(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板を提供し、
（ｂ）第１マスキング材層を前記基板上に塗布し、
（ｃ）第１マスキング材層をパターニングし、
（ｄ）前記基板の露出部を薄くエッチングし、
（ｅ）前記基板の露出部に、少なくとも前記第１マスキング材層と少なくとも同じ厚さの第２マスキング材層を塗布し、
（ｆ）前記第２マスキング材層をパターニングし、
（ｇ）前記基板の露出部をエッチングし、
（ｈ）前記第２マスキング材層の露出部をエッチングし、
（ｉ）前記基板の露出部をエッチングするステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項２】
第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２マスキング材層を塗布するステップは、基板の局部酸化を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板の露出部をエッチングするステップが、基板の露出部のウェットエッチングを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２マスキング材層をパターニングするステップと、前記基板の露出部をエッチングするステップとの間に、
前記基板上に第３マスキング材層を塗布するステップと、
前記第３マスキング材層をパターニングするステップと、
前記第２マスキング材の露出部をエッチングするステップと、
前記基板上に第４マスキング材層を塗布するステップと、
前記基板の露出部をエッチングするステップと、
前記第４マスキング材を除去するステップと、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１マスキング材層をパターニングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（１）基板を提供し、
（２）前記基板上に第１マスキング材層を塗布し、
（３）前記第１マスキング材層上に、第２マスキング材層を塗布し、
（４）前記第２マスキング材層をパターニングし、
（５）前記パターニングされた第２マスキング材層によって覆われていない部分上に、少なくとも前記第１及び第２マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第３マスキング材層を塗布し、
（６）前記第１及び第３マスキング材層をパターニングし、
（７）前記基板の露出部をエッチングし、
（８）前記第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、
（９）前記基板の露出部をエッチングするステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項８】
前記基板の露出部をエッチングするステップが、前記基板の露出部を薄くエッチングするステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（１）基板を提供し、
（２）前記基板上に第１マスキング材層を塗布し、
（３）前記第１マスキング材層上に、第２マスキング材層を塗布し、
（４）前記第２マスキング材層をパターニングし、
（５）前記第１マスキング材層をパターニングし、
（６）前記パターニングされた第２マスキング材層によって覆われていない部分上に、少なくとも前記第１及び第２マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第３マスキング材層を塗布し、
（７）前記第１及び第３マスキング材層をパターニングし、
（８）前記基板の露出部をエッチングし、
（９）前記第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、
（１０）前記基板の露出部をエッチングするステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記第１マスキング材は二酸化珪素を含み、前記第２マスキング材は窒化珪素を含み、前記第３マスキング材は二酸化珪素を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１マスキング材層を塗布するステップは、基板の熱酸化を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第３マスキング材層を塗布するステップは、基板の局部酸化を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の露出部をエッチングするステップが、基板の露出部のウェットエッチングを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
（１）基板を提供し、
（２）前記基板上に第１マスキング材層を塗布し、
（３）前記第１マスキング材層上に、第２マスキング材層を塗布し、
（４）前記第２マスキング材層をパターニングし、
（５）前記第１マスキング材層をパターニングし、
（６）前記基板の露出部を薄くエッチングし、
（７）パターニングされた前記第２マスキング材層によって覆われていない部分上に、少なくとも前記第１及び第２マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第３マスキング材層を塗布し、
（８）前記第１及び第３マスキング材層をパターニングし、
（９）前記基板の露出部をエッチングし、
（１０）前記第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、
（１１）前記基板の露出部をエッチングするステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記第１マスキング材は二酸化珪素を含み、前記第２マスキング材は窒化珪素を含み、前記第３マスキング材は二酸化珪素を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１マスキング材層を塗布するステップは、基板の熱酸化を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第３マスキング材層を塗布するステップは、基板の局部酸化を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板の露出部をエッチングするステップが、基板の露出部のウェットエッチングを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
（１）基板を提供し、
（２）前記基板上に第１マスキング材層を塗布し、
（３）前記第１マスキング材層をパターニングし、
（４）前記基板の露出部上に、前記第１マスキング材層と少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を塗布し、
（５）前記第２マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングし、
（６）前記基板の露出部をエッチングし、
（７）前記第２マスキング材層の露出部の厚さ方向にその一部をエッチングし、
（８）前記基板の露出部をエッチングし、
（９）ステップ（７）及び（８）を複数回繰り返すステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項２０】
前記ステップ（４）の前に、前記基板の露出部をエッチングするステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ステップ（２）が、前記基板上に第３マスキング材層を塗布し、前記第３マスキング材層上に第１マスキング材層を塗布するステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記ステップ（４）の前に、前記第３マスキング材層の露出部をエッチングし、前記基板の露出部を薄くエッチングするステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ステップ（４）が、前記基板の露出部上に、少なくとも前記第１及び第３マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を塗布するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第３マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記ステップ（４）の前に、前記第３マスキング材層をパターニングするステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記ステップ（４）が、前記基板の露出部上に、少なくとも前記第１及び第３マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を塗布するステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第３マスキング材層の一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記ステップ（４）の前に、前記基板の露出部をエッチングするステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記ステップ（４）は、前記基板の露出部上に、少なくとも前記第１及び第３マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を塗布するステップを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第３マスキング材層の一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
（１）基板を提供し、
（２）前記基板上に第１マスキング材層を塗布し、
（３）前記第１マスキング材層をパターニングし、
（４）前記基板の露出部上に、少なくとも前記第１のマスキング材層と少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を塗布し、
（５）前記第２マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングし、
（６）前記基板上に第３マスキング材層を塗布し、
（７）前記第３マスキング材層をパターニングし、
（８）前記第３マスキング材層をエッチングし、
（９）前記基板の露出部をエッチングし、
（１０）前記第２マスキング材層の露出部の厚さ方向にその一部をエッチングし、
（１１）前記基板の露出部をエッチングし、
（１２）前記ステップ（１０）及び（１１）を複数回繰り返すステップを含む３次元構造体の製造方法。
【請求項３２】
前記ステップ（４）の前に、前記基板の露出部をエッチングするステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記ステップ（２）が、第４マスキング材層を前記基板上に塗布し、前記第１マスキング材層を前記第４マスキング材層上に塗布するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記基板の露出部は薄くエッチングされる、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ステップ（２）が、第４マスキング材層を前記基板上に塗布し、前記第１マスキング材層を前記第４マスキング材層上に塗布するステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
前記ステップ（４）が、少なくとも前記第１及び第４マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を、前記基板の露出部上に塗布するステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第４マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記ステップ（４）の前に、前記第４マスキング材層をパターニングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
前記ステップ（４）が、少なくとも前記第１及び第４マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を、前記基板の露出部上に塗布するステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記第２マスキング材層を塗布するステップが、前記基板の局部酸化を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第４マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
前記第１マスキング材層は窒化珪素を含み、前記第２マスキング材層は二酸化珪素を含み、前記第３マスキング材層はフォトレジスト材を含み、前記第４マスキング材層は二酸化珪素を含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
前記ステップ（４）の前に、前記基板の露出部をエッチングする、請求項３５に記載の方法。
【請求項４４】
前記ステップ（４）が、少なくとも前記第１及び第４マスキング材層の厚さを組み合わせたものと少なくとも同じ厚さである第２マスキング材層を、前記基板の露出部に塗布する、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記ステップ（５）が、前記第２及び第４マスキング材層の厚さ方向にその一部を複数回パターニングするステップを含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
前記第１マスキング材層は窒化珪素を含み、前記第２マスキング材層は二酸化珪素を含み、前記第３マスキング材層はフォトレジスト材を含み、前記第４マスキング材層は二酸化珪素を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４７】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記基板の露出部をエッチングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４８】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記基板の露出部をエッチングし、前記第２マスキング材層の露出部をエッチングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４９】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記基板の露出部を複数回エッチングするステップをさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項５０】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記基板の露出部をエッチングし、前記第２マスキング材層の露出部をエッチングし、前記基板の露出部をエッチングすることをさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項５１】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記第２マスキング材層の露出部をエッチングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項５２】
前記ステップ（７）及び（８）の間にさらに、前記第２マスキング材層の露出部をエッチングし、前記基板の露出部をエッチングするステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項５３】
前記第１マスキング材層は窒化珪素を含み、前記第２マスキング材層は二酸化珪素を含み、前記第３マスキング材層はフォトレジスト材を含む、請求項３１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の背景）
本発明は微細加工された３次元構造体に関するもので、特に微細加工された移動可能な構造体に関するものである。
【０００２】
通常のバーコードスキャナはレーザービームで表面をスキャンするために使用する。また、通常のバーコードスキャナは、レーザービームのスキャンを可能にするように発振されるミラーを主に用いる。通常のバーコードスキャナ用ミラーは比較的大型であり、精密でない。
【０００３】
小型で、より精密なバーコードミラーを製造するために、微細加工プロセスは一般的に、微細加工されるシリコン基板で利用される。しかし通常、微細加工プロセスは多くの制約を受ける。
【０００４】
例えば、フォトリソグラフィック・パターニング及びエッチングの持続的な繰り返しを利用する初期平面状の基板の微細加工において、集積回路の製造に利用した通常のフォトリソグラフィック・パターニング方法に対する適切なエッチングの深さより大きいエッチングの深さの変化を達成するように、基板をエッチングすることが特に好ましい。基板のエッチングの深さの変化は光学リソグラフィ装備の焦点の深さを超える場合もある。また、エッチングの深さの変化は、通常の基板上のフォトレジストを放射技術を利用する均一な薄膜のフォトレジスト層の適用を阻害するのに十分に大きいはずである。もし顕著なフォトグラフィを有する表面にフォトレジストが行なわれれば、フォトレジストの完成時の厚さは１０００％以上まで変化するはずである。結果的に、薄いフォトレジスト領域の露出過多により不均一なフォトレジストにおける精密形状のリソグラフィは難しい。しかし、典型的な微細加工の適用において、顕著なフォトグラフィを有するそうした基板には連続的なパターンが特に好ましい。
【０００５】
付加的な問題は基板の一面及び以後に微細加工される基板の他面より比較的深い凹溝が形成される間に発生する。通常の自動ウェハハンドリング装置の典型的な真空チャックは、不均一な微細加工面によりそうしたウェハを把持できなくなる。
【０００６】
微細加工の幾つかの難しさを克服するために、多数のいわゆる併合マスクの微細加工プロセスが開発された。併合マスクの微細加工プロセスにおける典型的な処理ステップは、基板上に全てのエッチングマスクを形成するステップと、続いて基板を微細加工するステップを含む。この方法において、エッチングマスクは実質的に平面の表面上に形成されて、比較的一定で均一な膜の厚さを形成する。しかし、通常の併合マスクの微細加工プロセスは依然として多くの制約を受ける。
【０００７】
本発明は微細加工プロセスに残存する一つ以上の制約を克服するために開示する。
【０００８】
（発明の要約）
本発明の一つの側面によれば、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）基板の露出部をエッチングし、（７）第２マスキング材の露出部をエッチングし、及び（８）基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をエッチングし、第２マスキング材の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、基板の露出部を薄膜エッチングし、基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をエッチングし、第２マスキング材の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１１】
また、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層上に第２マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第２マスキング材のパターン層で覆われない部分上に、少なくとも第１及び第２マスキング材層の総合厚さほど厚い第３マスキング材層を塗布し、第１及び第３マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をエッチングし、第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１２】
さらに、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材層をパターニングし、第２マスキング材のパターン層で覆われない部分上に、少なくとも第１及び第２マスキング材層の総合厚さほど厚い第３マスキング材層を塗布し、第１及び第３マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をエッチングし、第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１３】
さらに、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材層をパターニングし、基板の露出部を薄膜エッチングし、第２マスキング材のパターン層で覆われない部分上に、少なくとも第１及び第２マスキング材層の総合厚さほど厚い第３マスキング材層を塗布し、第１及び第３マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をエッチングし、第１及び第３マスキング材層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１４】
またさらに、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材のパターン層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をドライエッチングし、第１マスキング材のパターン層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をドライエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１５】
またさらに、本発明の他の側面によれば、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（６）基板の露出部をエッチングし、（７）第２マスキング材層の露出厚さ部をエッチングし、（８）基板の露出部をエッチングし、（９）ステップ（７）と（８）とを複数回繰り返すことを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１６】
またさらに、本発明の他の側面によれば、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）基板上に第３マスキング材層を塗布し、（７）第３マスキング材層をパターニングし、（８）第３マスキング材層をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、（１０）第２マスキング材層の露出部をエッチングし、（１１）基板の露出部をエッチングすることを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１７】
またさらに、本発明の他の側面によれば、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（６）基板上に第３マスキング材層を塗布し、（７）第３マスキング材層をパターニングし、（８）第３マスキング材層をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、（１０）第２マスキング材層の露出部の厚さ部をエッチングし、（１１）基板の露出部をエッチングし、（１２）ステップ（１０）と（１１）とを複数回繰り返すことを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１８】
またさらに、本発明の他の側面によれば、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（４）基板上に第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）第２マスキング材層をエッチングし、（７）基板の露出部をエッチングし、（８）第１マスキング材層の露出厚さ部をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、（１０）ステップ（８）と（９）とを複数回繰り返すことを含む、３次元構造体の製造方法が提供される。
【００１９】
またさらに、本発明の他の側面によれば、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材のパターン層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、第１時間の間、基板の第１露出部グループをドライエッチングし、第１マスキング材層の露出部をエッチングし、及び第２時間の間、基板の第２露出部グループをドライエッチングすることを含み、第１時間及び第２時間は、基板の露出部の大きさの関数である３次元構造体の製造方法が提供される。
【００２０】
また、本発明の他の側面によれば、併合マスクの微細加工プロセスを利用する基板のウェットエッチングと併合マスクの微細加工プロセスを利用する基板のドライエッチングを含む、基板の微細加工方法が提供される。
【００２１】
また、本発明の他の側面によれば、基板上に耐エッチング液性の物質層を塗布し、この層の他の領域を異なる比で侵食して複数の厚さ層を塗布することを含む基板を微細加工するのに使用するための複数のマスキング層を生成する方法が提供される。
【００２２】
さらに、本発明の他の側面によれば、異なる異方性を有する他のエッチング液の化合物を使用することを含む、基板の微細加工方法が提供される。
【００２３】
またさらに、本発明の他の側面によれば、第２エッチング工程から第１エッチング工程を分離することを含む、基板の微細加工方法が提供される。
【００２４】
また、本発明の他の側面によれば、ミラー、上部キャップと下部キャップを有するミラー組立体が提供される。ミラーはミラー支持構造体、ミラー支持構造体に結合された一組のＴ字状のヒンジとＴ字状のヒンジに結合されたミラー板を備える。ミラー板は、このミラー板の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを備える。上部キャップはミラーの一面に結合する。上部キャップはミラー板の光反射を可能にする開口及びミラー板の移動を制限するために上部キャップ支持構造体に結合された一つ以上の移動ストッパーを備える。下部キャップはミラーの他面に結合する。この下部キャップは、開口とミラー板の移動を制限するために下部キャップ支持構造体に結合された一つ以上の移動ストッパーを有する下部キャップ支持構造体を備える。ミラーは併合マスクの微細加工プロセスを含むプロセスを利用して製造する。
【００２５】
さらに、本発明の他の側面によれば、ミラー組立体は、サポート構造体、このサポート構造体に結合された一組のＴ字状のヒンジ、及びＴ字状のヒンジに結合されたミラー板を備える。ミラー板は、ミラー板の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを備える。ミラーは併合マスクの微細加工プロセスを含むプロセスを利用して製造する。
【００２６】
またさらに、本発明の他の側面によれば、一つ以上のＴ字状のスプリングと、このＴ字状のスプリングに結合された質量体とを含む装置が提供される。この装置は、併合マスクの微細加工プロセスを利用して製造される。
【００２７】
（好適な実施例の詳細な説明）
微細加工構造体を形成するための併合マスクの微細加工方法が提供される。併合マスクの微細加工方法は、好ましくは、バーコード判読器に使用するミラー組立体を製造するのに用いられる。ミラー組立体は、Ｔ字状ヒンジを備える微細加工３次元ミラーを含むことが好ましい。ミラー組立体は、ミラーの移動を制限する一つ以上の移動ストッパーをさらに含むことが好ましい。ミラー組立体は、入射及び反射されたレーザー光線のクリッピング（ｃｌｉｐｐｉｎｇ）を最小化するための一つ以上のテーパーエッジ面とカットアウト（ｃｕｔ−ｏｕｔ）をさらに含むことが好ましい。
【００２８】
図１は、光線１１５がレーザー走査装置から発散されてターゲット１２０にぶつかるバーコードスキャナ１００などのレーザー走査装置の断面図である。光線は、ターゲット１２０により反射されたり散乱される。バーコードスキャナ１００は、レーザー光源１０５とミラー組立体１１０とを含む。バーコードスキャナ１００の作動中に、ミラー組立体１１０の光反射部１１１でレーザー光線１１５を反射させることによって、ミラー組立体１１０の光反射部１１１は、レーザー光線１１５がバーコード符号１２０のような表面を走査できるように振動することが好ましい。反射光１２５は、ウィンドウ１６５を介してバーコードスキャナ１００に進入し、光検出器１６０により検出される。レーザー光源１６５は、従来市販のレーザー光線１１５を発生できるいろいろな装置を含むことができる。
【００２９】
バーコードスキャナ１００は、使用者インターフェース、制御及びデータ処理のための追加特徴部を含むことができる。このような特徴部としては、中央処理ユニット１４０の部品であるプロセッサー１３０及びメモリー装置１３５と、ミラー１１０を振動させるのに使われる電圧を発生するための制御器１４５と、キーパッド１５０のようなデータ記入装置及び液晶ディスプレー１５５のようなデータディスプレー装置とを備えることができる。本発明によって製造されたミラー組立体１１０は、図２ないし図１９を参照して後述する。
【００３０】
図２を参照すれば、好ましい実施例において、ミラー組立体１１０は、上部キャップ２０５、ミラー２１０、下部キャップ２１５及びベース部材２２０を含む。上部キャップ２０５は、レーザー光線１１５がミラー２１０で反射され得るようにする開口を含む。このような方式において、ミラー２１０は、上部キャップ２０５と下部キャップ２１５により囲まれて保護される。サブアセンブリーは、上部キャップ２０５と、ミラー２１０と、成形された後、ベース部材２２０上に装着された下部キャップ２１５とを含む。
【００３１】
上部キャップ２０５と下部キャップ２１５は、例えば、シリコンガラス、セラミックまたはプラスチックのように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、上部キャップ２０５は、シリコンウェハを微細加工して製造される。
【００３２】
図３ないし図５は、上部、下部、左及び右支持部材３０５、３１５、３２５及び３３５を含むフレーム３０１を備える上部キャップ２０５の好ましい実施例の多様な図面を図示している。上部及び下部移動ストッパー部材３１０と３２０は、上部及び下部支持部材３０５及び３１５にそれぞれ連結される。左及び右支持部材３２５と３３５は、入射光のクリッピングを最小化するために、対応する左及び右リムカットアウト３３０と３４０を含む。
【００３３】
上部キャップフレーム３０１は、上部キャップ２０５のための全体支持構造を提供する。フレーム３０１の厚さは、例えば、約４００ないし６００ミクロンであり、質量の小さいコンパクト構造を提供するために、好ましい厚さは、約３９０ないし４００ミクロンである。
【００３４】
上部移動ストッパー３１０は、好ましくはミラー２１０の平面に対して垂直の方向（Ｚ方向）にミラー２１０の反射部の移動を制限する。上部移動ストッパー３１０は、好ましくは上部支持部材３０５からほぼ直角方向に延長する。好ましい実施例において、上部移動ストッパー３１０は、上部支持部材３０５の平面内に配置される。上部移動ストッパー３１０の厚さは、例えば、約３４０ないし５８０ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部移動ストッパー３１０の厚さは、最適の衝撃保護、移動の自由及び質量の小さいコンパクト構造を提供するために、約３５０ないし３８０ミクロンである。
【００３５】
図４を参照すれば、特に好ましい実施例において、上部移動ストッパー３１０の下部面３１０ｂは、上部支持部材３０５の下部面３０５ｂの高さの下側に凹設されている。このような方式において、上部移動ストッパー３１０の下部面３１０ｂは、ミラー２１０の反射面の高さの上側に配置されることが好ましい。上部移動ストッパー部材３１０の長さは、例えば、約８００ないし２８００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材３１０の長さは、約２０００ないし２５００ミクロンである。特に好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材３１０の長さは、ミラーのミラー収集板６１０と約３００ミクロンだけ重畳するように選択される。
【００３６】
下部移動ストッパー３２０は、下部支持部材３１５からほぼ直角方向に延長し、上部移動ストッパー３１０と実質的に同一になっている。開口３４５は、光がミラー２１０の反射面で反射され得るようにする。開口３４５は、左リムカットアウト３３０と右リムカットアウト３４０を含むことが好ましい。左及び右リムカットアウト３３０と３４０は、ミラー２１０の反射面を囲む状態で対向側部に配置される。このような方式で、左及び右リムカットアウト３３０と３４０は、ミラー２１０の反射面に対する光学的接近を提供する。
【００３７】
好ましい実施例において、上部キャップフレーム３０１、移動ストッパー３１０と３２０、リムカットアウト３３０と３４０及び開口３４５は、ミラー２１０の反射面に対する光学的接近を容易にするために、いずれもテーパーエッジ３５０ａと３５０ｂを含む（図５）。テーパーエッジ３５０ａと３５０ｂのテーパー角度は、ミラー２１０の反射面のエッジ部分に向けて所定の角度で伝達されたレーザー光線の反射を最も容易にするために、約５０ないし６０度であることが好ましい。
【００３８】
図６は、本発明の一実施例によって製造されたミラーまたはミラー組立体２１０の平面図を示している。ミラー２１０は、支持部材６０２、６０４、６０６及び６０８を備えるフレームまたはミラー支持構造体６００を含む。ミラー２１０は、反射面６２８、上部Ｔ字状ヒンジ６１２、下部Ｔ字状ヒンジ６１４、上部左移動ストッパー突起６１６、上部右移動ストッパー突起６１８、下部左移動ストッパー突起６２０、下部右移動ストッパー突起６２２、開口６２４、導電層６２６及び反射面６２８を備えるミラー収集板６１０をさらに含む。
【００３９】
ミラーフレーム６００は、ミラー２１０のための全体支持構造を提供する。フレーム６００の厚さは、例えば、約４００ないし６００ミクロンであり、質量の小さいコンパクト構造を提供するために、好ましい厚さは、約４００ないし４５０ミクロンである。好ましい実施例において、支持部材６０２、６０４、６０６及び６０８は、サイン波入力の半分である約２０００ｇ／０．５ｍＳの衝撃荷重を最適に吸収するために、約５００ないし２５００ミクロンに達する効果的な光線長さと約８，０００μｍ２ないし１６０，０００μｍ２の断面積を提供する。
【００４０】
ミラー収集板６１０は、上部Ｔ字状ヒンジ６１２と下部Ｔ字状ヒンジ６１４に連結される。このような方式において、ミラー収集板６１０は、軸６３０を中心に回転し、すなわち前記軸を中心にねじり運動をする。好ましい実施例において、前記軸６３０は、実質的にミラー収集板６１０の中心線に沿って位置し、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４の中心と一致し、これによりバネのための共同回転軸を提供する。反射面６２８は、ミラー収集板６１０の上部６３２に連結される。このような方式において、軸６３０を中心とするミラー収集板６１０の回転は、固定レーザーからのレーザー光線が多数の方向に反射面６２８で反射されるようにする。
【００４１】
ミラー収集板６１０の厚さは、例えば、約１００ないし６００ミクロンであり、質量を小さくし、かつ効果的なミラー２１０の固有周波数を最大化するために、好ましい厚さは、約１００ないし２５０ミクロンである。
【００４２】
反射面６２８は、例えば金、銀またはアルミニウムのように従来市販のいろいろな光反射面からなることができる。好ましい実施例において、反射面６２８は、反射される光エネルギーの量を最適化するために、金からなる。好ましい実施例において、反射面６２８の表面粗さは、反射される光エネルギーの量を最適化するために、反射光の約０．１波長より小さくなる。
【００４３】
図７と図８は、図６のミラーの断面図を示し、図９は、図６の底面図を示す。図７ないし図９に示すように、好ましい実施例において、ミラー収集板６１０の下部６３４は、上部移動ストッパー７１０、下部移動ストッパー部材７１５及び空洞７２０を含む。上部移動ストッパー７１０は、ミラー収集板６１０の下部６３４から延長する。上部移動ストッパー７１０は、好ましくはミラー収集板６１０のＺ方向移動を制限する。上部移動ストッパー７１０は、好ましくはミラー収集板６１０の下部６３４からほぼ直角方向に延長する。上部移動ストッパー７１０は、例えば、約２００ないし４００ミクロンの距離だけミラー収集板６１０の下部６３４から延長し、ミラー収集板６１０の移動を最適に制限するために、約２００ないし２５０ミクロンの好ましい距離だけ延長することができる。好ましい実施例において、上部移動ストッパー７１０は、軸６３０を中心に位置し、空洞７２０の一側部上に隣接するように配置される。下部移動ストッパー７１５は、好ましくは前述の上部移動ストッパー７１０と同様である。
【００４４】
空洞７２０は、ミラー収集板６１０の下部内に延長し、ミラー収集板６１０の質量を減少させる。このような方式で、ミラー２１０の垂れが低減される。好ましい実施例において、空洞の深さ及び容積は、２００ないし５００ミクロン及び８×１０６ないし１×１０９μｍ３である。好ましい実施例において、空洞７２０は、軸６３０を中心に位置し、ミラー収集板６１０の裏面側６３４内に配置される。
【００４５】
一般的なバーコードスキャナ用例の場合、レーザー光線の回転精密度は、ミラー収集板６１０がヒンジ自体により誘発された重力トークを受ける時、１．３内にあるように要求されることもできる。この場合、トークＴ＝ｍｇ＊ｈ／２であり、ここで、ｍｇは、ミラー収集板の重量であり、ｈは、ミラー収集板の厚さである。ミラーの精密度は、指示精密度とミラーの垂れと相関関係がある。Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４のねじりバネ定数Ｋｒは、ミラー収集板６１０の共振周波数Ｆ及びミラー収集板６１０の大きさと質量により決定される。重力トークによるミラーの傾斜角θは、関係式θ＝Ｔ／Ｋｒにより決定される。したがって、ミラー収集板６１０の厚さと質量は、１．３°未満のミラー傾斜角を提供するように選択されることが好ましい。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０の厚さと質量は、ミラー収集板６１０の厚さを減少させて、ミラー収集板６１０内に一つ以上の空洞を設けることによって減少する。
【００４６】
上部Ｔ字状ヒンジ６１２は、左支持部材６０６、右支持部材６０８及びミラー収集板６１０の上部に連結される。上部Ｔ字状ヒンジ６１２は、好ましくは垂直支持部材６４４（ビームまたはレッグ）と第２または水平支持部材６４６（Ｔ部材）を含む。水平支持部材６４６は、左支持部材６０６と右支持部材６０８により対向端部に支持されることが好ましい。好ましい実施例において、水平支持部材６４６は、左支持部材６０６と右支持部材６０８の両方に対してほぼ直角である。垂直支持部材６４４は、水平支持部材６４６に連結される。好ましい実施例において、垂直支持部材６４４は、水平支持部材６４６に対してほぼ直角である。垂直支持部材６４４は、水平支持部材６４６の中央点に連結される。垂直支持部材６４４は、軸６３０に沿って位置する。垂直支持部材６４４の長さ、幅及び厚さは、例えば、各々約１００ないし２５００ミクロン、２ないし１００ミクロン及び２ないし１００ミクロンである。好ましい実施例において、垂直支持部材６４４の長さ、幅及び厚さは、各々約８００ないし１０００ミクロン、８ないし１５ミクロン及び８ないし１５ミクロンである。垂直支持部材６４４のねじりバネ定数は、例えば、約２×１０−９ないし１０×１０−７ｌｂｆ−ｆｔ／ｒａｄｉａｎであり得る。好ましい実施例において、垂直支持部材６４４のねじりバネ定数は、約２×１０−８ないし１０×１０−８ｌｂｆ−ｆｔ／ｒａｄｉａｎである。水平支持部材６４６の長さ、幅及び厚さは、例えば、各々約５００ないし４５００ミクロン、６ないし１００ミクロン及び６ないし１００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、水平支持部材６４６の長さ、幅及び厚さは、例えば、各々約２２００ないし２５００ミクロン、１５ないし２５ミクロン及び１５ないし２５ミクロンである。
【００４７】
下部Ｔ字状ヒンジ６１４は、左支持部材６０６、右支持部材６０８及びミラー収集板６１０の下部に連結される。下部Ｔ字状ヒンジ６１４の構造は、上部Ｔ字状ヒンジ６１２と同様である。
【００４８】
図６ａないし６ｃに示すように、本発明に係るＴ字状ヒンジの他の実施例は、加速ローディング状態を感知するのに向上した感度を提供する。図６ａで、Ｔ字状ヒンジ６１２ａは、ジグザグ形態を有する垂直支持部材６４４ａと、実質的に線形形態を有する水平支持部材６４６ａとを含む。図６ｂで、Ｔ字状ヒンジ６１２ｂの他の実施例は、偏心された位置で水平支持部材６４６ｂに連結された垂直支持部材６４４ｂを含む。図６ｃで、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４のいずれか又は双方は、水平支持部材６４６ｃと鋭角に交差し、かつ、偏心された位置で水平支持部材６４６ｃに連結される垂直支持部材６４４ｃを備えるＴ字状ヒンジ６１２ｃを含むように変形される。
【００４９】
上部左移動ストッパー６１６は、ミラー収集板６１０の上部左部分から延長し、それに連結される。上部左移動ストッパー６１６は、好ましくはミラー収集板６１０のＸ方向移動を制限する。上部左移動ストッパー６１６は、ミラー収集板６１０の平面に配置されることが好ましい。好ましい実施例において、上部左移動ストッパー部材６１６は、ミラー収集板６１０からほぼ直角方向に延長する。上部左移動ストッパー部材６１６の厚さは、例えば、約２００ないし６００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部左移動ストッパー６１６の厚さは、衝撃保護及び質量の小さい弾性のコンパクト構造を最適に提供するために、約２５０ないし３５０ミクロンである。上部左移動ストッパー部材６１６の長さは、例えば、約５００ないし２０００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部左移動ストッパー６１６の長さは、約９００ないし１１００ミクロンである。特に好ましい実施例において、上部左移動ストッパー部材６１６の上部面は、ミラー収集板６１０の上部面と平行する。特に好ましい実施例において、上部左移動ストッパー６１６の下部面は、ミラー収集板６１０の下部面と平行する。
【００５０】
上部右と下部左及び下部右移動ストッパー６１８、６２０及び６２２は、上部左移動ストッパー部材６１６と実質的に同一である。これらの停止部材は、ミラー収集板６１０周囲の対応位置に配置される。
【００５１】
移動ストッパー６１６、６１８、６２０及び６２２は、好ましくは製造及び作動中にミラー収集板６１０に対してオーバースイング及びＸ軸衝撃保護を提供する。好ましい実施例において、移動ストッパー部材６１６、６１８、６２０及び６２２は、ミラー収集板６１０の一体部品として形成される。好ましい実施例で、移動ストッパー６１６、６１８、６２０及び６２２は、約５００ミクロンより大きい効果的な光線長さと、約４０，０００μｍ２ないし２４０，０００μｍ２の断面積を提供するので、サイン波入力の半分である約２０００ｇ／０．５ｍＳの衝撃荷重を最適に吸収することができる。
【００５２】
開口６２４は、好ましくはミラー収集板６１０が軸６３０を中心に回転できるようにする。開口６２４のの壁６３６は、好ましくはミラー収集板６１０のｘ方向とｙ方向移動を制限する。開口６２４は、好ましくは上部６３８、中央部６４０及び下部６４２を含む。開口６２４の上部６３８は、好ましくは上部Ｔ字状ヒンジ６１２及び上部左と右移動ストッパー６１６と６１８を収容する。開口６２４の中央部６４０は、好ましくはミラー収集板６１０を収容する。開口６２４の下部６４２は、好ましくは下部Ｔ字状ヒンジ６１４と下部左及び下部右移動ストッパー６２０と６２２を収容する。
【００５３】
開口６２４の中央部６４０の壁は、例えば、約３０ないし１５０ミクロンの距離だけミラー収集板６１０の対向エッジから離隔することができる。好ましい実施例において、開口６２４の中央部６４０の壁は、ミラー収集板６１０のｘ方向とｙ方向移動を最適に最小化するために、約６０ないし１００ミクロンの距離だけミラー収集板６１０の対向エッジから離隔されている。好ましい実施例において、ｘ方向の間隙は、ミラー収集板６１０を衝撃から最適に保護するために、ｙ方向と相異なるようになっている。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０と開口６２４の中央部６４０との間の間隙は、約１５ないし４５ミクロンのｙ方向間隔、及び約５０ないし１８０ミクロンのｘ方向間隔を提供するので、ミラー収集板６１０上の衝撃荷重を最適に制限することができる。
【００５４】
導電層６２６は、好ましくはミラー２１０の上部面の外周部に連結される。導電層６２６は、好ましくは導電性電気通路を提供する。導電層６２６は、例えば、金、アルミニウムまたは銀のように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、導電層６２６は、金で製造される。好ましい実施例において、導電層６２６は、チタニウムからなる中間層により下部基板に取り付けられる。
【００５５】
ミラー２１０は、例えば、シリコン、メッキ金属またはプラスチックのように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、ミラー２１０は、本願明細書に開示した微細加工の実施例のいずれか一つを利用したり、それらの組合を利用して、シリコンウェハを微細加工することによって製造される。
【００５６】
好ましい実施例において、束縛されない自立型ミラー収集板６１０は、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４により周囲の支持フレーム６００に連結される。好ましい実施例において、移動ストッパー突起６１６、６１８、６２０及び６２２は、ミラー収集板６１０に対してオーバースイング保護を提供する。好ましい実施例において、深さが２００ミクロンの異方性のディップ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）方法を用いてＸ軸衝撃保護とＹ軸衝撃保護のために非常に精密でかつ狭い間隙を形成することができ、この場合、ミラー収集板６１０は、Ｘ軸とＹ軸の並進または平行運動のために、すなわちミラー面の平面でフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８内に完全に限定されることが好ましい。本技術分野と本願明細書の利点について通常の知識を有する者なら、用語ＤＲＩＥが基板のディップ反応性イオンエッチングを称するものであることがわかるはぞであり。好ましい実施において、ＤＲＩＥ工程は、実質的に本願明細書に参照として合体される米国特許出願第５，４９８，３１２号と第５，５０１，８９３号に開示されたものとして提供される。Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４は、好ましくは収集板６１０にＸ軸とＹ軸方向に最適の並進運動を提供し、ミラー収集板６１０は、フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８により衝撃停止すると同時に、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４内で応力水準を低く維持することによって破損を防止する。好ましい実施例において、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４は、Ｘ軸とＹ軸方向に比較的従属的ながらも軸６３０を中心とする回転運動に対して充分の剛性を有していて、ミラー収集板６１０の共振周波数を達成することができる。
【００５７】
したがって、本発明の好ましい実施例で、ミラー収集板６１０は、一対のヒンジ６１２と６１４により支持され垂設されている。これらのヒンジは、共同ヒンジ軸６３０を中心とするミラー収集板６１０のねじり運動または回転と、それぞれのｘ、ｙ及びｚ方向へのミラー収集板の運動を許容する。ヒンジ部材６４６とフレーム６０１との間の間隙または間隔６４７は、ミラー収集板６１０のｙ方向移動を許容する反面に、停止部材６１６、６１８、６２０及び６２１とフレーム６０１との間の間隔６１１は、ｘ方向移動を許容する。ｘ方向とｙ方向の移動は、時々平行または並進運動として見なされ、ヒンジは、バネとして見なされる。また、ビーム６４４と６２８は、ミラー収集板６１０がｚ方向に移動できるようにする。Ｔ字状ヒンジは、ミラー収集板のｙ方向運動に必要な許容度を提供し、これは、ミラー収集板６１０により発生したｙ軸衝撃荷重に対するヒンジの衝撃耐性を向上させる。従来技術は、直線型ビームヒンジ、すなわち部材６４６のようなＴ字状部材無しにフレームに連結されたビームを一般的に使用する。そのような直線型ビームヒンジは、ｙ軸衝撃荷重によりねじりるか破損される傾向がある。また、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４のビームまたはレッグ６４４と６４８は、衝撃荷重によりｚ方向に移動する。部材６４６と６５０は、ねじり回転することができるから、ヒンジの部材６４４と６４８で誘発された応力を減少させるが、この応力は、直線型ビームヒンジで誘発された応力より小さいと判明された。応力減少量は、縦横比であるヒンジ６１２と６１４の「アスペクト比」と相関関係がある。
【００５８】
図７ないし図９に示すように、ミラー２１０は、好ましくは全体ウェハ厚さ（例えば、４００ミクロン）である部分６０２、６０４、６０６及び６０８と、ウェハ半分厚さ（例えば、２００ミクロン）である部分６１０を含む。ミラー収集板６１０中央の空洞７２０は、好ましくはミラー収集板６１０の下部面６３４から下側に１５０ミクロンエッチングされ、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４の厚さは、好ましくは約８ないし１５ミクロンとなる。半分厚さのミラー収集板６１０は、ディップ反応性イオンエッチングの量を減少させ、かつ、ミラー収集板６１０の位置正確度を向上させる。好ましくは、ミラー収集板６１０の中央でエッチングされた空洞７２０は、ミラー収集板６１０の位置正確度を向上させて、実質的に共振周波数を変更させることなく、ミラー収集板６１０の質量を減少させるのに主として利用される。
【００５９】
ミラー収集板６１０の裏面は、好ましくは全体ウェハ厚さ（例えば、４００ミクロン）のＺ移動ストッパー部材７１０と７１５を含む。ミラー収集板６１０の厚さは、好ましくは２００ミクロンであるから、より厚い移動ストッパー部材７１０と７１５は、下部キャップ２１５の移動ストッパー突起１０１０と１０２０に対して５０ミクロンの間隙を最適に維持でき、Ｚ方向に衝撃保護を提供するのに役に立つ。約３ｍｍ×３ｍｍの最小ｘ−ｙ平面寸法を有するミラー収集板６１０が好ましい。
【００６０】
他の実施例において、図６ｄに示すように、ミラー２１０の左及び右支持部材６０６と６０８は、ミラー収集板６１０の対向側部上に配置されたカットアウト６６０ａと６６０ｂをさらに含む。このような方式で、ミラー収集板６１０と左及び右支持部材６０６と６０８との間の空気通路に対する抵抗による粘性減衰量が減少する。このような方式において、ミラー２１０の周波数反応特性が向上する。
【００６１】
図１０ないし１２に示すように、下部キャップ２１５は、下部キャップを支持するための下部キャップフレーム１０００を含む。下部キャップフレーム１０００は、図３に示した上部キャップに対して前述したように支持部材と上部及び下部移動ストッパー部材を含む。下部キャップは、上部左ビーム１０３５、上部右ビーム１０４０、下部左ビーム１０４５、下部右ビーム１０５０、上部導電面１０５５、下部導電面１０６０及び開口１０６５をさらに備えることができる。
【００６２】
下部キャップフレーム１０００の厚さは、例えば、約４００ないし６００ミクロンであり、質量の小さいコンパクト構造を提供するために、好ましい厚さは、約４００ないし４５０ミクロンである。
【００６３】
上部移動ストッパー部材１０１０は、好ましくはミラー２１０反射部のｚ方向移動を制限する。上部移動ストッパー部材１０１０は、好ましくは上部支持部材１００５からほぼ直角方向に延長する。好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材１０１０は、上部支持部材１００５の平面内に配置される。上部移動ストッパー１０１０の厚さは、例えば、約３５０ないし５５０ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材１０１０は、質量の小さいコンパクト構造を提供するために、約３５０ないし３８０ミクロンである。特に好ましい実施例において、上部移動ストッパー１０１０の上部面１０１０ａは、上部支持部材１００５の上部面１００５ａの高さの下側に凹設される。このような方式で、上部移動ストッパー部材１０１０の上部面１０１０ａは、ミラー２１０のミラー収集板６１０の高さの下側に配置されることが好ましい。上部移動ストッパー部材１０１０の長さは、例えば、約１２００ないし２８００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材１０１０の長さは、約２０００ないし２５００ミクロンである。特に好ましい実施例において、上部移動ストッパー部材１０１０の長さは、ミラーのミラー収集板６１０と約３００ミクロンだけ重畳するように選択される。
【００６４】
下部移動ストッパー部材１０２０は、下部支持部材１０１５からほぼ直角方向に延長することが好ましい。下部移動ストッパー部材１０２０は、前述した上部移動ストッパー部材１０１０と実質的に同一である。
【００６５】
上部左ビーム１０３５は、製造工程中にミラー２１０のミラー収集板６１０を支持し、そのｚ方向移動を制限することが好ましい。このような方式で、不完全なミラー２１０が製造工程中に衝撃や予期しない故障から保護され、工程装備から落下することが保護される。上部左ビーム１０３５は、好ましくは左支持部材１０２５からほぼ直角方向に延長する。好ましい実施例において、上部左ビーム１０３５は、左支持部材１０２５の平面内に配置される。上部左ビームの厚さは、例えば、約１５０ないし２５０ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部左ビーム１０３５の厚さは、質量の小さいコンパクト構造を最適に提供するために、約２００ないし２２０ミクロンである。特に好ましい実施例において、上部左ビーム１０３５の上部面は、左支持部材１０２５の上部面１０２５ａの高さの下側に凹設される。このような方式で、上部左ビーム１０３５の上部面は、ミラー２１０の上部左移動ストッパー部材６１６の高さの下側に配置されることが好ましい。上部左ビーム１０３５の長さは、例えば、約１５００ないし２２００ミクロンであり得る。好ましい実施例において、上部左ビーム１０３５の長さは、約１８００ミクロンである。
【００６６】
上部右と下部左及び下部右ビーム１０４０、１０４５及び１０５０は、上部左ビーム１０３５と実質的に同一である。これらのビームは、対応する支持部材の平面内に配置される。
【００６７】
上部導電面１０５５は、下部キャップ２１５の上部面の外周部に連結されることが好ましい。上部導電面１０５５は、好ましくは導電性電気通路を提供する。また、上部導電面１０５５は、後続する下部キャップ２１５のミラー２１０に対する圧着のための接着リングを提供することが好ましい。上部導電面１０５５は、例えば、金、アルミニウムまたは銀のように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、上部導電面１０５５は、金で製造される。好ましい実施例において、上部導電面１０５５は、チタニウムからなる中間層を用いて下部キャップ２１５に取り付けられる。下部導電面１０６０は、好ましくは下部キャップ２１５の下部面の外周部に連結され、上部導電面１０５５と実質的に同一である。
【００６８】
好ましい実施例において、導電面１０５５と１０６０は、下部キャップ２１５の露出した表面全てを一定に被覆する。
【００６９】
開口１０６５は、好ましくはベース部材２２０の駆動パッド電極１３１０と１３１５が静電気力により駆動されるようにし、ミラー２１０のミラー収集板６１０の位置を感知できるようにする。開口１０６５は、ミラー２１０のミラー収集板６１０より大きい略長方形の開口からなることが好ましい。
【００７０】
図１３ないし図１５に示すように、好ましい実施例において、ベース部材２２０は、下部板１３０５、左駆動パッド電極１３１０、右駆動パッド電極１３１５、フレーム１３００、導電層１３４０及び導電性経路１３４５、１３５０及び１３５５を含む。
【００７１】
下部板１３０５とフレーム１３００は、ベース部材２２０を共に構造的に支持する。ベース部材２２０は、好ましくは下部キャップ２１５、ミラー２１０及び上部キャップ２０５を支持する。
【００７２】
下部板１３０５は、例えばセラミック、シリコンまたはガラスのように従来市販の多様な材料で製造されるソリッド部材からなることが好ましい。好ましい実施例において、下部板１３０５の厚さは、約２００ないし４００ミクロンである。
【００７３】
左駆動パッド電極１３１０は、下部板１３０５に連結される。左駆動パッド電極１３１０は、好ましくはミラー２１０のミラー収集板６１０が静電気力を用いて駆動できるようにし／したり、ミラー２１０のミラー収集板６１０の位置が感知され得るようにする。このような方式において、ミラー２１０のミラー収集板６１０は、軸６３０を中心に振動する。好ましい実施例において、左駆動パッド電極１３１０は、導電性経路１３５０に連結される導電層１３１０ａを含む。このような方式で、電気的接続が導電層１３１０ａに提供されることができる。導電層１３１０ａは、例えば、金属、ポリシリコンまたは導電性エポキシのように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、導電層１３１０ａは、金属で製造される。
【００７４】
左駆動パッド電極１３１０は、約３×１０６ないし１０×１０６μｍ２の上部表面積を有することができる。好ましい実施例において、左駆動パッド電極１３１０の上部表面積は、ミラー２１０のミラー収集板６１０を最適に駆動させるために、約４．５×１０６μｍ２である。左駆動パッド電極１３１０は、好ましくは下部板１３０５からほぼ直角方向に延長する。左駆動パッド電極１３１０は、例えば、約５０ないし２００ミクロンに達する距離だけ下部板１３０５から延長することができる。好ましい実施例において、左駆動パッド電極１３１０は、約５０ないし１００ミクロンに達する距離だけ下部板１３０５から延長する。特に好ましい実施例において、左駆動パッド電極１３１０の上部は、ミラー２１０のミラー収集板６１０の下部間の間隙が約３００ないし４００ミクロンである。
【００７５】
右駆動パッド電極１３１５は、左駆動パッド電極１３１０と実質的に同一である。好ましい実施例において、左及び右駆動パッド電極１３１０と１３１５は、軸６３０から実質的に等距離に配置される。
【００７６】
上部支持部材１３２０は、下部板１３０５、左支持部材１３３０、右支持部材１３３５及び導電層１３４０に連結される。上部支持部材１３２０の長さ、幅及び高さは、例えば、約４０００ないし６０００ミクロン、４００ないし６００ミクロン及び４００ないし６００ミクロンである。好ましい実施例において、上部支持部材１３２０の長さ、幅及び高さは、約４９００ミクロン、３７５ミクロン及び４００ミクロンである。
【００７７】
左支持部材１３３０は、下部板１３０５、上部支持部材１３２０、下部支持部材１３２５及び導電層１３４０に連結される。左支持部材１３３０の長さ、幅及び高さは、例えば、約６０００ないし９０００ミクロン、４００ないし６００ミクロン及び４００ないし６００ミクロンである。好ましい実施例において、左支持部材１３３０の長さ、幅及び高さは、約６８００ミクロン、３７５ミクロン及び４００ミクロンである。
【００７８】
下部支持部材１３２５は、上部支持部材１３２０と実質的に同一であり、右支持部材１３３５は、左支持部材１３３０と実質的に同一である。
【００７９】
好ましい実施例において、下部板１３０５、上部支持部材１３２０、下部支持部材１３２５、左支持部材１３３０及び右支持部材１３３５は、一体に形成される。
【００８０】
導電層１３４０は、ベース部材２２０の上部面の外周部周りから延長する。導電層１３４０は、好ましくはミラー２１０のミラー収集板６１０を駆動させるのに使用するための導電性電気通路を提供する。導電層２２０は、例えば金属、ポリシリコンまたは導電性エポキシのように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、導電層１３４０は、金で製造される。導電層１３４０は、従来の方法を用いて導電性経路１３４５に連結されることもできる。
【００８１】
下部板２２０は、従来の種々の製造方法を用いて、例えば、セラミック、シリコンまたはガラスのように従来市販の多様な材料で製造することができる。好ましい実施例において、ベース部材２２０は、本願明細書に開示した微細加工の実施例のいずれか一つを利用したり、それらの組合を利用して、セラミック基板を微細加工し／加工したり、厚膜プリントすることで製造される。
【００８２】
ベース部材２２０は、好ましくは駆動パッド電極１３１０と１３１５を用いて静電気作動及び容量位置感知のためにミラー収集板６１０に対する電極接近を提供する。静電気作動と容量位置感知の構成及び作動は、この技術分野に広く公知されている。
【００８３】
下部キャップ２１５に対するベース部材２２０の導電性エポキシ接着と組合して、ベース部材２２０の外周部周りの金属リング１３４０は、好ましくはベース部材２２０と下部キャップ２１５との間に電気的接触を提供する。好ましい実施例において、ウェハ接着工程は、好ましくは下部キャップ２１５がミラー収集板６１０と直接電気的接触され得るようにする。したがって、ミラー収集板６１０は、好ましくはベース部材２２０を用いて電気的に接近、制御及び監視されることができる。ベース部材２２０上の電極駆動パッドとミラー接触金属化部分１３１０ａ、１３１５ａ及び１３４０は、従来の厚膜貫通孔技法を用いてベース部材２２０の裏面上の電気的接触パッドに連結され、これは、ミラー組立体１１０の表面実装構成要素を有効にする。
【００８４】
これから図１６を参照すれば、上部キャップ２０５とミラー２１０を含むサブ組立体が図示されている。図１６に示すように、上部キャップ２０５の移動ストッパー部材３１０は、ミラー収集板６１０をｚ軸衝撃から保護するとともに、ミラー収集板６１０の反射面６２８のシャドーイング／重畳を最小化する。また、上部キャップ２０５の側部リムカットアウト３３０は、ミラー収集板６１０の反射面６２８に対する光路を最大化させる。
【００８５】
図１７を参照すれば、下部キャップ２１５とベース部材２２０を含むサブ組立体が図示されている。図１７に示すように、移動ストッパー突起１０１０と１０２０は、ミラー収集板６１０をｚ軸衝撃から保護すると共に、駆動パッド電極１３１０と１３１５の駆動領域を最大化させる。
【００８６】
図１８を参照して、ミラー組立体１１０の追加的な衝撃保護形態を説明する。図１８に示すように、上部キャップ２０５と下部キャップ２１５の内壁全ては、テーパー壁を含む。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０は、両方向に約１４°程度平面から外れるように回転される。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０と上部キャップ２０５、下部キャップ２１５及びミラー２１０の支持構造の内壁との間の間隙は、−１４°ないし＋１４Ｅの回転の場合、約６０±１０ミクロンである。また、図１８に示すように、移動ストッパー部材３２０と１０２０は、ミラー収集板６１０をｚ軸衝撃から保護する。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０と移動ストッパー部材３２０と１０２０との間の間隙は、約２０ないし６０ミクロンである。
【００８７】
図１８に示すように、上部キャップ２０５の移動ストッパー突起３１０と３２０は、ミラー２１０をｚ軸衝撃から保護すると共に、ミラー収集板６１０のシャドーイング／重畳を最小化し、これにより微細ミラーに対する外部レーザーの光学的接近を提供する。移動ストッパー突起３１０と３２０は、好ましくは上部キャップ２０５から約２０ないし６０ミクロン程度凹設されており、これは、ミラー収集板６１０と移動ストッパー突起３１０と３２０との間の間隙をｚ方向に約２０ないし６０ミクロンに設定する。上部キャップ２０５の内周部周りのテーパー壁は、好ましくはミラー収集板６１０が平面を外して回転される入力衝撃の間、ミラー収集板６１０を捕獲するためのものである。上部キャップ２０５の左及び右リムカットアウト３３０と３４０は、好ましくはクリッピング減少を提供する。下部キャップ２１５の移動ストッパー突起１０１０と１０２０は、好ましくはミラー収集板６１０をｚ軸から保護すると共に、駆動パッド電極１３１０と１３１５の表面積を最大化させる。下部キャップ２０５と２１５の移動ストッパー突起の構成は、好ましくはｚ軸並進運動からミラー収集板６１０を抑制させると共に、軸６３０を中心とするミラー収集板６１０のねじり回転を促進させる。また、下部キャップ２１５は、好ましくは製造工程中に不完全なミラーの取り扱いを容易にするために、ビーム１０２５、１０４０、１０４５及び１０５０を含む。
【００８８】
図６、図６ａ、図６ｂ及び図６ｃに示すように、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４は、回転バネ定数を並進バネ定数から分離させる。このような方式で、ミラー収集板６１０は、振動と衝撃荷重から最適に保護される。
【００８９】
これから図１９を参照して、入射レーザー光線の反射を最適化するためのミラー組立体１１０の追加的な形態を説明する。センサー組立体１１０の例示的な用例において、入射レーザー光線Ａは、４５°の角度にミラー収集板６１０に指向され、反射光Ｂを発生させる。±１０°の走査範囲の場合、反射されたレーザー光線の境界は、光線Ｂ’とＢである。レーザー光線のクリッピングを防止するために、上部キャップ２０５のテーパー壁とリムカットアウト３３０と３４０は、入射及び反射されたレーザー光線のクリッピングを最小化させる。このような特徴は、入射レーザー光線が入射レーザー光線Ａ’または反射されたレーザー光線Ｂを発生させるように配置される場所に特に有利である。
【００９０】
図１８と１９に示すように、下部キャップ２１５のテーパー壁は、ミラー収集板６１０に対する最適の衝撃保護を提供し、上部キャップ２０５のテーパー壁は、入射及び反射されたレーザー光線のクリッピングを最小化させる。また、上部キャップ２０５のリムカットアウト３３０と３４０は、入射及び反射されたレーザー光線のシャドーイング及びクリッピングを最小化させる。
【００９１】
前述したミラー組立体は、ミラー、上部キャップ及び下部キャップを含む。ミラーは、ミラー支持構造体、ミラー支持構造体に結合された一対のＴ字状ヒンジ及びＴ字状ヒンジに連結されたミラー板を含む。ミラー板は、その移動を制限するための一つ以上の移動ストッパー部材を含む。上部キャップは、ミラー板で光が反射され得るようにする開口と、ミラー板の移動を制限するために上部キャップ支持構造体に連結された一つ以上の移動ストッパー部材とを備える上部キャップ支持構造体を含む。下部キャップは、ミラーの他の側部に連結される。下部キャップは、開口とミラー板の移動を制限するために、下部キャップ支持構造体に連結された一つ以上の移動ストッパー部材を備える下部キャップ支持構造体を含む。好ましい実施例において、ミラー支持構造体は、上部支持部材、下部支持部材、右支持部材及び左支持部材を含む。好ましい実施例において、ミラー支持構造体は、開口を含む。好ましい実施例において、支持構造体の開口は、対向配置された一対のカットアウトを含む。好ましい実施例において、支持構造体の開口は、ミラー板に対して相補的な形態を取る。好ましい実施例において、支持構造体開口のエッジとミラー板との間の間隔は、１５ないし１８０ミクロンである。好ましい実施例において、一対のＴ字状ヒンジは、上部Ｔ字状ヒンジと、この上部Ｔ字状ヒンジに対して対向関係に配置された下部Ｔ字状ヒンジとを含む。好ましい実施例において、ミラー板は、第１の側部と第２の側部、板部材の第１の側部に連結された反射面、板部材の第２の側部に形成された空洞及び板部材の第２の側部に連結された一対の移動ストッパー部材を備える板部材を含む。好ましい実施例において、板部材の空洞は、Ｖ字状断面を含む。好ましい実施例において、ミラー板は、板部材と、この板部材から延長する一つ以上の移動ストッパー部材とを含む。好ましい実施例において、移動ストッパー部材は、板部材の平面に配置される。好ましい実施例において、板部材の平面内に配置された板部材の移動ストッパー部材は、約５００ないし２０００ミクロン及び２００ないし６００ミクロンの長さ及び厚さを有する。好ましい実施例において、板部材の平面から延長する板部材の移動ストッパー部材は、約２００ないし２５０ミクロンの長さを有する。好ましい実施例において、ミラー板は、板部材と、この板部材から延長する多数の移動ストッパー部材とを含む。好ましい実施例において、板部材の平面内に配置された少なくとも一つの板部材の移動ストッパー部材と少なくとも一つの移動ストッパー部材は、板部材の平面から延長する。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含む。好ましい実施例において、第１の部材と第２の部材は、ほぼ直角である。好ましい実施例において、第１のヒンジ部材の長さ、幅及び厚さは、約５００ないし４５００ミクロン、１０ないし１００ミクロン及び１０ないし１００ミクロンである。好ましい実施例において、第２のヒンジ部材の長さ、幅及び厚さは、約４００ないし１８００ミクロン、２ないし３５ミクロン及び２ないし３５ミクロンである。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、ねじりバネを提供する。好ましい実施例において、バネ定数は、約２×１０−９ないし１０×１０−７ｌｂｆ−ｆｔ／ｒａｄｉａｎである。好ましい実施例において、上部キャップの移動ストッパー部材は、上部キャップ支持構造体の平面内に配置される。好ましい実施例において、上部キャップ移動ストッパー部材の厚さは、上部キャップ支持構造体の厚さより小さい。好ましい実施例において、上部キャップ支持構造体の開口は、対向配置された一対のカットアウトを含む。好ましい実施例において、カットアウトは、テーパー壁を含む。好ましい実施例において、テーパー壁のテーパー角度は、約５５ないし６０度である。好ましい実施例において、上部キャップ開口は、テーパー壁を含む。好ましい実施例において、テーパー壁のテーパー角度は、約５５ないし６０度である。好ましい実施例において、下部キャップ移動ストッパー部材は、下部キャップ支持構造体の平面内に配置される。好ましい実施例において、下部キャップ移動ストッパー部材の厚さは、下部キャップ支持構造体の厚さより小さい。好ましい実施例において、下部キャップ開口は、テーパー壁を含む。好ましい実施例において、テーパー壁のテーパー角度は、約５５ないし６０度である。好ましい実施例において、ミラー組立体は、下部キャップに連結されたベース部材をさらに含む。好ましい実施例において、ベース部材は、ミラー板を作動させるための一つ以上の駆動パッドを含む。好ましい実施例において、ベース部材は、ミラー板の位置を感知するための一つ以上の感知部材を含む。好ましい実施例において、下部キャップは、製造工程中にミラー板を支持するための一つ以上の支持部材をさらに含む。好ましい実施例において、上部キャップ移動ストッパー部材の長さ及び厚さは、約８００ないし２８００ミクロン及び３４０ないし５８０ミクロンである。好ましい実施例において、下部キャップ移動ストッパー部材の長さ及び厚さは、約８００ないし２８００ミクロン及び３４０ないし５８０ミクロンである。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、第１の部材に対して直角を成す。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２部材とを含み、前記第２の部材は、ジグザグ型である。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、第１の部材の中心から偏心されている。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、この第２の部材は、第１の部材と鋭角で交差される。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、互いに分離された並進バネ定数と回転バネ定数を含む。
【００９２】
また、前述したミラー組立体は、支持構造体、この支持構造体に連結された一対のＴ字状ヒンジ及びこのＴ字状ヒンジに連結されるミラー板を含む。ミラー板は、その移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを含む。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、分離された回転バネ定数と並進バネ定数を含む。好ましい実施例において、支持構造体は、上部支持部材、下部支持部材、右支持部材及び左支持部材を含む。好ましい実施例において、支持構造体は、開口を含む。好ましい実施例において、開口は、対向配置された一対のカットアウトを含む。好ましい実施例において、開口は、ミラー板に対して相補的な形態を取る。好ましい実施例において、開口エッジとミラー板間の間隔は、約１５ないし１８０ミクロンである。好ましい実施例において、一対のＴ字状ヒンジは、上部Ｔ字状ヒンジと、この上部Ｔ字状ヒンジに対して対向関係に配置された下部Ｔ字状ヒンジとを含む。好ましい実施例において、ミラー板は、第１の側部と第２の側部、板部材の第１側部に連結される反射面、板部材の第２の側部内に形成された空洞及び板部材の第２側部に連結される一対の移動ストッパーを備える板部材を含む。好ましい実施例において、空洞は、Ｖ字状断面を含む。好ましい実施例において、ミラー板は、板部材と、この板部材から延長する一つ以上の移動ストッパーとを含む。好ましい実施例において、移動ストッパーは、板部材の平面内に配置される。好ましい実施例において、板部材の平面内に配置された移動ストッパーの長さ及び厚さは、約５００ないし２０００ミクロン及び２００ないし６００ミクロンである。好ましい実施例において、移動ストッパーは、板部材の平面から延長する。好ましい実施例において、板部材の平面から延長する移動ストッパーの長さは、約２００ないし２５０ミクロンである。好ましい実施例において、ミラー板は、板部材と、この板部材から延長する多数の移動ストッパーとを含む。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、第１の部材とこの第１の部材に連結された第２の部材を含む。好ましい実施例において、第１の部材と第２の部材は、ほぼ直角を成す。好ましい実施例において、第１の部材の長さ、幅及び厚さは、約５００ないし４５００ミクロン、１０ないし１００ミクロン及び１０ないし１００ミクロンである。好ましい実施例において、第２の部材の長さ、幅及び厚さは、約４００ないし１８００ミクロン、２０ないし３５ミクロン及び２ないし３５ミクロンである。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、ねじりバネを提供する。好ましい実施例において、バネ定数は、約２×１０−９ないし１０×１０−７ｌｂｆ−ｆｔ／ｒａｄｉａｎである。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、第１部材に対して直角をなす。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、ジグザグ型である。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、第１の部材の中心から��心される。好ましい実施例において、一つ以上のＴ字状ヒンジは、第１の部材と、この第１の部材に連結された第２の部材とを含み、前記第２の部材は、第１の部材と鋭角で交差される。好ましい実施例において、ミラー組立体は、本願明細書に開示した併合マスクの微細加工処理（プロセス）を一つ以上利用して製造される。
【００９３】
また、前述した装置は、一つ以上のＴ字状バネと、このＴ字状バネに連結された質量体とを含む。好ましい実施例において、前記質量体は、反射面を含む。好ましい実施例において、質量体は、質量体の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを含む。好ましい実施例において、装置は、質量体の上部に連結された上部キャップをさらに含み、前記上部キャップは、質量体の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを含む。好ましい実施例において、装置は、質量体の下部に連結された下部キャップをさらに含み、前記下部キャップは、質量体の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを含む。好ましい実施例において、装置は、質量体の上部に連結された上部キャップと、質量体の下部に連結された下部キャップとをさらに含み、前記上部キャップと下部キャップは、質量体の移動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを各々含む。好ましい実施例において、装置は、本願明細書に開示した併合マスクの微細加工処理を一つ以上利用して製造される。好ましい実施例において、各Ｔ字状ヒンジは、分離された回転バネ定数と並進バネ定数を含む。好ましい実施例において、装置は、加速度計を備える。好ましい実施例において、装置は、ジャイロスコープを備える。
【００９４】
また、前述した装置はハウジング、質量体及びハウジングに対して質量体を連結させるための一つ以上のバネを含む。各バネは、回転バネ定数と並進バネ定数を含む。回転バネ定数は、並進バネ定数から分離される。好ましい実施例において、バネは、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。好ましい実施例において、ハウジング、質量体及びバネは、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。好ましい実施例において、各バネは、多数のバネを備える。好ましい実施例において、各バネは、Ｔ字状である。好ましい実施例において、装置は、上部キャップカットアウトを含むハウジングの上部に連結された上部キャップと、下部キャップカットアウトを含むハウジングの下部に連結された下部キャップとをさらに含む。上部及び下部キャップカットアウトは、質量体がその休止位置から回転される時、質量体の移動を制限する。好ましい実施例において、各カットアウトは、テーパー型側壁を含む。好ましい実施例において、テーパー型側壁は、約１５ないし４５度の角度で垂直方向に回転される。
【００９５】
前述した質量体をハウジング内に弾性的に支持する方法は、並進バネ定数と回転バネ定数を有する一つ以上のバネを使用して、質量体をハウジングに連結するステップと、並進バネ定数を回転バネ定数から分離させるステップとを含む。好ましい実施例において、バネは、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。好ましい実施例において、ハウジング、質量体及びバネは、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。好ましい実施例において、各バネは、多数のバネを備える。好ましい実施例において、各バネは、Ｔ字状である。好ましい実施例において、方法は、質量体が休止位置から回転される時、質量体の移動を制限するステップをさらに含む。好ましい実施例において、質量体が休止位置から回転される時、質量体の移動を制限するステップは、質量体が休止位置から回転される時、質量体の並進を制限するステップを含む。
【００９６】
また、前述した質量体をハウジング内に弾性的に支持する方法は、質量体のＸ、Ｙ及びＺ方向への並進運動を制限するステップと、質量体の回転を制限するステップとを含む。好ましい実施例において、ハウジングと質量体は、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。好ましい実施例において、方法は、質量体が休止位置から回転される時、質量体の移動を制限するステップをさらに含む。好ましい実施例において、回転体が休止位置から回転される時、質量体の移動を制限するステップは、質量体が休止位置から回転される時、質量体の並進を制限するステップを含む。
【００９７】
また、前述した装置は、ハウジングと、このハウジングに弾性的に連結された質量体を含み、前記質量体は、その回転及び並進運動を制限するための一つ以上の移動ストッパーを含む。好ましい実施例において、ハウジングは、質量体の並進運動を制限する質量体を収容するための開口を含む。好ましい実施例において、装置は、ハウジングの上部に連結された上部キャップと、ハウジングの下部に連結された下部キャップとをさらに含む。上部キャップと下部キャップは、質量体がハウジング内の休止位置を離れて回転される時、質量体の移動を制限する。好ましい実施例において、上部キャップと下部キャップは、カットアウトを含む。好ましい実施例において、各カットアウトは、テーパー型側壁を含む。好ましい実施例において、テーパー型側壁は、約１５ないし４５度の角度で垂直方向に回転される。
【００９８】
また、前述した装置は、開口を備えるハウジングを含み、この開口は、一つ以上のカットアウトとハウジングに弾性的に連結された反射面を含む。好ましい実施例において、各カットアウトは、テーパー型側壁を含む。好ましい実施例において、テーパー型側壁は、約１５ないし４５度の角度で垂直方向に回転される。好ましい実施例において、ハウジングと反射面は、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。
【００９９】
また、前述した光線を反射する方法は、反射面を提供するステップと、入射及び反射された光線のクリッピングを最小化するために一つ以上のカットアウトを含む反射面に接近するための光路を提供するステップとを含む。好ましい実施例において、光路は、約１５ないし４５度の角度で垂直方向に回転される側壁を含む。好ましい実施例において、光路と反射面は、基板を微細加工するステップを含むプロセスにより製造される。
【０１００】
図２０を参照すれば、好ましい実施例において、ミラー組立体１１１０の製造方法は、（１）ミラーウェハプロセス２００５、（２）セラミックベースウェハプロセス２０１０、（３）上部／下部キャップウェハプロセス２０１５、（４）キャップウェハをミラーウェハに金で接着し、ミラーウェハスタックを形成するステップ２０２０、（５）セラミックベースウェハをミラーウェハスタック導電性エポキシで接着し、パッケージ型ミラーウェハスタックを形成するステップ２０２５、（６）パッケージ型ミラーウェハスタックをダイシングするステップ２０３０及び（７）パッケージ型ミラーダイを検査するステップ２０３５を含む。
【０１０１】
ミラーウェハプロセス２００５は、好ましくはミラー２１０を提供する。好ましい実施例において、図２１ａと２１ｂに示すように、ミラーウェハプロセス２００５は、好ましくは、（１）ステップ２１０５でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ２１１０でシリコンウェハの両面上に二酸化珪素からなるパッド層を成長させ、（３）ステップ２１１５でシリコンウェハの両面に窒化珪素層を塗布し、（４）ステップ２１２０でシリコンウェハの裏面上に窒化珪素層をパターニングし、（５）ステップ２１２５でシリコンウェハの裏面上に二酸化珪素からなる露出領域をエッチングし、（６）ステップ２１３０でシリコンウェハの裏面上にシリコンからなる露出領域を薄膜エッチングし、（７）ステップ２１３５で窒化珪素層で覆われないウェハの裏面領域上に二酸化珪素層のフィールド層を成長させ、（８）ステップ２１４０でシリコンウェハの裏面上に二酸化珪素からなるフィールド層をパターニングし、（９）ステップ２１５０でシリコンウェハの裏面上にシリコンの露出部をＫＯＨエッチングし、（１０）ステップ２１５５でシリコンウェハの裏面上に二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングし、（１１）ステップ２１６０でシリコンウェハの裏面上にシリコンの露出部をＫＯＨエッチングし、シリコンウェハの両面上に窒化珪素層を剥離し、（１２）ステップ２１６５でシリコンウェハの全面上に二酸化珪素層の露出部を写真エッチングし、（１３）ステップ２１７０でシリコンウェハの両面上の二酸化珪素層をエッチングし、（１４）ステップ２１７５でシリコンウェハの全面上に金を蒸着し、（１５）ステップ２１８０でシリコンウェハの全面上の金層を写真エッチング及びエッチングし、（１６）ステップ２１８５でシリコンウェハの全面にフォトレジスト層を塗布し、（１７）ステップ２１９０でシリコンウェハの全面上のフォトレジスト層を写真エッチング及びエッチングし、（１８）ステップ２１９２でシリコンウェハの全面上にシリコンの露出部を深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）し、（１９）ステップ２１９４でシリコンウェハの全面上に二酸化珪素層の露出部をエッチングし、（２０）ステップ２１９６でシリコンウェハの全面上にシリコンの露出部を深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）し、及び（２１）ステップ２１９８でシリコンウェハの全面上にフォトレジスト層をプラズマで剥離するステップを含む。
【０１０２】
この分野と本願明細書の利点に対して通常の知識を有する者なら分かるように、パターニングとは、材料層または基板にパターンを生成するために、従来の写真エッチングとエッチングを連続作業することを指す。この分野と本願明細書の利点に対して通常の知識を有する者なら分かるように、エッチングとは、材料層または基板の露出部の少なくとも一部を除去することを指す。
【０１０３】
好ましい実施例において、ＤＲＩＥプロセスは、実質的に米国特許出願第５，４９８，３１２号と第５，５０１，８９３号に開示されたものが提供され、その開示内容は、本願明細書に参照として合体される。
【０１０４】
図２２に示すように、プロセスステップ２１０５で、シリコンウェハ２２０５は、表面２２０５ａと裏面２２０５ｂを有するように提供される。好ましい実施例において、シリコンウェハ２２０５は、４００ミクロン厚さのシリコンウェハからなる。好ましい実施例において、シリコンウェハ２２０５は、シリコンウェハ２２０５の表面上にホウ素ドーピングされたｅｐｉのドーピングを収容する。厚くドーピングされたホウ素珪素層は、ＫＯＨのためのエッチングストッパーを形成する。好ましい実施例において、シリコンウェハ２２０５の表面上にホウ素ドーピングされたｅｐｉのドーピングは、約７ミクロンの深さをもって提供される。
【０１０５】
好ましい実施例において、上部／下部キャップ及びミラーウェハに対する出発材料の仕様は、二重面研磨、４００±７．５ミクロンの厚さ制御及びホウ素の１０１８μｍ−３のドーピング濃度である。ミラーウェハの場合、出発ウェハは、好ましくは表面上に７ミクロンの厚くホウ素ドーピングされたｅｐｉで蒸着れた後、略４００ミクロンの出発厚さでさらに研磨される。好ましい実施例において、除去されたミラー収集板６１０からセラミックベース部材２２０への電気的接続は、ミラーウェハと下部キャップウェハの厚さにより行われる。これらのウェハの高いドーピング濃度は、ミラー／下部キャップ及び下部キャップ／ベース部材金属化部分間に良好な抵抗の電気的接触を最適に提供する。他の実施例において、下部キャップ２２０の二重面注入とミラー２１０の裏面注入が提供される。
【０１０６】
プロセスステップ２１１０で、二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂは、シリコンウェハ２２０５の両面上に成長される。二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂは、従来に工業的に利用可能な多くのプロレスを利用して成長されることができる。好ましい実施例において、二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂは、熱酸化処理により成長される。二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂは、例えば、３００ないし１００００オングストロームの深さまで成長される。好ましい実施例において、二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂは、約３０００ないし６０００オングストロームの深さまで成長される。パッド層２２１０ａと２２１０ｂは、窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂ及びシリコンウェハ２２０５の表面間に、二酸化珪素のバッファ層を提供する。
【０１０７】
プロセスステップ２１１５で、窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂは、二酸化珪素のパッド層２２１０ａと２２１０ｂ上に塗布される。窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂは、従来に工業的に利用可能な多くのプロセスを利用して蒸着されることができる。窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂは、化学的気相蒸着法により蒸着される。窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂは、例えば１０００ないし２００００オングストロームの深さまで塗布されることができる。好ましい実施例において、窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂは、約１２００ないし１５００オングストロームの深さまで塗布される。
【０１０８】
図２３に示すように、プロレスステップ２１２０で、窒化珪素層２２１５ｂをエッチングし、二酸化珪素のパッド層２２１０ｂの一部を露出させる。窒化珪素層２２１５ｂのエッチングされない部分は、エッチングされないまま残っているシリコンウェハの裏面２２０５ｂの領域を保護するが、このような領域は、好ましくはミラー収集板６１０のミラー２１０と、移動ストッパー７１０と７１５に対する支持構造体を含む。
【０１０９】
図２３ａに示すように、プロセスステップ２１２５で、二酸化珪素のパッド層２２１０ｂの露出部をエッチングし、シリコンウェハの裏面の一部を露出させる。
【０１１０】
図２３ｂに示すように、プロセスステップ２１３０と２１３５で、シリコンウェハの裏面２２０５の露出部をエッチングした後、窒化珪素層２２１５ｂで覆われないシリコンウェハの裏面２２０５の領域上に二酸化珪素のフィールド層２２１０ｃを成長させる。好ましい実施例において、シリコンウェハの裏面２２０５の薄いエッチングの厚さは、酸化フィールド層２２１０ｃの成長を容易にするために、約０．５ないし１．５である。好ましい実施例において、二酸化珪素のフィールド層２２１０ｃの厚さは、二酸化珪素のパッド層２２１０ａと窒化珪素層２２１０ｂとを組み合わせた厚さより大きいか同様である。
【０１１１】
図２４に示すように、プロセスステップ２１４０で、二酸化珪素のフィールド層２２１０ｃの露出部をエッチングし、シリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂの一部を露出させる。このようなシリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂの露出部は、後続処理ステップで７ミクロン厚さのｅｐｉ層までエッチングされる。好ましい実施例において、７ミクロン厚さのｅｐｉ層は、化学エッチングストッパーを提供する。
【０１１２】
二酸化珪素と窒化珪素のエッチングされた層２２１０ｃと２２１５ｂは、好ましくは多数のエッチング深さのためのエッチングマスクを提供する。好ましい実施例において、シリコンウェハ２２０５の露出部は、まず二酸化珪素のエッチングされたフィールド層２２１０ｃの開口を介して第１深さにエッチングされる。好ましい実施例において、次いで、二酸化珪素のエッチングされたフィールド層２２１０ｃの露出部は除去される。好ましい実施例において、次いで、シリコンウェハの露出部は、窒化珪素のエッチングされた層２２１５ｂの開口を介して第２深さにエッチングされる。このような方式において、処理ステップ２１１０ないし２１６０は、好ましくは局部的な珪素の酸化（ＬＯＣＯＳ）による併合マスクの微細加工処理を提供する。この分野と本願明細書の利点に対して通常の知識を有する者なら分かるように、ＬＯＣＯＳは、二酸化珪素を基板上に局部的に成長させることを指す。他の実施例においては、追加マスキング層を用意し、微細加工が深さをさらにエッチングできるようにする。他の実施例において、マスキング層は、二酸化珪素と窒化珪素の交差層からなる。
【０１１３】
図２５と２６に示すように、ステップ２１５０でシリコンウェハの裏面２２０５ｂは、ＫＯＨを用いてエッチングされる。好ましい実施例において、シリコンウェハの裏面２２０５ｂは、ＫＯＨを用いて１９０ミクロンの深さまでエッチングされる。ＫＯＨエッチングプロセスは、好ましくはヒンジ６１２と６１４、ミラー収集板６１０、及びミラー収集板６１０の空洞７２０を形成する。
【０１１４】
図２７と２８に示すように、プロレスステップ２１５５と２１６０で、シリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂ上に二酸化珪素のフィールド層２２１０ｃの露出部が除去される。次いで、シリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂの露出部は、ＫＯＨを用いて２００ミクロンの深さまでエッチングされる。ＫＯＨエッチングプロセスは、ヒンジ６１２と６１４、ミラー収集板６１０及び収集板６１０の空洞７２０をさらに形成する。最終的に、窒化珪素層２２１５ａと２２１５ｂの残余部分は、シリコンウェハ２２０５の両面から除去される。シリコンウェハ２２０５に設けられた厚くホウ素でドーピングされたｅｐｉ層は、ＫＯＨプロセスのための化学エッチングストッパーを提供する。このような方式で、ミラー収集板６１０内の空洞７２０とＴ字状ヒンジ領域６１２と６１４が形成される。
【０１１５】
他の実施例で、収集板６１０内の空洞７２０は、この空洞７２０を形成するように使われるマスキング層に設けられた開口により形成される。他の実施例で、ミラー収集板６１０内の空洞７２０は、Ｖ字状断面を有する。
【０１１６】
図２１ａに示すように、プロセスステップ２１１０ないし２１６０は、局部的な珪素の酸化（ＬＯＣＯＳ）による併合マスクＫＯＨの微細加工処理を提供するが、この処理は、多数のエッチング抵抗層を塗布し、このエッチング抵抗層をエッチングして多数のマスキング層を提供することによって、シリコンウェハ２２０５をいろいろな相異なるエッチング深さにエッチングするために必要なマスクを提供する。この分野と本願明細書の利点に対して通常の知識を有する者なら分かるように、ＬＯＣＯＳは、珪素を含有する基板または層を局部的に酸化させて、重畳する二酸化珪素層を生成させることを称する。これは、相異なる位相を有する領域がただ一つの写真エッチングと多数のエッチングサイクルにより形成されることができるようにする。
【０１１７】
図２９ａと２９ｂに示すように、プロセスステップ２１６５と２１７０で、シリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａ上に二酸化珪素のパッド層２２１０ａをマスキングしエッチングして、シリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａ上にミラー収集板６１０のためのエッチングマスク部分を形成する。シリコンウェハの裏面２２０５ｂ上に二酸化珪素のパッド層２２１０ｂの残余露出部もエッチングされる。
【０１１８】
図３０ａと図３０ｂに示すように、プロセスステップ２１７５で、金からなる層３００５がシリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａに塗布される。金からなる層３００５は、ミラー収集板６１０の反射面６２８と、上部キャップにミラーを圧着するための外周の導電層６２６を提供するために、プロセスステップ２１８０でパターニングされる。好ましい実施例において、金からなる層３００５は、チタニウムの中間層を用いてシリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａに取り付けられる。
【０１１９】
図３０ｃと３０ｄに示すように、プロセスステップ２１８５と２１９０で、フォトレジスト層３０１０がシリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａ上に塗布されパターニングされる。次いで、パターニングされたフォトレジスト層３０１０は、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４及びミラー収集板６１０をエッチング形成するためのエッチングマスクとして使われる。
【０１２０】
図３１と３２に示すように、プロセスステップ２１９２、２１９４、２１９６及び２１９８で、シリコンウェハの表面２２０５ａの露出部は、シリコンウェハの表面２２０５ａ上に露出した珪素の深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を利用してエッチングされ、ミラー収集板６１０を形成する。次いで、二酸化珪素層２２１０ａの露出部がエッチングされる。シリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａは、深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を利用して１０ミクロンの深さまでエッチングされ、Ｔ字状ヒンジを形成する。最終的に、フォトレジスト層をシリコンウェハ２２０５の表面２２０５ａから除去する。好ましい実施例において、ステップ２１９２と２１９６で行われたＤＲＩＥは、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角度を有する側壁を提供する。
【０１２１】
エッチングされたシリコン基板２２０５の表面２２０５ａ上の二酸化珪素層とフォトレジスト層は、好ましくは多数のエッチング深さのためのエッチングマスクを提供する。好ましい実施例において、シリコンウェハ２２０５の露出部は、まず、エッチングされた二酸化珪素のパッド層２２１０ａの開口を介して第１深さにエッチングされる。好ましい実施例において、次に、エッチングされた二酸化珪素層２２１０ａの露出部を除去する。好ましい実施例において、次いで、シリコンウェハ２２０５の露出部を、エッチングされたフォトレジスト層の開口を介して第２深さまでエッチングする。このような方式で、プロセスステップ２１５５ないし２１８５は、エッチングマスクとしてフォトレジスト層を利用する併合型微細加工処理を提供する。
【０１２２】
図２１ａと２１ｂに示すように、また、プロセスステップ２１１０ないし２１６０は、ウェットＫＯＨ併合マスクの微細加工処理を提供するのに対して、プロセスステップ２１６５ないし２１９８は、ドライＤＲＩＥ併合マスクの微細加工処理を提供する。より一般的には、プロセスステップ２１１０ないし２１６０は、（１）シリコン基板を提供し、（２）シリコン基板上に二酸化珪素のバッファ層を塗布し、（３）バッファ層上にマスキング層を塗布し、（４）バッファ及びマスキング層をパターニングし、（５）シリコン基板の露出部を薄膜エッチングし、（６）シリコン基板の露出部上に二酸化珪素のフィールド層を成長させ、（７）二酸化珪素のフィールド層をパターニングし、（８）エッチングマスクとして酸化フィールドを利用してシリコン基板の露出部をエッチングし、（９）二酸化珪素のフィールド層の露出部を除去し、及び（１０）エッチングマスクとして窒化珪素を利用してシリコン基板の露出部をエッチングするステップを含む併合マスクの微細加工処理を提供する。より一般的は、プロセスステップ２１６５ないし２１９８は、（１）シリコン基板を提供し、（２）シリコン基板上に第１マスキング層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）パターニングされた第１マスキング材層上に第２マスキング層を塗布し、（５）シリコン基板の露出部をエッチングし、（６）第１マスキング材層の露出部を除去し、（７）シリコン基板の露出部をエッチングし、及び（８）第２マスキング材層の露出部を除去するステップを含む併合マスクの微細加工処理を提供する。
【０１２３】
図２１ａないし３２に示すように、好ましい実施例において、ミラー製造プロセスは、表面に７ミクロン厚さの厚くホウ素がドーピングされたｅｐｉが蒸着されている４００ミクロンのシリコンウェハ２２０５を提供することによって開示される。次に、ウェットＫＯＨエッチングのためのエッチングマスクを形成するために、シリコンウェハ２２０５の両面上に蒸着された二酸化珪素膜２２１０と窒化珪素膜２２１５を備える。ウェハの裏面上の窒化珪素層２２１５ｂは、エッチングされないまま残っている領域（すなわち、ミラーフレーム領域とＺ移動ストッパー特徴部）を保護するためにパターニングされる。次いで、露出した下部の酸化パッド層２２１０ｂは、シリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂを露出させるようにエッチングされる。次に、シリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂの露出部は、約１ミクロン厚さまでエッチングされる。次いで、酸化フィールド層２２１０ｃがシリコンウェハ２２０５の裏面２２０５ｂ上に成長される。その後、酸化フィールド層２２１０ｃは、ｅｐｉ層でエッチングされる領域を露出させるようにパターニングされる。シリコンウェハ２２０５は、露出したシリコン領域をエッチングし、二酸化珪素または窒化珪素により保護される領域は、エッチングしないウェットＫＯＨ腐食液内に配置される。次いで、エッチングされた珪素は、１９０ミクロンの深さにエッチングされる。次に、露出した二酸化珪素のフィールド層２２１０ｃは、エッチングにされ、窒化珪素で保護される領域がエッチングマスクとして残ることになる。次いで、シリコンウェハ２２０５をウェットＫＯＨ腐食液内にさらに配置し、他の２００ミクロンをエッチングする。１回のＫＯＨエッチングで以前にエッチングされた領域は、厚くホウ素でドーピングされたｅｐｉ層に到達される時エッチングが停止し、この領域が空洞７２０とＴ字状ヒンジ領域を形成する。厚くドーピングされたホウ素珪素層は、ＫＯＨのための化学エッチングストッパーを形成する。したがって、新しく露出したシリコン領域は、この２回のＫＯＨエッチングの間２００ミクロンの深さまでエッチングされ、半分厚さのミラー収集板６１０を形成する。この併合型マスクＫＯＨプロセスは、エッチング位相が異なる領域がただ一つの写真エッチングとエッチングサイクルで形成されることができるようにする。この製造プロセスは、従来の深い空洞写真エッチングと関連した重要な歩留り問題を排除する。
【０１２４】
図２１ａ、３１及び３２に示すように、深い反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）のドライエッチング微細加工処理は、好ましくはＴ字状ヒンジ６１２と６１４を形成し、フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８からミラー収集板６１０を分離させるように使われる。好ましい実施例において、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスは、最小の側方向アンダーカッティンゴを提供し、近接した垂直側壁プロファイルを提供する。このような方式で、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスは、ミラー収集板６１０のための衝撃移動ストッパーとして最上の機能をするミラー収集板６１０とフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８との間のＸ間隙とＹ間隙を最適に提供する。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０と支持フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８との間のＸ間隙とＹ間隙側壁プロファイルは、実質的に垂直である。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０と支持構造体６０２、６０４、６０６及び６０８間のＸ間隙とＹ間隙は、ミラー収集板６１０のあらゆる回転配向に対して維持される。このような方式で、ミラー収集板６１０は、フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８により衝撃が停止する。ミラー収集板６１０またはフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８の側壁の過度なテーパーは、所定の回転角度に対してＸ間隙またはＹ間隙が事実上大きくなるようにするので、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４に対する衝撃保護を多く提供しない。好ましい実施例において、ミラー収集板６１０またはフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８の側壁の角度は、約５４．７Ｅである。
【０１２５】
好ましい実施例において、ミラー収集板６１０のための分離エッチングプロセスと、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４のためのエッチングは、分離される。典型的な実施例において、Ｔ字状ヒンジエッチングの深さは、だだ１０ミクロンであり、ミラー収集板分離エッチングの深さは、２００ミクロンである。エッチングが同時に行われば、ヒンジ６１２と６１４は、ヒンジ６１２と６１４の衝撃剛性に影響を及ぼす側方向アンダーカッティング、裏面エッチング及び側壁テーパーに達することができる追加的な１９０ミクロンエッチングを受ける。
【０１２６】
また、ミラー収集板６１０は、上部／下部キャップ２０５と２１５に対するミラーウェハの金取付前に、上部／下部キャップウェハにより保護されないので、ミラー収集板６１０がＤＲＩＥドライエッチングにより分離される時、ミラー収集板６１０は、割れやすく、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びシータに自由に移動することができる。したがって、分離されたミラー収集板ウェハの取り扱いは、歩留りに重大な影響を及ぼす。また、ヒンジ６１２と６１４が折衷され、ＤＲＩＥドライエッチング分離プロセス後にミラー収集板６１０を支持できない或る「不完全な」ミラー２１０が生ずる可能性が常に存在する。
【０１２７】
図２１ａと２１ｂに示すように、併合型マスクＤＲＩＥプロセスは、好ましくはＴ字状ヒンジ６１２と６１４を微細加工してミラー収集板６１０を分離させるのに使われる。併合型マスクＤＲＩＥプロセスは、好ましくは２相のＤＲＩＥドライエッチングプロセスのための多様なエッチング領域を形成する複合式二酸化珪素とフォトレジストマスクを含む。好ましい実施例において、露出した二酸化珪素マスクは、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスの第２の相前に剥離される。好ましい実施例において、ミラー収集板分離エッチングは、フォトレジストに形成され、ヒンジ分離領域は、二酸化珪素マスクにより保護される。典型的な実施例において、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスの第１の相は、１９０ミクロン深さにミラー収集板分離レーンをエッチングする。好ましい実施例において、二酸化珪素マスクは、ウェットエッチングにより選択的に除去される。典型的な実施例において、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスの第２の相は、ミラー収集板６１０を完全に分離させ、かつ、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４を分離させるために１０ミクロン深さのエッチングを利用する。併合型マスクＤＲＩＥドライエッチングプロセスは、深いミラー収集板分離エッチングを浅いＴ字状ヒンジ分離エッチングから分離させる。これは、２個のエッチングプロセスが近接した垂直側壁プロファイル、最小のアンダーカッティング及び裏面ヒンジエッチングの排除を個別的に最適化できるようにする。
【０１２８】
他の実施例において、ミラー収集板６１０は、ミラー収集板６１０に構造的支持体を提供し、かつ、任意の不完全なミラー収集板を把持する一時的な裏面ウェハの取付により分離エッチングプロセス後に保護される。
【０１２９】
他の実施例において、ミラー収集板６１０は、下部キャップ２１５ウェハを裏面ウェハとして利用することにより、分離エッチングプロセス後に保護される。好ましい実施例において、下部キャップ２１５ウェハは、ＤＲＩＥドライエッチングプロセス前にミラー２１０ウェハに金で取り付けられる。他の実施例において、ＤＲＩＥドライエッチングプロセスの間、下部キャップ２１５は、ミラー収集板６１０とビーム１０３５、１０４０、１０４５及び１０５０に対して構造的支持体を提供し、任意の不完全なミラー収集板６１０を把持して、これらがエッチングチャンバー内に残留することを防止する。好ましい実施例において、上部キャップ２０５は、ＤＲＩＥドライエッチングプロセス後にミラーウェハ／下部キャップウェハスタックに金で取り付けられる。
【０１３０】
ミラー組立体１１０のための製造プロセスは、好ましくは併合型マスクＫＯＨウェットエッチング、併合型マスクＤＲＩＥドライエッチング、ミラーウェハに対するキャップウェハの金共融接着及びミラーウェハスタックに対するセラミックウェハのウェハ高さの導電性エポキシ取付のプロセスの中から一つ以上を利用する。プロセスモジュールと全体製造プロセスの目的は、生産価格の減少のために、製造性及び歩留りを向上させることである。
【０１３１】
好ましい実施例において、併合型マスクのＤＲＩＥドライエッチングプロセスは、製造時にミラー２１０を取り扱いうための一つ以上の製造オプションをさらに含む。
【０１３２】
他の実施例において、ミラーウェハ２１０は、併合型マスクＤＲＩＥドライエッチング処理のための一時的な裏面ウェハに取り付けられる。裏面ウェハは、自動化ウェハ取り扱いにより任意の「不完全な」ミラー収集板を把持する。併合型マスクＤＲＩＥドライエッチングと裏面ウェハの除去後に、両キャップ２０５と２１５は、一つの金取付ステップによりミラーウェハ２１０に取り付けられる。
【０１３３】
他の他の実施例において、ミラー収集板６１０は、併合型マスクＤＲＩＥエッチングプロセス前に下部キャップウェハ２１５に取り付けられる。下部キャップ２１５は、併合型マスクＤＲＩＥドライエッチングプロセスの間、任意の不完全なミラー収集板６１０を把持するので、固有の裏面ウェハとして作用する。併合型マスクＤＲＩＥドライエッチングプロセスの完了後に、上部キャップ２０５は、複合式ミラー／下部キャップウェハスタックに金で取り付けられる。
【０１３４】
セラミックベースウェハプロセス２０１０は、好ましくはベース部材２２０を提供する。好ましい実施例において、ベース部材２２０は、従来のセラミック加工処理を利用して製造される。
【０１３５】
上部／下部キャップウェハプロセス２０１５は、好ましくは上部キャップ２０５と下部キャップ２１５を提供する。図３３に示すように、上部／下部キャップウェハプロセス２０１５は、好ましくは、（１）ステップ３３０５で４００ミクロン厚さのシリコンウェハの両面上に二酸化珪素層と窒化珪素層を提供し、（２）ステップ３３１０で中央空洞のためのシリコンウェハの表面を写真エッチングし、（３）ステップ３３１５でシリコンウェハの表面上の二酸化珪素のパッド層と窒化珪素層の露出部をエッチングし、（４）ステップ３３２０でシリコンウェハの表面上の露出したシリコン領域を薄膜エッチングし、（５）ステップ３３２５でシリコンウェハ表面の薄膜エッチングされた部分上に二酸化珪素のフィールド層を成長させ、（６）ステップ３３３０で移動ストッパーのためにシリコンウェハの表面を写真エッチングし、（７）ステップ３３３５でシリコンウェハ表面上の二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングし、（８）ステップ３３４０で移動ストッパーのためにシリコンウェハの裏面を写真エッチングし、（９）ステップ３３４５でシリコンウェハ裏面上の窒化珪素層と二酸化珪素のパッド層の露出部をエッチングし、（１０）ステップ３３５０でシリコンウェハ両面上の露出した珪素を１５０ミクロンの深さまでＫＯＨエッチングし、（１１）ステップ３３５０でシリコンウェハ両面上の露出した二酸化珪素のフィールド層をエッチングし、（１２）ステップ３３６０でシリコンウェハ両面上の珪素の露出部を５０ミクロンの深さまでＫＯＨエッチングし、（１３）ステップ３３６５でシリコンウェハ両面上の窒化珪素層を剥離し、（１４）ステップ３３７０でシリコンウェハ両面上の露出した二酸化珪素層をエッチングし、（１５）ステップ３３７５で下部キャップの表面上に金からなる層を蒸着し、及び（１６）ステップ３３８０で下部キャップの裏面上に金からなる層を蒸着するステップを含む。
【０１３６】
図３４に示すように、プロセスステップ３３０５で、シリコンウェハ３４０５は、表面３４０５ａと裏面３４０５ｂを有するように設けられる。好ましい実施例において、シリコンウェハ３４０５は、４００ミクロン厚さのシリコンウェハを備える。プロセスステップ３３０５で、二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂは、シリコンウェハ３４０５の両面上に成長される。
【０１３７】
好ましい実施例において、上部／下部キャップ及びミラーウェハに対する出発材料の仕様は、二重面研磨、４００±７．５ミクロンの厚さ制御及びホウ素の１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度である。ミラーウェハの場合、出発ウェハは＜好ましくは表面上に７ミクロンの厚くホウ素ドーピングされたｅｐｉが蒸着された後、略４００ミクロンの出発厚さにさらに研磨される。好ましい実施例において、分離されたミラー収集板６１０からセラミックベース部材２２０への電気的接続は、ミラーウェハと下部キャップウェハの厚さにより行われる。これらのウェハの高いドーピングは、ミラー／下部キャップと下部キャップ／ベース部材金属化部分間に良好な抵抗電気接触を最適に提供する。他の実施例において、下部キャップ２２０の二重面注入と、ミラー２１０の裏面注入が提供される。
【０１３８】
二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂは、従来に工業的に利用可能な多くのプロセスを利用して成長されることができる。好ましい実施例において、二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂは、熱酸化プロセスにより成長される。二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂは、例えば、約３００ないし１００００オングストロームの深さまで成長されることができる。好ましい実施例において、二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂは、３００ないし６００オングストロームの深さまで成長される。次いで、プロセスステップ３３０５で、窒化珪素層３４１５ａと３４１５ｂが二酸化珪素のパッド層３４１０ａと３４１０ｂ上に塗布される。窒化珪素層３４１５ａと３４１５ｂは、従来に工業的に利用可能な多くのプロセスを利用して塗布されることができる。好ましい実施例において、窒化珪素層３４１５ａと３４１５ｂは、化学的気相蒸着法により塗布されることができる。窒化珪素層３４１５ａと３４１５ｂは、例えば０．１ないし２ミクロンの深さまで塗布されることができる。好ましい実施例において、窒化珪素層３４１５ａと３４１５ｂは、約０．１２ないし０．１５ミクロンの深さまで塗布される。
【０１３９】
図３５ａに示すように、プロセスステップ３３１０と３３１５で、シリコンウェハ３４０５の表面３４０５ａ上の二酸化珪素のパッド層３４１０ａと窒化珪素層３４１５ａは、上部と下部キャップの中央空洞を連続形成するようにパターニングされエッチングされる。
【０１４０】
図３５ｂに示すように、次いで、プロセスステップ３３２０と３３２５で、シリコンウェハ３４０５の表面３４０５ａ上の珪素の露出部は、薄膜エッチングされる。好ましい実施例において、薄いエッチングの深さは、二酸化珪素のフィールド層の成長を容易にするために約０．５ないし１．５ミクロンとなる。次いで、二酸化珪素のフィールド層３４１０ｃは、シリコンウェハ３４０５の表面３４０５ａ上の露出した珪素領域上に成長される。二酸化珪素のフィールド層３４１０ｃの厚さは、好ましくは二酸化珪素のパッド層３４１０ａと窒化珪素層３４１０ｂとを組み合わせた厚さより大きいか同様である。
【０１４１】
図３６に示すように、プロセスステップ３３３０と３３３５で、シリコンウェハ３４０５の表面３４０５ａ上に、二酸化珪素のフィールド層３４１０ｃの露出部が上部と下部キャップの移動ストッパーを連続形成するためにパターニングされエッチングされる。
【０１４２】
図３７と３８に示すように、プロセスステップ３３４０と３３４５で、シリコンウェハ３４０５の裏面３４０５ｂ上に、二酸化珪素のパッド層３４１５ａと窒化珪素層３４１５ｂが上部及び下部キャップの移動ストッパーと中央空洞を連続形成するようにパターニングされる。
【０１４３】
図３９、３９ａ、３９ｂ及び３９ｃに示すように、プロセスステップ３３５０で、シリコンウェハ３４０５の裏面上にシリコンの露出部は、１５０ミクロンの深さまでＫＯＨエッチングされる。これは、上部及び下部キャップに空洞と移動ストッパーを形成する。このようなＫＯＨエッチングプロセスにより、好ましくは厚さが約１００ミクロンの珪素の中央薄膜が形成される。
【０１４４】
図４０と４１に示すように、プロセスステップ３３５５で、シリコンウェハ３４０５の両面上に二酸化珪素のパッド層３４１０ａとフィールド層３４１０ｃの露出部がエッチングされる。このエッチングプロセスは、移動ストッパーの上部面の連続リセシングを可能にする。
【０１４５】
図４２、４２ａ、４２ｂ及び４２ｃに示すように、プロセスステップ３３６０で、シリコンウェハ３４０５の両面上の珪素の露出部は、約５０ミクロンの深さまでエッチングされる。これは、上部及び下部キャップの空洞と移動ストッパーを最終形成する。また、好ましくは約５０ミクロン程度移動ストッパーの上部面をリセシングする。
【０１４６】
図４３、４３ａ、４３ｂ及び４３ｃに示すように、プロセスステップ３３６５、３３７０、３３７５及び３３８０で、二酸化珪素と窒化珪素の層３４１０ａ、３４１０ｂ、３４１５ａ及び３４１５ｂの残余部は、シリコンウェハ３４０５の両面から剥離される。上部キャップ２０５の場合、これは、好ましくは製造プロセスを完了させる。下部キャップ２１５の場合、次いで、金からなる層４３０５ａと４３０５ｂがシリコンウェハ３４０５の上部面と下部面に塗布される。好ましい実施例において、金からなる層４３０５ａと４３０５ｂは、チタニウムの中間層を利用してシリコン基板３４０５に取り付けられる。
【０１４７】
他の実施例において、下部キャップ２１５の処理は、ビーム１０３５、１０４０、１０４５及び１０５０を提供するために変形されたマスキングステップを含む。例えば、これらのビームは、ビーム１０３５、１０４０、１０４５及び１０５０を提供するように、プロセスステップ３３３０と３３４０を変更させることによって提供されることができる。
【０１４８】
図３３に示すように、プロセスステップ３３０５ないし３３７０は、ウェットＫＯＨ  ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理を提供する。より一般的には、プロセスステップ３３０５ないし３３７０は、（１）シリコン基板を提供し、（２）多数のマスキング層をシリコン基板上に連続的に塗布し、（３）マスキング材層を連続的にパターニングし、（４）露出したシリコン領域を薄膜エッチングし、（５）二酸化珪素のフィールド層を成長させ、（６）二酸化珪素のフィールド層をパターニングし、（７）二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングし、及び（８）シリコン基板の露出部をエッチングするステップを含む併合マスクの微細加工処理を提供する。
【０１４９】
キャップウェハをミラーに金で取り付けるプロセス２０２０は、好ましくは上部キャップ２０５、ミラー２１０及び下部キャップ２１５を含むサブ組立体を提供する。図４３ｄを参照すれば、好ましい実施例において、金取付ステップは、ステップ４３５５で他のウェハのマッチング表面が露出珪素を備えるとともに、マッチングウェハの表面に金からなる層を被覆するステップ、ステップ４３６０でウェハ等の符合する表面を密接な接触状態に配置するステップ、ステップ４３６５で符合する表面を共に圧縮するステップ、及びステップ４３７０で金／共融温度以上にウェハを加熱するステップを含む金共融ウェハ取付プロセス４３５０を含む。好ましい実施例において、プロセス４３５０は、ウェハ間に密封取付を提供する。
【０１５０】
好ましい実施例において、金蒸着ステップの数を最小化し（コストを減少させ）、ミラーの裏面上に金属化部分を形成する深い空洞写真エッチングを排除するために（歩留り）、両上部／下部キャップ２０５と２１５、ウェハは、金共融取付を利用してミラー２１０に取り付けられる。金共融ウェハ取付のために、ウェハ表面は、露出した珪素であり、一つのウェハ表面は、金で被覆され、大きい力を加えてウェハを接触状態で配置して、金／珪素共融点以上に加熱する。金は、露出した珪素ウェハに拡散され、強い密封ウェハ取付を形成する。
【０１５１】
セラミックベースウェハ２２０をミラーウェハスタックに導電性エポキシで取り付けるプロセス２０２５は、好ましくは上部キャップ２０５、ミラー２１０、下部キャップ２１５及びベース部材２２０を含む組立体を提供する。好ましい実施例において、導電性エポキシ取付プロセスは、従来の導電性エポキシプレフォームの使用を含む。好ましい実施例において、ベース部材２２０の外周部周りの金属リング１３４０は、下部キャップ２１５に対するベース部材２２０の導電性エポキシ取付と組合して好ましくは下部キャップ２１５に対する電気的接触を提供する。ウェハ取付プロセスは、好ましくは下部キャップ２１５がミラー収集板６１０と直接的に電気的接触されることができる。したがって、ミラー収集板６１０は、好ましくはベース部材２２０を利用して電気的に接近、制御及び監視されることができる。ベース部材２２０上の電極駆動パッドとミラー接触金属化部分１３１０ａ、１３１５ａ及び１３４０は、ミラー組立体１１０を效果的に実装構成要素に有効にする技法による従来の薄膜貫通孔を利用してベース部材２２０の裏面上の電気的接触パッドに接続される。
【０１５２】
パッケージ型ミラーウェハスタック２０３０のダイシングは、好ましくはミラー組立体１１０を提供する。好ましい実施例において、ミラー２１０は、上部キャップ２０５と下部キャップ２１５に金で取り付けられる。次いで、このような金取付のサブ組立体は、好ましくはセラミックベース部材２２０に取り付けられる。上部キャップ２０５、ミラー２１０及び下部キャップ２１５を含む金取付のサブ組立体は、好ましくはウェハ等級の導電性エポキシプレフォームを利用してセラミックベース部材２２０に取り付けられる。好ましい実施例において、上部キャップ２０５、ミラー２１０、下部キャップ２１５及びベース部材２２０を含むウェハが４個スタックされたサブ組立体は、パッケージ型ミラーウェハスタックを形成する。好ましい実施例において、次いで、切削水から４個ウェハスタックを密封保護するために、ダイシングテープのウェハサイズシートを上部キャップ２０５と下部キャップ２１５に塗布する。次いで、従来の自動化切削刃を利用して４個ウェハスタックを個別パッケージ型ミラーダイにダイシングする。次に、テープを除去する。
【０１５３】
パッケージ型ミラーダイの試験プロセス２０３５は、好ましくはミラー組立体１１０の電気的、光学的及び機械的性能を検査する。
【０１５４】
前述したミラー組立体は、好ましくは半分厚さの微細ミラー、珪素のＴ字状ヒンジ及びウェハの高さに微細加工されたシリコンの上部／下部キャップを含む。ミラー組立体は、好ましくは費用減少と製造性向上のための設計、（２）向上されたミラー位置精密度（すなわち、「垂れ」と位置精密度の組合）、（３）衝撃工程をより要求する強い衝撃保護、及び（４）レーザークリッピング問題をアドレシングしつつ、ミラーの包装（パッケージング）などの技術的要素を含む。
【０１５５】
ミラー組立体１１０の製造プロセスは、重要な多数の製造費用減少を含む。
第一に、微細加工された珪素キャップウェハ２０５と２１５は、従来のパッケージングに比べてパッケージングの材料費用を非常に低減させる。例えば、上部／下部キャップ２０５と２１５は、ウェハの高さに取り付けられるが、これは、バッチプロセスである。これは、従来のダイの高さ（部品）組立体プロセスより費用がより一層効率的である。
【０１５６】
第二に、半分厚さのミラー収集板６１０は、好ましくは（高価の）ウェットエッチング技術と（安価の）ドライエッチング技術の均衡的な組合により達成される。典型的な実施例において、珪素ヒンジ／半分厚さのミラープロセスは、通常全体厚さのミラープロセスに比べてＤＲＩＥエッチング時間が７２％減少する。
【０１５７】
第三に、ダイサイズは、ミラーのフレーム領域を最小化させる分最小化される。また、典型的な実施例において、上部／下部キャップウェハの二重面ウェットエッチングの使用は、側壁テーパーを最小化させ、この側壁テーパーにより上部キャップレーザークリッピング問題を最適にアドレシングしつつ、ダイサイズが２０％減少する。
【０１５８】
また、ミラー組立体１１０は、位置精密度と衝撃存続性と関連して多数の場所を提供する。
【０１５９】
例えば、色々な典型的なバーコードスキャナ用例において、レーザー光線の回転位置精密度は、ミラーが横断ミラー、自体誘発された重力トーク、トーク＝Ｔ＝ｍｇ＊ｈ／２（ここで、ｍｇ＝ミラー自重、ｈ＝ミラー厚さ）を必要とする時、１．３°以内となるように要求されることができる。ミラー収集板６１０の位置精密度は、指示精密度と「垂れ」成分で構成される。ミラー収集板６１０の回転バネ定数Ｋｒと質量は、ミラー共振周波数Ｆとミラーサイズにより予め決定されるので、ミラー収集板６１０の傾斜角θは、関係式θ＝Ｔ／Ｋｒにより決定される。典型的な実施例において、ミラー収集板６１０の傾斜角は、全体厚さミラーの場合、１．３°より大きい。典型的な実施例において、ミラー収集板６１０の精密度のうち位置精密度は、ねじりバネ定数を増加させるので、共振周波数を５０Ｈｚに増加させることによって（すなわち、ミラー傾斜角を減少させることによって）向上される。半分厚さのミラー収集板設計と裏面ミラー収集板の空洞エッチングは、Ｔ字状ヒンジ６１２と６１４周囲のミラー収集板自重を減少させることによって、典型的な位置精密度が達成されることができるようにする。
【０１６０】
図１９に示すように、典型的な実施例において、入射レーザーは、ラインＡに沿って４５°角度でミラー収集板の表面上に照射され、ラインＢに沿ってさらに空間に反射される。典型的な実施例において、レーザー光線は、約５００ミクロンの幅と１０００ミクロンの長さである有限スポットサイズを有する。５００ミクロン幅のレーザー光線の中心は、ラインＡとＢに沿って位置する。典型的な実施例において、ミラー収集板６１０は、±１０°を走査するように要求される。このような典型的な実施例において、反射されたレーザー光線の走査範囲境界は、Ｂ’とＢ”である。レーザークリッピングを防止するために、光路に沿って妨害物が存在しない必要がある。上部／下部キャップ２０５と２１５の二重面ウェットエッチングの使用は、上部／下部キャップ２０５と２１０の内部エッジに二重面テーパーを提供し、これは、レーザークリッピングを最小化し、「キャップ把持」衝撃保護を提供する。さらに、「キャップ把持」は、好ましくはミラー収集板６１０が平面から離れて回転される時、１０ないし１００ミクロンに達するｘ方向間隙の変化を調節する。このような方式で、「キャップ把持」は、好ましくはサイン波入力の半分である最大約２０００ｇ／１．１ｍｓの衝撃保護を提供する。最終的に、上部キャップ２０５の左及び右リムカットアウト３３０と３４０は、好ましくは光路に沿う妨害経路とクリッピング効果を最小化させる。
【０１６１】
典型的な実施例において、右クリッピングを防止するために、傷のない光路がＢ”±２５０に限定されるカラム空間に提供され、これは、レーザー光線をミラー収集板６１０に対して完璧に整列するのに問題にならない。クリッピング問題は、手動スキャナエンジン組立体の作動で誤整列が大きい時に生じ、レーザー光源をミラー中心線から右または左に移動させる。図１９に示すように、右で最上のラインは、ラインＢ”に平行したラインＢ””であり得る。Ｂ””をミラー収集板６１０の平面と交差させることにより、６００ミクロンのクリッピング距離が発生する。したがって、右半分上においてミラー収集板６１０の使用可能部分は、１２５０ミクロン（２．５ｍｍのミラーサイズの５０％）−６００ミクロン（クリッピング距離）＝６５０ミクロンである。右に対して許容可能な誤整列は、６５０ミクロン−２５０ミクロン（５０％のレーザースポットサイズ）＝４００ミクロン（１６ｍｉｌｓ）である。同様に、典型的な実施例において、左のクリッピングは、２４０ミクロンであり、左に対して許容可能な誤整列は、７６０ミクロン（３０ｍｉｌｓ）だけ大きいことができる。レーザー／ミラー整列が１６ｍｉｌｓより大きければ、クリッピング問題は存在しない。さらに、レーザーの位置精密度が向上すれば、収集領域が減少することができ、左／右キャップリムのカッティングが相応に減少するとができるので、ミラーダイのサイズを非常に減少させることができる機会が提供される。このような線形位置精密度は、光源の角度位置精密度と４５°で結合される。例えば、装着角度が５５°になると、レーザークリッピングは非常に悪くなる。
【０１６２】
典型的な実施例において、上部キャップウェハの移動ストッパー突起３１０と３２０は、ミラー収集板６１０をｙ方向に３００ミクロンだけオーバーシャドウする。典型的な実施例において、Ｚ方向移動ストッパーとして役割をするためには、移動ストッパー突起３１０と３２０に最小の重畳が要求される。したがって、典型的な実施例において、ミラー収集板の使用可能領域は、１２５０ミクロン（２．５ｍｍミラーサイズの５０％）−３００ミクロン（クリッピング距離）＝９００ミクロンであり、許容可能な誤整列は、９５０ミクロン−５００ミクロン（レーザースポットサイズの５０％）＝４５０ミクロン（１８ｍｉｌｓ）である。
【０１６３】
レーザークリッピング影響を緩和させるための一つの方法としては、レーザー光源を４５°未満の角度で装着することである。表１に示すように、色々な典型的な実施例において、レーザー装着角度とクリッピング長さ間の関係は、次に示される通りである。
【表１】
0004851036.tif 000002
【０１６４】
典型的な実施例において、ミラー組立体１１０に対する衝撃存続性事項は、サイン波の半分である２，０００ｇ、１．０ｍｓ期間である。これは、１００％反射される６ピット下降と相関関係がある。これが微細加工装置に対する要求衝撃事項である。さらに、この典型的な事項は、従来の外部バーコードスキャナ生産パッケージの固有衝撃吸水性を考慮しない露出包装されたミラー組立体１１０に関するものである。典型的な実施例において、ミラー組立体１１０は、多様な衝撃保護形態を利用してこのような厳重な要件を満足させる。例えば、前述したように、ミラー収集板６１０は、好ましくはＸ軸またはＹ軸にミラー収集板６１０の平面での並進衝撃入力に対してフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８により衝撃が保護される。前述したように、上部／下部キャップ２０５と２１５の移動ストッパー突起３１０、３２０、１０１０及び１０２０は、好ましくはＺ方向で平面から離れた並進衝撃入力に対してミラー収集板６１０の衝撃を保護する。ミラー収集板６１０を提供するのに最も難しい衝撃保護は、ミラー収集板６１０が平面から離れて回転されるあいだの並進衝撃である。典型的な３ｍｍ×３ｍｍのミラー収集板６１０の場合、ミラー収集板６１０が７．５°以上に回転される時、半分厚さのミラー収集板６１０は、フレーム６０２、６４、６０６及び６０８の平面から離れており、これにより、フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８は、Ｘ軸成分を有する衝撃入力に対してこれ以上衝撃保護を提供することができない。このような状況の場合、上部／下部キャップのテーパー型内周壁２０５と２１５は、好ましくはミラー収集板６１０を把持する（「キャップ把持」）。任意の回転度に対して、半分厚さミラー収集板６１０の所定部分が常にＴ字状ヒンジ６１２と６１４近くのフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８の平面内にあるので、フレーム６０２、６０４、６０６及び６０８は、衝撃入力のＹ軸成分に対して続いて衝撃保護を提供する。
【０１６５】
さらに、図１８に示すように、上部／下部キャップ２０５と２１５の内部テーパー状壁は、ミラー収集板６１０がフレーム６０２、６０４、６０６及び６０８の平面から離れて回転される時、Ｘ軸成分の衝撃入力に対してミラー収集板６１０に衝撃保護を提供する。これらの衝撃保護設計形態は、いずれも好ましくはミラー収集板６１０に３次元衝撃保護を提供し、ミラー収集板が３方向軸中の任意の軸、方向軸の任意の組合方向、及びミラー収集異なる±１４°まで回転される任意の方向軸の組合方向でサイン衝撃入力の半分である２０００ｇ／１．０ｍＳを耐えることができるようにする。
【０１６６】
好ましい実施例において、ミラー収集板６１０に取り付けられた補助移動ストッパー突起６１６、６１８、６２０及び６２２の主目的は、作動中にミラー収集板６１０に対してオーバースイング保護を提供することである。典型的な実施例において、これらの２００ミクロン厚さの移動ストッパー突起６１６、６１８、６２０及び６２２の衝撃保護性能（並進及び回転衝撃入力の任意の組合の場合）は、２０００ｇ／０．５ｍＳである。「キャップ把持」設計の追加は、好ましくはこのような衝撃保護を２０００ｇ／１．０ｍＳの衝撃水準に向上させる。補助移動ストッパー６１６、６１８、６２０及び６２２は、２次的な目的を満足させ、この２次的な目的は、製作プロセス中に、特にミラー収集板６１０を分離させるＤＲＩＥエッチング後、上部／下部キャップウェハ取付プロセス前に発生する正常な取り扱いの場合露出したミラーウェハに対して一部制限された衝撃保護を提供することである。
【０１６７】
他の実施例において、ミラー組立体は、例えば、ニューヨーク州ニューヨークに所在するＣＲＣ出版社のＭａｒｃ  Ｍａｄｏｕ，Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ  Ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，Ｖｏｌｕｍｅ  Ａ４３，ｐｐ．４６６に開示されたように、広く公知された方式でさらに変更され、可変静電容量加速度系を提供することができる。
【０１６８】
他の実施例において、例えばＪａｎ  Ｓｏｄｅｒｋｖｉｓｔ，Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｇｙｒｏｓｃｏｐｅｓ，Ｓｅｎｓｏｒ  ａｎｄ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，Ｖｏｌ．Ａ４３，１９９４，ｐｐ．６５−７１と、Ｈ．Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ，Ｃ．Ｃａｂｕｚ，Ｋ．Ｍｉｎａｍｉ  ａｎｄ  Ｍ．Ｅｓａｓｈｉ，Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｒａｔｅ  Ｓｅｎｓｏｒ  Ｕｓｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ，  Ｊｏｕｒｎａｌ  Ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃｓ  ａｎｄ  Ｍｉｃｒｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｖｏｌｕｍｅ  ５，Ｎｏ．３，１９９５，ｐｐ．２１９−２２５に開示されたように、ミラー組立体１１０は、広く公知された方式でさらに変更され、ジャイロスコープを提供することができる。
【０１６９】
図４４を参照すれば、シリコンの局部酸化（ｌｏｃａｌｉzｅｄ ｏxｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＯＣＯＳ）併合マスクの微細加工処理（プロセス）４４００に係る複数の他の実施例が示されている。これらのプロセス４４００のうちいずれかが、少なくともミラー２１０の一部及び/または上部及び下部キャップ２０５と２１５を塗布するのに用いられる。図４４に示すように、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００は（１）ステップ４４０５でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ４４１０でシリコンウェハの表面上に二酸化珪素のバッファ層を（選択的に）成長させ、（３）ステップ４４１５でシリコンウェハ上に窒化珪素層を塗布し、（４）ステップ４４２０で窒化珪素層をパターニングし、（５）ステップ４４２５で二酸化珪素のバッファ層の露出部にパターンを（選択的に）塗布し、（６）ステップ４４３０でシリコンウェハの表面の露出部を（選択的に）薄膜エッチングし、（７）ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層で覆われないシリコンウェハの部分に二酸化珪素のフィールド層を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）ステップ４４４０で二酸化珪素層をパターニングし、（９）ステップ４４４５でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１０）ステップ４４５０で二酸化珪素層の露出部を除去し、（１１）ステップ４４５５でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１２）ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素の残余部を除去するステップを含むことが好ましい。この方法において、基板を複数のエッチング深さにエッチングするために、５個の選択的なＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の実施例が提供される（請求項７、９、１４に相当）。
【０１７０】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０１７１】
プロセス４４００の好ましい実行において、パターニング動作の数を最小化するためにステップ４４２０、４４２５、４４３０及び４４４０の全てのエッチングステップに対するマスキング層として、同様なフォトレジスト層が用いられる。また、ステップ４４２０、４４２５、４４３０Ａ及び４４４０で各パターニングに対して別のフォトレジストパターニングが用いられる。
【０１７２】
プロセス４４００の好ましい実施例において、ステップ４４４５と４４５５でシリコンウェハの露出部のエッチングはＫＯＨの使用により提供される。
【０１７３】
図４４及び４５ａ−４５ｉを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第１実施例は、（１）図４５ａに示すように、ステップ４４０５でシリコンウェハ４５００を提供し、（２）図４５ｂに示すように、ステップ４４１５でシリコンウェハ４５００上に窒化珪素層４５０５を塗布し、（３）図４５ｃに示すように、ステップ４４２０で窒化珪素層４５０５をパターニングし、（４）図４５ｄに示すように、ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層４５０５で覆われないシリコンウェハ４５００の部分に二酸化珪素のフィールド層４５１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は少なくとも窒化珪素層ほど厚いことが好ましい）、（５）図４５ｅに示すように、ステップ４４４０で二酸化珪素層４５１０をパターニングし、（６）図４５ｆに示すように、ステップ４４４５でシリコンウェハ４５００の露出部をエッチングし、（７）図４５ｇに示すように、ステップ４４５０で二酸化珪素層４５１０の露出部を除去し、（８）図４５ｈに示すように、ステップ４４５５でシリコンウェハ４５００の露出部をエッチングし、（９）図４５ｉに示すように、ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素層４５０５と４５１０の残余部を除去するステップを含む。
【０１７４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第１実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層４５０５の厚さ、及び約０．２ないし３ミクロン範囲である二酸化珪素層４５１０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１７５】
図４４及び４６ａ−４６ｉを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層は使用しなしが、シリコンウェハの露出部の薄膜エッチングを行うＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第２実施例（請求項１）は、（１）図４６ａに示すように、ステップ４４０５でシリコンウェハ４６００を提供し、（２）図４６ｂに示すように、ステップ４４１５でシリコンウェハ４６００上に窒化珪素層４６０５を塗布し、（３）図４６ｃに示すように、ステップ４４２０で窒化珪素層４６０５をパターニングし、（４）図４６ｄに示すように、ステップ４４３０でシリコンウェハ４６００の表面の露出部を薄膜エッチングし、（５）図４６ｅに示すように、ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層４６０５で覆われないシリコンウェハ４６００の部分に二酸化珪素のフィールド層４６１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は少なくとも窒化珪素層ほど厚いことが好ましい）、（６）図４６ｆに示すように、ステップ４４４０で二酸化珪素層４６１０をパターニングし、（７）図４６ｇに示すように、ステップ４４４５でシリコンウェハ４６００の露出部をエッチングし、（８）図４６ｈに示すように、ステップ４４５０で二酸化珪素層４６１０の露出部を除去し、（９）図４６ｉに示すように、ステップ４４５５でシリコンウェハ４６００の露出部をエッチングし、（１０）図４６ｊに示すように、ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素層４６０５と４６１０の残余部を除去するステップを含む。
【０１７６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第２実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層４６０５の厚さ、約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ４６００の露出部の薄膜エッチングの深さ、及び約０．２ないし３ミクロン範囲である二酸化珪素層４６１０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１７７】
図４４及び４７ａ−４７ｉを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、単独でパターンされないＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第３実施例は、（１）図４７ａに示すように、ステップ４４０５でシリコンウェハ４７００を提供し、（２）図４７ｂに示すように、ステップ４４１０でシリコンウェハ４７００の表面上に二酸化珪素のバッファ層４７０５を成長させ、（３）図４７ｃに示すように、ステップ４４１５でシリコンウェハ４７００上に窒化珪素層４７１０を塗布し、（４）図４７ｄに示すように、ステップ４４２０で窒化珪素層４７１０をパターニングし、（５）図４７ｅに示すように、ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層で覆われないシリコンウェハ４７００の部分に二酸化珪素のフィールド層４７１５を成長させ（二酸化珪素層４７１５は少なくとも窒化珪素層４７１０と二酸化珪素のバッファ層４７０５の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図４７ｆに示すように、ステップ４４４０で二酸化珪素層４７０５と４７１５をパターニングし、（７）図４７ｇに示すように、ステップ４４４５でシリコンウェハ４７００の露出部をエッチングし、（８）図４７ｈに示すように、ステップ４４５０で二酸化珪素層４７０５と４７１５の露出部を除去し、（９）図４７ｉに示すように、ステップ４４５５でシリコンウェハ４７００の露出部をエッチングし、（１０）図４７ｊに示すように、ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素層４７０５、４７１０及び４７１５の残余部を除去するステップを含む。
【０１７８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第３実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロン範囲である窒化珪素層４７０５の厚さ、約０．１ないし２ミクロン範囲である窒化珪素層４７１０の厚さ、及び約０．２ないし３ミクロン範囲である二酸化珪素層４７１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１７９】
図４４及び４８ａ−４８ｋを参照すれば、単独でパターンされる二酸化珪素のバッファ層を有するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第４実施例は、（１）図４８ａに示すように、ステップ４４０５でシリコンウェハ４８００を提供し、（２）図４８ｂに示すように、ステップ４４１０でシリコンウェハ４８００の表面上に二酸化珪素のバッファ層４８０５を成長させ、（３）図４８ｃに示すように、ステップ４４１５でシリコンウェハ４８００上に窒化珪素層４８１０を塗布し、（４）図４８ｄに示すように、ステップ４４２０で窒化珪素層４８１０をパターニングし、（５）図４８ｅに示すように、ステップ４４２５で二酸化珪素のバッファ層４８０５の露出部をパターニングし、（６）図４８ｆに示すように、ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層４８１０で覆われないシリコンウェハ４８００の部分に二酸化珪素のフィールド層４８１５を成長させ（二酸化珪素層４８１５は少なくとも窒化珪素層４８１０と二酸化珪素のバッファ層４８０５の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図４８ｇに示すように、ステップ４４４０で二酸化珪素層４８０５と４８１５をパターニングし、（８）図４８ｈに示すように、ステップ４４４５でシリコンウェハ４８００の露出部をエッチングし、（９）図４８ｉに示すように、ステップ４４５０で二酸化珪素層４８０５と４８１５の露出部を除去し、（１０）図４８ｊに示すように、ステップ４４５５でシリコンウェハ４８００の露出部をエッチングし、（１１）図４８ｋに示すように、ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素層４８０５、４８１０及び４８１５の残余部を除去するステップを含む。
【０１８０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第４実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロン範囲である窒化珪素層４８０５の厚さ、約０．１ないし１．８ミクロン範囲である窒化珪素層４８１０の厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層４８１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１８１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第４実施例の好ましい実行においては、ステップ４４２５で二酸化珪素のバッファ層４８０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層４８１０が用いられる。
【０１８２】
図４４及び４９ａ−４９ｉを参照すれば、単独でパターンされる二酸化珪素のバッファ層及びシリコンウェハの薄膜エッチングを有するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第５実施例は、（１）図４９ａに示すように、ステップ４４０５でシリコンウェハ４９００を提供し、（２）図４９ｂに示すように、ステップ４４１０でシリコンウェハ４９００の表面上に二酸化珪素のバッファ層４９０５を成長させ、（３）図４９ｃに示すように、ステップ４４１５でシリコンウェハ４９００上に窒化珪素層４９１０を塗布し、（４）図４９ｄに示すように、ステップ４４２０で窒化珪素層４９１０をパターニングし、（５）図４９ｅに示すように、ステップ４４２５で二酸化珪素のバッファ層４９０５の露出部をパターニングし、（６）図４９ｆに示すように、ステップ４４３０でシリコンウェハ４９００の表面の露出部を薄膜エッチングし、（７）図４９ｇに示すように、ステップ４４３５で窒化珪素のパターン層４９１０で覆われないシリコンウェハ４９００の部分に二酸化珪素のフィールド層４９１５を成長させ（二酸化珪素層４９１５は少なくとも窒化珪素層４９１０と二酸化珪素のバッファ層４９０５の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図４９ｈに示すように、ステップ４４４０で二酸化珪素層４９０５と４９１５をパターニングし、（９）図４９ｉに示すように、ステップ４４４５でシリコンウェハ４９００の露出部をエッチングし、（１０）図４９ｊに示すように、ステップ４４５０で二酸化珪素層４９０５と４９１５の露出部を除去し、（１１）図４９ｋに示すように、ステップ４４５５でシリコンウェハ４９００の露出部をエッチングし、（１２）図４９ｌに示すように、ステップ４４６０で二酸化珪素及び窒化珪素層４９０５、４９１０及び４９１５の残余部を除去するステップを含む。
【０１８３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第５実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロン範囲である窒化珪素層４９０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層４９１０の厚さ、約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ４９００の露出部の薄膜エッチングの深さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層４９１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１８４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理４４００の第４実施例の好ましい実行においては、ステップ４４２５で二酸化珪素のバッファ層４９０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層４９１０が用いられる。
【０１８５】
図５０を参照すれば、シリコンの局部酸化（ＬＯＣＯＳ）併合マスクの微細加工処理（プロセス）５０００に係る複数の他の実施例が示されている。好ましい実施例において、これらのプロセス５０００のうち、一つは少なくともミラー２１０の一部及び／または上部、及び下部キャップ２０５と２１５を塗布するのに用いられる。図５０に示すように、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００は、（１）ステップ５００５でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ５０１０でシリコンウェハの表面上に二酸化珪素のバッファ層を（選択的に）成長させ、（３）ステップ５０１５でシリコンウェハ上に窒化珪素層を塗布し、（４）ステップ５０２０で窒化珪素層をパターニングし、（５）ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層の露出部にパターンを（選択的に）塗布し、（６）ステップ５０３０でシリコンウェハの表面の露出部を（選択的に）薄膜エッチングし、（７）ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層で覆われないシリコンウェハの部分に二酸化珪素のフィールド層を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）ステップ５０４０で二酸化珪素層をパターニングし、（９）ステップ５０４５で二酸化珪素層の厚さのパターニングを所定の複数回繰り返し、（１０）ステップ５０５０でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１０）ステップ５０５５で二酸化珪素層（等）の露出部を除去し、（１２）ステップ５０６０でシリコンウェハの露出部をエッチングし、最後に（１３）ステップ５０６５で間連続に酸化エッチング及びシリコンエッチングを所定の複数回繰り返すステップを含む。この方法において、基板を複数のエッチング深さにエッチングするために、５個の選択的なＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の実施例が提供される。
【０１８６】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０１８７】
プロセス５０００の好ましい実施例において、ステップ５０５０と５０６０でシリコンウェハの露出部のエッチングはＫＯＨの使用により提供される。
図５０及び５１ａ−５１ｋを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第１実施例は、（１）図５１ａに示すように、ステップ５００５でシリコンウェハ５１００を提供し、（２）図５１ｂに示すように、ステップ５０１５でシリコンウェハ上に窒化珪素層５１０５を塗布し、（３）図５１ｃに示すように、ステップ５０２０で窒化珪素層５１０５をパターニングし、（４）図５１ｄに示すように、ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層５１０５で覆われないシリコンウェハ５１００の部分に二酸化珪素のフィールド層５１１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図５１ｅに示すように、ステップ５０４０と５０４５で二酸化珪素層５１１０を繰り返してパターニングし、（６）図５１ｆに示すように、ステップ５０５０でシリコンウェハ５１００の露出部をエッチングし、（７）図５１ｇに示すように、ステップ５０５５で二酸化珪素層５１１０の露出部を除去し、（８）図５１ｈに示すように、ステップ５０６０でシリコンウェハ５１００の露出部をエッチングし、（９）図５１ｉと５１ｊに示すように、ステップ５０６５で酸化エッチング及びシリコンエッチングを繰り返し、（９）図５１ｋに示すように、窒化珪素層５１０５の残余部を除去するステップを含む。
【０１８８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第１実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５１０５の厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５１１０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１８９】
図５０及び５２ａ−５２１を参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を使用しなしが、シリコンウェハの露出部の薄膜エッチングを行うＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第２実施例は、（１）図５２ａに示すように、ステップ５００５でシリコンウェハ５２００を提供し、（２）図５２ｂに示すように、ステップ５０１５でシリコンウェハ５２００上に窒化珪素層５２０５を塗布し、（３）図５２ｃに示すように、ステップ５０２０で窒化珪素層５２０５をパターニングし、（４）図５２ｄに示すように、ステップ５０３０でシリコンウェハ５２００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図５２ｅに示すように、ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層５２０５で覆われないシリコンウェハ５２００の部分に二酸化珪素のフィールド層５２１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図５２ｆに示すように、ステップ５０４０と５０４５で二酸化珪素層５２１０を繰り返してパターニングし、（７）図５２ｇに示すように、ステップ５０５０でシリコンウェハ５２００の露出部をエッチングし、（８）図５２ｈに示すように、ステップ５０５５で二酸化珪素層５２１０の露出部を除去し、（９）図５２ｉに示すように、ステップ５０６０でシリコンウェハ５２００の露出部をエッチングし、（１０）図５２ｊと５２ｋに示すように、ステップ５０６５で酸化エッチング及びシリコンエッチングを繰り返し、（１１）図５２ｌに示すように、窒化珪素層５２０５の残余部を除去するステップを含む。
【０１９０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第２実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５２０５の厚さ、約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ５２００の厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５３１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１９１】
図５０及び５３ａ−５３ｉを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、単独でパターンされないＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第３実施例は、（１）図５３ａに示すように、ステップ５００５でシリコンウェハ５３００を提供し、（２）図５３ｂに示すように、ステップ５０１０で二酸化珪素のバッファ層５３０５を塗布し、（３）図５３ｃに示すように、ステップ５０１５でシリコンウェハ５３００上に窒化珪素層５３１０を塗布し、（４）図５３ｄに示すように、ステップ５０２０で窒化珪素層５３１０をパターニングし、（５）図５３ｅに示すように、ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層５３１０で覆われないシリコンウェハ５３００の部分に二酸化珪素のフィールド層５３１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図５３ｆに示すように、ステップ５０４０と５０４５で二酸化珪素層５３０５と５３１５を繰り返してパターニングし、（７）図５３ｇに示すように、ステップ５０５０でシリコンウェハ５３００の露出部をエッチングし、（８）図５３ｈに示すように、ステップ５０５５で二酸化珪素層５３０５と５３１５の露出部を除去し、（９）図５３ｉに示すように、ステップ５０６０でシリコンウェハ５３００の露出部をエッチングし、（１０）図５３ｊと５３ｋに示すように、ステップ５０６５で酸化エッチング及びシリコンエッチングを繰り返し、（１１）図５３ｌに示すように、二酸化珪素と窒化珪素層５３０５と５３１０の残余部を除去するステップを含む。
【０１９２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第３実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１．０ミクロン範囲である二酸化珪素のバッファ層５３０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５３１０の厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５３１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１９３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第３実施例の好ましい実行においては、ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層５３０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層５３１０が用いられる。
【０１９４】
図５０及び５４ａ−５４ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、単独でパターンされるＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の第４実施例は、（１）図５４ａに示すように、ステップ５００５でシリコンウェハ５４００を提供し、（２）図５４ｂに示すように、ステップ５０１０で二酸化珪素のバッファ層５４０５を塗布し、（３）図５４ｃに示すように、ステップ５０１５でシリコンウェハ５４００上に窒化珪素層５４１０を塗布し、（４）図５４ｄに示すように、ステップ５０２０で窒化珪素層５４１０をパターニングし、（５）図５４ｅに示すように、ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層５４０５をパターニングし、（６）図５４ｆに示すように、ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層５４１０で覆われないシリコンウェハ５４００の部分に二酸化珪素のフィールド層５４１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図５４ｇに示すように、ステップ５０４０と５０４５で二酸化珪素層５４０５と５４１５を繰り返してパターニングし、（８）図５４ｈに示すように、ステップ５０５０でシリコンウェハ５４００の露出部をエッチングし、（９）図５４ｉに示すように、ステップ５０５５で二酸化珪素層５４０５と５４１５の露出部を除去し、（１０）図５４ｊに示すように、ステップ５０６０でシリコンウェハ５４００の露出部をエッチングし、（１１）図５４ｋと５４ｌに示すように、ステップ５０６５で酸化エッチング及びシリコンエッチングを繰り返し、（１２）図５４ｍに示すように、二酸化珪素と窒化珪素層５４０５と５４１０の残余部を除去するステップを含む。
【０１９５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第４実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１．０ミクロン範囲である二酸化珪素のバッファ層５４０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である窒化珪素層５４１０の厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５４１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０１９６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第４実施例の好ましい実行においては、ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層５４０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層５４１０が用いられる。
【０１９７】
図５０及び５５ａ−５５ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、単独でパターンされるＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第５実施例は、（１）図５５ａに示すように、ステップ５００５でシリコンウェハ５５００を提供し、（２）図５５ｂに示すように、ステップ５０１０で二酸化珪素のバッファ層５５０５を塗布し、（３）図５５ｃに示すように、ステップ５０１５でシリコンウェハ５５００上に窒化珪素層５５１０を塗布し、（４）図５５ｄに示すように、ステップ５０２０で窒化珪素層５５１０をパターニングし、（５）図５５ｅに示すように、ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層５５０５をパターニングし、（６）図５５ｆに示すように、ステップ５０３０でシリコンウェハ５５００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図５５ｇに示すように、ステップ５０３５で窒化珪素のパターン層５５１０で覆われないシリコンウェハ５５００の部分に二酸化珪素のフィールド層５５１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図５５ｈに示すように、ステップ５０４０と５０４５で二酸化珪素層５５０５と５５１５を繰り返してパターニングし、（９）図５５ｉに示すように、ステップ５０５０でシリコンウェハ５５００の露出部をエッチングし、（１０）図５ｊに示すように、ステップ５０５５で二酸化珪素層５５０５と５５１５の露出部を除去し、（１１）図５ｋに示すように、ステップ５０６０でシリコンウェハ５５００の露出部をエッチングし、（１２）５５ｌと５５ｍに示すように、ステップ５０６５で酸化エッチング及びシリコンエッチングを繰り返し、（１３）図５５ｎに示すように、二酸化珪素と窒化珪素層５５０５と５５１０の残余部を除去するステップを含む。
【０１９８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第４実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１．０ミクロン範囲である二酸化珪素のバッファ層５５０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５５１０の厚さ、約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ５５００の露出部の薄膜エッチングの厚さ、及び約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５５１５の厚さの処理パラメーターが用いられる。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５０００の第５実施例の好ましい実行においては、ステップ５０２５で二酸化珪素のバッファ層５５０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層５５１０が用いられる。
【０１９９】
図５６ａと５６ｂを参照すれば、シリコンの局部酸化（ＬＯＣＯＳ）併合マスクの微細加工処理（プロセス）５６００に係る複数の他の実施例が示されている。これらのプロセス５６００のうち一つが、少なくともミラー２１０の一部及び／または上部及び下部キャップ２０５と２１５を塗布するのに用いられる。図５６ａと５６ｂに示すように、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００は（１）ステップ５６０２でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ５６０４でシリコンウェハの表面上に二酸化珪素のバッファ層を（選択的に）成長させ、（３）ステップ５６０６でシリコンウェハの表面上に窒化珪素層を塗布し、（４）ステップ５６０８でシリコンウェハ上に窒化珪素層を塗布し、（５）ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層の露出部をパターニングし、（６）ステップ５６１２でシリコンウェハの露出部を（選択的に）薄膜エッチングし、（７）ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層で覆われないシリコンウェハの部分に二酸化珪素のフィールド層を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）ステップ５６１６で二酸化珪素層を繰り返してパターニングし、（９）ステップ５６１８でエッチングマスクとしてフォトレジストを用いるシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１０）ステップ５６２０でシリコンウェハ上にフォトレジスト層を（選択的に）塗布及びパターニングし、（１１）ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１２）ステップ５６２４で二酸化珪素層の露出部を（選択的に）除去し、（１３）ステップ５６２６でシリコンウェハの露出部の一部を（選択的に）エッチングし、（１４）ステップ５６２８でフォトレジスト層を除去し、（１５）ステップ５６３０でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１６）ステップ５６３２で二酸化珪素層の露出部をエッチングし、（１７）ステップ５６３４でシリコンウェハの露出部をエッチングする。もしＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００が、ステップ５６１８でエッチングマスクとしてフォトレジストを使わず実行されれば、プロセスフロアーは図４４に示すようなものが理想的である。また、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００がステップ５６１８でエッチングマスクとしてフォトレジストを使用して実行されれば、エッチングマスクとしてフォトレジストの使用を含めて、複数のエッチング深さに基板をエッチングするために、付加的な３５個の選択的なＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の実施例が提供される。
【０２００】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０２０１】
プロセス５６００の好ましい実施例において、ステップ５６３０と５６３４でシリコンウェハの露出部のエッチングはＫＯＨの使用により提供される。
プロセス５６００の好ましい実行において、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを利用するシリコンウェハの露出部のエッチングが提供される。プロセス５６００の好ましい実行において、エッチングステップ５６２２と５６２６では水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２０２】
図５６ａ、５６ｂと５７ａないし５７ｌを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１実施例は、（１）図５７ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ５７００を提供し、（２）図５７ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ５７００上に窒化珪素層５７０５を塗布し、（３）図５７ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層５７０５をパターニングし、（４）図５７ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層５７０５で覆われないシリコンウェハ５７００の部分に二酸化珪素のフィールド層５７１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図５７ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層５７１０をパターニングし、（６）図５７ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ５７００上にフォトレジスト層５７１５を塗布及びパターニングし、（７）図５７ｇに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハの露出部をエッチングし、（８）図５７ｈに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層５７１５を除去し、（９）図５７ｉに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェハ５７００の露出部をエッチングし、（１０）図５７ｊに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層５７１０の露出部をエッチングし、（１１）図５７ｋに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェーハ５７００の露出部をエッチングし、及び（１２）図５７ｌに示すように、窒化珪素層５７０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２０３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５７０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５７１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層５７１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２０４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２０５】
図５６ａ、５６ｂと５８ａないし５８ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２実施例は、（１）図５８ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ５８００を提供し、（２）図５８ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ５８００上に窒化珪素層５８０５を塗布し、（３）図５８ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層５８０５をパターニングし、（４）図５８ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層５８０５で覆われないシリコンウェハ５８００の部分に二酸化珪素のフィールド層５８１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図５８ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層５８１０をパターニングし、（６）図５８ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ５８００上にフォトレジスト層５８１５を塗布及びパターニングし、（７）図５８ｇに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ５８００の露出部をエッチングし、（８）図５８ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層５８１０の露出部をエッチングし、（９）図５８ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層５８１５を除去し、（１０）図５８ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェハ５８００の露出部をエッチングし、（１１）図５８ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層５８１０の露出部をエッチングし、（１２）図５８ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェーハ５８００の露出部をエッチングし、及び（１３）図５８ｍに示すように、窒化珪素層５８０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２０６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５８０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５８１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層５８１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２０７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２０８】
図５６ａ、５６ｂと５９ａないし５９ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３実施例は、（１）図５９ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ５９００を提供し、（２）図５９ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ５９００上に窒化珪素層５９０５を塗布し、（３）図５９ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層５９０５をパターニングし、（４）図５９ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層５９０５で覆われないシリコンウェハ５９００の部分に二酸化珪素のフィールド層５９１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図５９ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層５９１０をパターニングし、（６）図５９ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ５９００上にフォトレジスト層５９１５を塗布及びパターニングし、（７）図５９ｇに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ５９００の露出部をエッチングし、（８）図５９ｈに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ５９００の露出部をエッチングし、（９）図５９ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層５９１５を除去し、（１０）図５９ｉに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェハ５９００の露出部をエッチングし、（１１）図５９ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層５９１０の露出部をエッチングし、（１２）図５９ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェーハ５９００の露出部をエッチングし、及び（１３）図５９ｍに示すように、窒化珪素層５９０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２０９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層５９０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層５９１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層５９１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２１０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２１１】
図５６ａ、５６ｂと６０ａないし６０ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第４実施例は、（１）図６０ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６０００を提供し、（２）図６０ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６０００上に窒化珪素層６００５を塗布し、（３）図６０ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６００５をパターニングし、（４）図６０ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６００５で覆われないシリコンウェハ６０００の部分に二酸化珪素のフィールド層６０１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図６０ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６０１０をパターニングし、（６）図６０ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６０００上にフォトレジスト層６０１５を塗布及びパターニングし、（７）図６０ｇに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６０００の露出部をエッチングし、（８）図６０ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６０１０の露出部をエッチングし、（９）図６０ｉに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６０００の露出部をエッチングし、（１０）図６０ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６０１５を除去し、（１１）図６０ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェハ６０００の露出部をエッチングし、（１２）図６０ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６０１０の露出部をエッチングし、（１３）図６０ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェーハ６０００の露出部をエッチングし、及び（１４）図６０ｎに示すように、窒化珪素層６００５の残余部を除去するステップを含む。
【０２１２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第４実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６００５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６０１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６０１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２１３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２１４】
図５６ａ、５６ｂと６１ａないし６１ｌを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第５実施例は、（１）図６１ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６１００を提供し、（２）図６１ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６１００上に窒化珪素層６１０５を塗布し、（３）図６１ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６１０５をパターニングし、（４）図６１ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６１０５で覆われないシリコンウェハ６１００の部分に二酸化珪素のフィールド層６１１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図６１ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６１１０をパターニングし、（６）図６１ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６１００上にフォトレジスト層６１１５を塗布及びパターニングし、（７）図６１ｇに示すように、ステップ５６２４でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６１００の露出部をエッチングし、（８）図６１ｈに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６１１５を除去し、（９）図６１ｉに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェハ６１００の露出部をエッチングし、（１０）図６１ｊに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６１１０の露出部をエッチングし、（１１）図６１ｋに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェーハ６１００の露出部をエッチングし、及び（１２）図６１ｌに示すように、窒化珪素層６１０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２１５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第５実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６１０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６１１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６１１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２１６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２１７】
図５６ａ、５６ｂと６２ａないし６２ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第６実施例は、（１）図６２ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６２００を提供し、（２）図６２ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６２００上に窒化珪素層６２０５を塗布し、（３）図６２ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６２０５をパターニングし、（４）図６２ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６２０５で覆われないシリコンウェハ６２００の部分に二酸化珪素のフィールド層６２１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図６２ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６２１０をパターニングし、（６）図６２ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６２００上にフォトレジスト層６２１５を塗布及びパターニングし、（７）図６２ｇに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６２１０の露出部をエッチングし、（８）図６２ｈに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６２００の露出部をエッチングし、（９）図６２ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６２１５を除去し、（１０）図６２ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６２００の露出部をエッチングし、（１１）図６２ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６２１０の露出部を除去し、（１２）図６２ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６２００の露出部をエッチングし、及び（１３）図６２ｍに示すように、窒化珪素層６２０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２１８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第６実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６でＤＲＩＥを含め、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２１９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第６実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６２０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６２１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６２１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２２０】
図５６ａ、５６ｂと６３ａないし６３１を参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第７実施例は、（１）図６３ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６３００を提供し、（２）図６３ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６３００上に窒化珪素層６３０５を塗布し、（３）図６３ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６３０５をパターニングし、（４）図６３ｄに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６３０５で覆われないシリコンウェハ６３００の部分に二酸化珪素のフィールド層６３１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（５）図６３ｅに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６３１０をパターニングし、（６）図６３ｆに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６３００上にフォトレジスト層６３１５を塗布及びパターニングし、（７）図６３ｇに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６３００の露出部をエッチングし、（９）図６３ｈに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６３１５を除去し、（１０）図６３ｉに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６３００の露出部をエッチングし、（１１）図６３ｊに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６３１０の露出部を除去し、（１２）図６３ｋに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６３００の露出部をエッチングし、及び（１３）図６３ｌに示すように、窒化珪素層６３０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２２１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第７実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６３０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６３１０の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６３１５の厚さ処理パラメーターが用いられる。
【０２２２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第７実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２２３】
図５６ａ、５６ｂと６４ａないし６４ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第８実施例は、（１）図６４ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６４００を提供し、（２）図６４ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６４００上に窒化珪素層６４０５を塗布し、（３）図６４ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６４０５をパターニングし、（４）図６４ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６４００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６４ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６４０５で覆われないシリコンウェハ６４００の部分に二酸化珪素のフィールド層６４１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６４ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６４１０をパターニングし、（７）図６４ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６４００上にフォトレジスト層６４１５を塗布及びパターニングし、（８）図６４ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６４００の露出部をエッチングし、（９）図６４ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６４１５を除去し、（１０）図６４ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６４００の露出部をエッチングし、（１１）図６４ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６４１０の露出部を除去し、（１２）図６４ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６４００の露出部をエッチングし、及び（１３）図６４ｍに示すように、窒化珪素層６４０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２２４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第８実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６４０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６４１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６４１５の厚さ、及び０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ６４００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２２５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第８実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２２６】
図５６ａ、５６ｂと６５ａないし６５ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第９実施例は、（１）図６５ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６５００を提供し、（２）図６５ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６５００上に窒化珪素層６５０５を塗布し、（３）図６５ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６５０５をパターニングし、（４）図６５ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６５００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６５ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６５０５で覆われないシリコンウェハ６５００の部分に二酸化珪素のフィールド層６５１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６５ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６５１０をパターニングし、（７）図６５ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６５００上にフォトレジスト層６５１５を塗布及びパターニングし、（８）図６５ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６５００の露出部をエッチングし、（９）図６５ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６５１０の露出部をエッチングし、（１０）図６５ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６５１５を除去し、（１１）図６５ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６５００の露出部をエッチングし、（１２）図６５ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６５１０の露出部を除去し、（１３）図６５ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６５００の露出部をエッチングし、及び（１４）図６５ｎに示すように、窒化珪素層６５０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２２７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第９実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６５０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６５１０の厚さ、約０．５ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６５１５の厚さ、及び０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ６５００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２２８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第９実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２２９】
図５６ａ、５６ｂと６６ａないし６６ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１０実施例は、（１）図６６ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６６００を提供し、（２）図６６ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６６００上に窒化珪素層６６０５を塗布し、（３）図６６ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６６０５をパターニングし、（４）図６６ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６６００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６６ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６６０５で覆われないシリコンウェハ６６００の部分に二酸化珪素のフィールド層６６１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６６ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６６１０をパターニングし、（７）図６６ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６６００上にフォトレジスト層５６１５を塗布及びパターニングし、（８）図６６ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６６００の露出部をエッチングし、（９）図６６ｉに示すように、ステップ５６２６で二酸化珪素層６６００の露出部をエッチングし、（１０）図６６ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６６１５を除去し、（１１）図６６ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６６００の露出部をエッチングし、（１２）図６６ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６６１０の露出部を除去し、（１３）図６６ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６６００の露出部をエッチングし、及び（１４）図６６ｎに示すように、窒化珪素層６６０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２３０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１０実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６６０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６６１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６６１５の厚さ、及び０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ６４００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２３１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１０実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２３２】
図５６ａ、５６ｂと６７ａないし６７０を参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１１実施例は、（１）図６７ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６７００を提供し、（２）図６７ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６７００上に窒化珪素層６７０５を塗布し、（３）図６７ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６７０５をパターニングし、（４）図６７ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６７００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６７ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６７０５で覆われないシリコンウェハ６７００の部分に二酸化珪素のフィールド層６７１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６７ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６７１０をパターニングし、（７）図６７ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６７００上にフォトレジスト層６７１５を塗布及びパターニングし、（８）図６７ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６７００の露出部をエッチングし、（９）図６７ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６７１０の露出部をエッチングし、（１０）図６７ｊに示すように、ステップ５６２６で二酸化珪素層６７００の露出部をエッチングし、（１１）図６７ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６７１５を除去し、（１２）図６７ｌに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６７００の露出部をエッチングし、（１３）図６７ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６７１０の露出部を除去し、（１４）図６７ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６７００の露出部をエッチングし、及び（１５）図６７ｏに示すように、窒化珪素層６７０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２３３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１１実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６７０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６７１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６７１５の厚さ、及び０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハ６４００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２３４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１１実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２３５】
図５６ａ、５６ｂと６８ａないし６８ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１２実施例は、（１）図６８ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６８００を提供し、（２）図６８ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６８００上に窒化珪素層６８０５を塗布し、（３）図６８ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６８０５をパターニングし、（４）図６８ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６８００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６８ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６８０５で覆われないシリコンウェハ６８００の部分に二酸化珪素のフィールド層６８１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６８ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６８１０をパターニングし、（７）図６８ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６８００上にフォトレジスト層６８１５を塗布及びパターニングし、（８）図６８ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６８１０の露出部をエッチングし、（９）図６８ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６８１５を除去し、（１０）図６８ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６８００の露出部をエッチングし、（１１）図６８ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６８１０の露出部を除去し、（１２）図６８ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６８００の露出部をエッチングし、及び（１３）図６８ｍに示すように、窒化珪素層６８０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２３６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１２実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６８０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６８１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６８１５の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハの露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２３７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２３８】
図５６ａ、５６ｂと６９ａないし６９ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層の使用なしで、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングするＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１３実施例は、（１）図６９ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ６９００を提供し、（２）図６９ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ６９００上に窒化珪素層６９０５を塗布し、（３）図６９ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層６９０５をパターニングし、（４）図６９ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ６９００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図６９ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層６９０５で覆われないシリコンウェハ６９００の部分に二酸化珪素のフィールド層６９１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図６９ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層６９１０をパターニングし、（７）図６９ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ６９００上にフォトレジスト層６９１５を塗布及びパターニングし、（８）図６９ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層６９１０の露出部をエッチングし、（９）図６９ｉに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ６９００の露出部をエッチングし、（１０）図６９ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層６９１５を除去し、（１１）図６９ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ６９００の露出部をエッチングし、（１２）図６９ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層６９１０の露出部を除去し、（１３）図６９ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ６９００の露出部をエッチングし、及び（１４）図６９ｎに示すように、窒化珪素層６９０５の残余部を除去するステップを含む。
【０２３９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２４０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１３実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層６９０５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層６９１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層６９１５の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハの露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２４１】
図５６ａ、５６ｂと７０ａないし７０ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１４実施例は、（１）図７０ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７０００を提供し、（２）図７０ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７０００上に窒化珪素層７００５を塗布し、（３）図７０ｃに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７００５をパターニングし、（４）図７０ｄに示すように、ステップ５６１０でシリコンウェハ７０００の露出部を薄膜エッチングし、（５）図７０ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７００５で覆われないシリコンウェハ７０００の部分に二酸化珪素のフィールド層７０１０を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７０ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７０１０をパターニングし、（７）図７０ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７０００上にフォトレジスト層７０１５を塗布及びパターニングし、（８）図７０ｈに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７０００の露出部をエッチングし、（９）図７０ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７０１５を除去し、（１０）図７０ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７０００の露出部をエッチングし、（１１）図７０ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７０１０の露出部を除去し、（１２）図７０ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７０００の露出部をエッチングし、及び（１３）図７０ｍに示すように、窒化珪素層７００５の残余部を除去するステップを含む。
【０２４２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１４実施例の好ましい実行において、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７００５の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素層７０１０の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７０１５の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロン範囲であるシリコンウェハの露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２４３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
図５６ａ、５６ｂと７１ａないし７１ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１５実施例は、（１）図７１ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７１００を提供し、（２）図７１ｂに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７１００上に窒化珪素層７１０５を塗布し、（３）図７１ｃに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７１００上に窒化珪素層７１１０を塗布し、（４）図７１ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７１１０をパターニングし、（５）図７１ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７１１０で覆われないシリコンウェハ７１００の部分に二酸化珪素のフィールド層７１１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７１ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７１０５と７１１０をパターニングし、（７）図７１ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７１００上にフォトレジスト層７１２０を塗布及びパターニングし、（８）図７１ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７１００の露出部をエッチングし、（９）図７１ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７１２０を除去し、（１０）図７１ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７１００の露出部をエッチングし、（１１）図７１ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７１０５と７１１５の露出部を除去し、（１２）図７１ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７１００の露出部をエッチングし、及び（１３）図７１ｍに示すように、窒化珪素層７１０５、７１１０及び７１１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２４４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１５実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７１０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７１１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７１１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７１２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２４５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２４６】
図５６ａ、５６ｂと７２ａないし７２ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１６実施例は、（１）図７２ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７２００を提供し、（２）図７２ｂに示すように、７７７７７ステップ５６０４でシリコンウェハ７２００上に窒化珪素層７２０５を塗布し、（３）図７２ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７２００上に窒化珪素層７２１０を塗布し、（４）図７２ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７２１０をパターニングし、（５）図７２ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７２１０で覆われないシリコンウェハ７２００の部分に二酸化珪素のフィールド層７２１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７２ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７２０５と７２１０をパターニングし、（７）図７２ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７２００上にフォトレジスト層７２２０を塗布及びパターニングし、（８）図７２ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７２００の露出部をエッチングし、（９）図７２ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層７２０５と７２１５の露出部をエッチングし、（１０）図７２ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７２２０を除去し、（１１）図７２ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７２００の露出部をエッチングし、（１２）図７２ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７２０５と７２１５の露出部を除去し、（１３）図７２ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７２００の露出部をエッチングし、及び（１４）図７２ｎに示すように、窒化珪素層７２０５、７２１０及び７２１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２４７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１６実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７２０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７２１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７２１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７２２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２４８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１６実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２４９】
図５６ａ、５６ｂと７３ａないし７３ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１７実施例は、（１）図７３ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７３００を提供し、（２）図７３ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７３００上に窒化珪素層７３０５を塗布し、（３）図７３ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７３００上に窒化珪素層７３１０を塗布し、（４）図７３ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７３１０をパターニングし、（５）図７３ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７３１０で覆われないシリコンウェハ７３００の部分に二酸化珪素のフィールド層７３１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７３ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７３０５と７３１０をパターニングし、（７）図７３ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７３００上にフォトレジスト層７３２０を塗布及びパターニングし、（８）図７３ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７３００の露出部をエッチングし、（９）図７３ｉに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７３００のの露出部をエッチングし、（１０）図７３ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７３２０を除去し、（１１）図７３ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７３００の露出部をエッチングし、（１２）図７３ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７３０５と７３１５の露出部を除去し、（１３）図７３ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７３００の露出部をエッチングし、及び（１４）図７３ｎに示すように、窒化珪素層７３０５、７３１０及び７３１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２５０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１７実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７３０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７３１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７３１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７３２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２５１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１７実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２５２】
図５６ａ、５６ｂと７４ａないし７４ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１８実施例は、（１）図７４ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７４００を提供し、（２）図７４ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７４００上に窒化珪素層７４０５を塗布し、（３）図７４ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７４００上に窒化珪素層７４１０を塗布し、（４）図７４ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７４１０をパターニングし、（５）図７４ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７４１０で覆われないシリコンウェハ７４００の部分に二酸化珪素のフィールド層７４１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７４ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７４０５と７４１５をパターニングし、（７）図７４ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７４００上にフォトレジスト層７４２０を塗布及びパターニングし、（８）図７４ｈに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７４００の露出部をエッチングし、（９）図７４ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層７４０５と７４１５の露出部をエッチングし、（１０）図７４ｊに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７４００の露出部をエッチングし、（１１）図７４ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７４２０を除去し、（１２）図７４ｌに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７４００の露出部をエッチングし、（１３）図７４ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７４０５と７４１５の露出部を除去し、（１４）図７４ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７４００の露出部をエッチングし、及び（１５）図７４ｏに示すように、窒化珪素層７４０５、７４１０及び７４１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２５３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１８実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７４０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７４１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７４１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７４２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２５４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１８実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２５５】
図５６ａ、５６ｂと７５ａないし７５ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１９実施例は、（１）図７５ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７５００を提供し、（２）図７５ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７５００上に窒化珪素層７５０５を塗布し、（３）図７５ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７５００上に窒化珪素層７５１０を塗布し、（４）図７５ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７５１０をパターニングし、（５）図７５ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７５１０で覆われないシリコンウェハ７５００の部分に二酸化珪素のフィールド層７５１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７５ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７５０５と７５１０をパターニングし、（７）図７５ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７５００上にフォトレジスト層７５２０を塗布及びパターニングし、（８）図７５ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層７５０５と７５１０の露出部をエッチングし、（９）図７５ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７５２０を除去し、（１０）図７５ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７５００の露出部をエッチングし、（１１）図７５ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７５０５と７５１５の露出部を除去し、（１２）図７５ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７５００の露出部をエッチングし、及び（１３）図７５ｍに示すように、窒化珪素層７５０５、７５１０及び７５１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２５６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１９実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７５０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７５１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７５１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７５２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２５７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第１９実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２５８】
図５６ａ、５６ｂと７６ａないし７６ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２０実施例は、（１）図７６ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７６００を提供し、（２）図７６ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７６００上に窒化珪素層７６０５を塗布し、（３）図７６ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７６００上に窒化珪素層７６１０を塗布し、（４）図７６ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７６１０をパターニングし、（５）図７６ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７６１０で覆われないシリコンウェハ７６００の部分に二酸化珪素のフィールド層７６１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７６ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７６０５と７６１５をパターニングし、（７）図７６ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７６００上にフォトレジスト層７６２０を塗布及びパターニングし、（８）図７６ｈに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層７６０５と７６１５の露出部をエッチングし、（９）図７６ｉに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７６００の露出部をエッチングし、（１０）図７６ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７６２０を除去し、（１１）図７６ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７６００の露出部をエッチングし、（１２）図７６ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７６０５と７６１５の露出部を除去し、（１３）図７６ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７６００の露出部をエッチングし、及び（１４）図７６ｎに示すように、窒化珪素層７６０５、７６１０及び７６１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２５９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２０実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７６０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７６１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７６１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７６２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２６０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２０実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２６１】
図５６ａ、５６ｂと７７ａないし７７ｍを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２１実施例は、（１）図７７ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７７００を提供し、（２）図７７ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７７００上に窒化珪素層７７０５を塗布し、（３）図７７ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７７００上に窒化珪素層７７１０を塗布し、（４）図７７ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７７１０をパターニングし、（５）図７７ｅに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７７１０で覆われないシリコンウェハ７７００の部分に二酸化珪素のフィールド層７７１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（６）図７７ｆに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７７０５と７７１０をパターニングし、（７）図７７ｇに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７７００上にフォトレジスト層７７２０を塗布及びパターニングし、（８）図７７ｈに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７７００の露出部をエッチングし、（９）図７７ｉに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７７２０を除去し、（１０）図７７ｊに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７７００の露出部をエッチングし、（１１）図７７ｋに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７７０５と７７１５の露出部を除去し、（１２）図７７ｌに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７７００の露出部をエッチングし、及び（１３）図７７ｍに示すように、窒化珪素層７７０５、７７１０及び７７１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２６２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２１実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７７０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７７１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７７１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７７２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２６３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２１実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２６４】
図５６ａ、５６ｂと７８ａないし７８ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２２実施例は、（１）図７８ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７８００を提供し、（２）図７８ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７８１０上に窒化珪素層７８０５を塗布し、（３）図７８ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７８００上に窒化珪素層７８１０を塗布し、（４）図７８ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７８１０をパターニングし、（５）図７８ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層７８０５をパターニングし、（６）図７８ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７８１０で覆われないシリコンウェハ７８１０の部分に二酸化珪素のフィールド層７８１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図７８ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７８０５と７８１５をパターニングし、（８）図７８ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７８００上にフォトレジスト層７８２０を塗布及びパターニングし、（９）図７８ｉに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７８００の露出部をエッチングし、（１０）図７８ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７８２０を除去し、（１１）図７８ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７８００の露出部をエッチングし、（１２）図７８ｌに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７８０５と７８１５の露出部を除去し、（１３）図７８ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７８００の露出部をエッチングし、及び（１４）図７８ｎに示すように、窒化珪素層７８０５、７８１０及び７８１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２６５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２２実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７８０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７８１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７８１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７８２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２６６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２６７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層７８０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層７８１０が用いられる。
【０２６８】
図５６ａ、５６ｂと７９ａないし７９ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２３実施例は、（１）図７９ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ７９００を提供し、（２）図７９ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ７９００上に窒化珪素層７９０５を塗布し、（３）図７９ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ７９００上に窒化珪素層７９１０を塗布し、（４）図７９ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層７９１０をパターニングし、（５）図７９ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層７９０５をパターニングし、（６）図７９ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層７９１０で覆われないシリコンウェハ７９００の部分に二酸化珪素のフィールド層７９１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図７９ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層７９０５と７９１５をパターニングし、（８）図７９ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ７９００上にフォトレジスト層７９２０を塗布及びパターニングし、（９）図７９ｉに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ７９００の露出部をエッチングし、（１０）図７９ｊに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層７９０５と７９１５の露出部をエッチングし、（１１）図７９ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層７９２０を除去し、（１２）図７９ｌに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ７９００の露出部をエッチングし、（１３）図７９ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層７９０５と７９１５の露出部を除去し、（１４）図７９ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ７９００の露出部をエッチングし、及び（１５）図７９ｏに示すように、窒化珪素層７９０５、７９１０及び７９１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２６９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２３実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層７９０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層７９１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層７９１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層７９２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２７０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２７１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層７９０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層７９１０が用いられる。
【０２７２】
図５６ａ、５６ｂと８０ａないし８０ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２４実施例は、（１）図８０ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８０００を提供し、（２）図８０ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８０００上に窒化珪素層８００５を塗布し、（３）図８０ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８０００上に窒化珪素層８０１０を塗布し、（４）図８０ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８０１０をパターニングし、（５）図８０ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８００５をパターニングし、（６）図８０ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８０１０で覆われないシリコンウェハ８０００の部分に二酸化珪素のフィールド層８０１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図８０ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８００５と８０１５をパターニングし、（８）図８０ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８０００上にフォトレジスト層８０２０を塗布及びパターニングし、（９）図８０ｉに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８０００の露出部をエッチングし、（１０）図８０ｊに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８０００の露出部をエッチングし、（１１）図８０ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８０２０を除去し、（１２）図８０ｌに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８０００の露出部をエッチングし、（１３）図８０ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８００５と８０１５の露出部を除去し、（１４）図８０ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８０００の露出部をエッチングし、及び（１５）図８０ｏに示すように、窒化珪素層８００５、８０１０及び８０１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２７３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２４実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８００５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８０１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８０１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８０２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２７４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２７５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８００５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８０１０が用いられる。
【０２７６】
図５６ａ、５６ｂと８１ａないし８１ｐを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２５実施例は、（１）図８１ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８１００を提供し、（２）図８１ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８１００上に窒化珪素層８１０５を塗布し、（３）図８１ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８１００上に窒化珪素層８１１０を塗布し、（４）図８１ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８１１０をパターニングし、（５）図８１ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８１０５をパターニングし、（６）図８１ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８１１０で覆われないシリコンウェハ８１００の部分に二酸化珪素のフィールド層８１１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図８１ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８１０５と８１１５をパターニングし、（８）図８１ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８１００上にフォトレジスト層８１２０を塗布及びパターニングし、（９）図８１ｉに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８１００の露出部をエッチングし、（１０）図８１ｊに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８１０５と８１１５の露出部をエッチングし、（１１）図８１ｋに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８１００の露出部をエッチングし、（１２）図８１１に示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８１２０を除去し、（１３）図８１ｍに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８１００の露出部をエッチングし、（１４）図８１ｎに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８１０５と８１１５の露出部を除去し、（１５）図８１ｏに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８１００の露出部をエッチングし、及び（１６）図８１ｐに示すように、窒化珪素層８１０５、８１１０及び８１１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２７７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２５実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８１０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８１１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８１１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８１２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２７８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８１０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８１１０が用いられる。
【０２７９】
図５６ａ、５６ｂと８２ａないし８２ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２６実施例は、（１）図８２ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８２００を提供し、（２）図８２ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８２００上に窒化珪素層８２０５を塗布し、（３）図８２ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８２００上に窒化珪素層８２１０を塗布し、（４）図８２ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８２１０をパターニングし、（５）図８２ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８２０５をパターニングし、（６）図８２ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８２１０で覆われないシリコンウェハ８２００の部分に二酸化珪素のフィールド層８２１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図８２ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８２０５と８２１５をパターニングし、（８）図８２ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８２００上にフォトレジスト層８２２０を塗布及びパターニングし、（９）図８２ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８２０５と８２１５の露出部をエッチングし、（１０）図８２ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８２２０を除去し、（１１）図８２ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８２００の露出部をエッチングし、（１２）図８２１に示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８２０５と８２１５の露出部を除去し、（１３）図８２ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８２００の露出部をエッチングし、及び（１４）図８２ｎに示すように、窒化珪素層８２０５、８２１０及び８２１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２８０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２６実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８２０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８２１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８２１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８２２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２８１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２６実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２８２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２６実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８２０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８２１０が用いられる。
【０２８３】
図５６ａ、５６ｂと８３ａないし８３ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２７実施例は、（１）図８３ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８３００を提供し、（２）図８３ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８３００上に二酸化珪素層８３０５を塗布し、（３）図８３ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８３００上に窒化珪素層８３１０を塗布し、（４）図８３ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８３１０をパターニングし、（５）図８３ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８３０５をパターニングし、（６）図８３ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８３１０で覆われないシリコンウェハ８３００の部分に二酸化珪素のフィールド層８３１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図８３ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８３０５と８３１５をパターニングし、（８）図８３ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８３００上にフォトレジスト層８３２０を塗布及びパターニングし、（９）図８３ｉに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８３０５と８３１５の露出部をエッチングし、（１０）図８３ｊに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８３００の露出部をエッチングし、（１１）図８３ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８３２０を除去し、（１２）図８３１に示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８３００の露出部をエッチングし、（１３）図８３ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８３０５と８３１５の露出部を除去し、（１４）図８３ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８３００の露出部をエッチングし、及び（１５）図８３ｏに示すように、二酸化珪素及び窒化珪素層８３０５、８３１０及び８３１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２８４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２７実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８３０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８３１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８３１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８３２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２８５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２７実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２８６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２７実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８３０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８３１０が用いられる。
【０２８７】
図５６ａ、５６ｂと８４ａないし８４ｎを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、エッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２８実施例は、（１）図８４ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８４００を提供し、（２）図８４ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８４００上に窒化珪素層８４０５を塗布し、（３）図８４ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８４００上に窒化珪素層８４１０を塗布し、（４）図８４ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８４１０をパターニングし、（５）図８４ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８４０５をパターニングし、（６）図８４ｆに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８４１０で覆われないシリコンウェハ８４００の部分に二酸化珪素のフィールド層８４１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（７）図８４ｇに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８４０５と８４１５をパターニングし、（８）図８４ｈに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８４００上にフォトレジスト層８４２０を塗布及びパターニングし、（９）図８４ｉに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８４００の露出部をエッチングし、（１０）図８４ｊに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８４２０を除去し、（１１）図８４ｋに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８４００の露出部をエッチングし、（１２）図８４１に示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８４０５と８４１５の露出部を除去し、（１３）図８４ｍに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８４００の露出部をエッチングし、及び（１４）図８４ｎに示すように、窒化珪素層８４０５、８４１０及び８４１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２８８】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２８実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８４０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８４１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８４１５の厚さ、及び約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８４２０の厚さの処理パラメーターが用いられる。
【０２８９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２８実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２９０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２８実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８４０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８４１０が用いられる。
【０２９１】
図５６ａ、５６ｂと８５ａないし８５ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２９実施例は、（１）図８５ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８５００を提供し、（２）図８５ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８５００上に窒化珪素層８５０５を塗布し、（３）図８５ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８５００上に窒化珪素層８５１０を塗布し、（４）図８５ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８５１０をパターニングし、（５）図８５ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８５０５をパターニングし、（６）図８５ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ８５００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図８５ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８５１０で覆われないシリコンウェハ８５００の部分に二酸化珪素のフィールド層８５１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図８５ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８５０５と８５１５をパターニングし、（９）図８５ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８５００上にフォトレジスト層８５２０を塗布及びパターニングし、（１０）図８５ｊに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８５００の露出部をエッチングし、（１１）図８５ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８５２０を除去し、（１２）図８５１に示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８５００の露出部をエッチングし、（１３）図８５ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８５０５と８５１５の露出部を除去し、（１４）図８５ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８５００の露出部をエッチングし、及び（１５）図８５ｏに示すように、窒化珪素層８５０５、８５１０及び８５１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２９２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２９実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８５０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８５１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８５１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８５２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ８５００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２９３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２９実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０２９４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第２９実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層８５０５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層８５１０が用いられる。
【０２９５】
図５６ａ、５６ｂと８６ａないし８６ｐを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３０実施例は、（１）図８６ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８６００を提供し、（２）図８６ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８６００上に窒化珪素層８６０５を塗布し、（３）図８６ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８６００上に窒化珪素層８６１０を塗布し、（４）図８６ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８６１０をパターニングし、（５）図８６ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８６０５をパターニングし、（６）図８６ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ８６００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図８６ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８６１０で覆われないシリコンウェハ８６００の部分に二酸化珪素のフィールド層８６１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図８６ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８６０５と８６１５をパターニングし、（９）図８６ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８６００上にフォトレジスト層８６２０を塗布及びパターニングし、（１０）図８６ｊに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８６００の露出部をエッチングし、（１１）図８６ｋに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８６０５と８６１５の露出部をエッチングし、（１２）図８６１に示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８６２０を除去し、（１３）図８６ｍに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８６００の露出部をエッチングし、（１４）図８６ｎに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８６０５と８６１５の露出部を除去し、（１５）図８６ｏに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８６００の露出部をエッチングし、及び（１６）図８６ｐに示すように、窒化珪素層８６０５、８６１０及び８６１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２９６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３０実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８６０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８６１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８６１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８６２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０２９７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３０実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３０実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１２でマスキング層としてフォトレジストを使用して、シリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングが行われる。
【０２９８】
図５６ａ、５６ｂと８７ａないし８７ｐを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３１実施例は、（１）図８７ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８７００を提供し、（２）図８７ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８７００上に窒化珪素層８７０５を塗布し、（３）図８７ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８７００上に窒化珪素層８７１０を塗布し、（４）図８７ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８７１０をパターニングし、（５）図８７ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８７０５をパターニングし、（６）図８７ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ８７００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図８７ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８７１０で覆われないシリコンウェハ８７００の部分に二酸化珪素のフィールド層８７１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図８７ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８７０５と８７１５をパターニングし、（９）図８７ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８７００上にフォトレジスト層８７２０を塗布及びパターニングし、（１０）図８７ｊに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８７００の露出部をエッチングし、（１１）図８７ｋに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８７００の露出部をエッチングし、（１２）図８７１に示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８７２０を除去し、（１３）図８７ｍに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８７００の露出部をエッチングし、（１４）図８７ｎに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８７０５と８７１５の露出部を除去し、（１５）図８７ｏに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８７００の露出部をエッチングし、及び（１６）図８７ｐに示すように、窒化珪素層８７０５、８７１０及び８７１５の残余部を除去するステップを含む。
【０２９９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３１実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８７０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８７１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８７１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８７２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ８７００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０３００】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３１実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３１実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１２でマスキング層としてフォトレジストを使用して、シリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングが行われる。
【０３０１】
図５６ａ、５６ｂと８８ａないし８８ｑを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３２実施例は、（１）図８８ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８８００を提供し、（２）図８８ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８８００上に窒化珪素層８８０５を塗布し、（３）図８８ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８８００上に窒化珪素層８８１０を塗布し、（４）図８８ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８８１０をパターニングし、（５）図８８ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８８０５をパターニングし、（６）図８８ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ８８００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図８８ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８８１０で覆われないシリコンウェハ８８００の部分に二酸化珪素のフィールド層８８１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図８８ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８８０５と８８１５をパターニングし、（９）図８８ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８８００上にフォトレジスト層８８２０を塗布及びパターニングし、（１０）図８８ｊに示すように、ステップ５６２２でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８８００の露出部をエッチングし、（１１）図８８ｋに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８８０５と８８１５の露出部をエッチングし、（１２）図８８１に示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ８８００の露出部をエッチングし、（１３）図８８ｍに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８８２０を除去し、（１４）図８８ｎに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８８００の露出部をエッチングし、（１５）図８８ｏに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８８０５と８８１５の露出部を除去し、（１６）図８８ｐに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８８００の露出部をエッチングし、及び（１７）図８８ｑに示すように、窒化珪素層８８０５、８８１０及び８８１５の残余部を除去するステップを含む。
【０３０２】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３２実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８８０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８８１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８８１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８８２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ８８００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０３０３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３２実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１２でマスキング層としてフォトレジストを使用して、シリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングが行われる。
【０３０４】
図５６ａ、５６ｂと８９ａないし８９ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３３実施例は、（１）図８９ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ８９００を提供し、（２）図８９ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ８９００上に窒化珪素層８９０５を塗布し、（３）図８９ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ８９００上に窒化珪素層８９１０を塗布し、（４）図８９ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層８９１０をパターニングし、（５）図８９ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層８９０５をパターニングし、（６）図８９ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ８９００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図８９ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層８９１０で覆われないシリコンウェハ８９００の部分に二酸化珪素のフィールド層８９１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図８９ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層８９０５と８９１５をパターニングし、（９）図８９ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ８９００上にフォトレジスト層８９２０を塗布及びパターニングし、（１０）図８９ｊに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層８９０５と８９１５の露出部をエッチングし、（１１）図８９ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層８９２０を除去し、（１２）図８９１に示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ８９００の露出部をエッチングし、（１３）図８９ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層８９０５と８９１５の露出部を除去し、（１４）図８９ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ８９００の露出部をエッチングし、及び（１５）図８９ｏに示すように、窒化珪素層８９０５、８９１０及び８９１５の残余部を除去するステップを含む。
【０３０５】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３３実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層８９０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層８９１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層８９１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層８９２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ８９００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０３０６】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０３０７】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３３実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１２でマスキング層としてフォトレジストを使用して、シリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングが行われる。
【０３０８】
図５６ａ、５６ｂと９０ａないし９０ｐを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３４実施例は、（１）図９０ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ９０００を提供し、（２）図９０ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ９０００上に窒化珪素層９００５を塗布し、（３）図９０ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ９０００上に窒化珪素層９０１０を塗布し、（４）図９０ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層９０１０をパターニングし、（５）図９０ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層９００５をパターニングし、（６）図９０ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ９０００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図９０ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層９０１０で覆われないシリコンウェハ９０００の部分に二酸化珪素のフィールド層９０１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図９０ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層９００５と９０１５をパターニングし、（９）図９０ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ９０００上にフォトレジスト層９０２０を塗布及びパターニングし、（１０）図９０ｊに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層９００５と９０１５の露出部をエッチングし、（１１）図９０ｋに示すように、ステップ５６２６でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハ９０００の露出部をエッチングし、（１２）図９０１に示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層９０２０を除去し、（１３）図９０ｍに示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ９０００の露出部をエッチングし、（１４）図９０ｎに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層９００５と９０１５の露出部を除去し、（１５）図９０ｏに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ９０００の露出部をエッチングし、及び（１６）図９０ｐに示すように、窒化珪素層９００５、９０１０及び９０１５の残余部を除去するステップを含む。
【０３０９】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３４実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層９００５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層９０１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層９０１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層９０２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ９０００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０３１０】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０３１１】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３４実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１２でマスキング層としてフォトレジストを使用して、シリコンウェハ８６００の露出部の薄膜エッチングが行われる。
【０３１２】
図５６ａ、５６ｂと９１ａないし９１ｏを参照すれば、二酸化珪素のバッファ層を有し、シリコンウェハの露出部を薄膜エッチングし、及びエッチングマスクとしてフォトレジストを使用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３５実施例は、（１）図９１ａに示すように、ステップ５６０２でシリコンウェハ９１００を提供し、（２）図９１ｂに示すように、ステップ５６０４でシリコンウェハ９１００上に窒化珪素層９１０５を塗布し、（３）図９１ｃに示すように、ステップ５６０６でシリコンウェハ９１００上に窒化珪素層９１１０を塗布し、（４）図９１ｄに示すように、ステップ５６０８で窒化珪素層９１１０をパターニングし、（５）図９１ｅに示すように、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファパッド層９１０５をパターニングし、（６）図９１ｆに示すように、ステップ５６１２でシリコンウェハ９１００の露出部を薄膜エッチングし、（７）図９１ｇに示すように、ステップ５６１４で窒化珪素のパターン層９１１０で覆われないシリコンウェハ９１００の部分に二酸化珪素のフィールド層９１１５を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）図９１ｈに示すように、ステップ５６１６で二酸化珪素層９１０５と９１１５をパターニングし、（９）図９１ｉに示すように、ステップ５６２０でシリコンウェハ９１００上にフォトレジスト層９１２０を塗布及びパターニングし、（１０）図９１ｊに示すように、ステップ５６２４で二酸化珪素層９１０５と９１１５の露出部をエッチングし、（１１）図９１ｋに示すように、ステップ５６２８でフォトレジスト層９１２０を除去し、（１２）図９１１に示すように、ステップ５６３０でシリコンウェーハ９１００の露出部をエッチングし、（１３）図９１ｍに示すように、ステップ５６３２で二酸化珪素層９１０５と９１１５の露出部を除去し、（１４）図９１ｎに示すように、ステップ５６３４でシリコンウェハ９１００の露出部をエッチングし、及び（１５）図９１ｏに示すように、窒化珪素層９１０５、９１１０及び９１１５の残余部を除去するステップを含む。
【０３１３】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３５実施例の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層９１０５の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層９１１０の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層９１１５の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層９１２０の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハ９１００の露出部の薄膜エッチングの深さの処理パラメーターが用いられる。
【０３１４】
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６２２と５６２６で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９１Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理５６００の第３５実施例の好ましい実行においては、ステップ５６１０で二酸化珪素のバッファ層９００５の露出部をパターニングするために、エッチングマスクとして窒化珪素のパターン層９０１０が用いられる。
【０３１５】
他の実施例において、例えば（１）イソプロピルアルコールと混ざり合った水溶性ＫＯＨ、（２）テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、（３）エチレンジアミンとピロカテコールの混合物、（４）水溶性セシウムヒドロキシド（５）エチレンジアミンピロカテコールと水の混合物、（６）エタノールアミン、沒食子酸、及び水の混合物、または（７）ヒドラジン等のウェット異方性エッチング液がＫＯＨの代わりに用いられる。
【０３１６】
他の実施例において、二酸化珪素のマスキング層でＫＯＨエッチングが使われれば、二酸化珪素の厚膜は連続でパターン及び薄膜化されて多重厚さの構造体を生成する。次に、例えば、窒化珪素または炭化珪素のように他のマスキング材層が塗布及びパターンされる。次に、このマスキング層の合成は併合マスクを提供する。
【０３１７】
他の実施例において、ＤＲＩＥとＫＯＨとが結合され、他のマスキング層がＤＲＩＥの使用でパターンされる間、多数のマスキング層がＫＯＨを使用してパターンされる。次に、基板に複数のエッチング深さの構造を塗布するためにマスク除去ステップと、分散されたＤＲＩＥとＫＯＨとの合成エッチングステップが基板として用いられる。
【０３１８】
他の実施例において、気相またはプラズマエッチングがＤＲＩＥとの合成に用いられる。この方法において、複数のフォトレジスト層または金属マスキング層と合成されるフォトレジスト層を有する併合マスクを提供できる。
【０３１９】
他の実施例において、ＤＲＩＥ及びプラズマエッチングが選択的に用いられる。
【０３２０】
他の実施例において、ダイアモンド、ＳｉＣ、金属及びポリマーを含むマスキング材がウェットエッチングとドライエッチングとの組合の利用と共に用いられる。
【０３２１】
他の実施例において、他のマスキング層を提供するために多重厚さの耐エッチング物質層の経時的な侵食が用いられる。
【０３２２】
他の実施例において、例えば、ジフッ化キセノン、トリフッ化塩素、トリフッ化ブロム、７フッ化ブロム、または７フッ化ヨウ素が、ＤＲＩＥの代りに、または更に用いられる。
【０３２３】
他の実施例において、例えば、シリコンカーバイド、多結晶ダイアモンド、耐エッチング液性のポリマー、またはアルミニウムのようなマスキング材が二酸化珪素、及びまたは窒化珪素の代りに用いられる。
【０３２４】
次に、図９２ａと９２ｂに示し実施例では、複数のエッチング深さを持って選択的にエッチングマスクとしてフォトレジストの使用を含む、シリコンの局部酸化（ＬＯＣＯＳ）併合マスクの微細加工処理（プロセス）９２００に係る複数の他の実施例を説明する。プロセス９２００は実質的に図５０−９１ｏに基づいて前述したように、プロセス５０００と５６００との結合である。好ましい実施例において、これらのプロセス９２００の一つは少なくともミラー２１０の一部及び／または上部及び下部キャップ２０５と２１５を塗布するのに用いられる。図９２ａと９２ｂに示すように、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理９２００は、好ましくは、（１）ステップ９２０２でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ９２０４でシリコンウェハの表面上に二酸化珪素のバッファ層を（選択的に）成長させ、（３）ステップ９２０６でシリコンウェハ上に窒化珪素層を塗布し、（４）ステップ９２０８で窒化珪素層をパターニングし、（５）ステップ９２１０で二酸化珪素のバッファ層の露出部にパターンを（選択的に）パターニングし、（６）ステップ９２１２でシリコンウェハの表面の露出部を（選択的に）薄膜エッチングし、（７）ステップ９２１４で窒化珪素パターン層で覆われないシリコンウェハの部分に二酸化珪素のフィールド層を成長させ（二酸化珪素のフィールド層は、少なくとも窒化珪素層と二酸化珪素の選択的なバッファ層の総合厚さほど厚いことが好ましい）、（８）ステップ９２１６で二酸化珪素層をパターニングし（エッチング深さは二酸化珪素層の全体厚さのわずかである）、（９）ステップ９２１８でステップ９２１６を所定の複数回繰り返し、（１０）ステップ９２２０でエッチングマスクとしてフォトレジストを使用してシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１１）ステップ９２２２でシリコンウェハ上のフォトレジスト層を（選択的に）塗布及びパターニングし、（１２）ステップ９２２４でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１３）ステップ９２２６で二酸化珪素層の露出部を（選択的に）除去し、（１４）ステップ９２２８でシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１５）ステップ９２３０でフォトレジスト層を除去し、（１６）ステップ９２３２でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１７）ステップ９２３４で二酸化珪素層の露出部をエッチングし（エッチング深さは二酸化珪素層の全体厚さのわずかである）、（１８）ステップ９２３６でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１９）ステップ９２３４と９２３６を所定の回数繰り返すことを含む。
【０３２５】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０３２６】
プロセス９２００の好ましい実行において、約０．０３ないし１ミクロンの範囲である二酸化珪素のパッドバッファ層の厚さ、約０．１ないし２．０ミクロン範囲である窒化珪素層の厚さ、約０．２ないし３．０ミクロン範囲である二酸化珪素のフィールド層の厚さ、約１ないし１０ミクロン範囲であるフォトレジスト層の厚さ、及び約０．５ないし１ミクロンの範囲のシリコンウェハの露出部の薄膜エッチングの深さ、及び二酸化珪素層の部分エッチングが約０．０１ないし３ミクロンの範囲であるエッチング深さに対して１ないし１０回繰り返され、かつシリコン基板の部分エッチングが約１ないし５００ミクロンの範囲であるエッチング深さに対して１ないし１０回繰り返される処理パラメーターが用いられる。
【０３２７】
プロセス９２００の好ましい実行においては、ステップ９２２４と９２２８で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。プロセス９２００の好ましい実施例において、ステップ９２３２と９２３６で行われたエッチングはＫＯＨエッチングを含むことが好ましい。
【０３２８】
プロセス９２００の好ましい実施例においては、ステップ９２３２と９２３６でシリコンウェハの露出部のエッチングはＫＯＨを使用して提供する。
【０３２９】
図９３ａと９３ｂを参照して、複数のエッチング深さを持って他の多様なマスキング材の使用を含み、選択的にエッチングマスクとしてフォトレジストの使用を含む、併合マスク微細加工処理（プロセス）９３００に係る、幾つかの他の実施例を説明する。プロセス９３００はＬＯＣＯＳの他の多様な方法を除いて、他の多様なマスキング材の付加面でプロセス９２００と実質的に同一である。好ましい実施例において、これらのプロセス９３００の一つは少なくともミラー２１０の一部及び／または上部及び下部キャップ２０５と２１５を塗布するのに用いられる。図９３ａと９３ｂに示すように、併合マスクの微細加工処理９３００は、好ましくは、（１）ステップ９３０２でシリコンウェハを提供し、（２）ステップ９３０４で幾つかの他の物質のうちの一つのマスキング層を塗布し、（３）ステップ９３０６でマスキング層をパターニングして（エッチング深さはマスキング層の全体厚さのわずかである）、（４）ステップ９３０８でステップ９３０６を所定の回数繰り返し、（５）ステップ９３１０でエッチングマスクとしてフォトレジストを使用してシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（６）ステップ９３１２でシリコンウェハ上のフォトレジスト層を塗布及び（選択的に）パターンし、（７）ステップ９３１４でプラズマまたは気相のエッチング液を使用してシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（８）ステップ９３１６でマスキング層の露出部を（選択的に）除去し、（９）ステップ９３１８でシリコンウェハの露出部を（選択的に）エッチングし、（１０）ステップ９３２０でフォトレジスト層を除去し、（１１）ステップ９３２２でシリコンウェハの露出部をエッチングし、（１２）ステップ９３２４でマスキング層の露出部をエッチングし（エッチング深さはシリコンウェハの全体厚さの一部のわずである）、（１３）ステップ９３２６でシリコンウェハの露出部をエッチングし（エッチング深さはシリコンウェハの全体厚さのわずかである）、（１４）ステップ９３２８でステップ９３２４と９３２６を所定の回数繰り返すことを含む。
【０３３０】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０３３１】
プロセス９３００の好ましい実行において、二酸化珪素層の部分エッチングが約０．０１ないし３ミクロンの範囲であるエッチング深さに対して１ないし１０回繰り返され、かつシリコン基板の部分エッチングが約１ないし５００ミクロンの範囲であるエッチング深さに対して１ないし１０回繰り返される処理パラメーターが用いられる。
【０３３２】
プロセス９３００の好ましい実行においては、ステップ９３１４と９３１８で行われるエッチングはＤＲＩＥを含み、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。プロセス９３００の好ましい実施例において、ステップ９３２２と９３２６で行われたエッチングはＫＯＨエッチングを含むことが好ましい。
【０３３３】
プロセス９３００の好ましい実施例においては、ステップ９３２２と９３２６でシリコンウェハの露出部のエッチングはＫＯＨを使用して提供する。
【０３３４】
以下、図９４−９５ｈを参照して、基板に複数のエッチング深さを提供するための併合マスク処理（プロセス）９４００の実施例を説明する。好ましい実施例において、プロセス９４００は（１）図９５ａに示すように、ステップ９４０５でシリコン基板９５００を提供し、（２）図９５ｂに示すように、ステップ９４１０でシリコン基板９５００上に第１マスキング材層９５０５を蒸着し、（３）図９５ｃに示すように、ステップ９４１５で第１マスキング材層９５０５をパターニングし、（４）図９５ｄに示すように、ステップ９４２０でシリコン基板９５００上に第２マスキング材層９５１０を蒸着し、（５）図９５ｅに示すように、ステップ９４２５で第２マスキング材層９５１０をパターニングし、（６）図９５ｆに示すように、ステップ９４３０で第１深さにシリコン基板９５００の露出部９５００ａをエッチングし、（７）図９５ｇに示すように、ステップ９４３５で第１マスキング材層９５０５の露出部をエッチングし、及び（８）図９５ｈに示すように、ステップ９４４０で第２深さにシリコン基板９５００の露出部９５００ａ、９５００ｂ及び９５００ｃの露出部をエッチングすることを含む。
【０３３５】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０３３６】
好ましい実施例において、図９５ｅ−９５ｈに示すように、シリコン基板９５００の露出部９５００ａ、９５００ｂ及び９５００ｃの露出部は略同一な幅を有する。この方法の好ましい実施例において、領域９５００ａは領域９５００ｂと９５００ｃより深い最終エッチング深さを持つ。
【０３３７】
プロセス９４００の好ましい実行において、第１マスキング材は二酸化珪素を含み、第２マスキング材はフォトレジストを含み、第１マスキング材の厚さは約１０００ないし６０００オングストロームの範囲を有し、第２マスキング材の厚さは約３ないし４ミクロンの範囲を有し、第１エッチング深さは約１０ないし２５０ミクロンの範囲を有して、第２エッチング深さは約１０ないし３００ミクロンの範囲を持つ。プロセス９４００の他の実施例において、第１マスキング材は金属を含んで第２マスキング材は耐エッチング液性のポリマーを含む。
【０３３８】
プロセス９４００の好ましい実行においては、ステップ９４３０と９４４０で実行されたエッチングはＤＲＩＥまたはプラズマエッチングを含んで、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０３３９】
図９６ないし９７ｈを参照して、シリコン基板をエッチングするための併合マスクプロセス９６００の実施例を説明する。プロセス９６００の好ましい実行において、好ましい実施例において、プロセス９４００は（１）図９７ａに示すように、ステップ９６０５でシリコン基板９７００を提供し、（２）図９７ｂに示すように、ステップ９６１０でシリコン基板９７００上に第１マスキング材層９７０５を蒸着し、（３）図９５ｃに示すように、ステップ９６１５で第１マスキング材層９７０５をパターニングし、（４）図９７ｄに示すように、ステップ９６２０でシリコン基板９７００上に第２マスキング材層９７１２を蒸着し、（５）図９７ｅに示すように、ステップ９６２５で第２マスキング材層９７１０をパターニングし、（６）図９７ｆに示すように、第１時間の間、シリコン基板９７００の露出部をエッチングし、（７）図９７ｇに示すように、第１マスキング材層９７０５の露出部をエッチングし、（８）図９７ｈに示すように、第２時間の間、シリコン基板９７００の露出部をエッチングすることを含む。この方法において、シリコン基板９７００の全てのエッチング領域のエッチング深さは実質的に同一である。
【０３４０】
本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、パターニングとは、物質または基板の層にパターンを形成するために通常のフォトリソグラフィー及びエッチングの連続的な動作を行うことをいう。また、本技術分野における通常の知識を有する者が認知するように、エッチングとは物質または基板の層の少なくとも一部を除去することをいう。
【０３４１】
好ましい実施例において、図９７ｅ−９７ｈに示すように、シリコン基板９７００の露出部９７００ａの幅は、９７００ｂと９７００ｃより小さい幅を有する。この方法の好ましい実施例において、領域９７００ａ、９７００ｂと９７００ｃは実質的に同一な最終エッチング深さを持つ。好ましい実施例において、大きい露出部９７００ｂと９７００ｃより小さな露出部９７００ａが時々エッチングされる場合、エッチング時間は実質的に同一な最終のエッチング深さを提供するために、シリコン基板９７００の露出部９７００ａ、９７００ｂ及び９７００ｃの幅は実質的に幅の関数として適用される。
【０３４２】
プロセス９６００の好ましい実行において、第１マスキング材は二酸化珪素を含み、第２マスキング材はフォトレジストを含み、第１マスキング材の厚さは約１０００ないし６０００オングストロームの範囲を有して、第２マスキング材の厚さは約３ないし４ミクロンの範囲を有し、第１時間は約５ないし３０分の範囲であり、第２時間は約３０分ないし２時間の範囲である。また、好ましい実施例において、第１時間及び第２時間は異なる幅を有する基板の他の領域に対するエッチング比を測定することによって経験的に決定することが一般的である。
【０３４３】
プロセス９６００の他の実施例において、第１マスキング材は二酸化珪素、金属または耐エッチング液性のポリマーである。プロセス９６００の他の実施例において、第２マスキング材はフォトレジストまたは耐エッチング液性のポリマーである。
【０３４４】
プロセス９６００の好ましい実行においては、ステップ９６３０と９６４０で実行されたエッチングはＤＲＩＥまたはプラズマエッチングを含んで、水平に対して９０Ｅ±４５Ｅの角を有する側壁を提供する。
【０３４５】
好ましい実施例において、プロセス９６００はシリコンの広い露出領域よりは狭い露出領域がエッチングされる、プラズマドライエッチングのいわゆるマイクロロード効果を除去するために使用する。したがって、プロセス９６００は、相異な露出領域を有してシリコン基板で実質的に同一な最終エッチング深さを有する複数のエッチング領域を提供する。この方法において、他の形式のエッチングだけでなく、プラズマドライエッチングのマイクロロード効果を適当に克服することができる。
【０３４６】
例えば、図４９−９７ｈに示すように、ここに開示した併合マスクの微細加工処理の幾つかの他の実施例において、シリコン基板のエッチングは多様な方法を利用して実行できる。例えば、シリコンをエッチングするためにプラズマで生成された活性イオンを使用することができる。シリコンをエッチングするためにプラズマで使用したガスの例としては、六フッ化硫黄、塩素、ブロムが含まれる。いわゆるディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）とも呼ばれる高アスペクト比を有するトレンチエッチングは、例えば、トレンチの側壁上にパッシベーション層を塗布するために使用したガスを有する六フッ化硫黄のようなエッチングガスのタイムマルチプルレックスである。Ｃ４Ｆ８はシリコン側壁のパッシベーションために使用したガスの一例である。シリコンをエッチングするための他の方法はプラズマによる活性化がなくても、発生するシリコンエッチング用に十分な反応性ガスを使用することである。シリコンエッチング用反応性ガスの例としては、ジフッ化キセノン、トリフッ化塩素、トリフッ化ブロム、７フッ化ブロム、または７フッ化ヨウ素が含まれる。併合マスクを利用してシリコンをエッチングするためのその他の方法では液状のエッチング液の使用を含む。液体は異方性形態で単結晶シリコンをエッチングできる。シリコンのウェット異方性エッチング液の例には、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）、イソプロピルアルコールと混ざり合った水溶性ＫＯＨ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、水溶性セシウムヒドロキシド、エチレンジアミン、ピロカテコール、及び水の混合物、エタノールアミン、沒食子酸、及び水の混合物を含む。液体は単結晶シリコンを等方的にエッチングできる。シリコンの等方性エッチング液の例では、硝酸、フッ化アンモニウム及び水を含む。
【０３４７】
図４４−９７ｈに例示するように、本発明の併合マスクの微細加工処理に対する幾つかの他の実施例においては、例えば、方法の合成によってシリコン基板のエッチングが実行できる。例えば、シリコン基板のエッチングは一つのウェット異方性エッチング液で行うことができ、続いて、シリコン基板は異なる異方性エッチング液またはエッチングチャンバーに挿入できる。エッチング液の混合液の使用に関する好ましい実施例は（１）比較的高いシリコンエッチング比の利益を達成するためにシリコンをエッチングする水溶性ＫＯＨ、及び、つづいて（２）軽くドーピングされた単結晶シリコンと実質的なホウ素ドーピングを有する単結晶シリコン間のエッチング比の大きい割合を達成するために、シリコンをエッチングするイソプロピルアルコールと混ざり合った水溶性ＫＯＨの使用を含む。好ましい実施例において、エッチングプロセスは（１）ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液のあるクラスのうちいずれかのエッチング液、及び（２）３個のクラスの一つから他のエッチング液に取り替えることを含む。好ましい実施例において、シリコンエッチング方法の変更は複数回発生できる。エッチング液間の取り替えは特定の微細加工構造に対する所望のエッチングプロピルを生成するように、他のエッチング特性の利益を持ってくることが好ましい。
【０３４８】
図４４−９７ｈに例示するように、本発明の併合マスク微細加工処理に対する幾つかの他の実施例において、シリコン基板のエッチングに対する好ましい実施例では、マスキング材に大きな侵食を与えるエッチング方法を選択する。
図４４に示す複数の実施例において、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのうち、いずれかのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ４４４５と４４５５全てに対して好ましい。また、図４４を参照すれば、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのいずれかのシリコンエッチング液は、光学薄膜シリコンエッチングステップ４４３０のために使用することができるが、好ましい実施例ではプラズマエッチング液を使用する。
【０３４９】
図５０を参照すると、複数の実施例において、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのいずれかのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ５０５０、５０６０及び５０６５に対して好ましい。シリコンのエッチング比より比較的低いエッチング比を有するウェットエッチング液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのクラスのうちのいずれかが好ましい。
【０３５０】
図５６ａ−５６ｂを参照すると、複数の他の実施例において、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのいずれかのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ５６３０と５６３４に対して好ましい。プラズマエッチング液または気相の反応性エッチング液からのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ５６２２と５６２６に対して好ましい。
【０３５１】
図９２ａ−９２ｂを参照すると、複数の他の実施例において、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのいずれかのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ９２３２、９２３６及び９２３８に対して好ましい。プラズマエッチング液または気相の反応性エッチング液からのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ９２２４と９２２８に対して好ましい。
【０３５２】
図９３ａ−９３ｂを参照すると、複数の他の実施例において、ウェットエッチング液、プラズマエッチング液、及び気相の反応性エッチング液の３個のクラスのいずれかのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ９３２２、９３２６及び９３２８に対して好ましい。プラズマエッチング液または気相の反応性エッチング液からのシリコンエッチング液は、シリコンエッチングステップ９３１４と９３１８に対して好ましい。
【０３５３】
図９４ないし９７ｈを参照すると、複数の他の実施例において、好ましいシリコンエッチング方法はプラズマエッチング液であり、かつ特定の好ましいエッチング方法はシリコンの側壁をパッシベーチングするためのガス及びエッチングガスのタイムマルチプレックスである。
【０３５４】
図４４−９７ｈに示すように、併合マスクの微細加工処理はウェハの一面について行われる特徴を有しているが、好ましい実施例においてこれらのプロセスは、ウェハの両面について行なわれることができる。この方法において、エッチングはウェハの両面に提供される。
【０３５５】
開示した３次元構造体の製造方法は、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）基板の露出部をエッチングし、（７）第２マスキング材の露出部をエッチングし、及び（８）基板の露出部をエッチングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（２）は、基板上に第３マスキング材層を塗布し、第３マスキング材層上に第１マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第３マスキング材層を塗布するステップは、基板の熱酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、第３マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、基板の露出部のエッチングは薄膜エッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層を塗布するステップは、基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層を塗布するステップは、基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材は二酸化珪素を含む。好ましい実施例において、ステップ（６）と（８）は、基板の露出部のウェットエッチングを含む。
【０３５６】
開示した３次元構造体の製造方法は、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材のパターン層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をドライエッチングし、第１マスキング材のパターン層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をドライエッチングすることを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材層の塗布は基板の熱酸化を含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は二酸化珪素、金属、及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択され、第２マスキング材はフォトレジスト及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択される。好ましい実施例において、ドライエッチングはディープ反応性イオンエッチングを含む。
【０３５７】
開示した３次元構造体の製造方法は、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（６）基板の露出部をエッチングし、（７）第２マスキング材層の露出厚さ部をエッチングし、（８）基板の露出部をエッチングし、（９）ステップ（７）と（８）とを複数回繰り返すことを含む（請求項１９に相当）。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（２）は、基板上に第３マスキング材層を塗布し、第３マスキング材層上に第１マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第３マスキング材層の塗布は基板の熱酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、第３マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層の一部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第３マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第３マスキング材層の一部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材はフォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、ステップ（６）と（８）は、基板の露出部のウェットエッチングを含む。
【０３５８】
開示した３次元構造体の製造方法は、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）基板上に第３マスキング材層を塗布し、（７）第３マスキング材層をパターニングし、（８）第３マスキング材層をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、（１０）第２マスキング材層の露出部をエッチングし、（１１）基板の露出部をエッチングすることを含む。好ましい実施例において、第１、第２及び第３マスキング材は、窒化珪素を含み、二酸化珪素、フォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（２）は、基板上に第４マスキング材層を塗布し、第４マスキング材層上に第１マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第４マスキング材層の塗布は基板の熱酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、第４マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は、基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材はフォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材はフォトレジスト材料を含んで、及び第４マスキング材は二酸化珪素を含む。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部のエッチングはドライエッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチングを複数回行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチング、基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチング、及び基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（９）と（１１）は基板の露出部のウェットエッチングを含む。
【０３５９】
開示した３次元構造体の製造方法は、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層をパターニングし、（４）基板の露出部上に、少なくとも第１マスキング材層ほど厚い第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（６）基板上に第３マスキング材層を塗布し、（７）第３マスキング材層をパターニングし、（８）第３マスキング材層をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、（１０）第２マスキング材層の露出部の厚さ部をエッチングし、（１１）基板の露出部をエッチングし、及び（１２）ステップ（１０）と（１１）とを複数回繰り返すことを含む。好ましい実施例において、第１、第２及び第３マスキング材は、窒化珪素を含み、二酸化珪素、フォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部は薄膜エッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（２）は、基板上に第４マスキング材層を塗布し、第４マスキング材層上に第１マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第４マスキング材層の塗布は基板の熱酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、第４マスキング材層をパターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は、基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、ステップ（４）より前に、基板の露出部をエッチングすることを更に含む。好ましい実施例において、ステップ（４）は、基板の露出部上に、少なくとも第１及び第４マスキング材層の総合厚さほど厚い第２マスキング材層を塗布することを含む。好ましい実施例において、第２マスキング材層の塗布は基板の局部酸化を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）は、第２及び第４マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングすることを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材はフォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は窒化珪素を含み、第２マスキング材は二酸化珪素を含み、第３マスキング材はフォトレジスト材料を含んで、及び第４マスキング材は二酸化珪素を含む。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチングを複数回行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチング、基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、ステップ（７）と（８）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチング、及び基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（９）と（１１）は基板の露出部のウェットエッチングを含む。
【０３６０】
開示した３次元構造体の製造方法は、（１）基板を提供し、（２）基板上に第１マスキング材層を塗布し、（３）第１マスキング材層の厚さ部を複数回パターニングし、（４）基板上に第２マスキング材層を塗布し、（５）第２マスキング材層をパターニングし、（６）第２マスキング材層をエッチングし、（７）基板の露出部をエッチングし、（８）第１マスキング材層の露出厚さ部をエッチングし、（９）基板の露出部をエッチングし、及び（１０）ステップ（８）と（９）とを複数回繰り返すことを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は炭化珪素、窒化珪素、多結晶ダイアモンド、及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択される。好ましい実施例において、好ましい実施例において、第２マスキング材はフォトレジスト材料を含む。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、基板の露出部のエッチングを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部をエッチングするステップは、基板の露出部のドライエッチングを含む。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、基板の露出部のエッチングを複数回行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、基板の露出部のエッチング、及び第２マスキング材層の露出部のエッチング、基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、ステップ（５）と（６）との間に、第２マスキング材層の露出部のエッチング、及び基板の露出部のエッチングを行なうことを更に含む。好ましい実施例において、基板の露出部はドライエッチングされる。好ましい実施例において、ステップ（７）と（９）はウェットエッチングを含む。
【０３６１】
開示した３次元構造体の製造方法は、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材のパターン層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、基板の露出部をドライエッチングし、第１マスキング材のパターン層の露出部をエッチングし、及び基板の露出部をドライエッチングすることを含む。好ましい実施例において、ドライエッチングはディープ反応性イオンエッチングを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は二酸化珪素、金属、及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択され、第２マスキング材はフォトレジスト及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択される。
【０３６２】
開示した３次元構造体の製造方法は、基板を提供し、基板上に第１マスキング材層を塗布し、第１マスキング材層をパターニングし、第１マスキング材のパターン層上に第２マスキング材層を塗布し、第２マスキング材層をパターニングし、第１時間の間、基板の第１露出部グループをドライエッチングし、第１マスキング材層の露出部をエッチングし、及び第２時間の間、基板の第２露出部グループをドライエッチングすることを含み、第１時間及び第２時間は、基板の露出部の大きさの関数であることを含む。好ましい実施例において、基板の第１露出部グループは第１断面積を有する露出部を含み、基板の第２露出部グループは第１及び第２断面積を有する露出部を含む。好ましい実施例において、ドライエッチングは、ディープ反応性イオンエッチングを含む。好ましい実施例において、第１マスキング材は二酸化珪素、金属、及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択され、第２マスキング材はフォトレジスト及び耐エッチング液性のポリマーからなるグループより選択される。
【０３６３】
前述した基板の微細加工方法は基板のウェットエッチング及び基板のドライエッチングを含む。好ましい実施例において、ウェットエッチングはウェット併合マスクの微細加工処理を含む。好ましい実施例において、その方法は二酸化珪素と窒化珪素から構成したマスキング層の使用を含む。好ましい実施例において、ドライエッチングはドライ併合マスクの微細加工処理を含む。好ましい実施例において、その方法は二酸化珪素とフォトレジストから構成したマスキング層の使用を含む。
【０３６４】
前述した基板を微細加工するために複数のマスキング層を生成する方法は、基板上に耐エッチング液性の物質層を塗布すること、及び複数の厚さ層を塗布するために他のエッチング比で層の他の領域を侵食することを含む。
【０３６５】
また、前述した基板の微細加工方法は異なる異方性を有する他のエッチング液の混合液を使用することも含む。
【０３６６】
また、前述した基板の微細加工方法は第２エッチングプロセスから第１エッチングプロセスを分離することも含む。
【０３６７】
以上で、本発明の例示的な実施例を図面に基づいて説明したが、幅広い範囲の修正、変更及び置換が前述した内容によって達成できる。また、場合によっては、本発明の幾つかの特徴は相応する他の特徴の使用がなくても使用できる。したがって、添付した特許請求の範囲は本発明の範囲と一貫性がある方式で幅広く解析するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  バーコードスキャナで使用するためミラー組立体及びレーザーの模式図である。
【図２】  図１のミラー組立体の好ましい略側面図である。
【図３】  図２のミラー組立体の上部キャップの平面図である。
【図４】  図３の上部キャップの断面図である。
【図５】  図３の上部キャップの断面図である。
【図６】  図２のミラー組立体のミラーの平面図である。
【図７Ａ】  図２のミラー組立体のヒンジの他の実施形態の平面図である。
【図８Ｂ】  図２のミラー組立体のヒンジの他の実施形態の平面図である。
【図９Ｃ】  図２のミラー組立体のヒンジの他の実施形態の平面図である。
【図１０Ｄ】  図２のミラー組立体のヒンジの他の実施形態の平面図である。
【図１１】  図７は図６のミラーの断面図である。
【図１２】  図８は図６のミラーの断面図である。
【図１３】  図９は図６のミラーの底面図である。
【図１４】  図１０は図２のミラー組立体の下部キャップの平面図である。
【図１５】  図１１は図１０の下部キャップの断面図である。
【図１６】  図１２は図１０の下部キャップの断面図である。
【図１７】  図１３は図２のミラー組立体の基底部材の平面図である。
【図１８】  図１４は図１３の基底部材の断面図である。
【図１９】  図１５は図１３の基底部材の断面図である。
【図２０】  図１６は図２のミラー組立体の上部キャップ及びミラーの平面図である。
【図２１】  図１７は図２のミラー組立体の下部キャップ及び基底部材の平面図である。
【図２２】  図１８はミラー収集版の振動を示す図１６のミラー組立体の断面図である。
【図２３】  図１９はレーザービームのクリッピングを最小化するためのテーパー面の使用を示す図１８のミラー粗立体の断面図である。
【図２４】  図２０は図２のミラー粗立体の製造を示すフローチャートである。
【図２５Ａ】  図２のミラー組立体の製造を示すフローチャートである。
【図２６Ｂ】  図２のミラー組立体の製造を示すフローチャートである。
【図２７】  図２２はその表面及び裏面に二酸化珪素及び窒化珪素を有するシリコンウェハの断面図である。
【図２８】  シリコンウェハの裏面の窒化フォトリソグラフィー及びエッチングを示す図面である。
【図２９ａ】  二酸化珪素のパッド層の露出領域のエッチングを示す図面である。
【図３０ｂ】  図２３ａのシリコンウェハのシリコンの露出領域上のフィールド酸化層の成長を示す図面である。
【図３１】  図２４はシリコンウェハの裏面を二酸化珪素フォトリソグラフィー及びエッチングする合成図である。
【図３２】  図２５は図２４のシリコンウェハの裏面をＫＯＨエッチングする図面である。
【図３３】  図２６は図２５のシリコンウェハの断面図である。
【図３４】  図２７は図２５のシリコンウェハの裏面の二酸化珪素の露出されたシリコンをエッチングし、及びシリコンウェハの裏面の露出層をＫＯＨエッチングして、及びシリコンウェハの二酸化珪素と窒化珪素との全てを剥離する図面である。
【図３５】  図２８は図２７のシリコンウェハの断面図である。
【図３６ａ】  図２７のシリコンウェハの表面の二酸化珪素層の断面図である。
【図３７ｂ】  図２９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３８ａ】  図２９ａのシリコンウェハの表面を金蒸着、金リソグラフィー及び金エッチングする図面である。
【図３９ｂ】  図３０ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４０ｃ】  図３０ａのシリコンウェハの表面上にフォトレジスト層を適用してパターニングする図面である。
【図４１ｄ】  図３０ｄは図３０ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４２】  図３１は露出されたシリコンをディープ反応性イオンエッチング、露出された二酸化珪素をエッチング、露出されたシリコンをディープ反応性イオンエッチング、及び図３０ｃのシリコンウェハの表面からフォトレジストを除去する図面である。
【図４３】  図３２は図３１のシリコンウェハの断面図である。
【図４４】  図２のミラー組立体の上部及び下部キャップの製造を示すフローチャートである。
【図４５】  図３４はそれの表面と裏面に二酸化珪素のパッド層及び窒化珪素層を有するシリコンウェハの断面図である。
【図４６ａ】  図３４のシリコンウェハの表面の窒化珪素層及び二酸化珪素のパッド層及び窒化珪素層をフォトリソグラフィー及びエッチングする図面である。
【図４７ｂ】  図３５ａのシリコンウェハのシリコンの露出領域の二酸化珪素フィールド層を成長させる図面である。
【図４８】  図３６は図３５ｂのシリコンウェハの表面での二酸化珪素フィールド層をフォトリソグラフィー及びエッチングを示す図面である。
【図４９】  図３７は図３６のシリコンウェハの背面の窒化珪素層をフォトリソグラフィー及びエッチングする図面である。
【図５０】  図３８は図３７のシリコンウェハの裏面の二酸化珪素層をフォトリソグラフィー及びエッチングする図面である。
【図５１】  図３８のシリコンウェハの表面及び裏面のシリコンの露出領域を、１５０ミクロンの深さにＫＯＨエッチングする図面である。
【図５２ａ】  図３９のシリコンウェハの断面図である。
【図５３ｂ】  図３９のシリコンウェハの断面図であり、図３９ｃは図３９のシリコンウェハの断面図である。
【図５４ｃ】  図３９のシリコンウェハの断面図である。
【図５５】  図４０は図３９のシリコンウェハの表面の二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングする図面である。
【図５６】  図４１は図４０のシリコンウェハの裏面の二酸化珪素層の露出部をエッチングする図面である。
【図５７】  図４１のシリコンウェハの表面及び裏面を、５０ミクロンの深さにシリコンの露出領域をＫＯＨエッチングする図面である。
【図５８ａ】  図４２のシリコンウェハの断面図である。
【図５９ｂ】  図４２のシリコンウェハの断面図である。
【図６０ｃ】  図４２のシリコンウェハの断面図である。
【図６１】  図４３は図４２のシリコンウェハの両面における金箔の適用を示す図面である。
【図６２ａ】  図４３のシリコンウェハの断面図である。
【図６３ｂ】  図４３のシリコンウェハの断面図でありる。
【図６４ｃ】  図４３のシリコンウェハの断面図である。
【図６５ｄ】  上部／下部キャップをミラーに結合するためのプロセスの一実施例を示すフローチャートである。
【図６６】  図４４はＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の多様な他の実施形態に対するフローチャートである。
【図６７ａ】  図４５ａはシリコンウェハの断面図である。
【図６８ｂ】  窒化珪素層を含む図４５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６９ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図４５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図７０ｄ】  シリコンウェハの露出部における二酸化珪素層の成長後に図４５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図７１ｅ】  図４５ｅは二酸化珪素層をパターニングした後図４５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図７２ｆ】  図４５ｆはシリコンウェハの露出部をエッチングした後図４５ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図７３ｇ】  図４５ｇは二酸化珪素層の露出部を除去した後図４５ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図７４ｈ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図７５ｉ】  窒化珪素層を除去した後図４５ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図７６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図７７ｂ】  窒化珪素層を含む図４６ａのシリコンウェハの断面図である。
【図７８ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図４６ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図７９ｄ】  シリコンウェハの露出部における二酸化珪素層の成長後に図４６ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図８０ｅ】  シリコンウェハの露出部における二酸化珪素層の成長後に図４６ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図８１ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図４６ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図８２ｇ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４６ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図８３ｈ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図４６ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図８４ｉ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４６ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図８５ｊ】  窒化珪素層を除去した後図４６ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図８６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図８７ｂ】  二酸化珪素バッファ層を含む図４７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図８８ｃ】  二酸化珪素バッファ層上の窒化珪素層を含む図４７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図８９ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図４７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図９０ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における二酸化珪素層の成長後に図４７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図９１ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図４７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図９２ｇ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４７ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図９３ｈ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図４７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図９４ｉ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４７ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図９５ｊ】  二酸化珪素層及び窒化珪素層の残余部を除去した後図４７ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図９６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図９７ｂ】  図４８ｂは二酸化珪素バッファ層を含む図４８ａのシリコンウェハの断面図である。
【図９８ｃ】  二酸化珪素バッファ層上に窒化珪素層を含む図４８ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図９９ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図４８ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１００ｅ】  二酸化珪素バッファ層の露出部をパターニングした後図４８ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１０１ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における二酸化珪素層の成長後図４８ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１０２ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図４８ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１０３ｈ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４８ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１０４ｉ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図４８ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１０５ｊ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４８ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１０６ｋ】  二酸化珪素層及び窒化珪素層の残余部を除去した後図４８ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１０７ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１０８ｂ】  二酸化珪素バッファ層を含む図４９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１０９ｃ】  二酸化珪素バッファ層上に窒化珪素層を含む図４９ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１１０ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図４９ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１１１ｅ】  二酸化珪素バッファ層の露出部をパターニングした後図４９ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１１２ｆ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１１３ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における二酸化珪素層の成長後図４９ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１１４ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図４９ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１１５ｉ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４９ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１１６ｊ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図４９ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１１７ｋ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図４９ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１１８ｌ】  二酸化珪素層及び窒化珪素層の残余部を除去した後図４９ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１１９】  図５０は複数のエッチング深くを有するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の複数の実施形態を示すフローチャートである。
【図１２０ａ】  図５１ａはシリコンウェハの断面図である。
【図１２１ｂ】  窒化珪素層を含む図５１ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１２２ｃ】  窒化珪素をパターニングした後図５１ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１２３ｄ】  図５１ｄはシリコンの露出部上の酸化フィールド層の成長後図５１ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１２４ｅ】  酸化フィールド層上での複数のパターニング動作の実行後に図５１ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１２５ｆ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図５１ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１２６ｇ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５１ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１２７ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１２８ｉ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５１ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１２９ｊ】  図５１ｊはシリコンの露出部をエッチングした後図５１ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１３０ｋ】  窒化珪素の露出部をエッチングした後図５１ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１３１ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１３２ｂ】  窒化珪素層を含む図５２ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１３３ｃ】  窒化珪素をパターニングした後図５２ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１３４ｄ】  シリコンの露出部上の薄膜エッチング後に図５２ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１３５ｅ】  シリコンの露出部上で酸化フィールド層の成長後に図５２ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１３６ｆ】  酸化フィールド層上でパターニング動作を実行した後図５２ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１３７ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５２ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１３８ｈ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５２ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１３９ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５２ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１４０ｊ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５２ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１４１ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５２ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１４２ｌ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図５２ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１４３ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１４４ｂ】  窒化珪素のパッド層を含む図５３ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１４５ｃ】  窒化珪素層を含む図５３ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１４６ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図５３ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１４７ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後に図５３ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１４８ｆ】  二酸化珪素層上で複数のパターニング動作を実行した後図５３ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１４９ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５３ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１５０ｈ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５３ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１５１ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５３ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１５２ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図５３ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１５３ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５３ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１５４ｌ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図５３ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１５５ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１５６ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図５４ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１５７ｃ】  窒化珪素層を含む図５４ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１５８ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図５４ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１５９ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図５４ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１６０ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後に図５４ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１６１ｇ】  二酸化珪素層上で複数のパターニング動作を実行した後図５４ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１６２ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５４ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１６３ｉ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図５４ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１６４ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５４ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１６５ｋ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図５４ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１６６ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５４ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１６７ｍ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図５４ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図１６８ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１６９ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図５５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１７０ｃ】  窒化珪素層を含む図５５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１７１ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図５５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１７２ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図５５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１７３ｆ】  シリコンの露出領域の薄膜エッチング後に図５５ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１７４ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後に図５５ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１７５ｈ】  二酸化珪素層上で複数のパターニング動作を実行した後図５５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１７６ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５５ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１７７ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図５５ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１７８ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５５ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１７９ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図５５ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１８０ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５５ｌのシリコーンウェハの断面図である。
【図１８１ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図５５ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図１８２ａ】  シリコンのシリコンのディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを使用することを含む、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の複数の実施形態を示すフローチャートである。
【図１８３ｂ】  シリコンのシリコンのディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを使用することを含む、ＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理の複数の実施形態を示すフローチャートである。
【図１８４ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１８５ｂ】  窒化珪素層を含む図５７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１８６ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図５７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１８７ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図５７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図１８８ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図５７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図１８９ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図５７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図１９０ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５７ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図１９１ｈ】  フォトレジストを除去した後図５７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１９２ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５７ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図１９３ｊ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５７ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図１９４ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５７ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図１９５ｌ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図５７ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図１９６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図１９７ｂ】  窒化珪素層を含む図５８ａのシリコンウェハの断面図である。
【図１９８ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図５８ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図１９９ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図５８ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２００ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図５８ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２０１ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図５８ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２０２ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５８ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２０３ｈ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５８ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２０４ｉ】  フォトレジストを除去した後図５８ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２０５ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５８ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２０６ｋ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５８ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２０７ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５８ｋのシリコンウェハの断面図であり、
【図２０８ｍ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図５８ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２０９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２１０ｂ】  窒化珪素層を含む図５９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２１１ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図５９ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２１２ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図５９ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２１３ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図５９ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２１４ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図５９ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２１５ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５９ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２１６ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５９ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２１７ｉ】  フォトレジストを除去した後図５９ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２１８ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図５９ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２１９ｋ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図５９ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２２０ｌ】  図５９ｌはシリコンの露出部をエッチングした後図５９ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２２１ｍ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図５９ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２２２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２２３ｂ】  窒化珪素層を含む図６０ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２２４ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６０ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２２５ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６０ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２２６ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６０ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２２７ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６０ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２２８ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６０ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２２９ｈ】  二酸化珪素の露出部をエッチングした後図６０ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２３０ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６０ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２３１ｊ】  フォトレジストを除去した後図６０ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２３２ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６０ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２３３ｌ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６０ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２３４ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６０ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２３５ｎ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６０ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図２３６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２３７ｂ】  窒化珪素層を含む図６１ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２３８ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６１ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２３９ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６１ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２４０ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６１ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２４１ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６１ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２４２ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６１ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２４３ｈ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２４４ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２４５ｊ】  フォトレジストを除去した後図６１ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２４６ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６１ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２４７ｌ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６１ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２４８ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２４９ｂ】  窒化珪素層を含む図６２ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２５０ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６２ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２５１ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６２ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２５２ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６２ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２５３ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６２ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２５４ｇ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６２ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２５５ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６２ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２５６ｉ】  フォトレジストの露出部をエッチングした後図６２ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２５７ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６２ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２５８ｋ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６２ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２５９ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６２ｋシリコンウェハの断面図である。
【図２６０ｍ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６２ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２６１ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２６２ｂ】  窒化珪素層を含む図６３ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２６３ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６３ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２６４ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６３ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２６５ｅ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６３ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２６６ｆ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６３ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２６７ｇ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６３ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２６８ｈ】  フォトレジストの露出部をエッチングした後図６３ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２６９ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６３ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２７０ｊ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６３ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２７１ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６３ｊシリコンウェハの断面図である。
【図２７２ｌ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６３ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２７３ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２７４ｂ】  窒化珪素層を含む図６４ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２７５ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６４ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２７６ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６４ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２７７ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６４ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２７８ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６４ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２７９ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６４ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２８０ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６４ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２８１ｉ】  フォトレジストの露出部をエッチングした後６４ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２８２ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６４ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２８３ｋ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６４ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２８４ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６４ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２８５ｍ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６４ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２８６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図２８７ｂ】  窒化珪素層を含む図６５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図２８８ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図２８９ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図２９０ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図２９１ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６５ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図２９２ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６５ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図２９３ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図２９４ｉ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後６５ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図２９５ｊ】  フォトレジストの露出部をエッチングした後６５ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図２９６ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６５ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図２９７ｌ】  二酸化珪素フィールド層の露出部をエッチングした後図６５ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図２９８ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６５ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図２９９ｎ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６５ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図３００ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３０１ｂ】  窒化珪素層を含む図６６ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３０２ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６６ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３０３ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６６ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３０４ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６６ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３０５ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６６ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３０６ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６６ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３０７ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６６ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３０８ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６６ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３０９ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図６６ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３１０ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６６ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３１１ｌ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６６ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３１２ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６６ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３１３ｎ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６６ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図３１４ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３１５ｂ】  窒化珪素層を含む図６７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３１６ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３１７ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３１８ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３１９ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３２０ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６７ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３２１ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３２２ｉ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６７ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３２３ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６７ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３２４ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図６７ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３２５ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６７ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３２６ｍ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６７ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３２７ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６７ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図３２８ｏ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６７ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図３２９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３３０ｂ】  窒化珪素層を含む図６８ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３３１ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６８ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３３２ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６８ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３３３ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６８ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３３４ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６８ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３３５ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６８ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３３６ｈ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６８ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３３７ｉ】  フォトレジスト層を除去した後図６８ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３３８ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６８ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３３９ｋ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６８ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３４０ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６８ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３４１ｍ】  図６８ｍは窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６８ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３４２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３４３ｂ】  窒化珪素層を含む図６９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３４４ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図６９ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３４５ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図６９ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３４６ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図６９ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３４７ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図６９ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３４８ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図６９ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３４９ｈ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６９ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３５０ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６９ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３５１ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図６９ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３５２ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６９ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３５３ｌ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図６９ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３５４ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図６９ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３５５ｎ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図６９ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図３５６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３５７ｂ】  窒化珪素層を含む図７０ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３５８ｃ】  窒化珪素層をパターニングした後図７０ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３５９ｄ】  シリコンの露出層における酸化フィールド層の成長後図７０ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３６０ｅ】  シリコンの露出部の酸化フィールド層の成長後図７０ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３６１ｆ】  酸化フィールド層をパターニングした後図７０ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３６２ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７０ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３６３ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７０ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３６４ｉ】  フォトレジスト層を除去した後図７０ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３６５ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７０ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３６６ｋ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図７０ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３６７ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７０ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３６８ｍ】  窒化珪素層の露出部をエッチングした後図７０ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３６９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３７０ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７１ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３７１ｃ】  窒化珪素層を含む図７１ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３７２ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７１ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３７３ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７１ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３７４ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７１ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３７５ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７１ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３７６ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３７７ｉ】  フォトレジスト層を除去した後図７１ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３７８ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７１ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３７９ｋ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図７１ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３８０ｌ】  図７１ｌはシリコンの露出部をエッチングした後図７１ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３８１ｍ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７１ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３８２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３８３ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７２ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３８４ｃ】  窒化珪素層を含む図７２ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３８５ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７２ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図３８６ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７２ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図３８７ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７２ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図３８８ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７２ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図３８９ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７２ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図３９０ｉ】  二酸化珪素のフィールド層の露出部をエッチングした後図７２ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図３９１ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図７２ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図３９２ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７２ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図３９３ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７２ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図３９４ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７２ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図３９５ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７２ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図３９６ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図３９７ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７３ａのシリコンウェハの断面図である。
【図３９８ｃ】  は窒化珪素層を含む図７３ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図３９９ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７３ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４００ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７３ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４０１ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７３ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４０２ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７３ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４０３ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７３ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４０４ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７３ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４０５ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図７３ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４０６ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７３ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４０７ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７３ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４０８ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７３ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４０９ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７３ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図４１０ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４１１ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７４ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４１２ｃ】  窒化珪素層を含む図７４ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４１３ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７４ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４１４ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７４ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４１５ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７４ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４１６ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７４ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４１７ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７４ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４１８ｉ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７４ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４１９ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７４ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４２０ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図７４ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４２１ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７４ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４２２ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７４ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４２３ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７４ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図４２４ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７４ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図４２５ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４２６ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４２７ｃ】  窒化珪素層を含む図７５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４２８ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４２９ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４３０ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７５ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４３１ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７５ｆのシリコンウェハの断面図である。。
【図４３２ｈ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図７５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４３３ｉ】  フォトレジスト層を除去した後図７５ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４３４ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７５ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４３５ｋ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７５ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４３６ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７５ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４３７ｍ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７５ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４３８ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４３９ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７６ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４４０ｃ】  窒化珪素層を含む図７６ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４４１ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７６ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４４２ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７６ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４４３ｆ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７６ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４４４ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７６ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４４５ｈ】  二酸化珪素層の露出部を除去した後図７６ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４４６ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７６ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４４７ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図７６ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４４８ｋ】  図７６ｋはシリコンの露出部をエッチングした後図７６ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４４９ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７６ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４５０ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７６ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４５１ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７６ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図４５２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４５３ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４５４ｃ】  窒化珪素層を含む図７７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４５５ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４５６ｅ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４５７ｆ】  図７７ｆは二酸化珪素層をパターニングした後図７７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４５８ｇ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７７ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４５９ｈ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４６０ｉ】  フォトレジスト層を除去した後図７７ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４６１ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７７ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４６２ｋ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７７ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４６３ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７７ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４６４ｍ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７７ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４６５ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４６６ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７８ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４６７ｃ】  窒化珪素層を含む図７８ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４６８ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７８ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４６９ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図７８ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４７０ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７８ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４７１ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７８ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４７２ｈ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７８ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４７３ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７８ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４７４ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図７８ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４７５ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７８ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４７６ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７８ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４７７ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７８ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４７８ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７８ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図４７９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４８０ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図７９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４８１ｃ】  窒化珪素層を含む図７９ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４８２ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図７９ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４８３ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図７９ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４８４ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図７９ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図４８５ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図７９ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図４８６ｈ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図７９ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図４８７ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７９ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図４８８ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７９ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図４８９ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図７９ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図４９０ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図７９ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図４９１ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図７９ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図４９２ｎ】  図７９ｎはシリコンの露出部をエッチングした後図７９ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図４９３ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図７９ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図４９４ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図４９５ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８０ａのシリコンウェハの断面図である。
【図４９６ｃ】  窒化珪素層を含む図８０ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図４９７ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８０ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図４９８ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８０ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図４９９ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図８０ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５００ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８０ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５０１ｈ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８０ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５０２ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８０ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５０３ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８０ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５０４ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図８０ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５０５ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８０ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５０６ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８０ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５０７ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８０ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５０８ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８０ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図５０９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５１０ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８１ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５１１ｃ】  窒化珪素層を含む図８１ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５１２ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８１ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５１３ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８１ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５１４ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図８１ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５１５ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８１ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５１６ｈ】  シリコンウェハ上にフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５１７ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８１ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５１８ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８１ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５１９ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８１ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５２０ｌ】  フォトレジスト層を除去した後図８１ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５２１ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８１ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５２２ｎ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８１ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５２３ｏ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８１ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図５２４ｐ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８１ｏのシリコンウェハの断面図である。
【図５２５ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５２６ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８２ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５２７ｃ】  窒化珪素層を含む図８２ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５２８ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８２ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５２９ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８２ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５３０ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図８２ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５３１ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８２ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５３２ｈ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８２ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５３３ｉ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８２ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５３４ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図８２ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５３５ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８２ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５３６ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８２ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５３７ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８２ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５３８ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８２ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５３９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５４０ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８３ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５４１ｃ】  窒化珪素層を含む図８３ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５４２ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８３ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５４３ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８３ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５４４ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図８３ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５４５ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８３ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５４６ｈ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８３ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５４７ｉ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８３ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５４８ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８３ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５４９ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図８３ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５５０ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８３ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５５１ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８３ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５５２ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８３ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５５３ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８３ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図５５４ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５５５ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８４ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５５６ｃ】  窒化珪素層を含む図８４ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５５７ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８４ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５５８ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８４ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５５９ｆ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分における酸化フィールド層の成長後図８４ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５６０ｇ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８４ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５６１ｈ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８４ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５６２ｉ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８４ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５６３ｊ】  フォトレジスト層を除去した後図８４ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５６４ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８４ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５６５ｌ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８４ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５６６ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８４ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５６７ｎ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８４ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５６８ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５６９ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５７０ｃ】  窒化珪素層を含む図８５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５７１ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５７２ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５７３ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図８５ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５７４ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図８５ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５７５ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５７６ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８５ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５７７ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８５ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５７８ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図８５ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５７９ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８５ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５８０ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８５ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５８１ｎ】  珪素の露出部をエッチングした後図８５ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５８２ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８５ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図５８３ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図５８４ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８６ａのシリコンウェハの断面図である。
【図５８５ｃ】  窒化珪素層を含む図８６ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図５８６ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８６ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図５８７ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８６ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図５８８ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図８６ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図５８９ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図８６ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図５９０ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８６ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図５９１ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８６ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図５９２ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８６ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図５９３ｋ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８６ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図５９４ｌ】  フォトレジスト層を除去した後図８６ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図５９５ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８６ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図５９６ｎ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８６ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図５９７ｏ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８６ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図５９８ｐ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８６ｏのシリコンウェハの断面図である。
【図５９９ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６００ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６０１ｃ】  窒化珪素層を含む図８７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６０２ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６０３ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６０４ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図８７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６０５ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図８７ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６０６ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６０７ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８７ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図６０８ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８７ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図６０９ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８７ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図６１０ｌ】  フォトレジスト層を除去した後図８７ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図６１１ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８７ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図６１２ｎ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８７ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図６１３ｏ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８７ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図６１４ｐ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８７ｏのシリコンウェハの断面図である。
【図６１５ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６１６ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８８ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６１７ｃ】  窒化珪素層を含む図８８ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６１８ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８８ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６１９ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８８ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６２０ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図８８ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６２１ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図８８ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６２２ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８８ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６２３ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８８ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図６２４ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８８ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図６２５ｋ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８８ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図６２６ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８８ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図６２７ｍ】  フォトレジスト層を除去した後図８８ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図６２８ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８８ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図６２９ｏ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８８ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図６３０ｐ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８８ｏのシリコンウェハの断面図である。
【図６３１ｑ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８８ｐのシリコンウェハの断面図である。
【図６３２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６３３ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図８９ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６３４ｃ】  窒化珪素層を含む図８９ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６３５ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図８９ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６３６ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図８９ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６３７ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図８９ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６３８ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図８９ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６３９ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図８９ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６４０ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図８９ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図６４１ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８９ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図６４２ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図８９ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図６４３ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図８９ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図６４４ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図８９ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図６４５ｎ】  珪素の露出部をエッチングした後図８９ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図６４６ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図８９ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図６４７ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６４８ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図９０ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６４９ｃ】  窒化珪素層を含む図９０ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６５０ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図９０ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６５１ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図９０ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６５２ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図９０ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６５３ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図９０ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６５４ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図９０ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６５５ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図９０ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図６５６ｊ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図９０ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図６５７ｋ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９０ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図６５８ｌ】  フォトレジスト層を除去した後図９０ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図６５９ｍ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９０ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図６６０ｎ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図９０ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図６６１ｏ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９０ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図６６２ｐ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図９０ｏのシリコンウェハの断面図である。
【図６６３ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６６４ｂ】  二酸化珪素のパッド層を含む図９１ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６６５ｃ】  窒化珪素層を含む図９１ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６６６ｄ】  窒化珪素層をパターニングした後図９１ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６６７ｅ】  二酸化珪素のパッド層をパターニングした後図９１ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６６８ｆ】  シリコンの露出層に薄膜エッチングした後図９１ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６６９ｇ】  窒化珪素のパターン層で覆われない部分での酸化フィールド層の成長後図９１ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６７０ｈ】  二酸化珪素層をパターニングした後図９１ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６７１ｉ】  シリコンウェハのフォトレジスト層を塗布及びパターニングした後図９１ｈのシリコンウェハの断面図である。
【図６７２ｊ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９１ｉのシリコンウェハの断面図である。
【図６７３ｋ】  フォトレジスト層を除去した後図９１ｊのシリコンウェハの断面図である。
【図６７４ｌ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９１ｋのシリコンウェハの断面図である。
【図６７５ｍ】  二酸化珪素層の露出部をエッチングした後図９１ｌのシリコンウェハの断面図である。
【図６７６ｎ】  シリコンの露出部をエッチングした後図９１ｍのシリコンウェハの断面図である。
【図６７７ｏ】  二酸化珪素及び窒化珪素層の残余部を除去した後図９１ｎのシリコンウェハの断面図である。
【図６７８ａ】  複数のエッチング深さを有して、珪素のディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを利用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理に係る複数の実施形態を表すフローチャートである。
【図６７９ｂ】  複数のエッチング深さを有して、珪素のディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを利用するＬＯＣＯＳ併合マスクの微細加工処理に係る複数の実施形態を表すフローチャートである。
【図６８０ａ】  複数のエッチング深さを有して、珪素のディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを利用する併合マスクの微細加工処理に係る複数の実施形態を示すフローチャートである。
【図６８１ｂ】  複数のエッチング深さを有して、珪素のディープ反応性イオンエッチング用マスクとしてフォトレジストを利用する併合マスクの微細加工処理に係る複数の実施形態を示すフローチャートである。
【図６８２】  図９４は複数のエッチング深さにエッチングするための併合マスクの微細加工処理に係る複数の実施形態を表すフローチャートである。
【図６８３ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６８４ｂ】  第１マスキング材の層を含む図９５ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６８５ｃ】  第１マスキング材の層をパターニングした後図９５ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６８６ｄ】  第２マスキング材の層を含む図９５ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６８７ｅ】  第２マスキング材の層をパターニングした後図９５ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６８８ｆ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図９５ｅのシリコンウェハの断面図である
【図６８９ｇ】  第１マスキング材の層の露出部をエッチングした後図９５ｆのシリコンウェハの断面図である。
【図６９０ｈ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図９５ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図６９１】  図９６は同様なエッチング深さに互いに他の大きさの露出領域をエッチングするための併合マスクの機械加工処理の実施形態を示すフローチャートである。
【図６９２ａ】  シリコンウェハの断面図である。
【図６９３ｂ】  第１マスキング材の層を含む図９７ａのシリコンウェハの断面図である。
【図６９４ｃ】  第１マスキング材の層をパターニングした後図９７ｂのシリコンウェハの断面図である。
【図６９５ｄ】  第２マスキング材の層を含む図９７ｃのシリコンウェハの断面図である。
【図６９６ｅ】  第２マスキング材の層をパターニングした後図９７ｄのシリコンウェハの断面図である。
【図６９７ｆ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図９７ｅのシリコンウェハの断面図である。
【図６９８ｇ】  第１マスキング材の層の露出部をエッチングした後図９７ｆのシリコンウェイハーの断面図である。
【図６９９ｈ】  シリコンウェハの露出部をエッチングした後図９７ｇのシリコンウェハの断面図である。
【図１】
0004851036.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004851036.tif 000006
【図５】
0004851036.tif 000007
【図６】
0004851036.tif 000008
【図６Ａ】
0004851036.tif 000009
【図６Ｂ】
0004851036.tif 000010
【図６Ｃ】
0004851036.tif 000011
【図６Ｄ】
0004851036.tif 000012
【図７】
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【図８】
0004851036.tif 000014
【図９】
0004851036.tif 000015
【図１０】
0004851036.tif 000016
【図１１】
0004851036.tif 000017
【図１２】
0004851036.tif 000018
【図１３】
0004851036.tif 000019
【図１４】
0004851036.tif 000020
【図１５】
0004851036.tif 000021
【図１６】
0004851036.tif 000022
【図１７】
0004851036.tif 000023
【図１８】
0004851036.tif 000024
【図１９】
0004851036.tif 000025
【図２０】
0004851036.tif 000026
【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
0004851036.tif 000029
【図２３】
0004851036.tif 000030
【図２３ａ】
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【図２３ｂ】
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【図２４】
0004851036.tif 000033
【図２５】
0004851036.tif 000034
【図２６】
0004851036.tif 000035
【図２７】
0004851036.tif 000036
【図２８】
0004851036.tif 000037
【図２９ａ】
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【図２９ｂ】
0004851036.tif 000039
【図３０ａ】
0004851036.tif 000040
【図３０ｂ】
0004851036.tif 000041
【図３０ｃ】
0004851036.tif 000042
【図３０ｄ】
0004851036.tif 000043
【図３１】
0004851036.tif 000044
【図３２】
0004851036.tif 000045
【図３３】
0004851036.tif 000046
【図３４】
0004851036.tif 000047
【図３５ａ】
0004851036.tif 000048
【図３５ｂ】
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【図３６】
0004851036.tif 000050
【図３７】
0004851036.tif 000051
【図３８】
0004851036.tif 000052
【図３９】
0004851036.tif 000053
【図３９ａ】
0004851036.tif 000054
【図３９ｂ】
0004851036.tif 000055
【図３９ｃ】
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【図４０】
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【図４１】
0004851036.tif 000058
【図４２】
0004851036.tif 000059
【図４２ａ】
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【図４２ｂ】
0004851036.tif 000061
【図４２ｃ】
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【図４３】
0004851036.tif 000063
【図４３ａ】
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【図４３ｂ】
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【図４３ｃ】
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【図４３ｄ】
0004851036.tif 000067
【図４４】
0004851036.tif 000068
【図４５ａ】
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【図４５ｂ】
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【図４５ｃ】
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【図４５ｄ】
0004851036.tif 000072
【図４５ｅ】
0004851036.tif 000073
【図４５ｆ】
0004851036.tif 000074
【図４５ｇ】
0004851036.tif 000075
【図４５ｈ】
0004851036.tif 000076
【図４５ｉ】
0004851036.tif 000077
【図４６ａ】
0004851036.tif 000078
【図４６ｂ】
0004851036.tif 000079
【図４６ｃ】
0004851036.tif 000080
【図４６ｄ】
0004851036.tif 000081
【図４６ｅ】
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【図４６ｆ】
0004851036.tif 000083
【図４６ｇ】
0004851036.tif 000084
【図４６ｈ】
0004851036.tif 000085
【図４６ｉ】
0004851036.tif 000086
【図４６ｊ】
0004851036.tif 000087
【図４７ａ】
0004851036.tif 000088
【図４７ｂ】
0004851036.tif 000089
【図４７ｃ】
0004851036.tif 000090
【図４７ｄ】
0004851036.tif 000091
【図４７ｅ】
0004851036.tif 000092
【図４７ｆ】
0004851036.tif 000093
【図４７ｇ】
0004851036.tif 000094
【図４７ｈ】
0004851036.tif 000095
【図４７ｉ】
0004851036.tif 000096
【図４７ｊ】
0004851036.tif 000097
【図４８ａ】
0004851036.tif 000098
【図４８ｂ】
0004851036.tif 000099
【図４８ｃ】
0004851036.tif 000100
【図４８ｄ】
0004851036.tif 000101
【図４８ｅ】
0004851036.tif 000102
【図４８ｆ】
0004851036.tif 000103
【図４８ｇ】
0004851036.tif 000104
【図４８ｈ】
0004851036.tif 000105
【図４８ｉ】
0004851036.tif 000106
【図４８ｊ】
0004851036.tif 000107
【図４８ｋ】
0004851036.tif 000108
【図４９ａ】
0004851036.tif 000109
【図４９ｂ】
0004851036.tif 000110
【図４９ｃ】
0004851036.tif 000111
【図４９ｄ】
0004851036.tif 000112
【図４９ｅ】
0004851036.tif 000113
【図４９ｆ】
0004851036.tif 000114
【図４９ｇ】
0004851036.tif 000115
【図４９ｈ】
0004851036.tif 000116
【図４９ｉ】
0004851036.tif 000117
【図４９ｊ】
0004851036.tif 000118
【図４９ｋ】
0004851036.tif 000119
【図４９ｌ】
0004851036.tif 000120
【図５０】
0004851036.tif 000121
【図５１ａ】
0004851036.tif 000122
【図５１ｂ】
0004851036.tif 000123
【図５１ｃ】
0004851036.tif 000124
【図５１ｄ】
0004851036.tif 000125
【図５１ｅ】
0004851036.tif 000126
【図５１ｆ】
0004851036.tif 000127
【図５１ｇ】
0004851036.tif 000128
【図５１ｈ】
0004851036.tif 000129
【図５１ｉ】
0004851036.tif 000130
【図５１ｊ】
0004851036.tif 000131
【図５１ｋ】
0004851036.tif 000132
【図５２ａ】
0004851036.tif 000133
【図５２ｂ】
0004851036.tif 000134
【図５２ｃ】
0004851036.tif 000135
【図５２ｄ】
0004851036.tif 000136
【図５２ｅ】
0004851036.tif 000137
【図５２ｆ】
0004851036.tif 000138
【図５２ｇ】
0004851036.tif 000139
【図５２ｈ】
0004851036.tif 000140
【図５２ｉ】
0004851036.tif 000141
【図５２ｊ】
0004851036.tif 000142
【図５２ｋ】
0004851036.tif 000143
【図５２ｌ】
0004851036.tif 000144
【図５３ａ】
0004851036.tif 000145
【図５３ｂ】
0004851036.tif 000146
【図５３ｃ】
0004851036.tif 000147
【図５３ｄ】
0004851036.tif 000148
【図５３ｅ】
0004851036.tif 000149
【図５３ｆ】
0004851036.tif 000150
【図５３ｇ】
0004851036.tif 000151
【図５３ｈ】
0004851036.tif 000152
【図５３ｉ】
0004851036.tif 000153
【図５３ｊ】
0004851036.tif 000154
【図５３ｋ】
0004851036.tif 000155
【図５３ｌ】
0004851036.tif 000156
【図５４ａ】
0004851036.tif 000157
【図５４ｂ】
0004851036.tif 000158
【図５４ｃ】
0004851036.tif 000159
【図５４ｄ】
0004851036.tif 000160
【図５４ｅ】
0004851036.tif 000161
【図５４ｆ】
0004851036.tif 000162
【図５４ｇ】
0004851036.tif 000163
【図５４ｈ】
0004851036.tif 000164
【図５４ｉ】
0004851036.tif 000165
【図５４ｊ】
0004851036.tif 000166
【図５４ｋ】
0004851036.tif 000167
【図５４ｌ】
0004851036.tif 000168
【図５４ｍ】
0004851036.tif 000169
【図５５ａ】
0004851036.tif 000170
【図５５ｂ】
0004851036.tif 000171
【図５５ｃ】
0004851036.tif 000172
【図５５ｄ】
0004851036.tif 000173
【図５５ｅ】
0004851036.tif 000174
【図５５ｆ】
0004851036.tif 000175
【図５５ｇ】
0004851036.tif 000176
【図５５ｈ】
0004851036.tif 000177
【図５５ｉ】
0004851036.tif 000178
【図５５ｊ】
0004851036.tif 000179
【図５５ｋ】
0004851036.tif 000180
【図５５ｌ】
0004851036.tif 000181
【図５５ｍ】
0004851036.tif 000182
【図５５ｎ】
0004851036.tif 000183
【図５６ａ】
0004851036.tif 000184
【図５６ｂ】
0004851036.tif 000185
【図５７ａ】
0004851036.tif 000186
【図５７ｂ】
0004851036.tif 000187
【図５７ｃ】
0004851036.tif 000188
【図５７ｄ】
0004851036.tif 000189
【図５７ｅ】
0004851036.tif 000190
【図５７ｆ】
0004851036.tif 000191
【図５７ｇ】
0004851036.tif 000192
【図５７ｈ】
0004851036.tif 000193
【図５７ｉ】
0004851036.tif 000194
【図５７ｊ】
0004851036.tif 000195
【図５７ｋ】
0004851036.tif 000196
【図５７ｌ】
0004851036.tif 000197
【図５８ａ】
0004851036.tif 000198
【図５８ｂ】
0004851036.tif 000199
【図５８ｃ】
0004851036.tif 000200
【図５８ｄ】
0004851036.tif 000201
【図５８ｅ】
0004851036.tif 000202
【図５８ｆ】
0004851036.tif 000203
【図５８ｇ】
0004851036.tif 000204
【図５８ｈ】
0004851036.tif 000205
【図５８ｉ】
0004851036.tif 000206
【図５８ｊ】
0004851036.tif 000207
【図５８ｋ】
0004851036.tif 000208
【図５８ｌ】
0004851036.tif 000209
【図５８ｍ】
0004851036.tif 000210
【図５９ａ】
0004851036.tif 000211
【図５９ｂ】
0004851036.tif 000212
【図５９ｃ】
0004851036.tif 000213
【図５９ｄ】
0004851036.tif 000214
【図５９ｅ】
0004851036.tif 000215
【図５９ｆ】
0004851036.tif 000216
【図５９ｇ】
0004851036.tif 000217
【図５９ｈ】
0004851036.tif 000218
【図５９ｉ】
0004851036.tif 000219
【図５９ｊ】
0004851036.tif 000220
【図５９ｋ】
0004851036.tif 000221
【図５９ｌ】
0004851036.tif 000222
【図５９ｍ】
0004851036.tif 000223
【図６０ａ】
0004851036.tif 000224
【図６０ｂ】
0004851036.tif 000225
【図６０ｃ】
0004851036.tif 000226
【図６０ｄ】
0004851036.tif 000227
【図６０ｅ】
0004851036.tif 000228
【図６０ｆ】
0004851036.tif 000229
【図６０ｇ】
0004851036.tif 000230
【図６０ｈ】
0004851036.tif 000231
【図６０ｉ】
0004851036.tif 000232
【図６０ｊ】
0004851036.tif 000233
【図６０ｋ】
0004851036.tif 000234
【図６０ｌ】
0004851036.tif 000235
【図６０ｍ】
0004851036.tif 000236
【図６０ｎ】
0004851036.tif 000237
【図６１ａ】
0004851036.tif 000238
【図６１ｂ】
0004851036.tif 000239
【図６１ｃ】
0004851036.tif 000240
【図６１ｄ】
0004851036.tif 000241
【図６１ｅ】
0004851036.tif 000242
【図６１ｆ】
0004851036.tif 000243
【図６１ｇ】
0004851036.tif 000244
【図６１ｈ】
0004851036.tif 000245
【図６１ｉ】
0004851036.tif 000246
【図６１ｊ】
0004851036.tif 000247
【図６１ｋ】
0004851036.tif 000248
【図６１ｌ】
0004851036.tif 000249
【図６２ａ】
0004851036.tif 000250
【図６２ｂ】
0004851036.tif 000251
【図６２ｃ】
0004851036.tif 000252
【図６２ｄ】
0004851036.tif 000253
【図６２ｅ】
0004851036.tif 000254
【図６２ｆ】
0004851036.tif 000255
【図６２ｇ】
0004851036.tif 000256
【図６２ｈ】
0004851036.tif 000257
【図６２ｉ】
0004851036.tif 000258
【図６２ｊ】
0004851036.tif 000259
【図６２ｋ】
0004851036.tif 000260
【図６２ｌ】
0004851036.tif 000261
【図６２ｍ】
0004851036.tif 000262
【図６３ａ】
0004851036.tif 000263
【図６３ｂ】
0004851036.tif 000264
【図６３ｃ】
0004851036.tif 000265
【図６３ｄ】
0004851036.tif 000266
【図６３ｅ】
0004851036.tif 000267
【図６３ｆ】
0004851036.tif 000268
【図６３ｇ】
0004851036.tif 000269
【図６３ｈ】
0004851036.tif 000270
【図６３ｉ】
0004851036.tif 000271
【図６３ｊ】
0004851036.tif 000272
【図６３ｋ】
0004851036.tif 000273
【図６３ｌ】
0004851036.tif 000274
【図６４ａ】
0004851036.tif 000275
【図６４ｂ】
0004851036.tif 000276
【図６４ｃ】
0004851036.tif 000277
【図６４ｄ】
0004851036.tif 000278
【図６４ｅ】
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【図６４ｆ】
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【図６４ｇ】
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【図６４ｈ】
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【図６４ｉ】
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【図６４ｊ】
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【図６４ｋ】
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【図６４ｌ】
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【図６４ｍ】
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【図６５ａ−ｎ】
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【図６６ａ−ｎ】
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【図６７ａ−ｏ】
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【図６８ａ−６９ｎ】
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【図７０ａ−ｍ】
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【図７１ａ−ｍ】
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【図７２ａ−ｎ】
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【図７３ａ−ｎ】
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【図７４ａ−ｏ】
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【図７５ａ−ｍ】
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【図７６ａ−ｎ】
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【図７７ａ−ｍ】
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【図７８ａ−ｎ】
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【図７９ａ−ｏ】
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【図８０ａ−ｏ】
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【図８１ａ−ｐ】
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【図８２ａ−ｎ】
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【図８３ａ−ｏ】
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【図８４ａ−ｎ】
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【図８５ａ−ｏ】
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【図８６ａ−ｐ】
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【図８７ａ−ｐ】
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【図８８ａ−ｑ】
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【図８９ａ−ｏ】
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【図９０ａ−ｐ】
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【図９１ａ−ｏ】
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【図９２ａ】
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【図９２ｂ】
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【図９３ａ】
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【図９３ｂ】
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【図９４】
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【図９５ａ−ｄ】
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【図９５ｅ−ｈ】
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【図９６】
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【図９７ａ−ｄ】
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【図９７Ｅ−Ｈ】
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