(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造方法であって、
複数の加工ステップでワークピースを加工し、
前記ワークピースが完全に加工された後に、前記複数の加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記パラメータの測定、および、測定されたパラメータの各々に関連付けられたデータセットの少なくとも一部をパラメータ特徴モデリングプロセスに対する少なくとも１つの入力として使用することに応答して、当該パラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工のためのターゲット値を設定することを含む、方法。
【請求項２】
前記特有のパラメータの測定は、トランジスタのウェハ電気テスト（ＷＥＴ）パラメータ値の測定を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
測定された前記特有のパラメータに対応する前記出力信号の形成は、測定されたＷＥＴパラメータ値をトランジスタモデルへの入力として用いることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記出力信号に基づく、前記加工ステップで行なわれる前記加工のための前記ターゲット値の設定は、前記トランジスタモデルを反転して、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのポリゲートライン幅の臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域と構造層との接合深さの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのポリゲートライン幅の臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域と構造層との接合深さの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域、またはＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの少なくとも一方の変更を規定することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
コンピュータによって実行されると、ワークピースを製造するための方法を行なう命令でエンコードされるコンピュータ読出可能プログラム記憶装置であって、前記方法は、
複数の加工ステップでワークピースを加工し、
前記ワークピースが完全に加工された後に、前記複数の加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記パラメータの測定、および、測定されたパラメータの各々に関連付けられたデータセットの少なくとも一部をパラメータ特徴モデリングプロセスに対する少なくとも１つの入力として使用することに応答して、当該パラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのターゲット値を設定することを含む、コンピュータ読出可能プログラム記憶装置。
【請求項２０】
装置であって、
複数の加工ステップでワークピースを加工するための手段と、
前記ワークピースが完全に加工された後に、前記複数の加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定するための手段と、
前記パラメータの測定、および、測定されたパラメータの各々に関連付けられたデータセットの少なくとも一部をパラメータ特徴モデリングプロセスに対する少なくとも１つの入力として使用することに応答して、当該パラメータ特徴モデリングプロセスを行なうための手段と、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成するための手段と、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのフィードバックとしてターゲット値を設定するための手段とを含む、装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
この発明は、半導体製造技術に一般的に関し、より特定的には、半導体製造の監視および最適化のための方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
半導体業界内では、たとえば、マイクロプロセッサ、メモリデバイスなどの集積回路デバイスの品質、信頼性およびスループットを向上させる取組みが常に行なわれている。この取組みは、より高い信頼性をもって動作する、より高品質のコンピュータおよび電子デバイスに対する消費者の要求によって推進されている。これらの要求の結果、たとえばトランジスタなどの半導体デバイスの製造と、そのようなトランジスタを組入れる集積回路デバイスの製造とにおいて、絶え間なく改良がもたらされてきた。さらに、典型的なトランジスタの構成要素の製造における欠点を減らすことによっても、トランジスタ当りの全体的コストと、そのようなトランジスタを組入れる集積回路デバイスのコストとが低下している。
【０００３】
半導体加工ツールの基礎となる技術は、過去数年間ますます注目を集めており、その結果、かなりの洗練がもたらされた。しかしながら、この分野で達成された進歩にもかかわらず、現在市販されている加工ツールの多くはある欠点を有している。特に、そのようなツールは、ユーザが利用しやすいフォーマットでの履歴パラメータデータおよび現在の加工パラメータとラン全体の加工パラメータとの両者のイベントロギング的リアルタイムグラフィカルディスプレイを提供できることならびに、リモート、すなわちローカルサイトおよびワールドワイドなモニタなどの、高度なプロセスデータモニタ能力に欠けていることがしばしばである。これらの欠点は、スループット精度、安定性および反復性、加工温度、ツールの機械的パラメータなどの、臨界加工パラメータの最適でない制御をもたらし得る。ラン内のばらつき、ランごとのばらつきおよびツールごとのばらつきとして、この変動性が顕在化し、これが製品品質および性能の偏りに伝わり得る一方で、そのようなツール向けの理想的なモニタおよび診断システムには、この変動性をモニタする手段と、臨界パラメータの制御を最適化するための手段とが設けられている。
【０００４】
パラメータのうちモニタおよび制御が有用なものは、臨界寸法（ＣＤ）、トランジスタ（および他の半導体デバイス）のドーピングレベルおよびフォトリソグラフィにおけるオーバーレイエラーである。ＣＤとは、特定の加工装置が作製可能であろう最小フィーチャサイズである。たとえば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴまたはＭＯＳトランジスタ）用の多結晶（ポリシリコンまたはポリ）ゲートラインの最小幅ｗは、そのようなトランジスタを有する半導体デバイスの１つのＣＤに対応し得る。同様に、接合深さｄj（ドープされた基板内に形成される濃くドープされたソース／ドレイン領域の底部までの、ドープされた基板の表面から下の深さ）は、ＭＯＳトランジスタなどの半導体デバイスの別のＣＤであろう。ドーピングレベルは半導体デバイスに注入されるイオンの量に依存し得る。その量は、典型的にｋｅＶで与えられるイオン注入エネルギでの平方センチメートル当りのイオンの数で与えられるのが典型的である。
【０００５】
しかしながら、半導体および超小型電子デバイス製造において、ＣＤおよびドーピングレベルを正確に制御して、デバイスの性能および歩留まりを最適化するには、伝統的な統計プロセス制御（ＳＰＣ）技術では不十分なことがしばしばある。典型的に、ＳＰＣ技術は、ＣＤ、ドーピングレベルおよび／またはフォトリソグラフィにおけるオーバーレイエラーに対して、ターゲット値およびターゲット値付近の広がりを設定する。次にＳＰＣ技術は、それぞれのターゲット値を自動的に調節したり適合したりせずにターゲット値からの偏差を最小化して、たとえば、ウェハ電気テスト（wafer electrical test）（ＷＥＴ）測定特徴で測定されるように、半導体デバイスの性能を最適化および／または半導体デバイスの歩留まりとスループットとを最適化しようとする。さらに、ターゲット値付近の適合的でないプロセス広がりをむやみに最小化しても、プロセスの歩留りおよびスループットは向上しないであろう。
【０００６】
この発明は、上述の問題の１つ以上を克服するまたは少なくともその影響を低減することに向けられる。
【０００７】
【発明の開示】
この発明の１つの局面では、製造方法が提供される。この方法は、加工ステップでワークピースを加工するステップと、加工ステップでワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定するステップと、測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップとを含む。この方法は、出力信号に基づいて、加工ステップで行なわれる加工のためのターゲット値を設定するステップも含む。
【０００８】
この発明の別の局面では、コンピュータ読出可能プログラム記憶装置が提供され、これは、コンピュータによって実行されるときに方法を行なう命令でエンコードされる。この方法は、加工ステップでワークピースを加工するステップと、加工ステップでワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定するステップと、測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップとを含む。この方法は、出力信号に基づいて、加工ステップで行なわれる加工のためのターゲット値を設定するステップも含む。
【０００９】
この発明のさらに別の局面では、方法を行なうようにプログラムされるコンピュータである。この方法は、加工ステップでワークピースを加工するステップと、加工ステップでワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定するステップと、測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップとを含む。この方法は、出力信号に基づいて、加工ステップで行なわれる加工のためのターゲット値を設定するステップも含む。
【００１０】
この発明は、添付の図面と関連して以下の説明を参照することによって理解されるであろう。図面中では、参照番号中の最も左の有効桁が、それぞれの参照番号が現れる最初の図面を表わしている。
【００１１】
なお、図１から図１３は、この発明に従う製造方法のさまざまな実施例を概略的に示すものである。
【００１２】
この発明はさまざまな変更例および代替的な形が可能であり、その特定の実施例が図面に例示の目的のために示され、本明細書中に詳細に説明される。しかしながら、特定の実施例の本明細書中の説明が、開示された特定の形態にこの発明を限定することを意図するものではなく、反対に、その意図は、添付の請求項によって規定されるように、この発明の精神および範囲内のすべての変更例、均等物および代替例を含むことを理解されたい。
【００１３】
【発明を実行するためのモード】
この発明の例示的な実施例が以下に説明される。明瞭さのために、実際の実現例のすべての特徴が本明細書中で説明されるわけではない。当然ながら、いずれのそのような実際の実現例の開発においても、実現例によって異なるシステム関連および業務関連の制約の順守など、開発者の特定の目標を達成するための数多くの実現例特有の決定をなさなければならないことが認められる。さらに、そのような開発努力は複雑でありかつ時間がかかるものであり得るが、それにもかかわらず、この開示から利益を得る当業者にとっては日常業務であることが認められる。
【００１４】
この発明に従う製造方法の例示的な実施例が図１から図１３に示される。図１に示されるように、たとえば、１つもしくはそれ以上のプロセス層および／もしくはＭＯＳトランジスタなどの半導体デバイスがその上に配置される半導体基板またはウェハなどのワークピーク１００が加工ステップｊ１０５に配送される。ここでｊは、ｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る。完成したワークピーク１００を形成するのに用いられる、マスキング、エッチング、材料の堆積などの加工ステップの総数Ｎは、Ｎ＝１からほぼいずれの有限の値までの範囲に及び得る。
【００１５】
図２に示されるように、ワークピース１００は加工ステップｊ１０５から送られ、測定ステップｊ１１０に配送される。測定ステップｊ１１０で、ワークピース１００は、ある計測法または測定ツール（図示せず）に、前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれにおいても行なわれる加工に特有の１つ以上のパラメータを測定させることによって測定される。測定ステップｊ１１０での測定値は、測定ステップｊ１１０で測定された１つ以上の特徴パラメータを示す走査データ１１５を発生する。図２に示されるように、（ｊ＜Ｎの場合）ワークピース１００上で行なうべきさらなる加工が存在すれば、ワークピース１００は測定ステップｊ１１０から送られ、さらなる加工のために加工ステップｊ＋１  １４０に配送され、次に加工ステップｊ＋１  １４０からさらに送られ得る。
【００１６】
さまざまな例示的な実施例では、さらなる加工は存在せず（ｊ＝Ｎ）、測定ステップｊ＝Ｎ  １１０は、半導体デバイスおよび／もしくは複数のデバイスならびに／またはワークピース１００上に形成されるプロセス層のウェハ電気テスト（ＷＥＴ）であり得る。ＷＥＴは、たとえば、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの電流および／もしくは電圧応答ならびに／またはワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの要素のキャパシタンスおよび／もしくは抵抗を測定し得る。たとえば、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの飽和ドレイン−ソース電流Ｉdsatは、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタがどのくらいの速さで「オン」から「オフ」状態にスイッチされ得るかの指標として測定され得る。
【００１７】
図３に示されるように、走査データ１１５は測定ステップｊ１１０から送られ、特徴パラメータモデル化ステップ１２０に配送される。特徴パラメータモデル化ステップ１２０では、測定ステップｊ１１０で測定された１つ以上の特徴パラメータが特徴パラメータモデルに入力され得る。特徴パラメータモデルは、測定ステップｊ１１０で測定された１つ以上の特徴パラメータを、以前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれにおいても行なわれる加工を特定する１つ以上のパラメータにマッピングし得る。特徴パラメータモデル化ステップ１２０で走査データ１１５を特徴パラメータモデルに配送することで、出力信号１２５が発生する。
【００１８】
図４に示されるように、出力信号１２５は特徴パラメータモデル化ステップ１２０から送られ、ターゲット値設定ステップ１３０に配送される。ターゲット値設定ステップ１３０では、特徴パラメータモデルを反転して、測定ステップｊ１１０で測定される１つ以上の特徴パラメータ値を仕様値の範囲内にもってこさせる必要がある、以前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれにおいても行なわれる加工の１つ以上の変更を規定し得る。
【００１９】
ターゲット値設定ステップ１３０での（出力信号１２５に基づく）特徴パラメータモデルの反転は、以前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれにおいても行なわれる加工を調節する必要性を技術者に警告するのに用い得る。技術者はまた、たとえば、特徴パラメータモデル化ステップ１２０でモデル化された特徴パラメータのタイプを変更して、発生される出力信号１２５に影響を及ぼし得る。
【００２０】
図５に示されるように、フィードバック制御信号１３５は、ターゲット値設定ステップ１３０から加工ステップｊ１０５に送られて、加工ステップｊ１０５で行なわれる加工を調節し得る。さまざまな代替的な例示的な実施例（図示せず）では、フィードバック制御信号１３５は、ターゲット値設定ステップ１３０から以前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５と同様のもの、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれかに送られ、以前の加工ステップのいずれにおいても行なわれる加工を調節し得る。
【００２１】
図６に示されるように、フィードバック制御信号１３５に加えておよび／またはその代わりに、ターゲット値設定ステップ１３０からプロセス変更および制御ステップ１５０にターゲット値１４５を送り得る。プロセス変更および制御ステップ１５０では、ターゲット値１４５を高レベル監視制御ループで用い得る。その後、図７に示されるように、プロセス変更および制御ステップ１５０から加工ステップｊ１０５にフィードバック制御信号１５５を送り、加工ステップｊ１０５で行なわれる加工を調節し得る。さまざまな代替的な例示的な実施例（図示せず）では、フィードバック制御信号１５５は、プロセス変更および制御ステップ１５０から前の加工ステップ（加工ステップｊ１０５と同様のもの、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のいずれかに送られて、前の加工ステップのいずれにおいても行なわれる加工を調節し得る。さまざまな例示的な実施例では、各動作または加工ステップｊ１０５、なおｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る、で行なわれた測定および可逆トランジスタモデルと関連して、最終ＷＥＴ測定からの出力信号を用いて、監視的態様で１つ以上の加工ステップｊ１０５で設定値を変更し、それによりその後の生産をＷＥＴ測定ターゲット値のより近くに駆動する。
【００２２】
さまざまな例示的な実施例では、上述のように、さらなる加工は存在せず（ｊ＝Ｎ）、測定ステップｊ＝Ｎ  １１０は、半導体デバイスおよび／もしくは複数のデバイスならびに／またはワークピース１００上に形成されるプロセス層のウェハ電気テスト（ＷＥＴ）であり得る。ＷＥＴは、たとえば、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの電流および／もしくは電圧応答ならびに／またはワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの要素のキャパシタンスおよび／もしくは抵抗を測定し得る。図８に示されるように、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴまたはＭＯＳトランジスタ）８００は、ドープトシリコンなどの半導体基板８０５上に形成され得る。ＭＯＳトランジスタ８００は、半導体基板８０５上に形成された、ゲート酸化物８１５上に形成されたドープトポリゲート８１０を有し得る。ドープトポリゲート８１０およびゲート酸化物８１５は、誘電体スペーサ８２５により、ＭＯＳトランジスタ８００のＮ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０から分離され得る。誘電スペーサ８２５は、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域８３０上に形成され得る。
【００２３】
Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０は、典型的に、ＭＯＳトランジスタ８００のＮ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０の近くに見られる最大チャネル電界の大きさを減じ、それにより、関連のホットキャリア効果を低減するように設けられる。ＭＯＳトランジスタ８００のＮ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０に対する、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０のより低い（またはより薄い）ドーピングは、ＭＯＳトランジスタ８００のＮ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０の近くに見られる最大チャネル電界の大きさを減じるが、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０のソース−ドレイン抵抗を増大させてしまう。
【００２４】
チタン（Ｔｉ）金属層（図示せず）は、ＭＯＳトランジスタ８００上に一面に堆積され（blanket-deposited）、次に、約１５−６０秒にわたる時間の間、約４５０−８００℃にわたる温度で行なわれる初期高速熱アニール（ＲＴＡ）プロセスを受けたであろう。Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびドープトポリゲート８１０などの活性区域８４５の表面８４０では、露出したＳｉは、加熱されるとＴｉ金属と反応して、活性区域８４５の表面８４０上にチタンシリサイド（ＴｉＳｉ2）層８３５を形成する。Ｔｉ金属は、加熱されても、誘電体スペーサ８２５と反応するとは考えられない。Ｔｉ金属の湿性化学性（wet chemical）ストリップは、Ｔｉ金属層２３５の過剰な未反応部分（図示せず）を除去し、活性区域８４５の表面８４０におよびその下のみに、自己整列シリサイド化（サリサイド化）ＴｉＳｉ2層８３５を残す。次に、サリサイド化ＴｉＳｉ2  ８３５は、約１０−６０秒にわたる時間の間、約８００−１０００℃にわたる温度で行なわれる最終ＲＴＡプロセスを受け得る。
【００２５】
図８に示されるように、ＭＯＳトランジスタ８００はいくつかの加工パラメータによって特定され得る。たとえば、ドープトポリゲート８１０は幅ｗを有し得、これは次にチャネル長さＬを決定する。チャネル長さＬは、Ｎ−ＭＯＳ（Ｐ−ＭＯＳ）トランジスタ８００のためにゲート酸化物８１５下に形成される２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合の間の距離であり、２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合は、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０と半導体基板８０５との間に存在する。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０下の（接合深さｄjを有する）別の接合が、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０と半導体基板８０５との間に形成され得る。半導体基板８０５は、Ｎ型（Ｐ型）半導体基板８０５に対して、平方センチメートル当りのイオンの数で典型的に与えられるドナー（アクセプタ）不純物の濃度を反映するドーピングレベル（ＮD（ＮA））を有し得る。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０は各々が、それぞれのドーピングレベルＮD+およびＮD-（ＮA+およびＮA-）を有し得る。それぞれのドーピングレベルは、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０に注入されるイオンの量に依存し得る。その量は、典型的にｋｅＶで与えられるイオン注入エネルギでの平方センチメートル当りのイオンの数で与えられるのが典型的である。さらに、ゲート酸化物８１５は厚みｔoxを有し得る。
【００２６】
測定ステップ１１０で行なわれる、半導体デバイスおよび／もしくは複数のデバイスならびに／またはワークピース１００上に形成されるプロセス層のウェハ電気テスト（ＷＥＴ）は、たとえば、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタ８００の電流および／もしくは電圧応答ならびに／またはワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタ８００の要素のキャパシタンスおよび／もしくは抵抗を測定し得る。たとえば、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタの飽和ドレイン−ソース電流Ｉdsatは、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタがどのくらいの速さで「オン」から「オフ」状態にスイッチされ得るかの指標として測定され得る。同様に、ワークピース１００上に形成されるＭＯＳトランジスタ８００のＷＥＴは、ドレイン電圧ＶD、ゲート電圧ＶGおよび／または基板電圧（もしくはバイアス）ＶBSの異なる値でドレイン−ソース電流ＩDを測定し得る。ドレイン電圧ＶDの変化によるドレイン−ソース電流ＩDの変化を測定することにより、一定のゲート電圧ＶGで、チャネルコンダクタンスｇDが
【００２７】
【数１】
0005063846.tif 000002
【００２８】
から定められ得る。式中、Ｚは（図８のＭＯＳトランジスタ８００の平面に対して垂直方向の）チャネル幅であり、μnは（Ｅ＝ＶD／Ｌがドレイン／ソースを横切る電界であるとき、ｖndrift＝μnＥによる電子のドリフト速度ｖndriftに関する）電子の移動度であり、Ｃiは、単位面積当りのキャパシタンスであり（Ｃi＝εox／ｔox、式中εox(４はゲート酸化物８１５の誘電率である）、ＶTは、ＭＯＳトランジスタ８００のしきい値電圧である。同様に、ゲート電圧ＶGの変化によるドレイン−ソース電流ＩDの変化を測定することにより、一定のドレイン電圧ＶDで、相互コンダクタンスｇmが
【００２９】
【数２】
0005063846.tif 000003
【００３０】
から定められ得る。ここで、ドレイン電圧ＶDに対するドレイン−ソース電流Ｉdの線形領域を用いると、ここで、ＶD＜＜（ＶG−ＶT）に対して
【００３１】
【数３】
0005063846.tif 000004
【００３２】
であり、しきい値電圧ＶTは
【００３３】
【数４】
0005063846.tif 000005
【００３４】
で与えられる。式中、ΨBは、ドープトポリゲート８１０のフェルミレベルＥFとＰ型半導体基板８０５の真性（フラットバンド）フェルミレベルＥFiとの間の電位差であり、εsはＰ型半導体基板８０５の誘電率であり、ｑは電子に対する電荷の絶対値であり（ｑ＝１．６０２１８×１０-19クーロン）、ドーピングレベルＮAはＰ型半導体基板８０５のアクセプタ不純物の濃度を反映する。一般的に、有効ドレイン−ソース電流ＩDは、それら自身がさまざまな他の変数などの関数であり得るさまざまな変数の複雑関数であり得る。すなわち、ＩD,eff＝ｆ（ＶT，Ｌeff，…）かつＩD,eff＝ｆ（ＶT，Ｌeff，…）＝ｆ（ＶT，Ｌeff（ゲートＣＤ，スペーサ幅，…），…）である。
【００３５】
【数５】
0005063846.tif 000006
【００３６】
【数６】
0005063846.tif 000007
【００３７】
【数７】
0005063846.tif 000008
【００３８】
この発明の１つの例示的な実施例では、特徴の計測は、ワークピース（ワークピース１００など）の所与のロットに対してまたは各ロット内の特定のワークピースに対して、各動作においてまたは加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）において行なわれ得、行なわれた特徴計測の結果はデータベースに記憶され得る。場合によっては、データベースに記憶されたデータは、所与の動作または加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）での、特定の加工ツール向けの最新の特徴付けまたは「性格付け」（qualification）データであろう。これは、高速熱アニール（ＲＴＡ）後の膜抵抗率測定の場合など、ワークピース上で行なう特定のプロセスの直接計測が不正確または実行不可能である場合に特に当てはまる。そのような場合、パターニングされていないウェハ基板または他の非製品またはテストウェハからの特徴付けまたは「性格付け」データを、その所与のロットに対して特徴プロセス情報として記憶し得る。
【００３９】
これらの計測データ結果は、トランジスタモデルＴ（ｉ）＝ｏに必要な入力を完全に特定する入力ベクトルｉ（ここでｉ＝ｉ1，ｉ2，ｉ3，…，ｉj，…，ｉN）として表わされ得る。入力ベクトルｉの成分の各々は、計測ツールが行なう測定の関数であり得る。たとえば、単純化された入力ベクトルｉ（ここでｉ＝ｉ1およびｉ2）は、それぞれポリおよびソース／ドレイン領域で計測ツールが測定する抵抗率測定値ρpolyおよびρsource/drainの関数であり得るため、ｉ1（ρpoly）およびｉ2（ρsource/drain）は、それぞれポリドーピング濃度およびソース／ドレイン領域ドーピング濃度である。ポリドーピングおよびソース／ドレイン領域ドーピング濃度ｉ1（ρpoly）およびｉ2（ρsource/drain）はそれぞれ、トランジスタモデルの中に直接に入れてもよいが、一方、それぞれの抵抗率測定値ρpolyおよびρsource/drainはトランジスタモデルの中に直接に入れられないであろう。
【００４０】
そのようなトランジスタモデルは技術分野で周知であり、さまざまな商用ベンダおよび商業目的でない学術的ソースからシミュレーションソフトウェアとして入手可能である。この発明のさまざまな例示的な実施例で用いられるトランジスタモデルは、ベクトルｏ（ここでｏ＝ｏ1，ｏ2，ｏ3，…，ｏk，…，ｏM）として表わされ得る出力を発生する。トランジスタモデルからの出力ｏは、トランジスタの、対応する値を有し得るかまたは、対応する値にマッピングされ得るかまたは、対応する値と関連付けられ得、かつ、ウェハ電気テスト（ＷＥＴ）での、（加工ステップＮ１０５の後のワークピース１００などの）完成した製品ワークピース上のテスト構造が測定する他の電磁的パラメータ値を有し得る。
【００４１】
これらの対応する値は、測定されたＷＥＴ値のベクトルｍ（ここでｍ＝ｍ1，ｍ2，ｍ3，…，ｍk，…，ｍM）として表わされ得、測定されたＷＥＴ値ｍはマッピングされおよび／またはトランジスタモデル出力ｏと関連付けられることにより、ｍ＝Ｆ（ｏ）およびＦ-1（ｍ）＝ｏとなる。これらの対応する値は、それぞれのＷＥＴエラー値分だけそれらのそれぞれのＷＥＴターゲット値から異なり得る。特定されたＷＥＴターゲット値はベクトルｔ（ここでｔ＝ｔ1，ｔ2，ｔ3，…，ｔk，…，ｔM）として表わされ得、ＷＥＴエラー値はベクトルｅ（ここでｅ＝ｅ1，ｅ2，ｅ3，…，ｅk，…，ｅM）として表わされ得る。ここでｅ＝ｍ−ｔである（したがってｋ＝１からｋ＝Ｍの場合、ｅk＝ｍk−ｔkである）。このエラーｅ＝ｍ−ｔを低減するおよび／または排除するため、ｍcorr＝ｍ−ｅ＝ｔとなるように訂正ＷＥＴ値ｍcorrを規定し得る。この訂正ＷＥＴ値ｍcorrを用いて、ｏcorr＝Ｆ-1（ｍcorr）またはｏcorr＝Ｆ-1（ｍ−ｅ）またはｏcorr＝Ｆ-1（ｔ）で与えられる、訂正トランジスタモデル出力ｏcorrを規定し得る。
【００４２】
訂正トランジスタモデル出力ｏcorrは反転トランジスタモデルに入力されて、それぞれの訂正トランジスタモデル入力ｉcorr＝Ｔ-1（ｏcorr）＝Ｔ-1（Ｆ-1（ｔ））を生成し得る。さまざまな例示的な実施例では、トランジスタモデルは、トライアル・アンド・エラー入力値ｉapproxを用いて、Ｔ（ｉapprox）＝ｏcorrとなるように所望の訂正トランジスタモデル出力ｏcorrを予め設定された限界内に発生する入力ベクトルを識別するまで、反復実行によって反転され得る。次に、訂正トランジスタモデル入力ｉcorrを、動作または加工ステップでのレシピに対する変更または訂正として、ウェハ製造ライン中の関連のＮの個別の動作または加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）のうちいずれかまたはすべてに適用し得る。さまざまな例示的な実施例では、全訂正を適用する。さまざまな代替的な例示的な実施例では、「減衰不足の」（underdamped）制御移動（move）として部分訂正を適用する。
【００４３】
この発明のさまざまな代替的な例示的な実施例では、少なくとも１つのサブモデルを設け得、トランジスタモデルが必要とする入力ｉに、動作または加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）でのレシピ変数をマッピングする。各々のそのようなサブモデルも上述のフィードバックモードで反転されなければならない。
【００４４】
たとえば、イオン注入加工ステップｊ１０５では、イオン注入サブモデルに入力されるレシピ変数は、注入電流、量、角度および種を含み得る。イオン注入サブモデルは、トランジスタモデルに入れられ得るドーピングプロファイルｉjを生成し得る。ＷＥＴ測定の後、上述のようにｉjcorrを生成し得、ｉjcorrを反転イオン注入サブモデルに入れ、連続して加工されたワークピーク１００のＷＥＴ測定値をそれらのそれぞれのターゲット値により近づけるのに必要な、注入電流、量、角度および／または種に対する必要な変更などの、イオン注入動作または加工ステップｊ１０５でのイオン注入レシピに対する必要な変更または訂正を生成し得る。
【００４５】
この発明のさらに他のさまざまな例示的な実施例では、１つ以上の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）におけるレシピ変数の許容される変化量に対する制約が実現され得る。たとえば、ゲートの臨界寸法は、高いおよび低い値の間にあるように制約され得る。これに代えて、所与の制御移動および／または所与の時間量の変化量が制約され得る。
【００４６】
この発明のまた他のさまざまな例示的な実施例では、重み付けおよび／またはペナルティは、１つ以上の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）に適用される１つ以上の制御移動の間に、どの変数および／または複数の変数が、操作される他の変数に対して優先的に操作されるかを決定し得る。たとえば、さまざまな例示的な実施例では、ソース／ドレイン領域のドーピングレベルを調節するよりも、ゲート臨界寸法を調節することがより好ましいことがあると、ゲート臨界寸法変数は、ドーピングレベル変数よりも大きな重みを有し得る。同様に、さまざまな代替的な実施例では、ゲート臨界寸法を調節するよりもソース／ドレイン領域のドーピングレベルを調節する方がより好ましいことがあると、ゲート臨界寸法変数は、ドーピングレベル変数よりも、それに関連するより大きなペナルティを有し得る。
【００４７】
この発明のさまざまな代替的な例示的な実施例では、トランジスタモデルの入力ｉおよび／もしくは出力ｏを適切に重み付け得ならびに／または、トランジスタモデルをパラメータ化する変数および／もしくは関数を好適に重み付け得るので、トランジスタモデルの出力ｏおよび／または予測はＷＥＴ測定値の対応する値によりよく一致する。好ましくはこれらの重み付けを入力ｉに適用し得る。これに代えて、これらの重み付けを出力ｏに適用し得る。さらに、これらの重み付けは、制御機構の一部として、ＷＥＴ測定値へのトランジスタモデルデータの一致を向上させるように更新されおよび／または適合され得る。
【００４８】
この発明のさらに他のさまざまな例示的な実施例では、フィードフォワード法が適用され得る。公称からずれる、１つ以上の加工ステップ（加工ステップｊ１０５など、ここでｊはｊ＝１からｊ＝Ｎまでのいずれの値も有し得る）からのプロセス結果を、まだ行なわれていないプロセスステップの公称値とともにトランジスタモデルに適用し得る。次に、トランジスタモデル出力の公称からのずれを、上述のようにエラーの尺度として用いてもよくかつ、その後のステップのレシピに対する望ましい変更を定めるのに用いてもよいため、識別されるエラーは完全にまたは少なくとも部分的に補償され得る。
【００４９】
【数８】
0005063846.tif 000009
【００５０】
たとえば、ＭＯＳトランジスタモデル関数Ｔ（ｘ）の１つの例示的な実施例は、（ドープトポリゲート８１０の幅ｗに関する）最小チャネル長さＬminを与える。これについて、長チャネルサブしきい値挙動を観察することができる。この例示的な実施例では、ＭＯＳトランジスタモデル関数Ｔ（ｘ）は、単純な経験的関係、すなわちＬmin＝０．４［ｄjｔox（ＷS＋ＷD）2］1/3によって、μｍで測定される最小チャネル長さＬminを与える。式中、接合深さｄjはμｍで測定され、ゲート酸化物８１５の厚みｔoxはÅ単位の数の数値であり（したがって寸法が決まる）、かつ（ＷS＋ＷD）は、これもμｍで測定される、それぞれソースおよびドレインの空乏深さの和である。１次元階段型接合式では、ソースの空乏深さＷSは
【００５１】
【数９】
0005063846.tif 000010
【００５２】
によって与えられ得、かつ、ドレイン空乏深さＷDは
【００５３】
【数１０】
0005063846.tif 000011
【００５４】
で与えられ得る。式中、Ｖbiは接合のビルトイン電圧である。
ＭＯＳトランジスタモデル関数Ｔ（ｘ）の別の例示的な実施例は、より複雑な経験的関係によって最小チャネル長さＬminを与える。すなわち、Ｌmin＝Ａｆ1（δＶT／δＶD）［ｆ2（ｔox）＋Ｂ］［ｆ3（ＷS＋ＷD）＋Ｃ］［ｆ4（ｄj）＋Ｄ］である。式中、ｉ＝１，２，３，４である関数ｆiおよび定数Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、最小チャネル長さＬminのこの式をデバイスシミュレーションに当てはめることによって定められ得る。たとえば、ｆ1（δＶT／δＶD）＝（δＶT／δＶD）-0.37，ｆ2（ｔox）＝ｔox，ｆ3（ＷS＋ＷD）＝ＷS＋ＷD，ｆ4（ｄj）＝ｄj，Ａ＝２．２μｍ-2，Ｂ＝０．０１２μｍ，Ｃ＝０．１５μｍおよびＤ＝２．９μｍは、よい適合を与えているように思われる。この例示的な実施例では、反転ＭＯＳトランジスタモデル関数Ｔ-1（ｙ）は、たとえば、より複雑な経験的関係により、ドレイン電圧ＶDによるしきい値電圧ＶTの変化（δＶT／δＶD）を与える。すなわち、δＶT／δＶD＝ｆ1-1（Ｌmin／｛Ａ［ｆ2（ｔ）＋Ｂ］［ｆ3（ＷS＋ＷD）＋Ｃ］［ｆ4（ｄj）＋Ｄ］｝）である。ｆ1（δＶT／δＶD）＝（δＶT／δＶD）-0.37である適合については、たとえばｆ1-1（ｙ）＝（ｙ）-1/(0.37)である。
【００５５】
さまざまな例示的な実施例では、技術者は、ユーザが利用しやすいフォーマットで履歴的パラメータデータならびに現在の加工パラメータおよびラン全体の加工パラメータの両者のイベントロギング的リアルタイムグラフィカルディスプレイを提供できることならびに、リモート、すなわちローカルサイトおよびワールドワイドなモニタなどの、高度なプロセスデータモニタ能力を与えられ得る。これらの能力により、スループット精度、安定性および反復性、加工温度、ツールの機械的パラメータなどの臨界加工パラメータのより最適な制御がもたらされ得る。臨界加工パラメータのこのより最適な制御がこの変動性を低減する。この変動性の減少は、より少ないラン内のばらつき、より少ないランごとのばらつきおよびより少ないツールごとのばらつきとして現われる。伝播し得るこれらのばらつきの数のこの減少は、製品品質および性能における偏りがより少なくなることを意味する。この発明に従う製造方法のそのような例示的な実施例では、この変動性をモニタしかつ臨界パラメータの制御を最適化するモニタおよび診断システムが提供され得る。
【００５６】
図９は、この発明に従って実践される方法９００の１つの特定の実施例を図示する。図１０は１つの特定の装置１０００を図示し、これを用いて方法９００を実践し得る。明瞭さのためにおよびこの発明の理解をより深めるため、方法９００は装置１０００の文脈で開示される。しかしながら、この発明はそのように限定されるものではなく、以下にさらに説明されるように幅広い変形を許すものである。
【００５７】
図９と図１０との両者を参照して、ワークピースまたはウェハ１００５のバッチまたはロットがＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０によって加工されている。ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０は、それが必要な制御能力を含む限りは、イオン注入器、プロセス層堆積および／またはエッチングツール、フォトリソグラフィツールなど、技術分野で公知のいずれのＭＯＳＦＥＴ加工ツールであってもよい。ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０は、この目的のためにＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１０１５を含む。ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１０１５の性質および機能は実現例に特有のものである。
【００５８】
たとえば、ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１０１５は、ＭＯＳＦＥＴ加工レシピ制御入力パラメータなどのＭＯＳＦＥＴ加工制御入力パラメータを制御し得る。図８に示されるように、ＭＯＳトランジスタ８００は、いくつかの加工パラメータによって特定され得る。たとえば、ドープトポリゲート８１０は幅ｗを有し得、これは次にチャネル長さＬを定める。チャネル長さＬは、Ｎ−ＭＯＳ（Ｐ−ＭＯＳ）トランジスタ８００のためのゲート酸化物８１５の下に形成される２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合の間の距離である。２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合は、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０と半導体基板８０５との間にある。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０下の（接合深さｄjを有する）別の接合が、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０と半導体基板８０５との間に形成され得る。半導体基板８０５は、Ｎ型（Ｐ型）半導体基板８０５について平方センチメートル当りのイオンの数で典型的に与えられるドナー（アクセプタ）不純物の濃度を反映するドーピングレベルＮD（ＮA）を有し得る。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０は、各々がそれぞれドーピングレベルＮD+およびＮD-（ＮA+およびＮA-）を有し得る。それぞれのドーピングレベルは、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０に注入されるイオンの量に依存し得る。その量は、典型的にｋｅＶで与えられるイオン注入エネルギでの平方センチメートル当りのイオンの数で与えられるのが典型的である。さらに、ゲート酸化物８１５は厚みｔoxを有し得る。図１０には４つのワークピース１００５が示されるが、ワークピースまたはウェハのロット、すなわち「ウェハロット」は、１から任意の有限の数までのいずれの実際的な数のウェハであってもよい。
【００５９】
ボックス９２０に示されるように、方法９００は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０中のワークピース１００５に対して行なわれるＭＯＳＦＥＴ加工に特有のパラメータを測定することによって始まる。特徴パラメータの性質、アイデンティティおよび測定は、非常に実現例に特有でありかつツールに特有ですらある。たとえば、プロセスパラメータをモニタする能力は、ツールによってある程度異なる。より高い感知能力により、識別され測定される特徴パラメータのより広い許容範囲と、これが行なわれる態様とが許され得る。これに対して、より低い感知能力はこの許容範囲を制限し得る。たとえば、ゲートポリエッチＭＯＳＦＥＴ加工ツールは、計測ツール（図示せず）を用いて、ワークピース１００５のゲート臨界寸法および／またはロット中のワークピース１００５のゲート臨界寸法の平均を読取る。ワークピース１００５のゲート臨界寸法および／またはロット中のワークピース１００５のゲート臨界寸法の平均は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０でワークピースに対して行なわれるＭＯＳＦＥＴ加工に特有のパラメータの例示的な例である。
【００６０】
図１０を参照して、この特定の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工プロセス特徴パラメータは、ツールセンサ（図示せず）によって測定されおよび／またはモニタされる。これらのツールセンサの出力は、線１０２０を介してコンピュータシステム１０３０に伝送される。コンピュータシステム１０３０はこれらのセンサ出力を分析して特徴パラメータを識別する。
【００６１】
図９に戻って、特徴パラメータを一旦識別しかつ測定すると、方法９００は、ボックス９３０に示されるように、測定されかつ識別された特徴パラメータをモデル化することにより先に進む。図１０のコンピュータシステム１０３０は、この特定の実施例では、特徴パラメータをモデル化するようにプログラムされる。このモデル化が行なわれる態様は実現例特有である。
【００６２】
図１０の実施例で、データベース１０３５は、どの特徴パラメータが測定されるかに依存して、潜在的に適用され得る複数のモデルを記憶する。したがって、この特定の実施例は、測定され得る特徴パラメータのアプリオリな知識をいくらか必要とする。次にコンピュータシステム１０３０は、測定された特徴パラメータを適用すべき潜在的モデルのデータベース１０３５から適切なモデルを抽出する。データベース１０３５が適切なモデルを含まなければ、特徴パラメータは無視され得るかまたは、そのようにプログラムされていればコンピュータシステム１０３０がそれを作り出そうと試み得る。データベース１０３５は、光ディスク１０４０、フロッピー（Ｒ）ディスク１０４５またはコンピュータシステム１０３０のハードディスクドライブ（図示せず）などのいずれの種類のコンピュータ読出可能プログラム記憶媒体に記憶されてもよい。データベース１０３５はまた、コンピュータシステム１０３０とインターフェイスする別個のコンピュータシステム（図示せず）に記憶されてもよい。
【００６３】
測定された特徴パラメータのモデル化は、代替的な実施例では異なって実現され得る。たとえば、コンピュータシステム１０３０は、何らの形の人工知能を用いてプログラムされて、センサ出力およびコントローラ入力を分析し、リアルタイム実現例でオンザフライでモデルを作り出し得る。この方策は、データベース１０３５が適切なモデルを有しない特徴パラメータを測定し識別する、図１０に図示されかつ上述された実施例に付属する有用なものであろう。
【００６４】
次に、図９の方法９００は、ボックス９４０に示されるように、モデルを適用してＭＯＳＦＥＴ加工制御入力パラメータを変更することによって先に進む。実現例に依存して、モデルの適用は、ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力パラメータの新たな値または既存のＭＯＳＦＥＴ加工制御入力パラメータへの訂正のいずれかを生じ得る。次に、新たなＭＯＳＦＥＴ加工制御入力が、モデルが生じる値から与えられ、線１０２０を介してＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１０１５に伝送される。次に、ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１０１５は、新たなＭＯＳＦＥＴ加工制御入力に従って、その後のＭＯＳＦＥＴ加工プロセス動作を制御する。
【００６５】
いくつかの代替的な実施例は、フィードバックの形態を用いて特徴パラメータのモデル化を改良し得る。このフィードバック実現例は、ツールの感知能力および経済性を含むいくつかの異なる事実に依存する。これを行なう１つの技術は、モデルの実現例の少なくとも１つの影響をモニタすることと、モニタされた影響に基づいてモデルを更新することとであろう。更新もモデルに依存し得る。たとえば、線形モデルは、すべての他のファクタが同じならば、非線形モデルが必要とするのとは異なる更新を必要とし得る。
【００６６】
上記説明から明らかなように、この発明のいくつかの特徴はソフトウェアで実現される。たとえば、図９のボックス９２０−９４０に示されたステップは、例示的な実施例では、全体がまたは一部がソフトウェアで実現される。したがって、この発明のいくつかの特徴は、コンピュータ読出可能プログラム記憶媒体にエンコードされる命令として実現される。プログラム記憶媒体は、特定の実現例に好適ないずれのタイプのものであってもよい。しかしながら、プログラム記憶媒体は典型的には、フロッピー（Ｒ）ディスク１０４５もしくはコンピュータ１０３０のハードディスクドライブ（図示せず）などの磁気的なものまたは光ディスク１０４０などの光学的なものであろう。コンピュータがこれらの命令を実行すると、命令は開示された機能を実行する。コンピュータは、コンピュータ１０３０などのデスクトップコンピュータであってもよい。しかしながら、コンピュータは、代替的に、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１０１０に埋込まれるプロセッサであってもよい。コンピュータは、さまざまな他の実施例では、ラップトップ、ワークステーションまたはメインフレームであってもよい。この発明の範囲は、この発明の実施例が実現され得るプログラム記憶媒体またはコンピュータのタイプまたは性質によって限定されるものではない。
【００６７】
このように、本明細書中の詳細な説明のいくつかの部分は、アルゴリズム、関数、技術および／またはプロセスの観点から提示されるまたは提示され得る。これらの観点により、当業者は、他の当業者に彼らの研究の実質を最も効果的に伝えることができる。これらの観点は、ここでは一般的に、所望の結果をもたらす一貫したステップのシーケンスであると考えられる。このステップは、物理量の物理的操作を必要とするものである。必須ではないものの、通常これらの量は、記憶、転送、組合せ、比較およびその以外の方法で操作可能な電磁信号の形をとる。
【００６８】
時には、主に一般的使用という理由のために、これらの信号を、ビット、値、要素、シンボル、キャラクタ、項、数などと称することが好都合であることがわかっている。これらおよび同様の用語のすべては、適切な物理量と関連するものとされかつ、これらの量および作用に当てられる単なる好都合な標識である。特に言及されなければまたは説明から明らかであろうように、本明細書中で用いられる、「加工」「算出」「計算」「決定」「ディスプレイ」などの用語は、コンピュータシステムのレジスタおよび／もしくはメモリ内の物理（電磁）量として表わされるデータを操作しかつ、それを、コンピュータシステムのメモリおよび／もしくはレジスタおよび／もしくは他のそのような情報記憶、伝送および／もしくはディスプレイ装置内の物理量として同様に表わされる他のデータに変換する、コンピュータシステムまたは同様の電子および／もしくは機械計算装置のプロセスおよび作用を指す。
【００６９】
例示的な装置の構造
図１０の装置１０００の例示的な実施例１１００が図１１−１２に図示される。ここで、装置１１００は高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムの一部を含む。図１１−１２はそれぞれ装置１１００の概念化された構造的かつ機能的ブロック図である。ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０上で、ウェハ１１０５のロットに対して、１組の加工ステップが行なわれる。装置１１００はＡＰＣシステムの一部であるため、ウェハ１１０５はランごとに加工される。したがって、プロセス調節は、ランレベルでの測定または平均に基づいて、ランの持続時間にわたって行なわれかつ一定に保持される。「ラン」は、ロット、ロットのバッチまたは個々のウェハですらあり得る。
【００７０】
この特定の実施例では、ウェハ１１０５はＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０によって加工され、プロセス中のさまざまな動作は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０とワークステーション１１３０との間の線１１２０上の複数のＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号によって制御される。この実施例のための例示的なＭＯＳＦＥＴ加工制御入力は、ゲート臨界寸法、ソース／ドレイン接合深さ、ドーピングプロファイルなどのためのものを含み得る。上述のようにおよび図８に示されるように、ＭＯＳトランジスタ８００はいくつかの加工パラメータによって特定され得る。たとえば、ドープトポリゲート８１０は幅ｗを有し得、これは次にチャネル長さＬを定める。チャネル長さＬは、Ｎ−ＭＯＳ（Ｐ−ＭＯＳ）トランジスタ８００のためのゲート酸化物８１５の下に形成される２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合の間の距離である。２つの金属Ｎ-−Ｐ（Ｐ-−Ｎ）接合は、Ｎ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０と半導体基板８０５との間にある。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０の下の（接合深さｄjを有する）別の接合は、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０と半導体基板８０５との間に形成され得る。半導体基板８０５は、Ｎ型（Ｐ型）半導体基板８０５について平方センチメートル当りのイオンの数で典型的に与えられるドナー（アクセプタ）不純物の濃度を反映するドーピングレベルＮD（ＮA）を有し得る。さらに、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン領域８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０は各々、それぞれのドーピングレベルＮD+およびＮD-（ＮA+およびＮA-）を有し得る。それぞれのドーピングレベルは、Ｎ+ドープされた（Ｐ+ドープされた）ソース／ドレイン８２０およびＮ-ドープされた（Ｐ-ドープされた）ＬＤＤ領域８３０に注入されるイオンの量に依存し得る。その量は、典型的にｋｅＶで与えられるイオン注入エネルギでの平方センチメートル当りのイオンの数で与えられるのが典型的である。さらに、ゲート酸化物８１５は厚みｔoxを有し得る。
【００７１】
ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０のプロセスステップが完了すると、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０で加工中の半導体ウェハ１１０５はレビューステーション１１１７で検査される。ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力は一般的に半導体ウェハ１１０５の特徴パラメータに影響を及ぼし、したがって、ウェハ１１０５に対してＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０が行なう作用の変動性および特性に影響を及ぼす。ウェハ１１０５のロットのラン後の検査から一旦エラーを判定すると、線１１２０上のＭＯＳＦＥＴ加工制御入力は、ウェハ１１０５のロットのその後のランに対して変更される。線１１２０上の制御信号の変更は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０の次のプロセスステップを改良するように設計される。この変更は、図９に示された方法９００の１つの特定の実施例に従って行なわれ、以下により詳述される。ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０のための関連のＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号が一旦更新されると、新たな設定を有するＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号が半導体デバイスのその後のランに用いられる。
【００７２】
図１１および１２の両者をここで参照して、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０は、加工モジュールのネットワークを含む製造フレームワークと通信する。１つのそのようなモジュールは、コンピュータ１１４０に常駐するＡＰＣシステムマネージャ１２４０である。加工モジュールのこのネットワークがＡＰＣシステムを構成する。ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０は一般的に、機器インターフェイス１２１０とセンサーインターフェイス１２１５とを含む。マシンインターフェイス１２３０はワークステーション１１３０に常駐する。マシンインターフェイス１２３０は、たとえばＡＰＣシステムマネージャ１２４０などのＡＰＣフレームワークと機器インターフェイス１２１０との間のギャップの橋渡しをする。したがって、マシンインターフェイス１２３０はＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０とＡＰＣフレームワークとをインターフェイスし、マシンのセットアップ、活性化、モニタおよびデータ収集をサポートする。センサーインターフェイス１２１５は適切なインターフェイス環境を与えて、ＬａｂＶｉｅｗ（Ｒ）またはその他のセンサーバスベースのデータ獲得ソフトウェアなどの外部センサーと通信する。マシンインターフェイス１２３０とセンサーインターフェイス１２１５の両者とも（通信規格などの）１組の機能性を用いて、用いるべきデータを収集する。機器インターフェイス１２１０およびセンサーインターフェイス１２１５は、線１１２０を介して、ワークステーション１１３０に常駐するマシンインターフェイス１２３０と通信する。
【００７３】
より特定的には、マシンインターフェイス１２３０は、機器インターフェイス１２１０からコマンド、ステータスイベントおよび収集データを受取り、必要に応じて、これらを他のＡＰＣコンポーネントおよびイベントチャネルに転送する。次に、ＡＰＣコンポーネントからの応答は、マシンインターフェイス１２３０によって受取られ、機器インターフェイス１２１０に再ルーティングされる。マシンインターフェイス１２３０はまた、必要に応じてメッセージおよびデータを再フォーマットおよび再構築する。マシンインターフェイス１２３０は、ＡＰＣシステムマネージャ１２４０内でスタートアップ／シャットダウン手順をサポートする。それはＡＰＣデータコレクタとしても働き、機器インターフェイス１２１０が収集したデータをバッファし、適切なデータ収集信号を発する。
【００７４】
図示された特定の実施例では、ＡＰＣシステムは工場全体のソフトウェアシステムであるが、これがこの発明の実践に必要なわけではない。この発明が教示する制御ストラテジは、工場のフロアの事実上どの半導体ＭＯＳＦＥＴ加工ツールにも適用可能である。実際に、この発明は、同じ工場または同じ作製プロセス中の複数のＭＯＳＦＥＴ加工ツール上で同時に用い得る。ＡＰＣフレームワークはプロセス性能のモニタおよびリモートアクセスを可能にする。さらに、ＡＰＣフレームワークを利用することにより、ローカルドライブへのデータ記憶よりもデータ記憶がより好都合でより柔軟でかつより安価になり得る。しかしながら、いくつかの代替的な実施例では、この発明をローカルドライブで用いてもよい。
【００７５】
例示的な実施例は、多数のソフトウェアコンポーネントを用いて、この発明をＡＰＣフレームワーク上に展開する。ＡＰＣフレームワーク内のコンポーネントに加えて、制御システムに含まれる半導体ＭＯＳＦＥＴ加工ツールの各々ごとにコンピュータスクリプトが書かれる。制御システム中の半導体ＭＯＳＦＥＴ加工ツールが半導体製造工場で始動されると、半導体ＭＯＳＦＥＴ加工ツールは一般的にスクリプトを呼出して、ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラが必要とする作用を開始する。制御方法は、これらのスクリプトを用いて、一般的に規定されかつ実行される。これらのスクリプトの展開は、制御システムの展開のかなりの部分を含み得る。
【００７６】
この特定の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工動作を制御するのに含まれるタスクを行なういくつかの別個のソフトウェアスクリプトが存在する。レビューステーション１１１７およびＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１１１５を含むＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０のためのスクリプトが１つ存在する。また、レビューステーション１１１７からの実際のデータ捕捉を扱うスクリプトと、他のスクリプトのいずれもが参照し得る共通の手順を含む別のスクリプトとも存在する。ＡＰＣシステムマネージャ１２４０用のスクリプトも存在する。しかしながら、スクリプトの正確な数は実現例特有であり、代替的な実施例は他の数のスクリプトを用い得る。
【００７７】
例示的な装置の動作
図１３は図９の方法９００の１つの特定の実施例１３００を図示する。方法１３００は図１１−１２に図示された装置１１００を用いて実践され得るが、この発明はそのように限定されるものではない。方法１３００は、図１３に示された機能を実行し得るいずれの装置を用いて実践されてもよい。さらに、図９の方法９００は、図１３の方法１３００の代替の実施例で実践されてもよい。
【００７８】
ここで図１１−１３のすべてを参照して、方法１３００は、ボックス１３１０に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０などのＭＯＳＦＥＴ加工ツールを介してウェハ１１０５のロットを加工することによって始まる。この特定の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０は、マシンインターフェイス１２３０および機器インターフェイス１２１０を介して、ＡＰＣシステムマネージャ１２４０による加工のために初期化されている。この特定の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０を走らせる前に、ＡＰＣシステムマネージャスクリプトを呼出してＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０を初期化する。このステップで、スクリプトはＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０の識別番号と、ウェハ１１０５のロット番号とを記録する。次に、ロット番号に対してデータ記憶１１６０中に識別番号を記憶する。APCData呼出しならびにSetupおよびStartMachine呼出しなどのスクリプトの残余は、マシンにデフォルト設定を使わせるために、ブランクまたはダミーデータで表わされる。
【００７９】
この初期化の一部として、ＭＯＳＦＥＴ加工制御のための初期設定値が、線１１２０を介してＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１１１５に与えられる。これらの初期設定値は、技術分野で公知のいずれの好適な態様で定められかつ実現されてもよい。図示される特定の実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工制御は制御スレッドによって実現される。各制御スレッドは別個のコントローラのように働き、さまざまなプロセス条件によって差別化される。ＭＯＳＦＥＴ加工制御については、制御スレッドは異なる条件の組合せによって分離される。これらの条件は、たとえば、現在ウェハロットを加工している半導体ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０、半導体製品、半導体製造動作および以前に半導体ウェハロットを加工した１つ以上の半導体加工ツール（図示せず）を含み得る。
【００８０】
異なるプロセス条件が異なってＭＯＳＦＥＴ加工エラーに影響を及ぼすために、制御スレッドは分離される。プロセス条件の各々をそれ自身の対応する制御スレッドに分離することにより、ＭＯＳＦＥＴ加工エラーは、制御スレッド中のその後の半導体ウェハロットを加工する条件をより正確に写したものとなり得る。エラー測定はより関連性が高いため、エラーに基づくＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号に対する変更がより適切であろう。
【００８１】
ＭＯＳＦＥＴ加工制御機構のための制御スレッドは、現在のＭＯＳＦＥＴ加工ツール、現在の動作、現在のロットのための製品コードおよび前の加工ステップでの識別番号に依存する。最初の３つのパラメータは一般的に、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０からスクリプトに伝えられる文脈情報の中に見られる。４番目のパラメータは、一般的に、ロットが予め加工されるときに記憶される。すべての４つのパラメータを一旦規定すると、それらを組合せて制御スレッド名を形成する。すなわち、ＭＯＳＰ０２＿ＯＰＥＲ０１＿ＰＲＯＤ０１＿ＭＯＳＰ０１は制御スレッド名の一例である。制御スレッド名はまた、データ記憶１１６０の中に、ウェハロット番号に対応して記憶される。
【００８２】
ロットが一旦制御スレッド名と関連づけられると、その制御スレッドに対する初期設定は一般的にデータ記憶１１６０から検索される。情報が呼出されるとき、少なくとも２つの可能性が存在する。１つの可能性は、現在の制御スレッド名で記憶された設定が存在しない場合である。これは、制御スレッドが新しい場合または情報が失われたもしくは削除された場合に起こり得る。こうした場合、スクリプトは、それと関連のエラーがないものとして制御スレッドを初期化し、ＭＯＳＦＥＴ加工エラーのターゲット値をＭＯＳＦＥＴ加工制御入力設定として用いる。コントローラがデフォルトマシン設定を初期設定として用いることが好ましい。いくつかの設定を仮定することにより、ＭＯＳＦＥＴ加工エラーは、フィードバック制御を容易にするために、制御設定に戻して関連づけられ得る。
【００８３】
別の可能性は、初期設定が制御スレッド名で記憶されている場合である。この場合、現在のウェハロットと同じ制御スレッド名で１つ以上のウェハロットが加工されており、また、レビューステーション１１１７を用いてＭＯＳＦＥＴ加工エラーも測定されている。この情報が存在するとき、ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号設定がデータ記憶１１６０から検索される。次にこれらの設定はＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０にダウンロードされる。
【００８４】
ウェハ１１０５はＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０によって加工される。図示された実施例では、これは、誘電膜または層のエッチおよび／または堆積および／またはエッチ／堆積を含む。ウェハ１１０５は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０に対するそれらのＭＯＳＦＥＴ加工の後にレビューステーション１１１７上で測定される。レビューステーション１１１７は、ウェハが加工された後に多数のエラーについてウェハ１１０５を検査する。レビューステーション１１１７の器具が生成したデータは、センサーインターフェイス１２１５および線１１２０を介してマシンインターフェイス１２３０に伝えられる。レビューステーションのスクリプトは、データ収集のための多数のＡＰＣコマンドによって始まる。次に、レビューステーションスクリプトはそれ自身を定位置にロックし、データ入手可能スクリプトを活性化する。このスクリプトは、レビューステーション１１１７からＡＰＣフレームワークへの実際のデータ転送を容易にする。一旦転送が完了すると、スクリプトは終了し、レビューステーションスクリプトのロックを解除する。次にレビューステーション１１１７との対話が一般的に完了する。
【００８５】
この開示による利益を有する当業者には認められるように、レビューステーション１１１７が生成するデータは使用のために前処理する必要がある。ＫＬＡレビューステーションなどのレビューステーションは、制御エラーを測定するための制御アルゴリズムを与える。この特定の実施例では、エラー測定値の各々は、直接的な態様で線１１２０上のＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号の１つに対応する。エラーを用いてＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号を訂正可能になる前に、ある量の前処理が一般的に完了する。
【００８６】
たとえば、前処理は、アウトライアー拒否を含み得る。アウトライアー拒否は、プロセスの履歴性能に照らして、受取ったデータが妥当であるのを確実にする全体的なエラーチェックである。この手順は、ＭＯＳＦＥＴ加工エラーの各々をその対応する予め定められた境界パラメータとを比較するステップを含む。１つの実施例では、予め定められた境界の１つを超えたとしても、半導体ウェハロット全体からのエラーデータが一般的に拒否される。
【００８７】
アウトライアー拒否の限界を定めるため、何千もの実際の半導体製造作製（ファブ）データ点が収集される。次に、この収集されたデータ中の各エラーパラメータごとの標準偏差が計算される。１つの実施例では、アウトライアー拒否のために、予め定められた境界として（プラスとマイナスの両者の）標準偏差の９倍が一般的に選ばれる。これは主に、プロセスの通常の動作条件を大きく外れる点のみを確実に拒否するために行なわれた。
【００８８】
前処理はデータも平滑化し得る。これはフィルタリングとしても公知である。エラー測定値はある量のランダムさを有しやすいためにエラーの値が大きく偏るため、フィルタリングが重要である。レビューステーションのデータをフィルタリングすることにより、ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号設定におけるエラーのより正確な評価がもたらされる。１つの実施例では、ＭＯＳＦＥＴ加工制御機構は、指数重みづけ移動平均（ＥＷＭＡ）フィルタとして公知のフィルタリング手順を用いるが、他のフィルタリング手順をこの文脈で利用することができる。
【００８９】
ＥＷＭＡフィルタの１つの実施例が式（１）で表わされる。
ＡＶＧN＝Ｗ*ＭC＋（１−Ｗ）*ＡＶＧP    （１）
式中、
【００９０】
【数１１】
0005063846.tif 000012
【００９１】
重みは、フィルタリングの量を制御するのに用い得る調節可能なパラメータであり、一般的に０と１との間にある。重みは現在のデータ点の正確さの信頼度を表わす。測定が正確であると考えられる場合、重みは１に近い。プロセス中にかなりの量の変動が存在すれば、０により近い数字が適切であろう。
【００９２】
１つの実施例では、ＥＷＭＡフィルタリングプロセスを利用するための少なくとも２つの技術が存在する。第１の技術は、上述のように、以前の平均、重みおよび現在の測定値を用いる。第１の実現例を用いる利点は、利用しやすさおよび最小データ記憶である。第１の実現例を用いる欠点の１つは、この方法が一般的にプロセス情報をあまり保持しないことである。さらに、この態様で計算される以前の平均は、それに先立つあらゆるデータ点から構成されるが、これは望ましくないであろう。第２の技術はデータのうちいくつかのみを保持し、その都度生データから平均を計算する。
【００９３】
半導体製造工場の製造環境はいくつかの独自の課題を提示する。ＭＯＳＦＥＴ加工ツールによって半導体ウェハロットを加工する順序が、レビューステーションでそれらを読出す順序と対応しないことがある。これは、データ点がシーケンスを外れてＥＷＭＡ平均に加えられることに繋がり得る。半導体ウェハロットを１度よりも多く分析してエラー測定値を検証してもよい。データ保持がない場合、両者の読取りがＥＷＭＡ平均に寄与するが、これは望ましくない特徴であろう。さらに、制御スレッドのいくつかは低いボリュームを有し得るが、これにより以前の平均が古くなってしまい、したがってＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号設定におけるエラーを正確に表わすことができないであろう。
【００９４】
ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１１１５は、この特定の実施例では、限られたデータ記憶を用いて、ＥＷＭＡフィルタされたエラーを計算する。すなわち第１の技術である。ロット番号、ロットが加工された時間および多数のエラー推定を含むウェハロットデータは、制御スレッド名でデータ記憶１１６０に記憶される。新たな１組のデータが収集されると、データのスタックがデータ記憶１１６０から検索されかつ分析される。加工中の現在のロットのロット番号がスタック中のものと比較される。そこに存在するデータのいずれかとロット番号とが一致すれば、エラー測定値が置換えられる。一致しなければ、ロットが加工された期間に従って、現在のスタックにデータ点が時系列順に加えられる。１つの実施例では、１２８時間よりも古いスタック内のいずれのデータ点も除去される。上述のステップが一旦完了すると、新たなフィルタ平均が計算され、データ記憶１１６０に記憶される。
【００９５】
こうして、データが収集されかつ前処理され、次に加工されて、ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号設定中の現在のエラーの推定を生成する。まず、上述のアウトライアー拒否基準を実行するコンパイルされたＭａｔｌａｂ（Ｒ）プラグインにデータが伝えられる。プラグインインターフェイスへの入力は、多数のエラー測定値および境界値を含むアレイである。プラグインインターフェイスからの戻りは単一のトグル変数である。０でない戻りは、拒否基準に満たなかったことを示し、それ以外では変数はデフォルト値である０を戻し、スクリプトはプロセスを継続する。
【００９６】
アウトライアー拒否が完了した後、データはＥＷＭＡフィルタリング手順に伝えられる。ロットと関連の制御スレッド名のためのコントローラデータが検索され、ロットデータのスタック上の関連動作のすべてが実行される。これは、冗長データを置換えることまたはより古いデータを除去することを含む。一旦データスタックの準備が十分に整うと、それはエラー値に対応する時間昇順アレイにパーズ解析される。これらのアレイは、実行に必要なパラメータのアレイとともにＥＷＭＡプラグインに与えられる。１つの実施例では、プラグインからの戻りはフィルタされた６つのエラー値を含む。
【００９７】
図１３に戻って、データ前処理は、ボックス１３２０に示されるように、最終ＷＥＴ測定ステップでワークピース１１０５ＷＥＴ値を測定することを含む。公知の潜在的特徴パラメータは、特徴データパターンによって識別され得るかまたは、ＭＯＳＦＥＴ加工制御への公知の変更の結果として識別され得る。ゲート臨界寸法の変更が、上に与えられたエッチ／堆積された誘電膜の堆積の変動性にどのように影響を及ぼすかの例は、この後者のカテゴリに入る。
【００９８】
制御プロセスの次のステップは、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０のＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１１１５の新たな設定を計算することである。現在のウェハロットに対応する制御スレッドの前の設定がデータ記憶１１６０から検索される。このデータは現在の組のＭＯＳＦＥＴ加工エラーと対にされる。新たな設定は、コンパイルされたＭａｔｌａｂ（Ｒ）プラグインを呼出すことによって計算される。このアプリケーションは多数の入力を組入れ、別個の実行コンポーネントで計算を行ない、多数の出力をメインスクリプトに戻す。一般的に、Ｍａｔｌａｂ（Ｒ）プラグインの入力は、ＭＯＳＦＥＴ加工制御入力信号設定、レビューステーションエラー、制御アルゴリズムに必要なパラメータのアレイおよび現在未使用のフラグエラーである。Ｍａｔｌａｂ（Ｒ）プラグインの出力は、上述のコントローラアルゴリズムに従うプラグインで計算された新たなコントローラ設定である。
【００９９】
制御作用の実際の形態および範囲を一般的に定めるＭＯＳＦＥＴ加工プロセス技術者または制御技術者がパラメータを設定することができる。それらは、しきい値、最大ステップサイズ、コントローラ重みおよびターゲット値を含む。新たなパラメータ設定が一旦計算されると、スクリプトはデータ記憶１１６０にその設定を記憶し、それにより、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０は、加工すべき次のウェハロットのためにそれらを検索することができる。この発明が教示する原則は他のタイプの製造フレームワークで実現可能である。
【０１００】
再び図１３に戻って、新たな設定の計算は、ボックス１３３０に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ加工レシピパラメータの関数としてワークピース１１０５ＷＥＴ値をモデル化することを含む。このモデル化は、Ｍａｔｌａｂ（Ｒ）プラグインによって行なわれ得る。この特定の実施例では、公知の潜在的特徴パラメータのみがモデル化され、モデルはマシンインターフェイス１２３０がアクセスするデータベース１１３５に記憶される。データベース１１３５は、示されるように、ワークステーション１１３０にまたはＡＰＣフレームワークの何らかの他の部分に常駐し得る。たとえば、モデルは、代替的な実施例では、ＡＰＣシステムマネージャ１２４０が管理するデータ記憶１１６０に記憶され得る。モデルは一般的に数学モデルである。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ加工レシピ制御の変更が最終ＷＥＴにおけるＷＥＴ測定およびＭＯＳＦＥＴ加工性能などにどのように影響を及ぼすかを説明する式である。上に与えられたさまざまな例示的な実施例に説明されたトランジスタモデルおよび／または加工ステップサブモデルがそのようなモデルの例である。
【０１０１】
用いられる特定のモデルは、特定のＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０およびモデル化される特定の特徴パラメータに依存して、実現例特有である。モデルにおける関係が線形であるかまたは非線形であるかは、含まれる特定のパラメータに依存する。
【０１０２】
次に、新たな設定は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツールコントローラ１１１５に伝送され、それによって適用される。したがって、ここで図１３に戻って、ワークピース１１０５ＷＥＴ値が一旦モデル化されると、ボックス１３４０に示されるように、モデルは、少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴ加工レシピ制御入力パラメータを変更するのに適用される。この特定の実施例では、マシンインターフェイス１２３０がデータベース１１３５からモデルを検索し、それぞれの値をプラグインし、ＭＯＳＦＥＴ加工レシピ制御入力パラメータの必要な変更を定める。次にこの変更は、マシンインターフェイス１２３０により、線１１２０を介して機器インターフェイス１２１０に通信される。次に機器インターフェイス１２１０がこの変更を実現する。
【０１０３】
この実施例はさらに、モデルが更新されることを提供する。これは、図１３のボックス１３５０−１３６０に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ加工レシピ制御入力パラメータを変更することの少なくとも１つの影響をモニタすること（ボックス１３５０）と、モニタされた影響に基づいて、適用されたモデルを更新すること（ボックス１３６０）とを含む。たとえば、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０の動作のさまざまな局面は、ＭＯＳＦＥＴ加工ツール１１１０が古くなるにつれて変化する。特徴パラメータ（たとえば、ワークピース１１０５のゲート臨界寸法）測定の結果として実現されるＭＯＳＦＥＴ加工レシピ変更の影響をモニタすることにより、必要な値を更新して、より優れた性能をもたらすことができる。
【０１０４】
上記のように、この特定の実施例がＡＰＣシステムを実現する。したがって、変更はロットの「間」に実現される。ボックス１３２０−１３６０に示される作用は、現在のロットを加工した後および第２のロットを加工する前に、図１３のボックス１３７０に示されるように実現される。しかしながら、この発明はそのように限定されるものではない。さらに、上記のように、ロットは１から数千（または実際にはいずれの有限な数）までのいずれの実際的な数のウェハを構成してもよい。「ロット」を構成するものは実現例特有であり、したがって、更新が行なわれる作製プロセス中の点は実現例によって異なる。
【０１０５】
この発明に従う製造方法の、上に開示された実施例のいずれによっても、測定ツールおよび／またはウェハ電気テスト（ＷＥＴ）から送られるパラメータ測定の中央値および広がりを用いることでマニュアルでおよび／または自動的に監視的加工調節を行ない、歩留まりを向上させおよび／またはよりよく制御できるようになる。さらに、この発明に従う製造方法の、上に開示された実施例のいずれによっても、向上したデバイスの正確さおよび精度、向上した効率および向上したデバイス歩留まりを備える半導体デバイス作製が可能になり、能率化され単純化されたプロセスフローが可能になり、それにより複雑さを減じかつ製造プロセスのコストを低下させ、スループットを向上させる。
【０１０６】
上に開示された特定の実施例は例示のみのものであり、この発明は、本明細書中の教示の利益を有する当業者には明らかな、異なるがしかし均等な態様で変更されかつ実践され得る。さらに、添付の請求項に記載のもの以外の、本明細書中に示された構成または設計の詳細に対していかなる限定も意図されるものではない。したがって、上に開示された特定の実施例が変形されたりまたは変更されたりしてもよく、すべてのそのような変形はこの発明の精神および範囲内にあると考えられることが明らかである。したがって、本明細書中で求められる保護範囲は添付の請求項に述べられるとおりである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図２】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図３】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図４】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図５】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図６】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図７】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例のフローチャートを概略的に示す図である。
【図８】  この発明に従う製造方法のさまざまな実施例でテストされるＭＯＳトランジスタの代表のＭＯＳトランジスタを概略的に示す図である。
【図９】  この発明に従って実践される半導体デバイス製造方法を概略的に示す図である。
【図１０】  この発明に従う、ＭＯＳＦＥＴ加工ツールを用いて、複数の制御入力信号を用いて加工されるワークピースを概略的に示す図である。
【図１１】  図１０のプロセスおよびツールの１つの特定の実施例を概略的に示す図である。
【図１２】  図１０のプロセスおよびツールの１つの特定の実施例を概略的に示す図である。
【図１３】  図１１−図１２のプロセスおよびツールを用いて実践され得るような、図９の方法の１つの特定の実施例を概略的に示す図である。
【図１】
0005063846.tif 000013
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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