(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記素電池と前記ＰＴＣサーミスタとは、熱結合状態にあり、前記プリント基板の第１の実装面が前記素電池に対向するように配置され、前記ＰＴＣサーミスタが前記第１の実装面に実装されており、前記保護用ＩＣと前記ＰＴＣサーミスタが実装された前記プリント基板の前記第１の実装面と反対側の第２の実装面に少なくとも２つ金属端子が接続され、前記金属端子の前記プリント基板からはみ出した部分が、前記プリント基板の前記第１の実装面側に折り曲げられ、前記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の一部が前記素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたものである電池パック。
【請求項２】
素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたものである電池パック。
【請求項３】
素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたものである電池パック。
【請求項４】
素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣ、ＦＥＴおよび面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記ＰＴＣサーミスタと前記ＦＥＴとは、前記プリント基板の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するように配置され、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたものである電池パック。
【請求項５】
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程からなり、前記プリント基板の熱処理工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程である電池パックの製造方法。
【請求項６】
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程からなり、前記プリント基板の熱処理工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程である電池パックの製造方法。
【請求項７】
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程からなり、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程、または１００℃で５時間放置する工程である電池パックの製造方法。
【請求項８】
プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程からなり、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が８０℃で前記相対的に低い温度が２５℃である電池パックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、過電流または加熱から電池パックを保護するための保護機能をもつ電池パックおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術は、特開平７−５７７２１号公報に開示されたものが知られている。
【０００３】
以下、従来の電池パックについて図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図１０（ａ）は従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた上面における断面図、図１０（ｂ）は従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた正面における断面図である。
【０００５】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）において、１は第１の素電池である。２は第１の素電池１に設けた突起状の正極端子である。３は素電池１の正極端子２側と反対の面に設けた負極端子である。４は第２の素電池である。５は第２の素電池４に設けた突起状の正極端子である。６は素電池４の正極端子５側と反対の面に設けた負極端子である。７はリード付きＰＴＣサーミスタである。８はＰＴＣサーミスタ７に設けた一対のリード端子８であり、第１の素電池１の正極端子２と第２の素電池４の負極端子６にそれぞれ溶接によって機械的かつ電気的に接合している。９は素電池１、４およびＰＴＣサーミスタ７全体を収納するケースである。１０と１１は、ケース９に設けた貫通孔であり、負極端子３と正極端子５から電気的な接点を取り出すための端子口である。
【０００６】
次に、電池パック１２に使用するＰＴＣサーミスタについて図面を参照しながら説明する。
【０００７】
図１１（ａ）はリード付きＰＴＣサーミスタの上面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【０００８】
図１１（ａ）、図１１（ｂ）において、１５はリード付きＰＴＣサーミスタである。１６はポリマＰＴＣ層である。１７はポリマＰＴＣ層１６の両面に電気的に接続した電極層である。１８は電極層１７のポリマＰＴＣ層１６と接続した面の反対面に取り付けたリード端子である。１９はリード端子１８の一部とポリマＰＴＣ層１６および電極層１７を覆うように形成した絶縁樹脂である。
【０００９】
以上のように構成されたリード付きＰＴＣサーミスタと、従来の電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【００１０】
まず、リード付きＰＴＣサーミスタの動作について説明する。
【００１１】
図１１（ｂ）のポリマＰＴＣ層１６は、ポリエチレンなどの結晶性樹脂と、カーボンブラックなどの導電粒子との混合物から構成されており、ポリマの熱膨張（または収縮）に伴う導電粒子間のギャップ変化によってポリマ材料の融点より数度低い温度付近で抵抗値が急激に上昇（または低下）する特性をもつ。そのポリマＰＴＣ層１６と電極層１７とリード端子１８からなるリード付きＰＴＣサーミスタ１５は、この特性によりポリマの融点以上の温度環境で、常温時より遥かに高い抵抗値（１００００倍程度）にシフトし、さらに、常温まで温度を下げれば元の抵抗値に復帰する機能を有し、回路保護部品として利用できる。抵抗値の復帰に関しては、ヒステリシスによって元の抵抗値よりも高い値（元の抵抗値の１．５程度）となるが、実用上大きな支障とはならない。ただし、回路の内部抵抗として無視できない場合は、ポリマの融点より３０℃から６０℃程度低い温度環境に放置するか、その温度と常温の間を温度が緩やかに変動する環境に放置することで、元の抵抗値にもどすことができる。このような抵抗値を元にもどす方法をアニールと呼び、以降は、このような熱処理によって抵抗値のプラス変動が低減される現象をアニール効果と称する。
【００１２】
以上のように可逆的に抵抗値が上昇または低下する性質を利用し、過電流による自己発熱によって温度が上昇し抵抗値が急激に上昇する温度（以降、保護動作温度と称する）に達することで過電流を微小電流に抑制し、一度電源を切って、ＰＴＣサーミスタの温度を下げて、過電流の影響を取り除くことにより繰り返し使用が可能となる。
【００１３】
ここで、ＰＴＣサーミスタの抵抗値の可逆的性質とは、アニールによって抵抗値が元にもどる性質も含むものと定義する。
【００１４】
次に、従来の電池パックの動作について説明する。
【００１５】
図１０の電池パック１２は、素電池１と素電池４がリード付ＰＴＣサーミスタ７を介して直列に接続された回路構成となっている。この電池パック１２は、電子機器の電源端子に端子口１０と端子口１１を通して負極端子３と正極端子５に電気的に接続し回路動作させる電池ユニットである。ここでリード付きＰＴＣサーミスタ７の代りに金属リードで素電池１と素電池４を単純に接続した場合、電子機器の電源ラインに短絡異常が発生したり、電子機器に取り付けていない状態で正極端子５と負極端子３に金属などの導電性の高い物質が接触または付着した時などは、過電流によって電池パック内の素電池１および素電池４が発熱し内圧の上昇によって素電池自身が破損する可能性がある。その安全対策手段として、リード付きＰＴＣサーミスタ７を使用する方法があり、この保護動作の原理は、素電池と直列に接続したＰＴＣサーミスタが過電流に伴う自己発熱によって、その抵抗値を急激に上昇させ、過電流を電池の破損がない安全なレベルの電流値に抑制するものである（以下、過電流保護動作と称する）。ＰＴＣサーミスタを過電流保護部品として使う場合、電池パックの使用可能時間を考慮した選択が必要であり、電池パック容量の消耗が少なくなるように抵抗値のできるだけ低いものが要求される。一般的には、抵抗値が４０ｍΩ以下できれば２０ｍΩ以下が望まれている。
【００１６】
以上は、主に一次電池として使用される電池パックの基本的な構成であるが、近年は、リチウムイオン電池などに代表される高性能二次電池が携帯電話用途などに広く普及してきており、充放電制御を行う保護回路を内蔵した電池パックの必要性が特に高まっている。以下に従来の保護回路付きの電池パックおよびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１２は、従来の保護回路付き電池パックの斜視図である。
【００１８】
図１２において、２５は角形素電池である。２６は角形素電池２５の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。２７は角形素電池２５の負極端子であり、角形素電池２５の１面にのみ設けられたものである。２８は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板である。２９はプリント基板２８の第１の実装面上に実装した保護用ＩＣである。３０はプリント基板２８の第１の実装面上に実装したＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。３１と３２はプリント基板２８の保護用ＩＣ２９の実装面と反対面の第２の実装面上に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。３３は本体の一部が角形素電池２５の２面に近接するように配置したリード付きＰＴＣサーミスタである。３４は負極端子２７と溶接によって接合されたリード付きＰＴＣサーミスタ３３の一方のリード端子である。３５はプリント基板２８と接続されたリード付きＰＴＣサーミスタ３３の他方のリード端子である。３６はプリント基板２８を介して電池パックの取り出し用正極端子３１と外周金属ケースを兼ねた正極端子２６を電気的に接続する接続リードである。
【００１９】
以上のように構成された従来の保護回路付き電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【００２０】
まず、プリント基板２８の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００２１】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子３１と取り出し用負極端子３２を取り付け、はんだ付けする。
【００２２】
次に、プリント基板２８の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００２３】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ２９とＦＥＴユニット３０を取り付ける。
【００２４】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板２８と、保護用ＩＣ２９やＦＥＴユニット３０をはんだ付けする。
【００２５】
一方で、角形素電池２５の負極端子２７にリード付きＰＴＣサーミスタ３３のリード端子３４を電気溶接によって接続し、正極端子２６に接続リード３６を電気溶接によって接続する。
【００２６】
次に、はんだ付け後のプリント基板２８と角形素電池２５に取り付けられたリード付きＰＴＣサーミスタ３３のリード端子３５をはんだ接続する。
【００２７】
最後に、プリント基板２８と接続リード３６をはんだ接続して、従来の保護回路付き電池パックを製造していた。
【００２８】
以上のように構成された従来の保護回路付き電池パックについて図１２と対応した図１３の回路ブロック図を参照しながら、以下にその動作を説明する。
【００２９】
保護回路付き電池パックは、保護用ＩＣ２９と、第１のＦＥＴ３７と第２のＦＥＴ３８からなるＦＥＴユニット３０と、リード付きＰＴＣサーミスタ３３によって角形素電池２５の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う機能をもち、その代表的な動作原理は以下の内容である。（ａ）過充電保護動作として、角形素電池２５の電圧が既定値に達したところで第２のＦＥＴ３８のゲートをＯＦＦ（第１のＦＥＴ３７はＯＮ状態）にし充電電流の流れを止める。（ｂ）過放電保護動作として、角形素電池２５の電圧が低くなった時に第１のＦＥＴ３７のゲートをＯＦＦ（第２のＦＥＴ３８はＯＮ状態）にし放電電流の流れを止める。（ｃ）負荷側の短絡に対してＦＥＴユニット３０のＯＮ抵抗の変動を検知し短絡電流の流れを止めるかまたはリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過電流保護動作によって電流を安全レベルに制限する。（ｄ）保護回路自身の短絡に対してリード付きＰＴＣサーミスタ３３の過電流保護動作によって短絡電流を安全レベルに制限する。
【００３０】
特に、誤使用によって引き起こされる電極間の短絡に対しては、２重３重の安全対策が必要であり保護回路が機能しない場合でも、リード付きＰＴＣサーミスタ３３が保護部品として大きな役割を担っている。さらに、このＰＴＣサーミスタは角形素電池２５に近接して配置することで角形素電池２５自身の発熱による温度上昇に対しても直接的な熱伝達により抵抗値が上昇し、保護動作状態に移行することができる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、リード付きＰＴＣサーミスタ３３を素電池とプリント基板に取り付ける組み立て加工が必要であり、図１１に示すリード端子１８の折り曲げ加工をポリマＰＴＣ層１６に近い位置で行う場合、ストレスによってリード付きＰＴＣサーミスタ１５内部のポリマＰＴＣ層１６と電極層１７間の一部に亀裂が生じたり、リード端子１８をポリマＰＴＣ層１６に近い位置で素電池の電極端子に電気溶接するような場合、熱影響によってポリマＰＴＣ層１６が劣化することでリード付きＰＴＣサーミスタ１５の抵抗値が増加する要因となり、電池パック使用時間の低下や動作感度への影響が懸念されるという課題を有していた。
【００３２】
これらの抵抗値変動要因は、ポリマＰＴＣサーミスタの温度に対する抵抗値の可逆的性質に影響を与えるものであり、性能劣化と判断されるべきものである。
【００３３】
また、図１２に示すリード付きＰＴＣサーミスタ３３のリード端子３５をプリント基板２８にはんだ付けによって取り付ける際に、ポリマの融点以上の熱処理を行った場合に、抵抗値がプラス側に１．５倍程度に増加し、また、熱処理温度が２４０℃を超える場合は、２倍から３倍程度に増加するためＰＴＣサーミスタの内部抵抗をより低い状態に維持することができず、電池パックの使用時間の低下につながるという課題を有していた。
【００３４】
本発明は、上記従来の課題のうち少なくとも１つを解決するもので、ＰＴＣサーミスタの取り付け時のストレスによる影響を軽減することでより性能が高く、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることで使用時間の向上する電池パックおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の電池パックは、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記素電池と前記ＰＴＣサーミスタとは、熱結合状態にあり、前記プリント基板の第１の実装面が前記素電池に対向するように配置され、前記ＰＴＣサーミスタが前記第１の実装面に実装されており、前記保護用ＩＣと前記ＰＴＣサーミスタが実装された前記プリント基板の前記第１の実装面と反対側の第２の実装面に少なくとも２つ金属端子が接続され、前記金属端子の前記プリント基板からはみ出した部分が、前記プリント基板の前記第１の実装面側に折り曲げられ、前記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の一部が前記素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたもので、この構成によれば、保護回路ユニットに面実装形ＰＴＣサーミスタを用いたことでより高性能化が可能である。
【００３６】
また、本発明の電池パックの製造方法は、プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程からなり、前記プリント基板の熱処理工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程であるもので、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することで使用時間の向上が可能である。
【００３７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記素電池と前記ＰＴＣサーミスタとは、熱結合状態にあり、前記プリント基板の第１の実装面が前記素電池に対向するように配置され、前記ＰＴＣサーミスタが前記第１の実装面に実装されており、前記保護用ＩＣと前記ＰＴＣサーミスタが実装された前記プリント基板の前記第１の実装面と反対側の第２の実装面に少なくとも２つ金属端子が接続され、前記金属端子の前記プリント基板からはみ出した部分が、前記プリント基板の前記第１の実装面側に折り曲げられ、前記折り曲げられた部分または前記折り曲げられた部分の一部が前記素電池の表面上に設けた絶縁シート上に配置され、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたもので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくできるものであり、ＰＴＣサーミスタは、素電池自身の発熱影響を受けることとなり過電流による自己発熱との両方で素電池に対して効率よく保護動作でき、プリント基板で回路構成することとなり保護回路ユニットの小形化ができ、プリント基板の第１の実装面と素電池が近接することとなりＰＴＣサーミスタと素電池を熱結合状態にでき、プリント基板は対向する素電池の面に支えられることとなり金属端子が安定して固定でき、金属端子はプリント基板を仲介せずに素電池の面に支えられることとなり強固に固定できるものである。
【００３８】
請求項２に記載の発明は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の小さい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたもので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくでき、素電池自身の発熱に対して熱容量の小さい電極の方が早く温度上昇することとなりＰＴＣサーミスタに早く熱を伝えることができる。
【００３９】
請求項３に記載の発明は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたもので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくでき、素電池自身の発熱に対して熱容量の大きい電極の方は温度上昇が遅く、ＰＴＣサーミスタへの素電池からの熱影響が小さくなり、ＰＴＣサーミスタは過電流による自己発熱を主体として保護動作することができる。
【００４０】
請求項４に記載の発明は、素電池と、前記素電池を過電流または加熱から保護する保護回路ユニットからなる電池パックであって、前記保護回路ユニットは、保護用ＩＣ、ＦＥＴおよび面実装形のＰＴＣサーミスタが実装されたプリント基板からなり、前記ＰＴＣサーミスタと前記ＦＥＴとは、前記プリント基板の実装面に隣接実装が可能な間隔を残して近接するように配置され、前記保護回路ユニットは、前記ＰＴＣサーミスタが前記素電池の熱容量の異なる正負の電極に対して熱容量の大きい方の電極と電気的に接続された回路構成からなり、前記ＰＴＣサーミスタは前記プリント基板に実装した際に上昇した抵抗値を熱処理により低下させたもので、この構成によれば、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなりＰＴＣサーミスタの抵抗値変動を小さくでき、ＰＴＣサーミスタは素電池からの熱影響を少なくしてＦＥＴと熱結合状態になることとなりＦＥＴの発熱を主体に保護動作することができるものである。
【００４１】
請求項５に記載の発明は、プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程からなり、前記プリント基板の熱処理工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程であるもので、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００４２】
請求項６に記載の発明は、プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記はんだ付け後のプリント基板を熱処理する工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程からなり、前記プリント基板の熱処理工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程であるもので、この方法によれば、、プリント基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００４３】
請求項７に記載の発明は、プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ接続用リードを接続する工程と、前記接続用リードと前記プリント基板を電気的に接続する工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程からなり、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が１１０℃以下で前記相対的に低い温度が−４０℃以上で、それぞれの温度で３０分から１２時間放置させる工程、または１００℃で５時間放置する工程であるもので、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００４４】
請求項８に記載の発明は、プリント基板に保護用ＩＣと面実装形ＰＴＣサーミスタをはんだ付けする工程と、前記プリント基板に正極と負極の接続用リードを電気的に接続する工程と、素電池の正極と負極にそれぞれ前記正極と負極の接続用リードを接続する工程と、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程からなり、前記素電池と前記プリント基板を熱処理する工程は、熱処理温度が前記ＰＴＣサーミスタの保護動作温度以下であり、相対的に高い温度の熱処理と、低い温度の熱処理を繰り返す工程であって、前記相対的に高い温度が８０℃で前記相対的に低い温度が２５℃であるもので、この方法によれば、プリント基板にはんだ付けした面実装形ＰＴＣサーミスタを熱処理することでアニール効果によって、ポリマの融点以上の熱処理を行ってもＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることが可能である。
【００７１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における電池パックおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００７２】
図１は本発明の実施の形態１における電池パックの斜視図である。
【００７３】
図１において、４１は角形素電池である。４２は角形素電池４１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。４３は角形素電池４１の負極端子であり、角形素電池４１の１面にのみ設けられたものである。４４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板４４の厚み方向の面が負極端子４３のある角形素電池４１の面に近接している。４５はプリント基板４４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣである。４６はプリント基板４４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。４７と４８はプリント基板４４の保護用ＩＣ４５の実装面と反対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。４９はプリント基板４４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、角形素電池４１に近接するようにプリント基板４４の端部近傍に配置されている。５０は負極端子４３とプリント基板４４を接続する負極側の接続リードである。５１はプリント基板４４を介して電池パックの取り出し用正極端子４７と外周金属ケースを兼ねた正極端子４２を電気的に接続する正極側の接続リードである。５２はプリント基板４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９によって構成された保護回路ユニットである。
【００７４】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【００７５】
まず、プリント基板４４の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００７６】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子４７と取り出し用負極端子４８を取り付け、はんだ付けする。
【００７７】
次に、プリント基板４４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【００７８】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９を取り付ける。
【００７９】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板４４と、保護用ＩＣ４５や面実装形ＰＴＣサーミスタ４９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【００８０】
次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９を実装したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させる（以降、アニール処理と称する。）。
【００８１】
一方で、角形素電池４１の負極端子４３に負極側の接続リード５０を電気溶接によって接続し、正極端子４２に正極側の接続リード５１を電気溶接によって接続する。
【００８２】
次に、アニール処理後のプリント基板４４と角形素電池４１に取り付けられた負極側の接続リード５０をはんだ接続する。
【００８３】
最後に、プリント基板４４と正極側の接続リード５１をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。
【００８４】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【００８５】
まず、プリント基板４４と保護用ＩＣ４５とＦＥＴユニット４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ４９によって構成された保護回路ユニット５２が、角形素電池４１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【００８６】
以上のように本実施の形態１においては、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をプリント基板４４上に保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同じようにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や電気溶接によって角形素電池４１の負極端子４３やプリント基板４４と接続して回路を構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
【００８７】
また、本実施の形態１では、プリント基板４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付けする工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９をはんだ付け後のプリント基板４４をアニール処理する工程と、角形素電池４１の正極端子４２と負極端子４３にそれぞれ正極側の接続リード５１と負極側の接続リード５０を電気溶接する工程と、正極側の接続リード５１と負極側の接続リード５０をプリント基板４４にはんだ接続する工程からなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板４４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。
【００８８】
さらに、本実施の形態１において、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、リード付きＰＴＣサーミスタのようなリード端子の曲げ加工や電気溶接などの作業が不要であり、プリント基板４４に保護用ＩＣ４５やＦＥＴユニット４６と同時に実装用マウンタで装着し、はんだ付けすることができるのでパック電池の組立て加工に要するコストの削減にも大きな効果がある。
【００８９】
また、本実施の形態１では、プリント基板４４の厚み方向の面を、角形素電池４１の負極端子４３の面に近接し、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９が角形素電池４１に近接するようにプリント基板４４の端部近傍に実装することにより、特に、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９と角形素電池４１が熱結合状態となることで角形素電池４１からの直接的な熱伝達によっても保護動作状態に移行することができる。
【００９０】
また、本実施の形態１では、面実装形ＰＴＣサーミスタ４９が角形素電池４１の熱容量の異なる正負の電極端子に対して熱容量の小さい負極端子４３と電気的に接続し、負極端子４３の近傍に配置することにより、角形素電池４１の発熱に対して熱容量の小さい負極端子４３が早く温度上昇することとなり面実装形ＰＴＣサーミスタ４９により早く熱を伝えることができる。
【００９１】
なお、本実施の形態１において、アニール処理工程は、面実装形ＰＴＣサーミスタをプリント基板に実装した直後の工程としたが、角形素電池と実装済みのプリント基板を接続リードではんだ接続した後の工程で行っても同様に抵抗値を小さくすることができる。
【００９２】
なお、実施の形態１において、正極側の接続リードと負極側の接続リードは、先に角形素電池に電気溶接し、その後プリント基板にはんだ付けしたが、先にプリント基板にはんだ付けした後に角形素電池に電気溶接する工程の順序であってもよい。
【００９３】
なお、本実施の形態１において、アニール処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
【００９４】
なお、本実施の形態１において、プリント基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【００９５】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における電池パックおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００９６】
図２は本発明の実施の形態２における電池パックの斜視図である。
【００９７】
図２において、６１は角形素電池である。６２は角形素電池６１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。６３は角形素電池６１の負極端子であり、角形素電池６１の１面にのみ設けられたものである。６４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板６４の厚み方向の面が負極端子６３のある角形素電池６１の面に近接している。６５はプリント基板６４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣである。６６はプリント基板６４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。６７と６８はプリント基板６４の保護用ＩＣ６５の実装面と反対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。６９はプリント基板６４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、角形素電池６１に近接するようにプリント基板６４の端部近傍に配置されている。７０は面実装形ＰＴＣサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と同一面とに接着した硬化温度１００℃のエポキシ樹脂であり、実施の形態１の構成と異なるところは、エポキシ樹脂７０を設けた点である。７１は負極端子６３とプリント基板６４を接続する負極側の接続リードである。７２はプリント基板６４を介して電池パックの取り出し用正極端子６７と外周金属ケースを兼ねた正極端子６２を電気的に接続する正極側の接続リードである。７３はプリント基板６４と保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９によって構成された保護回路ユニットである。
【００９８】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【００９９】
まず、プリント基板６４の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１００】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子６７と取り出し用負極端子６８を取り付け、はんだ付けする。
【０１０１】
次に、プリント基板６４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１０２】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９を取り付ける。
【０１０３】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板６４と、保護用ＩＣ６５や面実装形ＰＴＣサーミスタ６９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１０４】
一方で、角形素電池６１の負極端子６３に負極側の接続リード７１を電気溶接によって接続し、正極端子６２に正極側の接続リード７２を電気溶接によって接続する。
【０１０５】
次に、アニール処理後のプリント基板６４と、角形素電池６１に取り付けられた負極側の接続リード７１と正極側の接続リード７２とをはんだ接続する。
【０１０６】
最後に、エポキシ樹脂７０を面実装形ＰＴＣサーミスタ６９と角形素電池６１の負極端子６３と同一面とに塗布し、約１００℃の周囲温度環境で５時間放置する熱処理によって硬化接着させる。はんだ付けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ６９をエポキシ樹脂の硬化温度を利用した上記の熱処理工程を行うことにより抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させて、電池パックを製造するものである。
【０１０７】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【０１０８】
まず、プリント基板６４と保護用ＩＣ６５とＦＥＴユニット６６と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９によって構成された保護回路ユニット７３が、角形素電池６１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【０１０９】
以上のように本実施の形態２においては、実施の形態１の効果に加えて、面実装形ＰＴＣサーミスタ６９と角形素電池６１を熱伝導部材であるエポキシ樹脂７０によって接合することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ６９に効率よく熱伝達することができる。さらに、エポキシ樹脂を硬化させる工程と面実装形ＰＴＣサーミスタ６９の抵抗値を復帰させる熱処理工程を同時に行うことができる。
【０１１０】
なお、本実施の形態２において、エポキシ樹脂を熱伝導部材として用いたが、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などの接着性のある高分子化合物を用いても同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
なお、本実施の形態２において、エポキシ樹脂を熱伝導部材として用いたが、アルミ板、ＳＵＳ板などの金属を中間材としてエポキシ樹脂により角形素電池と面実装形ＰＴＣサーミスタを接着することでより効率よく熱伝達することができる。
【０１１２】
なお、本実施の形態２において、熱処理工程は、エポキシ樹脂の硬化工程と兼用したが、面実装形ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けした以降の工程で単独にアニール処理工程を行ってもよい。
【０１１３】
なお、本実施の形態２において、プリント基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１１４】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における電池パックおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１１５】
図３は本発明の実施の形態３における電池パックの斜視図である。
【０１１６】
図３において、８１は角形素電池である。８２は角形素電池８１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。８３は角形素電池８１の負極端子であり、角形素電池８１の１面にのみ設けられたものである。８４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板８４の厚み方向の面が負極端子８３のある角形素電池８１の面に近接している。８５はプリント基板８４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣである。８６はプリント基板８４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。８７と８８はプリント基板８４の保護用ＩＣ８５の実装面と反対面の第２の実装面上に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。８９はプリント基板８４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、角形素電池８１に近接するようにプリント基板８４の端部近傍に配置されている。９０は負極端子８３とプリント基板８４を接続する負極側の接続リードである。９１はプリント基板８４を介して電池パックの取り出し用正極端子８７と外周金属ケースを兼ねた正極端子８２を電気的に接続する正極側の接続リードである。９２は面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側面電極端子９３と負極側の接続リード９０を電気的に接続した融点が３００℃以下、望ましくは２６０℃以下、より望ましくは２４０℃以下のＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだ部材であり、実施の形態１の構成と異なるところは、はんだ部材９２を設けた点である。９４はプリント基板８４と保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９によって構成された保護回路ユニットである。
【０１１７】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１１８】
まず、プリント基板８４の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１１９】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子８７と取り出し用負極端子８８を取り付け、はんだ付けする。
【０１２０】
次に、プリント基板８４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１２１】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９を取り付ける。
【０１２２】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板８４と、保護用ＩＣ８５や面実装形ＰＴＣサーミスタ８９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１２３】
次に、プリント基板８４に正極側の接続リード９１をはんだ接続する。
【０１２４】
次に、プリント基板８４と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側面電極端子９３に負極側の接続リード９０をはんだ部材９２によって接続する。
【０１２５】
次に、角形素電池８１の負極端子８３に負極側の接続リード９０を電気溶接によって接続し、正極端子８２に正極側の接続リード９１を電気溶接によって接続する。
【０１２６】
最後に、プリント基板８４へのはんだ付けやはんだ部材９２との接続によって抵抗値が４０ｍΩから５０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ８９を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを５回繰り返し、望ましくは１０回繰り返すことで抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池パックを製造するものである。
【０１２７】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【０１２８】
まず、プリント基板８４と保護用ＩＣ８５とＦＥＴユニット８６と面実装形ＰＴＣサーミスタ８９によって構成された保護回路ユニット９４が、角形素電池８１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【０１２９】
以上のように本実施の形態３においては、実施の形態１の効果に加えて融点が３００℃以下のはんだ部材９２を用いて面実装形ＰＴＣサーミスタ８９の側面電極端子９３と負極側の接続リード９０を電気的な接続したことにより、角形素電池８１の発熱をはんだ部材９２を介して面実装形ＰＴＣサーミスタ８９に伝達でき、はんだ部材９２の接続によって抵抗値が増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ８９をアニール処理によって、抵抗値を復帰させることができる。
【０１３０】
なお、本実施の形態３において、はんだ部材はＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだとしたが、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ａｕなどから選択されたＰｂフリー系のはんだ部材や、ＳｎＰｂ系はんだを用いても同様の効果が得られる。
【０１３１】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における電池パックおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１３２】
図４は本発明の実施の形態４における電池パックの斜視図である。図５は図４の電池パックの展開図である。
【０１３３】
図４、図５において、１０１は角形素電池である。１０２は角形素電池１０１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。１０３は角形素電池１０１の負極端子であり、角形素電池１０１の１面にのみ設けられたものである。１０４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板１０４の第１の実装面が負極端子１０３のある角形素電池１０１の面に対向している。１０５はプリント基板１０４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣである。１０６はプリント基板１０４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。１０７と１０８はプリント基板１０４の保護用ＩＣ１０５の実装面と反対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子であり、プリント基板１０４からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が、角形素電池１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート１０９を介して近接している。１１０はプリント基板１０４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された外形が約４．５ｍｍ×３．２ｍｍ、厚みが約１ｍｍで、実装前の抵抗値が１５ｍΩから２０ｍΩで、保護動作温度が１１０℃から１２０℃の範囲にある面実装形ＰＴＣサーミスタであり、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の実装面と反対の上面が、負極端子１０３のある角形素電池１０１の面に対向して近接している。１１１は負極端子１０３とプリント基板１０４を接続する負極側の接続リードである。１１２はプリント基板１０４を介して電池パックの取り出し用正極端子１０７と外周金属ケースを兼ねた正極端子１０２を電気的に接続する正極側の接続リードである。１１３はプリント基板１０４と保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０によって構成された保護回路ユニットである。
【０１３４】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１３５】
まず、プリント基板１０４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１３６】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０を取り付ける。
【０１３７】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板１０４と、保護用ＩＣ１０５や面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１３８】
一方で、角形素電池１０１の負極端子１０３に負極側の接続リード１１１を電気溶接によって接続し、正極端子１０２に正極側の接続リード１１２を電気溶接によって接続する。
【０１３９】
次に、プリント基板１０４と、角形素電池１０１に取り付けられた負極側の接続リード１１１と正極側の接続リード１１２とをはんだ接続する。
【０１４０】
次に、負極側の接続リード１１１と正極側の接続リード１１２を折り曲げてプリント基板１０４の第１の実装面を角形素電池１０１の負極端子１０３のある面に対向させる。
【０１４１】
次に、約９０度に折り曲げられた取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８を各々が角形素電池１０１に取り付けた絶縁シート１０９とプリント基板１０４の第２の実装面に接するようにプリント基板１０４の第２の実装面にはんだ接続する。
【０１４２】
最後に、プリント基板１０４とのはんだ付けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０を実装したプリント基板１０４を角形素電池１０１と共に、８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させるアニール処理を行うことにより、電池パックを製造する。
【０１４３】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【０１４４】
まず、プリント基板１０４と保護用ＩＣ１０５とＦＥＴユニット１０６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０によって構成された保護回路ユニット１１３が、角形素電池１０１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【０１４５】
以上のように本実施の形態４においては、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０をプリント基板１０４上に保護用ＩＣ１０５やＦＥＴユニット１０６と同じようにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や電気溶接によって角形素電池１０１の負極端子１０３やプリント基板１０４と接続して回路を構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
【０１４６】
また、本実施の形態４では、プリント基板１０４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１０１をはんだ付けする工程と、角形素電池１０１の正極端子１０２と負極端子１０３にそれぞれ正極側の接続リード１１２と負極側の接続リード１１１を電気溶接する工程と、正極側の接続リード１１２と負極側の接続リード１１１をプリント基板１０４にはんだ接続する工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０をはんだ付け後のプリント基板１０４と角形素電池１０１を同時アニール処理する工程からなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板１０４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。
【０１４７】
また、本実施の形態４では、プリント基板１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の実装面と反対の上面が、負極端子１０３のある角形素電池１０１の面に対向して近接していることにより、特に、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０の主要面が角形素電池１０１と近接し、互いに熱結合状態となることで角形素電池１０１からの直接的な熱伝達によって、より早く保護動作状態に移行することができる。
【０１４８】
また、本実施の形態４では、プリント基板１０４の実装面を、角形素電池１０１の負極端子１０３の面に対向させ、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０が実装されたプリント基板１０４の実装面と反対側の実装面に電池パックの取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８を取り付けたことにより、プリント基板１０４は対向する角形素電池１０１に支えられることとなり、取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８が安定して固定でき、外部電子機器の電極端子と確実に接続できる。
【０１４９】
また、本実施の形態４では、取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８のプリント基板１０４からはみ出して折り曲げられた部分の先端部が角形素電池１０１の正極端子１０２の上面に絶縁シート１０９を介して近接していることにより、取り出し用正極端子１０７と取り出し用負極端子１０８はプリント基板１０４を仲介せずに角形素電池１０１の上面に支えられることとなり強固に固定でき、この面で外部電子機器の電極端子と接続すれば、機械的ストレスからプリント基板１０４を守ることができる。
【０１５０】
なお、本実施の形態４において、保護用ＩＣとＦＥＴユニットは、面実装形ＰＴＣサーミスタと同じプリント基板の実装面に配置したが、取り出し用正極端子や取り出し用負極端子を取り付けた面実装形ＰＴＣサーミスタと反対側のプリント基板の実装面に配置してもよい。
【０１５１】
なお、本実施の形態４において、アニール処理温度は相対的に高い温度を８０℃、相対的に低い温度を２５℃とし、放置時間を約３０分間としたが、面実装形ＰＴＣサーミスタの動作温度１１０℃以下で−４０℃以上であれば任意の温度を選択してもよいし、製造工程での支障がなければ、放置時間も１２時間程度まで延長してもよい。また、６０℃から１１０℃の温度範囲で一定温度に数時間以上の長時間放置しておいてもはんだ付けにより増加した抵抗値の低減が可能である。
【０１５２】
なお、本実施の形態４において、プリント基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。また、図４の様に、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０と角形素電池１０１を対向させることで、面実装形ＰＴＣサーミスタ１１０は、角形素電池１０１の放射熱を受けるので、より角形素電池１０１と熱結合をさせることができる。
【０１５３】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５における電池パックおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１５４】
図６は本発明の実施の形態５における電池パックの斜視図である。
【０１５５】
図６において、１２１は角形素電池である。１２２は角形素電池１２１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。１２３は角形素電池１２１の負極端子であり、角形素電池１２１の１面にのみ設けられたものである。１２４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板１２４の厚み方向の面が負極端子１２３のある角形素電池１２１の面に近接している。１２５はプリント基板１２４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された保護用ＩＣである。１２６はプリント基板１２４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴで構成されている。１２７と１２８はプリント基板１２４の保護用ＩＣ１２５の実装面と反対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。１２９はプリント基板１２４の第１の実装面上にＳｎＡｇ系またはＳｎＣｕ系のＰｂフリーはんだによって実装された面実装形ＰＴＣサーミスタであり、保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴユニット１２６と間隔を取り、角形素電池１２１と近接するプリント基板１０４の端部と反対側の端部近傍に配置されている。さらに、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９はプリント基板１２４を介して取り出し用正極端子１２７と電気的に接続している。１３０は負極端子１２３とプリント基板１２４を接続する負極側の接続リードである。１３１はプリント基板１２４を介して面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９と外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２を電気的に接続する正極側の接続リードである。１３２はプリント基板１２４と保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９によって構成された保護回路ユニットである。
【０１５６】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１５７】
まず、プリント基板１２４の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１５８】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子１２７と取り出し用負極端子１２８を取り付け、はんだ付けする。
【０１５９】
次に、プリント基板１２４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１６０】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を取り付ける。
【０１６１】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板１２４と、保護用ＩＣ１２５や面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１６２】
次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を実装したプリント基板１２４を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させるアニール処理を行う。
【０１６３】
一方で、角形素電池１２１の負極端子１２３に負極側の接続リード１３０を電気溶接によって接続し、正極端子１２２に正極側の接続リード１３１を電気溶接によって接続する。
【０１６４】
次に、アニール処理後のプリント基板１２４と角形素電池１２１に取り付けられた負極側の接続リード１３０をはんだ接続する。
【０１６５】
最後に、プリント基板１２４と正極側の接続リード１３１をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。
【０１６６】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【０１６７】
まず、プリント基板１２４と保護用ＩＣ１２５とＦＥＴユニット１２６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９によって構成された保護回路ユニット１３２が、角形素電池１２１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【０１６８】
以上のように本実施の形態５においては、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をプリント基板１２４上に保護用ＩＣ１２５やＦＥＴユニット１２６と同じようにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
【０１６９】
また、本実施の形態５では、プリント基板１２４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ付けする工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９をはんだ付け後のプリント基板１２４をアニール処理する工程と、角形素電池１２１の正極端子１２２と負極端子１２３にそれぞれ正極側の接続リード１３１と負極側の接続リード１３０を電気溶接する工程と、正極側の接続リード１３１と負極側の接続リード１３０をプリント基板４４にはんだ接続する工程からなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板４４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ４９は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。
【０１７０】
また、本実施の形態５では、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９が角形素電池１２１の熱容量の大きい外周金属ケースを兼ねた正極端子１２２と電気的に接続し、角形素電池１２１と近接するプリント基板１０４の端部と反対側の端部近傍に配置することにより、角形素電池１２１の発熱に対して正極端子１２２は温度上昇が遅く、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９と角形素電池１２１との間隔によって角形素電池１２１からの熱影響が小さくなり、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２１は過電流による自己発熱を主体として保護動作することができるので過電流による保護動作を優先する用途に適している。尚、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９を角形素電池１２１と対向しない側のプリント基板１０４の面に実装することで、角形素電池１２１からの放射熱、または空気の対流による熱の伝導を低減することができ、同様の効果を奏する。また、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９と角形素電池１２１との間に、両者を遮蔽する手段を設けることにより、両者間の熱の伝達を減少させることもできる。特に、電池パック全体の構成上、図４の様な構成にせざるを得ない場合、ＰＴＣサーミスタ１２９と角形素電池１２１の間に遮蔽手段を設けることは有用である。
【０１７１】
また、本実施の形態５では、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９は保護用ＩＣ１２５を挟んでＦＥＴユニット１２６と間隔を取り、ＦＥＴユニット１２６から熱影響を受けない位置に配置することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１２９は角形素電池１２１とＦＥＴユニット１２６の両方からの熱影響が小さくなり、過電流による自己発熱を主体に保護動作ができるので過電流による保護動作を優先する用途に適している。
【０１７２】
なお、本実施の形態５において、面実装形ＰＴＣサーミスタは、ＦＥＴユニットとプリント基板の同一実装面に配置したが、熱的影響がより小さくなるように互いに反対側の実装面に配置してもよい。
【０１７３】
なお、本実施の形態５において、プリント基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１７４】
（実施の形態６）
以下、本発明の実施の形態６における電池パックについて、図面を参照しながら説明する。
【０１７５】
図７は本発明の実施の形態６における電池パックの斜視図である。図８は図７の電池パックの回路ブロック図である。
【０１７６】
図７および図８において、１４１は角形素電池である。１４２は角形素電池１４１の正極端子であり、外周金属ケースを兼ねているものである。１４３は角形素電池１４１の負極端子であり、角形素電池１４１の１面にのみ設けられたものである。１４４は保護回路を構成するためのベースとなるプリント基板であり、プリント基板１４４の厚み方向の面が負極端子１４３のある角形素電池１４１の面に近接している。１４５はプリント基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装された保護用ＩＣである。１４６はプリント基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装されたＦＥＴユニットであり、基本的には２個のＦＥＴ１４７とＦＥＴ１４８で構成されている。１４９と１５０はプリント基板１４４の保護用ＩＣ１４５の実装面と反対側の第２の実装面に取り付けた電池パックの取り出し用正極端子と取り出し用負極端子である。１５１はプリント基板１４４の第１の実装面上にはんだ付けによって実装された面実装形ＰＴＣサーミスタであり、ＦＥＴ１４７と電気的に接続し、ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接して配置されている。１５２は負極端子１４３とプリント基板１４４を接続する負極側の接続リードである。１５３はプリント基板１４４を介して電池パック１４１の取り出し用正極端子１４９と外周金属ケースを兼ねた正極端子１４２を電気的に接続する正極側の接続リードである。１５４はプリント基板１４４と保護用ＩＣ１４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１によって構成された保護回路ユニットである。
【０１７７】
以上のように構成された電池パックについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１７８】
まず、プリント基板１４４の第２の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１７９】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に取り出し用正極端子１４９と取り出し用負極端子１５０を取り付け、はんだ付けする。
【０１８０】
次に、プリント基板１４４の第１の実装面にスクリーン印刷法を用いてクリームはんだを塗布する。
【０１８１】
次に、印刷形成したクリームはんだの上に保護用ＩＣ１４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１を取り付ける。
【０１８２】
次に、リフローはんだ付け炉を用いてプリント基板１４４と、保護用ＩＣ１４５や面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１などの取り付け部品をピーク温度２５０℃のプロファイルではんだ付けする。
【０１８３】
次に、はんだ付けによって抵抗値が４０ｍΩ程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１を実装したプリント基板４４を８０℃の周囲温度環境に約３０分間放置し、その後数分以内に２５℃の周囲温度環境に切り替えて約３０分間放置する温度サイクルを３回繰り返し、望ましくは５回繰り返して、抵抗値を２０ｍΩ以下に復帰させるアニール処理を行う。
【０１８４】
一方で、角形素電池１４１の負極端子１４３に負極側の接続リード１５２を電気溶接によって接続し、正極端子１４２に正極側の接続リード１５３を電気溶接によって接続する。
【０１８５】
次に、アニール処理後のプリント基板１４４と角形素電池１４１に取り付けられた負極側の接続リード１５２をはんだ接続する。
【０１８６】
最後に、プリント基板１４４と正極側の接続リード１５３をはんだ接続して、電池パックを製造するものである。
【０１８７】
以上のように構成、製造された電池パックについて、以下にその動作を説明する。
【０１８８】
まず、プリント基板１４４と保護用ＩＣ１４５とＦＥＴユニット１４６と面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１によって構成された保護回路ユニット１５４が、角形素電池１４１の過充電や過放電を保護する制御動作と、負荷の短絡や保護回路自身の短絡などによって起る過電流からの保護動作を行う。
【０１８９】
以上のように本実施の形態６においては、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をプリント基板１４４上に保護用ＩＣ１４５やＦＥＴユニット１４６と同じようにリフローソルダリング法などのはんだ付けによって実装することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１は、リード付きＰＴＣサーミスタのようにリード端子の曲げ加工や電気溶接によって回路構成する必要がなく、曲げ加工ストレスおよび電気溶接による高温の熱ストレスなどに起因する抵抗値変動をなくすことが可能である。
【０１９０】
また、本実施の形態６では、プリント基板１４４に面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ付けする工程と、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１をはんだ付け後のプリント基板１４４をアニール処理する工程と、角形素電池１４１の正極端子１４２と負極端子１４３にそれぞれ正極側の接続リード１５３と負極側の接続リード１５２を電気溶接する工程と、正極側の接続リード１５３と負極側の接続リード１５２をプリント基板１４４にはんだ接続する工程からなるものとしたことにより、ＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系などの融点が２００℃以上のＰｂフリーはんだを用いて、プリント基板１４４にはんだ付けした結果、抵抗値が４０ｍΩまで２倍程度に増加した面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１は、アニール効果によって、抵抗値を２０ｍΩ以下に短時間で小さくすることが可能である。
【０１９１】
また、本実施の形態６では、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１とＦＥＴユニット１４６と隣接実装可能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接して配置することにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１はＦＥＴユニット１４６と熱結合状態となりＦＥＴユニット１４６の発熱によっても保護動作することができるものである。
【０１９２】
また、本実施の形態６では、面実装形ＰＴＣサーミスタ１５１とＦＥＴ１４７と電気的に接続し、ＦＥＴユニット１４６と隣接実装可能な０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の間隔を残して近接して配置することにより、プリント基板１４４上の配線を使って効率よくＰＴＣサーミスタへ熱を伝えることができる。
【０１９３】
なお、本実施の形態６において、図８の回路ブロック図に示すように面実装形ＰＴＣサーミスタは角形素電池の負極側とＦＥＴ間で回路接続し、ＦＥＴユニットと熱結合状態となるように構成したが、図９に示すように面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１が角形素電池１６２と電池パックの取り出し用正極端子１６３間で回路接続し、ＦＥＴユニット１６４と熱結合状態となるように構成することで、角形素電池１６２の熱容量の大きい正極端子１６３は発熱による温度上昇が遅くなることにより、面実装形ＰＴＣサーミスタ１６１は角形素電池１６２からの熱影響を少なくしてＦＥＴユニット１６４からの発熱を主体に保護動作することができるものである。
【０１９４】
なお、本実施の形態６において、プリント基板への実装用はんだをＳｎＡｇ系やＳｎＣｕ系のＰｂフリー系はんだとしたが、その他のＰｂフリー系はんだや従来のＳｎＰｂ系はんだを用いてもよい。
【０１９５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、保護回路ユニットは保護用ＩＣと面実装形のＰＴＣサーミスタを含む複合体からなることにより、リード端子の曲げ加工や溶接による接続を必要としない面実装形のＰＴＣサーミスタを保護回路ユニット内に直接取り付けることとなり、取り付け時のストレスによる影響を軽減し、抵抗値の不可逆的な抵抗値変動を小さくし、さらに、面実装形ＰＴＣサーミスタをプリント基板にはんだ付けする工程の以降で、熱処理する工程を設ける方法により、ポリマの融点以上の熱処理を行った場合でも、ＰＴＣサーミスタの抵抗値のプラス側変動を小さくすることができるものであり、より高性能で使用時間の長い電池パックおよびその製造方法を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における電池パックの斜視図
【図２】本発明の実施の形態２における電池パックの斜視図
【図３】本発明の実施の形態３における電池パックの斜視図
【図４】本発明の実施の形態４における電池パックの斜視図
【図５】同展開図
【図６】本発明の実施の形態５における電池パックの斜視図
【図７】本発明の実施の形態６における電池パックの斜視図
【図８】同回路ブロック図
【図９】本発明の他の実施の形態における回路ブロック図
【図１０】（ａ）従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた上面における断面図
（ｂ）従来の電池パックの要部であるケースの一部を切欠いた正面における断面図
【図１１】（ａ）リード付きＰＴＣサーミスタの上面図
（ｂ）同図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１２】従来の保護回路付き電池パックの斜視図
【図１３】同回路ブロック図
【符号の説明】
４１  角形素電池
４５  保護用ＩＣ
４９  面実装形ＰＴＣサーミスタ
５２  保護回路ユニット
【図１】
0004904614.tif 000002
【図２】
0004904614.tif 000003
【図３】
0004904614.tif 000004
【図４】
0004904614.tif 000005
【図５】
0004904614.tif 000006
【図６】
0004904614.tif 000007
【図７】
0004904614.tif 000008
【図８】
0004904614.tif 000009
【図９】
0004904614.tif 000010
【図１０】
0004904614.tif 000011
【図１１】
0004904614.tif 000012
【図１２】
0004904614.tif 000013
【図１３】
0004904614.tif 000014