(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環境変化によって状態が変化する変化手段と、
情報を記憶している記憶手段とを備えた非接触ＩＣ媒体であって、
前記記憶手段に該非接触ＩＣ媒体のＩＤを記憶し、
前記記憶手段の一部のメモリブロックと前記変化手段とに接続され、前記変化手段の所定の状態の変化に基づき前記メモリブロックへの情報の不可逆的な書込みによって非接触ＩＣ媒体が応答するＩＤを変化させる書込手段とを備えた
非接触ＩＣ媒体。
【請求項２】
前記変化手段を、周囲の温度変化によって電気的な断線または抵抗値変化が発生する回路素子により形成し、
前記所定の状態を、電気的に断線した状態または一定以上の抵抗値変化が発生した状態とした
請求項１記載の非接触ＩＣ媒体。
【請求項３】
前記変化手段を、互いに電気導通可能に接合された２つの導電体と、該２つの導電体の接合部間に設けられた金属酸化物とで構成し、
前記所定の状態を、前記金属酸化物の酸化成長によって抵抗値が高まり共振周波数が変化した状態または電気的に断線した状態とした
請求項１記載の非接触ＩＣ媒体。
【請求項４】
アンテナを備えたアンテナ基板に、
請求項１から３のいずれか１つに記載の前記変化手段および請求項１から３のいずれか１つに記載の前記記憶手段並びに前記書込手段を含むＩＣを実装した前記アンテナ基板より小型の小型基板を実装する
非接触ＩＣ媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば誘導電磁界、あるいは電波を用いた非接触での読み取りが可能な非接触ＩＣ媒体に関し、特に、食品、医薬品、化学薬品等、保存環境の管理が必要な物品の保管経過を確認するシステム等に好適な、保管時の経過環境を報知する機能をもった非接触ＩＣ媒体とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、食料品、医薬品等の安全性に対して関心が高まっている。このため、物品の生産者、流通経路、加工日時、保存場所、賞味期限等の情報を、誘導電磁界、あるいは電波を用いて非接触で読み取り可能なＩＣタグにより管理するシステムの提案が行われている。
【０００３】
例えば、加速度センサ、温度センサ、衝撃センサ、湿度センサ、圧力センサ等をデータキャリアに取り付けて、物品が物流過程で受けた環境変化を監視して、品質保証を行う品質保証方法が提案されている（特許文献１参照）。この品質保証方法は、センサの検知情報をＡＤ変換機でデジタル信号に変換し、ＣＰＵによってＩＣメモリにデータを書き込むものである。このため、ＡＤ変換機、及びセンサを動作するための電池が必要であり、データキャリアが高コスト化するという問題がある。
【０００４】
この問題に対して、周囲の保存環境の温度変化によって共振周波数が変化するように設定された共振回路（アンテナ回路）を有する非接触型の通信応答体が提案されている（特許文献２参照）。この非接触型の通信応答体は、共振回路（アンテナ回路）に直列あるいは並列に接続された温度ヒューズを温度変化により切断し、共振回路（アンテナ回路）の容量成分（Ｃ）、あるいはインダクタンス成分（Ｌ）を変化させて共振周波数を変え、もとの共振周波数で通信するリーダーでは読み取りができなくなるようにするものである。これにより、温度変化があったという異常アラームを検知でき、生鮮食料品の温度管理を安価、簡便に行えるとされている。
【０００５】
しかし、通信応答体の共振周波数を変化させてリーダーで読み取れなくする方法は、次の３つの問題点を有している。
（１）通信応答体が温度変化により読み取れなくなっているのか、衝撃等でＩＣが破損して読み取れなくなっているのか判定できない。
（２）自動化ラインを想定した場合、読み取りが出来ない物品は無いものと判断される。
（３）リーダーの通信領域に多数個の通信応答体が存在する場合、どのＩＣタグが破損しているのか判別できない。
【０００６】
また、この特許文献１では、共振周波数の変化した通信応答体を、変化した共振周波数に合わせたリーダーで読み取る方法が提案されている。しかし、この方法ではリーダーの数量が増加し、システムコストが増加する課題がある。
【０００７】
こうした問題を解決する方法として、無線ＩＣタグを構成する回路の一部が破損した場合、正常品とは異なるＩＤを無線ＩＣタグの記憶部に入力し、リーダーで読み取る際に正常品とは異なるＩＤが出力されるようにした物流管理システムが提案されている（特許文献３参照）。この物流管理システムは、次の３つの効果を有するとされている。
（１）変化したＩＤにより、状態の変化があったことが判断できる。
（２）リーダーで読み取れる状態であるため、物品の存在が認識できる。
（３）ＩＤにより、状態変化のあった無線ＩＣタグ（物品）が判別できる。
【０００８】
しかし、この物流管理システムは、無線ＩＣタグを構成する回路の一部が破損した場合に、正常品とは異なるＩＤを無線ＩＣタグの記憶部に入力する方法の提案がなされておらず、具体的な実現可能性に欠けるものである。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３０２２１１号公報
【特許文献２】特開２００５−１５７４８５号公報
【特許文献３】特開２００６−１２４１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明は、上述の問題に鑑み、保管時の経過環境を報知できる非接触ＩＣ媒体とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、環境変化によって状態が変化する変化手段と、情報を記憶している記憶手段とを備えた非接触ＩＣ媒体であって、前記記憶手段に該非接触ＩＣ媒体のＩＤを記憶し、前記記憶手段の一部のメモリブロックと前記変化手段とに接続され、前記変化手段の所定の状態の変化に基づき前記メモリブロックへの情報の不可逆的な書込みによって非接触ＩＣ媒体が応答するＩＤを変化させる書込手段とを備えた非接触ＩＣ媒体であることを特徴とする。
【００１２】
前記変化手段は、ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）インクや金属酸化物など、所定の環境（例えば、一定以上の温度、一定以上の湿度など）に置かれると急激に抵抗値が不可逆的に上昇する物質で構成することができる。
【００１３】
前記書込手段は、前記変化手段の変化に応じて前記メモリブロックへ書き込む情報を変化させる回路で構成することができる。
【００１４】
この発明により、環境変化を検知して記憶手段の一部のメモリブロックを直接書き換えることができ、保管時の環境を報知することが可能になる。
【００１５】
また、リーダーからのＩＤの問合せに対して、正常時と異なるＩＤを応答することができる。したがって、リーダーからの問合せがあった際に、保管中の環境変化があったことを即座に報知できる。
【００１６】
この発明の態様として、前記変化手段を、周囲の温度変化によって電気的な断線または抵抗値変化が発生する回路素子により形成し、前記所定の状態を、電気的に断線した状態または一定以上の抵抗値変化が発生した状態とすることができる。
【００１７】
これにより、メモリブロックへの環境変化の記憶を容易に実現することができる。
【００１８】
またこの発明の態様として、前記変化手段を、互いに電気導通可能に接合された２つの導電体と、該２つの導電体の接合部間に設けられた金属酸化物とで構成し、前記所定の状態を、前記金属酸化物の酸化成長によって抵抗値が高まり共振周波数が変化した状態または電気的に断線した状態とすることができる。  
これにより、一定温度の環境に一定時間以上置かれたという経過時間も含めた検知を実現することができる。従って、一定温度以上に一定時間以上放置されると腐敗する食料品など、経過時間の管理も重要となる物品の管理に好適な非接触ＩＣ媒体を提供できる。
【００１９】
またこの発明は、アンテナを備えたアンテナ基板に、請求項１から３のいずれか１つに記載の前記変化手段および請求項１から３のいずれか１つに記載の前記記憶手段並びに前記書込手段を含むＩＣを実装した前記アンテナ基板より小型の小型基板を実装する非接触ＩＣ媒体の製造方法とすることができる。  
これにより、環境変化の報知機能を有する非接触ＩＣ媒体を安価に製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明により、保管時の経過環境を報知できる非接触ＩＣ媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
この発明の一実施形態を以下図面と共に説明する。  
【実施例１】
【００２２】
図１は、実施例１のＩＣタグ１の平面図を示し、図２はＩＣタグ１の回路図を示す。  
ＩＣタグ１は、通信周波数として１３．５６ＭＨｚを用いて非接触通信するＲＦ−ＩＤタグである。このＩＣタグ１は、ＩＣ１１（ペアチップＩＣ１１）を実装するストラップ基板１２を有するモジュール２０と、樹脂製基材１３の上に形成した巻き線コイル１４の終端部１５とが機械的に締結された構造である。そして、ある一定の温度により破断、あるいは抵抗値が増加するセンシング配線回路１６がストラップ基板１２上に設けられ、このセンシング配線回路１６がＩＣ１１に接続されている。
【００２３】
樹脂製基材１３は、３８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製フィルムにより構成されている。この樹脂製基材１３の片面には、９μｍ厚のＣｕ（銅）、あるいは１５μｍ厚のＡｌ（アルミニウム）をエッチングして成る渦巻き状導体パターン１４が設けられている。
【００２４】
モジュール２０のストラップ基板１２は、２５μｍのＰＥＴフィルム基材により構成されている。このストラップ基板１２の片面には、ＩＣ１１と、このＩＣ１１に接続されたセンシング配線回路１６および３５μｍ厚のアルミ配線回路１２ａ，１２ｂが設けられている。センシング配線回路１６は、周囲温度によって抵抗値が変化するＰＴＣインク材料を用いてストラップ基板１２上に印刷形成されている。このように構成されたモジュール２０は、巻き線コイル１４を跨ぐような形態で該巻き線コイル１４の両終端部１５に接続されている。
【００２５】
図２の回路ブロック図に示すように、ＩＣ１１内には、同調コンデンサ１７、整流回路１８、平滑コンデンサ１９、記憶部２３、および変化検出回路２４が設けられている。
【００２６】
同調コンデンサ１７は、巻き線コイル１４と並列に設けられており、整流回路１８に接続されている。整流回路１８の後段には、平滑コンデンサ１９、記憶部２３、および変化検出回路２４が接続されている。
【００２７】
記憶部２３の記憶全体にアクセスできる接続ライン２３ａは、平滑コンデンサ１９と並列に整流回路１８に接続されている。  
変化検出回路２４は、記憶部２３のうちの特定のメモリブロック２３ｂに直結されている。また変化検出回路２４には、センシング配線回路１６が接続されている。このセンシング配線回路１６は、ＩＣタグ１の周囲環境が設定を超えて変化した場合に抵抗値が大きくなる抵抗変化部１６ａを備えている。
【００２８】
このセンシング配線回路１６は、抵抗変化部１６ａの抵抗値が大きくなると変化検出回路２４を介してのメモリブロック２３ｂへの入力電圧が高くなってＯＮ状態になり、記憶部２３のメモリブロック２３ｂに１または０を書き込む。従って、変化検出回路２４は、当該メモリブロック２３ｂのみのデータを直接的に書き換えることができる。そして、接続ライン２３ａから記憶部２３にアクセスされたとき、書き換えられたメモリブロック２３ｂのデータを含む全体データが読取られる。
【００２９】
図３は、モジュール２０の製造工程の説明図であり、図４は、モジュール２０を、樹脂製基材１３上の巻き線コイル１４に接続してＩＣタグ１を製造する工程の説明図である。
【００３０】
（工程Ａ）
まず、２５μｍ厚の耐熱性ＰＥＴフィルムで形成されたストラップ基板１２上に３５μｍ厚のアルミ箔７１が接着されたＡｌ−ＰＥＴ積層材を用意する。
【００３１】
（工程Ｂ）
次に、前記積層材上のアルミ箔７１上に、所要パターン回路形状にレジストマスク７２を印刷形成する。
【００３２】
（工程Ｃ）
従来公知のエッチング法を用いて、アルミ配線回路１２ａ，１２ｂ，１２ｃを作成する。ここで、アルミ配線回路１２ａ，１２ｂは、後に巻き線コイル１４と接続するための配線回路であり、アルミ配線回路１２ｃは、センシング配線回路１６を接続するための配線回路である。
【００３３】
（工程Ｄ）
次に、上記エッチング工程で使用したレジストマスク７２を剥離する。
【００３４】
（工程Ｅ）
周囲温度４０℃付近で急激に抵抗値が高くなる特性をもったＰＴＣインクを、スクリーン印刷法等により１０μｍ厚程度に印刷してセンシング配線回路１６を形成する。このＰＴＣインクは、一度温度上昇によって抵抗値が高まると、その後に周囲温度が下がっても高まった抵抗値を維持する不可逆性の性質を有している。このセンシング配線回路１６は、図１に示すようにＩＣ１１を実装する回路形態に形成する。
【００３５】
なお、本実施例では、該センシング配線回路１６の先端をＩＣ１１の接続用電極１１ａ（以下Ｂｕｍｐ）が位置するアルミ配線回路１２ｃの表面を覆うように形成した。これにより、ＩＣ１１を実装する電極であるアルミ配線回路１２ａと、センシング配線回路１６の厚みが極端に異なる場合、本方法によってこの段差を小さく抑えることができる。
【００３６】
（工程Ｆ）
次に、ＩＣ１１を実装するアルミ配線回路１２ａ，１２ｂ，１２ｃといった電極上に、ポリオレフィン系、あるいはポリエチレン系の熱可塑性接着剤７３を塗布する。この塗布は、スクリーン印刷法等を使って、ＩＣ１１が実装される個所のみへ塗布することもできるが、生産性が良好なロールコータ等を使って基板表面全面に塗布してもよい。
【００３７】
（工程Ｇ）
最後に、ＩＣ１１を、前工程の熱可塑性接着剤７３上に配置し、特開２００１−１５６１１０で提案されている公知の方法を用いて配線回路上に実装する。
【００３８】
すなわち、ＩＣ１１は，その底面から接続用電極（Ｂｕｍｐ）１１ａを突出させた、いわゆる表面実装型部品として構成されている。ＩＣ１１の底部から突出する金接続用電極１１ａに超音波振動を負荷し、アルミ配線回路１２ａ，１２ｂ，１２ｃの表面上の接着剤を振動により機械的に除去し、さらに振動による摩擦熱により加熱して金属融着を発生させて、接合を行う。
【００３９】
この実装方法は、上記ＩＣ１１を所定位置に配置した後、負荷圧力０．２Ｋｇ／ｍｍ２下で振動数４０ＫＨｚの超音波振動を、数秒程度加えることにより実施される。
【００４０】
ただし、本ＩＣ１１の実装方法としては、従来公知のＡＣＦ（異方導電性ペースト）、あるいは導電性接着剤を用いた方法を用いることもできる。  
尚、本実施例で使用したストラップ基板１２として、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ、ＰＰＳフィルム等の耐熱性基材を用いてもよい。
【００４１】
次に、図４と共に、上記工程により作製されたモジュール２０を、樹脂製基材１３の上に形成した巻き線コイル１４に、特開２００１−１５６１１０で提案されている方法を用いて接続する工程について説明する。  
（工程Ｉ）
まず第１の工程として、Ｃｕ−ＰＥＴ積層基材を用意する。このＣｕ−ＰＥＴ積層基材は、例えば３８μｍ厚のＰＥＴフィルムで構成した樹脂製基材１３の片面に、ウレタン系接着剤を介して１０μｍ厚のＣｕ箔８１を重ね、これを１５０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを経て積層接着させる。これにより、ＰＥＴフィルムの面にＣｕ箔８１が接着されたＣｕ−ＰＥＴ積層材が完成する。
【００４２】
（工程Ｊ）
次に、前記積層材のＣｕ箔８１表面上にコイル形状のエッチングレジストパターン８２を形成する。すなわち、コイルの特性として必要なＬ値、Ｑ値を得るターン数、線幅、ピッチ、内外周をもつコイル形状に、例えばグラビア印刷法を用いて絶縁性のエッチングレジストインキをＣｕ箔上に印刷する。
【００４３】
この時のレジストインキとしては、熱又は活性エネルギー線で硬化するタイプのものを使用する。活性エネルギー線としては紫外線または電子線を使用し、紫外線を用いる場合にはレジストインキに光重合剤を入れて使用する。
【００４４】
（工程Ｋ）
上記工程により形成されたエッチングレジストから露出するＣｕ箔部分を、従来公知のエッチングを行うことにより除去し、アンテナとして機能する渦巻き状導体パターンである巻き線コイル１４を形成する。
【００４５】
（工程Ｌ）
次に、モジュール２０のアルミ配線回路１２ａ，１２ｂを、巻き線コイル１４の終端部１５に配置する。そして、圧子８３をモジュール２０のアルミ配線回路１２ａ，１２ｂの直上部に負荷圧力０．２Ｋｇ／ｍｍ２、振動数４０ｋＨｚの超音波振動８４を付加しながら約０．５秒間押し当て、モジュール２０と巻き線コイル１４を接続する。
【００４６】
尚、本実施例では本工程に於いて超音波接合法によるモジュール２０の実装法を例示したが、これを異方導電ペースト、あるいはハンダ、導電ペースト等を使用して実施してもよい。
【００４７】
以上の方法により製造したＩＣタグ１により、周囲の環境温度が所定値以上になると抵抗変化部１６ａの抵抗が高まり、変化検出回路２４によりメモリブロック２３ｂのデータを直接書き換えることが可能な状態となる。ＩＣタグ１がリーダーからの誘導起電力を受けて起動したとき、抵抗変化部１６ａの抵抗が予め設定された一定値以上に高まっていれば、メモリブロック２３ｂのデータがこの瞬間に書き換えられる。従って、ＩＣタグ１がリーダーに応答するＩＤは、メモリブロック２３ｂのデータが書き換えられた異常時のＩＤとなる。これにより、ＩＣタグ１は、環境変化があったことを報知することができる。
【００４８】
センシング配線回路１６の抵抗変化部１６ａに、環境変化によって抵抗値が上がると元の抵抗値に戻らない不可逆性の材料を用いたため、電源を持たないパッシブタイプのＩＣタグ１であっても、過去に環境変化があったことを確実に検知し報知できる。
【００４９】
また、ＩＣ１１の接続用電極１１ａとセンシング配線回路１６とを接続する接続部分には、アルミ配線回路１２ｃを備えたため、段差を軽減して良好に接続することができる。すなわち、アルミ配線回路１２ｃがなければ、図３に図示した左右の接続用電極１１ａに対する段差は、３５μｍ厚のアルミ配線回路１２ａと１０μｍ厚のセンシング配線回路１６との厚み差であるから、２３μｍとなる。しかし、本実施例では、３５μｍ厚のアルミ配線回路１２ｃを備えたことにより、左右の段差を１０μｍ厚に抑えることができ、段差を少なくして良好に接続することができる。
【００５０】
また、アナログ回路のままで抵抗変化部１６ａを変化検出回路２４越しにメモリブロック２３ｂに接続しているため、アナログ処理でメモリブロック２３ｂの書き換えを実行でき、ＡＤ変換の必要がなく安価にＩＣタグ１を製造できる。
【００５１】
また、センシング配線回路１６を小型のストラップ基板１２の表面に印刷によって形成するため、回路印刷のための装置を小型化できる。  
また、センシング配線回路１６を小型のストラップ基板１２の表面に印刷によって形成するため、高温度の熱処理を要するセンシング配線回路１６の形成に際して、高額な耐熱材料が必要なストラップ基板１２の使用面積を減らすことが可能となる。
【実施例２】
【００５２】
図５は、実施例２のＩＣタグ１ＡにおけるＩＣ１１Ａの回路ブロック図を示す。  
この実施例２では、変化検出回路２４にコンパレータ２５が設けられている。このコンパレータ２５は、センシング配線回路１６からの信号が一定以上であればメモリブロック２３ｂのデータを書き換え、センシング配線回路１６からの信号が一定以下であれば何もしない回路である。その他の点については、実施例１と同一であるので、同一要素に同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５３】
以上の構成により、実施例２のＩＣタグ１Ａは、実施例１と同様の効果を得ることができる。また、コンパレータ２５を備えたことにより、検知したい環境条件を実施例１より正確に調節することができる。
【００５４】
また、センシング配線回路１６による電圧変化を変化検出回路２４内の抵抗３２よる電圧と比較することで、センシング配線回路１６の周囲環境よる変化の設計自由度を増すことができる。
【実施例３】
【００５５】
図６は、実施例３のモジュール２０の拡大平面図であり、図７は、ＩＣタグ１Ｂのブロック図である。  
この実施例では、センシング配線回路１６に２つの抵抗変化部１６ａ，１６ｂが設けられている。この抵抗変化部１６ａ，１６ｂは、それぞれ抵抗値が変化する温度値が異なるインク材を用いて独立して形成されている。
【００５６】
また、図７に示すように、コンパレータ２５が２つ設けられている。この複数のコンパレータ２５は、駆動する条件が異なるように、抵抗値が変化する温度値が異なるインク材を用いて並列に構成されている。そして、複数のコンパレータ２５は、それぞれが異なるメモリブロック２３ｂに個別に直結されている。従って、どのメモリブロック２３ｂのデータが書き換えられているかにより、どのような環境に放置されたか（特に本実施例では何度の環境に放置されたか）をそれぞれ検知および報知することができる。
【００５７】
以上の構成により、実施例２と同様の効果を得ることができる。また、環境変化に対応した入力信号を２段階に設定でき、メモリブロック２３ｂにより監視する環境を複数設定することができる。
【実施例４】
【００５８】
図８は、ＵＨＦ（８５０〜９５０ＭＨｚ）帯の通信周波数を用いる実施例４のＩＣタグ１Ｂの平面図を示す。  
この実施例では、樹脂製基材６３の片面に形成されているアンテナ６４の形状等が異なる程度であり、その他の構成おおび動作については実施例１〜３と同一である。
【００５９】
以上の構成により、実施例１〜３と同一の効果を奏することができる。
【実施例５】
【００６０】
図９は、実施例５のＩＣタグ１Ｄの平面図を示す。この実施例５のＩＣタグ１Ｄは、アンテナ９４にＩＣ１１が直接実装されている。
【００６１】
この場合、センシング配線回路１６は、樹脂製基材９３上に形成すると良い。また、アンテナ９４の両端をＩＣ１１が実装できる位置に配置するために、アンテナ９４を跨ぐためのジャンパー線９２を形成すると良い。このジャンパー線９２は、絶縁性の基材シート９１の上に設け、ジャンパー線９２がアンテナ９４と接触しないように構成すると良い。  
以上の構成により、実施例１〜４と同様の効果を得ることができる。
【実施例６】
【００６２】
図１０は、実施例６のＩＣタグ１Ｅの平面図を示し、図１１は、実施例６のＩＣ１１付近の縦断面説明図を示す。  
この実施例では、実施例１〜３で用いたセンシング配線回路１６の代わりに、環境変化検知センサ２８を用いている。
【００６３】
環境変化検知センサ２８は、一端がＩＣ１１に接続されている２つの導体回路２２と、この２つの導体回路２２を接続する配線回路２１と、導体回路２２と配線回路２１の接続部間に存在する酸化物２７とで構成されている。
【００６４】
配線回路２１は、３５μｍのアルミ配線回路により構成されている。  
導体回路２２は、配線回路２１の上に銀インクを印刷することで形成されている。  
酸化物２７は、金属酸化物であり、この実施例ではアルミニウムの酸化物が用いられている。
【００６５】
この酸化物２７が導体回路２２と配線回路２１の接続部間に存在しているため、２つ導体回路２２と配線回路２１の間には、この酸化物２７の層に起因する接触抵抗がある。この接触抵抗は、温度、雰囲気中の水分、酸化性ガスによる酸化物２７の成長に伴って高抵抗値に変化する。
【００６６】
アルミニウムの酸化物２７は、環境温度（周囲の温度）によって酸化する厚みの最大値が定まる性質を有している。このため、酸化物２７の厚みの増加による接触抵抗の増加によって、所定の温度以上の環境に所定時間以上置かれたことを検知することが可能である。
【００６７】
この実施例６のＩＣタグ１Ｅを製造する工程は、実施例１で説明した工程Ｅを次のように変えたものである。
【００６８】
（工程Ｅ）
２つの配線回路２１を接続するような形態で、配線回路２１上に導体回路２２を形成する。この導体回路２２は、銀、あるいはカーボン等の導電粒子、エポキシ樹脂等のバインダ、イソホロン等の溶剤から成る導電インクをスクリーン印刷等により印刷し、１５０℃、１０分程度で加熱、乾燥する方法で形成する。
【００６９】
この時の加熱、乾燥工程により、導体回路２２とアルミニウムの配線回路２１間には、数オングストロームのアルミ酸化物２７が、導体回路２２と配線回路２１の接触を疎外する形態で形成される。このアルミ酸化物２７は絶縁体であるが、通常、該酸化物２７が数オングストロームの厚みであれば、電子が薄い絶縁体を透過するトンネル効果によって電気が流れる。本工程においては、表面に塗布した導電インクが外気の酸素と配線回路２１の表面を遮断することで、酸化物２７の成長が数オングストロームに抑えられる。
【００７０】
さらに、この時形成された導体回路２２は、加熱、乾燥によりインクを構成していた溶剤が蒸発し、内部に空孔を多数介在した層として構成される。このため、酸化物２７は、後の高温度、あるいは酸素濃度の高い高湿度化に長時間放置されることによって成長し、数十オングストローム（数ｎｍ）の厚みになるとトンネル効果がなくなり絶縁体化する。この絶縁体化は、電極全体で同時に生じることはなく部分的に生じるため、導体回路２２と配線回路２１間の電気抵抗値の増加になる。
【００７１】
その他の構成および製造工程は、実施例１〜３と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００７２】
以上のＩＣタグ１Ｅにより、実施例１〜３と同様の効果を奏することができる。  
また、酸化物２７の酸化成長は、時間経過に伴ってゆっくり行われるため、単に一定温度を超えたという検知ではなく、一定以上の温度に何時間置かれたかという計時要素を含む検知を行うことができる。
【００７３】
なお、上述した各実施例では、パッシブタイプのＩＣタグ１を用いたが、これに限らず、電池を備えたアクティブタイプのＩＣタグに利用しても構わない。
【００７４】
また、周囲環境として温度を検知する構成にしたが、光で抵抗値が変わるデバイスを用いるなど、他のデバイスにより検知するように構成しても良い。
【００７５】
この発明の構成と、上述の実施形態との対応において、
この発明の非接触ＩＣ媒体は、実施形態のＩＣタグ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅに対応し、
以下同様に、
アンテナ基板は、樹脂製基材１３に対応し、
アンテナは、巻き線コイル１４に対応し、
回路素子は、抵抗変化部１６ａ，１６ｂに対応し、
変化手段は、抵抗変化部１６ａ，１６ｂ、または配線回路２１と導体回路２２と酸化物２７に対応し、
２つの導電体は、配線回路２１および導体回路２２に対応し、
記憶手段は、記憶部２３に対応し、
書込手段は、変化検出回路２４に対応し、
金属酸化物は、酸化物２７に対応するも、
この発明は、上述の実施形態の構成のみに限定されるものではなく、多くの実施の形態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】ＩＣタグの平面図。
【図２】ＩＣタグの回路図。
【図３】モジュールの製造工程の説明図。
【図４】ＩＣタグを製造する工程の説明図。
【図５】実施例２のＩＣの回路図。
【図６】実施例３のモジュールの拡大平面図。
【図７】実施例３のＩＣタグのブロック図。
【図８】実施例４のＵＨＦ帯の通信周波数を用いるＩＣタグの平面図。
【図９】実施例５のＩＣタグの平面図。
【図１０】実施例６のＩＣタグの平面図。
【図１１】実施例６のＩＣ付近の縦断面説明図。
【符号の説明】
【００７７】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｄ，１Ｅ…ＩＣタグ、１３…樹脂製基材、１４…巻き線コイル、１６ａ，１６ｂ…抵抗変化部、２１…配線回路、２２…導体回路、２３…記憶部、２３ｂ…メモリブロック、２４…変化検出回路、２７…酸化物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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