(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板の上に少なくとも誘電体材料であるＭｇＦ2と、該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料と、から成る表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記複数の誘電体材料の成分濃度比率を前記樹脂基板の厚み方向に連続的に変化させ、前記表層反射防止膜の最表層をＭｇＦ2単層としたことを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記ＭｇＦ2の成分濃度比率は前記樹脂基板側から前記表層反射防止膜の最表層側にかけて連続的に大きくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料はＳｉＯ2であり、前記表層反射防止膜は前記樹脂基板側において前記ＳｉＯ2の成分濃度比率が最も大きく、前記樹脂基板側から前記表層反射防止膜の最表層側にかけて連続的に前記ＳｉＯ2の成分濃度比率が小さくなるようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学素子。
【請求項４】
樹脂基板の上に誘電体材料であるＭｇＦ2と該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料とから成る表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記樹脂基板側のＭｇＦ2の成分濃度を前記表層反射防止膜の最表層側に比べて相対的に小さくすると共に、前記樹脂基板側の該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料の成分濃度を前記表層反射防止膜の最表層側に比べて相対的に大きくし、前記表層反射防止膜の最表層をＭｇＦ2単層としたことを特徴とする光学素子。
【請求項５】
少なくとも一部に光減衰膜を有する光学フィルタ領域を前記樹脂基板と前記表層反射防止膜との間に設けたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つ請求項に記載の光学素子。
【請求項６】
前記樹脂基板の上に、前記光減衰膜を有する光学フィルタ領域と、前記光減衰膜を有しない領域とを設け、前記光減衰膜を有する光学フィルタ領域及び前記光減衰膜を有しない領域の表層に前記表層反射防止膜を連続的に形成したことを特徴とする請求項５に記載の光学素子。
【請求項７】
前記光学フィルタ領域はＮＤフィルタであることを特徴とする請求項５又は６に記載の光学素子。
【請求項８】
前記光学フィルタ領域は、単一の透過率領域から成る単濃度ＮＤフィルタ、又は複数の透過率領域から成る多濃度ＮＤフィルタ又は透過率が連続的に変化するグラデーションＮＤフィルタであることを特徴とする請求項５〜７の何れか１つの請求項に記載の光学素子。
【請求項９】
撮影光学系の開口を調節する光量調節部材と、該光量調節部材を駆動する駆動手段とを有し、前記光量調節部材の駆動量に応じて前記開口を透過する光量を調節する請求項７又は８に記載のＮＤフィルタを有することを特徴とする光量絞り装置。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１つの請求項に記載の光学素子を用いたことを特徴とする光学機器。
【請求項１１】
樹脂基板の上に少なくとも誘電体材料であるＭｇＦ2と該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料とから成る表層反射防止膜を成膜する場合において、前記樹脂基板を加熱し前記誘電体材料のうち前記ＭｇＦ2の蒸着レートを徐々に大きくしながら前記表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記表層反射防止膜の最表層にＭｇＦ2単層を蒸着することを特徴とする光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カメラやビデオカメラ等の撮影装置や光学機器等に使用される光学素子及び該光学素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラやビデオカメラ等の光学機器において、被写体が高輝度の場合の撮影時に、絞りが小絞りになり回折で画像が劣化することがある。これを防止するために、従来から撮影光学系上にＮＤ（Neutral Density）フィルタ等の光を減衰させる光学素子を挿入することが行われている。
【０００３】
近年では、デジタルカメラやビデオカメラの高画質化に伴い、より適切な調整ができるように、１枚のＮＤフィルタに異なる濃度の濃度領域を複数設けた多濃度ＮＤフィルタや連続的な濃度勾配を設けたグラデーションＮＤフィルタが使用されている。
【０００４】
また、開口内でＮＤフィルタの有無による画質の差が生ずることを避けるために、ＮＤフィルタの一部に透明領域を形成し、ＮＤフィルタによる減光を行わない場合においても、透明領域を開口内に挿入するＮＤフィルタも使用されている。
【０００５】
例えば特許文献１においては、透明樹脂フィルム上に真空蒸着法によりＴｉＯ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＳｉＯ2膜を成膜した透明領域付きグラデーションＮＤフィルタが開示されている。また、特許文献２においてはグラデーションＮＤフィルタの作製方法が開示されている。
【０００６】
ＮＤフィルタの基本構成は、透明基板の片面に金属膜、金属酸化膜、誘電体膜等の積層膜から成るＮＤ膜を形成したものであるが、透明基板の片面にＮＤ膜を形成し、裏面には多層反射防止膜を形成したり、或いは透明基板の両面にＮＤ膜を形成してもよい。
【０００７】
図１３はＮＤフィルタ１の膜構成図を示している。樹脂製の透明基板２の上に反射率を低下させるための反射防止層であるＡｌ2Ｏ3膜３ａと、透過率を低下させるための光吸収層としてＴｉＯｘ膜３ｂを交互に成膜することにより、８層から成るＮＤ膜３が形成されている。ＮＤフィルタ１の透過率は光吸収層である第２、４、６、８層のＴｉＯｘ膜３ｂの総膜厚によって変化し、総膜厚が厚くなるほど透過率は低下する。
【０００８】
反射率は蒸着時にモニタリングすることにより、反射防止層であるＡｌ2Ｏ3膜３ａの膜厚を制御することにより、反射率を小さくすることが可能である。更に、最上層の第８層のＴｉＯｘ膜３ｂ上には、低屈折材料としてＭｇＦ2膜４を光学膜厚ｎ×ｄ（ｎ：屈折率、ｄ：物理膜厚）でλ／４（λ；設計波長）蒸着した表層反射防止膜を形成することにより、反射防止効果を高めている。また、ＭｇＦ2膜４の代りに、ＳｉＯ2膜を用いることもできる。
【０００９】
そして、透明基板２上にＮＤ膜３及びＭｇＦ2膜４を成膜した後に、所定の形状にプレス加工等により切断することにより、ＮＤフィルタ１を得ることができる。
【００１０】
ＣＣＤ等の撮像素子は構造上、その表面において光を反射し易いため、ＣＣＤ表面で反射した光がＮＤフィルタ１の表面で再度反射し、ＣＣＤの別の画素に入射してしまい、ゴースト等の原因となることがある。従って、ＮＤフィルタ１の表面反射を抑制することは、良好な画質の写真や画像を撮影するために極めて重要である。
【００１１】
図１４は従来の透明領域付きのグラデーションＮＤフィルタ１１の断面模式図を示しており、透明基板２上のＮＤ領域Ａに濃度勾配を有するＮＤ膜１２を形成し、ＮＤ領域Ａ及び透明領域Ｂに単層の表層反射防止膜１３を一様に成膜している。単層の表層反射防止膜１３の場合には、その屈折率が小さく空気の屈折率（ｎ＝１）に近い方が反射防止効果が高いため、通常ではＳｉＯ2膜（ｎ＝１．４６）やＭｇＦ2膜（ｎ＝１．３６）が使用される。
【００１２】
また、図１５に示すグラデーションＮＤフィルタ２１においては、ＮＤ領域ＡのＮＤ膜１２上には単層の表層反射防止膜１３を成膜し、特に反射率の高い透明領域Ｂにおいては、多層の表層反射防止膜２２が成膜されている。
【００１３】
このように、透明基板２上に表層反射防止膜１３、２２を物理蒸着膜として成膜する場合には、透明基板２との密着性を向上させるために透明基板２を加熱して蒸着する。しかし、透明基板２が樹脂製の場合には耐熱性の問題があり、基板温度の上限は１００〜１５０°Ｃ程度である。
【００１４】
固体撮像素子の高感度化や高解像度化に対応し、ＮＤフィルタの更なる低反射率化の要求に対応するためには、表層反射防止膜の反射率をできる限り小さくする必要がある。しかし、樹脂製の基板に表層反射防止膜を成膜する場合には、その成膜温度の低さにより膜の材料によっては蒸着膜の強度が弱く、光学素子として加工する際に、クラックが発生し易いという問題がある。例えば、表層反射防止膜として単層のＭｇＦ2膜を成膜した場合には上述の問題が発生する。
【００１５】
一方、従来から表層反射防止膜として使用されてきたＳｉＯ2膜は、上述の基板温度で成膜してもクラックの発生は生ずることはないが、ＳｉＯ2膜はＭｇＦ2膜と比較すると、屈折率が大きいため反射率が高くなってしまう。
【００１６】
また、上述の成膜時のクラックの発生と膜表面における反射率の低減の課題を解消する方法として、本出願人はＳｉＯ2膜上にＭｇＦ2膜を積層する方法を提案している。この方法は、基板上にＳｉＯ2膜が形成されるためクラックの発生を抑制でき、最表層にＭｇＦ2膜が形成されているため、ＮＤフィルタ表面での反射をＭｇＦ2膜により抑制することができる。
【００１７】
【特許文献１】特開２００４−２０５９５１号公報
【特許文献２】特許３７０１９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
上述のように表層反射防止膜としてＳｉＯ2膜上にＭｇＦ2膜を成膜する方法は、比較的容易にクラックの発生と表面反射を抑制することができるが、ＳｉＯ2膜とＭｇＦ2膜の界面において反射が生ずるため、単層のＭｇＦ2膜よりは反射率は高くなる。
【００１９】
また、図１５に示すように、特に反射率の高い透明領域Ｂのみを多層の表層反射防止膜２２を成膜すると、この部分のみ別途の成膜工程が必要となる。従って、製造コストが上昇すると共に、多層の表層反射防止膜２２の膜厚が通常３００〜４００ｎｍ程度と厚くなり過ぎてクラックが発生し易くなる。
【００２０】
本発明の目的は、上述の課題を解消し、樹脂基板への成膜時のクラック等の発生を抑制しながら、複数の誘電体材料から成る反射防止膜の最表層及び膜間の界面での反射防止性能を向上させた光学素子及び該光学素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するための本発明に係る光学素子は、樹脂基板の上に少なくとも誘電体材料であるＭｇＦ2と該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料とから成る表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記複数の誘電体材料の成分濃度比率を前記樹脂基板の厚み方向に連続的に変化させ、前記表層反射防止膜の最表層をＭｇＦ2単層としたことを特徴とする。
また、本発明に係る光学素子は、樹脂基板の上に誘電体材料であるＭｇＦ2と該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料とから成る表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記樹脂基板側のＭｇＦ2の成分濃度を前記表層反射防止膜の最表層側に比べて相対的に小さくすると共に、前記樹脂基板側の該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料の成分濃度を前記表層反射防止膜の最表層側に比べて相対的に大きくし、前記表層反射防止膜の最表層をＭｇＦ2単層としたことを特徴とする。
更に、本発明に係る光学素子の製造方法は、樹脂基板の上に少なくとも誘電体材料であるＭｇＦ2と該ＭｇＦ2とは異なる誘電体材料とから成る表層反射防止膜を成膜する場合において、前記樹脂基板を加熱し前記誘電体材料のうち前記ＭｇＦ2の蒸着レートを徐々に大きくしながら前記表層反射防止膜を蒸着により成膜し、前記表層反射防止膜の最表層にＭｇＦ2単層を蒸着することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る光学素子及び該光学素子の製造方法によれば、樹脂基板上に表層反射防止膜を成膜する際に、クラックの発生を抑制すると共に、表面の反射率を低減させるだけでなく、複数の誘電体材料から成る表層反射防止膜間の界面での反射率を低減させることができる。
【００２３】
また、このような光学素子を光量絞り装置に使用すると、ゴースト等の少ない良好な画像の撮影が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明を図１〜図１２に図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１は撮影光学系の構成図を示し、レンズ３１、光量調節部材３２、レンズ３３〜３５、ローパスフィルタ３６、ＣＣＤ等から成る固体撮像素子３７が順次に配列されている。光量調節部材３２においては、絞り羽根支持板３８に一対の絞り羽根３９ａ、３９ｂが可動に取り付けられている。絞り羽根３９ａには、絞り羽根３９ａ、３９ｂの駆動量に応じて略菱形形状が変化する開口部を通過する光束の透過量を減光するためのＮＤフィルタ４０が接着されている。なお、このＮＤフィルタ４０は絞り羽根３９ａに取り付けずに、独立して駆動するようにしてもよい。
【００２６】
図２は本実施例において製造したＮＤフィルタ４０の断面模式図であり、図３は図２のＮＤ領域Ａにおける膜構成図を示している。
【００２７】
ＮＤフィルタ４０に用いられる樹脂基板４１としては、透明性及び機械的強度を有するものが好ましい。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、アクリル系樹脂等のフィルム状の基板を使用することが可能である。
【００２８】
また、基板４１の板厚としては、ＮＤフィルタ４０としての剛性を保持しながら、可能な限り薄くすることが好ましい。具体的には、その厚さとして３００μｍ以下が好ましく、より好ましくは５０〜１００μｍである。なお、本実施例の樹脂基板４１としては、耐熱性、強度、透明性に優れた厚さ１００μｍのＰＥＴを用いている。
【００２９】
図３に示すように、ＮＤ領域Ａにおいては基板４１上に反射防止層であるＡｌ2Ｏ3膜４２ａと、光吸収層であるＴｉＯｘ膜４２ｂとによる８層の交互層から成る光減衰膜であるＮＤ膜４２が形成されている。
【００３０】
また、ＮＤ膜４２の反射防止層としては、光吸収の少ない誘電体層であればよく、Ａｌ2Ｏ3膜４２ａの他に、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＦ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2等の膜が使用できる。ＴｉＯｘ膜４２ｂのｘの値を制御することにより、分光透過率の平坦性を調整できるが、多層膜の総数や使用材料によっても特性は変化する。また、ＮＤ膜４２の光吸収層としては、可視領域の光を吸収する特性を有する材料であればよく、ＴｉＯｘ膜４２ｂの他に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅ、Ｎｂ等の金属、合金、酸化物の膜を使用することができる。
【００３１】
そして、第８層のＴｉＯｘ膜４２ｂの上層には、後述するように誘電体材料のＳｉＯ2膜４３ａとＭｇＦ2膜４３ｂとの成分濃度比率が、この順に連続的に変化するように積層した表層反射防止膜４３が形成されている。
【００３２】
図４は透明領域Ｂにおける表層反射防止膜４３の濃度分布の説明図を示し、基板４１側においてＳｉＯ2膜４３ａを主とする領域Ｃ、最表層側においてＭｇＦ2膜４３ｂを主とする領域Ｄが形成されている。
【００３３】
領域Ｃ、Ｄ間にはＳｉＯ2とＭｇＦ2との混合領域である領域Ｅが形成されている。領域ＣはＳｉＯ2を主とする領域からＭｇＦ2を主とする領域にかけて、徐々にＳｉＯ2の成分濃度比率が小さく、同時にＭｇＦ2の成分濃度比率が大きくなり、領域Ｄでは領域Ｃの逆の関係となる。即ち、これらの領域Ｃ〜Ｄ間には明確な界面は存在しない。
【００３４】
表層反射防止膜４３をこのような構成とすることにより、屈折率にも同様の傾向が現れる。つまり、屈折率が領域Ｃから領域Ｄにかけて連続的に変化し、その接合部に界面が存在しないため、屈折率の異なる界面で発生する光の反射が生じない。
【００３５】
領域Ｃ、Ｄはそれぞれ基板４１側及び最表層側においては、ＳｉＯ2及びＭｇＦ2膜のみから成る均一の成分濃度分布を有するが、均一の成分濃度分布を設けずに、基板４１側から最表層側へ連続的に成分濃度分布を有するようにしてもよい。
【００３６】
なお、この表層反射防止膜４３はＮＤ領域Ａから透明領域Ｂまで同一工程で略同一膜厚に成膜されている。
【００３７】
また、誘電体層を形成する誘電体材料は、表層反射率等の特性に悪影響を及ぼさなければＳｉＯ2、ＭｇＦ2の２種類の他に、他の材料を含んでいてもよい。
【００３８】
図５はＮＤフィルタ４０のＮＤ膜４２を成膜するための真空蒸着機のチャンバの構成図を示している。チャンバ５１内には、蒸着源５２と、この蒸着源５２を加熱する蒸着材料加熱装置が設けられている。この蒸着源５２の上方には、駆動手段により回転可能な蒸着傘５３が設けられ、この蒸着傘５３には図６に示すような基板治具５４が設けられている。またチャンバ５１の上部には、反射防止層であるＡｌ2Ｏ3膜４２の膜厚を測定するための光学モニタ５５が配置されている。
【００３９】
図６は基板治具５４の拡大断面図を示し、基板治具５４には図示しない基準ピンが設けられ、基板４１は基板４１に穿けられた基準孔を介して固定され、基板４１の下方には間隔を隔てて蒸着パターン形成用マスク６１が取り付けられている。
【００４０】
そして、チャンバ５１内を図示しない真空ポンプを介して真空引きした後に、蒸着傘５３を駆動手段により回転させながら蒸着源５２から必要な蒸着材料を蒸発させる。なお、本実施例においては、蒸着材料はＡｌ2Ｏ3とＴｉＯｘであり、これらを順次に切換えることにより、図３に示すようなＡｌ2Ｏ3膜４２ａとＴｉＯｘ膜４２ｂを交互に積層した８層のＮＤ膜４２を形成する。
【００４１】
蒸着源５２は回転式のハースに複数の材料がセットできるもので、成膜する膜毎に必要に応じて真空状態のままで材料を交換することができる。また、このときＮＤ膜４２に必要な透過率はＴｉＯｘ膜４２ｂの総膜厚により調整する。
【００４２】
基板４１と所定の間隔を隔てて蒸着パターン形成用マスク６１を設けることにより、マスク６１の開口部６１ａに対向する位置の基板４１上に形成されるＮＤ膜４２は、最も膜厚が厚く高濃度になる。また、マスク６１が遮蔽する部分は膜厚が徐々に薄く低濃度になるため、図２に示すような濃度勾配を得ることができる。
【００４３】
続いて、図７に示すように基板治具５４から蒸着パターン形成用マスク６１を取り外し、図８に示すような真空蒸着機のチャンバ７１を用いて、基板４１の全面に連続的に図４に示すような表層反射防止膜４３を成膜する。
【００４４】
チャンバ７１内には、２組の蒸着源７２、７３と、これらの蒸着源７２、７３を加熱する２組の蒸着材料加熱装置が設けられている。この蒸着源７２、７３の上方には開閉可能なシャッタ７４、７５が配置され、駆動手段により回転可能な蒸着傘７６が設けられ、この蒸着傘７６には図７に示すような濃度勾配を有するＮＤ膜４２が成膜された基板４１を有する基板治具５４が取り付けられている。
【００４５】
またチャンバ７１内には、蒸着源７２、７３による蒸着レートを検知するための膜厚センサ７７、７８が設けられている。チャンバ７１の上部には表層反射防止膜４３の膜厚を測定するための光学モニタ７９が設けられている。なお本実施例においては、蒸着源７２にＳｉＯ2、蒸着源７３にＭｇＦ2を用いている。
【００４６】
このような真空蒸着装置を用い、チャンバ７１内を真空ポンプにより真空引きをし、所定の真空度に達するとシャッタ７４、７５を閉じたまま、蒸着源７２、７３をそれぞれの蒸着材料加熱装置を用いて加熱する。本実施例においては、蒸着材料加熱装置として真空蒸着に一般的に用いられている電子ビームを用いている。
【００４７】
それぞれの材料が所定の蒸着レートで安定すると、先ずシャッタ７４を開けて、蒸着源７２からＳｉＯ2を飛翔させる。このとき蒸着源７３のＭｇＦ2の蒸着レートは非常に小さく抑えられており、また、シャッタ７５は閉じているので、ＭｇＦ2は基板４１に到達することはない。
【００４８】
ＳｉＯ2膜４３ａが所定の膜厚に成膜されると、シャッタ７５を開け蒸着源７３からＭｇＦ2を飛翔させる。このとき、蒸着源７２からはＳｉＯ2が飛翔しているため、基板４１上にはＳｉＯ2とＭｇＦ2の領域Ｅが成膜される。
【００４９】
また、最初にＭｇＦ2の蒸着レートは非常に小さく抑えられているため、ＳｉＯ2の濃度の高い混合領域から基板４１上に成膜されていく。そして、膜厚センサ７７、７８でそれぞれの蒸着レートをモニタしながらＭｇＦ2の蒸着レートを徐々に大きく、ＳｉＯ2の蒸着レートを徐々に小さくしてゆく。それぞれの蒸着レートの変化量は領域Ｅが所定の膜厚になるときに、ＳｉＯ2の蒸着レートが０になるように予め算出しておく。領域Ｅが所定の膜厚に達すると、更に所定の厚さのＭｇＦ2膜４３ｂを成膜する。
【００５０】
なお本実施例においては、表層反射防止膜４３の総膜厚は光学モニタ７９を用いて測定し、λ／４（設計波長５５０ｎｍ）になるように成膜した。ＮＤ膜４２の形成は単一材料を積層するため、１つの蒸着源５２から所定の材料を蒸発させて成膜したが、ＳｉＯ2とＭｇＦ2の成分比率が徐々に変化する表層反射防止膜４３の成膜には、蒸着源７２、７３から同時にＳｉＯ2、ＭｇＦ2を蒸発させる必要がある。
【００５１】
また、領域Ｅの混合比率は上述した蒸着レートの比率により制御し、両材料の間で片方の蒸着レートを相対的に高くすると、その材料の混合比率は高くなる。
【００５２】
本実施例においては、このような構成のＮＤ膜４２及び表層反射防止膜４３を真空蒸着法により成膜したが、スパッタ法、イオンプレーティング法等の成膜法により形成してもよい。
【００５３】
本実施例におけるＮＤ膜４２は、図５に示すチャンバ５１を用いて成膜したが、図８に示すチャンバ７１を用いて成膜することも可能である。なお、この際に蒸着源７２にＡｌ2Ｏ3、蒸着源７３にＴｉＯｘを用いることもできる。
【００５４】
このような手段により、表層反射防止膜４３を形成し、基板４１をチャンバ７１から取り出した後に、最終工程で図９に示すように、複数のＮＤフィルタパターンを個々のＮＤフィルタ形状に切断する。この際に、透明領域まで含んで切断することにより、透明領域付きグラデーションＮＤフィルタ４０が得られる。なお本実施例において、成膜した表層反射防止膜４３を触針式膜厚測定器により膜厚を測定したところ９６ｎｍであった。
【００５５】
図１０は本実施例による表層反射防止膜４３と従来の単層反射防止層の反射率を比較したグラフ図である。上述したように、膜強度の強いＳｉＯ2単層膜の反射率は比較的高く、膜強度の弱いＭｇＦ2単層膜は極めて低い反射率を示している。ＭｇＦ2膜上にＳｉＯ2膜を成膜したものは、それぞれの膜厚により反射率は変化するが、おおよそＳｉＯ2単層膜とＭｇＦ2単層膜の反射率の間に入る。
【００５６】
これらに対して、本実施例による表層反射防止膜４３は、ＭｇＦ2単層膜とほぼ同等の反射率に抑えられており、極めて良好な反射率特性を有している。
【００５７】
また本実施例においては、光学フィルタ領域をグラデーションＮＤフィルタとしたが、図１１に示すように基板４１上に単一の透過率領域から成る単濃度のＮＤ膜８１を成膜した後に、表層反射防止膜４３を成膜した単濃度ＮＤフィルタ８２にすることもできる。更に、図１２に示すような複数の透過率領域から成る多濃度のＮＤ膜８３を有する多濃度ＮＤフィルタ８４についても適用可能である。
【００５８】
このようにして製作されたＮＤフィルタ４０を、図１に示す光量調節部材３２に使用した場合に、ゴースト等による画像劣化の少ない良好な光量絞り装置を実現することができる。
【００５９】
なお本実施例では、２枚の絞り羽根３９ａ、３９ｂを使用して、一方の絞り羽根３９ａにＮＤフィルタ４０を固定したものを示したが、絞り羽根３９の枚数は特に制限はない。また、ＮＤフィルタ４０は絞り羽根３９とは別個に駆動されて撮影光学系に挿入されるようにしてもよい。
【００６０】
更に、このようなＮＤフィルタ４０を利用する光量絞り装置は、ビデオカメラ等に使用される所謂アイリスユニットや、デジタルカメラ等に使用されるシャッタユニット等として利用される。
【００６１】
なお、材質や層構成、層数、成膜方法等は本実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】撮影光学系の概略図である。
【図２】ＮＤフィルタの断面図である。
【図３】ＮＤフィルタの膜構成図である。
【図４】ＮＤフィルタの表層反射防止膜の濃度分布の説明図である。
【図５】ＮＤ膜を成膜する蒸着装置の概略図である。
【図６】基板治具の拡大断面図である。
【図７】表層反射防止膜を成膜するための説明図である。
【図８】表層反射防止膜を成膜する蒸着装置の概略図である。
【図９】基板からＮＤフィルタを切断する説明図である。
【図１０】ＮＤフィルタの反射率のグラフである。
【図１１】単濃度ＮＤフィルタの断面図である。
【図１２】多濃度ＮＤフィルタの断面図である。
【図１３】従来のＮＤフィルタの膜構成図である。
【図１４】従来のＮＤフィルタの断面図である。
【図１５】従来のＮＤフィルタの断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
４０  ＮＤフィルタ
４１  樹脂基板
４２  ＮＤ膜
４２ａ  Ａｌ2Ｏ3膜
４２ｂ  ＴｉＯｘ膜
４３  表層反射防止膜
４３ａ  ＳｉＯ2膜
４３ｂ  ＭｇＦ2膜
５１、７１  チャンバ
５２、７２、７３  蒸着源
５３、７６  蒸着傘
５４  基板治具
５５、７９  光学モニタ
６１  蒸着パターン形成用マスク
７４、７５  シャッタ
７７、７８  膜厚センサ
【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図８】
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【図１０】
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【図１３】
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【図２】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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