(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板と、
前記導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、
前記第１の絶縁層上において第１の配線パターンの一方側に間隔をおいて形成される第１のグランドパターンと、
前記第１の配線パターンおよび前記第１のグランドパターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、
前記第２の配線パターンを覆うように前記第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、
前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、
前記第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、
前記第２の配線パターンの幅は前記第１の配線パターンの幅よりも大きく設定され、
前記第１のグランドパターンの少なくとも一部の領域と前記第２の配線パターンの少なくとも一部の領域とは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層上において前記第１の配線パターンの他方側に間隔をおいて形成される第２のグランドパターンをさらに備え、
前記第２のグランドパターンの少なくとも一部の領域と前記第２の配線パターンの少なくとも一部の領域とは前記第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第２の絶縁層上において前記第２の配線パターンの一方側および他方側にそれぞれ間隔をおいて形成される第３および第４のグランドパターンをさらに備えることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
前記第１および第２の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図１１は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図１１のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。
【０００４】
導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。
【０００５】
このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。
【０００６】
ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。
【０００７】
そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図１２に示す配線回路基板が提案されている。
【０００８】
図１２は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００９】
第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。
【００１０】
上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。
【００１１】
上記構成を有する図１２のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、図１１および図１２に示すサスペンション基板９００，９１０においては、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２のインピーダンスは、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２と金属基板９０２との間の結合容量の大きさによって変化する。
【００１３】
ここで、図１２のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の距離と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の距離と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の距離とが異なる。
【００１４】
この場合、書込用導体Ｗ１および金属基板９０２の間の結合容量と書込用導体Ｗ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。また、読取用導体Ｒ１および金属基板９０２の間の結合容量と読取用導体Ｒ２および金属基板９０２の間の結合容量とが異なる。
【００１５】
そのため、サスペンション基板９１０の構成では、書込用導体Ｗ１と書込用導体Ｗ２とでインピーダンスに差が生じ、読取用導体Ｒ１と読取用導体Ｒ２とでインピーダンスに差が生じる。それにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２による差動信号の伝送エラーおよび読取用導体Ｒ１，Ｒ２による差動信号の伝送エラーが発生するおそれがある。
【００１６】
本発明の目的は、信号の伝送エラーの発生を十分に防止できる配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
（１）本発明に係る配線回路基板は、導電性基板と、導電性基板上に形成される第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される第１の配線パターンと、第１の絶縁層上において第１の配線パターンの一方側に間隔をおいて形成される第１のグランドパターンと、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成される第２の配線パターンと、第２の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に形成される第３の絶縁層とを備え、第１の配線パターンと第２の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第２の配線パターンの幅は第１の配線パターンの幅よりも大きく設定され、第１のグランドパターンの少なくとも一部の領域と第２の配線パターンの少なくとも一部の領域とは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されるものである。
【００１８】
この配線回路基板においては、導電性基板上に第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に第１の配線パターンが形成される。また、第１の絶縁層上において第１の配線パターンの一方側に間隔をおいて第１のグランドパターンが形成される。また、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成され、第２の絶縁層上に第２の配線パターンが形成される。そして、第２の配線パターンを覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成される。
【００１９】
ここで、この配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンにより第１の信号線路対が構成される。また、第１の配線パターンと第２の配線パターンとは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置され、第２の配線パターンの幅は第１の配線パターンの幅よりも大きく設定される。さらに、第１のグランドパターンの少なくとも一部の領域と第２の配線パターンの少なくとも一部の領域とが第２の絶縁層を挟んで対向するように配置される。
【００２０】
このような構成により、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとに差が生じることを抑制することができる。それにより、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
【００２１】
（２）配線回路基板は、第１の絶縁層上において第１の配線パターンの他方側に間隔をおいて形成される第２のグランドパターンをさらに備え、第２のグランドパターンの少なくとも一部の領域と第２の配線パターンの少なくとも一部の領域とは第２の絶縁層を挟んで対向するように配置されてもよい。
【００２２】
この場合、第１の配線パターンの両側方にグランドパターンが設けられるので、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとに差が生じることを十分に抑制することができる。それにより、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することをより十分に防止することができる。
【００２３】
（３）配線回路基板は、第２の絶縁層上において第２の配線パターンの一方側および他方側にそれぞれ間隔をおいて形成される第３および第４のグランドパターンをさらに備えてもよい。
【００２４】
この場合、第２の配線パターンの両側方にグランドパターンが設けられるので、第１の信号線路対と他の信号線路との間のクロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００２５】
（４）配線回路基板は、導電性基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１および第２の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。
【００２６】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。
【００２７】
また、第１の信号線路対により磁気ディスクに対する情報の書込みまたは読込みを行うことができる。その場合、書込み時または読込み時における信号の伝送エラーの発生を十分に防止することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、第１の配線パターンのインピーダンスと第２の配線パターンのインピーダンスとに差が生じることを抑制することができる。それにより、第１の信号線路対の不平衡による信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。
【００３０】
＜第１の実施の形態＞
（１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。
【００３１】
図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および磁気ディスクに対して情報の読取りを行うための読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。
【００３２】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。
【００３３】
サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３４】
サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。
【００３５】
以下、サスペンション基板１の構造について図面を用いて詳細に説明する。図２は、図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。なお、図２においては、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成される領域の構造が示されているが、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成される領域（例えば、図１のＢ−Ｂ線断面）も図２と同様の構造を有する。また、読取用配線パターンＲ１は書込用配線パターンＷ１と同様に形成され、読取用配線パターンＲ２は書込用配線パターンＷ２と同様に形成される。
【００３６】
図２に示すように、絶縁層４０は、第１、第２および第３の絶縁層４１，４２，４３からなる。サスペンション本体部１０上には第１の絶縁層４１が形成されている。
【００３７】
第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。
【００３８】
第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成されている。
【００３９】
第２の絶縁層４２上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成されている。本実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１の中線と書込用配線パターンＷ２の中線とが重なるように書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成されている。
【００４０】
また、書込用配線パターンＷ２の幅は、書込用配線パターンＷ１の幅よりも大きく設定されている。また、グランドパターンＧ１の一端部の上面と書込用配線パターンＷ２の一端部の下面とが第２の絶縁層４２を介して対向するように、グランドパターンＧ１および書込用配線パターンＷ２が形成されている。
【００４１】
第２の絶縁層４２上には、配線パターンＷ２を覆うように第３の絶縁層４３が形成されている。
【００４２】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２（図１）に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２（図１）に電流が流れる。
【００４３】
（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。また、以下では、簡便のために、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成される領域を例に挙げて説明するが、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２についても同様に形成される。
【００４４】
図３および図４は、本実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。
【００４５】
サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えて銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の他の金属材料からなる長尺状基板を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みｔ１は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を形成する。書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。
【００４７】
書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００４８】
書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００４９】
書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の厚みｔ３は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、グランドパターンＧ１の幅ｓ２は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
なお、書込用配線パターンＷ１の厚みとグランドパターンＧ１の厚みとが異なっていてもよく、等しくてもよい。また、書込用配線パターンＷ１の幅とグランドパターンＧ１の幅とが異なっていてもよく、等しくてもよい。
【００５１】
書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間の間隔ｄ１は例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００５２】
上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との間および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１との密着性および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１との密着性が向上される。
【００５３】
その後、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を覆うように第１の絶縁層４１上に主としてポリイミド樹脂からなる第２の絶縁層４２を形成する。
【００５４】
第２の絶縁層４２の厚みｔ４は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。
【００５５】
次に、図４（ｄ）に示すように、第２の絶縁層４２上に銅からなる書込用配線パターンＷ２を形成する。ここで、書込用配線パターンＷ２は書込用配線パターンＷ１の上方位置に形成する。これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と書込用配線パターンＷ２の下面とが対向する。
【００５６】
また、書込用配線パターンＷ２の一端部がグランドパターンＧ１の一端部の上方に位置するように書込用配線パターンＷ２を形成する。これにより、グランドパターンＧ１の上面の一端部の所定の領域と書込用配線パターンＷ２の下面の一端部の所定の領域とが対向する。なお、グランドパターンＧ１の上面全体を覆うように第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２を形成してもよい。
【００５７】
書込用配線パターンＷ２は、書込用配線パターンＷ１と同様にして形成する。書込用配線パターンＷ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００５８】
書込用配線パターンＷ２の厚みｔ５は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ２の幅ｓ３は例えば５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００５９】
書込用配線パターンＷ２のグランドパターンＧ１に対向する領域の幅ｓ４は０μｍより大きく１００μｍ以下であり、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との間に金属薄膜を形成してもよい。この場合、第２の絶縁層４２と書込用配線パターンＷ２との密着性が向上される。
【００６１】
最後に、図４（ｅ）に示すように、書込用配線パターンＷ２を覆うように第３の絶縁層４３上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。
【００６２】
第３の絶縁層４３の厚みｔ６は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ２の上面から第３の絶縁層４３の上面までの厚みｈ２は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。
【００６３】
なお、第１〜第３の絶縁層４１〜４３には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂材料を用いてもよい。
【００６４】
また、第１〜第３の絶縁層４１〜４３がそれぞれ異なる絶縁材料により形成されてもよく、同じ絶縁材料により形成されてもよい。
【００６５】
また、書込用配線パターンＷ１の中線と書込用配線パターンＷ２の中線とが重ならなくてもよい。
【００６６】
（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１が形成されている。また、書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成され、第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２が形成されている。さらに、書込用配線パターンＷ２の幅が書込用配線パターンＷ１よりも大きく設定されている。
【００６７】
このような構成により、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとに差が生じることを抑制することができる。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
【００６８】
以上の結果、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。
【００６９】
＜第２の実施の形態＞
図５は本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板を示す縦断面図である。
【００７０】
本実施の形態に係るサスペンション基板２が図２のサスペンション基板１と異なるのは以下の点である。
【００７１】
図５に示すように、本実施の形態においては、第１の絶縁層４１上において、書込用配線パターンＷ１の一方側にグランドパターンＧ１が形成され、書込用配線パターンＷ１の他方側にグランドパターンＧ２が形成されている。グランドパターンＧ２は、グランドパターンＧ１と同様に形成される。
【００７２】
なお、グランドパターンＧ２の幅ｓ５は、グランドパターンＧ１の幅ｓ２（図３（ｂ））と同様に設定される。書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ２との間の間隔ｄ２は、図３（ｂ）の間隔ｄ１と同様に設定される。グランドパターンＧ２の厚みｔ７は、図３（ｂ）の厚みｔ３と同様に設定される。書込用配線パターンＷ２のグランドパターンＧ２に対向する領域の幅ｓ６は、図４（ｄ）の幅ｓ４と同様に設定される。
【００７３】
このように、本実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１の両側方にグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成されている。それにより、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとに差が生じることを十分に抑制することができる。その結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーが発生することを十分に防止することができる。
【００７４】
＜第３の実施の形態＞
図６は本発明の第３の実施の形態に係るサスペンション基板を示す縦断面図である。
【００７５】
本実施の形態に係るサスペンション基板３が図５のサスペンション基板２と異なるのは以下の点である。
【００７６】
図６に示すように、本実施の形態においては、第２の絶縁層４２上において、書込用配線パターンＷ２の一方側にグランドパターンＧ３が形成され、書込用配線パターンＷ２の他方側にグランドパターンＧ４が形成されている。グランドパターンＧ３，Ｇ４は、グランドパターンＧ１と同様に形成される。
【００７７】
なお、グランドパターンＧ３，Ｇ４の幅Ｓ７，Ｓ８は、５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。グランドパターンＧ３，Ｇ４の厚みｔ８は、図４（ｄ）の厚みｔ５と同様に設定される。グランドパターンＧ３と書込用配線パターンＷ２との間の間隔ｄ３およびグランドパターンＧ４と書込用配線パターンＷ２との間の間隔ｄ４は、５μｍ以上４０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００７８】
このように、本実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１の両側方にグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成され、書込用配線パターンＷ２の両側方にグランドパターンＧ３，Ｇ４が形成されている。それにより、書込用配線パターンＷ１のインピーダンスと書込用配線パターンＷ２のインピーダンスとに差が生じることを十分に抑制しつつ、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と他の配線パターンとの間のクロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００７９】
＜実施例および比較例＞
実施例および比較例のサスペンション基板を作製し、それらの評価を行った。
【００８０】
（１）実施例
図７は実施例１〜３のサスペンション基板を示す断面図である。なお、図７に示すサスペンション基板２０の基本的な構造は図５のサスペンション基板２と同じであるが、実施例１のサスペンション基板２０においては、グランドパターンＧ１，Ｇ２の上面全体を覆うように書込用配線パターンＷ２が設けられている。
【００８１】
（１−１）実施例１
実施例１においては、書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１は３０μｍであり、書込用配線パターンＷ２の幅ｓ３は９０μｍであり、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅ｓ２，Ｓ５はそれぞれ１５μｍであり、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間の間隔ｄ１および書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ２との間の間隔ｄ２はそれぞれ１５μｍである。
【００８２】
（１−２）実施例２
実施例２が実施例１と異なるのは以下の点である。実施例２においては、書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１は４０μｍであり、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅ｓ２，Ｓ５はそれぞれ１２μｍであり、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間の間隔ｄ１および書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ２との間の間隔ｄ２はそれぞれ１３μｍである。
【００８３】
（１−３）実施例３
実施例３が実施例１と異なるのは以下の点である。実施例３においては、書込用配線パターンＷ１の幅ｓ１は５０μｍであり、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅ｓ２，Ｓ５はそれぞれ１０μｍであり、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間の間隔ｄ１および書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ２との間の間隔ｄ２はそれぞれ１０μｍである。
【００８４】
（２）比較例
（２−１）比較例１
図８は比較例１のサスペンション基板を示す断面図である。
【００８５】
図８に示すように、比較例１のサスペンション基板２１は、図２のサスペンション基板１と同様のサスペンション本体部１０および絶縁層４０を有する。第１の絶縁層４１上において第２の絶縁層４２に覆われるように書込用配線パターンＷ３およびグランドパターンＧ５が形成されている。また、第２の絶縁層４２上において第３の絶縁層４３に覆われるように書込用配線パターンＷ４およびグランドパターンＧ６が形成されている。
【００８６】
なお、書込用配線パターンＷ３，Ｗ４は、図２の書込用配線パターンＷ１と同様に形成され、グランドパターンＧ５，Ｇ６は図２のグランドパターンＧ１と同様に形成される。また、書込用配線パターンＷ３の中線と書込用配線パターンＷ４の中線とが重なるように書込用配線パターンＷ３，Ｗ４が形成され、グランドパターンＧ５の中線とグランドパターンＧ６の中線とが重なるようにグランドパターンＧ５，Ｇ６が形成されている。
【００８７】
書込用配線パターンＷ３，Ｗ４の幅ｓ９は５０μｍであり、グランドパターンＧ５，Ｇ６の幅ｓ１０は３０μｍである。また、書込用配線パターンＷ３，Ｗ４とグランドパターンＧ５，Ｇ６との間の間隔ｄ５は２００μｍである。
【００８８】
（２−２）比較例２
図９は比較例２のサスペンション基板を示す断面図である。
【００８９】
比較例２のサスペンション基板２２が比較例１のサスペンション基板２１と異なるのは以下の点である。
【００９０】
図９に示すように、比較例２のサスペンション基板２２においては、グランドパターンＧ５，Ｇ６（図８）が設けられていない。
【００９１】
（３）評価
（３−１）特性インピーダンスの評価
実施例１〜３のサスペンション基板２０の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスおよび比較例１のサスペンション基板２１の書込用配線パターンＷ３，Ｗ４の特性インピーダンスを調べた。
【００９２】
実施例１のサスペンション基板２０においては、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスが１３Ωであり、書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスが１７Ωであった。したがって、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスと書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスとの差は、４Ωであった。
【００９３】
実施例２のサスペンション基板２０においては、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスが１３．３Ωであり、書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスが１３．６７Ωであった。したがって、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスと書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスとの差は、０．３７Ωであった。
【００９４】
実施例３のサスペンション基板２０においては、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスが１５．５Ωであり、書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスが１３．５Ωであった。したがって、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスと書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスとの差は、２Ωであった。
【００９５】
比較例１のサスペンション基板２１においては、書込用配線パターンＷ５の特性インピーダンスが２２．６７Ωであり、書込用配線パターンＷ６の特性インピーダンスが１２．７１Ωであった。したがって、書込用配線パターンＷ１の特性インピーダンスと書込用配線パターンＷ２の特性インピーダンスとの差は、９．９６Ωであった。
【００９６】
このように、実施例１〜３において書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間に生じた特性インピーダンスの差は、比較例１において書込用配線パターン３と書込用配線パターンＷ４との間に生じた特性インピーダンスの差に比べて十分に小さかった。この結果から、実施例１〜３のサスペンション基板２０により差動信号を伝送する場合には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の不平衡による差動信号の伝送エラーの発生を十分に防止できることが分かる。
【００９７】
（３−２）差動モード入力およびコモンモード出力における損失
実施例１〜３のサスペンション基板２０および比較例２のサスペンション基板２２において、差動モード入力およびコモンモード出力（Ｓｃｄ２１）における損失を調べた。
【００９８】
図１０は差動モード入力およびコモンモード出力における損失を計算した結果を示す図である。図１０において、縦軸が利得を示し、横軸が信号の周波数を示す。この場合、負の利得は損失を表す。
【００９９】
図１０に示すように、差動モード入力およびコモンモード出力（差動モードからコモンモードへの変換）においては、実施例１〜３のサスペンション基板２０での損失が、比較例２のサスペンション基板２２での損失に比べて大きかった。これにより、実施例１〜３のサスペンション基板２０においては、比較例２のサスペンション基板２２に比べて差動モードからコモンモードに変換されにくいことがわかった。この結果から、実施例１〜３のサスペンション基板２０により差動信号を伝送する場合には、差動信号の伝送エラーの発生を十分に防止できることが分かる。
【０１００】
＜請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係＞
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１０１】
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１または読取用配線パターンＲ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２または読取用配線パターンＲ２が第２の配線パターンの例であり、グランドパターンＧ１が第１のグランドパターンの例であり、グランドパターンＧ２が第２のグランドパターンの例であり、グランドパターンＧ３，Ｇ４が第３および第４のグランドパターンの例であり、サスペンション本体部１０が導電性基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
【０１０２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図４】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション基板を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係るサスペンション基板を示す断面図である。
【図７】実施例１〜３のサスペンション基板を示す断面図である。
【図８】比較例１のサスペンション基板を示す断面図である。
【図９】比較例２のサスペンション基板を示す断面図である。
【図１０】差動モード入力およびコモンモード出力における損失を計算した結果を示す図である。
【図１１】従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。
【図１２】従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１，２，３，２０  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
１０ａ  開口部
１２  タング部
４１  第１の絶縁層
４２  第２の絶縁層
４３  第３の絶縁層
Ｗ１〜Ｗ４  書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｇ１〜Ｇ６  グランドパターン
【図１】
0004960918.tif 000002
【図２】
0004960918.tif 000003
【図３】
0004960918.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004960918.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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