(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
少なくとも１つのｐ及び１つのｎ型層を有する半導体材料のヘテロ構造と、
上記ｐ型層に電気的に接続されているｐ接点、及び上記ｎ型層に電気的に接続されているｎ接点と、
を備え、
上記ｐ及びｎ接点の一方は、少なくとも１つのオーミック接点層及び１つの反射器層を有する多層接点であり、
上記多層接点は、バリヤー層を更に有し、上記バリヤー層は、ＴｉＷ、及びＴｉＷ：Ｎの一つである
ことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
上記多層接点は、75％より大きい反射率を有していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
上記多層接点は、10-2Ω-ｃｍ2より低い比接触抵抗を有していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
上記多層接点は、上記オーミック接点層と上記反射器層との間に挿入されているバリヤー層を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
上記反射器層は、500Å より大きい厚みを有していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
上記オーミック接点層は、200Å より小さい厚みを有していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
上記反射器層は、Ａl、Ｃu、Ｒh、Ｐd、及びＡuを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
上記ｐ及びｎ接点は、上記ヘテロ構造の両面上にあることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
上記オーミック接点層は、Ｎiを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
上記反射器層は、Ａgであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
発光半導体デバイスであって、
少なくとも１つのｐ及び１つのｎ型層を有するＧaＮをベースとするヘテロ構造と、
上記ｐ型層に電気的に接続されているｐ接点、及び上記ｎ型層に電気的に接続されているｎ接点と、
を備え、
上記ｐ及びｎ接点の一方は、少なくとも１つのオーミック接点層及び１つの反射器層を有する多層接点であり、
上記多層接点は、上記オーミック接点層と上記反射器層との間に挿入されたバリヤー層を更に有し、
上記バリヤー層は、１００Å未満の厚さを有し、上記バリヤー層は、ＴｉＷ、及びＴｉＷ：Ｎの一つである
ことを特徴とする発光半導体デバイス。
【請求項１２】
上記多層接点は、75％より大きい反射率を有していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
上記多層接点は、10-2Ω-ｃｍ2より低い比接触抵抗を有していることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
上記多層接点は、上記オーミック接点層と上記反射器層との間に挿入されているバリヤー層を更に備えていることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
上記反射器層は、500Å より大きい厚みを有していることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１６】
上記オーミック接点層は、200Å より小さい厚みを有していることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１７】
上記反射器層は、Ａl、Ｃu、Ｒh、Ｐd、及びＡuを含むグループから選択されることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１８】
上記オーミック接点層は、Ｔi、Ａu／ＮiＯ、及びＮi／Ａuからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１９】
上記バリヤー層は、上記オーミック接点層と上記反射器層との間に挿入され、
上記バリヤー層は、１００Å未満の厚さを有することを特徴とする請求項１記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような光電子デバイス上の電気接点に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオード（ＬＥＤ）のような光電子デバイスは、外部信号に応答して光を放出する。典型的なＬＥＤは、液相、水素化物相、分子ビーム、及び金属・有機物層エピタキシのような成長技術を介してホスト基体上に堆積されたヘテロ構造である。ヘテロ構造は、光を発生する活性層をサンドウィッチしているｎ及びｐ型半導体層を含んでいる。電気接点は、ｎ及びｐ型半導体層に取付けられる。接点にまたがって順方向電圧が印加されると、電子及び正孔がｎ及びｐ型半導体層から活性領域内へ注入される。電子及び正孔が１つまたは複数の活性層内で放射的に再結合すると、光が発生する。
【０００３】
壁プラグ（ wall-plug ）効率は、印加した電力と発生した光パワーの量との比である。デバイスの総合効率を最大にすることによって、高い壁プラグ効率を達成することができる。デバイスの総合効率は、注入、内部量子、及び光抽出効率を含むデバイスのいろいろな効率の積である。初めの２つのパラメータは、デバイスの材料品質（エピタキシャル成長及び電子バンド構造）に依存し、一方光抽出効率はジオメトリ及びデバイス内に存在する全ての光吸収に依存する。光抽出効率は、ＬＥＤを去る光の量と、ＬＥＤの内部で生成された光の量との比である。光抽出効率を増加させる１つの方法は、吸収を減少させ、光を有用（高い抽出）方向へ再び導くことである。従って、デバイス内の吸収通路は回避すべきであり、光をデバイスの適切な脱出コーン内へ散乱させるべきである。脱出コーンの角度は、光発生半導体及び出口媒体の屈折率に依存する（例えば、ＧaＮから空気への場合、脱出コーンの角度は25°である）。電気接点は、典型的なＬＥＤにおける光吸収の１つの例である。従って、吸収を減少させることが好ましく、若干のデバイスの場合にはこれらの電気接点における反射率を増加させることも好ましい。これは、接触抵抗と妥協することなく行わなければならない。電気接点における抵抗は無駄なエネルギ（電気）をもたらし、従って壁プラグ効率を低下させる。
【０００４】
ＬＥＤにおいては、高度に反射性のオーミック接点が望ましい。これらの型の接点を得ようとして、多くの従来技術のアプローチが存在している。最も簡単な方法は、厚いオーミック接触金属のシートを使用することである。この厚いシートが、接点及び反射器として働く。良好な反射器は、入射半球形等方性光源からの吸収が25％より少ない反射器である。従って、等方性の光は、この媒体（例えば、＞75％の最大反射）から反射した後にその強度の25％より少ない強度を失うことになる。全可視スペクトル（400〜750ｎｍ）にわたる場合、要求に適合する金属として２つ、即ちＡl及びＡgが残される。可視スペクトルの一部分だけで動作する他の金属は、Ａu、Ｒh、Ｃu、及びＰdである。単一の厚いシートが好ましいのであるが、これらの金属が、選択された材料システムと良好なオーミック接触するとは限らない。Ａuは電気移動するために、またＣuはそれが光発生活動領域内へ拡散して若干の半導体材料内に深いレベルを作り、光出力を妨害するために、これらの金属を使用するには付加的な信頼性の問題がある。
【０００５】
ChaiらのU.S.P.N. 4,355,196に開示されている１つの従来技術のアプローチは、オーミック接点金属をパターン化し、パターン化されたオーミック金属に反射性金属を被せることである。Chaiらは、反射性接点を太陽電池デバイスに用いることを教示しているが、このアイディアはＬＥＤを含む全ての他の光電子デバイスに拡張することができる。このパターン化された接点は、電流を横方向に効率的に広げない半導体層（即ち、固有抵抗ρが0.5Ω-ｃｍより大きいｐ-ＧaＮのような低導電率半導体）を有するデバイス上に使用する場合には有利ではない。低導電率半導体は、パターン化された接点から電流を効率的に広げることはできないので、電気キャリアは、デバイスの光を発生する活性領域内に均一に注入されない。不均一な注入は、デバイスの壁プラグ効率を低下させる。また、接点をパターン化するには、付加的な、複雑な処理ステップが追加される。パターンのどのような不均一性も、不均一な電流注入及び光生成として現れてくる。
【０００６】
低導電率半導体デバイスの場合、オーミック接点は均一なシートであることが必要である。この型のアプローチは、AegenheisterらのEP0051172に開示されているが、低導電率半導体デバイス内の不均一注入の理由からではない。この特許は、200Å 厚のＡu／Ｇe（比は99：１）オーミック接点層の使用を教示している。このオーミック接点層は、長波長放出デバイスにとっては薄いが、可視スペクトルを放出するデバイスにとっては厚過ぎる（即ち、505ｎｍにおける吸収は≒29％）。また、被せられた反射性金属はＡgである。Ａgは、湿気のある環境での（加速）寿命試験において高電界で動作するデバイス内で電気移動し（ｐ接点として使用した場合）、従ってデバイスを短絡させ、デバイスを役立たなくさせることが知られている。従って、電気移動する電気接点は、市販用ＬＥＤにおいては有用ではない。多層高反射性オーミック接点も、P. M. MenszらがElec. Lett., 33, 2066-2068 (1997)に記述しており、これに記述されている接点は、ＧaＮをベースとするＬＥＤの場合、ｐ-ＧaＮに対してＮi／ＡlまたはＮi／Ａgである。このアプローチも、その動作順方向電圧（Ｖf）が（300μｍ×300μｍの接触面積の場合）20ｍＡにおいて５Ｖであることが問題である。この電圧は、そのサイズのＧaＮ ＬＥＤにとっては1.5〜2.0Ｖ高過ぎ、その接触がオーミックではないこと、及び比接触抵抗が高過ぎることを表している。付加的な接触抵抗は、ＬＥＤデバイスの壁プラグ効率を低下させる。
【０００７】
【発明の概要】
高性能で、可視スペクトル（400ｎｍ〜750ｎｍ）において高反射性のオーミック接点は、次のような多層金属プロフィルを有している。第１に、均一なオーミック接点材料が堆積され、オプションとして半導体表面に合金化される。このオーミック接点材料は、それに関連する何等かの吸収を減少させる（25％以下）ように薄くする（＜200Å ）が、比接触抵抗を10-2Ω-ｃｍ2以下に保つように十分に厚くする。低接触抵抗は、順方向動作電圧を低くし、抵抗性電気損失を低下させることを保証する。75％より大きい反射率を達成するためのオーミック接点金属の最大厚みは、反射器材料の型に大きく依存する。Ａl、Ｃu、Ａu、Ｒh、Ｐd、Ａgを含むグループから選択された反射器層、及び何等かの多層組合せが、オーミック接点材料上に堆積される。適切な反射器層は、接触したデバイスの動作波長において入射半球形等方性光源から＜25％（反射率＞75％）の吸光度を有する組合わされた多層接点反射率をもたらす。金属の反射率は厚みと共に急速に且つ漸近的に増加するので、最大反射を達成するためには反射器層は500Å より大きくすべきである。また厚い反射器層は、特に0.5Ω-ｃｍより大きい固有抵抗ρを有する低導電率半導体において、電流をデバイス全体に均一に広げる優れた方法でもある。Ａgは高反射性であるが、高電界及び湿った環境において電気移動する。従って、信頼性の問題から、Ａgは動作電界が低い実施の形態においてのみ使用される。
【０００８】
代替実施の形態においては、オーミック層及び反射器層拡散によって金属間生成物（インターメタリックス）が作られ、それらがデバイスを望ましくなく劣化させるのを防ぐために、バリヤー層をオーミック層と反射器層との間に挿入する。バリヤー金属に関連する吸収を25％以下に保つために、薄いバリヤー金属（＜100Å ）を使用することが望ましい。
【０００９】
【実施の形態】
本発明は、高反射率、低比接触抵抗、及び高信頼性を提供する多重材料層からなる多層接点である。図１は、多層接点１２を有する半導体デバイス１０の実施の形態の断面図である。多層接点１２は、オーミック層１２Ａ及び反射器層１２Ｂを含む。オーミック層１２Ａ及び反射器層１２Ｂは組合って、半導体構造１１への高度に反射性のオーミック電気接点を形成する。これらの多層反射接点層１２は、いろいろな光電子半導体構造１１に使用することができる。
【００１０】
オーミック層１２Ａは、半導体１１との良好なオーミック接触を与える少なくとも１つの層である。良好なオーミック接触は、半導体／金属界面を横切って電流が流れる時に、その界面にまたがる電圧降下（線形Ｉ−Ｖ）を最小にする。比接触抵抗は半導体及び接点材料に大きく依存して変化するが、良好なオーミック接点は10-2Ω-ｃｍ2より低い比接触抵抗を有しているべきである。オプションで半導体表面に合金化することができるオーミック層１２Ａは、半導体デバイス１０内で生成される光の吸収を最小にする（25％より少なくする）ように薄いが、比接触抵抗を10-2Ω-ｃｍ2より低くするように十分に厚い。オーミック層１２Ａの組成は、半導体構造１１のために使用される材料システムに依存する。オーミック層１２Ａの厚みは、層を薄くした時にどれ程比接触抵抗が増加するかに依存する。
【００１１】
ｐ型ＧaＮ材料システムの場合には、オーミック層の組成は、Ａu、Ｎi、Ｐt、Ｐd、Ｔi、Ｗ、Ｃr／Ａu、Ｎi／Ａu、Ａu／ＮiＯ、Ｐt／Ａu、Ｐd／Ａu、Ｃo／Ａu、Ｃu／Ａu、Ｎi／Ｐt、Ｎi／ＡuＺn、Ｃr／ＡuＺn、Ｎi／Ｃr／Ａu、Ｎi／Ｐt／Ａu、Ｐt／Ｎi／Ａu、Ｐd／Ｐt／Ａu、及びＴiＡlＮiＡuを含むグループから選択される。図２は、ｐ-ＧaＮ接点の場合に、オーミック層の厚みを薄くすると、接触抵抗がどのように増加するかの例を示している。オーミック層はＡu／ＮiＯであり、Ａlが反射器層である。ＡuはＮiＯ層内に混合されている。いろいろなＡu／ＮiＯ層の厚みを検討し、Ａu（ＮiＯ）の厚みに対する（接触面積＝250μｍ×350μｍ）20ｍＡにおける順方向動作電圧（Ｖf）、及び接点／ｐ-ＧaＮ界面にまたがるバリヤー電圧（Ｖb）を測定した。Ａu／ＮiＯ接点は、高温（575℃より高い）の湿ったＮ2／Ｏ2（80％／20％）雰囲気内でＮi／Ａuの二層（厚み比＝２／１）を酸化させ、焼鈍することによって形成されている。この酸化及び焼鈍によって、Ａuと混合されたＮiＯのオーミック層が形成される。酸化後にＡlが堆積され（≒1500Å ）、フォトリソグラフィ及びエッチングによって接点がパターン化される。Ｖb測定は、ｐ-ＧaＮへの２つの接点間に電圧を印加し、ｐ-ＧaＮ及び接触界面を横切る電流の流れを測定し、そして線形高電流体系を切片（０電流）に補外することによって遂行する。上記所与の接触面積の場合、10-2Ω-ｃｍ2より低い比接触抵抗は、50ｍＶより低いＶbを有している。Ｖf測定は、電圧プローブの一方をｎ-ＧaＮ層に、また他方をｐ-ＧaＮ接点に取付け、それらにまたがって電圧を印加することによって遂行する。低比接触抵抗を有するＧaＮ ＬＥＤの場合には、20ｍＡにおけるＶfは3.5Ｖより低くすべきである。従って低比接触抵抗の場合に必要なＡu（Ｎi）の最適厚みは、≒20〜35Å（40〜70Å）である。
【００１２】
ｎ型ＧaＮシステムの場合には、オーミック層の組成は、Ｔi、Ｗ、Ｔi／Ａl、ＴiＷ、Ｗ／Ａl、ＴiＷＡl、Ｖ、Ｖ／Ａl、及びＰdを含むグループから選択される。ｎ-ＧaＮへのＴi／Ａl（30Å ／15ＫÅ ）多層接点、及びＡu／ＮiＯ／Ａlのｐ-ＧaＮ接点を有するＧaＮ ＬＥＤを製造したところ、1000μｍ×1000μｍの接触面積を用いて350ｍＡにおいてＶf＝3.0Ｖであった。このＴi／Ａl接点は、79％の反射率を有している。
【００１３】
ｐ型ＧaＰシステムの場合、オーミック層の組成は、Ａu／Ｂe、Ａu／Ｚn、Ｐd／Ｚn／Ｐd、Ａu／Ｍg、Ｎi／Ａu／Ｂe、Ｎi／Ａu／Ｚn、Ｎi／Ａu／Ｍg、及びＩn／Ｚnを含むことができる。ｎ型ＧaＰシステムの場合、オーミック層の組成は、Ａu／Ｇe、Ａu／Ｎi、Ａu／Ｓi、Ａu／Ｓn、Ａu／Ｔe、Ｉn、Ｉn／Ａl、Ｉn／Ｓn、Ｎi／Ｓi、Ｓi／Ｐd、Ｐd／Ｉn、Ｎi／Ｇe／Ａu、Ｎi／Ｓi／Ａu、及びＳnを含むことができる。ｎ型ＧaＡsシステムの場合、オーミック層の組成は、Ｇe／Ａu、Ｇe／Ａu／Ｎi／Ａu、Ａu／Ｓn、Ａu／Ｔe、Ｉn、Ｉn／Ａu、Ｉn／Ｎi、Ｐd／Ｇe、Ｓn／Ｎi、及びＳn／Ｓbを含むことができる。ｎ型ＳiＣの場合、オーミック層の組成は、Ｐd、Ｐt、Ａi／Ｓi、Ｔi、Ａu、Ｎi、Ｃr、Ｔi／Ｓi、ＴaＳi、及びＳi／Ｎiを含むことができる。
【００１４】
反射器層１２Ｂは、Ａl、Ｃu、Ｒh、Ａu、Ｐd、及びＡgを含むグループから単独で、及び何等かの組合せで選択される。Ａgは、電気移動の問題があるために、特別な場合に使用される。ＡlはＡg程酷く電気移動しないので、反射多層接点内により信頼可能に使用することができる。Ａlを反射器として使用すると、75％より大きい反射率を達成するための可視領域におけるオーミック層の最大厚みは、Ｒhの場合には150Å、Ｃuの場合には200Å、Ａuの場合には100Åである。吸収率がより大きいオーミック接点金属は、可視スペクトルにおいて100Å より小さくする必要がある。反射器層は、光を通過させないように、従って最大反射率を達成するように500Å より厚くする。この層は、光反射器として働くだけではなく、その厚みから、横方向への電流の広げの大部分をも受け持つ。典型的にはオーミック層１２Ａは、それ自体が電流を効果的に広げるには薄過ぎるので、これは有益である。光電子デバイス内の厚い反射器層（＞500Å ）によって電流を広げることは、低Ｖf（低めの広がり抵抗）を含む多くの利点を有している。また反射器層は、半導体構造表面の表面粗さによって生ずる多層接点内の何等かの不連続を接続する。
【００１５】
Ａu／ＮiＯ／Ａl接点は、高い反射率を有する多層接点である。図３は、（505ｎｍにおける）パス当たりの理論的平均吸収、及びｐ-ＧaＮ Ａu／ＮiＯ／Ａl接点の場合の（20ｍＡにおける）Ｖfを示している。Ａlの厚みは、≒1500Å に一定に保ち、堆積されるＮi／Ａuの厚みは、厚み比を２／１に保ちながら変化させる（酸化及び焼鈍の前）。Ａu／ＮiＯ接点層を薄くするにつれて、接点は≒13％の最小１パス等方性吸収（最大反射）に近づく。また上述したように、Ｎi／Ａuの厚みを減少させるにつれて、比接触抵抗が増加するためにＶfが増加する。これは、比接触抵抗と反射率との間のトレードオフを表している。多層接点の反射を最大にしながら、低比接触抵抗を保存するように、最も薄いオーミック層を決定するためにこの最適化技術を適用することができる。また接点のこの最適化は、高い壁プラグ効率を有するデバイスを保証する。
【００１６】
図４は、複数の接点層２２Ａ、２２Ｂ、及び２２Ｃを有する半導体デバイス２０への多層接点２２の代替実施の形態を示している。バリヤー金属層２２Ｂが、オーミック層２２Ａと反射器層２２Ｃとの間に挿入されている。バリヤー層２２Ｂは、オーミック層２２Ａが反射器層２２Ｃ内へ拡散するのを防ぎ、従って金属間生成物の形成を防ぐ。これらの金属間生成物は、接点の比接触抵抗及び反射率を劣化させ、従ってデバイスの効率を低下させる。これは、長寿命デバイスにとっては回避しなければならない信頼性の問題である。バリヤー金属層は、光吸収を最小にするために例えば＜100Å のように薄く保つべきであり、また接点の反射率に寄与するために可能な限り反射性にすべきである。的確な金属はオーミック層２２Ａ及び反射器層２２Ｃに依存して変化するが、若干の候補は、Ｎi、Ｃo、ＮiＯ、Ｒh、Ｃr、Ｐt、Ｍo、Ｔi、ＴiＷ、ＷＳi、ＷＳi：Ｎ、ＴaＳi、ＴaＳi：Ｎ、ＩnＳnＯ、またはＴiＷ：Ｎを含む。オーミック層２２Ａ及び反射器層２２Ｃは、第１の実施の形態における説明と同一の機能を提供する。
【００１７】
ｐ-ＧaＮ材料システムに適する上記代替実施の形態の多層接点の例は、オーミック層２２ＡとしてＮi／Ａuを、バリヤー金属層２２ＢとしてＲhを、そして反射器層２２ＣとしてＡlを有している。Ａu／ＮiＯ／Ａl接点におけると全く同様に、良好なオーミック接触を得るために、Ａuは≒20〜35Å 厚であることが好ましい。ＡuをＡlから分離するために、Ｒhは≒25〜50Å 厚であることが好ましい。Ｎi／Ａu／Ｒh／Ａl（10Å ／30Å ／50Å ／2200Å ）ｐ-ＧaＮ接点、及びＴi／Ａl ｎ-ＧaＮ接点を有するＧaＮ ＬＥＤは、350×250μｍ2ダイスの場合に20ｍＡにおいてＶf＝3.2Ｖを有している。この接点の反射率は75％である。
【００１８】
図５は、垂直電流ＬＥＤ構造を示している。多層接点は、導電性基体３５を有するＬＥＤデバイス３０の底側に位置しているので、別の接点をデバイスの反対側に配置して垂直電流（接点に対して直角）通路を作ることができる。上側接点３１は吸収を最小にするために、小面積の接点、または薄い全面シート（図示してない）の何れかである。上側接点３１は、ＬＥＤのｎまたはｐ型半導体層３２への電気接点層である。光を発生する活性領域３３は、上側及び下側のｎまたはｐ型半導体層３２、３４の間に挿入される。図１または４の何れかに示す多層接点は、オーミック接点層３６、反射器層３８、及びバリヤー層（代替実施の形態に存在する）３７として使用することができる。
【００１９】
別の構成では、図５に示す上側接点３１も、図１及び４の何れかに示したような多層接点である。
【００２０】
可視領域において最大の反射率を有する材料はＡgである。Ａgは、湿った環境（加速）寿命試験において動作するデバイスでは電気移動し、従ってデバイスを短絡させ、それを役立たなくさせることが知られている。市販用ＬＥＤの場合には、デバイスは10,000時間以上の寿命を有していることが望まれる。垂直導電構造のようなＬＥＤ（図５）は、十分に低い十分な電界（Ｅ≦500Ｖ／ｃｍ）で動作するので、この時間フレーム内ではＡg移動による短絡は発生しない。これらの低電界状態の下では、反射器層３８及びオーミック層３６内にＡgを使用することができる。
【００２１】
多層接点を有するＬＥＤデバイス４０の代替構成を図６に示す。横方向電流（接点に平行）で動作するデバイスを得るために基体４１は非導電性であるので、接点はデバイスの同一側に取付けられる。これは、下側導電性ｎまたはｐ型層をエッチングによって露出させることによって可能にされる。光を発生する活性領域４３は、上側及び下側のｎまたはｐ型層４２、４３の間に挿入されている。図１または４に示す何れかの多層接点を、オーミック接点層４５、４８、反射器層４７、５０、及びバリヤー層（代替実施の形態に存在する）４６、４９として使用することができる。
【００２２】
図６において、ＬＥＤデバイス４０は、サファイア基体４１上に成長させたＧaＮ、ＩnＮ、ＡlＮ、ＩnＧaＮ、ＡlＧaＮ、ＡlＩnＮ、またはＩnＡlＧaＮのような材料である層４２、４３、及び４４からなることができる。半導体層は、図１及び４に示す何れかの多層接点によって接触させることができる。ＧaＮデバイスの場合には、Ａu／ＮiＯ／ＡlまたはＮi／Ａu／Ｒh／Ａl ｐ接点及びＴi／Ａl
ｎ接点を使用することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の断面図である。
【図２】ｐ-ＧaＮ接点の場合に、接触抵抗及び順方向動作電圧対オーミック層の厚みがどのようになっているかを示す図である。
【図３】ｐ-ＧaＮ Ａu／ＮiＯ／Ａl接点の場合の、パス当たりの理論的吸収及び順方向動作電圧対Ａuの厚みを示す図である。
【図４】本発明の代替実施の形態を示す図である。
【図５】垂直電流ＬＥＤ構造を示す図である。
【図６】横方向電流ＬＥＤ構造を示す図である。
【符号の説明】
１０  半導体デバイス
１１  半導体構造
１２  多層接点
１２Ａ  オーミック層
１２Ｂ  反射器層
２０  半導体デバイス
２２  多層接点
２２Ａ  オーミック層
２２Ｂ  バリヤー層
２２Ｃ  反射器層
３０  ＬＥＤデバイス
３１  上側接点
３２  上側ｎまたはｐ型半導体層
３３  光発生用活性領域
３４  下側ｎまたはｐ型半導体層
３６  オーミック層
３７  バリヤー層
３８  反射器層
４０  ＬＥＤデバイス
４１  基体
４２  下側ｎまたはｐ型層
４３  光発生用活性層
４５、４８  オーミック層
４６、４９  バリヤー層
４７、５０  反射器層
【図１】
0005093940.tif 000002
【図２】
0005093940.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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