(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端を短絡端もしくは開放端とするとともに他端に入出力端子を備えた２つの分布定数線路を略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部と、
一端を短絡端もしくは開放端とする１以上のスタブ状分布定数線路と
を備え、
前記スタブ状分布定数線路は、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路に対して、略々平行で、かつ、近接して配置され、
前記スタブ状分布定数線路の他端を、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路の前記入出力端子側の前記他端近傍部分に接続したことを特徴とする高周波結合線路。
【請求項２】
前記２端子回路結合線路部を構成する２つの前記分布定数線路は互いに逆向きに配列され、
前記分布定数線路と前記スタブ状分布定数線路はいずれも設計周波数において９０度未満の略々同一の電気長を有し、
前記スタブ状分布定数線路は、前記分布定数線路の少なくともいずれか一方に取り付けられるとともに、その取り付け位置は、前記分布定数線路の前記入出力端子側の前記他端近傍部分である
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波結合線路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高周波結合線路を複数個縦続接続して構成したことを特徴とする高周波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波結合線路に関し、特に、マイクロ波帯及びミリ波帯で用いられる高周波結合線路、および、これらの高周波結合線路を用いた高周波フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２つの分布定数線路を平行に近接配置して電磁界結合させた結合線路は、従来からフィルタや方向性結合器の構成要素として広く用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
その代表的なものの一つとして、例えば、先端開放の２つの分布定数線路を互いに逆の向きに平行に並べて構成される２端子回路としての結合線路、いわゆる、インターディジタル形結合線路がある。図１３にマイクロストリップ線路で構成したインターディジタル形結合線路を示す。図１３において、１は誘電体基板、２は地導体、３ａ，３ｂは入出力ストリップ導体、４ａ，４ｂは入出力ストリップ導体３ａ，３ｂに接続された結合線路ストリップ導体、５は結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの間の導体ギャップ、７ａ，７ｂは結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの先端部の開放端、１０は、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂを略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部である。このような構成のインターディジタル形結合線路は、平行に並んで電磁界結合する２つの分布定数線路部分の電気長が９０度となる周波数、および、その奇数倍の周波数でもっとも強く結合をし、その一方で、偶数倍の周波数で結合が弱くなるという、図１４に示すような周期性のある周波数特性を有する。なお、図１４では、電磁界結合する２つの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂ部分の電気長が９０度となる周波数をｆ０としている。この種の結合線路は、小型化の観点などから、電気長が９０度、あるいは、９０度未満となる周波数で設計されて用いられることが多い。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１０４５８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、結合線路を含む回路の設計周波数で９０度の電気長を有するインターディジタル形結合線路では、上記のような、周期性のある周波数特性の関係で、上記設計周波数の３倍などの周波数帯域で設計周波数同様に結合が強くなる。このため、例えば、帯域通過フィルタでは、設計周波数を通過帯域の中心周波数とした場合に中心周波数の３倍付近の周波数帯域では信号が透過しやすくなる。また、回路の小型化の要請や物理的な制約から、結合線路の電気長を９０度より短い４５度程度に選んだ場合には、２倍の周波数で結合線路の電気長が９０度となるため、この場合には設計周波数の２倍付近で信号の透過量が大きくなりやすい。この結合線路部分における周期的な信号の透過のしやすさに加え、フィルタに用いている共振器の高次共振が重畳すると、フィルタの減衰量は著しく劣化するという問題点があった。
【０００６】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、所定の周波数帯域付近でのみ所要の結合を呈し、その他の周波数帯域で不要な結合が少ない、高周波結合線路を得ることを目的とする。
さらに、このような結合線路を用いて、スプリアス応答の少ない高周波フィルタを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、一端を短絡端もしくは開放端とするとともに他端に入出力端子を備えた２つの分布定数線路を略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部と、一端を短絡端もしくは開放端とする１以上のスタブ状分布定数線路とを備え、前記スタブ状分布定数線路は、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路に対して、略々平行で、かつ、近接して配置され、前記スタブ状分布定数線路の他端を、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路の前記入出力端子側の前記他端近傍部分に接続したことを特徴とする高周波結合線路である。
【発明の効果】
【０００８】
この発明は、一端を短絡端もしくは開放端とするとともに他端に入出力端子を備えた２つの分布定数線路を略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部と、一端を短絡端もしくは開放端とする１以上のスタブ状分布定数線路とを備え、前記スタブ状分布定数線路は、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路に対して、略々平行で、かつ、近接して配置され、前記スタブ状分布定数線路の他端を、前記２端子回路結合線路部を構成する前記分布定数線路の前記入出力端子側の前記他端近傍部分に接続したことを特徴とする高周波結合線路であるので、所定の周波数帯域付近でのみ所要の結合を呈し、その他の周波数帯域で不要な結合を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波結合線路の構成を示した斜視図である。図１においては、本実施の形態１に係る高周波結合線路として、マイクロストリップ線路形結合線路を例に挙げて示している。図２は、図１の高周波結合線路の等価回路である。これらの図において、１は例えばセラミック材料等から構成された誘電体基板（誘電体層）、２は誘電体基板１の下面に取り付けられた地導体である。３ａ，３ｂは、誘電体基板１の上面において、誘電体基板１の左右の一辺にそれぞれ１つの辺を合わせるようにして設けられた、略々矩形の１対の入出力ストリップ導体（入出力端子）である。４ａ，４ｂは、誘電体基板１の上面に互いに平行に近接配置され、入出力ストリップ導体３ａ，３ｂにそれぞれ接続された、細長い略々長方形の結合線路ストリップ導体（分布定数線路）である。５は、これら２つの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの間の導体ギャップである。６ａ，６ｂは、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂにそれぞれ取り付けられ、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの長手方向に対して垂直な方向に設けられた、スタブ状ストリップ導体（スタブ状分布定数線路）である。７ａ，７ｂは、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの先端部における開放端をそれぞれ示し、８ａ，８ｂは、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの先端部における開放端をそれぞれ示す。９ａ，９ｂは、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂへの接続部を示している。また、１０は、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂを略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部である。図２に示す電気長θはすべて設計周波数ｆ０において３０度であり、したがって、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの総電気長は設計周波数ｆ０において略々９０度、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの電気長は略々３０度である。
【００１０】
結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂは、互いに逆向きに配列され、かつ、互いに平行に近接して配置されている。結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂは、それぞれ、誘電体基板１の上面の上辺および下辺（長手方向の２辺）に略々平行になるように、誘電体基板１の上面の略々中央部分に設けられている。結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂは、それぞれ、入出力ストリップ導体３ａ，３ｂを始点として、そこから延設され、その先端部における開放端７ａ，７ｂの位置は、長手方向において、他方の結合線路ストリップ導体４ｂ，４ａの始点の位置までとなっている。従って、図１に示すように、誘電体基板１の長手方向において、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと入出力ストリップ導体３ａ，３ｂとが並んで設けられている部位はない。また、図１に示すように、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂへの接続部９ａ，９ｂは、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの中途（図１の例では、長手方向の中央部分付近で、やや開放端７ａ，７ｂ寄りの位置）に設けられている。
【００１１】
本実施の形態において、必要なことは、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂが設計周波数ｆ０において略々９０度の電気長を有し、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが設計周波数ｆ０において略々３０度の電気長をそれぞれ有し、かつ、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂへの接続部９ａ，９ｂが、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの開放端７ａ，７ｂから設計周波数ｆ０において略々３０度の電気長の位置となるように、配置することである。
【００１２】
このように、本実施の形態に係る高周波結合線路は、一端を短絡端もしくは開放端とし、他端に入出力端子としての入出力ストリップ導体３ａ，３ｂを備えた２つの分布定数線路である結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂを略々平行に配列して相互に電磁界結合させて成る一組の２端子回路結合線路部１０と、一端が短絡端もしくは開放端となった一つあるいは複数のスタブ状分布定数線路であるスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂとから構成され、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの他端を、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの中途に接続した構成となっている。
【００１３】
次に動作について説明する。
図３に、設計周波数ｆ０の３倍の周波数における本実施の形態に係る高周波結合線路の等価回路を示す。ｆ０の３倍の周波数では、本図における電気長θはすべて９０度となる。スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂは、シャントの直列共振をするため、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂへの接続部９ａ，９ｂにおいて結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂを地導体２に短絡する。したがって、図３（ａ）のような等価回路が得られる。図３（ａ）の３つの結合線路部位をそれぞれ個別に２端子回路で書き直すと、図３（ｂ）となる。中央部の結合線路は、２つの先端短絡線路を逆向きにならべて結合させたものであり、このような結合線路は電気長が９０度となると電気長２７０度（−９０度）の分布定数線路と等価に振舞うことが知られている。このため、図３（ｃ）のような回路が得られる。したがって、本実施の形態の高周波結合線路は、設計周波数の３倍の周波数においては、２つの１／４波長共振器を用いた２段の帯域阻止フィルタと等価となることが判る。このため、３倍の周波数付近では、信号の透過が抑制されることとなり、本実施の形態の高周波結合線路は、図４に示すような周波数特性を呈する。
【００１４】
このように、本実施の形態１の高周波結合線路は、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂに取り付けたスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂと、その電気長、ならびに、その取り付け位置等が適切に選ばれており、設計周波数で９０度の電気長を有する通常のインターディジタル型結合線路とは異なり、設計周波数の３倍の周波数付近において通過損失が大きくなる。このため、設計周波数以外の周波数での不要な信号の透過が少ないという効果を有する。これにより、所定の周波数帯域付近でのみ所要の結合を呈し、その他の周波数帯域で不要な結合が少ない、高周波結合線路を得ることができる。また、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの幅や導体ギャップ５の寸法、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの幅などを適切に選ぶことで、本実施の形態に係る高周波結合線路を帯域通過フィルタとして動作させることも可能であり、その場合には、従来の結合線路を用いた場合に比べ、通過帯域の高域側で不要なスプリアス応答の少ないフィルタが得られる効果がある。
【００１５】
実施の形態２．
図５は、本発明の実施の形態２に係る高周波結合線路の構成を示した斜視図である。図５においては、本実施の形態２に係る高周波結合線路として、マイクロストリップ線路形結合線路を例に挙げて示している。図６は図５の結合線路の等価回路である。これらの図において、符号１〜９は実施の形態１と同様である。また、図６に示す電気長θは、すべて設計周波数ｆ０において３０度である点も実施の形態１の高周波結合線路と同様である。ただし、本実施の形態の高周波結合線路では、図５に示すように、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂに対して、それぞれ略々平行に近接配置され、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂとスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂとが電磁界結合している点が異なっている。図５の例では、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの先端近傍の一部分（すなわち、開放端７ａ，７ｂ近傍の所定の長さ部分）だけが二股に分かれており、その一方が、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂを構成しており、他方が、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの先端部となっている。図５の例では、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの先端部の幅の方が、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの幅より、若干太くなっている。また、本実施の形態２においては、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂが設計周波数において略々９０度の電気長を有し、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが設計周波数において略々３０度の電気長をそれぞれ有し、かつ、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂへの接続部９ａ，９ｂが、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂの中途の位置となるように配置されている。他の構成は、上記の実施の形態１と同じであるため、ここでは、その説明を省略する。
【００１６】
本実施の形態２の高周波結合線路の動作は基本的に上記の実施の形態１の高周波結合線路と同様であるが、本実施の形態２においては、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと電磁界結合しており、このため、スタブをシャントの直列共振回路とみなした際の外部Ｑは電磁界結合していない場合に比べて大きくなる特徴がある。スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂは、設計周波数の３倍帯域で信号の透過を減少させるが、設計周波数における結合線路としての特性にも影響を与える。このため、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの幅は、必要最小限とするのが望ましいが、誘電体基板の製造ルールの関係上、実現できるスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの幅には限界がある。本実施の形態２の結合線路のスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂは、上記のように、結合線路ストリップ導体と電磁界結合をすることで外部Ｑ値が大きくなっているため、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂとは電磁界結合していない、幅の小さいスタブ状ストリップ導体４ａ，４ｂと等価に振舞うことになる。したがって、本実施の形態２の高周波結合線路は、実施の形態１の高周波結合線路の有する効果に加え、結合線路の設計周波数ｆ０における特性の劣化が少なく、また、幅の小さい導体パターンを要求しないという点で製造しやすいという効果を有する。さらには、スタブ状ストリップ導体６が結合線路ストリップ導体４に沿って配置されるため、結合線路として回路の幅が小さく、小型であるという効果も呈する。
【００１７】
実施の形態３．
図７は、本発明の実施の形態３に係る高周波結合線路の構成を示した斜視図である。図７においては、本実施の形態３に係る高周波結合線路として、マイクロストリップ線路形結合線路を例に挙げて示している。図８は、図７の結合線路の等価回路である。これらの図において、符号１〜９は上記の実施の形態１および２と同様である。図８（ａ）に示す電気長θはすべて設計周波数ｆ０において４５度、図８（ｂ），（ｃ）は設計周波数の２倍の周波数での回路に相当し、電気長θはすべて９０度である。本実施の形態３の高周波結合線路においては、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂに平行にかつ近接して配置されている点は上記の実施の形態２と同じであるが、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが、長手方向に、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと同じ長さを有している点が上記の実施の形態２と異なる。
【００１８】
本実施の形態３の高周波結合線路は、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂおよびスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの設計周波数での電気長がいずれも４５度となっており、９０度より短いため、信号の透過レベルは設計周波数の２倍の周波数および２倍の周波数の奇数倍の周波数において大きくなる。本実施の形態３においても、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂが、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと電磁界結合しているため、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂをシャントの直列共振回路とみなした際の外部Ｑ値は電磁界結合していない同一幅のスタブ状ストリップ導体のそれより大きくなる。したがって、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと電磁界結合したスタブ状ストリップ導体４ａ，４ｂは、結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂと電磁界結合していない幅の小さいスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂと等価とみなせる。したがって、図８（ａ）の回路は、設計周波数の２倍の帯域で図８（ｂ）のように表せる。本図の中央部の結合線路は電気長が９０度の奇数倍のときには、電気長が９０度の奇数倍の分布定数線路と等価となるから、図８（ｂ）の回路は図８（ｃ）のように書き換えられる。図８（ｃ）の回路は２段の帯域阻止フィルタの回路であり、これより、本実施の形態の高周波結合線路は、２倍の周波数の奇数倍の周波数において通過損失が大きくなることが判る。こうして、本実施の形態の高周波結合線路は、図９のような周波数特性を呈する。
【００１９】
本実施の形態３の高周波結合線路により得られる効果は、上記の実施の形態２と基本的に同様であるが、設計周波数での結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂ部分の電気長が９０度未満の場合には、本実施の形態のように、スタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂを結合線路ストリップ導体４ａ，４ｂとほぼ同じ長さとして電磁界結合させることで、設計周波数より高い周波数域での不要な信号の等価を効果的に抑圧できる。また、電磁界結合させることでスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂの外部Ｑ値を大きくできるため、設計周波数におけるスタブ状ストリップ導体６ａ，６ｂ追加による結合特性への悪影響を最小限にとどめることが出来るという効果がある。
【００２０】
実施の形態４．
図１０は、本発明の実施の形態４に係る高周波フィルタの構成を示した斜視図である。図１０は、本実施の形態４に係る高周波フィルタとして、マイクロストリップ線路形帯域通過フィルタを例にして記載されている。図１１は、図１０の高周波フィルタの等価回路である。これらの図に示された、符号１〜７は、実施の形態１と同様である。図１１（ａ）に示す電気長θ１は設計周波数ｆ０において９０度、θ２は設計周波数ｆ０において３０度である。
【００２１】
本実施の形態４の高周波フィルタにおいては、図１０に示すように、スタブ状ストリップ導体６−１ａ及び６−３ｂを、それぞれ、結合線路ストリップ導体４−１ａと入出力ストリップ導体３ａの接続位置、および、結合線路ストリップ導体４−３ｂと入出力ストリップ導体３ｂの接続位置に取り付けるとともに、結合線路ストリップ導体４−１ａ及び４−３ｂに対してそれぞれ略々平行に沿わせて電磁界結合させて構成し、スタブ状ストリップ導体６−１ａおよび６−３ｂを３倍帯域で９０度となるよう設計周波数ｆ０で３０度の電気長として、第１の高周波結合線路を形成している。
【００２２】
また、図１０に示すように、結合線路ストリップ導体４−１ａの一端は入出力ストリップ導体３ａに接続され、他端の先端部は開放端または短絡端７−１ａとなっている。同様に、結合線路ストリップ導体４−３ｂの一端は入出力ストリップ導体３ｂに接続され、他端の先端部は開放端または短絡端７−３ｂとなっている。
【００２３】
また、当該第１の高周波結合線路を構成している２つの結合線路ストリップ導体４−１ａと４−３ｂとの間に、結合線路ストリップ導体４−２ａおよび４−１ｂから構成される第２の高周波結合線路と、結合線路ストリップ導体４−２ｂおよび４−３ａから構成される第３の高周波結合線路とが、介在されている。第２の高周波結合線路は、図１０に示すように、スタブ状ストリップ導体６−２ａ，６−１ｂを、それぞれ、結合線路ストリップ導体４−２ａ，４−１ｂに対して略々平行かつ近傍に配置して、それらを電磁界結合させて構成されている。また、同様に、第３の高周波結合線路は、スタブ状ストリップ導体６−３ａ，６−２ｂを、それぞれ、結合線路ストリップ導体４−３ａ，４−２ｂに対して略々平行かつ近傍に配置して電磁界結合させて構成されている。また、結合線路ストリップ導体４−２ａおよび４−１ｂの一端は互いに接続され、それぞれの他端は開放端または短絡端７−２ａおよび７−１ｂとなっている。同様に、結合線路ストリップ導体４−３ａおよび４−２ｂの一端は互いに接続され、それぞれの他端は開放端又は短絡端７−３ａおよび７−２ｂとなっている。
【００２４】
また、図１０に示すように、結合線路ストリップ導体４−１ａと４−１ｂとの間には導体ギャップ５−１が設けられ、これらは互いに電磁界結合されている。また、結合線路ストリップ導体４−２ａと４−２ｂとの間には導体ギャップ５−２が設けられ、これらも互いに電磁界結合されており、同様に、結合線路ストリップ導体４−３ａと４−３ｂとの間には導体ギャップ５−３が設けられて、これらも互いに電磁界結合されている。
【００２５】
このように、本実施の形態４の高周波フィルタは、第１〜第３の３つの高周波結合線路を縦続接続してなるフィルタである。なお、図１０および図１１においては明確に記載していないが、隣り合う高周波結合線路の間には、短い分布定数線路を介在させて共振周波数ｆ０を調整しても勿論よい。
【００２６】
また、本実施の形態においても、第１の高周波結合線路においては、２つの結合線路ストリップ導体４が、一端７を短絡端もしくは開放端とし、他端に入出力端子である入出力ストリップ導体３ａ，３ｂを備え、それらの結合線路ストリップ導体４が略々平行に配列されており、また、スタブ状ストリップ導体６の一端を短絡端もしくは開放端とし、他端を結合線路ストリップ導体４の入出力ストリップ導体３側の他端近傍部分（あるいは、（前記結合線路ストリップ導体４の短絡端もしくは開放端である一端と入出力ストリップ導体３側の他端との間の中途部分）に接続している。
【００２７】
但し、本実施の形態４においては、図１０に示したように、スタブ状ストリップ導体６−１ａおよび６−３ｂが入出力ストリップ導体３側端近傍部分に接続されているが、図７の構成と違って、スタブ状ストリップ導体６−１ａおよび６−３ｂと結合線路ストリップ導体４−１ａおよび４−３ｂとの長さが異なっている。また、同様に、スタブ状ストリップ導体６−２ａおよび６−１ｂと結合線路ストリップ導体４−２ａおよび４−１ｂとの長さが異なり、スタブ状ストリップ導体６−３ａおよび６−２ｂと結合線路ストリップ導体４−３ａおよび４−２ｂとの長さが異なっている。しかしながら、本実施の形態は、図１０に示した構成に限らず、上述の実施の形態１〜３で示した結合線路ストリップ導体４およびスタブ状ストリップ導体６のいずれの構成を適用してもよいこととする。
【００２８】
なお、図１０の例では、第１〜第３の３つの高周波結合線路を従属接続してなるフィルタについて示しているが、この場合に限らず、第１の高周波結合線路だけで構成するようにしてもよい。
【００２９】
本実施の形態においては、設計周波数ｆ０の３倍の周波数でスタブ状ストリップ導体が９０度の長さとなり、スタブ状ストリップ導体の間のインターディジタル型結合線路が電気長２７０度となる。インターディジタル型結合線路部分は電気長２７０度の分布定数線路と等価となることから、設計周波数の３倍の周波数では、本フィルタは、図１１（ｂ）のような等価回路で表され、結局、４段相当の帯域阻止フィルタとして動作をする。したがって、本フィルタでは設計周波数の３倍の周波数では通貨損失が大きくなるため、周波数特性は、図１２のようになる。このように、本実施の形態によれば、通過帯域の高域側で不要な信号の透過が少なく、広い周波数範囲にわたって良好な減衰特性を有する帯域通過フィルタを得られる特徴がある。
【００３０】
なお、以上の実施の形態１〜４の説明においては、説明を簡単にするため、マイクロストリップ線路構造を前提に説明をしてきたが、ほかの線路形態、たとえば、ストリップ線路、コプレーナ線路等であってもよく、いずれの場合も同様な効果を期待できることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態１におけるマイクロストリップ線路形結合線路の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１における結合線路の等価回路である。
【図３】本発明の実施の形態１における結合線路の等価回路で、設計周波数の3倍の周波数での本結合線路の動作を説明する回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１における結合線路の概略の周波数特性をグラフで示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるマイクロストリップ線路形結合線路の斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態２における結合線路の等価回路である。
【図７】本発明の実施の形態３におけるマイクロストリップ線路形結合線路の斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態３における結合線路の等価回路である。
【図９】本発明の実施の形態３における結合線路の周波数特性をグラフで示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４におけるマイクロストリップ線路形帯域通過フィルタの斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態４のフィルタの等価回路である。
【図１２】本発明の実施の形態４のフィルタの概略の周波数特性をグラフで示す説明図である。
【図１３】従来のマイクロストリップ線路形結合線路の斜視図である。
【図１４】従来の結合線路の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  誘電体基板（誘電体層）、２  地導体、３ａ，３ｂ  入出力ストリップ導体、４ａ，４ｂ，４−１ａ，４−２ａ，４−２ｂ，４−１ｂ，４−２ｂ，４−３ｂ  結合線路ストリップ導体、５，５−１，５−２，５−３  導体ギャップ、６，６−１ａ，６−２ａ，６−３ａ，６−１ｂ，６−２ｂ，６−３ｂ  スタブ状ストリップ導体、７ａ，７ｂ，７−１ａ，７−２ａ，７−３ａ，７−１ｂ，７−２ｂ，７−３ｂ  開放端、８ａ，８ｂ  開放端、９ａ，９ｂ  接続部、１０  ２端子回路結合線路部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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