(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスにより処理される処理対象物を保持する、回転可能なサセプタと、
前記サセプタの外周部を支持し、前記サセプタと連動して回転することなく固定された支持部材と、
前記サセプタの外周部と前記支持部材との対向する部分に配置され、前記サセプタと連動して回転することなく固定された支持部と、
前記支持部が位置する領域への前記反応ガスの流入を抑制するガス流入抑制部とを備え、
前記支持部材は、前記サセプタの外周部の下面に延在する延在部を含み、
前記支持部は、前記支持部材の延在部と前記サセプタの外周部との間に配置され、
前記ガス流入抑制部は、前記サセプタの外周部の下面のうち前記サセプタの外周端から前記支持部が配置された部分までの間の下面部分と、当該下面部分と対向する前記支持部材の表面とにより規定される間隙を含む、半導体製造装置。
【請求項２】
前記サセプタが配置される開口部を有する壁部を含む反応室をさらに備え、
前記ガス流入抑制部は、前記サセプタの外周部の端面と前記開口部の内壁とにより規定される間隙を含む、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記サセプタは、前記サセプタの外周部において外側に突出し、前記支持部材と対向するフランジ部を含み、
前記支持部は、前記サセプタのフランジ部と前記支持部材との間に配置され、
前記ガス流入抑制部は、前記サセプタのフランジ部の外周端から前記支持部が配置された部分までの間のフランジ部表面と、前記フランジ部表面と対向する前記支持部材の表面とにより規定される間隙を含む、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記サセプタが配置される開口部を有する壁部を含む反応室をさらに備え、
前記フランジ部は、前記開口部から前記壁部の外周側に延在するように配置され、
前記ガス流入抑制部は、前記フランジ部の上部表面および前記サセプタの前記フランジ部に連なる端面と、前記壁部の外周表面および前記開口部の内壁とにより規定される間隙を含む、請求項３に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体製造装置に関し、より特定的には、処理対象物を保持するとともに回転可能なサセプタを備える半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、処理対象物としての基板を保持する回転可能なサセプタを備える気相成長装置などの半導体製造装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に開示された半導体製造装置では、円盤状のサセプタの下面中央部に支持軸が接続され、当該支持軸が回転することによりサセプタが回転可能になっている。サセプタの下面側にはサセプタに保持される基板を加熱するためのヒータが配置されている。また、サセプタは反応室の底壁に形成された開口部に配置されている。サセプタの外周部には、底壁の上記開口部から外周面上に延在する鍔部が形成されており、当該鍔部を形成することによりサセプタ外周部から反応室外部への反応ガスの漏洩を抑制できるとしている。
【特許文献１】特開２００５−２４３７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような従来の半導体製造装置では、以下のような問題があった。すなわち、処理対象物である基板の大型化や、サセプタに搭載する基板の枚数を多くするために、サセプタを大型化した場合、従来のようにサセプタの中央部に接続された支持軸でサセプタを支持していると、サセプタの回転時にサセプタ表面を水平に保つことが難しい場合があった。これは、サセプタの中央部に配置された支持軸のみでサセプタの支持を行なうため、サセプタを大型化した場合に加工精度や支持軸とサセプタとの接合部における撓みなどに起因してサセプタの表面が水平から僅かに傾くことが原因と考えられる。このようなサセプタの傾きが発生すると、サセプタとヒータとの間の距離が局所的に異なることになり、ヒータにより加熱されたサセプタにおいて局所的な温度の差が発生する。そして、結果的にサセプタに保持される基板を均一に加熱することが難しくなる。その結果、基板に対して均一な処理を行なうこと（たとえば均質な膜質の膜を形成すること）が困難になるという問題があった。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、均一な処理を行なうことが可能な半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に従った半導体製造装置は、サセプタと支持部材と支持部とガス流入抑制部とを備える。サセプタは反応ガスにより処理される処理対象物を保持し、回転可能になっている。支持部材は、サセプタの外周部を支持し、サセプタと連動して回転することなく固定されている。支持部は、サセプタの外周部と支持部材との対向する部分に配置され、サセプタと連動して回転することなく固定されている。ガス流入抑制部は、支持部が位置する領域への反応ガスの流入を抑制する。支持部材は、サセプタの外周部の下面に延在する延在部を含む。支持部は、支持部材の延在部とサセプタの外周部との間に配置される。ガス流入抑制部は、サセプタの外周部の下面のうちサセプタの外周端から支持部が配置された部分までの間の下面部分と、当該下面部分と対向する支持部材の表面とにより規定される間隙を含む。
【０００７】
このようにすれば、サセプタの外周部に配置された支持部を介して支持部材によりサセプタを回転可能に支持するので、サセプタが大型化した場合に、サセプタ表面の方向を設計時に規定した方向（たとえば水平方向）に確実に維持することができる。つまり、サセプタの中央部のみで支持軸によりサセプタを支持する場合のようにサセプタ表面が設計時に規定した方向からずれる（サセプタが傾く）ことを抑制できる。このため、サセプタの傾きに起因してサセプタの温度が局所的に変化する（温度の均一性が低下する）ことを抑制できるので、処理対象物に対する処理（たとえば成膜処理など）の処理条件を均一化することができる。したがって、処理対象物に対する処理の均一性が劣化することを抑制できる。
【０００８】
また、ガス流入抑制部により、サセプタの上部表面に対向する空間（反応室の内部）から、支持部への反応ガスの流入を抑制できるので、当該反応ガスに起因して支持部に析出物などの異物が形成されることを抑制できる。したがって、このような異物により支持部の動作が妨げられる可能性を低減できるので、安定して動作する半導体製造装置を得ることができる。
【発明の効果】
【０００９】
このように、本発明によれば、サセプタ表面の方向を設計時に規定した方向へ確実に維持することができるとともに、外周部に配置された支持部が位置する領域への反応ガスの流入を抑制し、当該反応ガスに起因して当該領域に異物が形成されることを防止できる。このため、動作の安定した、均一な処理を行なうことが可能な半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰返さない。
【００１１】
（実施の形態１）
図１は、本発明による半導体製造装置の一例である処理装置の実施の形態１を示す断面模式図である。図２は、図１に示した処理装置の部分拡大断面模式図である。図３は、図１に示した処理装置を構成するサセプタの平面模式図である。図１〜図３を参照して、本発明による処理装置の実施の形態１を説明する。
【００１２】
図１〜図３に示すように、本発明による処理装置１は、反応管５と、反応管５の底壁に形成された開口部の内部に設置された回転可能なサセプタ３と、反応管５の内部に反応ガスを供給するための反応ガス供給部材９と、反応管５の内部から反応処理に用いられた後の反応ガスや雰囲気ガスなどを外部に排気するための排気部材１１とを備える。さらに、処理装置１は、サセプタ３上に搭載される処理対象物である基板１５を加熱するためのヒータ７と、サセプタ３を回転させるための駆動部材であるモータ２０とを備える。
【００１３】
反応管５はたとえば石英などの材料からなり、反応ガスが流れる方向に対して垂直な方向における断面形状がたとえば矩形状となっている。サセプタ３はその平面形状が図３に示すように円形状であり、当該サセプタ３の上部表面には基板１５を搭載するための凹部１３が複数形成されている。凹部１３の数は、図３に示すように３つでもよいが、他の任意の数、たとえば４つあるいは５個以上といった数でもよい。また、凹部１３の配置は、サセプタ３の中央部に対して対称となるように配置されていてもよいし、複数の凹部１３の間の距離が等間隔となるように配置されていてもよい。
【００１４】
サセプタ３の裏面側の中央部には回転軸１７が接続されている。回転軸１７の下端は、モータ２０とジョイント１９を介して接続されている。このモータ２０によって発生した駆動力は、ジョイント１９および回転軸１７を介してサセプタ３に伝達される。サセプタ３と回転軸１７との接続部の構造は、任意の構造とすることができる。たとえば、サセプタ３と回転軸１７とをろう材などによって接合する、あるいはサセプタ３と回転軸１７との対向する部分において、サセプタ３もしくは回転軸１７のいずれか一方に凸部を設け、他方に当該凸部と対応する凹部または凸部（たとえば、上記凸部と側面が接触することにより回転軸１７の回転がサセプタ３へ伝達されるようになっている凹部または凸部）を設け、当該凸部と凹部、あるいは凸部と凸部とが噛み合うことにより回転軸１７の回転をサセプタ３に伝達するようにしてもよい。つまり、サセプタ３と回転軸１７との接続部は、回転軸１７の回転力をサセプタ３へ伝達することができればよく、サセプタ３と回転軸１７とが固着されていなくてもよい。
【００１５】
サセプタ３の外周部の下面には、サセプタ３を支持するための支持部材２１が設置されている。支持部材２１の位置を固定するため、支持部材２１の外周端部には架台２２が接続されている。架台２２は図示しない処理装置１のベース部材もしくは他の固定された部材に接続固定されている。支持部材２１の平面形状は円環状となっており、サセプタ３の幅より小さい直径の開口部が中央部に形成されている。支持部材２１の上部表面における内周側の端部には、サセプタ３と対向する領域に図２に示すようにサセプタ３の下面と接触してサセプタ３を下面側から支持する突出部である支持部４が形成されている。支持部４は、その上部表面がサセプタ３の下面と接触する。支持部４の上部表面（サセプタ３の下面と接触する面）の平面形状は図３に示すように円環状になっている。
【００１６】
この支持部４は、サセプタ３がモータ２０の駆動力によって回転するときに支持部材２１に対してサセプタ３が滑らかに回転するようにサセプタ３を支持する。そのため、支持部４のサセプタ３と接触する面（上部表面）は、サセプタ３が摺動可能なように平滑に仕上げられている。なお、支持部４の上部表面の形状は、図２に示すような平面状でもよいが、他の任意の形状（たとえば凸形状や半球状など）であってもよい。また、支持部４として、サセプタ３が滑らかに回転することができれば、他の構成を用いてもよい。たとえば、支持部４として軸受部材を配置することもできる。
【００１７】
次に、上記処理装置１の動作を簡単に説明する。処理装置１においては、処理対象物である基板１５をサセプタ３の凹部１３に配置する。そして、基板１５が搭載されたサセプタ３を反応管５の底壁に形成された開口部に回転可能に設置した後、反応管５の内部を所定の圧力に設定する。当該圧力の設定は、たとえば排気部材１１により反応管５の内部から雰囲気ガスを排気することにより行なってもよい。そして、反応管５の内部が所定の設定圧力になった後、ヒータ７を動作させることによりサセプタ３を介して基板１５を所定の温度（処理温度）に加熱する。このとき、同時にモータ２０を駆動させることにより、ジョイント１９および回転軸１７を介してサセプタ３を回転させる。基板１５の温度が処理温度になった状態で、反応ガス供給部材９から反応管５の内部に反応ガスを所定量供給する。この状態で、基板１５と対向する領域において反応ガスが分解し、基板１５の表面に反応ガスの成分を原料とする膜（たとえば窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる膜）が形成される。なお、成膜反応に用いられた後のガスは排気部材１１によって反応管５の内部から排気される。このようにして、基板１５の表面に所定の膜を形成することができる。
【００１８】
上述した処理装置１においては、基板１５に対して上記のような成膜処理を行なうとき、反応管５の内部に流通する反応ガスが図２に示した流路２６、２７を介して支持部４の位置する領域にまで流入する可能性が考えられる。しかし、図１〜図３に示した処理装置においては、流路２６の高さＴ２および長さＬ２、さらに、流路２７の高さＴ１および長さＬ１を調整することにより、この流路２６、２７における通気抵抗を十分高くしている。このため、反応管５の内部から支持部４が配置された領域に流入する反応ガスの量を極めて少なくできる。たとえば、流路２７の高さＴ１を、たとえば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下、とすることができる。また、流路２７の長さＬ１を、たとえば３ｍｍ以上９ｍｍ以下、より好ましくは５．４ｍｍ以上５．６ｍｍ以下としてもよい。また、流路２６についても、高さＴ２を、たとえば１ｍｍ以上３ｍｍ以下、より好ましくは１．８５ｍｍ以上２．１５ｍｍ以下とすることができる。また、流路２６の長さＬ２を、たとえば１ｍｍ以上６ｍｍ以下、より好ましくは３．４ｍｍ以上３．６ｍｍ以下とすることができる。なお、上述した流路２６、２７の高さＴ１、Ｔ２は小さいほど、また当該流路２６、２７の長さＬ１、Ｌ２は長いほど、当該流路２６、２７の流通抵抗を高めるためには好ましいが、サセプタ３などの加工や組立精度などにより、サセプタ３が回転する場合に他の部材と接触せず安定してサセプタ３が回転できる余裕が必要になる。そのため、上述した流路２６、２７の特に高さＴ１、Ｔ２の下限は上記余裕を考慮して決定されている。
【００１９】
このようにすれば、支持部４が位置する領域に反応ガスが流入することに起因して、支持部４近傍でサセプタ３や支持部材２１の表面に析出物などが形成される可能性を低減できる。このため、当該析出物の形成に起因してサセプタの回転動作が阻害されることを防止できる。また、図１〜図３に示した処理装置１では、サセプタ３の外周部において、支持部４を配置してサセプタ３を支持しているので、サセプタ３を中心部のみで支持している場合に比べてサセプタ３の表面の水平度を精度良く維持することができる。
【００２０】
（実施の形態２）
図４は、本発明による処理装置の実施の形態２を示す断面模式図である。図５は、図４に示した処理装置の部分拡大断面模式図である。図４および図５を参照して、本発明による処理装置の実施の形態２を説明する。
【００２１】
図４および図５に示した処理装置は、基本的には図１〜図３に示した処理装置と同様の構造を備えるが、サセプタ３を外周側で支持部材２１によって支える部分の構造が異なっている。具体的には、図４および図５に示した処理装置では、サセプタ３の外周部の下方（反応管５の壁部の外側に位置する領域）において、外周側に延在したフランジ状の延在部３０が形成されている。この延在部３０の下面と対向する位置に平面形状が環状の支持部材２１が配置されている。支持部材２１は外周部において架台２２によって支持されている。
【００２２】
支持部材２１の上部表面（サセプタ３と対向する表面）の内周側端部においては、サセプタ３に対向する位置にサセプタ３の下面と接触してサセプタ３を下面側から支持する支持部４が形成されている。支持部４は、その上部表面がサセプタ３の下面と接触する。支持部４の上部表面（サセプタ３の下面と接触する面）の平面形状は、図３に示した支持部４の上部表面と同様に円環状になっている。
【００２３】
図４および図５に示した処理装置１においても、反応管５の内部から支持部４が配置された領域への反応ガスの流入を防止するため、流路２６〜２９の流通抵抗を所定の値としている。具体的には、たとえば、流路２７の高さＴ１を、たとえば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下とすることができる。また、流路２７の長さＬ１を、たとえば１ｍｍ以上３ｍｍ以下、より好ましくは１．９ｍｍ以上２．１ｍｍ以下としてもよい。また、流路２９についても、高さＴ２を、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下とすることができる。また、流路２９の長さＬ２を、たとえば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下、より好ましくは４．６ｍｍ以上４．８ｍｍ以下とすることができる。
【００２４】
また、流路２８についても、高さＴ３を、たとえば０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下とすることができる。また、流路２８の長さＬ３を、たとえば５ｍｍ以上２０ｍｍ以下、より好ましくは１３．８５ｍｍ以上１４．１５ｍｍ以下とすることができる。また、流路２６についても、高さＴ４を、たとえば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下、より好ましくは１．４ｍｍ以上１．６ｍｍ以下とすることができる。また、流路２６の長さＬ４を、たとえば１ｍｍ以上６ｍｍ以下、より好ましくは３．４ｍｍ以上３．６ｍｍ以下とすることができる。
【００２５】
このようにしても、図１および図２に示した処理装置と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
以下、上述した実施の形態と一部重複する部分もあるが、本発明の特徴的な構成を列挙する。この発明に従った半導体製造装置としての処理装置１は、サセプタ３と支持部材２１と支持部４とガス流入抑制部としての流路２６〜２９とを備える。サセプタ３は反応ガスにより処理される処理対象物としての基板１５を保持し、回転可能になっている。支持部材２１は、サセプタ３の外周部を支持する。支持部４は、サセプタ３の外周部と支持部材２１との対向する部分に配置される。ガス流入抑制部としての流路２６〜２９は、支持部４が位置する領域への反応ガスの流入を抑制する。具体的には、流路２６〜２９の高さおよび長さが、反応ガスの流通抵抗が十分高くなるように設定されている。
【００２７】
このようにすれば、サセプタ３の外周部に位置する支持部４を介して支持部材２１によりサセプタ３を回転可能に支持するので、サセプタ３が大型化した場合に、サセプタ３表面の方向を設計時に規定した方向、具体的には水平方向、に確実に維持することができる。つまり、サセプタ３の中央部のみで支持軸によりサセプタを支持する場合のように、サセプタ表面が設計時に規定した方向から傾くことを抑制できる。このため、サセプタ３の傾きに起因してサセプタ３の温度が局所的に変化する（温度の均一性が低下する）ことを抑制できるので、基板１５に対する成膜処理の処理条件を均一化することができる。したがって、基板１５に対する処理の均一性が劣化することを抑制できる。この結果、基板１５の表面に均質な膜を形成することができる。
【００２８】
また、ガス流入抑制部としての流路２６〜２９により、サセプタ３の上部表面に対向する空間（反応管５の内部）から、支持部４が配置された部分への反応ガスの流入を抑制できるので、当該反応ガスに起因して支持部４が配置された部分に析出物などの異物が形成されることを抑制できる。したがって、このような異物により支持部４に対するサセプタ３の摺動動作が妨げられる可能性を低減できるので、安定して動作する処理装置１を得ることができる。
【００２９】
上記処理装置１において、支持部材２１は、図１および図２に示すように、サセプタ３の外周部の下面に延在する延在部を含んでいてもよい。支持部４は、支持部材２１の延在部とサセプタ３の外周部との間に配置されていてもよい。ガス流入抑制部は、サセプタ３の外周部の下面のうちサセプタの外周端から支持部４が配置された部分までの間の下面部分と、当該下面部分と対向する支持部材２１の表面とにより規定される間隙としての流路２７を含んでいてもよい。
【００３０】
この場合、支持部４が配置された部分までの上記流路２７を、ガス流入抑制部として利用できる。また、流路２７の長さＬ１および／または高さＴ１を変更することで、流路２７における反応ガスの流通抵抗を調整することができる。
【００３１】
上記処理装置１は、サセプタ３が配置される開口部を有する壁部を含む反応室としての反応管５をさらに備えていてもよい。ガス流入抑制部は、サセプタ３の外周部の端面と開口部の内壁とにより規定される開口部内間隙としての流路２６を含んでいてもよい。この場合、ガス流入抑制部として流路２６も利用できるので、支持部４が配置された部分への反応ガスの流入をより確実に抑制できる。
【００３２】
図１〜図３に示した処理装置１におけるガス流入抑制部の図２に示した断面における沿面距離（図２における流路２７の長さＬ１と流路２６の長さＬ２の合計、あるいはサセプタ半径方向の断面における、サセプタの外周端面上端から支持部４が配置された部分までの長さ、あるいはサセプタの半径方向断面における上記外周端面および下面部分の沿面距離）は、たとえば４ｍｍ以上１５ｍｍ以下、より好ましくは８．８ｍｍ以上９．２ｍｍ以下であってもよい。この場合、上記流路２６、２７を介して支持部４が配置された部分への反応ガスの流入を確実に抑制できる。
【００３３】
上記処理装置１において、サセプタ３は、図４および図５に示すように、サセプタ３の外周部において外側に突出し、支持部材２１と対向するフランジ部としての延在部３０を含んでいてもよい。支持部４は、サセプタ３の延在部３０と支持部材２１との間に配置されていてもよい。ガス流入抑制部は、サセプタ３の延在部３０の外周端から支持部４が配置された部分までの間のフランジ部表面（延在部３０の下部表面）と、延在部３０の当該下部表面と対向する支持部材２１の表面とにより規定される間隙としての流路２７を含む。
【００３４】
この場合、支持部４が配置された部分までの上記流路２７を、ガス流入抑制部として利用できる。また、支持部４の配置箇所を変更することで、流路２７の長さＬ１を変更することにより、当該ガス流入抑制部を構成する上記流路２７における反応ガスの流通抵抗を調整することができる。また、当該間隙の高さＴ１を変更することによって流路２７での上記流通抵抗を調整してもよい。
【００３５】
また、サセプタ３の外周部に形成された延在部３０に支持部４が配置されることになるので、サセプタ３の断面（サセプタ３において基板１５を搭載する表面に対して垂直な方向であって、サセプタ３の中心部を通る断面）において、対向する延在部３０にそれぞれ位置する支持部４の間の距離を、延在部３０が形成されない場合のサセプタの幅より大きくできる。このため、延在部３０より内側に支持部４が配置される場合より、サセプタ３表面の方向を所定の方向に維持する精度を向上させることができる。
【００３６】
上記処理装置１は、図４及び図５に示すように、サセプタ３が配置される開口部を有する壁部を含む反応室としての反応管５をさらに備えている。延在部３０は、開口部から壁部の外周側に延在するように配置されている。ガス流入抑制部は、延在部３０の上部表面およびサセプタ３の延在部３０に連なる端面と、壁部の外周表面および開口部の内壁とにより規定されるフランジ上部側間隙（流路２６、２８）を含む。また、ガス流入抑制部は、延在部３０の外周端面と支持部材の表面との間のフランジ部端面側間隙（流路２９）を含んでいてもよい。この場合、ガス流入抑制部として流路２６、２８、２９も利用できるので、支持部４が配置された部分への反応ガスの流入をより確実に抑制できる。
【００３７】
上記ガス流入抑制部の長さ（つまり、図５における流路２６〜２９の長さＬ１〜Ｌ４の合計、あるいはサセプタ半径方向の断面における、サセプタ３の外周端面上端から軸受部材が配置された部分までのサセプタ３表面の沿面距離）は、たとえば８ｍｍ以上３９ｍｍ以下、より好ましくは２３．７５ｍｍ以上２４．６５ｍｍ以下であってもよい。この場合、上記間隙を介して支持部４が配置された部分への反応ガスの流入を確実に抑制できる。
【００３８】
また、上記処理装置１において、流路２６〜２９は図２や図５に示すようにサセプタ断面において直線状に延在しているが、流路２６〜２９を屈曲させてもよい。たとえば、サセプタ３や支持部材２１、あるいは反応管５の表面（流路２６〜２９の側壁を構成する面）において、凸部あるいは凹部を形成することで、図２や図５に示した構成よりも流路２６〜２９の沿面距離を長くするようにしてもよい。
【００３９】
また、上述した実施の形態では、いわゆるサセプタ３においてその上部表面に基板１５を配置する構成の処理装置１を説明したが、本発明はいわゆるフェースダウン（サセプタ３が反応管５の上壁に配置され、サセプタ３の下面側に基板が保持される構成）の処理装置に対しても適用可能である。
【００４０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
この発明は、サセプタを備える半導体製造装置、特に回転可能なサセプタを備え、サセプタを介して処理対象物を加熱した状態で処理を行なう半導体製造装置に特に有利に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による半導体製造装置の一例である処理装置の実施の形態１を示す断面模式図である。
【図２】図１に示した処理装置の部分拡大断面模式図である。
【図３】図１に示した処理装置を構成するサセプタの平面模式図である。
【図４】本発明による処理装置の実施の形態２を示す断面模式図である。
【図５】図４に示した処理装置の部分拡大断面模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  処理装置、３  サセプタ、４  支持部、５  反応管、７  ヒータ、９  反応ガス供給部材、１１  排気部材、１３  凹部、１５  基板、１７  回転軸、１９  ジョイント、２０  モータ、２１  支持部材、２２  架台、２６〜２９  流路、３０  延在部。
【図１】
0005104250.tif 000002
【図２】
0005104250.tif 000003
【図３】
0005104250.tif 000004
【図４】
0005104250.tif 000005
【図５】
0005104250.tif 000006