(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器本体の内部に形成された内部空間にダイアフラム部材を動作可能に設け、該ダイアフラム部材の一方の面を流体接触面、他方の面を流体非接触面とし、前記ダイアフラム部材の動作により制御対象の流体を出入りさせるダイアフラム式流体機器において、
前記ダイアフラム部材の流体非接触面に、同流体非接触面に接触した状態で設けられる高抵抗部とそれよりも表面側に設けられる低抵抗部とを有する導電層が形成され、前記低抵抗部にアース手段が接続されることを特徴とするダイアフラム式流体機器。
【請求項２】
前記導電層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面の全面にわたって設けられている請求項１に記載のダイアフラム式流体機器。
【請求項３】
前記導電層は、相対的に高抵抗である高抵抗層と、その高抵抗層よりも低抵抗の低抵抗層とを積層して構成されている請求項１又は２に記載のダイアフラム式流体機器。
【請求項４】
前記高抵抗層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面側の全面にわたって設けられるのに対し、前記低抵抗層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面側の一部に設けられている請求項３に記載のダイアフラム式流体機器。
【請求項５】
前記導電層において、前記低抵抗部が前記高抵抗部に埋設されている請求項１乃至４のいずれか１つに記載のダイアフラム式流体機器。
【請求項６】
前記導電層が、屈曲性を有する材料により構成されている請求項１乃至５のいずれか１つに記載のダイアフラム式流体機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイアフラムの動作により流体を出入りさせるダイアフラム式流体機器において、ダイアフラムの絶縁破壊を好適に防止することができる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のダイアフラム式流体機器では、ダイアフラムの膜部表面に帯電が生じた場合に、その帯電によってダイアフラムの絶縁破壊が生じることが懸念されている。その対策として、ダイアフラムの膜部近傍に、耐食性を有する導電性部材を流体通路側に貫通して設けるとともに、ボディ本体に、導電性部材をアースするアース手段を設けた流体機器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の流体機器では、ダイアフラムの膜部の屈曲動作を妨げることなく同ダイアフラムを正常に動作させることができるため、ダイアフラムの特性を損なうことなく簡易な構成にてダイアフラムの膜部の絶縁破壊を防止できるとしていた。
【特許文献１】特開２００７−７８０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の流体機器では、流体通路に導電性部材が露出しているため、長期に使用されると導電性部材が溶出し、それに起因して流体通路内が汚染されるおそれがある。この場合、導電性部材として耐食性を有する材料を使うとしても、都度使用する流体に応じて適用可能な材料が制限される等の不都合も生じ得る。また、上記の流体機器では、ダイアフラムの膜部の屈曲動作を維持するべく導電性部材をダイアフラムの周縁部分に設けているため、ダイアフラムの中央に近い側の膜部については帯電が解消されにくいと考えられる。
【０００５】
本発明は、流体通路等の汚染を抑制しつつ、ダイアフラムの帯電による絶縁破壊を好適に抑制することができるダイアフラム式流体機器を提供することを主たる目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下、上記課題を解決するのに有効な手段等につき、必要に応じて効果等を示しつつ説明する。なお以下では、理解を容易にするため、発明の実施の形態において対応する構成例を括弧書き等で適宜示すが、この括弧書き等で示した具体的構成に限定されるものではない。
【０００７】
手段１．機器本体の内部に形成された内部空間にダイアフラム部材（ダイアフラム弁体２６）を動作可能に設け、該ダイアフラム部材の一方の面を流体接触面（接液面）、他方の面を流体非接触面（非接液面）とし、前記ダイアフラム部材の動作により制御対象の流体を出入りさせるダイアフラム式流体機器において、
前記ダイアフラム部材の流体非接触面に、同ダイアフラム部材側に高抵抗部を有しかつそれよりも表面側に低抵抗部を有する導電層（導電層４１）が形成され、該導電層にアース手段（アース線Ｅ１）が接続されることを特徴とするダイアフラム式流体機器。
【０００８】
なお、「流体接触面」は制御対象の流体（例えば液体）が接触する面であり、「流体非接触面」は制御対象の流体が接触しない面である。
【０００９】
手段１のダイアフラム式流体機器では、ダイアフラム部材が動作することで流体（制御対象の流体）が出入りする。例えば、流体制御弁の場合、ダイアフラム部材の動作量に応じて入口側通路と出口側通路との連通状態（連通部分の開度）が制御され、それら各通路が連通されることにより流体が入口側通路から出口側通路に流通する。また、ダイアフラム式ポンプの場合、ダイアフラム部材の動作に応じて流体室（ポンプ室）で流体の吸入及び吐出が交互に行われる。ダイアフラム部材は、フッ素樹脂等の絶縁材料により構成されている。
【００１０】
流体通路等に流体（液体又は気体）を流すと、静電気によりダイアフラム表面が帯電することが考えられる。この場合、ダイアフラム部材の流体接触面側にて帯電が生じ、その帯電に起因してダイアフラム部材の絶縁破壊が生じることが懸念される。この点、手段１によれば、ダイアフラム部材の流体接触面側にて帯電が生じても、その電荷が導電層とアース手段とを通じて放出される。この場合特に、導電層が、ダイアフラム部材側に高抵抗を有しかつそれよりも表面側に低抵抗部を有するため、放電時においてダイアフラム部材の流体接触面側から流体非接触面側に流れる電流が高抵抗部によって制限されつつ、低抵抗部及びアース手段を通じて徐々に除電が行われる。これにより、ダイアフラム部材の絶縁破壊が抑制される。また、導電層をダイアフラム部材の流体非接触面側に設け、流体接触面側には設けない構成としたため、導電性物質の溶出によって内部空間（流体通路等）が汚染されるといった不都合を回避できる。その結果、流体通路等の汚染を抑制しつつ、ダイアフラム部材の帯電による絶縁破壊を好適に抑制することができる。
【００１１】
手段２．前記導電層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面の全面にわたって設けられている手段１に記載のダイアフラム式流体機器。
【００１２】
手段２によれば、導電層がダイアフラム部材の流体非接触面の全面にわたって設けられているため、ダイアフラム部材の全体を除電できる。
【００１３】
手段３．前記導電層は、相対的に高抵抗である高抵抗層（高抵抗層４２）と、その高抵抗層よりも低抵抗の低抵抗層（低抵抗層４３）とを積層して構成されている手段１又は２に記載のダイアフラム式流体機器。
【００１４】
手段３によれば、抵抗値が異なる２層の抵抗層により導電層が形成されており、高抵抗層によってダイアフラム部材の厚み方向（膜部厚み方向）に流れる電流を制限しつつ、その電流を低抵抗層を通じて流すことができる。この場合、高抵抗層と低抵抗層とは薄膜体の接着やコーティングにより形成されるとよい。
【００１５】
ちなみに、高抵抗層の抵抗値は１〜１００ＭΩ、低抵抗層の抵抗値は１ｋΩ以下であることが望ましい。
【００１６】
手段４．前記高抵抗層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面側の全面にわたって設けられるのに対し、前記低抵抗層が、前記ダイアフラム部材の流体非接触面側の一部に設けられている手段３に記載のダイアフラム式流体機器。
【００１７】
手段４によれば、ダイアフラム全面の絶縁破壊防止を図りつつ、帯電により生じた電荷を適正に排除できる。また、本構成では、低抵抗層が局部的に設けられるため、導電層の形成に要する抵抗体材料の少量化を図ることができる。
【００１８】
手段５．前記導電層において、前記低抵抗部が前記高抵抗部に埋設されている手段１乃至４のいずれか１つに記載のダイアフラム式流体機器。
【００１９】
手段５によれば、ダイアフラム除電時における電流制限を行うための高抵抗部を十分な大きさで形成しつつ、放電経路である低抵抗部を必要最小限で設けることができる。
【００２０】
手段６．前記導電層が、屈曲性を有する材料により構成されている手段１乃至５のいずれか１つに記載のダイアフラム式流体機器。
【００２１】
手段６によれば、ダイアフラム部材の流体非接触面に導電層を形成した構成において、そのダイアフラム部材の屈曲動作への影響を少なくすることができる。例えば、柔軟性を有する弾性材料を用いる。
【００２２】
手段７．機器本体の内部に形成された内部空間にダイアフラム部材（ダイアフラム弁体２６）を動作可能に設け、該ダイアフラム部材の一方の面を流体接触面（接液面）、他方の面を流体非接触面（非接液面）とし、前記ダイアフラム部材の動作により制御対象の流体を出入りさせるダイアフラム式流体機器において、
前記ダイアフラム部材の流体非接触面と、該流体非接触面に対向して前記機器本体に設けられる導電性部品（ピストンロッド１６）との間に絶縁手段（絶縁スペーサ５１，絶縁被膜５２）が設けられていることを特徴とするダイアフラム式流体機器。
【００２３】
手段７のダイアフラム式流体機器では、上述した手段１と同様に、ダイアフラム部材が動作することで流体（制御対象の流体）が出入りし、その動作に際し、静電気によりダイアフラム表面が帯電することが考えられる。この場合、ダイアフラム部材の流体非接触面に対向して導電性部品が設けられている構成では、その流体非接触面と導電性部品との間で放電が生じ、それに起因してダイアフラム部材の絶縁破壊が生じることが懸念される。この点、手段７によれば、ダイアフラム部材の流体非接触面と導電性部品との間に絶縁手段が設けられているため、その絶縁手段によってダイアフラム部材から導電性部品への放電経路の遮断等がなされ、ダイアフラム部材と導電性部品との間の放電に起因する同ダイアフラム部材の絶縁破壊が抑制される。本構成では、ダイアフラム部材の流体接触面側に何ら付加的な構成を必要としないため、導電性物質の溶出によって内部空間（流体通路等）が汚染されるといった不都合を回避できる。その結果、流体通路等の汚染を抑制しつつ、ダイアフラム部材の帯電による絶縁破壊を好適に抑制することができる。
【００２４】
手段８．前記絶縁手段として、シート状の絶縁スペーサ（絶縁スペーサ５１）が設けられている手段７に記載のダイアフラム式流体機器。
【００２５】
手段８によれば、絶縁スペーサによってダイアフラム部材の流体非接触面から導電性部品までの放電距離を延長することが可能となる。この場合、絶縁距離が延長されることによって、ダイアフラム部材の絶縁破壊を防止することができる。
【００２６】
手段９．前記ダイアフラム部材に、前記導電性部品として導電性材料よりなるピストン部材（ピストンロッド１６）を連結して設けたダイアフラム式流体機器であり、
前記絶縁スペーサが、前記ダイアフラム部材の流体非接触面と前記ピストン部材との間のスペース内に設けられるとともに、同スペーサの一部が前記ダイアフラム部材と前記ピストン部材との連結部分に挟み固定されている手段８に記載のダイアフラム式流体機器。
【００２７】
ダイアフラム部材と導電性材料よりなるピストン部材とを一体的に連結した構成では、それら両部材の間で放電が生じ、その際にダイアフラム部材の絶縁破壊が生じるおそれがある。この点、手段９によれば、ダイアフラム部材の流体非接触面とピストン部材との間のスペース内に設けられた絶縁スペーサによってこれら両部材間の放電が抑制され、それによりダイアフラム部材の絶縁破壊を防止することができる。
【００２８】
絶縁スペーサは、ダイアフラム部材とピストン部材との連結部分に挟み固定されるため、同スペーサと両部材とを常に一体化したままにできる。また、同スペーサは、ダイアフラム部材等と共に動作するため、ダイアフラム部材等が動作しても常に適正なる放電抑制状態を維持できる。
【００２９】
手段１０．前記絶縁手段として、前記導電性部品において前記ダイアフラム部材との対向面に絶縁被膜（絶縁被膜５２）が形成されている手段７に記載のダイアフラム式流体機器。
【００３０】
手段１０によれば、導電性部品に形成された絶縁被膜によってダイアフラム部材と導電性部品との間の放電経路が遮断される。これにより、ダイアフラム部材の絶縁破壊を防止することができる。
【００３１】
手段１１．前記ダイアフラム部材に、前記導電性部品として導電性材料よりなるピストン部材（ピストンロッド１６）を連結して設けたダイアフラム式流体機器であり、
前記ピストン部材において前記ダイアフラム部材の流体非接触面との対向面に前記絶縁被膜が形成されている手段１０に記載のダイアフラム式流体機器。
【００３２】
ダイアフラム部材と導電性材料よりなるピストン部材とを一体的に連結した構成では、それら両部材の間で放電が生じ、その際にダイアフラム部材の絶縁破壊が生じるおそれがある。この点、手段１１によれば、ピストン部材においてダイアフラム部材の流体非接触面との対向面に形成された絶縁被膜によってこれら両部材間の放電が抑制され、それによりダイアフラム部材の絶縁破壊を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。本実施形態では、半導体製造装置等にて使用される液体供給システムにおいて、同システムに用いられる液体制御弁について説明する。この流体制御弁によって、制御対象流体としての液体の流通（出入り）が制御される。
【００３４】
図１は、液体制御弁１０の構成を示す断面図である。図１において、液体制御弁１０は、カバー１１及びシリンダボディ１２からなる駆動部１３と、流路が形成された流路ボディ１４とを備え、それらが一体に結合される構成となっている。カバー１１及びシリンダボディ１２はポリプロピレン等の合成樹脂よりなり、流路ボディ１４はフッ素樹脂等の合成樹脂よりなる。
【００３５】
シリンダボディ１２には、カバー１１側から流路ボディ１４側に貫通する円筒状の摺動孔１５が形成されており、その摺動孔１５内にピストンロッド１６が摺動可能に収容されている。詳しくは、摺動孔１５は、いずれも同軸の大径孔部１５ａと小径孔部１５ｂとを有しており、大径孔部１５ａにピストンロッド１６の大径部１６ａが摺動可能に収容され、小径孔部１５ｂにピストンロッド１６の小径部１６ｂが摺動可能に収容されている。
【００３６】
ピストンロッド１６とカバー１１との間にはバネ室１８が形成されており、そのバネ室１８にコイルバネ１９が配設されている。したがって、ピストンロッド１６は、コイルバネ１９によって常に図の下方（後述するダイアフラム弁体２６を閉弁させる方向）に付勢されている。ピストンロッド１６は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属材料により構成されている。なお、液体制御弁１０は、本実施形態のようにノーマリクローズ式とする以外でも実現でき、例えばノーマリオープン式とすることも可能である。
【００３７】
ピストンロッド１６とシリンダボディ１２とにより囲まれた空間部は圧力制御室２１となっており、その圧力制御室２１にはエア導入ポート２２及びエア通路２３を経由して、外部装置（図示しない電空レギュレータ等）から操作エアが導入される構成となっている。この場合、圧力制御室２１内のエア圧力が上昇することにより、ピストンロッド１６がコイルバネ１９の付勢力に抗して移動（図の上方に移動）することができるようになっている。ピストンロッド１６の大径部１６ａ及び小径部１６ｂの外周部には、圧力制御室２１の気密性を高めるべく環状のシール部材２４が配設されている。
【００３８】
また、ピストンロッド１６の下端部（流路ボディ１４側の先端部）には、フッ素樹脂等の合成樹脂（絶縁材料）よりなるダイアフラム弁体２６が連結されている。ダイアフラム弁体２６は、ピストンロッド１６に連結されるボス部２６ａと、シリンダボディ１２及び流路ボディ１４に狭持される周縁部２６ｂと、ボス部２６ａ及び周縁部２６ｂの間に形成されるダイアフラム膜部２６ｃとを有する。ボス部２６ａには雄ネジ部２６ｄが設けられており、その雄ネジ部２６ｄがピストンロッド１６のネジ孔１６ｃにねじ入れられることで、ピストンロッド１６とダイアフラム弁体２６とが一体化されている。ダイアフラム弁体２６は、図の下面が接液面、図の上面が非接液面となっている。なお、ピストンロッド１６が金属材料により構成されていることで、ネジ連結部の強度が確保されている。
【００３９】
また、流路ボディ１４には、対向側面に２つの開口ポート３１，３２が形成されるとともに、それら各ポート３１，３２に通じる液体通路３３，３４が形成されている。これら液体通路３３，３４は、ダイアフラム弁体２６の作動位置によって連通又は連通遮断される。
【００４０】
詳しくは、一方の開口ポート３１に連通する液体通路３３は、ダイアフラム弁体２６側の通路端（開口ポート３１と逆側の通路端）が流路ボディ１４の中央部に位置するよう形成されているのに対し、他方の開口ポート３２に連通する液体通路３４は、ダイアフラム弁体２６側の通路端（開口ポート３２と逆側の通路端）が液体通路３３を囲むようにして形成されている。つまり、液体通路３４は、ダイアフラム弁体２６側の通路端部が環状通路となっている。この場合、ダイアフラム弁体２６付近において、液体通路３３と液体通路３４との間には円筒状の突起部３５が形成され、その突起部３５の先端部（図の上端部）が弁座３６となっている。
【００４１】
弁座３６は液体通路３３の開口部を囲むようにして環状に設けられ、その弁座３６に、ダイアフラム弁体２６のボス部２６ａの底面が当接する。ダイアフラム弁体２６のボス部２６ａが弁座３６に対して当接する又は離間することにより、液体通路３３，３４を通じての液体の流通が阻止又は許容される。
【００４２】
ちなみに、開口ポート３１及び液体通路３３と、開口ポート３２及び液体通路３４とは、いずれか一方が液体の入口側、他方が液体の出口側となる。
【００４３】
上記構成の液体制御弁１０では、圧力制御室２１への操作エアの導入（エア圧力の上昇）によりピストンロッド１６が移動し、それに伴いダイアフラム弁体２６のボス部２６ａが弁座３６から離れると、ボス部２６ａと弁座３６との間の隙間を通じて液体が流通する。かかる場合、ボス部２６ａと弁座３６との間の離間距離（弁開度に相当）は、圧力制御室２１への操作エアの導入量（エア圧力）により調整され、これにより、流出する液体の圧力が調整されるようになっている。
【００４４】
ところで、液体制御弁１０において、ピストンロッド１６の往復運動（上下動）に伴いダイアフラム弁体２６が動作する際、ダイアフラム表面と液体との摩擦により静電気が発生し、それに伴いダイアフラム表面が帯電する。ダイアフラム表面が帯電すると、それに起因してダイアフラム弁体２６の絶縁破壊が生じることが懸念される。そこで本実施形態では、ダイアフラム弁体２６の非接液面側に導電層を設け、その導電層を通じて帯電の電荷を除去する。
【００４５】
図２（ａ）（ｂ）には、ダイアフラム弁体２６の断面構造を拡大して示す。図２において、ダイアフラム弁体２６の下面側が接液面側であり、上面側が非接液面側である。
【００４６】
図２（ａ）に示すように、ダイアフラム弁体２６の非接液面側には、その全面（少なくとも変形部であるダイアフラム膜部２６ｃの全面）にわたって導電層４１が形成されている。導電層４１は、相対的に高抵抗である高抵抗層４２と、その高抵抗層４２よりも低抵抗の低抵抗層４３とを積層して構成されており、高抵抗層４２がダイアフラム側、低抵抗層４３が表面側となっている（高抵抗層４２がダイアフラム弁体２６の非接液面に接触している）。低抵抗層４３には、アース線Ｅ１を介してアース部材Ｅ２が接続されている。
【００４７】
なお、ダイアフラム弁体２６の非接液面側に形成される導電層４１は、少なくともダイアフラム膜部２６ｃの全面にわたって設けられればよく、ボス部２６ａにおいてピストンロッド１６との接合部や、周縁部２６ｂにおいてシリンダボディ１２との接合部には導電層４１を設けない構成とすることも可能である。
【００４８】
例えば、高抵抗層４２の抵抗値は数ＭΩ、低抵抗層４３の抵抗値は数１００Ω程度である。これら各抵抗層４２，４３は、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、フッ素ゴム等、導電性及び屈曲性を有する導電性ゴムよりなる薄肉の導電体であり、接着（貼り付け）やコーティング（被膜処理）によりダイアフラム弁体２６に対して積層化されている。各抵抗層４２，４３の厚みは同一であるが、低抵抗層４３を高抵抗層４２よりも薄くしてもよい。低抵抗層４３はできる限り肉薄であることが望ましい。
【００４９】
上記のようにダイアフラム弁体２６に導電層４１が設けられていることにより、ダイアフラム弁体２６の接液面側にて帯電が生じても、その電荷が導電層４１とアース手段（アース線Ｅ１及びアース部材Ｅ２）とを通じて放出される。
【００５０】
詳しくは、図２（ｂ）に示すように、ダイアフラム弁体２６の動作に伴いダイアフラム弁体２６の接液面に電荷（負電荷）が帯電した状態において、ダイアフラム弁体２６の接液面側から非接液面側へ電荷が移動し、さらに導電層４１へと流れる。このとき、ダイアフラム弁体２６の非接液面には全面に高抵抗層４２が形成されており、その高抵抗層４２に電荷が流れ込む際に電流が制限される。つまり、ダイアフラム弁体２６の厚み方向（膜部厚み方向）に大電流が流れることが抑制される。また、高抵抗層４２には低抵抗層４３が積層されており、その低抵抗層４３を介してアース線Ｅ１側に電流が流れる。
【００５１】
上記したダイアフラム弁体２６の放電時には、高抵抗層４２にて電流制限がなされることにより徐々に除電が行われる。これにより、ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊が抑制される。
【００５２】
以上詳述した本実施形態によれば、以下の優れた効果を奏する。
【００５３】
ダイアフラム弁体２６の非接液面に高抵抗層４２と低抵抗層４３とからなる導電層４１を設けたため、ダイアフラム表面の帯電時において徐々に除電を行せることができ、ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊を抑制することができる。
【００５４】
導電層４１が、ダイアフラム弁体２６の非接液面の全面にわたって設けられているため、ダイアフラム弁体２６の全体を除電できる。
【００５５】
また、導電層４１をダイアフラム弁体２６の非接液面側に設け、接液面側には設けない構成としたため、導電性物質の溶出によって液体通路等が汚染されるといった不都合を回避できる。例えば半導体製造装置においては半導体（ワーク）の汚染等を抑制することができる。
【００５６】
導電層４１が、屈曲性を有する材料により構成されているため、ダイアフラム弁体２６の屈曲動作への影響を少なくすることができる。これにより、液体制御弁１０において、好適なる開閉制御が実現できる。
【００５７】
（参考例１）
次に、参考例１について説明する。本参考例１では、ダイアフラム弁体２６の非接液面と、該非接液面に対向して設けられるピストンロッド１６との間に、絶縁手段としての絶縁スペーサを設けた構成としている。
【００５８】
以下、その構成を図３に基づいて説明する。図３に示す液体制御弁１０は、概ね図１と同じ構成を有し、図３では、図１と同様の構成について同じ部材番号を付すとともに、その説明を簡略する。相違点として、ダイアフラム弁体２６に導電層４１を設ける代わりに、ダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６との間に絶縁スペーサ５１を設けている。
【００５９】
詳しくは、ダイアフラム弁体２６には、金属材料（導電性材料）よりなるピストンロッド１６が連結され、ダイアフラム弁体２６の非接液面とピストンロッド１６との間のスペース（非接液面側スペースＳ）内には絶縁スペーサ５１が設けられている。絶縁スペーサ５１は円板状の絶縁シートよりなり、その中央孔部にダイアフラム弁体２６のボス部２６ａが挿通されるとともに、その孔部周囲がダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６とに挟み固定されている。
【００６０】
上記構成の液体制御弁１０では、ダイアフラム弁体２６の接液面側で帯電が生じた場合に、ダイアフラム弁体２６の非接液面とピストンロッド１６との間で放電が生じ、それに起因してダイアフラム弁体２６の絶縁破壊が生じることが懸念される。この点、絶縁スペーサ５１を設けたため、その絶縁スペーサ５１によってダイアフラム弁体２６の非接液面からピストンロッド１６までの放電距離が延長される。そのため、ダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６との間の放電に起因する同ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊を抑制することができる。
【００６１】
絶縁スペーサ５１は、ダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６との連結部分に挟み固定されるため、同スペーサ５１と両部材２６，１６とを常に一体化したままにできる。また、同スペーサ５１は、ダイアフラム弁体２６等と共に動作するため、ダイアフラム弁体２６等が動作しても常に適正なる放電抑制状態を維持できる。
【００６２】
本参考例１の液体制御弁１０でも、上記第１の実施形態と同様に、ダイアフラム弁体２６の接液面側に何ら付加的な構成を必要とせず導電性部材が設けられていない。そのため、導電性物質の溶出によって液体通路等が汚染されるといった不都合を回避できる。これにより、例えば半導体製造装置においては半導体（ワーク）の汚染等を抑制することができる。
【００６３】
（参考例２）
次に、参考例２について説明する。本参考例２では、ピストンロッド１６においてダイアフラム弁体２６と対向面に絶縁手段としての絶縁被膜を形成した構成としている。
【００６４】
以下、その構成を図４に基づいて説明する。図４に示す液体制御弁１０は、概ね図１と同じ構成を有し、図４では、図１と同様の構成について同じ部材番号を付すとともに、その説明を簡略する。相違点として、ダイアフラム弁体２６に導電層４１を設ける代わりに、ピストンロッド１６においてダイアフラム弁体２６の非接液面との対向面に絶縁被膜５２が形成されている。なお、ピストンロッド１６の外表面全体に絶縁被膜５２が形成されていてもよい。
【００６５】
上記構成の液体制御弁１０では、絶縁被膜５２を設けたため、その絶縁被膜５２によってダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６との間の放電経路が遮断される。そのため、ダイアフラム弁体２６とピストンロッド１６との間の放電に起因する同ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊を抑制することができる。
【００６６】
本参考例２の液体制御弁１０でも、上記第１の実施形態と同様に、ダイアフラム弁体２６の接液面側に何ら付加的な構成を必要とせず導電性部材が設けられていない。そのため、導電性物質の溶出によって液体通路等が汚染されるといった不都合を回避できる。これにより、例えば半導体製造装置においては半導体（ワーク）の汚染等を抑制することができる。
【００６７】
（他の構成）
上記以外の構成を説明する。
【００６８】
上記第１の実施形態では、ダイアフラム弁体２６に形成される導電層４１を高抵抗層４２と低抵抗層４３との２層構造とし、それら各抵抗層４２，４３をいずれもダイアフラム全面（少なくともダイアフラム膜部２６ｃの非接液面側全面）に設けたが、これを以下のように変更する。
【００６９】
（１）導電層４１を、抵抗値が各々異なる３層以上の抵抗層により構成する。
【００７０】
（２）導電層４１を、ダイアフラム側ほど高抵抗で、ダイアフラムから離れるほど（ダイアフラムとは逆の表面側ほど）低抵抗となるよう、抵抗値を段階変化させた構成とする。
【００７１】
（３）高抵抗層４２をダイアフラム全面（少なくともダイアフラム膜部２６ｃの非接液面側全面）に設けるのに対し、低抵抗層４３をダイアフラム全面（少なくともダイアフラム膜部２６ｃの非接液面側全面）の一部に設ける。例えば、高抵抗層４２の表面に、放射状の低抵抗部を設けたり、格子状の低抵抗部を設けたりすることも可能である。
【００７２】
（４）導電層４１において、低抵抗層４３を削除し、高抵抗層４２に低抵抗部を埋設する。
【００７３】
上記の（１）〜（４）のいずれであっても、ダイアフラム弁体２６の絶縁破壊を好適に抑制することができる。要は、導電層４１として、ダイアフラム弁体２６側が高抵抗でかつそれとは逆の表面側が低抵抗である構成であれば所望とする効果を奏し得る。なお、（３）によれば、ダイアフラム全面の絶縁破壊防止を図りつつ、導電層４１の形成に要する抵抗体材料の少量化を図ることができる。また、（４）によれば、ダイアフラム除電時における電流制限を行うための高抵抗部を十分な大きさで形成しつつ、放電経路である低抵抗部を必要最小限で設けることができる。
【００７４】
上記参考例１，２では、ピストンロッド１６との間に絶縁手段（絶縁スペーサ５１，絶縁被膜５２）を設けたが、これを変更し、ダイアフラム弁体２６の非接液面に対向する導電性部品としてピストンロッド１６以外の部品が存在する場合には、その相手側部品との間に絶縁手段が設けられる。
【００７５】
ダイアフラム式ポンプにて具体化することも可能である。ダイアフラム式ポンプの場合、液体を吸入するポンプ室が形成され、そのポンプ室に片面が接するようにしてダイアフラム部材が設けられる。そして、ダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が拡張又は縮小され、液体の吸入及び吐出が交互に行われる。すなわち、ダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が拡張されることに伴い同ポンプ室内に液体が吸入され、逆にダイアフラム部材の動作によりポンプ室の容積が縮小されることに伴い同ポンプ室内の液体が吐出される。こうしたダイアフラム式ポンプの場合にも、ダイアフラム表面に帯電が生じ得るが、その表面（非接液面）に、前述のような導電層を設けることで、ダイアフラム部材の絶縁破壊を抑制することができる。
【００７６】
上記第１実施形態及び参考例１，２では、制御対象の流体を液体とし、その液体を流通させる液体制御機器について具体的構成を説明したが、これに代えて、制御対象の流体を気体とし、その気体を流通させる気体制御機器についての具体化も可能である。例えば、制御対象となる気体として、ドライエアや窒素ガス（Ｎ2ガス）等が挙げられる。制御対象の流体を気体とする気体制御弁や気体ポンプであっても、上述したとおりダイアフラム部材の絶縁破壊を好適に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１の実施形態における液体制御弁の構成を示す断面図。
【図２】ダイアフラム弁体の断面構造を拡大して示す断面図。
【図３】参考例１における液体制御弁の構成を示す断面図。
【図４】参考例２における液体制御弁の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００７８】
１０…液体制御弁（ダイアフラム式流体機器）、１６…ピストンロッド（導電性部品）、２６…ダイアフラム弁体（ダイアフラム部材）、４１…導電層、４２…高抵抗層、４３…低抵抗層、５１…絶縁スペーサ、５２…絶縁被膜、Ｅ１…アース線（アース手段）、Ｅ２…アース部材（アース手段）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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