(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化セリウムの砥粒を水に分散させたスラリーを含む研磨剤であって、
前記スラリー１００重量部に対して０．５重量部〜１０重量部の陰イオン性界面活性剤を含み、
前記研磨剤は、酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハに対する研磨速度に研磨圧力依存性の変曲点を有し、該変曲点となる圧力より大きい研磨圧力では変曲点以下の研磨圧力の研磨速度よりも大きい研磨速度を有しており、設定研磨圧力がＰの場合、パターンの形成された基板の凹部の実効研磨圧力をＰ１、凸部の実効研磨圧力をＰ２とすると、パターンのない基板の研磨速度に変曲点が現れる圧力Ｐ'がＰ２＞Ｐ'＞Ｐ＞Ｐ１となるように前記陰イオン性界面活性剤の濃度を調整した研磨剤。
【請求項２】
前記陰イオン性界面活性剤の濃度が、前記スラリー１００重量部に対して１．０重量部〜１０重量部の範囲である請求項１に記載の研磨剤。
【請求項３】
前記陰イオン性界面活性剤の分子量が、１００〜５００００である請求項１または２に記載の研磨剤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の研磨剤で、少なくとも酸化珪素膜が形成された半導体チップの少なくとも該酸化珪素膜を研磨する基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子製造技術に使用される研磨に関し、基板表面の研磨工程、特にシャロー・トレンチ素子分離、キャパシタ、金属配線等の溝への埋め込み層の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程等において使用される研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のＵＬＳＩ半導体素子製造工程では、高密度・微細化のための加工技術が研究開発されている。その一つであるＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）技術は、必須の技術となってきている。半導体素子の製造工程におけるＣＭＰ技術には、素子分離形成、メモリのキャパシタ形成、プラグ及び埋め込み金属配線形成等において溝に埋め込んだ成膜層の余分な成膜部分を除去するためのリセスＣＭＰ技術、及び層間絶縁膜成膜後の平坦化ＣＭＰ技術がある。集積回路内の素子分離形成技術において、デザインルール０．５μｍ以上の世代ではＬＯＣＯＳ（シリコン局所酸化）が用いられてきたが、加工寸法の更なる微細化に伴い、素子分離幅のより小さいシャロー・トレンチ分離技術が採用されつつある。シャロー・トレンチ分離では、基板上に埋め込んだ余分な酸化珪素膜を除くためにＣＭＰが必須な技術となる。金属配線形成技術においても、デザインルール０．２５μｍ以上の世代では、層間絶縁膜上のＡｌ配線やプラグにはＷ等が用いられていたが、加工寸法の微細化に伴い要求される電気特性を満たすためにＣｕやＣｕ・Ａｌ合金が採用されつつある。ＣｕやＣｕ・Ａｌ合金の配線技術に対しては、ダマシンやディアルダマシン等の埋め込み配線技術が検討されており、基板上に埋め込んだ余分な金属膜を除くためにＣＭＰが必須な技術となる。メモリ素子のキャパシタ形成においても、トレンチ構造や複雑なスタック型構造を実現するためには、酸化窒化シリコンやタンタル酸化膜及びその他の強誘電体のリセスＣＭＰ技術が必須な技術となる。
【０００３】
従来、半導体素子の製造工程において、プラズマ−ＣＶＤ、低圧−ＣＶＤ、スパッタ、電解メッキ等の方法で形成される酸化珪素等絶縁膜、キャパシタ強誘電体膜、配線用金属や金属合金等の平坦化及び埋め込み層を形成するための化学機械研磨剤としてフュームドシリカ、アルミナ系の研磨剤を使用して１回の工程で研磨する方法が一般的に検討されている。しかしながら、このような研磨法では、パターンの平坦性が悪く、埋め込み膜の厚みばらつきやディッシングにより特性がばらつくという技術課題がある。
【０００４】
従来の平坦化及び埋め込み層を形成するためのＣＭＰ技術では、パターン密度差或いはサイズ差の大小により凸部の研磨速度が大きく異なり、また凹部の研磨も進行してしまうため、ウエハ面内全体での高いレベルの平坦化を実現することができないという技術課題がある。そこで、埋め込み層成膜後に凹部となる埋め込み部分の研磨速度と埋め込み層成膜後に成膜層を除去する必要がある凸部の研磨速度の差を小さくして平坦性を向上するために、あらかじめ凸部の被研磨膜を部分的にエッチングにより除去するエッチバック工程を付加する技術が広く採用されている。しかしながら、工程数が増加するために製造コスト面で問題となっている。
【０００５】
また、埋め込み層を形成するためのＣＭＰ技術及び層間膜を平坦化するＣＭＰ技術では、研磨装置による理想的な終点検出が困難であるために、研磨量の制御を研磨時間で行うプロセス管理方法が一般的に行われている。しかし、パターン段差形状の変化だけでなく、研磨布の状態等でも、研磨速度が顕著に変化してしまうため、プロセス管理が難しいという問題があった。
【０００６】
シャロー・トレンチ分離では、素子分離の酸化珪素膜埋め込み部分以外にはマスク及びストッパーとして主に窒化珪素膜が形成され、安定な素子分離特性を実現するためには、ウエハ内の窒化珪素の残膜厚ばらつきをできるだけ小さくする必要がある。そのためには、窒化珪素膜が露出した後は、研磨速度が低下するような特性が必要であり、酸化珪素膜と窒化珪素膜との研磨速度比（酸化珪素膜の研磨速度／窒化珪素膜の研磨速度）が大きいことが望ましい。しかし、従来のシリカ系等の研磨剤を使用した１回の工程による研磨法では、研磨速度比が２〜３程度しかなく、プロセスマージンが充分に得られないという問題があった。金属の埋め込み配線やキャパシタの形成においても、埋め込み溝を形成した成膜下地層が露出した時点で研磨を終了する必要があり、下地層露出後の研磨速度が低下するように、埋め込み被研磨膜と下地膜との研磨速度比が大きい研磨剤が使用される。しかし、一方で研磨速度比が大きい研磨剤を使用した場合、埋め込み層のディッシングが大きくなるという問題があった。
【０００７】
シリカ系研磨剤に比べ、酸化珪素膜の高い研磨速度が得られる酸化セリウム等を含む研磨剤も使用されている。しかし、研磨速度が高すぎるためにプロセス管理が難しい、研磨速度の基板上被研磨膜のパターン依存性が大きい等の問題があった。その他に、一般に比較的低い粒子濃度で使用されるために基板上の被研磨膜パターンが微細化するほど凸部が削れにくく、その周辺部の研磨だけが進行してしまうという問題もあった。また、酸化セリウムを含む研磨剤は、シリカ系研磨剤の約２倍の酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が得られるが、それでも実用上充分とはいえない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の研磨剤は、砥粒および陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤であり、陰イオン性界面活性剤の濃度がスラリー１００重量部に対して０．５重量部〜１０重量部の範囲である研磨剤である。この研磨剤を用いて研磨すると、層間絶縁膜の平坦化及びシャロー・トレンチ素子分離形成等の埋め込み膜の平坦化を効率的、高レベルに行うことが可能である。上記の研磨剤で、砥粒が結晶粒界を有する粒子を含む場合には、より高い効果が得られる。通常の研磨剤を用いた研磨では、研磨速度は研磨圧力に比例した特性を示すのが一般的である。本発明の研磨剤を使用した場合、研磨速度に変曲点のある研磨圧力依存性が得られる。研磨速度に変曲点のある研磨圧力依存性とは、界面活性剤を加えない場合の研磨圧力にほぼ比例した研磨速度変化に比べ、パターンのない基板の研磨速度が変曲点となる圧力まで充分小さく、変曲点となる圧力より大きい研磨圧力では変曲点以下の研磨圧力の研磨速度よりも充分大きい研磨速度が得られる特性を意味する。また、界面活性剤の濃度により、変曲点が現れる研磨圧力が変化する特性を示す。本発明の研磨剤に含まれる陰イオン性界面活性剤としては、有機高分子の陰イオン性界面活性剤が好ましく使用される。陰イオン性界面活性剤としては、共重合成分としてアクリル酸アンモニウム塩を含むものが好ましく使用される。本発明の研磨剤を用いて、少なくとも酸化珪素膜が形成された半導体チップ等の所定の基板を研磨することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の研磨法により、シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
砥粒および陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤であり、陰イオン性界面活性剤の濃度がスラリー１００重量部に対して０．５重量部〜１０重量部の範囲の研磨剤により、研磨速度に変曲点のある研磨圧力依存性が得られるため、パターンの形成された基板の凹部の実効研磨圧力をＰ１、凸部の実効研磨圧力をＰ２とすると、パターンのない基板の研磨速度に変曲点が現れる圧力Ｐ'がＰ２＞Ｐ'＞Ｐ＞Ｐ１となるように設定研磨荷重Ｐ及び添加剤の濃度を調整することにより、被研磨膜のパターン形状に応じて変曲点の圧力よりも高い研磨圧力がかかる凸部を選択的に研磨する特性を実現することができる。また、平坦化された後の研磨速度は、変曲点が現れる圧力よりも小さい設定研磨圧力の研磨速度になるために、平坦化後の研磨がほとんど進行しなくなるので研磨時間によるプロセス管理が容易になる。この添加剤による研磨速度の研磨圧力依存性については、文献（IEDM96(International Electronic Device Meeting) Proceedings(1996) p.349−352等）で報告されている。その結果、高効率、高レベルに、パターン密度、サイズ依存性の少ない平坦化を実現することができる。
【００１２】
上記の研磨剤で、砥粒が結晶粒界を有する粒子を含む研磨剤により、より高い効果を実現する。
【００１３】
本発明において、陰イオン性界面活性剤とは、金属イオン類を含まないものとして、アクリル酸重合体及びそのアンモニウム塩、メタクリル酸重合体及びそのアンモニウム塩、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウム等の水溶性陰イオン性界面活性剤などが挙げられる。特に共重合成分としてアンモニウム塩を含む高分子分散剤等の水溶性陰イオン性界面活性剤から選ばれた少なくとも１種類以上の界面活性剤を使用する。また、その他に水溶性非イオン性界面活性剤、水溶性陰イオン性界面活性剤、水溶性陽イオン性界面活性剤等を併用してもよい。これらの界面活性剤添加量は、スラリー１００重量部に対して、０．５重量部〜１０重量部の範囲が好ましい。また、界面活性剤の分子量は、１００〜５００００が好ましく、２０００〜２００００がより好ましい。添加剤の添加方法としては、研磨直前に砥粒分散液に混合するのが好ましい。研磨装置のスラリー供給配管内で充分混合するような構造を施した場合には、砥粒分散液及び添加剤水溶液の供給速度を個別に調整し、配管内で所定濃度になるように混合することも可能である。添加剤混合後に長時間保存した場合、研磨剤の粒度分布が変化する場合があるが、研磨速度及び研磨傷等の研磨特性には顕著な影響が見られないため、界面活性剤の添加方法は制限するものではない。
【００１４】
本発明の研磨剤に含まれる砥粒は、酸化セリウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム等の無機酸化物粒子であり、酸化セリウム粒子が好ましく使用される。ここで、砥粒の濃度に制限は無いが、懸濁液の取り扱い易さから０．５〜１５重量％の範囲が好ましい。また、砥粒の一次粒子径は、５〜６００ｎｍであることが好ましく、３０〜５００ｎｍであることがより好ましい。また、半導体チップ研磨に使用することから、アルカリ金属およびハロゲン類の含有率は１ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。本発明で、一次粒子径は走査型電子顕微鏡（例えば、株式会社 日立製作所製Ｓ−９００型）による観察で測定する。本発明の研磨剤は高純度のもので、Ｎａ、Ｋ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅはそれぞれ１ｐｐｍ以下、Ａｌは１０ｐｐｍ以下であると好ましい。研磨剤中の粒子の平均粒径は、１００〜２０００ｎｍであることが好ましく、１５０〜１５００ｎｍであることがより好ましい。粒子の平均粒径が１００ｎｍ未満であると研磨速度が低くなりすぎ、２０００ｎｍを越えると被研磨膜に傷が発生しやすくなる傾向にある。本発明で、研磨剤中粒子の粒径の測定は、レーザ回折式粒度分布計（例えば株式会社 ＭＡＬＶＥＲＮ製 ＭＡＳＴＥＲ ＳＩＺＥＲ）で測定する。
【００１５】
本発明の研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法が適用される無機絶縁膜の作製方法として、定圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等が挙げられる。定圧ＣＶＤ法による酸化珪素絶縁膜形成は、Ｓｉ源としてモノシラン：ＳｉＨ４、酸素源として酸素：Ｏ２を用いる。このＳｉＨ４−Ｏ２系酸化反応を４００℃程度以下の低温で行わせることにより得られる。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン：Ｐをドープするときには、ＳｉＨ４−Ｏ２−ＰＨ３系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマＣＶＤ法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の２つが挙げられる。反応ガスとしては、Ｓｉ源としてＳｉＨ４、酸素源としてＮ２Ｏを用いたＳｉＨ４−Ｎ２Ｏ系ガスとテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）をＳｉ源に用いたＴＥＯＳ−Ｏ２系ガス（ＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法）が挙げられる。基板温度は２５０〜４００℃、反応圧力は６７〜４００Ｐａの範囲が好ましい。このように、本発明で使用する酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がド−プされていても良い。同様に、低圧ＣＶＤ法による窒化珪素膜形成は、Ｓｉ源としてジクロルシラン：ＳｉＨ２Ｃｌ２、窒素源としてアンモニア：ＮＨ３を用いる。このＳｉＨ２Ｃｌ２−ＮＨ３系酸化反応を９００℃の高温で行わせることにより得られる。プラズマＣＶＤ法は、Ｓｉ源としてＳｉＨ４、窒素源としてＮＨ３を用いたＳｉＨ４−ＮＨ３系ガスが挙げられる。基板温度は３００〜４００℃が好ましい。
【００１６】
所定の基板として、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に少なくとも酸化珪素膜が形成された基板が使用できる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層を上記研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法で研磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。層間絶縁膜の平坦化工程に適用する場合には、これで終了となるが、シャロー・トレンチ分離の場合には、平坦化された酸化珪素膜を下地層の窒化珪素層まで更に研磨することによって、素子分離部に埋め込んだ酸化珪素膜のみを残す。この際、ストッパーとなる窒化珪素との研磨速度比が大きければ、窒化膜露出後の研磨速度が小さくなり、研磨のプロセスマージンが大きくなる。また、シャロー・トレンチ分離に使用するためには、研磨時に傷発生が少ないことも必要である。ここで、研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布（パッド）を貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限はない。また、研磨布には研磨剤が溜まるような溝加工を施すことが好ましい。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は半導体が飛び出さないように１００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨膜を有する半導体基板の研磨布への押しつけ圧力が１００〜１０００ｇｆ／ｃｍ２であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、２００〜５００ｇｆ／ｃｍ２であることがより好ましい。研磨している間、研磨布には研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。
【００１７】
研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。このようにして、Ｓｉ基板上にシャロー・トレンチ分離を形成した後に絶縁層を形成し、或いは酸化珪素絶縁膜層を平坦化した後、その上にアルミニウム配線を形成し、その上に形成した酸化珪素膜を上記の方法により平坦化する。平坦化された酸化珪素膜層の上に、上層のアルミニウム配線を形成し、その配線間および配線上に酸化珪素膜を形成後、本発明の研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法により研磨することによって、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を製造する。または、Ｓｉ基板上にシャロー・トレンチ分離を形成したあと、層間絶縁膜層及びその表面に埋め込み配線の溝を形成し、スパッタ法でＴｉＮやＴａＮ等のバリアメタル層及び配線金属用シード層を形成し、電解メッキ法等によりＣｕ又はＣｕ・Ａｌ合金を成膜する。この成膜層に、本発明の研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法を適用することにより、配線溝部にのみ金属を埋め込むことができる。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を製造する。
【００１８】
その他に、メモリ素子のキャパシタの形成工程において、トレンチ型セル構造では、ポリシリコンや酸化窒化シリコン等の埋め込み構造を形成する際に、スタック型セル構造でも、複雑な構造を形成するために埋め込み工程が採用される可能性があり、酸化珪素シリコンやタンタル酸化膜の他にＳＴＯやＢＳＴ等の強誘電体材料にも本発明の研磨剤及びそれを用いた研磨方法が適用される。
【００１９】
本発明の研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法は、半導体基板に形成された酸化珪素膜や窒化珪素膜、Ｃｕ、Ｃｕ・Ａｌ合金等の金属膜、及び強誘電体膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、金属膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバ−の端面、シンチレ−タ等の光学用単結晶、固体レ−ザ単結晶、青色レ−ザ用ＬＥＤサファイア基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等の研磨剤、研磨方法としても使用される。
【実施例】
【００２０】
（実施例１）
（酸化セリウム粒子の作製）
炭酸セリウム水和物２Ｋｇを白金製容器に入れ、８００℃で２時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約１Ｋｇ得た。この粉末をＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は３０〜１００μｍであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、体積分布の中央値が１９０ｎｍ、最大値が５００ｎｍであった。酸化セリウム粉末１Ｋｇをジェットミルを用いて乾式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子の他に、１〜３μｍの大きな粉砕残り粒子と０．５〜１μｍの粉砕残り粒子が混在していた。
【００２１】
（酸化セリウムスラリーの作製）
上記作製の酸化セリウム粒子１Ｋｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量％）２３ｇと脱イオン水８９７７ｇを混合し、攪拌しながら超音波分散を１０分間施した。得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより５重量％スラリーを得た。スラリーｐＨは８．３であった。上記の酸化セリウムスラリー（固形分：５重量％）６００ｇと界面活性剤としてｐＨ６．５で分子量５０００のポリアクリル酸（１００％）アンモニウム塩水溶液（４０重量％）１８０ｇと脱イオン水２２２０ｇを混合して、界面活性剤をスラリー１００重量部に対して２．４重量部添加した酸化セリウム研磨剤（酸化セリウム固形分：１重量％）を作製した。その研磨剤ｐＨは６．９であり、ウベローデ粘度計及び比重計の測定値から算出した粘度は１．４１ｍＰａ・ｓであった。また、研磨剤中の粒子をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、粒子径の中央値が３００ｎｍであった。
【００２２】
（ブランケットウエハの研磨１）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１０００ｎｍの酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハを作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を１００ｇｆ／ｃｍ２に設定して、定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで１分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に加工圧力を２００〜８００ｇｆ／ｃｍ２の範囲で１００ｇｆ／ｃｍ２おきに設定して別のウエハを研磨した。研磨後のウエハを洗浄して乾燥し、干渉膜厚計によって膜厚を測定し、研磨前後の膜厚変化を算出した。その結果、圧力１００ｇｆ／ｃｍ2の研磨速度は２４ｎｍ／ｍｉｎ、圧力２００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は４１ｎｍ／ｍｉｎ、圧力３００ｇｆ／ｃｍ2の研磨速度は６５ｎｍ／ｍｉｎ、圧力４００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は８５ｎｍ／ｍｉｎ、圧力５００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１０５ｎｍ／ｍｉｎ、圧力６００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１２３ｎｍ／ｍｉｎ、圧力７００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１４６ｎｍ／ｍｉｎ、圧８００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は３０２ｎｍ／ｍｉｎであり、加工圧力７００ｇｆ／ｃｍ２で研磨速度の変曲点が得られた。
【００２３】
（ブランケットウエハの研磨２）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１０００ｎｍの酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハ及び１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜したブランケットウエハをそれぞれ作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して、定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで１分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して窒化珪素膜を研磨した。研磨後のウエハを洗浄して乾燥し、干渉膜厚計によって膜厚を測定し、研磨前後の膜厚変化を算出した。その結果、酸化珪素膜の研磨速度が６５ｎｍ／ｍｉｎ、窒化珪素膜の研磨速度が６ｎｍ／ｍｉｎであり、研磨速度比（酸化珪素膜研磨速度／窒化珪素膜研磨速度）は１１であった。
【００２４】
（パターンウエハの研磨）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜後、フォトレジストを塗布し１００×１００μｍ２の窒化珪素膜のドットを１５８μｍピッチでマスク材として残し、エッチングによりＳｉ基板に４００ｎｍのトレンチを形成した。続いて、薄い熱酸化膜を形成後、低圧ＣＶＤ法により酸化珪素膜を５５０ｎｍ成膜し、窒化珪素膜厚を含めると５００ｎｍのトレンチに酸化珪素膜を埋め込んだパターンウエハを作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定した。定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで３分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様の条件で、研磨時間を４分及び５分にして研磨を行った。ウエハを洗浄、乾燥した後に、干渉膜厚計により窒化珪素膜上及びトレンチ部の酸化珪素膜の膜厚を測定し、触針式段差計により境界部の段差を測定した。３分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の膜厚が２８ｎｍであり、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は５２０ｎｍであり、残段差が少なくとも＜１０ｎｍ以下になり平坦化が終了していることがわかった。４分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜はなくなっており、窒化珪素膜の膜厚が９６ｎｍ、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は４８５ｎｍであり、５分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜の膜厚が９０ｎｍ、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は４６９ｎｍであり、３分以降研磨がほとんど進行せずに、目標とする窒化珪素膜まで研磨することができた。
【００２５】
（実施例２）
（酸化セリウム粒子の作製）
炭酸セリウム水和物２Ｋｇを白金製容器に入れ、８００℃で２時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約１Ｋｇ得た。この粉末をＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。焼成粉末粒子径は３０〜１００μｍであった。焼成粉末粒子表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、酸化セリウムの粒界が観察された。粒界に囲まれた酸化セリウム一次粒子径を測定したところ、体積分布の中央値が１９０ｎｍ、最大値が５００ｎｍであった。酸化セリウム粉末１Ｋｇを湿式ビーズミルを用いて湿式粉砕を行った。粉砕粒子について走査型電子顕微鏡で観察したところ、一次粒子径と同等サイズの小さな粒子に粉砕されていた。
【００２６】
（酸化セリウムスラリーの作製）
上記作製の酸化セリウム粒子１Ｋｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量％）２３ｇと脱イオン水８９７７ｇを混合し、攪拌しながら超音波分散を１０分間施した。得られたスラリーを１ミクロンフィルターでろ過をし、さらに脱イオン水を加えることにより５重量％スラリーを得た。スラリーｐＨは８．３であった。上記の酸化セリウムスラリー（固形分：５重量％）６００ｇと界面活性剤としてｐＨ６．５で分子量５０００のポリアクリル酸（１００％）アンモニウム塩水溶液（４０重量％）７５ｇと脱イオン水２３２５ｇを混合して、界面活性剤をスラリー１００重量部に対して１．０重量部添加した酸化セリウム研磨剤（酸化セリウム固形分：１重量％）を作製した。その研磨剤ｐＨは７．３であり、ウベローデ粘度計及び比重計の測定値から算出した粘度は１．１９ｍＰａ・ｓであった。また、研磨剤中の粒子をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、粒子径の中央値が２００ｎｍであった。
【００２７】
（ブランケットウエハの研磨１）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１０００ｎｍの酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハを作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を１００ｇｆ／ｃｍ２に設定して、定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで１分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に加工圧力を２００〜８００ｇｆ／ｃｍ２の範囲で１００ｇｆ／ｃｍ２おきに設定して別のウエハを研磨した。研磨後のウエハを洗浄して乾燥し、干渉膜厚計によって膜厚を測定し、研磨前後の膜厚変化を算出した。その結果、圧力１００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は２０ｎｍ／ｍｉｎ、圧力２００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は３８ｎｍ／ｍｉｎ、圧力３００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は５０ｎｍ／ｍｉｎ、圧力４００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は７８ｎｍ／ｍｉｎ、圧力５００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１２０ｎｍ／ｍｉｎ、圧力６００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１３５ｎｍ／ｍｉｎ、圧力７００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は１６１ｎｍ／ｍｉｎ、圧力８００ｇｆ／ｃｍ２の研磨速度は２８５ｎｍ／ｍｉｎであり、加工圧力７００ｇｆ／ｃｍ２で研磨速度の変曲点が得られた。
【００２８】
（ブランケットウエハの研磨２）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１０００ｎｍの酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハ及び１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜したブランケットウエハをそれぞれ作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して、定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで１分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して窒化珪素膜を研磨した。研磨後のウエハを洗浄して乾燥し、干渉膜厚計によって膜厚を測定し、研磨前後の膜厚変化を算出した。その結果、酸化珪素膜の研磨速度が５１ｎｍ／ｍｉｎ、窒化珪素膜の研磨速度が６ｎｍ／ｍｉｎであり、研磨速度比（酸化珪素膜研磨速度／窒化珪素膜研磨速度）は９であった。
【００２９】
（パターンウエハの研磨）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜後、フォトレジストを塗布し１００×１００μｍ２の窒化珪素膜のドットを１５８μｍピッチでマスク材として残し、エッチングによりＳｉ基板に４００ｎｍのトレンチを形成した。続いて、薄い熱酸化膜を形成後、低圧ＣＶＤ法により酸化珪素膜を５５０ｎｍ成膜し、窒化珪素膜厚を含めると５００ｎｍのトレンチに酸化珪素膜を埋め込んだパターンウエハを作製する。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定した。定盤上に上記の酸化セリウム研磨剤（固形分：１重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで３分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に、研磨時間４分及び５分でも研磨を行った。ウエハを洗浄、乾燥した後に、干渉膜厚計により窒化珪素膜上及びトレンチ部の酸化珪素膜の膜厚を測定し、触針式段差計により境界部の段差を測定した。３分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の膜厚が１１２ｎｍであり、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は５３５ｎｍであり、残段差は８０ｎｍ程度であった。４分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の膜厚が２４ｎｍであり、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は４９７ｎｍであり、段差は３０ｎｍ以下になり平坦化が終了していることがわかった。５分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化膜はなくなっており、窒化珪素膜の膜厚が９８ｎｍ、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は４７０ｎｍであり、４分研磨以降研磨がほとんど進行せずに、目標とする窒化珪素膜まで研磨することができた。
【００３０】
（比較例１）
（ブランケットウエハの研磨）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１０００ｎｍの酸化珪素膜を成膜したブランケットウエハ及び１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜したブランケットウエハをそれぞれ作製した。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して、定盤上に市販シリカスラリーを用いて（固形分：１２．５重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで１分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定して窒化珪素膜を研磨した。研磨後のウエハを洗浄して乾燥し、干渉膜厚計によって膜厚を測定し、研磨前後の膜厚変化を算出した。その結果、酸化珪素膜の研磨速度が１７５ｎｍ／ｍｉｎ、窒化珪素膜の研磨速度が７０ｎｍ／ｍｉｎであり、研磨速度比（酸化珪素膜研磨速度／窒化珪素膜研磨速度）は２．５であった。
【００３１】
（パターンウエハの研磨）
直径２００ｍｍＳｉ基板上に１００ｎｍの窒化珪素膜を成膜後、フォトレジストを塗布し１００×１００μｍ２の窒化珪素膜のドットを１５８μｍピッチでマスク材として残し、エッチングによりＳｉ基板に４００ｎｍのトレンチを形成した。続いて、薄い熱酸化膜を形成後、低圧ＣＶＤ法により酸化珪素膜を５５０ｎｍ成膜し、窒化珪素膜厚を含めると５００ｎｍのトレンチに酸化珪素膜を埋め込んだパターンウエハを作製する。保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた直径６００ｍｍの定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２に設定した。定盤上に市販のシリカスラリー（固形分：１２．５重量％）を２００ｃｃ／ｍｉｎの速度で滴下しながら、定盤及びウエハを５０ｒｐｍで２分間回転させ、酸化珪素膜を研磨した。同様に、研磨時間３分及び４分でも研磨を行った。ウエハを洗浄、乾燥した後に、干渉膜厚計により窒化珪素膜上及びトレンチ部の酸化珪素膜の膜厚を測定し、触針式段差計により境界部の段差を測定した。２分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜の膜厚が１２ｎｍであり、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は３２４ｎｍであり、残段差は１９０ｎｍ程度であった。３分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜上の酸化珪素膜はなくなっており、窒化珪素膜の膜厚が３２ｎｍ、トレンチ部の酸化珪素膜の膜厚は２２０ｎｍであり、残段差は２１０ｎｍ程度であった。４分間研磨後のウエハの測定結果は、窒化珪素膜がなくなってしましＳｉ基板が露出してしまった。研磨時間３分で窒化珪素膜の目標位置まで研磨することができたが、残段差も＞１５０ｎｍと大きく、窒化珪素膜が露出してからの研磨速度もあまり低下しないために、１回の研磨では、研磨時間の設定が難しい。