(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の片面に透明導電膜が形成された一対の電極基材を具備し、一対の電極基材の透明導電膜同士が対向するように離間して配置された入力デバイスであって、
一方の電極基材の透明導電膜の少なくとも最表層が有機導電層であり、他方の電極基材の透明導電膜の少なくとも最表層が無機導電層であり、
無機導電層の平均面粗さが０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする入力デバイス。
【請求項２】
前記無機導電層が形成された電極基材の透明基材がガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の入力デバイス。
【請求項３】
無機導電層は、錫ドープ酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫からなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の入力デバイス。
【請求項４】
有機導電層は、π共役系導電性高分子とポリアニオンを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の入力デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル等の入力デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネル等の入力デバイスとして、透明基材の片面に透明導電膜が形成された一対の電極基材を具備し、一対の電極基材の透明導電膜同士が対向するように配置されたものが知られている。この入力デバイスでは、入力者側の電極基材が指やタッチペン（スタイラス）等によって押圧された際に、一対の電極基材の透明導電膜同士が接触して電気的に導通することを利用して、押圧部分の位置を検出するようになっている。
ところで、上記のような入力デバイスにおいては、一対の透明導電膜同士が繰り返し接触するため、透明導電膜の変形や傷付きが起こりやすかった。そのため、長期間使用すると、位置検出の精度が低下する傾向にあった。
【０００３】
そこで、入力デバイスにおいては、透明導電膜自体を改善する方法として、特許文献１では、透明導電膜を形成する金属酸化物として特定の結晶粒径のものを用いる方法が提案されている。
特許文献２では、マイクロ波により透明導電膜を結晶化させる方法が提案されている。
特許文献３では、透明導電膜を加熱処理して膜表面に針状突起を設ける方法が提案されている。
【０００４】
また、透明基材と透明導電膜との間に別の層を設けて耐久性を向上させる方法として、特許文献４では、透明基材と透明導電膜との間に金属薄膜または金属酸化物薄膜を設ける方法が開示されている。
特許文献５では、透明基材の上に粗面化アンダーコート層が設けられ、その上に透明導電膜層が形成され、表面の中心線平均粗さが１００〜３００ｎｍかつ凹凸の平均間隔が２０〜１００μｍ、十点平均粗さが０．６〜７．０μｍである表面層を有するタッチパネル用基板が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−１８３３１０号公報
【特許文献２】特開２００５−１４１９８１号公報
【特許文献３】特開２００５−２０５９０３号公報
【特許文献４】特開２００５−２３５６７８号公報
【特許文献５】特開２００３−３１６５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜５に記載の方法では、耐久性は向上するものの、透明性または導電性が損なわれることがあった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、耐久性に優れる上に、透明性及び導電性の低下が防止されている入力デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］  透明基材の片面に透明導電膜が形成された一対の電極基材を具備し、一対の電極基材の透明導電膜同士が対向するように離間して配置された入力デバイスであって、
一方の電極基材の透明導電膜の少なくとも最表層が有機導電層であり、他方の電極基材の透明導電膜の少なくとも最表層が無機導電層であり、
無機導電層の平均面粗さが０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする入力デバイス。
［２］  前記無機導電層が形成された電極基材の透明基材がガラス基板であることを特徴とする［１］に記載の入力デバイス。
［３］  無機導電層は、錫ドープ酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫からなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物で構成されていることを特徴とする［１］または［２］に記載の入力デバイス。
［４］  有機導電層は、π共役系導電性高分子とポリアニオンを含有することを特徴とする［１］〜［３］のいずれか一項に記載の入力デバイス。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の入力デバイスは、耐久性に優れる上に、透明性及び導電性の低下が防止されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の入力デバイスの一実施形態例について説明する。
図１に、本実施形態例の入力デバイスを示す。この入力デバイス１は、第１の透明基材１１の片面に第１の透明導電膜１２が形成された第１の電極基材１０と、第２の透明基材２１の片面に第２の透明導電膜２２が形成された第２の電極基材２０とを具備する。また、第１の電極基材１０と第２の電極基材２０は、第１の透明導電膜１２と第２の透明導電膜２２とが対向するように離間して配置されている。さらに、第１の電極基材１０は入力者側に配置され、第２の電極基材２０は画像表示装置側に配置されている。
【０００９】
（第１の電極基材）
第１の電極基材１０には高い可撓性が求められるため、第１の電極基材１０を構成する第１の透明基材１１の材質としては、透明樹脂が好ましく用いられる。透明樹脂としては、例えば、透明樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネートなどが挙げられる。
第１の透明基材１１の厚さは１０〜２，０００μｍであることが好ましい。第１の透明基材１１の厚さが１０μｍ以上であれば、破断しにくく、２，０００μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
【００１０】
第１の電極基材１０における第１の透明導電膜１２は、π共役系導電性高分子とポリアニオンとを含有する有機導電層からなる。
【００１１】
［π共役系導電性高分子］
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアセチレン類、ポリフェニレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセン類、ポリチオフェンビニレン類、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール類、ポリチオフェン類及びポリアニリン類が好ましい。
π共役系導電性高分子は無置換のままでも、充分な導電性を得ることができるが、導電性及び相溶性をより高めるためには、アルキル基、カルボキシ基、スルホ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基等の官能基をπ共役系導電性高分子に導入することが好ましい。
【００１２】
π共役系導電性高分子の具体例としては、ポリピロール、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルピロール）、ポリ（３−エチルピロール）、ポリ（３−ｎ−プロピルピロール）、ポリ（３−ブチルピロール）、ポリ（３−オクチルピロール）、ポリ（３−デシルピロール）、ポリ（３−ドデシルピロール）、ポリ（３，４−ジメチルピロール）、ポリ（３，４−ジブチルピロール）、ポリ（３−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルピロール）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルピロール）、ポリ（３−ヒドロキシピロール）、ポリ（３−メトキシピロール）、ポリ（３−エトキシピロール）、ポリ（３−ブトキシピロール）、ポリ（３−メチル−４−ヘキシルオキシピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−エチルチオフェン）、ポリ（３−プロピルチオフェン）、ポリ（３−ブチルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルチオフェン）、ポリ（３−ブロモチオフェン）、ポリ（３−クロロチオフェン）、ポリ（３−ヨードチオフェン）、ポリ（３−シアノチオフェン）、ポリ（３−フェニルチオフェン）、ポリ（３，４−ジメチルチオフェン）、ポリ（３，４−ジブチルチオフェン）、ポリ（３−ヒドロキシチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エトキシチオフェン）、ポリ（３−ブトキシチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ヘプチルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、ポリ（３−デシルオキシチオフェン）、ポリ（３−ドデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−オクタデシルオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−エトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシエチルチオフェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシブチルチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポリ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）等が挙げられる。その中でも、導電性、耐熱性から、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が好ましい。
【００１３】
［ポリアニオン］
ポリアニオンとしては、例えば、置換若しくは未置換のポリアルキレン、置換若しくは未置換のポリアルケニレン、置換若しくは未置換のポリイミド、置換若しくは未置換のポリアミド、置換若しくは未置換のポリエステルであって、アニオン基を有する構成単位のみからなるポリマー、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるポリマーが挙げられる。
【００１４】
ポリアルキレンとは、主鎖がメチレンの繰り返しで構成されているポリマーである。
ポリアルケニレンとは、主鎖に不飽和二重結合（ビニル基）が１個含まれる構成単位からなる高分子である。
ポリイミドとしては、ピロメリット酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−［４，４’−ジ（ジカルボキシフェニルオキシ）フェニル］プロパン二無水物等の酸無水物と、オキシジアミン、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ベンゾフェノンジアミン等のジアミンとからのポリイミドを例示できる。
ポリアミドとしては、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミド６，１０等を例示できる。
ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等を例示できる。
【００１５】
上記ポリアニオンが置換基を有する場合、その置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、シアノ基、フェニル基、フェノール基、エステル基、アルコキシ基等が挙げられる。有機溶媒への溶解性、耐熱性及び樹脂への相溶性等を考慮すると、アルキル基、ヒドロキシ基、フェノール基、エステル基が好ましい。
【００１６】
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、へキシル、オクチル、デシル、ドデシル等のアルキル基と、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシル等のシクロアルキル基が挙げられる。
ヒドロキシ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したヒドロキシ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。ヒドロキシ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
アミノ基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したアミノ基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。アミノ基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
フェノール基としては、ポリアニオンの主鎖に直接又は他の官能基を介在して結合したフェノール基が挙げられ、他の官能基としては、炭素数１〜７のアルキル基、炭素数２〜７のアルケニル基、アミド基、イミド基などが挙げられる。フェノール基は、これらの官能基の末端又は中に置換されている。
【００１７】
置換基を有するポリアルキレンの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン、ポリヘキセン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリ（３，３，３−トリフルオロプロピレン）、ポリアクリロニトリル、ポリアクリレート、ポリスチレン等を例示できる。
ポリアルケニレンの具体例としては、プロペニレン、１−メチルプロペニレン、１−ブチルプロペニレン、１−デシルプロペニレン、１−シアノプロペニレン、１−フェニルプロペニレン、１−ヒドロキシプロペニレン、１−ブテニレン、１−メチル−１−ブテニレン、１−エチル−１−ブテニレン、１−オクチル−１−ブテニレン、１−ペンタデシル−１−ブテニレン、２−メチル−１−ブテニレン、２−エチル−１−ブテニレン、２−ブチル−１−ブテニレン、２−ヘキシル−１−ブテニレン、２−オクチル−１−ブテニレン、２−デシル−１−ブテニレン、２−ドデシル−１−ブテニレン、２−フェニル−１−ブテニレン、２−ブテニレン、１−メチル−２−ブテニレン、１−エチル−２−ブテニレン、１−オクチル−２−ブテニレン、１−ペンタデシル−２−ブテニレン、２−メチル−２−ブテニレン、２−エチル−２−ブテニレン、２−ブチル−２−ブテニレン、２−ヘキシル−２−ブテニレン、２−オクチル−２−ブテニレン、２−デシル−２−ブテニレン、２−ドデシル−２−ブテニレン、２−フェニル−２−ブテニレン、２−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、３−メチル−２−ブテニレン、３−エチル−２−ブテニレン、３−ブチル−２−ブテニレン、３−ヘキシル−２−ブテニレン、３−オクチル−２−ブテニレン、３−デシル−２−ブテニレン、３−ドデシル−２−ブテニレン、３−フェニル−２−ブテニレン、３−プロピレンフェニル−２−ブテニレン、２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−プロピル−２−ペンテニレン、４−ブチル−２−ペンテニレン、４−ヘキシル−２−ペンテニレン、４−シアノ−２−ペンテニレン、３−メチル−２−ペンテニレン、４−エチル−２−ペンテニレン、３−フェニル−２−ペンテニレン、４−ヒドロキシ−２−ペンテニレン、ヘキセニレン等から選ばれる一種以上の構成単位を含む重合体を例示できる。
【００１８】
ポリアニオンのアニオン基としては、−Ｏ−ＳＯ３−Ｘ＋、−ＳＯ３−Ｘ＋、−ＣＯＯ−Ｘ＋（各式においてＸ＋は水素イオン、アルカリ金属イオンを表す。）が挙げられる。
すなわち、ポリアニオンは、スルホ基及び／又はカルボキシ基を含有する高分子酸である。これらの中でも、π共役系導電性高分子へのドーピング効果の点から、−ＳＯ３−Ｘ＋、−ＣＯＯ−Ｘ＋が好ましい。
また、このアニオン基は、隣接して又は一定間隔をあけてポリアニオンの主鎖に配置されていることが好ましい。
【００１９】
上記ポリアニオンの中でも、溶媒溶解性及び導電性の点から、ポリイソプレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸を含む共重合体、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリスルホエチルメタクリレートを含む共重合体、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）、ポリ（４−スルホブチルメタクリレート）を含む共重合体、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸、ポリメタリルオキシベンゼンスルホン酸を含む共重合体、ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸を含む共重合体等が好ましい。
【００２０】
ポリアニオンの重合度は、モノマー単位が１０〜１００，０００個の範囲であることが好ましく、溶媒溶解性及び導電性の点からは、５０〜１０，０００個の範囲がより好ましい。
【００２１】
ポリアニオンの含有量は、π共役系導電性高分子１モルに対して０．１〜１０モルの範囲であることが好ましく、１〜７モルの範囲であることがより好ましい。ポリアニオンの含有量が０．１モルより少なくなると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が弱くなる傾向にあり、導電性が不足することがある。その上、溶媒への分散性及び溶解性が低くなり、均一な分散液を得ることが困難になる。また、ポリアニオンの含有量が１０モルより多くなると、π共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分な導電性が得られにくい。
【００２２】
ポリアニオンは、π共役系導電性高分子に配位している。そのため、π共役系導電性高分子とポリアニオンとは複合体を形成している。
第１の透明導電膜１２におけるπ共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量は０．０５〜５．０質量％であり、０．５〜４．０質量％であることが好ましい。π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計の含有量が０．０５質量％未満であると、充分な導電性が得られないことがあり、５．０質量％を超えると、均一な膜が得られないことがある。
【００２３】
［アクリル化合物の重合体］
第１の透明導電膜１２は、強度が向上することから、アクリル化合物の重合体を含有することが好ましい。ここで、アクリル化合物の重合体とは、アクリル化合物のポリマー及びアクリル化合物の架橋体のことである。また、アクリル化合物は、下記（ａ）の化合物、（ｂ）の化合物及び多官能アクリル化合物である。
【００２４】
（ａ）グリシジル基を有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ）という。）。
（ｂ）アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種と、ヒドロキシ基とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ｂ）という。）。
【００２５】
さらに、化合物（ａ）としては、下記（ａ−１）〜（ａ−３）のアクリル化合物が挙げられる。
（ａ−１）：グリシジル基と、アリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基から選ばれる１種とを有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−１）という。）。
（ａ−２）：グリシジル基を２つ以上有するアクリル化合物（以下、化合物（ａ−２）という。）。
（ａ−３）：グリシジル基を１つ有するアクリル化合物であって、化合物（ａ−１）以外の化合物（以下、化合物（ａ−３）という。）。
【００２６】
化合物（ａ−１）のうち、グリシジル基とアクリル（メタクリル）基を有する化合物として、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等が挙げられる。
グリシジル基とアリル基を有する化合物として、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、アリルフェノールグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物として、１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物として、３−アリル−１，４−ジヒドロキシメチルベンゼンジグリシジルエーテル等が挙げられる。
なお、グリシジル基とヒドロキシ基とを有する化合物、グリシジル基とヒドロキシ基とアリル基とを有する化合物は化合物（ｂ）でもある。
【００２７】
化合物（ａ−２）としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジル、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ジグリシジルテトラフタレート等が挙げられ１種類または２種類以上の混合として用いることができる。
【００２８】
化合物（ａ−３）としては、例えば、アルキルグリシジルエーテル、エチレングリコールグリシジルエーテル、メチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００２９】
化合物（ｂ）のうち、例えば、ヒドロキシ基とビニルエーテル基とを有する化合物として、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。
ヒドロキシ基とアクリル（メタクリル）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリレート（メタクリレート）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート（メタクリレート）、４−ヒドロキシブチルアクリレート（メタクリレート）、エチル−α−ヒドロキシメチルアクリレート、ジペンタエリストリトールモノヒドロキシペンタアクリレート等が挙げられる。
ヒドロキシ基とアクリルアミド（メタクリルアミド）基を有する化合物として、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、２−ヒドロキシエチルメタクリルアミドが挙げられる。
これらヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミド化合物を重合させた重合体は、π共役系導電性高分子とポリアニオンの複合体との相溶性が良い上に導電性をより向上させることができる。
【００３０】
上記化合物（ａ）では、そのグリシジル基がポリアニオンの残存アニオン基（例えば、スルホ基、カルボキシ基など）と反応して、エステル（例えば、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルなど）を形成する。その反応の際には、塩基性触媒、加圧、加熱によって反応を促進させてもよい。エステル形成の際、グリシジル基は開環してヒドロキシ基を形成する。このヒドロキシ基が、導電性高分子との塩もしくはエステルを形成しなかった残存アニオン基と脱水反応を起して、新たにエステル（例えば、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルなど）を形成する。このようなエステルの形成によって、ポリアニオンと導電性高分子との複合体同士が架橋する。
さらに、化合物（ａ−１）においては、ポリアニオンの残存アニオン基と、化合物（ａ−１）のグリシジル基とが結合した後、化合物（ａ−１）のアリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合して複合体同士がさらに架橋する。
【００３１】
また、上記化合物（ｂ）では、そのヒドロキシ基がポリアニオンの残存アニオン基と脱水反応して、エステルを形成する。その脱水反応の際には、酸性触媒によって反応を促進させてもよい。その後、化合物（ｂ）のアリル基、ビニルエーテル基、メタクリル基、アクリル基、メタクリルアミド基、アクリルアミド基同士が重合する。この重合によって、ポリアニオンと導電性高分子との複合体同士が架橋する。
【００３２】
多官能アクリル化合物は、不飽和二重結合を２つ以上有するアクリル化合物である。多官能アクリル化合物は、第１の透明導電膜１２形成時にπ共役系導電性高分子とポリアニオンとの複合体を架橋させやすく、導電性及び塗膜強度が向上する。
多官能アクリル化合物の具体例としては、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（以下、ＰＥＧと表記する。）４００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ３００ジ（メタ）アクリレート、ＰＥＧ６００ジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミド等の２官能アクリルモノマー、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、グリセリンプロポキシトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート等の３官能アクリルモノマー、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート等の４官能以上のアクリルモノマー、ソルビトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等の５官能以上のアクリルモノマー、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、アルキレンオキサイド変性ヘキサアクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等の６官能以上のアクリルモノマー、２官能以上のウレタンアクリレートが挙げられる。
【００３３】
多官能アクリル化合物のうち、多官能アクリルモノマーは、分子量が３０００以下であることが好ましい。分子量が３０００を超える多官能アクリルモノマーでは、溶媒溶解性が低くなる。また、不飽和二重結合当量が少なくなるため、複合体を架橋させにくく、第１の透明導電膜１２形成後に充分な強度が得られない傾向にある。
また、多官能アクリル化合物のうち、多官能ウレタンアクリレートは、溶媒溶解性、耐摩耗性、低収縮の点で、分子量１０００以下であることが好ましい。分子量が１０００を超える多官能ウレタンアクリレートでは、イソシアネート基とポリオール（水酸基）により形成されるウレタン基の導入率が減少して、溶媒に対する溶解性が低くなる傾向にある。
【００３４】
アクリル化合物の重合体の含有量は、π共役系導電性高分子とポリアニオンの合計１００質量％に対して０．０５〜５０質量％であることが好ましく、０．３〜３０質量％であることがより好ましい。アクリル化合物の重合体の含有量が０．０５質量％未満であると、第１の透明導電膜１２の強度が不足することがあり、５０質量％より多くなると、第１の透明導電膜１２中のπ共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、充分な導電性が得られないことがある。
【００３５】
［２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物］
また、第１の透明導電膜１２は、導電性がより高くなることから、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を含有することが好ましい。
２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物としては、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、２，３−ジヒドロキシ−１−ペンタデシルベンゼン、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン、２，５−ジヒドロキシアセトフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、２，２’，５，５’−テトラヒドロキシジフェニルスルフォン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、ヒドロキシキノンカルボン酸及びその塩類、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、１，４−ヒドロキノンスルホン酸及びその塩類、４，５−ヒドロキシベンゼン−１，３−ジスルホン酸及びその塩類、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン−２，６−ジカルボン酸、１，６−ジヒドロキシナフタレン−２，５−ジカルボン酸、１，５−ジヒドロキシナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸フェニルエステル、４，５−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸及びその塩類、１，８−ジヒドロキシ−３，６−ナフタレンジスルホン酸及びその塩類、６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸及びその塩類、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン（ピロガロール）、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、５−メチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−エチル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、５−プロピル−１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシ安息香酸、トリヒドロキシアセトフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾアルデヒド、トリヒドロキシアントラキノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼン、テトラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒドロキシアントラキノン、ガーリック酸メチル（没食子酸メチル）、ガーリック酸エチル（没食子酸エチル）等が挙げられる。
なお、これら芳香族化合物の一部は還元剤としても機能する。したがって、２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物を還元剤として兼用することで、導電性をより高めることもできる。
【００３６】
２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物の含有量は、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して０．０５〜５０モルの範囲であることが好ましく、０．３〜１０モルの範囲であることがより好ましい。２つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物の含有量が、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して０．０５モルより少なくなると、導電性が高くならないことがある。また、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物の含有量が、ポリアニオンのアニオン基単位１モルに対して５０モルより多くなると、第１の透明導電膜１２中のπ共役系導電性高分子の含有量が少なくなり、やはり充分な導電性が得られないことがある。
【００３７】
［添加剤］
第１の透明導電膜１２は、必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤を含有してもよい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類、ビタミン類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オギザニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
酸化防止剤と紫外線吸収剤とは併用することが好ましい。
【００３８】
［厚さ］
第１の透明導電膜１２の厚さは０．００１〜１０μｍであることが好ましく、０．０１〜１μｍであることがより好ましい。第１の透明導電膜１２の厚さが０．００１μｍ以上であれば、導電性がより高くなり、１０μｍ以下であれば、充分な可撓性を確保できる。
【００３９】
（第２の電極基材）
第２の電極基材２０における第２の透明基材２１としては、第１の透明基材１１と同様の透明樹脂製の基材、ガラス基板、フィルムとガラス基板との積層体が挙げられる。中でも、固定しやすいことから、ガラス基板が好ましい。
第２の透明基材２１の厚さは０．８〜２．５ｍｍであることが好ましい。第２の透明基材２１の厚さが０．８ｍｍ以上であれば、充分な強度を確保でき、２．５ｍｍ以下であれば、薄くすることができ、省スペース化を実現できる。
【００４０】
第２の電極基材２０における第２の透明導電膜２２は無機導電層からなる。
ここで、無機導電層は、例えば、金属酸化物等から構成される。金属酸化物としては、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、アンチモンドープ酸化亜鉛、インジウムドープ酸化亜鉛、酸化錫、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）などが挙げられる。これらの中でも、透明性及び導電性に優れることから、錫ドープ酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫からなる群から選ばれる１種以上のものが好ましく、錫ドープ酸化インジウムがより好ましい。
【００４１】
第２の透明導電膜２２の平均面粗さ（Ｒａ）は０．１〜１０ｎｍであり、０．２〜７．０ｎｍであることが好ましい。ここで、平均面粗さは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定された値である。
第２の透明導電膜２２の平均面粗さが０．１ｎｍ未満であると、第１の透明導電膜１２と接触した際の接触抵抗値が高くなり、１０ｎｍを超えると、耐久性が損なわれる上に、透明性も低下する。
また、第２の透明導電膜２２の自乗平均面粗さ（ＲＭＳ）は１．５〜７．５ｎｍであることが好ましく、最大高低差（Ｐ−Ｖ）は１５〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
［厚さ］
第２の透明導電膜２２の厚さは０．０１〜１．０μｍであることが好ましい。第２の透明導電膜２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、充分な導電性を確保でき、１．０μｍ以下であれば、薄くすることができる。
【００４３】
［中間層］
第２の透明基材２１と第２の透明導電膜２２との間には、１層以上の中間層が形成されていてもよい。中間層としては、例えば、酸化ケイ素膜、酸化マグネシウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ゲルマニウム膜、反射防止膜、カラーフィルター、配向膜、液晶膜などが挙げられる。
中間層の厚さは１０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜３００ｎｍがより好ましい。中間層の厚さが１０ｎｍ以上であれば、中間層の機能が充分に発揮され、５００ｎｍ以下であれば、第２の電極基材２０の柔軟性低下を防止できる。
【００４４】
［電極基材の配置］
第１の電極基材１０と第２の電極基材２０とは、それらの間に配置されたドットスペーサ２４によって離間するようになっている。
第１の電極基材１０と第２の電極基材２０の非押圧時の間隔は２０〜１００μｍであることが好ましい。第１の電極基材１０と第２の電極基材２０の非押圧時の間隔は２０μｍ以上であれば、非押圧時に第１の電極基材１０と第２の電極基材２０とを確実に接触させないようにすることができ、１００μｍ以下であれば、押圧時に第１の電極基材１０と第２の電極基材２０とを確実に接触させることができる。前記間隔になるようにするためには、ドットスペーサ２４の大きさを適宜選択すればよい。
【００４５】
［用途］
この入力デバイス１では、指またはスタイラスにより第１の電極基材１０を押した際に、第１の電極基材１０の第１の透明導電膜１２と第２の電極基材２０の第２の透明導電膜２２とが接触して導通する。そして、その際の電圧を取り込んで、位置を検出するようになっている。
入力デバイス１の用途としては、例えば、電子手帳、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、ＰＨＳ、現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、販売時点情報管理（ＰＯＳ）用レジスタなどが挙げられる。
【００４６】
（入力デバイスの製造方法）
入力デバイス１の製造方法は、第１の透明基材１１の片面に導電性高分子溶液を塗布し、有機導電層からなる第１の透明導電膜１２を形成して第１の電極基材１０を得る工程（以下、第１の工程という。）と、第２の透明基材２１の片面に無機導電層からなる第２の透明導電膜２２を形成して第２の電極基材２０を得る工程（以下、第２の工程という。）と、第１の電極基材１０と第２の電極基材２０とを組み立てる工程（以下、第３の工程という。）とを有する。
【００４７】
＜第１の工程＞
第１の工程における導電性高分子溶液は、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有するものである。
【００４８】
溶媒としては特に制限されず、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物、クレゾール、フェノール、キシレノール等のフェノール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素類、ジオキサン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル化合物、アセトニトリル、グルタロニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホルトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジン、ジメチルイミダゾリン、酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジフェニルスルホン酸等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、２種類以上の混合物としてもよいし、他の有機溶媒との混合物としてもよい。
前記溶媒の中でも、取り扱い性の点から、水、アルコール類が好ましい。
【００４９】
導電性高分子溶液の調製方法としては、例えば、ポリアニオンの水溶液中でπ共役系導電性高分子の前駆体モノマーを化学酸化重合して導電性高分子水溶液を調製することで調製できる。
導電性高分子溶液の塗布方法として、例えば、コンマコーティング、リバースコーティング、リップコーティング、マイクログラビアコーティング等を適用することができる。
【００５０】
導電性高分子溶液塗布後には、硬化処理を施すことが好ましい。
硬化方法としては、加熱または光照射が適用される。加熱方法としては、例えば、熱風加熱や赤外線加熱などの通常の方法を採用できる。また、光照射により硬化する場合には、例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプなどの光源から紫外線を照射する方法を採用できる。紫外線照射における照度は１００ｍＷ／ｃｍ２以上が好ましい。照度が１００ｍＷ／ｃｍ２未満であると、充分に架橋せず、導電膜の耐摺動性（耐久性）が低くなる傾向にある。なお、本発明における照度は、トプコン社製ＵＶＲ−Ｔ１（工業用ＵＶチェッカー、受光器；ＵＤ−Ｔ３６、測定波長範囲；３００〜３９０ｎｍ、ピーク感度波長；約３５５ｎｍ）を用いて測定した値である。
【００５１】
＜第２の工程＞
無機導電層からなる第２の透明導電膜２２の形成方法としては、例えば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法等の成膜方法を適用することができる。
平均面粗さを０．１〜１０ｎｍにするためには、例えば、スパッタ法において、印加電圧４ｋＷ以上、アルゴンガス（流量：１２０〜２００ｓｃｃｍ）及び酸素ガス（流量：１〜１０ｓｃｃｍ）を混合ガスとして導入し、真空度０．５Ｐａ以下に調整すればよい。
化学気相成膜法、パイロゾル法等で用いる蒸気物中の有機溶媒溶液としては、成膜を妨げない限り特に制限はないが、アセトン、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、メチルセルソルブ、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類等が挙げられる。
第２の透明基材２１と第２の透明導電膜２２との間に中間層を形成する場合には、その形成方法として、第２の透明導電膜２２の形成方法と同様の方法を適用することができる。
【００５２】
＜第３の工程＞
第３の工程では、具体的には、得られた第２の透明導電膜２２の表面にドットスペーサ２４を設け、第１の透明導電膜１２と第２の透明導電膜２２とが対向するように第１の電極基材１０と第２の電極基材２０を配置させて入力デバイス１を得る。
【００５３】
上述したように、入力デバイス１は、第１の透明導電膜１２が有機導電層であり、第２の透明導電膜が平均面粗さ１〜２０ｎｍの無機導電層である。本発明者が調べた結果、このような入力デバイス１では、耐久性に優れる上に、透明性及び導電性の低下が防止されている。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施形態例に限定されない。
第１の透明導電膜１２は、少なくとも最表部が有機導電層であればよく、第１の透明基材１１側の部分が無機導電層であってもよい。また、第２の透明導電膜２２は、少なくとも最表部が無機導電層であればよく、第２の透明基材２１側の部分が有機導電層であってもよい。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の実施例を具体的に示すが、本発明は実施例により限定されるものではない。
（製造例１）ポリスチレンスルホン酸の調製
１０００ｍｌのイオン交換水に２０６ｇのスチレンスルホン酸ナトリウムを溶解し、８０℃で攪拌しながら、予め１０ｍｌの水に溶解した１．１４ｇの過硫酸アンモニウム酸化剤溶液を２０分間滴下し、この溶液を２時間攪拌した。
これにより得られたスチレンスルホン酸ナトリウム含有溶液に１０質量％に希釈した硫酸を１０００ｍｌと１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いてポリスチレンスルホン酸含有溶液の約１００００ｍｌ溶液を除去し、残液に１００００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。上記の限外ろ過操作を３回繰り返した。
さらに、得られたろ液に約１００００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約１００００ｍｌ溶液を除去した。この限外ろ過操作を３回繰り返した。
限外ろ過条件は下記の通りとした（他の例でも同様）。
限外ろ過膜の分画分子量：３００００
クロスフロー式
供給液流量：３０００ｍｌ／分
膜分圧：０．１２Ｐａ
得られた溶液中の水を減圧除去して、無色の固形状のポリスチレンスルホン酸を得た。
【００５６】
（製造例２）ポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）水溶液の調製
１４．２ｇの３，４−エチレンジオキシチオフェンと、３６．７ｇの製造例１で得たポリスチレンスルホン酸を２０００ｍｌのイオン交換水に溶かした溶液とを２０℃で混合した。
これにより得られた混合溶液を２０℃に保ち、掻き混ぜながら、２００ｍｌのイオン交換水に溶かした２９．６４ｇの過硫酸アンモニウムと８．０ｇの硫酸第二鉄の酸化触媒溶液とをゆっくり添加し、３時間攪拌して反応させた。
得られた反応液に２０００ｍｌのイオン交換水を添加し、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌ溶液を除去した。この操作を３回繰り返した。
そして、上記ろ過処理が行われた処理液に２００ｍｌの１０質量％に希釈した硫酸と２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去し、これに２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの液を除去した。この操作を３回繰り返した。
さらに、得られた処理液に２０００ｍｌのイオン交換水を加え、限外ろ過法を用いて約２０００ｍｌの処理液を除去した。この操作を５回繰り返し、約１．５質量％の青色のポリスチレンスルホン酸ドープポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）水溶液を得た。
【００５７】
（実施例１）
製造例２で得たＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液６００ｇに、炭酸銀０．５を添加し、撹拌して、炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を調製した。
これとは別に、ガーリック酸３．６ｇ、イルガキュア１２７（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．９ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド１８ｇ、ペンタエリスリトールトリアクリレート７．２ｇ、エタノール３００ｇ、ＰＧＭ（純正化学株式会社製１−メトキシ−２−プロパノール）１００ｇ、グラノール４００（共栄社化学株式会社製変性シリコーン）０．５ｇを混合し、撹拌した。これにより得た溶液に、前記炭酸銀を含有したＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ水溶液を添加し、撹拌して、導電性高分子溶液Ａを得た。
導電性高分子溶液Ａをポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡製Ａ４３００、厚さ；１８８μｍ）に、グラビアコーターにより塗布し、１００℃、２分間、赤外線照射により乾燥した後、紫外線（高圧水銀灯１２０Ｗ、３６０ｍＪ／ｃｍ２、１７８ｍＷ／ｃｍ２）照射し、硬化させて、有機導電層からなる第１の透明導電膜を形成させた。これにより、第１の電極基材を得た。
【００５８】
また、厚さ１．０ｍｍのガラス基板の両面に、テトラエトキシシランとエタノールを含有する酸化ケイ素膜形成用溶液をディップコーティング法により塗布し、４００℃で焼結して、酸化ケイ素膜を形成した。次いで、チャンバ内に、アルゴンガス（流量；１７０ｓｃｃｍ）及び酸素ガス（流量；５ｓｃｃｍ）を導入しながら、真空度を０．５Ｐａに調整した。そして、ターゲットとして、酸化錫を５．０質量％含有する酸化インジウム（ジャパンエナジー社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）を用いて、印加電圧４ｋＷでＤＣマグネトロンスパッタ法により、前記酸化ケイ素膜を両面に形成した厚さ１．０ｍｍのガラス基板表面に厚さ２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる第２の透明導電膜を形成した。これにより、第２の電極基材を得た。
第２の透明導電膜の平均面粗さ（Ｒａ）、自乗平均面粗さ（ＲＭＳ）及び最大高低差を、走査型プローブ顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー製ＳＰＡ／ＮａｎｏＮａｖｉステーション、測定モード：原子間力顕微鏡ＤＦＭモード、スキャナー：２０μｍピエゾ）により測定した。測定結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
0005042084.tif 000002
【００６０】
（接触抵抗測定方法）
次いで、得られた第１の透明導電膜１２の表面に電極配線１３ａ，１３ｂを形成した（図２参照）。また、第２の透明導電膜２２の表面に電極配線２３ａ，２３ｂを形成した。次いで、第２の透明導電膜２２上に、ドットスペーサ用ペースト（藤倉化成社製ＳＮ−８４００Ｃ）をスクリーン印刷し、乾燥し、紫外線照射して、ドットスペーサ２４を形成させた。次いで、電極配線２３ａ，２３ｂ上に、レジスト用ペースト（藤倉化成社製ＳＮ−８８００Ｇ）をスクリーン印刷し、乾燥し、ＵＶ照射して、絶縁層２５を形成させた。さらに、絶縁層２５上に、接着剤（藤倉化成社製ＸＢ−１１４）をスクリーン印刷し、乾燥させて、第１の電極基材１０に貼り合わせるための接着剤層２６を形成させた（図３参照）。
次いで、図４に示すように、第１の電極基材１０と第２の電極基材２０とを、第１の透明導電膜１２と第２の透明導電膜２２が対向するように配置させ、接着剤層２６により貼り合せて、入力デバイスを作製した。また、電極配線２３ａと精密電源３１とを、プルアップ抵抗（８２．３ｋΩ）３２、及びプルアップ抵抗３２に並列に接続されたプルアップ抵抗３２の電圧測定用テスタ３３を介して電気的に接続した。また、精密電源３１と電極配線１３ａとを電気的に接続した。また、電極配線１３ｂと電極配線２３ｂとを、電圧測定用テスタ３４を介して電気的に接続した。これにより、接触抵抗測定用の電気回路を得た。
接触抵抗は次のように測定した。先端が０．８Ｒのポリアセタール製スタイラス３５で、第１の電極基材１０を２５０ｇの荷重で押圧し、精密電源３１により電圧５Ｖを印加した際のプルアップ抵抗の電圧と抵抗膜式タッチパネルモジュールの電圧を測定し、これらの測定結果より、接触抵抗を測定した。
具体的には、プルアップ抵抗３２に流れる電流値を、測定した電圧値を用いてオームの法則から算出し、その算出した電流値及び抵抗膜式タッチパネルモジュールの電圧値を下記式に代入して接触抵抗を求めた。結果を表１に示す。
接触抵抗（Ω）＝［（抵抗膜式タッチパネルモジュールの電圧（Ｖ））／（プルアップ抵抗の電圧（Ｖ））］×プルアップ抵抗（Ω）
【００６１】
（リニアリティ測定方法）
上記接触抵抗の測定とは別に、得られた第２の透明導電膜の表面にドットスペーサを設け、第１の透明導電膜と第２の透明導電膜とが対向するように第１の電極基材と第２の電極基材を配置させて入力デバイスを得た。その入力デバイスについて、初期と摺動試験後のリニアリティを測定して、耐久性を評価した。
【００６２】
タッチパネル研究所製電気特性検査機／摺動筆記耐久試験機／単板試験機を用い、筆記摺動試験前後のリニアリティを測定した。なお、測定サイズ８５ｍｍ×７０ｍｍ、測定数４２点、荷重２５０ｇ（０．８Ｒポリアセタールペン）とし、最大値と平均値とを求めた。また、摺動は、図５に示すように、Ａ〜Ｄの順序でポリアセタールペンを動作させ、その動作を２５万回行った。結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
0005042084.tif 000003
【００６４】
（実施例２）
チャンバ内に、アルゴンガス（流量；５００ｓｃｃｍ）及び酸素ガス（流量；８０ｓｃｃｍ）を導入しながら、真空度を０．２７Ｐａに調整した。そして、ターゲットとして、シリコーンターゲットを用いて、印加電圧４ｋＷでＤＣマグネトロンスパッタ法により、厚さ１．０ｍｍのガラス基板両面に酸化ケイ素膜を形成した。
次いで、チャンバ内に、アルゴンガス（流量；１９７ｓｃｃｍ）及び酸素ガス（流量；３ｓｃｃｍ）を導入しながら、真空度を０．５Ｐａに調整した。そして、ターゲットとして、酸化錫を５．０質量％含有する酸化インジウム（ジャパンエナジー社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）を用いて、印加電圧４ｋＷでＤＣマグネトロンスパッタ法により、前記酸化ケイ素膜を両面に形成した厚さ１．０ｍｍのガラス基板表面に厚さ２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる第２の透明導電膜を形成した。これにより、第２の電極基材を得た。
このようにスパッタ法により中間層を形成した第２の電極基材を用いた入力デバイスについて、実施例１と同様に接触抵抗を測定した。測定結果を表１に示す。
【００６５】
（実施例３）
実施例２における第２の透明導電膜の形成において、アルゴンガス流量を１５０ｓｃｃｍ、酸素ガス流量を５ｓｃｃｍにしたこと以外は実施例２と同様にして、第２の電極基材を得た。この第２の電極基材を用いた入力デバイスについて、実施例１と同様に接触抵抗を測定した。測定結果を表１に示す。
【００６６】
（実施例４）
実施例１における第２の透明導電膜の形成において、アルゴンガス流量を１５０ｓｃｃｍ、酸素ガス流量を５ｓｃｃｍにしたこと以外は実施例１と同様にして、第２の電極基材を得た。この第２の電極基材を用いた入力デバイスについて、実施例１と同様に接触抵抗を測定した。測定結果を表１に示す。
【００６７】
（比較例１）
実施例１における第２の透明導電膜の形成において、ターゲットとして、酸化錫を３０．０質量％含有する酸化インジウム（ジャパンエナジー社製、密度７．１ｇ／ｃｍ３）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、第２の電極基材を得た。この第２の電極基材を用いた入力デバイスについて、実施例１と同様に接触抵抗を測定した。測定結果を表１に示す。
【００６８】
（比較例２）
比較例１における第１の電極基材として、ハードコート付きＩＴＯフィルム（東洋紡績社製３００ＲＫ）を用いて入力デバイスを得て、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表２に示す。なお、表２において示された表面物性はハードコート付きＩＴＯフィルムのものである。
【００６９】
第２の透明導電膜の平均面粗さが１〜２０ｎｍの範囲にあった実施例１〜４の入力デバイスでは、接触抵抗が小さく、導電性に優れていた。また、実施例１の入力デバイスでは、摺動筆記試験後のリニアリティの増加が小さく、耐久性に優れていた。
これに対し、平均面粗さが１０ｎｍを超えていた比較例１の入力デバイスでは、接触抵抗が大きく、導電性が低かった。
第１の電極基材としてハードコート付きＩＴＯフィルムを用いた比較例２の入力デバイスでは、摺動筆記試験後のリニアリティの増加が大きく、耐久性が低かった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の入力デバイスの一実施形態例を示す断面図である。
【図２】接触抵抗の測定方法における第１の電極基材を示す断面図である。
【図３】接触抵抗の測定方法における第２の電極基材を示す断面図である。
【図４】接触抵抗の測定方法における回路を示す模式図である。
【図５】筆記摺動試験における筆記動作を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１  入力デバイス
１０  第１の電極基材
１１  第１の透明基材
１２  第１の透明導電膜
１３ａ，１３ｂ  電極配線
２０  第２の電極基材
２１  第２の透明基材
２２  第２の透明導電膜
２３ａ，２３ｂ  電極配線
２４  ドットスペーサ
【図１】
0005042084.tif 000004
【図２】
0005042084.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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