(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に配線用上部金属層形成領域に対応する部分に開口部を有する配線用上部金属層用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、
前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜を剥離する工程と、
前記配線用上部金属層を含む前記下地金属層上にレジストからなる被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の露光現像処理を行うことで、前記配線用上部金属層の一部に対応する部分における前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に前記開口部を形成した際の前記被覆膜に対する露光の不良によって前記開口部の内壁面底部において前記被覆膜が残存して前記開口部の内壁面から内側へ突出するようにして発生した裾引きを除去する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線用上部金属層の一部上に導電体を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、
前記配線用上部金属層下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に配線用上部金属層形成領域に対応する部分に開口部を有する配線用上部金属層用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、
前記配線用上部金属層および前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜上にレジストからなる被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の露光現像処理を行うことで、前記配線用上部金属層の一部に対応する部分における前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に前記開口部を形成した際の前記被覆膜に対する露光の不良によって前記開口部の内壁面底部において前記被覆膜が残存して前記開口部の内壁面から内側へ突出するようにして発生した裾引きを除去する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線用上部金属層の一部上に導電体を形成する工程と、
前記導電体形成用メッキレジスト膜、前記被覆膜および前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、
前記配線用上部金属層下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記裾引きの除去はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の発明において、前記被覆膜の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の発明において、前記被覆膜はネガ型液状レジストの塗布により形成し、前記導電体形成用メッキレジスト膜はネガ型ドライフィルムレドストのラミネートにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜への前記開口部の形成は、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に対して露光、現像を行なうことにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載の発明において、前記導電体は柱状電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＳＰ(chip size package)と呼ばれる半導体装置には、半導体基板上に形成された配線の接続パッド部上面に柱状電極を形成したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８１６１５号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置の製造方法では、まず、半導体基板上の全面に形成された下地金属層の上面に、配線用上部金属層形成領域に対応する部分に開口部を有する配線用上部金属層用メッキレジスト膜を形成する。次に、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、配線用上部金属層用メッキレジスト膜の開口部内の下地金属層の上面に配線用上部金属層を形成する。
【０００５】
次に、配線用上部金属層用メッキレジスト膜を残したままで、それらの上面に、配線用上部金属層の接続パッド部つまり柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有する柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する。次に、下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部内の配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を形成する。次に、両メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて同時に剥離する。
【０００６】
ここで、両メッキレジスト膜を剥離する前の状態においては、配線用上部金属層間の隙間に配線用上部金属層用メッキレジスト膜が存在するため、配線用上部金属層間の隙間に柱状電極形成用メッキレジスト膜が入り込む余地は無い。これにより、配線用上部金属層間の隙間における下地金属層の上面に柱状電極形成用メッキレジスト膜の残渣が発生するのを確実に防止することができる。
【０００７】
次に、配線用上部金属層をマスクとして配線用上部金属層下以外の領域における下地金属層をエッチングして除去する。この状態では、配線用上部金属層とその下に残存された下地金属層とにより、２層構造の配線が形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造方法では、柱状電極の高さを例えば１００μｍと比較的高くする場合には、柱状電極形成用メッキレジスト膜の厚さが１００μｍ以上と比較的厚くなってしまう。一方、柱状電極形成用メッキレジスト膜に開口部をフォトリソグラフィ法により形成するとき、露光、現像を行なうが、柱状電極形成用メッキレジスト膜の厚さが１００μｍ以上と比較的厚いと、柱状電極形成用メッキレジスト膜の底部に露光光量の変化により露光不良が発生することがある。このような露光不良が発生すると、柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部の内壁面底部に裾引きが発生し、形成される柱状電極の形状が歪になってしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、この発明は、柱状電極等の導電体の形状が歪にならないようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に配線用上部金属層形成領域に対応する部分に開口部を有する配線用上部金属層用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜を剥離する工程と、前記配線用上部金属層を含む前記下地金属層上にレジストからなる被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の露光現像処理を行うことで、前記配線用上部金属層の一部に対応する部分における前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に前記開口部を形成した際の前記被覆膜に対する露光の不良によって前記開口部の内壁面底部において前記被覆膜が残存して前記開口部の内壁面から内側へ突出するようにして発生した裾引きを除去する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線用上部金属層の一部上に導電体を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、前記配線用上部金属層下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、半導体基板上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に配線用上部金属層形成領域に対応する部分に開口部を有する配線用上部金属層用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、前記配線用上部金属層および前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜上にレジストからなる被覆膜および導電体形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の露光現像処理を行うことで、前記配線用上部金属層の一部に対応する部分における前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に開口部を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に前記開口部を形成した際の前記被覆膜に対する露光の不良によって前記開口部の内壁面底部において前記被覆膜が残存して前記開口部の内壁面から内側へ突出するようにして発生した裾引きを除去する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜の開口部内の前記配線用上部金属層の一部上に導電体を形成する工程と、前記導電体形成用メッキレジスト膜、前記被覆膜および前記配線用上部金属層用メッキレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する工程と、前記配線用上部金属層下以外の領域における前記下地金属層を除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記裾引きの除去はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行なうことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記被覆膜の上面は平坦であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記被覆膜はネガ型液状レジストの塗布により形成し、前記導電体形成用メッキレジスト膜はネガ型ドライフィルムレドストのラミネートにより形成することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜への前記開口部の形成は、前記導電体形成用メッキレジスト膜および前記被覆膜に対して露光、現像を行なうことにより形成することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記導電体は柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記柱状電極の周囲に封止膜を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、導電体形成用メッキレジスト膜および被覆膜に開口部を形成した際に被覆膜の開口部の内壁面底部に発生した裾引きを除去しているので、柱状電極等の導電体の形状が歪にならないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、ＣＳＰと呼ばれるもので、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１３】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１４】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１５】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１がその上面が柱状電極１０の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１０の上面には半田ボール１２が設けられている。
【００１６】
（製造方法の第１実施形態）
次に、この半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを準備する。
【００１７】
この場合、半導体ウエハ２１の上面において各半導体装置が形成される領域には所定の機能の集積回路（図示せず）が形成され、接続パッド２はそれぞれ対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。
【００１８】
次に、図３に示すように、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面全体に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００１９】
次に、下地金属層８の上面にポジ型レジストからなる上部金属層用メッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分における上部金属層用メッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、上部金属層用メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９を形成する。次に、上部金属層用メッキレジスト膜２３をレジスト剥離液を用いて剥離する。
【００２０】
次に、図４に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面に、例えば後述するネガ型のドライフィルムレジストと同一の材料からなるネガ型液状レジストをスピンコート法等により塗布し、上面が平坦な被覆膜２５を形成する。この場合、被覆膜２５によって上部金属層９を完全に覆い、上部金属層９間に上部金属層９の厚さよりも厚い被覆膜２５が形成されるようにする。
【００２１】
次に、被覆膜２５の上面に、ネガ型のドライフィルムレジストをラミネートし、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２６を形成する。この場合、被覆膜２５の上面が平坦であるため、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６と被覆膜２５との間に空気が残留しにくいようにすることができる。次に、露光、現像を行なうと、図５に示すように、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分における柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５に開口部２７が連続して形成される。
【００２２】
ここで、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６およびの厚さが１００μｍ以上と比較的厚いと、被覆膜２５の底部に露光光量の変化により露光不良が発生することがある。そして、このような露光不良の発生により、被覆膜２５の開口部２７の内壁面底部に裾引き２８が発生したとする。そこで、次に、ドライエッチングあるいはウェットエッチングにより、被覆膜２５の開口部２７の内壁面底部に発生した裾引き２８を除去すると、図６に示すように、開口部２７の内壁面が直線状となり、上部金属層９の接続パッド部上面が所期の通り露出される。
【００２３】
次に、図７に示すように、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５の開口部２７内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。この場合、内壁面が直線状である開口部２７を介して上部金属層９の接続パッド部上面が所期の通り露出されているので、柱状電極１０の形状が歪になることはない。
【００２４】
次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５をレジスト剥離液を用いて後述の如く同時に剥離する。次に、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図８に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２５】
ここで、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５の剥離について説明する。図４に示す工程において、上部金属層９を含む下地金属層８の上面に被覆膜２５を形成し、被覆膜２５の上面に柱状電極形成用メッキレジスト膜２６を形成しているので、上部金属層９間に上部金属層９の厚さよりも厚い被覆膜２５が存在し、上部金属層９間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２６が入り込む余地は無い。
【００２６】
そして、ネガ型液状レジストからなる被覆膜２５は、レジスト剥離液に対して溶解して剥離される。一方、ネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２６は、レジスト剥離液に対して膨潤して剥離される。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６は、レジスト剥離液と接触している表面から膨潤して剥離されると同時に、被覆膜２５が溶解して剥離されることにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６下に空洞が形成されるため、浮き上がり、いわゆるリフトオフ法により剥離される。
【００２７】
したがって、配線７間の間隔が狭くなった場合であっても、配線７間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２６のレジスト残渣が発生することがなく、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６のレジスト残渣に起因する配線７間でのショートの発生を確実に防止することができる。
【００２８】
このようにして、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５を剥離したら、次に、図９に示すように、配線７および柱状電極１０を含む保護膜５の上面にスピンコート法等によりエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１をその厚さが柱状電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００２９】
次に、封止膜１１の上面側を適宜に研磨し、図１０に示すように、柱状電極１０の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１０の上面を含む封止膜１１の上面を平坦化する。次に、図１１に示すように、柱状電極１０の上面に半田ボール１２を形成する。次に、図１２に示すように、封止膜１１、保護膜５、絶縁膜３および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３０】
（製造方法の第２実施形態）
次に、図１に示す半導体装置の製造方法の第２実施形態について説明する。まず、図３に示す工程後に、図１３に示すように、上部金属層形成用メッキレジスト膜２３をそのまま残存させた状態で、上部金属層９および上部金属層形成用メッキレジスト膜２３の上面に、ネガ型液状レジストをスピンコート法等により塗布し、上面が平坦な被覆膜２５を形成する。
【００３１】
次に、被覆膜２５の上面に、ネガ型のドライフィルムレジストをラミネートし、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２６を形成する。この場合も、被覆膜２５の上面が平坦であるため、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６と被覆膜２５との間に空気が残留しにくいようにすることができる。次に、露光、現像を行なうと、図１４に示すように、上部金属層９の接続パッド部（柱状電極１０形成領域）に対応する部分における柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５に開口部２７が連続して形成される。
【００３２】
ここで、この場合も、被覆膜２５の開口部２７の内壁面底部に裾引き２８が発生したとする。そこで、次に、ドライエッチングあるいはウェットエッチングにより、被覆膜２５の開口部２７の内壁面底部に発生した裾引き２８を除去すると、図１５に示すように、開口部２７の内壁面が直線状となり、上部金属層９の接続パッド部上面が所期の通り露出される。
【００３３】
次に、図１６に示すように、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５の開口部２７内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０が形成される。この場合も、内壁面が直線状である開口部２７を介して上部金属層９の接続パッド部上面が所期の通り露出されているので、柱状電極１０の形状が歪になることはない。
【００３４】
次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６、被覆膜２５および上部金属層形成用メッキレジスト膜２３をレジスト剥離液を用いて後述の如く同時に剥離する。以下、上記と同様の工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３５】
ここで、この第２実施形態における上部金属層形成用メッキレジスト膜２３は、ポジ型化学増幅型であり、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）の水酸基をｔ−ブトキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）で保護した溶解阻害剤、光により酸発生する光酸発生剤、それらを溶解させる溶剤によって構成されている。
【００３６】
次に、その理由について説明する。ポジ型の非露光部からなる上部金属層形成用メッキレジスト膜２３は、化学増幅型であるので、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５を紫外線を照射して露光するとき、紫外線が照射されても、ガスが発生することがなく、上部金属層形成用メッキレジスト膜２３と被覆膜２５との間に気泡が介在されることがなく、この気泡に起因する被覆膜２５の不要な剥離が生じないようにすることができる。
【００３７】
これに対し、上部金属層形成用メッキレジスト膜２３を例えばノボラック樹脂および感光剤を含むポジ型レジストによって形成すると、未露光の柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５を紫外線を照射して露光するとき、紫外線が照射され、感光反応により感光剤から窒素が離脱し、この離脱された窒素が上部金属層形成用メッキレジスト膜２３と被覆膜２５との間に気泡として介在され、被覆膜２５の不要な剥離の原因となり、好ましくない。
【００３８】
次に、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６、被覆膜２５および上部金属層形成用メッキレジスト膜２３を剥離する場合について説明する。まず、一例として、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５はアクリル樹脂を含むレジストによって形成する。上部金属層形成用メッキレジスト膜２３は上記ノボラック樹脂を含むポジ型化学増幅型レジストによって形成する。
【００３９】
そして、例えば、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液は、アクリル樹脂を含むネガ型の柱状電極形成用メッキレジスト膜２６と被覆膜２５およびノボラック樹脂を含むポジ型の配線形成用メッキレジスト膜２２の双方を剥離することができる。そこで、モノエタノールアミン系のレジスト剥離液を用いて、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６、被覆膜２５および上部金属層形成用メッキレジスト膜２３を同時に剥離する。
【００４０】
すなわち、上部金属層形成用メッキレジスト膜２３および被覆膜２５は、レジスト剥離液に対して溶解して剥離される。一方、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６は、レジスト剥離液に対して膨潤して剥離される。この場合、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６は、レジスト剥離液と接触している表面から膨潤して剥離されると同時に、上部金属層形成用メッキレジスト膜２３および被覆膜２５が溶解して剥離されることにより、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６下に空洞が形成されるため、浮き上がり、いわゆるリフトオフ法により剥離される。
【００４１】
したがって、この場合も、配線８間の間隔が狭くなった場合であっても、配線８間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２６のレジスト残渣が発生することがなく、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６のレジスト残渣に起因する配線８間でのショートの発生を確実に防止することができる。
【００４２】
なお、上記実施形態においては、柱状電極形成用メッキレジスト膜２６および被覆膜２５の開口部２７内の上部金属層９の接続パッド部上面に柱状電極１０を形成する場合について説明したが、これに限られるものではない。例えば、メッキレジスト膜および被覆膜の開口部を配線のパターンとして、上層配線を形成したり、銅等からなるインダクタを形成したり、あるいは高抵抗金属からなる抵抗体等の電子部品等の導電体を形成したりする場合にも幅広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の第１実施形態において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１に示す半導体装置の製造方法の第２実施形態において、所定の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００４４】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  配線
８  下地金属層
９  上部金属層
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２２  ダイシングストリート
２３  上部金属層用メッキレジスト膜
２４  開口部
２５  被覆膜
２６  柱状電極形成用メッキレジスト膜
２７  開口部
【図１】
0004971960.tif 000002
【図２】
0004971960.tif 000003
【図３】
0004971960.tif 000004
【図４】
0004971960.tif 000005
【図５】
0004971960.tif 000006
【図６】
0004971960.tif 000007
【図７】
0004971960.tif 000008
【図８】
0004971960.tif 000009
【図９】
0004971960.tif 000010
【図１０】
0004971960.tif 000011
【図１１】
0004971960.tif 000012
【図１２】
0004971960.tif 000013
【図１３】
0004971960.tif 000014
【図１４】
0004971960.tif 000015
【図１５】
0004971960.tif 000016
【図１６】
0004971960.tif 000017