(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状の圧電基板の主面に、弾性表面波（ＳＡＷ）を励振するＩＤＴと、前記ＩＤＴの両側に配置した反射器と、ヒータ電極とを設けたＳＡＷ素子を、その長手方向又は幅方向の一方の端部で片持ちに、他の部分を浮かせた状態で支持する弾性表面波デバイスにおいて、前記ヒータ電極が、前記ＳＡＷ素子の前記一方の端部に配置され、かつ前記ＩＤＴが前記ＳＡＷ素子の前記浮かせた他の部分に配置されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷの伝搬方向の一方の端部であり、前記ＳＡＷ素子が前記一方の端部の裏面で接着剤により固定支持され、かつ前記ヒータ電極が前記圧電基板の平面において、前記接着剤を塗布した領域と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷの伝搬方向の一方の端部であり、前記ＳＡＷ素子が前記一方の端部の裏面で接着剤により固定支持され、かつ前記ヒータ電極が前記圧電基板の平面において、隣接する前記反射器と前記接着剤を塗布した領域との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷの伝搬方向と交差する方向の一方の端部であり、前記ＳＡＷ素子が前記一方の端部の裏面で接着剤により固定支持され、かつ前記ヒータ電極が前記圧電基板の平面において、前記接着剤を塗布した領域と重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
ＳＡＷ伝搬方向において、前記ヒータ電極が、前記ＩＤＴの長さよりも長くかつ前記ＩＤＴの全長を含む範囲に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記圧電基板の前記接着剤を塗布した領域の厚さが他の部分よりも厚いことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記圧電基板が水晶基板であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上に弾性表面波（ＳＡＷ）を励振するＩＤＴ（すだれ状トランスデューサ）とその両側に配置した反射器とを形成した弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＡＷデバイスは、携帯電話等の情報通信機器、その他様々な電子機器に広く使用されている。特に通信機器の分野では、優れた周波数温度特性を発揮するＳＡＷデバイスが要求されている。ところが、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性が、負の２次曲線や３次曲線となるような場合、周波数は中心温度付近では安定しているが、中心温度から離れるほど大きく変動するという特徴がある。
【０００３】
そこで、環境温度の変化による周波数の変動を抑制するために、圧電基板の主面又は裏面にヒータ用の抵抗体を形成し、該抵抗体に印加する電流を調整して圧電基板の温度を調整可能にしたＳＡＷ素子が提案されている（例えば、特許文献１，２を参照）。この抵抗体は、圧電基板上の電極パターンと同様に、圧電基板上に成膜した電極材料の薄膜をエッチングすることにより形成される。
【０００４】
また、圧電基板の裏面に熱電素子としてペルチェ素子を接合し、表面上のＳＡＷに影響を与えることなく、圧電基板の表面温度を適切に制御するＳＡＷ共振器等のＳＡＷ装置が知られている（例えば、特許文献３を参照）。特許文献３によれば、圧電基板をその裏面の一部のみで支持することにより、圧電基板の周囲から受ける応力を低減させることができる。更に特許文献３によれば、圧電基板の裏面に複数の熱電素子を分散配置することにより、熱電素子間の応力伝達を分断して圧電基板への応力を更に低減できるとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２１８７９４号公報
【特許文献２】特開平１−２６１０１３号公報
【特許文献３】特開平８−７９００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようなヒータ付きのＳＡＷデバイスは実用化されていないのが現状である。その理由は、圧電基板を該基板上に設けた抵抗体からなるヒータ電極で直接加熱したとき、基板内部にヒータ電極付近から離れる向きに温度勾配が生じ、その不均一な温度分布による熱応力が基板を変形させ、その内部応力が周波数を変動させるためと考えられる。この結果、ヒータの熱により圧電基板の温度を調節して周波数を安定させるという本来の目的を達成することができない。
【０００７】
ＳＡＷデバイスをヒータ電極で加熱しない場合の周波数温度特性を、図８に示すように例えば６５°の使用温度を頂点温度とする２次曲線と仮定する。この場合、圧電基板の温度を６５°±１０°に制御すれば、ＳＡＷデバイスの周波数は数ｐｐｍ程度の変動範囲に安定させることができる。しかしながら、ＳＡＷデバイスの周波数変動量は、図９に示すように、圧電基板の温度を環境温度よりも上昇させたとき、温度上昇幅Δｔに関して直線状に変化することを本願出願人は見出した。これは、温度上昇により圧電基板内部に生じた熱応力の影響であると考えられる。
【０００８】
このため、例えば環境温度が２５°の状態で圧電基板の温度を６５°まで上昇させたとき、ＳＡＷデバイスの周波数温度特性は、図１０に実線で示すようになる。即ち、図８の２次曲線から図９の変動量を、２５°の位置で交差させて差し引いた２次曲線となる。その結果、温度変化に対する周波数変動量が大きくなり、周波数を安定させることが困難になるという問題が生じる。
【０００９】
また、上記特許文献３に記載のＳＡＷ装置は、圧電基板をその裏面の一部のみで支持したとき、熱電素子から発生した熱の一部が支持部から直接支持台に逃げるため、圧電基板の裏面全体に熱電素子を接合しても、その温度分布は不均一になり易い。仮に圧電基板の裏面に分散配置した複数の熱電素子が個別に制御可能であるとしても、圧電基板の温度分布を均一にすることは比較的困難である。
【００１０】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板上にその温度を調整するためのヒータ電極を設けたＳＡＷデバイスにおいて、ヒータ電極の発熱による熱応力の影響を解消して、環境温度によらず圧電基板の温度分布を均一にし、周波数の安定化を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者は、圧電基板上にＩＤＴを形成したＳＡＷ素子片を長手方向又は幅方向の一方の端部で片持ちに支持したＳＡＷデバイスにおいて、圧電基板上にヒータ電極を設けてその温度を調整したときに圧電基板に生じる温度分布や内部応力を解析した。本発明は、この解析結果に基づいてなされたものである。
【００１２】
本発明によれば、上記目的を達成するために、例えば水晶からなる矩形板状の圧電基板の主面に、ＳＡＷを励振するＩＤＴと、該ＩＤＴの両側に配置した反射器と、ヒータ電極とを設けたＳＡＷ素子を、その長手方向又は幅方向の一方の端部で片持ちに、他の部分を浮かせた状態で支持するＳＡＷデバイスにおいて、ヒータ電極をＳＡＷ素子の前記一方の端部に配置し、かつＩＤＴをＳＡＷ素子の前記浮かせた他の部分に配置したＳＡＷデバイスが提供される。
【００１３】
このようにヒータ電極及びＩＤＴを配置することにより、ＳＡＷ素子をヒータ電極で加熱したときに、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、圧電基板主面のＩＤＴを形成した部分の温度分布を概ね均一化し、その熱応力による圧電基板の内部応力を略一定にかつ小さくすることができる。その結果、熱応力によるＳＡＷデバイスの周波数の変動が解消又は抑制されるので、周波数の安定化が実現される。
【００１４】
或る実施例では、ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷ伝搬方向の一方の端部であり、該一方の端部の裏面でＳＡＷ素子が接着剤により固定支持され、かつヒータ電極が圧電基板の平面において、接着剤を塗布した領域と重なるように配置されることにより、圧電基板の平面寸法を必要以上に大きくする必要がなく、ＳＡＷ素子の寸法を最小限にして、ＳＡＷデバイスの小型化を図ることができる。
【００１５】
別の実施例では、ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷ伝搬方向の一方の端部であり、該一方の端部の裏面でＳＡＷ素子が接着剤により固定支持され、かつヒータ電極が圧電基板の平面において、隣接する反射器と接着剤を塗布した領域との間に配置されることにより、ヒータ電極からの熱が圧電基板に良好に閉じ込められる。その結果、圧電基板を同じ表面温度に加熱するために必要なヒータ電極の消費電力をより少なくすることができる。
【００１６】
また別の実施例では、ＳＡＷ素子の前記一方の端部がＳＡＷ伝搬方向と交差する方向の一方の端部であり、該一方の端部の裏面でＳＡＷ素子が接着剤により固定支持され、かつヒータ電極が圧電基板の平面において、接着剤を塗布した領域と重なるように配置されることにより、圧電基板の平面寸法を必要以上に大きくすることなく、ＳＡＷ素子の寸法を最小限にして、ＳＡＷデバイスの小型化を図ることができる。
【００１７】
この場合、或る実施例では、ＳＡＷの伝搬方向において、ヒータ電極が、ＩＤＴの長さよりも長くかつＩＤＴの全長を含む範囲に配置されていると、圧電基板の接着剤で浮かせた部分で、特にＩＤＴを形成した領域の温度分布を効率良く均一にすることができる。
【００１８】
別の実施例では、圧電基板の接着剤を塗布した領域の厚さを他の部分よりも厚くすることができ、圧電基板の厚さを薄くした場合でも、接着剤を介して支持部に逃げる熱量を少なくすることができる。更に、接着剤の塗布面積が一定になるので、接着剤から支持部に逃げる熱量が常に略一定となり、ＳＡＷ素子の固定位置がずれた場合でも、そのために圧電基板表面の温度分布がばらつくことを防止でき、その安定化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
図１（Ａ）（Ｂ）は、本発明を適用したＳＡＷデバイスの第１実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、共振子として使用されるＳＡＷ素子１を備える。ＳＡＷ素子１は、水晶からなる矩形平板の圧電基板２を有する。圧電基板２の主面には、その略中央に交差指電極対からなるＳＡＷ励振用のＩＤＴ３が形成されている。ＩＤＴ３のＳＡＷ伝搬方向の両側には、それぞれ各１個の反射器４，５が配置されている。
【００２０】
圧電基板２主面のＳＡＷ伝搬方向即ち長手方向の一方の端部２ａには、その長手方向の端縁とそれに近い方の反射器５との間にヒータ電極６が設けられている。ヒータ電極６は、圧電基板２のＳＡＷ伝搬方向に直交する交差長方向即ち幅方向の略全長に亘って、ＩＤＴ３の交差長Ｗよりも長くかつその全範囲を含むように配置される。ヒータ電極６は、比較的細幅の配線パターンからなり、前記ＩＤＴ及び反射器の電極形成と同時に、フォトエッチングによりパターン形成される。
【００２１】
更に、圧電基板２主面のＳＡＷ伝搬方向の端部２ａには、その両側辺に沿ってＩＤＴ３の前記各交差指電極のバスバー７，７から取出電極８，８が引き出されている。ヒータ電極６の両端は、取出電極８，８の直ぐ内側に配置された入出電極６ａ，６ｂに接続されている。
【００２２】
ＳＡＷ素子１は、図１（Ｂ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の端部２ａの裏面で接着剤９により、前記ＳＡＷデバイスの支持部１０上に片持ちで固定支持されている。接着剤９には、公知の様々な接着剤を使用することができ、例えばシリコーン系の接着剤は断熱性が高いので、好都合である。図１（Ａ）に示すように、ヒータ電極６は、ＳＡＷ素子１の平面において、その全部が端部２ａの接着剤９を塗布した領域に重なるように配置されている。接着剤９で浮かせたＳＡＷ素子１の他の部分に、ＩＤＴ３及び反射器４，５が配置されている。
【００２３】
図１のＳＡＷデバイスについて、ヒータ電極６に電流を印加して圧電基板２の温度を調整し、該圧電基板の主面の温度分布及び内部応力を解析した。本実施例では、ＩＤＴ３を形成した圧電基板２の中央領域を、室温（２５℃）から所定の使用温度である約６５℃まで昇温させるように加熱した。その解析結果を図２（Ａ）の温度分布図及び図２（Ｂ）の応力分布図に示す。
【００２４】
図２（Ａ）に示すように、圧電基板２のヒータ電極６を設けたＳＡＷ伝搬方向の端部２ａは、概ね８０℃〜１２０℃以上の高温に加熱されている。これに対し、圧電基板２の接着剤９で浮かせた部分は、端部２ａから離れるに連れて約７０℃から約６０℃まで緩やかな温度勾配を有する。特にＩＤＴ３を形成した圧電基板２の中央領域は、表面温度が約６５℃である。上述したようにヒータ電極６が交差長方向の長さをＩＤＴ３の交差長Ｗよりも長く、かつその全範囲を含むように配置されるので、ＩＤＴ３を形成した中央領域の温度分布が効率良く均一化されている。
【００２５】
図２（Ｂ）において、正値は引張応力を、負値は圧縮応力を示す。図２（Ａ）の温度分布に対応して、ＳＡＷ伝搬方向の端部２ａは、圧縮応力と引張応力とが複雑に作用している。これに対し、圧電基板２の接着剤９で浮かせた部分は、約−３ＭＰａ〜約＋３ＭＰａの比較的小さい内部応力が概ね一様に分布している。特にＩＤＴ３を形成した圧電基板２の中央領域は、内部応力が約０〜＋３ＭＰａである。
【００２６】
これらの解析結果から、ＳＡＷ素子１は、接着剤９で浮かせた部分の主面に概ね所望の温度で略均一な温度分布が発生し、その熱応力による内部応力が、略一定で比較的小さい値であることが分かる。従って、本実施例によれば、ヒータ電極６により圧電基板２の温度を調節したときに、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、その熱応力による圧電基板の内部応力が周波数に及ぼす影響を解消又は緩和して、周波数の安定化を実現することができる。
【００２７】
更に、上述したように、前記ＳＡＷ伝搬方向の端部において接着剤を塗布した領域にヒータ電極を重なるように配置したことにより、圧電基板の平面寸法を必要以上に大きくする必要がない。そのため、ＳＡＷ素子１の寸法を最小限の大きさにして、ＳＡＷデバイスの小型化を図ることができる。
【００２８】
図３（Ａ）（Ｂ）は、本発明を適用したＳＡＷデバイスの第２実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、第１実施例と同様に、共振子として使用されるＳＡＷ素子１１を備える。ＳＡＷ素子１１は、水晶からなる矩形平板の圧電基板１２を有する。圧電基板１２の主面には、その略中央に交差指電極対からなるＳＡＷ励振用のＩＤＴ１３が形成されている。ＩＤＴ１３のＳＡＷ伝搬方向の両側には、それぞれ各１個の反射器１４，１５が配置されている。
【００２９】
圧電基板１２主面のＳＡＷ伝搬方向即ち長手方向の一方の端部１２ａには、その長手方向の端縁とそれに近い方の反射器１５との間にヒータ電極１６が設けられている。ヒータ電極１６は、圧電基板１２のＳＡＷ伝搬方向に直交する交差長方向即ち幅方向の略全長に亘って、ＩＤＴ１３の交差長Ｗよりも長くかつその全範囲を含むように配置される。ヒータ電極１６は、比較的細幅の配線パターンからなり、前記ＩＤＴ及び反射器の電極形成と同時に、フォトエッチングによりパターン形成される。
【００３０】
更に、圧電基板１２主面のＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａには、その両側辺に沿ってＩＤＴ１３の前記各交差指電極のバスバー１７，１７から取出電極１８，１８が引き出されている。ヒータ電極１６の両端は、取出電極１８，１８の直ぐ内側に配置された入出電極１６ａ，１６ｂに接続されている。
【００３１】
ＳＡＷ素子１１は、図３（Ｂ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａの裏面で接着剤１９により、前記ＳＡＷデバイスの支持部２０上に片持ちで固定支持されている。同様に、接着剤１９には公知の様々な接着剤が使用され、例えばシリコーン系の接着剤は断熱性が高いので、好都合である。
【００３２】
本実施例では、圧電基板１２が、第１実施例の圧電基板２よりもＳＡＷ伝搬方向に長い寸法を有する。この端部１２ａの延長した部分の裏面に、接着剤１９が塗布されている。図３（Ａ）に示すように、ヒータ電極１６は、ＳＡＷ素子１１の平面において、端部１２ａの長手方向の端縁から所定の距離だけ離隔して、隣接する一方の反射器１５と接着剤１９を塗布した領域との間に配置されている。同様にＩＤＴ１３及び反射器１４，１５は、接着剤１９で浮かせたＳＡＷ素子１１の他の部分に配置されている。
【００３３】
図３のＳＡＷデバイスについて、ヒータ電極１６に電流を印加して圧電基板１２の温度を調整し、該圧電基板の主面の温度分布及び内部応力を解析した。本実施例においても、ＩＤＴ１３を形成した圧電基板１２の中央領域を、室温（２５℃）から所定の使用温度である約６５℃まで昇温させるように加熱した。その解析結果を図４（Ａ）の温度分布図及び図４（Ｂ）の応力分布図に示す。
【００３４】
図４（Ａ）に示すように、圧電基板１２のＳＡＷ伝搬方向の端部１２ａは、接着剤１９の直ぐ内側のヒータ電極１６を設けた領域が、概ね７５℃〜８５℃以上の高温に加熱されている。これに対し、圧電基板１２の接着剤１９で浮かせた部分は、ヒータ電極１６の領域から反対側のＳＡＷ伝搬方向の端部までが、約７５℃から約６５℃の概ね一定の緩やかな温度勾配を有する。同様に、ヒータ電極１６が交差長方向の長さをＩＤＴ１３の交差長Ｗよりも長く、かつその全範囲を含むように配置されるので、ＩＤＴ１３を形成した中央領域の温度分布が効率良く均一化されている。他方、圧電基板１２の端部１２ａの接着剤１９を塗布した領域は、温度が５５℃から３５℃以下に急激に低下している。これは、ヒータ電極１６からの熱の一部が接着剤１９を介して支持部２０に逃げているためと考えられる。
【００３５】
図４（Ｂ）において、正値は引張応力を、負値は圧縮応力を示す。図４（Ａ）の温度分布に対応して、端部１２ａのヒータ電極１６を設けた領域は、圧縮応力と引張応力とが複雑に作用している。これに対し、圧電基板１２の接着剤１９で浮かせた部分は、ヒータ電極１６の領域よりも先方に反対側のＳＡＷ伝搬方向の端部まで、約−３ＭＰａ〜約＋３ＭＰａの比較的小さい内部応力が概ね一様に分布している。特にＩＤＴ３を形成した圧電基板１２の中央領域は、内部応力が約−３〜０ＭＰａである。
【００３６】
これらの解析結果から、ＳＡＷ素子１１は、接着剤１９で浮かせた部分の主面に、ヒータ電極１６の領域よりも先方に反対側のＳＡＷ伝搬方向の端部まで概ね所望の温度で略均一な温度分布が発生し、その熱応力による内部応力が、略一定で比較的小さい値であることが分かる。従って、本実施例によれば、ヒータ電極１６により圧電基板１２の温度を調節したときに、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、その熱応力による圧電基板の内部応力が周波数に及ぼす影響を解消又は緩和して、周波数の安定化を実現することができる。
【００３７】
更に、上述したように前記ＳＡＷ伝搬方向の端部において、ヒータ電極を隣接する反射器と接着剤を塗布した領域との間に配置したことにより、ヒータ電極からの熱が圧電基板に良好に閉じ込められる。そのため、圧電基板を同じ表面温度に加熱するために必要なヒータ電極の消費電力を少なくすることができる。
【００３８】
更に、図３のＳＡＷデバイスについて、圧電基板１２の板厚を変化させたとき、その表面温度を所望の温度に加熱するために必要なヒータ電極１６の発熱量を解析した。この場合にも、ＩＤＴ１３を形成した圧電基板１２の中央領域を、室温（２５℃）から所定の使用温度である約６５℃に昇温させるように加熱した。その解析結果を図５に示す。同図から、圧電基板１２の板厚が厚いほど、基板内部に熱を閉じ込める効果が高くなり、ヒータ発熱量が少なくて済むことが分かる。これは、逆に圧電基板１２の板厚が薄くなるほど、接着剤１９を介して支持部２０に逃げる熱量が多くなり、却ってより多くのヒータ発熱量が必要になることを示している。
【００３９】
図６は、図３の第２実施例において、圧電基板１２の板厚を薄くした場合に、圧電基板を同じ表面温度に加熱するために必要なヒータ電極の消費電流を少なくするための好適な変形例を示している。この実施例は、ＳＡＷ伝搬方向端部１２ａの接着剤１９を塗布する領域の裏面に突出部１２ｂを設けて、圧電基板１２の他の部分よりも厚く形成している。これにより、圧電基板１２から接着剤１９を介して支持部２０に逃げる熱量を少なくすることができる。
【００４０】
また、本実施例では、ＳＡＷ素子１１の支持部２０への固定位置が突出部１２ｂにより決定されるので、接着剤１９の塗布面積が一定となる。従って、圧電基板１２から支持部２０に逃げる熱量が略一定となる。その結果、ＳＡＷ素子１１の固定位置がずれても、そのために圧電基板１２表面の温度分布がばらつくことを防止し、その安定化を図ることができる。
【００４１】
図７（Ａ）（Ｂ）は、本発明を適用したＳＡＷデバイスの第３実施例を示している。本実施例のＳＡＷデバイスは、上記各実施例と同様に、共振子として使用されるＳＡＷ素子２１を備える。ＳＡＷ素子２１は、水晶からなる矩形平板の圧電基板２２を有する。圧電基板２２の主面には、その略中央に交差指電極対からなるＳＡＷ励振用のＩＤＴ２３が形成されている。ＩＤＴ２３のＳＡＷ伝搬方向の両側には、それぞれ各１個の反射器２４，２５が配置されている。
【００４２】
本実施例では、圧電基板２２主面のＳＡＷ伝搬方向に直交する交差長方向即ち幅方向の一方の端部２２ａに、ヒータ電極２６が設けられている。ヒータ電極２６は、圧電基板２２の幅方向の端縁とＩＤＴ２３との間に、ＳＡＷ伝搬方向の長さがＩＤＴ２３の長さＬよりも長く、かつその全範囲を含むように配置される。これにより、圧電基板２２主面の特にＩＤＴ２３を形成した領域の温度分布を効率良く均一にすることができる。ヒータ電極２６は、比較的細幅の配線パターンからなり、前記ＩＤＴ及び反射器の電極形成と同時に、フォトエッチングによりパターン形成される。
【００４３】
ＳＡＷ素子２１は、図７（Ｂ）に示すように、ＳＡＷ伝搬方向の端部２２ａの裏面で接着剤２７により、前記ＳＡＷデバイスの支持部２８上に片持ちで固定支持されている。接着剤２７には、公知の様々な接着剤を使用することができ、例えばシリコーン系の接着剤は断熱性が高いので、好都合である。図７（Ａ）に示すように、ヒータ電極２６は、第１実施例と同様にＳＡＷ素子２１の平面において、その全部が端部２２ａの接着剤２７を塗布した領域に重なるように配置されている。接着剤２７で浮かせたＳＡＷ素子２１の他の部分に、ＩＤＴ２３及び反射器２４，２５が配置されている。
【００４４】
本実施例のＳＡＷ素子２１は、このように構成することにより、第１実施例と同様に、接着剤２７で浮かせた部分の主面に概ね所望の温度で略均一な温度分布を発生させ、その熱応力による内部応力を、略一定で比較的小さい値に緩和することができる。従って、本実施例によれば、ヒータ電極２６により圧電基板２２の温度を調節したときに、その開始温度即ち環境温度の高低やそれから所望の使用温度までの昇温幅の大小によらず、その熱応力による圧電基板の内部応力が周波数に及ぼす影響を解消又は緩和して、周波数の安定化を実現することができる。
【００４５】
また、図７のＳＡＷ素子２１は、端部２２ａの裏面に接着剤２７がＳＡＷ伝搬方向の全長に亘って塗布されている。別の実施例では、接着剤２７が端部２２ａの一部分のみに塗布される。例えば、前記接着剤は、端部２２ａのＳＡＷ伝搬方向のいずれか一方の端部側に又は中間部分に塗布することができる。その場合、ヒータ電極２６は、その一部が端部２２ａの接着剤２７を塗布した領域からはみ出すように配置されても良い。
【００４６】
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、その技術的範囲内で様々な変形又は変更を加えて実施することができる。例えば、圧電基板は、水晶以外に、リチウムタンタレート、リチウムナイオベート、四硼酸リチウムなどの様々な公知の圧電材料で形成することができ、その場合にも本発明を同様に適用することができる。また、本発明は、上記各実施例の共振器以外のＳＡＷデバイスについて、同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第１実施例を示す平面図、（Ｂ）図はその側面図。
【図２】（Ａ）図及び（Ｂ）図は、それぞれ図１のＳＡＷデバイスにおいてヒータ電極を加熱したときの圧電基板表面の温度分布図及び応力分布図。
【図３】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第２実施例を示す平面図、（Ｂ）図はその側面図。
【図４】（Ａ）図及び（Ｂ）図は、それぞれ図３のＳＡＷデバイスにおいてヒータ電極を加熱したときの圧電基板表面の温度分布図及び応力分布図。
【図５】図３のＳＡＷデバイスにおいて圧電基板の厚さに関するヒータ電極の発熱量を示す線図。
【図６】第２実施例の変形例によるＳＡＷデバイスの側面図。
【図７】（Ａ）図は本発明によるＳＡＷデバイスの第３実施例を示す平面図、（Ｂ）図はその側面図。
【図８】ヒータ電極で加熱しない場合のＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示す線図。
【図９】ヒータ電極で加熱した場合のＳＡＷデバイスの温度上昇に対する周波数変動量を示す線図。
【図１０】ヒータ電極で加熱した場合のＳＡＷデバイスの周波数温度特性を示す線図。
【符号の説明】
【００４８】
１，１１，２１…ＳＡＷ素子、２，１２，２２…圧電基板、２ａ，１２ａ，２２ａ…端部、２ｂ…突出部、３，１３，２３…ＩＤＴ、４，５，１４，１５，２４，２５…反射器、６，１６，２６…ヒータ電極、７，１７…バスバー、８，１８…取出電極、９，１９，２７…接着剤、１０，２０，２８…支持部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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