(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、
前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、
前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、
前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、
前記接合容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の第１の導電型の容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の第１及び第２の半導体領域とを含み、前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含む、
半導体装置。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える、
半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記固定容量は前記可変容量の最大容量値より大きい容量値を有する固定容量を含む、
半導体装置。
【請求項５】
少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、
前記接合容量は、
前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の第１の半導体領域と、
前記ＳＯＩ層に形成される第１の導電型の第２の半導体領域と、
前記ＳＯＩ層の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とを備え、
前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、
前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置であって、
前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、
前記分離半導体領域との間の電位によって、
前記ＰＮ接合部の容量値が変化することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項７】
請求項５項に記載の半導体装置であって、
前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える、
半導体装置。
【請求項８】
半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、
前記取り出し電極領域は平面視中心領域に中空部を有し、
前記容量用ゲート電極は前記中空部から平面視放射状に延びて形成される複数の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置であって、
前記複数の部分ゲート部は前記中空部から四方に均等に延びて形成される４個の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置であって、
前記複数の部分ゲート部は前記中空部から八方に延びて形成される８個の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項１１】
請求項８記載の半導体装置であって、
前記中空部は複数の中空部を含み、
前記複数の部分ゲート部は前記複数の中空部からそれぞれ所定数の前記部分ゲート部が平面視放射状に延びて形成される、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ゲート長がサブクオータミクロン以下のトランジスタでは、ショートチャネル効果を抑制するために、ポケット領域を形成するポケット注入工程を実行している。ポケット注入はＮＵＤＣ（Non Uniformly Doped Channel）注入とも呼ばれている。
【０００３】
図５２はポケット注入工程を示す断面図である。同図に示すように、ＣＭＯＳトランジスタを形成するに際し、半導体基板１０１の上層部に設けられた分離絶縁膜１０２よってＮＭＯＳ形成領域Ａ１１及びＰＭＯＳ形成領域Ａ１２が素子分離される。
【０００４】
ＮＭＯＳ形成領域Ａ１１において、Ｐウェル領域１１１の表面上にゲート酸化膜１１２及びゲート電極１１３が形成されており、このゲート電極１１３をマスクとしてＰ型不純物イオン１０３を注入し拡散することにより、ＮＭＯＳトランジスタのポケット領域となるＰ型不純物注入領域１１９を形成する。
【０００５】
同様に、ＰＭＯＳ形成領域Ａ１２において、Ｎウェル領域１２１の表面上にゲート酸化膜１２２及びゲート電極１２３が形成されており、このゲート電極１２３をマスクとしてＮ型不純物イオン１０４を注入し拡散することにより、ＰＭＯＳトランジスタのポケット領域となるＮ型不純物注入領域１２９を形成する。
【０００６】
すなわち、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１１及びＰＭＯＳ形成領域Ａ１２それぞれにおいて、各ＭＯＳトランジスタのチャネル領域と同じ導電型の不純物を注入するのがポケット注入工程である。このポケット注入工程によってチャネル長方向の不純物分布が不均一になり、ゲート長が短くなる程、実効的なチャネル不純物濃度が高くなり、その結果、ショートチャネル効果を抑制することができる。
【０００７】
図５３はポケット注入工程後のＣＭＯＳトランジスタ完成状態を示す断面図である。
【０００８】
同図に示すように、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１１において、ゲート電極１１３の下方のチャネル領域を挟んでＮ+ソース・ドレイン領域１１４，１１４が形成され、Ｎ+ソース・ドレイン領域１１４，１１４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部１１４ｅとなる。
【０００９】
そして、エクステンション部１１４ｅの近傍領域において、エクステンション部１１４ｅからチャネル領域の一部にかけて、Ｐ型不純物注入領域１１９がＰ-ポケット領域１１７として残存する。また、ゲート電極１１３の両側面にはサイドウォール１１６，１１６がそれぞれ形成される。
【００１０】
このように、ゲート酸化膜１１２、ゲート電極１１３、Ｎ+ソース・ドレイン領域１１４、サイドウォール１１６及びＰ-ポケット領域１１７によってＮＭＯＳトランジスタＱ１１が形成される。
【００１１】
ＰＭＯＳ形成領域Ａ１２において、ゲート電極１２３の下方のチャネル領域を挟んでＰ+ソース・ドレイン領域１２４，１２４が形成され、Ｐ+ソース・ドレイン領域１２４，１２４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部１２４ｅとなる。
【００１２】
そして、エクステンション部１２４ｅの近傍領域において、エクステンション部１２４ｅからチャネル領域の一部にかけて、Ｎ型不純物注入領域１２９がＮ-ポケット領域１２７として残存する。また、ゲート電極１２３の両側面にはサイドウォール１２６，１２６がそれぞれ形成される。
【００１３】
このように、ゲート酸化膜１２２、ゲート電極１２３、Ｐ+ソース・ドレイン領域１２４、サイドウォール１２６及びＮ-ポケット領域１２７によってＰＭＯＳトランジスタＱ１２が形成される。
【００１４】
一方、高周波アナログ回路、あるいは高速デジタル回路では、インダクタ（Ｌ）と可変容量（Ｃ）とを用いてＬＣ型のＶＣＯ（Voltage Controled Osillater；電圧制御発振器）を製造する必要がある。
【００１５】
ＭＯＳトランジスタの構造を利用して、絶縁ゲート型容量である可変容量に損失の少ないものを得ようとした場合、基板（ボディー領域）と取り出し電極部との不純物の導電型を同じにしたアキュムレーション(accumulation)型の可変容量を作る必要がある。
【００１６】
図５４はアキュムレーション型の可変容量の構造を示す断面図である。同図に示すように、アキュムレーション型の可変容量を形成するに際し、半導体基板１０１の上層部に設けられた分離絶縁膜１０２よってＰ型可変容量形成領域Ａ１３及びＮ型可変容量形成領域Ａ１４が素子分離される。
【００１７】
Ｐ型可変容量形成領域Ａ１３において、ゲート電極１３３の下方のチャネル領域を挟んでＰ+取り出し電極領域１３４，１３４が形成され、Ｐ+取り出し電極領域１３４，１３４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部１３４ｅとなる。
【００１８】
そして、エクステンション部１３４ｅの近傍領域において、エクステンション部１３４ｅからチャネル領域の一部にかけて、Ｎ-ポケット領域１３７が形成される。また、ゲート電極１３３の両側面にはサイドウォール１３６，１３６がそれぞれ形成される。
【００１９】
このように、ゲート酸化膜１３２、ゲート電極１３３、Ｐ+取り出し電極領域１３４、サイドウォール１３６、及びＮ-ポケット領域１３７によってＰ型可変容量Ｃ１１が形成される。すなわち、Ｐ型可変容量Ｃ１１はＰ+取り出し電極領域１３４を一方電極、ゲート電極１３３を他方電極、ゲート酸化膜１３２を電極間絶縁膜とした絶縁ゲート型容量となる。
【００２０】
Ｎ型可変容量形成領域Ａ１４において、ゲート電極１４３の下方のチャネル領域を挟んでＮ+取り出し電極領域１４４，１４４が形成され、Ｎ+取り出し電極領域１４４，１４４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部１４４ｅとなる。
【００２１】
そして、エクステンション部１４４ｅの近傍領域において、エクステンション部１４４ｅからチャネル領域の一部にかけて、Ｐ-ポケット領域１４７が形成される。また、ゲート電極１４３の両側面にはサイドウォール１４６，１４６がそれぞれ形成される。
【００２２】
このように、ゲート酸化膜１４２、ゲート電極１４３、Ｎ+取り出し電極領域１４４、サイドウォール１４６、及びＰ-ポケット領域１４７によってＮ型可変容量Ｃ１２が形成される。すなわち、Ｎ型可変容量Ｃ１２はＮ+取り出し電極領域１４４を一方電極、ゲート電極１４３を他方電極、ゲート酸化膜１４２を電極間絶縁膜とした絶縁ゲート型容量となる。
【００２３】
図５５及び図５６はＮ型可変容量Ｃ１２の容量値変更度合を示す説明図である。ゲート電極１４３に付与するゲート電圧ＶＧが０Ｖより小さい場合、図５５に示すように、空乏層１４８はゲート電極１４３下のＮウェル領域１２１において下方に延びるため、Ｎ型可変容量Ｃ１２の容量値は小さくなる。一方、ゲート電圧ＶＧが０Ｖより大きい場合、図５６に示すように、空乏層１４８はゲート電極１４３下のＮウェル領域１２１において縮んでいるため、Ｎ型可変容量Ｃ１２の容量値は大きくなる。このように、ゲート電極１４３に付与するゲート電圧ＶＧによってＮ型可変容量Ｃ１２の容量値を可変に設定することができる。なお、Ｐ型可変容量Ｃ１１においても同様なゲート電極１３３に付与するゲート電圧によって容量値を変更することができる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ショートチャネル特性を向上させる（ショートチャネル効果を抑制させる）ために、図５２で示したポケット注入工程を実行すると、アキュムレーション型の可変容量では取り出し電極領域とゲート電極直下の半導体基板１０１の領域であるボディー領域において、ボディー領域の導電型と逆の導電型のポケット領域が形成されてしまうため、直列抵抗が高くなるという問題点があった。
【００２５】
図５７は図５４で示した可変容量の等価回路を示す回路図である。同図に示すように、可変容量は容量成分Ｃ１０と抵抗成分Ｒ１０との直列接続により等価的に表される。
【００２６】
一方、可変容量の電気的特性を表す指標にＱ−factor（Ｑ値）がある。Ｑ値は、｛Ｑ：Ｑ値，ω：角周波数，Ｃ：容量成分Ｃ１０の容量値，Ｒ：抵抗成分Ｒ１０の抵抗値｝とすると、以下の(1)式により表される。
【００２７】
【数１】
0005000055.tif 000002
【００２８】
Ｑ値は高いほど、容量のエネルギー効率が高くなるが、ポケット領域の存在により、抵抗成分Ｒ１０の抵抗値Ｒが高くなっていまい、(1)式に従いＱ値が低下してしまうという問題点があった。加えて、一般に絶縁ゲート型容量はＱ値が高くないという問題点があった。
【００２９】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、Ｑ値の高い容量からなる半導体装置を得ることを目的とする。
【００３９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、前記接合容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の第１の導電型の容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の第１及び第２の半導体領域とを含み、前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する。
【００４０】
また、請求項２の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含む。
【００４１】
また、請求項３の発明は、請求項１あるいは請求項２に記載の半導体装置であって、前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える。
【００４２】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記固定容量は前記可変容量の最大容量値より大きい容量値を有する固定容量を含む。
【００４３】
この発明に係る請求項５記載の半導体装置は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、前記接合容量は、前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の第１の半導体領域と、前記ＳＯＩ層に形成される第１の導電型の第２の半導体領域と、前記ＳＯＩ層の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とを備え、前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する。
【００４５】
また、請求項６の発明は、請求項５記載の半導体装置であって、前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、前記分離半導体領域との間の電位によって、前記ＰＮ接合部の容量値が変化する。
【００４７】
また、請求項７の発明は、請求項５記載の半導体装置であって、前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える。
【００５０】
この発明に係る請求項８記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、前記取り出し電極領域は平面視中心領域に中空部を有し、前記容量用ゲート電極は前記中空部から平面視放射状に延びて形成される複数の部分ゲート部を含む。
【００５１】
また、請求項９の発明は、請求項８記載の半導体装置であって、前記複数の部分ゲート部は前記中空部から四方に均等に延びて形成される４個の部分ゲート部を含む。
【００５２】
また、請求項１０の発明は、請求項８記載の半導体装置であって、前記複数の部分ゲート部は前記中空部から八方に延びて形成される８個の部分ゲート部を含む。
【００５３】
また、請求項１１の発明は、請求項８記載の半導体装置であって、前記中空部は複数の中空部を含み、前記複数の部分ゲート部は前記複数の中空部からそれぞれ所定数の前記部分ゲート部が平面視放射状に延びて形成される。
【００５４】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【００５５】
同図に示すように、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４にＮＭＯＳトランジスタＱ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ２、Ｎ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２がそれぞれ形成される。なお、各形成領域Ａ１〜Ａ４は分離絶縁膜（図示せず）等により素子分離されている。また、各形成領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，及びＡ４にはボディー領域となるウェル領域１１，２１，３１，及び４１がそれぞれ形成される。
【００５６】
ＮＭＯＳ形成領域Ａ１において、Ｐウェル領域１１の表面上にゲート酸化膜１２が選択的に形成され、ゲート酸化膜１２上にＮ+型のゲート電極１３が形成される。ゲート電極１３の下方のＰウェル領域１１の表面領域であるチャネル領域を挟んでＮ+ソース・ドレイン領域１４，１４が形成され、Ｎ+ソース・ドレイン領域１４，１４間で対向する突出した先端領域がそれぞれエクステンション部１４ｅとなる。
【００５７】
そして、エクステンション部１４ｅの近傍領域において、エクステンション部１４ｅからチャネル領域の一部にかけてＰ-ポケット領域１７が形成される。また、ゲート電極１３の両側面にはサイドウォール１６，１６がそれぞれ形成される。さらに、Ｎ+ソース・ドレイン領域１４の表面内及びゲート電極１３の上層部にシリサイド領域１４ｓ及びシリサイド領域１３ｓがそれぞれ形成される。
【００５８】
このように、ゲート酸化膜１２、ゲート電極１３、Ｎ+ソース・ドレイン領域１４、サイドウォール１６及びＰ-ポケット領域１７によってＮＭＯＳトランジスタＱ１が形成される。
【００５９】
ＰＭＯＳ形成領域Ａ２において、Ｎウェル領域２１の表面上にゲート酸化膜２２が選択的に形成され、ゲート酸化膜２２上にＰ+型のゲート電極２３が形成される。ゲート電極２３の下方のチャネル領域を挟んでＰ+ソース・ドレイン領域２４，２４が形成され、Ｐ+ソース・ドレイン領域２４，２４間で対向する突出した先端領域がそれぞれエクステンション部２４ｅとなる。
【００６０】
そして、エクステンション部２４ｅの近傍領域に、エクステンション部２４ｅからチャネル領域の一部にかけてＮ-ポケット領域２７が形成される。また、ゲート電極２３の両側面にはサイドウォール２６，２６がそれぞれ形成される。さらに、Ｐ+ソース・ドレイン領域２４の表面内及びゲート電極２３の上層部にシリサイド領域２４ｓ及びシリサイド領域２３ｓがそれぞれ形成される。
【００６１】
このように、ゲート酸化膜２２、ゲート電極２３、Ｐ+ソース・ドレイン領域２４、サイドウォール２６及びＮ-ポケット領域２７によってＰＭＯＳトランジスタＱ２が形成される。
【００６２】
Ｎ型可変容量形成領域Ａ３において、Ｎウェル領域３１の表面上にゲート酸化膜３２が選択的に形成され、ゲート酸化膜３２上にＮ+型のゲート電極３３が形成される。ゲート電極３３の下方のＮウェル領域３１の表面であるボディー表面領域を挟んでＮ+取り出し電極領域３４，３４が形成される。Ｎ+取り出し電極領域３４，３４間で対向する突出した先端領域がそれぞれエクステンション部３４ｅとなる。
【００６３】
また、ゲート電極３３の両側面にはサイドウォール３６，３６がそれぞれ形成される。さらに、Ｎ+取り出し電極領域３４の表面内及びゲート電極３３の上層部にシリサイド領域３４ｓ及びシリサイド領域３３ｓがそれぞれ形成される。
【００６４】
このように、ゲート酸化膜３２、ゲート電極３３、Ｎ+取り出し電極領域３４、及びサイドウォール３６によってＮ型（Ｎ+ゲート／Ｎ-ボディー型）可変容量Ｃ１が形成される。すなわち、Ｎ型可変容量Ｃ１はＮ+取り出し電極領域３４を一方電極、ゲート電極３３を他方電極、ゲート酸化膜３２を電極間絶縁膜とした絶縁ゲート型容量となり、ゲート電極３３に与えるゲート電圧によって、ゲート電極３３下のＮウェル領域３１における空乏層の伸び具合を変化させることにより容量値を可変設定することができる。
【００６５】
Ｐ型可変容量形成領域Ａ４において、Ｐウェル領域４１の表面上にゲート酸化膜４２が選択的形成され、ゲート酸化膜４２上にＰ+型のゲート電極４３が形成される。ゲート電極４３の下方のボディー表面領域を挟んでＰ+取り出し電極領域４４，４４が形成される。Ｐ+取り出し電極領域４４，４４間で対向する突出した先端領域がそれぞれエクステンション部４４ｅとなる。
【００６６】
また、ゲート電極４３の両側面にはサイドウォール４６，４６がそれぞれ形成される。さらに、Ｐ+取り出し電極領域４４の表面内及びゲート電極４３の上層部にシリサイド領域４４ｓ及びシリサイド領域４３ｓがそれぞれ形成される。
【００６７】
このように、ゲート酸化膜４２、ゲート電極４３、Ｐ+取り出し電極領域４４、及びサイドウォール４６によってＰ型（Ｐ+ゲート／Ｐ-ボディー型）可変容量Ｃ２が形成される。すなわち、Ｐ型可変容量Ｃ２は、Ｐ+取り出し電極領域４４を一方電極、ゲート電極４３を他方電極、ゲート酸化膜４２を電極間絶縁膜とした絶縁ゲート型容量となり、ゲート電極４３に与えるゲート電圧によって、ゲート電極４３下のＰウェル領域４１における空乏層の伸び具合を変化させることにより容量値を可変設定することができる。
【００６８】
上述したように、実施の形態１の半導体装置は、ＭＯＳトランジスタにはポケット領域が存在しているため、ショートチャネル効果を抑制したＭＯＳトランジスタを得ることができる。
【００６９】
一方、可変容量にはポケット領域（取り出し電極領域隣接逆導電型領域）が存在しない構造を呈している。すなわち、可変容量の取り出し電極領域の近傍領域において、取り出し電極領域と逆の導電型の領域が全く存在しない構造を呈しているため、直列抵抗が低くＱ値が劣化しない。
【００７０】
このように、実施の形態１の半導体装置として、ショートチャネル効果を抑制したＭＯＳトランジスタと直列抵抗が低くＱ値が劣化しない可変容量とからなる半導体装置を得ることができる。
【００７１】
図２〜図７は実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して実施の形態１の半導体装置の製造処理手順を説明する。
【００７２】
まず、図２に示すように、互いに素子分離されているＮＭＯＳ形成領域Ａ１、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３、及びＰ型可変容量形成領域Ａ４に既存の方法でボディー領域となるＰウェル領域１１、Ｎウェル領域２１、Ｎウェル領域３１及びＰウェル領域４１を形成した後、Ｐウェル領域１１の表面上にゲート酸化膜１２及びＮ+型のゲート電極１３を選択的に形成し、Ｎウェル領域２１の表面上にゲート酸化膜２２及びＰ+型のゲート電極２３を選択的に形成し、Ｎウェル領域３１の表面上にゲート酸化膜３２及びＮ+型のゲート電極３３を選択的に形成し、Ｐウェル領域４１の表面上にゲート酸化膜４２及びＰ+型のゲート電極４３を選択的に形成する。
【００７３】
そして、図３に示すように、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１以外の領域上にレジスト５１を形成した後、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１のみに対し、注入エネルギーを変えてＰ型不純物イオン６１、Ｎ型不純物イオン６２をゲート電極１３をマスクとして順次注入し拡散処理を施すことにより、Ｐ-拡散領域１９及びＮ-エクステンション領域１８をそれぞれ形成する。
【００７４】
ここで、Ｎ型不純物イオン６２の注入の具体例として、ヒソイオンを用いて、３〜２０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０14〜１×１０15／ｃｍ2、注入角度０゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００７５】
また、Ｐ型不純物イオン６１の注入の具体例として、ボロンイオンを用いて、１０〜２０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０13〜３×１０13／ｃｍ2、注入角度０〜４５゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００７６】
その後、図４に示すように、レジスト５１の除去後、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３以外の領域上にレジスト５２を形成した後、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３のみに対し、例えばＮ型不純物イオン６２の注入と同内容でＮ型不純物イオン６３イオンを注入してＮ-エクステンション領域３８を形成する。この際、後述するＮ型不純物イオン６４と同条件でＮ型不純物イオンを注入してＮ-ポケット領域をさらに形成することも考えられる。
【００７７】
次に、図５に示すように、レジスト５２の除去後、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２以外の領域上にレジスト５３を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２のみに対し、注入エネルギーを変えてＮ型不純物イオン６４、Ｐ型不純物イオン６５をゲート電極２３をマスクとして順次注入し拡散処理を施すことにより、Ｎ-拡散領域２９及びＰ-エクステンション領域２８を形成する。
【００７８】
また、Ｐ型不純物イオン６５の注入の具体例として、ＢＦ2イオンを用いて、３〜１０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０14〜１×１０15／ｃｍ2、注入角度０゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００７９】
また、Ｎ型不純物イオン６４の注入の具体例として、ヒソイオンを用いて、５０〜１５０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０13〜３×１０13／ｃｍ2、注入角度０〜４５゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００８０】
その後、図６に示すように、レジスト５３の除去後、Ｐ型可変容量形成領域Ａ４以外の領域上にレジスト５４を形成した後、Ｐ型可変容量形成領域Ａ４のみに対し、例えばＰ型不純物イオン６５の注入と同内容でＰ型不純物イオン６６イオンを注入してＰ-エクステンション領域４８を形成する。この際、Ｐ型不純物イオン６１と同条件でＰ型不純物イオンを注入してＰ-ポケット領域をさらに形成することも考えられる。
【００８１】
そして、図７に示すように、レジスト５４を除去すると、ＭＯＳトランジスタ形成領域Ａ１，Ａ２にのみポケット領域となるＰ-拡散領域１９，Ｎ-拡散領域２９が存在し、可変容量形成領域Ａ３，Ａ４にはポケット領域となる拡散領域が存在しない構造を得ることができる。
【００８２】
以降、既存のＭＯＳトランジスタ及び可変容量の形成方法を用いて、図１で示した構造を得ることができる。なお、図１で示す構造ではサイドウォールを形成後にソース・ドレイン領域（取り出し電極領域）を形成し、さらにセルフアラインシリサイド（サリサイド）プロセスによって、ソース・ドレイン領域（取り出し電極領域）の表面内及びゲート電極の上層部をシリサイド化してシリサイド領域を形成し、低抵抗化を図っている。
【００８３】
ここで、ＮＭＯＳトランジスタＱ１のＮ+ソース・ドレイン領域１４形成の具体例として、ヒソイオンを用いて、２０〜７０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０15〜１×１０16／ｃｍ2、注入角度０〜３０゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００８４】
また、ＰＭＯＳトランジスタＱ２のＰ+ソース・ドレイン領域２４形成の具体例として、ＢＦ2を用いて、１０〜３０ｋｅＶの注入エネルギー、ドーズ量１×１０15〜１×１０16／ｃｍ2、注入角度０〜３０゜でイオン注入を行うことが考えられる。
【００８５】
また、シリサイドとしては、例えば、ＣｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＮｉＳｉ2等が用いられる。
【００８６】
なお、本実施の形態では、Ｎ型，Ｐ型の可変容量を共に形成したが、どちらか一方の方の可変容量のみを形成しても良い。回路的に使い勝手が良い型の可変容量を形成すればよいが、ボディー部の直列抵抗成分の抵抗値が低く、Ｑ値が高くなるのはＮ型であり、この点においてＮ型は優れている。
【００８７】
＜実施の形態２＞
図８はこの発明の実施の形態２である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【００８８】
同図に示すように、支持基板３上に埋め込み酸化膜４が形成され、埋め込み酸化膜４上のＳＯＩ層５が分離絶縁膜（図示せず）等によりＮＭＯＳ形成領域Ａ１、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４に素子分離される。
【００８９】
そして、実施の形態１と同様な構造のＮＭＯＳトランジスタＱ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ２、Ｎ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２がそれぞれＮＭＯＳ形成領域Ａ１、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４にそれぞれ形成される。
【００９０】
このように、実施の形態２の半導体装置は、ＳＯＩ基板（支持基板３，埋め込み酸化膜４，ＳＯＩ層５）上に実施の形態１と同様なＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２及び可変容量Ｃ１，Ｃ２を形成している。したがって、バルク基板がＳＯＩ基板に置き換わる点を除き、構造及び製造方法は実施の形態１と同様である。
【００９１】
図９は実施の形態２のＮ型可変容量の高周波電流による影響を示す説明図である。同図に示すように、Ｎ型可変容量Ｃ１において流れる高周波電流パスＣＰ１は主にゲート酸化膜３２近傍の領域におけるＮ+取り出し電極領域３４，ゲート電極３３間を流れるたため、可変容量特性は大きく劣化しない。
【００９２】
図１０はＳＯＩ基板に作り込まれたポケット領域を有するＮ型可変容量の高周波電流による影響を示す説明図である。同図に示すように、ＳＯＩ層５の膜厚がバルク基板に比べて薄い分、Ｎ型可変容量Ｃ１Ｐにおいて流れる高周波電流パスＣＰ２の一部（点線で示す部分）が無効化され、直列抵抗が高くなるため、劣化の度合は大きい。
【００９３】
このように、Ｐ-ポケット領域３７が存在すると、高周波電流パスＣＰ２の悪影響が強くなる。したがって、ＳＯＩ構造において、可変容量にポケット領域を設けない実施の形態２の構造は非常に有効である。
【００９４】
＜実施の形態３＞
図１１はこの発明の実施の形態３である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【００９５】
同図に示すように、アキュムレーション型の可変容量Ｃ１，Ｃ２に代えてインバージョン型の可変容量Ｃ３，Ｃ４を設けている。具体的には図１で示した実施の形態１の構造に比べて、Ｎウェル領域３１に代えてＰウェル領域３０、Ｐウェル領域４１に代えてＮウェル領域４０が設けられている点が異なる。
【００９６】
すなわち、Ｎ型（Ｎ+ゲート／Ｐ-ボディー／Ｎ+Ｓ／Ｄ型）可変容量Ｃ３及びＰ型（Ｐ+ゲート／Ｎ-ボディー／Ｐ+Ｓ／Ｄ型）可変容量Ｃ４はＮＭＯＳトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタと等価な構造を呈し、ＮＭＯＳトランジスタＱ１及びＰＭＯＳトランジスタＱ２と比較して、Ｐ-ポケット領域１７及び２７に相当するポケット領域を有していない点のみ異なっている。
【００９７】
インバージョン型構造の可変容量では、ポケット領域を設けてもポケット領域とボディー領域（Ｐウェル領域３０，Ｎウェル領域４０）との導電型が同一になるため、アキュムレーション型の可変容量のように、ボディー領域の直列抵抗成分の抵抗値が増えることはない。
【００９８】
しかし、ポケット領域を形成すると、チャネル長方向での不純物濃度分布が不均一となるため、ＭＯＳトランジスタとして見た場合に閾値電圧にチャネル方向に分布が生じてしまい、ゲート電圧に基づく可変容量の容量値の見積もりが困難であるという問題が生じる。
【００９９】
したがって、インバージョン型の可変容量にポケット領域を設けないという実施の形態３の構造は、可変容量の容量値の見積り精度の向上という効果を奏する。
【０１００】
＜実施の形態４＞
実施の形態４は実施の形態１の構造を得るための実施の形態１とは別の半導体装置の製造方法である。実施の形態１の製造方法では、ＭＯＳトランジスタと可変容量とのエクステンション領域の形成工程をそれぞれ独立して行ったが、複数のエクステンション領域を同条件で同時に行うようにしたのが実施の形態４である。
【０１０１】
図１２〜図１５は実施の形態４の半導体装置の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して実施の形態４の半導体装置の製造処理手順を説明する。
【０１０２】
まず、実施の形態１と同様にして図２で示す構造を得た後、図１２に示すように、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１及びＮ型可変容量形成領域Ａ３以外の領域上にレジスト５５を形成した後、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１及びＮ型可変容量形成領域Ａ３のみに対し、ゲート電極１３及びゲート電極３３をマスクとしてＮ型不純物イオン６７を注入することにより、Ｎ-エクステンション領域１８及びＮ-エクステンション領域３８を同時に得る。なお、Ｎ型不純物イオン６７を注入角度“０”で行う。
【０１０３】
その後、図１３に示すように、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１以外の領域上にレジスト５６を形成した後、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１のみに対し、Ｐ型不純物イオン６８をゲート電極１３をマスクして注入し拡散処理を施すことにより、Ｐ-拡散領域１９を形成する。なお、Ｐ型不純物イオン６８はＮ型不純物イオン６７より高い注入エネルギーで斜め注入される。
【０１０４】
そして、図１４に示すように、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２及びＰ型可変容量形成領域Ａ４以外の領域上にレジスト５７を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２及びＰ型可変容量形成領域Ａ４のみに対し、ゲート電極２３及びゲート電極４３をマスクとしてＰ型不純物イオン６９を注入することにより、Ｐ-エクステンション領域２８及びＰ-エクステンション領域４８を同時に得る。なお、Ｐ型不純物イオン６９を注入角度“０”で行う。
【０１０５】
その後、図１５に示すように、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２以外の領域上にレジスト５８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２のみに対し、Ｎ型不純物イオン７０をゲート電極２３をマスクして注入し拡散処理を施すことにより、Ｎ-拡散領域２９を形成する。なお、Ｎ型不純物イオン７０はＰ型不純物イオン６９より高い注入エネルギーで斜め注入される。
【０１０６】
以降、既存のＭＯＳトランジスタ及び可変容量の形成方法を用いて、図１で示した構造を得ることができる。
【０１０７】
このように、実施の形態４の半導体装置の製造方法では、エクステンション領域を同一導電型のＭＯＳトランジスタ及び可変容量間で同時に形成するため、実施の形態１の半導体装置の製造方法に比べて、イオン注入工程数を２工程低減することができる。
【０１０８】
＜実施の形態５＞
図１６はこの発明の実施の形態５である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【０１０９】
同図に示すように、エクステンション領域を有する可変容量Ｃ１，Ｃ２に代えてエクステンション領域を有しない可変容量Ｃ５，Ｃ６を設けている。具体的には図１で示した実施の形態１の構造に比べて、エクステンション部３４ｅを有するＮ+取り出し電極領域３４が、エクステンション部を有さないＮ+取り出し電極領域３５の置き換わり、エクステンション部４４ｅを有するＰ+取り出し電極領域４４が、エクステンション部を有さないＰ+取り出し電極領域４５の置き換わっている。なお、他の構成は図１で示した実施の形態１と同様である。
【０１１０】
実施の形態５の半導体装置の製造方法は、実施の形態１の半導体装置の製造方法において、図４及び図６で示すＮ-エクステンション領域３８及びＰ-エクステンション領域４８の製造工程がそれぞれ省略される点が実施の形態１と異なる。
【０１１１】
このように、実施の形態５の半導体装置の製造方法では、可変容量のエクステンション領域の形成工程を省略する分、実施の形態１の半導体装置の製造方法に比べて、レジスト形成及びイオン注入工程数を２工程低減することができる。
【０１１２】
実施の形態５の半導体装置は、可変容量はエクステンション部を設けることによる効果を発揮できないものの、ポケット領域を設けない効果は実施の形態１〜実施の形態４と同様に享受することができる。
【０１１３】
＜実施の形態６＞
図１７はこの発明の実施の形態６である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【０１１４】
同図に示すように、可変容量Ｃ１，Ｃ２に代えて、可変容量Ｃ１，Ｃ２よりも高濃度なエクステンション領域を有する可変容量Ｃ７，Ｃ８を設けている。
【０１１５】
具体的には実施の形態１の構造に比べて、図４及び図６で示すＮ-エクステンション領域３８及びＰ-エクステンション領域４８の形成する際、その不純物濃度をＭＯＳトランジスタのＮ-エクステンション領域１８及びＰ-エクステンション領域２８よりも２〜１００倍程度高くなるように形成している。
【０１１６】
図１７では、ＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２と可変容量Ｃ７，Ｃ８のゲート長は同一程度に示しているが、実際には可変容量のゲート長の方がＭＯＳトランジスタのゲート長よりも長く設定されることが多い。
【０１１７】
したがって、可変容量はＭＯＳトランジスタに比べてショートチャネル効果の影響が小さいため、エクステンション領域の不純物濃度を高くすることにより弊害が小さい。逆に、エクステンション領域の不純物濃度を高くすることにより、可変容量の直列抵抗成分を下げることができる利点の方が大きい。
【０１１８】
なお、本実施の形態では、エクステンション領域の形成を高濃度に形成する例を示したが、不純物イオンの注入エネルギーをＭＯＳトランジスタの１．２〜３０倍程度高くしてエクステンション領域を１．２〜３０倍程度深くしても同様な効果を奏する。
【０１１９】
＜実施の形態７＞
一般に、デバイスがスケーリングされると電源電圧もスケーリングされて低電圧化されるため、高い電圧で動作する他のチップ（デバイス）とのインタフェースを設ける必要が生じてくる。
【０１２０】
このとき、デバイス内部ではスケーリングされた高性能なＭＯＳトランジスタ（以下、「高性能トランジスタ」と略記する。）に加えて、例えば、３．３Ｖあるいは５．０Ｖ対応の高電圧用のＭＯＳトランジスタ（以下、「高電圧用トランジスタ」と略記する。）を作り込む必要がある。
【０１２１】
高電圧用トランジスタは高性能トランジスタと比較した場合、ゲート長が長く、ゲート酸化膜の膜厚が厚い、さらに、エクステンション領域を異なる条件で形成し、また、ポケット領域は形成しない場合が多い。エクステンション領域を異なる条件で形成するのは、高い電圧でもパンチスルー等のＳ／Ｄブレークダウン現象は生じることないようにホットキャリア耐性を高めるためであり、ポケット領域を形成する必要がないのはゲート長が長いためである。
【０１２２】
図１８はこの発明の実施の形態７である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置のレイアウト構成を示す説明図である。同図に示すように、実施の形態７の高性能トランジスタ形成領域Ｅ１、高電圧トランジスタ形成領域Ｅ２、及び可変容量形成領域Ｅ３から構成され、各形成領域Ｅ１〜Ｅ３に高性能トランジスタ、高電圧用トランジスタ、及び可変容量が構成される。
【０１２３】
図１９は実施の形態７の半導体装置における高電圧トランジスタ形成領域Ｅ２及び可変容量形成領域Ｅ３の構造を示す断面図である。
【０１２４】
高電圧トランジスタ形成領域Ｅ２のＮＭＯＳ形成領域Ａ５において、ボディー領域であるＰウェル領域７１の表面上にゲート酸化膜７２が選択的に形成され、ゲート酸化膜７２上にＮ+型のゲート電極７３が形成される。ゲート電極７３の下方のチャネル領域を挟んでＮ+ソース・ドレイン領域７４，７４が形成され、Ｎ+ソース・ドレイン領域７４，７４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部７４ｅとなる。
【０１２５】
また、ゲート電極７３の両側面にはサイドウォール７６，７６がそれぞれ形成される。さらに、Ｎ+ソース・ドレイン領域７４の表面内及びゲート電極７３の上層部にシリサイド領域７４ｓ及びシリサイド領域７３ｓがそれぞれ形成される。
【０１２６】
このように、ゲート酸化膜７２、ゲート電極７３、Ｎ+ソース・ドレイン領域７４、及びサイドウォール７６によって高電圧用ＮＭＯＳトランジスタＱ３が形成される。
【０１２７】
高電圧トランジスタ形成領域Ｅ２のＰＭＯＳ形成領域Ａ６において、Ｎウェル領域８１の表面上にゲート酸化膜８２が選択的に形成され、ゲート酸化膜８２上にＰ+型のゲート電極８３が形成される。ゲート電極８３の下方のチャネル領域を挟んでＰ+ソース・ドレイン領域８４，８４が形成され、Ｐ+ソース・ドレイン領域８４，８４間で対向する先端領域がそれぞれエクステンション部８４ｅとなる。
【０１２８】
また、ゲート電極８３の両側面にはサイドウォール８６，８６がそれぞれ形成される。さらに、Ｐ+ソース・ドレイン領域８４の表面内及びゲート電極８３の上層部にシリサイド領域８４ｓ及びシリサイド領域８３ｓがそれぞれ形成される。
【０１２９】
このように、ゲート酸化膜８２、ゲート電極８３、Ｐ+ソース・ドレイン領域８４、及びサイドウォール８６によって高電圧用ＰＭＯＳトランジスタＱ４が形成される。
【０１３０】
なお、図１９では図示していないが、高性能トランジスタ形成領域Ｅ１に形成される高性能トランジスタは、例えば図１で示した実施の形態１のＮＭＯＳトランジスタＱ１，ＰＭＯＳトランジスタＱ２と同様な構造で形成される。
【０１３１】
高電圧用ＮＭＯＳトランジスタＱ３及び高電圧用ＰＭＯＳトランジスタＱ４は、高性能用のＮＭＯＳトランジスタＱ１及びＰＭＯＳトランジスタＱ２に比べて、ゲート長が長く、ゲート酸化膜の膜厚が厚く、エクステンション領域を異なる条件で設定し、ポケット領域が形成されていない点が異なる。
【０１３２】
一方、可変容量形成領域Ｅ３のＮ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４にはＮ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２がそれぞれ形成される。
【０１３３】
Ｎ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２は、基本的な構造は、図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２と同様である。
【０１３４】
ただし、Ｎ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２は高電圧用ＮＭＯＳトランジスタＱ３及び高電圧用ＰＭＯＳトランジスタＱ４と比較して、エクステンション領域は同条件（少なくとも不純物濃度が同程度の条件）で、ＮＭＯＳトランジスタＱ１及びＰＭＯＳトランジスタＱ２のエクステンション領域より不純物濃度が濃くなるように形成され、ゲート長は同一に形成される。また、Ｎ型可変容量Ｃ１及びＰ型可変容量Ｃ２はＮＭＯＳトランジスタＱ１及びＰＭＯＳトランジスタＱ２と比較して、ゲート酸化膜の膜厚が同一に形成される。
【０１３５】
このような構造の実施の形態７の半導体装置は、高電圧用ＮＭＯＳトランジスタＱ３及びＮ型可変容量Ｃ１のエクステンション領域を同一工程で形成でき、高電圧用ＰＭＯＳトランジスタＱ４及びＰ型可変容量Ｃ２のエクステンション領域を同一工程で形成できるため、製造工程数を必要最小限に抑えてながら、直列抵抗成分を下げた可変容量を有する半導体装置を得ることができる。
【０１３６】
また、高電圧用トランジスタのエクステンション領域の不純物濃度をＬＤＤ領域として高性能トランジスタのエクステンション領域と同程度に形成する場合もある。この場合、注入エネルギーを高くして、エクステンション領域を深く形成する。
【０１３７】
したがって、可変容量のエクステンション領域を高電圧用トランジスタのエクステンション領域と同条件で比較的深く形成することにより、実施の形態６の半導体装置と同様な効果を得ることができる。
【０１３８】
＜実施の形態８＞
各々のチャネル領域が異なる不純物濃度に設定されたＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する構造の半導体装置が実施の形態８である。実施の形態８の半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量それぞれのチャネル領域の不純物濃度を異なる濃度に設定することにより、閾値電圧の個別設定等、装置の設計自由度の向上を図ることができる。
【０１３９】
図２０はこの発明の実施の形態８である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。同図において、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２に形成されるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、図１で示した実施の形態１のＰＭＯＳトランジスタＱ２と同様である。
【０１４０】
一方、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３に形成されるＮ型可変容量Ｃ９は、エクステンション部３４ｅの近傍にＰ-ポケット領域３７を有し、Ｎ+取り出し電極領域３４，３４間のＮウェル領域３１が高濃度チャネル領域３１ｃとなっている。なお、他の構成は、図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１と同様である。
【０１４１】
Ｎ型可変容量Ｃ９はＮウェル領域３１の他の領域よりＮ型の不純物濃度が高い高濃度チャネル領域３１ｃを有しており、この高濃度チャネル領域３１ｃがＰ-ポケット領域３７を打ち消して直列抵抗成分の低下を十分に補うことができるため、可変容量のＱ値を十分に高めることができる。
【０１４２】
このように、図２０で示した構造は、ＰＭＯＳトランジスタＱ２とＮ型可変容量Ｃ９との間でチャネル濃度を変える際、Ｎ型可変容量Ｃ９に高濃度チャネル領域３１ｃを設けることより可変容量のＱ値を高めている。すなわち、図２０で示した構造は、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量それぞれのチャネル領域の不純物濃度を異なる濃度に設定して設計自由度の向上を図ったより望ましい例である。
【０１４３】
なお、高濃度チャネル領域３１ｃはＮウェル領域３１の形成後、さらにＮ型の不純物をＮウェル領域３１の上層部に注入することにより得る。すなわち、高濃度チャネル領域３１ｃの形成工程を別途必要とする。
【０１４４】
なお、図２０ではＰＭＯＳトランジスタ及びＮ型可変容量のみを示したが、ＮＭＯＳトランジスタとＰ型可変容量との間にも同様な構造で形成することは勿論、可能である。
【０１４５】
＜実施の形態９＞
図２１はこの発明の実施の形態９である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。
【０１４６】
実施の形態９の半導体装置の製造方法では、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量の双方にポケット領域を形成する。
【０１４７】
既存の方法に基づく形成工程を経て、１回目の不純物注入及び拡散処理によってＭＯＳトランジスタ側にソース・ドレイン領域、可変容量側に取り出し電極領域３４を形成した状態を前提としている。
【０１４８】
１回目の不純物注入及び拡散処理としては、Ｎ型不純物注入後に熱処理（例えば、９００〜１１００℃、Ｎ2雰囲気で１０〜１２０"（秒）のＲＴＡ(Rapid Thermal Anneal)）が考えられる。上記熱処理としては、Ｎ型不純物の注入により形成された結晶欠陥は回復している。
【０１４９】
以降の処理が実施の形態９の製造方法の固有の方法であり、実施の形態９では、さらに、ＭＯＳトランジスタに対しては行わず、可変容量に対してのみ、図２１に示すように、２回目の不純物注入及び拡散処理を行っている。図２１の例では２回目の不純物注入として、Ｎ型不純物イオン９１をゲート電極３３をマスクとして注入し、熱処理を行うことにより、Ｎ+取り出し電極領域３４ｈを形成し、Ｎ型可変容量Ｃ１５を最終的に得ている。
【０１５０】
２回目の不純物注入及び拡散処理としては、Ｎ型不純物注入後に比較的低温な５００〜８００℃で、１０〜１２０分程度のアニール処理が考えられる。
【０１５１】
可変容量に対してのみ２回目の不純物注入及び拡散処理を行い、拡散処理時の熱処理が上述したように比較的低温で行われるため、可変容量のウェル領域に２回目の不純物イオン注入による結晶欠陥が導入され、欠陥部分と不純物とが互いにカップリングして大きく拡散する現象であるＴＥＤ(Transient Enhanced Diffusion)が生じる。
【０１５２】
このＴＥＤ現象によって、Ｎ型可変容量Ｃ１５に形成されたＰ-ポケット領域３７とＮ+取り出し電極領域３４ｈの不純物が再度拡散する。その結果、Ｐ-ポケット領域３７の存在が直列抵抗の低下を招く程の影響力を持たなくなり、Ｑ値の優れたＮ型可変容量Ｃ１５を得ることができる。
【０１５３】
なお、図２１ではＮ型可変容量Ｃ１５を示したが同様にＰ型可変容量についても適用できることは勿論である。
【０１５４】
＜実施の形態１０＞
図２２〜図２６はこの発明の実施の形態１０である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して実施の形態１０のＮ型可変容量の製造処理手順を説明する。
【０１５５】
まず、図２２に示すように、Ｎウェル領域３１の表面上に選択的にゲート酸化膜３２、ゲート電極３３及びマスク用酸化膜５９からなる積層構造を得、この積層構造をマスクとして、Ｎ型及びＰ型の不純物を導入してＮ-エクステンション領域３８及びＰ-拡散領域３９をそれぞれ形成する。なお、ゲート電極３３の形成材料としてはポリシリコンを用いる。
【０１５６】
次に、図２３に示すように、ゲート電極３３に対して、等方性のポリシリコンエッチング処理を施して、ゲート電極３３のゲート長方向における周辺領域を一部除去し、ゲート長が短くなったゲート電極３３ｎを得る。
【０１５７】
その後、図２４に示すように、酸化膜に対するウェットエッチングをマスク用酸化膜５９及びゲート酸化膜３２に対して施し、マスク用酸化膜５９及びゲート酸化膜３２を縮小したマスク用酸化膜５９ｎ及びゲート酸化膜３２ｎを得る。
【０１５８】
そして、図２５に示すように、ゲート電極３３ｎの側面にサイドウォール３６を形成する。
【０１５９】
次に、図２６に示すように、ゲート電極３３ｎ及びサイドウォール３６をマスクとしてＮ型不純物イオン７５を注入して拡散することにより、Ｎ+取り出し電極領域３４ｄを得る。Ｎ+取り出し電極領域３４ｄはＰ-拡散領域３９の全てを含む領域に形成され、Ｎ型の不純物濃度がＰ-拡散領域３９のＰ型の不純物濃度よりも高いため、Ｐ-拡散領域３９の影響を完全に打ち消すことができる。すなわち、完成後の可変容量にはポケット領域は存在しなくなる。
【０１６０】
このように、実施の形態１０ではゲート電極のゲート長を短くした後にサイドウォールを形成して取り出し電極領域を形成することにより、完成した装置上においてポケット領域が存在しない構造にすることができるため、ポケット領域形成工程が含まれていてもＱ値の優れたＮ型可変容量を得ることができる。
【０１６１】
なお、実施の形態１０ではＮ型可変容量の製造方法を示したが同様にＰ型可変容量についても製造することができることは勿論である。
【０１６２】
＜実施の形態１１＞
図２７はこの発明の実施の形態１１である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。同図において、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１は、図１で示した実施の形態１のＮＭＯＳトランジスタＱ１と同様である。
【０１６３】
一方、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３に形成されるＮ型可変容量Ｃ１ｗは、ゲート酸化膜３２ｗの膜厚をゲート酸化膜１２の膜厚より厚くした点が異なっている。なお、他の構成は、図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１と同様である。
【０１６４】
ＬＣ型のＶＣＯの発振周波数ｆは以下の(2)式で決定するため、高い周波数で発振する発振器を作るには可変容量の容量成分を小さくする方が望ましい。
【０１６５】
【数２】
0005000055.tif 000003
【０１６６】
しかしながら、小さなパターンで可変容量を製造すると、直列の寄生抵抗が大きくなるという問題がある。
【０１６７】
そこで、図２７に示すように、ゲート酸化膜３２ｗの膜厚を、ゲート酸化膜１２の膜厚より厚く形成することにより、パターンサイズを変えることなく、すなわち、寄生抵抗成分を大きくことなく、可変容量の容量成分を小さくすることができる。さらに、前述した(1)式より、容量成分を小さくすることによりＱ値の向上も図ることができる。
【０１６８】
また、実施の形態７の半導体装置のように、高性能トランジスタに加え高電圧用トランジスタを有する場合、ゲート酸化膜の膜厚が高性能トランジスタより厚い高電圧用トランジスタのゲート酸化膜形成時にゲート酸化膜３２ｗを形成することにより、製造工程数を増やすことなく、膜厚が高性能トランジスタより厚いゲート酸化膜３２ｗを得ることができる。
【０１６９】
なお、図２７ではＮＭＯＳトランジスタ及びＮ型可変容量のみを示したが、ＰＭＯＳトランジスタとＰ型可変容量との間にも同様な構造で形成することは勿論、可能である。
【０１７０】
＜実施の形態１２＞
（第１の態様）
図２８はこの発明の実施の形態１２である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の第１の態様の構造を示す断面図である。同図において、ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１は、図１で示した実施の形態１のＮＭＯＳトランジスタＱ１と同様である。
【０１７１】
一方、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３に形成されるＮ型可変容量Ｃ１Ｌは、ゲート酸化膜３２Ｌの材質をゲート酸化膜１２の材質より誘電率より低くものを用いて形成した点が異なっている。なお、他の構成は、図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１と同様である。
【０１７２】
なお、ゲート酸化膜３２Ｌを得るには、例えば、Ｎ型可変容量Ｃ１Ｌのゲート酸化膜３２に対してのみＦ（フッ素）を注入する等の方法が考えられる。
【０１７３】
このように、実施の形態１２の第１の態様では、寄生抵抗成分を大きくことなく、可変容量の容量成分を小さくすることができるため、実施の形態１１と同様の効果を奏する。
【０１７４】
なお、図２８ではＮＭＯＳトランジスタ及びＮ型可変容量のみを示したが、ＰＭＯＳトランジスタとＰ型可変容量との間にも同様な構造で形成することは勿論、可能である。
【０１７５】
（第２の態様）
図２９はこの発明の実施の形態１２である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の第２の態様の構造を示す断面図である。同図において、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３に形成されるＮ型可変容量Ｃ１ｗは、ゲート酸化膜３２ｗの膜厚をゲート酸化膜１２の膜厚より厚くした点が異なっている。なお、他の構成は図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１と同様である。
【０１７６】
ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１は、シリコン酸化膜よりも高い誘電率を有するHigh-ｋ材料を用いてゲート絶縁膜１２Ｈを形成した点、ゲート絶縁膜１２Ｈをゲート酸化膜３２ｗと同程度の膜厚で形成した点が異なっている。なお、他の構成は、図１で示した実施の形態１のＮＭＯＳトランジスタＱ１と同様である。
【０１７７】
なお、High-ｋ材料としては、Ｓｉ3Ｎ4、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2等が考えられる。
【０１７８】
このように、実施の形態１２の第１の態様では、寄生抵抗成分を大きくことなく、可変容量の容量成分を小さくすることができるため、実施の形態１１と同様の効果を奏する。
【０１７９】
ゲート絶縁膜１２Ｈの膜厚をゲート酸化膜３２ｗと同程度であるため、ゲート絶縁膜１２Ｈ及びゲート酸化膜３２ｗを同一工程で製造することにより、製造工程数を増やすことなく、膜厚が高性能トランジスタより厚いゲート酸化膜３２ｗを得ることができる。この際、ゲート絶縁膜１２ＨをHigh-ｋ材料で形成することにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ１Ｈの電気的特性に悪影響は生じない。
【０１８０】
なお、図２９ではＮＭＯＳトランジスタ及びＮ型可変容量のみを示したが、ＰＭＯＳトランジスタとＰ型可変容量との間にも同様な構造で形成することは勿論、可能である。
【０１８１】
＜実施の形態１３＞
図３０はこの発明の実施の形態１３である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。同図において、Ｎ型可変容量形成領域Ａ３に形成されるＮ型可変容量Ｃ１ｐは、Ｎウェル領域３１の上層部にポーラスシリコン層８が形成された点が異なっている。なお、他の構成は、図１で示した実施の形態１のＮ型可変容量Ｃ１と同様である。
【０１８２】
ポーラスシリコン層８を設けることにより、シリコンの実効的な誘電率が下がるため、Ｎ型可変容量Ｃ１ｐの容量成分を小さくすることができる。ただし、空孔が連続的に形成され、Ｎウェル領域３１の上層部における空孔の占める割合（空孔率）が高くなりすぎるとＮウェル領域３１の抵抗が上昇してしまうため、空孔率は５０％以下に抑える方が望ましい。
【０１８３】
このように、実施の形態１３は、寄生抵抗成分をさほど大きくことなく、可変容量の容量成分を小さくすることができるため、実施の形態１１と同様の効果を奏する。
【０１８４】
なお、図３０ではＮ型可変容量のみを示したが、Ｐ型可変容量も同様な構造で形成することは勿論、可能である。
【０１８５】
（ポーラスシリコン層の形成）
図３１〜図３５は、例えば、特開2000−307112公報に開示された、ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。以下、これらの図を参照して、ポーラスシリコン層の形成処理手順を説明する。
【０１８６】
まず、図３１に示すように、陽極化成により、Ｎ型のシリコン基板６の上面内にポーラスシリコン層７を形成する。具体的には、シリコン基板６を化成層１５１内でＨＦ溶液１５２中に浸し、上部の白金電極１５３を陰極、下部の白金電極１５４を陽極として、シリコン基板６に電流を流す。条件は、化成時間３０秒、化成電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2とする。これにより、図３２に示すように、シリコン基板６の上面が多孔質化され、シリコン基板６の上面内に、０．２μｍ程度の膜厚を有するポーラスシリコン層７が形成される。
【０１８７】
図３３は、ポーラスシリコン層７の形状を具体的に示す断面図である。ポーラスシリコン層７は図３３のようには入り組んだ形状となるが（より具体的には、実際には後述する文献２のpp470、Fig.4、あるいは文献３のpp379、Fig.2を参照されたい）、本明細書においては、図３２に示したようにポーラスシリコン層７の形状を簡略化して記載する。なお、ポーラスシリコン層７の膜厚は化成時間及び化成電流密度によって制御することができ、また、ポーラスシリコン層７の空孔率（シリコン部７ａと空孔部７ｂとの比に相当する密度）はＨＦ溶液１５２の濃度によって制御することができる（ＳＯＩ構造形成技術、pp181-185、古川静二郎著、1987年、産業図書：（文献１）参照）。
【０１８８】
次に、熱処理に対するポーラスシリコン層７の多孔質構造の安定性を確保するために、温度４００℃程度の低温で予備酸化を行う。次に、後の工程で形成されるエピタキシャル層９の結晶欠陥量を削減するために、水素雰囲気中で数秒間、温度１０００℃以上の熱処理を行う。すると、ポーラスシリコン層７の表面エネルギーの極小化によって表面原子の移動度が劇的に高められ、表面の自然酸化に起因してポーラスシリコン層７の上面内に生じていた表面孔（図示しない）が還元除去される。その結果、図３４に示すように、ポーラスシリコン層７の上面が十分に平滑化されたポーラスシリコン層８が形成される。
【０１８９】
ここで、ポーラスシリコン層８の上面は、シリコン基板６の単結晶構造を維持しており、シリコン基板６と同様の結晶方位を有している。そこで、図３５に示すように、エピタキシャル成長法によって、ポーラスシリコン層８の上面上に、１００ｎｍ程度の膜厚を有するエピタキシャル層９を形成する。なお、ポーラスシリコン層上へのシリコンのエピタキシャル成長については、「シリコンの科学、pp467-475、大見忠弘他監修、REALIZE INC.」（文献２）、 「IEICE TRANS. ELECTRON, VOL.E80-C, NO.3, MARCH 1997, K.SAKAGUCHI et al, pp378-387」（文献３）、「Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials, Hiroshima, 1998, pp302-303」（文献４）を参照されたい。
【０１９０】
なお、実施の形態１３ではＮ型可変容量形成領域Ａ３及びＰ型可変容量形成領域Ａ４に対して選択的にポーラスシリコン層８を形成している。このように、部分的にポーラスシリコン化する場合は、図３１で示す陽極化成時にＮＭＯＳ形成領域Ａ１及びＰＭＯＳ形成領域Ａ２の表面をレジストマスクで覆い、ポーラスシリコン層７が形成されないようにすることにより実現する。
【０１９１】
＜実施の形態１４＞
実施の形態１４では、絶縁ゲート型容量だけではＱ値向上に限界があるため、Ｑ値の高い接合容量型の可変容量（以下、「接合型可変容量」と略する。）を、絶縁ゲート型容量に並列に接続することにより実効的なＱ値を高めた、並列接続型可変容量である。
【０１９２】
図３６は接合型可変容量の構造を示す断面図である。同図に示すように、バルク基板であるＰ-基板１６１の上層部にＮ+拡散領域１６２を形成することにより、Ｐ-基板１６１，Ｎ+拡散領域１６２間のＰＮ接合面を有する接合型可変容量Ｃ２１を得ることができる。
【０１９３】
図３７は実施の形態１４である並列接続型可変容量の等価回路を示す説明図である。同図示すように、Ｑ値の高い接合型可変容量ＣＪ（Ｃ２１）と絶縁ゲート型容量ＣＭとを端子ＰＡ，端子ＰＢ（ＰＢ１，ＰＢ２）間に並列に接続することにより、実効的なＱ値を高めることができる。端子ＰＢ１，ＰＢ２には異なる電位を与えても同じ電位を与えても良い。
【０１９４】
接合型可変容量ＣＪは端子ＰＢ１に与える電圧によって容量値を可変設定することができる。すなわち、ＰＮ接合は空乏層容量と拡散容量との和であり、逆バイアス化では拡散容量が無視でき、空乏層容量はバイアス電圧依存性をもつため、接合容量を可変容量として用いることができる。
【０１９５】
なお、絶縁ゲート型可変容量ＣＭとしては、例えば、実施の形態１〜実施の形態１３で示した絶縁ゲート型容量のいずれかに該当する。この際、絶縁ゲートに固定電位を付与することにより絶縁ゲート構造の利用した構造の固定容量として活用することができる。すなわち、図３７の回路構成は可変容量と固定容量との並列接続とみなすことができる。
【０１９６】
図３８は素子分離がなされた構造のバルク基板における接合型可変容量の構造を示す断面図である。同図に示すように、Ｐ-基板１６１の上層部に分離酸化膜１６３（１６３ａ〜１６３ｃ）を選択的に形成することにより、素子分離構造を得る。
【０１９７】
そして、分離酸化膜１６３ａ，１６３ｂ間のＰ-基板１６１の上層部にＮ+拡散領域１６２を形成し、分離酸化膜１６３ｂ，１６３ｃ間のＰ-基板１６１の上層部にＰ+拡散領域１６４を形成する。すなわち、Ｐ-基板１６１とＮ+拡散領域１６２とのＰＮ接合面を有する接合型可変容量Ｃ２２を得ている。
【０１９８】
接合型可変容量はＮ+拡散領域１６２，Ｐ+拡散領域１６４間が分離酸化膜１６３によって絶縁分離されているため、十分な耐圧を有する接合型可変容量Ｃ２２を得ることができる。
【０１９９】
図３９は図３８の接合型可変容量の平面構造を示す平面図である。同図のＡ−Ａ断面が図３８に相当する。
【０２００】
図３９に示すように、Ｎ+拡散領域１６２，Ｐ+拡散領域１６４間の形成幅Ｗを十分広く設けることにより、端子ＰＡ，端子ＰＢ１間の直流抵抗成分を十分低く抑えることができる。
【０２０１】
＜実施の形態１５＞
図４０はこの発明の実施の形態１５である接合型可変容量の構造を示す断面図である。同図に示すように、実施の形態１５の接合型可変容量は支持基板１６５、埋め込み酸化膜１６６及びＳＯＩ層１７１からなるＳＯＩ基板上に形成される。
【０２０２】
同図に示すように、支持基板１６５上に埋め込み酸化膜１６６が形成され、埋め込み酸化膜１６６上にＳＯＩ層１７１が設けられる。そして、ＳＯＩ層１７１の上層部にＳＯＩ層１７１の一部をＰ-ウェル領域１６９として残して分離酸化膜１６７（１６７ａ〜１６７ｃ）を選択的に形成することにより、素子分離（パーシャル分離）構造を得る。
【０２０３】
そして、分離酸化膜１６７ａ，１６７ｂ間のＳＯＩ層１７１にＮ+拡散領域１６８を形成し、分離酸化膜１６７ｂ，１６７ｃ間のＳＯＩ層１７１にＰ+拡散領域１７０を形成する。したがって、Ｐ-ウェル領域１６９とＮ+拡散領域１６８とのＰＮ接合面を有する接合型可変容量Ｃ２３を得ている。
【０２０４】
埋め込み酸化膜１６６の存在により、ＰＮ接合面はＰ-ウェル領域１６９，Ｎ+拡散領域１６８間の側面の接合面のみになる。このため、Ｎ+拡散領域１６８及びＰ-ウェル領域１６９の側面における形成面積を広くして、必要な接合容量が得られるようにする必要がある。
【０２０５】
しかしながら、側面における形成面積を広くして、Ｐ-ウェル領域１６９やＰ+拡散領域１７０の形成面積を広くすると、支持基板１６５、埋め込み酸化膜１６６との間で寄生容量が生じ、寄生容量を介してＡＣ電流が支持基板１６５に流れると支持基板１６５の抵抗成分で信号が損失してしまう恐れがあるが、ＳＯＩ構造ではその影響は小さい。
【０２０６】
また、図３９のＮ+拡散領域１６２等の形成幅Ｗのように、Ｎ+拡散領域１６８及びＰ-ウェル領域１６９のＰＮ接合面の形成幅を大きく採ることにより、接合型可変容量の大容量化を図ることができ、かつ直流抵抗成分を十分低く抑えることができる。その結果、Ｑ値の向上を図ることができる。
【０２０７】
なお、実施の形態１５の接合型可変容量は単独で用いてもよく、実施の形態１４のように、絶縁ゲート型容量と並列に接続して用いても良い。
【０２０８】
＜実施の形態１６＞
（第１の態様）
図４１はこの発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第１の態様の構造を示す断面図である。同図に示すように、バルク基板であるＰ-基板１６１の上層部にＮ+拡散領域１７４及びＰ+拡散領域１７５を選択的に形成し、Ｎ+拡散領域１７４，Ｐ+拡散領域１７５間のＰ-基板１６１上にゲート酸化膜１７２を介してゲート電極１７３を形成している。
【０２０９】
したがって、Ｎ+拡散領域１７４とＰ-基板１６１とのＰＮ接合面を有する接合型可変容量Ｃ２４を得ている。
【０２１０】
第１の態様は、ゲート電極１７３形成後にＮ+拡散領域１７４及びＰ+拡散領域１７５を形成する場合、ゲート電極１７３直下のＰ-基板１６１の表面（ボディー領域）がゲート電極１７３によってマスクされるため、比較的簡単にボディー領域の不純物濃度を低く抑えることができる。
【０２１１】
その結果、高濃度同士のＰＮ接合を避けることにより、十分な耐圧を有する接合型可変容量Ｃ２４を得ることができる。
【０２１２】
（第２の態様）
図４２はこの発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第２の態様の構造を示す断面図である。同図に示すように、支持基板１６５、埋め込み酸化膜１６６及びＳＯＩ層１７１からなるＳＯＩ基板のＳＯＩ層１７１にＮ+拡散領域１７６及びＰ+拡散領域１７８を選択的に形成し、Ｎ+拡散領域１７６，Ｐ+拡散領域１７８間のＳＯＩ層１７１の領域であるＰ-ウェル領域１７７上にゲート酸化膜１８２を介してゲート電極１７３を形成している。
【０２１３】
したがって、Ｎ+拡散領域１７６とＰ-ウェル領域１７７とのＰＮ接合面を有する接合型可変容量Ｃ２５を得ている。
【０２１４】
第２の態様も、第１の態様同様、ゲート電極１８３直下のＰ-ウェル領域１７７（ボディー領域）がゲート電極１８３によってマスクされるため、比較的簡単にＰ-ウェル領域１７７の不純物濃度を低く抑えることができる。
【０２１５】
その結果、高濃度同士のＰＮ接合を避けることにより、十分な耐圧を有する接合型可変容量Ｃ２５を得ることができる。
【０２１６】
（第３の態様）
図４３はこの発明の実施の形態１６の接合型可変容量Ｃ２６の第３の態様の構造を示す断面図である。同図に示すように、Ｐ-基板１６１の上層部にＮ+拡散領域１７４及びＰ+拡散領域１７５が選択的に形成され、Ｎ+拡散領域１７４及びＰ+拡散領域１７５の上層部にシリサイド領域１８０及び１８１がそれぞれ形成されている。
【０２１７】
そして、シリサイド領域１８０，１８１間のＰ-基板１６１上にシリサイドプロテクション１８７が設けられている。
【０２１８】
（第４の態様）
図４４はこの発明の実施の形態１６の接合型可変容量Ｃ２７の第４の態様の構造を示す断面図である。同図に示すように、Ｎ+拡散領域１７６及びＰ+拡散領域１７８の上層部にシリサイド領域１８４及び１８５がそれぞれ形成されている。
【０２１９】
そして、シリサイド領域１８４，１８５間のＳＯＩ層１７１上のシリサイドプロテクション１８８が設けられる。なお、他の構成は図４２で示した第２の態様と同様である。
【０２２０】
このように、実施の形態１６の第１及び第２の態様は、Ｐ+拡散領域１７５，１７８の導電型を除いてＭＯＳトランジスタと同一構造であるため、ＭＯＳトランジスタの製造工程の大部分を利用して製造することができる。
【０２２１】
また、第３及び第４の態様はシリサイドプロテクション１８７，１８８を設けてシリサイド領域を設けることにより、低抵抗化を図ることができる。
【０２２２】
なお、第１及び第２の態様の場合でも、ゲート電極１７３（１８３）の側面にサイドウォールを形成し、ゲート電極及びサイドウォールをシリサイドプロテクションとしてＮ+拡散領域１７４（１７６）及びＰ+拡散領域１７５（１７８）の上層部にシリサイド領域を形成することは可能である。また、図４０で示した実施の形態１６においても、既存の方法で、Ｎ+拡散領域１６８，Ｐ+拡散領域１７０の表面にシリサイド領域を形成することは可能である。
【０２２３】
これら第１〜第４の態様の接合型可変容量は、実施の形態１４のように、絶縁ゲート型容量と並列に接続して用いることが望ましい。また、第２及び第４の態様は単独で用いても良い。
【０２２４】
なお、第１〜第４の態様ではＰ-基板（ウェル領域）に形成される、Ｎ+／Ｐ-のＰＮ接合を示したが、Ｎ-基板（ウェル領域）に形成される、Ｐ+／Ｎ-のＰＮ接合を用いても接合型可変容量を形成しても良い。
【０２２５】
＜実施の形態１７＞
（構造）
図４５はこの発明の実施の形態１７であるＭＩＭ(Metal Insulator Metal)型容量の構造を示す断面図である。
【０２２６】
同図に示すように、Ａｌ電極１９１上にｐ（プラズマ）−ＳｉＮ膜１９２を介してＴｉＮ電極１９３が形成され、ＴｉＮ電極１９３は層間絶縁膜１９４に設けられたスルーホール１９５を介してアルミ配線１９７と電気的に接続される。また、Ａｌ電極１９１は層間絶縁膜１９４を貫通し、かつスルーホール１９５とは独立して設けられたスルーホール１９６を介してアルミ配線１９８に電気的に接続される。
【０２２７】
このように、実施の形態１７では、Ａｌ電極１９１、ｐ−ＳｉＮ膜１９２及びＴｉＮ電極１９３によってＭＩＭ型容量Ｃ２８を形成している。このＭＩＭ型容量は、実施の形態１４の接合型可変容量のように、絶縁ゲート型容量と並列に接続して用いることが望ましい。
【０２２８】
図４５では電極として、Ａｌ電極１９１、ＴｉＮ電極１９３を形成したが、銅（Ｃｕ）を用いることにより、さらに抵抗成分を小さくすることができる。また、ｐ−ＳｉＮ膜１９２の代わりに強誘電体膜を使用すれば容量成分を大きくすることができる。または、同じ容量成分で形成面積を小さくすることができる。
【０２２９】
（応用例）
図４６はＶＣＯの一例を示す回路図である。同図に示すように、ノードＮ１，Ｎ２間にコイルＬ１及びＮＭＯＳトランジスタＱ２１とコイルＬ２及びＮＭＯＳトランジスタＱ２２とがそれぞれ並列に接続される。ノードＮ１は端子Ｐ１に接続され、ノードＮ２はＮＭＯＳトランジスタＱ２３を介して接地される。ＮＭＯＳトランジスタＱ２３のゲートには低電圧Ｖ２３が印加される。
【０２３０】
ＮＭＯＳトランジスタＱ２１のゲートはノードＮ４に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＱ２２のゲートはノードＮ３に接続され、ノードＮ３に対して固定容量Ｃｆ１及び可変容量Ｃｖ１の一端が並列に接続され、固定容量Ｃｆ１の他端の端子Ｐ２Ｆに定電圧Ｖｆ１が印加され、可変容量Ｃｖ１の他端の端子Ｐ２に制御電圧ＶＣを受ける。一方、ノードＮ４に対し固定容量Ｃｆ２及び可変容量Ｃｖ２の一端が並列に接続され、固定容量Ｃｆ２の他端の端子Ｐ３Ｆに定電圧Ｖｆ２が印加され、可変容量Ｃｖ２の他端の端子Ｐ３に制御電圧ＶＣを受ける。
【０２３１】
このような構成のＶＣＯは制御電圧ＶＣによって可変容量Ｃｖ１及びＣｖ２の容量値が変化するＬＣ型発振器として動作する。
【０２３２】
可変容量Ｃｖ１としては上述した接合容量、あるいは絶縁ゲート型容量等が考えられ、固定容量Ｃｆ１としてはゲート電極の電位が固定された絶縁ゲート型容量、ＭＩＭ型容量、後述するＰＩＰ型容量等が考えられる。
【０２３３】
端子Ｐ２及びＰ３に制御電圧ＶＣが印加され、可変容量Ｃｖ１及び可変容量Ｃｖ２の可変容量Ｃｖは制御電圧ＶＣによって変化する。一方、固定容量Ｃｆ１及び固定容量Ｃｆ２の固定容量Ｃｆは一定である。
【０２３４】
すなわち、可変容量Ｃｖと固定容量Ｃｆとの和で上述した(2)式のＣが決定するため、上記(2)式は(3)式で表すことができる。したがって、（Ｃｖ＋Ｃｆ）が所望の値になるように、制御電圧ＶＣによって可変容量Ｃｖを設定すればよい。
【０２３５】
【数３】
0005000055.tif 000004
【０２３６】
以下、制御電圧ＶＣの変化に対する発振周波数ｆの変化量であるｄｆ／ｄＶＣを小さくしてジッタを抑える制御を考える。ＶＣＯの発振周波数ｆは前述した(2)式で決定する。すなわち、以下の(4)式として表せる。
【０２３７】
【数４】
0005000055.tif 000005
【０２３８】
したがって、ｄｆ／ｄＶＣは以下の(5)式として得ることができる。
【０２３９】
【数５】
0005000055.tif 000006
【０２４０】
(5)式より、ＶＣＯのゲインと呼ばれるｄｆ／ｄＶＣを小さくするには、ｄＣ／ｄＶＣ（＝ｄＣｖ／ｄＶＣ）を小さくする必要がある。
【０２４１】
すなわち、前述したように、可変容量Ｃｖと固定容量Ｃｆとの和で(2)式のＣが決定するため、可変容量Ｃｖの固定容量Ｃｆに対する比率を小さくすることにより、ｄｆ／ｄＶＣを小さくして、ＶＣＯのジッタの低減化を図ることができる。
【０２４２】
したがって、固定容量Ｃｆを実施の形態１７のＭＩＭ型容量で実現し、可変容量Ｃｖを絶縁ゲート型容量で実現することにより、所望の発振周波数ｆでジッタの低減化を図ったＶＣＯを得ることができる。
【０２４３】
なお、上記応用例では、可変容量Ｃｖとして絶縁ゲート型容量を用い、固定容量ＣｆとしてＭＩＭ型容量を用いたが、可変容量Ｃｖとして絶縁ゲート型容量の代わりに接合型可変容量を用いても良い。
【０２４４】
また、シリサイド化等の処理により直流抵抗成分の低減化を図ることができる場合、固定容量ＣｆとしてＰＩＰ型容量を用いても良い。なお、ＰＩＰ型容量とは、polysilicon−insulator−polysiliconタイプの容量である。
【０２４５】
＜実施の形態１８＞
図４７はこの発明の実施の形態１８であるＶＣＯの回路構成の一部を示す回路図である。基本構成は図４６で示した回路と同様であるが、以下、異なる点について述べる。
【０２４６】
ノードＮ３に対して可変容量Ｃｖ１、固定容量Ｃｆ１Ａ〜Ｃｆ１Ｃの一端を並列に接続し、可変容量Ｃｖ１の他端に端子Ｐ２を接続し、固定容量Ｃｆ１Ａ（容量値０．５ｐＦ）の他端に端子Ｐ２Ａを接続し、固定容量Ｃｆ１Ｂ（容量値１．０ｐＦ）の他端に端子Ｐ２Ｂを接続し、固定容量Ｃｆ１Ｃ（容量値２．０ｐＦ）他端に端子Ｐ２Ｃを接続している。図４７では図示していないが、ノードＮ４側においてもノードＮ３側と同様に、固定容量Ｃｆ１Ａ〜ＣＦ１Ｃに相当する３つの固定容量を可変容量Ｃｖ２と共にノードＮ４の対して並列に接続している。端子Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｃは定電圧（Ｖｆ１Ａ〜Ｖｆ１Ｃ）の付与の有／無（フローティング状態にする）によって接続の有／無を制御することができる。
【０２４７】
このように、実施の形態１８では、固定容量としてサイズ等を変えることにより複数の容量値を有する固定容量Ｃｆ１Ａ〜Ｃｆ１Ｃを接続して、これら固定容量Ｃｆ１Ａ〜Ｃｆ１Ｃの端子Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｃに選択的に所定電圧を付与することにより、複数を含み任意に選択できるようにしている。例えば、端子Ｐ２Ａのみに定電圧Ｖｆ１Ａを付与し、端子Ｐ２Ｂ及びＰ２Ｃをフローティング状態にすれば固定容量値は０．５ｐＦとなり、端子Ｐ２Ａ及びＰ２Ｂに定電圧Ｖｆ１Ａ及びＶｆ１Ｂを付与し、端子Ｐ２Ｃをフローティング状態にすれば固定容量値は１．５ｐＦとなる。
【０２４８】
このように、実施の形態１８では、端子Ｐ２Ａ〜Ｐ２Ｃへの定電圧の付与の有無を任意に選択することにより、０．０〜３．５ｐＦ間で０．５ｐＦ刻みで固定容量値を選ぶことができるため、発振周波数ｆの中心値を大きく変化させることができる。
【０２４９】
なお、固定容量Ｃｆ１Ａ〜Ｃｆ１Ｃとしては、ＭＩＭ型容量、ＰＩＰ型容量、可変でない絶縁ゲート型容量等が考えられる。
【０２５０】
＜実施の形態１９＞
絶縁ゲート型容量ではゲート抵抗の抵抗値を減少させることが重要なことである。図４８はこの発明の実施の形態１９である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造を示す平面図である。
【０２５１】
同図に示すように、フィールド領域２０１上に設けられたゲート電極２０２はその両端にゲートコンタクトパッド２０２ａをそれぞれ設けており、フィールド領域２０１の周辺に沿って設けられるメタル配線２０４が両端のゲートコンタクトパッド２０２ａとゲートコンタクト２０３によって電気的に接続される。
【０２５２】
また、絶縁ゲート型容量Ｃ３１のフィールド領域２０１とメタル配線２０６とは複数のコンタクト２０５によって電気的に接続される。メタル配線２０４及び２０６はそれぞれ仮想直線ＶＬ１に沿って形成される信号伝搬部２０４ａ及び２０６ａを有している。すなわち、メタル配線２０４の信号伝搬部２０４ａに伝搬される入力信号ＩＮはメタル配線２０６の信号伝搬部２０６ａから出力信号ＯＵＴとして出力される。
【０２５３】
このように、実施の形態１９の絶縁ゲート型容量Ｃ３１は、ゲートコンタクト２０３をゲート電極２０２の両端のゲートコンタクトパッド２０２ａに設けて、ゲート電極２０２とメタル配線２０４との電気的接続を図ることにより、ゲート電極２０２のゲート抵抗の低減化を図ることができる。
【０２５４】
また、メタル配線２０４の信号伝搬部２０４ａ及びメタル配線２０６の信号伝搬部２０６ａが仮想直線ＶＬ１に沿って形成されているため、高周波信号を直線的に流すことができ、低抵抗化を図り信号伝搬にロスのない高周波デバイスとして望ましいレイアウト構成となる。
【０２５５】
なお、図４８ではメタル配線２０４の信号伝搬部２０４ａをＡ１で示す位置に形成したが、他にＡ２やＡ３で示す位置に形成しても良い。図４８ではメタル配線２０６の信号伝搬部２０６ａをＢ１で示す位置に形成したがＢ２で示す位置に形成しても良い。
【０２５６】
ただし、例えば、信号伝搬部２０４ａをＡ２で示す位置に形成し、信号伝搬部２０６ａをＢ２で示す位置に形成すれば、信号伝搬部２０４ａと信号伝搬部２０６ａとが仮想直線ＶＬ１等の仮想直線上に沿って形成されなくなるため、伝達効率が低下し、ＶＣＯのジッタ成分が増加する等、回路性能が低下する。
【０２５７】
＜実施の形態２０＞
（第１の態様）
図４９はこの発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第１の態様を示す平面図である。同図に示すように、中央に矩形状の中空部を有する外周形状が矩形状のフィールド領域２０７が形成されており、ゲート電極２０８が中空部２２０上に設けられたゲートコンタクトパッド２０８ａを中心に４本の部分ゲート電極部２０８ｇが均等に四方に延びて形成される。４本の部分ゲート電極部２０８ｇの先端にゲートコンタクトパッド２０８ｂがそれぞれ形成される。なお、絶縁ゲート型容量の断面構造は実施の形態１〜実施の形態１３で示した絶縁ゲート型容量の断面構造等と同様である。
【０２５８】
１つのゲートコンタクトパッド２０８ａ及び４つのゲートコンタクトパッド２０８ｂは１つのゲートコンタクト２０９ａ及び４つのゲートコンタクト２０９ｂそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【０２５９】
このような構成の絶縁ゲート型容量Ｃ３２は、中空部２２０上から部分ゲート電極部２０８ｇが四方に延びてゲート電極２０８が形成されているため、部分ゲート電極部２０８ｇの形成幅で規定されるゲート幅Ｗｆを小さくすることにより、ゲート抵抗の低減化を図ることができる。
【０２６０】
また、図４９に示すように、４本の部分ゲート電極部２０８ｇを四方（上下左右）に均等に形成することにより斜め方向のない比較的容易に形成可能なパターン形状でゲート電極２０８を形成することができる。
【０２６１】
なお、ゲートコンタクトパッド２０８ａだけでも良いが、４つのゲートコンタクトパッド２０８ｂを追加して、アルミ等の配線との電気的接続箇所を増やすことによりゲート抵抗のさらなる低減化を図ることができる。
【０２６２】
また、第１の態様ではボディー電極部を広くできるのでその部分の寄生抵抗を減少させることができる。
【０２６３】
（第２の態様）
図５０はこの発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第２の態様を示す平面図である。同図に示すように、中央に矩形状の中空部を有する外周形状が矩形状のフィールド領域２０７が形成されており、ゲート電極２０８は中空部２２０上に設けられたゲートコンタクトパッド２０８ａを中心に均等に八方に８本の部分ゲート電極部２０８ｇを有している。部分ゲート電極部２０８ｇの先端にゲートコンタクトパッド２０８ｂ（フィールド領域２０７の外周中心部近傍のパッド）及び２０８ｃ（フィールド領域２０７の外周角部のパッド）がそれぞれ形成される。
【０２６４】
１つのゲートコンタクトパッド２０８ａ、４つのゲートコンタクトパッド２０８ｂ及び４つのゲートコンタクトパッド２０８ｃは１つのゲートコンタクト２０９ａ、４つのゲートコンタクト２０９ｂ及び４つのゲートコンタクト２０９ｃそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【０２６５】
このような構成の絶縁ゲート型容量Ｃ３３は、中空部２２０上から八方に延びて部分ゲート電極部２０８ｇが形成されているため、第１の態様と同様、個々のゲート幅（Ｗｆ１，Ｗｆ２）を小さくすることにより、ゲート抵抗の低減化をより図ることができる。
【０２６６】
なお、ゲートコンタクトパッド２０８ａだけでも良いが、計８つのゲートコンタクトパッド２０８ｂ及び２０８ｃを追加して、アルミ等の配線との電気的接続箇所を増やすことによりゲート抵抗のさらなる低減化を図ることができる。
【０２６７】
また、第２の態様ではボディー電極部を広くできるのでその部分の寄生抵抗を減少させることができる。
【０２６８】
（第３の態様）
図５１はこの発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第３の態様を示す平面図である。同図に示すように、内部に４箇所設けられた矩形状の中空部２２１を有する外周形状が矩形状のフィールド領域２１２が形成されており、ゲート電極２１３が各中空部２２１上に設けられたゲートコンタクトパッド２１３ａを中心にそれぞれ４本の部分ゲート電極部２１３ｇが均等に四方に延びて形成される。そして、フィールド領域２１２外に形成された部分ゲート電極部２１３ｇの先端にゲートコンタクトパッド２１３ｂが形成される。
【０２６９】
４つのゲートコンタクトパッド２１３ａ及び８つのゲートコンタクトパッド２１３ｂは４つのゲートコンタクト２１４ａ及び８つのゲートコンタクト２１４ｂそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【０２７０】
このような構成の第３の態様の絶縁ゲート型容量Ｃ３４は、第１の態様の絶縁ゲート型容量が平面的に上下左右４個並べられた構成と等価な構成となり、各中空部２２１上から四方に延びて部分ゲート電極部２１３ｇが形成されているため、個々のゲート幅を小さくすることにより、中空部２２１の個数に応じてゲート抵抗の低減化を図ることができる。
【０２７１】
なお、４つのゲートコンタクトパッド２１３ａだけでも良いが、８つのゲートコンタクトパッド２１３ｂを追加して、アルミ等の配線との電気的接続箇所を増やすことによりゲート抵抗のさらなる低減化を図ることができる。
【０２７２】
また、第３の態様ではボディー電極部を広くできるのでその部分の寄生抵抗を減少させることができる。
【０２７３】
＜その他＞
実施の形態１４〜実施の形態２０で述べた構成は、絶縁ゲート型容量は、実施の形態１〜実施の形態１３で示した半導体装置に追加する、あるいは実施の形態１〜実施の形態１３で示した半導体装置の絶縁ゲート型容量のさらなる改良に用いる等、様々な組合せが可能である。
【０２８３】
【発明の効果】
請求項１記載の半導体装置における絶縁ゲート型の接合容量は、容量用ゲート電極をマスクとして第１及び第２の半導体領域を形成することにより、容量用ボディー領域の不純物濃度を第２の半導体領域よりも低く抑えることが比較的簡単に行える。
【０２８４】
請求項２記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成された寄生容量の影響の小さい接合容量を得ることができる。
【０２８５】
請求項３記載の半導体装置の接合容量は、第１及び第２のシリサイド領域により直流抵抗成分の低下を図ることができる。
【０２８６】
請求項４記載の半導体装置は、可変容量の固定容量に対する比率を低くすることにより、可変容量の変化度合が小さい特性を得ることができる。例えば、ＶＣＯの発振周波数決定用に可変容量と固定容量との合成容量を利用する場合、ジッタを低減するという特性を得ることができる。
【０２８７】
この発明に係る請求項５記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成することにより、寄生容量の影響が小さい接合容量を得ることができる。
【０２８８】
また、請求項５記載の半導体装置は部分絶縁領域によって第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離し、かつ部分絶縁領域下の分離用半導体領域と第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を形成することにより、素子分離構造を利用して接合容量を形成することができる。
【０２８９】
加えて、第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離することにより、十分な耐圧を有する接合容量を得ることができる。
【０２９２】
請求項７記載の半導体装置の接合容量は、第１及び第２のシリサイド領域により直流抵抗成分の低下を図ることができる。
【０２９５】
この発明における請求項８記載の複数の部分ゲート部により容量用ゲート電極を構成することにより、個々の部分ゲート部の長さがゲート幅として規定されるため、ゲート電極の抵抗値の低減を図ることができる。
【０２９６】
請求項９記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は中空部から四方に均等に延びて形成されるため、比較的容易に形成可能なパターン形状で形成することができる。
【０２９７】
請求項１０記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は中空部から八方に延びて形成されるため、ゲート電極に付随する抵抗値をより一層の低減化を図ることができる。
【０２９８】
請求項１１記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は複数の中空部からそれぞれに平面視放射状に延びて形成されるため、複数の中空部の数に応じてゲート電極に付随する抵抗値の低減化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】  実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】  この発明の実施の形態２である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図９】  実施の形態２のＮ型可変容量の高周波電流による影響を示す説明図である。
【図１０】  ＳＯＩ基板に作り込まれたポケット領域を有するＮ型可変容量の高周波電流による影響を示す説明図である。
【図１１】  この発明の実施の形態３である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１２】  実施の形態４の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】  実施の形態４の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】  実施の形態４の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】  実施の形態４の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】  この発明の実施の形態５である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】  この発明の実施の形態６である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１８】  この発明の実施の形態７である半導体装置のレイアウト構成を示す説明図である。
【図１９】  実施の形態７の半導体装置における高電圧トランジスタ形成領域及び可変容量形成領域の構造を示す断面図である。
【図２０】  この発明の実施の形態８である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２１】  この発明の実施の形態９である、ＭＯＳトランジスタ及び可変容量を有する半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。
【図２２】  実施の形態１０の半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。
【図２３】  実施の形態１０の半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。
【図２４】  実施の形態１０の半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。
【図２５】  実施の形態１０の半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。
【図２６】  実施の形態１０の半導体装置におけるＮ型可変容量の製造方法を示す断面図である。
【図２７】  この発明の実施の形態１１である半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２８】  この発明の実施の形態１２である半導体装置の第１の態様の構造を示す断面図である。
【図２９】  この発明の実施の形態１２である半導体装置の第２の態様の構造を示す断面図である。
【図３０】  この発明の実施の形態１３である半導体装置の第１の態様の構造を示す断面図である。
【図３１】  ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。
【図３２】  ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。
【図３３】  ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。
【図３４】  ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。
【図３５】  ポーラスシリコン層の形成方法を示す断面図である。
【図３６】  実施の形態１４における接合型可変容量の構造を示す断面図である。
【図３７】  実施の形態１４である並列接続型可変容量の等価回路を示す説明図である。
【図３８】  素子分離がなされた構造の接合型可変容量の構造を示す断面図である。
【図３９】  図３８の接合型可変容量の平面構造を示す平面図である。
【図４０】  この発明の実施の形態１５である接合型可変容量の構造を示す断面図である。
【図４１】  この発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第１の態様の構造を示す断面図である。
【図４２】  この発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第２の態様の構造を示す断面図である。
【図４３】  この発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第３の態様の構造を示す断面図である。
【図４４】  この発明の実施の形態１６の接合型可変容量の第４の態様の構造を示す断面図である。
【図４５】  この発明の実施の形態１７であるＭＩＭ(型容量の構造を示す断面図である。
【図４６】  ＶＣＯの一例を示す回路図である。
【図４７】  この発明の実施の形態１８であるＶＣＯの回路構成の一部を示す回路図である。
【図４８】  この発明の実施の形態１９である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造を示す平面図である。
【図４９】  この発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第１の態様を示す平面図である。
【図５０】  この発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第２の態様を示す平面図である。
【図５１】  この発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第３の態様を示す平面図である。
【図５２】  従来のポケット領域付きＭＯＳトランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図５３】  従来のポケット領域付きＭＯＳトランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図５４】  可変容量の構造を示す断面図である。
【図５５】  可変容量の容量値設定動作を示す説明図である。
【図５６】  可変容量の容量値設定動作を示す説明図である。
【図５７】  図５４で示した可変容量の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１  半導体基板、３，１６５  支持基板、４，１６６  埋め込み酸化膜、５，１７１  ＳＯＩ層、８  ポーラスシリコン層、１１，３０，４１  Ｐウェル領域、２１，３１，４０  Ｎウェル領域、１４  Ｎ+ソース・ドレイン領域、１７  Ｐ-ポケット領域、２４  Ｐ+ソース・ドレイン領域、２７  Ｎ-ポケット領域、３１ｃ  高濃度チャネル領域３１ｃ、１２Ｈ，３２ｗ，３２Ｌ  ゲート酸化膜、３４，３５  Ｎ+取り出し電極領域、４４，４５  Ｐ+取り出し電極領域、１６１Ｐ-基板、１６２，１６８，１７４，１７６  Ｎ+拡散領域、１６３，１６７  分離酸化膜、１６４，１７０，１７５，１７８  Ｐ+拡散領域、１６９，１７７Ｐ-ウェル領域、１８０，１８１，１８４，１８５  シリサイド領域、１８７，１８８  シリサイドプロテクション、Ｃ１，Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７，Ｃ９  Ｎ型可変容量、Ｃ２，Ｃ４，Ｃ６，Ｃ８  Ｐ型可変容量、Ｑ１  ＮＭＯＳトランジスタ、Ｑ２  ＰＭＯＳトランジスタ、Ｑ３  高電圧用ＮＭＯＳトランジスタ、Ｑ４  高電圧用ＰＭＯＳトランジスタ。
【図１】
0005000055.tif 000007
【図２】
0005000055.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005000055.tif 000013
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005000055.tif 000016
【図１１】
0005000055.tif 000017
【図１２】
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【図１３】
0005000055.tif 000019
【図１４】
0005000055.tif 000020
【図１５】
0005000055.tif 000021
【図１６】
0005000055.tif 000022
【図１７】
0005000055.tif 000023
【図１８】
0005000055.tif 000024
【図１９】
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【図２０】
0005000055.tif 000026
【図２１】
0005000055.tif 000027
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
0005000055.tif 000030
【図２５】
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【図２６】
0005000055.tif 000032
【図２７】
0005000055.tif 000033
【図２８】
0005000055.tif 000034
【図２９】
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【図３０】
0005000055.tif 000036
【図３１】
0005000055.tif 000037
【図３２】
0005000055.tif 000038
【図３３】
0005000055.tif 000039
【図３４】
0005000055.tif 000040
【図３５】
0005000055.tif 000041
【図３６】
0005000055.tif 000042
【図３７】
0005000055.tif 000043
【図３８】
0005000055.tif 000044
【図３９】
0005000055.tif 000045
【図４０】
0005000055.tif 000046
【図４１】
0005000055.tif 000047
【図４２】
0005000055.tif 000048
【図４３】
0005000055.tif 000049
【図４４】
0005000055.tif 000050
【図４５】
0005000055.tif 000051
【図４６】
0005000055.tif 000052
【図４７】
0005000055.tif 000053
【図４８】
0005000055.tif 000054
【図４９】
0005000055.tif 000055
【図５０】
0005000055.tif 000056
【図５１】
0005000055.tif 000057
【図５２】
0005000055.tif 000058
【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
0005000055.tif 000063