(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段と、
基板の前記主面における前記エッチング液の着液点を、基板の前記主面のうち回転中心および周縁領域を除く領域内に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、基板の回転半径方向に沿う方向に延びた直線状の前記スキャン経路に沿って移動させる、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段と、
基板の前記主面における前記エッチング液の着液点を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動手段とを含み、
前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、前記回転中心と前記周縁領域との間の所定位置を中心とする円形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理装置。
【請求項４】
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段と、
基板の前記主面における前記エッチング液の着液点を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動手段とを含み、
前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、基板の前記主面の前記回転中心を中心とする渦形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理装置。
【請求項５】
前記着液点移動手段は、着液したエッチング液が前記主面上で拡がって当該主面の回転中心を通過することができるように定めた前記主面の回転中心近接位置を含むスキャン経路に沿って、前記エッチング液の前記着液点を移動させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記エッチング液供給手段は、前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給手段を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を回転させる基板回転ステップと、
この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、
このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点を、基板の前記主面のうち回転中心および周縁領域を除く領域内に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動ステップとを含む、基板処理方法。
【請求項８】
基板を回転させる基板回転ステップと、
この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、
このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動ステップとを含み、
前記着液点移動ステップは、前記エッチング液の前記着液点を、前記回転中心と前記周縁領域との間の所定位置を中心とする円形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理方法。
【請求項９】
基板を回転させる基板回転ステップと、
この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、
このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路に沿って移動させる着液点移動ステップとを含み、
前記着液点移動ステップは、前記エッチング液の前記着液点を、基板の前記主面の前記回転中心を中心とする渦形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の主面に対し、エッチング液を用いたエッチング処理を施すための基板処理装置および基板処理方法に関する。エッチング処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハに対して処理液を用いた液処理が行われる。このような液処理の一つは、エッチング液を半導体ウエハの主面に供給して行うエッチング処理である。ここでいうエッチング処理には、半導体ウエハの主面（半導体ウエハ自体または半導体ウエハ上に形成された薄膜）にパターンを形成するためのエッチング処理のほか、エッチング作用を利用して半導体ウエハ主面の異物を除去する洗浄処理が含まれる。
【０００３】
処理液を用いて半導体ウエハを処理するための基板処理装置には、複数枚の半導体ウエハに対して一括して処理を行うバッチ式のものと、半導体ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式のものとがある。枚葉式の基板処理装置は、たとえば、半導体ウエハをほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持されている半導体ウエハの主面に向けて処理液を供給する処理液ノズルと、この処理液ノズルを半導体ウエハ上で移動させるノズル移動機構とを備えている。
【０００４】
たとえば、半導体ウエハにおいてデバイスが形成されるデバイス形成面に対してエッチング処理を施したい場合には、半導体ウエハはデバイス形成面を上向きにしてスピンチャックに保持される。そして、スピンチャックによって回転される半導体ウエハの上面に処理液ノズルからエッチング液が吐出されるとともに、ノズル移動機構によって処理液ノズルが移動される。処理液ノズルの移動によって、半導体ウエハの上面におけるエッチング液の着液点が移動する。この着液点は、半導体ウエハの回転中心を通る弧形状の経路に沿って、半導体ウエハの上面の回転中心から周縁領域まで移動する。これにより、半導体ウエハの上面の全域にエッチング液を供給することができる。
【特許文献１】特開２００７−８８３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、半導体ウエハの上面の中央部に供給されたエッチング液は、半導体ウエハの回転による遠心力を受けて、半導体ウエハの上面の回転半径方向の外方に向けて移動するため、半導体ウエハの上面の中央部に存在するエッチング液は、比較的少量である。一方、処理液ノズルからのエッチング液に加えて、上面の中央部から移動するエッチング液が与えられる半導体ウエハの上面の周縁領域には、過剰な量のエッチング液が供給される。このため、半導体ウエハの上面の中央部におけるエッチングレートは、周縁領域におけるエッチングレートよりも低くなる。したがって、基板の上面内に処理の不均一が生じる。
【０００６】
また、半導体ウエハの主面の回転中心には、半導体ウエハの回転による遠心力がほとんど作用しない。そのため、半導体ウエハの上面の回転中心に供給されたエッチング液は、回転中心に滞留し、新たなエッチング液にほとんど置換されない。時間の経過によって速やかにエッチング力を失うタイプのエッチング液を用いる場合、エッチング液の置換が頻繁に行われないと、エッチング処理がほとんど進まない。このため、半導体ウエハの上面の回転中心におけるエッチングレートが著しく低くなることがあった。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板回転手段（２）と、前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段（３）と、基板の前記主面における前記エッチング液の着液点（Ｐ１；Ｐ２）を、基板の前記主面のうち回転中心および周縁領域を除く領域内に設定されたスキャン経路（Ｓ１；Ｓ２）に沿って移動させる着液点移動手段（１２，１３，１６）とを含む、基板処理装置（１；２０）である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、エッチング液供給手段からのエッチング液は、基板の回転中心を除く所定領域に直接供給される。基板の回転中心にエッチング液が直接供給されないので、基板の主面の回転中心においてエッチング液が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。このため、基板の主面の回転中心のエッチングレートを主面のその他の領域におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００１０】
着液点移動手段は、エッチング液供給手段の移動のほか、ノズルの吐出位置の角度の変更や、基板の移動であってもよいし、これらのうちの２つの以上の組み合わせであってもよい。
【００１４】
また、前記着液点移動手段は、基板の前記主面のうち回転中心および周縁領域を除く領域内に設定されたスキャン経路に沿って、前記エッチング液の前記着液点を移動させてもよい。この場合、基板の主面のうち周縁領域には、エッチング液供給手段からのエッチング液が直接供給されず、前記所定領域から移動するエッチング液が供給されるだけである。そのため、基板の主面の周縁領域へのエッチング液の供給が過剰になることを抑制することができる。したがって、基板の主面の周縁領域におけるエッチングレートを、前記所定領域におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を、より一層向上させることができる。
【００１５】
前記所定領域は、具体的には、基板が円形基板である場合に、基板半径の１／３倍〜１／２倍の半径を有する円内の領域であることが好ましい。さらに具体的には、基板の半径が１００ｍｍや１５０ｍｍである場合には、前記所定領域は、前記回転中心を中心とする５５ｍｍ程度の半径の円内の領域であることが好ましい。
請求項２に記載のように、前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、基板の回転半径方向に沿う方向に延びた直線状の前記スキャン経路に沿って移動させていてもよい。
【００１６】
この構成によれば、前記着液点が直線状のスキャン経路に沿って移動する。したがって、前記主面領域にエッチング液を均一に供給することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
ここで、直線状とは、基板の回転半径方向に沿う円弧形状をも含める概念である。
請求項２記載の構成が採用される場合、前記着液点移動手段は、その先端部に前記エッチング液供給手段が固定されて、所定の回転軸線を中心として基板の上方で揺動可能な揺動部材（１２）と、前記揺動部材を揺動させるための揺動駆動手段（１３）とを備えることが好ましい。
【００１７】
前記の目的を達成するための請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板回転手段（２）と、前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段（３１）と、基板の前記主面における前記エッチング液の着液点（Ｐ３）を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路（Ｓ３）に沿って移動させる着液点移動手段（１６，３３）とを含み、前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、前記回転中心と前記周縁領域との間の所定位置（Ｃ１）を中心とする円形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理装置（３０）である。
この構成によれば、エッチング液供給手段からのエッチング液は、基板の回転中心を除く所定領域に直接供給される。基板の回転中心にエッチング液が直接供給されないので、基板の主面の回転中心においてエッチング液が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。このため、基板の主面の回転中心のエッチングレートを主面のその他の領域におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
着液点移動手段は、エッチング液供給手段の移動のほか、ノズルの吐出位置の角度の変更や、基板の移動であってもよいし、これらのうちの２つの以上の組み合わせであってもよい。
また、着液点が円形状の無限スキャン経路に沿って移動する。したがって、前記主面にエッチング液を均一に供給することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００１８】
着液点を直線状のスキャン経路に沿って往復移動させる場合、そのスキャン経路の両端部では着液点が停止する。着液点の停止のために、所定領域の周縁にエッチング液が過剰に供給されるおそれがある。
これに対し、請求項３記載の構成では、着液点が、円形状の無限スキャン経路に沿って移動する。このため、所定領域の周縁におけるエッチング液の過剰な供給を防止することができる。
【００１９】
ここで、円形状とは、楕円形状をも含める概念である。
請求項３記載の構成が採用される場合、前記エッチング液供給手段が、所定の回転軸線を中心として回転可能に設けられ、前記基板の主面に向けてエッチング液を吐出する吐出口（３１Ｄ）を有し、前記着液点移動手段が、前記吐出口を回転させるための回転駆動手段（３３）とを備えることが好ましい。
【００２０】
前記の目的を達成するための請求項４記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させる基板回転手段（２）と、前記基板回転手段によって回転される基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給手段（４１）と、基板の前記主面における前記エッチング液の着液点（Ｐ４）を、前記主面の回転中心を除く所定領域に設定されたスキャン経路（Ｓ４）に沿って移動させる着液点移動手段（４３，４４，４７，４８）とを含み、前記着液点移動手段は、前記エッチング液の前記着液点を、基板の前記主面の前記回転中心を中心とする渦形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理装置（４０）である。
この構成によれば、エッチング液供給手段からのエッチング液は、基板の回転中心を除く所定領域に直接供給される。基板の回転中心にエッチング液が直接供給されないので、基板の主面の回転中心においてエッチング液が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。このため、基板の主面の回転中心のエッチングレートを主面のその他の領域におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
着液点移動手段は、エッチング液供給手段の移動のほか、ノズルの吐出位置の角度の変更や、基板の移動であってもよいし、これらのうちの２つの以上の組み合わせであってもよい。
また、着液点が、基板の回転中心を中心とする渦形状のスキャン経路に沿って移動する。したがって、所定領域のうち、基板の回転半径方向外方に向かうにつれてエッチング液を多く供給することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００２１】
着液点を直線状のスキャン経路に沿って往復移動させる場合には、そのスキャン経路の端部における着液点の停止に伴って、所定領域の周縁にエッチング液が過剰に供給されるおそれがある。
これに対し、請求項４記載の構成では、着液点が、経路長が長い渦形状のスキャン経路に沿って移動する。このため、直線状のスキャン経路の場合と比較して、着液点が停止する回数を少なくすることができる。したがって、所定領域の周縁におけるエッチング液の過剰な供給を防止することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００２２】
また、渦形状のスキャン経路を含む経路に沿って、着液点を連続的に移動させ続ける場合には、無限スキャン経路を実現することができる。かかる場合には、着液点が、円形状の無限スキャン経路に沿って移動するので、所定領域の周縁におけるエッチング液の過剰な供給をより一層防止することができる。
請求項４記載の構成が採用される場合、前記着液点移動手段は、前記エッチング液供給手段を保持し、前記基板の主面に沿う所定の一方向に沿ってスライド変位可能な第１の保持手段（４３）と、前記第１の保持手段を保持し、前記第１の保持手段を前記エッチング液供給手段ごと、前記所定の一方向と直交し、前記基板の主面に沿う方向に沿ってスライド変位可能な第２の保持手段（４４）と、前記第１の保持手段および前記第２の保持手段を、それぞれスライド変位させるための駆動手段（４７，４８）とを備えることが好ましい。
【００２３】
請求項５に記載のように、前記着液点移動手段は、着液したエッチング液が前記主面上で拡がって当該主面の回転中心を通過することができるように定めた前記主面の回転中心近接位置（Ｓ１１；Ｓ２１；Ｓ３１；Ｓ４１）を含むスキャン経路（Ｓ１；Ｓ２；Ｓ３；Ｓ４）に沿って、前記エッチング液の前記着液点を移動させることが好ましい。かかる近接位置に着液したエッチング液は、その着液点を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心に向けて拡がるエッチング液は、その回転中心を通り過ぎる。これにより、基板の主面の回転中心においてエッチング液が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
請求項６記載の発明は、前記エッチング液供給手段は、前記基板回転手段によって回転される基板の前記主面にフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）を供給するフッ硝酸供給手段を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、エッチング液としてフッ硝酸が用いられる。フッ硝酸は、新鮮な状態では非常に高いエッチング力を有するが、その反面、劣化速度が速く、速やかにエッチング力をほとんど失ってしまう。
【００２４】
一方、エッチング液供給手段からのエッチング液は、基板の回転中心を除く所定領域に直接供給される。そのため、基板の主面の回転中心にエッチング液が滞留しない。したがって、エッチング液としてフッ硝酸を用いる場合であっても、エッチング処理の面内均一性を保つことができる。そして、フッ硝酸を用いてエッチング処理を行うので、基板全体のエッチングレートを高めることができる。
【００２５】
請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転ステップと、この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段（３）から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点（Ｐ１；Ｐ２）を、基板の前記主面のうち回転中心および周縁領域を除く領域内に設定されたスキャン経路（Ｓ１；Ｓ２）に沿って移動させる着液点移動ステップとを含む、基板処理方法である。
【００２６】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
請求項８記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転ステップと、この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段（３１）から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点（Ｐ３）を、前記主面の回転中心を除く所定領域内に設定されたスキャン経路（Ｓ３）に沿って移動させる着液点移動ステップとを含み、前記着液点移動ステップは、前記エッチング液の前記着液点を、前記回転中心と前記周縁領域との間の所定位置（Ｃ１）を中心とする円形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理方法である。
この方法によれば、請求項３に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
請求項９記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させる基板回転ステップと、この基板回転ステップと並行して実行され、エッチング液供給手段（４１）から基板の主面にエッチング液を供給し、基板の前記主面に前記エッチング液を着液させるエッチング液供給ステップと、このエッチング液供給ステップと並行して実行され、前記エッチング液供給手段から供給される前記エッチング液の基板の前記主面における前記着液点（Ｐ４）を、前記主面の回転中心を除く所定領域内に設定されたスキャン経路（Ｓ４）に沿って移動させる着液点移動ステップとを含み、前記着液点移動ステップは、前記エッチング液の前記着液点を、基板の前記主面の前記回転中心を中心とする渦形状の前記スキャン経路に沿って移動させる、基板処理方法である。
この方法によれば、請求項４に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の基本的な構成を説明するための斜視図である。
この基板処理装置１は、たとえばシリコンウエハからなる円板状の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗにおけるデバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面（上面）２に対して、ウエハＷのシンニングのためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。この実施形態では、エッチング液として、たとえばフッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）が用いられる。
【００２９】
この基板処理装置1は、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心（回転中心Ｃ）を通る鉛直軸線まわりにウエハＷを回転させるスピンチャック２と、このスピンチャック２に保持されたウエハＷの裏面（上面）にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル３と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面にＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル４とを備えている。
【００３０】
スピンチャック２は、チャック回転駆動機構５によって回転される回転軸６の上端に固定されたほぼ円板形状のスピンベース７と、このスピンベース７の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材８とを備えている。これにより、スピンチャック２は、複数個の挟持部材８によってウエハＷを挟持した状態で、チャック回転駆動機構５の回転駆動力によって回転軸６を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース７とともにウエハＷの回転中心Ｃを通る鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００３１】
フッ硝酸ノズル３は、連続流の状態でフッ硝酸を吐出するストレートノズルである。フッ硝酸ノズル３には、フッ硝酸供給管９が接続されている。フッ硝酸供給管９には、フッ硝酸供給源からのフッ硝酸が供給されるようになっており、その途中部には、フッ硝酸ノズル３へのフッ硝酸の供給および供給停止を切り換えるためのフッ硝酸バルブ１０が介装されている。
【００３２】
また、フッ硝酸ノズル３は、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１を変更することができるスキャンノズルとしての基本形態を有している。具体的には、スピンチャック２の側方には、アーム支持軸１１が鉛直方向にほぼ沿って配置されている。フッ硝酸ノズル３は、アーム支持軸１１の上端部からほぼ水平に延びたアーム１２の先端部に、その吐出口を鉛直下向きに向けて取り付けられている。アーム支持軸１１には、アーム支持軸１１をその回転軸線周りに所定の角度範囲で回動させるアーム揺動駆動機構１３が結合されている。アーム揺動駆動機構１３からアーム支持軸１１に駆動力を入力して、アーム支持軸１１を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上方でアーム１２を揺動させることができる。これに伴い、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面において、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸の着液点Ｐ１を、アーム支持軸１１を中心とする円弧形状の軌道に沿ってスキャン（移動）させることができる。
【００３３】
ＤＩＷノズル４は、スピンチャック２の上方で、その吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。このＤＩＷノズル４には、ＤＩＷ供給管１４が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷがＤＩＷ供給管１４を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管１４の途中部には、ＤＩＷノズル４へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ１５が介装されている。
【００３４】
この基板処理装置１はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置１６を備えている。
制御装置１６には、チャック回転駆動機構５、アーム揺動駆動機構１３、フッ硝酸バルブ１０およびＤＩＷバルブ１５などが制御対象として接続されている。
制御装置１６は、予め定められたプログラムに従って、チャック回転駆動機構５およびアーム揺動駆動機構１３の動作を制御する。また、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０およびＤＩＷバルブ１５の開閉を制御する。
【００３５】
図２は、フッ硝酸の着液点Ｐ１の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、アーム支持軸１１を中心とする円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する。このスキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転半径方向にほぼ沿って延びている。
この実施形態では、スキャン経路Ｓ１は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃに近接する近接位置Ｓ１１と、この近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置する離隔位置Ｓ１２とを結ぶ線分である。すなわち、スキャン経路Ｓ１はウエハＷの回転半径方向に沿って延びている。
【００３６】
ウエハＷの回転中心Ｃと近接位置Ｓ１１とは、微小間隔Ｌ１だけ隔てられている。ウエハＷの回転中心Ｃと離隔位置Ｓ１２とは、間隔Ｌ２だけ隔てられている。間隔Ｌ１は、たとえば、３〜５ｍｍ程度である。また、間隔Ｌ２は、たとえば、ウエハＷの半径Ｒ（たとえば、１００ｍｍまたは１５０ｍｍ）の１／３〜１／２程度（たとえば、５５ｍｍ程度）が適当である。
【００３７】
この基板処理装置１におけるフッ硝酸を用いた処理では、フッ硝酸ノズル３からウエハＷの上面にフッ硝酸が供給されつつ、フッ硝酸ノズル３が、ウエハＷの近接位置Ｓ１１の上方と、ウエハＷの離隔位置Ｓ１２の上方との間を往復移動する。このフッ硝酸ノズル３の往復移動によって、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ１は、近接位置Ｓ１１と、離隔位置Ｓ１２との間で往復移動する。
【００３８】
以下、図１および図２を参照して、ウエハＷの上面へのエッチング処理について説明する。
ウエハＷの処理に際して、まず、図示しない基板搬送ロボットによって未処理のウエハＷがスピンチャック２に受け渡される。なお、スピンチャック２へのウエハＷの受け渡し時には、フッ硝酸ノズル３は、スピンチャック２の側方の退避位置に退避させられており、また、フッ硝酸バルブ１０およびＤＩＷバルブ１５は、いずれも閉状態に制御されている。
【００３９】
ウエハＷがスピンチャック２へ受け渡された後、制御装置１６は、チャック回転駆動機構５を駆動して、スピンベース７をウエハＷごと、所定の液処理回転速度（たとえば１００〜３００ｒｐｍ程度）で回転方向１７に等速回転させる。また、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３を、ウエハＷの近接位置Ｓ１１の上方へと導く。その後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開いて、フッ硝酸ノズル３からフッ硝酸を吐出させる。
【００４０】
一方で、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を制御し、アーム１２を等速で揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの回転半径方向の外方に向けて導く。このため、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐ１が、近接位置Ｓ１１から離隔位置Ｓ１２に至る範囲を、ほぼ直線状とみなせる円弧形状の軌跡を描きつつ等速で移動する。
【００４１】
アーム１２の揺動によって、フッ硝酸の着液点Ｐ１がウエハＷの離隔位置Ｓ１２に到達すると、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開けた状態を継続しつつ、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を等速で揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの上面の近接位置Ｓ１１の上方へと戻す。これにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面上で、フッ硝酸の着液点Ｐ１の往復スキャン（移動）が実現される。フッ硝酸の着液点Ｐ１がウエハＷの近接位置Ｓ１１から離隔位置Ｓ１２を経由して再び近接位置Ｓ１１まで戻るのにたとえば約４秒間要する。その後、予め定める処理時間が経過するまで、フッ硝酸の着液点Ｐ１の往復スキャンが繰り返し行われる。なお、この往復スキャン中において、フッ硝酸ノズル３から吐出されるフッ硝酸の流量は一定に保たれている。
【００４２】
これにより、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸の着液点Ｐ１は、ウエハＷの上面のうち、間隔Ｌ２を半径とするウエハＷの同心円の内側領域で、かつ、回転中心Ｃを除くリング状の領域（以下、「フッ硝酸着液領域」という。）をスキャンする。そして、ウエハＷの上面のうち前記フッ硝酸着液領域の外側の領域（以下、「外側領域」という。）には、フッ硝酸は直接供給されない。この外側領域には、ウエハＷの回転に伴う遠心力を受けてフッ硝酸着液領域から移動するフッ硝酸が供給されるだけである。
【００４３】
また、着液点Ｐ１が近接位置Ｓ１１にあるとき、フッ硝酸はその着液点Ｐ１（近接位置Ｓ１１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸が、その回転中心Ｃを通り過ぎるように、近接位置Ｓ１１と回転中心Ｃとの間隔Ｌ１が設定されている。そのため、着液点Ｐ１に着液したフッ硝酸が回転中心Ｃを通り過ぎる。これにより、ウエハＷの上面の回転中心Ｃにおいて、フッ硝酸が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
【００４４】
フッ硝酸による処理を所定時間だけ行った後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を閉じ、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸の吐出を停止させる。また、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を駆動して、アーム１２を揺動させ、フッ硝酸ノズル３をスピンチャック２の側方の退避位置に退避させる。
次に、制御装置１６は、ＤＩＷバルブ１５を開いて、ＤＩＷノズル４から、回転状態のウエハＷの上面の回転中心ＣにＤＩＷを供給する。これにより、ウエハＷの上面のフッ硝酸が洗い流されて、ウエハＷの上面にリンス処理が施される。
【００４５】
このリンス処理を所定時間行った後に、制御装置１６は、ＤＩＷバルブ１５を閉じてリンス処理を終了させる。制御装置１６は、さらにチャック回転駆動機構５を制御して、スピンチャック２の回転速度を所定の乾燥回転速度に加速する。これによって、ウエハＷの上面の水分が遠心力によって振り切られ、ウエハＷが乾燥処理される。
乾燥処理を所定時間行った後、制御装置１６は、チャック回転駆動機構５を制御して、スピンチャック２の回転を停止させる。その後、処理済みのウエハＷが図示しない基板搬送ロボットによって搬送される。
【００４６】
次に、実施例および比較例について説明する。
回転状態にある外径３００ｍｍのシリコンウエハＷの上面（裏面）に対し、図１に示すスキャンノズルの形態に構成されたフッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸を供給して、シンニングのためのエッチング処理を施す試験を行った。
このエッチング試験では、硝酸とフッ酸とを重量比５：１の割合で混合して作製したフッ硝酸が、２．０Ｌ／ｍｉｎの流量でフッ硝酸ノズル３からウエハＷに吐出された。エッチング時間は６０秒であり、エッチング量に基づいてエッチングレートの面内分布を求めた。
【００４７】
実施例１では、フッ硝酸の着液点Ｐ１は、前述の図２に示す円弧形状のスキャン経路Ｓ１に沿って、回転中心Ｃから３ｍｍ隔てた近接位置Ｓ１１と、その近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置し、回転中心Ｃから５５ｍｍ隔てた離隔位置Ｓ１２との間で往復スキャンされた。エッチング処理中におけるウエハＷの回転速度は２５０ｒｐｍであった。
【００４８】
実施例２では、フッ硝酸の着液点Ｐ１は、前述の図２に示す円弧形状のスキャン経路Ｓ１に沿って、回転中心Ｃから３ｍｍ隔てた近接位置Ｓ１１と、その近接位置Ｓ１１よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置し、回転中心Ｃから５５ｍｍ隔てた離隔位置Ｓ１２との間で往復スキャンされた。エッチング処理中におけるウエハＷの回転速度は１００ｒｐｍであった。
【００４９】
比較例１では、フッ硝酸の着液点は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状のスキャン経路に沿って、ウエハＷの周縁領域と、当該周縁領域と回転中心Ｃを隔てた反対側の周縁領域との間を往復させた。エッチング処理中におけるウエハＷの回転速度は１０００ｒｐｍであった。
比較例２では、フッ硝酸の着液点は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状のスキャン経路に沿って、ウエハＷの周縁領域と、当該周縁領域と回転中心Ｃを隔てた反対側の周縁領域との間を往復させた。エッチング処理中におけるウエハＷの回転速度は５００ｒｐｍであった。
【００５０】
図３および図４は、エッチング試験でのエッチングレートの面内分布を示すグラフである。図３および図４において、横軸はウエハＷの回転中心Ｃからの距離（ｙ）を示しており、縦軸はエッチングレート（Each Rate）を示している。
図３には、実施例１および実施例２のエッチング試験の結果を示し、図４には、比較例１および比較例２のエッチング試験の結果を示す。比較例１および比較例２では、エッチングレートは、回転中心Ｃからの距離ｙにほぼ比例して急激に上昇している。一方、実施例１および２では、回転中心Ｃから離れるにつれて、エッチングレートに若干の上昇が見られるものの、そのグラフの勾配は小さい。とくに実施例２におけるエッチングレートのグラフの勾配は極めて小さい。なお、実施例２において、周縁領域（ｙ＝１４５〜１５０ｍｍ）においてエッチングレートが急激に変化しているが、これは、周縁領域における測定乱れに起因するものである。
【００５１】
図３および図４から、実施例１および実施例２において、エッチングによる面内均一性が優れていることが理解される。また、とくに実施例２において、エッチングによる面内均一性がより一層優れていることが理解される。
以上によりこの実施形態によれば、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸は、ウエハＷの上面のうち回転中心Ｃおよび周縁領域を除く所定のフッ硝酸着液領域に直接供給される。フッ硝酸着液領域に供給されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁領域に向けて移動する。
【００５２】
ウエハＷの上面の外側領域には、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸が直接供給されず、フッ硝酸着液領域から移動するフッ硝酸が供給されるだけである。そのため、外側領域へのフッ硝酸の供給が過剰になることを抑制することができる。したがって、外側領域におけるエッチングレートを、フッ硝酸着液領域におけるエッチングレートとほぼ同程度に保つことができる。
【００５３】
また、近接位置Ｓ１１に着液したフッ硝酸は、その着液点Ｐ１（近接位置Ｓ１１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸は、その回転中心Ｃを通り過ぎていく。これにより、ウエハＷの上面の回転中心Ｃにおいて、フッ硝酸が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
以上により、フッ硝酸着液領域ではフッ硝酸によるエッチング処理が良好に施されるとともに、ウエハＷの周縁領域ではフッ硝酸の過剰な供給がない。しかも、回転中心Ｃにおいてもフッ硝酸の滞留がない。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００５４】
また、エッチング液としてフッ硝酸が用いられる。フッ硝酸は、新鮮な状態では非常に高いエッチング力を有するが、その反面、劣化速度が速く、速やかにエッチング力をほとんど失ってしまう。
一方、ウエハＷの回転中心Ｃにフッ硝酸が滞留せず、また、ウエハＷの周縁領域にフッ硝酸が過剰に供給されないので、エッチング液としてフッ硝酸を用いる場合であっても、エッチング処理の面内均一性を保つことができる。そして、フッ硝酸を用いてエッチング処理を行うので、ウエハＷ全体のエッチングレートを高めることができる。
【００５５】
図５は、この発明の他の実施形態（第２の実施形態）に係る基板処理装置２０におけるフッ硝酸の着液点Ｐ２の移動経路を説明するための図解的な平面図である。この第２の実施形態において、前述の実施形態（第１の実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１の実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この実施形態（第２の実施形態）では、スキャン経路Ｓ２は、ウエハＷの回転中心Ｃに近接する近接位置Ｓ２１を通り、回転中心Ｃから間隔Ｌ４だけ隔てた第１離隔位置Ｓ２２と、この第１離隔位置Ｓ２２から回転中心Ｃを隔てた反対側に位置する第２離隔位置Ｓ２３とを結ぶ線分とみなすことができるほぼ直線状の円弧である。第２離隔位置Ｓ２３は、回転中心Ｃから間隔Ｌ５だけ隔てられている。スキャン経路Ｓ２は、回転中心Ｃを通らず、回転中心ＣよりもウエハＷの回転半径方向にずれている。間隔Ｌ４およびＬ５は、ともに、たとえば、ウエハＷの半径Ｒ（たとえば、１００ｍｍまたは１５０ｍｍ）の１／３〜１／２程度のサイズ（たとえば、５５ｍｍ程度）が適当である。なお、近接位置Ｓ２１は、スキャン経路Ｓ２のうち最も回転中心Ｃに近づく位置であり、回転中心Ｃから微小間隔Ｌ３だけ隔てて位置している。間隔Ｌ３は、たとえば３〜５ｍｍ程度である。
【００５６】
前述の第１の実施形態と同様に、制御装置１６は、チャック回転駆動機構５を駆動して、スピンベース７をウエハＷごと、所定の液処理回転速度で等速回転させる。また、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３を、近接位置Ｓ２１の上方へと導く。その後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開いて、フッ硝酸ノズル３からフッ硝酸を吐出させる。
【００５７】
一方で、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を制御し、アーム１２を等速で揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの回転半径方向の外方に向けて導く。このため、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐ２が、第１離隔位置Ｓ２２から第２離隔位置Ｓ２３に至る範囲を、ほぼ直線状とみなせる円弧形状の軌跡を描きつつ等速で移動する。
【００５８】
アーム１２の揺動によって、フッ硝酸の着液点Ｐ２が第２離隔位置Ｓ２３に到達すると、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開けた状態を継続しつつ、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの上面の第１離隔位置Ｓ２２の上方へと戻す。これにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面上で、フッ硝酸の着液点Ｐ２の往復スキャン（移動）が実現される。このとき、フッ硝酸の着液点Ｐ２がウエハＷの第１離隔位置Ｓ２２から近接位置Ｓ２１を経由して第２離隔位置Ｓ２３まで達するのにたとえば約４秒間要する。フッ硝酸の着液点Ｐ２の往復スキャンは、予め定める処理時間が経過するまで繰り返し行われる。
【００５９】
これにより、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸の着液点Ｐ２は、ウエハＷの上面のうち、間隔Ｌ４（Ｌ５）を半径とする円の内側領域で、かつ、回転中心Ｃを除くリング状のフッ硝酸着液領域をスキャンする。そして、ウエハＷの上面のうち前記フッ硝酸着液領域の外側の外側領域には、フッ硝酸は直接供給されない。前記外側領域には、ウエハＷの回転に伴う遠心力を受けて前記フッ硝酸着液領域から移動するフッ硝酸が供給されるだけである。
【００６０】
また、着液点Ｐ２が近接位置Ｓ２１にあるとき、フッ硝酸はその着液点Ｐ２（近接位置Ｓ２１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸が、その回転中心Ｃを通り過ぎるように、近接位置Ｓ２１と回転中心Ｃとの間隔Ｌ３が設定されている。これにより、ウエハＷの上面の回転中心Ｃにおいて、フッ硝酸が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
【００６１】
図６は、この発明のさらに他の実施形態（第３の実施形態）に係る基板処理装置７０におけるフッ硝酸の着液点Ｐ７の移動経路を説明するための図解的な平面図である。この第３の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、第１の実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この実施形態では、スキャン経路Ｓ７は、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道のうち、ウエハＷの回転中心Ｃに近接する近接位置Ｓ７１と、ウエハＷの周端縁よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置する基板外位置Ｓ７２とを結ぶ線分とみなすことのできるの円弧（直線状）である。近接位置Ｓ７１は、回転中心Ｃから間隔Ｌ１０だけ隔てられている。また、基板外位置Ｓ７２は、ウエハＷの回転中心Ｃから、ウエハＷの半径よりも大きい間隔Ｌ１１だけ隔てられている。半径１００ｍｍのウエハＷを用いる場合に、間隔Ｌ１０としてたとえば２２．５ｍｍ程度を、間隔Ｌ１１としてたとえば１０８ｍｍ程度を例示することができる。
【００６２】
この基板処理装置７０におけるフッ硝酸を用いた処理では、フッ硝酸ノズル３からウエハＷの上面にフッ硝酸が供給されつつ、フッ硝酸ノズル３が、ウエハＷの近接位置Ｓ７１の上方と、基板外位置Ｓ７２の上方（ウエハＷの上方領域外）との間を往復移動する。このフッ硝酸ノズル３の往復移動によって、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸の着液点Ｐ５は、近接位置Ｓ７１と、基板外位置Ｓ７２とを結ぶスキャン経路Ｐ７に沿って往復移動する。
【００６３】
具体的には、チャック回転駆動機構５を駆動して、スピンベース７をウエハＷごと、所定の液処理回転速度で等速回転させる。このときの液処理回転速度は、所定の低回転速度（たとえば４０〜６０ｒｐｍ）に設定される。また、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３を近接位置Ｓ７１の上方へと導く。その後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開いて、フッ硝酸ノズル３からフッ硝酸を吐出させる。
【００６４】
一方で、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を制御し、アーム１２を等速で揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの回転半径方向の外方に向けて導く。このため、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐ７が、近接位置Ｓ７１から基板外位置Ｓ７２に至る範囲を、円弧形状（直線状）の軌跡を描きつつ等速で移動する。
【００６５】
アーム１２の揺動によって、フッ硝酸の着液点Ｐ７が基板外位置Ｐ７２に到達すると、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開けた状態を継続しつつ、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３をウエハＷの上面の近接位置Ｓ７１の上方へと戻す。これにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面上で、フッ硝酸の着液点Ｐ７の往復スキャン（移動）が実現される。このとき、フッ硝酸の着液点Ｐ７がウエハＷの近接位置Ｓ７１から基板外位置Ｓ７２を経由して再び近接位置Ｓ７１にまで戻るのにたとえば約１．５秒間要する。フッ硝酸の着液点Ｐ７の往復スキャンは、予め定める処理時間が経過するまで繰り返し行われる。
【００６６】
この実施形態（第３の実施形態）では、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸の着液点Ｐ７は、ウエハＷの上面のうち、間隔Ｌ１０を半径とする円外のリング状のフッ硝酸着液領域をスキャンする。エッチング処理時においてウエハＷが低回転速度（たとえば４０〜６０ｒｐｍ程度）で回転されているので、ウエハＷの上面の周縁領域に過剰な流量のフッ硝酸が供給されない。したがって、ウエハＷの上面の周縁領域におけるエッチングレートの上昇を抑制することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
【００６７】
また、着液点Ｐ７が近接位置Ｓ７１にあるとき、フッ硝酸はその着液点Ｐ７（近接位置Ｓ７１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸が、その回転中心Ｃを通り過ぎるように、近接位置Ｓ７１と回転中心Ｃとの間隔Ｌ１０が設定されている。この第３の実施形態では、エッチング処理時においてウエハＷが第１の実施形態における液処理回転速度よりも低い低回転速度（たとえば４０〜６０ｒｐｍ程度）で回転されるので、ウエハＷの上面に着液したフッ硝酸に対して作用する遠心力は比較的小さい。そのため、回転中心Ｃと近接位置Ｓ７１との間隔Ｌ１０を、第１の実施形態における回転中心Ｃと近接位置Ｓ１１との間隔Ｌ２よりも大きい距離（２２．５ｍｍ）に設定しても、近接位置Ｓ７１に供給されたフッ硝酸をウエハＷの上面の回転中心Ｃに供給する（通過させる）ことができる。
【００６８】
ところで、シリコンウエハからなるウエハＷの上面におけるフッ硝酸に対する疎液性は高い。そのため、フッ硝酸ノズル３から吐出されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの周縁領域に移動して、ウエハＷの上面の周縁領域に液溜まりを形成して滞留するおそれがある。一方、フッ硝酸はその劣化速度が速く、ウエハＷの上面に供給された直後には活性な状態を保持しているが、時間の経過とともに失活してしまう。そのため、ウエハＷの回転速度を低下させた場合、ウエハＷ周縁領域の液溜まりには、主として失活した液が存在するようになる。その結果、ウエハＷの周縁領域で、新液への置換が進みにくく、エッチングレートが低下するという問題がある。
【００６９】
これに対し、フッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸がウエハＷの上面の周縁領域に供給されているので、このウエハＷの周縁領域におけるフッ硝酸の液溜まりに対してフッ硝酸を直接供給することで液溜まりを強制的に排除することができる。
次に、実施例３について説明する。
回転状態にある外径２００ｍｍのシリコンウエハＷの上面（裏面）に対し、図１に示すスキャンノズルの形態に構成されたフッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸を供給して、シンニングのためのエッチング処理を施す試験を行った。
【００７０】
このエッチング試験では、硝酸とフッ酸とを重量比５：１の割合で混合して作製したフッ硝酸が、０．８８Ｌ／ｍｉｎの流量でフッ硝酸ノズル３からウエハＷに吐出された。エッチング時間は３００秒であり、エッチング量に基づいてエッチングレートの面内分布を求めた。
この実施例３では、フッ硝酸の着液点Ｐ７は、前述の図６に示す円弧形状のスキャン経路Ｓ７に沿って、回転中心Ｃから２２．５ｍｍ隔てた近接位置Ｓ７１と、ウエハＷの周端縁よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置し、回転中心Ｃから１０８ｍｍ隔てた離隔位置Ｓ７２との間で往復スキャンされた。エッチング処理中におけるウエハＷの回転速度は５０ｒｐｍであり、フッ硝酸ノズル３のスキャン方向への移動速度は、１６０ｍｍ／ｓｅｃであった。
【００７１】
実施例３のエッチング試験では、回転中心Ｃからの距離によらずに、エッチングレートのプロファイルはほぼ均一になるという結果が得られた。このことから、実施例３では、エッチングによる面内均一性が優れていることが理解される。
図７は、この発明のさらに他の実施形態（第４の実施形態）に係る基板処理装置３０の要部構成を示す断面図である。
【００７２】
この第４の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、第１の実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第４の実施形態に係る基板処理装置３０では、前述の第１の実施形態のようにフッ硝酸の着液点Ｐ１が円弧形状（ほぼ直線状）のスキャン経路Ｓ１に沿って移動する構成ではなく、フッ硝酸の着液点Ｐ３が、円形状のスキャン経路Ｓ３に沿って円移動する構成である。
【００７３】
基板処理装置３０は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル３１を備えている。フッ硝酸ノズル３１は、鉤形形状に形成されており、連続流の状態でフッ硝酸を吐出するストレートノズルである。フッ硝酸ノズル３１は、アーム１２の先端に回転可能に取り付けられ、ほぼ鉛直に延びる一端部３１Ａと、一端部３１Ａの下端からほぼ水平に延びる水平部３１Ｂと、水平部３１Ｂの先端からほぼ鉛直に延び、その先端に鉛直下向きの吐出口３１Ｄを有する他端部３１Ｃとを備えている。フッ硝酸ノズル３１は、アーム１２の先端部の回転軸線Ｃ１を中心として回転可能とされている。
【００７４】
フッ硝酸ノズル３１には、アーム１２の内部に配置されたフッ硝酸供給管９からのフッ硝酸が供給される。フッ硝酸供給管９は回転継手３２を介してフッ硝酸ノズル３１に接続されている。このため、回転状態にあるフッ硝酸ノズル３１に対して、フッ硝酸供給管９からのフッ硝酸を供給することができる。
フッ硝酸ノズル３１には、ノズル回転駆動機構３３が結合されている。ノズル回転駆動機構３３からフッ硝酸ノズル３１に駆動力を入力して、フッ硝酸ノズル３１を回転させることにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上方で、フッ硝酸ノズル３１を揺動させることができる。これにより、フッ硝酸ノズル３１の吐出口３１Ｄを、回転軸線Ｃ１を中心として回転させることができる。これに伴い、ウエハＷの上面におけるフッ硝酸ノズル３１からのフッ硝酸の着液点Ｐ３を円スキャン（移動）させることができる。なお、図７ではＤＩＷノズル４、ＤＩＷ供給管１４およびＤＩＷバルブ１５の図示を省略している。
【００７５】
制御装置１６には、チャック回転駆動機構５、アーム揺動駆動機構１３、フッ硝酸バルブ１０、ＤＩＷバルブ１５、ノズル回転駆動機構３３などが制御対象として接続されている。
制御装置１６は、予め定められたプログラムに従って、チャック回転駆動機構５、アーム揺動駆動機構１３およびノズル回転駆動機構３３の動作を制御する。
【００７６】
図８は、フッ硝酸の着液点Ｐ３の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
この実施形態（第４の実施形態）では、スキャン経路Ｓ３は、フッ硝酸ノズル３１の回転軸線Ｃ１を中心とする円形状のものである。この実施形態では、アーム揺動駆動機構１３によりアーム１２を揺動させることにより、フッ硝酸ノズル３１の回転軸線Ｃ１が、ウエハＷの回転中心Ｃと所定間隔隔てた位置に配置される。その間隔は、回転軸線Ｃ１と吐出口３１Ｄとの間隔（フッ硝酸ノズル３１の水平部３１Ｂの長さ）よりも若干長く設定されている。そのため、円形状のスキャン経路Ｓ３は、その半径が回転軸線Ｃ１とウエハＷの回転中心Ｃとの間隔よりも短く設定されており、そのため、ウエハＷの回転中心Ｃを通らずに、回転中心Ｃに近接する近接位置Ｓ３１を通る。
【００７７】
近接位置Ｓ３１は、スキャン経路Ｓ３上で、ウエハＷの回転中心Ｃに最も近接する位置であり、ウエハＷの回転中心Ｃから微小間隔Ｌ６だけ隔てられている。また、スキャン経路Ｓ３上で、ウエハＷの回転中心Ｃから最も離間する離隔位置Ｓ３２は、ウエハＷの回転中心Ｃから間隔Ｌ７だけ隔てられている。間隔Ｌ６は、たとえば、３〜５ｍｍ程度である。また、間隔Ｌ７は、たとえば、ウエハＷの半径Ｒ（たとえば、１００ｍｍまたは１５０ｍｍ）の１／３〜１／２程度（たとえば、５５ｍｍ程度）が適当である。
【００７８】
前述の第１の実施形態と同様に、制御装置１６は、チャック回転駆動機構５を駆動して、スピンベース７をウエハＷごと、所定の液処理回転速度で所定の回転方向１７に等速回転させる。また、制御装置１６は、アーム揺動駆動機構１３を駆動し、アーム１２を揺動させて、フッ硝酸ノズル３１をウエハＷの上方位置へと導く。その後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開いて、フッ硝酸ノズル３１からフッ硝酸を吐出させる。
【００７９】
一方で、制御装置１６は、ノズル回転駆動機構３３を制御し、フッ硝酸ノズル３１を等速で揺動させて、フッ硝酸ノズル３１の吐出口３１Ｄを所定の回転方向（ウエハＷの回転方向１７と同方向）に回転させる。このため、吐出口３１Ｄからのフッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐ３が、円形の軌跡を描きつつ等速で移動する。
これにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面上で、フッ硝酸の着液点Ｐ３の円スキャン（移動）が実現される。フッ硝酸の着液点Ｐ３がウエハＷの近接位置Ｓ３１から離隔位置Ｓ３２を経由して再び近接位置Ｓ３１に戻るのにたとえば約４秒間要する。フッ硝酸の着液点Ｐ３の円スキャンは、予め定める処理時間が経過するまで繰り返し行われる。なお、この円スキャン中において、吐出口３１Ｄから吐出されるフッ硝酸の流量は一定に保たれている。
【００８０】
フッ硝酸ノズル３１からのフッ硝酸の着液点Ｐ３は、ウエハＷの上面のうち、間隔Ｌ７を半径とする円の内側領域で、かつ、回転中心Ｃを除くリング状のフッ硝酸着液領域をスキャンする。そして、ウエハＷの上面のうちフッ硝酸着液領域の外側の外側領域には、フッ硝酸は直接供給されない。前記外側領域には、ウエハＷの回転に伴う遠心力を受けて前記フッ硝酸着液領域から移動されるフッ硝酸が供給されるだけである。
【００８１】
また、着液点Ｐ３が近接位置Ｓ３１にあるとき、フッ硝酸はその着液点Ｐ３（近接位置Ｓ３１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸が、その回転中心Ｃを通り過ぎるように、近接位置Ｓ３１と回転中心Ｃとの間隔Ｌ６が設定されている。これにより、ウエハＷの上面の回転中心Ｃにおいて、フッ硝酸が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
【００８２】
この実施形態（第４の実施形態）では、着液点Ｐ３が円形のスキャン経路Ｓ３に沿って移動する。したがって、フッ硝酸着液領域にフッ硝酸を均一に供給することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
また、前述の第１の実施形態では、着液点Ｐ１をほぼ直線状のスキャン経路Ｓ１に沿って往復移動させるため、そのスキャン経路Ｓ１の両端の位置Ｓ１１，Ｓ１２において、着液点Ｐ１の停止が生じる。したがって、フッ硝酸着液領域の周縁にフッ硝酸が過剰に供給されるおそれがある。
【００８３】
これに対し、第４の実施形態では、着液点Ｐ３が、円形状の無限スキャン経路Ｓ３に沿って移動する。このため、フッ硝酸着液領域の周縁におけるフッ硝酸の過剰な供給を防止することができる。
図９は、この発明のさらに他の実施形態（第５の実施形態）に係る基板処理装置４０の要部構成を示す断面図である。図１０は、図９を、矢印Ａ方向から見た図である。
【００８４】
この第５の実施形態において、第１の実施形態に示された各部に対応する部分には、第１の実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第５の実施形態に係る基板処理装置４０では、フッ硝酸の着液点Ｐ４が、渦状のスキャン経路Ｓ４に沿って移動される。
この基板処理装置４０は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの裏面（上面）にフッ硝酸を供給するためのフッ硝酸ノズル４１を備えている。フッ硝酸ノズル４１は、連続流の状態でフッ硝酸を吐出するストレートノズルである。フッ硝酸ノズル４１は、その吐出口を鉛直下向きに向けた姿勢で、ノズル保持機構４２によって保持されている。
【００８５】
ノズル保持機構４２は、フッ硝酸ノズル４１の上端が固定され、フッ硝酸ノズル４１を支持するノズルホルダ４３と、所定のＹ方向に延び、このノズルホルダ４３をＹ方向に沿ってスライド変位可能に保持する第１レール４４と、Ｙ方向と直交するＸ方向に延び、第１レール４４をＸ方向に沿ってスライド変位可能に保持する第２レール４５と、第２レール４５の両端部と接触して、第２レール４５を支持する一対のレール支持部材４６を備えている。Ｘ方向およびＹ方向は、ともに、ウエハＷの主面に沿う方向（水平方向）に延びている。
【００８６】
ノズルホルダ４３は、第１レール４４の下面に取り付けられている。ノズルホルダ４３には、Ｙ方向駆動機構４７が結合されている。Ｙ方向駆動機構４７の駆動力によって、ノズルホルダ４３をＹ方向に沿ってスライド変位させることができるようになっている。
第１レール４４は、その一端部（図１０で示す上側端部）において、その上面が第２レールの下面に取り付けられている。第１レール４４には、Ｘ方向駆動機構４８が結合されている。Ｘ方向駆動機構４８の駆動力によって、第１レール４４をノズルホルダ４３ごと、Ｘ方向に沿ってスライド変位させることができるようになっている。
【００８７】
これにより、ノズルホルダ４３をＹ方向に沿ってスライド変位させつつ、第１レール４４をノズルホルダ４３ごとＸ方向に沿ってスライド変位させることで、フッ硝酸ノズル４１を任意の方向に平行移動させることができる。
一対のレール支持部材４６には、昇降駆動機構４９が結合されている。この昇降駆動機構４９の駆動力によって一対のレール支持部材４６を上下動させて、一対のレール支持部材４６と一体的に、第１レール４４およびノズルホルダ４３を上下動させることができる。なお、図９ではＤＩＷノズル４、ＤＩＷ供給管１４およびＤＩＷバルブ１５の図示を省略している。
【００８８】
制御装置１６には、チャック回転駆動機構５、Ｙ方向駆動機構４７、Ｘ方向駆動機構４８、昇降駆動機構４９、フッ硝酸バルブ１０およびＤＩＷバルブ１５などが制御対象として接続されている。
制御装置１６は、予め定められたプログラムに従って、チャック回転駆動機構５、Ｙ方向駆動機構４７、Ｘ方向駆動機構４８および昇降駆動機構４９の動作を制御する。
【００８９】
図１１は、フッ硝酸の着液点Ｐ４の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
この実施形態（第５の実施形態）では、スキャン経路Ｓ４は、ウエハＷの回転中心Ｃを中心とする渦形状であり、回転中心Ｃに近接する近接位置Ｓ４１と、近接位置Ｓ４１よりもウエハＷの回転半径方向の外方に位置する離隔位置Ｓ４２とを結ぶ曲線である。近接位置Ｓ４１と回転中心Ｃとは微小間隔Ｌ８だけ隔てられている。離隔位置Ｓ４２と回転中心Ｃとは間隔Ｌ９だけ隔てられている。間隔Ｌ８は、たとえば、３〜５ｍｍ程度である。また、間隔Ｌ９は、たとえば、ウエハＷの半径Ｒ（たとえば、１００ｍｍまたは１５０ｍｍ）の１／３〜１／２程度（たとえば、５５ｍｍ程度）が適当である。
【００９０】
ウエハＷの処理に際して、まず、図示しない基板搬送ロボットによって未処理のウエハＷがスピンチャック２に受け渡されるが、この受け渡し時には、フッ硝酸ノズル４１およびノズル駆動機構４２は、スピンチャック２の上方の退避位置に退避させられている。
前述の第１の実施形態と同様に、制御装置１６は、チャック回転駆動機構５を駆動して、スピンベース７をウエハＷごと、所定の液処理回転速度で所定の回転方向１７に等速回転させる。また、制御装置１６は、Ｙ方向駆動機構４７およびＸ方向駆動機構４８を駆動し、フッ硝酸ノズル４１をウエハＷの主面に沿ってスライド変位させて、近接位置Ｓ４１の上方へと導く。その後、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開いて、フッ硝酸ノズル４１からフッ硝酸を吐出させる。
【００９１】
一方で、制御装置１６は、Ｙ方向駆動機構４７およびＸ方向駆動機構４８を駆動し、フッ硝酸ノズル４１を、渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って等速で水平移動させる。このため、フッ硝酸ノズル４１からのフッ硝酸のウエハＷの上面における着液点Ｐ４が、近接位置Ｓ４１から離隔位置Ｓ４２に至る範囲を、回転中心Ｃを中心とする渦形状の軌跡を描きつつ等速で移動する。
【００９２】
フッ硝酸ノズル４１の水平移動によって、フッ硝酸の着液点Ｐ４が離隔位置Ｓ４２に到達すると、制御装置１６は、フッ硝酸バルブ１０を開けた状態を継続しつつ、Ｙ方向駆動機構４７およびＸ方向駆動機構４８を駆動し、フッ硝酸ノズル４１を渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って等速で水平移動させて、フッ硝酸ノズル４１をウエハＷの上面の近接位置Ｓ４１の上方へと戻す。フッ硝酸の着液点Ｐ４がウエハＷの近接位置Ｓ４１から離隔位置Ｓ４２を経由して再び近接位置Ｓ４１に戻るのにたとえば約８秒間要する。フッ硝酸の着液点Ｐ４のスキャンは、予め定める処理時間が経過するまで、繰り返し行われる。なお、このスキャン中において、フッ硝酸ノズル４１から吐出されるフッ硝酸の流量は一定に保たれている。
【００９３】
これにより、フッ硝酸ノズル４１からのフッ硝酸の着液点Ｐ４は、ウエハＷの上面のうち、間隔Ｌ９を半径とする円の内側領域で、かつ、回転中心Ｃを除くリング状のフッ硝酸着液領域をスキャンする。そして、ウエハＷの上面のうち前記フッ硝酸着液領域の外側の外側領域には、フッ硝酸は直接供給されない。前記外側領域には、ウエハＷの回転に伴う遠心力を受けて前記フッ硝酸着液領域から移動するフッ硝酸が供給されるだけである。
【００９４】
また、着液点Ｐ４が近接位置Ｓ４１にあるとき、フッ硝酸はその着液点Ｐ４（近接位置Ｓ４１）を中心として放射状に拡がる。このうち回転中心Ｃに向けて拡がるフッ硝酸が、その回転中心Ｃを通り過ぎるように、近接位置Ｓ４１と回転中心Ｃとの間隔Ｌ８が設定されている。これにより、ウエハＷの上面の回転中心Ｃにおいて、フッ硝酸が滞留せず、新液への置換が効率的に行われる。
【００９５】
この実施形態（第５の実施形態）では、着液点Ｐ４が回転中心Ｃを中心とする渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って移動する。したがって、ウエハＷの回転半径方向の外方に向かうにつれて、フッ硝酸着液領域にフッ硝酸を多く供給することができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
また、前述したように、第１の実施形態では、着液点Ｐ１をほぼ直線状のスキャン経路Ｓ１に沿って往復移動させるため、そのスキャン経路Ｓ１の両端の位置Ｓ１１，Ｓ１２において、着液点Ｐ１の停止が生じる。したがって、フッ硝酸着液領域の周縁にフッ硝酸が過剰に供給されるおそれがある。
【００９６】
これに対し、第５の実施形態では、着液点Ｐ４が、経路長が長い渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って移動する。このため、ほぼ直線状のスキャン経路Ｓ１と比較して、着液点Ｐ４が停止する回数を少なくすることができる。これにより、フッ硝酸着液領域の周縁におけるフッ硝酸の過剰な供給を防止することができる。
以上、この発明の５つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
【００９７】
前述の第１の実施形態では、フッ硝酸ノズル３がウエハＷの回転半径方向の外方に向けて移動する場合、およびウエハＷの回転半径方向の内方に向けて移動する場合の双方において、フッ硝酸ノズル３からフッ硝酸が吐出される構成を例に挙げて説明したが、フッ硝酸ノズル３がウエハＷの回転半径方向の外方に向けて移動するときにだけ、あるいは、フッ硝酸ノズル３がウエハＷの回転半径方向の内方に向けて移動するときにだけ、フッ硝酸ノズル３からフッ硝酸が吐出される構成であってもよい。
【００９８】
また、第１の実施形態において、フッ硝酸ノズル３を近接位置Ｓ１１の上方と離隔位置Ｓ１２の上方との間を往復移動させるとともに、その往復移動中にフッ硝酸ノズル３からのフッ硝酸が吐出される構成を説明したが、フッ硝酸ノズル３を、たとえば回転中心Ｃの上方と周縁領域の上方との間を往復移動させ、フッ硝酸ノズル３がスキャン経路Ｓ１の上方にあるときだけフッ硝酸ノズル３からフッ硝酸が吐出される構成であってもよい。
【００９９】
さらに、第１の実施形態では、アーム１２の揺動によってフッ硝酸ノズル３を移動（平行）させる構成としたが、たとえばアーム１２を、アーム支持軸１１を含めてスライド移動させることによってフッ硝酸ノズル３の移動が実現されていてもよい。
前述の第２の実施形態では、フッ硝酸ノズル３を、第１離隔位置Ｓ２２の上方と、この第１離隔位置Ｓ２２から回転中心Ｃを隔てた反対側に位置する第２離隔位置Ｓ２３の上方との間を往復移動させる場合を例にとって説明したが、第１離隔位置Ｓ２２の上方と近接位置Ｓ２１の上方との間を往復移動させるものであってもよい。
【０１００】
また、第２の実施形態において、フッ硝酸ノズル３が、たとえばウエハＷの周縁領域の上方と、その周縁領域から回転中心Ｃを隔てて反対側の周縁領域の上方との間を往復移動され、フッ硝酸ノズル３がスキャン経路Ｓ２の上方にあるときだけフッ硝酸ノズル３からフッ硝酸が吐出される構成であってもよい。
さらに、前述の第２の実施形態では、鉛直下向きの吐出口を有するフッ硝酸ノズル３を、ウエハＷの回転中心Ｃを通らない円弧形状の軌道上を移動させる構成を例にあげて説明したが、ウエハＷの回転中心Ｃを通る円弧形状の軌道上を移動させても、吐出口が斜め下向きの吐出口を有していれば、ウエハＷの上面における着液点Ｐ２のスキャン経路Ｓ２が、ウエハＷの回転中心Ｃを通らない構成とすることができる。
【０１０１】
前述の第４の実施形態では、フッ硝酸ノズル３１の回転軸線Ｃ１を、ウエハＷの回転中心Ｃとの間隔が、回転軸線Ｃ１と吐出口３１Ｄとの間隔よりも若干長くなる位置に配置したが、回転軸線Ｃ１と吐出口３１Ｄとの間隔よりも若干短くなる位置に配置してもよい。この場合、円形状のスキャン経路Ｓ３の半径は、回転軸線Ｃ１とウエハＷの回転中心Ｃとの間隔よりも長くなり、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３が回転中心Ｃを取り囲む軌跡を描くようになる。
【０１０２】
また、前述の第４の実施形態では、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３を円形状とする構成について説明したが、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３が回転軸線Ｃ１を中心とする楕円形状の無限経路であってもよい。この場合、第４の実施形態の基板処理装置３０を用いる場合、フッ硝酸ノズル３１の吐出口３１Ｄの回転に伴って、アーム１２も揺動させると、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３を楕円形状とすることができる。
【０１０３】
さらに、第４の実施形態では、基板処理装置３０を用いて、フッ硝酸ノズル３１の吐出口３１Ｄを、回転軸線Ｃ１を中心として回転させることにより、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３を円形状とした。しかし、第５の実施形態で説明した基板処理装置４０を用いることによっても、フッ硝酸ノズル３１を、回転軸線Ｃ１を中心として回転させることにより、着液点のスキャン経路を円形状とすることができる。また、任意の経路に沿って移動させることができる基板処理装置４０を用いて、着液点Ｐ３のスキャン経路Ｓ３を楕円形状とすることもできる。
【０１０４】
第５の実施形態では、着液点Ｐ４を、近接位置Ｓ４１と離隔位置Ｓ４２との間を、渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って往復スキャンさせる構成について説明したが、渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って近接位置Ｓ４１から離隔位置Ｓ４２に一方向スキャンさせ、離隔位置Ｓ４２に到達すると、たとえば図１２（ａ）に破線で示す曲線形状のスキャン経路Ｓ５に沿って近接位置Ｓ４１に戻る構成であってもよい。スキャン経路Ｓ５は、離隔位置Ｓ４２から近接位置Ｓ４１に至る経路であり、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域を除く位置に設けられている。スキャン経路Ｓ５の近接位置Ｓ４１および離隔位置Ｓ４２における接線方向は、それぞれ、渦形状のスキャン経路Ｓ４の近接位置Ｓ４１および離隔位置Ｓ４２における接線方向と共通している。
【０１０５】
したがって、スキャン経路Ｓ４とスキャン経路Ｓ５とを足し合わせた経路は、無限スキャン経路となる。そのため、図１２（ａ）の構成では、着液点Ｐ４が無限スキャン経路に沿って移動する。このため、フッ硝酸着液領域の周縁におけるフッ硝酸の過剰な供給を防止することができる。
なお、逆に、渦形状のスキャン経路Ｓ４に沿って離隔位置Ｓ４２から近接位置Ｓ４１に一方向スキャンさせ、近接位置Ｓ４１に到達すると、たとえば図１２（ａ）に破線で示す曲線形状のスキャン経路Ｓ５に沿って離隔位置Ｓ４２に戻る構成であってもよい。
【０１０６】
また、スキャン経路Ｓ５に代えて、たとえば図１２（ｂ）に破線で示す渦形状のスキャン経路Ｓ６を設けてもよい。このスキャン経路Ｓ６は、離隔位置Ｓ４２から近接位置Ｓ４１に至る経路であり、回転中心Ｃを中心として、前記のスキャン経路Ｓ４とは反対方向に渦回転するものである。スキャン経路Ｓ６は、ウエハＷの上面の回転中心Ｃおよび周縁領域を除く位置に設けられており、その近接位置Ｓ４１および離隔位置Ｓ４２における接線方向が、それぞれ、渦形状のスキャン経路Ｓ４の近接位置Ｓ４１および離隔位置Ｓ４２における接線方向と共通している。
【０１０７】
したがって、スキャン経路Ｓ４とスキャン経路Ｓ６とを足し合わせた経路は、無限スキャン経路となる。そのため、図１２（ｂ）の構成においても、着液点Ｐ４が無限スキャン経路に沿って移動する。このため、フッ硝酸着液領域の周縁におけるフッ硝酸の過剰な供給を防止することができる。
また、第４および第５の実施形態において、フッ硝酸ノズル３１，４１を、第3実施形態のように、近接位置Ｓ３１，Ｓ４１の上方とウエハＷの上方領域の外方に位置する基板外位置との間で往復スキャンさせる構成であってもよい。
【０１０８】
前述の５つの実施形態では、フッ硝酸ノズル３，３１，４１を移動させて、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面における着液点Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ７を移動させる構成としたが、スピンチャック２を移動させることによって、ウエハＷの上面における着液点Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ７を移動させる構成であってもよい。
また、前述の５つの実施形態では、フッ硝酸の着液点Ｐ１〜Ｐ４のスキャンの過程で、フッ硝酸ノズル３，３１，４１から吐出されるフッ硝酸の吐出流量は、実質上一定であると説明したが、ウエハＷの上面の周縁領域に着液点Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ７が近づくにつれて、フッ硝酸ノズル３，３１，４１から吐出されるフッ硝酸の吐出流量を減少させてもよい。逆に、ウエハＷの周縁領域に着液点Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ７が近づくにつれて、フッ硝酸ノズル３，３１，４１から吐出されるフッ硝酸の吐出流量を増加させてもよい。
【０１０９】
さらに、前述の５つの実施形態では、フッ硝酸ノズル３，３１，４１からフッ硝酸を連続的に吐出させる構成について説明したが、フッ硝酸ノズル３，３１，４１からフッ硝酸が間欠的に吐出されていてもよい。
また、前述の４つの実施形態では、フッ硝酸の着液点のスキャンの際に、フッ硝酸ノズル３，４１および吐出口３１Ｄを一定の移動速度で移動させるとして説明したが、フッ硝酸ノズル３，４１や吐出口３１Ｄの移動速度を、フッ硝酸の着液点Ｐ１〜Ｐ４に基づいて変更させてもよい。この場合、フッ硝酸ノズル３，４１または吐出口３１Ｄの移動速度を変更させることによって、ウエハＷの上面に供給されるフッ硝酸の流量が増減される。このため、単位面積あたりのフッ硝酸の供給量がウエハＷの全域においてほぼ等しくなるように、フッ硝酸ノズル３，４１または吐出口３１Ｄの移動速度が変更されてもよい。
【０１１０】
さらに、前述の４つの実施形態では、ウエハＷの上面に向けてフッ硝酸を供給する構成について説明したが、ウエハＷの下面に向けてフッ硝酸を供給する構成とすることもできる。この場合、スピンチャック２には、ウエハＷが、エッチング処理を施す面を下方に向けて保持されている必要がある。
さらにまた、前述の５つの実施形態では、ウエハＷに対し、ウエハＷのシンニングのためのエッチング処理を施す基板処理装置１，２０，３０，４０，７０を例にとって説明したが、たとえば酸化膜シリコンウエハからなる円板状のウエハＷにおけるデバイス形成領域側の上面（下面）に対して、酸化膜の除去のためのエッチング処理を施す構成であってもよい。かかる場合、エッチング液としてたとえばフッ酸が用いられることが望ましい。また、ウエハＷの窒化膜の除去のためのエッチング処理を施す場合には、エッチング液として燐酸を用いることもできる。  その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の基本的な構成を説明するための斜視図である。
【図２】フッ硝酸の着液点の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
【図３】エッチング試験でのエッチングレートの面内分布を示すグラフである。
【図４】エッチング試験でのエッチングレートの面内分布を示すグラフである。
【図５】この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置におけるフッ硝酸の着液点の移動経路を説明するための図解的な平面図である。
【図６】この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置におけるフッ硝酸の着液点の移動経路を説明するための図解的な平面図である。
【図７】この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の要部構成を示す断面図である。
【図８】第４の実施形態におけるフッ硝酸の着液点の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
【図９】この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の要部構成を示す断面図である。
【図１０】図９を、矢印Ａ方向から見た図である。
【図１１】第５の実施形態におけるフッ硝酸の着液点の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
【図１２】第５の実施形態の変形例におけるフッ硝酸の着液点の移動範囲を説明するための図解的な平面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１，２０，３０，４０，７０  基板処理装置
２  スピンチャック（基板回転手段）
３，３１，４１  フッ硝酸ノズル（エッチング液供給手段）
１２  アーム（着液点移動手段）
１３  アーム揺動駆動機構（着液点移動手段）
１６  制御装置（着液点移動手段）
３２  ノズル回転用アーム（着液点移動手段）
３３  ノズル回転駆動機構（着液点移動手段）
４３  ノズルホルダ（着液点移動手段）
４４  第１レール（着液点移動手段）
４５  第２レール
４７  Ｙ方向駆動機構（着液点移動手段）
４８  Ｘ方向駆動機構（着液点移動手段）
４９  昇降駆動機構
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ７  着液点
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ７  スキャン経路
Ｃ  回転中心
Ｃ１  回転軸線（所定位置）
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
0004988616.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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