(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準マスクライタユニットを用いて第１のマスクライタユニットを調整する方法であって、前記第１のマスクライタユニット及び前記基準マスクライタユニットの各々が、マスク描画性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
テストパターン及びマスク描画モデルを定義するステップと、
前記基準マスクライタユニットを用いて前記テストパターンを生成し、マスク描画結果を測定するステップと、
前記第１のマスクライタユニットを用いて前記テストパターンを生成し、マスク描画結果を測定するステップと、
前記基準マスクライタユニットに対応する前記マスク描画結果を用いて前記マスク描画モデルを較正するステップであって、前記較正されたマスク描画モデルがパラメータ値の第１のセット（ＭＰ＿Ｒ）を有するステップと、
前記第１のマスクライタユニットに対応する前記マスク描画結果を用いて、前のステップにおいて較正された前記較正後のマスク描画モデルを調整するステップであって、前記調整された較正後のマスク描画モデルがパラメータ値の第２のセット（ＭＰ＿Ｒｉ）を有するステップと、
パラメータ値の前記第１のセット（ＭＰ＿Ｒ）とパラメータ値の前記第２のセット（ＭＰ＿Ｒｉ）の差に基づいて、前記第１のマスクライタユニットの前記パラメータ（Ｐｉ）を調整するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のマスクライタユニットが、電子ビームライタユニット及び光ライタユニットのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の第１のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項３】
前記マスク描画モデルが、固定パラメータを含む、請求項１に記載の第１のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項４】
前記第１のマスクライタユニットの前記調整可能なパラメータが、前記基準マスクライタユニットの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項１に記載の第１のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項５】
前記第１のマスクライタユニット及び前記基準マスクライタユニットの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの生成時に公称値に設定される、請求項１に記載の第１のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項６】
マスク描画モデルを用いてマスクライタユニットを調整する方法であって、前記マスクライタユニット及び前記マスク描画モデルの各々が、マスク描画性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
テストパターンを定義するステップと、
前記マスクライタユニットを用いてテストパターンを生成し、結果を測定するステップであって、前記マスクライタユニットがパラメータ値の第１のセット（ＭＰ＿Ｋ）を有するステップと、
前記マスクライタユニットに対応する前記結果を用いて前記マスク描画モデルを調整するステップであって、前記調整されたマスク描画モデルがパラメータ値の第２のセット（ＭＰ＿ＫＣ）を有するステップと、
パラメータ値の前記第１のセット（ＭＰ＿Ｋ）とパラメータ値の前記第２のセット（ＭＰ＿ＫＣ）の差に基づいて、前記マスクライタユニットのパラメータ（ＰＣ）の前記第１のセットを調整するステップと、
を含む方法。
【請求項７】
前記マスクライタユニットが、電子ビームライタユニット及び光ライタユニットのうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項８】
前記マスク描画モデルが、固定パラメータをさらに含む、請求項６に記載のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項９】
前記マスクライタユニットの前記調整可能なパラメータが、前記マスク描画モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項６に記載のマスクライタユニットを調整する方法。
【請求項１０】
前記マスクライタユニットの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの生成時に公称値に設定される、請求項６に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[01]  本発明の技術分野は、概して、複数のマスク描画システムの性能を最適化するために、モデルベースのマスクライタの調整及び最適化を実行するための方法及びプログラム製品に関する。
【背景技術】
【０００２】
[02]  例えば、集積回路（ＩＣ）の製造などにリソグラフィ装置を使用することができる。その場合、マスクは、ＩＣの個々のレイヤに対応する回路パターンを含むことができ、このパターンを放射感応性材料（レジスト）のレイヤでコーティングされた基板（シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像することができる。一般に、１つのウェーハは、投影システムを介して一度に１つずつ連続的に照射される隣接するターゲット部分のネットワーク全体を含む。あるタイプのリソグラフィ投影装置では、マスクパターン全体をターゲット部分上に一度に露光することで各ターゲット部分が照射される。上記装置は、一般にウェーハステッパと呼ばれる。ステップアンドスキャン装置と一般に呼ばれる別の装置では、投影ビームが当たったマスクパターンを所与の基準方向（「スキャン」方向）に漸進的にスキャンしながら、これに同期してこの方向に平行又は逆平行に基板テーブルをスキャンすることで各ターゲット部分が照射される。一般に、投影システムは、倍率係数Ｍ（一般に、＜１）を有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、係数Ｍにマスクテーブルのスキャン回数を乗じた値になる。本明細書に記載するリソグラフィデバイスに関する詳細情報は、例えば、本明細書に参照により組み込むものとする米国特許第６，０４６，７９２号から入手することができる。
【０００３】
[03]  リソグラフィ投影装置を用いた製造プロセスでは、放射感応性材料（レジスト）のレイヤで少なくとも部分的に覆われた基板上にマスクパターンが結像される。この結像ステップに先立って、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベークなどの種々の手順を基板に対して行うことができる。露光後に、基板に対して、結像されたフィーチャの露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク及び測定／検査などの他の手順を実行することができる。この一連の手順は、デバイス、例えば、ＩＣの個々のレイヤにパターン形成する基礎として使用される。そのようなパターン形成されたレイヤについて、次に、個々のレイヤを完成させるためのエッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学的機械的研磨などの種々のプロセスを行うことができる。幾つかのレイヤが必要な場合、手順全体、又はその変形手順を新しいレイヤごとに繰り返す必要がある。最終的に、デバイスのアレイが基板（ウェーハ）上に形成される。これらのデバイスは、次に、ダイシング又はソーイングなどの技術によって互いに分離され、それによって個々のデバイスをピンなどに接続されたキャリア上に実装することができる。
【０００４】
[04]  話を分かりやすくするため、以下、投影システムを「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含む各種投影システムを含むものと広義に解釈すべきである。放射システムも、放射投影ビームを方向付け、整形し、又は制御する任意のこれらの設計タイプに従って動作するコンポーネントを含むことができ、そのようなコンポーネントも、以下に集合的又は単独で「レンズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチステージ」デバイスでは、追加のテーブルを平行して使用するか、又は１つ又は複数の他のテーブル上で準備ステップを実行しながら１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することができる。例えば、本明細書に参照により組み込むものとする米国特許第５，９６９，４４１号には、ツインステージリソグラフィ装置が記載されている。
【０００５】
[05]  上記フォトリソグラフィマスクは、シリコンウェーハ上に集積する回路コンポーネントに対応する幾何学パターンを含む。そのようなマスクを作成するためのパターンは、このプロセスが多くの場合ＥＤＡ（電子設計オートメーション）と呼ばれるＣＡＤ（コンピュータ支援設計）プログラムを用いて生成される。大半のＣＡＤプログラムは、機能マスクを作成するために一組の所定のデザインルールに従う。これらのルールは、処理及び設計の制限によって設定される。例えば、デザインルールは、回路デバイス（ゲート、コンデンサなど）又は相互接続線間の空間許容範囲を定義して、回路デバイス又は線が好ましくない形で相互動作しないようにする。デザインルールの限界は、「クリティカルディメンション」（ＣＤ）とも呼ばれる。回路のクリティカルディメンションは、線又は穴の最小幅又は２本の線又は２つの穴の間の最小空間として定義することができる。それ故、ＣＤは、設計された回路の全体のサイズと密度とを決定する。集積回路の製作の目標の１つが元の回路設計をウェーハ上に（マスクを介して）忠実に再現することであるのは当然である。
【０００６】
[06]  フォトリソグラフィ工程全体で考慮すべき重要な側面は、マスク描画装置（本明細書ではマスクライタと呼ぶ）がターゲットマスクデザインを正確に生成する能力である。言い換えれば、ターゲットマスクデザインを実際の結像工程で利用できるマスクに変形する能力である。周知のマスクライタデバイス又はユニットは電子ビームマスクライタ及び光マスクライタを含み、その各々は、マスク描画工程の結果に影響する異なる基本の結像物理的特性と、異なる可変パラメータとを有する。例えば、電子ビームマスクライタは、ビームサイズ、焦点、ビームドーズ量、ビーム電流、ビームエネルギー、加速度電圧、及びビームボケなどのパラメータ、並びに、例えば、後方散乱電子、フォギング効果、及びエッチングなどのパターン依存処理ステップによって引き起こされる近接効果に対して補正するパラメータを有するが、これらに限定されない。光マスクライタは、開口数（ＮＡ）、焦点、照明形状及びドーズ量などのパラメータを有するが、これらに限定されない。各々の場合で、所与のマスクライタのパラメータの幾つかは固定され、幾つかは調整可能である。所与のマスクライタユニットの調整可能なパラメータは、マスク描画工程の結果を改善するようにして調整することができる。
【０００７】
[07]  別の目標は、異なるマスクライタユニットを用いて、最適の／許容可能な性能を達成するために各マスクライタユニットの必要な設定を決定するかなりの量の時間とリソースとを消費する必要なしに、所望のパターンを結像するために同一のターゲットマスクを生成する能力である。周知のように、設計者／エンジニアは、結果的に得られるマスクが設計要件を満足するように、所与のマスクライタユニットを最初に設定する際に所与のマスクライタユニットの最適な設定を決定するのに莫大な時間と費用とを費やす。実際、これは、多くの場合、マスクライタユニット上の調整可能なパラメータが選択され、マスクが生成され分析されて結果として得られるマスクが指定の誤差許容差の範囲内にあるか否かが決定される試行錯誤の工程である。範囲内にない場合、調整可能なパラメータは調整されマスクが再び生成及び分析される。この工程は、結果として得られるマスクが指定の誤差許容差の範囲内に収まるまで繰り返される。
【０００８】
[08]  しかし、同一のモデル種別の場合も含め各マスクライタユニットが、マスク生成時に、例えば、異なる近接効果を示す際、生成される実際のマスクはマスクライタユニットごとに異なる場合が多い。例えば、所与の光マスクライタユニットに関連する異なる光近接効果（ＯＰＥ）は、ピッチを介して有意なＣＤ変動をもたらすことがある。従って、結果として得られるマスクは大幅に変動することがあるため、任意のマスクライタユニットを用いるだけで所与のマスクを生成することは不可能である。それ故、異なるマスクライタユニットを用いて所与のマスクを形成することが望ましい場合、技術者は、結果として得られるマスクが設計要件を満足するように新しいマスクライタユニットを最適化又は調整しなければならない。現在、これは、通常、上記のように、費用と時間がかかる試行錯誤の工程によって達成される。
【０００９】
[09]  従って、両方のマスクライタが効果的に同一のマスクを生成することができるように、マスクライタユニットが以前に調整されたマスクライタユニットに対して指定の誤差許容差内のマスクを生成することができるような所与のマスクライタユニットの調整又は最適化方法が必要である。言い換えれば、試行錯誤最適化工程を必要としない所与のターゲットマスクに関して複数のマスクライタの性能を最適化し、すべてのマスクライタユニットが所定の誤差許容差内のマスクを生成することができる方法が必要である。
【発明の概要】
【００１０】
[10]  従って、本発明は、異なるマスクライタユニットが各個々のマスクライタユニットの調整可能なパラメータを最適化するために、膨大な試行錯誤工程を実行しなくても同一のマスクを生成することができるようにマスクライタユニットを調整する方法に関する。
【００１１】
[11]  より詳細には、本発明は、基準マスクライタユニットを用いて第１のマスクライタユニットを調整するモデルベースの調整方法であって、各々のユニットがマスク描画性能を制御するための調整可能なパラメータを有する方法に関する。この方法は、テストパターン及びマスク描画モデルを定義するステップと、基準マスクライタユニットを用いてテストパターンを生成し、マスク描画結果を測定するステップと、第１のマスクライタユニットを用いてテストパターンを生成し、マスク描画結果を測定するステップと、基準マスクライタユニットに対応するマスク描画結果を用いてマスク描画モデルを較正するステップであって、較正されたマスク描画モデルがパラメータ値の第１のセットを有するステップと、第１のマスクライタユニットに対応するマスク描画結果を用いて較正後のマスク描画モデルを調整するステップであって、調整された較正後のモデルがパラメータ値の第２のセットを有するステップと、パラメータ値の第１のセットとパラメータ値の第２のセットの差に基づいて第１のマスクライタユニットのパラメータを調整するステップとを含む。
【００１２】
[12]  本発明は、また、マスク描画モデルを用いてマスクライタユニットを調整する方法であって、マスクライタユニット及びマスク描画モデルの各々がマスク描画性能を制御するための調整可能なパラメータを有する方法に関する。この方法は、テストパターンを定義するステップと、マスクライタユニットを用いてテストパターンを生成し、マスク描画結果を測定するステップであって、マスクライタユニットがパラメータ値の第１のセットを有するステップと、マスクライタユニットに対応するマスク描画結果を用いてマスク描画モデルを調整するステップであって、調整されたマスク描画モデルがパラメータ値の第２のセットを有するステップと、パラメータ値の第１のセットとパラメータ値の第２のセットの差に基づいて、マスクライタユニットのパラメータの第１のセットを調整するステップとを含む。
【００１３】
[13]  本明細書で説明するモデルベースのマスクライタは、従来技術の方法と比較して数々の利点を提供する。最も重要な点として、本発明は、マスク描画性能を最適化し、同一のマスクを生成するために使用している異なるマスクライタユニット間のマスク近接効果(mask proximity effect)「ＭＰＥ」を一致させる系統的でコスト効果が高い方法を提供する。その結果、本発明では同一のモデルの異なるマスクライタ間の性能の一致と、異なるモデルのマスクライタ間の性能の一致とが容易に得られる。
【００１４】
[14]  本発明の他の利点は、以下の本発明の例示的実施形態の詳細な説明を読むことで当業者には明らかになるだろう。
【００１５】
[15]  本稿では、ＩＣの製造における本発明の使用に対する具体的な言及がなされるかもしれないが、本発明は、多数の他の可能な用途を有することを明確に理解されたい。例えば、磁気ドメインメモリ、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド用の集積光学系、案内及び検出パターンの製造に採用することができる。当業者であれば、このような別の用途の場合、本明細書で用いる「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語のいかなる使用もより一般的な用語である「マスク」、「基板」及び「ターゲット部分」という用語にそれぞれ置き換えることができることを理解できるだろう。
【００１６】
[16]  本明細書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲）を含むすべてのタイプの電磁放射を含むために使用される。
【００１７】
[17]  本明細書で使用するマスクという用語は、基板のターゲット部分に作成するパターンに対応するパターン形成された断面を備えた入射放射ビームを提供するために使用することができる一般的なパターニング手段を意味するものと広義に解釈することができる。「ライトバルブ」という用語もこの文脈で使用することができる。古典的なマスク（透過性又は反射性、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）の他に、他のそのようなパターニング手段の例は以下を含む。
−プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの例は、粘弾性制御レイヤ及び反射面を有するマトリクスアドレス指定可能な表面である。上記装置の基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域は、入射光を回折光として反射するが、アドレス指定されていない領域は入射光を非回折光として反射するということである。適当なフィルタを用いて、上記非回折光は、反射ビームからフィルタリングすることができ、回折光のみを残すことができる。こうして、ビームは、マトリクスアドレス指定可能な表面のアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子手段を用いて実行することができる。上記ミラーアレイの詳細情報は、例えば、本明細書に参照により組み込むものとする米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号及びＵＳ５，５２３，１９３号から入手することができる。
−プログラマブルＬＣＤアレイ。上記構成の例は、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に記載されている。
【００１８】
[18]  本発明自身は、更なる目的及び利点とともに、以下の詳細な説明と添付の図面を参照することでよりよく理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】[19]本発明の方法を示す例示的なフローチャートである。
【図２】[20]図１に示す工程のグラフである。
【図３】[21]調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに対して直交する効果を有する例を示すマスク描画モデルの調整可能及び調整不可能なパラメータが広がる空間の第１のグラフである。
【図４】[22]調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに対して直交する効果を有しない例を示すマスク描画モデルの調整可能及び調整不可能なパラメータが広がる空間の第２のグラフである。
【図５】[23]本発明のモデルベースのマスクライタ調整工程に含まれるコンポーネントを図示するブロック図である。
【図６】[24]本発明の第１の実施形態の別の例のグラフである。
【図７】[25]本発明の方法の第２の実施形態のグラフである。
【図８】[26]本発明のモデルベースの調整工程の実施を支援できるコンピュータシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
[27]  図１は、本発明のマスクライタ調整方法を示す例示的なフローチャートである。以下に詳述するように、本発明の方法は、異なるマスクライタユニット間の性能の一致又は調整とマスクライタを仮想マスクライタ又は所望の性能に合わせる調整を可能にする。第１のシナリオでは、異なるマスクライタユニットの一致又は調整によって、２つの異なるマスクライタユニットの結果として得られる性能が実質的に類似（かつ好ましくは、ある指定の誤差許容差内である）になるように各マスクライタユニットに関連するマスク近接効果が部分的に一致する。第２のシナリオでは、所望の挙動が仮想マスクライタによって定義／記述され、マスクライタユニットは、仮想マスクライタと実質的に類似の性能を有するように調整される。
【００２１】
[28]  図１を参照すると、工程内の第１のステップ（ステップ１０）では、基準マスクライタユニット（「一致対象マスクライタ」とも呼ばれる）のモデルを較正（キャリブレーション）するために用いるテストパターンが定義される。適切なテストパターン（ゲージパターンとも呼ばれる）を使用することができる。ゲージパターンは、さまざまなＣＤのスルーピッチデータとさまざまな２次元パターン（例えば、線端部、接点）を含むことができるが、これらに限定されない。この目的は、マスクライタが正確に生成することができるパターン空間を表す一組のゲージパターンを選択することである。言い換えれば、ゲージパターンは、マスクライタユニットの描画性能を正確に予測することができる堅牢なモデルを生成することができるようにマスクライタが生成すると考えられるフィーチャを十分に表すべきである。さらに、較正のためのテストパターンは、これに限定されないが、前方散乱、後方散乱、フォギング、並びにレジスト現像効果及びエッチング効果などの異なる長さスケールの異なる物理的効果をターゲットにするように設計することができることにも留意されたい。上記テスト／ゲージパターンは、ターゲットパターン又は用途が決定されると当業者によって容易に生成／選択することができる。
【００２２】
[29]  テストパターンが定義されると、次のステップ（ステップ２０）で、調整する各マスクライタユニット（基準マスクライタユニットを含む）は、テストパターンを描画し、マスク描画の結果が測定される。テストパターン描画時に、各マスクライタのＰが初期設定時に選択される所定の公称値に設定される。好ましくは、各パラメータの同じ公称値がテストパターンの描画中に各マスクライタに対して使用される。次に、各マスクライタによって生成される結果として得られるマスクが測定され、所与のマスクライタの描画性能を示すマスクデータが得られる。以下の説明を分かりやすくするために、測定マスクデータ（ＭＤ）はＭＤ＿１，ＭＤ＿２，．．．，ＭＤ＿ｎで示され、ＭＤ＿１は第１のマスクライタによって生成されたマスクデータに対応し、ＭＤ＿２は第２のマスクライタによって生成されたマスクデータに対応し、ｎ番目のマスクライタまで以下同様である。マスクデータは、例えば、さまざまなＣＤ測定によって、又はＳＥＭを用いて実行できる結像されたフィーチャの輪郭の一部又は全部を測定することで測定できることに留意されたい。通常、マスクデータの必要な測定は、設計規則全体に加えてマスク描画工程を表すためのモデルによって定義される。
【００２３】
[30]  マスクデータが測定されると、次のステップ（ステップ３０）で基準マスクライタユニットに関連するマスクデータを用いてマスク描画モデルが較正される。基準マスクライタに関連するモデルパラメータはＭＰ＿Ｒで表され、調整可能なパラメータ及び調整不可能なパラメータを含む。周知のように、較正工程（反復工程である）中は、調整不可能なパラメータは固定され、調整可能なパラメータはモデルによって生成されるマスク（すなわち、シミュレーションされたマスク結果）が基準マスクライタによって生成される実際のマスク結果と一致するまで調整される。それ故、モデルパラメータＭＰ＿Ｒは、モデルによって生成されるマスク結果が何らかの所定の誤差判定基準か又は可能な最良の一致の範囲内で基準マスクライタＭＤ＿Ｒに関連する実際のマスクデータに等しくなるように調整される（すなわち、較正される）。マスクライタユニットのマスク描画性能をシミュレートする任意の適切なモデルをこの工程で使用することができることに留意されたい。また、調整する任意のマスクライタとそれに関連するマスクデータＭＤ＿１，．．．，ＭＤ＿ｎを用いてモデルを較正できる（すなわち、基準マスクライタとして使用することができる）。別の方法として、モデルに入力する必要な各測定値についてマスクライタのマスクデータ（ＭＤ＿１，．．．，ＭＤ＿ｎ）を平均して、これらの平均値をモデルパラメータＭＰ＿Ｒを較正するための基準マスクデータとして使用することもできる。
【００２４】
[31]  例示的で非限定的な例として、１つの適切なモデルが、
【数１】
0004856734.tif 000002
によって表される。上式で、Ｍはレンダリングされたマスク画像、Ｇはガウス関数、
【数２】
0004856734.tif 000003
は畳み込み演算を示す。このモデルは３種類の項を含む。第１項は、シグマ値がマスク上の短−中距離相互作用の範囲内にある複数のガウス畳み込み演算の総和である。これらの項は、これらの範囲のパターン密度に影響される。第２項は、エッジ密度の影響を受ける複数の項の総和である。第３項は、内部及び外部コーナー丸めを制御する２つのＣＲ項である。任意のマスクレイアウトについて、上記モデルはピクセル格子上で評価できる。マスク輪郭が決定され、Ｒは定数のしきい値に等しい。上記モデルは、異なる工程で製造された幾つかの６５ｎｍ及び４５ｎｍのマスク上の１Ｄパターンの３σ＜３ｎｍ（マスクスケール）のモデル精度を達成していることに留意されたい。２Ｄパターン上では、モデル誤差３σは、通常、較正と予測の双方で約１０ｎｍである。
【００２５】
[32]  マスクモデルは、テストマスク上の周知のターゲット幾何学構造の１Ｄ及び２Ｄパターンの数百のＣＤ測定値から較正される。ＳＥＭ画像をＣＤ測定値と併用することもできる。１Ｄパターンは、マスク上のフィーチャ寸法が１００ｎｍから２μｍの範囲の高密度の隔離された線／空間などを有する。２Ｄパターンは、異なる寸法のハンマーヘッド、コーナーなどを含む。
【００２６】
[33]  次のステップ（ステップ４０）で、調整する各マスクライタに対して、パラメータＭＰ＿Ｒを有する前のステップで較正されたモデルが所与のマスクライタ（すなわち、マスクライタｉ）に関連するマスクデータＭＤ＿ｉに従って調整される。より詳細には、モデルパラメータＭＰ−Ｒを開始点として用いることで、ＭＰ＿Ｒの調整不可能なパラメータは固定されたままであり、所与のマスクライタのモデルＭＰ＿Ｒｉがなんらかの所定の誤差判定基準又は可能な最良一致の範囲内の所与のマスクライタ（ｉ）に関連する実際のマスクデータＭＤ＿ｉと同じマスク結果を生成するように、ＭＰ＿Ｒ内の可変又は調整可能なパラメータは調整される。このステップは、マスク描画モデルの出力が所望のマスク（ＭＤ＿ｉ）に対応するまでＭＰ＿Ｒｉ内の可変モデルパラメータが調整される反復工程である標準の較正ステップである。ステップ４０は、調整する各マスクライタに対して実行される。
【００２７】
[34]  マスクライタの各々についてモデルＭＰ＿Ｒが調整され、「ｎ」個のモデルＭＰ＿Ｒ１，．．．，ＭＰ＿Ｒｎ（ｎはマスクライタの数）を作成すると、ステップ５０で、マスクライタの各々が、基準モデルＭＰ＿Ｒのパラメータ値と調整されたモデルパラメータＭＰ＿Ｒｉとを用いて初期ウェーハデータＭＤ＿１，．．．，ＭＤ＿ｎを生成するための公称パラメータ値から調整される。より詳細には、各マスクライタのパラメータＰｉは、下式に従って調整される。
【数３】
0004856734.tif 000004
上式で、Ｐｉ（ｎｏｍｉｎａｌ）は、初期マスクデータＭＤ＿ｉを生成するための公称パラメータに対応する。ＭＰ＿Ｒは、基準マスクライタの較正されたモデルのパラメータに対応する。ＭＰ＿Ｒｉは、マスクライタ（ｉ）の較正されたモデルのパラメータに対応する。次に、結果として得られたパラメータＰｉを用いて対応するマスクライタ（ｉ）が調整される。
【００２８】
[35]  上記工程で、上式を実行する際に類似のパラメータだけが互いに減算されることに留意されたい。例えば、調整可能なパラメータを（Ｔ１，Ｔ２，．．．，Ｔｍ）、基準モデルのそれらの値を（Ｔ１ｒ，Ｔ２ｒ，．．．，Ｔｍｒ）、マスクライタ（ｉ）のそれらの値を（Ｔ１ｉ，Ｔ２ｉ，．．．，Ｔｍｉ）とすると、これらのパラメータの公称値Ｐｉは（Ｔ１ｒ−Ｔ１ｉ，Ｔ２ｒ−Ｔ２ｉ，．．．，Ｔｍｒ−Ｔｍｉ）に等しいデルタによって調整される。上記演算を実行することで、２つのマスクライタが実質的に同様に実行されるようにモデル間の差を低減／最小化することができる。それ故、上記工程は、類似のマスクライタ（同じタイプとモデルのマシン）の一致と異なるマスクライタ（すなわち、異なるモデル及び／又は製造業者の）のマスク描画性能の一致とを可能にする系統的な工程を提供する。調整可能なパラメータは、これに限定されないが、後方散乱補正、パターン依存エッチローディング、フォギング効果、平均露光、焦点及び電流密度に関連するパラメータを含むことができることに留意されたい。固定パラメータは、例えば、これに限定されないが、加速度電圧及び照明タイプを含む。上記の調整可能及び固定パラメータは電子ビームライタに関連することに留意されたい。しかし、光ライタにも調整可能なパラメータと調整不可能なパラメータとがある。
【００２９】
[36]  図２は、上記工程のグラフを示す。図２に示すように、この工程は、２つの仮想マスクライタに関連するパラメータ（ＭＰ＿Ｒパラメータ２０２とＭＰ＿Ｒｉパラメータ２０４）に基づいて２つの仮想マスクライタ（ＭＰ＿Ｒ及びＭＰ＿Ｒｉ）の差を効果的に計算し、この計算された差２０６を用いて実際のマスクライタのパラメータ２０８をパラメータ２１０に調整することで実際のマスクライタを調整する。図３及び図４は、調整可能及び調整不可能なパラメータが広がる空間のグラフである。図３は、調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに対して直交する効果を有する例を示す。図３で、データポイント３０２は目標、データポイント３０４は調整前のパラメータ、データポイント３０６は調整後のパラメータを表し、３０８は調整された量を表す。図４は、調整可能なパラメータが調整不可能なパラメータに対して直交する効果を有しない例を示す。図４で、データポイント４０２は目標を表し、データポイント４０４は調整前のパラメータを表し、データポイント４０６は調整後のパラメータを表し、４０８は調整された量を表し、４１０は残余誤差を表す。図示のように、いかなる残余誤差も調整可能なパラメータが広がる空間と直交する。調整可能及び調整不可能なパラメータの効果が直交しない例では、調整可能なパラメータの値を調整することで調整不可能なパラメータによって引き起こされる差をある程度補償することができる。
【００３０】
[37]  図５は、本発明のモデルベースのマスクライタ調整工程に含まれるコンポーネントを図示するブロック図である。図示のように、コンポーネントは、調整ターゲット５０２と、調整するマスクライタ５０４とを含む。上記から明らかなように、調整するマスクライタは常に少なくとも１つあるが、調整する複数のマスクライタが存在する場合もある。所与の実施形態では、調整するマスクライタは、物理的マスクライタ（すなわち、実際のデバイス）である。しかし、以下に詳述するように、調整ターゲットは、仮想マスクライタ又は所望の挙動であってもよい。マスクライタ５０４は、今度はスキャナ５０６及びウェーハ輪郭５０８を含む実デバイス及び／又は今度はモデル５１０及びシミュレーション輪郭５１２を含む仮想デバイスを含むことができる。同様に、調整ターゲット５０２は、今度はスキャナ５１４及びウェーハ輪郭５１６を含む実（リアル）デバイス及び／又は今度はモデル５１８及びシミュレーション輪郭５２０を含む仮想（バーチャル）デバイスを含むことができる。上記のように、調整量は、調整するマスクライタの性能（すなわち、モデル）と調整ターゲットの性能（すなわち、モデル）の差である。本明細書で開示するモデルベースの調整工程では、モデル（すなわち、仮想マスクライタ）は、調整ターゲットと調整するマスクライタとのリンクを提供する。
【００３１】
[38]  上記のように、上記工程では少なくとも異なる調整ターゲットを使用することができる。物理的マスクライタユニットと、仮想マスクライタユニット又はモデルという２つの可能性がある。２つの異なる調整ターゲットの使用例を以下に説明する。第１のオプションは、物理的マスクライタを調整ターゲットとして使用することである。上記詳述した例では、物理的マスクライタを使用した。物理的マスクライタを調整ターゲットとして使用することでマスクライタユニット間の近接効果（ＰＥ）が一致する。さらに、類似のマスクライタユニット（例えば、ＳＮ１，．．．，ＳＮｎ）（ＳＮは同一のマスクライタモデルを表す）間の近接効果（ＰＥ）も一致する。また、同じ製造業者の異なるマスクライタタイプ間と異なる製造業者のマスクライタ間の一致も得られる。
【００３２】
[39]  異なるマスクライタユニット間でのモデルベースのマスクライタ調整を実行する際には、図１で記載した工程と同じ工程が使用される。例えば、調整するマスクライタがマスクライタＡで調整ターゲットがマスクライタＲとすると、第１のステップで、マスクデータＭＤ＿Ａ及びＭＤ＿Ｒを生成するように両方のマスクライタＡ及びマスクライタＲ上の公称マスクライタパラメータＰを用いてテストパターンが印刷される。次に、モデルの結果が何らかの所定の判定基準内のＭＤ＿Ｒに正確に対応するように使用するマスクライタモデルが較正される。次に、モデルＭＰ＿Ｒ内の調整不可能なパラメータが固定され、モデル内で使用され、マスクライタＡに関連するモデル（ＭＰ＿ＲＡと呼ばれる）の結果が何らかの所定の誤差判定基準内のＭＤ＿Ａに対応するように調整可能なパラメータが調整される。次に、最終ステップで、ＰＡと呼ばれるマスクライタＡのパラメータがＭＤ＿Ａを生成するための公称パラメータＰから「Ｐ＋ＭＰ＿Ｒ−ＭＰ＿ＲＡ」に調整される。図６は、この工程のグラフである。図６に示すように、この工程は、２つのモデルに関連するパラメータ（ＭＰ＿Ｒパラメータ６０２及びＭＰ＿ＲＡパラメータ６０４）に基づいて２つのモデル（ＭＰ＿Ｒ及びＭＰ＿ＲＡ）の差を効果的に計算し、次に、この計算された差６０６を用いてマスクライタＡ６０８のパラメータ（Ｐ）をパラメータ６１０（ＰＡ）に調整することでマスクライタＡを調整する。
【００３３】
[40]  上記の代替案として、モデルの結果が何らかの所定の誤差判定基準を備えたＭＤ＿Ａに正確に対応するようにマスクライタＡのモデルを較正し、次に、モデルＭＰ＿Ａ内で調整不可能なパラメータを固定し、これらのパラメータをモデルＭＰ＿ＡＲ内で使用することができる。次に、ＭＰ＿ＡＲの調整可能なパラメータは、マスクライタＲに関連するモデルＭＰ＿ＡＲの結果が何らかの所定の誤差判定基準内のＭＤ＿Ｒに対応するように調整される。次に、最終ステップで、ＰＡと呼ばれるマスクライタＡのパラメータがＭＤ＿Ａを生成するための公称パラメータＰから「Ｐ＋ＭＰ＿ＡＲ−ＭＰ＿Ａ」に調整される。さらに別の変形形態では、マスクライタＡを調整する量を決定する時に２つの上記の工程の平均を使用することも可能である。異なる製造業者からのマスクライタを調整する時にこれらの工程を使用することもできる。
【００３４】
[41]  次に、仮想マスクライタ（すなわち、モデル）を調整ターゲットとして使用する例を提供する。この工程の第１のステップでは、ＭＰ＿Ｋと呼ばれる周知のモデルが得られる。好ましくは、使用される所与の工程についてモデルＭＰ＿Ｋが較正され、何らかの所定の誤差判定基準内の結果が生成される。次のステップで、現在のマスクライタＣ（すなわち、調整するマスクライタ）を備えたテストパターンが印刷され、その結果得られるマスクデータが測定され、データＭＤ＿Ｃが生成される。次に、モデルＭＰ＿Ｋ内のすべての調整不可能なパラメータが固定され、ＭＰ＿ＫＣと呼ばれるモデルの結果が何らかの所定の誤差判定基準内のＭＤ＿Ｃに対応するように、モデルＭＰ＿Ｋの調整可能なパラメータが調整される。次に、工程の最終ステップで、マスクライタＣの設定が最初にＭＤ＿Ｃを生成するために使用された現在の設定「ＰＣ」から「ＰＣ＋ＭＰ＿Ｋ−ＭＰ＿ＫＣ」に調整される。この工程は、マスクライタ内の工程ずれ（例えば、ソースずれ）の補正と、他のマスク生成工程ステップ（例えば、レジスト工程、エッチング工程など）のずれの補正にも有用である。この工程は、ＭＰＣ工程がマスクライタが調整される先のモデルに効果的に組み込まれた所与のＭＰＣ（マスク近接補正）工程で所与のマスクライタユニットを最適化するのにも有用である。上記工程内のＭＰＣモデルを基準モデルとして使用することも可能であることに留意されたい。この工程のグラフを図７に示す。図７に示すように、この工程は、２つのモデルに関連するパラメータ（ＭＰ＿Ｋパラメータ７０２及びＭＰ＿ＫＣパラメータ７０４）に基づいて２つのモデル（ＭＰ＿Ｋ及びＭＰ＿ＫＣ）の差を効果的に計算し、次に、この計算された差７０６を用いてマスクライタＣ７０８のパラメータ（ＰＣ）をパラメータ７１０に調整することでマスクライタＣを調整する。
【００３５】
[42]  モデルの分離可能性は本明細書で開示するモデルベースの調整／一致／最適化工程の重要な側面であることに留意されたい。より詳細には、調整可能なパラメータが調整される時には、調整可能なパラメータのみを調整することでマスク描画挙動全体を正確に記述することができる。
【００３６】
[43]  上記の説明で、マスクライタ調整手順は、既存モデルの調整可能なパラメータを調整してターゲットマスクデータに適合させ、適合／一致工程で調整可能なパラメータのみを変更する方法に基づいていた。これは、調整不可能なパラメータが既存のモデルのデータのみを用いて決定されていたということを意味する。上記手順は、１つの条件下でいつデータのみが利用可能であるか（例えば、現在のライタ条件又は調整ターゲット条件）の選択である。しかし、現在のライタ条件及び調整ターゲット条件の両方の下でマスクデータが利用可能な時には、例えば、別の実施形態としての、先行モデルがない２つの物理的ライタ間の一致の使用例では、現在のライタ条件及び調整ターゲット条件の両方の下でマスクデータの共同較正を行うことができる。
【００３７】
[44]  さらに、共同較正工程で、異なるマスクライタ設定で印刷されたパターンについてマスクデータを獲得して較正に使用することができることにも留意されたい。この概念は、リソグラフィモデリングに使用するｆｏｃｕｓ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｍｏｄｅｌｉｎｇ（例えば、Ｔａｃｈｙｏｎ  ＦＥＭ）に似ており、異なるマスクライタ設定（例えば、ドーズ量、イータなど）から得られたデータに共同で適合させることで較正されたモデルの精度と範囲とを改善する役に立つ。この工程は、マスクライタ設定の差の効果を得るために物理的モデルを必要とする。これらの差はドーズ量などの簡単な物理的変化の形をとることができ、またマスクライタソフトウェアの結果として、後方散乱補正のためのイータなどの異なるアルゴリズム補償の形をとることもできる。異なるイータ設定のデータを含めることで、マスクモデル較正は、マスクライタ内の物理的後方散乱効果のより正確な特性決定を得ることができる。
【００３８】
[45]  この代替工程では、較正工程で調整不可能なパラメータも変更することができるが、両方の条件下で同じでなければならない。調整可能なパラメータは、両方の条件下で独立して変更することができる。共同較正が完了した後で、両方の条件下の結果として得られる調整可能なパラメータの差が最適な調整量である。共同較正に基づくこの方法は、上述のように変形された上記同じモデルベースの調整方法を使用する。この共同較正の１つの利点は、調整不可能なパラメータを決定する際に現在の条件とターゲット条件の両方の条件から得たマスクデータを考慮し、従ってわずかにより正確な結果を得ることができることである。
【００３９】
[46]  別の変形形態では、「感度」が個々の調整パラメータに関してモデルの１次導関数である感度ベースの調整工程を用いてマスクライタ調整を実行することができる。従って、物理的な調整可能なライタのパラメータの効果を正確に記述するマスクモデルが利用可能でない時には、以下に詳述する実験で測定される感度によって調整が達成される。
【００４０】
[47]  より詳細には、所与の実施形態に従った感度ベースの調整では、感度は個々の調整パラメータに関してマスク測定の１次導関数である。物理的ライタパラメータが小さく変動するマスクパターンの挙動は直線的になることが予想され、各パラメータの変更による変動の単純な総和によって表すことができる。小さく変動する任意の多変量複素関数の１次テイラー拡張が以下の線形項の総和である。
【数４】
0004856734.tif 000005
【００４１】
[48]  マスクライタの感度ベースの調整を実行する工程を以下に説明する。しかし、最初に工程で使用される幾つかの変数を定義する必要がある。第１に、ｘ＿ｉ（ｉ＝１，．．．，ｎ）が、調整するマスクライタ上のマスクライタノブｉの公称設定とし、ｐ＿ｊ、ｊ＝１，．．．，ｍをｊ番目のテストパターンとすると、Ｍ＿０ｊは公称マスクライタ設定｛ｘ＿ｉ｝下のテストパターンｊのマスク測定値である。さらに、Ｍ＿ｉｊは変動するマスクライタ設定｛ｘ＿１，．．．，ｘ＿ｉ＋Δｘ＿ｉ，ｘ＿ｎ｝の下のテストパターンｊのマスク測定値である。
【００４２】
[49]  Ｓ＿ｉｊ＝（Ｍ＿ｉｊ−Ｍ＿０ｊ）／Δｘ＿ｉであり、マスクライタ設定ｉの変動に対するテストパターンｊの感度を示す。Ｓ＿ｉｊは、例えば、変動する設定のすべてのｎ個のセットでのレイアウトｐ＿ｊ及び公称設定を備えたレチクルを物理的に描画することで決定することができる。モデル中心の観点によれば、感度Ｓ＿ｉｊは、限定されたパターンのセットでのマスクライタの経験的な差分モデル（ノブパラメータ空間の公称設定付近のみをカバーする）と考えることができる。別の方法としては、Ｓ＿ｉｊは、マスクライタ及びメトロロジーツールの物理的モデルが利用可能であれば、シミュレーションから決定することができる。
【００４３】
[50]  続けて、Ｔ＿ｊは、テストパターンｊの調整ターゲットである。調整ターゲットＴ＿ｊは、調整するマスクライタから形成されるレチクルの測定に使用される同一のメトロロジーツールで確立される。マスクライタ調整の目的は、Ｍ＿０ｊ＋Σ＿ｉΔｘ＿ｉ・Ｓ＿ｉｊがＴ＿ｊに近く、好ましくは、何らかの所定の許容差の範囲内になるように、マスクライタノブ設定の適切なセット又は公称設定ｘ＿ｉへの変動Δｘ＿ｉの適切なセットを決定することであることに留意されたい。
【００４４】
[51]  この目的は、以下のようにコスト関数を最小化することで実行できる。
【数５】
0004856734.tif 000006
上式で、ｗ＿ｊは、テストパターンｊの重み付け係数である。最小化は、通常、変動Δｘ＿ｉの一定範囲までと考えられ、変動範囲は、マスクライタユニットの許容範囲より小さくなければならない。好ましくは、変動範囲は、線形仮定が有効であるように十分に小さくなければならない。
【００４５】
[52]  上記コスト関数が最小化されると、最小化されたコスト関数に対応するΔｘ＿ｉの値（すなわち、最小化コスト関数を成立させる値）を用いて現在調整中のマスクライタユニットの調整可能なパラメータの設定が決定される。より詳細には、コスト関数が最小化され、Δｘ＿ｉの値が決定されると、マスクライタはΔｘ＿ｉの対応する値によって調整可能なパラメータの公称値を単に調整することで容易に調整することができる。
【００４６】
[53]  例えば、メトロロジーツールの可能なずれを補償するための上記の感度ベースのモデリングの変形例も可能である。所与の変形例では、調整ターゲットは物理的な「ゴールデンレチクル」（すなわち、ターゲットマスクパターン）と考えられ、Ｔ＿ｊは、メトロロジーツールずれの前のゴールデンレチクル上の測定値に対応する。これらの測定は、上記と同じ方法で実行される。しかし、Ｔ＿ｊの測定に加えて、メトロロジーツールずれの後に、測定Ｔ’＿ｊの新しいセットも実行される。上記ずれの補正は、周期的に実行することができる。調整するマスクライタのための測定も公称設定（Ｍ’＿０ｊ）で再確立される必要がある。好ましくは、感度Ｓ’＿ｉｊの新しいセットに至る変動する測定の新しいセットを実行しなければならない。Ｓ’＿ｉｊが決定されると、Δｘ＿ｉを決定するために上記コスト関数を再度最小化することができる。次に、Δｘ＿ｉを用いて調整されたパラメータの値が決定される。好ましくは、コスト関数は、最小化工程内でＴ’＿ｊ、Ｍ’＿０ｊ及びＳ’＿ｉｊに関連する値を使用することに留意されたい。しかし、感度Ｓ＿ｉｊの元のセットも使用することができる。これは、Ｓ＿ｉｊとＳ’＿ｉｊの差が、小さい必要がある２次数量でなければならないからである。Ｓ＿ｉｊを使用すると、メトロロジーツールずれを補償するのに必要な実行中の測定の量を大幅に低減することができる。
【００４７】
[54]  さらに、ゴールデンレチクルは、時間と共に変化しないという前提があることに留意されたい。しかし、実際には、ゴールデンレチクルは、充電、結晶の成長、ヘージングなどによって変化することがある。この問題を解決するために、必要に応じて新しいゴールデンレチクルを生成することができる。
【００４８】
[55]  最後に、上記の感度ベースの調整工程に必要なマスク測定（及び第１の実施形態のモデル調整に必要なマスク測定）を、例えばＣＤ−ＳＥＭ（例えば、ＣＤ測定及びＳＥＭ画像から抽出されたマスク輪郭）、光検査ツール（例えば、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ製のＴｅｒａＳｃａｎなどの高解像度検査ツールで得た画像及びＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ製のＡＥＲＡなどの空間像検査ツールから得た画像、又はＺｅｉｓｓ製のＡＩＭＳなどの空間像メトロロジーツール、上記光検査ツールで撮影した画像から得た再構築マスク輪郭）、スキャトロメトリツール（例えば、ｎ＆ｋ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ製の５７００−ＣＤＲＴなどのスキャトロメトリツールによるＣＤ及びプロファイル測定及び散乱光の強度測定値などの未処理スキャトロメトリデータ）、及びウェーハメトロロジーツール（例えば、レチクルを用いてリソグラフィ装置（ステッパ又はスキャナ）上でウェーハを露光し、露光されたウェーハをウェーハメトロロジーツールを用いて測定できる）、又は上記任意の組合せを用いて実行することができることに留意されたい。
【００４９】
[56]  上記のように、モデルベースのマスクライタ調整工程は従来技術の方法と比べて多くの利点を有する。最も重要な点として、本発明は、同一のマスクを生成するために使用している異なるマスクライタユニット間のマスク描画性能及びＭＰＥの一致を最適化する系統的でコスト効果が高い方法を提供する。その結果、本発明によって、同じモデルの異なるマスクライタ間の性能の一致と異なるモデルのマスクライタ間の性能の一致とが容易に得られる。
【００５０】
[57]  高感度の感度ベースの調整工程に関連する利点は、この工程でモデルの精度又は利用可能性の要件が低減され又は可能であれば解消されるという点である。さらに、この工程によって、測定値を調整するモデリングが困難なメトロロジーツール（ＡＥＲＡなど）を使用することができる。上記ツールは、例えば、低雑音、高反復性、高速、又は大容量などの利点を有する。
【００５１】
[58]  図８は、本明細書に開示するモデルベースのマスクライタの調整方法の実施を支援できるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、バス１０２又は情報通信のための他の通信機構と、情報処理のためのバス１０２に接続されたプロセッサ１０４とを含む。コンピュータシステム１００は、情報とプロセッサ１０４によって実行される命令とを格納するバス１０２に接続されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ１０６をさらに含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に暫定的変数又は他の中間情報を格納するためにも使用することができる。コンピュータシステム１００は、プロセッサ１０４のために静的情報と命令とを格納するバス１０２に接続された読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１０８又は他のスタティックストレージデバイスをさらに含む。磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイス１１０が提供され、情報と命令とを格納するバス１０２に接続されている。
【００５２】
[59]  コンピュータシステム１００は、バス１０２を介して、コンピュータユーザに情報を表示するための陰極線管（ＣＲＴ）又はフラットパネル又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１１２に接続できる。英数字及びその他のキーを含む入力デバイス１１４が情報及び選択したコマンドをプロセッサ１０４へ送信するバス１０２に接続されている。別のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報及び選択したコマンドをプロセッサ１０４へ送信し、ディスプレイ１１２上のカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御装置１１６である。この入力デバイスは、通常、デバイスが平面内の位置を指定することを可能にする第１の軸（例えば、ｘ）及び第２の軸（例えば、ｙ）の２つの軸での２つの自由度を有する。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイを入力デバイスとして使用することもできる。
【００５３】
[60]  本発明の一実施形態によれば、プロセッサ１０４によるメインメモリ１０６内に含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスの実行に応答して、シミュレーション動作などのマスクライタユニット調整工程の一部をコンピュータシステム１００によって実行することができる。上記命令は、ストレージデバイス１１０などの別のコンピュータ読み取り可能媒体からメインメモリ１０６内へ読み込むことができる。メインメモリ１０６内に含まれる命令のシーケンスが実行されると、プロセッサ１０４は本明細書に記載する工程ステップを実行する。また、マルチプロセッサ装置の１つ又は複数のプロセッサを使用してメインメモリ１０６内に含まれる命令のシーケンスを実行することができる。別の実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はそれと組み合わせてハードワイアード回路を使用して本発明を実施できる。それ故、本発明の実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアとのいかなる特定の組合せにも限定されない。
【００５４】
[61]  本明細書で使用する「コンピュータ読み取り可能媒体」という用語は、命令をプロセッサ１０４へ提供して実行させる動作に参加する任意の媒体を指す。上記媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多くの形態をとることができるが、これらに限定されない。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイス１００などの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を構成するワイヤを含む同軸ケーブル、銅線及び光ファイバを含む。伝送媒体も無線（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成された音響又は光波などの音響又は光波の形態をとることができる。コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、他の任意の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ、他の任意の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを備えた他の任意の物理媒体、ＲＡＭ，ＰＲＯＭ，及びＥＰＲＯＭ，フラッシュＥＰＲＯＭ，他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、以下に記載する搬送波、又はコンピュータが読み取り可能な他の任意の媒体を含む。
【００５５】
[62]  １つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスをプロセッサ１０４へ伝送して実行させる動作にさまざまな形態のコンピュータ読み取り可能媒体が関与できる。例えば、命令は最初リモートコンピュータの磁気ディスク上に格納することができる。リモートコンピュータは命令をそのダイナミックメモリ内にロードしてモデムを用いて電話回線上でその命令を送信することができる。コンピュータシステム１００の局所的モデムは電話回線上のデータを受信し、赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号へ変換できる。バス１０２に接続された赤外線検波器が赤外線信号内で搬送されるデータを受信してそのデータをバス１０２上に配置することができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６へ搬送し、そこからプロセッサ１０４が命令を受信して実行する。メインメモリ１０６が受信した命令は、任意選択でプロセッサ１０４による実行前又は実行後にストレージデバイス１１０に格納することができる。
【００５６】
[63]  またコンピュータシステム１００は、好ましくは、バス１０２に接続された通信インタフェース１１８を含む。通信インタフェース１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０に結合する双方向データ通信を提供する。例えば、通信インタフェース１１８は、対応するタイプの電話回線へのデータ通信接続を提供する総合サービスディジタル網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムであってもよい。別の例として、通信インタフェース１１８は、互換ＬＡＮへのデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードであってもよい。無線リンクも実施できる。上記のいかなる実施態様においても、通信インタフェース１１８は、さまざまなタイプの情報を表すディジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気又は光信号を送受信する。
【００５７】
[64]  ネットワークリンク１２０は、通常、１つ又は複数のネットワークを通して他のデータデバイスへデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を通してホストコンピュータ１２４又はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６によって運用されるデータ装置へ接続を提供できる。次にＩＳＰ１２６は、現在一般に「インターネット」１２８と呼ばれるワールドワイドパケットデータ通信ネットワークを通してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２及びインターネット１２８は、共に、ディジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気又は光信号を使用する。コンピュータシステム１００との間でディジタルデータを搬送するさまざまなネットワークを通過する信号及びネットワークリンク１２０上の通信インタフェース１１８を通過する信号は、情報を搬送する搬送波の例示的な形態である。
【００５８】
[65]  コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、及び通信インタフェース１１８を通してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信できる。インターネットの例では、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２及び通信インタフェース１１８を通してアプリケーションプログラムのために要求されたコードを送信することができる。本発明によれば、１つのそのようなダウンロードされたアプリケーションは、例えば、実施形態の照明の最適化を可能にする。受信されたコードは受信時にプロセッサ１０４によって実行することができ、及び／又はストレージデバイス１１０又は他の不揮発性ストレージデバイスに格納して後ほど実行できる。こうして、コンピュータシステム１００は、搬送波の形でアプリケーションコードを入手できる。
【００５９】
[66]  以上、本発明について詳細に説明し、図示してきたが、本発明は例示的に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は添付の特許請求の範囲の各項によってのみ限定されることをはっきりと理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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