(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成されており等間隔に複数の開口を有する絶縁膜と、前記基板の上の前記開口に形成されておりそれぞれが発光部を構成する複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
前記有機ＥＬ素子は前記発光部毎にパターニングされた第１電極と、前記第１電極の上に形成されている有機ＥＬ層と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機ＥＬ層の上に形成されている第２電極と、を有し、
前記絶縁膜は、第１電極の端部を覆っており、
前記有機ＥＬ層は最外周の開口よりも内側に形成されており、
前記有機ＥＬ層の外周の開口には、前記第１電極と同一の層があり、前記第１電極と同一の層と前記第２電極とが接しており、
前記有機ＥＬ層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離は１００μｍ以上であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
全ての開口の形状は同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は無機材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は窒化珪素からなることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。    
【請求項５】
前記第１電極と同一の層と前記第２電極は、透明導電性酸化物を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記透明導電性酸化物は、ＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１電極と同一の層と前記第２電極は、同じ材料であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記有機ＥＬ層は、前記発光部の間に跨って連続して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記最外周の開口から内側に向かって複数の開口で、前記第１電極と同一の層と前記第２電極とが接しており、前記有機ＥＬ層は前記開口よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型素子である有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。一般的な有機ＥＬ表示装置を図８に示す。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、各発光部を構成する有機ＥＬ素子を分離する目的で各開口の周囲に配置される絶縁膜８０５と、基板８０１上に形成されるＴＦＴ回路８０２による凹凸を平坦化させるための絶縁膜（以下、平坦化膜と称する。）８０３とを有している。有機ＥＬ素子は、発光部毎にパターニングされた第１電極８０４と、前記第１電極８０４上に形成されている有機ＥＬ層８０６と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機ＥＬ層８０６上に形成されている第２電極８０７とを有している。ちなみに、図中、符号８０８はカバーガラス、８０９はシール剤、８１０は絶縁膜に発生したひび割れ、８１１は素子外部の水分、８１２は平坦化膜の有機材料に含まれる水分を示す。
【０００４】
上記構成の有機ＥＬ表示装置は、第１電極８０４と第２電極８０７との間に電流を流すことにより、電極の間に挟まれた有機ＥＬ層８０６が発光する。絶縁膜８０５の材料としては、ポリイミドやアクリルなどの有機材料、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機材料が使用される。また、平坦化膜８０３には平坦性に優れた材料、例えば有機材料のアクリルが主として使用される。
【０００５】
ところで有機ＥＬ素子は、水分や酸素により有機ＥＬ素子の表示特性の劣化を招き易いことが知られている。劣化の中でも、最外周の発光部においては、その発光部の開口の端から輝度が低下する現象（以下、周辺劣化と称する）が発生する。周辺劣化の原因としては、有機材料からなる絶縁膜や平坦化膜に含まれる水分が前記絶縁膜を介して発光部に浸入することで発生すると考えられる。特に最外周の発光部よりも外側においては、絶縁膜や平坦化膜が有機ＥＬ素子の外側まで配置されているので、含水量が多くなる、或いは外部からの水分（図８の８１１）が浸入することにより、周辺劣化が発生しやすい。
【０００６】
そこで周辺劣化を解決するため、第１電極の端部と非透水性の平坦化膜とが隔壁（本発明では絶縁膜を意味する）により覆われている。そして、前記隔壁には前記発光部の外周を一周する開口が形成され、側壁及び底面は第２電極で覆われている構成が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
また、平坦化膜は隣り合う画素の画素メタル電極を互いに分離するように形成された溝部を含む構成が提案されている（特許文献２）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−３０２７０７号公報
【特許文献２】特開２００６−５８７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１、及び特許文献２は平坦化膜に含まれる水分や、素子外部の水分が絶縁膜を介して発光部に浸入するのを十分に防ぐことができないことを本発明者は発見した。
【００１０】
絶縁膜は発光部が形成される部分に開口を有しており、開口は等間隔に配列されている。しかし、表示領域では等間隔に形成されていた開口が、表示領域外で途切れるため、絶縁膜のパターンに不連続な部分が生じる。この不連続な部分、すなわち絶縁膜の凹凸パターンや開口のパターンが変化する境界部には、脱水等の加熱冷却プロセスでの熱履歴による残留応力や外部応力が集中するため、絶縁膜が割れやすくなる（図８の８１０）。絶縁膜が割れた部分から、平坦化膜の有機材料（例えばアクリル）に含まれる水分（図８の８１２）、或いは外部から平坦化膜に浸入する水分（図８の８１１）が発光部に浸入して、やはり周辺劣化が発生する。
【００１１】
以上のことから、有機ＥＬ表示装置においては、発光部へ絶縁膜や平坦化膜を介して水分が浸入するのを阻止することが、重要な課題となっている。また、この課題は、絶縁膜が無機材料からなる場合に特に顕著に問題となることが分かった。
【００１２】
この課題について特許文献１では、開口の周囲の隔壁の断面形状が、発光部の隔壁の断面形状と異なる上、等間隔ではない。この場合隔壁の応力の分散が不均一になり、発光部を構成する開口周辺の隔壁が割れやすくなる。この割れた部分から水分が発光部に浸入して周辺劣化を引き起こす可能性がある。
【００１３】
特許文献２では、平坦化膜が画素メタル電極を互いに分離するように形成されているが、平坦化膜は絶縁膜と隣接して設けられているため、平坦化膜中の水分が絶縁膜の割れた部分から発光部に浸入する課題を解決することは困難である。
【００１４】
本発明の目的は、平坦化膜中の水分或いは外部から前記平坦化膜に浸入する水分が絶縁膜が割れた部分を介して発光部に浸入するのを防ぎ、周辺劣化を抑えることができる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板と、前記基板の上に形成されており等間隔に複数の開口を有する絶縁膜と、前記基板の上の前記開口に形成されておりそれぞれが発光部を構成する複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
前記有機ＥＬ素子は前記発光部毎にパターニングされた第１電極と、前記第１電極の上に形成されている有機ＥＬ層と、各発光部の間を跨いで連続して前記有機ＥＬ層の上に形成されている第２電極と、を有し、
前記絶縁膜は、第１電極の端部を覆っており、
前記有機ＥＬ層は最外周の開口よりも内側に形成されており、
前記有機ＥＬ層の外周の開口には、前記第１電極と同一の層があり、前記第１電極と同一の層と前記第２電極とが接しており、
前記有機ＥＬ層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離は１００μｍ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、平坦化膜中の水分或いは外部から前記平坦化膜に浸入する水分が絶縁膜が割れた部分を介して発光部に浸入するのを防ぎ、周辺劣化を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の実施形態を説明する。
【００１８】
図１は本発明の有機ＥＬ表示装置を模式的に示した部分断面図である。図２は本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た模式図である。なお、図１は、図２のＥ−Ｅ’の断面である。
【００１９】
図示例の有機ＥＬ表示装置は、等間隔に配列された画素（発光部、但し、後記ダミー画素は発光しない。）を有する発光領域１１２と、その外周に非発光領域１１１とが形成されている。
【００２０】
すなわち、ガラス基板１０１上にＴＦＴ回路１０２が形成され、前記ＴＦＴ回路１０２の凹凸を平坦化するべく、平坦化膜１０３が積層されている。前記平坦化膜１０３上の各画素位置に第１電極１０４がパターニングされ、さらに前記第１電極１０４の外周にも、前記第１電極１０４の配列に倣って前記第１電極と同一の層１１５がパターニングされている。このとき、第１電極１０４と前記第１電極と同一の層１１５とは同じ材料であることが、作成工程上簡便であるため好ましい。
【００２１】
前記第１電極１０４及び前記第１電極と同一の層１１５の端部を覆い、各第１電極１０４及び前記第１電極と同一の層１１５を区画するように、絶縁膜１０５が形成されている。その結果、発光領域１１２には第１電極１０４が露出する開口Ｂが形成され、非発光領域１１１には第１電極と同一の層１１５が露出する開口Ａが形成される。
【００２２】
ここで、表示面における位置関係の表現は、表示面の中心Ｇを基点とした相対的な比較により表現することと定義する。よって本発明における外周の開口とは、発光領域１１２の中心Ｇから見て表示領域の外側にある開口の群（取り巻き）及び個々の開口のことを指す。また、最外周の開口とは、発光領域１１２の中心Ｇから見てある領域における最も距離がある開口の群（取り巻き）及び個々の開口のことを指す。
【００２３】
前記非発光領域１１１の開口Ａの形状は、前記発光領域１１２の開口Ｂの形状と同一であることが好ましい。つまり、全ての開口が同一の形状であることが好ましい。絶縁膜１０５に無機材料を用いた場合、前記開口Ａの形状が前記開口Ｂと異なると、開口の形状が異なる境界部で無機材料の応力の不均一によって前記絶縁膜１０５が割れる傾向にあるので、好ましくないからである。
【００２４】
絶縁膜１０５の材料としては、有機材料又は無機材料のどちらを用いてもよい。有機材料としては、ポリイミド、アクリル樹脂が使用できる。無機材料としては、窒化珪素や酸化珪素などが使用できる。含水量及び透湿性が低い点で、無機材料を絶縁膜１０５として使用するのが好ましい。
【００２５】
開口Ｂとその間の領域（絶縁膜１０５）とを含めた領域を発光領域１１２とするべく、有機ＥＬ層１０６は前記発光領域１１２のみに形成されている。つまり、有機ＥＬ層１０６は少なくとも最外周の開口Ａよりも内側に形成されている。
【００２６】
有機ＥＬ層１０６は、成膜プロセスが簡易であることから、発光領域１１２全域、つまり発光部の間に跨って連続的に形成されていることが好ましい。また、前記有機ＥＬ層１０６の外周の開口Ａ側の形成端と、前記開口Ａの外側の端部との間の距離Ｄは１００μｍ以上であることが好ましい。前記距離Ｄが１００μｍ以上の場合には、水分の伝播の抑制効果が高くなる。
【００２７】
なお、有機ＥＬ層１０６にはホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などが含まれるが、少なくとも有機発光層を含んでいれば良い。これらに用いられる材料は公知の材料で良く、限定されるものではない。
【００２８】
前記発光領域１１２の有機ＥＬ層１０６上、及び非発光領域１１１の開口Ａから露出する第１電極と同一の層１１５並びに絶縁膜１０５上に、第２電極１０７が形成されている。その結果、有機ＥＬ層１０６の外周の開口Ａでは前記第１電極と同一の層１１５が、前記第２電極１０７と接し、さらに平坦化膜１０３及び絶縁膜１０５と接する構成となる。但し、第１電極１０４の端部は絶縁膜１０５に覆われていることが必須であるが、第１電極と同一の層１１５の端部は絶縁膜１０５に覆われなくても良い。
【００２９】
上記構成の有機ＥＬ表示装置は、周辺劣化が生じる領域に水分の伝播経路となり得る有機ＥＬ層１０６が形成されていない。そのため、平坦化膜１０３に含まれる水分１１４や外部から絶縁膜１０５に浸入する水分１１３（絶縁膜が有機樹脂の場合）が、発光領域１１２の有機ＥＬ層１０６まで直接浸入しなくなる。また、非発光領域１１１の絶縁膜１０５の割れ１１０から浸入する平坦化膜１０３の水分１１４（絶縁膜が無機材料の場合）が、発光領域１１２の有機ＥＬ層１０６まで直接浸入しなくなる。
【００３０】
上述したように第１電極と同一の層１１５は第１電極１０４と同じ材料であることが好ましく、前記第１電極と同一の層１１５及び第２電極１０７の材料は特性に影響しない範囲であれば特に限定されない。しかし、前記第１電極と同一の層１１５と前記第２電極１０７とが接する界面において、水分の伝播を抑制する効果が高いという点で透明導電性酸化物が好ましい。特に、ＩＴＯ、ＩＴＺＯ又はＩＺＯが好ましい。また、第２電極１０７として透明導電性酸化物を選択し、絶縁膜１０５として無機材料を選択した場合には、第２電極１０７と絶縁膜１０５とが接する界面においても水分の伝播を抑制する効果が高くなる。
【００３１】
つまり、開口Ａの端から有機ＥＬ層１０６の端までの間において、第１電極と同一の層１１５と第２電極１０７との界面と、第２電極１０７と絶縁膜１０５との界面という２つの界面において水分の伝播を抑えることが可能となる。その結果、より周辺劣化を抑えることができる。特に、図示例の有機ＥＬ表示装置は、表示面の４辺に本発明が実施されているので、有機ＥＬ表示装置の周辺劣化を抑えることができる。
【００３２】
次に、有機ＥＬ層１０６の外周の開口Ａのうち、第１電極と同一の層１１５と第２電極１０７とが接する開口の表示面におけるレイアウトについて図３から図７を用いて説明する。
【００３３】
図３から図７は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の表示面の角部を拡大したもの（例えば図２のＦに相当するが、図２とは開口の構成は異なる。）である。
【００３４】
図３では、第１電極１０４上に有機ＥＬ層１０６と第２電極１０７とが形成される発光部の開口が３０２であり、前記有機ＥＬ層１０６の外周において前記第１電極と同一の層１１５と前記第２電極１０７とが接する開口が３０１である。図３は、最外周の開口から内側に向かって複数の開口、つまり前記開口３０２を有する発光領域の外周において、二重に渡り前記第１電極と同一の層１１５と、前記第２電極１０７とが接する開口３０１を配置している。そのため、より確実に有機ＥＬ表示装置の周辺劣化を抑えることができる。
【００３５】
図４は、第１電極１０４上に有機ＥＬ層１０６と第２電極１０７とが形成される発光部の開口４０２の外周に、前記第１電極と同一の層１１５と前記第２電極１０７とが接する開口４０１を配置している。さらに第１電極と同一の層１１５だけが形成される開口４０３を配置している。第２電極１０７は、開口の周囲の絶縁膜上を跨いで開口４０１、４０２に形成される。このレイアウトにおいても、発光部の開口４０２への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。
【００３６】
図５は、第１電極１０４上に有機ＥＬ層１０６と第２電極１０７とが形成される発光部の開口５０２の外周に、第１電極と同一の層１１５だけが形成される開口５０３を配置している。さらに外周に前記第１電極と同一の層１１５と前記第２電極１０７とが接する開口５０１を配置している。第２電極１０７は、開口の周囲の絶縁膜上を跨いで開口５０１、５０２に形成される。このレイアウトにおいても、発光部の開口５０３への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。
【００３７】
図６は、第１電極１０４上に有機ＥＬ層１０６と第２電極１０７とが形成される発光部の開口６０２の外周に、第１電極と同一の層１１５と第２電極１０７とが接する開口６０１を配置している。さらに外周に第１電極と同一の層１１５だけが形成される開口６０３を配置している。このレイアウトにおいても、発光部の開口６０２への水分の伝播は抑制され、周辺劣化は抑制することが可能である。なお、図６では発光領域の外周の開口が２行２列であるが、それ以上の行、列がある場合、最外周以外の開口の少なくとも１列分を覆ってあればよい。
【００３８】
図７は、第１電極１０４上に有機ＥＬ層１０６と第２電極１０７とが形成される発光部の開口が７０２であり、前記有機ＥＬ層１０６の外周において前記第１電極と同一の層１１５と前記第２電極１０７とが接する開口が７０１である。図７の発光部は、図１から図６に示す発光部とは配列が異なっており、上下に隣接する発光部の配列が１／２ピッチずれている。このような配列は、いわゆるデルタ配列にする場合の配列である。
【００３９】
なお、図１及び図３から図７では発光領域の外周の開口は１行１列〜２行２列分の例を記載しているが、本発明における発光領域の外周の開口の数、配置パターンはこの限りではない。そして、開口の形状や配置も長方形のストライプ状に記載しているが、開口が等間隔で存在していれば良く、ハニカムなどの多角形や円でも本発明に適用可能である。
【００４０】
本発明の有機ＥＬ表示装置においては、赤色を発光する前記発光部と、緑色を発光する前記発光部と、青色を発光する前記発光部と、から構成される発光画素を有することができる。赤色発光、緑色発光、青色発光の３色の発光部を１画素として、複数画素を配置することによって、フルカラー表示が可能な表示装置を提供することができる。
【００４１】
本発明の有機ＥＬ表示装置においては、発光領域１１２の外周にダミー画素を形成してもよい。ダミー画素を用いた場合、ダミー画素の第１の電極と同一の層１１５と第２電極１０７とを接触させる。
【００４２】
ここで、本発明におけるダミー画素とは、「第１電極１０４と同じパターンである第１の電極と同一の層１１５、又は開口Ｂと同じパターンである開口Ａを備え、表示に有効でない構造」と定義する。
【００４３】
一般的にダミー画素は、表示有効領域（本発明では発光領域）の最外周に配置されることが多い。これは作製プロセス上、発光領域の最外周の画素の表示特性が不安定になる（より詳しくは、ＴＦＴ回路１０２や第１電極１０４等が目的どおりに形成できない）可能性があり、表示特性が不安定な画素を発光領域から取り除く目的がある。本発明では、ダミー画素の第１電極と同一の層１１５と第２電極１０７とを接触させることで、前記第１電極と同一の層１１５と第２電極１０７とを接触させるための新たな領域を設けることなく周辺劣化を抑えることが可能となる。
【００４４】
有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴ回路の配置の違いによりボトムエミッション方式とトップエミッション方式に分けられるが、本発明では両方式でも適用できる。さらに、その他のアクティブマトリックス駆動方式や、単純マトリックス駆動方式などの駆動方式に適用可能である。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００４６】
＜実施例１＞
図１及び図２に示す構造を有する本発明の有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００４７】
ガラス基板１０１上にＴＦＴ回路１０２を形成し、前記ＴＦＴ回路１０２の保護膜として窒化ケイ素の薄膜をＣＶＤ法により形成した。次にアクリル系ネガ型レジストをＴＦＴ基板上に塗布し、プレベークをした後に、発光領域１１２のみにスルーホールを形成するためにフォトマスクを通して露光した。エッチング液に浸して現像し、ポストベークすることにより、平坦化膜１０３を形成した。
【００４８】
次に、発光領域１１２及び非発光領域１１１に、第１電極１０４及び前記第１電極と同一の層１１５が等間隔で配置されるように、メタルマスクを用いてアルミニウム（Ａｌ）を厚さ２００ｎｍになるようにスパッタ法により蒸着した。このＴＦＴ基板を真空度１０-5Ｐａ下２００℃で４時間加熱することにより、脱水を行なった。
【００４９】
脱水工程終了後、発光領域１１２の第１電極１０４及び非発光領域１１１の第１電極と同一の層１１５の端部を覆うように、メタルマスクを用いて窒化珪素（ＳｉＮ）をＣＶＤ法により形成し、無機材料の窒化珪素からなる絶縁膜１０５を形成した。絶縁膜１０５の形状は非発光領域１１１と発光領域１１２とで同じ形状とした。
【００５０】
次に、開口Ｂを有する発光領域１１２において、真空度１０-5Ｐａ下で、第１電極１０４上にホール輸送層、有機発光層（緑色）、電子輸送層、電子注入層の順で積層形成し、有機ＥＬ層１０６を形成した。そして、その上層には、発光領域１１２及び非発光領域１１１を覆うようにＩＺＯからなる厚さ６０ｎｍの第２電極１０７をスパッタ法により成膜した。その後、周囲にＵＶ硬化型シール剤１０９を塗布し、さらに内周に水分を吸収するための乾燥剤を塗布したカバーガラス１０８を、ＴＦＴ基板に貼り合せた。そして、紫外線を６分間照射してＵＶ硬化型シール剤１０９を紫外線硬化させ、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５１】
本実施例では、第１電極１０４がＡｌであることから、前記第１電極と同一の層１０５もＡｌとなり、第２電極１０７はＩＺＯとなる。さらに、発光領域１１２の外周の開口Ａ側の形成端と、前記開口Ａの外側の端部との間の距離Ｄは２００μｍであった。
【００５２】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は１５００ｈｒ後に確認された。
【００５３】
＜実施例２＞
実施例１の第１電極であるアルミニウムを覆うようにＩＴＯを厚さ１００ｎｍでスパッタ法により蒸着して、ＩＴＯを第１電極とした以外は全て実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５４】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００５５】
＜実施例３＞
実施例１の第１電極であるアルミニウムを覆うようにＩＺＯを厚さ１００ｎｍでスパッタ法により蒸着して、ＩＺＯを第１電極とした以外は全て実施例１と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５６】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、表示面の最外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００５７】
＜比較例１＞
実施例２において、有機ＥＬ層を最外周の開口まで成膜すること以外、つまり発光領域１１２及び非発光領域１１１の全領域に有機ＥＬ層を成膜すること以外は全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００５８】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。本比較例１では、本発明を使用した有機ＥＬ表示装置ではないために、表示面の最外周において周辺劣化は３００ｈｒで確認された。
【００５９】
＜実施例４、５、６、７＞
実施例２において、有機ＥＬ層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離Ｄを５０μｍ、１００μｍ、３００μｍ、５００μｍと変更する以外は、全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６０】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果を表１に示した。
【００６１】
＜実施例８＞
絶縁膜をポリイミドに変更する以外は全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６２】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は１０００ｈｒ後に確認された。
【００６３】
＜実施例９＞
第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図３に変更する以外は全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６４】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００６５】
＜実施例１０＞
第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図５に変更する以外は全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６６】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００６７】
＜実施例１１＞
第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口の表示面におけるレイアウトを図６に変更する以外は全て実施例２と同様に有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６８】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００６９】
＜実施例１２＞
有機ＥＬ層を蒸着するまでは実施例２と同様に作製した。次に、真空度１０-5Ｐａ下で、第１電極上にホール輸送層を蒸着し、赤色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて赤色の発光層を蒸着した。次いで、緑色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて緑色の発光層を蒸着した。最後に青色の発光部以外を遮蔽したメタルマスクを用いて青色の発光層を蒸着した。その後電子輸送層、電子注入層の順で積層形成した。そして、その上層には、図３における開口３０１、３０２の領域内を覆うようにＩＺＯからなる厚さ２００ｎｍの第２電極をスパッタ法により成膜した。その後、周囲にＵＶ硬化型シール剤を塗布し、さらに内周に水分を吸収するための乾燥剤を塗布したカバーガラスを、ＴＦＴ基板に貼り合せ、紫外線を６分間照射して紫外線硬化させ、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００７０】
得られた有機ＥＬ表示装置を８０℃湿度３０％の恒温試験機に放置し、所定時間毎に取り出して、発光させて周辺劣化を確認した。その結果、発光領域の外周において周辺劣化は３０００ｈｒでも確認されなかった。
【００７１】
【表１】
0005017584.tif 000002
距離：本発明の有機ＥＬ層の外周の開口側の形成端と、前記開口の外側の端部との間の距離
【００７２】
本発明に基づいてアクティブマトリクス等で駆動する有機ＥＬ表示装置を作製することで、その駆動がより長期で安定であり、より性能が高い表示装置として製品供給を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における一実施形態の模式的断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。
【図７】本発明の有機ＥＬ表示装置を表示面から見た一実施形態の部分拡大模式図である。
【図８】従来例の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１  ガラス基板
１０２  ＴＦＴ回路（薄膜トランジスタ）
１０３  平坦化膜
１０４  第１電極
１０５  絶縁膜
１０６  有機ＥＬ層
１０７  第２電極
１０８  カバーガラス
１０９  シール剤
１１０  絶縁膜に発生した割れ
１１１  非発光領域
１１２  発光領域
１１３  絶縁膜に浸入する水分
１１４  平坦化膜の水分
１１５  第１電極と同一の層
３０１  第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口
３０２  第１電極上に有機ＥＬ層と第２電極とが形成される発光部の開口
４０１  第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口
４０２  第１電極上に有機ＥＬ層と第２電極とが形成される発光部の開口
４０３  第１電極と同一の層だけが形成される開口
５０１  第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口
５０２  第１電極上に有機ＥＬ層と第２電極とが形成される発光部の開口
５０３  第１電極と同一の層だけが形成される開口
６０１  第１電極と同一の層と第２電極とが接する開口
６０２  第１電極上に有機ＥＬ層と第２電極とが形成される発光部の開口
６０３  第１電極と同一の層だけが形成される開口
７０１  第１電極と同一の層だけが形成される開口
７０２  第１電極上に有機ＥＬ層と第２電極とが形成される発光部の開口
８０１  基板
８０２  ＴＦＴ回路（薄膜トランジスタ）
８０３  平坦化膜
８０４  第１電極
８０５  絶縁膜
８０６  有機ＥＬ層
８０７  第２電極
８０８  カバーガラス
８０９  シール剤
８１０  絶縁膜に発生したひび割れ
８１１  素子外部の水分
８１２  平坦化膜の有機材料に含まれる水分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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