(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第１大コイルと、
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第１大コイルと同一平面内かつ前記第１大コイルの内周側に形成された渦状の第１小コイルと、
を有する第１の層と、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、平面状かつ渦状に形成された第２大コイルと、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、前記第２大コイルと同一平面内かつ前記第２大コイルの内周側に形成された渦状の第２小コイルと、
を有する第２の層と、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第３大コイルと、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第３大コイルと同一平面内かつ前記第３大コイルの内周側に形成された渦状の第３小コイルと、
を有する第３の層と、
が積層されてなることを特徴とするバラン共振器。
【請求項２】
前記渦状は、方形渦巻形状である
ことを特徴とする請求項１に記載のバラン共振器。
【請求項３】
一端が接地されるとともに他端が開放され、平面状かつ渦状に形成された第４大コイルと、
一端が接地されるとともに他端が開放され、前記第４大コイルと同一平面内かつ前記第４大コイルの内周側に形成された渦状の第４小コイルと、
を有する第４の層、をさらに備え、
前記第４の層が、前記第１の層、前記第２の層および前記第３の層に対して積層されてなる
ことを特徴とする請求項２に記載のバラン共振器。
【請求項４】
透磁率の高い板材を、前記第１の層、前記第２の層および前記第３の層に対してさらに積層してなる
ことを特徴とする請求項３に記載のバラン共振器。
【請求項５】
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第１大コイルと、
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第１大コイルと同一平面内かつ前記第１大コイルの内周側に形成された渦状の第１小コイルと、
を有する第１の層と、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、平面状かつ渦状に形成された第２大コイルと、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、前記第２大コイルと同一平面内かつ前記第２大コイルの内周側に形成された渦状の第２小コイルと、
を有する第２の層と、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第３大コイルと、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第３大コイルと同一平面内かつ前記第３大コイルの内周側に形成された渦状の第３小コイルと、
を有する第３の層と、
が積層されてなるバラン共振器と、
前記バラン共振器の平衡端子間に可変容量素子が接続され、可変容量素子の両端に差動増幅器の入力端が接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第１大コイルと、
一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第１大コイルと同一平面内かつ前記第１大コイルの内周側に形成された渦状の第１小コイルと、
を有する第１の層と、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、平面状かつ渦状に形成された第２大コイルと、
一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、前記第２大コイルと同一平面内かつ前記第２大コイルの内周側に形成された渦状の第２小コイルと、
を有する第２の層と、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第３大コイルと、
一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第３大コイルと同一平面内かつ前記第３大コイルの内周側に形成された渦状の第３小コイルと、
を有する第３の層と、
が積層されてなるバラン共振器と、
前記バラン共振器の平衡端子間に可変容量素子が接続され、可変容量素子の両端に差動増幅器の入力端が接続されている半導体装置と
を含むことを特徴とする受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平衡と不平衡の状態にある電気信号を変換するために使用されるバラン共振器およびこれを用いた半導体装置、並びに受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばテレビジョン放送で用いられるような、ＶＨＦ帯（３０〜３００ＭＨｚ）からＵＨＦ帯（３００〜３０００ＭＨｚ）の広帯域の無線信号を受信するために低雑音増幅回路、いわゆるＬＮＡ（Low Noise Amplifier）回路が用いられる。ＬＮＡ回路の一例として、図１８に示すような回路が用いられている。図１８に示したＬＮＡ回路は、いわゆるバラン共振器を用いて実現されている。バラン共振器は、電気信号の平衡−不平衡の状態を変換するバラン（Balun）に、所望帯域の周波数を選択する機能を持たせたものである。バランは、平衡−不平衡変換器と呼ばれている。
【０００３】
図１８に示したＬＮＡ回路では、広帯域の周波数に対応するために、周波数帯域を３つに分割し、周波数帯域ごとに回路を独立に構成している。第１の回路の周波数帯域は５５０〜９００ＭＨｚ、第２の回路の周波数帯域は１８０〜５５０ＭＨｚ、第３の回路の周波数帯域は４６〜１８０ＭＨｚである。これら第１の回路〜第３の回路は、アンテナ２０１に対して並列に接続されている。図１８において、波線で囲んだ部分すなわちバラン共振器とインダクタは外付け部品であり、それ以外はＩＣ内部に実装される。
【０００４】
まず第１の回路について構成を説明する。図１８に示したように、アンテナ２０１に、例えば電界効果トランジスタ（FET：Field-Effect Transistor）からなるトランジスタ２０２ａのソース（共通端子）が接続している。このトランジスタ２０２ａはスイッチとして機能し、当該回路にアンテナ２０１からの電気信号を入力するときにはゲート（入力端子）に適切な電圧をかけてオン状態にする。トランジスタ２０２ａのドレイン（出力端子）にはバラン共振器２０３ａの不平衡端子が接続される。第２の回路および第３の回路も同様に、トランジスタ２０２ｂおよび２０２ｃがそれぞれ設けられている。
【０００５】
バラン共振器２０３ａの２つの平衡端子にはインダクタ２０４ａ１、可変容量素子２０５ａおよび抵抗素子２０６ａが並列に接続されている。さらに、インダクタ２０４ａ１の一端と可変容量素子２０５ａの一端との間にはインダクタ２０４ａ２が、またインダクタ２０４ａ１の他端と可変容量素子２０５ａの他端との間には、インダクタ２０４ａ３がそれぞれ直列に接続されている。なお、バラン共振器２０３ａの出力に対して、インダクタ２０４ａ２，２０４ａ３を直列に接続することにより、バラン共振器２０３ａの出力とアンテナ２０１からＲＦ（Radio Frequency）入力との整合が図られている。
【０００６】
これらのインダクタ２０４ａ１〜２０４ａ３、可変容量素子２０５ａ、並びに抵抗素子２０６ａによって、所望の周波数帯域の電気信号を通すフィルタ２２１ａが構成される。フィルタ２２１ａの出力側にはさらに差動増幅器２０７ａが接続されている。差動増幅器２０７ａの出力側には可変容量素子２０８ａとインダクタ２０９ａが並列に接続されており、フィルタ２２２ａを構成している。
【０００７】
差動増幅器２０７ａの入力側と出力側にそれぞれフィルタ２２１ａ、２２２ａが接続されているのは、１つのフィルタでは十分に取り除けない不要な電気信号を２つのフィルタを使用することで除去するためである。
【０００８】
この第１の回路において、これらインダクタ２０４ａ１〜２０４ａ３、２０９ａと可変容量素子２０５ａ、２０８ａの値を調節することによって、所望の周波数帯域（５５０〜９００ＭＨｚ）に対応するＬＮＡ回路を構成することができる。
【０００９】
第２の回路も第１の回路と同じ構成であり、バラン共振器２０３ｂの出力側に、インダクタ２０４ｂ１〜２０４ｂ３、可変容量素子２０５ｂ、並びに抵抗素子２０６ｂによって、所望の周波数帯域の電気信号を通すフィルタ２２１ｂが構成されている。フィルタ２２１ｂの出力側にはさらに差動増幅器２０７ｂが接続されている。差動増幅器２０７ｂの出力側には可変容量素子２０８ｂとインダクタ２０９ｂが並列に接続されており、フィルタ２２２ｂを構成している。
【００１０】
この第２の回路において、これらのインダクタ２０４ｂ１〜２０４ｂ３、２０９ｂと可変容量素子２０５ｂ、２０８ｂの値を調節することによって、所望の周波数帯域（１８０〜５５０ＭＨｚ）のＬＮＡ回路を構成することができる。
【００１１】
第３の回路も第１の回路および第２の回路とほぼ同じ構成である。第３の回路は、バラン共振器２０３ｃの出力側に、インダクタ２０４ｃ１〜２０４ｃ３、可変容量素子２０５ｃ、並びに抵抗素子２０６ｃによって、所望の周波数帯域の電気信号を通すフィルタ２２１ｃが構成されている。フィルタ２２１ｃの出力側にはさらに差動増幅器２０７ｃが接続されている。差動増幅器２０７ｃの出力側には可変容量素子２０８ｃとインダクタ２０９ｃが並列に接続されており、フィルタ２２２ｃを構成している。
【００１２】
さらに、第３の回路については第１の回路または第２の回路の構成に加えて、フィルタ２２２ｃの出力側に可変容量素子２１０ｃ１，２１０ｃ２，２１０ｃ３とインダクタ２１１により構成されるフィルタ２２３ｃが接続されている。このように多数のフィルタを設けることによって、例えば帯域幅が８ＭＨｚのように、当該ＬＮＡ回路の周波数帯域（４６〜１８０ＭＨｚ）に対して、非常に狭い帯域幅の電気信号を取り出すことができる。
【００１３】
この第３の回路において、これらのインダクタ２０４ｃ１〜２０４ｃ３、２０９ｃ、２１１ｃと可変容量素子２０５ｃ、２０８ｃ、２１０ｃ１〜２１０ｃ３の値を調節することによって、所望の周波数帯域（４６〜１８０ＭＨｚ）のＬＮＡ回路を構成することができる。
【００１４】
図１９は、図１８に示した従来のＬＮＡ回路を実装したモジュールの構成を示した図である。
【００１５】
従来のＬＮＡ回路においては、図１８に示すように、破線で囲まれたバラン共振器２０３ａ〜２０３ｃとインダクタ２０４ａ１〜２０４ａ３，２０４ｂ１〜２０４ｂ３，２０４ｃ１〜２０４ｃ３，２０９ａ〜２０９ｃ、２１１ｃは外付け部品が使用される。よって、図１９に示すように、１つのマザー基板３００に、例えばＬＮＡ回路を実装するＩＣ（Integrated Circuit）３０１が１つ設置され、その周辺に３つのバラン共振器２０３ａ〜２０３ｃと、そのバラン共振器２０３ａ〜２０３ｃの設置位置に対応してインダクタ２０４ａ１〜２０４ａ３，２０４ｂ１〜２０４ｂ３，２０４ｃ１〜２０４ｃ３，２０９ａ〜２０９ｃ、２１１ｃが設置される。
【００１６】
また、従来２本の線路に位置ずれなどが起きても、信号特性が大きく劣化しないマイクロ波結合線路が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開２００４−３２１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来のＬＮＡ回路の構成では、図１８，１９を参照して説明したように、バラン共振器やインダクタを、必要とする周波数帯域ごとにそれぞれ設置する必要があった。そのため複数のバラン共振器を設置するための大きな基板が必要であり、実装面積が大きくなるという問題があった。そのために、マザー基板や該マザー基板を用いたモジュール等を、チューナ装置例えばテレビジョン受像機の筐体内に設置する場合、レイアウトが制約され、小型化が困難であるという問題があった。
【００１８】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、１つのバラン共振器で広帯域の入力信号に対応できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明のバラン装置は、一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第１大コイルと、一端が平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第１大コイルと同一平面内かつ前記第１大コイルの内周側に形成された渦状の第１小コイルとを有する第１の層と、一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、平面状かつ渦状に形成された第２大コイルと、一端が接地されるとともに他端が平衡端子に接続され、前記第２大コイルと同一平面内かつ前記第２大コイルの内周側に形成された渦状の第２小コイルとを有する第２の層と、一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、平面状かつ渦状に形成された第３大コイルと、一端が不平衡端子に接続されるとともに他端が接地され、前記第３大コイルと同一平面内かつ前記第３大コイルの内周側に形成された渦状の第３小コイルとを有する第３の層と、が積層されてなることを特徴とする。
【００２０】
各層の大コイルと小コイルはそれぞれ共振周波数が異なっており、大コイルは小コイルより低い周波数で共振する。受信信号の周波数が広帯域であっても、大コイルと小コイルそれぞれの共振周波数を含む周波数帯域であれば、平衡−不平衡変換を行うことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、１つの共振器で広帯域の信号に対応できる共振器を構成するとともに、該共振器を用いて広帯域の信号に対応できる低雑音増幅回路の小型化を実現することができる。これにより、従来は部品点数が多く、コストが高くなり、また小型化が困難であった半導体装置やモジュール等の小型化と低コスト化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。
【００２３】
以下に述べる実施の形態は、本発明を実施するための好適な形態の具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されている。ただし、本発明は、以下の実施の形態の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限られるものではない。したがって、例えば、以下の説明で挙げる使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係等も一例を示す概略的なものである。
【００２４】
［第１の実施の形態例］
以下に、本発明の第１の実施の形態について、図１〜図１１を参照して説明する。この第１の実施の形態については、本発明のバラン共振器をテレビジョン受像機のような受信装置（チューナ回路）に適用した場合を想定して説明する。
【００２５】
図１は、テレビジョン受像機等の、高度に集積化されたチューナ回路の構成例を示したブロック図である。
【００２６】
図１に示すチューナ回路は、放送波を受信するアンテナ１、所望の放送波を選択するＲＦＩＣ２、選択した放送波から原信号を取り出す復調ＩＣなどから構成される。
【００２７】
ＲＦＩＣ２は、ＬＮＡ回路（低雑音増幅回路）３、バンドパスフィルタ（以下、単に「フィルタ」という）４、ミキサ５、ＶＣＯ(voltage controlled oscillator)等の発信器６、増幅回路７を備える。ＲＦＩＣ２では、アンテナ１が受信した不平衡状態の受信信号をＬＮＡ回路３が平衡状態の受信信号に変換するとともに増幅し、フィルタ４へ出力する。フィルタ４は所定帯域の受信信号を選択的に通過させ、ミキサ５へ出力する。ミキサ５は、入力された受信信号と発信器６からの局部発信信号を混合して、所定の中間周波数信号（ＩＦ信号）に変換し、増幅回路７へ出力する。増幅回路７は、ＩＦ信号を増幅して復調ＩＣへ出力する。そして、復調ＩＣでは、ＲＦＩＣ２から入力された受信信号を復調してベースバンド信号を生成し、このベースバンド信号から映像データや音声データ等を得る。
【００２８】
ＬＮＡ回路３において、アンテナ１が受信した不平衡状態の受信信号を平衡状態に変換するのに、バラン共振器が用いられる。ＬＮＡ回路３で使用されているバラン共振器について説明する。
【００２９】
図２は、ＬＮＡ回路３の内部構成の例を示すブロック図である。
【００３０】
図２に示すように、ＬＮＡ回路３は、バラン共振器１２と、フィルタ１４と、増幅回路１５と、から構成されている。バラン共振器１２は、入力側の一端が不平衡端子１１および他端が接地、また出力側の一端が平衡端子１３ａおよび他端が平衡端子１３ｂに接続している。アンテナ１はバラン共振器１２の不平衡端子１１に接続しており、フィルタ１４の入力側はバラン共振器１２の平衡端子１３ａ，１３ｂと接続している。フィルタ１４は、バラン共振器１２から入力された平衡信号の所定帯域を通過させる。そして、増幅回路１５は、所定帯域の平衡信号を増幅し、フィルタ４へ出力する。
【００３１】
放送波を受信するときは、アンテナ１からバラン共振器１２の不平衡端子１１に受信信号が入力され、平衡端子１３ａ，１３ｂから受信信号が出力される。本実施の形態のバラン共振器１２は、受信処理に使用しているが、他方、バラン共振器１２を携帯電話機などに適用して送信処理を行う場合には、送信信号をバラン共振器１２の平衡端子１３ａ、１３ｂに入力し、不平衡端子１１からアンテナ１へ出力する。このようにバラン共振器１２は入力−出力が可逆となる装置である。よって、平衡端子と不平衡端子のどちらを入力側、出力側とするかは、信号が伝送される方向によって任意に決めることができる。
【００３２】
バラン共振器１２はこのように、不平衡信号と平衡信号を変換する素子である。ここで、平衡信号および不平衡信号について説明する。
【００３３】
平衡信号とは、２本の信号伝送線のうち、１本の線には元の信号、他方の線には位相が反転した逆位相の信号が流れている信号である。平衡信号は、伝送線がノイズの影響を受けたとき、受信側で逆位相の信号を再度逆位相にし（つまり元の信号と同じ位相になる）、元の信号と加算することで、逆位相となったノイズ成分が打ち消されるので、耐ノイズ性の高い伝送に適している。
【００３４】
不平衡信号とは、図２に示したようにアンテナ１のような１本の信号伝送線を用いて送受信される信号であり、接地が信号の基準電位となる。以後、平衡信号と不平衡信号の変換を「平衡−不平衡変換」と称する。
【００３５】
このような平衡−不平衡変換を行うには、例えばトランスのように電磁誘導を用いることが一般的である。以下に詳細に説明する本実施の形態のバラン共振器１２においても、電磁誘導を用いて平衡−不平衡変換を行っており、これはコイル（巻線）を用いた共振器を構成することで実現する。このバラン共振器１２の積層構造について次に説明する。
【００３６】
図３は、図２に示したバラン共振器１２を構成するコイルの積層状態の概念を示す断面模式図である。
【００３７】
本実施の形態におけるバラン共振器１２は、４つのコイルから構成され、これらのコイルが、いわゆるインターディジタル形状に交互に積層されている。以後、４つの層を下から順に、第１層、第２層、第３層、第４層と称する。
【００３８】
図３に示すバラン共振器１２において、第１層のコイルＬ１の一端が平衡端子１３ａに接続されるとともに他端が接地される。また、第２層のコイルＬ２の一端が接地されるとともに他端が平衡端子１３ｂに接続される。また、第３層のコイルＬ３の一端が不平衡端子１１に接続されるとともに他端が接地される。また第４層のコイルＬ４は積層されたコイル間の電磁的な結合を高めるためのコイルであり、以後「結合コイル」と称する。
【００３９】
このようにインターディジタル形状にコイルを配置することによって、各コイルが電磁的に結合して平衡−不平衡変換を行うバラン共振器を構成することができる。
【００４０】
ところで、コイルを多段化することによって、各コイル間の結合係数が大きくなり、広帯域化が図られることが知られているが、現実に多段化できる段数は限られているので、低い周波数（例えばＶＨＦ帯）に対応することは困難である。そこで、さらなる広帯域化を図るため、図３に示した各層のコイルＬ１〜Ｌ４を、長さの異なる２つのコイルから構成し、それぞれをインターデジィタル形状に積層する。
【００４１】
図４は、各層のコイルＬ１〜Ｌ４を長さの異なる２つのコイルから構成した、バラン共振器１２のコイルの積層状態の概念を示す断面模式図である。
【００４２】
図４に示すバラン共振器１２では、長さの長いコイルからなるインターデジィタル形状のバラン共振器と、長さの短いコイルからなるインターデジィタル形状のバラン共振器が並列に接続されている。
【００４３】
例えば図４の第１層についてみると、第１層のコイルＬ１は、大小２つのコイルＬ１２，Ｌ１１から構成されている。以後、大きいコイルＬ１２を「大コイル」、小さいコイルＬ１１を「小コイル」と称し、他層のコイルについても準用する。第１層の大コイルＬ２１と小コイルＬ１１の一端は平衡端子１３ａに接続され、他端は接地される。
【００４４】
また、第２層のコイルＬ２は、大コイルＬ２２と小コイルＬ２１から構成され、大コイルＬ２１と小コイルＬ１１の一端は接地され、他端は平衡端子１３ｂに接続される。
【００４５】
また、第３層のコイルＬ３は、大コイルＬ３２と小コイルＬ３１から構成され、大コイルＬ３２と小コイルＬ３１の一端は不平衡端子１１に接続され、他端は接地される。
【００４６】
そして、第４層のコイルＬ４は、大コイルＬ４２と小コイルＬ４１から構成され、一端は接地され、他端は開放されている。なお、各層の大コイルを総称するときには「ｌｃ」と表し、小さいコイルを総称するときには「ｓｃ」と表す。
【００４７】
各層の大コイルと小コイルはそれぞれ共振周波数が異なっており、大コイルは小コイルより低い周波数で共振する。したがって小コイルで共振しない低い周波数を大コイルで共振することによって、平衡端子と不平衡端子間で共振を発生させることができる。このため、受信信号の周波数が広帯域であっても、大コイルと小コイルそれぞれの共振周波数を含む周波数帯域であれば、バラン共振器１２により平衡−不平衡変換を行うことができるようになる。
【００４８】
なお、図４の例では、小コイルｓｃの上に大コイルｌｃが位置しているように示されているが、これは大コイルｌｃと小コイルｓｃの電気的な接続状態を明瞭に区別できるように概念的に描いたためであり、実際の配置とは異なっている。これらの実際の配置については、図５，図６（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００４９】
また、図４に示すバラン共振器の最上部に位置する第４層の大コイルＬ４２と小コイルＬ４１は、平衡端子１３ａ，１３ｂおよび不平衡端子１１のいずれにも接続されていないが、これは各層のコイルの結合係数を高くするための結合コイルとして作用させる目的からである。各層のコイルを積層する順序は図示した例に限定されることはなく、例えば最上部の第４層に位置している結合コイルは、最下部に配置してもよい。
【００５０】
図５は、バラン共振器１２の各層のコイルの具体的な配置を示した斜視図である。
【００５１】
これら各層のコイルはある平面内において巻線をスパイラル状（渦状）に巻回して形成した構造になっており、大コイルｌｃの内周側に、大コイルｌｃと同一平面内かつ巻回中心を同一にする小コイルｓｃが配置される。
【００５２】
また各層のコイルを平衡端子１３ａ，１３ｂまたは不平衡端子１１に接続する接続用配線７１、およびグランド（接地）に接続するための接地用配線７２は最上層、つまり第４層に形成される。
【００５３】
図４に示した例では、結合コイル（Ｌ４２，Ｌ４１）は最上層の第４層に形成されている。しかし、接地したり、平衡端子１３ａ，１３ｂまたは不平衡端子１１に接続したりするための上記配線は最上層の第４層に形成されるため、結合コイルは最下層に位置している方がバラン共振器１２の構造が複雑にならず好適である。したがって、図４に示すバラン共振器では、最上層に結合コイル（Ｌ４２，Ｌ４１）を配置していたが、図５に示すバラン共振器においては、結合コイル（Ｌ４２，Ｌ４１）を最下層の第１層に配置し、その他の層を図４の場合と全く逆にして下から第２層（Ｌ３２，Ｌ３１）、第３層（Ｌ２２，Ｌ２１）、第４層（Ｌ１２，Ｌ１１）の順番で積層するものとする。
【００５４】
図６は、図５に示したバラン共振器の各層のコイルの上面図であり、（ａ）は第１層、（ｂ）は第２層、（ｃ）は第３層、（ｄ）は第４層を示している。
【００５５】
以下、最下層の第１層から順に説明する。なお、図６に示されているように、接地端子もしくは該設置端子と接続する箇所にはその旨がわかるよう符号と併せて「＿（Ｇ）」と表記する。同様に平衡端子１１、不平衡端子１３ａ，１３ｂに接続する端子には「＿（１１）」、「＿（１３ａ）」、「＿（１３ｂ）」と表記する。
【００５６】
最下層の第１層は、結合コイルが形成される層であり、巻線が平面状にかつ渦状に形成された大コイルＬ４２と、その大コイルＬ４２と同一平面内でかつその内周側に形成された小コイルＬ４１を有する。大コイルＬ４２の一方の端部２２は接地端子と接続もしくは外部の接地端子と繋がっており、その端部２２から巻回半径を小さくしていきながら内周側に巻回していき、他方の端部２４を開放している。また小コイル４１の一方の端部２１は、接地のための小コイルＬ４１の接地端子（Ｇ）と接続しており、小コイルＬ４１の内周側の端部２３は開放されている。以下、第２層、第３層、第４層についても、それぞれの大コイルおよび小コイルの構造は第１層のものと同様であるので、それらのコイルの構造についての詳細な説明は省略する。
【００５７】
本実施の形態の第１層の大コイル４２および小コイル４１は、図６（ａ）に示すように、方形渦巻形状に形成されているが、円環状に形成されていてもよい。この場合、両者ともにコイルの巻回中心を一致させることが品質上好ましい。同様に、第２層〜第４層についても、大コイルおよび小コイルを方形渦巻形状または円環状に形成されてもよい。
【００５８】
第２層は、不平衡接続用のコイルが形成される層であり、大コイルＬ３２と、大コイル３２の内周側に小コイル３１が形成される。第２層の大コイル３２の外周側の一端は、不平衡端子に接続する不平衡端子３５（１１）に接続しており、内周側の他端は接地のための接地端子３４（Ｇ）に接続している。また、第２層の小コイルＬ３１の外周側の一端は、不平衡端子に接続する不平衡端子３３（１１）に接続しており、内周側の他端は接地のための接地端子３２（Ｇ）と接続している。
【００５９】
また第２層の小コイルＬ３１の外周側で、第１層の小コイルＬ４１の接地端子２１（Ｇ）と対応する位置に、この接地端子２１（Ｇ）と接続するビア７０を形成するためのビアホール３１が形成されている。
【００６０】
第３層は、平衡接続用のコイルが形成される層であり、第３層の大コイル２２の内周側に小コイルＬ２１が形成される。第３層の大コイルＬ２２の外周側の一端は接地のために第３層の外部へ延長された末端４４（Ｇ）が形成されており、内周側に位置する他端は平衡端子と接続する平衡端子４３（１３ｂ）と接続している。また、第３層の小コイルＬ２１の外周側の一端は接地のための接地端子４２（Ｇ）と接続しており、内周側の他端は平衡端子と接続する平衡端子４１（１３ａ）に接続する。
【００６１】
第３層の大コイルＬ２２の外周側であり、且つ末端４４（Ｇ）に隣接して、第２層の大コイルＬ３２の不平衡端子３５（１１）のビアを形成するためのビアホール４７が形成されている。また、第３層の小コイルＬ２１の外周側であり接地端子４２（Ｇ）に隣接して、第２層の小コイルＬ３１の不平衡端子３３（１１）に対応する位置にビアホール４５が形成されている。
【００６２】
また第３層の大コイルＬ２２の内周側であり、且つ平衡端子４３（１３ｂ）側には第２層の大コイルＬ３２の接地端子３４（Ｇ）のビアを形成するためのビアホール４６が形成されている。また第３層の小コイルＬ２１の内周側には第２層の小コイルＬ３１の接地端子３２（Ｇ）のビアを形成するためのビアホール４８が形成されている。
【００６３】
最上層の第４層は、平衡入力用のコイルが形成される層である。第４層の大コイルＬ１１の内周側に小コイルＬ１２が形成される。第４層の大コイルＬ１２の外周側の一端は平衡端子と接続する平衡端子６０（１３ｂ）に接続しており、内周側の他端は接地のための接地端子４３（Ｇ）に接続している。第４層の小コイルＬ１１の外周側の一端は、平衡端子と接続する平衡端子５３（１３ｂ）に接続しており、内周側の他端は接地端子５２（Ｇ）に接続している。
【００６４】
第４層の大コイルＬ１２の平衡端子６０（１３ｂ）側には、第２層の大コイルＬ３２と第２層の小コイルＬ３１を接続するための、接続端子５５が形成されている。第４層の小コイルＬ１１の平衡端子５３（１３ｂ）側には、第２層の大コイルＬ３２と第２層の小コイルＬ３１を接続するための、接続端子５４が形成されている。さらに第２層の接続端子５５と第２層の接続端子５４は、第２層用の接続用配線７１により互いに接続されている。この接続用配線７１は例えば絶縁膜等を介して第４層の大コイルＬ１２と接触しないように形成される。
【００６５】
さらに、第４層の平衡端子６０（１３ｂ）と、第４層の平衡端子５３（１３ｂ）を互いに接続するために第４層用の接続用配線７１が形成されている。第４層の小コイルＬ１１の外周側で、第４層の平衡端子５３（１３ｂ）側に第３層の接地端子４２（Ｇ）と第１層の接地端子２１（Ｇ）を接地するための中継用端子５８が形成されている。中継用端子５８は接地用配線７２によって、第４層の大コイルＬ１２の外周側で接地される。接地用配線７２は、中継用端子５８から第４層の大コイルＬ１２の外周側の接地（図示しない）に、例えば絶縁膜等を介して第４層の大コイルＬ１２を横切る方向に延長して形成される。
【００６６】
第４層の小コイルＬ１１の接地端子５２（Ｇ）に隣接して、第３層の小コイルＬ２１の平衡端子４１（１３ａ）と接続する中継用不平衡端子５９が形成されている。さらに第４層の大コイルＬ１２の内周側に第３層の大コイルＬ２２の平衡端子４３（１３ｂ）と接続する中継用平衡端子５６が形成されている。
【００６７】
第４層の大コイルＬ１２の外周側には平衡端子１３ａ（図示しない）と接続する平衡接続用端子５７が形成されており、中継用平衡端子５６と接続用配線７１によって接続されている。接続用配線７１は例えば絶縁膜等を介して、第４層の小コイルＬ１１を横切るように形成されている。
【００６８】
このように積層構造に形成されたバラン共振器１２は、例えば樹脂（図４には示されていない）などに埋め込んで構成することができる。
【００６９】
次に、図７を参照して、バラン共振器１２の断面構造について説明する。
【００７０】
図７は、図５および図６に示したバラン共振器１２の概略断面図である。第１〜第４の各層の厚さはそれぞれ、例えば約２０μｍであり、各層間の距離は例えば約２０μｍである。また第１層の下部と第４層の上部は大気開放と同様の状態である。つまり誘電率、透磁率が大気と同等である。また各層間には絶縁性を有する材料を使用して薄膜を形成することができる。絶縁性を有する材料として、ポリイミド、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）等を用いることができる。
【００７１】
次に、本実施の形態に係るバラン共振器を有するＬＮＡ回路について説明する。
【００７２】
図８は、本実施の形態のバラン共振器１２を用いて構成した、３つの周波数帯域に対応したＬＮＡ回路である。３つの周波数帯域は５５０〜９００ＭＨｚ、１８０〜５５０ＭＨｚ、４６〜１８０ＭＨｚであり、以下、それぞれ適宜「第１の回路」、「第２の回路」、「第３の回路」と称する。しかし、これらは各回路を識別するために称しているのであり、どの回路を「第１」、「第２」、「第３」と称するかは任意でよい。第１の回路、第２の回路および第３の回路は、それぞれフィルタ１４および差動増幅器１５の要素を備え、それぞれ並列に接続されている。
【００７３】
第１の回路、第２の回路、第３の回路は、いずれも同一の回路かつバラン共振器１２に対して並列に接続されている。ここでは、代表して第１の回路について説明し、他の第２の回路、第３の回路については説明を割愛する。
【００７４】
図８に示すように、バラン共振器１２の平衡端子１３ａ、１３ｂには、２つの電界効果トランジスタ８０Ａ１と８０Ａ２のゲートが互いに接続されたスイッチングトランジスタ８０Ａが接続している。また、スイッチングトランジスタ８０Ａに並列に可変容量素子８１Ａと抵抗素子８２Ａが接続している。抵抗素子８２Ａの両端は差動増幅器８４Ａの入力端に接続している。
【００７５】
可変容量素子８１Ａは、例えば複数の可変容量素子が並列に接続し、それぞれの可変容量素子の容量を自由に変化させることによって、任意の容量を形成することができる装置（キャパシタバンク８１）を構成するものである。したがって、例えば第３の回路の周波数帯域、すなわち４６〜１８０ＭＨｚでは、可変容量素子８１Ａとバラン共振器１２がＬＣ共振回路を構成しフィルタとして機能する。
【００７６】
また、広帯域化のために、４６−１８０ＭＨｚ帯を除く高周波帯域のＬＮＡ回路の外部にインダクタを接続する。図９に示したように、低域側のＬＮＡ回路以外に、バラン共振器１２とスイッチングトランジスタ８０Ａまたは８０Ｂとの間に並列にインダクタ８３Ａ，８３Ｂを接続する。
【００７７】
図９に示すＬＮＡ回路は、図８で示したＬＮＡ回路に加えて、第１の回路〜第３の回路において、それぞれ差動増幅器８４Ａ〜８４Ｃの出力側にキャパシタバンクによる出力側可変容量素子８５Ａ〜８５Ｃと、出力側インダクタ８６Ａ〜８６Ｃが並列に接続してフィルタ４ａを構成した回路である。つまり差動増幅器８４Ａ〜８４Ｃの入力側、出力側にそれぞれフィルタ１４，４ａを有している構成である。これは、入力側のフィルタでは不要な信号成分を十分除去できないため、出力側にもフィルタを設けて不要な信号を除去するためである。
【００７８】
さらに、第３の回路については第１の回路または第２の回路の構成に加えて、フィルタ４ａの出力側に可変容量素子８７ｃ１，８７ｃ２，８７ｃ３とインダクタ８８ｃにより構成されるフィルタ４ｂが接続されている。このように多数のフィルタを設けることによって、例えば帯域幅が８ＭＨｚのように、当該ＬＮＡ回路の周波数帯域（４６〜１８０ＭＨｚ）に対して、非常に狭い帯域幅の電気信号を取り出すことができる。
【００７９】
次に、バラン共振器１２にキャパシタバンクを接続し、キャパシタバンクの容量を約０ｐＦ〜３００ｐＦの範囲で変化させた場合の信号特性について説明する。信号特性の測定に際し、バラン共振器１２の各層のコイルを形成する線の幅と、線の間隔つまり配線幅／配線間（line/space ）は２０μｍ／２０μｍ、各層の間の厚さは１５μｍ、非誘電率は３．０、誘電正接は０．０３を想定した。また、ボンディングワイヤの直径は３０μｍを想定した。
【００８０】
図１０に、周波数と挿入損失の関係を表した信号特性を示す。グラフの横軸は入力信号の周波数であり、縦軸は挿入損失である。キャパシタバンクの容量が０ｐＦに近い領域のグラフを見ると、約０．４ＧＨｚ以下では挿入損失が小さくなっているが、それ以上の領域では挿入損失が最も大きい。
【００８１】
また、容量が０．５ｐＦでは、約０．３４ＧＨｚ付近に挿入損失が最大となるピークを有しており、０．７７ＧＨｚ付近で極小値を有している。図示されているように、容量が大きくなるにしたがって、ピークの周波数は低くなり、極小値付近の挿入損失は小さくなる。また周波数が０．９ＧＨｚから１ＧＨｚの範囲で極大値を有しており、０．９５ＧＨｚ付近から小さくなる。
【００８２】
このように、周波数０．０ＧＨｚ〜１．０ＧＨｚの範囲において、バラン共振器１２に接続するキャパシタバンクの容量が大きくなるにしたがって、約０．４ＧＨｚ以上の周波数では挿入損失が小さくなる。また約０．４ＧＨｚ以下では挿入損失が最大となる周波数が低くなるとともに、挿入損失も小さくなる。
【００８３】
つまりキャパシタバンクによって可変容量素子８１の容量を調節することにより、低い周波数ではバラン共振器３が、互いに逆位相の信号に対して共振する差動インダクタとして働く。よって、単純なＬＣ共振回路となりＬＣフィルタとして動作する。一方、高い周波数では容量を追加することにより、ピークとなる周波数を低域側にシフトすることができる。このような動作によって広帯域に対応した低雑音増幅回路を実現することができる。
【００８４】
このように本実施の形態例のバラン共振器１２は、キャパシタバンクの容量を変化させることによって、１つのバラン共振器１２で複数の周波数帯域に対応させることができる。これによってマザー基板の小型化を実現することができる。
【００８５】
図１１は、本実施の形態例のバラン共振器をマザー基板に設置した状態を示した上面図である。
図示したように、マザー基板１００にＲＦＩＣ２が設置され、ＲＦＩＣ２の左側にバラン共振器１２が設置されている。また、ＲＦＩＣ２、バラン共振器１２に隣接してインダクタ８３が設置されている。インダクタは、インダクタンスを有する素子であればよく、例えばコイルを使用することができる。図１８に示した従来例と比較すると、図１１に示す例ではバラン共振器１２が１つであるためマザー基板１００が小型化されていることがわかる。
【００８６】
次に、本実施の形態に係るバラン共振器１２をマザー基板１００に実装した半導体装置（モジュール）の構造について説明する。
【００８７】
図１２は、バラン共振器３とＲＦＩＣ２を、マザー基板１００の主面に設置した半導体装置の概略断面図である。
【００８８】
マザー基板１００は、一例として通常使用される、いわゆるプリント配線基板を使用することができる。マザー基板１００のプリント配線（図示しない）と、バラン共振器３の端子との接続は、図１２に示したように通常のボンディングワイヤ１０１によって行うことができる。このボンディングワイヤ１０１は、図５および図６に示されている接続用配線７１、接地用配線７２とは異なるものである。
【００８９】
なお、マザー基板１００にバラン共振器１２およびＲＦＩＣ２が実装された半導体装置の形態は、図１２に示した例に限定されるものではない。以下に、バラン共振器１２とＲＦＩＣ２を含む半導体装置の変形例を説明する。
【００９０】
（第１の変形例）
図１３を参照して、図１２に示したバラン共振器１２を含む半導体装置の第１の変形例を説明する。
【００９１】
図１３は、バラン共振器１２およびＲＦＩＣ２がマザー基板１００に埋め込まれた状態を示した概略断面図である。
【００９２】
この例では、バラン共振器１２とＲＦＩＣ２がマザー基板１００に埋め込まれているので、バラン共振器１２とマザー基板１００のプリント配線との接続は、図１２と同様にボンディングワイヤ１０１で行われる。この例では、バラン共振器１２とＲＦＩＣ２がマザー基板１００に埋め込まれているので、マザー基板１００を含めた全体の厚さを薄くすることができる。なお、ＲＦＩＣ２は必ずしも埋め込まなくてもよい。
【００９３】
（第２の変形例）
図１４は、図１２に示したバラン共振器１２を含む半導体装置の第２の変形例を示す概略断面図である。
【００９４】
第２の変形例では、バラン共振器１２とマザー基板１００のプリント配線（図示しない）との接続には、接続部材１１０を用いる。接続部材１１０は絶縁性を有する板状の部材（以後、「絶縁部材」１０２と称する）の中に、導電性を有する導電部材１０３が形成されてなる。この導電部材１０３は、図１４に示されているように絶縁部材１０２を貫通するように構成されており、接続部材１１０の上面と下面の間、すなわちバラン共振器１２とマザー基板１００の間を電気的に接続することができる。導電部材１０３は、いわゆる銅ポスト（Cu Post）、バンプポスト（Bump Post）等を使用することができる。
【００９５】
導電部材１０３は、図５に示されているバラン共振器１２のコイルの各端子に対応する位置に形成される。例えば、図５において、第３層の小コイルＬ２１の接地端子４２と第４層の接地用配線７２と接続する接地端子５８に対応する位置に、導電部材１０３が位置するように形成される。その他、各層間の対応する位置にそれぞれ導電部材１０３が位置するように形成される。
【００９６】
図１４では、接続部材１１０はバラン共振器１２の厚みとほぼ同じ程度に示されているが、これは半導体装置の第２の変形例を説明するために概略的に示されているからである。接続部材１１０は薄膜状に形成することもでき、これは必要に応じて任意に形成してもよい。またバラン共振器１２の最下層のコイルとマザー基板１００のプリント配線との距離は、電気的に作用しない距離として、例えば８０μｍ〜１５０μｍであることが好ましい。このようにバラン共振器１２とマザー基板１００との電気的な接続に、接続部材１１０を用いると、ボンディングワイヤ１１０を使用しなくてすむため製造工程から、ワイヤボンディングの工程を省くことができる。
【００９７】
（第３の変形例）
次に、バラン共振器１２を含む半導体装置の第３の変形例を説明する。
【００９８】
図１５は、図１２に示す半導体装置の第３の変形例を示す概略断面図である。図１５に示す半導体装置は、バラン共振器１２とマザー基板１００との間に接続部材１１０を用い、さらに結合板Ｆが設置されている。この結合板とは、大気に比べて透磁率の高い材料によって構成された板状の部材である。図示したように、結合板Ｆをバラン共振器１２の上部に設置する。さらに、バラン共振器１２の下部に結合板Ｆを配置する場合は、マザー基板１００に結合板Ｆを埋め込むように配置する。
【００９９】
結合板Ｆを設置することによって、バラン共振器１２の各層（第１層〜第２層）間のコイルの結合係数を高くすることができ、平衡−不平衡の変換効率を高めることができる。結合係数は、例えば結合板Ｆを透磁率４００の材料で形成したとすると、結合板Ｆを用いない場合に比べて約４倍となる。しかし、これは結合板Ｆの材料、または透磁率を変えることによって、結合係数は自由に変化させることができる。
【０１００】
（第４の変形例）
次に、第１の実施の形態の第４の変形例として、上記第３の変形例の他の形態を説明する。
【０１０１】
図１６は、第４の変形例に係るバラン共振器の構造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線で切断した断面図である。第４の変形例によると、大コイルｌｃおよび小コイルｓｃの接続用配線７１、接地用配線７２を、最上層（第４層）に形成することができる。なお、この第４の変形例において、上述した第１の実施の形態と構成が同じ部分については説明を省略する。
【０１０２】
図１６（ａ）に示されているように、大気の透磁率に比べて、透磁率の高い材料で形成された板状の部材１１１，１１２を、大コイルｌｃ、小コイルｓｃを部分的に覆うように設置する。透磁率の高い材料としては例えばフェライトを使用することができる。以後、説明の便宜上、透磁率の高い材料で形成された板状の部材を「結合板」と称する。この結合板１１１,１１２は５０μｍ〜１００μｍの厚さを想定している。結合板１１１，１１２の厚さは、各層のコイルの結合係数を高くすることができれば、任意の厚さでよい。
【０１０３】
また結合板１１１，１１２はバラン共振器１２の物理的な強度を強くする補強板としての機能を有する。結合板１１１，１１２の厚さが大きいほど強度は強くなる。しかしながら、結合板１１１，１１２の厚さは、必要な強度が得られればよい。
【０１０４】
図１６（ａ）に示されているように、２枚の結合板１１１，１１２が間隙１１３を有するように離間して設置されている。これは、この間隙１１３から接続用配線７１、接地用配線７２を大コイルｌｃの外周側に向けて形成するためである。また図１６（ｂ）に示されているように、結合板１１１，１１２は大コイルｌｃ、小コイルｓｃの上部、下部に配置されており、これによって各層（第１層〜第４層）のコイルの結合係数を高くすることができる。それぞれの結合板を「上部結合板１１１」、「下部結合板１１２」と称することにする。
【０１０５】
また図１６（ａ）、（ｂ）では結合板１１１，１１２の縁部は、間隙１１３が小コイルｓｃの内周側の縁部１１４と一致するように構成されているが、これに限定されるものではない。第４の変形例では、各層のコイルの結合係数を高くするために、結合板１１１，１１２を設置することが特徴であるので、結合板の配置は任意に設定できる。
【０１０６】
この間隙１１３から、接続用配線７１、接地用配線７２（図１６（ａ），（ｂ）には示されていない）を外部に延長することができる。また結合板１１１，１１２は大コイルｌｃ、小コイルｓｃとともに樹脂１１５で覆うことによって大コイルｌｃ、小コイルｓｃと結合板Ｆとを固定することができる。
【０１０７】
しかし、結合板１１１，１１２の配置はこれに限定されることはなく、例えば大コイルｌｃ、小コイルｓｃを樹脂１１５Ａで覆い、樹脂１１５Ａの表面に結合板１１１，１１２を例えば接着剤等で接着する構造でもより。
【０１０８】
（第５の変形例）
次に、図１７を参照して、結合板の他の配置の例を説明する。図１７（ａ）は第５の変形例に係るバラン共振器の上面図であり、（ｂ）はＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。図１７（ａ），（ｂ）に示されているように結合板１２１，１２２は、中央部に貫通口１２３を有した環状形状であり、大コイルｌｃを覆っているが、小コイルｓｃは覆っていない。また結合板１２１，１２２の厚さは上述した第４の変形例と同じなので説明は省略する。
【０１０９】
この貫通口１２３から、接続用配線７１、接地用配線７２を外部に延長させることができる。図１３（ｂ）に示されているように、結合板は上部結合板１２１と下部結合板１２２により構成されている。このような構成でも各層の大コイルｌｃの結合係数を高くすることができる。
【０１１０】
第５の変形例において、貫通口１２３から、接続用配線７１、接地用配線７２（図１２（ａ）,（ｂ）には示されていない）を外部に延長することができる。また結合板１２１，１２２は大コイルｌｃ、小コイルｓｃとともに樹脂１２４で覆うことによって大コイルｌｃ、小コイルｓｃと結合板１２１，１２２とを固定することができる。
【０１１１】
なお、本実施の形態の例において、３つの低雑音増幅回路で周波数帯域を３つに分割するように構成されているがこれに限定されることはなく、周波数帯域を例えば２つ、４つ、５つなどの任意の数に分割することができる。
【０１１２】
また、上述した実施の形態では、コイルをある平面内においてスパイラル形状に形成するようにしたが、ミアンダ形状としてもよい。ミアンダ形状とは、矩形折り、つづら折り、波形をはじめとする、線状体を屈曲させながら一定の面積中に一定以上の密度をもって、配置するものと定義する。実用的には、矩形折り、つづら折り形状が好ましい。
【０１１３】
また、上述した実施の形態においては、バラン共振器をチューナ回路、または、当該チューナ回路を備えたテレビジョン受像機に使用した例について説明したが、無線受信機等にも使用できる。また、受信だけでなく、無線送信機や携帯電話機の送受信機能に使用するなど、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るチューナ回路の内部構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るチューナ回路に用いられるＬＮＡ回路の内部構成を示すブロック図である。
【図３】一般的なバラン共振器を構成するコイルの積層状態の概念を示した断面模式図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器を構成するコイルの積層状態の概念を示した断面模式図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器の構造を示した斜視図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器の各層のコイルの上面図であり、（ａ）は第１層、（ｂ）は第２層、（ｃ）は第３層、（ｄ）は第４層を示したものである。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器の層構成を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器を使用したＬＮＡ回路を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器を使用したＬＮＡ回路（２）を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器における、周波数と挿入損失の関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るバラン共振器が配置された基板の上面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るバラン共振器を実装した基板の断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態例の第１の変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態例の第２の変形例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態例の第３の変形例を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係るバラン共振器の構造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係るバラン共振器の変形例を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。
【図１８】従来のバラン共振器を用いたＬＮＡ回路を示す図である。
【図１９】従来のバラン共振器を実装した基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１１５】
３…ＬＮＡ回路、４…フィルタ、１１…不平衡端子、１２…バラン共振器、１３ａ，１３ｂ…平衡端子、１４…フィルタ、１５…増幅回路、８１…キャパシタバンク、８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ…スイッチングトランジスタ、Ｌ１１…第４層小コイル、Ｌ１２…第４層大コイル、Ｌ２１…第３層小コイル、Ｌ２２…第３層大コイル、Ｌ３１…第２層小コイル、Ｌ３２…第２層大コイル、Ｌ４１…第１層小コイル、Ｌ４２…第１層大コイル
【図１】
0004946876.tif 000002
【図２】
0004946876.tif 000003
【図３】
0004946876.tif 000004
【図４】
0004946876.tif 000005
【図５】
0004946876.tif 000006
【図６】
0004946876.tif 000007
【図７】
0004946876.tif 000008
【図８】
0004946876.tif 000009
【図９】
0004946876.tif 000010
【図１０】
0004946876.tif 000011
【図１１】
0004946876.tif 000012
【図１２】
0004946876.tif 000013
【図１３】
0004946876.tif 000014
【図１４】
0004946876.tif 000015
【図１５】
0004946876.tif 000016
【図１６】
0004946876.tif 000017
【図１７】
0004946876.tif 000018
【図１８】
0004946876.tif 000019
【図１９】
0004946876.tif 000020