(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電流が供給される導体と、
透磁率の高い金属製で前記導体を囲むように、かつ前記導体に高周波電流が供給された際に発生する磁束が閉じた回路を構成する形状に形成された発熱体と、
前記発熱体と一体に形成され、前記発熱体に発生した熱を半田付けすべきワークに伝達する熱伝達部と、
半田付けすべきワークを支持するとともに、前記ワークを前記熱伝達部と前記ワークの半田とが熱的に結合される半田付け位置に配置する支持部と
を備えたことを特徴とする半田付け装置。
【請求項２】
前記発熱体は前記導体に対して複数設けられている請求項１に記載の半田付け装置。
【請求項３】
前記発熱体の少なくとも１つは環状に形成されている請求項２に記載の半田付け装置。
【請求項４】
基板上の所定位置に半田及び電子部品を配置するとともに誘導加熱により前記半田を溶融させて前記電子部品を半田付けする半田付け方法であって、
電流が供給される導体の周囲を囲むように、かつ前記導体の周囲に生じた磁束が閉じる回路を構成するように設けられた透磁率の高い金属製の発熱体を誘導加熱で発熱させ、前記発熱体に発生した熱を前記半田と接触している前記電子部品又は前記基板の電極を介して前記半田に伝達して半田を溶融させることを特徴とする半田付け方法。
【請求項５】
前記電子部品は位置決め治具を用いて前記基板上に位置決めされ、前記発熱体は前記位置決め治具に当接して前記発熱体に発生した熱を前記半田に伝達する請求項４に記載の半田付け方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田付け装置、半田付け方法及び電子機器の製造方法に係り、詳しくは誘導加熱を利用して半田付けを行う半田付け装置、半田付け方法及び電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上に半導体素子やチップ抵抗、チップコンデンサ等の電子部品を実装する場合、回路基板と電子部品とを半田を介して接合する方法が一般的である。そして、基板上に電子部品を半田付けする場合に、基板上に予め半田及び電子部品を配置しておき、その半田を炉中で溶融して半田付けを行うリフロー半田付けが行われている。ところが、加熱炉を使用する方法では炉全体を加熱するため、加熱に必要なエネルギーが多くなり製造コストが高くなるとともに、電子部品全体が長時間高温雰囲気に保持されるため接合される電子部品に対する熱負荷が大きくなる。このような不都合を抑制するため、炉全体を加熱するのではなく、誘導加熱を利用して半田あるいは半田に接触している物体を加熱して半田付けを行う方法がある。
【０００３】
誘導加熱を利用した半田付け方法として、基板上の接合部分（パッド）と電子部品の半田付けされる部分との間に、鉄系粒子が混入された半田を配置した状態で鉄系粒子が誘導加熱される所定周波数の電磁波を印加して鉄系粒子で発生する熱により半田を溶融させて接合する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、導電性と磁性とを持つ複数の発熱体と、これを保持する保持板とからなる治具及び誘導加熱コイルを用いて半田付けする方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。特許文献２の半田付け方法では、図９に示すように、プリント基板７１に銅箔７２，７２ａからなる配線回路を形成するプリント配線基板７３と、導電性及び磁性を持つ複数の発熱体７４とこれを保持する保持板７５とからなる治具７６と、誘導加熱コイル７７とを準備する。発熱体７４は、半田付けしようとする表面実装形の電子部品７８の複数の電極７９に対向して配置される。初め、銅箔７２，７２ａの表面に半田８０を載せ、電子部品７８の電極７９を半田８０にあてがうように電子部品７８を配置する。次に、電極７９が半田８０と発熱体７４で挟まれて当接するように保持板７５を配置する。その後、誘導加熱コイル７７で発熱体７４を誘導加熱して熱伝導により半田８０を溶融させる。
【特許文献１】特開平８−４６３５３号公報
【特許文献２】特開平８−２９３６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
誘導加熱を利用して半田を溶融させる場合、特許文献１のように発熱物を半田に混ぜる方法では、半田が溶融しても発熱体は溶融しないため、半田付け強度等、半田の品質の点からは、半田と別体の発熱体を用いる方法の方が好ましい。
【０００５】
特許文献２の方法では、半田付け部を集中的に加熱するため、発熱体７４を保持板７５で保持して電極７９と当接する状態に保持する。しかし、誘導加熱コイル７７は保持板７５の上方に配置されるため、誘導加熱コイル７７から発生する磁束のうち、保持板７５と対応する側と反対側に発生する磁束は発熱体７４の誘導加熱に寄与せず、加熱効率（投入電力に対する発熱体の発熱量の比率）が低くなる。
【０００６】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、誘導加熱を利用して半田と別体の発熱体を加熱して半田付けを行う場合、導体に電流を流した際に発生する磁束を有効に利用して発熱体を効率良く加熱することができる半田付け装置、半田付け方法及び電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、高周波電流が供給される導体と、透磁率の高い金属製で前記導体を囲むように、かつ前記導体に高周波電流が供給された際に発生する磁束が閉じた回路を構成する形状に形成された発熱体と、前記発熱体と一体に形成され、前記発熱体に発生した熱を半田付けすべきワークに伝達する熱伝達部と、半田付けすべきワークを支持するとともに、前記ワークを前記熱伝達部と前記ワークの半田とが熱的に結合される半田付け位置に配置する支持部とを備えている。ここで、「半田付けすべきワーク」とは、例えば、基板上の所定位置に電子部品を半田付けする作業を行う際の基板及びその上に載置される半田及び電子部品を意味する。また、「磁束が閉じた回路を構成する形状」とは、導体の周囲に発生する磁束のうち発熱体を通過する磁束が発熱体の中だけを通過する形状である環状形状や、環状の一部に切れ目が存在しても、切れ目を挟んだ発熱体の両側の部分における磁束密度が同じ状態となる形状を意味する。また、「熱伝達部とワークの半田とが熱的に結合される」とは、熱伝達部の熱が直接半田に伝達されるだけでなく、熱伝達部の熱が、熱伝達部とワークを構成する半田との間に存在する電子部品、治具、基板の電極等を介して間接的に伝達される状態を意味する。以下、この明細書では同じ意味で使用する。
【０００８】
この発明では、例えば、基板上に電子部品を半田付けする際、基板上の電子部品を半田付けすべき位置に半田及び電子部品が配置された状態の基板、即ち半田付けすべきワークが支持部上に載置される。その状態でワークが半田付け位置に配置されるとともに導体に高周波電流が供給され、生じた磁束による誘導加熱により発熱体が発熱し、その熱が半田に伝達されて半田が加熱されて溶融される。発熱体は、透磁率の高い金属製で導体を囲むように、かつ導体に高周波電流が供給された際に発生する磁束が閉じた回路を構成する形状に形成されているため、発生した磁束が発熱体に効率良く渦電流を発生させて発熱体を加熱させる。その結果、投入電力に対する発熱体の発熱量の比率が高くなる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記発熱体は前記導体に対して複数設けられている。一般に、基板上には複数の電子部品が半田付けされるため、基板上の複数箇所に同時に電子部品の半田付けが行われる方が作業効率が良くなる。この発明の装置は発熱体が複数設けられているため、複数の半田付け箇所に同時に半田付けを行うことが可能となる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記発熱体の少なくとも１つは環状に形成されている。一般に、基板上には複数の電子部品が半田付けされる。また、基板からの放熱が周縁部で大きいため、基板上の温度は均一ではなく、周縁部の温度が中央部に比較して低くなる。そのため、同じ電子部品を基板上の複数箇所に半田付けを行う場合でも、全ての箇所に設けられる発熱体が同じものでは、電子部品の半田付けを適正な温度で行うのは難しい。しかし、この発明では、複数の発熱体が全て環状に形成されているのではなく、環状でない発熱体も存在する。環状でない発熱体、例えば環の一部に切れ目がある形状の発熱体は、切れ目のない環状の発熱体に比較して発熱効率は低く、環状部に形成される切れ目の間隔により発熱効率が変わる。そのため、発熱体として発熱効率が高いものを基板の放熱が大きい部分と対応する位置に配置し、発熱効率が低いものを基板の放熱が小さい部分と対応する位置に配置することで、全ての箇所で電子部品の半田付けを適正な温度で行うことが可能になる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、基板上の所定位置に半田及び電子部品を配置するとともに誘導加熱により前記半田を溶融させて前記電子部品を半田付けする半田付け方法である。そして、電流が供給される導体の周囲を囲むように、かつ前記導体の周囲に生じた磁束が閉じる回路を構成するように設けられた透磁率の高い金属製の発熱体を誘導加熱で発熱させ、前記発熱体に発生した熱を前記半田と接触している前記電子部品又は前記基板の電極を介して前記半田に伝達して半田を溶融させる。
【００１２】
この発明では、基板に電子部品を半田付けする際、基板上の所定位置に半田及び電子部品を配置し、誘導加熱により発熱体を発熱させるとともに、その熱を半田に伝達させて半田を溶融させて電子部品を半田付けする。発熱体は透磁率の高い金属製で導体を囲むように、かつ導体に高周波電流が供給された際に発生する磁束が閉じる回路を構成する形状に形成されているため、発生した磁束により発熱体で効率良く渦電流が発生して、発熱体が効率よく加熱される。そして、発熱体に発生した熱が半田と接触している電子部品又は基板の電極を介して半田に伝達されて半田が溶融する。その結果、加熱効率が高い状態で半田付けを行うことができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記電子部品は位置決め治具を用いて前記基板上に位置決めされ、前記発熱体は前記位置決め治具に当接して前記発熱体に発生した熱を前記半田に伝達する。基板上の所定位置に電子部品を半田付けする際、使用する半田の種類によっては電子部品又は半田の位置決めを行う治具を用いるのが好ましい。この発明では、発熱体で発生した熱は位置決め治具を介して半田に伝達されるため、熱が電子部品を介して半田に伝達される構成と異なり、電子部品が発熱の悪影響を受けることが防止される。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は請求項５に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する電子機器の製造方法である。この発明では、電子機器の製造方法において、対応する前記請求項４又は請求項５に記載の発明の作用、効果を奏する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、誘導加熱を利用して半田と別体の発熱体を加熱して半田付けを行う場合、導体に電流を流した際に発生する磁束を有効に利用して発熱体を効率良く加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１〜図５にしたがって説明する。
図２に示すように、電子機器としての半導体モジュール１０は、基板としての回路基板１１と、回路基板１１上に半田付けにより接合された電子部品１２とを備えている。回路基板１１は、表面に金属回路１３を有する複数のセラミック基板１４が金属製のヒートシンク１５に金属板１６を介して一体化された冷却回路基板である。各セラミック基板１４上にはそれぞれ複数個の電子部品１２が半田付けされている。電子部品１２としては、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）やダイオードが用いられている。
【００１７】
ヒートシンク１５は冷却媒体が流れる冷媒流路１５ａを備えている。ヒートシンク１５は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。金属板１６は、セラミック基板１４とヒートシンク１５とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。
【００１８】
金属回路１３は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板１４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。電子部品１２は、金属回路１３に半田Ｈを介して接合されている。
【００１９】
次に半導体モジュール１０の製造方法を説明する。
先ず半田付けに用いる半田付け装置の構成を説明する。図３（ａ），（ｂ）に示すように、半田付け装置ＨＫは、半田付けすべきワークＷを準備する準備部２０と、ワークＷに対する半田付け作業を行う半田付け装置本体２１と、半田付けが終了した半導体モジュール１０から位置決め治具を取り外す後処理部２２とを備えている。
【００２０】
準備部２０は、ワーク準備部２３及びベルトコンベヤ２４で構成されている。ワーク準備部２３は、回路基板１１上の所定位置に位置決め治具、半田としての半田シート、電子部品１２が載置された半田付けすべきワークＷ及びワークＷを載置するトレイＴを準備するとともに、そのワークＷをトレイＴと共にベルトコンベヤ２４上に載置する。ベルトコンベヤ２４は半田付け装置本体２１の搬入口と対応する位置に設けられ、ワークＷをトレイＴと共に半田付け装置本体２１へ搬入する。
【００２１】
半田付け装置本体２１は、密閉可能なチャンバ２５を備え、チャンバ２５は、準備部２０と対応する側に入口扉２６を備え、後処理部２２と対応する側に出口扉２７を備えている。入口扉２６及び出口扉２７は、上下方向を開閉方向として動作可能に設けられている。入口扉２６の開放によりチャンバ２５の入口が開放されて、準備部２０から半田溶融前の半田付けすべきワークＷを搬入可能な状態となる。また、出口扉２７の開放によりチャンバ２５の出口が開放されて、チャンバ２５内にある半田溶融後のワークＷを取り出し（搬出）可能な状態となる。チャンバ２５は、入口扉２６及び出口扉２７の両方を閉鎖することにより、密閉可能な構造とされている。チャンバ２５は図示しない真空ポンプと接続され、チャンバ２５内の圧力を調整可能な構成とされている。また、チャンバ２５内には図示しない還元ガス供給部から還元性ガス（この実施形態では水素）が、図示しない不活性ガス供給部から不活性ガス（この実施形態では窒素）がそれぞれ選択的に供給可能に構成されている。
【００２２】
チャンバ２５内には、入口側から出口側に向かってワークＷをトレイＴと共に移送する移送手段及びチャンバ２５内でワークＷ及びトレイＴを支持するベルトコンベヤ２８が設けられている。ベルトコンベヤ２８の上方には図示しない交流電源から高周波電流が供給される導体２９が所定位置に固定配置されている。なお、チャンバ２５は、導体２９等のメンテナンスを容易にするため、上側の一部に開放可能な蓋部が形成され、蓋部は常には閉鎖位置に気密状態で固定されている。
【００２３】
図１に示すように、導体２９は、回路基板１１上に設けられた複数の半田付け部の上方を蛇行状態で通過するように配置されている。導体２９は、内部に冷却水を通すための通路２９ａを有するパイプで形成され、半田付け装置ＨＫが備える図示しない冷却水タンクに接続されている。
【００２４】
図１に示すように、導体２９には、導体２９の下方に配置されたワークＷの電子部品１２と対応する複数の所定箇所に発熱体３０が設けられている。発熱体３０は透磁率の高い金属製で導体２９を囲むように、かつ導体２９に高周波電流が供給された際に発生する磁束が閉じた回路を構成する形状に形成されるとともに、発熱体３０に発生した熱を半田付けすべきワークＷに伝達する熱伝達部３０ａが下方に向かって突出するように形成されている。この実施形態では発熱体３０は磁性のステンレス（例えばＳＵＳ４４０）製で円環状に形成されるとともに熱伝達部３０ａは一対突設されている。発熱体３０の内径は導体２９の外径より大きく、各発熱体３０は図示しないブラケットを介して導体２９と接触しない状態に支持されている。
【００２５】
図４に示すように、ベルトコンベヤ２８は、トレイＴの長さより短く形成されている。ベルトコンベヤ２８の前後には、ベルトコンベヤ２８上に前後方向両端部がベルトコンベヤ２８から突出する状態で載置されたトレイＴを昇降させる昇降手段３１がそれぞれ設けられている。昇降手段３１としてはエアシリンダが使用されているが、エアシリンダに限らず電気シリンダやリニアアクチュエータを使用してもよい。そして、トレイＴ及びワークＷは、昇降手段３１の駆動により下降位置と上昇位置とに配置されるようになっている。上昇位置は、トレイＴ上に配置されたワークＷを、熱伝達部３０ａとワークＷの半田とが熱的に結合される半田付け位置、即ち、この実施形態では発熱体３０に発生した熱を半田付けすべきワークＷに伝達する位置である熱伝達部３０ａが電子部品１２と当接する位置となる。下降位置では、熱伝達部３０ａと電子部品１２とが離間する状態となる。昇降手段３１は、トレイＴと共に、半田付けすべきワークＷを支持するとともに、ワークＷを熱伝達部３０ａとワークＷの半田とが熱的に結合される半田付け位置に配置する支持部を構成する。
【００２６】
また、トレイＴ及びワークＷが下降位置に配置された状態では、準備部２０側からワークＷをベルトコンベヤ２８上に円滑に移載可能で、かつ、ベルトコンベヤ２８上の半田付けが行われたワークＷをトレイＴと共に後処理部２２側へ円滑に移載可能な高さとなる。なお、ベルトコンベヤ２８の前後には、トレイＴ及びワークＷを準備部２０側からベルトコンベヤ２８上に、あるいはベルトコンベヤ２８上から後処理部２２側へ円滑に移送するため、補助ローラ３２ａ，３２ｂが配置されている。
【００２７】
この実施形態では、半田付けの際に半田としてシート半田を使用するとともに、電子部品１２を回路基板１１の所定位置に半田付けするために位置決め治具を使用する。図１に示すように、回路基板１１上には位置決め治具３３を介して電子部品１２が所定位置に位置決めされた状態で配置されている。位置決め治具３３は、それぞれ２個の電子部品１２につき１個の割合で使用されている。
【００２８】
図５に示すように、位置決め治具３３は、回路基板１１を構成するセラミック基板１４上に載置された状態において、金属回路１３と係合可能な凹部３４を有し、凹部３４に、金属回路１３に半田付けされる電子部品１２の位置決め用の孔３５が形成されている。孔３５は、電子部品１２のサイズに応じた大きさで形成されている。そして、孔３５と対応する金属回路１３上にシート半田３６及び電子部品１２の順に載置された状態で半田付けが行われるようになっている。この実施形態においては、各セラミック基板１４上に複数個（２つ）の電子部品１２が接合されるので、位置決め治具３３には複数個（２つ）の孔３５が形成されている。位置決め治具３３は、例えば、グラファイト（カーボン）で形成されている。
【００２９】
後処理部２２は、ベルトコンベヤ３７を備えている。また、後処理部２２は、ベルトコンベヤ３７上にトレイＴと共に移載されたワークＷから位置決め治具３３を取り外すための取り外し手段（図示せず）を備えている。
【００３０】
ベルトコンベヤ２４，２８，３７は、図示しない制御装置からの指令により間欠的に駆動され、半田付けが必要なワークＷが順次チャンバ２５内に移送され、半田付けが終了したワークＷが順次チャンバ２５内から後処理部２２に移送される。
【００３１】
次に前記のように構成された半田付け装置ＨＫ及び位置決め治具３３を用いて電子機器の部品となる半導体モジュール１０の製造方法の一工程である電子部品（半導体素子）１２の半田付け方法を説明する。
【００３２】
準備部２０において、回路基板１１の各セラミック基板１４上に位置決め治具３３が載置され、位置決め治具３３の各孔３５内にシート半田３６と電子部品１２が配置されてワークＷが準備される。また、ワークＷがトレイＴ上に載置され、次にベルトコンベヤ２４及びベルトコンベヤ２８が駆動されてワークＷがトレイＴと共にチャンバ２５内に搬入される。ワークＷがチャンバ２５内に搬入されるとともに各セラミック基板１４が発熱体３０と対応する位置でベルトコンベヤ２８が停止された後、昇降手段３１が上昇駆動されて、図５に示すように、各電子部品１２が発熱体３０の熱伝達部３０ａと当接する状態に配置される。また、入口扉２６及び出口扉２７が閉鎖位置に配置されてチャンバ２５内が密閉された状態となった後、チャンバ２５内が還元ガス雰囲気とされる。
【００３３】
次に、高周波電源から導体２９に高周波電流が供給される。すると、導体２９の周囲には磁束Ｆが発生し、導体２９を囲むように配置された発熱体３０には磁束Ｆの通過によって渦電流が発生する。そして、発熱体３０の電気抵抗により発熱体３０にジュール熱が発生して発熱体３０が発熱し、発熱体３０で発生した熱は熱伝達部３０ａから電子部品１２を介してシート半田３６に伝達される。即ち、回路基板１１の各金属回路１３上に載置されたシート半田３６には、発熱体３０で発生した熱が熱伝達部３０ａ及び電子部品１２を介して集中的（局所的）に伝達されて加熱される。その結果、シート半田３６は、電子部品１２を介して伝達される熱で溶融温度以上の温度になることにより溶融する。
【００３４】
シート半田３６が完全に溶融した後、導体２９への高周波電流の供給が停止される。なお、高周波電流の供給時間は予め試験によって適切な時間に設定されている。また、チャンバ２５内の圧力は、はんだ付け作業の進行状況に合わせて加圧及び減圧され、適宜、雰囲気調整が行われる。導体２９への電流供給を停止後、昇降手段３１が作動されてワークＷがトレイＴと共に下降され、ワークＷが発熱体３０から離間された状態になる。次いで、還元ガスがチャンバ２５内から排出された後、チャンバ２５内に大気が供給されるとともに出口扉２７が開放される。そして、ベルトコンベヤ２８及びベルトコンベヤ３７が駆動されて、ワークＷがトレイＴと共にチャンバ２５内から後処理部２２のベルトコンベヤ３７上へ移載される。溶融した半田は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属回路１３と電子部品１２とを接合する。この状態において半田付けが終了する。その後、後処理部２２で、ワークＷから位置決め治具３３が取り外され半導体モジュール１０が完成する。トレイＴ及び取り外された位置決め治具３３は、準備部２０で再使用される。また、半導体モジュール１０は、電子機器の部品として使用される。
【００３５】
高周波誘導加熱により発熱体３０が加熱され、発熱体３０で発生した熱が電子部品１２を介してシート半田３６に伝達されて半田の溶融が行われる。発熱体３０は、導体２９を囲むように、かつ導体２９に高周波電流が供給された際に発生する磁束Ｆが閉じた回路を構成する形状に形成されているため、発生した磁束Ｆが発熱体３０で効率良く渦電流を発生させて発熱体３０を加熱させる。その結果、投入電力に対する発熱体３０の発熱量の比率が高くなる。
【００３６】
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）半田付け装置ＨＫは、高周波電流が供給される導体２９と、透磁率の高い金属製で導体２９を囲むように、かつ導体２９に高周波電流が供給された際に発生する磁束Ｆが閉じた回路を構成する形状に形成された発熱体３０と、発熱体３０と一体に形成され、発熱体３０に発生した熱を半田付けすべきワークＷに伝達する熱伝達部３０ａを備えている。また、半田付け装置ＨＫは、半田付けすべきワークＷを支持するとともに、ワークＷを熱伝達部３０ａとワークＷの半田とが熱的に結合される半田付け位置に配置する支持部（昇降手段３１）を備えている。したがって、導体２９に高周波電流が供給される際に発生する磁束Ｆが発熱体３０で効率良く渦電流を発生させて発熱体３０を加熱させる。その結果、投入電力に対する発熱体３０の発熱量の比率が高くなる。また、磁束Ｆを有効に利用できるため、発熱体３０を加熱（昇温）する場合により少ない電流を導体２９に流せばよくなるため、導体２９での銅損を減らすことができ、加熱効率が向上して製造コストを低減させることができる。
【００３７】
（２）発熱体３０は環状に形成されているため、導体２９に高周波電流が供給される際に発生して発熱体３０を通過する磁束Ｆは、発熱体３０の外に出ることがないため、発熱体３０でより効率良く渦電流が発生し、加熱効率がより向上する。
【００３８】
（３）発熱体３０は導体２９に対して複数、この実施形態では回路基板１１上に設けられた半田付け箇所と同数設けられている。したがって、複数の半田付け箇所に同時に半田付けを行うことが可能となり、この実施形態では一度の半田付け作業で、回路基板１１上に全ての電子部品１２を半田付けすることができる。
【００３９】
（４）シート半田３６及び電子部品１２は位置決め治具３３を用いて回路基板１１上に位置決めされた状態で半田付けが行われる。回路基板１１上の所定位置に電子部品１２を半田付けする際、使用する半田が半田ペーストの場合は電子部品１２や半田の位置決めは特に必要はないが、シート半田３６を使用する場合は位置決めを行うのが好ましい。この実施形態では、位置決め治具３３を用いているため、電子部品１２を所定位置に容易に半田付けすることができる。
【００４０】
（５）発熱体３０は、チャンバ２５の所定位置に保持され、半田が溶融されて導体２９への高周波電流の供給が停止された後、ワークＷとの当接状態が解除され、ワークＷを冷却する際に発熱体３０は積極的に冷却されない。したがって、新しいワークＷの加熱処理を行う際に、発熱体３０は前のワークＷを処理した際の発熱で高温になっているため、発熱体３０を室温から新たに加熱する必要がなく、使用電力をより低減することができる。
【００４１】
（６）位置決め治具３３はグラファイトで形成されている。したがって、軽量でかつ電子部品１２との摩擦が小さく、半田が付着し難いため治具として適している。
（７）電子機器の部品となる半導体モジュール１０の製造方法の一工程である電子部品１２の半田付け工程において前記の方法で半田付けを行っている。したがって、電子機器の製造方法において、前記各効果を得ることができる。
【００４２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を図６を参照しながら説明する。なお、第２の実施形態は、発熱体３０で発生した熱を電子部品１２を介してシート半田３６に伝達させるのではなく、位置決め治具３３及び金属回路１３を介して伝達するようにした点が前記第１の実施形態と異なり、その他の構成は第１の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
【００４３】
発熱体３０と一体に形成された熱伝達部３０ａは、発熱体３０の下部において両側方に突出するとともに、電子部品１２に接触せずにその下端が位置決め治具３３の上面に当接可能に形成されている。また、位置決め治具３３は、形状は第１の実施形態のものと同じであるが、材質がカーボンではなく、カーボンより熱伝導性の優れた金属、例えば、銅やアルミニウムで形成されている。
【００４４】
この実施形態では、回路基板１１の各セラミック基板１４上に位置決め治具３３が載置され、位置決め治具３３の各孔３５内にシート半田３６と電子部品１２が配置されたワークＷがチャンバ２５内に搬入された後、昇降手段３１が上昇駆動されると、各発熱体３０の熱伝達部３０ａが位置決め治具３３と当接する状態になる。そして、その状態で導体２９に高周波電流が供給されて、誘導加熱により発熱体３０が発熱するとともに、発生した熱は、熱伝達部３０ａ、位置決め治具３３及び金属回路１３を介してシート半田３６に伝達される。熱伝達部３０ａからシート半田３６までの熱伝達経路の長さは、電子部品１２を介して伝達される第１の実施形態の場合より長くなる。しかし、位置決め治具３３がアルミニウムや銅のように熱伝導率の良い材質で形成されているため、熱伝達経路が長くても支障はない。
【００４５】
したがって、この実施形態においては、前記第１の実施形態における効果（１）〜（５）及び（７）と同様な効果を有する他に次の効果を有する。
（８）発熱体３０は位置決め治具３３に当接して発熱体３０に発生した熱をシート半田３６に伝達する。したがって、熱が電子部品１２を介してシート半田３６に伝達される構成と異なり、電子部品１２が発熱の悪影響を受けることが防止される。
【００４６】
（９）発熱体３０は１回毎に積極的に冷却されるのではないため、半田付けのためワークＷがチャンバ２５内に搬入されて、ワークＷが熱伝達部３０ａと接触する状態に配置された際、発熱体３０は前回の発熱で加熱された比較的高温状態にある。しかし、熱伝達部３０ａと電子部品１２とを直接接触させないため、電子部品１２の急激な温度上昇を緩和することもできる。
【００４７】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  熱伝達部３０ａを電子部品１２に当接させずに発熱体３０で発生した熱を半田に伝達する方法として、図７に示すように、位置決め治具３３を使用せずに熱伝達部３０ａを金属回路１３に当接させるようにしてもよい。この場合、位置決め治具３３を使用しないため、シート半田３６に代えて半田ペースト３８を使用するのが好ましい。この構成では、熱伝達部３０ａが電子部品１２に当接しないため第２の実施形態と同様な効果を奏するだけでなく、熱伝達部３０ａが金属回路１３に当接するため、位置決め治具３３に当接する構成に比較して発熱体３０で発生した熱が効率良く半田（半田ペースト３８）に伝達される。
【００４８】
○  複数の発熱体を全て環状体で形成するのではなく、一部の発熱体を環状に形成し、一部の発熱体を図８に示すように、切れ目３９を有する形状としてもよい。回路基板１１上の複数の箇所に電子部品１２を半田付けする場合、回路基板１１からの放熱が周縁部で大きいため、回路基板１１上の温度は均一ではなく、周縁部の温度が中央部に比較して低くなる。そのため、同じ電子部品１２を回路基板１１上の複数箇所に半田付けを行う場合でも、全ての箇所に設けられる発熱体３０が同じものでは、電子部品１２の半田付けを適正な温度で行うのは難しい。しかし、この実施形態では、複数の発熱体３０が全て環状に形成されているのではなく、環状でない発熱体３０も存在する。環状でない発熱体３０は環状の発熱体３０に比較して発熱効率は低く、環状部に形成される切れ目３９の間隔により発熱効率が変わる。そのため、発熱体３０として発熱効率が高いものを基板の放熱が大きい部分と対応する位置に配置し、発熱効率が低いものを基板の放熱が小さい部分と対応する位置に配置することで、回路基板１１内における温度分布の調整が可能となり、全ての箇所で電子部品１２の半田付けを適正な温度で行うことが可能になる。
【００４９】
○  加熱状態（発熱量）を調整する方法として、発熱体３０に切れ目３９を形成する代わりに、発熱体３０の磁路断面積の一部を小さくして調整する方法を採用してもよい。
○  加熱状態（発熱量）を調整する方法として、発熱体３０に切れ目３９を形成せずに透磁率の異なる材料で発熱体３０を形成してもよい。しかし、切れ目３９を形成してその大きさを変更することで発熱量を調整する方が所望の発熱量に調整することが容易になる。また、同じ材料で発熱体３０を形成して切れ目３９の有無及び切れ目３９の大きさで発熱量を調整する方が使用する電力量を少なくでき、加熱効率が良くなる。
【００５０】
○  位置決め治具３３が位置決めする電子部品１２の数は２個に限らず、１個でも３個以上であってもよい。この場合、発熱体３０には電子部品１２の数に対応する数の熱伝達部３０ａが形成される。
【００５１】
○  第２の実施形態のように熱伝達部３０ａが位置決め治具３３に当接する場合、位置決め治具３３の材質にカーボンを使用してもよい。
○  回路基板１１上に設けられるセラミック基板１４は、全て同じ数の電子部品１２が半田付けされる構成に限らず、電子部品１２の数が異なるセラミック基板１４が搭載される構成であってもよい。
【００５２】
○  １本の導体２９に設けられる発熱体３０の数は１０個に限らず９個以下でも１１個以上でもよい。また、発熱体３０の数は複数に限らず１個であってもよい。
○  発熱体３０の数は、一度にワークＷの半田付けを行うべき箇所全ての半田付けを行うことができる数に限らない。例えば、１つのワークＷの半田付けを複数回で行うようにしてもよい。
【００５３】
○  発熱体３０を貫通する導体２９は１本に限らず、複数本の導体２９が発熱体３０を貫通し、各導体に同方向に流れるように高周波電流を供給する構成としてもよい。
○  複数ある各被半田付け部上に配置される半田は、必ずしも同じ溶融温度の半田とは限らず、被半田付け部によって異なる溶融温度の半田を使用してもよい。電子部品１２によっては溶融温度が低いものを使用する方が好ましい場合があるが、そのような場合、被半田付け部によって適切な温度が異なるが、発熱体３０として発熱量の異なる発熱体３０を設けることにより適切な温度にすることができる。発熱量の異なる発熱体３０として切れ目３９の大きさを調整したり、透磁率が異なる磁性体製の発熱体３０を使用したりする。
【００５４】
○  半田付け装置本体２１はチャンバ２５内に一度に複数個のワークＷが搬入されるとともに、一度に複数個のワークＷに対する半田付けが可能に、導体２９が設けられてもよい。導体２９は１本の導体２９で全てのワークＷに対応する発熱体３０が設けられる構成に限らず、各ワークＷに対応して導体２９が設けられた構成であってもよい。
【００５５】
○  発熱体３０の材料となる透磁率の高い材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、炭素鋼、鉄・ニッケル・クロム合金、鉄・ニッケル・モリブデン合金、鉄・アルミニウム合金、鉄・ニッケル合金等が挙げられる。
【００５６】
○  ワークＷをトレイＴと共に昇降手段３１により昇降させる構成で、補助ローラ３２ａ，３２ｂを省略してもよい。また、昇降手段３１をベルトコンベヤ２８の前後に配置する代わりに、ベルトコンベヤ２８の幅をトレイＴの幅より狭くして、昇降手段３１が幅方向の両側でトレイＴを支持して昇降させる位置に配置してもよい。また、ベルトコンベヤ２８に代えてローラコンベヤを配置し、昇降手段３１をピストンロッドあるいは出力軸がローラの間からトレイＴを支持して上昇する位置と、退避位置とに移動可能な位置に配置してもよい。
【００５７】
○  昇降手段３１によりトレイＴを昇降させてワークＷを発熱体３０の熱伝達部３０ａに当接する位置と、退避位置とに移動させる代わりに、ベルトコンベヤ２８を昇降手段で昇降移動させてワークＷを発熱体３０の熱伝達部３０ａに当接する位置と、退避位置とに移動させる構成としてもよい。この場合、ベルトコンベヤ２８は、半田付けすべきワークＷを支持するとともに、ワークＷを熱伝達部３０ａとワークＷの半田とが熱的に結合される半田付け位置に配置する支持部を構成する。
【００５８】
○  ベルトコンベヤ２８が昇降手段３１によって昇降されて発熱体３０の熱伝達部３０ａにワークＷが当接する状態に配置する構成に代えて、発熱体３０が導体２９と一体的に昇降されて発熱体３０の熱伝達部３０ａがワークＷに当接する状態に配置される構成としてもよい。
【００５９】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項４又は請求項５に記載の発明において、前記基板上に複数の電子部品を半田付けするとともに、一部の電子部品の半田付けに溶融温度が異なる半田を使用し、前記半田の溶融温度に対応して発熱体として発熱量の異なるものを使用する。
【００６０】
（２）前記技術的思想（１）に記載の発明において、複数の前記発熱体を備え、複数の前記発熱体の内、発生する渦電流量が他と異なるものが存在し、発生する渦電流量を調整することにより発熱量が調整されている。
【００６１】
（３）前記技術的思想（２）に記載の発明において、前記発熱体は環状に形成されるものと環状の一部に切れ目が形成されたもの又は発熱体の磁路断面積の一部を小さく形成されたものとが混在し、切れ目の大きさ又は磁路断面積の違いにより発生する渦電流量が調整され、発熱量が調整されている。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１の実施形態の基板と導体及び発熱体との関係を示す模式斜視図。
【図２】半導体モジュールの模式断面図。
【図３】（ａ）は半田付け装置の模式平面図、（ｂ）は模式側面図。
【図４】ベルトコンベヤと昇降手段の関係を示す模式図。
【図５】基板、治具、半田、電子部品及び発熱体の関係を示す部分模式断面図。
【図６】別の実施形態の治具、電子部品及び発熱体等の関係を示す部分断面図。
【図７】別の実施形態の治具、電子部品及び発熱体等の関係を示す部分断面図。
【図８】別の実施形態の治具、電子部品及び発熱体等の関係を示す部分断面図。
【図９】従来技術の断面図。
【符号の説明】
【００６３】
Ｆ…磁束、Ｈ…半田、Ｔ…支持部を構成するトレイ、Ｗ…ワーク、１１…基板としての回路基板、１２…電子部品、１３…基板の電極としての金属回路、２８…ベルトコンベヤ、２９…導体、３０…発熱体、３０ａ…熱伝達部、３１…支持部を構成する昇降手段、３３…位置決め治具、３６…半田としてのシート半田、３８…半田としての半田ペースト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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