(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に少なくとも第一軟磁性層と、非磁性のスペーサ層と、第二軟磁性層と、磁気記録層とをこの順に備え、前記第一軟磁性層及び第二軟磁性層が反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造を備える垂直磁気記録ディスクの製造方法において、
前記第一軟磁性層は半径方向内向きまたは外向きの磁場を印加しながら成膜し、前記第二軟磁性層は前記第一軟磁性層を成膜する際とは逆方向の磁場を印加しながら成膜することを特徴とする垂直磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記第一軟磁性層または第二軟磁性層を成膜する際に、基体の両主表面に、半径方向内向きまたは外向きのいずれか同一方向の磁場を印加して成膜することを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記第一軟磁性層または第二軟磁性層を成膜する際に、同一チャンバー内に単一の基体のみを投入して成膜することを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径垂直磁気記録ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０Ｇビットを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気記録ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の垂直磁気記録ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式は、磁気記録層の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内記録方式に比べて熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
上記垂直磁気記録方式においては、単磁極型垂直ヘッドが用いられ磁気記録層に対して垂直方向の磁界を生じさせている。しかし、単に単磁極型垂直ヘッドを用いるのみでは、単磁極端部を出た磁束が直ぐに反対側のリターン磁極に戻ろうとするため十分な強度の磁界を磁気記録層に印加することができない。そこで、垂直磁気記録ディスクの磁気記録層の下に軟磁性層を設け、軟磁性層に磁路を形成することで磁気記録層に垂直方向の強い磁界を印加している。すなわち軟磁性層は、書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路を形成する層である。
【０００５】
軟磁性層は書き込む時に利用される層であり、書き込むときの磁場に沿って磁化方向が整列する。しかし読み出す際には軟磁性層に磁化方向を整列させる磁場はかからないので、原則として磁化方向は不規則な方向に散乱している。この不規則な方向は３次元方向であり、軟磁性層の磁化方向に垂直成分が含まれていると、磁気ヘッドで読み出す際に磁気記録層の信号と共にノイズとして拾ってしまうおそれがある。
【０００６】
そこで軟磁性層については、２層に分割し、間に非磁性のスペーサ層を介在させたＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）構造が提案され、実施されている。ＡＦＣ構造においては、下層と上層で磁化方向が逆転し、相互に引き合うことで結合して固定される（交換結合）。したがって磁場がかかっていないときの各軟磁性層の磁化方向は互いに反平行（平行かつ互いに逆向き）となり、すなわち基板主表面と平行になる。これにより、磁化の垂直成分が極めて少なくなることで軟磁性層からから生じるノイズを低減することができる。
【０００７】
ＡＦＣ構造における交換結合の強さは、交換結合磁界Ｈｅｘで表される。Ｈｅｘが強いほど軟磁性層の磁化方向は外部磁場の影響を受けにくくなり、漏れ磁場による磁路形成を防止できるため、ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio：シグナルノイズ比）を向上させることができる。
【０００８】
また、本来軟磁性層は、保磁力（Ｈｃ）が弱いこと、アモルファスであることなどから、磁区が形成されることについては議論されていなかった。しかしその後の研究によって、ＡＦＣ媒体以前の単層の軟磁性層には磁区が形成されており、ＡＦＣ媒体においては磁区が形成されなくなっていることが判明した。
【０００９】
磁区とは磁化方向が同じ方向を向いている領域であって、磁区（ドメイン）が形成されると磁区間の境界には磁壁（ドメインウォール）が形成される。磁壁は磁化方向が反転しているため、磁気ヘッドが磁壁を通過する際には突発的に信号レベルが押し上げられ、スパイクノイズとして検出される。
【００１０】
しかし、ＡＦＣ構造を形成することにより２層の軟磁性層がそれぞれ単磁区化し、磁壁の発生を防ぐことが可能となっていることから、スパイクノイズを低減することができる。すなわちＡＦＣ媒体は、磁化方向の垂直成分をなくすだけでなく、スパイクノイズの防止にも寄与していたことがわかった。
【特許文献１】特開２００３−４５０１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述の如く、ＡＦＣ媒体においては、交換結合磁界（Ｈｅｘ）が大きいほど軟磁性層の磁化安定性が増し、軟磁性層起因のノイズを抑制できる。したがって、再生信号品質向上のためには軟磁性層のＨｅｘの増大が不可欠であるが、現在主流となっている軟磁性層のＡＦＣ構造において、Ｈｅｘの大きさは必ずしも十分ではない。
【００１２】
そこで本発明は、軟磁性層のＨｅｘを増大させることによりＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることが可能な垂直磁気記録ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
発明者らがＨｅｘの増大を阻害する一因として鋭意検討したところ、軟磁性層をＤＣマグネトロンスパッタリング（以下、スパッタリングと略称する）にて成膜する際、プラズマに磁場を印加するために使用する回転マグネットの漏れ磁場が基体表面付近に影響を与えていることに想到した。すなわちスパッタリングによって成膜される層は、回転マグネットの漏れ磁場の中で成膜されることにより、マイグレーションを起こしている間に磁場方向に磁化容易軸が配向し、その状態で固定される。その結果、磁化方向が一方向（半径方向）に異方性を持つ構造となる。
【００１４】
ここで、スペーサ層の上下に形成される２層の軟磁性層は同様の装置および手順によって成膜されるため、磁化方向が同方向に異方性を持つ構造となる。そしてその後、２つの軟磁性層のうち、一方の軟磁性層の磁化容易軸が反平行方向に反転し、他方の軟磁性層の磁化容易軸と交換結合を成すと考えられる。そして発明者らは、一方の軟磁性層の磁化容易軸が、自身の本来の（成膜時の）磁化方向に対して反転して交換結合を行うために大きなエネルギーが必要となり、結合が弱く、もしくは不安定となっていることを見出した。そして、その結果としてＨｅｘが減少し、再生信号品質、特にシグナルノイズ比（ＳＮＲ）の向上を妨げていることに想到し、本発明を完成するに到った。
【００１５】
すなわち、本発明の代表的な構成によれば、基体上に少なくとも第一軟磁性層と、非磁性のスペーサ層と、第二軟磁性層と、磁気記録層とをこの順に備え、第一軟磁性層及び第二軟磁性層が反強磁性交換結合（ＡＦＣ）構造を備える垂直磁気記録ディスクの製造方法において、第一軟磁性層は半径方向内向きまたは外向きの磁場を印加しながら成膜し、第二軟磁性層は第一軟磁性層を成膜する際とは逆方向の磁場を印加しながら成膜することを特徴とする。
【００１６】
上記方法によれば、２つの軟磁性層を成膜する際の磁場を変えることにより、第一軟磁性層及び第二軟磁性層は成膜した段階で各々互いに反対の磁化方向を有することとなる。その結果、いずれの軟磁性層の磁化容易軸も反転しないため、交換結合をする際のエネルギーが減少し、安定して結合することができる。よって、Ｈｅｘを増大させることが可能となる。
【００１７】
また第一軟磁性層または第二軟磁性層を成膜する際に、基体の両主表面に、半径方向内向きまたは外向きのいずれか同一方向の磁場を印加して成膜してもよい。
【００１８】
本来、スパッタリングによる成膜時に磁場をかける目的は、プラズマ化したターゲット粒子を基体に誘引することである。しかし、漏れ磁場が基体を通過した結果、漏れ磁場の影響を受けて、軟磁性層が磁化していた。そして上記のように基体の主表面の両側に各々回転マグネットを設置し、半径方向内向きまたは外向きのいずれか同一方向の磁場を印加することにより、回転マグネット間を行き交う磁束が増加し、積極的に基体にかかる磁場が増大する。このことから、軟磁性層の磁化方向をより確実に配向させることができる。
【００１９】
また、第一軟磁性層または第二軟磁性層を成膜する際は、同一チャンバー内に単一の基体のみを投入して成膜するとよい。
【００２０】
同一チャンバー内に単一の基体のみを投入して成膜することにより、基体主表面に他の磁場の影響を受けずに円形かつ半径方向の磁場を形成することができ、軟磁性層の磁化方向を全方向において一定にすることが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
以上、説明したように、本発明にかかる垂直磁気記録ディスクの製造方法によれば、軟磁性層のＨｅｘを増大させることによりＳＮＲを高め、再生信号品質を向上させることが可能な垂直磁気記録ディスクを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［実施例］
本発明にかかる垂直磁気記録ディスクの製造方法の実施例について説明する。図１は本実施形態にかかる垂直磁気記録ディスクの構成を説明する図である。なお、以下の実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２３】
図１は、本実施例にかかる垂直磁気記録ディスク１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録ディスク１００は、基体１０、付着層１２、第一軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第二軟磁性層１４ｃ、配向制御層１６、第一下地層１８ａ、第二下地層１８ｂ、微細化促進層２０、第一磁気記録層２２ａ、第二磁気記録層２２ｂ、補助記録層２４、媒体保護層２６、潤滑層２８で構成されている。なお第一軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第二軟磁性層１４ｃは、あわせて軟磁性層１４を構成する。第一下地層１８ａと第二下地層１８ｂはあわせて下地層１８を構成する。第一磁気記録層２２ａと第二磁気記録層２２ｂとはあわせて磁気記録層２２を構成する。
【００２４】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性の基体１０を得た。
【００２５】
基体１０は、非磁性のガラスであることが好ましい。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。アルミノシリケートガラスは、平滑かつ高剛性が得られるので、磁気的スペーシング、特に、磁気ヘッドの浮上量をより安定して低減できる。また、アルミノシリケートガラスは化学強化により、高い剛性強度を得ることができる。軟磁性層がアモルファスである場合には、基体もアモルファスガラスとするのが好ましい。
【００２６】
得られた基体１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングにて、付着層１２から補助記録層２４まで順次成膜を行い、媒体保護層２６はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層２８をディップコート法により形成した。なお、量産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について詳述する。
【００２７】
付着層１２は、１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、基体１０と軟磁性層１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００２８】
軟磁性層１４は、第一軟磁性層１４ａと第二軟磁性層１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）構造を備えるように構成した。これにより軟磁性層１４の磁化方向を磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化の垂直成分が減少することで軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。
【００２９】
図２は、ＡＦＣ構造による磁化特性を説明するための説明図である。かかる磁化特性を参照すると、ＡＦＣ構造をとらない軟磁性層が外部磁界Ｈを印加していないとき正負いずれかの磁化状態を維持するのに対して、ＡＦＣ構造を有する軟磁性層は、磁界Ｈを印加していないときには、第一軟磁性層１４ａと第二軟磁性層１４ｃの間で磁束が（ｂ）に示すように閉路を構成し、磁化Ｍが０になる。そして、いずれかの方向に磁界Ｈを印加すると、両軟磁性層１４ａ、１４ｃの磁束が矢印（ａ）、矢印（ｃ）のように同一方向に配向する。
【００３０】
上記ＡＦＣ構造の結合の強さは、図２に示した交換結合磁界（Ｈｅｘ）に基づいて決まり、Ｈｅｘが大きいほどＡＦＣのカップリング（交換結合）が強いこととなる。かかるＨｅｘは、対応する磁気記録層２２の書き込みに対する磁界に対しては磁化され、隣接する磁気記録層２２の書き込みに対する磁界に対しては反応しないように設定される。
【００３１】
軟磁性層１４の組成はＣｏＣｒＦｅＢとしたが、特に限定されず、公知の軟磁性材料を用いることができる。例えば、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、Ｆｅ系合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ系合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）等を挙げることができる。スペーサ層１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）が好ましい。
【００３２】
軟磁性層１４の総膜厚は２０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。軟磁性層１４の総膜厚が２０ｎｍ未満であるとオーバーライト（ＯＷ）特性に影響を及ぼすことがある。
【００３３】
軟磁性層１４はスパッタリングにて成膜する。図３はＤＣマグネトロンスパッタリングのイメージを説明するための説明図である。スパッタリングを行う際、ターゲット３０とシールド３２の間に高電圧をかけてＡｒをプラズマ化し、ターゲット３０粒子をイオン化する。このイオン化した蒸着粒子を基体１０に誘引するため、回転マグネット３６により磁場３８を印加する。図３のように、ホルダー３４に設置した基体１０の主表面に対向するように、ターゲットの後方に回転マグネットを設置する。
【００３４】
第一軟磁性層１４ａを成膜する際は、図３（ａ）に示すように、半径方向外向きの磁場３８を発生する回転マグネット３６を使用し、磁場３８を印加しながら成膜する。第二軟磁性層１４ｃを成膜する際には、図３（ｂ）に示すように、第一軟磁性層１４ａ成膜時とは逆方向、すなわち、半径方向内向きの磁場３８を発生する回転マグネットを使用し、磁場を印加しながら成膜する。
【００３５】
上記工程のように、各軟磁性層成膜時に印加する磁場３８を逆方向にすることにより、軟磁性層１４の磁化方向は、第一軟磁性層１４ａと第二軟磁性層１４ｃで逆方向になる。このことにより、第一軟磁性層１４ａと第二軟磁性層１４ｃがＡＦＣ構造を形成する際、一方の軟磁性層の磁化軸が逆方向に反転する必要がなくなり、結合が安定し、Ｈｅｘを増大させることが可能となる。なお、上記工程において、第一軟磁性層１４ａ成膜時と第二軟磁性層１４ｃ成膜時の回転マグネットの磁場の方向が逆転しても同様の効果が得られる。
【００３６】
また、軟磁性層１４を上記工程にて成膜する際、基体１０の主表面の両側に回転マグネット３６を設置して磁場３８を印加して成膜することにより、一方の回転マグネット３６から出て他方の回転マグネット３６に到る磁場３８が発生する。これにより、基体の両主表面に、半径方向内向きまたは外向きのいずれか同一方向の磁場が印加される。この磁場３８は基体１０を通過することから、積極的に基体１０に磁場３８をかけることができ、軟磁性層の磁化方向をより確実に配向させることができる。
【００３７】
更に、仮に１つのチャンバー内に２枚の基体１０を投入するとすれば、回転マグネット３６も基体１０と同じ数だけ配置する必要がある。しかし複数の回転マグネット３６を配置（配列）すればその磁場は相互に影響し合うため、基体１０にかかる磁場が必ずしも円形とならない。そこで、軟磁性層１４の成膜時、一つのチャンバー内に単一の基体１０のみを投入して成膜することにより、基体１０主表面に他の磁場の影響を受けずに円形かつ半径方向の磁場を形成することができ、軟磁性層１４の磁化方向を全方向において一定にすることが可能となる。
【００３８】
配向制御層１６は、軟磁性層１４を防護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層１６としては、ｆｃｃ構造またはｈｃｐ構造を有することが好ましい。配向制御層１６の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えば、ＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。膜厚は５０ｎｍ以下が好ましい。５０ｎｍを超えると、オーバーライト（ＯＷ）特性に影響を及ぼすことがある。
【００３９】
下地層１８は、ｈｃｐ構造であって、磁気記録層２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層１８の材料としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向することができる。
【００４０】
本実施例において下地層１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第二下地層１８ｂを形成する際に、下層側の第一下地層１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また、高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性を更に向上させることができる。
【００４１】
微細化促進層２０は、非磁性のグラニュラー層である。下地層１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第一磁気記録層２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００４２】
磁気記録層２２は、膜厚の薄い第一磁気記録層２２ａと、膜厚の厚い第二磁気記録層２２ｂとから構成されている。
【００４３】
第一磁気記録層２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。
【００４４】
第二磁気記録層２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第二磁気記録層２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００４５】
磁気記録層２２は、上記に記載した以外にも、公知の硬磁性材料を用いることができる。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ系材料、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ系材料、ＣｏＣｒＰｔ−酸化物（ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５など）系材料等が挙げられる。また、ＳＮＲ特性改善などを目的として、希土類金属などを添加することもできる。
【００４６】
磁気記録層２２の膜厚は、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。また、本実施例において磁気記録層２２は２層構造となっているが、単層構造としてもよいし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることも可能である。
【００４７】
補助記録層２４は、グラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（連続層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱ゆらぎ耐性を付け加えることができる。補助記録層２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００４８】
媒体保護層２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜した。媒体保護層２６は、磁気ヘッドの衝撃から磁気記録層２２を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタリングによって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層２２を防護することができる。媒体保護層２６には従来公知の材料を用いることができる。例えば、Ｃ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等である。また、高記録密度化の観点から、媒体保護層の膜厚は１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
潤滑層２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。その他の公知材料も用いることができる。具体的には、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸等である。潤滑層２８の膜厚は約１ｎｍである。
【００５０】
以上の製造工程により、垂直磁気記録ディスク１００が得られた。以下に、実施例と比較例を用いて本発明の有効性について説明する。
【００５１】
［評価］
図４は、実施例及び比較例におけるスペーサ層の膜厚と交換結合磁界（Ｈｅｘ）の強度との関係を示すグラフである。実施例は上記説明した如く逆方向の磁場を印加しながら第一軟磁性層と第二軟磁性層を成膜した垂直磁気記録ディスクであり、比較例は同一方向の漏れ磁場がかかった状態で第一、第二軟磁性層を成膜した垂直磁気記録ディスクである。
【００５２】
図４に示すように、実施例と比較例は共に、スペーサ層の膜厚を次第に厚くしていくとＨｅｘは一旦増加してピークを迎え、更に膜厚を厚くするとＨｅｘは低下する傾向にある。ここで、ピークに到達した際、Ｈｅｘの値が比較例より実施例のほうが大きいことから、実施例のほうが交換結合が強く、結合が安定していることがわかる。
【００５３】
図５は、実施例及び比較例における、シグナルノイズ比（ＳＮＲ：Signal Noise Ratio）（ｄＢ）とトラック幅（ｎｍ）との関係を示すグラフである。
【００５４】
図５に示すように、トラック幅が狭くなるほどにＳＮＲが低下する傾向にある。ここで、いかなるトラック幅においても、比較例より実施例のほうが高いＳＮＲを示していることがわかる。このことから、本発明によって、従来と同じトラック幅であれば、従来よりＳＮＲが増大し再生信号品質が向上した垂直磁気記録ディスクを提供することができる。また、従来と同じ再生信号品質であれば、従来よりトラック幅を狭め記録密度が向上した垂直磁気記録ディスクを提供することができる。
【００５５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録ディスクの製造方法として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態にかかる垂直磁気記録ディスクの構成を説明する図である。
【図２】ＡＦＣ構造による磁化特性を説明するための説明図である。
【図３】ＤＣマグネトロンスパッタリングのイメージを説明するための説明図である。
【図４】実施例及び比較例における、スペーサ層の膜厚と交換結合磁界（Ｈｅｘ）の強度との関係を示すグラフである。
【図５】実施例及び比較例における、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）とトラック幅（ＭＷＷ）との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
１０    …基体
１２    …付着層
１４    …軟磁性層
１４ａ  …第一軟磁性層
１４ｂ  …スペーサ層
１４ｃ  …第二軟磁性層
１６    …配向制御層
１８    …下地層
１８ａ  …第一下地層
１８ｂ  …第二下地層
２０    …微細化促進層
２２    …磁気記録層
２２ａ  …第一磁気記録層
２２ｂ  …第二磁気記録層
２４    …補助記録層
２６    …媒体保護層
２８    …潤滑層
３０    …ターゲット
３２    …シールド
３４    …ホルダー
３６    …回転マグネット
３８    …磁場
１００  …垂直磁気記録ディスク
【図１】
0005001768.tif 000002
【図２】
0005001768.tif 000003
【図３】
0005001768.tif 000004
【図４】
0005001768.tif 000005
【図５】
0005001768.tif 000006