(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一分子中に、ケイ素原子に結合するアルケニル基を少なくとも２個含有し、かつ分子鎖末端のケイ素原子に結合するアルケニル基を有し、
下記平均組成式（１）
Ｒ1aＳｉＯ(4-a)/2        …（１）
（式中、Ｒ1は同一又は異種の炭素数１〜１２の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ａは１．５〜２．８の範囲の正数である。）
で示され、
２５℃での粘度が１００〜１００，０００ｍＰａ・ｓである直鎖状構造の液状オルガノポリシロキサン：１００重量部
（Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合する水素原子を少なくとも３個含有し、
下記平均組成式（２）
Ｒ2bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2        …（２）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１２の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００１〜１．０であり、かつｂ＋ｃは０．８〜３．０を満たす正数である。）
で示され、
２５℃での粘度が０．１〜１，０００ｍＰａ・ｓである液状オルガノハイドロジェンポリシロキサン：０．１〜３０重量部
（Ｃ）平均粒子径が０．１〜１００μｍの球状シリコーンエラストマー粒子：５〜２００重量部
（Ｄ）導電性材料として、アセチレンブラック、導電性亜鉛華及び導電性酸化チタンから選ばれる１種又は２種以上のみ：芯金と硬化物層表面との間の抵抗を１×１０4〜１×１０8Ωとする量
（Ｅ）付加反応触媒：触媒量
を含有する室温で液状のシリコーンゴム組成物の半導電性硬化物層を芯金に形成してなることを特徴とする現像装置における帯電ロール、転写ロール又は現像ロール用の半導電ロール。
【請求項２】
導電性材料がアセチレンブラックである請求項１記載の半導電ロール。
【請求項３】
（Ｃ）成分の球状シリコーンエラストマー粒子の平均粒子径が０．５〜４０μｍである請求項１又は２記載の半導電ロール。
【請求項４】
半導電性硬化物層の外周に、更に、フッ素樹脂層を設けてなる請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導電ロール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導電領域（１０3〜１０10Ω）で安定した電気抵抗率を示す半導電ロールに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来、電気絶縁性を示すゴム状物質に導電性材料を配合した導電性ゴムは種々知られており、例えば導電性材料としてカーボンブラック等を配合し、電気抵抗を１０-1〜１０2Ω・ｃｍの範囲にした導電性ゴムが、広い分野で応用されている。一方、電気絶縁性ゴム状物質の一つであるシリコーンゴムは、耐熱性、耐寒性、耐候性に優れ、電気絶縁性ゴムとして多く利用されているが、他のゴム状物質と同様に導電性材料を添加することで、導電性ゴムとしても実用化されている。また、抵抗値を安定化する方法としては、特開平３−１９５７５２号公報に記載されている通り、シリコーンパウダーの添加が知られる。
【０００３】
この場合、導電性シリコーンゴムに添加する導電性材料としては、例えばカーボンブラックやグラファイト、銀、ニッケル、銅等の各種金属粉、各種非導電性粉体や短繊維表面を銀等の金属で処理したもの、炭素繊維、金属繊維などを混合したものが、シリコーンゴムがもつ特異な特性を損なうことなくその導電性材料の種類および充填量によりシリコーンゴムの電気抵抗率を１０3〜１０10Ω・ｃｍ程度まで低下させ得ることから頻繁に使用されている。
【０００４】
しかしながら、シリコーンゴムにケッチェンブラック、アセチレンブラック等の導電性カーボンブラックを配合した場合、１０3〜１０10Ω・ｃｍという半導電領域では電気抵抗率のバラツキが極めて大きくなり、電気抵抗率を安定化させることは困難であった。これは成形条件によりカーボンの分散が著しく変化することが原因であると考えられる。
【０００５】
ところが、最近においては、ＯＡ機器の部品、特に乾式複写機におけるゴムロールとして、半導電ロールの必要性が高まり、このため半導電領域での電気抵抗率変動が少なく、安定した電気抵抗率を示す半導電ロールが求められている。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、半導電領域での電気抵抗率の変動が極めて狭く、電気抵抗率が成形条件に左右されずに安定している半導電ロールを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、（Ａ）一分子中に、ケイ素原子に結合するアルケニル基を少なくとも２個含有し、かつ分子鎖末端のケイ素原子に結合するアルケニル基を有し、下記平均組成式（１）で示される直鎖状構造の特定粘度の液状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合する水素原子を有し、下記平均組成式（２）で示される特定粘度の液状オルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）球状シリコーンエラストマー粒子、（Ｄ）導電性材料として、アセチレンブラック、導電性亜鉛華及び導電性酸化チタンから選ばれる１種又は２種以上のみ、（Ｅ）付加反応触媒を含有するシリコーンゴム組成物が、粘度が低く、成形性に優れ、アルミシャフト等の芯金の変形等の成形時のトラブルを引き起こさないこと、またこのシリコーンゴム組成物を成形、硬化して芯金上に半導電性硬化物層を形成することにより、該硬化物層は芯金と該硬化物層表面との間の電気抵抗として１０4〜１０8Ωの半導電領域において、電気抵抗のバラツキが２桁以下という安定した電気抵抗率を与え、このため特に現像装置における帯電ロール、転写ロール又は現像ロール用に適した高安定性の半導電ロールが得られることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００８】
従って、本発明は、（Ａ）一分子中に、ケイ素原子に結合するアルケニル基を少なくとも２個含有し、かつ分子鎖末端のケイ素原子に結合するアルケニル基を有し、
下記平均組成式（１）
Ｒ1aＳｉＯ(4-a)/2        …（１）
（式中、Ｒ1は同一又は異種の炭素数１〜１２の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ａは１．５〜２．８の範囲の正数である。）
で示され、
２５℃での粘度が１００〜１００，０００ｍＰａ・ｓである直鎖状構造の液状オルガノポリシロキサン：１００重量部
（Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合する水素原子を少なくとも３個含有し、
下記平均組成式（２）
Ｒ2bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2        …（２）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１２の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００１〜１．０であり、かつｂ＋ｃは０．８〜３．０を満たす正数である。）
で示され、
２５℃での粘度が０．１〜１，０００ｍＰａ・ｓである液状オルガノハイドロジェンポリシロキサン：０．１〜３０重量部
（Ｃ）平均粒子径が０．１〜１００μｍの球状シリコーンエラストマー粒子：５〜２００重量部
（Ｄ）導電性材料として、アセチレンブラック、導電性亜鉛華及び導電性酸化チタンから選ばれる１種又は２種以上のみ：芯金と硬化物層表面との間の抵抗を１×１０4〜１×１０8Ωとする量
（Ｅ）付加反応触媒：触媒量
を含有する室温（２５℃）で液状のシリコーンゴム組成物の半導電性硬化物層を芯金に形成してなることを特徴とする現像装置における帯電ロール、転写ロール又は現像ロール用の半導電ロールを提供する。
【０００９】
以下、本発明につき更に詳述する。
本発明の（Ａ）成分は、一分子中にケイ素原子に結合するアルケニル基を少なくとも２個含有する液状オルガノポリシロキサンである。このオルガノポリシロキサンとしては、下記平均組成式（１）で示されるものを用いる。
【００１０】
Ｒ1aＳｉＯ(4-a)/2         …（１）
（式中、Ｒ1は同一又は異種の炭素数１〜１２、好ましくは１〜８の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ａは１．５〜２．８、好ましくは１．８〜２．５の範囲の正数である。）
【００１１】
ここで、上記Ｒ1としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基，トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、臭素原子、塩素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられるが、全Ｒ1の９０％以上がメチル基であることが好ましい。
【００１２】
更に、Ｒ1のうち少なくとも２個はアルケニル基（炭素数２〜８のものが好ましく、更に好ましくは２〜６であり、特に好ましくはビニル基である。）であることが必要である。
【００１３】
このアルケニル基の含有量は、オルガノポリシロキサン中１．０×１０-6〜５．０×１０-3ｍｏｌ／ｇ、特に５．０×１０-6〜１．０×１０-3ｍｏｌ／ｇとすることが好ましい。アルケニル基の量が１．０×１０-6ｍｏｌ／ｇより少ないと架橋が不十分でゲル状になってしまうことがあり、また５．０×１０-3ｍｏｌ／ｇより多いと架橋密度が高くなりすぎて、脆いゴムとなってしまう恐れがある。
なお、このアルケニル基は分子鎖末端のケイ素原子に結合し、分子鎖途中のケイ素原子に結合していてもよい。
【００１４】
本発明のオルガノポリシロキサンの構造は基本的に主鎖部分がＲ12ＳｉＯ2/2で示されるジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、分子鎖両末端がＲ13ＳｉＯ1/2で示されるトリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状構造である。
また、このオルガノポリシロキサンは、室温（２５℃）で液状であり、その粘度は２５℃で１００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１００〜５０，０００ｍＰａ・ｓである。粘度が高すぎると、半導電領域で安定した電気抵抗率が得られない。
【００１５】
本発明の（Ｂ）成分は、一分子中にケイ素原子に結合する水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を少なくとも３個含有する液状オルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、分子中のＳｉ−Ｈ基が前記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基とヒドロシリル化付加反応により架橋し、組成物を硬化させるための硬化剤として作用するものである。
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、下記平均組成式（２）で示されるものを用いる。
【００１６】
Ｒ2bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2         …（２）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１２、好ましくは１〜８の非置換又は置換の一価炭化水素基である。ｂは０．７〜２．１、ｃは０．００１〜１．０であり、かつｂ＋ｃは０．８〜３．０を満たす正数である。）
【００１７】
ここで、Ｒ2の一価炭化水素基としては、Ｒ1で例示したものと同様のものを挙げることができるが、脂肪族不飽和基（アルケニル基）を有しないものが好ましく、特に、メチル基、フェニル基、トリフロロプロピル基が好ましい。また、ｂは好ましくは０．８〜２．０、ｃは好ましくは０．０１〜１．０、ｂ＋ｃは好ましくは１．０〜２．５を満たす正数である。
【００１８】
本発明のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、一分子中に少なくとも３個、好ましくは３〜１００個、より好ましくは３〜５０個のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を有するものである。
【００１９】
このＳｉ−Ｈ基の含有量は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン中０．００１〜０．０１７ｍｏｌ／ｇ、特に０．００２〜０．０１５ｍｏｌ／ｇとすることが好ましい。Ｓｉ−Ｈ基の量が０．００１ｍｏｌ／ｇより少ないと架橋が不十分でゲル状になってしまうことがあり、また０．０１７ｍｏｌ／ｇより多いと架橋密度が高くなりすぎて、脆いゴムとなってしまう恐れがある。
なお、このケイ素原子に結合した水素原子は分子鎖末端、分子鎖の途中のいずれに位置していてもよく、両方に位置するものであってもよい。
【００２０】
上記オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ3/2単位とからなる共重合体等が挙げられる。
【００２１】
また、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、分岐状、環状、三次元網目状のいずれの構造であってもよい。また、一分子中のケイ素原子の数（重合度）は２〜３００、特に４〜１５０程度のものが好ましい。
更に、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、室温（２５℃）で液状であり、その粘度は２５℃で０．１〜１，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは０．１〜５００ｍＰａ・ｓである。
【００２２】
なお、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜３０重量部、好ましくは０．３〜２０重量部である。
また、このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、（Ａ）成分中のケイ素原子に結合したアルケニル基に対する（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）の量がモル比で、通常０．３〜１０．０、好ましくは０．５〜５．０となる量で配合することもできる。
【００２３】
本発明の（Ｃ）成分の球状シリコーンエラストマー粒子としては、その平均粒子径が０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜４０μｍであるものを使用する。平均粒子径が０．１μｍ未満の粒子は、製造が困難であると共に、その添加効果が十分に得られ難く、１００μｍを超えるとゴム硬化物の機械的強度が損なわれる。なお、この平均粒子径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定における重量平均値（又はメジアン径）等として求めることができる。
【００２４】
この場合、球状シリコーンエラストマー粒子は、上記平均粒子径を有するオルガノポリシロキサンの硬化物（例えば、硬化性オルガノポリシロキサン組成物が架橋により硬化してなるゴム状のシリコーン弾性体（エラストマー）硬化物）であればその種類やグレード、製造方法等に何ら制限はなく、適宜なものを使用し得る。なお、この（Ｃ）成分における“球状”とは、角のないほぼ球形の粒状物を意味するもので、必ずしも真球状であることを意味しない。
【００２５】
具体的には、球状シリコーンエラストマー粒子として、特に限定されるものではないが、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を２３０〜３００℃のスプレードライヤーの中で硬化させ、粒状のシリコーンエラストマーを得る方法（特開昭５９−９６１２２号公報）、あるいは硬化性オルガノポリシロキサン組成物、例えばビニル基含有オルガノポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンとからなる付加反応型のオルガノポリシロキサン組成物を水中に界面活性剤を用いてエマルジョン粒子が粒径２０μｍ以下となるようにエマルジョン化し、付加反応用の白金系触媒を添加し、スプレードライ前又はスプレードライ終了までにこのエマルジョン粒子中に含まれているオルガノポリシロキサンを硬化させる方法（特開昭６２−２５７９３９号公報）などの方法によって得られたものを使用し得るが、特にビニル基含有オルガノポリシロキサンとオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを界面活性剤を用いてエマルジョンとし、白金系触媒により付加反応させ硬化して製造されたものが好ましい。
【００２６】
なお、このエラストマー粒子として、その表面を予め又はその製造途中にシラン，シロキサン等で処理したものを使用することもできる（例えば、ゴム状のシリコーンエラストマー粒子の表面にシリコーン樹脂層（即ち、三次元網状構造のシリコーンレジン層）を形成したシリコーンゴム／レジン複合粒子など）。
【００２７】
球状シリコーンエラストマー粒子の使用量は、上記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して球状シリコーンエラストマー粒子を５〜２００重量部であり、特に１０〜１５０重量部とすることが好ましい。球状シリコーンエラストマー粒子の配合量が上記割合より少ないと、添加効果が得られず、上記割合を超えると硬化物の機械的強度が低下する。
【００２８】
本発明の（Ｄ）成分の導電性材料としては、アセチレンブラック、導電性亜鉛華、導電性酸化チタンのうち１種又は２種以上を用いる。
【００２９】
ここで、アセチレンブラックとしては、通常導電性ゴム組成物に常用されているものが使用し得る。
【００３０】
具体的には、電化アセチレンブラック（電気化学工業社製）、シャウニガンアセチレンブラック（シャウニガンケミカル社製）等が例示される。
【００３１】
なお、アセチレンブラックが不純物含有量が少ない上、発達した二次ストラクチャー構造を有することから導電性に優れており、本発明において特に好適に用いられる。
【００３２】
上記（Ｄ）成分の導電性材料の配合量は、本シリコーンゴム組成物の硬化物層表面とこの硬化物層が形成される芯金との間の抵抗を１×１０4〜１×１０8Ωとする量である。
具体的には、上記アセチレンブラックの添加量は上述した（Ａ）成分のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して０．５〜５０重量部、特に１〜２０重量部とすることが好ましい。添加量が０．５重量部未満では所望の導電性を得ることができない場合があり、５０重量部を超えると得られる硬化物層表面と芯金との間の電気抵抗が１０3Ω未満になる可能性があり、目的とする半導電領域とならないことがある。
【００３３】
また、導電性亜鉛華としては、具体的には、本荘ケミカル（株）製の導電性亜鉛華が好適に使用され、これを好ましくは３０〜３００重量部、更に好ましくは５０〜２５０重量部を添加することにより硬化物層の体積抵抗率として１０3〜１０10Ω・ｃｍ、特に１０5〜１０10Ω・ｃｍの電気抵抗を得ることができる。添加量が３０重量部より少ないと導電性を得ることができない場合があり、一方、３００重量部を超えると著しく力学特性を悪化させる場合があり、このため添加量を１００〜２５０重量部とすることが特に好ましい。
【００３４】
更に、導電性酸化チタンとしては、例えばＥＴ−５００Ｗ（石原産業（株）製）を挙げることができる。この場合、基本組成はＴｉＯ2・ＳｎＯ2にＳｂをドープしたものとすることが好ましい。なお、添加量は上述した導電性亜鉛華の添加量と同様である。
【００３５】
（Ｅ）成分の付加反応触媒としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒等の白金族金属系触媒が挙げられる。なお、この付加反応触媒の配合量は触媒量であり、通常、金属分として（Ａ）及び（Ｂ）成分の合計に対し０．５〜１，０００ｐｐｍ、特に１〜５００ｐｐｍ程度配合することが好ましい。
【００３６】
上記シリコーンゴム組成物には、必要に応じてシリカヒドロゲル（含水けい酸）、シリカエアロゲル（無水けい酸−煙霧質シリカ）等の補強性シリカ充填剤、クレイ、炭酸カルシウム、ケイソウ土等の充填剤、低分子シロキサンエステル、シラノール、例えばジフェニルシランジオール等の分散剤、酸化セリウム等の耐熱性向上剤、接着性や成形加工性を向上させるための各種カーボンファンクショナルシラン、難燃性を付与させるハロゲン化合物を添加混合してもよい。
【００３７】
本発明の液状シリコーンゴム組成物を硬化させてなるシリコーンゴム層としては、体積抵抗率が通常、１×１０3〜１×１０11Ω・ｃｍ、好ましくは１×１０3〜１×１０10Ω・ｃｍ、より好ましくは１×１０4〜１×１０8Ω・ｃｍ程度の半導電領域の電気抵抗を有するものであることが、前記した芯金と硬化物層表面との間の所定の抵抗を有する半導電ロールを得る点で望ましい。
【００３８】
本発明の液状シリコーンゴム組成物は、成形性、作業性等の観点から２５℃での粘度が１００〜１００，０００ポイズ（１０〜１０，０００Ｐａ・ｓ）、特に２００〜５０，０００ポイズ（２０〜５，０００Ｐａ・ｓ）の範囲であることが好ましい。１００ポイズ未満では半導電ロールとして必要なゴム弾性や強度が得られない場合があり、粘度が高すぎると、組成物の粘度が高いため、成形時に芯金の変形等の成形トラブルが発生する恐れがある上、成形条件を一定にするのが難しく、半導電領域で安定した電気抵抗率が得られない。
【００３９】
本発明の半導電ロールは、芯金に上記シリコーンゴム組成物の半導電性硬化物層（シリコーンゴム層）を形成するものであるが、この場合、芯金の材質、寸法等はロールの種類に応じて適宜選定し得る。また、シリコーンゴム組成物の成形、硬化法も適宜選定し得、例えば注入成形、移送成形、射出成形、コーティング等の方法によって成形でき、加熱により硬化される。
【００４０】
また、本発明の半導電ロールは、シリコーンゴム層の外周に更にフッ素樹脂層を設けてもよい。この場合、フッ素系樹脂層は、フッ素系樹脂コーティング材やフッ素系樹脂チューブ等により形成され、上記シリコーンゴム層を被覆する。
【００４１】
ここでフッ素系樹脂コーティング材としては、例えばポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）のラテックスや、ダイエルラテックス（ダイキン工業社製、フッ素系ラテックス）等が挙げられる。また、フッ素系樹脂チューブとしては、市販品を使用し得、例えばポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体樹脂（ＰＦＡ）、フッ化エチレン−ポリプロピレン共重合体樹脂（ＦＥＰ）、ポリフッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル樹脂等が挙げられるが、これらのうちで特にＰＦＡが好ましい。
【００４２】
なお、この半導電性硬化物層（シリコーンゴム層）は、通常０．２〜１００ｍｍ、特に０．５〜５０ｍｍの厚さに形成され、その表面と芯金との抵抗が１×１０4〜１×１０8Ωであることが有効であり、本発明のシリコーンゴム層は上記抵抗値の範囲において、電気抵抗のバラツキが２桁以内であるため、特に現像装置における帯電ロール、転写ロール、又は現像ロールの半導電層として好適である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導電ロールは、半導電領域での電気抵抗率が成形条件によって左右されず、かつバラツキが極めて少なく安定していると共に、成形時に芯金の変形等の成形トラブルを引き起こさず、成形性、加硫特性及びゴム弾性に優れたものである。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例と比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。なお、以下の例において部は重量部を示す。
【００４５】
［実施例１、比較例１］
両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン（重合度５００）１００部、比表面積が１１０ｍ2／ｇである疎水化処理されたヒュームドシリカ（日本アエロジル社製Ｒ−９７２）と球状シリコーンエラストマー粒子ＫＭＰ５９４（粒子径３〜１０μｍ、信越化学工業社製）、及びアセチレンブラック（デンカブラックＨＳ−１００、電気化学工業（株）製）を表１に示す量プラネタリーミキサーに入れ、３０分撹拌を続けた後、更に架橋剤として両末端及び側鎖にＳｉ−Ｈ基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサン（重合度１７、Ｓｉ−Ｈ基量０．００６０ｍｏｌ／ｇ）を１．７部、反応制御剤としてエチニルシクロヘキサノール０．０５部、白金触媒（Ｐｔ濃度１％）０．１部を添加し、１５分撹拌を続けてシリコーンゴム組成物を得た。
【００４６】
次に、直径１０ｍｍ×長さ３００ｍｍのアルミニウムシャフトの表面に付加反応型液状シリコーンゴム用プライマーＮｏ．１０１Ａ／Ｂ（信越化学工業社製）を塗布し、このアルミシャフトを金型内に固定し、上記シリコーンゴム組成物を金型内に１０ｋｇ／ｃｍ2で充填し、１５０℃で３０分加熱硬化し、更に１８０℃で２時間ポストキュアし、直径２０ｍｍのシリコーンゴムロールを得た。成形時にアルミシャフトの変形等のトラブルは起こらず、また、得られたロールの面精度は十分高く、そのまま実際の使用に供することができた。このロールの硬さ及び電気特性を測定した結果を表１に示す。
【００４７】
電気特性は、図１に示すような幅７ｍｍの電極３にロール１を接触させ、電極３とロール芯金２との間の抵抗を測定した。測定は軸方向に対して２０点実施し、そのバラツキを評価した。測定電圧は１００Ｖ、抵抗値測定器４は（株）アドバンテストデジタル超高抵抗計Ｒ８３４０を用いた。
【００４８】
［実施例２，３、比較例２］
両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン（重合度５００）１００部、比表面積が１１０ｍ2／ｇである疎水化処理されたヒュームドシリカ（日本アエロジル社製Ｒ−９７２）と球状シリコーンエラストマー粒子ＫＭＰ５９４（粒子径３〜１０μｍ、信越化学工業社製）、及び導電性亜鉛華（本荘ケミカル（株）製）又は白色導電性酸化チタンＥＴ−５００Ｗ（石原産業（株）製）を表１に示す量プラネタリーミキサーに入れ、３０分撹拌を続けた後、更に架橋剤として両末端及び側鎖にＳｉ−Ｈ基を有するメチルハイドロジェンポリシロキサン（重合度１７、Ｓｉ−Ｈ基量０．００６０ｍｏｌ／ｇ）を１．７部、反応制御剤としてエチニルシクロヘキサノール０．０５部、白金触媒（Ｐｔ濃度１％）０．１部を添加し、１５分撹拌を続けてシリコーンゴム組成物を得た。
【００４９】
次に、直径１０ｍｍ×長さ３００ｍｍのアルミニウムシャフトの表面に付加反応型液状シリコーンゴム用プライマーＮｏ．１０１Ａ／Ｂ（信越化学工業社製）を塗布し、内面をプライマー処理した厚さ５０μｍのＰＦＡチューブとアルミシャフトとの間にこのシリコーンゴム組成物を金型内に５ｋｇ／ｃｍ2で充填し、１５０℃で３０分加熱硬化し、更に１８０℃で２時間ポストキュアし、外径２０ｍｍ×長さ２５０ｍｍのＰＦＡ樹脂被覆シリコーンゴムロールを得た。成形時にアルミシャフトの変形等のトラブルは起こらず、また、得られたロールの面精度は十分高く、そのまま実際の使用に供することができた。このロールの硬さ及び電気特性を実施例１と同様の方法で測定した結果を表１に示す。
【００５０】
［比較例３］
ジメチルシロキサン単位９９．８５モル％とメチルビニルシロキサン単位０．１５モル％とからなる平均重合度が約８，０００の室温で流動性のない生ゴム状のメチルビニルポリシロキサン１００部、比表面積が１１０ｍ2／ｇである疎水化処理されたヒュームドシリカ（日本アエロジル社製Ｒ−９７２）と球状シリコーンエラストマー粒子ＫＭＰ５９４（粒子径３〜１０μｍ、信越化学工業社製）、及びアセチレンブラック（デンカブラックＨＳ−１００、電気化学工業（株）製）を表１に示す量プラネタリーミキサーに入れ、３０分撹拌を続けた後、更に有機過酸化物である２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンを添加し、１５分撹拌を続けてシリコーンゴム組成物を得た。
【００５１】
次に、直径１０ｍｍ×長さ３００ｍｍのアルミニウムシャフトの表面に過酸化物硬化型シリコーンゴム用プライマーＮｏ．１８Ｂ（信越化学工業社製）を塗布し、このアルミシャフトを金型内に固定し、上記シリコーンゴム組成物を金型内に８０ｋｇ／ｃｍ2で充填し、１８０℃で３０分加熱硬化し、更に１８０℃で２時間ポストキュアし、直径２０ｍｍのシリコーンゴムロールを得たが、組成物粘度が高く、成形時にアルミシャフトが変形するトラブルがしばしば発生した。また、得られたロールは面精度が低く（面が粗く）、実際の使用には表面を研磨する必要があった。得られたロールの硬さ及び電気特性を実施例１と同様の方法で測定した結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
0004920147.tif 000002
表１に示す結果より、球状シリコーンエラストマー粒子を配合したもの（実施例１〜３）は、該エラストマー粒子を配合しないものや少量配合したもの（比較例１，２）に比べて、半導電領域においてより安定した電気抵抗値を示し、そのバラツキが１桁程度であることが確認された。また、ミラブルゴム（流動性のない生ゴム状のメチルビニルポリシロキサン）を用いた時（比較例３）と比較して、成形性に優れ、かつロールとしての性能も優れるものであった。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導電ロールの電気特性を測定するために用いられた装置の概略図である。
【符号の説明】
１  ロール
２  芯金
３  電極
４  抵抗値測定器
【図１】
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