(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
前記固定部から延出して前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が前記固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
前記複数の第１のスイッチング素子は、第１の列をなし、各第１のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は入力端子を構成し、
前記複数の第２のスイッチング素子は、前記第１の列に沿って延びる第２の列をなし、各第２のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記第２固定信号電極は、前記第１および第２の列の間に配された共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
【請求項２】
前記共通化配線パターンは、前記第１および第２の列の間において当該列に沿って延びる第１パターン、および、当該第１パターンと各スイッチング素子の前記第２固定信号電極とを連絡する第２パターンを有する、請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項３】
複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
前記複数のスイッチング素子は環状配置され、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
前記固定部から延出して前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が前記固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
各第１のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は入力端子を構成し、
各第２のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記第２固定信号電極は、共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
【請求項４】
前記共通化配線パターンは、中央ランド部、および、当該中央ランド部と各スイッチング素子の前記第２固定信号電極とを連絡する連絡パターンを有する、請求項３に記載のスイッチング装置。
【請求項５】
複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
前記複数のスイッチング素子は環状配置され、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
可動ランド部、および、当該可動ランド部および前記固定部の間を連結する第１梁部および第２梁部を有して、前記固定部から前記環状配置の外側に向かって前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定信号電極と、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
各第１のスイッチング素子の前記固定信号電極は入力端子を構成し、
各第２のスイッチング素子の前記固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記可動信号電極は、各スイッチング素子の前記第１梁部上を通る部位を有する共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
【請求項６】
前記可動信号電極は、前記可動駆動電極よりも、前記環状配置における内側に配されている、請求項５に記載のスイッチング装置。
【請求項７】
複数のＲＦ回路と、
複数のアンテナと、
前記複数のＲＦ回路のうちの一つを選択し且つ前記複数のアンテナのうちの一つを選択して当該ＲＦ回路および当該アンテナを接続するための、請求項１から６のいずれか一つに記載のスイッチング装置と、を備える通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ技術を利用して製造される微小なスイッチング素子を備えるスイッチング装置、スイッチング装置を構成するためのスイッチング素子、および、スイッチング装置を備える通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話など無線通信機器の技術分野では、高機能を実現するために搭載される部品の増加などに伴い、ＲＦ回路の小型化に対する要求が高まっている。このような要求に応えるべく、回路を構成する様々な部品について、ＭＥＭＳ（micro-electromechanical systems）技術の利用による微小化が進められている。
【０００３】
そのような部品の一つとして、ＭＥＭＳスイッチが知られている。ＭＥＭＳスイッチは、ＭＥＭＳ技術により各部位が微小に形成されたスイッチング素子であり、機械的に開閉してスイッチングを実行するための少なくとも一対のコンタクトや、当該コンタクト対の機械的開閉動作を達成するための駆動機構などを有する。ＭＥＭＳスイッチは、特にＧＨｚオーダーの高周波信号のスイッチングにおいて、ＰＩＮダイオードやＭＥＳＦＥＴなどよりなるスイッチング素子よりも、開状態にて高いアイソレーションを示し且つ閉状態にて低い挿入損失を示す傾向にある。これは、コンタクト対間の機械的開離により開状態が達成されることや、機械的スイッチであるために寄生容量が少ないことに、起因する。ＭＥＭＳスイッチについては、例えば下記の特許文献１〜５に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４‐１１８６号公報
【特許文献２】特開２００４‐３１１３９４号公報
【特許文献３】特開２００５‐２９３９１８号公報
【特許文献４】特表２００５‐５２６４３３号公報
【特許文献５】特表２００５‐５２８７５１号公報
【０００５】
一方、複数の入力端子および複数の出力端子を備えるｍＰｎＴ（m-Pole n-through，ｍ入力ｎ出力）型のスイッチング装置が知られている。例えば、携帯電話などの通信機器の技術分野においては、通信周波数のマルチバンド化に対応すべく、ｍＰｎＴ型のスイッチング装置の実用化に対する要求がある。マルチバンド対応の通信機器では、ｍＰｎＴ型スイッチング装置により、複数のアンテナと複数のＲＦモジュールとの間の接続関係が通信周波数に応じて切り替えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなｍＰｎＴ型スイッチング装置を、複数の上述のＭＥＭＳスイッチを用いて構成することが考えられる。複数のＭＥＭＳスイッチを用いてｍＰｎＴ型スイッチング装置を構成する場合、ＭＥＭＳスイッチ（スイッチング素子）間を配線パターンで接続する必要があるところ、装置を構成するスイッチング素子の数が増大するほど、装置全体の小型化を図りつつ素子間の配線長ないし導電経路を短く設定することが困難となる傾向がある。素子間の導電経路が長いほど、当該スイッチング装置を通過する信号の損失が大きい。
【０００７】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、複数の入力端子および複数の出力端子を有して小型化および低損失化を図るのに適したスイッチング装置、そのようなスイッチング装置を構成するのに適したスイッチング素子、および、そのようなスイッチング装置を備える通信機器を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面によると、複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置が提供される。このスイッチング装置における各スイッチング素子は、ベース基板に接合している固定部と、固定部から延出してベース基板に沿って延びる可動部と、可動部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、可動部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、可動駆動電極に対向する部位を有し且つ固定部に接合している固定駆動電極とを備える。複数の第１のスイッチング素子は、第１の列をなし、各第１のスイッチング素子の第１固定信号電極は入力端子を構成する。複数の第２のスイッチング素子は、第１の列に沿って延びる第２の列をなし、各第２のスイッチング素子の第１固定信号電極は出力端子を構成する。複数のスイッチング素子の第２固定信号電極は、第１および第２の列の間に配された共通化配線パターンによって電気的に接続されている。
【０００９】
本スイッチング装置では、複数の第１のスイッチング素子における複数の第１固定信号電極が本装置の複数の入力端子であり、複数の第２のスイッチング素子における複数の第１固定信号電極が本装置の複数の出力端子であり、当該複数の入力端子と当該複数の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一の第１のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一の第２のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該第１のスイッチング素子の第１固定信号電極のなす入力端子と、当該第２のスイッチング素子の第１固定信号電極のなす出力端子とが電気的に接続されて（選択された両スイッチング素子の第２固定信号電極は共通化配線パターンによって電気的に接続されている）、当該第１および第２のスイッチング素子間がオン状態となり、第１および第２のスイッチング素子の他の組み合わせについてはオフ状態となる。
【００１０】
また、本スイッチング装置では、複数（ｍ）の第１のスイッチング素子の第２固定信号電極と複数（ｎ）の第２のスイッチング素子の第２固定信号電極との間を接続する共通化配線パターンにおいてｍ×ｎ通りの導電経路が存在するところ、装置の入力端子としての第１固定信号電極を有する第１のスイッチング素子群と、装置の出力端子としての第１固定信号電極を有する第２のスイッチング素子群とが、各々一列をなして、共通化配線パターンを介して対向配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、ｍ×ｎ通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、スイッチング素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、本スイッチング装置は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００１１】
本発明の第１の側面において、好ましくは、共通化配線パターンは、第１のスイッチング素子群のなす第１の列および第２のスイッチング素子群のなす第２の列の間において当該列に沿って延びる第１パターン、および、当該第１パターンと各スイッチング素子の第２固定信号電極とを連絡する第２パターンを有する。このような構成は、複数の第１のスイッチング素子と複数の第２のスイッチング素子との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化かつ均一化を図るのに適する。
【００１２】
好ましくは、複数の第１のスイッチング素子の固定駆動電極は共通化されている。また、好ましくは、複数の第２のスイッチング素子の固定駆動電極は共通化されている。これらの構成は、装置の小型化を図るうえで好適である。
【００１３】
本発明の第２の側面によると、複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなる別のスイッチング装置が提供される。このスイッチング装置における複数のスイッチング素子は環状配置され、各スイッチング素子は、ベース基板に接合している固定部と、固定部から延出してベース基板に沿って延びる可動部と、可動部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、可動部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、可動駆動電極に対向する部位を有し且つ固定部に接合している固定駆動電極とを備える。各第１のスイッチング素子の第１固定信号電極は入力端子を構成する。各第２のスイッチング素子の第１固定信号電極は出力端子を構成する。複数のスイッチング素子の第２固定信号電極は、共通化配線パターンによって電気的に接続されている。
【００１４】
本スイッチング装置では、複数の第１のスイッチング素子における複数の第１固定信号電極が本装置の複数の入力端子であり、複数の第２のスイッチング素子における複数の第１固定信号電極が本装置の複数の出力端子であり、当該複数の入力端子と当該複数の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一の第１のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一の第２のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該第１のスイッチング素子の第１固定信号電極のなす入力端子と、当該第２のスイッチング素子の第１固定信号電極のなす出力端子とが電気的に接続されて（選択された両スイッチング素子の第２固定信号電極は共通化配線パターンによって電気的に接続されている）、当該第１および第２のスイッチング素子間がオン状態となり、第１および第２のスイッチング素子の他の組み合わせについてはオフ状態となる。
【００１５】
また、本スイッチング装置では、複数（ｍ）の第１のスイッチング素子の第２固定信号電極と複数（ｎ）の第２のスイッチング素子の第２固定信号電極との間を接続する共通化配線パターンにおいてｍ×ｎ通りの導電経路が存在するところ、装置の入力端子としての第１固定信号電極を有する第１のスイッチング素子群と、装置の出力端子としての第１固定信号電極を有する第２のスイッチング素子群とが、一の環（例えば円環）をなすように配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、ｍ×ｎ通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、スイッチング素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、本スイッチング装置は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００１６】
本発明の第２の側面において、好ましくは、共通化配線パターンは、中央ランド部、および、当該中央ランド部と各スイッチング素子の第２固定信号電極とを連絡する連絡パターンを有する。このような構成は、複数の第１のスイッチング素子と複数の第２のスイッチング素子との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化かつ均一化を図るのに適する。
【００１７】
本発明の第３の側面によると、複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなる別のスイッチング装置が提供される。このスイッチング装置における複数のスイッチング素子は環状配置され、各スイッチング素子は、ベース基板に接合している固定部と、可動ランド部、および、当該可動ランド部および固定部の間を連結する第１梁部および第２梁部を有して、固定部から環状配置の外側に向かってベース基板に沿って延びる可動部と、可動ランド部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、可動信号電極に対向する部位を有し且つ固定部に接合している固定信号電極と、可動ランド部におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、可動駆動電極に対向する部位を有し且つ固定部に接合している固定駆動電極とを備える。各第１のスイッチング素子の固定信号電極は入力端子を構成する。各第２のスイッチング素子の固定信号電極は出力端子を構成する。複数のスイッチング素子の可動信号電極は、各スイッチング素子の第１梁部上を通る部位を有する共通化配線パターンによって電気的に接続されている。
【００１８】
本スイッチング装置では、複数の第１のスイッチング素子における複数の固定信号電極が本装置の複数の入力端子であり、複数の第２のスイッチング素子における複数の固定信号電極が本装置の複数の出力端子であり、当該複数の入力端子と当該複数の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一の第１のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一の第２のスイッチング素子の固定駆動電極および可動駆動電極の間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該第１のスイッチング素子の固定信号電極のなす入力端子と、当該第２のスイッチング素子の固定信号電極のなす出力端子とが電気的に接続されて（選択された両スイッチング素子の可動信号電極は共通化配線パターンによって電気的に接続されている）、当該第１および第２のスイッチング素子間がオン状態となり、第１および第２のスイッチング素子の他の組み合わせについてはオフ状態となる。
【００１９】
また、本スイッチング装置では、複数（ｍ）の第１のスイッチング素子の可動信号電極と複数（ｎ）の第２のスイッチング素子の可動信号電極との間を接続する共通化配線パターンにおいてｍ×ｎ通りの導電経路が存在するところ、装置の入力端子としての固定信号電極を有する第１のスイッチング素子群と、装置の出力端子としての固定信号電極を有する第２のスイッチング素子群とが、一の環（例えば円環）をなすように配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、ｍ×ｎ通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、スイッチング素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、本スイッチング装置は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００２０】
本発明の第３の側面において、可動信号電極は、可動駆動電極よりも、環状配置における内側に配されている。このような構成は、複数の第１のスイッチング素子と複数の第２のスイッチング素子との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化を図るのに適する。
【００２１】
好ましくは、共通化配線パターンは、中央ランド部、および、当該中央ランド部と各スイッチング素子の可動信号電極とを連絡する連絡パターンを有する。このような構成は、複数の第１のスイッチング素子と複数の第２のスイッチング素子との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化かつ均一化を図るのに適する。
【００２２】
本発明の第２および第３の側面において、好ましくは、複数のスイッチング素子の固定駆動電極は共通化されている。このような構成は、装置の小型化を図るうえで好適である。
【００２３】
本発明の第１から第３の側面において、複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子の数は合計５以上である。
【００２５】
本発明の第４の側面において、好ましくは、可動信号電極は、可動駆動電極よりも第１および第２梁部寄りに配されている。
【００２６】
本発明の第５の側面によると通信機器が提供される。この通信機器は、複数のＲＦ回路と、複数のアンテナと、複数のＲＦ回路のうちの一つを選択し且つ複数のアンテナのうちの一つを選択して当該ＲＦ回路および当該アンテナを接続するための、第１から第３の側面に係るスイッチング装置のうちいずれか一つのスイッチング装置とを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るスイッチング装置Ｘ１の平面図である。スイッチング装置Ｘ１は、ベース基板上に一体的に設けられた複数のスイッチング素子Ｙ、共通化配線パターンＷ、およびバンプＢを備える。
【００２８】
図３から図７は、スイッチング装置Ｘ１を構成するスイッチング素子Ｙの単体を表す。図３は、スイッチング素子Ｙの平面図であり、図４は、スイッチング素子Ｙの一部省略平面図である。図５から図７は、各々、図３の線V−V、線VI−VI、および線VII−VIIに沿った断面図である。
【００２９】
スイッチング素子Ｙは、固定部１１と、可動部１２と、信号電極１３と、一対の信号電極１４（図４では仮想線で表す）と、駆動電極１５と、駆動電極１６（図４では仮想線で表す）とを備える。
【００３０】
固定部１１は、図５から図７に示すように、境界層１７を介してベース基板Ｓに接合している。また、固定部１１は、単結晶シリコンなどのシリコン材料よりなる。固定部１１を構成するシリコン材料は、１０００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有するのが好ましい。境界層１７は例えば二酸化シリコンよりなる。
【００３１】
可動部１２は、例えば図４または図７に表れているように、固定部１１から延出してベース基板Ｓに沿って延び、スリット１８を介して固定部１１に囲まれている。可動部１２について図５および図６に示す厚さＴ1は例えば１５μｍ以下である。また、可動部１２について、図４に示す長さＬ1は例えば６５０〜１０００μｍであり、長さＬ2は例えば２００〜４００μｍである。スリット１８の幅は例えば１.５〜２.５μｍである。可動部１２は、例えば単結晶シリコンよりなる。
【００３２】
信号電極１３は、可動信号電極であり、図４によく表れているように、可動部１２におけるベース基板Ｓとは反対の側にて、可動部１２の自由端近くに設けられている。信号電極１３の厚さは例えば０.５〜２μｍである。信号電極１３は、所定の導電材料よりなり、例えば、Ｍｏ下地膜とその上のＡｕ膜とからなる積層構造を有する。
【００３３】
一対の信号電極１４は、各々、固定信号電極であり、図５または図７に示すように、固定部１１上に立設されており且つ信号電極１３に対向する部位を有する。信号電極１３に対向する部位において、信号電極１４は突起部１４ａを有する。信号電極１４の構成材料としては、Ａｕを採用することができる。
【００３４】
駆動電極１５は、可動駆動電極であり、図４によく表れているように、可動部１２におけるベース基板Ｓとは反対の側に設けられている。駆動電極１５の厚さは例えば０.５〜２μｍである。駆動電極１５の構成材料としては、信号電極１３の構成材料と同一のものを採用することができる。この駆動電極１５は、固定部１１上および可動部１２上にわたって設けられた配線パターン１９と電気的に接続されている。
【００３５】
駆動電極１６は、固定駆動電極であり、駆動電極１５との間に静電引力（駆動力）を発生させるためのものであり、図６によく表れているように、その両端が固定部１１に接合して駆動電極１５の上方を跨ぐように立設されている。駆動電極１６の厚さは例えば１５μｍ以上である。駆動電極１６の構成材料としては、信号電極１４の構成材料と同一のものを採用することができる。
【００３６】
スイッチング素子Ｙにおいて、駆動電極１５に電位を付与すると、駆動電極１５，１６間には静電引力が発生する。付与電位が充分に高い場合、可動部１２は、図８に示すように、信号電極１３が信号電極１４の突起部１４ａに当接するまで動作ないし弾性変形する。このようにして、スイッチング素子Ｙの閉状態が達成される。閉状態においては、信号電極１３により一対の信号電極１４が電気的に橋渡しされ、電流ないし高周波信号が信号電極１４間を通過することが許容される。
【００３７】
一方、閉状態にあるスイッチング素子Ｙにおいて、駆動電極１５に対する電位付与を停止することによって駆動電極１５，１６の間に作用する静電引力を消滅させると、可動部１２はその自然状態に復帰し、信号電極１３は、信号電極１４の突起部１４ａから離隔する。このようにして、図５および図７に示すような、スイッチング素子Ｙの開状態が達成される。開状態では、一対の信号電極１４が電気的に分離され、電流ないし高周波信号が信号電極１４間を通過することは阻まれる。また、このような開状態にあるスイッチング素子Ｙについては、上述したスイッチオン動作によって再び閉状態ないしオン状態に切り替えることが可能である。
【００３８】
スイッチング装置Ｘ１は、以上のような構成を有する５個のスイッチング素子Ｙが実質的に一体化された構成を含む。５個のスイッチング素子Ｙは、２個のスイッチング素子Ｙ１および３個のスイッチング素子Ｙ２からなる。
【００３９】
２個のスイッチング素子Ｙ１は、並列し、各スイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４は、スイッチング装置Ｘ１の入力端子を構成する。また、スイッチング素子Ｙ１の駆動電極１６は共通化されている。これら駆動電極１６は例えばグラウンド接続されている。
【００４０】
一方、３個のスイッチング素子Ｙ２は、スイッチング素子Ｙ１の配列方向と同一の方向に列をなす。各スイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４は、スイッチング装置Ｘ１の出力端子を構成する。また、スイッチング素子Ｙ２の駆動電極１６は共通化されている。これら駆動電極１６は例えばグラウンド接続されている。
【００４１】
共通化配線パターンＷは、スイッチング素子Ｙ１のなす第１の列と、スイッチング素子Ｙ２のなす第２の列との間に配されており、第１および第２の列に沿って延びるステムパターンＷａ、および、当該ステムパターンＷａと各スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４とを連絡するブランチパターンＷｂを有する。このような共通化配線パターンＷを介して、全てのスイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４は電気的に接続されている。
【００４２】
バンプＢは、フリップチップ実装用バンプであり、各スイッチング素子Ｙの一方の信号電極１４、駆動電極１５と接続している配線パターン１９、および駆動電極１６に固定されている。スイッチング装置Ｘ１は、バンプＢを介して外部回路と電気的に接続される。
【００４３】
スイッチング装置Ｘ１においては、２個のスイッチング素子Ｙ１における２個の信号電極１４が本装置の２個の入力端子であり、３個のスイッチング素子Ｙ２における３個の信号電極１４が本装置の３個の出力端子であり、当該２個の入力端子と当該３個の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一のスイッチング素子Ｙ１の駆動電極１５，１６間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一のスイッチング素子Ｙ２の駆動電極１５，１６間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該スイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４（入力端子）と、当該スイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４（出力端子）とが電気的に接続されて、当該スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２間がオン状態となり、スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の他の組み合わせについてはオフ状態となる。スイッチング装置Ｘ１では、このようにして、当該選択されたスイッチング素子Ｙ１，Ｙ２間において、例えば高周波信号のオン状態を達成することができる。
【００４４】
スイッチング装置Ｘ１では、２個のスイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４と３個のスイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４との間を接続する共通化配線パターンＷにおいて２×３通りの導電経路が存在するところ（一の導電経路を図１において破線で示す）、装置の入力端子としての信号電極１４を有するスイッチング素子Ｙ１群と、装置の出力端子としての信号電極１４を有するスイッチング素子Ｙ２群とが、各々一列をなして、共通化配線パターンＷを介して対向配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、２×３通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、スイッチング装置Ｘ１は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００４５】
スイッチング装置Ｘ１の共通化配線パターンＷは、上述のように、スイッチング素子Ｙ１のなす第１の列およびスイッチング素子Ｙ２のなす第２の列の間において当該列に沿って延びるステムパターンＷａ、および、当該ステムパターンＷａと各スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４とを連絡するブランチパターンＷｂを有するところ、このような構成は、２個のスイッチング素子Ｙ１と３個のスイッチング素子Ｙ２との間における複数の導電経路の長さについて短縮化や均一化するのに資する。
【００４６】
スイッチング装置Ｘ１においては、上述のように、複数のスイッチング素子Ｙ１の駆動電極１６は共通化され且つ複数のスイッチング素子Ｙ２の駆動電極１６は共通化されているところ、このような構成は、装置の小型化に資する。
【００４７】
スイッチング装置Ｘ１において、スイッチング素子Ｙ１の数は２に限られず、スイッチング素子Ｙ２の数は３に限られず、スイッチング素子Ｙの総数は５に限られない。これらの数については、スイッチング装置Ｘ１が接続される回路ないしシステムに対応させて、必要に応じて変更する。
【００４８】
図９から図１２は、スイッチング装置Ｘ１に含まれる各スイッチング素子Ｙの製造方法を、図５および図６に相当する断面の変化として表す。本方法においては、まず、図９（ａ）に示すような材料基板１００を用意する。材料基板１００は、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板であり、第１層１０１、第２層１０２、および、これらの間の中間層１０３よりなる積層構造を有する。本実施形態では、例えば、第１層１０１の厚さは１５μｍであり、第２層１０２の厚さは５２５μｍであり、中間層１０３の厚さは４μｍである。第１層１０１は、例えば単結晶シリコンよりなり、上述の固定部１１および可動部１２へと加工される。第２層１０２は、例えば単結晶シリコンよりなり、上述のベース基板Ｓとなる。中間層１０３は、例えば二酸化シリコンよりなり、上述の境界層１７へと加工される。
【００４９】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層１０１上に導体膜１０４を形成する。例えば、スパッタリング法により、第１層１０１上にＭｏを成膜し、続いてその上にＡｕを成膜する。Ｍｏ膜の厚さは例えば３０ｎｍであり、Ａｕ膜の厚さは例えば５００ｎｍである。
【００５０】
次に、図９（ｃ）に示すように、フォトリソ法により導体膜１０４上にレジストパターン１０５，１０６を形成する。レジストパターン１０５は、上述の信号電極１３に対応するパターン形状を有する。レジストパターン１０６は、上述の駆動電極１５および上述の配線パターン１９に対応するパターン形状を有する。
【００５１】
次に、図１０（ａ）に示すように、レジストパターン１０５，１０６をマスクとして利用して導体膜１０４に対してエッチング処理を施す。これにより、第１層１０１上に、信号電極１３、駆動電極１５、および図外にて配線パターン１９を形成する。本工程におけるエッチング手法としては、イオンミリング（例えばＡｒイオンによる物理的エッチング）を採用することができる。後出の金属材料に対するエッチング手法としてもイオンミリングを採用することができる。
【００５２】
次に、レジストパターン１０５，１０６を除去した後、図１０（ｂ）に示すように、第１層１０１にエッチング処理を施すことによってスリット１８を形成する。具体的には、フォトリソ法により第１層１０１上に所定のレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクとして利用して、第１層１０１に対して異方性のエッチング処理を施す。エッチング手法としては、反応性イオンエッチングを採用することができる。本工程にて、固定部１１および可動部１２がパターン形成されることとなる。
【００５３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、スリット１８を塞ぐように、材料基板１００の第１層１０１側に犠牲層１０７を形成する。犠牲層材料としては例えば二酸化シリコンを採用することができる。また、犠牲層１０７を形成するための手法としては、例えばプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を採用することができる。
【００５４】
次に、図１１（ａ）に示すように、犠牲層１０７において信号電極１３に対応する箇所に凹部１０７ａを形成する。具体的には、フォトリソ法により犠牲層１０７上に所定のレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクとして利用して犠牲層１０７に対してエッチング処理を施す。エッチング手法としては、ウエットエッチングを採用することができる。ウエットエッチングのためのエッチング液としては、例えばバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を採用することができる。犠牲層１０７に対する後出のウエットエッチングにおいてもＢＨＦを採用することができる。凹部１０７ａは、各信号電極１４の突起部１４ａを形成するためのものである。凹部１０７ａの底面と信号電極１３との間の距離は、例えば２μｍ以下である。
【００５５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、犠牲層１０７をパターニングして開口部１０７ｂ，１０７ｃを形成する。具体的には、フォトリソ法により犠牲層１０７上に所定のレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをマスクとして利用して犠牲層１０７に対してエッチング処理を施す。エッチング手法としては、ウエットエッチングを採用することができる。開口部１０７ｂは、各々、固定部１１において信号電極１４が接合する領域を露出させるためのものである。開口部１０７ｃは、固定部１１において駆動電極１６が接合する領域を露出させるためのものである。
【００５６】
次に、材料基板１００において犠牲層１０７が設けられている側の表面に通電用の下地膜（図示略）を形成した後、図１１（ｃ）に示すようにレジストパターン１０８を形成する。下地膜は、例えば、スパッタリング法により厚さ５０ｎｍのＭｏを成膜し、続いてその上に厚さ５００ｎｍのＡｕを成膜することによって形成することができる。レジストパターン１０８は、各信号電極１４に対応する開口部１０８ａおよび駆動電極１６に対応する開口部１０８ｂを有する。
【００５７】
次に、図１２（ａ）に示すように、各信号電極１４および駆動電極１６を形成する。具体的には、開口部１０８ａ，１０８ｂにて露出する上述の下地膜上に、電気めっき法により例えばＡｕを成長させる。
【００５８】
次に、図１２（ｂ）に示すように、レジストパターン１０８をエッチング除去する。この後、電気めっき用の上述の下地膜において露出している部分をエッチング除去する。これらエッチング除去においては、各々、ウエットエッチングを採用することができる。
【００５９】
次に、図１２（ｃ）に示すように、犠牲層１０７および中間層１０３の一部を除去する。具体的には、犠牲層１０７および中間層１０３に対してウエットエッチング処理を施す。本エッチング処理では、まず犠牲層１０７が除去され、その後、スリット１８に臨む箇所から中間層１０３の一部が除去される。このエッチング処理は、可動部１２の全体と第２層１０２との間に適切に空隙が形成された後に停止する。このようにして、中間層１０３において境界層１７が残存形成される。また、第２層１０２は、ベース基板Ｓを構成することとなる。
【００６０】
次に、必要に応じて、各信号電極１４および駆動電極１６の下面に付着している下地膜の一部（例えばＭｏ膜）をウエットエッチングにより除去した後、超臨界乾燥法により素子全体を乾燥する。超臨界乾燥法によると、可動部１２がベース基板Ｓ等に張り付いてしまうスティッキング現象を適切に回避することができる。
【００６１】
以上のようにして、スイッチング装置Ｘ１に含まれる各スイッチング素子Ｙを製造することができる。本方法では、信号電極１３に対向する部位を有する一対の信号電極１４について、めっき法によって犠牲層１０７上に厚く形成することができる。そのため、一対の信号電極１４については、所望の低抵抗を実現するための充分な厚さを設定することが可能である。厚い信号電極１４は、スイッチング素子Ｙの挿入損失を低減するうえで好ましい。
【００６２】
図１３は、本発明の第２の実施形態に係るスイッチング装置Ｘ２の平面図である。スイッチング装置Ｘ２は、ベース基板上に一体的に設けられた複数のスイッチング素子Ｙ、共通化配線パターンＷ’、およびバンプＢを備える。
【００６３】
スイッチング装置Ｘ２は、図３から図７を参照して上述した構成を有する１３個のスイッチング素子Ｙが実質的に一体化された構成を含む。１３個のスイッチング素子Ｙは、３個のスイッチング素子Ｙ１および１０個のスイッチング素子Ｙ２からなり、環状に配置されている。各スイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４は、スイッチング装置Ｘ２の入力端子を構成する。各スイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４は、スイッチング装置Ｘ２の出力端子を構成する。また、スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の駆動電極１６は共通化されている。これら駆動電極１６は例えばグラウンド接続されている。
【００６４】
共通化配線パターンＷ’は、中央ランド部Ｗｃ、および、当該中央ランド部Ｗｃと各スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４とを連絡する連絡パターンＷｄを有する。複数の連絡パターンＷｄは放射状に延びる。このような共通化配線パターンＷ’を介して、全てのスイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４は電気的に接続されている。
【００６５】
バンプＢは、フリップチップ実装用バンプであり、各スイッチング素子Ｙの一方の信号電極１４、駆動電極１５と接続している配線パターン１９、および駆動電極１６に固定されている。スイッチング装置Ｘ２は、バンプＢを介して外部回路と電気的に接続される。
【００６６】
スイッチング装置Ｘ２においては、３個のスイッチング素子Ｙ１における３個の信号電極１４が本装置の３個の入力端子であり、１０個のスイッチング素子Ｙ２における１０個の信号電極１４が本装置の１０個の出力端子であり、当該３個の入力端子と当該１０個の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一のスイッチング素子Ｙ１の駆動電極１５，１６間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一のスイッチング素子Ｙ２の駆動電極１５，１６間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該スイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４（入力端子）と、当該スイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４（出力端子）とが電気的に接続されて、当該スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２間がオン状態となり、スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の他の組み合わせについてはオフ状態となる。スイッチング装置Ｘ２では、このようにして、当該選択されたスイッチング素子Ｙ１，Ｙ２間において、例えば高周波信号のオン状態を達成することができる。
【００６７】
スイッチング装置Ｘ２では、３個のスイッチング素子Ｙ１の一方の信号電極１４と１０個のスイッチング素子Ｙ２の一方の信号電極１４との間を接続する共通化配線パターンＷ’において３×１０通りの導電経路が存在するところ（一の導電経路を図１３において破線で示す）、装置の入力端子としての信号電極１４を有するスイッチング素子Ｙ１群と、装置の出力端子としての信号電極１４を有するスイッチング素子Ｙ２群とが、円環をなすように配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、３×１０通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、スイッチング装置Ｘ２は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００６８】
スイッチング装置Ｘ２の共通化配線パターンＷ’は、上述のように、中央ランド部Ｗｃ、および、当該中央ランド部Ｗｃと各スイッチング素子Ｙ１，Ｙ２の一方の信号電極１４とを連絡する連絡パターンＷｄを有するところ、このような構成は、円環をなすように配置された３個のスイッチング素子Ｙ１と１０個のスイッチング素子Ｙ２との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化や均一化するのに資する。
【００６９】
スイッチング装置Ｘ２においては、上述のように、全てのスイッチング素子Ｙの駆動電極１６は共通化されているところ、このような構成は、装置の小型化に資する。
【００７０】
スイッチング装置Ｘ２において、スイッチング素子Ｙ１の数は３に限られず、スイッチング素子Ｙ２の数は１０に限られず、スイッチング素子Ｙの総数は１３に限られない。これらの数については、スイッチング装置Ｘ２が接続される回路ないしシステムに対応させて、必要に応じて変更する。
【００７１】
図１５は、本発明の第３の実施形態に係るスイッチング装置Ｘ３の平面図である。スイッチング装置Ｘ３は、ベース基板上に一体的に設けられた複数のスイッチング素子Ｚ、共通化配線パターンＷ’、およびバンプＢを備える。
【００７２】
図１７から図２１は、スイッチング装置Ｘ３を構成するスイッチング素子Ｚの単体を表す。図１７は、スイッチング素子Ｚの平面図であり、図１８は、スイッチング素子Ｚの一部省略平面図である。図１９から図２１は、各々、図１７の線XIX−XIX、線XX−XX、および線XXI−XXIに沿った断面図である。
【００７３】
スイッチング素子Ｚは、固定部２１と、可動部２２と、信号電極２３と、信号電極２４（図１８では仮想線で表す）と、駆動電極２５と、駆動電極２６（図１８では仮想線で表す）とを備える。
【００７４】
固定部２１は、図１９から図２１に示すように、境界層２７を介してベース基板Ｓに接合している。また、固定部２１は、単結晶シリコンなどのシリコン材料よりなる。固定部２１を構成するシリコン材料は、１０００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有するのが好ましい。境界層２７は例えば二酸化シリコンよりなる。
【００７５】
可動部２２は、例えば図１８または図２１に表れているように、固定部２１から延出してベース基板Ｓに沿って延び、スリット２８を介して固定部２１に囲まれている。また、可動部２２は、ランド部２２ａおよび当該ランド部２２aと固定部２１の間を並列して連結する梁部２２ｂ，２２ｃを有する。可動部２２について図１９および図２０に示す厚さＴ2は例えば２５μｍ以下である。また、可動部２２について、図１８に示す長さＬ3は例えば６５０〜１０００μｍであり、長さＬ4は例えば２００〜４００μｍである。スリット２８の幅は例えば１.５〜２.５μｍである。可動部２２は、例えば単結晶シリコンよりなる。
【００７６】
信号電極２３は、可動信号電極であり、図１８によく表れているように、可動部２２のランド部２２ａにおけるベース基板Ｓとは反対の側にて、駆動電極２５よりも梁部２２ｂ，２２ｃ寄りに設けられている。信号電極２３の厚さは例えば０.５〜２μｍである。信号電極２３は、所定の導電材料よりなり、例えば、Ｍｏ下地膜とその上のＡｕ膜とからなる積層構造を有する。この信号電極２３は、可動部２２の梁部２２ｂ上を通る部位を有する所定の配線パターンと電気的に接続されている。
【００７７】
信号電極２４は、固定信号電極であり、図１９または図２１に示すように、固定部２１上に立設されており且つ信号電極２３に対向する部位を有する。信号電極２３に対向する部位において、信号電極２４は突起部２４ａを有する。信号電極２４の構成材料としては、Ａｕを採用することができる。
【００７８】
駆動電極２５は、可動駆動電極であり、図１８によく表れているように、可動部２２のランド部２２ａにおけるベース基板Ｓとは反対の側にて、可動部２２の自由端近くに設けられている。駆動電極２５の厚さは例えば０.５〜２μｍである。駆動電極２５の構成材料としては、信号電極２３の構成材料と同一のものを採用することができる。この駆動電極２５は、可動部２２の梁部２２ｃ上を通る部位を有して可動部２２上および固定部２１上にわたって設けられた配線パターン２９と電気的に接続されている。
【００７９】
駆動電極２６は、固定駆動電極であり、駆動電極２５との間に静電引力（駆動力）を発生させるためのものであり、図２０によく表れているように、その両端が固定部２１に接合して駆動電極２５の上方を跨ぐように立設されている。駆動電極２６の厚さは例えば１０μｍ以上である。駆動電極２６の構成材料としては、信号電極２４の構成材料と同一のものを採用することができる。
【００８０】
スイッチング素子Ｚにおいて、駆動電極２５に電位を付与すると、駆動電極２５，２６間には静電引力が発生する。付与電位が充分に高い場合、可動部２２は、図２２に示すように、信号電極２３が信号電極２４の突起部２４ａに当接するまで動作ないし弾性変形する。このようにして、スイッチング素子Ｚの閉状態が達成される。閉状態においては、信号電極２３，２４が電気的に接続し、電流ないし高周波信号が信号電極２３，２４間を通過することが許容される。
【００８１】
一方、閉状態にあるスイッチング素子Ｚにおいて、駆動電極２５に対する電位付与を停止することによって駆動電極２５，２６の間に作用する静電引力を消滅させると、可動部２２はその自然状態に復帰し、信号電極２３は、信号電極２４の突起部２４ａから離隔する。このようにして、図１９および図２１に示すような、スイッチング素子Ｚの開状態が達成される。開状態では、信号電極２３，２４が電気的に分離され、電流ないし高周波信号が信号電極２３，２４間を通過することは阻まれる。また、このような開状態にあるスイッチング素子Ｚについては、上述したスイッチオン動作によって再び閉状態ないしオン状態に切り替えることが可能である。
【００８２】
スイッチング装置Ｘ３は、以上のような構成を有する１３個のスイッチング素子Ｚが実質的に一体化された構成を含む。１３個のスイッチング素子Ｚは、３個のスイッチング素子Ｚ１および１０個のスイッチング素子Ｚ２からなり、環状に配置されている。各スイッチング素子Ｚ１の信号電極２４は、スイッチング装置Ｘ３の入力端子を構成する。各スイッチング素子Ｚ２の信号電極２４は、スイッチング装置Ｘ３の出力端子を構成する。また、スイッチング素子Ｚ１，Ｚ２の駆動電極２６は共通化されている。これら駆動電極２６は例えばグラウンド接続されている。
【００８３】
共通化配線パターンＷ’は、中央ランド部Ｗｃ、および、当該中央ランド部Ｗｃと各スイッチング素子Ｚ１，Ｚ２の信号電極２３とを連絡する連絡パターンＷｄを有する。連絡パターンＷｄは、可動部２２の梁部２２ｂ上を通る部位を有する。複数の連絡パターンＷｄは放射状に延びる。このような共通化配線パターンＷ’を介して、全てのスイッチング素子Ｚ１，Ｚ２の信号電極２３は電気的に接続されている。
【００８４】
バンプＢは、フリップチップ実装用バンプであり、各スイッチング素子Ｚの信号電極２４、駆動電極２５と接続している配線パターン２９、および駆動電極２６に固定されている。スイッチング装置Ｘ３は、バンプＢを介して外部回路と電気的に接続される。
【００８５】
スイッチング装置Ｘ３においては、３個のスイッチング素子Ｚ１における３個の信号電極２４が本装置の３個の入力端子であり、１０個のスイッチング素子Ｚ２における１０個の信号電極２４が本装置の１０個の出力端子であり、当該３個の入力端子と当該１０個の出力端子との間に、例えば１チャンネルを選択可能なマルチチャンネルが構成されている。そして、選択された一のスイッチング素子Ｚ１の駆動電極２５，２６間に所定の駆動電圧を印加し、且つ、選択された一のスイッチング素子Ｚ２の駆動電極２５，２６間に所定の駆動電圧を印加することによって、当該スイッチング素子Ｚ１の信号電極２４（入力端子）と、当該スイッチング素子Ｚ２の信号電極２４（出力端子）とが電気的に接続されて、当該スイッチング素子Ｚ１，Ｚ２間がオン状態となり、スイッチング素子Ｚ１，Ｚ２の他の組み合わせについてはオフ状態となる。スイッチング装置Ｘ３では、このようにして、当該選択されたスイッチング素子Ｚ１，Ｚ２間において、例えば高周波信号のオン状態を達成することができる。
【００８６】
スイッチング装置Ｘ３では、３個のスイッチング素子Ｚ１の信号電極２３と１０個のスイッチング素子Ｚ２の信号電極２３との間を接続する共通化配線パターンＷ’において３×１０通りの導電経路が存在するところ（一の導電経路を図１５において破線で示す）、装置の入力端子としての信号電極２４を有するスイッチング素子Ｚ１群と、装置の出力端子としての信号電極２４を有するスイッチング素子Ｚ２群とが、円環をなすように配置されている構成は、装置の小型化を図りつつ、３×１０通りの導電経路の長さについて短縮化かつ均一化を図るのに適する。そして、素子間の導電経路が短くなるほど、装置を通過する信号の損失は低減される。したがって、スイッチング装置Ｘ３は、小型化および低損失化を図るのに適する。
【００８７】
スイッチング装置Ｘ３の共通化配線パターンＷ’は、上述のように、中央ランド部Ｗｃ、および、当該中央ランド部Ｗｃと各スイッチング素子Ｚ１，Ｚ２の信号電極２３とを連絡する連絡パターンＷｄを有するところ、このような構成は、円環をなすように配置された３個のスイッチング素子Ｚ１と１０個のスイッチング素子Ｚ２との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化や均一化するのに資する。
【００８８】
スイッチング装置Ｘ３においては、上述のように、全てのスイッチング素子Ｚの駆動電極２６は共通化されているところ、このような構成は、装置の小型化に資する。
【００８９】
スイッチング装置Ｘ３においては、可動部２２上にて共通化配線パターンＷ’の連絡パターンＷｄと接続する信号電極２３は、駆動電極２５よりも、素子の環状配置における内側（即ち、共通配線パターンＷ’のランド部Ｗｃの近く）に配されているところ、このような構成は、３個のスイッチング素子Ｚ１と１０個のスイッチング素子Ｚ２との間における複数の導電経路の長さについて、短縮化を図るのに資する。
【００９０】
スイッチング装置Ｘ３において、スイッチング素子Ｚ１の数は３に限られず、スイッチング素子Ｚ２の数は１０に限られず、スイッチング素子Ｚの総数は１３に限られない。これらの数については、スイッチング装置Ｘ３が接続される回路ないしシステムに対応させて、必要に応じて変更する。
【００９１】
図２３は、本発明の第４の実施形態に係る通信機器２００の部分構成を表す。通信機器２００は、複数のＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍと、複数のアンテナＡ１〜Ａｍと、これらの間のｍＰｍＴ型のスイッチング装置２０１とを備え、例えば携帯電話として構成されている。
【００９２】
複数のＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍは、各々、本実施形態ではデュプレクサであり、ＬＮＡやＰＡなどを含んで構成され、ベースバンドに接続されている。ＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍの各々は、通信機器２００が送受信に使用する周波数帯ごとに設けられたものである。複数のアンテナＡ１〜Ａｍは、各々、異なる指向性を有し、より良好な受信状態を通信機器２００において得るために設けられたものである。
【００９３】
スイッチング装置２０１は、複数のＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍと複数のアンテナＡ１〜Ａｍとの間の接続関係を通信周波数に応じて切り替えるためのものであり、上述のスイッチング装置Ｘ１〜Ｘ３のいずれかによって構成されている。スイッチング装置２０１は、具体的には、複数のＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍのうちの一つを選択し且つ複数のアンテナＡ１〜Ａｍのうち最も受信状態の良いもの一つを選択して、当該選択ＲＦ回路と当該選択アンテナとの間のチャンネルをオン状態とすることが可能である。
【００９４】
以上のような複数のＲＦ回路Ｃ１〜Ｃｍ、複数のアンテナＡ１〜Ａｍ、およびスイッチング装置２０１を具備することによって、通信機器２００は、一台で複数の異なる周波数帯のシステムに対応可能なマルチバンド通信機器として稼働することができる。
【００９５】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００９６】
（付記１）複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
前記固定部から延出して前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が前記固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
前記複数の第１のスイッチング素子は、第１の列をなし、各第１のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は入力端子を構成し、
前記複数の第２のスイッチング素子は、前記第１の列に沿って延びる第２の列をなし、各第２のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記第２固定信号電極は、前記第１および第２の列の間に配された共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
（付記２）前記共通化配線パターンは、前記第１および第２の列の間において当該列に沿って延びる第１パターン、および、当該第１パターンと各スイッチング素子の前記第２固定信号電極とを連絡する第２パターンを有する、付記１に記載のスイッチング装置。
（付記３）前記複数の第１のスイッチング素子の前記固定駆動電極は共通化されている、付記１または２に記載のスイッチング装置。
（付記４）前記複数の第２のスイッチング素子の前記固定駆動電極は共通化されている、付記１から３のいずれか一つに記載のスイッチング装置。
（付記５）複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
前記複数のスイッチング素子は環状配置され、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
前記固定部から延出して前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を各々が有し且つ各々が前記固定部に接合している第１固定信号電極および第２固定信号電極と、
前記可動部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
各第１のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は入力端子を構成し、
各第２のスイッチング素子の前記第１固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記第２固定信号電極は、共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
（付記６）前記共通化配線パターンは、中央ランド部、および、当該中央ランド部と各スイッチング素子の前記第２固定信号電極とを連絡する連絡パターンを有する、付記５に記載のスイッチング装置。
（付記７）複数の第１のスイッチング素子および複数の第２のスイッチング素子がベース基板上に設けられてなるスイッチング装置であって、
前記複数のスイッチング素子は環状配置され、
各スイッチング素子は、
前記ベース基板に接合している固定部と、
可動ランド部、および、当該可動ランド部および前記固定部の間を連結する第１梁部および第２梁部を有して、前記固定部から前記環状配置の外側に向かって前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定信号電極と、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、を備え、
各第１のスイッチング素子の前記固定信号電極は入力端子を構成し、
各第２のスイッチング素子の前記固定信号電極は出力端子を構成し、
前記複数のスイッチング素子の前記可動信号電極は、各スイッチング素子の前記第１梁部上を通る部位を有する共通化配線パターンによって電気的に接続されている、スイッチング装置。
（付記８）前記可動信号電極は、前記可動駆動電極よりも、前記環状配置における内側に配されている、付記７に記載のスイッチング装置。
（付記９）前記共通化配線パターンは、中央ランド部、および、当該中央ランド部と各スイッチング素子の前記可動信号電極とを連絡する連絡パターンを有する、付記７または８に記載のスイッチング装置。
（付記１０）前記複数のスイッチング素子の前記固定駆動電極は共通化されている、付記５から９のいずれか一つに記載のスイッチング装置。
（付記１１）前記複数の第１のスイッチング素子および前記複数の第２のスイッチング素子の数は合計５以上である、請求項１から１０のいずれか一つに記載のスイッチング装置。
（付記１２）ベース基板と
前記ベース基板に接合している固定部と、
可動ランド部、および、当該可動ランド部および前記固定部の間を連結する第１梁部および第２梁部を有して、前記ベース基板に沿って延びる可動部と、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動信号電極と、
前記可動信号電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定信号電極と、
前記第１梁部上を通る部位を有して前記可動信号電極と電気的に接続する第１配線パターンと、
前記可動ランド部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動駆動電極と、
前記可動駆動電極に対向する部位を有し且つ前記固定部に接合している固定駆動電極と、
前記第２梁部上を通る部位を有して前記可動駆動電極と電気的に接続する第２配線パターンと、を備えるスイッチング素子。
（付記１３）前記可動信号電極は、前記可動駆動電極よりも前記第１および第２梁部寄りに配されている、付記１２に記載のスイッチング素子。
（付記１４）複数のＲＦ回路と、
複数のアンテナと、
前記複数のＲＦ回路のうちの一つを選択し且つ前記複数のアンテナのうちの一つを選択して当該ＲＦ回路および当該アンテナを接続するための、付記１から１１のいずれか一つに記載のスイッチング装置と、を備える通信機器。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るスイッチング装置の平面図である。
【図２】図１に示すスイッチング装置の一部省略平面図である。
【図３】図１に示すスイッチング装置を構成するスイッチング素子の平面図である。
【図４】図３に示すスイッチング素子の一部省略平面図である。
【図５】図３の線V−Vに沿った断面図である。
【図６】図３の線VI−VIに沿った断面図である。
【図７】図３の線VII−VIIに沿った断面図である。
【図８】オン状態における図３の線VII−VIIに沿った断面図である。
【図９】図３に示すスイッチング素子の製造方法における一部の工程を表す。
【図１０】図９の後に続く工程を表す。
【図１１】図１０の後に続く工程を表す。
【図１２】図１１の後に続く工程を表す。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係るスイッチング装置の平面図である。
【図１４】図１３に示すスイッチング装置の一部省略平面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係るスイッチング装置の平面図である。
【図１６】図１５に示すスイッチング装置の一部省略平面図である。
【図１７】図１５に示すスイッチング装置を構成するスイッチング素子の平面図である。
【図１８】図１７に示すスイッチング素子の一部省略平面図である。
【図１９】図１７の線XIX−XIXに沿った断面図である。
【図２０】図１７の線XX−XXに沿った断面図である。
【図２１】図１７の線XXI−XXIに沿った断面図である。
【図２２】オン状態における図１７の線XXI−XXIに沿った断面図である。
【図２３】本発明の第４の実施形態に係る通信機器の部分構成を表す。
【符号の説明】
【００９８】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３      スイッチング装置
Ｙ，Ｙ１，Ｙ２，Ｚ，Ｚ１，Ｚ２      スイッチング素子
Ｓ      ベース基板
１１，２１      固定部
１２      可動部
１３，１４，２３，２４      信号電極
１４ａ，２４      突起部
１５，１６，２５，２６      駆動電極
１７，２７      境界層
１８，２８      スリット
１９，２９      配線パターン
２２      可動部
２２ａ      ランド部
２２ｂ，２２ｃ      梁部
Ｗ，Ｗ’      共通化配線パターン
Ｗａ      ステムパターン
Ｗｂ      ブランチパターン
Ｗｃ      中央ランド部
Ｗｄ      連絡パターン
Ｂ      バンプ
２００      通信機器
Ｃ１〜Ｃｍ      ＲＦ回路
Ａ１〜Ａｍ      アンテナ
２０１      スイッチング装置                                                                               
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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