(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドの成形面に形成されている複数の凹部内に第一の主膜を形成することにより、前記第一の主膜からなる複数の突端部を形成し、
それぞれから前記突端部が露出する複数の開口を有する犠牲膜を前記モールドの前記成形面上に形成し、
複数の前記開口内に第二の主膜を形成することにより、前記第二の主膜からなる複数の脚部を形成し、
イオンミリングにより複数の前記脚部を先鋭化し、
先鋭化された複数の前記脚部に本体を接合し、
複数の前記突端部と複数の前記脚部とを備えるマイクロコネクタと前記モールドとを分離する、
ことを含む精密部品の製造方法。
【請求項２】
前記第一の主膜を形成する前に、前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離するための分離犠牲膜を前記モールドの成形面上に形成し、
前記分離犠牲膜を除去することにより前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離することを含む、
請求項１に記載の精密部品の製造方法。
【請求項３】
前記犠牲膜の表面と前記脚部の突端面の上に接合膜を形成し、
前記接合膜を間に挟んで前記本体と複数の前記脚部とを接合する、
ことを含む請求項１または２に記載の精密部品の製造方法。
【請求項４】
前記接合膜の表層として金、錫またははんだからなる膜を形成する、
ことを含む請求項１または２に記載の精密部品の製造方法。
【請求項５】
前記脚部の突端面と前記犠牲膜とを平坦化する、
ことを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の精密部品の製造方法。
【請求項６】
前記主膜は導電性を有する、
請求項１から５のいずれか一項に記載の精密部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は精密部品の製造方法に関し、特に精密部品同士を接続するためのマイクロコネクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、２つの電子部品のそれぞれにおいて狭小な間隔で配列されている端子間を接続するためのマイクロコネクタが知られている。マイクロコネクタを用いると、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）もハンダも用いずに、狭小なピッチで配列されている端子間を常温下において電気的に接続することが可能になる。特許文献１、２、３、４、５に開示されているマイクロコネクタは、接続時に必要な弾性を持つビーム部が基板の接合面に対して平行に延びる構成である。また、特許文献６には、印刷技術によって導電ゴムからなるマイクロコネクタを製造する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１８９１６８号公報
【特許文献２】特開２００６−４０７３７号公報
【特許文献３】特開２００３−４５５７６号公報
【特許文献４】特開２００２−２４６１１７号公報
【特許文献５】特開２００１−３３２０１４４号公報
【特許文献６】特開平５−１５２０１０３号公報
【特許文献７】特開２００１-２６７３５９号公報
【特許文献８】特開２００４-３６３１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献２、３、４、５に開示されているようにビーム部が基板の接合面に対して平行な方向に直線的に延びる構成のマイクロコネクタの場合、ビーム部の軸と垂直な方向にはマイクロコネクタを狭小なピッチで配列できるものの、ビーム部の軸と平行な方向にはマイクロコネクタを狭小なピッチで配列することができず、２つの電子部品を基板に対して垂直な方向に積み重ねて結合することもできないという問題がある。
【０００４】
また、特許文献１に開示されているようにマイクロコネクタのビーム部がＣ字形に湾曲しているマイクロコネクタは、特許文献２、３、４、５に開示されているマイクロコネクタに比べると狭小なピッチで二次元配列でき、基板の接合面に対して垂直な方向に積み重ねて２つの電子部品を結合することができるものの、基板の接合面に対して平行な方向に延びるビーム部を基板上に形成するために製造工程が複雑であり、磁石を組み込むためにマイクロコネクタの微細化が困難になるという問題がある。
また、特許文献６に開示されているマイクロコネクタは、導電ゴムを印刷するため、微細化が困難であり、耐久性が低いという問題がある。
【０００５】
本発明は、これらの問題を解決するために創作されたものであって、マイクロコネクタを用いて他の部品を積み重ねて常温下で結合可能な精密部品を高いスループットで高精度に歩留まりよく製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）上記目的を達成するための電子部品の製造方法は、モールドの成形面に形成されている凹部の一部の領域上に第一犠牲膜を形成することにより、前記第一犠牲膜からなり前記成形面から突出する犠牲柱を形成し、前記犠牲柱が間に位置する前記凹部の複数の傾斜領域に重なる開口を有するとともに前記犠牲柱の端部に接する第二犠牲膜を前記モールドの前記成形面上に形成し、前記傾斜領域の上と前記犠牲柱の表面の上とに前記開口が埋まらない範囲の厚さの主膜を形成することにより、前記主膜からなるマイクロコネクタを形成し、前記マイクロコネクタに本体を接合し、前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離する、ことを含む。
【０００７】
本発明では、モールドと犠牲柱と第二犠牲膜とを用いてマイクロコネクタの外形を形成する。モールドの成形面上に第一犠牲膜を形成することにより犠牲柱を形成すると微小な犠牲柱をモールドの成形面から突出させることができる。したがって、犠牲柱の表面に主膜を形成すると、主膜からなるマイクロコネクタはモールドの成形面から突出する形状になる。このようなマイクロコネクタは、本体のマイクロコネクタとの接合面から突出するように本体に接合することができる。すなわち本発明によるとマイクロコネクタが接合されている面に対して垂直な方向に突出するマイクロコネクタを形成することができる。このようなマイクロコネクタは、２つの部品を積み重ねて結合することを可能にする。すなわち、モールドの成形面から突出する形状のマイクロコネクタを形成することによって、２つの部品を積み重ねて結合することが可能になる。
【０００８】
モールドも、モールドの上に形成される犠牲柱も第二犠牲膜も、フォトリソグラフィ技術等の微細加工技術を用いることによって精密に加工することができるため、本発明によるとマイクロコネクタを微小なピッチで二次元的に配列することが可能である。
モールドは製造過程においてマイクロコネクタから分離されるため、再利用が可能である。本発明によると、マイクロコネクタの外形を形成するための一要素として、再利用可能なモールドを用いるため、マイクロコネクタを備える精密部品を製造するスループットを高めることができるとともに、マイクロコネクタの形状の再現性が高まるために歩留まりが高まる。
本発明によると、常温下で２つの部品を結合することが可能なスナップフィット結合に必要な外形を有するマイクロコネクタを製造できる。その理由は次の通りである。
【０００９】
理由１：主膜からなるマイクロコネクタの内壁面は犠牲柱によって形成される。第二犠牲膜は、犠牲柱が間に位置する凹部の複数の領域に開口が重なり、第二犠牲膜自体が犠牲柱の端部に接するように形成される。したがって、犠牲柱の表面に形成される主膜からなるマイクロコネクタは、犠牲柱によって突端面が分割された形状になる。すなわち、マイクロコネクタは梁状の部分を複数有する形状となる。尚、マイクロコネクタの突端面は主膜の底面、すなわち主膜の下地面との境界面である。以下、マイクロコネクタの梁状の部分を脚部というものとする。この脚部はスナップフィットに必要な弾性をマイクロコネクタに付与する。
理由２：第二犠牲膜の開口に重なるモールドの凹部の複数の領域はそれぞれ傾斜しているため、第二犠牲膜をマスクとして用いて主膜を形成すると、底面が傾斜した主膜が形成される。この主膜の底面がマイクロコネクタの突端面となるため、マイクロコネクタの突端面は傾斜面となる。尚、凹部の傾斜領域とは、モールドの成形面を巨視的に平面とみなしたときに、その平面に対して傾斜している領域という意味で用いるものとする。したがって、マイクロコネクタの突端面が傾斜面であるとは、モールドの成形面を巨視的に平面とみなしたときに、その平面とマイクロコネクタの突端面とが平行でないことを意味する。すなわち、マイクロコネクタが本体から突出する方向に対して垂直ではない突端面を有するマイクロコネクタが形成される。モールドの成形面の傾斜領域の上に主膜を形成し、主膜によってマイクロコネクタを形成することにより、本体から突出している方向に対して垂直ではない突端面を有するマイクロコネクタを形成できる。このような傾斜した突端面は、マイクロコネクタとスナップフィットの対象物との間の摺接によってマイクロコネクタの脚部をたわませる力を発生させる。
理由３：第二犠牲膜を埋めない範囲の厚さで主膜を形成することにより、マイクロコネクタの側面に突部を形成することができる。マイクロコネクタの側面の突部は、スナップフィットの対象物をマイクロコネクタに拘束することを可能にする。
【００１０】
（２）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記主膜を形成する前に、前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離するための分離犠牲膜を前記モールドの成形面上に形成し、前記分離犠牲膜を除去することにより前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離することを含んでもよい。
マイクロコネクタとモールドとの間に犠牲膜が形成されている場合には、この犠牲膜（分離犠牲膜）を除去すれば、マイクロコネクタに外力を加えずにマイクロコネクタとモールドとを分離することができる。したがって分離犠牲膜をマイクロコネクタとなる主膜とモールドとの間に形成し、分離犠牲膜を除去することによってマイクロコネクタとモールドとを分離することにより、分離工程でのマイクロコネクタの変形を防止し、加工精度を高め歩留まりをあげることができる。
【００１１】
（３）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記主膜の表層として金、錫またははんだからなる接合膜を形成する、ことを含んでもよい。
この場合、マイクロコネクタと本体との接合強度を高めることができる。
【００１２】
（４）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、モールドの成形面に形成されている複数の凹部内に第一の主膜を形成することにより、前記第一の主膜からなる複数の突端部を形成し、それぞれから前記突端部が露出する複数の開口を有する犠牲膜を前記モールドの前記成形面上に形成し、複数の前記開口内に第二の主膜を形成することにより、前記第二の主膜からなる複数の脚部を形成し、複数の前記脚部に本体を接合し、複数の前記突端部と複数の前記脚部とを備えるマイクロコネクタと前記モールドとを分離する、ことを含む。
【００１３】
モールドの凹部内にマイクロコネクタを構成する第一の主膜を形成すると凹部の立体形状が第一の主膜の底面に転写され、その結果、マイクロコネクタの突端部の表面が形成される。このように形成されたマイクロコネクタの突端部が露出する開口を有する犠牲膜はマイクロコネクタの脚部の側面を形成するためのものである。この犠牲膜の開口内に第二の主膜を形成すると、突端部と一体になるマイクロコネクタの脚部が形成される。第一の主膜および第二の主膜はモールドの成形面から突出する形状に形成される。したがってこのようなマイクロコネクタは、本体のマイクロコネクタとの接合面から突出するように本体に接合することができる。このため、複数の脚部に精密部品の本体を接合すると、マイクロコネクタは精密部品の本体の接合面から複数の脚部が垂直に突出する形状になる。すなわち本発明によるとマイクロコネクタが接合されている面に対して垂直な方向に突出するマイクロコネクタを形成することができる。このようなマイクロコネクタは、２つの部品を垂直方向に積み重ねて結合することを可能にする。すなわち、モールドの成形面から突出する形状のマイクロコネクタを形成することによって、２つの部品を積み重ねて結合することが可能になる。
【００１４】
モールドも、モールドの上に形成される第一の主膜も第二の主膜も、フォトリソグラフィ技術等の微細加工技術を用いることによって精密に加工することができるため、本発明によるとマイクロコネクタを微小なピッチで二次元的に配列することが可能である。
モールドは製造過程においてマイクロコネクタから分離されるため、再利用が可能である。本発明によると、マイクロコネクタの外形を形成するための一要素として、再利用可能なモールドを用いるため、マイクロコネクタを備える精密部品を製造するスループットを高めることができるとともに、マイクロコネクタの形状の再現性が高まるために歩留まりが高まる。
本発明によると、常温下で２つの部品を結合することが可能なスナップフィット結合に必要な外形を有するマイクロコネクタを製造できる。その理由は次の通りである。
【００１５】
理由１：１つのマイクロコネクタについて複数の脚部が形成され、各脚部は本体から突出する形状であるため、スナップフィットに必要な弾性をマイクロコネクタに付与する。
理由２：突端部は凹部内に形成されるため、先細りした形状になる。すなわち、凹部内に形成される突端部の表面には、マイクロコネクタが本体から突出する方向に対して垂直ではない領域が形成される。このように傾斜した領域は、マイクロコネクタとスナップフィットの対象物との間の摺接によってマイクロコネクタの脚部をたわませる力を発生させる。
理由３：マイクロコネクタを複数の膜で形成することにより、それぞれの膜の輪郭を個別に変えることができる。したがって、第一の主膜からなる突端部と第二の主膜からなる脚部との境界においてマイクロコネクタの側面に突部を形成することができる。マイクロコネクタの側面の突部は、スナップフィットの対象物をマイクロコネクタに拘束することを可能にする。
（５）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記第一の主膜を形成する前に、前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離するための分離犠牲膜を前記モールドの成形面上に形成し、前記分離犠牲膜を除去することにより前記マイクロコネクタと前記モールドとを分離することを含んでもよい。
マイクロコネクタとモールドとの間に犠牲膜が形成されている場合には、この犠牲膜（分離犠牲膜）を除去すれば、マイクロコネクタに外力を加えずにマイクロコネクタとモールドとを分離することができる。したがって分離犠牲膜をマイクロコネクタとなる第一の主膜とモールドとの間に形成し、分離犠牲膜を除去することによってマイクロコネクタとモールドとを分離することにより、分離工程でのマイクロコネクタの変形を防止し、加工精度を高め歩留まりをあげることができる。
【００１６】
（６）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記第二の主膜の表面上に接合膜を形成し、前記接合膜を間に挟んで前記本体と複数の前記脚部とを接合する、ことを含んでもよい。
この場合、複数の脚部は接合膜によって連結される。接合膜と脚部とは接合膜の成膜課程で強固に接合される。このため、本発明によると本体とマイクロコネクタとの接合強度が高くなる。
【００１７】
（７）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記接合膜の表層として金、錫またははんだからなる膜を形成する、ことを含んでもよい。
金、錫、はんだなどを、モールド上に形成する膜の表層として形成することにより、モールド上に形成した膜からなるマイクロコネクタと本体との接合強度を高めることができる。
【００１８】
（８）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、複数の前記脚部に本体を接合する前に、イオンミリングにより複数の前記脚部を先鋭化する、ことを含んでもよい。
モールド上に形成した膜の表層部分を先鋭化してからモールド上の膜からなるマイクロコネクタと本体とを接合することにより、接合に必要な温度や圧力を低減することができる。さらに、膜の先鋭化にイオンミリングを用いることにより、同時に複数の部分を先鋭化することができ、また、再現性よく先鋭化することができる。
【００１９】
（９）上記目的を達成するための精密部品の製造方法は、前記脚部の突端面と前記犠牲膜とを平坦化する、ことを含んでもよい。
【００２０】
（１０）上記目的を達成するための精密部品の製造方法において、前記主膜は導電性を有してもよい。
この場合、２つの部品の配線要素間を電気的に接続する機能をマイクロコネクタに付与することができる。
【００２１】
尚、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
１．第一実施形態
２．第二実施形態
３．第三実施形態
４．第四実施形態
５．他の実施形態
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
【００２３】
１．第一実施形態
図１から図６は、図７に示すマイクロコネクタ１０１を備える電子部品１の製造工程を示す断面図である。それぞれの分図Ａは図７Ｃに示すＡＡ線断面に対応し、それぞれの分図Ｂは図７に示すＢＢ線断面に対応する。
【００２４】
はじめに図１に示すように先鋭な凹部１０ａを成形面に有するモールド１０を形成する。たとえば、単結晶シリコンウェハである基板の表面（結晶方位１００）に、長方形の開口１１ａを有する犠牲膜１１を形成し、犠牲膜１１をマスクとして用いて基板の結晶異方性エッチングを行う。その結果、開口１１ａの下方領域に傾斜領域１０ｂを有する凹部１０ａが形成される。凹部１０ａの底１０ｃは２つの傾斜領域１０ｂの境界であるため線状である。すなわち、凹部１０ａの断面は先鋭である。犠牲膜１１を除去すると、成形面に凹部１０ａを有するモールド１０が完成する。犠牲膜１１はたとえば次のように形成される。まず、基板の表面上にＳｉＮ膜を堆積させ、続いて、フォトレジスト膜を塗布する。フォトレジスト膜を所定形状に露光し現像することによりＳｉＮ膜に対するエッチングマスクを形成する。次にこのエッチングマスクを用いてＳｉＮ膜をエッチングすると、ＳｉＮ膜からなる犠牲膜１１を形成することができる。
【００２５】
なお、モールド１０に凹部を形成する工程において、凹部を有するフォトレジスト膜を、多階調マスク（ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスク）を用いて基板上に形成し、フォトレジスト膜もろともに基板を異方的にエッチングしてもよい。また、凹部１０ａの断面は先鋭でなくともよい。たとえば、エッチングマスクの開口から基板を等法的にエッチングすることによって底がなだらかな凹部を有するモールドを形成し、このようなモールドを用いて後続の工程を実施してもよい。
【００２６】
次に、図２に示すように、モールド１０の成形面全体の上に分離犠牲膜としての犠牲膜１２を形成し、続いて、モールド１０の凹部１０ａの底１０ｃ上に、犠牲柱１４となる第一犠牲膜を形成する。
【００２７】
犠牲膜１２は、モールド１０とマイクロコネクタ１０１とを分離するための膜であり、めっきシード層としても機能する導電性の膜である。したがって分離犠牲膜としての犠牲膜１２は、モールド１０とマイクロコネクタ１０１とに対して選択的にエッチングできる材料で形成され、たとえば、モールド１０の成形面上にＣｒとＣｕを順にスパッタでそれぞれ０．０３μｍ、０．３μｍの厚さまで堆積することによって分離犠牲膜としての犠牲膜１２を形成する。ＣｒとＣｕに代えてＴｉとＴｉＮとを犠牲膜１２の材料に用いてもよい。
【００２８】
第一犠牲膜からなる犠牲柱１４は、マイクロコネクタ１０１の突端を分割し、マイクロコネクタ１０１の内壁面を形成するためのものである。したがって犠牲柱１４は、モールド１０の成形面から突出するほぼ柱体の形状を有し、凹部１０ａの中央に重なる位置に形成される。また犠牲柱１４の材料には、モールド１０とマイクロコネクタ１０１とに対して選択的にエッチングできる材料が選択される。犠牲柱１４と犠牲膜１２とに同一材料を選択すれば、犠牲膜１２と犠牲柱１４とを同時に除去することが可能になる。このような犠牲柱１４を形成するには、まず凹部１０ａの中央に重なる開口１３ａを有するフォトレジストマスク１３を犠牲膜１２の表面上に形成する。続いて、開口１３ａから露出している犠牲膜１２の表面上に電解めっきによってたとえばＣｕを堆積させる。フォトレジストマスク１３を除去すれば、Ｃｕの堆積膜である第一犠牲膜からなる犠牲柱１４が完成する。
【００２９】
次に、図３に示すように、マイクロコネクタ１０１の外壁面の最も外側に位置する領域を形成するための第二犠牲膜としてのフォトレジストマスク１５をモールド１０の成形面上に形成する。フォトレジストマスク１５は、犠牲柱１４が間に位置するモールド１０の凹部１０ａの２つの傾斜領域１０ｂに重なる開口１５ａを有するとともに犠牲柱１４の端部に重なる。すなわち、開口１５ａの内側には犠牲柱１４の中央部と、犠牲柱１４の両側に位置する２つの傾斜領域１０ｂが含まれる。犠牲柱１４の２カ所の端部をフォトレジストマスク１５の下に埋めることによって、マイクロコネクタ１０１の突端部を２分割することができる。開口１５ａから露出する傾斜領域１０ｂによってマイクロコネクタ１０１の突端面であるガイド面１０１ａ（図７参照）が形成される。本実施形態において開口１５ａは矩形である。
【００３０】
次に、図４に示すように、モールド１０の２つの傾斜領域１０ｂの上と犠牲柱１４の表面の上とに、フォトレジストマスク１５の開口１５ａが埋まらない範囲で主膜としての導電膜１６と導電膜１７とを形成する。その結果、導電膜１６と導電膜１７とからなるマイクロコネクタ１０１が形成される。導電膜１６の材料は抵抗率や剛性を勘案して選択され、犠牲膜１２と犠牲柱１４の表面上にＮｉＦｅを電解めっきによって１μｍの厚さまで堆積することにより形成される。主膜の表層である導電膜１７は、本体２１１（図７参照）とマイクロコネクタ１０１との接合層として機能する。このため、導電膜１７の材料は主に接合強度を勘案して選択され、たとえばＡｕやＳｎをスパッタ、蒸着、電解めっきなどにより０．１μｍの厚さまで堆積することにより導電膜１７が形成される。導電膜１７の材料としてはんだを用いてもよい。
【００３１】
マイクロコネクタ１０１は、モールド１０の凹部１０ａの立体形状が転写されたガイド面１０１ａと、犠牲柱１４の側面上に堆積した導電膜１６と導電膜１７の領域からなる２つの脚部１０１ｂと、導電膜１６と導電膜１７の犠牲柱１４の突端面１４ａ上に堆積した領域からなる接合部１０１ｃとを有する。２つの脚部１０１ｂは接合部１０１ｃによって連結されている。犠牲柱１４の突端面１４ａはモールド１０の凹部１０ａの底１０ｃの上に位置するため中央が凹んでいる。このため、マイクロコネクタ１０１の本体に接合される基端の角１０１ｄは先鋭な形状になる。導電膜１６と導電膜１７とは、フォトレジストマスク１５の開口１５ａが埋まらない範囲で形成されるため、開口１５ａの下部においてフォトレジストマスク１５に接し、開口１５ａの上部においてフォトレジストマスク１５から離れる。したがってマイクロコネクタ１０１の側面は、突端側（図４の下側）の領域に突部１０１ｅを有する。突部１０１ｅはマイクロコネクタ１０１がスナップフィットにより結合する対象である電極５１３（図８参照）を拘束する部分として機能する。
【００３２】
次に、フォトレジストマスク１５を除去し、図５に示すように電子部品１の本体２１１をマイクロコネクタ１０１の基端に加熱と加圧によって接合する。本体２１１は、図示しない素子と貫通電極２１２と接合膜２１３と接合膜２１４とを備えている。貫通電極２１２と接合膜２１３と接合膜２１４とは本体２１１の配線要素である。接合膜２１４はマイクロコネクタ１０１の導電膜１７との接合層として機能する。このため、接合膜２１４の材料は主に接合強度を勘案して選択され、たとえばＡｕやＳｎを貫通電極２１２の表面上に電解めっきなどにより０．５μｍの厚さまで堆積することにより接合膜２１４が形成される。接合層としての導電膜１７と接合膜２１４とのＡｕやＳｎの共晶結合により、マイクロコネクタ１０１と本体２１１とが強固に接合される。また、マイクロコネクタ１０１の基端の角１０１ｄを先鋭にしているため、接合のために加える圧力が低減される。
【００３３】
次に、分離犠牲膜としての犠牲膜１２と犠牲柱１４をエッチングにより除去すると、図６に示すように本体２１１とマイクロコネクタ１０１とが一体になった電子部品１とモールド１０とが分離する。その結果、モールド１０が再利用できるようになる。すなわち、図１から図６について説明した工程を繰り返すことにより、１つのモールド１０を用いて繰り返し電子部品１を製造することができる。モールド１０を再利用することにより、マイクロコネクタ１０１を高いスループットで再現性よく形成することができる。犠牲膜１２と犠牲柱１４とを除去することによりマイクロコネクタ１０１をモールド１０から分離すると、マイクロコネクタ１０１が変形しないために加工精度を高め歩留まりを上げることができる。
【００３４】
以上の工程を経て完成する電子部品１を図７に示す。上述したフォトリソグラフィ技術を用いた製造方法では、複数のマイクロコネクタ１０１を狭小なピッチで同時に形成可能である。モールド１０の凹部１０ａはフォトリソグラフィ技術によって狭小なピッチで高精度に形成することができる。したがって本実施形態によると、マイクロコネクタ１０１を狭小なピッチで二次元的に配列し、高精度に歩留まり良く形成することができる。
【００３５】
図８は電子部品１と他の電子部品５とがマイクロコネクタ１０１によって結合された状態を示している。マイクロコネクタ１０１とスナップフィットする他の電子部品５の電極５１３は、環状の貫通電極５１２の表面に形成された導電膜からなり、マイクロコネクタ１０１の側面形状に対応する通孔５１３ａを有している。
【００３６】
マイクロコネクタ１０１の突端面であるガイド面１０１ａと脚部１０１ｂとはそれぞれ２つに分割されている。それぞれのガイド面１０１ａは、マイクロコネクタ１０１の内側から外側に向かって基板２１０に接近する方向に傾斜している。したがってマイクロコネクタ１０１はガイド面１０１ａで電極５１３の通孔５１３ａの側面と摺接しながら電極５１３の縁によって２つの脚部１０１ｂが押しすぼめられるようにして電極５１３の通孔５１３ａに挿入される。すると、マイクロコネクタ１０１の脚部１０１ｂが電極５１３の通孔５１３ａの側面に接触することによって電極５１３とマイクロコネクタ１０１とが導通した状態で電子部品１に他の電子部品５が接続される。マイクロコネクタ１０１の突部１０１ｅと、他の電子部品５の貫通電極５１２の通孔５１２ａの側面とが接触するように構成してもよい。いずれの場合でも、電子部品１と他の電子部品５とは、電子部品１に備わるマイクロコネクタ１０１を介して基板２１０と垂直な方向に積み重ねて配線要素間を電気的に接続することができる。
【００３７】
また、マイクロコネクタ１０１の２つの脚部１０１ｂは、基板２１０の接合面に対して垂直な方向にそれぞれ突出しているため、スナップフィットに必要な弾性を確保している。したがって、電極５１３にスナップフィットするマイクロコネクタ１０１は従来よりさらに狭小なピッチで二次元配列することができるのである。マイクロコネクタ１０１の側面には突部１０１ｅが形成されているため、電極５１３の通孔５１３ａをマイクロコネクタ１０１の形状に応じて設計することにより、スナップフィットしたマイクロコネクタ１０１と電極５１３とを分解するのに要する力を調整することができる。すなわち、電子部品１は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）もハンダも用いずに、所定形状の通孔を有する電極を備える他の電子部品を基板２１０に対して垂直方向に結合するとともに２つの電子部品の狭小なピッチの配線要素間を常温下において電気的に接続することを可能にする。
【００３８】
電子部品１と他の電子部品５との間の空隙を樹脂などで埋めてもよい。これにより、電子部品１と他の電子部品５の結合強度を高めることができる。電子部品１と他の電子部品５との間の空隙を埋める樹脂としては、熱可塑性樹脂が望ましい。電子部品１と他の電子部品５との結合後に、これらを分解して再利用できるからである。
【００３９】
（第二実施形態）
図９から図１２は図１３に示すマイクロコネクタ１０２を備える電子部品２の製造工程を示す断面図である。それぞれの分図Ａは図１３に示すＡＡ線断面に対応し、それぞれの分図Ｂは図１３に示すＢＢ線断面に対応する。
【００４０】
はじめに図１について説明した工程と同様に、図９に示すように先鋭な凹部２０ａを成形面に有するモールド２０を形成する。本実施形態では、凹部２０ａを錐体側面形状にするため、凹部２０ａを形成するための犠牲膜２１の開口２１ａは正方形である。
【００４１】
次に図２について説明した工程と同様に、図１０に示すようにモールド２０の成形面全体の上に分離犠牲膜としての犠牲膜２２を形成し、続いて犠牲膜２２のモールド２０の凹部２０ａの底２０ｃの上に犠牲柱２４となる第一犠牲膜を形成する。犠牲柱２４は、凹部２０ａの底２０ｃの１点で交わる４つの傾斜領域２０ｂの上にまたがって形成される。
【００４２】
次に図３について説明した工程と同様に、図１１に示すように第二犠牲膜としてのフォトレジストマスク２５を形成する。フォトレジストマスク２５の開口２５ａの内側には犠牲柱２４の中央部と、犠牲柱２４の周りに位置する４つの傾斜領域２０ｂが含まれる。本実施形態において開口２５ａは十字形である。開口２５ａの内側に含まれる傾斜領域２０ｂは図１１Ｃにおいてハッチングを付して示されている。犠牲柱２４の４カ所の角部はフォトレジストマスク２５の下に埋められる。これにより、マイクロコネクタ１０２の突端部を４分割することができる。
【００４３】
次に図４について説明した工程と同様に、図１２に示すように主膜としての導電膜２６と導電膜２７を形成する。その結果、導電膜２６と導電膜２７とからなり、突端面であるガイド面１０２ａが４分割されたマイクロコネクタ１０２が形成される。マイクロコネクタ１０２の４つの脚部１０２ｂは十字形の接合部１０２ｃによって連結されている。
【００４４】
次に図５、図６について説明した工程と同様に、電子部品２の本体２１１をマイクロコネクタ１０２に接合し、犠牲膜２２と犠牲柱２４を除去すると、図１３に示す電子部品２が完成する。
【００４５】
図１４は電子部品２と他の電子部品６との接合状態を示している。マイクロコネクタ１０２とスナップフィットする他の電子部品６の電極６１２は、基板６１１の通孔６１１ａの縁部に形成された導電膜からなる。本実施形態では、マイクロコネクタ１０２の４つの脚部１０２ｂがそれぞれ電極６１２の通孔６１２ａの側面に接触することによって電子部品２と電子部品６とが電気的に接続される。
【００４６】
（第三実施形態）
図１５から図２２は、図２３に示すマイクロコネクタ１０３を備える電子部品３の製造工程を示す断面図であって、図２３に示すＡＡ線断面に対応する。
はじめに、図１について説明した工程と同様に、図１５に示すように先鋭な凹部３０ａを成形面に有するモールド３０を形成する。本実施形態では、錐体側面形状の凹部３０ａを１つのマイクロコネクタ１０３についてモールド３０の成形面に複数ずつ形成するため、１つのマイクロコネクタ１０３について複数ずつ正方形の開口３１ａを犠牲膜３１に形成する。
【００４７】
次に、図１６に示すように、モールド３０の成形面の上に犠牲膜３２、導電膜３３を順に形成する。犠牲膜３２は、モールド３０とマイクロコネクタ１０３とに対して選択的にエッチングできる材料で形成され、導電膜３３のめっきシード層としても機能する導電性の膜である。したがってたとえば、モールド３０の成形面上にＣｒとＣｕを順にスパッタでそれぞれ０．０３μｍ、０．３μｍの厚さまで堆積することによって犠牲膜３２を形成する。ＣｒとＣｕに代えてＴｉとＴｉＮとを犠牲膜３２の材料に用いてもよい。続いて、犠牲膜３２の表面上にＮｉを電解めっきによって３μｍの厚さまで堆積し、Ｎｉからなる導電膜３３を形成する。導電膜３３は電極を構成する第一の主膜に相当し、鏃形の突端部１０３ｆとなる。導電膜３３の膜厚はモールド３０の凹部３０ａが埋まる範囲に設定される。なお、開口３１ａを有する犠牲膜３１を除去することなく、犠牲膜３２を形成してもよい。この場合、モールド３０と導電膜３３とを分離する後の工程において犠牲膜３１を犠牲膜３２とともに除去してもよいし、犠牲膜３１をモールド３０と一体に再利用してもよい。また、導電膜３３はＷのＣＶＤによる成膜、ＣｕＷのＭＩＭ（Metal Injection Molding）による成膜など、他の材料と成膜法の組み合わせによって形成することもできる。
【００４８】
次に、図１７に示すように、モールド３０の成形面が露出するとともに導電膜３３および犠牲膜３２がモールド３０の凹部３０ａ内に残存する範囲で導電膜３３および犠牲膜３２の表層を除去する。具体的には、研削、研磨、ＣＭＰのいずれかによって、またはこれらを組み合わせることによって導電膜３３および犠牲膜３２の表層を除去する。その結果、モールド３０の凹部３０ａ内に残存した導電膜３３からなる突端部１０３ｆが１つのマイクロコネクタ１０３について複数ずつモールド３０と一体に形成される。
【００４９】
次に、図１８に示すように、モールド３０の上にフォトレジストマスク３４を形成し、電極を構成する第二の主膜としての導電膜３５を形成する。フォトレジストマスク３４は、突端部１０３ｆの表面を露出させ、突端部１０３ｆの輪郭に内包される開口３４ａを有し、鏃形の電極の脚部１０３ｂを形成するための犠牲膜として機能する。開口３４ａを突端部１０３ｆの輪郭の内側に形成することにより、電極を鏃形に形成することができる。導電膜３５はフォトレジストマスク３４の開口３４ａの内側に形成されるため柱形状になる。フォトレジストマスク３４を除去すると、導電膜３５からなる脚部１０３ｂが形成される。導電膜３５の材料は抵抗率や剛性や接合強度を勘案して選択され、たとえばＮｉを電解めっきにより３μｍの厚さまで堆積することにより導電膜３５が形成される。
【００５０】
次に、図１９に示すように、導電膜３５を埋没させる犠牲膜３６を形成し、導電膜３５が露出するまで犠牲膜３６の表層を除去する。犠牲膜３６は導電膜３５からなる複数の脚部１０３ｂを連結するための接合膜３８を導電膜３５の上に形成するための下地となる。たとえばＣｕの電解めっき、無電解めっき、スパッタなどで５μｍ堆積させることにより犠牲膜３６が形成される。犠牲膜３６の表層は、研削、研磨、ＣＭＰのいずれかによって、またはこれらを組み合わせることによって除去される。その結果、犠牲膜３６と導電膜３５の表面が平坦化される。
【００５１】
次に、図２０に示すように、導電膜３５からなる複数の脚部１０３ｂが露出する開口３７ａを有するフォトレジストマスク３７を犠牲膜３６の表面上に形成し、開口３７ａの内側に接合膜３８と接合膜３９を形成する。接合膜３８は複数の脚部１０３ｂを連結する機能を有する導電性の膜である。接合膜３８の材料は主に接合強度を勘案して選択される。たとえば１μｍの厚さのＮｉを電解メッキで堆積させることにより接合膜３８が形成される。接合膜３９はマイクロコネクタ１０３と本体２２０との接合層として機能する。このため、接合膜３９の材料は主に接合強度を勘案して選択され、たとえばＡｕを電解めっきにより０．１μｍの厚さまで堆積することにより接合膜３９が形成される。なお、図１９に示す工程において、犠牲膜３６の表層を、脚部１０３ｂが突出するまで除去すると、脚部１０３ｂと接合膜３８との接合面積が増大するため接合強度が高くなる。
【００５２】
次にフォトレジストマスク３７を除去し、図２１に示すように、電子部品３の本体２２０をマイクロコネクタ１０３の接合膜３９に加熱と加圧によって接合する。本体２２０の基板２２１には、図示しない素子と導電膜２２２と導電膜２２３とが接合されている。導電膜２２２と導電膜２２３とは本体２２０の配線要素である。導電膜２２３はマイクロコネクタ１０３と本体２２０との接合層として機能する。このため、導電膜２２３の材料は主に接合強度を勘案して選択され、たとえばＡｕやＳｎを導電膜２２２の表面上に電解めっきなどにより０．５μｍの厚さまで堆積することにより導電膜２２３が形成される。接合層としての接合膜３９と導電膜２２３とのＡｕやＳｎの共晶結合により、マイクロコネクタ１０３と本体２２０とが強固に接合される。導電膜２２３の材料にハンダを用いてもよい。
【００５３】
次に、図２２に示すように、犠牲膜３２および犠牲膜３６を除去することによりマイクロコネクタ１０３と本体２２０とが一体になった電子部品３（図２３）をモールド３０から分離する。したがってモールド３０は再利用することができる。すなわち、図１６から図２２について説明した工程を繰り返すことにより、１つのモールド３０を用いて繰り返しマイクロコネクタ１０３を製造することができる。モールド３０を再利用することにより、マイクロコネクタ１０３を高いスループットで再現性よく形成することができる。犠牲膜３２を除去することによりマイクロコネクタ１０３をモールド３０から分離すると、マイクロコネクタ１０３が変形しないために加工精度を高め、歩留まりを上げることができる。
図２４は電子部品３と他の電子部品７とがマイクロコネクタ１０３によって結合された状態を示している。マイクロコネクタ１０３とスナップフィットする他の電子部品７の突起電極７１は、円柱形の軸部７１ａとドーム形の突端部７１ｂとからなる。突起電極７１は基板７４の表面上に形成されているシード層７３と導電膜７２とからなる配線上に形成されている。
【００５４】
マイクロコネクタ１０３は、接合膜３８によって連結された４本の脚部１０３ｂを備えている。それぞれの脚部１０３ｂの突端側には錐体形の突端部１０３ｆが形成されている。突起電極７１は、マイクロコネクタ１０３のガイド面１０３ａと摺接しながら４つの脚部１０３ｂを押し広げるようにして４つの脚部１０３ｂの間に挿入される。すると、マイクロコネクタ１０３の脚部１０３ｂが突起電極７１の側面に接触することによって突起電極７１とマイクロコネクタ１０３とが導通した状態で電子部品３に他の電子部品７が接続される。マイクロコネクタ１０３の突部１０１ｅと、他の電子部品７の突起電極７１の軸部７１ａの側面とが接触するように構成してもよい。いずれの場合でも、電子部品３と他の電子部品７とは、電子部品３に備わるマイクロコネクタ１０３を介して基板２２１と垂直な方向に積み重ねて配線要素間を電気的に接続することができる。
【００５５】
また、マイクロコネクタ１０３の４つの脚部１０３ｂは、基板２２１の接合面に対して垂直な方向にそれぞれ突出しているため、スナップフィットに必要な弾性を確保している。したがって、突起電極７１にスナップフィットするマイクロコネクタ１０３は従来よりさらに狭小なピッチで二次元配列することができるのである。マイクロコネクタ１０３の側面には突部１０１ｅが形成されているため、突起電極７１をマイクロコネクタ１０３の形状に応じて設計することにより、スナップフィットしたマイクロコネクタ１０３と突起電極７１とを分解するのに要する力を調整することができる。すなわち、電子部品３は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）もハンダも用いずに、所定形状の突起電極７１を備える他の電子部品７を基板２２１に対して垂直方向に結合するとともに２つの電子部品の狭小なピッチの配線要素間を常温下において電気的に接続することを可能にする。
【００５６】
（第四実施形態）
図２５から図２７は図２８に示す電子部品４の製造工程を示す断面図である。
はじめに第三実施形態において説明した図１５から図１８の工程を実施する。マイクロコネクタ１０４を構成する第二の主膜としての導電膜３５を形成するとき、フォトレジストマスク３４の表面上に導電膜３５をオーバーフローさせる。導電膜３５のフォトレジストマスク３４の表面上にオーバーフローした表層部３５ｂはドーム形になる。導電膜３５のフォトレジストマスク３４の開口３４ａの内部に形成された深層部３５ａは鏃形のマイクロコネクタ１０４の柱体形の脚部１０４ｂになる。
【００５７】
次に導電膜３５のフォトレジストマスク３４の表面上にオーバーフローした表層部３５ｂをイオンミリングによって図２６に示すように先鋭化する。突部に対するイオンミリングではイオンの突入方向に対して傾斜した方向においてエッチング速度が最大になるため、導電膜３５のフォトレジストマスク３４の表面上にオーバーフローした表層部３５ｂをイオンミリングによって錐体形状にすることができる。また先鋭化にイオンミリングを用いることにより、同時に複数の部分を先鋭化することができ、また、再現性よく先鋭化することができる。
【００５８】
次にフォトレジストマスク３４を除去し、図２７に示すようにモールド上に形成した導電膜３５の円錐形の表層部３５ｂを本体２３０の配線要素を構成する導電膜２４４の凹部に押し込み、マイクロコネクタ１０４と本体２３０の配線要素とを加熱と加圧によって接合する。配線要素の凹部に錐体形の導電膜３５の表層部３５ｂを押し込むことにより、小さな力で配線要素に導電膜３５を深く突き刺すことができるため、本体２３０とマイクロコネクタ１０４との接合強度を高めることができる。
【００５９】
次に犠牲膜３２を除去するとマイクロコネクタ１０４とモールド３０とが分離し、図２８に示すように、鏃形のマイクロコネクタ１０４が本体２３０の基板２３１の接合面から突出している電子部品４が完成する。
【００６０】
図２９は電子部品４と他の電子部品８とがマイクロコネクタ１０４によって結合された状態を示している。マイクロコネクタ１０４とスナップフィットする他の電子部品８の突起電極８１は、円柱形の軸部８１ａと軸部８１ａよりも直径の大きな円柱形の突端部８１ｂとからなる。
マイクロコネクタ１０４の突端面であるガイド面１０４ａは錐体側面形状であるため、突起電極８１の突端面が平坦であっても、マイクロコネクタ１０４と突起電極８１はスナップフィット可能である。
【００６１】
１１．他の実施形態
【００６２】
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、突起電極に求められる機能に応じた膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
【００６３】
また、上記実施形態において、精密部品として電子部品を例示したが、本発明にかかるマイクロコネクタは電子部品に限らず、マイクロレンズ、光ファイバアレイのクリップなどの精密な位置あわせが必要な様々な精密部品同士の結合手段として用いることができる。したがって、マイクロコネクタを構成する主膜には絶縁性の材料を用いてもよい。また、マイクロコネクタの突端部は必ずしも先鋭である必要はない。すなわち突端部の表面はスナップフィットする対象部品と摺接するときにマイクロコネクタの脚部をたわませる効力をその対象部品から受けられる斜面領域のある形態であればよく、たとえばドーム形であってもよい。
【００６４】
また、第一実施形態および第二実施形態においては、マイクロコネクタの突端面を分割するための犠牲柱となる犠牲膜（第一犠牲膜）と、マイクロコネクタとモールドとを分割するための犠牲膜（分離犠牲膜）とを別工程で形成する例を説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、第一犠牲膜の膜厚と分離犠牲膜の膜厚とを合わせた膜厚の犠牲膜をモールドの成形面上に形成し、犠牲柱に相当する部分のみをフォトレジストマスクで保護した状態でこの犠牲膜を異方的にエッチングする。エッチングはモールドが露出する前に終了させ、モールドの成形面上に犠牲膜を薄く残すようにする。これにより、フォトレジストマスクで保護された領域が犠牲柱となり、保護されていなかった領域の残留部分がマイクロコネクタとモールドとを分離するための部分となる。
【００６５】
また、第三実施形態および第四実施形態においては、モールドに透明材料を用い、マイクロコネクタの脚部を突端部に対して自己整合的に形成してもよい。すなわちたとえば、図１７に示した工程の後にフォトレジストマスク３４を形成する際に、モールド１０と犠牲膜３２と導電膜３３とをマスクとして用いる背面露光によってフォトレジストマスク３４の開口３４ａを形成すると犠牲膜３２の輪郭と正確に一致する輪郭を有する導電膜３５を形成することができる。この導電膜３５を後の工程で等方的にエッチングすると、錐体形状の突端部１０４ｆの直径よりも小さな直径の柱体状の脚部１０３ｂを形成することができる。
【００６６】
また、上記実施形態では脚部の数が２本および４本のマイクロコネクタを例示したが、脚部の数は２本でも３本でも５本以上でもよい。さらに、マイクロコネクタの脚部が１本のみであっても、脚部の断面をＣ字形に形成することでスナップフィットに必要な弾性をマイクロコネクタに付与することができる。このようなマイクロコネクタは犠牲柱の１カ所のみが犠牲膜に接する状態で主膜を形成することにより製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図５】図５Ａおよび図５Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図６】図６Ａおよび図６Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図７】図７Ａおよび図７Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。図７Ｃは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１０】図１０Ａおよび図１０Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１１】図１１Ａおよび図１１Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。図１１Ｃは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図１２】図１２Ａおよび図１２Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。図１２Ｃは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図１３】図１３Ａおよび図１３Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。図１３Ｃは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図１４】図１４Ａおよび図１５Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１５】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１６】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１７】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１８】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図１９】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２０】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２１】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２２】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２３】図２３Ａは本発明の実施形態にかかる断面図。図２３Ｂは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図２４】図２４Ａおよび図２４Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２５】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２６】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２７】本発明の実施形態にかかる断面図。
【図２８】図２８Ａは本発明の実施形態にかかる断面図。図２８Ｂは本発明の実施形態にかかる平面図。
【図２９】図２９Ａおよび図２９Ｂは本発明の実施形態にかかる断面図。
【符号の説明】
【００６８】
１：電子部品、２：電子部品、３：電子部品、４：電子部品、５：電子部品、６：電子部品、７：電子部品、８：電子部品、１０：モールド、１０ａ：凹部、１０ｂ：傾斜領域、１０ｃ：底、１０ｆ：突端部、１１：犠牲膜、１１ａ：開口、１２：犠牲膜、１３：フォトレジストマスク、１３ａ：開口、１４：犠牲柱、１４ａ：突端面、１５：フォトレジストマスク、１５ａ：開口、１６：導電膜、１７：導電膜、２０：モールド、２０ａ：凹部、２０ｂ：傾斜領域、２０ｃ：底、２１：犠牲膜、２１ａ：開口、２２：犠牲膜、２４：犠牲柱、２５：フォトレジストマスク、２５ａ：開口、２６：導電膜、２７：導電膜、３０：モールド、３０ａ：凹部、３１：犠牲膜、３１ａ：開口、３２：犠牲膜、３３：導電膜、３４：フォトレジストマスク、３４ａ：開口、３５：導電膜、３５ａ：深層部、３５ｂ：表層部、３６：犠牲膜、３７：フォトレジストマスク、３７ａ：開口、３８：接合膜、３９：接合膜、３９：接合膜、７１：突起電極、７１ａ：軸部、７１ｂ：突端部、７２：導電膜、７３：シード層、７４：基板、８１：突起電極、８１ａ：軸部、８１ｂ：突端部、１０１：マイクロコネクタ、１０１ａ：ガイド面、１０１ｂ：脚部、１０１ｃ：接合部、１０１ｄ：角、１０１ｅ：突部、１０２：マイクロコネクタ、１０２ａ：ガイド面、１０２ｂ：脚部、１０２ｃ：接合部、１０３：マイクロコネクタ、１０３ａ：ガイド面、１０３ｂ：脚部、１０３ｆ：突端部、１０４：マイクロコネクタ、１０４ａ：ガイド面、１０４ｂ：脚部、１０４ｆ：突端部、２１０：基板、２１１：本体、２１２：貫通電極、２１３：接合膜、２１４：接合膜、２２０：本体、２２１：基板、２２２：導電膜、２２３：導電膜、２３０：本体、２３１：基板、２４４：導電膜、５１２：貫通電極、５１２：通孔ａ、５１３：電極、５１３ａ：通孔、６１１：基板、６１１ａ：通孔、６１２：電極、６１２ａ：通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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