(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、さらに前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａを有し、該吸光性層Ａの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ａのピッチ、幅、および厚さの値にばらつきがあり、
前記吸光性層Ａの厚さの標準偏差σｈＡの平均値ｘｈＡに対しての比（σｈＡ／ｘｈＡ）が、０．０１〜０．１５の範囲内、
前記吸光性層Ａのピッチの標準偏差σｐＡの平均値ｘｐＡに対しての比（σｐＡ／ｘｐＡ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
前記吸光性層Ａの幅の標準偏差σｗＡの平均値ｘｗＡに対しての比（σｗＡ／ｘｗＡ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
である、グリッド偏光子。
【請求項２】
板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、さらに前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを有し、該吸光性層Ｂの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ｂのピッチ、幅、および厚さの値にばらつきがあり、
前記吸光性層Ｂの厚さの標準偏差σｈＢの平均値ｘｈＢに対しての比（σｈＢ／ｘｈＢ）が、０．０１〜０．１５の範囲内、
前記吸光性層Ｂのピッチの標準偏差σｐＢの平均値ｘｐＢに対しての比（σｐＢ／ｘｐＢ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
前記吸光性層Ｂの幅の標準偏差σｗＢの平均値ｘｗＢに対しての比（σｗＢ／ｘｗＢ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
である、グリッド偏光子。
【請求項３】
板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、
さらに前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａおよび前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを有し、
該吸光性層Ａおよび吸光性層Ｂの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ａおよび吸光性層Ｂのピッチ、幅、および厚さの値にばらつきがあり、
前記吸光性層Ａの厚さの標準偏差σｈＡの平均値ｘｈＡに対しての比（σｈＡ／ｘｈＡ）が、０．０１〜０．１５の範囲内、
前記吸光性層Ａのピッチの標準偏差σｐＡの平均値ｘｐＡに対しての比（σｐＡ／ｘｐＡ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
前記吸光性層Ａの幅の標準偏差σｗＡの平均値ｘｗＡに対しての比（σｗＡ／ｘｗＡ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
前記吸光性層Ｂの厚さの標準偏差σｈＢの平均値ｘｈＢに対しての比（σｈＢ／ｘｈＢ）が、０．０１〜０．１５の範囲内、
前記吸光性層Ｂのピッチの標準偏差σｐＢの平均値ｘｐＢに対しての比（σｐＢ／ｘｐＢ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
前記吸光性層Ｂの幅の標準偏差σｗＢの平均値ｘｗＢに対しての比（σｗＢ／ｘｗＢ）が、０．０１〜０．２０の範囲内、
である、グリッド偏光子。
【請求項４】
（Ａ）  細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並び、長手方向に対する垂直断面の凹形状のピッチ、幅、および深さの値にばらつきがある、複数の溝状凹部を有する転写型または転写ロールを作成し、
（Ｂ）フィルム基材の表面に、前記転写型または前記転写ロールの溝状凹部の形状を転写して、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並び長手方向に対する垂直断面の凸形状のピッチ、幅、および高さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある畝状凸部を有する板状透明基材を得て、
（Ｃ）前記転写面に吸光性材料を蒸着して前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａおよび／または前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを形成する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のグリッド偏光子の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グリッド偏光子およびその製法に関する。さらに詳細には、輝度ムラ低減効果を有し且つ偏光分離性能に優れるグリッド偏光子およびその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射偏光特性を示す光学部材としてグリッド偏光子が知られている。これは、多数の線状金属（ワイヤ）を一定の周期で平行に配列したグリッド構造をもつ光学部材である。グリッドの周期が入射光の波長より短い金属製グリッド構造を形成すると、グリッド構造に対して平行な偏光成分は反射され、垂直な偏光成分は透過され、単一偏光を作りだす偏光子として機能する。このグリッド偏光子を、光通信ではアイソレーターの光部品として、液晶表示装置では光の利用率を高め輝度を向上させるための部品として、利用することが提案されている。
【０００３】
特許文献１には、（Ａ）モース硬度９以上の材料を高エネルギー線を用いて加工し、先端に幅６００ｎｍ以下の突起を形成してなる工具を作製し、（Ｂ）該工具を使用して金型部材上に、幅５０〜６００ｎｍ、ピッチ５０〜１，０００ｎｍ、高さ５０〜８００ｎｍの微細格子形状を形成し、（Ｃ）該金型部材の微細格子形状を透明樹脂成形体に転写し、（Ｄ）該微細格子形状が転写された透明樹脂成形体に導電性反射体を蒸着することを特徴とするグリッド偏光子の製造方法が記載されている。この製造方法によって、凸部頂面および側面に導電性反射体が成膜される。該膜は頂面から側面にかけて連結している。
【特許文献１】特開２００６−１７８７９号公報
【０００４】
特許文献２には、樹脂フィルムの表面に微細な凹凸形状を有し、前記凹凸形状における凸部の頂および凹部の底に、アルミニウム膜を有するグリッド偏光子が開示されている。特許文献２のグリッド偏光子では、凹部の底に形成される膜の厚さはほぼ均一である。
【特許文献２】特開２００６−３３０６１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のグリッド偏光子は、輝度ムラを低減する効果が全くないため、輝度ムラの無い偏光を得るためには、グリッド偏光子に輝度ムラの完全に無い均一な光を入射する必要がある。そのため、光源とグリッド偏光子との間に多数の光学部材を使用する必要があった。
本発明の目的は、輝度ムラ低減効果を有し且つ偏光分離性能に優れるグリッド偏光子およびその製法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記目的を達成するために鋭意検討した結果、板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、さらに前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａおよび／または前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを有するグリッド偏光子において、該吸光性層Ａおよび／または吸光性層Ｂの長手に直交する方向の垂直断面のピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきを持たせることによって、優れた輝度ムラ低減効果が発揮されることを見出し、そのグリッド偏光子を直視式液晶表示装置に用いると良好な画像品質が得られることを見出した。本発明はこの知見に基づいてさらに検討し、完成したものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下の態様を含む。
（１）  板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、さらに前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａを有し、
該吸光性層Ａの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ａのピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある、グリッド偏光子。
（２）  板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、さらに前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを有し、該吸光性層Ｂの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ｂのピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある、グリッド偏光子。
（３）  板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有し、
さらに前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａおよび前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを有し、
該吸光性層Ａおよび吸光性層Ｂの長手方向に対する垂直断面の前記吸光性層Ａおよび吸光性層Ｂのピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある、グリッド偏光子。
（４）（Ａ）細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並び、長手方向に対する垂直断面の凹形状のピッチ、幅、および深さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある、複数の溝状凹部を有する転写型または転写ロールを作成し、
（Ｂ）フィルム基材の表面に、前記転写型または前記転写ロールの溝状凹部の形状を転写して、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並び長手方向に対する垂直断面の凸形状のピッチ、幅、および高さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある畝状凸部を有する板状透明基材を得て、
（Ｃ）前記転写面に吸光性材料を蒸着して前記畝状凸部の頂に吸光性層Ａおよび／または前記畝状凸部間に形成される溝の底に吸光性層Ｂを形成することを特徴とする前記グリッド偏光子の製法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のグリッド偏光子は、短波長から長波長までの可視光線の範囲において、一方の偏光を一様に高い透過率で透過し、もう一方の偏光を一様に高い反射率で反射することができる。さらに、吸光性層の形状ばらつきによって光が適度に散乱し輝度ムラ低減効果を奏するので良好な画像品質が求められる直視式液晶表示装置にも用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明のグリッド偏光子は、板状の透明基材の少なくとも一方の表面に、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に並ぶ複数の畝状凸部を有するものである。
【００１０】
（透明基材）
本発明に用いられる透明基材は、透明樹脂、ガラスなどの透明な材料からなる板状のもの、好ましくは透明樹脂からなる板状のものである。該透明樹脂は、加工性の観点からガラス転移温度が６０〜２００℃であることが好ましく、１００〜１８０℃であることがより好ましい。なお、ガラス転移温度は示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
【００１１】
透明樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、脂環式オレフィンポリマーなどが挙げられる。これらのうち、透明性、低吸湿性、寸法安定性、加工性の観点から脂環式オレフィンポリマーが好適である。
脂環式オレフィンポリマーとしては、特開平０５−３１０８４５号公報に記載されている環状オレフィンランダム多元共重合体、特開平０５−９７９７８号公報に記載されている水素添加重合体、特開平１１−１２４４２９号公報（米国特許第６，５１１，７５６号公報）に記載されている熱可塑性ジシクロペンタジエン系開環重合体およびその水素添加物等が挙げられる。
【００１２】
本発明に用いる透明樹脂は、顔料や染料のごとき着色剤、蛍光増白剤、分散剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、耐電防止剤、酸化防止剤、滑剤、溶剤などの配合剤が適宜配合されたものであってもよい。
【００１３】
透明基材の平均厚さは、取り扱い性の観点から通常５μｍ〜１０ｍｍ、好ましくは２０〜５００μｍである。
透明基材は、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が８０％以上であるものが好ましい。
また、透明基材は、その波長５５０ｎｍで測定したレターデーションＲｅ（Ｒｅ＝ｄ×（ｎx−ｎy）で定義される値、ｎxおよびｎyは透明基材の面内主屈折率（ｎx≧ｎy）；ｄは透明基材の平均厚さである。）によって特に制限されない。
面内の任意２点のレターデーションＲｅの差（レターデーションむら）は、好ましくは１０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以下である。レターデーションむらが大きいと、液晶表示装置に用いた場合に表示面の明るさにバラツキが生じやすくなる。
【００１４】
本発明のグリッド偏光子を製造するにあたって、透明基材として長尺状のものが好ましく用いられる。長尺とは、幅に対し少なくとも５倍程度以上の長さを有するものを言い、好ましくは１０倍もしくはそれ以上の長さを有するものを言い、具体的にはロール状に巻回されて保管または運搬される程度の長さを有するものを言う。
長尺状の透明基材の幅は、好ましくは５００ｍｍ以上、より好ましくは１０００ｍｍ以上である。本発明のグリッド偏光子では、その製造工程の途中において、任意に、その幅方向の両端を切り落とす（トリミング）ことがある。この場合、前記透明基材の幅は、両端を切り落とした後の寸法とすることができる。
透明基材は、前記透明樹脂を公知の方法で成形し原板を得、この原板に下記の畝状凸部を形成することによって得られる。原板の成形法としては、キャスト成形法、押出成形法、インフレーション成形法などが挙げられる。
【００１５】
（畝状凸部）
本発明のグリッド偏光子は、前記透明基材の少なくとも一方の表面に畝状凸部を有する。
畝状凸部は、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に複数並んでいる。
前記畝状凸部の長手方向に対する垂直断面の凸形状は特に限定されないが、矩形、台形、菱形、波形、畝状凸部の頂から両袖にオーバーハングを有する形状（例えば、上辺（畝状凸部の頂部側の幅）が下辺（基部側の幅）よりも長い台形（いわゆる逆テーパー状）、基部側の幅よりも大きい直径（畝状凸部の頂部側の幅）の円が頂部に形成された断面形状のもの）などが挙げられる。これらのうち矩形または台形のものが好ましい。
本発明においては、畝状凸部の長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および高さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある。ここで「畝状凸部の長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および高さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある」とは、より具体的にいうと略平行に並んでいる隣り合う凸部のピッチ、幅、および高さの値のいずれかが異なるということである。
なお、本発明でいう凸部の「高さ」とは凸部の最大高さをいい、凸部の「幅」とは凸部の最大幅をいい、凸部のピッチとは凸部の頂点間の距離をいう。
【００１６】
本発明においては、この凸形状のピッチ、幅、および高さの値の「ばらつき」を標準偏差σと平均値ｘとの比（σ／ｘ）で表現する。なお、本発明における標準偏差は標本標準偏差のことを指す。本発明において好ましい畝状凸部の垂直断面の凸形状は、その高さの平均値ｘhが、好ましくは２０〜３００ｎｍの範囲内、より好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内にあり、高さの標準偏差σhの平均値ｘhに対しての比（σh／ｘh）が、０．０１〜０．２０の範囲内にある。
好ましい畝状凸部の垂直断面の凸形状は、その幅の平均値ｘwが、好ましくは３０〜２００ｎｍの範囲内、より好ましくは６０〜１５０ｎｍの範囲内にあり、幅の標準偏差σwの平均値ｘwに対しての比（σw／ｘw）が、０．０１〜０．２０の範囲内にある。
また、好ましい畝状凸部の垂直断面の凸形状は、略平行に並んでいる凸形状間の距離（ピッチ）の平均値ｘpが、好ましくは４０〜６００ｎｍの範囲内、より好ましくは８０〜４００ｎｍに範囲内にあり、凸形状間の距離（ピッチ）の標準偏差σpの平均値ｘpに対しての比（σp／ｘp）が、０．０１〜０．２０の範囲内にある。ここで凸形状間の距離は、凸形状の頂点間距離のことである。
【００１７】
なお、凸形状の高さ、幅、およびピッチを電子顕微鏡によって観察して、その観察像の寸法を測定して、それぞれの平均および標準偏差を求める。具体的には、フィルム面から無作為に９点を選択し、その部分を観察し、観察像の長さ１０μｍの範囲内にある凸形状の高さ、幅、およびピッチを測定し、それら９点の測定値から算出する。
【００１８】
畝状凸部の垂直断面の凸形状の高さ／幅比は、好ましくは０．３〜３．０、より好ましくは０．５〜２．０である。畝状凸部は細長く線状に延びており、その長さは好ましくは５００ｎｍ以上である。
なお、本発明において、略平行とは、平行方向から±５°の範囲内にあることをいう。
【００１９】
本発明のグリッド偏光子を作成するために用いられる透明基材は、細長く線状に延び互いに離間した状態で略平行に複数並び且つ長手方向に対する垂直断面の凹形状のピッチ、幅、および深さの値のいずれかにばらつきがある溝状凹部を有する転写型または転写ロールで、フィルム基材の表面に、前記溝状凹部の形状を転写することによって得られる。なお、転写ロールを用いると、長尺の樹脂フィルム表面に線状に延びた畝状凸部を連続的に転写することができる。
【００２０】
本発明のグリッド偏光子の製法に用いられる転写用の型又は転写ロールは、転写面に細長く線状に延びた溝状凹部を有するものである。転写用の型又は転写ロールは、例えば、モース硬度９以上の材料を高エネルギー線を用いて加工し、先端に巾６００ｎｍ以下の突起を形成してなる工具を作製し、該工具を用いて型部材又はロール部材の表面に、前記畝状凸部に対応するように溝状凹部間の距離、凹部の幅、および凹部の深さのサイズが調整された、略平行に並ぶ細長く線状に延びた溝状凹部を、切削加工する方法によって、得られる。
【００２１】
工具の先端に形成される突起の形状は特に制限されず、例えば、直線状突起の長手に垂直な面で切断した断面が、長方形、三角形、半円形、台形、又はこれらの形状を若干変形させたような形状などを挙げることができる。これらの中で断面が長方形のものが、吸光性層を容易に形成できるので好適である。工具の先端に形成される突起の算術平均粗さ（Ｒａ）は好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以下である。
【００２２】
工具に用いられるモース硬度９以上の材料としては、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、コランダムなどが挙げられる。これらの材料は単結晶又は焼結体であることが好ましい。加工精度と工具寿命の面で単結晶の材料が好ましく、硬度が高いので単結晶ダイヤモンド又は立方晶窒化ホウ素がより好ましく、単結晶ダイヤモンドが特に好ましい。焼結体としては、例えば、コバルト、スチール、タングステン、ニッケル、ブロンズなどを焼結材とするメタルボンド；長石、可溶性粘土、耐火粘土、フリットなどを焼結材とするビトリファイドボンドなどを挙げることができる。これらの中でダイヤモンドメタルボンドが好適である。
【００２３】
工具の作製に用いられる高エネルギー線としては、例えば、レーザービーム、イオンビーム、電子ビームなどが挙げられる。これらの中でイオンビームと電子ビームが好適である。イオンビームによる加工では材料の表面にフロン、塩素などの活性ガスを吹き付けながらイオンビームを照射する方法（イオンビーム援用化学加工という。）が好ましい。電子ビーム加工では、材料の表面に酸素ガスなどの活性ガスを吹き付けながら電子ビームを照射する方法（電子ビーム援用化学加工という。）が好ましい。これらビーム援用化学加工によって、エッチング速度を速め、スパッタされた物質の再付着を防ぎ、且つナノオーダーの高精度で微細加工を効率よく行うことができる。
【００２４】
前記で得られた工具の突起を、ロール部材の周面または型部材の主面に、圧しあて切削又は研削して、細長く線状に延びた溝状凹部を形成することができる。
型部材又はロール部材の切削又は研削は、精密微細加工機を用いて行うことが好ましい。精密微細加工機は、Ｘ、ＹおよびＺ軸の移動精度が、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下のものである。精密微細加工機は、好ましくは０．５Ｈｚ以上の振動の変位が５０μｍ以下に管理された室内、より好ましくは０．５Ｈｚ以上の振動の変位が１０μｍ以下に管理された室内に設置して、上記加工を行う。また、型部材又はロール部材の切削又は研削は、好ましくは温度が±０．５℃以内に管理された恒温室、より好ましくは±０．３℃以内に管理された恒温室で行う。
【００２５】
微細加工に用いられる型部材又はロール部材は特に制限はないが型部材又はロール部材の表面は適度な硬度のある材料で形成されていることが好ましく、例えば、電着又は無電解めっきにより形成された金属膜で形成される。金属膜を構成する材料としてはビッカース硬度が好ましくは４０〜３５０、より好ましくは２００〜３００の金属膜を得ることができるものがよく、具体的には、銅、ニッケル、ニッケル−リン合金、パラジウムなどが挙げられ、これらのうち、銅、ニッケル、ニッケル−リン合金が好ましい。
【００２６】
前記では、ロール部材または型部材に直接工具を圧し付けて、細長く線状に延びた溝状凹部を形成させているが、金型に細長く線状に延びた凸部を形成させ、その金型の上に電鋳などで金属版を作製し、金属版を金型から引き剥がし、その金属版をロール部材または型部材に貼り付ける方法で、転写ロールまたは転写型を作製してもよい。
【００２７】
上記の方法などで得られた転写型又は転写ロールを用いて樹脂フィルム表面に細長く線状に延びた畝状凸部を形成する。転写方法は特に限定されず、例えば、転写ロールとニップロールとで、樹脂フィルムを圧し挟み、転写ロール周面の細長く線状に延びた凹部形状を樹脂フィルムに転写する。転写ロールとニップロールによる挟み圧力は、好ましくは数ＭＰａ〜数十ＭＰａである。また転写時の温度は、樹脂フィルムを構成している透明樹脂のガラス転移温度をＴｇとすると、好ましくはＴｇ〜（Ｔｇ＋１００）℃である。樹脂フィルムと転写ロールとの接触時間は樹脂フィルムの送り速度、すなわちロール回転速度によって調整でき、好ましくは５〜６００秒間である。
【００２８】
樹脂フィルム表面に細長く線状に延びた畝状凸部を形成する別の方法としては、転写用型又は転写ロールに感光性透明樹脂を圧しあて、露光して、細長く線状に延びた畝状凸部を転写する方法が挙げられる。具体的には感光性透明樹脂溶液を流延して、溶媒を除去し、次いで前記転写ロールを圧しあてると同時に光を照射して、感光性透明樹脂を硬化させて、細長く線状に延びた畝状凸部を形成する方法である。
【００２９】
（吸光性層）
本発明のグリッド偏光子には、吸光性層Ａおよび／または吸光性層Ｂを有する。吸光性層Ａは前記畝状凸部の頂に在る。吸光性層Ｂは前記畝状凸部間に形成される溝の底に在る（図１、図２参照）。
【００３０】
該吸光性層Ａは、その長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある。ここで「吸光性層Ａの長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある」は、略平行に並んでいる隣り合う吸光性層Ａのピッチ、幅、および厚さのいずれかの値が異なるということである。
吸光性層Ａの断面形状は特に制限されず、通常は矩形、台形、円形などである。なお、本発明では、吸光性層Ａの「厚さ」とは吸光性層Ａの最大厚さをいい、吸光性層Ａの「幅」とは吸光性層Ａの最大幅をいい、吸光性層Ａのピッチとは吸光性層Ａの中心点間の距離をいう。本発明においては、この吸光性層Ａの断面形状のサイズ分布を標準偏差σと平均値ｘとの比（σ／ｘ）で表現する。
【００３１】
吸光性層Ａは、その厚さの平均値ｘhAが、通常２０〜３００ｎｍの範囲内、好ましくは  ５０〜２００ｎｍの範囲内にあり、厚さの標準偏差σhAの平均値ｘhAに対しての比（σhA／ｘhA）が、０．０１〜０．１５の範囲内にある。
略平行に並んでいる吸光性層Ａ間の距離ならびに吸光性層Ａの幅および長さは、通常、畝状凸部の頂面の形状にしたがってほぼ決まる。すなわち、吸光性層Ａは、略平行に並んでいる吸光性層Ａ間の距離（ピッチ）の平均値ｘpAが、好ましくは４０〜６００ｎｍの範囲内、より好ましくは８０〜４００ｎｍの範囲内にあり、吸光性層Ａ間の距離（ピッチ）の標準偏差σpAの平均値ｘpAに対しての比（σpA／ｘpA）が、０．０１〜０．２０の範囲内にある。
また吸光性層Ａは、その幅の平均値ｘwAが、好ましくは３０〜２００ｎｍの範囲内、より好ましくは６０〜１５０ｎｍの範囲内にあり、幅の標準偏差σwAの平均値ｘwAに対しての比（σwA／ｘwA）が、０．０１〜０．２０の範囲内にあり、その長さが、好ましくは５００ｎｍ以上である。
【００３２】
該吸光性層Ｂは、その長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および厚さの値のうち、少なくとも１つにばらつきがある。ここで「吸光性層Ｂの長手方向に対する垂直断面のピッチ、幅、および厚さの値のうち少なくとも１つにばらつきがある」は、略平行に並んでいる隣り合う吸光性層Ｂのピッチ、幅、および厚さの値のいずれかが異なるということである。
なお、本発明では、吸光性層Ｂの「厚さ」とは吸光性層Ｂの最大厚さをいい、吸光性層Ｂの「幅」とは吸光性層Ｂの最大幅をいう。吸光性層Ｂのピッチとは吸光性層Ｂの中心点間の距離をいう。
吸光性層Ｂの好ましい断面形状は、中央に高く両側に低くなる形、すなわち、山形である（図２参照）。吸光性層Ｂの山形のサイズは、Ｈ2／Ｈ1（Ｈ1：畝状凸部の長手方向に垂直な断面における吸光性層Ｂの最大厚さ、Ｈ2：畝状凸部の長手方向に垂直な断面における吸光性層Ｂの両端部の最小厚さ）が好ましくは０．６以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．２以下である。Ｈ2／Ｈ1を前記範囲にすることにより、得られるグリッド偏光子の光学特性、特に広帯域性および偏光分離能を向上させることができる。
【００３３】
吸光性層Ｂは、その厚さの平均値ｘhBが、通常２０〜２００ｎｍの範囲内、好ましくは  ４０〜１００ｎｍの範囲内にあり、吸光性層Ｂの最大厚さの標準偏差σhBの平均値ｘhBに対しての比（σhB／ｘhB）が、０．０１〜０．１５の範囲内にある。なお、吸光性層Ｂの厚さは、最大厚さのことである。
略平行に並んでいる吸光性層Ｂ間の距離ならびに吸光性層Ｂの幅および長さは、通常、溝の底面の形状にしたがってほぼ決まる。すなわち、吸光性層Ｂは、略平行に並んでいる吸光性層Ｂ間の距離（ピッチ）の平均値ｘpBが、好ましくは４０〜６００ｎｍの範囲内、より好ましくは８０〜４００ｎｍの範囲内にあり、吸光性層Ｂ間の距離（ピッチ）の標準偏差σpBの平均値ｘpBに対しての比（σpB／ｘpB）が、０．０１〜０．２０の範囲内にある。
また吸光性層Ｂは、その幅の平均値ｘwBが、好ましくは３０〜２００ｎｍの範囲内、より好ましくは６０〜１５０ｎｍの範囲内にあり、幅の標準偏差σwBの平均値ｘwBに対しての比（σwB／ｘwB）が、０．０１〜０．２０の範囲内にあり、その長さが、好ましくは５００ｎｍ以上である。
【００３４】
なお、吸光性層の厚さ、幅、およびピッチを電子顕微鏡によって観察して、その観察像の寸法を測定して、それぞれの平均および標準偏差を求める。具体的には、フィルム面から無作為に９点選択し、その部分を観察し、観察像の長さ１０μｍの範囲内にある吸光性層の厚さ、幅、およびピッチを測定し、それら９点の測定値から算出する。
【００３５】
吸光性層ＡおよびＢは、吸光性材料を物理蒸着（ＰＶＤ法）することによって形成することができる。
吸光性材料としては、導電性のものが好ましく、具体的には、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、ロジウム、スズ等の金属が挙げられる。
【００３６】
ＰＶＤ法は、蒸着材料を蒸発・イオン化し、被膜を形成させる方法である。具体的には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング（イオンめっき）法、イオンビームデポジション法等の中から適宜選択することができる。これらのうち真空蒸着法が好適である。
真空蒸着法は、真空にした容器の中で、蒸着材料を加熱し気化もしくは昇華して、離れた位置に置かれた基板の表面に付着させ、薄膜を形成する方法である。蒸着材料、基板の種類により、抵抗加熱、電子ビーム、高周波誘導、レーザーなどの方法で加熱される。
【００３７】
前記凹凸構造の上にＰＶＤ法による製膜を行った場合、凸部頂面に吸光性層Ａが形成される。凸部の間の溝底面に吸光性層Ｂが形成される。凸部がオーバーハング状になっているとその遮蔽効果により、溝の凸部側面に近い側（畝状凸部の基部）の底には吸光性材料がほとんど堆積せず、溝中央の底に吸光性材料が主に堆積し、前述のような山形の吸光性層Ｂが得られる。
【００３８】
ＰＶＤ法によって形成された吸光性層Ａは、凸部頂部の幅よりも広い幅になることがある。吸光性層Ａの幅は狭い方が好ましいので、たとえば、湿式エッチングすることによって吸光性層Ａの幅を細くすることができる。
【００３９】
湿式エッチングはエッチング液で行われる。エッチング液は、透明基材を腐食等させずに吸光性層の一部を除去できる液であれば良く、マスク層（無機酸化物膜）、吸光性層、透明基材の材質に応じて適宜選択される。湿式エッチング液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属化合物を含有する溶液；硫酸、燐酸、硝酸、酢酸、フッ化水素、塩酸などを含有する溶液；過硫酸アンモニウム、過酸化水素、フッ化アンモニウム等やそれらの混合液からなる溶液などが挙げられる。また、湿式エッチング液には界面活性剤などの添加物が添加されていても良い。
【００４０】
このエッチングによって、凸部の頂部に積層された吸光性層Ａの両袖部分、溝の底面に積層された吸光性層Ｂの両端が除去される。その結果として、凸部頂部に畝状凸部の幅と同程度の幅の吸光性層Ａが除去されずに残る。溝の底面の中央に吸光性層Ｂが除去されずに残る。以上のようにして本発明のグリッド偏光子が得られる。
【００４１】
本発明のグリッド偏光子には、吸光性層を形成した側の面に直接または他の層を介して保護層を積層させてもよい。
保護層は、その材質によって特に制限されないが、透明材料からなるものが好ましい。透明材料としては、ガラス、無機酸化物、無機窒化物、多孔質物質、透明樹脂などが挙げられる。これらのうち、特に透明樹脂からなるものが好ましい。透明樹脂は、前述の透明基材を構成するものとして示したものから適宜選択して用いることができる。
保護層の平均厚さは、取り扱い性の観点から通常５μｍ〜１ｍｍ、好ましくは２０〜２００μｍである。保護層は、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が８０％以上であるものが好ましい。
【００４２】
また、保護層は、その波長５５０ｎｍで測定したレターデーションＲｅ（Ｒｅ＝ｄ×（ｎx−ｎy）で定義される値、ｎxおよびｎyは保護層の面内主屈折率（ｎx≧ｎy）；ｄは保護層の平均厚さである。）によって特に制限されない。面内の任意２点のレターデーションＲｅの差（レターデーションむら）は、好ましくは１０ｎｍ以下であり、より好ましくは５ｎｍ以下である。レターデーションむらが大きいと、液晶表示装置に用いた場合に表示面の明るさにバラツキが生じやすくなる。
【００４３】
保護層を積層させるために接着剤（粘着剤を含む）を用いることができる。畝状凸部頂面と保護層との間に介在する接着剤からなる層（接着層）の平均厚さは、通常０．０１μｍ〜３０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜１５μｍである。
この接着剤としては、アクリル接着剤、ウレタン接着剤、ポリエステル接着剤、ポリビニルアルコール接着剤、ポリオレフィン接着剤、変性ポリオレフィン接着剤、ポリビニルアルキルエーテル接着剤、ゴム接着剤、塩化ビニル・酢酸ビニル接着剤、スチレン・ブタジエン・スチレン共重合体（ＳＢＳ共重合体）接着剤、その水素添加物（ＳＥＢＳ共重合体）接着剤、エチレン・酢酸ビニル共重合体およびエチレン−スチレン共重合体などのエチレン接着剤、および、エチレン・メタクリル酸メチル共重合体、エチレン・アクリル酸メチル共重合体、エチレン・メタクリル酸エチル共重合体、およびエチレン・アクリル酸エチル共重合体などのアクリル酸エステル接着剤などを挙げることができる。
【００４４】
本発明のグリッド偏光子は、直交する直線偏光のうちの一方を透過し、他方を反射する性質を持つ。このような直線偏光を透過光と反射光に分離する性質を利用して、液晶表示装置の輝度向上用の素子として本発明のグリッド偏光子をそのまま、または他の光学素子（偏光子、位相差板など）と組み合わせ積層して用いることができる。
【実施例】
【００４５】
以下に実施例、比較例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】
〔光源装置の輝度ムラ測定〕
導光板の側面に、直径３ｍｍの冷陰極管を配置し、銀蒸着ポリエステルフィルムからなる光源ホルダにより冷陰極管を包囲し、導光板の下面に銀蒸着ポリエステルフィルムからなる反射シートを配置してなるサイドライト型面光源装置を用意した。
次いで、このサイドライト型面光源装置の上に光拡散シート２枚及びグリッド偏光子をこの順で積層して偏光光源装置を得た。該偏光光源装置の輝度を、輝度計（ＢＭ−７、トプコン製）を用いて、相互に３０ｍｍ以上離れた無作為に抽出した９つの測定点について測定し、該輝度測定値の最小値と最大値との差を輝度ムラとした。
【００４７】
〔輝度向上率測定〕
前記サイドライト型面光源装置の上に光拡散シートおよび吸収型偏光板をこの順に載置し、さらに透過型のＴＮ液晶パネルを載せ、その上に別の吸収型偏光板を（偏光透過軸が前記吸収型偏光板のものと直交するように）載せて、液晶表示装置Ａを得た。
該液晶表示装置Ａを白表示にし、輝度計（ＢＭ−７、トプコン製）を用いて正面輝度（Ａ）を測定した。
前記偏光光源装置の上に、吸収型偏光板をその偏光透過軸がグリッド偏光子の偏光透過軸と平行になるように載置し、さらに透過型のＴＮ液晶パネルを載せ、その上に別の吸収型偏光板を（偏光透過軸が前記吸収型偏光板のものと直交するように）載せて、液晶表示装置Ｂを得た。得られた液晶表示装置Ｂを白表示にし、輝度計（ＢＭ−７、トプコン製）を用いて正面輝度（Ｂ）を測定した。輝度向上率を以下の式を用いて求めた。
（輝度向上率）＝Ｂ／Ａ×１００  （％）
【００４８】
実施例１
８ｍｍ×８ｍｍ×６０ｍｍのＳＵＳ製シャンクにろう付けされた寸法０．２ｍｍ×１ｍｍ×１ｍｍの直方体単結晶ダイヤモンドの０．２ｍｍ×１ｍｍの全面に、集束イオンビーム加工装置ＳＭＩ３０５０（セイコーインスツルメンツ社製）を用いてアルゴンイオンビームを用いた集束イオンビーム加工を行い、長さ０．２ｍｍの辺に平行な凸条（ピッチの平均値（ｘpC）２２０ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpC）４．０９２ｎｍ（ピッチの変動係数：σpC／ｘpC＝０．０１９）、幅の平均値（ｘwC）１１０ｎｍ、幅の標準偏差（σwC）２．１０７ｎｍ（幅の変動係数：σwC／ｘwC＝０．０１９）、高さの平均値（ｘhC）７０ｎｍ、および高さの標準偏差（σhC）１２．５２１ｎｍ（高さの変動係数：σhC／ｘhC＝０．１７９）の断面矩形）を形成し、切削工具を作製した。
【００４９】
直径２００ｍｍで長さ１５０ｍｍの円筒形状ステンレス鋼ＳＵＳ４３０の曲面全面に、厚さ１００μｍのニッケル−リン無電解メッキを施した。先に作製した切削工具を取り付けた精密円筒研削盤Ｓ３０−１（スチューダ社製）を用いて、ニッケル−リン無電解メッキ面に、円筒の円周端面と平行な方向に切削加工して転写ロールを得た。なお、集束イオンビーム加工による切削工具の作製と、ニッケル−リン無電解メッキ面の切削加工は、温度２０．０±０．２℃、振動制御システム（昭和サイエンス社製）により０．５Ｈｚ以上の振動の変位が１０μｍ以下に管理された恒温低振動室内で行った。
【００５０】
直径７０ｍｍのゴム製ロールからなるニップロール及び上記転写ロールを使用した転写装置を用意した。転写ロールの表面温度１６０℃、ニップロールの表面温度１００℃、フィルムの搬送テンションを０．１ｋｇｆ／ｍｍ2、ニップ圧が０．５ｋｇｆ／ｍｍの条件で厚さ１００μｍのシクロオレフィンポリマーフィルム（ＺＦ−１４、オプテス社製）表面上に転写ロール表面の形状を転写し、ロール状に巻き取った。
【００５１】
長尺フィルム面に形成された畝状凸部の寸法を、透過電子顕微鏡Ｈ−７５００（日立製作所社製）による観察で求めた。観察用試料は、集束イオンビーム加工観察装置ＦＢ−２１００（日立製作所社製）のマイクロサンプリング装置で作製した。該長尺フィルムは、畝状凸部のピッチの平均値（ｘp）が２２０．１ｎｍ、ピッチの標準偏差（σp）が４．０８６ｎｍ（ピッチの変動係数：σp／ｘp＝０．０１９）；畝状凸部の幅の平均値（ｘw）が１０９．８ｎｍ、幅の標準偏差（σw）が２．１０７ｎｍ（幅の変動係数：σw／ｘw＝０．０１９）；畝状凸部の高さの平均値（ｘh）が７０ｎｍ、および高さの標準偏差（σh）が１２．６７４ｎｍ（高さの変動係数：σh／ｘh＝０．１８１）の断面矩形の畝状凸部が長手方向に平行に形成されていた。
【００５２】
該フィルムの畝状凸部形成面に、アルゴンガス存在下にて出力４００Ｗの条件でＳｉＯ2をフィルムの法線方向から７０度傾き且つ畝状凸部の長手に対して直角になる方向からスパッタリングし、次いで、法線方向から逆に７０度傾き且つ畝状凸部の長手に対して直角になる方向からアルゴンガス存在下にて出力４００Ｗの条件でＳｉＯ2をスパッタリングしてＳｉＯ2膜を形成した。アルミニウムをフィルムの法線方向から真空蒸着してアルミニウム膜を形成した。
次いで、硝酸５．２重量％、リン酸７３．０重量％、酢酸３．４重量％、及び残部が水からなる組成（酸成分相当濃度：８１．６重量％）で、温度３３℃のエッチング液に、上記のアルミニウム膜を形成したフィルムを３０秒間浸漬し、次いで水で洗浄し、１２０℃で５分間乾燥し、ロール状に巻き取り、長尺のグリッド偏光子１を作製した。
【００５３】
長尺のグリッド偏光子１のアルミニウム膜（吸光性層）の寸法を、透過電子顕微鏡Ｈ−７５００（日立製作所社製）による観察で求めた。観察用の試料は集束イオンビーム加工観察装置ＦＢ−２１００（日立製作所社製）のマイクロサンプリング装置で作製した。グリッド偏光子１は、凸部の頂に形成されたアルミニウム（吸光性層Ａ）のピッチの平均値（ｘpA）が２１９．５ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpA）が４．００１ｎｍ、ピッチの変動係数（σpA／ｘpA）が０．０１８、幅の平均値（ｘwA）が１０９．４ｎｍ、幅の標準偏差（σwA）が２．１３０ｎｍ、幅の変動係数（σwA／ｘwA）が０．０１９、厚さの平均値（ｘhA）が７２．９ｎｍ、厚さの標準偏差（σhA）が９．４５０ｎｍ、および厚さの変動係数（σhA／ｘhA）が０．１３０であり；畝状凸部間の溝の底に形成されたアルミニウム（吸光性層Ｂ）のピッチの平均値（ｘpB）が２１８．７ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpB）が３．９８８ｎｍ、ピッチの変動係数（σpB／ｘpB）が０．０１８、幅の平均値（ｘwB）が１０２．７ｎｍ、幅の標準偏差（σwB）が２．０００ｎｍ、幅の変動係数（σwB／ｘwB）が０．０１９、厚さの平均値（ｘhB）が５３．５ｎｍ、厚さの標準偏差（σhB）が７．４５２ｎｍ、および厚さの変動係数（σhB／ｘhB）が０．１３９であった。底に形成されたアルミニウム膜は両端部の膜厚が中心部の膜厚より薄い山形構造であった。
【００５４】
トリアセチルセルロースからなる保護フィルムをウレタン系接着剤を介して、前記長尺グリッド偏光子のアルミニウム膜側に積層し、この積層体を加圧ローラーのニップに供給し圧着して貼り合せ、さらにロール状に巻き取ることにより、保護層付きの長尺のグリッド偏光子を得た。得られた保護層付きの長尺のグリッド偏光子の透過軸は、フィルムの幅方向と略平行であった。
【００５５】
得られた長尺状のグリッド偏光子１を所定のサイズに切り取り、グリッド偏光子１を使用した偏光光源装置および液晶表示装置を作製した。それらの評価結果を表１に示す。グリッド偏光子１を備えた偏光光源装置は輝度ムラが低減されており、液晶表示装置は良好な輝度向上率を示すことが確認された。
【００５６】
実施例２
実施例１の転写によって製造された、表面に畝状凸部が形成された長尺フィルムを、１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに切り出し、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフロロオクチルトリエトキシシランの蒸気に１０分間さらし、次いで６０℃、７０％ＲＨの条件下にて１０分間放置した。該フィルムの畝状凸部形成面に、アルミニウムをフィルムの法線方向から真空蒸着しアルミニウム膜を形成した。粘着テープ（住友３Ｍ社製）をアルミニウム膜形成面に貼り付け、畝状凸部の頂に形成されたアルミニウム膜を該粘着テープの剥離によって剥がし取ってグリッド偏光子２を得た。
グリッド偏光子２は、畝状凸部間の溝の底にアルミニウム膜（吸光性層Ｂ）が形成されていた。実施例１と同様にして寸法を求めた結果、吸光性層Ｂのピッチの平均値（ｘpB）が２１９．７ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpB）が３．９９８ｎｍ、ピッチの変動係数（σpB／ｘpB）が０．０１８、幅の平均値（ｘwB）が１０４．４ｎｍ、幅の標準偏差（σwB）が１．９８７ｎｍ、幅の変動係数（σwB／ｘwB）が０．０１９、厚さの平均値（ｘhB）が６４．６ｎｍ、厚さの標準偏差（σhB）が６．７５４ｎｍ、および厚さの変動係数（σhB／ｘhB）が０．１０５であった。
グリッド偏光子２を使用した偏光光源装置および液晶表示装置を作製した。これら装置の評価結果を表１に示す。このグリッド偏光子２を備えた偏光光源装置は輝度ムラが低減されており、液晶表示装置は良好な輝度向上率を示した。
【００５７】
実施例３
８ｍｍ×８ｍｍ×６０ｍｍのＳＵＳ製シャンクにろう付けされた寸法０．２ｍｍ×１ｍｍ×１ｍｍの直方体単結晶ダイヤモンドの０．２ｍｍ×１ｍｍの全面に、集束イオンビーム加工装置ＳＭＩ３０５０（セイコーインスツルメンツ社製）を用いてアルゴンイオンビームを用いた集束イオンビーム加工を行い、長さ０．２ｍｍの辺に平行な凸条（ピッチの平均値（ｘpC）１８０ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpC）２５．５７６ｎｍ（ピッチの変動係数：σpC／ｘpC＝０．１４２）、幅の平均値（ｘwC）９０ｎｍ、幅の標準偏差（σwC）１３．５７９ｎｍ（幅の変動係数：σwC／ｘwC＝０．１５１）、高さの平均値（ｘhC）２００ｎｍ、および高さの標準偏差（σhC）３．７９４ｎｍ（高さの変動係数：σhC／ｘhC＝０．０１９）の断面矩形）を形成し、切削工具を作製した。
【００５８】
寸法５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍのステンレス鋼ＳＵＳ４３０の表面に、厚さ１００μｍのニッケル−リン無電解メッキを施した。精密微細加工機（ナガセインテグレックス社製、超精密微細加工機ＮＩＣ２００）と上記の切削工具を用いて、ニッケル−リン無電解メッキ面に、切削加工することにより金属モールドを得た。なお、集束イオンビーム加工による切削工具の作製と、ニッケル−リン無電解メッキ面の切削加工は、温度２０．０±０．２℃、振動制御システム（昭和サイエンス社製）により０．５Ｈｚ以上の振動の変位が１０μｍ以下に管理された恒温低振動室内で行った。
【００５９】
イソボルニルアクリレート８６．６重量部、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート９．６重量部および光重合開始剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー１８４）３．８重量部からなる塗布液を、コロナ放電による表面処理を施した厚さ１００μｍのシクロオレフィンポリマーフィルム（ＺＦ−１４、オプテス社製）面に５μｍの厚さで塗布し、該塗布面に前記金属モールドのパターン形成面が接触するようにフィルムを積層し、フィルム側から紫外線を照射した。フィルムを金属モールドから剥離した。フィルム表面に金属モールドのパターン形状が転写されていた。
実施例１と同様にして寸法を求めた結果、畝状凸部のピッチの平均値（ｘp）が１８０．１ｎｍ、ピッチの標準偏差（σp）が２５．５６４ｎｍ（ピッチの変動係数：σp／ｘp＝０．１４２）、幅の平均値（ｘw）が９０．２ｎｍ、幅の標準偏差（σw）が１３．５５２ｎｍ（幅の変動係数：σw／ｘw＝０．１５０）、高さの平均値（ｘh）が１９９．７ｎｍ、および高さの標準偏差（σh）が３．７９０ｎｍ（高さの変動係数：σh／ｘh＝０．０１９）の断面矩形の畝状凸部が形成されていた。
【００６０】
次いで、フィルムの畝状凸部形成面に、法線方向からの真空蒸着によりアルミニウムを成膜し、実施例１で使用したのと同じエッチング液に、該フィルムを３０秒間浸漬し、次いで水洗し、１２０℃で５分間乾燥してグリッド偏光子３を得た。
グリッド偏光子３は、畝状凸部の頂にアルミニウム（吸光性層Ａ）が形成されていた。実施例１と同様にして寸法を求めた結果、吸光性層Ａのピッチの平均値（ｘpA）が１８０．６ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpA）が２５．７６９ｎｍ、ピッチの変動係数（σpA／ｘpA）が０．１４３、幅の平均値（ｘwA）が８９．８ｎｍ、幅の標準偏差（σwA）が１６．２７５ｎｍ、幅の変動係数（σwA／ｘwA）が０．１８１、厚さの平均値（ｘhA）が２００．１ｎｍ、厚さの標準偏差（σhA）が３．６０２ｎｍ、および厚さの変動係数（σhA／ｘhA）が０．０１８であった。
【００６１】
グリッド偏光子３を使用した偏光光源装置および液晶表示装置を作製した。これら装置の評価結果を表１に示す。このグリッド偏光子３を備えた偏光光源装置は輝度ムラが低減されており、液晶表示装置は良好な輝度向上率を示した。
【００６２】
比較例
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５ｍｍのガラス平板上に法線方向からの真空蒸着によりアルミニウムを厚さ２００ｎｍに成膜した。電子線描画用感光性材料ＺＥＰ５２０（日本ゼオン社製、ポジ型フォトレジスト）をスピンコーターにて塗布した。電子線描画装置にて、フォトレジスト面中央部の１２ｍｍ×１２ｍｍの領域に、ピッチ１８０ｎｍ、幅９０ｎｍの平行線を描画した。この描画されたフォトレジストを現像液（日本ゼオン社製）に約３分間漬けて現像した。そして、これを洗浄し、窒素ブロアーにて乾燥して、一次元格子状フォトレジストパターンを形成した。得られた一次元格子状フォトレジストパターン上にＣｒ薄膜を電子線蒸着した。アセトン中で超音波洗浄を行って、フォトレジストの除去と同時にフォトレジスト上のＣｒ薄膜を剥離し、一次元格子状フォトレジストパターンのネガパターンに相当する一次元格子状Ｃｒ薄膜パターンを形成した。アルミニウム表面上に形成したＣｒ薄膜パターン領域をドライエッチングし、さらに酸洗浄してＣｒ薄膜を除去することにより、ガラス基板上にアルミニウムワイヤグリッドが形成されたグリッド偏光子４を得た（図３参照）。
【００６３】
グリッド偏光子４を、実施例１と同様に観察し寸法を求めた。その結果、アルミニウムワイヤグリッドのピッチの平均値（ＸpG）が１８０．１ｎｍ、ピッチの標準偏差（σpG）が１．３７０ｎｍ、ピッチの変動係数（σpG／ＸpG）が０．００８、幅の平均値（ＸwG）が９０．１ｎｍ、幅の標準偏差（σwG）が０．７３８ｎｍ、幅の変動係数（σwG／ＸwG）が０．００８、厚さの平均値（ＸhG）が２００．１ｎｍ、厚さの標準偏差（σhG）が１．５９５ｎｍ、および厚さの変動係数（σhG／ＸhG）が０．００８の断面矩形であった。
【００６４】
グリッド偏光子４を使用した偏光光源装置および液晶表示装置を作製した。これら装置の評価結果を表１に示す。輝度向上率は本発明のものと同等であるが、偏光光源装置において顕著な輝度ムラが見られた。
【００６５】
【表１】
0005067071.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のグリッド偏光子の断面形状の一例を示す概念図である。
【図２】本発明のグリッド偏光子の断面形状の別の例を示す概念図である。
【図３】比較例のグリッド偏光子の断面形状を示す概念図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０、２０、３０：透明基材
１１、２１：吸光性層Ｂ
１２、２２：吸光性層Ａ
３２：吸光性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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