(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクスの組立体を構築する方法であって、
集積回路を担持するマイクロエレクトロニクスのダイに型片を位置させること；
前記型片の表面及び前記マイクロエレクトロニクスのダイの間に定義された空間へと封入剤混合物を射出すること、
前記封入剤混合物が射出したときに液相のエポキシ及び固相の触媒化合物を含むこと、
前記固相の触媒化合物がポリスチレンの重合体骨格及び一つの又はより多いジフェニルホスフィンのリガンドを含むこと、
各々のジフェニルホスフィンのリガンドが前記ポリスチレンの重合体骨格の異なるフェニル基に化学的に結合させられたものであること；並びに、
前記触媒化合物が液体になると共に前記エポキシを硬化させる温度まで前記空間において前記封入剤混合物を加熱すること、
：を具備する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記触媒化合物は、１２０度Ｃで同じ質量分率のトリフェニルホスフィンと比べてより不活性なものである、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
前記触媒化合物は、おおよそ、１６０度Ｃで同じ質量分率のトリフェニルホスフィンと同程度に活性なものである、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５度Ｃ）、ポリ［（ｏ−クレジルグリシジルエーテル）−ｃｏ−ホルムアルデヒド］（Ｔｍ＝３７度Ｃ）、４，４’−イソプロピリデンジフェノール＝ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝４０度Ｃ）、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェニル＝４，４’−ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝９０度Ｃ）の少なくとも一つを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記エポキシは、２２度Ｃで液体である、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記エポキシは、３０度Ｃで液体である、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法において、
前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５度Ｃ）を含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、前記エポキシが硬化させられた後に前記型片から前記エポキシを取り除くことを具備する、方法。
【請求項９】
マイクロエレクトロニクスの組立体を構築する方法であって、
集積回路を担持するマイクロエレクトロニクスのダイに型片を位置させること；
前記型片の表面及び前記マイクロエレクトロニクスのダイの間に定義された空間へと封入剤混合物を射出すること、
前記封入剤混合物が液相のエポキシ並びにポリスチレンの重合体骨格及び一つの又はより多いジフェニルホスフィンのリガンドを含むこと、
各々のジフェニルホスフィンのリガンドが前記ポリスチレンの重合体の異なるフェニル基に化学的に結合させられたものであること；並びに、
前記ジフェニルホスフィンのリガンドが前記エポキシを硬化させるように前記ポリスチレンのガラス転移温度より上まで前記空間において前記封入剤混合物を加熱すること、
：を具備する、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、
前記エポキシは、２２度Ｃで液体である、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５度Ｃ）を含む、方法。
【請求項１２】
マイクロエレクトロニクスの組立体を構築する方法であって、
集積回路を担持するマイクロエレクトロニクスのダイに型片を位置させること；
前記型片の表面及び前記マイクロエレクトロニクスのダイの間に定義された空間へと封入剤混合物を射出すること、
前記封入剤混合物が射出したときに液相のエポキシ及び固相の触媒化合物を含むこと、
前記触媒化合物がポリスチレンの重合体骨格及び一つの又はより多いジフェニルホスフィンのリガンドを含むこと、
各々のジフェニルホスフィンのリガンドが前記ポリスチレンの重合体の異なるフェニル基に化学的に結合させられたものであること、
前記触媒化合物が１２０度Ｃで同じ質量分率のトリフェニルホスフィンと比べてより不活性なものであること；並びに、
前記触媒化合物が液体になると共に前記エポキシを硬化させる温度まで前記空間において前記封入剤混合物を加熱すること
：を具備する、方法。
【請求項１３】
マイクロエレクトロニクスの組立体を構築する方法であって、
集積回路を担持するマイクロエレクトロニクスのダイに型片を位置させること；
前記型片の表面及び前記マイクロエレクトロニクスのダイの間に定義された空間へと封入剤混合物を射出すること、
前記封入剤混合物が射出したときに液相のエポキシ及び固相の触媒化合物を含むこと、
前記エポキシがビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５度Ｃ）、ポリ［（ｏ−クレジルグリシジルエーテル）−ｃｏ−ホルムアルデヒド］（Ｔｍ＝３７度Ｃ）、４，４’−イソプロピリデンジフェノール＝ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝４０度Ｃ）、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェニル＝４，４’−ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝９０度Ｃ）の少なくとも一つを含むこと、
前記触媒化合物がポリスチレンの重合体骨格及び一つの又はより多いジフェニルホスフィンのリガンドを含むこと、
各々のジフェニルホスフィンのリガンドが化学的に前記ポリスチレンの重合体の異なるフェニル基に結合させられたものであること；並びに、
前記触媒化合物が液体になると共に前記エポキシを硬化させる温度まで前記空間において前記封入剤混合物を加熱すること
：を具備する、方法。
【請求項１４】
マイクロエレクトロニクスの組立体を構築する方法であって、
集積回路を担持するマイクロエレクトロニクスのダイに型片を位置させること；
前記型片の表面及び前記マイクロエレクトロニクスのダイの間に定義された空間へと封入剤混合物を射出すること、
前記封入剤混合物が射出したときに液相のエポキシ及び固相の触媒化合物を含むこと、
前記エポキシが２２度Ｃで液体であること、
前記触媒化合物がポリスチレンの重合体骨格及び一つの又はより多いジフェニルホスフィンのリガンドを含むこと、
各々のジフェニルホスフィンのリガンドが前記ポリスチレンの重合体の異なるフェニル基に化学的に結合させられたものであること；並びに、
前記触媒化合物が液体になると共に前記エポキシを硬化させる温度まで前記空間において前記封入剤混合物を加熱すること
：を具備する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、超小型電子組立体に関し、より具体的には、組立体の超小型ダイの上に型を形成するために用いられる封入剤混合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、普通、ウェーハ基板上に製造される。次に、そのようなウェーハ基板は、個々のダイに「個別化」或いは「ダイスカット」され、各ダイは、各集積回路を支持する。次に、そのようなダイは、普通、基板上に載置される。基板は、組立体全体に構造的剛性をもたらし、且つ、集積回路との間で信号をやりとりするための導電線を有する。次に、ダイを保護し、且つ、組立体全体をさらに堅くするために、封入剤がダイの上に形成される。
【０００３】
封入剤は、普通、超小型ダイの上に型片を位置付けることによって形成され、次に、封入剤混合物を型片の表面と超小型ダイとの間に定められる空間内に射出する。封入剤の硬化後、型片は除去される。
【０００４】
既存の封入剤混合物は、エポキシ樹脂、及び、トリフェニルホスフィンのような高反応性触媒を使用する。潜在的硬化触媒は、触媒の立体障害によって全温度での活動を低減する１つ又はそれ以上のバルクな配位子の使用に依存する。そのような配位子の使用に起因するより低速の重合を克服するために、より高い濃度の触媒が必要とされる。より高い濃度の触媒は、コストを増大する。より高い濃度の触媒は、触媒の全体的活動も増大することによって、触媒の潜在的効果を減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来技術の上記問題点を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
添付図面を参照して一例によって本発明を記載する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
超小型組立体を構築する方法が提供される。図１に例証されるように、型片１０が超小型電子ダイ１２の上に配置される。超小型電子ダイ１２は、パッケージ基板１４の上に載置される。超小型電子ダイ１２は集積回路を支持し、基板１４内の導電体に電気的に接続される。封入剤混合物１６が、型片の表面、超小型電子ダイ、及び、基板１４の間に定められる空間内に射出される。図２に例証されるように、封入剤混合物１６は、液相のエポキシ１８と、固相の触媒化合物２０とを含む。次に、空間内の封入剤混合物１６は、触媒化合物２０が液体になる温度に加熱される。図３に例証されるように、次に、液体の触媒化合物２０は、エポキシ１８を硬化する。図４にさらに例証されるように、硬化された封入剤混合物がダイ１２上に封入剤２２を形成するよう、図１の型片１０は除去される。
【０００８】
よって、封入剤混合物１６が射出され、触媒化合物２０が液体になる温度より上に加熱されるまで、触媒化合物２０は、非活動的なままであるのが分かる。この状態にある間、触媒化合物２０は表面活動のみを有し、それは、触媒作用が殆どなく、封入剤混合物１６は安定し且つ長いシェル寿命を有することを意味する。
【０００９】
触媒化合物は、例えば、重合体と、重合体に結合された触媒とを含み得る。次に、触媒化合物がそのガラス遷移温度より上に加熱されるときに、触媒は重合体から解放される。次に、解放された触媒はエポキシを硬化する。
【００１０】
広範なエポキシ樹脂を本発明の実施において用い得る。有用なエポキシ樹脂は、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５ｏＣ）、ポリ［（オルト−クレシルグリシドルエーテル）−コ−ホルムアルデヒド］（Ｔｍ＝３７ｏＣ）、４，４’−イソプロピリデンジフェノールジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝４０ｏＣ）、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェニル４，４’−ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝９０ｏＣ）、及びそれらの類似物又は混合物を含む。好適なエポキシ樹脂は、約１００ｏＣ未満で液体であるものである。
【００１１】
重合体が樹脂の融点より高い温度で液体になることを条件として、広範な重合体を本発明の実施において用い得る。好適な重合体は、約１００ｏＣより上の温度で液体になる。重合体は、オレフィン、ポリエステル、ポリアミド、又は、ポリエーテルを含み得る。有用な重合体の実施例は、ポリスチレン、ポリアクリラート、ポリブチレンテレフタレート、ポリヘキサメチレンアジパミド、及び、ポリエチレンエーテルを含む。図５に例証されるように、重合体結合触媒は、例えば、ポリスチレン結合ジフェニルホスフィンであり得る。選択的に、ポリスチレン結合ジフェニルホスフィンは、ジビニルベンゼンと軽く架橋結合され得る。
【００１２】
触媒化合物は、摂氏１２０度で同一質量分率のトリフェニルホスフィンほど活発でない触媒を含み得る。触媒は、摂氏１６０度で同一質量分率のトリフェニルホスフィンとほぼ同程度に活発であり得る。
【００１３】
エポキシは、好ましくは摂氏３０度未満で液体であり、より好ましくは摂氏２２度未満で液体である。比較的低い温度で液体であるエポキシは比較的低温で射出され得る。
【００１４】
１）比較実施例
（１）９．６０グラムのエポキシ化テトラメチルジフェニル、１０．８５グラムの（グラム当たり０．５０等量を含む）ノバラク(novalak)樹脂、７９グラムのシリカ、０．３グラムのカルナウバろう、０．２グラムの３，４−エポキシプロピルトリメテオキシシラン、及び、０．０５グラムのトリフェニルホスフィンを、摂氏２５度未満の温度に保持するための冷却を備えた粉砕ブレードを有するブレンダー内で乾式混合し、（２）混合物を摂氏１１０度でロール練りすることによって、封入剤混合物を準備した。次に、結果として得られた材料を粉砕し、パレット内に圧入した。摂氏１６５度でトランスファー成形によってダイをオーバーモールドした。
【００１５】
２）実施例
（１）８．２２グラムのエポキシ化テトラメチルジフェニル、９．２８グラムの（グラム当たり０．５０等量を含む）ノバラク(novalak)樹脂、７９グラムのシリカ、０．３グラムのカルナウバろう、０．２グラムの３，４−エポキシプロピルトリメテオキシシラン、及び、３グラムのポリスチレン結合トリフェニルホスフィン（グラム当たり２ミリモル）を、摂氏２５度未満の温度に保持するための冷却を備えた粉砕ブレードを有するブレンダー内で乾式混合し、（２）混合物を摂氏１１０度でロール練りすることによって、型化合調合物を準備した。結果として得られた材料を粉砕し、パレット内に圧入した。摂氏１６５度でトランスファー成形によってダイをオーバーモールドした。
【００１６】
特定の例示的な実施態様が記載され且つ添付の図面に示されたが、そのような実施態様は例証的であるに過ぎず、本発明を限定しないこと、並びに、変形が当業者に起こり得るので、本発明は図示され且つ記載された具体的な構造及び配置に限定されないことが理解されよう。
［付記］
付記（１）：型片を、集積回路を支持する超小型ダイの上に配置するステップと、液相のエポキシと、射出時に固相の触媒化合物とを含む封入剤混合物を、前記型片の表面と前記超小型ダイとの間の空間に射出するステップと、前記封入剤混合物を、前記空間内で、前記触媒化合物が液体となり且つ前記エポキシを硬化する温度に加熱するステップとを含む、超小型電子組立体を製造する方法。
付記（２）：前記触媒化合物は、重合体と、該重合体に結合された触媒とを含む、付記（１）に記載の方法。
付記（３）：前記重合体は、ポリスチレンである、付記（２）に記載の方法。
付記（４）：前記触媒は、ジフェニルホスフィンである、付記（２）に記載の方法。
付記（５）：前記触媒化合物は、摂氏１２０度で、同一質量分率のトリフェニルホスフィンほど活発でない触媒を含む、付記（１）に記載の方法。
付記（６）：前記触媒は、摂氏１６０度で、同一質量分率のトリフェニルホスフィンとほぼ同程度に活発である、付記（５）に記載の方法。
付記（７）：前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５ｏＣ）、ポリ［（オルト−クレシルグリシドルエーテル）−コ−ホルムアルデヒド］（Ｔｍ＝３７ｏＣ）、４，４’−イソプロピリデンジフェノールジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝４０ｏＣ）、３，５，３’，５’−テトラメチルジフェニル４，４’−ジグリシジルエーテル（Ｔｍ＝９０ｏＣ）のうちの少なくとも１つを含む、付記（１）に記載の方法。
付記（８）：前記エポキシは、摂氏２２度で液体である、付記（１）に記載の方法。
付記（９）：前記エポキシは、摂氏３０度で液体である、付記（８）に記載の方法。
付記（１０）：前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェル）メタン（Ｔｍ＝−１５ｏＣ）を含む、付記（８）に記載の方法。
付記（１１）：前記エポキシの硬化後、前記エポキシを前記型片から除去するステップをさらに含む、付記（１）に記載の方法。
付記（１２）：型片を、集積回路を支持する超小型ダイの上に配置するステップと、液相のエポキシと、固相のポリスチレン結合ジフェニルホスフィン触媒化合物とを含む封入剤混合物を、前記型片の表面と前記超小型ダイとの間の空間に射出するステップと、前記ジフェニルホスフィンが前記エポキシを硬化するよう、前記封入剤混合物を、前記空間内で、前記ポリスチレンのガラス遷移温度より上に加熱するステップとを含む、超小型電子組立体を製造する方法。
付記（１３）：前記エポキシは、摂氏２２度で液体である、付記（１２）に記載の方法。
付記（１４）：前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５ｏＣ）を含む、付記（１３）に記載の方法。
付記（１５）：摂氏２２度で液相にあるエポキシと、摂氏２２度で固相にある触媒化合物とを含み、該触媒化合物の加熱は、前記エポキシの硬化を引き起こす、封入剤混合物。
付記（１６）：前記エポキシの硬化は、前記触媒化合物が液体になる温度に前記触媒化合物が加熱されることを必要とする、付記（１５）に記載の封入剤混合物。
付記（１７）：前記触媒化合物は、重合体と、該重合体に結合された触媒とを含む、付記（１５）に記載の封入剤混合物。
付記（１８）：前記重合体は、ポリスチレンである、付記（１７）に記載の封入剤混合物。
付記（１９）：前記触媒は、ジフェニルホスフィンである、付記（１７）に記載の封入剤混合物。
付記（２０）：前記触媒化合物は、摂氏１２０度で、同一質量分率のトリフェニルホスフィンほど活発でない触媒を含む、付記（１５）に記載の封入剤混合物。
付記（２１）：前記触媒は、摂氏１６０度で、同一質量分率のトリフェニルホスフィンとほぼ同程度に活発である、付記（２０）に記載の封入剤混合物。
付記（２２）：前記エポキシは、摂氏３０度で液体である、付記（１５）に記載の封入剤混合物。
付記（２３）：前記エポキシは、ビス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（Ｔｍ＝−１５ｏＣ）を含む、付記（１５）に記載の封入剤混合物。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施態様の封入剤混合物がどのように型片とダイとの間に定められる空間内に射出されるかを示す側断面図である。
【図２】封入剤混合物を示す拡大図である。
【図３】図２と類似する拡大図であり、触媒化合物が液体になり、封入剤混合物のエポキシを硬化するよう、封入剤混合物の触媒化合物が加熱された後を示している。
【図４】図１と類似する側断面図であり、封入剤混合物が硬化され、型片が除去された後を示している。
【図５】本発明の実施態様に従った封入剤混合物中で用い得る触媒の触媒化合物お化学構造を示す概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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