(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に導電性材料からなる第１導電性膜を形成し、上記絶縁性基板の主面上に第１導電性膜からなる第１導電性領域及び第１導電性領域に隣接する絶縁性領域を形成する第１導電性膜形成工程と、
第１導電性膜上に導電性材料を電気めっきすることにより、第１導電性領域の外側まで延びた周縁部において立ち上がり、第１導電性領域に向かって曲がるベース曲面を有する第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、
第１犠牲層及び第１犠牲層に隣接して露出する上記絶縁性領域上に導電性材料からなる第２導電性膜を形成し、上記絶縁性基板の主面上に第２導電性膜からなる第２導電性領域及び第２導電性領域に隣接する絶縁性領域を形成する第２導電性膜形成工程と、
第２導電性膜上に導電性材料を電気めっきすることにより、第２導電性領域の外側まで延びた周縁部において立ち上がり、第２導電性領域に向かって曲がる第１曲面と、上記ベース曲面の上方に形成され、第２導電性膜の端部側から中央に向かって立ち上がる第２曲面とを有する第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程と、
第２犠牲層上にコンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、
上記導電性材料をエッチングすることにより、第１導電性膜、第１犠牲層、第２導電性膜及び第２犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項２】
第１導電性膜形成工程において、上記絶縁性領域に挟まれる第１導電性領域を形成するように第１導電性膜を形成し、
第１犠牲層形成工程において、対向する２つの上記ベース曲面を有するように第１犠牲層を形成することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【請求項３】
第２導電性膜形成工程において、上記絶縁性領域に挟まれる第２導電性領域を形成するように第２導電性膜を形成し、
第２犠牲層形成工程において、第１曲面及び第２曲面を対向して２つずつ有するように第２犠牲層を形成することを特徴とする請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法に係り、さらに詳しくは、片持ち梁構造のコンタクトプローブの屈曲部における応力集中を低減することができるコンタクトプローブを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の電極パッドなどの検査対象物の電気的特性を検査するために用いられるプローブカードは、複数のコンタクトプローブ（接触探針）を備えている。複数のコンタクトプローブは、電極パッドの数およびピッチに対応して基板上に固定され、電極パッドに接触させることにより、電気信号を取出すようになっている。
【０００３】
半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する時は、コンタクトプローブを半導体ウエハ上の電極パッドに接触させた後、コンタクトプローブを更に半導体ウエハ側に押し付ける動作であるオーバードライブを行って、すべてのコンタクトプローブをそれぞれ電極パッドに確実に接触させる。
【０００４】
上記コンタクトプローブとしては、一端が基板に固定され、他端が自由端となる弾性変形可能な片持ち梁構造のビーム部と、このビーム部の自由端側に形成されたコンタクト部とを有するものがある（例えば特許文献１参照）。このようなコンタクトプローブは、一般に、ビーム部が基板の主面と平行に延びた状態で配置され、このビーム部の固定端側に略直角に屈曲した部分が形成されている。そして、この種のコンタクトプローブは、コンタクト部を半導体ウエハ側に押し付けると、ビーム部が弾性変形するようになっている。
【０００５】
ところで、半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術などの進歩による微細加工精度の著しい向上によって高集積化されてきた。その結果、半導体デバイスは、そのチップ面積に対する電極パッド数が飛躍的に増大し、最近では、千個を越える電極パッドが数ミリ角の半導体チップ上に狭ピッチで配置されるようになってきた。このような半導体チップについて電気的特性試験を行うためには、電極パッドと同様のピッチでコンタクトプローブを配置させたプローブカードが必要となる。そこで、上記した特許文献１にも開示されているように、半導体デバイスと同様のフォトリソグラフィ技術を利用して、コンタクトプローブを製造する技術が種々提案されている。
【０００６】
特許文献１には、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された積層体からなるコンタクトプローブが開示されている。このコンタクトプローブは、プローブ基板に対し平行な二次元形状に形成された複数の層により構成されている。これらの各層は、フォトリソグラフィ技術による制御によって、プローブ基板に垂直な方向、即ち、コンタクトプローブの高さ方向へ積層していくことにより３次元形状の片持ち梁構造のコンタクトプローブが形成される。
【特許文献１】特開２００１−９１５３９号公報の図７（Ａ）〜図１０（Ｏ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高さ方向へ積層してコンタクトプローブを形成する場合には、ビーム部の固定側に直角に曲がる屈曲部分を有することになる。この屈曲部分は弾性変形時に応力が集中しやすく、ビーム部が破損する虞がある。そのため、片持ち梁構造のコンタクトプローブのビーム部は、応力の集中を緩和するために、角部が形成されないように例えば屈曲部分を円弧状に湾曲させて形成することが好ましい。
【０００８】
また、上記のようにビーム部の固定側に屈曲部分を有するコンタクトプローブは、上記オーバードライブを行って弾性変形する際に、このオーバードライブ量が多くなると、上記屈曲部分が検査対象物に接触する問題も生じた。このように十分なオーバードライブ量が得られない場合には、コンタクトプローブを検査対象物へ確実に接触させるための十分な押圧力が得られないことになる。
【０００９】
湾曲部を有するコンタクトプローブをＭＥＭＳ技術を用いて形成する方法として、コンタクトプローブをビーム部の幅方向一端から他端に向けて積層していく方法が考えられる。しかしながら、コンタクトプローブを幅方向に積層して形成する場合には、幅方向に複雑な形状を形成することは困難となるし、プローブ基板への固定位置に対応させた状態の間隔を維持したまま複数のコンタクトプローブを同時に形成することができない。従って、例えば、複数のコンタクトプローブを犠牲層と共にプローブ基板上に配置させたり、プローブ基板に対して電気めっきを行ってコンタクトプローブを形成することができないので、形成後のコンタクトプローブを１つずつプローブ基板に固定していく煩雑な作業が必要となる。
【００１０】
そこで、本出願人は、高さ方向へ積層してコンタクトプローブを形成する製造方法において、ビーム部に湾曲部を形成することができるコンタクトプローブの製造方法を見出した。その製造方法は、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストにより基板上に形成し、このプローブ形成用台座にビーム部を形成していくものである。この場合、曲面を有するプローブ形成用台座をレジストによって形成するために、まず、角部を有するブロック状の台座を形成し、その後、このブロック状の台座を高温で加熱して角部を収縮させて丸みを形成することにより、曲面を形成する。
【００１１】
しかしながら、レジストにより形成する台座は、高温で熱処理をするためレジストの材料中の物質が揮発したり熱収縮したりして、台座に所望の高さを出すことができない問題があった。そこで、さらなる研究の結果、この熱処理後のレジストの台座の上にコンタクトプローブを形成する導電性材料とは異なる導電性材料により薄膜を形成し、この薄膜上に薄膜と同じ導電性材料を用いて電気めっきすることにより、所望の高さのめっき台座が得られた。
【００１２】
ところが、このめっき台座は、内部にレジストの台座が形成されているため、プローブ製造中の温度上昇により、このレジストの台座が熱収縮を起こし、このレジストの台座上に形成した金属薄膜が割れて、めっき台座が破損する問題が生じた。さらに、このレジストの台座は、通常のレジストの処理を行う場合の温度よりも高温で熱処理を行って曲面を出すようにしているため、コンタクトプローブを形成した後にレジスト層を除去しようとしても硬化しすぎて除去することが難しいという問題もあった。
【００１３】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明は、高さ方向に積層してコンタクトプローブを形成する方法において、台座が熱で破損することなく、所望の形状及び大きさの湾曲部を段階的に複数有するコンタクトプローブを簡単に形成できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
第１の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、絶縁性基板上に導電性材料からなる第１導電性膜を形成し、上記絶縁性基板の主面上に第１導電性膜からなる第１導電性領域及び第１導電性領域に隣接する絶縁性領域を形成する第１導電性膜形成工程と、第１導電性膜上に導電性材料を電気めっきすることにより、第１導電性領域の外側まで延びた周縁部において立ち上がり、第１導電性領域に向かって曲がるベース曲面を有する第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１犠牲層及び第１犠牲層に隣接して露出する上記絶縁性領域上に導電性材料からなる第２導電性膜を形成し、上記絶縁性基板の主面上に第２導電性膜からなる第２導電性領域及び第２導電性領域に隣接する絶縁性領域を形成する第２導電性膜形成工程と、第２導電性膜上に導電性材料を電気めっきすることにより、第２導電性領域の外側まで延びた周縁部において立ち上がり、第２導電性領域に向かって曲がる第１曲面と、上記ベース曲面の上方に形成され、第２導電性膜の端部側から中央に向かって立ち上がる第２曲面とを有する第２犠牲層を形成する第２犠牲層形成工程と、第２犠牲層上にコンタクトプローブを形成するプローブ形成工程と、上記導電性材料をエッチングすることにより、第１導電性膜、第１犠牲層、第２導電性膜及び第２犠牲層を除去する犠牲層除去工程とを備えるようにしている。
【００１５】
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、導電性材料を用いて、第１導電性膜の上に上記ベース曲面を有する第１犠牲層を形成し、この第１犠牲層の上に第２導電性膜を形成し、さらにこの第２導電性膜上に第２犠牲層を形成することにより、熱で破損せず、上記コンタクトプローブの湾曲部を形成するための第１曲面と第２曲面とを有する犠牲層を簡単に形成することができる。そして、当該犠牲層に電気めっきすることにより、応力集中が起こらない湾曲部を段状に複数有する上記コンタクトプローブを簡単に形成することができる。従って、高さ方向に電気めっきにより積層してコンタクトプローブを形成する場合でも、所望の形状、大きさの湾曲部を段状に複数有するコンタクトプローブを簡単に形成することができる。
【００１６】
即ち、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、上記ベース曲面を有する第１犠牲層と、第１犠牲層に隣接して露出する上記絶縁性領域との上に第２導電性膜を形成するので、この第２導電性膜に電気めっきすることにより、第２導電性膜の端面にも導電性材料が堆積されていく。その結果、上記絶縁性領域内において立ち上がり、第２導電性領域に向かって曲がる第１曲面と、上記ベース曲面の上方に形成され、第２導電性膜の端部側から中央に向かって立ち上がる第２曲面とを有する第２犠牲層を簡単に形成できる。そして、第１曲面と第２曲面に沿って第２犠牲層上にコンタクトプローブを形成することにより、複数の湾曲部を段状に有する上記コンタクトプローブを簡単に形成できる。
【００１７】
しかも、第１導電性膜及び第２導電性膜を所望の形状及び大きさに形成するだけで、複数の曲面を有する段状の犠牲層を所望の大きさ、形状に形成できる。また、全て導電性材料により形成するので、製造工程中に温度が上昇しても犠牲層が破損することはなくなる。
【００１８】
さらに、このようにして形成されたコンタクトプローブの湾曲部の位置は、上記絶縁性基板へ固定されるコンタクトプローブの位置から自由端に向けて段状に高さが変わるため、上記コンタクトプローブの自由端側を大きくオーバードライブしても、コンタクトプローブの固定端側は検査対象物に接触しないようにすることができる。
【００１９】
第２の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、第１導電性膜形成工程において、上記絶縁性領域に挟まれる第１導電性領域を形成するように第１導電性膜を形成し、第１犠牲層形成工程において、対向する２つの上記ベース曲面を有するように第１犠牲層を形成するようにしている。
【００２０】
このように第１犠牲層を形成することにより、上記ベース曲面を対向するように２箇所同時に形成することができるので、１つの第１犠牲層上に、第１曲面及び第２曲面を有する第２犠牲層を２つ形成したり、第１曲面及び第２曲面を２ずつ有する１つの第２犠牲層を形成したりすることが可能となって、上記コンタクトプローブのプローブ基板への固定位置と検査対象物への接触位置に合せて、所望の形状のコンタクトプローブを効率良く形成することができる。
【００２１】
第３の本発明によるコンタクトプローブの製造方法は、第２導電性膜形成工程において、上記絶縁性領域に挟まれる第２導電性領域を形成するように第２導電性膜を形成し、第２犠牲層形成工程において、第１曲面及び第２曲面を対向して２つずつ有するように第２犠牲層を形成するようにしている。
【００２２】
本発明の製造方法では、第１曲面及び第２曲面を対向して２つずつ有する一塊の第２犠牲層を用いて、１対のコンタクトプローブを自由端が対向するように形成することが可能となり、複数の上記コンタクトプローブを基板上に効率よく形成することができる。しかも、１つの上記第２犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成する場合には、自由端が対向して配置される複数のコンタクトプローブを上記第１及び第２犠牲層と共に上記絶縁性基板から剥離して、別途用意したプローブ基板上に上記犠牲層ごと配置させることができる。このようにしてコンタクトプローブをプローブ基板に配置させることにより、所定の間隔を維持させたまま複数のコンタクトプローブをプローブ基板の所定の位置に固定することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるコンタクトプローブの製造方法によれば、片持ち梁構造のコンタクトプローブを高さ方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で湾曲部を複数有する上記コンタクトプローブを形成することができる。そして、複数の湾曲部を階段状に有するように上記コンタクトプローブを形成することができるので、大きなオーバードライブ量でも、上記コンタクトプローブが検査対象物に接触するのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
実施の形態１.
以下、本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法の実施の形態１について図面に基づいて説明する。
【００２５】
〔プローブ装置〕
図１は、本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。このプローブ装置１００は、プローブカード１１０と、検査対象物１０２が載置される可動ステージ１０３と、可動ステージ１０３を昇降させる駆動装置１０４と、可動ステージ１０３及び駆動装置１０４が収容される筐体１０５とにより構成される。
【００２６】
検査対象物１０２は、半導体ウエハなどの半導体装置からなり、複数の電子回路（図示せず）が形成されている。可動ステージ１０３は、水平な載置面を有する載置台であり、駆動装置１０４の駆動により、検査対象物１０２を載置面上に載置させた状態で鉛直方向に上昇又は下降するようになっている。筐体１０５は、上部中央部に開口部が形成されており、この開口部を封鎖するように、プローブカード１１０が取り付けられる。また、可動ステージ１０３は、この開口部の下方に配置される。
【００２７】
〔プローブカード〕
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物１０２側(図１の下方側)から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。
【００２８】
プローブカード１１０は、筐体１０５の開口部に取り付けられるメイン基板１０６と、メイン基板１０６に保持される矩形状のプローブ基板１０７と、プローブ基板１０７上に固着された複数のコンタクトプローブ１とを備える。
【００２９】
メイン基板１０６は、円板状のプリント基板であり、テスター装置との間で信号入出力を行うための外部端子１６１を有している。例えば、ガラスエポキシを主成分とする多層プリント回路基板がメイン基板１０６として用いられる。このメイン基板１０６は、その周辺部が筐体１０５の開口部の周縁によって保持されて水平に支持される。
【００３０】
プローブ基板１０７は、メイン基板１０６の下方に配置され、メイン基板１０６に支持される。さらに、プローブ基板１０７は、連結部材１０８に電気的に接続され、この連結部材１０８をメイン基板１０６のコネクタ１６２に接続するようになっている。このプローブ基板１０７は、メイン基板１０６よりも小さい矩形をしており、基板上に配線パターンが形成されている。配線パターンは、電源供給線、グランド線及び信号線の各配線パターンによって形成されている。なお、検査対象物１０２がシリコンウエハからなる場合には、シリコンなどの単結晶基板によりプローブ基板１０７を構成することが好ましい。このように、プローブ基板１０７をシリコン基板により構成することで、プローブ基板１０７と検査対象物１０２との熱膨張の状態を近づけることができる。
【００３１】
連結部材１０８は、メイン基板１０６及びプローブ基板１０７を連結し、導電線としてメイン基板１０６とプローブ基板１０７とにそれぞれ形成されている配線間を導通させている。ここでは、ポリイミドを主成分とする可撓性を有するフィルム上に配線パターンが印刷されたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）が連結部材１０８として用いられている。このフレキシブル基板は、その一端がプローブ基板１０７の周辺部に固着され、他端は着脱可能なコネクタ１６２を介してメイン基板１０６に連結されている。
【００３２】
本実施形態では、プローブ基板１０７には多数の電極パッドが形成され、各電極パッドにコンタクトプローブ１が接合されることにより、プローブ基板１０７上に多数のコンタクトプローブ１が形成される。プローブ基板１０７は、上記したように、連結部材１０８を介してテスター装置に接続されたメイン基板１０６に導通しており、当該メイン基板１０６とともにプローブカードを構成する。検査時には、駆動装置１０４によって可動ステージ１０３を上昇させて、半導体ウエハにコンタクトプローブ１を接触させることにより、テスター装置と半導体ウエハとの間で各コンタクトプローブ１を介して信号が入出力されて、半導体ウエハの電気的特性の検査が行われるようになっている。
【００３３】
〔コンタクトプローブ〕
コンタクトプローブ１は、図１及び図２に示すように、検査対象物１０２上に形成された微細な電極パッド１２１に対し、弾性的に当接させるプローブ（探針）である。各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７における一方の主面上に整列配置されて固着されている。各コンタクトプローブ１は、各コンタクトプローブ１が固着されたプローブ基板１０７の主面が鉛直方向下側に向けて配置されることにより、可動ステージ１０３に配置された検査対象物１０２と対向するようになっている。
【００３４】
図３は、コンタクトプローブ１の側面図である。コンタクトプローブ１は、検査対象物１０２上の電極パッド１２１に当接させるコンタクト部２と、一端がプローブ基板１０７に固定され、他端にコンタクト部２が突設されるビーム部３とにより構成される。
【００３５】
ビーム部３は、長尺平板形状の部材から構成され、その一端部がプローブ基板１０７に固着される片持ち梁（カンチレバー）からなる。即ち、このビーム部３は、プローブ基板１０７に固着される基板固定部３１と、この基板固定部３１からプローブ基板１０７に対して湾曲しながら立ち上がってプローブ基板１０７に平行して伸び、さらに、上方に向かって湾曲する弾性変形部３２とから構成される。基板固定部３１は、プローブ基板１０７との対向面側の一部が後記するプローブ形成用下地膜６により形成されている。
【００３６】
このビーム部３は、基板固定部３１を固定端とし、この固定端に対する弾性変形部３２の他端側を自由端として、この弾性変形部３２の自由端に検査対象物１０２側から荷重がかかることにより、この弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。本実施形態では、可動ステージ１０３をプローブカード１１０に向けて上昇させて、ビーム部３の自由端部を検査対象物１０２によって押圧することにより、ビーム部３の弾性変形部３２が弾性変形するようになっている。
【００３７】
コンタクト部２は、ビーム部３の自由端部における検査対象物１０２に対向する面上に突出させて形成されたコンタクトチップにより構成されている。このコンタクトチップは端面が五角形の柱状体からなる。このコンタクト部２の検査対象物１０２と対向する面をこの検査対象物１０２の電極パッド１２１と当接する当接面としている。
【００３８】
本実施形態のプローブカード１１０では、複数のコンタクトプローブ１がプローブ基板１０７上にビーム幅方向に所定のピッチで配置されると共に、このようなピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム先端が対向するように２列形成されている。本実施形態では、矩形のプローブ基板１０７の何れか１辺に平行な方向を配列方向として、コンタクトプローブ１の列が形成されている。なお、各コンタクトプローブ１の間隔は、検査対象物１０２上に形成されている電極パッド１２１間のピッチに応じて定められる。
【００３９】
そして、各コンタクトプローブ１は、プローブ基板１０７、連結部材１０８、メイン基板１０６に形成される各配線を介してメイン基板１０６の外部端子１６１と導通している。コンタクトプローブ１のコンタクト部２を検査対象物１０２の微小な電極パッド１２１に当接させることによって、この検査対象物１０２をテスター装置と導通させるようになっている。
【００４０】
〔コンタクトプローブの構成材料〕
次に、コンタクトプローブ１の各構成部分の材料について説明する。コンタクトプローブ１は、抵抗値が低いほど望ましいことから、コンタクトプローブの各構成部分は、導電率の高い材料によって構成されている必要がある。このような高導電性材料には、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金銅合金（Ａｕ−Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウムニッケル合金（Ｐｄ−Ｎｉ）、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）などがある。本実施の形態では、後記する第２犠牲層８２を銅により形成するため、コンタクトプローブ１のビーム部３は、銅のエッチング液によって溶けない導電性材料を用いて形成することが好ましい。本実施の形態では、ニッケルコバルト合金を用いてビーム部３を形成している。
【００４１】
また、コンタクトプローブ１のコンタクト部２は、検査対象物１０２の電極パッド１２１に繰り返し当接させるため高い耐磨耗性が要求され、しかも当接させるたびに、電極パッド１２１の表面を引掻いて表面のゴミや酸化膜等を除去することが求められる。そこで、コンタクト部を形成するために用いられる導電性材料としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウムコバルト合金（Ｐｄ−Ｃｏ）などの高耐磨耗性の導電性材料が挙げられる。なお、本実施の形態では、コンタクト部２はロジウム（Ｒｈ）を用いて形成している。
【００４２】
〔コンタクトプローブの製造プロセス〕
図４から図６は、図３に示したコンタクトプローブ１の製造プロセスの一例を示した図である。コンタクトプローブ１は、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて作製される。ＭＥＭＳ技術とは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を作成する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、上記犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を作製する技術である。
【００４３】
このような犠牲層を含む各層の形成処理には、周知のめっき技術を利用することができる。例えば、陰極としての基板と、陽極としての金属片とを電解液中に浸し、両電極間に電圧を印加することにより、電解液中の金属イオンを基板表面に付着させることができる。このような処理は電気めっき処理と呼ばれている。このような電気めっき処理は、基板を電解液に浸すウエットプロセスであるため、めっき処理後は乾燥処理が行われる。また、乾燥後には、研磨処理などによって積層面を平坦化させる平坦化処理が必要に応じて行われる。
【００４４】
図４（ａ）〜（ｄ）は、絶縁性基板であるプローブ基板１０７上に導電性膜を部分的に形成する導電性膜形成工程を示している。なお、この導電性膜形成工程には、絶縁膜４を形成する工程、第１導電性膜５１を形成する工程及びプローブ形成用下地膜６を形成する工程を含んでいる。
【００４５】
まず、図４（ａ）に示すように、プローブ基板１０７上に、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜４を形成する。さらに、この絶縁膜４の上に銅（Ｃｕ）以外の導電性材料で、かつ、銅のめっき液に溶けない導電性材料を用いてプローブ形成用下地膜６を形成する。絶縁膜４及びプローブ形成用下地膜６は、スパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００４６】
このプローブ形成用下地膜６を形成する導電性材料としては、例えば、ニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましい。特に、コンタクトプローブ１のビーム部３を構成する材料と同じ材料を用いることにより、このプローブ形成用下地膜６をコンタクトプローブ１の一部とすることができる。
【００４７】
そして、図示していないが、さらにプローブ形成用下地膜６上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００４８】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、図４（ｂ）に示すように、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いたプローブ形成用下地膜６を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図４（ｂ）に示すように、プローブ基板１０７上に、部分的にプローブ形成用下地膜６が形成された状態になる。
【００４９】
本実施の形態では、プローブ形成用下地膜６は、図７のプローブ基板１０７の斜視図にも示すように、絶縁膜４が露出して形成される絶縁性領域４１によって囲まれた状態に部分除去される。本実施の形態では、プローブ形成用下地膜６により形成される長細いプローブ下地膜領域６１がプローブ基板１０７上に２箇所形成される。なお、図示していないが、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に固定する場合には、プローブ形成用下地膜６をプローブ基板１０７上に形成される複数の電極を覆うように形成することが好ましい。
【００５０】
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁膜４及びプローブ形成用下地膜６上に銅を用いて第１導電性膜５１を形成する。この第１導電性膜５１もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５１】
そして、図示していないが、第１導電性膜５１上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００５２】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いた第１導電性膜５１を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図４（ｄ）及び図７のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、プローブ基板１０７上に、第１導電性膜５１により構成される第１導電性領域５１ａと、プローブ形成用下地膜６により構成されるプローブ下地膜領域６１と、露出する絶縁膜４により構成される絶縁性領域４１とが形成される。
【００５３】
本実施の形態では、上記したように、図４（ｄ）において、プローブ基板１０７の中央部に絶縁性領域４１を挟んで長細い第１導電性領域５１ａが形成され、この長細い第１導電性領域５１ａの外側に絶縁性領域４１を介して長細い矩形のプローブ形成用下地膜６が形成されている。第１導電性領域５１ａとプローブ下地膜領域６１とは、それぞれ絶縁性領域４１により絶縁された状態になっている。なお、第１導電性膜５１により形成される第１導電性領域５１ａは、図７に示すように、中央部の長細い領域の長手方向両端に、この長手方向と直交する方向に延びる長細い領域も連続して形成されている。
【００５４】
図４（ｅ）は、絶縁性領域４１及び絶縁性領域４１によって挟まれる第１導電性領域５１ａを露出させる第１開口部７１ａを有するように第１レジスト層７１を形成する第１レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第１レジスト層７１を形成する。その後、この第１レジスト層７１の表面を選択的に露光することにより、第１レジスト層７１を部分的に除去する。第１レジスト層７１を部分的に除去することにより、第１開口部７１ａが形成される。本実施の形態では、図４（ｅ）及び図８のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、第１開口部７１ａ内において露出する絶縁性領域４１の面積が、第１導電性領域５１ａの面積よりも大きくなるように第１開口部７１ａを形成している。
【００５５】
残った第１レジスト層７１は、図４（ｅ）及び図８に示すように、プローブ形成用下地膜６の全てと、第１導電性膜５１の一部を覆った状態になる。そして、第１開口部７１ａ内には、第１導電性膜５１と絶縁膜４とが露出される。図８に示すように、第１導電性領域５１ａと絶縁性領域４１との境界線が第１開口部７１ａ内に直線上に現れる。
【００５６】
図５（ａ）〜（ｅ）は、銅からなる犠牲層８を形成する犠牲層形成工程を示している。この工程中、図５（ａ）に示す工程が第１犠牲層形成工程となる。図４（ｅ）の状態から、第１導電性膜５１に電圧を印加することにより、図５（ａ）に示すように、第１導電性膜５１の上面に銅を電気めっきしていく。このとき、第１導電性膜５１の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが第１導電性膜５１の上面からオーバーフローし、第１導電性膜５１の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。
【００５７】
このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ａ）に示すようなベース曲面８１ａを有する第１犠牲層８１が形成される。この第１犠牲層８１のベース曲面８１ａは、図５（ａ）及び図９のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、絶縁膜４から立ち上がって、第１導電性膜５１に向かって曲がるように形成される。具体的には、第１犠牲層８１を形成する際のめっきは第１導電性膜５１の端面から絶縁膜４上にひさし状に延びる。そして、このひさし状に延びた部分の周縁部には、絶縁性領域４１内において立ち上がり、第１導電性膜５１に向かって曲がるベース曲面８１ａが形成される。
【００５８】
第１犠牲層８１が形成されると、第１レジスト層７１を全て除去し、プローブ基板１０７上に、図５（ｂ）に示すように、銅を用いて第２導電性膜５２を形成する。本実施の形態では、図５（ｂ）及び（ｃ）に示す工程が第２導電性膜形成工程となる。この第２導電性膜５２もスパッタリングなど真空蒸着により形成することが好ましい。
【００５９】
そして、図示していないが、第２導電性膜５２上に、感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層を形成する。その後、このレジスト層の表面を選択的に露光することにより、レジスト層を部分的に除去する。
【００６０】
このようにしてレジスト層が除去された部分に対して、アルゴンイオンによるドライエッチングを行って、レジスト層が残っている部分を除いた第２導電性膜５２を除去する。そして、レジスト層を完全に除去することにより、図５（ｃ）及び図１０のプローブ基板１０７の斜視図に示すように、プローブ基板１０７上に、第２導電性膜５２により構成される第２導電性領域５２ａと、プローブ形成用下地膜６により構成されるプローブ下地膜領域６１と、露出する絶縁膜４により構成される絶縁性領域４１とが形成される。
【００６１】
本実施の形態では、図１０に示すように、第１犠牲層８１及び第１犠牲層８１に隣接して露出する絶縁性領域４１上だけでなく、露出された第１導電性膜５１上にも第２導電性膜５２を形成して第２導電性領域５２ａを形成している。第２導電性領域５２ａのうち、第１犠牲層８１及び絶縁性領域４１上に形成される第２導電性膜５２は、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜４に接する２箇所のつば状部分と、第１犠牲層８１の上面に沿って、これらつば状部分の端部から湾曲して立ち上がり、中央部が平坦な山状の部分とにより構成されている。そして、第２導電性領域５２ａとプローブ下地膜領域６１とは、それぞれ絶縁性領域４１により絶縁された状態になっている。
【００６２】
図５（ｄ）は、絶縁性領域４１及び絶縁性領域で挟まれる第２導電性領域５２ａを露出させる第２開口部７２ａを有するように第２レジスト層７２を形成する第２レジスト形成工程を示している。まず、プローブ基板１０７の全面に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布して第２レジスト層７２を形成する。その後、この第２レジスト層７２の表面を選択的に露光することにより、第２レジスト層７２を部分的に除去する。第２レジスト層７２を部分的に除去することにより、第２開口部７２ａが形成される。
【００６３】
残った第２レジスト層７２は、図５（ｄ）に示すように、プローブ形成用下地膜６の全てを覆った状態になる。そして、第２開口部７２ａ内には、第２導電性膜５２と絶縁膜４とが露出される。第１犠牲層８１は、第２導電性膜５２により完全に覆われた状態になっているので、第２開口部７２ａ内において露出しない。そして、第２導電性領域５２ａと絶縁性領域４１との境界線が第２開口部７２ａ内に直線上に現れる。
【００６４】
図５（ｅ）〜図６（ａ）は、銅からなる第２犠牲層８２を形成する第２犠牲層形成工程を示している。上記した図５（ｄ）の状態から、第１導電性膜５１に電圧を印加することにより、第１導電性膜５１及び第１犠牲層８１を介して図５（ｅ）に示すように、第２導電性膜５２の上面に銅を電気めっきしていく。このとき、第２導電性膜５２の上面だけでなくエッチング面である端面にも銅がめっきされて堆積されていき、銅めっきが第２導電性膜５２の上面からオーバーフローし、第２導電性膜５２の上面及び端面を覆うだけでなく、絶縁膜４の一部の上にも形成された状態になる。このようにして銅を電気めっきすることにより図５（ｅ）に示すような第１曲面８２ａと第２曲面８２ｂとを有する段状の第２犠牲層８２が形成される。
【００６５】
そして、第２レジスト層７２を除去すると、図６（ａ）及び図１２のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、プローブ基板１０７上に第１曲面８２ａと第２曲面８２ｂとを有する段状の第２犠牲層８２が得られる。第１曲面８２ａは、プローブ基板１０７の絶縁性領域４１内において立ち上がり、第２導電性領域５２ａに向かって曲がるように形成される。具体的には、第２犠牲層８２を形成する際のめっきは、第２導電性膜５２の端面から絶縁膜４上にひさし状に延びる。そして、このひさし状に延びた部分の周縁部には、絶縁性領域４１内において立ち上がり、第２導電性膜５２に向かって曲がる第１曲面８２ａが形成される。第２曲面８２ｂは、この第１曲面８２ａより上方位置で、第１犠牲層８１のベース曲面８１ａの上方において形成される。具体的には、第２曲面８２ｂは、この第１曲面８２ａよりプローブ高さ方向の位置が高く、第２導電性膜５２の端部側から中央に向かって立ち上がる円弧を有するように形成される。
【００６６】
図６（ｂ）は、長細い第３開口部７３ａを複数有するプローブ形成用の第３レジスト層７３を形成する第３レジスト形成工程である。プローブ基板１０７上に、再びフォトレジストが塗布されることにより第３レジスト層７３が形成され、その第３レジスト層７３の表面が選択的に露光されることにより、第３レジスト層７３の一部が除去され、コンタクトプローブ１のビーム部３の形状に合わせた長細い第３開口部７３ａが複数形成される。第３開口部７３ａは、第２犠牲層８２及びプローブ形成用下地膜６を絶縁性領域４１を挟んだ状態で露出させるように形成されている。
【００６７】
残った第３レジスト層７３により、図６（ｂ）及び図１３のプローブ基板１０７の部分斜視図に示すように、絶縁膜４の略全体が覆われる。細長い第３開口部７３ａは、長手方向に２箇所形成され、これら２つの第３開口部７３ａがプローブ幅方向に所定のピッチを開けて複数形成されている。長手方向に形成される２つの第３開口部７３ａの間の第３レジスト層７３は、山形の第２犠牲層８２の中央部上に形成され、２つの第３開口部７３ａの仕切り部となっている。即ち、第２犠牲層８２の中央部上で形成される第３レジスト層７３の仕切り部が第３開口部７３ａの長手方向の端部となり、他方の長手方向端部側にプローブ形成用下地膜６が露出するように２つの第３開口部７３ａが形成されている。
【００６８】
本実施の形態では、図６（ｂ）及び図１３に示すように、第２犠牲層８２が各第３開口部７３ａの長手方向の一方側において露出され、プローブ形成用下地膜６が長手方向他方側において露出され、第２犠牲層８２とプローブ形成用下地膜６との間に僅かに絶縁膜４が露出されている。そして、第３開口部７３ａ内において第２犠牲層８２の第１曲面８２ａが絶縁膜４から立ち上がって第２犠牲層８２の中央部に向かって立ち上がるように第３開口部７３ａが形成されている。
【００６９】
図６（ｃ）〜（ｅ）は、コンタクトプローブ１を形成するプローブ形成工程を示している。図６（ｃ）に示すように、第２犠牲層８２にコンタクトプローブ１を形成していく。本実施の形態では、第１導電性膜５１を介して第２犠牲層８２に電圧を印加することにより、各第３開口部７３ａ内においてニッケルコバルト合金（Ｎｉ−Ｃｏ）を第２犠牲層８２上に電気めっきしていく。この電気めっきにより、第２犠牲層８２上にニッケルコバルト合金が成長してプローブ金属層９１が形成されていく。
【００７０】
そして、このプローブ金属層９１が、プローブ形成用下地膜６に接触するまで成長すると、プローブ金属層９１とプローブ形成用下地膜６とが導通し、このプローブ形成用下地膜６上にもニッケルコバルト合金が成長してプローブ金属層９１が第２犠牲層８２からプローブ形成用下地膜６に亘って連続して形成される。このプローブ金属層９１の形成により、ビーム部３の基板固定部３１及び弾性変形部３２に相当するプローブ金属層９１が形成される。
【００７１】
プローブ金属層９１が形成された後は、第３レジスト層７３を除去し、図６（ｄ）に示すように、再びフォトレジストが塗布されることにより第４レジスト層７４を形成する。そして、第４レジスト層７４の表面を選択的に露光することにより、第４レジスト層７４の一部を除去し、第４開口部７４ａを形成する。第４開口部７４ａは、コンタクト部２に相当する領域についてレジストの除去行うことにより形成される。
【００７２】
次に、図６（ｄ）に示すように、第４開口部７４ａ内に、ロジウム（Ｒｈ）を電気めっきすることにより、ロジウム層９２が形成される。このロジウム層９２の上面は、平滑な面に形成すると共に各プローブ金属層９１に積層されるロジウム層９２の高さを揃える必要があるので、第４レジスト層７４とともに、ロジウム層９２を研磨して、ロジウム層９２の上面を平坦にする。このロジウム層９２がコンタクト部２を構成する。
【００７３】
そして、第４レジスト層７４を除去すると、プローブ基板１０７上に複数のコンタクトプローブ１がプローブ形成用下地膜６を介して固定された状態になる。さらに、図６（ｅ）及び図１４に示すように、銅エッチング液を用いて、第２犠牲層８２、第２導電性膜５２、第１犠牲層８１及び第１導電性膜５１を除去し、プローブ基板１０７上で露出しているプローブ形成用下地膜６をドライエッチングにより除去する。プローブ形成用下地膜６の除去は、コンタクトプローブ１の下に形成されたプローブ形成用下地膜６を各コンタクトプローブ１毎に分離するように除去する。従って、プローブ金属層９１によって覆われているプローブ形成用下地膜６は残された状態になっている。このようにプローブ形成用下地膜６が分離されることにより、各コンタクトプローブ１が導通しないようにプローブ基板１０７上に固定されたコンタクトプローブ１が得られる。この工程が、犠牲層除去工程となる。
【００７４】
本実施の形態では、プローブ基板１０７上に、順次、第１導電性膜５１、第１犠牲層８１、第２導電性膜５２そして第２犠牲層８２を徐々に面積が大きくなるように電気めっきを行って積層していくことにより、曲面により形成される段部を有する犠牲層８を簡単に形成することができる。しかも、このようにして形成した犠牲層８は、全て導電性材料により形成することができるので、製造工程中に温度上昇が生じても犠牲層が破損することはないので、確実に複数の湾曲部を有するコンタクトプローブ１を形成することができる。
【００７５】
また、本実施の形態にかかる製造方法は、コンタクトプローブ１をプローブ基板１０７への固定側から自由端側へと形成していくので、コンタクトプローブ１を形成すると同時にプローブ基板１０７にコンタクトプローブ１を固定することができる。従って、コンタクトプローブ１を１本ずつわざわざプローブ基板１０７に固定する作業を不要にでき、製造コストを低廉にすることができる。
【００７６】
さらに、本実施の形態のコンタクトプローブの製造方法によれば、プローブ基板１０７上に一対の上記コンタクトプローブをこれら自由端が対向するように形成することができる。従って、本実施の形態のコンタクトプローブの製造方法は、ビーム幅方向に所定のピッチで配置されるコンタクトプローブ１の列が、ビーム部３の自由端が対向するように２列形成されるようにプローブ基板１０７に固定する場合に適している。即ち、各コンタクトプローブ１を形成すると同時に、上記配列でプローブ基板１０７に各コンタクトプローブ１を固定することができる。
【００７７】
また、本実施の形態のコンタクトプローブの製造方法によれば、一対の上記コンタクトプローブの自由端の間の距離を小さくして、上記コンタクトプローブを形成することができるので、複数の上記コンタクトプローブをプローブ基板１０７上に効率よく形成することができる。
【００７８】
以上のように、本実施の形態のコンタクトプローブの製造方法によれば、片持ち梁構造のコンタクトプローブ１をプローブ基板１０７に対して垂直な方向に電気めっきにより積層して形成する場合でも、簡単な方法で、所望の形状、大きさの湾曲部を複数有するコンタクトプローブ１を形成することができる。そして、コンタクトプローブ１を検査対象物１０２へ接触させて弾性変形させても、湾曲部を形成することによりコンタクトプローブ１の一部に応力が集中してしまうのをなくすことができ、コンタクトプローブ１の寿命を長くすることができる。さらに、コンタクトプローブ１は複数の湾曲部を段状に形成しているので、大きなオーバードライブ量でも、コンタクトプローブ１が検査対象物に接触するのを防ぐことができる。
【００７９】
なお、上記した実施の形態では、曲面により形成される段部を有する犠牲層８を山形に形成し、この山形の犠牲層８上に、１対のコンタクトプローブ１を自由端が対向するようにコンタクトプローブ１を形成する製造方法について説明したが、本発明の製造方法は、第１曲面８１と反対側の側面がプローブ基板１０７に対して垂直に立ち上がる面となるように犠牲層８を形成することもできる。
【００８０】
その場合には、プローブ基板１０７上に形成された第１導電性膜５１の上に第１レジスト層の開口部の壁面が位置するように、第１レジスト層を形成する。このように第１レジスト層を形成することにより、開口部内においては、第１導電性膜５１における絶縁性領域と隣接する部分にのみベース曲面が形成され、このベース曲面の反対側を含むその他の部分は、開口部の壁面によりプローブ基板１０７から垂直に立ち上がる側面が形成される第１犠牲層が形成される。そして、第２導電性膜および第２犠牲層を形成する際も、各レジスト層の開口部の壁面をベース曲面が開口部内に位置するように、第１犠牲層上及び第２導電性膜上に位置させた状態で第２導電性膜および第２犠牲層を形成する。このように、犠牲層を積層形成していくことにより、第１曲面と第２曲面とが１つずつ有する犠牲層を形成できる。
【００８１】
さらに、上記各実施の形態では、２段タイプのコンタクトプローブの製造方法について説明したが、本発明の製造方法によれば、３つ以上の湾曲部を有するコンタクトプローブも形成することができる。例えば、３段タイプのコンタクトプローブを形成する場合には、上記第２犠牲層が形成された後、さらに、第２犠牲層上と、この第２犠牲層に隣接する絶縁性領域の絶縁性膜の上に、第３導電性膜を形成し、この第３導電性膜の上に第三犠牲層を形成することにより、三つの湾曲した段部を有する犠牲層を形成することができる。そして、３段形状の犠牲層上にコンタクトプローブを形成することにより、湾曲部を階段状に３つ有するコンタクトプローブを形成することができる。
【００８２】
なお、上記した各実施の形態では、コンタクトプローブ１を形成しながら、プローブ基板１０７上に直接コンタクトプローブ１を固定する場合の例について説明したが、本発明の湾曲部を有するコンタクトプローブの製造方法は、これらの実施の形態に限らず、別途用意した絶縁性基板上にコンタクトプローブ１を形成して、このコンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合にも適用できる。コンタクトプローブを絶縁性基板から最終的に剥離する場合には、例えば、１つの犠牲層上に複数のコンタクトプローブを形成しておくとよい。この場合には、犠牲層と共に複数のコンタクトプローブを絶縁性基板から剥離して、犠牲層と共にコンタクトプローブをプローブ基板に配置させる。そして、コンタクトプローブをプローブ基板に固定した後、犠牲層を除去することにより、コンタクトプローブをプローブ基板へ簡単に固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態によるプローブカード１１０を含むプローブ装置１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブ装置１００の内部の様子が示されている。
【図２】図１のプローブ装置１００におけるプローブカード１１０の構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブの一例を示した側面図である。
【図４】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図である。
【図５】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図４（ｅ）の続きを示している。
【図６】実施の形態１に係るコンタクトプローブを形成する工程の一例を示した図であり、図５（ｅ）の続きを示している。
【図７】図４（ｄ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に、第１導電性領域５１ａ、プローブ下地膜領域６１及び絶縁性領域４１が形成された状態を示している。
【図８】図４（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上に、第１開口部７１ａを有する第１レジスト層７１が形成された状態を示している。
【図９】図５（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７の第１導電性膜５１上に、第１犠牲層８１が形成された状態を示している。
【図１０】図５（ｃ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７の第１犠牲層８１上と絶縁膜４上とに、第２導電性膜５２が形成された状態を示している。
【図１１】図５（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、第２レジスト層７２の第２開口部７２ａ内で露出する第２導電性膜５２上に第２犠牲層８２が形成された状態を示している。
【図１２】図６（ａ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、第２レジスト層７２が除去されて、プローブ基板１０７上に第２犠牲層８２が形成された状態を示している。
【図１３】図６（ｃ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、第３開口部７３ａを有する第３レジスト層７３が形成され、第３開口部７３ａ内で露出する第２犠牲層８２上にプローブ金属層９１が形成された状態を示している。
【図１４】図６（ｅ）に対応したプローブ基板１０７の部分斜視図であって、プローブ基板１０７上にコンタクトプローブ１が固定された状態を示している。
【符号の説明】
【００８４】
１  コンタクトプローブ
２  コンタクト部
３  ビーム部
３１  基板固定部
３２  弾性変形部
４  絶縁膜
４１  絶縁性領域
５１  第１導電性膜
５１ａ  第１導電性領域
５２  第２導電性膜
５２ａ  第２導電性領域
６  プローブ形成用下地膜
６１  プローブ下地膜領域
７１  第１レジスト層
７１ａ  第１開口部
７２  第２レジスト層
７２ａ  第２開口部
７３  第３レジスト層
７３ａ  第３開口部
７４  第４レジスト層
７４ａ  第４開口部
８  犠牲層
８１  第１犠牲層
８１ａ  ベース曲面
８２  第２犠牲層
８２ａ  第１曲面
８２ｂ  第２曲面
９１  プローブ金属層
９２  ロジウム層
１００  プローブ装置
１０２  検査対象物
１２１  電極パッド
１０３  可動ステージ
１０４  駆動装置
１０５  筐体
１０６  メイン基板
１６１  外部端子
１６２  コネクタ
１０７  プローブ基板
１０８  連結部材
１１０  プローブカード
【図１】
0005058041.tif 000002
【図２】
0005058041.tif 000003
【図３】
0005058041.tif 000004
【図４】
0005058041.tif 000005
【図５】
0005058041.tif 000006
【図６】
0005058041.tif 000007
【図７】
0005058041.tif 000008
【図８】
0005058041.tif 000009
【図９】
0005058041.tif 000010
【図１０】
0005058041.tif 000011
【図１１】
0005058041.tif 000012
【図１２】
0005058041.tif 000013
【図１３】
0005058041.tif 000014
【図１４】
0005058041.tif 000015