(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージにおいて、
円形の固定ハウジングと、該固定ハウジングの内側において回転可能に設置されてその中心部で吸着通路を形成すると共に底部の真空ポートと連結され、外側の回転力によって回転する吸着プレートと、該吸着プレートを駆動するために前記固定ハウジングの底部に設置され、前記吸着プレートに接続されるステップモーターから成るステージ本体；
該ステージ本体の固定ハウジングの下部空間を形成するように柱で支えられるベースプレート；
該ベースプレートが上下移動するようにその底部でシリンダーロッドに連結されるシリンダー；および
前記ステージ本体の外側でウエーハを支える複数のジグを含み、
前記ジグはサイズの異なるウエーハを区別して支えることが可能な第１突条部と第２突条部とを有し、
前記第１突条部と前記第２突条部とは、それぞれ、ウエーハの積載有無を検出するためのセンサーを備え、前記第１突条部のセンサーによる検出結果と前記第２突条部のセンサーによる検出結果とに基づいて、積載されるウエーハのサイズを区別することを特徴とする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
【請求項２】
前記吸着プレートはその外側にステップモーターで駆動される回転体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
【請求項３】
前記ジグは１２インチウエーハと８インチウエーハとを兼ねて支えるように第１突条部と第２突条部から成ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
【請求項４】
前記固定ハウジングは回転体の回転有無を検出するセンサーをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエーハの汚染物質を測定する装置に係るもので、特に、汚染物質を捕集するためにウエーハ表面をスキャンする場合にウエーハをローディングし、回転させるスキャンステージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス（Ｄｅｖｉｃｅ）が高集積化されながら半導体製造ライン及び製造工程上で発生する色々な汚染物質はウエーハ表面に吸着されて半導体デバイスの性能及び収率に影響を及ぼしている。
【０００３】
このため、ウエーハ表面の汚染物質の分析工程は半導体デバイス製造において大事であり、これを解決するために従来は各半導体製造ライン及び各製造工程の間に所定ウエーハを選択した後、この選択されたウエーハ表面をスキャニングしてウエーハ表面の汚染物質分析のための汚染物質サンプルを捕集し、これを原子吸光分析（Ａｔｏｍｉｃ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、誘導結合質量分析（ＩＣＰ−ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等の破壊分析法や全反射蛍光Ｘ線分析（Ｔｏｔａｌ  Ｘ−ｒａｙ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  ａｎａｌｙｚｅｒ）のような非破壊分析法で分析している。
【０００４】
すなわち、従来は各製造ライン及び各製造工程で所定のウエーハを選択した後、このウエーハ表面の汚染物質を捕集する前に正確な汚染物質捕集のためにこのウエーハ表面をコーティング（Ｃｏａｔｉｎｇ）している酸化膜（Ｏｘｉｄｅ）を先に除去しなければならなく、これは気相分解装置（Ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）により実現された。
【０００５】
かかる気相分解装置は工程が進行される工程チャンバー（Ｃｈａｍｂｅｒ）と、チャンバー内にウエーハがローディング（Ｌｏａｄｉｎｇ）されるローディングプレート（Ｌｏａｄｉｎｇ  ｐｌａｔｅ）と、ウエーハ表面をコーティングしている酸化膜を分解させるためのフッ酸（ＨＦ；ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ  ａｃｉｄ）が盛られた容器から構成されて、ウエーハが工程チャンバーに設置されたローディングプレートに移送されると、このウエーハが一定時間工程チャンバー内に安着されるようにして容器から自然増発したフッ酸蒸気によってウエーハ表面をコーティングしていた酸化膜が全部分解されるようにする。
【０００６】
以後、ユーザー（Ｕｓｅｒ）はウエーハを工程チャンバーから取り出した後、ウエーハ表面上にスキャニング溶液を落とし、ユーザーが直接マニュアル（Ｍａｎｕａｌ）でウエーハ表面をスキャニング溶液でスキャニングしてウエーハ表面の汚染分析のための汚染物質サンプルを捕集した。
【０００７】
かかる半導体ウエーハ汚染物質測定装置としては特許第１０−０３８３２６４号が知られている。この半導体ウエーハの汚染物質捕集装置は全体的に工程チャンバー、移送ユニット、ローダー部、気相分解ユニット、スキャニングユニット、ドライユニット、アンローダー部及び汚染物質捕集装置を全般的に制御する中央制御ユニットから構成される。
【０００８】
この時、移送ユニット、ローダー部、気相分解ユニット、スキャニングユニット、ドライユニット及びアンローダー部は工程チャンバー内に設置されるが、移送ユニットをセンター（Ｃｅｎｔｅｒ）にして、ローダー部とアンローダー部が夫々始点と終点になる半円状に設置される。ここで、気相分解ユニット、スキャニングユニット、そしてドライユニットは順次的にローダー部とアンローダー部の間に設置される。
【０００９】
添付図面のうち図８は従来の半導体ウエーハの汚染物質捕集装置の全体を概略的に示す図である。
【００１０】
この図面に示すように、半導体製造ラインおよび製造工程においてウエーハの汚染程度を分析するために任意のウエーハが選択されると、ユーザーはこのウエーハを汚染物質捕集装置の工程チャンバー内に位置したローダー部に移送する。
【００１１】
以後、ユーザーが工程チャンバーを密閉させた後、汚染物質捕集装置を稼動すると、移送ユニットはローダー部に位置したウエーハを気相分解ユニットのローディングプレートに移送させて、気相分解ユニットはローディングプレートに移送されたウエーハを密閉させた後、フッ酸の蒸気を利用してウエーハ表面にコーティングされた酸化膜を分解させる。
【００１２】
次いで、ウエーハ表面にコーティングされた酸化膜の分解が完了すると、移送ユニットはまた気相分解ユニットに位置したウエーハをスキャニングユニットのウエーハアライナに移送させる。
【００１３】
以後、ウエーハアライナはアラインハンドを利用して移送されたウエーハの位置を正確に整列させると同時に、スキャニングアームはノズルトレイ位置に回転してノズルトレイに備えられたノズルを挿入した後、ノズルトレイの中央に設置されたスキャニング溶液ボトルでスキャニング溶液を所定量だけ吸入してウエーハの上部に移動した後、ゆっくりウエーハの中央に接近する。
【００１４】
次いで、スキャニングアームはウエーハセンターとスキャニングアームに挿入されたノズルがほとんど触れようとする時に接近を中止し、接近が中止すると、ポンプはスキャニングアームのポンピング流路を通してノズルに吸入されたスキャニング溶液の一部をウエーハ表面に排出してノズルの下段部とウエーハ表面の間にスキャニング溶液が水滴状に凝集されるようにする。
【００１５】
以後、スキャニングアームに挿入されたノズルの下段部にスキャニング溶液が水滴状に凝集されてウエーハ表面と接触すると、ウエーハアライナはウエーハをゆっくり一方向に回転させて、スキャニングアームはノズルの下段部、すなわち、スキャニング溶液がウエーハ表面と接触した部分を一側方向にゆっくり移動させる。この時、ウエーハ表面の汚染物質は外部に露出されたスキャニング溶液と接触することでスキャニング溶液内に吸収されることはもちろんである。
【００１６】
この時、スキャニングアームはスキャニングアームが一度動く時にウエーハが一回りし、スキャニングアームがもう一度動くと、ウエーハがまた一回りするステップバイステップ（Ｓｔｅｐ  ｂｙ  ｓｔｅｐ）でウエーハをスキャニングする。このように、スキャニング溶液がノズルの下段部から離脱することなく、ウエーハのスキャニングが完了すると、ウエーハアライナは回転を止めるようになってスキャニングユニットも移動を止めるようになり、ポンプはポンピング流路を利用してウエーハをスキャニングしたスキャニング溶液を全部ノズル内に吸入する。
【００１７】
スキャニングアームはユーザーの選択によって二つの方法で動作するが、ユーザーがウエーハを原子吸光分析で分析しようとする場合、スキャニングアームはサンプリングコップトレイに回転してサンプリングコップにウエーハをスキャニングした汚染物質サンプルを全部排出する。排出が完了するとスキャニングアームは、再び回転してノズルがノズルボトルの上部に位置するようにした後、スキャニングアームに設置されたノズル離脱手段を利用してスキャニングアームに挿入されたノズルがスキャニングアームから離脱してノズルボトルに落ちるようにする。
【００１８】
その後、ウエーハは移送ユニットによってアンローダー部に移送されると同時に外部にアンロードされ、汚染物質の捕集工程は終了する。ただし、ユーザーがウエーハを全反射蛍光Ｘ線分析で分析しようとする場合、スキャニングユニットはウエーハをスキャニングした汚染物質サンプルをウエーハ表面のセンターにまたゆっくり排出した後、また回転してノズルがノズルボトルの上部に位置するようにした後、スキャニングアームに設置されたノズル離脱手段を利用してスキャニングアームに挿入されたノズルがスキャニングアームから離脱してノズルボトルに落ちるようにする。次いで、ウエーハはドライユニットのヒーティングプレートに移送されて乾燥された後、またアンローダー部に移送されて、汚染物質の捕集工程は完了する。
【００１９】
従来のスキャンステージはこのような汚染物質をスキャンして捕集する過程で単にウエーハのロディンサンテを維持することにとどまり、回転板体の両側面を回転ローラーに接触させて回転させる構造であるだけで、ウエーハを移動させる時にいちいちロボットアームのエンドエフェクターが自らウエーハの底部に挿入されるようにしてローディングさせるため、不安定であるという問題点があった。
【特許文献１】韓国特許第１０−０３８３２６４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明はこのような従来の問題点を改善し、ウエーハが回転プレート上で真空圧力の吸入、排出制御で吸着維持されるようにする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを提供することを目的とする。  
本発明はこのようなスキャンステージを提供すると共に、その下部のベースプレートを上、下動可能にしてウエーハがローディングする時に下部から引き上げられることを容易にするスキャンステージを提供することを目的とする。  
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのウエーハ吸着プレートが回転する構造を提供することを目的とする。  
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの外郭側でウエーハをローディングする時に分離が容易になるように独立的な各ジグを備えたスキャンステージを提供することを目的とする。
【００２１】
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは前記目的を達成すると共にウエーハの搭載有無を検出するか、または回転体の回転有無を検出する手段を提供することを目的とする。  
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは吸着プレート構造を改善して固定ハウジングの内側で回転可能にすると共に、回転体の上面でウエーハが真空吸着される吸着口を形成し、真空ラインと真空ポートとしてスキャンステージ上にウエーハが吸着維持されることを目的とする。  
本発明は回転体と固定ハウジングとに二元化してステップモーターを固定ハウジングに設置し、回転体の段階別の回転が精密に行われるようにすることにもその目的がある。  
本発明はジグが１２インチと８インチウエーハとを兼ねてチャッキング可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは、円形の固定ハウジングと、該固定ハウジングの内側で回転可能に設置される回転体と、該回転体の中心部で吸着通路を形成すると共に底部の真空ポートと連結される吸着プレートと、前記回転体を駆動するために前記固定ハウジングの底部に設置されるステップモーターから成るステージ本体と；該本体の固定ハウジングの下部空間を形成するように柱で支えられるベースプレートと；前記本体の外側でウエーハを支える各ジグと；前記ベースプレートが上、下移動するようにその底部でシリンダーロッドで連結されるシリンダーを含んで成ることを特徴とする。
【００２３】
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのジグは１２インチウエーハと８インチウエーハとを兼ねて支えるように第１突条部と第２突条部から成ることが好ましい。  
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの前記各ジグはウエーハの有無を検出するセンサーをさらに備えることが好ましい。  
前記した目的を達成するために、本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのハウジングは回転プレートの回転有無を検出するセンサーをさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明はこのような従来の半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージが有する問題点を改善し、ウエーハが回転プレート上で真空圧力の吸入、排出制御で吸着維持されるようにする半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを提供し得るという効果がある。  
本発明はこのようなスキャンステージを提供すると共に、その下部のベースプレートを上、下動可能にしてウエーハをローディングする時に下部から引き上げられることが容易であるという効果がある。  
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのウエーハ吸着プレートが、固定手段から回転手段が分離されて回転する新しいタイプのスキャンステージを提供し得るという効果がある。
【００２５】
本発明は半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの外郭側でウエーハをローディングする時に分離が容易になるように独立的な各ジグを備えたスキャンステージを提供し得るという効果がある。  
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは前記目的を達成すると共に、ウエーハの搭載有無を検出するか、または回転体の回転有無を検出する手段を提供し得るという効果がある。
【００２６】
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは吸着プレート構造が改善されて固定ハウジングの内側で回転可能にすると共に、回転体の上面でウエーハが真空吸着する吸着口を形成して真空ラインと真空ポートとしてスキャンステージ上にウエーハが吸着維持されるという効果がある。  
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは回転体と固定ハウジングとに二元化してステップモーターを固定ハウジングに設置して回転体の段階別の回転が精密に行われるという効果がある。  
本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージのジグは１２インチと８インチウエーハとを兼ねてチャックキング可能にした効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施形態について添付図面を用いて具体的に説明する。
【００２８】
添付図面のうち図１ａは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の全体外部を示す斜視図で、図１ｂは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す平面概略図である。
【００２９】
前記各図面に示す本明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置は全体的に外部と遮断された空間内で、特に、入口部に位置してウエーハサイズのうち３００ｍｍ、２００ｍｍ、１５０ｍｍでウエーハカセットを区分して開放するオープナー７００と、該オープナー７００に安着されたカセット内のウエーハをつかんで移送するロボットアーム６００と、該ロボットアーム６００によって移送されたウエーハ表面の１次酸化膜を分解する本発明によるＶＰＤユニット１００と、酸化膜が分解されたウエーハを支持した状態で回転させるスキャンステージ４００と、該スキャンステージ４００上に位置したウエーハ上に溶液を接触させるためにスキャニングユニット５００がｘ、ｙ、ｚ軸の３軸移動して吸入、洗浄部３００で試薬を吸入した後、移動してスキャンステージ４００上のウエーハでスキャニングが行われ、以後に分析装置２００のボトル内にスキャニングされた溶液を排出するようになり、排出後のノズルは吸入、洗浄部３００でノズル内を洗浄した後、試薬を再吸入した後にスキャニング動作が繰り返される。スキャニングに関してはその説明を省略する。即ち、ノズル内の溶液が所定量吸入された状態でウエーハの所定位置に至ると、ウエーハを回転させながら溶液を一部排出させてウエーハの表面上に接触するようにする。大部分の表面を直線方向に移動すると同時にウエーハを回転させて、ウエーハ表面の大部分に溶液が接触しながら汚染物質が捕集される。この捕集された汚染物質の溶液をノズルの吸入状態で分析機に移動して空いた空間のボトルに排出させる。
【００３０】
以後、試験が終わった各ウエーハを移送ユニットロボットアームがアライナに移動させて各ウエーハのＩＤを認識すると同時に整列させてカセットに移して入れるようになる。
【００３１】
このような汚染物質が含まれた溶液をボトルに排出することで、本発明の全体的な装置の動作は終わる。次いで、ユーザーは測定装備を用いてボトルごとの汚染度を測定するようになるのである。
【００３２】
添付図面のうち図２は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを抜粋して示す斜視図で、図３は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの底部を抜粋して示す斜視図で、図４は本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の一部を切開したスキャンステージの抜粋斜視図である。
【００３３】
前記各図面に示す本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージは、スキャンステージ本体１０と、ベースプレート２０と、各ジグ３０から成る。
【００３４】
まず、前記ステージ本体１０は円形の固定ハウジング１１と、該固定ハウジング１１の内側で回転可能に設置される回転体１２と、該回転体１２の中心部で吸着通路１５（図７ｃ参照）を形成すると共に上面には吸着孔１３を成し、底部には真空ポート１６と連結される吸着プレート１４と、前記回転体１２を駆動するために前記固定ハウジング１１の底部に設置され、前記回転体１２の軸と噛み合って回転するようにするステップモーター１７から成る。
【００３５】
したがって、前記真空ポート１６により前記吸着プレート１４に近接したウエーハを吸着孔１３で真空吸入して吸着維持し、ウエーハが吸着された回転体１２は下方のステップモーター１７により駆動されて回転されるようになる。該回転体１２の回転によりウエーハが回転することで、前述したスキャニング作業が行われる。
【００３６】
あるいは、前記回転体１２と吸着プレート１４とを分離することなく、一体に構成することができ、この時、前記吸着プレート１４には吸着孔１３の代わりに真空ポート１６と連通される真空ライン１５（図７ｃ参照）と連通すると共に、前記吸着プレート１４の上面に突出する吸着口１９（図７ａ〜ｃ参照）を形成して実施することができる。
【００３７】
一方、前記固定ハウジング１１は前記吸着プレート１４の回転の有無を検出するセンサー１８を形成して前記回転体１２の初期回転位置を検出するようになる。
【００３８】
前記ベースプレート２０は前記ステージ本体１０の固定ハウジング１１の下部空間を形成するように各柱２２で支えられ、前記ベースプレート２０は上、下移動するようにその底部にシリンダーロッド２３（図５ａ参照）で連結されるシリンダー２４を設置して成る。
【００３９】
各ジグ３０は前記ステージ本体１０の外側でウエーハを支えるようにするもので、図面上の三つを円形上３等分して配置し、前記固定ハウジング１１とは独立的に設置するが、１２インチ、８インチのウエーハを選択的に搭載するようになる。
【００４０】
このようなジグ３０は１２インチウエーハと８インチウエーハとを兼ねて支えるように第１突条部３２と第２突条部３４から成る。
【００４１】
夫々のジグ３０にはウエーハの有無を検出するセンサー３２ａ、３４ａを設置し、該当ウエーハの有無および１２インチ、８インチのサイズを区別する。
【００４２】
添付図面のうち図５ａ、５ｂは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇、下降作用図である。
【００４３】
以下、前記各図面を用いて本発明スキャンステージの昇下降作用を説明する。
【００４４】
前記ベースプレート２０の下方に位置したシリンダー２４は下降状態である（図５ａ）。以後、前記シリンダー２４を動作させてシリンダーロッド２３を押し上げると、該シリンダーロッド２３の上方に連結されたベースプレート２０が上方移動する（図５ｂ）。
【００４５】
前記ベースプレート２０の各柱２２は固定ハウジング１１を支えているから、該固定ハウジング１１を上昇させることで、前記吸着プレート１４に搭載されたウエーハにロボットアームのエンドエフェクティングが可能になる。
【００４６】
前記固定ハウジング１１の下部にはステップモーター１７で前記回転体１２（図２参照）を回転させるために軸との間にギア接続構造を有することが好ましい（本発明では具体的な構造を省略）。
【００４７】
前記真空ポート１６の真空を解除すると共に、各ジグ３０の上に搭載されたウエーハをスキャンアームがエンドエフェクティングするように上向移動させるようになり、これは前記シリンダー２４の動作で上昇するようになり、ウエーハが所定の高さに上昇すると、ロボットアーム（スキャンアーム）がウエーハを持ち上げて移動させるようになる。
【００４８】
添付図面のうち図６ａ、６ｂは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。
【００４９】
前記各図面に示すように、本発明によるスキャンステージの各ジグ３０は前記ステージ本体１０の外側でウエーハを支えるように三つが３等分されて配置されていて、１２インチウエーハと８インチウエーハとを兼ねて支えるように第２突条部３４と第１突条部３２を一つのジグ３０に夫々形成して成り、各ジグ３０にはこのようなウエーハの搭載有無を検出するセンサー３２ａ、３４ａ（図２参照）を有しているから、該当ウエーハの搭載有無を検出するようになる。
【００５０】
すなわち、図６ａは８インチウエーハが搭載された状態であって、各ジグ３０の第１突条部３２に位置しているが、図６ｂは１２インチウエーハが第２突条部３４に位置していることを示している。
【００５１】
添付図面のうち図７ａ、７ｂ、７ｃは本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。
【００５２】
本実施形態の吸着プレート１４もウエーハを搭載すると同時に前記真空ポート１６により吸着させてウエーハの流動を防止する。
【００５３】
すなわち、前記吸着プレート１４は底部の真空ポート１６で吸着プレート１４の内部に形成された真空ライン１５に連通され、該真空ライン１５で数個の吸着口１９が突出形成されて成る。
【００５４】
このような本発明による吸着プレート１４は真空ポート１６によりウエーハを吸着維持すると同時に、前記固定ハウジング１１の下部に設置されたステップモーター１７で回転体１２を所定速度で回転させながら汚染物質のスキャニング作業が行われる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１ａ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の全体外部を示す斜視図である。
【図１ｂ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す平面概略図である。
【図２】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージを抜粋して示す斜視図である。
【図３】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの底部を抜粋して示す斜視図である。
【図４】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置の一部を切開したスキャンステージを示す抜粋斜視図である。
【図５ａ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇下降作用図である。
【図５ｂ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの昇下降作用図である。
【図６ａ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。
【図６ｂ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの大きさの異なるウエーハの選択搭載説明図である。
【図７ａ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。
【図７ｂ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。
【図７ｃ】本発明による半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャンステージの他の実施形態を示す図面である。
【図８】従来の半導体ウエーハ汚染物質測定装置の内部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  ステージ本体
１１  固定ハウジング
１２  回転体
１３  吸着通路
１４  吸着プレート
１６  真空ポート
１７  ステップモーター
２０  ベースプレート
２２  柱
２４  シリンダー
３０  ジグ
【図１ａ】
0004971283.tif 000002
【図１ｂ】
0004971283.tif 000003
【図２】
0004971283.tif 000004
【図３】
0004971283.tif 000005
【図４】
0004971283.tif 000006
【図５ａ】
0004971283.tif 000007
【図５ｂ】
0004971283.tif 000008
【図６ａ】
0004971283.tif 000009
【図６ｂ】
0004971283.tif 000010
【図７ａ】
0004971283.tif 000011
【図７ｂ】
0004971283.tif 000012
【図７ｃ】
0004971283.tif 000013
【図８】
0004971283.tif 000014