(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数のドライブ線および複数の走査線と、前記ドライブ線および前記走査線による複数の交点位置において、各ドライブ線および各走査線間に接続された容量性の発光素子とからなる発光表示パネルの駆動装置であって、
前記各ドライブ線には定電流源が配置され、当該定電流源を介して各発光素子に対して定電流が供給されるように構成されると共に、前記走査線のいずれかを基準電位に設定して発光素子を発光駆動させる状態において、非走査状態における発光素子には走査線を介して逆バイアス電圧が印加されるように構成され、
非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生じ、前記逆バイアス電圧に重畳される電圧値に対応して、前記ドライブ線に配置された定電流源に供給される発光駆動電圧を変更するように構成したことを特徴とする容量性発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記逆バイアス電圧を生成する逆バイアス電圧生成回路がツェナーダイオードを含み、前記ツェナーダイオードによって生成されるツェナー電圧に基づいて逆バイアス電圧を得るように構成した請求項１に記載の容量性発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生じ、前記逆バイアス電圧に重畳される前記電圧値のピークを保持するピークホールド回路が具備され、前記ピークホールド回路によって保持されるピーク電圧値に基づいて、前記定電流源に対して供給される発光駆動電圧を変更するように構成した請求項１に記載の容量性発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記定電流源に供給される発光駆動電圧が、ＤＣ−ＤＣ昇圧回路より供給されるようになされ、かつ、前記ＤＣ−ＤＣ昇圧回路より得られる発光駆動電圧が、前記電圧値に応じて制御されるフィードバック回路を構成してなる請求項１に記載の容量性発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンスである請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の容量性発光素子を発光駆動する技術に関し、特に各有機ＥＬ素子を配列して形成した表示パネルを駆動する際の電力損失が低減できるようにした容量性発光表示パネルの駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイに代わる低消費電力および高表示品質、並びに薄型化が可能なディスプレイとして、有機ＥＬディスプレイが注目されている。これはＥＬディスプレイに用いられるＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことが背景にある。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、電気的には図４に示すような等価回路で表すことができる。すなわち、有機ＥＬ素子は、ダイオード成分Ｅと、このダイオード成分に並列に結合する寄生容量成分Ｃp とによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると考えられている。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値＝Ｖth）を越えると、電極（ダイオード成分Ｅの陽極側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００４】
図５は、このような有機ＥＬ素子の発光静特性を示したものである。これによれば、有機ＥＬ素子は図５（ａ）に示すように、駆動電圧（Ｖ）が発光閾値電圧（Ｖth）以上の場合において、急激に電流（Ｉ）が流れて発光する。換言すれば、印加される駆動電圧が発光閾値電圧以下であれば、寄生容量への充電後はＥＬ素子には殆ど駆動電流は流れず発光しない。そして、駆動電圧（Ｖ）が発光閾値電圧以上の発光可能領域においては、図５（ｂ）に示すように、駆動電流（Ｉ）にほぼ比例した輝度（Ｌ）で発光する特性を有している。したがって、ＥＬ素子の輝度特性は図５（ｃ）に示すように前記閾値電圧より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほど、その発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有している。
【０００５】
一方、前記した有機ＥＬ素子は、長期の使用によって素子の物性が変化し、素子自身の抵抗値が大きくなるという特性も有している。このために有機ＥＬ素子は、図５（ａ）に示したように実使用時間の経過によってＶ−Ｉ特性が矢印で示した方向（破線で示した特性）に変化し、したがって輝度特性も劣化することになる。
【０００６】
さらに、有機ＥＬ素子の輝度特性は、温度によって概ね図５（ｃ）に破線で示したように変化することも知られている。すなわち、ＥＬ素子は前記した発光閾値電圧よりも大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほど、その発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有するが、高温になるほど発光閾値電圧が小さくなる。したがって、前記ＥＬ素子は、高温になるほど、小さい印加電圧で発光可能な状態となり、同じ発光可能な印加電圧を与えても、高温時は明るく低温時は暗いといった輝度の温度依存性を有している。
【０００７】
かかる複数の有機ＥＬ素子を配列させて構成した表示パネルの駆動方法としては、単純マトリクス駆動方式が適用可能である。図６に単純マトリクス表示パネルと、その駆動装置の一例が示されている。この単純マトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図６に示す構成は前者の陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｎ本のドライブ線としての陽極線Ａ1 〜Ａn が縦方向に、ｍ本の走査線としての陰極線Ｂ1 〜Ｂm が横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｎ×ｍ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した有機ＥＬ素子ＯＥＬが配置され、表示パネル１を構成している。
【０００８】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子は、格子状に配列され、垂直方向に沿う陽極線Ａ1 〜Ａn と水平方向に沿う陰極線Ｂ1 〜Ｂm との交差位置に対応して一端（前記した等価回路のダイオード成分Ｅの陽極端子）が陽極線に、他端（前記した等価回路のダイオード成分Ｅの陰極端子）が陰極線に接続される。また、陽極線は陽極線ドライブ回路２に接続され、陰極線は陰極線走査回路３に接続されてそれぞれ駆動される。
【０００９】
前記陰極線走査回路３には、各陰極走査線Ｂ1 〜Ｂm に対応して走査スイッチＳY1〜ＳYmが備えられ、クロストーク発光を防止するための逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧（ＶM ）または基準電位点としてのアース電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極走査線に接続するように作用する。また、陽極線ドライブ回路２には、各陽極線を通じて駆動電流を個々のＥＬ素子に供給する定電流源としての定電流回路Ｉ1 〜Ｉn およびドライブスイッチＳX1〜ＳXnが備えられている。
【００１０】
このドライブスイッチＳX1〜ＳXnは、定電流回路Ｉ1 〜Ｉn からの電流またはアース電位のうちのいずれか一方をそれぞれに対応する陽極線に接続するように作用する。したがって、ドライブスイッチＳX1〜ＳXnが前記定電流回路側に接続されることにより、定電流回路Ｉ1 〜Ｉn からの電流が、陰極走査線に対応して配置された個々のＥＬ素子に対して供給されるように作用する。
【００１１】
なお、前記定電流回路に代えて定電圧回路等の駆動源を用いることも可能であるが、ＥＬ素子の電流・輝度特性が温度変化に対して安定しているのに対し、電圧・輝度特性が温度変化に対して不安定であること、また過電流により素子を劣化させるのを防止する等の理由により、一般的には図に示したように駆動源として定電流回路を用いるのが一般的である。
【００１２】
前記陽極線ドライブ回路２および陰極線走査回路３には、図示せぬ発光制御回路よりコントロールバスが接続されており、表示すべき画像信号に基づいて、前記走査スイッチＳY1〜ＳYmおよびドライブスイッチＳX1〜ＳXnが操作される。これにより、画像信号に基づいて陰極走査線を所定の周期で基準電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流回路が接続される。これにより、前記各発光素子は選択的に発光し、表示パネル１上に前記画像信号に基づく画像が再生される。
【００１３】
前記陽極線ドライブ回路２における各定電流回路Ｉ1 〜Ｉn には、ＤＣ−ＤＣコンバータによる昇圧回路６からもたらされるＤＣ出力（駆動電圧＝ＶCOM ）が供給されるように構成されている。なお、以下に説明するＤＣ−ＤＣコンバータによる昇圧回路６は、ＰＷＭ制御（パルス幅の可変制御）により直流出力を生成するようにしているが、これはＰＦＭ制御（パルス同期の可変制御）を利用することもできる。
【００１４】
このＤＣ−ＤＣコンバータは、スイッチングレギュレータ回路１１から出力されるＰＷＭ波がスイッチング素子としてのｎｐｎトランジスタＱ1 を所定のデューティーサイクルでオン制御するように構成されている。すなわち、トランジスタＱ1 のオン動作によって、ＤＣ電圧源１２からの電力エネルギーがインダクタＬ1 に蓄積され、トランジスタＱ1 のオフ動作に伴い、前記インダクタに蓄積された電力エネルギーは、ダイオードＤ1 を介してコンデンサＣ1 に蓄積される。そして、前記トランジスタＱ1 のオン・オフ動作の繰り返しにより、昇圧されたＤＣ出力をコンデンサＣ1 の端子電圧として得ることができる。
【００１５】
前記ＤＣ出力電圧は、抵抗Ｒ1 およびＲ2 によって分圧され、スイッチングレギュレータ回路１１におけるオペアンプによる誤差増幅器１４に供給され、この誤差増幅器１４において基準電圧Ｖref と比較される。この比較出力（誤差出力）がＰＷＭ回路１５に供給され、発振器１６からもたらされる信号波のデューティを制御することで、前記出力電圧を所定の定電圧に保持するようにフィードバック制御される。したがって、前記したＤＣ−ＤＣコンバータ６により得られる出力電圧Ｖout は、次のように示すことができる。
【００１６】
【数１】
0004878414.tif 000002
【００１７】
一方、前記したクロストーク発光を防止するために利用される逆バイアス電圧生成回路５は、前記出力電圧Ｖout を分圧する分圧回路により構成されている。すなわち、この分圧回路は、抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 、およびエミッタフォロアとして機能するｎｐｎトランジスタＱ2 により構成されている。したがって、トランジスタＱ2 におけるベース・エミッタ間電圧をＶbeとして表せば、この分圧回路により得られる逆バイアス電圧ＶM は、次のように示すことができる。
【００１８】
【数２】
0004878414.tif 000003
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した構成の発光表示パネルの駆動装置においては、陽極線ドライブ回路２における各定電流回路Ｉ1 〜Ｉn に印加するＤＣ−ＤＣコンバータ６よりもたらされる出力電圧は、前記した例えばＰＷＭ方式を利用したスイッチングレギュレータにより、常にほぼ一定の出力電圧（定電圧）となるように制御されている。この場合、ＤＣ−ＤＣコンバータ６よりもたらされる出力電圧は、陽極線ドライブ回路２における定電流回路の定電流特性が十部に確保できるように、次のような各要素を考慮して高めに設定せざるを得ない。
【００２０】
すなわち、前記要素としては、例えば前記したスイッチングレギュレータを構成する各回路部品の定数公差、また、各定電流回路における電圧降下量のばらつき、また、各有機ＥＬ素子の最大輝度レベル時におけるパネル配線抵抗による電圧降下分、さらに、図５（ａ）に基づいて説明したＥＬ素子の経時変化に基づく順方向電圧の上昇分、さらにまた、図５（ｃ）に基づいて説明したＥＬ素子の温度依存性による順方向電圧の変動分（上昇分）などを挙げることができる。そして、従来の前記した発光表示パネルの駆動装置においては、これらの各要素が相乗的に作用した場合においても、前記定電流回路Ｉ1 〜Ｉn の定電流特性が十部に確保できるように、前記ＤＣ−ＤＣコンバータ６よりもたらされる出力電圧を、より高く設定するようになされていた。
【００２１】
しかしながら、前記したようにＤＣ−ＤＣコンバータよりもたらされる出力電圧をより高く設定した場合には、過剰な電力損失を伴う場合が多く、例えば、これを携帯型端末器等に採用した場合においては、電池の消耗を助長させるだけでなく、電力損失による発熱を伴う結果を招いている。すなわち、前記出力電圧をより高く設定した場合には、結果として陽極線ドライブ回路２における各定電流回路Ｉ1 〜Ｉn における電圧降下が大きくなり、それに比例して電力損失が増大する。したがって、このために発生する熱により有機ＥＬ素子および周辺回路部品等に対してストレスを与えることになり、特に前記したＥＬ素子の寿命を短縮させるなどの問題を招来させる。
【００２２】
この発明は、前記した問題点に着目してなされたものであり、前記したような電力損失を効果的に抑制し、発熱による悪影響を受ける度合いを低減し得る容量性発光表示パネルの駆動装置を提供することを目的とするものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、互いに交差する複数のドライブ線および複数の走査線と、前記ドライブ線および前記走査線による複数の交点位置において、各ドライブ線および各走査線間に接続された容量性の発光素子とからなる発光表示パネルの駆動装置であって、前記各ドライブ線には定電流源が配置され、当該定電流源を介して各発光素子に対して定電流が供給されるように構成されると共に、前記走査線のいずれかを基準電位に設定して発光素子を発光駆動させる状態において、非走査状態における発光素子には走査線を介して逆バイアス電圧が印加されるように構成され、非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生じ、前記逆バイアス電圧に重畳される電圧値に対応して、前記ドライブ線に配置された定電流源に供給される発光駆動電圧を変更するように構成した点に特徴を有する。
【００２６】
この場合、好ましくは前記逆バイアス電圧を生成する逆バイアス電圧生成回路がツェナーダイオードを含み、前記ツェナーダイオードによって生成されるツェナー電圧に基づいて逆バイアス電圧を得るように構成される。
【００２７】
一方、この発明にかかる駆動装置の実施の形態においては、非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生じ、前記逆バイアス電圧に重畳される前記電圧値のピークを保持するピークホールド回路が具備され、前記ピークホールド回路によって保持されるピーク電圧値に基づいて、前記定電流源に対して供給される発光駆動電圧を変更するように構成される場合もある。
【００２８】
また、この発明にかかる駆動装置の好ましい実施の形態においては、前記定電流源に供給される駆動電圧が、ＤＣ−ＤＣ昇圧回路より供給されるようになされ、かつ、前記ＤＣ−ＤＣ昇圧回路より得られる駆動電圧が、前記電圧値に応じて制御されるフィードバック回路が構成される。そして、前記した各構成は、有機エレクトロルミネッセンスを発光素子として用いた発光表示パネルの駆動装置に好適に利用することができる。
【００２９】
前記した構成の発光表示パネルの駆動装置によると、非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生ずる電圧値が利用され、この電圧値に基づいてドライブ線に与える発光駆動電力が変更されるように作用する。すなわち、非走査状態における発光素子に対応する走査線には、通常においてクロストーク発光を防止するために逆バイアス電圧が与えられる。この逆バイアス電圧を生成する生成回路は、電圧バッファ回路を介して逆バイアス電圧を出力するように構成されるが、当該電圧バッファ回路には、出力インピーダンスが存在する。したがって、前記逆バイアス電圧には、前記寄生容量を介して各発光素子の順方向電圧に対応する電圧値が実質的に重畳され、前記逆バイアス電圧はシフトアップされる結果となる。
【００３０】
一方、前記各発光素子は各ドライブ線に配置された定電流回路を介して点灯駆動する構成が好適に利用されるが、当該定電流回路に与える駆動電圧は、逆バイアス電圧をシフトアップさせる前記電圧値に対応させて上昇させるように制御される。これにより、前記定電流回路に与える駆動電圧は、前記した従来の駆動装置のように、各要素に応じて積み上げた無駄なマージンをとって高めの定電圧に設定する必要性を無くすことができる。
【００３１】
したがって、各発光素子を点灯駆動する前記定電流回路における電圧降下分が最小限となるように制御することが可能となり、これにより、当該定電流回路において発生する電力損失を効果的に抑えることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、好ましい実施の形態を図に基づいて説明する。図１はその基本構成を示したものである。なお、図１においてはすでに説明した図６の各構成要素に対応する部分は同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。図１に示す構成においては、逆バイアス電圧生成回路５が、ＤＣ−ＤＣコンバータ６によって生成される駆動電圧によって駆動される定電流回路１８と、この定電流回路によって定電流駆動されるツェナーダイオードＺD1とにより構成されている。そして、前記ツェナーダイオードＺD1に生成されるツェナー電圧が、電圧バッファ回路１９を介して非走査状態の陰極走査線に与えられるように構成されている。
【００３３】
表示パネル１を構成する各有機ＥＬ素子ＯＥＬには、前記したとおり寄生容量Ｃp が存在している。したがって、各ＥＬ素子の寄生容量Ｃp には、頭初において前記逆バイアス電圧生成回路５からの逆バイアス電圧が充電される。一方、陽極線ドライブ回路２における各定電流回路Ｉ1 〜Ｉn より、各ＥＬ素子に対して定電流が供給される。そして、各ＥＬ素子の順方向電圧が、設定された逆バイアス電圧を超えた時点において、前記寄生容量Ｃp を介して陰極走査線側に向かって電流が流れる。
【００３４】
ところで、前記した電圧バッファ回路１９には、符号Ｒ6 で示したように出力インピーダンスが存在しており、したがって、各寄生容量Ｃp を介して陰極走査線側に向かって流れる電流により、電圧バッファ回路１９における出力インピーダンスＲ6 を介した出力端には、前記逆バイアス電圧をシフトアップさせる電圧ピーク値が発生する。この逆バイアス電圧をシフトアップさせる電圧ピーク値（以下、これを戻り電圧ともいう）は、ＥＬ素子の順方向電圧にほぼ対応したものとなる。
【００３５】
図１に示す実施の形態においては、ＤＣ−ＤＣコンバータ６における抵抗Ｒ1 とＲ2 との間に、ｐｎｐトランジスタＱ3 が挿入されており、当該トランジスタのベースは前記電圧バッファ回路１９における出力インピーダンスＲ6 を介した出力端に接続されている。したがって、前記トランジスタＱ3 のベースには前記逆バイアス電圧に戻り電圧が重畳されたシフトアップ電圧が印加されることになる。前記トランジスタＱ3 は、電流バッファとして機能しており、当該トランジスタＱ3 のエミッタ電流は、コレクタ電流にほぼ等しい。
【００３６】
そこで、前記シフトアップされた電圧に対して、トランジスタＱ3 のエミッタ・ベース間電圧（＝０．６５Ｖ）が重畳されて、抵抗Ｒ2 側に印加されるため、ＤＣ−ＤＣコンバータ６における出力電圧がシフトアップされた電圧に対応して上昇することになる。このＤＣ−ＤＣコンバータ６における出力電圧は、ＰＷＭによるスイッチングレギュレータ回路１１を介してフィードバックされており、したがって、前記抵抗Ｒ2 とＲ1 の比と、基準電圧Ｖref のパラメータにしたがって、ＤＣ−ＤＣコンバータ６における出力電圧が決定される。
【００３７】
図２は、図１に示す駆動回路の構成において、特に逆バイアス電圧生成回路５を構成する定電流回路の具体例を説明するものである。この定電流回路は、トランジスタＱ4 ，Ｑ5 、並びに抵抗Ｒ8 〜Ｒ11により構成されている。すなわち、ＤＣ−ＤＣコンバータ６における出力電圧ラインにトランジスタＱ4 のエミッタが接続され、そのコレクタは抵抗Ｒ11を介して基準電位点に接続されている。また、トランジスタＱ5 のベースはトランジスタＱ4 のコレクタに接続されると共に、そのエミッタは抵抗Ｒ8 を介してコンバータ６における出力電圧ラインに接続されている。さらに、そのコレクタはツェナーダイオードＺD1に接続されて、定電流出力端を構成している。一方、トランジスタＱ5 のエミッタ・ベース間には抵抗Ｒ9 ，Ｒ10が接続され、抵抗Ｒ9 とＲ10の接続点はトランジスタＱ4 のベースに接続されている。
【００３８】
前記した回路構成において、各トランジスタＱ4 ，Ｑ5 の電流増幅率hfe が、８０以上の条件下において、Ｒ9 ＝Ｒ10＝Ｒ8 ×10の関係となるように設定されることが望ましい。また、ツェナーダイオードＺD1のツェナー電圧をＶzdとし、各トランジスタのベース・エミッタ間電圧が０．６５Ｖであるとすれば、抵抗Ｒ11は、Ｒ11≦（Ｖzd-1.5×0.65）／〔0.65／（Ｒ9+Ｒ10）〕の関係となるように設定されることが望ましい。前記した条件に設定した場合、各トランジスタＱ4 ，Ｑ5 におけるエミッタ・ベース間の電圧は、それぞれ０．６５Ｖにロックされるため抵抗Ｒ8 における電圧降下を０．３Ｖ程度とすることができる。また、トランジスタＱ5 におけるエミッタ・コレクタ間飽和電圧は０．１Ｖ程度である。したがって、前記した回路構成においては、０．４Ｖ程度の最小飽和電圧で定電流回路を構成することができる。
【００３９】
ここで、電圧バッファ回路を構成するエミッタフォロアトランジスタＱ6 のエミッタ電位Ｖｅは、Ｖｅ＝Ｖzd−0.65として表すことができるが、実質的に前記した逆バイアス電圧をシフトアップさせる戻り電圧が加算されることになり、この電圧値をＶβとした時、トランジスタＱ6 のエミッタ電位Ｖｅは、次のように示すことができる。
【００４０】
【数３】
0004878414.tif 000004
【００４１】
なお、この時のＶｅのピーク値は、各有機ＥＬ素子の順方向点灯電圧にほぼ等しい。そして、図２に示した回路構成によるＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout1は、次のように示すことができる。
【００４２】
【数４】
0004878414.tif 000005
【００４３】
なお、図２に示す実施の形態においては、ＤＣ−ＤＣコンバータ６におけるフィードバック系に抵抗Ｒ15が挿入されており、これにより、フィードバック系を介したコンバータ６において発生し得る不安定動作が抑制できるように構成されている。
【００４４】
前記した説明で明らかなように、図２に示した回路構成によるＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout1には、前記した逆バイアス電圧をシフトアップさせる電圧値Ｖβが常に加算された状態で出力される。この電圧値Ｖβは前記したようにＥＬ素子の順方向点灯電圧に対応するものであり、ＥＬ素子の順方向電圧に応じてＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout1が変化するように作用する。それ故、図６として示した従来の駆動装置のように、各要素に応じて積み上げた無駄なマージンを乗せて、ＤＣ−ＤＣコンバータ６の出力電圧を高めに設定する必要性を無くすことができる。
【００４５】
換言すれば、各発光素子を点灯駆動する前記定電流回路Ｉ1 〜Ｉn における電圧降下分を最小限に制御することが可能となり、当該定電流回路において発生する電力損失を効果的に抑えることができる。また、ＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout1は、例えば経時変化によりＥＬ素子の順方向電圧が増大した場合においても、これに追従することができ、さらに、ＥＬ素子の温度依存性による順方向電圧の変化にも追従することができる。
【００４６】
なお、図１および図２に示した実施の形態においては、逆バイアス電圧生成回路５は、ＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧により定電流回路を駆動し、ツェナーダイオードによるツェナー電圧に基づいて、逆バイアス電圧を生成するように構成している。このように定電流回路を利用することにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧の変動分をブロックし、安定した逆バイアス電圧をもたらすことができる。
【００４７】
すなわち、逆バイアス電圧生成回路５は、簡易的には抵抗分割の手段を利用することも考えられる。しかしながら、前記した実施の形態において、逆バイアス電圧生成回路５として抵抗分割手段を採用した場合においては、各寄生容量Ｃp を介して逆バイアス電圧がシフトアップされた場合、これに応じてコンバータ６からの出力電圧もシフトアップされるため、抵抗分割手段により得られる逆バイアス電圧もシフトアップするように作用する。すなわち、逆バイアス電圧生成回路を介して正帰還ループが形成され、ＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧は、常に高い電圧に張り付くという現象が発生する。
【００４８】
以上の理由により、コンバータ６より出力される駆動電圧が、逆バイアス電圧のシフトアップ分に基づいて変動するように動作する図１および図２に示した実施の形態においては、逆バイアス電圧生成回路５において、定電流回路を採用することが望ましい。
【００４９】
次に、図３はこの発明にかかる駆動装置の他の実施の形態を示したものである。なお、図３においてはすでに説明した各構成要素に対応する部分は同一符号で示しており、したがって、その詳細な説明は省略する。図３に示す構成においては、逆バイアス電圧をシフトアップさせる戻り電圧のピーク値を保持するピークホールド回路を具備した点に特徴を有する。そして、ピークホールド回路によってホールドされたピーク値が、ＤＣ−ＤＣコンバータ６を構成する前記トランジスタＱ3 のベースに供給されるように構成されている。
【００５０】
すなわち、逆バイアス電圧生成回路５における電圧バッファトランジスタＱ6 のエミッタに、ピークホールド回路を構成するよりｎｐｎトランジスタＱ7 のベースが接続されている。前記トランジスタＱ7 のコレクタはＤＣ−ＤＣコンバータ６の出力ラインに接続されており、また、当該トランジスタＱ7 のエミッタは抵抗Ｒ17を介して基準電位点に接続されている。そして、前記エミッタと基準電位点との間にピークホールド用のコンデンサＣ3 が接続されており、コンデンサＣ3 における端子電圧が、ＤＣ−ＤＣコンバータ６を構成する前記トランジスタＱ3 のベースに供給されるように構成されている。
【００５１】
なお、前記した構成においては、現実的には逆バイアス電圧生成回路５における電圧バッファの出力インピーダンスとして示される抵抗Ｒ12、および陰極走査経路におけるインピーダンスとして示される抵抗Ｒ13が存在している。また、図３には示されていないが、ピークホールド回路を構成するコンデンサＣ3 の電荷を定期的に放電させるリセットスイッチが備えられ、陰極線走査回路３において、陰極走査が切替えられる瞬間において、必要に応じて前記コンデンサＣ3 の電荷を放電させるように構成される。
【００５２】
前記した構成によると、逆バイアス電圧をシフトアップする戻り電圧のピーク値がコンデンサＣ3 に充電され、ホールドされる。このホールド電圧（ピーク電圧）は、電流バッファとして機能する前記トランジスタＱ3 のベースに供給される。したがって、図３に示した回路構成によるＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout2は、次のように示すことができる。
【００５３】
【数５】
0004878414.tif 000006
【００５４】
すなわち、図３に示した構成におけるＤＣ−ＤＣコンバータ６より得られる出力電圧Ｖout2は、図２に示した構成における出力電圧Ｖout1（数式４）に比較すると０．６５Ｖの電圧が降下した形で出力制御される。これは、ピークホールド回路を構成するトランジスタＱ7 におけるベース・エミッタ間電圧Ｖbeによる降下分に起因する。
【００５５】
図３に示したように、戻り電圧によりシフトアップされた電圧値をピークホールド回路によりピークホールドする構成を採用すると、表示パネル１に形成される容量が小さくて、一走査の時間が長い場合でも、トランジスタＱ3 のベースに安定した電圧を供給することができる。そして、陽極線ドライブ回路２に配置された定電流回路Ｉ1 〜Ｉn における定電流特性が常に確保できる程度の最適化出力電圧を、ＤＣ−ＤＣコンバータより出力させることができ、これによりさらに安定に電力損失を低減させることに寄与できる。
【００５６】
なお、前記した実施の形態においては、いずれにおいてもＤＣ−ＤＣコンバータは、ＰＷＭ（パルス幅変調）方式によるスイッチングレギュレータを構成しているが、これはＰＦＭ（パルス周波数変調）方式を採用することもでき、また、例えばトランス結合による駆動電圧生成手段を採用することもできる。
【００５７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置によると、非走査状態における発光素子の寄生容量を介して走査線に生ずる電圧値に対応して、前記ドライブ線に与える発光駆動電力を変更するように構成したので、例えば、陽極線ドライブ回路に配置された定電流回路における電圧降下を極力少なくさせることができ、したがって、電力損失を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる容量性発光表示パネルの駆動装置の実施の形態を示した結線図である。
【図２】図１に示す駆動装置における逆バイアス電圧生成回路の具体的な構成を示した結線図である。
【図３】この発明にかかる駆動装置の他の実施の形態を示した結線図である。
【図４】有機ＥＬ素子の等価回路を示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子の諸特性を示した特性図である。
【図６】従来の駆動装置の一例を示した結線図である。
【符号の説明】
１          発光表示パネル
２          陽極線ドライブ回路
３          陰極線走査回路
４          発光制御回路
５          逆バイアス電圧生成回路
６          ＤＣ−ＤＣコンバータ（昇圧回路）
１１        スイッチングレギュレータ回路
１２        ＤＣ電圧源
１４        誤差増幅器
１５        ＰＷＭ回路
１６        発振器
Ａ1 〜Ａn   陽極（ドライブ）線
Ｂ1 〜Ｂm   陰極（走査）線
Ｄ1         ダイオード
Ｉ1 〜Ｉn   定電流回路（定電流源）
Ｌ1         インダクタ
ＯＥＬ      有機ＥＬ素子
Ｑ1 〜Ｑ7   トランジスタ
Ｒ1 〜Ｒ17  抵抗
ＳX1〜ＳXn  ドライブスイッチ
ＳY1〜ＳYn  走査スイッチ
Ｖref       基準電圧
ＺD1        ツェナーダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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