(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置であって、
発光素子を含む画素回路を有する表示パネルと、
温度と所定パラメータの値とが関連付けられた関連付け情報を記憶する記憶部と、
前記表示パネルの温度を検出する温度センサと、
前記温度センサによって異なるタイミングで取得された２以上の温度に基づいて、前記表示パネルの温度が到達する予測温度を算出する予測温度演算部と、
前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記発光素子における電流を制御する電位を変更する電位変更部と、
を備え、
前記温度センサによって取得された現在の温度が、前記予測温度演算部によって算出された予測温度と一致しない場合、前記予測温度演算部が新たな予測温度を算出し、前記電位変更部が、前記関連付け情報に従い、該新たな予測温度に応じて、前記発光素子における電流を制御する電位を変更することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記画素回路が、
第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整することで、前記発光素子における電流を制御するトランジスタと、
前記発光素子の両極間に電位差を付与する電源線と、
前記第３の電極に画像信号に応じた電位を付与する画像信号線と、
を含み、
前記電位変更部が、
前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位、および前記画像信号線に付与するための電位のうちの少なくとも一方の電位を変更することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像表示装置であって、
前記電位変更部が、
前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位を変更することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の画像表示装置であって、
前記電位変更部が、
前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位、および前記画像信号線に付与するための電位の双方を変更することを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像表示装置であって、
前記電源線に付与する電位の変更量の幅の方が、前記画像信号線に付与するための電位の変更量の幅よりも相対的に大きいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の画像表示装置であって、
前記電位変更部による前記電源線に付与する電位の変更量の幅と前記画像信号線に付与するための電位の変更量の幅とが一定の比率を示すことを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
画像表示装置の駆動方法であって、
(a)温度と所定パラメータの値とが関連付けられた関連付け情報を所定の記憶部に記憶させるステップと、
(b)発光素子を含む画素回路を有する表示パネルの温度を検出するステップと、
(c)異なるタイミングで取得された２以上の温度に基づいて、前記表示パネルの現在の温度を、前記表示パネルによって到達される予測温度と比較するステップと、
(d)前記現在の温度が前記予測温度と一致しない場合、前記表示パネルによって到達される新たな予測温度を算出するステップと、
(e)前記関連付け情報に従い、前記新たな予測温度に応じて、前記発光素子における電流を制御する電位を変更するステップと、
を備えることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置、およびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。
【０００３】
この様な画像表示装置では、そこに使われている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）と有機ＥＬ素子の温度特性により、有機ＥＬパネルの温度が変化すると発光輝度が変化する。例えば、有機ＥＬ素子では、温度が高くなると流れる電流が増加し、消費電力が増えて更に温度が上昇する傾向があり、温度が低くなると流れる電流が減少し、消費電力が減って更に温度が下降する傾向があるといった具合に、熱に対して不安定な挙動を示す。
【０００４】
このため、有機ＥＬ素子の画素回路に付与する信号波形や信号電圧や電源電圧を適宜制御することで、広い温度範囲（例えば、−２０℃〜＋６０℃）における有機ＥＬパネルの温度変化に対して、発光輝度を安定させる技術が提案されている（例えば特許文献１〜１４）。そして、例えば、３℃程度の刻みの温度区間ごとに信号波形を変更すると、温度区間の切れ目でも輝度変化が感じられないように輝度の変動を抑えることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−２６３１４２号公報
【特許文献２】特開２０００−２１４８２４号公報
【特許文献３】特開２００１−１１８６７６号公報
【特許文献４】特開２００１−３４３９３２号公報
【特許文献５】特開２００３−２９７１０号公報
【特許文献６】特許第３３８９６５３号公報
【特許文献７】特開２００３−１５０１１３号公報
【特許文献８】特開２００３−３３０４１９号公報
【特許文献９】特開２００４−１０２０７７号公報
【特許文献１０】特開２００５−５５９０９号公報
【特許文献１１】特開２００５−２０８２２８号公報
【特許文献１２】特開２００５−２４２１１５号公報
【特許文献１３】特開２００５−３０９２３２号公報
【特許文献１４】特開２００５−３１６１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１〜１４で提案された技術では、有機ＥＬパネルの温度が各温度区間の切れ目の付近で細かく振幅して、細かく輝度が変動する輝度の発振現象が生じてしまい、視覚的に違和感を生じさせる。上記特許文献に記載された従来技術において、このような発振現象が生じるのは、有機ＥＬパネルの温度が低くなると、それに追従して有機ＥＬに流れる電流が小さくならないようにするために消費電力が増えるように制御されて発熱が大きくなることで温度が上昇し、一方、温度が高くなるとそれに追従して有機ＥＬに流れる電流が大きくならないようにするために消費電力が減って発熱が小さくなることで温度が低下するためである。
【０００７】
また、デューティの大小を適宜制御することで、有機ＥＬパネルの温度変化に対して発光輝度を安定させることも考えられるが、広い範囲の温度変化に対応するためには、例えば、デューティが変化する範囲を０．４〜８０％と非常に広範囲にしなければならない。しかしながら、デューティを小さくすべき際に誤って大きくしてしまうと、有機ＥＬパネルに過大な電流が流れ、有機ＥＬ素子の劣化を招き、有機ＥＬパネルの長寿命化に不利となる。更に、デューティが過小であっても過大であっても、画像が視覚的に違和感を感じさせるものとなるため、デューティは２０〜４０％程度に設定されることが好ましい。
【０００８】
この様な問題は、温度変化によって発光輝度が変動する画像表示装置一般に共通する。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、視覚的に違和感を感じさせることなく、温度変化に対して発光輝度を安定化させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、画像表示装置であって、発光素子を含む画素回路を有する表示パネルと、温度と所定パラメータの値とが関連付けられた関連付け情報を記憶する記憶部と、前記表示パネルの温度を検出する温度センサと、前記温度センサによって異なるタイミングで取得された２以上の温度に基づいて、前記表示パネルの温度が到達する予測温度を算出する予測温度演算部と、前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記発光素子における電流を制御する電位を変更する電位変更部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の画像表示装置であって、前記画素回路が、第１、第２、第３の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間における電流量を、前記第３の電極に印加される電位によって調整することで、前記発光素子における電流を制御するトランジスタと、前記発光素子の両極間に電位差を付与する電源線と、前記第３の電極に画像信号に応じた電位を付与する画像信号線とを含み、前記電位変更部が、前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位、および前記画像信号線に付与するための電位のうちの少なくとも一方の電位を変更することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の画像表示装置であって、前記電位変更部が、前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位を変更することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３に記載の画像表示装置であって、前記電位変更部が、前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記電源線に付与する電位、および前記画像信号線に付与するための電位の双方を変更することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の画像表示装置であって、前記電源線に付与する電位の変更量の幅の方が、前記画像信号線に付与するための電位の変更量の幅よりも相対的に大きいことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の画像表示装置であって、前記電位変更部による前記電源線に付与する電位の変更量の幅と前記画像信号線に付与するための電位の変更量の幅とが一定の比率を示すことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７の発明は、画像表示装置の駆動方法であって、(a)温度と所定パラメータの値とが関連付けられた関連付け情報を所定の記憶部に記憶させるステップと、(b)発光素子を含む画素回路を有する表示パネルの温度を検出するステップと、(c)前記(b)ステップにおいて異なるタイミングで取得された２以上の温度に基づいて、前記表示パネルの温度が到達する予測温度を算出するステップと、(d)前記関連付け情報に従い、前記予測温度に応じて、前記発光素子における電流を制御する電位を変更するステップとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１から請求項７のいずれに記載の発明によっても、温度の履歴に基づいて表示パネルの温度が安定する予測温度が算出され、その予測温度に応じて発光素子への電流の供給を制御する電位が変更されるため、視覚的に違和感を感じさせることなく、温度変化に対して発光輝度を安定化させることができる。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明によれば、発光素子における電流を容易に制御することができる。
【００１９】
また、請求項３に記載の発明によれば、発光素子の発光に要する消費電力が低減され、発光素子における電流密度も低減されるため、発光素子の長寿命化が図られる。
【００２０】
また、請求項４から請求項６のいずれに記載の発明によっても、発光素子を発光させる際に、トランジスタのドレイン電圧がゲート電圧よりも高くなることでトランジスタが線形領域で駆動してトランジスタの劣化が進行するような不具合を回避することができる。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明によれば、発光時における発光素子での電流密度をより低減することができるため、発光素子の長寿命化に資する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
＜表示パネル技術＞
まず、後述する本発明の実施形態に係る画像表示装置１００を構成する表示パネル３０について、図１から図８に基づいて説明する。ここでは、表示パネル３０は、いわゆる電流値によって発光輝度を調節する有機ＥＬディスプレイを備えて構成される。この表示パネル３０では、多数の画素回路が配置され、各画素回路に有機ＥＬ素子が配置されている。
【００２４】
＜画素回路の構成＞
図１は、表示パネル３０に含まれる１画素分の画素回路（駆動回路）７の構成例を示す図である。
【００２５】
画素回路７は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）１、駆動トランジスタ２、閾値（Ｖｔｈ）補償用トランジスタ３、およびコンデンサ４を備えている。
【００２６】
有機ＥＬ素子１は、発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子１は、アノード電極１ａとカソード電極１ｂとを有し、アノード電極１ａは、有機ＥＬ素子１の発光時に高電位側となる電源線（ここでは、ＶＤＤ線Ｌｖｄ）に対して電気的に接続される。一方、カソード電極１ｂは、有機ＥＬ素子１の発光時に低電位側となる電源線（ここでは、ＶＳＳ線Ｌｖｓ）に対して駆動トランジスタ２を介して電気的に接続される。つまり、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓが、有機ＥＬ素子１の両極間に、有機ＥＬ素子１の発光に要する電位差を付与する。
【００２７】
駆動トランジスタ２は、有機ＥＬ素子１に対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子１における電流量を調整することで有機ＥＬ素子１の発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、駆動トランジスタ２は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。
【００２８】
この駆動トランジスタ２は、第１から第３電極２ｄｓ，２ｓｄ，２ｇを有している。第１電極２ｄｓは、有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１が発光する際、すなわち有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にドレイン電極（以下「ドレイン」と略称する）として機能する。なお、第１電極２ｄｓは、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電流が流れる際には、逆にソース電極（以下「ソース」と略称する）として機能する。第２電極２ｓｄは、ＶＳＳ線Ｌｖｓに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子１に対して順方向の電流が流れる際にソース電極（ソース）として機能する。なお、第２電極２ｓｄは、有機ＥＬ素子１に対して逆方向に電流が流れる際には、逆にドレイン電極（ドレイン）として機能する。第３電極２ｇは、いわゆるゲート電極（以下「ゲート」と略称する）であり、コンデンサ４の一方の電極（第７電極４ａ）に対して電気的に接続される。
【００２９】
また、駆動トランジスタ２では、第３電極２ｇに印加される電位、より詳細には第１電極２ｄｓまたは第２電極２ｓｄと第３電極２ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極２ｄｓと第２電極２ｓｄとの間（以下「第１−２電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極（ゲート）２ｇに印加される電位により、駆動トランジスタ２は、第１−２電極間において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００３０】
Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、駆動トランジスタ２が通電状態となる場合の、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに対する第３電極２ｇの電位の下限値（所定の閾値電圧Ｖｔｈ）を検出するとともに、駆動トランジスタ２のゲート電圧を、閾値電圧Ｖｔｈ（以下「閾値Ｖｔｈ」と略称する）に調整するトランジスタである。なお、ここでは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３も、駆動トランジスタ２と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。
【００３１】
このＶｔｈ補償用トランジスタ３は、第４から第６電極３ｄｓ，３ｓｄ，３ｇを有している。第４電極３ｄｓは、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓと有機ＥＬ素子１のカソード電極１ｂとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。すなわち、第４電極３ｄｓは、駆動トランジスタ２の第１電極２ｄｓに対して電気的に接続される。第５電極３ｓｄは、接続点Ｔ１において駆動トランジスタ２の第３電極（ゲート）２ｇとコンデンサ４とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。すなわち、第５電極３ｓｄは、駆動トランジスタ２のゲート２ｇに対して電気的に接続される。第６電極３ｇは、いわゆるゲート電極であり、走査信号線Ｌｓｓに対して電気的に接続される。
【００３２】
また、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３では、第６電極３ｇに印加される電位、より具体的には第４電極３ｄｓまたは第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとの間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極３ｄｓと第５電極３ｓｄとの間（以下「第４−５電極間」とも称する）において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極（ゲート）３ｇに印加される電位により、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、第４−５電極間（ドレインとソースとの間）において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００３３】
ここで、有機ＥＬ素子１は、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時における駆動トランジスタ２のゲート電圧のゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、駆動トランジスタ２がアモルファスシリコンを用いて構成された場合には、駆動トランジスタ２ごとに閾値Ｖｔｈが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値Ｖｔｈを補償する機能（Ｖｔｈ補償機能）を持たせないと、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。
【００３４】
そこで、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、発光前において各画素ごとに駆動トランジスタ２のゲート電圧を閾値Ｖｔｈに合わせることで、駆動トランジスタ２における閾値Ｖｔｈのばらつきを補償するＶｔｈ補償機能を実現するために設けられている。
【００３５】
コンデンサ４は、駆動トランジスタ２の第３電極２ｇに対して電気的に接続される第７電極４ａと、画像信号線Ｌｉｓに対して電気的に接続される第８電極４ｂとを備えて構成されている。つまり、第７電極４ａは、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３の第５電極３ｓｄに対して電気的に接続されている。なお、ここでは、コンデンサ４の保持容量を所定値Ｃｓとする。
【００３６】
ところで、有機ＥＬ素子１は、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能する。この容量（ＥＬ素子容量）を所定値Ｃｏとする。また、駆動トランジスタ２は、第２電極２ｓｄと第３電極２ｇとの間（以下「第２−３電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｓＴｄと、第１電極２ｄｓと第３電極２ｇとの間（以下「第１−３電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｄＴｄとを有する。更に、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は、第５電極３ｓｄと第６電極３ｇとの間（以下「第５−６電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｓＴｔｈと、第４電極３ｄｓと第６電極３ｇとの間（以下「第４−６電極間」とも称する）の寄生容量ＣｇｄＴｔｈとを有する。なお、寄生容量ＣｇｓＴｄ，ＣｇｄＴｄ，ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈは、それぞれ駆動トランジスタ２、およびＶｔｈ補償用トランジスタ３の構成によって決定される所定値の容量である。
【００３７】
図２は、図１で示した画素回路７の回路構成（図中太線で記載）に対して、寄生容量ＣｇｓＴｔｈ，ＣｇｄＴｔｈ，ＣｇｓＴｄ，ＣｇｄＴｄとＥＬ素子容量Ｃｏとに係る回路構成（図中細線で記載）を加えた模式図である。
【００３８】
図２で示すように、画素回路７では、有機ＥＬ素子１の両電極間にはＥＬ素子容量Ｃｏを有するコンデンサ（素子コンデンサ）１ｃが存在し、駆動トランジスタ２の第２−３電極間には寄生容量ＣｇｓＴｄを有するコンデンサ２ｇｓが存在する一方で、駆動トランジスタ２の第１−３電極間には寄生容量ＣｇｄＴｄを有するコンデンサ２ｇｄが存在し、更に、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３の第５−６電極間には寄生容量ＣｇｓＴｔｈを有するコンデンサ３ｇｓが存在する一方で、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３の第４−６電極間には寄生容量ＣｇｄＴｔｈを有するコンデンサ３ｇｄが存在している状態と等価な状態が発生する。
【００３９】
なお、ここでは、１つの画素回路７に着目して説明したが、有機ＥＬディスプレイ全体では、画素回路７が多数存在する。このため、走査信号線Ｌｓｓも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌｓｓを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌｓｓ」と称する。
【００４０】
＜有機ＥＬ素子の発光に関する駆動方法＞
図３は、有機ＥＬ素子１を発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートである。図３では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)ＶＤＤ線Ｌｖｄに印加される電位（電位Ｖｄｄ）、(ｂ)ＶＳＳ線Ｌｖｓに印加される電位（電位Ｖｓｓ）、(ｃ)第１走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌｓｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｓ２）、(ｅ)画像信号線Ｌｉｓに印加される信号の電位（電位Ｖｌｉｓ）、の波形が示されている。
【００４１】
また、図３では、有機ＥＬ素子１を１回発光させるための駆動波形が示されており、１回の発光に係る期間は、時間順次に、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（時刻ｔ１１〜ｔ１２）、準備期間Ｐ２（時刻ｔ１２〜ｔ１３）、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（時刻ｔ１３〜ｔ１４）、書込期間Ｐ４（時刻ｔ１４〜ｔ１５）、素子初期化期間Ｐ５（時刻ｔ１５〜ｔ１６）、および発光期間Ｐ６（時刻ｔ１６〜）を備えて構成される。なお、書込期間Ｐ４における電位Ｖｌｉｓは、各有機ＥＬ素子１の発光輝度によって決まる任意の値であるため、図３では、当該電位が存在し得る範囲に斜線ハッチングが便宜的に付されている。
【００４２】
図４から図８は、表示パネル３０を駆動させる際に、画素回路７に着目して、各期間において発生する画素回路７の電流の流れを例示する図である。図４から図８では、画素回路７のうち、電流の流れに寄与する回路は太線で示され、電流の流れにほとんど寄与しない回路は細線で示されている。
【００４３】
以下、図３から図８を適宜参照しつつ、表示パネルの駆動方法について説明する。
【００４４】
図４では、Ｃｓ初期化期間Ｐ１（以下適宜「期間Ｐ１」と略する）における画素回路７の電流の流れが例示されている。
【００４５】
期間Ｐ１では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の正の高電位ＶＤＤ（例えば１５Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに所定の正の高電位ＶｇＨ（例えば１８Ｖ）が印加され、画像信号線Ｌｉｓに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加される。このとき、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、第６電極（ゲート）３ｇに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は導通状態となる。一方、ＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとが略同電位であるため、駆動トランジスタ２が実質的にオフとなり、駆動トランジスタ２は非導通状態となる。したがって、期間Ｐ１では、図４において白抜きの矢印で示すように、ＶＤＤ線ＬｖｄからＶｔｈ補償用トランジスタ３の第４および第５電極３ｄｓ，３ｓｄを介してコンデンサ４に向けて電流が流れ、コンデンサ４に所定量の電荷（例えば、１５Ｖに応じた電荷量）が蓄積される。
【００４６】
図５では、準備期間Ｐ２（以下適宜「期間Ｐ２」と略する）における画素回路７の電流の流れが例示されている。
【００４７】
期間Ｐ２では、ＶＤＤ線Ｌｖｄに負の所定電位−Ｖｐ（例えば−７Ｖ）が印加され、ＶＳＳ線Ｌｖｓに所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに所定の低電位ＶｇＬ（例えば−１０Ｖ）が印加され、画像信号線Ｌｉｓに所定の高電位ＶｄＨ（例えば１０Ｖ）が印加される。このとき、走査信号線Ｌｓｓにおける低電位ＶｇＬの印加により、第６電極（ゲート）３ｇにはほとんど正の電位が印加されないため、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌｉｓにおける高電位ＶｄＨの印加により、第３電極（ゲート）２ｇに高電位ＶｄＨに応じた正電位（例えば１５＋１０＝２５Ｖ）が印加され、駆動トランジスタ２は導通状態となる。そして、ＶＤＤ線ＬｖｄよりもＶＳＳ線Ｌｖｓの方がＶｐだけ電位が高いため、図５において白抜きの矢印で示すように、ＶＳＳ線Ｌｖｓから駆動トランジスタ２の第２および第１電極２ｓｄ，２ｄｓを介して、有機ＥＬ素子１に向けて電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１すなわち素子コンデンサ１ｃにＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとの間の電位差に応じた所定量の電荷（例えば７Ｖに応じた電荷）が蓄積される。
【００４８】
図６では、Ｖｔｈ補償期間Ｐ３（以下適宜「期間Ｐ３」と略する）における画素回路７の電流の流れが例示されている。
【００４９】
期間Ｐ３では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の基準電位（ここでは０Ｖ）が印加され、全走査信号線Ｌｓｓに高電位ＶｇＨが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨ（例えば１０Ｖ）が印加される。このとき、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、第６電極（ゲート）３ｇに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は導通状態となる。Ｖｔｈ補償用トランジスタ３が導通状態となることにより、コンデンサ４と素子コンデンサ１ｃとが短絡され、Ｔ１には素子コンデンサ１ｃに印加された電圧（７ｖ）よりやや高い電圧が与えられた状態となる。この電圧が駆動トランジスタ２の閾値Ｖｔｈより高い場合に、駆動トランジスタ２の第１および第２電極２ｄｓ，２ｓｄを介してＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて電流が流れる。また、素子コンデンサ１ｃに蓄積された電荷に伴う電流が、駆動トランジスタ２の第１および第２電極２ｄｓ，２ｓｄを介してＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて流れる。
【００５０】
ところが、コンデンサ４に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサ４からＶＳＳ線Ｌｖｓに向けて流れるにつれて、コンデンサ４に蓄積された電荷が減少する。そして、駆動トランジスタ２の第２電極２ｓｄに対する第３電極２ｇの電位Ｖｇｓが実質的に閾値Ｖｔｈまで減少すると、駆動トランジスタ２は、非導通状態となる。このとき、コンデンサ４には、閾値Ｖｔｈに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、期間Ｐ３では、閾値Ｖｔｈに応じた電荷がコンデンサ４に蓄積されて、画素ごとに異なる閾値Ｖｔｈのばらつきが補償される。
【００５１】
図７では、書込期間Ｐ４（以下適宜「期間Ｐ４」と略する）における画素回路７の電流の流れが例示されている。
【００５２】
期間Ｐ４では、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ基準電位０Ｖが印加されるとともに、画素データ信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の実施対象画素において、走査信号線Ｌｓｓに高電位ＶｇＨが印加され、画像信号線Ｌｉｓに電位（ＶｄＨ−Ｖdata）が印加される。なお、電位Ｖdataは、画素データ信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。このとき、走査信号線Ｌｓｓにおける高電位ＶｇＨの印加により、ゲート３ｇに高電位ＶｇＨに応じた正電位が印加され、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は導通状態となる。一方、画像信号線Ｌｉｓに対して、期間Ｐ３における電位ＶｄＨ以下の電位（ＶｄＨ−Ｖdata）が印加され、ゲート電圧が閾値Ｖｔｈ以下となるため、駆動トランジスタ２は非導通状態となる。したがって、期間Ｐ４では、図７において白抜きの矢印で示すように、有機ＥＬ素子１（すなわち素子コンデンサ１ｃ）からＶｔｈ補償用トランジスタ３の第４および第５電極３ｄｓ，３ｓｄを介してコンデンサ４に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサ４に既に蓄積された閾値Ｖｔｈに応じた電荷の上に電位Ｖdataに応じた電荷が加算されて蓄積される。すなわち、期間Ｐ４においては、コンデンサ４に有機ＥＬ素子１の発光輝度に応じた電荷が蓄積される。
【００５３】
なお、コンデンサ４の第７電極４ａの電位（駆動トランジスタ２のゲート電位）の変化量は、画像信号線Ｌｉｓの電位の変化量と、コンデンサ４の保持容量Ｃｓと素子コンデンサ１ｃのＥＬ素子容量Ｃｏとの比（容量比）との積である。すなわち、本実施形態においては、画像信号線Ｌｉｓの電位がＶｄＨからＶdataに変化する場合、駆動トランジスタ２のゲート電位が、（Ｖdata−ＶｄＨ）・Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｏ）だけ変化する。例えば、ＶｄＨ＝１０Ｖ，Ｖdata＝５Ｖ、Ｃｓ：Ｃｏ＝１：２である場合には、画像信号線Ｌｉｓの電位が−５Ｖ変化し、駆動トランジスタ２のゲート電位は、有機ＥＬ素子１からコンデンサ４に対する電荷の移動により、（５−１０）・１／（１＋２）＝−５／３Ｖ変化する。このようにコンデンサ４に蓄積される電荷の移動により、画像信号線Ｌｉｓの電位の変化が駆動トランジスタ２のゲート電位に反映される。
【００５４】
素子初期化期間Ｐ５（以下適宜「期間Ｐ５」と略する）においては、ＶＤＤ線ＬｖｄおよびＶＳＳ線Ｌｖｓにそれぞれ所定の負電位−Ｖｐが印加され、全走査信号線Ｌｓｓに低電位ＶｇＬが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨが印加される。このとき、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３が非導通状態となり、駆動トランジスタ２が導通状態となる。そして、ＶＤＤ線ＬｖｄとＶＳＳ線Ｌｖｓとの間に電位差がなく、ＶＳＳ線Ｌｖｓが負電位−Ｖｐに設定されているため、有機ＥＬ素子１（すなわち素子コンデンサ１ｃ）に蓄積された電荷が、ＶＳＳ線Ｌｖｓに抜けて、有機ＥＬ素子１に蓄積された電荷が一掃される。
【００５５】
図８では、発光期間Ｐ６（以下適宜「期間Ｐ６」と略する）における画素回路７の電流の流れが例示されている。
【００５６】
期間Ｐ６では、ＶＤＤ線Ｌｖｄに正の高電位ＶＤＤが印加される一方で、ＶＳＳ線Ｌｖｓに基準電位０Ｖが印加され、走査信号線Ｌｓｓに低電位ＶｇＬが印加され、画像信号線Ｌｉｓに高電位ＶｄＨが印加される。このとき、走査信号線Ｌｓｓにおける低電位ＶｇＬの印加により、Ｖｔｈ補償用トランジスタ３は非導通状態となる。一方、画像信号線Ｌｉｓに対して高電位ＶｄＨが印加されるため、期間Ｐ４においてコンデンサ４に蓄積された電荷量（電位Ｖdataに応じた電荷量）に応じた電位分だけＶｇｓが閾値Ｖｔｈよりも高くなり、駆動トランジスタ２は導通状態となる。例えば、Ｖdata＝５Ｖ、Ｃｓ：Ｃｏ＝１：２である場合には、期間Ｐ４においてコンデンサ４に蓄積される電荷が、閾値Ｖｔｈよりも５／３Ｖだけ低い電位(［Ｖｔｈ−５／３］Ｖ)に対応する。そして、期間Ｐ６では、画像信号線Ｌｉｓに対して期間Ｐ４よりもＶdata(＝５Ｖ)分だけ高い電位が印加され、第３電極（ゲート）２ｇに対して、閾値Ｖｔｈよりも１０／３Ｖだけ高い電位(［Ｖｔｈ＋１０／３］Ｖ＝［Ｖｔｈ−（５／３）＋５］Ｖ)が印加される。つまり、画像信号線Ｌｉｓによって画像信号（具体的には、画素データ信号Ｖdata）に応じた電位が、第３電極（ゲート）２ｇに対して付与される。
【００５７】
そして、ＶＤＤ線ＬｖｄがＶＳＳ線Ｌｖｓよりも電位ＶＤＤ分だけ高電位であり、駆動トランジスタ２が電位Ｖdataに応じて第１−２電極間で電流が流れる導通状態となる。このため、図８において白抜きの矢印で示すように、有機ＥＬ素子１に対して電位Ｖdataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１が電位Ｖdataに応じた輝度で発光する。つまり、期間Ｐ６では、各画素から画素データ信号に応じた輝度の光が出射される。
【００５８】
ここで、有機ＥＬ素子１が発光する際のＶｇｓは、定数ａ，ｄを用いると、Ｖｇｓ＝Ｖｔｈ＋ａ×Ｖdata＋ｄとなる。また、駆動トランジスタ２の第１−２電極間（ドレイン−ソース間）で流れる電流をＩｄｓは、定数βを用いて、Ｉｄｓ＝(β／２)×(Ｖｇｓ−Ｖｔｈ)2＝(β／２)×(ａ×Ｖdata＋ｄ)2となる。そして、有機ＥＬ素子１の発光輝度は、有機ＥＬ素子１を流れる電流の密度（電流密度）に略比例するため、図３で示した駆動波形を用いた制御により、各画素において所望の発光輝度が得られる。
【００５９】
＜画像表示装置の概略構成＞
図９は、本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の概略構成を例示する図である。
【００６０】
画像表示装置１００は、本体部１１０と表示部１２０とを備えた携帯電話機、すなわち携帯可能な電子機器であり、動画や静止画などといった各種画像を表示部１２０で表示する。
【００６１】
本体部１１０は、通信機能、バッテリーなどの給電機能、および操作部などを備えている。
【００６２】
表示部１２０は、例えば、略長方形の輪郭を有する有機ＥＬディスプレイ（organic electroluminescence display）、および本体部１１０より供給される各種信号が入力されるドライバ手段を備えている。なお、有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する自発光型画像表示装置である。
【００６３】
また、有機ＥＬディスプレイは、発光輝度に対応するデータ信号（画素データ信号）を各画素に供給するための画像信号線と、該画像信号線に対して略直交するように設けられ、各画素に走査信号を供給するための走査信号線とを有する。なお、走査信号は、各画素に画像信号線を介して画素データ信号を供給するタイミングを制御する信号である。
【００６４】
一方、ドライバ手段は、画像信号線に対して電気的に接続され、画素データ信号を画像信号線に供給するタイミングを制御するＸドライバ（画像信号線駆動回路）と、走査信号線に対して電気的に接続され、走査信号を走査信号線に供給するタイミングを制御するＹドライバ（走査信号線駆動回路）とを備える。例えば、画像表示装置１００では、Ｘドライバは有機ＥＬディスプレイの短辺に沿って配置され、Ｙドライバは有機ＥＬディスプレイの長辺に沿って配置される。
【００６５】
＜画像表示装置の機能構成＞
図１０は、画像表示装置１００の機能構成を例示するブロック図である。図１０では、温度変化に対して表示パネル３０の発光輝度を安定化させる機能に係る構成について主に示されている。
【００６６】
画像表示装置１００は、主に、制御部１０、記憶部２０、表示パネル３０、タイミングコントローラ４０、温度センサ５０、パネル電圧変更部６０、ドライバ電圧変更部７０、ＸドライバＸｄ、およびＹドライバＹｄを備えている。
【００６７】
制御部１０は、ＣＰＵやＲＯＭやＲＡＭ１３などを備えて構成され、例えば、ＲＯＭ内に格納されたプログラムをＣＰＵが読み込んで実行することで、各種制御や各種動作を実現する。具体的には、制御部１０では、ＣＰＵがプログラムを実行することで、タイマー１１、温度センサインターフェース（温度センサＩ／Ｆ）１２、予測温度演算部１４、および電圧変更制御部１５といった機能が実現される。この制御部１０で実現される機能については後述する。
【００６８】
記憶部２０は、例えば、ＣＰＵのＲＯＭやハードディスクなどにより構成され、テーブル情報ＴＢおよび各種情報を記憶する。
【００６９】
テーブル情報ＴＢは、温度と所定パラメータの値とが関連付けられた情報（「関連付け情報」とも称する）が記述されたデータテーブルである。ここでは、所定パラメータの値には、有機ＥＬ素子１の第１電極２ｄｓと第２電極２ｓｄとの間の電流量を制御する電位の値が含まれる。具体的には、所定パラメータの値には、有機ＥＬ素子１の発光時にＶＤＤ線Ｌｖｄに付与される電位Ｖｄｄ、ＶＳＳ線Ｌｖｓに付与される電位Ｖｓｓ、およびＸドライバＸｄから画像信号線に対して付与される電位Ｖdataの最大値が含まれる。また、温度は、表示パネル３０の温度に相当する。
【００７０】
このテーブル情報ＴＢに記述された情報については、実験的に画素回路７を実際に駆動させつつ求めることができる。例えば、電圧を変換する変圧器や、照度計などを用いて、周囲の温度を調節することで表示パネル３０の温度を変化させつつ、表示パネル３０から発せられる光の照度が所望の照度となるために必要な電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および画像信号線に付与する電位を求める態様などが考えられる。具体的には、所望の照度は、例えば、各色の画素を発光輝度の最大階調で発光させた場合に、表示パネル３０から発せられる光の照度である。
【００７１】
表示パネル３０は、図１から図８を示して説明した画素回路７が多数配列されて構成されている。
【００７２】
タイミングコントローラ（ＴＣ）４０は、ＸドライバＸｄおよびＹドライバＹｄへの信号の送出を制御するものである。
【００７３】
ＸドライバＸｄは、ＴＣ４０からの信号に応答して、画像信号線に対して画素データ信号を供給する。なお、ＴＣ４０は、画像データに同期させて、ＸドライバＸｄから各画像信号線に対する画素データ信号の供給タイミングを制御する信号をＸドライバＸｄに対して送出する。
【００７４】
ＹドライバＹｄは、ＴＣ４０からの信号に応答して、走査信号線に対して走査信号を供給する。なお、ＴＣ４０は、画像データに同期させて、ＹドライバＹｄから各走査信号線に対する走査信号の供給タイミングを制御する信号をＹドライバＹｄに対して送出する。
【００７５】
温度センサ５０は、表示パネル３０の温度（以下「パネル温度」とも称する）を検出するものである。この温度センサ５０は、例えば、熱電対などによって構成され、表示パネル３０のプリント回路基板に対して熱電対が半田付けなどの手段によって熱結合されている。なお、表示パネル３０の略中央に温度センサ５０を配置する態様であっても良い。また、温度センサ５０は、所定温度（例えば１℃）刻みでパネル温度を検出する。温度センサ５０で検出されたパネル温度を示す情報は、温度センサＩ／Ｆ１２に対して適宜送出される。
【００７６】
なお、温度センサ５０によるパネル温度の検出態様は、パネル温度を直接的に測定する態様に限られず、例えば、表示パネル３０の周辺温度を測定したり、他の部材を介して表示パネル３０の温度を測定することで、パネル温度を間接的に測定する態様であっても良い。したがって、本明細書では「表示パネルの温度を検出する」という表現を、表示パネルの温度を直接的または間接的に検出する両方の態様を含む意味で使用している。
【００７７】
パネル電圧変更部６０は、電圧変更制御部１５から入力された制御信号に応じて、有機ＥＬ素子１における電流を制御する電位、すなわち電源線の電位Ｖｄｄおよび電位Ｖｓｓを変更する。換言すれば、電位Ｖｄｄと電位Ｖｓｓとの差分（以下「パネルの電源電圧」とも称する）を変更する。パネルの電源電圧の変更は、例えば、電源回路（不図示）から各画素回路７へ電気的に接続する配線経路中に設けられたＤＣ−ＤＣコンバータなどの変圧器により行われる。
【００７８】
ドライバ電圧変更部７０は、電圧変更制御部１５から入力された制御信号に応じて、画像信号線Ｌｉｓに付与するための電位を変更する。つまり、有機ＥＬ素子１における電流を制御する電位、すなわち電位Ｖdataの最大値を変更する。例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの変圧器により、ＸドライバＸｄに供給される電圧（以下「Ｘドライバの電源電圧」とも称する）を変更することで、電位Ｖdataの最大値を変更する。
【００７９】
次に制御部１０で実現される機能について説明する。
【００８０】
タイマー１１は、所定のタイミングから所定時間が経過したか否かを計測するものである。なお、タイマー１１は、所定時間（ここでは、０．７秒）が経過する度に、温度センサＩ／Ｆ１２に対して所定の信号を送出する。
【００８１】
温度センサＩ／Ｆ１２は、タイマー１１からの所定の信号に応答して、温度センサ５０で検出されるパネル温度を示す情報を読み込むもので、所定時間（ここでは、０．７秒）が経過する度に、読み込んだパネル温度を示す情報をＲＡＭ１３に記憶させる。ここでは、直前の所定回分のパネル温度を示す情報が履歴情報ＨＤとしてＲＡＭ１３に記憶される。
【００８２】
予測温度演算部１４は、履歴情報ＨＤに含まれるパネル温度に基づいて、ある程度の時間（例えば、１０秒後など）が経過した後に表示パネル３０の温度が安定する温度、すなわち到達すると予測される温度（予測温度）を算出する。ここでは、予測温度演算部１４は、異なるタイミングで取得された２つのパネル温度に基づいて、表示パネル３０の温度が到達する予測温度を算出する。なお、予測温度の算出方法については後述する。
【００８３】
電圧変更制御部１５は、まずテーブル情報ＴＢから、予測温度演算部１４で算出された予測温度に対応する電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および電位Ｖdataの最大値を読み出す。そして、有機ＥＬ素子１を流れる電流を制御する電位を変更するために、制御信号をパネル電圧変更部６０、およびドライバ電圧変更部７０に対して読み出した情報を出力する。このとき、パネル電圧変更部６０、およびドライバ電圧変更部７０により、電圧変更制御部１５によって読み出された電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および電位Ｖdataの最大値が実現される。したがって、ここでは、電圧変更制御部１５、パネル電圧変更部６０、およびドライバ電圧変更部７０が本発明の電位変更部に相当し、この電位変更部により、テーブル情報ＴＢに従い、予測温度演算部１４で算出された予測温度に応じて、有機ＥＬ素子１における電流を制御する電位が変更される。なお、パネル電圧変更部６０によるパネルの電源電圧の調整、およびドライバ電圧変更部７０によるＸドライバの電源電圧の調整については更に後述する。
【００８４】
＜予測温度の算出方法＞
ある時刻におけるパネル温度（最初のパネル温度）をＴ０、パネル温度が最終的に変化する幅をＴδ、ある時刻からの時間経過をｔ、表示パネル３０の時定数をＴｐとすると、パネル温度をＴは、下式（１）で表される。つまり、時間経過に伴うパネル温度の変化が、下式（１）で表される。
【００８５】
Ｔ＝Ｔ０＋Ｔδ｛１−ｅｘｐ（−ｔ／Ｔｐ）｝・・・（１）
【００８６】
なお、表示パネル３０の時定数Ｔｐは、表示パネル３０の熱容量を、表示パネル３０において単位時間あたりに放熱する熱量（表示パネル３０の放熱能力）で割ったものであり、時定数Ｔｐは、時定数Ｔｐ＝（熱容量／放熱能力）の関係から求められる。ここで、パネル温度の読み取り間隔をＴｓとすると、下式（２）によって定数αが表される。
【００８７】
α＝ｅｘｐ（−Ｔｓ／Ｔｐ）・・・（２）
【００８８】
そして、最初のパネル温度を前回に測定されたパネル温度とし、次回に測定されたパネル温度をＴ１、ある程度の時間が経過した後に到達するパネル温度（予測温度）をＴ∞とすれば、下式（３）が成立する。
【００８９】
Ｔ１＝Ｔ０＋（Ｔ∞−Ｔ０）（１−α）・・・（３）
【００９０】
なお、例えば、パネル温度Ｔ０が測定された時点から、表示パネル３０がパネル温度Ｔ∞に到達するまでの時間は、時定数Ｔｐの１０倍程度に設定される。更に、上式（３）を順次変形すると、下式（４）および下式（５）が順次得られる。
【００９１】
Ｔ１＝α・Ｔ０＋（１−α）・Ｔ∞・・・（４）
【００９２】
Ｔ∞＝｛１／（１−α）｝・Ｔ１−｛α／（１−α）｝・Ｔ０
＝Ｔ１＋｛α／（１−α）｝（Ｔ１−Ｔ０）・・・（５）
【００９３】
また、ここで、Ｂ＝α／（１−α）とすると、下式（６）が得られる。
【００９４】
Ｔ∞＝Ｔ１＋Ｂ（Ｔ１−Ｔ０）・・・（６）
【００９５】
このように、予測温度Ｔ∞は、現在のパネル温度Ｔ１に対して、温度変化（すなわち現在のパネル温度Ｔ１から前回のパネル温度Ｔ０を引いた値）の定数倍を加えたものとなる。つまり、温度センサ５０を用いて、定期的にパネル温度を読み取り、連続２回分のパネル温度の差分から、予測温度Ｔ∞が求められる。
【００９６】
＜電源電圧の調整方法＞
パネル温度Ｔで有機ＥＬ素子１を最高階調に対応する或る輝度Ｙで発光させるためには、有機ＥＬ素子１に電流Ｉを流す必要がある。そして、パネル温度Ｔで電流Ｉを流すために有機ＥＬ素子１に印加する電圧Ｖｏが、有機ＥＬ素子１が或る輝度Ｙで発光するための電圧（動作電圧）となる。
【００９７】
ところで、駆動トランジスタ２を構成するＴＦＴのゲートに印加される電位（ゲート電位）がドレインに印加される電位（ドレイン電位）よりも高くなると、ＴＦＴはいわゆる線形領域の状態となる。この線形領域の状態では、電流制御が難しく、急速に閾値Ｖｔｈのシフト（Ｖｔｈシフト）が発生する可能性がある。なお、Ｖｔｈシフトとは、閾値Ｖｔｈが大きくなっていく現象であり、ＴＦＴの劣化を招く。
【００９８】
そこで、駆動トランジスタ２を飽和領域の状態で使用する必要がある。そして、出来るだけ低い動作電圧で駆動トランジスタ２に必要な電流を流すためには、ゲート電位がドレイン電位と略一致、すなわち第１−２電極間の電位差Ｖｄｓが、第３−２電極間の電位差Ｖｇｓと略一致すれば良い。
【００９９】
また、駆動トランジスタ２の第１−２電極間に電流Ｉを流すために必要な電圧は、Ｖｇｓ＝Ｖｄｓが成立する条件について電流と電圧との関係を示した特性曲線上で電流Ｉに対応する電圧である。そして、この電圧をＶｔとすると、電圧Ｖｔが、駆動トランジスタ２が或る輝度Ｙで発光するために必要となる電圧（制御電圧）となる。
【０１００】
そして、電圧Ｖｏと電圧Ｖｔとを加算した電圧Ｖａ（＝Ｖｏ＋Ｖｔ）が、有機ＥＬ素子１を或る輝度Ｙで発光させるために最低限必要十分である電圧であり、この電圧Ｖａをパネルの電源電圧とした場合に、有機ＥＬ素子１における消費電力を極力低減することができる。但し、電圧Ｖａは、Ｒ，Ｇ，Ｂ色の画素でそれぞれ異なるため、その最大値をパネルの電源電圧とすることが好ましい。
【０１０１】
また、パネル温度Ｔが変化すると、電流Ｉも変化するため、電圧Ｖｏ、電圧Ｖｔ、および電圧Ｖａも変化する。つまり、ここでは、パネル温度Ｔが変化すると、高電位ＶＤＤを変化させる必要性がある。そして、Ｖｇｓ＝Ｖｄｓの関係を保持するために、Ｘドライバの電源電圧も変化させる必要性がある。
【０１０２】
このため、各パネル温度Ｔについて、電圧Ｖａを実現するためのパネルの電源電圧（ここでは、高電位ＶＤＤ）およびＸドライバの電源電圧を予め求めて、テーブル情報ＴＢに記述しておけば良い。なお、ここでは、パネル温度Ｔの変化に対して、Ｘドライバの電源電圧が極力低減されるため、画像信号線に対する電位の付与に関しても消費電力が極力低減される。
【０１０３】
＜電源電圧の調整動作＞
図１１は、画像表示装置１００におけるパネルの電源電圧およびＸドライバの電源電圧の調整動作フローを例示するフローチャートである。本動作フローは、制御部１０においてＣＰＵにプログラムが読み込まれて実行されることで実現される。なお、本動作フローは、例えば、画像表示装置１００における画像表示の開始が指示されると、開始される。
【０１０４】
ステップＳ１では、温度センサＩ／Ｆ１２により、温度センサ５０からパネル温度を示す情報が読み込まれる。このとき、ＲＡＭ１３にパネル温度を示す情報が履歴情報ＨＤとして記憶される。
【０１０５】
ステップＳ２では、ステップＳ１で読み込まれたパネル温度が予測温度の初期値として設定される。このとき、予測温度を示す情報はＲＡＭに記憶される。
【０１０６】
ステップＳ３では、タイマー１１のリセットが行われる。
【０１０７】
ステップＳ４では、タイマー１１により、タイマー１１のリセットが行われて所定期間（ここでは０．７秒）が経過したか否か判定される。ここでは、所定期間が経過するまで、ステップＳ４の判定が繰り返され、所定期間が経過すれば、ステップＳ５に進む。
【０１０８】
ステップＳ５では、ステップＳ３と同様に、タイマー１１のリセットが行われる。
【０１０９】
ステップＳ６では、ステップＳ１と同様に、温度センサＩ／Ｆ１２により、温度センサ５０からパネル温度を示す情報が読み込まれる。このとき、ＲＡＭ１３には少なくとも前回および今回読み込まれたパネル温度を示す情報が履歴情報ＨＤとして記憶される。
【０１１０】
ステップＳ７では、ステップＳ６で読み込まれたパネル温度が予測温度と一致しているか否か判定される。ここで、パネル温度が予測温度と一致していれば、特にパネル温度の変化がないものとみなすことが可能であるため、ステップＳ４に戻る。つまり、パネル温度が変化しなければ、ステップＳ４〜Ｓ７の処理が繰り返される。一方、パネル温度が予測温度と一致していなければ、パネル温度が変化しているため、ステップＳ８に進む。
【０１１１】
ステップＳ８では、予測温度演算部１４により、履歴情報ＨＤに含まれる前回および今回読み込まれたパネル温度から予測温度が算出される。このとき、ＲＡＭに記憶された予測温度を示す情報が新規に算出された予測温度に置換される。
【０１１２】
ステップＳ９では、電圧変更制御部１５により、テーブル情報ＴＢが参照されて、パネルの電源電圧およびＸドライバの電源電圧が、ステップＳ８で算出された予測温度に応じた電源電圧に変更され、ステップＳ４に戻る。
【０１１３】
なお、本動作フローは、画像表示装置１００において画像表示が行われている間、繰り返され、例えば、画像表示装置１００において画像表示が終了されると、本動作フローも強制的に終了される。
【０１１４】
以上のように、本発明の実施形態に係る画像表示装置１では、パネル温度の履歴に基づいて表示パネル３０の温度が安定する予測温度が算出される。そして、その予測温度に応じて有機ＥＬ素子１への電流の供給を制御する電位が変更される。このため、輝度の発振現象やデューティの大きな変化を伴うことなく、温度変化に対して発光輝度が調整される。したがって、視覚的に違和感を感じさせることなく、温度変化に対して発光輝度を安定化させることができる。
【０１１５】
＜変形例＞
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
【０１１６】
◎例えば、上記実施形態では、予測温度に応じて、パネルの電源電圧とＸドライバの電源電圧の双方を変更したが、これに限られない。例えば、電圧変更制御部１５が、テーブル情報ＴＢに従って、予測温度に応じて、パネルの電源電圧、およびＸドライバの電源電圧のうちの少なくとも一方の電位を変更するようにしても良い。
【０１１７】
なお、有機ＥＬ素子１の長寿命化の観点からすれば、電圧変更制御部１５が、テーブル情報ＴＢに従い、予測温度に応じて、パネルの電源電圧を変更するような構成が採用されて、有機ＥＬ素子１の発光に要する消費電力の低減、有機ＥＬ素子１における電流密度の低減が図られることが好ましい。なお、図１２は、テーブル情報ＴＢを構成する予測温度とパネルの電源電圧との関係を例示する図である。
【０１１８】
但し、駆動トランジスタ２の劣化を極力抑制するためには、駆動トランジスタ２が線形領域で駆動しない範囲内で、パネルの電源電圧、およびＸドライバの電源電圧を変更することが好ましい。そして、駆動トランジスタ２が線形領域で駆動しない範囲内で、パネルの電源電圧、およびＸドライバの電源電圧を変更する態様としては、上記実施形態で説明したものに限られない。
【０１１９】
例えば、パネルの電源電圧の変更量（ここでは、電源線Ｌｖｄに付与する電位の変更量）の幅の方が、Ｘドライバの電源電圧の変更量（ここでは、画像信号線Ｌｉｓに付与するための電位の変更量）の幅よりも相対的に大きくなるように設定するような構成が考えられる。このような構成によれば、駆動トランジスタ２が線形領域で駆動しない範囲内で、容易に各電源電圧を変更することができ、発光時における有機ＥＬ素子１での電流密度もより低減されるため、有機ＥＬ素子１の長寿命化にも資する。
【０１２０】
更に、例えば、１回の電源電圧の変更において、パネルの電源電圧の変更量の幅Ｗｖ１と、Ｘドライバの電源電圧の変更量の幅Ｗｖ２とを一定の比率（例えば、Ｗｖ１：Ｗｖ２＝３：２）とするような構成も考えられる。なお、パネルの電源電圧とＸドライバの電源電圧とは同じ傾向で変化するように制御すればよく、例えば、パネルの電源電圧の変更量の幅とＸドライバの電源電圧の変更量の幅とが一定の比率を含む正の相関関係にあればよい。
【０１２１】
◎また、上記実施形態では、予測温度を算出するためのパラメータである定数α，Ｂが計算式によって導出されたが、予測温度を算出して、パネルの電源電圧およびＸドライバの電源電圧を変更する場合に、パネル温度が予測温度に収束し難い場合には、予測温度を算出するためのパラメータを若干増減しながら、予測温度の算出と、パネルの電源電圧およびＸドライバの電源電圧の変更とを適宜行い、パラメータの修正が行われるような機能を付加しても良い。なお、定数α，Ｂが全く分からない場合には、実験において、定数Ｂを適宜設定しつつ、予測温度の算出と、パネルの電源電圧およびＸドライバの電源電圧の変更とを適宜行い、パラメータＢが設定されるようにすれば良い。
【０１２２】
◎また、上記実施形態では、発光素子における電流を制御する電位を変更するために、パネルの電源電圧やＸドライバの電源電圧を変更したが、これに限られない。例えば、Ｘドライバの電源電圧を変更する代わりに、各階調に係る画像信号（例えば、画素データ信号）の電圧を変換して、画像信号線Ｌｉｓに付与するようにしても良い。
【０１２３】
◎また、上記実施形態では、異なるタイミングで得られた２つのパネル温度に基づいて、予測温度が算出されたが、これに限られない。例えば、異なる３つのタイミングなど、異なる２以上のタイミングで得られたパネル温度に基づいて、予測温度が算出されるような構成を採用しても良い。異なる３つのタイミングで得られたパネル温度に基づいて予測温度が算出される手法としては、例えば、３つの異なるタイミングで連続して得られた３つのパネル温度に含まれる相互に連続する２つのパネル温度からなる２つのパネル温度の組合せについて、上式（６）を用いて、Ｔ∞を２つ算出して、その平均値を予測温度とする方法などが考えられる。
【０１２４】
◎また、上記実施形態では、テーブル情報ＴＢに格納された所定パラメータの値には、電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および電位Ｖdataの最大値が含まれたが、これに限られない。例えば、所定パラメータの値が、あるパネル温度における電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および電位Ｖdataの最大値を基準とした、各温度に対する、電位Ｖｄｄ、電位Ｖｓｓ、および電位Ｖdataの最大値を変更するための係数（変換係数）であっても良い。つまり、所定パラメータの値は、発光素子における電流を制御する電位に係る値であれば良い。
【０１２５】
◎また、上記実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子１が採用された例を示して説明したが、これに限られず、発光素子としては、例えば、無機材料からなる発光ダイオード（ＬＥＤ）など、材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の種々の発光素子を採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】表示パネルに含まれる画素回路の構成を示す回路図である。
【図２】画素回路で発生する寄生容量を模式的に示す図である。
【図３】表示パネルにおける駆動波形を示すタイミングチャートである。
【図４】Ｃｓ初期化期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図５】準備期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図６】Ｖｔｈ補償期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図７】書込期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図８】発光期間での画素回路における電流の流れを例示する図である。
【図９】本発明の実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。
【図１０】画像表示装置の機能構成を例示するブロック図である。
【図１１】電源電圧の調整動作フローを例示するフローチャートである。
【図１２】テーブル情報を構成する情報を例示する図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１  有機ＥＬ素子
２  駆動トランジスタ
１０  制御部
１１  タイマー
１２  温度センサＩ／Ｆ
１３  ＲＡＭ
１４  予測温度演算部
１５  電圧変更制御部
２０  記憶部
３０  表示パネル
５０  温度センサ
６０  パネル電圧変更部
７０  ドライバ電圧変更部
１００  画像表示装置
ＨＤ  履歴情報
Ｌｉｓ  画像信号線
Ｌｖｄ  ＶＤＤ線
Ｌｖｓ  ＶＳＳ線
ＴＢ  テーブル情報
Ｘｄ  Ｘドライバ
Ｙｄ  Ｙドライバ
【図１】
0005106005.tif 000002
【図２】
0005106005.tif 000003
【図３】
0005106005.tif 000004
【図４】
0005106005.tif 000005
【図５】
0005106005.tif 000006
【図６】
0005106005.tif 000007
【図７】
0005106005.tif 000008
【図８】
0005106005.tif 000009
【図９】
0005106005.tif 000010
【図１０】
0005106005.tif 000011
【図１１】
0005106005.tif 000012
【図１２】
0005106005.tif 000013