(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ（６０）を加熱処理するための処理室（１４）と、
前記処理室（１４）内に配置されると共に、前記半導体ウエハ（６０）が配置される一面（４０ａ）を有し、前記一面（４０ａ）に垂直な中心軸（４０ｃ）を中心に回転するサセプタ（４０）と、
前記処理室（１４）の境界の一部を形成するように配置された石英ドーム（１１、１２）と、
前記石英ドーム（１１、１２）の端部（１１ｂ、１２ｂ）を拘束する冷却チャンバ（２１、２２）と、
前記処理室（１４）の外部に配置され、加熱源となる複数の棒状のランプ（５０）とを有する半導体製造装置であって、
前記複数のランプ（５０）は円環状に配置された複数の円配列（５１〜５３）を構成すると共に、前記複数の円配列（５１〜５３）が前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）を中心に同心円状に配置されており、
前記複数のランプ（５０）それぞれは、前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）に垂直な面に平行に配置され、一端部（５０ａ）が他端部（５０ｂ）よりも前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）側に配置されており、
前記複数の円配列（５１〜５３）それぞれにおいて、前記複数のランプ（５０）それぞれは、前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）と前記ランプ（５０）の一端部（５０ａ）とを通ると共に前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）に垂直な方向に延びる直線（７０）に対し、前記他端部（５０ｂ）側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記複数の円配列（５１〜５３）において、前記サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）側の円配列（５１、５２）よりも外側の円配列（５３）を構成するランプ（５０）の熱の容量が大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記複数の円配列（５１〜５３）の外側の円配列（５２、５３）を構成する複数のランプ（５０）において隣り合うランプ（５０）の長軸によってできる角度が、前記複数の円配列（５１〜５３）の内側の円配列（５１、５２）を構成する複数のランプ（５０）において隣り合うランプ（５０）の長軸によってできる角度よりも小さくなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記複数のランプ（５０）それぞれは、前記石英ドーム（１１、１２）から一定距離だけ離れて配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記複数の円配列（５１〜５３）を構成するすべてのランプ（５０）の他端部（５０ｂ）がすべて同一方向に傾けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記複数の円配列（５１〜５３）を構成する前記ランプ（５０）の他端部（５０ｂ）の傾きの方向は、一つの円配列（５１〜５３）においてそれぞれ同一方向であり、
前記複数の円配列（５１〜５３）のうちの一部の円配列を構成するランプ（５０）の傾きと、一部を除いた円配列を構成するランプ（５０）の傾きとが逆方向になっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに熱処理を行うための半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、石英ドームと、該石英ドームの端部を保持する冷却チャンバとを有し、石英ドームおよび冷却チャンバで区画された処理室が設けられ、処理室に配置された円板状のサセプタの上に半導体ウエハが配置され熱処理を行う半導体製造装置が知られている。この装置において、半導体ウエハの熱処理を行なうための熱源となる加熱ランプが、例えば特許文献１〜３で提案されている。
【０００３】
特許文献１では、複数の棒状ランプがその中心軸線を同一水平面上に位置し、加熱炉本体の中心軸を中心とした径方向に各棒状ランプが等角度ピッチで配置されたランプ加熱装置が示されている。
【０００４】
特許文献２では、複数個のランプ部が円環状に配列されてランプ列が複数構成され、各ランプ列が一点を中心に同心円状に径方向に等間隔で配置されたランプヒータが示されている。
【０００５】
また、特許文献３では、複数の棒状両極ランプが同一平面に平行に配置された第１棒状ランプ加熱源と、複数の棒状両極ランプが同一平面に平行に配置された第２棒状ランプ加熱源とが互いに直交配置された基板中央部加熱源が示されている。
【特許文献１】特開平９−１６７７４２号公報
【特許文献２】特開２００３−５９８５３号公報
【特許文献３】特開平９−３３０８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体ウエハが配置されるサセプタの外周側では冷却チャンバ側に熱が逃げやすくなっているため、上記特許文献１〜３にように、サセプタの径方向に等間隔でランプを配置すると各ランプから放射される光のパワー密度が外周側で足りなくなってしまう。このため、ランプパワーを定格以上に出力して使用しなければならず、ランプの寿命が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記点に鑑み、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにすることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体ウエハ（６０）を加熱処理するための処理室（１４）と、処理室（１４）内に配置されると共に、半導体ウエハ（６０）が配置される一面（４０ａ）を有し、一面（４０ａ）に垂直な中心軸（４０ｃ）を中心に回転するサセプタ（４０）と、処理室（１４）の境界の一部を形成するように配置された石英ドーム（１１、１２）と、石英ドーム（１１、１２）の端部（１１ｂ、１２ｂ）を拘束する冷却チャンバ（２１、２２）と、処理室（１４）の外部に配置され、加熱源となる複数の棒状のランプ（５０）とを有する半導体製造装置であって、複数のランプ（５０）は円環状に配置された複数の円配列（５１〜５３）を構成すると共に、複数の円配列（５１〜５３）がサセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）を中心に同心円状に配置されており、複数のランプ（５０）それぞれは、サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）に垂直な面に平行に配置され、一端部（５０ａ）が他端部（５０ｂ）よりもサセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）側に配置されており、複数の円配列（５１〜５３）それぞれにおいて、複数のランプ（５０）それぞれは、サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）とランプ（５０）の一端部（５０ａ）とを通ると共にサセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）に垂直な方向に延びる直線（７０）に対し、他端部（５０ｂ）側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられていることを特徴とする。
【０００９】
これによると、棒状のランプ（５０）がサセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）を中心に放射状に配置された場合に隣り合うランプ（５０）の間の隙間を埋めるようにランプ（５０）を配置することができる。また、サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）から遠ざかるほど、一つの円配列（５１〜５３）を構成するランプ（５０）の数を増やすことができる。このため、冷却チャンバ（２１、２２）によって冷やされるサセプタ（４０）の外周側に配置されるランプ（５０）一つ当たりの光の強度を小さくすることができ、サセプタ（４０）の外周側に配置されるランプ（５０）の寿命が短くならないようにすることができる。
【００１０】
請求項２に記載の発明では、複数の円配列（５１〜５３）において、サセプタ（４０）の中心軸（４０ｃ）側の円配列（５１、５２）よりも外側の円配列（５３）を構成するランプ（５０）の熱の容量が大きくなっていることを特徴とする。
【００１１】
これにより、冷却チャンバ（２１、２２）によって冷やされるサセプタ（４０）の外周側が熱の逃げによって温度が低下しないように加熱を補うことができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明では、複数の円配列（５１〜５３）の外側の円配列（５２、５３）を構成する複数のランプ（５０）において隣り合うランプ（５０）の長軸によってできる角度が、複数の円配列（５１〜５３）の内側の円配列（５１、５２）を構成する複数のランプ（５０）において隣り合うランプ（５０）の長軸によってできる角度よりも小さくなっていることを特徴とする。
【００１３】
これにより、サセプタ（４０）の外周側でランプ（５０）を高密度に配置することができる。また、ランプ（５０）は密集した配置とされるので、加熱バラツキを抑え、均一な加熱を行うことができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明では、複数のランプ（５０）それぞれは、石英ドーム（１１、１２）から一定距離だけ離れて配置されていることを特徴とする。
【００１５】
これにより、半導体ウエハ（６０）と各ランプ（５０）との距離を近くする、特にランプ（５０）を同一平面内に配置した場合よりもサセプタ（４０）の外周側のランプ（５０）と半導体ウエハ（６０）との距離を近くすることできるので、ランプ（５０）の光をロスなく処理室（１４）に入射することができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明のように、複数の円配列（５１〜５３）を構成するすべてのランプ（５０）の他端部（５０ｂ）をすべて同一方向に傾ける構成とすることができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明のように、複数の円配列（５１〜５３）を構成するランプ（５０）の他端部（５０ｂ）の傾きの方向は、一つの円配列（５１〜５３）においてそれぞれ同一方向であり、複数の円配列（５１〜５３）のうちの一部の円配列を構成するランプ（５０）の傾きと、一部を除いた円配列を構成するランプ（５０）の傾きとを逆方向にすることもできる。
【００１８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体製造装置は、処理室を減圧にするものおよびその制御であって、特に、半導体ウエハにエピタキシャル膜等を成膜する装置に好適である。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略断面図である。この図に示されるように、半導体製造装置は、石英ドーム１１、１２と、冷却チャンバ２１、２２と、側面加圧ポンプ３０と、サセプタ４０と、シャフト４１と、回転機構４２と、複数のランプ５０とを備えている。
【００２２】
石英ドーム１１、１２は、石英窓１１ａ、１２ａとフランジ部１１ｂ、１２ｂとで構成されている。石英窓１１ａ、１２ａは凸状の容器である。また、フランジ部１１ｂ、１２ｂは石英窓１１ａ、１２ａの開口端部に設けられたものである。なお、フランジ部１１ｂ、１２ｂは本発明の石英ドーム１１、１２の端部に相当する。
【００２３】
冷却チャンバ２１、２２は、複数のＯリング１３を介して石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂを拘束するものであり、内部に冷却水が流れる構造を有している。冷却チャンバ２１、２２は、フランジ部１１ｂ、１２ｂを石英窓１１ａ、１２ａの凸側のものと凹側のものとで挟み込んだ構造になっており、凸側のものと凹側のものとがネジ２３、２４によりねじ止めされ、フランジ部１１ｂ、１２ｂが冷却チャンバ２１、２２に強固に拘束されている。
【００２４】
また、図１に示されるように、石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂにＯリング１３を介して冷却チャンバ２１、２２が固定された一対のものが用意され、各石英ドーム１１、１２の各石英窓１１ａ、１２ａの凹部がそれぞれ向かい合わされて、各冷却チャンバ２１、２２が接合されている。このように、石英ドーム１１、１２、Ｏリング１３、および冷却チャンバ２１、２２にて閉じられた空間が処理室１４となる。処理室１４は、半導体ウエハ６０を加熱処理する部屋であり、大気圧から減圧されて処理ガス（成膜ガス）が注入される。
【００２５】
冷却チャンバ２１、２２には、成膜ガスを処理室１４に導入するための導入通路２５と、処理室１４から成膜ガスを排出するための排出通路２６とが設けられている。排出通路２６は、配管を介して図示しない成膜ガス排出機構に接続されている。そして、処理室１４から排出された成膜ガスは、該成膜ガス排出機構にて無害化され、成膜ガス中のダストや有害ガス等が薬液等により除去されるようになっている。
【００２６】
そして、フランジ部１１ｂ、１２ｂを拘束するＯリング１３は、当該Ｏリング１３がフランジ部１１ｂ、１２ｂのうち石英窓１１ａ、１２ａの凸側と該凸側とは反対側とにそれぞれ同心円状に配置されてフランジ部１１ｂ、１２ｂを挟んでいる。
【００２７】
側面加圧ポンプ３０は、処理室１４が大気圧から減圧されることで石英窓１１ａ、１２ａにおいて処理室１４の中心部側に発生する圧縮力に石英窓１１ａ、１２ａが対抗できるように、フランジ部１１ｂ、１２ｂを処理室１４側に押し込んで石英窓１１ａ、１２ａの湾曲の度合いを維持もしくは高めるものである。この側面加圧ポンプ３０は、図１に示されるように冷却チャンバ２１、２２の側面に接続されており、例えばＮ２やエアーによる加圧によりフランジ部１１ｂ、１２ｂを処理室１４側に押し込むようになっている。
【００２８】
サセプタ４０は、一面４０ａおよび他面４０ｂを有する円板状のテーブルであり、一面４０ａに複数の半導体ウエハ６０が配置されるものである。
【００２９】
シャフト４１は、サセプタ４０の他面４０ｂ側に位置すると共に、サセプタ４０の他面４０ｂに対し垂直方向に延びる棒状の部材であり、サセプタ４０を支持して処理室１４内に配置させるものである。シャフト４１のうちサセプタ４０側の上端部４１ａ側にサセプタ４０が接続され、上端部４１ａとは反対側の下端部４１ｂが回転機構４２に備え付けられている。
【００３０】
図１に示されるように、シャフト４１は、石英窓１２ａに設けられたシャフト貫通部１２ｃに差し込まれた形態になっている。これにより、シャフト４１の上端部４１ａは処理室１４内に配置され、下端部４１ｂは処理室１４の外部に配置される。
【００３１】
回転機構４２は、シャフト４１の下端部４１ｂを支持し、シャフト４１の中心軸を中心にシャフト４１を回転させるものであり、モータ等を備えた周知のものである。この回転機構４２によってシャフト４１が回転すると、これに連動してサセプタ４０も回転するようになっている。この回転機構４２にはＯリング１５を介してシャフト貫通部１２ｃが取り付けられ、これにより処理室１４がシールされる。
【００３２】
また、図１に示される複数のランプ５０は、輻射熱を発する棒状の加熱源であり、処理室１４の外部に複数配置されている。具体的には、ランプ５０は、各石英窓１１ａ、１２ａの凸側に配置され、サセプタ４０の一面４０ａおよび他面４０ｂを照らし、処理室１４内を加熱するようになっている。ランプ５０として、例えばハロゲンランプが採用される。
【００３３】
以下、図を参照して、ランプ５０について説明する。図２は、シャフト４１の中心軸を中心に複数のランプ５０を見た平面図である。図３は、図２の断面図である。また、図４は、１つのランプ５０の傾きを説明するための図である。
【００３４】
図２に示されるように、複数のランプ５０は円環状に配置されて複数の円配列５１〜５３を構成している。また、複数の円配列５１〜５３はサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。本実施形態では、各ランプ５０が並べられて３つの円配列５１〜５３が設けられている。
【００３５】
ここで、もっとも径が小さく、もっともサセプタ４０の中心軸側の円配列５１を一列目の円配列５１とし、サセプタ４０の外周側に並べられた円配列５２、５３を２列目の円配列５２、３列目の円配列５３とする。
【００３６】
本実施形態では、１列目よりも２列目、２列目よりも３列目の円配列５３を構成するランプ５０の長辺が長いものが採用されている。なお、これは一例であって、ランプ５０の長辺の長さは図２に限定されるものではない。
【００３７】
各円配列５１〜５３において、１列目および２列目の円配列５１、５２を構成するランプ５０の熱の容量は１ｋＷのものが採用され、３列目の円配列５３を構成するランプ５０の熱の容量は２ｋＷのものが採用される。このように、サセプタ４０の外周側の円配列５３を構成するランプ５０の熱の容量が１列目、２列目の円配列５１、５２を構成するランプ５０の熱の容量よりも大きくなっている。これによると、冷却チャンバ２１、２２によって冷やされるサセプタ４０の外周側で熱の逃げが発生しても、サセプタ４０の外周側の温度が低下しないように熱を補うことが可能となる。
【００３８】
また、図３に示されるように、複数のランプ５０それぞれは、石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離れて配置されている。ランプ５０は棒状のものであるので、各円配列５１〜５３を構成する各ランプ５０が石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離されて配置されると、各ランプ５０はサセプタ４０の外周側に向かって階段状に段差をもった配置となる。
【００３９】
このように、各ランプ５０が石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離されて配置されると、各ランプ５０から石英ドーム１１、１２に向かう主な光は、石英ドーム１１、１２に対して同じ角度で入射する。このため、石英ドーム１１、１２の特定な場所で光の反射によるロスに偏りが生じない。さらに、ランプ５０を同一平面内に配置した場合よりもサセプタ４０の外周側のランプ５０と半導体ウエハ６０との距離が近くなるので、サセプタ４０の外周側に位置するランプ５０の光をロスなく処理室１４に入射できる。
【００４０】
円環状を構成する各ランプ５０は、図４に示されるように一端部５０ａが他端部５０ｂよりもサセプタ４０の中心軸側に配置されている。また、サセプタ４０の中心軸４０ｃとランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０を想定したとき、ランプ５０の他端部５０ｂ側が該直線７０に対して傾けられている。そして、図３では一つの円配列５１〜５３において、各ランプ５０が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられている。３列目の円配列５３のランプ５０について示してあるが、１列目および２列目の円配列５１、５２を構成する各ランプ５０も、該直線７０に対して傾けられている。これにより、図２に示されるランプ５０の配列となる。
【００４１】
すなわち、複数の円配列５１〜５３を構成するランプ５０の他端部５０ｂの傾きの方向は、一つの円配列５１〜５３においてそれぞれ同一方向になっている。本実施形態では、複数の円配列５１〜５３を構成するすべてのランプ５０の他端部５０ｂがすべて同一方向に傾けられている。
【００４２】
また、隣り合うランプ５０の長軸によってできる角度が、複数の円配列５１〜５３の外側の円配列５２、５３を構成する複数のランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸によってできる角度が、複数の円配列５１〜５３の内側の円配列５１、５２を構成する複数のランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸によってできる角度よりも小さくなっている。
【００４３】
具体的には、２列目の円配列５２を構成する各ランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸の間の角度が、１列目の円配列５１を構成する各ランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸の間の角度よりも小さくなっている。同様に、３列目の円配列５３を構成する各ランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸の間の角度が、２列目の円配列５２を構成する各ランプ５０において隣り合うランプ５０の長軸の間の角度よりも小さくなっている。
【００４４】
これによると、サセプタ４０の外周側ほどランプ５０が高密度に配置される。また、ランプ５０が密集して配置されるため、加熱バラツキが抑えられ、処理室１４への均一な加熱が可能となる。
【００４５】
発明者らは、各円配列５１〜５３を構成する各ランプ５０において、隣り合うランプ５０が互いに干渉せずに高密度に配置できるランプ５０の傾きについて検討した。図５（ａ）には、サセプタ４０の中心軸４０ｃとランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対してランプ５０の長軸が角度φで傾けられた様子が示されている。
【００４６】
そして、発明者らは、サセプタ４０の中心軸４０ｃを中心としたランプ５０の一端部５０ａおよび他端部５０ｂに接触する２つの同心円８１、８２を仮想し、各同心円８１、８２で囲まれた範囲の面積当たりのランプ５０の本数をφ＝０の場合を１として計算した。その結果を図５（ｂ）に示す。この図に示されるように、角度φが５５°〜６５°のときにもっともランプ５０を高密度に配置できることがわかる。したがって、各円配列５１〜５３のうち３列目の円配列５３を構成する各ランプ５０を、サセプタ４０の中心軸４０ｃとランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対して５５°〜６５°の角度で傾けると、ランプ５０を高密度に配置できる。
【００４７】
もちろん、該角度φは０°よりも大きく、９０°以下でも良い。例えば、２列目の円配列５２を構成するランプ５０は、０°より大きい角度であり、３列目より小さい角度になっている。
【００４８】
以上が、本実施形態に係る半導体製造装置の全体構成である。この半導体製造装置において、回転機構４２の回転速度、側面加圧ポンプ３０の制御、処理室１４への成膜ガスの注入、冷却チャンバ２１、２２の冷却水の制御、流入ガスの流量制御等は、図示しない制御装置により行われる。
【００４９】
次に、上記装置を用いて半導体ウエハ６０に熱処理を行う工程について説明する。まず、装置のメンテが終わった後、Ｏリング１３を介して石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂに冷却チャンバ２１、２２をはめ込み、ネジ２３、２４を介して冷却チャンバ２１、２２を締め付ける。そして、一方の冷却チャンバ２１を他方の冷却チャンバ２２に固定して処理室１４を形成する。
【００５０】
続いて、側面加圧ポンプ３０により、石英ドーム１１、１２に側面加圧を行う。また、図示しない真空ポンプにより、処理室１４を真空にする。その後、Ｈ２により所定の圧力（減圧）とする。この状態で、図示しないトランスファーチャンバ（準備室）から半導体ウエハ６０を搬送し、サセプタ４０の一面４０ａに半導体ウエハ６０を配置する。半導体ウエハ６０に膜を成長させるための成膜ガスを冷却チャンバ２１、２２の導入通路２５を介して処理室１４に導入し、各ランプ５０によって処理室１４を加熱する。これにより、半導体ウエハ６０に加熱処理を施す。
【００５１】
その後、成膜ガスを止め、半導体ウエハ６０をトランスファーチャンバ（準備室）に戻し、新しい半導体ウエハ６０を搬送し半導体ウエハ６０に膜を成長する作業を繰り返す。所定枚半導体ウエハ６０に膜を成長させた後、メンテのため処理室１４を大気圧まで不活性ガスで満たす。このようにして、半導体ウエハ６０に熱処理を行う。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、各円配列５１〜５３を構成する棒状のランプ５０の長軸を、サセプタ４０の中心軸４０ｃとランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対して同一方向および同一角度で傾けたことが特徴となっている。
【００５３】
これにより、棒状のランプ５０がサセプタ４０の中心軸を中心に放射状に配置された場合に隣り合うランプ５０の間の隙間を埋めるようにランプ５０を配置することができるので、一つの円配列５１〜５３を構成するランプ５０の数を増やすことが可能となる。このため、冷却チャンバ２１、２２によって冷やされるサセプタ４０の外周側に配置されるランプ５０一つ当たりの光の強度を小さくすることができる。特に、３列目の円配列５３を構成するランプ５０を、１列目や２列目の円配列５１、５２を構成するランプ５０よりも高密度で配置できる。したがって、サセプタ４０の外周側のランプ５０、すなわち３列目の各ランプ５０の負担が軽減されるため、サセプタ４０の外周側に配置されるランプ５０の寿命が短くならないようにすることができる。
【００５４】
（他の実施形態）
上記実施形態では、３列の円配列５１〜５３について説明したが、列の数は一例を示すものであって、さらに多くの円配列を設けても構わない。
【００５５】
上記実施形態では、各ランプ５０は石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離されて配置されているが、各円配列５１〜５３においてサセプタ４０の中心軸に垂直な面に平行に配置されていても良い。各ランプ５０の光をロスなく処理室１４に照射するためには、各ランプ５０を石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離して配置することが好ましい。
【００５６】
上記実施形態では、各円配列５１〜５３の各ランプすべてが同一方向に傾けられているが、複数の円配列５１〜５３を構成するランプ５０の他端部５０ｂの傾きの方向については、複数の円配列５１〜５３のうちの一部の円配列を構成するランプ５０の傾きの方向と、一部を除いた円配列を構成するランプ５０の傾きの方向とを逆方向にしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略断面図である。
【図２】シャフトの中心軸を中心に複数のランプを見た平面図である。
【図３】図２の断面図である。
【図４】１つのランプの傾きを説明するための図である。
【図５】（ａ）はランプの傾きの角度φを定義した図であり、（ｂ）はランプの角度φと単位面積あたりのランプの数との関係を示した図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１、１２      石英ドーム
１１ｂ、１２ｂ  フランジ部
１４            処理室
２１、２２      冷却チャンバ
４０            サセプタ
４０ａ          サセプタの一面
４０ｃ          サセプタの中心軸
５０            ランプ
５０ａ          一端部
５０ｂ          他端部
５１〜５３      円配列
６０            半導体ウエハ
７０            直線
【図１】
0005104405.tif 000002
【図２】
0005104405.tif 000003
【図３】
0005104405.tif 000004
【図４】
0005104405.tif 000005
【図５】
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