(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト塗布基板の熱処理装置であって、
レジスト塗布基板を加熱する加熱部を有し、一個の熱源で加熱された加熱部は、複数の、中央部分と当該部分の外方の端部分とに分割され、
前記複数の加熱部の上方位置には、ステンレス、アルミニウム、もしくは少なくともその１つを含む合金、又はセラミックから材質が選択される、一枚の板状の熱伝導性を有する上板が設けられ、
分割された前記加熱部の各々には、レジスト塗布基板が載置される前記上板に対する上下方向の昇降機構が設けられ、
各々の加熱部の高さ位置を微調整することにより、レジスト塗布基板面内のエッチングレートの変化に従って設定した温度分布を緩やかに調整し、レジスト開口部の寸法を加減することで、レジスト塗布基板面内でのレジスト感度を補正する機能を有することを特徴とするレジスト塗布基板の熱処理装置。
【請求項２】
前記上板の上に載置したレジスト塗布基板の上方で、該基板と向き合うように加熱部及び昇降機構を付設して、レジスト塗布基板を下方及び上方の加熱部から加熱処理をすることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布基板の熱処理装置。
【請求項３】
前記加熱部は、その内部に冷却用の気体、若しくは液体を通す冷却用配管を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト塗布基板の熱処理装置。
【請求項４】
前記気体は、窒素、ヘリウム、若しくはその混合体であることを特徴とする請求項１または２に記載のレジスト塗布基板の熱処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載のレジスト塗布基板の熱処理装置を用いた熱処理方法であって、
前記上板の面内の温度変化を、分割された前記加熱部の中央部あるいは端部を昇降させ、各々の加熱部の前記上板との間隙を調整することにより、基板面内のエッチングレートの変化に従って設定した温度分布を緩やかに調整し、レジスト開口部の寸法を加減することで、露光処理後のレジスト感度を補正することを特徴とするレジスト塗布基板の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト塗布基板の熱処理装置基板及びその熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、又はフォトマスク等の製造において、半導体用基板、フォトマスク用基板（以下基板と記す）等へ加熱処理する製造工程、特に基板に塗布したレジストが化学増幅型レジストを用いた場合、パターンの転写露光、又は描画後の加熱処理、例えばＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｅｒ  Ｂａｋｉｎｇ）は、その加熱処理後のレジスト感度、ひいてはレジスト形状、例えばレジスト線幅に多大な影響を与えるために、非常に重要である。
【０００３】
半導体装置、又はフォトマスク等の製造におけるフォトリソグラフィ工程では、基板の表面に塗布されたレジスト液内の溶剤を蒸発させるための加熱処理（プリベーキング）や、該レジスト塗布基板（以下基板と記す）のパターンの露光後に、基板上の塗布膜、例えばレジスト膜の化学反応を促進させるための加熱処理（ＰＥＢ）現像後のレジスト固化処理等の種々の加熱処理が行われている。
【０００４】
かかる加熱処理は、ＰＥＢ装置において行われ、基板が所定温度に熱せられた加熱部上に載置されることによって行われている。加熱部には、従来から、厚みのある板状の一体型のものが用いられており、加熱部内には、例えば熱源となるヒータ等が内蔵されている。また、基板の加熱処理は、通常５０℃〜１５０℃程度の範囲で、所定の時間での処理が行われている。
【０００５】
近年、レジスト基板の多様化等が進むにつれ、基板をより高温、例えば１５０℃程度にまで均一温度で加熱する必要性が高まってきている。さらに、基板をより均一な温度に加熱することが重要となっている。均一な加熱処理という点で言えば、従来の加熱部をそのまま使用すると、加熱部からの熱が不均一に基板へ伝導されるため、基板が均一に加熱されず、基板上のレジスト自体が変質することが分かっている。このような基板の変質は、デバイス精度の低下を招き、歩留まりの低下の要因となり好ましくない。特に、近年、生産性の向上等の要請から基板が大型化される傾向にあり、基板へのより均一な加熱が要望され、その加熱装置、すなわち、基板の熱処理方法の改善が望まれている。
【０００６】
ここで、従来の半導体装置、又はフォトマスク等の製造におけるフォトリソグラフィ工程の一部分である、熱処理装置が搭載された塗布処理、及び現像処理のシステムの構成の概略を説明する。
【０００７】
図４は、従来のフォトマスクの製造におけるフォトリソグラフィ工程の一部分である、熱処理装置のＰＥＢ装置５０が搭載された塗布処理、及び現像処理のシステムの構成の一例の概略図を示す平面図である。
【０００８】
従来の塗布処理、及び現像処理のシステムは、基板１を収納するカセット１０の単位で外部から塗布現像処理システムに搬入出する、カセット移載装置１１と、塗布処理、及び現像処理工程に搬入出する、枚葉式の処理を施す基板移載装置１２と、基板移載装置に隣接して設けられている露光装置４０との間で基板の受け渡しをする装置間移載装置１３とを一体に接続した構成を有している。
【０００９】
塗布処理、及び現像処理システムは、基板上にレジスト液を塗布し、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置２０と、露光後に基板を現像処理する現像処理装置３０とが配
置されている。
【００１０】
図４に示すようにレジスト塗布処理装置２０では、基板を冷却処理する冷却装置２１、レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置２２が配置されている。
【００１１】
現像処理装置３０では、現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３２、及びクーリング装置３３が配置されている。
【００１２】
露光装置４０の近傍では、載置した基板を自然冷却させるクーリング装置２３、熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置５０（以下、ＰＥＢ装置５０と記す）と、クーリング装置４３が配置されている。
【００１３】
次に、ＰＥＢ装置５０の構成について説明する。
【００１４】
図５は、従来のＰＥＢ装置を説明する部分側断面図である。図５に示すように、ＰＥＢ装置５０は、処理室５９を有し、当該室内に、前側に開閉動自在な扉体５８と、下側に熱処理する熱処理装置５７とを有している。
【００１５】
処理室の頂上部には、排気部６７が設けられている。処理室内の雰囲気は排気部から排気される。
【００１６】
一方、熱処理装置５７には、基板を載置して加熱する加熱部５２が設けられている。加熱部５２は、全体として薄い板状に形成されており、一枚の板状である。
【００１７】
熱処理装置５７は、一個の熱源５６を備え、温度を制御できる温度制御装置を有している。温度制御装置は、例えば、熱源となるヒータと、それぞれ電力を供給する電源と、各電源の電圧を制御する制御部と、加熱部５２の温度を検出する温度センサとを有している。
【００１８】
以上のように構成されているＰＥＢ装置の効果、及び、塗布現像処理システムで行われるフォトリソグラフィ工程のプロセスを説明する。なお、図４、図５を参照して説明する。
【００１９】
フォトリソグラフィ工程のプロセスでは、最初、未処理の基板が１枚取り出され、基板は、冷却装置２１に搬送され、所定の温度に冷却される（図４参照）。
【００２０】
その後、レジスト塗布処理装置２０に搬送されてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成された基板は、プリベーキング装置２２、クーリング装置２３に順次搬送され、各装置で所定の処理がされる。
【００２１】
次いで、基板１は取り出され、露光装置４０に搬送される。露光処理の終了した基板は、ＰＥＢ装置５０に搬送される。ＰＥＢ装置において、所定の温度で熱処理の終了した基板は、クーリング装置４３に搬送され、各装置で所定の処理がされる。
【００２２】
その後、現像処理装置３０に搬送される。現像処理された基板は、ポストベーキング装置３２、クーリング装置３３に順次搬送され、各装置において所定の処理が施される。その後、基板１は、カセット１０に戻され、一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。
【００２３】
従来技術の、ＰＥＢ装置の熱処理では、熱板５６は１個の熱源（例えば、ヒータ）で加熱されており、１個の熱源で加熱部５２の面内を加熱して、加熱部５２上に載置した基板
の面内の温度が均一になるように設定されている（図５参照）。
【００２４】
しかしながら、例えば化学増幅型レジストを用いた場合、ＰＥＢ処理での加熱処理の温度のバラツキがあると、レジストの現像処理でのレジスト寸法に影響する。
【００２５】
図７は、従来のレジスト塗布基板のＰＥＢの熱処理方法を説明する側断面図であり、（ａ）は、ＰＥＢの熱処理での温度が均一の場合であり、（ｂ）は、その温度が不均一の場合であり、露光後と、現像後を説明する側断面図である。
【００２６】
図７（ａ）は、ＰＥＢの熱処理での温度が均一の場合、基板面が温度Ｔ℃で均一に加熱処理された事例である。ａ１は、線幅Ｄμｍで露光処理後のレジスト８０である。ａ２では、ＰＥＢの熱処理後の露光部レジスト８０ａは、線幅Ｄ’μにレジスト感度を含めて維持されている。ａ３は、現像後のレジストであり、周辺部及び中央部ともにレジスト開口部は、線幅Ｄμｍで形成されている。
【００２７】
図７（ｂ）は、ＰＥＢの熱処理での温度が不均一の場合であり、基板中央部が温度Ｔ℃、基板周辺部が温度Ｔ’℃で加熱処理された事例である。ｂ１は、線幅Ｄμｍで露光処理後のレジスト８０である。ＰＥＢの熱処理後の露光部レジスト８０ａは、線幅Ｄμｍ〜線幅ｄ’μｍと、レジスト感度にバラツキが発生している。すなわち、低温では、感度が上昇せずに、高温では感度が上昇する。ｂ２は、現像後のレジストであり、周辺部のレジスト開口部は、線幅ｄ’μｍで、中央部のレジスト開口部は、線幅Ｄμｍで形成されている。ｂ２では、温度分布のバラツキがレジスト開口部の寸法の変化をもたらしている。
【００２８】
しかしながら、フォトリソグラフィ工程の露光、又は描画後の加熱処理、例えばＰＥＢで均一に処理しても、後工程である、例えばエッチング処理の製造工程では、基板の中央部と外周部の、パターンの形成密度等の影響によるエッチングレート差、例えば線幅の基板面内バラツキが発生する。すなわち、レジスト線幅が面内均一であっても、エッチングレート差の影響でエッチング線幅に面内バラツキが発生することがある。従って、この場合、レジスト線幅を微調整する補正が必要となる。
【００２９】
そこで、また別の従来技術では、例えば化学増幅型レジストを用いた場合、レジスト線幅を微調整する補正は、ＰＥＢの熱処理装置のうち、熱板の熱源を複数に分割し、各々分割した熱源毎に設定温度を微調整することにより、その各熱源の温度差を加減して、レジスト線幅を微調整する方法が提案されている。
【００３０】
熱板の熱源を複数に分割し、各々分割した熱板毎に設定温度を微調整する場合、熱源、その温度制御装置を複数設ける必要があり、その各熱源の境界での温度変化が急激となり、その隣り合う熱源の温度差が急激に変化するので、レジスト線幅を微調整するための加熱処理がかえって大きな温度差により微調整は難しくなる。
【００３１】
熱源を分割することにより、装置の維持、管理が、複雑となり、温度制御も複雑となる。
【００３２】
図６は、そのようなレジスト塗布基板の熱処理方法を説明するものであり、（ａ）は、加熱時の側断面図であり、（ｂ）は、加熱後の温度分布グラフである。
【００３３】
図６（ａ）は、加熱時であり、中央部の熱源５６ｂ、５６ｃは１１０℃、周辺部の熱源５６ａ、５６ｄは１００℃に設定し、加熱する。加熱部５２では、中央部は表面温度が、例えばＴ℃となる。この状態で、基板１は加熱部５２上に載置して、所定の時間加熱、例えば中央部１００℃、周辺部９０℃、１０ｍｉｎの熱処理、ＰＥＢを実行する。
【００３４】
図６（ｂ）は、加熱後の温度分布を示すものであり、基板１の表面温度を実測した結果のグラフである。グラフでは、横軸は、基板の一方端部から他方端部であり、中央は、基板の中央部である。縦軸は実測温度であり、最高温度、Ｔ℃から最低温度、Ｔ’の温度範囲で示した。基板中央部は、温度Ｔ℃の近傍であり、周辺部は最低温度Ｔ’となる。また、グラフから読み取れるように、Ｔ℃〜Ｔ’℃の温度変化は、周辺部で急激に温度降下が発生しており、その急激な変化が問題となる。
【００３５】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開２００２−３５３１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３６】
本発明の課題は、装置の維持及び管理が、複雑とならず、温度制御でも簡単なレジスト塗布基板の熱処理方法であって、熱源から加熱する熱板の温度分布は、急激な温度変化を伴わず、ＰＥＢの面内温度分布を任意に変更するための、レジスト塗布基板の熱処理方法及びそのための熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
本発明によるレジスト塗布基板の熱処理装置は、
レジスト塗布基板を加熱する加熱部を有し、一個の熱源で加熱された加熱部は、複数の、中央部分と当該部分の外方の端部分とに分割され、
前記複数の加熱部の上方位置には、ステンレス、アルミニウム、もしくは少なくともその１つを含む合金、又はセラミックから材質が選択される、一枚の板状の熱伝導性を有する上板が設けられ、
分割された前記加熱部の各々には、レジスト塗布基板が載置される前記上板に対する上下方向の昇降機構が設けられ、
各々の加熱部の高さ位置を微調整することにより、レジスト塗布基板面内のエッチングレートの変化に従って設定した温度分布を緩やかに調整し、レジスト開口部の寸法を加減することで、レジスト塗布基板面内でのレジスト感度を補正する機能を有することを特徴とする。
【００３８】
本発明によるレジスト塗布基板の熱処理装置を用いた熱処理方法は、
前記上板の面内の温度変化を、分割された前記加熱部の中央部あるいは端部を昇降させ、各々の加熱部の前記上板との間隙を調整することにより、基板面内のエッチングレートの変化に従って設定した温度分布を緩やかに調整し、レジスト開口部の寸法を加減することで、露光処理後のレジスト感度を補正することを特徴とする。
【発明の効果】
【００４５】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法及びそのための熱処理装置を用いれば、複数の昇降機構を具備した加熱部による熱処理方法であるめに、基板面内の温度分布を最適状態に調整することができ、且つ基板面内の温度変化が緩やかとなるために、予めレジスト感度を補正することによりレジスト幅を最適幅にすることができ、また、ドライエッチング後の線幅の寸法バラツキを制御することにより、線幅の面内バラツキを縮小することができる。
【００４６】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法及びそのための熱処理装置を用いれば、複数の昇降機構を具備した加熱部、その上方に上板を装備した構造の熱処理方法であるために、上板と加熱部との間隔を昇降機構により変化させることにより、容易に、多くの温度分布に変更することができ、且つ基板面内の温度変化が緩やかとなるために、予めレジスト感度を補正することによりレジスト幅を最適幅にすることができ、また、ドライエッチング後の線幅の寸法バラツキを制御することにより、線幅の面内バラツキを縮小することができる。
【００４７】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法及びそのための熱処理装置を用いれば、複数の昇降機構を具備した加熱部、その上方に上板を装備した構造の熱処理方法であるために、上板と加熱部との間隔を昇降機構により変化させることにより、容易に、多くの温度分布に変更することができるために、加熱部の熱源温度を一定とすることができ、ユニット化が容易となり、その操作も単純化され、装置の運用効率は大幅に改善できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理装置及びその熱処理方法を一実施形態に基づいて以下に説明する。
【００４９】
図１は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理に用いる熱処理装置の一実施例の側断面図であり、（ａ）下側のみ熱処理装置を有するもの、（ｂ）は、上下両側に熱処理装置を有するものである。
【００５０】
図１（ａ）〜（ｂ）は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理装置であり、レジスト塗布基板を加熱する熱処理装置である。レジスト塗布基板の熱処理装置は、レジスト塗布基板を加熱する加熱部２を有し、一個の熱源６で加熱された加熱部２は、例えば、複数の、中央部分２ｂ、２ｃと当該部分の外方の端部分２ａ、２ｄとに分割した構造であり、各々の加熱部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄに切り離されている。
【００５１】
前記複数の加熱部２ａ〜２ｄは、その上方位置に、一枚の板状の、熱伝導性を有する上板を設けており、該上板を介して載置したレジスト基板を加熱処理することを特徴とする。
【００５２】
前記分割された各々加熱部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは、各々が上、もしくは下方向へ加
熱部を昇降させる昇降機構４を備えており、上板と加熱部の間隔を変更して、上板の温度を微調整することが可能である。
【００５３】
前記上板３は、その材質がステンレス、アルミニウム、もしくは少なくともその１つを含む合金、又はセラミックである。
【００５４】
前記加熱部は、その内部に冷却用の気体、若しくは液体を通す冷却用配管５を設けてなる。
【００５５】
前記気体は、窒素、ヘリウム、若しくはその混合体である。
【００５６】
図１（ｂ）は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理装置であって、上板３の上に載置したレジスト基板１の上方で、該基板と向き合うように加熱部２及び昇降機構４を付設して、レジスト基板１を下方及び上方の加熱部２から加熱処理をする本発明のレジスト塗布基板の熱処理装置である。
【００５７】
図２は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法の一実施例を説明する概念図であり、（ａ）は、加熱時の側断面図であり、（ｂ）は、その加熱部の上面図であり、（ｃ）は、加熱時の上板の温度の実測値のグラフである。
【００５８】
図２（ａ）〜（ｃ）に示す本発明のレジスト塗布基板の熱処理装置を用いたレジスト塗布基板の熱処理方法について説明する。図２（ａ）では、レジスト塗布基板１は、一枚の板状の、熱伝導性を有する上板３上に載置する。次いで、一個の熱源６で加熱された加熱部２ａ、２ｄと、２ｂ、２ｃは、中央部分の加熱部２ｂ、２ｃと、当該部分の外方の端部分の加熱部２ａ、２ｄに分割されている。中央部分の加熱部２ｂ、２ｃは、昇降機構により、上昇させ、端部分の加熱部２ａ、２ｄは、昇降機構により、下降させる。上板に近接した中央部分は高めの温度で安定させ、上板と離れた端部分は、低めの温度で安定させながら、上板の面内の温度分布を最適温度に変更する。すなわち、中央近傍から端部まで緩やかな温度変化をもっており、該上板の急激な温度変化を低減させつつレジスト塗布基板を加熱するレジスト塗布基板の熱処理方法である。
【００５９】
図２（ｂ）では、加熱部２ｂ、２ｃは、１１０℃、端部分の加熱部２ａ、２ｄも１１０℃に設定した。次いで、上板の面内の温度変化を中央部と、端部との温度差、例えば１．５℃に設定した場合、端部分の加熱部２ａ、２ｄを降下させながら、１．５℃の温度が低下する位置まで上板と各々の加熱部との間隙を広げながら、各々の加熱部の高さ位置を微調整した。
【００６０】
図２（ｃ）のグラフでは、上限温度８は加熱部２ｂ、２ｃの上板温度であり、下限温度９は端部分の加熱部２ａ、２ｄである。グラフの縦軸は温度であり、グラフの横軸は上板の面内位置である。上板の面内の温度変化を中央部と端部との温度差７、例えばΔＴに設定した場合、上限温度は、加熱部２の設定温度を加減させて発現し、加減温度は、昇降機構４により端部分の加熱部２ａ、２ｄを降下させながら、ΔＴ℃の温度が低下する位置まで上板と各々の加熱部２ａ、２ｄとの間隙を広げながら、各々の加熱部の高さ位置を微調整した。図２（ｃ）のグラフでは、上板中央が上限温度となり、基板両端方向へ離れるごとに徐々に温度が低くなり、緩やかな温度の変化で上板両端が下限温度となる。
【００６１】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法では、複数の、昇降機構を具備した加熱部による熱処理方法のために、基板面内の温度分布を最適状態に変更することができる。基板面内の温度変化が緩やかとなるために、予めレジスト感度を補正するＰＥＢの加熱処理には最適な方法である。
【００６２】
本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法では、露光処理後のレジスト感度を補正することによりレジスト幅を最適幅にすることができ、ドライエッチング後の線幅の寸法バラツキを制御し、寸法の面内バラツキを縮小することができる。
【００６３】
例えば、基板の端部は、エッチングレートが速い場合であっても、端部の加熱温度を変更、中央部の温度より低温側に微調整してＰＥＢの加熱処理を行うことにより、レジスト幅を変化させる、すなわち、レジスト幅を太く形成することにより、エッチングレートを補正する。すなわち、端部では、エッチングレートが速い分だけエッチング開口部が太るため、予めレジスト開口部をその分だけ狭めて形成する。そのレジスト開口部の寸法を加減する方法が本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法であり、レジスト開口部の寸法は、基板面内のエッチングレートの変化を補正するためのＰＥＢの加熱処理により基板面内の温度分布が微調整される。
【００６４】
図３は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法を説明する側断面図である。図３（ａ）は、露光処理後の基板であり、（ｂ）は、ＰＥＢ処理で、（ｃ）は、現像後で、（ｄ）は、エッチング後の基板である。
【００６５】
図３（ａ）は、遮光膜８１上に化学増幅型レジスト８０が形成され、該レジストには、露光処理された露光レジスト部８０ａが形成されている。露光レジスト部８０ａは同じ寸法、例えばＤである。次いで、（ｂ）では、本発明のＰＥＢの加熱処理されており、端部では、加熱部２と上板３との間隔は広く、中央は、近接し、加熱温度を微調整している。この加熱処理では、中央は感度が若干高くなり、端部は若干低くなり、現像処理でのレジスト寸法が変化する。次いで、（ｃ）では、現像処理後の基板であり、レジスト開口部の寸法は、中央はＤで、端部はＤ’と若干小さくなる。次いで、（ｄ）では、遮光膜のエッチング後であり、端部は、エッチングレートが速い分だけエッチング幅が大きくなり、遮光膜開口部の寸法がＤとなる。面内での加熱温度の微調整は、加熱部の高さを調整することであり、その温度調整方法は容易で、且つ簡単な方法である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のレジスト塗布基板の熱処理に用いる熱処理装置の一実施例の側断面図であり、（ａ）下側のみの熱処理装置であり、で、（ｂ）は、上下両側の熱処理装置である。
【図２】本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法を説明する概念図であり、（ａ）は、加熱時の側断面図であり、（ｂ）は、その加熱部の上面図であり、（ｃ）は、加熱時の上板の温度の実測値のグラフである。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のレジスト塗布基板の熱処理方法を説明する側断面図である。
【図４】従来のフォトマスクの製造におけるフォトリソグラフィ工程の一事例である、熱処理装置が搭載された塗布処理、及び現像処理のシステムの構成の概略図を示す平面図である。
【図５】従来のＰＥＢ装置を説明する部分側断面図である。
【図６】従来のレジスト塗布基板の熱処理方法を説明する側断面図であり、（ａ）は、加熱時であり、（ｂ）は、加熱後である。
【図７】従来のレジスト塗布基板の熱処理方法を説明する側断面図であり、（ａ）は、露光処理後の熱処理の温度が均一の場合であり、（ｂ）は、温度が不均一の場合である。
【符号の説明】
【００６７】
１…レジスト基板
２…加熱部
３…上板
４…昇降機構
５…冷却用配管
６…熱源
７…温度差
８…上限温度
９…下限温度
１０…カセット
１１…カセット移載装置
１２…基板移載装置
１３…装置間移載装置
２０…レジスト塗布処理装置
２１…冷却装置
２２…プリベーキング
２３…クーリング装置
３０…現像処理装置
３２…ポストベーキング装置
３３…クーリング装置
４０…露光装置
４３…クーリング装置
５０…ＰＥＢ装置
５２…加熱部
５６…熱源
５７…熱処理装置
５８…扉体
６７…排気部
８０…（化学増幅型の）レジスト
８０ａ…露光部レジスト
８１…遮光膜
８２…レジスト開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005104192.tif 000007
【図７】
0005104192.tif 000008