(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマーと、
該導電性ポリマーに接合された一対の電極箔と、
該電極箔に接合された一対の導電性リードと、
を有するポリマーＰＴＣサーミスタにおいて、
前記各導電性リードは、一の導電性リードが接合されている前記電極箔の面に他の導電性リードを投影した場合に前記一の導電性リードが前記投影された他の導電性リードに重なり合わない状態で前記電極箔に接合されているとともに、
これら導電性リードの間には、最大定格電圧を超える電圧が印可され破壊されても電気的に絶縁される絶縁部が設けられており、
前記絶縁部は、他の部分に先立って破壊するように形成された前記電極箔の一部であり、
前記電極箔の一方は、前記電極箔の幅方向の両縁部から切り込みを入れることにより前記電極箔の一部が除去された断面積減少部を備え、
前記電極箔の他方は、前記電極箔の幅方向に前記電極箔の一部を除去することにより形成され、かつ前記電極箔の両縁に到達しない除去部を備え、
前記断面積減少部が、前記除去部とが重なっていることを特徴とするポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項２】
ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマーと、
該導電性ポリマーに接合された電極箔と、
該電極箔に接合された一対の導電性リードと、
を有するポリマーＰＴＣサーミスタにおいて、
前記各導電性リードは、一の導電性リードが接合されている前記電極箔の面に他の導電性リードを投影した場合に前記一の導電性リードが前記投影された他の導電性リードに重なり合わない状態で前記電極箔に接合されているとともに、
これら導電性リードの間には、最大定格電圧を超える電圧が印可され破壊されても電気的に絶縁される絶縁部が設けられており、
前記絶縁部は、他の部分に先立って焼失するように形成された前記導電性ポリマーの一部とされていることを特徴とするポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項３】
前記導電性ポリマーの一部は、温度上昇に対する抵抗値の増大率が他の部分に比べて低く設定された低ＰＴＣ部とされていることを特徴とする請求項２記載のポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項４】
前記低ＰＴＣ部は、他の部分よりも低い程度に架橋された部分とされていることを特徴とする請求項３記載のポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項５】
前記低ＰＴＣ部は、他の部分よりも加圧された部分とされていることを特徴とする請求項３記載のポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項６】
前記低ＰＴＣ部は、他の部分とは異なる材料で構成されていることを特徴とする請求項３記載のポリマーＰＴＣサーミスタ。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載されたポリマーＰＴＣサーミスタを回路保護素子として用いたことを特徴とする二次電池。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載されたポリマーＰＴＣサーミスタを温度保護素子として用いたことを特徴とする電気機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、正の抵抗温度特性すなわちＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）特性を有するポリマーＰＴＣサーミスタ、並びに、これを用いたリチウムイオン二次電池等の二次電池および電子レンジ等の電気機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、二次電池の過充電等を防止するために、過電流保護素子として、ＰＴＣ特性（正の抵抗温度特性）を有するポリマーＰＴＣスイッチ（ポリマーＰＴＣサーミスタ）が用いられている。
二次電池としては、リチウムイオン二次電池、ニッケル水素二次電池、ニッカド二次電池が挙げられる。以下、リチウムイオン二次電池を一例として説明する。
【０００３】
以下、ポリマーＰＴＣスイッチの一例を図９を用いて説明する。
図９は、従来のポリマーＰＴＣスイッチの概略を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。符号１０１は導電性ポリマー、１０２ａ，ｂは該導電性ポリマー１０１に接合された電極箔、１０３ａ，ｂは該電極箔に接合された導電性リードである。
【０００４】
導電性ポリマー１０１は、直方体形状とされており、たとえばポリエチレンとカーボンブラックとを混練した後に、放射線によって架橋されたものである。この導電性ポリマー１０１は、混入されたカーボンブラックによって、電流が流れる多数の導電パスが形成され、室温では良好な導電性を有するものである。しかし、過電流が流れると、導電性ポリマー１０１はジュール熱による自己発熱を起こして膨張し、混入されたカーボンブラック同士の距離が広がることにより、これらカーボンブラック間の導電パスが切られ、結果的に抵抗値が急激に上昇するようになっている。
このように過電流または過熱によって導電性ポリマーの抵抗値が急激に上昇した状態を、以下、「トリップ状態」という。
【０００５】
電極箔１０２ａ，ｂは、３５μｍ程度の厚さを有するニッケルメッキされた銅箔とされ、導電性ポリマー１０１の相対する両面（図において上下面）のほぼ全体にそれぞれ接合されている。
導電性リード１０３ａ，ｂは、１２５μｍ程度の厚さを有するＮｉ製とされており、電極箔１０２ａ，ｂの上下面に対してそれぞれ半田付けによって接合されている。図９（ｂ）に示すように、上方の導電性リード１０３ａは、上方の電極箔１０２ａの一端１０２ｃから他端１０２ｄにわたって、長手方向に沿うように延在している。
このように一対の導電性リード１０３ａ，ｂは、図において下方の（一の）導電性リード１０３ｂが接合されている下方の電極箔１０２ｂの面に上方の（他の）導電性リード１０３ａを投影した場合に、上方の導電性リード１０３ａが下方の導電性リード１０３ｂに重なり合う状態で電極箔１０２ａ，ｂに接合されている。
【０００６】
このように構成されたポリマーＰＴＣスイッチは、次のように作動する。
以下、上記構成のポリマーＰＴＣスイッチがリチウムイオン２次電池の過電流保護素子として取り付けられた場合について説明する。
導電性ポリマー１０１は室温では低抵抗とされているため、通常の充電時には、過電流が流れず、温度が上昇することはない。
しかし、何らかの原因により過電流が流れた場合には、導電性リード１０３ａ，ｂ、電極箔１０２ａ，ｂを介して過電流が導電性ポリマー１０１に流れ込む。すると、ジュール熱により導電性ポリマー１０１は発熱し、熱膨張する。導電性ポリマー１０１が熱膨張すると、電流を流す導電パスとして機能していたカーボンブラック間の距離が広がり、導電パスが切断されることによって抵抗値が急激に増大する。抵抗値が増大すると、自ずと電流が流れなくなる。
【０００７】
これを図示すると図１０のようになる。
図において、横軸は温度（℃）、縦軸は対数で示した抵抗値（Ω）であり、片対数のグラフとなっている。
図からわかるように、室温〜１００℃程度までは抵抗値が徐々に上昇する程度で、０．１Ω以下の低抵抗を保持している。さらに温度が上昇すると、１３０℃あたりで室温時の抵抗値に対して１０4〜１０5倍程度まで抵抗値が急激に上昇し、トリップ状態となる。そしてさらに１５０℃を超えて温度が上昇すると、抵抗値は徐々に上昇する。このように抵抗−温度特性は、略Ｓ字形状の曲線を描く。
このような抵抗温度特性を有するので、導電性ポリマー１０１に過電流が流れて温度が上昇すると、所定の動作温度で抵抗が急激に上昇する（図における矢印Ａ参照）。
【０００８】
ポリマーＰＴＣスイッチに印可される電源が遮断されると、ジュール熱による導電性ポリマー１０１の熱膨張は止み、導電性ポリマー１０１は周囲温度によって冷却され、導電性ポリマー１０１が予め架橋されていることから、熱収縮して初期状態の形状に復帰する。これに伴い、カーボンブラック同士が再び近づき、導電パスが再形成されることにより、抵抗値が初期状態に戻る（図における矢印Ｂ参照）。
【０００９】
以上説明したようにポリマーＰＴＣスイッチは、導電性ポリマー１０１のＰＴＣ特性を利用することで、過電流が生じたときには電流を遮断し、電源が除去されると電流を再び流すことが可能な状態に戻るというスイッチの機能を有している。これにより、ポリマーＰＴＣスイッチを備えたリチウムイオン二次電池は過充電等から保護されることになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、過電流の程度が設計時において予期した範囲であれば、図１０に示した抵抗−温度曲線のうち急激に抵抗が立ち上がってトリップ状態となる温度範囲（１３０〜１４０℃程度）において、ポリマーＰＴＣスイッチが周囲との間で発熱・放熱を繰り返すので、高抵抗値に保持することが可能である。
しかし、たとえば３．６Ｖ対応のリチウムイオン二次電池を、変圧器を介さずに、最大定格電圧を超える電圧（１００Ｖ）とされた家庭用電源に直接接続するといったような予期しない使用がなされた場合、回路内には設計以上の大電流が流され、これに伴う発熱によって抵抗値が上昇し、ひいてはＰＴＣスイッチに過電圧が印可されることになる。この場合、導電性ポリマー１０１の発熱が周囲への放熱を上回って、ＰＴＣスイッチが熱暴走して、導電性ポリマー１０１の温度が例えば３００℃以上に上昇してしまい（図１０の矢印Ｃ参照）、最終的には破壊に至ってしまう。
ポリマーＰＴＣスイッチが破壊されたとしても、破壊後に復帰することがないように電気的に絶縁状態とされれば格別問題はない。しかし、破壊後にも導電性リード１０３ａ，ｂ同士が直接接触して短絡してしまう場合がある。これでは過電流保護素子としてのポリマーＰＴＣスイッチの機能が果たせない。
【００１１】
さらに別の問題点として以下のようなものがある。
ＰＴＣ特性は過電流保護として用いられるばかりでなく、過熱保護素子として用いることもできる。温度が上昇すれば抵抗値が上昇する特性をもっているからである。
たとえば、電子レンジの制御ボックス内には該ボックス内が高温に曝された場合に電気回路を遮断するためのバイメタルが設けられている。しかし電子レンジのような１５Ａといった高電流を通常使用時に扱う用途では、バイメタルとはいえ大規模でかつ複雑な構造とならざるを得ない。一方、温度ヒューズでは、このような高電流に対応する適切なものは存在しない。そこで、コンパクトでかつ安価な過熱保護機能を有するデバイスが望まれていた。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、以下の目的を有する。
ポリマーＰＴＣサーミスタが破壊に至っても、確実に電気的に絶縁できるポリマーＰＴＣサーミスタを提供することを目的とする。
また、設計値以上の高電圧により予期せぬ充電が行われ、故障・破壊に至っても、確実に電気的に絶縁できる二次電池を提供することを目的とする。
また、電子レンジ等の通常使用時に高電流が用いられる電気機器に対してコンパクトでかつ安価に用いることができる過熱保護機能を有したポリマーＰＴＣサーミスタを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。
本発明は、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマーと、該導電性ポリマーに接合された電極箔と、該電極箔に接合された一対の導電性リードと、を有するポリマーＰＴＣサーミスタにおいて、前記各導電性リードは、一の導電性リードが接合されている前記電極箔の面に他の導電性リードを投影した場合に前記一の導電性リードが前記投影された他の導電性リードに重なり合わない状態で前記電極箔に接合されているとともに、これら導電性リードの間には、最大定格電圧を超える電圧が印可され破壊されても電気的に絶縁される絶縁部が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
一の導電性リードが接合されている電極箔の面に他の導電性リードを投影した場合に、一の導電性リードが、投影された他の導電性リードに重なり合わない状態で一対の導電性リードが配置されている、つまり、一対の導電性リードが互いに立体的にずらされた状態で配置されている。したがって、これら導電性リード間に存在する電極箔あるいは導電性ポリマーが過電流あるいは過熱によってトリップ状態となり、ここに過電圧が印可されて破壊・焼失したとしても、これら導電性リード同士が直接重なり合って、短絡することはない。
また、最大定格電圧を超える電圧が印可されＰＴＣスイッチが破壊された後に導電性リードの間に電極箔または導電性ポリマーが残存していると、完全に電気的に絶縁されることなく接続されたままとなり、ＰＴＣスイッチに接続された外部機器に悪影響を及ぼしてしまう。そこで本発明は、各導電性リードの間に、最大定格電圧を超える電圧が印可され破壊されても電気的に絶縁される絶縁部を設けることとした。これにより、ＰＴＣスイッチが破壊に至った後でも電気的に接続されたままとされることはない。
なお、本発明における最大定格電圧とは、ポリマーＰＴＣサーミスタがトリップ状態の時、導電性ポリマーの両端にかかる電圧の最大値をいう。この値を超えた電圧が加わると、ＰＴＣスイッチは破壊される可能性がある。
【００１５】
また、本発明の前記絶縁部は、他の部分に先立って破壊するように形成された前記電極箔の一部とされていることを特徴とする。
【００１６】
従来の電極箔はどの部分においても電流密度が異ならない形状、即ち一定断面積を有するように形成されている。したがって、最大定格電圧を超える電圧が印可された場合、どの部分から電極箔が破壊されるかが特定できず、絶縁箇所をコントロールできないものとなっていた。
これに対して本発明は、電極箔の一部が他の部分に先立って焼失するようにしたので、この部分において電流が確実に遮断されることになる。
【００１７】
また、本発明の絶縁部は、電極箔の断面積を小さくした断面積減少部とされていることを特徴とする。
【００１８】
電極箔の断面積を小さくした断面積減少部を設けることとしたので、ＰＴＣサーミスタに大電流が流れた場合、この断面積減少部に電極箔のなかで最も大きな電流密度が生じることとなる。これにより該断面積減少部分がもっとも先に破壊されることとなる。
なお、断面積減少部は電極箔中の電流密度が大きくなるように形成されていればよく、例えば電極箔の幅、厚み等を減少させることによって達成することができる。
【００１９】
本発明の断面積減少部は、電極箔を部分的に除去することにより形成されていることを特徴とする。
【００２０】
電極箔を部分的に除去し、当該部分の電極箔の断面積を減少させることによって断面積減少部を形成する。
例えば、電極箔の幅が減少するように電極箔の両側部から中央部に向けて切り込みが形成されるように（電極箔の中央部のみが残るように）電極箔を部分的に除去することによって、断面積減少部が形成されることになる。
また、電極箔の中央部のみが除去されるようにしても、断面積減少部を形成することができる。
また、これらの方法は適宜組み合わせることができる。例えば、導電性ポリマーの上面及び下面に電極箔が接合されている場合、上面の電極箔は両側部を除去し、下面の電極箔は中央部のみを除去してもよい。
電極箔を部分的に除去する方法としては、エッチングが好適である。
なお、電極箔の厚さとしては、２０μｍが好適である。
【００２１】
本発明の断面積減少部は、薄肉部により形成されていることを特徴とする。
【００２２】
電極箔に薄肉部を設けることによって、この部分の電極箔の厚みを薄くして断面積減少部を形成する。薄肉部は、電極箔の幅方向全体にわたって設けても良く、また、幅方向全体に形成せずに部分的に設けても良い。
薄肉とされる程度としては、例えば、厚さ３５μｍの電極箔であれば、２０μｍ程度が好適である。ただし、この厚さは想定される過電流に対して設定されるものである。
薄肉部を形成する方法としては、エッチング、プレス等があり、特にエッチングが好適である。
【００２３】
さらに本発明者は、電流または温度が所定値以上になると電気的に絶縁される絶縁部として、上述した電極箔に着目する場合以外に、以下に述べるように導電性ポリマーに着目する場合をも見出した。
そこで、本発明の絶縁部は、他の部分に先立って焼失するように形成された導電性ポリマーの一部とされていることを特徴とする。
【００２４】
このように絶縁部を、他の部分に先立って焼失するように形成された導電性ポリマーの一部としたので、焼失した導電性ポリマー部分には電流が流れないことになる。したがって、先に絶縁される箇所が予め保障されることになり、ＰＴＣサーミスタが確実に絶縁されることとなる。
【００２５】
本発明の導電性ポリマーの一部は、温度上昇に対する抵抗値の増大率が他の部分に比べて低く設定された低ＰＴＣ部とされていることを特徴とする。
【００２６】
低ＰＴＣ部は、他の部分に比べて、温度が上昇しても抵抗値が上昇する程度が少ないので、例えばＰＴＣサーミスタに過電流が流れて、トリップ状態となり、過電圧が印可された場合、低ＰＴＣ部は温度が上昇しても他の部分に比べて抵抗値が上昇しないため、この低ＰＴＣ部により多くの電流が流れ込み、さらに高温となり、最終的に焼失することになる。
【００２７】
本発明の低ＰＴＣ部は、他の部分よりも低い程度に架橋された部分とされていることを特徴とする。
【００２８】
導電性ポリマーは、架橋の程度によって、温度上昇に対する抵抗値の増大率が変化する。したがって、少ない架橋であれば、低いＰＴＣ特性を示すことになる。
【００２９】
本発明の低ＰＴＣ部は、他の部分よりも加圧された部分とされていることを特徴とする。
【００３０】
過電流あるいは過熱されて導電性ポリマー自身が膨張しようとしても、加圧されることによって膨張が拘束されていると、導電性ポリマー内に分散された導電材料間の距離が離間しないため、抵抗値は増大しない。したがって、このように加圧された部分は低ＰＴＣ部となる。
【００３１】
本発明の低ＰＴＣ部は、他の部分とは異なる材料で構成されていることを特徴とする。
【００３２】
低ＰＴＣ部は、導電性ポリマーの材料を変更することによっても形成することができる。
例えば、ポリマー内に分散する導電材料の量を変更することによって、あるいは融点が異なるポリマーを採用することによって形成することができる。
【００３３】
本発明のポリマーＰＴＣサーミスタは、そのスイッチング機能により回路保護素子として用いることができ、特にリチウムイオン電池等の二次電池に用いて好適である。
【００３４】
本発明のポリマーＰＴＣサーミスタを二次電池の過充電保護素子として用いれば、予期しない高電圧電源に接続してしまった場合でも、確実に電流を遮断することができる。
【００３５】
本発明のポリマーＰＴＣサーミスタは、温度保護素子として用いることができ、特に電子レンジ等の電気機器に用いて好適である。
【００３６】
ポリマーＰＴＣサーミスタは、設計時に作動電流を高く設定しておけば高電流下であっても低抵抗を有する。これに対して、温度ヒューズでは、このような高電流に対応する適切なものは存在しない。その一方で、ポリマーＰＴＣサーミスタは温度が上昇すると抵抗が急激に上昇するという特質も有している。したがって、電子レンジのような例えば１５Ａ程度の高電流がながれる回路に本発明のポリマーＰＴＣサーミスタを温度保護素子として設置しておけば、当該回路に異常な高温が生じても、確実に回路を遮断することができる。
【００３７】
なお、以上説明した本発明において、電極箔に改良を施すか、或いは導電性ポリマーに改良を施すかは、いずれを採用しても良く、また両者を適宜組み合わせてもよい。
【００３８】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１実施形態であるＰＴＣスイッチ（ポリマーＰＴＣサーミスタ）を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。
このＰＴＣスイッチは、リチウムイオン二次電池（図示せず。）に取り付けられるものであり、リチウムイオン二次電池が直方体形状とされている場合には、その狭い側面に沿って略一直線上に取り付けられるものである。
【００３９】
符号１は導電性ポリマー、２ａ，２ｂは該導電性ポリマー１に接合された電極箔、３ａ，ｂは該電極箔に接合された導電性リードである。
【００４０】
導電性ポリマー１は、直方体形状とされており、たとえばポリエチレンと導電性材料であるカーボンブラックとを混練した後に成形し、放射線によって架橋されたものである。この導電性ポリマー１は、混入されたカーボンブラックによって、電流が流れる多数の導電パスが形成され、室温（約２０℃）では良好な導電性を有するものである。しかし、過電流が流れると、導電性ポリマー１はジュール熱による自己発熱を起こして膨張し、混入されたカーボンブラック同士の距離が広がることにより、これらカーボンブラック間の導電パスが切られ、結果的に抵抗値が急激に上昇するようになっている。
【００４１】
電極箔２ａ，２ｂは、従来用いられていた３５μｍよりも薄い２０μｍ程度の厚さを有するニッケルメッキされた銅箔とされている。これら電極箔２ａ，２ｂは、導電性ポリマー１の幅広とされた上面１ａおよび下面１ｂの全体にわたって、それぞれ相対するように接合されている。
電極箔２ａ，２ｂの導電性ポリマー１と接する面には、多数の小突起が形成されたノジュラー面が形成されており、これにより、電極箔２ａ，２ｂは導電性ポリマー１に対して強固に接合されている。
【００４２】
上方の電極箔２ａには、電極箔２ａの幅Ｗを減少させるように、両側から切り込み５，５を入れて電極箔２ａを部分的に除去した断面積減少部７が形成されている（図１（ｂ）参照）。このように電極箔２ａに切り込み５を入れることによって、電極箔２ａを厚さ方向に切断した断面積が減少されることになる。切り込み５は、エッチングによって形成する。
【００４３】
下方の電極箔２ｂには、電極箔２ｂの縁部１１まで到達しないように幅方向に沿って電極箔２ｂが部分的に除去された矩形の除去部９が形成されている（図１（ｃ）参照）。このように除去部９が形成された後に残された部分が断面積減少部７となる。
なお、下方の電極箔２ｂに形成された除去部９は、上方の電極箔２ａに形成された断面積減少部７に対応した位置に形成されている。より詳細には、上方の電極箔２ａに形成された断面積減少部７から下方の電極箔２ｂをみた場合（図１（ｂ）の紙面に垂直方向にみた場合）、上方の電極箔２ａの断面積減少部７が下方の除去部９に重なるようになっている。これにより、たとえ導電性ポリマー１の断面積減少部７に対応した部分が焼失したとしても、この部分において上下の電極箔２ａ，２ｂが接触することはない。
【００４４】
導電性リード３ａ，３ｂは、１２５μｍ程度の厚さを有するＮｉ製とされており、上下の電極箔２ａ，２ｂに対してそれぞれ半田付けによって接合されている。
【００４５】
上方の導電性リード３ａは、該導電性リード３ａの先端部２４ａが上方の電極箔２ａの長手方向における中央部（断面積減少部７がある位置）を越えないように、図１（ｂ）において左側が接合面となる状態で、上方の電極箔２ａの上面に対して接合されている。
下方の導電性リード３ｂは、該導電性リード３ｂの先端部２４ｂが下方の電極箔２ｂの長手方向における中央部（断面積減少部７がある位置）を越えないように、図１（ｃ）において右側が接合面となる状態で、下方の電極箔２ｂの下面に対して接合されている。
このように一対の導電性リード３ａ，３ｂは、図において下方の（一の）導電性リード３ｂが接合されている電極箔２ｂの面に上方の（他の）導電性リード３ａを投影した場合に、下方の導電性リード３ｂが上方の導電性リード３ａに重なり合わない状態で接合されている。
以上のように一対の導電性リード３ａ，３ｂを配置することとしたので、導電性リード３ａ，３ｂの先端部２４ａ，２４ｂ間には断面積減少部７が形成されることになる。
【００４６】
上記構成を有する本発明のＰＴＣスイッチの作用・効果について、以下に説明する。
２０℃程度の室温において、ＰＴＣスイッチを回路保護素子として用いたリチウムイオン二次電池に３．６Ｖ程度の通常使用電圧が印可されている場合、導電性ポリマー１の抵抗値が急上昇しない程度の許容電流が流れ、ＰＴＣスイッチを含む電気回路は通常に動作する。
しかし、リチウムイオン二次電池に通常使用では想定されていない最大定格電圧を超える１００Ｖ程度の高電圧がかかった場合、ＰＴＣスイッチは、突然大電流が流れることによってトリップして高抵抗状態となる。この状態で、ＰＴＣスイッチの端子間に１００Ｖの電圧が印可されることになり、最終的には導電性ポリマー１は発火し、焼失してしまう。導電性ポリマー１が焼失してしまうと、上下の電極箔２ａ，２ｂが接触し、回路が短絡してしまうおそれがある。短絡してしまうと、１００Ｖもの電圧がリチウムイオン二次電池に印可され、二次電池を破壊してしまう。
これに対して本実施形態にかかるＰＴＣスイッチは、断面積減少部７が形成されているので、大電流が流れると、先ず最初にこの部分が破壊される。つまり、電極箔２ａ，２ｂの他の部分に比べて断面積減少部７は断面積が小さいので、必然的に電流密度が大きくなる。電流密度が大きいところから電極箔２ａ，２ｂは破壊されるので、断面積減少部７が他の部分に先立って確実に破壊され、ＰＴＣスイッチはこの部分において電気的に絶縁されることになる。つまり、本実施形態にかかるＰＴＣスイッチの断面積減少部７は、ＰＴＣスイッチに所定値以上の大電流が流れると電気的に絶縁される絶縁部となっている。
【００４７】
また、本実施形態にかかかるＰＴＣスイッチは、上述したように、導電性リード３ａ，３ｂが重ならないような状態で取り付けられているので、導電性ポリマー１や電極箔２ａ，２ｂが破壊された場合であっても、導電性リード３ａ，３ｂ同士が直接接触することはない。したがって、導電性リード３ａ，３ｂ同士が直接接触して短絡してしまうという不都合を確実に回避することができる。
【００４８】
また、上方の電極箔２ａの断面積減少部７は、下方の電極箔２ｂに形成された除去部９に対応した位置に設けられているので、これらの間に位置する導電性ポリマー１が焼失してしまった場合であっても、上下の電極箔２ａ，２ｂが直接接触することはない。
【００４９】
このように、リチウムイオン二次電池に高電圧が印可されても、本実施形態にかかるＰＴＣスイッチを回路保護素子として用いれば、ＰＴＣスイッチが破壊されたとしても決して短絡することなく確実に絶縁することができる。
【００５０】
［第２実施形態］
次に、本発明にかかる第２実施形態について、図２を用いて説明する。
図２は本実施形態にかかるＰＴＣスイッチを示したものであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
本実施形態は、第１実施形態に比べて、断面積減少部７を含めた電極箔２ａ，２ｂの構成のみが異なる。導電性ポリマー１および導電性リード３ａ，３ｂについては第１実施形態と異なるところがない。したがって、断面積減少部７を含めた電極箔２ａ，２ｂについて重点的に説明する。
【００５１】
電極箔２ａ，２ｂは、薄肉部１３以外の厚さが従来と同様に３５μｍとされたニッケルメッキされた銅箔である。
上下の電極箔２ａ，２ｂの長手方向における中央部には、幅方向全体にわたって薄肉部１３が形成されている。薄肉部１３は、他の電極箔２ａ，２ｂ部分に対して厚さが薄くなるように形成されている。より具体的には、他の電極箔２ａ，２ｂ部分が３５μｍの厚さを有するのに対して、薄肉部は２０μｍとされる。ただし、この数値は電極箔が破壊されるべき電流密度に応じて決定されるものである。この薄肉部はエッチングによって形成する。
このように、電極箔２ａ，２ｂの厚さを薄くした薄肉部１３によって、断面積減少部７を形成する。
断面積減少部７によって、絶縁が確実に行われる作用・効果については第１実施形態と同様である。
【００５２】
なお、本実施形態の薄肉部１３は電極箔２ａ，２ｂの幅方向全体にわたって形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、電極箔２ａ，２ｂの一部に形成してもよい。
また、第１実施形態の切り込み５や除去部９と、本実施形態の薄肉部１３を組み合わせて断面積減少部を形成してもよい。
【００５３】
次に、第１および第２実施形態の変形例について、図３および図４を用いて説明する。
図３は、導電性リード３ａ，３ｂが重なり合わない状態となるように配置した変形例を示したものであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
図３に示されているように、各導電性リード３ａ，３ｂのそれぞれを、電極箔３ａ，３ｂの幅方向にずらして配置することで、重なり合わないようにしている。つまり、上方の導電性リード３ａは上方の電極箔２ａの一端１５側に寄せて接合し、下方の導電性リード３ｂは下方の電極箔２ｂの他端１６側に寄せて接合されている。
このように配置することで、導電性リード３ａ，３ｂの先端部が電極箔２ａ，２ｂの長手方向における中央部を越えた状態であっても、導電性リード３ａ，３ｂを取り付けることができる。
【００５４】
上方の電極箔２ａには、上方の導電性リード３ａを取り囲むように階段形の薄肉部１８が形成されている。つまり、薄肉部１８は、電極箔２ａの一端１５から電極箔３ａの幅方向中央へと向かう第１薄肉部１８ａと、該第１薄肉部に接続し、電極箔３ａの長手方向に延在する第２薄肉部１８ｂと、該第２薄肉部に接続し、電極箔２ａの他端１６へと幅方向に沿って延在する第３薄肉部１８ｃとから構成されている。
また、下方の電極箔２ｂにも、薄肉部１８に対応した位置に同様の形状の薄肉部が形成されている。
このように、導電性リード３ａ，３ｂ間を分離するように薄肉部１８による断面積減少部７が形成されている。
【００５５】
図４には次の変形例が示されており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
この変形例は、第１実施形態に比べて、断面積減少部７が異なる。
つまり、電極箔２ａ，２ｂには複数の孔２０が形成されている。孔２０は、電極箔２ａ，２ｂの幅方向に形成されている。下方の電極箔２ｂにも複数の孔２０が形成されている。
このように孔２０を形成することによって、断面積減少部７を形成することもできる。
【００５６】
［第３実施形態］
次に、本発明にかかる第３実施形態について図５を用いて説明する。
本実施形態におけるＰＴＣスイッチは、高電流が通常において使用される電子レンジ（電気機器）の電気回路に使用される温度保護素子として用いられる。
図５に示されたＰＴＣスイッチは、導電性リード３ａ，３ｂについては第１および第２実施形態と異なるところがない。
電極箔２については、断面積減少部７が設けられておらず、従来の電極箔１０３ａ，ｂと同様である。
【００５７】
本実施形態における導電性ポリマー１は、製造の際に架橋の程度を異ならせた点で、上述の各実施形態と異なる。
つまり、導電性ポリマー１の中央部１ｂは、導電性ポリマー１の側部１ａよりも低いレベルの放射線によって架橋されている。
【００５８】
導電性ポリマー１にかける放射線架橋の程度によって、温度上昇に対する抵抗値の増大率を異ならせることができる。これを図６を参照して説明する。たとえば、導電性ポリマー１に放射線をなにもかけなかった場合、図６の曲線Ｌ１に示すように、抵抗は僅かに増大するが、急激な抵抗値の変化は望めない。
これに対して、例えば１０Ｍｒａｄ程度の放射線をかけた場合、Ｌ３に示すように、５桁程度の抵抗値の増大を得ることができる。
また、上記放射線量よりも少ない放射線をかけた場合には、Ｌ１とＬ３との間に位置する抵抗温度特性Ｌ２が得られる。
このように放射線架橋の程度を異ならせることによって、正の抵抗温度特性を調節することができる。
【００５９】
本実施形態における導電性ポリマー１の側部１ａは、５桁程度の抵抗値の増大が得られるように放射線架橋が施されている。すなわち、図６の図Ｌ３に示すＰＴＣ特性を示す。これに対して導電性ポリマー１の中央部１ｂは、側部１ａよりも放射線架橋の程度を低くしており、図６のＬ２に示すＰＴＣ特性を示すことになる。つまり、導電性ポリマー１の中央部１ｂはＰＴＣ特性が側部１ａに比べて低く設定されており、低ＰＴＣ部となっている。
【００６０】
上記構成の作用・効果について以下に説明する。
電子レンジが通常に使用されている場合は、ＰＴＣスイッチは低抵抗を維持しており、該ＰＴＣスイッチを通して１５Ａ程度の高電流が流される。
何らかの故障が原因でＰＴＣスイッチが設けられた電気回路部分が例えば８０℃程度の高温に曝された場合には、本実施形態にかかるＰＴＣスイッチは次のように動作する。
導電性ポリマー１の側部１ａの抵抗値は急激に上昇する。
これに対して導電性ポリマーの中央部１ｂは低ＰＴＣ部とされているため、抵抗値が側部１ａに比べて上昇しない。すると、電流は低抵抗となっている中央部１ｂに集中的に流れ込み、さらに中央部１ｂが発熱することになり、導電性ポリマー１の融点を遙かに超えて発火点にまで達し、最終的に焼失する。
このように導電性ポリマー１の中央部１ｂが先ず焼失することによって、ＰＴＣスイッチは絶縁される。このように、本実施形態によるＰＴＣスイッチによれば、高電流が流れる電子レンジの電気回路において温度保護素子として用いることができる。
【００６１】
なお、導電性ポリマー１が高温になると、上述のように中央部１ｂに電流が集中的に流れるようになることから、中央部１ｂに接合された電極箔２ａ，２ｂ部分にも電流が集中的に流れることになり、電極箔２ａ，２ｂの当該部分も破壊されることになる。
この電極箔２ａ，２ｂの破壊をより確実なものにするために、第１実施形態および第２実施形態の電極箔を組み合わせてもよい。
【００６２】
また、本実施形態の変形例として、図７に示すように、導電性ポリマー１の材質を変えてもよい。つまり、導電性ポリマー１の中央部１ｂが側部１ａに比べて低ＰＴＣ部となるように材質を変更する。より具体的には、中央部１ｂのポリマーとして融点の低いものを用いるとか、カーボンブラックの存在比を増やすといった手法を用いる。
【００６３】
［第４実施形態］
以下に、本発明にかかる第４実施形態について図８を用いて説明する。
本実施形態は、第３実施形態に比べて、低ＰＴＣ部を達成する手法が異なる。
導電性ポリマー１は、第１および第２実施形態と同様に、全体にわたって同様の正の抵抗温度特性を有するものである。
電極箔２ａ，２ｂおよび導電性リード３ａ，３ｂは第３実施形態と同様である。
【００６４】
本実施形態は、導電性リード３ａ，３ｂの先端部間にバンド２２を設けている点が特徴となっている。
このバンド２２は導電性ポリマー１および電極箔２ａ，２ｂを縛るような形で巻回されている。このバンド２２は、導電性ポリマー１に対して部分的に加圧力を与えている。バンド２２の材質としては、ゴム等の絶縁物が用いられる。
【００６５】
バンド２２によって加圧された導電性ポリマー１部分は、以下に説明するように、低ＰＴＣ部となる。なぜなら、バンド２２によって導電性ポリマー１が加圧されていると、ＰＴＣスイッチの周囲温度が上昇して熱膨張しようとしても、バンド２２によって拘束されているため膨張しないからである。導電性ポリマー１が膨張しなければ、導電性ポリマー１内に分散されたカーボンブラック同士の間隔は離れないので、導電パスが切断されることはない。したがって、バンド２２によって加圧されている部分は温度が上昇しても抵抗値がそれほど上昇しないのである。
このように導電性ポリマー１の熱膨張を部分的に拘束するバンド２２によって、図６のＬ２で示したような正の抵抗温度特性を有する低ＰＴＣ部が形成されることになる。
本実施形態によれば、バンド２２を取り付けることによって、低ＰＴＣ部を得ることができるので、簡便かつ安価に製造することができる。
【００６６】
なお、上述した各実施形態における電極箔２ａ，２ｂとして、ニッケルメッキされた銅箔を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、例えばニッケル箔としてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のポリマーＰＴＣサーミスタによれば、以下の効果を得ることができる。
導電性リードの間に、最大定格電圧を超える電圧が印可され破壊されても電気的に絶縁される絶縁部を設けることにしたので、ポリマーＰＴＣサーミスタが破壊された場合であっても短絡することはない。
また、一の導電性リードが接合されている電極箔の面に他の導電性リードを投影した場合に該一の導電性リードが該投影された他の導電性リードに重なり合わない状態で電極箔に接合することとしたので、導電性ポリマーおよび電極箔が焼失してしまっても、導電性リード同士が直接接触して短絡することはない。
【００６８】
電極箔の一部が他の部分に先立って破壊するようにしたので、予め絶縁する部分を選定することができ、予期しない部分が破壊することによって予期しない短絡を招くという事態を回避することができる。
【００６９】
電極箔の断面積を小さくした断面積減少部によって絶縁部を形成することにしたので、破壊すべき電流密度に応じて電極箔の断面積を決定すればよく、絶縁部を簡易に設定することができる。
【００７０】
導電性ポリマーの一部を、他の部分に先立って焼失させることによって絶縁部を形成することとしたので、予め絶縁する部分を選定することができ、予期しない部分が破壊することによって予期しない短絡を招くという事態を回避することができる。
【００７１】
導電性ポリマーの一部を、温度上昇に対する抵抗値の増大率が他の部分に比べて低く設定された低ＰＴＣ部としたので、ポリマーＰＴＣサーミスタの温度が上昇した場合に、この低ＰＴＣ部が選択的に焼失することになり、確実に絶縁することができる。
【００７２】
本発明にかかるポリマーＰＴＣサーミスタを回路保護素子として二次電池に用いることとしたので、設計時に想定していない過充電等があっても、二次電池本体に影響を与えることなく確実に絶縁することができる。
【００７３】
本発明にかかるポリマーＰＴＣサーミスタを温度保護素子として電気機器に用いることとしたので、例えば１５Ａ程度の高電流が常時使用される環境下でも安価で確実に絶縁できる電気機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態として示したＰＴＣスイッチであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】  本発明の第２実施形態として示したＰＴＣスイッチであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】  本発明の変形例として示したＰＴＣスイッチであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】  本発明の変形例として示したＰＴＣスイッチであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図５】  本発明の第３実施形態として示したＰＴＣスイッチの側面図である。
【図６】  第３実施形態の導電性ポリマーの正の抵抗温度特性を示した図である。
【図７】  第３実施形態の変形例として示したＰＴＣスイッチの側面図である。
【図８】  本発明の第４実施形態として示したＰＴＣスイッチであり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】  従来のＰＴＣスイッチを示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図１０】  ＰＴＣスイッチの正の抵抗温度特性を示した図である。
【符号の説明】
１  導電性ポリマー
１ｂ  低ＰＴＣ部
２ａ，２ｂ  電極箔
３ａ，３ｂ  導電性リード
７  断面積減少部
１３  薄肉部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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