(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発熱素子が実装された金属ベースをヒートシンクに締結具により締め付け固定して、前記発熱素子から発生する熱を前記金属ベースを介して前記ヒートシンクに伝達する半導体装置であって、
前記金属ベースは略矩形状に形成されるとともに、前記金属ベースの周縁の前記締結具が挿入される部分を除いた部分に沿って延びる側壁で形成された枠部を有するカバーを介して、かつ前記枠部が前記金属ベースに当接する状態で前記ヒートシンクに締結具で締め付け固定され、前記枠部の材質として剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上である金属が使用され、前記カバーは、前記金属ベースの周縁の前記締結具が挿入される部分に対応してフランジを形成し、該フランジに前記締結具が挿入されている半導体装置。
【請求項２】
前記発熱素子はインバータ回路の各アームを構成するスイッチング素子及びダイオードである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記各アームは、スイッチング素子及び前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードの組が複数並列に接続されて構成されている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記インバータ回路は、３相交流出力用である請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、詳しくはインバータのように頻繁にスイッチングを行う複数のスイッチング素子（発熱素子）が金属ベース上に設けられた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
交流モータの駆動回路、誘導加熱用電力発生装置、交流電源装置等に使用されるインバータ回路を構成する半導体装置は、複数個（３相交流では６個、単相交流では４個）のスイッチング素子が頻繁にスイッチングを行うため発熱が大きくなる。そのため、半導体装置を構成するスイッチング素子やダイオードが接続された半導体モジュールをアルミニウム製の放熱板（ヒートシンク）に密着させて放熱を行うようにしている。半導体モジュールを放熱板に密着させる方法として半導体モジュールをねじで放熱板に締め付け固定する方法が一般的である。例えば、インバータの上アーム又は下アームの一つを構成する半導体モジュールでは締め付けに４本のねじが必要となり、６個の半導体モジュールをねじで放熱板に固定する場合は２４本のねじが必要になる。また、インバータの１組の上アーム及び下アームを１個の半導体モジュールとした場合、締め付けに４本のねじが必要となり、３個の半導体モジュールをねじで放熱板に固定するためには、４×３＝１２本のねじが必要になる。
【０００３】
また、従来、感熱素子内蔵型半導体モジュールとして、図６に示すように、ヒートシンク４１上に３個の半導体モジュール４２及び感熱素子４３をそれぞれ４本のねじ４４で固定した構成が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、特許文献１には、図７に示すように、ベース板４５上に半導体チップ４６及び感熱素子４７を取り付け、そのベース板４５を、カバー４８を介してねじ４９でヒートシンク４１に締め付け固定した感熱素子内蔵型半導体モジュールも開示されている。この半導体モジュールでは、カバー４８が感熱素子４７の出力端子ＴＨの取り付け部となるため、カバー４８は、例えば、セラミック等の絶縁性及び放熱性に優れた材質からなる。
【特許文献１】特開平１−２８６７８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置（半導体モジュール）の発熱素子で発生した熱を効率良く放熱するためには、スイッチング素子やダイオード等の発熱素子が接続された半導体モジュールを放熱板に密着させる必要がある。インバータの上アームや下アームを構成する半導体モジュールを放熱板にねじで締め付ける構成では、ねじの本数が増え、半導体装置の体格が大きくなり、組み付け工数も多くなる。
【０００５】
この問題を解決する方法として、例えば、インバータの上アーム及び下アームを構成する全てのスイッチング素子及びダイオード等の発熱素子を一つの金属ベースの上に実装し、その金属ベースを四隅においてねじにより放熱板に締め付け固定することが考えられる。しかし、その場合は、複数の半導体モジュールで一つのインバータを構成する場合に比較して、金属ベースの面積が大きくなる。スイッチング素子及びダイオード等の発熱素子は金属ベースに半田付けで実装されるため、半田付け時の熱応力により、発熱素子が実装された後の金属ベースは反った状態になることがある。この反った状態の金属ベースを四隅においてねじで放熱板に固定した場合、例えば、金属ベースが上に凸の状態に反っていた場合には、金属ベース全面が放熱板と接触するようにその反りが修正（矯正）されなくても、四隅がねじで締め付け固定される。また、金属ベースが下に凸の状態に反っていた場合には、金属ベースの四隅をねじで固定する際に、金属ベースが反転して上に凸の状態に反った状態になり、やはり、金属ベース全面が放熱板と接触するようにその反りが修正（矯正）されなくても、四隅がねじで締め付け固定される。
【０００６】
特許文献１に開示された感熱素子内蔵型半導体モジュールでは、ベース板４５上に半導体チップ４６及び感熱素子４７が取り付けられ、そのベース板４５がカバー４８を介してヒートシンク４１に４本のねじ４９で締め付け固定された構成が開示されている。しかし、特許文献１の目的は、半導体モジュールの発熱量をリアルタイムに検出でき、熱破壊から半導体モジュールを保護することを可能にすることであり、カバー４８をセラミックスなどの絶縁材にしたのは、カバー４８が感熱素子４７の出力端子ＴＨの取り付け部になるからである。そして、特許文献１には、カバー４８を利用してベース板４５の反りを矯正する状態でヒートシンク４１にねじ４９により固定することに関しては何ら記載がない。
【０００７】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数の発熱素子が金属ベース上に設けられた半導体装置の放熱性を確保しつつ、体格を小型化できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、複数の発熱素子が実装された金属ベースをヒートシンクに締結具により締め付け固定して、前記発熱素子から発生する熱を前記金属ベースを介して前記ヒートシンクに伝達する半導体装置である。そして、前記金属ベースは略矩形状に形成されるとともに、前記金属ベースの周縁の前記締結具が挿入される部分を除いた部分に沿って延びる側壁で形成された枠部を有するカバーを介して、かつ前記枠部が前記金属ベースに当接する状態で前記ヒートシンクに締結具で締め付け固定され、前記枠部の材質として剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上である金属が使用され、前記カバーは、前記金属ベースの周縁の前記締結具が挿入される部分に対応してフランジを形成し、該フランジに前記締結具が挿入されている。
【０００９】
この発明では、金属ベースはカバーを介して締結具によりヒートシンクに固定される。金属ベースが発熱素子の実装時における熱応力により、実装後に反った状態となっていても、金属ベースはその周縁部のほぼ全体がカバーの枠部により押圧されるため、反りが矯正されて金属ベースの全面がヒートシンクに密着する状態となる。その結果、金属ベースからヒートシンクへの熱伝達が効率良く行われる。また、カバーの熱伝達率がアルミニウム系金属以上で、金属ベースの周縁部がカバーに密着しているため、カバーからも放熱が良好に行われる。したがって、金属ベースをヒートシンクに固定する締結具の数を減らして半導体装置の体格を小型化しても、放熱性を確保することができる。
【００１０】
また、請求項１に記載の発明では、前記枠部の材質は金属である。剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上の材質としては、金属に限らず、セラミックスや複合材料もある。セラミックスの場合は機械的な衝撃に弱く、取り扱いに注意が必要である。しかし、この発明では枠部の材質は金属であるため、セラミックスに比較して機械的な衝撃に強く、取り扱いが容易になる。また、カバーを複合材料製とした場合に比較してカバーの形成が容易になる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記発熱素子はインバータ回路の各アームを構成するスイッチング素子及びダイオードである。インバータ回路は、単相交流を出力する構成では上アーム及び下アームの組が２組存在し、３相交流を出力する構成では上アーム及び下アームの組が３組存在する。したがって、昇圧回路や降圧回路に比較して発熱素子となるスイッチング素子やダイオードの数が多く、その分、金属ベースの面積が大きくなるため、金属ベースに発熱素子が実装された場合に金属ベースが反り易くなるが、反りが有効に抑制される。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記各アームは、スイッチング素子及び前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードの組が複数並列に接続されて構成されている。この発明では、金属ベース上に実装される発熱素子の数が多くなるためその分、金属ベースの面積が大きくなり、金属ベースに発熱素子が実装された場合に金属ベースが反り易くなるが、反りが有効に抑制される。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は請求項３に記載の発明において、前記インバータ回路は、３相交流出力用である。したがって、この発明では、単相交流出力用に比較して発熱素子の数が多くなるため、カバーによる反り抑制効果が有効に寄与する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、複数の発熱素子が金属ベース上に設けられた半導体装置の放熱性を確保しつつ、体格を小型化できる半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を３相インバータ装置に具体化した一実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体装置としてのインバータ装置１１は、ヒートシンク１２に、複数の発熱素子が実装された金属ベース１３が、カバー１４を介して締結具としてのねじ１５により締め付け固定されている。ヒートシンク１２はアルミニウム系金属で略矩形状の平板状に形成され、四隅にボルト挿通用の孔１６が形成されている。また、ヒートシンク１２には、各孔１６の近くにねじ１５を螺合するねじ穴１２ａが形成されている。アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。
【００１６】
金属ベース１３は銅でヒートシンク１２より薄い平板状に形成され、外形はヒートシンク１２とほぼ同じに形成されるとともに、四隅が切り欠かれて、ヒートシンク１２を孔１６に挿通されるボルトで図示しない他の取り付け部へ固定する際に支障のないように形成されている。金属ベース１３には、四隅の切り欠きの近くでヒートシンク１２のねじ穴１２ａと対向する位置に、ねじ１５が貫通する挿通孔１７が形成されている。
【００１７】
カバー１４はアルミニウム系金属で形成され、金属ベース１３と当接する側の外形が金属ベース１３と同じに形成されるとともに、四隅の切り欠きの近くにねじ１５や座金の配置スペースとなるフランジ１４ａを残して、金属ベース１３の周縁に沿って延びる側壁１８と、天板１９で略箱状に形成されている。側壁１８が枠部２０を構成する。フランジ１４ａには、金属ベース１３の挿通孔１７と対向する位置に挿通孔が形成されている。そして、ねじ１５が座金、カバー１４の挿通孔、挿通孔１７を貫通してねじ穴１２ａに螺合することで、金属ベース１３がカバー１４を介してヒートシンク１２にねじ１５により締め付け固定されている。
【００１８】
図２（ａ）はインバータ装置１１の回路図を示す。図２（ａ）に示すように、インバータ装置１１は、発熱素子としての６個のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６及びダイオードＤ１〜Ｄ６よりなるインバータ回路２１と、コンデンサＣとを備えている。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６には、ＭＯＳＦＥＴが使用されている。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６にはダイオードＤ１〜Ｄ６が逆並列に接続されている。インバータ回路２１は、第１及び第２のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２、第３及び第４のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４、第５及び第６のスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６がそれぞれ直列に接続されている。第１、第３及び第５のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３，Ｑ５及び各第１、第３及び第５のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３，Ｑ５に接続されたダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５の組はそれぞれ上アームと呼ばれる。また、第２、第４及び第６のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４，Ｑ６及び第２、第４及び第６のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４，Ｑ６に接続されたダイオードＤ２，Ｄ４，Ｄ６の組はそれぞれ下アームと呼ばれる。
【００１９】
第１、第３及び第５のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３，Ｑ５のドレインがプラス入力端子２２に接続され、第２、第４及び第６のスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４，Ｑ６のソースが、マイナス入力端子２３に接続されている。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の間の接合点はＵ相端子Ｕに、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４の間の接合点はＶ相端子Ｖに、スイッチング素子Ｑ５，Ｑ６の間の接合点はＷ相端子Ｗに、それぞれ接続されている。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のゲートは駆動信号入力端子Ｇ１〜Ｇ６に接続されている。
【００２０】
図２（ａ）には各上アーム及び各下アームがそれぞれ、１個のスイッチング素子及び１個のダイオードで構成されているが、各アームを流れる電流量が大きな場合は、各アームを図２（ｂ）に示すようにスイッチング素子ＱとダイオードＤの組が複数並列に接続された構成としても差し支えない。この実施形態では各アームはそれぞれ８組のスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤで構成されている。
【００２１】
図１（ｂ）は、金属ベース１３上に発熱素子が実装された状態を示す模式平面図である。金属ベース１３上には、１個スイッチング素子及び１個ダイオードが一つのデバイスとして組み込まれた発熱素子としての半導体チップ２４が、セラミック基板２５を介して実装されている。また、セラミック基板２５の一部を覆う状態で絶縁用ブラケット２６が金属ベース１３に接着されている。この実施形態では、図１（ｂ）において、上下方向に並んだ８個の半導体チップ２４がそれぞれ１つのアームを構成する。但し、一部の半導体チップ２４は絶縁用ブラケット２６の陰になって現れていない。
【００２２】
半導体チップ２４は、図３に示すように、金属ベース１３に対してセラミック基板２５を介して半田付けで実装されている。セラミック基板２５は、表面に半導体チップ２４が接合される金属回路２７を有し、裏面にセラミック基板２５と金属ベース１３とを接合する接合層として機能する金属板２８を有する。金属回路２７及び金属板２８は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板２５は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。半導体チップ２４は半田Ｈで金属回路２７に接合され、金属板２８は半田Ｈで金属ベース１３に接合されている。
【００２３】
次に前記のように構成されたインバータ装置１１の作用を説明する。インバータ装置１１は、プラス入力端子２２及びマイナス入力端子２３が直流電源２９に接続され、Ｕ相端子Ｕ、Ｖ相端子Ｖ及びＷ相端子Ｗが交流モータ３０に接続され、駆動信号入力端子Ｇ１〜Ｇ６が制御装置（図示せず）に接続されて使用される。インバータ装置１１が駆動されて各半導体チップ２４から熱が発生すると、その熱は、セラミック基板２５、金属ベース１３を介してヒートシンク１２に伝達され、ヒートシンク１２から放熱されて半導体チップ２４が冷却される。
【００２４】
半導体チップ２４がセラミック基板２５を介して金属ベース１３に実装された状態では、セラミック基板２５を金属ベース１３に半田付けする場合、あるいは半導体チップ２４をセラミック基板２５上に半田付けする場合の残留熱応力により、図４（ａ）に示すように金属ベース１３が反った状態になる。下に凸となるように反った状態の金属ベース１３を、その四隅においてねじ１５によりヒートシンク１２に締め付け固定した場合、図４（ｂ）に示すように、金属ベース１３が上に凸となる状態で金属ベース１３に固定される場合がある。また、金属ベース１３が最初から上に凸の状態に反った場合は、反りが残った状態でヒートシンク１２に固定される。そのため、金属ベース１３とヒートシンク１２との間に隙間が生じ、金属ベース１３からヒートシンク１２への熱伝達が良好に行われない。なお、図４（ａ），（ｂ）は金属ベース１３の反りを強調して図示しており、実際の反りは僅かであり、隙間も微小である。
【００２５】
しかし、金属ベース１３はカバー１４を介してねじ１５によりヒートシンク１２に締め付け固定されており、カバー１４は側壁１８で形成された枠部２０の下端が金属ベース１３の周縁部に当接する状態で金属ベース１３を押圧する。枠部２０は金属ベース１３から反力を受けるが、枠部２０を構成する板の厚さ方向ではなく厚さ方向と直交する方向に反力を受けるため、撓むことが抑制される。そのため、金属ベース１３は反りが矯正されて、ほぼ全面がヒートシンク１２に密着する状態でヒートシンク１２に固定される。その結果、半導体チップ２４で発生した熱が金属ベース１３を介してヒートシンク１２に良好に伝達され、ヒートシンク１２から効率良く放熱される。
【００２６】
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）インバータ装置１１は、複数の発熱素子（半導体チップ２４）が実装された金属ベース１３をヒートシンク１２にねじ１５により締め付け固定して、発熱素子から発生する熱を金属ベース１３を介してヒートシンク１２に伝達する。金属ベース１３は略矩形状に形成されるとともに、金属ベース１３の周縁のねじ１５が挿入される部分を除いた部分に沿って延びる側壁１８で形成された枠部２０を有するカバー１４を介して、かつ枠部２０が金属ベース１３に当接する状態でヒートシンク１２にねじ１５で締め付け固定されている。したがって、金属ベース１３が発熱素子の実装時における熱応力により、実装後に反った状態となっていても、金属ベース１３はその周縁部のほぼ全体がカバー１４の枠部２０により押圧されるため、反りが矯正されて金属ベース１３の全面がヒートシンク１２に密着する状態となる。その結果、金属ベース１３からヒートシンク１２への熱伝達が効率良く行われ、金属ベース１３をヒートシンク１２に固定するねじ１５の数を減らしてインバータ装置１１の体格を小型化しても、放熱性を確保することができる。
【００２７】
（２）カバー１４の材質として剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上のものが使用されている。したがって、カバー１４の枠部２０が金属ベース１３の周縁部ほぼ全体を押圧してヒートシンク１２に密着させた状態とするのに必要な剛性と、発熱素子（半導体チップ２４）で発生した熱が金属ベース１３からカバー１４に伝達されて、カバー１４からも効率良く放熱することができる。
【００２８】
（３）枠部２０の材質は金属（この実施形態ではアルミニウム系金属）である。剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上の材質としては、金属に限らず、セラミックスや複合材料もあるが、セラミックスの場合は機械的な衝撃に弱く、取り扱いに注意が必要である。しかし、枠部２０の材質は金属であるため、セラミックスに比較して機械的な衝撃に強く、取り扱いが容易になる。また、カバー１４を複合材料製とした場合に比較してカバー１４の形成が容易になる。
【００２９】
（４）発熱素子（半導体チップ２４）は３相交流を出力するインバータ回路２１の各アームを構成するスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤである。インバータ回路２１が３相交流を出力する構成では上アーム及び下アームの組が３組存在し、昇圧回路や降圧回路に比較して発熱素子となるスイッチング素子ＱやダイオードＤの数が多く、その分、金属ベース１３の面積が大きくなるため、金属ベース１３に発熱素子が実装された場合に金属ベース１３が反り易くなる。しかし、金属ベース１３の周縁部ほぼ全体が枠部２０で押圧されて反りが有効に抑制される。
【００３０】
（５）各アームは、スイッチング素子Ｑ及びスイッチング素子Ｑに逆並列に接続されたダイオードＤの組が複数並列に接続されて構成されている。インバータ装置１１から出力される電流量即ち各アームに流れる電流量が大きい場合、アームを構成するスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤの組が１組だと各素子として大容量のものが必要となり、入手が難しい。しかし、アームを構成するスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤの組を複数設けることで、入手し易いスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤでアームを構成することができる。金属ベース１３上に実装される発熱素子の数が多くなるためその分、金属ベース１３の面積が大きくなり、金属ベース１３に発熱素子が実装された場合に金属ベース１３が反り易くなるが、反りが枠部２０により有効に抑制される。
【００３１】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  カバー１４は金属ベース１３の周縁のねじ１５が挿入される部分を除いた部分に沿って延びる側壁１８で形成された枠部２０を有する構成であればよく、カバー１４全体を金属製の箱状にする代わりに、例えば、図５（ａ），（ｂ）に示すように、枠部２０を金属製とし、枠部２０の上部が樹脂製の蓋体３２で覆われた構成としてもよい。
【００３２】
○  図５（ａ），（ｂ）に示すように、ヒートシンク１２の形状を孔１６が形成される部分３３が四隅から突出する形状とし、金属ベース１３の外径を矩形とする。カバー１４は枠部２０が金属ベース１３の周縁全体と対向するように形成する。そして、カバー１４の四隅にねじ１５が収容される収容部３４を形成し、収容部３４の底部にねじ１５が挿通される孔３５を形成する。この場合、カバー１４を介して金属ベース１３をねじ１５でヒートシンク１２に締め付け固定したとき、金属ベース１３をより強くヒートシンク１２に密着させることができる。
【００３３】
○  半導体チップ２４はセラミック基板２５を介して金属ベース１３に実装される構成に限らず、セラミック基板２５に代えて、例えば、アルミニウム基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層上に金属回路２７が形成されたものでもよい。
【００３４】
○  枠部２０の材質は、剛性及び熱伝導性がアルミニウム系金属以上のものであればよく、他の金属（例えば、銅）、合金、セラミックス、複合材料であってもよい。しかし、枠部２０の材質は金属や合金の方がセラミックスに比較して機械的な衝撃に強く、取り扱いが容易になる。また、複合材料製とした場合に比較してカバー１４の形成が容易になる。
【００３５】
○  締結具はねじに限らず、ボルトやボルトとナットの組み合わせでもよい。
○  スイッチング素子Ｑ，Ｑ１〜Ｑ６はＭＯＳＦＥＴに限らず、他のパワートランジスタ（例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ））やサイリスタを使用してもよい。
【００３６】
○  インバータ装置１１は、３相交流を出力する構成に限らず、単相交流を出力する構成としてもよい。単相交流を出力する構成では上アーム及び下アームの組が２組存在する。
【００３７】
○  各アームを構成するスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤの組は８組に限らず、各アームを流れる電流量の大きさによって７組以下でも９組以上でもよい。また、複数組に限らず、１組のスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤの組で構成されてもよい。
【００３８】
○  １組のスイッチング素子及びダイオードは、１個の半導体チップ２４としてパッケージ化される構成に限らず、スイッチング素子及びダイオードがそれぞれ金属回路上に接合されてもよい。
【００３９】
○  半導体装置は、複数の発熱素子が実装された金属ベース１３をヒートシンク１２にねじ１５により締め付け固定して、発熱素子から発生する熱を金属ベース１３を介してヒートシンク１２に伝達する構成であればよい。即ち、インバータ装置１１に限らず、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）はインバータ装置の模式分解斜視図、（ｂ）は金属ベース上にチップ部品が実装された状態を示す模式平面図、（ｃ）はインバータ装置の模式斜視図。
【図２】（ａ）はインバータ装置の回路図、（ｂ）はアームの詳細回路図。
【図３】金属ベースにチップ部品が実装された状態の一部省略模式断面図。
【図４】（ａ）は金属ベースの反り状態を示す模式図、（ｂ）はねじのみで金属ベースを固定した場合の反り状態を示す模式図。
【図５】（ａ）は別の実施形態におけるインバータ装置の模式斜視図、（ｂ）は（ａ）の部分断面図。
【図６】従来技術の半導体モジュールの模式平面図。
【図７】別の従来技術における半導体モジュールの断面図。
【符号の説明】
【００４１】
Ｄ，Ｄ１〜Ｄ６…ダイオード、Ｑ，Ｑ１〜Ｑ６…スイッチング素子、１１…半導体装置としてのインバータ装置、１２…ヒートシンク、１３…金属ベース、１４…カバー、１５…締結具としてのねじ、１８…側壁、２０…枠部、２１…インバータ回路、２４…発熱素子としての半導体チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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