(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に平行な複数の格子を、前記第１方向と直交する第２方向に沿って、使用する光の波長以下の周期で配置した構造層を含む偏光分離層を有する偏光分離素子であって、
前記偏光分離層は入射する光束のうち一方向に振動する偏光を全反射する屈折率条件を満たす構成より成り、
前記構造層と、その入射媒質との間、もしくは射出媒質との間の少なくとも一方に一層以上の薄膜より成る光学干渉層を有し、
前記光学干渉層は、３０ｎｍ以上、且つ、使用する光の波長以下の膜厚を有することを特徴とする偏光分離素子。
【請求項２】
前記光学干渉層は、３０ｎｍ以上、且つ、１８７ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の偏光分離素子。
【請求項３】
前記一方向と直交する方向に振動する偏光が前記偏光分離層に４３〜４７度の入射角度で入射したときの反射率が６〜１０％となるように、前記光学干渉層の膜厚が設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の偏光分離素子。
【請求項４】
互いに直交する入射偏光に対する前記構造層の等価屈折率を各々ｎ′、ｎ″、前記光学干渉層の屈折率をｎａ、前記入射媒質もしくは射出媒質の屈折率ｎｂとするとき、
【数１】
0004979549.tif 000007
なる式を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の偏光分離素子。
【請求項５】
光源手段と、光ディスクに前記光源手段からの光を導くための集光光学系と、前記光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子と前記光源手段と前記光ディスクとの間の光路中に請求項１乃至４のいずれか１項に記載の偏光分離素子が配置されていることを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項６】
光源手段と画像表示素子と、前記画像表示素子を前記光源手段からの光で照明する照明光学系と、前記照明光学系の光路中に配置した請求項１乃至４のいずれか１項に記載の偏光分離素子と、該画像表示素子に基づく画像情報を投射する投射光学系とを有していることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は偏光分離素子及びそれを有する光学機器に関する。
【０００２】
特に本発明は、撮影光学系、投影光学系（プロジェクタ）、画像処理装置、半導体製造装置、光ディスク記録再生装置（光ピックアップ装置）等の各種光学機器に好適なものである。
【背景技術】
【０００３】
従来、偏光分離素子として、屈折率が異なる２種類の媒質から成る誘電体多層膜をもちいて、偏光分離する構成のものが知られている。
【０００４】
図２は偏光分離するプリズム型の偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）の説明図である。図２に示すように、ＰＢＳ２１の誘電体多層膜２２に入射してきた偏光光のうちＰ偏光に関しては、ブリュースター角として透過し、Ｓ偏光に関しては誘電体多層膜２２の干渉による反射をさせている。
【０００５】
一般に、１つの界面を挟んで入射側の媒質の屈折率をｎ１、射出側の媒質の屈折率をｎ２とするときブリュースター角θｂは式（１）で与えられる。
【０００６】
ｔａｎθｂ＝ｎ２／ｎ１      ・・・（１）
偏光分離するには、この関係がプリズム２３の媒質および、誘電体多層膜２２を形成する複数の媒質、例えば高屈折率（Ｈ層）と低屈折率（Ｌ層）で成り立つ必要がある。そのため、プリズム２３の媒質の屈折率ｎｐと誘電体多層膜２２を形成する高屈折率層の屈折率ｎＨと低屈折率層の屈折率ｎＬとの間には、下記の関係式が成り立つ必要がある。
【０００７】
【数１】
0004979549.tif 000002
【０００８】
誘電体多層膜２２は、Ｓ偏光に関して、高屈折率層の媒質Ｈと、低屈折率層の媒質Ｌの界面の反射を用いて、多層膜干渉による反射膜として作用する。誘電体多層膜２２は２０〜４０層で構成され、これにより可視光全域に対して作用する反射膜を実現している。
【０００９】
Ｓ偏光に関しては、多層膜の層数を増やすことで角度特性や、波長特性を広く取ることができる。
【００１０】
一方、誘電体多層膜のかわりに光学異方性をもつ接着材を２つのプリズムに挟む構成の偏光分離素子が知られている（特許文献１）。
【００１１】
特許文献１は複屈折性の材料の屈折率差を用いている。このときの屈折率差は小さいが入射角６０°くらいの大きな入射角で使用することで、選択的に一方の偏光を全反射させることにより偏光分離を実現している。
【００１２】
全反射が起こるためには、臨界角θｃ以上で光を入射させる必要がある。入射側の媒質の屈折率をｎ１、出射側の媒質の屈折率をｎ２とするとき臨界角θｃは次式で与えられる。
【００１３】
ｓｉｎθｃ＝ｎ２／ｎ１    ・・・（３）
一方、偏光分離に光の波長以下の構造（格子）を利用した偏光分離素子が知られている（特許文献２）。
【００１４】
特許文献２では第１方向に平行な複数の格子を第１方向と直交する第２方向に周期的に配置した構造層を有する偏光分離層を有する偏光分離素子を開示している。
【００１５】
偏光分離素子に入射する偏光光のうち、第１方向と第２方向とに偏光成分の光を反射及び透過している。
【００１６】
特許文献２に開示されている格子を光の波長以下の周期で配置した構造層は一般的にＳＷＳ（subwave structure）と呼ばれている。
【００１７】
ＳＷＳでは構造が光の波長よりも微細なためにその構造そのものを認識できずに、一様な媒質のような特性を示す。このとき、ＳＷＳではその構造を構成する材料の屈折率とその構成比で求められる等価屈折率を持つ層として機能する。また、ＳＷＳではその周期構造を方向によって違えることで、強い異方性を持つ層として機能することも知られている。
【００１８】
特許文献２にはＳＷＳを用いた特殊な偏光分離素子では入射するＳ偏光とＰ偏光に大きな屈折率差を持たせることができる。すると、入射する一方の偏光のみ全反射する条件を満たすことができる。このため、反射の条件を優位に満たすことが可能となる。
【００１９】
例えば偏光分離層のＳＷＳ（構造層）の格子を入射平面に平行方向に周期性を持たせることで、Ｐ偏光を全反射、Ｓ偏光を透過させている。構造の周期方向を変化させることで全反射する偏光を調整することもできる。
【００２０】
ここで提示された構造は、ブリュースター角を利用する誘電体多層膜の偏光分離素子に比べて入射角特性に優れている。
【特許文献１】特開平０３−１７４５０２号公報
【特許文献２】特開２００５−７７８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
一般的な光学干渉を用いた誘電体多層膜を用いた偏光分離素子では偏光分離にブリュースター角を使用している。このため、入射角度特性や広帯域特性が劣る傾向がある。また、一方の偏光特性に対して設計すると、他方の偏光への影響が無視できず設計が非常に煩雑になってくるという課題があった。
【００２２】
特許文献２に開示されているＳＷＳ構造より成る偏光分離素子はＳ偏光とＰ偏光を効果に分離することができる。
【００２３】
しかしながら特許文献２の偏光分離素子は入射角度に対する反射率特性（入射角度特性）の変化が大きくなる傾向があった。
【００２４】
このため偏光分離素子を例えば光ピックアップ装置に用いると、モニタ用の光検出器に入射する光量を検出して光ディスクに入射する光量を調整するのが難しくなる傾向があった。
【００２５】
又、所定の偏光成分の光を広い波長域にわたり、任意に調整し、広帯域特性を良好に維持することが困難であった。
【００２６】
本発明は、互いに直交する方向に偏光する偏光光のうち、一方向に偏光した偏光光の反射光量、透過光量を、入射角度特性及び広帯域特性に優れた状態で任意に調整することができる偏光分離素子及びそれを有する光学機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の偏光分離素子は、第１方向に平行な複数の格子を、前記第１方向と直交する第２方向に沿って、使用する光の波長以下の周期で配置した構造層を含む偏光分離層を有する偏光分離素子であって、前記偏光分離層は入射する光束のうち一方向に振動する偏光を全反射する屈折率条件を満たす構成より成り、前記構造層と、その入射媒質との間、もしくは射出媒質との間の少なくとも一方に一層以上の薄膜より成る光学干渉層を有し、前記光学干渉層は、３０ｎｍ以上、且つ、使用する光の波長以下の膜厚を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、一方の偏光は全反射を利用することで効率的に反射し、かつもう一方の偏光は独立に設計できる。このために反射・透過光量を任意に調整でき、かつ入射角度特性や広帯域特性に優れた偏光分離素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、本発明の偏光分離素子及びそれを有する光学機器の一例として光ピックアップ装置と画像投射装置の実施例を図面とともに説明する。
【００３０】
本発明の偏光分離素子は、第１方向ＴＥに平行な複数の格子を、第１方向と直交する第２方向ＴＭに沿って、使用する光の波長（例えば３５０ｎｍ〜９００ｎｍ）以下の周期で配置した構造層（ＳＷＳ格子）、（ＳＷＳ層）を含む偏光分離層を有している。
【００３１】
偏光分離層は入射する光束のうち一方向に振動する偏光を全反射する屈折率条件を満たす構成より成っている。
【００３２】
又、偏光分離層は一方向と直交する他方向に振動する偏光の一部を反射、残りを透過する
機能を有している。
【００３３】
そして構造層と、その入射媒質との間、もしくは射出媒質との間の少なくとも一方に一層以上の薄膜より成る光学干渉層を有している。
【００３４】
図１は本発明の実施例１の偏光分離素子１０の構成の要部断面図である。図１において１１は入射プリズム（入射媒質）である。
【００３５】
１６は偏光分離層である。１５は射出側プリズム（射出媒質）である。
【００３６】
偏光分離層１６である。１５は出射側プリズム（出射媒質）である。偏光分離層１６はＳＷＳ層（ＳＷＳ格子）より成る構造層１３と、構造層１３の光入射側に光学干渉層１２と光出射側に光学干渉層１４を有している。
【００３７】
偏光分離層１６は入射プリズム１１の入射面１１ａに対して４５°傾いている。
【００３８】
図３は構造層１３の要部斜視図である。構造層１３は空気と誘電体媒質が一次元的に交互に繰り返す矩形格子構造となっている。
【００３９】
構造層１３は第１方向ＴＥに平行な複数の格子３１を、第１方向ＴＥと直交する第２方向ＴＭに、使用する光の波長以下の周期で配置している。構造層１３は図３に示す構成のように、一方の材料は空気（屈折率ｎ２）でもう一方の材料（屈折率ｎ１）が矩形格子状になっている構造が望ましい。
【００４０】
図３の構造層１３は、屈折率ｎ１、ｎ２の媒質（格子）がａ：ｂの比（ピッチ）で繰り返す｛フィリングファクターｆ＝ａ／（ａ＋ｂ）｝矩形格子において、格子３１と平行な方向をＴＥ、格子と直交する方向をＴＭとしている。このときＴＥ方向とＴＭ方向での等価屈折率は式（４）、（５）で表される。
【００４１】
【数２】
0004979549.tif 000003
【００４２】
【数３】
0004979549.tif 000004
【００４３】
尚、本実施例において適用可能な構造層１３は、例えば図６に示すように格子６１がＴＥ方向に分離した格子状になっていてもよい。
【００４４】
また、構造層１３に入射する一方の偏光の等価屈折率をｎＴと入射プリズム１１の媒質の屈折率をｎ１とする。
【００４５】
このとき臨界角θｃは
ｓｉｎθｃ＝ｎＴ／ｎ１      ・・・（３ａ）
となる。
【００４６】
光束ＬＦのうち一方の偏光は、臨界角θｃ以上の入射角θで入射している。
【００４７】
即ち、
ｓｉｎ−１ｎＴ／ｎ１＜θ      ・・・（３ｂ）
となるようにしている。
【００４８】
これにより、入射する一方の偏光は構造層１３で全反射する。
【００４９】
図４、図５は偏光分離素子１０の構造物１３と入射光を偏光分離するときの概念図である。
【００５０】
偏光分離素子１０は構造層１３が入射平面（図１の紙面内）法線方向（図１の紙面垂直方向）に周期的な構造の場合（図５）は入射光束ＬＦのうちＳ偏光を反射、Ｐ偏光を透過させる素子となる。
【００５１】
又、構造物１３が入射平面（図１の紙面）の面内方向に周期的な構造の場合（図４）は入射光束ＬＦのうちＳ偏光を透過、Ｐ偏光を反射させる素子となる。
【００５２】
本実施例では、等価屈折率ｎＴと構造物１３の格子の周期、フィリングファクター、周期方向により任意に決定している。これにより、入射する一方の偏光は構造物１３で全反射する条件を満たすようにしている。
【００５３】
本実施例の偏光分離素子１０は一方の偏光を全反射させることにより、効率のよい偏光分離が可能となっている。
【００５４】
しかし、一般的に偏光分離層１６の境界面近傍の極めて微小な領域において、エバネセント波という光がしみ出ていることが知られている。この光の到達領域に誘電率の高い媒質があると、全反射条件を満たしていても光が透過してしまい効率が低下する。この現象は全反射減衰(atteenuated  total  reflection:ATR)と呼ばれている。エバネセント波の透過を軽減するためには、全反射条件を満たす構造層１３はある一定以上の厚みがあることが望ましい。具体的には、この構造層１３の厚みは１５０ｎｍ以上（より好ましくは３００ｎｍ以上）であることが望ましい。
【００５５】
また、図１に示す偏光分離層１６には構造層１３とそれを挟み込むプリズム１１、１５との間に均質な光学干渉層１２、１４が導入されている。この光学干渉層１２、１４は光の干渉を利用する程度の膜厚をもっており、即ち、使用する光の波長以下の膜厚を有しており、誘電体などで構成される均質な層である。具体的には、この光学干渉層１２、１４の厚みは、３０ｎｍ以上（より好ましくは６０ｎｍ以上）であることが望ましい。また後述する表−３の値より１８７ｎｍ以下であることが望ましい。
【００５６】
本実施例では各入射偏光に対する構造層１３の等価屈折率を各々ｎ′、ｎ″、光学干渉層１２、１４の屈折率をｎａ、入射媒質１１もしくは射出媒質１５の屈折率ｎｂとする。
【００５７】
このとき、
【００５８】
【数４】
0004979549.tif 000005
【００５９】
なる式を満たしている。
【００６０】
入射する偏光ＬＦのうち一方（偏光Ａ）は構造層１３により全反射する条件を満たす。つまり光学干渉層１２、１４が導入されても偏光Ａに関しては構造層１３で全反射する。一方、透過を主とする偏光Ａと偏光面が直交する偏光（偏光Ｂ）は構造層１３では屈折率が異なるために全反射はしない。
【００６１】
つまり、光学干渉層１２、１４は偏光Ａにはほとんど作用せず、偏光Ｂにのみ影響する。これを踏まえると、光学干渉層１２、１４は偏光Ｂのみを考えて設計することが可能となる。また、偏光Ａ、Ｂは偏光分離素子１０の設計次第でＳ、Ｐ偏光のどちらにも成りうるため、構成として望ましいほうを選択できる。
【００６２】
以下に本発明の実施例と比較例を設計値とともに示す。ただし、本発明の実施例はこれらの記述に何ら限定されるものではない。表−１に図７に示すピックアップ装置に用いるための設計基準１を示す。表−２に通常の偏光分離素子として用いるための設計基準２を示す。
【００６３】
表３に本発明の各実施例と比較例の数値実施例を示す。
【００６４】
[比較例１]
本発明の偏光分離素子の比較例１の偏光特性を図８に示す。ここでは表−１の設計基準１を用いた。比較例１の偏光分離層は構造層のみからなっており、光学干渉層を有していない。このとき偏光ＡはＳ偏光、偏光ＢはＰ偏光である。図８を見ると、構造層のみでも異方性によりＳ偏光とＰ偏光で特性が分かれていることがわかる。
【００６５】
ただし、両者とも入射角度に対する反射率特性の変動が大きい。Ｓ偏光はＡＴＲによって特性が悪化している。それを改善しようと構造層の厚みを増すとＰ偏光の特性が長波長側にシフトしてしまう。そのため、両者をバランスよく設計することが難しい。
【００６６】
[比較例２]
本発明の偏光分離素子の比較例２の偏光特性を図９に示す。ここでは表−２の設計基準２を用いた。比較例２の偏光分離層は誘電体多層膜からなっており、高屈折率層、低屈折率層が２５層積層された構成である。このとき、Ｓ偏光は主として反射し、Ｐ偏光は主として透過する。
【００６７】
これをみると、４５度入射の条件では高性能を示すが、入射角度が４５度より５度変化するだけで特性が大幅に変化することがわかる。光学干渉のみを用いているため、その干渉の条件から外れるような入射角度特性や広帯域特性を得ることは難しい。
【実施例１】
【００６８】
本発明の偏光分離素子の実施例１の偏光特性を図１０に示す。ここでは設計基準１を用いた。実施例１に係る偏光分離層は構造層と入射媒質側と射出媒質側の両方に光学干渉層が形成されている構成になっている。
【００６９】
このとき偏光ＡはＳ偏光、偏光ＢはＰ偏光である。図１０を見ると、図８の比較例１に比べてＳ偏光、Ｐ偏光ともに設計基準１内に収まっていることがわかる。これは、Ｓ偏光へのＡＴＲの影響が少ない範囲まで厚膜化しても、Ｐ偏光は両光学干渉層によってよく補正されているためである。
【実施例２】
【００７０】
本発明の偏光分離素子の実施例２の偏光特性を図１１に示す。ここでは設計基準１を用いた。実施例２に係る偏光分離層は構造層と射出媒質側にのみ光学干渉層が形成されている構成になっている。
【００７１】
このとき偏光ＡはＰ偏光、偏光ＢはＳ偏光である。ＡＴＲの効果を予防するために構造層を十分に厚くした。それにより、Ｐ偏光は設計基準を満足した。またS偏光のみに対して光学干渉層を最適かすることで、より簡単な構成で設計基準１を満足していることがわかる。
【実施例３】
【００７２】
本発明の偏光分離素子の実施例３の偏光特性を図１２に示す。ここでは設計基準１を用いた。実施例３に係る偏光分離層は構造層と入射媒質側と射出媒質側の両方に光学干渉層が形成されている構成になっている。
【００７３】
このとき偏光ＡはＰ偏光、偏光ＢはＳ偏光である。ただし、射出媒質側の光学干渉層１４は２層構成となっている。これにより、実施例１、２に比べてもより入射角度に対して安定な特性が得られていることがわかる。
【実施例４】
【００７４】
本発明の偏光分離素子の実施例４の偏光特性を図１３に示す。ここでは設計基準２を用いた。実施例４の偏光分離層は構造層と射出媒質側にのみ光学干渉層が形成されている構成になっている。
【００７５】
このとき、Ｓ偏光は主として透過し、Ｐ偏光は主として反射する。図１３の特性を見ると４５度入射で良くＳ偏光と、Ｐ偏光が分離している様子がわかる。
【００７６】
また、入射角度が変化した場合でも、特性が比較的安定なことがわかる。これは、一方の偏光（ここではＰ偏光）が全反射を利用しているために入射角度が変化しても特性への影響が少ないためである。
【００７７】
また、もう一方の偏光（ここではＳ偏光）も構造層と光学干渉層によってその偏光のみに最適化しているために、比較的安定な特性が得られている。また、構造層を任意に調整することで、反射偏光と透過偏光を逆転させることも可能である。
【００７８】
以上のように各実施例では偏光分離層を構成する構造層（ＳＷＳ格子構造）に光学干渉層（薄膜）を組み合わせて偏光分離素子を構成している。
【００７９】
これにより、一方の偏光は全反射で制限し、もう一方の偏光のみをターゲットにできる。このため自由度の高い設計が可能となる。これにより、簡易な構造で透過効率を任意に制御可能な偏光分離素子が得られる。
【００８０】
【表１】
0004979549.tif 000006
【００８１】
次に本発明の偏光分離素子を利用した光学機器に光学ディスクの記録／再生装置および再生装置用の光ピックアップ装置について説明する。この種のピックアップ装置では、光源手段としてたとえば半導体レーザダイオード等のレーザ光源を用いている。そしてレーザ光の受光部、そしてレーザ光を導く光学系等を有している。
【００８２】
図７は本発明の偏光分離素子を有する光ディスク用のピックアップ装置(光ディスク記録再生装置)の光源とその周辺の光学系の概略図である。
【００８３】
光源手段７１からの光束は偏光板７１ａを介して偏光方向が揃えられて偏光分離素子７２に入射する。偏光光の一部は偏光分離素子７２で反射され、集光レンズ（集光光学系）７３を介し受光器（受光素子）７４でモニタリングされる。偏光分離素子７２は光源手段７１と光ディスク７７との間に配置されている。
【００８４】
それに対し、残りの偏光光は偏光分離素子７２で透過し、位相板７８を介し集光レンズ７５で光学ディスク７７に結像する。光ディスク７７で光変調された反射光は位相板７８で偏光が回転し、偏光分離素子７２に再度入射するときは偏光が９０度回転した状態になる。その偏光は偏光分離素子７２で全反射し、信号（再生信号光）検出用の受光器７６で検知される。
【００８５】
図１４は本発明の偏光分離素子を有する画像投射装置の実施例１の要部概略図である。
【００８６】
光源手段２からの光束は照明手段（照明光学系）３を介して所定の偏光方向の光を偏光分離素子１に入射する。偏光分離素子１で所定の偏光方向の偏光光の一部は反射され、フォトディテクタ（検出手段）４でモニタリング（検出）される。偏光分離素子１は照明手段３の光路中に配置されている。
【００８７】
偏光分離素子１を通過した偏光光は、反射型の画像表示素子（例えば液晶パネル）（パネル）５に入射し、画像情報に基づいて光変調される。
【００８８】
画像表示素子５で光変調され、入射時では偏光方向が９０度回転した光は偏光分離素子１で全反射され、投射光学系Ｐｒに入射する。
【００８９】
投射光学系Ｐｒは単板式のパネル５の画像情報をスクリーンＳに投射している。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の偏光分離素子の要部断面図
【図２】一般的な偏光分離素子の要部斜視図
【図３】ＳＷＳの構成例の模式図
【図４】ＳＷＳの強い異方性を用いて全反射を利用した偏光分離素子の概略図
【図５】ＳＷＳの強い異方性を用いて全反射を利用した偏光分離素子の概略図
【図６】ＳＷＳの構成例の模式図
【図７】本発明の偏光分離素子を用いた光ピックアップ装置の要部概略図
【図８】比較例１の波長４０７ｎｍ光の入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図９】比較例２の波長４００〜７００ｎｍ光の各入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図１０】実施例１の波長４０７ｎｍ光の入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図１１】実施例２の波長４０７ｎｍ光の入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図１２】実施例３の波長４０７ｎｍ光の入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図１３】実施例４の波長４００〜７００ｎｍ光の各入射角度に対する反射率の特性。左図はＳ偏光、右図はＰ偏光を表している
【図１４】本発明の画像投射装置の要部概略図
【符号の説明】
【００９１】
１、１０、７２    偏光分離素子
２、７１    光源手段
３    照明光学系
４、７４、７６    検出器
５    画像表示素子
１１    入射側プリズム
１２、１４    光学干渉層
１３    構造物
１５    出射側プリズム
１６    偏光分離層
２１    偏光ビームスプリッター
２２    誘電体多層膜
２３    プリズム
３１、６１    格子
７３、７５    集光レンズ
７７    光ディスク
Ｐｒ    投射レンズ
Ｓ    スクリーン
【図１】
0004979549.tif 000008
【図２】
0004979549.tif 000009
【図３】
0004979549.tif 000010
【図４】
0004979549.tif 000011
【図５】
0004979549.tif 000012
【図６】
0004979549.tif 000013
【図７】
0004979549.tif 000014
【図８】
0004979549.tif 000015
【図９】
0004979549.tif 000016
【図１０】
0004979549.tif 000017
【図１１】
0004979549.tif 000018
【図１２】
0004979549.tif 000019
【図１３】
0004979549.tif 000020
【図１４】
0004979549.tif 000021