(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマチャンバのマニホールドに連結されたガススティックを有するガス搬送システム用の改良活性化防止装置であって、
前記ガススティックは、
前記マニホールド内への処理ガスの流れを制御し、前記マニホールドに動作可能に連結されたガスバルブと、
トグル活性化領域およびトグル脱活性化領域のうちの一つに配置されるように構成されたトグルアームと、
前記ガスバルブに連結されたロックアウト機構であって、ロックが前記ロックアウト機構で使われるときに前記ロックを迂回することなく前記トグルアームが前記トグル脱活性化領域から前記トグル活性化領域に移動させないようにしたロックアウト機構と、
前記トグルアームに連結されたトグル作動式スイッチと、
前記ガスバルブを動作させるための圧縮ガスを受け入れ、前記ガスバルブの頂部に位置するアダプタに連結された圧力結合部と、
を備えており、
前記アダプタは、アダプタ頂部と、このアダプタ頂部に対向するアダプタ底部と、これらのアダプタ頂部およびアダプタ底部の両方に直交するアダプタ側部と、から成り、
前記アダプタ側部は、前記圧力結合部に連結されており、前記アダプタ頂部は、前記トグル作動式スイッチに接続されており、前記アダプタ底部は、前記ガスバルブに連結されており、前記トグルアームは、前記トグル作動式スイッチの頂部に配置されており、
前記トグルアームが前記トグル活性化領域に配置されるとき、前記トグル作動式スイッチは、前記圧縮ガスが前記圧力結合部から流入し、該圧力結合部に連結された前記アダプタを通して前記ガスバルブに届くことを可能にし、これにより前記圧縮ガスが存在するときにこの圧縮ガスが前記ガスバルブを活性化することを可能にし、前記処理ガスが前記マニホールド内に流れることを可能にし、あるいは前記圧縮ガスが存在しないときにこの圧縮ガスが前記ガスバルブを脱活性化することを可能にし、
前記トグルアームが前記トグル脱活性化領域にあるとき、前記トグル作動式スイッチは、前記圧縮ガスが前記アダプタを通して前記ガスバルブに届くことを防ぎ、これにより、前記圧縮ガスが供給されるか否かに関わらず、前記トグル作動式スイッチが、前記処理ガスが前記マニホールド内に直接流れることを防ぐことを可能にすることを特徴とするガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項２】
前記トグル作動式スイッチが、前記トグルアームが前記トグル活性位置から前記トグル脱活性位置に移動されるとき、前記ガスバルブ内から前記圧縮ガスを排気するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項３】
前記ロックアウト機構が、
穴を有する第１のパネルであって、前記トグルアームが前記穴を通して配置される第１のパネルと、
前記第１のパネルに連結された第２のパネルであって、前記ロックを受け入れるように構成されたロック孔を有する第２のパネルと、
を備えており、前記ロックが前記ロック孔内に配置されるとき、前記トグルアームが前記トグル脱活性位置から前記トグル活性位置に移動することを阻害されることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項４】
前記第１のパネルが前記トグル作動式スイッチと前記トグルアームとの間で挟まれていることを特徴とする請求項３に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項５】
前記ガスバルブがプラズマ処理システム内で使われることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項６】
前記ガスバルブがプラズマ処理システムのためのガススティック注入バルブであることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項７】
前記ガスバルブが一体式表面マウントバルブであることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項８】
前記ガスバルブの脱活性状態を表示するためにタグアウト構成を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項９】
前記ガスバルブと、前記トグル作動式スイッチと、前記トグルアームとを含む組立体が前記マニホールドに対して垂直方向に搭載されていることを特徴とする請求項１に記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に基板製造技術に関し、特にガス搬送システムの改良活性化防止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の基板、ＭＥＭＳ装置、又はフラットパネル表示装置の製造において使
用されるようなガラスパネルの処理には、プラズマが多用される。
【０００３】
例えば、基板処理（化学蒸着、プラズマ促進化学蒸着、物理蒸着、エッチングその他）
の一環として、基板は、複数個のダイすなわち、方形領域に分割される。そして、それら
ダイは、それぞれ集積回路に加工される。
【０００４】
その後に基板は、一連の工程を経て加工され、基板から物質が選択的に除去（エッチン
グ）及び物質が選択的に堆積されて種々の電気構成要素が搭載される。
【０００５】
第１の好ましいプラズマ加工例において、基板は、エッチング加工に先立って硬化エマ
ルジョンの薄膜（例えば、フォトレジストマスク等）でコーティング処理される。続いて
硬化エマルジョン領域は、選択的に除去処理され、コーティング下側の一部を露出させる
。次に基板は、チャックと呼称される単極又は双極電極を含んだ基板支持装置上に置かれ
てプラズマ加工チャンバ内に入れられる。
【０００６】
その後に好適なエチャントソースガス（エッチング用ガス）（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４
Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ４、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、Ｘｅ、
Ｈｅ、Ｈ２、ＮＨ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２その他）がチャンバ内に送り込まれてプ
ラズマを形成し、基板の露出領域がエッチング処理される。
【０００７】
一般的に３種類のエッチング加工方法が存在する。
【０００８】
すなわち、純粋化学エッチング、純粋物理エッチング及び反応性イオンエッチングであ
る。純粋化学エッチングには、一般的に物理的爆射は関与せず、基板上の物質との化学反
応が関与する。この化学反応速度は、処理法により非常に高速であったり非常に低速であ
ったりする。例えば、フッ素系分子は、基板上の誘電物質と化学反応する傾向にある。一
方、酸素系分子は、基板上のフォトレジストのごとき有機物質と化学反応する傾向にある
。
【０００９】
純粋イオンエッチングは、多くの場合にスパッタリングと呼称される。普通はアルゴン
のごとき不活性ガスがプラズマ内でイオン化され、基板から物質を追い出すのに利用され
る。すなわち、正電荷されたイオンが負電荷されている基板に向かって加速する。純粋イ
オンエッチングは、等方性（すなわち、原理的に単方向性）であり、非選択性である。す
なわち、プラズマエッチング加工においては、イオン爆射の方向は、基板表面に対して略
垂直であるため、特定物質に対する選択性は非常に乏しい。加えて、一般的にイオン爆射
の束密度及びエネルギーによって決定される純粋イオンエッチングのエッチング速度は遅
いのが普通である。
【００１０】
化学処理と、イオン処理とを組み合わせるエッチングは、しばしば、反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）、又はイオン支援エッチングと呼称される。一般的にプラズマ内のイオ
ンは、基板表面を爆射して基板表面の原子の化学結合を破壊し、化学処理による分子との
反応に対して、さらに敏感となるようにすることで、化学処理を促進する。化学エッチン
グは、基板平面に対して垂直及び水平に作用するがイオンエッチングは、主として基板表
面に対して垂直に作用するため、垂直エッチング速度は、水平方向のエッチング速度より
もずっと高速となる傾向にある。さらに、ＲＩＥは、異方性プロフィールを備えている傾
向にある。
【００１１】
しかし、プラズマ処理システム操作は、危険（有毒ガス、高圧その他）を伴うので、作
業員の安全規則は、プラズマ処理装置がロックアウト/タグアウト機構のごとき活性化防
止機能を含むことを必須にしていることが多い。一般的にロックアウト機構は、錠と鍵の
ごとき確実な手段を利用する装置であり、エネルギー遮断装置を安全な位置に保持し、機
械あるいは装置の起動を防止するものである。例えば、適正に設置されればブランクフラ
ンジ、又はボルト固定スリップブラインドは、ロックアウト装置の役割を果たすであろう
。
【００１２】
一般的に、タグアウト装置は、従来手法にてエネルギー遮断装置に確実に固定できるタ
グ及び取り付け手段等のいかなる目立つ警報装置であってもよい。タグは、タグアウト装
置がエネルギー制御手順に従って外されるまで、取付先の機械又は装置が操作されてはな
らないことを示すものである。
【００１３】
エネルギー遮断装置は、エネルギーの伝達又は放出を物理的に妨害するどのような機械
装置であってもよい。限定はしないが、これらには、手動式電気回路ブレーカ、切断スイ
ッチ、電線バルブ及び閉鎖ブロックが含まれる。
【００１４】
装置は、例えば、次の条件の１つを満たせば一般的にロックアウトが可能である。（ａ
）ロック装置が取り付け可能な掛け金を備えている；（ｂ）ロック装置が取り付け可能な
その他の一体部分を備えている；（ｃ）一体式のロック機構を備えている；（ｄ）エネル
ギー遮断装置を外したり、再構築したり、あるいは交換したりせず、又はそのエネルギー
制御能力を永久変更せずにロックすることができる。
【００１５】
図１には、誘導結合プラズマ処理システムの概略図が図示されている。
【００１６】
一般的に好適セットのプラズマ処理ガスが、ガス供給システム１２２からプラズマチャ
ンバ壁１１７を有したプラズマチャンバ１０２内に供給される。これらプラズマ処理ガス
は、注入器１０９にて、あるいはその近辺領域にてイオン化され、静電チャック１１６上
にエッジリング１１５と共に設置された半導体基板又はガラス板のごとき基板１１４の露
出領域を加工（例えば、エッチング処理又は堆積処理）するためにプラズマ１１０が形成
される。
【００１７】
第１ＲＦ発生器１３４は、プラズマを発生（生成）させ、プラズマ強度を制御する。第
２ＲＦ発生器１３８は、通常はＤＣバイアスとイオン爆射エネルギーを制御するのに使用
されるバイアスＲＦを発生させる。
【００１８】
ソースＲＦ発生器１３４には、整合回路１３６ａがさらに結合されており、バイアスＲ
Ｆ発生器１３８には、ＲＦ電源のインピーダンスをプラズマ１１０のインピーダンスに整
合させようと試みる整合回路１３６ｂが結合されている。
【００１９】
さらに、バルブ１１２及び一連のポンプ１１１を含んだ真空システム１１３が使用され
、プラズマ１１０を維持し、及び/又は処理副産物を除去するのに必要な圧力を達成する
ためにプラズマチャンバ１０２から周囲雰囲気を脱気する。
【００２０】
図２には、容量結合プラズマ処理システムの概略図が図示されている。
【００２１】
一般的に容量結合プラズマ処理システムは、単一又は複数の別々なＲＦ電源を備えた形
態で設計できる。ソースＲＦ発生器２３４で発生されたソースＲＦは、プラズマを発生さ
せ、容量結合を介してプラズマ強度の制御を行うのに利用される。
【００２２】
バイアスＲＦ発生器２３８で発生されるバイアスＲＦは、ＤＣバイアス及びイオン爆射
エネルギーを制御するために使用される。ソースＲＦ発生器２３４とバイアスＲＦ発生器
２３８には、さらに、整合回路２３６が結合されており、ＲＦ電源のインピーダンスをプ
ラズマのインピーダンスに整合させようと試みる。容量反応器の他の形態は、ＲＦ電源と
、トップ電極２０４に接続されている整合回路とを有している。同様なＲＦ及び電極の構
造に従った三極管のごとき複数のアノードシステムがさらに存在する。
【００２３】
一般的に好適セットのプラズマ処理ガスがトップ電極２０４の注入口を介してガス供給
システム２２２からプラズマチャンバ壁２１７を有したプラズマチャンバ２０２内に注入
される。これらプラズマ処理ガスは、その後にイオン化され、電極としても機能する静電
チャック２１６上にエッジリング２１５と共に置かれた半導体基板又はガラス板のごとき
基板２１４の露出領域の加工（例えば、エッチング処理又は堆積処理）に利用するプラズ
マ２２０を形成する。
【００２４】
さらに、バルブ２１２並びに一連のポンプ２１１を含んだ真空システム２１３が使用さ
れ、プラズマ２２０の維持に必要な圧力を達成するためにプラズマチャンバ２０２から周
囲雰囲気を脱気する。
【００２５】
１体のプラズマ処理システムに１７種類以上の異なるガスを利用することは珍しくない
ため、製造業者は、一般的に自社のガス搬送システムで“ガススティック”と呼称される
高密度ガス流形態(high flow density component configurations)を利用する。
【００２６】
このシステムは、基板装置に取り付けられるマニホールド装置（ステンレス鋼その他）
の形態で提供することができる。ガス流制御コンポーネントは、一般的にはマニホールド
装置自身内に向かってドリル加工されるガス流通路を完成させるためにマニホールド装置
の片面に取り付けられることのみを必要とする。
【００２７】
図３は、ガススティックの概略図を図示する。
【００２８】
普通の形態では、ガスシリンダ（図示せず）は、注入バルブ３０２に結合されている。
これで操作員は、ガススティック内へ向かうソースガス流を遮断できる。注入バルブ３０
２を手動式とすることもできる。他の形態では注入バルブ３０２は空圧式である。すなわ
ち、注入バルブ３０２は、圧縮空気のごとき圧縮ガスで操作される。加えて前述したよう
にプラズマ処理システムは、ロックアウト/タグアウト機能を必須とするが、ガス供給シ
ステム内の空間的限定要因によって、注入バルブ３０２内にロックアウト/タグアウト機
能を一体化させることは一般的ではない。
【００２９】
注入バルブ３０２を質量流量制御装置３０８に対する定圧を維持する調節器/変換器３
０４にさらに結合することができる。
【００３０】
質量流量制御装置３０８は、主遮断バルブ３１２に取り付けることができ、ガススティ
ック内のガス流を遮断させる。オプションでは、フィルタ３０６が調節器/変換器３０４
と主遮断バルブ３１２との間に配置され、ガス流内に侵入する異物を除去する。さらに、
排出バルブ３１０が主遮断バルブ３１２と質量流量制御装置３０８との間に設置される。
質量流量制御装置３０８は、プラズマ処理システムへのガスの質量流量を測定して調整す
るのに利用される密封装置（変換器、制御バルブ及び制御・信号処理電子機器で構成）で
ある。
【００３１】
さらに、混合マニホールド３１４が質量流量制御装置３０８に結合されている。このマ
ニホールドは、ガススティック自体には含まれないが、好適ガススティックのそれぞれか
らのガス流を組み合わせ、注入器３１６を介してプラズマチャンバ３１８内へその混合ガ
スを送り込む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
しかし、ガス供給システム内で相互のガス流成分密度は、個々のガススティックの活性
化防止を困難にする傾向にある。このことは、特にガスススティック注入バルブにおいて
大きな問題である。典型的な形態では、例えば、器具組み立て作業の一部として、あるい
はプラズマ処理システムを顧客製造施設と一体化させるために従業員が物理的にガス供給
システムへのアクセスを願った場合には、全プラズマガスを遮断し、続いて換気処理をし
なければならない。この換気処理は、さらに困難化するであろう。なぜなら（ガススティ
ックを挿入前の）注入バルブ内へのガス供給のプラズマガス遮断部は、プラズマ処理シス
テムに物理的に提供されていないかも知れないからである。よって従業員は、プラズマガ
ス遮断ステーションに出向くための時間を浪費する。あるいは、従業員は、別の従業員に
その任務を任せなければならないであろう。よって問題を取り除くため、あるいはガス流
をテストするために１つのガススティックを素早く安全に遮断することは有利である。
【００３３】
従ってガス搬送システムのための改良活性化防止装置並びにその方法の出現が望まれて
いる。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
上記課題を解決するために、本発明に係るガス搬送システム用の改良活性化防止装置は、プラズマチャンバのマニホールドに連結されたガススティックを有するガス搬送システム用の改良活性化防止装置であって、
前記ガススティックは、
前記マニホールド内への処理ガスの流れを制御し、前記マニホールドに動作可能に連結されたガスバルブと、
トグル活性化領域およびトグル脱活性化領域のうちの一つに配置されるように構成されたトグルアームと、
前記ガスバルブに連結されたロックアウト機構であって、ロックが前記ロックアウト機構で使われるときに前記ロックを迂回することなく前記トグルアームが前記トグル脱活性化領域から前記トグル活性化領域に移動させないようにしたロックアウト機構と、
前記トグルアームに連結されたトグル作動式スイッチと、
前記ガスバルブを動作させるための圧縮ガスを受け入れ、前記ガスバルブの頂部に位置するアダプタに連結された圧力結合部と、
を備えており、
前記アダプタは、アダプタ頂部と、このアダプタ頂部に対向するアダプタ底部と、これらのアダプタ頂部およびアダプタ底部の両方に直交するアダプタ側部と、から成り、
前記アダプタ側部は、前記圧力結合部に連結されており、前記アダプタ頂部は、前記トグル作動式スイッチに接続されており、前記アダプタ底部は、前記ガスバルブに連結されており、前記トグルアームは、前記トグル作動式スイッチの頂部に配置されており、
前記トグルアームが前記トグル活性化領域に配置されるとき、前記トグル作動式スイッチは、前記圧縮ガスが前記圧力結合部から流入し、該圧力結合部に連結された前記アダプタを通して前記ガスバルブに届くことを可能にし、これにより前記圧縮ガスが存在するときにこの圧縮ガスが前記ガスバルブを活性化することを可能にし、前記処理ガスが前記マニホールド内に流れることを可能にし、あるいは前記圧縮ガスが存在しないときにこの圧縮ガスが前記ガスバルブを脱活性化することを可能にし、
前記トグルアームが前記トグル脱活性化領域にあるとき、前記トグル作動式スイッチは、前記圧縮ガスが前記アダプタを通して前記ガスバルブに届くことを防ぎ、これにより、前記圧縮ガスが供給されるか否かに関わらず、前記トグル作動式スイッチが、前記処理ガスが前記マニホールド内に直接流れることを防ぐことを可能にすることを特徴とする。
【００３５】
この装置は、空圧作動式バルブ装置を含む。装置は、また空圧作動式バルブ装置に物理
的に取り付けられたトグルスイッチも含んでいる。トグルスイッチは、トグルアームを含
んでいる。トグルアームは、活性化領域又は脱活性化領域内に設置されている。トグルア
ームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは活性化される。トグルアームが
脱活性化領域に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性化される。
【００３６】
この装置は、さらにトグルスイッチに取り付けられた活性化防止機構を含んでいる。一
方、活性化防止機構は、トグルアームが、活性化防止機構のロックアウト機能を少なくと
も迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動させないように設計されている。
【００３７】
（削除）
【００３８】
（削除）
【００３９】
（削除）
【００４０】
（削除）
【００４１】
本発明は、その一実施例においては、ガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性
化防止装置に関する。
【００４２】
この装置は、空圧作動式バルブ装置の提供手段を含んでいる。
【００４３】
この装置は、またトグルスイッチを空圧作動式バルブ装置に取り付ける手段も含む。ト
グルスイッチは、トグルアームを含む。トグルアームは、活性化領域、又は、脱活性化領
域内に存在する。トグルアームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは、活
性化され、トグルアームが脱活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性
化するようにトグルスイッチは設計されている。
【００４４】
この装置は、トグルスイッチに活性化防止機構を取り付ける手段をさらに含んでいる。
活性化防止機構は、トグルアームが少なくとも活性化防止機構のロックアウト機能を迂回
することなく脱活性化領域から活性化領域に移動することを防止するように設計されてい
る。
【００４５】
本発明のこれら及び他の特徴は、添付図面を利用した以下の詳細な説明においてさらに
詳細に解説されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明を添付の図面に示す好適実施例に関して説明する。
【００４７】
詳細な説明は、本発明の理解を深める目的で提供するものであって、当業者であれば特
定細部の一部又は全部を省略しても本発明を実施することができることを理解するであろ
う。なお、本発明を簡潔に説明するために従来技術及び方法については省略したものもあ
る。
【００４８】
前述のごとく、一般的には、作業員の安全規則は、プラズマ処理装置がロックアウト/
タグアウト機構のごとき活性化防止機能を含むことを必須にしていることが多い。
【００４９】
一般的に、ロックアウト機構は、錠と鍵のごとき確実な手段を利用する装置であり、エ
ネルギー遮断装置を安全な位置に保持する。一般的に、タグアウト装置は、従来手法にて
エネルギー遮断装置に確実に固定できるタグ及び取り付け手段等のいかなる目立つ警報装
置であってもよい。
【００５０】
しかし、ガススティック密度は、個々のガススティックの活性化防止を困難にする傾向
にある。このことは、特にガススティック注入バルブにおいて大きな問題である。通常使
用されている手動式バルブを備えた直接式にプラズマガス流を遮断するガススティックロ
ックアウト/タグアウト技術（エネルギー遮断装置）とは異なり、本発明は、空圧作動式
バルブを手動で脱活性化することによってガス流を間接式に遮断する。すなわち、空圧作
動式バルブへの圧縮ガス流を手動で遮断することによってバルブを脱活性化（閉鎖）させ
、ガススティック内のプラズマガス流を効果的に停止させる。空圧作動式バルブを備えた
ロックアウト/タグアウト機構の導入によってガススティックコンポーネント密度を維持
させつつ、それぞれのガススティックを個別並びに迅速にロック/タグ処理することによ
って従業員の安全性を大きく向上させる。
【００５１】
本発明の一実施例では、改良活性化防止装置は、ガススティック注入バルブにおいて有
効的に利用される。一実施例では、改良活性化防止装置は、ロックアウト機構を含んでい
る。一実施例では、改良活性化防止装置は、タグアウト機構を含んでいる。
【００５２】
ロックアウト機構は、一般的に装置を安全な位置に配置するように錠を取り付けさせ、
一方タグアウト機構は、従業員に錠の存在を知らせるためのものである。
【００５３】
規則に一般的に定められているものの、本発明では、改良活性化防止装置にロック及び
タグの両方を同時に追加する必要はない。一実施例では、改良活性化防止装置は、手動式
ガススティック注入バルブに一体化されている。一実施例では、改良活性化防止装置のロ
ックアウト/タグアウト機構の活用が圧縮ガスに空圧作動式バルブを活性させないように
、改良活性化防止装置は空圧作動式バルブに一体化されている。一実施例では、空圧作動
式バルブはＩＧＳ（統合ガスシステム）バルブである。
【００５４】
図４は、本発明の一実施例によるロックアウト/タグアウト処理の概略を示す工程図で
ある。ステップ４０２では、プラズマ処理システムを停止する準備が行われる。
【００５５】
次に、ステップ４０４では、プラズマ処理システムは、実際に停止される。
【００５６】
次に、ステップ４０６では、プラズマ処理システムは、ガス源から、例えば、注入バル
ブを遮断する等によって遮断される。
【００５７】
次に、ステップ４０８で、ロックアウト/タグアウト装置がエネルギー遮断装置（例：
注入バルブ等）へ追加される。
【００５８】
次に、ステップ４１０で危険性を秘めた全ての保存又は残余エネルギーが、例えば、プ
ラズマスティック内のあらゆるガスを換気する等によって安全に放出される。
【００５９】
最後に、ステップ４１２では、作業又はメンテナンスの開始に先立って、ガス源からの
プラズマ処理システムの遮断が確認される。
【００６０】
図５は、本発明の一実施例による空圧作動式バルブに組み込まれた改良活性化防止装置
の概略図である。一実施例では、このバルブは、一体式表面マウントバルブである。一般
的に一体式表面マウントコンポーネントは、その上にガス制御コンポーネントが取り付け
られた基板装置上の導通路を介して他のガス制御コンポーネントに接続されたガス制御コ
ンポーネント（例：バルブ、フィルタ等）である。これは、ＶＣＲ付属品（真空結合リン
グ）を備えた太い管路を介して装着されているガス制御コンポーネントとは対照的である
。
【００６１】
一実施例では、バルブは、ガススティック注入バルブである。一実施例では、バルブは
ＩＧＳバルブである。基板装置（図示せず）には、典型的には、マニホールド装置５０２
が装着されており、マニホールド装置には、空圧作動式バルブ５０６がアダプター５０４
を介して取り付けられている。一実施例では、アダプター５０４は、ネジ式である。典型
的な形態では、圧力結合部５０８がアダプター器具５１０を介して圧縮ガス供給路（図示
せず）を空圧作動式バルブ５０６へ取り付ける。すなわち、圧縮ガスがアダプター器具５
１０を通って空圧作動式バルブ５０６へ進入する時、バルブ構造部が係合されてガスがガ
ススティックへと流れる。
【００６２】
一実施例では、アダプター５１０は、ネジ式である。アダプター５１０には、さらに手
動式遮断スイッチ５１２とロックアウト/タグアウト機構５１４が取り付けられている。
手動式遮断スイッチ５１２がトグルアーム５１６によって係合されると、圧縮ガスが遮断
され、空圧作動式バルブ５０６を脱活性化し、ガススティック内のプラズマガス流を停止
させる。さらに手動式遮断スイッチ５１２は、手動式遮断スイッチ５１２の係合に先立っ
て空圧作動式バルブ５０６内の全ての圧縮ガスを排気させる排気ポートを含むこともでき
る。すなわち、空圧作動式バルブ５０６内の圧力は、空圧作動式バルブ５０６外の圧力と
実質的に同じとなる。さらに、プラズマ処理システムの安全維持を確実にするようにロッ
ク及び/又はタグをロックアウト/タグアウト機構５１４へと追加することができる。一実
施例では、改良活性化防止装置は、早すぎる、又は事故による取り外しを最小限に止める
ように設計されている。すなわち、空圧作動式バルブ５０６は、まずロック及び/又はタ
グを取り外さなくては活性化されない。さもないと改良活性化防止装置は、相当に損傷す
る。一実施例では、ロックは再使用できない。一実施例では、ロックは、人手で取り付け
られる。一実施例では、ロックは自動式である。一実施例では、ロックは、解除不能であ
る。一実施例では、タグは一体型ナイロンケーブルタイである。一実施例では、タグには
、“始動禁止”、“開放禁止”、“閉鎖禁止”、“起動禁止”及び“運転禁止”のいずれ
かが表示されている。
【００６３】
図６は、本発明の一実施例による図５に示す改良活性化防止機構５１４の概略図である。一般的にトグルアーム５１６（図示せず）がパネル６０４ａと６０４ｂとの間に挟まれるよう、トグルアームは、孔部６０８に挿入される。
【００６４】
ロックアウト/タグアウト機構５１４は、トグルアーム（図示せず）が脱活性化領域６
１４内に存在し（図５に示すように空圧作動式バルブ５０６を脱活性化する。）、ロック
が導通路６０６を通って配置されるときに、トグルアーム（図示せず）は、ロックアウト
/タグアウト機構５１４を迂回（例：パネル６０４−ａと６０４−ｂを断裂させる、ロッ
クを除去する、ロックアウト/タグアウト機構を湾曲させる等）することなく、活性化領
域６１２へ戻ることはできないように脱活性化領域６１４と活性化領域６１２とをさらに
含んでいる。
【００６５】
図７は、ガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法を示す工程図であ
る。
【００６６】
先ず、ステップ７０２で空圧作動式バルブ装置を提供する。
【００６７】
次に、ステップ７０４でトグルスイッチが空圧作動式バルブ装置へ取り付けられる。ト
グルスイッチは、トグルアームを含んでおり、トグルアームは、活性化領域又は脱活性化
領域内に存在する。
【００６８】
最後に、ステップ７０６でトグルスイッチに活性化防止機構が取り付けられる。
【００６９】
以上、本発明を好適実施例に関して説明したが、本発明の範囲内での変更は可能である
。例えば、本発明をラムリサーチプラズマ処理システム（例：エクセランＴＭ、エクセラ
ンＴＭＨＰ、エクセランＴＭＨＰＴ、２３００ＴＭ、ベリシスＴＭスター等）に関して説
明したが、他のプラズマ処理システムを利用することもできる。
【００７０】
本発明は、多様な直径（例：２００ｍｍ、３００ｍｍ等）の基板にも利用できる。さら
に、あらゆる型の空圧作動式バルブを利用できる。
【００７１】
本発明の利点には、メンテナンス、組み立て作業あるいは取り付けのために従業員が物
理的にガス供給システムへのアクセスを願った場合には、全プラズマガスを遮断し、続い
て換気処理をしなければならないという非改良型のガス搬送システムに関わる発生コスト
の回避が含まれる。
【００７２】
別の利点には、ガススティックコンポーネント密度を維持させつつ、それぞれのガスス
ティックを個別並びに迅速にロック及び/又はタグ処理することによって従業員の安全性
を大きく向上させる点が含まれる。
【００７３】
以上、好適実施例について説明したが、本発明の範囲内での変更は可能である。本発明
の範囲は「特許請求の範囲」によって定義されている。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
本発明の実施例を、添付図面を利用して解説するが、それら実施例は、本発明の説明の
みを意図しており、何ら本発明を限定するものではない。
【図１】図１は、誘導結合プラズマ処理システムの概略図である。
【図２】図２は、容量結合プラズマ処理システムの概略図である。
【図３】図３は、ガススティックの概略図である。
【図４】図４は、本発明の一実施例によるロックアウト/タグアウト処理を示す工程図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例による空圧作動式バルブに組み込まれた改良活性化防止装置の概略図である。
【図６】図６は、本発明の一実施例による改良活性化防止装置を示す一連の概略図である。
【図７】図７は、本発明の一実施例によるガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置を運転する工程図である。
【図１】
0005086995.tif 000002
【図２】
0005086995.tif 000003
【図３】
0005086995.tif 000004
【図４】
0005086995.tif 000005
【図５】
0005086995.tif 000006
【図６】
0005086995.tif 000007
【図７】
0005086995.tif 000008