(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線で情報のやり取りを行う機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には保護層として機能する膜が設けられ、
前記保護層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項２】
高周波を扱う機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には保護層として機能する膜が設けられ、
前記保護層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項３】
電波を発信及び受信できる機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には保護層として機能する膜が設けられ、
前記保護層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項４】
無線で情報のやり取りを行う機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には放熱層として機能する膜が設けられ、
前記放熱層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項５】
高周波を扱う機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には放熱層として機能する膜が設けられ、
前記放熱層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項６】
電波を発信及び受信できる機能を有する複合化回路であって、
活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられ、且つ前記活性層を覆うように設けられた絶縁膜と、
前記活性層の不純物領域と電気的に接続する配線と、
を有するトランジスタを備えた回路と、
前記回路と重なるように接着層を用いて積層された受動素子とを有し、
前記トランジスタ上には放熱層として機能する膜が設けられ、
前記放熱層として機能する膜に設けられた開口を介して、前記受動素子と前記配線とは電気的に接続されていることを特徴とする複合化回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記受動素子は誘電材料を有していることを特徴とする複合化回路。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記受動素子は磁性材料を有していることを特徴とする複合化回路。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、引き出し端子を有していることを特徴とする複合化回路。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一における前記複合化回路を有する電子装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一における前記複合化回路とディスプレイとを有することを特徴とする複合化回路を有する電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する発明は、薄膜トランジスタとセラミックス素子やフェライト素子とを集積化した構成に関する。本明細書で開示する発明は、例えば、携帯電話で代表されるような小型軽量な情報端末に利用することができる。
【背景技術】
【０００２】
近年、石英基板やガラス基板上に成膜された珪素薄膜を利用してトランジスタを作製する技術が研究されている。それらは、一部で商品化されている。このトランジスタは、薄膜トランジスタやＴＦＴと称されている。
【０００３】
ＴＦＴが研究されている主な目的は、液晶表示装置に利用することにある。これは、マトリクス状に配置された多数の画素の一つ一つにＴＦＴをスイッチング素子として配置し、画素電極に保持させる電荷をＴＦＴにより制御する構成を有している。
【０００４】
また、さらに進んだ構成として、アクティブマトリクス回路以外に該回路を駆動するための周辺駆動回路をもＴＦＴで構成し、さらに集積度を高めた構成も知られている。
【０００５】
また、周辺駆動回路以外に、画像情報取り扱う回路や外部との情報をやり取りするための回路を薄膜トランジスタで構成し、全体の構成をシステム化することも考えられている。
【０００６】
近年、いろいろな情報処理機能を有した情報処理端末が注目されている。この情報処理端末は、モバイルコンピュータと称されている。その機能としては、ＦＡＸ機能や電話機能等の通信機能、各種情報の記憶や演算処理機能がある。
【０００７】
この情報処理端末は、携帯できるような小型軽量であることが要求される。また、画像情報を取り扱うための薄膜ディスプレイ（フラットパネルディスプレイとも称される）を搭載することが要求される。
【０００８】
また、情報処理端末には、当然のことながら、外部との情報のやり取りをするための回路が必要になる。
【０００９】
今後情報伝達手段としてコードレス化が進行するのは必至である。具体的には、高密度な情報をやり取りできるＧＨｚ帯以上の電波を利用して、情報のやり取うを行う機能が要求される。
【００１０】
従って、上述したような情報処理端末には、軽量小型化された装置内にＧＨｚ帯の電波を発振及び受信できる機能を有する高周波回路が要求される。
【００１１】
一般に上記の高周波回路は、単結晶シリコンウエハーを利用したトランジスタや化合物半導体を利用したトランジスタと、チップ型のインダクタやコンデンサ、さらにＳＡＷ素子のようなフィルター素子とを集積化して構成されている。
【００１２】
しかし、今後ますます多機能化が要求され、さらに小型軽量化、薄型化、低コスト化が要求される技術傾向においては、その集積化をさらに高めることは困難であるのが現状である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本明細書で開示する発明は、ＧＨｚ帯といような高い周波数を扱うことのできる高周波回路を集積化できる新規な構成を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本明細書で開示する発明の一つは、
張り合わされた第１及び第２の基板と、
前記第１の基板の張り合わせ面側に形成された薄膜トランジスタでなる回路と、
前記第２の基板の張り合わせ面側に形成されたセラミックス素子でなる回路と、
を有し、
前記薄膜トランジスタでなる回路と前記セラミックス素子でなる回路とは接続されていることを特徴とする。
【００１５】
上記構成において、薄膜トランジスタで発生する熱を放熱させるために第１の基板側に放熱層を配置することは有効である。
【００１６】
また、上記構成において、
セラミックス素子は、誘電材料または磁性材料を利用して構成されたものを用いることができる。
【００１７】
また、セラミックス素子としては、フェライトを利用したものを用いることができる。
放熱層を構成する材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）以外に、窒化アルミニウムに酸素を添加した材料（ＡｌＯＮと表記される）、サイアロンと総称されるＳｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎの元素からなる結晶質化合物、ＡｌＯＮＣで示される材料を利用することもできる。  
【００１８】
これらの材料は、基板との間や素子との間の応力緩和、熱伝導性の制御といった点で有用なものとなる。
【００１９】
また、これらの材料は、電気絶縁性、高熱伝導性、耐熱性、透光性等の特徴を有している。
【発明の効果】
【００２０】
本明細書で開示する発明を利用することにより、ＧＨｚ帯というような高い周波数を扱うことのできる高周波回路を集積化できる新規な構成を提供することができる。
【００２１】
即ち、ＴＦＴが形成された基板を貫通して接続端子（接続配線）を設け、他の基板上に形成された積層素子とこの接続端子を連結することにより、小型に集積化された高周波用モジュールを得ることができる。
【００２２】
本明細書で開示する発明を利用したモジュールを利用することで、携帯型の情報端末をより小型軽量化することができる。さらにまた、低コスト化することができる。  
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図２】薄膜トランジスタとＳＡＷフォルタとを複合化した構成を作製する工程を示す図。
【図３】図２に示す構成の等価回路図及び図２に示す構成の一部を上面から見た拡大図。
【図４】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図５】ＭＯＳ型トランジスタの寸法と特性との関係を示す図。
【図６】薄膜トランジスタとＳＡＷフォルタとを複合化した構成を示す図。
【図７】複合化されたモジュールの端部の構成を示す図。
【図８】薄膜トランジスタの複合化回路を内蔵した電子装置を示す図。
【図９】携帯電話の構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図２に示すように石英基板１０１上に形成された薄膜トランジスタ回路と、石英基板１３４上に形成されたＳＡＷフィルター素子とを両基板を貼り合わせることにより複合化する。
【００２５】
こうすることにより、薄膜トランジスタ回路とセラミックス素子とを一体に集積化した構成を得ることができる。
【００２６】
石英基板上に薄膜トランジスタを集積化した構成を採用することは以下の有用性がある。  
（１）基板の形状の選択性が高い。
（２）大面積化することができる。
（３）アクティブマトリクス型のディスプレイ等を同一基板上に集積化することができる。
（４）集積度を高めた場合における応力の発生の問題を緩和することができる。    
【実施例１】
【００２７】
図１〜図３に本実施例の作製工程を示す。本実施例に示すのは、薄膜トランジスタ回路とＳＡＷフィルタ（表面弾性波フィルタ）とを集積化した構成である。ＳＡＷフィルタは、ＢＰＦ（バンドパスフィルター）機能を有している。
【００２８】
ここでは、ＣＭＯＳ回路とその出力に接続されたＳＡＷフィルタとでなる構成を示す。
【００２９】
まず、図１（Ａ）に示すように石英基板１０１上に結晶性珪素膜でなる薄膜トランジスタの活性層１０３と１０６を形成する。活性層の形成方法は後述する。
【００３０】
活性層１０３と１０６を形成したら、ゲイト絶縁膜１０８を形成する。ゲイト絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜とその後に成膜された熱酸化膜との積層膜とでなる。
【００３１】
ゲイト絶縁膜１０８を形成したら、アルミニウムでなるゲイト電極のもととなるパターンを形成する。そして、陽極酸化法により多孔質状の陽極酸化膜１０９、１１２をまず成膜する。さらに陽極酸化法により緻密なバリア型の膜質を有する陽極酸化膜１１１、１１３を成膜する。
【００３２】
この２種類の陽極酸化膜の膜質は、陽極酸化時に利用する電解溶液の種類を選択することによって決めることができる。
【００３３】
こうして図１（Ａ）に示す状態を得たる。次にソース及びドレイン領域を形成するための条件で不純物元素のドーピングを行う。
【００３４】
ここでは、左側にＰチャネル型のＴＦＴを形成し、右側にＮチャネル型のＴＦＴを形成する。
【００３５】
この工程は、プラズマドーピング法を用いて、レジストマスクでそれぞれのＴＦＴが形成される領域を選択的にマスクし、Ｐ及びＮ型を付与するためのドーパント元素を選択的にドーピングすることによって行われる。
【００３６】
この工程において、Ｐチャネル型のＴＦＴのソース領域１０２、ドレイン領域１０４が自己整合適に形成される。また、Ｎチャネル型のＴＦＴのソース領域１０７、ドレイン領域１０５が自己整合適に形成される。
【００３７】
次に多孔質状の陽極酸化膜１０９と１１２を選択的に除去する。こうして、図１（Ｂ）に示す状態を得る。
【００３８】
図１（Ｂ）に示す状態で再度のドーピングを行う。ここでは、先のドーピングよりも低ドーズ量でもって（即ちライトドーピングの条件でもって）ドーピングを行う。
【００３９】
この工程では、１１５、１１９、１２２、１２６の領域にライトドーピングが行われる。そして１１５と１１９の領域がＰチャネル型のＴＦＴの低濃度不純物領域となる。また、１２２と１２６の領域がＮチャネル型のＴＦＴの低濃度不純物領域となる。
【００４０】
こうして図１（Ｂ）に示す状態を得る。次に層間絶縁膜として窒化珪素膜１２８をプラズマＣＶＤ法でもって成膜する。さらにポリイミド樹脂膜１２９をスピンコート法でもって成膜する。
【００４１】
層間絶縁膜に樹脂材料を用いた場合、その表面を平坦にすることができ、後に配線等を形成する場合に有利となる。樹脂材料としては、ポリイミドの他にポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、エポキシ等を利用することができる。
【００４２】
こうして図１（Ｃ）に示す状態を得る。次にコンタクトホールの形成を行い、Ｐチャネル型のＴＦＴのソース電極（及びそこから延在したソース配線）１３０、Ｎチャネル型のＴＦＴのソース電極（及びそこから延在したソース配線）１３２、両ＴＦＴにおいて共通のドレイン電極（およびそこから延在したドレイン配線）３１を形成する。
【００４３】
こうして図１（Ｄ）に示す状態を得る。次に図２（Ａ）に示すように電極（及び配線）１３０〜１３２を覆って窒化アルミニウムを成膜する。
【００４４】
この窒化アルミニウムは、放熱層として機能する。また保護層としても機能する。
【００４５】
図２（Ａ）に示す状態を得たら、ＳＡＷフィルターが形成された対向基板を形成し、それを基板１０１と貼り合わせる。
【００４６】
対向基板は、セラミックス等の適当な材料でなる基板１３４上にチタン酸バリウムでなる誘電材料１３５、電極１３６が形成されている。
【００４７】
ＳＡＷフィルターを上面から見た様子を図３（Ｂ）に示す。ＳＡＷフィルターは、図３（Ｂ）に示すように櫛型の電極１３６と３０１とが噛み合うようにして誘電体材料上に形成された構成を有している。
【００４８】
この基板１３４と基板１０１とを接着層１３８を介して貼り合わせることにより、ＴＦＴ回路とＳＡＷフィルターとでなる複合化回路が得られる。（図２（Ｂ））
【００４９】
図２（Ｂ）に示す構成の等価回路を図３（Ａ）に示す。
【００５０】
本実施例に示すような構成を採用することにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成される各種回路とフィルタ素子とを集積化しモジュールとすることができる。
【００５１】
このような構成とすることで、携帯電話や携帯型の情報処理端末に利用できる高周波モジュールを得ることができる。
【００５２】
そしてこのようなモジュール化された部品を利用することにより、携帯電話や携帯型の情報処理端末をより小型化し、また低コスト化することができる。
【００５３】
ここでは、ＳＡＷフィルタを集積化する例を示したが、他にインダクタ、チップコンデンサ、フェライトを利用したフィルター等を集積化することができる。
【００５４】
〔薄膜トランジスタの作製工程〕
図１（Ａ）に示す状態が得られるまでの薄膜トランジスタの作製工程を以下に示す。
【００５５】
まず図４（Ａ）に示すように石英ガラス基板１０１上に減圧熱ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜４０２を５００Åの厚さに成膜する。なお、石英基板の表面は十分に平坦性を有していることが重要となる。
【００５６】
非晶質珪素膜を成膜したら、酸化珪素膜でなるマスク４０３を形成する。このマスク４０３は、４０４で示される部分に開口が形成されている。この開口４０４の部分において、非晶質珪素膜４０２が露呈する構造となっている。
【００５７】
この開口は、図面手前側から奥行き方向に長手状を有したものとして形成される。
【００５８】
次にスピンコート法により、１００ｐｐｍ（重量換算）のニッケル元素を含んだ酢酸ニッケル塩溶液を塗布する。こうして、４０５で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態が得られる。（図４（Ａ））
【００５９】
ニッケル元素の導入方法としては、ＣＶＤ法、スパッタ法、プラズマ処理、イオン注入法等の方法を用いることができる。
【００６０】
またニッケル元素以外に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれたものを用いることができる。
【００６１】
次に常圧の窒素雰囲気中において６００℃、８時間の加熱処理を施す。この工程では、４０５で示されるように基板に平行な方向への結晶成長が進行する。（図４（Ｂ））
【００６２】
この加熱処理は電気炉において行う。この加熱処理を行うことによって、数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度の径を有する円柱状の結晶構造体が多数平行に配列した状態が得られる。この結晶構造体の長手方向は、４０５で示される結晶成長方向に一致する。この結晶構造体はその延在する方向に延在する結晶粒界によって仕切られている。また、この結晶粒界は不活性なものであることが確かめられている。
【００６３】
上記の加熱処理は、その温度を４５０℃〜１１００℃程度の間から選択することができる。
【００６４】
結晶化を行うための加熱処理が終了したら、酸化珪素膜でなるマスク４０３を除去する。そして、ＨＣｌを３体積％含んだ酸素雰囲気中において、９５０℃、２０分の加熱処理を行う。この工程においては、熱酸化膜が２００Åの厚さに成膜れる。そして、珪素膜の厚さは、５００Åから４００Åへと減少する。
【００６５】
この熱酸化時の加熱温度は、８００℃〜１１００℃、好ましくは９００℃〜１１００℃の温度で行うことが重要である。
【００６６】
この工程においては、熱酸化膜の形成に伴って、珪素原子の不対結合手が減少し、膜中の欠陥が大きく減少する。この熱酸化膜の形成工程は重要であり、この工程を経ることによって、最終的に得られる薄膜トランジスタの高い特性が保証される。
【００６７】
この熱酸化膜中には、珪素膜中に比較して、含まれているニッケル元素が比較的高濃度なものとなる。
【００６８】
この熱酸化膜の形成を行うことによって、円柱状の結晶構造体が顕著な形で得られるようになる。このことは、電子顕微鏡による観察で確認されている。
【００６９】
上記熱酸化膜の成膜が終了したら、その熱酸化膜を除去する。こうすることにより、ニッケル元素を排除することができる。
【００７０】
次に得られた結晶性珪素膜に対してパターニングを行うことにより、図４（Ｃ）の１０３と１０６とで示されるパターンを得る。
【００７１】
ここで、パターン１０３はＰチャネル型の薄膜トランジスタの活性層となるパターンである。また、１０６はＰチャネル型の薄膜トランジスタの活性層となるパターンである。
【００７２】
活性層を形成したら、ゲイト絶縁膜４０９を形成するためにまずプラズマＣＶＤ法により酸化珪素膜（ＣＶＤ酸化膜）を２００Åの厚さに成膜する。ＣＶＤ酸化膜を成膜したら、再度の熱酸化を行い熱酸化膜を成膜する。
【００７３】
この熱酸化膜を成膜する工程では、ＨＣｌを３体積％含有した酸素雰囲気中において、９５０℃、２０分の加熱処理を行う。この工程において、２００Åの厚さに熱酸化膜を成膜する。
【００７４】
この熱酸化膜は、先に成膜したＣＶＤ酸化膜の内側、即ち活性層との界面付近に成膜される。こうして、内側から順に積層された熱酸化膜とＣＶＤ酸化膜とでなるゲイト絶縁膜４０９が形成される。そして、最終的な活性層の厚さは３００Åとなる。（図４（Ｃ））
【００７５】
図４（Ｃ）に示す状態を得たら、スカンジウムを微量に含有させたアルミニウム膜をスパッタ法によって４００ｎｍ（４０００Å）の厚さに成膜する。そしてこれをパターニングすることにより、図４（Ｄ）の４１０、４１１で示されるアルミニウムパターンを形成する。このアルミニウムパターンがゲイト電極のもととなるパターンとなる。こうして図４（Ｄ）に示す状態を得る。  
【００７６】
ここで示すような薄膜トランジスタは、単結晶シリコンウエハーを利用したＭＯＳ型トランジスタと同等以上の特性を示す。
【００７７】
図８の実線で示されるのは、ここで示す作製方法に従って得た、ゲイト絶縁膜の厚さが３０ｎｍ（３００Å）、チャネル長が0.6 μｍの薄膜トランジスタの特性の一例を示すものである。
【００７８】
この薄膜トランジスタは、２μｍルールの作製工程でもって、作製したものである。また、チャネル長を短くする方法として、ゲイト電極の側面を陽極酸化する技術を利用している。
【００７９】
図の横軸は電源電圧であり、縦軸はDelay Time（遅延時間）である。Delay Timeは、動作速度の逆数に対応するものであり、その値が小さい程、高速動作が可能であることを示すものである。
【００８０】
図８において点線で示される他のデータは、単結晶シリコンウエハーを利用したＭＯＳ型トランジスタのものを示す比較データである。
【００８１】
図５に示す比較データは、スケーリング則と呼ばれるＭＯＳ型トランジスタの寸法（チャネル長とゲイト絶縁膜の厚さ）とDelay Time（遅延時間）との関係を示すものである。  
【００８２】
スケーリング則は、ＭＯＳ型トランジスタの寸法を小さくしていくと、特定の法則に従って、その高周波特性が高くなるという考え方である。（勿論厳密なものではない）
【００８３】
図５の点線で示すプロット点は、概略ではあるがスケーリング則に従ったものとなっている。
【００８４】
その中で、本明細書で開示する作製方法で得られた薄膜トランジスタは、従来のスケーリング則から予測される高周波特性よりも数ランク高いものとなっていることが見て取れる。
【００８５】
単結晶シリコンウエハーを利用したＭＯＳ型トランジスタのスケーリング則に従うならば、実線で示されるＴＦＴのプロット点は、もっとDelay Time（遅延時間）が大きな値となる。
【００８６】
例えば、従来のスケーリング則に従うならば、チャネル長が0.6 μｍでゲイト絶縁膜の厚さ（tox)が30nmのＭＯＳ型トランジスタのDelay Time（遅延時間）は、少なくともチャネル長が0.5 μｍ、ゲイト絶縁膜の厚さ（tox)が11nmのプロット点よりも大きなものとなるはずである。
【００８７】
このように、本明細書で開示する薄膜トランジスタは、従来のＭＯＳ型トランジスタを凌駕する特性を示す。
【実施例２】
【００８８】
本実施例は、図２（Ｂ）に示すような構成において、ＴＦＴが発する熱をさらに効果的に放熱させる機能を有した構成に関する。
【００８９】
本実施例においては、図６に示すようにＴＦＴが形成される基板上に窒化アルミニウム膜を成膜した構造としたことにある。
【００９０】
このような構成とすると、ＴＦＴの活性層が直接冷却層に接する構造となるので、放熱効果をさらに高めることができる。
【実施例３】
【００９１】
本実施例は、図３（Ａ）に示すような構成をモジュールとして利用する場合に利用できる構成に関する。
【００９２】
図７にモジュール端部の様子を示す。図には、ＴＦＴのソース（またはドレイン）から延在した配線７１０が外部への引き出し電極（引き出し端子）７１３に接続された状態が示されている。
【００９３】
また、セラミックス素子等から延在する配線７１１が外部への引き出し電極（引き出し端子）７１２に接続された状態が示されている。
【００９４】
このような構成とすることにより、モジュール化された基板を装置に設けられた接続端子に直接差し込むことができる。
【００９５】
このような構成とすることにより、装置の汎用性を高めることができ、また生産コストを低減することができる。
【実施例４】
【００９６】
本実施例は、図２（Ｂ）に示すような構成を採用した場合において、図示しない他の部分にアクティブマトリクス型の液晶表示装置を集積化した場合の例を示す。
【００９７】
この場合、２つの基板の間に液晶層を設けたものとすることにより、その部分に液晶表示装置を配置することができる。
【００９８】
こうすることで、ＴＦＴと受動素子とで構成する高周波回路とアクティブマトリクス型の液晶表示装置とを集積化することができる。この構成は、携帯型の情報処理端末を構成する部品として好適なものとなる。
【実施例５】
【００９９】
本実施例では、薄膜トランジスタ回路と受動素子やセラミックス素子とを複合化した複合化回路を利用した電子装置の例を示す。
【０１００】
図８（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処理端末であり、電話回線を利用した通信機能を有している。
【０１０１】
この電子装置は、本明細書で開示する複合化回路でなる集積化回路２００６を本体２００１の内部に備えている。そして、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイ２００５、画像を取り込むカメラ部２００２、さらに操作スイッチ２００４を備えている。
【０１０２】
図８（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントディスプレイと呼ばれる電子装置である。この装置は、頭に装着して、疑似的に目の前に画像を表示する機能を有している。
【０１０３】
この電子装置は、バンド２１０３によって、本体２１０１を頭に装着する。画像は、左右の目に対応した液晶表示装置２１０２によって作成される。
【０１０４】
このような電子装置は、小型軽量なものとしなければならので、本明細書で開示する複合化回路を利用するのに好適なものとなる。
【０１０５】
図８（Ｃ）に示すのは、人工衛星からの信号を基に地図情報や各種情報を表示する機能を有している。アンテナ２２０４で捉えた衛星からの情報は、本体２２０１内部に備えた電子回路で処理され、液晶表示装置２２０２に必要な情報が表示される。  
【０１０６】
装置の操作は、操作スイッチ２２０３によって行われる。このような装置においても全体の構成を小型化するための工夫が必要とされる。そして、そのために本明細書で開示する複合化回路を利用することが有用となる。
【０１０７】
図８（Ｄ）に示すのは、携帯電話である。この電子装置は、本体２３０１にアンテナ２３０６、音声出力部２３０２、液晶表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、音声入力部２３０３を備えている。
【０１０８】
このような電子装置においても全体の構成を小型化するために本明細書で開示する複合化回路を利用することが有用となる。
【０１０９】
図９に図８（Ｄ）に示すような電子装置のブロック構成図を示す。
【０１１０】
この構成において、例えば、受信状態においては、アンテナ２００２で受けた電波は、無線入出力部２００３に送られる。そして、無線制御部２００７及びＣＰＵ２００８で制御される辺復調部２００４及びチャンネルコーデック部２００５を通って、音声処理部２００６に送られる。そして、音声処理部２００６で駆動されるスピーカ２０１０から音声情報として出力される。
【０１１１】
発振状態においては、マイク２００９から音声情報が入力され、上記とは逆の経路を経て、アンテナ２００２から電波として出力される。
【０１１２】
図１０（Ｅ）に示す電子装置は、ビデオカメラと称される携帯型の撮像装置である。この電子装置は、本体２４０１に開閉部材に取り付けられた液晶ディスプレイ２４０２、開閉部材に取り付けられた操作スイッチ２４０４を備えている。
【０１１３】
さらにまた、本体２４０１には、画像の受像部２４０６、集積化回路２４０７、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、バッテリー２４０５が備えられている。
【０１１４】
このような電子装置においても全体の構成を小型化するために本明細書で開示する複合化回路を利用することが有用となる。
【０１１５】
特に通信機能等の負荷機能が追加されたものとなると、そのための高周波回路を組み込むこと、即ち集積化することが必要となる。
【０１１６】
このためには、本明細書で開示する発明を利用することは有用である。
【０１１７】
図８（Ｆ）に示す電子装置は、投射型の液晶表示装置である。この装置は、本体２５０１に光源２５０２、液晶表示装置２５０３、光学系２５０４備え、スクリンー２５０５に画像を投影する機能を有している。
【０１１８】
投影型の表示装置も小型軽量化が求められている。従って、そのために本明細書で開示する発明を利用することは有用である。
【０１１９】
また、以上示した電子装置における液晶表示装置としては、透過型または反射型のいずれでも利用することができる。表示特性の面では透過型が有利であり、低消費電力や小型軽量化を追求する場合には、反射型が有利である。
【０１２０】
また、表示装置として、アクティブマトリクス型のＥＬディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイを利用することができる。
【実施例６】
【０１２１】
本実施例は、実施例１に示す構成において、基板として多結晶シリコンウエハーを利用する場合の例を示す。
【０１２２】
多結晶シリコンウエハーは、石英基板に比較して数分の１以下のコストで入手することができる。従って、回路および装置のコストを低減することに大きな寄与をすることができる。
【０１２３】
本実施例においては、まず多結晶シリコンウエハー上にプラズマＣＶＤ法により、酸化珪素膜を１μｍの厚さに成膜する。次に熱酸化を行い熱酸化膜を５０ｎｍ（５００Å）の厚さに成膜する。
【０１２４】
こうすることで、表面が平坦でまた界面特性の優れた酸化珪素膜を多結晶シリコンウエハー上に形成することができる。
【０１２５】
そしてこの酸化珪素膜を下地膜（基体）として、その上にＴＦＴを作製する。
【０１２６】
なお、多結晶シリコンウエハー上に直接熱酸化膜を成膜し、この熱酸化膜を下地膜として用いることは好ましくない。この場合、基板の多結晶構造を反映して、熱酸化膜の表面が凹凸状になり、ＴＦＴの作製、さらにはその特性に悪影響を与えてしまう。
【０１２７】
また、多結晶シリコンウエハーの代わりに単結晶シリコンウエハーを利用することもできるが、その場合には、低コスト性という利点は小さくなる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０１              石英基板
１０２              ソース領域
１０３              活性層
１０４              ドレイン領域
１０５              ドレイン領域
１０６              活性層
１０７              ソース領域
１０８              ゲイト絶縁膜
１０９              多孔質状の陽極酸化膜（酸化アルミニウム膜）
１１０              アルミニウムでなるゲイト電極
１１１              緻密な膜質を有する陽極酸化膜（酸化アルミニウム膜）
１１２              多孔質状の陽極酸化膜（酸化アルミニウム膜）
１１３              緻密な膜質を有する陽極酸化膜（酸化アルミニウム膜）
１１４              アルミニウムでなるゲイト電極
１１５              低濃度不純物領域
１１６              オフセットゲイト領域
１１７              チャンネル形成領域
１１８              オフセットゲイト領域
１１９              低濃度不純物領域
１２２              低濃度不純物領域
１２３              オフセットゲイト領域
１２４              チャネル形成領域
１２５              オフセットゲイト領域
１２６              低濃度不純物領域
１２８              窒化珪素膜
１２９              ポリイミド樹脂膜
１３０              ソース電極（ソース配線）
１３１              ドレイン電極（ドレイン配線）
１３２              ソース電極（ソース配線）
１３３              窒化アルミニウム膜
１３４              石英基板
１３５              チタン酸ジルコニウム膜
１３６              電極
１３７              コンタクト用の電極
１３８              接着層
３０１              １３６と対になる電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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