(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、レジストパターンにおけるレジスト部及び／又はスペース部の寸法が異なる第一のレジストパターンと第二のレジストパターンとを基板上に形成する基板の処理方法であって、
少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、基板上に第一のレジストパターンと第二のレジストパターンを形成する工程と、
その後、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法をそれぞれ測定する工程と、
その後、前記測定された寸法に基づいて、前記第一の処理における処理条件を補正すると共に、前記第二の処理における処理条件を補正する工程と、を有し、
以後、前記補正された処理条件で前記第一の処理と前記第二の処理をそれぞれ行い、前記第一のレジストパターンと前記第二のレジストパターンをそれぞれ所定の目標寸法で形成し、
前記第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法は、それぞれレジスト部の幅及びスペース部の幅であって、
前記第一のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率は、前記第二のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率よりも大きく、
前記第二の処理は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅は変化せず、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅のみが変化する処理であり、
前記第一の処理の処理条件は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果に基づいて補正され、
前記第二の処理の処理条件は、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果と、前記第一の処理の処理条件の補正による前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の変化量とに基づいて補正され、
前記第一の処理は、露光処理後であって現像処理前に行われる加熱処理であって、前記第一の処理の処理条件は、加熱温度であり、
前記第二の処理は、現像処理であって、前記第二の処理の処理条件は、現像液の温度又は現像液の吐出時間であることを特徴とする、基板の処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項３】
請求項２に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項４】
基板に少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、レジストパターンにおけるレジスト部及び／又はスペース部の寸法が異なる第一のレジストパターンと第二のレジストパターンとを基板上に形成する基板処理システムであって、
第一の処理を行う第一の処理装置と、
第二の処理を行う第二の処理装置と、
基板上の第一のレジストパターンの寸法と第二のレジストパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置と、
少なくとも前記第一の処理装置と前記第二の処理装置において第一の処理と第二の処理を行い、基板上に第一のレジストパターンと第二のレジストパターンを形成し、その後、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法をそれぞれ測定し、その後、前記測定された寸法に基づいて、前記第一の処理における処理条件を補正すると共に、前記第二の処理における処理条件を補正し、以後、前記補正された処理条件で前記第一の処理と前記第二の処理をそれぞれ行い、前記第一のレジストパターンと前記第二のレジストパターンをそれぞれ所定の目標寸法で形成するように、前記第一の処理装置と前記第二の処理装置を制御する制御部と、を有し、
前記第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法は、それぞれレジスト部の幅及びスペース部の幅であって、
前記第一のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率は、前記第二のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率よりも大きく、
前記第二の処理装置は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅は変化せず、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅のみが変化する処理を行い、
前記制御部は、前記第一の処理の処理条件を、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果に基づいて補正し、前記第二の処理の処理条件を、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果と、前記第一の処理の処理条件の補正による前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の変化量とに基づいて補正し、
前記第一の処理装置は、露光処理後であって現像処理前に行われる加熱処理を行い、前記第一の処理の処理条件は、加熱温度であり、
前記第二の処理装置は、現像処理を行い、前記第二の処理の処理条件は、現像液の温度又は現像液の吐出時間であることを特徴とする、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板にフォトリソグラフィー処理を行う基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システムに係り、特に基板上に疎密なレジストパターンが混在して形成される場合に、基板に所定の目標寸法のレジストパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜を所定のパターンを露光する露光処理、露光後にレジスト膜の化学反応を促進させるために加熱するポストエクスポージャーベーキング処理（以下、「ＰＥＢ処理」という。）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
上述したレジストパターンは、下地の被処理膜のパターン形状を定めるものであり、厳格な寸法で形成する必要がある。そこで、フォトリソグラフィー処理を行ってウェハ上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンの寸法を測定し、その寸法測定結果に基づいて、例えばＰＥＢ処理等の加熱処理の処理条件を補正して、レジストパターンの寸法の適正化を図ることが提案されている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２２８８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１２に示すようにウェハＷ上には、密のレジストパターンＰ１と疎のレジストパターンＰ２が混在して形成される場合がある。すなわち、レジストが溶解する部分であるスペース部２１０の幅Ｓに対して、レジストが残存する部分である、レジスト部としてのライン部２１１の幅Ｌの比率（以下、「Ｌ／Ｓ比率」という）が大きいレジストパターンＰ１と、Ｌ／Ｓ比率が小さいレジストパターンＰ２が混在している場合がある。そして通常、レジストパターンＰ２は、レジストパターンＰ１よりも反応性が高く、例えば加熱処理において、ウェハＷを所定の温度で加熱すると、レジストパターンＰ２の寸法の変化量は、レジストパターンＰ１の寸法の変化量よりも大きくなる。
【０００６】
このようにウェハＷ上に異なるＬ／Ｓ比率のレジストパターンＰ１、Ｐ２が混在している場合、特許文献１に開示された方法で例えばレジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいてＰＥＢ処理の加熱温度を補正した場合には、レジストパターンＰ１の寸法を所定の目標寸法にすることができるが、レジストパターンＰ２の寸法を所定の目標寸法にできないことがある。同様にレジストパターンＰ２の寸法測定結果に基づいてＰＥＢ処理の加熱温度を補正した場合には、レジストパターンＰ２の寸法を所定の目標寸法にすることができるが、レジストパターンＰ１の線幅を所定の目標寸法にできないことがある。したがって、両方のレジストパターンＰ１、Ｐ２の寸法を同時に適正化することが難しかった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に疎密なレジストパターンが混在して形成される場合でも、それぞれのレジストパターンを所定の目標寸法に形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板に少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、レジストパターンにおけるレジスト部及び／又はスペース部の寸法が異なる第一のレジストパターンと第二のレジストパターンとを基板上に形成する基板の処理方法であって、少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、基板上に第一のレジストパターンと第二のレジストパターンを形成する工程と、その後、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法をそれぞれ測定する工程と、その後、前記測定された寸法に基づいて、前記第一の処理における処理条件を補正すると共に、前記第二の処理における処理条件を補正する工程と、を有し、以後、前記補正された処理条件で前記第一の処理と前記第二の処理をそれぞれ行い、前記第一のレジストパターンと前記第二のレジストパターンをそれぞれ所定の目標寸法で形成し、前記第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法は、それぞれレジスト部の幅及びスペース部の幅であって、前記第一のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率は、前記第二のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率よりも大きく、前記第二の処理は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅は変化せず、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅のみが変化する処理であり、前記第一の処理の処理条件は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果に基づいて補正され、前記第二の処理の処理条件は、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果と、前記第一の処理の処理条件の補正による前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の変化量とに基づいて補正され、前記第一の処理は、露光処理後であって現像処理前に行われる加熱処理であって、前記第一の処理の処理条件は、加熱温度であり、前記第二の処理は、現像処理であって、前記第二の処理の処理条件は、現像液の温度又は現像液の吐出時間であることを特徴としている。なお、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法をそれぞれ測定するとは、レジスト部又はスペース部、あるいはその両方の寸法を測定することをいい、具体的には例えばレジスト部の線幅とスペース部の幅である。
【０００９】
上述したように、従来、いずれか一方のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法の測定結果に基づいて、一の処理のみを補正していたため、当該一方のレジストパターンを所定の目標寸法で形成することができても、他方のレジストパターンを所定の目標寸法で形成することができなかった。本発明によれば、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法の測定結果に基づいて、第一の処理と第二の処理の処理条件をそれぞれ補正することができる。そうすると、以後、補正された条件で第一の処理と第二の処理をそれぞれ行うことができるので、基板上の第一のレジストパターンと第二のレジストパターンの両方をそれぞれ所定の目標寸法に形成することができる。
【００１０】
なお、上述した第一の処理と第二の処理の処理条件を補正する際には、種々の方法を用いることができる。例えば予め、第一の処理と第二の処理のそれぞれ処理条件と、第一のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法との相関関係、及び第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法との相関関係をデータとして保存しておく方法が用いられる。この場合、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法の測定結果に基づいて、上述した相関関係を用いて、第一の処理と第二の処理の処理条件をそれぞれ補正することができる。
【００１１】
ここで、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法が異なるため、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンの反応性が異なる。この反応性の違いを利用して、前記第一の処理の処理条件と前記第二の処理の処理条件を補正する。
【００１７】
別な観点による本発明によれば、前記基板の処理方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１８】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１９】
さらに別な観点による本発明は、基板に少なくとも第一の処理と第二の処理を行い、レジストパターンにおけるレジスト部及び／又はスペース部の寸法が異なる第一のレジストパターンと第二のレジストパターンとを基板上に形成する基板処理システムであって、第一の処理を行う第一の処理装置と、第二の処理を行う第二の処理装置と、基板上の第一のレジストパターンの寸法と第二のレジストパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置と、少なくとも前記第一の処理装置と前記第二の処理装置において第一の処理と第二の処理を行い、基板上に第一のレジストパターンと第二のレジストパターンを形成し、その後、第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法をそれぞれ測定し、その後、前記測定された寸法に基づいて、前記第一の処理における処理条件を補正すると共に、前記第二の処理における処理条件を補正し、以後、前記補正された処理条件で前記第一の処理と前記第二の処理をそれぞれ行い、前記第一のレジストパターンと前記第二のレジストパターンをそれぞれ所定の目標寸法で形成するように、前記第一の処理装置と前記第二の処理装置を制御する制御部と、を有し、前記第一のレジストパターンと第二のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法は、それぞれレジスト部の幅及びスペース部の幅であって、前記第一のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率は、前記第二のレジストパターンにおけるスペース部の幅に対するレジスト部の幅の比率よりも大きく、前記第二の処理装置は、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅は変化せず、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅のみが変化する処理を行い、前記制御部は、前記第一の処理の処理条件を、前記第一のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果に基づいて補正し、前記第二の処理の処理条件を、前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の測定結果と、前記第一の処理の処理条件の補正による前記第二のレジストパターンのレジスト部の幅及びスペース部の幅の変化量とに基づいて補正し、前記第一の処理装置は、露光処理後であって現像処理前に行われる加熱処理を行い、前記第一の処理の処理条件は、加熱温度であり、前記第二の処理装置は、現像処理を行い、前記第二の処理の処理条件は、現像液の温度又は現像液の吐出時間であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板上に疎密なレジストパターンが混在して形成される場合でも、一連のフォトグラフィー処理において、それぞれのレジストパターンを所定の目標寸法に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は、塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２８】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、ウェハＷに対し所定の検査を行う検査ステーション３と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション４と、この処理ステーション４に隣接して設けられている露光装置Ａとの間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００２９】
カセットステーション２では、カセット載置台６が設けられ、当該カセット載置台６は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路７上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、カセットＣ内に上下方向に配列されたウェハＷに対して選択的にアクセスできる。ウェハ搬送体８は、鉛直方向の軸周り（θ方向）に回転可能であり、後述する検査ステーション３側の受け渡し部１０に対してもアクセスできる。
【００３０】
カセットステーション２に隣接する検査ステーション３には、ウェハＷ上のレジストパターンのレジスト部及び／又はスペース部の寸法（以下、「レジストパターン寸法」という。）を測定するパターン寸法測定装置２０が設けられている。パターン寸法測定装置２０は、例えば検査ステーション３のＸ方向負方向（図１の下方向）側に配置されている。例えば検査ステーション３のカセットステーション２側には、カセットステーション２との間でウェハＷを受け渡しするための受け渡し部１０が配置されている。この受け渡し部１０には、例えばウェハＷを載置する載置部１０ａが設けられている。パターン寸法測定装置２０のＸ方向正方向（図１の上方向）には、例えば搬送路１１上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は、例えば上下方向に移動可能でかつθ方向にも回転自在であり、パターン寸法測定装置２０、受け渡し部１０及び処理ステーション４側の後述する第３の処理装置群Ｇ３の各処理装置に対してアクセスできる。
【００３１】
検査ステーション３に隣接する処理ステーション４は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション４のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、検査ステーション３側から第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション４のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、検査ステーション３側から第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置３０が設けられている。第１の搬送装置３０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各装置に対し選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置３１が設けられている。第２の搬送装置３１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各装置に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００３２】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置４０、４１、４２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置４３、４４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して第二の処理としての現像処理を行う、第二の処理装置としての現像処理装置５０〜５４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の前記液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室６０、６１がそれぞれ設けられている。
【００３３】
図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温度調節装置７０、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置７１、精度の高い温度管理下でウェハ温度を調節する高精度温度調節装置７２〜７４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置７５〜７８が下から順に９段に重ねられている。
【００３４】
第４の処理装置群Ｇ４には、例えば高精度温度調節装置８０、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置（以下、「ＰＡＢ装置」という。）８１〜８４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置（以下、「ＰＯＳＴ装置」という。）８５〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００３５】
第５の処理装置群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温度調節装置９０〜９３、ウェハＷに第一の処理としての加熱処理を行う、複数の第一の処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置（以下、「ＰＥＢ装置」という。）９４〜９９が下から順に１０段に重ねられている。
【００３６】
図１に示すように第１の搬送装置３０のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置１００、１０１、ウェハＷを加熱処理する加熱処理装置１０２、１０３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置３１のＸ方向正方向側には、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置１０４が配置されている。
【００３７】
インターフェイスステーション５には、例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１１０上を移動するウェハ搬送体１１１と、バッファカセット１１２が設けられている。ウェハ搬送体１１１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置Ａと、バッファカセット１１２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００３８】
次に、上述したパターン寸法測定装置２０の構成について説明する。パターン寸法測定装置２０は、例えば図４に示すように側面にウェハＷを搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２０ａを有している。ケーシング２０ａ内には、ウェハＷを水平に載置する載置台１２０と、光学式表面形状測定計１２１が設けられている。載置台１２０は、例えば水平方向の２次元方向に移動できる。光学式表面形状測定計１２１は、例えばウェハＷに対して斜方向から光を照射する光照射部１２２と、光照射部１２２から照射されウェハＷで反射した光を検出する光検出部１２３と、当該光検出部１２３の受光情報に基づいてウェハＷ上のレジストパターン寸法を算出する測定部１２４を備えている。パターン寸法測定装置２０は、例えばスキャトロメトリ（Scatterometry）法を用いてレジストパターン寸法を測定するものであり、測定部１２４において、光検出部１２３により検出されたウェハ面内の光強度分布と、予め記憶されている仮想の光強度分布とを照合し、その照合された仮想の光強度分布に対応するレジストパターン寸法を求めることにより、レジストパターン寸法を測定できる。なお、レジストパターン寸法として、例えばレジスト部の線幅（スペース部の幅）、レジスト部のサイドウォールアングル、又はコンタクトホールの径が測定される。
【００３９】
また、パターン寸法測定装置２０は、光照射部１２２及び光検出部１２３に対してウェハＷを相対的に水平移動させることによって、ウェハ面内の複数領域、例えば図５に示すような各ウェハ領域Ｗ１〜Ｗ５のレジストパターン寸法を測定することができる。なお、このウェハ領域Ｗ１〜Ｗ５は、後述するＰＥＢ装置９４〜９９の熱板領域Ｒ１〜Ｒ５に対応している。
【００４０】
次に、上述した現像処理装置５０〜５４の構成について説明する。現像処理装置５０は、例えば図６に示すように側面にウェハＷを搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング５０ａを有している。ケーシング５０ａ内には、中央部にウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着できる。
【００４１】
スピンチャック１３０には、例えばスピンチャック１３０を回転及び昇降させるためのチャック駆動機構１３１が設けられている。チャック駆動機構１３１は、例えばスピンチャック１３０を鉛直方向の軸周りに所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部（図示せず）や、スピンチャック１３０を昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部（図示せず）を備えている。このチャック駆動機構１３１により、スピンチャック１３０上のウェハＷを所定のタイミングで昇降させたり、所定の速度で回転させることができる。
【００４２】
スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。
【００４３】
図７に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。
【００４４】
アーム１４１には、現像液を吐出する現像液供給ノズル１４２が支持されている。現像液供給ノズル１４２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。現像液供給ノズル１４２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の吐出口（図示せず）が形成され、各吐出口から一様に現像液を吐出できる。なお、現像液供給ノズル１４２から吐出される現像液の吐出時間は、例えば図６に示すように後述する制御部２００により制御される。
【００４５】
アーム１４１は、図７に示すノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。これにより、現像液供給ノズル１４２は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４４からカップ１３２のＹ方向負方向側まで移動できる。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、現像液供給ノズル１４２の高さを調整できる。現像液供給ノズル１４２は、図６に示すように供給管１４５を介して現像液供給源１４６に接続されている。供給管１４５には、現像液供給源１４６から供給される現像液の温度を調節する温度調節装置１４７が設けられている。なお、温度調節装置１４７で調節する現像液の温度は、例えば後述する制御部２００により制御される。
【００４６】
なお、現像処理装置５１〜５４の構成については、上述した現像処理装置５０と同様であるので説明を省略する。
【００４７】
次に、上述したＰＥＢ装置９４〜９９の構成について説明する。ＰＥＢ装置９４は、例えば図８に示すように側面にウェハＷを搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング９４ａを有している。ケーシング９４ａ内には、上側に位置して上下動自在な蓋体１５０と、下側に位置して蓋体１５０と一体となって処理室Ｋを形成する熱板収容部１５１が設けられている。
【００４８】
蓋体１５０は、下面が開口した略円筒形状を有している。蓋体１５０の上面中央部には、排気部１５０ａが設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部１５０ａから均一に排気される。
【００４９】
熱板１６０は、図９に示すように複数、例えば５つの熱板領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５に区画されている。熱板１６０は、例えば平面から見て中心部に位置して円形の熱板領域Ｒ１と、その周囲を円弧状に４等分した熱板領域Ｒ２〜Ｒ５に区画されている。
【００５０】
熱板１６０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５には、給電により発熱するヒータ１６１が個別に内蔵され、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５毎に加熱できる。各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５のヒータ１６１の発熱量は、温度制御装置１６２により調整されている。温度制御装置１６２は、ヒータ１６１の発熱量を調整して、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度を所定の加熱温度に制御できる。温度制御装置１６２における加熱温度の設定は、例えば後述する制御部２００により行われる。
【００５１】
図８に示すように熱板１６０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１７０が設けられている。昇降ピン１７０は、昇降駆動機構１７１により上下動できる。熱板１６０の中央部付近には、熱板１６０を厚み方向に貫通する貫通孔１７２が形成されており、昇降ピン１７０は、熱板１６０の下方から上昇して貫通孔１７２を通過し、熱板１６０の上方に突出できる。
【００５２】
熱板収容部１５１は、例えば熱板１６０を収容して熱板１６０の外周部を保持する環状の保持部材１８０と、その保持部材１８０の外周を囲む略筒状のサポートリング１８１を備えている。
【００５３】
なお、ＰＥＢ装置９５〜９９の構成については、上述したＰＥＢ装置９４と同様であるので説明を省略する。
【００５４】
次に、上述した現像処理装置５０〜５４における温度調節装置１４７の現像液の温度、現像液供給ノズル１４２からの現像液の吐出時間、ＰＥＢ装置９４〜９９における温度制御装置１６２の加熱温度等の処理条件を制御する制御装置２００について説明する。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えた汎用コンピュータにより構成されている。
【００５５】
制御部２００は、例えば図１０に示すように例えばパターン寸法測定装置２０からの寸法測定結果が入力される入力部２０１と、寸法測定結果から現像処理装置５０〜５４やＰＥＢ装置９４〜９９の処理条件を算出するために必要な各種情報が格納されるデータ格納部２０２と、各処理条件を算出するプログラムＰを格納するプログラム格納部２０３と、プログラムＰを実行して各処理条件を算出する演算部２０４と、算出された処理条件を現像処理装置５０〜５４やＰＥＢ装置９４〜９９に出力する出力部２０５などを備えている。
【００５６】
データ格納部２０２には、例えば図１１に示すように、現像処理装置５０〜５４における温度調節装置１４７の現像液の温度とレジストパターン寸法との相関Ｍ１を示すデータ（図１１（ａ））と、現像液供給ノズル１４２からの現像液の吐出時間とレジストパターン寸法との相関Ｍ２を示すデータ（図１１（ｂ））と、ＰＥＢ装置９４〜９９における温度制御装置１６２の加熱温度とレジストパターン寸法との相関Ｍ３を示すデータ（図１１（ｃ））などが格納されている。
【００５７】
なお、本実施の形態においては、ウェハＷ上のレジストパターンには、図１２に示すように第一のレジストパターンとしての密のレジストパターンＰ１と、第二のレジストパターンとしての疎のレジストパターンＰ２が混在して形成される。すなわち、スペース部２１０の幅Ｓに対するレジスト部としてのライン部２１１の幅ＬのＬ／Ｓ比率が大きい第一のＬ／Ｓ比率のレジストパターンＰ１と、第一のＬ／Ｓ比率より小さい第二のＬ／Ｓ比率のレジストパターンＰ２が混在している。なお、レジストパターンＰ１の第一のＬ／Ｓ比率は例えば１／１であり、レジストパターンＰ２の第二のＬ／Ｓ比率は例えば１／５である。
【００５８】
このように疎密なレジストパターンＰ１、Ｐ２が形成されていることに伴い、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示した相関Ｍ１〜Ｍ３は、これらレジストパターンＰ１、Ｐ２毎に作成されている。レジストパターンＰ２は、レジストパターンＰ１よりも反応性が高いため、例えばＰＥＢ温度の変化に対しては、レジストパターンＰ２寸法の変化量は、レジストパターンＰ１寸法の変化量よりも大きくなる（図１１（ｃ））。また、例えば現像液温度の変化や現像液吐出時間の変化に対しては、レジストパターンＰ２寸法は変化するが、レジストパターンＰ１寸法はほとんど変化しない（図１１（ａ）、（ｂ））。
【００５９】
そして、制御部２００において、パターン寸法測定装置２０から入力部２０１にレジストパターンＰ１、Ｐ２の寸法測定結果が入力されると、先ず、プログラム格納部２０３に格納されたプログラムＰによって、レジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいて、相関Ｍ３を用いて、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値を算出する。算出結果は、出力部２０５からＰＥＢ装置９４〜９９に出力される。したがって、この算出された加熱条件でウェハＷを加熱することによって、レジストパターンＰ１寸法が所定の目標寸法に調整される。
【００６０】
次に、パターン寸法測定装置２０からのレジストパターンＰ２の寸法測定結果と、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値によるレジストパターンＰ２寸法の変化量とに基づいて、相関Ｍ１又はＭ２を用いて、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間の補正値を算出する。算出結果は、出力部２０５から現像処理装置５０〜５４に出力される。したがって、この算出された現像液の条件でウェハＷに現像液を吐出することによって、レジストパターンＰ２寸法が所定の目標寸法に調整される。なお、この場合、上述したようにレジストパターンＰ１寸法はほとんど変化することがない。
【００６１】
なお、制御部２００の機能を実現するためのプログラムＰは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００６２】
次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１におけるウェハＷの処理プロセスについて、検査用ウェハＷ’の検査処理と共に説明する。図１３は、検査用ウェハＷ’の測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置９４〜９９の加熱温度と現像処理装置５０〜５４の現像液温度又は現像液吐出時間を補正する工程を示したフローチャートを示している。なお、本実施の形態においては、上述した図１２に示したようにウェハＷ上に形成されるレジストパターンには、密のレジストパターンＰ１と疎のレジストパターンＰ２が混在して形成される。
【００６３】
先ず、塗布現像処理システム１によって検査用ウェハＷ’に一連のフォトグラフィー処理を行い、検査用ウェハＷ’上にレジストパターンＰ１、Ｐ２を形成する。このフォトリソグラフィー処理の詳細については、後述のウェハＷの処理において説明する。レジストパターンＰ１、Ｐ２が形成された検査用ウェハＷ’は、検査ステーション３のパターン寸法測定装置２０に搬送される。
【００６４】
パターン寸法測定装置２０では、図４に示すように検査用ウェハＷ’が載置台１２０に載置される。次に、検査用ウェハＷ’の所定部分に光照射部１２２から光が照射され、その反射光が光検出部１２３により検出され、測定部１２４において検査用ウェハＷ’上のレジストパターンＰ１、Ｐ２寸法、例えばレジスト部の線幅（スペース部の幅）、レジスト部のサイドウォールアングル、又はコンタクトホールの径等が測定される（図１３のステップＳ１）。これらの検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１、Ｐ２寸法の測定結果は、制御部２００に出力される。
【００６５】
制御部２００では、プログラムＰにより、先ず、パターン寸法測定装置２０からのレジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいて、図１１（ｃ）に示した相関Ｍ３を用いて、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値が算出される（図１３のステップＳ２）。そして、パターン寸法測定装置２０からのレジストパターンＰ２の寸法測定結果と、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値によるレジストパターンＰ２寸法の変化量とに基づいて、相関Ｍ１又はＭ２を用いて、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間の補正値が算出される（図１３のステップＳ３）。これらの算出結果は、ＰＥＢ装置９４〜９９及び現像処理装置５０〜５４に出力され、それぞれの処理装置での処理条件が変更される（図１３のステップＳ４）。
【００６６】
次に、例えば製品用のウェハＷに一連の処理を行う。先ず、ウェハ搬送体８によって、カセット載置台６上のカセットＣ内から、ウェハＷ上に図１２に示す被処理膜Ｆが形成されたウェハＷが一枚ずつ取り出され、検査ステーション３の受け渡し部１０に順次搬送される。受け渡し部１０に搬送されたウェハＷは、ウェハ搬送装置１２によって処理ステーション４に搬送され、レジストパターンの形成処理が行われる。例えばウェハＷは、先ず処理ステーション４の第３の処理装置群Ｇ３に属する温度調節装置７０に搬送され、所定温度に温度調節された後、第１の搬送装置３０によってボトムコーティング装置４３に搬送され、図１２に示すように反射防止膜Ｂが形成される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置３０によって加熱処理装置１０２、高温度熱処理装置７５、高精度温度調節装置９０に順次搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置３０によってレジスト塗布装置４０に搬送される。
【００６７】
レジスト塗布装置４０では、例えば回転されたウェハＷの表面に所定量のレジスト液が供給され、そのレジスト液がウェハＷの表面の全面に拡散することによってウェハＷ上に図１２に示すレジスト膜Ｒが形成される。
【００６８】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送装置３０によって例えばＰＡＢ装置８１に搬送され、加熱処理が施された後、第２の搬送装置３１によって周辺露光装置１０４、高精度温度調節装置９３に順次搬送され、各装置において所定の処理が施される。その後、インターフェイスステーション５のウェハ搬送体１１１によって露光装置Ａに搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送体１１１によって処理ステーション４のＰＥＢ装置９４に搬送される。
【００６９】
ＰＥＢ装置９４に搬送されたウェハＷは、予め上昇して待機していた昇降ピン１７０に受け渡され、蓋体１５０が閉じられた後、昇降ピン１７０が下降して、図８に示すようにウェハＷが熱板１６０上に載置される。このとき、熱板１６０は、制御部２００によって補正された所定の温度に加熱されている。そして、ウェハＷは、この加熱された熱板１６０によって所定の温度に加熱される。なお、熱板１６０の熱板領域Ｒ１〜Ｒ５は異なる温度に加熱されていてもよく、かかる場合、対応するウェハ領域Ｗ１〜Ｗ５は異なる温度で加熱される。
【００７０】
ＰＥＢ装置における加熱処理が終了したウェハＷは、第２の搬送装置３１によって高精度温度調節装置９１に搬送されて温度調節され、その後、現像処理装置５０に搬送される。
【００７１】
現像処理装置５０に搬送されたウェハＷは、予め上昇して待機していたスピンチャック１３０に受け渡され、スピンチャック１３０が下降して、図６に示すようにウェハＷがスピンチャック１３０上に吸着保持される。続いて、図７に示すように待機部１４４で待機していた現像液供給ノズル１４２がＹ方向正方向側に移動し、ウェハＷのＹ方向負方向側の端部の手前の位置Ｔ１（図７中の点線部）まで移動する。その後、現像液供給ノズル１４２から現像液が吐出され、現像液供給ノズル１４２が現像液を吐出しながら、ウェハＷのＹ方向正方向側の端部の外方の位置Ｔ２（図７中の点線部）まで移動する。これによって、ウェハＷ上のウェハＷ上のレジスト膜Ｒが現像され、図１２に示すレジストパターンＰ１、Ｐ２が形成される。このとき、現像液の温度は、制御部２００によって補正された所定の温度に加熱されている。また、制御部２００によって、塗布液供給ノズル１４２からの現像液の吐出時間が補正されている場合には、塗布液供給ノズル１４２は当該補正された吐出時間に対応する速度で移動する。
【００７２】
現像処理装置５０においてレジストパターンＰ１、Ｐ２が形成されたウェハＷは、第２の搬送装置３１によってＰＯＳＴ装置８５に搬送され、ポストベークが施された後、第１の搬送装置３０によって高精度温度調節装置７２に搬送され温度調節される。
【００７３】
その後ウェハＷは、第１の搬送装置３０によってトランジション装置７１に搬送され、ウェハ搬送装置１２によって検査ステーション３の受け渡し部１０に受け渡され、受け渡し部１０からウェハ搬送体８によってカセットＣに戻される。こうして塗布現像処理システム１における一連のウェハ処理が終了し、ウェハＷに所定の目標寸法のレジストパターンＰ１、Ｐ２が形成される。
【００７４】
以上の実施の形態によれば、先ず検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１、Ｐ２寸法を測定し、その後制御部２００において、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値が算出されるので、その後処理が行われるウェハＷのレジストパターンＰ１を所定の目標寸法で形成することができる。また、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ２の寸法測定結果と、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値によるレジストパターンＰ２寸法の変化量とに基づいて、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間の補正値が算出されるので、ウェハＷのレジストパターンＰ２を所定の目標寸法で形成することができる。したがって、一連のフォトグラフィー処理において、ウェハＷ上にＬ／Ｓ比率の異なるレジストパターンＰ１、Ｐ２が形成される場合でも、これらレジストパターンＰ１、Ｐ２をそれぞれ所定の目標寸法に形成することができる。
【００７５】
以上の実施の形態では、制御部２００において、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正していたが、レジストパターンＰ１、Ｐ２寸法のうち、特にサイドウォールアングルを補正したい場合には、ＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度を補正してもよい。すなわち、ウェハＷのレジストパターンＰ１、Ｐ２が所定の目標寸法になるように補正する場合に、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度と、ＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度が補正される。なお、ＰＡＢ装置８１〜８４の構成については、上述したＰＥＢ装置の構成と同一であり、説明を省略する。
【００７６】
そして、制御部２００のデータ格納部２０２には、図１４に示すようにＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度（加熱時間、処理雰囲気温度）とレジストパターン寸法との相関Ｍ４を示すデータが格納されている。このデータは、レジストパターンＰ１、Ｐ２の疎密に応じて作成され、例えばＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度（加熱時間、処理雰囲気温度）の変化に対して、レジストパターンＰ２寸法は変化するが、レジストパターンＰ１寸法はほとんど変化しない。
【００７７】
かかる場合、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値が算出され、ウェハＷのレジストパターンＰ１を所定の目標寸法で形成することができる。また、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ２の寸法測定結果と、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値によるレジストパターンＰ２寸法の変化量とに基づいて、ＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度の補正値が算出され、ウェハＷのレジストパターンＰ２を所定の目標寸法で形成することができる。
【００７８】
また、上述の実施の形態のように、レジストパターンＰ１、Ｐ２のうち、特に特にサイドウォールアングルを補正したい場合には、ＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度と、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正してもよい。
【００７９】
かかる場合、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１、Ｐ２の寸法測定結果に基づいて、図１４に示した相関Ｍ４と図１１（ａ）、（ｂ）に示した相関Ｍ１又はＭ２を用いて、ＰＡＢ装置８１〜８４の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度と、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正される。したがって、ウェハＷのウェハＷのレジストパターンＰ１、Ｐ２を所定の目標寸法で形成することができる。
【００８０】
ところで、ウェハＷのレジストパターンＰ１、Ｐ２にコンタクトホールが形成されている場合には、コンタクトホールの径を微細にするために、いわゆるシュリンク処理が行われることがある。コンタクトホールの径は、図１２に示したスペース部２１０の幅Ｓである。このシュリンク処理では、先ず、現像処理装置５０において現像されたウェハＷ上に、パターン縮小剤を塗布する。このとき、パターン縮小剤は、レジストパターンＰ１、Ｐ２上のコンタクトホール内にも充填される。次に、パターン縮小剤を加熱し、パターン縮小剤を縮小させると共に、コンタクトホールも縮小させる。その後パターン縮小剤を除去し、コンタクトホールの径を小さくすることができる。なお、パターン縮小剤の塗布には、例えばレジスト塗布装置４０〜４２と同様の構成の装置が用いられ、パターン縮小剤の加熱には、例えばＰＯＳＴ装置８５〜８９が用いられ、パターン縮小剤の除去には、例えば現像処理装置５０〜５４と同様の構成の装置が用いられる。ＰＯＳＴ装置８５〜８９の構成については、上述したＰＥＢ装置の構成と同一であり、説明を省略する。
【００８１】
そこで、以上の実施の形態では、制御部２００において、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正していたが、上述したＰＯＳＴ装置８５〜８９のシュリンク処理の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度を補正してもよい。すなわち、ウェハＷのレジストパターンＰ１、Ｐ２が所定の目標寸法になるように補正する場合に、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度と、ＰＯＳＴ装置８５〜８９におけるシュリンク処理の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度が補正される。
【００８２】
そして、制御部２００のデータ格納部２０２には、図１５に示すようにシュリンク処理時の加熱温度（加熱時間、処理雰囲気温度）とレジストパターン寸法との相関Ｍ５を示すデータが格納されている。このデータは、レジストパターンＰ１、Ｐ２の疎密に応じて作成され、例えばＰＯＳＴ装置８５〜８９の加熱温度（加熱時間、処理雰囲気温度）の変化に対して、レジストパターンＰ２寸法は変化するが、レジストパターンＰ１寸法はほとんど変化しない。
【００８３】
かかる場合、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１の寸法測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値が算出され、ウェハＷのレジストパターンＰ１を所定の目標寸法で形成することができる。また、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ２の寸法測定結果と、ＰＥＢ装置９４〜９９における加熱温度の補正値によるレジストパターンＰ２寸法の変化量とに基づいて、ＰＯＳＴ装置８５〜８９の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度の補正値が算出され、ウェハＷのレジストパターンＰ２を所定の目標寸法で形成することができる。したがって、コンタクトホールを所定の径に形成することができる。
【００８４】
また、上述の実施の形態のように、レジストパターンＰ１、Ｐ２のうち、特に特にコンタクトホールの径を補正したい場合には、ＰＯＳＴ装置８５〜８９の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度と、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正してもよい。
【００８５】
かかる場合、検査用ウェハＷ’のレジストパターンＰ１、Ｐ２の寸法測定結果に基づいて、図１５に示した相関Ｍ５と図１１（ａ）、（ｂ）に示した相関Ｍ１又はＭ２を用いて、ＰＯＳＴ装置８５〜８９の加熱温度、加熱時間又は処理雰囲気温度と、現像処理装置５０〜５４における現像液の温度又は現像液の吐出時間を補正される。したがって、コンタクトホールを所定の径に形成することができる。
【００８６】
以上の実施の形態では、レジストパターンＰ１は、Ｌ／Ｓ比率が１／１で形成されていたが、例えばＬ／Ｓ比率が１／３で形成されていてもよい。かかる場合、図１１（ａ）で示されていたレジストパターンＰ１、Ｐ２寸法と現像液温度との相関Ｍ１は、例えば図１６に示すように相関Ｍ６になる。この相関Ｍ６では、例えば現像液温度の変化に対応して、レジストパターンＰ２寸法が変化すると共に、レジストパターンＰ１寸法も変化する。
【００８７】
かかる場合でも、図１６に示した相関Ｍ６と、図１１（ｃ）に示した相関Ｍ３を用いて、ＰＥＢ装置９４〜９９の加熱温度と現像処理装置５０〜５４における現像液温度を補正することができる。したがって、２つの異なる処理の処理条件を補正することによって、レジストパターンＰ１、Ｐ２がそれぞれ変化する場合でも、レジストパターンＰ１、Ｐ２をそれぞれ所定の目標寸法に形成することができる。なお、本実施の形態では、ＰＥＢ処理と現像処理の処理条件を補正したが、これに限定されず、フォトグラフィー処理中の他の２つの異なる処理の処理条件を補正してもよい。例えば、露光装置Ａにおける露光量（露光光源の光のドーズ量）、露光時のフォーカス等の処理条件を補正してもよい。
【００８８】
以上の実施の形態では、現像液温度の変化に対して、疎のレジストパターンＰ２寸法は変化するが、密のレジストパターンＰ１寸法はほとんど変化しなかったが、逆に、密のレジストパターンＰ１寸法が変化するが、疎のレジストパターンＰ２寸法がほとんど変化しない処理を行ってもよい。かかる場合でも、この処理と例えばＰＥＢ処理の処理条件をそれぞれ補正することによって、レジストパターンＰ１、Ｐ２をそれぞれ所定の目標寸法に形成することができる。
【００８９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。
【００９０】
例えば上述した実施の形態においてパターン寸法測定装置２０においてウェハＷの５つの領域の寸法を測定していたが、それらの領域の数や形状は任意に選択できる。また、上記実施の形態においてパターン寸法測定装置２０は、検査ステーション３に設けられていたが、処理ステーション４に設けられていてもよい。さらに、パターン寸法測定装置２０は、例えば電子ビームをウェハＷに照射し、ウェハＷ表面の画像を取得することによって、ウェハ面内のレジストパターン寸法を測定してもよい。
【００９１】
また、本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、基板上に疎密なレジストパターンが混在して形成される場合に、基板に所定の目標寸法のレジストパターンを形成する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】パターン寸法測定装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】分割されたウェハ領域を示す説明図である。
【図６】現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】現像処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図８】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】ＰＥＢ装置の熱板の構成を示す平面図である。
【図１０】制御部の構成を示すブロック図である。
【図１１】レジストパターン寸法と各処理の処理条件と相関を示すグラフであり、（ａ）は現像液温度との相関を示し、（ｂ）は現像液吐出時間との相関を示し、（ｃ）はＰＥＢ処理の加熱温度を示している。
【図１２】ウェハ上のレジストパターンを示した縦断面図である。
【図１３】ＰＥＢ装置の加熱温度と現像処理装置の現像液温度（現像液吐出時間）を補正する工程を示したフローチャートである。
【図１４】レジストパターン寸法とＰＡＢ処理の加熱温度（加熱時間、雰囲気温度）と相関を示すグラフである。
【図１５】レジストパターン寸法とシュリンク処理の加熱温度（加熱時間、雰囲気温度）と相関を示すグラフである。
【図１６】レジストパターン寸法と現像液温度と相関を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９４】
１    塗布現像処理システム
２０  パターン寸法測定装置
５０〜５４  現像処理装置
８１〜８４  ＰＡＢ装置
８５〜８９  ＰＯＳＴ装置
９４〜９９  ＰＥＢ装置
２００  制御部
２１０  スペース部
２１１  ライン部
Ｐ１、Ｐ２  レジストパターン
Ｗ  ウェハ
【図１】
0005017147.tif 000002
【図２】
0005017147.tif 000003
【図３】
0005017147.tif 000004
【図４】
0005017147.tif 000005
【図５】
0005017147.tif 000006
【図６】
0005017147.tif 000007
【図７】
0005017147.tif 000008
【図８】
0005017147.tif 000009
【図９】
0005017147.tif 000010
【図１０】
0005017147.tif 000011
【図１１】
0005017147.tif 000012
【図１２】
0005017147.tif 000013
【図１３】
0005017147.tif 000014
【図１４】
0005017147.tif 000015
【図１５】
0005017147.tif 000016
【図１６】
0005017147.tif 000017