(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する方法であって、
第１のマスクパターン形成ステップと、
前記第１のマスクパターン形成ステップの後に行われる第２のマスクパターン形成ステップと、
前記第１のマスクパターン形成ステップと、前記第２のマスクパターン形成ステップとの間に、前記第１のマスクパターン形成ステップにより形成された第１のパターンの幅を測定する第１測定ステップとを具備し、
前記第２のマスクパターン形成ステップは、
フォトレジストをパターニングする工程と、
このフォトレジストのパターンの幅を測定する第２測定ステップと、
当該第２測定ステップで測定されたフォトレジストのパターンの幅の値と前記第1測定ステップで測定された第１のパターンの幅の値とに基づいて、前記フォトレジストのパターンをトリミングすることによって、当該第２のマスクパターン形成ステップの際に形成される第２のパターンの幅を補正するステップとを具備し、
これによって前記第１のマスクパターン形成ステップで形成された第１のパターンと前記第２のマスクパターン形成ステップで形成された第２のパターンの幅を同一にし、
かつ、前記基板は、前記被エッチング層上に形成された第２マスク層と、前記第２マスク層の上に形成された第１マスク層とを有し、
前記第１のマスクパターン形成ステップにおいては、前記第１のパターンを前記第１マスク層に形成し、
前記第２のマスクパターン形成ステップにおいては、前記第１のパターンと前記第２のパターンを前記第２マスク層に形成する
ことを特徴とするエッチングマスクの形成方法。
【請求項２】
コンピュータ上で動作し、基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する装置を制御する制御プログラムであって、
実行時に、請求項１に記載のエッチングマスクの形成方法が実行されるように、前記エッチングマスクを形成する装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
【請求項３】
基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する装置を制御するためのコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたプログラム記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項１に記載のエッチングマスクの形成方法が行われるように、前記エッチングマスクを形成する装置を制御することを特徴とするプログラム記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板にプラズマエッチング等のエッチング処理を施す際に使用するエッチングマスクを形成するためのエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置等の製造工程においては、半導体ウエハ等の基板にプラズマエッチング等のエッチング処理を施して、微細な回路パターン等を形成することが行われている。このようなエッチング処理工程では、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィー工程によって、エッチングマスクを形成することが行われている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィー工程では、形成するパターンの微細化に対応するため、種々の技術が開発されている。その一つとして、所謂ダブルパターニングがある。このダブルパターニングは、第１のマスクパターン形成ステップと、この第１のマスクパターン形成ステップの後に行われる第２のマスクパターン形成ステップの２段階のパターニングを行うことによって、１回のパターニングでエッチングマスクを形成する場合より微細な間隔のエッチングマスクを形成できるようにしたものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−０２７７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したとおり、ダブルパターニング技術では、第１のマスクパターン形成ステップとこの第１のマスクパターン形成ステップの後に行われる第２のマスクパターン形成ステップの２段階のパターニングを行うことによって、例えば１回のパターニングによって得られる線幅の略半分の線幅のエッチングマスクを形成する。
【０００５】
しかしながら、従来の技術においては、第１のマスクパターン形成ステップで形成されたパターンと、第２のマスクパターン形成ステップで形成されたパターンのＣＤ（Critical Dimension（例えば、線幅等））を揃えることが難しく、これらのＣＤが異なってしまいＣＤが不均一になるという問題があった。このため、隣接して異なるトランジスタやコンタクト抵抗が存在するようになり、製造したデバイスが機能しなくなる等の問題があった。
【０００６】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する方法であって、第１のマスクパターン形成ステップと、前記第１のマスクパターン形成ステップの後に行われる第２のマスクパターン形成ステップと、前記第１のマスクパターン形成ステップと、前記第２のマスクパターン形成ステップとの間に、前記第１のマスクパターン形成ステップにより形成された第１のパターンの幅を測定する第１測定ステップとを具備し、前記第２のマスクパターン形成ステップは、フォトレジストをパターニングする工程と、このフォトレジストのパターンの幅を測定する第２測定ステップと、当該第２測定ステップで測定されたフォトレジストのパターンの幅の値と前記第1測定ステップで測定された第１のパターンの幅の値とに基づいて、前記フォトレジストのパターンをトリミングすることによって、当該第２のマスクパターン形成ステップの際に形成される第２のパターンの幅を補正するステップとを具備し、これによって前記第１のマスクパターン形成ステップで形成された第１のパターンと前記第２のマスクパターン形成ステップで形成された第２のパターンの幅を同一にし、かつ、前記基板は、前記被エッチング層上に形成された第２マスク層と、前記第２マスク層の上に形成された第１マスク層とを有し、前記第１のマスクパターン形成ステップにおいては、前記第１のパターンを前記第１マスク層に形成し、前記第２のマスクパターン形成ステップにおいては、前記第１のパターンと前記第２のパターンを前記第２マスク層に形成することを特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明は、コンピュータ上で動作し、基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する装置を制御する制御プログラムであって、実行時に、請求項１に記載のエッチングマスクの形成方法が実行されるように、前記エッチングマスクを形成する装置を制御することを特徴とする。
【００１２】
請求項３の発明は、基板上の被エッチング層を所定のパターンにエッチングするためのエッチングマスクを形成する装置を制御するためのコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたプログラム記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１に記載のエッチングマスクの形成方法が行われるように、前記エッチングマスクを形成する装置を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体ウエハの一部を拡大して模式的に示し、実施形態にかかるエッチングマスクの形成方法の工程を示すものである。図１（ａ）に示すように、パターニングを目的とする被エッチング層１０１の上には、主マスク層（第２マスク層）としてのＳｉ3Ｎ4層１０２が形成され、このＳｉ3Ｎ4層１０２の上には、犠牲マスク層（第１マスク層）としてのＳｉＯ2層１０３が形成されている。また、ＳｉＯ2層１０３の上には、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４が形成されており、この反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４の上にフォトレジスト１０５が形成されている。フォトレジスト１０５は、露光、現像工程により、パターニングされ、所定形状を有するパターンとされている。
【００１６】
第１のマスクパターン形成ステップでは、露光、現像工程により、パターニングされたフォトレジスト１０５を所望のＣＤ、例えば所望の線幅となるように、線幅を細くするトリミングを行い、このトリミングしたフォトレジスト１０５をマスクとして反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４及びＳｉＯ2層１０３をエッチングして図１（ｂ）に示す状態とする。上記のフォトレジスト１０５のトリミング及び反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４のエッチングは、例えば、酸素プラズマ等を用いたプラズマエッチングにより行うことができる（以下に示す工程でも同じ。）。また、ＳｉＯ2層１０３のエッチングは、例えば、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2等のＣＦ系ガスと、Ａｒガス等の混合ガス、またはこの混合ガスに必要に応じて酸素を添加したガス等を用いて行うことができる。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すフォトレジスト１０５及び反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４を除去して、ＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）を得る。以上が第１のマスクパターン形成ステップであり、この後、ＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の所定位置の寸法（ＣＤ）、本実施形態では線幅を測定する（測定１）。
【００１８】
次に、第２のマスクパターン形成ステップを行う。図１（ｄ）に示すように、この第２のマスクパターン形成ステップでは、まず、上記したＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の上に、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４ｂを形成し、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４ｂの上にフォトレジスト１０５ｂを形成して、フォトレジスト１０５ｂを露光、現像工程により、パターニングし、所定形状を有するパターンとする。
【００１９】
次に、パターニングしたフォトレジスト１０５ｂの所定位置の寸法（ＣＤ）、本実施形態では線幅を測定する（測定２）。そして、この測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅と、上記したＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の線幅とから、フォトレジスト１０５ｂをマスクとして、以下に説明するエッチング工程によって形成されるＳｉ3Ｎ4層１０２からなるマスクパターン（第２のパターン）の線幅が、ＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の線幅と同一になるようにフィードフォワード制御を行う。この場合、例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。そして、このトリミングしたフォトレジスト１０５ｂをマスクとして反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４ｂのエッチング及び主マスク層（第２マスク層）としてのＳｉ3Ｎ4層１０２のエッチングを行う。このＳｉ3Ｎ4層１０２のエッチングを行う時、第１マスクパターン形成ステップで形成したＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）もマスクとして作用し、Ｓｉ3Ｎ4層１０２のエッチングが行われ、図１（ｅ）に示した状態となる。このエッチングは、例えば、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2等のＣＦ系ガスと、Ａｒガス等の混合ガス、またはこの混合ガスに必要に応じて酸素を添加したガス等を用いて行うことができる。
【００２０】
次に、フォトレジスト１０５ｂ、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０４ｂ、ＳｉＯ2層１０３を除去し、図１（ｆ）に示すように、均一な線幅のＳｉ3Ｎ4層１０２のマスクパターンを得る。そして、この後、図１（ｇ）に示すように、所望によりＳｉ3Ｎ4層１０２のパターンをトリミングによりシュリンクさせて、さらに線幅を細くし、これをエッチングマスクとして、下層の被エッチング層１０１のエッチングを行う。
【００２１】
上記の実施形態では、第１マスクパターン形成ステップで形成したＳｉＯ2層１０３からなるマスクパターン（第１のパターン）の線幅を測定し、また、第２マスクパターン形成ステップで測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅とから、フィードフォワード制御することによって、エッチングマスクの線幅の均一性を向上させることができる。
【００２２】
実際に、ゲートプロセスにおけるゲートマスクの形成工程で、半導体ウエハに目標線幅５０．１ｎｍでエッチングマスク（ハードマスク）を形成したところ、上記のフィードフォワード制御の無い場合、線幅の平均値が５１．２ｎｍ、３σが１．９８ｎｍであった。これに対して、上記実施形態のようにフィードフォワード制御した場合、線幅の平均値を４９．７ｎｍ、３σを０．７０ｎｍとすることができ、大幅に線幅の均一性を向上させることができた。
【００２３】
図２は、上記のエッチングマスク形成方法を実施するための装置の構成の一例を模式的に示す上面図である。この装置は、内部に半導体ウエハＷを搬送する搬送機構が設けられ、長方形状に形成された搬送部３１を具備している。この搬送部３１の長辺方向に沿って、一方（図中下側）には、半導体ウエハＷを収容したカセット又はフープが載置される複数の載置部３２，３３と、半導体ウエハＷに形成されたパターンの所望部位の寸法（ＣＤ）を測定するための測定装置３８が設けられている。また、搬送部３１の長辺方向に沿って、他方（図中上側）には、半導体ウエハＷに、エッチング処理を施すための複数のプラズマエッチング処理部３５，３６，３７が設けられている。
【００２４】
また、搬送部３１の一方の端部には、半導体ウエハＷの位置合わせを行うための位置合わせ装置３４が設けられている。そして、載置部３２，３３に載置されたカセット又はフープから搬送部３１の搬送機構によって取り出された半導体ウエハＷは、一旦位置合わせ装置３４に搬送され、ここで位置合わせされた後、各プラズマエッチング処理部３５，３６，３７及び測定装置３８に送られてエッチング処理及びパターンの所望部位の寸法（ＣＤ）の測定が行われ、処理が終了した半導体ウエハＷは、載置部３２，３３に載置されたカセット又はフープに収容される。
【００２５】
上記の装置の各構成部は、プロセスコントローラ５０によって制御される構成となっている。プロセスコントローラ５０には、ユーザーインターフェース５１が接続されている。ユーザーインターフェース５１は、コマンドの入力操作等を行うためのキーボードや、装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２６】
また、プロセスコントローラ５０には、この装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ５０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて装置の各構成部に処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピが格納された記憶部５２が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリ等のプログラム記憶媒体に記憶されていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のプログラム記憶媒体に記憶された状態で記憶部５２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００２７】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５１からの指示等にて任意のレシピを記憶部５２から呼び出してプロセスコントローラ５０に実行させることで、プロセスコントローラ５０の制御下でこの装置での所望の処理が行われる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係るエッチングマスクの形成方法を説明するための図。
【図２】本発明の一実施形態に使用する装置の概略構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００２９】
１０１……被エッチング層、１０２……Ｓｉ3Ｎ4層（第２マスク層）、１０３……ＳｉＯ2層（第１マスク層）、１０４，１０４ｂ……反射防止膜（ＢＡＲＣ）、１０５，１０５ｂ……フォトレジスト。
【図１】
0004932671.tif 000002
【図２】
0004932671.tif 000003