(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束により誘導起電力を得るアンテナであって、磁性体材料によって形成された第１の磁性層と、磁性体材料によって形成された第２の磁性層と、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層間に挿設された導電体材料による薄膜コイルと、該薄膜コイルの中心部を貫通して前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層を磁気的に接続する磁性体材料によって形成された貫通磁性体とを備えており、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層は磁束が前記貫通磁性体に集められるように該貫通磁性体と磁気的に接続されており、該貫通磁性体を形成する磁性体材料の透磁率が前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層を形成する磁性体材料の透磁率より高いことを特徴とする薄膜コイルを備えたアンテナ。
【請求項２】
前記第１の磁性層が、非磁性体材料によって形成された基板上に積層された軟磁性材料による磁性層であることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記第１の磁性層が、磁性体材料によって形成された基板であることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記第１の磁性層の全面上又は一部上に形成された絶縁体材料による絶縁層をさらに備えており、該絶縁層上に前記薄膜コイルが形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記薄膜コイルが、前記絶縁層上に前記貫通磁性体を取り囲むようにスパイラル状に形成された少なくとも１層のコイルであることを特徴とする請求項４に記載のアンテナ。
【請求項６】
前記薄膜コイル上及び前記薄膜コイル間に形成された絶縁体材料によるコイル絶縁層と、前記第２の磁性層上に積層された絶縁体材料による保護層とをさらに備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項７】
前記薄膜コイルの両端に電気的に接続された導電体材料による１対の接続パッドと、該１対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されており当該アンテナの側面にそれぞれ設けられた導電体材料による１対の側面電極とをさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項８】
前記貫通磁性体が、前記薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内壁面上のみに形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項９】
前記貫通磁性体が、前記薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内部に空間無しに充填されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のアンテナ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載のアンテナと、該アンテナの少なくとも１つの面に磁気的に接合された磁性体材料による磁性シートとを備えたことを特徴とするアンテナシステム。
【請求項１１】
磁束により誘導起電力を得るアンテナの製造方法であって、磁性体材料によって形成された第１の磁性層の全面上又は一部上に絶縁層を絶縁体材料によって形成する工程と、該絶縁層上に所定パターンの薄膜コイルを導電体材料によって形成する工程と、前記薄膜コイルの中心部を貫通する貫通磁性体を磁性体材料によって形成する工程と、該貫通磁性体によって前記第１の磁性層と磁気的に接続された第２の磁性層を磁性体材料によって形成する工程とを備えており、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層の磁束が前記貫通磁性体に集められるように該第１の磁性層及び該第２の磁性層を前記貫通磁性体に磁気的に接続し、前記貫通磁性体を形成する磁性体材料として、前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層を形成する磁性体材料の透磁率より高い透磁率を有する磁性体材料を用いることを特徴とするアンテナの製造方法。
【請求項１２】
非磁性体材料によって形成された基板上に前記第１の磁性層を積層する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の磁性層として磁性体材料によって形成された基板を用意する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜コイルを形成する工程が、前記絶縁層上にスパイラル状に形成された少なくとも１層のコイルを導電体材料によって形成する工程であることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜コイルを形成する工程が、前記絶縁層上に第１層のコイルを導電体材料によって形成し、該第１層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、該形成したコイル絶縁層上に第２層のコイルを導電体材料によって形成し、該第２層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜コイルを形成する工程が、前記絶縁層上に第１層のコイルを導電体材料によって形成し、該第１層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、該形成したコイル絶縁層の表面を平坦化し、その上に第２層のコイルを導電体材料によって形成し、該第２層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜コイルの両端に電気的に接続される１対の接続パッドを導電体材料によって形成する工程と、該１対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されており当該アンテナの側面に１対の側面電極を導電体材料によって形成する工程とをさらに備えたことを特徴とする請求項１１から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の磁性層上に保護層を絶縁体材料によって形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１１から１７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記貫通磁性体を形成する工程が、第２の磁性層を形成する工程において、前記薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面上のみに磁性体を形成する工程であることを特徴とする請求項１１から１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記貫通磁性体を形成する工程が、第２の磁性層を形成する工程において、前記薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面に磁性体を形成する工程と、前記スルーホールの内部に空間無しに磁性体を充填する工程であることを特徴とする請求項１１から１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コイルを備えたアンテナ、このアンテナを用いたアンテナシステム及びアンテナの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機やこれより小型の電子機器内に搭載されるアンテナとして、薄膜コイルを用いた積層型平板アンテナコイルが知られている(例えば特許文献１)。
【０００３】
この特許文献１に開示されているアンテナは、積層方向に連続して周回する巻線形の平板状の積層コイルと、その内側部分に磁性体層を積層することによって形成されたコイル巻芯部を構成する磁性体層とから成っている。
【０００４】
【特許文献１】特公平２−６４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されているアンテナによると、ある程度の小型化は可能であるが、コイル部分を通過する磁束量を大きくすることができないため、小型化するにつれて誘導起電力も大幅に低減してしまい、アンテナとしての機能を充分に発揮できない不都合が生じる。
【０００６】
従って本発明の目的は、小型化しつつも充分高い誘導起電力を得ることができる薄膜コイルを備えたアンテナ、アンテナシステム及びアンテナの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、磁性体材料によって形成された第１の磁性層と、磁性体材料によって形成された第２の磁性層と、第１の磁性層及び第２の磁性層間に挿設された導電体材料による薄膜コイルと、薄膜コイルの中心部を貫通して第１の磁性層及び第２の磁性層を磁気的に接続する磁性体材料によって形成された貫通磁性体とを備えた、薄膜コイルを備えたアンテナが提供される。
【０００８】
薄膜コイルの上下に第２及び第１の磁性層が配置されているため、薄膜コイル内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイルの中心部を貫通する貫通磁性体がこれら第１及び第２の磁性層を磁気的に接続しているので、第１及び第２の磁性層に入力された磁束がこの貫通磁性体に集められるため、薄膜コイル内を通過する磁束量がさらに大幅に増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
【０００９】
第１の磁性層が、非磁性体材料によって形成された基板上に積層された軟磁性材料による磁性層であるか、又は磁性体材料によって形成された基板であることが好ましい。
【００１０】
貫通磁性体を形成する磁性体材料の透磁率が、第１の磁性層及び第２の磁性層を形成する磁性体材料の透磁率より高いことが好ましい。
【００１１】
第１の磁性層の全面上又は一部上に形成された絶縁体材料による絶縁層をさらに備えており、この絶縁層上に薄膜コイルが形成されていることも好ましい。この場合、薄膜コイルが、絶縁層上に貫通磁性体を取り囲むようにスパイラル状に形成された少なくとも１層の導電体材料によるコイルであることがより好ましい。
【００１２】
薄膜コイル上及び薄膜コイル間に形成された絶縁体材料によるコイル絶縁層と、第２の磁性層上に積層された絶縁体材料による保護層をさらに備えたことも好ましい。
【００１３】
薄膜コイルの両端に電気的に接続された導電体材料による１対の接続パッドと、１対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されておりアンテナの側面にそれぞれ設けられた導電体材料による１対の側面電極とをさらに備えたことも好ましい。
【００１４】
貫通磁性体が、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内壁面上のみに形成されているか、又は薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内部に空間無しに充填されていることも好ましい。
【００１５】
本発明によれば、さらに、上述したアンテナと、このアンテナの少なくとも１つの面に磁気的に接合された磁性体材料による磁性シート又は２つの面に磁気的に接合された磁性体材料による２つの磁性シートとを備えたアンテナシステムが提供される。
【００１６】
本発明によれば、さらにまた、磁性体材料によって形成された第１の磁性層の全面上又は一部上に絶縁層を絶縁体材料によって形成する工程と、この絶縁層上に所定パターンの薄膜コイルを導電体材料によって形成する工程と、薄膜コイルの中心部を貫通する貫通磁性体を磁性体材料によって形成する工程と、貫通磁性体によって第１の磁性層と磁気的に接続された第２の磁性層を磁性体材料によって形成する工程とを備えたアンテナの製造方法が提供される。
【００１７】
非導電体材料によって形成された基板上に第１の磁性層を積層する工程か、又は第１の磁性層として磁性体材料によって形成された基板を用意する工程をさらに備えたことが好ましい。
【００１８】
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上にスパイラル状に形成された少なくとも１層のコイルを導電体材料によって形成する工程であることも好ましい。
【００１９】
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上に第１層のコイルを導電体材料によって形成し、第１層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、形成したコイル絶縁層上に第２層のコイルを導電体材料によって形成し、第２層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることも好ましい。
【００２０】
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上に第１層のコイルを導電体材料によって形成し、第１層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、形成したコイル絶縁層の表面を平坦化し、その上に第２層のコイルを導電体材料によって形成し、第２層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることも好ましい。
【００２１】
薄膜コイルの両端に電気的に接続される１対の接続パッドを導電体材料によって形成する工程と、１対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されておりアンテナの側面に１対の側面電極を導電体材料によって形成する工程とをさらに備えたことも好ましい。
【００２２】
第２の磁性層上に保護層を絶縁体材料によって形成する工程をさらに備えたことも好ましい。
【００２３】
貫通磁性体を形成する工程が、第２の磁性層を形成する工程において、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面上のみに磁性体を形成する工程であることも好ましい。
【００２４】
貫通磁性体を形成する工程が、第２の磁性層を形成する工程において、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面に磁性体を形成する工程と、スルーホールの内部に空間無しに磁性体を充填する工程であることも好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は本発明の小型アンテナの基本的構成の一例を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００２７】
これらの図からも分かるように、本発明の小型アンテナは、この例では基板上に薄膜を積層した直方体形状に形成されており、その積層面は一辺が１０ｍｍ以下の矩形形状となっている。
【００２８】
両図において、１０は例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、１１は非磁性体基板１０上に積層された例えばニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、１２は磁性層１１と平行に積層された例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、１３は磁性層１１及び１２間にスパイラル状に２層に設けられた例えば銅（Ｃｕ）等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、１４は薄膜コイル１３の上下及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、１５は薄膜コイル１３の中心部を貫通して磁性層１１及び１２に磁気的に結合している磁性体材料、望ましくは例えば高透磁率のＮｉＦｅ等の磁性体材料、による貫通磁性体をそれぞれ示している。
【００２９】
このように、本発明の小型アンテナは、薄膜コイル１３の上下に磁性層１２及び１１が配置されているため、薄膜コイル１３内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイル１３の中心部を貫通する貫通磁性体１５がこれら磁性層１１及び１２を磁気的に接続しているので、磁性層１１及び１２に入った磁束がこの貫通磁性体１５に集められるため、薄膜コイル１３内を通過する磁束量がさらに増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
【００３０】
貫通磁性体１５に磁性層１１及び１２の磁性体材料より高透磁率の磁性体材料を用いることにより、磁束を磁性層１１及び１２から貫通磁性体１５に導き易くなり、薄膜コイル１３を通過する磁束をより増大させることが可能となる。
【００３１】
図３は図１の小型アンテナを磁性シートに取付けたアンテナシステムの一例を示す斜視図である。
【００３２】
同図に示すように、このアンテナシステムは、小型アンテナ３０と、この小型アンテナ３０の磁性層１２側の面が磁気的に接合された磁性シート３１とから構成されている。磁性シート３１は、磁性材料と樹脂とから成る柔軟性に富んだ軟磁性材料シートであり、ノイズ抑制シート、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用磁性シート、フレキシート等として市販されている厚さが０．４〜２ｍｍ程度の可撓性磁性体シートである。
【００３３】
小型アンテナ３０の一面をこのような大面積の磁性シート３１に磁気的に接合することにより、誘導起電力が大きくなりアンテナの感度を大幅に高めることができる。
【００３４】
小型アンテナ３０の透磁率が磁性シート３１の透磁率より大きくなるように構成することにより、さらに、小型アンテナ３０の内部においても、前述のように貫通磁性体１５の透磁率が磁性層１１及び１２の透磁率より大きくなるように構成することによって、磁束をコイル中心により効果的に導くことが可能となる。磁性シート３１自体においても透磁率を変化させる、即ち、小型アンテナ３０の接合部の透磁率が高くなるように構成することも有効である。
【００３５】
磁性シート３１として透明なシートを用いることも小型アンテナの用途によっては望ましい場合がある。
【００３６】
また、磁性シートに代えて、磁性材料を蒸着するか塗布した面に小型アンテナ３０を磁気的に接合することも有効である。
【００３７】
図４は、本発明の小型アンテナの第１の実施形態の構成を示す断面図である。
【００３８】
同図において、４０はＡｌ２Ｏ３又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、４１は非磁性体基板４０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、４２は磁性層４１上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、４３は絶縁層４２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、４４は薄膜コイル４３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、４５はコイル絶縁層４４上及び薄膜コイル４３の中心部においては絶縁層４２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、４６は磁性層４５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、４７は薄膜コイル４３の両端に電気的に接続された金（Ａｕ）等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【００３９】
本実施形態では、磁性層４５が、コイル絶縁層４４上のみならず、薄膜コイル４３の中心部を貫通するスルーホール４８の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層４５自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層４５と磁性層４１とが磁気的に接続される。実際には、磁性層４５の底面と磁性層４１との間に絶縁層４２が存在しているが、絶縁層４２の膜厚が薄いため、磁気的には磁性層４１と磁性層４５とが結合することとなる。
【００４０】
図５Ａ及び５Ｂはこの第１の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【００４１】
まず、図５Ａ(ａ)に示すように、Ａｌ２Ｏ３又はシリコンによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板４０上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタリングで形成し、その上にＮｉＦｅをめっきして厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層４１を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層４１を積層しても良い。
【００４２】
次いで、図５Ａ(ｂ)に示すように、その上に厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層４２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。
【００４３】
次いで、図５Ａ(ｃ)に示すように、その上にクロム（Ｃｒ）膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜４９をスパッタリングで積層する。
【００４４】
次いで、図５Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン５０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル４３を形成した後、フォトレジストパターン５０を剥離する。この状態が図５Ａ(ｅ)に示されている。
【００４５】
次いで、図５Ａ(ｆ)に示すように、薄膜コイル４３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層４４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００４６】
以上の図５Ａ（ｃ）〜（ｆ）の製造工程を繰返すことによって、図５Ａ（ｇ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル４３を形成する。
【００４７】
次いで、図５Ａ(ｈ)に示すように、コイル絶縁層４４上にＮｉＦｅ膜４５ａをスパッタリングで形成し、図５Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン５１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層４５を形成した後、フォトレジストパターン５１を剥離する。この状態が図５Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層４５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【００４８】
次いで、図５Ｂ(ａ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層４６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００４９】
次いで、図５Ｂ(ｂ)に示すように、薄膜コイル４３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド４７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【００５０】
図６は、本発明の小型アンテナの第２の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図４の第１の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。
【００５１】
図６において、４０はＡｌ２Ｏ３又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、４１は非磁性体基板４０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、４２は磁性層４１上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、４３は絶縁層４２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、４４は薄膜コイル４３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、４５はコイル絶縁層４４上及び薄膜コイル４３の中心部においては絶縁層４２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、５２は磁性層４５の中心部を貫通するスルーホール４８の内壁面上及び底面上に形成されている磁性層４５の内側に空間無しに充填されている複合フェライト等による充填磁性体（磁性層４５と共に本発明の貫通磁性体に対応する）、４６は磁性層４５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、４７は薄膜コイル４３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【００５２】
本実施形態では、磁性層４５が、コイル絶縁層４４上のみならず、薄膜コイル４３の中心部を貫通するスルーホール４８の内壁面上及び底面上にも形成されており、さらにそのスルーホール４８内の磁性層４５の内側に充填磁性体５２が空間無しに充填されている。これにより、この磁性層４５及び充填磁性体５２が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層４５と磁性層４１とが磁気的に接続される。実際には、磁性層４５の底面と磁性層４１との間に絶縁層４２が存在しているが、絶縁層４２の膜厚が薄いため、磁気的には磁性層４１と磁性層４５とが結合することとなる。
【００５３】
図７Ａ及び７Ｂはこの第２の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【００５４】
まず、図７Ａ(ａ)に示すように、Ａｌ２Ｏ３又はシリコンによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板４０上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタリングで形成し、その上にＮｉＦｅをめっきして厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層４１を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層４１を積層しても良い。
【００５５】
次いで、図７Ａ(ｂ)に示すように、その上に厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層４２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。
【００５６】
次いで、図７Ａ(ｃ)に示すように、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜４９をスパッタリングで積層する。
【００５７】
次いで、図７Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン５０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル４３を形成した後、フォトレジストパターン５０を剥離する。この状態が図７Ａ(ｅ)に示されている。
【００５８】
次いで、図７Ａ(ｆ)に示すように、薄膜コイル４３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層４４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００５９】
以上の図７Ａ（ｃ）〜（ｆ）の製造工程を繰返すことによって、図７Ａ（ｇ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル４３を形成する。
【００６０】
次いで、図７Ａ(ｈ)に示すように、コイル絶縁層４４上にＮｉＦｅ膜４５ａをスパッタリングで形成し、図７Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン５１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層４５を形成した後、フォトレジストパターン５１を剥離する。この状態が図７Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層４５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【００６１】
次いで、図７Ｂ(ａ)に示すように、スルーホール４８内の磁性層４５の内側に３〜６０μｍ程度の径を有するフェライト粒からなる複合フェライトをスクリーン印刷することによって、充填磁性体５２を空間無しに充填する。
【００６２】
次いで、図７Ｂ(ｂ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層４６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００６３】
次いで、図７Ｂ(ｃ)に示すように、薄膜コイル４３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド４７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【００６４】
図８は本発明の小型アンテナの基本的構成の他の例を概略的に示す断面図であり、図１のＡ−Ａ線断面に対応する図である。
【００６５】
本発明の小型アンテナは、この例においても、基板上に薄膜を積層した直方体形状に形成されており、その積層面は一辺が１０ｍｍ以下の矩形形状となっている。
【００６６】
図８において、８０は例えばフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板(本発明の第１の磁性層に対応する)、８２は磁性体基板８０と平行に積層された例えばＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、８３は磁性体基板８０及び磁性層８２間にスパイラル状に２層に設けられた例えばＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、８４は薄膜コイル８３の上下及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、８５は薄膜コイル８３の中心部を貫通して磁性体基板８０及び磁性層８２に磁気的に結合している磁性体材料、望ましくは例えば高透磁率のＮｉＦｅ等の磁性体材料、による貫通磁性体をそれぞれ示している。
【００６７】
このように、本発明の小型アンテナは、薄膜コイル８３の上下に磁性体基板８０及び磁性層８２が配置されているため、薄膜コイル８３内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイル８３の中心部を貫通する貫通磁性体８５がこれら磁性体基板８０及び磁性層８２を磁気的に接続しているので、磁性体基板８０及び磁性層８２に入力された磁束がこの貫通磁性体８５に集められるため、薄膜コイル８３内を通過する磁束量がさらに大幅に増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
【００６８】
貫通磁性体８５に磁性体基板８０及び磁性層８２の磁性体材料より高透磁率の磁性体材料を用いることにより、磁束を磁性体基板８０及び磁性層８２から貫通磁性体８５に導き易くなり、薄膜コイル８３を通過する磁束をより増大させることが可能となる。
【００６９】
図８の小型アンテナについても、図３に示したように、磁性シートに取付けてアンテナシステムとしても良い。また、図８の小型アンテナの両方の面を２枚の磁性シートにそれぞれ取付けて磁気的に結合させても良い。
【００７０】
小型アンテナの一面又は両面をこのような大面積の磁性シートに磁気的に接合することにより、誘導起電力が大きくなりアンテナの感度を大幅に高めることができる。
【００７１】
小型アンテナの透磁率が磁性シートの透磁率より大きくなるように構成することにより、さらに、小型アンテナの内部においても、前述のように貫通磁性体８５の透磁率が磁性体基板８０及び磁性層８２の透磁率より大きくなるように構成することによって、磁束をコイル中心により効果的に導くことが可能となる。磁性シート自体においても透磁率を変化させる、即ち、小型アンテナの接合部の透磁率が高くなるように構成することも有効である。
【００７２】
磁性シートとして透明なシートを用いることも小型アンテナの用途によっては望ましい場合がある。
【００７３】
また、磁性シートに代えて、磁性材料を蒸着するか塗布した面に小型アンテナを磁気的に接合することも有効である。
【００７４】
図９は、本発明の小型アンテナの第３の実施形態の構成を示す断面図である。
【００７５】
同図において、９０はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板 (本発明の第１の磁性層に対応する)、９２は磁性体基板９０上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、９３は絶縁層９２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、９４は薄膜コイル９３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、９５はコイル絶縁層９４上及び薄膜コイル９３の中心部においては絶縁層９２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、９６は磁性層９５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、９７は薄膜コイル９３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【００７６】
本実施形態では、磁性層９５が、コイル絶縁層９４上のみならず、薄膜コイル９３の中心部を貫通するスルーホール９８の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層９５自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層９５と磁性体基板９０とが磁気的に接続される。実際には、磁性層９５の底面と磁性体基板９０との間に絶縁層９２が存在しているが、絶縁層９２の膜厚が薄いため、磁気的には磁性体基板９０と磁性層９５とが結合することとなる。
【００７７】
図１０Ａ及び１０Ｂはこの第３の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【００７８】
まず、図１０Ａ(ａ)に示すように、フェライトによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板９０上に、厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層９２を積層し、さらに、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜９９をスパッタリングで積層する。
【００７９】
次いで、図１０Ａ(ｂ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン１００を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル９３を形成した後、フォトレジストパターン１００を剥離する。この状態が図１０Ａ(ｃ)に示されている。
【００８０】
次いで、図１０Ａ(ｄ)に示すように、薄膜コイル９３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層９４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００８１】
以上の図１０Ａ（ａ）〜（ｄ）の製造工程を繰返すことによって、図１０Ａ（ｅ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル９３を形成する。
【００８２】
次いで、図１０Ａ(ｆ)に示すように、コイル絶縁層９４上にＮｉＦｅ膜９５ａをスパッタリングで形成し、図１０Ａ(ｇ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン１０１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層９５を形成した後、フォトレジストパターン１０１を剥離する。この状態が図１０Ａ(ｈ)に示されている。なお、磁性層９５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【００８３】
次いで、図１０Ａ(ｉ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層９６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００８４】
次いで、図１０Ｂ(ａ)に示すように、薄膜コイル９３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド９７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【００８５】
図１１は、本発明の小型アンテナの第４の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図９の第３の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。
【００８６】
図１１において、９０はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板 (本発明の第１の磁性層に対応する)、９２は磁性体基板９０上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、９３は絶縁層９２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、９４は薄膜コイル９３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、９５はコイル絶縁層９４上及び薄膜コイル９３の中心部においては絶縁層９２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、１０２は磁性層９５の中心部を貫通するスルーホール９８の内壁面上及び底面上に形成されている磁性層９５の内側に空間無しに充填されている複合フェライト等による充填磁性体（磁性層９５と共に本発明の貫通磁性体に対応する）、９６は磁性層９５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、９７は薄膜コイル９３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【００８７】
本実施形態では、磁性層９５が、コイル絶縁層９４上のみならず、薄膜コイル９３の中心部を貫通するスルーホール９８の内壁面上及び底面上にも形成されており、さらにそのスルーホール９８内の磁性層９５の内側に充填磁性体１０２が空間無しに充填されている。これにより、この磁性層９５及び充填磁性体１０２が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層９５と磁性体基板９０とが磁気的に接続される。実際には、磁性層９５の底面と磁性体基板９０との間に絶縁層９２が存在しているが、絶縁層９２の膜厚が薄いため、磁気的には磁性体基板９０と磁性層９５とが結合することとなる。
【００８８】
図１２Ａ及び１２Ｂはこの第４の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【００８９】
まず、図１２Ａ(ａ)に示すように、フェライトによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板９０上に、厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層９２を積層し、さらに、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜９９をスパッタリングで積層する。
【００９０】
次いで、図１２Ａ(ｂ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン１００を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル９３を形成した後、フォトレジストパターン１００を剥離する。この状態が図１２Ａ(ｃ)に示されている。
【００９１】
次いで、図１２Ａ(ｄ)に示すように、薄膜コイル９３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層９４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００９２】
以上の図１２Ａ（ａ）〜（ｄ）の製造工程を繰返すことによって、図１２Ａ（ｅ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル９３を形成する。
【００９３】
次いで、図１２Ａ(ｆ)に示すように、コイル絶縁層９４上にＮｉＦｅ膜９５ａをスパッタリングで形成し、図１２Ａ(ｇ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン１０１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層９を形成した後、フォトレジストパターン１０１を剥離する。この状態が図１２Ａ(ｈ)に示されている。なお、磁性層９５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【００９４】
次いで、図１２Ｂ(ａ)に示すように、スルーホール９８内の磁性層９５の内側に３〜６０μｍ程度の径を有するフェライト粒からなる複合フェライトをスクリーン印刷することによって、充填磁性体１０２を空間無しに充填する。
【００９５】
次いで、図１２Ｂ(ｂ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層９６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【００９６】
次いで、図１２Ｂ(ｃ)に示すように、薄膜コイル９３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド９７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【００９７】
図１３は、本発明の小型アンテナの第５の実施形態の構成を示す断面図である。
【００９８】
同図において、１３０はＡｌ２Ｏ３又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、１３１は非磁性体基板１３０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、１３２は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性層１３１上に積層されたＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、１３３は絶縁層１３２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、１３４は薄膜コイル１３３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、１３５はコイル絶縁層１３４上及び薄膜コイル１３３の中心部においては磁性層１３１上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、１３６は磁性層１３５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、１３７は薄膜コイル１３３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【００９９】
本実施形態では、磁性層１３５が、コイル絶縁層１３４上のみならず、薄膜コイル１３３の中心部を貫通するスルーホール１３８の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層１３５自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層１３５と磁性層１３１とが磁気的に接続される。
【０１００】
図１４Ａ及び１４Ｂはこの第５の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【０１０１】
まず、図１４Ａ(ａ)に示すように、Ａｌ２Ｏ３又はシリコンによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板１３０上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタリングで形成し、その上にＮｉＦｅをめっきして厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１３１を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層１３１を積層しても良い。
【０１０２】
次いで、図１４Ａ(ｂ)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層１３２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１０３】
次いで、図１４Ａ(ｃ)に示すように、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜１３９をスパッタリングで積層する。
【０１０４】
次いで、図１４Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン１４０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル１３３を形成した後、フォトレジストパターン１４０を剥離する。この状態が図１４Ａ(ｅ)に示されている。
【０１０５】
次いで、図１４Ａ(ｆ)に示すように、薄膜コイル１３３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層１３４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１０６】
以上の図１４Ａ（ｃ）〜（ｆ）の製造工程を繰返すことによって、図１４Ａ（ｇ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル１３３を形成する。
【０１０７】
次いで、図１４Ａ(ｈ)に示すように、コイル絶縁層１３４上にＮｉＦｅ膜１３５ａをスパッタリングで形成し、図１４Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン１４１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１３５を形成した後、フォトレジストパターン１４１を剥離する。この状態が図１４Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層１３５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【０１０８】
次いで、図１４Ｂ(ａ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層１３６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１０９】
次いで、図１４Ｂ(ｂ)に示すように、薄膜コイル１３３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド１３７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【０１１０】
図１５は、本発明の小型アンテナの第６の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図１３の第５の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。
【０１１１】
図１５において、１３０はＡｌ２Ｏ３又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、１３１は非磁性体基板１３０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、１３２は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性層１３１上に積層されたＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、１３３は絶縁層１３２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、１３４は薄膜コイル１３３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、１３５はコイル絶縁層１３４上及び薄膜コイル１３３の中心部においては磁性層１３１上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、１３６は磁性層１３５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、１３７は薄膜コイル１３３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッド、１４３はこの小型アンテナの側面に設けられており、１対の接続パッド１３７にそれぞれ電気的に接続された導電体材料による１対の側面電極をそれぞれ示している。このように、側面電極を形成することによって、実装が容易になる。また、実装時の方向性をなくすことができる。例えば、実装する相手の基板が上側にあっても下側にあっても容易に設置することができる。
【０１１２】
本実施形態では、磁性層１３５が、コイル絶縁層１３４上のみならず、薄膜コイル１３３の中心部を貫通するスルーホール１３８の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層１３５自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層１３５と磁性層１３１とが磁気的に接続される。
【０１１３】
図１６Ａ及び１６Ｂはこの第６の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【０１１４】
まず、図１６Ａ(ａ)に示すように、Ａｌ２Ｏ３又はシリコンによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板１３０上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタリングで形成し、その上にＮｉＦｅをめっきして厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１３１を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層１３１を積層しても良い。
【０１１５】
次いで、図１６Ａ(ｂ)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層１３２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１１６】
次いで、図１６Ａ(ｃ)に示すように、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜１３９をスパッタリングで積層する。
【０１１７】
次いで、図１６Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン１４０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル１３３を形成した後、フォトレジストパターン１４０を剥離する。この状態が図１６Ａ(ｅ)に示されている。
【０１１８】
次いで、図１６Ａ(ｆ)に示すように、薄膜コイル１３３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層１３４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１１９】
以上の図１６Ａ（ｃ）〜（ｆ）の製造工程を繰返すことによって、図１６Ａ（ｇ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル１３３を形成する。
【０１２０】
次いで、図１６Ａ(ｈ)に示すように、コイル絶縁層１３４上にＮｉＦｅ膜１３５ａをスパッタリングで形成し、図１６Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン１４１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１３５を形成した後、フォトレジストパターン１４１を剥離する。この状態が図１６Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層１３５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【０１２１】
次いで、図１６Ｂ(ａ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層１３６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１２２】
次いで、図１６Ｂ(ｂ)に示すように、薄膜コイル１３３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド１３７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【０１２３】
その後、図１６Ｂ（ｃ）に示すように、この小型アンテナの側面に、１対の接続パッド１３７にそれぞれ電気的に接続された１対の側面電極１４３を形成する。具体的は、接続パッド１３７が露出している側面に、Ｃｕ、Ａｕ等の導電体材料をスパッタリングした後、その上にフォトレジストパターンを形成し、同じ導電体材料をめっきした後、フォトレジストパターンを剥離することによって形成する。
【０１２４】
図１７は、本発明の小型アンテナの第７の実施形態の構成を示す断面図である。
【０１２５】
同図において、１７０はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板 (本発明の第１の磁性層に対応する)、１７２は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性体基板１７０上に積層されたＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、１７３は絶縁層１７２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、１７４は薄膜コイル１７３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、１７５はコイル絶縁層１７４上及び薄膜コイル１７３の中心部においては磁性体基板１７０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、１７６は磁性層１７５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、１７７は薄膜コイル１７３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【０１２６】
本実施形態では、磁性層１７５が、コイル絶縁層１７４上のみならず、薄膜コイル１７３の中心部を貫通するスルーホール１７８の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層１７５自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層１７と磁性体基板１７０とが磁気的に接続される。
【０１２７】
図１８Ａ及び１８Ｂはこの第７の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【０１２８】
まず、図１８Ａ(ａ)に示すように、フェライトによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板１７０を用意する。
【０１２９】
次いで、図１８Ａ(ｂ)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層１７２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１３０】
次いで、図１８Ａ(ｃ)に示すように、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜１７９をスパッタリングで積層する。
【０１３１】
次いで、図１８Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン１８０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル１７３を形成した後、フォトレジストパターン１８０を剥離する。この状態が図１８Ａ(ｅ)に示されている。
【０１３２】
次いで、図１８Ａ(ｆ)に示すように、薄膜コイル１７３の上及び間にＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層１７４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１３３】
以上の図１８Ａ（ｃ）〜（ｆ）の製造工程を繰返すことによって、図１８Ａ（ｇ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル１７３を形成する。
【０１３４】
次いで、図１８Ａ(ｈ)に示すように、コイル絶縁層１７４上にＮｉＦｅ膜１７５ａをスパッタリングで形成し、図１８Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン１８１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１７５を形成した後、フォトレジストパターン１８１を剥離する。この状態が図１８Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層１７５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【０１３５】
次いで、図１８Ｂ(ａ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層１７６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１３６】
次いで、図１８Ｂ(ｂ)に示すように、薄膜コイル１７３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド１７７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【０１３７】
図１９は、本発明の小型アンテナの第８の実施形態の構成を示す断面図である。
【０１３８】
同図において、１９０はＡｌ２Ｏ３又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板、１９１は非磁性体基板１９０上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第１の磁性層に対応する)、１９２は磁性層１９１上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、１９３は絶縁層１９２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、１９４は薄膜コイル１９３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁体材料による、又はレジスト材料及び絶縁体材料によるコイル絶縁層、２０２は薄膜コイル１９３の中心部を貫通するスルーホール１９８の内側に空間無しに充填されている高透磁率の磁性体材料による貫通磁性体（本発明の貫通磁性体に対応する）、１９５はコイル絶縁層１９４上及び薄膜コイル１９３の中心部においては貫通磁性体２０２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、１９６は磁性層１９５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、１９７は薄膜コイル１９３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【０１３９】
本実施形態では、貫通磁性体２０２が、薄膜コイル１９３の中心部を貫通するスルーホール１９８の内側に空間無しに充填されている。この貫通磁性体２０２によって、磁性層１９５と磁性層１９１とが磁気的に接続される。実際には、貫通磁性体２０２の底面と磁性層１９１との間に絶縁層１９２が存在しているが、絶縁層１９２の膜厚が薄いため、磁気的にはこの貫通磁性体２０２と磁性層１９１とが結合することとなる。
【０１４０】
図２０Ａ及び２０Ｂはこの第８の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【０１４１】
まず、図２０Ａ(ａ)に示すように、Ａｌ２Ｏ３又はシリコンによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の非磁性体基板１９０上に、ＮｉＦｅ膜をスパッタリングで形成し、その上にＮｉＦｅをめっきして厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１９１を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層１９１を積層しても良い。
【０１４２】
次いで、この磁性層１９１の上表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化した後、その上に厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層１９２を積層する。例えば、Ａｌ２Ｏ３はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。図２０Ａ(ｂ)はこの状態を示している。
【０１４３】
次いで、図２０Ａ(ｃ)に示すように、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜１９９をスパッタリングで積層する。
【０１４４】
次いで、図２０Ａ(ｄ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン２００を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル１９３を形成した後、フォトレジストパターン２００を剥離する。この状態が図２０Ａ(ｅ)に示されている。
【０１４５】
次いで、図２０Ａ(ｆ)に示すように、その上にＮｉＦｅ膜２０２ａをスパッタリングで形成し、図２０Ａ(ｇ)に示すように、その上に貫通磁性体形成用のフォトレジストパターン２０４を形成し、高透磁率磁性体材料をめっきすることにより、貫通磁性体２０２を形成した後、フォトレジストパターン２０４を剥離する。この状態が図２０Ａ(ｈ)に示されている。
【０１４６】
次いで、図２０Ａ(ｉ)に示すように、薄膜コイル１９３の上及び間にＡｌ２Ｏ３等の絶縁体材料によるコイル絶縁層１９４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、表面をＣＭＰによって平坦化する。
【０１４７】
以上の図２０Ａ（ｃ）〜（ｉ）の製造工程を繰返すことによって、図２０Ａ（ｊ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル１９３及びその中心部を貫通する貫通磁性体２０２を形成する。
【０１４８】
なお、図２０Ａ(ｉ)の工程に代えて、図２１に示すように、レジスト材料層１９４ａ及びＡｌ２Ｏ３層１９４ｂによるコイル絶縁層を形成しても良い。具体的には、まず、薄膜コイル１９３の上及び間にレジスト材料を塗布しベークした後、その上にフォトレジストパターンを形成してパターニングしてレジスト材料層１９４ａを形成する。次いで、その上にＡｌ２Ｏ３をスパッタリングした後、表面をＣＭＰによって平坦化してＡｌ２Ｏ３層１９４ｂを形成する。
【０１４９】
次いで、コイル絶縁層１９４上にＮｉＦｅ膜１９５ａをスパッタリングで形成し、図２０Ｂ(ａ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン２０１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層１９５を形成した後、フォトレジストパターン２０１を剥離する。この状態が図２０Ｂ(ｂ)に示されている。なお、磁性層１９５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【０１５０】
次いで、図２０Ｂ(ｃ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層１９６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１５１】
次いで、図２０Ｂ(ｄ)に示すように、薄膜コイル１９３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド１９７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【０１５２】
図２２は、本発明の小型アンテナの第９の実施形態の構成を示す断面図である。
【０１５３】
同図において、２２０はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板 (本発明の第１の磁性層に対応する)、２２２は磁性体基板２２０上に積層された厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、２２３は絶縁層２２２上にスパイラル状に２層に設けられたＣｕ等の導電体材料による厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル、２２４は薄膜コイル２２３の上及び間に形成された例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁体材料による、又はレジスト材料及び絶縁体材料によるコイル絶縁層、２３２は薄膜コイル２２３の中心部を貫通するスルーホール２２８の内側に空間無しに充填されている高透磁率の磁性体材料による貫通磁性体（本発明の貫通磁性体に対応する）、２２５はコイル絶縁層２２４上及び薄膜コイル２２３の中心部においては貫通磁性体２３２上に積層されたＮｉＦｅ等の軟磁性材料による厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層(本発明の第２の磁性層に対応する)、２２６は磁性層２２５上に積層されたＡｌ２Ｏ３、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、２２７は薄膜コイル２２３の両端に電気的に接続されたＡｕ等の導電体材料による１対の接続パッドをそれぞれ示している。
【０１５４】
本実施形態では、貫通磁性体２３２が、薄膜コイル２２３の中心部を貫通するスルーホール２２８の内側に空間無しに充填されている。この貫通磁性体２３２によって、磁性層２２５と磁性体基板２２０とが磁気的に接続される。実際には、貫通磁性体２３２の底面と磁性体基板２２０との間に絶縁層２２２が存在しているが、絶縁層２２２の膜厚が薄いため、磁気的にはこの貫通磁性体２３２と磁性体基板２２０とが結合することとなる。
【０１５５】
図２３Ａ及び２３Ｂはこの第９の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。
【０１５６】
まず、図２３Ａ(ａ)に示すように、フェライトによって形成された厚さ０．２〜２ｍｍ程度の磁性体基板２２０上に、厚さ０．３〜３μｍ程度のＡｌ２Ｏ３又は厚さ１〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層２２２を積層し、さらに、その上にＣｒ膜／Ｃｕ膜の２層構造（Ｃｒ膜の上にＣｕ膜を積層した構造）の電極膜２２９をスパッタリングで積層する。
【０１５７】
次いで、図２３Ａ(ｂ)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン２３０を形成し、Ｃｕ等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ１〜２０μｍ程度の薄膜コイル２２３を形成した後、フォトレジストパターン２３０を剥離する。この状態が図２３Ａ(ｃ)に示されている。
【０１５８】
次いで、図２３Ａ(ｄ)に示すように、その上にＮｉＦｅ膜２３２ａをスパッタリングで形成し、図２３Ａ(ｅ)に示すように、その上に貫通磁性体形成用のフォトレジストパターン２３４を形成し、高透磁率磁性体材料をめっきすることにより、貫通磁性体２３２を形成した後、フォトレジストパターン２３４を剥離する。この状態が図２３Ａ(ｆ)に示されている。
【０１５９】
次いで、図２３Ａ(ｇ)に示すように、薄膜コイル２２３の上及び間にＡｌ２Ｏ３等の絶縁体材料によるコイル絶縁層２２４を形成する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、表面をＣＭＰによって平坦化する。
【０１６０】
以上の図２３Ａ（ａ）〜（ｇ）の製造工程を繰返すことによって、図２３Ａ（ｈ）に示すように、２層のスパイラル状の薄膜コイル２２３及びその中心部を貫通する貫通磁性体２３２を形成する。
【０１６１】
なお、図２３Ａ(ｇ)の工程に代えて、図２４に示すように、レジスト材料層２２４ａ及びＡｌ２Ｏ３層２２４ｂによるコイル絶縁層を形成しても良い。具体的には、まず、薄膜コイル２２３の上及び間にレジスト材料を塗布しベークした後、その上にフォトレジストパターンを形成してパターニングしてレジスト材料層２２４ａを形成する。次いで、その上にＡｌ２Ｏ３をスパッタリングした後、表面をＣＭＰによって平坦化してＡｌ２Ｏ３層２２４ｂを形成する。
【０１６２】
次いで、コイル絶縁層２２４上にＮｉＦｅ膜２２５ａをスパッタリングで形成し、図２３Ａ(ｉ)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン２３１を形成し、ＮｉＦｅ等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ０．１〜１０μｍ程度の磁性層２２５を形成した後、フォトレジストパターン２３１を剥離する。この状態が図２３Ａ(ｊ)に示されている。なお、磁性層２２５を、めっきを行うことなく、ＮｉＦｅのスパッタリングのみで形成しても良い。
【０１６３】
次いで、図２３Ｂ(ａ)に示すように、その上にＡｌ２Ｏ３又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層２２６を積層する。Ａｌ２Ｏ３の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
【０１６４】
次いで、図２３Ｂ(ｂ)に示すように、薄膜コイル２２３の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Ａｕ等の導電体材料による１対の接続パッド２２７を形成する。これは、Ａｕをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Ａｕをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
【０１６５】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】本発明の小型アンテナの基本的構成の一例を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の小型アンテナを磁性シートに取付けたアンテナシステムの一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の小型アンテナの第１の実施形態の構成を示す断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の小型アンテナの第２の実施形態の構成を示す断面図である。
【図７Ａ】第２の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図７Ｂ】第２の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の小型アンテナの基本的構成の他の例を概略的に示す断面図であり、図１のＡ−Ａ線断面に対応する図である。
【図９】本発明の小型アンテナの第３の実施形態の構成を示す断面図である。
【図１０Ａ】第３の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１０Ｂ】第３の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の小型アンテナの第４の実施形態の構成を示す断面図である。
【図１２Ａ】第４の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１２Ｂ】第４の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の小型アンテナの第５の実施形態の構成を示す断面図である。
【図１４Ａ】第５の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１４Ｂ】第５の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明の小型アンテナの第６の実施形態の構成を示す断面図である。
【図１６Ａ】第６の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１６Ｂ】第６の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明の小型アンテナの第７の実施形態の構成を示す断面図である。
【図１８Ａ】第７の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１８Ｂ】第７の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明の小型アンテナの第８の実施形態の構成を示す断面図である。
【図２０Ａ】第８の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図２０Ｂ】第８の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図２１】第８の実施形態の変更態様における一部工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明の小型アンテナの第９の実施形態の構成を示す断面図である。
【図２３Ａ】第９の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図２３Ｂ】第９の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。
【図２４】第９の実施形態の変更態様における一部工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１６７】
１０、４０、１３０、１９０  非磁性体基板
１１、１２、４１、４５、８２、９５、１３１、１３５、１７５、１９１、１９５、２２５  磁性層
１３、４３、８３、９３、１３３、１７３、１９３、２２３  薄膜コイル
１４、４４、８４、９４、１３４、１７４、１９４、２２４  コイル絶縁層
１５、８５、２０２、２３２  貫通磁性体
３０  小型アンテナ
３１  磁性シート
４２、９２、１３２、１７２、１９２、２２２  絶縁層
４５ａ、９５ａ、１３５ａ、１７５ａ、１９５ａ、２０２ａ、２３２ａ  ＮｉＦｅ膜
４６、９６、１３６、１７６、１９６、２２６  保護層
４７、９７、１３７、１７７、１９７、２２７  接続パッド
４８、９８、１３８、１７８、１９８、２２８  スルーホール
４９、９９、１３９、１７９、１９９、２２９  電極膜
５０、５１、１００、１０１、１４０、１４１、１８０、１８１、２００、２０１、２０４、２３０、２３１、２３４  フォトレジストパターン
５２、１０２  充填磁性体
８０、９０、１７０、２２０  磁性体基板
１４５  側面電極
１９４ａ、２２４ａ  レジスト材料層
１９４ｂ、２２４ｂ  Ａｌ２Ｏ３層
【図１】
0004877157.tif 000002
【図２】
0004877157.tif 000003
【図３】
0004877157.tif 000004
【図４】
0004877157.tif 000005
【図５Ａ】
0004877157.tif 000006
【図５Ｂ】
0004877157.tif 000007
【図６】
0004877157.tif 000008
【図７Ａ】
0004877157.tif 000009
【図７Ｂ】
0004877157.tif 000010
【図８】
0004877157.tif 000011
【図９】
0004877157.tif 000012
【図１０Ａ】
0004877157.tif 000013
【図１０Ｂ】
0004877157.tif 000014
【図１１】
0004877157.tif 000015
【図１２Ａ】
0004877157.tif 000016
【図１２Ｂ】
0004877157.tif 000017
【図１３】
0004877157.tif 000018
【図１４Ａ】
0004877157.tif 000019
【図１４Ｂ】
0004877157.tif 000020
【図１５】
0004877157.tif 000021
【図１６Ａ】
0004877157.tif 000022
【図１６Ｂ】
0004877157.tif 000023
【図１７】
0004877157.tif 000024
【図１８Ａ】
0004877157.tif 000025
【図１８Ｂ】
0004877157.tif 000026
【図１９】
0004877157.tif 000027
【図２０Ａ】
0004877157.tif 000028
【図２０Ｂ】
0004877157.tif 000029
【図２１】
0004877157.tif 000030
【図２２】
0004877157.tif 000031
【図２３Ａ】
0004877157.tif 000032
【図２３Ｂ】
0004877157.tif 000033
【図２４】
0004877157.tif 000034