(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に搭載する電子部品のバンプ電極にフラックスを転写するフラックス転写装置であって、
前記フラックスを前記電子部品のバンプ電極に浸漬するフラックス浸漬エリアを有する透明の転写ステージと、
前記転写ステージ上を移動し、該転写ステージ上に供給されたフラックスを、前記フラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成するスキージと、
前記フラックス浸漬エリアの上方から光を照射する為に前記転写ステージの上方に設けられた照明と、
前記フラックス浸漬エリアの画像を前記フラックス浸漬エリアの下方から撮像する為に前記転写ステージの下方に設けられた撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像と予め登録されている画像とを比較し、前記撮像手段によって撮像された画像の良否を判定する制御手段とを有するフラックス転写装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフラックス転写装置において、
前記撮像手段によって撮像された画像が、前記制御手段によって否と判定された場合、前記フラックスを前記バンプ電極に浸漬する処理を中止することを特徴とするフラックス転写装置。
【請求項３】
請求項１に記載のフラックス転写装置において、
光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記フラックス浸漬エリアの画像を前記撮像手段に反射させる位置に配置されることを特徴とするフラックス転写装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフラックス転写装置において、
前記撮像手段は、前記フラックスが前記バンプ電極に浸漬された後、該バンプ電極の圧痕を撮像することを特徴とするフラックス転写装置。
【請求項５】
基板に電子部品を搭載する電子部品搭載方法であって、
前記電子部品のバンプ電極に転写ステージ上で転写されるフラックスを、前記転写ステージ上に設けられたフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成する処理と、
前記フラックス浸漬エリアに前記転写ステージの上方から光を照射する処理と、
前記フラックス浸漬エリアの画像を前記転写ステージの下方から撮像する処理と、
前記撮像された画像と予め登録されている画像とを比較する処理と、
前記比較された結果に基づいて前記撮像された画像の良否を判定する処理とを有する電子部品搭載方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子部品搭載方法において、
前記フラックスが前記バンプ電極に浸漬された後、該バンプ電極の圧痕を撮像する処理を有することを特徴とする電子部品搭載方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板上に半導体装置等の電子部品を搭載する際に使用されるフラックス転写装置及び電子部品搭載方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板に半導体装置等の電子部品を搭載する際に一般的に用いられるＣ4工法では、フラックス量の変化が半田付け品質を左右する。まず、プリント基板であるマザーボードのフリップチップを予め搭載する位置へ半田ペーストを印刷する（対象設備は別装置：半田印刷装置）。次にマウント装置でフリップチップ半田端子へフラックスを付着させ位置認識実施後、マザーボードへ搭載するものである。
【０００３】
一般に市販されているフラックス転写ユニットを有する電子部品搭載装置においては、フラックス成膜状態の監視ユニットが無いため、定期的なセルフチェックによる監視が必要となっている。
【０００４】
一般的な電子部品搭載装置は、例えば、マザーボード搬送部と、電子部品供給部と、フラックス転写部と、認識部と、基板搭載部と、吸着ユニットとから構成されている。
【０００５】
マザーボード搬送部は、電子部品が搭載されるマザーボードを搬送する。電子部品供給部は、当該マザーボードへ搭載される電子部品を供給する。フラックス転写部は、当該電子部品のバンプ電極にフラックスを転写形成する。認識部は、当該電子部品を撮像し、電子部品の吸着状態を認識する。例えば、ＣＣＤカメラ等の撮像機能を有するものである。基板搭載部は、フラックスの転写形成された電子部品をマザーボードに搭載する。吸着ユニットは、電子部品供給部からフラックス転写部、認識部、基板搭載部との間で電子部品を吸着搬送する。
【０００６】
上記のように構成された電子部品搭載装置にて、まず、吸着ユニットが電子部品供給部から供給された電子部品を吸着する。吸着された電子部品は、フラックス転写部に搬送される。
【０００７】
一方、フラックス転写部は、フラックスが塗布された転写ステージから所定の距離を保持した高さでスキージを動作させることにより、当該転写ステージ上に所定の厚さのフラックスを成膜する。
【０００８】
フラックスを成膜するには、転写ステージと、掻き取りスキージと、膜圧形成スキージとから構成されたフラックス転写用成膜ユニット機構が用いられるものが一般的である。この転写ステージ上へフラックスを注入し、掻き取りスキージを転写ステージ面に平行に移動させてフラックスをローリングさせながら回収する。その後、必要とするフラックス膜圧を確保するためのクリアランスを持った膜圧形成スキージを掻き取りスキージが移動した方向と逆方向へ移動させて膜圧を形成する。
【０００９】
その後、吸着ユニットは、吸着している電子部品のバンプ電極を、転写ステージ上のフラックス膜に浸漬させる。これより、電子部品のバンプ電極上にフラックスを転写形成する。
【００１０】
その後、フラックスの転写形成された電子部品は、認識部に搬送される。認識部は、吸着ユニットに吸着された電子部品を撮像し、電子部品の吸着状態を認識する。ここで、認識部にて認識された電子部品の吸着状態に応じて、吸着ユニットに吸着された電子部品の位置を補正されるように吸着ユニットを動作させる。吸着状態の認識された電子部品は、基板搭載部に搬送される。基板搭載部では、マザーボード搬送部からマザーボードが搬送・位置決めされており、吸着状態の認識された電子部品がマザーボードの所定位置に搭載される。
【００１１】
その後、リフロー装置等により、マザーボードをリフローすることで、電子部品が実装されるものである（例えば、特許文献１参照。）。
【００１２】
しかしながら、上記のような電子部品の搭載装置においては、電子部品のバンプ電極のフラックス転写状態を認識することができない。そのため、フラックス成膜時の平坦度不良が発生した場合、パッケージの半田ボールのフラックス量不足が発生し、接合強度不足による不良が発生してしまう虞がある。また、搭載ステージからスキージまでの高さを制御しても、転写ステージ上に異物が入った場合等には、フラックス筋が生じてしまい、転写ステージ上に均一なフラックス膜が成膜できない恐れがある。
【００１３】
図８は、一般的なフラックス転写ユニット部にて転写ステージ上に異物が入った場合等に生じるフラックス筋の一例を示す図である。
【００１４】
図８（ａ）に示すように、フラックス転写ユニット部６にて、照明１３から光が照らされた転写ステージ９上に異物が入った場合、図８（ｂ）に示すように、フラックス１２にフラックス筋１９が生じてしまう。このようにフラックス筋１９が生じてしまうと、フラックス筋１９に対応する位置のバンプ電極へのフラックス供給量が少なく、或いは供給されなくなってしまう虞がある。
【００１５】
図９は、図８に示したフラックス筋１９が生じた場合の、電子部品である半導体装置の様子を示す図である。
【００１６】
図９に示すように、半導体装置１６のバンプ電極の圧痕２２にフラックス１２が付着しているが、フラックス筋１９に相当する部分がフラックス不足エリアとなってしまう。これにより、フラックス１２がバンプ電極に供給されない状態を認識できずに、電子部品をマザーボードに搭載されると、実装不良を引き起こしてしまう虞がある。
【００１７】
上記のようなフラックスの転写不良を防止する技術として、例えばフラックス転写後、転写ステージの上方からフラックスの転写痕を画像認識することで、転写状態を確認する技術が考えられている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１８】
また、フラックス転写後、電子部品の実装面を撮像装置で撮像し、画像認識することでフラックス転写量を認識する技術が考えられている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１９】
また、バンプ形成を形成する手段（加熱圧着方式）として、下方からのガラス基板の位置検出を行う技術が考えられている（例えば、特許文献４参照。）。
【特許文献１】特開２００２−００９４９８号公報
【特許文献２】特開平１１−１３５５７２号公報
【特許文献３】特開２００３−０６０３９８号公報
【特許文献４】特開平０５−１４４８７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、特許文献２に記載された技術においては、光の乱反射等で画像認識が不安定となり、フラックス状態を良好に認識できない虞がある。また、フラックスの粘性の低下による膜圧の変化、凹凸、色の変化に影響される可能性があり、フラックス状態の認識が安定化しない虞がある。さらに、電子部品にフラックスを転写形成した後、転写痕を画像認識しているため、タイムリーな状態検出ができず、電子部品へのフラックスの転写不良を未然に防止できない虞がある。
【００２１】
また、特許文献３に記載された技術においては、さらに、電子部品にフラックスを転写形成した後、転写痕を画像認識しているため、タイムリーな状態検出ができず、電子部品へのフラックスの転写不良を未然に防止できない虞がある。また、フラックス転写面の状態を把握していない為、転写ステージへのフラックス筋の発生認識の根本対策にならない。
【００２２】
また、特許文献４に記載された技術においては、フラックスを転写形成する際に用いられる技術ではない。
【００２３】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、フラックスの転写状態をタイムリーに把握し、電子部品への良好なフラックス転写を実現することができるフラックス転写装置及び電子部品搭載方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的を達成するために本発明は、
基板に搭載する電子部品のバンプ電極にフラックスを転写するフラックス転写装置であって、
前記フラックスを前記電子部品のバンプ電極に浸漬するフラックス浸漬エリアを有する透明の転写ステージと、
前記転写ステージ上を移動し、該転写ステージ上に供給されたフラックスを、前記フラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成するスキージと、
前記フラックス浸漬エリアに光を照射する照明と、
前記フラックス浸漬エリアの画像を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像と予め登録されている画像とを比較し、前記撮像手段によって撮像された画像の良否を判定する制御手段とを有する。
【００２５】
また、前記撮像手段によって撮像された画像が、前記制御手段によって否と判定された場合、前記フラックスを前記バンプ電極に浸漬する処理を中止することを特徴とする。
【００２６】
また、前記照明は、前記フラックス浸漬エリアの上方に設けられていることを特徴とする。
【００２７】
また、前記撮像手段は、前記転写ステージの下方に設けられていることを特徴とする。
【００２８】
また、光を反射する反射部を有し、
前記反射部は、前記フラックス浸漬エリアの画像を前記撮像手段に反射させる位置に配置されることを特徴とする。
【００２９】
また、前記撮像手段は、前記フラックスが前記バンプ電極に浸漬された後、該バンプ電極の圧痕を撮像することを特徴とする。
【００３０】
また、基板に電子部品を搭載する電子部品搭載方法であって、
前記電子部品のバンプ電極に転写ステージ上で転写されるフラックスを、前記転写ステージ上に設けられたフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成する処理と、
前記フラックス浸漬エリアに光を照射する処理と、
前記フラックス浸漬エリアの画像を撮像する処理と、
前記撮像された画像と予め登録されている画像とを比較する処理と、
前記比較された結果に基づいて前記撮像された画像の良否を判定する処理とを有する。
【００３１】
また、前記フラックスが前記バンプ電極に浸漬された後、該バンプ電極の圧痕を撮像する処理を有することを特徴とする。
【００３２】
上記のように構成された本発明においては、基板に搭載される電子部品のバンプ電極に転写ステージ上で転写されるフラックスが、転写ステージ上に設けられたフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成され、フラックス浸漬エリアに光が照射され、フラックス浸漬エリアの画像が撮像され、撮像された画像と予め登録されている画像とが比較され、比較された結果に基づいて、撮像された画像の良否が判定される。
【００３３】
これにより、転写ステージ上のフラックス浸漬エリアの成膜状態を把握し、電子部品への良好なフラックス転写を実現できる。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように本発明においては、基板に搭載される電子部品のバンプ電極に転写ステージ上で転写されるフラックスを、転写ステージ上に設けられたフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜形成し、フラックス浸漬エリアに光を照射し、フラックス浸漬エリアの画像を撮像し、撮像された画像と予め登録されている画像とを比較し、比較された結果に基づいて、撮像された画像の良否を判定する構成としたため、フラックスの転写状態をタイムリーに把握し、電子部品への良好なフラックス転写を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３６】
図１は、本発明のフラックス転写装置である電子部品搭載装置の一形態を示す図である。
【００３７】
図１に示すように、電子部品搭載装置１は、半田印刷装置とリフロー装置との間に設けられ、半田印刷されたマザーボード（プリント基板）に電子部品を搭載し、電子部品を搭載したマザーボードをリフロー装置に供給するように構成されている。電子部品としてここでは、半導体チップの複数の電極パッド上にバンプ電極が形成されたフリップチップタイプの半導体装置を例に挙げて説明するが、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等、バンプ電極を有する半導体装置に適用しても良い。
【００３８】
本形態は図１に示すように、基台部２と、マザーボード搬送部３と、マザーボード位置決め部４と、トレイフィーダ部５と、フラックス転写ユニット部６と、認識部７と、吸着ユニット部８とから構成されている。
【００３９】
マザーボード搬送部３は、基台部２のほぼ中央に設けられ、半田印刷装置から供給されたマザーボードに半導体装置（電子部品）を搭載し、半導体装置が搭載されたマザーボードをリフロー装置に搬送する。また、マザーボード搬送部３は、コンベア方式で構成されている。
【００４０】
マザーボード位置決め部４は、マザーボード搬送部３のほぼ中央部位に設けられ、マザーボードを位置決め保持できる。
【００４１】
トレイフィーダ部５は、基台部２に設けられ、被処理物となる複数の半導体装置が収容されたトレイが保持される。
【００４２】
フラックス転写ユニット部６は、トレイフィーダ部５の近傍位置に配置され、半導体装置のバンプ電極にフラックスを転写形成する。
【００４３】
認識部７は、フラックス転写ユニット部６とマザーボード位置決め部４との近傍位置に配置され、半導体装置の位置を認識し、半導体装置の位置を補正させる。また、認識部７は、ＣＣＤカメラが上方を向いて配置された構成であり、搬送されてきた半導体装置の実装面を撮像するように構成されている。認識部７の位置認識結果に基づき、後述する吸着ユニットをＸＹ及びθ方向に補正することで、半導体装置の位置を補正するように構成されている。
【００４４】
吸着ユニット部８は、基台部２に設けられており、トレイフィーダ部５に収容された半導体装置を吸着ユニットで真空吸着することで保持し、フラックス転写ユニット部６、認識部７、マザーボード位置決め部４との間を搬送可能に構成されている。
【００４５】
以下に、図１に示したフラックス転写ユニット部６の構成について説明する。
【００４６】
図２は、図１に示したフラックス転写ユニット部６の一構成例を示す図である。
【００４７】
図１に示したフラックス転写ユニット部６は図２に示すように、長方形状の転写ステージ９を有している。転写ステージ９は、硬質で透過可能な部材、例えばガラス等から構成されており、下方から転写ステージ９上のフラックス状態を撮像可能に構成している。
【００４８】
また、転写ステージ９には、掻き取りスキージ１０と成膜スキージ１１とが設けられており、例えば転写ステージ９の短辺間を移動可能に構成されている。
【００４９】
また、掻き取りスキージ１０と成膜スキージ１１との近傍には、フラックス供給手段（不図示）が設けられている。掻き取りスキージ１０と成膜スキージ１１とが転写ステージ９上を移動することにより、フラックス供給手段から転写ステージ９上に供給されたフラックス１２を、少なくとも転写ステージ９上のフラックス浸漬エリアに均一に形成できるように構成されている。
【００５０】
また、転写ステージ９のフラックス浸漬エリアを挟んで両側に照明１３が設けられており、フラックス浸漬エリアに光を均一に照射できるように配置されている。
【００５１】
また、転写ステージ９のフラックス浸漬エリアの下方位置には反射部材である反射鏡１４が設けられており、フラックス浸漬エリアの成膜状況を撮像手段であるＣＣＤカメラ１５に反射するように構成されている。なお、撮像手段は、ＣＣＤカメラ１５に限らず、フラックス浸漬エリアの成膜状況を撮像できるものであれば良い。また、ＣＣＤカメラ１５は、フラックス浸漬エリアの画像を取り込むように構成されている。
【００５２】
また、ＣＣＤカメラ１５によって取り込まれたフラックス浸漬エリアの成膜状況の画像は、制御手段（不図示）により、予め撮像された良好なフラックス成膜状態の画像と比較される。比較された結果から、ＣＣＤカメラ１５によって取り込まれたフラックス浸漬エリアの成膜状況の画像の良否（ＯＫかＮＧか）を判定するように構成されている。
【００５３】
また、フラックス成膜状態が溝や色の変化等、所定値以上の変化が発生した場合には、装置を一時停止すると共に、アシスト要求信号を出し、作業者に知らせるように構成されている。
【００５４】
このように、透明で且つフラックス浸漬エリアを有する転写ステージ９と、転写ステージ９上を移動し、転写ステージ９上に供給されたフラックス１２を、少なくともフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜を形成する掻き取りスキージ１０及び成膜スキージ１１と、フラックス浸漬エリアの上方に設けられ、フラックス浸漬エリアに光を照射する照明１３と、転写ステージ９の下方に設けられ、フラックス浸漬エリアの画像を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像を予め登録された良品画像と比較する制御手段とから電子部品搭載装置であるフラックス転写装置が構成されている。これにより、転写ステージ９上のフラックス浸漬エリアの成膜状態を把握し、電子部品への良好なフラックス転写を実現できる。
【００５５】
また、転写ステージ９の下方に撮像手段が配置され、透明な転写ステージ９の下方からフラックス１２の状態を撮像するように構成されている。これにより、電子部品の実装装置での作業状態に関係なく、常にフラックス転写状態を把握することができる。そのため、フラックス状態が悪い場合には、電子部品へのフラックス転写処理の事前に装置停止することができる。こうすることにより、マザーボードへの電子部品の実装不良を低減することができる。
【００５６】
以下に、上記のように構成された電子部品搭載装置における電子部品の搭載方法について説明する。
【００５７】
図３は、図１に示した形態における電子部品の搭載方法を説明するためのフローチャートである。また、図４は、図１に示した形態における電子部品を搭載する過程を示す図である。
【００５８】
図４の左図に示すように、図１に示した電子部品搭載装置１のトレイフィーダ部５に、被処理物の電子部品である半導体装置１６が複数収納されたトレイ１７が予めセットされている。
【００５９】
まず、トレイ１７に収納された半導体装置１６の上部に、吸着ユニット部８の吸着コレット１８が移動し、吸着コレット１８が半導体装置１６に当接し真空吸引することで、半導体装置１６を吸着保持する（ステップＳ１）。そして、半導体装置１６を吸着保持した吸着コレット１８は、フラックス転写ユニット部６に移動する。
【００６０】
一方、フラックス転写ユニット部６では、フラックス成膜が形成される。
【００６１】
図５は、フラックス転写ユニット部６におけるフラックス成膜の形成の様子を示す図である。
【００６２】
図５（ａ）に示すように、フラックス供給手段（不図示）から転写ステージ９上に所定の量のフラックス１２が供給される（ステップＳ２）。フラックス１２が転写ステージ９上に供給された後、掻き取りスキージ１０は転写ステージ９に当接した状態に、また、成膜スキージ１１は転写ステージ９から離れた状態になるように移動する。その後、掻き取りスキージ１０及び成膜スキージ１１が転写ステージ９上を移動する。転写ステージ９に当接された掻き取りスキージ１０が移動することにより、転写ステージ９のフラックス１２を一旦掻き取る。これにより、フラックス浸漬エリアのフラックスが無い状態となる。
【００６３】
次に、図５（ｂ）に示すように、掻き取りスキージ１０が上方に移動し、成膜スキージ１１が下方に移動する。ここで成膜スキージ１１は、所定の膜厚でフラックス１２を成膜するため、転写ステージ９から所定のクリアランスを取った位置に配置される。クリアランスは、バンプ電極の大きさや転写形成されるフラックス１２の膜厚に応じて適宜選定される。そして、成膜スキージ１１が所定のクリアランスを確保した状態で、転写ステージ９上を移動することで、図５（ｃ）に示すように転写ステージ９上に所定の膜厚のフラックス１２が成膜される（ステップＳ３）。
【００６４】
フラックス成膜形成後、図２に示したように転写ステージ９の下方に配置されたＣＣＤカメラ１５により、フラックス成膜状態の画像が撮像される（ステップＳ４）。撮像されたフラックス成膜状態の画像が、予め登録された良好な成膜状態の画像と比較されることで、成膜状態の良否判定が行われる（ステップＳ５）。この画像の比較方法については、一般的な画像の比較方法と同じものであってもかまわない。また、良否判定の基準については、予め決められた基準にしたがったものとする。
【００６５】
ここで、フラックスに異物が入った状態で、成膜スキージ１１で成膜処理した場合には、例えば図８に示すようなフラックス筋１９が形成されてしまう。このようにフラックス成膜にフラックス筋１９が発生した場合には、図８に示すようなフラックス成膜状態の画像が得られる為、フラックス筋１９の画像を検出でき、良否判定がＮＧとなる。良否判定がＮＧとなると、処理を中止することにより、装置を停止し（ステップＳ６）、作業員への停止連絡を行う（ステップＳ７）。ステップＳ７の停止連絡を行う方法については規定しない。これにより、フラックス状態を事前に把握している為、実装不良の作り込みを防止できる。またフラックス成膜状態の色を比較判定することで、膜厚の差やフラックスの劣化等も把握することができる。
【００６６】
またステップＳ５における良否判定がＯＫである場合は、図４の真ん中の図に示すように、半導体装置１６を吸着保持した吸着コレット１８を、フラックス転写ユニット部６の転写ステージ９上のフラックス１２の成膜に浸漬させ、半導体装置１６のバンプ電極の先端にフラックスを転写形成する（ステップＳ８）。転写形成後、半導体装置１６を吸着保持した吸着コレット１８は、認識部７に移動される。
【００６７】
認識部７では、吸着コレット１８に保持された半導体装置１６の下方からＣＣＤカメラ２０によりバンプ電極の画像処理による位置認識処理を行う（ステップＳ９）。そして、位置認識後、図４の右図に示すように、マザーボード搬送部３からマザーボード位置決め部４に位置決め保持されたマザーボード２１の所定の位置に、フラックス１２の転写形成された半導体装置１６が搭載される（ステップＳ１０）。
【００６８】
このようにフラックス成膜後、フラックスの成膜状態の画像検出し、フラックス成膜状態を良否判定するように構成したことで、事前に実装不良の作り込みを防止することができる。また、フラックス転写ステージの下方から成膜状態を把握するため、タイムリーにフラックスの状態を確認できる。
【００６９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでない。例えば、本形態では、撮像手段を装置の省スペース化を考慮し、転写ステージの下方に反射鏡を配置し、反射鏡で反射されたフラックス状態の画像を撮像するように構成したが、撮像手段を転写ステージの下方に配置し、直接的にフラックス状態の画像を撮像するように構成しても良い。また、本形態では、転写ステージ９の上方に固定の照明１３を設けるように構成したが、装置のスペースの関係で、固定照明が設置できない場合には、半導体装置をピックアップする吸着コレット１８に設置するように構成しても良い。
【００７０】
また、バンプ電極の不良に対する処理を行うものであっても良い。
【００７１】
図６は、図１に示した形態における電子部品の他の搭載方法を説明するためのフローチャートである。
【００７２】
図３に示したフローチャートで説明したステップＳ８の処理と、ステップＳ９の処理との間に、バンプ電極の不良に対する処理が追加されている。
【００７３】
図３を用いて説明した方法と同様にフラックスの成膜状態の検出・良否判定し（ステップＳ５）、半導体装置へのフラックス転写処理を行う（ステップＳ８）。
【００７４】
フラックス１２の転写後、撮像手段であるＣＣＤカメラ１５により転写後のフラックス状態を撮像するように構成している。そしてＣＣＤカメラ１５により、フラックス成膜に形成された半導体装置１６のバンプ電極の圧痕の画像を検出する（ステップＳ２１）。そして検出した圧痕の画像は、予め登録された画像と比較し、良否判定される（ステップＳ２２）。つまり、バンプ電極が脱落していないかどうかが判定される。
【００７５】
図７は、バンプ電極が脱落した半導体装置を示す図である。
【００７６】
バンプ電極の一部が脱落している場合は、図７に示すように、電極が脱落した部分２３には圧痕２２が形成されない為、バンプ電極の脱落した不良品の半導体装置をマザーボードに搭載することを未然に防止できる。
【００７７】
このように、撮像手段が、電子部品のバンプ電極への転写処理後、フラックス浸漬エリアのバンプ電極の圧痕２２の画像を撮像するように構成されたことにより、さらにフラックス転写後のバンプ電極の脱落等の検出も可能になる。
【００７８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００７９】
透明でフラックス浸漬エリアを有する転写ステージ９と、転写ステージ９上を移動し、転写ステージ上９に供給されたフラックス１２を、少なくともフラックス浸漬エリアに所定の厚さで成膜を形成するスキージと、フラックス浸漬エリアの上方に設けられ、フラックス浸漬エリアに光を照射する照明１３と、転写ステージ９の下方に設けられ、フラックス浸漬エリアの画像を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像を予め登録された良品画像と比較する制御手段とからフラックス転写装置を構成したことにより、転写ステージ９上のフラックス浸漬エリアの成膜状態を把握し、電子部品への良好なフラックス転写を実現できる。
【００８０】
また、転写ステージ９の下方に撮像手段が配置され、透明な転写ステージ９の下方からフラックス１２の状態を撮像するように構成されているため、電子部品の搭載装置での作業状態に関係なく、常にフラックス転写状態を把握することができる。そのため、フラックス１２の状態が悪い場合には、電子部品へのフラックス転写処理の事前に装置停止することができる。これにより、マザーボードへの電子部品の実装不良を低減することができる。
【００８１】
また、Ｃ4工法又は半田ボールをチップ部品へ搭載する必要がある製品において、フラックス状態のセルフチェック作業の廃止とフラックス不足に伴う接合不良の作り込み防止可能な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明のフラックス転写装置である電子部品搭載装置の一形態を示す図である。
【図２】図１に示したフラックス転写ユニット部の一構成例を示す図である。
【図３】図１に示した形態における電子部品の搭載方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】図１に示した形態における電子部品を搭載する過程を示す図である。
【図５】フラックス転写ユニット部におけるフラックス成膜の形成の様子を示す図である。
【図６】図１に示した形態における電子部品の他の搭載方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】バンプ電極が脱落した半導体装置を示す図である。
【図８】一般的なフラックス転写ユニット部にて転写ステージ上に異物が入った場合等に生じるフラックス筋の一例を示す図である。
【図９】図８に示したフラックス筋が生じた場合の、電子部品である半導体装置の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１    電子部品搭載装置
２    基台部
３    マザーボード搬送部
４    マザーボード位置決め部
５    トレイフィーダ部
６    フラックス転写ユニット部
７    認識部
８    吸着ユニット部
９    転写ステージ
１０    掻き取りスキージ
１１    成膜スキージ
１２    フラックス
１３    照明
１４    反射鏡
１５，２０    ＣＣＤカメラ
１６    半導体装置
１７    トレイ
１８    吸着コレット
１９    フラックス筋
２１    マザーボード
２２    圧痕
２３    電極が脱落した部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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