(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
該透明基板上に形成され、複数の画素を含む画素領域と、
前記透明基板上に形成され、複数の画素に点灯検査信号を伝達する信号伝達部と、を備え、
前記信号伝達部は、
前記点灯検査信号を伝達する複数のトランジスタと、
該複数のトランジスタのソース及びゲートに接続され、前記複数のトランジスタを保護する抵抗を備える保護部と、を備え、
前記信号伝達部の複数のトランジスタは、
前記透明基板上に形成される半導体層をパターニングして形成されるチャネル領域と、
該チャネル領域上及び前記透明基板上に形成される第１絶縁膜と、
該第１絶縁膜上に形成され、金属層をパターニングして形成され、前記抵抗の一端に接続されるゲートメタルと、
該ゲートメタル及び前記第１絶縁膜の上に形成される第２絶縁膜と、
該第２絶縁膜上に金属層をパターニングして形成され、前記チャネル領域に接続され、前記抵抗の一端に接続されるソースドレインメタルと、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記抵抗は、真性半導体であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記抵抗は、前記チャネル領域と同じ半導体層で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つのトランジスタは、前記点灯検査信号が伝達されず、前記画素領域と接続されないことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記信号伝達部が位置する領域にデータ駆動部が結合することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記抵抗上にゲートメタルが形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
透明基板上に半導体層を形成し、パターニングして、チャネル領域を形成するステップと、
前記透明基板及び前記チャネル領域の上に第１絶縁膜を形成するステップと、
前記第１絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、抵抗の一端に接続されるゲートメタルを形成するステップと、
前記第１絶縁膜上及び前記ゲートメタル上に第２絶縁膜を形成するステップと、
前記第２絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、前記チャネル領域に接続され、前記抵抗の一端に接続されるソースドレインメタルを形成するステップと、を含んでおり、
前記ソースドレインメタルと前記ゲートメタルとは、一端が接続され、前記ソースドレインメタルと前記ゲートメタルとの接続は、ゲートメタルが延びるように形成され、前記ソースドレインメタルを前記ゲートメタルが延びた部分の一端に、コンタクトホールを介して接続され、ゲートメタルが延びるように形成された部分を抵抗部とすることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ソースドレインメタルと前記ゲートメタルとが接続された地点が、エッチングにより除去されるステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記エッチングは、ガルバニック効果を用いて除去することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲートメタルを形成した後、イオンドーピング工程を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
透明基板上に半導体層を形成し、パターニングして、第１チャネル領域と第２チャネル領域とを形成するステップと、
前記透明基板と前記第１及び第２チャネル領域の上に第１絶縁膜を形成するステップと、
該第１絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、前記第１チャネル領域上に形成される第１ゲートメタルと、前記第２チャネル領域上に形成される第２ゲートメタルとを形成し、前記第１ゲートメタルと前記第２ゲートメタルとの一端が接続されるようにするステップと、
前記第１絶縁膜の上と前記第１及び第２ゲートメタルの上に第２絶縁膜を形成するステップと、
前記第２絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、ソースドレインメタルを形成し、前記ソースドレインメタルの一端と前記第２ゲートメタルの一端とが接続され、前記ソースドレインメタルと前記第２ゲートメタルとの接続は、前記第２ゲートメタルが延び、前記ソースドレインメタルを前記第２ゲートメタルが延びた部分の一端に、コンタクトホールを介して接続され、前記第２ゲートメタルが延びるように形成された部分を抵抗部とするようにするステップと、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２ゲートメタルは、前記第２チャネル領域全体を覆うことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１ゲートメタルと前記第２ゲートメタルとが形成された後、イオンドーピング工程を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装
置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２チャネル領域は、真性半導体であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、製造過程において静電気による損傷が発生するのを防止する有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の短所である重量及び体積を減少させることのできる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置には、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。
【０００３】
平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置は、電流の流れに対応して発生する電子と正孔との再結合により光を発生する有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）を用いて画像を表示する。
【０００４】
このような有機電界発光表示装置は、優れた色再現性や薄肉さなどの様々な利点から、応用分野において、携帯電話用以外にも、ＰＤＡ、ＭＰ３プレーヤーなどへ市場が大きく拡大している。
【０００５】
上述の有機電界発光表示装置は、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いて有機発光ダイオードに伝達される電流の流れを制御することにより、画像が表現されるようにする。
【０００６】
このような有機電界発光表示装置は、その製造工程中に静電気が発生し得るが、静電気が発生した場合、静電気が薄膜トランジスタに伝達されると、薄膜トランジスタが損傷を受けて素子の特性が劣化し、有機電界発光表示装置の画質の低下をもたらす。また、有機電界発光表示装置は、画素の動作をテストする点灯検査を行うが、前記のような静電気の発生により、正常な点灯検査を行うことができない問題が生じ得る。
【特許文献１】特開２００７−３１６１０５号公報
【特許文献２】特開２００５−０９３４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、製造過程において静電気を防止する構造を形成することにより、静電気が薄膜トランジスタに伝達されることを防止して画素を保護し、また、点灯検査が円滑に行われるようにする有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様は、透明基板と、該透明基板上に形成され、複数の画素を含む画素領域と、前記透明基板上に形成され、複数の画素に点灯検査信号を伝達する信号伝達部と、を備え、前記信号伝達部は、前記点灯検査信号を伝達する複数のトランジスタと、該複数のトランジスタのソース及びゲートに接続され、前記複数のトランジスタを保護する抵抗を備える保護部と、を備える有機電界発光表示装置を提供する。
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様は、透明基板上に半導体層を形成し、パターニングして、チャネル領域を形成するステップと、前記透明基板及び前記チャネル領域の上に第１絶縁膜を形成するステップと、前記第１絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、ゲートメタルを形成するステップと、前記第１絶縁膜上及び前記ゲートメタル上に第２絶縁膜を形成するステップと、前記第２絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、ソースドレインメタルを形成するステップと、を含んでおり、前記ソースドレインメタルと前記ゲートメタルとは、一端が接続される有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様は、透明基板上に半導体層を形成し、パターニングして、第１チャネル領域と第２チャネル領域とを形成するステップと、前記透明基板と前記第１及び第２チャネル領域の上に第１絶縁膜を形成するステップと、前記第１絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、前記第１チャネル領域上に形成される第１ゲートメタルと、前記第２チャネル領域上に形成される第２ゲートメタルとを形成し、前記第１ゲートメタルと前記第２チャネル領域との一端が接続されるようにするステップと、前記第１絶縁膜の上と前記第１及び第２ゲートメタルの上に第２絶縁膜を形成するステップと、前記第２絶縁膜上に金属層を形成し、パターニングして、ソースドレインメタルを形成し、前記ソースドレインメタルの一端と前記第２チャネル領域の一端とが接続されるようにするステップと、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法によれば、製造過程において静電気による損傷を防止する保護部を形成することにより、製造過程中に画素及び／または点灯信号を伝達する信号伝達部が静電気による損傷を受けるのを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００１３】
図１は、本発明に係る有機電界発光表示装置の構造図である。同図に示すように、有機電界発光表示装置は、画素部１００と、データ駆動部２００と、走査駆動部３００と、発光制御駆動部４００とを備える。
【００１４】
画素部１００には、複数の画素１０１が配列され、各画素１０１は、電流の流れに対応して光を発光する有機発光ダイオード（図示せず）を含む。そして、画素部１００は、行方向に形成され、走査信号を伝達するｎ本の走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎ−１，Ｓｎ及び発光制御信号を伝達するｎ本の発光制御線Ｅ１，Ｅ２，・・・，Ｅｎ−１，Ｅｎと、列方向に形成され、データ信号を伝達するｍ本のデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｍ−１，Ｄｍとが配列される。
【００１５】
また、画素部１００は、第１電源及び第２電源を受けて駆動する。したがって、画素部１００は、走査信号、データ信号、発光制御信号、第１電源、及び第２電源により有機発光ダイオードに電流が流れて発光し、これにより映像が表示される。
【００１６】
データ駆動部２００は、データ信号を生成する手段であり、赤色、緑色、青色の成分を有する映像信号Ｒ，Ｇ，Ｂ  ｄａｔａを用いてデータ信号を生成する。そして、データ駆動部２００は、画素部１００のデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・，Ｄｍ−１，Ｄｍに接続され、生成されたデータ信号を画素部１００に印加する。データ駆動部２００から出力されるデータ信号は、データ駆動部２００の出力端の数を減らすためにマルチプレクサ（図示せず）を用いることも可能である。
【００１７】
走査駆動部３００は、走査信号を生成する手段であり、走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・，Ｓｎ−１，Ｓｎに接続され、走査信号を画素部１００の特定の行に伝達する。走査信号が伝達された画素１０１には、データ駆動部２００から出力されたデータ信号が伝達され、データ信号に対応する電圧が画素に伝達される。
【００１８】
発光制御駆動部４００は、発光制御信号を生成する手段であり、発光制御線Ｅ１，Ｅ２，・・・，Ｅｎ−１，Ｅｎに接続され、発光制御信号を画素部１００の特定の行に伝達する。発光制御信号が伝達された画素１０１には、データ信号により生成された電圧によって駆動電流が生成され、有機発光ダイオードに流れる。
【００１９】
このような有機電界発光表示装置は、各々の画素が正常に動作するか否かを判断するため、点灯検査を行う。
【００２０】
前記点灯検査は、単なる画素の動作の可否を検査するものであるため、データ駆動部２００によるデータの書き込みは不要である。したがって、点灯検査は、下記に示す図２のような構造によって行われる。すなわち、前記点灯検査は、データ駆動部ＩＣが実装される前に行われる。
【００２１】
図２は、点灯検査時における有機電界発光表示装置の構造図である。同図に示すように、透明基板１０００上に、画素部１００と、走査駆動部３００と、発光制御駆動部４００とが形成される。また、透明基板１０００上に、チップ状に実現されたデータ駆動部（図示せず）が位置するＩＣ領域２００ａが形成される。ＩＣ領域２００ａには、データ駆動部のピンが結合する複数の端子２２０ａが形成されている。さらに、画素部１００とＩＣ領域２００ａとの間には、マルチプレクサ部２５０が形成され、３本のデータ線が、マルチプレクサ部２５０のうちの１つのマルチプレクサを介して、ＩＣ領域２００ａの複数の端子２２０ａのうちの１つの端子に接続される。
【００２２】
また、走査駆動部３００、発光制御駆動部４００、及びマルチプレクサ部２５０を制御する信号を伝達する複数の配線が透明基板１０００上に形成され、複数の配線を介して外部から伝達される信号により、走査駆動部３００、発光制御駆動部４００、及びマルチプレクサ部２５０に信号が伝達される。
【００２３】
このとき、ＩＣ領域２００ａには、まだデータ駆動部が結合しておらず、空き空間として残ることになる。前記空き空間を用いるため、ＩＣ領域２００ａに点灯信号を伝達する信号伝達部を形成する。信号伝達部は、外部から点灯検査信号を受信して各画素に伝達する複数のトランジスタ２１０ａと、静電気による損傷を防止する保護部２１０ｂとを備える。信号伝達部は、配線を介して外部に接続され、点灯検査信号を受信する。
【００２４】
このように有機電界発光表示装置を実現した後、走査駆動部３００、発光制御駆動部４００、マルチプレクサ部２５０、及び信号伝達部を駆動することにより、有機電界発光表示装置の点灯検査を行う。
【００２５】
また、信号伝達部は、透明基板１０００上に形成され、画素部１００の形成時に同時に形成される。すなわち、１つの工程により、透明基板１０００上に画素部１００と信号伝達部とが形成される。同じく、走査駆動部３００及び発光制御部４００も、画素部１００と信号伝達部との形成時に同時に形成される。
【００２６】
このように構成された有機電界発光表示装置は、製造過程において静電気が伝達され得るが、このような静電気により、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａ及び画素部１００のトランジスタが損傷することがある。したがって、画素部１００が損傷すると、製品の不良につながり、信号伝達部が損傷すると、点灯検査を行うことができなくなる。この問題を解決するため、信号伝達部に保護部２１０ｂを形成する。保護部２１０ｂは、有機電界発光表示装置の製造過程において伝達される静電気から画素及び／または信号伝達部を保護する。
【００２７】
図３ａは、図２に示す信号伝達部の第１の例を示す構造図であり、図３ｂ及び図３ｃは、図３ａに示す信号伝達部の回路図である。図３ａを図３ｂ及び図３ｃを参照して説明すると、信号伝達部は、点灯信号を伝達する複数のトランジスタ２１０ａと、信号伝達部に外部から伝達される静電気から複数のトランジスタ２１０ａを保護する保護部２１０ｂとが形成される。そして、複数のトランジスタ２１０ａは、データ駆動部が接続される複数の端子２２０ａに接続され、画素部のデータ線に接続される。保護部２１０ｂは、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａのソースとゲートとが短絡するように形成される。すなわち、図３ｂのような回路が形成される。トランジスタのソースとゲートとが短絡すると、トランジスタはダイオード接続され、図３ｃのように実現可能である。
【００２８】
図１及び図２に示す画素部１００を構成する各画素の形成過程を説明すると、透明基板１０００上にポリシリコンなどの半導体層を形成し、パターニングして、チャネル領域（図示せず）を形成し、その上に第１絶縁膜（図示せず）を形成した後、金属層を形成し、パターニングして、ゲートメタル（図示せず）を形成する。そして、第２絶縁膜（図示せず）をその上に形成した後、金属層を形成し、パターニングして、ソースドレインメタル（図示せず）を形成する。このとき、第２絶縁膜には、コンタクトホール（図示せず）が形成され、ソースドレインメタルとチャネル領域とが接続されるようにする。また、ソースドレインメタル及び第２絶縁膜の上に画素定義膜（図示せず）を形成し、その上にＩＴＯなどの透明金属膜を形成し、パターニングして、アノード電極（図示せず）を形成する。さらに、その上に有機発光層（図示せず）を形成し、全面にカソード電極（図示せず）を形成することにより、有機電界発光表示装置の画素部１００を形成する。
【００２９】
また、信号伝達部が、前記画素部１００の生成過程と同じ工程により生成されるため、前記画素部１００の生成過程に、信号伝達部の複数のトランジスタ及び保護部の形成過程を代入して説明する。図３ａに示すように、画素部１００の各画素に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域が形成されたとき、信号伝達部に備えられるトランジスタのチャネル領域ｃｒも形成される。
【００３０】
さらに、チャネル領域ｃｒ上に第１絶縁膜（図示せず）が形成され、第１絶縁膜が形成された後、その上にゲートメタルｇｍが形成される。ゲートメタルｇｍは、トランジスタのゲート電極になる。そして、ゲートメタルｇｍにより保護部２１０ｂが形成されるが、保護部２１０ｂになるゲートメタルｇｍは、屈曲を有するように形成され、狭い空間で最大限に長く形成されるようにする。そして、第２絶縁膜（図示せず）が形成された後、画素部１００のトランジスタのソースドレインメタルが形成されたとき、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａのソースドレインメタルｓｄｍが形成される。このとき、第２絶縁膜には、コンタクトホールｈ１が形成され、ソースドレインメタルｓｄｍと、保護部２１０ｂを形成するゲートメタルｇｍとが接続される。したがって、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａは、ソースとゲートとが接続され、ダイオード接続される。これにより、信号伝達部の構造及び回路は、図３ｂに示されている通りである。
【００３１】
また、画素部１００の製造工程と同じ工程が行われるため、信号伝達部のソースドレインメタルｓｄｍの上は、画素部１００のソースドレインメタルｓｄｍの上に形成される層と同じ層が形成される。このとき、画素部１００のアノード層は、エッチングによりパターニングして形成されるが、エッチング過程を経て信号伝達部の保護部２１０ｂを除去する。アノード電極をエッチングする方法として、ガルバニック効果（Ｇａｌｖａｎｉｃ  ｅｆｆｅｃｔ）を用いて保護部２１０ｂを除去する。そして、保護部２１０ｂの除去により、信号伝達部の構造は、図４ａに示されている通りである。
【００３２】
さらに、画素部１００を完成した後、点灯検査が行われるが、信号伝達部は、保護部２１０ｂが除去されると、図４ｂに示されているように、信号伝達部が再びトランジスタ２１０ａに接続される。したがって、トランジスタの動作により、信号が外部から画素部１００に伝達され、点灯検査を行うことができる。
【００３３】
したがって、信号伝達部の保護部２１０ｂは、前記保護部２１０ｂの形成から除去までの間に、静電気などにより、画素部及び信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａが損傷することを防止する。保護部２１０ｂが静電気による損傷を防止する過程を説明すると、次の通りである。静電気が信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａに伝達されると、複数のトランジスタ２１０ａは、ダイオード接続されているため、静電気が画素に伝達されなくなる。そして、保護部２１０ｂが導電性物質であるソースドレインメタルｓｄｍとゲートメタルｇｍとからなり、静電気による電圧がソースドレインメタルｓｄｍとゲートメタルｇｍとに伝達される。そして、静電気が高電圧の場合、ソースドレインメタルｓｄｍとゲートメタルｇｍとの間に位置する第２絶縁膜が弾けるようになる。このため、保護部２１０ｂのみが静電気による損傷を受けることになる。したがって、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａも保護されるのである。
【００３４】
図５ａは、図２に示す信号伝達部の第２の例を示す構造図であり、図５ｂは、図５ａに示す信号伝達部の回路図である。図５ａ及び図５ｂに示すように、信号伝達部は、点灯検査信号を伝達する複数のトランジスタ２１０ａと、複数のトランジスタ及び画素を保護する保護部２１０ｂとからなる。保護部２１０ｂは、抵抗を備えており、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａに抵抗が接続されるようにする。したがって、静電気が信号伝達部に伝達されたとき、静電気の高電圧が抵抗により消費されるようになる。そして、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａのうちの少なくとも１つのトランジスタは、ダミートランジスタであって、点灯信号を受信するのでなく、静電気が伝達されたとき、静電気による損傷を受けることにより、他のトランジスタを保護する役割を果たす。
【００３５】
信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａ及び保護部２１０ｂの形成過程をより具体的に説明すると、画素部１００の各画素に形成される薄膜トランジスタのチャネル領域が形成されたとき、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａのチャネル領域ｃｒ及び保護部２１０ｂが形成される。保護部２１０ｂは同じく、半導体層で形成されたチャネル領域からなる。
【００３６】
また、チャネル領域ｃｒ上に第１絶縁膜（図示せず）が形成され、第１絶縁膜が形成された後、その上にゲートメタルｇｍが形成される。ゲートメタルｇｍは、複数のトランジスタ２１０ａのゲート電極になる。このとき、第１絶縁膜にコンタクトホールｈ２が形成され、保護部２１０ｂとゲートメタルｇｍとが接続されるようにする。さらに、保護部２１０ｂの上にもゲートメタルｇｍが形成されるようにする。ゲートメタルｇｍが形成された後、イオンドーピング工程を行う。このとき、ゲートメタルｇｍの下のチャネル領域は、イオンが伝達されないために真性半導体領域になる。したがって、保護部２１０ｂは、抵抗値が大きい抵抗になる。また、抵抗は、長さが長ければ、抵抗値がさらに大きい抵抗になるため、保護部２１０ｂになるチャネル領域ｃｒは、屈曲を有するように形成され、狭い空間で最大限に長く形成されるようにする。そして、第２絶縁膜（図示せず）が形成された後、画素部１００の複数のトランジスタ２１０ａのソースドレインメタルｓｄｍが形成されたとき、信号伝達部のトランジスタのソースドレインメタルｓｄｍが形成される。このとき、第２絶縁膜には、コンタクトホールが形成され、ソースドレインメタルｓｄｍと、保護部２１０ｂを形成するチャネル領域ｃｒとが接続されるようにする。したがって、図５ｂに示されているように、信号伝達部の複数のトランジスタ２１０ａには、抵抗が並列に接続される。
【００３７】
また、画素部を完成したとき、保護部２１０ｂは除去されなくても、信号伝達部は、複数のトランジスタ２２０ｂで形成されているために除去する必要はない。
【００３８】
信号伝達部の保護部２１０ｂが静電気による損傷を防止する過程を説明すると、静電気が信号伝達部に伝達されたとき、信号伝達部は、複数のトランジスタ２１０ａに接続されている抵抗に静電気を伝達する。したがって、抵抗により静電気が消費され、静電気による損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る有機電界発光表示装置の構造図である。
【図２】点灯検査時における有機電界発光表示装置の構造図である。
【図３ａ】図２に示す信号伝達部の第１の例を示す構造図である。
【図３ｂ】図３ａに示す信号伝達部の回路図である。
【図３ｃ】図３ａに示す信号伝達部の回路図である。
【図４ａ】図３ａに示す信号伝達部から保護部が除去された状態を示す構造図である。
【図４ｂ】図４ａに示す信号伝達部の回路図である。
【図５ａ】図２に示す信号伝達部の第２の例を示す構造図である。
【図５ｂ】図５ａに示す信号伝達部の回路図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００  画素部
１０１  画素
２００  データ駆動部
３００  走査駆動部
４００  発光制御駆動部
Ｓ１，Ｓ２，Ｓｎ−１，Ｓｎ  走査線
Ｅ１，Ｅ２，Ｅｎ−１，Ｅｎ  発光制御線
Ｄ１，Ｄ２，Ｄｍ−１，Ｄｍ  データ線
【図１】
0004920644.tif 000002
【図２】
0004920644.tif 000003
【図３ｂ】
0004920644.tif 000004
【図３ｃ】
0004920644.tif 000005
【図４ｂ】
0004920644.tif 000006
【図５ｂ】
0004920644.tif 000007
【図３ａ】
0004920644.tif 000008
【図４ａ】
0004920644.tif 000009
【図５ａ】
0004920644.tif 000010