(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有し、前記第１主面及び前記第２主面にて開口する貫通穴としての収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、
部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、長辺及び短辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、
前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記収容穴部の前記第２主面側開口を粘着テープでシールしたうえで、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容するとともに、シリコーン系の粘着剤である前記粘着テープの粘着層に前記部品を貼り付ける収容工程と、
前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、
前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程と
を含む配線基板の製造方法において、
前記充填工程は、
前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、前記長辺を構成する部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から優先的に第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、
前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程と
からなり、前記第１の樹脂充填剤は、樹脂にガラスフィラーを添加した材料で構成され、前記第１充填工程では、硬化開始温度よりも低い温度で加熱を行いながら粘度を１０Ｐａ・ｓ以下に設定した前記第１の樹脂充填剤を用いて注入を行う
ことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１充填工程では、前記４つの部品側面のうち１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間のみから前記第１の樹脂充填剤を注入することを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１充填工程では、前記第１の樹脂充填剤の前記第１主面側の端面が少なくとも前記部品裏面と同じ高さに到達するように、前記第１の樹脂充填剤を注入することを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂充填剤及び前記第２の樹脂充填剤は、互いに同じ材料によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部にコンデンサなどの部品が収容されている部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常は、ＩＣチップを配線基板に内蔵してなるパッケージ（例えば特許文献１，２参照）や、ＩＣチップを配線基板上に搭載してなるパッケージなどを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。なお、ＩＣチップを搭載した配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。
【０００３】
ここで、ＩＣチップを内蔵した配線基板の製造方法の一例を図１５，図１６に基づいて説明する。まず、第１主面２０１及び第２主面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する。併せて、チップ裏面２０６上の複数箇所に端子２０７が配置されたＩＣチップ２０８を準備する。次に、第２主面２０２側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３の第２主面２０２側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にＩＣチップ２０８を収容する収容工程を行い、チップ裏面２０６を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する。次に、収容穴部２０３とＩＣチップ２０８との隙間に樹脂充填剤２１０を充填する充填工程と、樹脂充填剤２１０を硬化させてＩＣチップ２０８を固定する固定工程とを行う。この後、コア基板２０４の第１主面２０１及び第２主面２０２に対して、高分子材料を主体とする樹脂層間絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。
【特許文献１】特開２００３−３０９２４３号公報（図１など）
【特許文献２】特開２００２−２４６７６１号公報（図１４など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、充填工程を行う際に、収容穴部２０３とＩＣチップ２０８との間に生じた狭い隙間に対して樹脂充填剤２１０を進入させることは困難である。これに伴い、チップ裏面２０６において隣接する端子２０７の間に生じる隙間を樹脂充填剤２１０で埋めることも困難になるため、収容穴部２０３の底面中央付近にボイドＡ１が生じやすくなる。特に、ＩＣチップ２０８の端子２０７はコンデンサの表面電極よりも不規則に配置されているため、コンデンサを配線基板に内蔵する場合に比べてボイドＡ１が生じる可能性が高い。ゆえに、ボイドＡ１を起点として、ＩＣチップ２０８とコア基板２０４（またはビルドアップ層）との間などにクラックが発生しやすくなり、配線基板の信頼性が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、収容穴部と部品との隙間を確実に埋めることにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして上記課題を解決するための手段としては、第１主面及び第２主面を有し、前記第１主面及び前記第２主面にて開口する貫通穴としての収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、長辺及び短辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記収容穴部の前記第２主面側開口を粘着テープでシールしたうえで、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容するとともに、シリコーン系の粘着剤である前記粘着テープの粘着層に前記部品を貼り付ける収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、前記長辺を構成する部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から優先的に第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程とからなり、前記第１の樹脂充填剤は、樹脂にガラスフィラーを添加した材料で構成され、前記第１充填工程では、硬化開始温度よりも低い温度で加熱を行いながら粘度を１０Ｐａ・ｓ以下に設定した前記第１の樹脂充填剤を用いて注入を行うことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。
【０００７】
従って、上記の部品内蔵配線基板の製造方法によると、第１充填工程において、少なくとも１つの部品側面と収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入している。これに伴い、注入した第１の樹脂充填剤は、毛細管現象により、部品裏面に沿って移動して、隣接する突起状導体の間に生じる隙間に流れ込むため、収容穴部の底部にある空気は第１の樹脂充填剤によって収容穴部外に押し出される。その結果、隣接する突起状導体の間に生じる隙間を第１の樹脂充填剤で確実に埋めることができるため、ボイド等の発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。
【０００８】
以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。
【０００９】
コア基板準備工程では、上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。コア基板は、例えば第１主面及びその反対側に位置する第２主面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、第１主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいは第１主面側及び第２主面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。
【００１０】
コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００１１】
また、部品準備工程では、上記部品内蔵配線基板を構成する部品を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。部品は、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、収容穴部内に部品を収容した際に、収容穴部の内壁面と部品側面との距離が小さくなるため、収容穴部内に充填される樹脂充填剤の体積をそれ程大きくしなくても済む。また、部品は、４つの辺を有する平面視矩形状をなしている。ここで、「平面視矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。
【００１２】
なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。
【００１３】
上記部品を構成する前記突起状導体は、前記部品裏面上の複数箇所に配置されている。なお、突起状導体は、例えば金属材料を主体として形成される。突起状導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられるが、特に、前記突起状導体は、銅を主体として形成されていることが好ましい。このようにすれば、突起状導体を他の材料を主体として形成する場合よりも、突起状導体の低抵抗化が図られるとともに、突起状導体の導電性が向上する。
【００１４】
続く収容工程では、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する。なお、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部内に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部内に収容されていてもよいが、完全に埋設された状態で収容穴部内に収容されることが好ましい。このようにすれば、収容工程が終了した際に、収容穴部の開口部からの部品の突出を防止できる。よって、前記部品内蔵配線基板が、樹脂層間絶縁層及び導体層を前記第１主面及び前記樹脂層間絶縁層上にて積層した構造を有する配線積層部を備えている場合、第１主面に接する樹脂層間絶縁層の表面を平坦にすることができ、配線積層部の寸法精度が向上する。
【００１５】
続く充填工程では、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する。充填工程は、前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程とからなる。
【００１６】
前記充填工程において前記収容穴部内に収容される樹脂充填剤（第１の樹脂充填剤及び第２の樹脂充填剤）は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂充填剤を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。さらに、樹脂充填剤を形成するための高分子材料として、上記の樹脂にガラスフィラーを添加した材料等を使用してもよい。
【００１７】
なお、前記第１の樹脂充填剤及び前記第２の樹脂充填剤は、互いに同じ材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよいが、互いに同じ材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、第１の樹脂充填剤の充填に際して第２の樹脂充填剤とは別の材料を準備しなくても済む。換言すると、第２の樹脂充填剤の充填に際して第１の樹脂充填剤とは別の材料を準備しなくても済む。よって、部品内蔵配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、部品内蔵配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。
【００１８】
なお、「互いに同じ材料」とは、少なくとも前記第１の樹脂充填剤及び前記第２の樹脂充填剤の主体となる高分子材料が互いに同じであることをいう。さらに、第１の樹脂充填剤及び第２の樹脂充填剤は、互いに同程度の粘度を有していることがより好ましい。
【００１９】
なお、前記第１充填工程では、前記４つの部品側面のうち１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間のみから前記第１の樹脂充填剤を注入してもよい。このようにした場合、残り３つの部品側面と収容穴部の内壁面との隙間が空気の逃げ道となる。これにより、空気の逃げ道が多数確保され、収容穴部の底部にある空気を確実に収容穴部外に押し出すことができるため、隣接する突起状導体の間に生じる隙間を第１の樹脂充填剤で確実に埋めることができる。また、前記第１充填工程では、前記４つの部品側面のうち隣接する２つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入してもよい。このようにすれば、短時間で多量の第１の樹脂充填剤を注入できるため、部品内蔵配線基板を効率良く製造することができる。また、第１の樹脂充填剤の注入箇所が隣接しているため、空気の逃げ道が塞がれなくて済む。
【００２０】
ここで、前記部品が長辺及び短辺を有する平面視矩形状をなす場合、前記第１充填工程では、前記長辺を構成する部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から優先的に前記第１の樹脂充填剤を注入することが好ましい。このようにすれば、短辺を構成する部品側面と内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入する場合に比べて、短時間で多量の第１の樹脂充填剤を注入できるため、部品内蔵配線基板を効率良く製造することができる。しかも、第１の樹脂充填剤が部品裏面に沿って移動する際に、第１の樹脂充填剤の移動距離が短くて済む（即ち、第１の樹脂充填剤の移動距離が短辺の長さと略同一となる）ため、確実にかつ短時間で隣接する突起状導体の間に生じる隙間を埋めることができる。
【００２１】
なお、前記第１充填工程では、前記第１の樹脂充填剤の前記第１主面側の端面が少なくとも前記部品裏面と同じ高さに到達するように、前記第１の樹脂充填剤を注入することが好ましい。仮に、第１の樹脂充填剤の第１主面側の端面が部品裏面と同じ高さに到達しない場合、隣接する突起状導体の間に生じる隙間を完全に埋めることができないため、ボイドが発生しやすくなってしまう。
【００２２】
また、前記第１充填工程では、前記第１の樹脂充填剤の硬化開始温度よりも低い温度で加熱を行いながら、粘度を１０Ｐａ・ｓ以下に設定した前記第１の樹脂充填剤の注入を行うことが好ましい。このようにすれば、第１の樹脂充填剤が加熱されることによって流れやすくなるため、隣接する突起状導体の間に生じる隙間を第１の樹脂充填剤で埋めやすくなる。
【００２３】
続く固定工程では、前記樹脂充填剤（第１の樹脂充填剤及び前記第２の樹脂充填剤）を硬化させて前記部品を固定する。その後、配線積層部などが形成されると、部品内蔵配線基板が完成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板（以下「配線基板」という）１０は、ＩＣチップ内蔵用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１の第１主面１２（図１では下面）上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（配線積層部）と、コア基板１１の第２主面１３（図１では上面）上に形成される主面側ビルドアップ層３１とからなる。
【００２６】
コア基板１１の第２主面１３上に形成された主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の樹脂層間絶縁層３３，３５，３７と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。また、樹脂層間絶縁層３３，３５，３７内には、それぞれビア導体４３が設けられている。第３層の樹脂層間絶縁層３７の表面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続される端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト５０によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト５０の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、セラミックコンデンサ１０１の電源用電極１１１及びグランド用電極１１２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、セラミックコンデンサ１０１を搭載可能な搭載領域２０である。搭載領域２０は、主面側ビルドアップ層３１の表面３９に設定されている。さらに、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１との隙間には、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル材１００が充填されている。これにより、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１とが、界面が封止された状態で互いに固定される。
【００２７】
なお、図１〜図４等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４は、コンデンサ主面１０２（図１では上面）及びコンデンサ裏面１０３（図１では下面）を有する板状物である。
【００２８】
セラミック焼結体１０４は、セラミック誘電体層１０５を介して電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体１０４の内部において一層おきに配置されている。
【００２９】
図１〜図４に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向に延びるとともに、セラミック焼結体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。各ビアホール１３０内には、複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２を５列×５列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
【００３０】
そして図２等に示されるように、セラミック焼結体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の電源用電極１１１と複数のグランド用電極１１２とが突設されている。なお、各グランド用電極１１２は、コンデンサ裏面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。
【００３１】
図２等に示されるように、電極１１１，１１２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２の直径が約５００μｍに設定され、ピッチの最小長さが約５８０μｍに設定されている。
【００３２】
例えば、配線基板１０側から電極１１１，１１２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００３３】
図１に示されるように、コア基板１１の第１主面１２上に形成された前記裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の樹脂層間絶縁層３４，３６，３８と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。また、樹脂層間絶縁層３４，３６，３８内には、それぞれビア導体４７が設けられている。第３層の樹脂層間絶縁層３８の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト５１によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト５１の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３４】
図１に示されるように、本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、ガラスエポキシからなる基材１６１と、基材１６１の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材１６４と、同じく基材１６１の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層１６３とによって構成されている。また、コア基板１１には、複数のスルーホール導体１６が第１主面１２、第２主面１３及び導体層１６３を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１の第１主面１２側と第２主面１３側とを接続導通するとともに、導体層１６３に電気的に接続している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。スルーホール導体１６の上端は、樹脂層間絶縁層３３の表面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体１６の下端は、樹脂層間絶縁層３４の下面上にある導体層４２の一部に電気的に接続されている。さらに、コア基板１１は、第１主面１２の中央部及び第２主面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。
【００３５】
そして、収容穴部９０内には、ＩＣチップ２１（部品）が埋め込まれた状態で収容されている。なお、ＩＣチップ２１は、コア基板１１の第２主面１３とチップ裏面２３とを同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のＩＣチップ２１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９３ｍｍの板状物である。ＩＣチップ２１は、コア基板１１において前記搭載領域２０の真下の領域に配置されている。
【００３６】
図１，図５に示されるように、本実施形態のＩＣチップ２１は、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、部品主面である１つのチップ主面２２（図１では下面）、部品裏面である１つのチップ裏面２３（図１では上面）、及び、部品側面である４つのチップ側面２４，２５，２６，２７を有している。そして、チップ裏面２３上の複数箇所には、突起状導体であるバンプ２８が突設されている。本実施形態のバンプ２８は、銅めっきによって形成された略円筒状の銅ポスト（銅スタッド）である。なお、各バンプ２８の頂部の表面は、チップ主面２２及びチップ裏面２３とほぼ平行になっている。各バンプ２８の直径は、本実施形態では８０μｍに設定されている。また、チップ裏面２３から各バンプ２８の頂部までの高さは、５０μｍ以上であることが好ましく、本実施形態では７０μｍに設定されている。そして、各バンプ２８は、前記樹脂層間絶縁層３３内に設けられたビア導体４３に接続される。なお本実施形態では、説明の便宜上、バンプ２８を７列×７列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
【００３７】
図１等に示されるように、前記収容穴部９０とＩＣチップ２１との隙間は、第１の樹脂充填剤９２及び第２の樹脂充填剤９３によって埋められている。詳述すると、第１の樹脂充填剤９２は、樹脂層間絶縁層３３の第２主面１３側の面とＩＣチップ２１のチップ裏面２３との隙間を埋めており、例えば、隣接するバンプ２８の間に生じる隙間を埋めている。また、第２の樹脂充填剤９３は、収容穴部９０の内壁面９１とＩＣチップ２１のチップ側面２４〜２７との隙間を埋めている。これらの樹脂充填剤９２，９３は、ＩＣチップ２１を前記コア基板１１に固定する機能を有している。なお、第１の樹脂充填剤９２及び第２の樹脂充填剤９３は、互いに同じ高分子材料（本実施形態では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）を主体として形成され、互いに同じ粘度（本実施形態では３Ｐａ・ｓ）を有している。即ち、樹脂充填剤９２，９３の粘度は、従来の樹脂充填剤の粘度（１２〜１３Ｐａ・ｓ）よりも低く設定されている。
【００３８】
次に、本実施形態の配線基板１０の製造方法について述べる。
【００３９】
コア基板準備工程では、コア基板１１の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４０】
コア基板１１の中間製品は以下のように作製される。まず、縦４００ｍｍ×横４００ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの基材１６１の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層１６３を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材１６１の上面及び下面と導体層１６３とを粗化した後、基材１６１の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム（厚さ８０μｍ）を熱圧着により貼付し、サブ基材１６４を形成する。
【００４１】
次に、基材１６１及びサブ基材１６４からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部９０となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板１１の中間製品を得る（図６参照）。なお、コア基板１１の中間製品とは、コア基板１１となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
【００４２】
また、コンデンサ準備工程では、セラミックコンデンサ１０１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４３】
セラミックコンデンサ１０１は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
【００４４】
さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール１３０を多数個形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール１３０内に充填する。次に、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように電源用電極１１１及びグランド用電極１１２を形成する。
【００４５】
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極１１１，１１２をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体１０４となる。
【００４６】
次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２に対して無電解銅めっき（厚さ１０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が完成する。
【００４７】
さらに、ＩＣチップ準備工程（部品準備工程）では、チップ裏面２３上の複数箇所にバンプ２８が配置されたＩＣチップ２１を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
【００４８】
ＩＣチップ２１のバンプ２８は以下のように形成される。まず、ＩＣチップ２１のチップ裏面２３上にフォトレジスト材（厚さ７０μｍ）をラミネートする。次に、フォトレジスト材に対して露光及び現像を行い、チップ裏面２３上の導体部分を露出させる貫通孔（内径８０μｍ）を複数箇所に形成する。そして、フォトレジスト材を介してチップ裏面２３上の導体部分に対する電解銅めっきを行った後、フォトレジスト材を除去する。その結果、ＩＣチップ２１のチップ裏面２３上に高さ７０μｍのバンプ２８が形成される。
【００４９】
続く収容工程では、まず、収容穴部９０の第２主面１３側開口を、剥離可能な粘着テープ１７１でシールする。なお、粘着テープ１７１は、ヒータ（図示略）を備えた支持テーブル１７２によって支持されている。次に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、第１主面１２とチップ主面２２とを同じ側に向け、かつ、第２主面１３とチップ裏面２３とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にＩＣチップ２１を収容する（図７参照）。このとき、ＩＣチップ２１は、各バンプ２８の頂部の表面が粘着テープ１７１の粘着層に貼り付けられることにより仮固定される。
【００５０】
続く充填工程では、収容穴部９０とＩＣチップ２１との隙間に、ディスペンサ装置（Ａｓｙｍｔｅｋ社製）を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填剤９２，９３を充填する。具体的に言うと、第１充填工程では、まず、支持テーブル１７２のヒータを作動させ、第１の樹脂充填剤９２の硬化開始温度よりも低い温度で支持テーブル１７２の加熱を行う。なお、支持テーブル１７２の温度は、１００℃以下であることがよく、本実施形態では１００℃に設定されている。次に、３つのチップ側面２５，２６，２７と収容穴部９０の内壁面９１との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、１つのチップ側面２４と内壁面９１との隙間のみから、ディスペンサ装置を用いて液状の第１の樹脂充填剤９２を注入する（図８，図９参照）。即ち、第１充填工程では、第１の樹脂充填剤９２を全周（全てのチップ側面２４〜２７と内壁面９１との隙間）から供給しないようになっている。そして、注入した第１の樹脂充填剤９２は、毛細管現象によって粘着テープ１７１とＩＣチップ２１のチップ裏面２３との間に入り込み、チップ裏面２３に沿ってチップ側面２６側（図８，図９に示す矢印Ｆ１参照）に移動する。なお、粘着テープ１７１の粘着層はシリコーン系の粘着剤によって形成されているため、第１の樹脂充填剤９２は、粘着テープ１７１上をスムーズに移動する。その結果、第１の樹脂充填剤９２により、隣接するバンプ２８の間に生じる隙間が埋められる（図１０参照）。それとともに、第１の樹脂充填剤９２の第１主面１２側の端面が、チップ裏面２３と同じ高さに到達する。続く第２充填工程では、収容穴部９０の内壁面９１とＩＣチップ２１のチップ側面２４〜２７との隙間に、ディスペンサ装置を用いて液状の第２の樹脂充填剤９３を注入する。これにより、収容穴部９０とＩＣチップ２１との隙間が埋められるとともに、第２の樹脂充填剤９３の第１主面１２側の端面が第１主面１２及びチップ主面２２と同じ高さに到達する。（図１１参照）。
【００５１】
続く固定工程では、樹脂充填剤９２，９３を硬化させることにより、ＩＣチップ２１を収容穴部９０内に固定する。具体的には、１２０℃で加熱処理を１時間行うと、第１の樹脂充填剤９２が硬化すると同時に第２の樹脂充填剤９３が硬化して、第１の樹脂充填剤９２と第２の樹脂充填剤９３とが互いに馴染んで一体化し、ＩＣチップ２１がコア基板１１に固定される。そして、固定工程後、粘着テープ１７１を剥離する。その後、コア基板１１の第１主面１２及び第２主面１３や、バンプ２８の頂部の表面などの粗化を行う。
【００５２】
次に、従来周知の手法に基づいて第２主面１３の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、第１主面１２の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、第２主面１３及び各バンプ２８上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３３を形成する（図１２参照）。また、第１主面１２及びチップ主面２２に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層３４を形成する（図１２参照）。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００５３】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層３３を貫通するビア孔を形成し、ＩＣチップ２１のチップ裏面２３に突設されたバンプ２８の頂部の表面を露出させる。
【００５４】
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板１１及び樹脂層間絶縁層３３，３４を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層３３，３４の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層３３，３４上に導体層４２がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体１６が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体４３が形成される。その後、スルーホール導体１６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１７を形成する。
【００５５】
次に、樹脂層間絶縁層３３，３４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する樹脂層間絶縁層３５，３６を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３５，３６上に導体層４２をパターン形成する。
【００５６】
次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔（図示略）を有する樹脂層間絶縁層３７，３８を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体４３，４７が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体４３，４７を形成するとともに、樹脂層間絶縁層３７上に端子パッド４４を形成し、樹脂層間絶縁層３８上にＢＧＡ用パッド４８を形成する。
【００５７】
次に、樹脂層間絶縁層３７，３８上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト５０，５１を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト５０，５１に開口部４０，４６をパターニングする。さらに、端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成し、かつ、ＢＧＡ用パッド４８上にはんだバンプ４９を形成する。なお、この状態のものは、配線基板１０となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる。
【００５８】
次に、配線基板１０を構成する主面側ビルドアップ層３１の搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１を載置する。このとき、セラミックコンデンサ１０１側の電極１１１，１１２と、はんだバンプ４５とを位置合わせするようにする。そして、２２０℃〜２４０℃程度の温度に加熱してはんだバンプ４５をリフローすることにより、はんだバンプ４５と電極１１１，１１２とを接合し、配線基板１０側とセラミックコンデンサ１０１側とを電気的に接続する。さらに、配線基板１０とセラミックコンデンサ１０１との隙間にアンダーフィル材１００を充填して硬化処理を行い、前記隙間を樹脂封止する。その結果、搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１が搭載される（図１参照）。
【００５９】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６０】
（１）本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、第１充填工程において、チップ側面２５〜２７と内壁面９１との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外のチップ側面２４と内壁面９１との隙間から第１の樹脂充填剤９２を注入している（図８，図９参照）。これに伴い、第１の樹脂充填剤９２は、毛細管現象により、チップ裏面２３に沿って移動して隣接するバンプ２８の間に生じる隙間に流れ込むため、チップ裏面２３と粘着テープ１７１との間にある空気は、第１の樹脂充填剤９２によってチップ側面２５〜２７と内壁面９１との隙間から収容穴部９０外に押し出される。その結果、隣接するバンプ２８の間に生じる隙間を第１の樹脂充填剤９２で確実に埋めることができ、空気が収容穴部９０内に残ることに起因したボイドの発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた配線基板１０を得ることができる。
【００６１】
（２）本実施形態の第１充填工程では、１つのチップ側面２４と内壁面９１との隙間のみから第１の樹脂充填剤９２を注入している。即ち、残り３つのチップ側面２５〜２７と内壁面９１との隙間が空気の逃げ道となる。これにより、空気の逃げ道が多数確保され、収容穴部９０の底部にある空気を確実に収容穴部９０外に押し出すことができるため、隣接するバンプ２８の間に生じる隙間を第１の樹脂充填剤９２で確実に埋めることができる。
【００６２】
（３）本実施形態のバンプ２８は、銅めっきによって形成された銅ポスト（銅スタッド）であるため、バンプ２８を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、バンプ２８の導電性が向上する。
【００６３】
（４）本実施形態では、ＩＣチップ２１が搭載領域２０に搭載されたセラミックコンデンサ１０１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００６４】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００６５】
・上記第１充填工程では、１つのチップ側面２４と内壁面９１との隙間のみから第１の樹脂充填剤９２を注入していた。しかし図１３に示されるように、第１充填工程では、隣接する２つのチップ側面２４，２５と内壁面９１との隙間から第１の樹脂充填剤９２を注入するようにしてもよい。この場合、注入した第１の樹脂充填剤９２は、毛細管現象によって粘着テープ１７１とＩＣチップ２１のチップ裏面２３との間に入り込み、チップ裏面２３に沿ってチップ側面２６とチップ側面２７との接続部分に向かって（図１３に示す矢印Ｆ２参照）移動する。このようにすれば、短時間で多量の第１の樹脂充填剤９２を注入できるため、配線基板１０を効率良く製造することができる。また、第１の樹脂充填剤９２の注入箇所が隣接しているため、空気の逃げ道が塞がれなくて済む。
【００６６】
・図１４に示されるように、ＩＣチップ２１が長辺及び短辺を有する平面視矩形状をなす場合、第１充填工程において、長辺を構成するチップ側面２４と内壁面９１との隙間から優先的に第１の樹脂充填剤９２を注入するようにしてもよい。この場合、注入した第１の樹脂充填剤９２は、毛細管現象によって粘着テープ１７１とＩＣチップ２１のチップ裏面２３との間に入り込み、チップ裏面２３に沿ってチップ側面２６側（図１４に示す矢印Ｆ３参照）に移動する。このようにすれば、短辺を構成するチップ側面２５，２７と内壁面９１との隙間から第１の樹脂充填剤９２を注入する場合に比べて、短時間で多量の第１の樹脂充填剤９２を注入できるため、配線基板１０を効率良く製造することができる。
【００６７】
・上記実施形態の第２充填工程では、収容穴部９０の内壁面９１とＩＣチップ２１のチップ側面２４〜２７との隙間に、ディスペンサ装置を用いて第２の樹脂充填剤９３を注入することにより、収容穴部９０とＩＣチップ２１との隙間を埋めていた。しかし、内壁面９１とチップ側面２４〜２７との隙間を、樹脂層間絶縁層３３の一部によって埋めるようにしてもよいし、樹脂を印刷することによって埋めるようにしてもよい。
【００６８】
・上記実施形態の配線基板１０では、搭載領域２０にセラミックコンデンサ１０１が搭載されていたが、搭載領域２０に、チップコンデンサ、レジスター、ＩＣチップ、ＤＲＡＭ素子などの他の表面実装部品を搭載してもよい。
【００６９】
・上記実施形態では、ＩＣチップ２１のバンプ２８が、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）であった。しかし、バンプ２８は、例えばチップ裏面２３上に銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよいし、チップ裏面２３上にはんだボールを載置してリフローさせることによって形成された導体であってもよい。
【００７０】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７１】
（１）第１主面及び第２主面を有し、少なくとも前記第１主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程とからなり、前記第１の樹脂充填剤及び前記第２の樹脂充填剤は、液状の熱硬化性樹脂であることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７２】
（２）第１主面及び第２主面を有し、少なくとも前記第１主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所にバンプが配置され、前記部品裏面から前記バンプの頂部までの高さが５０μｍ以上に設定された部品としての半導体集積回路素子を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記半導体集積回路素子を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記半導体集積回路素子を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記バンプの間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間を埋める第２充填工程とからなることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７３】
（３）第１主面及び第２主面を有し、前記第１主面及び前記第２主面の両方にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記収容穴部の前記第２主面側開口を粘着層を有する粘着テープで塞ぐとともに、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記４つの部品側面のうち、少なくとも１つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程とからなり、前記固定工程後に前記粘着テープを除去することを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００７４】
（４）第１主面及び第２主面を有し、少なくとも前記第１主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び４つの部品側面を有し、４つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第２主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記４つの辺のうち、少なくとも１辺側からの前記収容穴部の内壁面と前記部品との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の辺側から前記収容穴部の内壁面と前記部品との隙間に第１の樹脂充填剤を注入し、注入した第１の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第１充填工程と、前記第１充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第２の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第２充填工程とからなることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図４】セラミックコンデンサの内層における接続を説明するための概略説明図。
【図５】コア基板、ＩＣチップのバンプ、第１の樹脂充填剤などを示す説明図。
【図６】配線基板の製造方法の説明図。
【図７】配線基板の製造方法の説明図。
【図８】配線基板の製造方法の説明図。
【図９】配線基板の製造方法の説明図。
【図１０】配線基板の製造方法の説明図。
【図１１】配線基板の製造方法の説明図。
【図１２】配線基板の製造方法の説明図。
【図１３】他の実施形態における配線基板の製造方法の説明図。
【図１４】他の実施形態における配線基板の製造方法の説明図。
【図１５】従来技術における配線基板の製造方法の説明図。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線断面図。
【符号の説明】
【００７６】
１０…部品内蔵配線基板（配線基板）
１１…コア基板
１２…第１主面
１３…第２主面
２１…部品としてのＩＣチップ
２２…部品主面としてのチップ主面
２３…部品裏面としてのチップ裏面
２４，２５，２６，２７…部品側面としてのチップ側面
２８…突起状導体としてのバンプ
９０…収容穴部
９１…収容穴部の内壁面
９２…樹脂充填剤としての第１の樹脂充填剤
９３…樹脂充填剤としての第２の樹脂充填剤
【図１】
0005095456.tif 000002
【図２】
0005095456.tif 000003
【図３】
0005095456.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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