(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面に電極パッドを備える配線基板と、ネイルヘッド部を有し、該ネイルヘッド部がはんだを介して前記電極パッドに接合されたリードピンと、該リードピンのネイルヘッド部および前記配線基板の一方主面を被覆する樹脂層とを備え、前記リードピンのネイルヘッド部の径が、前記電極パッドの径以上であるとともに、前記電極パッドと前記ネイルヘッド部との間の高さ位置において、前記はんだの側面が前記ネイルヘッド部の外周よりも突出する凸状であることを特徴とする電子部品搭載用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる電子部品搭載用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための電子部品搭載用基板として、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体と、絶縁基体の表面および内部に形成されたタングステンやモリブデン等の金属粉末メタライズから成る配線導体および電極パッドとを備えた配線基板に、外部接続用端子としてリードピンを電極パッドにろう材により接合した、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）型のものが知られている。
【０００３】
近年の電子装置の小型化および高密度化に伴い、電子部品搭載用基板において、リードピンの小型化およびピン配列の高密度化が求められている。このため、電子部品搭載用基板においては、電極パッドとリードピンとの位置精度や接合強度を高めることが必要とされている。
【０００４】
また、高速信号を伝送するために絶縁基体の低誘電率化や配線導体の低抵抗化も求められており、これに対しては、絶縁基体にガラスセラミックスや樹脂を、配線導体に銅や銀等を用いた配線基板が知られている。ガラスセラミック配線基板では、電極パッドの基体への接合強度が小さく、高温のろう材を用いてリードピンを接合するのが困難であり、また、樹脂配線基板では高温のろう材を用いることができないことから、はんだによりリードピンを接合することが行なわれている。はんだによる接合においても、リードピンおよび電極パッドを小型にすると、接合強度が小さくなるので、接合強度を高めることが必要とされている。
【０００５】
そこで、例えば、図４（ａ）および（ｂ）にそれぞれ断面図および下面図で示すような、配線基板11の電極パッド12にはんだ14で接合されたリードピン13のネイルヘッド部を樹脂層15で被覆することにより、リードピン13の接合強度を高めた電子部品搭載用基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。なお、図４（ａ）において、16は配線導体、17は電子部品である。
【特許文献１】特開2006−216631号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の電子部品搭載用基板は、はんだ14でリードピン13のネイルヘッド部を包囲するように接合しており、リードピン13のネイルヘッド部のピン部側の面にはんだ14が回り込んでいるものであった。また、リードピン13のネイルヘッド部とパッド電極12との間にはんだ14を配置して接合しても、リードピン13のネイルヘッド部の径が電極パッド12の径よりも小さいため、はんだ14がリードピン13のネイルヘッド部の側面やピン部側の面に濡れ広がりやすいものであった。このような従来の電子部品搭載用基板を、電子部品17を搭載したり蓋体（図示せず）を接合したりするために200℃〜400℃程度の温度で加熱すると、リードピン13のネイルヘッド部の側面やピン部側の面に回り込んだはんだ14が溶融するとともに、その周りの樹脂層15が膨張することとなる。すると、樹脂層15が溶融状態のはんだ14を圧迫して、リードピン13と樹脂層15との界面を通ってはんだ14が樹脂層15の表面に流出してしまうという問題点を有していた。樹脂層15の表面にはんだ14が流出してしまうと、電子部品17を搭載した電子部品搭載用基板が外観不良となってしまうばかりでなく、隣接するリードピン13同士が流出したはんだ14により電気的に短絡してしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み案出されたもので、その目的は、電子部品や蓋体等を接合する際に、電極パッドとリードピンとを接合するはんだが樹脂層の表面に流出する可能性を低減することができる電子部品搭載用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品搭載用基板は、一方主面に電極パッドを備える配線基板と、ネイルヘッド部を有し、該ネイルヘッド部がはんだを介して前記電極パッドに接合されたリードピンと、該リードピンのネイルヘッド部および前記配線基板の一方主面を被覆する樹脂層とを備え、前記リードピンのネイルヘッド部の径が、前記電極パッドの径以上であるとともに、前記電極パッドと前記ネイルヘッド部との間の高さ位置において、前記はんだの側面が前記ネイルヘッド部の外周よりも突出する凸状であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子部品搭載用基板によれば、リードピンのネイルヘッド部の径が、電極パッドの径以上であることから、電極パッドとリードピンとを接合するはんだがネイルヘッド部の側面やピン部側の面に濡れ広がり難いので、電子部品搭載用基板に電子部品や蓋体等を接合する際にはんだの溶融や樹脂層の膨張が発生したとしても、はんだがリードピンのネイルヘッド部のピン部側の面に回り込み、リードピンのピン部と樹脂層との界面を通って樹脂層の表面に流出する可能性を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の電子部品搭載用基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
図１（ａ）は本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図１（ｂ）は本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一例を示す下面図である。また、図２は図１（ａ）のＡ部を拡大して示す断面図である。図１および図２において、１は配線基板、２は電極パッド、３はリードピン、４ははんだ、５は樹脂、６は配線導体、７は電子部品である。
【００１１】
本発明の電子部品搭載用基板は、一方主面に電極パッド２を備える配線基板１と、ネイルヘッド部を有し、ネイルヘッド部がはんだ４を介して電極パッド２に接合されたリードピン３と、リードピン３のネイルヘッド部および配線基板１の一方主面１ａを被覆する樹脂層５とを備え、リードピン３のネイルヘッド部の径Ｄ１が、電極パッド２の径Ｄ２以上である。
【００１２】
本発明の電子部品搭載用基板によれば、このような構成としたことから、はんだ４がリードピン３のネイルヘッド部の側面やピン部側の面に濡れ広がり難いので、電子部品搭載用基板に電子部品７や蓋体（図示せず）等を接合する際にはんだ３の溶融や樹脂層５の膨張が発生したとしても、はんだ４がリードピン３のピン部と樹脂層５との界面を通って樹脂層５の表面に流出する可能性を低減することができる。
【００１３】
配線基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミック材料から成る電気絶縁性の絶縁基体に、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ），銅(Ｃｕ)，銀（Ａｇ）等の金属粉末メタライズから成る電極パッド２および配線導体６が形成されたものである。あるいは、エポキシ系などの樹脂から成る絶縁基体に、銅箔から成る電極パッド２および銅箔，銅めっき，銅ペースト等から成る配線導体６が形成されたものであってもよい。
【００１４】
絶縁基体は、ガラスセラミックスから成る場合であれば、例えば、ガラス成分としてＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ・Ｓｒ・Ｍｇ・ＢａまたはＺｎを示す）・ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同一または異なってＣａ・Ｓｒ・Ｍｇ・ＢａまたはＺｎを示す）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は前記と同じである）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ・ＮａまたはＫを示す）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は前記と同じである）・ＰＢ系ガラス・Ｂｉ系ガラス等から成るガラス粉末と、例えば、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２・ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル・ムライト・コージェライト）等のフィラー粉末とを質量比で40：60〜99：１の割合で混合し、さらに適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得る。しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じてこれを複数枚積層して、絶縁基体となる生成形体を作製して、約900℃の温度で焼成することで、単数あるいは複数の絶縁層からなるものが製作される。
【００１５】
配線導体６には、絶縁基体の表面や絶縁層間に配設される配線導体層と、絶縁層を貫通して上下に位置する配線導体層同士を電気的に接続する貫通導体とがある。配線導体層は、例えば絶縁基体がセラミックスから成る場合であれば、絶縁基体用のセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等の印刷手段により配線導体層用のメタライズペーストを印刷塗布し、絶縁基体となる生成形体とともに焼成することによって形成する。貫通導体は、配線導体層を形成するためのメタライズペーストの印刷塗布に先立って絶縁基体用のセラミックグリーンシートに、金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザ加工等の加工方法により貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段により充填しておき、絶縁基体となる生成形体とともに焼成することによって形成する。
【００１６】
メタライズペーストは、主成分の金属粉末に有機バインダー，有機溶剤，必要に応じて分散剤等を加えて、ボールミル，三本ロールミル，プラネタリーミキサー等の混練手段により混合および混練することで作製する。また、セラミックグリーンシートの焼結挙動に合わせたり、焼成後の絶縁基体との接合強度を高めたりするために、ガラスやセラミックスの粉末を添加してもよい。貫通導体用のメタライズペーストは、有機バインダーや有機溶剤の種類や添加量により、充填に適した、一般的に配線導体層用のメタライズペーストよりも高い粘度に調整される。
【００１７】
メタライズペーストの導体材料は、絶縁基体がガラスセラミックスからなる場合であれば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ等が用いられ、絶縁基体が酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体からなる場合であれば、ＷやＭｏが用いられる。
【００１８】
図１に示す例では、フリップチップ型の半導体素子が電子部品７として搭載される電子部品搭載用基板であるので、配線基板１の他方主面には、配線導体層としてフリップチップ接続用の電極が形成されているが、その他にも、コンデンサ等の受動素子を搭載し接続するための電極や、搭載される電子部品７を封止するための蓋体を接合するための接合導体等が形成されていてもよい。
【００１９】
なお、配線導体６の露出する表面には、必要に応じてニッケル，金等の耐蝕性に優れる金属が被着される。これにより、配線導体６が腐食することを効果的に抑制することができるとともに、配線導体６と電子部品７との固着、あるいは配線導体６とボンディングワイヤとの接合を強固にすることができる。そのような金属として、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、電解めっき法もしくは無電解めっき法により順次被着される。
【００２０】
電極パッド２は、配線導体６と電気的に接続され、配線基板１の一方主面に所定の間隔で配設される、円形状のものである。
【００２１】
電極パッド２は、配線導体６と同様に、配線基板１の絶縁基体用のセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等の印刷手段により電極パッド２用のメタライズペーストを印刷塗布し、絶縁基体となる生成形体とともに焼成することによって形成する。なお、電極パッド２用のメタライズペーストは、通常、配線導体６の配線導体層と同様の材料が用いられる。
【００２２】
電極パッド２は、配線基板１に後述するリードピン３をはんだ付けするための下地金属層となるものである。はんだ３の濡れ性を良好にして電極パッド２とリードピン３との接合を強固にするために、電極パッド２の露出する表面には、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、電解めっき法もしくは無電解めっき法により順次被着される。
【００２３】
図３は、図２と同様の、本発明の電子部品搭載用基板の他の例の要部を拡大して示す断面図である。図３において、８は絶縁膜である。
【００２４】
図３に示す例のように、電極パッド２の外周部を覆うようにして、配線基板１の一方主面１ａに絶縁膜８を被着させていてもよい。この絶縁膜８は、電極パッド２の外周部を覆うことにより、絶縁基体と電極パッド２との接合強度を高める補強部材として機能する。この場合の電極パッド２の径Ｄ２は、図３に示すように、電極パッド２が絶縁膜８の開口から露出した部分の径である。絶縁膜８は、複数の電極パッド２に対してそれぞれ独立させて被着して複数個設けてもよいが、電極パッド２間の距離が小さいため独立させて被着するのは難しく、また絶縁膜８は広い面積に形成しやすいので、電極パッド２に対応した配列で電極パッド２より径の小さい複数の開口を有する１つの絶縁膜８を配線基板１の絶縁基体の一方主面上に形成してもよい。
【００２５】
このような絶縁膜８は、絶縁基体がセラミックスからなる場合であれば、絶縁基体と実質的に同じ原料粉末をペースト状にするとともに、そのペーストを絶縁基体用のセラミックグリーンシートに、スクリーン印刷法等の印刷手段により電極パッド２用のメタライズペーストの外周部を覆うように印刷塗布し、絶縁基体となる生成形体とともに焼成することによって形成することができる。あるいは、電極パッド２用のメタライズペーストに対応するとともにそれより径が小さい貫通孔を設けた絶縁膜８用のセラミックグリーンシートを、電極パッド２用のメタライズペーストの外周部を覆うようにして絶縁基体用のセラミックグリーンシートに積層し、焼成することにより形成しても構わない。
【００２６】
リードピン３は、例えば、Ｆｅ−29ｗｔ％Ｎｉ−17ｗｔ％Ｃｏ合金，Ｆｅ−42ｗｔ％Ｎｉ合金，Ｃｕ−2.35ｗｔ％Ｆｅ−0.12ｗｔ％Ｚｎ−0.03ｗｔ％Ｐ合金，Ｃｕ等の金属から成り、円柱状のピン部の端部に、ピン部の径よりも径大の円板状のネイルヘッド部を有する形状のものである。このリードピン３は、電子部品搭載用基板に搭載される電子部品７を外部電気回路基板に電気的に接続するための端子として機能し、例えば、リードピン３を外部電気回路基板に接合することによって、あるいは外部電気回路基板に接続されたソケットに挿入することによって、電子部品７が配線導体６およびリードピン３を介して外部電気回路基板に電気的に接続される。
【００２７】
リードピン３の外表面には、必要に応じてニッケル，金等の耐蝕性に優れる金属が被着される。これにより、リードピン３が腐食することを効果的に抑制することができるとともに、電極パッド２とリードピン３との接合を強固にすることができる。リードピン３の外表面には、例えば、厚さ１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、電解めっき法もしくは無電解めっき法により順次被着される。
【００２８】
電極パッド２とリードピン３とを接合するはんだ４は、例えば、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｓｂ（融点約240℃）、Ｓｎ−３ｗｔ％Ａｇ−0.5ｗｔ％Ｃｕ（融点約220℃）、Ｐｂ−63ｗｔ％Ｓｎ（融点約180℃）等の、融点が180℃〜260℃程度のものが用いられる。
【００２９】
配線基板１の電極パッド２上に、上記のようなはんだ４をペースト化したはんだペーストを印刷法などにより塗布し、その上にネイルヘッド部を下にしてリードピン３を載置した状態で加熱してはんだ４を溶融させた後に冷却することで、リードピン３のネイルヘッド部がはんだ４を介して電極パッド２に接合される。多数の電極パッド２とリートピン３との位置合わせは、電極パッド２の配列に対応した孔を有する治具を準備し、孔にリードピン３のピン部を挿入した治具をはんだペーストの塗布された配線基板１の上に配置することで、容易に行なうことができる。この際、配線基板１の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する治具を用いると、より高精度の位置合わせができる。リードピン３のネイルヘッド部が形成されていない側のピン部の端部を押さえる（荷重を加える）と、リードピン３の高さを揃えることができる。
【００３０】
はんだ４は、図３に示す例のように、電極パッド２とリードピン３との間の側面が凸状の曲面であることが好ましい。はんだ４の側面が凸状の曲面であると、樹脂層５の膨張によるはんだ４に対する圧力を分散しやすくなり、また、はんだ４の側面とリードピン３のネイルヘッド部の端面（はんだ４とリードピン３のネイルヘッド部との接合面）とがなす角の角度が大きくなるので、樹脂層５に押されたはんだ４がこの角部に移動し難くなり、はんだ４がこの角部からリードピン３のネイルヘッド部の側面へ流出するのがより効果的に抑えられる。また、図３に示す例のように、平面視でネイルヘッド部の外周よりはんだ４の側面が突出する程度の凸状であれば、樹脂層５がリードピン３側からはんだ４を押さえることとなり、はんだ４の流出がより効果的に抑えられるので好ましい。
【００３１】
このようなはんだ４の形状は、リードピン３の比重、リードピン３のネイルヘッド部の径Ｄ１、電極パッド２の径Ｄ２に応じて、はんだ４の量や接合時にリードピン３に加える荷重等を調節することにより形成することができる。
【００３２】
このようにして接合されたリードピン３および電極パッド２については、リードピン３のネイルヘッド部の径Ｄ１が、電極パッド２の径Ｄ２以上であることが重要であるが、ネイルヘッド部の径Ｄ１と、電極パッド２の径Ｄ２との関係は、1.1≦Ｄ１／Ｄ２≦1.4程度であることが好ましい。リードピン３を電極パッド２に接続する際にネイルヘッド部の側面やピン部側の面へのはんだ４の濡れ広がりを抑制するには、特にリードピン３に荷重を加えて接合する場合には、電子部品搭載用基板を平面透視した際に、電極パッド２がネイルヘッド部の内側に位置するように、すなわち、ネイルヘッド部の外縁が電極パッド２の外縁よりも外側に位置するように配置することが好ましい。そのためには、電極パッド２とリードピン３との接合ずれ等を考慮すると、1.1≦Ｄ１／Ｄ２であるのがよい。また、リードピン３のネイルヘッド部の径Ｄ１が大きいと、ネイルヘッド部が樹脂層５によってより強固に固定されてリードピン３の接合強度を高めることができるが、高密度にリードピン３を配置することができなくなる。そして、Ｄ１／Ｄ２≦1.4であると、はんだ４の側面とリードピン３のネイルヘッド部の端面（はんだ４とリードピン３のネイルヘッド部との接合面）とがなす角の角度が大きくなるので、上述したように、はんだ４がこの角部からリードピン３のネイルヘッド部の側面へ流出するのがより効果的に抑えられる。なお、リードピン３のネイルヘッド部の径Ｄ１と電極パッド２の径Ｄ２との差が大きいと、電極パッド２とリードピン３との間のはんだ４の側面が凸状の曲面となるように形成し難くなるので、この場合は、Ｄ１／Ｄ２≦1.2程度とするのが好ましい。
【００３３】
樹脂層５は、図１に示す例のように、リードピン３のネイルヘッド部および配線基板１の一方主面のほぼ全面を被覆している。樹脂層５はネイルヘッド部とその周囲だけを被覆していても電極パッド２とリードピン３との接合強度を高める補強部材として機能するが、通常はリードピン３同士の間隔が小さくて個別に樹脂層５を形成するのは難しく、一方で広い面積への樹脂層５の形成は容易であることから、樹脂層５は、配線基板１の絶縁基体の一方主面のほぼ全面を被覆しているのが好ましい。
【００３４】
樹脂層５は、エポキシ樹脂等の絶縁性の樹脂から成り、配線基板１にリードピン３を接合した後、例えば、熱硬化性の液状エポキシ樹脂をディスペンサ等の塗布装置によりリードピン３のネイルヘッド部および配線基板１の絶縁基体の一方主面を被覆するように塗布して、加熱により硬化させることにより形成される。塗布する樹脂は、光硬化性の樹脂を用いても、２種類の樹脂を混合させて硬化させる常温反応硬化性の樹脂を用いても構わない。また、リードピン３のピン部の径や配列に対応する貫通孔を有する樹脂シートを、熱硬化性の樹脂からなる接着剤を用いて、貫通孔にリードピン３のピン部を通して配線基板１の絶縁基体の一方主面上に接着することでも、樹脂層５を形成することができる。また、熱硬化性の樹脂シートを配線基板１の絶縁基体の一方主面上に貼付した後、樹脂シートを熱硬化させることによって樹脂層５を形成しても構わない。
【００３５】
なお、樹脂層５は、電極パッド２とリードピン３との接合強度を強固なものとするために、配線基板１の表面からの厚みは、配線基板１の表面からリードピン３のネイルヘッド部の上面（ピン部側の面）までの高さに0.3ｍｍ以上加えた厚みに形成していることが好ましい。樹脂層５の厚みは、リードピン３の樹脂層５から突出した部分の必要とされる長さに応じて設定すればよい。樹脂層５の熱膨張係数と配線基板１の絶縁基体の熱膨張係数との差が大きい場合は、樹脂層５の厚みを厚くすると電子部品搭載用基板が反ってしまう場合があるので、樹脂層５および配線基板１の絶縁基体の熱膨張係数やヤング率、および配線基板１の厚みを考慮して設定するのが好ましい。また、樹脂層５は、熱膨張係数を調整するためのフィラーを含むものであってもよい。フィラーとしては、アルミナやシリカ等の絶縁性の無機粉末を用いればよい。熱伝導性の良好な窒化アルミニウムを用いて放熱性を良くしてもよい。
【００３６】
また、熱硬化性の樹脂により樹脂層５を形成する場合は、樹脂を硬化する際の加熱によるはんだ４の溶融を抑制するため、硬化温度がはんだ４の溶融温度よりも低い樹脂を用いるのが好ましい。
【００３７】
なお、本発明の電子部品搭載用基板は、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能である。例えば、配線基板１は、他方主面に電子部品７を収納するためのキャビティを備えるものであっても構わない。
【００３８】
本発明の電子部品搭載用基板の実施例について以下に説明する。
【００３９】
（実施例１）
まず、50ｍｍ×50ｍｍ×1.4ｍｍｔのガラスセラミックスから成る絶縁基体に、銅メタライズから成る配線導体６および径Ｄ２が0.8ｍｍで0.6ｍｍの間隔（ピッチが1.4ｍｍ）で縦横にそれぞれ32個の計1024個配列された銅メタライズから成る電極パッド２が形成された配線基板１を準備した。
【００４０】
次に、配線基板１の電極パッド上２に、Ｓｎ−３ｗｔ％Ａｇ−0.5ｗｔ％Ｃｕであるはんだ４（融点約220℃）のペーストを印刷により、厚さ1.0ｍｍに塗布した。
【００４１】
次に、電極パッド２の配列に対応した孔を有するカーボン製の治具を準備し、治具の孔にリードピン３のピン部を挿入して、配線基板１の上のはんだペーストとリードピン３のネイルヘッド部とが接するように、配線基板１上に載置した。これを窒素雰囲気のリフロー炉（ピーク温度：230℃×５分）内に入れて、リードピン３を配線基板１の電極パッド２に接合した。リードピン３は、Ｃｕ−2.3ｗｔ％Ｆｅ−0.12ｗｔ％Ｚｎ−0.03ｗｔ％Ｐから成り、ネイルヘッド部の径Ｄ１が1.05ｍｍで厚さが0.2ｍｍであり、ピン部の径が0.40ｍｍで長さが2.2ｍｍであるものを用いた。
【００４２】
接合後のはんだ４は、厚みが0.8ｍｍであり、側面の形状は電極パッド２の外周からリードピン３のネイルヘッド部の下面（電極パッド２側の面）の外周に向かってほぼ直線的に広がる形状であり、リードピン３のネイルヘッド部の側面およびピン部側の面には這い上がっていなかった。
【００４３】
そして、リードピン３の周囲にディスペンサを用いて熱硬化性のエポキシ樹脂の樹脂ペースト塗布した後、樹脂ペーストをオーブンにより加熱（150℃×30分）して硬化させて樹脂層５を形成し、電子部品搭載用基板を作製した。樹脂層５は、配線基板１の一方主面の中央部に46ｍｍ×46ｍｍ×1.4ｍｍｔの寸法で形成した。
【００４４】
この電子部品搭載用基板を、リフロー炉内（ピーク温度：260℃×５分）を通過させた後、樹脂層５の表面の確認を行なったところ、はんだ４の樹脂層５の表面への流出は見られなかった。
【００４５】
（実施例２）
絶縁基体の寸法が51ｍｍ×51ｍｍ×2.0ｍｍｔであり、径Ｄ２が0.6ｍｍの電極パッド２が0.4ｍｍの間隔（ピッチが1.0ｍｍ）で縦横にそれぞれ49個の計2401個配列されていること以外は実施例１と同様の配線基板１と、ネイルヘッド部の径Ｄ１が0.66ｍｍで厚さが0.2ｍｍであり、ピン部の径が0.20ｍｍで長さが2.0ｍｍであり、材質は実施例１と同じリードピン３と、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｓｂ（融点約240℃）であるはんだ４を用いて、はんだペーストの印刷厚みは2.0ｍｍとし、リフロー炉はピーク温度250℃×５分として、実施例１と同様にしてリードピン３を配線基板１の電極パッド２に接合した。リードピン３のピン部を挿入する治具の孔の深さがリードピン３のピン部の長さより短いものを用い、治具の重さによりリードピン３それぞれに対して0.008ｇ程度の荷重が加わるようにした。
【００４６】
接合後のはんだ４は、厚みが1.7ｍｍで最大径が0.7ｍｍの、側面が凸状の曲面となっており、リードピン３のネイルヘッド部の側面およびピン部側の面には這い上がっていなかった。
【００４７】
そして、実施例１と同様にして樹脂層５を形成して電子部品搭載用基板を形成した。樹脂層５は、配線基板１の一方主面の中央部に49.6ｍｍ×49.6ｍｍ×2.3ｍｍｔの寸法で形成した。
【００４８】
この電子部品搭載用基板を、リフロー炉内（ピーク温度：260℃×５分）を通過させた後、樹脂層５の表面の確認を行なったところ、はんだ４の樹脂層５の表面への流出は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一例を示す断面図および下面図である。
【図２】本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一例を示す要部を拡大した断面図である。
【図３】本発明の電子部品搭載用基板の実施の形態の一例を示す要部を拡大した断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ従来の電子部品搭載用基板の形態の一例を示す断面図および下面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・・配線基板
２・・・・電極パッド
３・・・・リードピン
４・・・・はんだ
５・・・・樹脂層
６・・・・配線導体
７・・・・電子部品
８・・・・絶縁膜
Ｄ１・・・・電極パッドの径
Ｄ２・・・・リードピンのネイルヘッド部の径
【図１】
0005058071.tif 000002
【図２】
0005058071.tif 000003
【図３】
0005058071.tif 000004
【図４】
0005058071.tif 000005