(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側からレーザビームを照射し、
前記レーザビームの一部は、前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側および裏面側の両側からレーザビームを照射し、
前記レーザビームの一部は、前記基板または前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
第１の加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側からレーザビームを照射し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に１５族に属する元素を導入し、
第２の加熱処理により前記金属元素を前記１５族に属する元素が導入された領域にゲッタリングし、
前記レーザビームの一部は、前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
第１の加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側および裏面側の両側からレーザビームを照射し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に１５族に属する元素を導入し、
第２の加熱処理により前記金属元素を前記１５族に属する元素が導入された領域にゲッタリングし、
前記レーザビームの一部は、前記基板または前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振の気体レーザまたは固体レーザから発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種から発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種から発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと言う）で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関する。例えば、液晶表示装置に代表される電気光学装置、及び電気光学装置を部品として搭載した電気機器の構成に関する。また、前記装置の作製方法に関する。なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指し、上記電気光学装置及び電気機器もその範疇にあるとする。
【０００２】
【従来の技術】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、このＴＦＴで形成した大面積集積回路を有する半導体装置の開発が進んでいる。アクティブマトリクス型液晶表示装置、ＥＬ表示装置、および密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、結晶質半導体膜（代表的には結晶質珪素膜）を活性領域にしたＴＦＴは電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能回路を形成することも可能である。
【０００３】
前記結晶質半導体膜の結晶性はＴＦＴを作製したときの電気的特性に大きな影響を及ぼす。現状では、非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成することが多く行なわれている。また、結晶性とは、結晶中の原子配列の規則性の度合いを表現するもので、結晶性が良好である結晶質半導体膜を用いてＴＦＴを作製すると、その電気的特性は良好なものとなる。
【０００４】
また、半導体膜の結晶性に特に影響を及ぼす工程として、ドーピング処理が挙げられる。前記ドーピング処理において、半導体膜へ打ち込まれるイオンのエネルギーは、半導体膜を形成する元素の結合エネルギーと比較して非常に大きい。そのため、前記半導体膜へ打ち込まれるイオンは前記半導体膜を形成する元素を格子点から弾き飛ばして結晶に欠陥が生じさせる。したがって、ドーピング処理後は前記欠陥の回復を行ない、また同時に打ち込んだイオンを活性化させるため、加熱処理を行なうことが多い。
【０００５】
このように、半導体膜の結晶性はＴＦＴを作製する工程の中で、様々な影響を受けるが、結晶性の良い結晶質半導体膜を作製するための試みが行なわれている。
【０００６】
例えば、「High-Performance Low-Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistors Fabricated by New Metal-Induced Lateral Crystallization Process; Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 (1998) pp. 4244-4247」で述べられている方法について説明する。基板上に所望の形状の非晶質珪素層を形成した後、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。次に、ニッケル（Ｎｉ）を添加し、続いて、不純物元素のドーピング処理を行なう。ここで、半導体層上にゲート電極が形成されているため、ソース領域およびドレイン領域にはニッケルは添加されているが、チャネル形成領域には添加されていない。その後、加熱処理により、非晶質珪素層の結晶化および不純物元素の活性化を同時に行なう。既に述べたように、チャネル形成領域にはニッケルは添加されていない。（図３（Ａ））しかし、ソース領域およびドレイン領域に添加されたニッケルを核として横方向にも結晶成長するため、チャネル形成領域も結晶化する。（図３（Ｂ））また、ソース領域およびドレイン領域から横方向に結晶成長した結晶粒がチャネル形成領域でぶつかり大きな結晶粒界を形成するのを避けるため、図３（Ｃ）に示すように、部分的にマスクを設けてニッケルを添加し、マスクを除去した後、結晶化する方法も報告されている。（図３（Ｄ））
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような方法により作製されたＴＦＴでは、良好な電気的特性が得られていない。特に、ＴＦＴの性能を判断するのに重要なパラメータであるサブスレッショルド係数（Ｓ値）や、電界効果移動度の特性が良好でない。
【０００８】
本発明はこのような問題点を解決するための技術であり、ＴＦＴを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、選択的に金属元素を添加した半導体層に対し加熱処理による結晶化を行なった後、レーザビームを照射することによって、半導体層の結晶性をさらに向上させることを特徴とする。加熱処理により、結晶成長は前記金属元素が添加された領域から添加されていない領域に向かって横方向に行なわれる。そのため、前記金属元素が添加されていない半導体層中には、結晶化せずに非晶質領域が残る場合もある。また、加熱処理後の半導体層には結晶粒内に多数の欠陥が存在する。そこで、加熱処理後にレーザビームを照射することにより、残存する非晶質領域の結晶化を行ない、かつ、結晶欠陥の補償を行なうことを特徴としている。
【００１０】
本明細書に開示する本発明の半構成は、基板上に半導体層を形成し、前記半導体層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、前記不純物元素が導入された半導体層に選択的に金属元素を導入し、加熱処理により前記半導体層を結晶化し、かつ、前記不純物元素を活性化し、レーザビームを照射することを特徴としている。
【００１１】
上記構成において、基板は、レーザビームの一部が透過する基板を用いるのが望ましい。しかし、同じ基板でも波長によって透過率が異なる。例として、図２に、波長に対するコーニング社製１７３７基板および旭硝子社製合成石英ガラス基板の透過率を示す。図２から、波長によって透過率が変化していることが分かる。また、本明細書中では、基板の表面とは膜が形成されている面と定義し、基板の裏面とは膜が形成されている面と反対側の面と定義する。
【００１２】
また、上記構成において、金属元素はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数の元素を用いればよく、前記金属元素を用いた結晶化方法についての詳細は特開平７−１８３５４０号公報に記載されている。ここで、前記公報の内容を簡単に説明する。まず、非晶質半導体膜にニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素を微量に添加する。添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。前記添加の後、熱処理を行なうと、結晶性の良好な結晶質半導体膜が得られる。結晶化に最適な加熱温度や加熱時間等は、前記金属元素の添加量や、非晶質半導体膜の状態による。
【００１３】
また、上記構成において、不純物元素はｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素であるとする。
【００１４】
また、上記構成において、前記レーザビームはパルス発振又は連続発振の気体レーザや固体レーザから発振されたレーザビームを用いることができる。例えば、気体レーザとして、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等を用いることが出来る。また、非線形光学素子により変換された高調波を用いても良い。
【００１５】
また、上記構成において、レーザビームは基板の表面側、または裏面側、または表面側および裏面側の両側から照射する。ゲート電極の下方に存在するチャネル形成領域は半導体層の中でも特に良好な結晶性が必要とされる。しかし、チャネル形成領域の上方にはゲート電極が存在し、前記ゲート電極がレーザビームに対して透過性がなければ、半導体層に到達しない。そのため、ゲート電極の材質によって、レーザビームを照射する側を基板の表面側、または裏面側、または表面側および裏面側の両側からにする必要がある。もちろん、レーザビームを表面側から照射する場合は、前記レーザビームに対して透過性を有するゲート電極にする必要がある。また、レーザビームを裏面側から照射する場合は、前記レーザビームに対して透過性を有する基板を用いる必要がある。また、レーザビームを表面側および裏面側から照射する場合は、前記レーザビームに対して透過性を有する基板を用い、かつ、前記レーザビームに対して透過性を有するゲート電極にする必要がある。
【００１６】
また、上記構成により作製されたＴＦＴを用いて液晶表示装置やＥＬ表示装置に代表される半導体装置装置を作製することを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図１の断面図を用いて説明する。
【００１８】
図１（Ａ）において基板１１には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラスアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の７０５９ガラスや１７３７ガラスなどを好適に用いることが出来る。ただし、後工程のレーザビームの照射の際に、基板の裏面側、または表面側および裏面側から照射するのであれば、レーザビームの波長に対し、基板１１は透過性を有する必要がある。
【００１９】
基板１１の上に下地絶縁膜１２を公知の手段（ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）により窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜などで形成する。ただし、下地絶縁膜１２は、後工程で用いるレーザ発振器の波長に対し、透過性を有する必要がある。
【００２０】
次に、半導体膜１２をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の手段で１０〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１００ｎｍ）の厚さに形成したのち、所望の形状にパターニングして半導体層１３、１４を形成する。ここで、半導体層１３はｎチャネル型ＴＦＴを、半導体層１４はｐチャネル型ＴＦＴを作製するものとする。なお、前記半導体膜１２としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。
【００２１】
次いで、半導体層１３、１４を覆うゲート絶縁膜１５を形成する。ゲート絶縁膜１５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。
【００２２】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１５上に膜厚１００〜５００ｎｍの導電膜１６を形成する。導電膜としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよいし、多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、可視光に対して透明な酸化物導電膜（代表的にはＩＴＯ膜）を用いてもよい。
【００２３】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク（図示せず）を形成し、電極及び配線を形成するためのエッチング処理を行なって、導電層１７、１８を形成する。
【００２４】
次いで、導電層１７、１８をマスクとして用い、ゲート絶縁膜１５を選択的に除去して絶縁層１９、２０を形成する。（図１（Ｃ））
【００２５】
そして、第１および第２のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。（図１（Ｃ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を５〜１００ｋｅＶとして行う。この場合、導電層１７、１８が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域２１、２２が形成される。まず、ｎ型を付与する不純物元素を添加して、続いて、ｐ型を付与する不純物元素を添加して不純物領域２６、２７を形成する。ただし、図１（Ｃ）および図１（Ｄ）に示すように、ｎ型を付与する不純物元素を添加するときには、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスク２３で覆い、ｐ型を付与する不純物元素を添加するときには、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスク２５で覆う。
【００２６】
次に、金属元素の添加を行なって、金属含有層２８を形成する。前記金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数の元素を用いればよく、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。このとき、図３（Ｃ）に示すように、部分的にマスクを形成して、加熱処理により、半導体層が結晶化したときに形成される結晶粒界をチャネル形成領域ではなく、ソース領域またはドレイン領域に形成させる方法もある。
【００２７】
次いで、図１（Ｅ）に示すように、加熱処理により、半導体層の結晶化および不純物元素の活性化を行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行なう。結晶化は、半導体層に選択的に添加された金属元素を核として結晶成長し、前記金属元素が添加されていないチャネル形成領域にも横方向に結晶成長して結晶化する。
【００２８】
図１（Ｆ）は基板の裏面側からレーザビームを照射して、半導体層の結晶性を向上させる工程を説明する図である。この場合、ここでは、裏面側からレーザビームを照射する場合を図示しているが、導電層１７、１８がレーザビームに対し、透過性を有する材料で形成されていれば、基板の表面側、または表面側および裏面側から照射することもできる。また、用いる基板や下地絶縁膜の膜厚等によって最適な条件は異なる。
【００２９】
まず、レーザアニール法において用いるレーザ発振器について説明する。例えば、エキシマレーザは大出力で、現状で３００Ｈｚ程度の高周波パルスを発振出来る。また、パルス発振のエキシマレーザだけでなく、連続発振のエキシマレーザやその他のパルス発振又は連続発振の気体レーザや固体レーザを用いることができる。例えば、気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等も用いることが出来る。もちろん、非線形素子により変換された高調波を用いてもよい。また、レーザビームの照射は真空中、大気中、窒素雰囲気中などで行なうことが出来る。さらに、レーザビームを照射する際、基板を５００度程度まで加熱しても良い。こうすることで半導体膜における熱の流出速度の低下が期待され、結晶粒の粒径を拡大することができる。
【００３０】
前述のいずれかのレーザ発振器を用い、また、いずれかの雰囲気中で、レーザビームを照射して、半導体層の結晶化を行なう。
【００３１】
レーザビームを照射して形成された前記結晶質半導体膜は、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で３００〜４５０℃の加熱処理、あるいは、プラズマによって生成された水素を含む雰囲気中で２００〜４５０℃の加熱処理によって、残留する欠陥を減少することができる。
【００３２】
また、前記金属元素がチャネル形成領域に残留した半導体層を用いてＴＦＴを作製すると、その電気的特性のオフ電流値は高くなることが知られている。そのため、本出願人は半導体層から金属元素を除去する技術（ゲッタリング技術）を開発し、特開平１０−２７０３６３号公報に開示している。前記ゲッタリング技術とは、前記金属元素が残留している前記半導体層に１５族に属する元素を選択的に導入して加熱処理を行ない、前記１５族に属する元素が導入されている領域（ゲッタリング領域）に前記金属元素を捕獲させることで、前記１５族に属する元素が導入されていない領域（被ゲッタリング領域）において前記金属元素を除去または低減することができるというものである。
【００３３】
本発明においても、レーザビームを照射した後、前記ゲッタリング技術を利用してもよい。つまり、ゲート電極をマスクとして、１５族に属する元素を半導体層に選択的に導入し、加熱処理を行なって、チャネル形成領域から金属元素を除去または低減させてもよい。
【００３４】
このようにして作製された結晶質半導体層を用いて、ＴＦＴを作製することにより、前記ＴＦＴの電気的特性を向上させることが出来る。
【００３５】
【実施例】
［実施例１］
本発明の実施例について図１の断面図を用いて説明する。
【００３６】
図１（Ａ）において基板１１には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラスアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の７０５９ガラスや１７３７ガラスなどを好適に用いることが出来る。本実施例においては、１７３７ガラス基板を用いた。
【００３７】
前記基板１１の上に下地絶縁膜１２を公知の手段（ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）により窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜などで形成する。本実施例では膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。
【００３８】
次に、半導体膜１２をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の手段で１０〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１００ｎｍ）の厚さに形成した後、所望の形状にパターニングして半導体層１３、１４を形成する。ここで、半導体層１３はｎチャネル型ＴＦＴを、半導体層１４はｐチャネル型ＴＦＴを作製するものとする。なお、前記半導体膜１２としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した。
【００３９】
次いで、半導体層１３、１４を覆うゲート絶縁膜１５を形成する。ゲート絶縁膜１５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００４０】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１５上に膜厚１００〜５００ｎｍの導電膜１６を形成する。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる導電膜を形成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、導電膜としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよいし、多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、可視光に対して透明な酸化物導電膜（代表的にはＩＴＯ膜）を用いてもよい。
【００４１】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク（図示せず）を形成し、電極及び配線を形成するためのエッチング処理を行なって、導電層１７、１８を形成する。
【００４２】
次いで、導電層１７、１８をマスクとして用い、ゲート絶縁膜１５を選択的に除去して絶縁層１９、２０を形成する。（図１（Ｃ））
【００４３】
そして、第１および第２のドーピング処理を行ない、半導体層に不純物元素を添加する。（図１（Ｃ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を５〜１００ｋｅＶとして行う。この場合、導電層１７、１８が不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に不純物領域２１〜２４が形成される。本実施例では、第１のドーピング処理として、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（P）を添加して、不純物領域２１〜２４のリン濃度が１×１０20〜５×１０21／ｃｍ3になるようにした。続いて、第２のドーピング処理を行ない、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（B）を添加して、不純物領域２６、２７のボロン濃度が１×１０20〜１×１０22／ｃｍ3になるようにした。ただし、図１（Ｄ）に示すように、第２のドーピング処理においては、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスク２５で覆う。
【００４４】
次に、金属元素の添加を行なって、金属含有層２８を形成する。前記金属元素としては、ニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素があり、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。本実施例では、ニッケルを含む溶液を半導体層および導電層に保持させた。
【００４５】
次いで、図１（Ｅ）に示すように、加熱処理により、半導体層の結晶化および不純物元素の活性化を行なう。この加熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行なう。結晶化は、半導体層に選択的に添加された金属元素を核として結晶成長し、前記金属元素が添加されていないチャネル形成領域にも横方向に結晶成長して結晶化する。本実施例では、温度５５０度で４時間の加熱処理を行なった。
【００４６】
図１（Ｆ）はレーザビームを照射して、半導体層の結晶性を向上させる工程を説明する図である。また、用いる基板や下地絶縁膜の膜厚等によって最適な条件は異なる。まず、レーザアニール法において用いるレーザ発振器について説明する。例えば、エキシマレーザは大出力で、現状で３００Ｈｚ程度の高周波パルスを発振出来る。また、パルス発振のエキシマレーザだけでなく、連続発振のエキシマレーザやその他のパルス発振又は連続発振の気体レーザや固体レーザを用いることができる。例えば、気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等も用いることが出来る。もちろん、非線形素子により変換された高調波を用いてもよい。また、レーザビームの照射は真空中、大気中、窒素雰囲気中などで行なうことが出来る。さらに、レーザビームを照射する際、基板を５００度程度まで加熱しても良い。こうすることで半導体膜における熱の流出速度の低下が期待され、結晶粒の粒径を拡大することが出来る。
【００４７】
本実施例では、ＹＡＧレーザの第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用い、大気中でレーザビームの照射を行なった。また、本実施例では基板として１７３７ガラス基板を用いており、図２（Ｂ）より、ＹＡＧレーザの第２高調波に対する透過率は９０％以上ある。そのため、ＹＡＧレーザの第２高調波は充分基板を透過する。また、本実施例では、導電層１７、１８にＴａＮを用いており、ＹＡＧレーザの第２高調波に対して透過性を有しない。そこで本実施例では、基板の裏面側からレーザビームを照射し、前記半導体膜の結晶化を行なった。
【００４８】
レーザビームを照射して形成された前記結晶質半導体層は、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で３００〜４５０℃の加熱処理、あるいは、プラズマによって生成された水素を含む雰囲気中で２００〜４５０℃の加熱処理によって、残留する欠陥を減少することができる。
【００４９】
このようにして作製された結晶質半導体層を用いてＴＦＴを作製することにより、前記ＴＦＴの電気的特性を向上させることが出来る。
【００５０】
［実施例２］
本実施例ではアクティブマトリクス基板の作製方法について図４〜図５を用いて説明する。
【００５１】
図１（Ａ）において基板３００には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラスアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の７０５９ガラスや１７３７ガラスなどを好適に用いることが出来る。本実施例においては、１７３７ガラス基板を用いた。
【００５２】
次いで、基板３００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜３０１を形成する。本実施例では下地膜３０１として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地膜３０１の一層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜３０１ａを１０〜２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜３０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地膜３０１のニ層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜３０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍの酸化窒化珪素膜４０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【００５３】
次いで、下地膜上に半導体膜３０２を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により１０〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１００ｎｍ）の厚さに成膜した後、所望の形状にパターニングして半導体層４０２〜４０６を形成する。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素または珪素ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。本実施例では、プラズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって、半導体層４０２〜４０６を形成した。
【００５４】
また、半導体層４０２〜４０６を形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行なってもよい。
【００５５】
次いで、半導体層４０２〜４０６を覆うゲート絶縁膜４０７を形成する。ゲート絶縁膜４０７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００５６】
また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００５７】
次いで、図４（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜４０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜４０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜４０９とを積層形成する。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる第１の導電膜４０８と、膜厚３７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電膜４０９を積層形成した。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ膜中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。従って、本実施例では、高純度のＷ（純度９９．９９９９％）のターゲットを用いたスパッタ法で、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができた。
【００５８】
なお、本実施例では、第１の導電膜４０８をＴａＮ、第２の導電膜４０９をＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜をタンタル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜とする組み合わせとしてもよい。
【００５９】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク４１０〜４１５を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行なう。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行なう。本実施例では第１のエッチング条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５：２５：１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。ここでは、松下電器産業（株）製のＩＣＰを用いたドライエッチング装置（Model  Ｅ６４５−□ＩＣＰ）を用いた。基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。
【００６０】
この後、レジストからなるマスク４１０〜４１５を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０：３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【００６１】
上記第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°となる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層４１７〜４２２（第１の導電層４１７ａ〜４２２ａと第２の導電層４１７ｂ〜４２２ｂ）を形成する。４１６はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層４１７〜４２２で覆われない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００６２】
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行ない、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図５（Ａ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行なえば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０15atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行なう。本実施例ではドーズ量を１．５×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を８０ｋｅＶとして行った。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いた。この場合、導電層４１７〜４２１がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の高濃度不純物領域３０６〜３１０が形成される。第１の高濃度不純物領域３０６〜３１０には１×１０20〜１×１０21atoms/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【００６３】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行なう。ここでは、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、Ｗ膜を選択的にエッチングする。この時、第２のエッチング処理により第２の導電層４２８ｂ〜４３３ｂを形成する。一方、第１の導電層４１７ａ〜４２２ａは、ほとんどエッチングされず、第２の形状の導電層４２８〜４３３を形成する。
【００６４】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに、図５（Ｃ）に示すように、第２のドーピング処理を行なう。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて、７０〜１２０ｋｅＶの高い加速電圧で、ｎ型を付与する不純物元素を導入する。本実施例ではドーズ量を１．５×１０14／ｃｍ2とし、加速電圧を９０ｋｅＶとして行ない、図５（Ｂ）で形成された第１の高濃度不純物領域３０６〜３１０より内側の半導体層に新たな不純物領域を形成する。第２のドーピング処理は第２の形状の導電層４２８〜４３３をマスクとして用い、第２の導電層４２８ｂ〜４３３ｂの下方における半導体層にも不純物元素が導入され、新たに第２の高濃度不純物領域４２３ａ〜４２７ａおよび低濃度不純物領域４２３ｂ〜４２７ｂが形成される。
【００６５】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスク４３４ａおよび４３４ｂを形成して、図６（Ａ）に示すように、第３のエッチング処理を行なう。エッチング用ガスにＳＦ6およびＣｌ2とを用い、ガス流量比を５０／１０（ｓｃｃｍ）とし、１．３Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成し、約３０秒のエッチング処理を行なう。基板側（資料ステージ）には１０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的には不の自己バイアス電圧を印加する。こうして、前記大３のエッチング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴおよび画素部のＴＦＴ（画素ＴＦＴ）のＴａＮ膜をエッチングして、第３の形状の導電層４３５〜４３８を形成する。
【００６６】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第２の形状の導電層４２８、４３０および第２の形状の導電層４３５〜４３８をマスクとして用い、ゲート絶縁膜４１６を選択的に除去して絶縁層４３９〜４４４を形成する。（図６（Ｂ））
【００６７】
次いで、新たにレジストからなるマスク４４５ａ〜４４５ｃを形成して第３のドーピング処理を行なう。この第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域４４６、４４７を形成する。第２の導電層４３５ａ、４３８ａを不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域４４６、４４７はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成する。（図６（Ｃ））この第３のドーピング処理の際には、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスク４４５ａ〜４４５ｃで覆われている。第１のドーピング処理及び第２のドーピング処理によって、不純物領域４４６、４４７にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、そのいずれの領域においてもｐ型を付与する不純物元素の濃度を２×１０20〜２×１０21atoms/cm3となるようにドーピング処理することにより、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域として機能するために何ら問題は生じない。本実施例では、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層の一部が露呈しているため、不純物元素（ボロン）を添加しやすい利点を有している。
【００６８】
以上までの工程で、それぞれの半導体層に不純物領域が形成される。
【００６９】
次いで、レジストからなるマスク４４５ａ〜４４５ｃを除去して金属元素の添加を行なって、金属含有層３６１を形成する。前記金属元素としては、ニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素があり、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。本実施例では、ニッケルを含む溶液を半導体層および導電層に保持させた。
【００７０】
次いで、図７（Ａ）に示すように、加熱処理により、半導体層の結晶化および不純物元素の活性化を行なう。この活性化工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行なう。熱アニール法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜５５０℃で行えばよく、本実施例では５５０℃、４時間の熱処理で活性化処理を行った。
【００７１】
図７（Ｂ）はレーザビームを照射して、半導体層の結晶性を向上させる工程を説明する図である。用いる基板や下地絶縁膜の膜厚等によって最適な条件は異なる。まず、レーザアニール法において用いるレーザ発振器について説明する。例えば、エキシマレーザは大出力で、現状で３００Ｈｚ程度の高周波パルスを発振出来る。また、パルス発振のエキシマレーザだけでなく、連続発振のエキシマレーザやその他のパルス発振又は連続発振の気体レーザや固体レーザを用いることができる。例えば、気体レーザとして、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ等があり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等も用いることが出来る。もちろん、非線形素子により変換された高調波を用いてもよい。また、レーザビームの照射は真空中、大気中、窒素雰囲気中などで行なうことが出来る。さらに、レーザビームを照射する際、基板を５００度程度まで加熱しても良い。こうすることで半導体膜における熱の流出速度の低下が期待され、結晶粒の粒径を拡大することが出来る。
【００７２】
本実施例では、ＹＡＧレーザの第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用い、大気中でレーザビームの照射を行なった。また、本実施例では基板として１７３７ガラス基板を用いており、図２（Ｂ）より、ＹＡＧレーザの第２高調波に対する透過率は９０％以上ある。そのため、ＹＡＧレーザの第２高調波は充分基板を透過する。また、本実施例では、導電層４２８、４３０、４３５、４３６、４３７、４３８にＴａＮおよびＷを用いており、ＹＡＧレーザの第２高調波に対して透過性を有しない。そこで本実施例では、基板の裏面側からレーザビームを照射し、前記半導体膜の結晶化を行なった。
【００７３】
次いで、第１の層間絶縁膜４６１を形成する。この第１の層間絶縁膜４６１としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した。もちろん、第１の層間絶縁膜４６１は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００７４】
そして、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行ない、半導体層を水素化する工程を行なう。本実施例では水素を約３％の含む窒素雰囲気中で４１０℃、１時間の熱処理を行った。この工程は層間絶縁膜に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行なっても良い。
【００７５】
次いで、第１の層間絶縁膜４６１上に無機絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜４６２を形成する。本実施例では、膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成したが、粘度が１０〜１０００ｃｐ、好ましくは４０〜２００ｃｐのものを用い、表面に凸凹が形成されるものを用いた。
【００７６】
本実施例では、鏡面反射を防ぐため、表面に凸凹が形成される第２の層間絶縁膜を形成することによって画素電極の表面に凸凹を形成した。また、画素電極の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るため、画素電極の下方の領域に凸部を形成してもよい。その場合、凸部の形成は、ＴＦＴの形成と同じフォトマスクで行なうことができるため、工程数の増加なく形成することができる。なお、この凸部は配線及びＴＦＴ部以外の画素部領域の基板上に適宜設ければよい。こうして、凸部を覆う絶縁膜の表面に形成された凸凹に沿って画素電極の表面に凸凹が形成される。
【００７７】
また、第２の層間絶縁膜４６２として表面が平坦化する膜を用いてもよい。その場合は、画素電極を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させることが好ましい。
【００７８】
そして、駆動回路５０６において、各不純物領域とそれぞれ電気的に接続する配線４６３〜４６７を形成する。なお、これらの配線は、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜をパターニングして形成する。
【００７９】
また、画素部５０７においては、画素電極４７０、ゲート配線４６９、接続電極４６８を形成する。（図７（Ｂ））この接続電極４６８によりソース配線（４４３ｂと４４９の積層）は、画素ＴＦＴと電気的な接続が形成される。また、ゲート配線４６９は、画素ＴＦＴのゲート電極と電気的な接続が形成される。また、画素電極４７０は、画素ＴＦＴのドレイン領域４４２と電気的な接続が形成され、さらに保持容量を形成する一方の電極として機能する半導体層４５８と電気的な接続が形成される。また、画素電極４７１としては、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。
【００８０】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ５０１とｐチャネル型ＴＦＴ５０２からなるＣＭＯＳ回路、及びｎチャネル型ＴＦＴ５０３を有する駆動回路５０６と、画素ＴＦＴ５０４、保持容量５０５とを有する画素部５０７を同一基板上に形成することができる。こうして、アクティブマトリクス基板が完成する。
【００８１】
駆動回路５０６のｎチャネル型ＴＦＴ５０１はチャネル形成領域４２３ｃ、ゲート電極の一部を構成する第１の導電層４２８ａと重なる低濃度不純物領域４２３ｂ（ＧＯＬＤ領域）、とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４２３ａを有している。このｎチャネル型ＴＦＴ５０１と電極４６６で接続してＣＭＯＳ回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴ５０２にはチャネル形成領域４４６ｄ、ゲート電極の外側に形成される不純物領域４４６ｂ、４４６ｃ、ソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４４６ａを有している。また、ｎチャネル型ＴＦＴ５０３にはチャネル形成領域４２５ｃ、ゲート電極の一部を構成する第１の導電層４３０ａと重なる低濃度不純物領域４２５ｂ（ＧＯＬＤ領域）、とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４２５ａを有している。
【００８２】
画素部の画素ＴＦＴ５０４にはチャネル形成領域４２６ｃ、ゲート電極の外側に形成される低濃度不純物領域４２６ｂ（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する高濃度不純物領域４２６ａを有している。また、保持容量５０５の一方の電極として機能する半導体層４４７ａ、４４７ｂには、それぞれｐ型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量５０５は、絶縁膜４４４を誘電体として、電極（４３８ａと４３８ｂの積層）と、半導体層４４７ａ〜４４７ｃとで形成している。
【００８３】
また、本実施例の画素構造は、ブラックマトリクスを用いることなく、画素電極間の隙間が遮光されるように、画素電極の端部をソース配線と重なるように配置形成する。
【００８４】
また、本実施例で作製するアクティブマトリクス基板の画素部の上面図を図８に示す。なお、図４〜図７に対応する部分には同じ符号を用いている。図７中の鎖線Ａ−Ａ’は図８中の鎖線Ａ―Ａ’で切断した断面図に対応している。また、図７中の鎖線Ｂ−Ｂ’は図８中の鎖線Ｂ―Ｂ’で切断した断面図に対応している。
【００８５】
［実施例３］
本実施例では、実施例２で作製したアクティブマトリクス基板から、反射型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図９を用いる。
【００８６】
まず、実施例２に従い、図７の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図７のアクティブマトリクス基板上、少なくとも画素電極４７０上に配向膜４７１を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜４７１を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【００８７】
次いで、対向基板４７１を用意する。次いで、対向基板４７１上に着色層４７２、４７３、平坦化膜４７４を形成する。赤色の着色層４７２と青色の着色層４７３とを重ねて、遮光部を形成する。また、赤色の着色層と緑色の着色層とを一部重ねて、遮光部を形成してもよい。
【００８８】
本実施例では、実施例２に示す基板を用いている。従って、実施例２の画素部の上面図を示す図８では、少なくともゲート配線４６９と画素電極４７０の間隙と、ゲート配線４６９と接続電極４６８の間隙と、接続電極４６８と画素電極４７０の間隙を遮光する必要がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色層の積層からなる遮光部が重なるように各着色層を配置して、対向基板を貼り合わせた。
【００８９】
このように、ブラックマスク等の遮光層を形成することなく、各画素間の隙間を着色層の積層からなる遮光部で遮光することによって工程数の低減を可能とした。
【００９０】
次いで、平坦化膜４７４上に透明導電膜からなる対向電極４７５を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜４７６を形成し、ラビング処理を施した。
【００９１】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材４７７で貼り合わせる。シール材４７７にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料４７８を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料４７８には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図９に示す反射型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、対向基板のみに偏光板（図示しない）を貼りつけた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【００９２】
以上のようにして作製される液晶表示パネルは各種電子機器の表示部として用いることができる。
【００９３】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【００９４】
［実施例４］
本実施例では、実施例２で示したアクティブマトリクス基板を作製するときのＴＦＴの作製方法を用いて、ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置を作製した例について説明する。なお、図１０は本発明のＥＬ表示装置の断面図である。
【００９５】
本明細書において、ＥＬ表示装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにＴＦＴを実装した表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（発光層）と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）があり、これらのうちどちらか、あるいは両方の発光を含む。
【００９６】
図１０において、基板７００上に設けられたスイッチングＴＦＴ６０３は図１０のｎチャネル型ＴＦＴ５０３を用いて形成される。したがって、構造の説明はｎチャネル型ＴＦＴ５０３の説明を参照すれば良い。
【００９７】
なお、本実施例ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【００９８】
基板７００上に設けられた駆動回路は図１０のＣＭＯＳ回路を用いて形成される。従って、構造の説明はｎチャネル型ＴＦＴ５０１とｐチャネル型ＴＦＴ５０２の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【００９９】
また、配線７０１、７０３はＣＭＯＳ回路のソース配線、７０２はドレイン配線として機能する。また、配線７０４はソース配線７０８とスイッチングＴＦＴのソース領域とを電気的に接続する配線として機能し、配線７０５はドレイン配線７０９とスイッチングＴＦＴのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機能する。
【０１００】
なお、電流制御ＴＦＴ６０４は図１０のｐチャネル型ＴＦＴ５０２を用いて形成される。従って、構造の説明はｐチャネル型ＴＦＴ５０２の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１０１】
また、配線７０６は電流制御ＴＦＴのソース配線（電流供給線に相当する）であり、７０７は電流制御ＴＦＴの画素電極７１０上に重ねることで画素電極７１０と電気的に接続する電極である。
【０１０２】
なお、７１０は、透明導電膜からなる画素電極（ＥＬ素子の陽極）である。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極７１０は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜７１１上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜７１１を用いてＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成されるＥＬ層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、ＥＬ層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【０１０３】
配線７０１〜７０７を形成後、図１０に示すようにバンク７１２を形成する。バンク７１２は１００〜４００ｎｍの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。
【０１０４】
なお、バンク７１２は絶縁膜であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例ではバンク７１２の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は１×１０6〜１×１０12Ωｍ（好ましくは１×１０8〜１×１０10Ωｍ）となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。
【０１０５】
画素電極７１０の上にはＥＬ層７１３が形成される。なお、図１０では一画素しか図示していないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応したＥＬ層を作り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機ＥＬ材料を形成している。具体的には、正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設けた積層構造としている。Ａｌｑ3にキナクリドン、ペリレンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
【０１０６】
但し、以上の例はＥＬ層として用いることのできる有機ＥＬ材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行なわせるための層）を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機ＥＬ材料をＥＬ層として用いる例を示したが、高分子系有機ＥＬ材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
但し、以上の例はＥＬ層として用いることのできる有機ＥＬ材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機ＥＬ材料をＥＬ層として用いる例を示したが、中分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いても良い。なお、本明細書中において、昇華性を有さず、かつ、分子数が２０以下または連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機ＥＬ材料を中分子系有機ＥＬ材料とする。また、高分子系有機ＥＬ材料を用いる例として、正孔注入層として２０ｎｍのポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）膜をスピン塗布法により設け、その上にＥＬ層として１００ｎｍ程度のパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）膜を設けた積層構造としても良い。なお、ＰＰＶのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１０７】
次に、ＥＬ層７１３の上には導電膜からなる陰極７１４が設けられる。本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との合金膜）を用いても良い。陰極材料としては、周期表の１族もしくは２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。
【０１０８】
この陰極７１４まで形成された時点でＥＬ素子７１５が完成する。なお、ここでいうＥＬ素子７１５は、画素電極（陽極）７１０、ＥＬ層７１３及び陰極７１４で形成されたコンデンサを指す。
【０１０９】
ＥＬ素子７１５を完全に覆うようにしてパッシベーション膜７１６を設けることは有効である。パッシベーション膜７１６としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
【０１１０】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低いＥＬ層７１３の上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、ＥＬ層７１３の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間にＥＬ層７１３が酸化するといった問題を防止できる。
【０１１１】
さらに、パッシベーション膜７１６上に封止材７１７を設け、カバー材７１８を貼り合わせる。封止材７１７としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。また、本実施例においてカバー材７１８はガラス基板や石英基板やプラスチック基板（プラスチックフィルムも含む）の両面に炭素膜（好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜）を形成したものを用いる。
【０１１２】
こうして図１０に示すような構造のＥＬ表示装置が完成する。なお、バンク７１２を形成した後、パッシベーション膜７１６を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材７１８を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。
【０１１３】
こうして、プラスチック基板を母体とする絶縁体５０１上にｎチャネル型ＴＦＴ６０１、６０２、スイッチングＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０３および電流制御ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０４が形成される。ここまでの製造工程で必要としたマスク数は、一般的なアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置よりも少ない。
【０１１４】
即ち、ＴＦＴの製造工程が大幅に簡略化されており、歩留まりの向上および製造コストの低減が実現できる。
【０１１５】
さらに、図１０を用いて説明したように、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いｎチャネル型ＴＦＴを形成することができる。そのため、信頼性の高いＥＬ表示装置を実現できる。
【０１１６】
また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【０１１７】
さらに、ＥＬ素子を保護するための封止（または封入）工程まで行った後の本実施例のＥＬ発光装置について図１１を用いて説明する。なお、必要に応じて図１０で用いた符号を引用する。
【０１１８】
図１１（Ａ）は、ＥＬ素子の封止までを行った状態を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）をC−C’で切断した断面図である。点線で示された８０１はソース側駆動回路、８０６は画素部、８０７はゲート側駆動回路である。また、９０１はカバー材、９０２は第１シール材、９０３は第２シール材であり、第１シール材９０２で囲まれた内側には封止材９０７が設けられる。
【０１１９】
なお、９０４はソース側駆動回路８０１及びゲート側駆動回路８０７に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０５からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書におけるＥＬ表示装置には、ＥＬ表示装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１２０】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。基板７００の上方には画素部８０６、ゲート側駆動回路８０７が形成されており、画素部８０６は電流制御ＴＦＴ６０４とそのドレインに電気的に接続された画素電極７１０を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路８０７はｎチャネル型ＴＦＴ６０１とｐチャネル型ＴＦＴ６０２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路（図１４参照）を用いて形成される。
【０１２１】
画素電極７１０はＥＬ素子の陽極として機能する。また、画素電極７１０の両端にはバンク７１２が形成され、画素電極７１０上にはＥＬ層７１３およびＥＬ素子の陰極７１４が形成される。
【０１２２】
陰極７１４は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０４を経由してＦＰＣ９０５に電気的に接続されている。さらに、画素部８０６及びゲート側駆動回路８０７に含まれる素子は全て陰極７１４およびパッシベーション膜５６７で覆われている。
【０１２３】
また、第１シール材９０２によりカバー材９０１が貼り合わされている。なお、カバー材９０１とＥＬ素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、第１シール材９０２の内側には封止材９０７が充填されている。なお、第１シール材９０２、封止材９０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１シール材９０２はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、封止材９０７の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い。
【０１２４】
ＥＬ素子を覆うようにして設けられた封止材９０７はカバー材９０１を接着するための接着剤としても機能する。また、本実施例ではカバー材９０１を構成するプラスチック基板９０１aの材料としてＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
【０１２５】
また、封止材９０７を用いてカバー材９０１を接着した後、封止材９０７の側面（露呈面）を覆うように第２シール材９０３を設ける。第２シール材９０３は第１シール材９０２と同じ材料を用いることができる。
【０１２６】
以上のような構造でＥＬ素子を封止材９０７に封入することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高いＥＬ表示装置が得られる。
【０１２７】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【０１２８】
［実施例５］
本発明を実施して形成されたＣＭＯＳ回路や画素部は様々な半導体装置（アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＣディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ）に用いることが出来る。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施出来る。
【０１２９】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター（リア型またはフロント型）、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１２、図１３及び図１４に示す。
【０１３０】
図１２（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体３００１、画像入力部３００２、表示部３００３、キーボード３００４等を含む。本発明を画像入力部３００２、表示部３００３やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３１】
図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３１０１、表示部３１０２、音声入力部３１０３、操作スイッチ３１０４、バッテリー３１０５、受像部３１０６等を含む。本発明を表示部３１０２やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３２】
図１２（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体３２０１、カメラ部３２０２、受像部３２０３、操作スイッチ３２０４、表示部３２０５等を含む。本発明は表示部３２０５やその他の信号制御回路に適用出来る。
【０１３３】
図１２（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体３３０１、表示部３３０２、アーム部３３０３等を含む。本発明は表示部３３０２やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３４】
図１２（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体３４０１、表示部３４０２、スピーカ部３４０３、記録媒体３４０４、操作スイッチ３４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことが出来る。本発明は表示部３４０２やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３５】
図１２（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体３５０１、表示部３５０２、接眼部３５０３、操作スイッチ３５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発明を表示部３５０２やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３６】
図１３（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置３６０１、スクリーン３６０２等を含む。本発明は投射装置３６０１の一部を構成する液晶表示装置３８０８やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３７】
図１３（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体３７０１、投射装置３７０２、ミラー３７０３、スクリーン３７０４等を含む。本発明は投射装置３７０２の一部を構成する液晶表示装置３８０８やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１３８】
なお、図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）中における投射装置３６０１、３７０２の構造の一例を示した図である。投射装置３６０１、３７０２は、光源光学系３８０１、ミラー３８０２、３８０４〜３８０６、ダイクロイックミラー３８０３、プリズム３８０７、液晶表示装置３８０８、位相差板３８０９、投射光学系３８１０で構成される。投射光学系３８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１３（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１３９】
また、図１３（Ｄ）は、図１３（Ｃ）中における光源光学系３８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系３８０１は、リフレクター３８１１、光源３８１２、レンズアレイ３８１３、３８１４、偏光変換素子３８１５、集光レンズ３８１６で構成される。なお、図１３（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１４０】
ただし、図１３に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置での適用例は図示していない。
【０１４１】
図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体３９０１、音声出力部３９０２、音声入力部３９０３、表示部３９０４、操作スイッチ３９０５、アンテナ３９０６等を含む。本発明を音声出力部３９０２、音声入力部３９０３、表示部３９０４やその他の信号制御回路に適用することが出来る。
【０１４２】
図１４（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体４００１、表示部４００２、４００３、記憶媒体４００４、操作スイッチ４００５、アンテナ４００６等を含む。本発明は表示部４００２、４００３やその他の信号回路に適用することが出来る。
【０１４３】
図１４（Ｃ）はディスプレイであり、本体４１０１、支持台４１０２、表示部４１０３等を含む。本発明は表示部４１０３に適用することが出来る。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）のディスプレイには有利である。
【０１４４】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜４のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することが出来る
【０１４５】
【発明の効果】
本発明の構成を採用することにより、以下に示すような基本的有意性を得ることが出来る。
（ａ）従来のＴＦＴの作製プロセスに適合した、簡単な構造である。
（ｂ）スリットなどの位置決めのために、レーザ照射装置に特別なミクロンオーダーでの精密な位置決め技術は不要であり、通常のレーザ照射装置をそのまま利用できる。
（ｃ）以上の利点を満たした上で、結晶性の良好な半導体層を作製できる方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明が開示するＴＦＴの作製方法の例を示す図。
【図２】  波長に対する基板の透過率の例を示す図。
【図３】  従来技術の例を示す図。
【図４】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図５】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図６】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図７】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図８】  画素ＴＦＴの構成を示す上面図。
【図９】  アクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程を示す断面図。
【図１０】  ＥＬ表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１１】  （Ａ）ＥＬ表示装置の上面図。
（Ｂ）ＥＬ表示装置の駆動回路及び画素部の断面構造図。
【図１２】  半導体装置の例を示す図。
【図１３】  半導体装置の例を示す図。
【図１４】  半導体装置の例を示す図。
【図１】
0004968996.tif 000002
【図２】
0004968996.tif 000003
【図３】
0004968996.tif 000004
【図４】
0004968996.tif 000005
【図５】
0004968996.tif 000006
【図６】
0004968996.tif 000007
【図７】
0004968996.tif 000008
【図８】
0004968996.tif 000009
【図９】
0004968996.tif 000010
【図１０】
0004968996.tif 000011
【図１１】
0004968996.tif 000012
【図１２】
0004968996.tif 000013
【図１３】
0004968996.tif 000014
【図１４】
0004968996.tif 000015