(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、
上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ少なくとも上端から突出する電極を有する電子部品と、
上記樹脂中を貫通し且つ電子部品上端の電極と導通する接続導体と、を含み、
上記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に、上記接続導体と導通する配線層が形成されており、
上記電子部品は、上記電極の端面を除いて、上記樹脂中に埋設されていると共に、
上記電子部品の電極の端面は、上記配線層と同一平面内に位置している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、
上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を有する電子部品と、
上記樹脂中を貫通し且つ電子部品の上記電極と導通する接続導体と、を含み、
上記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に、上記接続導体と導通する配線層が形成されており、
上記電子部品は、上記電極の端面を除いて、上記樹脂中に埋設されていると共に、
上記電子部品の電極は、上記配線層と同一平面内に位置している、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記基板本体は、単一の絶縁層または複数の絶縁層と配線層とを交互に積層した多層基板の何れかである、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線基板本体のうち、第１主面上に搭載されるＩＣチップの位置を厚さ方向に投影してなるＩＣチップ対応部に、前記電子部品が配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を有する電子部品と、この電子部品の電極と接続する接続導体と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、
上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化することにより、上記電子部品を上記配線基板本体に樹脂を介して内蔵する工程と、
上記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方を平坦に整面する工程と、
上記硬化した樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に穴明けして、上記電子部品の電極の端面を穴内で露出させる工程と、
上記穴内に導電性物質を充填して、上記電極と導通する接続導体を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂に穴明けする工程は、レーザ照射により行われる、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記穴内に導電性物質を充填して前記接続導体を形成する工程は、ハンダよりも高融点の金属または合金によるメッキを施すことにより行われる、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続導体の形成工程と同時に、
前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に上記接続導体と導通する配線層を形成する、
ことを特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板本体内に電子部品を内蔵し且つ第１主面上にＩＣチップなどの電子部品を搭載する配線基板およびその製造方法に関する。尚、本発明の配線基板にはインターポーザ(中継基板)も含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
近年における配線基板の小型化および配線基板内における配線の高密度化に対応するため、配線基板の第１主面上にＩＣチップなどの電子部品を搭載するだけでなく、配線基板の内部に電子部品を内蔵することが行われている。
例えば図１０(Ａ)に示す配線基板１２０は、絶縁性の基板１２１に明けた貫通孔１２２にチップコンデンサ(電子部品)１２３を挿入し、その両端における一対の電極１２４をハンダ１２８を介して、上記基板１２１と隣接する絶縁層１２６との間に形成したランド１２７と接続している。そして、貫通孔１２２内に樹脂１２９を充填することにより、上記コンデンサ１２３を基板１２１に内臓している。尚、上記コンデンサ１２３には、内部電極１２５が内設されている。
【０００３】
また、図１０(Ｂ)に示す配線基板１３０は、絶縁性の基板１３１に形成した貫通孔１３２の下側の開口部を、予め図示しない粘着性の仮固定膜により塞ぎ、この仮固定膜に内部電極１３５を有するチップコンデンサ(電子部品)１３３を貼り付けている。かかる状態で、貫通孔１３２内に溶けた樹脂１３９を充填し固化させた後、上記仮固定膜を除去したものである。
図１０(Ｂ)に示すように、上記配線基板１３０では、上記コンデンサ１３３の両端に位置する一対の電極１３４を、予め上記基板１３１とこれに隣接する絶縁層１３６との間に設けたランド１３７にハンダ１３８を介して接続している。
【０００４】
配線基板の小型化および配線基板内における配線の高密度化の要請に対応するため、配線基板内には複雑な配線が形成される。しかしながら、前記図１０(Ａ)，(Ｂ)に示した配線基板１２０，１３０では、絶縁性の基板に内蔵した電子部品の電極と配線基板内の配線層とを接続するには、上記電極にハンダ付けする同一層のランドを介して行うので、上記電極と接続するための配線が制約される。このため、上記の要請に応えることは実際上困難であった。
【０００５】
また、前記１０図(Ａ)，(Ｂ)に示した配線基板１２０，１３０では、絶縁性の基板に内蔵した電子部品の電極から真上に配線を接続できないので、上記電極と第１主面上に搭載するＩＣチップとを接続する配線を設計上長くせざるを得ない。かかる配線が長くなると、当該配線自体の抵抗やインダクタンスが大きくなり、低抵抗および低インダクタンス化の要請に十分に応じることができない。このため、一層小型化され且つ内部配線の高密度化が要請される配線基板に対応するには、前記配線基板１２０，１３０では困難である、という問題もあった。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、配線基板本体に内蔵した電子部品の電極と配線基板内の配線層との接続が容易に行えると共に、上記電子部品の電極と第１主面上に搭載するＩＣチップ等とを接続する配線も短くし得る配線基板およびその製造方法を提供すること、を課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するため、配線基板本体の貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵した電子部品の電極を、上記樹脂を貫通する接続導体を介して配線基板内の配線層や第１主面上に搭載したＩＣチップ等に接続する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板(請求項１)は、表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ少なくとも上端から突出する電極を有する電子部品と、上記樹脂中を貫通し且つ電子部品上端の電極と導通する接続導体と、を含み、上記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に、上記接続導体と導通する配線層が形成されており、上記電子部品は、上記電極の端面を除いて、上記樹脂中に埋設されていると共に、上記電子部品の電極の端面は、上記配線層と同一平面内に位置している、ことを特徴とする。
【０００８】
また、もう一つの配線基板(請求項２)は、表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を有する電子部品と、上記樹脂中を貫通し且つ電子部品の上記電極と導通する接続導体と、を含み、上記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に、上記接続導体と導通する配線層が形成されており、上記電子部品は、上記電極の端面を除いて、上記樹脂中に埋設されていると共に、上記電子部品の電極は、上記配線層と同一平面内に位置している、ことを特徴とする。
【０００９】
これらによれば、貫通孔や凹部内に内蔵した電子部品の上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を、接続導体を介して、内部の配線層と容易且つ自在に接続できると共に、上記電極と当該配線基板の第１主面上に搭載したＩＣチップとの間も複雑にすることなく短い配線により、確実に導通することができる。更に、配線基板本体の表面の上方で且つ第１主面との間に、任意数の配線層が形成され、ビルドアップ構造の配線基板とすることができ、これらの配線層を介して内蔵する電子部品と第１主面上に搭載するＩＣチップなどの電子部品との間を、短い配線で導通できる。あるいは、配線基板本体の裏面の下方で且つ第２主面との間にも配線層が形成され、これを介して電子部品とマザーボードなどとの間を短い配線で確実に導通できる。
しかも、配線層の形成と同時に電子部品の電極が導通されるため、短い配線で電子部品と配線層およびＩＣチップなどとの導通が取れ、且つ内蔵される電子部品の電極同士を接続する配線の引き回しが、同一平面内にあるため、一つの電子部品内または複数の電子部品間の電極同士を、短い距離で導通可能にできる。そのため、配線基板内に高密度の配線が可能となると共に、例えば抵抗やインダクタンスを低下させるなどの電気的に安定した特性を得ることができる。
従って、小型化と配線の高密度化が要請される配線基板において、例えばチップ状とされた複数の電子部品を容易に内蔵でき、配線回路中のノイズを低減したり、電気的特性を安定させることができる。
【００１０】
尚、内蔵する電子部品の電極を、前記接続導体を介して第１主面上に搭載するＩＣチップの外部端子と直に接続することも可能である。これによる場合、内蔵した電子部品の電極と第１主面に搭載するＩＣチップとを、極めて近くして接続できるため、ノイズを低減したり、電気的特性を安定させることが可能となる。
【００１３】
更に、前記配線基板本体は、単一の絶縁層または複数の絶縁層と配線層とを交互に積層した多層基板の何れかである、配線基板(請求項３)も本発明に含まれる。
これによれば、種々のサイズの電子部品を容易に内蔵できると共に、多層基板の形態では、内蔵した電子部品の電極と第１主面に搭載するＩＣチップとを導通する配線を短くできるため、かかる配線におけるノイズ、ループインダクタンス、および抵抗を低減できるなどの電気的特性を安定させることも可能となる。
付言すれば、前記電子部品が複数のチップ状電子部品である、配線基板を本発明に含めることも可能である。これによる場合、小型化したチップ状電子部品を貫通孔内などに精度良く配置でき、各電子部品の電極を個別に内部の配線層や第１主面上に搭載するＩＣチップと精度良く接続できるため、高機能で高密度の配線基板とすることが可能となる。
【００１４】
尚、上記チップ状電子部品には、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップフィルタ、チップ抵抗、またはチップトランジスタなどが含まれる。特に、チップコンデンサを内蔵する場合には、１個のコンデンサを内蔵する場合よりも複数のコンデンサを並列に接続して内蔵することにより、コンデンサの数で割り算したインダクタンスとなって、全体のインダクタンスを下げることが可能となる。更に、１個の大きな電子部品を樹脂を介して内蔵する場合に比べ、熱応力を緩和することもでき、固化した上記樹脂に生じるクラックを効果的に防止できる。
加えて、前記配線基板本体のうち、第１主面上に搭載されるＩＣチップの位置を厚さ方向に投影してなるＩＣチップ対応部に、前記電子部品が配置されている、配線基板(請求項４)も本発明に含まれる。
これによれば、電子部品とＩＣチップとを最も最短の配線により導通することが可能となり、基板内部におけるノイズ、抵抗、およびインダクタンスを低くして安定した電気的特性を得ることができる。
【００１９】
本発明による配線基板の製造方法(請求項５)は、表面および裏面を有し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔、あるいは表面側または裏面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通孔または凹部内に樹脂を介して内蔵され且つ上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を有する電子部品と、この電子部品の電極と接続する接続導体と、を備える配線基板の製造方法であって、上記貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化することにより、上記電子部品を上記配線基板本体に樹脂を介して内蔵する工程と、上記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方を平坦に整面する工程と、上記硬化した樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に穴明けして、上記電子部品の電極の端面を穴内で露出させる工程と、上記穴内に導電性物質を充填して、上記電極と導通する接続導体を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００２０】
付言すれば、上記製造方法は、表面及び裏面を有する板状を呈し、かかる表・裏面間を貫通する貫通孔または表面側に開口する凹部を備える配線基板本体と、かかる貫通孔または凹部内に挿入して固着され且つ上端および下端の少なくとも一方から突出する電極を有する電子部品と、この電子部品の電極と接続する接続導体と、を備える配線基板の製造方法であって、上記貫通孔または凹部内に電子部品を配置する工程と、上記貫通孔または凹部内に樹脂を充填し且つ硬化することにより、上記電子部品を上記配線基板本体に埋設して固着する工程と、上記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方を平坦に整面する工程と、上記硬化した樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に穴明けして、上記電子部品の電極を穴内で露出させる工程と、この穴内に導電性物質を充填して、上記電極と導通する接続導体を形成する工程と、を含む、方法でもある。
【００２１】
これによれば、貫通孔または凹部内に内蔵した電子部品の電極を接続導体を介して、容易且つ自在に内部の配線層と接続できると共に、上記電極と配線基板内の配線層や第１主面上に搭載したＩＣチップとの間も、配線を複雑にすることなく短い配線により確実に導通できる。しかも、前記整面後における樹脂の表面や裏面は、配線基板本体の表面や裏面とほぼ同一の平面となるため、樹脂の表面および裏面上に平坦な配線や絶縁層を容易に形成できる。
従って、小型化および配線の高密度化の要請下で、例えばチップ状とされた複数の電子部品を容易に内蔵でき、配線回路中のノイズを除去し、電気的特性が安定化した配線基板を確実に提供できる。
尚、上記貫通孔内に電子部品を配置する工程は、貫通孔の一方の開口部を粘着面を内側にしたテープにより閉塞する工程と、貫通孔内に挿入した電子部品を上記粘着面に接着して配置する工程と、からなるとすることもできる。この場合、例えば複数のチップ状電子部品でも、位置精度を良くして容易に配置できる。
【００２２】
また、前記樹脂の表面に穴明けする工程は、レーザ照射により行われる、配線基板の製造方法(請求項６)も本発明に含まれる。
これによれば、比較的小径の穴を容易且つ精度良く樹脂に穿設できるので、ファインな配線を形成することに寄与し得る。特に、複数のチップ状電子部品を内蔵する場合に、上記穴を位置精度良く穿設でき、且つ各部品の電極の高さにバラツキがあっても支障なく穴明けできる。尚、上記レーザには、ＣＯ２、ＹＡＧ、またはエキシマレーザなどが使用される。
【００２３】
更に、前記穴内に導電性物質を充填して前記接続導体を形成する工程は、ハンダよりも高融点の金属または合金によるメッキを施すことにより行われる、配線基板の製造方法(請求項７)も本発明に含まれる。
これによれば、例えば第１主面上にＩＣチップをハンダ付けで搭載する際、その熱により接続導体が溶出して断線したり、電子部品を損傷せず、内蔵する電子部品の電極と配線層との導通を確実に取ることができる。また、配線基板本体の表・裏面に配線層を形成する際、接続導体を介して同時に上記電極との接続を行うことも可能となる。尚、上記メッキに用いる金属には、Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ、またはこれらをベースとする合金が含まれる。
【００２４】
尚、前記整面に際しては、バフ研磨やベルトサンダによる研磨などが用いられる。
【００２５】
更に、前記接続導体の形成工程と同時に、前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に上記接続導体と導通する配線層を形成する、配線基板の製造方法(請求項８)も本発明に含まれる。
これによれば、接続導体の形成と同時に、これと導通する配線層が形成でき、ビルドアップ構造の配線基板を得ることができる。従って、少ない工程で前記配線基板を容易に製造することが可能となる。尚、内蔵する電子部品の電極は、前記接続導体を介して第１主面上に搭載するＩＣチップと直に接続することも可能である。
【００２６】
付言すれば、前記接続導体の形成工程の後に、前記配線基板本体の表面の上方および裏面の下方の少なくとも一方に前記接続導体と導通する配線層を形成する工程を、更に含む、配線基板の製造方法とすることも可能である。これによる場合、電子部品と配線層とを接続導体を介して、あるいは直に導通できると共に、ビルドアップ構造の配線層も確実に形成することが可能となる。しかも、上記配線層を銅などによる金属メッキで形成することにより、ハンダ実装用のランドが不要となるため、多くの電子部品を高密度に内蔵することができると共に、ハンダのリフロが不必要となるため、電子部品の損傷や第１主面上にＩＣチップを実装する際の加熱による断線も確実に防ぐことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下において本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１(Ａ)は、絶縁材からなるパネルＰの平面図を示し、図中に破線で示す個別の配線基板(製品単位)となる複数の配線基板本体１と、それらの中央に穿孔した貫通孔４とを含む。かかるパネルＰにより、多数の配線基板(縦横各約４０ｍｍ)を同時に製造することができる。図１(Ｂ)は、上記パネルＰ中における配線基板本体(コア基板)１と、その表面２と裏面３との間を貫通する貫通孔４との断面を示す。配線基板本体１は、平面視でほぼ正方形を呈する厚さ約０．８ｍｍの板状で、例えばガラス−エポキシ樹脂の複合材からなる単一の絶縁層である。また、配線基板本体１ほぼ中央をパンチングすることにより、平面視が略正方形で一辺が約１２ｍｍの貫通孔４が予め穿孔されている。
【００２８】
図１(Ｂ)に示すように、先ず貫通孔４における裏面３側の開口部を、粘着面７を貫通孔４内に向けたテープ６を裏面３に貼り付けることにより閉塞する。尚、テープ６は、前記パネルＰの貫通孔４全てを同時に閉塞するため、図１(Ｂ)のように、パネルＰの下側のほぼ全面を覆うように貼り付けられる。
次に、図１(Ｃ)に示すように、例えばチップコンデンサなどの複数の電子部品８を貫通孔４内に挿入すると共に、上記テープ６の粘着面７上における所定の位置にそれぞれ配置して接着する。この作業は例えばチップマウンタなどにより行う。この際、前記パネルＰにおける複数の貫通孔４をテープ６で同時に塞ぐことにより、各貫通孔４内に電子部品８を同時に配置できるため、効率良く製造することが可能となり且つコストダウンにもつながる。尚、上記電子部品８は、その上・下端にＣｕからなる電極８ａ，８ｂを有すると共に、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層とＮｉ製の内部電極とを交互に積層したセラミックコンデンサが用いられ、その寸法は約３.２ｍｍ×１.６ｍｍ×０.７ｍｍである。
【００２９】
次いで、図１(Ｄ)に示すように、貫通孔４の表面２側の開口部から、エポキシ樹脂を主成分とする溶けた樹脂９を貫通孔４内に注入した後、約１００℃に６０分間程度保持するキュア処理を行う。この結果、図示のように、樹脂９が固化することにより、各電子部品８は貫通孔４内の所定の位置で固着され、下端の電極８ｂの端面を除き樹脂９中に埋設され且つ内蔵される。また、固化した樹脂９の表面９ａはカーブ状に盛り上がるが、樹脂９の裏面９ｂは上記テープ６の粘着面７に倣った平坦面となり、且つ各電極８ｂの端面が追って露出する。尚、上記テープ６は、樹脂９用のモールドの底部を形成し、且つ上記キュア処理に耐え得る程度の耐熱性を有している。また、上記キュア処理により、樹脂９の内部における気泡も併せて除去され緻密な組織となる。更に、この段階で樹脂９中に埋設された電子部品８の配設位置およびショートの有無などをチェック(検査)する。
【００３０】
更に、図２(Ａ)に示すように、テープ６を剥離した後、配線基板本体１を固定し、樹脂９の表面９ａを例えばバフ研磨により整面する。この結果、図２(Ａ)に示すように、新たに形成される樹脂９の表面９ｃは、配線基板本体１の表面２と同一平面となる。
次に、図２(Ｂ)に示すように、樹脂９の表面９ｃ側からほぼ垂直に例えばＣＯ２レーザＬを照射する。レーザＬの照射位置は、各電子部品８上端の電極８ａの真上に設定されている。この結果、図示のように、電子部品８上端の電極８ａに対応する位置に穴１０が穿設され、各穴１０の底部において各電子部品８上端の電極８ａの上端面が露出する。尚、穴１０の内径は、約１００μｍである。即ち、レーザＬの照射により、小径の穴１０を所定の位置に精度良く形成できる。
【００３１】
次いで、上記穴１０内に予めＰｄ触媒を塗布した後、無電解銅メッキおよび電解銅メッキをそれぞれ施す。この結果、図２(Ｃ)に示すように、各穴１０内には銅(導電性物質)からなる円柱形の接続導体１２が形成される。尚、各穴１０から表面９ｃ上に突出した接続導体１２の上端部は、バフ研磨などにより除去される。これにより、接続導体１２の上端面は、樹脂９の表面９ｃおよび配線基板本体１の表面２と同一平面に形成される。従って、配線基板本体１の表面２上や第１主面寄りに追って形成する絶縁層や配線層は、歪みや段差などの不具合を伴わずに形成され、且つ第１主面にＩＣチップを適正に搭載することも容易となる。
【００３２】
尚、接続導体１２をハンダよりも高融点の銅で形成することにより、電子部品８の損傷を防いだり、追って行う配線間や第１主面上での他の電子部品(例えばＩＣチップなど)のハンダ付け時の熱による影響を阻止することができる。また、電極８ａ,８ｂ、接続導体１２、およびこれと接続される配線層に、同種の導電性物質(本形態では銅)を用いることより、後述するＩＣチップ搭載時のハンダ・リフローなどに伴い生じる熱応力を更に緩和することができる。更に、前記穴１０の深さが比較的浅い場合には、次述する配線層１４と同時に接続導体１２を銅メッキにより形成することもできる。これにより、製造工程を短縮できる。
【００３３】
更に、配線基板本体１の表・裏面２，３および樹脂９の表・裏面９ｃ，９ｂの上に銅メッキを施した後、図示しない感光性樹脂を塗布し且つマスクを介した露光と現像とを行う。得られたエッチングレジストを介して銅メッキ層をエッチングした後、上記レジストを剥離する。この結果、図３(Ａ)に示すように、表面２，９ｃと裏面３，９ｂの上に所定パターンの配線層１４，１６(厚さ約１５μｍ)が形成される。配線層１４内の配線１４ａは、電子部品８上端の電極８ａと接続導体１２を介して接続され、配線層１６内の配線１６ａは、電子部品８下端の電極８ｂと直に接続される。尚、接続導体１２側を図３(Ａ)の下側(裏面９ｂ側)に形成し、追って第１主面上に搭載されるＩＣチップと反対側になるようにしてから、その後の工程を行っても良い。
尚、配線層１４，１６は、別途に配線基板本体１に貫通して形成される図示しないスルーホール導体を介しても互いに導通される。
次に、図３(Ａ)のように、表・裏面２,３および配線層１４,１６の上／下に感光性のエポキシ樹脂を塗布して厚さ約３０μｍの絶縁層１８,１９を形成する。
【００３４】
次いで、絶縁層１８，１９における所定の位置に、マスクを介した露光および現像を施してビアホール(図示せず)を形成する。更に、かかるビアホール内および絶縁層１８，１９上に銅メッキを施した後、前記同様に感光性樹脂を塗布してマスクを介した露光と現像とを行う。この結果、図３(Ｂ)に示すように、絶縁層１８，１９を貫通するビア導体(フィルドビア)２０，２２と絶縁層１８，１９の上／下の配線層２４，２６とが形成される。
以下同様の方法により、絶縁層１８，１９および配線層２４，２６の上に絶縁層２８，２９を形成し、これを貫通するビア導体(フィルドビア)３０，３１と絶縁層２８，２９上の配線層３２，３４とを形成する。尚、ビア導体３０などの形成前におけるビアホールの穴明けは、絶縁層２８などが感光性材料でない場合、レーザ(ＣＯ２，ＹＡＧ，エキシマ等)照射により行っても良い。
【００３５】
更に、図３(Ｂ)に示すように、絶縁層２８，２９と配線層３２，３４の上／下に絶縁層(ソルダーレジスト層)３６，３７を形成する。配線層３２上の所定の位置にレーザなどで穿設した凹み内にハンダを充填することにより、第１主面３６ａよりも高く突出するハンダ製のフリップチップバンプ３８を複数形成する。かかるバンプ３８は、第１主面３６ａ上に搭載されるＩＣチップ３９の底面に形成される図示しない外部端子と接続される。かかる接続の際に上記バンプ３８を加熱しても、前記接続導体１２には影響を与えない。
また、図３(Ｂ)に示すように、ＩＣチップ３９が搭載される位置を厚さ方向に投影するＩＣチップ対応部３９ａの範囲内に、各電子部品８が配置されているので、電子部品８とＩＣチップ３９とを最短の配線により導通できる。これにより、抵抗やインダクタンスを低くし、安定した電気的特性を得ることができる。
【００３６】
更に、図３(Ｂ)に示すように、ビア導体２０，３０およびビア導体２２，３１がフィルドビアからなり、且つこれらが厚さ方向に連続するスタックトビア(積み上げビア)を形成するので、電子部品８とＩＣチップ３９およびマザーボードとをほぼ直線的に短く接続でき、これらの経路における電気的特性を良好にすることができる。
一方、絶縁層３７における第２主面３７ｂ側に開口して形成した開口部３７ａ内に露出する配線層３４内の配線３４ａは、その表面に薄いＮｉおよびＡｕメッキを被覆され、図示しないマザーボードなどと接続するための接続端子とされる。これにより、複数の電子部品８を内蔵し、第１主面３６ａ上にＩＣチップ３９のような電子部品を搭載可能とした第一の配線基板４０を得ることができる。
【００３７】
以上のような配線基板(請求項１，２)４０とその製造方法(請求項５)によれば、配線基板本体１の貫通孔４内に精度良く固着して内蔵された複数の電子部品８は、各電子部品８上端の電極８ａを接続導体１２を介して、配線層１４，２４，３２などや第１主面３６ａ上に搭載したＩＣチップ３９と配線を複雑にすることなく短い配線により、容易且つ確実に導通することができる。
また、レーザＬにより穴１０を穿設(穴明け)し且つその内部にハンダよりも高融点の銅メッキにより接続導体１２を形成するので、比較的小径の穴１０を容易且つ精度良く樹脂９に穿設でき、ファインな配線回路を形成できる。更に、電子部品８の下端の電極８ｂも配線層１６，２６などと接続される。尚、配線層１４，１６は、スルーホール導体(図示せず)を介しても導通する。
従って、小型化および配線の高密度化が要請される配線基板において、チップ状とされた複数の電子部品８を容易に内蔵できると共に、例えば配線回路中のノイズを除去したり、あるいは種々の電気的特性を安定化させることができる。
【００３８】
図４は、前記配線基板４０の変形形態の配線基板４０′とその製造工程に関する。図４(Ａ)は、前記図２(Ｃ)に示した配線基板本体(コア基板)１を、その表・裏面２，３が上下逆になるようにし、接続導体１２を下側に配置した状態を示す。以下図４においては、配線基板本体１の表面を表面３とし且つ裏面を裏面２として説明する。かかる状態にて、表面３および樹脂９の裏面９ｂの上に配線１４ａを含む配線層１４を、裏面２および樹脂の表面９ｃの下に配線１６ａを含む配線層１６を、それぞれ形成した後、これらの上／下に絶縁層１８，１９を形成する。この際、図４(Ａ)に示すように、電子部品８の電極８ｂは、上端面が表面３側に露出しているため、配線層１４を銅メッキで形成すると同時に配線１４ａと接続される。また、電子部品８の電極８ａは接続導体１２を介して、裏面２側の配線層１６の配線１６ａと接続される。
尚、図４(Ａ)では、接続導体１２とこれに接続する配線層１６とが、配線基板本体１の裏面２側に形成されている。また、接続導体１２は、配線層１６を形成する銅メッキと同時に形成することもできる。
【００３９】
図４(Ｂ)は、図４(Ａ)の絶縁層１８，１９中に前記同様のビア導体２０，２２を形成し、且つ絶縁層１８，１９の上／下に配線層２４，３２，２６，３４および絶縁層２８，３６，２９，３７を形成した状態を示す。更に、図４(Ｂ)に示すように、前記同様に配線層３２上に第１主面３６ａ上に突出するフリップチップバンプ３８を形成すると共に、絶縁層３７に形成した開口部３７ａ内に露出する配線層３４内の配線３４ａは、ＮｉおよびＡｕメッキを被覆され接続端子とされる。これにより、前記配線基板４０の変形形態の配線基板４０′が得られる。
配線基板４０′は、配線基板本体１に内臓した電子部品８下端の電極８ａが接続導体１２を介して上記本体１の裏面２側の配線層１６と導通し、且つ電子部品８上端の電極８ｂが直に配線層１４と導通する点でのみ、配線基板４０と相違する。但し、配線基板４０′は、配線基板４０に比べ、接続導体１２の厚み分だけ電子部品８とＩＣチップ３９とを近付けられるため、スイッチングノイズなどを低減でき、内部の電気的特性を向上させることができる。
【００４０】
図５は、参考形態の配線基板とこれを得るための製造方法に関する。
図５(Ａ)は、前記図１(Ｄ)と同様に、配線基板本体(コア基板)１の貫通孔４内に、樹脂９を充填し且つ固化することにより、複数の電子部品８を内蔵した状態を示す。各電子部品８は、上端の電極８ａが配線基板本体１の表面２よりも僅かに高い位置にある。前記同様にテープ６を剥離し、図５(Ｂ)に示すように、樹脂９のカーブしていた表面９ａを整面して平坦な表面９ｃとする。
この結果、新たな表面９ｃには、各電子部品８の上端において、上端面が研磨された電極８ａが露出する。一方、樹脂９の裏面９ｂには、各電子部品８における下端の電極８ｂが露出している。尚、樹脂９の裏面９ｂも上記と同様に整面すると、電極８ｂを確実に露出させ得る。
【００４１】
次に、図５(Ｃ)に示すように、配線基板本体１の表・裏面２，３および樹脂９の表・裏面９ｃ，９ｂの上／下において、前記同様の方法により所定パターンの配線層１４，１６を銅メッキにより形成する。この際、配線層１４，１６の形成と同時に形成され、これと同一層内に位置する接続配線(引き回し配線)１４ａ，１６ａは、電子部品８の上端の電極８ａまたは下端の電極８ｂと接続される。
即ち、電極８ａ，８ｂの端面は、予め配線層１４，１６が形成される表・裏面２，３に露出している、換言すれば配線層１４，１６が形成される面と同一平面内に位置している。このため、上記メッキで配線層１４，１６を形成すると同時に、電極８ａ，８ｂと接続配線１４ａ，１６ａとを直に接続することができる。
【００４２】
更に、配線層１４，１６の上に絶縁層１８，１９を形成する。これ以降は、前記図３(Ｂ)や図４(Ｂ)に示したと同様にビア導体２０，２２などや配線層２４，２６などを形成し、且つ配線層２４，２６などの上にソルダーレジスト層３６，３７が形成される。更に、第１主面３６ａ側にフリップチップバンプ３８を、ソルダーレジスト層３７側の開口部３７ａ内に配線(接続端子)３４ａを形成する。この結果、前記配線基板４０，４０′と同様な配線基板を得ることができる。
以上のような第二の配線基板とその製造方法によれば、前記穴１０や接続導体１２の形成工程を省略できると共に、電子部品８とＩＣチップ３９とを更に短くして導通させることができ、一層安定した電気的特性を得ることが可能となる。
【００４３】
図６は、異なる形態の配線基板(請求項１，２)４４とその製造方法(請求項５)に関する。尚、以下の形態において、前記形態と同じ部分や要素には共通の符号を用いるものとする。
図６(Ａ)は、前記と同様に配線基板本体(コア基板)１における貫通孔４の一方の開口部をテープ６で閉塞し、その粘着面７上に複数のチップ状電子部品８′を接着して配置した後、貫通孔４内に樹脂９を充填・硬化して、貫通孔４に上記電子部品８′を内蔵した状態を示す。尚、電子部品８′は、上端のみに突出する電極８ａを有するタイプである。また、図６(Ａ)に示すように、配線基板本体１の左右には、ドリルによりスルーホール４１が表・裏面２，３間に貫通している。
図６(Ｂ)に示すように、上記テープ６を剥離し、樹脂９の表面９ａを研磨して整面し平坦な表面９ｃとした後、表面９ｃにレーザを照射して穴１０を穿設する。各穴１０の底部には、直下の電子部品８′上端の電極８ａの端面が露出する。
【００４４】
次に、図６(Ｃ)に示すように、各穴１０の内部に無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施して、接続導体１２を形成する。また、配線基板本体１の表・裏面２，３および樹脂９の表・裏面９ｃ，９ｂの上に、前記同様の方法で配線層１４，１６を形成する。この際、同時にスルーホール４１内にもスルーホール導体４２を形成し且つその上下端と配線層１４，１６とを接続する。また、図６(Ｃ)に示すように、配線層１４内の配線１４ａは、接続導体１２の何れかと接続される。
更に、図６(Ｄ)に示すように、配線基板本体１の表・裏面２，３および配線層１４，１６の上／下に絶縁層１８，１９を前記同様に形成した後、これを貫通するビア導体２０，２２、および上・下の配線層２４，２６を形成する。
【００４５】
次に、図６(Ｄ)に示すように、前記同様にして配線層２４，２６上に前記図３(Ｂ)で示した絶縁層２８，２９またはソルダーレジスト層３６，３７(図示せず)を形成すると共に、第１主面３６ａ側にはハンダ製の前記バンプ３８(図示せず)を、上記レジスト層３７側には配線(接続端子)３４ａ(図示せず)を形成する。これにより、第一の配線基板４４を得ることができる。
かかる配線基板４４とその製造方法によれば、配線基板本体１の貫通孔４内に内蔵した複数の電子部品８′は、その上端の電極８ａと接続する接続導体１２を介して配線層１４，２４と容易に接続されると共に、第１主面３６ａ上に搭載されるＩＣチップ３９と短い配線で導通できる。また、各電子部品８′は、スルーホール導体４２を介して配線基板本体１の裏面３側における配線層１６，２６や配線(接続端子)３４ａとも導通される。従って、少ない配線により、内蔵した複数の電子部品８′と第１主面３６ａ上に搭載するＩＣチップ３９や配線基板４４自体を搭載する図示しないマザーボードとの導通を確実に取ることができ、小型化し高密度な配線回路を有する配線基板にも容易に適用することが可能である。
【００４６】
図７は、更に異なる形態の配線基板４８とその製造方法に関する。
図７(Ａ)に示すように、配線基板本体（コア基板）１′は、その表面２側に開口する平面視でほぼ正方形の凹部４ａを有する。かかる配線基板本体１′は、図示しない厚肉で貫通孔(４)を有する絶縁板と薄肉の平らな絶縁板とを、接着シートを挟んで加熱しつつ圧着して形成したものである。
上記凹部４ａの底部４ｂには、予め所定の位置に充填樹脂４６ａを有する複数のスルーホール導体４６が貫通している。先ず、凹部４ａ内に挿入した複数のチップ状電子部品８の下端の電極８ｂと上記導体４６とを、ハンダ４７を介して接続した後、図７(Ａ)に示すように、凹部４ａ内に樹脂９を充填し且つ硬化する。
次いで、図７(Ｂ)に示すように、固化した樹脂９の表面９ａを研磨して整面し平坦な表面９ｃとした後、所定の位置にレーザを照射して各電極８ａの真上に穴１０を穿設する。その後、各穴１０内に前記同様の銅メッキを施して、図７(Ｃ)に示すように、接続導体１２を形成する。
【００４７】
更に、前記と同様の方法により、図７(Ｃ)に示すように、配線基板本体１′の表面２および樹脂９の表面９ｃ上に、所定パターンを有し且つ何れかの接続導体１２と接続する配線１４ａを含む配線層１４を形成する。また、配線基板本体１′の裏面３下には、電子部品８下端の電極８ｂとスルーホール導体４６を介して導通する配線１６ａを含む所定パターンの配線層１６を形成する。
更に、図７(Ｄ)に示すように、前記同様に配線層１４，１６の上に絶縁層１８,１９を形成した後、ビア導体２０，２２や配線層２４，２６を形成する。
そして、前記同様に配線層２４，２６の上にソルダーレジスト層３６，３７が形成されると共に、第１主面３６ａ側にフリップチップバンプ３８を、ソルダーレジスト層３７側の開口部３７ａ内に配線(接続端子)２６ａを形成することにより、図７(Ｄ)に示す第一の配線基板４８を得ることができる。
【００４８】
かかる配線基板４８とその製造方法によれば、配線基板本体１′の凹部４ａに内蔵した複数の電子部品８は、上端に設けた各電極８ａに接続する接続導体１２を介して配線層１４に容易に接続され、且つ第１主面３６ａ上に搭載するＩＣチップ３９とも比較的短い配線で導通できる。また、各電子部品８下端の電極８ｂは、スルーホール導体４６を介して配線層１６に接続され、且つ接続端子２６ａと導通される。更に、図７(Ｄ)に示したように、ＩＣチップ対応部３９ａ内に、各電子部品８が配置されているので、これらと上記ＩＣチップ３９とを最短の配線で導通できる。従って、配線を複雑にすることなく、複数のチップ状電子部品８を配線基板本体１′内に高密度で内蔵でき、内部の配線層２４，２６などや搭載するＩＣチップ３９との導通も確実に行える。尚、凹部４ａの両外側における配線基板本体１′に、前記スルーホール導体４２を形成することで、配線層１４，１６を電子部品８を介さず直に接続できることも明らかである。
【００４９】
図８は、異なる参考形態の配線基板４９とその製造方法に関する。
図８(Ａ)に示すように、配線基板本体(コア基板)１′は、その表面２側に開口する凹部４ａを有し、凹部４ａに隣接してスルーホール４１，４１が予め貫通している。先ず、凹部４ａ内に、上端のみに一対の電極８ａを有する複数の電子部品８′を、図示しないチップマウンタにて所定の位置に配置する。この際、各電極８ａの上端面は、配線基板本体１′の表面２よりも僅かに高い位置にある。次に、図８(Ｂ)に示すように、凹部４ａ内に樹脂９を充填し且つ硬化する。この際、各電子部品８′の電極８ａも樹脂９の中に埋設・内蔵される。
更に、図８(Ｃ)に示すように、固化した樹脂９の表面９ａを研磨して整面し平坦な表面９ｃとする。この際、各電子部品８′の電極８ａの上端面も研磨され、新たな表面９ｃに露出する。
【００５０】
また、前記同様の方法により、図８(Ｄ)に示すように、配線基板本体１′の表面２および樹脂９の表面９ｃ上に、所定パターンを有し且つ各電子部品８′の上端の電極８ａと直かに接続する接続配線(引き回し配線)１４ａを含む配線層１４を、銅メッキにより形成する。即ち、電極８ａの上端面は、配線層１４が形成される上記本体１′の表面２と同一平面内に露出しているため、上記メッキによって直ちに電極８ａと接続配線１４ａとを接続することができる。同様にして、配線基板本体１′の裏面３下に配線層１６を形成する。尚、スルーホール４１内には、充填樹脂４３を内蔵したスルーホール導体４２が形成され予め形成され、その上下端に配線層１４，１６が上記メッキにより形成される。
【００５１】
更に、図８(Ｄ)に示すように、前記同様に配線層１４，１６の上に絶縁層１８，１９を形成した後、ビア導体２０，２２や配線層２４，２６を形成することにより、配線基板４９が得られる。そして、前記同様に配線層２４，２６の上に前記同様のソルダーレジスト層を形成すると共に、第１主面側にフリップチップバンプを、底面側の開口部内に接続端子の配線を形成することにより、前記図７(Ｄ)に示した配線基板４８と同様な第二の配線基板を得ることができる。
【００５２】
図９(Ａ)は、更に異なる参考形態の配線基板５０の主要部の断面を示す。この配線基板５０は、図９(Ａ)に示すように、多層基板の配線基板本体５１と、その表面５４ａ上と裏面５５ａ下とに形成した配線層６６，７２，６７，７３と、絶縁層６８，７４，６９，７５とを有する。
図９(Ａ)に示すように、配線基板本体５１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁層５２と、エポキシ樹脂からなる絶縁層５４，５５と、これらの間に形成された銅製の配線層６４，６５とからなる多層基板である。この配線基板本体５１の表・裏面５４ａ，５５ａ間を貫通するスルーホール５７には、スルーホール導体５８およびその内側の充填樹脂５９が形成されている。尚、スルーホール導体５８の中間と配線層６４とが接続されると共に、スルーホール導体５８の上下端と配線層６６，６７とが接続されている。但し、スルーホール導体５８は、配線層６５とは接続されず、かかる配線層６５に明けた丸孔６５ａを貫通している。
【００５３】
また、配線基板本体５１には、その表・裏面５４ａ，５５ａ間を、平面視がほぼ正方形である貫通孔５６が貫通している。かかる貫通孔５６には、複数のチップ状電子部品(チップコンデンサ)６０が、前記同様の方法により樹脂６３を介して内蔵されている。また、各チップ状電子部品６０の上下端の電極６１，６２は、樹脂６３の表・裏面に露出し、且つ配線基板本体５１の表・裏面５４ａ，５５ａの配線層６６，６７内の接続配線６６ａ，６７ａと接続されている。
更に、図９(Ａ)に示すように、絶縁層６８，６９には、配線層６６，７２間や配線層６７，７３間を接続するフィルドビア導体７０，７１が配置され、且つ配線層７２の上には、絶縁層(ソルダーレジスト層)７４を貫通し、第１主面７６よりも高く突出し且つＳｎ−Ａｇからなるハンダバンプ７８が形成されている。
【００５４】
そして、図９(Ａ)に示すように、配線層７３において、最下層の絶縁層(ソルダーレジスト層)７５に設けた開口部７７から第２主面７５ａ側に露出する配線７９は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、接続端子に用いられいる。
以上のような配線基板５０によれば、配線層６６，６７の形成と同時に、電子部品６０の電極６１，６２と接続配線６６ａ，６７ａとが導通されるため、電子部品６０と接続配線６６ａ，６７ａとの導通が短い配線で取れる。
しかも、電子部品６０の電極６１，６１間または電極６２，６２間を接続する接続配線６６ａ，６７ａの引き回しが、配線層６６，６７と同一平面内にあるため、一つの電子部品６０内または複数の電子部品６０，６０の電極６１，６１間または電極６２，６２間を、短い距離で導通できる。
【００５５】
更に、配線基板５０によれば、全体の厚みが前記配線基板４０と同じ場合、前記電子部品６０の電極６１と第１主面７６上に搭載される図示しないＩＣチップとの間は、配線層６６，７２、ビア導体７０，およびハンダバンプ７８からなる絶縁層５４の厚み分だけ短い導通経路となる。この結果、かかる経路におけるループインダクタンスを低減できるため、スイチッングノイズやクロストークノイズが低下するなどの電気的特性が向上する。従って、チップ状電子部品６０やＩＣチップを誤動作なく正常に動作させることが一層容易となる。
【００５６】
図９(Ｂ)は、更に別の参考形態である配線基板８０の主要部の断面を示す。配線基板８０は、図９(Ｂ)に示すように、多層基板の配線基板本体８１と、その表面８４ａ上および裏面８５ａ下に形成した銅製の配線層９８，１０４，９９，１０５と、絶縁層１００，１０６，１０１，１０７とを有する。
配線基板本体８１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁層８２，８４，８５と、これらの間に形成した銅製の配線層９４，９５とからなる多層基板である。かかる基板本体８１の表・裏面８４ａ，８５ａ間を貫通するスルーホール８７には、スルーホール導体８８およびその内側の充填樹脂８９が形成されている。
また、図９(Ｂ)に示すように、スルーホール導体８８の中間と配線層９４とが接続されると共に、かかるスルーホール導体８８の上下端と配線層９８，９９とが接続されている。但し、スルーホール導体８８は、配線層９５とは接続されず、かかる配線層９５に明けた丸孔９５ａを貫通している。
【００５７】
更に、図９(Ｂ)に示すように、配線基板本体８１には、その表面８４ａ側に開口する凹部８６がルータ加工などにより形成されている。かかる凹部８６は、配線基板本体８１のうち、絶縁層８２，８４をルータ加工するか、または予めこれらに貫通孔を穿孔した後、絶縁層８５と積層することにより形成される。
図９(Ｂ)に示すように、凹部８６中には樹脂９３を介して、複数のチップ状電子部品(チップコンデンサ)９０が内蔵されている。電子部品９０は、上下端に電極９１，９２を有し、上端の電極９１は樹脂９３の表面に露出して、配線基板本体８１の表面８４ａにおける配線層９８内の接続配線９８ａと接続される。
【００５８】
また、チップ状電子部品９０の下端の電極９２は、凹部８６の底面と配線基板本体８１の裏面８５ａとの間を貫通するスルーホール導体９６の上端と予め接続され、且つこれを介して配線基板本体８１の裏面８５ａの配線層９９と導通している。尚、スルーホール導体９６の内側には、充填樹脂９７が形成されている。
図９(Ｂ)に示すように、絶縁層１００，１０１には、配線層９８，１０４間または配線層９９，１０５間を接続するフィルドビア導体１０２，１０３が配置され、配線層１０４の上には、絶縁層(ソルダーレジスト層)１０６を貫通し、第１主面１０８よりも高く突出するハンダバンプ１１０が形成されている。また、配線層１０５のうち、絶縁層(ソルダーレジスト層)１０７に設けた開口部１０９から第２主面１１３側に露出する配線１１１は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、図示しないマザーボードなどとの接続端子として用いられる。
【００５９】
尚、チップコンデンサ９０に替えて、上端のみに電極を有するチップ状電子部品を用いても良い。この場合は、凹部８６の底面と配線基板本体８１の裏面８５ａとの間を貫通するスルーホール導体９６が省略される。
以上のような配線基板８０でも、配線層９８の形成と同時に電子部品９０の電極９１が導通されため、電子部品９０と接続配線９８ａとの導通が短い配線で取れる。しかも、電子部品９０の電極９１，９１間を接続する接続配線９８ａの引き回しが、配線層９８と同一平面内にあるため、一つの電子部品９０内または複数の電子部品９０，９０の電極９１，９１間を、短い距離で導通できる。
【００６０】
更に、前記配線基板４０と全体の厚みが同じ場合には、前記電子部品９０の電極９１と第１主面１０８上に搭載される図示しないＩＣチップとの間は、配線層９８，１０４、ビア導体１０２，およびハンダバンプ１１０からなる絶縁層８４の厚み分だけ短い導通経路となる。この結果、かかる経路におけるループインダクタンスを低減できるため、スイチッングノイズやクロストークノイズが低下するなどの電気的特性が向上する。従って、チップ状電子部品９０やＩＣチップを誤動作なく正常に動作させることが一層容易となる。
【００６１】
本発明は以上に説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、貫通孔４，５６や凹部４ａ，８６内に樹脂９，６３，９３を介して内蔵する電子部品８，６０，９０は１つのみでも良い。逆に、配線基板本体１，１′，５１，８１の製品単位１(４０，４０′，４８，５０，８０)個内に複数の貫通孔４，５６や凹部４ａ，８６を形成しても良い。
また、前記配線基板４０，４８などで電子部品の下端の電極は、絶縁層を貫通する接続導体を介して、何れかの配線層と接続することも可能である。
更に、複数のチップ状電子部品８，８′などを互いの側面間で予め接着したユニットとし、これを貫通孔４または凹部４内ａに挿入し配置することもできる。
また、チップ状電子部品８,８′,６０,９０には、前記チップコンデンサの他、チップ状にしたインダクタ、抵抗、フィルタ(ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタなど)などの受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)などの能動部品も含まれると共に、半導体素子、ＦＥＴ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサなども含まれ、更に、互いに異種の電子部品同士を、同じ貫通孔や凹部内に併設して内蔵することも可能である。
【００６２】
更に、配線基板本体(コア基板)１，配線基板本体(多層基板)５１の絶縁層５２などの材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂複合材料の他、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性等を有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するＰＴＦＥ等３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることも可能である。
また、絶縁層１８，１９などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするものの他、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥ等３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。且つ絶縁層の形成には、絶縁性のフィルムを熱圧着する方法で行っても良い。
【００６３】
更に、配線層１４，１６などの材質は、前記銅メッキの他、Ｎｉや、Ｎｉ−Ａｕ等にしても良く、あるいは、金属メッキを用いず、導電性樹脂を塗布する等の方法によって形成することも可能である。
また、ＩＣチップ３９との接続端子には、前記フリップチップバンプ３８やハンダバンプ７８などの他、フリップチップパッド、ワイヤボンディングパッド、或いはＴＡＢ接続用パッドを形成したもの等を用いても良い。且つ、上記バンプ３８などには、Ｓｎ−Ａｇの他、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などのハンダ(低融点合金のロウ材)を用いても良い。
更に、前記電子部品８，８′，６０，９０のコンデンサでは、ＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，ＴｉＯ２，ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＫＮｂＯ３，ＮａＴｉＯ３，ＫＴａＯ３，ＰｂＴａＯ３，(Ｎａ１／２Ｂｉ１／２)ＴｉＯ３，Ｐｂ(Ｍｇ１／２Ｗ１／２)Ｏ３，(Ｋ１／２Ｂｉ１／２)ＴｉＯ３等を主成分とするものを用いても良い。
【００６４】
また、前記電子部品８，８′，６０，９０の電極８ａ，８ｂなどの材質は、Ｃｕを主成分としたが、電子部品６との適合性を有するＰｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ等を用いることができる。
更に、ビア導体は、フィルドビア導体に限らず、コンフォーマルビア導体(導体で完全に充填されないビア導体)にしても良い。
加えて、前記電子部品８等のコンデンサは、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂やＣｕメッキ、Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させたコンデンサとしたものとしても良い。
尚、前記第１主面３６ａ，７６，１０８上において複数の搭載エリアを形成し、複数のＩＣチップ３９を個別に搭載することも可能である。
【００６５】
【発明の効果】
以上において説明した本発明の配線基板(請求項１，２)によれば、前記貫通孔または凹部内に内蔵された電子部品は、その電極を接続導体を介して当該配線基板内の配線層や第１主面上に搭載したＩＣチップなどと配線を複雑にすることなく短い配線により、容易且つ確実に導通することができる。しかも、配線層の形成と同時に電子部品の電極が導通されるため、短い配線で電子部品と配線層およびＩＣチップなどとの導通が取れ、且つ内蔵される電子部品の電極同士を接続する配線の引き回しが、同一平面内にあるため、一つの電子部品内または複数の電子部品間の電極同士を、短い距離で導通可能にできる。そのため、配線基板内に高密度の配線が可能となると共に、例えば抵抗やインダクタンスを低下させるなどの電気的に安定した特性が得られる。
従って、上記配線基板によれば、小型化および配線の高密度化が要請されている配線基板において、例えばチップ状とされた複数の電子部品を容易に内蔵できると共に、例えば配線回路中のノイズを除去したり、種々の電気的特性を安定化させることができる。
【００６６】
また、請求項４の配線基板によれば、第１主面上に搭載するＩＣチップと内臓した電子部品とを、最短の配線で導通することができる。
一方、本発明による配線基板の製造方法（請求項５）によれば、上記のような各配線基板を少ない工数で容易且つ確実に提供することが可能となる。
【００６７】
また、請求項６の配線基板の製造方法によれば、比較的小径な穴を容易且つ精度良く樹脂に穿設することができ、且つファインな配線回路を形成し得る。特に、チップ状の複数の電子部品を内蔵する場合に上記穴を位置精度良く穿設できると共に、各部品の電極の高さにバラツキがあっても支障なく穴明けできる。
更に、請求項７の配線基板の製造方法によれば、追って施されるハンダ付け時の熱により、上記接続導体が溶出して断線したりせず、内蔵する電子部品の電極と配線層との導通を確実に取ることができる。
【００６８】
加えて、請求項８の配線基板の製造方法によれば、配線基板本体の表面上に配線層を形成する際、同時に上記電極との接続を行うことも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(Ａ)は本発明の配線基板を得るためのパネルを示す平面図、(Ｂ)〜(Ｄ)は本発明の製造方法を示す各工程の概略断面図。
【図２】(Ａ)乃至(Ｃ)は図１(Ｄ)に続く本発明の製造方法を示す各工程の概略断面図。
【図３】(Ａ)は図２(Ｃ)に続く工程の概略断面図、(Ｂ)は得られた配線基板を示す概略断面図。
【図４】(Ａ)は図３(Ｂ)に示した配線基板の変形形態を得るための製造方法を示す工程の概略断面図、(Ｂ)は得られた配線基板を示す断面図。
【図５】(Ａ)乃至(Ｃ)は参考形態の配線基板とその製造方法の各工程を示す概略断面図。
【図６】(Ａ)乃至(Ｃ)は異なる形態の製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られた配線基板を示す概略断面図。
【図７】(Ａ)乃至(Ｃ)は更に異なる形態の製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られた配線基板を示す概略断面図。
【図８】(Ａ)乃至(Ｃ)は異なる参考形態の配線基板の製造方法を示す各工程の概略断面図、(Ｄ)は得られた参考形態の配線基板を示す概略断面図。
【図９】(Ａ)および(Ｂ)は更に異なる参考形態の配線基板における主要部を示す断面図。
【図１０】(Ａ)および(Ｂ)は共に従来の配線基板及びその製造方法を示す概略断面図。
【符号の説明】
１，１′………………………………配線基板本体
２………………………………………表面
３………………………………………裏面
４………………………………………貫通孔
４ａ……………………………………凹部
８，８′………………………………電子部品(チップ状電子部品)
８ａ，８ｂ……………………………電極
９………………………………………樹脂
９ａ……………………………………樹脂の表面
１０……………………………………穴
１２……………………………………接続導体
１４,１６，２４,２６,３２,３４……配線層
１４ａ，１６ａ………………………接続配線(引き回し配線)
３６ａ…………………………………第１主面
３９……………………………………ＩＣチップ
３９ａ…………………………………ＩＣチップ対応部
４０,４０′,４４,４８………………配線基板
Ｌ………………………………………レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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