(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導波路をそれぞれ有する２つ以上の導波路デバイスの導波路を結合した光モジュールであって、
導波路同士が結合される２つの導波路デバイスの一方は、前記基板としてのシリコン（Si）基板と、該Si基板上に形成された導波路とを有し、該導波路上面に、紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、
前記２つの導波路デバイスの一方を、前記基板と前記導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記２つの導波路デバイスの他方の基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記２つの導波路デバイスの一方は、前記基板としてのシリコン（Si）基板と、該Si基板上に形成されたＰＬＣ導波路とを有し、
前記２つの導波路デバイスの他方は、前記基板としてのサブキャリアと、該サブキャリア上に実装され、半導体導波路を有する半導体導波路チップとを有し、
前記一方の導波路デバイスの前記PLC導波路上面に、前記ガラス製の上板が接着固定されており、
前記一方の導波路デバイスを、前記Si基板と前記ＰＬＣ導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリアの端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリア上に、紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、
前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリアの端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていると共に、前記サブキャリア上に接着固定された前記上板の端面と、前記一方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記２つの導波路デバイスは、前記基板としてのシリコン（Si）基板と、該Si基板上に形成された平面光波回路であるＰＬＣ導波路とをそれぞれ有し、
前記一方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に、前記紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、
前記一方の導波路デバイスを、前記Si基板と前記PLC導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記他方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に、紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、
前記一方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていると共に、前記他方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記一方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする請求項４に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波路をそれぞれ有する２つ以上の導波路デバイスの導波路を結合した光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信ネットワークの普及や進展に伴って、光通信システムで使用される光部品の高機能化が進んでいる。光部品には、信号光を発光または受光するような光能動部品、信号光を分岐／結合、または分波／合波したりする光受動部品、信号光の伝送線路となる光ファイバなどがあり、それぞれの光部品に対して高機能化や低コスト化のニーズが高まっている。このうち、光能動部品に関しては、半導体レーザや半導体フォトダイオードといった半導体材料をベースとしたデバイスが中心であり、その技術開発が進められている。半導体材料をベースとした光能動部品は光増幅機能や高速動作、コンパクトな集積が可能であるという特徴を有している。一方、光受動部品に関しては、シリカ系材料（SiO2）をベースとした光導波路（ＰＬＣ導波路）を有する平面光波回路（ＰＬＣ；Planar Lightwave Circuit）が製品化されている。
【０００３】
光能動部品、光受動部品とも、これまではそれぞれの部品単体の性能向上がなされていたが、光通信システムの進展によるニーズの高度化により、両者の長所を合わせ持つような高機能光部品への要求が高まっている。そこで、半導体レーザダイオード等の半導体能動素子とＰＬＣとを組み合わせた光モジュール（ハイブリッド光集積デバイス）の開発が行われている。
【０００４】
例えば、非特許文献１に開示された従来技術では、ＰＬＣ上のアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）と半導体光増幅器（ＳＯＡ）とをハイブリッド集積することにより光波長セレクタを実現している。ここでは、ＳＯＡをゲートスイッチとして用いており、ＳＯＡの入力導波路、出力導波路は半導体基板の別々の端面に接しており、それぞれの端面でＰＬＣ基板と接してＰＬＣ基板上の光導波路と結合している。
【非特許文献１】（I. Ogawa, F. Ebisawa, N. Yoshimoto, K. Takiguchi, F. Hanawa, T. Hashimoto, A. Sugita, M. Yanagisawa, Y. Inoue, Y. Yamada, Y. Tohmori, S. Mino, T. Ito, K. Magari, Y. Kawaguchi, A. Himeno, and K. Kato, “Lossless hybrid integrated 8-ch optical wavelength selector module using PLC platform and PLC-PLC direct attachment techniques,” Proc. OFC’98, 1998, paper PD4-1）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来、Si基板上に形成されたＰＬＣ導波路同士、またはSi基板上に形成されたＰＬＣ導波路とサブキャリア（例えば、Siサブキャリア）上に実装された半導体導波路とを結合する場合、接着する２つの導波路デバイスの基板と導波路の上下関係は同じであった。例えば、図９に示すようにシリコン（Si）基板１００と、Si基板１００上に形成されたＰＬＣ導波路（SiO2ＰＬＣ導波路）１０１とをそれぞれ有する２つの導波路デバイス１０２，１０３の導波路同士を結合して光モジュールを作製する場合、両導波路デバイス１０２，１０３ともSi基板１００が下、ＰＬＣ導波路１０１が上となっていた。このような場合、Si基板１００は厚さが1mm程度であるのに対して、ＰＬＣ導波路１０１間の間隙は数μｍレベルと狭くなっている。このため、ＵＶ光（紫外線）を両導波路デバイス１０２，１０３のSi基板１００間に注入したＵＶ硬化接着剤（ＵＶ硬化樹脂）１０４に照射した場合、ＵＶ光はSi基板１００に阻まれて狭い間隙に注入されたＵＶ硬化接着剤１０４全体に十分に届かず、ＵＶ硬化接着剤１０４全体が十分に硬化しない問題があった。
【０００６】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて為されたもので、その目的は、ＵＶ硬化接着剤を用いて２つの導波路デバイスを高い強度で接合可能にした光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係る光モジュールは、導波路をそれぞれ有する２つ以上の導波路デバイスの導波路を結合した光モジュールであって、導波路同士が結合される２つの導波路デバイスの少なくとも一方の基板上或いは導波路上面に接着固定された紫外線に対して透明なガラス製の上板を備え、前記２つの導波路デバイスの少なくとも一方を、基板と導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記２つの導波路デバイスの他方の基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、２つの導波路デバイスを、各導波路デバイスの導波路が結合するようにＵＶ硬化接着剤を使用して一体化するとき、２つの導波路デバイスの一方を、基板と導波路の上下関係を逆さにした状態で、上板の端面と２つの導波路デバイスの他方の基板の端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、紫外線に対して透明なガラス製の上板を通してＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光が紫外線に対して透明なガラス製の上板を透過してＵＶ硬化接着剤に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤全体を十分に硬化させることができる。従って、ＵＶ硬化接着剤を用いて２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明に係る光モジュールは、前記２つの導波路デバイスの一方は、前記基板としてのシリコン（Si）基板と、該Si基板上に形成されたＰＬＣ導波路とを有し、前記２つの導波路デバイスの他方は、前記基板としてのサブキャリアと、該サブキャリア上に実装され、半導体導波路を有する半導体導波路チップとを有し、前記一方の導波路デバイスの前記PLC導波路上面に、前記ガラス製の上板が接着固定されており、前記一方の導波路デバイスを、前記Si基板と前記ＰＬＣ導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリアの端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、２つの導波路デバイスを、各導波路デバイスの導波路が結合するようにＵＶ硬化接着剤を使用して一体化するとき、一方の導波路デバイスを、Si基板とＰＬＣ導波路の上下関係を逆さにした状態で、上板の端面と他方の導波路デバイスのサブキャリアの端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、紫外線に対して透明なガラス製の上板を通してＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光が紫外線に対して透明なガラス製の上板を透過してＵＶ硬化接着剤に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤全体を十分に硬化させることができる。従って、ＵＶ硬化接着剤を用いて、異種の導波路を有する２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明に係る光モジュールは、前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリア上に、紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記サブキャリアの端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていると共に、前記サブキャリア上に接着固定された前記上板の端面と、前記一方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、ＰＬＣ導波路上面にある紫外線に対して透明なガラス製の上板の端面と他方の導波路デバイスのサブキャリアの端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、その上板を通してＵＶ光を照射すると共に、サブキャリア上にある紫外線に対して透明なガラス製の上板の端面と一方の導波路デバイスのSi基板の端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、その上板を通してＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光がＰＬＣ導波路上面にある紫外線に対して透明なガラス製の上板とサブキャリア上にある紫外線に対して透明なガラス製の上板をそれぞれ透過してＵＶ硬化接着剤に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤全体を十分に硬化させることができる。従って、異種の導波路を有する２つの導波路デバイスがより高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明に係る光モジュールは、前記２つの導波路デバイスは、前記基板としてのシリコン（Si）基板と、該Si基板上に形成された平面光波回路であるＰＬＣ導波路とをそれぞれ有し、前記一方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に、前記紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、前記一方の導波路デバイスを、前記Si基板と前記PLC導波路の上下関係を逆さにした状態で、前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、２つの導波路デバイスを、各導波路デバイスの導波路が結合するようにＵＶ硬化接着剤を使用して一体化するとき、一方の導波路デバイスを、Si基板とＰＬＣ導波路の上下関係を逆さにした状態で、上板の端面と他方の導波路デバイスのSi基板の端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、紫外線に対して透明なガラス製の上板を通してＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光が紫外線に対して透明なガラス製の上板を透過してＵＶ硬化接着剤に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤全体を十分に硬化させることができる。従って、ＵＶ硬化接着剤を用いて、同種の導波路（ＰＬＣ導波路）を有する２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明に係る光モジュールは、前記他方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に、前記紫外線に対して透明なガラス製の上板が接着固定されており、前記一方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記他方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていると共に、前記他方の導波路デバイスの前記ＰＬＣ導波路上面に接着固定された前記上板の端面と、前記一方の導波路デバイスの前記Si基板の端面とがＵＶ硬化接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、一方の導波路デバイスのＰＬＣ導波路上面にある紫外線に対して透明なガラス製の上板の端面と他方の導波路デバイスのSi基板の端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、その上板を通してＵＶ光を照射すると共に、他方の導波路デバイスのＰＬＣ導波路上面にある紫外線に対して透明なガラス製の上板の端面と一方の導波路デバイスのSi基板の端面との間に注入したＵＶ硬化接着剤に、その上板を通してＵＶ光を照射する。これにより、ＵＶ光が、一方の導波路デバイス側にある紫外線に対して透明なガラス製の上板と他方の導波路デバイス側にある紫外線に対して透明なガラス製の上板をそれぞれ透過してＵＶ硬化接着剤全体に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤を十分に硬化させることができる。従って、同種の導波路（ＰＬＣ導波路）を有する２つの導波路デバイスがより高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＵＶ硬化接着剤を用いて２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態の説明において同様の部位には同一の符号を付して重複した説明を省略する。
（第１実施形態）
第１実施形態に係る光モジュール１０を、図１および図２に基づいて説明する。図１は、光モジュール１０の縦断面図、図２は光モジュール１０の平面図である。
【００１９】
第１実施形態は、異種の導波路を有する２つの導波路デバイスを、導波路同士が結合するように、ＵＶ硬化接着剤により接着する光モジュールに本発明を適用したものである。
【００２０】
光モジュール１０は、図１および図２に示すように、ＰＬＣ導波路２２，半導体導波路３２をそれぞれ有する２つの導波路デバイス２０，３０の導波路を結合して作製されるハイブリッド光集積デバイスである。
【００２１】
光モジュール１０は、導波路同士が結合される２つの導波路デバイス２０，３０の一方の導波路上面に接着固定された紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を備えている。
【００２２】
２つの導波路デバイスの一方（以下、「ＰＬＣ導波路デバイス」と言う。）２０は、基板としてのシリコン（Si）基板２１と、Si基板２１上に形成されたＰＬＣ導波路２２とを有する。ＰＬＣ導波路デバイス２０のＰＬＣ導波路２２の上面に、紫外線に対して透明なガラス製の上板４０が接着固定されている。ここで、ＰＬＣ導波路２２の上面とは、ＰＬＣ導波路２２の上部クラッドの上面を言う。上板４０は、端面４０ａがSi基板２１の端面２１ａと一致するように、ＰＬＣ導波路２２の上面に配置されている。
【００２３】
ＰＬＣ導波路２２を有するＰＬＣ導波路デバイス２０は、次のようにして作製される。
火炎堆積（Flame Hydrolysis Deposition, FHD）法により、Si基板２１上に、下部クラッド層およびコア層となるシリカ材料（SiO2系のガラス粒子）を堆積し、加熱してガラス膜を溶融透明化する。この後、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチングで所望の導波路を形成し、再びFHD法により上部クラッドを形成する。
【００２４】
２つの導波路デバイスの他方（以下、「半導体導波路デバイス」と言う。）３０は、基板としてのサブキャリア３１と、サブキャリア３１上に実装（ハンダ実装）され、半導体導波路３２を有する半導体導波路チップ３３とを有する。サブキャリア３１は、Siベンチ３４上に接着固定されている。サブキャリア３１は、例えば、シリコン（Si）、窒化アルミニウム（AlN）等の半導体或いは半導体化合物で構成されている。
【００２５】
また、光モジュール１０では、ＰＬＣ導波路デバイス２０を、Si基板２１とＰＬＣ導波路２２の上下関係を逆さにした状態で、上板４０の端面４０ａと、半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１の端面３１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されている。なお、ＵＶ硬化接着剤５０は、図２に示すように、半導体導波路３３とＰＬＣ導波路２２との間にも介在している。
【００２６】
このようにＰＬＣ導波路デバイス２０の紫外線に対して透明なガラス製の上板４０の端面４０ａと半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１の端面３１ａとをＵＶ硬化接着剤５０で接着する前に、半導体導波路３２とＰＬＣ導波路２２の調芯作業を行う。
【００２７】
以上のように構成された第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
ＰＬＣ導波路デバイス２０と半導体導波路デバイス３０を、ＰＬＣ導波路２２と半導体導波路３３が結合するようにＵＶ硬化接着剤５０を使用して一体化するとき、ＰＬＣ導波路デバイス２０を、Si基板２１とＰＬＣ導波路２２の上下関係を逆さにする（図１参照）。この状態で、ＰＬＣ導波路デバイス２０の上板４０の端面４０ａと半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１の端面３１ａとの間、および半導体導波路３２とＰＬＣ導波路２２との間にＵＶ硬化接着剤５０をそれぞれ注入する。この後、ＵＶ光を紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を通して、図１に示すように上板４０の下方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射する。このとき、ＵＶ硬化接着剤５０に、ＵＶ光を上方からも照射するのが好ましい。
【００２８】
これにより、ＵＶ光が紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を透過してＵＶ硬化接着剤５０に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤５０全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤５０全体を十分に硬化させることができる。従って、ＵＶ硬化接着剤５０を用いて、異種の導波路を有する２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る光モジュール１０Ａを、図３および図４に基づいて説明する。図３は、光モジュール１０Ａの縦断面図、図４は光モジュール１０Ａの平面図である。
この光モジュール１０Ａは、上記第１実施形態に係る光モジュール１０において、図３および図４に示すように、半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１上にも、２つの紫外線に対して透明なガラス製の上板４２，４３が接着固定されている。
【００３０】
２つの上板４２，４３は、各々の端面４２ａ，４３ａがサブキャリア３１の端面３１ａと一致するように、サブキャリア３１上における半導体導波路チップ３３の両側に配置されている。
【００３１】
そして、この光モジュール１０Ａでは、上記第１実施形態と同様に、ＰＬＣ導波路デバイス２０のＰＬＣ導波路２２上面に接着固定された上板４０の端面４０ａと、半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１の端面３１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されている。これと共に、光モジュール１０Ａでは、サブキャリア３１上に接着固定された上板４２，４３の端面４２ａ，４３ａと、ＰＬＣ導波路デバイス２０のSi基板２１の端面２１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されている。
【００３２】
以上のように構成された第２実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
ＰＬＣ導波路デバイス２０と半導体導波路デバイス３０を、ＰＬＣ導波路２２と半導体導波路３３が結合するようにＵＶ硬化接着剤５０を使用して一体化するとき、上記第１実施形態と同様に、ＰＬＣ導波路デバイス２０を、Si基板２１とＰＬＣ導波路２２の上下関係を逆さにする（図３参照）。
【００３３】
この状態で、ＰＬＣ導波路デバイス２０の上板４０の端面４０ａと半導体導波路デバイス３０のサブキャリア３１の端面３１ａとの間、半導体導波路３２とＰＬＣ導波路２２との間、および、サブキャリア３１上に接着固定された上板４２，４３の端面４２ａ，４３ａとSi基板２１の端面２１ａとの間にＵＶ硬化接着剤５０をそれぞれ注入する。
【００３４】
この後、ＵＶ光を、図３に示すように、紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を通して上板４０の下方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射すると共に、紫外線に対して透明なガラス製の上板４２，４３を通して上板４２，４３の上方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射する。
【００３５】
これにより、ＵＶ光がＰＬＣ導波路２２上面にある上板４０とサブキャリア３１上にある上板４２，４３をそれぞれ透過してＵＶ硬化接着剤５０に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤５０全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤５０全体を十分に硬化させることができる。従って、異種の導波路を有する２つの導波路デバイスがより高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００３６】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂを、図５および図６に基づいて説明する。図５は第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂを示す縦断面図、図６は光モジュール１０Ｂの平面図である。
第３実施形態は、同種の導波路を有する２つの導波路デバイスを、導波路同士が結合するように、ＵＶ硬化接着剤により接着する光モジュールに本発明を適用したものである。
【００３７】
光モジュール１０Ｂは、図５および図６に示すように、ＰＬＣ導波路２２をそれぞれ有する２つのＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ，２０Ｂの導波路を結合して作製されるハイブリッド光集積デバイスである。
【００３８】
この光モジュール１０Ｂでは、２つのＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ，２０Ｂのうち、一方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＡのＰＬＣ導波路２２上面に、図１に示す上記第１実施形態に係る光モジュール１０のＰＬＣ導波路デバイス２０と同様に、紫外線に対して透明なガラス製の上板４０が接着固定されている。
【００３９】
そして、図５および図６に示すように、一方のＰＬＣ導波路デバイス２０Ａを、Si基板２１とPLC導波路２２の上下関係を逆さにした状態で、上板４０の端面４０ａと、他方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＢのSi基板２１の端面２１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されている。
【００４０】
以上のように構成された第３実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
２つのＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ，２０Ｂを、各ＰＬＣ導波路２２，２２が結合するようにＵＶ硬化接着剤５０を使用して一体化するとき、一方のＰＬＣ導波路デバイス２０Ａを、Si基板２１とＰＬＣ導波路２２の上下関係を逆さにする。この状態で、上板４０の端面４０ａと他方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＢのSi基板２１の端面２１ａとの間、および２つのＰＬＣ導波路２２，２２の間にＵＶ硬化接着剤５０をそれぞれ注入する。
【００４１】
この後、ＵＶ光を紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を通して、図５に示すように上板４０の下方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射する。このとき、ＵＶ硬化接着剤５０に、ＵＶ光を上方からも照射するのが好ましい。
【００４２】
これにより、ＵＶ光が上板４０を透過してＵＶ硬化接着剤５０に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤５０全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤５０全体を十分に硬化させることができる。従って、ＵＶ硬化接着剤を用いて、同種の導波路（ＰＬＣ導波路）を有する２つの導波路デバイスが高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００４３】
（第４実施形態）
第４実施形態に係る光モジュール１０Ｃを、図７および図８に基づいて説明する。図７は光モジュール１０Ｃの縦断面図、図８は光モジュール１０Ｃの平面図である。
この光モジュール１０Ｃは、図５に示す上記第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂにおいて、図７および図８に示すように、他方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＢのＰＬＣ導波路２２の上面にも、紫外線に対して透明なガラス製の上板４４がＰＬＣ導波路２２の上面に接着固定されている。
【００４４】
そして、一方のＰＬＣ導波路デバイス２０Ａを、Si基板２１とPLC導波路２２の上下関係を逆さにした状態で、上板４０の端面４０ａと他方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＢのSi基板２１の端面２１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されていると共に、上板４４の端面４４ａと一方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＡのSi基板２１の端面２１ａとがＵＶ硬化接着剤５０で接着されている。
【００４５】
以上のように構成された第４実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
２つのＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ，２０Ｂを、各ＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ，２０Ｂが結合するようにＵＶ硬化接着剤５０を使用して一体化するとき、一方のＰＬＣ導波路デバイス２０Ａを、Si基板２１とＰＬＣ導波路２２の上下関係を逆さにする。この状態で、上板４０の端面４０ａと他方のＰＬＣ導波路デバイス２０ＢのSi基板２１の端面２１ａとの間、２つのＰＬＣ導波路２２，２２の間、および、上板４４の端面４４ａとＰＬＣ導波路デバイス２０ＡのSi基板２１の端面２１ａとの間にＵＶ硬化接着剤５０をそれぞれ注入する。
【００４６】
この後、ＵＶ光を紫外線に対して透明なガラス製の上板４０を通して、上板４０の下方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射すると共に、ＵＶ光を紫外線に対して透明なガラス製の上板４４を通して、上板４４の上方からＵＶ硬化接着剤５０へ向けて照射する。
【００４７】
これにより、ＵＶ光が、ＰＬＣ導波路デバイス２０Ａ側にある上板４０とＰＬＣ導波路デバイス２０Ｂ側にある上板４４をそれぞれ透過してＵＶ硬化接着剤５０全体に到達するので、狭い間隙にあるＵＶ硬化接着剤５０全体にＵＶ光を十分に到達させることができ、ＵＶ硬化接着剤を十分に硬化させることができる。従って、同種の導波路（ＰＬＣ導波路）を有する２つの導波路デバイスがより高い強度で接合された光モジュールを実現することができる。
【００４８】
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
上記各実施形態では、異種の導波路を有する２つの導波路デバイス、或いは、同種の導波路を２つの導波路デバイスを、導波路同士が結合するように、ＵＶ硬化接着剤により接着した光モジュールについて説明したが、本発明はこれに限定されない。異種の導波路を有する２つ以上の導波路デバイス、或いは、同種の導波路を有する２つ以上の導波路デバイスを、導波路同士が結合するように、ＵＶ硬化接着剤により接着した光モジュールにも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光モジュールの縦断面図。
【図２】同モジュールを示す平面図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る光モジュールの縦断面図。
【図４】同モジュールを示す平面図。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光モジュールの縦断面図。
【図６】同モジュールを示す平面図。
【図７】本発明の第４実施形態に係る光モジュールの縦断面図。
【図８】同モジュールを示す平面図。
【図９】従来の光モジュールの縦断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１０，１０Ａ,１０Ｂ,１０Ｃ：光モジュール
２０，２０Ａ,２０Ｂ：ＰＬＣ導波路デバイス（導波路デバイス）
２１：シリコン（Si）基板
２２：ＰＬＣ導波路
３０：半導体導波路デバイス（導波路デバイス）
３１：サブキャリア
３２：半導体導波路
３３：半導体導波路チップ
３４：Siベンチ
４０，４２．４３，４４：紫外線に対して透明なガラス製の上板
４０ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａ：上板の端面
５０：ＵＶ硬化接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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