(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線、走査線、発光制御線の交差部毎に位置する多数の画素を含む画素部と、
前記画素部の温度を測定するために備えられる温度センサと、
前記温度センサで測定された温度情報をデジタル値に変換する第１アナログデジタル変換器（第１ＡＤＣ）と、
前記第１ＡＤＣから出力されるデジタル値の入力を受けてそれに対応する制御信号を出力する制御部と、
前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度を抽出するためのセンシング部と、
前記センシング部から抽出された有機発光ダイオードの劣化情報及び前記制御部から出力される制御信号の入力を受けて、温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を生成する第２アナログデジタル変換器（第２ＡＤＣ）と、
前記第２ＡＤＣから出力されるデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、
前記変換部から出力される校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記画素に供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部と
を備え、
前記センシング部はそれぞれのチャネル毎に位置するセンシング回路を備え、
前記センシング回路は、
前記画素内の有機発光ダイオードに所定の電流を供給するための電流ソース部と、
前記電流ソース部及び各チャネルに該当するデータ線の間に備えられるスイッチング素子と
を有し、前記電流ソース部は前記スイッチング素子がターンオンされたとき、前記画素に電流を供給し、前記画素に含まれる有機発光ダイオードの電圧を第２ＡＤＣに供給し
前記第２ＡＤＣは、
ｊ＊ｋビットの抵抗列と、
前記制御部から提供される制御信号により前記抵抗列のうちの一部の領域を選択して前記温度センサで測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供するｊ＊ｋビットのスイッチアレイと、
前記スイッチアレイにより出力される基準電圧情報と前記センシング部の各チャネルに備えられたセンシング回路から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧を入力されてその大きさを比較して所定のデジタルビット値を出力する比較器と、
前記比較器から出力されたビット値が順次格納されるｊビットのレジスタと
を備え、
前記ｊは前記有機発光ダイオードの劣化情報が最終的に変換されるデジタルビット数を意味し、前記ｋは前記測定温度に応じて選択される互いに異なる基準の数を意味することを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記所定の電流は、画素が最大輝度で発光する際に有機発光ダイオードＯＬＥＤに流さなければならない電流値Ｉｍａｘであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記変換部は、
前記第２ＡＤＣから出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成するルックアップテーブル（ＬＵＴ）と、
前記ルックアップテーブルで生成された校正値が格納されるフレームメモリと、を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
画素を含む画素部の温度が測定される段階と、
前記測定された温度情報がデジタル値に変換される段階と、
前記変換されたデジタル値に対応する制御信号が出力される段階と、
前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化情報が抽出される段階と、
前記制御信号及び前記抽出された有機発光ダイオードの劣化情報の入力を受けて温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値が生成される段階と、
前記生成されたデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する段階と、
前記校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記画素に供給されるデータ信号が生成される段階と
を含み、
前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化情報が抽出される段階は、
前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第１電流を供給する段階と、
前記第１電流の印加により前記有機発光ダイオードで発生する第１電圧を測定する段階と
を含み、
前記制御信号及び前記抽出された有機発光ダイオードの劣化情報の入力を受けて温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値が生成される段階は、
前記制御信号によりｊ＊ｋビットの抵抗列のうちの一部の領域を選択して測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供する段階と、
前記基準電圧情報及び前記有機発光ダイオードの劣化情報を入力されてその大きさを比較して所定のデジタルビット値を出力する段階と、
前記出力されたビット値が順次格納されて前記温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するｊビットのデジタル値が生成される段階と
を含み、
前記ｊは前記有機発光ダイオードの劣化情報が最終的に変換されるデジタルビット数を意味し、前記ｋは前記測定温度に応じて選択される互いに異なる基準の数を意味することを特徴とする有機電界発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関し、特に、温度による影響を補償して有機発光ダイオードの劣化と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるようにした有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種の平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。
【０００３】
平板表示装置のうち有機電界発光表示装置は、電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有すると共に低い消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。
【０００５】
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２を備える。
【０００６】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路２から供給される電流に対して所定輝度の光を生成する。前記画素回路２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される際にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。
【０００７】
そのために、画素回路２は第１及び第２トランジスタＭ１、Ｍ２と、ストレージキャパシタＣｓｔとを備える。ここで、第２トランジスタＭ２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続され、第１トランジスタＭ１は第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎの間に接続される。そして、ストレージキャパシタＣｓｔは第２トランジスタＭ２のゲート電極と第１電極との間に接続される。
【０００８】
より具体的に、第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。
【０００９】
ここで、第１電極はソース電極及びドレイン電極のいずれかに設定され、第２電極は第１電極と異なる電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定されると、第２電極はドレイン電極に設定される。走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は走査線Ｓｎから走査信号が供給されるとき、ターンオンされてデータ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【００１０】
第２トランジスタＭ２のゲート電極はストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続され、第１電極はストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。
【００１１】
このような第２トランジスタＭ２はストレージキャパシタＣｓｔに格納された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００１２】
しかしながら、このような従来の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化による効率変化によって所望の輝度の映像を表示できないという問題点がある。
【００１３】
実際に、時間が経過するにつれて、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化し、これにより、同じデータ信号に対応して次第に低い輝度の光が生成されるという問題が生じる。
【００１４】
また、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度は、温度に応じて可変する特性があるため、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度を正確に補償するためには、温度に応じた影響も考慮されなければならない。
【特許文献１】韓国特許登録第０６８０９１３号
【特許文献２】韓国特許公開第２００４−００７５５９３号
【特許文献３】日本特許公開第２００５−３１６１３９号
【特許文献４】米国特許公開第２００５０２４８５１７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、温度センサを備え、前記温度センサで測定された温度情報を通じてパネル内の温度変化による有機発光ダイオードの劣化程度が可変することを補償する校正データを提供することで、温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示せしめる有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、データ線、走査線、発光制御線の交差部毎に位置する多数の画素を含む画素部と、前記画素部の温度を測定するために備えられる温度センサと、前記温度センサで測定された温度情報をデジタル値に変換する第１アナログデジタル変換器（第１ＡＤＣ）と、前記第１ＡＤＣから出力されるデジタル値の入力を受けてそれに対応する制御信号を出力する制御部と、前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度を抽出するためのセンシング部と、前記センシング部から抽出された有機発光ダイオードの劣化情報及び前記制御部から出力される制御信号の入力を受けて温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を生成する第２アナログデジタル変換器（第２ＡＤＣ）と、前記第２ＡＤＣから出力されるデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、前記変換部から出力される校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記画素に供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部とを備えることを特徴とする。
【００１７】
このとき、前記センシング部はそれぞれのチャネル毎に位置するセンシング回路を備え、前記センシング回路は、前記画素内の有機発光ダイオードに所定の電流を供給するための電流ソース部と、前記電流ソース部及び各チャネルに該当するデータ線の間に備えられるスイッチング素子を有し、前記所定の電流は画素が最大輝度で発光する際に有機発光ダイオードＯＬＥＤに流さなければならない電流値Ｉｍａｘであることを特徴とする。
【００１８】
また、前記第２ＡＤＣは、ｊ＊ｋビットの抵抗列と、前記制御部から提供される制御信号により前記抵抗列のうちの一部の領域を選択して前記温度センサで測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供するｊ＊ｋビットのスイッチアレイと、前記スイッチアレイにより出力される基準電圧情報と前記センシング部の各チャネルに備えられたセンシング回路から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧を入力されてその大きさを比較して所定のデジタルビット値を出力する比較器と、前記比較器から出力されたビット値が順次格納されるｊビットのレジスタとを備えることを特徴とする。
【００１９】
更に、前記ｊは前記有機発光ダイオードの劣化情報が最終的に変換されるデジタルビット数を意味し、前記ｋは前記測定温度に応じて選択される互いに異なる基準の数を意味することを特徴とする。
【００２０】
また、前記変換部は、前記第２ＡＤＣから出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成するルックアップテーブル（ＬＵＴ）と、前記ルックアップテーブルで生成された校正値が格納されるフレームメモリとを含んで構成されることを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置駆動方法は、画素を含む画素部の温度が測定される段階と、前記測定された温度情報がデジタル値に変換される段階と、前記変換されたデジタル値に対応する制御信号が出力される段階と、前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化情報が抽出される段階と、前記制御信号及び前記抽出された有機発光ダイオードの劣化情報の入力を受けて温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値が生成される段階と、前記生成されたデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する段階と、前記校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記画素に供給されるデータ信号が生成される段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。ここで、第１構成要素と第２構成要素が連結されると説明するにあたり、第１構成要素は第２構成要素と直接連結されてもよく、第３構成要素を介して第２構成要素と間接的に連結されてもよい。また、本発明の完全な理解のための必須でない構成要素は明確性を図るために省略する。更に、同一部分には同一符号を付す。
【００２４】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
【００２５】
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、画素部１３０、走査駆動部１１０、感知線駆動部１６０、データ駆動部１２０及びタイミング制御部１５０を備える。また、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、温度センサ１４０、第１アナログデジタル変換器（以下、第１ＡＤＣ）１４２、制御部１４４、センシング部１８０、第２ＡＤＣ１７０及び変換部１９０を更に備える。前記のような構成を通じて本発明の実施形態は、前記温度センサ１４０で測定された温度情報を通じてパネル内の温度変化による有機発光ダイオードの劣化程度が可変することを補償する校正データＤａｔａ’を提供することを特徴とする。
【００２６】
画素部１３０は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍの交差部に位置し、それらと接続される画素１３２を備える。画素１３２は外部から第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳの供給を受ける。このような画素１３２は、データ信号に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給される電流量を制御する。すると、有機発光ダイオードで所定輝度の光が生成される。
【００２７】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０の制御によって走査線Ｓ１〜Ｓｎに走査信号を供給する。また、走査駆動部１１０はタイミング制御部１５０の制御によって発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を供給する。これにより、走査駆動部１１０は走査線Ｓ１〜Ｓｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動する。
【００２８】
感知線駆動部１６０は、タイミング制御部１５０の制御によって感知線ＣＬ１〜ＣＬｎに感知信号を供給することで、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎを駆動する。
【００２９】
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０の制御によってデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給することで、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００３０】
温度センサ１４０は、前記第２電源ＥＬＶＳＳに連結されて形成されることができ、前記画素部１３０の温度を測定する役割を果たす。
【００３１】
また、第１ＡＤＣ１４２は、前記温度センサ１４０で測定された温度情報をデジタル値に変換する役割を果たし、前記デジタル値に変換された温度情報は制御部１４４に入力される。
【００３２】
制御部１４４は、前記第１ＡＤＣ１４２から出力されるデジタル値の入力を受けてそれに対応する制御信号を出力し、前記制御部１４４内にはルックアップテーブル（ＬＵＴ）１４５が含まれる。
【００３３】
より具体的に、前記制御部１４４はＬＵＴ１４５に既に格納された多数の制御信号のうち前記入力を受けた温度情報に対応する所定の制御信号を選択して出力する。前記制御部１４４から出力された制御信号は第２ＡＤＣ１７０に入力される。
【００３４】
センシング部１８０は、画素１３２のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報を抽出する。そのために、センシング部１８０は前記各画素１４０内の有機発光ダイオードに所定の電流を提供し、前記電流の提供により生成されるそれぞれの有機発光ダイオードの電圧を測定する。これにより、センシング部１８０は有機発光ダイオードの劣化程度を抽出する。
【００３５】
即ち、前記有機発光ダイオードの劣化程度は、前記所定の電流に対応する有機発光ダイオードの電圧を通じて得ることができる。前記有機発光ダイオードの電圧は第２ＡＤＣ１７０に入力される。
【００３６】
但し、前記有機発光ダイオードの劣化程度即ち、所定の電流に対応する有機発光ダイオードの電圧は温度の変化によって可変する特性がある。従って、前記有機発光ダイオードの劣化程度を正確に補償するためには、温度に応じた影響も考慮されなければならない。
【００３７】
ここで、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われることが好ましい。即ち、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加される毎に行われ得る。
【００３８】
第２ＡＤＣ１７０は、前記制御部１４４から出力された制御信号と、センシング部１８０から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、前記所定の電流に対応する有機発光ダイオードの電圧値を入力される。これにより、第２ＡＤＣ１７０は温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を生成する。
【００３９】
即ち、前記第２ＡＤＣ１７０に有機発光ダイオードの劣化情報以外に前記温度センサ１４０で測定されたパネルの温度情報を反映させて提供される制御信号が入力されることで、第２ＡＤＣ１７０が温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を生成できるようになる。
【００４０】
これにより、前記変換部１９０は前記第２ＡＤＣ１７０から出力されるデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部１５０から入力される入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。
【００４１】
タイミング制御部１５０は、データ駆動部１２０、走査駆動部１１０及び感知線駆動部１６０を制御する。
【００４２】
また、外部から入力されてタイミング制御部１５０から出力されるデータＤａｔａは、前記変換部１９０により有機発光ダイオードの劣化を補償するように校正データＤａｔａ’に変換されてデータ駆動部１２０に供給される。すると、データ駆動部１２０は前記変換された校正データＤａｔａ’を用いてデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を画素１３２に供給する。
【００４３】
図３は、図２に示した画素の実施形態を示しており、説明の便宜上、第ｍのデータ線Ｄｍ及び第ｎの走査線Ｓｎに接続された画素を示す。
【００４４】
図３を参照すれば、本発明の実施形態に係る画素１３２は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するための画素回路１３５とを備える。
【００４５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１３５に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１３５から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
【００４６】
画素回路１３５は、走査線Ｓｎに走査信号が供給される際にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号の供給を受ける。また、画素回路１３５は感知線ＣＬｎに感知信号が供給される際に有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報をセンシング部１８０に提供する。そのために、画素回路１３５は４つのトランジスタＭ１〜Ｍ４及び１つの第１キャパシタＣ１を備える。
【００４７】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は第１ノードＡに接続される。
【００４８】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は第１ノードＡに接続され、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。
【００４９】
また、前記第１電源ＥＬＶＤＤ及び第１ノードＡの間には第１キャパシタＣ１が接続される。
【００５０】
このような第２トランジスタＭ２は第１キャパシタＣ１に格納された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００５１】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は第２トランジスタＭ２の第２電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続される。このような第３トランジスタＭ３は発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給される際（ハイレバル）にターンオフされ、発光制御信号が供給されない際（ローレベル）にターンオンされる。ここで、発光制御信号は第１キャパシタＣ１にデータ信号に対応する電圧が充電される期間（Ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間（ＯＬＥＤ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）に供給される。
【００５２】
第４トランジスタＭ４のゲート電極は感知線ＣＬｎに接続され、第１電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。また、第４トランジスタＭ４の第２電極はデータ線Ｄｍに接続される。このような第４トランジスタＭ４は感知線ＣＬｎに感知信号が供給される際（ローレベル）にターンオンされ、それ以外の場合にターンオフされる。ここで、感知信号は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間（ＯＬＥＤ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）に供給される。
【００５３】
図４は、図２に示したセンシング部を具体的に示す図である。
【００５４】
図４を参照すれば、前記センシング部１８０のそれぞれのチャネルにはセンシング回路１８１が備えられ、前記センシング回路１８１は電流ソース部１８３と、それに連結されたスイッチング素子ＳＷ１とを備える。
【００５５】
前記電流ソース部１８３はスイッチング素子ＳＷ１がターンオンされたとき、画素１３２に第１電流Ｉｒｅｆを供給する。即ち、前記第１電流は画素１３２に含まれる有機発光ダイオードＯＬＥＤに提供され、前記第１電流が供給されるとき、各画素１３２の有機発光ダイオードで生成される所定電圧が第２ＡＤＣ１７０に供給される。このとき、前記電流ソース部１８３により生成される前記所定電圧（第１電圧）は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度に関する情報を有する。
【００５６】
前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは劣化するほど、内部の抵抗値が変化する。即ち、このような有機発光ダイオードの劣化に対応して印加される電流により生成される電圧値が変化する。従って、前記変化された電圧値を通じて有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を抽出できる。
【００５７】
一方、第１電流の電流値は決められた時間内に所定の電圧が印加され得るように多様に設定される。例えば、第１電流は画素１３２が最大輝度で発光するとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流さなければならない電流値Ｉｍａｘに設定されることができる。
【００５８】
図５は、図２に示した第２ＡＤＣの内部構成を具体的に示す図である。
【００５９】
前記第２ＡＤＣ１７０は、センシング回路１８１から入力を受ける有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧をデジタル値に変換する役割を果たすものである。但し、本発明の実施形態の場合、前記有機発光ダイオードの電圧が温度の変化によって変更されることを反映させるために前記制御部１４４から提供される制御信号によって前記デジタル値を調整することを特徴とする。
【００６０】
そのために、前記第２ＡＤＣ１７０は、ｊ＊ｋビットの抵抗列（（ｊ＊ｋ）ｂｉｔ Ｒ−ｓｔｒｉｎｇ）１７２、ｊ＊ｋビットのスイッチアレイ（（ｊ＊ｋ）ｂｉｔ ｓｗｉｔｃｈ ａｒｒａｙ）１７４、比較器１７６及びｊビットのレジスタ１７８を含んで構成される。ここで、ｊ＊ｋビットのスイッチアレイ（（ｊ＊ｋ）ｂｉｔ ｓｗｉｔｃｈ ａｒｒａｙ）１７４は、前記制御部１４４から提供される制御信号により前記抵抗列１７２のうちの一部の領域を選択して温度センサ１４０で測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供する。そして、比較器１７６は、前記スイッチアレイ１７４により出力される基準電圧情報と前記センシング回路１８１から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧を入力されてその大きさを比較して所定のデジタルビット値を出力する。また、ｊビットのレジスタ１７８には前記比較器１７６から出力されたビット値が順次格納される。
【００６１】
一例として、ｊは８、ｋは５であると仮定して前記第２ＡＤＣ１７０の動作を具体的に説明する。
【００６２】
このとき、前記ｊが８であるということは有機発光ダイオードの劣化情報を８ビットのデジタル値に変換することを意味し、ｋが５であるということは前記温度センサ１４０により測定された温度に対して５つの互いに異なる基準を提供することを意味する。
【００６３】
即ち、本発明の実施形態の場合、有機発光ダイオードの劣化情報を８ビットのデジタル値に変換するにおいて、前記劣化情報が温度により可変されることを反映させるために温度センサにより測定された温度に基づいて５つの基準のうちの１つを選択することを特徴とする。
【００６４】
言い換えれば、温度センサにより測定された温度に基づいて５つの基準のうちの１つにより前記抵抗列１７２のうちの一部の領域を選択し、これにより、前記測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供する。そして、前記基準電圧情報と前記センシング回路１８１から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧を入力されてその大きさを比較して８ビットのデジタルビット値を生成して格納する。
【００６５】
この場合、本発明の実施形態に係る第２ＡＤＣ１７０は、温度に応じた５つの互いに異なる基準により８ビットのデジタルビット値を生成するために８*５ビットの抵抗列１７２が備えられる。そして、８*５ビットのスイッチアレイ１７４は制御部１４４から提供される制御信号により前記抵抗列１７２のうちの一部の領域を選択して温度センサ１４０で測定された温度に対応する所定の基準電圧Ｖｒｅｆ情報を提供する。
【００６６】
このように、測定温度に対応する基準電圧Ｖｒｅｆ情報が提供されるということは、前記スイッチアレイ１７４により前記基準電圧に対応する抵抗列１７２の一部の領域が選択されることを意味する。前記抵抗列の一部の領域が選択されると、前記選択された抵抗列によりこれに対応する基準電圧情報が提供される。
【００６７】
このように、前記スイッチアレイ１７４により出力される基準電圧情報は、前記センシング回路１８１から出力される有機発光ダイオードの劣化情報即ち、有機発光ダイオードの電圧と共に比較器１７６に入力される。そして、比較器１７６に入力された基準電圧情報と有機発光ダイオードの電圧は、前記比較器１７６によりその大きさが比較されて８ビットのデジタルビット値に出力される。
【００６８】
このとき、出力される８ビットのデジタル値は温度に応じて可変する有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値となる。
【００６９】
このように前記比較器１７６から出力された８ビットのデジタル値は順次８ビットのレジスタ１７８に格納され、前記格納されたデジタル値は変換部１９０に提供される。
【００７０】
図６は、図２に示した変換部の内部構成を具体的に示す図である。
【００７１】
前記変換部１９０は、前記第２ＡＤＣ１７０から出力されるデジタル値即ち、温度変化を反映させた有機発光ダイオードの劣化情報に対応するデジタル値を用いて温度に応じた有機発光ダイオードの劣化程度の変更に関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部１５０から入力される入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。前記変換部１９０で変換された前記校正データＤａｔａ’は、データ駆動部１２０に伝達されて最終的にパネル内の各画素に提供される。
【００７２】
より具体的に図６を参照すれば、前記変換部１９０はルックアップテーブル（ＬＵＴ）１９２及びフレームメモリ１９４を含んで構成される。
【００７３】
ルックアップテーブル（ＬＵＴ）１９２は、前記第２ＡＤＣ１７０から出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成する。そして、フレームメモリ１９４には前記ルックアップテーブル１９２で生成された校正値が格納される。
【００７４】
即ち、変換部１９０は、前記第２ＡＤＣ１７０から出力されるデジタル値の提供を受けて前記ルックアップテーブル１９２及びフレームメモリ１９４を介して各画素内に備えられた有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを前記校正値により校正データＤａｔａ’に変換する。前記変換部１９０で変換された前記校正データＤａｔａ’はデータ駆動部１２０に伝達される。
【００７５】
図７は、図２に示したデータ駆動部の実施形態を示すブロック図である。
【００７６】
図７を参照すれば、データ駆動部１２０は、シフトレジスタ部１２１、サンプリングラッチ部１２２、ホールディングラッチ部１２３、ＤＡＣ部１２４及びバッファ部１２５を備える。
【００７７】
シフトレジスタ部１２１は、タイミング制御部１５０からソーススタートパルスＳＳＰ及びソースシフトクロックＳＳＣの供給を受ける。ソースシフトクロックＳＳＣ及びソーススタートパルスＳＳＰの供給を受けたシフトレジスタ部１２１は、ソースシフトクロックＳＳＣの１周期毎にソーススタートパルスＳＳＰをシフトさせながら順次ｍ個のサンプリング信号を生成する。そのために、シフトレジスタ部１２１はｍ個のシフトレジスタ１２１１〜１２１ｍを備える。
【００７８】
サンプリングラッチ部１２２は、シフトレジスタ部１２１から順次供給されるサンプリング信号に応答して前記校正データＤａｔａ’を順次格納する。そのために、サンプリングラッチ部１２２はｍ個の校正データＤａｔａ’を格納するために、ｍ個のサンプリングラッチ１２２１〜１２２ｍを備える。
【００７９】
ホールディングラッチ部１２３は、タイミング制御部１５０からソース出力イネーブルＳＯＥ信号の供給を受ける。ソース出力イネーブルＳＯＥ信号の供給を受けたホールディングラッチ部１２３は、サンプリングラッチ部１２２から校正データＤａｔａ’の入力を受けて格納する。そして、ホールディングラッチ部１２３は、自分に格納された校正データＤａｔａ’をＤＡＣ部１２４に供給する。そのために、ホールディングラッチ部１２３はｍ個のホールディングラッチ１２３１〜１２３ｍを備える。
【００８０】
ＤＡＣ部１２４は、ホールディングラッチ部１２３から校正データＤａｔａ’の入力を受け、入力を受けた校正データＤａｔａ’に対応してｍ個のデータ信号を生成する。そのために、ＤＡＣ部１２４はｍ個のデジタル−アナログ変換器（Ｄｉｇｉｔａｌ−Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ:ＤＡＣ）１２４１〜１２４ｍを備える。即ち、ＤＡＣ部１２４はそれぞれのチャネル毎に位置するＤＡＣ１２４１〜１２４ｍを用いてｍ個のデータ信号を生成し、生成されたデータ信号をバッファ部１２５に供給する。
【００８１】
バッファ部１２５は、ＤＡＣ部１２４から供給されるｍ個のデータ信号をｍ個のデータ線Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに供給する。そのために、バッファ部１２５はｍ個のバッファ１２５１〜１２５ｍを備える。
【００８２】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、または明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】従来の画素を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図３】図２に示した画素の実施形態を示す回路図である。
【図４】図２に示したセンシング部を具体的に示す図である。
【図５】図２に示した第２ＡＤＣの内部構成を具体的に示す図である。
【図６】図２に示した変換部の内部構成を具体的に示す図である。
【図７】図２に示したデータ駆動部の実施形態を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８４】
１１０  走査駆動部
１２０  データ駆動部
１４０  温度センサ
１４２  第１ＡＤＣ
１４４  制御部
１５０  タイミング制御部
１９０  変換部
１７０  第２ＡＤＣ
１７２  抵抗熱
１７４  スイッチアレイ
１７６  比較器
１７８  レジスタ
１８０  センシング部
１８１  センシング回路
１９０  変換部
１９２  制御部
１９４  フレームメモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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