(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に第１導電性材料からなる電極膜を形成することにより、絶縁性領域と隣接する電極領域を上記絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程と、
上記電極膜上に第１導電性材料を電気めっきすることにより、上記絶縁性領域から立ち上がり、上記電極領域に向かって曲がる曲面を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、コンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、
上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
互いに隣接する上記電極領域及び上記絶縁性領域を露出させる開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に犠牲層を形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
互いに隣接する上記犠牲層の上記曲面及び上記絶縁性領域を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項４】
上記電極膜形成工程は、導電性のプローブ下地膜を形成することにより、上記絶縁性基板の主面上に上記絶縁性領域を介して上記電極領域と隔てられたプローブ下地領域を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第２導電性材料を堆積させると共に、堆積した金属層を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第２導電性材料を堆積させることにより上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項５】
上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記電極領域及び上記プローブ下地領域を露出させる細長い開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、
上記電極膜形成工程は、上記犠牲層を形成する導電性材料の電気めっき液及びエッチング液に溶けない導電性材料で上記プローブ下地膜を形成し、
上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に上記曲面を有する犠牲層を形成し、
上記プローブ形成工程は、上記犠牲層が形成された上記開口部内にコンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項６】
上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記犠牲層の上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、
上記プローブ形成工程は、上記曲面及び上記プローブ下地膜が露出する上記開口部内に上記コンタクトプローブを形成することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項７】
上記犠牲層除去工程は、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離することを特徴とする請求項６に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、片持ち梁構造のコンタクトプローブの屈曲部における応力集中を低減することができるコンタクトプローブを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードは、半導体集積回路の電極パッドなどの検査対象物の電気的特性を検査するために用いられ、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、これらコンタクトプローブを電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すことができる。
【０００３】
半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウエハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。
【０００４】
上記コンタクトプローブとしては、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウエハ側に押し付けて、ビーム部を弾性変形させる。
【０００５】
ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。
【０００６】
特許文献１には、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に垂直な方向、すなわち、コンタクトプローブの高さ方向に積層された複数のめっき層によって構成される。各めっき層は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされており、２次元形状の異なるめっき層を順に積層していくことによって、３次元形状のコンタクトプローブを形成することができる。このようにして形成された片持ち梁構造のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状となる。
【特許文献１】特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のコンタクトプローブは、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させた形状を有しており、弾性変形時には、この屈曲部付近に応力の集中が発生する。このため、コンタクトプローブの針圧を増大させることが容易ではないという問題があった。そこで、ビーム部の固定端側を略直角に屈曲させるのではなく、滑らかに湾曲させた形状にすることができれば、上述したような応力集中を緩和することができると考えられる。
【０００８】
しかしながら、コンタクトプローブの高さ方向にめっき層を積層する場合、高さ方向に滑らかに湾曲するコンタクトプローブを形成するためには、２次元形状の異なる多数のめっき層を積層する必要があり、製造コストを増大させてしまう。
【０００９】
そこで、コンタクトプローブの幅方向にめっき層を積層する製造方法を採用することも考えられる。この場合、めっき層の数を増大させることなく、高さ方向に滑らかに湾曲するコンタクトプローブを形成することができるが、多数のプローブをプローブ基板上に配列される位置関係のままで同時に形成することができない。つまり、犠牲層を介在させて配列させた複数のコンタクトプローブを製造してプローブ基板上に配置したり、あるいは、プローブ基板に対して電気めっきを行ってコンタクトプローブを形成することができず、コンタクトプローブを一つずつプローブ基板に取付けていく煩雑な作業が必要となる。
【００１０】
そこで、本発明者は、コンタクトプローブの高さ方向へ積層してコンタクトプローブを形成する製造方法において、ビーム部に湾曲部を形成することができるコンタクトプローブの製造方法を見出した。その製造方法は、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストで基板上に形成し、このプローブ形成用台座にビーム部を形成していくものである。この場合、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストで形成するために、まず、角部を有するブロック状の台座を形成し、その後、このブロック状の台座を高温で加熱して角部を収縮させて丸みを形成することにより、曲面を形成する。
【００１１】
しかしながら、レジストで形成する台座は、高温で熱処理をするためレジストの材料中の物質が揮発したり熱収縮したりして、台座に所望の高さを出すことができない問題があった。そこで、さらなる研究の結果、この熱処理後のレジストの台座の上にコンタクトプローブを形成する導電性材料とは異なる導電性材料で薄膜を形成し、この薄膜上に薄膜と同じ導電性材料で電気めっきすることにより、所望の高さのめっき台座が得られた。
【００１２】
ところが、このめっき台座は、内部にレジストの台座が形成されているため、プローブ製造中の温度上昇により、このレジストの台座が熱収縮を起こし、このレジストの台座上に形成した金属薄膜が割れて、めっき台座が破損する問題が生じた。さらに、このレジストの台座は、通常のレジストの処理を行う場合の温度よりも高温で熱処理を行って曲面を出すようにしているため、コンタクトプローブを形成した後にレジスト層を除去しようとしても硬化しすぎて除去することが難しいという問題もあった。
【００１３】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高さ方向に積層してコンタクトプローブを形成する方法において、台座が熱で破損することなく、所望の形状及び大きさの湾曲部を有するコンタクトプローブを簡単に形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、絶縁性基板上に第１導電性材料からなる電極膜を形成することにより、絶縁性領域と隣接する電極領域を上記絶縁性基板上に形成する電極膜形成工程と、上記電極膜上に第１導電性材料を電気めっきすることにより、上記絶縁性領域から立ち上がり、上記電極領域に向かって曲がる曲面を有する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、コンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、上記犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えている。
【００１５】
このような製造方法により、熱で破損せず、上記コンタクトプローブの湾曲部を形成するための上記曲面を有する上記犠牲層を簡単に形成することができ、当該犠牲層に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。従って、片持ち梁構造のコンタクトプローブを基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で所望の形状、大きさの湾曲部を形成することができる。
【００１６】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、互いに隣接する上記電極領域及び上記絶縁性領域を露出させる開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、上記犠牲層形成工程は、上記レジスト層の開口部内に犠牲層を形成する。
【００１７】
このように上記開口部内に上記犠牲層を形成することにより、上記開口部の壁面を用いて形成される上記絶縁性基板に垂直な側面と上記曲面とで囲まれた形状の上記犠牲層や断面形状が半楕円状の上記犠牲層を上記絶縁性基板上の所望の位置に形成することができる。その結果、複数の上記犠牲層を上記絶縁性基板上に形成する場合、上記コンタクトプローブのプローブ基板への固定位置と検査対象物への接触位置に合せて、所望の形状の上記犠牲層を形成することができる。また、１つの上記犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成する場合には、複数のコンタクトプローブを上記犠牲層と共に上記絶縁性基板から剥離して、別途用意したプローブ基板上に上記犠牲層ごと配置させることができる。このようにしてコンタクトプローブをプローブ基板に配置させることにより、間隔を維持させたまま複数のコンタクトプローブをプローブ基板の所定の位置に同時に固定させることができる。
【００１８】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、互いに隣接する上記犠牲層の上記曲面及び上記絶縁性領域を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、上記プローブ形成工程は、上記曲面が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。
【００１９】
このような製造工程により、長細い上記開口部内に上記曲面及び上記絶縁領域を露出させるので、上記開口部の大きさを自由に設定することにより、湾曲部を有する上記コンタクトプローブを所望の長さ、幅及び厚みに形成できる。特に、複数の上記コンタクトプローブが形成可能な大きさの上記犠牲層を形成し、この犠牲層の上記曲面上に複数の長細い上記開口部が配置されるようにプローブ形成用の上記レジスト層を形成することにより、湾曲部を有する複数のプローブを同時に形成できる。しかも、１つの上記犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成する場合、複数の上記開口部の位置をプローブ基板に設ける電極の位置と検査対象物への接触位置とに合わせて上記開口部を形成して複数のコンタクトプローブを同時に形成することができる。このように上記開口部を形成することにより、複数のコンタクトプローブを上記犠牲層と共に上記絶縁性基板から剥離して、別途用意したプローブ基板上に上記犠牲層ごと配置させることができる。従って、上記犠牲層で複数のコンタクトプローブを所定の間隔で保持したままプローブ基板の複数の電極の位置に複数のコンタクトプローブを同時に配置させることができる。
【００２０】
第４の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程において、上記電極膜形成工程は、導電性のプローブ下地膜を形成することにより、上記絶縁性基板の主面上に上記絶縁性領域を介して上記電極領域と隔てられるプローブ下地領域を形成し、上記プローブ形成工程は、上記犠牲層上に第２導電性材料を電気めっきすることにより、上記犠牲層上に第２導電性材料を堆積させると共に、堆積した金属層を介して上記犠牲層及び上記プローブ下地膜を導通させて、当該プローブ下地膜上にも第２導電性材料を堆積させることにより上記コンタクトプローブを形成する。
【００２１】
本発明の製造方法では、上記電極膜とは別に、当該電極膜と絶縁された状態で上記プローブ下地膜を形成し、上記犠牲層上に上記コンタクトプローブを形成していく途中で上記プローブ下地膜上にも上記コンタクトプローブを形成していくことができる。従って、本発明の製造方法によれば、上記コンタクトプローブの湾曲する部分と上記絶縁性基板に固定される部分とを同時に連続して形成していくことができる。
【００２２】
従来では、片持ち梁構造の上記コンタクトプローブは、２次元形状の異なる複数のめっき層を高さ方向に順に積層して形成している。そのためレジスト層の形成、露光及び除去を複数回繰り返し、露光する度に形状の異なるマスクを用いる必要がある。本発明の製造方法では、上記コンタクトプローブの上記基板固定部分の形成とこれに連続する部分の形成を１つのレジスト層、１つのマスクを用いて形成できるので、レジスト層の形成工程及びレジスト除去工程を減らすことができ、マスクも減らすことができるので、製造コストの低廉化が図れる。
【００２３】
また、本発明の製造方法によれば、上記コンタクトプローブを形成すると同時に上記プローブ下地膜を介して上記コンタクトプローブを上記絶縁性基板に固定することができる。従って、上記絶縁性基板をプローブ基板とする場合には、このプローブ基板に上記コンタクトプローブを形成すると同時に固定することができるので、上記コンタクトプローブを１本ずつわざわざ上記プローブ基板に固定する作業を不要にでき、製造コストをさらに低廉にすることができる。
【００２４】
第５の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記電極領域及び上記プローブ下地領域を露出させる細長い開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程を備え、上記電極膜形成工程は、上記犠牲層を形成する導電性材料の電気めっき液及びエッチング液に溶けない導電性材料で上記プローブ下地膜を形成し、上記犠牲層形成工程は、上記電極領域が露出する上記開口部内に上記曲面を有する犠牲層を形成し、上記プローブ形成工程は、上記犠牲層が形成された上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。
【００２５】
このような製造方法により、上記開口部内で、上記犠牲層を形成した後に、当該犠牲層及び上記プローブ下地膜上に湾曲部と上記絶縁性基板への固定部とを有する上記コンタクトプローブを形成することができる。従って、上記電極領域及び上記プローブ下地領域が露出する上記開口部を有する１つのレジスト層を形成するだけで、上記犠牲層と湾曲部を有する上記コンタクトプローブとを形成することができる。その結果、上記犠牲層を形成するためのレジスト層と上記コンタクトプローブを形成するためのレジスト層を共通させることができるし、上記犠牲層を形成するための導電性材料の使用量も減らすことができ、製造コストの低廉化が図れる。
【００２６】
第６の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記絶縁性領域を挟んで設けられる上記犠牲層の上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させる長細い開口部を有するプローブ形成用のレジスト層を形成するプローブ用レジスト形成工程を備え、上記プローブ形成工程は、上記曲面及びプローブ下地膜が露出する上記開口部内にコンタクトプローブを形成する。
【００２７】
このような製造方法により、長細い上記開口部内に上記曲面及び上記プローブ下地膜を露出させて上記コンタクトプローブを形成するので、上記コンタクトプローブは、湾曲部と上記絶縁性基板への固定部とを同じレジスト層の上記開口部を用いて同時に形成でき、製造コストの低廉化が図れる。特に、複数の上記コンタクトプローブが形成可能な大きさの上記犠牲層を形成し、この犠牲層の上記曲面上に複数の長細い上記開口部が配置されるようにプローブ形成用の上記レジスト層を形成することにより、湾曲部を有する複数のプローブを同時に形成できるとともに、上記絶縁性基板に同時に固定することができる。
【００２８】
第７の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、上記工程に加え、上記犠牲層除去工程は、複数の上記コンタクトプローブを導通させる上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各上記コンタクトプローブ毎に、当該コンタクトプローブの下に形成された上記プローブ下地膜を分離する。
【００２９】
このような製造方法により、上記プローブ下地膜を複数の上記コンタクトプローブを導通させ、かつ、上記絶縁性基板に設ける複数の電極を導通させるように形成しておいて、最終的に上記プローブ下地膜を部分的に除去することにより、各コンタクトプローブの導通を遮断することが可能となる。その結果、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合に比べて上記プローブ下地膜の位置合わせを容易に行うことができる。
【００３０】
また、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合には、これらプローブ下地膜の位置に合わせて、上記レジスト層の上記細長い開口部を形成しなければならないので、上記細長い開口部の位置合わせも困難となる。本発明の製造方法によれば、広い面積の上記プローブ下地膜に合わせて上記細長い開口部を複数形成することが可能となるので、上記細長い開口部の位置合わせを簡単に行うことができ、しかも、上記コンタクトプローブを上記プローブ下地膜を介して上記絶縁性基板の電極に確実に導通させることができる。
【００３１】
さらに、上記プローブ下地膜を個々の電極の位置に合わせて個別に形成する場合、何れかの上記細長い開口部において、上記犠牲層と上記プローブ下地膜との間の絶縁性領域の長さが他の上記細長い開口部内での長さよりも長くなってしまう場合がある。そのような場合には、上記犠牲層上に形成された上記金属層が上記プローブ下地膜と導通するまでに時間を要し、均一な厚みのコンタクトプローブが形成できない。本発明によれば、何れかの上記細長い開口部内において、上記金属層が上記プローブ下地膜に導通することにより、この導通した上記プローブ下地膜が露出している全ての上記細長い開口部内において、当該プローブ下地膜上に導電性材料が同時に堆積していくので、各上記コンタクトプローブの厚みをほぼ均一に形成することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、片持ち梁構造のコンタクトプローブを高さ方向である基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、熱で破損せず、上記コンタクトプローブの湾曲部を形成するための上記曲面を有する上記犠牲層を簡単に形成することができ、当該犠牲層に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
実施の形態１.
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００３４】
〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。
【００３５】
検査対象物１０２は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００３６】
〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００３７】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備えている。
【００３８】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁で保持されて水平に支持される。
【００３９】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンで形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板でプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板で構成することにより、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。
【００４０】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００４１】
本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われる。
【００４２】
〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向させている。
【００４３】
図３は、コンタクトプローブ１の側面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。
【００４４】
ビーム部３は、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して延びる弾性変形部３２とから構成される。さらに、基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記するプローブ下地膜５で形成されている。
【００４５】
このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２を弾性変形させる。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２で押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２を弾性変形させることができる。
【００４６】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されたコンタクトチップにより構成されている。このコンタクトチップは端面が五角形の柱状体からなる。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。
【００４７】
本実施形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。
【００４８】
そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通しており、コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させることができる。
【００４９】
〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料で構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。
【００５０】
また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施形態では、コンタクト部２をロジウム（Ｒｈ）を用いて形成している。
【００５１】
〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４から図６は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００５２】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００５３】
図４（ａ）〜（ｆ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に電極膜６を形成する電極膜形成工程を示している。なお、この電極膜形成工程には、絶縁膜４を形成する工程、プローブ下地膜５を形成する工程、第１レジスト形成工程及び第２レジスト形成工程を含んでいる。
【００５４】
まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料で、かつ、銅のめっき液及び銅をエッチングする液に溶けない導電性材料でプローブ下地膜５を形成する。絶縁膜４及びプローブ下地膜５は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５５】
このプローブ下地膜５を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、電気めっきにより形成されたプローブの金属層と一体となり、このプローブ下地膜５をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。
【００５６】
そして、図４（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。この第１レジスト層７１を形成する工程が上記第１レジスト形成工程となる。
【００５７】
このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図４（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、長尺な方形状に形成されている。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、このプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。
【００５８】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜４及びプローブ下地膜５上に銅（Ｃｕ）で電極膜６を形成する。この電極膜６もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５９】
そして、図４（ｅ）に示すように、電極膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層７２を形成する。その後、この第２レジスト層７２の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層７２を部分的に除去する。この第２レジスト層７２を形成する工程が上記第２レジスト形成工程となる。
【００６０】
このようにして第２レジスト層７２が除去された部分に対して、図４（ｆ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第２レジスト層７２が残っている部分を除いた電極膜６を除去する。そして、第２レジスト層７２を除去することにより、プローブ基板１０７上には、図７のプローブ基板１０７の平面図に示すように、電極膜６で構成される電極領域６１と、プローブ下地膜５で構成されるプローブ下地領域５１と、露出する絶縁膜４で構成される絶縁性領域４１とが形成される。本実施形態では、プローブ下地領域５１の周りに絶縁性領域４１を挟んで電極領域６１が形成され、この電極領域６１は絶縁性領域４１によりプローブ下地領域５１と絶縁された状態になっている。
【００６１】
図５（ａ）は、互いに隣接する電極領域６１及び絶縁性領域４１を露出させる第１開口部７３ａを有する第３レジスト層７３を形成する第３レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第３レジスト層７３を形成する。その後、この第３レジスト層７３の表面を選択的に露光することにより、第３レジスト層７３を部分的に除去する。残った第３レジスト層７３は、図８のプローブ基板１０７の平面図に示すように、プローブ下地膜５の全てと、絶縁膜４及び電極膜６の一部を覆った状態になる。
【００６２】
第３レジスト層７３を部分的に除去することにより、第１開口部７３ａが形成される。この第１開口部７３ａ内には、電極膜６と絶縁膜４とが隣接した状態で露出される。図８では、電極領域６１と絶縁性領域４１との境界線が第１開口部７３ａ内に直線上に現れている。
【００６３】
図５（ｂ）〜（ｃ）は、電極膜６上に導電性材料を電気めっきすることにより、絶縁性領域４１から立ち上がり、電極領域６１に向かって曲がる曲面を有する犠牲層８を形成する犠牲層形成工程を示している。
【００６４】
上記した図５（ａ）及び図８の状態から、電極膜６に電圧を印加することにより、図５（ｂ）に示すように、電極膜６の上面に銅（Ｃｕ）を電気めっきしていく。このとき、電極膜６の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが電極膜６の上面からオーバーフローし、電極膜６の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ｂ）に示すような曲面を有する犠牲層８が形成される。
【００６５】
具体的には、この犠牲層８は、絶縁膜４から立ち上がって、電極膜６に向かって曲がる曲面を有するように形成される。犠牲層８は、プローブ下地膜５に接触しないように、プローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出するように形成される。犠牲層８が形成された後、図５（ｃ）に示すように、第３レジスト層７３を除去する。
【００６６】
本実施の形態では、犠牲層８は、図８に示すように、平面視が矩形状になるように形成し、その一辺に曲面を形成し、他の三辺に垂直な側面を形成したが、対向する二辺に曲面を形成し、他の二辺に垂直な側面を形成して、断面形状が半楕円状になるように犠牲層８を形成するようにしてもよい。この場合、第１開口部７３ａ内において電極膜６が絶縁性領域４１で挟まれるように電極膜６を形成し、さらに、その絶縁性領域４１の外側にプローブ下地領域５１を形成する。このように犠牲層８に曲面を２箇所形成する場合には、ビーム部３のコンタクト部２が形成される自由端が、犠牲層８の中央部で対向するようにコンタクトプローブ１を形成する。
【００６７】
図５（ｄ）は、互いに隣接する犠牲層８及び絶縁性領域４１を露出させる長細い第２開口部７４ａを複数有するプローブ形成用の第４レジスト層７４を形成するプローブ用レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第４レジスト層７４が形成され、その第４レジスト層７４の表面が選択的に露光されることにより、第４レジスト層７４の一部が除去され、長細い第２開口部７４ａが複数形成される。
【００６８】
残った第４レジスト層７４により、図９のプローブ基板１０７の平面図に示すように、プローブ下地膜５、絶縁膜４及び電極膜６の一部が覆われると共に、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた細長い第２開口部７４ａが所定の間隔をおいて複数形成される。これら第２開口部７４ａ内には、犠牲層８とプローブ下地膜５とが絶縁性領域４１を挟んだ状態で露出される。
【００６９】
本実施の形態では、図９に示すように、犠牲層８が第２開口部７４ａの長手方向の一方側で露出し、プローブ下地膜５が長手方向他方側で露出し、犠牲層８とプローブ下地膜５との間に僅かに絶縁膜４が露出して、上記犠牲層８の曲面が絶縁膜４から立ち上がって第２開口部７４ａの長手方向他方側から長手方向一方側に向かって曲がるように第２開口部７４ａを形成している。さらに、本実施の形態では、図９に示すように、１つの犠牲層８及びプローブ下地膜５上に複数の第２開口部７４ａが形成されている。
【００７０】
図５（ｅ）及び図６（ａ）〜（ｄ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図５（ｅ）に示すように、犠牲層８に電圧を印加することにより、各第２開口部７４ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を犠牲層８上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、犠牲層８上にニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が形成されていく。
【００７１】
そして、このプローブ金属層９１が、プローブ下地膜５に接触するまで成長すると、プローブ金属層９１とプローブ下地膜５とが導通し、このプローブ下地膜５上にもニッケルコバルト合金が堆積されてプローブ金属層９１が犠牲層８からプローブ下地膜５に亘って連続して形成される。このプローブ金属層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２に相当するプローブ金属層９１が形成される。
【００７２】
本実施の形態では、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内に、ビーム部３の基板固定部３１と弾性変形部３２とを同時に形成することができるので、基板固定部３１を形成するためのレジスト層と弾性変形部３２を形成するためのレジスト層を形成する必要がなくなる。その結果、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストを低廉にできる。
【００７３】
プローブ金属層９１が形成された後は、図６（ａ）に示すように、第４レジスト層７４を除去する。次に、図６（ｂ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第５レジスト層７５が形成され、その第５レジスト層７５の表面が選択的に露光されることにより、第５レジスト層７５の一部が除去される。図６（ｂ）では、コンタクト部２に相当する領域についてレジストの除去行い、第３開口部７５ａが形成される。
【００７４】
次に、図６（ｃ）に示すように、第３開口部７５ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、コンタクトチップ層９２が形成される。このコンタクトチップ層９２の上面は、平滑な面にする必要があるので、図６（ｄ）に示すように、第５レジスト層７５とともに、コンタクトチップ層９２を研磨して、コンタクトチップ層９２の上面を平坦にする。このコンタクトチップ層９２がコンタクト部２を構成する。
【００７５】
そして、図６（ｅ）に示すように、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去し、その後、犠牲層８と電極膜６とを除去する。さらに、その後、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。この工程が、犠牲層除去工程となる。
【００７６】
本実施の形態では、電極膜６を絶縁性領域４１と隣接するように形成し、この電極膜６に電気めっきすることにより、電極膜６の上面から絶縁性領域４１に銅めっきがオーバーフローした状態になって、犠牲層８に上記した曲面を簡単に形成することができる。しかも、犠牲層８の高さや曲面の大きさも自由に設定することができる。さらに、犠牲層８は全て同じ導電性材料で形成されるので、製造工程中の温度上昇により犠牲層８が破損することはなくなる。
【００７７】
そして、犠牲層８に電気めっきすることにより、湾曲部を有するコンタクトプローブ１を簡単に形成することができる。このように、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１を基板に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で所望の形状、大きさの湾曲部を形成することができる。
【００７８】
以上の構成を有するプローブ装置１００を用いて、検査対象物１０２の電気的特性試験を行う際には、まず、筐体１０５内の可動ステージ１０３上に検査対象物１０２を取り付け、各コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の下面に配置された状態で、プローブカード１１０を筐体１０５に取り付ける。
【００７９】
そして、各コンタクトプローブ１がそれぞれ検査対象物１０２上の電極パッド１２１と対向するように、検査対象物１０２に対するプローブカード１１０のプローブ基板１０７の位置合わせを行う。検査対象物１０２及びプローブカード１１０が適切に位置合わせされた状態で可動ステージ１０３を上昇させることにより、プローブ基板１０７に検査対象物１０２が接近し、コンタクトプローブ１のコンタクト部２の当接面に当該検査対象物１０２上の電極パッド１２１が当接する(このとき面接触状態となる。)。
【００８０】
そして、さらに可動ステージ１０３を上昇させることにより、コンタクト部２に荷重がかかり、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形する。このとき、ビーム部３には屈曲部が形成されず湾曲した形状となっているので、ビーム部３の変形箇所の一部に応力が集中することがなくなる。
【００８１】
実施の形態２．
上記した実施の形態１では、単に、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固着した状態で形成する場合について説明した。本実施の形態２では、図１０〜図１２に示すように、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７上に形成することにより、プローブ基板１０７に形成する配線１７２にプローブ下地膜５を介してコンタクトプローブ１を接続させた状態にできるコンタクトプローブの製造方法について説明する。
【００８２】
本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ材料で形成されとともに、プローブ下地膜５、電極膜６及び犠牲層８も上記した実施の形態１と同じ材料を用いる。しかも、本実施の形態のコンタクトプローブ１は、上記した実施の形態１と同じ製造工程で製造する。上記した実施の形態１と異なる点は、プローブ基板１０７の構成と、プローブ下地膜５の形状と、コンタクトプローブ１の基板固定部３１の形状とが異なるだけである。同じ構成部分については同じ符号を付し、同じ符合及び同じ製造工程については説明を省略する。
【００８３】
プローブ基板１０７は、基板本体１７１と、この基板本体１７１の主面上に形成される配線１７２と、基板本体１７１の主面を配線１７２と共に覆う樹脂絶縁層１７３で構成される。配線１７２は、本実施の形態２では、金（Ａｕ）を用いた配線で構成されている。さらに、樹脂絶縁層１７３は、本実施の形態２では、ポリイミドにより形成されている。なお、プローブ基板１０７は、基板本体１７１と樹脂絶縁層１７３とを順次積層させたものであってもよい。この場合、プローブ基板１０７は、各樹脂絶縁層１７３に配線１７２が設けられた状態になっている。
【００８４】
このように構成されたプローブ基板１０７に対して、図１０（ａ）に示すように、樹脂絶縁層１７３上に二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。そして、配線１７２の一部が露出するように、樹脂絶縁層１７３と絶縁膜４とを貫通する穴１７４をドライエッチングにより形成している。このドライエッチングは、絶縁膜４上にレジスト層を形成し、穴を形成する箇所だけレジストを除去した後に行う。
【００８５】
そして、レジスト層を全て除去した後、図１０（ａ）に示すように、プローブ下地膜５を形成する。そして、図１０（ｂ）に示すように、さらにプローブ下地膜５上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。
【００８６】
このようにして第１レジスト層７１が除去された部分に対して、図１０（ｃ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、第１レジスト層７１が残っている部分を除いたプローブ下地膜５を除去する。そして、第１レジスト層７１を除去することにより、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ下地膜５が形成された状態になる。このプローブ下地膜５は、プローブ基板１０７の穴１７４に対応した位置に形成され、穴１７４の内面及び配線１７２の露出面も覆うように形成されている。そして、プローブ下地膜５は、この穴１７４の形状に沿って凹んだ状態になっている。
【００８７】
その後の製造工程は、図１０（ｄ）〜図１２（ｄ）に示す製造工程を行う。図１０（ｄ）〜図１２（ｄ）に示す製造工程は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）〜図６（ｄ）に対応しており、図１０（ｄ）は、上記した実施の形態１の図４（ｄ）に対応し、順次、図１０（ｅ）が図４（ｅ）に、図１０（ｆ）が図４（ｆ）にと対応する。
【００８８】
そして、図１２（ｅ）に示すように、プローブ基板１０７の第５レジスト層７５を除去し、その後、犠牲層８と電極膜６とを除去する。さらに、その後、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ下地膜５をドライエッチングにより除去して、コンタクトプローブ１毎に、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ下地膜５を分離する。プローブ金属層９１で覆われているプローブ下地膜５は残された状態になっている。
【００８９】
このようにプローブ下地膜５が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。プローブ金属層９１は、プローブ下地膜５を介してプローブ基板１０７の配線１７２と接続された状態になっている。
【００９０】
本実施の形態２では、コンタクトプローブ１を形成することにより、同時に、コンタクトプローブ１がプローブ基板１０７の配線１７２に接続された状態で、このプローブ基板１０７に固定された状態にすることができる。その結果、コンタクトプローブ１を個別にプローブ基板１０７の電極に固着していく作業を行う必要がなくなり、製造工程の短縮化が図れるし、コンタクトプローブ１のビーム部３における基板固定部３１が穴１７４の内面及び配線１７２に接触して凹んだ形状になるため、基板固定部３１をプローブ基板１０７へ強固に固定することができる。
【００９１】
実施の形態３．
上記した各実施の形態では、第３レジスト層７３の第１開口部７３ａ内で犠牲層８を形成し、第４レジスト層７４に形成した第２開口部７４ａ内でコンタクトプローブ１を形成するようにした。一方、本実施の形態３では、上記した実施の形態１における電極膜６の形成工程（図４（ｆ））の後に、図１３の製造工程図に示すレジスト形成工程と、犠牲層形成工程と、プローブ形成工程とを順次行うようにしている。
【００９２】
本実施の形態では、上記した各実施の形態の第３レジスト層７３の形成及びレジスト除去の工程を省き、パターニングされた電極膜６の上に、図１３（ａ）に示すように、第４レジスト層７４を形成した後、電極膜６とプローブ下地膜５とを絶縁膜４を挟んで露出させるようにレジスト除去を行って第２開口部７４ａを形成する。
【００９３】
そして、図１３（ｂ）に示すように、この第２開口部７４ａ内で、犠牲層８をプローブ下地膜５に接触しないように上記実施の形態１と同様の方法で形成する。なお、犠牲層８を形成するために銅の電気めっきを行うが、プローブ下地膜５は、銅のめっき液に溶けない導電性材料で形成しているので、めっき液中にさらされても変化は生じない。
【００９４】
犠牲層８を形成した後は、図１３（ｃ）に示すように、この犠牲層８とプローブ下地膜５との上にプローブ金属層９１を上記実施の形態１と同様の方法で形成する。そして、プローブ金属層９１を形成した後は、上記した実施の形態１の図６（ａ）〜（ｅ）までの工程である第４レジスト層７４の除去、第５レジスト層７５の形成、第３開口部７５ａの形成、コンタクトチップ層９２の形成、研磨、そして、犠牲層８及び電極膜６の除去の工程を行う。
【００９５】
本実施の形態では、犠牲層８とプローブ金属層９１とを同じ第２開口部７４ａ内で形成するので、レジスト層を形成する工程とレジストを除去する工程を、上記実施の形態１よりも減らすことができるとともに、レジストを露光するためのマスクも減らすことができるので、製造コストをさらに低廉にすることができる。
【００９６】
なお、上記した各実施の形態では、コンタクトプローブ１を形成しながら、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固定する場合の例について説明したが、本発明の湾曲部を有するコンタクトプローブの製造方法は、これらの実施の形態に限らず、別途用意した絶縁性基板上にコンタクトプローブ１を形成して、このコンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合にも適用できる。コンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合には、例えば、１つの犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成しておくとよい。この場合には、犠牲層と共に複数のコンタクトプローブを絶縁性基板から剥離して、犠牲層と共にコンタクトプローブをプローブ基板に配置させる。そして、コンタクトプローブをプローブ基板に固定した後、犠牲層を除去することにより、コンタクトプローブをプローブ基板へ簡単に固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図である。
【図４】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図５】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｆ）の続きを示している。
【図６】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。
【図７】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図４（ｆ）の工程により、電極領域６１と絶縁性領域４１とが形成された状態を示した平面図である。
【図８】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図５（ａ）の工程により、第３レジスト層７３に第１開口部７３ａが形成された状態を示した平面図である。
【図９】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程中、図５（ｂ）の工程により、第３レジスト層７３の第１開口部７３ａ内に犠牲層８が形成された状態を示した平面図である。
【図１０】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図１１】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１０（ｆ）の続きを示している。
【図１２】実施の形態２に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図１１（ｅ）の続きを示している。
【図１３】実施の形態３に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００９８】
１  コンタクトプローブ
２  コンタクト部
３  ビーム部
３１  基板固定部
３２  弾性変形部
４  絶縁膜
４１  絶縁性領域
５  プローブ下地膜
５１  プローブ下地領域
６  電極膜
６１  電極領域
７１  第１レジスト層
７２  第２レジスト層
７３  第３レジスト層
７３ａ  第１開口部
７４  第４レジスト層
７４ａ  第２開口部
７５  第５レジスト層
７５ａ  第３開口部
８  犠牲層
９１  プローブ金属層
９２  コンタクトチップ層
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１７１  基板本体
１７２  配線
１７３  樹脂絶縁層
１７４  穴
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
0005058032.tif 000002
【図２】
0005058032.tif 000003
【図３】
0005058032.tif 000004
【図４】
0005058032.tif 000005
【図５】
0005058032.tif 000006
【図６】
0005058032.tif 000007
【図７】
0005058032.tif 000008
【図８】
0005058032.tif 000009
【図９】
0005058032.tif 000010
【図１０】
0005058032.tif 000011
【図１１】
0005058032.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0005058032.tif 000014