(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層を有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、最外層の導体回路を形成する工程により得られる配線板。
【請求項２】
配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
以下の工程からなる配線板の製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、最外層の導体回路を形成する工程。
【請求項４】
工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う請求項３に記載の配線板の製造方法。
【請求項５】
工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける請求項３または４に記載の配線板の製造方法。
【請求項６】
工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる請求項３〜５のうちいずれかに記載の配線板の製造方法。
【請求項７】
最外層の導体回路が、エッチングによって形成される請求項３〜６のうちいずれかに記載の配線板の製造方法。
【請求項８】
導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層を有する配線板であって、最外層の導体回路が、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程により得られる半導体搭載用基板。
【請求項９】
配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された請求項８に記載の半導体搭載用基板。
【請求項１０】
以下の工程からなる半導体搭載用基板の製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程。
【請求項１１】
工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う請求項１０に記載の半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項１２】
工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける請求項１０または１１に記載の半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項１３】
工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる請求項１０〜１２のうちいずれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項１４】
最外層の導体回路が、エッチングによって形成される請求項１０〜１３のうちいずれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項１５】
導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層と、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路と、半導体チップとを有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程、半導体チップを搭載し、その半導体チップの端子と最外層の導体回路の内部接続端子を接続する工程により得られる半導体パッケージ。
【請求項１６】
配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された請求項１５に記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
半導体チップを封止する封止樹脂を有する請求項１５または１６に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
以下の工程からなる半導体パッケージの製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程。
ｉ．半導体チップを搭載し、その半導体チップの端子と最外層の導体回路の内部接続端子を接続する工程。
【請求項１９】
工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う請求項１８に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２０】
工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける請求項１８または１９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２１】
工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる請求項１８〜２０のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２２】
最外層の導体回路が、エッチングによって形成される請求項１８〜２１のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２３】
工程ｉの後に、半導体チップを樹脂で封止する工程を有する請求項１８〜２２のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板とその製造方法とその配線板を用いた半導体搭載用基板とその製造方法と半導体パッケージ並びにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴い、配線板の高集積化と小型化が急速に進み、配線層の多層化、微細化が進んでいる。
【０００３】
このため、内層基板にスルーホールを設け、その上に絶縁層を形成し、さらに配線を形成して、内層基板と接続するバイアホールを設けると、どうしてもスルーホールの部分に凹凸が形成され、その箇所に微細な配線を形成するのが困難になるという問題がある。
【０００４】
そこで、そのスルーホールには樹脂を埋めて、平坦になるように研磨するという方法が考えられた。
【０００５】
また、半導体搭載用基板には、セラミック基板が用いられていたが、近年では、価格と加工の容易さから、有機樹脂基板を用いるようになり、配線板の技術が多く取り入れられている。
【０００６】
このような半導体搭載用基板を用いた半導体パッケージでは、半導体の集積度が向上するに従い、入出力端子数が増加している。従って、多くの入出力端子数を有する半導体パッケージが必要になった。一般に、入出力端子はパッケージの周辺に一列配置するタイプと、周辺だけでなく内部まで多列に配置するタイプがある。前者は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）が代表的である。これを多端子化する場合は、端子ピッチを縮小することが必要であるが、０．５ｍｍピッチ以下の領域では、配線板との接続に高度な技術が必要になる。後者のアレイタイプは比較的大きなピッチで端子配列が可能なため、多ピン化に適している。従来、アレイタイプは接続ピンを有するＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）が一般的であるが、配線板との接続は挿入型となり、表面実装には適していない。このため、表面実装可能なＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と称するパッケージが開発されている。
【０００７】
一方、電子機器の小型化に伴って、パッケージサイズの更なる小型化の要求が強くなってきた。この小型化に対応するものとして、半導体チップとほぼ同等サイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている。これは、半導体チップの周辺部でなく、実装領域内に外部配線基板との接続部を有するパッケージである。具体例としては、バンプ付きポリイミドフィルムを半導体チップの表面に接着し、チップと金リード線により電気的接続を図った後、エポキシ樹脂などをポッティングして封止したもの（ＮＩＫＫＥＩ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＆  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ９４．４，Ｎｏ．１４０，ｐ１８−１９）や、仮基板上に半導体チップ及び外部配線基板との接続部に相当する位置に金属バンプを形成し、半導体チップをフェースダウンボンディング後、仮基板上でトランスファーモールドしたもの（Ｓｍａｌｌｅｓｔ  Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ−Ｌｉｋｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  ＣＳＰ；  ＴｈｅＳｅｃｏｎｄ  ＶＬＳＩ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，ｐ４６−５０，１９９４）などがある。
【０００８】
これらの配線板、半導体搭載用基板、半導体パッケージに共通するのは、実装密度を向上するために、配線パターンの高密度化が一層求められるようになったことであり、これらの要望を満たすために、層間の薄型化、配線の微細化、層間接続穴の小径化が行われ、また、隣接する層間の導体のみを接続するインタースティシャルバイアホール（以下、ＩＶＨという。）や、ベリードバイアホール（以下、ＢＶＨという。）が用いられるようになり、このＩＶＨやＢＶＨも更に小径化されつつある。
【０００９】
また、微細配線の形成においても、エッチングにより配線を形成するサブトラクト法で、歩留り良く形成できる配線は導体幅／導体間隔＝５０μｍ／５０μｍ程度である。更に微細な導体幅／導体間隔＝３５μｍ／３５μｍ程度の配線になると、電気めっきでの導体の厚さが均一に形成できるので、基材表面に比較的薄いめっき層を形成しておき、その上にめっきレジストを形成して、電気めっきで導体を必要な厚さに形成し、その後比較的薄いめっきをソフトエッチングで除去するというセミアディティブ法が使用され始めている。更に微細な導体幅／導体間隔＝２５μｍ／３５μｍ未満の配線になると、銅箔の粗化めっきや化学粗化の粗化形状が１〜３μｍ程度あるため、その粗化層をエッチングするために過剰にエッチングする必要があり配線が細くなったり、配線幅のばらつきが大きくなったりするという理由で、スパッタを用いた薄膜を用いて、その上にめっきレジストを形成して、電気めっきで導体を必要な厚さに形成し、その後比較的薄いめっきをソフトエッチングで除去するセミアディティブ法で配線形成を行っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、内層基板にスルーホールを設け、その上に絶縁層を形成し、さらに配線を形成して、内層基板と接続するバイアホールを設け、そのスルーホールには樹脂を埋めて、平坦になるように研磨するという方法では、工程が長くなり、製造の効率が低いことや、埋めた樹脂に気泡が残ることもあり、後の加熱工程で膨れて、どうしてもスルーホールの部分に凹凸が形成され、その箇所に微細な配線を形成するのが困難になるという課題が残った。
【００１１】
また、上述のようなスパッタによる薄膜回路を有する半導体実装用基板は、ベース基板にはスルーホールがあるため穴埋め樹脂により貫通穴を充填し、平坦化した後配線を形成するためスルーホールパッド上に層間接続用のバイアホールが形成できないため、高密度化のネックになっていた。また、ベース基板の層間を接続するためにめっきを行っていたため、導体回路の厚さが厚くなり薄膜回路の絶縁層を形成すると凹凸が大きくなり、微細な配線形成が因難となるため、化学粗化を行う従来方式のビルドアップ層を形成した後、薄膜回路層を形成するため工程が長くなり、コストアップの原因になっていた。
【００１２】
本発明は、配線密度に優れた配線板とそれを用いた半導体搭載用基板と半導体パッケージと、工程を簡略化でき、低コストで接続信頼性の高い配線板の製造方法と半導体搭載用基板の製造方法と半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層を有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、最外層の導体回路を形成する工程により得られる配線板。
（２）配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された（１）に記載の配線板。
（３）以下の工程からなる配線板の製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、最外層の導体回路を形成する工程。
（４）工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う（３）に記載の配線板の製造方法。
（５）工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける（３）または（４）に記載の配線板の製造方法。
（６）工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる（３）〜（５）のうちいずれかに記載の配線板の製造方法。
（７）最外層の導体回路が、エッチングによって形成される（３）〜（６）のうちいずれかに記載の配線板の製造方法。
（８）導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層を有する配線板であって、最外層の導体回路が、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程により得られる半導体搭載用基板。
（９）配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された（８）に記載の半導体搭載用基板。
（１０）以下の工程からなる半導体搭載用基板の製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程。
（１１）工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う（１０）に記載の半導体搭載用基板の製造方法。
（１２）工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける（１０）または（１１）に記載の半導体搭載用基板の製造方法。
（１３）工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる（１０）〜（１２）のうちいずれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。
（１４）最外層の導体回路が、エッチングによって形成される（１０）〜（１３）のうちいずれかに記載の半導体搭載用基板の製造方法。
（１５）導電性ペーストが充填されたスルーホールとそのスルーホールに蓋をするように形成された内層パッドと内層配線とその内層パッド及び内層配線と同じ高さに形成された絶縁樹脂層を有するベース基板と、ベース基板の少なくとも片側に、絶縁層とその絶縁層の上に形成された配線とその配線と少なくとも内層配線とを接続するバイアホールを有する薄膜ビルドアップ層と、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路と、半導体チップとを有し、絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有し、内層基板に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程、そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程、そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程、その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程、その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程、金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程、金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程、半導体チップを搭載し、その半導体チップの端子と最外層の導体回路の内部接続端子を接続する工程により得られる半導体パッケージ。
（１６）配線板の最も外側に形成される薄膜ビルドアップ層の上に形成された配線が、スパッタ金属層により形成された（１５）に記載の半導体パッケージ。
（１７）半導体チップを封止する封止樹脂を有する（１５）または（１６）に記載の半導体パッケージ。
（１８）以下の工程からなる半導体パッケージの製造方法。
ａ．内層基板に、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、粒径０．０１〜１０μｍの充填剤を１００〜２０００重量部含有するＢステージ状の絶縁層を形成する工程。
ｂ．絶縁樹脂層を形成した内層基板に、スルーホールをあける工程。
ｃ．そのスルーホールに導電性ペーストを印刷し、乾燥する工程。
ｄ．そのスルーホールに導電性ペーストが充填された内層基板の上に、導体回路／Ｎｉ−Ｐ合金層／キャリア銅層からなる複合金属箔を、そのスルーホールと導体回路の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程。
ｅ．その複合金属箔のキャリア銅層と中間のＮｉ−Ｐ合金層を、それぞれにエッチングにより除去する工程。
ｆ．その導体回路の上に絶縁層と金属層を形成する工程。
ｇ．金属層の上から、導体回路に達する孔をあける工程。
ｈ．金属層と導体回路とを電気的に接続するめっきを行い、少なくとも他の配線板と接続される外部接続端子と半導体チップの端子と接続される内部接続端子を有する最外層の導体回路を形成する工程。
ｉ．半導体チップを搭載し、その半導体チップの端子と最外層の導体回路の内部接続端子を接続する工程。
（１９）工程ｆ〜工程ｈを繰り返し行う（１８）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２０）工程ｇにおける孔を、レーザの照射によってあける（１８）または（１９）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（２１）工程ｈのめっきが、金属層の表面と孔内壁と孔底部に形成する比較的薄いめっきと、その比較的薄いめっきの上に形成しためっきレジストの形成されていない箇所に形成した比較的厚いめっきとからなる（１８）〜（２０）のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２２）最外層の導体回路が、エッチングによって形成される（１８）〜（２１）のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
（２３）工程ｉの後に、半導体チップを樹脂で封止する工程を有する（１８）〜（２２）のうちいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（配線板）
本発明の配線板は、例えば、図１に示すように、コア基板１０１と絶縁樹脂層１４を貫通し導電性ペースト１０が充填されたスルーホール１１とそのスルーホール１１に蓋をするように形成された内層パッド１２と内層配線１３とその内層パッド１２及び内層配線１３と同じ高さに形成された絶縁樹脂層１４を有するベース基板１と、ベース基板１の少なくとも片側に、絶縁層２０とその絶縁層２０の上に形成された配線２１とその配線２１と少なくとも内層配線１３とを接続するバイアホール２２を有する薄膜ビルドアップ層２を有する配線板である。
【００１５】
（導電性ペースト）
本発明の導電性ペースト１０には、導電粒子と樹脂及び揮発分を主成分とするもので、揮発量が３重量％以上のものが使用できる。この揮発量は、粘度を１０〜１００Ｐａ・ｓの範囲にすることが好ましい。揮発量が３重量％未満であると、粘度が高くなり充填されない箇所が気泡として残るおそれがある。粘度が１０Ｐａ・ｓ未満では、導電性ペーストが流れすぎて印刷しづらい。さらに粘度を１００Ｐａ・ｓ以下にするには、揮発量が５重量％以上であることがより好ましい。また、揮発量は３０重量％以下が好ましい。揮発量が３０重量％を越えても効果には変化がないが、揮発させる時間が長くなるので経済的でない。
【００１６】
導電性ペーストは、導電粒子とバインダーからなるものであるが、導電粒子には、銀や銅あるいは表面を銀で被覆した銅等を用いることができる。バインダーには、樹脂と溶剤からなり、樹脂には、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることが好ましく、このような熱硬化性樹脂では、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレ樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂などを用いることができ、中でもフェノール樹脂、特に、レゾール型フェノール樹脂、溶剤には、ブチルカルビトール、乳酸エチル、エチルカルビトール、ブチルセロソルブアセテート等の有機溶剤を用いることができる。
【００１７】
レゾール型フェノール樹脂としては、例えば、ジメチロールフェノール、トリメチロールフェノールがあり、これらにメチロ−ルフェノールが含まれていてもよい。
【００１８】
熱可塑性樹脂には、ポリエチレン、ポリプロピレンや、４−メチルペンテン−１樹脂、ポリブテン−１樹脂、及び高圧法エチレンコポリマーなどのポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸系プラスチック、ジエン系プラスチック、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアセタール、フッ素系樹脂、ポリウレタン系プラスチック、及び、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、低結晶性１，２−ポリブタジエン、塩素化ポリマー系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー、あるいはイオン架橋熱可塑性エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、などを用いることができる。
【００１９】
樹脂の量は、導電ペースト中５重量％〜２５重量％であることが好ましく、５重量％未満であると、粘度が著しく上昇し、導電性ペーストの流動性が少なくなり、穴内を十分に埋めることができなくなるおそれがあり、また導電粒子の表面が充分に濡れず導電粒子が分散しにくい、また、２５重量％を越えると、導電粒子の分布が少なくなり、導電性ペーストとしての導電性が低下するおそれがある。より好ましくは、１０重量％〜１５重量％の範囲である。
【００２０】
溶剤の量は、１重量％〜３０重量％の範囲が好ましく、１重量％未満であると、粘度が上昇し、導電性ペーストの流動性が少なくなり、穴内を十分に埋めることができなくなるおそれがあり、３０重量％を越えると、導電性ペーストの揮発量を３重量％未満にまで低下させる工程の中で、溶剤を揮発させるために長時間を要したり、あるいは揮発させるのが困難になるおそれがある。より好ましくは、５重量％〜１５重量％の範囲である。
【００２１】
また、さらに、必要な場合には、エポキシ樹脂を少量混合することにより、導電ペーストのガラス転移点（Ｔｇ）を高め、耐熱性を高めることができるという効果が得られる。このエポキシ樹脂には、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。このような樹脂の硬化剤としては、従来使用しているものが使用でき、樹脂がエポキシ樹脂の場合、例えば、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ならびにこれらのフェノール樹脂のハロゲン化物等を使用できる。なかでも、ビスフェノールＡノボラック樹脂は、耐熱性に優れ好ましい。
【００２２】
また、多層プリント配線板の、剛性、耐熱性及び耐湿性を高めるために、樹脂との濡れ性や結合性に優れたカップリング剤を用いることが好ましく、このようなカップリング剤として、シリコン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング剤、アミノ酸系カップリング剤等から選択して使用することができる。
【００２３】
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層１４としては、やはり、熱硬化性樹脂が好ましく、このような熱硬化性樹脂では、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタクリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂などを用いることができ、中でもフェノール樹脂、特に、レゾール型フェノール樹脂、溶剤には、ブチルカルビトール、乳酸エチル、エチルカルビトール、ブチルセロソルブアセテート等の有機溶剤を用いることができる。
【００２４】
（エポキシ樹脂）
中でも、エポキシ樹脂、あるいは、ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂を用いることが好ましく、このようなエポキシ樹脂としては、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のジグリシジルエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００２５】
本発明において、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用したときに、本発明の処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。
【００２６】
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などがある。
【００２７】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール,多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００２８】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。
【００２９】
これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００３０】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
【００３１】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００３２】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００３３】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００３４】
また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
【００３５】
（ポリアミドイミド樹脂）
また、ポリアミドイミド樹脂には、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂を用いるのが好ましく、このシリコーン変性ポリアミドイミドは、シロキサン結合、イミド結合及びアミドイミド結合を有する重合体であり、その製造方法は、以下の３つの方法がある。
（１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を含むジイミドジカルボン酸（１−１）とジイソシアネート化合物（１−２）を反応させる方法、（２）シロキサン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物（２−２）とトリカルボン酸クロライド（２−３）を反応させる方法、（３）シロキサン結合を有するジイソシアネートを含むジイソシアネート化合物（３−１）とトリカルボン酸無水物（３−２）を反応させる方法等により製造することができる。上記（１）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて詳述すると、（１−１）シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸を含むジイミドジカルボン酸として、例えば、次の化合物がある。シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸以外のジイミドジカルボン酸のうちイミド基を連結する２価の残基が芳香族ジイミドジカルボン酸の例として、
【００３６】
【化１】
0004905749.tif 000002
また、シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸の例として、１式においてＲ１が２価の脂肪族基（酸素を含んでいてもよい）のものがある。２価の脂肪族基としては、プロピレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、オクタデカメチレン基等のアルキレン基、アルキレン基の両端に酸素が結合した基などがある。
【００３７】
【化２】
0004905749.tif 000003
上記の２価の有機基としては、プロピレン基等のアルキレン基、フェニレン基、アルキル基置換フェニレン基等がある。
また、（１−２）ジイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネート化合物として、
【００３８】
【化３】
0004905749.tif 000004
また、Ｒ９としては、アルキレン基等の２価の脂肪族基又はシクロアルキレン基等の２価の脂環式基がある脂肪族ジイソシアネート化合物又は脂環式ジイソシアネート化合物がある。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は、それぞれ、シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以外のジアミンと無水トリメリット酸を反応させて得ることができる。
シロキサン結合を有するジイミドジカルボン酸及びそれ以外のジイミドジカルボン酸は混合物として使用することが好ましい。
シロキサン結合を有するジアミン化合物及びこれ以外のジアミンの混合物と無水トリメリット酸を反応させて得られるジイミドジカルボン酸混合物を使用することが特に好ましい。
シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミンとしては、芳香族ジアミンが好ましく、特に、芳香族環を３個以上有するジアミンが好ましい。シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミンのうち芳香族ジアミンが５０〜１００モル％になるように使用することが好ましい。
【００３９】
また、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンは（Ａ）／（Ｂ）が９９．９／０．１〜０．１／９９．９モル比）となるように使用することが好ましい。さらに、（Ａ）シロキサン結合を有するジアミン化合物以外のジアミン及び（Ｂ）シロキサンジアミンと無水トリメリット酸は、（Ａ）＋（Ｂ）の合計１モルに対して無水トリメリット酸２．０５〜２．２０の割合で反応させることが好ましい。
ジイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネート化合物が好ましく、ジイソシアネート化合物のうち芳香族ジイソシアネート化合物を５０〜１００モル％使用することが好ましい。
ジイミドジカルボン酸全体とジイソシアネート化合物とは前者１モルに対して後者１．０５〜１．５０モルになるように反応させることが好ましい。
【００４０】
ジアミン化合物と無水トリメリット酸とは、非プロトン性極性溶媒の存在下に、５０〜９０℃で反応させ、さらに水と共沸可能な芳香族炭化水素を非プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比で投入し、１２０〜１８０℃で反応を行い、イミドジカルボン酸とシロキサンジイミドジカルボン酸を含む混合物を製造し、これとジイソシアネート化合物との反応を行うことが好ましい。ジイミドジカルボン酸を製造した後、その溶液から芳香族炭化水素を除去することが好ましい。
イミドジカルボン酸とジイソシアネート化合物との反応温度は、低いと反応時間が長くなることや、高すぎるとイソシアネート同士で反応するのでこれらを防止するため、１００〜２００℃で反応させることが好ましい。
【００４１】
芳香族ジアミンとしては、フェニレンジアミン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、ビス（４−アミノフェニル）カルボニル、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）エーテル等があり、特に、芳香族環を３個以上有するジアミンとしては、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（以下、ＢＡＰＰと略す）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン等がある。
脂肪族ジアミンとしては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、オクタデカメチレンジアミン、末端アミノ化プロピレングリコール等がある。また、脂環式ジアミンとしては、１，４−ジアミノシクロヘキサン等がある。
シロキサンジアミンとしては一般式（４式）で表されるものが
用いられる。
【００４２】
【化４】
0004905749.tif 000005
このようなシロキサンジアミンとしては（５式）で示すものが挙げられ、これらの中でもジメチルシロキサン系両末端アミンであるアミノ変性反応性シリコーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、以上信越化学工業株式会社製商品名、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）以上東レダウコーニングシリコーン株式会社製商品名などが市販品として挙げられる。
【００４３】
【化５】
0004905749.tif 000006
芳香族ジイソシアネートとして具体的には、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（以下ＭＤＩと略す）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマー等が例示できる。特にＭＤＩは、分子構造においてイソシアネート基が離れており、ポリアミドイミドの分子中におけるアミド基やイミド基の濃度が相対的に低くなり、溶解性が向上するため好ましい。
脂肪族又は脂環式ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシルジイソシアネート）等がある。
【００４４】
非プロトン性極性溶媒として、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、４−ブチロラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等が例示できる。イミド化反応には、高温を要するため沸点の高い、Ｎ−メチル−２−メチルピロリドン（以下ＮＭＰと略す）が、特に好ましい。これらの混合溶媒中に含まれる水分量はＴＭＡが水和して生成するトリメリット酸により、充分に反応が進行せず、ポリマの分子量低下の原因になるため０．２重量％以下で管理されていることが好ましい。また、非プロトン性極性溶媒は、特に制限されないが、芳香族環を３個以上有するジアミンとシロキサンジアミン及び無水トリメリット酸を合わせた重量の割合が、多いと無水トリメリット酸の溶解性が低下し充分な反応が行えなくなることや、低いと工業的製造法として不利であることから、１０重量％〜７０重量％の範囲になることが好ましい。
水と共沸可能な芳香族炭化水素として、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が例示でき、特に沸点が比較的低く、作業環境上有害性の少ないトルエンが好ましく、使用量は、非プロトン性極性溶媒の０．１〜０．５重量比（１０〜５０重量％）の範囲が好ましい。
【００４５】
つぎに、前記（２）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、シロキサン結合を有するジアミンを含むジアミン化合物（２−２）として、シロキサン結合を有するジアミン、前記した（５式）で示される化合物がある。その他のジアミンとして、前記したものが使用できる。
【００４６】
トリカルボン酸クロライド（２−３）には、トリメリット酸クロライド等があり、良く知られた酸クロライド法により製造することができる。
【００４７】
つぎに、前記（３）の方法により得られるシリコーン変性ポリアミドイミドについて説明すると、（３−１）シロキサン結合を有するジイソシアネートを含むジイソシアネート化合物として、シロキサン結合を有するジイソシアネート化合物、前記（４式）で示されるシロキサンジアミンに対応するジイソシアネート化合物、その他のジイソシアネート化合物として、前記したものを使用することができる。
【００４８】
トリカルボン酸無水物（３−２）には、無水トリメリット酸等があり、従来から良く知られたジアミン化合物とジイソシアネート化合物の反応により製造することができる。
【００４９】
シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂の混合量は、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対してエポキシ樹脂を１〜１５０重量部の範囲であることが好ましく、エポキシ樹脂が１重量部未満であると、耐溶剤性が低下し、また、１５０重量部を越えると、未反応の熱硬化性樹脂によりＴｇが低下し耐熱性が不充分となったり、可撓性が低下する。
【００５０】
（無機充填剤）
これらのエポキシ樹脂、あるいは、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂からなる絶縁層には、無機充填剤を多量に配合することができる。無機充填剤としては、その種類は特に制約はなく、例えば、炭酸カルシウム、アルミナ、酸化チタン、マイカ、炭酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、シリカ、ガラス短繊維、ホウ酸アルミニウムウィスカや炭化ケイ素ウィスカ等の各種ウィスカ、または、これらを数種類併用することもできる。無機充填剤の形状、粒径については特に制限はなく、０．０１〜１０μｍのものが好ましく、０．０１μｍ未満では、凝集しやすいため均一に分散しにくくなり、１０μｍを越えると、充填量の低下や薄膜を均一に形成しにくくなる。これら無機充填剤の配合量は、樹脂１００重量部に対して１００〜２０００重量部の範囲が好ましく、１００重量部未満では、熱膨張係数が大きくなる傾向があり、、２０００重量部を越えると、フィルム化が困難になる。さらには、３００〜１５００重量部の範囲であることがより好ましい。
【００５１】
（絶縁層）
また、導電性ペースト１０が充填されたスルーホール１１とそのスルーホール１１に蓋をするように形成された内層パッド１２と内層配線１３とその内層パッド１２及び内層配線１３と同じ高さに形成された絶縁樹脂層１４を有するベース基板１の少なくとも片側に形成する薄膜ビルドアップ層２の、絶縁層２０にも、上記と同様の樹脂の他、シリコーン重合体を用いることがより好ましい。
また、この絶縁層２０は、硬化した絶縁層２０１と接着性の絶縁層２０２とからなるものでもよく、特に硬化した絶縁層２０１に金属をスパッタリングした基材を用いると、外層の金属層７と絶縁層２０を同時に形成することができるので製造の効率を向上させることができ好ましい。
【００５２】
（シリコーン重合体）
このようなシリコーン重合体としては、
一般式（Ｉ）
【００５３】
【化６】
Ｒ′m（Ｈ）kＳｉＸ4-(m+k)        （Ｉ）
（式中Ｘは、加水分解してＯＨ基を生成する基であり、例えば、塩素、臭素等のハロゲン又は−ＯＲを示し、ここで、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキルカルボニル基を示し、Ｒ′は、非反応性の基であり、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ｋは１又は２、ｍは０又は１、ｍ＋ｋは１又は２を意味する）で表されるシラン化合物及びヒドロシリル化反応剤を反応させてえることができる。シラン化合物は加水分解、重縮合し、ヒドロシリル化反応剤はＳｉ−Ｈ基との間でヒドロシリル化反応し、シリコーン重合体に官能基を導入する役目をする。
Ｓｉ−Ｈ基含有シラン化合物に一般式（II）
【００５４】
【化７】
Ｒ′nＳｉＸ4-n                （II）
（式中Ｒ′及びＸは一般式（Ｉ）に同じであり、ｎは０〜２の整数を意味する。
）で表されるアルコキシシラン化合物を併用することができる。
前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物は、具体的には
【００５５】
【化８】
ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、
Ｈ3ＣＨ7Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、
ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
ＨＣＨ3Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ2Ｈ5Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
ＨＣ3Ｈ7Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、ＨＣ4Ｈ9Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
等のアルキルジアルコキシシラン
【００５６】
【化９】
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
等のジアルコキシシラン
【００５７】
【化１０】
ＨＰｈＳｉ（ＯＣＨ3）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、ＨＰｈＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
ＨＰｈＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
（ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）
等のフェニルジアルコキシシラン
【００５８】
【化１１】
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
Ｈ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
等のジアルコキシシランなどの２官能性シラン化合物（以下、シラン化合物における官能性とは、縮合反応性の官能基を有することを意味する。）
【００５９】
【化１２】
ＨＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＨＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、ＨＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、
ＨＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、
等のトリアルコキシシランなどの３官能性シラン化合物などがある。
一般式（II）で表されるシラン化合物は、具体的には、
【００６０】
【化１３】
Ｓｉ（ＯＣＨ3）4、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、
Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）4、Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）4
等のテトラアルコキシシラン
などの４官能性シラン化合物、
【００６１】
【化１４】
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣＨ3）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、
Ｈ3ＣＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、Ｈ5Ｃ2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、
Ｈ7Ｃ3Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、Ｈ9Ｃ4Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3、
等のモノアルキルトリアルコキシシラン、
【００６２】
【化１５】
ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3）3、ＰｈＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3、
ＰｈＳｉ（ＯＣ3Ｈ7）3、ＰｈＳｉ（ＯＣ4Ｈ9）3
（ただし、Ｐｈはフェニル基を示す。以下同様）
等のフェニルトリアルコキシシラン、
【００６３】
【化１６】
（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣＨ3、（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ2Ｈ5、
（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ3Ｈ7、（Ｈ3ＣＣＯＯ）3ＳｉＣ4Ｈ9
等のモノアルキルトリアシルオキシシラン
【００６４】
【化１７】
Ｃｌ3ＳｉＣＨ3、Ｃｌ3ＳｉＣ2Ｈ5、
Ｃｌ3ＳｉＣ3Ｈ7、Ｃｌ3ＳｉＣ4Ｈ9
Ｂｒ3ＳｉＣＨ3、Ｂｒ3ＳｉＣ2Ｈ5、
Ｂｒ3ＳｉＣ3Ｈ7、Ｂｒ3ＳｉＣ4Ｈ9
等のモノアルキルトリハロゲノシランなどの３官能性シラン化合物、
【００６５】
【化１８】
（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ３）2、
（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、
（Ｈ３Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2、
（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）2、
（Ｈ3Ｃ）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、（Ｈ5Ｃ2）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、
（Ｈ7Ｃ3）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2、（Ｈ9Ｃ4）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）2
等のジアルキルジアルコキシシラン、
【００６６】
【化１９】
Ｐｈ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｐｈ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2
等のジフェニルジアルコキシシラン、
【００６７】
【化２０】
（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（ＣＨ3）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、
（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ3Ｈ7）2、（Ｈ3ＣＣＯＯ）2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2
等のジアルキルジアシルオキシシラン、
【００６８】
【化２１】
Ｃｌ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、
Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ3Ｈ7）3、Ｃｌ2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2、
Ｂｒ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）2、
Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ3Ｈ7）2、Ｂｒ2Ｓｉ（Ｃ4Ｈ9）2
等のアルキルジハロゲノシランなどの２官能性シラン化合物がある。
【００６９】
本発明に用いられる前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物は必須成分として使用される。また、前記一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（II）で表されるシラン化合物のうち、３官能性シラン化合物又は４官能性アルコキシシラン化合物が必須成分として用いられ、２官能性アルコキシシラン化合物は任意成分とされる。特に、４官能性シラン化合物としてはテトラアルコキシシランが好ましく、３官能性シラン化合物としてはモノアルキルトリアルコキシシラン、トリアルコキシシランが好ましく、２官能性シラン化合物としてはジアルキルジアルコキシシラン又はアルキルジアルコキシシランが好ましい。
【００７０】
本発明のシリコーン重合体の製造方法はシラン化合物の総量に対して、Ｓｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合物３５モル％以上配合するものであり、シラン化合物の総量に対して、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合物３５〜１００モル％（より好ましくは３５〜８５モル％）及び一般式（II）で表されるアルコキシシラン化合物０〜６５モル％（１５〜６５モル％）の割合で使用されることが好ましい。
【００７１】
また、ジアルコキシシラン０〜６５モル％、トリアルコキシシラン０〜６５モル％、テトラアルコキシシラン０〜６５モル％の割合で使用されることが好ましい。
【００７２】
また、シラン化合物として、４官能性シラン化合物又は３官能性シラン化合物は、好ましくは１５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モル％、及び２官能性シラン化合物は、好ましくは０〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％の割合で使用される。
【００７３】
特に好ましくは、４官能性シラン化合物１５〜１００モル％、より好ましくは２０〜１００モル％、３官能性シラン化合物０〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％及び２官能性シラン化合物０〜８５モル％、より好ましくは０〜８０モル％の割合で使用される。
【００７４】
２官能性シラン化合物が８５モル％を越えると、シリコン重合体の鎖が長くなり、メチル基等の疎水性基の配向等により無機材料表面に横向きとなる可能性が高く、リジットな層を形成しやすいため、低応力化が難しくなる。
【００７５】
本発明におけるシリコーン重合体は、前記した一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（II）で表されるシラン化合物を加水分解・重縮合、ヒドロシリル化反応して製造されるが、このとき、加水分解・重縮合触媒としては、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸等の無機酸、シュウ酸、マレイン酸、スルホン酸、ギ酸等の有機酸を使用することが好ましく、アンモニア、トリメチルアンモニウムなどの塩基性触媒を用いることもできる。これら加水分解・重縮合触媒は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（II）で表されるシラン化合物の量に応じて適当量用いられるが、好適には一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有シラン化合物と一般式（II）で表されるシラン化合物１モルに対し０．００１〜１０モルの範囲で用いられる。ヒドロシリル化触媒としては、白金、パラジウム、ロジウム系の遷移金属化合物を用いることができ、特に塩化白金酸等の白金化合物を使用することが好ましく、過酸化亜鉛、過酸化カルシウム、過酸化水素、過酸化ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ストロンチウム、過酸化ナトリウム、過酸化鉛、過酸化バリウム等の過酸化物、また、３級アミン、ホスフィンを用いることもできる。これらヒドロシリル化触媒は、一般式（Ｉ）で表されるＳｉ−Ｈ基含有アルコキシシラン化合物のＳｉ−Ｈ基１モルに対し、好ましくは０．００００００１〜０．０００１モルの範囲を用いるのが好ましく、その架橋剤又は硬化剤として、多官能フェノール化合物を配合することができる。多官能フェノール化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、レゾルシン、カテコール等の多価フェノールがあり、これらの多価フェノール、フェノール、クレゾール等の一価のフェノール化合物とホルムアルデヒドを反応させて得られるノボラック樹脂等がある。多官能フェノール化合物は、臭素等のバロゲンで置換されていてもよい。多官能フェノール化合物の使用量は、シリコーン重合体の反応性官能基１当量に対して、０．８〜１当量使用することが好ましい。０．８当量未満では、硬化不十分となり接着性や耐熱性の低下を招き、１当量を越えると、未反応の硬化剤ができてしまい吸湿性や耐熱性が低下する。
【００７６】
この絶縁層の線膨張係数は、８〜２０×１０−６（１／Ｋ）であることが好ましく、８×１０−６（１／Ｋ）未満であると、ベース基板との線膨張係数の差が大きくなりベース基板と絶縁層間の接続信頼性が低下する傾向があり、２０×１０−６（１／Ｋ）を越えると、半導体チップと絶縁層の間の線膨張係数の差が大きくなり接続信頼性が低下する傾向にある。そして、絶縁層の線膨張係数を制御するには、絶縁層の樹脂が、エポキシ樹脂、あるいは、シリコーン変性ポリアミドイミド樹脂とエポキシ樹脂であるときには、３官能性シロキサン単位（RSiO3/2）（式中、Ｒは有機基であり、シリコーンオリゴマー中のＲ基は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）及び４官能性シロキサン単位（SiO4/2）から選ばれる少なくとも１種類のシロキサン単位を含有し、重合度が２〜70であり、末端に水酸基と反応する官能基を１個以上有するシリコーンオリゴマーを溶剤に溶解した処理液中で無機充填剤を表面処理を行い、それらの充填剤を混合するときには、その表面処理した無機充填剤が入った処理液に樹脂材料を直接配合し攪拌を行い、シリコーン重合体のときには、撹拌装置、コンデンサ及び温度計を備えたガラスフラスコに、テトラメトキシシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、合成溶剤としてメタノール配合した溶液に、合成触媒としてマレイン酸、蒸留水を配合して８０℃で２時間攪拌した後、アリルグリシジルエーテルと塩化白金酸塩（２重量％イソプロピルアルコール溶液）を添加し、更に４時間撹拌してエポキシ変性のシリコーン重合体の合成を行い、それに充填剤を混合するときには、合成したシリコーン重合体の固形分１００重量部に対してシリカ粉末（製品名：ＳＯ−２５Ｒ，平均粒径：０．５μｍ，株式会社アドマテックス製）４５０重量部と希釈溶剤としてメタノールを２０２重量部配合し、８０℃で１時間攪拌した後、室温まで冷却し、シリコーン重合体の固形分１００重量部に対してテトラブロモビスフェノールＡを７８重量部と２−エチル−４−メチルイミダゾール３重量部を配合し、室温で１時間撹拌を行うことによって調節することができる。
【００７７】
（配線板の製造方法）
このような配線板は、次のようにして製造することができる。
【００７８】
（工程ａ）
工程ａは、図２（ａ）に示すように、コア基板１０１に、Ｂステージ状の絶縁樹脂層１４を形成する工程であり、用いるコア基板１０１には、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。
また、Ｂステージの絶縁樹脂層１４は、上述の組成の絶縁樹脂を用い、メチルエチルケトンやＮ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトンなどの溶剤に溶解して樹脂ワニスとし、直接、内層基板の上に塗布して、加熱・半硬化させて、フィルムの状態にしたものを用いる。また、この絶縁樹脂層１４は、図２（ａ）にも示すように、上記の樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレートフィルムのような支持フィルム１４１に塗布し、加熱・半硬化してフィルムの状態にした樹脂シートとし、内層基板に重ねてラミネートして用いることもできる。
【００７９】
（工程ｂ）
工程ｂは、図２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層１４を形成したコア基板１０１に、スルーホール１１をあける工程であり、支持フィルム１４１と絶縁樹脂層１４をラミネートしたコア基板１０１を貫通するスルーホール１１をあけるには、一般的なドリルによる機械加工やＣＯ2およびＹＡＧレーザにより穴あけすることができる。
【００８０】
（工程ｃ）
工程ｃは、図２（ｃ）に示すように、そのスルーホール１１に導電性ペースト１０を印刷し、乾燥する工程であり、スルーホール１１に導電性ペースト１０を印刷するには、前述の導電性ペーストを、一般的なスクリーン印刷の方法で印刷し、８０〜１３０℃で、５〜３０分間乾燥する。
【００８１】
（工程ｄ）
工程ｄは、図２（ｄ）に示すように、そのスルーホール１１に導電性ペースト１０が充填されたコア基板１０１の上に、内層パッド１２及び内層配線１３となる導体回路５１／Ｎｉ−Ｐ合金層５２／キャリア銅層５３からなる複合金属箔５を、そのスルーホール１１と導体回路５１の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する工程であり、内層パッド１２及び内層配線１３となる導体回路５１／Ｎｉ−Ｐ合金層５２／キャリア銅層５３からなる複合金属箔５は、外層銅箔に樹脂との接着に適した粗さを有すると共に導体回路５１となる１〜９μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜７０μｍのキャリア銅層５３と、その２層の中間に設けられた厚さが０．０４〜１．５μｍのＮｉ−Ｐ合金層５２を用い、第１の銅層の表面にエッチングレジストを形成し、キャリア銅層５３には全面をエッチングレジストで覆い、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イオンを含む化学エッチング液（以下、アルカリエッチャントという。）を用いて、不要な第１の銅層の部分をエッチング除去して、導体回路５１を形成し、エッチングレジストを溶解・剥離して形成する。エッチング除去には、化学エッチング液をスプレー噴霧して行うのが好ましい。
【００８２】
そして、工程ｃで作製したスルーホール１１に導電性ペースト１０が充填されたコア基板１０１から支持フィルム１４１を剥離した後その上に、導体回路５１／Ｎｉ−Ｐ合金層５２／キャリア銅層５３からなる複合金属箔５を、そのスルーホール１１と導体回路５１の位置合わせをして重ね、加熱・加圧して積層一体化する。このときの条件は、１７０〜２００℃で、２〜４ＭＰａ、３０〜９０分の範囲で行うことが好ましく、これ以外の条件では、接着性が低下する傾向にあるので好ましくない。
【００８３】
（工程ｅ）
工程ｅは、図２（ｅ）に示すように、その複合金属箔５のキャリア銅箔５３と中間のＮｉ−Ｐ層５２を、それぞれにエッチングに除去する工程であり、複合金属箔５のキャリア銅箔５３と中間のＮｉ−Ｐ層５２を、それぞれにエッチングに除去するには、キャリア銅箔５３のエッチング除去に、上記のアルカリエッチャントを用い、Ｎｉ−Ｐ層５２のエッチング除去には、硝酸と過酸化水素を主成分とする液に、添加剤としてカルボキシル基を有する有機酸、環構成員として、−ＮＨ−、−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環式化合物を配合した水溶液を用いることができ、硝酸と過酸化水素の割合は、硝酸（濃度６５％）１００重量部に対して、過酸化水素（濃度３０％）５〜２０重量部の範囲が好ましく、５重量部未満では、エッチング速度が遅くなり時間がかかるため経済的でなく、２０重量部を越えると、エッチング速度が大きいため選択性が低下する。より好ましくは、硝酸（濃度６５％）１００重量部に対して、過酸化水素（濃度３０％）１０〜１５重量部の範囲である。添加剤としてのカルボキシル基を有する有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、コハク酸、グルタル酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸及びこれらの誘導体があり、その添加量は、硝酸（濃度６５％）１００重量部に対して、添加剤１０〜２００重量部の範囲が好ましく、１０重量部未満では、銅の腐食抑制効果が小さく、２００重量部を越えると、銅の腐食抑制効果が変化せず添加量に見合った効果が得られなくなり経済的でない。より好ましくは、硝酸（濃度６５％）１００重量部に対して、添加剤５０〜１００重量部の範囲である。
【００８４】
環構成員として、−ＮＨ−、−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環式化合物は、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール又はその誘導体等を用いることができ、硝酸（濃度６５％）１００重量部に対して、添加剤１〜１０重量部の範囲が好ましく、１重量部未満では銅の腐食抑制効果が小さく、１０重量部を超えると、添加量に見合った銅の腐食抑制の効果が得られなくなり経済的でない。
エッチング除去の方法には、いずれも、スプレー噴霧を用いるのが好ましい。
【００８５】
（工程ｆ）
工程ｆは、図２（ｆ）に示すように、その導体回路５１の上に絶縁層２０と金属層７を形成する工程であり、導体回路５１の上に絶縁層２０と金属層７を形成するには、上述の樹脂を、メチルエチルケトンやＮ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトンなどの溶剤に溶解して樹脂ワニスとし、直接、内層基板の上に塗布して、加熱・半硬化させて、フィルムの状態にしたものを用いる。また、この絶縁層２０は、上記の樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレートフィルムのような支持フィルムに塗布し、加熱・半硬化してフィルムの状態にした樹脂シートとし、内層基板に重ねてラミネートして用いることもできる。
【００８６】
このようにして形成した絶縁層２０の上に、銅箔などの金属箔をラミネート、あるいは重ねて加熱・加圧して積層一体化する方法や、絶縁層２０の上に、スパッタリングで金属層を形成する方法、あるいは、先に、銅箔などの金属箔に上記の樹脂ワニスを、塗布し、加熱・半硬化してフィルムの状態にした接着剤付き金属箔を、重ねて加熱・加圧して積層一体化する方法や、上記の樹脂ワニスを、ポリエチレンテレフタレートフィルムのような支持フィルムに塗布し、加熱・半硬化してフィルムの状態にした樹脂シートとし、その上にスパッタリングで金属層を形成したものを、重ねて加熱・加圧して積層一体化する方法がある。また、上記の樹脂ワニスを樹脂シートとし、硬化したものにスパッタリングを行って金属層７を形成し、その硬化した絶縁層に接着性絶縁層を形成して、ベース基板１に積層することもできる。このときのスパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタリングを用い、シード層として銅、ニッケル、クロム及びこれらの合金の中から選ばれる金属を５０〜５００オングストロームの膜厚に形成し、その後０．１〜１．０μｍの銅をＤＣマグネトロンスパッタリングで形成する条件で行うことが好ましい。
【００８７】
（工程ｇ）
工程ｇは、図２（ｇ）に示すように、金属層７の上から、導体回路５１に達する孔６をあける工程であり、金属層７の上から、導体回路５１に達する孔をあけるには、一般的なＮＣドリルマシン及びレーザ穴あけ装置を使用することができる。レーザ穴あけ機で用いられるレーザの種類はＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができるが、ＣＯ2レーザが生産性及び穴品質の点で好ましい。レーザを用いて孔あけを行うには、予め金属層７のバイアホールとなる箇所の金属をエッチング除去しておく方法と、直接金属層７の上からレーザを照射する方法がある。穴あけ条件は、金属層７の厚さと接着剤の種類及び接着剤の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましい。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
【００８８】
このようにしてバイアホールを形成した後に、バイアホール内の接着剤のかすを除去するためにデスミア処理を行う。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
接着剤を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必用があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００８９】
（工程ｈ）
工程ｈは、図２（ｈ）に示すように、金属層７と導体回路５１とを電気的に接続するめっき８を行い、最外層の導体回路８１を形成する工程であり、金属層７と導体回路５１とを電気的に接続するめっき８を行い、最外層の導体回路８１を形成するには、２つのステップからなり、まずはじめに、回路導体を形成するための下地となる銅箔層を無電解めっきにより形成するための触媒を付与する。このめっき触媒は、通常の配線板のスルーホールめっきと同様の技術を用いる。すなわち、錫コロイド系パラジウム触媒やアルカリイオン触媒等のめっきの核になる物質を使用することができる。次に、前記樹脂層に触媒を付着させた基板を、イオン化しためっき金属と、めっき金属の錯化剤と、そのめっき金属の還元剤とを有する無電解銅めっき液に接触させ、基板全体にめっき金属を析出させる。めっきの厚さは、０．３〜１．０μｍが良く、０．３μｍ未満では均一なめっき膜にならない場合があり、続いて行う電気めっきが膜厚のばらつきの原因となる。また、１．０μｍを超える場合、無電解めっき皮膜に膨れが発生するため良好な回路が形成できなくなる。このようにして形成しためっきの不要な箇所をエッチング除去すれば、配線板が完成する。
【００９０】
さらに導体の厚さが必要な場合に、めっきレジストを形成し、電気めっきで必要な厚さまで形成する。このときのめっきレジストは、フィルム状でも液状でもどちらでも良くまた、ネガ型またはポジ型のものを用いることができる。特に２０μｍ未満のレジストパターンを形成する場合、液状のポジ型を使用することが配線形成性及びレジストの密着力の観点からは好ましい。電気めっきは、一般的な電気銅めっき技術を用いて、基板全体に３〜１０μｍめっきを行う。使用する電気めっき液は、管理が簡単で効率の良い硫酸銅めっきが最適である。この電解めっきの厚さが３μｍ未満では、層間接続部の熱サイクル特性が低下することが問題であり、厚さが１０μｍを超えると、特性インピーダンスの整合が取れなくなり、電気信号ノイズが大きくなるため好ましくない。
【００９１】
次にめっきレジストを剥離する。めっきレジストの剥離液は、一般的な水酸化ナトリウム水溶液やアミン系の剥離液を使用でき、剥離性が優れるアミン系が好ましい。また、液状レジストにおいては、有機溶剤を用いて溶解除去することが可能であるため剥離残りが発生せず好ましい。
その後に、下地銅をエッチング除去する。薄付け銅めっきをエッチングする液は、銅をエッチングできれば何れのものでも適用できるが、硫酸／過酸化水素系エッチング液のようなエッチング速度の遅い液が好適である。
さらに、この後に配線２１を絶縁被覆するソルダーレジストを設けることができるのは、通常の配線板と同様である。
【００９２】
（多層化）
必要な配線が得られない場合、さらに、工程ｆ〜工程ｈを繰り返して、多層化することもできる。
【００９３】
（半導体搭載用基板）
このようにして作製した配線板の最外層の導体回路８１あるいは内層パッド１２及び内層配線１３をソルダーレジスト７１により絶縁被覆して、図３に示すように、少なくとも他の配線板と接続される外部接続パッド８２と半導体チップの端子と接続される内部接続パッド８３を形成すれば、半導体搭載用基板となる。
この外部接続パッド８２には、図５に示すように、はんだボールを形成して外部接続端子とすることができる。
【００９４】
（半導体パッケージ）
さらに半導体チップを搭載して、その半導体チップ９とその内部接続パッド８３とをボンディングワイヤ８４で電気的に接続すれば、図４に示すような半導体パッケージとすることができる。また、その半導体チップ９とその内部接続パッド８３とをバンプ８５を用いてフリップチップ接続することによって電気的に接続すれば、図５に示すような半導体パッケージとすることができる。さらに、これらの半導体パッケージには、それぞれ図示するように、半導体チップ９を封止樹脂７で封止することが好ましい。
【００９５】
【実施例】
実施例１
工程ａ：
コア基板１として、銅箔をエッチング除去した厚さ０．６ｍｍの銅貼り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その両側に、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに、下記の方法で作成した支持フィルム付き絶縁シートを重ね、１４０℃、０．３ＭＰａ、３０分の条件で加熱加圧して仮接着した。
（支持フィルム付き絶縁シートの作成）
樹脂として、撹拌装置、コンデンサ及び温度計を備えたガラスフラスコに、テトラメトキシシラン（東京化成工業株式会社製）を２０ｇ、ジメトキシジメチルシラン（東京化成工業株式会社製）を６０ｇ、ジメトキシメチルシラン（東京化成工業株式会社製）を６７ｇ、合成溶剤としてメタノール（東京化成工業株式会社製）を３７ｇ配合した溶液に、合成触媒としてマレイン酸を１.５ｇ、蒸留水を５０ｇ配合して８０℃で２時間攪拌した後、アリルグリシジルエーテル（東京化成工業株式会社製）を７２ｇと塩化白金酸塩（２重量％イソプロピルアルコール溶液）を０.２ｇ添加し、更に４時間撹拌してエポキシ変性のシリコーン重合体、を合成した。シリコーン重合体の固形分１００重量部に対してテトラブロモビスフェノールＡを７８重量部と２−エチル−４−メチルイミダゾール３重量部の組成を用い、無機充填剤として、平均粒径０．５μｍの球状シリカ粉末を、シリコーン重合体の固形分１００重量部に対して４５０重量部混合し、室温で１時間撹拌して分散・混合させ、溶剤にメタノールを２０２重量部用いて、樹脂ワニスとし、支持フィルムである厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに２０μｍの厚さとなるように塗布し、１３０℃で３分間加熱・乾燥して作成した。
【００９６】
工程ｂ：
その後、必要な個所にＮＣドリルで直径０．２ｍｍのスルーホール１１を形成した。
工程ｃ：
その後、導電牲ペーストＮＦ２０００（タツタ電線株式会社製、商品名）を用いてスクリーン印刷法で、スルーホール１１に、導電性ペースト１０を充填し、１１０℃で１５分問加熱・乾燥し、支持フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。
工程ｄ：
次に、厚さ１８μｍの銅層／厚さ０．２μｍのＮｉ−Ｐ合金層／厚さ５μｍの銅層からなる複合金属箔の厚さ５μｍの銅層の面にエッチングレジストを形成し、以下の組成のアルカリエッチャントを液温５０℃でスプレー噴霧して配線を形成した。
（アルカリエッチャント）
・ＣｕＣｌ2  ・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７５ｇ／ｌ
・ＮＨ4ＯＨ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５４ｇ／ｌ
・ＮＨ4Ｃｌ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３６ｇ／ｌ
そして、形成した導体回路５１／Ｎｉ−Ｐ合金層５２／キャリア銅層５３からなる複合金属箔５を、導体回路が接するように、ベース基板１の導電性ペースト１０を充填したスルーホール１１に位置合わせをして、積層した。そのときの積層条件は、２００℃、６０分、圧力２．０ＭＰａで行った。
工程ｅ：
ベース基板１に内層パッド１２と内層配線１３を形成するために、キャリア銅層５３を上記と同じアルカリエッチャントでエッチング除去し、続いて中間層のＮｉ−Ｐ合金層５２を以下の組成のＮｉ−Ｐエッチャントを用いて、エッチング除去した。
（Ｎｉ−Ｐエッチャント）
・硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ
・過酸化水素水（３５％）・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ
・カルボキシル基を含む有機酸（ＤＬ−リンゴ酸）・１００ｇ／ｌ
・ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ
【００９７】
工程ｆ：
１層目のビルドアップ層を形成するため、銅スパッタ膜厚０．２５μｍ、ポリイミドフィルム厚１２．５μｍの銅スパッタポリイミドフィルムエッチャーフレックス（三井化学株式会社製、商品名）と厚さ１０μｍのシリコーン変性ポリアミドイミドフィルムを、金属層７がそのスパッタリング銅層とし、絶縁層２０が銅をスパッタリングしたポリイミドフィルムと半硬化状のシリコーン変性ポリアミドイミドフィルムで構成し、ベース基板１に重ね合わせ、２００℃、１時間、０．２ＭＰａの条件で加熱加圧して積層一体化した。
工程ｇ：
次に、バイアホールを形成するために、レーザ加工機ＭＬ６０５ＬＤＸ（三菱電機株式会社製、商品名）を用い、周波数５ｋＨｚ、５０ショット、マスク径０．４ｍｍ、パルスエネルギー１１μＪ／ｃｍ2の条件で直径５０μｍのＩＶＨを形成した。
【００９８】
工程ｈ：
次に、過マンガン酸粗化液に７０℃、１０分間の条件で浸漬し、スミアを除去した後、最外層の配線を形成するために、まず、無電解銅めっき用触媒ＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に室温で１５分間浸漬し、めっき触媒を付与した。めっき触媒が付与された基板を無電解銅めっきＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）に室温で１５分間浸漬し、厚さ０．３μｍの下地銅めっきを形成した。次に、めっきレジストＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業株式会社製、商品名）をスピンコート法で膜厚２０μｍのレジスト層を形成した。１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で露光し、ＰＭＥＲ現像液Ｐ−７Ｇを用いて２３℃で６分間浸漬揺動し、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍのレジストパターンを形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いてパターン銅めっきを約７μｍ行った。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温で１分間浸漬し除去した。銅スパッタ膜のクイックエッチングには、ＣＰＥ−７００（三菱瓦斯化学製、商品名）の５倍希釈液を用いて、３０℃で３０秒間浸漬揺動することによりエッチング除去し配線を形成した。
多層化工程：
この後、工程ｆ−工程ｈを２回繰り返し、２層のビルドアップ層を形成し、４０ｍｍ×４０ｍｍの大きさのＢＧＡを作製した。
【００９９】
比較例１
ベース基板１の表面に用いる絶縁樹脂層に無機充填剤を用いなかった以外は、実施例１と同様にしてＢＧＡ基板を作製した。
【０１００】
比較例２
ビルドアップ層に用いたシリコーン変性ポリアミドイミド樹脂による樹脂シートに代えて、一般的な熱硬化性エポキシ樹脂である以下の組成の樹脂シートを用いた以外は、実施例と同様にしてＢＧＡ基板を作製した。
（組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量：２００）・・・１００重量部
・ビスフェノールＡノボラック樹脂（水酸基当量：１０６）・・・・６０重量部
・２ーエチルー４ーメチルイミダゾール（硬化剤）・・・・・・・０．５重量部
・メチルエチルケトン（希釈剤）・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
【０１０１】
比較例３
スルーホールをめっきで接続し、そのスルーホールに内層パッドを形成しない構造とした以外は、実施例と同様にしてＢＧＡ基板を作製した。
以上のように作製した基板に、以下の試験を行った。結果を表１に示す。
【０１０２】
（試験）
気相熱衝撃試験：ＢＧＡ基板をマザーボードに実装し、熱衝撃試験器サーマショックチャンバーＴＳＲ−１０３（ＴＡＢＡＩ社製、商品名）を用い、−６５℃、３０分⇔１２５℃、３０分の条件を１サイクルとし、接続抵抗の変化を測定した。接続抵抗の測定には、ヒューレットパッカード社製マルチメータ３４５７Ａを用いて測定した。
【０１０３】
【表１】
0004905749.tif 000007
0004905749.tif 000008
【０１０４】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、接続信頼性に優れ、配線の微細化、また、ＩＶＨ、ＢＶＨの高密度化に優れ、生産性に優れた半導体実装用基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線板の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線板の一実施例の各工程を説明するための断面図である。
【図３】本発明の半導体搭載用基板の一実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージの一実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージの他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
１．ベース基板                      ２．薄膜ビルドアップ層
５．複合金属箔                      ６．孔
７．金属層                          ８．めっき
９．半導体チップ                    １０．導電性ペースト
１１．スルーホール                  １２．内層パッド
１３．内層配線                      １４．絶縁樹脂層
２０．絶縁層                        ２１．配線
２２．バイアホール                  ５１．導体回路
５２．Ｎｉ−Ｐ合金層                ５３．キャリア銅層
７１．ソルダーレジスト              ８１．最外層の導体回路
８２．外部接続パッド                ８３．内部接続パッド
８４．ボンディングワイヤ            ８６．はんだボール
９１．封止樹脂                      ２０１．硬化した絶縁層
１０１．コア基板              ２０２．接着性絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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