(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を備える複数の画素を有する表示装置であって、
行方向に配列された複数の選択ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に前記各画素が配列された表示領域と、
外部から供給される画像データに応じた駆動信号を生成し、前記データラインを介して前記各画素に供給するデータ駆動部と、
前記表示パネルの前記各選択ラインに選択信号を印加して、各行の前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、
を備え、
前記各画素は、第１の電流路と第１の制御端子を有し、該第１の電流路の一端が電源ラインに接続され、前記第１の電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記発光素子に流れる電流を制御する電流制御トランジスタと、前記第１の制御端子と前記第１の電流路の他端との間に設けられた電荷保持部と、第２の電流路と第２の制御端子を有し、該第２の電流路の一端が前記データラインに接続され、前記第２の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路の他端と前記発光素子の一端との接続点に接続され、前記第２の制御端子が前記選択ラインに接続され、前記選択状態で前記第２の電流路が導通状態にされる選択制御トランジスタと、第３の電流路と第３の制御端子を有し、該第３の電流路の一端が前記電源ラインに接続され、前記第３の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の制御端子に接続され、前記第３の制御端子が前記選択ラインに接続された書き込み制御トランジスタと、を有し、
前記データ駆動部は、
前記複数のデータラインの各々に所定の検定電流を供給する複数の定電流回路と、
該各定電流回路から前記各データラインを介して前記各画素の前記発光素子に前記検定電流を流して、該検定電流を前記発光素子に流しているときの、該各発光素子の端子間の電圧を検定電圧として、前記各データラインを介して測定する複数の電圧測定回路と、
前記検定電圧に基づいて前記画像データを補正して前記駆動信号を生成し、該駆動信号を前記各データラインに供給し、前記駆動信号に応じた書き込み電流を前記各画素の前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流して、前記駆動信号に応じた電圧成分を前記各画素の前記電荷保持部に書き込む駆動信号供給回路と、
を有し、
前記検定電流は、前記選択駆動部により前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に流れ、前記検定電流の方向が、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れず前記発光素子に順方向電流が流れる電位となる向きに設定されて、前記検定電流は前記第２の電流路を介して前記発光素子に流れ、
前記電圧測定回路は、前記検定電流が前記第２の電流路を介して前記発光素子に流れているときに、前記各データラインと前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を介して、前記各発光素子の端子間の電圧を前記検定電圧として測定し、
前記書き込み電流は、前記選択駆動部により前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に流れ、前記駆動信号は、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れ、前記発光素子は逆バイアスにされて電流が流れない状態となる電位に設定されて、前記書き込み電流は、前記第２の電流路を介して前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流れることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記データ駆動部は、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に基づいて、前記画像データを補正して、前記駆動信号を生成する補正部を備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記補正部は、前記発光素子に前記検定電流を流したときに該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路と、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、を有し、
前記画像データを、前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率に基づいて補正することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
発光素子を備える複数の画素を有する表示装置の駆動制御方法であって、
前記表示装置は、表示領域において、行方向に配列された複数の選択ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に前記各画素が配列され、前記各画素は、第１の電流路と第１の制御端子を有し、該第１の電流路の一端が電源ラインに接続され、前記第１の電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記発光素子に流れる電流を制御する電流制御トランジスタと、前記第１の制御端子と前記第１の電流路の他端との間に設けられた電荷保持部と、第２の電流路と第２の制御端子を有し、該第２の電流路の一端が前記データラインに接続され、前記第２の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路の他端と前記発光素子の一端との接続点に接続され、前記第２の制御端子が前記選択ラインに接続された選択制御トランジスタと、第３の電流路と第３の制御端子を有し、該第３の電流路の一端が前記電源ラインに接続され、前記第３の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の制御端子に接続され、前記第３の制御端子が前記選択ラインに接続された書き込み制御トランジスタと、を有し、
各行の前記各画素を選択状態に設定し、前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を導通状態にし、前記複数のデータラインの各々に所定の検定電流を供給し、選択状態とされた行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に前記検定電流を流し、前記検定電流の方向を、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れず前記発光素子に順方向電流が流れる電位となる向きに設定して、前記検定電流を前記第２の電流路を介して前記各発光素子に前記検定電流を流すステップと、
該検定電流を前記第２の電流路を介して前記各発光素子に流しているときの前記各発光素子の端子間の電圧を、検定電圧として、前記各データラインと前記選択制御トランジスタの電流路を介して測定するステップと、
測定した前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データを補正して前記駆動信号を生成するステップと、
各行の前記各画素を選択状態に設定し、前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を導通状態にし、前記各データラインに前記駆動信号を供給し、選択状態とされた行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に前記駆動信号に応じた書き込み電流を流し、前記駆動信号の電位を、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れ、前記発光素子は逆バイアスにされて電流が流れない状態となる電位に設定して、前記書き込み電流を前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を介して、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流して、前記駆動信号に応じた電圧成分を前記各画素の前記電荷保持部に書き込むステップと、
を含むことを特徴とする表示装置の駆動制御方法。
【請求項５】
前記駆動信号を補正するステップは、
前記発光素子に前記検定電流を流したときに該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶し、
前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づいて、測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出するステップと、
前記画像データを抽出した前記発光効率に基づいて補正して、前記駆動信号を生成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置の駆動制御方法。
【請求項６】
前記検定電流を流すステップにおいて、前記選択状態とされた前記表示パネルの何れかの１行の前記各画素の前記発光素子に前記検定電流を同時に流し、
前記検定電圧を測定するステップにおいて、前記表示パネルの当該１行に配列された前記各画素の前記検定電圧の測定を並行して実行することを特徴とする請求項４又は５に記載の表示装置の駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動制御方法に関するものであり、特に、画素に発光素子を備える表示装置及びその駆動制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ、無機ＥＬ又はＬＥＤ等のように光学要素として発光素子を有する画素がマトリクス（行列）状に配列されて、各発光素子が発光することによって表示を行う発光素子型ディスプレイが知られている。
【０００３】
特に、アクティブマトリクス駆動方式の発光素子型ディスプレイは、高輝度、高コントラスト、高精細、低電力等の点で、優位性を有しており、特に、有機ＥＬ素子が注目されている。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子を画素に有する表示装置として、有機ＥＬ素子への電流を制御することにより供給された画像データの輝度が得られるように、複数のトランジスタを用いて、有機ＥＬ素子を駆動するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、この有機ＥＬアクティブマトリクス駆動方式においては、各画素の画素駆動回路を構成するトランジスタを、アモルファスシリコン又はポリシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）によって実現するようにしたものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１５６９２３号公報（第３−６頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
画素駆動回路を構成するこれらのＴＦＴ及び有機ＥＬ素子は、表示動作に伴って、特性が次第に変動することが知られており、表示パネルの表示品位を低下させる。
【０００８】
これに対し、画素回路を構成する各ＴＦＴの特性変動を補償するためのさまざまな補償回路が提案されている。しかし、有機ＥＬ素子の特性変動を測定して、有機ＥＬ素子の特性変動を補償するように駆動して、表示品位の低下を抑えるようにすることができなかった。
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、発光素子の特性変動を測定して、測定した特性変動を補償することが可能な表示装置及びその駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る表示装置は、
発光素子を備える複数の画素を有する表示装置であって、
行方向に配列された複数の選択ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に前記各画素が配列された表示領域と、
外部から供給される画像データに応じた駆動信号を生成し、前記データラインを介して前記各画素に供給するデータ駆動部と、
前記表示パネルの前記各選択ラインに選択信号を印加して、各行の前記各画素を選択状態に設定する選択駆動部と、
を備え、
前記各画素は、第１の電流路と第１の制御端子を有し、該第１の電流路の一端が電源ラインに接続され、前記第１の電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記発光素子に流れる電流を制御する電流制御トランジスタと、前記第１の制御端子と前記第１の電流路の他端との間に設けられた電荷保持部と、第２の電流路と第２の制御端子を有し、該第２の電流路の一端が前記データラインに接続され、前記第２の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路の他端と前記発光素子の一端との接続点に接続され、前記第２の制御端子が前記選択ラインに接続され、前記選択状態で前記第２の電流路が導通状態にされる選択制御トランジスタと、第３の電流路と第３の制御端子を有し、該第３の電流路の一端が前記電源ラインに接続され、前記第３の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の制御端子に接続され、前記第３の制御端子が前記選択ラインに接続された書き込み制御トランジスタと、を有し、
前記データ駆動部は、
前記複数のデータラインの各々に所定の検定電流を供給する複数の定電流回路と、
該各定電流回路から前記各データラインを介して前記各画素の前記発光素子に前記検定電流を流して、該検定電流を前記発光素子に流しているときの、該各発光素子の端子間の電圧を検定電圧として、前記各データラインを介して測定する複数の電圧測定回路と、
前記検定電圧に基づいて前記画像データを補正して前記駆動信号を生成し、該駆動信号を前記各データラインに供給し、前記駆動信号に応じた書き込み電流を前記各画素の前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流して、前記駆動信号に応じた電圧成分を前記各画素の前記電荷保持部に書き込む駆動信号供給回路と、
を有し、
前記検定電流は、前記選択駆動部により前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に流れ、前記検定電流の方向が、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れず前記発光素子に順方向電流が流れる電位となる向きに設定されて、前記検定電流は前記第２の電流路を介して前記発光素子に流れ、
前記電圧測定回路は、前記検定電流が前記第２の電流路を介して前記発光素子に流れているときに、前記各データラインと前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を介して、前記各発光素子の端子間の電圧を前記検定電圧として測定し、
前記書き込み電流は、前記選択駆動部により前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に流れ、前記駆動信号は、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れ、前記発光素子は逆バイアスにされて電流が流れない状態となる電位に設定されて、前記書き込み電流は、前記第２の電流路を介して前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流れることを特徴とする。
【００１２】
前記データ駆動部は、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に基づいて、前記画像データを補正して、前記駆動信号を生成する補正部を備えるようにしてもよい。
【００１３】
前記補正部は、前記発光素子に前記検定電流を流したときに該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶しておく記憶回路と、前記記憶回路に記憶された、前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づき、前記電圧測定回路によって測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出する発光効率抽出部と、を有し、
前記画像データを、前記発光効率抽出部が抽出した前記発光効率に基づいて補正するようにしてもよい。
【００１５】
本発明の第２の観点に係る表示装置の駆動制御方法は、
発光素子を備える複数の画素を有する表示装置の駆動制御方法であって、
前記表示装置は、表示領域において、行方向に配列された複数の選択ライン及び列方向に配設された複数のデータラインの各交点近傍に前記各画素が配列され、前記各画素は、第１の電流路と第１の制御端子を有し、該第１の電流路の一端が電源ラインに接続され、前記第１の電流路の他端が前記発光素子の一端に接続されて、前記発光素子に流れる電流を制御する電流制御トランジスタと、前記第１の制御端子と前記第１の電流路の他端との間に設けられた電荷保持部と、第２の電流路と第２の制御端子を有し、該第２の電流路の一端が前記データラインに接続され、前記第２の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路の他端と前記発光素子の一端との接続点に接続され、前記第２の制御端子が前記選択ラインに接続された選択制御トランジスタと、第３の電流路と第３の制御端子を有し、該第３の電流路の一端が前記電源ラインに接続され、前記第３の電流路の他端が前記電流制御トランジスタの前記第１の制御端子に接続され、前記第３の制御端子が前記選択ラインに接続された書き込み制御トランジスタと、を有し、
各行の前記各画素を選択状態に設定し、前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を導通状態にし、前記複数のデータラインの各々に所定の検定電流を供給し、選択状態とされた行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に前記検定電流を流し、前記検定電流の方向を、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れず前記発光素子に順方向電流が流れる電位となる向きに設定して、前記検定電流を前記第２の電流路を介して前記各発光素子に前記検定電流を流すステップと、
該検定電流を前記第２の電流路を介して前記各発光素子に流しているときの前記各発光素子の端子間の電圧を、検定電圧として、前記各データラインと前記選択制御トランジスタの電流路を介して測定するステップと、
測定した前記検定電圧に基づいて、外部から供給される画像データを補正して前記駆動信号を生成するステップと、
各行の前記各画素を選択状態に設定し、前記選択状態に設定された行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を導通状態にし、前記各データラインに前記駆動信号を供給し、選択状態とされた行の前記各画素の前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路に前記駆動信号に応じた書き込み電流を流し、前記駆動信号の電位を、前記第２の電流路の他端の電位が、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に電流が流れ、前記発光素子は逆バイアスにされて電流が流れない状態となる電位に設定して、前記書き込み電流を前記選択制御トランジスタの前記第２の電流路を介して、前記電流制御トランジスタの前記第１の電流路に流して、前記駆動信号に応じた電圧成分を前記各画素の前記電荷保持部に書き込むステップと、
を含むことを特徴とする。
【００１６】
前記駆動信号を補正するステップは、
前記発光素子に前記検定電流を流したときに該発光素子が初期特性を有しているときの初期輝度に対する輝度の比率を示す発光効率と、該発光素子に前記検定電流を流したときの該発光素子の両端間の電圧との関係を予め記憶し、
前記発光効率と前記発光素子の両端間の電圧との関係に基づいて、測定した前記検定電圧に対応する前記発光効率の値を抽出するステップと、
前記画像データを抽出した前記発光効率に基づいて補正して、前記駆動信号を生成するステップと、を含むようにしてもよい。
【００１７】
前記検定電流を流すステップにおいて、前記選択状態とされた前記表示パネルの何れかの１行の前記各画素の前記発光素子に前記検定電流を同時に流し、
前記検定電圧を測定するステップにおいて、前記表示パネルの当該１行に配列された前記各画素の前記検定電圧の測定を並行して実行するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、発光素子の特性変動を測定して、発光素子の特性変動を補償することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置を、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る表示装置の構成を図１に示す。
本実施形態に係る表示装置は、複数の画素１１_ij（ｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ、ｍ、ｎ；自然数）と、複数の画素１１_ijが配列された表示領域１０と、アノード回路１２と、データドライバ（データ駆動部）１３と、セレクトドライバ（選択駆動部）と、制御部１５と、によって構成される。
【００２０】
各画素１１_ijは、それぞれ、画像の１画素に対応するものであり、行列配置される。各画素１１_ijは、有機ＥＬ素子１１１と、トランジスタＴ１〜Ｔ３と、コンデンサ（電圧保持部）Ｃ１と、を備える。
【００２１】
有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子１１１は、有機化合物に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子によって発光する現象を利用した発光素子であり、供給された電流の電流値に対応する輝度で発光する。
【００２２】
有機ＥＬ素子１１１には、画素電極が形成され、この画素電極上に、正孔注入層と発光層と対向電極とが形成される（いずれも図示せず）。正孔注入層は、画素電極上に形成され、発光層に正孔を供給する機能を有する。
【００２３】
画素電極は、透光性を備える導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等から構成される。各画素電極は隣接する他の画素の画素電極と層間絶縁膜（図示せず）によって絶縁されている。
【００２４】
正孔注入層は正孔（ホール）注入、輸送が可能な有機高分子系の材料から構成される。また、有機高分子系のホール注入・輸送材料を含む有機化合物含有液としては、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を水系溶媒に分散させた分散液であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水溶液が用いられる。
【００２５】
発光層は、インターレイヤ（図示せず）上に形成される。発光層は、アノード電極とカソード電極との間に所定の電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。
【００２６】
発光層は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料から構成される。
【００２７】
また、これらの発光材料は、適宜水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。
【００２８】
尚、３原色の場合、有機ＥＬ素子１１１のＲＧＢの発光材料は、通常、列毎に塗布される。
【００２９】
対向電極は、導電材料、例えばＣａ，Ｂａ等仕事関数の低い材料からなる層と、Ａｌ等の光反射性導電層と、からなる２層構造になっており、接地される。
【００３０】
電流は、画素電極から対極電極方向へと流れ、逆方向には流れず、画素電極、対極電極は、それぞれ、アノード電極、カソード電極となる。
【００３１】
この有機ＥＬ素子１１１は、電流を供給して、長時間、駆動することにより、次第に特性が劣化する。即ち、有機ＥＬ素子１１１の特性が劣化すると、抵抗が増加して電流が流れにくくなるとともに、流れる電流に対する発光輝度が低下し、発光効率が低下する。
【００３２】
すなわち、有機ＥＬ素子１１１の特性が劣化した場合、初期の輝度を得るためには、有機ＥＬ素子１１１に供給する電流を増加させる必要がある。電流を増加させると、有機ＥＬ素子１１１のカソード−アノード間の電圧ＶＥＬも増加する。
【００３３】
この輝度と、有機ＥＬ素子１１１のカソード−アノード間の電圧ＶＥＬとの間には、相関がある。図２は、発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係を示す。発光効率ηは、有機ＥＬ素子１１１に一定の電流（電流初期値Iel_0：検定電流）を流したときの有機ＥＬ素子１１１が初期の特性を有しているときの初期の輝度（値）を１として、輝度の変化を示すパラメータである。従って、この図２は、駆動時間により発光効率ηが変化すると、電圧ＶＥＬがどれぐらい変化するかを示す。
【００３４】
尚、この関係は、実験によって得られたデータであり、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているときに、輝度が5000cd/m2，単位面積当たりの輝度が16cd/Aとなる電流初期値Iel_0を流したときのデータであり、発光部の面積を100μｍ×300μｍとした場合、電流初期値Iel_0の電流値は、5000×(100×300)/16＝9.38(μＡ)である。
【００３５】
本実施形態に係る表示装置は、この発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係に着目し、有機ＥＬ素子１１１に上記電流初期値Iel_0を流したときの電圧（検定電圧）ＶＥＬを測定し、電圧ＶＥＬに基づいて、供給する電流の電流値を補正することにより、供給された画像データの輝度を得るように構成されている。
【００３６】
トランジスタＴ１〜Ｔ３は、ｎチャンネル型のＦＥＴ（Field Effect Transistor；電界効果トランジスタ）によって構成されたＴＦＴであり、例えば、アモルファスシリコン又はポリシリコンＴＦＴによって構成されている。
【００３７】
トランジスタＴ１（書き込み制御トランジスタ）は、トランジスタＴ３（電流制御トランジスタ）をオン、オフするためのスイッチトランジスタである。
【００３８】
各画素１１_ijのトランジスタＴ１のドレイン（端子）は、アノードライン（電源ライン）Ｌaに接続される。
【００３９】
各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ１のゲート（端子）は、セレクトラインＬs11に接続される。同様に、各画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ１のゲートは、セレクトラインＬs12に、・・・、各画素１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ１のゲートは、セレクトラインＬs1nに、それぞれ、接続される。
【００４０】
画素１１_11の場合、セレクトドライバ１４からセレクトラインＬs11にＨｉ（High；ハイ）レベルの信号が出力されると、トランジスタＴ１はオンし、トランジスタＴ３もオンする。
【００４１】
セレクトラインＬs11にＬｏ（Low；ロー）レベルの信号が出力されると、トランジスタＴ１は、オフし、トランジスタＴ３もオフする。それとともに、トランジスタＴ１がオフすると、コンデンサＣ１に充電された電荷は保持される。
【００４２】
トランジスタＴ２（選択制御トランジスタ）は、セレクトドライバ１４によって選択されてオン、オフし、アノード回路１２とデータドライバ１３との間を導通、遮断するためのスイッチトランジスタである。
【００４３】
各画素１１_ijのトランジスタＴ２の一端としてのドレインは、有機ＥＬ素子１１１のアノード（電極）に接続される。
【００４４】
各画素１１_11〜１１_m1のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs11に接続される。同様に、各画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs12に、・・・各画素１１_1n〜１１_mnのトランジスタＴ２のゲートは、セレクトラインＬs1nに接続される。
【００４５】
また、各画素１１_11〜１１_1nのトランジスタＴ２の他端としてのソースは、データラインＬd１に接続される。同様に、各画素１１_21〜１１_2nのトランジスタＴ２のソースは、データラインＬd2に、・・・、各画素１１_m1〜１１_mnのトランジスタＴ２のソースは、データラインＬdmに接続される。
【００４６】
画素１１_11の場合、トランジスタＴ２は、セレクトドライバ１４から、セレクトラインＬs11にＨｉレベルの信号が出力されるとオンして有機ＥＬ素子１１１のアノードとデータラインＬd1とを接続する。
【００４７】
また、セレクトラインＬs11にＬｏレベルの信号が出力されると、トランジスタＴ２はオフして有機ＥＬ素子１１１のアノードとデータラインＬd1とを遮断する。
【００４８】
コンデンサＣ１は、トランジスタＴ３のゲート−ソース間電圧Ｖgs（以後、ゲート電圧Ｖgsと記す。）を保持するコンデンサであり、その一端は、トランジスタＴ１のソースとトランジスタＴ３のゲートとに接続され、他端はトランジスタＴ３のソースと有機ＥＬ素子１１１のアノードに接続される。
【００４９】
コンデンサＣ１は、トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３はゲート−ドレイン間が接続されてダイオード接続されてオンするため、アノードラインＬaからトランジスタＴ２のドレインに向けて電流が流れるとき、トランジスタＴ３はオン状態となり、対応するトランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsで充電され、その電荷が蓄積される。
【００５０】
トランジスタＴ１及びＴ２がオフすると、コンデンサＣ１は、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsを保持する。
【００５１】
アノード回路１２は、電圧ＶＥＬの測定時及び各画素１１_ijへの駆動信号の書き込み時にアノードラインＬaを例えば接地電位にし、各画素１１_ijを画像データに応じた発光動作させる時にアノードラインＬaを所定の電圧（電圧Ｖsrc）に設定するものであり、スイッチ１２１と、電圧Ｖsrcを出力する定電圧電源と、を備える。
【００５２】
スイッチ１２１は、電圧Ｖsrc又は接地ラインとアノードラインＬaとの接続を切り換えるものである。この電圧Ｖsrcは、例えば、１２Ｖ程度に設定される。
【００５３】
データドライバ１３は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１にデータを書き込むためのものであり、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍと、定電流回路１３２−１〜１３２−ｍと、ＡＤＣ（Ａ/Ｄコンバータ）１３３−１〜１３３−ｍと、補正回路１３４−１〜１３４−ｍと、ＤＡＣ（Ｄ/Ａコンバータ）１３５−１〜１３５−ｍと、スイッチ１３６−１〜１３６−ｍと、を備える。
【００５４】
スイッチ１３１−１〜１３１−ｍは、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、定電流回路１３２−１〜１３２−ｍの入力端及びＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍの入力端と、の間を接続又は遮断するためのものである。
【００５５】
定電流回路１３２−１〜１３２−ｍは、上記検定電流となる定電流を供給するものである。ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを介して、データラインＬd1〜Ｌdmに印加されたアナログの電圧ＶＥＬを測定するためのものであり、測定したアナログの電圧ＶＥＬをデジタルの電圧ＶＥＬに変換する。ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、変換したデジタルの電圧ＶＥＬを補正回路１３４−１〜１３４−ｍに供給する。
【００５６】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍは、それぞれ、供給された画像データに応じた輝度が得られるように、ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍから供給された電圧ＶＥＬに基づいて、画像データに応じた電圧データＶdataの値を補正する回路である。
【００５７】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍは、それぞれ、図３に示すように、発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍと、メモリ１３８−１〜１３８−ｍと、演算部１３９−１〜１３９−ｍと、を備える。
【００５８】
発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、測定によって得られた電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出するものであり、図４に示すようなＬＵＴ（ルックアップテーブル）を記憶する。
【００５９】
このＬＵＴは、電圧ＶＥＬと輝度と発光効率ηとの関係を示すテーブルであり、図２に示す発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係に基づいて作成されたものである。
【００６０】
このＬＵＴは、有機ＥＬ素子１１１に電流初期値Ｉel_0の電流を流した場合の輝度の変化と、発光効率ηと電圧ＶＥＬとの関係を示すものである。
【００６１】
このＬＵＴは、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているときに輝度5000cd/m2を得るために必要な電流初期値Ｉel_0の電流を流して、輝度が3000cd/m2になったとき、発光効率はη＝3000／5000＝0.60となり、電圧ＶＥＬは、初期値7.85Ｖから、8.30Ｖに増加することを示している。
【００６２】
なお、本実施形態において、上記ＬＵＴは、１つの電流初期値Ｉel_0（検定電流）に対応し、定電流回路１３２−１〜１３２−ｍからは、これに対応した１種類の検定電流を供給するものとしたが、本発明はこれに限るものではなく、ＬＵＴを２レベル以上の複数の異なる電流値の検定電流に対応するものとし、定電流回路１３２−１〜１３２−ｍから、これに対応した複数レベルの異なる電流値の検定電流を供給する構成としてもよい。この場合、電圧ＶＥＬの測定を、各レベルの検定電流に応じて、複数回行うこととなる。
【００６３】
発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、このＬＵＴを参照して、電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出する。
【００６４】
メモリ１３８−１〜１３８−ｍは、それぞれ、発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍが抽出した発光効率ηを記憶するためのメモリ（記憶回路）である。
【００６５】
演算部１３９−１〜１３９−ｍは、それぞれ、画像データが供給されて、画像データに応じた輝度を得るための電圧データＶdataを取得するものである。
【００６６】
演算部１３９−１〜１３９−ｍは、それぞれ、電圧データＶdataで書き込みを行うときに、メモリ１３８−１〜１３８−ｍから発光効率ηを読み出す。
【００６７】
演算部１３９−１〜１３９−ｍは、それぞれ、有機ＥＬ素子１１１が初期特性を有しているとしたときに、供給された画像データに応じた輝度を得るために必要な電流値Ｉelf_0と、メモリ１３８−１から読み出した発光効率ηの逆数と、を乗算して電流補正値Ｉelf_１を取得する。
【００６８】
そして、演算部１３９−１〜１３９−ｍは、各画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート電圧に対するドレイン−ソース間電流の特性と、この電流補正値Ｉelf_1と、に基づいて電圧データＶdataを求める。
【００６９】
ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３９−１〜１３９−ｍが求めたデジタルの電圧データＶdataをアナログの書き込み電圧Ｖd（駆動信号：負電圧）に変換するものである。
【００７０】
ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、この書き込み電圧Ｖdを、データラインＬd1〜Ｌdmを介して、各画素１１_1j〜１１_mjのトランジスタＴ２の他端に印加することにより、トランジスタＴ２を介して、トランジスタＴ３から電流を引き込む。
【００７１】
スイッチ１３６−１〜１３６−ｍは、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍの出力端とを、接続、遮断するものである。
【００７２】
セレクトドライバ１４は、制御部１５に制御されて、行毎に画素１１_ijを選択するためのものであり、例えば、シフトレジスタを備える。セレクトドライバ１４は、それぞれ、セレクトラインＬs11〜Ｌs1nに、Ｈｉレベル又はＬｏレベルの信号を出力する。
【００７３】
制御部１５は、各部を制御するものである。制御部１５は、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬの変動に基づいて、駆動信号の書き込み時に供給する電流の電流値を補正することにより、必要な輝度を得るように各部を制御する。
【００７４】
このため、制御部１５は、キャリブレーションステップ、画像表示ステップを実行する。
【００７５】
キャリブレーションステップは、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、予め測定しておいた図２に示すような電圧ＶＥＬと発光効率ηとの関係から、測定した電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出するステップである。
【００７６】
画像表示ステップは、画像データが供給されたときに、発光効率ηに基づいて、供給された画像データに応じた輝度が得られるように電流値を補正して、対応する電圧データＶdataを各画素１１_ijのゲート−ソース間に書き込んで、各有機ＥＬ素子１１１を発光させるステップである。
【００７７】
尚、表示装置は、この電圧ＶＥＬの測定を、例えば、電源立ち上げ時、１日毎、あるいは、一定時間使用する毎に行う。
【００７８】
電圧ＶＥＬの測定を行う場合、制御部１５は、定電流が定電流回路１３２−１〜１３２−ｍから、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ラインへと流れるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。
【００７９】
電圧データＶdataの書き込みを行う場合、制御部１５は、電流がアノード回路１２から各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１に流れず、データドライバ１３に流れるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。
【００８０】
有機ＥＬ素子１１１を発光させる場合、制御部１５は、各画素１１_ijの各トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsに基づいて、電流が有機ＥＬ素子１１１に供給されるように、アノード回路１２とデータドライバ１３とセレクトドライバ１４とを制御する。
【００８１】
次に本実施形態に係る表示装置の動作を説明する。
まず、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する際の動作について説明する。
【００８２】
表示装置の制御部１５は、各行の各画素１１_ijを選択して、選択した行の各有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬの測定を行うように各部を制御する。制御部１５は、電圧ＶＥＬを測定するため、図５に示すように、アノードラインＬaと接地ラインとが接続されるように、アノード回路１２のスイッチ１２１を制御する。制御部１５がこのように制御することにより、アノードラインＬaと有機ＥＬ素子１１１のカソードとが同電位となる。
【００８３】
制御部１５は、例えば第１行目の画素１１_11〜１１_m1を選択する。画素１１_11〜１１_m1を選択するため、制御部１５は、それぞれ、セレクトラインＬs11にＨｉレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。
【００８４】
セレクトドライバ１４がＬs12〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力すると、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ１，Ｔ２はオフする。
【００８５】
画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ１がオフすると、各トランジスタＴ３もオフし、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnに電流は流れない。
【００８６】
また、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ２がオフすると、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnは、データラインＬd1〜Ｌdmから遮断される。
【００８７】
セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にＨｉレベルの信号を出力すると、画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。各トランジスタＴ１がオンすると、各トランジスタＴ３はゲート−ドレイン間が接続されてダイオード接続されてオンする。
【００８８】
制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍと、が遮断されるように、スイッチ１３６−１〜１３６−ｍを制御する。
【００８９】
制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1とデータドライバ１３の定電流回路１３２−１及びＡＤＣ１３３−１、・・・、データラインＬdmと定電流回路１３２−ｍ及びＡＤＣ１３３−ｍとが接続されるように、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。
【００９０】
また、画素１１_11〜１１_m1において、各有機ＥＬ素子１１１のカソードが接地され、アノードラインＬaが接地電位となっている。
【００９１】
このため、データラインＬd1と定電流回路１３２−１及びＡＤＣ１３３−１とが接続されて定電流回路１３２−１から定電流が供給されると、画素１１_11のトランジスタＴ３のソース電極がドレイン電極より高い電位となるため、トランジスタＴ３のドレイン・ソース間には電流は流れず、定電流回路１３２−１から供給される定電流は、データドライバ１３の定電流回路１３２−１から、データラインＬd1、各画素１１_11のトランジスタＴ２、有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ラインへと流れる。ここで、定電流回路１３２−１から供給される定電流の電流値は、上記電流初期値Iel_0（検定電流）に等しい値に設定されている。
【００９２】
同様に、それぞれ、データラインＬd2と定電流回路１３２−２及びＡＤＣ１３３−２，・・・，データラインＬdmと定電流回路１３２−ｍ及びＡＤＣ１３３−ｍとが接続されると、定電流は、それぞれ、データドライバ１３の定電流回路１３２−１から、各画素１１_11〜１１_m1の有機ＥＬ素子１１１を経由して接地ラインへと流れる。
【００９３】
データドライバ１３のＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ２、データラインＬd1〜Ｌdm、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを介して、トランジスタＴ２のドレインと有機ＥＬ素子１１１のアノードとの接続点の電圧を測定する。
【００９４】
この電圧は、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬになる。このようにしてＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定する。
【００９５】
尚、各画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ２のオン抵抗は、ゲート電圧Ｖgsが高いため、ほぼ無視できる程度の値になる。
【００９６】
ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、アナログの電圧ＶＥＬをデジタルの電圧ＶＥＬに変換する。
【００９７】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍの発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、ＬＵＴを参照して、ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍが変換したデジタルの電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出する。発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、抽出した発光効率ηをメモリ１３８−１〜１３８−ｍに記憶する。
【００９８】
発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍが、それぞれ、抽出した発光効率ηをメモリ１３８−１〜１３８−ｍに記憶すると、制御部１５は、２行目の画素１１_12〜１１_m2を選択する。
【００９９】
２行目の画素１１_12〜１１_m2を選択するため、制御部１５は、それぞれ、セレクトラインＬs12にＨｉレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs11，Ｌs13〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。
【０１００】
セレクトドライバ１４がＬs11，Ｌs13〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力すると、画素１１_11〜１１_m1、１１_13〜１１_m3、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ１，Ｔ２はオフする。
【０１０１】
各トランジスタＴ１，Ｔ２がオフすると、画素１１_11〜１１_m1、１１_13〜１１_m3、・・・、１１_1n〜１１_mnには電流が流れず、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmから遮断される。
【０１０２】
また、セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs12にＨｉレベルの信号を出力すると、画素１１_12〜１１_m2の各トランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３もオンする。
【０１０３】
電流は、それぞれ、データドライバ１３の定電流回路１３２−１〜１３２−ｍから、データラインＬd1〜Ｌdm、各画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ２を介して、有機ＥＬ素子１１１に流れる。
【０１０４】
データドライバ１３のＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍは、それぞれ、画素１１_12〜１１_m2の各トランジスタＴ２、データラインＬd1〜Ｌdm、スイッチ１３１−１〜１３１−ｍを介して、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、デジタルの電圧ＶＥＬに変換する。
【０１０５】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍの発光効率抽出部１３７−１〜１３７−ｍは、それぞれ、ＬＵＴを参照して、ＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍが変換したデジタルの電圧ＶＥＬに対応する発光効率ηを抽出し、抽出した発光効率ηをメモリ１３８−１〜１３８−ｍに記憶する。
【０１０６】
制御部１５は、同様にして、画素１１_13〜１１_m3、・・・、１１_1n〜１１_mnを選択して、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬの測定を行毎に行うように各部を制御する。
【０１０７】
次に、画像データに基づいて各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１を表示駆動する際の動作について説明する。
【０１０８】
画像データが供給されると、表示装置は、各画素１１_11〜１１_mnに対して電圧データＶdataの書き込みを行う。制御部１５は、電圧ＶＥＬの測定時と同様、図６に示すように、アノードラインＬaと接地ラインとを接続してアノードラインＬaが接地電位となるように、アノード回路１２のスイッチ１２１を制御する。
【０１０９】
制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、データドライバ１３の定電流回路１３２−１〜１３２−ｍ及びＡＤＣ１３３−１〜１３３−ｍと、が遮断されるようにスイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。
【０１１０】
次いで、制御部１５は、１行目の画素１１_11〜１１_m1を選択する。画素１１_11〜１１_m1を選択するため、制御部１５は、それぞれ、セレクトラインＬs12〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs11にＨｉレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。
【０１１１】
また、セレクトドライバ１４がＬs12〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力すると、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ１，Ｔ２はオフする。
【０１１２】
各トランジスタＴ１，Ｔ２がオフすると、各トランジスタＴ３もオフし、画素１１_12〜１１_m2、・・・、１１_1n〜１１_mnには電流は流れず、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmから遮断される。
【０１１３】
セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11にＨｉレベルの信号を出力すると、画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３もオンする。
【０１１４】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍのそれぞれの演算部１３９−１〜１３９−ｍは、メモリ１３８−１〜１３８−ｍから、画素１１_11〜１１_m1の発光効率ηを読み出す。
【０１１５】
そして、演算部１３９−１〜１３９−ｍは、それぞれ、供給された画像データに応じた輝度が得られるように、読み出した発光効率ηに基づいて電流値を補正し、この電流補正値に基づいて電圧データＶdataを求める。
【０１１６】
データドライバ１３のＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３９−１〜１３９−ｍが求めた電圧データＶdataをアナログの負電圧の書き込み電圧Ｖdに変換する。
【０１１７】
制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍと、が接続されるようにスイッチ１３６−１〜１３６−ｍを制御する。
【０１１８】
データラインＬd1〜Ｌdmと、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍと、それぞれ、が接続されると、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、負電圧の書き込み電圧ＶdをデータラインＬd1〜Ｌdmに印加する。
【０１１９】
画素１１_11〜１１_m1において、各有機ＥＬ素子１１１のカソードが接地され、アノードラインＬaも接地電位となっているため、アノード回路１２から有機ＥＬ素子１１１に電流は流れない。
【０１２０】
また、書き込み電圧Ｖdが負電圧であるため、電流は、アノード回路１２から、アノードラインＬa，画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ３，Ｔ２，データラインＬd1〜Ｌdmを介して、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍへと流れる。
【０１２１】
画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１はオンしているため、各トランジスタＴ３は、ダイオード接続される。このため、トランジスタＴ３は、図７の動作点Ｐ２で示すように、飽和領域内で動作し、トランジスタＴ３には、ダイオード特性に応じたドレイン電流Ｉdが流れる。
【０１２２】
トランジスタＴ１がオンし、トランジスタＴ３にドレイン電流Ｉdが流れるため、トランジスタＴ３のゲート電圧Ｖgsは、ドレイン電流Ｉdに対応した電圧に設定され、コンデンサＣ１は、このゲート電圧Ｖgsで充電される。
【０１２３】
このようにして、供給された画像データに応じた輝度が得られるように、画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ３のゲート−ソース間に、電圧ＶＥＬによって補正された電流値で書き込みが行われる。
【０１２４】
次に、制御部１５は、２行目の画素１１_12〜１１_m2を選択する。画素１１_12〜１１_m2を選択するため、制御部１５は、それぞれ、セレクトラインＬs11，Ｌs13〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力し、セレクトラインＬs12にＨｉレベルの信号を出力するようにセレクトドライバ１４を制御する。
【０１２５】
セレクトドライバ１４がＬs11，Ｌs13〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力すると、画素１１_11〜１１_m1、１１_13〜１１_m3、・・・、１１_1n〜１１_mnの各トランジスタＴ１，Ｔ２はオフする。
【０１２６】
画素１１_11〜１１_m1の各トランジスタＴ１，Ｔ２がオフすると、トランジスタＴ３のゲート電圧ＶgsはコンデンサＣ１に書き込まれた電圧に保持される。
【０１２７】
セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs12にＨｉレベルの信号を出力すると、画素１１_12〜１１_m2の各トランジスタＴ１，Ｔ２はオンする。トランジスタＴ１がオンすると、トランジスタＴ３もオンする。
【０１２８】
補正回路１３４−１〜１３４−ｍのそれぞれの演算部１３９−１〜１３９−ｍは、メモリ１３８−１〜１３８−ｍから、画素１１_12〜１１_m2の発光効率ηを読み出して、供給された画像データの輝度が得られるように電流値を補正し、補正した電流値に基づいて電圧データＶdataを求める。
【０１２９】
データドライバ１３のＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍは、それぞれ、演算部１３９−１〜１３９−１が求めた電圧データＶdataをアナログの負電圧の書き込み電圧Ｖdに変換する。
【０１３０】
そして、データドライバ１３は、書き込み電圧Ｖdで、選択された画素１１_12〜１１_m2のトランジスタＴ３のゲート−ソース間に電圧データＶdataの書き込みを行う。
【０１３１】
このようにして、制御部１５は、順次、画素１１_13〜１１_m3，・・・，１１_1n〜１１_mnを選択する。
【０１３２】
すべての画素１１_ijについて、このような書き込みが行われると、制御部１５は、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１が発光するように各部を制御する。
【０１３３】
制御部１５は、図８に示すように、アノードラインＬaと電圧Ｖsrcの電源とが接続されるように、アノード回路１２のスイッチ１２１を制御する。
【０１３４】
制御部１５は、継続して、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、データドライバ１３の定電流回路１３２−１〜１３２−ｍ及びＡＤＣ１３２−１〜１３２−ｍと、が遮断されるようにスイッチ１３１−１〜１３１−ｍを制御する。
【０１３５】
制御部１５は、それぞれ、データラインＬd1〜Ｌdmと、ＤＡＣ１３５−１〜１３５−ｍと、が遮断されるようにスイッチ１３６−１〜１３６−ｍを制御する。
【０１３６】
セレクトドライバ１４は、セレクトラインＬs11〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力する。セレクトドライバ１４がセレクトラインＬs11〜Ｌs1nにＬｏレベルの信号を出力すると、すべての画素１１_ijの各トランジスタＴ１，Ｔ２はオフする。
【０１３７】
すべての画素１１_ijは、各トランジスタＴ２がオフしているため、データラインＬd1〜Ｌdmから遮断される。
【０１３８】
しかし、すべての画素１１_ijの各トランジスタＴ３のゲート−ソース間には、電圧データＶdataが書き込まれているので、各トランジスタＴ３に電流は流れる。
【０１３９】
従って、電圧Ｖsrcが印加されると、電流は、アノード回路１２から、アノードラインＬa、各画素１１_ijの各トランジスタＴ３を介して、有機ＥＬ素子１１１へと流れる。
【０１４０】
図７はトランジスタＴ３のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ対ドレイン・ソース間電流Ｉｄｓ特性と有機ＥＬ素子１１１の負荷線ＳＰe1を示す図である。各画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート電圧ＶgsがコンデンサＣ１によって保持されているため、トランジスタＴ３の動作点は、図７に示すように、保持されたゲート電圧Ｖgsの動作線と有機ＥＬ素子１１１の負荷線ＳＰelとの交点である動作点Ｐ３となる。電圧Ｖsrcの電圧値は、この動作点Ｐ３が、トランジスタＴ３が飽和領域で動作する状態となる電圧値に設定される。
【０１４１】
尚、この図７において、Ｐ０はピンチオフ点、Ｖthは閾値電圧であり、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが０Ｖからピンチオフ電圧までの領域は線形領域であり、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓがピンチオフ電圧以上の領域は飽和領域である。
【０１４２】
そして、トランジスタＴ３のドレイン−ソース間には、電圧データＶdataを書き込んだときの書き込み電流と同じ電流値のドレイン電流Ｉdが流れる。トランジスタＴ２がオフし、有機ＥＬ素子１１１のアノード側の電位がカソード側の電位より高い状態となっているため、このドレイン電流Ｉdは、有機ＥＬ素子１１１に供給される。
【０１４３】
このとき、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１に流れる電流は、測定した電圧ＶＥＬに基づいて補正されている。
【０１４４】
例えば、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１に対し、供給された画像データに応じた輝度が5000cd/m2であり、有機ＥＬ素子１１１の計測された電圧ＶＥＬが8.30Ｖであった場合、補正しなければ、輝度は3000cd/m2に低下する。
【０１４５】
この場合、発光効率抽出部１３７−１は、電圧ＶＥＬ＝8.30Ｖから、図４に示すＬＵＴを参照して、発光効率η＝0.6を取得する。
【０１４６】
演算部１３９−１は、メモリ１３８−１を参照してη＝0.6を取得し、発光効率5000cd/m2を得るための電流値として、電流初期値Ｉel_0を１／η＝1.67倍して電流補正値Ｉel_1を取得する。
【０１４７】
即ち、画素１１_11の有機ＥＬ素子１１１には、電流初期値Ｉel_0の1.67倍の電流が流れるように補正され、その結果、有機ＥＬ素子１１１は、輝度5000cd/m2で発光する。
【０１４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、制御部１５は、行毎に、各画素１１_ijのトランジスタＴ１，Ｔ２がオンするように制御し、データドライバ１３から、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１に定電流を供給し、有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定するように各部を制御した。
【０１４９】
また、データドライバ１３は、供給された画像データに応じた輝度が得られるように、測定した電圧ＶＥＬに基づいて電流値を補正し、各画素１１_ijのトランジスタＴ３のゲート−ソース間に、電圧データＶdataを書き込むようにした。
【０１５０】
従って、各画素１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の特性変動を補償することができる。
【０１５１】
また、表示駆動装置は、ＲＧＢの有機ＥＬ素子１１１が列毎に配置され、列毎に電圧ＶＥＬを測定するようにした。
【０１５２】
前述のように、ＲＧＢの３原色の場合、ＲＧＢの発光材料は、通常、列毎に塗布される。有機ＥＬ素子１１１は、材料が異なれば劣化の程度も異なる。しかし、列毎に電圧ＶＥＬの測定を行うことにより、このような材料の相違を考慮することなく、同じ材料で生成された有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定できる。
【０１５３】
また、発光材料の塗布ムラにより特性のバラツキが生じた場合でも、各画素回路１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の特性のバラツキを補償することができる。
【０１５４】
発光材料の抵抗値は、金属とは異なり、半導体と同程度に高い。発光材料の塗布ムラがあった場合、塗布された発光材料の厚さのバラツキは、有機ＥＬ素子１１１の特性にも影響してくる。
【０１５５】
しかし、製造時、出荷時等に各有機ＥＬ素子１１１の電圧ＶＥＬを測定し、供給された画像データの輝度が得られるように、測定した電圧ＶＥＬに基づいて電流値を補正することにより、各画素回路１１_ijの有機ＥＬ素子１１１の特性のバラツキを補償することができる。
【０１５６】
尚、本発明を実施するにあたっては、種々の形態が考えられ、上記実施形態に限られるものではない。
【０１５７】
例えば、上記実施形態では、発光素子を有機ＥＬ素子として説明した。しかし、発光素子は、有機ＥＬ素子に限られるものではなく、例えば、無機ＥＬ素子又はＬＥＤであってもよい。
【０１５８】
図２に示す有機ＥＬ素子の発光効率と電圧との関係は、有機ＥＬ素子の発光材料等によって変わるものであり、必ずしも、このものに限られるものではない。また、図３に示すＬＵＴも、同様に、このものに限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ素子の発光効率と電圧との関係を示す図である。
【図３】図１に示す補正回路の構成を示す図である。
【図４】図３に示す発光効率抽出部が記憶するＬＵＴ（ルックアップテーブル）を示す図である。
【図５】図１に示す有機ＥＬ素子の電圧測定動作を示す図である。
【図６】図１に示す表示装置の書き込み動作を示す図である。
【図７】図１に示すトランジスタの動作領域（ドレイン電圧とドレイン電流との関係）を示す図である。
【図８】図１に示す表示装置の発光動作を示す図である。
【符号の説明】
【０１６０】
１１_ij（ｉ＝１〜ｍ，ｊ＝１〜ｎ）・・・画素、１２・・・アノード回路、１３・・・データドライバ、１４・・・セレクトドライバ、１５・・・制御部、１３２−１〜１３２−ｍ・・・定電流回路、１３３−１〜１３３−ｍ・・・ＡＤＣ、１３４−１〜１３４−ｍ・・・補正回路、１３５−１〜１３５−ｍ・・・ＤＡＣ、１３７−１〜１３７−ｍ・・・発光効率抽出部、１３８−１〜１３８−ｍ・・・メモリ、１３９−１〜１３９−ｍ・・・演算部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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