(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主面上に複数の電極パッドを有した半導体チップと、
前記複数の電極パッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁層と、
前記半導体チップの主面内であって、前記絶縁層上に前記複数の電極パッドと接続した配線層により再配線接続で配置された複数のコンタクトパッドと、
前記複数のコンタクトパッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁性樹脂と、
前記複数のコンタクトパッド上に各々設けられた突起電極とよりなる半導体装置であって、
前記半導体チップ主面の周縁部は前記絶縁性樹脂が被覆されず、前記半導体チップの主面が露出し、
前記絶縁性樹脂の端部は斜辺を有し、
前記斜辺は前記露出した半導体チップの主面に接し、
前記電極パッドは前記半導体チップの主面上の周辺部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁性樹脂から露出した前記半導体チップの周縁部は、半導体ウェハーダイシング時のスクライブライン端が露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層の端部は斜辺を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂から露出した前記半導体チップ主面の周縁部の幅は、５［μｍ］〜５０［μｍ］であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
主面上に複数の電極パッドが形成された半導体チップがその面内に複数個形成された半導体ウェハーを用意する工程と、
前記半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、前記複数の電極パッドを除く主面領域に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体ウェハーの各半導体チップに対して、一端を前記電極パッドと接続させ、他端を前記絶縁層上に延在させてコンタクトパッドを２次元配置で構成する配線層を形成する工程と、
前記半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、前記配線層のコンタクトパッドの部分および各半導体チップ間のダイシングスクライブラインの部分を除いて前記配線層、前記電極パッドを絶縁性樹脂で被覆する工程と、
前記コンタクトパッド上に導電性材料により突起電極を形成する工程と、
前記半導体ウェハーの各半導体チップ間のダイシングスクライブラインに対して、ブレード切断によって個々の半導体チップ単位に分割して半導体装置を得る工程とよりなり、前記絶縁性樹脂の端部は斜辺を有し、
前記斜辺は前記ダイシングスクライブラインに接し、
前記電極パッドは前記半導体チップの主面上の周辺部に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記突起電極を形成する工程では、前記突起電極として半田ボール電極を搭載する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェハーに対して、ダイシングスクライブラインの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する工程では、ダイシングスクライブラインとともに少なくともダイシングスクライブライン端から前記半導体チップ側に５［μｍ］〜３５［μｍ］のスペースの部分を除いて前記絶縁性樹脂で被覆することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板への実装効率を高め、高密度実装を可能にし、信頼性の高い基板実装を実現できるチップ状の半導体装置およびその製造方法に関するものであり、特に半導体ウェハーレベルで製造し、かつ信頼性の高い半導体装置構造を実現できる半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯機器の軽量小型化、高密度化にともない、リード端子を外部端子として有した半導体パッケージの高密度実装化が進む中、より高密度実装を図るため、チップ状の半導体装置を電子機器の配線基板等に実装する技術が開発されている。
【０００３】
以下、従来の半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図６は従来の半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は構成斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】
図６に示すように従来の半導体装置は、一主面上の周辺領域に内部の半導体集積回路素子と接続した複数の電極パッド１を有した半導体チップ２と、各電極パッド１を除く半導体チップ２の主面領域上に形成された絶縁性の低弾性樹脂よりなる絶縁層３と、半導体チップ２の主面内であって、形成された絶縁層３上に各電極パッド１と接続した金属導体よりなる配線層４により再配線接続で２次元配置された複数のコンタクトパッド５と、それらコンタクトパッド５を除く半導体チップ２の主面上に形成され、電極パッド１，配線層４を保護したソルダーレジストなどの絶縁性樹脂層６と、コンタクトパッド５上に各々設けられた半田ボールなどの突起電極７より構成されている。
【０００６】
次に従来の半導体装置の製造方法について、図７，図８を参照して説明する。図７，図８は従来の半導体装置の製造方法を示す主要工程ごとの断面図である。
【０００７】
まず図７（ａ）に示すように、一主面上の周辺部に複数の電極パッド１が形成され、半導体集積回路素子が形成された半導体チップ２をその面内に複数個形成された半導体ウェハー８を用意する。
【０００８】
次に図７（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェハー８内の各半導体チップ２の主面上であって、周辺の複数の電極パッド１を除く主面領域を覆うように絶縁性の低弾性材料により絶縁層３を形成する。
【０００９】
次に図７（ｃ）に示すように、半導体ウェハー８の各半導体チップ２の主面上において、一端を電極パッド１と接続させ、他端を形成した絶縁層３上に延在させ、２次元配置でコンタクトパッド５を構成する配線層４を形成する。
【００１０】
次に図７（ｄ）に示すように、半導体ウェハー８の各半導体チップ２の主面上の略全面であって、形成したコンタクトパッド５を除いて配線層４、電極パッド１を絶縁性樹脂で被覆して絶縁性樹脂層６を形成する。
【００１１】
次に図８（ａ）に示すように、半導体ウェハー８の各半導体チップ２上のコンタクトパッド５上に導電性材料により突起電極７を形成する。
【００１２】
次に図８（ｂ）に示すように、半導体ウェハー８の各半導体チップ２間のダイシングスクライブライン９に対して、ウェハー上方側から回転ブレード１０により絶縁性樹脂層６とともに切断して、個々の半導体装置を得る。
【００１３】
次に図８（ｃ）には、半導体ウェハーから個片に分離した半導体装置を示し、構成は図５に示した構成と同様である。
【００１４】
以上のような各工程により、基板実装に適したチップ状で高密度タイプの半導体装置を製造できるものである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の半導体装置において、その製造過程では半導体ウェハー状態で製造されるものであり、半導体装置の端面では、半導体チップの例えばシリコン面と絶縁性樹脂との面が露出している。この２種類の材料の端面が露出していることにより、半導体チップ（シリコン）と絶縁性樹脂層の間で剥離が発生する恐れがあり、信頼性上の問題となる。前述のような剥離は加熱環境下で発生する可能性が高く、半導体装置の基板実装上の課題となっていた。
【００１６】
また半導体装置の製造方法においても、回転ブレードで個々の半導体装置に切断分離する際、切断箇所である半導体ウェハーの各半導体チップ間のダイシングスクライブライン上には絶縁性樹脂が形成されているため、切断はその絶縁性樹脂とともに半導体ウェハー（シリコン基板）を切断することになり、切断時の衝撃、およびその衝撃の伝搬により、絶縁性樹脂が半導体チップから剥離し、分離後の半導体装置において、半導体チップ（シリコン）と絶縁性樹脂層の間で剥離が発生しているという信頼性上の問題があった。
【００１７】
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、半導体ウェハーレベルで半導体パッケージを製造するに際し、複数の構成材料間での剥離の問題を解消し、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために本発明の半導体装置は、その主面上に複数の電極パッドを有した半導体チップと、前記電極パッドを除く前記半導体チップの主面上を被覆した絶縁性樹脂と、前記電極パッドに接続した突起電極とよりなる半導体装置であって、前記半導体チップの周縁部は前記絶縁性樹脂が被覆されず、前記半導体チップの主面が露出している半導体装置である。
【００１９】
また本発明の半導体装置は、その主面上に複数の電極パッドを有した半導体チップと、前記複数の電極パッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁層と、前記半導体チップの主面内であって、前記絶縁層上に前記複数の電極パッドと接続した配線層により再配線接続で配置された複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドを除く半導体チップの主面上に形成された絶縁性樹脂と、前記複数のコンタクトパッド上に各々設けられた突起電極とよりなる半導体装置であって、前記半導体チップの周縁部は前記絶縁性樹脂が被覆されず、前記半導体チップの主面が露出している半導体装置である。
【００２０】
そして具体的には、絶縁性樹脂から露出した半導体チップの周縁部は、半導体ウェハーダイシング時のスクライブライン端が露出している半導体装置である。
【００２１】
また、電極パッドは半導体チップの主面上の周辺部に配置されている半導体装置である。
【００２２】
また、半導体チップの周縁部の絶縁性樹脂の端部は斜辺を有している半導体装置である。
【００２３】
また、絶縁性樹脂から露出した半導体チップの周縁部の幅は、５［μｍ］〜５０［μｍ］である半導体装置である。
【００２４】
前記構成の通り、本発明の半導体装置は、半導体チップの周縁部は絶縁性樹脂が被覆されず、半導体チップの主面の一部が露出し、絶縁性樹脂の端部は斜辺を有しているので、剥離抵抗が増大し、絶縁性樹脂と半導体チップとの間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。さらに絶縁性樹脂から露出した半導体チップの周縁部の幅は、５［μｍ］〜５０［μｍ］の好ましくは２５［μｍ］であるため、一定数の距離を有し、半導体装置の端面衝撃による２者の剥離を防止できるものである。
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の電極パッドが形成された半導体チップがその面内に複数個形成された半導体ウェハーを用意する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、前記電極パッドの部分および各半導体チップ間のダイシングスクライブラインの部分を除く領域を絶縁性樹脂で被覆する工程と、前記電極パッドに接続させて前記半導体ウェハーの各半導体チップ上に導電性材料により突起電極を形成する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップ間のダイシングスクライブラインに対して、ブレード切断によって個々の半導体チップ単位に分割して半導体装置を得る工程とよりなる半導体装置の製造方法である。
【００２６】
また本発明の半導体装置の製造方法は、主面上に複数の電極パッドが形成された半導体チップがその面内に複数個形成された半導体ウェハーを用意する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、前記複数の電極パッドを除く主面領域に絶縁層を形成する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップに対して、一端を前記電極パッドと接続させ、他端を前記絶縁層上に延在させてコンタクトパッドを２次元配置で構成する配線層を形成する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、前記配線層のコンタクトパッドの部分および各半導体チップ間のダイシングスクライブラインの部分を除いて前記配線層、前記電極パッドを絶縁性樹脂で被覆する工程と、前記コンタクトパッド上に導電性材料により突起電極を形成する工程と、前記半導体ウェハーの各半導体チップ間のダイシングスクライブラインに対して、ブレード切断によって個々の半導体チップ単位に分割して半導体装置を得る工程とよりなる半導体装置の製造方法である。
【００２７】
具体的には、突起電極を形成する工程では、突起電極として半田ボール電極を搭載する工程である半導体装置の製造方法である。
【００２８】
また、半導体ウェハーに対して、ダイシングスクライブラインの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する工程では、ダイシングスクライブラインとともに少なくともダイシングスクライブライン端から半導体チップ側に５［μｍ］〜３５［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する半導体装置の製造方法である。
【００２９】
前記構成の通り、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハーのダイシングスクライブライン上には絶縁性樹脂を形成しておらず、個片化の際のブレード切断では、絶縁性樹脂に対しては切断時の衝撃、外圧が印加されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止できるものである。また、半導体ウェハーに対して、ダイシングスクライブラインの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する際、ダイシングスクライブラインとともに少なくともダイシングスクライブライン端から半導体チップ側に５［μｍ］〜３５［μｍ］の好ましくは１０［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆しているため、切断時の衝撃、外圧が伝搬されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止して切断することができる。もちろん絶縁性樹脂に対するクラックの発生も防止して個片化できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置およびその製造方法の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】
まず本実施形態の半導体装置について説明する。
【００３２】
図１は本実施形態の半導体装置を示す図である。図１において、図１（ａ）は構成斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）でのＢ−Ｂ１箇所の断面図である。なお、図１（ａ）では視覚便宜上、一部の構成にハッチングを付している。
【００３３】
図１に示すように、本実施形態の半導体装置としては、リアルチップサイズパッケージ（ＲＣＳＰ）であり、その主面、例えば表面上に複数の電極パッド１１を有した半導体チップ１２と、複数の電極パッド１１を除く半導体チップ１２の主面上に形成された絶縁層１３と、半導体チップ１２の主面内であって、絶縁層１３上に複数の電極パッド１１の各電極パッド１１と接続した配線層１４により再配線接続で配置された複数のコンタクトパッド１５と、複数のコンタクトパッド１５を除く半導体チップ１２の主面上に形成された絶縁性樹脂層１６と、複数のコンタクトパッド１５上に各々設けられた突起電極１７とよりなる半導体装置であって、半導体チップ１２の周縁部１２ａは絶縁性樹脂層１６が被覆されず、半導体チップ１２の主面端部が露出している半導体装置である。
【００３４】
ここで本実施形態の絶縁性樹脂層１６から露出した半導体チップ１２の周縁部は、半導体ウェハーダイシング時のスクライブライン端が露出しているものである。そして絶縁性樹脂層１６から露出した半導体チップ１２の周縁部の幅は、５［μｍ］〜５０［μｍ］の好ましくは２５［μｍ］であり、半導体チップ１２端から一定数の距離を有し、半導体装置の端面衝撃による絶縁性樹脂層１６と半導体チップ１２材料（例えばシリコン）との間の剥離を防止できるものである。
【００３５】
また、本実施形態の半導体装置では図示されるように、電極パッド１１は半導体チップ１２の主面上の周辺部に配置（ペリフェラル配置）されているものであるが、電極パッド１１の配置はエリア配置でも、ペリフェラル配置でもよく、また両者の組み合わせ配置でもよい。
【００３６】
また、本実施形態において、絶縁層１３は低弾性体層であり、弾性率（ヤング率）として１０〜２０００［ｋｇ／ｍｍ2］の範囲にあることが好ましく、さらに１０〜１０００［ｋｇ／ｍｍ2］の範囲にあることがより好ましい。また、絶縁層１３の線膨張率は５〜２００［ｐｐｍ／℃］の範囲にあることが好ましく、さらに１０〜１００［ｐｐｍ／℃］の範囲にあることがより好ましい。例えばエステル結合型ポリイミドやアクリレート系エポキシ等のポリマーでよく、低弾性率を有し、絶縁性であればよい。またその厚みとしては、１〜１００［μｍ］であり、好ましくは３０［μｍ］である。
【００３７】
そして、絶縁層１３の端部は、図１に示すように、断面形状において斜辺を構成しているものであり、これにより電極パッドの引き回しで使用する配線層の形成精度と、断線防止などの信頼性を高めることができる。さらに本実施形態の半導体装置において、絶縁層１３としては弾性を有する樹脂の他、基板実装の際の実装方法如何によっては、５［μｍ］厚以上のポリイミドなどの絶縁層でもよい。
【００３８】
また本実施形態では、突起電極１７は半田ボールを採用しているが、金属材料によるバンプ状の突起電極でもよい。
【００３９】
また、下地となる絶縁層１３の上に配線層１４を設けているので、半導体装置をプリント基板等の配線基板上に実装する際などにおいて、半導体装置の加熱・冷却に伴い配線層に熱応力などの応力が印加されても、配線層１４に加わる応力が緩和される。よって、基板実装時などにおける配線層１４の断線を防止することができ、信頼性の高い配線構造を実現することができる。
【００４０】
そして、半導体装置の主面上に二次元的に外部端子となるコンタクトパッド１５が配置されているので、狭い面積に多数の外部端子を設けることが可能となるとともに、パターン形成可能な配線層１４により電極パッド１１とコンタクトパッド１５と接続することができる構造である。したがって、小型で薄型の半導体装置であり、かつ多ピン化に対応できる半導体装置である。しかも微細加工に適し、多ピン化に対応できる半導体装置である。
【００４１】
さらに、配線層１４につながるコンタクトパッド１５の上に半田ボールなどの突起電極１７が設けられ、配線基板に半導体装置を搭載する工程が極めて簡易かつ迅速に行なうことができる構造となっているが、その際にも、絶縁層１３により、大きな熱容量を有する半田ボールから発生する熱応力を吸収できる。
【００４２】
以上の通り、本実施形態の半導体装置は、半導体チップ１２の周縁部は絶縁性樹脂層１６が被覆されず、半導体チップ１２の主面の一部、すなわち、半導体ウェハーダイシング時のスクライブライン端が露出し、絶縁性樹脂層１６と半導体チップ１２との間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。さらに絶縁性樹脂層１６から露出した半導体チップ１２の周縁部の幅は、２５［μｍ］であるため、一定数の距離を有し、半導体装置の端面衝撃による構成材料間の剥離を防止できるものである。
【００４３】
次に本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００４４】
図２，図３は本実施形態の半導体装置の製造方法を示す主要工程ごとの断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハーレベルで半導体装置（半導体パッケージ）を製造する工法であり、信頼性の高いリアルチップサイズパッケージの製造方法である。
【００４５】
まず図２（ａ）に示すように、主面上に複数の電極パッド１１が形成された半導体チップ１２がその面内に複数個形成された半導体ウェハー１８を用意する。
【００４６】
次に図２（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェハー１８の各半導体チップ１２の主面上であって、複数の電極パッド１１を除く主面領域に絶縁層１３を形成する。
【００４７】
具体的には、まず半導体チップ１２の主面にそれぞれ形成された電極パッド１１とパッシベーション膜（図示せず）との上に、感光性を有する絶縁性の低弾性材料を１００［μｍ］程度の厚みで塗布して乾燥することにより絶縁層膜を形成する。そして乾燥された絶縁層膜に対して露光と現像とを順次行って、半導体チップ１２の電極パッド１１の部分を開口させた絶縁層１３を形成する。この場合において、例えば露光で平行光ではなく散乱光を使用して、開口部における絶縁層１３の断面形状を、半導体チップ１２の主面に対して垂直ではなく鋭角部分のない斜辺状にして形成する。本実施形態では、絶縁層１３の開口の端部を傾斜させて半導体チップ１２の表面になめらかにつながるように形成することにより、後工程の配線層を形成しやすく、また断線しにくい構造を構成することができる。
【００４８】
なお、半導体装置を基板実装した際の熱応力を軽減するためには絶縁層１３の厚みは、塗布以降の工程に支障のない範囲で厚い方が良く、例えば５００［μｍ］程度でも良いし１［ｍｍ］程度でも良い。また、感光性を有する低弾性材料としては、例えばエステル結合型ポリイミドやアクリレート系エポキシ等のポリマーでよく、低弾性率を有し、絶縁性であればよい。また、感光性を有する低弾性材料は液状材料を乾燥させて形成する必要はなくフィルム状に予め形成された材料を用いても構わない。その場合には、フィルム状の低弾性材料を半導体チップ上に貼りあわせ、露光、現像することで低弾性材料に開口部を形成することができ、半導体チップ上の電極パッドを露出させることができる。さらに、絶縁層１３を構成する絶縁性の低弾性材料が感光性を有する必要はない。感光性を有しない材料を用いる場合には、レーザーやプラズマによる機械的な加工もしくはエッチングなどの化学的加工により、半導体チップ上の電極パッドを露出させることができる。
【００４９】
次に図２（ｃ）に示すように、半導体ウェハー１８の各半導体チップ１２に対して、一端を電極パッド１１と接続させ、他端を形成した絶縁層１３上に延在させてコンタクトパッド１５を２次元配置で構成する配線層１４を形成する。
【００５０】
具体的には、まず半導体ウェハー１８上の半導体チップ１２の主面において、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法又は無電解めっき法によって例えば厚みが０．２［μｍ］程度のチタン（Ｔｉ）膜とその上に形成された厚みが０．５［μｍ］程度の銅（Ｃｕ）膜からなる薄膜金属層を形成する。そして形成した薄膜金属層上にネガ型感光性レジストを塗布し、仕上げ製品の所望のパターン部以外を硬化し、反応部を除去することでメッキレジスト膜を形成する。ここではメッキレジスト膜を形成する際にネガ型感光性レジストを用いたが、ポジ型感光性レジストを用いてもよいことは言うまでもない。そして電解めっき法により、メッキレジスト膜が形成された箇所以外の薄膜金属層の上に、例えばＣｕ膜からなる厚膜金属層を例えば２０［μｍ］程度の厚みで選択的に形成する。そして厚膜金属層の形成後、メッキレジスト膜を溶融除去する。そして薄膜金属層と厚膜金属層とを溶融することのできるエッチング液、例えばＣｕ膜に対しては塩化第二銅溶液で、Ｔｉ膜に対してはＥＤＴＡ溶液で全面エッチングすると、厚膜金属層よりも層厚が薄い薄膜金属層が先行して除去される。この工程によって、半導体チップ１２の主面において、電極パッド１１と配線層１４とコンタクトパッド１５とからなる所定の金属配線パターンを形成することができる。
【００５１】
なお、薄膜金属層や厚膜金属層を構成する材料としてＣｕを使用したが、これに代えてＣｒ、Ｗ、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｎｉ等を使用してもよい。また、薄膜金属層と厚膜金属層とをそれぞれ異なる金属材料により構成しておき、最終的なエッチング工程では薄膜金属層のみを選択的にエッチングするエッチャントを用いてもよい。
【００５２】
次に図２（ｄ）に示すように、半導体ウェハー１８の各半導体チップ１２の主面上であって、形成した配線層１４のコンタクトパッド１５の部分および各半導体チップ１２間のダイシングスクライブライン１９の部分を除いて各配線層１４、各電極パッド１１を絶縁性樹脂層１６で被覆する。特にここでは、ダイシングスクライブライン１９とともに少なくともダイシングスクライブライン１９の端から半導体チップ１２側に５［μｍ］〜３５［μｍ］の好ましくは１０［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂層１６で被覆する。
【００５３】
具体的には、絶縁層１３の上に感光性ソルダーレジスト（絶縁性樹脂）を塗布した後に、フォトリソグラフィー技術を使用して、コンタクトパッド１５の部分、および半導体ウェハー１８の各半導体チップ１２間のダイシングスクライブライン１９が露出するようにしてソルダーレジスト膜（絶縁性樹脂層）を形成する。このソルダーレジスト膜によって、コンタクトパッド１５以外の部分である電極パッド１１と配線層１４とが、実装時の溶融した半田から保護される。
【００５４】
次に図３（ａ）に示すように、コンタクトパッド１５上に導電性材料により突起電極１７を形成する。
【００５５】
具体的には、半田、半田めっきされた銅、ニッケル等からなる金属ボールをコンタクトパッド１５の上に載置して、金属ボールとコンタクトパッド１５とを溶融接合して突起電極１７を形成する。
【００５６】
次に図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハー１８の各半導体チップ１２間のダイシングスクライブライン１９に対して、回転ブレード２０による切断で個々の半導体チップ１２単位に分割する。
【００５７】
ここで半導体ウェハー１８のダイシングスクライブライン１９上には絶縁性樹脂層１６が存在しておらず、個片化の際のブレード切断では、絶縁性樹脂層１６に対しては切断時の衝撃、外圧が印加されず、半導体ウェハー１８と絶縁性樹脂層１６との間に剥離が発生するのを防止できるものである。また、半導体ウェハー１８に対して、ダイシングスクライブライン１９の部分を除いて絶縁性樹脂層１６で被覆する際、ダイシングスクライブライン１９とともに少なくともダイシングスクライブライン１９の端から半導体チップ１２側に５［μｍ］〜３５［μｍ］の好ましくは１０［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂層１６で被覆しているため、切断時の衝撃、外圧が伝搬されず、半導体ウェハー１８と絶縁性樹脂層１６との間に剥離が発生するのを防止して切断することができる。もちろん絶縁性樹脂層１６に対するクラックの発生も防止して個片化できるものである。ここで本実施形態では、スクライブラインの幅が８０［μｍ］に対して、ブレード幅が５０［μｍ］のブレードを用い、スクライブライン幅（８０［μｍ］）の部分は絶縁性樹脂層１６で被覆していないため、切断後の半導体チップ端の露出幅は２５［μｍ］となる。
【００５８】
そして図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１２の周縁部１２ａは絶縁性樹脂層１６が被覆されず、半導体チップ１２の主面端部が露出している半導体装置を得ることができる。
【００５９】
以上、本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハーのダイシングスクライブライン上には絶縁性樹脂を形成しておらず、個片化の際のブレード切断では、絶縁性樹脂に対しては切断時の衝撃、外圧が印加されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止できるものである。また、半導体ウェハーに対して、ダイシングスクライブラインの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する際、ダイシングスクライブラインとともに少なくともダイシングスクライブライン端から半導体チップ側に５［μｍ］〜３５［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆しているため、切断時の衝撃、外圧が伝搬されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止して切断することができる。もちろん絶縁性樹脂に対するクラックの発生も防止して個片化できる。
【００６０】
次に本発明の半導体装置の別の実施形態について説明する。
【００６１】
本実施形態の半導体装置は、図４の断面図に示すように、基本構成は図１に示した構成と同様であるが、半導体チップ１２の周縁部１２ａの絶縁性樹脂層１６の端部は斜辺１６ａを有し、絶縁性樹脂層１６と半導体チップ１２との間の剥離抵抗が増大し、絶縁性樹脂層１６と半導体チップ１２との間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。絶縁性樹脂層１６の端部への斜辺１６ａの形成は、絶縁性樹脂層１６を半導体ウェハーに形成する際のフォトリソグラフィー技術によって形成するが、他に低衝撃の物理的な加工方法で形成してもよい。
【００６２】
次に本発明の半導体装置の他の実施形態について説明する。
【００６３】
図５は本実施形態の半導体装置を示す図である。
【００６４】
図５に示すように、本実施形態の半導体装置としては、その主面、例えば表面上に複数の電極パッド１１を有した半導体チップ１２と、各電極パッド１１を除く半導体チップ１２の主面上を被覆した絶縁性樹脂層１６と、電極パッド１１に接続した突起電極１７とよりなる半導体装置であって、半導体チップ１２の周縁部１２ａは絶縁性樹脂層１６が被覆されず、半導体チップ１２の主面が露出している半導体装置である。そして具体的には、図１に示した半導体装置とは異なり、半導体チップ１２の電極パッド１１が再配線されず、電極パッド１１上に直接、突起電極１７が設けられているものであり、本実施形態の半導体装置においても、半導体チップ１２の周縁部１２ａは絶縁性樹脂層１６が被覆されず、半導体チップ１２の主面の一部、すなわち、半導体ウェハーダイシング時のスクライブライン端が露出し、絶縁性樹脂層１６と半導体チップ１２との間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。さらに絶縁性樹脂層１６から露出した半導体チップ１２の周縁部１２ａの幅は、５［μｍ］〜５０［μｍ］の好ましくは２５［μｍ］であるため、一定数の距離を有し、半導体装置の端面衝撃による構成材料間の剥離を防止できるものである。また図４に示した構造と同様に、絶縁性樹脂層１６の端部は斜辺１６ａを有しているものである。
【００６５】
図３に示した半導体装置の製造方法について、その主要工程としては、主面上に複数の電極パッドが形成された半導体チップがその面内に複数個形成された半導体ウェハーを用意する工程と、用意した半導体ウェハーの各半導体チップの主面上であって、各電極パッドの部分および各半導体チップ間のダイシングスクライブラインの部分を除く領域を絶縁性樹脂で被覆する工程と、各電極パッドに接続させて半導体ウェハーの各半導体チップ上に導電性材料により突起電極を形成する工程と、半導体ウェハーの各半導体チップ間のダイシングスクライブラインに対して、ブレード切断によって個々の半導体チップ単位に分割して半導体装置を得る工程とよりなるものであり、図２，図３に示した半導体装置の製造方法を一部変更する方法である。
【００６６】
以上、本実施形態の半導体装置およびその製造方法では、半導体ウェハーのダイシングスクライブライン上には絶縁性樹脂を形成しておらず、個片化の際のブレード切断では、絶縁性樹脂に対しては切断時の衝撃、外圧が印加されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止できるものである。また、半導体ウェハーに対して、ダイシングスクライブラインの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆する際、ダイシングスクライブラインとともに少なくともダイシングスクライブライン端から半導体チップ側に５［μｍ］〜３５［μｍ］のスペースの部分を除いて絶縁性樹脂で被覆しているため、切断時の衝撃、外圧が伝搬されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止して切断することができる。したがって、半導体装置としては、半導体チップと絶縁性樹脂との間に剥離がなく、また基板実装した際でも、半導体チップの周縁部は絶縁性樹脂が被覆されず、半導体チップの主面の一部が露出し、絶縁性樹脂の端部は斜辺を有しているので、剥離抵抗が増大し、絶縁性樹脂と半導体チップとの間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。
【００６７】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、半導体チップの周縁部は絶縁性樹脂が被覆されず、半導体チップの主面の一部が露出し、絶縁性樹脂の端部は斜辺を有しているので、剥離抵抗が増大し、絶縁性樹脂と半導体チップとの間の剥離を防止し、基板実装時の加熱環境において剥離の発生を抑制して信頼性を高めることができる。さらに絶縁性樹脂から露出した半導体チップの周縁部の幅は、一定数の距離を有し、半導体装置の端面衝撃による２者の剥離を防止できるものである。
【００６８】
また本発明の半導体装置の製造方法では、半導体ウェハーのダイシングスクライブライン上には絶縁性樹脂を形成しておらず、個片化の際のブレード切断では、絶縁性樹脂に対しては切断時の衝撃、外圧が印加されず、半導体ウェハーと絶縁性樹脂との間に剥離が発生するのを防止できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図
【図６】従来の半導体装置を示す図
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  電極パッド
２  半導体チップ
３  絶縁層
４  配線層
５  コンタクトパッド
６  絶縁性樹脂層
７  突起電極
８  半導体ウェハー
９  ダイシングスクライブライン
１０  回転ブレード
１１  電極パッド
１２  半導体チップ
１２ａ  周縁部
１３  絶縁層
１４  配線層
１５  コンタクトパッド
１６  絶縁性樹脂層
１６ａ  斜辺
１７  突起電極
１８  半導体ウェハー
１９  ダイシングスクライブライン
２０  回転ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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