(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方表面に、突起電極または配線のうち少なくとも一方を形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方表面に樹脂膜を形成する工程であって、前記突起電極または前記配線を埋没させるように前記樹脂膜を形成する工程を含む工程と、
前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、
前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、
前記研削工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする、前記樹脂膜の側面が前記半導体基板の少なくとも１つの側面より後退している半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の一方表面であって、突起電極または配線のうち少なくとも一方が形成された一方表面に、前記突起電極または前記配線を埋没させるように樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、
前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、
前記研削工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記突起電極または前記配線を埋没させるように形成された前記樹脂膜の表層部を除去して、前記突起電極または前記配線の頂部を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記突起電極または前記配線の頂部を露出させる工程が、前記樹脂膜の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の一方表面に、突起電極を形成する工程と、
前記突起電極を埋没させるように樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、
前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、
前記研削工程の後、前記樹脂膜の表層部を除去して、前記突起電極の頂部を露出させる露出工程と、
前記露出工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記露出工程が、前記樹脂膜の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂膜を形成する工程が、
前記半導体基板の前記一方表面に、液状の樹脂を塗布する工程と、
前記液状の樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする請求項１および３ないし６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記切込み溝を形成する工程が、第１のダイシングブレードを用いて前記切込み溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記切断工程が、前記第１のダイシングブレードより厚みの薄い第２のダイシングブレードを用いて、前記半導体基板を切断する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記切込み溝を形成する工程が、直交する２方向に前記切込み溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄型の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの薄型化のために、素子および配線などの形成が完了した半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の裏面側を研削する裏面研削工程が、従来から行われている。この裏面研削工程は、一般には、ウエハの表面に軟質性の保護フィルムを貼り付け、この保護フィルムを介してウエハを加圧してウエハの裏面を砥石に押し付け、その状態でウエハを回転させることによって行われてきた。
【０００３】
しかし、研削後の工程、たとえば、ウエハから個々のチップを切り出すための切り出し工程や、切り出されたチップをリードフレームにマウントする工程においては、ウエハやチップがロボットでハンドリングされる。したがって、過度に薄型化を追求すれば、ハンドリング時におけるウエハやチップの破損につながり、歩留まりが低下する。特に、ウエハが大口径化してきた今日では、裏面研削により薄型化されたウエハは、容易に破損してしまうおそれがある。
【０００４】
このような問題を解決するために、たとえば、特開平１１−１５００９０号公報には、ウエハの表面に突起電極群を形成した後に、このウエハ表面に樹脂膜を形成し、この樹脂膜を保護強化板として用いることが提案されている。この公開公報の半導体装置の製造方法では、樹脂膜の形成後にウエハの裏面研削が行われ、さらに、樹脂膜の表層部分がエッチングにより除去されることにより突起電極群の頂部が露出させられるようになっている。その後は、スクライブラインに沿って樹脂膜が除去され、さらに、保護膜としての窒化膜が突起電極を回避した領域に形成され、その後に、スクライブラインに沿ってウエハが切断されて、個々のチップが切り出されるようになっている。
【０００５】
この方法では裏面研削後のウエハは樹脂膜により強化されており、また、ウエハから切り出された個々のチップも樹脂膜により強化されている。これにより、ウエハおよびチップを、これらの破損を生じさせることなく良好にハンドリングできる。また、露出した突起電極の頂部を配線基板の電極パッドなどに接続することにより、このようなチップを実装することができるので、ワイヤボンディングなどを用いて外部端子を引き出す構成に比較して半導体装置を著しく薄型化できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の先行技術の製造方法では、ウエハ表面に樹脂膜を形成してから裏面研削を行うまでの間に、ウエハと樹脂膜との熱膨張／収縮率の相違に起因して、図４に誇張して示すように、ウエハに反りが生じるという問題がある。このような反りが生じたウエハを平坦な砥石で研削すると、ウエハの中心領域と周縁領域とで研削後のウエハの厚さに相違が生じるから、均一な厚さの半導体チップを得ることができなくなるばかりでなく、ウエハの周縁領域から切り出された半導体チップは所期の薄さまで薄型化されていないおそれがある。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、半導体基板の反りを防ぐことによって、半導体基板の裏面研削処理を良好に行うことができるようにし、これにより、薄型の半導体装置の製造を良好に行うことができる製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、半導体基板の一方表面に、突起電極または配線のうち少なくとも一方を形成する工程と、前記半導体基板の前記一方表面に樹脂膜を形成する工程であって、前記突起電極または前記配線を埋没させるように前記樹脂膜を形成する工程を含む工程と、前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、前記研削工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする、前記樹脂膜の側面が前記半導体基板の少なくとも１つの側面より後退している半導体装置の製造方法である。
請求項２記載の発明は、半導体基板の一方表面であって、突起電極または配線のうち少なくとも一方が形成された一方表面に、前記突起電極または前記配線を埋没させるように樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極または前記配線が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、前記研削工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００９】
樹脂膜の形成工程と切込み溝の形成工程とは、半導体基板（ウエハ）の反りが問題とならない程度の短時間の時間間隔で行われるか、または、樹脂膜が形成された半導体基板は、樹脂膜に切込み溝が形成されるまでの間、半導体基板と樹脂膜との熱膨張／収縮率の相違に起因して半導体基板に大きな反りが生じることがないように、温度管理された環境におかれることが好ましい。
これらの発明によれば、半導体基板の一方表面に形成された樹脂膜には切込み溝が形成されるため、半導体基板と樹脂膜との熱膨張／収縮の相違に起因する反りが生じない。これにより、半導体基板が平坦な状態で、半導体基板の裏面を均一に研削することができる。したがって、このような半導体装置の製造方法により、均一で所望の厚さに調整された半導体基板を得ることができる。すなわち、得られた半導体基板は、中心領域および周縁領域のいずれにおいても、均一に薄型化されているので、この半導体基板から半導体チップの個片を切り出すことにより、均一な厚さの薄型半導体チップを得ることができる。
【００１０】
半導体基板の面内でいかなる方向にも反りが起こらないようにするために、切込み溝の方向は、２方向以上（たとえば、請求項１０記載のように、直交する２方向）とすることが好ましい。
樹脂膜は、突起電極または配線の頂部を覆って形成されたものである。
また、樹脂膜の表面は平坦であることが好ましい。このような場合、研削時に半導体基板を樹脂膜が形成された側から均一に加圧することができる。研削後も半導体基板やチップの表面は樹脂膜により覆われて保護強化されているので、半導体基板やチップをハンドリングする際、これらが破損するおそれがない。
請求項３記載のように、突起電極または配線の頂部は、突起電極または配線を埋没させるように形成された樹脂膜の表層部を除去する工程を実施して、露出させることができる。この工程は、請求項４記載のように、エッチングなど化学的処理によるものであってもよく、研削など物理的処理によるものであってもよい。
【００１１】
研削などの物理的処理により突起電極または配線の頂部を露出させる場合、突起電極または配線の頂部と樹脂膜の表面とは面一となる。これにより、突起電極または配線の頂部を露出させる工程を実施した後、半導体基板の一方表面から均一に加圧して他方表面の研削工程を実施することができる。すなわち、このような半導体装置は、製造時に実施する工程の順序に自由度がある。
請求項５記載の発明は、半導体基板の一方表面に、突起電極を形成する工程と、前記突起電極を埋没させるように樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜を形成する工程の後、前記突起電極が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記樹脂膜を貫通し前記半導体基板に達する切込み溝を形成する工程と、前記切込み溝を形成する工程の後、前記突起電極が前記樹脂膜に埋没された状態で、前記切込み溝の底部と前記半導体基板の他方表面との間に前記半導体基板が残るように、前記半導体基板の前記他方表面を研磨または研削する研削工程と、前記研削工程の後、前記樹脂膜の表層部を除去して、前記突起電極の頂部を露出させる露出工程と、前記露出工程の後、前記半導体基板を、前記切込み溝に沿って、前記切込み溝の幅より狭い幅の切りしろで切断する切断工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項６記載の発明は、前記露出工程が、前記樹脂膜の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法である。
請求項７記載の発明は、前記樹脂膜を形成する工程が、前記半導体基板の前記一方表面に、液状の樹脂を塗布する工程と、前記液状の樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする請求項１および３ないし６のいずれか１項に記載の製造方法である。
請求項８記載の発明は、前記切込み溝を形成する工程が、第１のダイシングブレードを用いて前記切込み溝を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の製造方法である。
請求項９記載の発明は、前記切断工程が、第１のダイシングブレードより厚みの薄い第２のダイシングブレードを用いて、前記半導体基板を切断する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の製造方法である。
切込み溝は、半導体基板に達するものである。また、切込み溝は、半導体基板に形成された個々の半導体素子の境界を表すために形成されたスクライブラインに沿って形成することが好ましい。この場合、半導体基板と、この半導体基板の一方表面に形成された樹脂膜と、前記半導体基板の前記一方表面に形成された突起電極または配線の少なくとも一方とを含み、前記半導体基板および前記樹脂膜の切断面である側面のうち少なくとも一面が、２回以上に分けて切断されて得られた多段階切断面であることを特徴とする半導体装置が得られる。切込み溝の形成時に形成された切断面とスクライブ時に形成された切断面との境界には、段差部が形成される。
【００１２】
多段階（通常、２段階）切断面は、切込み溝の形成により樹脂膜と半導体基板の一部とが切断された後、スクライブにより半導体基板の残部が切断されて得られたものであってもよい。また、多段階切断面は、切込み溝の形成により樹脂膜の一部が切断された後、スクライブにより樹脂膜の残部および半導体基板が切断されて得られたものであってもよい。すなわち、多段階切断面の段差部は、樹脂膜の部分にあってもよく、半導体基板の部分にあってもよい。
【００１３】
切込み溝の数は、半導体基板にかかる応力が充分に低減される限り、任意に定めることができる。切込み溝をスクライブラインに沿って形成する場合、すべてのスクライブラインに沿って形成してもよく、たとえば、所定の複数本のスクライブラインに対して１本の割合で切込み溝を形成してもよい。直交する２方向それぞれについて、スクライブライン２本に１本の割合で切込み溝を形成した場合、得られた半導体チップの側面は、対向しない２面が多段階切断面となり、他の２面はスクライブ時に１回で切断された面となる。
【００１４】
すべてのスクライブラインに沿って切込み溝を形成した場合は、半導体チップのすべての側面は多段階切断面となる。スクライブライン３本以上に１本の割合で切込み溝を形成した場合、側面のうち１面のみが多段階切断面であるもの、側面のうち２面が多段階切断面であるものなど、複数種類の形態の半導体チップが得られる。
半導体基板から切り出された半導体チップは、突起電極または配線の露出した部分を、直接配線基板の電極パッドなどに接続することにより実装することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。図１の半導体ウエハ１（以下、単に「ウエハ１」という。）は、種々の素子形成工程および配線工程などを経ていて、活性表層領域側の面である表面１ａは窒化膜などからなる保護膜（パッシベーション膜）で覆われている。そして、この保護膜からは、外部との電気接続のためのパッドが露出させられている。
【００１６】
このパッド上に、図１（ａ）に示すように、たとえば、金（Ａｕ）からなる複数の突起電極２が形成される。この突起電極２は、たとえば、電解めっきにより形成され、その保護膜表面からの高さは、たとえば、５０μｍ程度とされることが好ましい。突起電極２は、円柱状または四角柱状などの柱状のものであることが好ましい。その材料としては、金のほかにも、半田などを適用することができる。また、ウエハ１の表面１ａ上で個々の半導体素子の境界（図１に矢印Ａで示す位置）には、スクライブラインが形成される。
【００１７】
次に、このウエハ１の表面１ａに、樹脂膜３を形成する（図１（ｂ））。樹脂膜３は、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、バーコーティング法等により液状の樹脂を塗布後、硬化させることにより得ることができる。樹脂の種類は、ポリイミドやエポキシなどとすることができる。硬化後の樹脂膜３（以下、単に「樹脂膜３」という。）は、突起電極２を埋没させることができる厚さで形成されていることが好ましい。具体的には、樹脂膜３の厚みは、１００μｍ程度とされることが好ましい。また、樹脂膜３の表面は、平坦であることが好ましい。
【００１８】
そして、樹脂膜３となる樹脂が機械加工できる程度に硬化すると、スクライブラインに沿って、樹脂膜３に切込み溝４を形成する（図１（ｃ））。切込み溝４は、ダイシングブレード（ダイシングソー）などを用いて、ウエハ１に達するように形成することができる。
図２は、切込み溝４が形成された樹脂膜３およびウエハ１を示す図解的な斜視図である。
【００１９】
切込み溝４は、直交する２方向に形成されており、等間隔に複数設けられている。これらの切込み溝４は、いずれもスクライブラインに沿って配置されている。
樹脂膜３の形成工程と切込み溝４の形成工程とは、ウエハ１に大きな反りが生じるほどの温度変化が生じないように相次いで行われることが好ましい。もしも、樹脂膜３の形成工程の後、相当の時間をおいて切込み溝４の形成工程を行う必要がある場合には、樹脂膜３の形成後のウエハ１は、樹脂膜３とウエハ１との熱膨張／収縮率の差に起因する反りが生じないように温度管理された環境におかれることが好ましい。
【００２０】
続いて、このような樹脂膜３が形成されたウエハ１の裏面１ｂを、たとえば、グラインダを用いて研削し、ウエハ１を所望の厚さに調整する（図１（ｄ））。樹脂膜３が突起電極２の頂部を覆って形成されたものであり、樹脂膜３の表面が平坦である場合、研削時にウエハ１を樹脂膜３が形成された側から均一に加圧することができる。
その後、樹脂膜３の表面をエッチングすることにより、突起電極２の頂部を露出させる（図１（ｅ））。最後に、ウエハ１および樹脂膜３を切込み溝４（スクライブラインが形成されていた位置）に沿って、ダイシングブレードでダイシングし、図３に斜視図を示す個々の半導体チップ５に分離する（図１（ｆ））。この際に用いられるダイシングブレードは、切込み溝４を形成する際に用いたダイシングブレードより厚みの薄いものを用いることができる。
【００２１】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハ１の表面１ａに形成された樹脂膜３には切込み溝４が形成されるため、ウエハ１と樹脂膜３との熱膨張／収縮の相違に起因して生ずる反りが生じない。そのため、研削工程（図１（ｄ））を行う際、ウエハ１は平坦であるので、ウエハ１の裏面１ｂの研削を、ウエハ１の各部で均一に行うことができる。これにより、切り出し工程（図１（ｆ））を経てダイシングされた複数個の半導体チップ５は、均一な厚さを有することができる。
【００２２】
また、研削工程では、ウエハ１の表面１ａに形成された樹脂膜３によりウエハ１の全体が補強されている。したがって、ウエハ１の破損を生じることなく、ウエハ１の研削を良好に行えるから、ウエハ１の薄膜化を有利に行える。
また、切り出し工程におけるウエハ１のハンドリングの際や、ダイシングブレードによりウエハ１を切断する際にも、樹脂膜３がウエハ１を補強しているから、ウエハ１や半導体チップ５の破損が生じるおそれがない。したがって、ウエハ１を所望の厚さに薄型化することができ、これにより、半導体チップ５の薄型化に貢献することができる。
【００２３】
そして、図３に示す半導体チップ５の最終形態においては、側面は２段階切断面６となっている。すなわち、２段階切断面６は、切込み溝４形成時（図１（ｃ））に樹脂膜３およびウエハ１の一部を含む部分が切断されて得られた面６ａと、ダイシング時（図１（ｆ））にウエハ１の残部が切断されて得られた面６ｂとを含んでいる。面６ａと面６ｂとの境界には、段差部７が形成されている。
また、樹脂膜３はウエハ１の表面１ａ（活性表面）を保護しており、かつ、この樹脂膜３から突起電極２が露出しているので、この半導体チップ５のさらなるパッケージングは不要である。したがって、極めて薄型化された半導体パッケージを得ることができる。このような半導体パッケージ（半導体チップ５）は、露出した突起電極２を配線基板に形成された電極パッドなどに対向（フェイスダウン）させて実装することができる。
【００２４】
なお、樹脂膜３の硬化時の収縮により、ウエハ１に反りが生じる場合は、たとえば、チャックを用いてウエハ１を保持し、ウエハ１を平坦に保ったまま、樹脂膜３の形成（液状樹脂の塗布および硬化）と切込み溝４の形成とを行えばよい。
切込み溝４の数は、ウエハ１にかかる応力が充分に低減される限り、任意に定めることができる。上記の実施形態においては、切込み溝４は、すべてのスクライブラインに沿って形成されているが、たとえば、所定の複数本のスクライブラインに対して１本の割合で切込み溝を形成することができる。
【００２５】
直交する２方向それぞれについて、スクライブライン２本に１本の割合で切込み溝４を形成した場合、得られた半導体チップ５の側面は、対向しない２面が多段階（通常、２段階）切断面となり、他の２面がスクライブ時に１回で切断された面となる。スクライブライン３本以上に１本の割合で切込み溝４を形成した場合、側面のうち１面のみが多段階切断面であるもの、側面のうち２面が多段階切断面であるものなど、複数種類の形態の半導体チップが得られる。
【００２６】
以上の実施形態においては、切込み溝４はウエハ１に達するように形成されている。切込み溝４が樹脂膜３の膜厚内の深さで形成されていると、段差部７はウエハ１の部分ではなく、樹脂膜３の部分に形成される。この場合でも、樹脂膜３とウエハ１との熱膨張／収縮率の差に起因した応力は緩和され、ウエハ１に反りが生じることを防ぐことができる。
樹脂膜３を除去して突起電極２の頂部を露出させる工程は、研削など物理的な処理によるものであってもよい。この場合、樹脂膜３の表面と露出された突起電極２の頂部とは、面一になる。このため、先に樹脂膜３を除去（研削）して突起電極２の頂面を露出させる工程を実施した場合でも、その後に、ウエハ１を樹脂膜３を形成した側から均一に加圧して、研削工程（図１（ｄ））を実施することができる。すなわち、このような半導体装置の製造方法は、製造時に実施する工程の順序に自由度がある。
【００２７】
以上の実施形態は、半導体基板１の一方表面に、配線を形成した後、突起電極２を形成した場合を示しているが、配線または突起電極の一方のみを形成して、外部接続用としてもよい。突起電極２を形成しなかった場合でも、配線の一部を樹脂膜３から露出させて、配線基板の電極パッドなどに接続することができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す図解的な断面図である。
【図２】切込み溝が形成された樹脂膜および半導体基板を示す図解的な斜視図である。
【図３】前記製造方法により製造された半導体チップの図解的な斜視図である。
【図４】ウエハの一方表面に樹脂膜を形成した場合に生じる反りの問題を説明するための図解図である。
【符号の説明】
１    ウエハ
２    突起電極
３    樹脂膜
４    切込み溝
５    半導体チップ
６    ２段階切断面
７    段差部
【図１】
0004856328.tif 000002
【図２】
0004856328.tif 000003
【図３】
0004856328.tif 000004
【図４】
0004856328.tif 000005