(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子電極が形成される電極相当部を有する略板状の基板材に溝を該電極相当部の端縁の一部が該溝の幅を規定する該溝の幅方向端縁に一致するように形成する溝形成工程と、
該基板材の表面及び裏面において該電極相当部上と該溝上と該溝及び該電極相当部以外の該基板材上の部分とに渡るように感光性のドライフィルムレジストを大気圧下でそれぞれ貼付けるレジスト貼付け工程と、
該基板材の表面及び裏面において該電極相当部の端縁を境界とする該ドライフィルムレジストの一方の領域に対して露光し現像することにより該電極相当部の端縁に相当する該ドライフィルムレジストの端縁を規定するように該溝上の該ドライフィルムレジストの一部と該溝以外の該基板材上の該ドライフィルムレジストの一部とを除去して除去部を形成する端縁近傍レジスト除去工程と、
該基板材の表面及び裏面において該溝上の該ドライフィルムレジストを該溝の中へそれぞれ押込むレジスト押込み工程と、
該除去部において該端子電極の輪郭形成処理を行う電極輪郭形成工程と、
該基板材に残っている該ドライフィルムレジストを除去するレジスト除去工程とを有することを特徴とする端子電極形成方法。
【請求項２】
該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストと該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより該電極相当部上の該ドライフィルムレジストと該電極相当部上の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とを除去して該除去部を形成し、
該電極輪郭形成工程では、該除去部を通して該除去部に対向する該基板材の部分全体に対して薄膜形成処理することにより該除去部に対向する該基板材の部分全体に渡って該端子電極を形成することを特徴とする請求項１記載の端子電極形成方法。
【請求項３】
該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部と該溝とを結ぶ方向に対して直交する該除去部の寸法を該除去部の幅としたときの該電極相当部上の該除去部の部分の幅を一定に形成し、該溝上の該除去部の部分は該電極相当部上の該除去部の部分の幅とは異なる幅の部分を有するように該除去部を形成することを特徴とする請求項２記載の端子電極形成方法。
【請求項４】
該溝形成工程では該基板材の表面と裏面とを結ぶ方向に貫通するように該溝を形成し、
該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部と該溝とを結ぶ方向における該除去部の寸法を該除去部の長さとしたときの該溝上の該除去部の部分の長さを該溝の貫通方向における深さの半分よりも短い所定の長さとなるように該除去部を形成することを特徴とする請求項２記載の端子電極形成方法。
【請求項５】
該溝形成工程の後であって該レジスト貼付け工程の前に、該溝が形成された該基板材の表面全体、裏面全体、及び該溝の内面全体に該端子電極と同一の材料からなる金属膜を形成する工程を行い、
該端縁近傍レジスト除去工程では、該基板材の表面及び裏面上であって該電極相当部上の該ドライフィルムレジストと該電極相当部上の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストと該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とを除去して該除去部を形成し、
該電極輪郭形成工程では、該除去部を通して該除去部に対向する該基板材の部分全体に渡って該金属膜を除去することにより該除去部に対向する該基板材の部分以外の該基板材の部分に該端子電極を形成することを特徴とする請求項１記載の端子電極形成方法。
【請求項６】
該レジスト押込み工程では、変形可能な密閉袋内に該基板材を配置させ、該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることにより、内圧と外圧との圧力差により変形した該密閉袋の一部が該基板材の表面及び裏面において該溝上の該ドライフィルムレジストを該溝の中へそれぞれ押込む内外圧差押込み工程を行うことを特徴とする請求項１記載の端子電極形成方法。
【請求項７】
該内外圧差押込み工程では、該密閉袋全体を静水内に配置させ、静水圧プレスにより該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることを特徴とする請求項６記載の端子電極形成方法。
【請求項８】
該内外圧差押込み工程では、該密閉袋内を減圧手段に連通させ、該減圧手段により該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることを特徴とする請求項６記載の端子電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチップ部品等の端子電極を形成するための端子電極形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の端子電極を形成するための方法としては、例えば以下のような方法が知られている。先ず、端子電極が形成される電極相当部を有する基板材に溝を電極相当部の端縁の一部が溝の幅を規定する溝の幅方向端縁に一致するように形成する溝形成工程を行う。次に、減圧下において基板材の表面及び裏面において電極相当部と溝上の部分と溝及び電極相当部以外の基板材の部分とに渡るように感光性ドライフィルムレジストをそれぞれ貼付ける。次に、大気圧下に戻すことにより基板材の表面及び裏面の溝上の部分のドライフィルムレジストを溝の中へそれぞれ押込み、表面の溝上の部分のドライフィルムレジストと裏面の溝上の部分のドライフィルムレジストとを溝内において貼合せる貼合せ工程を行う。次に、ドライフィルムレジストの部分であって電極相当部上以外で且つ溝内のドライフィルムレジスト以外の部分に対して露光し現像することにより電極相当部の端縁に囲まれた電極相当部上のドライフィルムレジストの部分と、溝内に押込れ溝の内面に対向配置されたドライフィルムレジストの部分とを除去して除去部を形成する。次に、除去部に対して薄膜形成処理することにより除去部に対向する電極相当部上と除去部に対向する溝の内面上とに端子電極を形成する。
【０００３】
上述のように、減圧下において基板材の表面及び裏面において感光性ドライフィルムレジストをそれぞれ貼付け、大気圧下に戻し、その後ドライフィルムレジストの所定の領域に露光、現像処理することにより除去部を形成する方法は、例えば、特開２００２−２９９７９２号公報（特許文献１）に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２９９７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の端子電極形成方法では、上述のように減圧下において基板材の表面及び裏面において感光性ドライフィルムレジストをそれぞれ貼付け、大気圧下に戻すことにより基板材の表面及び裏面に倣うように当該表面及び裏面に密着させるため、チップ部品等の端子電極を形成する場合のように、基板材に溝や凹凸や空孔等が形成されている場合には、溝や凹凸や空孔等の部分に設けられたドライフィルムレジストが大気圧によって溝や凹凸や空孔内に落とし込まれ、当該落とし込まれた部分が屈曲する。このため、この屈曲した部分に除去部を形成する場合には、除去部を形成するための露光処理の際に焦点位置がばらつき、形成する除去部の精度が問題となっていた。
【０００５】
また、減圧下において基板材の表面及び裏面において感光性ドライフィルムレジストをそれぞれ貼付けていたため、減圧貼付装置が必要となっており、端子電極形成にかかるコスト低減を図ることが困難であった。
【０００６】
そこで本発明は、除去部を形成するための露光処理の際の焦点位置のばらつきを少なくすることで、形成する除去部の精度を高くすることができ、且つ端子電極形成にかかるコスト低減を図ることができる端子電極形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、端子電極が形成される電極相当部を有する略板状の基板材に溝を該電極相当部の端縁の一部が該溝の幅を規定する該溝の幅方向端縁に一致するように形成する溝形成工程と、該基板材の表面及び裏面において該電極相当部上と該溝上と該溝及び該電極相当部以外の該基板材上の部分とに渡るように感光性のドライフィルムレジストを大気圧下でそれぞれ貼付けるレジスト貼付け工程と、該基板材の表面及び裏面において該電極相当部の端縁を境界とする該ドライフィルムレジストの一方の領域に対して露光し現像することにより該電極相当部の端縁に相当する該ドライフィルムレジストの端縁を規定するように該溝上の該ドライフィルムレジストの一部と該溝以外の該基板材上の該ドライフィルムレジストの一部とを除去して除去部を形成する端縁近傍レジスト除去工程と、該基板材の表面及び裏面において該溝上の該ドライフィルムレジストを該溝の中へそれぞれ押込むレジスト押込み工程と、該除去部において該端子電極の輪郭形成処理を行う電極輪郭形成工程と、該基板材に残っている該ドライフィルムレジストを除去するレジスト除去工程とを有する端子電極形成方法を提供している。
【０００８】
基板材の表面及び裏面において電極相当部上と溝上と溝及び電極相当部以外の基板材上の部分とに渡るように感光性のドライフィルムレジストを大気圧下でそれぞれ貼付けるレジスト貼付け工程と、基板材の表面及び裏面において電極相当部の端縁を境界とするドライフィルムレジストの一方の領域に対して露光し現像することにより電極相当部の端縁に相当するドライフィルムレジストの端縁を規定するように溝上のドライフィルムレジストの一部と溝以外の基板材上のドライフィルムレジストの一部とを除去して除去部を形成する端縁近傍レジスト除去工程とを行うため、溝内にドライフィルムレジストが落とし込まれていない状態、即ち、ドライフィルムレジストの全体が基板材の表面及び裏面において平坦な状態となっているときにドライフィルムレジストの表面、裏面に対して露光して、端子電極の形状を規定する除去部を形成することができる。このため、除去部を高い精度で形成することができ、このように高い精度で除去部が形成されたドライフィルムレジストをレジスト押込み工程で溝の内面に貼付けることができ、端子電極を高い精度で形成することができる。
【０００９】
また、減圧下でドライフィルムレジストを貼り付ける必要がないため、減圧貼付装置が不要となり、端子電極形成にかかるコスト低減を図ることができ、減圧下で作業を行う等の手間を省くことができる。
【００１０】
ここで、該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストと該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより該電極相当部上の該ドライフィルムレジストと該電極相当部上の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とを除去して該除去部を形成し、該電極輪郭形成工程では、該除去部を通して該除去部に対向する該基板材の部分全体に対して薄膜形成処理することにより該除去部に対向する該基板材の部分全体に渡って該端子電極を形成することが好ましい。
【００１１】
端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストと該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより電極相当部上のドライフィルムレジストと電極相当部上のドライフィルムレジストに隣接する溝上のドライフィルムレジストの部分とを除去して除去部を形成し、電極輪郭形成工程では、除去部を通して除去部に対向する基板材の部分全体に対して薄膜形成処理することにより除去部に対向する基板材の部分全体に渡って端子電極を形成するため、高い精度で形成された除去部において高い精度で端子電極を形成することができる。
【００１２】
また、該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部と該溝とを結ぶ方向に対して直交する該除去部の寸法を該除去部の幅としたときの該電極相当部上の該除去部の部分の幅を一定に形成し、該溝上の該除去部の部分は該電極相当部上の該除去部の部分の幅とは異なる幅の部分を有するように該除去部を形成することが好ましい。
【００１３】
端縁近傍レジスト除去工程では、電極相当部と溝とを結ぶ方向に対して直交する除去部の寸法を除去部の幅としたときの電極相当部上の除去部の部分の幅を一定に形成し、溝上の除去部の部分は電極相当部上の除去部の部分の幅とは異なる幅の部分を有するように除去部を形成するため、当該異なる幅の部分がレジスト押込み工程において溝の内面に貼付き、当該異なる幅の部分において形成される端子電極の幅を電極相当部上に形成される端子電極の幅と異なる値とすることができる。
【００１４】
また、該溝形成工程では該基板材の表面と裏面とを結ぶ方向に貫通するように該溝を形成し、該端縁近傍レジスト除去工程では、該電極相当部と該溝とを結ぶ方向における該除去部の寸法を該除去部の長さとしたときの該溝上の該除去部の部分の長さを該溝の貫通方向における深さの半分よりも短い所定の長さとなるように該除去部を形成することが好ましい。
【００１５】
溝形成工程では基板材の表面と裏面とを結ぶ方向に貫通するように溝を形成し、端縁近傍レジスト除去工程では、電極相当部と溝とを結ぶ方向における除去部の寸法を除去部の長さとしたときの溝上の除去部の部分の長さを溝の貫通方向における深さの半分よりも短い所定の長さとなるように除去部を形成するため、溝の貫通方向における当該所定の長さに相当する深さ位置に溝の貫通方向における端縁を有する電極とすることができる。
【００１６】
また、該溝形成工程の後であって該レジスト貼付け工程の前に、該溝が形成された該基板材の表面全体、裏面全体、及び該溝の内面全体に該端子電極と同一の材料からなる金属膜を形成する工程を行い、該端縁近傍レジスト除去工程では、該基板材の表面及び裏面上であって該電極相当部上の該ドライフィルムレジストと該電極相当部上の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストと該電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とを除去して該除去部を形成し、該電極輪郭形成工程では、該除去部を通して該除去部に対向する該基板材の部分全体に渡って該金属膜を除去することにより該除去部に対向する該基板材の部分以外の該基板材の部分に該端子電極を形成することが好ましい。
【００１７】
溝形成工程の後であってレジスト貼付け工程の前に、溝が形成された基板材の表面全体、裏面全体、及び溝の内面全体に端子電極と同一の材料からなる金属膜を形成する工程を行い、端縁近傍レジスト除去工程では、基板材の表面及び裏面上であって該電極相当部上の該ドライフィルムレジストと該電極相当部上の該ドライフィルムレジストに隣接する該溝上の該ドライフィルムレジストの部分とに対して露光し現像することにより電極相当部以外の部分のドライフィルムレジストと電極相当部以外の部分の該ドライフィルムレジストに隣接する溝上の該ドライフィルムレジストの部分とを除去して除去部を形成するため、該電極輪郭形成工程において、除去部を通して除去部に対向する基板材の部分全体に渡って金属膜を除去することにより除去部に対向する基板材の部分以外の基板材の部分に端子電極を形成することができる。
【００１８】
また、該レジスト押込み工程では、変形可能な密閉袋内に該基板材を配置させ、該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることにより、内圧と外圧との圧力差により変形した該密閉袋の一部が該基板材の表面及び裏面において該溝上の該ドライフィルムレジストを該溝の中へそれぞれ押込む内外圧差押込み工程を行うことが好ましい。
【００１９】
レジスト押込み工程では、変形可能な密閉袋内に基板材を配置させ、密閉袋の内圧を密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることにより、内圧と外圧との圧力差により変形した密閉袋の一部が基板材の表面及び裏面において溝上のドライフィルムレジストを溝の中へそれぞれ押込む内外圧差押込み工程を行うため、変形した密閉袋の一部がドライフィルムレジストを基板材の表面、裏面、及び貫通溝内において隙間無く基板材沿わせて密着させることができる。
【００２０】
また、基板材の表面及び裏面において溝上のドライフィルムレジストを溝の中へそれぞれ押込むための押圧治具を用いる必要がない。このため、精度よく製造する必要がある押圧冶具を製造せずに済む。また、端縁近傍レジスト除去工程を減圧下で行わずに済むため、減圧下で端縁近傍レジスト除去工程を行うための特別な装置を用意せずに済む。これらのことから、低コストで端子電極形成を行うことができる。
【００２１】
また、該内外圧差押込み工程では、該密閉袋全体を静水内に配置させ、静水圧プレスにより該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることが好ましい。
【００２２】
内外圧差押込み工程では、密閉袋全体を静水内に配置させ、静水圧プレスにより密閉袋の内圧を密閉袋の外圧よりも相対的に低くするため、基板材の全方向から密閉袋を介して均一に押圧することができる。
【００２３】
また、該内外圧差押込み工程では、該密閉袋内を減圧手段に連通させ、該減圧手段により該密閉袋の内圧を該密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることが好ましい。
【００２４】
内外圧差押込み工程では、密閉袋内を減圧手段に連通させ、減圧手段により密閉袋の内圧を密閉袋の外圧よりも相対的に低くするため、簡単な構成の減圧手段を用いて密閉袋の内圧を密閉袋の外圧よりも相対的に低くすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上により、本発明は、除去部を形成するための露光処理の際の焦点位置のばらつきを少なくすることで、形成する除去部の精度を高くすることができ、且つ端子電極形成にかかるコスト低減を図ることができる端子電極形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施の形態による端子電極形成方法について図１乃至図１３に基づき説明する。まず、端子電極形成方法により製造される端子電極が形成されたチップ部品１について説明する。図１に示されるように、チップ部品１は、単層或いは積層体からなる基板により構成されるチップ部品本体１Ａと端子電極１Ｂ、１Ｃとを有している。チップ部品本体１Ａは略長方形状なす底面１Ｄ及び上面１Ｅを有しており、当該底面１Ｄ及び上面１Ｅに直交する方向（以下「所定長さ方向」とする）に所定の長さを有する四角柱形状をなしている。所定長さ方向におけるチップ部品１の長さは１ｍｍ程度であり、略長方形状をなす底面１Ｄ及び上面１Ｅの縦は０．５ｍｍ程度であり、横は０．５〜１．０ｍｍ程度である。端子電極１Ｂ、１Ｃは、チップ部品本体１Ａの所定長さ方向の一端部１Ｆ及び他端部１Ｇにそれぞれ後述のようにスパッタ処理が施されることによりＣｒ（クロム）等からなる薄膜が成膜されて構成されており、底面１Ｄ（後述の貫通溝１０１ａの内面の一部に相当）、上面１Ｅ（後述の貫通溝１０１ａの内面の一部に相当）、及び、底面１Ｄと上面１Ｅとを結ぶ側面のうちの図の上側及び下側の側面の一部であって底面１Ｄ、上面１Ｅに隣接する部分（後述の電極相当部１０１Ｃに相当）にそれぞれ形成されている。
【００２７】
次に端子電極形成方法について説明する。端子電極形成方法では、先ず、溝形成工程を行う。溝形成工程では、チップ部品本体１Ａとなる部分を複数含みチップ部品本体１Ａよりも大きな長方形状の単層或いは積層体からなる基板からなる基板材１０１（図２等）を用意する。次に、図２に示されるように、長方形状の基板材１０１の長辺に沿って平行に且つ等間隔に、基板材１０１の表面１０１Ａと裏面１０１Ｂとを結ぶ方向に基板材１０１を貫通する貫通溝１０１ａを３本形成する。貫通溝１０１ａの幅を規定する貫通溝１０１ａの幅方向端縁の一部は、図６（ａ）等に示されるように、基板材１０１の表面１０１Ａ、裏面１０１Ｂにおいてチップ部品１の端子電極１Ｂ、１Ｃが設けられる電極相当部１０１Ｃの端縁の一部に一致する。貫通溝１０１ａは溝に相当する。
【００２８】
次にレジスト貼付け工程を行う。レジスト貼付け工程では図３に示されるように、大気圧下で基板材１０１の表面１０１Ａの全面及び裏面１０１Ｂの全面に感光性のドライフィルムレジスト１０２をそれぞれ貼付ける。このことにより、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂにおいて電極相当部１０１Ｃ（図６（ａ））上と貫通溝１０１ａ上と貫通溝１０１ａ及び電極相当部１０１Ｃ以外の基板材１０１上の部分とに渡るようにドライフィルムレジスト１０２が貼付けられる。
【００２９】
より詳細には、図３、図４に示されるように、電極相当部１０１Ｃ上と貫通溝１０１ａ及び電極相当部１０１Ｃ以外の基板材１０１上の部分とにおいてドライフィルムレジスト１０２は電極相当部１０１Ｃを含む当該基板材１０１上の部分に密着し、貫通溝１０１ａ上においてドライフィルムレジスト１０２は基板材１０１の上面１Ｅ及び下面における貫通溝１０１ａの開口部に跨っている。感光性のドライフィルムレジスト１０２は露光することにより現像液に対する溶解性が低下し、更に多く露光することにより硬化する性質を有しており、後述の端縁近傍レジスト除去工程において露光される部分以外の部分は、現像することにより除去可能である。
【００３０】
次に端縁近傍レジスト除去工程を行う。端縁近傍レジスト除去工程では、先ず、複数の略長方形状をなす遮光領域１０３ａ（図５）が形成され遮光領域１０３ａの周囲は透光領域をなすフォトマスク１０３を基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂに配置させる。なお図５においては、遮光領域１０３ａは基板材１０１の表面１０１Ａ、裏面１０１Ｂそれぞれに１つのみ図示されている。遮光領域１０３ａは、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂに配置させられたフォトマスク１０３において、図６（ａ）等に示される後述の除去部１０２ａと同一形状、同一数であって且つ同一位置に形成されており、３行３列で計９つ形成されている。遮光領域１０３ａの長手方向の一端部は、一のチップ部品１の一端部の端子電極１Ｂの電極相当部１０１Ｃに一致し、他端部は、当該一のチップ部品１に対して貫通溝１０１ａを挟んで対向する位置関係にある他のチップ部品１の他端部の端子電極１Ｃの電極相当部１０１Ｃに一致する。遮光領域１０３ａの一端部と他端部との間の中間部は、チップ部品１とチップ部品１とを区画する貫通溝１０１ａの部分に一致する。なお、図５においては、後述の除去部１０２ａが形成される部分に相当する部分を一点鎖線で示している。
【００３１】
次に、フォトマスク１０３が配置された基板材１０１の表面１０１Ａ、裏面１０１Ｂに対して露光し、フォトマスク１０３の遮光領域１０３ａ以外の部分たる透光領域に対向するドライフィルムレジスト１０２の部分に対して現像液への溶解性を低下させ溶解不能にする。そして、基板材１０１を現像液に浸漬させる現像処理を行うことにより、遮光領域１０３ａに対向するドライフィルムレジスト１０２の部分を除去して、図６、図７に示されるように遮光領域１０３ａと同一形状の略長方形状の除去部１０２ａを電極相当部１０１Ｃに一致するように電極相当部１０１Ｃ上に形成する。除去部１０２ａの長手方向における一端部の端縁は、一のチップ部品１の一端部の端子電極１Ｂの電極相当部１０１Ｃの端縁に一致し、他端部の端縁は、他のチップ部品１の他端部の端子電極１Ｃの電極相当部１０１Ｃの端縁に一致する。また、除去部１０２ａの一端部と他端部との間の中間部は、貫通溝１０１ａ上に配置されていたドライフィルムが除去された部分である。
【００３２】
次にレジスト押込み工程を行う。レジスト押込み工程では、図８、図９に示されるように、貫通溝１０１ａの形状に略一致する突出部１０４Ａが設けられた押圧冶具１０４を用いて、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂの貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２を貫通溝１０１ａの中へそれぞれ押込む。このことにより、貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の一部は、貫通溝１０１ａの内面に貼付けられる。これに対して除去部１０２ａの部分にはドライフィルムレジスト１０２が存在しないため、図９に示されるように、貫通孔の内面においても、電極相当部１０１Ｃ上と同様に、ドライフィルムレジスト１０２に覆われていない部分が存在することとなる。
【００３３】
次に電極輪郭形成工程を行う。電極輪郭形成工程では、図１０、図１１に示されるように、除去部１０２ａが形成されていることによりドライフィルムレジスト１０２にそれぞれ覆われていない基板材１０１の表面１０１Ａの部分、裏面１０１Ｂの部分、及び貫通溝１０１ａの内面の部分のそれぞれ全体、即ち、それぞれ除去部１０２ａに対向する基板材１０１の表面１０１Ａの部分、裏面１０１Ｂの部分、及び貫通溝１０１ａの内面の部分のそれぞれの全体に対してスパッタ処理することにより、除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分全体に渡って端子電極１Ｂ、１Ｃを形成すると共に端子電極１Ｂ、１Ｃの輪郭を形成する。
【００３４】
次に、基板材１０１に上に残っているドライフィルムレジスト１０２を全て除去するレジスト除去工程を行い、図１２、図１３に示されるように、基板材１０１上にドライフィルムレジスト１０２が存在しない状態とする。次に、図１２の一点鎖線に沿って基板材１０１を切断し、図１２（ａ）の貫通溝１０１ａ間の部分から６つのチップ部品１を得る。
【００３５】
基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂにおいて電極相当部１０１Ｃ上と貫通溝１０１ａ上と貫通溝１０１ａ及び電極相当部１０１Ｃ以外の基板材１０１上の部分とに渡るように感光性のドライフィルムレジスト１０２を大気圧下でそれぞれ貼付けるレジスト貼付け工程と、電極相当部１０１Ｃの端縁を境界とするドライフィルムレジスト１０２の一方の領域である電極相当部１０１Ｃに対向するドライフィルムレジスト１０２の部分以外の部分に対して露光し現像することにより、電極相当部１０１Ｃの端縁に相当するドライフィルムレジスト１０２の端縁を形成するように電極相当部１０１Ｃ上のドライフィルムレジスト１０２と貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の一部とを除去して除去部１０２ａを形成する端縁近傍レジスト除去工程とを行うため、貫通溝１０１ａ内にドライフィルムレジスト１０２が落とし込まれていない状態、即ち、ドライフィルムレジスト１０２の全体が基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂにおいて平坦な状態となっているときに基板材１０１の表面、裏面１０１Ｂにおけるドライフィルムレジスト１０２に対して露光して、端子電極１Ｂ、１Ｃの形状を規定する除去部１０２ａを形成することができる。このため、除去部１０２ａを高い精度で形成することができ、このように高い精度で除去部１０２ａが形成されたドライフィルムレジスト１０２をレジスト押込み工程で貫通溝１０１ａの内面に貼付けることができ、端子電極１Ｂ、１Ｃを高い精度で形成することができる。
【００３６】
また、減圧下でドライフィルムレジスト１０２を貼り付ける必要がないため、減圧貼付装置が不要となり、端子電極形成にかかるコスト低減を図ることができ、減圧下で貼付作業を行う等の手間を省くことができる。
【００３７】
また、端縁近傍レジスト除去工程では、ドライフィルムレジスト１０２の一部であって電極相当部１０１Ｃ上のドライフィルムレジスト１０２の以外の部分で且つ電極相当部１０１Ｃ上のドライフィルムレジスト１０２に隣接する貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の部分以外の部分に対して露光し現像することにより電極相当部１０１Ｃ上のドライフィルムレジスト１０２と電極相当部１０１Ｃ上のドライフィルムレジスト１０２に隣接する貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の部分とを除去して除去部１０２ａを形成し、電極輪郭形成工程では、除去部１０２ａを通して除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分全体に対してスパッタ処理することにより除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分全体に渡って端子電極１Ｂ、１Ｃを形成するため、高い精度で形成された除去部１０２ａにおいてスパッタ処理により高い精度で端子電極１Ｂ、１Ｃを形成することができる。
【００３８】
本発明の端子電極形成方法は、上述した実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変形や改良が可能である。例えば除去部１０２ａは、略長方形状をなしていたが、この形状に限定されない。より具体的には、図１４に示されるような略コの字形状の遮光領域２０３ａが形成されたフォトマスク２０３を用いて、図１５に示されるように略コの字形状の除去部２０２ａを形成する。即ち、除去部２０２ａの長手方向（図１５の左右方向）の中間部の部分の除去部２０２ａの幅が、除去部２０２ａの長手方向の一端部、他端部の幅よりも小さくなるように除去部２０２ａを形成する。
【００３９】
このような除去部２０２ａを形成することにより、レジスト押込み工程では、図１６に示されるように、貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の一部であって、除去部２０２ａの中間部の幅を小さくしているドライフィルムレジスト１０２の部分は、貫通溝１０１ａの内面に貼付けられる。この貼付けられた部分には端子電極２１Ｂ、２１Ｃが形成されないため、図１７に示されるように、貫通溝１０１ａの内面において、基板材１０１の表面１０１Ａと貫通溝１０１ａの内面と基板材１０１の裏面１０１Ｂを結ぶ方向に直交する端子電極２１Ｂ、２１Ｃの幅が、基板材１０１表面１０１Ａの端子電極２１Ｂ、２１Ｃの幅、基板材１０１裏面１０１Ｂの端子電極２１Ｂ、２１Ｃの幅よりも小さい部分を有するように端子電極２１Ｂ、２１Ｃが形成される。
【００４０】
即ち、端縁近傍レジスト除去工程において、電極相当部１０１Ｃと貫通溝１０１ａとを結ぶ方向に対して直交する除去部２０２ａの寸法を除去部２０２ａの幅としたときの電極相当部１０１Ｃ上の除去部２０２ａの部分の幅を本実施の形態のように一定に形成し、貫通溝１０１ａ上の除去部２０２ａの部分は電極相当部１０１Ｃ上の除去部２０２ａの部分の幅とは異なる幅の部分を有するように除去部２０２ａを形成するため、当該異なる幅の部分において形成される端子電極２１Ｂ、２１Ｃの幅を電極相当部１０１Ｃ上に形成される端子電極２１Ｂ、２１Ｃの幅と異なる値とすることができる。
【００４１】
また、本実施の形態ではフォトマスク１０３の遮光領域１０３ａの形状は略長方形状をなし、除去部１０２ａの長手方向の一端部が、一のチップ部品１の一端部の端子電極１Ｂの電極相当部１０１Ｃに一致し、他端部が、当該一のチップ部品１に対して貫通溝１０１ａを挟んで対向する位置関係にある他のチップ部品１の他端部の端子電極１Ｃの電極相当部１０１Ｃに一致し、遮光領域１０３ａの一端部と他端部との間の中間部が、一のチップ部品１と他のチップ部品１とを区画する貫通溝１０１ａの部分に一致するように構成されたが、これに限定されない。
【００４２】
例えば、上述の長方形状の長手方向の一端部側の部分と他端部側の部分とのみを有する２分された形状としてもよい。より具体的には、当該一端部側の部分、他端部側の部分は、それぞれ電極相当部１０１Ｃ、１０１Ｃ上全体と当該電極相当部１０１Ｃ、１０１Ｃに隣接する貫通溝１０１ａの一部とに渡ってドライフィルムレジストの開口が形成されるように遮光領域を形成する。そして、電極相当部１０１Ｃと貫通溝１０１ａとを結ぶ方向における除去部の寸法を除去部の長さとしたときの貫通溝１０１ａ上の除去部の部分の長さを、貫通溝１０１ａの貫通方向における深さの半分よりも短い所定の長さとするようなフォトマスクの遮光領域の形状とする。
【００４３】
このようにすることにより、基板材１０１の表面１０１Ａと裏面１０１Ｂとに形成された端子電極にそれぞれ接続された貫通溝１０１ａの内面上の端子電極を、後述の図２０に示されるアレイ品４の端子電極３１Ｂ、３１Ｃのように、貫通溝１０１ａの貫通方向（図２０の上下方向）における深さの中央位置において分断された端子電極３１Ｂ、３１Ｃ、即ち、貫通溝１０１ａの貫通方向における当該所定の長さに相当する深さの位置に貫通溝１０１ａの貫通方向における端縁を有する端子電極３１Ｂ、３１Ｃとすることができる。
【００４４】
また、電極輪郭形成工程では、除去部１０２ａを通して除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分の全体に対してスパッタ処理することにより除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分の全体に渡って端子電極１Ｂ、１Ｃを形成したが、端子電極１Ｂ、１Ｃを形成する方法はこの方法に限定されない。
【００４５】
例えば、電極輪郭形成工程では薄膜形成処理としてスパッタ処理を行うことにより、除去部１０２ａに対向する基板材１０１の部分全体に渡って端子電極１Ｂ、１Ｃを形成したが、スパッタ処理に限定されず、ＣＶＤ、蒸着等の他の薄膜形成処理による成膜方法を行ってもよい。
【００４６】
また、例えば、先ず、溝形成工程の後であってレジスト貼付け工程の前に、貫通溝１０１ａが形成された基板材１０１の表面１０１Ａ全体、裏面１０１Ｂ全体、及び貫通溝１０１ａの内面全体に端子電極１Ｂ、１Ｃと同一の材料からなる金属膜を形成する工程を行う。端縁近傍レジスト除去工程では、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂ上であって電極相当部１０１Ｃの部分のドライフィルムレジスト１０２と電極相当部１０１Ｃの部分のドライフィルムレジスト１０２に隣接する貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２の部分とに対して露光し現像する。即ち、本実施の形態におけるフォトマスク１０３の遮光領域１０３ａ位置以外の位置に遮光領域が形成され、本実施の形態におけるフォトマスク１０３の透光領域位置以外の位置に透光領域が形成されたフォトマスクを基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂに配置させる。換言すれば、本実施の形態において除去部１０２ａが形成された位置に相当する位置にのみ透光領域が形成されたフォトマスクを配置させる。
【００４７】
そして、露光処理及び現像処理を行い、電極相当部１０１Ｃ以外の部分のドライフィルムレジスト１０２と電極相当部１０１Ｃ以外の部分の該ドライフィルムレジスト１０２に隣接する貫通溝１０１ａ上の該ドライフィルムレジスト１０２の部分とを除去して除去部を形成する。即ち、図示せぬフォトマスクの遮光領域に対向するドライフィルムレジスト１０２の部分を除去して除去部とする。そして、電極輪郭形成工程では、除去部の部分に対してエッチング等を施して金属膜を除去することにより、除去されなかった金属膜の部分をそのまま端子電極１Ｂ、１Ｃとすることができる。
【００４８】
また、上述の実施の形態においては、図１２の一点鎖線に沿って基板材１０１を切断し６つのチップ部品１を得たが、このような切断の方法に限定されない。例えば、切断をせずにチップ部品１とせずにプリント基板としてもよく、また、図１８乃至図２０に示されるように、本実施の形態のチップ部品１を複数分含むような構成となるように切断してアレイ品２、３、４としてもよい。また、貫通溝１０１ａに代えて貫通していない溝を形成してもよい。
【００４９】
また、上述の実施の形態のレジスト押込み工程では、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂの貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２を貫通溝１０１ａの中へそれぞれ押込むために、貫通溝１０１ａの形状に略一致する突出部１０４Ａが設けられた押圧冶具１０４を用いたが、このような冶具を用いることに限定されない。
【００５０】
例えば、図２１に示されるように、変形可能な密閉袋２０１内に基板材１０１を配置させる。そして、密閉袋２０１に、例えばコーヒー豆を真空パックするために用いられるような簡単な構成の減圧装置２０２を密閉袋２０１に接続し、密閉袋２０１内の空間を減圧する。このことにより、密閉袋２０１の内圧を密閉袋２０１の外圧よりも相対的に低くして、内圧と外圧との圧力差により変形した密閉袋２０１の一部が、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂにおいて貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２を貫通溝１０１ａの中へそれぞれ押込む内外圧差押込み工程を行うようにしてもよい。
【００５１】
このようにすることで、変形した密閉袋２０１の一部がドライフィルムレジスト１０２を基板材１０１の表面１０１Ａ、裏面１０１Ｂ、及び貫通溝１０１ａ内において隙間無く基板材１０１に沿わせて密着させることができる。また、基板材１０１の表面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂにおいて貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２を貫通溝１０１ａの中へそれぞれ押込むための押圧治具１０４を用いる必要がない。このため、精度よく製造する必要がある押圧冶具１０４を製造せずに済む。また、端縁近傍レジスト除去工程を減圧下で行わずに済むため、減圧下で端縁近傍レジスト除去工程を行うための特別な装置を用意せずに済む。これらのことから、低コストで端子電極形成を行うことができる。また、減圧装置２０２により密閉袋２０１の内圧を密閉袋２０１の外圧よりも相対的に低くするため、簡単な構成の減圧手段を用いて密閉袋２０１の内圧を密閉袋２０１の外圧よりも相対的に低くすることができる。
【００５２】
又は、このような減圧装置２０２を用いずに、基板材１０１を密閉袋２０１内に配置させた当該密閉袋２０１を、静水が貯留されている水槽の当該静水内に配置させることにより、密閉袋２０１の内圧を密閉袋２０１の外圧よりも相対的に低くして、内圧と外圧との圧力差により変形した密閉袋２０１の一部が基板材１０１の表面及び裏面において貫通溝１０１ａ上のドライフィルムレジスト１０２を貫通溝１０１ａの中へそれぞれ押込む内外圧差押込み工程を行うようにしてもよい。このようにすることで、基板材１０１の全方向から密閉袋２０１を介して均一に押圧することができる。
【００５３】
更に、上述のように減圧装置２０２を用いて密閉袋２０１の内圧を密閉袋２０１の外圧よりも相対的に低くした後に、上述のように、基板材１０１を密閉袋２０１内に配置させた当該密閉袋２０１を、静水が貯留されている水槽の当該静水内に配置させてもよい。このようにすることで、基板材１０１の表面１０１Ａ、裏面１０１Ｂ、及び貫通溝１０１ａ内におけるドライフィルムレジスト１０２の基板材１０１への密着性を更に高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の端子電極形成方法はチップ部品等の端子電極を形成する分野において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態による端子電極形成方法により製造されたチップ部品を示す斜視図。
【図２】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の溝形成工程を示す斜視図。
【図３】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト貼付け工程を示す斜視図。
【図４】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト貼付け工程を示す部分拡大概念図。
【図５】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の端縁近傍レジスト除去工程を示す部分拡大概念図。
【図６】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の端縁近傍レジスト除去工程により除去部が形成された状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿った側方断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿った位置における側方断面図。
【図７】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の端縁近傍レジスト除去工程により除去部が形成された状態を示す部分拡大概念図。
【図８】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト押込み工程を押圧冶具で行った例を示す側方断面図。
【図９】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト押込み工程を示す部分拡大概念図。
【図１０】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の電極輪郭形成工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿った側方断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿った位置における側方断面図。
【図１１】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の電極輪郭形成工程を示す部分拡大概念図。
【図１２】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト除去工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿った側方断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿った位置における側方断面図。
【図１３】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト除去工程を示す部分拡大概念図。
【図１４】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例による端縁近傍レジスト除去工程を示す部分拡大概念図。
【図１５】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例による端縁近傍レジスト除去工程により除去部が形成された状態を示す部分拡大概念図。
【図１６】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例による電極輪郭形成工程を示す部分拡大概念図。
【図１７】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例によるレジスト除去工程を示す部分拡大概念図。
【図１８】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例により製造されたアレイ品を示す斜視図。
【図１９】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例により製造されたアレイ品を示す斜視図。
【図２０】本発明の実施の形態による端子電極形成方法の変形例により製造されたアレイ品を示す斜視図。
【図２１】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト押込み工程の変形例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２２】本発明の実施の形態による端子電極形成方法のレジスト押込み工程の変形例において密閉袋の内圧を密閉袋の外圧よりも相対的に小さくした状態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５６】
１          チップ部品
１Ａ        チップ部品本体
１Ｂ、１Ｃ、２１Ｂ、２１Ｃ、３１Ｂ、３１Ｃ            端子電極
１０１Ａ    表面
１０１Ｂ    裏面
１Ｄ        底面
１Ｅ        上面
１０１      基板材
１０２      ドライフィルムレジスト
１０３、２０３          フォトマスク
１０１ａ    貫通溝
１０２ａ    除去部
１０３ａ、２０３ａ      遮光領域
１０１Ｃ    電極相当部
２０１      密閉袋
２０２      減圧装置
【図１】
0004872134.tif 000002
【図２】
0004872134.tif 000003
【図３】
0004872134.tif 000004
【図４】
0004872134.tif 000005
【図５】
0004872134.tif 000006
【図６】
0004872134.tif 000007
【図７】
0004872134.tif 000008
【図８】
0004872134.tif 000009
【図９】
0004872134.tif 000010
【図１０】
0004872134.tif 000011
【図１１】
0004872134.tif 000012
【図１２】
0004872134.tif 000013
【図１３】
0004872134.tif 000014
【図１４】
0004872134.tif 000015
【図１５】
0004872134.tif 000016
【図１６】
0004872134.tif 000017
【図１７】
0004872134.tif 000018
【図１８】
0004872134.tif 000019
【図１９】
0004872134.tif 000020
【図２０】
0004872134.tif 000021
【図２１】
0004872134.tif 000022
【図２２】
0004872134.tif 000023