(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層を形成する工程、
（２）前記第２導電型の高濃度拡散層上に反射防止膜を形成する工程、
（３）前記反射防止膜上および前記結晶シリコン基板の非受光面側に電極材料を塗布し、得られた塗膜を熱処理に付して、それぞれ表面電極を構成する表面焼成電極および裏面電極となる裏面焼成電極を形成する工程、
（４）光銀めっき法により前記表面焼成電極に重覆するように光銀めっき層を形成して、表面焼成電極および光銀めっき層からなる表面電極を得る工程、
（５）前記光銀めっき層に重覆するように樹脂材料でマスクを形成する工程、
（６）光銀めっき法により前記光銀めっき層の端部の張り出し部を電気的に剥離する工程、および
（７）前記マスクを剥離する工程
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記工程（５）における樹脂材料が、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、エポキシ樹脂またはアルカリ耐性のめっきレジスト材である請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記工程（５）におけるマスクの形成方法が、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法または粘着テープ貼付である請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記工程（６）における光銀めっき層の端部の張り出し部の剥離が、裏面電極に対する銀棒のバイアスを負電位とする光銀めっき法による電気的な剥離である請求項１〜３のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記工程（７）におけるマスクの剥離が、有機剥離とアセトン洗浄との組み合わせまたは直接剥離である請求項１〜４のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法により得られ、
第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層、反射防止膜および表面電極を、前記結晶シリコン基板の非受光面側に裏面電極を備え、
前記表面電極が、塗布および熱処理により形成された表面焼成電極および光銀めっき法により前記焼成電極に重覆するように形成された光銀めっき層からなり、かつマスク形成および剥離処理により前記光銀めっき層の端部の張り出し部が除去されてなる
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
請求項６に記載の太陽電池を備えることを特徴とする太陽電池システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶シリコン基板を使用した高効率でかつ高湿環境下での特性劣化が抑えられた高信頼性の太陽電池およびその製造方法、それを備えた太陽電池システムに関する。さらに詳しくは、本発明は、低抵抗を促しかつ電極に非接触で焼成電極上に重覆されためっき電極を備えた太陽電池およびその製造方法、それを備えた太陽電池システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池は、近年特に地球環境の観点から次世代のエネルギー源としての期待が急激に高まっている。
このような太陽電池には、シリコン半導体、化合物半導体、有機材料などの様々な材料を用いたものが開発されているが、現在、単結晶シリコンもしくは多結晶シリコンのシリコン半導体を用いた太陽電池が主流となっている。
図１（ａ）〜（ｆ）は、従来の太陽電池の製造方法における製造工程の一例を示す概略断面図である。
【０００３】
まず、図１（ａ）に示すように、予め第１導電型の原子（ドーパント）がドープされた単結晶もしくは多結晶のシリコン基板１を用意する。
次に、図１（ｂ）に示すように、結晶シリコン基板１の受光面側に第２導電型のドーパントを含有する高濃度拡散層２を形成し、図１（ｃ）に示すようなｐ−ｎ接合３を得る。
【０００４】
次に、図１（ｄ）に示すように、例えば、プラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ法）などにより、結晶シリコン基板１上に反射防止膜４を形成する。
次に、図１（ｅ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法などにより、受光面側および非受光面側に電極材料を塗布し熱処理を施して、それぞれ表面焼成電極５および裏面焼成電極６を得る。
【０００５】
この熱処理により、表面焼成電極５は、図１（ｅ）に示すように反射防止膜４を貫通して、高濃度拡散層２と接触（ファイアスルー）し、裏面焼成電極６から第１導電型のドーパントが結晶シリコン基板１内に拡散して、ＢＳＦ（Back Surface Field）層７が形成される。
ＢＳＦ層７は、裏面焼成電極６近傍の半導体中にドーパントが高濃度に分布する層であり、裏面焼成電極６近傍に内蔵電界を形成し、その電界によって裏面焼成電極６近傍で生成された電子を半導体基板１の表面に向かって押し出して、表面再結合損失を抑制して、太陽電池の性能を向上させる。
【０００６】
このようにして製造された太陽電池の光電変換効率（単に「変換効率」ともいう）を向上させる方法としては、例えば、表面焼成電極５におけるシャドウロスを低減させる方法、例えば、表面焼成電極５の微細化が挙げられる。
現在、主流であるシリコン半導体を用いた太陽電池における表面焼成電極５の電極幅は１００μｍ〜程度であり、これを〜７０μｍ程度にすることにより、シャドウロスの低減が見込まれ、変換効率の向上を達成できる。しかしながら、表面焼成電極５の微細化に伴い、導体抵抗損失、すなわち直流抵抗成分の増大を招き、短絡電流が低下し、太陽電池の高変換効率化と相反する結果が得られてしまう。
【０００７】
この問題を解決する一施策として、例えば、A.Metteら、「Increasing the Efficiency of Screen-Printed Silicon Solar Cells by Light-Induced Silver Plating」、2006 IEEE 4th WCPEC, Hawaii（非特許文献１）、特開２００４−２６６０２３号公報（特許文献１）および特開２００４−１９３３３７号公報（特許文献２）に記載されているような「光銀めっき法」が挙げられる。
【０００８】
図２は、光銀めっき法の原理を示す概略図である。
この光銀めっき法によれば、例えば、水酸化カリウムを主成分とするめっき液１３を介して光１１（蛍光灯光）を照射することで、光起電力効果により表面焼成電極５が負電位になり、さらにめっき液１３内の裏面焼成電極６に対して正電位バイアスされた銀棒１２から銀イオンが析出し、表面焼成電極５が銀棒１２と非接触で表面焼成電極５上に緻密かつ純度の高い光銀めっき層（図示せず、図３の図番８参照）が形成され、その結果、電極抵抗が低減される。
図２中の他の図番１は結晶シリコン基板、４は反射防止膜、９はカソード電極ローラー、１０はコンベアローラー、１６は可変直流電源を示す。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２６６０２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１９３３３７号公報
【非特許文献１】A.Metteら、「Increasing the Efficiency of Screen-Printed Silicon Solar Cells by Light-Induced Silver Plating」、2006 IEEE 4th WCPEC, Hawaii
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の発明者が実際に実験機で上記の光銀めっき法を試みたところ、銀めっき後の太陽電池の最大出力Ｐｍは、銀めっきしないものと比較して３．５％向上するという結果が得られた。
しかしながら、この光銀めっき法で電極に銀めっきを施した太陽電池を高湿環境下に曝露すると、太陽電池特性が劣化する傾向が認められた。本発明の発明者がこの原因を究明したところ、図３に示すように、等方的に成長するめっきの端部、すなわちめっき張り出し部（めっきひさし部）１４にめっき液が残留し、その残留めっき液１３−１が表面焼成電極５と反射防止膜４（結晶シリコン基板界面）に悪影響を及ぼし、太陽電池の特性低下を引き起こしていることが推察された。
【００１１】
本発明は、光銀めっき処理後の太陽電池における、高湿環境下での特性劣化に起因するめっき張り出し部を除去した高効率でかつ高信頼性の太陽電池およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、表面焼成電極（下地電極）上に重覆される光銀めっき電極の幅を狭くし、めっき液の残留を防ぐことにより、高効率でかつ高信頼性の太陽電池が得られることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１３】
かくして、本発明によれば、
（１）第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層を形成する工程、
（２）前記第２導電型の高濃度拡散層上に反射防止膜を形成する工程、
（３）前記反射防止膜上および前記結晶シリコン基板の非受光面側に電極材料を塗布し、得られた塗膜を熱処理に付して、それぞれ表面電極を構成する表面焼成電極および裏面電極となる裏面焼成電極を形成する工程、
（４）光銀めっき法により前記表面焼成電極に重覆するように光銀めっき層を形成して、表面焼成電極および光銀めっき層からなる表面電極を得る工程、
（５）前記光銀めっき層に重覆するように樹脂材料でマスクを形成する工程、
（６）光銀めっき法により前記光銀めっき層の端部の張り出し部を電気的に剥離する工程、および
（７）前記マスクを剥離する工程
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、上記の太陽電池の製造方法により得られた、
第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層、反射防止膜および表面電極を、前記結晶シリコン基板の非受光面側に裏面電極を備え、
前記表面電極が、塗布および熱処理により形成された表面焼成電極および光銀めっき法により前記焼成電極に重覆するように形成された光銀めっき層からなり、かつマスク形成および剥離処理により前記光銀めっき層の端部の張り出し部が除去されてなる
ことを特徴とする太陽電池が提供される。
【００１５】
さらに、本発明によれば、上記の太陽電池を備えることを特徴とする太陽電池システムが提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光銀めっき処理後の太陽電池における、高湿環境下での特性劣化に起因するめっき張り出し部を除去した高効率でかつ高信頼性の太陽電池およびその製造方法を提供することができる。
すなわち、本発明によれば、結晶シリコン基板を用いた太陽電池において、光銀めっき法による電極アスペクト比向上による出力向上（高効率化）と、光銀めっき層の端部の張り出し部の除去による長期信頼性確保を実現することができる。
また、本発明によれば、結晶シリコン基板を用いた太陽電池の従来の製造プロセスに、周知の光銀めっき法を組み合わせるという現行の製造プロセスを生かしつつ、ワット単価に見合った太陽電池および太陽電池システムを量産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の太陽電池の製造方法は、
（１）第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層を形成する工程、
（２）前記第２導電型の高濃度拡散層上に反射防止膜を形成する工程、
（３）前記反射防止膜上および前記結晶シリコン基板の非受光面側に電極材料を塗布し、得られた塗膜を熱処理に付して、それぞれ表面電極を構成する表面焼成電極および裏面電極となる裏面焼成電極を形成する工程、
（４）光銀めっき法により前記表面焼成電極に重覆するように光銀めっき層を形成して、表面焼成電極および光銀めっき層からなる表面電極を得る工程、
（５）前記光銀めっき層に重覆するように樹脂材料でマスクを形成する工程、
（６）光銀めっき法により前記光銀めっき層の端部の張り出し部を電気的に剥離する工程、および
（７）前記マスクを剥離する工程
を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。
図１（ａ）〜（ｇ）および図４（ｈ）〜（ｊ）は、本発明の太陽電池の製造方法における製造工程の一例を示す概略断面図である。図１（ａ）〜（ｆ）は、従来の太陽電池の製造方法における製造工程と重複する。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１９】
（１）第１導電型の結晶シリコン基板１の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層２を形成する工程
図１（ａ）に示すような結晶シリコン基板１は、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板のいずれであってもよく、その抵抗値や単結晶の場合の結晶方位などは特に限定されない。また、導電型はｐ型、ｎ型のいずれであってもよいが、例えば、第１導電型のドーパントとしてＡｌがドープされたｐ型結晶シリコン基板が用いられることが多い。
また、結晶シリコン基板１は、光閉じ込め効果を持たせるために、適当なエッチャントを用いてエッチングが施され、その表面に数μｍ程度の微細な凹凸を有しているのが好ましい。
結晶シリコン基板１の厚さは、０．１６〜０．２ｍｍ程度である。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、結晶シリコン基板１の受光面側に、公知の方法により、高濃度拡散層２を形成する。例えば、ｐ型の結晶シリコン基板を用いる場合には、ｎ型のドーパントとしてリンを含有する水溶液（例えば、リン酸水溶液）を塗布し、加熱して結晶シリコン基板１にリンを含有するシリコン化合物材料からなる高濃度拡散層２を形成し、図１（ｃ）に示すようなｐ−ｎ接合３を得る。
【００２１】
リン酸（Ｈ3ＰＯ4）水溶液は、リン酸と純水とを混合することにより調製することができ、そのリン酸濃度は１〜１２重量％が好ましく、加熱後に形成されるｎ型半導体層のウエハ面内の均一性を良好にすることを考慮すると２〜８重量％が特に好ましい。
リン酸水溶液の塗布方法は、公知の方法を適用できる。例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法などが挙げられ、溶液を比較的簡単にウエハ面内に均一に塗布できるという点でスピンコート法が特に好ましい。
【００２２】
加熱方法としては、例えば、結晶シリコン基板１を温度１５０〜３００℃で加熱し、リン酸水溶液の塗膜を乾燥させた後、温度７００〜１０００℃の高温炉で加熱するのが好ましい。高温炉での加熱により、結晶シリコン基板１の表面に付着したリン酸のリン原子が結晶シリコン基板１に拡散する。
【００２３】
また、上記のリン酸水溶液の代わりに、単結晶シリコン基板ではリンチタングラス（ＰＴＧ）、多結晶シリコン基板ではリンシリサイドグラス（ＰＳＧ）を含む溶液を用いてもよい。
高濃度拡散層２の膜厚は、０．１〜０．５μｍ程度である。
ｐ−ｎ接合３の形成後、反射防止膜４の形成前に、結晶シリコン基板１表面の金属不純物を除去するために、ＨＦ洗浄処理を施すのが好ましい。
【００２４】
（２）第２導電型の高濃度拡散層２上に反射防止膜４を形成する工程
図１（ｄ）に示すように、太陽光などの光を有効に取り込むために、第２導電型の高濃度拡散層２上に反射防止膜（「表面反射膜」ともいう）４を形成する。
反射防止膜の材料は、公知の材料を適用できる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化チタンなどが挙げられ、これらの中でも汎用されている窒化シリコンが特に好ましい。
その形成方法は、公知の方法を適用できる。例えば、プラズマＣＶＤ法（Ｐ−ＣＶＤ法）、触媒ＣＶＤ法などが挙げられ、連続処理が可能で、量産に適したＰ−ＣＶＤ法が特に好ましい。
【００２５】
例えば、Ｐ−ＣＶＤ法により反射防止膜４として窒化シリコン膜を形成する条件は、反応室の形状などにより適宜設定すればよいが、例えば、モノシラン１０〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア１０〜１０００ｓｃｃｍおよび窒素５０〜１０００ｓｃｃｍの混合ガスの場合、圧力１０〜２００Ｐａ、温度２００〜６００℃の範囲であるのが望ましい。このような形成条件であれば、窒化シリコン膜に優れた特性を付与することができる。
反射防止膜の厚さは、膜の屈折率や結晶シリコン基板１の表面凹凸の大きさにより適宜設定すればよいが、通常６０〜１００ｎｍ程度である。
【００２６】
（３）反射防止膜４上および結晶シリコン基板１の非受光面側に電極材料を塗布し、得られた塗膜を熱処理に付して、それぞれ表面焼成電極を構成する表面焼成電極５および裏面焼成電極となる裏面焼成電極６を形成する工程
図１（ｅ）に示すように、反射防止膜４上に、表面焼成電極５を形成する。
その材料および形成方法は、公知の材料および方法を適用できる。例えば、スクリーン印刷法により、銀粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルおよび有機溶媒とを主成分とする導電性ペーストを反射防止膜上に塗布（印刷）し、温度１００〜４００℃で乾燥させる。
そのパターンは特に限定されず、一般に太陽電池に用いられるパターンであれば特に限定されない。例えば、魚骨型（櫛形状）が挙げられ、その幅は、パターンにもよるが、通常１００〜１６０μｍ程度である。
【００２７】
また、図１（ｅ）に示すように、結晶シリコン基板１の非受光面側に、裏面焼成電極６を形成する。この裏面焼成電極５は、結晶シリコン基板１内で発生したキャリアを電流として取り出すために利用される。
その材料および形成方法は、公知の材料および方法を適用できる。例えば、スクリーン印刷法により、アルミニウム粉末などを含んだ導電性ペーストを太陽電池の裏面全面に塗布（印刷）し、温度１００〜４００℃で乾燥させる。スクリーン印刷法は量産レベルにおいてはコストを低減できるので好ましい。
【００２８】
表面焼成電極５および裏面焼成電極６となる塗膜を形成した後、図１（ｆ）に示すように、結晶シリコン基板１を焼成処理に付して、表面焼成電極５および裏面焼成電極６を得、表面焼成電極５のファイアスルーおよび結晶シリコン基板１と裏面焼成電極６との界面にＢＳＦ（Back Surface Field）層７を同時に形成する。
ファイアスルーとは、結晶シリコン基板１を焼成する際に、表面焼成電極５に添加されているガラス粉末の作用で反射防止膜４が破られることによって起こる現象である。これにより表面焼成電極５を結晶シリコン基板１の高濃度拡散層２に接触させることができる。
【００２９】
裏面焼成電極６は、結晶シリコン基板１を焼成する際に、裏面焼成電極に含まれるアルミニウムの一部が結晶シリコン基板１に拡散された領域のことであり、これにより結晶シリコン基板１内部で発生したキャリアの収集効率を向上させることができる。
焼成条件は、温度６００〜９００℃の範囲、焼成時間１〜３００秒間程度が好ましい。
表面焼成電極５および裏面焼成電極６の厚さは、通常１０〜６０μｍ程度である。
【００３０】
（４）光銀めっき法により表面焼成電極５に重覆するように光銀めっき層８を形成して、表面焼成電極および光銀めっき層からなる表面電極を得る工程
図２に示すような「光銀めっき法」により、図１（ｇ）に示すように、表面焼成電極５上に光銀めっき層８を形成する。光銀めっき層８の膜厚（めっき厚）は、２．０〜６．０μｍ程度である。
光銀めっき法では、例えば、水酸化カリウムを主成分とするめっき液１３を介して光１１（蛍光灯光）を照射することで、光起電力効果により表面焼成電極５が負電位になり、さらにめっき液１３内に裏面焼成電極６に対して正電位バイアスされた銀棒１２から銀イオンが析出し、表面焼成電極５が銀棒１２と非接触で表面焼成電極５上に緻密かつ純度の高い光銀めっき層８が形成される。
【００３１】
（５）光銀めっき層８に重覆するように樹脂材料でマスク１５を形成する工程（マスク処理工程）
図４（ｈ）に示すように、光銀めっき層８上に、表面焼成電極５と同程度またはやや狭い幅のマスク１５を形成する。光銀めっき層８の幅は、表面焼成電極５の幅の０．０２〜０．０８５倍程度である。
樹脂材料は、公知の材料を適用でき、これらに中でも、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、エポキシ樹脂およびアルカリ耐性のめっきレジスト材が特に好ましい。
マスクの形成方法は、公知の方法を適用でき、これらに中でも、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法および粘着テープ貼付が特に好ましい。
【００３２】
（６）光銀めっき法により光銀めっき層８の端部の張り出し部１４を電気的に剥離する工程（めっき張り出し部除去処理工程）
図２に示すような「光銀めっき法」により、図４（ｉ）に示すように、表面焼成電極５および光銀めっき層８からなる表面焼成電極に対する銀棒１２のバイアスを負電位とし、めっき張り出し部１４を電気的に剥離（ストリッピング）する。
【００３３】
（７）マスク１５を剥離する工程（マスク剥離処理工程）
最後に、図４（ｊ）に示すように、公知の方法によりマスクを剥離する。これらの中でも、有機剥離とアセトン洗浄との組み合わせまたは直接剥離であるのが好ましい。
【００３４】
以上の工程により得られる太陽電池は、（Ａ）表面焼成電極５の高さ方向の面積が拡大されてアスペクト比が高まり、電流が流れ易くなり、（Ｂ）めっきの張り出し部１４が除去されることにより、シャドウロスが光銀めっき処理前と同程度であり、（Ｃ）めっき張り出し部１４のめっき液残留１３−１がなくなることにより、太陽電池の高湿環境下での特性劣化を抑えることができる。
【００３５】
本発明の太陽電池は、上記の太陽電池の製造方法により得られ、
第１導電型の結晶シリコン基板の受光面側に第２導電型の高濃度拡散層、反射防止膜および表面電極を、前記結晶シリコン基板の非受光面側に裏面電極を備え、
前記表面電極が、塗布および熱処理により形成された表面焼成電極および光銀めっき法により前記焼成電極に重覆するように形成された光銀めっき層からなり、かつマスク形成および剥離処理により前記光銀めっき層の端部の張り出し部が除去されてなることを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の太陽電池システムは、上記の太陽電池を備えることを特徴とする。
このような太陽電池システムとしては、本発明の太陽電池を直列および／または並列に接続したモジュールを用いた太陽電池パネル、ソーラー照明灯、インフォメーションディスプレーなどが挙げられる。
【実施例】
【００３７】
本発明を実施例および比較例によりさらに具体的に説明するが、実施例により本発明が限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１）
図１（ａ）〜（ｇ）および図４（ｈ）〜（ｊ）に示す工程により、本発明の太陽電池を作製した。
まず、図１（ａ）に示すような、厚さ０．２ｍｍ程度のｐ型多結晶シリコン基板１を用意した。
次いで、図１（ｂ）に示すように、ｐ型多結晶シリコン基板１の受光面側に、スピンコート法によりリンシリサイドグラス（ＰＳＧ）を含む溶液を塗布し、約９００℃で６０分間の熱処理を施して、ｐ型結晶シリコン基板１中にｎ型のドーパントとしてリンを拡散させて、膜厚０．３μｍ程度の高濃度拡散層２を形成し、図１（ｃ）に示すようなｐ−ｎ接合３を得た。
次いで、表面の金属不純物を除去するために、ＨＦ洗浄処理を施した。
【００３９】
次いで、図１（ｄ）に示すように、Ｐ−ＣＶＤ装置の真空室内で、ｐ型多結晶シリコン基板１上に、膜厚約７０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜４を形成した。
反射防止膜４の成膜時の混合ガス流量比は、モノシラン：アンモニア：窒素＝１：２：１２とした。また、その他の成膜条件は、周波数１３．５６ＭＨｚ、成膜圧力１００Ｐａ、成膜温度４５０℃、成膜時間２２５秒とした。
【００４０】
次いで、図１（ｅ）に示すように、スクリーン印刷法によりｐ型多結晶シリコン基板１の反射防止膜４上に、銀粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルおよび有機溶媒を主成分とする銀ペーストを魚骨型のパターンで印刷し、温度１５０℃で十分に乾燥させて、厚さ３０μｍの層を形成した。なお、魚骨型のパターンは、バスバー電極（メイングリッド）とフィンガー電極（サブグリッド）とで形成されており、フィンガー電極が２本のバスバー電極に垂直に配置されているものを用いた。
【００４１】
次いで、図１（ｅ）に示すように、スクリーン印刷法によりｐ型多結晶シリコン基板１の非受光面側にアルミニウムペーストを印刷し、温度１５０℃で十分に乾燥させて、厚さ４０μｍの層を形成した。
次いで、近赤外線炉を用いてｐ型多結晶シリコン基板１を温度８５０℃で１２０秒間焼成処理に付して、電極高さ２５μｍ、幅１００μｍの表面焼成電極５および電極厚さ６０μｍの裏面焼成電極６を形成し、図１（ｆ）に示すように、表面焼成電極５のファイアスルーおよびｐ型多結晶シリコン基板１と裏面焼成電極６との界面にＢＳＦ層７を形成した。
【００４２】
次いで、図２に示すような「光銀めっき法」により、図１（ｇ）に示すように、表面焼成電極５上に膜厚３μｍ程度の光銀めっき層８を形成した。
次いで、図４（ｈ）に示すように、光銀めっき層８上に、粘着テープ貼付法により、カプトンテープを用いて表面焼成電極５の幅の０．７倍程度（７０μｍ程度）のマスク１５を形成した。
次いで、光銀めっき法により光銀めっき層８の端部の張り出し部１４を電気的に剥離した。
次いで、有機剥離とアセトン洗浄との組み合わせによりマスク１５を剥離して、本発明の太陽電池を得た。
【００４３】
ソーラーシミュレータを用いて、得られた太陽電池にＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の擬似光を照射し（温度条件：２５℃）、変換効率（％）を測定したところ、１５．４％であった。
【００４４】
（比較例１）
図１（ｇ）および図４（ｈ）〜（ｊ）に示す工程を行なわないこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池を作製し、その変換効率（％）を測定したところ、１４．９％であった。
【００４５】
（比較例２）
図４（ｈ）〜（ｊ）に示す工程を行なわないこと以外は、実施例１と同様にして太陽電池を作製し、その変換効率（％）を測定したところ、１５．６％であった。
【００４６】
得られた結果から、光銀めっき層を有する実施例１および比較例２の太陽電池は、比較例１の太陽電池に比べて、出力（変換効率より算出）が３％以上向上していることがわかる。
実施例１および比較例２の太陽電池を高湿環境下（温度８５℃、湿度８５％）に保持し、変換効率（％）を測定したところ、それぞれ１５．４％および１４．６％であった。
また、実施例１および比較例２の太陽電池の表面電極を観察したところ、後者にはめっき液の残留が観察されたが、前者には観察されなかった。
これらの結果から、比較例２の太陽電池では、残留めっき液が表面焼成電極５と反射防止膜４に悪影響を及ぼし、太陽電池の特性低下を引き起こしているものと推察される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来の太陽電池の製造方法における製造工程（（ａ）〜（ｆ））の一例を示す概略断面図および本発明の太陽電池の製造方法における製造工程（（ｇ）光銀めっき法処理後）の一例を示す概略断面図である。
【図２】光銀めっき法の原理を示す概略図である。
【図３】本発明の太陽電池における表面焼成電極および光銀めっき層の近傍の拡大断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の製造方法における製造工程（（ｈ）〜（ｊ））の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  第１導電型の結晶シリコン基板
２  第２導電型の高濃度拡散層
３  ｐ−ｎ接合
４  反射防止膜（表面反射膜）
５  表面焼成電極
６  裏面焼成電極
７  ＢＳＦ層
８  光銀めっき層
９  カソード電極ローラー
１０  コンベアローラー
１１  光（蛍光灯光）
１２  銀棒
１３  めっき液
１３−１  残留めっき液
１４  めっき張り出し部（めっきひさし部）
１５  マスク
１６  可変直流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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