(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられ、青色に発光する第１の青色発光層と、
前記陰極と前記第１の青色発光層との間に設けられ、前記第１の青色発光層とは異なる材料で構成され、青色に発光する第２の青色発光層と、
前記陽極と前記第１の青色発光層との間に設けられ、赤色に発光する赤色発光層と、
前記陰極と前記第２の青色発光層との間に設けられ、緑色に発光する緑色発光層とを有し、
前記第１の青色発光層は、フルオランテン誘導体を含む電子を捕捉する機能を有する発光材料と、前記電子を捕捉する機能を有する発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成されているものであり、
前記第２の青色発光層は、ジスチリルジアミン誘導体を含む正孔を捕捉する機能を有する発光材料と、前記正孔を捕捉する機能を有する発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成されているものであることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１の青色発光層のホスト材料は、正孔を輸送する機能を有する化合物を含み、
前記第２の青色発光層のホスト材料は、電子を輸送する機能を有する化合物を含むものである請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の青色発光層と前記第２の青色発光層とは接合している請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記赤色発光層および前記緑色発光層は、それぞれ、発光材料と前記発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成され、
前記第１の青色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記赤色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップよりも大きいものであり、
前記第２の青色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記緑色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップよりも大きいものである請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記緑色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記赤色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップ以上である請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記赤色発光層および前記緑色発光層のホスト材料は、それぞれ、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体および(トリス(８−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム)錯体から選択される少なくとも一種以上を含むものである請求項４または５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記フルオランテン誘導体は、２量体を含む請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１の青色発光層のホスト材料は、アミン構造を有する化合物を含むものである請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記アミンを構造に有する化合物は、テトラアリールベンジジン誘導体である請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１の青色発光層のホスト材料における前記アミン構造を有する化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項８または９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２の青色発光層のホスト材料は、アントラセン誘導体を含むものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第２の青色発光層のホスト材料における前記アントラセン誘導体の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光性有機層（有機エレクトロルミネッセンス層）が、陰極と陽極との間に設けられた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、無機ＥＬ素子に比べて印加電圧を大幅に低下させることができ、多彩な発光色の素子が作製可能である。
また、有機ＥＬ素子は、低消費電力で駆動することができるため、当該有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置が検討されている。また、このような発光素子を用いた画像表示装置をフルカラー化する構成の一つに、白色発光する有機ＥＬ素子と、青、緑、または赤の波長領域の光のみを透過させる各カラーフィルタを組み合わせた構成がある。また、白色発光する発光素子としては、陽極側から青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順次積層した３波長の発光成分を有する構成のものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、このような発光素子は、以下のような問題を有していた。すなわち、このような発光素子は、発光層毎の発光効率が十分に高いものではなかった。このため、このような発光素子は、十分に高い輝度の光を発することが難しいものであった。また、各発光層の発光効率が十分に高くない場合、発光に用いられなかった電子および正孔が発光素子の各部材を劣化させ、発光素子の発光寿命（寿命）が短いものとなってしまう問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３８８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子、かかる発光素子を備えた信頼性の高い発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられ、青色に発光する第１の青色発光層と、
前記陰極と前記第１の青色発光層との間に設けられ、前記第１の青色発光層とは異なる材料で構成され、青色に発光する第２の青色発光層と、
前記陽極と前記第１の青色発光層との間に設けられ、赤色に発光する赤色発光層と、
前記陰極と前記第２の青色発光層との間に設けられ、緑色に発光する緑色発光層とを有し、
前記第１の青色発光層は、フルオランテン誘導体を含む電子を捕捉する機能を有する発光材料と、前記電子を捕捉する機能を有する発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成されているものであり、
前記第２の青色発光層は、ジスチリルジアミン誘導体を含む正孔を捕捉する機能を有する発光材料と、前記正孔を捕捉する機能を有する発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成されているものであることを特徴とする。
これにより、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子を提供することができる。
また、前記第１の青色発光層および前記第２の青色発光層は、それぞれ、発光材料と、前記発光材料を担持するホスト材料を含んで構成されていることにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
また、前記第１の青色発光層の発光材料は、電子を捕捉する機能を有し、前記第２の青色発光層の発光材料は、正孔を捕捉する機能を有するものであることにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
また、前記第１の青色発光層の発光材料は、フルオランテン（ダイマー構造を含む）誘導体を含むものであることにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
さらに、前記第２の青色発光層の発光材料は、ジスチリルジアミン誘導体を含むものであることにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
【０００８】
本発明の発光素子では、前記第１の青色発光層のホスト材料は、正孔を輸送する機能を有する化合物を含み、
前記第２の青色発光層のホスト材料は、電子を輸送する機能を有する化合物を含むものであることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子では、前記第１の青色発光層と前記第２の青色発光層とは接合していることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
【０００９】
本発明の発光素子では、前記赤色発光層および前記緑色発光層は、それぞれ、発光材料と前記発光材料を担持するホスト材料とを含んで構成され、
前記第１の青色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記赤色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップよりも大きいものであり、
前記第２の青色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記緑色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップよりも大きいものであることが好ましい。
これにより、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子を提供することができる。
【００１０】
本発明の発光素子では、前記緑色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップは、前記赤色発光層のホスト材料の最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道との間のエネルギーギャップ以上であることが好ましい。
これにより、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子では、前記赤色発光層および前記緑色発光層のホスト材料は、それぞれ、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体および(トリス(８−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム)錯体から選択される少なくとも一種以上を含むものであることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
【００１１】
本発明の発光素子では、前記フルオランテン誘導体は、２量体を含むことが好ましい。
【００１２】
本発明の発光素子では、前記第１の青色発光層のホスト材料は、アミン構造を有する化合物を含むものであることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子では、前記アミンを構造に有する化合物は、テトラアリールベンジジン誘導体であることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
【００１３】
本発明の発光素子では、前記第１の青色発光層のホスト材料における前記アミン構造を有する化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子では、前記第２の青色発光層のホスト材料は、アントラセン誘導体を含むものであることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子では、前記第２の青色発光層のホスト材料における前記アントラセン誘導体の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。
これにより、発光の輝度が特に高い発光素子を提供することができる。
【００１４】
本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子を備えた信頼性の高い発光装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、発光の輝度が高く、発光寿命の長い発光素子を備えた信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、本発明において、赤色光は５８０ｎｍ以上の波長で極大発光波長を有する光であり、緑色光は４９０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長で極大発光波長を有する光であり、青色光は４８０ｎｍ以下の波長で極大発光波長を有する光である。
＜発光素子＞
まず、本発明の発光素子の第１実施形態について説明する。
【００１６】
図１は、本発明の発光素子の第１実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
図１に示す発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）１は、基板２上に設けられた陽極３と、陰極９と、陽極３と陰極９との間に、陽極３側から順に、正孔注入層４と、正孔輸送層５と、複数色の発光層からなる発光部６と、電子輸送層７と、電子注入層８とを積層してなる積層体１５とを有し、その全体がシール材１１を介して封止部材１０で封止され、発光素子１が封止部材１０側から取り出すトップエミッション型の発光素子である。
【００１７】
基板２は、発光素子１（以下、単に「発光素子１」と言う。）の支持体となるものである。発光素子１は、封止部材１０側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２および陽極３は、それぞれ、透光性を要求されない。
このような基板２の構成材料としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
また、基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、発光素子１が基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）の場合、基板２には、上述したようなもののうち、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）なものが選択される。
【００１９】
陽極３は、後述する正孔注入層４に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、Ａｕ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００２０】
一方、陰極９は、後述する電子注入層８に電子を注入する電極である。この陰極９の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極９の構成材料としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのような金属またはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００２１】
特に、陰極９の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極９の構成材料として用いることにより、陰極９の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極９の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態のように、トップエミッション型の場合、陰極９は、仕事関数の小さい材料、またはこれらを含む合金を５〜２０ｎｍ程度とし、透過性を持たせ、さらにその上面にＩＴＯ等の透過性の高い導電材料を１００〜５００ｎｍ程度の厚さで形成する積層体で構成することもできる。
【００２２】
陽極３上には、本実施形態では、正孔注入層４が設けられている。この正孔注入層４は、陽極３と陰極９との間で電圧が印加された際に、陽極３より正孔を受け取る機能を有するものである。また、正孔注入層４は、陽極３から受け取った正孔を正孔輸送層５に注入する機能を有している。
正孔注入層４の構成材料としては、銅フタロシアニン、フタロシアニン、芳香族ジアミン、下記化１に示すテトラアミン化合物およびそれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
【化１】
0005104164.tif 000002
【００２４】
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
正孔注入層４上には、本実施形態では、正孔輸送層５が設けられている。正孔輸送層５は、正孔注入層４から注入された正孔を、発光部６まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層５の構成材料としては、例えば、下記化２に示す化合物等のテトラアリールベンジジン系化合物、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
【化２】
0005104164.tif 000003
【００２６】
なお、この正孔注入層４および正孔輸送層５は、陽極３と発光部６とに含まれる構成材料の組み合わせが、陽極３から発光部６への正孔の注入が円滑に行われるものである場合、省略することもできる。
正孔輸送層５上には、発光部（有機発光部）６が設けられている。この発光部６には、後述する電子輸送層７から電子が、また、前記正孔輸送層５から正孔がそれぞれ供給（注入）される。そして、発光部６内では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）が放出（発光）される。
【００２７】
本発明では、この発光部６の構成に特徴を有している。この点については、後に詳述する。
発光部６上には、陰極９からの注入された電子を発光部６に輸送する電子輸送層７が設けられている。このような電子輸送層７を有することで、発光部６に効率よく電子を輸送することができる。
【００２８】
電子輸送層７の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
電子輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、電子輸送層７の耐久性や機械的強度が低下することや、成膜時間が不要に長くなるのを防止しつつ、電子輸送層７の低抵抗化を図り、発光素子１（表示装置１００）の高速応答を実現することができる。
【００３０】
電子輸送層７上には、陰極９からの電子注入効率を向上させる機能を有する電子注入層８が設けられている。
この電子注入層８の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。かかる構成材料で電子注入層８を構成することにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることや、耐久性の向上を図ることができる。
【００３１】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層８を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。
【００３２】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。
【００３３】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．１〜１０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、電子注入層８の機械的強度が低下することや、成膜時間が不要に長くなるのを防止しつつ、電子注入層８の低抵抗化を図り、発光素子１（表示装置１００）の高速応答を実現することができる。
【００３４】
封止部材１０は、発光素子１（陽極３、正孔注入層４、正孔輸送層５、発光部６、電子輸送層７、電子注入層８および陰極９）を覆うように、シール材１１を介して設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。
このような封止部材１０を設けることにより、発光素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
【００３５】
封止部材１０の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｂまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。
なお、封止部材１０の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、シール材１１としては、絶縁性に優れるものを用いるのが好ましい。
このようなシール材１１としては、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものを好適に用いることができる。
【００３６】
次に、正孔輸送層５と電子輸送層７との間に設けられた発光部６の構成について説明する。
発光部６は、４層の発光層からなるものであり、赤色に発光する赤色発光層６１と、青色に発光する第１の青色発光層６２と、青色に発光する第２の青色発光層６３と、緑色に発光する緑色発光層６４とを有している。また、発光部６は、このような４層の発光層を有することにより、白色光を発するものである。
【００３７】
このように、本発明の発光素子１は、発光部６に４層の発光層を有しており、青色の発光層を２層有することに特徴を有する。一般に、有機ＥＬ素子の発光は、発光層の界面によって起こる確率が高い。このため、発光層の数を従来よりも多くすることで、発光層の界面の面積を大きくすることができ、発光素子１は、発光効率に優れたもとなる。すなわち、発光素子１は、輝度の高い光を発することができる。
【００３８】
また、本発明では、青色の発光層を２層有するものである。従来、青色の発光層による発光は、発光効率が低いものであった。このため、従来の発光素子は、白色の光を得るために、青色の発光強度にあわせて、他の発光層の発光強度を調整する必要があり、発光素子全体としての発光効率が優れたものとはならなかった。しかしながら、本発明では、このように青色の発光層を２層有することにより、青色の発光強度を高いものとし、他の色の発光強度も高いものとすることができる。結果として、発光素子１全体としての発光効率を優れたものとすることができる。
【００３９】
また、一般に、青色の発光層は、正孔および電子が注入されづらい。このため、例えば、青色の発光層を陽極に近い部位に設けた場合、青色の発光層の部分で大量の正孔が止められてしまい、他の各発光層に十分な正孔が供給されないものとなる。また、例えば、青色の発光層を陰極に近い部位に設けた場合も同様に、他の発光層に十分な電子が供給されないものとなる。すなわち、以上のような場合、各発光層間における正孔および電子の量に大きく偏りができてしまう。この結果、各発光層は、バランスよく発光できず、発光素子１全体としての発光効率を低いものとしてしまう。
【００４０】
しかしながら、本発明において、第１の青色発光層６２および第２の青色発光層６３は、赤色発光層６１と緑色発光層６４との間に設けられている。すなわち、第１の青色発光層６２および第２の青色発光層６３は、発光部６のほぼ中央に設けられている。これにより、各発光層にある電子および正孔の量を、各発光層間でより均一なものとすることができる。この結果、各発光層は、十分な量の電子および正孔が供給され、発光強度が高いものとなる。
【００４１】
また、発光素子の発光効率が優れていない場合、一般に、陽極３や陰極９から注入された正孔や電子の多くが発光部６を通り抜けてしまう。このように、発光部６を通り抜けた電子は、例えば、正孔注入層４等の構成材料を還元し、劣化させてしまう。一方で、発光部６を通り抜けた正孔は、陰極９側で電子と結合して発熱し、陰極９と電子注入層８とが、または電子注入層８と電子輸送層７とが剥離する原因となる。
【００４２】
しかしながら、本発明の発光素子１は、発光効率に優れ、発光部６内で大部分の電子、正孔が消費されることにより、正孔、電子が発光部６を通過することを防止することができる。このため、上述したような正孔注入層４等の劣化、各層間での剥離を防ぐことができ、発光素子１の長期にわたって効率よく発光できるものとなる。すなわち、発光素子１は、発光寿命が長いものとなる。
【００４３】
以下、発光部６を構成する各発光層について詳細に説明する。
（赤色発光層）
発光部６の最も陽極３側には、赤色に発光する赤色発光層６１が設けられている。
赤色発光層６１は、赤色に発光する赤色発光材料を含むものである。
赤色発光層６１に用いることのできる赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４４】
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等が挙げられる。
【００４５】
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００４６】
上述した中でも、赤色発光材料は、ペリレン誘導体を含むことが好ましい。ペリレン誘導体は、特に発光効率の高い発光材料である。また、ペリレン誘導体は、電子を捕獲する機能が特に優れたものである。このため、陰極９側から注入された電子は、発光部６の最も陽極３側にある赤色発光層６１において確実に捕獲されることができ、発光部６を通過することを確実に防止することができる。このため、電子が正孔注入層４や正孔輸送層５の構成材料を還元して劣化させることを確実に防止することができる。
赤色発光材料は、ペリレン誘導体のなかでも、ジベンゾジインデノペリレンおよびその誘導体を含むことが好ましい。ジベンゾジインデノペリレンおよびその誘導体としては、具体的には、例えば下記化３のような化合物が挙げられる。
【００４７】
【化３】
0005104164.tif 000004
【００４８】
また、赤色発光層６１の構成材料としては、前述したような赤色発光材料をゲスト材料とし、これに加えて、ゲスト材料を担持するホスト材料を用いることができる。この場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。
【００４９】
このようなホスト材料としては、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記化４に示すビスｐ−ビフェニリルナフタセン等のナフタセン誘導体、下記化５に示すビス−オルト−ビフェニリルペリレン等のペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５０】
【化４】
0005104164.tif 000005
【００５１】
【化５】
0005104164.tif 000006
【００５２】
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、ホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ）、ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム等のキノリノラト系金属錯体、Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、４，４’，４’’−トリス（９−カルバゾリル）トリフェニルアミン、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２，２’−ジメチルビフェニル等のカルバリゾル基含有化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５３】
上述した中でも、赤色発光層６１は、ホスト材料として、キノリノラト系金属錯体、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体から選択される少なくとも１種以上を含むことが好ましく、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、前記式４に示すナフタセン誘導体、前記式５に示すペリレン誘導体から選択される少なくとも１種以上を含むことがより好ましい。このような材料は、赤色発光材料を効率よく励起させることができ赤色発光層６１の発光効率を特に優れたものとすることができる。
【００５４】
また、赤色発光層６１が発光材料に加えてホスト材料を含む場合、赤色発光層６１中における赤色発光材料の含有率（ドープ量）は、０．０１〜２０ｗｔ％であることが好ましく、０．１〜１０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、赤色発光層６１は、発光素子１に一定量の電流を流した際に、発光量を十分に大きいものとしつつ、第１の発光層６２へ特に効率よく正孔を輸送することができる。
【００５５】
このような赤色発光層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｎｍであるのが好ましく、１〜１５ｎｍであるのがより好ましい。
【００５６】
（第１の青色発光層）
赤色発光層６１上には、青色に発光する第１の青色発光層６２が設けられている。
第１の青色発光層６２は、青色に発光する青色発光材料を含む。
第１の青色発光層６２に用いることのできる青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５７】
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリル誘導体、ジスチリルジアミン誘導体、フルオランテン（２量体を含む）誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５８】
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。
【００５９】
この中でも、青色発光材料は、電子を捕獲する機能を有することが好ましい。このように、青色発光材料が電子を捕獲し、発光することにより、第１の青色発光層６２は、正孔を輸送しつつ、効率よく発光することができる。
このような青色発光材料としては、例えば、フルオランテン誘導体が挙げられる。フルオランテン（２量体を含む）誘導体は、電子を捕獲する機能に優れるものであり、第２の青色発光層６２は、フルオランテン誘導体を含むことにより、特に効率よく発光することができる。このようなフルオランテン誘導体でも、ジフェニルベンゾフルオランテン誘導体であることが好ましく、下記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体であることがより好ましく、上述したような効果を顕著に得ることができる。
【００６０】
【化６】
0005104164.tif 000007
【００６１】
また、このような青色発光材料としてアントラセン誘導体を用いてもよい。アントラセン誘導体は、青色に発光することのできる材料であると共に、電子を輸送する機能に優れる材料であり、第１の青色発光層６２は、アントラセン誘導体を含むことにより、電子を赤色発光層６１へ特に効率よく輸送することができる。このようなアントラセン誘導体でも、下記化７に示すアントラセン誘導体であることがより好ましく、上述したような効果を顕著に得ることができる。
【００６２】
【化７】
0005104164.tif 000008
【００６３】
また、第１の青色発光層６２の構成材料としては、前述したような青色発光材料をゲスト材料とし、これに加えて、青色発光材料を担持するホスト材料を用いることができる。
また、第１の青色発光層６２に用いるホスト材料は、正孔を輸送する機能を有することが好ましく、第２の青色発光層６３に用いるホスト材料よりも正孔を輸送する機能が優れていることがより好ましい。これにより、より陰極９側にある第２の青色発光層６３および緑色発光層６４に正孔を効率よく供給することができ、第２の青色発光層６３および緑色発光層の発光量を大きなものとすることができる。
【００６４】
また、特に、第１の青色発光層６２のホスト材料が正孔を輸送する機能を有し、第２の青色発光層６３の発光材料が正孔を捕捉する機能を有する場合、第２の青色発光層６３は、特に発光量が大きなものとなる。
また、第１の青色発光層６２のホスト材料のバンドギャップは、赤色発光層６１のホスト材料のバンドギャップよりも大きいことが好ましい。これにより、赤色発光層６１へ供給される電子の量および第１の青色発光層６２へ供給される正孔の量をより容易に調節することができる。この結果、各発光層にある正孔および電子の量を、各発光層間でより均一にすることができ、各発光層間での発光量のバランスをより容易にとることができる。すなわち、発光素子１は、より白色に近い光を特に効率よく放出することができ、また、発光効率が特に優れたものとなる。また、発光素子１は、発光寿命が特に長いものとなる。
【００６５】
なお、本明細書において、バンドギャップとは、化合物の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）との間のエネルギーギャップのことを指す。
このようなホスト材料としては、特に限定されないが、青色発光材料が青色蛍光材料を含む場合、例えば、アミン化合物、ジスチリルアリーレン誘導体、スチルベン誘導体、カルバゾール誘導体、アリールアミン誘導体、アントラセン（２量体を含む）誘導体、ピレン誘導体、コロネン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）等を挙げることができる。
また、青色発光材料が青色燐光材料を含む場合、例えば、上述した赤色発光層６１の赤色燐光材料に対応するホスト材料を用いることができる。
【００６６】
第１の青色発光層６２のホスト材料は、特に限定されないが、正孔を輸送する機能を有する化合物を含むことが好ましい。このよう化合物としては、アミン構造を有する化合物（アミン化合物）を用いることがより好ましく、テトラアリールベンジジン系化合物を含むことがさらに好ましい。このようなアミン構造を有する化合物としては、例えば、下記化８に示すベンジジン系化合物が挙げられる。上述したような化合物は、正孔を輸送する機能が特に優れている。このため、第１の発光層６２は、より陰極９側にある第２の青色発光層６３および緑色発光層６４に正孔を効率よく供給することができ、第２の青色発光層６３および緑色発光層６４の発光量を大きなものとすることができ、各発光層の発光量のバランスを特に容易にとることができる。
【００６７】
【化８】
0005104164.tif 000009
【００６８】
また、第１の青色発光層６２におけるホスト材料中のアミンを構造に有する化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上であることが好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、第１の青色発光層６２は、特に効率よく正孔を輸送することができ、第２青色発光層６３および緑色発光層６４の発光量を特に大きいものとすることができる。
また、第１の青色発光層６２のホスト材料は、電子を輸送する機能を有する化合物を含んでいてもよい。これにより、より陽極３側にある赤色発光層６１に効率よく電子を供給することができ、赤色発光層６１の発光量を大きなものとすることができ、各発光層の発光量のバランスを特に容易にとることができる。
【００６９】
このようなホスト材料としては、例えば、アントラセン誘導体を用いることができ、具体的には、前記化７に示すアントラセン誘導体を用いることが好ましい。これにより、上述したような効果をより顕著に得ることができる。また、このアントラセン誘導体は、発光材料としても機能することができ、このようなアントラセン誘導体をホスト材料として含む発光層は、特に発光しやすいものとなる。
【００７０】
また、このような場合、第１の青色発光層６２のホスト材料における前記アントラセン誘導体の含有量は、１０〜５０ｗｔ％であることが好ましく、２０〜５０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、第１の青色発光層６２は、特に効率よく電子を輸送することができ、赤色発光層６１の発光量を特に大きいものとすることができる。
【００７１】
また、第１の青色発光層６２が発光材料に加えてホスト材料を含む場合、第１の青色発光層６２中における青色発光材料の含有率（ドープ量）は、１〜２０ｗｔ％であることが好ましく、２〜１５ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、第１の青色発光層６２の発光量をより大きいものとすることができる。
また、第１の青色発光層６２の平均厚さは、０．１〜５０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであることがより好ましい。これにより、正孔および電子をそれぞれ第２の青色発光層６３および赤色発光層６１へ特に効率よく輸送しつつ、発光素子１の駆動電圧を比較的低いものとすることができる。
【００７２】
（第２の青色発光層）
第１の青色発光層６２上には、第２の青色発光層とは異なる材料で構成された青色に発光する第２の青色発光層６３が設けられている。
第２の青色発光層６３は、青色に発光する青色発光材料を含む。
また、本実施形態において、第１の青色発光層６２と第２の青色発光層６３とは接合している。これにより、第１の青色発光層６２と第２の青色発光層６３とは、特に発光量が大きなものとなる。これは、以下のように考えられる。通常、青色の発光には比較的大きなエネルギーが必要とされる。このため、青色の発光層で生じた励起子のエネルギーは、比較的大きい必要があった。このような励起子のエネルギーは、他の層に移動しやすいものであり、効率よく青色の発光材料に供給されにくいものであった。しかしながら、本実施形態では、第１の青色発光層６２と第２の青色発光層６３とを接合させることにより、各青色の発光層で生じた励起子のエネルギーをより容易にこれらの青色の発光材料に与えることができ、青色の発光のエネルギーとして効率よく利用することができる。この結果、第１の青色発光層６２および第２の青色発光層６３の発光量は特に大きなものとなる。
【００７３】
第２の青色発光層６３の青色発光材料としては、特に限定されず、例えば上述したような各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
この中でも、青色発光材料は、正孔を捕獲する機能を有することが好ましい。これにより、第２の青色発光層６３は、主に、第１の青色発光層６２との界面付近で正孔と電子とが再結合し、励起子を生成することができる。このため、第２の青色発光層６３で生じた励起子のエネルギーをより効率よく青色の発光のエネルギーとして用いることができる。
【００７４】
このような青色発光材料としてはジスチリルジアミン誘導体が挙げられる。ジスチリルジアミン誘導体は、正孔を捕獲する機能に優れるものであり、第２の青色発光層６３は、ジスチリルジアミン誘導体を含むことにより、特に効率よく発光することができる。このようなジスチリルジアミン誘導体でも、下記化９に示すジスチリルジアミン誘導体であることが好ましく上述したような効果を顕著に得ることができる。
【００７５】
【化９】
0005104164.tif 000010
【００７６】
また、第２の青色発光層６３の構成材料としては、前述したような青色発光材料をゲスト材料とし、これに加えて、青色発光材料を担持するホスト材料を用いることができる。
このようなホスト材料としては、特に限定されず、前述の第１の青色発光層６２に用いることのできる化合物を１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、第２の青色発光層６３に用いるホスト材料は、電子を輸送する機能を有することが好ましく、第１の青色発光層６２のホスト材料よりも電子を輸送する機能に優れることがより好ましい。これにより、第１の青色発光層６２に電子を効率よく輸送することができ、第１の青色発光層６２をより容易に発光させることができる。また、前述した赤色発光層６１へもより多くの電子を輸送することができるため、この結果、発光素子１全体としての発光効率が優れたものとなる。
【００７７】
また、特に、第２の青色発光層６３のホスト材料が電子を輸送する機能を有し、第１の青色発光層６２の発光材料が電子を捕捉する機能を有する場合、第１の青色発光層６２は、特に発光量が大きなものとなる。
また、第２の青色発光層６３のホスト材料のバンドギャップは、後述する緑色発光層６４のホスト材料のバンドギャップよりも大きいことが好ましい。これにより、緑色発光層６４へ供給される正孔の量および第２の青色発光層６３へ供給される電子の量をより容易に調節することができる。この結果、各発光層にある正孔および電子の量を、各発光層間でより容易に均一にすることができ、各発光層間での発光量のバランスをより容易にとることができる。すなわち、発光素子１は、より白色に近い光を特に効率よく放出することができ、また、発光効率が特に優れたものとなる。
【００７８】
第２の青色発光層６３のホスト材料は、特に限定されないが、電子を輸送する機能を有する化合物を含むことが好ましい。このような化合物としては、例えば、アントラセン誘導体を用いることができ、具体的には、前記式８に示すアントラセン誘導体を用いることが好ましい。これにより、上述したような効果をより顕著に得ることができる。上述したような化合物は、正孔を輸送する機能が特に優れている。これにより、第１の青色発光層６２に電子を効率よく輸送することができ、第１の青色発光層６２をより容易に発光させることができる。
【００７９】
また、ホスト材料がアントラセン誘導体を含む場合、第２の青色発光層６３中のホスト材料におけるアントラセン誘導体の含有量は５０ｗｔ％以上であることが好ましく、６０ｗｔ％以上であることが好ましい。これにより、第１の青色発光層６２に電子を特に効率よく輸送することができ、第１の青色発光層６２の発光量を十分に大きなものとすることができる。
【００８０】
また、第２の青色発光層６３が発光材料に加えてホスト材料を含む場合、第２の青色発光層６３中における青色発光材料の含有率（ドープ量）は、１〜２０ｗｔ％であることが好ましく、２〜１５ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、第２の青色発光層６３の発光料をより大きいものとすることができる。また、発光材料として正孔を捕獲する機能を有する発光材料を用いた場合、第２の青色発光層６３で確実に正孔を捕獲しつつ、電子を第１の青色発光層６２へ特に効率よく輸送することができる。
【００８１】
また、第２の青色発光層６３の平均厚さは、１〜５０ｎｍであることが好ましく、５〜２５ｎｍであることがより好ましい。これにより、発光素子１の駆動電圧を低くすることができる。また、電子および正孔を特に効率よく通過させつつ、第２の青色発光層６３の発光量を十分に大きなものとすることができる。
また、青色の発光層の合計の平均厚さ（本実施形態では、第１の青色発光層６２と第２の青色発光層６３との合計の平均厚さ）は、３〜５０ｎｍであることが好ましく、１０〜４０ｎｍであることがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、第１の青色発光層６２および第２の青色発光層６３の発光量を十分に大きいものとしつつ、十分な量の正孔および電子を他の発光層に輸送することができる。
【００８２】
（緑色発光層）
第２の青色発光層６３上には、緑色に発光する緑色発光層６４が設けられている。
緑色発光層６４は、緑色に発光する緑色発光材料を含むものである。
緑色発光層６４に用いることのできる緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００８３】
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化１０に示す化合物等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ジアリールナフタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００８４】
【化１０】
0005104164.tif 000011
【００８５】
緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。
【００８６】
また、緑色発光層６４の構成材料としては、前述したような緑色発光材料をゲスト材料とし、これに加えて、緑色発光材料を担持するホスト材料を用いることができる。
このようなホスト材料としては、用いる緑色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、上述した赤色発光層６１に用いることのできるホスト材料を用いることができる。
【００８７】
この中でも、緑色発光層６４は、ホスト材料として、キノリノラト系金属錯体、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体から選択される少なくとも１種以上を含むことが好ましく、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、前記式４に示すナフタセン誘導体、前記式５に示すペリレン誘導体から選択される少なくとも１種以上を含むことがより好ましい。このような材料は、緑色の発光材料を特に効率よく励起することができ、緑色発光層６４の発光量を十分なものとすることができる。
【００８８】
また、第１の青色発光層６２のバンドギャップが赤色発光層６１のバンドギャップよりも大きく、第２の青色発光層６３のバンドギャップが緑色発光層６４のバンドギャップよりも大きい場合、緑色発光層６４に用いられるホスト材料のバンドギャップは、赤色発光層６１に用いられるホスト材料のバンドギャップ以上であることが好ましい。これにより、各発光層間にある正孔および電子の量をより均一なものとすることができ、各発光層間での発光量のバランスをより容易にとることができる。すなわち、発光素子１は、より白色に近い光を特に効率よく放出することができる。また、発光素子１は、発光効率が特に優れたものとなるため、正孔および電子を発光部６内で消費しやすいものとなり、正孔、電子が発光部６を通過することを防止することができる。このため、上述したような正孔注入層４等の劣化、各層間での剥離を防ぐことができ、発光素子１の長期にわたって効率よく発光できるものとなる。すなわち、発光素子１は、発光寿命が特に長いものとなる。
【００８９】
また、緑色発光層６４が発光材料に加えてホスト材料を含む場合、緑色発光層６４中における緑色発光材料の含有率（ドープ量）は、１〜２０ｗｔ％であることが好ましく、２〜１５ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、緑色発光層６４は、発光量を十分に大きいものとすることができる、他の発光層に電子を特に効率よく供給することができる。
このような緑色発光層６４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜４０ｎｍであるのが好ましく、１０〜３０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、発光素子１に一定量の電流を流した際に、緑色発光層６４は、発光量を十分に大きいものとすることができる、他の発光層に電子を特に効率よく供給することができる。
【００９０】
また、発光部６の平均厚さは、５〜１００ｎｍであることが好ましく、２０〜８０ｎｍであることがより好ましい。これにより、発光素子１に印加する電圧が比較的低い場合であっても、発光素子１の発光効率を十分に高いものとすることができ、発光素子１の発光寿命を十分に長いものとすることができる。
なお、このような発光素子１は、封止部材１０側から光を取り出すトップエミッション型のものであるが、本発明の発光素子は、基板２側から光を取り出すボトムエミッション型の発光素子にも適用することができる。
【００９１】
以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］  まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００９２】
［２］  次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば真空蒸着法により形成することができる。
また、正孔注入層４は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。
【００９３】
正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
【００９４】
また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素およびまたはアルゴンプラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素およびまたはアルゴンプラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度とするのが好ましい。
【００９５】
［３］  次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
正孔輸送層５は、例えば真空蒸着法等を用いたプロセスにより形成することができる。
［４］  次に、正孔輸送層５上に、発光部６を形成する。
発光部６は、構成する各発光層（赤色発光層６１、第１の青色発光層６２、第２の青色発光層６３、緑色発光層６４）を陽極側から順に形成していくことで得られる。
各発光層は、例えば真空蒸着法等を用いたプロセスにより形成することができる。
【００９６】
［５］  次に、発光部６上に電子輸送層７を形成する。
電子輸送層７は、例えば真空蒸着等を用いたプロセスにより形成することができる。
［６］  次に、電子輸送層７上に、電子注入層８を形成する。
電子注入層８の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
【００９７】
［７］  次に、電子注入層８上に、陰極９を形成する。
陰極９は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
最後に、得られた発光素子１を覆うように、シール材１１を介在させた状態で封止部材１０を被せ、シール材１１を硬化することにより基板２に接合する。
【００９８】
このような発光素子１は、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子１をマトリックス状に配置し、配置した発光素子１上をカラーフィルタで覆うことにより、ディスプレイ装置（本発明の発光装置）を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
【００９９】
次に、本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
図２は、本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図２に示すディスプレイ装置１００は、基体（基板）２０と、この基体（基板）２０上に設けられた複数の発光素子１と、複数の発光素子１上に設けられたカラーフィルタ４０とで構成されている。
【０１００】
基体２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
回路部２２は、基板２１上に形成された、例えば酸化シリコン層からなる保護層２３と、保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、発光素子１が設けられている。また、隣接する発光素子１同士は、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２により区画されている。
【０１０１】
本実施形態では、各発光素子１の陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１の陰極９は、共通電極とされている。
そして、各発光素子１を覆うように封止部材（図示せず）が基体２０に接合され、各発光素子１が封止されている。
【０１０２】
また、発光素子１上には、封止部材およびシール材（図示せず）を介して、カラーフィルタ４０が設けられている。カラーフィルタ４０は、基板４１と、複数の隔壁４２と、複数の着色部４３とを有している。
基板４１は、光透過性を有する材料で構成されており、着色部４３および隔壁４２を担持する。
【０１０３】
また、隔壁４２は、基板４１上に設けられ、基板４１上を区画している。また、隔壁４２は、各発光素子１の発した白色光を目的とする着色部４３のみに通過させる機能を有している。また、隔壁４２は、通常黒色の材料で構成されており、発光素子１が発光していないときに、黒色を表現する。
また、着色部４３は、隔壁４２によって区画された空間に設けられており、発光素子１と対応する空間に配置されている。また、着色部４３は、発光素子１からの白色光を、それぞれ目的とする色の光に変換しつつ図中矢印の方向に放出する。各着色部４３は、例えば、白色光を赤色に変換する着色部４３Ｒ、緑色に変換する着色部４３Ｇ、青色に変換する着色部４３Ｂとすることができる。
ディスプレイ装置１００は、単色表示であってもよく、カラー表示であってもよい。
このようなディスプレイ装置１００（本発明の発光装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
【０１０４】
図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１０５】
図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１０６】
図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ(Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ)などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１０８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１１０】
なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１１１】
以上、本発明の発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の発光素子には、各層同士の間の少なくとも１つに、任意の目的の層を１層以上設けることもできる。例えば、本発明の発光素子は、上述した青色発光層に加え、１層または複数層の青色発光層をさらに有していてもよい。また、例えば、発光素子は、シアン、マゼンダ、イエロー等の上述した色以外の発光層を有するものであってもよい。
【実施例】
【０１１２】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子の製造
以下の各実施例および比較例において、発光素子を５個ずつ製造した。
（実施例１）
＜１＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１１３】
＜２＞  次に、ＩＴＯ電極上に、前記化１に示すテトラアミン化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞  次に、ＩＴＯ電極上に、前記化２に示すテトラアリールベンジジン化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜４−１＞  次に、ＩＴＯ電極上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７ｎｍの赤色発光層を形成した。赤色発光層の構成材料としては、発光材料（ドーパント）として前記化３に示すジベンゾジインデノペリレンを、ホスト材料として前記化４に示すビスｐ−ビフェニルナフタセンを用いた。また、赤色発光層中の発光材料の含有量（ドープ濃度）は、１．０ｗｔ％とした。
【０１１４】
＜４−２＞  次に、赤色発光層上に、第１の青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ８ｎｍの第１の青色発光層を形成した。第１の青色発光層の構成材料としては、発光材料（ドーパント）として前記化９に示すジスチリルジアミン誘導体を、ホスト材料として前記化８に示すベンジジン系化合物を用いた。また、第１の青色発光層中の発光材料の含有量（ドープ濃度）は、８．０ｗｔ％とした。
【０１１５】
＜４−３＞  次に、第１の青色発光層上に、第２の青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１５ｎｍの第２の青色発光層を形成した。第２の青色発光層の構成材料としては、発光材料（ドーパント）として前記化９に示すジスチリルジアミン誘導体を、ホスト材料として前記化７に示すアントラセン誘導体を用いた。また、第１の青色発光層中の発光材料の含有量（ドープ濃度）は、８．０ｗｔ％とした。
【０１１６】
＜４−４＞  次に、赤色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの緑色発光層を形成した。緑色発光層の構成材料としては、発光材料（ドーパント）として前記化１０に示すようなキナクリドン誘導体を、ホスト材料として前記化４に示すビスｐ−ビフェニルナフタセンを用いた。また、緑色発光層中の発光材料の含有量（ドープ濃度）は、５．０ｗｔ％とした。
【０１１７】
＜５＞  次に、第２の青色発光層上に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１５ｎｍの電子輸送層を形成した。
＜６＞  次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
＜７＞  次に、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着法により成膜した。これにより、Ａｌで構成される平均厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。
＜８＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子を製造した。
【０１１８】
（実施例２）
前記工程＜４−２＞において、発光材料として前記化７に示すアントラセン誘導体を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。なお、前記アントラセン誘導体は、発光材料として機能すると同時に、電子を輸送する機能に優れるものである。また、第１の青色発光層における前記化７に示すアントラセン誘導体の含有量（ドープ濃度）は８．０ｗｔ％とした。
【０１１９】
（実施例３）
前記工程＜４−２＞において、ホスト材料として前記化７に示すアントラセン誘導体および前記化８に示すベンジジン系化合物を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。また、第１の青色発光層中の前記ホスト材料中における前記化７に示すアントラセン誘導体および前記化８に示すベンジジン系化合物の含有量は、それぞれ、４５．７ｗｔ％、５４．３ｗｔ％であった。
【０１２０】
（実施例４）
前記工程＜４−２＞において、発光材料として前記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。また、第１の青色発光層中の前記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体の含有量（ドープ濃度）は、８．０ｗｔ％とした。
【０１２１】
（実施例５）
前記工程＜４−２＞において、発光材料として前記化９に示すジスチリルジアミン誘導体の代わりに前記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体を用いた以外は、前記実施例３と同様にして発光素子を製造した。また、第１の青色発光層中の前記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体の含有量（ドープ濃度）は、８．０ｗｔ％とした。
【０１２２】
（実施例６）
前記工程＜４−４＞において、ホスト材料として前記化５に示すビス−オルト−ビフェニリルペリレン（ペリレン誘導体）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。製造された発光素子において、緑色発光層に用いられるホスト材料は、赤色発光層に用いられるホスト材料と比べ、バンドギャップが大きいものであった。
（実施例７）
前記工程＜４−１＞において、ホスト材料として前記化５に示すビス−オルト−ビフェニリルペリレン（ペリレン誘導体）を用い以外は、前記実施例６と同様にして発光素子を製造した。
【０１２３】
（比較例１）
前記工程＜４−３＞を行わず、全発光層のホスト材料として前記化７に示すアントラセン誘導体を用いた以外は前記実施例１と同様にして発光素子を製造した。すなわち、発光素子は、第２の青色発光層が省略され、第２の青色発光層上に緑色発光層が設けられた構成となっている。また、各発光層の平均厚さを、それぞれ１０ｎｍとした。
【０１２４】
２．評価
２−１．輝度の評価
各実施例および比較例１の発光素子に対して、製造直後に、それぞれ、陽極と陰極との間に直流電源より１００ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、このときの輝度を測定した。なお、各実施例および比較例１において、輝度をそれぞれ５個の発光素子について測定した。
【０１２５】
そして、比較例１で測定された光の輝度を基準値として、それぞれ、実施例１〜７で測定された光の輝度を以下の４段階の基準に従って評価した。
◎：比較例１の輝度に対し、１．８倍以上である。
○：比較例１の輝度に対し、１．５倍以上、１．８倍未満である。
△：比較例１の輝度に対し、１．１倍以上、１．５倍未満である。
×：比較例１の輝度に対し、１．１倍未満である。
【０１２６】
２−２．発光寿命の評価
各実施例および比較例１の発光素子に対して、それぞれ、陽極と陰極との間に直流電源より１００ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、このときの輝度を測定した。引き続き、発光素子に対し、同様の条件で電流を流しつづけ、輝度が初期の輝度の半分となる時間（半減期）を測定した。なお、各実施例および比較例１において、半減期の値をそれぞれ５個の発光素子について測定した。
【０１２７】
そして、比較例１で測定された半減期を基準値として、実施例１〜実施例７で測定された半減期を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
◎：比較例１の半減期に対し、１１．０倍以上である。
○：比較例１の半減期に対し、８．０倍以上、１１．０倍未満である。
△：比較例１の半減期に対し、１．０倍以上、８．０倍未満である。
×：比較例１の半減期に対し、１．０倍未満である。
【０１２８】
２−３．色度の評価
各実施例および比較例１の発光素子に対して、それぞれ、陽極と陰極との間に直流電源より１００ｍＡ／ｃｍ２の電流を流し、このとき放出された光の色度（ｘ，ｙ）を求めた。また、このとき同時に、各実施例および比較例１の発光素子から放出された光のスペクトル（発光スペクトル）を測定した。なお、発した光が白色に近いと、光の色度（ｘ，ｙ）は、（０．３３，０．３３）に近いものとなる。
【０１２９】
これらの評価結果をそれぞれ、以下の表１に示す。なお、表１には、各発光素子の発光部の構成材料もあわせて示した。表中、「ＲＤ」は前記化３に示すジベンゾジインデノペリレン、「ＢＤ１」は前記化９に示すジスチリルジアミン誘導体、「ＢＤ２」は前記化６に示すジフェニルベンゾフルオランテン誘導体、「ＧＤ」は前記化１０に示すようなキナクリドン誘導体、「Ｈ１」は前記化４に示すビスｐ−ビフェニルナフタセン、「Ｈ２」は前記化８に示すベンジジン系化合物、「Ｈ３」は前記化７に示すアントラセン誘導体、「Ｈ４」は前記化５に示すビス−オルト−ビフェニリルペリレンを示す。
また、各実施例および比較例１で得られた発光スペクトルを図６〜図１３に示す。
【０１３０】
【表１】
0005104164.tif 000012
【０１３１】
表１に示すように、各実施例の発光素子は、いずれも、比較例１の発光素子に対して、放出した光の輝度が高いものであり、発光効率が高いものであった。また、各実施例の発光素子は、いずれも、比較例１の発光素子に対して、発光寿命が長いものであった。
さらに、各実施例の発光素子から放出された光は、色度が（０．３３，０．３３）に近く、極めて白色に近いものであった。図６〜図１２に示すように、各実施例の発光スペクトルは、図１３に示す比較例の発光スペクトルと比較して、赤、緑、青の各波長の分光輝度が高く、また、バランスよく各波長の光が放出されていることが伺える。
【０１３２】
これに対して、比較例１で製造した発光素子は、満足な結果が得られなかった。
なお、いずれの実施例においても、第１の青色発光層のホスト材料は、赤色発光層のホスト材料よりもバンドギャップが大きいものであった。また、いずれの実施例においても、第２の青色発光層のホスト材料は、緑色発光層のホスト材料よりもバンドギャップが大きいものであった。これに対し、比較例１では、各発光層のホスト材料間で、全てバンドギャップが等しいものであった。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の発光素子の縦断面を模式的に示す図である。
【図２】本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施例１の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図７】本発明の実施例２の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図８】本発明の実施例３の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図９】本発明の実施例４の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図１０】本発明の実施例５の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図１１】本発明の実施例６の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図１２】本発明の実施例７の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【図１３】比較例１の発光素子が放出した光の発光スペクトルである。
【符号の説明】
【０１３４】
１……発光素子  ２……基板  ３……陽極  ４……正孔注入層  ５……正孔輸送層  ６……発光部  ６１……赤色発光層  ６２……第１の青色発光層  ６３……第２の青色発光層  ６４……緑色発光層  ７……電子輸送層  ８……電子注入層  ９……陰極  １０……封止部材  １１……シール材  １５……積層体  １００……ディスプレイ装置  ２０……基体  ２１……基板  ２２……回路部  ２３……保護層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２５……第１層間絶縁層  ２６……第２層間絶縁層  ２７……配線  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  ４０……カラーフィルタ  ４１……基板  ４２……隔壁  ４３、４３Ｒ、４３Ｇ、４３Ｂ……着色部  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
0005104164.tif 000013
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005104164.tif 000019
【図８】
0005104164.tif 000020
【図９】
0005104164.tif 000021
【図１０】
0005104164.tif 000022
【図１１】
0005104164.tif 000023
【図１２】
0005104164.tif 000024
【図１３】
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