(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0005093828.tif 000082
（式中、Ｒは炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表し、Ｌは−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、Ｘａ及びＸｂはそれぞれ独立的に水素またはフッ素原子を表すが、Ｘａ及びＸｂのうち少なくとも１個はフッ素原子を表し、Ｘｃは水素を表し、Ｚは水素原子、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、シアノ基を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項２】
一般式（Ｉ）においてＺが水素原子、フッ素、塩素、炭素原子数１〜７のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基またはシアノ基を表すところの請求項１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
【請求項４】
請求項３記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、デカヒドロナフタレン誘導体とそれを含有する液晶組成物に関するものである。これらは電気光学的液晶表示用、特に温度範囲が広いネマチック液晶材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されている。中でも温度範囲が広いことはほとんどの場合に共通して非常に重要であるが、これにはネマチック相上限温度（ＴN-I）が充分高いことと、融点（ＴC-N）あるいはスメクチック−ネマチック転移温度（ＴS-N）が充分低いことを含んでいる。
【０００４】
また、他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性も重要である。この相溶性が不良の場合には、析出や相分離の危険を避けるために非常に多数の液晶化合物を混合させる必要が生じ、組成物の調製には非常な手間がかかり、高コスト化が避けられなかった。
【０００５】
また、駆動電圧が充分低いことも多くの場合に共通して重要な特性であり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要がある。
【０００６】
また、応答が高速であることも同様に重要な特性であり、そのために液晶の粘性はできるだけ小さいことが要求されている。
【０００７】
また、屈折率異方性（Δｎ）も重要な特性であり、その表示方法に応じてさまざまな値が要求されるが、製造の容易なセル厚の大きい液晶素子の場合には小さい値が要求されることが多い。
【０００８】
こうした要求を満たすべく、これまでにも非常に数多くの液晶化合物が合成されてきているが、問題が全て解決されたわけではなく、上記の各々の要求に対しさらに優れた特性を有する液晶化合物が求められているのが現状である。
【０００９】
一般に液晶化合物は構造的に中心骨格（コア）部分と側方基（側鎖および極性基）から形成されている。コア部分を構成する環構造としては、１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）やトランス−１，４−シクロヘキシレン基をはじめとして、ピリジン−２，５−ジイル基やピリミジン−２，５−ジイル基等の複素芳香環、ジオキサン−トランス−１，４−ジイル基やピペリジン−１，４−ジイル基等の飽和複素環等、既に多くのものが知られている。しかしながら、通常は１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）とトランス−１，４−シクロヘキシレン基および一部の複素芳香環にほぼ限定されており、これらの環構造から構成された液晶化合物のみでは年々高度化する液晶組成物に対する要求特性には充分応えきれなくなってきているのが実情である。
【００１０】
ところでこのトランス−１，４−シクロヘキシレン基をトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基に変換することにより液晶性が向上することは知られている。しかもトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基は酸素原子や窒素原子といったヘテロ原子を含まない飽和環であるため、優れた安定性が期待できる。しかしながら、これまでに報告されたトランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体の例は少なく、特にその特性についてはほとんど知られていなかった。
【００１１】
最近、本発明者らは２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ａ）
【００１２】
【化２】
0005093828.tif 000002
【００１３】
あるいは２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ｂ）
【００１４】
【化３】
0005093828.tif 000003
【００１５】
等の新規フェニルデカヒドロナフタレン誘導体を開発し、これらが優れた液晶性を示し、閾値電圧（Ｖｔｈ）の低減や、屈折率異方性（Δｎ）の低減、ネマチック相温度範囲の拡大等に優れた効果を有し、さらに他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性にも優れており、（Ａ）は主にＳＴＮ表示用に、（Ｂ）は主にＴＦＴ用として有用であることを報告した。しかしながら、これらの化合物は単独で液晶相を持たず、また閾値電圧の低減効果は充分と言えるほどではなかった。
【００１６】
一方、液晶性、電気光学特性あるいは他の液晶材料との相溶性を向上させるためには、デカヒドロナフタレン骨格に加えて、適当な連結基を導入することが効果的であることは他のシクロヘキサン系液晶の場合から類推できる。しかしながら、そのような骨格で、連結基を有するような液晶化合物はその製造方法を含めてこれまでほとんど知られていない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、フェニレン基とデカヒドロナフタレン基の間に連結基を有するデカヒドロナフタレン誘導体である新規液晶性化合物を提供し、さらにこれらの化合物を用いて、広いネマチック相温度範囲を有し、屈折率異方性が小さく、さらに低電圧駆動や高速応答も可能であって、ＳＴＮあるいはＴＦＴ駆動用としても好適な液晶組成物を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１９】
【化４】
0005093828.tif 000004
【００２０】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基、アルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基あるいはアルコキシカルボニル基は１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよく、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−または−（ＣＨ2）4−を表し、Ｘa、ＸbおよびＸcはそれぞれ独立的に水素またはフッ素原子を表し、Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基あるいはアルコキシカルボニル基は１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよく、但しＲがアルキル基且つＺがアルキル基、アルコキシル基またはシアノ基のときは少なくともＸa、ＸbおよびＸcのうち１個はフッ素原子を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００２１】
２．一般式（Ｉ）においてＬが−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＦ＝ＣＦ−を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００２２】
３．一般式（Ｉ）においてＲがフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００２３】
４．一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいはフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基またはシアノ基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００２４】
５．一般式（Ｉ）においてＸa、ＸbおよびＸcのうち少なくとも１個はフッ素原子を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
【００２５】
６．上記１〜５記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液晶組成物。
【００２６】
７．上記６記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
を上記課題を解決するための手段として見出した。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
【００２８】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００２９】
【化５】
0005093828.tif 000005
【００３０】
で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を提供する。
【００３１】
式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基、アルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１〜６の直鎖状アルコキシル基あるいはビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トランス−２−プロペニルオキシ基、トランス−２−ブテニルオキシ基、トランス−４−ペンテニルオキシ基、トランス−４−ヘキセニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、２−フルオロエテニル基、２，２−ジフルオロエテニル基、メトキシエチル基またはメトキシエトキシ基がさらに好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、あるいはビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、２−フルオロエテニル基または２，２−ジフルオロエテニル基が最も好ましく、上記のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基あるいはアルコキシカルボニル基は１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい。Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−または−（ＣＨ2）4−を表すが、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＦ＝ＣＦ−が好ましく、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−がさらに好ましい。Ｘa、ＸbおよびＸcはそれぞれ独立的に水素またはフッ素原子を表し、他の液晶化合物との相溶性を向上させる場合にはその少なくとも１個がフッ素原子であることが好ましいが、液晶性および高速応答性を向上させるためにはともに水素原子であることが好ましく、ＸbおよびＸcは負の誘電率異方性（Δε＜０）が求められる場合にはフッ素原子が好ましいが、通常は水素が好ましく、ＸaおよびＸbは誘電率異方性を増大させ閾値電圧（Ｖｔｈ）の低減効果を高めるためには少なくとも一方はフッ素であることが好ましく、ともにフッ素であることがさらに好ましい。Ｒがアルキル基且つＺがアルキル基、アルコキシル基またはシアノ基のときは少なくともＸa、ＸbおよびＸcのうち１個はフッ素原子を表す。Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基またはシアノ基が好ましく、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１〜６の直鎖状アルコキシル基あるいはビニル��、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トランス−２−プロペニルオキシ基、トランス−２−ブテニルオキシ基、トランス−４−ペンテニルオキシ基、トランス−４−ヘキセニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、メトキシエチル基、メトキシエトキシ基またはシアノ基がさらに好ましく、上記のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基あるいはアルコキシカルボニル基は１個以上のフッ素原子または炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。
【００３２】
一般式（Ｉ）においては、そのＲ、Ｌ、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺの選択によって多種の化合物群を包含するけれども、それらの中では一般式（Ｉａａ）〜（Ｉｆｙ）
【００３３】
【化６】
0005093828.tif 000006
【００３４】
【化７】
0005093828.tif 000007
【００３５】
【化８】
0005093828.tif 000008
【００３６】
【化９】
0005093828.tif 000009
【００３７】
【化１０】
0005093828.tif 000010
【００３８】
【化１１】
0005093828.tif 000011
【００３９】
で示される化合物が好ましく、一般式（Ｉａａ）〜（Ｉｂｙ）の化合物がより好ましく、一般式（Ｉｂａ）〜（Ｉｂｙ）の化合物がさらに好ましく、一般式（Ｉｂａ）〜（Ｉｂｃ）、（Ｉｂｇ）〜（Ｉｂｉ）、（Ｉｂｍ）〜（Ｉｂｐ）あるいは（Ｉｂｕ）の化合物が最も好ましい。式中、Ｒaは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数１〜６の直鎖状アルコキシル基あるいはビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トランス−２−プロペニルオキシ基、トランス−２−ブテニルオキシ基、トランス−４−ペンテニルオキシ基、トランス−４−ヘキセニルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、２−フルオロエテニル基、２，２−ジフルオロエテニル基、２−メトキシエチル基または２−メトキシエトキシ基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基あるいはビニル基、トランス−１−プロペニル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、２−フルオロエテニル基または２，２−ジフルオロエテニル基が好ましい。Ｒbは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基あるいは３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基、トリフルオロメチル基または２−メトキシエチル基を表し、Ｒcは炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基あるいは２−プロペニル基、トランス−２−ブテニル基または２−メトキシエチル基を表す。
【００４０】
一般式（Ｉ）の化合物はその主にＬおよびＺの表すところに応じて以下の工程に基づいて製造することができる。また、一般式（Ｉ）の化合物の製法は以下の製造例に限定されるものではない。
【００４１】
製法イ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺが水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基であり、且つＲがアルキル基の場合
【００４２】
一般式（ＩＩａ）
【００４３】
【化１２】
0005093828.tif 000012
【００４４】
（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス配置である。）で表される６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オン（この化合物はドイツ公開特許３１５０３１２号公報に記載された製造方法に基づき製造できる。）とウィッティッヒ反応剤（ＩＶａ）
【００４５】
【化１３】
0005093828.tif 000013
【００４６】
を反応させ、次いで酸触媒存在下で加水分解した後、必要に応じてアルカリ触媒存在下で異性化することにより得られたアルカナール誘導体（ＩＩｂ）
【００４７】
【化１４】
0005093828.tif 000014
【００４８】
（式中、Ｒおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を一般式（ＩＩＩａ）
【００４９】
【化１５】
0005093828.tif 000015
【００５０】
（式中、Ｘa、ＸbおよびＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｚaは水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基を表す。）で表されるウィッティッヒ反応剤（これらは対応するハロゲン化ベンジルとトリフェニルホスフィンから容易に調製できる。）を反応させることにより得られたアルケニル誘導体（Ｉ−ｚ）
【００５１】
【化１６】
0005093828.tif 000016
【００５２】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚaおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を水素添加することにより製造することができる。
【００５３】
製法ロ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺが水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基であり、且つＲがアルコキシル基またはアルケニルオキシ基の場合
【００５４】
一般式（ＩＩＩｂ）
【００５５】
【化１７】
0005093828.tif 000017
【００５６】
（式中、Ｘa、ＸbおよびＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、ＷaはＭｇＢｒ、ＭｇＩＬｉ、ＣｕまたはＣｕＬｉなどの金属あるいは含金属基を表し、Ｚbはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基を表す。）で表される有機金属反応剤（これらは対応するハロゲン化エチルベンゼンから容易に調製できる。）を一般式（ＩＩｃ）
【００５７】
【化１８】
0005093828.tif 000018
【００５８】
（式中、デカヒドロナフタレン環はトランス配置である。）で表されるトランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノアセタール（この化合物は特願平１０−３７０７８８号に記載された製造方法に基づき製造できる。）と反応させた後、酸触媒存在下で脱水、脱アセタール化することにより、オクタヒドロナフタレン誘導体（Ｖａ）
【００５９】
【化１９】
0005093828.tif 000019
【００６０】
（式中、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚbおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得て、これの水酸基を還元し、アルケンを水素添加することにより得られた２−ヒドロキシ−トランスデカヒドロナフタレン誘導体（Ｉ−ｙ）
【００６１】
【化２０】
0005093828.tif 000020
【００６２】
（式中、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚbおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得て、これを塩基でアルコラートとしてから一般式（ＩＶｂ）
【００６３】
【化２１】
0005093828.tif 000021
【００６４】
（式中、Ｒaはアルキル基またはアルケニル基を表し、Ｌaは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表す。）で表される化合物とウィリアムソン合成することにより製造することができる。
【００６５】
製法ハ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺが水素原子あるいはフッ素または塩素のハロゲン原子あるいはアルキル基またはアルコキシル基であり、且つＲがアルケニル基の場合
【００６６】
２−ヒドロキシ−トランスデカヒドロナフタレン誘導体（Ｉ−ｙ）をハロゲン化剤と反応させるか、あるいは塩化ｐ−トルエンスルホニルまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物などと反応させることにより
【００６７】
【化２２】
0005093828.tif 000022
【００６８】
（式中、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚbおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表し、Ｌbは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表す。）で表される化合物を得て、これを有機金属反応剤（ＩＶｃ）
【００６９】
【化２３】
0005093828.tif 000023
【００７０】
（式中、Ｒbはアルケニル基を表し、ＷbはＭｇＢｒ、ＭｇＩＬｉ、ＣｕまたはＣｕＬｉなどの金属あるいは含金属基を表す。）と遷移金属触媒存在下にカップリング反応させることにより製造することができる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
【００７１】
製法ニ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺが臭素またはヨウ素のハロゲン原子の場合
【００７２】
製法イ）〜ハ）に基づいて得られた一般式（Ｉ−ｗ）
【００７３】
【化２４】
0005093828.tif 000024
【００７４】
（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｘa、Ｘb、Ｘcおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体に直接臭素化あるいはヨウ素化するか、あるいはアルキルリチウムでリチオ化した後、臭素あるいはヨウ素と反応させることにより一般式（Ｉ）におけるＺが臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物を製造することができる。
【００７５】
製法ホ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺがアルケニルオキシ基の場合
【００７６】
製法イ）〜ハ）に基づいて得られた一般式（Ｉ−ｖ）
【００７７】
【化２５】
0005093828.tif 000025
【００７８】
（式中、Ｒcはメチル基またはメトキシエトキシエチル基などの水酸基の保護基を表し、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘcおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を臭化水素酸などにより脱保護して、フェノール誘導体（Ｉ−ｕ）
【００７９】
【化２６】
0005093828.tif 000026
【００８０】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘcおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）とし、これをアルコラートとした後、一般式（ＩＶｄ）
【００８１】
【化２７】
0005093828.tif 000027
【００８２】
（式中、Ｒdはアルケニル基を表し、Ｌcは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表す。）で表される化合物とウィリアムソン合成することにより一般式（Ｉ）におけるＺがアルケニルオキシ基である化合物を製造することができる。
【００８３】
製法ヘ）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺがアルケニル基の場合
【００８４】
製法イ）〜ハ）で得られた一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいは臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物から調製された有機金属反応剤（Ｉ−ｔ）
【００８５】
【化２８】
0005093828.tif 000028
【００８６】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘcおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表し、ＷcはＭｇＢｒ、ＭｇＩＬｉ、ＣｕまたはＣｕＬｉなどの金属あるいは含金属基を表す。）を一般式（ＩＶｄ）で表される化合物と遷移金属触媒存在下にカップリング反応させることにより一般式（Ｉ）におけるＺがアルケニル基である化合物を製造することができる。遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
【００８７】
製法ト）Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−であり、且つＺがシアノ基の場合
【００８８】
一般式（Ｉ）においてＺが水素原子あるいは臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物から調製された有機金属反応剤（Ｉ−ｔ）を二酸化炭素と反応させることにより、安息香酸誘導体（Ｉ−ｓ）
【００８９】
【化２９】
0005093828.tif 000029
【００９０】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘcおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される安息香酸誘導体を得る。これをハロゲン化チオニル等のハロゲン化剤で酸ハロゲン化物とした後、アンモニアを反応させて酸アミドとし、次いで脱水することにより一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を製造することができる。
【００９１】
あるいは、一般式（Ｉ）においてＺが臭素またはヨウ素のハロゲン原子である化合物を直接シアン化銅（Ｉ）と反応させるか、あるいはシアン化ナトリウムまたはシアン化カリウムなどのシアン化物を遷移金属触媒存在下にカップリング反応させることにより、一般式（Ｉ）におけるＺがシアノ基である化合物を製造することもできる。
【００９２】
製法チ）Ｌが−ＣＯＯ−であり、且つＲがアルキル基の場合
【００９３】
６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オンから誘導したアルカナール誘導体（ＩＩｂ）をクロム酸などの酸化剤により酸化することによりカルボン酸誘導体（ＩＩｄ）
【００９４】
【化３０】
0005093828.tif 000030
【００９５】
（式中、Ｒおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これをハロゲン化剤と反応させて酸塩化物とした後、塩基存在下フェノール誘導体（ＩＩＩｃ）
【００９６】
【化３１】
0005093828.tif 000031
【００９７】
（式中、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）とエステル化することにより一般式（Ｉ）におけるＲがアルキル基である化合物を製造することができる。あるいは、（ＩＩｄ）と（ＩＩＩｅ）をＮ，Ｎ−ジアルキルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を用いて直接エステル化して製造することもできる。
【００９８】
製法リ）Ｌが−ＣＯＯ−であり、且つＲがアルコキシル基またはアルケニルオキシ基の場合
【００９９】
トランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノアセタール（ＩＩｃ）を還元し、アルコール誘導体（ＩＩｅ）
【０１００】
【化３２】
0005093828.tif 000032
【０１０１】
（式中、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）とした後、これを塩基でアルコラートとしてから一般式（ＩＶｂ）で表される化合物とウィリアムソン合成し、脱アセタール化することにより
【０１０２】
【化３３】
0005093828.tif 000033
【０１０３】
（式中、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表し、Ｒaはアルキル基またはアルケニル基を表す。）で表されるデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体（ＩＩｆ）を得る。これをウィッティッヒ反応剤（ＩＶａ）と反応させ、次いで酸触媒存在下で加水分解した後、必要に応じてアルカリ触媒存在下で異性化することによりアルカナール誘導体（ＩＩｇ）
【０１０４】
【化３４】
0005093828.tif 000034
【０１０５】
（式中、Ｒaおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得て、これをクロム酸などの酸化剤により酸化することによりカルボン酸誘導体（ＩＩｈ）
【０１０６】
【化３５】
0005093828.tif 000035
【０１０７】
（式中、Ｒaおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを製法チ）と同様にフェノール誘導体（ＩＩＩｃ）とエステル化することにより一般式（Ｉ）におけるＲがアルコキシル基またはアルケニルオキシ基である化合物を製造することができる。
【０１０８】
製法ヌ）Ｌが−ＣＯＯ−であり、且つＲがアルケニル基の場合
【０１０９】
トランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノアセタール（ＩＩｃ）をウィッティッヒ反応剤（ＩＶａ）と反応させ、次いで酸触媒存在下で加水分解することによりアルカナール誘導体（ＩＩｉ）
【０１１０】
【化３６】
0005093828.tif 000036
【０１１１】
（式中、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得て、これをクロム酸などの酸化剤により酸化することによりカルボン酸誘導体（ＩＩｊ）
【０１１２】
【化３７】
0005093828.tif 000037
【０１１３】
（式中、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを必要に応じてエステル化などしてカルボン酸を保護した後、必要に応じてウィッティッヒ反応剤（ＩＶａ）と反応させ、次いで酸触媒存在下で加水分解した後、必要に応じてアルカリ触媒存在下で異性化することによりアルカナール誘導体（ＩＩｋ）
【０１１４】
【化３８】
0005093828.tif 000038
【０１１５】
（式中、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを必要に応じてエステル化などしてカルボン酸を保護した後、必要に応じて１回〜数回ウィッティッヒ反応剤（ＩＶａ）と反応させた後（ＩＶｅ）
【０１１６】
【化３９】
0005093828.tif 000039
【０１１７】
（式中、Ｒaはフッ素原子またはアルコキシル基に置換されてもよいアルキル基を表す。）で表されるウィッティッヒ反応剤と反応させることによりカルボン酸誘導体（ＩＩｌ）
【０１１８】
【化４０】
0005093828.tif 000040
【０１１９】
（式中、Ｒfはアルケニル基を表し、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを製法チ）と同様に、フェノール誘導体（ＩＩＩｃ）とエステル化することにより一般式（Ｉ）におけるＲがアルケニル基である化合物を製造することができる。
【０１２０】
製法ル）Ｌが−ＯＣＯ−であり、且つＲがアルキル基、アルコキシル基またはアルケニルオキシ基の場合
【０１２１】
６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オン（ＩＩａ）または（ＩＩｆ）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元することにより
【０１２２】
【化４１】
0005093828.tif 000041
【０１２３】
（式中、Ｒgはアルキル基、アルコキシル基またはアルケニルオキシ基を表し、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オールを得る。これを安息香酸誘導体（ＩＩＩｄ）
【０１２４】
【化４２】
0005093828.tif 000042
【０１２５】
（式中、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）の酸塩化物を塩基存在下エステル化することにより一般式（Ｉ）におけるＲがアルキル基、アルコキシル基またはアルケニルオキシ基である化合物を製造することができる。あるいは、（ＩＩｍ）と（ＩＩＩｄ）をＮ，Ｎ−ジアルキルカルボジイミドなどの脱水縮合剤を用いて直接エステル化して製造することもできる。
【０１２６】
製法ヲ）Ｌが−ＯＣＯ−であり、且つＲがアルケニル基の場合
【０１２７】
トランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノアセタール（ＩＩｃ）を還元したアルコール誘導体（ＩＩｅ）をハロゲン化剤と反応させるか、あるいは塩化ｐ−トルエンスルホニルまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物などと反応させることにより
【０１２８】
【化４３】
0005093828.tif 000043
【０１２９】
（式中、Ｌdは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表し、デカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される化合物（ＩＩｎ）を得て、これを有機金属反応剤（ＩＶｃ）と遷移金属触媒存在下にカップリング反応させた後、脱アセタール化することによりデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体（ＩＩｏ）
【０１３０】
【化４４】
0005093828.tif 000044
【０１３１】
（式中、Ｌdおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。これを水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元することにより６−置換トランスデカヒドロナフタレン−２−オール（ＩＩｐ）
【０１３２】
【化４５】
0005093828.tif 000045
【０１３３】
（式中、Ｒbおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これを製法ル）と同様に安息香酸誘導体（ＩＩＩｄ）とエステル化することにより一般式（Ｉ）におけるＲがアルケニル基である化合物を製造することができる。
【０１３４】
製法ワ）Ｌが−ＣＦ2Ｏ−の場合
【０１３５】
製法チ）〜ヌ）により製造された一般式（Ｉ）においてＬが−ＣＯＯ−である化合物（Ｉ−ｒ）
【０１３６】
【化４６】
0005093828.tif 000046
【０１３７】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）をローソン反応剤と反応させることにより
【０１３８】
【化４７】
0005093828.tif 000047
【０１３９】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるチオカルボン酸Ｏ−エステル誘導体（Ｉ−ｑ）を得る。これを四フッ化硫黄、ＤＡＳＴ（三フッ化硫黄ジメチルアミン錯体）またはＤｅｏｘｏ−Ｆｌｕｏｒ（三フッ化硫黄ジ（メトキシメチル）アミン）などのフッ素化剤と反応させることにより、一般式（Ｉ）においてＬが−ＣＦ2Ｏ−である化合物を製造することができる。
【０１４０】
製法カ）Ｌが−ＯＣＦ2−の場合
【０１４１】
製法ル）〜ヲ）により製造された一般式（Ｉ）においてＬが−ＯＣＯ−である化合物（Ｉ−ｐ）
【０１４２】
【化４８】
0005093828.tif 000048
【０１４３】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を製法ワ）と同様にローソン反応剤と反応させることにより
【０１４４】
【化４９】
0005093828.tif 000049
【０１４５】
（式中、Ｒ、Ｘa、Ｘb、Ｘc、Ｚおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表されるチオカルボン酸Ｏ−エステル誘導体（Ｉ−ｏ）を得る。これを製法ワ）と同様にＤＡＳＴまたはＤｅｏｘｏ−Ｆｌｕｏｒなどのフッ素化剤と反応させることにより、一般式（Ｉ）においてＬが−ＯＣＦ2−である化合物を製造することができる。
【０１４６】
製法ヨ）Ｌが−ＣＦ＝ＣＦ−の場合
【０１４７】
デカヒドロナフタレン−２−オール誘導体（ＩＩｍ）あるいは（ＩＩｐ）をハロゲン化剤と反応させるか、あるいは塩化ｐ−トルエンスルホニルまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物などと反応させることにより
【０１４８】
【化５０】
0005093828.tif 000050
【０１４９】
（式中、Ｌeは塩素、臭素またヨウ素のハロゲン原子あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表し、Ｒおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）で表される化合物（ＩＩｑ）を得る。これをアルキルリチウムまたはリチウム金属と反応させることによりフェニルリチウム誘導体一般式（ＩＩｒ）
【０１５０】
【化５１】
0005093828.tif 000051
【０１５１】
（式中、Ｒおよびデカヒドロナフタレン環は前述におけるとおなじ意味を表す。）を得る。これをフェニルトリフルオロエチレン誘導体（ＩＩＩｅ）（これらは対応するハロゲン化ベンゼンと１，１，２，２−テトラフルオロエチレン、１−ヨード−１，２，２−トリフルオロエチレンあるいは１−ブロモ−１，２，２−トリフルオロエチレンから調製できる。）
【０１５２】
【化５２】
0005093828.tif 000052
【０１５３】
（式中、Ｘa、Ｘb、ＸcおよびＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）と反応させることにより、一般式（Ｉ）におけるＬが−ＣＦ＝ＣＦ−である化合物を製造することができる。
【０１５４】
斯くして製造される本発明の代表的な化合物（Ｉ）の具体例をその相転移温度とともに第１表にまとめて示す。
【０１５５】
【表１】
0005093828.tif 000053
【０１５６】
（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相をまたＩは等方性液体をそれぞれ示す。）
【０１５７】
一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下のとおりである。
【０１５８】
第１表中に表された（Ｉ−５）
【０１５９】
【化５３】
0005093828.tif 000054
【０１６０】
の化合物を、汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ）
【０１６１】
【化５４】
0005093828.tif 000055
【０１６２】
に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−５）を調製したところ、そのネマチック相上限温度（ＴN-I）は６８．５℃であった。この（Ｈ−５）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ６．０℃であった。
【０１６３】
次に、（Ｈ−５）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）      ４．３
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．５０Ｖ
応答時間（τ）            ４２．０ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８６
【０１６４】
一方、ホスト液晶（Ｈ）単独での物性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ７２．５℃
誘電率異方性（Δε）      -１．３
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８５
【０１６５】
ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間である。ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるために電場応答しないが、（Ｈ−５）では（Ｉ−５）を２０％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．３と大きくなり、４２．０ｍ秒という高速応答が可能となった。しかもネマチック相上限温度（ＴN-I）の低下も約４℃程度に抑えることができた。
【０１６６】
これに対して、一般式（Ｉ）においてＬが単結合であるところのフェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｒ−１）
【０１６７】
【化５５】
0005093828.tif 000056
【０１６８】
を（Ｈ）に２０％添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ１）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ６５．３℃
融点（ＴC-N）          ２．０℃
誘電率異方性（Δε）      ４．０
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６８Ｖ
応答時間（τ）            ４１．５ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８４
【０１６９】
（Ｈ−Ｒ１）はＴN-Iが（Ｈ−５）より低く、ホスト液晶（Ｈ）に対しても約７℃低下しており、Ｖｔｈが（Ｈ−５）より大きく、また応答時間が（Ｈ−５）よりやや改善されている。
【０１７０】
以上のように、本発明の（Ｉ−５）の化合物は、ネマチック液晶性に優れ、その添加により誘電率異方性を大きく増大させてその閾値電圧を低減することが可能であり、且つ高速応答が可能であるといった特長を併せ有する点で、類似した（Ｒ−１）と比較して同等に優れていることがわかり、またネマチック液晶性に優れているという特長を有する点で類似した（Ｒ−１）よりも優れている。
【０１７１】
次に、第１表中に示された（Ｉ−１）
【０１７２】
【化５６】
0005093828.tif 000057
【０１７３】
の化合物を、温度範囲が広く低粘性でアクティブマトリックス駆動にも使用可能なホスト液晶組成物（Ｊ）
【０１７４】
【化５７】
0005093828.tif 000058
【０１７５】
に２０重量％添加して液晶組成物（Ｊ−１）を調製した。ここで（Ｊ）の物性値ならびにそれを用いて作成した液晶素子の電気光学的特性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ：１１６．７℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ：２．１４Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ：４．８
屈折率異方性（Δｎ）      ：０．０９０
ここで、閾値電圧（Ｖｔｈ）は厚さ６．０μｍのＴＮセルに封入して２０℃で測定した値である。
【０１７６】
これに対して（Ｊ−１）の物性値ならびにそれを用いて同様に作成した液晶素子の電気光学的特性値は以下のとおりとなった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ：８９．２℃
融点（ＴC-N）          ：４．０℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ：１．７４Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ：５．８
屈折率異方性（Δｎ）      ：０．０７８
応答時間（τ）            ：４４．０ｍ秒
【０１７７】
従って、（Ｉ−１）を２０％添加することにより、誘電率異方性を増大させ、その閾値電圧（Ｖｔｈ）を０．３８Ｖも低減することができた。この値から外挿により計算した（Ｉ−１）単独での誘電率異方性は８．８と大きな値となった。
また、（Ｉ−１）は分子内にフェニル骨格を有しているにもかかわらず、（Ｊ−１）の屈折率異方性は比較的小さい値にとどまった。
【０１７８】
これに対して、一般式（Ｉ）においてＬが単結合であるところのフェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｒ−２）
【０１７９】
【化５８】
0005093828.tif 000059
【０１８０】
を（Ｊ）に同量（２０重量％）添加して液晶組成物（Ｊ−Ｒ２）を調製したところ、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は８８．７℃と（Ｉ−１）と比べて降下した。また融点（ＴC-N）は１３．０℃と（Ｉ−１）と比べて上昇した。従って、（Ｉ−１）と比較すると（Ｒ−２）のホスト液晶に対する溶解性はあまり優れていないことがわかる。
【０１８１】
この組成物の他の物性値ならびに同様にして作成した素子の電気光学特性値は以下のとおりである。
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ：１．６９Ｖ
誘電率異方性（Δε）      ：５．７
屈折率異方性（Δｎ）      ：０．０８０
応答時間（τ）            ：４１．５ｍ秒
従って、（Ｒ−１）は（Ｈ−１）とほぼ同等の電気光学特性を有していることがわかる。
【０１８２】
以上のように、本発明の（Ｉ−１）の化合物は、その添加により誘電率異方性を大きく増大させてその閾値電圧を低減することが可能であり、且つ高速応答が可能であるといった特長を併せ有する点で、類似した（Ｒ−２）と比較して同等に優れており、またネマチック液晶性や相溶性に優れているという特長を有する点で類似した（Ｒ−２）よりも優れている。
【０１８３】
以上のように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は、温度範囲が広く且つ閾値電圧が低く低電圧駆動が可能な液晶組成物を調製する上において、類似したデカヒドロナフタレン誘導体と比較して同等に優れており、特にネマチック液晶性に優れているという特長を有する点で類似したデカヒドロナフタレン誘導体よりも優れている。
【０１８４】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に温度範囲が広く低電圧駆動が可能な液晶材料として好適に使用することができる。また（Ｉ）の化合物はその一般式においてＬ、ＭおよびＺの選択によっては、分子内に強い極性基を有さず、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることも容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【０１８５】
本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二〜第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。
【０１８６】
即ち、第二成分はいわゆるフッ素系（ハロゲン系）のｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（Ａ１）〜（Ａ３）で示される化合物からなるものである。
【０１８７】
【化５９】
0005093828.tif 000060
【０１８８】
上式中、Ｒbは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。また、分岐により不斉炭素が生じる場合には、化合物として光学活性であってもラセミ体であってもよい。
【０１８９】
環Ａ、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基または１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基が好ましい。特に環Ｂがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、環Ｃがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に環Ｂおよび環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。また、（Ａ３）において環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。
【０１９０】
Ｌa、ＬbおよびＬcは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合またはエチレン基が特に好ましい。また、（Ａ２）においてはその少なくとも１個が、（Ａ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０１９１】
環Ｚは芳香環であり以下の一般式（ＩＸａ）〜（ＩＸｃ）で表すことができる。
【０１９２】
【化６０】
0005093828.tif 000061
【０１９３】
式中、Ｙa〜Ｙjはそれぞれ独立的に水素原子あるいはフッ素原子を表すが、（ＩＸａ）において、ＹaおよびＹbの少なくとも１個はフッ素原子であることが好ましく、（ＩＸｂ）において、Ｙd〜Ｙfの少なくとも１個はフッ素原子であることが好ましく、特にＹdはフッ素原子であることがさらに好ましい。
【０１９４】
末端基Ｐaはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基またはジフルオロメチル基あるいは２個以上のフッ素原子により置換された炭素原子数２または３のアルコキシル基、アルキル基、アルケニル基またはアルケニルオキシ基を表すが、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基またはジフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
【０１９５】
また、（Ａ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０１９６】
第三成分はいわゆるシアノ系のｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で示される化合物からなるものである。
【０１９７】
【化６１】
0005093828.tif 000062
【０１９８】
上式中、Ｒcは炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数２〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５のアルキル基が好ましい。また、分岐により不斉炭素が生じる場合には、化合物として光学活性であってもラセミ体であってもよい。
【０１９９】
環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆはそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基または１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基が好ましい。特に環Ｅがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に、環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましく、環Ｆがトランス−１，４−シクロヘキシレン基またはトランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基である場合に環Ｄおよび環Ｅはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。また、（Ｂ３）において環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。
【０２００】
Ｌd、ＬeおよびＬfは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、単結合、エチレン基または−ＣＯＯ−が特に好ましい。また、（Ｂ２）においてはその少なくとも１個が、（Ｂ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０２０１】
環Ｙは芳香環であり以下の一般式（ＩＸｄ）〜（ＩＸｆ）で表すことができる。
【０２０２】
【化６２】
0005093828.tif 000063
【０２０３】
式中、Ｙh〜Ｙnはそれぞれ独立的に水素原子あるいはフッ素原子を表すが、（ＩＸｅ）において、ＹnおよびＹoは水素原子であることが好ましい。
末端基Ｐaはシアノ基（−ＣＮ）、シアナト基（−ＯＣＮ）または−Ｃ≡ＣＣＮを表すが、シアノ基が好ましい。
【０２０４】
また、（Ｂ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０２０５】
第四成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆるｎ型液晶であり、以下の一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で示される化合物からなるものである。
【０２０６】
【化６３】
0005093828.tif 000064
【０２０７】
上式中、ＲdおよびＲeはそれぞれ独立的に炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、これらは直鎖状であってもメチルまたはエチル分岐を有していてもよく、３〜６員環の環状構造を有していてもよく、基内に存在する任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−により交換されていてもよく、基内に存在する任意の水素原子はフッ素原子またはトリフルオロメトキシ基により置換されていてもよいが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基または末端が炭素原子数１〜３アルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基が好ましく、さらに少なくとも一方は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基または炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基であることが特に好ましい。
【０２０８】
環Ｇ、環Ｈ、環Ｉおよび環Ｊはそれぞれ独立的に、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、他の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基であることが好ましい。
【０２０９】
Ｌg、ＬhおよびＬiは連結基であって、それぞれ独立的に単結合、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）、１，２−プロピレン基（−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−および−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−を表すが、単結合、エチレン基、１，４−ブチレン基、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−または−ＣＨ＝ＮＮ＝ＣＨ−が好ましく、（Ｃ２）においてはその少なくとも１個が、（Ｃ３）においてはその少なくとも２個が単結合を表すことが好ましい。
【０２１０】
また、（Ｃ２）においては本発明の一般式（Ｉ）の化合物は除く。
【０２１１】
（Ｃ１）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ１ａ）〜（Ｃ１ｈ）で表すことができる。
【０２１２】
【化６４】
0005093828.tif 000065
【０２１３】
上記各式中、ＲfおよびＲgはそれぞれ独立的に炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基、炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基、炭素原子数１〜３の直鎖状アルコキシル基または末端が炭素原子数１〜３のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表すが、少なくとも一方は炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数２〜７の直鎖状１−アルケニル基または炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基を表す。ただし、環Ｇ１〜環Ｇ８が芳香環の場合、対応するＲfは１−アルケニル基およびアルコキシル基を除き、環Ｈ１〜環Ｈ８が芳香環の場合、対応するＲgは１−アルケニル基およびアルコキシル基を除く。
【０２１４】
環Ｇ１および環Ｈ１はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。環Ｇ２および環Ｈ２はそれぞれ独立的にトランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すが、各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。環Ｇ３および環Ｈ３はそれぞれ独立的に１〜２個のフッ素原子あるいはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すが、各化合物において１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基は１個以内であることが好ましい。
【０２１５】
（Ｃ２）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ２ａ）〜（Ｃ２ｍ）で表すことができる。
【０２１６】
【化６５】
0005093828.tif 000066
【０２１７】
上式中、環Ｇ１、環Ｇ２、環Ｇ３、環Ｈ１、環Ｈ２および環Ｈ３は前述の意味を表し、環Ｉ１は環Ｇ１と、環Ｉ２は環Ｇ２と、環Ｉ３は環Ｇ３とそれぞれおなじ意味を表す。また、上記各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。
【０２１８】
次に（Ｃ３）におけるより好ましい形態は以下の一般式（Ｃ３ａ）〜（Ｃ３ｆ）で表すことができる。
【０２１９】
【化６６】
0005093828.tif 000067
【０２２０】
上式中、環Ｇ１、環Ｇ２、環Ｈ１、環Ｈ２、環Ｉ１および環Ｉ２は前述の意味を表し、環Ｊ１は環Ｇ１また環Ｊ２は環Ｇ２とそれぞれおなじ意味を表す。また、上記各化合物において、トランスデカヒドロナフタレン−トランス−２，６−ジイル基、１個以上のフッ素原子により置換されていてもよいナフタレン−２，６−ジイル基、１〜２個のフッ素原子により置換されていてもよいテトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フッ素原子により置換されていてもよい１，４−シクロヘキセニレン基、１，３−ジオキサン−トランス−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基またはピリジン−２，５−ジイル基は１個以内であることが好ましく、その場合の他方の環はトランス−１，４−シクロヘキシレン基あるいは１〜２個のフッ素原子またはメチル基により置換されていてもよい１，４−フェニレン基である。
【０２２１】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明をさらに説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０２２２】
（実施例１）２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン（Ｉ−１）の合成
【０２２３】
【化６７】
0005093828.tif 000068
【０２２４】
（１−ａ）６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの合成
６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オン２４ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬ溶液を、塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム３８ｇ、ｔ−ブトキシカリウム１４ｇからＴＨＦ２００ｍＬ中で調製したウィッティッヒ反応剤中に、１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色油状物をＴＨＦ１８０ｍＬに溶解し、１０％塩酸１８０ｍＬを加えて、３時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水の順で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体をメタノール１６０ｍＬに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、１０％水酸化ナトリウム水溶液２０ｍＬを加えた。２時間攪拌後室温に戻し、溶媒を溜去し、得られた淡黄色固体を水で洗滌し、ヘキサンから再結晶し、６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの白色固体１８ｇを得た。
【０２２５】
（１−ｂ）２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エテニル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレンの合成
（１−ａ）で得られた６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド１８ｇのＴＨＦ９０ｍＬ溶液を、臭化３，４，５−トリフルオロベンジルトリフェニルホスホニウム４９ｇとｔ−ブトキシカリウム１２ｇからＴＨＦ２５０ｍＬ中で調製したウィッティッヒ反応剤中に、１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して、２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エテニル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレンの無色油状物２２ｇを得た。
【０２２６】
（１−ｃ）２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレンの合成
（１−ｂ）で得られた２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エテニル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン２２ｇを酢酸エチル１２０ｍＬに溶解し、５％パラジウム−炭素５ｇを加えて、室温で６時間水素添加した。触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、−７０℃以下でエタノールから再結晶して２−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチル］−６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレンの白色固体６ｇを得た。
【０２２７】
（実施例２）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−ブテニル）−トランスデカヒドロナフタレン（Ｉ−２）の合成
【０２２８】
【化６８】
0005093828.tif 000069
【０２２９】
（２−ａ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
金属マグネシウム３ｇをＴＨＦ１５ｍＬ中で懸濁している中に、臭化２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル２４ｇのＴＨＦ１２０ｍＬ溶液を滴下し、グリニヤール反応剤を調製した。溶液を１０℃以下に冷却しながらトランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノエチレンアセタール２１ｇのＴＨＦ１１０ｍＬ溶液を滴下し、室温に戻して１時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた油状物をトルエン１９０ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物２ｇを加え、水分離器を取り付けた装置で、溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した後、エチレングリコール１０ｍＬを加え、さらに溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。室温まで冷却して水を加え、有機層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの淡黄色油状物３０ｇを得た。
【０２３０】
（２−ｂ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
（２−ａ）で得られた２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタール３０ｇを（１−ｃ）と同様に接触水素還元することにより、２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの淡黄色油状物２９ｇを得た。
【０２３１】
（２−ｃ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
（２−ｂ）で得られた２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタール２９ｇをトルエン１５０ｍＬに溶解し、ギ酸８０ｍＬを加え、室温で１時間攪拌した。水を加え、有機層を分離し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を溜去し、２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの淡黄色固体１９ｇを得た。
【０２３２】
（２−ｄ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの合成
（２−ｃ）で得られた２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オン１９ｇを（１−ａ）と同様にウィッティッヒ反応させることにより、２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの白色固体１９ｇを得た。
【０２３３】
（２−ｅ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−オキソプロピル）−トランスデカヒドロナフタレンの合成
（２−ｄ）で得られた２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド１９ｇを（１−ａ）と同様のウィッティッヒ反応剤との反応をさらに２回繰り返して、２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−オキソプロピル）−トランスデカヒドロナフタレンの白色固体１８ｇを得た。
【０２３４】
（２−ｆ）２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−ブテニル）−トランスデカヒドロナフタレンの合成
（２−ｅ）で得られた２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−オキソプロピル）−トランスデカヒドロナフタレン１８ｇのＴＨＦ５５ｍＬ溶液を、ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム２８ｇおよびｔ−ブトキシカリウム１１ｇからＴＨＦ１６０ｍＬ溶液中で調製したウィッティッヒ反応剤中に、１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、−７０℃以下でエタノールから再結晶して２−［２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチル］−６−（３−ブテニル）−トランスデカヒドロナフタレンの白色固体４ｇを得た。
【０２３５】
（実施例３）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−６−（トランス−２−ブテニルオキシ）−トランスデカヒドロナフタレン（Ｉ−３）の合成
【０２３６】
【化６９】
0005093828.tif 000070
【０２３７】
（３−ａ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
（２−ａ）と同様に、トランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノエチレンアセタール２１ｇと臭化２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチルから調製したグリニヤール反応剤を反応させることにより２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの白色固体３１ｇを得た。
【０２３８】
（３−ｂ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
（３−ａ）で得られた２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスオクタヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタール３１ｇを（１−ｃ）と同様に接触水素還元することにより、２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの淡黄色固体２９ｇを得た。
【０２３９】
（３−ｃ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
（３−ｂ）で得られた２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタール２９ｇを（２−ｃ）と同様に脱アセタール化することにより、２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体２０ｇを得た。
【０２４０】
（３−ｄ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オールの合成
（３−ｃ）で得られた２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オン２０ｇをメタノール１００ｍＬに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、水素化ホウ素ナトリウム２ｇを少量ずつ加え、室温で１時間攪拌した。水を加え、酢酸エチルで抽出し、水、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を溜去し、２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オールの淡黄色固体１８ｇを得た。
【０２４１】
（３−ｅ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−６−（トランス−２−ブテニルオキシ）−トランスデカヒドロナフタレンの合成
（３−ｄ）２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−トランスデカヒドロナフタレン−２−オール１８ｇのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）９０ｍＬ溶液を、ＤＭＦ２０ｍＬ中に６０％水素化ナトリウム４ｇを懸濁した中に、１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温に戻して３０分間撹拌後、１０℃以下に冷却しながら塩化トランス−２−ブテニル１１ｇのＤＭＦ４０ｍＬ溶液を滴下した。５０℃で８時間加熱攪拌後、水と酢酸エチルを加え、有機層を分離し、水、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、エタノールから再結晶して２−［２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル］−６−（トランス−２−ブテニルオキシ）−トランスデカヒドロナフタレンの白色固体２ｇを得た。
【０２４２】
（実施例４）６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３−フルオロフェニル（Ｉ−４）の合成
【０２４３】
【化７０】
0005093828.tif 000071
【０２４４】
（４−ａ）６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの合成
６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オン２８ｇを（１−ａ）と同様のウィッティッヒ反応剤と反応して６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの白色固体１９ｇを得た。
【０２４５】
（４−ｂ）６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸の合成
（４−ａ）で得られた６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド１９ｇを濃硫酸１２ｇ、過マンガン酸カリウム６ｇの水６０ｍＬ溶液中に１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温で３０分攪拌後、水と酢酸エチルを加え、有機層を分離し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜去し、ヘキサンから再結晶して６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸の白色固体８ｇを得た。
【０２４６】
（４−ｃ）６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３−フルオロフェニルの合成
（４−ｂ）で得られた６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸８ｇを１，２−ジクロロエタン４０ｍＬに溶解し、塩化チオニル５ｇ、ピリジン０．１ｍＬ、ＤＭＦ５ｍＬを加え、１時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを溜去後、ジクロロメタン５０ｍＬを加え、３−フルオロ−４−シアノフェノール４ｇおよびピリジン３ｇを加え、８時間室温で攪拌した。１０％塩酸を加え、有機層を分離し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、エタノールから再結晶して６−ペンチル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３−フルオロフェニルの白色結晶３ｇを得た。
【０２４７】
（実施例５）６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３，５−ジフルオロフェニル（Ｉ−５）の合成
【０２４８】
【化７１】
0005093828.tif 000072
【０２４９】
（５−ａ）６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸の合成
（１−ａ）で得られた６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド３７ｇを（４−ｂ）と同様の酸化反応を行うことにより６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸の白色固体１５ｇを得た。
【０２５０】
（５−ｂ）６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３，５−ジフルオロフェニルの合成
（５−ａ）で得られた６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸１５ｇと３，５−ジフルオロ−４−シアノフェノール１１ｇを（４−ｃ）と同様のエステル化反応を行うことにより６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−カルボン酸４−シアノ−３，５−ジフルオロフェニルの白色固体６ｇを得た。
【０２５１】
（実施例６）４−メトキシ安息香酸６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−イル（Ｉ−６）の合成
【０２５２】
【化７２】
0005093828.tif 000073
【０２５３】
（６−ａ）６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オールの合成
６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オン１２ｇを（３−ｄ）と同様の還元を行うことにより６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オール８ｇを得た。
【０２５４】
（６−ｂ）４−メトキシ安息香酸６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−イルの合成
（６−ａ）で得られた６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−オール８ｇと塩化４−メトキシベンゾイル７ｇを（４−ｃ）と同様のエステル化反応を行うことにより４−メトキシ安息香酸６−プロピル−トランスデカヒドロナフタレン−２−イルの白色固体２ｇを得た。
【０２５５】
（実施例７）液晶組成物の調製（１）
汎用のｎ型ホスト液晶組成物（Ｈ）
【０２５６】
【化７３】
0005093828.tif 000074
【０２５７】
を調製した。この（Ｈ）は７２．５℃以下でネマチック相を示し、その融点は１７℃である。この組成物の物性値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）    −１．３
屈折率異方性（Δｎ）    ０．０８５
【０２５８】
次に、この（Ｈ）の８０重量％と実施例４で得られた本発明の化合物（Ｉ−５）
【０２５９】
【化７４】
0005093828.tif 000075
【０２６０】
の２０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−５）を調製した。この組成物の液晶（ネマチック）相上限温度（ＴN-I）は６８．５℃であり、（Ｈ）に対する低下を４℃に抑えることができた。この（Ｈ−５）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ６．０℃であった。これから、（Ｉ−５）の化合物は汎用液晶との相溶性にも優れていることがわかる。
【０２６１】
次に、この（Ｈ−５）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．５０Ｖ
応答時間（τ）            ４２．０ｍ秒
誘電率異方性（Δε）      ４．３
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８６
【０２６２】
ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるために電場応答しないが、（Ｈ−５）では（Ｉ−５）を２０％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．３と大きくなり、閾値電圧が１．５０Ｖと低電圧駆動が可能となり、さらに４２．０ｍ秒という高速応答も可能となった。しかもネマチック相上限温度（ＴN-I）の低下も約４℃程度に抑えることができた。
【０２６３】
（比較例１）
実施例７において、（Ｉ−５）に換えて、類似の構造を有するが、Ｌが単結合であるところのフェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｒ−１）
【０２６４】
【化７５】
0005093828.tif 000076
【０２６５】
を（Ｈ）に同量（２０重量％）添加してネマチック液晶組成物（Ｈ−Ｒ１）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ６５．３℃
融点（ＴC-N）          ２．０℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６８Ｖ
応答時間（τ）            ４１．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε）      ４．０
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８４
【０２６６】
（Ｈ−Ｒ１）はＴN-Iが（Ｈ−５）より低くホスト液晶（Ｈ）に対しても約７℃低下しており、またＶｔｈが（Ｈ−５）より大きく、応答時間が（Ｈ−５）よりやや改善されている。
【０２６７】
以上のように、本発明の（Ｉ−５）の化合物は、ネマチック相温度範囲を改善した液晶組成物を調製する上において非常に有用である。
【０２６８】
（実施例８）液晶組成物の調製（２）
汎用のｐ型ホスト液晶組成物（Ｊ）
【０２６９】
【化７６】
0005093828.tif 000077
【０２７０】
を調製した。この（Ｊ）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１．０℃である。（Ｊ）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃での電気光学特性は以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）        ２．１４Ｖ
応答時間（τ）            ２５．３ｍ秒
急峻性（γ）              １．２３
誘電率異方性（Δε）      ４．８
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０９０
【０２７１】
次に、この（Ｊ）の８０重量％と実施例４で得られた本発明の化合物（Ｉ−１）
【０２７２】
【化７７】
0005093828.tif 000078
【０２７３】
の２０重量％からなる液晶組成物（Ｊ−１）を調製した。この組成物のＴN-Iは８９．２℃であった。この（Ｊ−１）を−２０℃で４週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して放置し結晶化させて、そのＴC-Nを測定したところ４．０℃であり、（Ｊ）よりも大幅に降下させることができ、（Ｉ−１）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。
【０２７４】
次に、（Ｊ−１）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．７４Ｖ
応答時間（τ）            ４４．０ｍ秒
誘電率異方性（Δε）      ５．８
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０７８
従って、（Ｊ）は（Ｉ−１）を２０重量％添加することにより、誘電率異方性を増大させ、その閾値電圧（Ｖｔｈ）を０．３８Ｖも低減することができた。
【０２７５】
また、この素子の室温および８０℃における電圧保持率を測定したが、いずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
【０２７６】
（比較例２）
実施例７において、（Ｉ−１）に換えて、類似の構造を有するが、Ｌが単結合であるところのフェニルデカヒドロナフタレン誘導体（Ｒ−２）
【０２７７】
【化７８】
0005093828.tif 000079
【０２７８】
を（Ｊ）に同量（２０重量％）添加してネマチック液晶組成物（Ｊ−Ｒ２）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）            ８８．７℃
融点（ＴC-N）          １３．０℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）        １．６９Ｖ
応答時間（τ）            ４１．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε）      ５．７
屈折率異方性（Δｎ）      ０．０８０
【０２７９】
（Ｊ−Ｒ２）はＴN-Iが（Ｊ−１）より低く、ネマチック相温度範囲が縮小している。また、（Ｊ−１）と比較して（Ｊ−Ｒ２）は電気光学特性に殆ど変化がないが、応答時間がやや改善されている。
【０２８０】
以上のように、本発明の（Ｉ−１）の化合物は、ネマチック相温度範囲を改善した液晶組成物を調製する上において非常に有用である。
【０２８１】
また、一般式（Ｉ−１）の化合物は分子内に強い極性基を持たず、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。
【０２８２】
（実施例９）液晶組成物の調製（３）
以下の組成からなる液晶組成物（Ｍ）を調製した。
【０２８３】
４重量％の４−エトキシ−１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
３重量％のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸４−メチルフェニル
３重量％のトランス−４−プロピルシクロヘキサンカルボン酸４−エトキシフェニル
３重量％のトランス−４−（４−メチルフェニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−ブチル−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−ペンチル−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
３重量％の４，４’−ビス（３−ブテニル）ビシクロヘキサン
４重量％の１−（４−プロピルフェニル）−２−（４−メチルフェニル）エチン
３重量％の１−（４−エトキシフェニル）−２−（４−ペンチルフェニル）エチン
３重量％の１，２−ビス［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
４重量％の１−（４−エチルフェニル）エチニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
３重量％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−エチルビフェニル
３重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−シアノベンゼン
４重量％の４−［トランス−４−（トランス−１−プロペニル）シクロヘキシル］−１−シアノベンゼン
３重量％の４−［トランス−４−（３−ブテニル）シクロヘキシル］−１−シアノベンゼン
３重量％の４’−ペンチル−４−シアノビフェニル
４重量％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリミジン
３重量％の４−エチル安息香酸４−シアノフェニル
３重量％のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸３，４−ジフルオロフェニル
４重量％の４−ブチル安息香酸３−フルオロ−４−シアノフェニル
３重量％の４−（トランス−３−ペンテン−１−イル）安息香酸３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル
３重量％のトランス−４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−トランス−４’−（３−メトキシプロピル）ビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−エチルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン
４重量％のトランス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
３重量％のトランス−４−［２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチル］−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン
３重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル
４重量％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸３−フルオロ−４−シアノフェニル
３重量％の４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
３重量％の１−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン
この（Ｍ）のＴN-Iは７５．０℃であり、Δｎは０．１４２であった。この（Ｍ）の９０％と実施例５で得られた（Ｉ−５）
【０２８４】
【化７９】
0005093828.tif 000080
【０２８５】
の７％および実施例１で得られた（Ｉ−１）
【０２８６】
【化８０】
0005093828.tif 000081
【０２８７】
の３％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｉ）を調製した。この（Ｍ−Ｉ）のＴN-Iは７０．６℃であり、Δｎは０．１３５であった。
【０２８８】
【発明の効果】
本発明の新規化合物であるフェニレン基とデカヒドロナフタレン基の間に連結基を有するデカヒドロナフタレン誘導体は、従来のフェニレン基とデカヒドロナフタレン基が直結したデカヒドロナフタレン誘導体と比較して、同等に現在汎用の液晶化合物あるいは組成物との相溶性に優れ、特にネマチック液晶性に優れており、その添加によりネマチック相温度範囲を改善した液晶組成物を得ることができる。従って、これを含有する液晶組成物は実用的液晶として、特にネマチック液晶温度範囲が広い液晶表示材料を必要とする液晶表示用として極めて有用である。