱硬化性接着剤であることがより好ましい。それによれば、第１の板材（１０）と第２の板材（２０）との間の接着部材（７０）の存在を実質的に無視できる。
【００３５】
また、第１の板材（１０）は脆性材料としてのセラミック、第２の板材（２０）は延性材料としての金属よりなるものにできる。
【００３６】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージ１００を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、（ａ）は（ｂ）の上視図であり、モールド樹脂６０を透過してモールド樹脂６０の内部構成を示してある。
【００３９】
本実施形態のモールドパッケージ１００は、大きくは第１の板材としてのセラミック基板１０と、第２の板材としてのヒートシンク２０と、セラミック基板１０上に搭載された各種の電子部品３０、３１、３２と、セラミック基板１０とワイヤ４０を介して接続されたリードフレーム５０と、これら各部１０〜５０を封止するモールド樹脂６０とを備えている。
【００４０】
セラミック基板１０は、典型的な脆性材料であるセラミックよりなる板であり、ここでは平面四角形をなすアルミナ積層基板である。このセラミック基板１０は、図示しない配線を有する配線基板として構成されている。
【００４１】
ヒートシンク２０は、金属などの延性材料よりなる。ここではヒートシンク２０は放熱板として放熱性に優れたＣｕやＦｅなどの金属よりなる板であり、平面四角形をなす。そして、セラミック基板１０とヒートシンク２０とは、互いの一方の板面１１、２１を対向させて配置され、これら一方の板面１１、２１にて接着部材としての接着剤７０を介して接着されている。
【００４２】
この接着剤７０は、シリコ−ン樹脂を主剤とする可撓性の接着剤であり、これによりセラミック基板１０とヒートシンク２０とは固定され、セラミック基板１０からの熱がヒートシンク２０へ放熱されるようになっている。
【００４３】
電子部品３０、３１、３２は、セラミック基板１０の他方の板面１２上に搭載され、ＡｌやＡｕなどのボンディングワイヤや図示しないはんだ、導電性接着剤などのダイマウント材を介して、セラミック基板１０と電気的に接続されている。
【００４４】
ここでは、電子部品は、アナログＩＣやＭＯＳトランジスタなどの駆動時に発熱する発熱素子３０、マイコンなどの比較的発熱の少ないＩＣチップ３１、セラミックコンデンサ、振動子、チップ抵抗器、コイルなどの受動部品３２が示されている。
【００４５】
また、リードフレーム５０は、一般的なリードフレーム材料よりなり、セラミック基板１０の外側に複数本配置されている。ここでは、リードフレーム５０はＣｕよりなる板材であり、その厚みはたとえば０．２５ｍｍ程度である。
【００４６】
そして、リードフレーム５０とセラミック基板１０とは、ＡｕやＡｌよりなるボンディングワイヤ４０によって結線されて電気的に接続されている。そして、これらセラミック基板１０、ヒートシンク２０、各電子部品３０〜３２、ボンディングワイヤ４０、リードフレーム５０が、モールド樹脂６０により封止されている。
【００４７】
このモールド樹脂６０は、電子装置の分野で一般的に用いられるエポキシ樹脂などよりなるモールド材料であり、トランスファーモールド法により形成されるものである。ここで、リードフレーム５０の一部は、アウターリードとしてモールド樹脂６０から突出しており、このアウターリードにより、モールドパッケージ１００と外部との電気的な接続がなされるようになっている。
【００４８】
また、図１（ａ）に示されるように、ヒートシンク２０にはリードフレーム５０の吊りリード５１がかしめなどで固定されている。これは、モールド前の状態においてヒートシンク２０とリードフレーム５０とを一体化しておくためである。
【００４９】
また、ヒートシンク２０においてセラミック基板１０に貼り合わせられている一方の板面２１とは反対側の他方の板面２２は、モールド樹脂６０から露出している。これにより、セラミック基板１０上の発熱素子３０などから発生する熱は、ヒートシンク２０を介して当該ヒートシンク２０の他方の板面２２から外部へ逃がされるようになっている。
【００５０】
ここにおいて、本実施形態では、両板材１０、２０に対してセラミック基板１０の一方の板面１１と直交する方向（図１（ｂ）中の上下方向）へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっている。
【００５１】
つまり、セラミック基板１０の貼り合わせ側の板面１１と直交する方向への力、すなわち後述する成型圧が、両板材１０、２０に対して加わったとき、ヒートシンク２０の方が、セラミック基板１０よりも当該直交する方向へ曲がりやすくなっている。
【００５２】
さらに言うならば、「当該直交する方向へ変位する曲がりについてヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっていること」とは、セラミック基板１０単体およびヒートシンク２０単体について、当該単体の板材の一方の板面に直交する方向に一定の荷重（つまり圧力）を加えたときに当該単体の板材が同方向に曲がる度合を、単体の板材の曲がり度合としたとき、この単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいことである。
【００５３】
具体的に、本実施形態では、第１の板材であるセラミック基板１０の厚さをＴ1、ヤング率をＥ1とし、第２の板材であるヒートシンク２０の厚さをＴ2、ヤング率をＥ2としたとき、Ｔ13×Ｅ1＞Ｔ23×Ｅ2、の関係式が成立している。以下、この関係式を関係式Ａという。
【００５４】
本実施形態では、この関係式Ａが成立するように、セラミック基板１０やヒートシンク２０の厚さを決めたり、セラミック基板１０およびヒートシンク２０の材料を選定してこれら両板材１０、２０のヤング率を決定している。そして、この関係式Ａが成立していることにより、上記単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きい構成となっている。
【００５５】
たとえば、セラミック基板１０は、５シートを積み重ねて焼成してなる長方形板状のアルミナ積層基板であり、全体の厚さは０．８ｍｍ、平面寸法は１０ｍｍ×２０ｍｍ、ヤング率は３３０ＧＰａである。また、ヒートシンク２０は長方形板状のＣｕよりなる板であり、厚さは０．６ｍｍ  寸法は１２ｍｍ×２２ｍｍ、ヤング率は１２０ＧＰａである。各寸法値やヤング率は、これ限定するものではないが、このような各値を採用することにより、上記関係式Ａが成立する。
【００５６】
次に、本実施形態のモールドパッケージ１００の製造方法について述べる。まず、セラミック基板１０に上記電子部品３０〜３２を実装し、セラミック基板１０とヒートシンク２０とを接着剤７０を介して貼り合わせ、さらに、セラミック基板１０とリードフレーム５０とをボンディングワイヤ４０により電気的に接続する。
【００５７】
次に、このものをモールド樹脂６０で封止する。図２は、このモールド工程を示す概略断面図である。このモールド工程は図２に示されるモールド型としての金型２００にワークを設置した状態で行う。この金型２００は一般的なものと同様である。
【００５８】
金型２００のキャビティにワークを設置し、プランジャ２０１によってモールド樹脂６０に圧力を加えると、ゲート２０２よりモールド樹脂６０がキャビティに注入され、ワークの樹脂封止がなされ、モールド樹脂６０はエアベント２０３へ流れ出る。こうして、モールド樹脂６０による封止がなされ、上記図１に示されるような本実施形態のモールドパッケージ１００ができあがる。
【００５９】
ここで、モールド工程において、モールド樹脂６０がエアベント２０３に到達すると、キャビティ内の圧力が高くなる。すなわち、プランジャ２０１の圧力が成型圧Ｆとなる。このとき、ヒートシンク２０は、金型２００の下型により押さえられており、成型圧Ｆは、図２に示されるように、セラミック基板１０の他方の板面１２からヒートシンク２０の方向に加わる。
【００６０】
ここで、図３は、両板材１０、２０における各部寸法を示すための板材１０、２０のモデル的な斜視図である。図３では、２個の支点Ｋ１に両端を支持された１枚の板材１０、２０が、セラミック基板２０単体、ヒートシンク２０単体として模式的に表されており、その板材１０、２０の中央部に上方から成型圧に相当する荷重Ｆが印加された状態となっている。
【００６１】
図３では、平面長方形状をなす両板材１０、２０の各部寸法として、長辺の長さＬ、厚さＴ、短辺の長さＷが示されている。また、ヤング率をＥとする。なお、本実施形態および後述の各実施形態において、これらの記号Ｌ、Ｔ、ＷおよびＥは、共通であり、セラミック基板１０とヒートシンク２０とで区別するときは、これら記号Ｌ、Ｔ、ＷおよびＥについて、セラミック基板１０のものには添字「１」、ヒートシンク２０のものには添字「２」を付けることとする。
【００６２】
この場合、荷重Ｆによる板材１０、２０の反り量すなわち上記単体の板材の曲がり度合は、（Ｆ×Ｌ3）／（Ｔ3×Ｗ×Ｅ）に比例する。そして、モールド工程では、ヒートシンク２０およびセラミック基板１０にはほぼ同じ成型圧Ｆが加わるが、従来の構成では、ヒートシンク２０よりもセラミック基板１０の方が反りやすいものであった。
【００６３】
たとえば、従来では、ヒートシンク２０がＦｅを主とする材料の場合、ヤング率：約２２０ＧＰａ、寸法が、厚さ：１．６ｍｍ、短辺の長さ：１２ｍｍ、長辺の長さ：２２ｍｍであり、セラミック基板１０がアルミナを主とする材料の場合、ヤング率：約３３０ＧＰａ、寸法が、厚さ：０．８ｍｍ、短辺の長さ：１０ｍｍ、長辺の長さ：１０ｍｍである。このように従来では、上記関係式Ａを満足しておらず、ヒートシンク２０よりもセラミック基板１０の方が反りやすい。
【００６４】
また、このとき、シリコーン接着剤７０は大変柔らかく（たとえばヤング率：８ＭＰａ）、成型圧がかかったときはほぼ圧縮されていると考えられ、ヒートシンク２０とセラミック基板１０が押しつけられた状態であると考えられる。
【００６５】
そして、従来では、実際には、ヒートシンク２０の初期的な反りと成型圧による反り、さらにはセラミック基板１０の初期的な反りの合計が、セラミック基板１０の最大の反り量となる。そして、セラミックのような脆性材料の場合は少しでも反ると割れやすいものである。このことを図４によって具体的に示す。
【００６６】
図４は、従来において、ヒートシンク２０の反りによってセラミック基板１０が反ることによる基板割れの様子を示す図である。図４において、（ａ）はヒートシンク２０がセラミック基板１０とは反対側に凸となるように反っている例、（ｂ）は基板１０側に凸となるように反っている例である。
【００６７】
いずれの例においても、セラミック基板１０はヒートシンク２０の反り形状に倣って曲がり、割れに至る。さらに、セラミック基板１０がヒートシンク２０と反対方向に凸となるように反っていた場合は、セラミック基板１０の反り量がより多くなり、基板割れが発生しやすい。
【００６８】
このような従来の問題に対して、本実施形態では、上記単体の板材の曲がり度合が（Ｆ×Ｌ3）／（Ｔ3×Ｗ×Ｅ）に比例することに着目し、当該曲がり度合に対して最も支配的な板材の厚さＴおよびヤング率Ｅについて、上記関係式Ａを成立させている。それにより、上記単体の板材の曲がり度合を、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいものとしている。
【００６９】
そして、本実施形態によれば、上記モールド工程時には、貼り合わせられた両板材１０、２０のうちセラミック基板１０の上方から成型圧Ｆが加わるが、このとき、成型圧Ｆによって先に変形するのはヒートシンク２０の方であり、この変形によりヒートシンク２０に反りが存在していても、ヒートシンク２０は金型２００の下型に押し付けられて平坦な形状になる。
【００７０】
そのため、当該成型圧Ｆが、脆性材料よりなるセラミック基板１０に加わるときには、ヒートシンク２０は平らになっており、セラミック基板１０がヒートシンク２０に押し付けられても、セラミック基板１０が反る力が発生しにくい。そのため、基板割れを防止することができる。
【００７１】
また、実際には、セラミック基板１０とヒートシンク２０との間に介在する接着剤７０の影響も考えられるが、この影響を実質的に無くすため、本実施形態では、接着剤７０として、両板材１０、２０よりもヤング率が低く且つ両板材１０、２０よりも厚さの小さい可とう性接着剤、たとえばシリコーン樹脂よりなる接着剤を用いている。
【００７２】
このような接着剤はヤング率が１０ＭＰａ以下の熱硬化性接着剤であり、厚さは、たとえば１００μｍ程度である。それによれば、セラミック基板１０とヒートシンク２０との間にて、接着剤７０の存在を実質的に無視することができる。
【００７３】
また、本実施形態において、上記関係式Ａを実現するための好ましいヒートシンク２０の材質について、さらに述べておく。関係式Ａを満足するヒートシンク２０の寸法については、上述した例のように、厚さ：０．６ｍｍ、平面寸法：１２ｍｍ×２２ｍｍのものとできる。
【００７４】
このようなヒートシンク２０として、たとえば、ＡｌとＳｉＣの混合物でありヤング率が１２０ＧＰａであるＡｌＳｉＣよりなるものを採用できる。また、ヒートシンク２０としては、他に、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉなどが挙げられる。望ましくは、ヤング率が低いＣｕ、Ａｌなどがよい。また、ヤング率を下げるため、金属やセラミックなどをポーラスに焼結させることによって、見かけ上、ヤング率を下げてもよい。
【００７５】
（第２実施形態）
上記図３のモデルによれば、実際には、上記単体の板材の曲がり度合すなわち荷重Ｆによる板材１０、２０の反り量は、当該反り量をＭとすると、Ｍ＝（Ｆ×Ｌ3）／（４×Ｔ3×Ｗ×Ｅ）で表される。以下、この関係式を関係式Ｂということにする。
【００７６】
そして、実際には、上記関係式Ｂがあるため、長方形板状をなすヒートシンク２０の短辺の長さＷ2、長辺の長さＬ2を小さくすること、逆に言えば、長方形板状をなすセラミック基板１０の短辺の長さＷ1、長辺の長さＬ1を大きくすることで、セラミック基板１０をヒートシンク２０よりも反りにくくしてもよい。
【００７７】
ここで、上記図１（ａ）に示されるように、両板材１０、２０は、ともに平面長方形をなすものであって、互いの長辺の方向が同一方向に沿った配置となっている。つまり、平面長方形をなす両板材１０、２０の長辺同士が平行となっている。そして、上記図３にも示されているように、両板材１０、２０の曲がりとは、この長辺方向における曲がりである。
【００７８】
このような両板材１０、２０の配置においては、セラミック基板１０の厚さをＴ1、ヤング率をＥ1、短辺の長さをＷ1とし、ヒートシンク２０の厚さをＴ2、ヤング率をＥ2、短辺の長さをＷ2としたとき、Ｔ13×Ｅ1×Ｗ1＞Ｔ23×Ｅ2×Ｗ2、の関係式が成立していることが望ましい。以下、この関係式を関係式Ｃということにする。
【００７９】
さらに、セラミック基板１０の長辺の長さをＬ1、ヒートシンク２０の長辺の長さをＬ2としたとき、（Ｔ13×Ｅ1×Ｗ1）／Ｌ1＞（Ｔ23×Ｅ2×Ｗ2）／Ｌ2、の関係が成立していることが望ましい。以下、この関係式を関係式Ｄということにする。
【００８０】
なお、これら関係式Ｃ、Ｄは、両板材１０、２０が、平面長方形である場合に限らず、正方形、平行四辺形などであってもよい。つまり、両板材１０、２０が、ともに平面四角形をなすものであって、セラミック基板１０のある１辺とヒートシンク２０のある１辺とが同一方向に沿った配置となっていればよい。上記長方形の場合には、この平行な関係にある１辺とは長辺であり、短辺とは、当該平行な関係にある１辺と隣接する他辺である。
【００８１】
そして、上記関係式ＣにおけるＷ1は、セラミック基板１０における上記平行な関係にある１辺と隣接する他辺の長さであり、Ｗ2は、ヒートシンク２０における上記平行な関係にある１辺と隣接する他辺の長さである。また、上記関係式ＤにおけるＬ1、Ｌ2は、セラミック基板１０における上記平行な関係にある１辺の長さ、ヒートシンク２０における上記平行な関係にある１辺の長さである。
【００８２】
図５は、本第２実施形態において、上記関係式Ｃ、Ｄを満足するために、セラミック基板１０の長辺および短辺を、ヒートシンク２０のそれよりも大きくしたモールドパッケージの例を示す概略平面図である。なお、このこと以外は、この図５に示されるパッケージも上記図１に示されるものと同様である。
【００８３】
そして、本実施形態によっても、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板１０がヒートシンク２０に押し付けられても、セラミック基板１０が反って割れるのを防止することができる。
【００８４】
（第３実施形態）
また、セラミック基板１０としては、表層のみに厚膜導体などによって回路形成した単層基板でも、内層に配線を形成したシートを複数枚、積層し、焼成した積層基板でもよいが、一般的に積層基板の方が強度が弱い。
【００８５】
たとえば、アルミナ積層基板は、一般的に１μｍ／ｍｍの歪み（反り）で基板が割れることがある。また、一般に、３０ｍｍ程度の長さの鉄材などの金属材料をプレスにて打ち抜く場合、６０μｍ程度の反りが発生することから、ヒートシンク２０には、１μｍ／ｍｍよりも大きな反りが初期的に発生する可能性は大きい。
【００８６】
たとえば、１０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、ヤング率３３０ＧＰａである長方形板状のセラミック基板１０に対して、製造ばらつきによって発生するヒートシンク２０の反りによって、上記図３に示されるように、セラミック基板１０への支点ができる場合を考えてみる。
【００８７】
モールド工程時の成型圧は、通常５ＭＰａ〜２０ＭＰａであり、この場合、基板の反り量を計算すると、１ｍｍ以上の反りが発生する。実際には、ヒートシンク２０が初期的に数１０μｍしか反っていないので、セラミック基板１０も数１０μｍしか反らないが、基板を割るには十分な変形量が発生する。
【００８８】
このことは、逆に言えば、セラミック基板１０が数１０μｍ程度しか反らないような成型圧、たとえば、０．０５ＭＰａ程度の成型圧であっても、基板割れに至るということである。つまり、上記各実施形態は、０．０５ＭＰａという従来よりも大幅に低い成型圧でモールド樹脂６０の封止を行うようなモールドパッケージであっても、適用が可能であり、基板割れを防止できるということである。
【００８９】
上述したように、アルミナ積層基板は、一般的に１μｍ／ｍｍの反りで割れる可能性があることから、上記関係式Ａ（Ｔ13×Ｅ1＞Ｔ23×Ｅ2）よりも、さらに、Ｔ13×Ｅ1＞２×Ｔ23×Ｅ2、の関係式（関係式Ｅ）とすることが望ましい。この関係式Ｅであれば、セラミック基板１０の変形量を１μｍ／ｍｍ以下にできる。
【００９０】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、両板材１０、２０に対してセラミック基板１０の一方の板面１１と直交する方向（図６中の上下方向）へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっている。
【００９１】
ここで、本実施形態では、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいことは、ヒートシンク２０に対して、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部２３を設けることにより、なされている。
【００９２】
具体的に、この薄肉部２３は、ヒートシンク２０の厚さ方向、つまりセラミック基板１０の一方の板面１１と実質的に直交する方向にて凹んだスリット２３である。ここでは、スリット２３は、ヒートシンク２０においてモールド樹脂６０から露出する他方の板面２２にて凹んだ溝である。
【００９３】
このようなスリット２３は、切削加工やプレス加工などにより形成することができる。そして、この薄肉部としてのスリット２３により、ヒートシンク２０を部分的に薄くできるため、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも上記曲がりやすい構成とすることができる。
【００９４】
そして、本実施形態によっても、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板１０がヒートシンク２０に押し付けられても、セラミック基板１０が反って割れるのを防止することができる。
【００９５】
なお、スリット２３を深くしすぎると、ヒートシンク２０の放熱性が下がるため、曲がりやすさを考慮して、スリット２３の深さを選定することが必要である。本実施形態および後述の実施形態のうち、このような薄肉部を作る場合には、ヒートシンク２０はＦｅなどよりなるものが好ましい。
【００９６】
また、図７は、本第４実施形態のもう１つの例としてのモールドパッケージを示す概略断面図である。このものでは、上記図６に示されるモールドパッケージにおいて、スリット２３内に、モールド樹脂６０よりも熱伝導率の高い樹脂７１、すなわち高熱伝導樹脂７１を充填している。この場合、モールド樹脂６０による封止を行った後、当該高熱伝導樹脂７１を充填すればよい。
【００９７】
このような高熱伝導樹脂７１としては、たとえば、シリコーンゴムや熱伝導性グリスなどが挙げられる。また、高熱伝導樹脂７１としては、モールド樹脂６０よりも熱伝導率が高いものであるならば、上記接着剤７０であってもよい。
【００９８】
また、この図７に示される例では、この高熱伝導樹脂７１を介して、ヒートシンク２０を冷却部材３００に接触させ、ヒートシンク２０の放熱性の向上を図っている。この冷却部材３００としては、たとえばＡｌなどよりなるブロック体などが挙げられる。このように、スリット２３に上記高熱伝導樹脂７１を充填すれば、セラミック基板１０からヒートシンク２０を介した放熱性を向上させるうえで好ましい構成となる。
【００９９】
（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も上記第４実施形態と同様に薄肉部としてのスリット２３を備える。
【０１００】
ここで、上記第４実施形態では、ヒートシンク２０の他方の板面２２にスリット２３を設けたが、本実施形態では、ヒートシンク２０におけるセラミック基板１０の搭載面である一方の板面２１にスリット２３を設けている。
【０１０１】
図８（ａ）では、スリット２３に接着剤７０を充填しており、接着剤７０を介してセラミック基板１０とヒートシンク２０とを接着している。この場合、接着剤７０は、モールド樹脂６０よりも熱伝導率が高いものであることが好ましい。また、図８（ｂ）では、スリット２３に、接着剤７０とは別の上記高熱伝導樹脂７１を予め充填しておき、その後、接着剤７０を介してセラミック基板１０とヒートシンク２０とを接着している。
【０１０２】
さらに、図８（ｃ）では、図８（ｂ）に示されるものにおいて、さらにヒートシンク２０の他方の板面２２にもスリット２３を設けている。つまり、ヒートシンク２０の両板面２１、２２にスリット２３を設けている。なお、図８（ｃ）において、ヒートシンク２０の他方の板面２２のスリット２３にも、上記高熱伝導樹脂７１を充填してもよい。
【０１０３】
これら図８に示される本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としてのスリット２３により、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも上記曲がりやすい構成とすることができる。そのため、樹脂封止時の成型圧によって脆性材料よりなるセラミック基板１０がヒートシンク２０に押し付けられても、セラミック基板１０が反って割れるのを防止することができる。
【０１０４】
（第６実施形態）
図９は、本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態においても、ヒートシンク２０に、部分的に厚さが薄くなっている薄肉部を設けることによって、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとしている。
【０１０５】
ここで、本実施形態では、図９に示されるように、ヒートシンク２０の内部に空洞部２４を設けることで、ヒートシンク２０の厚さ方向において空洞部２４を含む部位が薄肉部として構成されるようにしている。つまり、空洞部２４の分だけヒートシンク２０の厚さが薄くなり、薄肉部が構成されている。
【０１０６】
たとえば、この空洞部２４は、図９中の紙面垂直方向に延びる孔であって、当該紙面垂直方向に位置するヒートシンク２０の両端面の一方もしくは両方に開口するものであり、切削などで作製可能なものである。
【０１０７】
また、空洞部２４には何も充填しなくてもよいが、ここでは、上記同様の高熱伝導樹脂７１を空洞部２４に充填している。それにより、上記同様、ヒートシンク２０の放熱性を向上させている。なお、この空洞部２４を、図９中の紙面垂直方向に位置するヒートシンク２０の両端面の両方に開口する貫通穴とすることで、空洞部２４に水などの冷媒を循環させれば、冷却性能の向上につながる。
【０１０８】
そして、本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としての空洞部２４により、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすい構成とされ、上記同様に、セラミック基板１０の割れを防止することができる。
【０１０９】
（第７実施形態）
図１０は、本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態では、ヒートシンク２０に設ける薄肉部として、ヒートシンク２０の厚さ方向に凹んだザグリ２５を設けることによって、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとしている。
【０１１０】
このザグリ２５は、切削やプレスなどにより形成される凹部であり、図１０において、（ａ）はヒートシンク２０の他方の板面２２にザグリ２５を形成した例を示し、（ｂ）はこのザグリ２５にさらに上記したモールド樹脂６０よりも熱伝導率が高熱伝導樹脂７１を充填した例を示している。
【０１１１】
そして、本実施形態のモールドパッケージによっても、薄肉部としてのザグリ２５により、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすい構成とされ、上記同様に、セラミック基板１０の割れを防止することができる。また、高熱伝導樹脂７１をザグリ２５に充填した例では、ヒートシンク２０の放熱性向上が期待できる。
【０１１２】
（第８実施形態）
図１１は、本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も、上記第７実施形態と同様に、ヒートシンク２０の他方の板面２２に薄肉部としてのザグリ２５を設け、同様の効果が期待できるものである。
【０１１３】
ここで、本実施形態のモールドパッケージでは、上記図１に示されるものと同様に、第１の板材であるセラミック基板１０には、駆動時に発熱する発熱素子３０が設けられており、第２の板材であるヒートシンク２０は、セラミック基板１０から伝わる熱を放熱する放熱板として構成されている。
【０１１４】
そして、本実施形態では、ザグリ２５を、ヒートシンク２０のうち発熱素子３０から外れた部位に設けている。つまり、図１１に示されるように、発熱素子３０の直下ではザグリ２５を設けず、それ以外の発熱の小さな電子部品３１、３２の直下ではザグリ２５を設けないことにより、放熱板としてのヒートシンク２０の厚さを確保している。
【０１１５】
本実施形態によれば、上記したザグリ２５によるセラミック基板１０の割れ防止効果を発揮できるとともに、発熱素子３０については放熱性を損なわないようにでき、ヒートシンク２０の放熱性を確保するうえで好ましい構成にできる。なお、本実施形態においても、図示しないが、ザグリ２５にはモールド樹脂６０よりも熱伝導率の高い樹脂を充填してもよく、その場合には当該樹脂による上記効果が期待できる。
【０１１６】
（第９実施形態）
図１２は、本発明の第９実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態も上記第７、第８実施形態と同様に薄肉部としてのザグリ２５を備える。
【０１１７】
ここで、上記第７、第８実施形態では、ヒートシンク２０の他方の板面２２にザグリ２５を設けたが、本実施形態では、ヒートシンク２０におけるセラミック基板１０の搭載面である一方の板面２１にザグリ２５を設けている。
【０１１８】
図１２（ａ）は、ヒートシンク２０の一方の板面２１の略全面にザグリ２５を設けた例であり、図１２（ｂ）および（ｃ）は、ヒートシンク２０の一方の板面２１において発熱素子３０から外れた部位に、ザグリ２５を設けることで、上記第８実施形態と同様の効果を狙ったものである。
【０１１９】
（第１０実施形態）
図１３は、本発明の第１０実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、両板材１０、２０に対してセラミック基板１０の一方の板面１１と直交する方向（図１３中の上下方向）へ力が加わったときに当該直交する方向へ変位する曲がりについては、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっている。
【０１２０】
ここで、本実施形態では、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいことは、図１３に示されるように、ヒートシンク２０を、ヤング率の異なる材料よりなる複数の層２ａ、２ｂが厚さ方向に積層されたものとすることにより、なされている。
【０１２１】
たとえば、図１３（ａ）では、２層よりなるヒートシンク２０において一方の板面２１側にＣｕよりなる第１の層２ａ、他方の板面２２側にＦｅよりなる第２の層２ｂを配置している。この場合、もし、ヒートシンク２０のすべてをＦｅで構成した場合、十分な熱容量があるが、ヤング率が２２０ＭＰａと堅いため、熱膨張係数差などによりセラミック基板１０が割れる可能性が高い。
【０１２２】
そこで、図１３（ａ）のように、ヒートシンク２０の半分をＣｕで構成することで、熱容量は若干減るものの、熱伝導性が向上することで、放熱性を確保し、なお且つ、ヒートシンク２０全体として曲がりやすくなるため、セラミック基板１０の割れを抑制することができる。
【０１２３】
このとき、第１の層２ａと第２の層２ｂとは、ヤング率の異なるものであればよく、ＦｅとＣｕに限定されるものではない。本実施形態によれば、ヤング率の小さい材料よりなるものを組み込むことで、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすい構成とすることができる。そのため、本実施形態によっても、上記同様に、セラミック基板１０の割れを防止することができる。
【０１２４】
ここで、ヒートシンク２０における第１の層２ａと第２の層２ｂとは、溶接、はんだ付け、接着剤などにより予め接続されてもよいし、各々リードフレームとのかしめにより、固定されたものであってもよい。また、第１の層２ａと第２の層２ｂとは積層された構成でなくてもよく、たとえば図１３（ｂ）に示されるように、一方が他方を包み込むような構成であってもよい。
【０１２５】
（第１１実施形態）
図１４は、本発明の第１１実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。このモールドパッケージにおいても、上記同様に、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっている。
【０１２６】
ここで、本実施形態では、図１４に示されるように、ヒートシンク２０を、複数の層２ｃが厚さ方向に積層されたものとし、且つ、これら複数の層２ｃ同士を層の周辺部では接合せずに中央部で接合したものとしている。
【０１２７】
それにより、ヒートシンク２０が曲がろうするときに複数の層２ｃの周辺部では層２ｃ同士がずれるため、曲がりやすい。そのため、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいものとなっている。
【０１２８】
このとき、各層２ｃはＦｅなどよりなり、たとえば抵抗溶接やレーザ溶接などの溶接により中央部で接続されている。図１４では、溶接された部位は溶接部Ｍとして示してある。こうすることで、ヒートシンク２０をＦｅの１層で構成する場合に比べて、ヒートシンク２０をセラミック基板２０よりも曲がりやすい構成とできる。
【０１２９】
なお、図１４では積層数は３層であるが、２層あるいは４層以上でもよい。また、複数の層２ｃ同士はモールド樹脂６０で固定されているため、溶接などで接合されていなくてもよく、その場合にも、同様の効果が期待できる。
【０１３０】
（第１２実施形態）
図１５は、本発明の第１２実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。本実施形態は、ヒートシンク２０を、中央部で溶接された複数の層２ｃよりなるものとした上記第１１実施形態を一部変形したものである。
【０１３１】
すなわち、本モールドパッケージでは、図１５に示されるように、複数の層２ｃの平面サイズを互いに異ならせることで、ヒートシンク２０の端面を、複数の層２ｃの端部により凹凸形状としている。こうすることで、アンカー効果により、ヒートシンク２０の端面におけるモールド樹脂６０との密着性が向上し、モールド樹脂６０の剥離が防止されるという利点がある。
【０１３２】
（第１３実施形態）
図１６は、本発明の第１３実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、（ａ）は（ｂ）の上視図であり、モールド樹脂６０を透過してモールド樹脂６０の内部構成を示してある。このモールドパッケージにおいても、上記同様に、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっている。
【０１３３】
ここで、本実施形態では、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも曲がりやすいものとなっていること、すなわち、単体の板材の曲がり度合が、ヒートシンク２０の方がセラミック基板１０よりも大きいことは、図１６に示されるように、ヒートシンク２０を、平面的に分割された複数個（図１６では３個）の分割部２ｄの集合体として構成することにより、なされている。
【０１３４】
ここで、各々の分割部２ｄは、たとえば、リードフレームとかしめによって固定されている。このように分割することで、分割部２ｄの集合体であるヒートシンク２０は、分離している部位にて曲がりやすいものとなり、見かけ上、セラミック基板１０よりも曲がりやすい構成となるため、上記したセラミック基板１０の割れを防止できる。
【０１３５】
（他の実施形態）
なお、第１の板材としては、脆性材料よりなるものであればよく、典型的には上記したセラミックが挙げられるが、可能ならばそれ以外の脆性材料であってもよい。また、第２の板材としては、上記した金属に代表される延性材料以外のものであってもよい。つまり、第２の板材は、上記曲がりやすさが第１の板材よりも大きいものであれば、特に材料を限定するものではない。
【０１３６】
また、第２の板材としてのヒートシンク２０は、リードフレーム５０とは別体のものであったが、リードフレーム５０と一体であるアイランドを、ヒートシンクに代えて第２の板材としてもよい。この場合も、当該アイランドについて、上記曲がりやすさが第１の板材よりも大きいものであればよい。
【０１３７】
また、第１の板材と第２の板材との間に介在し、これらを接着する接着部材としては、両板材よりもヤング率が低く且つ両板材よりも厚さの小さいものであれば、シリコーン樹脂などの可撓性接着剤以外にも、はんだなどであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】上記第１実施形態に係るモールド工程を示す概略断面図である。
【図３】両板材における各部寸法を示すための板材のモデル的な斜視図である。
【図４】従来においてヒートシンクの反りによってセラミック基板が反ることによる基板割れの様子を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの概略平面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図７】上記第４実施形態のもう１つの例を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１２】本発明の第９実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１３】本発明の第１０実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１４】本発明の第１１実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１５】本発明の第１２実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図である。
【図１６】本発明の第１３実施形態に係るモールドパッケージを示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
２ａ…ヒートシンクの第１の層、２ｂ…ヒートシンクの第２の層、２ｃ…複数の層、
２ｄ…分割部、１０…第１の板材としてのセラミック基板、
１１…セラミック基板の一方の板面、１２…セラミック基板の他方の板面、
２０…第２の板材としてのヒートシンク、２１…ヒートシンクの一方の板面、
２２…ヒートシンクの他方の板面、２３…薄肉部としてのスリット、
２４…薄肉部としての空洞部、２５…薄肉部としてのザグリ、３０…発熱素子、
６０…モールド樹脂、７０…接着剤、７１…高熱伝導樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005018355.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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