(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
0004924814.tif 000017
［式中、Ｒ1は、Ｃ1-20アルキル基〔該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ4-12芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基［該Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基及びＣ1-6アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ2は、Ｃ1-20アルキル基〔該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕、又はＣ4-12芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。｝で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、式（４）、式（４´）又は式（５）
【化２】
0004924814.tif 000018
［式中、Ｒ3はフェニル基を意味し、Ｒ4はＣ1-7アルキル基を意味し、Ｒ6は、フェニル基を意味し、Ｒ7は、メトキシ基を意味し、Ｒ8は、水素原子を意味し、Ｒ9は、水素原子を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される光学活性化合物を配位子とするロジウム錯体を触媒とする触媒的不斉水素化反応により水素化する際に酢酸塩存在下で行うことを特徴とする、式（２）又は式（３）
【化３】
0004924814.tif 000019
（式中、Ｒ1及びＲ2は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項２】
ロジウム錯体の配位子が式（４）又は式（４´）で表される光学活性化合物である請求項１に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項３】
配位子が、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン又は（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィンである請求項２に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項４】
配位子が（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィンである請求項３に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項５】
ロジウム錯体の配位子が式（５）で表される光学活性化合物である請求項１に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項６】
配位子が２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルである請求項５に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導
体の製造法。
【請求項７】
前記酸が強酸である請求項１〜６の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項８】
溶媒として酢酸を使用する請求項１〜７の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項９】
酢酸塩が酢酸ナトリウムである請求項１〜８の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【請求項１０】
前記ロジウム錯体が、［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］2又は［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4（但し、
式中、ｎｂｄはノルボルナジエンを意味する。）と前記配位子とから調製したものである、請求項１〜９の何れか１項に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体は、医・農薬等の生理活性物質をはじめとする、種々のファインケミカル材料で有用な化合物の重要な中間体である。
光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法としては、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒を用いた触媒的不斉水素化反応により、ラセミ体のα−アミノアシル酢酸エステル化合物を不斉水素化し、シン選択的に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造する方法が知られていた（例えば非特許文献１及び２並びに特許文献１参照。）。
一方、オレフィン、ケトン及びイミン類の遷移金属触媒による不斉水素化反応はよく知られていた（例えば非特許文献３参照。）。
また、（＋）−ＤＩＯＰを不斉配位子とするロジウム触媒を用いた不斉水素化による、β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の１種である３−（３，４−ジヒドロキシフェニル）セリン誘導体のアンチ選択的な製造法が報告されている（例えば特許文献２参照。）。
さらに、特定のフェロセン誘導体を配位子とするロジウム錯体を用いる不斉水素化の例が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
しかし、酢酸塩存在下で水素化を行うことは知られていない。
【特許文献１】特開平０６−８０６１７号公報
【特許文献２】特開平０２−１７２９５６号公報
【特許文献３】欧州特許出願公開第０６１２７５８号明細書
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８９，１１１，ｐ．９１３４−９１３５
【非特許文献２】ＳＹＮＴＨＥＳＩＳ，１９９２，ｐ．１２４８−１２５４
【非特許文献３】Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ  ｅｄ．Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，（１９９４）Ｊｈｏｎ  Ｗｉｌｅｙ＆；Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒk
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
非特許文献１及び２並びに特許文献１に記載の方法は、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のシン体を選択的に製造する方法としては優れているものである。
しかし、逆に光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を直接製造することはできないため、アンチ体を製造するためには、一旦シン体を製造し、一方の立体を反転させなければならなかった。
また、特許文献２に記載の方法は、高い選択性でアンチ体を製造できるものの、光学収率は、１２．３％ｅｅと低いものであった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を選択的に製造する方法について鋭意検討を重ねた結果、酸の存在下、特定の不斉配位子を有するロジウム錯体触媒を用いて不斉水素化を行う際に、酢酸塩存在下で行うことにより、容易にアンチ体の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体が効率よく得られることを見出し、本発明を完成させた。【０００５】
即ち、本発明は、
１．式（１）
【化４】
0004924814.tif 000002
［式中、Ｒ1は、Ｃ1-20アルキル基〔該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基［該芳香族基
は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル
基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞ
れ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよ
い。］、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に
置換されていてもよい。〕、又はＣ4-12芳香族基〔該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6
アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボ
ニルオキシ基［該Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基
及びＣ1-6アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原
子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。］又はＣＯＮＲa
Ｒb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。〕を意味し、
Ｒ2は、Ｃ1-20アルキル基〔該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基［該芳香族基は、ハ
ロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］、
Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換され
ていてもよい。〕、又はＣ4-12芳香族基［該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル
基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキ
シ基又はＣＯＮＲaＲb（式中、Ｒa及びＲbは、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6ア
ルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。］を意味する。｝で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、式（４）、式（４´）又は式（５）
【化５】
0004924814.tif 000003
［式中、Ｒ3はフェニル基を意味し、Ｒ4はＣ1-7アルキル基を意味し、Ｒ6は、フェニル基を意味し、Ｒ7は、メトキシ基を意味し、Ｒ8は、水素原子を意味し、Ｒ9は、水素原子を
意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。］で表される光学活性化合物を配位子とするロジウム錯体を触媒とする触媒的不斉水素化反応により水素化する際に酢酸塩存在下で行うことを特徴とする、式（２）又は式（３）
【化６】
0004924814.tif 000004
（式中、Ｒ1及びＲ2は、前記と同じ意味を示す。）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
２．ロジウム錯体の配位子が式（４）又は式（４´）で表される光学活性化合物である１．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
３．配位子が、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン又は（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィンである２．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
４．配位子が（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィンである３．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
５．ロジウム錯体の配位子が式（５）で表される光学活性化合物である１．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
６．配位子が２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルである５．に記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
７．前記酸が強酸である１．〜６．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
８．溶媒として酢酸を使用する１．〜７．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ
−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
９．酢酸塩が酢酸ナトリウムである１．〜８．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
１０．前記ロジウム錯体が、［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］2又は［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4（
但し、式中、ｎｂｄはノルボルナジエンを意味する。）と前記配位子とから調製したものである、１．〜９．の何れか１つに記載の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法、
に関するものである。
【０００６】
以下、更に詳細に本発明を説明する。
尚、本発明中「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「Ｔｓ」はパラトルエンスルホニル基を、「Ｂｏｃ」はターシャリーブトキシカルボニル基を、「ｃｏｄ」は１，５−シクロオクタジエンを、「ｎｂｄ」はノルボルナジエンを意味する。
まず、置換基Ｒ1及びＲ2の各置換基における語句について説明する。【０００７】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。【０００８】
Ｃ1-4アルキル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-4シクロアルキル基を含んでいてもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基及び２−メチル−ｃ−プロピル基等が挙げられる。【０００９】
Ｃ1-6アルキル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-6シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基等が挙げられる。【００１０】
Ｃ1-7アルキル基としては直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-7シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、１−ヘプチル基、２−ヘプチル基、ｃ−ヘプチル基、１−エチル−１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基及び１−エチル−２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基等が挙げられる。【００１１】
Ｃ1-20アルキル基としては直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-20シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、１−メチル−１−エチル−ｎ−ペンチル基、１−オクチル基、３−オクチル基、ｃ−オクチル基、４−メチル−３−ｎ−ヘプチル基、６−メチル−２−ｎ−ヘプチル基、２−プロピル−１−ｎ−ヘプチル基、２，４，４−トリメチル−１−ｎ−ペンチル基、１−ノニル基、２−ノニル基、２，６−ジメチル−４−ｎ−ヘプチル基、３−エチル−２，２−ジメチル−３−ｎ−ペンチル基、３，５，５−トリメチル−１−ｎ−へキシル基、１−デシル基、２−デシル基、４−デシル基、３，７−ジメチル−１−ｎ−オクチル基、３，７−ジメチル−３−ｎ−オクチル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基及びｎ−エイコシル基等が挙げられる。【００１２】
Ｃ1-4アルコキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-4シクロアルコキシ基を含んでいてもよく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｃ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｃ−ブトキシ基、１−メチル−ｃ−プロポキシ基及び２−メチル−ｃ−プロポキシ基等が挙げられる。【００１３】
Ｃ1-6アルコキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-6シクロアルコキシ基を含んでいてもよく、上記に加え、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブトキシ基、２−メチル−ｎ−ブトキシ基、３−メチル−ｎ−ブトキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ペンチルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブトキシ基、２−メチル−ｃ−ブトキシ基、３−メチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−ｃ−プロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ基、１−エチル−ｎ−ブトキシ基、２−エチル−ｎ−ブトキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシ基、ｃ−ヘキシルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブトキシ基、２−エチル−ｃ−ブトキシ基、３−エチル−ｃ−ブトキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシ基等が挙げられる。【００１４】
Ｃ1-6アルコキシカルボニル基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-6シクロアルコキシカルボニル基を含んでいてもよく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｃ−ブトキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｎ−ブトキシカルボニル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシカルボニル基、ｃ−ヘキシルオキシカルボニル基、１−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、２−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、３−メチル−ｃ−ペンチルオキシカルボニル基、１−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３−エチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブトキシカルボニル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロポキシカルボニル基等が挙げられる。【００１５】
Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基としては、直鎖、分枝鎖状のもの及びＣ3-6シクロアルキルカルボニルオキシ基を含んでいてもよく、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｃ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｃ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３−エチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチルカルボニルオキシ基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基及び２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピルカルボニルオキシ基等が挙げられる。【００１６】
Ｃ4-12芳香族基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基及びｐ−ビフェニリル基等が挙げられる。【００１７】
次に、Ｒ1及びＲ2の各置換基における具体例について説明する。【００１８】
Ｒ1の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、フェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−ベンジルオキシフェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｏ−ブロモフェニル基、ｍ−ブロモフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基��ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、２−チエニル基及び２−フリル基が挙げられ、また、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、２−チエニル基及び２−フリル基が挙げられる。【００１９】
Ｒ2の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ブチル基、１−メチル−ｃ−プロピル基、２−メチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ペンチル基、１−メチル−ｃ−ブチル基、２−メチル−ｃ−ブチル基、３−メチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−プロピル基、２，３−ジメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−ｃ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基、ｃ−ヘキシル基、１−メチル−ｃ−ペンチル基、２−メチル−ｃ−ペンチル基、３−メチル−ｃ−ペンチル基、１−エチル−ｃ−ブチル基、２−エチル−ｃ−ブチル基、３−エチル−ｃ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−ｃ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｃ−ブチル基、１−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｎ−プロピル−ｃ−プロピル基、１−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、２−ｉ−プロピル−ｃ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｃ−プロピル基、１，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、２，２，３−トリメチル−ｃ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−１−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−２−メチル−ｃ−プロピル基、２−エチル−３−メチル−ｃ−プロピル基、ｃ−ヘプチル基、ｃ−オクチル基、フェニル基及びベンジル基等が挙げられ、特に、メチル基、エチル基及びベンジル基が挙げられる。【００２０】
好ましい式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物としては、以下のものが挙げられる。
１）Ｒ1がＣ1-20アルキル基又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
２）Ｒ2がＣ1-6アルキル基、又はＣ4-12芳香族基で置換されたＣ1-6アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
３）Ｒ1がＣ1-20アルキル基又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）であり、Ｒ2がＣ1-6アルキル基、又はＣ4-12芳香族基で置換されたＣ1-6アルキル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
４）Ｒ1がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、２−チエニル基又は２−フリル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
５）Ｒ2がメチル基、エチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
６）Ｒ1がｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｃ−ペンチル基、ｃ−ヘキシル基、ｃ−ヘプチル基、フェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、β−ナフチル基、ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、２−チエニル基又は２−フリル基であり、Ｒ2がメチル基、エチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。
７）Ｒ1がフェニル基、ｐ−ベンジルオキシフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、３，４−メチレンジオキシフェニル基、２−チエニル基又は２−フリル基であり、Ｒ2がメチル基、エチル基又はベンジル基である式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物。【００２１】
好ましい式（４）又は式（４´）で表される光学活性化合物としては、以下のものが挙げられる。
１）Ｒ3がフェニル基、シクロヘキシル基、２−フリル基、３，５−ビストリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基又は３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル基であり、Ｒ4が第三ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基又は３，５−ジメチルフェニル基である化合物。
２）（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジ（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジ（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジフェニルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジ−２−フリルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｓ）−（＋）−１−［（Ｒ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジシクロヘキシルホスフィン、（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジフェニルホスフィン又は（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィンである化合物。
３）（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィンである化合物。【００２２】
尚、式（４）又は式（４´）で表される光学活性化合物としては、市販のものを用いることができるが、欧州特許出願公開第０６１２７５８号明細書に記載の製造法を参考にして製造したものを用いることもできる。【００２３】
好ましい式（５）で表される光学活性化合物としては、以下のものが挙げられる。
１）Ｒ6がシクロヘキシル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基又は４−第三ブチルフェニル基であり、Ｒ7がメチル基又はメトキシ基であり、Ｒ8が水素原子又はメトキシ基であり、Ｒ9が水素原子、メチル基又はジメチルアミノ基である化合物。
２）２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−４−メチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−４−第三ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル又は２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジ−４−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルである化合物。３）２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルである化合物。【００２４】
尚、式（５）で表される光学活性化合物としては、市販のものを用いることができるが、文献に記載された化合物を使用することもできる（例えば、Ｒ．Ｎｏｙｏｒｉ  ｅｄ．Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｃａｔａｌｙｓｉｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，（１９９４）Ｊｈｏｎ  Ｗｉｌｅｙ＆；Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒk参照。）。【００２５】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられるロジウム錯体（触媒）は、ロジウム試薬及び配位子（光学活性化合物）より調製することができるが、必要に応じて配位可能な添加物を加えることもできる。【００２６】
ロジウム試薬としては、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）２ロジウム、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）２ロジウム及び１，５−シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩、［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4、［Ｒｈ（ｃｏｄ）2］ＢＦ4及び［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］2が挙げられ、好ましくは、［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4及び［ＲｈＣｌ（ｎｂｄ）］2が挙げられる。【００２７】
配位子の使用量は、ロジウム試薬に対して１等量以上、好ましくは１〜２等量加えられ、より好ましくは、１．１〜１．５等量加えられる。
触媒的不斉水素化反応に用いられるロジウム錯体を調製する場合は、通常、アルゴン等の不活性ガスの存在下で行うことが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造法について説明する。
以下の式に示すように、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒（ロジウム錯体）及び酸の存在下において、水素で還元することにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。
【化４】
0004924814.tif 000005
【００２９】
通常、上記反応は溶媒中で行われる。
溶媒の種類としては、反応に関与しない溶媒であれば特に限定はしないが、例えば１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン及び１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、２−ブタノール及びエチレングリコール等のアルコール系溶媒、酢酸並びに上記の溶媒の任意の混合溶媒が挙げられ、好ましくは酢酸が挙げられる。【００３０】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．０１〜１００モル％の範囲であるが、反応効率及びコスト的な観点から好ましくは、０．０１〜２０モル％の範囲、より好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲、最も好ましくは、０．３〜５モル％の範囲が挙げられる。【００３１】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物を酸の存在する溶液に加えてもよいが、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加えることもできる。
α−アミノアシル酢酸エステル化合物の安定性の観点から、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加える方が好ましい。【００３２】
使用する酸としては、好ましくは、強酸が挙げられる。
強酸の具体例としては、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌＯ4、ＣＨ3ＳＯ3Ｈ、ＰｈＳＯ3Ｈ、ＴｓＯＨ（Ｔｓは、ｐ−トルエンスルホニル基を意味する。）、ＣＦ3ＳＯ3Ｈ及びＣＦ3ＣＯ2Ｈ等が挙げられ、好ましくは、ＨＣｌ及びＴｓＯＨが挙げられ、より好ましくは、ＨＣｌが挙げられる。
酸の使用量は、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜３モル等量の範囲であり、好ましくは、０．９〜２モル等量の範囲、より好ましくは、０．９〜１．５モル等量の範囲が挙げられる。
尚、上記の酸の使用量は、あらかじめ、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製して加える場合は、その塩に含まれる酸の量を含んだ全量を意味する。【００３３】
酢酸塩としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等の酢酸アルカリ金属及び酢酸アンモニウム等が挙げられ、好ましくは、酢酸アルカリ金属が挙げられ、例えば、酢酸ナトリウムが挙げられる。
酢酸塩の使用量としては、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、０．８〜５等量の範囲であり、好ましくは、０．８〜２等量の範囲である。【００３４】
使用する水素は、通常水素ガスを使用する。
使用する水素の圧力は、通常１〜１５０気圧の範囲であるが、好ましくは１０〜１５０気圧、より好ましくは３０〜１００気圧の範囲である。【００３５】
反応温度としては、０℃から溶媒の沸点までの範囲で反応を行うことができ、好ましくは１０〜１５０℃の範囲であり、より好ましくは１０〜５０℃の範囲である。【００３６】
反応時間は、反応温度により変化するため一概に決定できないが、例えば、反応温度が２３℃の場合、１２時間以上行えば充分である。【００３７】
反応終了後は、溶媒を濃縮することにより、目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を塩として得ることができる。
又、反応液を塩基性とし、適当な溶剤で抽出することにより目的の光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を得ることができる。
さらに、蒸留、再結晶及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって精製を行うことで、純度の高い純度の高い式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体を単離することができる。【００３８】
本発明で得られる、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）及びエナンチオ選択性（ｅｅ）は、得られた光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体をｔ−ブトキシカルボニル化した後、機器分析を行うことにより決定できる。【００３９】
ｔ−ブトキシカルボニル化の方法を以下に示す。
【化５】
0004924814.tif 000006
即ち、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体又はその塩を１，４−ジオキサン及び水の混合溶媒中、炭酸水素ナトリウムの存在下において、ニ炭酸ジ−ｔ−ブチル（Ｂｏｃ2Ｏ）と反応させることにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のｔ−ブトキシカルボニル化物を製造することができる。
得られたｔ−ブトキシカルボニル化物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製した後、1Ｈ−ＮＭＲ等により、ジアステレオ選択性（ｄｅ：シン体とアンチ体の選択性）を、又、光学活性カラムを用いたＨＰＬＣ分析等により、エナンチオ選択性（ｅｅ）を決定することができる。【００４０】
原料となる、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物は、以下に示す方法により製造することができる。
【化６】
0004924814.tif 000007
即ち、酸無水物又はアシルクロリドとイソニトリル酢酸エステルを塩基（塩基としては、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン等が挙げられる。）の存在下において、縮合させて、オキサゾール化合物とした後、塩酸でオキサゾール環を開裂させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
得られた塩酸塩はそのまま次の還元反応に使用することもできるが、塩基等で処理することにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物とする。
又、他の酸の塩を得るには、オキサゾール化合物を他の酸で開裂させるか又は塩酸塩を他の酸で塩交換する。【００４１】
式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩は、以下に示す方法でも製造することができる。
【化７】
0004924814.tif 000008
即ち、グリシンをＴｓＯＨ（ｐ−トルエンスルホン酸）の存在下において、アルコールと脱水縮合させてエステルとした後、アミノ基をＢｏｃ化（ｔ−ブトキシカルボニル化）し、その後、ＫＨＭＤＳ（カリウムヘキサメチルジシラジド）で処理し、アシルクロリドを加えてアミド化した後、LＨＭＤＳ（リチウムヘキサメチルジシラジド）及びＤＭＰＵ（１，３−ジメチル−３，４，５，６−パーハイドロピリミジン−２−オン）で処理することにより転位反応を行いα−アミノアシル酢酸エステル化合物のＢｏｃ体を得た後、塩酸でＢｏｃを脱離させることにより、式（１）で表されるα−アミノアシル酢酸エステル化合物の塩酸塩を製造することができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明について、実施例を挙げて詳述するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。
尚、（Ｓ）−ＭｅＯ−ＢＩＰＨＥＰは２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニルを、（Ｒ）−（Ｓ）−ＰＰＦ−ＰtＢｕ2は（Ｒ）−（−）−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチル−ジ−第三ブチルホスフィンを、ＡｃＯＮａは酢酸ナトリウムを意味する。【００４３】
参考例１  基質（６ｇ）の製造
【化８】
0004924814.tif 000009
メチルイソシアノエート（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），ベンゾイルクロリド（２．９７ｇ，３０ｍｍｏｌ），トリエチルアミン（１２．６ｍｌ，９０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に加え、室温下で４８時間攪拌した。その後、減圧下において溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル（１００ｍｌ）を加え、水、１ｍｏｌ／L塩酸（５０ｍｌ）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）、飽和食塩水（５０ｍｌ）で順次洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、沈殿物を濾去し、減圧下において溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（１００ｇ，酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）で精製し、オキサゾール化合物（４．０７ｇ，２０ｍｍｏｌ，６７%）を無色固体で得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ３．９６（ｓ，３Ｈ），７．４５〜７．５３（３Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ，オキサゾール−Ｈ），８．００〜８．１２（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
ＦＴ−ＩＲνmax（ＫＢｒ）：３１０８，１７１７，１５８２，１５６１，１５１６，１４９５，１４３３，１３５４，１３２５，１３１２，１２２１，１１９５，１１０９，１０８７，１０６８，１０１０，９３６，７６７，６８８．【００４４】
オキサゾール化合物（２．２６ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）を４ｍｏｌ／L塩酸−ジオキサン（１８ｍｌ）及びメタノール（１８ｍｌ）に溶解し、６０℃で２４時間攪拌した。その溶液を室温まで冷却した後、濃縮した。残渣をメタノールに溶解した後、再度濃縮した。この操作を５回繰り返し、完全に残留塩酸を除去した後、得られた固体をエーテルで洗浄し、ろ取した。この固体を酢酸エチルとメタノールで再結晶し、化合物６ｇ（１．４２ｇ，６．２ｍｍｏｌ，５６%）を無色固体で得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ3ＯＤ）：δ３．７７（ｓ，３Ｈ），７．６０（ｔ，Ｊ=７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ=７．６Ｈｚ，１Ｈ）８．１７（ｄｄ，Ｊ=１．６，８．８Ｈｚ２Ｈ）；13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤ3ＯＤ）：δ（ｐｐｍ）５４．６，１３０．１，１３１．０，１３４．９，１３６．３，１６５．４，１９０．０；ＦＡＢＭＳ（ＮＢＡ）ｍ／ｚ：１９４（Ｍ−Ｃｌ-）+；ＦＴ−ＩＲνmax（ＫＢｒ）：３４４１，２８４０，１７３９，１６８８，１５９７，１２７４，１２１７，６８４．【００４５】
実施例１  β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体の製造
【化９】
0004924814.tif 000010
メチレンクロリド（１．０ｍＬ）中の［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4（２．６ｍｇ、０．００６５ｍｍｏｌ）及び（Ｒ）−（Ｓ）−ＰＰＦ−ＰtＢｕ2（４．７ｍｇ、０．００８７ｍｍｏｌ）の混合物を３サイクルの凍結融解により脱気した。アルゴン雰囲気下、２３℃で１０分間撹拌した後、該溶液を減圧下乾燥した。調製したロジウム触媒へ基質（５０ｍｇ、０．２１８ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム（１７．９ｍｇ、０．２１８ｍｍｏｌ）及び酢酸（１．１ｍＬ）を加え、得られた溶液を３サイクルの凍結融解により脱気した。該混合物を５０気圧（ａｔｍ）の水素圧下、２３℃で１２時間撹拌した。該反応混合物に１ｍｏｌ／Ｌの塩酸３．０ｍＬを加え、減圧下、４０℃以下で、濃縮乾固した。得られた残渣をメタノールに溶解し、減圧下濃縮した。この操作を５回繰り返した。得られた残渣は、精製することなく次の工程に使用した。【００４６】
ｔ−ブトキシカルボニル化
１，４−ジオキサン（４ｍＬ）及び水（４ｍＬ）中の上記で得られた残渣の溶液へ、０℃で、Ｂｏｃ2Ｏ（ニ炭酸ジ−ｔ−ブチル）（５２．４ｍｇ、０．２４０ｍｍｏｌ）及び炭酸水素ナトリウム（２０．２ｍｇ、０．２４０ｍｍｏｌ）を加えた。室温下、１２時間撹拌した後、反応混合物を酢酸エチルで希釈した。有機層を１ｍｏｌ／Ｌの硫酸水素カリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥、沈殿物を濾去後、減圧下、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：１）で精製し、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル誘導体（４４．８ｍｇ、７０％（２工程合計）、アンチ：シン＝＞９５：５、７５．２％ｅｅ）を得た。
ＨＰＬＣ分析条件、カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＪ（ダイセル化学工業株式会社）、移動相：ｎ−ヘキサン／ｉ−プロパノール＝８５／１５、流速：０．２５ｍＬ／分、保持時間：２Ｓ，３Ｓ体  ２９．２分、２Ｒ，３Ｒ体  ２１．９分．【００４７】
実施例２、３
ロジウム試薬、配位子、添加物の添加等の条件を変えた以外は、実施例１と同様にして反応を行った。収率は２工程の合計で示した。
尚、基質の使用量：ロジウム試薬の使用量：配位子の使用量＝１００：３：４である。
又、表中の添加物の量は、ロジウムの使用量に対する当量数を表す。
【化１０】
0004924814.tif 000011
【表１】
0004924814.tif 000012
【００４８】
実施例４−１１
基質の濃度、反応時間、水素圧を変えた以外は、実施例１と同様にして不斉水素化を行った後、ｔ−ブトキシカルボニル化に代えてベンゾイル化を行った後、単離して、収率（２工程合計）、ｄｅ（％）及びｅｅ（％）を測定した。
尚、ｄｅは反応混合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルより決定し、ｅｅはＨＰＬＣ分析によ
り決定した。ＨＰＬＣ分析条件は、実施例１で使用した分析条件に準じた。
また、ベンゾイル化（Ｂｚ化）は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液中、トリエチルアミン（ＴＥＡ）存在下、無水安息香酸（Ｂｚ2Ｏ）を反応させることにより行った。
【化７】
0004924814.tif 000013
【表１】
0004924814.tif 000014
【００４９】
実施例１２
基質を塩酸塩からトルエンスルホン酸塩に変えた以外は実施例４と同様に反応させたところ、目的物の収率は１５％（２工程合計）、ｄｅは９２％（アンチ：シン＝９６：４）及びｅｅは３６％であった。【００５０】
実施例１３
不斉水素化の際に塩化テトラメチルアンモニウムを添加した以外は実施例１２と同様に反応させたところ、目的物の収率は４４％（２工程合計）、ｄｅは８８％（アンチ：シン＝９４：６）及びｅｅは７３％であった。【００５１】
実施例１４−１８
反応時間と基質を種々変えた以外は実施例４と同様に反応させた。
表中、ＢｎＯはベンジルオキシ基を意味する。
【化８】
0004924814.tif 000015
【表２】
0004924814.tif 000016
【００５２】
比較例１
酢酸ナトリウムを加えなかった以外は実施例１と同様に水素化を行ったところ、目的物の収率は５８％、光学純度は７９％ｅｅ、アンチ：シンの比率は５６：４４であった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明により、医・農薬の中間体として有用である光学活性β−ヒドロキシ−α−アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を効率的に製造することができる。