(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応のための反応室と、反応室からガスを排気するための排気部と、反応室において対向して配置された平板状のカソード電極およびアノード電極とを備えてなり、
カソード電極およびアノード電極は、その対向方向に複数組が配置され、
カソード電極は、内部に設けられた中空室と、中空室に導入されたガスを中空室からカソード電極とアノード電極との間に噴出させるための複数の第１ガス噴出孔が設けられたシャワープレートとを備え、
カソード電極における、前記シャワープレートに対向する中空室内壁の電極端面部に、カソード電極の外部からガスを導入するためのガス導入口が設けられ、
前記シャワープレートに対向する中空室内壁に、中空室にガスを噴出させるための複数の第２ガス噴出孔と、前記ガス導入口から前記第２ガス噴出孔へガスを案内するためのガス案内部とが設けられており、
前記ガス案内部は、前記中空室内壁の中央部においてＴ字状に２方向へ分岐し、分岐した前記ガス案内部はそれぞれガスの流れる方向に対して対称に２方向へ分岐して、前記第２ガス噴出孔へガスを案内することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ガス案内部は、前記シャワープレートに対向する中空室内壁に形成された溝と、この溝を覆う蓋とからなっている請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記蓋は、平板である請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２ガス噴出孔は、前記蓋に貫通孔を開けることにより設けられている請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第２ガス噴出孔は、前記溝が前記蓋によって覆われていない部分に設けられている請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第２ガス噴出孔は、前記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に、かつ、この中央部を中心とする１つの円または複数の同心円の円周上に設けられている請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第２ガス噴出孔は、前記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に少なくとも１個、そして、この中央部を中心とする１つの円の円周上に点対称状に複数個、設けられている請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に設けられた前記第２ガス噴出孔のそれぞれは、この中央部を中心とする１つの円または複数の同心円の円周上に設けられた別の前記第２ガス噴出孔のそれぞれよりもその開口面積が小さい請求項６または７に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ処理装置に関し、さらに詳しくは、プラズマ発生に用いられるガス供給構造に特徴を有するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は一般に、対になるカソード電極およびアノード電極を備え、カソード電極およびアノード電極のいずれか一方に高周波電力を印加する装置を備え、さらに、プラズマを発生させるための反応ガス供給装置を備えてなる。そして、このようなプラズマ処理装置では、カソード電極とアノード電極との間に反応ガスを供給しながら高周波電力を印加してプラズマを発生させることで、カソード電極とアノード電極との間に設置された被処理物をプラズマ処理する。
【０００３】
プラズマ発生空間であるカソード電極・アノード電極間への反応ガスの供給は、アノード電極に対向するカソード電極面にガス噴出孔を設けた、いわゆるシャワープレートが用いられることが一般的である。シャワープレートを用いてプラズマ発生空間全体にわたって反応ガスが均一に拡散するようにガスの供給を行うためには、シャワープレートの上流側の空洞においてガスを十分に拡散させておく必要があり、その空洞部分の容積を大きくする必要がある。
【０００４】
反応ガスが均一に拡散するようにガスの供給を行うために、特許文献１には、シャワープレートは、各段の室がそれぞれ面状に広がる複数段の中空室と、これらの中空室をそれぞれ貫通する複数の貫通孔と、処理用ガスを初段の中空室へ導入するガス導入口と、導入された処理用ガスを最終段の中空室から噴出する複数のガス噴出孔と、隣接する中空室を隔てる壁に設けられ、処理用ガスを上流から下流の中空室へ流入させる複数の連通孔とを備え、ガス噴出孔と連通孔とは複数の貫通孔の周りに設けられている構造が開示されている。
【０００５】
このような構造によれば、初段の中空室へ導入した処理用ガスを、上記連通孔を介して連通する次段の中空室へ導いた後にガス噴出孔からチャンバー内へ噴出するようにしたので、各段の各連通孔および各ガス噴出孔から噴出するガス量がそれぞれ一様になり、チャンバー内の被処理物に対して処理用ガスを均一に供給することができるとされている。
【特許文献１】特開２００６−３２２０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された構造のシャワープレートでは、大型基板に対応した大型のカソード電極・アノード電極を用いる場合、ガスが中空室に十分に拡散せず、チャンバー内の被処理物に対して供給される処理用ガスの均一性が十分でないといった問題がある。
【０００７】
特に、カソード電極・アノード電極をその対向方向に複数組配置したプラズマ処理装置においては、その配列方向のカソード電極・アノード電極の厚みをより薄くすることが装置小型化のために必要であるにもかかわらず、カソード電極内の中空室の容積を大きくとることができず、上記の問題点がいっそう顕著になる。
【０００８】
この発明は、以上のような現状に鑑みてなされたものであり、その課題は、カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにもカソード電極とアノード電極の間にガスを均一に供給することができ、かつ、カソード電極およびアノード電極の厚みを薄く抑えることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によれば、プラズマ反応のための反応室と、反応室からガスを排気するための排気部と、反応室において対向して配置された平板状のカソード電極およびアノード電極とを備えてなり、カソード電極およびアノード電極は、その対向方向に複数組が配置され、カソード電極は、内部に設けられた中空室と、中空室に導入されたガスを中空室からカソード電極とアノード電極との間に噴出させるための複数の第１ガス噴出孔が設けられたシャワープレートとを備え、カソード電極における、上記シャワープレートに対向する中空室内壁の電極端面部に、カソード電極の外部からガスを導入するためのガス導入口が設けられ、上記シャワープレートに対向する中空室内壁に、中空室にガスを噴出させるための複数の第２ガス噴出孔と、上記ガス導入口から上記第２ガス噴出孔へガスを案内するためのガス案内部とが設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によるプラズマ処理装置では、カソード電極における中空室内壁のシャワープレートに対向する面に、中空室内にガスを噴出させるための複数の第２ガス噴出孔を設け、カソード電極の外部からガスを導入するためのガス導入口から上記第２ガス噴出孔へガスを案内するためのガス案内部をシャワープレートに対向する中空室内壁に備える構造とした。これにより、カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにもカソード電極の第１ガス噴出孔からカソード電極とアノード電極との間にガスを均一に供給することができ、さらに、カソード電極およびアノード電極の厚みを薄く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この発明によるプラズマ処理装置は、例えば、プラズマＣＶＤ法によってシリコン系薄膜を製造するのに用いられる。
【００１２】
シリコン系薄膜としては、例えば、シリコンを主成分とする結晶質から非晶質までの薄膜を挙げることができる。反応ガスとしては、シリコン元素を含有するガスを用いることができる。具体的には、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）などを用いることができ、これらのシラン、ジシランを水素（Ｈ2）やヘリウム（Ｈｅ）などで希釈してもよい。
【００１３】
また、この発明によるプラズマ処理装置で製造されるシリコン系薄膜には、他にも炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ）膜、ＳｉＧｅ膜などが挙げられる。
【００１４】
炭化ケイ素膜を製造する場合には、反応ガスとしてシリコン元素を含有するガスの他に、炭素元素を含有するＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などのガスを同時に導入する。窒化ケイ素膜を製造する場合には、反応ガスとしてシリコン元素を含有するガスの他に、窒素元素を含有するＮＨ3、ＮＯなどのガスを同時に導入する。酸化ケイ素膜を製造する場合には、反応ガスとしてシリコン元素を含有するガスの他に、酸素元素を含有するＮＯ、ＣＯ2などのガスを同時に導入する。ＳｉＧｅ膜を製造する場合には、反応ガスとしてシリコン元素を含有するガスの他に、ゲルマニウム元素を含有するＧｅＨ4などのガスを同時に導入する。
【００１５】
さらに、これらのシリコン系薄膜には導電性を制御するために不純物を導入させてもよく、ｎ型とする場合にはＰＨ3などの、ｐ型とする場合にはＢ2Ｈ6などの不純物元素を含有するガスを同時に導入する。
【００１６】
この発明によるプラズマ処理装置において、反応室としては、少なくとも内部を真空に排気することのできるものを用いることができる。このような反応室は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム合金などで製作することができ、２以上の部材で構成する場合には、嵌合部にＯリングなどを用いて完全に密閉できる構造とすることが好ましい。
【００１７】
この発明によるプラズマ処理装置において、排気部としては、例えば、真空ポンプ、反応室と真空ポンプとを接続する排気管、排気管の途中に設けられた圧力制御器などで構成されたものを用いることができる。
【００１８】
この発明によるプラズマ処理装置においては、カソード電極とアノード電極との間に高周波電力を印加するための高周波電源部が設けられる。この高周波電源部としては、例えば、プラズマ励起電源およびインピーダンス整合器などから構成されたものを用いることができる。
【００１９】
この発明によるプラズマ処理装置において、カソード電極およびアノード電極としては、平板状であってステンレス鋼、アルミニウム合金、カーボンなどの耐熱導電性材料からなるものを用いることができる。カソード電極およびアノード電極の形状、大きさおよび材質は略同一であるのが好ましく、また、機械加工などで加工歪みが残留している場合には、焼き鈍し処理によって残留歪みを除去するのが好ましい。
【００２０】
カソード電極は、内部に設けられた中空室と、中空室に導入されたガスを中空室からカソード電極とアノード電極との間に噴出させるための複数の第１ガス噴出孔が設けられたシャワープレートとを備えたものが使用される。この中空室には、場合によっては電極加熱用ヒーターを設置することができる。アノード電極は例えば、中空構造を有し、電極加熱用ヒーターが内蔵されたものでもよい。
【００２１】
この発明によるプラズマ処理装置において、カソード電極における、上記シャワープレートに対向する中空室内壁の電極端面部には、ガス導入口が設けられている。このガス導入口は、カソード電極の外部から中空室にガスを導入するためのものである。
【００２２】
また、上記シャワープレートに対向する中空室内壁には、複数の第２ガス噴出孔と、ガス案内部とが設けられている。第２ガス噴出孔は、中空室にガスを噴出させるためのものであり、ガス案内部は、上記ガス導入口から上記第２ガス噴出孔へガスを案内するためのものである。
【００２３】
ガス案内部は例えば、上記シャワープレートに対向する中空室内壁に形成された溝と、この溝を覆う蓋とから構成することができる。ガス案内部は、このような溝から構成する必要はなく、例えば中空室内壁に形成された孔から構成することもできる。
【００２４】
ガス案内部が、上記シャワープレートに対向する中空室内壁に形成された溝と、この溝を覆う蓋とから構成される場合には、中空室内壁にガス案内部を簡単に形成することができる。
【００２５】
この溝は例えば、直線状のものでも、湾曲状のものでも、あるいは直線状部分と湾曲状部分とが組み合わされたものでもよい。この蓋は例えば、この溝の平面形状と同一の平面形状を有する平板から構成することができる。
【００２６】
第２ガス噴出孔は例えば、上記蓋に貫通孔を開けることにより設けることができる。第２ガス噴出孔が上記蓋に貫通孔を開けることにより設けられているときには、蓋を交換することで、第２ガス噴出孔の位置および孔径を容易に変更（調整）することが可能になる。
【００２７】
第２ガス噴出孔は例えば、上記溝が上記蓋によって覆われていない部分に設けることができる。上記溝が上記蓋によって覆われていない部分に第２ガス噴出孔が設けられているときには、蓋を交換することで、第２ガス噴出孔の位置および孔径を容易に変更（調整）することが可能になる。
【００２８】
第２ガス噴出孔は例えば、上記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に、かつ、この中央部を中心とする１つの円または複数の同心円の円周上に設けることができる。第２ガス噴出孔がこのような箇所に設けられているときには、カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにもカソード電極とアノード電極との間にガスをいっそう均一に供給することができる。
【００２９】
第２ガス噴出孔は例えば、上記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に少なくとも１個、そして、この中央部を中心とする１つの円の円周上に点対称状に複数個、設けることができる。第２ガス噴出孔がこのような箇所にこのような個数設けられているときには、カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにもカソード電極とアノード電極との間にガスをいっそう均一にかついっそう確実に供給することができる。
【００３０】
上記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に設けられた第２ガス噴出孔は、この中央部を中心とする１つの円または複数の同心円の円周上に設けられた別の第２ガス噴出孔のそれぞれよりもその開口面積が小さいことが好ましい。上記シャワープレートに対向する中空室内壁の中央部に設けられた第２ガス噴出孔が、この中央部を中心とする１つの円または複数の同心円の円周上に設けられた別の第２ガス噴出孔のそれぞれよりもその開口面積が小さいときには、カソード電極およびアノード電極が大面積化したときに、カソード電極の中央部におけるガスは排出されにくいことから、カソード電極とアノード電極との間にガスをさらに均一に供給することができる。
【００３１】
以下、この発明の１つの実施形態による薄膜製造用プラズマ処理装置を図１〜図４に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
図１に示されるように、薄膜製造用プラズマ処理装置１００は、プラズマ反応のための反応室としてのチャンバー１５と、チャンバー１５内に反応ガスを導入するためのガス導入部２８と、チャンバー１５内の反応ガスを排気するための排気部２９と、チャンバー１５内に高周波電力を印加するための高周波電源部３０とを備えている。
【００３３】
チャンバー１５内には、長方形平板状のアノード電極４と、長方形平板状のカソード電極１２と、これら両電極４・１２をそれぞれの周縁領域で支持するための第１支持体６・第２支持体５とが、いずれも２組配置されている。カソード電極１２は、シャワープレート２および裏板３を有するともに、アノード電極４に対向して設けられている。
【００３４】
ここで、チャンバー１５は本体部と図１の本体部の手前に設けられた扉部（図示せず）とからなる。本体部と扉部とはいずれも、ステンレス鋼またはアルミニウム合金などで製作することができる。本体部と扉部との嵌合部分はＯリング（図示せず）などを用いて密閉されている。
【００３５】
チャンバー１５には、排気管２０、真空ポンプ２１および圧力制御器２２からなる排気部２９が接続されており、チャンバー１５内を任意の真空度に制御することができるように構成されている。
【００３６】
チャンバー１５の本体部の長方形底面１５ａおよび上面１５ｂには、それぞれの隅部の近傍に１つずつ第１支持体６が設けられ、これらの第１支持体６によりアノード電極４が支持されている。
【００３７】
それぞれのアノード電極４の寸法は、成膜すべき基板１の寸法に応じた適切な寸法に設定されている。この実施形態では、基板１の寸法を９００×５５０ｍｍに設定し、これに対するアノード電極４の平面寸法を１０００×６００ｍｍに設定し、厚みを１０〜３０ｍｍに設定した。
【００３８】
アノード電極４は、ステンレス鋼、アルミニウム合金、カーボンなどで製作することができ、この実施形態ではアルミニウム合金から製作されている。
【００３９】
アノード電極４は、中空構造となっており、その中空部分に加熱器（シースヒーター）２４が内蔵されている。アノード電極４には、中空構造とするための機械加工により加工歪みが残留している。このため、アノード電極４には、使用に先立って焼き鈍し処理による加工歪みの除去が行われる。この焼き鈍し処理は、熱電対などの密閉型温度センサーを使用して行われる。また、焼き鈍し処理は、アノード電極４として使用する金属により処理温度が異なるが、アルミニウム合金を使用した場合には、一般に３４５℃に保持した後に徐冷する温度サイクルが用いられる。
【００４０】
アノード電極４は、第１支持体６にネジ留めにより固定されている。
【００４１】
なお、アノード電極４とチャンバー１５とは、２枚の接地板によって電気的に接続されている。すなわち、接地板は、幅１０〜３５ｍｍ、厚さ０．５〜３ｍｍのアルミニウム板から製作され、アノード電極４の上下端面にそれぞれ取り付けられている。
【００４２】
それぞれのカソード電極１２は、長方形平板状のシャワープレート２とこのシャワープレート２を上方から覆う裏板３とを備えてなる。また、シャワープレート２と裏板３との間には中空室１７が設けられている。シャワープレート２と裏板３とはいずれも、ステンレス鋼、アルミニウム合金などから製作することができるが、アノード電極４と略同一の材質から製作するのが好ましく、この実施形態ではアルミニウム合金から製作されている。
【００４３】
カソード電極１２の寸法は、成膜すべき基板１の寸法に応じた適切な寸法に設定されている。この実施形態では、カソード電極１２の平面寸法を１０００×６００ｍｍに設定し、厚みを２０〜３０ｍｍに設定して、アノード電極４と略同一の寸法にされている。
【００４４】
図２〜図４に示されるように、カソード電極１２の中空室１７は、その平面面積がカソード電極１２の平面面積の約９５％を占めており、その高さ（例えば８ｍｍ）がカソード電極１２の厚み（例えば２５ｍｍ）の約３０％を占めている。
【００４５】
シャワープレート２には、複数（数百個）の第１ガス噴出孔１８がほぼ全面に設けられている。これらの第１ガス噴出孔１８は、それぞれの直径が０．１ｍｍであって、隣接する第１ガス噴出孔１８との配置間隔（ピッチ）が２．０ｍｍとなるように形成されている。これらの第１ガス噴出孔１８は、中空室１７に導入されたガスを中空室１７からカソード電極１２とアノード電極４との間に噴出させるためのものである。
【００４６】
カソード電極１２の裏板３の下面は、中空室１７の天井面を兼ねており、この明細書においては、シャワープレート２に対向する中空室内壁１９と称することもある。
【００４７】
シャワープレート２に対向する中空室内壁１９の一方の電極端面部には、カソード電極１２の外部からガスを導入するためのガス導入口３１が設けられている。また、シャワープレート２に対向する中空室内壁１９には、中空室１７にガスを噴出させるための５個の第２ガス噴出孔３２と、ガス導入口３１からこれらの第２ガス噴出孔３２へガスを案内するためのガス案内部３３とが設けられている。
【００４８】
５個の第２ガス噴出孔３２は、図２に示されるように、シャワープレート２に対向する中空室内壁１９の中央部に１個、そして、この中央部を中心とする１つの円の円周上に点対称状に４個、設けられている。
【００４９】
ガス案内部３３は、シャワープレート２に対向する中空室内壁１９に形成された溝３３ａと、この溝３３ａを覆う蓋３３ｂとからなっている。
【００５０】
溝３３ａは、図２に示されるように、平面形状がＨ字状であって中空室内壁１９の中央部分に形成されたＨ字状部と、平面形状がＩ字状であって、一方端部がガス導入口３１に連なり、他方端部がＨ字状部の中央部分に連なるＩ字状部とからなっている。Ｈ字状部の長辺方向の長さは６００ｍｍに設定され、Ｉ字状部の長辺方向の長さは４８０ｍｍに設定されている。また、溝３３ａは、横断面形状が長方形であって、その幅が２０ｍｍに、その深さが２ｍｍに設定されている。
【００５１】
蓋３３ｂは、溝３３ａの上記平面形状に対応するＨ字状部とＩ字状部とからなっている。蓋３３ｂは、材質がカソード電極１２と同じであり、その幅が３０ｍｍに、厚さが１ｍｍに構成されている。蓋３３ｂは、ネジ留めによって中空室内壁１９の溝３３ａの開口周縁部分に固定されている。
【００５２】
そして、図２〜図４に示されるように、上記５個の第２ガス噴出孔３２のうち、中空室内壁１９の中央部に設けられた上記１個の第２ガス噴出孔３２は、溝３３ａのＨ字状部における中央部分に開口しており、１つの円周上に点対称状に設けられた上記４個の第２ガス噴出孔３２は、溝３３ａのＨ字状部における４つの隅にそれぞれ開口している。
【００５３】
上記１個の第２ガス噴出孔３２の直径は１．５ｍｍであり、上記４個の第２ガス噴出孔３２の直径はそれぞれ２．０ｍｍである。従って、上記１個の第２ガス噴出孔３２の開口面積は、上記４個の第２ガス噴出孔３２のそれぞれの開口面積よりも小さく構成されている。
【００５４】
また、図２および図３に示されるように、カソード電極１２のガス導入口３１は、溝３３ａの上記Ｉ字状部の一方端部に連なっている。そして、図１に示されるガス導入部２８からカソード電極１２のガス導入口３１、溝３３ａのＩ字状部、Ｈ字状部および５個の第２ガス噴出孔３２を介して中空室１７の内部へ導入された反応ガスは、カソード電極１２のシャワープレート２に形成された数百個の第１ガス噴出孔１８から、カソード電極１２とアノード電極４の間にシャワー状に噴出される。
【００５５】
カソード電極１２のシャワープレート２および裏板３にも、アノード電極４と同様に、機械加工による加工歪みが残留している。このため、カソード電極１２の使用に先立って焼き鈍し処理による加工歪みの除去が行われる。この焼き鈍し処理は、シャワープレート２および裏板３として使用する金属により処理温度が異なるが、これらにアルミニウム合金を使用した場合には、一般に３４５℃に保持した後に徐冷する温度サイクルが用いられる。
【００５６】
図１に示されるように、２組のカソード電極１２は、チャンバー１５の本体部の長方形底面１５ａおよび上面１５ｂに設けられた合計８つの第２支持体５の上により支持されている。第２支持体５は、ガラス、アルミナまたはジルコニアなどから製作することができ、この実施形態ではアルミナまたはジルコニアが用いられている。
【００５７】
それぞれのカソード電極１２は、第２支持体５上にネジ留めにより固定されている。
【００５８】
それぞれのカソード電極１２には、プラズマ励起電源１０とインピーダンス整合器１１とからなる高周波電源部３０が電力導入端子２７を介して接続されており、高周波電力が印加されるようになっている。プラズマ励起電源１０は、ＤＣ〜１０８．４８ＭＨｚの周波数で１０Ｗ〜１００ｋＷの電力を使用する。この実施形態では、１ＭＨｚ〜５４．２４ＭＨｚの周波数で１０Ｗ〜１００ｋＷの電力が使用されている。
【００５９】
以上のような構成からなる薄膜製造用プラズマ処理装置１００に、Ｈ2で希釈したＳｉＨ4からなる反応ガスを所定の流量と圧力とでカソード電極１２を介して導入し、カソード電極１２とアノード電極４との間に上記高周波電力を印加してグロー放電を発生させる。これにより、基板１上に膜厚３００ｎｍのシリコン薄膜が成膜時間１０分、膜厚分布±１０％以内で堆積される。
【００６０】
この実施形態では、プラズマ処理装置１００を２段構成のものにしたが、別のプラズマ処理装置では、同様の構成を繰り返すことにより３段以上の構成も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明の１つの実施形態によるプラズマ処理装置（薄膜製造装置）の全体構成を示す説明図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置を構成するカソード電極の下面図である。
【図３】図２のＡ１−Ａ１線に沿う断面図である。
【図４】図２のＡ２−Ａ２線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・基板
２・・・シャワープレート
３・・・裏板
４・・・アノード電極
５・・・第２支持体
６・・・第１支持体
７・・・トレー
１０・・・プラズマ励起電源
１１・・・インピーダンス整合器
１２・・・カソード電極
１５・・・チャンバー（反応室）
１７・・・中空室
１８・・・第１ガス噴出孔
１９・・・中空室内壁
２０・・・排気管
２１・・・真空ポンプ
２２・・・圧力制御器
２４・・・加熱器
２７・・・電力導入端子
２８・・・ガス導入部
２９・・・排気部
３０・・・高周波電源部
３１・・・ガス導入口
３２・・・第２ガス噴出孔
３３・・・ガス案内部
３３ａ・・・溝
３３ｂ・・・蓋
【図１】
0005039576.tif 000002
【図２】
0005039576.tif 000003
【図３】
0005039576.tif 000004
【図４】
0005039576.tif 000005