(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを条件付けするように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターニング付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニング付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
はりを介してリソグラフィ装置の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータと、
を備え、
前記はりが、当該はり中の振動を減衰させるように構成され且つ板バネおよび該板バネに接続された弾性材料からなるダンパを介して前記はりに取り付けられた質量を備える振動ダンパを含み、
前記弾性材料が、前記板バネの２つの鋼板の間に挟まれている、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記一部が、前記サポートまたは前記基板テーブルである、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記アクチュエータが、前記はりを介して前記一部に力を加えるように構成されたリニアモータを備える、
請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記弾性材料が、Ｖｉｔｏｎ（登録商標）を備える、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記振動ダンパが、前記質量を少なくとも２つ備える、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記少なくとも２つの質量は、一方の質量および他方の質量の両方が前記はりと同位相で動く振動モード、前記一方の質量が前記はりと同位相で動き且つ前記他方の質量が前記はりと逆位相で動く振動モード、および、前記一方の質量および前記他方の質量の両方が前記はりと逆位相で動く振動モードを有する、
請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
放射感応性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を基板テーブル上に供給するステップと、
パターニングデバイスをサポート上に供給するステップと、
パターニング付き放射ビームを放射感応性材料の前記層の上へ投影するステップと、
はりを介してアクチュエータを用いて前記基板テーブル、前記サポートまたは両方に力を加えるステップと、
前記はり中の振動を減衰させるように構成され且つ板バネおよび該板バネに接続された弾性材料からなるダンパを介して前記はりに取り付けられた質量を備える振動ダンパを用いて前記はりの振動を実質的に抑制するステップと、
を含み、
前記弾性材料を、前記板バネの２つの鋼板の間に挟んで用いる、
デバイス製造方法。
【請求項８】
前記基板上の感応性材料の前記層を現像するステップと、
前記現像された基板からデバイスを製造するステップと、
を含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記振動ダンパとして、前記質量を少なくとも２つ備えるものを用いる、
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの質量を、一方の質量および他方の質量の両方が前記はりと同位相で動く振動モード、前記一方の質量が前記はりと同位相で動き且つ前記他方の質量が前記はりと逆位相で動く振動モード、および、前記一方の質量および前記他方の質量の両方が前記はりと逆位相で動く振動モードのうちのいずれかの振動モードで振動させる、
請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲットに付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合には、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層へ像を形成することによっている。一般に、単一基板は、連続してパターニングされた網の目のような一面の隣り合うターゲット部分を含む。従来のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナがあり、ステッパでは、ターゲット部分にパターン全体を一度に露光することによって各ターゲット部分に光が当てられ、スキャナでは、放射ビームによってパターンを所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながら同時にその方向に対して平行または逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分に光が当てられる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置内の特定の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータを備えることがある。例えば、位置決めシステムは、パターニングデバイスを保持するように構成されたサポートを位置決めするためにアクチュエータを備えることがあり、および／または、基板を保持するように構成された基板テーブルを位置決めするために使用されることがある。位置決めシステムは、伸長構造、例えば、アクチュエータの力をサポートおよび／または物体テーブルに伝えるように構成された、いわゆるはり（ビーム）を備えることがある。伸長構造は、振動に敏感であり、位置決めシステムの誤りおよび／または駆動装置のある特定の部分が故障する可能性があるという危険をもたらすことがある。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置の一部を位置決めするための位置決めシステムを改善することが望ましい。本発明の一実施形態によれば、放射ビームを条件付けするように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニング付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニング付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、伸長構造を介してリソグラフィ装置の一部に力を加えるように構成されたアクチュエータとを含むリソグラフィ装置が提供され、伸長構造は、その伸長構造中の振動を減衰させるように構成された振動ダンパを備えている。
【０００５】
[0005]  本発明のさらなる態様によればデバイス製造方法が提供され、本方法は、放射感応性材料の層で少なくとも部分的に覆われた基板を基板テーブル上に供給するステップと、パターニングデバイスをサポート上に供給するステップと、パターニング付き放射ビームを放射感応性材料の層の上へ投影するステップと、伸長構造を介してアクチュエータを用いて基板テーブルおよび／またはサポートに力を加えるステップと、振動ダンパを用いて伸長構造内の振動を実質的に抑制するステップとを含む。本方法は、基板上の感応性材料の層を現像するステップと、現像された基板からデバイスを製造するステップとをさらに含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
[0006]  これから本発明の実施形態が、添付の模式的な図面を参照して、ただ例として説明され、図面では、対応する参照符号は対応する部分を示している。
【０００７】
【図１】[0007]本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0008]本発明の実施形態に従ったＨ駆動モータを示す平面図である。
【図３】[0009]Ｘビームの振動によって生じることがあるＺ方向の変位を示す図である。
【図４】[0010]本発明の実施形態に従った振動ダンパを示す模式図である。
【図５】[0011]図４の振動ダンパの減衰を示す図である。
【図６】[0012]本発明の実施形態に従った質量ダンパを示す図である。
【図７】[0013]本発明の実施形態に従った振動ダンパを備えるＸビームを示す図である。
【図８】[0014]Ｘビームが本発明の実施形態に従った振動ダンパを備えた後のＺ方向の変位を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0015]  図１は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を条件付けするように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを含む。本装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴすなわち「基板サポート」を含む。本装置は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のチップを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【０００９】
[0016]  照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型または他の型の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々な型の光学コンポーネントを含むことがある。
【００１０】
[0017]  パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件に依存したやり方で、パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械技術、真空技術、静電技術または他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは、必要に応じて固定されてもよく、または可動であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
【００１１】
[0018]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作るためにパターンを放射ビームの断面に与えるように使用することができる任意のデバイスを意味するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分の所望のパターンに必ずしも対応していないことに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１２】
[0019]  パターニングデバイスは透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、および、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られており、マスクには、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトのようなマスクの型、ならびに様々なハイブリッドマスクの型がある。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、この小さなミラーの各々は、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができる。傾いたミラーが、ミラーマトリックスで反射された放射ビームにパターンを与える。
【００１３】
[0020]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射または、液浸液の使用または真空の使用のような他の要素に適切であるような、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型および静電型の光学システム、またはこれらの任意の組合せを含めて投影システムの任意の型を含むものとして広く解釈されるべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００１４】
[0021]  ここで示すように、本装置は透過型である（例えば、透過マスクを使用する）。あるいは、本装置は反射型であってもよい（例えば、上で言及したような型のプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）。
【００１５】
[0022]  リソグラフィ装置は、２個（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブルすなわち「基板サポート」（および／または２個またはそれ以上のマスクテーブルすなわち「マスクサポート」）を備える型であってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルすなわちサポートは並列に使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルすなわちサポートが露光に使用されている間に、１つまたは複数の他のテーブすなわちサポートで準備ステップを行うことができる。
【００１６】
[0023]  リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板の間のスペースを満たすように比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部が覆われることがある型のものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間にも利用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を高めるために使用することができる。本明細書で使用されるような「液浸」という用語は、基板などの構造物が液体中に沈められなければならないことを意味するのではなく、それどころか、露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するだけである。
【００１７】
[0024]  図１を参照して、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザであるとき、別個の実体であってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の部分を形成しているとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含んだビームデリバリシステムＢＤを使用して、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合には、例えば放射源がすい便ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体化部分であることがある。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要な場合にはビームデリバリシステムＢＤと一緒にして、放射システムと呼ばれることがある。
【００１８】
[0025]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、σ−outerおよびσ−innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の均一性および強度分布を持つように放射ビームを条件付けすることができる。
【００１９】
[0026]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、この投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば放射ビームＢの経路中に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび他の位置センサ（図１に明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」の移動は、第２ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナに対して）の場合には、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストローク用アクチュエータだけに接続されてもよく、または、固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めるが、これらの専用ターゲット部分は、ターゲット部分とターゲット部分の間のスペースに位置付けすることができる（これらの専用ターゲット部分は、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、２つ以上のチップがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに設けられている状況では、マスクアライメントマークはチップ間に位置付けされることがある。
【００２０】
[0027]  図示の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
[0028]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわち「マスクサポート」および基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」は基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静止露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」はＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0029]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわち「マスクサポート」および基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」は同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわち「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定されることがある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の（スキャン方向の）縦幅が決定される。
[0030]  ３．他のモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわち「マスクサポート」は、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」は、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、動かされるか、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
【００２１】
[0031]  上述の使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００２２】
[0032]  図２に示される位置決めシステム１０は、平衡フレーム２の中または上に配置され、この平衡フレーム２は、実質的に摩擦の無い軸受によって案内面４上に支持されている。位置決めシステム１０および平衡フレーム２は、位置決めシステム１０の反力が平衡フレーム２および位置決めシステム１０の動きによって打ち消されるように案内面４の上を動くことができる。位置決めシステム１０は、ＸおよびＹ方向の比較的大きな移動範囲にわたって基板テーブルの大きな移動を可能にする。位置決めシステム１０の質量中心は、Ｚ方向で、平衡フレーム２の質量中心にできるだけ近いことが望ましい。特に、２つの質量中心の垂直方向の隔たりが、実質的に約１００ｍｍ未満、理想的にはゼロであることが好ましい。弾性支柱または緩衝器５は、平衡フレーム２の移動を制限して、平衡フレーム２が案内面４から出るのを防ぐ。
【００２３】
[0033]  位置決めシステム１０は、Ｈ駆動装置と呼ばれることがある。Ｈ駆動装置１０は、伸長構造、例えば、端または端近くがそれぞれのスライダ１２ａ、１２ｂに取り付けられているＸビーム１１を含む。スライダ１２ａ、１２ｂは、長方形平衡フレーム２の長辺２ａ、２ｂに取り付けられた細長い磁石軌道１３ａ、１３ｂと協働して、Ｘビーム１１にＹ方向の力を加えるアクチュエータとして作用するリニアモータのアーマチュアを担持する。位置決めされるべき物体、この場合にはウェーハテーブルＷＴは、Ｘビーム１１上に位置付けされたさらに他のスライダ１４によって、ＸＹ平面内で駆動される。スライダ１２ａ、１２ｂと同様に、スライダ１４は、Ｘビーム１１中に取り付けられた磁石軌道１５に逆らって作用してスライダ１４をＸビームに沿って平行移動させ、したがってウェーハテーブルＷＴのＸ方向の位置決めを行うリニアモータのアーマチュアを担持している。スライダ１２ａ、１２ｂの位置を独立に制御することで、Ｘビーム１１と平衡フレームの間の角度を変えることができるようになり、したがって、ウェーハテーブルＷＴのＲｚ（Ｚ軸のまわりの回転）位置をある範囲内で制御して平衡フレームのどのような偏揺れ移動も補償することができるようになる。この理由のために、また平衡フレームに対して結果的に生じる力のせん断成分によって引き起こされた平衡フレームの歪みのせいで、駆動装置が力を加えるＸおよびＹ方向は、必ずしも正確に直交していない可能性があることが理解されよう。この構成によって、ＹおよびＲｚ方向の反力は、平衡フレーム２に直接伝えられる。また、スライダ１２ａ、１２ｂは空気軸受１６ａ、１６ｂを担持し、空気軸受１６ａ、１６ｂは、平衡フレーム２に設けられた直立壁２１ａ、２１ｂにもたれて作用して平衡フレーム２にＸ方向の反力を伝える。Ｘ方向の力を伝える一対のスラスト軸受１６ａ、１６ｂの代わりに、例えば、単一予備荷重軸受または対向パッド軸受が、２つの側の一方で使用されることがあるが、これによって、Ｘビーム１１が平衡フレーム２に対して垂直でないときコサイン短縮に関係した問題が回避されるので好ましいことが多い。
【００２４】
[0034]  図示のように、位置決めシステムは、平衡フレームによって、Ｚ方向で、さらにＲｘ、Ｒｙ回転に対して支持されている。また、この機能は、位置決めシステムの全体または一部（例えば、ウェーハテーブルＷＴ）に対して案内面４によって、またはベースフレームに対して固定された別個の１つまたは複数の表面によって、またはこれらの組合せによって行われてもよい。
【００２５】
[0035]  細長い磁石軌道１３ａ、１３ｂと共に作用してウェーハテーブルＷＴをＹ方向に動かすスライダ１２ａ、１２ｂのリニアモータのアーマチュアによって、Ｘビーム１１は、Ｙ方向に動かされる。リニアモータ、スライダ１４およびＸビーム１１の質量中心点は同じ位置にないので、ウェーハテーブルＷＴを動かすことで、Ｘビーム１１に振動が生じることがある。この振動は、全ての方向にあることがある。
【００２６】
[0036]  図３は、線ＡがＸビーム１１のＺ方向の振動を示し、線ＢがＸビーム１１の上を滑動するスライダ１４の振動を示す。Ｚ方向の振動は、ウェーハテーブルＷＴを動かすことによって生じる。例えば、５０Ｈｚのあたりに、振動に対する感度がある可能性がある。振動は、ＷＴの位置決めの誤りにつながる可能性があり、Ｘビームをスライダ１２ａ、１２ｂに接続する板バネの摩損を引き起こす可能性があり、および／またはスライダ１４へのウェーハテーブルＷＴの接続の摩損を引き起こす可能性がある。
【００２７】
[0037]  図４は、振動ダンパ、例えば、バネｋおよびダンパｃで質量Ｍに接続された質量ｍを含む同調質量ダンパを示す。Ｋは、地面に対するＸビームのＺ方向のスチフネスを表し、ＭはＸビームのモード質量を表す。質量ｍは、質量Ｍの振動を減衰させる。
【００２８】
[0038]  図５は、同調質量ダンパによる振動減衰のない状態でのＸビームの伝達関数を示す（線Ｄを参照されたい）。図５は、０．６Ｋｇの質量ｍの場合、質量Ｍの５０Ｈｚでの振動の大きさ（線Ｅを参照されたい）が１ｅ−６の質量ｍの場合（線Ｄを参照されたい）よりも小さいこと、および０．６Ｋｇの質量ｍの場合の位相変化が１ｅ−６の質量ｍの場合に比べてずっと急激でないことを示している。同調質量ダンパは、バネ定数ｋを変えることによって、ある振動に対して敏感であるように調整することができ、さらに、Ｘビーム１１の振動を減衰させるために使用することができる。５０Ｈｚに、Ｘビームの非常に僅かな減衰固有周波数がある。同調質量ダンパを追加することによって、２つの減衰共振ピークが、この僅かな減衰共振ピークに取って代わる（線Ｅを参照されたい）。質量比μ＝ｍ／Ｍが振幅減少を決定する。この比が大きいほど、可能な振幅減少は大きくなる可能性がある。しかし、同調質量減衰定数ｃおよび同調質量ダンパ周波数ｆが最適であるときにしか、大きな振幅減少は実現されない。この最適周波数は、ｆｏｐｔ＝１／（１＋μ）*ｆＸｂｅａｍに等しい。この周波数は、周波数ｆＸｂｅａｍでのバネ定数ｋおよび選ばれた質量ｍを変えることによって調整することができる（ｆ＝１／（２π）√（ｋ／ｍ）。最適減衰は、βｏｐｔ＝√（３μ／（８（１＋μ））に等しい。減衰は、周波数ｆＸｂｅａｍでの減衰定数ｃおよび選ばれたｍを変えることによって調整することができる（ｃ＝２βｏｐｔｍ（２πｆＸｂｅａｍ）。
【００２９】
[0039]  図６は、本発明の実施形態に従った、接続６５を介して２つの質量６３をビームに接続する２つの板バネ６１を備える振動ダンパ６０、例えば同調質量ダンパを示す。板バネ６１は、弾性材料、例えばＤｕ  Ｐｏｎｔ（商標）によって作られたＶｉｔｏｎ（登録商標）の層６７を含む。弾性材料の層６７は、２つの鋼の層の間にサンドイッチ状に挟まれている。鋼層の厚さおよび長さが、同調質量ダンパの固有周波数をほとんど決定する。Ｖｉｔｏｎ（登録商標）の量が減衰を決定し、質量６３の振動エネルギーを吸収する。２つの質量６３を接続する板バネ６１を備える質量ダンパ６０の利点は、複数の振動モードが可能であり、各モードが特定の周波数の振動を抑制する特定の最適条件を持っていることである。例えば、両方の質量６３がＸビーム１１と同相で動く４８．６Ｈｚの振動モードが可能であり、４９．６Ｈｚの他のモードでは、１つの質量がＸビーム１１と同相で動き、その一方で他方の質量が逆位相で動き、また、両方の質量６３がＸビーム１１と逆位相で動いているモードが５２．５Ｈｚで可能である。２つの（または、それ以上の）質量６３を接続する板バネ６１を備える同調質量ダンパ６０の他の利点は、質量の固有周波数に僅かに外れて合わせることで、より広い周波数範囲にわたってＸビーム振幅を減少させることができることである。また、同調質量ダンパの固有周波数は、減衰に無関係に調整することができる。鋼層の厚さおよび長さが、固有周波数を決定し、さらに粘弾性材料の量が減衰を決定する。
【００３０】
[0040]  図７は、Ｘビーム１１に取り付けられた質量ダンパ６０を示す。質量ダンパ６０は、質量６３がＺ方向で自由に動いてＺ方向の振動を吸収することができるように取り付けられる。図８は、ダンパがＸビーム１１に取り付けられた後のＺ方向の振動を示す。スライダ１４のＺ方向の変位Ｆ、およびＸビーム１１のＺ方向の変位Ｇが示されている。ダンパは、Ｘビーム１１およびスライダ１４の振動を８分の１に抑制している（図３を図８と比較）。
【００３１】
[0041]  この明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することがあるが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、その他の製造などの他の用途がある可能性があることは理解すべきである。当業者は理解することであろうが、そのような他の用途の背景では、本明細書での用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はどれも、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えることができる。本明細書で参照される基板は、例えばトラック（一般にレジスト層を基板に塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで、露光前または後に処理されることがある。応用可能な場合、本明細書の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに利用されることがある。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作るために２回以上処理されることがあるので、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層をすでに含む基板も意味することができる。
【００３２】
[0042]  光リソグラフィの背景で本発明の実施形態の使用について特に上述したかもしれないが、理解されることであろうが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、背景が許す場合、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジスト層の中に押し込まれることがあり、それから、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを加えることによってレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストから外に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンが残る。
【００３３】
[0043]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、または約３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を持っている）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を持っている）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めて全ての種類の電磁放射を包含する。
【００３４】
[0044]  用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学コンポーネントを含めて様々な種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００３５】
[0045]  本発明の特定の実施形態を上で説明したが、理解されることであろうが、本発明は説明されたのと違ったやり方で実施される可能性がある。例えば、本発明は、先に開示されたような方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ることがある。
【００３６】
[0046]  上述の説明は、例示であり制限しない意図である。したがって、当業者には明らかなことであろうが、以下で明らかにされる特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明されたような本発明に修正が加えられることがある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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