(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるシクロデキストリン誘導体からなるクオラムセンシング阻害剤。
【化１】
0004905724.tif 000015
（一般式（１）中、ＣＤＺはシクロデキストリンの１つのグルコース単位の６位の水酸基が置換された残基を表し、ｎ＝１であり、Ｘ１は、−ＮＨ−であって、Ｒ１は、炭素数７以上１２以下のアルキル基、置換基として水酸基を有する炭素数３のアルキル基、置換基としてフェニル基を有する炭素数２のアルキル基、−Ｒ３−ＮＨ−Ｒ４−ＯＨの構造を有するアミノ基、及び−Ｒ５−Ｏ−Ｒ６−ＯＨの構造を有するエーテル結合を有する基のいずれかを表す。Ｒ３〜Ｒ６は、炭素数が２以下の直鎖アルキレン基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロデキストリン誘導体、シクロデキストリン誘導体の製造方法、及びクオラムセンシングの阻害方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
クオラムセンシング（Ｑｕｏｒｕｍ  Ｓｅｎｓｉｎｇ）とは、単細胞微生物であるバクテリアが、自らの細胞密度を感知して遺伝子の発現をコントロールする機構のことをいう。Ｑｕｏｒｕｍとは、法律用語で「定足数」を意味し、より具体的には、クオラムセンシングで、バクテリアが増殖して定足数を超えたところで、一斉に遺伝子の発現を活性化するシステムのことをいう。
【０００３】
クオラムセンシングでは、バクテリアはオートインデューサーと呼ばれる化学物質を介して周囲の菌体密度を感知し、菌体密度がある一定値を超えたことを感知すると、様々な遺伝子の転写・発現が活性化される。例えば、バクテリアのうち、グラム陰性細菌は、Ｎ−アシル−Ｌ−ホモセリンラクトン（Ｎ−ａｃｙｌ−Ｌ−ｈｏｍｏｓｅｒｉｎｅ  ｌａｃｔｏｎｅ、以下単にＡＨＬという場合がある。）をオートインデューサーとして使っており、クオラムセンシングは病原性因子の発現を誘導する場合が多い。
【０００４】
このように、バクテリアは、クオラムセンシングにより病原性発現を誘導する場合が多い。このため、病原性を抑制するためには、ＡＨＬを系から排除してバクテリア相互が互いを感知できないようにすることによって、クオラムセンシングを阻害することが有効な手段となる。そして、ＡＨＬをトラップすることができる物質として、天然に存在するグルコースが環状に結合した環状オリゴ糖たるシクロデキストリン（以下、単にＣＤという場合がある。）が有望視されている。天然に存在するシクロデキストリンとしては、６、７、８個のグルコースからなるＣＤを挙げることができ、それぞれα−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤを呼ばれている。
【０００５】
非特許文献１においては、ＣＤをヒドロゲル（ｈｙｄｒｏｇｅｌｓ）によって固定化して用いることにより、これにＡＨＬを吸着させることによって、クオラムセンシングを抑制する手法を採用している。そして、ＣＤとしてはα−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤを用いている。
【非特許文献１】Ｎ．Ｋａｔｏ，Ｔ．Ｍｏｒｏｈｏｓｈｉ，Ｈ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ，Ｔ．Ｔａｎａｋａ，ａｎｄ  Ｔ．Ｉｋｅｄａ，“Ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｑｕｏｒｕｍ  Ｓｅｎｓｉｎｇ  ｉｎ  Ｓｅｒｒａｔｉａ  ｍａｒｃｅｓｃｅｎｓ  ｂｙ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｎ−Ａｃｙｌｈｏｍｅｓｅｒｉｎｅ  Ｌａｃｔｏｎｅｓ  ｏｎ  Ｃｙｃｌｏｄｅｘｔｒｉｎ  Ｉｍｍｏｂｉｌｉｚｅｄ  Ｇｅｌ”Ｔｒａｎｓ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，３０，８１５−８１８，２００５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
非特許文献１で使用されているα−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤの固定化ゲルによるＡＨＬのトラップも一定の成果を得ることができるものの、現状においてはα−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤはＡＨＬに対する選択性が低く、病原性抑制効果を得るためには高濃度のＣＤを用いなければならないという課題がある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その他の目的は、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるクオラムセンシングの阻害方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的の下、本発明者等が鋭意検討を行った結果、ＣＤを所定の置換基で修飾することにより、ＡＨＬのようなオートインデューサーを再現性よく、かつ選択的にトラップできることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明のシクロデキストリン誘導体は、クオラムセンシングを阻害するために用いられ、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。
【００１１】
【化１】
0004905724.tif 000002
【００１２】
（一般式（１）中、ＣＤＺはシクロデキストリン残基を表し、該シクロデキストリン残基がα−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜１８、β−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜２１、γ−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜２４の整数であり、Ｘ１は、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｓ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｓ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｓ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ（Ｃ＝Ｓ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｏ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２−、及び−（Ｃ＝Ｓ）ＮＲ２−のいずれかであって、Ｒ１、Ｒ２は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有していてもアミノ基、置換基を有していてもよいエーテル結合を有する基、及び置換基を有していてもよいチオエーテル結合を有する基のいずれかを表す。）
【００１３】
この発明によれば、クオラムセンシングを阻害するために、上記一般式（１）で表されるシクロデキストリン誘導体を用いるので、分子間疎水性相互作用が発揮され、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体を提供することができる。
【００１４】
本発明のシクロデキストリン誘導体の好ましい態様においては、前記一般式（１）中の、Ｘ１が−ＮＨ−、Ｒ１が炭素数７以上のアルキル基である。
【００１５】
この発明によれば、一般式（１）中の、Ｘ１が−ＮＨ−、Ｒ１が炭素数７以上のアルキル基であるので、置換基が長鎖のアルキルアミノ基となって、その結果、トラップの選択性がさらに向上しやすくなる。
【００１６】
上記課題を解決するための本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法は、本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法であって、前記シクロデキストリン誘導体の前駆体を得る第１合成工程と、前記前駆体から前記シクロデキストリン誘導体を得る第２合成工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、シクロデキストリン誘導体の前駆体を得る第１合成工程と、前駆体からシクロデキストリン誘導体を得る第２合成工程と、を有するので、工業的に実用性の高い方法でシクロデキストリン誘導体を製造することができ、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体の製造方法を提供することができる。なお、クオラムセンシングの阻害をターゲットとして病原性を抑制する技術についての報告はあるが、こうしたものは遺伝子組み換えを伴うものであり、実用化には大きなハードルが存在する。本発明は、工業的に実用性の高い手法を採用することにより、実用化へのハードルが低く、非常に高い優位性が存在する。
【００１８】
本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法の好ましい態様においては、前記第１合成工程が、トシル化することによりシクロデキストリン誘導体の前駆体を得る工程である。
【００１９】
この発明によれば、第１合成工程が、トシル化することによりシクロデキストリン誘導体の前駆体を得る工程であるので、工業的に汎用性の高い方法で前駆体を得ることができるようになり、その結果、より実用性の高いシクロデキストリン誘導体の製造方法を提供することができる。
【００２０】
上記課題を解決するための本発明のクオラムセンシングの阻害方法は、バクテリア中に本発明のシクロデキストリン誘導体を存在させることによってクオラムセンシングを阻害することを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、バクテリア中にシクロデキストリン誘導体を存在させることによって、シクロデキストリン誘導体がクオラムセンシングを阻害するので、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるクオラムセンシングの阻害方法を提供することができる。
【００２２】
本発明のクオラムセンシングの阻害方法の好ましい態様においては、前記クオラムセンシングの阻害が、前記シクロデキストリン誘導体がオートインデューサーをトラップすることによって行われる。
【００２３】
この発明によれば、クオラムセンシングの阻害が、シクロデキストリン誘導体がオートインデューサーをトラップすることによって行われるので、オートインデューサーのトラップが高い効率で行われるようになり、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーのトラップの選択率を向上させやすくなる。
【００２４】
本発明のクオラムセンシングの阻害方法の好ましい態様においては、前記バクテリアがグラム陰性細菌であり、前記オートインデューサーがＮ−アシル−Ｌ−ホモセリンラクトンである。
【００２５】
この発明によれば、バクテリアがグラム陰性細菌であり、オートインデューサーがＮ−アシル−Ｌ−ホモセリンラクトンであるので、オートインデューサーのトラップがさらに高い効率で行われるようになり、その結果、本発明のクオラムセンシングの阻害方法を適用する意義が大きくなる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体を提供することができる。
【００２７】
本発明によれば、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体の製造方法を提供することができる。
【００２８】
本発明によれば、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるクオラムセンシングの阻害方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、本発明の実施の形態について詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００３０】
（シクロデキストリン誘導体）
本発明のシクロデキストリン誘導体は、クオラムセンシングを阻害するために用いられ、下記一般式（１）で表される。
【００３１】
【化２】
0004905724.tif 000003
【００３２】
（一般式（１）中、ＣＤＺはシクロデキストリン残基を表し、該シクロデキストリン残基がα−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜１８、β−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜２１、γ−シクロデキストリンの残基である場合にはｎ＝１〜２４の整数であり、Ｘ１は、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｓ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｓ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｓ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ（Ｃ＝Ｓ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｏ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２−、及び−（Ｃ＝Ｓ）ＮＲ２−のいずれかであって、Ｒ１、Ｒ２は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有していてもアミノ基、置換基を有していてもよいエーテル結合を有する基、及び置換基を有していてもよいチオエーテル結合を有する基のいずれかを表す。）
【００３３】
本発明においては、一般式（１）に示すシクロデキストリン誘導体を用いるので、分子間疎水性相互作用が発揮され、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体を提供することができる。
【００３４】
一般式（１）中、ＣＤＺはシクロデキストリン残基を表し、より具体的には、α−シクロデキストリン（α−ＣＤ）、β−シクロデキストリン（β−ＣＤ）、及びγシクロデキストリン（γ−ＣＤ）のいずれかの残基である。ここで、シクロデキストリン残基とは、シクロデキストリンから水酸基（ＯＨ）が所定の個数引き抜かれることによって形成される所定の価数を有する基をいう。
【００３５】
シクロデキストリンは、天然に存在するグルコースが環状に結合した環状オリゴ糖である。６、７、８個のグルコースからなるＣＤをそれぞれα−、β−、γ−ＣＤと呼ぶ。シクロデキストリンの分子全体は親水性、空孔内は疎水性という構造を有していることから、水溶液中で様々な有機化合物を空孔内に取り込み複合体を形成する性質を持っている。ゲスト化合物の大きさがＣＤの空孔の大きさに適合すればするほど、複合体を形成しやすい。そのため、シクロデキストリンは代表的なホスト分子として知られている。その特徴を活かして、シクロデキストリンに適当な長さのスペーサーを介して色素を導入する分子認識センサーや分子指示薬などに用いられている。以下に、α−ＣＤ、β−ＣＤ、γ−ＣＤの分子構造を示す。
【００３６】
【化３】
0004905724.tif 000004
【００３７】
【化４】
0004905724.tif 000005
【００３８】
【化５】
0004905724.tif 000006
【００３９】
図１は、シクロデキストリンの立体構造を示す模式的斜視図である。シクロデキストリンは平面的には上記構造を有するが、立体的には図１に示すとおり、カップ状の構造を有する。そして、上述のとおり、空孔内は疎水性、分子全体は親水性を有するので、ゲスト化合物たるオートインデューサーを内部に捕捉することができる。
【００４０】
置換基たる−Ｘ１−Ｒ１は、シクロデキストリンを構成する各グルコースが有する水酸基を置換して結合している。一般式（１）中、シクロデキストリン残基（ＣＤＺ）がα−シクロデキストリン（α−ＣＤ）の残基である場合にはｎ＝１〜１８の整数であるが、好ましくはｎ＝１〜１５、より好ましくはｎ＝１〜１２、さらに好ましくはｎ＝１〜６、特に好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくはｎ＝１である。一般式（１）中、シクロデキストリン残基（ＣＤＺ）がβ−シクロデキストリン（β−ＣＤ）の残基である場合にはｎ＝１〜２１の整数であるが、好ましくはｎ＝１〜１８、より好ましくはｎ＝１〜１５、さらに好ましくはｎ＝１〜１２、特に好ましくはｎ＝１〜６、さらに特に好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくはｎ＝１である。一般式（１）中、シクロデキストリン残基（ＣＤＺ）がγ−シクロデキストリン（γ−ＣＤ）の残基である場合にはｎ＝１〜２４の整数であるが、好ましくはｎ＝１〜２０、より好ましくはｎ＝１〜１５、さらに好ましくはｎ＝１〜１２、特に好ましくはｎ＝１〜６、さらに特に好ましくはｎ＝１〜３、最も好ましくはｎ＝１又は２である。したがって、シクロデキストリン残基の種類に応じて、所定の数の置換基たる−Ｘ１−Ｒ１が、シクロデキストリン構造部分（シクロデキストリン残基）に結合していることになる。
【００４１】
置換基たる−Ｘ１−Ｒ１の置換位置は任意である。例えば、一般式（１）中のＣＤＺがα−ＣＤの１価の残基でｎ＝１の場合、置換基の置換可能な位置は１８カ所ある。またｎ＝２の場合、置換可能な１８カ所のうちの任意の２カ所に２つの置換基がそれぞれ結合することができる。ｎ＝３の場合、置換可能な１８カ所のうちの任意の３カ所に３つの置換基がそれぞれ結合することができる。以下、ｎの数が多くなっても同様である。また、ＣＤＺがβ−ＣＤ（置換可能な位置２１カ所）である場合やγ−ＣＤ（置換可能な位置２４カ所）である場合も同様である。
【００４２】
シクロデキストリン構造部分（シクロデキストリン残基）がα−ＣＤの１価の残基、ｎ＝１の場合におけるシクロデキストリン誘導体の一例を以下に示す。
【００４３】
【化６】
0004905724.tif 000007
【００４４】
また、シクロデキストリン構造部分（シクロデキストリン残基）がγ−ＣＤの２価の残基、ｎ＝２の場合におけるシクロデキストリン誘導体の一例を以下に示す。
【００４５】
【化７】
0004905724.tif 000008
【００４６】
上述のとおり、シクロデキストリン構造部分（シクロデキストリン残基）と、置換基の個数との組み合わせと、によって置換位置は様々考えられるので、本発明のシクロデキストリン誘導体は種々の構造式を想定することができる。このため、本発明においては、説明の便宜のために、一般式（１）のように、シクロデキストリン構造部分（シクロデキストリン残基）を「ＣＤＺ」とし、これにｎ個の置換基「−Ｘ１−Ｒ１」が結合しているという表記にしている。
【００４７】
また、本発明においては、説明の便宜から、図１に示すシクロデキストリンの立体構造を利用して、シクロデキストリン誘導体を下記一般式（２）のように表すこともできる。
【００４８】
【化８】
0004905724.tif 000009
【００４９】
一般式（１），（２）中、Ｘ１は、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｓ）Ｏ−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｓ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｓ（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ（Ｃ＝Ｓ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｏ）−、−ＮＲ２（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｓ）−、−（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２−、及び−（Ｃ＝Ｓ）ＮＲ２−のいずれかである。これらのうち、オートインデューサーをより選択的にトラップしやすくする観点から、Ｘ１は、−ＮＨ−、又は−Ｏ−のいずれかであることが好ましく、−ＮＨ−であることがより好ましい。
【００５０】
一般式（１），（２）中、Ｒ１，Ｒ２は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有していてもアミノ基、置換基を有していてもよいエーテル結合を有する基、及び置換基を有していてもよいチオエーテル結合を有する基のいずれかを表す。
【００５１】
置換基を有してもよいアルキル基は、アルキル基と置換基を有するアルキル基とにわけることができるが、これらに用いるアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、炭素数が、通常１以上、好ましくは３以上、より好ましくは７以上、通常２０以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１２以下とする。この範囲とすれば、よりオートインデューサーを選択的にトラップしやすくなるとともに、再現性もより確保しやすくなる。特に、炭素数を７以上とすることにより、クオラムセンシングの阻害能を大きく改善できるようになる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、及びドデシル基等を挙げることができる。
【００５２】
アルキル基に用いることができる置換基は特に制限されず、例えば、水酸基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基（これらは任意の置換基で更に置換されていてもよい。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基等を挙げることができる。
【００５３】
更に、他の置換基として、例えば、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることもできる。
【００５４】
これら置換基のうち、工業的な観点から、水酸基、炭素数６〜１２のアリール基を用いることが好ましく、水酸基、フェニル基であることがより好ましい。
【００５５】
置換基を有してもよいアルコキシ基は、アルコキシ基と置換基を有するアルコキシ基とにわけることができるが、これらに用いられるアルコキシ基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、炭素数が、通常１以上、通常２０以下、好ましくは１５以下とする。この範囲とすれば、よりオートインデューサーを選択的にトラップしやすくなるとともに、再現性もより確保しやすくなる。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。これらのうち、工業的な合成のしやすさからは、好ましくはイソプロポキシ基を挙げることができる。
【００５６】
アルコキシ基に用いることができる置換基は特に制限されず、上記アルキル基に用いることができる置換基から適宜選択することができる。
【００５７】
置換基を有していてもアミノ基としては、特に制限はないが、−Ｒ３−ＮＨ−Ｒ４−ＯＨ（Ｒ３，Ｒ４は、直鎖のアルキル基である。）の構造を有することが好ましい。直鎖アルキルたるＲ３，Ｒ４の炭素数は、通常１以上、また、通常５以下、好ましくは３以下、より好ましくは２以下とする。この範囲とすれば、よりオートインデューサーを選択的にトラップしやすくなるとともに、再現性もより確保しやすくなる。
【００５８】
アミノ基に用いることができる置換基は特に制限されず、上記のものの他、上記アルキル基に用いることができる置換基から適宜選択することができる。
【００５９】
置換基を有していてもよいエーテル結合を有する基としては、特に制限はないが、−Ｒ５−Ｏ−Ｒ６−ＯＨ（Ｒ５，Ｒ６は、直鎖のアルキル基である。）の構造を有することが好ましい。直鎖アルキルたるＲ５，Ｒ６の炭素数は、通常１以上、また、通常５以下、好ましくは３以下、より好ましくは２以下とする。この範囲とすれば、よりオートインデューサーを選択的にトラップしやすくなるとともに、再現性もより確保しやすくなる。
【００６０】
エーテル結合を有する基に用いることができる置換基は特に制限されず、上記のものの他、上記アルキル基に用いることができる置換基から適宜選択することができる。
【００６１】
置換基を有していてもよいチオエーテル結合を有する基としては、特に制限はないが、−Ｒ７−Ｓ−Ｒ８−ＯＨ（Ｒ７，Ｒ８は、直鎖のアルキル基である。）の構造を有することが好ましい。直鎖アルキルたるＲ７，Ｒ８の炭素数は、通常１以上、また、通常５以下、好ましくは３以下、より好ましくは２以下とする。この範囲とすれば、よりオートインデューサーを選択的にトラップしやすくなるとともに、再現性もより確保しやすくなる。
【００６２】
チオエーテル結合を有する基に用いることができる置換基は特に制限されず、上記のものの他、上記アルキル基から適宜選択することができる。
【００６３】
一般式（１），（２）中、Ｘ１が−ＮＨ−、Ｒ１が炭素数７以上のアルキル基であることが特に好ましい。これにより、置換基が長鎖のアルキルアミノ基となって、その結果、トラップの選択性がさらに向上しやすくなる。
【００６４】
一般式（１），（２）で表される本発明のシクロデキストリン誘導体の好ましい具体例（ｎ＝１）を以下に示す。但し、本発明のシクロデキストリン誘導体は下記具体例に限定されるものではない。また、各具体例の右隣には、それぞれの化合物の便宜的な名称を記載してある。なお、下記具体例中、シクロデキストリン残基はβ−ＣＤ残基を表している。また、下記具体例中、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【００６５】
【化９】
0004905724.tif 000010
【００６６】
（シクロデキストリン誘導体の製造方法）
本発明のシクロデキストリン誘導体の製造方法は、上記シクロデキストリン誘導体の製造方法であって、シクロデキストリン誘導体の前駆体を得る第１合成工程と、前駆体からシクロデキストリン誘導体を得る第２合成工程と、を有する。これにより、工業的に実用性の高い方法でシクロデキストリン誘導体を製造することができ、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるシクロデキストリン誘導体の製造方法を提供することができる。
【００６７】
第１合成工程では、シクロデキストリン誘導体の前駆体を得る。シクロデキストリン誘導体の前駆体は、第２合成工程で所望のシクロデキストリン誘導体を得ることができるものであれば特に制限はない。また、その合成方法も適切な方法を適宜用いればよいが、好ましくは、第１合成工程を、トシル化することによりシクロデキストリン誘導体の前駆体を得る工程とする。これにより、工業的に汎用性の高い方法で前駆体を得ることができるようになり、その結果、より実用性の高いシクロデキストリン誘導体の製造方法を提供することができる。
【００６８】
トシル化は、通常、シクロデキストリンを構成するグルコースに結合した水酸基の水素をトシル基で置換することによって行う。例えば、塩化トシル（塩化パラトルエンスルホニル：ＴｓＣｌ）を用いて以下の反応で前駆体たるトシル化されたシクロデキストリンの誘導体を得ることができる。なお、以下の反応は、シクロデキストリンにβ−ＣＤを用いた例である。
【００６９】
【化１０】
0004905724.tif 000011
【００７０】
第２合成工程では、前駆体からシクロデキストリン誘導体を得る。具体的には、所定の反応を用いてトシル基を本発明に用いる所望の置換基に置換すればよい。こうした方法は、所望の反応が行える方法を適宜用いることができる。
【００７１】
（クオラムセンシングの阻害方法）
本発明のクオラムセンシングの阻害方法は、バクテリア中に本発明のシクロデキストリン誘導体を存在させることによって行う。これにより、シクロデキストリン誘導体がクオラムセンシングを阻害するので、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップできるクオラムセンシングの阻害方法を提供することができる。
【００７２】
クオラムセンシングの阻害は、通常、シクロデキストリン誘導体がオートインデューサーをトラップすることによって行われる。これにより、オートインデューサーのトラップが高い効率で行われるようになり、その結果、ＡＨＬのようなオートインデューサーのトラップの選択率を向上させやすくなる。
【００７３】
そして、本発明のクオラムセンシングの阻害方法においては、バクテリアがグラム陰性細菌であり、オートインデューサーがＡＨＬであることが好ましい。これにより、オートインデューサーのトラップがさらに高い効率で行われるようになり、その結果、本発明のクオラムセンシングの阻害方法を適用する意義が大きくなる。
【００７４】
バクテリアとしてグラム陰性細菌を用いる場合、セラチア菌を用いることが好ましい。セラチア菌は、腸内細菌科に属するグラム陰性の桿菌であり、水や土中など自然界に広く存在するものである。セラチア菌は、一般的に病原性は弱く、健康な人ではほとんど問題にならない菌である。しかしながら、感染防御能力が低下している人が感染すると、おもに尿路系（腎臓、尿管、膀胱など）や呼吸器系（気管支、肺など）などが侵され、腎炎、肺炎などを来たし、腎不全、呼吸不全へと重症化する場合がある。また、最近は多くの抗生物質に耐性を示すセラチア菌も出現している。
【００７５】
セラチア菌は、室温で培養すると鮮やかな赤色色素（Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎ）を生産することが知られている。このため、赤色色素の生産量を測定することにより、クオラムセンシングの阻害度合いを見積もることができる。すなわち、セラチア菌のオートインデューサーであるＡＨＬを、本発明のシクロデキストリン誘導体でトラップすることにより、セラチア菌が各細胞間の情報伝達（クオラムセンシング）をすることができなくなり、その活性が落ちて、赤色色素の生産量が減少する。換言すれば、クオラムセンシングの阻害度合いが大きければ大きいほど赤色色素の生産量が少なくなるという関係となる。このため、セラチア菌を培養した場合に生産される赤色色素の量を測定することによりクオラムセンシングの阻害度合いを見積もることができる。そして、赤色色素の生産量は、所定の波長での培養液の吸光度を利用して測定することができる。
【００７６】
本発明のクオラムセンシングの阻害方法の利点の一つは、バクテリアを殺菌することなく、病原性を抑制できる点にある。従来から使用されている抗生物質は、殺菌を行うことによって病原性の抑制を行うという手法を採用しているが、薬剤耐性菌の出現を避けることができないという問題がある。本発明のクオラムセンシングの阻害方法では、バクテリアを殺菌しないので、薬剤耐性菌の出現を考慮しなくてよい上、細菌毒性を低く抑えることが可能となる。
【００７７】
以上説明した、本発明のシクロデキストリン誘導体、シクロデキストリン誘導体の製造方法、クオラムセンシングの阻害方法を用いることによって、ＡＨＬのようなオートインデューサーを、再現性よく高い選択率でトラップすることができるようになる。
【実施例】
【００７８】
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００７９】
［実施例１〜５、比較例１］
（第１合成工程）
０．４ＮのＮａＣｌ  ａｑ  ３００ｍｌ中に、β−ＣＤを１０ｇ（９ｍｍｏｌ）と、塩化ｐ−トルエンスルホニル１０ｇ（６０ｍｍｏｌ）と、を加え、氷浴中で３時間激しく撹拌した。濾液を、１ＮのＨＣｌで中和し、グラスフィルターで濾過しアセトン洗浄、真空乾燥を行った。生成物の確認を、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行ったところ、トシル化されたβ−ＣＤ（前駆体、６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）が得られたことが確認された（収量３ｇ，収率３０％）。なお、ＩＲの測定は、ＪＡＳＣＯ社（日本分光株式会社）製のＦＴ／ＩＲ−４３０を用い、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳの測定は、Ｂｕｒｋｅｒ社（ブルカー・ダルトニクス株式会社）製のＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩを用い、ＮＭＲの測定は、ＶＡＲＩＡＮ社製のＶＮＭＲＳ−５００を用いて行った。これは以下の実験でも同様である。
【００８０】
（第２合成工程）
イ．シクロデキストリン誘導体（ＣＤ１）の合成（実施例１）
上記具体例で示したＣＤ１を以下の方法で合成した。
【００８１】
２−エチルヘキシルアミン１５ｍｌ（密度０．７９，質量１２ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応の２−エチルヘキシルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、ＣＤ１が合成されていることが確認された。また、収率は９３％であった。
【００８２】
ロ．シクロデキストリン誘導体（ＣＤ２）の合成（実施例２）
上記具体例で示したＣＤ２を以下の方法で合成した。
【００８３】
フェネチルアミン１５ｍｌ（密度０．９６２，質量１４ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のフェネチルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、ＣＤ２が合成されていることが確認された。また、収率は９５％であった。
【００８４】
ハ．シクロデキストリン誘導体（ＣＤ３）の合成（実施例３）
上記具体例で示したＣＤ３を以下の方法で合成した。
【００８５】
２−（２−アミノエチルアミノ）−エタノール１５ｍｌ（密度１．０６，質量１６ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応の２−（２−アミノエチルアミノ）−エタノールを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、ＣＤ３が合成されていることが確認された。また、収率は８０％であった。
【００８６】
ニ．シクロデキストリン誘導体（ＣＤ４）の合成（実施例４）
上記具体例で示したＣＤ４を以下の方法で合成した。
【００８７】
２−（２−アミノエトキシ）−エタノール１５ｍｌ（密度１．０５５，質量１６ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応の２−（２−アミノエトキシ）−エタノールを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、ＣＤ４が合成されていることが確認された。また、収率は９８％であった。
【００８８】
ホ．シクロデキストリン誘導体（ＣＤ５）の合成（実施例５）
上記具体例で示したＣＤ５を以下の方法で合成した。
【００８９】
２−アミノ−１−ブタノール１５ｍｌ（密度０．９４，質量１４ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応の２−アミノ−１−ブタノールを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、ＣＤ５が合成されていることが確認された。また、収率は９５％であった。
【００９０】
（クオラムセンシングの阻害度合いの測定）
バクテリアとしてグラム陰性細菌のセラチア菌（Ｓｅｒｒａｔｉａ  ｍａｒｃｅｓｃｅｎｓ  ＡＳ−１株）を用いた。また、ＬＢ液体培地の組成は、ペプトンを１０ｇ／ｌ、酵母エキスを５ｇ／ｌ、ＮａＣｌを５ｇ／ｌとした。セラチア菌（Ｓｅｒｒａｔｉａ  ｍａｒｃｅｓｃｅｎｓ  ＡＳ−１株）は、ＡＨＬを介して情報伝達（クオラムセンシング）を行い、下記構造の赤色色素（Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎ）を生産する。そこで、Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎの生産量を測定することによって、クオラムセンシングの阻害の度合いを評価した。以下に、具体的な評価方法を示す。
【００９１】
【化１１】
0004905724.tif 000012
【００９２】
上記ＡＳ−１株を、４ｍｌのＬＢ液体培地で、２５℃で１５〜１８時間前培養して培養液を得た。そして、この前培養液４０μｌを、新しい４ｍｌのＬＢ液体培地に接種し、さらに評価対象たるシクロデキストリン誘導体（ＣＤ１〜５）又は比較対象たるβ−ＣＤ（比較例１）をそれぞれ２ｍｇ添加し、２５℃で２４時間振とう培養を行った。こうして得た培養液１ｍｌを、マイクロチューブに移し、遠心分離（１３，５００×ｇ，５ｍｉｎ）することで集菌した。次いで、培養上清を取り除き４％ＨＣｌ−メタノールを１ｍｌ加え、ボルテックスで菌体を破砕して色素を抽出した。そして、色素抽出液を遠心分離（１３，５００×ｇ，５ｍｉｎ）し、上清をマイクロチューブに１５０μｌとった後、蒸留水で１０倍希釈した。
【００９３】
こうして得た色素抽出液の５３４ｎｍの吸光度を紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製  Ｖ−５５０）で測定し、Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎ生産量（Ａ５３４）とした。また、培養液を蒸留水で１５倍希釈し、６００ｎｍの濁度を紫外可視分光光度計で測定した値を菌体濁度（ＯＤ６００）とした。そして、菌体あたりのＰｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎ生産量をＡ５３４／ＯＤ６００で算出し、その相対比を比較することでＰｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎ生産阻害効果を見積もった。
【００９４】
以上の評価を、シクロデキストリン誘導体を添加しない場合（ｃｏｎｔｒｏｌ）、β−ＣＤを添加した場合（比較例１）、ＣＤ１〜ＣＤ５を添加した場合（実施例１〜５）、のそれぞれについて行った。結果を表−１に示す。
【００９５】
【表１】
0004905724.tif 000013
【００９６】
［実施例２］
（第１合成工程）
実施例１と同様にして、前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を合成した。
【００９７】
（第２合成工程）
イ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ３−β−ＣＤ）の合成（実施例６）
上記具体例で示したＣ３−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝３の場合）を以下の方法で合成した。
【００９８】
ｎ−プロピルアミン１５ｍｌ（密度０．７１７３，質量１１ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−プロピルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ３−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９６％であった。
【００９９】
ロ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ４−β−ＣＤ）の合成（実施例７）
上記具体例で示したＣ４−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝４の場合）を以下の方法で合成した。
【０１００】
ｎ−ブチルアミン１５ｍｌ（密度０．７３９２，質量１１ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−ブチルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ４−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９８％であった。
【０１０１】
ハ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ５−β−ＣＤ）の合成（実施例８）
上記具体例で示したＣ５−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝５の場合）を以下の方法で合成した。
【０１０２】
ｎ−ペンチルアミン１５ｍｌ（密度０．７５４４，質量１１ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−ペンチルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ５−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９５％であった。
【０１０３】
ニ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ６−β−ＣＤ）の合成（実施例９）
上記具体例で示したＣ６−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝６の場合）を以下の方法で合成した。
【０１０４】
ｎ−ヘキシルアミン１５ｍｌ（密度０．７６４９，質量１１ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−ヘキシルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ６−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９６％であった。
【０１０５】
ホ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ７−β−ＣＤ）の合成（実施例１０）
上記具体例で示したＣ７−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝７の場合）を以下の方法で合成した。
【０１０６】
ｎ−ヘプチルアミン１５ｍｌ（密度０．７７５４，質量１２ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−ヘプチルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ７−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９６％であった。
【０１０７】
ヘ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ８−β−ＣＤ）の合成（実施例１１）
上記具体例で示したＣ８−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝８の場合）を以下の方法で合成した。
【０１０８】
ｎ−オクチルアミン１５ｍｌ（密度０．７８１９，質量１２ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応ｎ−オクチルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ８−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９８％であった。
【０１０９】
ト．シクロデキストリン誘導体（Ｃ９−β−ＣＤ）の合成（実施例１２）
上記具体例で示したＣ９−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝９の場合）を以下の方法で合成した。
【０１１０】
ｎ−ノニルアミン１５ｍｌ（密度０．７９，質量１２ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−ノニルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ９−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９７％であった。
【０１１１】
チ．シクロデキストリン誘導体（Ｃ１０−β−ＣＤ）の合成（実施例１３）
上記具体例で示したＣ１０−β−ＣＤ（具体例の「Ｃ３〜１０，１２−β−ＣＤ」において、ｎ＝１０の場合）を以下の方法で合成した。
【０１１２】
ｎ−デシルアミン１５ｍｌ（密度０．９５１，質量１４ｇ）に、上記前駆体（６−ＯＴｓ−β−ＣＤ）を１．３ｇ（０．９７ｍｍｏｌ）加え、Ａｒ雰囲気下で４０℃の油浴で一晩撹拌を行った。次いで、ロータリーエバポレーターで未反応のｎ−デシルアミンを飛ばし、アセトン１００ｍｌで撹拌した。その後、減圧濾過を行い、ＭｅＯＨ：Ｈ２Ｏ＝３：１の溶液１５ｍｌに溶かし、再びアセトン１００ｍｌ中で撹拌、減圧濾過を行い、乾燥し目的物を得た。生成物の確認は、ＩＲ，ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ，１Ｈ−ＮＭＲにより行った。その結果、Ｃ１０−β−ＣＤが合成されていることが確認された。また、収率は９７％であった。
【０１１３】
（クオラムセンシングの阻害度合いの測定）
クオラムセンシングの阻害度合いの評価を実施例１と同様にして行った。なお、比較対象としてβ−ＣＤを再度評価した（比較例２）。結果を表−２に示す。
【０１１４】
【表２】
0004905724.tif 000014
【０１１５】
表−１、２の結果から、まず、天然物であるβ−ＣＤでは、Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎの生産量のデータが大きく変動（４０％以上データが変動する）し、実験の再現性がとれない場合があることがわかった。これに対して、本発明のシクロデキストリン誘導体においては、実験毎の変動は若干あるものの、β−ＣＤ程の変動ではなく、再現性に優れることがわかった。
【０１１６】
表−１、２の結果から、ｃｏｎｔｒｏｌと比較して、全てのシクロデキストリン誘導体において、Ｐｒｏｄｉｇｉｏｓｉｎの生産量が下がっているため、ＡＨＬのトラップが良好に行われ、クオラムセンシングの阻害効果が発揮されることがわかる。また、表−２の結果から、炭素数が７以上のアルキル基を一般式（１）のＲ１に用いると、クオラムセンシングを阻害する効果が大きく向上することがわかる。
【０１１７】
また、表−２における菌体濁度をみてわかるように、シクロデキストリン誘導体の添加によっても菌の数はほとんど変わっていない。これらの結果から、本発明のシクロデキストリン誘導体が、セラチア菌（Ｓｅｒｒａｔｉａ  ｍａｒｃｅｓｃｅｎｓ  ＡＳ−１株）を殺菌することがなく、きわめて毒性が低いことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】シクロデキストリンの立体構造を示す模式的斜視図である。
【図１】
0004905724.tif 000016