(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子が実装されるインナーリード部を有する配線パターンと、
前記配線パターンの少なくとも一部に対向する前記第２の面上に開口領域を有し、前記第２の面上に設けられる放熱パターンとを備え、
前記開口領域は、前記インナーリード部を前記第２の面から視認可能な領域に設けられ、前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の直下に対応する前記第２の面上に設けられ、前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成される
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記絶縁フィルムが、前記第１の面と前記第２の面とを貫通するビアを、前記配線パターンの一部の直下であって前記放熱パターンが設けられる位置に有し、
前記配線パターンが、前記ビアを介して前記放熱パターンと接続される
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記配線パターンが、前記ビアを介して前記放熱パターンと接続されて導通する
請求項２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記放熱パターンが、膜厚８μｍ以上に形成される
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記放熱パターンが、銅無垢から形成される
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
前記配線パターンが、表面メッキ処理が施されて形成される
請求項５に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項７】
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムを準備する絶縁フィルム準備工程と、
前記絶縁フィルムの前記第１の面上の所定の位置に半導体素子が実装されるインナーリード部を有する配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターンの少なくとも一部に対向する前記第２の面上に開口領域を有する放熱パターンを前記第２の面上に形成する放熱パターン形成工程とを備え、
前記放熱パターン形成工程は、前記インナーリード部を前記第２の面から視認可能な領域に前記開口領域を設けており、前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の直下に対応する前記第２の面上に、前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された前記開口領域を設ける
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】
電極を有する半導体素子と、
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記第１の面上の所定の位置に設けられ、前記半導体素子が前記電極を介して接合されることにより実装されるインナーリード部を有する配線パターンと、
前記配線パターンの少なくとも一部に対向する前記第２の面上に前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された開口領域を有し、前記第２の面上に設けられる放熱パターンと
を備える半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子が、Ａｕ−Ｓｎ合金接合又はＡｕ−Ａｕ合金接合によって前記電極と前記配線パターンとが接合されて前記配線パターンに実装される
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子が、異方性導電接着フィルム又は異方性導電接着ペーストによって前記電極と前記インナーリード部とが接続されて前記インナーリード部に実装される
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子が実装されるインナーリードと前記インナーリードの反対側に設けられるアウターリードとを有し、銅から形成される配線パターンと、
前記インナーリードと前記アウターリードとの中間領域を被覆し、前記第１の面上に接して設けられるソルダーレジストと、
前記インナーリードから前記アウターリードに向かう方向に沿って前記第１の面の両端部に設けられ、前記第１の面から前記第２の面へと貫通する複数の送り孔を有する補強枠と、
前記半導体素子が実装される領域の直下に対応する前記第２の面上に前記インナーリード部を前記第２の面から視認可能な領域に前記インナーリード部に実装される前記半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された開口領域を有し、前記第２の面上の一部に外縁が矩形状に設けられ、銅から形成される放熱パターンと
を備える半導体装置用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置に関する。特に、本発明は、Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ（ＣＯＦ）技術を適用したＬｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ）用のＴＡＢテープ（ＣＯＦ用テープ）としての半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビ用のＬＣＤ、及びパーソナルコンピュータ用ディスプレイ等の表示装置に用いられるＬＣＤにおいて、高精細化及び高画質化の要求に伴い、ＬＣＤ用のＴａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｈｉｇｎ（ＴＡＢ）テープの電気配線の微細配線化が進んでいる。そして、ＴＡＢテープの電気配線の微細配線化に伴い、ＬＣＤを駆動するドライバＩＣの消費電力が増大している。この結果、ＩＣチップから発生した熱による不具合を低減させることを目的として、ＩＣチップにおいて発生した熱のＴＡＢテープからの放熱特性の向上が望まれている。
【０００３】
従来の半導体装置用テープキャリアとして、上部面及び下部面を有するフィルムと、入出力端子パターンを有して上部面に形成される上部金属層と、少なくともチップ実装領域を含む大きさの接地層を有してチップ実装領域に対応する下部面に形成され、ビアを介して上部金属層と導通する下部金属層とを備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に係る半導体装置用テープキャリアは、少なくともチップ実装領域を含む大きさの接地層がフィルムの下部面に設けられているので、接地層がテープキャリアの上部面の入出力端子パターンに電気的に連結されることによって接地が行える。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の半導体装置用テープキャリアは、ＬＣＤを駆動するドライバＩＣの消費電力の増大に伴う発熱によって生じた熱の放散性について考慮されておらず、ＩＣチップ等の半導体素子の温度上昇によるＬＣＤの動作不良を抑制することが困難になる恐れがある。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、半導体素子において発生した熱を効率よく放熱することができる半導体装置用テープキャリア、半導体装置用テープキャリアの製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、絶縁フィルムの第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子が実装されるインナーリード部を有する配線パターンと、配線パターンの少なくとも一部に対向する第２の面上に開口領域を有し、第２の面上に設けられる放熱パターンとを備え、開口領域は、インナーリード部を第２の面から視認可能な領域に設けられ、インナーリード部に実装される半導体素子の直下に対応する第２の面上に設けられ、インナーリード部に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアが提供される。
【０００９】
また、絶縁フィルムが、第１の面と第２の面とを貫通するビアを、配線パターンの一部の直下であって放熱パターンが設けられる位置に有し、配線パターンが、ビアを介して放熱パターンと接続されてもよい。更に、配線パターンが、ビアを介して放熱パターンと接続されて導通してもよい。また、放熱パターンが、膜厚８μｍ以上に形成されてもよく、放熱パターンが、銅無垢から形成されてもよい。あるいは、配線パターンが、表面メッキ処理が施されて形成されてもよい。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するため、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムを準備する絶縁フィルム準備工程と、絶縁フィルムの第１の面上の所定の位置に半導体素子が実装されるインナーリード部を有する配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、配線パターンの少なくとも一部に対向する第２の面上に開口領域を有する放熱パターンを第２の面上に形成する放熱パターン形成工程とを備え、放熱パターン形成工程は、インナーリード部を第２の面から視認可能な領域に開口領域を設けており、インナーリード部に実装される半導体素子の直下に対応する第２の面上に、インナーリード部に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された開口領域を設けることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電極を有する半導体素子と、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、絶縁フィルムの第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子が電極を介して接合されることにより実装されるインナーリード部を有する配線パターンと、配線パターンの少なくとも一部に対向する第２の面上にインナーリード部に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された開口領域を有し、第２の面上に設けられる放熱パターンとを備える半導体装置が提供される。
【００１３】
また、上記半導体装置は、半導体素子が、Ａｕ−Ｓｎ合金接合又はＡｕ−Ａｕ合金接合によって電極と配線パターンとが接合されて配線パターンに実装されてもよく、半導体素子が、異方性導電接着フィルム又は異方性導電接着ペーストによって電極と配線パターンとが接続されて配線パターンに実装されてもよい。
【００１４】
また、本発明は、上記目的を達成するため、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルムと、絶縁フィルムの第１の面上の所定の位置に設けられ、半導体素子が実装されるインナーリードとインナーリードの反対側に設けられるアウターリードとを有し、銅から形成される配線パターンと、インナーリードとアウターリードとの中間領域を被覆し、第１の面上に接して設けられるソルダーレジストと、インナーリードからアウターリードに向かう方向に沿って第１の面の両端部に設けられ、第１の面から第２の面へと貫通する複数の送り孔を有する補強枠と、半導体素子が実装される領域の直下に対応する第２の面上にインナーリード部を第２の面から視認可能な領域にインナーリード部に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成された開口領域を有し、第２の面上の一部に外縁が矩形状に設けられ、銅から形成される放熱パターンとを備える半導体装置用テープキャリアが提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置用テープキャリアによれば、半導体素子において発生した熱を効率よく放熱することができ、本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、半導体素子において発生した熱を効率よく放熱することができる半導体装置用テープキャリアを提供することができる。更には、そのような半導体装置用テープキャリアを有する半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの表面の斜視図を示しており、図１（ｂ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの裏面の斜視図を示す。
【００１７】
（半導体装置用テープキャリア１の構成）
第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１は、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する絶縁フィルム１０と、絶縁フィルム１０の第１の面上に設けられ、インナーリード１２とアウターリード１４とを有する複数の配線を含む配線パターン１３と、インナーリード１２とアウターリード１４との中間の所定の領域に設けられるソルダーレジスト１６とを備える。更に、半導体装置用テープキャリア１は、インナーリード１２からアウターリード１４、若しくはアウターリード１４からインナーリード１２に向かう方向（あるいは、当該方向に垂直な方向）に沿って所定の間隔をおいて複数の送り穴１８ａを有して第１の面の両端部にそれぞれ設けられる補強枠１８と、開口領域２２を有して第２の面上に設けられる放熱パターン２０とを備える。
【００１８】
絶縁フィルム１０は、第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有して形成される。そして、絶縁フィルム１０は、所定厚を有する絶縁性材料から形成される。絶縁性材料は、一例として、ポリイミド樹脂である。なお、絶縁性材料は、ＣＯＦ用テープとして良好な可撓性及び放熱性を発揮する材料であれば、ポリイミド樹脂に限られない。また、絶縁フィルム１０は、ＣＯＦ用テープとして良好な可撓性及び放熱性を発揮させることを目的として、所定の厚さ以下（一例として、３８μｍ以下）を有して形成される。
【００１９】
配線パターン１３は、絶縁フィルム１０の第１の面上に形成される。具体的に、配線パターン１３は、インナーリード１２とインナーリード１２の伸長方向と反対側に設けられるアウターリード１４とを含む１本の配線を複数本有している。そして、各配線のインナーリード１２間のそれぞれの間隔が、各配線のアウターリード１４間のそれぞれの間隔よりも狭い距離に設定されて、第１の面上の所定の位置に並べて設けられる。また、一例として、第１の面上には２つの配線パターン１３が設けられる。そして、一方の配線パターン１３のインナーリード１２と、他方の配線パターン１３のインナーリード１２とを所定の距離をおいて向かい合わせて、第１の面上に２つの配線パターン１３が設けられる。
【００２０】
配線パターン１３は、一例として、樹脂フィルム１０の表面に、Ｃｒスパッタ層を介してメッキされた厚さ８μｍ程度の銅層から構成される。なお、配線パターン１３は、銅とその他の金属材料とを含む銅合金材料から構成することもできる。あるいは、配線パターン１３は、銅から形成される内層を含み、内層の表面に錫等の金属材料を外層として形成することにより構成することもできる。なお、外層は、表面メッキ処理により形成できる。そして、インナーリード１２は、半導体素子が実装される部分である。具体的には、半導体素子の電極とインナーリード１２とが電気的に接続する。また、アウターリード１４は、外部回路と電気的に接続する部分である。なお、配線パターン１３と第１の面との間に、所定の波長に対して所定の反射率を有する金属層を形成することもできる。
【００２１】
耐熱性のコーティング剤としてのソルダーレジスト１６は、インナーリード１２とアウターリード１４との中間の領域を被覆して、第１の面上に接して設けられる。ソルダーレジスト１６は、一例として、絶縁性を有するポリイミド系の耐熱性樹脂材料から形成することができる。
【００２２】
補強枠１８は、絶縁フィルム１０の両端部にそれぞれ所定の幅を有して設けられる。補強枠１８は、例えば、インナーリード１２からアウターリード１４に向かう方向に沿って第１の面の両端部に設けられる。そして、補強枠１８はそれぞれ、第１の面から第２の面へと貫通する複数の送り孔１８ａを、所定の間隔をおいて有する。補強枠１８は、例えば、所定の厚さを有する銅層から構成される。
【００２３】
放熱パターン２０は、配線パターン１３の少なくとも一部に対向する第２の面上に開口領域２２を有して、第２の面上の少なくとも一部に設けられる。放熱パターン２０は、例えば、厚さが８μｍ程度の銅層（銅無垢）又は銅合金材料の層から上面視にて矩形状に形成される。放熱パターン２０は、半導体装置用テープキャリア１の放熱性の向上を目的として、配線パターン１３よりも厚く（例えば、８μｍ以上）形成することもできる。更に、放熱パターン２０は、その表面に錫等の所定の金属材料を用いたメッキ処理が施されていてもよい。
【００２４】
また、放熱パターン２０は、その外縁が、長さＬ１であり、幅Ｗ１である矩形状に形成することができる。ここで、長さと幅との関係は、Ｌ１＞Ｗ１又はＬ１＝Ｗ１若しくはＬ１＜Ｗ１を満たす。そして、Ｌ１及びＷ１は、少なくとも、インナーリード１２に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成される。なお、放熱パターン２０の厚さは、放熱パターン２０の放熱性の向上を目的として、８μｍ以上の厚さに形成することもできる。具体的に、放熱パターン２０は、半導体素子が実装される領域の直下に対応する第２の面上に開口領域２２を含み、矩形状の外縁を有して第２の面上の一部に設けられる。なお、本実施の形態において、配線パターン１３と放熱パターン２０とは導通されていない。
【００２５】
開口領域２２は、半導体素子が実装される配線パターン１３の一部に対向する第２の面上に開口領域２２を有して設けられる。開口領域２２は、上面視において、一例として矩形状に形成される。この矩形の各隅は所定の曲率を有する円弧を含んで形成することもできる。この円弧は、開口領域２２の４隅の一部（例えば、４隅のうちの１つの隅、又は１つの隅とこの１つの隅の対角に位置する他の隅）に設け、インナーリード１２に対する半導体素子２００の方向合わせ又は位置合わせに用いることができる。開口領域２２は、配線パターン１３のうち、少なくともインナーリード１２の一部を第２の面から視認可能な領域に設けられる。ここで、「視認可能」とは、例えば、光学式自動外観検査（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ：ＡＯＩ）用の装置において第２の面から絶縁フィルム１０を介して視認可能であるという意味を含む。
【００２６】
また、開口領域２２は、配線パターン１３のインナーリード１２に実装される半導体素子の直下に対応する第２の面上に、当該半導体素子の上面視における形状に応じて設けることもできる。例えば、開口領域２２は、半導体素子の上面視における形状の外縁と略同一か、又は、この外縁の所定倍の大きさを有して形成することができる。例えば、開口領域２２は、長さＬ２であり、幅Ｗ２として形成することができる。ここで、開口領域２２の長さと幅との関係は、Ｌ２＞Ｗ２又はＬ２＝Ｗ２若しくはＬ２＜Ｗ２を満たす。更に、Ｌ１＞Ｌ２及びＷ１＞Ｗ２の関係を満たす。なお、Ｌ２及びＷ２は、少なくとも、インナーリード１２に実装される半導体素子の上面視における外縁よりも大きく形成される。
【００２７】
また、第１の実施の形態の変形例においては、インナーリード１２の直下に対応する第２の面の表面を露出させて開口領域２２を形成すると共に、インナーリード１２の間に放熱パターン２０を配置して、放熱パターン２０及び開口領域２２を設けることもできる。この場合、放熱パターン２０は、開口領域２２に向かって櫛状に設けられることとなる。
【００２８】
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示し、図２（ｂ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの図１（ａ）のＢ−Ｂ線における断面を示す。
【００２９】
図２（ａ）を参照すると、配線パターン１３はそれぞれ、所定の間隔をおいて絶縁フィルム１０上に設けられる。そして、配線パターン１３上の一部を、ソルダーレジスト１６が被覆することにより、各配線間の絶縁耐性が向上すると共に、半導体装置用テープキャリア１の機械的強度が向上する。
【００３０】
図２（ｂ）を参照する。放熱パターン２０に包囲された開口領域２２に対向する第１の面上のインナーリード１２は、第１の面の表面に沿って、開口領域２２の端部から開口領域２２の中心方向に向かう方向に突き出て形成される。すなわち、開口領域２２からインナーリード１２の端部が視認可能な位置に、インナーリード１２が形成される。
【００３１】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体素子を搭載した半導体装置の断面を示す。
【００３２】
本実施の形態に係る半導体装置２は、複数の電極を有する半導体素子２００を配線パターン１３のインナーリード１２にバンプ９０を介して実装することにより構成される。発熱体としての半導体素子２００は、例えば、ＬＣＤのドライバＩＣである。図３を参照すると分かるように、本実施の形態に係る放熱パターン２０は、半導体素子２００の直下に対応する第２の面を含む第２の面上の領域に開口領域２２を有する。すなわち、本実施の形態においては、発熱体としての半導体素子２００の直下に、放熱パターン１３を設けない。
【００３３】
バンプ９０は、合金材料から形成することができる。一例として、バンプ９０は、接合材料としてのＡｕ−Ｓｎ合金を用いる。具体的に、半導体素子２００の電極上、又はインナーリード１２の表面上、若しくは半導体素子２００の電極上及びインナーリード１２の表面上にＡｕ−Ｓｎ合金層を設け、電極とインナーリード１２とを接触させて所定の温度の加熱処理（又は、加熱処理及び加圧処理）を施す。これにより、半導体素子２００が、配線パターン１３にバンプ９０を介して実装される。
【００３４】
また、半導体素子２００の電極の最表面にＡｕ層を形成すると共に、インナーリード１２の最表面にＡｕ層を形成して、電極のＡｕ層とインナーリード１２のＡｕ層との間でＡｕ−Ａｕ合金接合させることにより、半導体素子２００を配線パターン１３に実装することもできる。この場合、Ａｕ−Ａｕが接合材料として機能する。
【００３５】
Ａｕ−Ｓｎ合金接合又はＡｕ−Ａｕ合金接合により半導体素子２００をインナーリード１２に接合する場合、Ａｕ−Ｓｎ合金の共晶温度及びＡｕとＡｕとが接合する温度は、Ｐｂ入り半田等の半田材料よりも高温である。したがって、インナーリード１２の少なくとも半導体素子２００の電極と接合する部分の直下に対応する第２の面上に開口領域２２を設けることにより、電極及び電極と接するインナーリード１２に供給された熱が、電極とインナーリード１２との間に存在する接合材料に効率よく伝熱するので、半導体素子２００の電極とインナーリード１２との接合が容易となる。
【００３６】
また、狭ピッチのインナーリード１２に半導体素子２００を実装する場合には、バンプ９０として、絶縁性の接着剤中に導電粒子を均一に分散させた材料から形成される異方性導電接着フィルム又は異方性導電接着ペーストを用いることもできる。異方性導電接着フィルム又は異方性導電接着ペーストを用いることにより、インナーリード１２の横に接着剤中の導電粒子がはみ出ることがなく、各インナーリード１２間でのショートを防止できる。
【００３７】
図４から図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す。
【００３８】
まず、図４（ａ）を参照する。初めに、第１の面及び第２の面を有すると共に、ポリイミド樹脂から形成される樹脂テープとしての絶縁フィルム１０を準備する（絶縁フィルム準備工程）。そして、絶縁フィルム１０の第１の面及び第２の面の両面に、スパッタリングにより第１金属層３２としてのＣｒスパッタ層を形成する。続いて、Ｃｒスパッタ層上に第２金属層３４としての銅メッキを施す。これにより、絶縁フィルム１０の両面に金属層３０が形成される（両面銅層付基材形成工程）。
【００３９】
次に、図４（ｂ）に示すように、金属層３０の表面のそれぞれにスピンコート等によりレジストを塗布して、所定厚のレジスト層４０を形成する（レジストコート工程）。続いて、所望形状の配線パターンを有するポジ型レジスト用のフォトマスク又はネガ型レジスト用のフォトマスクを介して金属層３０の一の表面に形成したレジスト層４０を露光する。これにより、図４（ｃ）に示すように、レジスト層４０がポジ型レジストの場合、非露光部分としてのレジスト膜４０ａ（マスクにより露光されていない部分）が形成され、レジスト層４０がネガ型レジストの場合、不溶部分としてのレジスト膜４０ａ（マスクがないことにより露光された部分）が形成される。
【００４０】
同様にして、所望形状の放熱パターンを有するポジ型レジスト用のフォトマスク又はネガ型レジスト用のフォトマスクを介して金属層３０の他の表面に形成したレジスト層４０を露光する。これにより、図４（ｃ）に示すように、レジスト層４０がポジ型レジストの場合、非露光部分としてのレジスト膜４０ｂが形成され、レジスト層４０がネガ型レジストの場合、不溶部分としてのレジスト膜４０ｂが形成される（露光工程）。なお、本実施の形態ではより高精細なパターンを有する配線パターン側に先に露光工程を施すが、高精細なパターンを要求されない配線パターンを形成する場合は、放熱パターン側に先に露光工程を施すこともできる。
【００４１】
次に、所定の現像液を用いて露光後のレジスト層４０に現像処理を施す（現像工程）。これにより、図５（ｄ）に示すように、配線パターン及び放熱パターンが形成される第２金属層３４上のそれぞれに、レジスト膜４０ａ、４０ｂが形成される（レジストパターン形成工程）。また、図示しないが、レジストパターン形成工程において、絶縁フィルム１０の第１の面の両端に設けられる補強枠１８用のレジストパターンも形成される。補強枠１８用のレジストパターンは、複数の送り孔１８ａが形成される部分に送り孔１８ａの形状に対応する形の開口を有して形成される。続いて、レジスト膜４０ａ、４０ｂが第２金属層３４上に存在している状態で、所定のエッチャントを用いてエッチング処理を施す。これにより、図５（ｅ）に示すように、レジスト膜４０ａ、４０ｂが形成されている領域の直下を除く部分の第１金属層３２及び第２金属層３４が除去される（エッチング工程）。そして、図５（ｆ）に示すように、レジスト膜４０ａ、４０ｂを除去する（レジスト除去工程）。
【００４２】
次に、図６（ｇ）に示すように、レジスト膜４０ａ、４０ｂを除去した後、所定の洗浄工程を施すことにより、絶縁フィルム１０の第１の面上に第１金属層３２と第２金属層３４とからなる配線パターン用のパターンが形成されると共に、第２の面上に第１金属層３２と第２金属層３４とからなる放熱パターン用のパターンが形成される（洗浄工程）。なお、洗浄工程を経ることにより、複数の送り孔１８ａが形成される領域に開口部を有する補強枠１８のパターンも形成される（図示しない）。続いて、第１の面上及び第２の面上のそれぞれに形成された第１金属層３２及び第２金属層３４に所定の金属メッキを施す（金属メッキ工程）。
【００４３】
そして、メッキ液等の不要残存成分を除去することにより、図６（ｈ）に示すように、第１の面上に配線パターン１３と、第２の面上に放熱パターン２０とが形成される（配線パターン形成工程、放熱パターン形成工程）。更に、補強枠１８の開口部に貫通孔を形成することにより、複数の送り孔１８ａを形成する。複数の送り孔１８ａを形成する工程は、パターン形成工程、及び放熱パターン形成工程の後に限られず、両面銅層付基材形成工程の前など、適当なタイミングで実施することができる。なお、メッキ層５０は、半導体素子２００としてのＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続を容易かつ確実にすることを目的とする場合、一例として、Ｓｎメッキ層を用いることができる。
【００４４】
そして、配線パターン１３の所定の領域にソルダーレジスト１６を印刷する（ソルダーレジスト印刷工程）。これにより、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１が製造される。なお、ソルダーレジスト印刷工程後に得られる半導体装置用テープキャリア１は、所定の点検工程を経ることにより製品として出荷される。
【００４５】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１によれば、半導体素子２００が実装される領域に対応する絶縁フィルム１０の第２の面上に放熱パターン２０を設けないので、半導体素子２００の実装時に第２の面の側からインナーリード１２を認識することができる。
【００４６】
また、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１によれば、インナーリード１２が設けられる領域に対応する第２の面上には開口領域２２が形成されるので、この開口領域２２からは熱が放熱されにくい。したがって、半導体素子２００の実装時に半導体素子２００の電極とインナーリード１２との間の接合材料に効率よく熱が伝搬するので、半導体素子２００とインナーリード１２とを確実に接合することができる。
【００４７】
また、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１によれば、半導体素子２００が実装される領域に対応する絶縁フィルム１０の第２の面上に放熱パターン２０を設けないので、テープ検査時（例えば、光学式自動外観検査（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ：ＡＯＩ））に第２の面から第１の面に伝搬する透過光による微細な突起・欠け等の不良の検出を容易にできる。
【００４８】
更に、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１によれば、第２の面上の一部に放熱パターン２０を設けるので、絶縁フィルム１０の第２の面上に放熱パターン２０を設けない場合に比べて、半導体装置用テープキャリア１としての放熱特性を向上させることができる。
【００４９】
［第２の実施の形態］
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの断面を示す。
【００５０】
第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアは、配線パターン１３と放熱パターン２０とがビア６０を充填する充填剤７０で接続されている点が異なる点を除き、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き、詳細な説明は省略する。
【００５１】
第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア１ａは、配線パターン１３と放熱パターン２０とが絶縁フィルム１０に設けられたビア６０に充填された充填剤７０によって接続される。ビア６０は、例えば、絶縁フィルム１０の一部にレーザー加工、パンチング加工等によって形成される。そして、充填剤７０は、一例として、ビア７０に銅メッキを施すことにより形成される銅材である。なお、本実施の形態において、配線パターン１３と放熱パターン２０とを電気的に導通させることは必須ではないので、充填剤７０は、アルミニウム又はタングステン等の金属材料、若しくはシリコーン等の有機材料、その他の絶縁材料等、高熱伝導性を有する材料から形成することができる。
【００５２】
第２の実施の形態に係る半導体用テープキャリア１ａは、例えば、以下のように製造される。まず、絶縁フィルム１０の所定の位置に微細孔をレーザー加工又はパンチング加工等により予め形成したビア付絶縁フィルムを準備する。そして、ビア付絶縁フィルムに銅メッキを施すことにより、フィルムの両面に銅層が形成されると共に、ビア内に銅が充填される。その後の工程は、図４から図６の上記説明における第１の実施の形態に係る半導体用テープキャリア１の製造方法と同様である。
【００５３】
［第３の実施の形態］
図８及び図９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す。
【００５４】
まず、図８（ａ）を参照する。初めに、第１の面及び第２の面を有すると共に、ポリイミド樹脂から形成される樹脂テープとしての絶縁フィルム１０を準備する（絶縁フィルム準備工程）。そして、絶縁フィルム１０の第１の面に、スパッタリングにより第１金属層３２としてのＣｒスパッタ層を形成する。続いて、Ｃｒスパッタ層上に第２金属層３４としての銅メッキを施す。なお、第２の面には補強テープ８０を接着する。これにより、絶縁フィルム１０の一方の面に金属層３０が形成される（片面銅層付基材形成工程）。
【００５５】
次に、金属層３０の表面にスピンコート等によりレジストを塗布して、所定厚のレジスト層４０を形成する（レジストコート工程）。続いて、所望形状の配線パターンを有するポジ型レジスト用のフォトマスク又はネガ型レジスト用のフォトマスクを介して金属層３０の表面に形成したレジスト層４０を露光する。これにより、図８（ｂ）に示すように、に示すように、レジスト層４０がポジ型レジストの場合、非露光部分としてのレジスト膜４０ａが形成され、レジスト層４０がネガ型レジストの場合、不溶部分としてのレジスト膜４０ａが形成される。
【００５６】
次に、所定の現像液を用いて露光後のレジスト層４０に現像処理を施す（現像工程）。これにより、図８（ｃ）に示すように、配線パターンが形成される第２金属層３４上にレジスト膜４０ａが形成される（レジストパターン形成工程）。続いて、レジスト膜４０ａが第２金属層３４上に存在している状態で、所定のエッチャントを用いてエッチング処理を施す。これにより、図８（ｄ）に示すように、レジスト膜４０ａが形成されている領域の直下を除く部分の第１金属層３２及び第２金属層３４が除去される（エッチング工程）。続いて、レジスト膜４０ａを除去する（レジスト除去工程）。
【００５７】
続いて、図９（ｅ）に示すように、第１の面上に形成された第１金属層３２及び第２金属層３４に所定の金属メッキを施す（金属メッキ工程）。なお、メッキ層５０は、第１の実施の形態と同様に、Ｓｎメッキ層を用いることができる。そして、金属メッキ工程後、補強テープ８０を剥がす。そして、図９（ｆ）に示すように、配線パターン１３の所定の領域にソルダーレジスト１６を印刷する（ソルダーレジスト印刷工程）。
【００５８】
続いて、図９（ｇ）に示すように、半導体素子２００が実装される領域の直下に対応する部分に開口領域２２を有する形状に予め形成しておいた放熱パターン２０（接着剤付放熱パターン）を貼り付ける。これにより、図９（ｈ）に示すように第３の実施の形態に係る半導体用テープキャリアが製造される。なお、接着剤付放熱パターンは、例えば、所定の接着剤から形成されるフィルム上に銅層を形成し、この銅層に所望形状の放熱パターンを形成することにより構成できる。
【００５９】
［参考例］
図１０の（ａ）から（ｃ）は、本発明の参考例に係る放熱パターンの形状を示す。
【００６０】
図１０（ａ）は、放熱パターン２０ａが、複数の開口領域２２ａ、２２ｂを有する半導体装置用テープキャリア１ｂである。開口領域２２ａ、２２ｂはそれぞれ、第１の面上に設けられるインナーリード１２の直下に対応する第２の面上を含む領域にそれぞれ設けられる。図１０（ａ）に示した開口領域２２ａ、２２ｂはそれぞれインナーリード１２の直下に位置するので、半導体素子２００を配線パターン１３上に実装する場合、インナーリード１２に熱を集中させ易くできる。
【００６１】
図１０（ｂ）は、放熱パターン２０ｂが、補強枠１８に沿った方向に長手方向を有して形成された複数の開口領域２２ｃを有する半導体装置用テープキャリア１ｃである。複数の開口領域２２ｃはそれぞれ、インナーリード１２の一部の直下に対応する第２の面上に設けられる。すなわち、第１の実施の形態に係る開口領域２２においては、第２の面から第１の面に向かって全てのインナーリード１２を認識することができるが、半導体装置用テープキャリア１ｃに係る開口領域２２ｃにおいては、インナーリード１２の一部だけを認識することができる。これにより、インナーリード１２のうち半導体素子２００の実装において確認することが必須である部分だけを第２の面から認識することと、放熱特性の向上とを両立できる。
【００６２】
図１０（ｃ）は、放熱パターン２０ｃが、円形状の複数の開口領域２２ｄを有する半導体装置用テープキャリア１ｄである。円形状の複数の開口領域２２ｄはそれぞれ、インナーリード１２の直下に対応する第２の面上に設けられる。複数の開口領域２２ｄは、第２の面からインナーリード１２を認識することができる間隔で設けられる。これにより、第１の実施の形態に係る開口領域２２よりも放熱特性が向上する。
【００６３】
以上、本発明の実施の形態及び参考例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び参考例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態及び参考例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの表面の斜視図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの裏面の斜視図である。
【図２】（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの図１（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体素子を搭載した半導体装置の断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの断面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す図である。
【図９】第３の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程を示す図である。
【図１０】（ａ）から（ｃ）は、参考例に係る放熱パターンの形状を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１、１ａ、１ｂ  半導体装置用テープキャリア
２  半導体装置
１０  絶縁フィルム
１２  インナーリード
１３  配線パターン
１４  アウターリード
１６  ソルダーレジスト
１８  補強枠
１８ａ  送り孔
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  放熱パターン
２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ  開口領域
３０  金属層
３２  第１金属層
３４  第２金属層
４０  レジスト層
４０ａ、４０ｂ  レジスト膜
５０  メッキ層
６０  ビア
７０  充填材
８０  補強テープ
９０  バンプ
２００  半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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