(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、
第１導電型の支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１導電型の光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された第１導電型の電子放出層と、
前記電子放出層上に形成され、複数の貫通孔を有する第２導電型のコンタクト層と、
前記コンタクト層上に形成された表面電極と、
前記コンタクト層の貫通孔から露出した前記電子放出層の表面を覆うように形成され、前記電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、
前記支持基板に設けられた裏面電極と、
を備え、
前記被検出光の偏光方向における前記貫通孔の幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする光電陰極。
【請求項２】
被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、
支持基板と、
前記支持基板上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された電子放出層と、
前記電子放出層とショットキー接合するように形成され、複数の貫通孔を有する表面電極と、
前記表面電極の貫通孔から露出した前記電子放出層の表面を覆うように形成され、前記電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、
前記支持基板に設けられた裏面電極と、
を備え、
前記被検出光の偏光方向における前記貫通孔の幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする光電陰極。
【請求項３】
前記貫通孔の最長幅が、前記被検出光の波長よりも短いことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電陰極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電陰極に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光電陰極として、例えば特許文献１に記載されているように、基板と、基板上に形成されたフォトン吸収層（光吸収層）と、フォトン吸収層上に形成された電子放出層と、電子放出層上に形成された網目状のグリッドと、を備えるものが知られている。電子放出層表面のうち、グリッドで覆われているのはごく僅かな部分となっている。
【特許文献１】特許第２６６８２８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１記載の光電陰極に基板側から被検出光を入射させると、被検出光は基板を透過してフォトン吸収層に到達し、当該フォトン吸収層で吸収される。しかしながら、時間分解能を向上すべくフォトン吸収層の厚さを薄くした場合には、被検出光は、フォトン吸収層にて十分に吸収されず、フォトン吸収層を透過してしまうことがある。十分に吸収されることなくフォトン吸収層を透過した被検出光は、電子放出層に到達する。特許文献１記載の光電陰極においては、電子放出層表面の殆どがグリッド間から露出している。そのため、電子放出層に到達した被検出光の多くは、グリッド間から外部に放出されてしまう。
【０００４】
このように、特許文献１記載の光電陰極では、被検出光がフォトン吸収層にて十分に吸収されることなく外部に放出されてしまうおそれがあり、光の検出感度が低下してしまうという問題があった。
【０００５】
そこで本発明は、光の検出感度に優れた光電陰極を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光電陰極は、被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、第１導電型の支持基板と、支持基板上に形成された第１導電型の光吸収層と、光吸収層上に形成された第１導電型の電子放出層と、電子放出層上に形成され、複数の貫通孔を有する第２導電型のコンタクト層と、コンタクト層上に形成された表面電極と、コンタクト層の貫通孔から露出した電子放出層の表面を覆うように形成され、電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、支持基板に設けられた裏面電極と、を備え、被検出光の偏光方向における貫通孔の幅が、被検出光の波長よりも短いことを特徴とする。
【０００７】
本発明の光電陰極では、電子放出層とコンタクト層とで導電型が異なっている。そのため、ｐ／ｎ接合型の光電陰極を得ることができる。貫通孔から露出した電子放出層の表面には、活性層が形成されている。そのため、被検出光の吸収により光吸収層にて発生した光電子を、貫通孔から容易に外部放出することができる。
【０００８】
光吸収層で吸収されなかった被検出光は、光吸収層を透過し電子放出層に到達する。電子放出層上に形成されたコンタクト層は複数の貫通孔を有しているが、かかる貫通孔の幅は被検出光の偏光方向において被検出光の波長よりも短くなっている。そのため、被検出光が貫通孔を通り抜けて外部に放出されてしまうことを抑制できる。外部放出が抑制された被検出光は、露出した電子放射層の表面で反射され、光吸収層に再び入射して吸収される。
【０００９】
このように、本発明によれば、貫通孔からの被検出光の外部放出を抑制できるうえに、光吸収層における被検出光の吸収効率を向上させることができる。更に、発生した光電子を貫通孔から外部に放出することもできる。これらの結果、光電陰極を光の検出感度に優れたものとすることができる。
【００１０】
本発明に係る光電陰極は、被検出光の入射に応じて光電子を放出する光電陰極であって、支持基板と、支持基板上に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された電子放出層と、電子放出層とショットキー接合するように形成され、複数の貫通孔を有する表面電極と、表面電極の貫通孔から露出した電子放出層の表面を覆うように形成され、電子放出層の仕事関数を低下させる活性層と、支持基板に設けられた裏面電極と、を備え、被検出光の偏光方向における貫通孔の幅が、被検出光の波長よりも短いことを特徴とする。
【００１１】
本発明の光電陰極はショットキー接合型の光電陰極であり、表面電極の貫通孔から露出した電子放出層の表面には、活性層が形成されている。そのため、被検出光の吸収により光吸収層にて発生した光電子を、貫通孔から容易に外部放出することができる。
【００１２】
光吸収層で吸収されなかった被検出光は、光吸収層を透過し電子放出層に到達する。表面電極は複数の貫通孔を有しているが、各貫通孔の幅は被検出光の偏光方向において被検出光の波長よりも短くなっている。そのため、被検出光が貫通孔を通り抜けて外部に放出されてしまうことを抑制できる。外部放出が抑制された被検出光は、露出した電子放射層の表面で反射され、光吸収層に再び入射して吸収される。このように、本発明によれば、貫通孔からの被検出光の外部放出を抑制できるうえに、光吸収層における被検出光の吸収効率を向上させることができる。更に、発生した光電子を貫通孔から外部に放出することもできる。よって、光電陰極を光の検出感度に優れたものとすることができる。
【００１３】
また、本発明に係る光電陰極では、貫通孔の最長幅が、被検出光の波長よりも短いことが好ましい。この場合、被検出光の偏光方向に因らず、被検出光が貫通孔を通り抜けてしまうことを確実に抑制できる。そのため、光の検出感度に優れた光電陰極をより確実に得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光の検出感度に優れた光電陰極を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る光電陰極の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光電陰極を示す図である。図１（ａ）は本実施形態に係る光電陰極の斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示される光電陰極のＩ−Ｉ線断面図である。
【００１７】
本実施形態に係る光電陰極Ｅ１は電界援助型の光電陰極であって、図１に示されるように、支持基板２と、光吸収層３と、電子放出層４と、コンタクト層５と、表面電極６と、活性層７と、裏面電極８とを備えている。
【００１８】
支持基板２は、III−Ｖ族化合物半導体から構成される第１導電型の基板であって、より具体的にはｐ−型ＩｎＰ半導体基板である。この支持基板２の吸収端波長は、光電陰極Ｅ１に入射される被照射光の波長よりも短くなっている。支持基板２の一方の主面上には、第１導電型の光吸収層３が形成されている。光吸収層３は、光を吸収して光電子を発生する層である。光吸収層３はｐ−型ＩｎＧａＡｓ半導体からなっており、光吸収層３の吸収端波長は被照射光の波長よりも長くなっている。この光吸収層３の上には、第１導電型の電子放出層４が形成されている。電子放出層４は、光吸収層３にて発生した光電子を加速する層である。電子放出層４はｐ−型ＩｎＰ半導体からなっており、光吸収層３の吸収端波長は被照射光の波長よりも短くなっている。
【００１９】
電子放出層４の上には、第２導電型のコンタクト層５が設けられている。コンタクト層５は、マトリクス状（本実施形態では３行３列）に並んだ複数の貫通孔５ａを有しており、格子状に形成されている。各貫通孔５ａは略矩形状を呈しており、その対角線の長さｄ１（最長幅）は、被検出光の波長よりも短くなっている。コンタクト層５はｎ＋型ＩｎＰ半導体から構成されており、ｐ−型ＩｎＰ半導体からなる電子放出層４とは異なる導電型となっている。したがって、コンタクト層５と電子放出層４との間には、ｐ／ｎ接合が形成されることとなる。コンタクト層５の吸収端波長は、被照射光の波長よりも短くなっている。
【００２０】
コンタクト層５上には、Ｔｉからなる表面電極６が設けられている。表面電極６は、マトリクス状（本実施形態では３行３列）に並んだ複数の貫通孔６ａを有しており、コンタクト層５と略同一の形状を呈している。すなわち、表面電極６の各貫通孔６ａは、コンタクト層５の各貫通孔５ａに対応した位置に形成されており、コンタクト層５の各貫通孔５ａと同一の形状および大きさとなっている。なお、１００ｎｍ程度の貫通孔５ａ，６ａであれば、縮小投影法や電子ビーム露光法によるパターニングによって形成することが可能である。
【００２１】
各貫通孔５ａ，６ａからは、電子放出層４の表面が露出している。この電子放出層４の露出表面を覆うように、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）からなる活性層７が形成されている。活性層７は、電子放出層４の仕事関数を低下させる層である。活性層７を設けることにより、電子放出層４で加速された光電子を、複数の貫通孔５ａを介して外部へ放出することが容易となる。
【００２２】
支持基板２の裏面、すなわち光吸収層３とは反対側の面には、裏面電極８が形成されている。裏面電極８は、ＡｕＺｎからなっている。表面電極６および裏面電極８は、それぞれコンタクト用のワイヤからなる配線９を介して電源１０に接続されている。この電源１０によって、表面電極６と裏面電極８との間には例えば５Ｖのバイアス電圧が印加されている。
【００２３】
上述した構成を有する光電陰極Ｅ１では、支持基板２の裏面側から被検出光が入射される。支持基板２の吸収端波長は被検出光の波長よりも短いため、被検出光は支持基板２を透過する。支持基板２を透過した被検出光は、光吸収層３に到達する。光吸収層３の吸収端波長は被検出光の波長よりも長いため、被検出光は光吸収層３にて吸収されることとなる。被検出光を吸収した光吸収層３は、光電子を発生する。電子放出層４とコンタクト層５との間には、ｐ／ｎ接合が形成されているため、表面電極６と裏面電極８との間に印加されたバイアス電圧により発生した電界の作用で、光吸収層３にて発生した光電子は電子放出層４内にて加速され、活性層７によって仕事関数が低下した電子放出層４の表面から真空中に放出される。
【００２４】
ところで、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、光吸収層３を透過してしまうことがある。この場合、光吸収層３を透過した被検出光は電子放出層４に達するが、電子放出層４の吸収端波長は被検出光の波長よりも短く設定されているため、かかる被検出光は電子放出層４を透過することとなる。
【００２５】
電子放出層４を透過する被検出光のうち、コンタクト層５で覆われた領域、すなわち貫通孔５ａが形成されていない領域に向かって進む被検出光は、コンタクト層５に入射する。コンタクト層５の吸収端波長は、被検出光の波長よりも短く設定されている。そのため、コンタクト層５に入射した被検出光は、コンタクト層５を透過することとなる。コンタクト層５を透過した被検出光は、コンタクト層５上に形成された表面電極６で反射され、コンタクト層５および電子放出層４を介して光吸収層３に再び入射し、吸収される。
【００２６】
電子放出層４を透過する被検出光の一部は、貫通孔５ａに向かって進む。従来、貫通孔の長さをｄとし、光の波長をλとすると、貫通孔における光の透過率Ｔは以下の式（１）で表せることが知られている。
【数１】
0004995660.tif 000002
【００２７】
各貫通孔５ａの対角線の長さｄ１は上述した式（１）のｄに相当し、被検出光の波長は上述した式（１）のλに相当する。本実施形態に係る光電陰極Ｅ１では、各貫通孔５ａの対角線の長さｄ１は被検出光の波長よりも短くなっている。したがって、式（１）によれば、貫通孔５ａにおける被検出光の透過率が１未満となるため、貫通孔５ａからの被検出光の放出を確実に抑制することができる。例えば、被検出光の波長が約１０００ｎｍであるとき、各貫通孔５ａの対角線の長さｄ１を５００ｎｍとすれば、貫通孔５ａにおける被検出光の透過率は１０％未満となり、貫通孔５ａから放出される被検出光の量を極めて少ないものとすることができる。
【００２８】
貫通孔５ａからの放出が抑制された被検出光は、電子放射層４の露出表面で反射される。反射された被検出光は、電子放出層４を介して光吸収層３に再び入射し、吸収される。
【００２９】
以上説明したように、貫通孔５ａの対角線の長さｄ１を被検出光の波長よりも短くすることで、貫通孔５ａから被検出光が漏れ出すことを抑制できるうえに、被検出光を表面電極６で反射させて光吸収層３にもう一度入射させることが可能となる。よって、光電子の外部放出を妨げることなく、光吸収層３における被検出光の吸収効率を向上させることができる。その結果、光電陰極Ｅ１を光の検出感度に優れたものとすることができる。
【００３０】
ここで、貫通孔５ａの対角線の長さｄ１を被検出光の波長よりも短くする理由について、より詳細に説明する。
【００３１】
式（１）のｄは、より正確にいうと、被検出光の電場ベクトルの方向における貫通孔の長さを示している。そのため、貫通孔における被検出光の透過率Ｔを低くするためには、被検出光の電場ベクトルの方向における貫通孔の長さを、被検出光の波長よりも短くする必要がある。
【００３２】
例えば、貫通孔５ａの短辺の長さが被検出光の波長よりも短く、長辺の長さが被検出光の波長よりも長い場合を考える。この場合、被検出光の偏光方向（電場ベクトルの方向）が貫通孔５ａの短辺方向と一致するのであれば、式（１）のｄは貫通孔５ａの短辺の長さを表すことになる。貫通孔５ａの短辺は被検出光の波長よりも短いため、（ｄ／λ）は１未満となり、貫通孔５ａにおける被検出光の透過率を低く抑えることができる。しかしながら、被検出光の偏光方向が貫通孔５ａの長辺方向と一致するのであれば、式（１）のｄは貫通孔５ａの長辺の長さを表すことになる。貫通孔５ａの長辺は被検出光の波長よりも長いため、（ｄ／λ）が１以上となってしまい、貫通孔５ａにおける被検出光の透過率が高くなってしまう。
【００３３】
被検出光は、直線偏光の光であるとは限らず、円偏光の光の場合もある。また、直線偏光の光であっても、偏光方向の制御が困難な場合がある。貫通孔５ａの最も長い寸法を被検出光の波長よりも短くすれば、被検出光の電場ベクトルがどの方向を向いていようとも、被検出光の偏光方向における貫通孔５ａの長さを常に被検出光の波長よりも短いものとすることができる。貫通孔５ａの最も長い寸法とは、対角線の長さｄ１である。このような理由から、本実施形態では、貫通孔５ａの対角線の長さｄ１を被検出光の波長よりも短く設定している。
【００３４】
ただし、被検出光の偏光方向が不変である場合には、貫通孔５ａの対角線の長さｄ１を被検出光の波長よりも短く設定する必要はなく、被検出光の偏光方向における貫通孔５ａの幅が被検出光の波長よりも短くなっていればよい。例えば、被検出光の偏光方向が貫通孔５ａの短辺方向と常に一致するのであれば、貫通孔５ａの短辺の長さが被検出光の波長よりも短くなっていればよく、長辺や対角線の長さは任意とすることができる。
【００３５】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る光電陰極を示す図である。図２（ａ）は本実施形態に係る光電陰極の斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示される光電陰極のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００３６】
本実施形態に係る光電陰極Ｅ２では、コンタクト層１５および表面電極１６の貫通孔１５ａ，１６ａの形状が、先の実施形態に係る光電陰極Ｅ１のコンタクト層５および表面電極６の貫通孔５ａ，６ａの形状と異なっている。支持基板１２、光吸収層１３、電子放出層１４、活性層１７、および裏面電極１８については、光電陰極Ｅ１における支持基板２、光吸収層３、電子放出層４、コンタクト層５、活性層７、および裏面電極８と同様である。
【００３７】
電子放出層１４上に形成されたコンタクト層１５は、マトリクス状（本実施形態では３行３列）に並んだ複数の貫通孔１５ａを有している。貫通孔１５ａは円形状をなしており、その直径（最長幅）ｄ２は、光電陰極Ｅ２に入射される被検出光の波長よりも短くなっている。コンタクト層１５上に形成された表面電極１６は、複数の貫通孔１６ａを有している。各貫通孔１６ａは、コンタクト層１５の各貫通孔１５ａに対応した位置に形成されており、コンタクト層１５の各貫通孔１５ａと同一の形状および大きさとなっている。なお、貫通孔１５ａは、隣接する列同士が千鳥配列となるように配されていてもよい。
【００３８】
このような構成を有する光電陰極Ｅ２に対して、支持基板１２の裏面側から被検出光を入射した場合、光電陰極Ｅ１と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
すなわち、光吸収層１３において十分に吸収されなかった被検出光は、光吸収層１３を透過して、電子放出層１４に達する。電子放出層１４に達した被検出光のうち、コンタクト層１５で覆われた領域、すなわち貫通孔１５ａが形成されていない領域に向かって進む被検出光は、コンタクト層１５に入射して、コンタクト層１５上に形成された表面電極１６で反射される。表面電極１６で反射された被検出光は、光吸収層１３に再び入射して吸収される。電子放出層１４に達した被検出光の一部は貫通孔１５ａに向かって進むが、各貫通孔１５ａの直径ｄ２は被検出光の波長よりも短いため、かかる貫通孔１５ａを介しての被検出光の放出は抑制されることとなる。貫通孔１５ａからの放出が抑制された被検出光は、電子放射層１４の露出表面で反射され、光吸収層１３に再び入射して吸収される。
【００４０】
以上説明したように、貫通孔１５ａを円形とした場合であっても、各貫通孔１５ａの直径ｄ２を被検出光の波長よりも短くすることにより、貫通孔１５ａから被検出光が漏れ出すことを抑制できるうえ、被検出光を電子放射層１４の露出表面で反射させて、光吸収層１３にもう一度入射させることが可能となる。
【００４１】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る光電陰極を示す図である。図３（ａ）は本実施形態に係る光電陰極の斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示される光電陰極のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【００４２】
本実施形態の光電陰極Ｅ３は、コンタクト層を備えずに表面電極２６を電子放出層２４に接触させている点、および表面電極２６がＡｌからなる点で、先の実施形態の光電陰極Ｅ１と異なっている。光電陰極Ｅ３は、表面電極２６を電子放出層２４にショットキー接合させてなる光電陰極である。支持基板２２、光吸収層２３、電子放出層２４、活性層２７、および裏面電極２８については、光電陰極Ｅ１における支持基板２、光吸収層３、電子放出層４、コンタクト層５、活性層７、および裏面電極８と同様である。
【００４３】
このような構成を有する光電陰極Ｅ３に対して、支持基板２２の裏面側から被検出光を入射した場合にも、光電陰極Ｅ１に被検出光を入射したときと同様の効果を得ることができる。つまり、表面電極２６の貫通孔２６ａについて、その対角線の長さｄ３を被検出光の波長よりも短くすることにより、貫通孔２６ａから被検出光が放出されることを抑制できるうえ、被検出光を電子放出層２４の露出表面で反射させ、光吸収層２３にもう一度入射させることが可能となる。また、電子放出層２４と表面電極２６との間にショットキー接合が形成されているため、表面電極２６と裏面電極２８との間に印加されたバイアス電圧により発生した電界の作用で、光吸収層２３にて発生した光電子を電子放出層２４にて加速させることができる。その結果、活性層２７によって仕事関数が低下した電子放出層２４の表面から、光電子を真空中に放出することが可能となる。
【００４４】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００４５】
例えば、上述の実施形態では、支持基板２，１２，２２および電子放出層４，１４，２４はｐ−型ＩｎＰ半導体からなっており、光吸収層３，１３，２３はｐ−型ＩｎＧａＡｓ半導体からなっており、コンタクト層５，１５はｎ＋型ＩｎＰ半導体からなっているとしたが、それぞれ他の半導体材料からなっていてもよい。ただし、光吸収層の吸収端波長は被検出光の波長よりも長く、支持基板、電子放出層、およびコンタクト層の吸収端波長は被検出光の波長よりも短くなければならない。
【００４６】
上述の実施形態において、ｐ／ｎ接合型の光電陰極Ｅ１，Ｅ２の表面電極６，１６はＴｉからなっており、ショットキー接合型の光電陰極Ｅ３の表面電極２６はＡｌからなっているとしたが、材料はこれに限られず、他の半導体材料からなっていてもよい。ｐ／ｎ接合型の光電陰極の場合には、コンタクト層と良好な電気的接続が得られる材料であればよいし、ショットキー接合型の光電陰極の場合には、電子放出層と良好な電気的接続が得られる材料であればよい。また、上述の実施形態では、裏面電極８，１８，２８はＡｕＺｎからなっているとしたが、材料はこれに限られず、支持基板と良好な電気的接続が得られる材料であればよい。また、活性層７，１７，２７は、Ｃｓ２Ｏからなっているとしたが、仕事関数を下げるといわれている電子材料からなっていればよく、例えばＫＣｓＯ等の他のアルカリ酸化物からなっていてもよい。
【００４７】
また、表面電極６，１６の貫通孔６ａ，１６ａは、コンタクト層５，１５の貫通孔５ａ，１５ａと同一の大きさを有するとしたが、異なっていてもよい。また、コンタクト層５，１５や表面電極２６の貫通孔の形状や配列は、上述した実施形態のものに限られず、各貫通孔の最大幅が被検出光の波長よりも短ければよい。図４に、その変形例を示す。図４に示される光電陰極Ｅ４の層３６は、３種類の大きさの貫通孔３６ａ，３６ｂ，３６ｃをそれぞれ複数有している。層３６は、光電陰極Ｅ４がｐ／ｎ接合型である場合にはコンタクト層に相当し、光電陰極Ｅ４がショットキー接合型である場合には表面電極に相当する。層３６では、最も大きな直径を有する貫通孔３６ａ同士の間には、次に大きな直径を有する貫通孔３６ｂが配置され、貫通孔３６ｂ同士の間には、最も小さな直径を有する貫通孔３６ｃが配置されている。このようにより多くの貫通孔を形成することによって、光電子を放射する領域を増加させることができるので、光電子放射を効率よく放射することが可能となる。その結果、より検出感度の高い光電陰極を得ることができる。なお、貫通孔３６ａ，３６ｂ，３６ｃの直径が、それぞれ被検出光の波長よりも短くなっていることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光電陰極を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光電陰極を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る光電陰極を示す図である。
【図４】本実施形態に係る光電陰極の表面電極が有する貫通孔の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４…光電陰極、２，１２，２２…支持基板、３，１３，２３…光吸収層、４，１４，２４…電子放出層、５，１５，…コンタクト層、５ａ，６ａ，１５ａ，１６ａ，２６ａ，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…貫通孔、６，１６，２６…表面電極、７，１７，２７…活性層、８，１８，２８…裏面電極。
【図１】
0004995660.tif 000003
【図２】
0004995660.tif 000004
【図３】
0004995660.tif 000005
【図４】
0004995660.tif 000006