(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線回路基板を水洗する水洗工程と、
前記水洗工程後、前記配線回路基板を少なくとも水可溶性溶媒と前記水可溶性溶媒に対して層分離可能な層分離溶媒とを含む処理液に浸漬させながら、前記処理液をガスでバブリングさせて前記配線回路基板を脱水する脱水工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記脱水工程は、前記処理液に前記層分離溶媒をさらに加えることにより、前記配線回路基板の表面において、前記水可溶性溶媒を前記層分離溶媒で置換する溶媒置換工程を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記層分離溶媒の比重が、前記水可溶性溶媒の比重に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線回路基板の製造方法において、端子部におけるめっき処理やはんだ処理の後に、めっきやはんだの表面を水洗により洗浄することが知られており、例えば、メッキ処理後の印刷配線基板を水洗することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−３２２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、特許文献１で提案される水洗後の印刷配線基板において、印刷配線基板をイソプロパノールなどの水可溶性溶媒に浸漬させながら、超音波洗浄により、印刷配線基板の表面に残存する水を除去する方法が考えられる。しかし、この方法では、印刷配線基板の端子部において、超音波に起因する応力により、断線を生じるという不具合がある。
本発明の目的は、配線回路基板の断線を防止しながら、その表面を確実に脱水することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、配線回路基板を水洗する水洗工程と、前記水洗工程後、前記配線回路基板を少なくとも水可溶性溶媒と前記水可溶性溶媒に対して層分離可能な層分離溶媒とを含む処理液に浸漬させながら、前記処理液をガスでバブリングさせて前記配線回路基板を脱水する脱水工程とを備えることを特徴としている。
この方法によれば、水洗工程において、配線回路基板を洗浄した後、脱水工程において、水可溶性溶媒をバブリングさせて配線回路基板を脱水するので、配線回路基板の表面に比較的大きな気泡を接触させながら脱水することができ、配線回路基板における断線を防止しながら、配線回路基板を確実に脱水することができる。
【０００５】
その結果、配線回路基板を確実に脱水しながら、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記脱水工程は、前記処理液に前記層分離溶媒をさらに加えることにより、前記配線回路基板の表面において、前記水可溶性溶媒を前記層分離溶媒で置換する溶媒置換工程を備えていることが好適である。
【０００６】
この方法では、溶媒置換工程では、配線回路基板の表面において、水可溶性溶媒を層分離溶媒で置換するので、配線回路基板から脱水された水を含む水可溶性溶媒を、層分離溶媒によって配線回路基板の表面から確実に除去できる。そのため、配線回路基板を、より一層確実に脱水することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記層分離溶媒の比重が、前記水可溶性溶媒の比重に比べて、大きいことが好適である。
【０００７】
この方法では、層分離溶媒の比重が、水可溶性溶媒の比重に比べて大きいので、層分離溶媒が下層を形成し、水可溶性溶媒が上層を形成する。そのため、層分離溶媒により水可溶性溶媒を置換すれば、配線回路基板から脱水された水を含む水可溶性溶媒をオーバーフローにより除去することができる。その結果、簡易かつ確実に、配線回路基板を脱水することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法によれば、配線回路基板を確実に脱水しながら、接続信頼性の高い配線回路基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態に用いられる脱水装置の斜視図、図２は、図１に示す脱水装置の平面図、図３は、図１に示す脱水装置の正断面図であって、シートを脱水する各工程図、図４は、シートを脱水する各工程のフロー図、図５は、図１に示す脱水装置により脱水される配線回路基板の長手方向に沿う断面図を示す。
まず、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態に用いられる脱水装置を、図１、図２および図３（ａ）を参照して、説明する。なお、図１において、処理槽２は、シート３およびバブル発生部４の相対配置を明確にするため、省略している。
【００１０】
図１および図２において、この脱水装置１は、後述する配線回路基板２１が複数配列される配線回路基板集合体シート（以下、単に「シート」という。）３を脱水するために設備されている。この脱水装置１は、処理槽２と、バブル発生部４と、図示しない処理液供給部とを備えている。
処理槽２は、図３（ａ）に示すように、後述する処理液１０を収容する容器であって、例えば、有底箱型形状に形成されている。処理槽２の内部の容量は、収容する処理液１０の容量、脱水するシート３の大きさおよび枚数にもよるが、例えば、１０〜７０Ｌ、好ましくは、３０〜５０Ｌである。
【００１１】
バブル発生部４は、図１および図３（ａ）に示すように、処理槽２内の下部に設けられ、水平方向（処理槽２の底壁に沿う方向）に沿って配置されている。また、バブル発生部４は、図２に示すように、ガス分配管６およびバブル発生管７を一体的に備えている。
ガス分配管６は、処理槽２において、幅方向（紙面左右方向、以下同じ。）一端部に配置されている。また、ガス分配管６は、処理槽２において奥行方向（幅方向に直交する方向）にわたって延びるように、配置されている。なお、ガス分配管６には、その奥行方向一端部および奥行方向他端部に、ガス取入口５が設けられている。また、ガス分配管６は、例えば、円筒形状に形成され、その内径が、例えば、３〜１０ｍｍ、好ましくは、４〜６ｍｍである。
【００１２】
バブル発生管７は、ガス分配管６から分岐するように、複数設けられている。各バブル発生管７は、奥行方向に間隔を隔てて対向配置され、ガス分配管６から幅方向他方側に向かって延びるように形成されている。また、バブル発生管７は、例えば、円筒形状に形成され、その上側周壁に、平面視円形状に開口されるバブル発生口８が、バブル発生管７の延びる方向（幅方向）に間隔を隔てて複数設けられている。
【００１３】
より具体的には、バブル発生管７は、バブル発生口８が、幅方向一方側（基端側）半分のみに配置される複数（５本）の第１バブル発生管７Ａと、バブル発生口８が、幅方向他方側（遊端側）半分のみに配置される複数（５本）の第２バブル発生管７Ｂとを備えている。処理槽２では、奥行方向において、各第１バブル発生管７Ａおよび各第２バブル発生管７Ｂが交互に配置されている。
【００１４】
隣接する各バブル発生管７の間の間隔は、例えば、１０〜１００ｍｍ、好ましくは、２０〜５０ｍｍである。また、各バブル発生管７は、その内径が、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、３〜７ｍｍである。各バブル発生口８は、その内径が、例えば、０．１〜１ｍｍ、好ましくは、０．２〜０．５ｍｍである。
図示しない処理液供給部は、処理槽２に接続されており、後述する処理液を処理槽２内に供給するように構成されている。
【００１５】
なお、脱水装置１には、脱水処理前のシート３を処理槽２内に搬入し、その後、脱水処理後のシート３を処理槽２から搬出するための図示しない搬送機構が設けられている。搬送機構は、上下に移動する図示しない吊下部を備えており、吊下部により、シート３を垂下するように構成されている。
次に、上記した脱水装置１を用いる、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態について、図１〜図５を参照して、説明する。
【００１６】
この方法では、まず、図３（ａ）が参照されるように、シート３を用意する。
シート３は、図１に示すように、例えば、回路付サスペンション基板などの配線回路基板２１を複数備えており、各配線回路基板２１は、略矩形シート形状の金属支持基板１９内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されている。
各配線回路基板２１は、長手方向に延びる略矩形状に形成されている。各配線回路基板２１は、図５に示すように、金属支持層２２と、金属支持層２２の上に形成されるベース絶縁層２３と、ベース絶縁層２３の上に形成される導体層２４と、ベース絶縁層２３の上に、導体層２４を被覆するように形成されるカバー絶縁層２５とを備えている。
【００１７】
金属支持層２２は、金属支持基板１９から形成されている。金属支持基板１９は、ステンレスなどから形成され、その厚みは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜５０μｍである。また、金属支持基板１９の大きさは、例えば、２００〜３００ｍｍ、好ましくは、２５０〜３００ｍｍである。
ベース絶縁層２３は、ポリイミドなどから形成され、その厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
【００１８】
導体層２４は、互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って延びる複数の配線２６と、各配線２６の長手方向両端部にそれぞれ連続する端子部２７とを一体的に備えている。導体層２４は、銅などから形成され、その厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
カバー絶縁層２５は、ベース絶縁層２３の上において、配線２６を被覆し、かつ、端子部２７が露出するパターンとして形成されている。カバー絶縁層２５は、ポリイミドなどから形成され、その厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１５μｍである。
【００１９】
また、この配線回路基板２１には、端子部２７の表面に、金やニッケルなどからなる金属めっき層２８が設けられている。金属めっき層２８の厚みは、例えば、０．２〜５μｍ、好ましくは、０．５〜３μｍである。
次いで、この方法では、図４に示すように、シート３を水洗する（水洗工程Ｓ１）。
シート３を水洗するには、例えば、浸漬、スプレーなど、公知の方法が用いられる。
【００２０】
次いで、この方法では、シート３を脱水する（脱水工程Ｓ２）。
シート３を脱水するには、まず、図３（ａ）および図４に示すように、水洗工程Ｓ１後のシート３を、水可溶性溶媒を含む処理液１０に浸漬させながら、処理液１０をバブリングさせる（浸漬バブリング工程Ｓ３）。
処理液１０は、水可溶性溶媒を含み、好ましくは、水可溶性溶媒と、層分離溶媒との混合液からなる。処理液１０が、層分離溶媒を含むことにより、後述するシート３の引き上げにおいて、シート３の表面に残存する水可溶性溶媒（より具体的には、シート３の表面に残存する水と水可溶性溶媒とを含む水溶液）を、シート３の表面から弾かせることができ、シート３の表面における水可溶性溶媒の残存を防止することができる。
【００２１】
水可溶性溶媒は、水洗工程Ｓ１後のシート３の表面に残存する水を、溶解させることのできる溶媒である。また、水可溶性溶媒の２０℃における比重は、例えば、０．７〜１．５、好ましくは、０．７〜１．０、さらに好ましくは、０．７〜０．８である。また、水可溶性溶媒は、その沸点が、例えば、２００℃以下、好ましくは、１００℃以下であり、通常、８０℃以上である。
【００２２】
このような水可溶性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール（イソプロピルアルコール：ＩＰＡ）、ブタノール、イソブタノールなどの炭素数１〜４のアルコール類、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）などのグリコール類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などが用いられる。好ましくは、炭素数１〜４のアルコール類が用いられ、さらに好ましくは、ＩＰＡが用いられる。
【００２３】
層分離溶媒は、後述する層分離工程Ｓ４において、水可溶性溶媒と層分離可能な溶媒である。また、層分離溶媒は、２０℃における比重が、水可溶性溶媒の２０℃における比重に比べて大きい。具体的には、層分離溶媒の比重（２０℃）は、水可溶性溶媒の比重（２０℃）を１００％とした場合に、例えば、１２０％以上、好ましくは、１５０％以上、さらに好ましくは、１８０％以上であり、通常、３００％以下である。より具体的には、層分離溶媒の比重（２０℃）は、例えば、１．０以上、好ましくは、１．３以上、さらに好ましくは、１．５以上であり、通常、２．０以下である。また、層分離溶媒の沸点は、例えば、５０〜１００℃、好ましくは、５０〜７０℃である。このような層分離溶媒は、難燃性であり、そのため、処理液１０に防爆性を付与することができる。
【００２４】
このような層分離溶媒としては、例えば、フッ素系溶媒が用いられる。
フッ素系溶媒としては、例えば、Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3、Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ2ＣＨ3、ＣＦ3ＣＦ2ＣＦ2ＯＣＨ3、（ＣＦ3）2ＣＦＯＣＨ3、ＣＦ3ＣＦＨＣＦ2ＯＣＨ3などのハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）、例えば、Ｃ6Ｆ14、Ｃ8Ｆ18、（Ｃ4Ｆ9）3Ｎ、パーフルオロジメチルシクロブタン、パーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）などのパーフルオロカーボン（ＰＦＣ）、例えば、Ｃ4Ｆ9ＣＨ2ＣＨ3、Ｃ6Ｆ13ＣＨ2ＣＨ3、（ＣＦ3）2ＣＦＣＦＨＣＦＨＣＦ3、ＣＦ3ＣＦＨＣＦＨＣＦ2ＣＦ3、Ｃ6Ｆ13Ｈ、ＨＣ6Ｆ12Ｈ、ＨＣ4Ｆ8Ｈなどのハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）などが用いられる。
【００２５】
これらのうち、好ましくは、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）が用いられ、さらに好ましくは、Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3が用いられる。
処理液１０における水可溶性溶媒および層分離溶媒の配合割合は、水可溶性溶媒／層分離溶媒の重量比で、例えば、１／９９〜５０／５０、好ましくは、３／９７〜７／９３、さらに好ましくは、４／９６〜６／９４である。水可溶性溶媒の配合割合が上記した範囲に満たない場合には、脱水工程Ｓ２後のシート３の表面に水滴（またはその痕）が残存する場合がある。一方、水可溶性溶媒の配合割合が上記した範囲を超える場合には、脱水工程Ｓ２後のシート３の表面に水可溶性溶媒の滴（またはその痕）が残存する場合があり、また、後述する溶媒置換工程Ｓ５において、置換する層分離溶媒の量が過度に増大して、製造コストが増大する場合がある。
【００２６】
このような処理液１０は、処理槽２において、その温度が、例えば、５０℃を超過し５４℃以下に、好ましくは、５２〜５４℃に調整される。処理液１０が上記温度以下である場合には、脱水工程Ｓ２後のシート３の表面に水滴（またはその痕）が残存する場合がある。
この処理液１０にシート３を浸漬させるには、搬送機構により、シート３を処理槽２内に投入する。
【００２７】
シート３は、図１および図３に示すように、図示しない搬送機構の吊下部により、シート３が垂下されるように吊り下げられている。具体的には、シート３は、図１に示すように、処理槽２内において、奥行方向において間隔を隔てて対向配置されるように、複数（８枚）配列された状態で、吊下部に吊り下げられている。
そして、吊下部の下降により、シート３を下降させて、シート３を処理槽２内に投入させて、シート３を処理槽２の処理液１０に浸漬させる。
【００２８】
なお、シート３の下端部は、図３に示すように、正面視において、上下方向においてバブル発生部４と間隔を隔てて対向配置されている。また、各シート３は、図２に示すように、平面視において、奥行方向における各バブル発生管７の間に配置されている。
また、上記した浸漬と同時に、処理液１０をバブル発生部４によりバブリングさせる。
処理液１０をバブル発生部４によりバブリングさせるには、ガス取入口５にガスを供給して、ガス分配管６および各バブル発生管７を介して、各バブル発生口８からガスを吐出させる。
【００２９】
バブル発生口８から吐出されるガスとしては、処理液１０においてバブルを形成すること、つまり、処理液１０に対して溶解されなければよく、例えば、窒素、アルゴンなどの不活性ガス、例えば、空気（大気）などが用いられる。
各バブル発生口８から吐出されるガスの吐出量（つまり、バブリング流量）は、例えば、３０〜４０Ｌ／ｍｉｎ、好ましくは、３５〜４０Ｌ／ｍｉｎである。
【００３０】
また、処理液１０において発生するバブルは、超音波洗浄により発生するミクロンサイズの気泡（例えば、０．１〜０．３μｍ）に比べて非常に大きく、その平均径は、例えば、０．３〜１０ｍｍ、好ましくは、０．３〜５ｍｍである。
また、バブリング時間は、例えば、２０〜１５０秒間、好ましくは、６０〜１２０秒間、さらに好ましくは、６０〜９０秒間である。
【００３１】
これにより、処理液１０をバブリングさせ、発生したバブルがシート３の表面全面に接触するとともに、シート３の表面における処理液１０を十分に攪拌させることにより、シート３を脱水することができる。
なお、この浸漬バブリング工程Ｓ３においては、処理液１０は、バブル発生部４のバブリングにより攪拌されていることから、水可溶性溶媒が層分離溶媒中に分散（懸濁）された、分散（懸濁）状態を形成している。
【００３２】
次に、この方法では、図３（ｂ）および図４に示すように、処理液１０を静置させて、処理液１０を層分離させる（層分離工程Ｓ４）。
処理液１０を層分離させるには、バブリングを中断し、その後、処理液１０を静置させる。静置時間は、例えば、６０秒間以上、好ましくは、９０秒間以上、通常、１５０秒間以下である。
【００３３】
この処理液１０の静置により水可溶性溶媒が上層１１を形成し、層分離溶媒が下層１２を形成することにより、処理液１０において、上層１１および下層１２の間に界面が形成される。これにより、処理液１０を層分離させることができる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）および図４に示すように、図示しない処理液供給部から層分離溶媒を処理液１０にさらに加えることにより、シート３の表面において、水可溶性溶媒を層分離溶媒で置換する（溶媒置換工程Ｓ５）。
【００３４】
さらに加えられる層分離溶媒は、処理液１０に含まれる層分離溶媒と同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一である。
さらに加えられる層分離溶媒の容量は、例えば、上層１１を形成する水可溶性溶媒を全て処理槽２の上端からオーバーフローさせる容量に設定される。また、このような層分離溶媒を加える速度は、例えば、１０〜２０Ｌ／ｍｉｎ、好ましくは、１２〜１５Ｌ／ｍｉｎに設定されている。
【００３５】
これにより、図３（ｂ）の矢印で示すように、上層１１および下層１２の界面が上昇し、続いて、図３（ｃ）の太線矢印で示すように、上層１１を形成する水可溶性溶媒が処理槽２の上端からオーバーフローされ、水可溶性溶媒を層分離溶媒で置換することができる。
その後、この方法では、図３（ｃ）の矢印で示すように、シート３を、吊下部の上昇により、処理液１０から引き上げる。
【００３６】
そして、図４に示すように、浸漬バブリング工程Ｓ３、層分離工程Ｓ４および溶媒置換工程Ｓ５を順次実施することにより、シート３を脱水することができる（脱水工程Ｓ２）。
なお、図４において図示しないが、脱水工程Ｓ２後、必要により、熱風を用いた乾燥工程によって、シート３を乾燥する。
【００３７】
そして、この方法によれば、水洗工程Ｓ１において、シート３、すなわち、金属めっき層２８を形成したシート３を水洗した後、脱水工程２の浸漬バブリング工程Ｓ３において、処理液１０をバブリングさせてシート３を脱水するので、シート３の表面に比較的大きな気泡を接触させながら脱水することができ、シート３における断線、とりわけ、端子部２７における断線を防止しながら、シート３を確実に脱水することができる。
【００３８】
その結果、シート３を確実に脱水しながら、接続信頼性の高い配線回路基板２１を得ることができる。
また、この方法では、溶媒置換工程Ｓ５では、シート３の表面において、水可溶性溶媒を層分離溶媒で置換するので、シート３から脱水された水を含む水可溶性溶媒を、層分離溶媒によってシート３の表面から確実に除去できる。そのため、シート３を、より一層確実に脱水することができる。
【００３９】
また、この方法では、層分離溶媒の比重が、水可溶性溶媒の比重に比べて、大きいので、層分離溶媒が下層１２を形成し、水可溶性溶媒が上層１１を形成する。そのため、層分離溶媒により水可溶性溶媒を置換すれば、シート３から脱水された水を含む水可溶性溶媒をオーバーフローにより除去することができる。その結果、簡易かつ確実に、シート３を脱水することができる。
【００４０】
なお、上記した説明では、水洗工程Ｓ１および脱水工程Ｓ２を、金属めっき層２８の形成後に、実施したが、さらに、図５の破線で示すように、はんだ２９を、金属めっき層２８の表面に形成した後に、水洗工程Ｓ１および脱水工程Ｓ２をさらに実施することもできる。
また、上記した説明では、図４に示すように、層分離工程Ｓ４および溶媒置換工程Ｓ５をともに実施したが、例えば、層分離工程Ｓ４および溶媒置換工程Ｓ５をともに実施せず、浸漬バブリング工程後のシート３を、そのまま引き上げることもできる。また、溶媒置換工程Ｓ５のみを実施せず、層分離工程Ｓ４後のシート３を、処理槽２の下部に設けられる図示しない下部シート取出口から、引き抜くこともできる。
【００４１】
また、上記した説明では、層分離溶媒の比重を、水可溶性溶媒の比重より大きくしたが、例えば、層分離溶媒の比重を水可溶性溶媒の比重より小さくすることもできる。この場合には、図示しないが、水可溶性溶媒が下層１２を形成し、層分離溶媒が上層１１を形成する。そして、溶媒置換工程Ｓ５では、層分離溶媒をさらに加えることにより、下層１２を形成する水可溶性溶媒を処理槽２の下部に設けられる図示しない下部溶媒流出口から流出させる。
【実施例】
【００４２】
実施例１
（水洗工程）
複数の配線回路基板を備えるシートを用意した。すなわち、まず、厚み２０μｍで、１００×１００ｍｍの大きさのステンレス（ＳＵＳ３０４）からなる金属支持基板を用意し、次いで、その上に、厚み１２μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成し、次いで、配線および端子部を備える、厚み１０μｍの銅からなる導体層を形成し、次いで、配線を被覆し、端子部を露出するパターンで、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成し、その後、厚み２μｍの金からなる金属めっき層を、端子部の表面に形成することにより、複数の配線回路基板を形成した（図１および図５参照）。なお、各配線および各端子部幅は３０μｍであった。
【００４３】
このシートを、水に２０秒間浸漬することにより、シートを水洗した（図４参照、水洗工程（Ｓ２））。
（脱水工程）
次いで、シートを、脱水装置を用いて脱水させた（脱水工程（Ｓ２））。
脱水装置において、ガス分配管の長さは３４９ｍｍ、各バブル発生管の長さは２７０ｍｍであり、互いに対向配置されるバブル発生管の間の間隔は４０ｍｍであった。また、各バブル発生口の間の間隔は５ｍｍで、バブル発生口の直径が０．３ｍｍであった。
【００４４】
脱水工程（Ｓ２）では、まず、シートを、ＩＰＡ（比重０．７８（２０℃）、沸点８２℃）３重量部およびＣ4Ｆ9ＯＣＨ3（比重１．５２（２０℃）、沸点６１℃）９７重量部を含み、温度が５２℃に調整された処理液に浸漬させながら、処理液を、バブル発生部により窒素を用いてバブリングさせた（図３（ａ）および図４参照、浸漬バブリング工程（Ｓ３））。浸漬バブリング工程（Ｓ３）において、バブリング時間は７５秒間であり、バブリング流量は３０Ｌ／ｍｉｎであった。また、バブルの平均径は３ｍｍであった。
【００４５】
次いで、バブリングを中断し、処理液を７５秒間静置させて、処理液を層分離させた（図３（ｂ）および図４参照、層分離工程（Ｓ４））。これにより、処理液において、ＩＰＡにより上層が形成され、Ｃ4Ｆ9ＯＣＨ3により下層が形成された。
次いで、処理液供給部からＣ4Ｆ9ＯＣＨ3を処理液にさらに速度１２Ｌ／ｍｉｎで加えることにより、シートの表面において、ＩＰＡ（ＩＰＡを含む水溶液）をＣ4Ｆ9ＯＣＨ3ですべて置換した（図３（ｃ）および図４参照、溶媒置換工程（Ｓ５））。溶媒置換工程（Ｓ５）では、上層および下層の間の界面が上昇し、次いで、上層を形成する水可溶性溶媒が処理槽の上端からオーバーフローされた。
【００４６】
その後、シートを引き上げ、これにより、シートを脱水した。
実施例２〜１０
処理液のＩＰＡ濃度および温度と、浸漬バブリング工程（Ｓ３）のバブリング流量およびバブリング時間と、層分離工程（Ｓ４）の静置時間とを、表１に従って変更した以外は、実施例１と同様の処理により、シートを脱水して、実施例２〜１０の配線回路基板をそれぞれ得た。
【００４７】
実施例１１
層分離工程（Ｓ４）および溶媒置換工程（Ｓ５）をともに実施せず、浸漬バブリング工程（Ｓ３）後のシート３を、そのまま引き上げた以外は、実施例８と同様の処理により、シートを脱水して、実施例１１の配線回路基板をそれぞれ得た。
比較例１
処理液として、ＩＰＡをそのまま用い、また、浸漬バブリング工程（Ｓ３）に変えて、浸漬超音波工程を実施して、その後、シートをそのまま処理液から引き上げた以外は、実施例１と同様の処理により、シートを脱水した。
【００４８】
なお、浸漬超音波工程では、４０ｋＨｚの超音波を用いて、シートを１５０秒浸漬した。
【００４９】
（評価）
１）  端子部における断線
実施例１〜１１および比較例１により製造されたシートの配線回路基板について、超音波洗浄にて端子部における断線の有無を確認した。
【００５０】
その結果、実施例１〜１１では、端子部における断線が確認されなかった。
一方、比較例１では、端子部における断線を確認した。
２）  水洗工程の痕
実施例１〜１１および比較例１により製造されたシートの配線回路基板における水洗工程（Ｓ１）の痕の有無を確認した。
【００５１】
その結果を、表１に示す。
【００５２】
【表１】
0004981693.tif 000002
なお、表１の「水洗工程の痕」欄における評価の略号を下記に示す。
○：水洗工程の痕が確認されなかった。
△：水洗工程の痕がわずかに確認された。
【００５３】
×：水洗工程の痕を確認した。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態に用いられる脱水装置の斜視図を示す。
【図２】図１に示す脱水装置の平面図を示す。
【図３】図１に示す脱水装置の正断面図であって、シートを脱水する各工程図であり、（ａ）は、浸漬バブリング工程、（ｂ）は、層分離工程、（ｃ）は、溶媒置換工程を示す。
【図４】シートを脱水する各工程のフロー図を示す。
【図５】図１に示す脱水装置により脱水される配線回路基板の長手方向に沿う断面図を示す。
【符号の説明】
【００５５】
２１    配線回路基板
Ｓ１    水洗工程
Ｓ２    脱水工程
【図１】
0004981693.tif 000003
【図２】
0004981693.tif 000004
【図３】
0004981693.tif 000005
【図４】
0004981693.tif 000006
【図５】
0004981693.tif 000007