(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられたスパイラル状の第１コイルと、
前記第１コイル上方に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状の第２コイルと、
前記第２コイルを支持し、前記第２コイルの周のうち最外周にのみに設けられている絶縁性の第１支持部と、
を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１支持部は、前記第２コイルの下面に接し、前記第２コイルと前記基板との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１支持部は、前記第２コイルの中心からの角度が実質的に等間隔になるように配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、
前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周に設けられ、前記第２コイルを支持する第２支持部を具備し、
前記第１支持部と前記第２支持部とは、前記第２コイルの中心からの角度が実質的の等間隔になるように配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項５】
前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、
前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周から離間して設けられた第２支持部を具備し、
前記第１支持部のうち１つは、前記第２コイルの最外周の終端に設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１支持部は、二酸化シリコンより誘電率が小さい材料からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１コイルと前記第２コイルとを前記第２コイルの最内周の終端において電気的に接続し、前記第２コイルを支持する第３支持部を具備することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品に関し、特に縦方向に離間したスパイラル状の複数のコイルを有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
位相整合等を行う場合、インダクタやキャパシタが用いられる。例えば、携帯電話やワイヤレスＬＡＮ（Local Area Network)等のＲＦ（Radio frequency)システムにおいては、小型化、低コスト化、高性能化の要求がある。この要求を満たすため、基板上にインダクタやキャパシタ等の受動素子を集積化した集積型受動素子等の電子部品が用いられる。
【０００３】
特許文献１には、基板上にスパイラル状のコイルをインダクタとして用いた集積電子部品が開示されている。特許文献２および特許文献３には、スパイラル状の複数のコイルが縦方向に空隙を介し離間して設けられたインダクタが開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１５７７３８号公報
【特許文献２】特開２００７−６７２３６号公報
【特許文献３】米国特許第６５１８１６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献２に係るインダクタによれば、高いＱ値（先鋭度）を得ることができる。しかしながら、特許文献２に係るインダクタは、縦方向にコイルが空隙を介し離間して形成されているため、上層コイルの機械強度および耐衝撃能力が十分ではないという課題がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、縦方向に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状のコイルを有する電子部品において、機械強度および耐衝撃能力を確保し、かつインダクタの性能を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスパイラル状の第１コイルと、前記第１コイル上方に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状の第２コイルと、前記第２コイルを支持し、前記第２コイルの周のうち最外周にのみに設けられている絶縁性の第１支持部と、を具備することを特徴とする電子部品である。本発明によれば、第１支持部が第２コイルを支持するため、第２コイルの機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、電子部品の性能を向上させることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１支持部は、前記第２コイルの下面に接し、前記第２コイルと前記基板との間に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、第１支持部が第２コイルをより安定に支持することができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１支持部は、前記第２コイルの中心からの角度が実質的に等間隔になるように配置されている構成とすることができる。この構成によれば、第２コイルのうねりを抑制することができる。
【００１２】
上記構成において、前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周に設けられ、前記第２コイルを支持する第２支持部を具備し、前記第１支持部と前記第２支持部とは、前記第２コイルの中心からの角度が実質的の等間隔になるように配置されている構成とすることができる。この構成によれば、第２コイルのうねりを抑制することができる。
【００１３】
上記構成において、前記基板上に設けられ、前記第２コイルを外部と接続するための配線と、前記配線と前記第２コイルとを電気的に接続し、前記第２コイルの最外周から離間して設けられた第２支持部を具備し、前記第１支持部のうち１つは、前記第２コイルの最外周の終端に設けられている構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１支持部は、二酸化シリコンより誘電率が小さい材料からなる構成とすることができる。第１支持部に起因する寄生容量は第１支持部の誘電率に比例し、誘電率が低い程ほど寄生容量が小さくなる。この構成によれば、第１支持部を構成する材料はは二酸化シリコンより誘電率が小さいため、第１支持部に起因した寄生容量を抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１コイルと前記第２コイルとを前記第２コイルの最内周の終端において電気的に接続し、前記第２コイルを支持する第３支持部を具備する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１支持部が第２コイルを支持するため、第２コイルの機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、電子部品の性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は比較例１に係る巻き数が４．５（第２コイル２０の巻き数が２．５、第１コイル１０の巻き数が２）のインダクタの斜視図、図２は上面図である。図１および図２を参照に、ガラスからなる基板５０上にスパイラル状の第１コイル１０、第１コイル１０上にスパイラル状の第２コイル２０が離間して設けられ、第１コイル１０と第２コイル２０との間は空隙となっている。すなわち大気が充満している。第１コイル１０および第２コイル２０はほぼ重なるように設けられている。基板５０上に、第１コイル１０と同じ金属層で形成され、インダクタ３０の外部と接続するための配線１８および２８が設けられている。配線１８は第１コイル１０の最外周の終端（すなわち外端）と直接接続されている。
【００１８】
第２コイル２０の最外周の終端に第２支持部３４が設けられ、配線２８は第２支持部３４を介し第２コイル２０と電気的に接続されている。第１コイル１０および第２コイル２０の最内周の終端（すなわち内端）に第３支持部３２が設けられている。第１コイル１０および第２コイル２０は第３支持部３２を介し電気的に接続されている。また、第３支持部３２および第２支持部３４は、第２コイル２０を支持する機能も有している。このように、インダクタ３０は、基板５０上に、縦方向に離間して設けられ、互いに電気的に接続された円形スパイラル状の第１コイル１０および第２コイル２０を有している。
【００１９】
図３は比較例２に係るインダクタの上面図（第１コイル１０は不図示）である。第２コイル２０の最内周の内側の側面に２つの支持部３１が接続されている。第２コイル２０の最外周の外側の側面に３つの支持部３３が接続されている。その他のインダクタ構成は、比較例１と同じであり説明を省略する。
【００２０】
図４（ａ）、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、それぞれ第３支持部３２、第２支持部３４および支持部３３近傍の断面図である。図４（ａ）を参照に、第３支持部３２は、受け部１５、支柱部３６および受け部２５からなる。受け部１５と受け部２５との間に支柱部３６が形成されている。受け部１５は第１コイル１０と直接接続され、受け部２５は第２コイル２０と直接接続されている。図４（ｂ）を参照に、第２支持部３４は、受け部１５、支柱部３６および受け部２５からなる。受け部１５と受け部２５との間に支柱部３６が形成されている。受け部１５は配線２８と直接接続され、受け部２５は第２コイル２０と直接接続されている。図４（ｃ）を参照に、支持部３３は、土台部２３、支柱部２４および受け部２５からなる。土台部２３と受け部２５との間に支柱部２４が形成されている。受け部２５は第２コイル２０の側面に直接接続されている。土台部２３は、基板５０上に形成されている。土台部２３は配線１８、２８および第１コイル１０とは電気的には接続されていない。つまり、支持部３３は、配線１８、２８または第１コイル１０が形成されていない基板５０上に形成されている。支持部３１は支持部３３と同じ構成である。
【００２１】
第１コイル１０、配線２８、受け部１５および土台部２３は、膜厚が約１０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。支柱部２４および３６は、膜厚が約３０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。第２コイル２０および受け部２５は、膜厚が約１０μｍのめっき法を用い形成された銅からなる金属層であり、同時に形成されている。以上のように、支持部３１および３３は、第３支持部３２および第２支持部３４と同じ材料で構成されている。これにより、支持部３１および３３を形成する製造工程を簡略化することができる。比較例２によれば、導電性の支持部３１および３３が第２コイル２０を支持している。これにより、第２コイル２０の機械強度および耐衝撃能力を向上させることができる。
【００２２】
図５は、比較例１および比較例２に係るインダクタのインダクタンス値Ｌに対するＱ値の測定値を示した図である。黒丸および白丸はそれぞれ比較例１および比較例２を示している。作製した比較例１および比較例２の第１コイル１０および第２コイル２０は銅からなり、それぞれの膜厚Ｔ１およびＴ２（図１参照）は約１０μｍである。また、第１コイル１０と第２コイル２０との間の距離ＴＳ（図１参照）は３０μｍである。インダクタの内径ｄ、線幅Ｗおよび線間隔Ｓ（図２参照）はそれぞれ２５０μｍ、１０μｍおよび１０μｍである。インダクタ３０の巻き数Ｒは２．５から５．５である。測定した周波数は１．９３ＧＨｚである。
【００２３】
図５より、インダクタンス値Ｌが小さい場合、比較例１と比較例２とのＱ値は同程度であるが、インダクタンス値が大きい場合、比較例２は、比較例１に対しＱ値が低い。このように、比較例２が比較例１に対しＱ値が低いのは、支持部３１および３３に生じる渦電流に起因した渦電流損のためである。
【実施例１】
【００２４】
実施例１は、第２コイル２０を支持する第１支持部を絶縁性材料を用いて形成する例である。第１支持部３８が絶縁性のため、渦電流損を抑制することができる。
【００２５】
図６（ａ）は、実施例１に係るインダクタの上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図６（ａ）を参照に、インダクタ３０は巻き数Ｒが６．５（第１コイル１０の巻き数が３、第２コイル２０の巻き数が３．５）のインダクタである。図６（ａ）および図６（ｂ）を参照に、第２コイル２０と基板５０との間に第２コイル２０を支持する絶縁性の第１支持部３８が設けられている。第２コイル２０の下面は、第１支持部３８に接している。また、第１支持部３８は、基板５０および第１コイル１０の上面上に形成されている。
【００２６】
実施例１によれば、第１支持部３８が第２コイル２０を支持するため、第２コイル２０の機械強度および耐衝撃能力を確保することができる。また、第１支持部３８が絶縁性であるため、渦電流損が生じない。よって、インダクタ３０のＱ値を比較例１程度に向上させることができる。
【００２７】
また、第２コイル２０を安定に支持するためには、第１支持部３８は第２コイル２０の下面下で第２コイル２０を支持することが好ましい導電性材料の支持部が第２コイル２０の下面下で第２コイル２０を支持すると、第１コイル１０と第２コイル２０とが電気的に短絡してしまう。実施例１によれば、第１支持部３８が絶縁性のため、第２コイル２０を下面下で支持することができる。
【００２８】
第２コイル２０を構成する金属の応力により、第１支持部３８に支持されていない第２コイル２０にはうねりが発生する。図７は、第２コイル２０が第１支持部３８に支持されていない部分でのインダクタ３０の断面図である。図７の第２コイル２０の内周と外周とでうねりＵが発生している。実施例１においては、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて連続して設けられている。これにより、うねりＵを抑制することができる。また、第１支持部３８が第２コイル２０をより強固に保持することができ、耐衝撃性を向上させることができる。
【００２９】
さらに、第１支持部３８は、インダクタ３０の中心Ｂからの角度αが実質的に等間隔になるように配置されている。言い換えれば、２個の第１支持部３８と第２支持部３４とのそれぞれのなす角度αはほぼ均等である。これにより、うねりＵをより抑制することができる。なお、実施例３では、第１支持部３８が３箇所設けられているが、１箇所、２箇所でも良いし、４箇所以上でもよい。
【実施例２】
【００３０】
実施例２は、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた例である。図８（ａ）は、実施例２に係るインダクタの上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、２つの第１支持部３８が第２コイル２０の最外周にのみ設けられている。第１支持部３８を構成する誘電体の体積が小さいほど、誘電体に起因する寄生容量及び誘電損失が小さくなる。これにより、実施例１に比べ、誘電性である第１支持部３８による寄生容量および誘電損失を抑制することができる。特に、インダクタの磁束密度は第２コイル２０の内側は外側に対して大きい。よって、誘電体に起因する誘電損失を抑制するためには、第１支持部３８は第２コイル２０の最外周に設けることが好ましい。また、第２コイル２０の最外周は、直径が大きいため、第２コイル２０の他の部分に比べ、機械的な剛性および耐衝撃能力が小さい。したがって、最外周の第２コイル２０に第１支持部３８を設けることにより、第２コイル２０の耐衝撃能力を向上させることができる。さらに、第２コイル２０の最外周は、第２コイル２０を構成する金属線の内部応力による変形(うねり)が発生し易い。したがって、最外周の第２コイル２０に第１支持部３８を設けることにより、第２コイル２０のうねりを抑制することができる。
【００３１】
また、第２支持部３４は、第２コイル２０の最外周に接して設けられている。これにより、２つの第１支持部３８と第２支持部３４の３つの支持部で第２コイル２０を支持することができる。よって、第１支持部３８の数を減らし、誘電体に起因する寄生容量をより抑制することができる。さらに、２つの第１支持部３８と第２支持部３４とは、第２コイル２０の中心からの角度αが実質的の等間隔になるように配置されている。これにより、実施例１と同様に第２コイル２０のうねりＵを抑制し、耐衝撃性を向上させることができる。
【実施例３】
【００３２】
実施例３は、第１支持部３８が分離して設けられた例である。図９（ａ）は、実施例３に係るインダクタの上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて第２コイル２０のライン毎に分離して、直線状に設けられている。これにより、実施例１に比べ、誘電性である第１支持部３８の体積を小さくすることができ誘電体に起因する寄生容量と誘電損失を抑制することができる。また、各ラインで第２コイル２０を支持できるため、実施例２に比べ、第２コイル２０のうねりＵを抑制し、耐衝撃性を向上させることができる。
【実施例４】
【００３３】
実施例４は、実施例３に比べ第１支持部３８を小さくした例である。図１０（ａ）は、実施例３に係るインダクタの上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）を参照に、実施例２と比較し、第１支持部３８が細い。実施例４のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。
【実施例５】
【００３４】
実施例５は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間して設けられた例である。図１１（ａ）は、実施例５に係るインダクタの上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）を参照に、実施例１と比較し、第２支持部３４が第２コイル２０の最外周から離間して設けられている。第２コイル２０と第２支持部３４とは配線２７により電気的に接続されている。第１支持部３８ａは第２コイル２０の終端を支持している。このように、第２支持部３４が第２コイル２０から離れている場合は、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。これにより、第２コイル２０の耐衝撃性を向上させることができる。
【実施例６】
【００３５】
実施例６は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた例である。図１２（ａ）は、実施例６に係るインダクタの上面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が第２コイル２０の最外周に設けられた場合も、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。
【実施例７】
【００３６】
実施例７は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が分離して設けられた例である。図１３（ａ）は、実施例７に係るインダクタの上面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられ、第１支持部３８が、第２コイル２０の最外周から最内周にかけて第２コイル２０のライン毎に分離して設けられている場合も、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。
【実施例８】
【００３７】
実施例８は、実施例６に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１４（ａ）は、実施例８に係るインダクタの上面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）を参照に、実施例６と比較し、第１支持部３８が細い。実施例８のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。
【実施例９】
【００３８】
図１５（ａ）は、実施例１に係るインダクタの上面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１５（ａ）を参照に、インダクタ３０は巻き数Ｒが５．５（第１コイル１０の巻き数が３、第２コイル２０の巻き数が２．５）のインダクタである。図１５（ａ）および図１５（ｂ）を参照に、第１支持部３８は、第２コイル２０の最外周に１つのみ設けられている。第２支持部３４は、第２コイル２０の最外周の終端に設けられている。第１支持部３８と第２支持部３４との第２コイル２０の中心Ｂに対する角度γは、鈍角であり、ほぼ１８０°である。第１支持部３８は１つでもよい。これにより、第１支持部３８による寄生容量と誘電損失を抑制することができる。特に、第２コイル２０の巻き数が少ない場合（例えば２．５以下）は、第２コイル２０のうねりＵが生じにくいため、第２コイル２０を１つとしてもよい。
【実施例１０】
【００３９】
実施例１０は、実施例９に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１６（ａ）は、実施例１０に係るインダクタの上面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）を参照に、実施例９と比較し、第１支持部３８が細い。実施例１０のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。
【実施例１１】
【００４０】
実施例１１は、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられた例である。図１７（ａ）は、実施例１１に係るインダクタの上面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）を参照に、第２支持部３４が第２コイル２０から離間し設けられている場合、第１支持部３８のうち１つは、第２コイル２０の最外周の終端に設けられることが好ましい。
【実施例１２】
【００４１】
実施例１２は、実施例１１に比べ、第１支持部３８を小さくした例である。図１８（ａ）は、実施例１２に係るインダクタの上面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ｂ−Ｃ断面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）を参照に、実施例１２と比較し、第１支持部３８が細い。実施例１１のように、第１支持部３８を細くすることにより、第１支持部３８に起因した寄生容量と誘電損失をより抑制することができる。
【００４２】
実施例１から実施例１２において、第１支持部３８は、例えば、ポリイミド、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）、ＰＢＯ（Polybenzoxazole）等を用いることができる。誘電性である第１支持部３８に起因したインダクタ３０の寄生容量を抑制するため、第１支持部３８は誘電率の小さい材料であることが好ましい。特に、二酸化シリコンより誘電率の小さい低誘電体材料からなることが好ましい。
【００４３】
また、基板５０としては、絶縁性の高い材料が好ましく、石英（合成石英を含む）、ガラス（パイレックス（登録商標）、テンパックス、アルミノシリケート、ホウケイ酸ガラスなど）、セラミック等の絶縁基板または高抵抗シリコン基板等を用いることができる。さらに、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板を用いることもできる。第１コイル１０および第２コイル２０に用いる材料は低抵抗な金属が好ましく、銅以外にも金、アルミニウム、銀等を用いることができる。さらに、第１コイル１０の基板５０と接する層には、基板との密着性の高い高融点材料、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等、またはＴｉ、Ｃｒ，Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかを含む合金を用いることが好ましい。
【００４４】
外径Ｄが小さくなるとＱ値が小さくなり、外径Ｄが大きくなるとチップサイズが大きくなる。これらを考慮し外径Ｄは決定され、１００μｍ〜１ｍｍの範囲が好ましい、線幅Ｗは、抵抗が大きくならずかつｄ／Ｄが小さくならない範囲で設定され、３〜１００μｍの範囲が好ましい。線間隔Ｓは、誘導結合が生じかつｄ／Ｄが小さくならない範囲で設定され、３〜１００μｍの範囲が好ましい。巻き数Ｒは、ｄ／Ｄ、線幅Ｗ、線間隔Ｓにより最適値が設定され、０．５〜３０の範囲が好ましい。
【００４５】
第１コイル１０および第２コイル２０の膜厚Ｔ１およびＴ２は、抵抗が大きくなくかつ製造が容易な範囲で設定することができる。３〜３０μｍの範囲が好ましい。第１コイル１０および第２コイル２０の距離ＴＳは、寄生容量成分が小さくかつ誘導結合が大きくなる範囲で設定することができる。３〜４０μｍの範囲が好ましい。
【実施例１３】
【００４６】
実施例１３は、実施例１に係るインダクタを用いた集積化受動素子の例である。図１９は実施例１３に係る集積化受動素子の斜視図、図２０は上面図（第１コイル１１１、１２１および第１支持部１１８、１２８は不図示）である。図１９および図２０を参照に、基板１０２上に、第１コイル１１１および第２コイル１１２からなるインダクタ１１０並びに第１コイル１２１および第２コイル１２２からなるインダクタ１２０が形成されている。インダクタ１１０および１２０は実施例６に係るインダクタである。インダクタ１１０の第１コイル１１１および第２コイル１１２の内端は第３支持部１６５により互いに電気的に接続され、第１コイル１１１は外端で配線１５２に接続され、第２コイル１１２は外端で第２支持部１６０を介し配線１５１に電気的に接続されている。第２コイル１１２は第１支持部１１８により支持されている。
【００４７】
インダクタ１２０の第１コイル１２１および第２コイル１２２の内端は第３支持部１７５により互いに接続され、第１コイル１２１は外端で配線１５４に接続され、第２コイル１２２は外端で第２支持部１７０を介し配線１５３に接続されている。第２コイル１２２は第１支持部１２８により支持されている。配線１５１から１５４は基板１０２上に形成され、それぞれパッド１３１から１３４に接続されている。パッド１３２と１３３とは配線１５７で接続されている。パッド１３１と１３４の間には、下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３からなるキャパシタ１４０が接続されている。上部電極１４３と配線１５１とは上部の配線１５６で接続されている。パッド１３１を入力、パッド１３４を出力、パッド１３２および１３３を接地することにより、集積化受動素子１００は、パッド１３１と１３４間にπ型Ｌ−Ｃ−Ｌ回路を構成する。
【００４８】
実施例１３によれば、集積化受動素子１００内のインダクタ１１０および１２０が実施例１に係るインダクタで構成されている。第１支持部１１８および１２８がそれぞれ第２コイル１１２および１２２を保持するため、インダクタ１１０および１２０の機械強度および耐衝撃能力を向上させることができる。また、３個の第１支持部１１８が均等間隔で設けられているため、第２コイル１１２のうねりを抑制することができる。さらに、第３支持部１６５、第１支持部１１８および第２支持部１６０を同時に形成しているため、製造工程を簡略化することができる。さらに、第１支持部１１８および１２８が絶縁性材料から構成されているため、渦電流損を抑制することができる。
【００４９】
次に、図２１（ａ）から図２２（ｃ）を用い、実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法について説明する。図２１（ａ）から図２２（ｃ）は図２０のＡ−Ａ断面に相当する断面模式図である。
【００５０】
図２１（ａ）を参照に、ガラス基板１０２上に、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal)キャパシタの下部電極１４１およびパッドの下部層としてＡｕを含む金属層１８０をスパッタ法または蒸着法を用い形成する。下部電極１４１上に誘電体層１４２をスパッタ法やＰＥＣＶＤ（Plasma enhanced chemical vapor deposition）法を用い形成する。誘電体層１４２としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等を用いることができる。例えば、誘電体層１４２は、厚さが１００ｎｍのＰＥＣＶＤ法を用い形成したＳｉ３Ｎ４膜である。
【００５１】
図２１（ｂ）を参照に、電解めっき用の種層（不図示）を形成する。種層の材料として、後に電気めっきを行う材料と同じものが望ましく、例えばＣｒ／Ｃｕ（２０ｎｍ／５００ｎｍ）をスパッタ法を用い形成する。めっきを行う開口部を有するフォトレジスト２００を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８４を形成する。これにより、めっき層１８４から、第１コイル１２１、上部電極１４３、配線１５３、１５４およびパッドの下部が形成される。下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３からＭＩＭキャパシタ１４０が形成される。
【００５２】
図２１（ｃ）を参照に、ファトレジスト２００を除去する。めっきを行う開口部を有するフォトレジスト２０２を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８６を形成する。これにより、めっき層１８６から、支柱部１７５、１７６およびパッドの中間部が形成される。
【００５３】
図２１（ｄ）を参照に、フォトレジスト２０２を除去する。種層を除去する。感光性ＢＣＢを塗布する。露光現像することにより、ＢＣＢからなる第１支持部１２８を形成する。このとき、第１支持部１２８と支柱部１７５および１７６の高さはほぼ同じであることが好ましい。
【００５４】
図２２（ａ）を参照に、犠牲層フォトレジスト２０４を塗布する。犠牲層フォトレジスト２０４の上面は、第１支持部１２８、支柱部１７５および１７６の上面とほぼ平面とする。犠牲層フォトレジスト２０４上全面に電解めっき用の種層（不図示）を形成する。種層上にめっきを行う開口部を有するフォトレジスト２０６を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８８を形成する。これにより、めっき層１８８から、第２コイル１２２、配線１５６およびパッドの上部が形成される。めっき層１８４、１８６および１８８から第３支持部１７４および第２支持部１７６が形成される。
【００５５】
図２２（ｂ）を参照に、開口部を有するフォトレジスト２０８を形成する。パッド１３１および１３３となるべきめっき層１８８上に、Ｎｉ層１９０およびＡｕ層１９２を形成する。めっき層１８４、１８６、１８８Ｎｉ層１９０およびＡｕ層１９２からパッド１３１および１３３が形成される。
【００５６】
図２２（ｃ）を参照に、フォトレジスト２０８、種層（不図示）、フォトレジスト２０６および犠牲層フォトレジスト２０４を除去する。これにより、実施例１３に係る集積化受動素子が形成される。
【００５７】
実施例１から１３においては、インダクタが２つのコイルが積層された場合を例に説明したが、複数のコイルが空隙を介し離間して積層された場合に、積層されたコイル同士を絶縁性の第１支持部で支持してもよい。
【００５８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は比較例１に係るインダクタの斜視図である。
【図２】図２は比較例１に係るインダクタの上面図である。
【図３】図３は比較例２に係るインダクタ上面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は比較例２に係る支持部の断面図である。
【図５】図５は比較例１および比較例２に係るインダクタのＬに対するＱ値を示す図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は実施例１に係るインダクタを示す図である。
【図７】図７は第２コイルのうねりを説明する図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は実施例２に係るインダクタを示す図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は実施例３に係るインダクタを示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は実施例４に係るインダクタを示す図である。
【図１１】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は実施例５に係るインダクタを示す図である。
【図１２】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は実施例６に係るインダクタを示す図である。
【図１３】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は実施例７に係るインダクタを示す図である。
【図１４】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は実施例８に係るインダクタを示す図である。
【図１５】図１５（ａ）および図１５（ｂ）は実施例９に係るインダクタを示す図である。
【図１６】図１６（ａ）および図１６（ｂ）は実施例１０に係るインダクタを示す図である。
【図１７】図１７（ａ）および図１７（ｂ）は実施例１１に係るインダクタを示す図である。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は実施例１２に係るインダクタを示す図である。
【図１９】図１９は実施例１３に係る集積化受動素子の斜視図である。
【図２０】図２０は実施例１３に係る集積化受動素子の上面図である。
【図２１】図２１（ａ）から図２１（ｄ）は実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２２】図２２（ａ）から図２２（ｃ）は実施例１３に係る集積化受動素子の製造方法を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００６０】
１０        第１コイル
１８        配線
２０        第２コイル
２８        配線
３０        インダクタ
３２        第３支持部
３４        第２支持部
３８        第１支持部
５０        基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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