(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が貼り付けられた粘着シートが載置され前記素子に整合する位置に開口部を有するステージと、前記ステージ上の前記粘着シートの周辺部を真空吸着する吸着部と、前記素子に接近移動して前記素子を吸着し前記粘着シートから離隔移動して前記素子を前記粘着シートから取り外すコレットと、内部に流体が供給される流体室と、前記流体室の一部を構成し前記流体の圧力により前記開口部を閉塞しながら前記素子側に膨出して前記素子及び前記粘着シートを持ち上げる突き上げシートと、前記素子と前記粘着シートとの接合部の縁部が前記粘着シートの下面と前記突き上げシートとの接触領域の縁部に一致するようにその開口部の面積又は位置を調整する絞り部と、を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記絞り部は、前記ステージの表面に沿って、直線的に移動するか又は回転移動することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
開口部を有するステージ上に、素子が貼り付けられた粘着シートを載置し、前記ステージ上の前記粘着シートの周辺部を真空吸着し、前記素子をコレットに吸着した状態で、突き上げシートを備える流体室の内部の圧力を高くすることにより、前記突き上げシートが前記開口部を閉塞しながら前記開口部から膨出して前記素子及び前記粘着シートを前記開口部内で持ち上げ、絞り部により、前記素子と前記粘着シートとの接合部の縁部が、前記粘着シートの下面と前記突き上げシートとの接触領域の縁部と一致するように、前記開口部の面積又は位置を調整することを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粘着シートに貼り付けられた半導体素子をピックアップする半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、半導体素子は、薄型化が急激に進んでおり、厚さが０．０２５ｍｍのものも現れてきている。同時に、絶縁層にＬｏｗ−ｋ材（低誘電率材料）を採用した半導体素子となると、極めて脆くなり、欠け及び割れが容易に生じる。
【０００３】
半導体素子をピックアップする方式としては、ニードルを使用する方式とニードルを使用しない方式の２つが主流である。以下、ニードルを用いて半導体素子をピックアップする方式をニードル方式、ニードルを用いない方式をニードルレス方式と呼ぶこととする。図８（ａ）乃至（ｅ）は、最も一般的なニードル方式を示す図であり、ニードルで半導体素子を突上げてピックアップする方法を示す正断面図（一部平面図）である。半導体素子３は粘着シート１の粘着面（上面）に貼り付けられている。シート１下面からシート１と半導体素子３をニードル２で突上げることにより、半導体素子３をシートから剥がし、上部コレット４で半導体素子３をピックアップする。
【０００４】
ニードル２を収納したニードル収納ステージ５により、ピックアップする半導体素子３周辺部のシート１下面を真空吸着し、同時に上部コレット４が下降し半導体素子３上面を真空吸着する。その状態で、周辺部に配置された４本のニードル２にて、ピックアップする半導体素子３下面のシート１を押し上げることにより、ニードル２よりも外側部分で半導体素子３とシート１の剥がれが起こる。その後、周辺部ニードル２が下降すると同時に中心部ニードル２´が上昇し、半導体素子３及びシート１を押し上げることにより、剥がれが半導体素子３の中心部に向かって進行し、半導体素子３とシート１との接触面積を小さくする。その状態で上部コレット４を上昇させることで、半導体素子３を粘着シート１から完全に剥がし、半導体素子３をピックアップする。以上の説明では、複数のニードルで突き上げる方式を挙げたが、半導体素子３中心部のニードル２´のみ、周辺部のニードル２のみで突き上げる方式も多く採用されている。
【０００５】
次に、ニードルを使用しないで半導体素子をピックアップするニードルレス方式について説明する。図９（ａ）、（ｂ）はこのニードルレス方式を示す図である。粘着テープ２０２に貼り付けられた半導体素子２０１を剥離する吸着駒１０２の中心部に、粘着テープ及び半導体素子２０１を上方に突き上げる３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃが組み込まれている。この３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃは直径が最も大きい第１のブロック１１０ａの内側にそれよりも径の小さい第２のブロック１１０ｂが配置され、さらにその内側に最も径の小さい第３のブロックが配置されている。
【０００６】
半導体素子２０１を剥離するために、まずこの３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃを粘着テープ２０２の裏面に突き当てる。その後、３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃを同時に上方に突き上げ、次に中間のブロック１１０ｂと内側のブロック１１０ｃをさらに上方に突き上げ、最後に内側のブロック１１０ｃをさらに上方に突き上げる。このように、３段階に、且つ大きな面積をもつブロックで突き上げ、吸着コレット２０５で半導体素子２０１をピックアップする（特許文献１）。
【０００７】
特許文献２には、粘着テープに粘着されたチップを噴射流体により分離し、真空吸着手段により移送するピックアップ方法が記載されている。また、特許文献３には、流体を供給して形状変形させて体積を増減するゴム膜を設け、ウエハとゴム膜との間に配設されたテープをウエハに向けて押圧し、その後ピックアップ工程を実施する治具構造が記載されている。更に、特許文献４には、ダイが貼り付けられた粘着シートを吸着ステージに吸着させ、突上げ板をステージの開口面より上方に移動させてダイをコレットに吸着させるピックアップ方法が記載されている。更に、特許文献５には、チップを粘着したシートの裏面にコレットを当接させるとともに、チップが粘着されている部分のシートを空気圧により凸状に変形させてチップを剥離するピックアップ方法が記載されている。そして、特許文献６には、チップを貼着したシートにＵＶ光を照射してピックアップを行う装置が開示されており、ＵＶ光の透光範囲を変更するシャッタ部が設けられていることが記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１１７０１９号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８２７７号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３３９５号公報
【特許文献４】特開２００４−２５９８１１号公報
【特許文献５】特開２００４−２７３９００号公報
【特許文献６】特開２００６−１７３３６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の従来技術は、以下に示す問題点を有する。先ず、ニードル方式の場合、ニードルを使用した半導体素子のピックアップ時に、ピックアップ対象の半導体素子に局所的に大きな押圧力が加わり、半導体素子に、割れ、欠け及びキズなどの破損が生じる虞がある。
【００１０】
一方、ニードルレス方式の場合は、ピックアップ時にピックアップ対象の半導体素子に大きな曲げモーメントが生じ、半導体素子に割れが生じる虞があるという問題点がある。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、粘着シートに貼り付けられたピックアップ対象の半導体素子に局所的に大きな力又は大きな曲げモーメントが加わることに起因する割れ、欠け、キズ等の破損を生じさせずに半導体素子をピックアップできる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る半導体製造装置は、素子が貼り付けられた粘着シートが載置され前記素子に整合する位置に開口部を有するステージと、前記ステージ上の前記粘着シートの周辺部を真空吸着する吸着部と、前記素子に接近移動して前記素子を吸着し前記粘着シートから離隔移動して前記素子を前記粘着シートから取り外すコレットと、内部に流体が供給される流体室と、前記流体室の一部を構成し前記流体の圧力により前記開口部を閉塞しながら前記素子側に膨出して前記素子及び前記粘着シートを持ち上げる突き上げシートと、前記素子と前記粘着シートとの接合部の縁部が前記粘着シートの下面と前記突き上げシートとの接触領域の縁部に一致するようにその開口部の面積又は位置を調整する絞り部と、を有することを特徴とする。
【００１４】
上記の半導体製造装置において、更に、前記絞り部は、前記ステージの表面に沿って、直線的に移動するか又は回転移動するように構成することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る半導体製造方法は、開口部を有するステージ上に、素子が貼り付けられた粘着シートを載置し、前記ステージ上の前記粘着シートの周辺部を真空吸着し、前記素子をコレットに吸着した状態で、突き上げシートを備える流体室の内部の圧力を高くすることにより、前記突き上げシートが前記開口部を閉塞しながら前記開口部から膨出して前記素子及び前記粘着シートを前記開口部内で持ち上げ、絞り部により、前記素子と前記粘着シートとの接合部の縁部が、前記粘着シートの下面と前記突き上げシートとの接触領域の縁部と一致するように、前記開口部の面積又は位置を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半導体素子に局所的に大きな力が加わらないため、薄型半導体素子であっても、半導体素子に割れ、欠け、キズなどの損傷を生じさせることなく粘着シートからピックアップすることができる。また、絞り部により開口部の面積又は位置を調整しながら剥離点と突き上げ点を常に一致させることにより、半導体素子に曲げモーメントが加わらないため、半導体素子に曲げモーメントが加わることによる半導体素子の割れなどの損傷を生じさせることなく、粘着シートからピックアップすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明においては、吸着部が粘着シートの周辺部をステージ上に真空吸着し、ステージの開口部内の圧力を高めて半導体素子及び粘着シートを開口部内で持ち上げ、絞り部によりこの開口面積を徐々に絞っていく等、開口面積又は位置を連続的又は段階的に変化させるので、開口部から突き上げシートが膨出し、半導体素子及び粘着シートが開口部から突き上げられ、その際、半導体素子外周部において半導体素子と粘着シートの間に剥離が生じる。続けて、絞り部により、突き上げシートと粘着シートとの接触面積を徐々に減少させ、突き上げ部の面積を小さくしていくと、剥離が生じている境界が徐々に中心部に移っていき、最終的には、粘着シートと半導体素子との接合領域が小さくなり、完全に、半導体素子と粘着シートとが剥離する。この剥離後の半導体素子は、コレットでピックアップされる。
【００２１】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態に係る半導体製造装置について詳細に説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置について、図１（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第１実施形態の半導体製造装置を示す平面図及び断面図である。半導体素子１２が粘着シート１１の粘着面に貼り付けられており、この粘着シート１１及び半導体素子１２は、開口部１５ａを有するステージ１５上に載置される。このステージ１５には、半導体素子１２の位置に整合して開口部１５ａが設けられ、開口部１５ａの周辺部には、半導体素子１２の周囲の粘着シート１１の部分を真空吸引する真空吸着部１４が設けられている。なお、この真空吸着部１４は、ピックアップ対象の半導体素子１２及び隣の半導体素子１２の部分を真空吸着するが、ピックアップ対象の半導体素子１２については真空吸着しないこととしてもよい。
【００２２】
ステージ１５の内部には、例えば樹脂により形成され、その内部（後述する空気室４５ａ）をエアにより高圧とすることで開口部１５ａから上方に膨出して凸形状とすることができる突き上げシート１６ａが配置されている。更に、ステージ１５の開口部１５ａの近傍には、突き上げシート１６ａを変形させて、粘着シート１１との接触面積を減らす絞り部１７が配置されている。この絞り部１７は、ステージ１５の上壁の下面に接するように設けられ、ステージ１５の上壁下面に沿って、直線的に移動し、又は回転移動することにより、開口部１５ａの開口面積を縮小するようになっている。これにより、開口部１５ａ内に膨出している突き上げシート１６ａを開口中心側に押圧し、開口部１５ａから膨出する部分を絞り込むようになっている。
【００２３】
また、図１（ａ）に示すように、突き上げシート１６ａ及びステージ１５により空気室４５ａが構成されている。この空気室４５ａには、給気管４４を介して、圧縮エア発生源４１、圧力調節部４２及びバルブ４３を有する圧縮エア供給装置が接続されている。なお、図１（ａ）においては簡単のため表示を省略しているが、空気室４５ａ内の圧力をエアの供給により適切に高めることができるように、ステージ１５と給気管４４との間は例えばカバー及びコネクタ等を使用して接続されている。
【００２４】
次に、上述の如く構成された本実施形態の半導体製造装置の動作について図１及び図２を参照して説明する。図２は本発明の原理を従来例と比較して表した断面図であり、（ａ）が本発明の原理を説明する図、（ｂ）が従来例（特許文献１）のニードルレス方式を示す図である。
【００２５】
先ず、図１（ａ）に示すように、ピックアップ対象の半導体素子１２及びその周辺の半導体素子下面の粘着シートをステージ１５の真空吸着部１４により真空吸着固定する。そして、ピックアップ対象の半導体素子１２上方に位置する上部コレット１３が半導体素子１２上面に接する高さまで下降し、コレット１３吸着保持面で半導体素子１２を真空吸着固定し、水平方向に半導体素子１２が移動しないようにする。続いて、バルブ４３を開くことで、圧縮エア発生源４１で圧縮され圧力調節部４２でその圧力を調整された給気エア４６が、給気管４４を経由して空気室４５ａ内に供給される。これにより空気室４５ａ内が高圧になると共に、ステージ１５の上面の開口部下の突き上げシート１６ａが凸形状化し、ピックアップ対象の半導体素子１２の下面の粘着シート１１に接触する。なお、図１（ｂ）乃至（ｅ）においては、圧縮エア供給装置の表示を省略し、空気室４５ａ内に供給される給気エア４６を矢印にて表示している。
【００２６】
続いて、図１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、さらに突き上げシート１６ａの凸形状化が進み、半導体素子１２を持ち上げ、半導体素子１２外周部において粘着シート１１との剥離が起こる。そこで、ステージ１５に内蔵された絞り機構部１７によって、突き上げシート１６ａの凸部の面積を連続的に小さくする、つまり、突き上げシート１６ａと粘着シート１１との接触面積を減らす。そうすると、支えが無くなった粘着シート部分は、ステージの真空吸着部１４により下に吸引され、更に半導体素子１２と粘着シート１１との剥離が促進する。
【００２７】
さらに、図１（ｄ）に示すように、絞り機構部１７により絞っていくことで、突き上げシート１６ａの凸形状化を促進し、粘着シート１１を支えている突き上げシート１６ａの面積部分が連続的に減少する。即ち、図２（ａ）に示す突き上げシート１６（図１における１６ａ）の突き上げ点１０ａが半導体素子１２の中央部へ向かって連続的に移動していく。それに伴って、剥離点１９ａも連続的に移動することと同様となり、半導体素子１２と粘着シート１１の剥離が連続的に促進し、粘着シート１１と半導体素子１２の接触面積が０または小さくなる。このとき、剥離点１９ａと突き上げ点１０ａを常に一致させるように絞り機構部１７を移動することにより、剥離時に半導体素子１２に加わる曲げモーメントを小さくすることができる。
【００２８】
その後、図１（ｅ）に示すように、上部コレット１３が上昇することにより半導体素子１２をピックアップする。なお、本実施形態においては、突き上げシート１６ａを凸形にするために、圧縮エアを用いたが、他の流体であっても構わない。
【００２９】
以上、説明したような本実施形態では、半導体素子１２上面を上部コレット１３で真空吸着固定し、空気室４５ａの内部を高圧化することで突き上げシート１６ａを上に凸形状とし、さらに絞り機構により凸形部の面積を小さくすることで粘着シート１１を支える突き上げシート１６ａの面積を、突き上げ点１０ａと剥離点１９ａを一致させながら、且つ連続的に減らしていくことで、半導体素子１２全体を粘着シート１１から剥がしている。したがって、この場合従来のようにニードルで半導体素子を突き上げることがないので、局所的な力が半導体素子に加わることに起因する欠け、割れ及びキズなどの破損を生じさせることがない。さらに剥離点１９ａと突き上げ点１０ａを一致させながら剥離が促進するため、半導体素子に大きな曲げモーメントが加わることに起因する割れなどの破損を生じさせることがない。ここで、空気室４５ａに供給される圧縮エアの圧力を例えば圧力調節部４２で調節することにより、突き上げシート１６ａの膨出部の形状を調整することができる。これにより、半導体素子１２の大きさ、粘着シート１１の特性・種類が変わっても、最適な条件を実現することが可能となる。なお、本実施形態の圧縮エア供給装置以外に、例えばステージ１５又は給気管４４に減圧弁等の圧力調整機構を設けることとしても良い。
【００３０】
また、図２（ａ）に示すように、本実施形態においては、突き上げシート１６ａを高圧とし、上に凸形状とすることで、最初は広い面積で半導体素子の突き上げを行う。これにより、半導体素子と粘着シートは突き上げ部で支えられている部分以外において剥離が起こる。その剥離の進行に伴い、絞り機構により突き上げ部の面積を連続的に小さくしていくことにより、剥離点と突き上げ点を常に一致させながら、半導体素子と粘着シートとを剥離していく。剥離点と突き上げ点を常に一致させることにより、半導体素子に曲げモーメントを加えることなく、半導体素子を粘着シートから剥離することができ、上部コレットにより容易にピックアップ可能となる。このとき、突き上げ点１０ａと剥離点１９ａとの間の間隔は狭く、半導体素子１２に加わる曲げモーメントは小さい。
【００３１】
これに対し、図２（ｂ）に示すように、従来のニードルレス方式の場合、突き上げ点１０ｂと剥離点１９ｂとの間の間隔が大きいので、半導体素子１２に加わる曲げモーメントが大きい。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置について説明する。図３（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置において半導体素子をピックアップしている状態を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）、（ｃ）である。半導体素子１２が粘着シート１１の粘着面に貼り付けられており、その下方に真空吸着部１４を備えたステージ１５が粘着シート１１下面に接して配置されている。真空吸着部１４は、半導体素子１２の外周部と半導体素子１２の下面の粘着シート１１を下方に真空吸着する形状となっている。ステージ１５の内部には、その内部（後述する空気室４５ｂ）をエアにより高圧とすることで上に凸形状とすることのできる突き上げシート１６ｂが内設されたシート保持ブロック２５が配置されている。シート保持ブロック２５は、ステージ１５内部で明示しない駆動手段により水平方向に移動可能となっている。図３（ｂ）に示すように、シート保持ブロック２５はステージ１５の開口部１５ａと同一形状の開口部を有し、図３（ｃ）に示すように、ステージ１５の上壁下面に沿って、矢印方向に移動することができる。従って、シート保持ブロック２５がステージ１５の中心から移動したときは、開口部１１の面積が絞り込まれる。突き上げシート１６ｂは、シート保持ブロック２５の内面に固定され、その上端部は袋状に閉じていて、開口部１５ａ内に膨出している。
【００３３】
また、図３（ｂ）に示すように、突き上げシート１６ｂ及びシート保持ブロック２５により空気室４５ｂが構成されている。この空気室４５ｂには、図３（ｄ）に示すように、給気管４４を介して、圧縮エア発生源４１、圧力調節部４２及びバルブ４３を有する圧縮エア供給装置が接続されている。なお、図３（ｂ）及び（ｃ）においては簡単のため圧縮エア供給装置及びその接続部の表示を省略しているが、空気室４５ｂ内の圧力をエアの供給により適切に高めることができるように、給気管４４はステージ１５又はシート保持ブロック２５と例えばカバー、コネクタ及びシール機構等を使用して接続されている。
【００３４】
次に、本実施形態の動作について説明する。先ず、ピックアップ対象の半導体素子１２及びその周辺の半導体素子下面の粘着シート１１をステージ１５の真空吸着部１４により真空吸着固定する。そして、ピックアップ対象の半導体素子１２上方に位置する上部コレット１３（図１参照）が半導体素子１２の上面に接する高さまで下降し、コレット１３の吸着保持面で半導体素子１２を真空吸着固定し、水平方向に半導体素子１２が移動しないようにする。続いて、バルブ４３を開くことで、給気エア４６が、上述の第１実施形態と同様に圧縮エア供給装置から給気管４４を経由して空気室４５ｂ内に供給される。これにより空気室４５ｂ内が高圧になると共に、ステージ１５の上面の開口部下の突き上げシート１６ｂが凸形状化し、ピックアップ対象の半導体素子１２の下面の粘着シート１１に接触する。更に、突き上げシート１６ｂの凸形状化が進むと、図３（ｂ）に示すように、半導体素子１２を持ち上げ、半導体素子１２の外周部において粘着シート１１との剥離が起こる。
【００３５】
そこで、図３（ｂ）及び（ｃ）において矢印で示すように、ステージ１５内部のシート保持ブロック２５を水平方向に移動させる。そうすると、粘着シートの進行方向の凸部分がステージ１５の開口部１５ａにぶつかり、凸形状ではなくなるため、凸形状部の面積が少なくなる。また、進行方向と反対側では、粘着シート１１の支えとなっていた突き上げシート１６ｂの凸形部分がなくなるため、その部分の粘着シート１１が真空吸着部１４により下方向に吸着され、半導体素子１２と粘着シート１１の剥離が起こる。更に、シート保持ブロック２５を移動させることにより、突き上げシート１６ｂの凸部の面積を連続的に小さくすると共に、粘着シート１１の支えとなっていた突き上げシート１６ｂの凸形部分を連続的に移動させる。
【００３６】
つまり、図２（ａ）に示す突き上げシート１６（図３における１６ｂ）の突き上げ点１０ａが半導体素子１２の中央部へ向かって連続的に移動していくことによって、剥離点１９ａもそれに追従する形で連続的に移動することと同様となり、半導体素子１２と粘着シート１１の剥離が連続的に進んでいく。そして、突き上げシート１６ａと粘着シート１１との接触面積を減らし、接触面積を０又は小さくすることにより半導体素子１２を粘着シート１１から剥離しやすくする。このとき、剥離点１９ａと突き上げ点１０ａを常に一致させるようにシート保持部２５を移動させることにより、剥離時に半導体素子１２に加わる曲げモーメントを小さくすることができる。
【００３７】
その後、上部コレット１３が上昇することにより、半導体素子１２をピックアップする。なお、本実施形態においては、突き上げシート１６ａを凸形にするために、圧縮エアを用いたが、他の流体であっても構わない。
【００３８】
以上、説明したように、本実施形態では、半導体素子１２の上面を上部コレット１３で真空吸着固定し、ステージ１５の内部に設けられた空気室４５ｂの内部を高圧化することで突き上げシート１６ｂを上に凸形状とする。そして、シート保持ブロック２５を水平移動させることにより、凸形部の面積を小さくすることで、粘着シート１１を支える突き上げシート１６ｂの面積を、突き上げ点１０ａと剥離点１９ａをほぼ一致させ、且つ連続的に減らしていくことで、半導体素子１２の全体を粘着シート１１から剥がしている。従って、この場合、従来のように、ニードルで半導体素子を突き上げることがないので、局所的な力が半導体素子に加わることに起因する欠け、割れ及びキズなどの破損を生じさせることがない。更に、剥離点１９ａと突き上げ点１０ａをほぼ一致させながら、剥離が進行するため、半導体素子に大きな曲げモーメントが加わることに起因する割れなどの破損を生じさせることがない。
【００３９】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、絞り機構の構造に工夫を施したものとなっている。第３実施形態は、図４の平面図に示すように、図１に示す第１実施形態において、粘着シート１１の凸形形状を変化させる絞り部の構造に工夫を施したものである。即ち、本実施形態の絞り部は、カメラの光量絞り機構と同様に、複数の絞り羽２１により絞り機構を構成する。本構造により、半導体素子外周部から中心部に向かって、略円形状に粘着シート１１の面積を小さくしていくことができる。さらに、絞りを完全に閉じることができ、粘着シート１１と半導体素子１２の剥離を確実に実施可能である。
【００４０】
図５（ａ）、（ｂ）は本発明の第４実施形態に係る半導体製造装置を示す平面図、（ｃ）は断面図である。この実施形態は、第１実施形態において、粘着シート１１の凸形形状を変化させる絞り部の構造に工夫を施したものである。本実施形態の絞り部は、水平方向に直線移動するシャッタ構造であり、シャッタ２３がステージ開口部１８を一方向から閉じる方向に直線移動することにより、突き上げシート１６ａの凸形状を変化させる。これにより、開口部の面積を絞ることができる。
【００４１】
図６（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第５実施形態に係る半導体装置を示す図であり、図６（ａ）はその平面図である。本実施形態は、第１実施形態において、粘着シート１１の凸形形状を変化させる絞り部の構造に工夫を施したものである。絞り部の構造は、水平方向に直線移動するシャッタ２２を有するものであり、ステージ開口部１８を複数方向から閉じる方向に直線移動することにより、突き上げシート１６ａの凸形状を変化させる。上述の実施形態においては、シャッタ２２を備えるものであったが、このシャッタ２２に限らず、図６（ｂ）、（ｃ）のようにシートをつぶすブロック状の構造でも構わない。
【００４２】
次に、図７を参照して本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態において、粘着シート１１の凸形形状を変化させる絞り部の構造に工夫を施したものである。本実施形態の絞り部は、水平方向に回転移動（垂直回転軸の回りに）するシャッタ構造であり、シャッタ２４がステージ開口部１８を複数方向から閉じる方向に回転移動することにより、突き上げシート１６ａの凸形状を変化させる。なお、本実施形態においても、シャッタ構造に限らず、第５実施形態と同様にブロック状の構造でも構わない。
【００４３】
また、本発明は、突き上げシートを設けずに、ステージ１５の内部に高圧流体を供給して、直接、粘着シート１１に圧力をかけて、開口部１５ａ内に粘着シート１１を膨出させ、半導体素子１２を持ち上げるようにしてもよい。この場合に、例えば第１及び第２実施形態で説明したような圧縮エア供給装置を使用することができ、また他の流体を供給する装置を使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置を示す平面図及び断面図であり、半導体素子をピックアップしている動作を示すものである。
【図２】本発明の原理を従来例と比較して表した断面図であり、（ａ）が本発明の原理を説明する図、（ｂ）が従来例（特許文献１）のニードルレス方式を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置を示す平面図（ａ）、断面図（ｂ）、（ｃ）、及び、圧縮エア供給装置を示す模式図（ｄ）である。
【図４】本発明の第３実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明の第４実施形態を示す平面図（ａ）、（ｂ）及び断面図（ｃ）である。
【図６】本発明の第５実施形態を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）、（ｃ）である。
【図７】本発明の第６実施形態を示す平面図である。
【図８】従来のニードル方式を採用した半導体製造装置で半導体素子をピックアップする様子を示す正断面図（一部平面図）である。
【図９】従来のニードルレス方式を採用した半導体製造装置で半導体素子をピックアップする様子を示す正断面図（一部斜視図）である。
【符号の説明】
【００４５】
１０ａ、１０ｂ  突き上げ点
１１  粘着シート
１２  半導体素子
１３  上部コレット
１４  真空吸着部
１５  ステージ
１５ａ    開口部
１６、１６ａ、１６ｂ  突き上げシート
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ  絞り部
１８  ステージ開口部
１９ａ、１９ｂ  剥離点
２１  絞り羽
２２、２３、２４  シャッタ
２５  シート保持ブロック
４１  圧縮エア発生源
４２  圧力調節部
４３  バルブ
４４  給気管
４５ａ、４５ｂ  空気室
４６  給気エア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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