(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層を含み構成されるパターンドメディアであって、
基板上に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む下地層を介して、複数の凸形状部材がドット状に設けられており、
前記凸形状部材は、前記基板に平行な面での断面積が該基板に向かって小さくなる形状を有し、且つ前記下地層に含まれている前記元素の酸化物を含み、
さらに、前記凸形状部材の上面部には、隣接する該上面部間で接触しないように前記磁気記録層が設けられていることを特徴とするパターンドメディア。
【請求項２】
前記凸形状部材は５ｎｍ以上２９ｎｍ以下の高さで、前記基板と前記凸形状部材との間に軟磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のパターンドメディア。
【請求項３】
隣接する前記凸形状部材の前記上面部同士の高さの差が５ｎｍ未満となるように、隣接する前記凸形状部材間の高さが揃っていることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターンドメディア。
【請求項４】
前記凸形状部材の前記上面部上には、配向膜を介して、前記磁気記録層が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のパターンドメディア。
【請求項５】
前記凸形状部材の側面には、前記磁気記録層が設けられていないことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のパターンドメディア。
【請求項６】
複数の前記凸形状部材の間の前記基板上には、前記磁気記録層を構成する材料が設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のパターンドメディア。
【請求項７】
基板上に、下地層と被陽極酸化層とを、該基板側からこの順に有する部材を用意する工程、該部材に、陽極酸化処理により孔を形成すると共に、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって成長させる工程、前記孔の孔径を拡大する工程、該孔径を拡大処理された前記部材を更に陽極酸化処理し、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって更に成長させる工程とを有し、前記孔内に成長する前記下地層の酸化物の形状は、該酸化物の該基板平面に平行な方向の断面積が、該基板に向かって小さくなっていることを特徴とする基体の製造方法。
【請求項８】
前記陽極酸化処理による前記下地層の酸化物の生成と前記孔径を拡大する処理とを繰り返すことを特徴とする請求項７記載の基体の製造方法。
【請求項９】
前記酸化物上に磁性膜を設けることを特徴とする請求項７又は８に記載の基体の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化物上に磁性膜を設けた後、あるいはその前に、基板上に形成されている複数の前記下地層の酸化物間に存在する陽極酸化処理された被陽極酸化層を除去することを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の基体の製造方法。
【請求項１１】
基板上に、酸化処理により体積が膨張する材料からなる層を配置する工程、該層上に、該基板から離れる方向に先細り形状を有する複数の凸状部材を設ける工程、前記層を酸化処理することにより、該凸状部材間に、前記材料の酸化物を成長させる工程を有することを特徴とする基体の製造方法。
【請求項１２】
前記基板上の凸状部材は、インプリント法により形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の基体の製造方法。
【請求項１３】
前記材料の酸化物を成長させた後、前記酸化物上に、磁性膜を積層することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の基体の製造方法。
【請求項１４】
前記磁性膜を積層した後、前記凸状部材を除去することを特徴とする請求項１３に記載の基体の製造方法。
【請求項１５】
前記凸状部材を除去した後、前記磁性膜を前記酸化物上に形成することを特徴とする請求項１３に記載の基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンドメディアに関するものである。また、本発明は磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、特に情報記録媒体として利用される磁気記録媒体に関するものである。また、本発明は、基体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理量の飛躍的な増大に伴って、情報記録媒体として広く使用されている磁気記録媒体においては大幅な大容量化が求められている。特にハードディスクにおいてはこれまで微細加工技術や信号処理技術の進歩などに支えられ、大幅な大容量・高記録密度化を実現してきた。しかしながら昨今では、磁化を基板面内方向に記録する従来の面内記録方式では熱揺らぎの問題により物理的限界とされていた２００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2前後の記録密度が近づきつつあり、記録密度の上昇スピードも緩やかなものとなっていた。最近になって、熱揺らぎの問題に対して強いとされる、磁化を基板垂直方向に記録する方式、いわゆる垂直記録方式のハードディスクが製品化されたことで、今後も更なる記録密度の向上が実現するものと期待されている。
【０００３】
ところが今後の更なる高密度化に対しては、ノイズの増加が大きな問題となっている。すなわち高記録密度化による記録ビットの微細化に伴い、磁性粒子の形状やサイズのばらつきがノイズの原因となって記録再生特性を劣化させる問題がある。これを解決するには、隣接する磁性粒子間の交換相互作用の低減や、磁性粒子のサイズの微細化や形状の均一化が有効であると考えられている。
【０００４】
特に微細加工技術を利用して磁性粒子の配列まで制御することで、形状及びサイズの揃った磁性粒子を規則的に配列させたものはパターンド媒体と呼ばれ、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ2級の記録密度を有する超高密度記録媒体の実現が可能であるとして注目されている。
【０００５】
このようなパターンド媒体を作製するには、磁性層に対してエッチングなどの加工を施して形状及びサイズの揃った規則配列した磁性粒子を作製する方法（特許文献１）が挙げられる。
【特許文献１】特開平９−２９７９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、磁性層をエッチングすることにより、当該磁性層にダメージを与えてしまう場合がある。
そこで、本発明は、磁性層をエッチングにより分離する必要のない新規なパターンドメディア、及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。磁気記録媒体には、いわゆるハードディスクドライブに用いられる磁気記録層や、量子ドットなどの磁気メモリも含まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の本発明に係るパターンドメディアは、磁気記録層を含み構成されるパターンドメディアであって、基板上に複数の凸形状部材がアレイ状に設けられており、前記凸形状部材は、前記基板に平行な面での断面積が該基板に向かって小さくなる形状を有しており、且つ前記凸形状部材の上面部には、隣接する該上面部間で接触しないように前記磁気記録層が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
第２の本発明に係る基体の製造方法は、基板上に、下地層と被陽極酸化層とを、該基板側からこの順に有する部材を用意する工程、該部材に、陽極酸化処理により孔を形成すると共に、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって成長させる工程、前記孔の孔径を拡大する工程、該孔径を拡大処理された前記部材を更に陽極酸化処理し、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって更に成長させる工程を有することを特徴とする。
【０００９】
第３の本発明に係る基体の製造方法は、基板上に、中間層を介して酸化層を有する部材を用意する工程、前記中間層の側面が所定間隔で露出するように該部材に溝を形成し、前記中間層の側面が膨らむように陽極酸化処理する工程、前記溝に充填物を埋め込むことにより、該基板側に向かって先細りした形状部を有する基体を得る工程を有することを特徴とする。
【００１０】
第４の本発明に係る基体の製造方法は、基板上に、酸化処理により体積が膨張する材料からなる層を配置する工程、該層上に、該基板から離れる方向に先細り形状を有する複数の凸状部材を設ける工程、前記層を酸化処理することにより、該凸状部材間に、前記材料の酸化物を成長させる工程を有することを特徴とする。
【００１１】
第５の本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、インプリント法を用いて、基板上に、該基板側に向かって先細りしている形状を有する複数の凸状部材を形成する工程、前記凸状部材の上面側に磁気記録のための磁性層を設ける工程を有することを特徴とする。
【００１２】
第６の本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に下地層及び該下地層の上に多孔質膜を設ける工程と、該多孔質膜の底部より該下地層の酸化物を、該基板に対して垂直方向に成長させる工程と、該多孔質膜の少なくとも一部を除去して前記基板上に該下地層と該下地層の酸化物から成る突起物を得る工程と、該突起物の上部に磁性体を配置する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、新規なパターンドメディア、及び磁気記録媒体の製造方法等が提供される。
また、本発明によれば、空間的に分離した磁性膜を得ることができる。
【００１４】
なお、前記凸部材の形状を後述するように逆テーパ状にすれば、当該凸部材の側面に磁性材料が付着することを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係るパターンドメディアは、磁気記録層を含み構成されるパターンドメディアに関するものである。具体的には、基板上に複数の凸形状部材がアレイ状に設けられており、前記凸形状部材は、前記基板に平行な面での断面積が該基板に向かって小さくなる形状を有している。そして、前記凸形状部材の上面部には、隣接する該上面部間で接触しないように前記磁気記録層が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
前記凸形状部材が酸化物、樹脂、あるいは金属からなることが好ましい。
前記凸形状部材は、３０ｎｍ未満の高さであることが好ましい。
前記凸形状部材は、５ｎｍ以上２９ｎｍ以下の高さであることが好ましい。
【００１７】
隣接する前記凸形状部材の前記上面部同士の高さの差が５ｎｍ未満となるように、隣接する前記凸形状部材間の高さが揃っていることが好ましい。
前記凸形状部材の前記上面部上には、配向膜を介して、前記磁気記録層が設けられていることが好ましい。
【００１８】
前記基板と前記凸形状部材との間には、軟磁性層が設けられていることが好ましい。
前記凸形状部材の側面には、前記磁気記録層が設けられていないことが好ましい。
複数の前記凸形状部材の間の前記基板上には、前記磁気記録層を構成する材料が設けられていることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る基体の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とする。
（ａ）まず、基板上に、下地層と被陽極酸化層とを、該基板側からこの順に有する部材を用意する工程、
（ｂ）該部材に、陽極酸化処理により孔を形成すると共に、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって成長させる工程、
（ｃ）前記孔の孔径を拡大する工程、該孔径を拡大処理された前記部材を更に陽極酸化処理し、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって更に成長させる工程。
【００２０】
前記陽極酸化処理による前記下地層の酸化物の生成と前記孔径を拡大する処理とを繰り返すことが好ましい。
前記孔内に成長する前記下地層の酸化物の形状は、該酸化物の該基板平面に平行な方向の断面積が、該基板に向かって小さくなっていることが好ましい。
【００２１】
前記酸化物の形状は、逆テーパ形状をしていることが好ましい。
前記酸化物上に磁性膜を設けることが好ましい。
前記酸化物上に磁性膜を設けた後、あるいはその前に、基板上に形成されている複数の前記下地層の酸化物間に存在する陽極酸化処理された被陽極酸化層を除去することが好ましい。
【００２２】
また、本発明に係る基体の製造方法は、基板上に、中間層を介して酸化層を有する部材を用意する工程、前記中間層の側面が所定間隔で露出するように該部材に溝を形成する工程を有する。更に、前記中間層の側面が膨らむように陽極酸化処理する工程、前記溝に充填物を埋め込むことにより、該基板側に向かって先細りした形状部を有する基体を得る工程を有することを特徴とする。
【００２３】
前記部材は、前記基板上に、該基板側から、第１の酸化層と、前記中間層と、前記酸化層である第２の酸化層とを有することが好ましい。
さらに、本発明に係る基体の製造方法は、基板上に、酸化処理により体積が膨張する材料からなる層を配置する工程、該層上に、該基板から離れる方向に先細り形状を有する複数の凸状部材を設ける工程を有する。そして、前記層を酸化処理することにより、該凸状部材間に、前記材料の酸化物を成長させる工程を有することを特徴とする。
【００２４】
前記基板上の凸状部材は、インプリント法により形成されていることが好ましい。
前記材料の酸化物を成長させた後、前記酸化物上に、磁性膜を積層することが好ましい。
【００２５】
前記磁性膜を積層した後、前記凸状部材を除去することが好ましい。
前記凸状部材を除去した後、前記磁性膜を前記酸化物上に形成することが好ましい。
本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録媒体の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする。インプリント法を用いて、基板上に、該基板側に向かって先細りしている形状を有する複数の凸状部材を形成する工程と、前記凸状部材の上面側に磁気記録のための磁性層を設ける工程である。
【００２６】
前記凸状部材上に、配向層を介して、前記磁性層を設けることが好ましい。
また、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、以下の（ａ）から（ｄ）の工程を有することを特徴とする。
（ａ）基板上に下地層及び該下地層の上に多孔質膜を設ける工程
（ｂ）該多孔質膜の底部より該下地層の酸化物を、該基板に対して垂直方向に成長させる工程
（ｃ）該多孔質膜の少なくとも一部を除去して前記基板上に該下地層と該下地層の酸化物から成る突起物を得る工程
（ｄ）該突起物の上部に磁性体を配置する工程
前記下地層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む層であることが好ましい。
【００２７】
前記多孔質膜を設ける工程が、前記下地層の上に、被陽極酸化層を形成する工程と、該被陽極酸化層を陽極酸化処理して前記多孔質膜とする工程であることが好ましい。
前記多孔質膜を設ける工程が、前記下地層の上に相分離膜を配置する工程と、該相分離膜の一方の相を除去して前記多孔質膜とする工程であることが好ましい。
【００２８】
さらに本発明には以下の製造方法も含まれる。
上記の課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、以下の（ａ）から（ｅ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）基板上に下地層及び該下地層の上に被陽極酸化層を配置する工程
（ｂ）該被陽極酸化層を陽極酸化して多孔質皮膜とする工程
（ｃ）該多孔質皮膜の底部に該下地層を構成する元素を含む酸化物を該基板に対して垂直方向に成長させる工程
（ｄ）該多孔質皮膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程
（ｅ）該突起物の上部に磁性体を配置する工程
【００２９】
上記の課題を解決するためのパターンドメディアは、磁気記録層を含み構成されるパターンドメディアであって、以下の特徴を有する。
具体的には、基板上に複数の凸形状部材がアレイ状に設けられており、前記凸形状部材は、前記基板に平行な面での断面積が該基板に向かって小さくなる形状を有している。そして、更に前記凸形状部材の上面部上には、前記磁気記録層が、隣接する該上面部間で接触しないように設けられていることを特徴とする。
【００３０】
上記の課題を解決するための基体の製造方法は、以下の（ａ）から（ｃ）の工程を有することを特徴とする。
（ａ）基板上に、下地層と被陽極酸化層とを、該基板側からこの順に有する部材を用意する工程、
（ｂ）該部材に、陽極酸化処理により孔を形成すると共に、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって成長させる工程、
（ｃ）前記孔の孔径を拡大する工程、該孔径を拡大処理された前記部材を更に陽極酸化処理し、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって更に成長させる工程
【００３１】
また、上記の課題を解決するための基体の製造方法は、以下の（ａ）から（ｃ）の工程を有することを特徴とする。
（ａ）基板上に、中間層を介して酸化層を有する部材を用意する工程、
（ｂ）前記中間層の側面が所定間隔で露出するように該部材に溝を形成し、前記中間層の側面が膨らむように陽極酸化処理する工程、
（ｃ）前記溝に充填物を埋め込むことにより、該基板側に向かって先細りした形状部を有する基体を得る工程
【００３２】
さらに、上記の課題を解決するための基体の製造方法は、以下の（ａ）から（ｃ）の工程を有することを特徴とする。
（ａ）基板上に、酸化処理により体積が膨張する材料からなる層を配置する工程、
（ｂ）該層上に、該基板から離れる方向に先細り形状を有する複数の凸状部材を設ける工程、
（ｃ）前記層を酸化処理することにより、該凸状部材間に、前記材料の酸化物を成長させる工程
【００３３】
また、上記の課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、以下の（ａ）と（ｂ）工程を有することを特徴とする。
（ａ）磁気記録媒体の製造方法であって、インプリント法を用いて、基板上に、該基板側に向かって先細りしている形状を有する複数の凸状部材を形成する工程、
（ｂ）前記凸状部材の上面側に磁気記録のための磁性層を設ける工程
以下では本発明の実施の形態について述べる。
【００３４】
（実施形態１）
パターンドメディアに基づく実施形態である。
本実施形態に係る磁気記録層を含み構成されるパターンドメディアは以下の特徴を有する。
【００３５】
まず、基板上に複数の凸形状部材がアレイ状に設けられており、そして、前記凸形状部材は、前記基板に平行な面での断面積が該基板に向かって小さくなる形状（逆テーパ形状）を有している。更に、前記凸形状部材の上面部上には、前記磁気記録層が、隣接する該上面部間で接触しないように設けられている。
【００３６】
具体的に図２０を用いて説明する。同図において、２９９０は基板、２９９１は凸形状部材、２９９２は該部材上の磁性膜である。必要に応じて、基板や凸形状部材との間、あるいは該部材と磁性膜の間には、種々の目的のための別の層が介在していてもよい。２９９３は凸形状部材２９９２の上面部である。なお、アレイ状の配置には、凸形状部材が基板上の全ての領域において等間隔で並んでいる場合は勿論、基板上の一部の領域においてのみ整列しているような配置も含む概念である。
【００３７】
斯かる構成により、磁気記録層を空間的に分離することができると共に、逆テーパ形状を利用することで、凸形状部の側面に磁性膜が付着し難くすることができる。
ここで、前記凸形状部材の材料は特に限定されるものではないが、金属や、酸化物あるいは樹脂（光硬化性あるいは熱硬化性、あるいは熱可塑性樹脂など）が好適に用いられる。酸化物には、陽極酸化処理により酸化される金属あるいは合金の酸化物が好適に用いられる。
【００３８】
前記凸形状部材は、３０ｎｍ未満の高さであることが望ましい。特に、当該部材の下、且つ基板上に、軟磁性層を設ける場合には、当該軟磁性層の透磁率の高さを有効に活用するために、当該部材の高さは低くするのがよい。当該凸状部材の高さの下限は、特に限定されるものではないが、５ｎｍ以上２９ｎｍ以下の高さであるのがよい。
【００３９】
また、隣接する前記凸形状部材の上面部同士の高さの差が５ｎｍ未満となるように、隣接する前記凸形状部材間の高さが揃っていることが望ましい。
なお、前記凸形状部材の前記上面部上には、配向膜（その上の磁性層を配向させる為の膜）を介して、前記磁気記録層が設けることもできる。配向膜とは、例えば、ＭｇＯや白金などである。
【００４０】
前記基板と前記凸形状部材との間には、軟磁性層を設けることができる。
逆テーパの前記凸形状部材の側面には、前記磁気記録層が設けられていないことが好ましいが、本実施形態に係る発明は、必ずしもこの状態に限定されるものではない。
【００４１】
また、複数の前記凸形状部材の間の前記基板上には、前記磁気記録層を構成する材料が設けておくこともできる。必要に応じて除去することもできる。
なお、逆テーパ部の角度２９９５は、４５度から８５度の範囲、好ましくは、６０度から８０度の範囲である。
【００４２】
また、スパッタリング法などにより磁性膜２９９２を成膜する場合に、凸形状部２９９１の側面に磁性膜の構成材料が付着しないことが望ましい。
ただ、凸形状部２９９１同士の間２９９４に、磁性膜は付着している場合を本実施形態に係る発明は排除するものではない。
【００４３】
この凸形状部材は、後述するように例えば、光インプリント法や熱インプリント法などを用いて作製される。
本発明のように逆テーパ形状の凸部を所定の周期や間隔で配置されているパターンドメディアは、極めて有用である。
【００４４】
このパターンドメディアは、磁気記録媒体（ハードディスクの媒体や、量子ドットからなる磁気メモリなど）として利用できる。
なお、必要に応じて、凸形状部間の間隙を非磁性材料で埋めたりすることも勿論可能である（不図示）。
【００４５】
（実施形態２）
図１２や図１３に基づく実施形態である。
本実施形態に係る基体の製造方法に関する発明は、以下の特徴を有する。
【００４６】
まず、基板上に、下地層と被陽極酸化層とを、該基板側からこの順に有する部材を用意する。そして、該部材に、陽極酸化処理により孔を形成すると共に、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって成長させる。その後、前記孔の孔径を拡大し、該孔径を拡大処理された前記部材を更に陽極酸化処理する。この陽極酸化処理により、前記下地層の酸化物を該孔内において、該部材の外側に向かって更に成長させることができる。
【００４７】
斯かる方法により、厳密にはステップ状に先細りしている逆テーパ形状の酸化物を基板上に配置することができる。
ここで、前記陽極酸化処理による前記下地層の酸化物の生成と前記孔径を拡大する処理とを繰り返すことステップ状の側面を実現できる。
また、前記孔内に成長する前記下地層の酸化物の形状は、該酸化物の該基板平面に平行な方向の断面積が、該基板に向かって小さくなっているということもできる。
【００４８】
前記酸化物の形状は、逆テーパ形状をしているということもできる。前記酸化物上に、必要に応じて配向膜を介して磁性膜を設けることができる。
前記酸化物上に磁性膜を設けた後、あるいはその前に、基板上に形成されている複数の前記下地層の酸化物間に存在する陽極酸化処理された被陽極酸化層を除去することができる。
【００４９】
（実施形態３）
図１４に基づく実施形態である。
本実施形態に係る基体の製造方法は、以下の特徴を有する。まず、基板上に、中間層を介して酸化層を有する部材を用意する。そして、前記中間層の側面が所定間隔で露出するように該部材に溝を形成し、前記中間層の側面が膨らむように陽極酸化処理する。その後、前記溝に充填物を埋め込むことにより、該基板側に向かって先細りした形状部を有する基体を製造することができる。
【００５０】
ここで、前記部材は、前記基板上に、該基板側から、第１の酸化層と、前記中間層と、前記酸化層である第２の酸化層とを有するように構成しておいてもよい。
【００５１】
（実施形態４）
図１５、１６に基づく実施形態である。
【００５２】
本実施形態に係る基体の製造法は、以下の特徴を有する。まず、基板上に、酸化処理により体積が膨張する材料からなる層を配置し、該層上に、該基板から離れる方向に先細り形状を有する複数の凸状部材を設ける。そして、必要に応じて、前記凸状部材間に前記層を露出させる処理を行なった後、前記層を酸化処理することにより、該凸状部材間に、前記材料の酸化物を成長させる。斯かる方法により、前記凸状部材の形状に沿って、酸化物を成長させることができるので、結果として、逆テーパ形状を有する部材を基板上に複数配置した基体が製造されることになる。
【００５３】
ここで、前記基板上の凸状部材は、いわゆるインプリント法により形成することができる。インプリント法としては、熱インプリント、光インプリントやソフトインプリントも適用することができる。勿論、上記凸状部材の形成はインプリント法に限定されること無く、リソグラフィーなどを用いることもできる。
【００５４】
また、前記材料の酸化物を成長させた後、前記酸化物上に、磁性膜を積層することができる。必要に応じて、配向膜を介して磁性膜を積層する。
なお、前記磁性膜を積層した後、前記凸状部材を除去することもできるし、前記凸状部材を除去した後で、前記磁性膜を前記酸化物上に形成することもできる。
【００５５】
（実施形態５）
図１７、１８に基づく実施形態である。
本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録媒体の製造方法であって、以下の特徴を有する。具体的には、インプリント法を用いて、基板上に、該基板側に向かって先細りしている形状を有する複数の凸状部材（逆テーパ形状ということもできる。）を形成しておく。凸状部材の配置はドット状でも、ライン状でも、それらが混在したものでもよく、特に限定されるものではない。
【００５６】
そして、前記凸状部材の上面側に、必要に応じて配向膜を介して、磁気記録のための磁性層を設ける。凸状部材（例えば、光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂を硬化させることにより形成することができる。）は、いわゆるインプリント法により形成することができる。インプリント法としては、熱インプリント、光インプリントやソフトインプリントも適用することができる。なお、インプリントに用いるモールド（テンプレート）の形状によっては、当該モールドのパターンに沿って硬化した樹脂からモールドを離型をし難い場合が考えられる。斯かる場合には、必要に応じてモールドと樹脂との間に離型剤を介在させたり、加熱しながらモールドから樹脂を離型させることができる。特に、樹脂の弾性を利用して離型させることもできる。なお、インプリント法により逆テーパ形状を作製すること自体に関しては、特開２００４−３３５７７４号公報に記載されている。
【００５７】
具体的には、「先ず、基板上にレジスト層（例えば、ポリイミド系の熱可塑性樹脂であるポリメチルグルタルイミドからなる層）を形成する。そのレジスト層は、スピンコーター等を用いて、基板にポリメチルグルタルイミドを膜厚が０．４μｍになるように塗布する。次に、ポリメチルグルタルイミドの膜が形成された基板を１５０℃に加熱したホットプレート上にて６０秒加熱し、乾燥させることによって形成される。次に、レジスト層が形成された基板をホットプレート上にて加熱した状態で、形成するパターンに対応した凸部を有するモールドをレジスト層側からプレスする。この時のプレス条件として、加熱温度を１３０℃、押付圧力を１００ＭＰａ、押付時間を５分に設定するとよい。ここで、モールド３の凸形状は、側壁が逆テーパー形状に形成されている。また、凸部の形状は、レジスト膜厚を考慮し、凸部の先端が基板に達する形状に設定される。また、プレスの際、基板にダメージを与えることはない状態にてプレスされる。次に、常温に冷却後レジスト層からモールド３剥離する。モールドによりプレスされたレジスト層は、モールドの逆テーパー形状の側壁を有する凸部に倣った、凹部の側壁が逆テーパー形状の形に成形されたレジストパターンが形成される。」と記されている。本実施形態に係る発明にも同公報に記載されている技術を適用できる。
【００５８】
また、前記凸状部材上に、配向層を介して、前記磁性層を設けることもできる。該凸状部材上に磁性層を成膜した後、該部材間の溝を埋めたり、さらに磁性層の上に、平坦化層等を積層することもできる。
【００５９】
なお、図１７に記載のモールドは例えば次のようにして作製される。即ち、フォトリソグラフィとエッチング法により金属基板にモールド凹部１１４と同形状の凸部を形成し、その上にポリジメチルシロキサン等の硬化後に弾性を有する材料を流し込んで硬化させることにより得られる。
【００６０】
以上、実施形態１から６で説明したように、その断面形状が、基板側に向かって細くなる断面形状を有する凸状部材の上面側に磁気記録層を設けることで、当該磁気記録層同士を空間的に分離することができる。特に、逆テーパの形状にしておくことで、当該部材の側壁に磁性膜を付着した難くできるので、それに起因するノイズ等や影響を低減することができる。
【００６１】
結晶粒の配向による柱状構造を下地凸構造として利用する場合、十分に孤立した柱状構造を成すには下地膜が厚くなり、軟磁性層を挿入する場合には効果が見込めない可能性がある。さらに、結晶粒の高さにばらつきがあり、磁気ヘッドの浮上が困難になることがある。また、結晶粒の粒径自体にもばらつきが生じ、１つの結晶粒に１ｂｉｔの記録を行うパターンドメディアへの応用は困難であると思われる。従って、本実施形態に係る発明は極めて有用である。上記の技術では、逆テーパ形状自体を形について、各凸状部材間で、形の揃ったテーパを形成することは難しい。しかし、上述の本実施形態に係る発明によれば逆テーパ形状の構造体を揃えることができる。
【００６２】
なお、各実施形態において説明した事項は、互いに矛盾しない限り、個々の実施形態の記載を、相互に補完し合えると共に、以下で説明する実施例も各実施形態に適宜適用することができる。
【００６３】
なお、上述した実施形態１から５で説明した逆テーパ状の部材のサイズ、密度、及びテーパ部分の傾きに関しては、特に限定されるものではない。
一例を挙げると、凸状部材のサイズは、基板方向に上面図として捉えた場合に、そのサイズは、縦２０ｎｍから１００ｎｍ、横１０ｎｍから８０ｎｍである。
【００６４】
凸状部材の密度は、例えば、平均間隔１５ｎｍから１５０ｎｍである。
該逆テーパ部分の傾き（角度）は、凸状部材の上面とテーパ部の成す角をθとすると２５°≦θ＜９０°、側壁に磁性膜を形成し難くするという点では、好ましくは、２５°≦θ≦７０°である。より好ましくは、４５度から８０度の範囲、好ましくは、６０度から８０度の範囲である。
【００６５】
さらに、下記実施形態６で述べる技術事項は、技術的に矛盾しないかぎり、上記実施形態１から５において適宜適用することができる。
【００６６】
（第６の実施形態）
図１から図１１に基づく実施形態である。
【００６７】
本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、以下の工程（ａ）から（ｃ）を有することを特徴とする。
（ａ）基板上に下地層及び該下地層の上に多孔質膜を設ける工程
（ｂ）該多孔質膜の底部より該下地層の酸化物を、該基板に対して垂直方向に成長させる工程
（ｃ）該多孔質膜の少なくとも一部を除去して前記基板上に該下地層と該下地層の酸化物から成る突起物を得る工程
そして、該突起物の上部に磁性体を配置する工程を含むことで磁気記録媒体が製造される。
【００６８】
ここで、前記多孔質膜を設ける工程は、前記下地層の上に、被陽極酸化層を形成する工程と、該被陽極酸化層を陽極酸化処理して前記多孔質膜とする工程により実現される。
あるいは、前記多孔質膜を設ける工程は、前記下地層の上に相分離膜を配置する工程と、該相分離膜の一方の相を除去して前記多孔質膜とする工程により実現される。この相分離膜に関しては、後述する。
【００６９】
前記多孔質皮膜の孔の位置の底部、または多孔質皮膜の孔の位置の底部と孔の底部に、前記下地層の酸化物を基板に対して垂直方向に成長させることが好ましい。
前記下地層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む層であることが好ましい。
【００７０】
前記多孔質皮膜の孔の底部に下地層の酸化物を基板に対して垂直方向に成長させる工程を、陽極酸化により行うことが好ましい。
前記陽極酸化に使用する電解液が、ホウ酸アンモニウム水溶液、酒石酸アンモニウムまたはクエン酸アンモニウム水溶液であることが好ましい。
【００７１】
前記電解液中で陽極酸化を行い、多孔質皮膜の孔の底部に下地層の酸化物を基板に対して垂直方向に成長させる工程の後、前記多孔質皮膜または多孔質皮膜と下地層の酸化物の表面を研磨する工程を含むことが好ましい。
【００７２】
前記多孔質皮膜を除去する工程を、ウェットエッチングにより行うことが好ましい。
前記下地層の酸化物を酸化雰囲気下にて熱処理することが好ましい。
前記突起物の上部に磁性体を配置する工程を、基板に対して指向性を有する成膜粒子を飛来させる成膜方法により行うことが好ましい。
【００７３】
前記突起物と前記磁性体の間に中間層を配置する工程を含むことが好ましい。
まず、本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、以下の工程を有する。
基板上に下地層及び該下地層の上に被陽極酸化層を配置する工程と、該被陽極酸化層を陽極酸化して多孔質皮膜とする工程と、該多孔質皮膜の底部に該下地層の酸化物を該基板に対して垂直方向に成長させる工程である。これらの工程を「陽極酸化工程」と称す。
【００７４】
更に、該多孔質皮膜を除去して基板上に該下地層と該下地層の酸化物から成る突起物を得る工程と（「突起物を得る工程」と称す）、該突起物の上部に磁性体を配置する工程（「磁性体を配置する工程」と称す）を含むことを特徴とする。
【００７５】
ここでは、本発明の実施の形態を「１．陽極酸化工程」、「２．突起物を得る工程」、「３．磁性体を配置する工程」の三つの工程に分けて述べる。
（１．陽極酸化工程）
基板上に下地層、さらにその上に被陽極酸化層をスパッタリングなどの薄膜形成方法を用いて配置した試料を用意する。下地層としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料を配置する。また、被陽極酸化層としては、Ａｌ或いはＡｌを主成分とした合金を配置する。この陽極酸化工程は、電解液中で行なうことができる。
【００７６】
次に試料をリン酸やシュウ酸、硫酸などの酸性水溶液を用いて陽極酸化すると、図１に示すように試料表面から多数の孔１０が基板１１に対して垂直方向に成長した多孔質皮膜１２が得られる。この多孔質皮膜１２の構造は、微小な孔１０とそれを取り囲む被陽極酸化層の酸化物１３から成り、特に孔１０底部に形成される酸化物層はバリア層１４と呼ばれている。バリア層１４の厚みは経験的に陽極酸化の電圧Ｖ（Ｖｏｌｔ）に対して、バリア層の厚み（ｎｍ）＝１．２×Ｖ、となることが知られている。また、多孔質皮膜の孔は試料表面のランダムな位置から発生するが、試料表面に陽極酸化の開始点となる微小な窪みを電子線描画やナノインプリントなどで用意しておくと、孔は開始点の位置からのみ発生する。すなわち窪みの配列パターンにあわせて規則配列した孔を有する多孔質皮膜を得ることも出来る。この際、陽極酸化電圧Ｖ（Ｖｏｌｔ）は規則配列の周期（ｎｍ）＝２．５×Ｖ、となる陽極酸化電圧Ｖとすることが、高度に規則化した孔を有する多孔質皮膜を得るのに好ましいとされている。
【００７７】
上記のような多孔質皮膜を得るには、被陽極酸化膜としてＡｌを用いるのが一般的に行われている。何故ならＳｉやＴｉなど、Ａｌ以外の材料でも陽極酸化により多孔質皮膜を形成する材料はあるが、孔の垂直性がそれほど良くない、酸性水溶液としてフッ酸を使用するなど、Ａｌの陽極酸化に比べて問題点や難点があるためである。また、本発明者らはＡｌを主成分とした合金であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含むＡｌ合金であれば、Ａｌと同様に垂直性の良い孔を有した多孔質皮膜が形成可能であることを見出した。この場合Ａｌを合金化することにより、ヒロックや粒界に起因する膜表面のラフネスを低減することが可能となるため、試料表面に陽極酸化の開始点となる微小な窪みを用意する際には特に有効な手段となる。Ａｌに対する元素の添加量は、添加する元素の種類にもよるが、Ａｌと同様に垂直性の良い孔を有する多孔質皮膜を形成するには概ね５ａｔｏｍｉｃ％以上５０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲にすることが好ましい。
【００７８】
引き続き陽極酸化を続けることで多孔質皮膜は試料表面から基板方向へと成長し、図２のようにバリア層２０の底部が下地層２１に到達するまで多孔質皮膜２２は成長する。この際、下地層２１の材料として、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料を配置する。すると、図３のように下地層２１から孔２４に向かって下地層を構成する元素を含む酸化物２３が多孔質皮膜の底部２７に成長することを本発明者らは見出した。
【００７９】
また、図３の状態から更にホウ酸アンモニウム水溶液、酒石酸アンモニウムまたはクエン酸アンモニウム水溶液など、バリア型の陽極酸化皮膜が得られる電解液に変えて陽極酸化を行う。こうすることで、図４のように下地層の酸化物２３を多孔質皮膜の孔２４の内部にまで充填しながら成長させることがより好ましい。
【００８０】
（２．突起物を得る工程）
次に、陽極酸化で得られた多孔質皮膜を除去して突起物を得る工程について述べる。
図３や図４のように下地層の酸化物が成長した試料を、酸やアルカリ溶液に浸漬することでウェットエッチングを行う。この際、被陽極酸化層の酸化物と下地層の酸化物との間のエッチング耐性の違いを利用して、被陽極酸化層の酸化物のみを選択的に溶解除去して、下地層の酸化物を突起物として残すようにエッチングを行う。被陽極酸化層の酸化物は主にＡｌの酸化物であるアルミナから成り、アルカリに対して非常に耐性が低いため、ＮａＯＨやＫＯＨなどを利用すれば容易に被陽極酸化層の酸化物を除去できる。また、下地層の酸化物を形成する材料によっては、被陽極酸化層の酸化物のみを選択的に溶解除去することが困難な場合も考えられる。例えばＷを下地層とした場合などでは、被陽極酸化層の酸化物のみならずＷの酸化物も酸やアルカリにより溶解されてしまう問題が発生する。このような場合には、真空中での熱処理等によって、下地層の酸化物を還元した後にウェットエッチングを行えば被陽極酸化層の酸化物のみを選択的に溶解除去することが可能となる。
【００８１】
つまり、陽極酸化工程において規則配列した孔を有する多孔質皮膜を形成しておけば、図５に示すような基板２６上に下地層２１と下地層の酸化物から成る規則的に配列した突起物２５を有した構造を得ることができる。
【００８２】
被陽極酸化層のアルミナと下地層の酸化物との間のエッチング耐性に関してより詳しく述べる。
陽極酸化により形成されるアルミナは、結晶学的性質としてγ−Ａｌ2Ｏ3に分類される。α−Ａｌ2Ｏ3が、結晶性の良好なアルミナであるのに対して、γ−Ａｌ2Ｏ3は結晶性の悪いアルミナである。化学的性質は、結晶性が悪くなるに連れて酸及びアルカリに対して非常に容易にエッチングされるようになる。故に、γ−Ａｌ2Ｏ3は、例えばリン酸等の弱酸に対しても容易にエッチングされる。下地層の酸化物はバリア型の陽極酸化皮膜として作製されるが、下地層の元素の種類、及び酸化物中の元素の取りうる価数に応じて酸及びアルカリに対するエッチング耐性は異なる。例えば、Ｔａ酸化物は、酸には不溶であり、アルカリに対してもエッチング耐性を有する。また、Ｎｂ酸化物は、２価ＮｂよりなるＮｂＯは、酸アルカリに対して可溶であるが、酸化数の高い４価及び５価である、ＮｂＯ2やＮｂ2Ｏ5は、酸に対しては不溶であり、アルカリに対してもエッチング耐性が向上する等の特徴を有する。
【００８３】
酸化物のエッチング耐性に留意し、更にエッチング溶液の種類、濃度及び浸漬時間を選択する事により、突起物を形成することが可能である。
一方、数種類の価数の酸化物を取りうる、バリア型の陽極酸化皮膜から成る突起状の酸化物が数種類の価数の酸化物を取りうる場合、以下の点が報告されている。即ち、突起物の表面と内部では酸化物の価数が異なり、外周部分では価数の大きな酸化物を形成するが、突起内部の酸化数は低くなることが報告されている。また、陽極酸化中の電解液に基づく酸化物の含有、結晶欠陥、更に結合水の取り込みの影響等により、酸化物のエッチング耐性は大きく影響を受け、最終的に作製される突起物の強度にも影響する。
【００８４】
ここで、バリア型陽極酸化の作成後、酸化雰囲気にて加熱処理を行うと、下地層酸化物中の結合水等の不純物が除去され、更に、高い酸化数の酸化物となり、エッチング耐性が高まる。酸化雰囲気下における熱処理工程を行なうことにより、突起物の強度は向上し、突起構造を用いた磁気記録媒体としてより望ましい形態となる。
【００８５】
加熱処理の温度は、高温ほど酸化物のエッチング耐性が向上するが、除去をする多孔質皮膜であるアルミナもγ−Ａｌ2Ｏ3から徐々に結晶性が向上し、酸アルカリに対して溶解しにくくなる。又、図２の下地層２１と基板との間には、軟磁性層を付与して垂直記録媒体を形成するが、加熱による軟磁性層の特性劣化を考慮する必要がある。上記条件より、加熱温度は２００℃以上４００℃以下、好ましくは２５０℃以上３５０℃以下である。２００℃未満では、加熱処理の効果が充分に寄与せず、４００℃より高温では軟磁性の特性が劣化する。
【００８６】
加熱処理は、バリア型陽極酸化作成後、または、アルミナのエッチング後のいずれに行っても構わない。しかしながら、いずれの工程を取るかによって、選択するアルミナのエッチング条件は異なる。
【００８７】
「１．陽極酸化工程」において図３の状態で下地層の酸化物を成長させた場合、得られる突起物２５の形状は円柱状である。その高さは陽極酸化時のバリア層の厚みで、直径は陽極酸化で形成される多孔質皮膜の孔径で決まるため、全ての突起物において均一な高さと直径を有している。
【００８８】
一方、「１．陽極酸化工程」において図４の状態で下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部にまで成長させた場合においては、得られる突起物２５の高さは下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部に成長させる際の陽極酸化電圧で決まる。直径は下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部に成長させる際の多孔質皮膜の孔径で決まる。このため、下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部に成長させる前に、リン酸などで多孔質皮膜をウェットエッチングして孔径を広げておけば、直径の大きな突起物を得ることも可能となる。更に、多孔質皮膜を除去する前に試料表面を研磨して平坦化しておけば、より平坦な上面を有した突起物２５を得ることも可能であり好ましい。突起物は、基板の主面に対して垂直方向に成長したものが磁気記録媒体などの応用には適している。ここで言う垂直方向とは、上部から観察したときに、突起部の底部と突起部の先端が重なって見える状態のもので、他の部分は基板主面が観察できる状態のものである。突起部先端が他の突起部の底部を隠してしまう状態のものは除かれる。
【００８９】
（３．磁性体を配置する工程）
次に、図５に示すような基板２６上に下地層２１と下地層を構成する元素を含む酸化物から成る規則的に配列した突起物２５を有した凹凸構造に対して、記録層となる磁性体の成膜を行う工程について述べる。
【００９０】
記録層となる磁性体は、規則的に配列した突起物２５の上部に配置されるように成膜する。この際、突起物２５の上部に配置された磁性体で、突起物間の凹部が塞がらないように、図６のような状態とすることが望ましい。このため、基板に対して一定の方向から成膜粒子を飛来させる指向性を有した成膜などで磁性体を成膜することが好ましく、例えば基板に対して垂直方向に指向性を有した成膜工程が考えられる。具体的にはスパッタリングの場合、スパッタリング時のガス圧を低くする、基板と試料の間の距離を長くとる、コリメーターをターゲットと試料の間に配置するなどが試料に飛来するスパッタ粒子の指向性を向上させるための効果的である。
【００９１】
また、図６のように、凹部の底部である下地層２１上にも磁性体２９が成膜されることもあるが、突起物２５によって、記録部分となる磁性体２８と空間的にも磁気的にも分断されている。よって、突起物２５の上部に配置した磁性体２８を記録部分としたパターンド媒体とすることが可能となる。
【００９２】
磁性体の材料は、垂直記録方式とするために以下の材料を用いることができる。
例えば、［Ｃｏ／Ｍ］の（Ｍ＝Ｐｔ、Ｐｄ）多層膜、ｃ軸が基板垂直方向に配向したｈｃｐ（六方最密格子）構造のＣｏである。あるいは、ｃ軸が基板垂直方向に配向したＬ１０規則構造のＭＰｔ、或いはＭＰｄ（Ｍ＝Ｃｏ、Ｆｅ）など、膜面垂直方向に一軸磁気異方性を有した材料である。
【００９３】
また、上記のＣｏやＭＰｔ、或いはＭＰｄ（Ｍ＝Ｃｏ、Ｆｅ）のように結晶配向した磁性体が必要な場合には、図８に示す様に、突起物の上部と磁性体の間に配向制御を目的とした中間層３０を必要に応じて配置すればよい。
【００９４】
以上のように、「１．陽極酸化工程」、「２．突起物を得る工程」、「３．磁性体を配置する工程」の三つの工程に従って、規則的に配列した突起物の上部に記録層となる磁性体を配置したパターンド媒体が作製される。
【００９５】
（相分離膜）
相分離膜とは、アルミニウムとシリコンからなるターゲット材を用いて、基板上にスパッタリングによる成膜を行う場合に、柱状のアルミニウムを取り囲むようにシリコンが成長することで形成される膜である。
【００９６】
この相分離膜を構成する一方の相を除去することによって、多孔質膜が得られる。
相分離膜とは、Ａｌ−ＳｉやＡｌ−Ｇｅ系などに代表される構造体であり、Ａｌシリンダーが基板垂直方向に立っており、そのマトリックスがα−Ｓｉないし、α−Ｇｅで形成されていることを特徴とする。相分離膜に関しては、例えば、特開２００４−２２３６９５号公報に記載されている。
【００９７】
例えば、図１９に示すように、下地層９９００上に相分離膜９９１０が設けられている場合を考える、
アンモニア水、濃硫酸、リン酸などの酸・アルカリによりＡｌシリンダー部分９９１２のみを選択的にエッチングすることが可能で、この手段により多孔質膜を得ることが可能である。９９１３がアルミニウムのシリンダを取り囲むシリコン領域である（図１９（ａ）、（ｂ））。
【００９８】
さらに、アルミニウムのシリンダをエッチングによる除去後（図１９（ｂ））に、ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム水溶液などに浸漬した状態で陽極酸化（図１９（ｃ））する。こうすることで、下地層を形成するＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ等の酸化物９９６０を、多孔質膜９９５０の細孔の中に成長させることが可能である。
【００９９】
その後、多孔質膜９９５０を構成する材料のみを、水酸化ナトリウム水溶液、または過酸化水素水等で選択的にエッチングすることで、前記成長させた酸化物の突起物９９６０を得ることができる。なお、図１９（ｄ）では、多孔質膜９９５０をその厚さ方向に一部残存させた場合を示している。勿論、必要に応じて、多孔質膜９９５０は全て除去することも可能である。
【実施例】
【０１００】
以下に本発明の実施例について述べる。
（実施例１）
本実施例は陽極酸化によって規則的に配列した突起を有した凹凸構造を得て、突起の上部に磁性体を配置することに関するものである。
【０１０１】
Ｓｉ基板上に下地層となるＴｉを５ｎｍ、更にその上にＴｉを１０ａｔｏｍｉｃ％含んだＡｌＴｉを１００ｎｍスパッタリングにより成膜して試料を用意した。
次に、試料表面にスピンコート法にてアルミニウムアルコキシドを２０ｎｍの厚みで塗布した。引き続き、試料を９０℃で２０分間ベークした後にアルコキシド表面にナノインプリントで陽極酸化の開始点となる窪みを転写した。本実施例では、高さ１５ｎｍの突起が、５０ｎｍの間隔で三角格子配列をしたモールドをアルコキシド表面に押し付けることで、モールドの突起を陽極酸化の開始点となる窪みとしてアルコキシド表面に転写した。
【０１０２】
その後、アルコキシド表面の任意の複数箇所をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）でスキャンしたところ、モールドの突起がアルコキシド表面に５ｎｍ程度の窪みとして転写されていた。
【０１０３】
さらに試料を１８０℃にて紫外線とオゾンを用いたアッシングで１０分間処理することで、アルコキシド内のポリマー部を除去すると同時にアルミニウム部の酸化を進行させて、アルコキシド層を酸化した。
【０１０４】
その後、浴温１６℃の０．３ｍｏｌ／Ｌ硫酸水溶液中にて２０Ｖの印加電圧で陽極酸化を行った。酸化したアルコキシド層とアルミニウム層は一括に陽極酸化された。陽極酸化後の試料をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）で観察することによって、モールドの突起のパターンと同様に三角格子配列をした多孔質皮膜の形成が確認できた。
【０１０５】
また、バリア層の底部が下地層に到達するまで陽極酸化を続けることで、下地層であるＴｉの酸化物を、下地層から孔に向かって成長させた。
次に、試料を浴温２３℃の０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液に５分間浸漬させることで、多孔質皮膜を除去した。これにより、下地層の酸化物が５０ｎｍの間隔で三角格子配列した突起物として残った凹凸構造が得られた。突起物の大きさ及び形状は、高さ２５ｎｍ程、直径２０ｎｍ程の円柱状のものであった。
【０１０６】
次に、得られた凹凸構造に対して磁性体の成膜を行い、突起の上部に磁性体を配置した。磁性体の成膜はスパッタリングで行い、ターゲットと試料の距離は１５ｃｍとして、直径５ｃｍのＣｏターゲットに対して、アルゴンガス０．１Ｐａ雰囲気中でＤＣ５０Ｗの電力を投入して行った。突起物の上部に成膜されたＣｏの膜厚が１０ｎｍとなるような成膜時間で成膜を行った。その後、試料の断面をＦＥ−ＳＥＭで観測したところ、図６ように下地層２１上に規則的に配列した突起物２５の上部に磁性体２８が成膜されている様子が観察できた。また、下地層２１上に成膜されていた磁性体２９は、突起物２５の上部に成膜された磁性体２８よりも膜厚が薄く、５ｎｍ程度であった。
【０１０７】
以上のように、陽極酸化で得られた規則的に配列した突起の上部に磁性体が配置されていることが確認できた。本実施例で作製した規則的に配列した突起物は下地層の酸化物から形成されているため、成膜や熱処理に対する耐性において優れたものである。更に規則的に配列した突起を有する凹凸構造は、樹脂を用いたナノインプリントと陽極酸化を組み合わせて作製されるため、高密度なパターンであっても容易に作製可能である。
【０１０８】
（実施例２）
本実施例は陽極酸化によって規則的に配列した突起を有した凹凸構造を得て、突起の上部に磁性体を配置することに関するものである。特に実施例１とは異なり、突起物の上部と磁性体の間に中間層を配置することで、磁性体の結晶配向を制御することを含むものである。
【０１０９】
まず実施例１と同様に、陽極酸化を利用して凹凸構造を用意した。次に磁性体の中間層として機能するＭｇＯをスパッタリングにより成膜した。ターゲットと試料の距離は１５ｃｍとして、直径５ｃｍのＭｇＯターゲットに対して、アルゴンガス０．１Ｐａ雰囲気中でＲＦ５０Ｗの電力を投入してスパッタリングを行った。突起物の上面でのＭｇＯの膜厚が５ｎｍとなるように成膜を行った。成膜後の試料の断面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、図７のように主に突起物２５の上面と凹部の底部にＭｇＯ３１が成膜され、突起の側壁には殆どＭｇＯが成膜されていない状態となっていた。また、試料のＸ線回折結果より、ＭｇＯは表面が（００１）の結晶面から成る状態で配向していることが確認できた。
【０１１０】
次に、実施例１と同様にスパッタリングにより、磁性体の成膜を行った。本実施例ではターゲットとしてＦｅＰｔを使用し、膜中のＦｅの組成比が５０ａｔｏｍｉｃ％、膜厚１０ｎｍとなるように成膜を行った。成膜後の試料の断面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、図８ような形状で、中間層３０であるＭｇＯ３１の上にＦｅＰｔ３２が成膜されている様子が観察できた。
【０１１１】
更に成膜後の試料に対して、真空中で５００℃のアニールを行った。アニール後の試料では、磁性体の下地層であるＭｇＯ（００１）面の影響により、ＦｅＰｔはＬ１０構造のｃ軸が基板垂直方向に配向した状態となっていた。また、試料の磁化曲線から、基板に対して垂直方向の磁気異方性が確認された。
【０１１２】
以上のようにして、突起物の上部と磁性体の間に中間層を配置することで、磁性体の結晶配向を制御することも可能である。本実施例のように、垂直方向に磁気異方性を有した磁性体を規則的に配列した突起物の上部に配置することで、突起物の上部に配置した磁性体を記録部分とした垂直記録型のパターンド媒体が作製可能となる。
【０１１３】
（実施例３）
本実施例は陽極酸化によって規則的に配列した突起を有した凹凸構造を得て、突起の上部に磁性体を配置することに関するものである。特に実施例１において、下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部にまで成長させた場合に関するものである。
【０１１４】
まず、実施例１と同様に、陽極酸化を行って三角格子配列をした多孔質皮膜を形成した。但し、実施例１とは異なり、本実施例においては下地層の材料としてＮｂを利用した。次に、得られた多孔質皮膜を浴温２２℃の５ｗｔ％リン酸水溶液に２０分間浸すことで、ウェットエッチングによる孔径拡大処理を行った。試料の平面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、孔径拡大処理前の孔径は２０ｎｍであったものが、３５ｎｍに拡大されていた。
【０１１５】
次に、試料を浴温２２℃の０．１５ｍｏｌ／Ｌホウ酸アンモニウム水溶液中にて印加電圧４０Ｖにて陽極酸化した。これにより、下地層の酸化物の成長が進行して体積膨張することで、図９に示すように孔２４の内部に下地層２１の酸化物であるＮｂの酸化物３３が充填されて形成された。この際、ホウ酸アンモニウム水溶液による陽極酸化で成長したＮｂの酸化物は高さが５０ｎｍであった。
【０１１６】
更に、試料の表面をダイヤモンドスラリーで研磨することで、多孔質皮膜とＮｂの酸化物を同時に研磨して図１０の状態とした。この状態で、実施例１と同様に多孔質皮膜を除去することで、図１１のような突起物３４を有した凹凸構造を得た。実施例１とは異なり、得られた突起物３４の上面は表面研磨されていることから平滑な表面を有している。また、突起物３４の上面の直径は実施例１よりも大きく３５ｎｍであったが、孔径拡大処理の時間で調整可能である。更に、突起物３４の高さは４０ｎｍであったが、表面研磨の時間で調整可能である。
【０１１７】
次に得られた凹凸構造に対して実施例１と同様に磁性体の成膜を行ったところ、実施例１と同様に規則的に配列した突起の上部に磁性体が配置されていることが確認できた。
本実施例のように多孔質皮膜の孔に下地層の酸化物を陽極酸化で成長させることにより、突起物の径や高さなどの大きさを変化させることが可能となる。また、記録層となる磁性体が配置される突起物の上面を平坦化させることも可能となる。
【０１１８】
（実施例４）
本実施例は陽極酸化によって規則的に配列した突起を有した凹凸構造を得て、突起の上部に磁性体を配置することに関するものである。特に実施例１において、下地層の酸化物を多孔質皮膜の孔の内部にまで成長させた場合に関するものである。
【０１１９】
まず陽極酸化を行って正方格子配列をした多孔質皮膜を形成した。但し、実施例１とは異なり、Ｔｉ５ｎｍの上にＮｂを３０ｎｍ成膜し、更にその上にＨｆを７ａｔｏｍｉｃ％含んだＡｌＨｆを６０ｎｍスパッタリングした。又、陽極酸化の開始点としてＦＩＢ法を用いてＡｌＨｆ表面に２５ｎｍ間隔の小さな窪みからなる正方配列を形成した。更に浴温３℃の１．０ｍｏｌ／Ｌ硫酸水溶液中にて１０Ｖの印加電圧で陽極酸化を行い、次に得られた多孔質皮膜を浴温２０℃の５ｗｔ％リン酸水溶液に浸すことで、ウェットエッチングによる孔径拡大処理を行った。試料の平面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、細孔径は１２ｎｍであった。
【０１２０】
次に、試料を浴温２２℃の０．１５ｍｏｌ／Ｌホウ酸アンモニウム水溶液中にて印加電圧２５Ｖにて陽極酸化した。これにより、下地層の酸化物の成長が進行して体積膨張することで、図９に示すように孔２４の内部に下地層２１の酸化物であるＮｂの酸化物３３が充填されて形成された。
【０１２１】
次に、大気雰囲気下において３５０℃の加熱処理を行った。
更に、試料の表面を研磨することで、多孔質皮膜とＮｂの酸化物を同時に研磨した。次いで、２５℃の５ｗｔ％リン酸水溶液中にて実施例１と同様に多孔質皮膜を除去することで、直径１２ｎｍ、高さ２５ｎｍの突起物を有した凹凸構造Ａを得た。
【０１２２】
一方、比較サンプルとして、上記加熱処理工程を行わない凹凸構造Ｂを用意した。凹凸構造Ｂも直径１２ｎｍ、高さ２５ｎｍである。
ここで、上記凹凸構造Ａ，Ｂの強度比較のために同一条件にて超音波処理による強度比較を行った所、凹凸構造Ｂは突起の一部が崩壊したが、凹凸構造Ａは安定しており、凹凸構造Ａは安定な構造であることが分かった。直径が小さく、且つ直径と高さのアスペクト比の大きな突起物に対しても、安定な凹凸構造を得られた。
【０１２３】
また、凹凸構造Ａ上に、実施例１と同様に磁性体の成膜を行ったところ、実施例１と同様に規則的に配列した突起の上部に磁性体が配置されていることが確認できた。
【０１２４】
（実施例５：陽極酸化によりＮｂＯ凸作製）
本実施例は、陽極酸化法により部材上に形成された下地層を酸化し、部材の外側に向かって孔径の拡大した凸構造体を得る製造方法に関するものである。図１２および図１３に基づいて説明する。
【０１２５】
シリコン基板１０３上に厚さ３０ｎｍのニオブ（Ｎｂ）からから成る下地層１０１を形成する。そして、更に厚さ８０ｎｍのアルミニウム−ハフニウム合金（ＡｌＨｆ、Ｈｆ＝５から６ａｔｏｍｉｃ％）から成る被陽極酸化層１０２を形成し、部材１０５とする（図１２（ａ））。
【０１２６】
次に、この部材を陽極として硫酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ，２０℃）中に浸漬し、電極を印加してＡｌＨｆ合金層に孔１０６を形成する（図１２（ｂ））。このとき、孔底部に近接したＮｂが酸化されてＮｂ酸化物となり、孔内部に突出する。ここで、陽極酸化による孔の形成では、一般に孔の配列はランダムとなるため、規則的に配列する場合には特開２００４−６６４４７などの手法と組み合わせる必要がある。
【０１２７】
次に、部材をホウ酸アンモニウム水溶液（０．１５ｍｏｌ／Ｌ、２０℃）に浸漬し、陽極として電圧を印加する工程と、Ｎｂ酸化物凸構造が形成されていない部分の孔径を広げるポアワイド工程を繰り返し行う。これにより、部材の外側に向かって径が増大したＮｂ酸化物凸構造体を形成する。ここで、Ｎｂ酸化物の高さは印加する電圧に比例する。まず、１１Ｖの電圧を印加しＮｂ酸化物の成長させ（図１２（ｃ））、電圧の印加を停止してから、部材をリン酸水溶液（５ｗｔ％、２０℃）に１０分間浸漬して孔径を拡大する（図１２（ｄ））。Ｎｂ酸化物が形成されている部分は液が進入し難い為、孔径も拡大しにくい。次に、部材をホウ酸アンモニウム水溶液に戻し、１９Ｖの電圧を印加してから（図１２（ｅ））、リン酸水溶液に戻して１０分間浸漬する（図１２（ｆ））。更に、部材をホウ酸アンモニウム水溶液に戻し、２７Ｖの電圧を印加する（図１２（ｇ））。この結果、高さ５０ｎｍで孔径が部材から遠ざかるにつれ徐々に増大した形状のＮｂ酸化物が得られる。孔径拡大の形状は、明確な階段状にはならない。
【０１２８】
次に、３００℃１０分間焼成して、Ｎｂ酸化物の強度を増す。この時点でＮｂ酸化物上面の形状はやや丸みを帯びているため、Ｎｂ酸化物上面が露出し且つ平坦になるまでコロイダルシリカで研磨する。そして、該部材をリン酸水溶液に５時間浸漬すると、ＡｌＨｆ合金膜が溶解されてＮｂ酸化物凸構造のみが残留する（図１３（ａ））。スパッタリング法により、ルテニウム（Ｒｕ）５ｎｍ、コバルト−白金合金（ＣｏＰｔ）の順で積層し、磁気記録層とする。基板に垂直方向からスパッタリングが行われるような条件で行うと、Ｎｂ酸化物上面とＮｂ酸化物間の凹部には磁気記録層が積層し易く、Ｎｂ酸化物側壁には積層し難いため、Ｎｂ酸化物凸構造間での磁気記録層の分離を実現することができる（図１３（ｂ））。
【０１２９】
このような構造体を磁気記録媒体として用いるには、以下のような後工程が必要となる。まず、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）をスピンコート法で塗布し焼成し、Ｎｂ酸化物凸構造体の空隙を充填する（図１３（ｃ））。フッ素系ガスでドライエッチング法を行い、ＳＯＧのみを上部から除去して行き、磁気記録層１１７を露出する（図１３（ｄ））。保護層としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を３ｎｍ、更に潤滑剤を５ｎｍ積層する（図１３（ｅ））。
【０１３０】
（実施例６：金属メッキ）
実施例５において、凸構造体を成す材料が金属の場合に関して示す。
実施例５の部材構成で、下地層１０１を銅（Ｃｕ）とする。同様の条件で陽極酸化を行うと、孔１０６が下地層に到達した際にＣｕ層が露出する。この露出部を電極として、白金電気めっき浴内部に部材を浸漬し、陰極として電気めっきを行う。凸構造の成長高さはめっき時間により決まるため、ある一定時間のめっきと孔径拡大処理の繰り返しを行う。めっき浴は一般的に酸性のものが多いため、被陽極酸化層が侵蝕されないものを選択することが好ましい。また、作製される凸構造体の材料が、被陽極酸化層を除去する際のリン酸水溶液に侵蝕されないものが好ましい。
【０１３１】
（実施例７：相分離膜を利用する場合）
本実施例は、相分離膜を用いた場合の磁気記録媒体の製造方法に関する。
Ｓｉ基板上に下地層となるＮｂを１０ｎｍ、さらにＡｌ−Ｓｉ相分離膜とＡｌ−Ｇｅ相分離膜をそれぞれ、Ａｌの組成４０ａｔｏｍｉｃ％と６０ａｔｏｍｉｃ％で５０ｎｍの厚さに成膜する。
【０１３２】
次にＡｌ−Ｓｉ相分離膜を濃硫酸に、Ａｌ−Ｇｅ相分離膜をリン酸にそれぞれ浸漬し、Ａｌシリンダー部分のみを溶解した。その後、相分離膜はＡｌ部分が細孔となり、基板に対して垂直な細孔を有する多孔質膜であることが確認できる。
【０１３３】
さらに、ホウ酸アンモニウム２２℃、０．１５ｍｏｌ／Ｌ水溶液中に浸漬し、段階的に印加電圧を増加させ、最終的に２０Ｖの印加電圧で陽極酸化させる。その結果、Ａｌ−ＳｉとＡｌ−Ｇｅ相分離膜どちらから作られたかにかかわらず、多孔質膜の細孔内に下地層Ｎｂの酸化物が約２５ｎｍの高さで成長していることが確認できる。
【０１３４】
よって、Ａｌ−ＳｉとＡｌ−Ｇｅ相分離膜から得ている多孔質膜部分を水酸化ナトリウム水溶液にて選択的に除去することにより、ニオブ酸化物の突起が得られることが確認できる。また、Ａｌ−Ｇｅ相分離膜を出発材料としている場合は、過酸化水素水でも効果的に溶解させることが出来ることが確認できる。
【０１３５】
これらの膜の細孔直径がＡｌ−Ｓｉ相分離膜で５ｎｍ、Ａｌ−Ｇｅ相分離膜で１０ｎｍであることから、他実施例の磁性層を形成することで、高密度記録可能な磁気記録媒体が作製可能である。
【０１３６】
（実施例８：くびれ）
本実施例は、陽極酸化法により部材に形成された中間層を酸化し、部材の外側に向かってくびれた形状の凸構造体を得る製造方法に関するものである。図１４に基づいて説明する。
【０１３７】
シリコン基板１０３上に、酸化層１１０としてチタン（Ｔｉ）１０ｎｍとＡｌ酸化物１０ｎｍ、中間層１０９としてＮｂ３０ｎｍ、更に酸化層としてＡｌ酸化物１５ｎｍを積層し、これを部材とする（図１４（ａ））。フォトリソグラフィ法にて、Ｎｂ層とＡｌ酸化物層に周期５０ｎｍの三角格子状に規則的に配列した孔構造を形成し（図１４（ｂ））、ホウ酸アンモニウム中に陽極として浸漬し、電圧１０ｎｍを印加する。Ａｌ酸化物層は僅かに電流を流し、Ｎｂ層は酸化されて体積が膨張し、孔の側面に突出する（図１４（ｃ））。孔内部に充填剤を充填し、リン酸水溶液に浸漬してＡｌ酸化層を溶解除去すると、充填剤のくびれた凸構造が残留する（図１４（ｄ））。
【０１３８】
（実施例９）
（インプリントで逆テーパ型ホールを作り、ＮＯはやす。磁性体積層後にポリマー除去ＯＲポリマー除去後に磁性体積層）
本実施例は、インプリント法により部材の外側に向かって幅が拡大する凹構造を形成し、陽極酸化法により部材上に形成された下地層を酸化し、部材の外側に向かって幅の拡大した凸構造体を得る製造方法に関するものである。図１５および図１６に基づいて説明する。
【０１３９】
シリコン基板１０３上に厚さ３０ｎｍのＮｂから成る下地層１０１を形成し、更に厚さ１００ｎｍのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）層から成る転写層１１６を形成し、部材１０５とする（図１５（ａ））。また、台形状ライン構造が長方格子状に配列した凸部を有するＳｉから成るモールド１１１（図１６：モールドの斜視図）を作製する。
【０１４０】
部材を室温、モールドを１３０℃に加熱し、モールドをＰＭＭＡ層に押し付けて１分保持したのちにモールドを冷却してから剥離し、凹構造１１３を形成する（図１５（ｂ））。形成される凹構造の形状は、モールド突起１１２形状とほぼ等しくなる。酸素プラズマによるドライエッチング法でＰＭＭＡ層の残膜を除去して、凹構造１１３にＮｂ層を露出させる（図１５（ｃ））。
【０１４１】
次に、部材１０５を陽極としてホウ酸アンモニウム中に浸漬し、電圧を印加してＮｂ酸化物からなる下地層の酸化物１０４を形成する（図１５（ｄ））。そして、研磨をしてＮｂ層上面を平坦にした後にアセトンに浸漬してＰＭＭＡ層を溶解除去すると、ライン状であり且つ部材の外側に向かって幅が拡大する凸構造が得られる。インプリントされたＰＭＭＡには転写斑が僅かに生じるが、酸化物は電圧に比例した高さで形成され、更に研磨されるため、得られる凸構造体には高さの斑は生じないという利点がある。
【０１４２】
磁気記録媒体として用いる場合、ＰＭＭＡ層を除去した後にＣｏＰｔを積層して磁気記録層とする。或いは、研磨後にＣｏＰｔを積層した後にＰＭＭＡを溶解し、ＰＭＭＡ上のＣｏＰｔのみをリフトオフ法で除去しても良い。
【０１４３】
（実施例１０：インプリント自体で逆テーパ凸を形成して磁性層を積層）
本実施例は、インプリント法により部材の外側に向かって幅が拡大する凸構造体を得る製造方法に関するものである。図１７および図１８に基づいて説明する。
【０１４４】
シリコン基板１０３上に厚さ１００ｎｍのシルセスキオキサン（ＨＳＱ）層から成る転写層１１６を形成し、部材１０５とする（図１７（ａ））。また、台形状ライン構造が長方格子状に配列した凹部を有するポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）から成るモールド１１１（図１８：モールドの斜視図）を作製する。
【０１４５】
部材を６０℃でプリベークし、モールドに離型剤を塗布し、室温でＨＳＱ層に押し付けて１分保持したのちに１５０℃で１分焼成することでＨＳＱの溶媒を完全に気化させ硬化してから剥離する。更に、２００℃で焼成しながらオゾン雰囲気に晒すと更に酸化が進み、酸化シリコンの凸構造１１５が形成される（図１７（ｂ））。ＰＤＭＳによるインプリントモールドは弾性があるため、モールドを剥離する際にモールド凹部１１４の開口部分が変形し、モールド開口部よりも幅の広い凸構造１１５の上部も剥離することが出来る。これにより、部材の外側に向かって幅が大きくなる凸構造体を形成することが出来る。
【産業上の利用可能性】
【０１４６】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、記録部分となる磁性体を形成する凸部の形状や高さを均一に大面積にわたって形成することができるので、高密度な磁気記録による情報ストレージの分野に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】陽極酸化により得られた多孔質皮膜の断面を示す模式図である。
【図２】陽極酸化により得られた多孔質皮膜の断面を示す模式図である。
【図３】多孔質皮膜のバリア層に下地層の酸化物が成長した状態を示す模式図である。
【図４】多孔質皮膜の孔の内部まで下地層の酸化物が成長した状態を示す模式図である。
【図５】下地層の酸化物から成る規則的に配列した突起物を示す模式図である。
【図６】本発明による磁気記録媒体の一例を示す模式図である。
【図７】突起物の上面と凹部の底部に成膜された下地層を示す模式図である。
【図８】突起物の上面と凹部の底部に成膜された下地層と磁性体を示す模式図である。
【図９】多孔質皮膜の孔の内部まで下地層の酸化物が成長した状態を示す模式図である。
【図１０】表面研磨された後の試料の断面を示す模式図である。
【図１１】下地層の酸化物から成る規則的に配列した突起物を示す模式図である。
【図１２】本発明の実施例５の陽極酸化により部材の外側に向かって孔径の拡大した凸構造体を得る製造方法を示す工程図である。
【図１３】本発明の実施例５の陽極酸化により部材の外側に向かって孔径の拡大した凸構造体を得る製造方法を示す工程図である。
【図１４】本発明の実施例７の陽極酸化法により部材に形成された中間層を酸化し、部材の外側に向かってくびれた形状の凸構造体を得る製造方法を示す工程図である。
【図１５】本発明の実施例８の陽極酸化法により部材上に形成された下地層を酸化し、部材の外側に向かって幅の拡大した凸構造体を得る製造方法を示す工程図である。
【図１６】本発明の実施例８に用いるモールドの斜視図である。
【図１７】本発明の実施例９のインプリント法により部材の外側に向かって幅が拡大する凸構造体を得る製造方法製造方法を示す工程図である。
【図１８】本発明の実施例９に用いるモールドの斜視図である。
【図１９】本発明による相分離膜から多孔質膜を得るための工程を示す模式図である。
【図２０】本発明によるパターンドメディアの一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１０  孔
１１  基板
１２  多孔質皮膜
１３  被陽極酸化層の酸化物
１４  バリア層
２０  バリア層
２１  下地層
２２  多孔質皮膜
２３  下地層の酸化物
２４  孔
２５  突起物
２６  基板
２７  多孔質皮膜の底部
２８  磁性体
２９  磁性体
３０  中間層
３１  ＭｇＯ
３２  ＦｅＰｔ
３３  Ｎｂの酸化物
３４  突起物
１０１  下地層
１０２  被陽極酸化層
１０３  基板
１０４  下地層の酸化物
１０５  部材
１０６  孔
１０７  保護層
１０９  中間層
１１０  酸化層
１１１  モールド
１１２  モールド凸部
１１３  凹構造
１１４  モールド凹部
１１５  凸構造
１１６  転写層
１１７  磁気記録層
１１８  封止材料
９９００  下地層
９９１０  相分離膜
９９１２  Ａｌシリンダー部分
９９１３  アルミニウムのシリンダを取り囲むシリコン領域
９９５０  多孔質膜
９９５１  孔
９９６０  酸化物
２９９０  基板
２９９１  凸形状部材
２９９２  磁性膜
２９９３  凸形状部材の上面部
２９９４  凸形状部同士の間
２９９５  逆テーパ部の角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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