(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷蓄積領域、および、前記電荷蓄積領域の上に配置され前記電荷蓄積領域とは反対の導電型を有する層を有する光電変換部と、
前記電荷蓄積領域から連続した第１乃至第３のバイパス領域と、
電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域と、
前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域へ転送する転送トランジスタとを備え、
前記電荷蓄積領域および前記層を有する前記光電変換部は、前記転送トランジスタのチャネル幅方向に沿って延びており前記浮遊拡散領域の側に位置する第１の境界辺と、前記転送トランジスタのチャネル長方向に沿って前記第１の境界辺の一端から前記浮遊拡散領域とは反対側へ延びた第２の境界辺と、前記転送トランジスタのチャネル長方向に沿って前記第１の境界辺の他端から前記浮遊拡散領域とは反対側へ延びた第３の境界辺と、前記第１の境界辺の反対側の境界を構成する第４の境界辺とで規定される矩形形状を有し、
前記転送トランジスタのゲートである制御電極は、前記第１の境界辺に重なるように前記チャネル幅方向に沿って延びた第１の部分と、前記第２の境界辺に重なるように前記第１の部分の一端から前記チャネル長方向に沿って延びた第２の部分と、前記第３の境界辺に重なるように前記第１の部分の他端から前記チャネル長方向に沿って延びた第３の部分とを有し、
前記第１のバイパス領域は、前記第１の境界辺の外側かつ前記第１の部分の下に前記第１の境界辺に沿って配置され、前記第２のバイパス領域は、前記第２の境界辺の外側かつ前記第２の部分の下に前記第２の境界辺に沿って配置され、前記第３のバイパス領域は、前記第３の境界辺の外側かつ前記第３の部分の下に前記第３の境界辺に沿って配置されている、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラなどに用いられる光電変換装置及び撮像システムに関し、特に、感度の劣化が少なくかつ良好な転送特性を得ることを可能にする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カメラのデジタル化が急速に進んでおり、撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する光電変換装置を搭載したデジタルカメラの普及が進んでいる。光電変換装置の代表的なものには、ＣＣＤイメージセンサやＡＰＳ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｐｉｘｅｌ  Ｓｅｎｓｏｒ）等のＣＭＯＳイメージセンサとがある。ＣＭＯＳイメージセンサは、アドレス方式で画素を選択することができることやシステムオンチップを実現し易いという特徴があり、幅広い応用が期待されている。
【０００３】
ＣＭＯＳイメージセンサに用いられるフォトダイオードには、表面で発生する暗電流を抑えるために、基板中に埋め込まれたフォトダイオードが一般的に用いられている。しかしながら、埋め込み型のフォトダイオードでは、電荷蓄積領域が表面から離れて配置されている。そのため、転送トランジスタの閾値電圧が上昇するという問題がある。
【０００４】
特許文献１は、フォトダイオードの電荷蓄積領域と転送トランジスタとの間に電荷蓄積領域と同じ導電型の領域（以下「バイパス領域」という。）を設け、電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域（フローティングディフュージョン）に転送する技術を開示している。特許文献１に開示された発明では、バイパス領域を設けることにより、転送トランジスタの閾値電圧を低下させている。また、浮遊拡散領域の不純物濃度を高くすることにより、浮遊拡散領域からバイパス領域まで空乏層を広げ、電荷蓄積領域からの信号電荷の転送特性を改善している。
【０００５】
特許文献２は、転送トランジスタの制御電極の中央部に拡張部を設け、転送特性を改善する技術を開示している。特許文献２に開示された発明では、転送トランジスタの中央部のゲート長を拡大し、フォトダイオードの電荷蓄積領域からの信号電荷の転送特性を改善している。
【特許文献１】特開平１１−２７４４５４号公報（図１）
【特許文献２】特開２００３−２５８２３１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の発明では、転送トランジスタの制御電極からフォトダイオードの電荷蓄積領域の端部までの距離が大きくなるにつれて、電荷蓄積領域全体に空乏層が広がりにくくなる。そのため、電荷蓄積領域の一部に信号電荷が残留してしまうという問題がある。
【０００７】
また、特許文献２の発明では、転送トランジスタの制御電極の拡張部の中央部を制御電極のゲート長方向に延在させているため、フォトダイオードの中心付近の光が光電変換されない。フォトダイオードの中心付近は光量が多いため、フォトダイオードの感度が劣化するという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、感度の劣化が少なくかつ良好な転送特性を得ることができる光電変換装置及びその製造方法並びに撮像システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面は、光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、電荷蓄積領域、および、前記電荷蓄積領域の上に配置され前記電荷蓄積領域とは反対の導電型を有する層を有する光電変換部と、前記電荷蓄積領域から連続した第１乃至第３のバイパス領域と、電荷を電圧に変換する浮遊拡散領域と、前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域へ転送する転送トランジスタとを備え、前記電荷蓄積領域および前記層を有する前記光電変換部は、前記転送トランジスタのチャネル幅方向に沿って延びており前記浮遊拡散領域の側に位置する第１の境界辺と、前記転送トランジスタのチャネル長方向に沿って前記第１の境界辺の一端から前記浮遊拡散領域とは反対側へ延びた第２の境界辺と、前記転送トランジスタのチャネル長方向に沿って前記第１の境界辺の他端から前記浮遊拡散領域とは反対側へ延びた第３の境界辺と、前記第１の境界辺の反対側の境界を構成する第４の境界辺とで規定される矩形形状を有し、前記転送トランジスタのゲートである制御電極は、前記第１の境界辺に重なるように前記チャネル幅方向に沿って延びた第１の部分と、前記第２の境界辺に重なるように前記第１の部分の一端から前記チャネル長方向に沿って延びた第２の部分と、前記第３の境界辺に重なるように前記第１の部分の他端から前記チャネル長方向に沿って延びた第３の部分とを有し、前記第１のバイパス領域は、前記第１の境界辺の外側かつ前記第１の部分の下に前記第１の境界辺に沿って配置され、前記第２のバイパス領域は、前記第２の境界辺の外側かつ前記第２の部分の下に前記第２の境界辺に沿って配置され、前記第３のバイパス領域は、前記第３の境界辺の外側かつ前記第３の部分の下に前記第３の境界辺に沿って配置されている、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の側面は、撮像システムに係り、上記の光電変換装置と、前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、感度の劣化が少なくかつ良好な転送特性を得ることができる光電変換装置及びその製造方法並びに撮像システムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に述べる。なお、以下の説明において記載された各部の構成、配置、不純物タイプ等は、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の好適な第１の実施形態に係る光電変換装置の構成を示す図である。図１（ａ）は、光電変換部としてのフォトダイオード５、転送トランジスタの制御電極８及び浮遊拡散領域６のレイアウトを示す図である。図１（ｂ）及び図１（ｃ）はそれぞれ、図１（ａ）における断面Ａ−Ａ’及び断面Ｂ−Ｂ’を示す図である。
【００１５】
ｎ型基板１上にはｐ型ウェル２が形成され、その上にフォトダイオード５の電荷蓄積領域として機能するｎ型層３が形成されている。このように、フォトダイオード５のｎ型層３は、基板中に埋め込まれて形成されている。フォトダイオード５のｎ型層３の上には、ｎ型層３とは導電型が異なる不純物領域である高濃度のｐ型層４が形成されている。基板表面に高濃度のｐ型層４を形成することにより、ｎ型層３とｐ型層４との間の空乏層が基板表面から離れて存在する。これにより、基板表面で発生する暗電流を抑えることができる。ｐ型ウェル２及びｐ型層４とフォトダイオード５のｎ型層３との接合近傍に形成される空乏層は、被写体像を信号電荷に変換する光電変換領域として機能する。ここで、本実施形態における信号電荷は電子であるものとする。フォトダイオード５の上方には絶縁層７を介して転送トランジスタの制御電極８が形成されている。
【００１６】
転送トランジスタの制御電極８は、チャネル幅方向（図１（ａ）ではＹ方向）に沿って延びる第１の部分８ａと、チャネル長方向（図１（ａ）ではＸ方向）に沿って延びる第２の部分８ｂと、を有する。第１の部分８ａは、転送トランジスタのチャネル幅方向に平行な第１の境界辺３ａ（図３（ａ）を参照）に重ねて配置され、第２の部分８ｂは、転送トランジスタのチャネル長方向に直交しチャネル長方向に平行な第２の境界辺３ｂに重ねて配置されている。また、転送トランジスタとフォトダイオード５との間には、フォトダイオード５のｎ型層３から連続するバイパス領域９及び１０が形成されている。バイパス領域９は、第１の境界辺３ａに沿って形成されている。バイパス領域１０は、バイパス領域９と連結され、第２の境界辺３ｂに沿って形成されている。このように、フォトダイオード５の２つの境界辺３ａ、３ｂに沿ってバイパス領域９、１０が形成される。
【００１７】
ｐ型ウェル２には、転送トランジスタにより信号電荷が転送される浮遊拡散領域６が形成されている。なお、転送トランジスタのチャネルは、バイパス領域９と浮遊拡散領域６との間のｐ型ウェル２の領域に主に形成されるが、転送トランジスタの制御電極８の下方にある他のｐ型ウェル２の領域にも形成されうる。しかしながら、ここでは簡単のため、バイパス領域９と浮遊拡散領域６との間のｐ型ウェル２の領域に形成されるチャネルに基づいて、上記のようにチャネル長方向及びチャネル幅方向を定めている。後述する第２の実施形態においても同様である。
【００１８】
次に、読出し動作を説明しながら、本発明の特長を詳しく説明する。フォトダイオード５に光が入射すると、光電変換により生成された電子はフォトダイオード５のｎ型層３に蓄積される。このとき、転送トランジスタはＯＦＦ状態にある。所定の蓄積時間が経過した後、転送トランジスタの制御電極（ゲート）８に正の電圧を印加し、転送トランジスタをＯＮ状態にし、フォトダイオード５のｎ型層３の信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する。転送トランジスタをＯＮ状態にする前に、予め浮遊拡散領域６の信号電荷を全て掃き出しておく。信号電荷は、浮遊拡散領域６に接続されたソースフォロワ増幅回路（図示せず）により電圧に変換されて読み出される。
【００１９】
転送トランジスタが十分なＯＮ状態であれば、フォトダイオード５のｎ型層３には、ｐ型ウェル２と表面の高濃度のｐ型層４のＧＮＤ電位に対し、逆バイアスが印加される。この場合、ｎ型層３にはｐ型ウェル２と表面の高濃度のｐ型層４から空乏層が延び、フォトダイオード５のｎ型層３全体が空乏化される。これによって、フォトダイオード５に蓄積された信号電荷を殆ど残さずに浮遊拡散領域６に読み出すことができる。
【００２０】
以上のような動作を実現するためには、転送トランジスタを十分なＯＮ状態、すなわちフォトダイオード５のｎ型層３のほぼ全体が空乏化された状態にする必要がある。このため、本実施形態では、浮遊拡散領域６側に面したバイパス領域９の他に、浮遊拡散領域６側とは異なる電荷蓄積領域の境界辺にバイパス領域１０を設けている。このような構成は、電荷蓄積領域の１つの境界辺のみにバイパス領域を設けた場合よりも、電荷蓄積領域のより多くの領域を空乏化することができる。例えば、電荷蓄積領域の１つの境界辺のみにバイパス領域を形成した場合、バイパス領域から最も離れた境界辺近傍の電荷蓄積領域は空乏化されない可能性がある。このような場合でも、電荷蓄積領域の境界辺に形成された２つのバイパス領域により、一方のバイパス領域から空乏層が到達しなくても、他方のバイパス領域から空乏層が到達し、その部分の電荷蓄積領域を空乏化させることができる。また、本実施形態では、フォトダイオードの周辺近傍にバイパス領域を設けているため、感度の劣化が少ないという利点もある。
【００２１】
図４は、本実施形態に係る光電変換装置の断面とその周辺の回路構成とを示す図である。転送トランジスタの制御電極８の側面下部には、浮遊拡散領域６が形成されている。浮遊拡散領域６は、出力回路の増幅用ＭＯＳトランジスタ１１０のゲートに接続されている。浮遊拡散領域６の不純物濃度は十分に高く設定されているため、転送トランジスタの制御電極８に印加されたバイアスにより、ｐ型ウェル２と浮遊拡散領域６との間に生じた空乏層は、ｐ型ウェル２側まで有効に広げられる。読出し時の電圧を適正にすることにより、バイパス領域９、１０近傍の電子に対するポテンシャル障壁を低くすることができ、ｎ型層３の信号電荷を読み出しやすくすることができる。増幅用ＭＯＳトランジスタ１１０のソースには、行選択スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１１１のドレインが接続されている。行選択スイッチ用ＭＯＳトランジスタ１１１のソースには、増幅用ＭＯＳトランジスタ１１０の負荷となる電流源１１２が接続され、ソースフォロワ増幅回路を構成している。このソースフォロワ増幅回路の出力端子１１３は、不図示の出力線に出力され、不図示の走査回路により外部に出力される。浮遊拡散領域６には、浮遊拡散領域６のリセット用のリセットＭＯＳトランジスタ１０８のソースが接続され、そのドレインにはリセット電源１０９が接続されている。図４では、１画素分の光電変換装置を図示したが、実際には複数配列されて撮像面が構成される。このような撮像面及びその周辺回路の構成としては、既知の構成を適用することができる。また、図４に示す周辺の回路構成は、後述する第２の実施形態においても同様に適用されうる。
【００２２】
以上のように、光信号電荷を効果的に転送できるバイパス領域を、浮遊拡散領域側に面した領域の他に、浮遊拡散領域側とは異なるフォトダイオードの境界辺に設け、更にバイパス領域が転送トランジスタの制御電極下に存在するように制御電極を設ける。これにより、電荷蓄積部からの電子の引き抜きを助ける効果が得られ、良好な光信号電荷の読出しが可能になる。
【００２３】
また、転送トランジスタの制御電極は、フォトダイオードの境界に沿って形成されるため、フォトダイオードの感度の劣化を抑えることができる。また、２つのバイパス領域が共に転送トランジスタの制御電極下に存在するため、制御電極に正の電圧が印加されると、制御電極下のポテンシャルだけではなく、バイパス領域の電子に対するポテンシャル障壁が低くなり、転送特性が向上するという効果もある。
【００２４】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の好適な第２の実施形態に係る光電変換領域の構成を示す図である。なお、図１と同様の構成については、同一符号を付して説明は省略する。
【００２５】
図２は、本発明の好適な第２の実施形態に係る光電変換装置の構成を示す図である。図２（ａ）は、フォトダイオード５、転送トランジスタの制御電極１２及び浮遊拡散領域６のレイアウトを示す図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）における断面Ｃ−Ｃ’を示す図である。なお、図２（ａ）における断面Ａ−Ａ’は、図１（ｂ）と同一である。
【００２６】
本実施形態では、バイパス領域１１がバイパス領域９と連結され、第１の境界辺３ｂに対向する第３の境界辺３ｃ（図３（ａ）を参照）に沿って形成されている。すなわち、浮遊拡散領域６側に面したフォトダイオード５の境界辺を挟んで２箇所にバイパス領域１０、１１が設けられている。転送トランジスタの制御電極１２は、チャネル幅方向（図１（ａ）ではＹ方向）に沿って延びる第１の部分１２ａを有する。また、転送トランジスタの制御電極１２は、チャネル長方向（図１（ａ）ではＸ方向）に沿って延びる第２の部分１２ｂと、チャネル長方向に沿って延び、第２の部分１２ｂに対向する第３の部分１２ｃと、を有する。第３の部分１２ｃは、第３の境界辺３ｃに重ねて配置されている。バイパス領域１０、１１は、転送トランジスタの制御電極１２の下に存在するように転送トランジスタの制御電極１２を設けている。
【００２７】
このような構成により、更に多くの領域において電荷蓄積部からの電子の引き抜きを行うことができ、良好な光信号電荷の読出しが可能となる。すなわち、第１の実施形態のように、フォトダイオードの２つの境界辺のみにバイパス領域を形成した場合、バイパス領域から最も離れた電荷蓄積領域の境界辺の角付近は空乏化されない可能性がある。このような場合でも、電荷蓄積領域の３つの境界辺に形成した３つのバイパス領域から空乏層を延ばすことにより、その領域を空乏化することが可能となる。
【００２８】
また、フォトダイオードの周辺付近にバイパス領域を設けているため、感度の劣化が少ないという利点もある。また、３つのバイパス領域は転送トランジスタの制御電極下に存在するため、制御電極に正の電圧が印加されると、バイパス領域の電子に対するポテンシャル障壁が低くなり、転送特性が更に向上するという効果もある。
【００２９】
なお、以上の第１、第２の実施形態の説明において、フォトダイオードの電荷蓄積領域に電子が蓄積された場合を例に挙げたが、これに限定されず、フォトダイオードの電荷蓄積領域に正孔を蓄積する場合にも適用することができる。
【００３０】
（光電変換装置の製造方法）
次に、図３を用いて本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置の製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）の右側は、図１（ａ）は、光電変換装置の各部のレイアウトを示す図であり、図３（ａ）〜（ｄ）の左側は右側に示すレイアウトにおける断面Ａ−Ａ’を示す図である。
【００３１】
まず、ｎ型基板１にボロン等のｐ型の不純物をイオン注入し、熱処理を行うことにより、ｐ型ウェル２を形成する。そして、基板表面にフォトレジスト３０を塗布し、フォトレジスト３０をマスクとしてフォトダイオードのｎ型層３を形成する（図３（ａ））。
【００３２】
次いで、フォトレジスト３０を剥離した後、熱酸化法により基板表面全体にゲート酸化膜等の絶縁層７を形成し、その上に転送トランジスタの制御電極８を形成する（図３（ｂ））。
【００３３】
次いで、基板表面のフォトダイオードのｎ型層３上と転送トランジスタの制御電極８の一部にフォトレジスト３１を形成し、窒素雰囲気中で熱処理を施した後、制御電極８をマスクにして基板表面に高濃度のｐ層４を形成する（図３（ｃ））。
【００３４】
次いで、フォトレジスト３１を剥離した後、転送トランジスタの制御電極８の一部と基板表面のその他の領域にフォトレジスト３２を形成する。そして、窒素雰囲気中で熱処理を施した後、制御電極８及びフォトレジスト３２をマスクにして、高濃度の砒素などのｎ型不純物がイオン注入された浮遊拡散領域６を形成する（図３（ｄ））。この工程で、転送トランジスタの制御電極８の両側には、通常のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域が形成される。
【００３５】
その後、通常の半導体製造工程に従い、例えば、第１層の層間絶縁膜、コンタクト、第１金属配線、第２の層間絶縁膜、第１金属配線と第２金属配線を接続するビア、第２金属配線、パッシベーション膜が順次形成されうる。
【００３６】
以上の工程により、フォトダイオードの少なくとも２つの境界辺に少なくとも２つのバイパス領域を有する光電変換装置が製造される。なお、図３（ｂ）では、図１（ａ）に示すレイアウトパターンを用いたが、図２（ａ）に示すレイアウトパターンについても同様に適用されうる。
【００３７】
（撮像システム）
次に、本発明の光電変換装置を適用した撮像システムの一例を図５に示す。
【００３８】
撮像システム９０は、図５に示すように、主として、光学系、撮像装置８６及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター９１、撮影レンズ９２及び絞り９３を備える。撮像装置８６は、本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置を含む。信号処理部は、主として、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６、画像信号処理部９７、メモリ部８７、外部Ｉ／Ｆ部８９、タイミング発生部９８、全体制御・演算部９９、記録媒体８８及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を備える。なお、信号処理部は、記録媒体８８を備えなくても良い。
【００３９】
シャッター９１は、光路上において撮影レンズ９２の手前に設けられ、露出を制御する。
【００４０】
撮影レンズ９２は、入射した光を屈折させて、撮像装置８６の撮像面に被写体の像を形成する。
【００４１】
絞り９３は、光路上において撮影レンズ９２と本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置との間に設けられ、撮影レンズ９２を通過後に本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置へ導かれる光の量を調節する。
【００４２】
本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置は、撮像面に形成された被写体の像を画像信号に変換する。撮像装置８６は、その画像信号を光電変換装置から読み出して出力する。
【００４３】
撮像信号処理回路９５は、撮像装置８６に接続されており、撮像装置８６から出力された画像信号を処理する。
【００４４】
Ａ／Ｄ変換器９６は、撮像信号処理回路９５に接続されており、撮像信号処理回路９５から出力された処理後の画像信号（アナログ信号）をデジタル信号へ変換する。
【００４５】
画像信号処理部９７は、Ａ／Ｄ変換器９６に接続されており、Ａ／Ｄ変換器９６から出力された画像信号（デジタル信号）に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部８７、外部Ｉ／Ｆ部８９、全体制御・演算部９９及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４などへ供給される。
【００４６】
メモリ部８７は、画像信号処理部９７に接続されており、画像信号処理部９７から出力された画像データを記憶する。
【００４７】
外部Ｉ／Ｆ部８９は、画像信号処理部９７に接続されている。これにより、画像信号処理部９７から出力された画像データを、外部Ｉ／Ｆ部８９を介して外部の機器（パソコン等）へ転送する。
【００４８】
タイミング発生部９８は、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７に接続されている。これにより、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７へタイミング信号を供給する。そして、撮像装置８６、撮像信号処理回路９５、Ａ／Ｄ変換器９６及び画像信号処理部９７がタイミング信号に同期して動作する。
【００４９】
全体制御・演算部９９は、タイミング発生部９８、画像信号処理部９７及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４に接続されており、タイミング発生部９８、画像信号処理部９７及び記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を全体的に制御する。
【００５０】
記録媒体８８は、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部９７から出力された画像データを、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部９４を介して記録媒体８８へ記録する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の好適な第１の実施形態に係る光電変換装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の好適な第２の実施形態に係る光電変換領域の構成を示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置の製造方法を示す図である。
【図４】本実施形態に係る光電変換装置の断面とその周辺の回路構成とを示す図である。
【図５】本発明の好適な実施の形態に係る光電変換装置を適用した撮像システムの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
３  ｎ型層（電荷蓄積領域）
５  フォトダイオード（光電変換部）
６  浮遊拡散領域
８  転送トランジスタの制御電極
【図１】
0005063223.tif 000002
【図２】
0005063223.tif 000003
【図３】
0005063223.tif 000004
【図４】
0005063223.tif 000005
【図５】
0005063223.tif 000006