(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式（１）で表される化合物：
【化１】
0004970249.tif 000009
〔式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって水素原子またはＣ１−４アルキル基を表し、Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、アリール基、Ｃ１−４アルキルオキシ基または、アリールオキシ基を表す〕
を、不斉触媒の存在下、水素雰囲気中で水素添加反応させて、次式（４）で表される化合物：
【化２】
0004970249.tif 000010
〔式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、前記と同一の意味を表す〕
を生成させる工程；ならびに
生成した上記式（４）で表される化合物を加水分解する工程を含み、
前記不斉触媒が、次式（２）で表される化合物：
[ Rh (R４) (L)] X
（２）
〔式中、Ｒ４は、１，５−シクロオクタジエンまたはノルボルナジエンを表し、Ｌは、式（６）または式（８）で表される光学活性環状ホスフィン配位子を表し、Ｘは、ＢＦ4、ＣｌＯ4、ＰＦ6、ＳｂＦ6、ＢＰｈ４または、ＯＴｆ（ここでＴｆはトリフルオロメタンスルホニル基を表す）を表す〕
または、次式（３）で表される化合物：
[ Rh (L) (Z)]２
（３）
［式中、Ｌは、前記と同一の意味を表し、Ｚは、ハロゲン原子を表す］
であり、
前記式（６）は、
【化３】
0004970249.tif 000011
［ここでＲ５およびＲ8はＣ１−４アルキル基を表し、Ｒ６およびＲ7は水素原子を表し、Yは次式（７）で表される基：
【化４】
0004970249.tif 000012
(7)
（式中、Meはメチル基を表す）から選択される基を表す］
であり、
前記式（８）は、
【化５】
0004970249.tif 000013
［ここでＲ9およびＲ10はＣ１−４のアルキル基を表す］
であることを特徴とする次式（５）で表されるＬ−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造方法。
【化６】
0004970249.tif 000014
【請求項２】
式（２）または式（３）におけるＬが、式（８）の配位子であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
式（２）または式（３）におけるＬが、式（６）の配位子であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
式（２）の不斉触媒を用いることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
式（２）の不済触媒を用いて、かつ式（２）におけるＬが、式（６）の配位子であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
式（２）または式（３）におけるＬが、式（６）の配位子であり、かつ式（６）の配位子におけるＹが、次式（９）
【化１】
0004970249.tif 000015
で表される基から選択される基であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
ＸがＯＴｆまたはＢＦ４である式（２）の不斉触媒を用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
式（１）におけるＲ１およびＲ２が水素原子であり、Ｒ３がＣ１−４アルキル基であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
Ｌが１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチル−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、または１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタンのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項１０】
式（２）の不斉触媒を用いて、かつ式（２）におけるＲ４が１，５−シクロオクタジエンであり、Ｌが１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼンであり、ＸがＯＴｆであり、水素添加反応において用いられる溶媒がｎ-ブタノールであることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、除草剤として有用であるL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸（以下L−AMPBと略記する）の製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
D、L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸（以下DL−AMPBと略記する）は、除草活性を有する公知化合物であり、広範囲スペクトルを有する有効な除草剤として使用されている（特開昭５２−１３９７２７号公報）。しかしながら、DL−AMPB の除草活性は、L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸（以下L−AMPBと略記する）の約１/２であり、活性本体はL−AMPBであることが明らかとなっている（特開昭５５−００００２５号公報、特開昭５９−２１９２９７号公報）。このためL−AMPBを選択的に効率良く製造する方法の開発が強く望まれている。【０００３】
従来、L−AMPBの製造法としては、（ａ）微生物、酵素を利用する方法、（ｂ）不斉合成法などが知られている。（ａ）の方法としては、例えば４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−オキソブタン酸からトランスアミノ化酵素によりL−AMPBを製造する方法（特表２００３−５２８５７２号公報）、N−アセチル−DL−AMPB から酵素的ラセミ体分割によりL−AMPBを製造する方法（特表２００３−５０５０３１号公報）などが開示されているが、これらの方法はいずれも低い基質濃度で反応を行う必要があること、後処理および精製工程が複雑であること、さらにトランスアミノ化反応では高価な光学活性アミノ酸を等モル以上使用しなければならないなどの問題点がある。（ｂ）の不斉合成法としては、例えば（R）−３−イソプロピル−２，５−ジアルコキシ−３，６−ジヒドロピラジンのアルキル化によりL−AMPBを合成する方法（特開昭６２−１３２８９１号公報、Tetrahedron  Lett.  1255（1987））、L −ビニルグリシンから立体特異的にL−AMPBに変換する方法（Tetrahedron  8263（1992））などが開示されているが、これらの方法ではD−バリン、L−ビニルグリシンなどの高価な光学活性アミノ酸を出発原料として用いる必要があり、原料を安価に大量に供給するという点で問題がある。さらに不斉合成法として例えば２−アセトアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸の不斉水素添加反応によりL−AMPBを製造する方法（特開昭６２−２２６９９３号公報、J.  Org.  Chem.  56, 1783（1991））が開示されている。この製造法では光学活性なジフェニルホスフィン化合物を配位子とするロジウム触媒を用いて不斉水素添加反応を行っており、不斉源を触媒量使用する点で効率良い製造法であると考えられるが、光学収率が高くないことが問題点として挙げられる。【０００４】
一方、一般的にデヒドロアミノ酸からアミノ酸へのロジウム触媒を用いた不斉水素添加反応はすでに良く知られている（Chem．Rev．，103，3029−3070（2003））。しかしながら、多くの反応はアルキル基およびアリール基を側鎖にもつデヒドロアミノ酸への不斉還元反応であり、側鎖に極性の高い置換基を有するデヒドロアミノ酸を用いた反応例は少ない。
【特許文献１】特開昭５２−１３９７２７号公報
【特許文献２】特開昭５５−００００２５号公報
【特許文献３】特開昭５９−２１９２９７号公報
【特許文献４】特表２００３−５０５０３１号公報
【特許文献５】特開昭６２−１３２８９１号公報
【特許文献６】特開昭６２−２２６９９３号公報
【非特許文献１】Tetrahedron  Lett.  1255（1987）
【非特許文献２】Tetrahedron  8263（1992）
【非特許文献３】J.  Org.  Chem.  56, 1783（1991）
【非特許文献４】Chem．Rev．，103，3029−3070（2003）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、除草剤として有用であるL−AMPBを触媒的不斉合成反応により効率よく、高い不斉収率で製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、２−アセチルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸の不斉水素添加反応において不斉触媒の検討を行った結果、光学活性環状ホスフィン配位子を有するロジウム触媒を用いたときにL−AMPBが効率よく、高い不斉収率で得られることを見出し、本発明を完成した。【０００７】
すなわち本発明は、以下の通りである。
次式（１）【０００８】
【化１】
0004970249.tif 000002
（１）
〔式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって水素原子またはＣ１−４アルキル基を表し、Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、アリール基、Ｃ１−４アルキルオキシ基または、アリールオキシ基を表す〕で表される化合物を、次式（２）
[ Rh (R４) (L)] X
（２）
〔式中、Ｒ４は、１，５−シクロオクタジエンまたはノルボルナジエンを表し、Ｌは、次式（６）【０００９】
【化２】
0004970249.tif 000003
（６）
（ここでＲ５およびＲ8はＣ１−４アルキル基を表し、Ｒ６およびＲ7は水素原子を表し、Yは次式（７）
【００１０】
【化３】
0004970249.tif 000004
（７）
（式中、Meはメチル基を表す）で表される基から選択される基を表す）または
次式（８）【００１１】
【化４】
0004970249.tif 000005
（８）
（ここでＲ9およびＲ10はＣ１−４のアルキル基を表す）で表される光学活性環状ホスフィン配位子を表し、
Ｘは、ＢＦ4、ＣｌＯ4、ＰＦ6、ＳｂＦ6、ＢＰｈ４または、ＯＴｆ（ここでＴｆ はトリフルオロメタンスルホニル基を表す）を表す〕または、
次式（３）
[ Rh (L) (Z)]２
（３）
［式中、Ｌは、前記と同一の意味を表し、Ｚは、ハロゲン原子を表す］で表される不斉触媒の存在下、水素雰囲気中で水素添加反応させることにより生成した次式（４）【００１２】
【化５】
0004970249.tif 000006
（４）
〔式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、前記と同一の意味を表す〕で表される化合物を加水分解することを特徴とする次式（５）【００１３】
【化６】
0004970249.tif 000007
（５）
で表されるL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造方法。【００１４】
また、本発明の好ましい態様として、式（２）または式（３）におけるＬを、式（８）の配位子にすることができ、また、別の好ましい態様として、式（２）または式（３）におけるＬを、式（６）の配位子にすることができる。【００１５】
本発明のさらに好ましい態様として、Ｌを、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチル−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、または１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタンにすることもできる。【００１６】
本発明の好ましい態様として、式（２）の不斉触媒を用いることができる。【００１７】
本発明の好ましい態様として、式（２）の不済触媒を用いて、かつ式（２）におけるＬを、式（６）の配位子にすることができる。【００１８】
本発明の好ましい態様として、式（２）または式（３）におけるＬを、式（６）の配位子にし、かつ式（６）の配位子におけるＹを、次式（９）【００１９】
【化７】
0004970249.tif 000008
（９）
で表される基から選択される基にすることができる。さらに好ましい態様として、Ｌを、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチル−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、または１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタンにすることもできる。【００２０】
本発明の好ましい態様として、ＸがＯＴｆまたはＢＦ４である式（２）の不斉触媒を用いることができる。【００２１】
本発明の好ましい態様として、式（１）におけるＲ１およびＲ２を水素原子に、Ｒ３をＣ１−４アルキル基にすることができる。
本発明の好ましい態様として、式（２）の不斉触媒を用いて、かつ式（２）におけるＲ４を、１，５−シクロオクタジエンにし、Ｌを、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼンにし、Ｘを、ＯＴｆにし、水素添加反応において用いられる溶媒を、ｎ-ブタノールにすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の製造法により除草剤として有用であるL−AMPBを効率よく、９２％ee以上の高い不斉収率で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明に用いられる式（１）および式（４）で表される化合物においてR１、R２、R３で示される基について説明する。
R１、R２およびR３が表す基または基上のC１−４アルキル基としては、具体的にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
R１、R２およびR３が表す基または基上のアリール基としては、具体的にフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。【００２４】
式（１）で表される化合物は、特開昭６２−２２６９９３号公報またはJ. Org. Chem.,56、1783（1991）に記載されている方法により合成することができる。【００２５】
式（１）で表される化合物は、Ｒ１およびＲ２が水素原子であり、Ｒ３がＣ１−４アルキル基である化合物が好ましい。【００２６】
式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば以下に示す化合物が挙げられる。
２−アセトアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸、
２−プロピオニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸、
２−ベンゾイルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸、
２−ｔ−ブトキシカルボニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸、
２−ベンジルオキシカルボニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸、
２−アセトアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−プロピオニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ベンゾイルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ｔ−ブトキシカルボニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ベンジルオキシカルボニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−アセトアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−プロピオニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸、
２−ベンゾイルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸、
２−ｔ−ブトキシカルボニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸、
２−ベンジルオキシカルボニルアミド−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸、
２−アセトアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−プロピオニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ベンゾイルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ｔ−ブトキシカルボニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル、
２−ベンジルオキシカルボニルアミド−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸メチルエステル【００２７】
本発明で用いられる式（２）および式（３）で表される不斉触媒においてR５、R８、R9、R10、Zで示される基について説明する。
R５、R８、R9およびR10が表すC１−４アルキル基としては、具体的にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
Zが表すハロゲン原子としては、具体的にクロル原子、ブロム原子、ヨウ素原子などが挙げられる。【００２８】
本発明で用いられる式（６）で表される配位子におけるＲ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8の組合せとしては、Ｒ5およびＲ8がＣ１−４アルキル基であって、Ｒ6およびＲ7が水素原子であるかまたは、Ｒ5およびＲ8がＣ１−４アルキル基であって、Ｒ6およびＲ7が水酸基であることが好ましい。【００２９】
また、Lで示される不斉配位子は、J. Am. Chem. Soc., 113, 8518 (1991)、J. Org. Chem., 63, 8031 (1998)、J. Org. Chem., 65, 3489 (2000)、Angew. Chem. Int. Ed. 39, 1981 (2000)または、J. Org. Chem. 68, 1701 (2003)）に記載されている方法により合成することができまた、市販品を用いることができる。【００３０】
Lは、好ましくは式（６）または式（８）の配位子、より好ましくは式（６）の配位子である。さらにYは、式（９）に示される基から選択される基であることが好ましく、特に好ましくはYがフェニル基であり、R5、R8がＣ１−４アルキル基であり、R6、R7が水素原子である式（６）の配位子が挙げられる。【００３１】
Lの具体例としては、例えば１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチル−３、４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタン、１，１’−ビス（２，４−ジメチルホスホタノ）フェロセン、１，１’−ビス（２，４−ジエチルホスホタノ）フェロセン、２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラニル）マレイック酸無水物、２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラニル）マレイック−N−メチルイミド、２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゾ[b]チオフェン、２，３−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゾ[b]チオフェンなどが挙げられ、好ましくは、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチル−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、または１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタンである。より具体的には（S，S）−１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン（（S，S）−Me−DUPHOSTMと略記する）、（S，S）−１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン（（S，S）−Et−DUPHOSTMと略記する）、（R，R）−１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン（（R，R）−iPr−DUPHOSTMと略記する）、（S，S，S，S）−１，２−ビス（２，５−ジメチル−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン（（S，S，S，S）−ROPHOSＲと略記する）、（S，S）−１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン（（S，S）−Me−BPEと略記する）、（S，S）−１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）エタン（（S，S）−Et−BPEと略記する）、１，１’−ビス（２，４−ジメチルホスホタノ）フェロセン（Me−FerroTANEＲと略記する）、（S，S）−１，１’−ビス（２，４−ジエチルホスホタノ）フェロセン（（S，S）−Et−FerroTANEＲと略記する）、（S，S）−２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラニル）マレイック酸無水物、（S，S）−２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラニル）マレイック−N−メチルイミド、（S，S）−２，３−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゾ[b]チオフェン、（S，S）−２，３−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゾ[b]チオフェンなどが挙げられ、好ましくは、（S，S）−Me−DUPHOSTM、（S，S）−Et−DUPHOSTM、（R，R）−iPr−DUPHOSTM、（S，S，S，S）−ROPHOSＲ、（S，S）−Me−BPEまたは、（S，S）−Et−BPEである。【００３２】
式（２）および式（３）で表される不斉触媒は、J. Am. Chem. Soc., 93, 3089 (1971)、J. Am. Chem. Soc., 99, 5946 (1977)、日本化学会編「第４版  実験化学講座」第１８巻  有機金属錯体  ３３９−３４４  （１９９１）丸善に記載されている方法により合成することができまた、市販品を用いることもできる。【００３３】
不斉触媒として、式（２）の化合物を用いることが好ましい。【００３４】
式（２）または式（３）で示される不斉触媒としては、具体的に[Rh(L)Cl]2、[Rh(L)Br]2、[Rh(L)I]2、[Rh(cod)L]BF4、[Rh(cod)L]OTf、[Rh(cod)L]BPh4、[Rh(cod)L]ClO4、[Rh(cod)L]PF6、[Rh(nbd)L]BF4、[Rh(nbd)L]OTf、[Rh(nbd)L]BPh4、[Rh(nbd)L]ClO4、[Rh(nbd)L]PF6などが挙げられ、より好ましくは[Rh(cod)L]BF4、[Rh(cod)L]OTf、[Rh(nbd)L]BF4、[Rh(nbd)L]OTfである（この場合、Lとして特に好ましくはYがフェニル基であり、R5、R8がＣ１−４アルキル基であり、R6、R7が水素原子である式（６）の配位子が挙げられる）。また、ここで、cod は１，５−シクロオクタジエン、nbd はノルボルナジエンをそれぞれ表す。【００３５】
式（１）で表される化合物を式（２）または式（３）で表される不斉触媒を用いて水素添加反応させ、式（４）で表される化合物を製造する方法において溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、メトキシエタノール、トリフルオロエタノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、水、塩化メチレン、クロロホルム、ベンゼン、トルエン、アセトン、アセトニトリル、N，N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドおよびこれら２種以上の溶剤の組み合わせなどが挙げられる。好ましくは、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、水およびこれら２種以上の溶剤の組み合わせである。反応濃度としては１〜６０質量％、好ましくは、５〜４０質量％であり、不斉触媒の使用量としては、モル比で 式（１）の化合物/ 式（２）、または式（３）の不斉触媒が１０〜１０００００、好ましくは１００〜１００００の範囲で行われる。反応温度は０〜１００℃、好ましくは１５〜６０℃の範囲で行われ、水素圧は水素雰囲気〜１００気圧、好ましくは１〜１０気圧の範囲で行われる。反応時間は触媒の種類、使用量により異なるが、通常１分〜４８時間、好ましくは１０分〜２４時間の範囲で行われる。【００３６】
式（４）で表される化合物から加水分解反応により化合物（５）を製造する反応において溶媒としては、水が挙げられ、酸としては塩酸、硫酸などの鉱酸が挙げられる。濃度は塩酸を用いる場合には６〜１２Ｍ、硫酸を用いる場合には２〜１８Ｍの範囲で通常行われ、反応温度としては２０〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃の範囲で行われ、反応時間は２〜１２時間、好ましくは４〜８時間の範囲で行われる。
【実施例】
【００３７】
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【００３８】
以下の実施例において、（＋）−１，２−ビス（（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチルホスホラノベンゼン（シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネートを[Rh((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTfと、（＋）−１，２−ビス（（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジエチルホスホラノベンゼン（シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネートを[Rh((S, S)-Et-DUPHOSTM)(cod)]OTfと、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホネートを[Rh(cod)2]OTfと、（−）−１，２−ビス（（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジイソプロピルホスホラノベンゼンを(S, S)-iPr-DUPHOSTMと、（＋）−１，２−ビス（（２Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチル−（３Ｓ，４Ｓ）−３，４−ジヒドロキシホスホラノ）ベンゼン  ビス（トリフルオロメタンスルホネート）を(S, S, S, S)-ROPHOSR-bis(OTf)と、（−）−１，１’−ビス（（２Ｓ，４Ｓ）−２，４−ジエチルホスホタノ）フェロセン（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボレートを[Rh ((S, S)-Et-FerroTANER)(cod)]BF4と、略記する。なお、[Rh((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf、[Rh((S, S)-Et-DUPHOSTM)(cod)]OTf、[Rh(cod)2]OTf、(S, S)-iPr-DUPHOSTM、(S, S, S, S)-ROPHOSR-bis(OTf)および[Rh ((S, S)-Et-FerroTANER)(cod)]BF4はすべてStrem社製のものを使用した。
不斉収率の測定
不斉収率は、製造した化合物（５）に対し、高速液体クロマトグラフィー（HPLC）を用い以下の条件で測定した。D体が先に溶出し、次いでL体が溶出する。
カラム：SUMICHIRAL  OA6100（4.6X150ｍｍ）、
移動相：２ｍＭ  硫酸銅水溶液
検出：UV２５４nm
流速：1.0 ml/min
カラム温度：３０℃【００３９】
実施例１ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
アルゴン雰囲気下、２−アセトアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸３００ｍｇ、[Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇ、メタノール１０ｍｌをステンレス製オートクレーブに入れ、水素圧０．３ＭＰａにて室温で２２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧濃縮し、得られた残渣に６Ｎ塩酸１０ｍｌを加え１２時間還流した。溶媒を減圧留去し、プロピレンオキサイド４ｍｌを加え１時間攪拌した。減圧濃縮後、得られた残渣をイオン交換樹脂（DowexR 1X4 Ac、200-400mesh：溶離液１０％酢酸水溶液）にて精製し、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸２１１ｍｇを固体として得た。ＨＰＬＣ分析（保持時間：D体４．０分、L体５．５分）により不斉収率は９２．９％eeであった。
１H-NMR(D2O)δ：1.28 (3H, d, J=13.9Hz), 1.57-1.78 (2H, m), 1.95-2.11 (2H, m), 3.89 (1H, t, J=6.1Hz)．
APIMASS：m/z 182 [M+H]＋．【００４０】
実施例２ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１におけるメタノール１０ｍｌの代わりにｎ−ブタノール１０ｍｌを溶媒として用いて実施例１と同様に反応を行ったところ、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸２１５ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９２．７％eeであった。【００４１】
実施例３ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１における [Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇの代わりに[Rh ((S, S)-Et-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．８ｍｇを触媒として用い、メタノール１０ｍｌの代わりにｎ−ブタノール１０ｍｌを溶媒として用いて実施例１と同様に反応を行ったところ、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸１８０ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９５．６％eeであった。【００４２】
実施例４ D−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１における [Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇの代わりに[Rh(cod)2]OTf ６．４ｍｇと(S, S)-iPr-DUPHOSTM ５．７ｍｇ を触媒として用い、メタノール１０ｍｌの代わりにｎ−プロパノール１０ｍｌを溶媒として用いて実施例１と同様に反応を行ったところ、目的とするD−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸２１８ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９３．６％eeであった。【００４３】
実施例５ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１における [Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇの代わりに[Rh(cod)2]OTf ６．４ｍｇと(S, S, S, S)-ROPHOSR-bis(OTf) ９．１ｍｇ を触媒として用い、添加物としてトリエチルアミン２７．５ｍｇを加え、反応時間を２２時間から４４時間として実施例１と同様に反応を行ったところ、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸１９０ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９２．４％eeであった。【００４４】
実施例６ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１における [Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇの代わりに[Rh ((S, S)-Et-FerroTANER)(cod)]BF4 １０．１ｍｇを触媒として用い、メタノール１０ｍｌの代わりにｎ−プロパノール１０ｍｌを溶媒として用いて実施例１と同様に反応を行ったところ、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸２２１ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９２．０％eeであった。【００４５】
実施例７ L−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸の製造
実施例１における２−アセトアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブテン酸３００ｍｇの代わりに２−アセトアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−ブテン酸メチル３４０ｍｇを原料として用い、 [Rh ((S, S)-Me-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．０ｍｇの代わりに[Rh ((S, S)-Et-DUPHOSTM)(cod)]OTf ９．８ｍｇを触媒として用いて実施例１と同様の反応を行ったところ、目的とするL−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸１５９ｍｇを得た。不斉収率はＨＰＬＣによる分析から９２．１％eeであった。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、光学活性環状ホスフィン配位子を有するロジウム触媒を用いて式（１）で表される化合物を不斉水素添加反応させることによりL−AMPBを選択的に合成するものであり、従来の光学活性体の合成法に比べて安価に、効率良く、高選択的に合成できる方法として優れている。