(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層をこの順で成長させる窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ側電極を成長させる前の前記ｐ型窒化物半導体層表面または前記ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる工程を備える窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記サーファクタント物質の表面エネルギーは、前記ｐ型窒化物半導体層および／または前記ｐ型電極の表面エネルギーよりも小さい請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記ｐ側電極は、Ａｇからなり、
前記サーファクタント物質は、Ｙ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素からなる請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記ｐ側電極は、Ｐｄ、ＮｉまたはＰｔからなり、
前記サーファクタント物質は、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、Ａｕ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素からなる請求項２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記ｐ側電極を成長させる直前の成長中断工程において、前記ｐ型窒化物半導体層表面に前記サーファクタント物質を接触させる請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記サーファクタント物質は、有機金属気相成長法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、前記ｐ型窒化物半導体層表面または成長途中におけるｐ側電極表面に接触される請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記サーファクタント物質は、３ＭＬ以下の量で、前記ｐ型窒化物半導体層表面または成長途中におけるｐ側電極表面上に添加される請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記サーファクタント物質を接触させる工程の後、アニール処理を施す工程をさらに備える請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性が向上され、光取り出し効率の高い窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、窒化物半導体発光素子は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を成長させ、当該ｐ型窒化物半導体層上にｐ側電極を成長させた構造を有する。しかし、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極とは、構成材料が異なり、したがって各層の表面エネルギーが異なることから、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面を急峻にすることおよび平坦にすることが困難である。当該界面が急峻でない、または、平坦でない場合、該界面において光の散乱や吸収が起こり、光取り出し効率が低下する。
【０００３】
ところで、特許文献１および非特許文献１には、ＭＯＣＶＤあるいはＭＢＥによるＧａＮ系窒化物半導体層の形成段階において、その表面状態を変化させるサーファクタントを作用させることが開示されている。
【特許文献１】特開平１０−７９５０１号公報
【非特許文献１】Ｆ．Ｗｉｄｍａｎｎ，Ｂ．Ｄａｕｄｉｎ，Ｇ．Ｆｅｕｉｌｌｅｔ，Ｎ．Ｐｅｌｅｋａｎｏｓ，ａｎｄ  Ｊ．Ｌ．Ｒｏｕｖｉｅｒｅ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．７３，Ｎｕｍｂｅｒ  １８，ｐ２６４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性が改善されることにより、光取り出し効率が改善された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層をこの順で成長させる窒化物半導体発光素子の製造方法において、該ｐ側電極を成長させる前のｐ型窒化物半導体層表面または該ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる工程を備えるものである。ここで、サーファクタント物質の表面エネルギーは、ｐ型窒化物半導体層および／またはｐ型電極の表面エネルギーよりも小さいことが好ましい。
【０００６】
ｐ側電極がＡｇからなる場合において、サーファクタント物質は、Ｙ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素からなることが好ましい。また、ｐ側電極がＰｄ、ＮｉまたはＰｔからなる場合においては、サーファクタント物質は、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、Ａｕ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素からなることが好ましい。
【０００７】
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、好ましくは、ｐ側電極を成長させる直前の成長中断工程において、ｐ型窒化物半導体層表面にサーファクタント物質を接触させるか、または、ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる。
【０００８】
サーファクタント物質をｐ型窒化物半導体層表面または成長途中におけるｐ側電極表面に接触させる方法として、有機金属気相成長法、スパッタリング法または真空蒸着法を好ましく用いることができる。
【０００９】
本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、サーファクタント物質は、３ＭＬ以下の量で、ｐ型窒化物半導体層表面または成長途中におけるｐ側電極表面上に添加されることが好ましい。また、サーファクタント物質を接触させる工程の後、アニール処理を施す工程をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、たとえば青色発光の窒化物半導体発光ダイオード素子などの窒化物半導体発光素子の光取り出し効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層をこの順で成長させる窒化物半導体発光素子の製造方法において、該ｐ側電極を成長させる前のｐ型窒化物半導体層表面または該ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に、サーファクタント物質を接触させる工程を備えることを特徴とする。サーファクタント物質を接触させることにより、ｐ側電極の成長モードをＦｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅモード（以下、Ｆ−Ｍモードと称する。）とすることができ、その結果、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面を平坦化させることができる。本発明において、「サーファクタント物質」とは、これを接触させる基板表面との表面・界面エネルギーとの差によって、該表面に成長される膜の成長形態を変化させる物質と定義される。本発明において、上記基板表面とは、ｐ型窒化物半導体層表面またはｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面を意味し、基板表面に成長される膜の成長形態（成長モード）は、好ましくは上記Ｆ−Ｍモードである。
【００１２】
ここで、一般的に、薄膜の成長モードには、以下の３種類が存在する。
（Ａ）Ｖｏｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ  ｍｏｄｅ（Ｖ−Ｗモード）
蒸着原子が基板上で核を形成し、この核が単原子層を形成する前に３次元的な島状に成長する。核成長、島状成長とも呼ばれる。
（Ｂ）Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅモード（Ｆ−Ｍモード）
蒸着原子が基板面を一様に覆うように２次元的な単原子層に成長する。層状成長とも呼ばれる。
（Ｃ）Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｖ  ｍｏｄｅ（Ｓ−Ｋモード）
Ｖ−ＷモードとＦ−Ｍモードを合わせたもので、まず数層の原子層を形成した後に、ある層から島状成長を行なうもの。層状＋島状成長とも呼ばれる。
【００１３】
上記それぞれの成長モードのうち、いずれの成長モードが支配的となるかは、微視的には基板結晶および蒸着膜の格子定数、基板表面の清浄度、基板温度、蒸着速度、真空度などの影響による吸着原子の振る舞いによって決まるが、巨視的には系全体の表面・界面エネルギーによって左右される。すなわち、いずれの成長モードが支配的となるかは、単位面積あたりの基板（本発明においては、ｐ型窒化物半導体層またはｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極）の表面エネルギー、薄膜（本発明においては、該基板に成長されるｐ側電極）の表面エネルギーをそれぞれγS、γｆとし、単位面積あたりの両者間の界面エネルギーをγiとすると、成長モードは、下記式（１）で示されるエネルギーＤに基づいて予測できる。なお、表面エネルギーとは、分子間力と表面間力によって決定される表面の全エネルギーのことを意味し、たとえば、接触角測定などにより測定することができる。
エネルギーＤ＝γf＋γi−γS              （１）
Ｖ−Ｗモードは、基板の表面エネルギーγSが小さく、Ｄ≧０となる条件下で起こりやすい。このことは、基板の影響よりも吸着原子同士の相互作用が優勢で、そのためにクラスターを形成するというようにも解釈できる。
【００１４】
一方、Ｆ−Ｍモードとなるためには、エネルギーＤは下記式（２）を満たす必要がある。
エネルギーＤ＝γf＋γi−γS  ≦０          （２）
ホモエピタキシャルの場合、γf=γS、γi＝０、であるから、一般的には、上記式（２）の条件を満たすことが分かる。ヘテロエピタキシャルの場合は、一般的にγiは正であるから、Ｆ−Ｍモードとなるためには、γs＞γfである必要があり、したがって、薄膜のＦ−Ｍモード成長は、表面エネルギーが大きい基板で起こりやすい。
【００１５】
以上より、ｐ側電極をＦ−Ｍモードで成長させ、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面を平坦化させるためには、ｐ側電極の表面エネルギーをｐ型窒化物半導体層の表面エネルギーを小さくする必要があることがわかる。このような関係を達成するために、本発明においてはサーファクタント物質を用いる。サーファクタント物質として、ｐ型窒化物半導体層および／またはｐ型電極の表面エネルギーよりも小さい、好ましくは両者の表面エネルギーよりも小さい物質を添加することにより、系全体のエネルギーが下がり、ｐ型電極がＦ−Ｍモードで成長することとなる。より具体的には、本発明におけるサーファクタント物質は、窒化物半導体発光素子において主に用いられるＧａＮの一般的な表面エネルギー値（約２．０Ｊ／ｍ2）よりも小さく、および、ｐ側電極よりも小さい表面エネルギーを有する材料であることがより好ましい。
【００１６】
たとえば、ｐ側電極がＡｇからなる場合において、ｐ型窒化物半導体層として主に用いられるＧａＮ系半導体層および当該ｐ側電極よりも表面エネルギーが小さいサーファクタント物質としては、Ｙ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる元素からなるものを挙げることができ、これらから選択される２以上の元素を含む物質であってもよい。また、ｐ側電極がＰｄ、ＮｉまたはＰｔからなる場合において、ｐ型窒化物半導体層として主に用いられるＧａＮ系半導体層および当該ｐ側電極よりも表面エネルギーが小さいサーファクタント物質としては、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、Ａｕ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、ＳｂおよびＢｉからなる群から選ばれる元素からなるものを挙げることができ、これらから選択される２以上の元素を含む物質であってもよい。
【００１７】
ｐ型窒化物半導体層表面またはｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に上記サーファクタント物質を接触させる具体的手段としては、特に制限されず、たとえば、有機金属気相成長法、スパッタリング法または真空蒸着法を好ましく用いることができる。これらの方法を用いたサーファクタント物質の添加は、従来公知の装置を用いて、適宜の条件下で行なうことができる。
【００１８】
有機金属気相成長法においては、サーファクタント物質である元素を含有する有機金属化合物を原料ガスとすることができる。原料ガスとしては、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルインジウム；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）；トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルガリウム；シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）、エチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ2Ｍｇ）；ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）、ジエチルジンク（ＤＭＺｎ）；シラン（ＳｉＨ4）、トリメチルシリコン（ＴＭＳｉ）、トリエチルシリコン（ＴＥＳｉ）；ゲルマン（ＧｅＨ4）、テトラメチルゲルマン（ＴＭＧｅ）などを用いることができる。
【００１９】
スパッタリング法および真空蒸着法は、上記で掲げたサーファクタント物質全てについて好適に用いることができる。
【００２０】
サーファクタント物質を接触させる工程が、ｐ側電極を成長させる前になされる場合においては、当該サーファクタント物質を接触させる工程は、サーファクタント物質をｐ型窒化物半導体層表面とｐ側電極界面に確実に作用させることができることから、ｐ側電極を成長させる直前の成長中断工程に行なわれることが好ましい。ｐ側電極を成長させる直前の成長中断工程とは、ｐ型窒化物半導体層の成長時に導入されるＩＩＩ族源の原料ガス、Ｖ族源の原料ガスの少なくともいずれかを供給しない工程を意味する。また、ｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面にサーファクタント物質を接触させる場合において、サーファクタント物質は、当該成長途中におけるいずれの段階で添加されてもよい。ｐ側電極成長中にサーファクタント物質を導入することにより、素子化のスピードを速めることができ、生産性を向上させることができる。
【００２１】
本発明において、サーファクタント物質の添加量は、特に制限されるものではないが、３ＭＬ（ｍｏｎｏ  ｌａｙｅｒ、モノレイヤー）以下となるように、ｐ型窒化物半導体層表面またはｐ側電極の成長途中におけるｐ側電極表面に上記サーファクタント物質を接触させることが好ましい。サーファクタント物質の添加量が３ＭＬを越えると、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性が改善されない傾向にある。サーファクタント物質の添加量は、より好ましくは１ＭＬ以下、さらに好ましくは０．５ＭＬ以下である。サーファクタント物質の添加量（ＭＬ単位）は、たとえば、低速イオン散乱分光法（Ｉｏｎ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＩＳＳ）により測定することができる。
【００２２】
また、本発明においては、上記サーファクタント物質を接触させる工程の後であって、ｐ側電極成長前、成長途中または成長後のいずれかの段階において、窒化物半導体発光素子に対してアニール処理（熱処理）を施してもよい。かかるアニール処理により、ｐ型窒化物半導体層とｐ側電極との間の界面の平坦性をより向上させることが可能になる。アニール処理の温度は、たとえば５０〜８００℃、好ましくは１００〜３００℃である。
【００２３】
本発明において、基板、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層としては、従来公知の材料および構造を採用することができる。具体的には、特に制限されないが、基板としては、たとえばサファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯなどを使用することができる。また、ｎ型窒化物半導体層は、ＡｌxＩｎyＧａ1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から構成することができ、ＧａＮバッファ層、ＡｌＮバッファ層およびアンドープ層などを含んでいてよい。ｎ型窒化物半導体層は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）などにより形成することができる。活性層は、たとえば、互いにバンドギャップの異なる井戸層と障壁層とを交互に積層してなる多重量子井戸構造を有するものであってよい。井戸層、障壁層はそれぞれ、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）、ＡｌxＩｎyＧａ1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）とすることができ、これらは有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）などにより形成することができる。また、ｐ型窒化物半導体層は、ＡｌxＩｎyＧａ1-xーyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）から構成することができる。好ましくは、Ａｌを含有するクラッド層とＧａＮ層をこの順に形成した多層構造である。ｐ型窒化物半導体層は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）などにより形成することができる。
【００２４】
ｐ側電極は従来公知の方法および材料を用いて形成することができる。ｐ側電極は、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどから構成することができる。本発明により得られる窒化物半導体発光素子は、従来公知の構造、たとえばフリップチップ型、上下電極型構造とすることができる。
【００２５】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】
＜実施例１＞
図１に示される構造の窒化物半導体発光ダイオード素子を以下の方法により作製した。まず、サファイアからなる基板１０１を用意し、ＭＯＣＶＤ装置の反応炉内にセットした。そして、反応炉内に水素を流しながら、基板１０１の温度を１０５０℃まで上昇させて、基板１０１の表面（Ｃ面）のクリーニングを行なった。次に、基板１０１の温度を５１０℃まで低下させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ（トリメチルガリウム）を反応炉内に流して、基板１０１の表面（Ｃ面）上にＧａＮからなるバッファ層をＭＯＣＶＤ法により約２０ｎｍの厚さで積層した。次いで、基板１０１の温度を１０５０℃まで上昇させて、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ、不純物ガスとしてシランを反応炉内に流して、ＳｉがドーピングされたＧａＮからなるｎ型窒化物半導体下地層（キャリア濃度：１×１０18／ｃｍ3）をＭＯＣＶＤ法によりバッファ層上に６μｍの厚さで積層した。続いて、キャリア濃度が５×１０18／ｃｍ3となるようにＳｉをドーピングしたこと以外はｎ型窒化物半導体下地層と同様にして、ＧａＮからなるｎ型窒化物半導体コンタクト層をＭＯＣＶＤ法によりｎ型窒化物半導体下地層上に０．５μｍの厚さで積層して、バッファ層、ｎ型窒化物下地層およびｎ型窒化物半導体コンタクト層からなるｎ型窒化物半導体層１０２を形成した。
【００２７】
次に、井戸層成長工程として、基板１０１の温度を７００℃まで低下させ、キャリアガスとして窒素、原料ガスとしてアンモニア、ＴＭＧおよびＴＭＩ（トリメチルインジウム）を反応炉内に流して、ｎ型窒化物半導体コンタクト層上に２．５ｎｍの厚さのＩｎ0.15Ｇａ0.75Ｎ井戸層を成長させた。続いて、障壁層成長工程として、基板１０１の温度を７００℃に維持し、キャリアガスとして窒素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧを反応炉内に流して、ＧａＮ障壁層を１８ｎｍの厚さで積層した。これら井戸層成長工程および障壁層成長工程を１周期として、合計６周期行ない、活性層１０３とした。
【００２８】
次いで、基板１０１の温度を９５０℃に上昇させ、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニア、ＴＭＧおよびＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、不純物ガスとしてＣＰ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を反応炉内に流して、Ｍｇが１×１０20／ｃｍ3の濃度でドーピングされたＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるｐ型窒化物半導体クラッド層をＭＯＣＶＤ法により活性層１０３上に約３０ｎｍの厚さで積層した。次に、基板１０１の温度を９５０℃に保持し、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアおよびＴＭＧ、不純物ガスとしてＣＰ2Ｍｇを反応炉内に流して、Ｍｇが１×１０20／ｃｍ3の濃度でドーピングされたＧａＮからなるｐ型窒化物半導体コンタクト層をＭＯＣＶＤ法によりｐ型窒化物半導体クラッド層上に０．１μｍの厚さで積層して、ｐ型窒化物半導体クラッド層およびｐ型窒化物半導体コンタクト層からなるｐ型窒化物半導体層１０４を形成した。
【００２９】
次に、サーファクタント物質としてのＢｉ  ０．３ＭＬをスパッタリング法により、ｐ型窒化物半導体層１０４表面上に添加した。スパッタリング条件は、ガス圧を６．５ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力を４５Ｗ、スパッタガスはＡｒとした。ついで、ｐ側電極１０５としてＡｇを積層し、図１に示される構造の窒化物半導体発光ダイオード素子を得た。得られた窒化物半導体発光ダイオード素子について光出力を測定したところ、サーファクタント物質を接触させることなく作製した窒化物半導体発光ダイオード素子と比較して光出力が高かった。
【００３０】
＜実施例２＞
サーファクタント物質を、それぞれＹ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、Ｓｂとすること以外は実施例１と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。サーファクタント物質の添加方法は、有機金属気相成長法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いる。
【００３１】
＜実施例３＞
ｐ側電極をＰｄ、ＮｉまたはＰｔとすること以外は実施例１と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。
【００３２】
＜実施例４＞
サーファクタント物質を、それぞれＳｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｌａ、Ａｕ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｓ、Ｓｂとすること以外は実施例３と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。サーファクタント物質の添加方法は、有機金属気相成長法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いる。
【００３３】
＜実施例５＞
サーファクタント物質をｐ側電極の成長途中に添加すること以外は実施例１〜４と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。
【００３４】
＜実施例６＞
サーファクタント物質の添加量を３ＭＬ以下（モノレイヤー）以下にすること以外は実施例１〜５と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。
【００３５】
＜実施例７＞
サーファクタント物質の添加後、約３００℃のアニール処理を施すこと以外は実施例１〜６と同様にして窒化物半導体発光ダイオード素子を完成させる。
【００３６】
実施例２〜７で得られる窒化物半導体発光ダイオード素子について光出力を測定したところ、サーファクタント物質を接触させることなく作製した窒化物半導体発光ダイオード素子と比較して光出力が高い。
【００３７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明により得られる窒化物半導体発光素子の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１  基板、１０２  ｎ型窒化物半導体層、１０３  活性層、１０４  ｐ型窒化物半導体層、１０５  ｐ側電極。
【図１】
0004963301.tif 000002