(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞を囲むフレームと、
前記フレーム上に支持され、かつ圧力を受ける外表面、および前記空洞に面する内表面を有するダイヤフラムと、
前記内表面上に支持されており、前記圧力によって前記フレームに対して移動可能である誘電体部と、
前記誘電体部の近くの前記空洞内で、前記フレームに対して固定されており、その近くの前記誘電体部の動きを感知して前記圧力を示す電気的出力を発生するコンデンサ電極とを備え、
前記誘電体部と前記ダイヤフラムとが一体形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記コンデンサ電極が、前記空洞内の空間によって第２のコンデンサ電極から隔離された第１のコンデンサ電極を含み、前記誘電体部が、前記電気的出力を変化させるように前記空間を通して移動可能であることを特徴とする請求項１の圧力センサ。
【請求項３】
前記空洞内の空間が、前記第１および第２のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴とする請求項２の圧力センサ。
【請求項４】
前記空洞内の空間が、前記第１および第２のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特徴とする請求項２の圧力センサ。
【請求項５】
前記誘電体部には導体が配置されていないことを特徴とする請求項１の圧力センサ。
【請求項６】
前記空洞が真空排気され、かつ密封されたことを特徴とする請求項１の圧力センサ。
【請求項７】
前記フレームは細長く、かつ前記ダイヤフラムを含む第１の端部と、前記第１の端部の反対側にあって、加圧から隔離され、かつ前記コンデンサ電極のための電気的接続部を含む第２の端部とを有することを特徴とする請求項１の圧力センサ。
【請求項８】
前記コンデンサ電極が交互配置された請求項１の圧力センサ。
【請求項９】
その上に前記コンデンサ電極が配置された支持プレートと、前記支持プレート上に配置されたスクリーン電極とをさらに具備したことを特徴とする請求項８の圧力センサ。
【請求項１０】
前記スクリーン電極に接続された単位利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項９の圧力センサ。
【請求項１１】
中央溝の周りに形成され、かつ前記中央溝内に支持面を有する一体形成されたビームであって、圧力を受ける外部ダイヤフラム面と前記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム面を有するダイヤフラム、および誘電体部で形成され、前記誘電体部が前記圧力によって前記支持面に対して移動可能であるビームと、
前記誘電体部の近くの前記支持面上に固定されており、近くの前記誘電体部の移動を感知して前記圧力を示す電気的出力を供給するコンデンサ電極とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
【請求項１２】
前記コンデンサ電極が、前記中央溝内の空間によって第２のコンデンサ電極から隔離された第１のコンデンサ電極を含み、前記誘電体部が、前記電気的出力を変化させるように前記空間を通して移動可能であることを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１３】
前記中央溝内の空間が、前記第１および第２のコンデンサ電極間の直線と交差することを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１４】
前記中央溝内の空間が、前記第１および第２のコンデンサ電極間の直線と交差しないことを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１５】
前記誘電体部には導体がないことを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１６】
前記中央溝が真空排気され、かつ密封されることを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１７】
前記ビームが細長く、かつ前記ダイヤフラムを含む第１の端部と、加圧から隔離され、かつ前記コンデンサ電極のための電気的接続部を含む、前記第１の端部の反対側の第２の端部とを有することを特徴とする請求項１１の圧力センサ。
【請求項１８】
前記コンデンサ電極が交互配置された請求項１１の圧力センサ。
【請求項１９】
前記支持面上に配置されたスクリーン電極をさらに具備したことを特徴とする請求項１８の圧力センサ。
【請求項２０】
前記スクリーン電極に接続された単位利得バッファをさらに具備したことを特徴とする請求項１９の圧力センサ。
【請求項２１】
空洞を囲むフレームと、
前記フレーム上に支持されており、圧力を受ける外部表面、および前記空洞に面する内部表面を有するダイヤフラムと、
前記内部表面上に支持されており、前記圧力によって前記フレームに対して移動可能である誘電体部と、
前記誘電体部の近くの前記空洞内で、前記フレームに対して固定されており、前記圧力を示す電気的出力を発生するコンデンサ電極を含む、前記誘電体部の動きを感知する手段とを具備し、
前記誘電体部と前記ダイヤフラムとが一体形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２２】
中央溝の周りに形成され、かつ前記中央溝内に支持面を有する一体形成されたビームであって、圧力を受ける外部ダイヤフラム面と前記中央溝の前記支持面から隔離された内部ダイヤフラム面を有するダイヤフラム、および誘電体部で形成され、かつ、前記誘電体部が前記圧力によって前記支持面に対して移動可能であるビームと、
前記誘電体部の近くの前記支持面上に固定されており、前記圧力を示す電気的出力を供給するコンデンサ電極を含む、前記誘電体部の動きを感知する手段とを具備したことを特徴とする圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
容量型圧力センサは、工業用トランスミッタおよび航空宇宙用プローブのような要求の厳しい用途で使用される。
【０００２】
【従来の技術】
センサ本体はサファイヤ、シリコンまたはセラミックのような低ヒステリシス誘電材料の積層体から形成される。積層体の少なくとも１つの層は、圧力によって偏向される薄いダイヤフラム領域を含む。金属製のコンデンサ（キャパシタ）電極が静電容量を形成するようにダイヤフラム領域および対向する支持プレート上に付着（沈積）される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ダイヤフラム上の金属製コンデンサ電極は、ダイヤフラムが撓む場合に金属がクリープ（creep）、すなわち変形を起こすために、測定圧力にヒステリシス誤差をもたらすという問題を生じる可能性がある。ダイヤフラム上へのコンデンサ電極の付着およびコンデンサ電極へのリード線の付着は、大量生産で実施し、管理する製造工程をコスト高にする可能性がある。
【０００４】
圧力センサ誤差の他の発生源が、改良されたダイヤフラム材料、ならびにセンサおよび電気リード線を取り付ける際の直接ボンディングのような改良されたボンディングや改良された応力隔離手法の使用によって補償されるのにつれて、撓んでいる低ヒステリシスダイヤフラム材料上の金属の存在によるヒステリシス誤差の問題が、益々重要になっている。ダイヤフラム上への金属の付着および要求の厳しい用途における圧力センサの撓んでいるダイヤフラム上の金属のクリープまたはヒステリシスに関する問題を回避する技術が必要とされている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
圧力センサは、取り付けフレームに対して固定されたコンデンサ電極の近くの空洞の中で移動する誘電体部を有するダイヤフラムを含む。このダイヤフラムはフレーム上に支持され、このフレームは前記空洞を囲んでいる。ダイヤフラムは、圧力を受ける外部表面および空洞に面する内部表面を有する。内部表面は、圧力によってフレームに対して移動可能である誘電体部を支持する。
【０００６】
コンデンサ電極は、偏向するダイヤフラム上に設けられるのではなく、両方共固定されている。コンデンサ電極は、偏向するダイヤフラムの近くの誘電体部の動きを感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１では、工業用圧力センサのための代表的な環境が符号２０で示されている。プロセス流体ライン２３内の流量計２２、タンク２８の近くの圧力トランスミッタ２４、２６、３６およびプロセスライン３１内の一体オリフィス流量計３０のような種々のプロセス変数トランスミッタが、制御システム３２に電気的に接続されるように示されている。制御システム３２は、制御弁４０を制御する圧力トランスデューサ３８に供給される電流を制御する。
【０００８】
プロセス変数トランスミッタは、化学処理プラント、パルプ処理プラント、石油処理プラント、ガス処理プラント、製薬プラント、食料処理プラントおよびその他の流体処理プラントのスラリー、液体、蒸気およびガス（気体）のようなプロセスプラント流体と関連した、１つまたはそれ以上のプロセス変数を監視するように構成することができる。監視されるプロセス変数は流体の圧力、温度、流量、レベル、ｐＨ、伝導度、混濁度、密度、濃度、化学的組成または他の液体の特性であってもよい。プロセス変数トランスミッタは、プロセスプラントの設置要求に応じて、トランスミッタの内部または外部のいずれにあってもよいような、１または複数のセンサを含んでいる。
【０００９】
プロセス変数トランスミッタは、感知されたプロセス変数を示す１つまたはそれ以上のトランスミッタ出力を発生する。トランスミッタ出力は、通信バス３４を介して、コントローラ３２またはインジケータまで長距離にわたって伝送できるように構成される。典型的な流体処理プラントでは、通信バス３４は、トランスミッタに電力を供給する４〜２０ｍＡ電流ループ、またはフィールドバス接続やＨＡＲＴプロトコル通信接続、あるいはコントローラ、制御システムまたは読取装置への光ファイバ接続であってもよい。２線ループによって電力が供給されるトランスミッタでは、電力は、爆発性雰囲気内においても本性的な安全性を与えるために低く保持される。
【００１０】
図２は、圧力トランスミッタ５０の１例の分解図を示している。トランスミッタ５０は、差圧を受けるフランジ５２と、２つの絶対圧センサ（図示せず）を有するセンサモジュール５４とを含んでいる。センサモジュール５４は、電子的トランスミッタ回路５６を有するハウジング５５に結合する。トランスミッタ５０は、フランジアダプタ５８にボルト止めされる。フランジアダプタ５８は、フランジアダプタユニオン６０または他の連結ハードウェアに結合されたインパルスパイプに接続する。センサモジュール５４内の各絶対圧センサは、以下に説明されるように、可動誘電体部を含むことができる。
【００１１】
図３、図４および図５には、圧力センサ１００の透視図、分解図および断面図が示される。圧力センサ１００は、機械的ヒステリシスの低い材料からなる２つの層１０２、１０４で作られている本体を有する。層１０２、１０４は好ましくはサファイヤである。ただしシリコン、セラミックまたはガラスも、あまり要求が厳しくない用途のためには使用されてもよい。層１０２は、空洞１０８を囲む外部リムまたはフレーム１０６で層１０２に結合される。フレーム１０６は、層１０２上の第１フレーム部１１０と、層１０４上の第２のフレーム部１１２とを含んでいる。その代りに、フレーム１０６は、２つの層の中の１つの上だけに形成されてもよいし、またはフレームを構成する中間層を有する３つの層でセンサ１００が作られてもよい。
【００１２】
層１０４は、その周辺縁の周りをフレーム１０６上に支持された、薄くされた領域すなわちダイヤフラム１１４を含む。このダイヤフラム１１４は、圧力を受ける外部表面１１６と、空洞１０８に面する内部表面１１８とを有する。誘電体部１２０は内部表面１１８上に支持される。圧力がダイヤフラム１１４を偏向させる場合、誘電体部１２０は、フレーム１０６に対して相対的に、ダイヤフラム１１４と共に移動する。
【００１３】
コンデンサ電極１２２、１２４は、可動誘電体部１２０の近くの空洞１０８内の層１０４の表面上で、フレーム１０６に対して固定される。コンデンサ電極１２２、１２４は、その近くの誘電体部１２０の動きを感知し、圧力を示す電気的出力を発生する。電気的出力は、圧力の関数として変化する静電容量である。第１のコンデンサ電極１２２は、空洞１０８内の空間（間隙）１２６によって第２のコンデンサ電極１２４から隔離される。可動誘電体部１２０が空間１２６を通して移動すると、前記電気的出力が変化する。
【００１４】
図３〜図５に示された装置では、空洞１０８内の空間１２６は、第１および第２のコンデンサ電極１２２、１２４間の直線１２８とは交差しない。たとえ誘電体がコンデンサ電極間の直線路を通って移動されないとしても、コンデンサ電極のエッジの近くで外側に延び出た、十分な電界があるので、電極の近くの誘電体材料の動きを感知できることが分かった。その代りに、図１２に関して後述するように、コンデンサ電極が取り付け面から上向きに立上り、誘電体部がプレート間で直接移動する場合は、空洞１０８内の空間が第１のコンデンサ電極と第２のコンデンサ電極との間の直線と交差することができる。
【００１５】
図３〜図５では、可動誘電体部１２０およびダイヤフラム１１４にはメタライズされた導体部がない。したがって、ダイヤフラムが圧力の変動で偏向するか、または曲がる場合でも、金属のヒステリシスまたはクリープ（creeping）に関する問題が生じない。好ましくは、可動誘電体部１２０はダイヤフラム１１４と一体構成であり、これにより、誘電体部１２０とダイヤフラム１１４との間に接合材料がある場合に、そうでなければ生じ得るようなクリープを避けることができる。コンデンサ電極１２２、１２４は、著しく撓むことはない、より厚い支持面上に固定される。
【００１６】
圧力センサ１００は、好ましくは、直接接合され、真空排気されて密封されるので、空洞１０８内は高品質の真空である。シール１２７がリード線のフィードスルーノッチ１２８の上に塗布され、このシール１２７は高真空を保持する。シール１２７は、好ましくは、ガラスフリット、例えば、細かに分割されたガラスダストおよびエチルセルロースの混合物から構成される。ガラスフリットがフィードスルーノッチの上に配置された後、ガラスフリットは、エチルセルロースを放出するように加熱され、ガラスシールを形成するようにガラスダストが融かされる。その代りに、各リード線は、別個のフィードスルーノッチを通して取り出すことができ、各ノッチは導電性はんだ、またはろう付けシールで密封できる。
【００１７】
フレーム１０６は細長く形成され、加圧されるダイヤフラムを含む第１の端部１３０と、第１の端部とは反対側の、加圧から隔離され、さらにコンデンサ電極１２２、１２４のための電気的接続部１３４を含む第２の端部１３２とを有している。
【００１８】
メサ１３６は、第１および第２の端部１３０、１３２間の取り付け領域の増加支持（increae support）を提供する。センサ１００の取り付け領域は、図９〜図１０に示されるようにプロセス流体と電気的接続部との間の密封バリアのための場所を与える。
【００１９】
図３〜図５に示される圧力センサ１００は、中央にある溝（チャンネル）または空洞１０８の周りに形成されたビーム１３８または細長いフレームと見ることができる。圧力センサは中央の溝内にある支持面１４０を有する。ビームは、圧力を受ける外部ダイヤフラム面１１６および内部ダイヤフラム面１１８を有し、誘電体で構成されたダイヤフラム１１４を含む。内部ダイヤフラム面１１８は、中央溝内の支持面１４０から離れて間隔をあけられている。誘電体１２０は、圧力に応じて支持面１４０に対して移動可能である。コンデンサ電極１２２、１２４は、可動誘電体１２０の近くの支持面１４０上に固定される。コンデンサ電極１２２、１２４は、その近くの誘電体１２０の動きを感知し、圧力を示す電気的出力をリード線１３４上に供給する。
【００２０】
図６〜図７は層１０２、１０４の拡大図を示し、図３〜図５に示されるのと同じ参照番号を使用する。図６に示されるように、センサ１００はまた、トランスミッタ回路に接続されて改良された温度補償を行うことのできる温度センサ素子１３５をも含むことができる。温度センサ素子１３５は、図示されるように薄膜白金抵抗温度計であってもよいし、容量または他の公知の型式の温度センサが使用されてもよい。図７に示されるように、層１０４は、メタライズ加工（電極形成）されていないダイヤフラム１１４を含む。したがって、ダイヤフラム１１４が偏向する場合でも、ダイヤフラム上のメタライズ部のクリープによる誤差が生じない。
【００２１】
センサ１００は、図８の概略断面図によって示された好ましい方法によって製造される。まず第一に、層１０２、１０４が、１５０で示されるようなビームの構成要素を形成するように成形加工される。成形加工は、代表的には、微細構造製造工程において普通のマスク技術を使用する、平坦な層の選択的化学エッチングによって行われる。衝合面１５２、１５４は、直接接合のためのオプティカルフラット（光学的平面）になるように仕上げされる。次に、感知フィルム１２２、１２４が１５６で示されるように層１０２上に沈積される。
【００２２】
その後、成形された層１０２、１０４が互いに直接接触するように積み重ねられ、それらの間に空間１２６を有するコンデンサ電極１２２、１２４を支持面１４０上に具備し、かつ１５８で示されるようなコンデンサ電極の近くの空間１２６内で偏向可能な誘電体部１２０を具備するビーム１３８が形成される。次にビーム１３８が加熱されている間、これらの層は非常に清浄なオプティカルフラットな面で互いに直接接触される。直接接合のための接合材料は必要とされない。ある場合には、加熱をしない接合が適切である。
【００２３】
１６０で示されるように、リード線の周りのギャップにガラスフリットシール１２７を形成することによって、溝が密封される。この溝は、好ましくは、このセンサを絶対圧センサにするために、内部を真空にして密封される。
【００２４】
図９には、図２に示されたモジュール５４に対応する圧力感知モジュール１８０が示されている。組立体１８０は、図３〜図７に示されるような２つのセンサ１８２、１８４を含んでいる。図９では、隔離カップ１９８は、ブラインド端部と対向する隔離端部との間で、ビームの外部表面まで密封された開口２００を有する。センサ１８２、１８４は、回路板２００に結線され、この回路板２００はさらに、密封されたフィードスルー２０１を通して第２の回路板２０２に結線される。
【００２５】
図１０では、感知モジュール２１０は、隔離カップ２１６にシールされたリム２１４を有する隔離ダイヤフラム２１２を含むように示されている。隔離ダイヤフラム２１２は、プロセス流体を、隔離カップ２１６および隔離ダイヤフラム２１２によって囲まれた空間に密封される隔離流体２２０から隔離する。センサ２２２は、図３〜図７に示されるように構成され、隔離カップ２１６の開口２２４に密封される。隔離ダイヤフラム２１２および隔離流体２２０は、プロセス流体２１８からセンサを隔離しながら、一方では、その圧力をセンサ２２２に結合する。
【００２６】
隔離カップ２１６は、密封された開口２２４を貫通するセンサ２２２を有し、加圧プロセス流体２１８および加圧隔離流体２２０の両方からセンサ２２２上の電気的接続部２２６を絶縁する。隔離カップは、センサ２２２の熱膨張係数に厳密に整合する熱膨張係数を有するバックプレート２２８を含んでもよい。材料２３０のブロックは隔離カップ２１６内に圧入することができ、材料２３０は、温度変化による隔離ダイヤフラム２１２の望ましくない動きを制限するように、隔離流体２２０の熱膨張係数を部分的に補償するような熱膨張係数を有する。ブロック２３０とセンサ２２２との間には、隔離流体２２０で充満された小さいギャップが設けられている。
【００２７】
図１１〜図１３には、固定コンデンサ電極および可動誘電体の他の実施形態が示される。図１１では、ダイヤフラムである平坦な誘電体部２５０は、直接的にはコンデンサ電極２５４、２５６の間に位置しないが、コンデンサ電極からのフリンジ（fringing）電界の領域である、コンデンサ電極のわずか上にある空間２５２内で移動する。
図１２では、誘電体部２５８は、コンデンサ電極２６２、２６４間の直線上にある空間２６０内で移動する。
図１３では、誘電体部２８０は、コンデンサ電極２８４、２８６間の直線上にはない空間２８２内で移動する。
【００２８】
図１４では、コンデンサ電極２６６、２６８は、シールド電極またはスクリーン電極２７２、２７４によって支持プレート２７０を介する浮遊結合から遮蔽される。スクリーン電極２７２、２７４は単位利得バッファ２７６、２７８によって駆動される。
【００２９】
図１５〜図１６には、可動誘電体２９０および、支持面２９６上で交互に配置された（interdigitated）固定コンデンサ電極２９２、２９４が示されている。コンデンサ電極の交互配置は、ダイヤフラムの近くの、よりコンパクトな空間内でより大きい静電容量を与える。この明細書で使用されている用語「交互配置」は、コンデンサ電極が単純な矩形または丸形ではなく、小さい表面積内にある電極間に長いギャップを与えるような、複雑な幾何学形状を有することを意味する。
【００３０】
交互配置されたコンデンサ電極は、各電極上に互い違いの複数のフィンガー(fingers)を有する、図示されたコンデンサ電極のような配置を含んでもよく、また小さい空間内で長いギャップを与えるように互いに隣接してジグザグ状にされた、曲がりくねった電極をも含むことができる。フィンガーおよび曲がりくねった経路の組み合わせも、本発明の範囲内に含むように意図されている。
【００３１】
図１７〜図１８には、可動誘電体３００、支持プレート３０６上の交互配置された固定コンデンサ電極３０２、３０４、および単位利得バッファ３１２、３１４で駆動される電気的シールド導体３０８、３１０を有する実施形態が示されている。この配置は、実効浮遊容量を減少したことによって改良されたゲージ率（ΔＣ／Ｃ0）を有する圧力センサのための大きな静電容量を、コンパクトな空間に生じさせる。バッファ３１２、３１４によって能動的に駆動されている電気シールド導体３０８、３１０によって、Ｃ0（静止時の容量）がより一層小さくなるために、Ｃ0で割ったΔＣ（最小圧力から最大目盛圧力までの容量の変化）の比はより高くなる。シールド導体３０８、３１０は、バッファによって、隣接するコンデンサ電極とほぼ同電位に動的に保持される。
【００３２】
コンデンサ電極へのノイズの結合を減らすために、コンデンサ電極の周辺の領域に、アースされたシールド電極またはスクリーン電極を備えることもできる。
【００３３】
図１９は、コンデンサ電極およびそれらの間に介在された誘電体の寸法配置を示している。寄生効果を無視すれば、離隔配置された電極の静電容量は誘電体ダイヤフラムの変位（ｔ）関数としての下記の式によって表わされる。
Ｃ（ｔ）＝,0Ｗ［（（Ｔ−ｔ）／（ｓ＋ｄ）＋（ｔＫ）／（ｓ＋Ｋｄ）］…式１
【００３４】
ここで、
,0＝自由空間の誘電率；
Ｗ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの対向面の長さ；
Ｔ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの高さ；
ｔ＝電極２２Ａおよび２２Ｂ間での、高さ方向の直線に沿った、突出部３８の高さの部分；
Ｋ＝誘電体突出部３８を形成する材料の比誘電率；
Ｓ＝電極２２Ａおよび２２Ｂ間に延在する突出部３８の幅；
ｄ＝電極２２Ａおよび２２Ｂの対向面間の、矢印５１によって示された幅から前記幅Ｓを減算して得られた幅。
【００３５】
コンデンサ電極とも呼ばれる電極間の静電容量のスパンは、下記のとおりである。
ΔＣ＝Ｃ（ｔ）−Ｃ（０）…式２
式１および式２を結合すると、式３が得られる。
ΔＣ＝,0Ｗｔ［（Ｋ／（ｓ＋Ｋｄ）−１／（ｓ＋ｄ）］…式３
【００３６】
この配置は、従来の可動電極式容量型センサに較べて多くの長所を有する。可動誘電体装置は、従来の装置に比べて５倍またはそれ以上の利得係数を有することができる。容量のほぼ同等の変化に対して必要とされる偏向が少なくて済む。さらに、可動誘電体部のために、より高い誘電率を有する材料を使用でき、またコンデンサ電極を支持するためにより低い誘電率を有する材料を使用して浮遊容量を減らすことができる。
【００３７】
圧力と容量変化との関係は、可動誘電体に対してより直線的であり、電子的補償または線形化に対する要求を減らすことができる。この装置は、本来的に過圧力保護を提供し、過圧力状態の下で短絡したり、または過圧力状態の下で非常に大きい容量値になったりしてコンデンサ電極を危険に陥し入れることがない。コンデンサ電極のめっきが一方の層上で行われる必要があるだけで、ダイヤフラムは電極形成（メタライズ）をしないままでよいために、製造が簡単である。
【００３８】
図２０は、タービンエンジン装置６４のための圧力センサ装置６２を示している。タービンエンジンは、タービンエンジンハウジング６８内で回転するブレード６６のようなタービンエンジンブレードを含む。タービンエンジン内の圧力を感知するために、タービンエンジンハウジング６８には孔７０が設けられている。圧力センサ装置６２は、受け台（ペデスタル）７２によってタービンハウジング６８から離隔されている。
【００３９】
受け台７２は、圧力センサ装置６２のための、より低い温度環境を与えるように、タービンハウジングから圧力センサ装置６２を隔離する。受け台７２を貫通する通路７４は、タービンハウジング内の加圧ガスを圧力感知装置６２に結合する。圧力センサ７４が圧力感知装置６２の中に含まれる。圧力センサ７４は可動誘電体を含む。圧力センサ７４はまた、ビーム内の封止ギャップ８０を通過し、リード線８２によって電子変換回路（図示せず）に接続する絶縁センサリード線７８をも含む。
【００４０】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明されているけれども、当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱しないで、形式および詳細な点で変更が行われてもよいことを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】圧力トランスミッタのための環境を示している。
【図２】トランスミッタの実施形態を示している。
【図３】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図４】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図５】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図６】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図７】可動誘電体を有する容量型圧力センサの実施形態の様々な図を示している。
【図８】可動誘電体を有する容量型圧力センサを製造する方法を示している。
【図９】可動誘電体を持っている容量型センサを有する圧力トランスミッタの部分断面図を示している。
【図１０】隔離組立体内に配置された可動誘電体を有する容量型圧力センサを示している。
【図１１】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図１２】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図１３】容量型圧力センサのコンデンサ電極および可動誘電体の配置を示している。
【図１４】可動誘電体および遮蔽配置を有する容量型圧力センサを示している。
【図１５】可動誘電体を有する容量型センサのための互いに噛合わされた電極配置を示している。
【図１６】可動誘電体を有する容量型センサのための互いに噛合わされた電極配置を示している。
【図１７】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を示している。
【図１８】互いに噛合わされた電極のための遮蔽配置を示している。
【図１９】コンデンサ電極の幾何学的配置を示している。
【図２０】航空宇宙用プローブのための環境を示している。
【符号の説明】
１０２、１０４……層、１１６……外部ダイヤフラム面、１２２、１２４……感知フィルム（コンデンサ電極）、１２６……空間、１２７……ガラスフリットシール、１３４……リード線（電気的接続部）
【図１】
0004851011.tif 000002
【図２】
0004851011.tif 000003
【図３】
0004851011.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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