(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリーンシートを焼成してスリットが形成されていないアルミナからなる絶縁性基板を製造する絶縁性基板製造工程と、
前記絶縁性基板の裏面に少なくとも一対の裏電極を、一次スリット形成予定位置とこの一次スリット形成予定位置に直交して交差する二次スリット形成予定位置とをそれぞれ跨ぐようにして印刷するとともに、前記絶縁性基板の表面に少なくとも一対の第一表電極を、前記一次スリット形成予定位置を跨ぎかつ前記二次スリット形成予定位置から離間するように印刷した後に、第１の所定温度で焼成して裏電極及び第一表電極を形成する第一電極形成工程と、
前記対となる第一表電極の一部に積層し、前記一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とによって矩形状に区画される区画内に抵抗体を印刷した後に、第２の所定温度で焼成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体をトリミングしてその抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、
前記トリミングされた抵抗体を被覆する保護膜を、前記二次スリット形成予定位置を跨ぐようにエポキシ系樹脂を帯状に塗布して第３の所定温度で硬化させて形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜を形成した後、前記一次スリット形成予定位置に沿って一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とを跨ぐようにＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して第４の所定温度で硬化させて形成する第二電極形成工程と、
前記絶縁性基板をこの絶縁性基板に形成されたスリットに沿って分割する分割工程とを備え、
前記保護膜形成工程よりも後に、レーザスクライバから発せられる１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長を有するレーザ光を用いて前記絶縁性基板の表面及び裏面の前記一次スリット形成予定位置及び前記二次スリット形成予定位置にそれぞれ前記スリットを形成するスリット形成工程を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品として用いられるチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、チップ抵抗器は、例えば、図５及び図６に示すようにして製造されるものであり、まず、図５（ａ）に示すように、略等間隔かつ略平行な複数の一次スリット１１と、この一次スリット１１に直交して交差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次スリット１２とが、表面１０Ａ及び裏面にそれぞれ形成されて各区画領域に区画された絶縁性基板１０を用意する。
【０００３】
次に、絶縁性基板１０の裏面に、一次スリット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリット１２とを跨ぐような帯状の裏電極を印刷して焼成し、かつ、図５（ｂ）に示すように、絶縁性基板１０の表面１０Ａに、二次スリット１２から離間するとともに一次スリット１１を跨ぐようにして、隣接して対となる複数の第一表電極１４を印刷して焼成する。
【０００４】
そして、図５（ｃ）に示すように、対となる第一表電極１４，１４の一部に積層する抵抗体１５を印刷して焼成し、次いで、図５（ｄ）に示すように、この抵抗体１５を被覆するような一次保護膜１６を印刷して焼成した後、図６（ｅ）に示すように、一次保護膜１６とともに抵抗体１５をレーザ光によってトリミングし、その抵抗値を調整する。
【０００５】
さらに、図６（ｆ）に示すように、このトリミングされた抵抗体１５を一次保護膜１６とともに被覆するようにして、二次スリット１２を跨ぐような帯状の二次保護膜１７を形成した後、図６（ｇ）に示すように、露出する第一表電極１４を被覆するようにして、一次スリット１１に沿って、一次スリット１１と二次スリット１２とを跨ぐような帯状の第二表電極１８を形成する。
【０００６】
その後、図６（ｈ）に示すように、一次スリット１１に沿って絶縁性基板１０を分割して短冊状とし、その分割面である絶縁性基板１０の端面にスパッタリングで端面電極を形成し、次いで、この短冊状に分割された絶縁性基板１０を二次スリット１２に沿って分割してチップ状としてから、端面電極，裏電極及び第二表電極１４を被覆するようにメッキを施してメッキ層を形成することにより、チップ抵抗器が製造される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、表面１０Ａ及び裏面に、互いに直交して交差する一次スリット１１と二次スリット１２とが形成された絶縁性基板１０は、図７に示すように、鋭い谷状の刃１０１が複数条形成された刃型１００を、グリーンシートＧの表面側及び裏面側から押し当てて一次スリット１１と二次スリット１２とを形成した後、このグリーンシートＧを焼成することによって得られるものである。
しかしながら、このような一次スリット１１及び二次スリット１２を事前に形成したグリーンシートＧを焼成すると、図８に示すように、これら一次スリット１１及び二次スリット１２に、焼成時の収縮に起因する歪みが生じてしまうことになる。
【０００８】
そうすると、絶縁性基板１０において、一次スリット１１及び二次スリット１２によって区画されて個々のチップ抵抗器となる各区画領域の形状にバラつきが生じ、その後の電極，抵抗体，保護膜などをスクリーン印刷する工程で所定位置に印刷を行うことができないといった問題が生じる。このため、従来では、印刷に用いられるスクリーンを多数用意して、この各区画領域の形状寸法の誤差に対応したスクリーンを用いなければ、このような形状寸法に誤差の生じた絶縁性基板１０に対して正確に印刷を行うことができなかった。
【０００９】
また、最初から一次スリット１１及び二次スリット１２が形成された絶縁性基板１０に対して、上述のように、電極，抵抗体，保護膜などを形成していくと、例えば、一次スリット１１に沿って絶縁性基板１０を分割するときには、図９（ａ）に示すように、この一次スリット１１を跨ぐようにして形成される第一表電極１４，第二表電極１８や裏電極１３が、毛細管現象によって、一次スリット１１内に入り込んで堆積している状態となり、さらに、例えば、二次スリット１２に沿って絶縁性基板１０を分割するときには、図９（ｂ）に示すように、この二次スリット１２を跨ぐようにして形成される二次保護膜１７（第二表電極１８）や裏電極１３が、同じく毛細管現象によって、二次スリット１２内に入り込んで堆積している状態となってしまう。
【００１０】
そうすると、これら一次スリット１１あるいは二次スリット１２に沿って絶縁性基板１０を分割する際、図９に示すように、絶縁性基板１０の表面１０Ａ側に形成された一次スリット１１あるいは二次スリット１２から、絶縁性基板１０の裏面側に形成された一次スリット１１あるいは二次スリット１２に向かって生じていく亀裂がうまく誘導されず、分割面形状がいびつとなり、形状寸法の精度を低下させてしまうことが多々あった。
【００１１】
また、グリーンシートＧに刃型１００を押し当てて一次スリット１１及び二次スリット１２を形成しているから、図７における打点領域で示すように、これら一次スリット１１及び二次スリット１２が形成される部分の密度が高くなり、この状態でグリーンシートＧが焼成されると、この密度の高い部分が高い硬度を呈することとなって、絶縁性基板１０の表面１０Ａ側に形成された一次スリット１１及び二次スリット１２から生じる亀裂がうまく裏面側に誘導されない一因となり、これによっても、分割面形状が悪化して、形状寸法の精度低下を招いてしまう。
そして、形状寸法の精度に誤差が生じた状態で形成されたチップ抵抗器は、最終工程におけるチェックで不良品とみなされ、歩留まりを大きく低下させてしまう要因となっていた。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、形状寸法に誤差の生じないチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は、グリーンシートを焼成してスリットが形成されていないアルミナからなる絶縁性基板を製造する絶縁性基板製造工程と、前記絶縁性基板の裏面に少なくとも一対の裏電極を、一次スリット形成予定位置とこの一次スリット形成予定位置に直交して交差する二次スリット形成予定位置とをそれぞれ跨ぐようにして印刷するとともに、前記絶縁性基板の表面に少なくとも一対の第一表電極を、前記一次スリット形成予定位置を跨ぎかつ前記二次スリット形成予定位置から離間するように印刷した後に、第１の所定温度で焼成して裏電極及び第一表電極を形成する第一電極形成工程と、前記対となる第一表電極の一部に積層し、前記一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とによって矩形状に区画される区画内に抵抗体を印刷した後に、第２の所定温度で焼成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体をトリミングしてその抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、前記トリミングされた抵抗体を被覆する保護膜を、前記二次スリット形成予定位置を跨ぐようにエポキシ系樹脂を帯状に塗布して第３の所定温度で硬化させて形成する保護膜形成工程と、前記保護膜を形成した後、前記一次スリット形成予定位置に沿って一次スリット形成予定位置と前記二次スリット形成予定位置とを跨ぐようにＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して第４の所定温度で硬化させて形成する第二電極形成工程と、前記絶縁性基板をこの絶縁性基板に形成されたスリットに沿って分割する分割工程とを備え、前記保護膜形成工程よりも後に、レーザスクライバから発せられる１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの波長を有するレーザ光を用いて前記絶縁性基板の表面及び裏面の前記一次スリット形成予定位置及び前記二次スリット形成予定位置にそれぞれ前記スリットを形成するスリット形成工程を有することを特徴とする。
このような製造方法では、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことから、グリーンシートを焼成して絶縁性基板を製造する際、絶縁性基板を各区画領域に区画するスリットが形成されていないので、焼成時の収縮に起因するスリットの歪みが生じない。これにより、後で形成されるスリットで区画される絶縁性基板の各区画領域の形状寸法の精度を向上させることが可能になる。
【００１４】
また、スリット形成工程を、電極形成工程よりも後に行うから、表電極を絶縁性基板の表面に印刷するときに、この表面にはスリットが形成されていない状態となるので、表電極がスリット内に入り込んで堆積することがなくなり、これにより、後で形成されるスリットに沿って絶縁性基板を分割する際に、スリットから生じる亀裂をうまく誘導することが可能となり、その分割面形状を精度良く保つことができる。
とくに、スリット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うから、表電極がスリット内に入り込んで堆積することがなくなるとともに、保護膜がスリット内に入り込んで堆積してしまうこともなくなり、このスリットに沿った絶縁性基板の分割工程において、とくに精度の良い分割面形状を得ることができる。
【００１５】
また、スリット形成工程では、レーザスクライバから発生させられるレーザ光によって絶縁性基板にスリットを形成するから、グリーンシートに対して刃型によってスリットを形成してから焼成することで得られる従来の絶縁性基板のように、スリットの形成された部分の密度が高くなって高い硬度を呈することがなく、分割工程における絶縁性基板の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
とくに、レーザスクライバから発生させられるレーザ光を、その波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍとなるようにしているから、例えば、発生させられるレーザ光の波長が１０６４ｎｍに設定された一般的なＹＡＧレーザスクライバを用いた場合のように、スリットを形成したい位置の周囲にまで熱影響を与えてしまうことによる不具合が生じず、しかも、鋭い断面形状のスリットを形成することができて、このスリットによる分割面形状の精度をより向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、添付した図面を参照しながら工程順に説明する。
〔絶縁性基板製造工程〕
平坦な略四角形平板状をなすグリーンシートを焼成することにより、図１（ａ）に示すように、例えばアルミナからなる絶縁性基板３０を得る。なお、図面における二点鎖線は、後の工程で一次スリット３１が形成されるべき位置（一次スリット形成予定位置３１Ａ）と、二次スリット３２が形成されるべき位置（二次スリット形成予定位置３２Ａ）を示すものである。
【００１７】
〔第一電極形成工程〕
絶縁性基板３０の裏面に対し、一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとを跨ぐようにして、裏電極としての例えばＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを帯状にスクリーン印刷し、さらに、図１（ｂ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対し、一次スリット形成予定位置３１Ａを跨ぎ、かつ、この一次スリット形成予定位置３１Ａに直交して交差する二次スリット形成予定位置３２Ａから離間するようにして、第一表電極３４としての例えばＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを複数対スクリーン印刷してから、これら印刷されたＡｇ−Ｐｄ系電極ペーストを例えば８５０゜Ｃで焼成することにより、第一表電極３４及び裏電極を形成する。なお、本実施形態では、裏電極を、絶縁性基板３０の裏面の一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って帯状に印刷するようにしたが、第一表電極３４と同様にして、絶縁性基板３０の裏面に対し、その一次スリット形成予定位置３１Ａを跨ぎ、かつ、二次スリット形成予定位置３２Ａから離間するように印刷してもよい。
【００１８】
〔抵抗体形成工程〕
図１（ｃ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された対となる第一表電極３４，３４、すなわち、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとによって矩形状に区画される一の区画領域内に設けられる第一表電極３４，３４の一部に積層するように、例えばＲｕＯ2系ペーストをスクリーン印刷して８５０゜Ｃで焼成することにより抵抗体３５を形成する。
【００１９】
〔一次保護膜形成工程〕
図１（ｄ）に示すように、抵抗体３５を被覆するようにして、例えばガラスペーストをスクリーン印刷して６００゜Ｃで焼成することにより、一次保護膜３６を形成する。
この一次保護膜３６は、次の抵抗値調整工程におけるトリミング時のレーザエネルギー等による抵抗体３５へのダメージを軽減するために形成されるものであり、場合によっては省略することも可能である。
【００２０】
〔抵抗値調整工程〕
プローブ装置を用いて、対となる表電極３４，３４を接続する抵抗体３５の抵抗値を計測しながら、例えば波長１０６４ｎｍのレーザ光を用いて、図２（ｅ）に示すように、この抵抗体３５を一次保護膜３６とともに徐々にトリミングしてトリミング溝３５Ａを形成してゆき、その抵抗値を調整する。
【００２１】
〔二次保護膜形成工程（保護膜形成工程）〕
図２（ｆ）に示すように、トリミングされた抵抗体３５に対して、トリミング溝３５Ａ及び一次保護膜３６の上から被覆し、かつ、二次スリット形成予定位置３２Ａを跨ぐように、例えばエポキシ系樹脂を帯状に塗布して２００゜Ｃで硬化させることにより、二次保護膜３７（保護膜）を形成する。
ここで、樹脂を硬化させる際の温度が２００゜Ｃに設定されていて、上記の裏電極，第一表電極３４，抵抗体３５及び一次保護膜３６を印刷して焼成する際の温度よりも低くなっているのは、抵抗値調整工程において抵抗値が調整された抵抗体３５に、熱影響による抵抗値の変動が生じてしまうのを防止するためである。
【００２２】
〔第二表電極形成工程〕
図２（ｇ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された第一表電極３４において、二次保護膜３７によって被覆されていない露出部分を少なくとも被覆し、一次スリット形成予定位置３１Ａに沿って、一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとを跨ぐように、例えばＡｇを含む樹脂を帯状に塗布して２００゜Ｃで硬化させることにより、第二表電極３８を形成する。
この樹脂を硬化させる際の温度を２００゜Ｃの低温に設定したのも、上述したように、熱影響によって抵抗体３５の抵抗値の変動が生じるのを防止するためである。また、場合によっては、この第二表電極３８は形成されていなくてもよい。
【００２３】
〔スリット形成工程〕
図２（ｈ）に示すように、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面における一次スリット形成予定位置３１Ａと二次スリット形成予定位置３２Ａとに対して、波長が１９０〜３６０ｎｍの範囲に設定された紫外線領域の固体レーザ光をレーザスクライバから発生させて照射することにより、一次スリット３１及び二次スリット３２を形成していく。
ここで、本実施形態では、上記のレーザ光についての照射条件等は、例えば、以下のように設定されている。
・出力    ２Ｗ
・Ｑ−ｒａｔｅ    １０ｋＨｚ
・波長    ２６６ｎｍ
・加工深さ（後述する。）    約５０μｍ（表面）  約２５μｍ（裏面）
・加工速度    １０ｍｍ／ｓ
・スクライブ回数    ２回（表面）  １回（裏面）
【００２４】
このとき、絶縁性基板３０の表面３０Ａにおける一次スリット形成予定位置３１Ａには、第二表電極３８、あるいは第一表電極３４及び第二表電極３８が積層している状態となっているため、例えば、図２（ｈ）におけるＡ−Ａ線断面では、図３（ｉ）に示すように、第一表電極３４及び第二表電極３８がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対して断面Ｕ字溝状の一次スリット３１が形成されていく。
また、絶縁性基板３０の表面３０Ａにおける二次スリット形成予定位置３２Ａには、二次保護膜３７、あるいは第二表電極３８が積層している状態となっているため、例えば、図２（ｈ）におけるＢ−Ｂ線断面では、図３（ｊ）に示すように、第二表電極３８がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の表面３０Ａに対して断面Ｕ字溝状の二次スリット３２が形成されていく。
【００２５】
さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂにおける一次スリット形成予定位置３１Ａ、及び二次スリット形成予定位置３２Ａの一部には、裏電極３３が積層された状態となっているため、図３（ｉ），（ｊ）に示すように、裏電極３３がレーザ光によって切断されながら、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂに対して断面Ｕ字溝状の一次スリット３１及び二次スリット３２が形成されていく。
このようにして、略等間隔かつ略平行な複数の一次スリット３１と、この一次スリット３１に直交して交差するとともに略等間隔かつ略平行な複数の二次スリット３２とが、絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに対して、それぞれ同一位置で形成される。
【００２６】
なお、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ側に形成された一次スリット３１及び二次スリット３２よりも、表面３０Ａ側に形成された一次スリット３１及び二次スリット３２の方が深く形成されており、本実施形態においては、例えば、絶縁性基板３０の厚みが２００μｍ程度であるのに対し、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に形成された一次スリット３１の深さが５０μｍ程度となるとともに、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成された一次スリット３１の深さが２５μｍ程度となっており、また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に形成された二次スリット３２の深さが５０μｍ程度となるとともに、これに対向して裏面３０Ｂ側に形成された二次スリット３２の深さが２５μｍ程度となっている。
【００２７】
〔一次分割工程（分割工程）〕
絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに形成された一次スリット３１に対してテンションを加えることで、図３（ｉ）に示すように、表面３０Ａ側の第一表電極３４や第二表電極３８が堆積していない一次スリット３１から生じる亀裂が、裏面３０Ｂ側の裏電極３３が堆積していない一次スリット３１まで誘導されることにより、図３（ｋ）に示すように、一次スリット３１に沿って短冊状に分割された絶縁性基板３０を得る。
【００２８】
〔端面電極形成工程〕
短冊状となった絶縁性基板３０を複数積み重ね、この積み重ねられた絶縁性基板３０の端面、すなわち、一次スリット３１による分割面に対して、例えばＣｕ−Ｎｉ系金属をスパッタリングすることによって、端面電極３９を形成し、この端面電極３９が第二表電極３８と裏電極３３とを接続する。
【００２９】
〔二次分割工程（分割工程）〕
端面電極３９が形成された短冊状の絶縁性基板３０の表面３０Ａ及び裏面３０Ｂに形成された二次スリット３２に対してテンションを加えることで、図３（ｊ）に示すように、表面３０Ａ側の二次保護膜３７や第二表電極３８が堆積していない二次スリット３２から生じる亀裂が、裏面３０Ｂ側の裏電極３３が堆積していない二次スリット３２まで誘導されることにより、図４（ｌ）に示すように、二次スリット３２に沿って分割されてチップ状となった絶縁性基板３０を得る。
【００３０】
〔メッキ層形成工程〕
図４（ｍ）に示すように、チップ状となった絶縁性基板３０の端面電極３９，裏電極３３及び第二表電極３８とを被覆するように、例えば、Ｎｉメッキを施した後、はんだあるいはすずメッキを施すことにより、端面電極３９から裏面３０Ｂ側に位置する裏電極３３及び表面３０Ａ側に位置する第二表電極３８まで廻り込むようなメッキ層４０が形成される。
【００３１】
そして、最後に形状の選別など各種のチェックを行い、このチェックに合格したものが製品としてのチップ抵抗器となる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法では、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことにより、グリーンシートを焼成して絶縁性基板３０を製造する際、この絶縁性基板３０を各区画領域に区画する一次スリット３１及び二次スリット３２が形成されていないので、これら一次スリット３１及び二次スリット３２に、焼成時の収縮に起因する歪みをなくすことができる。すると、後の工程で形成される一次スリット３１及び二次スリット３２によって区画される絶縁性基板３０の各区画領域ごとの形状寸法に誤差が生じるのを抑制でき、ひいては、従来のように多数のスクリーンを用意する必要をなくすことができる。
【００３３】
また、本実施形態では、スリット形成工程を、第二表電極形成工程の直後、すなわち、１次分割工程の直前に行うことから、電極形成工程における裏電極３３及び表電極３４の印刷時には、この裏電極３３が一次スリット３１及び二次スリット３２内に入り込んで堆積することがないとともに、表電極３４が一次スリット３１内に入り込んで堆積することがなく、また、二次保護膜形成工程における二次保護膜３７の印刷時には、この二次保護膜３７が二次スリット３２内に入り込んで堆積してしまうことがなく、さらに、第二表電極形成工程における第二表電極３８の印刷時には、この第二表電極３８が一次スリット３１及び二次スリット３２内に入り込んで堆積してしまうことがない。
【００３４】
これにより、スリット形成工程で形成された一次スリット３１に沿って絶縁性基板３０を分割する一次分割工程では、内部に堆積物のない表面３０Ａ側の一次スリット３１から生じる亀裂を、同じく内部に堆積物のない裏面３０Ｂ側の一次スリット３１まで断面直線状をなすようにうまく誘導することができ、その一次スリット３１による分割面形状の精度を良好に保つことが可能になる。
同様に、スリット形成工程で形成された二次スリット３２に沿って絶縁性基板３０を分割する二次分割工程においても、内部に堆積物のない表面３０Ａ側の二次スリット３２から生じる亀裂を、同じく内部に堆積物のない裏面３０Ｂ側の二次スリット３２まで断面直線状をなすようにうまく誘導することができ、その二次スリット３２による分割面形状の精度を良好に保つことが可能となる。
【００３５】
すると、チップ抵抗器を製造する際の最終工程における形状の選別など各種のチェックにおいても、本実施形態によって製造されたチップ抵抗器は、その優れた形状特性ゆえに不良品となる割合が少なくなり、歩留まりを高く保つことができる。
【００３６】
また、とくに、絶縁性基板３０の表面３０Ａに形成された二次スリット３２内に、二次保護膜３７が入り込んで堆積していないことから、この二次スリット３２に沿って絶縁性基板３０を分割したときに、従来では、毛細管現象によって二次保護膜３７が二次スリット３２内に入り込んでしまって、二次スリット３２による分割面に二次保護膜３７が付着して美観を損ねていたのに対し、本実施形態では、二次スリット３２による分割面に二次保護膜３７がまったく付着せず、外観を美麗に保つことができる。
【００３７】
さらに、本実施形態では、スリット形成工程で、一次スリット３１及び二次スリット３２を形成するために、固体レーザ光を発生させるレーザスクライバを用いているから、グリーンシートの状態で刃型によって一次スリット及び二次スリットを形成してから焼成した従来の絶縁性基板のように、これらスリットの形成される部分の密度が上昇して高い硬度を呈することがなくなり、一次スリット３１及び二次スリット３２に沿った絶縁性基板３０の分割時に無理な力が加わることがなく、絶縁性基板３０の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
【００３８】
とくに、レーザスクライバから発生させられる固体レーザ光の波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの紫外線領域の範囲に設定されていることから、例えば、発生させられるレーザ光の波長が１０６４ｎｍに設定された一般的なＹＡＧレーザスクライバを用いた場合のように、一次スリット形成予定位置３１Ａ及び二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲にまで熱影響を与えてしまうことがなくなり、不具合が生じることがない。
【００３９】
すなわち、本実施形態のように、第二表電極形成工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、樹脂を塗布して硬化させることにより形成された二次保護膜３７上にレーザ光を照射することになるが、上述したような波長を有するレーザ光を用いると、二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲の樹脂が熱影響によって炭化してしまうことがなく、この部分にメッキの付着するおそれをなくすことができる。また、このとき、ガラスペーストを印刷して焼成することにより二次保護層３７を形成したのであれば、この二次保護層３７にクラックが生じるのを防止することができる。
【００４０】
さらに、例えば、絶縁性基板製造工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、上述したような波長のレーザ光を用いると、一次スリット形成予定位置３１Ａ及び二次スリット形成予定位置３２Ａの周囲に焦げ付きが生じるのを防止でき、また、電極形成工程の直後に、スリット形成工程を行うような場合には、同じく上述したような波長のレーザ光を用いると、裏電極３３及び第一表電極３４としての電極ペースト中に含まれるガラス成分が表面に浮き出して、メッキ層が付き難くなるのを防止できる。
なお、波長が１９０ｎｍより小さいレーザ光を発生させるレーザスクライバを用いようすると、このようなレーザスクライバは非常に高価であるため、コスト面での問題が生じてしまう。
【００４１】
また、波長が１９０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲のレーザ光によって一次スリット３１及び二次スリット３２を形成すると、これら一次スリット３１及び二次スリット３２の断面形状を鋭いＵ字溝状にすることが可能となるので、上述したような効果とも相俟って、一次スリット３１及び二次スリット３２による分割面形状の精度をより向上させることができる。
【００４３】
例えば、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に一次スリット３１を形成する表面側一次スリット形成工程を、電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の一次スリット３１内に第一表電極３４が入り込んで堆積してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の一次スリット３１内に第一表電極３４及び第二表電極３８が入り込んで堆積してしまうことがない。
また、絶縁性基板３０の表面３０Ａ側に二次スリット３１を形成する表面側二次スリット形成工程を、二次保護膜形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の二次スリット３２内に二次保護膜３７が入り込んで堆積してしまうことがなく、第二表電極形成工程よりも後で行えば、表面３０Ａ側の二次スリット３１内に二次保護膜３７及び第二表電極３８が入り込んで堆積してしまうことがない。
さらに、絶縁性基板３０の裏面３０Ｂ側に一次スリット３１，二次スリット３２を形成する裏面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工程を、電極形成工程よりも後で行えば、一次スリット３１や二次スリット３２内に、裏電極３３が入り込んで堆積してしまうことがない。
これらを考慮して、表面側一次スリット形成工程，表面側二次スリット形成工程，裏面側一次スリット形成工程，裏面側二次スリット形成工程を、絶縁性基板製造工程よりも後、かつ、分割工程よりも前で、それぞれ任意に行うようにしても構わない。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁性基板製造工程よりも後にスリット形成工程を行うことから、グリーンシートを焼成して絶縁性基板を製造する際、絶縁性基板を各区画領域に区画するスリットが形成されていないので、このスリットに、焼成時の収縮に起因する歪みが生じない。これにより、後で形成されるスリットで区画される絶縁性基板の各区画領域の形状寸法の精度を向上させることが可能になるとともに、従来のように多数のスクリーンを用意する必要をなくすことができる。
また、スリット形成工程を、保護膜形成工程よりも後に行うことから、表電極や保護膜がスリット内に入り込んで堆積することがなくなり、後で形成されるスリットに沿って絶縁性基板を分割する際に、スリットから生じる亀裂をうまく誘導することが可能となり、その分割面形状を精度良く保つことができる。
そうすると、チップ抵抗器を製造する際の最終工程における形状の選別など各種のチェックにおいても、本発明によって製造されたチップ抵抗器は、その優れた形状特性ゆえに不良品が出にくく、歩留まりを高く保つことができる。
【００４５】
また、スリット形成工程では、レーザスクライバから発生させられるレーザ光を用いて絶縁性基板にスリットを形成するから、従来の絶縁性基板のように、スリットの形成された部分の密度が高くなって高い硬度を呈することがなく、分割工程における絶縁性基板の分割をより円滑に行って、分割面形状のさらなる精度向上を図ることができる。
とくに、このレーザ光の波長が３６０ｎｍ以下となるようにしたから、スリットを形成したい位置の周囲にまで熱影響を与えてしまうことがなくなって、これに起因する不具合が生じず、また、スリットの断面形状を鋭く形成することが可能となり、スリットによる分割面形状の精度をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図２】   本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図３】   本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す断面及び平面説明図である。
【図４】   本実施形態によるチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面及び断面説明図である。
【図５】   従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図６】   従来のチップ抵抗器の製造方法を工程順に示す平面説明図である。
【図７】   従来の絶縁性基板を製造する工程を示す断面説明図である。
【図８】   従来の絶縁性基板を製造する工程を示す平面説明図である。
【図９】   従来のチップ抵抗器の製造方法における絶縁性基板の分割の様子を示す断面説明図である。
【符号の説明】
３０  絶縁性基板
３０Ａ  表面
３０Ｂ  裏面
３１  一次スリット
３１Ａ  一次スリット形成予定位置
３２  二次スリット
３２Ａ  二次スリット形成予定位置
３３  裏電極
３４  第一表電極
３５  抵抗体
３６  一次保護膜
３７  二次保護膜
３８  第二表電極
３９  端面電極
４０  メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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