(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動基台と、
可動基台を所定範囲内で相対的に変位可能に保持したケースと、
外部から入力された電気信号に応じてケースに対して可動基台を変位させる駆動手段と、
それぞれ可動基台に連結され可動基台との連結部から離れた部位を可動基台との連結部に対して駆動手段による可動基台の動作方向に変位させるように弾性変形可能な少なくとも１個の接圧ばねと、
それぞれ接圧ばねにより可動基台に対して弾性的に変位可能に支持された少なくとも１個の可動接点基台と、
駆動手段による可動基台の動作方向に交差する方向に並べてケースに設けられた少なくとも一対の固定接点と、
それぞれ可動接点基台に設けられ駆動手段による可動基台の動作に伴って対をなす両固定接点に離接することにより対をなす固定接点間の電気的接続を入切する少なくとも１個の可動接点とを備え、
可動基台と各接圧ばねと各可動接点基台とは互いに共通の半導体基板から半導体プロセスにより一体に形成されたものであって、
可動基台には、それぞれケースの内面に当接してケースに対する可動基台の可動範囲を制限する少なくとも１個のストッパが設けられていて、
可動基台の各ストッパにおいて、それぞれ、ケースに当接する面には、素地と比較して耐磨耗性が高い金属からなる保護膜が設けられていて、
ストッパにおける素地とケースにおいてストッパに当接する部位の材料とのいずれよりも柔軟な材料からなる衝撃吸収層と、
衝撃吸収層の材料と比較して素地に対する反応性が低い材料からなり衝撃吸収層と素地との間に介在する密着層と、
衝撃吸収層の材料と比較してケースにおけるストッパに当接する部位の材料に対する反応性が低い材料からなり衝撃吸収層の上に積層されケースの内面に直接接触する保護層とを有する保護膜を備えることを特徴とするマイクロリレー。
【請求項２】
ケースにおいて少なくとも可動基台のストッパに当接する部位はガラスからなり、
保護膜において少なくともケースに当接する部位は白金族元素からなることを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【請求項３】
ケースにおいて少なくとも可動基台のストッパに当接する部位はガラスからなり、
保護膜において少なくともケースに当接する部位は金からなることを特徴とする請求項１記載のマイクロリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロリレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体プロセスによって製造されて外部から入力される電気信号により接点を開閉するマイクロリレーが提供されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この種のマイクロリレーとして、図３〜図７に示すようなものがある。以下、上下方向は図３を基準とし、図３の左上−右下方向を左右方向と呼び、図３の左下−右上方向を前後方向と呼ぶ。ただし、上記方向はあくまで説明の便宜上のものであり、実際の使用時の方向とは無関係である。
【０００４】
このマイクロリレーは、図３に示すように、シリコン基板をマイクロマシニング技術により加工して形成されるアーマチュア３０、アーマチュア３０により変位可能な可動接点３９、可動接点３９と接離する固定接点１４を、ボディ１とカバー４とアーマチュアブロック３で構成される密閉空間に収納し、電磁石装置２の電磁力でアーマチュア３０を駆動するものである。ボディ１は長手方向を左右方向とし厚さ方向を上下方向とした扁平な直方体形状のガラス基板からなり、上面の左右両端部それぞれに各一対の固定接点１４が設けられている。アーマチュアブロック３は、ボディ１の上面に固着される長方形枠状のフレーム部３１と、フレーム部３１の内側に配置されて４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に揺動自在に支持され、電磁石装置２が発生する電磁力により駆動されるアーマチュア３０と、アーマチュア３０にそれぞれ２本の接圧ばね部３５を介して支持されそれぞれ可動接点３９が設けられた２つの可動接点基台部３４とを有する。また、カバー４は長手方向を左右方向とし厚さ方向を上下方向とした扁平な直方体形状のガラス基板からなり、アーマチュアブロック３をボディ１との間に挟む形で周部がフレーム部３１の上面に固着される。すなわち、ボディ１とカバー４とフレーム部３１とで請求項におけるケースが構成されている。
【０００５】
電磁石装置２はヨーク２０に巻回されたコイル２２への励磁電流に応じて磁束を発生するものであり、後述するアーマチュア３０の磁性体部３０ｂとともに請求項における駆動手段を構成する。ヨーク２０は、長手方向を左右方向とし厚さ方向を上下方向とした扁平な直方体形状であって左右両端部にそれぞれ軸方向を左右方向としてコイル２２が直接巻回されたコイル巻回部２０ａと、コイル巻回部２０ａの左右両端部それぞれからアーマチュア３０に近づく向きである上向きに延設されコイル２２への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片２０ｂと、ヨーク２０の両脚片２０ｂの間でコイル巻回部２０ａの左右方向の中央部に重ねて配置された直方体形状の永久磁石２１と、厚さ方向を上下方向に向け長手方向を前後方向に向けた直方体形状であって永久磁石２１との間にヨーク２０を挟む形でコイル巻回部２０ａの下面に固着されたプリント基板２３とを備えている。なお、ヨーク２０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片２０ｂの断面が矩形状に形成されている。
【０００６】
永久磁石２１は、上下両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク２０のコイル巻回部２０ａに当接し、他方の磁極面がヨーク２０の両脚片２０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。
【０００７】
また、各コイル２２はそれぞれ、永久磁石２１とヨーク２０の脚片２０ｂとによって左右方向（つまり、コイル巻回部２０ａの長手方向）への移動が制限される。プリント基板２３は、図４に示すように、絶縁基板２３ａの下面（図４における上面）における前後方向（長手方向）の両端部に導電パターン２３ｂが形成されてなる。各導電パターン２３ｂ
にはコイル２２の一端ずつが接続されている。また、各導電パターン２３ｂは、コイル２２への通電用の外部回路が接続される端子ともなるものであり、表面実装される場合には各導電パターン２３ｂにはそれぞれ導電性材料（例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，半田など）からなるバンプ２４が適宜固着されるが、バンプ２４を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。
【０００８】
ボディ１は耐熱ガラスにより形成されており、図５（ａ）（ｂ）に示すように、中央部には厚さ方向である上下方向（図５（ｂ）での左右方向）に貫通し電磁石装置２を収納する収納孔１６が貫設され、長手方向である左右方向（図５（ａ）での上下方向）の両端部にはそれぞれ厚さ方向である上下方向に貫通する断面円形状のスルーホール１０が前後方向（図５（ａ）での左右方向）に並べて３個ずつ貫設されている。また、スルーホール１０の内周面には、導電性材料（例えば、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｕ，あるいはこれらの合金など）のめっきによりめっき層１０ａが形成されている。さらに、図４に示すようにボディ１の下面側（図４での上面側）では、各スルーホール１０に対してそれぞれ下側の開口を閉塞する形でめっき層１０ａにバンプ１３が固着されている。
【０００９】
各固定接点１４は、ボディ１の左右両端部においてそれぞれ対をなす固定接点１４同士が前後に並べて設けられており、それぞれ前後両端のスルーホール１０のうち１個ずつの上側の開口を閉塞している。また、ボディ１の左右両端部には、それぞれ前後方向に長い接地用導電パターン１８が設けられており、前後方向での中央の各スルーホール１０の上側の開口は、接地用導電パターン１８によって閉塞されている。各固定接点１４及び各接地用導電パターン１８は、それぞれ例えばめっきにより形成され、スルーホール１０内面に設けられためっき層１０ａを介して、１個ずつのバンプ１３と電気的に接続されている。
【００１０】
また、収納孔１６の開口面は十字状であって、ボディ１の上記一表面側には、収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７が固着されている。すなわち、電磁石装置２は、ヨーク２０の両脚片２０ｂの各先端面が蓋体１７と対向する形で収納孔１６に挿入される。電磁石装置２は、図４に示すようにボディ１の厚み寸法内で収まるように構成されており、プリント基板２３における絶縁基板２３ａの下面（図４での上面）がボディ１の下面と略面一となっている。
【００１１】
アーマチュアブロック３は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセスにより加工することによって形成されており、図６（ａ）（ｂ）に示すように、長方形枠状のフレーム部３１と、４本の支持ばね部３２と、フレーム部３１の内側に配置されアーマチュア３０の一部を構成する矩形板状の可動基台部３０ａと、それぞれ一端が可動基台部３０ａに連結された４本の接圧ばね３５と、可動基台部３０ａの左右両側にそれぞれ設けられ２本ずつの接圧ばね３５を介して可動基台部３０ａに対して上下に弾性的に変位可能に支持された２個の可動接点基台部３４とを有する。図７に示すように、可動基台部３０ａにおけるボディ１との対向面である下面（図７における上面）には、磁性体（例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど）からなり長手方向を左右方向に向けて厚さ方向を上下方向に向けた扁平な直方体形状の磁性体部３０ｂが固着されており、可動基台部３０ａと磁性体３０ｂとでアーマチュア３０が構成されている。すなわち、アーマチュア３０は、４本の支持ばね部３２を介してフレーム部３１に対して揺動自在に支持されている。なお、可動基台部３０ａはフレーム部３１よりも薄肉であり、アーマチュア３０の上下の寸法は、アーマチュアブロック３とボディ１とを固着した状態においてアーマチュア３０の下面（磁性体部３０ｂの下面）と蓋体１７の上面との間に隙間が形成されるように設定されている。
【００１２】
上述の支持ばね部３２は、可動基台部３０ａの前後両側で左右方向に離間して２箇所に形成されている。各支持ばね部３２は、一端部がフレーム部３１に連続一体に連結され他端部が可動基台部３０ａに連続一体に連結されている。なお、各支持ばね部３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア３０が揺動する際に各支持ばね部３２にかかる応力を分散させることができ、各支持ばね部３２が破損するのを防止することができる。
【００１３】
また、可動基台部３０ａの前後両面においてそれぞれ左右方向で支持ばね部３２に挟まれる中央部には矩形状の突片３６が前後方向の外向きに突設されており、フレーム部３１の内周面において突片３６に対応する部位からも矩形状の突片３７が前後方向の内向きに突設されている。すなわち、可動基台部３０ａの各突片３６はそれぞれフレーム部３１の１個ずつの突片３７と先端面同士を対向させている。さらに、可動基台部３０ａの各突片３６の先端面にはそれぞれ凸部３６ａが形成されており、フレーム部３１の各突片３７の先端面には、可動基台部３０ａの突片３６の凸部３６ａが入り込む凹部３７ａが形成されている。したがって、凸部３６ａが凹部３７ａの内周面に当接することで、フレーム部３１に対するアーマチュア３０の移動であって上下方向から見た面内における移動が制限される。
【００１４】
また各突片３６の下面にはそれぞれ支点突起４０が下方へ突設されており、これら一対の支点突起４０を設けることでアーマチュア３０の揺動動作をより安定させることができる。なお、支点突起４０においてボディ１に当接する先端面には、摩耗や割れあるいは欠けなどを低減するために、金属薄膜からなる保護膜４１が形成されている。
【００１５】
また、各可動接点基台部３４は、左右方向からアーマチュア３０を挟む配置でそれぞれアーマチュア３０とフレーム部３１との間に配置されている。各可動接点基台部３４において、ボディ１との対向面である下面には、それぞれ導電性材料からなる可動接点３９が固着されている。ここに、可動接点基台部３４は上述の２本の接圧ばね部３５を介して可動基台部３０ａに対して上下に弾性的に変位可能に支持されている。さらに、可動基台部３０ａの下面の４隅には、それぞれ、アーマチュア３０の変位量を制限するためのストッパ部３３が下方へ突設されている。すなわち、各ストッパ部３３の先端（下端）は磁性体部３０ｂの下面よりも下方に突出してボディ１の上記一表面と接触することによりアーマチュア３０の変位量を制限し、これによって接圧ばね部３５の破損が抑制される。また、各ストッパ部３３はそれぞれ上方から見て可動基台部３０ａにおいて接圧ばね部３５が連結された部位よりも前後方向（図６（ａ）の上下方向）に突出しており、上下方向から見た接圧ばね部３５の形状は、ストッパ部３３を避けたコ字状に形成されている。なお、上述の説明から分かるように、厳密に言えば、アーマチュアブロック３において共通の半導体基板から構成された部位は、磁性体部３０ｂを除く他の部位、すなわち、フレーム部３１、可動基台部３０ａ、支持ばね部３２、可動接点保持部３４、並びに、接圧ばね部３５である。
【００１６】
カバー４は耐熱ガラスにより構成されており、アーマチュアブロック３との対向面である下面にはアーマチュア３０の揺動空間を確保する凹所(図示せず)が形成されている。
【００１７】
次に、上記のマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。
【００１８】
上記のマイクロリレーの製造にあたっては、半導体基板たるシリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス（マイクロマシンニング技術）により加工してフレーム部３１、支持ばね部３２、接圧ばね部３５、可動接点基台部３４、アーマチュア３０の一部を構成する可動基台部３０ａを形成した後で可動基台部３０ａにおいてボディ１側となる一面に磁性体からなる磁性体部３０ｂを固着し且つ可動接点基台部３４に可動接点３９を固着することでアーマチュアブロック３を形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロック３とボディ１およびカバー４を陽極接合により固着することでボディ１とカバー４とアーマチュアブロック３のフレーム部３１とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でボディ１の収納部に電磁石装置２を収納してボディ１に固定する電磁石装置配設工程とを備えている。
【００１９】
ここにおいて、ボディ１の形成にあたっては、ボディ１となる扁平な直方体形状のガラス基板において、厚さ方向である上下方向から見た中央部に収納孔１６を厚さ方向に貫設するとともに、長手方向である左右方向の両端部においてそれぞれスルーホール１０を短手方向である前後方向に並べて３個ずつ形成した後、このガラス基板において固定接点１４を設けるべき表面（上面）に収納孔１６を覆う薄膜（例えば、シリコン薄膜、ガラス薄膜など）を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔１６の上側の開口を閉塞する蓋体１７を形成してから、ボディ１の一表面（上面）に導電材料を部分的にめっきすることでランド１２、固定接点１４、接地用導電パターン１８、めっき層１０ａを一体に形成すればよい。なお、収納孔１６はエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。
【００２０】
また、カバー４の形成にあたっては、カバー４となるガラス基板においてアーマチュア３０に向けられるべき一面（下面）に、エッチング法やサンドブラスト法などにより凹所を形成すればよい。そして、アーマチュアブロック３のフレーム部３１にボディ１及びカバー４を陽極接合することでボディ１とカバー４とフレーム部３１とで構成される空間を密閉すれば、マイクロリレーが完成する。
【００２１】
以下、上記のマイクロリレーの動作について説明する。
【００２２】
上記のマイクロリレーでは、コイル２２への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体部３０ｂの長手方向である左右方向の一端部がヨーク２０の一方の脚片２０ｂに吸引されてアーマチュア３０が短手方向である前後方向から見た面内で回動する形で揺動しアーマチュア３０の一方の可動接点基台部３４に固着された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４に接触導通する。つまり、前記一対の固定接点１４は、前記可動接点３９を介して電気的に接続される。このとき、固定接点１４に対する可動接点３９の接触圧は、接圧ばね部３５のばね力によって確保される。また、この状態で通電を停止しても、永久磁石２１の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。
【００２３】
また、コイル２２への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア３０の磁性体部３０ｂがヨーク２０の他方の脚片２０ｂに吸引されてアーマチュア３０が揺動しアーマチュア３０の他方の可動接点基台部３４に保持された可動接点３９が対向する一対の固定接点１４に接触導通する。上記と同様に、前記一対の固定接点１４は、前記可動接点３９を介して電気的に接続され、固定接点１４に対する可動接点３９の接触圧は、接圧ばね部３５のばね力によって確保される。また、この状態で通電を停止しても、永久磁石２１の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。
【００２４】
なお、上記のマイクロリレーは、永久磁石２１による磁性体部３０ｂの吸引力が支持ばね部３２による復帰力よりも強くなるように支持ばね部３２のばね定数が設定されていることにより上記のようなラッチング動作を行うが、永久磁石２１による磁性体部３０ｂの吸引力が支持ばね部３２による復帰力よりも弱くなるように支持ばね部３２のばね定数を設定し、コイル２２，２２への通電が停止されたときに各可動接点３９がそれぞれ固定接点１４から離れて両方の接点がそれぞれオフされるようにしてもよい。
【特許文献１】特開２００６−２１００８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
上記従来のマイクロリレーでは、動作時にストッパ３３がボディ１の上面（ケースの内面）に当接することにより、ストッパ３３やボディ１が磨耗し、発生した磨耗粉が可動接点３９と固定接点１４との間に入って接触不良の原因となる可能性があった。
【００２６】
本発明は、上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、磨耗が抑制されるマイクロリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
請求項１の発明は、可動基台と、可動基台を所定範囲内で相対的に変位可能に保持したケースと、外部から入力された電気信号に応じてケースに対して可動基台を変位させる駆動手段と、それぞれ可動基台に連結され可動基台との連結部から離れた部位を可動基台との連結部に対して駆動手段による可動基台の動作方向に変位させるように弾性変形可能な少なくとも１個の接圧ばねと、それぞれ接圧ばねにより可動基台に対して弾性的に変位可能に支持された少なくとも１個の可動接点基台と、駆動手段による可動基台の動作方向に交差する方向に並べてケースに設けられた少なくとも一対の固定接点と、それぞれ可動接点基台に設けられ駆動手段による可動基台の動作に伴って対をなす両固定接点に離接することにより対をなす固定接点間の電気的接続を入切する少なくとも１個の可動接点とを備え、可動基台と各接圧ばねと各可動接点基台とは互いに共通の半導体基板から半導体プロセスにより一体に形成されたものであって、可動基台には、それぞれケースの内面に当接してケースに対する可動基台の可動範囲を制限する少なくとも１個のストッパが設けられていて、可動基台の各ストッパにおいて、それぞれ、ケースに当接する面には、素地と比較して耐磨耗性が高い金属からなる保護膜が設けられていて、ストッパにおける素地とケースにおいてストッパに当接する部位の材料とのいずれよりも柔軟な材料からなる衝撃吸収層と、衝撃吸収層の材料と比較して素地に対する反応性が低い材料からなり衝撃吸収層と素地との間に介在する密着層と、衝撃吸収層の材料と比較してケースにおけるストッパに当接する部位の材料に対する反応性が低い材料からなり衝撃吸収層の上に積層されケースの内面に直接接触する保護層とを有する保護膜を備えることを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、保護膜により磨耗が抑制される。
【００３１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、ケースにおいて少なくとも可動基台のストッパに当接する部位はガラスからなり、保護膜はストッパのみに設けられ、保護膜において少なくともケースに当接する部位は白金族元素からなることを特徴とする。
【００３２】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、ケースにおいて少なくとも可動基台のストッパに当接する部位はガラスからなり、保護膜はストッパのみに設けられ、保護膜において少なくともケースに当接する部位は金からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、可動基台に設けられそれぞれケースの内面に当接してケースに対する可動基台の可動範囲を制限する各ストッパについて、それぞれ、ストッパとケースとの互いに当接する面の少なくとも一方には、素地と比較して耐磨耗性が高い材料からなる保護膜が設けられているので、保護膜により磨耗が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
本実施形態の基本構成は図３〜図７で示した従来例と共通であるので、共通する部分については同じ符号を付して図示並びに説明を省略する。
【００３６】
本実施形態は、図１に示すように、アーマチュアブロック３の可動基台部３０ａに設けられたストッパ３３においてボディ１に当接する面である先端面に保護膜３８が設けられていることを特徴とする。
【００３７】
保護膜３８は、素地上に形成された最下層である密着層３８ａと、密着層３８ａ上に積層された衝撃吸収層３８ｂと、衝撃吸収層３８ｂ上に積層された保護層３８ｃとからなる。保護膜３８の各層３８ａ〜３８ｃはそれぞれ例えば素地であるシリコンよりも耐磨耗性の高い材料である金属のスパッタやめっきによって形成することができる。
【００３８】
衝撃吸収層３８ｂは、ストッパ３３における素地（本実施形態ではシリコン）と、ケースにおいてストッパ３３が当接する部位であるボディ１を構成する材料（本実施形態ではガラス）とのいずれよりも柔軟な、すなわち硬度が前記材料のいずれよりも低く且つ破壊されない程度に靭性が高い材料からなる。衝撃吸収層３８ｂの材料としては、例えばアルミニウムや金や銀や銅を用いることができる。
【００３９】
密着層３８ａは、衝撃吸収層３８ｂの材料に比較して、素地に対する反応性が低く、且つ素地から剥離しにくい材料からなる。密着層３８ａの材料としては、具体的には例えばクロムやチタンを用いることができる。ここで、反応性が低いとは、化合や酸化還元反応といった化学反応を起こしにくいことに加え、原子の拡散も発生しにくいことを指す。
【００４０】
保護層３８ｃは、衝撃吸収層３８ｂの材料に比較して、ストッパ３３が当接する対象であるボディ１の材料（本実施形態ではガラス）に対する反応性が低い材料からなる。保護層３８ｃの材料としては、具体的には例えば、白金やルテニウムやロジウムなどの白金族元素や、金を用いることができる。なお、本実施形態のようにストッパ３３が当接する部位がガラスからなる場合であって衝撃吸収層３８ｂの材料として金を用いる場合、ガラスに対する金の反応性は十分に低いので、保護層３８ｃを省略してもよい。
【００４１】
また、衝撃吸収層３８ｂの材料は、密着層３８ａの材料や保護層３８ｃの材料に対する反応性が十分に低いものである必要がある。
【００４２】
ここで、発明者の実験によれば、上記のように金属からなりシリコン上に形成された保護膜３８の厚さは、素地であるシリコンから保護膜３８への不純物の拡散を防止するためには１．０μｍ以上とする必要があり、また、素地からの保護膜３８の剥離を防止するためには５０μｍ以下とする必要がある。
【００４３】
上記構成によれば、保護膜３８により、ストッパ３３の磨耗が抑制される。また、保護膜３８を構成する金属が、素地であるシリコンよりも柔軟であることにより、ボディ１の磨耗も抑制される。
【００４４】
さらに、ストッパ３３に保護膜３８を設ける代わりに、又は、ストッパに保護膜３８を設けるとともに、図２に示すようにボディ１においてストッパ３３が当接する部位に保護膜１１を設ければ、ボディ１の磨耗がより抑制される。この場合において、ボディ１に設けられる保護膜１１の材料としては、例えば、既に述べたようにガラスに対する反応性が低く、化学的に安定で酸化や組織変化等の劣化が発生しにくい金や白金を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態の要部を示す断面図である。
【図２】同上の別の形態の要部を示す断面図である。
【図３】マイクロリレーの一例を示す分解斜視図である。
【図４】同上を示す斜視図である。
【図５】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のボディを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’断面図である。
【図６】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のアーマチュアブロックを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は下面図である。
【図７】同上のアーマチュアブロックを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  ボディ
２  電磁石装置
４  カバー
１１  保護膜
１４  固定接点
３０ａ  可動基台部
３０ｂ  磁性体部
３１  フレーム部
３３  ストッパ
３４  可動接点基台部
３５  接圧ばね部
３８  保護膜
３８ａ  密着層
３８ｂ  衝撃吸収層
３８ｃ  保護層
３９  可動接点
【図１】
0004971969.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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