(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの高圧設定値に従い高圧の電気を設定する高圧設定部と、
前記高圧設定部により設定される高圧の電気を発生し、静電チャックに供給する高圧発生用トランスフォーマーと、
電磁力を発生させるための駆動電源のオン／オフに従い前記高圧発生用トランスフォーマーから静電チャックに供給される高圧の電気を制御する高圧制御部と、
前記静電チャックの駆動電源のオフの際に前記静電チャックに残留する残留電気を強制的に放電させる放電回路部と、
前記高圧発生用トランスフォーマーに接続され、前記高圧発生用トランスフォーマーから漏泄された漏泄電流を検出して前記高圧設定値を調整するための情報を提供する漏泄電流検出部と、
前記静電チャックの駆動電源のオフの際に前記静電チャックの陽電圧端子と連結され前記静電チャックの残留電圧を検出してモニターに提供する残留電圧検出部と、
を備え、
前記放電回路部は、前記静電チャックの駆動電源のオン／オフに連動して前記静電チャックの陽電圧端子及び陰電圧端子を残留電気を放電可能な素子に連結する放電用リレーと、前記放電用リレーを通して前記静電チャックの陽電圧端子及び陰電圧端子の両端に連結され前記静電チャックに残留する残留電気を放電可能な素子とを有し、
前記残留電気を放電可能な素子はネオンランプであることを特徴とする半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置。
【請求項２】
前記高圧制御部は、前記高圧発生用トランスフォーマーの出力端子（Ｐ１）、（Ｐ２）を前記静電チャックの陽電圧端子及び陰電圧端子に連結する高圧制御用リレーからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置に関するもので、詳しくは、静電チャック（electro stack chuck）の駆動電源のオフの際に静電チャックに残留する残留電気を完全に放電（discharge）させることができる半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体設備における静電チャックとは、半導体素子が作られるウェーハを載せるステージを指し、ウェーハが動かないようにホールディングする電源供給装置からの電気によりウェーハをチャッキング（chucking）する。
【０００３】
前記電源供給装置からの駆動電源を静電チャックに供給する途中に電源がオフされるとき、静電チャックに供給された駆動電源は接地に流れるべきであるが、接地が電源供給装置の回路であると共に駆動電源が加えられるターゲットの静電チャックも極性を有しているので、静電チャックに加えられた残留電気が短時間で放電されない。
【０００４】
従って、ウェーハ加工の完了後にウェーハを他の工程に移動させるためには、チャッキングのために供給された駆動電源をオフしなければならず、よって、ウェーハが静電チャックから分離されて移動可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、静電チャックの駆動電源がオフされても、静電チャックに残留する残留電気のためチャッキング状態が完全に解除されず、ウェーハを持ち上げる瞬間にウェーハが飛んで、加工チャンバー内で破損するかまたは滑ってウェーハを移動することができなくなる。
【０００６】
更に、加工チャンバー内でウェーハが破損するかまたは滑って異物が発生し、加工中のウェーハの収率が落ち、加工チャンバー内のウェーハを除去してから工程を続けるためには多くの時間が所要されるため、生産ラインの稼働率が落ちてウェーハの生産率が低くなるという問題点があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、半導体素子を製造するための各種半導体設備において、静電チャックの駆動電源のオフのときに静電チャックに残留する残留電気が完全に放電されるようにし、チャッキングによるウェーハの破損及び滑りを防止することができる半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、半導体設備の稼働率を高めてウェーハの収率を向上させると共に、半導体素子の価格競争率を高めることができる半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置を提供することにある。
【０００９】
このような目的を達成するため本発明による半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置は、外部からの高圧設定値に従い高圧発生用トランスフォーマーで発生する高圧の電気を設定する高圧設定部と、前記高圧設定部の制御で静電チャックに供給するための高圧の電気を発生する高圧発生用トランスフォーマーと、電磁力を発生させるための駆動電源の“オン／オフ”に従い前記高圧発生用トランスフォーマーから静電チャックに供給される高圧の電気を制御する高圧制御部と、前記静電チャックの駆動電源のオフのときに前記静電チャックに残留する残留電気を強制的に放電させる放電回路部と、高圧発生用トランスフォーマーに接続され、高圧発生用トランスフォーマーから漏泄された漏泄電流を検出して前記高圧設定値を調整するための情報を提供する漏泄電流検出部と、前記静電チャックの駆動電源のオフのときに前記静電チャックの陽電圧端子と連結されて静電チャックの残留電圧を検出してモニタに提供する残留電圧検出部と、を備え、前記放電回路部は、前記静電チャックの駆動電源のオン／オフに連動して前記静電チャックの陽電圧端子及び陰電圧端子を残留電気を放電可能な素子に連結する放電用リレーと、前記放電用リレーを通して前記静電チャックの陽電圧端子及び陰電圧端子の両端に連結され前記静電チャックに残留する残留電気を放電可能な素子とを有し、前記残留電気を放電可能な素子はネオンランプであることを特徴とする。
【００１０】
前記本発明による半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置において、前記高圧制御部は前記高圧発生用トランスフォーマーの出力端子（Ｐ１）、（Ｐ２）を静電チャックの陽電圧端子と陰電圧端子に連結する高圧制御用リレーで構成することが好ましい。
【００１２】
前記本発明による半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置において、前記放電回路部は前記静電チャックの駆動電源の“オン／オフ”に連動して静電チャックの陽電圧端子と陰電圧端子を残留電気を放電可能な素子に連結する放電用リレーと、前記放電用リレーを通して前記静電チャックの陽電圧端子と陰電圧端子の両端に連結されて静電チャックに残留する残留電気を放電可能な素子と、を備えて構成されることが好ましい。
【００１３】
前記本発明による半導体設備の静電チャック駆動電源自動放電装置において、前記残留電気を放電可能な素子はネオンランプであることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
本発明の一実施例は、図１に示すように、高圧発生用トランスフォーマー（transformer）７の発生高圧電気を設定するための高圧設定値が外部から入力される高圧設定部５が高圧発生用トランスフォーマー７に連結され、高圧発生用トランスフォーマー７は高圧設定部５の制御で静電チャックに供給するための所定レベルの高圧の電気を生成する。前記高圧発生用トランスフォーマー７に連結された漏泄電流検出部６は、高圧の電気を発生する間に高圧発生用トランスフォーマー７から漏泄される漏泄電流を検出して高圧電気発生を制御するための情報を提供する。
【００１５】
前記高圧発生用トランスフォーマー７の出力端子Ｐ１、Ｐ２は２個のリレースイッチを備えた高圧制御用リレー１０の各入力端に連結され、前記高圧制御用リレー１０は静電チャック１のドナット（donut）４とベース（base）３に連結されて静電チャック１に高圧の電気を供給できるようになっている。このとき、高圧制御用リレー１０の他の入力端のうちの一つは、静電チャックの駆動電源のオフのときに残留電気が接地に流れるように接地と連結され、他の一つには残留電圧検出部８が連結されて、静電チャックの駆動電源のオフのときにモニターを通して残留電圧の変動状態を確認できるようになっている。
【００１６】
高圧制御用リレー１０に設置されたリレーコイルの一端は接地と連結され、他の一端は２個のリレーが一対をなす制御用リレー９の一つの出力端に連結され、前記制御用リレー９の他の一つの出力端は高圧設定部５に連結される。また、制御用リレー９の一つの入力端には所定の電源Ｖｃｃが直接加えられるように連結され、他の一つの入力端にはヒューズＦを通じて電源Ｖｃｃが供給されるように連結される。
【００１７】
言い換えれば、静電チャックに駆動電源を供給するため“オン／オフ”信号により制御用リレー９が駆動されると、電源（Ｖｃｃ）が高圧設定部５と高圧制御用リレー１０にそれぞれ供給されて、高圧電気発生及び静電チャック１に供給される高圧の電気を制御できるようにしたものである。
【００１８】
そして、静電チャックに駆動電源を供給するため“オン／オフ”信号により励磁が決定されるリレーコイルを備えた放電用リレー１２の２個の入力端、即ち、放電用リレー１２に設けられる２個のリレーの各入力端には静電チャック１の陽電圧端子のドナット４と陰電圧端子のベース３が接続される。また、放電用リレー１２の出力端にはネオンランプ１３が接続されて、静電チャックの駆動電源のオフのときにネオンランプ１３により残留電気を強制的に放電できるようになっている。
【００１９】
言い換えれば、高圧制御用リレー１０と静電チャック１との間に静電チャックの駆動電源オフのときに静電チャックの残留電源を強制的に放電するための放電回路部１１が設置されて、静電チャックによるウェーハのチャッキング状態が駆動電源オフと同時に解除されるようになっている。
【００２０】
このように構成された本実施例の動作を説明する。
まず、高圧設定部５は、外部から入力する高圧設定値に従い高圧発生用トランスフォーマー７で発生して高圧制御用リレー１０を通じて静電チャック１に供給される高圧の電気の出力レベルを調節する。
【００２１】
このような高圧設定部５の制御で高圧発生用トランスフォーマー７で発生した高圧の電気は出力端子Ｐ１、Ｐ２を通して高圧制御用リレー１０の各端子に入力される。このとき、漏泄電流検出部６により高圧発生用トランスフォーマー７から漏泄される漏泄電流にデータが検出されて提供されるので、管理者は高圧発生用トランスフォーマー７の効率及びその他の漏泄程度を勘案して高圧設定値の再調整が可能になる。
【００２２】
このように高圧発生用トランスフォーマー７から高圧の電気を発生することができる状態で静電チャックに駆動電源を供給するための“オン”信号が入力されると、制御用リレー９が駆動されながら、ヒューズＦを通じるか或いは真っ直ぐに入力する電源Ｖｃｃが高圧設定部５と高圧制御用リレー１０のリレーコイルにそれぞれ供給される。
【００２３】
電源Ｖｃｃを受けた高圧設定部５の制御により高圧発生用トランスフォーマー７で静電チャックに適合したレベルの高圧の電気が生成されて出力端子Ｐ１、Ｐ２に出力され、高圧制御用リレー１０のリレースイッチ駆動により高圧発生用トランスフォーマー７の出力端子Ｐ１、Ｐ２と静電チャック１の陽電圧端子のドナット４と陰電圧端子のベース３が電気的に連結されるので、高圧発生用トランスフォーマー７の高圧の電気が静電チャック１に供給される。従って、静電チャック１は静電チャック１の上に安着されたウェーハ２をチャッキングする。
【００２４】
このように静電チャック１によりウェーハ２をチャッキングした状態で所定の製造工程を行った後、ウェーハ２を他の加工チャンバーに移動させるため、制御用リレー９に供給された信号を“オフ”信号に切り替えると、制御用リレー９と高圧制御用リレー１０及び放電用リレー１２が元来の状態に戻る。
【００２５】
言い換えれば、制御用リレー９を通じて高圧設定部５と高圧制御用リレー１０に供給された電源Ｖｃｃがオフされ、従って、高圧発生用トランスフォーマー７における高圧電気発生が中断されると同時に、高圧発生用トランスフォーマー７の出力端子Ｐ１、Ｐ２と静電チャック１の陽／陰電圧端子のドナット４とベース３との電気的な連結状態がオフされる。
【００２６】
そこで、高圧発生用トランスフォーマー７でこれ以上の高圧の電気が発生せず、静電チャック１のドナット４とベース３に高圧の電気がこれ以上供給されないようになって、静電チャック１のチャッキング状態が解除される。
【００２７】
且つ、高圧制御用リレー１０と放電用リレー１２が元の状態に戻りながら静電チャック１のドナット４とベース３が残留電圧検出部８を通してモニターと接地に連結され、放電用リレー１２内の各リレーの端子を通してネオンランプ１３に接続される。
【００２８】
よって、管理者は、モニターを通して残留電圧検出部８により検出される静電チャック１のドナット４から放電される電気の電圧の変動状態を確認することができる。また、静電チャック１のベース３から放電される電気の一部は高圧制御用リレー１０の接地に流れながら放電される。
【００２９】
また、静電チャックの駆動電源オフと同時に静電チャック１のドナット３とベース４に残留した残留電気が放電用リレー１２を通してネオンランプ１３を点灯させながら放電されるので、静電チャックに残留する残留電気の放電時間を最小化することにより、静電チャックにチャッキングされたウェーハが静電チャックの駆動電源オフと同時に直ぐに解除され、加工工程を終了したウェーハを他の加工チャンバに移動させるための動作をウェーハの破損及び滑りなしに円滑に行うことができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、各種半導体素子を製造するための各種半導体設備において、静電チャックの駆動電源オフの際に静電チャックに残留する残留電気が完全に放電されるようにして、チャッキングによるウェーハの破損及び滑りを防止することができるという効果がある。
【００３１】
また、本発明は、半導体設備の稼働率を高めてウェーハの収率を向上させると共に、他社の半導体素子に比べ価格の競争率を高めることができるという効果がある。
【００３２】
そして、本発明は、記載された具体的実施例についてのみ詳しく説明したが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能であるのは、当業者にとっては明白なことであり、このような変形及び修正が記載された特許請求範囲に属するのは当然のことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例による半導体設備を示す模式図である。
【符号の説明】
１  静電チャック
２  ウェーハ
３  ベース
４  ドナット
５  高圧設定部
６  漏泄電流検出部
７  高圧発生用トランスフォーマー
８  残留電圧検出部
９  制御用リレー
１０  高圧制御用リレー
１１  放電回路部
１２  放電用リレー
１３  ネオンランプ
【図１】
0004988098.tif 000002