(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低パワーソース駆動装置であって、液晶駆動装置が液晶表示パネルの負荷を駆動するのに使用され、
ゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）内に異なるデジタル信号の組合わせ（ＡＰ０〜ＡＰＸ）を生じ、且つ前記デジタル信号の組合わせ（ＡＰ０〜ＡＰＸ）が同一時間内に僅かに一つの１であるデジタル信号のロジックレベルを有するタイミング制御デジタル回路と、
前記デジタル信号の組合せ（ＡＰ０〜ＡＰＸ）によって異なるアナログレベルのバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）を生じるダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路と、
前記バイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）に制御され、対応する出力駆動能力を生じ、液晶表示パネルの負荷をゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）内に、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させることができる複数のソース駆動装置とを含み、
前記デジタル信号の組合わせ（ＡＰ０〜ＡＰＸ）は複数のデジタル信号の組合わせを含み、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路は、前記デジタル信号の組合わせ（ＡＰ０〜ＡＰＸ）に基づいて、複数段のシミュレート電位のバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）を生成し、各ゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）の前段に高め或いは正常なバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）を生じさせることにより、前記ソース駆動装置に十分な駆動能力を生じさせ、前記液晶表示パネルの負荷電圧を指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させ、且つ余剰のゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）で低めのバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）を生じさせて、前記ソース駆動装置に安定した駆動能力を生じさせ、
各ゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）の前段のバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）が後段のバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）より高く、各ゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）以外の保持段階のバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）はゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）の前記いずれのバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）より低いことを特徴とする低パワーソース駆動装置。
【請求項２】
各ゲートライン時間（Ｔｇａｔｅ）の終了に近づくほど、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路が生じるバイアス電流（Ｉｓｏｕｒｃｅ ｂｉａｓ）が小さくなることを特徴とする請求項１に記載の低パワーソース駆動装置。
【請求項３】
該ソース駆動装置はガンマ駆動装置とされ、それは該バイアス電流に制御されて、対応するグレーレベル電圧を生成し、さらに該グレーレベル電圧をデジタル／アナログ転換装置でデジタル信号に変換して出力し、該液晶表示パネルの負荷電圧を、あるゲートライン時間内に指定のガンマ電圧レベルまで上昇或いは下降させることを特徴とする請求項１に記載の低パワーソース駆動装置。
【請求項４】
該ガンマ駆動装置は、複数のガンマプレ駆動装置と各該ガンマプレ駆動装置の間に位置する抵抗とで構成され、前述のバイアス電流の制御を受けて、それぞれ対応するグレーレベル電圧を生成することを特徴とする請求項３に記載の低パワーソース駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はソース駆動装置に関し、特にソース駆動装置のバイアス電流をブロック毎に調整すると同時に、ガンマ電圧レベルの出力とパワー消耗の低下を達成させるソース駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
中小サイズの液晶ディスプレイは携帯情報端末や携帯電話の様な各種ハンドタイプの電子製品に広く使用されているが、ハンドタイプの電子製品の発展に伴い、液晶ディスプレイサイズへのニーズはますます高まり、電池の使用時間が殊の外重要になっている。パワー消耗はハンドタイプの電子製品の重要指標であり、低パワー消耗は電池の使用時間が長いことを意味し、ハンドタイプの電子製品の内部部品のパワー消耗が少なければ、直接且つ効率的に電池の使用時間を延ばすことができる。
【０００３】
液晶ディスプレイの駆動装置には主に二種類の駆動部品が有り、それぞれ駆動水平軸のソース駆動装置(Source Driver)と垂直軸のゲート駆動装置(Gate Driver)である。なお、現行の薄膜トランジスター液晶ディスプレイ(TFT-LCD)の製造技術は解析度が向上し、サイズが大きくなる趨勢にあり、部材の構造も一層精密且つ複雑となり、表示パネルは水平及び垂直配列となっている信号ライン(Data Line)、ゲートライン(Gate Line)の他に、さらに構造が複雑な薄膜トランジスター(TFT)や共通ライン(Common Line)などの部品も含む。
【０００４】
シングルチップの液晶駆動装置はハンドタイプの電子製品内部に散見される電子部品であり、そのパワー消耗はハンドタイプの電子製品の中で重要な比率を占めている。ハンドタイプの電子製品メーカーは全力を尽くして該シングルチップの液晶駆動装置のパワー消耗を低下させており、従来の液晶駆動装置のパワー消耗を分析すると、ソース駆動装置のパワー消耗が全体の５０％以上を占めている。
【０００５】
図１、図２では、現行の液晶駆動装置及びその駆動方法において、液晶駆動装置１０はゲートライン時間Tgate（あるゲートラインの時間）内に精確なアナログガンマ(Gamma)電圧レベルを出力するために、ソース駆動装置１１に一つの十分且つ固定したバイアス電流Isource_biasを提供して、液晶表示パネル２０の信号ライン２１上のチャネル負荷(source channel loading)２２の電圧Vsource_channelを速やかに指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させることができ、この上昇又は低下に要する時間をTrf_sourceと仮定する。また、該ゲートライン時間Tgate内に薄膜トランジスターモノマー負荷(TFT cell loading)２３に十分な反応時間を留保して、前記薄膜トランジスターモノマー負荷２３内の貯蔵容量CTFTの電圧レベルVTFTを指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させ、この上昇又は低下に要する時間をTrf_TFTと仮定する。こうして、方程式：Tgate = Trf_source + Trf_TFT  が導き出せる。
【０００６】
従来ゲートライン時間Tgate内に精確なアナログガンマ電圧レベルを出力するのは前記ソース駆動装置１１の機能であるが、液晶表示パネル２０のサイズの拡大化に伴い、各ゲートライン時間Tgateを短縮させる。このためソース駆動装置１１は出力電流の駆動能力を高めて短縮されたゲートライン時間Tgateに合わせる必要がある。従来、ソース駆動装置１１のバイアス電流Isource_biasを上げて効率的且つ直接出力電流の駆動能力を高めることができるものの、ソース駆動装置１１のバイアス電流Isource_biasを上げると液晶駆動装置１０のパワー消耗を急激に高めることとなる。
【０００７】
上記の従来の駆動装置及び方法には以下の欠点がある。
【０００８】
1.前記薄膜トランジスターモノマー負荷２３内の貯蔵容量CTFTに留保している電圧レベルVTFTが、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下する時間Trf_TFT内に、依然としてソース駆動装置１１にTrf_source時間内に等しいバイアス電流Isource_biasを供給している。しかし、このとき液晶表示パネル２０のソースチャネル負荷２２の電圧Vsource_channel  が既に９９％のVgammaのように指定したガンマ電圧レベルに達している。従って、このときソース駆動装置１１はやはり固定したバイアス電流Isource_biasを入力すると、パワー消耗を招くだけである。
【０００９】
2.ソースチャネルの電圧が指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下する時間Trf_TFT内に、前記ソース駆動装置１１に固定のバイアス電流Isource_biasを供給する。図２では、僅か前1/４のTrf_ source時間内に、ソースチャネル負荷２２の電圧Vsource_channelは激烈な一時的変化を遂げ、余剰のTrf_sourceとTrf_TFT時間に、固定のバイアス電流Isource_biasを入力すると、パワー消耗を招くだけである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、上記の欠点を解決解消するために、本発明の主たる目的はガンマ電圧レベルの出力を達成するのと同時に、液晶駆動装置のパワー消耗をも低下させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の理由により、本発明は液晶駆動装置に使用される低パワーソース駆動装置技術を提示して、ソース駆動装置のバイアス電流をブロック毎に調整すると同時に、ガンマ電圧レベルの出力とパワー消耗の低下を達成する。また、ソース駆動装置のバイアス電流のブロック数が増えるに伴い、パワー消耗をなお一層低下させることができる。
【００１２】
本発明は低パワーソース駆動装置であって、液晶表示パネルの信号ライン上のソースチャネル負荷並びに薄膜トランジスターモノマー負荷を駆動する液晶駆動装置に使用され、前記ソース駆動装置は、ゲートライン時間内に前記液晶表示パネル負荷の要求により、異なるデジタル信号の組合わせを生じ、且つ前記デジタル信号の組合わせが同一時間内に僅かに一つの１であるデジタル信号のロジックレベルを有するタイミング制御デジタル回路と、前記デジタル信号の組合せによって異なるアナログレベルのバイアス電流を生じるダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路と、前記バイアス電流を利用して対応する出力駆動能力を生じ、液晶表示パネルの負荷がゲートライン時間内に、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させることができる複数のソース駆動装置とを含む。
【００１３】
前記デジタル信号の組合わせが少なくとも二桁の信号の組合せであって、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路が前記デジタル信号の組合わせによって少なくとも二つのアナログレベルのバイアス電流を生じて、各ゲートライン時間の開始ごとに正常なバイアス電流を生じ、前記ソース駆動装置に十分な駆動能力を生じさせ、液晶表示パネルの負荷電圧を指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させ、且つ余剰のゲートライン時間で低目のバイアス電流を生じると、前記ソース駆動装置は安定した駆動能力を生じる。各ゲートライン時間の終了に近づくほど、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路が生じるバイアス電流が小さくなる。
【００１４】
本発明の別途実施態様は、複数のガンマ駆動装置と複数のデジタル/アナログ転換装置で前記ソース駆動装置と置き換えて、前記ガンマ駆動装置の数と前記液晶表示パネルのグレーレベル数が同じで、前記のバイアス電流を利用して、現そうとするグレーレベル電圧をそれぞれ生じ、さらに前記デジタル/アナログ転換装置は必要なグレーレベル電圧を前記ソースチャネル負荷に出力し、液晶表示パネルの負荷はゲートライン時間内に指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させることができる。
【００１５】
前記ガンマ駆動装置はさらに、複数のガンマプレ駆動装置が各ガンマプレ駆動装置の間に位置する抵抗と構成して前記バイアス電流を利用して、現わそうとするグレーレベル電圧をそれぞれ分圧して生じさせる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の長所はゲートライン時間内にソース駆動装置のバイアス電流をブロック毎に調整することで、同時にガンマ電圧レベルの出力とパワー消耗の低下を達成し、本発明で低ソース駆動装置の約２０％ものパワー消耗を低下させることが出来る。また、バイアス電流のブロック数が増えるに伴い、パワー消耗をなお一層低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に関連した詳細な内容及び技術説明は実際に実施例でもって説明するが、前記実施例は例示説明用に過ぎず、これを以って本発明実施の制限と解釈すべきでない旨理解しておかねばならない。
【００１８】
図３で示すように、本発明は低パワーソース駆動装置であって、液晶駆動装置１００に使用され、それによって液晶表示パネル２００の信号ライン２１０上のソースチャネル負荷２２０並びに薄膜トランジスターモノマー負荷２３０を駆動する駆動装置で、タイミング制御デジタル回路１２０はゲートライン時間Tgate内に前記液晶表示パネル２００の負荷要求により、異なるデジタル信号の組合せAP0~APXを生じ、且つ前記デジタル信号の組合せAP0~APXが同一時間内に僅かに一つの１であるデジタル信号のロジックレベルを有する。また、ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０は前記デジタル信号の組合せAP0~APXによって異なるアナログレベルのバイアス電流Isource_biasを生じ、デジタル信号AP0のロジックレベルが１である場合、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０の最高のバイアス電流Isource_biasを代表して使用し、デジタル信号APXのロジックレベルが１である場合、ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０の最低のバイアス電流を代表して使用する。そして、複数のソース駆動装置１１０は前記バイアス電流Isource_biasが前記ソース駆動装置１１０が入力するソース電圧レベルVsource_level_1  を制御して対応する出力駆動能力を生じ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０と薄膜トランジスターモノマー負荷２３０をゲートライン時間Tgate内に指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させることができる。
【００１９】
このほか、本発明の説明と合せて、前記ソース駆動装置１１０の出力端に前記液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の等価ソースチャネル抵抗Rsource_channel_1~Rsource_channel_Nと等価ソースチャネル容量Csource_channel_1~ Csource_channel_N、並びに薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の等価モノマー抵抗RTFT_ 1~ RTFT_Nと等価貯蔵容量C TFT_ 1~ CTFT_Nに接続する。
【００２０】
本発明のデジタル信号の組合せAP0~APXは、少なくとも二桁信号の組合せであって、また前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０が前記デジタル信号の組合せAP0~APXによって少なくとも二つのアナログレベルのバイアス電流Isource_bias  を生じ、各ゲートライン時間Tgateの開始毎に正常なバイアス電流Isource_bias  を生じ、前記ソース駆動装置１１０に充分な駆動能力を生じさせ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channel  を、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させ、且つ余剰のゲートライン時間Tgateで低目のバイアス電流Isource_bias  を生じると、前記ソース駆動装置１１０は安定した駆動能力を生じる。さらに各ゲートライン時間Tgateの終了に近づくほど、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０が生じるバイアス電流Isource_biasは小さくなる。
【００２１】
図４は本発明に基づく第一実施例であり、前記タイミング制御デジタル回路１２０はゲートライン時間Tgate内に、AP0~AP1の二桁信号の組合せを生じる。本実施例で、あるゲートライン時間Tgate内に前記ソース駆動装置１１０のバイアス電流Isource_biasを二ブロックに分け、それぞれ前記液晶表示パネル２００の信号ライン２１０上のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channel  を速やかに、指定したガンマ電圧レベルの時間Trf_sourceまで上昇又は低下させ、また前記薄膜トランジスターモノマー負荷２３０内の貯蔵容量C TFTの電圧レベルVTFTを指定したガンマ電圧レベルに要する時間Trf_TFTまで上昇又は低下させることができる。Trf_source時間内に、前記タイミング制御デジタル回路１２０はデジタル信号AP0のロジックレベル１とし、それにより前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に高めのバイアス電流Isource_bias  (IAP0)  を生じさせることで、ソース駆動装置１１０には充分な駆動能力が生じ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channelを９９％のガンマ電圧レベルのように、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００２２】
余剰のTrf_TFT時間内に、前記タイミング制御デジタル回路１２０がデジタル信号AP1のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に低めのバイアス電流Isource_bias  (IAP1)   を生じさせることにより、ソース駆動装置１１０に安定的な駆動能力が生じ、前記薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の電圧レベルVTFTを９９％のガンマ電圧レベルのように、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００２３】
前記ソースチャネル負荷２２０と薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の電圧Vsource_channel  とVTFT及びソース駆動装置１１０のバイアス電流Isource_biasの波形図は図５に示すように、本実施例のソース駆動装置１１０のパワー消耗（又は平均電流）P1と従来のソース駆動装置１１のパワー消耗（又は平均電流）P0との比率はおよそP1／P0= (IAP0×Trf_source + IAP1×Trf_TFT )／(IAP0× Tgate)である。
【００２４】
例示すると、Rsource_channelが8 KOhm、Csource_channelが12pF、RTFTが15 MOhm、C TFTが0.5 pFであるとすると、ゲートライン時間Tgateは50uSであり、またソース電圧を0.5Vから4.5Vに上げると、I AP0は77.1 nA、 Trf_sourceは27.2uS、 I AP1は48.7nA、Trf_TFTは22.8uSとなり、前記算式よりP1／P0 = 83.2％が求められる。
【００２５】
図６は本発明に基づく第二実施例であり、前記タイミング制御デジタル回路１２０はゲートライン時間Tgate内にAP0~AP2の三桁のデジタル信号の組合せを生じる。本実施例で、ゲートライン時間Tgate内に前記ソース駆動装置１１０のバイアス電流Isource_biasを三ブロックに区分し、前記ソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channelを、指定したガンマ電圧レベルの時間Trf_sourceまで上昇又は低下させると、(3/5)×Trf_sourceと(2/5)×Trf_sourceに分かれ、また前記薄膜トランジスターモノマー負荷２３０内の貯蔵容量C TFTの電圧レベルVTFTを、指定したガンマ電圧レベルの時間Trf_sourceまで上昇又は低下させる。(3/5)×Trf_source時間内に、前記タイミング制御デジタル回路１２０はデジタル信号AP0のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に高めのバイアス電流Isource_bias  (IAP0)   を生じさせることにより、ソース駆動装置１１０に充分な駆動能力が生じ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channelを８１.２％のガンマ電圧レベルのように、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。(2/5)×Trf_source時間内に、前記タイミング制御デジタル回路１２０がデジタル信号AP1のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に二番目に高いバイアス電流Isource_bias  (IAP1)を生じさせ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channelを９９％のガンマ電圧レベルのように、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００２６】
余剰のTrf_TFT時間内に、前記タイミング制御デジタル回路１２０がデジタル信号AP2のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に低めのバイアス電流Isource_bias  (IAP2)   を生じさせることにより、ソース駆動装置１１０に安定的な駆動能力が生じ、薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の電圧レベルVTFTを９９％のガンマ電圧レベルのように、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００２７】
前記ソースチャネル負荷２２０と薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の電圧Vsource_channel  とVTFT及びソース駆動装置１１０のバイアス電流Isource_biasの波形図が図７に示すように、本実施例のソース駆動装置１１０のパワー消耗（又は平均電流）Ｐ２と従来のソース駆動装置１１のパワー消耗（又は平均電流）Ｐ０との比率はおよそP2／P0=  (IAP0×(3/5)×Trf_source+IAP1×(2/5)×Trf_source+ IAP2×Trf_TFT )／(I AP0× Tgate)である。
【００２８】
例示すると、Rsource_channelが8 KOhm、Csource_channelが12pF、RTFTが15 MOhm、C TFTが0.5 pFであるとすると、ゲートライン時間Tgateは50uSであり、またソース電圧を0.5Vから4.5Vに上げると、I AP0は77.1 nA、 Trf_sourceは27.2uS、 I AP1は57.3nA、I AP2は48.8nA、Trf_TFTは22.8uSとなり、前記算式よりP2／P0 =77.9％が求められる。
【００２９】
こうして類推すると、ゲートライン時間Tgate内に、本発明は前記ソース駆動装置１１０のバイアス電流Isource_biasは図３に示すように複数ブロックに分かれる。ゲートライン時間Tgateの開始において、前記タイミング制御デジタル回路１２０はデジタル信号AP0のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に高めのバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、ソース駆動装置１１０に充分な駆動能力が生じ、液晶表示パネル２００のソースチャネル負荷２２０の電圧Vsource_channelを、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。ゲートライン時間Tgateの最終において、前記タイミング制御デジタル回路１２０がデジタル信号APXのロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路１３０に最低のバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、ソース駆動装置１１０に安定的な駆動能力が生じ、薄膜トランジスターモノマー負荷２３０の電圧レベルVTFTを、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００３０】
上記の実施構造では各ソースチャネルにはそれぞれのソース駆動装置１１０があり、本発明の精神並びにカテゴリーから外れない状況下で、本発明の別途実施態様では複数のガンマ駆動装置と複数のデジタル/アナログ転換装置の組合せで前記ソース駆動装置１１０と置き換えることができる。本発明の第三実施例では前記実施例と異なり、各ソースチャネルはそれぞれのソース駆動装置１１０がなく、採用した方式は、各同様のグレーレベルのソースチャネルが同一ソース駆動装置によって推し進められ、こうしたソース駆動装置をガンマ駆動装置と呼ぶ。
【００３１】
図８に示すように、本実施例は前記液晶駆動装置３００に使用され、液晶表示パネル４００の信号ライン４１０上のソースチャネル負荷４２０並びに薄膜トランジスターモノマー負荷４３０を駆動する駆動装置で、タイミング制御デジタル回路３２０とダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０及び複数のガンマ駆動装置３１０を含み、前記ガンマ駆動装置３１０の数は現わそうとするグレーレベルの数と同じで、例えばＭ個のグレーレベルにはＭ個のガンマ駆動装置３１０を有し、前記ガンマ駆動装置３１０は前記バイアス電流Isource_biasに制御され、これに対応して入力されるガンマ電圧レベルVgamma_level_1~Vgamma_level_Mはこれに対応してグレーレベル電圧G1~GMを出力する。
【００３２】
前記グレーレベル電圧G1~GMはさらに、複数のソース駆動装置となるデジタル/アナログ転換装置３４０がデジタル選択データ(GS00~GS0Y，...，GSN0~GSNY)に基づいて適切なグレーレベル電圧G1~GMを伝送し、前記液晶表示パネル４００の負荷（ソースチャネル負荷４２０と薄膜トランジスターモノマー負荷４３０）の電圧をゲートライン時間Tgate内に、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００３３】
前記タイミング制御デジタル回路３２０はゲートライン時間Tgate内に前記液晶表示パネル４００の負荷要求により、異なるデジタル信号の組合せAP0~APXを生じ、且つ前記デジタル信号の組合せAP0~APXが同一時間内に僅かに一つの１であるデジタル信号のロジックレベルを有する。また、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０は前記デジタル信号の組合せAP0~APXによって異なるアナログレベルのバイアス電流Isource_biasを生じ、デジタル信号AP0のロジックレベルが１である場合、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０の最高のバイアス電流Isource_biasを代表して使用する。
【００３４】
本実施例の操作方法は前述した技術と同様で、ゲートライン時間Tgate内に、前記ガンマ駆動装置３１０のバイアス電流Isource_biasを複数ブロックに分ける。ゲートライン時間Tgateの開始において、前記タイミング制御デジタル回路３２０はデジタル信号AP0のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０に高めのバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、各ガンマ駆動装置３１０に充分な駆動能力が生じ、液晶表示パネル４００のソースチャネル負荷４２０の電圧Vsource_channelを、指定したガンマ電圧レベルで上昇又は低下させる。ゲートライン時間Tgateの最終において、前記タイミング制御デジタル回路３２０がデジタル信号APXのロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０に最低のバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、各ガンマ駆動装置３１０に安定的な駆動能力が生じ、薄膜トランジスターモノマー負荷４３０の電圧レベルVTFTを、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００３５】
図９で本発明の第四実施例を示しているが、本実施例が前記の実施例と異なる点は、前記ガンマ駆動装置３１０では数個のガンマプレ駆動装置３１１が各ガンマプレ駆動装置３１１の間にある抵抗３１２(R1~Rk)とで構成され、つまり各同じグレーレベルのソースチャネルは同一の抵抗分圧器とソース駆動装置によって推し進められる。
【００３６】
前記電圧駆動ポイントは前記ガンマプレ駆動装置３１１と抵抗３１２の分圧で生じるが、電圧駆動ポイントの数は現わそうとするグレーレベルの数と同じである。前記ガンマプレ駆動装置３１１の数（１〜Ｚ）と分圧された抵抗３１２のサイズ数  (R1~Rk)は工程により決められる。前記ガンマプレ駆動装置３１１は前記バイアス電流Isource_biasに制御され、入力したガンマプレ電圧レベルVga_pre_level_1~ V ga_pre_level_Zにプレ電圧レベルGpre1~ GpreZ  を出力させ、前記抵抗３１２を通じて必要なグレーレベル電圧G1~GMが分圧して生じる。
【００３７】
前記グレーレベル電圧G1~GMでは、さらに複数のソース駆動装置となるデジタル/アナログ転換装置３４０がデジタル選択データ(GS00~GS0Y，...，GSN0~GSNY)に基づいて適切なグレーレベル電圧G1~GMを伝送し、前記液晶表示パネル４００の負荷（ソースチャネル負荷４２０と薄膜トランジスターモノマー負荷４３０）をゲートライン時間Tgate内に、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００３８】
前記タイミング制御デジタル回路３２０はゲートライン時間Tgate内に、前記液晶表示パネル４００の負荷要求により、異なるデジタル信号の組合せAP0~APXを生じ、且つ前記デジタル信号の組合せAP0~APXが同一時間内に僅かに一つの１であるデジタル信号のロジックレベルを有する。また、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０は前記デジタル信号の組合せAP0~APXによって異なるアナログレベルのバイアス電流Isource_biasを生じ、デジタル信号AP0のロジックレベルが１である場合、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０の最高のバイアス電流Isource_biasを代表して使用する。
【００３９】
本実施例の操作方法はゲートライン時間Tgate内に、前記ガンマプレ駆動装置３１１のバイアス電流Isource_biasを複数ブロックに分ける。ゲートライン時間Tgateの開始において、前記タイミング制御デジタル回路３２０はデジタル信号AP0のロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０に高めのバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、各ガンマプレ駆動装置３１１に充分な駆動能力が生じ、液晶表示パネル４００のソースチャネル負荷４２０の電圧Vsource_channelを、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。ゲートライン時間Tgateの最終において、前記タイミング制御デジタル回路３２０がデジタル信号APXのロジックレベルを１とし、前記ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路３３０に最低のバイアス電流Isource_biasを生じさせることにより、各ガンマプレ駆動装置３１１に安定的な駆動能力が生じ、薄膜トランジスターモノマー負荷４３０の電圧レベルVTFTを、指定したガンマ電圧レベルまで上昇又は低下させる。
【００４０】
以上の記述は本発明の好ましい実施例に過ぎず、これをもって本発明の実施範囲を限定するものではない。即ち、本発明が請求する特許範囲において為された均一的変更若しくは修正についても、全て本発明による技術の範囲内とする。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】従来のソース駆動装置が液晶ディスプレイ負荷を駆動させる概略図。
【図２】図１のソースチャネル負荷と薄膜トランジスターモノマー負荷の電圧、及びソース駆動装置のバイアス電流の波形図。
【図３】本発明のソース駆動装置が液晶ディスプレイ負荷を駆動させる概略図。
【図４】本発明の第一実施例の概略図。
【図５】図４のソースチャネル負荷と薄膜トランジスターモノマー負荷の電圧、及びソース駆動装置のバイアス電流の波形図。
【図６】本発明の第二実施例の概略図。
【図７】図６のソースチャネル負荷と薄膜トランジスターモノマー負荷の電圧、及びソース駆動装置のバイアス電流の波形図。
【図８】本発明の第三実施例の概略図。
【図９】本発明の第四実施例の概略図。
【符号の説明】
【００４２】
１０、１００、３００      液晶駆動装置
１１、１１０              ソース駆動装置
１２０、３２０            タイミング制御デジタル回路 
１３０、３３０            ダイナミック調整のソース駆動装置バイアス回路
２０、２００、４００      液晶表示パネル
２１、２１０、４１０      信号ライン
２２、２２０、４２０      ソースチャネル負荷  
２３、２３０、４３０      薄膜トランジスターモノマー負荷
３１０                    ガンマ駆動装置  
３１１                    ガンマプレ駆動装置
３１２                    抵抗  
３４０                    デジタル/アナログ転換装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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