(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの層の間に画定される脆化面に沿って複合構造（１００）を破砕する方法であって、
前記脆化面に沿って前記複合構造の中に割れ目を生成するステップを含み、
破砕の間、前記複合構造は、前記複合構造の両側に配置され、かつ前記複合構造から離間された硬化剤（１１８）に対して保持されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複合構造（１００）は、２つの硬化剤（１１８）の間に置かれ、
各硬化剤と前記複合構造との間の累積的間隔は、破砕の間、０ではなく、５００マイクロメートル未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記硬化剤（１１８）は、前記複合構造の直径の少なくとも５０％より大きいことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複合構造（１００）は、破砕の間、実質的に垂直に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記複合構造（１００）は、破砕の間、実質的に水平に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記複合構造（１００）の前記脆化面は、イオン注入により形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記破砕は、前記複合構造の熱アニールにより実行されることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記複合構造は、異なる熱膨張係数を有する２つの基板で構成されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記複合構造は、２つの基板（１０、２０）を互いに組み合わせることにより作製され、前記２つの基板のうちの１つは、脆化面を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
破砕される複合構造の熱アニール装置ボート（１０２）のハウジング（１２０）であって、
前記ハウジングは、２つの層の間に画定される脆化面に沿って破砕される複合構造（１００）を収容可能であり、
前記ハウジングは、互いに離間され、かつ互いに平行に整列された２つの硬化素子（１１８）をさらに備え、
各硬化素子と前記複合構造との間の累積的間隔は、０ではなく、５００マイクロメートル未満であることを特徴とするハウジング。
【請求項１１】
前記硬化剤（１１８）の直径は、破砕される前記複合構造の直径の少なくとも５０％より大きいことを特徴とする請求項１０に記載のハウジング。
【請求項１２】
２つの層の間に画定される脆化面に沿って破砕される複合構造の熱アニール装置であって、
炉（１１０）と、
複数の複合構造（１００）を収容可能なボート（１０２）と
を備え、
各複合構造は、請求項１０又は１１のハウジング（１２０）内に配置されることを特徴とする熱アニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等のＩＩＩ／Ｎ族からの材料、ＧａＡｓ等のＩＩＩ／Ｖ族からの材料、またはゲルマニウムなどのＩＶ族からの材料のエピタキシーに特に利用される複合構造の製造の分野に関する。本発明の適用分野は、エレクトロニクス、オプティクス、及びオプトエレクトロニクスである。
【０００２】
より詳細には、本発明は、２つの層の間に画定される脆化面（ｅｍｂｒｉｔｔｌｅｍｅｎｔ  ｐｌａｎｅ）に沿って複合構造を破砕（ｆｒａｃｔｕｒｅ）する方法に関する。この方法は、脆化面に沿って構造に割れ目（ｆｒａｃｔｕｒｅ）を発生させることを含む。
【背景技術】
【０００３】
複合構造は、スマート・カット（登録商標）技術に従って製造することができる。この技術は、薄層を支持基板上に移すことにより複合構造をつくることを可能にする。
【０００４】
ＳＯＩウエハの作製へのスマート・カット（登録商標）技術の実装の一例が、特許文献１又は非特許文献１に説明されている。
【０００５】
一般に、スマート・カット（登録商標）技術は、ドナー基板の面（ｆａｃｅ）の下にイオン種を注入して、脆化面を形成することと、注入を受けたドナー基板の面を支持基板と密接に接着させることと、ボンディングのための安定化熱処理（ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ  ｈｅａｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を実行することと、そのようにして得られた構造を脆化面の位置で破砕して、その構造の、注入を受けた表面と脆化面との間の部分を支持基板上に移すこととを含む。構造の破砕は、所与の温度での熱アニール及び／又は機械的エネルギーの供給により行うことができる。このようにして、脆化面と注入を受けた面との間に画定された、ドナー基板からの層が、支持基板上に移植される。
【０００６】
ドナー基板の残りの層は「ネガ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）」と呼ばれ、新たな薄層移転においてドナー基板として再び利用するために、その表面を研磨し洗浄した後にリサイクルされる。
【０００７】
ドナー基板は、低欠陥密度を示すために特別な作製を必要とする。それゆえ、ドナー基板は特に高価である。したがって、ネガのリサイクルが製造コストの低減のために特に重要である。
【０００８】
このような事情であるので、（ＧａＮ、ＳｉＣ等の）硬く脆弱な（ｈａｒｄ  ａｎｄ  ｂｒｉｔｔｌｅ）材料、または（ゲルマニウム、シリコン等の）壊れやすい（ｆｒａｇｉｌｅ）材料のドナー基板の利用中に、水平または垂直に配置された構造を破砕するとネガの８０％の破損につながる可能性がある。破砕時に、局所的に極めて強くなる可能性のあるエネルギーが解放され、ネガの破損を引き起こす場合がある。
【０００９】
基板の破砕による薄層の移転を改善するために、様々な解決策が存在する。
【００１０】
これらの既知の解決策の１つは、特許文献２に説明されている。特許文献２には、破砕エネルギーが加えられた場合に移転された層に現れる欠陥（気泡（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）、ひび（ｃｒａｃｋ）、割れ目）の形成を低減することが記載されている。この目的のために、非特許文献２では、ボンディング法（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）により基板を固定すること、支持基板またはドナー基板の裏面（ｒｅａｒ  ｆａｃｅ）に硬化剤（ｓｔｉｆｆｅｎｅｒ）を形成することを提案している。
【００１１】
特許文献３に記載された別の解決策は、より具体的に、熱膨張係数がドナー基板のそれとことなる支持基板上に、脆化された（ｅｍｂｒｉｔｔｌｅｄ）ドナー基板から薄層を移転することに当てはまる。移転された層の破損のリスクを低減するために、特許文献３は、基板をボンディングすること、支持基板またはドナー基板の上の硬化剤を形成すること、基板硬化剤はそれがボンディングされる基板の熱膨張係数と近い熱膨張係数を有することを説明している。
【００１２】
さらに別の既知の解決策は、特許文献４に説明されている。この解決策は、得られる層の全表面にわたり均一な粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を得ることを目的とする。そのために、脆化されたドナー基板が、破砕熱アニール（ｆｒａｃｔｕｒｅ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を可能にする炉内に水平に置かれ、擦り傷の形成につながる可能性のある、ある層の別の層の上へのどんな移動をも防止するために、層を水平に操作するための保持手段が設けられる。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第5374564号明細書
【特許文献２】国際公開第WO2006/093817号パンフレット
【特許文献３】米国特許第6858517号明細書
【特許文献４】米国特許第6884697号明細書
【非特許文献１】A. J. Auberton-Herve et al., “Why can Smart-Cut Change the future of microelectronics?,” Int. Journal of High Speed Electronics and Systems, Vol. 10, No. 1, 2000, pp. 131-146.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
これらの解決策は、破砕による薄層の移転を改善するためには満足できるものであるが、これらの解決策は、破砕中に得られたドナー基板の残りの層（ネガ）の破損のリスクを低減しない。
【００１５】
本発明は、破砕中のネガの破損数を著しく制限することを可能にする方法を提案することにより、前述した不都合を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の目的は、２つの層の間に画定される脆化面に沿って複合構造を破砕する方法により達成される。この方法は、脆化面に沿って構造内に割れ目を生成することを含み、破砕中に、構造の両側に配置された硬化剤（ｓｔｉｆｆｅｎｅｒ）に対して接触した状態で構造が保持され、かつ硬化剤が構造から離隔されることを特徴とする。
【００１７】
構造の両側に硬化剤が存在することにより、構造の異なる材料が、破砕中にエネルギーが解放されるときに、（「リリースド（ｒｅｌｅａｓｅｄ）」として知られる接触とは反対の）「ヘルド（ｈｅｌｄ）」として知られる接触状態に保持されることが保証される。破砕中、開放されるエネルギーは、構造とヘルド接触の状態にある硬化剤により減衰されてその結果として衝撃波が吸収され、これはネガの破損のリスクを大幅に制限する。
【００１８】
有利な構成によると、複合構造は２つの硬化剤の間に置かれ、各硬化剤と構造との間の累積的間隔（ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ  ｓｐａｃｉｎｇ）は、破砕中に、０ではなく５００マイクロメートル未満である。
【００１９】
別の有利な構成によると、硬化剤は、複合構造の直径の少なくとも５０％を超える直径を有する。
【００２０】
破砕中、複合構造は、実質的に垂直に、または実質的に垂直に配置してもよい。
【００２１】
複合構造の脆化面は、イオン注入により形成してもよく、破砕は、ウエハの熱アニールにより実行される。この場合、本発明に従って構造の両側に硬化剤が存在することにより、ネガの破損のリスクが低減される。
【００２２】
事実、複合構造へのイオン種の注入が、脆化された領域を形成するマイクロキャビティを材料中に生成することが知られている。これらのマイクロキャビティは、材料が脆化面に沿って破砕するまでアニーリングの熱量（ａｎｎｅａｌｉｎｇ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｂｕｄｇｅｔ）が適用される間、成長する。そういう訳で、シリコン上のゲルマニウム、石英上のシリコン、シリコン上のＧａＡｓまたはＩｎＰ等、異なる熱膨張係数を有する材料を脆化された構造が備える場合、これらの材料は、熱量（ｔｈｅｒｍａｌ  ｂｕｄｇｅｔ）を加えている間に異なる仕方で膨張し、表面が保たれていなければ、構造は屈曲する。破砕のとき、局所的に極めて大きい可能性がある開放されたエネルギーは、ネガの破損を引き起こす場合がある。他方、硬化剤が存在すると、このエネルギーは収容されるか再分配されて結果として生じる衝撃波が吸収される。これは、ネガの破損を防止する。
【００２３】
加えて、構造をヘルド接触の状態に維持することは、脆化面の方向にマイクロキャビティが成長し、かつそれらの、構造の厚さ方向への成長を最小化することを可能にする。したがって、結果として得られる圧力は構造の厚さ方向で低減され、脆化された領域全体にわたり制限が均一であり、それゆえ局所的な圧縮点（ｌｏｃａｌ  ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｐｏｉｎｔ）を低減する。
【００２４】
複合構造は、異なる熱膨張係数を有する２つの基板を備え、その２つの基板を互いに組み合わせることでつくることができ、２つの基板のうちの１つは、脆化面を備える。
【００２５】
本発明の別の目的は、破砕される複合構造のための熱アニール装置ボート（ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ  ｉｎｓｔａｌｌａｔｉｏｎ  ｂｏａｔ）用のハウジングである。このハウジングは、２つの層の間で画定される脆化面に沿って破砕される複合構造を収容することができ、加えて、互いに離間され、かつ互いに平行に整列された２つの硬化素子を備え、各硬化素子と複合構造との間の累積的間隔は、０ではなく、５００マイクロメートル未満である。
【００２６】
本発明のさらに別の目的は、２つの層の間で画定される脆化面に沿って破砕される複合構造の熱アニールの装置である。この装置は、炉と、複数の複合構造を収容可能なボートとを備え、各複合構造は、先に定義したようなハウジングの中に置かれる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、破砕中のネガの破損数を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２９】
図１Ａから１Ｃは、既知のスマート・カット（登録商標）技術に従って、基板上に層を生成する例を示している。
【００３０】
図１Ａでは、符号１０は、複合構造のドナー（又はソース）基板を示している。ドナー基板は、例えばＧａＮウエハとすることができる。
【００３１】
第１のステップによると、ドナー基板１０にイオン注入が実行される。注入は、例えば水素および／またはヘリウムイオンなどのイオン種による、ドナー基板の平坦な面１２のイオン衝撃に対応する（イオン衝撃が図１Ａの矢印で示されている）。
【００３２】
注入されるイオン種の種類、注入量（ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｄｏｓｅ）およびエネルギーは、移転が望まれる層の厚さと、注入された基板の物理化学的性質に従って選択される。
【００３３】
注入されたイオンは、注入を受けた平坦な面１２の近傍に位置する、移転される薄層１６と、基板の残りを形成するネガと呼ばれる別の層１８とを画定する脆化面１４を形成することが目的である。
【００３４】
任意選択で、表面汚染を防止するために、ドナー基板（例えば、ＳｉＯ2）の平坦な面１２の上に形成された追加層を通してイオン注入を行うことができる。
【００３５】
次のステップは、移転される薄層１６の平坦な面１２を、支持（受取側（ｒｅｃｅｉｖｅｒ））基板２０の面２２とボンディングすることを含む。ＧａＮのドナー基板の場合には、支持基板は、たとえばサファイアウエハとすることができる。
【００３６】
ドナー基板１０及び支持基板２０は、異なる熱膨張係数を示してもよい。
【００３７】
それ自体で知られているように、ボンディングステップは、ドナー基板１０を、分子付着および／または静電ボンディングにより支持基板２０と密着に接触させることに対応し、このボンディングステップの次には、ボンディングを安定化させるための熱処理が行われる。
【００３８】
図１Ｂは、２つの関連付けられた基板を示し、支持基板２０の平坦な面２２が、ドナー基板１０の平坦な面１２に接着している。
【００３９】
加えて、ボンディングを改善するために、かつ複合構造のボンディングを維持するために、２つの基板を接触させる前に、２つの基板の少なくとも１つの上に（例えば、ＳｉＯ2及び／又はＳｉ3Ｎ4の）ボンディング層および／または接着促進層を堆積することが必要な場合が時々ある。
【００４０】
破砕と呼ばれる最後のステップでは、このようにして得られた構造に熱量（ｔｈｅｒｍａｌ  ｂｕｄｇｅｔ）が与えられて、その結果、ドナー基板１０に形成された脆化面１４の位置で破砕することにより薄層１６が分離され、そして、薄層１６が支持基板２０上へ移転される。
【００４１】
この破砕ステップは、たとえば、約８０℃から５００℃の範囲の温度でアセンブリに熱アニールを与えて、薄層１６の支持基板２０への移転を可能にする。
【００４２】
この分離ステップにしたがって、図１Ｃで表される構造２３が得られる。
【００４３】
この構造２３の外部面２４の粗さは、研磨により低減することが可能であり、この表面をそれに続くエピタキシー等の用途のために準備することができる。
【００４４】
ネガと呼ばれるドナー基板１０の残りの層２６は、その表面が研磨および洗浄された後、新たな薄層移転においてドナー基板として再び利用するためにリサイクルされる。
【００４５】
ドナー基板１０を支持基板２０にボンディングすることにより得られた構造を破砕するステップの間にネガが破損するリスクを制限するために、本発明によると、破砕するステップの間に、この構造を、この構造の両側に配置された硬化剤と接触した状態に維持することが提供される。
【００４６】
破砕中のヘルド接触は、このステップの間、この構造を極めて制限された空間内に保持することを言及していると理解される。このヘルド接触は、いかなる形であっても、硬化剤を構造上にボンディングすること又は固定することを含まないことを理解されたい。
【００４７】
図２は、垂直に配置された構造に破砕熱アニールを加える破砕方法を実装する装置の一例を示している。
【００４８】
破砕熱アニールは、いくつかの複合構造を同時に処理可能な焼きなまし炉（ａｎｎｅａｌｉｎｇ  ｆｕｒｎａｃｅ）において都合良く実施できる。
【００４９】
図２はしたがって、たとえばサファイアボートや石英ボート等の容器１０２内に配置された、破砕される複数の複合構造１００を示している。複合構造は、互いに平行に整列されている。
【００５０】
ボート１０２は、炉の開口を密封するためのドア１０６に固定されたローダ（ｌｏａｄｅｒ）１０４の上に位置する。
【００５１】
ボート１０２、ローダ１０４、及びドア１０６により形成されるアセンブリ１０８は、炉構造１１０に対して可動であり、炉構造（ｆｕｒｎａｃｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）１１０は、周囲に加熱素子１１４が巻かれた石英処理管（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｔｕｂｅ）１１２を備える。熱電対を有するパイロメータ１１６も設けられる。
【００５２】
図２は、開放位置の状態で示されている。閉鎖位置では、アセンブリ１０８が炉構造１１０内に挿入され、ドア１０６が炉の開口を密封する。
【００５３】
図３は、複合構造１００が配置されるボート１０２の一部をより詳細に示している。
【００５４】
ボートは、垂直に配置され、かつ互いに平行に整列された複数の硬化素子１１８を備える。２つの隣接する硬化素子の間の間隔が、破砕される複合構造１００がその中に配置されるハウジング１２０を形成する。
【００５５】
ボートの異なる硬化素子１１８の間に画定される間隔は、各ハウジング１２０の厚さを選択することができるように調節可能である。
【００５６】
破砕される複合構造の面を押し付ける硬化素子１１８は、サファイア、石英、その他のボートを構成する材料でできた壁である。
【００５７】
硬化素子の熱膨張係数は、破砕時に開放されるエネルギーの支配的な吸収メカニズムではないので、これらの素子の材料は、熱アニールの間に開放されるエネルギーに対して十分に機械的に耐久性があるように選択されるのみである。
【００５８】
これらの硬化剤の直径は、破砕される複合構造のそれより大きくてもよい。硬化剤の直径は、複合構造の直径の少なくとも５０％より大きく、より好ましくは、硬化剤の最小の直径が複合構造の直径より５％小さい。
【００５９】
硬化剤の間の間隔は、破砕アニール中に各硬化剤と構造との間の累積的間隔が５００マイクロメートル未満に維持されるように、破砕される構造１００の厚さに従って計算される（図３において、累積的間隔は、間隔ｅ１とｅ２の合計により表される。）。
【００６０】
一般に、硬化剤と破砕される複合構造との間の累積的間隔は、構造の直径と、構造を構成する基板間の熱膨張係数の差とに基づいて調節される（これらのパラメータは実際、熱量の付与の間の、構造の屈曲の形成および強度に影響を与える。）。
【００６１】
一例によると、脆化されサファイアウエハにボンディングされたＧａＮウエハを備える直径２インチ（又は５．０８ｃｍ）の破砕される複合構造が、破砕アニールの間に３２０マイクロメートルの累積的間隔を残すように離間された硬化素子１１８を有するハウジング１２０内に挿入される。
【００６２】
そのような構成で行われた試験によって、破砕の間のネガ破損の数を８０％から１０％低減可能であることが示された。累積的間隔が３３０マイクロメートルである同様の構成でも同様の結果が得られた。
【００６３】
加えて、ネガ破損が、垂直（図３）および水平（図示せず）の両方の配置の複合構造において低減された。
【００６４】
加えて、そのようなボート１０２において、硬化素子１１８および複合構造１００が抑制棒（ｒｅｓｔｒａｉｎｉｎｇ  ｂａｒ）（図示せず）のおかげで維持されている。ボートのその棒は、硬化素子および複合構造を保持するための凹部を備えることができる。
【００６５】
ここで、本発明による方法の実施形態の例について説明する。
【００６６】
ドナー基板は、３０〜２５０ｋｅＶで約１０17ａｔ／ｃｍ2のドーズのＨ+イオンの注入により形成された脆化面を有するＧａＮウエハである。
【００６７】
支持基板は、サファイアウエハである。
【００６８】
ＳｉＯ2等のボンディング層は、基板ボンディングのために、ドナー基板および／または支持基板の面の上に堆積され、用意される。ボンディングは、プラズマにより活性化され、２つの基板は、親水性ボンディングにより密着される。
【００６９】
このようにして得られた２インチ（又は５．０８ｃｍ）の直径を有する構造は、石英で（又は十分に機械的に耐久性のある他の等価的な材料で）形成された２つの硬化剤の間に、上述したような熱アニール炉ボートのハウジング内に置かれる。各硬化剤と構造との間の累積的間隔は、３２０マイクロメートルである。
【００７０】
このように炉内に配置された構造は、約５００℃までの温度上昇にさらされて、基板ボンディングが強化され、また破砕アニールが実行される。
【００７１】
大気温度に戻った後、ネガと、サファイア支持基板上のＧａＮの薄層で構成された基板とが、適合された保持手段により損なうことなく回収される。特に、ネガは完全に無傷であり、リサイクルの後に例利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１Ａ】基板破砕方法による、基板上の層を示す模式的な断面図である。
【図１Ｂ】基板破砕方法による、基板上の層を示す模式的な断面図である。
【図１Ｃ】基板破砕方法による、基板上の層を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明による方法の実施のための装置を示す図である。
【図３】図２の拡大図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０  ドナー基板
１２  ドナー基板の平坦な面
１４  脆化面
１６  薄層
１８  ネガ
２０  支持基板
２２  支持基板の平坦な面
１００  複合構造
１０２  ボート
１０４  ローダ
１０６  ドア
１０８  アセンブリ
１１０  炉構造
１１２  石英処理管
１１４  加熱素子
１１６  パイロメータ
１１８  硬化剤
１２０  ハウジング
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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