(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層からなり、表面、裏面、およびこれらの周辺間に位置する側面を有し、上記絶縁層間に形成された配線層、および上記側面に形成され且つ底面に外部接続用のパッドが形成された段部を有するベース基板と、
上記ベース基板の表面上方に実装され、複数の絶縁層からなり、検査用パッドが形成された表面、裏面、および上記複数の絶縁層間に形成された配線層を有し、上記裏面と上記ベース基板の表面との間が電気的に接続されている実装基板と、を備える、
ことを特徴とする電子部品検査装置用配線基板。
【請求項２】
前記ベース基板の段部は、当該ベース基板の表面および裏面と平行な底面と、かかる底面と直交する垂直面とを含み、当該底面に前記配線層と導通する外部接続用の前記パッドが形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項３】
前記実装基板は、当該実装基板の表面および裏面の周辺間に、かかる表・裏面と直交し、且つ当該実装基板の厚み方向に沿って平坦な側面を有する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項４】
前記実装基板の表面に形成される検査用パッドは、当該表面と隣接する金属薄膜層を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項５】
前記ベース基板および前記実装基板ごとに形成される配線層は、信号層、電源層、および接地層をそれぞれ含んでいる、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【請求項６】
前記ベース基板および前記実装基板を形成する前記複数の絶縁層は、同種または異種のセラミック、あるいは同種または異種の樹脂からなる、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードなどの電子部品検査装置に用いられ、特に薄膜形成工程において製造し易く、且つ比較的安価に製作し得る電子部品検査装置用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、Ｓｉウェハなどに形成された多数の半導体素子などの電子部品の電気的特性を、効率良く検査するため、プローブカードなどの電子部品検査装置が用いられている。かかる検査装置には、検査用の信号を発信し、且つ検査情報を受信するために、内部に各種の配線層を有する多層配線基板が用いられている。
一方、最近における半導体素子の開発期間の短縮化に対応するため、製造納期を短縮でき、副電源用接続配線の電気的特性を向上させた多層配線基板、およびこれを用いたプローブが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−７９１４４号公報（第１〜９頁、図１〜３）
【０００３】
特許文献１の多層配線基板は、複数の絶縁層およびこれらの間に形成された配線導体層を有するベース基板と、複数の樹脂絶縁層およびこれらの間に形成された薄膜配線層を有する薄膜多層部と、を一体に積層した積層体である（特許文献１の図２参照）。かかる多層配線基板は、ベース基板の裏面に形成した接続パッドを介して、中継基板の配線と導通することで、かかる中継基板と共にプローブカードを構成すると共に、薄膜多層部の表面に形成した複数の電極パッドごとに接続したプローブを介して、検査対象の半導体素子と導通している（特許文献１の図３参照）。尚、上記プローブカードは、上記中継基板を介して、プリント基板などの表面に実装される。
【０００４】
ところで、電子部品検査装置に用いる多層配線基板は、プリント基板などの表面に実装されるが、両者間の電気的接続を、例えば、多層配線基板の裏面に設けたピンと、プリント基板などの表面に設けたソケットとによるメカニカル・コンタクトで行うと、プリント基板側のソケットが非常に高価となって、実用的ではない。
このため、多層配線基板の側面に上方と側方とに開口した段部を形成し、かかる段部の底面に形成した外部接続用パッドと、プリント基板などの表面に設けた外部接続用パッドとを、ボンディングワイヤーで接続する方法が検討されている。
しかしながら、側面に上記段部を有する多層配線基板においては、かかる多層配線基板の表面に検査用パッドを製作する際、段部にマスキングを施すことが困難となる場合がある。しかも、仮にマスキングがし得たとしても、上記段部の壁面に不用意に付着したレジストやメッキを研磨して除去するための煩雑な工程が必要となって、工数が増大するため、納期が長期化し、更にはコスト高になる、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、実装すべきプリント基板などとの電気的接続をボンディングワイヤーを介して行え、特に薄膜形成工程において製造し易く、ひいては比較的安価に製作できる電子部品検査装置用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、多層配線基板を、検査用パッドを表面に形成した実装基板と、側面に外部接続用のパッドを底面に有する段部を形成したベース基板とに分割し、かかる２つの基板を電気的に接続させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の電子部品検査装置用配線基板（請求項１）は、複数の絶縁層からなり、表面、裏面、およびこれらの周辺間に位置する側面を有し、上記絶縁層間に形成された配線層、および上記側面に形成され且つ底面に外部接続用のパッドが形成された段部を有するベース基板と、かかるベース基板の表面上方に実装され、複数の絶縁層からなり、検査用パッドが形成された表面、裏面、および上記複数の絶縁層間に形成された配線層を有し、上記裏面と上記ベース基板の表面との間が電気的に接続されている実装基板と、を備える、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、複数の絶縁層からなり、表面、裏面、および側面を有し、上記複数の絶縁層間に形成された配線層を備える実装基板において、上記表面に対してマスキングを容易に施せ、且つ側面にメッキが不用意に付着したとしても、これを容易に除去できる。このため、かかる表面に検査用パッドを精度良く形成した実装基板となる。しかも、プリント基板と接続するためのボンディングワイヤーとは、ベース基板の側面に設けた段部の底面に位置する外部接続用のパッドによって、容易に接続することができる。従って、プリント基板などとの電気的接続は、ボンディングワイヤーを介して行え、特に薄膜形成工程において製造し易く比較的安価に製作できる電子部品検査装置用配線基板を提供することができる。
更に、実装基板とベース基板とに分割したため、両基板を平行して同時または随時に製造することもできる。このため、半導体素子などの電子部品の開発期間の短縮化に対応して、表面における所要の位置に検査用パッドを形成した実装基板をニーズに応じて迅速に提供できる。一方、ベース基板は、実装すべきプリント基板などに応じてレイアウトなどを維持したり、これを適時に変更することが可能となる。従って、従来の一体物（例えば、前記特許文献１の多層配線基板）に比べて、製作納期を短縮し易く、且つ種々の納期に対してもフレキシブルに対処することが可能となる。
【０００８】
尚、前記絶縁層は、後述するようなセラミックあるいは樹脂からなる。
また、前記ベース基板の側面に形成する段部は、該基板における四辺の側面ごとに形成するほか、任意の側面のみに形成しても良い。
更に、前記実装基板の裏面と前記ベース基板の表面との間における電気的接続は、例えば、両基板ごとに対向して形成したパッドとこれらの間を接続するハンダボールによる形態のほか、一方に設けたピンと、かかるピンを受け入れるように他方に設けたソケットとによる形態などが含まれる。
加えて、前記実装基板の表面に形成される検査用パッドは、例えば、該表面に隣接するＴｉ薄膜層およびＣｕ薄膜層と、該Ｃｕ薄膜層の上に形成されるＣｕメッキ層と、これらの頂面ないし周面を覆うＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなる。該Ａｕメッキ層の頂面に電子部品の電極と接触するプローブが追って接続される。
【０００９】
また、本発明には、前記ベース基板の段部は、当該ベース基板の表面および裏面と平行な底面と、かかる底面と直交する垂直面とを含み、当該底面に前記配線層と導通する外部接続用の前記パッドが形成されている、電子部品検査装置用配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、当該ベース基板を形成する複数の絶縁層を、セラミックによって製造する際に、例えば、上層側のグリーンシートの側面に凹部を形成したり、上層側のグリーンシートの縦および横寸法の少なくとも一方を、積層すべき下層側のグリーンシートより小さくすることで、側面に段部を有するベース基板を容易に製作することができる。更に、複数の絶縁層が樹脂からなる場合には、例えば、樹脂フィルムに対し、上記同様の方法を施すことで、側面に段部を有するベース基板を容易に製作可能となる。
尚、段部の前記底面は、１つの平坦な底面に限らず、ベース基板の厚み方向および平面方向の位置が異なる複数の底面からなり、かかる底面ごとに外部接続用のパッドを形成しても良い。
【００１０】
更に、本発明には、前記実装基板は、当該実装基板の表面および裏面の周辺間に、かかる表・裏面と直交し、且つ当該実装基板の厚み方向に沿って平坦な側面を有する、電子部品検査装置用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、セラミックまたは樹脂からなる複数の絶縁層の表面を研磨して平坦面とし、かかる表面における所要の位置を除いてマスキングを容易に施せ、且つ平坦な側面にメッキなどが不用意に付着しても、これを研磨などによって容易に除去できる。従って、表面に検査用のパッドを精度良く形成された実装基板を、簡単な工程と少ない工数とによって、安価に製作し且つ提供することが可能となる。
【００１１】
また、本発明には、前記実装基板の表面に形成される検査用パッドは、当該表面と隣接する金属薄膜層を含む、電子部品検査装置用配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、平坦に研磨された実装基板の表面に、例えば、Ｔｉ薄膜層およびＣｕ薄膜層が所要のレベルで形成されているため、該Ｃｕ薄膜層の上に形成されるＣｕメッキ層と、これらの頂面ないし周面を覆うＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層とからなる検査用パッドを、位置、形状、および寸法にて精度良く配設できる。
【００１２】
更に、本発明には、前記ベース基板および前記実装基板ごとに形成される配線層は、信号層、電源層、および接地層をそれぞれ含んでいる、電子部品検査装置用配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、ベース基板および実装基板ごとの電源層を通じて、所要の電流を給電でき、ベース基板および実装基板ごとの信号層によって、検査用の電流などを発信できると共に、ベース基板および実装基板ごとの接地層によって、任意の位置でアースを取ることが容易に可能となる。従って、検査すべき電子部品の検査を正確且つ効率良く行うことが確実となる。
尚、前記ベース基板および実装基板ごとに複数の配線層が形成される場合には、個々の配線層ごとに信号層、電源層、および接地層をそれぞれ含む形態のほか、各配線層が信号層、電源層、または接地層の何れかのみとなる形態も含まれる。
【００１３】
加えて、本発明には、前記ベース基板および前記実装基板を形成する前記複数の絶縁層は、同種または異種のセラミック、あるいは同種または異種の樹脂からなる、電子部品検査装置用配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、ベース基板を構成する複数の絶縁層を、同種または異種のセラミック、あるいは同種または異種の樹脂によって形成したり、実装基板を構成する複数の絶縁層を、同種または異種のセラミック、あるいは同種または異種の樹脂によって形成できる。従って、前記ベース基板および実装基板ごとの仕様に応じて、最適且つ安価な材料のセラミックまたは樹脂を自在に活用することが可能となる。
尚、前記セラミックには、アルミナなどの高温焼成セラミック、およびガラス成分を約５０ｗｔ％程度含む低温焼成セラミックが含まれ、高温焼成セラミックの場合、前記各配線層や外部接続のパッドなどの導体にＷやＭｏなどが用いられ、低温焼成セラミックの場合、ＡｇやＣｕなどが用いられる。
また、前記セラミックには、マシナブルセラミック、ＡｌＮ、またはムライトの何れかからなるものとしても良く、上記マシナブルセラミックは、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３との混合物、あるいは、ＡｌＮとＢＮとの混合物からなり、熱膨張係数が約３．０×１０−６／℃のＳｉウェハと、熱膨張係数がほぼ近似している。
更に、前記樹脂には、エポキシ系のほか、前記検査用パッドにプローブを取り付けるプローフビング時の熱に耐える耐熱性のポリイミドなどが用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の電子部品検査装置用配線基板（以下、単に配線基板と言う）１を構成する実装基板２およびベース基板２０を示す斜視図、図２は、当該配線基板１を示す垂直断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、ベース基板２０と、かかるベース基板２０の表面２１上方に実装され、且つ該表面２１と裏面４との間が電気的に接続される実装基板２と、を備えている。
ベース基板２０は、複数のセラミック層（絶縁層）ｓ６〜ｓ９からなり、平面視がほぼ正方形の表面２１、裏面２２、これらの四辺（周辺）間に位置する側面２３、および側面２３ごとに形成された４つの細長い段部２４を有している。かかる段部２４は、表面２１および裏面２２と平行な底面２６と、かかる底面２６と直交する垂直面２５と、これらの両端に位置する一対の端壁２７とからなる。
【００１５】
図２に示すように、前記セラミック層ｓ６〜ｓ９間には、配線層３２，３４，３６が形成され、これらは、信号層、電源層、接地層の全てを含んでいる。また、最下層の配線層３６は、その一部が各段部２４の底面２６に延出した外部接続用のパッド２８とも接続されている。また、ベース基板２０の表面２１には、複数のパッド（ＬＧＡパッド）３０が格子状に形成されている。かかるパッド３０、および配線層３２，３４，３６の相互間は、セラミック層ｓ６〜ｓ８を貫通するビア導体ｖを介して導通可能とされている。
尚、前記セラミック層ｓ６〜ｓ９は、例えば、アルミナやＡｌＮなどを主成分とする高温焼成セラミック、または、ガラス成分を約５０ｗｔ％程度含む低温焼成セラミックからなり、前者の場合、パッド３０、配線層３２，３４，３６、およびビア導体ｖの導体には、ＷまたはＭｏなどが用いられ、後者の場合、ＡｇまたはＣｕなどが用いられる。
【００１６】
実装基板２は、図１，図２に示すように、複数のセラミック層（絶縁層）ｓ１〜ｓ５からなり、平面視がほぼ正方形の表面３、裏面４、これらの四辺（周辺）間に位置する側面５、表面３に格子状にて形成された複数の検査用パッド６、および、裏面４に同様に形成された複数のパッド（ＬＧＡパッド）７を有する。
各側面５は、表面３および裏面４と直交し、且つ当該実装基板２の厚み方向に沿った平坦面である。また、セラミック層ｓ１〜ｓ５間には、電源層の配線層１４，接地層である一対の配線層１６，１８、およびこれら挟まれた信号層の配線層１７が形成されている。かかる配線層１４，１６〜１８、検査用パッド６、およびパッド７の相互間は、貫通孔ｔｈを含むセラミック層ｓ１〜ｓ５を貫通するビア導体ｖを介して導通可能とされている。
尚、セラミック層ｓ１〜ｓ５も、前記同様の高温焼成セラミック、または、低温焼成セラミックからなり、これらに応じて、配線層１４，１６〜１８、およびパッド７の導体にも、ＷまたはＭｏ、あるいは、ＡｇまたはＣｕなどが用いられる。
【００１７】
図２中の一点鎖線の枠内に部分拡大図で模式的に示すように、検査用パッド６は、当該実装基板２の表面３に隣接して、全体がほぼ円柱形を呈するように、Ｔｉ薄膜層８、Ｃｕ薄膜層９、Ｃｕメッキ層１０が順次積層され、これらの周面および頂面にＮｉメッキ層１１を介して、Ａｕメッキ層１２が形成されている。
図２に示すように、ベース基板２０の表面２１に形成されたパッド３０ごとと、実装基板２の裏面４に形成されたパッド７ごととの間には、後述するハンダボールを加熱・凝固したハンダｈが形成され、かかるハンダｈを介して、ベース基板２０の表面２１上方に実装基板２が実装される。これにより、本発明の配線基板１が構成される。同時に、上記パッド７，３０、およびハンダｈを介して、実装基板２の配線層１４，１６〜１８、ビア導体ｖ、および検査用パッド６と、ベース基板２０の配線層３２，３４，３６、ビア導体ｖ、および外部接続用のパッド２８とが、相互に導通可能とされている。
【００１８】
図３は、本発明の配線基板１の使用状態を示す模式的な垂直断面図である。
図３に示すように、プリント基板（マザーボード）４０の表面４１に配線基板１を載置し、かかる表面４１に平面視でほぼ矩形枠状に配設された複数の電極パッド４２と、ベース基板２０の各段部２４の底面２６に位置する複数の外部接続用のパッド２８との間を、個別にワイヤーｗをボンディングすることで導通する。
尚、配線基板１の位置決めは、例えば、プリント基板４０の表面４１に、図示しない複数のピンを立設し、かかるピンをペース基板２０に設けた図示しないピン挿入用孔に挿入することで成される。
図３に示すように、実装基板２の表面３に形成された複数の検査用パッド６の頂面には、複数のプローブｐが個別に取り付けられる。かかるプローブｐは、例えば、配線基板１に対して相対的に移動するＳｉウェハ４４に形成された多数の半導体素子などの電子部品ごとの電極パッド４６と個別に接触することで、個々の電子部品の電気的特性を検査することに活用される。尚、該プローブｐが取り付けられた配線基板１は、プローブカードとなる。
【００１９】
即ち、図３に示すように、プリント基板４０内からパッド４２、ボンディングワイヤーｗ、外部接続用のパッド２８を介して、ベース基板２０において、例えば、配線層３６内の電源層に給電された電流は、ビア導体ｖ、配線層３４および配線層３２内の信号層や接地層を経た後、パッド３０、ハンダｈ、パッド７を介して、実装基板２に送信される。かかる電流は、実装基板２内のビア導体ｖ、接地層の配線層１８，１６、信号層の配線層１７、あるいは電源層の配線層１４、更には検査用パッド６を経て、プローブｐからＳｉウェハ４４の各電極パッド４６に送信され、各電子部品ごとの電気的機能を実行させて、その電気的特性を発現させる。
そして、得られた電気的特性の信号電流は、上記と逆の経路でプリント基板４０に送信される。その結果、Ｓｉウェハ４４に形成された多数の電子部品ごとの電気的特性を、正確且つ迅速に検出することが可能となる。
【００２０】
前記配線基板１は、以下のように、実装基板２およびベース基板２０を平行して製造し、両基板２，２０を前記ハンダｈで接続することで製作した。
先ず、図４〜図７に沿って、前記実装基板２の製造方法を説明する。
予め、アルミナ粉末、所要の有機バインダ、および溶剤などを、所要量ずつ瓶量・混合してセラミックスラリを製作し、これをドクターブレード法によって、シート状を呈する複数のグリーンシートｓ１〜ｓ５に成形した。
次に、上記グリーンシートｓ１〜ｓ５における所定の位置ごとに、打ち抜き加工を施して、図４の左側に示すように、貫通孔ｖｈを穿孔した。次いで、各貫通孔ｖｈごとに、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填して、図４の中央付近および右側に示すように、未焼成のビア導体ｖを形成した。
【００２１】
更に、グリーンシートｓ２〜ｓ５の表面とグリーンシートｓ５の裏面とに、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図４の中央付近および右側に示すように、所要のパターンを有する未焼成の配線層１４，１６〜１８、およびパッド７を形成した。これらは、前記ビア導体ｖの何れかと接続されている。
そして、以上のようなグリーンシートｓ１〜ｓ５を厚み方向に沿って積層・圧着した後、所定の温度帯で焼成した。
その結果、図５に示すように、セラミック層ｓ１〜ｓ５からなり、表面３、裏面４、および側面５を有し、焼成された配線層１４，１６〜１８、ビア導体ｖ、およびパッド７を備え、且つ検査用パッド６のない実装基板２が形成された。
【００２２】
次に、前記実装基板２の表面３を研磨して平坦面とした後、ビア導ｖの端面が露出する表面３上に、図６の左側に示すように、Ｔｉ薄膜層（金属薄膜層）８とＣｕ薄膜層（金属薄膜層）９とを、順次スパッタリングによって形成した。この際、側面５が平坦な垂直面であるため、スパッタリング時におけるマスキング材の一部が回り込む事態を容易に阻止できた。
次いで、上記Ｃｕ薄膜層９の上に感光性樹脂からなるレジスト層ｒを形成した後、かかるレジスト層ｒに対しフォトリソグラフィー技術を施すことによって、図６の中央に示すように、ビア導体ｖごとの上方に円柱形の貫通孔１３を形成した。この際、側面５が平坦な垂直面であるため、上記レジスト材の一部が回り込む事態を回避することが容易であった。
【００２３】
次に、図６の右側に示すように、各貫通孔１３の底面に露出するＣｕ薄膜層９の上に、電解Ｃｕメッキによって、Ｃｕメッキ層１０を形成した。この際、側面５が平坦な垂直面であるため、Ｃｕメッキの一部の不用意な付着を容易に阻止できた。
かかる状態で、図７の左側に示すように、上記レジスト層ｒを現像液によって溶解・除去した。
次いで、図７の中央に示すように、Ｔｉ薄膜層８、Ｃｕ薄膜層９、およびＣｕメッキ層１０の周面と、Ｃｕメッキ層１０の頂面とに対し、Ｎｉメッキ層１１を形成した。更に、図７の右側に示すように、かかるＮｉメッキ層１１の表面全体にＡｕメッキ層１２を形成した。その結果、表面３に複数の検査用パッド６が精度良く形成されることで、前記図１〜図３に示した実装基板２が製造された。
尚、かかる実装基板２は、多数個取りの方法によって製造しても良い。
【００２４】
一方、前記ベース基板２０は、図８，図９に示す工程によって製造した。
予め、前記同様に平面視が正方形のグリーンシートｓ６〜ｓ９を製作した。
次に、グリーンシートｓ６〜ｓ８の四辺（周辺）ごとの両端付近を除く位置を、平面視で細長い長方形に切り欠いて、図７に示すように、それぞれ四辺ごとに凹部ｋを形成した。更に、グリーンシートｓ６〜ｓ８における所定の位置を打ち抜き加工して、図８の左側に示すように、貫通孔ｖｈを穿孔した。次いで、各貫通孔ｖｈごとに、Ｗ粉末またはＭｏ粉末を含む導電性ペーストを充填して、図７の中央付近および右側に示すように、未焼成のビア導体ｖを形成した。
【００２５】
更に、グリーンシートｓ６〜ｓ９の表面に、上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、図８の中央付近および右側に示すように、所要のパターンを有する未焼成のパッド３０、および配線層３２，３４．３６を形成した。これらは、前記ビア導体ｖの何れかと接続されている。
次いで、以上のようなグリーンシートｓ６〜ｓ９を、前記各凹部ｋが連続するように、厚み方向に沿って積層・圧着した。その結果、図９に示すように、表面２１、裏面２２、側面２３、および四辺の段部２４を有し、パッド３０、配線層３２，３４，３６、ビア導体ｖ、および外部接続用のパッド２８を備えた未焼成のベース基板２０が得られた。そして、かかるベース基板２０を所定の温度帯で焼成することで、前記図１〜図３に示したベース基板２０が得られた。
尚、かかるベース基板２０は、多数個取りの方法によって製造しても良い。
【００２６】
更に、図１０に示すように、ベース基板２０の表面２１に形成された各パッド３０ごとの上にハンダボールｈｂをセットし、かかるハンダボールｈｂごとの上に、実装基板２の裏面４に形成された各パッド７を載置した後、各ハンダボールｈｂの融点直上付近の温度に加熱した。その結果、表層を溶融・凝固させたハンダボールｈｂがパッド７，３０を接続することで、ベース基板２０の表面２１上方に実装基板２が実装され、前記図１〜図３に示した配線基板１が得られた。
【００２７】
以上のような配線基板１によれば、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ５からなり、表面３、裏面４、および側面５を有し、セラミック層ｓ１〜ｓ５間に形成された配線層１４，１６〜１８を有する実装基板２では、表面３に対しマスキングが容易に施せ、且つ側面５に付着し得る不用意なメッキやマスキングを容易に除去できる。このため、かかる表面３に検査用パッド６を精度良く形成した実装基板２となる。しかも、プリント基板４０と接続するためのボンディングワイヤーｗとは、ベース基板２０の側面２３に設けた段部２４の底面２６に位置する外部接続用のパッド２８によって、容易に接続することができる。
【００２８】
従って、プリント基板４０との電気的接続をボンディングワイヤーｗを介して行え、特に薄膜形成工程において製造し易く比較的安価に製作できる配線基板１を提供することができる。
更に、実装基板２とベース基板２０とに分割したため、両基板２，２０を平行して同時に、または随時に製造することもできる。このため、半導体素子などの電子部品の開発期間の短縮化に対応して、表面３における所要の位置に検査用パッド６を形成した実装基板２を迅速に提供できる。一方、ベース基板２０は、実装すべきプリント基板４０に応じて、レイアウトや仕様を維持したり、これらを適時に変更することが可能となる。よって、従来の一体構造の配線基板に比べて、製作納期を短縮し易く、且つ種々の納期に対してもフレキシブルに対処することが可能となる。
【００２９】
図１１は、異なる形態の配線基板１ａを構成する実装基板２およびベース基板５０を示す斜視図、図１２は、当該配線基板１ａを示す垂直断面図である。
配線基板１ａは、ベース基板５０と、かかるベース基板５０の表面５１上方に実装され、且つ該表面５１と裏面４との間が電気的に接続される前記同様の実装基板２と、を備えている。
図１１，図１２に示すように、ベース基板５０は、前記同様のセラミック層（絶縁層）ｓ６〜ｓ９からなり、平面視がほぼ正方形の表面５１、裏面５２、これらの四辺（周辺）間に位置する側面５３、および側面５３ごとに形成された４つの細長い段部５４を有している。かかる段部５４は、表面５１および裏面５２と平行で且つ側面５３ごとの全長に沿った底面５６と、かかる底面５６と直交する垂直面５５とからなる。
【００３０】
図１２に示すように、セラミック層ｓ６〜ｓ９間には、信号層、電源層、接地層の全てを含む配線層３２，３４，３６が形成されている。最下層の配線層３６は、その一部が各段部５４の底面５６に延出した外部接続用のパッド５８と接続している。また、ベース基板５０の表面５１には、前記同様の３０が格子状に形成されている。かかるパッド３０、および配線層３２，３４，３６の相互間は、セラミック層ｓ６〜ｓ８を貫通するビア導体ｖを介して導通可能である。
図１２に示すように、ベース基板５０の表面５１に形成されたパッド３０ごとと、実装基板２の裏面４に形成されたパッド７ごととの間には、前記ハンダボールｈｂを加熱・凝固したハンダｈが形成され、かかるハンダｈを介して、ベース基板５０の表面５１上方に実装基板２が実装されることで、配線基板１ａが構成される。
【００３１】
同時に、前記パッド７，３０、およびハンダｈを介して、実装基板２の配線層１４，１６〜１８、ビア導体ｖ、および検査用パッド６と、ベース基板５０の配線層３２，３４，３６、ビア導体ｖ、および外部接続用のパッド５８とが、相互に導通可能とされている。
以上のような配線基板１ａは、前記同様の方法によって製造され、前記配線基板１と同様な作用を発揮できると共に、同様な効果を奏することが可能である。
【００３２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記絶縁層は、各種のエポキシ樹脂、あるいはポリイミドなどの耐熱性樹脂からなるものとしても良い。
また、前記ベース基板の配線層は、前記実装基板内の配線層と同様に、信号層、電源層、あるいは接地層の何れか専用のレイアウトとしても良い。一方、これと反対に、実装基板内の各配線層を、それぞれ信号層、電源層、および接地層の全てを含む形態としても良い。
更に、前記段部は、ベース基板における四辺の１辺、対向または隣接する２辺、あるいは３辺に形成しても良い。このうち、前記底面および垂直面の両端に一対の端壁を有する形態の段部は、ベース基板の同じ側面に２つ以上形成しても良い。
また、前記段部ごとの底面は、ベース基板の厚み方向および平面方向に沿って内外２段以上とし、各底面ごとに前記外部接続用のパッドを形成しても良い。
加えて、前記実装基板の表面に形成する検査用パッドは、かかる表面において前記格子状の配置に限らず、検査すべき電子部品における複数の電極パッドの位置に対向した任意の位置に配設しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一形態の配線基板を構成する実装基板とベース基板とを示す斜視図。
【図２】実装後の上記配線基板を示す垂直断面図およびその部分拡大図。
【図３】上記配線基板の使用状態を示す模式的な垂直断面図。
【図４】上記実装基板の製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く実装基板の製造工程を示す概略図。
【図６】図５に続く実装基板の製造工程を示す概略図。
【図７】図６に続く実装基板の製造工程を示す概略図。
【図８】上記ベース基板の製造工程を示す概略図。
【図９】図８に続くベース基板の製造工程を示す概略図。
【図１０】上記配線基板の製造工程を示す概略図。
【図１１】異なる形態の配線基板を構成する実装基板とベース基板とを示す斜視図。
【図１２】実装後の上記配線基板を示す垂直断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１，１ａ………………………………配線基板（電子部品検査装置用配線基板）
２………………………………………実装基板
３，２１，５１………………………表面
４，２２，５２………………………裏面
５，２３，５３………………………側面
６………………………………………検査用パッド
８………………………………………Ｔｉ薄膜層（金属薄膜層）
９………………………………………Ｃｕ薄膜層（金属薄膜層）
１４,１６〜１８,３２,３４,３６…配線層
２４，５４……………………………段部
２５，５５……………………………垂直面
２６，５６……………………………底面
２８，５８……………………………外部接続用のパッド
ｓ１〜ｓ９……………………………セラミック層（絶縁層）
【図１】
0004960854.tif 000002
【図２】
0004960854.tif 000003
【図３】
0004960854.tif 000004
【図４】
0004960854.tif 000005
【図５】
0004960854.tif 000006
【図６】
0004960854.tif 000007
【図７】
0004960854.tif 000008
【図８】
0004960854.tif 000009
【図９】
0004960854.tif 000010
【図１０】
0004960854.tif 000011
【図１１】
0004960854.tif 000012
【図１２】
0004960854.tif 000013