(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成された第１電極と、有機発光層と、第２電極と、少なくともいずれか一方の電極の、前記基板の端部に位置する電極端子部を露出するように覆う保護膜と、を有し、
前記保護膜の端部には傾斜部が形成され、
前記電極端子部と前記保護膜の傾斜部との上に跨って、外部接続電極が異方性導電フィルムを介して接着され、前記電極端子部と前記外部接続電極とが電気的に接続されており、
前記異方性導電フィルムは導電粒子を含み、
前記導電粒子の径は、前記保護膜の厚みより大きいことを特徴とする有機ＥＬ素子パネル。
【請求項２】
前記電極端子部と前記外部接続電極との間に、前記保護膜の傾斜部との上に跨って取り出し電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ素子パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ素子パネルが、注目されている。
【０００３】
通例、有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に有機発光層が２つの電極の間に挟まれたサンドイッチ構造とされている。前記有機発光層の光を外に取り出せるようにするために、電極の片方は透明のものが使われており、一般的には陽極にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が使われている。更に、前記有機ＥＬ素子の外周面は封止材により封止され、外部駆動回路により電流を流すことで発光する。
【０００４】
以上の原理により発光する有機ＥＬ素子は、視認性とフレキシブル性に優れ且つ発色性が多様であることから、車載用カーコンポや携帯電話等のディスプレイや表示素子に利用されており、有機ＥＬ素子の開発が盛んである。
【０００５】
これらの特性を有する有機ＥＬ素子パネルではあるが、一方で有機ＥＬ素子は水分に対して極めて弱いという問題がよく知られている。一例としては、有機発光層を形成したガラス基板を封止する際の環境雰囲気中に含まれる水分や封止層の欠陥部を透過してくる水分が、有機ＥＬ素子中に浸入する。そのことにより、ダークスポットと称する非発光領域が発生し、発光が維持できなくなるといった寿命の課題が生じている。
【０００６】
この有機ＥＬ素子の寿命に関する課題を解決するための１つの方策として、有機ＥＬ素子の保護膜の開発が盛んで、保護膜を有機発光層の上から周辺の広い範囲まで形成して外部からの水分を遮断するという方法が用いられている。
【０００７】
特許文献１に有機ＥＬ素子を覆うように多層構成の保護膜をプラズマＣＶＤで形成する方法が開示されている。
【０００８】
一方、有機ＥＬ素子パネルは高輝度、高視野角はもちろんのこと更なる軽量、薄型、狭額縁等が要求されている。そこで、特許文献２に有機ＥＬ素子パネルの狭額縁化ができる配線方法が開示されている。
【０００９】
ところで、前記有機ＥＬ素子の電極端子部において、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いて、複数の電極端子部に対応する外部接続電極であるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）等との接合を加熱圧着により行う方法が一般的に用いられている。
【００１０】
通常、電極端子部は基板端部に位置し、電極端子部に保護膜が形成されないようにマスクなどで膜の形成を防止している。そのため、保護膜が形成された有機ＥＬ素子では、保護膜の最終端から外に露出している電極端子部（電極の露出部）にＡＣＦを介してＦＰＣを接合している。
【００１１】
図８は、従来の有機ＥＬ素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図９（ａ）は、図８の点Ｃから点Ｃ’間を模式的に示す部分断面図である。図９（ｂ）は、図８の点Ｃから点Ｃ’間において外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【００１２】
以下に、図示した有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。
【００１３】
まず、基板４１上に下部電極４２を形成する。その上に有機層４３を形成する。有機層４３は少なくとも１つの有機層から構成されている。その上に上部電極４４を形成し、さらにその上部にプラズマＣＶＤにより保護膜４５を形成する。保護膜４５は、電極端子部４６、４７の必要な長さ、例えば１．５ｍｍ部分には形成されないようにマスクを用いてカバーした領域以外の全面に形成する。続いて、電極端子部４６、４７にＡＣＦ（不図示）を用いてＦＰＣ４８を熱圧着により接合して有機ＥＬ素子パネルを作製する。
【００１４】
【特許文献１】特開２００２−３２９７２０号公報
【特許文献２】特開２００４−３５５９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記特許文献１のようにプラズマＣＶＤにより形成した保護膜は、マスク端部に膜厚分布が発生して保護膜が端になるほど徐々に膜厚が薄くなる斜面形状となる。
【００１６】
そのため、十分に長期安定化性能を達成するためには、基板の凹凸部のカバレッジ性やマスク端部の膜厚分布が、素子の形状を考慮しつつ、最端部の素子などを十分にカバーできる膜厚にしなくてはならない。したがって、素子端から電極端子部までの間の成膜距離を長くとらなくてはならなかった。
【００１７】
さらに、保護膜が形成されていない電極端子部にＦＰＣを実装しなくてはならないため、膜厚分布の発生長さ及び電極端子部長さの２つの距離が必要となり、狭額縁が困難であるという問題点があった。
【００１８】
また、特許文献２のように狭額縁を達成するために、全面に形成した保護膜下にある電極を基板と反対側の面に引き回すために、エッチングを行なって接続孔を形成し保護膜上に形成した電極と接続する方法がある。しかし、この方法であると接続孔のエッチング、更にその後に電極との接続用に導電体の形成、焼成等を行なわなければならないため、工程をいくつも追加し、コスト高となる問題点があった。また、基板と反対側の面全面を配線の引き回しに使用しているため、ボトムエミッションタイプの素子でしか使用できないという問題点があった。
【００１９】
また、狭額縁を得るために、電極端子部等の長さを短く形成し、従来の接合方法を使用して電極端子部のみにＦＰＣを実装した場合、電極端子部は非常に短い距離しかない。そのため、端にストレスがかかり、剥がれが発生するとそこからの接合距離が短いため、すぐに全部が剥がれてしまうという接合強度に問題点があった。
【００２０】
そこで、本発明は、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極の接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる有機ＥＬ素子パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板の上に形成された第１電極と、有機発光層と、第２電極と、少なくともいずれか一方の電極の、前記基板の端部に位置する電極端子部を露出するように覆う保護膜と、を有し、
前記保護膜の端部には傾斜部が形成され、
前記電極端子部と前記保護膜の傾斜部との上に跨って、外部接続電極が異方性導電フィルムを介して接着され、前記電極端子部と前記外部接続電極とが電気的に接続されており、
前記異方性導電フィルムは導電粒子を含み、
前記導電粒子の径は、前記保護膜の厚みより大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極の接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の有機ＥＬ素子パネルの実施形態を説明する。
【００２４】
＜実施形態１＞
先ず、実施形態１の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。
【００２５】
図１は、実施形態１の有機ＥＬ素子パネルを模式的に示す部分断面図である。図２（ａ）は、電極端子部近傍でＦＰＣを接合する前段階を模式的に示す部分断面図である。図２（ｂ）は、電極端子部とＦＰＣとをＡＣＦ粒子で接合した状態を模式的に示す部分断面図である。図１については、ＡＣＦを省略している。図２（ａ）、（ｂ）については、実際のサイズ比に近づけた模式図にしている。
【００２６】
図１、２において、１はＴＦＴ回路が形成されたガラス基板、２は陽極電極（第１電極）、３は有機層、４は陰極電極（第２電極）、５は保護膜、６は保護膜の傾斜部である。７は電極端子部（電極の露出部）、８はＦＰＣ（外部接続電極）、９はＡＣＦ（異方性導電フィルム）、１０は導電粒子、１１は素子分離膜、１２は平坦化膜である。
【００２７】
まず、ＴＦＴ回路が形成されたガラス基板１上にアクリル樹脂よりなる平坦化膜１２をフォトリソグラフィー法にて形成し、回路による凹凸を平坦にする。
【００２８】
陽極電極２を形成する。陽極電極２はＩＴＯやＩｎ2Ｏ3のような透明電極であってもよいし、あるいはＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ、ヨウ化銅等やそれらを少なくとも１種含む合金等である反射電極であってもよい。
【００２９】
有機層３を形成する。有機層３は少なくとも１つの有機層から構成されている。より具体的には例えばホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機層３から構成されるものである。１つの有機層３のみで発光する場合もあれば隣接する有機層同士の界面で発光が生じる場合もある。本実施形態において有機層３の層の数は発光機能を考慮して適宜選ぶことができる。
【００３０】
陰極電極４を形成する。陰極電極４も透明であっても反射電極であってもよい。
【００３１】
保護膜５を形成する。保護膜５は電気絶縁性と気密性を有する材料であればよく、例えばＳｉＯ2やＳｉＮをプラズマＣＶＤより形成することにより、有機ＥＬ構造体の劣化を抑制あるいは防止することができるものであればよい。保護膜５は少なくとも陽極電極２、又は陰極電極４の少なくともいずれかの電極端子部７以外の全ての領域に形成するのが好ましい。
【００３２】
保護膜５をプラズマＣＶＤによりマスク成膜するとマスク端部の膜厚が端にかけて薄くなり斜面形状の傾斜部６が形成される。保護膜５の形成方法はプラズマＣＶＤだけでなく、保護膜５の周辺に行くほど膜厚が薄くなる形成方法で傾斜部６が形成されるのであれば、スパッタや蒸着など他のどのような方法でもよい。また、保護膜５の端部が矩形であればエッチング等によって斜面に加工してもよい。
【００３３】
保護膜５の最大厚みは、ＡＣＦ９中の導電粒子径未満の厚みが好ましい。例えばＡＣＦ９の導電粒子径が１０μｍであれば、保護膜５の最大厚みは１０μｍ未満が好ましい。ＡＣＦ９の導電粒子１０は、粒子径のサイズのままでなく、つぶされて変形することにより電極端子部７とＦＰＣ８とを、ＡＣＦの導電粒子１０を介して電気的に接続させるものである。
【００３４】
また、ＡＣＦ接合は基板とヒーターヘッドがほぼ平行であるように調整して全体を均一に圧力をかけるので、保護膜５の厚みが導電粒子１０より厚い場合には、導電粒子１０のつぶれが悪く導通しないことが多いからである。
【００３５】
露出させる電極端子部７の長さは、必要最小限の長さであることが望ましい。露出させる電極端子部７の長さは、ＡＣＦ９の許容電流量及び実際に流す電流量等に関係している。例えば電極端子部７の１本の幅が０．３ｍｍであり、長さが０．５ｍｍの場合、ＡＣＦ９の許容電流量が５００ｍＡ／ｍｍ2であれば０．３×０．５×５００ｍＡ＝７５ｍＡとなり、流せる電流量は７５ｍＡとなる。
【００３６】
また、ＡＣＦ９の許容電流量が１０００ｍＡ／ｍｍ2であれば１５０ｍＡとなる。実際に流す駆動電流量が例えば２００ｍＡの場合、面積当たりの許容電流量が足りなくなる。その場合は例えば、電極端子部７の幅を広くするとか、電流を多く流すラインのみ本数を増やすという方法を使用すれば、面積当たりの許容電流量より実際に流す電流量の方を少なくすることができるので電流量に問題は発生しない。また、電極端子部７の幅を広くするとか、本数を増やす場合でも、図に示すように電極端子部７の左右に増やすことができる余裕があるので、増やした場合でもレイアウトに何ら問題が発生することはない。また、ＡＣＦ９の許容電流量が１０００ｍＡ／ｍｍ2を越えるほど大きければ、ライン幅を広くしたり、本数を増やすことをしなくても十分に必要電流量を流すことができる。
【００３７】
そのため、露出させる電極端子部７の長さは、ＡＣＦ９の許容電流量と実際に流す電流量と配線のレイアウトとの関係から適宜設定することができ、露出させる電極端子部７の長さは０．５ｍｍの長さに限定されず、それ以下の長さであってもよい。
【００３８】
続いて、電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨ってＡＣＦ９を仮圧着した後、熱圧着によりＦＰＣ８を接合する。その結果、電極端子部７と、保護膜の傾斜部６との上に跨ってＦＰＣ８が形成され、前記電極端子部７と前記ＦＰＣ８とが電気的に接続される。
【００３９】
ＦＰＣ８は、電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨って形成されているので、前記電極端子部７の露出長さが短くても、ＦＰＣ８の接合面積を稼ぐことができ、剥がれることがない。すなわち、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極との接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる。
【００４０】
しかも、上述したようにＡＣＦの導電粒子径が保護膜５の最大厚みより厚いので、保護膜５の周辺の断面形状が傾斜しても導電粒子１０を押しつぶして変形することにより、電極端子部７でも導電粒子１０を介してＦＰＣ８を電気的に接続させることができる。
【００４１】
加えて、保護膜５が電極端子部７にかけて薄くなり、保護膜の傾斜部６の最終端（外周端）は前記電極端子部７との段差が殆どないことから、ＡＣＦ９を介してＦＰＣ８を接合すると露出している面積が少なくても電極端子部７のほぼ全域に接合することができる。
【００４２】
なお、保護膜５上に、円偏光板（例えば直線偏光板とλ／４板等の位相差板の組み合わせによる偏光板）を直接貼りつけることができる。また、保護膜５を形成した後にガラスで封止を行なうこともでき、ガラス基板でもよいし、ガラス基板に加工を行なって段差があるガラスキャップを用いてもよく、封止材は例えばＵＶ硬化樹脂などによって封止することもできる。
【００４３】
＜実施形態２＞
次に、実施形態２の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。なお、保護膜５を形成する工程までは、同様であるので省略する。
【００４４】
保護膜５を形成した後に、電極端子部７と、保護膜の傾斜部６との上に跨って取り出し電極を形成する（図示は省略）。例えば、電極端子部７の左右のレイアウトに余裕がない場合、ＡＣＦ９の許容電流量が小さくて電極端子部７の長さや太さ、本数増加だけでは流せる電流量が足りない場合等に取り出し電極を形成するのがよい。
【００４５】
取り出し電極は、ＩＴＯやＩｎ2Ｏ3のような透明電極であってもよいし、あるいはＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ、ヨウ化銅等やそれらを少なくとも１種含む合金等であってもよい。
【００４６】
取り出し電極の形成方法としては、スパッタ、蒸着、メッキなど一工程で配線パターンが形成できるものであればどの方法でもよく、ＦＰＣ８などの外部基板と電気的に接続できるものであればよい。
【００４７】
取り出し電極の長さは、電極端子部７と同様にＡＣＦ９の許容電流量及び実際に流す電流量等に関係している。例えば取り出し電極の１本の幅が０．３ｍｍであり、長さが１．５ｍｍの場合、ＡＣＦ９の許容電流量が５００ｍＡ／ｍｍ2であれば０．３×１．５×５００ｍＡ＝２２５ｍＡとなり、流せる電流量は２２５ｍＡとなる。実際に流す駆動電流量が例えば２００ｍＡの場合、面積当たりの許容電流量より駆動電流量の方が少ないため、取り出し電極の長さは１．５ｍｍを形成すれば十分である。面積当たりの許容電流量より実際に流す電流量の方を少なくすることができる長さを形成すればよく、電極端子部上の長さに、保護膜の傾斜部上の長さを加えて必要な駆動電流量になるような長さの取り出し電極を形成すればよい。
【００４８】
続いて、取り出し電極にＡＣＦ９を介して熱圧着によりＦＰＣ８を接合する。保護膜５をマスク成膜するとマスクの端部の膜厚が端にかけて薄くなり斜面形状となる。その上に形成した取り出し電極もそれに倣って斜面形状となる。ＡＣＦの導電粒子径が保護膜５の厚みより厚いので、断面形状が傾斜していても導電粒子１０を押しつぶして変形することにより、どの位置でも導電粒子１０が取り出し電極とＦＰＣ８とを電気的に接続させることができる。
【００４９】
なお、上記実施形態１、２において、電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨ってＦＰＣ８を接合した後、または電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨って取り出し電極を形成してＦＰＣ８を接合した後は、保護樹脂を塗布することが好ましい。保護樹脂は接合部への外部からの水分浸入を防止し、イオンマイグレーションの発生を押さえることができる。また、ＡＣＦ９だけでは接合力がそれほど強くはないため、接合力の補強ということからも塗布することが好ましい。
【実施例】
【００５０】
＜実施例１＞
本発明を適用できる実施例を図１、２を用いて説明する。
【００５１】
以下に、本実施例の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。
【００５２】
［平坦化膜形成工程］
ＴＦＴ回路が形成されたガラス基板１上にアクリル樹脂よりなる平坦化膜１２をフォトリソグラフィー法にて形成し、回路による凹凸を平坦にした。
【００５３】
［陽極電極形成工程］
平坦化膜１２が形成されたガラス基板上にＣｒターゲットをＤＣスパッタし、陽極電極２として１００ｎｍの厚さにＣｒ膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、２０μｍ×１００μｍの画素電極とした。成膜はＡｒガスを用いて、０．２Ｐａの圧力、３００Ｗの投入電力条件で行った。
【００５４】
［素子分離膜形成工程］
各画素を分離するために、ポリイミド樹脂よりなる素子分離膜１１をフォトリソグラフィー法にて形成した。
【００５５】
［前処理工程］
有機ＥＬ蒸着装置へ移し、真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａ、処理時間は４０秒であった。
【００５６】
［正孔輸送層形成工程］
基板を前処理室より成膜室へ移動し、成膜室を、１×１０-4Ｐａまで排気した後、正孔輸送性を有するαＮＰＤを抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。所定の部分とは基板上で、画素電極であるＣｒが露出している部分である。
【００５７】
［有機発光層形成工程］
正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるＡｌｑ3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で成膜し、膜厚１５ｎｍの有機発光層を形成した。
【００５８】
［電子注入層形成工程］
有機発光層の上に抵抗加熱共蒸着法によりＡｌｑ3と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）を膜厚比９：１の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し、膜厚３５ｎｍの電子注入層を形成した。詳しくは、それぞれの蒸着ボートにセットした材料を抵抗加熱方式で蒸発させ、有機層は〜５Ａ／Ｓ、共蒸着層もそれぞれのボート電流値を調整することで、あわせて〜５Ａ／Ｓの蒸着速度で膜形成を行った。
【００５９】
［陰極電極（透明導電膜）形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が１３０ｎｍになるよう成膜し、ＩＴＯからなる陰極電極４を形成した。
【００６０】
［保護膜形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電極端子部７に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を０．２Ｐａ以下に真空引きした後、シランガス３０ｓｃｃｍ、アンモニア３００ｓｃｃｍをフローし、反応空間の圧力を１００Ｐａに制御した。その後、１００ｍＷ／ｃｍ2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機ＥＬ素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマＣＶＤにより、窒化シリコン膜を３μｍの膜厚で堆積形成して保護膜５及び同保護膜の傾斜部６の形成を行なった。この際、電極端子部７の露出長さを０．５ｍｍになるように保護膜５及び同保護膜の傾斜部６を形成した。
【００６１】
［実装工程］
有機ＥＬ素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なＦＰＣ実装を行った。先ず、基板１上の電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨ってＡＣＦ９の仮圧着を行った。次に、ＦＰＣ８を電極端子部７と位置あわせする。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨ってＦＰＣ８の接合を完了した。
【００６２】
［保護樹脂塗布工程］
電極端子部７と保護膜の傾斜部６との上に跨ってＦＰＣ８の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
【００６３】
以上のような工程によって作製した有機ＥＬ素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、ＦＰＣ８の接合面積が十分で接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
【００６４】
＜実施例２＞
本発明を適用できる実施例を図３、４を用いて説明する。
【００６５】
図３は、本実施例の有機ＥＬ素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図４（ａ）は、図３の点Ａから点Ａ’間を模式的に示す部分断面図である。図４（ｂ）は、図３の点Ａから点Ａ’間において外部接続電極であるＦＰＣを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【００６６】
図示するように、本実施例の有機ＥＬ素子パネルはパッシブマトリクス型パネルである。図３、図４において、１３はガラス基板、１４は下部電極（第１電極）、１５は有機層、１６は上部電極（第２電極）、１７は電極端子部、１８は保護膜、１９は保護膜の傾斜部、２０はＦＰＣである。
【００６７】
以下に、本実施例の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。
【００６８】
［下部電極形成工程］
平坦化膜が形成されたガラス基板１３上にＡｌターゲットをＤＣスパッタし、下部電極１４として１００ｎｍの厚さにＡｌ膜を成膜した。Ａｒガスを用いて、０．２Ｐａの圧力、３００Ｗの投入電力条件で行った。
【００６９】
［正孔輸送層形成工程］［有機発光層形成工程］［電子注入層形成工程］
実施例１と同様の形成方法であるので省略する。
【００７０】
［上部電極形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が１３０ｎｍになるように成膜し、ＩＴＯからなる上部電極１６を形成した。
【００７１】
［保護膜形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電極端子部１７に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を０．２Ｐａ以下に真空引きした後、シランガス３０ｓｃｃｍ、アンモニア３００ｓｃｃｍをフローし、反応空間の圧力を１００Ｐａに制御した。その後、１００ｍＷ／ｃｍ2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機ＥＬ素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を４μｍの膜厚で堆積形成し保護膜１８及び同保護膜の傾斜部１９の形成を行なった。この際、電極端子部１７の露出長さを０．５ｍｍになるように保護膜１８及び同保護膜の傾斜部１９を形成した。
【００７２】
［実装工程］
有機ＥＬ素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なＦＰＣ実装を行った。先ず、基板１３上の電極端子部１７と保護膜の傾斜部１９との上に跨ってＡＣＦ（不図示）の仮圧着を行った。次に、ＦＰＣ２０を電極端子部１７と位置あわせした。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部１７と保護膜の傾斜部１９との上に跨ってＦＰＣ２０を接合した。これを４辺行ないＦＰＣの接合を完了した。
【００７３】
［保護樹脂塗布工程］
電極端子部１７と保護膜の傾斜部１９との上に跨ってＦＰＣ２０の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
【００７４】
以上のような工程によって作製した有機ＥＬ素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、ＦＰＣ２０の接合面積が十分で接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
【００７５】
また、パッシブマトリクス型であるので４辺を狭額縁にでき、従来パネルと比較して基板サイズを全体的に小さくできた。
【００７６】
＜実施例３＞
本発明を適用できる実施例を図５を用いて説明する。
【００７７】
図５（ａ）は、電極端子部と保護膜の傾斜部との上に跨って取り出し電極を形成した状態を模式的に示す部分断面図である。図５（ｂ）は、前記取り出し電極にＦＰＣを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【００７８】
図５において、２１はＴＦＴ回路が形成されたガラス基板、２２は陽極電極、２３は有機層、２４は陰極電極、２５は保護膜、２６は保護膜の傾斜部、２７は電極端子部、２８は取り出し電極、２９はＦＰＣ、３０は素子分離膜、３１は平坦化膜である。
【００７９】
以下に、本実施例の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。作製方法の殆どは実施例１と同様であるので、異なる部分のみ詳細に述べる。
【００８０】
ＴＦＴ基板上に平坦化膜３１を形成し、陽極電極を形成した。続いて、素子分離膜３０を形成した。有機ＥＬ蒸着装置へ移し、前処理を行なった後、正孔輸送層形成、有機発光層形成、電子注入層形成を行なった。
【００８１】
［陰極電極（透明導電膜）形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が１３０ｎｍになるよう成膜し、ＩＴＯからなる陰極電極２４を形成した。
【００８２】
［保護膜形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電極端子部２７に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を０．２Ｐａ以下に真空引きした後、シランガス３０ｓｃｃｍ、アンモニア３００ｓｃｃｍをフローし、反応空間の圧力を１００Ｐａに制御した。その後、１００ｍＷ／ｃｍ2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機ＥＬ素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を３μｍの膜厚で堆積形成し保護膜２５及び同保護膜の傾斜部２６の形成を行なった。この際、電極端子部２７の露出長さを０．３ｍｍになるように保護膜２５及び同保護膜の傾斜部２６を形成した。
【００８３】
［取り出し電極形成工程］
別の成膜室に基板を移し、ＣｒターゲットをＤＣスパッタし、取り出し電極２８として１００ｎｍの厚さにＣｒ膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、３００μｍ×１．５ｍｍとした。この取り出し電極２８は、保護膜２５の形成時にマスクを用いて電極端子部２７と保護膜の傾斜部２６との上に跨って形成される。取り出し電極２８の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルは駆動電流量を多く必要とし、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部２７と保護膜の傾斜部２６との上に取り出し電極２８を形成した。本実施例では、取り出し電極２８を全ての電極端子部２７と保護膜の傾斜部２６とに形成したが、駆動電流量が多いところのみに形成しても構わない。
【００８４】
［実装工程］
有機ＥＬ素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なＦＰＣ実装を行った。先ず、取り出し電極２８上にＡＣＦ（不図示）の仮圧着を行った。次に、ＦＰＣ２９を取り出し電極２８と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極２８とＦＰＣ２９との接合を完了した。
【００８５】
［保護樹脂塗布工程］
取り出し電極２８とＦＰＣ２９との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
【００８６】
以上のような工程によって作製した有機ＥＬ素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、ＦＰＣ２９の接合面積が十分あるので接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
【００８７】
また、配線のレイアウト及び駆動電流量等から、電極端子部２７だけでは、電流量が足りなかったが、取り出し電極２８を形成することにより、額縁サイズを変えることなく狭額縁でも電流量の確保ができた。
【００８８】
＜実施例４＞
本発明を適用できる実施例を図６、７を用いて説明する。
【００８９】
図６は、本実施例の有機ＥＬ素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図７（ａ）は、図６の点Ｂから点Ｂ’間を模式的に示す部分断面図である。図７（ｂ）は、図６の点Ｂから点Ｂ’間において外部接続電極であるＦＰＣを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【００９０】
図示するように、本実施例の有機ＥＬ素子パネルはパッシブマトリクス型パネルである。図６、図７において、３２はガラス基板、３３は下部電極（第１電極）、３４は有機層、３５は上部電極（第２電極）、３６は電極端子部、３７は保護膜、３８は保護膜の傾斜部、３９は取り出し電極、４０はＦＰＣである。
【００９１】
以下に、本実施例の有機ＥＬ素子パネルを作製方法に沿って述べる。
【００９２】
［下部電極形成工程］
平坦化膜が形成されたガラス基板３２上にＡｌターゲットをＤＣスパッタし、下部電極３３として１００ｎｍの厚さにＡｌ膜を成膜した。Ａｒガスを用いて、０．２Ｐａの圧力、３００Ｗの投入電力条件で行った。
【００９３】
［正孔輸送層形成工程］［有機発光層形成工程］［電子注入層形成工程］
実施例１と同様の形成方法であるので省略する。
【００９４】
［上部電極形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が１３０ｎｍになるよう成膜し、ＩＴＯからなる上部電極３５を形成した。
【００９５】
［保護膜形成工程］
別の成膜室に基板を移し、電極端子部３６に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を０．２Ｐａ以下に真空引きした後、シランガス３０ｓｃｃｍ、アンモニア３００ｓｃｃｍをフローし、反応空間の圧力を１００Ｐａに制御した。その後、１００ｍＷ／ｃｍ2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機ＥＬ素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマＣＶＤにより窒化シリコン膜を４μｍの膜厚で堆積形成し、保護膜３７及び同保護膜の傾斜部３８の形成を行なった。この際、電極端子部３６の露出長さを０．４ｍｍになるように保護膜３７及び同保護膜の傾斜部３８を形成した。
【００９６】
［取り出し電極形成工程］
別の成膜室に基板を移しＡｌをＤＣスパッタし、取り出し電極３９として１２０ｎｍの厚さにＡｌ膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、２００μｍ×１．２ｍｍのサイズとした。この取り出し電極３９は、保護膜３７の形成時にマスクを用いて電極端子部３６と保護膜の傾斜部３８との上に跨って形成される。取り出し電極３９の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルはＡＣＦの許容電流量が小さく、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部３６と保護膜の傾斜部３８との上に取り出し電極３９を形成した。
【００９７】
［実装工程］
有機ＥＬ素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なＦＰＣ実装を行った。先ず、取り出し電極３９上にＡＣＦ（不図示）の仮圧着を行った。次に、ＦＰＣ４０を取り出し電極３９と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極３９とＦＰＣ４０との接合を完了した。
【００９８】
［保護樹脂塗布工程］
取り出し電極３９とＦＰＣ４０との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
【００９９】
以上のような工程によって作製した有機ＥＬ素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、ＦＰＣ４０の接合強度面積が十分あるので接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
【０１００】
また、パッシブマトリクス型であるので４辺を狭額縁にでき、従来パネルと比較して基板サイズを全体的に小さくできた。
【０１０１】
さらに、配線のレイアウト及び許容電流量から、電極端子部３６だけでは電流量が足りなかったが、取り出し電極３９を形成することにより、額縁サイズを変えることなく狭額縁でも電流量の確保ができた。
【０１０２】
以上、本発明ではトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子パネルについて説明を行ったが、それに限ることなくボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子パネルにも適用できるものである。また、本発明ではパッシブ型への適用であるがアクティブ型の有機ＥＬ素子パネルにも適用できる。
【０１０３】
また、本発明では、ＦＰＣとの接続が１辺に１つになっているが、１辺に複数のＦＰＣの接続であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施形態１及び実施例１の有機ＥＬ素子パネルを模式的に示す部分断面図である。
【図２】（ａ）は電極の露出部と保護膜の傾斜部との上に跨って外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は電極の露出部と保護膜の傾斜部との上に跨って外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施例２における外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。
【図４】（ａ）は図３の点Ａから点Ａ’間を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は図３の点Ａから点Ａ’間において外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【図５】（ａ）は電極の露出部と保護膜の傾斜部との上に跨って取り出し電極を形成した状態を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は前記取り出し電極上に外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【図６】本発明の実施例４における外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。
【図７】（ａ）は図６の点Ｂから点Ｂ’間を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は図６の点Ｂから点Ｂ’間において外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。
【図９】（ａ）は図８の点Ｃから点Ｃ’間を模式的に示す部分断面図である。（ｂ）は図８の点Ｃから点Ｃ’間において外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１、１３、２１、３２  基板
２、２２  陽極電極（第１電極）
３、１５、２４、３４  有機層
４、２４  陰極電極（第２電極）
５、１８、２５、３７  保護膜
６、１９、２６、３８  保護膜の傾斜部
７、１７、２７、３６  電極端子部（電極の露出部）
８、２０、２９、４０  ＦＰＣ（外部接続電極）
９  ＡＣＦ
１０  導電粒子
１４、３３  下部電極（第１電極）
１６、３５  上部電極（第２電極）
２８、３９  取り出し電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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