(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のプローブ針が設けられたプローブカードと、前記プローブカードを保持し、かつ前記プローブ針に測定用の信号を送信する配線を有した保持基板とを準備する工程と、
（ｂ）主面及び前記主面に対向する裏面に電極が形成された半導体ウェハを、前記主面を上方に向けてステージ上に載置する工程と、
（ｃ）開口部を有する第１のシールド板の前記開口部内に、前記保持基板によって保持された前記プローブカードを通して前記半導体ウェハに対向するように前記プローブカードを配置する工程と、
（ｄ）前記プローブ針を前記半導体ウェハの電極に接触させて前記保持基板から前記プローブ針に所定の信号を送信して前記半導体ウェハの容量測定または微小電流測定を行う工程とを有し、
前記（ｄ）工程において、前記プローブカードと導通接続され、かつ前記プローブカードの外周から迫り出したリング状の第２のシールド板によって、前記プローブカードと前記第１のシールド板の前記開口部との間隙を塞いで前記容量測定または前記微小電流測定を行うことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造方法において、前記（ｄ）工程で、前記第１のシールド板の前記開口部の形状に応じて前記第２のシールド板を前記第１のシールド板に接触させて前記容量測定または前記微小電流測定を行うことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項３】
複数のプローブ針が設けられたプローブカードと、
前記プローブカードを保持し、かつ前記プローブ針に測定用の信号を送信する配線を有した保持基板と、
半導体ウェハを支持するステージと、
前記保持基板によって保持された前記プローブカードを通すことが可能な開口部を有する第１のシールド板と、
前記プローブカードと導通接続され、かつ前記プローブカードの外周から迫り出したリング状の第２のシールド板とを有し、
前記第１のシールド板の前記開口部内に前記保持基板によって保持された前記プローブカードを通して、前記ステージ上に載置された半導体ウェハの主面に前記プローブカードを対向させて配置した後、前記プローブ針を前記半導体ウェハの主面の電極に接触させて前記保持基板から前記プローブ針に所定の信号を送信して前記半導体ウェハの容量測定または微小電流測定を行う際に、前記第２のシールド板によって、前記プローブカードと前記第１のシールド板の前記開口部との間隙を塞いだ状態で前記容量測定または前記微小電流測定を行うことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体製造装置において、前記第２のシールド板には、前記第１のシールド板の前記開口部の形状に応じて前記第１のシールド板に接触する凸部または湾曲部が形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体製造装置において、リング状の前記第２のシールド板には、その半径方向に沿った方向に、かつ全周に亘って複数のスリットが形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造方法及び製造装置に関し、特に、プローバに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プローバ装置として、外箱内に配置されたチャック上には、ウェハが載置され、また、外箱内には、上面が開口した円筒状の電磁シールドボックスが配置されており、外箱の上面と、電磁シールドボックスの側面及び底面とによって、チャック及びウェハを取り囲む密閉空間が形成された構造が開示されている。なお、外箱の上面上にはテスタヘッドが配置されており、テスタヘッドにはプローブカードが配置され、外箱の上面は、一部が開口しており、プローブカードの有するプローブ針は、この開口を介して外箱内に突出している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１８３１２０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ダイオードの製造工程におけるダイオードウェハのテスト工程で、近年の低容量・狭偏差品の需要増大から、容量測定の高精度化が求められている。
【０００４】
例えば、可変容量ダイオードの需要動向は１９８０年〜１９９０年頃はテレビ用チューナが主流であり、その際の測定容量値は数ｐＦ〜５００ｐＦ、また測定スペック範囲も数ｐＦであった。
【０００５】
その後、ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator：電圧制御型発振器）及びＳＨＦ（Super High Frequency）用チューナ等で使用するため、数Ｇ（ギガ）Ｈｚの高周波対応化により、低容量化が進み、測定スペック範囲は１ｐＦから０．３ｐＦ、さらには０．０５ｐＦ程度に小さくなった。最近では、移動体通信機器の伸びが大きく、コスト低減より無調整化を実現するため、狭偏差の製品の需要が伸びてＶＣＯ用ＶＣダイオード（Variable Capacitance Diode： 可変容量ダイオード）、ＰＩＮ（P-Intrinsic-n)ダイオード等が主流となっている。
【０００６】
このように容量測定スペック範囲が数ｐＦから０．０５ｐＦへと高精度化が年々要求される中で、容量測定の測定誤差が歩留まりに影響するようになってきた。
【０００７】
以下、本発明者が検討した図１６の比較例のプローバ１００の問題点について説明する。
【０００８】
図１６に示す比較例のプローバ１００は、チップサイズ毎にプローブカード１０１を交換して対応するタイプであるため、プローバ１００のシールド板１０２に対してスキャナボード１０３（保持基板）が開閉する構造である。
【０００９】
さらに、プローブカード１０１とウェハ１０４との水平方向の測定位置の疎調整のため、プローブカード１０１とプローバ１００のシールド板１０２との間に隙間Ｓが形成される。これにより、容量測定を行った場合、この隙間Ｓがシールドされていないため、測定値に対して浮遊容量がプラスされ、その結果、容量の測定値がずれてしまうことが問題である。
【００１０】
すなわち、プローバの測定系で非シールド部が存在すると、容量測定を行った際に容量の測定値にずれが発生し、測定スペック範囲を越えてしまうという問題が発生する。
【００１１】
なお、前記特許文献１（特開２０００−１８３１２０号公報）に記載されているプローバ装置では、ウェハ９とプローブカード４との間に、電磁遮蔽体によって構成された外箱１の上面が配置されている構造が示されているが、実際のプローバでは、ウェハとプローブカードとの間は、１〜２ｍｍ程度しか隙間は空いていない。
【００１２】
これは、前記特許文献１に示されるようにプローブ針５を垂直に立てると、ウェハ９の素子表面に対してプローブ針５からの圧力が高くなってプローブ針５が素子表面上を滑らかに動かなかったり、また素子表面を傷つけるという不具合が発生するため、プローブ針５を垂直に立てることはできず、実際にはプローブ針を斜めに設ける必要があるためである。つまり、前記不具合が発生しないようにするためには、プローブ針を斜めに設けることが必要であり、その結果、ウェハとプローブカードの隙間が１〜２ｍｍ程度となる。
【００１３】
したがって、この１〜２ｍｍ程度の隙間に対して、前記特許文献１に示されるように外箱１の上面を配置するのは、外箱１の上面の反りや変形がウェハの表面に接触した際のウェハの表面への悪影響（表面の破壊等）を考慮した場合、実質的に困難である。
【００１４】
本発明の目的は、容量測定や微小電流測定の測定精度を向上させて歩留りを向上させることができる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
すなわち、本発明は、（ａ）複数のプローブ針が設けられたプローブカードと、前記プローブカードを保持し、かつ前記プローブ針に測定用の信号を送信する配線を有した保持基板とを準備する工程と、（ｂ）主面及び前記主面に対向する裏面に電極が形成された半導体ウェハを、前記主面を上方に向けてステージ上に載置する工程とを有するものである。さらに、（ｃ）開口部を有する第１のシールド板の前記開口部内に、前記保持基板によって保持された前記プローブカードを通して前記半導体ウェハに対向するように前記プローブカードを配置する工程と、（ｄ）前記プローブ針を前記半導体ウェハの電極に接触させて前記保持基板から前記プローブ針に所定の信号を送信して前記半導体ウェハの容量測定または微小電流測定を行う工程とを有するものである。さらに、前記（ｄ）工程において、前記プローブカードと導通接続され、かつ前記プローブカードの外周から迫り出したリング状の第２のシールド板によって、前記プローブカードと前記第１のシールド板の前記開口部との間隙を塞いで前記容量測定または前記微小電流測定を行うものである。
【００１８】
また、本発明は、複数のプローブ針が設けられたプローブカードと、前記プローブカードを保持し、かつ前記プローブ針に測定用の信号を送信する配線を有した保持基板と、半導体ウェハを支持するステージとを有するものである。さらに、前記保持基板によって保持された前記プローブカードを通すことが可能な開口部を有する第１のシールド板と、前記プローブカードと導通接続され、かつ前記プローブカードの外周から迫り出したリング状の第２のシールド板とを有するものである。さらに、第１のシールド板の開口部内にプローブカードを通して、前記ステージ上に載置された半導体ウェハの主面に前記プローブカードを対向させて配置した後、前記プローブ針を半導体ウェハの電極に接触させて保持基板からプローブ針に所定の信号を送信して半導体ウェハの容量測定または微小電流測定を行う際に、第２のシールド板によってプローブカードと第１のシールド板の開口部との間隙を塞いだ状態で測定を行うものである。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２０】
プローバにおいて、プローブカードの外周から迫り出したリング状の第２のシールド板によって、プローブカードと第１のシールド板の開口部との間隙を塞いで容量測定または微小電流測定を行うことにより、実測定値にプラスされていた浮遊容量の数値を低減することができるため、容量測定や微小電流測定の測定精度を向上させて歩留りを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２３】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体製造装置（プローバ）の構造の一例を示す構成概略図、図２は図１に示すプローバによって容量測定が行われる半導体ウェハの構造の一例を示す外観斜視図、図３は図１に示すプローバに設けられたスキャナボードの可動状況の一例を示す構成図、図４は図１に示すプローバにおけるスキャナボードの開閉状態の一例を示す断面図である。また、図５は図１に示すプローバに設けられたシールドリング（第２のシールド板）の構造の一例を示す平面図、図６は図５に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図、図７は本発明の実施の形態における浮遊容量の測定方法の一例を示す測定概念図、図８は図１に示すプローバによって計測した浮遊容量の計測結果を示す結果図、図９は比較例のプローバによって計測した浮遊容量の計測結果を示す結果図である。さらに、図１０は本発明の実施の形態の変形例の半導体製造装置（プローバ）の要部の構造を示す構成概略図、図１１は図１０に示すプローバに設けられたシールドリングの構造の一例を示す斜視図、図１２は本発明の実施の形態の他の変形例の半導体製造装置（プローバ）の要部の構造を示す構成概略図、図１３は図１２に示すプローバに設けられたシールドリングの構造の一例を示す斜視図である。また、図１４は図１３に示すシールドリングの製造方法の一例を示す平面図、図１５は図１４に示すシールドリングの個片化構造を示す斜視図である。
【００２６】
本実施の形態は、プローバを用いた半導体製造方法と前記プローバ（半導体製造装置）について説明するものである。本実施の形態で用いる図１に示すプローバ１４は、半導体ウェハ１上に形成された半導体チップ２の電気的特性検査を行うものであり、ここでは、主に、ダイオードウェハの容量測定や微小電流測定を行う場合について説明する。
【００２７】
図１に示すプローバ１４の構成について説明すると、複数のプローブ針３ａが設けられたプローブカード３と、プローブカード３を保持し、かつプローブ針３ａに測定用の信号を送信する配線を有した保持基板であるスキャナボード６と、半導体ウェハ１を支持するステージ５とを有している。さらに、スキャナボード６によって保持されたプローブカード３を通すことが可能な大きさの開口部４ａを有するシールド板（第１のシールド板）４と、プローブカード３と導通接続され、かつプローブカード３の外周から迫り出したリング状の第２のシールド板であるシールドリング７とを有しており、プローブカード３とシールドリング７とシールド板４とを含む閉じたシールド系４ｂの内部にスキャナボード６が配置されている。
【００２８】
プローバ１４では、半導体ウェハ１の容量測定や微小電流測定を行う際に、まず、シールド板４の開口部４ａ内にスキャナボード６によって保持されたプローブカード３を通して、ステージ５上に載置された半導体ウェハ１の主面１ａにプローブカード３を対向させて配置する。その後、プローブ針３ａを半導体ウェハ１の主面１ａの図２に示す半導体チップ２の電極２ｂに接触させてスキャナボード６からプローブ針３ａに所定の信号を送信して半導体ウェハ１の容量測定あるいは微小電流測定を行う。
【００２９】
その際、本実施の形態のプローバ１４では、シールドリング７によって、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓを塞いだ状態で容量測定あるいは微小電流測定を行うことで、スキャナボード６上の配線系の端子とステージ５上の配線系の端子との間で発生する浮遊容量をシールドリング７で遮断して測定を行う。
【００３０】
すなわち、シールド系４ｂの内側に配置されたスキャナボード６と、シールド系４ｂの外側に配置されたステージ５との間で発生する浮遊容量をシールドリング７によって完全に遮断して測定を行うものである。
【００３１】
なお、スキャナボード６は、支持部６ａを介してプローブカード３を支持するとともに、図１６に示す切り換えスイッチ６ｂによる容量測定とＤＣ（微小電流）測定の切り換え、さらには測定ピンの切り換え等を行うものである。したがって、プローブカード３は、支持部６ａを介してスキャナボード６に取り付けられている。
【００３２】
また、プローバ１４には、コントローラ９とプローバ制御部１０が接続されている。コントローラ９は容量計／ＤＣテスタ８を介してスキャナボード６及びステージ５と電気的に接続されている。コントローラ９は、例えば、容量測定とＤＣ測定の切り換え、または測定ピンの切り換え等を制御するものである。一方、プローバ制御部１０は、ステージ５のＸＹＺ方向の移動等を制御するものである。ただし、プローバ制御部１０の制御機能を、コントローラ９が有していてもよい。
【００３３】
また、プローブカード３は、図３に示すように、配線を有したプリント基板から成るプローブカード基板３ｂとシールド用の金属板３ｃとから構成されるとともに、複数のプローブ針３ａが設けられている。さらに、プローブカード３は、支持部６ａに取り付けられる際に、ステージ５側に金属板３ｃが配置され、かつスキャナボード６側にプローブカード基板３ｂが配置されるように取り付けられる。なお、このプローブカード基板３ｂと金属板３ｃとの間にシールドリング７の内側の周縁部が介在され、プローブカード基板３ｂと金属板３ｃとの間に挟まれた状態で、例えば、プローブカード基板３ｂと金属板３ｃとがネジ結合されている。
【００３４】
また、図２に示すように、本実施の形態で測定するダイオードウェハ（半導体ウェハ１上の半導体チップ２）は、縦構造の素子を有しており、主面２ａ側に表面の電極２ｂが形成され、裏面２ｃ側には共通電極２ｄが形成されている。各電極は、主面２ａ側がカソードで、裏面２ｃ側がアノードであってもよく、また、その反対であってもよい。
【００３５】
本実施の形態のプローバ１４は、半導体ウェハ１（半導体チップ２）の品種交換により、対応するプローブカード３に変更することが可能な構造となっている。
【００３６】
すなわち、品種の変更等によってプローブカード３を交換する際には、図４に示すように、まず、スキャナボード６を開け、その後、所望のプローブカード３に交換する。したがって、プローブカード３をシールド板４の外側に取り出し可能なように、シールド板４にはプローブカード３より僅かに大きな大きさの円形の開口部４ａが形成されている。プローブカード３の交換後は、プローブカード３を開口部４ａに再び通しながらスキャナボード６を閉じてプローブカード３をシールド板４の内側に配置する。
【００３７】
さらに、容量や微小電流を測定する際には、プローブ針３ａの水平方向の位置を調整する必要がある。
【００３８】
したがって、本実施の形態のプローバ１４では、図３に示すように、プローブカード３のシールド板４の外側への取り出し（スキャナボード６の開閉）とプローブカード３の水平方向の位置調整のために、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間に間隙Ｓが形成されている。
【００３９】
次に、プローブカード３に取り付けられるシールドリング７について説明する。
【００４０】
図５及び図６に示すように、シールドリング７は、円形のリング状に形成されており、板厚が例えば、０．３〜０．４ｍｍ程度の銅板等によって形成されたものである。その表面には、錆の発生を防ぐようにＡｕめっきが形成されている。なお、シールドリング７には、シールド板４の円形の開口部４ａの形状に応じてシールド板４に接触する図６に示すような凸部７ａがリング状に沿って周縁部に形成されている。
【００４１】
この凸部７ａは、シールドリング７をシールド板４に接触させるためのものである。すなわち、シールドリング７には、プローブカード３に取り付けた際に、シールド板４側に突出するように凸部７ａが外周部に全周に亘って形成されている。
【００４２】
さらに、シールドリング７には、図５に示すように、その半径方向に沿った方向に、かつ全周に亘って複数のスリット（切り込み）７ｂが形成されている。スリット７ｂは、シールドリング７の凸部７ａを含むコンタクト部に自由度を持たせるものであり、コンタクト部の剛性を低くしてシールド板４との密着度を高めるためのものである。
【００４３】
次に、本実施の形態の半導体製造方法について説明する。前記半導体製造方法は、図１に示すプローバ１４を用いるものである。
【００４４】
まず、複数のプローブ針３ａが設けられたプローブカード３と、プローブカード３を保持し、かつプローブ針３ａに測定用の信号を送信する配線を有したスキャナボード６と、半導体ウェハ１を支持可能なステージ５と、ステージ５とスキャナボード６との間に配置されたシールド板４とを有するプローバ１４を準備する。
【００４５】
その後、主面１ａ及び主面１ａに対向する裏面１ｂに電極（図２に示す電極２ｂ、共通電極２ｄ）が形成された半導体ウェハ１（ダイオードウェハ）を、主面１ａを上方に向けてステージ５上に載置する。
【００４６】
一方、シールド板４の開口部４ａ内に、スキャナボード６によって保持されたプローブカード３を通して半導体ウェハ１に対向するようにプローブカード３を配置する。なお、半導体ウェハ１をステージ５上に配置する前に、予め同様の方法でステージ５に対向するようにプローブカード３を配置しておいてもよい。
【００４７】
その後、プローブ針３ａと半導体ウェハ１の主面１ａの電極２ｂの位置を合わせる位置調整を行う。すなわち、プローブ針３ａの水平方向の位置調整を行い、その後、プローブ針３ａを半導体ウェハ１の電極２ｂに接触させた状態でスキャナボード６からプローブ針３ａに所定の信号を送信して半導体ウェハ１の容量測定または微小電流測定等の電気的特性検査を行う。
【００４８】
その際、プローブカード３と導通接続され、かつプローブカード３の外周から迫り出したリング状のシールドリング７によって、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓを塞いで前記電気的特性検査を行う。なお、図３に示すように、シールド板４の開口部４ａの形状に応じて外周の全周に亘って形成されたシールドリング７の凸部７ａをシールド板４に接触させた状態で前記容量測定または前記微小電流測定等の電気的特性検査を行うことが好ましい。
【００４９】
本実施の形態の半導体製造方法及びそれに用いられるプローバ（半導体製造装置）によれば、プローブカード３の外周から迫り出したリング状のシールドリング７によって、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓを塞いで容量測定や微小電流測定等の電気的特性検査を行うことで、従来実測定値にプラスされていた浮遊容量の数値を低減することができる。
【００５０】
その結果、容量測定や微小電流測定の測定精度を向上させて歩留りを向上させることができる。
【００５１】
すなわち、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓに対して、スキャナボード６上の端子とステージ５の端子間で発生する浮遊容量を、プローブカード３の外周に迫り出したシールドリング７によって遮断することができ、この間で発生する浮遊容量の数値を低減することができる。
【００５２】
その結果、容量測定や微小電流測定の測定精度を向上させて歩留りを向上させることができる。
【００５３】
なお、図８及び図９は、本実施の形態の図１に示す構造のプローバ１４と、図１６に示す比較例のプローバ１００とにおいて、図７に示すようにステージ５上に半導体ウェハ１を載置しない状態で容量計１１によって浮遊容量のみを測定し、その測定結果を示したものである。浮遊容量の測定は、半導体ウェハ１に対応する領域全面に対して行い、プローブ針３ａとステージ５とのギャップ（Ｇ）を、Ｇ＝１００μｍで容量補正として行ったものである。その結果、図９の比較例では、容量測定値のレンジ（Ｌ）がＬ＝１１ｆＦであるのに対して、図８の本実施の形態のプローバ１４による容量測定値のレンジ（Ｍ）はＭ＝５ｆＦであり、本実施の形態のプローバ１４を用いることにより、容量測定値のレンジを１／２以下に低減することができる。
【００５４】
これにより、本実施の形態のプローバ１４を用いることで、半導体ウェハ１の容量測定や微小電流測定の測定精度を向上させることができる。
【００５５】
また、図３に示すように、シールドリング７に、シールド板４の円形の開口部４ａの形状に応じてリング状に周縁部に全周に亘って凸部７ａが形成されていることにより、凸部７ａをシールド板４に略全周に亘って接触させることができる。
【００５６】
これにより、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓを介してスキャナボード６上の端子とステージ５の端子間で発生する浮遊容量を、シールドリング７によって確実に遮断することができ、容量測定や微小電流測定の測定精度をさらに向上させることができる。
【００５７】
その結果、ダイオード製品で使用される高周波（例えば、数ギガＨｚ）測定においても本実施の形態のプローバ１４を適用することが可能になる。
【００５８】
また、図５に示すように、シールドリング７には、その半径方向に沿った方向に、かつ全周に亘って複数のスリット（切り込み）７ｂが形成されている。これにより、シールドリング７の凸部７ａを含むコンタクト部が複数に分割されることで、コンタクト部に自由度を持たせることができ、かつコンタクト部の剛性を低くしてシールド板４との密着度を高めることができる。
【００５９】
その結果、シールドリング７のシールド効果をさらに高めることができる。
【００６０】
次に、本実施の形態の変形例のシールドリング（第２のシールド板）について説明する。図１０及び図１１に示す変形例のシールドリング（第２のシールド板）１２は、その外周部に外方に向かって湾曲した湾曲部１２ａが形成されているとともに、シールドリング７と同様にその半径方向に沿った方向に、かつ全周に亘って複数のスリット（切り込み）１２ｂが形成されているものである。
【００６１】
この湾曲部１２ａは全周に亘って複数のスリット（切り込み）１２ｂが形成されていることでバネ性を有しており、湾曲部１２ａがバネ性を有することにより、シールド板４の開口部４ａの内周壁に湾曲部１２ａを確実に接触させることができる。
【００６２】
したがって、図１０に示す変形例のプローバ１４においても、図３に示すプローバ１４と同様のシールド効果を得ることができる。
【００６３】
さらに、リング状の半径方向に沿った方向に、かつ全周に亘って複数のスリット１２ｂが形成されていることにより、シールドリング１２の湾曲部１２ａが複数に分割されることで、個々の湾曲部１２ａに自由度を持たせることができ、かつ湾曲部１２ａの剛性を低くしてシールド板４との密着度を高めることができる。
【００６４】
なお、変形例のシールドリング１２は、図５に示すシールドリング７に比較して曲げ加工を少なくして製造できるため、シールドリング１２のコストを安価にすることができる。
【００６５】
また、図１２〜図１５に示す他の変形例のシールドリング（第２のシールド板）１３は、図１５に示す１枚々々Ｌ字型に折り曲げた複数のシールド個片１３ａを、図１４に示すように折り重ねて半田付け等を行って連結して図１３に示すようにリング状に製造したものであり、図１２に示すように、シールド板４とは非接触に配置される。
【００６６】
この場合においても、プローブカード３とシールド板４の開口部４ａとの間隙Ｓは、シールドリング１３によって塞ぐことができるため、スキャナボード６上の端子とステージ５の端子間で発生する浮遊容量を、シールドリング１３によって遮断することができ、この間で発生する浮遊容量の数値を低減することができる。
【００６７】
なお、他の変形例のシールドリング１３においても、その製造では、予め曲げ成形された複数のシールド個片１３ａを半田付け等で連結するだけであり、図５に示すシールドリング７に比較して曲げ加工を少なくして製造できるため、シールドリング１３のコストを安価にすることができる。
【００６８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６９】
例えば、前記実施の形態で説明したように、シールドリングとシールド板は、接触していても接触していなくてもどちらでも良い。すなわち、半導体ウェハの容量測定や微小電流測定等の電気的特性検査においては、少なくともプローブカードとシールド板の開口部との間隙を塞ぐ（覆う）ような状態でシールドリングが配置されていれば良い。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、プローバ装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態の半導体製造装置（プローバ）の構造の一例を示す構成概略図である。
【図２】図１に示すプローバによって容量測定が行われる半導体ウェハの構造の一例を示す外観斜視図である。
【図３】図１に示すプローバに設けられたスキャナボードの可動状況の一例を示す構成図である。
【図４】図１に示すプローバにおけるスキャナボードの開閉状態の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示すプローバに設けられたシールドリング（第２のシールド板）の構造の一例を示す平面図である。
【図６】図５に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態における浮遊容量の測定方法の一例を示す測定概念図である。
【図８】図１に示すプローバによって計測した浮遊容量の計測結果を示す結果図である。
【図９】比較例のプローバによって計測した浮遊容量の計測結果を示す結果図である。
【図１０】本発明の実施の形態の変形例の半導体製造装置（プローバ）の要部の構造を示す構成概略図である。
【図１１】図１０に示すプローバに設けられたシールドリング（第２のシールド板）の構造の一例を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態の他の変形例の半導体製造装置（プローバ）の要部の構造を示す構成概略図である。
【図１３】図１２に示すプローバに設けられたシールドリング（第２のシールド板）の構造の一例を示す斜視図である。
【図１４】図１３に示すシールドリングの製造方法の一例を示す平面図である。
【図１５】図１４に示すシールドリングの個片化構造を示す斜視図である。
【図１６】比較例のプローバの構造を示す構成概略図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  半導体ウェハ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
２  半導体チップ
２ａ  主面
２ｂ  電極
２ｃ  裏面
２ｄ  共通電極
３  プローブカード
３ａ  プローブ針
３ｂ  プローブカード基板
３ｃ  金属板
４  シールド板（第１のシールド板）
４ａ  開口部
４ｂ  シールド系
５  ステージ
６  スキャナボード（保持基板）
６ａ  支持部
６ｂ  切り換えスイッチ
７  シールドリング（第２のシールド板）
７ａ  凸部
７ｂ  スリット
８  容量計／ＤＣテスタ
９  コントローラ
１０  プローバ制御部
１１  容量計
１２  シールドリング（第２のシールド板）
１２ａ  湾曲部
１２ｂ  スリット
１３  シールドリング（第２のシールド板）
１３ａ  シールド個片
１４  プローバ（半導体製造装置）
１００  プローバ
１０１  プローブカード
１０２  シールド板
１０３  スキャナボード
１０４  ウェハ
【図１】
0005017008.tif 000002
【図２】
0005017008.tif 000003
【図３】
0005017008.tif 000004
【図４】
0005017008.tif 000005
【図５】
0005017008.tif 000006
【図６】
0005017008.tif 000007
【図７】
0005017008.tif 000008
【図８】
0005017008.tif 000009
【図９】
0005017008.tif 000010
【図１０】
0005017008.tif 000011
【図１１】
0005017008.tif 000012
【図１２】
0005017008.tif 000013
【図１３】
0005017008.tif 000014
【図１４】
0005017008.tif 000015
【図１５】
0005017008.tif 000016
【図１６】
0005017008.tif 000017