(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層からなり、表面、かかる表面に開口するキャビティ、複数の外側面、および裏面を備えたパッケージ本体と、
上記パッケージ本体の表面上で且つ上記キャビティの開口部に沿って形成されたワイヤーボンディング用の複数のパッドと、
上記キャビティの底面に形成された複数の電極パッドと、
上記キャビティの側面とパッケージ本体の外側面との間に形成され、且つ一部が該キャビティの内側に露出し、上記ワイヤーボンディング用のパッドと上記電極パッドとの間を導通する複数のビア導体と、を備える、
ことを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
少なくとも１つの前記外側面と前記キャビティの側面との間の幅は、０．４ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記ビア導体は、ベースとなる円形の直径または断面積の５〜９割である断面半円形あるいは円弧形であるか、ベースとなる長円形の短径または断面積の５〜９割である断面半長円形あるいは長円弧形である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記断面が半円形あるいは円弧形のビア導体におけるベースとなる円の直径は、０．１ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティの底面に電子部品を実装し且つ該電子部品と前記キャビティが開口する表面に設けたパッドとの間をボンディングワイヤーによって確実に導通させ得るパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における小型化の要請に応じるべく、セラミックからなる上部および下部絶縁層を積層して形成されるキャビティの底面に搭載した電子部品を確実に封止するため、上部絶縁層の外側面またはキャビティに面した内周面に断面が半円形の切り欠き部を形成し、かかる切り欠き部内に、上記キャビティの底面に設けたメタライズ導体層と、上部絶縁層の上面に被着形成され且つ蓋板と接合するための封止用メタライズ層との間を接続するメタライズ導体柱を埋設した電子部品搭載用基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１２０６０号公報（第１〜７頁、図１〜６）
【０００３】
ところで、前記特許文献１の電子部品搭載用基板と同様に、セラミックからなる枠形状の上部セラミック層と平板状の下部セラミック層とを積層して形成されるパッケージ本体と、かかる本体の表面に開口するキャビティとを備え、該キャビティの底面に実装される電子部品と、キャビティの開口部に沿ったパッケージ本体の表面に設けた表面側のパッドとの間を、ボンディングワイヤーによって導通させるパッケージがある。該パッケージでは、上記表面側のパッドとキャビティの底面に設けた底面側のパッドとの間を、パッケージ本体の側壁を該本体の厚み方向に沿って貫通するビア導体を介して電気的に接続している。
【０００４】
しかし、前記上部セラミック層を形成するセラミックとビア導体を形成する導体ペーストとの焼成収縮率の差によって、ビア導体の上端面が下向きに凹んだり、あるいは上向きの凸形になる場合がある。かかる凹・凸形の上端面がビア導体に形成されると、該ビア導体に接続される前記表面側のパッドにも同様な凹・凸形部分が形成される。かかる凹・凸形部分を有する表面側のパッドと、前記キャビティの底面に実装される電子部品とを、ボンディングワイヤーにて接続する場合、該ワイヤーの一端が上記凹形部分または凸形部分の付近に当たると、表面側のパッドに十分に打ち付け（ボンディング）られず、導通が不安定になる場合がある。
特に、小型化の要請に応じて、キャビティを囲むパッケージ本体の側壁の厚みが薄肉化されるに連れて、パッケージ本体の表面の幅が狭くなるため、かかる表面に形成される表面側のパッドにおける凹・凸形部分の占める面積が増大するため、上記ワイヤーの物理的な打ち付けが不十分になり易い。しかも、パッケージ本体の側壁の厚みが薄くなるに連れて、これを貫通するビア導体の付近には、製造時の焼成工程で、亀裂ないし割れが生じ易くなる、という問題もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、セラミックからなるパッケージ本体の表面に開口するキャビティの底面に電子部品が実装され、該電子部品と上記表面に設けたワイヤーボンディング用のパッドとの間を、ボンディングワイヤーを介して確実に導通させ得るパッケージを提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、前記キャビティを囲むパッケージ本体の側壁に形成すべきビア導体を、かかる側壁の厚み方向にて薄肉化し且つ一部をキャビティの内側に露出させて形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明のパッケージ（請求項１）は、複数のセラミック層からなり、表面、かかる表面に開口するキャビティ、複数の外側面、および裏面を備えたパッケージ本体と、かかるパッケージ本体の表面上で且つ上記キャビティの開口部に沿って形成されたワイヤーボンディング用の複数のパッドと、上記キャビティの底面に形成された複数の電極パッドと、上記キャビティの側面とパッケージ本体の外側面との間に形成され、且つ一部が該キャビティの内側に露出し、上記ワイヤーボンディング用のパッドと上記電極パッドとの間を導通する複数のビア導体と、を備える、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記キャビティの側面とパッケージ本体の外側面との間に形成されるビア導体は、その一部が該キャビティの内側に露出した状態で、前記ワイヤーボンディング用のパッドと前記電極パッドとの間を導通している。このため、かかるビア導体の上端面に前記凹・凸部分が形成され、且つかかるビア導体と接続されるワイヤーボンディング用のパッドの表面にも同様な凹・凸部分が生じても、かかる凹・凸部分を除く該パッドで外側面寄りの平坦な表面に対して、キャビティの底面に実装される電子部品と接続されたボンディングワイヤーの一端を、物理的に十分な打ち付け（ボンディング）を行うことができる。
従って、パッケージ本体の小型化に応じて、キャビティの側面とパッケージ本体の外側面との間（側壁）が薄肉化されても、実装する電子部品とワイヤーボンディング用のパッドとを電気的に確実に接続できると共に、かかるパッドおよび上記ビア導体などを介して、外部との電気的接続を成さしめることも確実に行える。
【０００８】
尚、前記セラミック層のセラミックには、アルミナなどの高温焼成セラミック、あるいは、ガラス成分を約５０ｗｔ％程度含む低温焼成セラミックが含まれる。
また、前記ワイヤーボンディング用のパッドや電極パッドなどの導体には、前記セラミック層のセラミックが高温焼成セラミックからなる場合にぱ、ＷやＭｏなどが用いられ、低温焼成セラミックの場合には、ＡｇやＣｕなどが用いられる。
更に、前記ワイヤーボンディング用のパッドは、例えば、平面視がほぼ矩形（正方形または長方形）を呈し、前記電極パッドは、同様な矩形を呈する形態のほか、平面視がほぼ長円形、あるいはほぼ楕円形を呈する形態も含む。
加えて、前記パッケージ本体の裏面には、外部接続用のパッドなどが形成され、かかるパッドなどと前記電極パッドとの間は、上記裏面とキャビティの底面とを形成する下層側のセラミック層を貫通するビア導体を介して電気的に接続される。
【０００９】
また、本発明には、少なくとも１つの前記外側面と前記キャビティの側面との間の幅は、０．４ｍｍ以下である、パッケージ（請求項２）も含まれる。
これによれば、小型化の要請に応じて前記パッケージ本体の外側面と前記キャビティの側面との間に位置する側壁の幅が、０．４ｍｍ以下の薄肉となっても、一部がキャビティの内側に露出するビア導体を厚み方向に沿って容易に配設することが可能となる。その結果、該ビア導体の上端面に前記凹・凸部分が生じ、且つこれに伴ってワイヤーボンディング用のパッドの表面にも相似形の凹・凸部分が形成されても、これを除いた外側面寄りの該パッドの表面で、キャビティに実装される電子部品に接続されたワイヤーと確実にボンディングすることが可能となる。
尚、前記パッケージ本体の外側面とキャビティの側面との間の幅を、０．４ｍｍ以下としたのは、かかる幅が０．４ｍｍを超えると、一部をキャビティの内側に露出させずに、全体を前記幅間（側壁）のセラミック層に埋設し得るためである。かかる幅の下限は、約０．２０ｍｍ〜０．１５ｍｍである。
【００１０】
更に、本発明には、前記ビア導体は、ベースとなる円形の直径または断面積の５〜９割である断面半円形あるいは円弧形であるか、ベースとなる長円形の短径または断面積の５〜９割である断面ほぼ半長円形あるいは長円弧形である、パッケージ（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記パッケージ本体の外側面と前記キャビティの側面との間に位置する側壁の幅が、０．４ｍｍ以下の薄肉になっても、かかる幅内にベースとなる円形の直径または断面積の５〜９割である断面半円形あるいは円弧形のビア導体、あるいは、ベースとなる長円形の短径または断面積の５〜９割である断面半長円形あるいは長円弧形のビア導体を、一部をキャビティの内側に露出させつつ、確実に配設することが可能となる。
尚、前記円形の直径や長円形の短径、あるいは、かかる円形や長円形の断面積の５割未満のビア導体では、その断面積が過少となって電気抵抗が高くなるおそれがある。一方、上記直径や短径あるいは前記断面積の９割超のビア導体では、断面積が過大となり、前記外側面とキャビティの側面との間に形成したビアホールに充填した導電性ペーストによって、製造時の焼成工程でセラミック層の側壁に亀裂ないし割れを生じおそれがある。これらのため、前記範囲を設定したものである。かかる直径や短径、あるいは前記断面積の望ましい範囲は、５〜８割、より望ましくは５〜７割である。
【００１１】
加えて、本発明には、前記断面が半円形あるいは円弧形のビア導体におけるベースとなる円の直径は、０．１ｍｍ以下である、パッケージ（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記パッケージ本体の外側面と前記キャビティの側面との間に位置する側壁の幅が、０．４ｍｍ以下の薄肉となっても、一部をキャビティの内側に露出させつつ、前記ワイヤーボンディング用のパッドと電極パッドとを電気的に接続できるビア導体を確実に配設することが可能となる。
尚、前記直径が０．１ｍｍを越えると、形成されるビア導体の断面における前記外側面とキャビティの側面との間に沿った寸法が過長（過大）となって、製造時の焼成工程でセラミック層に亀裂ないし割れを生じるおそれがあるため、かかる範囲を除外したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態のパッケージ１ａを示す斜視図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中の一点鎖線部分Ｙの部分拡大図である。
パッケージ１ａは、図１，図２に示すように、上下２層（複数）のセラミック層ｓ１，ｓ２からなり、平面視が長方形（矩形）の表面３、裏面４、および四辺（複数）の外側面５を備えたパッケージ本体２と、かかるパッケージ本体２の表面３に開口し、四辺の側面７および底面８を有するキャビティ６と、を含んでいる。尚、上記パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７とに挟まれた側壁ごとの幅（厚み）ｔは、何れも０．４ｍｍ以下である。
また、前記セラミック層ｓ１，ｓ２は、例えば、アルミナを主成分とする高温焼成セラミックからなる。
【００１３】
図１，図２に示すように、外側面５とキャビティ６の側面７とに挟まれた前記パッケージ本体２の表面３上には、キャビティ６の開口部に沿って、平面視が矩形である複数のワイヤーボンディング用のパッド９が形成されている。また、キャビティ６の底面８には、各側面７に沿い且つ上記パッド９ごとのほぼ真下の位置に複数の電極パッド１０が形成されている。更に、パッケージ本体２の外側面３とキャビティ６の側面７との間には、上記パッド９，１０と上・下端で個別に導通し、且つ細長い長方形を呈する一部ｈｆをキャビティ６の内側に露出させたビア導体ｖ１が、パッケージ本体２の厚み方に沿って複数個形成されている。
図２に示すように、パッケージ本体２の裏面４の周辺には、複数の外部接続用のパッド（ＬＧＡパッド）１２が形成され、かかるパッド１２と前記電極パッド１０とは、セラミック層ｓ２を貫通するビア導体ｖ３を介して、導通されている。
尚、上記パッド９，１０，１２やビア導体ｖ１，ｖ３は、ＷまたはＭｏなどからなる。
【００１４】
図４は、パッケージ本体２の表面３から複数のワイヤーボンディング用のパッド９を除去した状態を示すパッケージ１ａの斜視図である。
図４に示すように、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７と挟まれた矩形枠状の表面３には、断面が円弧形のビア導体ｖ１の上端面が露出している。かかるビア導体ｖ１は、ベースとなるほぼ円形の直径ｄに対し、外側面５とキャビティ６の側面７との間に沿った内外方向の断面の長さが上記直径ｄの７〜９割である。あるいは、該ビア導体ｖ１の断面積は、ベースとなるほぼ円形の断面積の７〜９割としても良い。
尚、上記直径ｄは、０．１ｍｍ以下であるため、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７との間に沿った内外方向におけるビア導体ｖ１の断面の長さは、約０．０７〜０．０９ｍｍ以下である。
【００１５】
図２中の一点鎖線で示すように、キャビティ６の底面８には、追って電子部品ｃが樹脂またはハンダ（図示せず）などを介して実装され、かかる電子部品ｃにおける複数の電極（図示せず）と、複数のワイヤーボンディング用のパッド９とが、図２中の二点鎖線で示すボンディングワイヤーｗを介して、個別に接続・導通される。
尚、上記電子部品ｃは、例えば、半導体素子、発光素子、あるいは受光素子などであり、上記ボンディングワイヤーｗは、極細径のＡｕ線である。
【００１６】
ところで、前記ビア導体ｖ１の上端面は、図３に示すように、セラミック層ｓ１のセラミックおよび該ビア導体ｖ１のＷなど材料やそれらの特性（例えば、焼成収縮率）などに起因して、裏面４側の下向きに凹み、かかる凹みに伴ってワイヤーボンディング用のパット９のキャビティ６側にも、ほぼ相似形の凹部ｈが形成される場合がある。尚、上記特性などに起因して、ビア導体ｖ１の上端面に上向きの凸部が形成され、かかる凸部に伴ってパット９のキャビティ６側にほぼ相似形の凸部が形成される場合もある。
上記凹みあるいは凸部を含むビア導体ｖ１の最外側部分は、ワイヤーボンディング用のパッド９において、パッケージ本体２の外側面５およびキャビティ６の側面７と直交する内外方向に沿った長さのうち、その中間位置よりもキャビティ６の側面７寄りに位置している。
【００１７】
このため、図３に示すように、キャビティ６の底面８に実装された電子部品ｃに他端が接続されたボンディングワイヤーｗの一端を、ワイヤーボンディング用のパット９の表面におけるパッケージ本体２の外側面５に比較的近接した位置において、物理的に確実に打ち付け（ボンディング）て接続することができる。その結果、電子部品ｃは、上記ワイヤーｗ、パッド９、ビア導体ｖ１、電極パッド１０、ビア導体ｖ３を介して、裏面４側のパッド１２と導通可能となり、かかるパッド１２を介して、当該パッケージ１ａ自体を搭載する図示しないプリント基板などのマザーボードとも電気的に接続される。
【００１８】
以上のようなパッケージ１ａによれば、ビア導体ｖ１は、その一部ｖｆがキャビティ６の内側に露出した状態で、前記ワイヤーボンディング用のパッド９と前記電極パッド１０との間を導通している。このため、かかるビア導体ｖ１の上端面に前記凹みまたは凸部が形成され、且つ該ビア導体ｖ１と接続される上記パッド９の表面にも凹部ｈまたは凸部が生じても、かかる凹部ｈまたは凸部を除く該パッド９における外側面５寄りの平坦な表面に対して、キャビティ６の底面８に実装される電子部品ｃと接続されたボンディングワイヤーｗの一端を、物理的に十分に打ち付け（ボンディング）ることができる。
従って、パッケージ本体２の小型化に応じて、キャビティ６の側面７とパッケージ本体２の外側面５との間が薄肉化されても、実装される電子部品ｃとワイヤーボンディング用のパッド９とを電気的に確実に接続でき、該パッド９やビア導体ｖ１などを介して、外部との電気的接続を成さしめることも確実に行える。
【００１９】
図５は、異なる形態のパッケージ１ｂを示す斜視図、図６は、かかるパッケージ１ｂにおいて、その表面３から複数のワイヤーボンディング用のパッド９を除去した状態を示すパッケージ１ａの斜視図である。
パッケージ１ｂは、図５，図６に示すように、前記同様のセラミック層ｓ１，ｓ２からなり、平面視が長方形の表面３、裏面４、および四辺の外側面５を備えたパッケージ本体２と、かかるパッケージ本体２の表面３に開口し、四辺の側面７および底面８を有するキャビティ６と、を含んでいる。パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７との間の幅ｔは、何れも０．４ｍｍ以下である。
外側面５とキャビティ６の側面７とに挟まれたパッケージ本体２の表面３上には、キャビティ６の開口部に沿って、平面視が矩形のワイヤーボンディング用のパッド９が複数形成されている。
【００２０】
また、図５，図６に示すように、キャビティ６の底面８には、側面７ごとに沿い且つ上記パッド９ごとのほぼ真下の位置に複数の電極パッド１０が形成されている。更に、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７との間には、上記パッド９，１０と上・下端で個別に導通し、且つ長方形を呈する一部ｈｆをキャビティ６の内側に露出させたビア導体ｖ２が、パッケージ本体２の厚み方に沿って複数個形成されている。尚、キャビティ６内に露出するビア導体ｖ２の一部ｈｆの幅は、上記パッド９，１０の幅と同様である。
パッケージ本体２の裏面４の周辺には、外部接続用である前記パッド１２と同様のパッド（図示せず）が複数個形成され、かかるパッドと前記電極パッド１０とは、裏面４および底面８を形成するセラミック層ｓ２を貫通する前記ビア導体ｖ３と同様のビア導体（図示せず）を介して、導通されている。
【００２１】
図６に示すように、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７と挟まれた矩形枠状の表面３には、断面がほぼ半円形のビア導体ｖ２の上端面が露出している。かかるビア導体ｖ２は、ベースとなるほぼ円形の直径ｄに対し、外側面５とキャビティ６の側面７との間に沿った内外方向の断面の長さが上記直径ｄの約５割であり、且つ上記円形の断面積の約５割である。
尚、上記直径ｄは、０．１ｍｍ以下であるため、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７と直交する内外方向に沿ったビア導体ｖ２の断面の長さは、約０．０５ｍｍ以下である。
【００２２】
前記同様に、キャビティ６の底面８には、追って前記電子部品ｃがハンダなどを介して実装され、かかる電子部品ｃにおける複数の電極と、複数のワイヤーボンディング用のパッド９とが、前記ボンディングワイヤーｗを介して、個別に接続・導通される。
前記セラミック層ｓ１のセラミックおよびビア導体ｖ２のＷなどの特性などに起因して、下向きに凹み、かかる凹みに伴ってワイヤーボンディング用のパット９のキャビティ６側にも、ほぼ相似形の前記凹部ｈが形成されたり、ビア導体ｖ２の上端面に上向きの凸部が形成され、かかる凸部に伴ってパット９のキャビティ６側にほぼ相似形の凸部が形成される場合がある。
【００２３】
上記凹みまたは凸部を含むビア導体ｖ２の最外側部分は、ワイヤーボンディング用のパット９において、パッケージ本体２の外側面５とキャビティ６の側面７と直交する内外方向において、キャビティ６の側面７の近くに位置している。
このため、前記同様に、キャビティ６の底面８に実装された電子部品ｃに他端が接続されたボンディングワイヤーｗの一端を、ワイヤーボンディング用のパット９の表面におけるパッケージ本体２の外側面５に比較的近い位置において、物理的に確実に打ち付け（ボンディング）て接続できる。その結果、電子部品ｃは、上記ワイヤーｗ、パッド９、ビア導体ｖ２、電極パッド１０、ビア導体（ｖ３）、および裏面４側のパッド（１２）を介して、当該パッケージ１ｂ自体を搭載する図示しないプリント基板などのマザーボードとも電気的に接続される。
【００２４】
以上のようなパッケージ１ｂによれば、ビア導体ｖ２は、その一部ｖｆがキャビティ６の内側に露出した状態で、ワイヤーボンディング用のパッド９と前記電極パッド１０との間を導通している。そのため、該ビア導体ｖ２の上端面に前記凹みまたは凸部が形成され、且つ該ビア導体ｖ２と接続される上記パッド９の表面にも凹部ｈまたは凸部が生じても、該凹部ｈまたは凸部を除く該パッド９における外側面５寄りの平坦な表面において、キャビティ６の底面８に実装した電子部品ｃと接続されたボンディングワイヤーｗの一端を、十分にボンディングすることができる。
従って、パッケージ本体２の小型化し、キャビティ６の側面７とパッケージ本体２の外側面５との間を薄肉化しても、実装する電子部品ｃとワイヤーボンディング用のパッド９とを電気的に確実に接続でき、該パッド９およびビア導体ｖ２などを介して、外部との電気的接続を成さしめることも確実に行える。
【００２５】
図７は、前記パッケージ１ｂの応用形態であるパッケージ１ｃを示す平面図であり、図示で上半部に配置すべきワイヤーボンディング用のパッド９を省略してある。
パッケージ１ｃは、図７に示すように、前記同様のセラミック層ｓ１，ｓ２からなり、平面視が長方形の表面３、裏面４、および四辺の外側面５を備えたパッケージ本体２ｃと、該パッケージ本体２ｃの表面３に開口し、四辺の側面７および底面８を有するキャビティ６と、を含んでいる。図７において、パッケージ本体２ｃにおける上・下辺および左辺の外側面５とキャビティ６の側面７との間（側壁）の幅ｔは、０．４ｍｍ以下であるが、右辺の外側面５とキャビティ６の側面７との間に挟まれた表面３ｃの幅は、約１ｍｍである。
【００２６】
図７において、パッケージ本体２ｃにおける上・下辺および左辺の表面３上には、キャビティ６の開口部に沿って、平面視がほぼ正方形のワイヤーボンディング用のパッド９が複数形成され、右辺の表面３ｃ上には、キャビティ６の開口部に沿って、平面視がほぼ長方形のパッド９が形成されている。
前記同様に、キャビティ６の底面８には、側面７ごとに沿い且つ上記パッド９ごとのほぼ真下の位置に複数の電極パッド１０が形成されている。
また、図７に示すように、パッケージ本体２ｃにおける上・下辺および左辺の外側面５とキャビティ６の側面７との間には、前記同様のビア導体ｖ２が、一部ｖｆを露出させて、パッケージ本体２の厚み方に沿って形成されている。
一方、パッケージ本体２ｃにおける右辺の外側面５とキャビティ６の側面７とのほぼ中間には、セラミック層ｓ１の側壁を貫通するビア導体ｖが複数個埋設され、かかるビア導体ｖの下端面は、前記電極パッド１０の最外側部分と接続されている。
更に、パッケージ本体２ｃの裏面４には、前記同様の外部接続用のパッドが形成され、該パッドと前記電極パッド１０とは、裏面４を形成するセラミック層ｓ２を貫通する前記同様のビア導体を介して導通されている。
【００２７】
以上のようなパッケージ１ｃによっても、各ビア導体ｖ２は、その一部ｖｆがキャビティ６の内側に露出した状態で、ワイヤーボンディング用のパッド９と前記電極パッド１０との間を導通している。そのため、該ビア導体ｖ２の上端面に前記凹みまたは凸部が形成され、且つ該ビア導体ｖ２と接続される上記パッド９の表面にも凹部ｈまたは凸部が生じても、これらを除く該パッド９における外側面５寄りの平坦な表面において、キャビティ６の底面８に実装した電子部品ｃと接続されたボンディングワイヤーｗの一端を、十分なボンディングすることができる。一方、表面３ｃ上のパッド９は、ビア導体ｖの上端面に形成される前記凹みまたは凸部に伴って、その表面にも凹部ｈまたは凸部が生じても、これらを除く該パッド９におけるキャビティ６の側面７寄りの表面において、十分なワイヤーボンディングを行うことができる。
尚、パッケージ１ｃは、全てのビア導体ｖ２に替えて前記ビア導体ｖ１を用いた形態としたり、これらのビア導体ｖ１，ｖ２の一方または双方を、パッケージ本体２ｃにおける何れか一辺または二辺に沿って形成した形態としても良い。
【００２８】
以下において、前記パッケージ１ｂの製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、所要の有機バインダ、および溶剤などを、所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを製作し、これをドクターブレード法によって、シート状を呈する複数のグリーンシートＳ１，Ｓ２に成形した。
次に、上記グリーンシートＳ１，Ｓ２における所定の位置ごとに、打ち抜き加工を施し、図８に示すように、平面視でほぼ矩形枠状の位置に沿って、断面が円形のビアホールｖｈを複数個穿孔した。次いで、かかるビアホールｖｈごとに、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填し、図９に示すように、未焼成のビア導体ｖｂ，ｖ３を形成した。
【００２９】
更に、グリーンシートＳ１に対して、ビア導体ｖｂごとの中心軸をつないだ平面視が矩形の切断予定面ｃに沿って、打ち抜き加工を施して、図１０の断面図で模式的に示すように、平面視が矩形枠状を呈するように、矩形の打ち抜き孔ｐｈを形成し、且つ前記各ビア導体ｖｂを断面がほぼ半円形のビア導体ｖ２とした。
次に、グリーンシートＳ１，Ｓ２の表面とグリーンシートＳ２の裏面とに、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図１１に示すように、所要のパターンを有する未焼成のパッド９，１０，１２を形成した。これらは、前記ビア導体ｖ２，ｖ３の一方と接続されている。
そして、以上のようなグリーンシートＳ１，Ｓ２を厚み方向に沿って積層・圧着した。その結果、図１２に示すように、グリーンシートＳ１，Ｓ２からなり、表面３、裏面４、および外側面５を有する未焼成のパッケージ本体２と、その表面に３に開口し、側面７および底面８からなるキャビティ６とを、備えた未焼成のパッケージ１ｂが形成された。
【００３０】
その後、上記パッケージ１ｂを所定の温度帯で焼成した結果、前記図５，図６で示した焼成後のセラミック層ｓ１，ｓ２を含むパッケージ１ｂが得られた。
尚、前記打ち抜き孔ｐｈを形成する際の切断予定面ｃの位置を、前記グリーンシートＳ１の僅かに中央側に変更することで、前記パッケージ１ａを製造するも可能である。
また、前記打ち抜き孔ｐｈを形成する際の切断予定面ｃにおける一辺の位置を前記グリーンシートＳ１の中央側に変更することで、前記パッケージ１ｃを製造するも可能である。
更に、以上の前記パッケージ１ａ〜１ｃの製造方法は、多数個取りのプロセスによって行うこともできる。
【００３１】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層のセラミックは、アルミナに限らず、ムライトや窒化アルミニウムとしたり、ガラス成分を約５０ｗｔ％含むガラス−セラミックのような低温焼成セラミックとしても良い。
また、前記パッケージ本体２，２ｃを形成するセラミック層は、前記キャビティ６を囲む上層側を２層以上としたり、更にキャビティ６の底面８とパッケージ本体２，２ｃの裏面４との間の下層側も２層以上のセラミック層としても良い。
更に、前記パッケージ本体２，２ｃやキャビティ６は、平面視がほぼ正方形を呈する形態としても良い。
また、ボンディングワイヤー用のパッドと電極パッドとを接続し、一部がキャビティの内側に露出する前記ビア導体は、断面がほぼ長円形で且つその短径、または断面積の５〜９割である断面ほぼ半長円形あるいは長円弧形としても良い。
更に、ボンディングワイヤー用のパッドは、平面視が矩形に限らず、例えば、パッケージ本体における各コーナ付近に近接するパッドを、平面視でほぼ平行四辺形や菱形などにしても良い。
加えて、２個以上のキャビティを併設して表面に開口させたパッケージ本体としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明における一形態のパッケージを示す斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図３】図２中の一点鎖線部分Ｙの部分拡大図。
【図４】上記パッケージでワイヤーボンディング用のパッドを除去した状態を示す斜視図。
【図５】本発明における異なる形態のパッケージを示す斜視図。
【図６】上記パッケージでワイヤーボンディング用のパッドを除去した状態を示す斜視図。
【図７】上記パッケージの応用形態の概略を示す平面図。
【図８】図５，６のパッケージの一製造工程の概略を示す概略図。
【図９】図８に続く製造工程の概略を示す概略図。
【図１０】図９に続く製造工程の概略を示す概略図。
【図１１】図１０に続く製造工程の概略を示す概略図。
【図１２】図１１に続く製造工程の概略を示す概略図。
【符号の説明】
【００３３】
１ａ〜１ｃ…パッケージ
２，２ｃ……パッケージ本体
３……………表面
４……………裏面
５……………外側面
６……………キャビティ
７……………側面
８……………底面
９……………ワイヤーボンディング用のパッド
１０…………電極パッド
ｓ１，ｓ２…セラミック層
ｖ１，ｖ２…ビア導体
ｖｆ…………ビア導体の一部
ｔ……………幅
ｄ……………直径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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