(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、
前記ターゲットとして、前記レーザビームが照射された直後においてガス状態である物質をノズルの開口部から供給するターゲット供給部と、
レーザ媒質として二酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用し、波長１０μｍ帯のレーザ光を発生させ、前記ターゲットに前記レーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部と、
前記プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系と、
を具備し、前記ノズルの開口部と前記プラズマが発生する位置との間隔が１０ｃｍ〜２０ｃｍである、光源装置。
【請求項２】
ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、
前記ターゲットとして、前記レーザビームが照射された直後においてガス状態である物質をノズルの開口部から供給するターゲット供給部と、
レーザ媒質として一酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用し、波長５μｍ〜６μｍ帯のレーザ光を発生させ、前記ターゲットに前記レーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部と、
前記プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系と、
を具備し、前記ノズルの開口部と前記プラズマが発生する位置との間隔が１０ｃｍ〜２０ｃｍである、光源装置。
【請求項３】
５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外光を発生する請求項１又は２記載の光源装置。
【請求項４】
前記ターゲット供給部が、前記ターゲットとして常温（２０℃）でガス状態である物質を供給する、請求項１〜３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項５】
前記ターゲット供給部が、前記ターゲットとしてキセノン、キセノンを主成分とする混合物、アルゴン、クリプトン、低気圧状態でガスである水（Ｈ２Ｏ）、アルコールの内の少なくとも１つを供給する、請求項４記載の光源装置。
【請求項６】
前記ターゲット供給部が、ガス状態である物質に圧力を加えてノズルの開口部から供給することにより、前記ターゲットとなる物質をガス状態又はクラスター状態で供給する、請求項１〜５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項７】
前記ターゲット供給部が、前記ターゲットとなる物質を前記ノズルの開口部から液滴状で供給することにより、前記ターゲットとなる物質をレーザビームが照射された直後においてガス状態とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項８】
前記ターゲット供給部が、液体状態である又は液体状態にした前記ターゲットとなる物質に圧力を加えて前記ノズルの開口部から液滴状で供給することにより、前記ターゲットとなる物質をレーザビームが照射された直後においてガス状態とする、請求項７記載の光源装置。
【請求項９】
前記ターゲット供給部が、液体状態である又は液体状態にした前記ターゲットとなる物質に前記ノズル内で熱を加えて前記ノズルの開口部から液滴状で供給することにより、前記ターゲットとなる物質をレーザビームが照射された直後においてガス状態とする、請求項７記載の光源装置。
【請求項１０】
前記ターゲット供給部が、前記ターゲットとなる物質を前記ノズルの開口部から粒子状で供給することにより、前記ターゲットとなる物質をレーザビームが照射された直後においてガス状態とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１１】
前記ターゲット供給部が、前記ターゲットとなる物質を冷却して固体化し、固体化された物質を前記ノズルの開口部から粒子状で供給することにより、前記ターゲットとなる物質をレーザビームが照射された直後においてガス状態とする、請求項１０記載の光源装置。
【請求項１２】
前記ノズルが、前記ターゲットとなる物質を供給するためのスリット状の開口部を有する、請求項１〜９のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１３】
前記ノズルが、直線上に配列された複数の開口部を有する、請求項１〜１１のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１４】
前記ノズルが、開口部と反対側に位置する第１のタンクと、開口部側に位置する第２のタンクと、前記第１のタンクと前記第２のタンクとの間に設けられたスロートとを含み、前記スロートが、前記第１のタンクの開口部側出口において急速に狭まってから、前記第２のタンクに向けて徐々に広がる形状を有している、請求項１〜１３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１５】
前記レーザ部が、
レーザ媒質として二酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用し、波長１０μｍ帯のレーザ光を発生するレーザ発振器と、
集光レンズを含み、前記レーザ発振器が発生するレーザ光を集光して、実質的にライン状の断面形状を有するレーザビームを照射する照射光学系と、
を含む、請求項１記載の光源装置。
【請求項１６】
前記集光光学系が反射鏡を含み、
前記レーザ部が、前記反射鏡から出射される極端紫外光の光軸と実質的に平行な光軸を有するレーザビームを前記ターゲットに照射する、請求項１〜１５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１７】
前記集光光学系が反射鏡を含み、
前記レーザ部が、前記反射鏡から出射される極端紫外光の光軸と実質的に直交する光軸を有するレーザビームを前記ターゲットに照射する、請求項１〜１５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１８】
前記ノズルの開口部と対向するように配置された開口部を有する回収ダクトと、
前記ノズルから供給され、プラズマ化しなかったか、又は定常状態に戻ったターゲット物質を、前記回収ダクトを介して回収するターゲット回収装置と、
をさらに具備する、請求項１〜１７のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項記載の光源装置と、
前記光源装置によって発生された極端紫外光を複数のミラーを用いてマスクに集光する照明光学系と、
前記マスクから反射された極端紫外光を用いて対象物を露光させる投影光学系と、
を具備する露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を発生する光源装置に関する。さらに、本発明は、そのような光源装置を用いた露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィも微細化が急速に進展しており、次世代においては、１００〜７０ｎｍの微細加工、更には５０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。例えば、５０ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍのＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（Ｃａｔａｏｐｔｒｉｃ  Ｓｙｓｔｅｍ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、レーザビームをターゲットに照射することによって生成するプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）光源と、放電によって生成するプラズマを用いたＤＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｌａｓｍａ）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット材料を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２πsteradという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００４】
ＬＰＰ光源において、プラズマを発生させるためにレーザビームを照射するターゲットとして固体材料を用いると、レーザビーム照射領域がプラズマ化するときにレーザビームの照射により発生する熱がレーザビーム照射領域の周辺に伝わり、その周辺において固体材料が溶融する。溶融した固体材料は、直径数μｍ以上の粒子隗（デブリ）となって多量に放出され、集光ミラーにダメージを与え、その反射率を低下させる。一方、ターゲットとして気体を用いると、デブリは少なくなるものの、レーザ発振器に供給するパワーからＥＵＶ光のパワーへの変換効率が低下してしまう。
【０００５】
図５に、レーザ媒質としてＹＡＧを用い、ターゲットとしてキセノンガスを用いた従来の光源装置の構成を示す。キセノンガスに圧力をかけて、ノズル１０３からターゲットとしてキセノンガスを上方に噴出させる。ノズル１０３の開口部から距離Ｄだけ離れた位置において、ＹＡＧレーザ発振器１０１から発生したレーザ光を集光レンズ１０２により収束させたレーザビームをキセノンガスに照射して、プラズマ１０４を生成する。プラズマから放出されたＥＵＶ光は、反射鏡１０５により集光され、平行光１０７となってデブリシールド１０６を通過した後、露光器へ伝送される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、ＬＤ励起ＹＡＧレーザは、パルス継続時間が数ｎｓで、レーザ光の波長が１μｍ帯である。一方、数万度を超えるプラズマの生成過程は、ｐｓ（１０-12秒）のスケールで進展する。レーザビームが照射される初期の時点におけるプラズマの密度が小さいと、それ以降においてレーザビームはターゲット中の分子や原子を十分にプラズマ化することができずに素通りしてしまう。逆に、プラズマの密度が大き過ぎる場合には、レーザビームが照射される側のプラズマに遮られて、十分な体積のプラズマが生成できなくなる。従って、プラズマの密度、あるいは、ターゲットとなる気体の密度には、最適な範囲が存在する。ＹＡＧレーザを用いる場合には、レーザビームをプラズマに効率良く吸収させるために、レーザビームをかなり密度が大きいガス状ターゲットと相互作用させる必要がある。そのため、ノズルの噴出口近くの密度の大きいガスにレーザビームを照射することが必要であり、ノズルの噴出口周辺にプラズマが衝突し、ノズル材料が侵食されて発生するデブリが大きな問題となっていた。また、ＬＤ励起ＹＡＧレーザは、レーザ光発生効率が５％〜６％と低く、高出力化するとガスレーザと比較して装置が大型化するという問題もあった。さらに、ＬＤ励起ＹＡＧレーザを高出力化した場合に、ＹＡＧガスの熱歪で横モードが悪化し、ターゲットへの照射効率が低下してしまうという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、高能率であり、かつ、デブリの発生を抑制することができる光源装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような光源装置を用いることにより、微細な光リソグラフィを実現することができる露光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点に係る光源装置は、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、ターゲットとして、レーザビームが照射された直後においてガス状態である物質をノズルの開口部から供給するターゲット供給部と、レーザ媒質として二酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用し、波長１０μｍ帯のレーザ光を発生させ、ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部と、プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系とを具備し、ノズルの開口部とプラズマが発生する位置との間隔が１０ｃｍ〜２０ｃｍである。
【０００９】
本発明の第２の観点に係る光源装置は、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、ターゲットとして、レーザビームが照射された直後においてガス状態である物質をノズルの開口部から供給するターゲット供給部と、レーザ媒質として一酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用し、波長５μｍ〜６μｍ帯のレーザ光を発生させ、ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ部と、プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する集光光学系とを具備し、ノズルの開口部とプラズマが発生する位置との間隔が１０ｃｍ〜２０ｃｍである。
【００１０】
また、本発明に係る露光装置は、本発明に係る光源装置と、光源装置によって発生された極端紫外光を複数のミラーを用いてマスクに集光する照明光学系と、前記マスクから反射された極端紫外光を用いて対象物を露光させる投影光学系とを具備する。
【００１１】
本発明によれば、レーザ媒質として炭酸ガスを使用したレーザ部から出射した波長の長いレーザビームをガス状態のターゲットに照射して極端紫外光を発生するので、低密度のガスを使った場合におけるＥＵＶ光の発生能率を高め、かつ、デブリの発生を抑制することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基いて本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素については同一の参照番号を付して、これらの説明を省略する。
図１に、本発明の第１の実施形態に係る光源装置の構成を示す。この光源装置は、レーザ部として、レーザ媒質に炭酸ガスを使用してレーザ光を発生するレーザ発振器１１１と、レーザ発振器１１１が発生するレーザ光を集光してレーザビームにする照射光学系とを含んでいる。本実施形態においては、照射光学系が、集光レンズ１１２によって構成されている。集光レンズ１１２としては、平凸レンズやシリンドリカルレンズが使用される。
【００１３】
また、光源装置は、ターゲット供給部として、レーザビームが照射されるターゲットとなる物質を供給するターゲット供給装置１１９と、ターゲット供給装置１１９から供給される物質を噴射するためのノズル１１３とを含んでいる。レーザ部が、ターゲット供給部から供給されるターゲットにレーザビームを照射することにより、プラズマを生成する。
【００１４】
さらに、光源装置は、プラズマから放出される極端紫外（ＥＵＶ：ＥｘｔｒａＵｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を集光して出射する集光光学系を構成する反射鏡１１５と、レーザビーム照射領域の周辺から放出される直径数μｍ以上の粒子隗（デブリ）を取り除いてＥＵＶ光のみを通過させるデブリシールド１１６とを含んでいる。反射鏡１１５としては、放物面鏡あるいは球面鏡又は複数の曲率を有する球面鏡を使用することができる。本発明において、ＥＵＶ光は、５ｎｍ〜５０ｎｍの波長を有している。
【００１５】
ターゲットとなる物質を供給するためのノズル１１３の上方には回収ダクト１１８が設けられ、ノズルの開口部と回収ダクトの開口部とが対向するように配置されている。ノズルから供給され、プラズマ化しなかったか、又は、定常状態に戻ったターゲット物質は、回収ダクト１１８の開口部から吸引されてターゲット回収装置１２０に回収される。
【００１６】
本発明においては、ターゲットとして、レーザビームが照射される時点において、又はレーザビームが照射された直後においてガス状態である物質を使用する。このような物質としては、通常、露光装置が使用されるような温度でガス状態となるような物質であれば特に限定はなく、具体的には、常温（２０℃）でガス状態である物質が該当し、例えば、キセノン（Ｘｅ）、キセノンを主成分とする混合物、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、又は、低気圧状態でガスである水（Ｈ2Ｏ）、アルコールを用いることができる。極端紫外光発生部は真空状態にする必要があるので、常温で水を供給してもノズルから出た後は気体となる。
【００１７】
ターゲットとなる物質は、ノズル１１３から、ガス状態、液体状態、固体状態又はこれらの混合状態で放出される。例えば、気体のみからなる物質、固体又は液体の微粒子のみからなる物質、液体又は固体の微粒子と気体とが混合された物質が挙げられる。ただし、ターゲットとなる物質が、ノズル１１３から放出された時点で液体又は固体である場合には、レーザビームが照射される時点又はレーザビームが照射された直後においてガス状態となることが必要である。
【００１８】
ターゲットとなる物質が最初からガス状態である場合には、この気体に圧力を加えてノズル１１３の開口部から放出することにより、この気体をガス状態のままで供給してもよい。又は、この気体を、正イオン又は負イオンを核として複数個の原子又は分子が凝集してできる電荷を帯びた原子又は分子の集合体（クラスターイオン）のジェット（噴射）として供給しても良い。
【００１９】
あるいは、ターゲットとなる物質を冷却して液体化し、この物質に圧力を加えてノズルの開口部から液体状で放出したり、液体化された物質にノズル内で熱を加えてノズルの開口部から液滴状で放出して、レーザビームが照射される時点においてこの物質をガス状態としてもよい。さらに、ターゲットとなる物質を冷却固化して微粒子状にし、この物質をノズルの開口部から放出して、レーザビームが照射される時点においてこの物質をガス状態としてもよい。なお、これらの場合において、ターゲットとなる物質に圧力を加える手段や温度を調節する手段を、ノズル等に適宜設けることができる。
【００２０】
本実施形態においては、ターゲットとしてキセノン（Ｘｅ）を用いている。その場合、発生するＥＵＶ光は約１０ｎｍ〜約１５ｎｍの波長を有する。ターゲット供給装置１１９がキセノンガスに圧力を加えることにより、ノズル１１３の開口部から上方に向けてキセノンガスを噴射する。ノズル１１３は、スリット状の開口を有するか、又は直線上に配列された複数の開口を有する。従って、噴出したキセノンガスは、開口部の長手方向に広い幅を有しながら垂直に流動し、キセノンガスの柱を形成することになる。
【００２１】
あるいは、冷却されて液体状態又は固体状態となったキセノンを、ノズル１１３の開口部から噴射するようにしてもよい。ただし、レーザビームが照射される位置においては、キセノンがガス状態となるようにする。
【００２２】
レーザ発振器１１１は、レーザ媒質に二酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用することにより１０μｍ帯の波長を有するレーザ光を発生するか、又は、レーザ媒質に一酸化炭素ガスを含む混合ガスを使用することにより５μｍ〜６μｍの波長を有するレーザ光を発生する。レーザ発振器１１１から発生されたレーザ光は、集光レンズ１１２により集光され、実質的にライン状の断面形状を有するレーザビームとなって、キセノンガスの柱に向けて照射される。照射されるレーザビームがキセノンガスと交差する位置において、例えば、約０．５ｃｍ〜２ｃｍの長さの葉巻状のプラズマ１１４が発生する。
【００２３】
プラズマが発生する位置の周囲には、反射鏡１１５が設置されている。反射鏡１１５には、レーザビームを通過させるための開口と、ノズル１１３から回収ダクト１１８へ向けてターゲットを噴射させるための開口と、ターゲットを回収ダクトに吸収するための開口とが形成されている。プラズマ１１４から放出されたＥＵＶ光は、反射鏡１１５によって平行光となり、デブリシールド１１６を通過して出力される。本実施形態においては、照射されるレーザビームの光軸が、出力されるＥＵＶ光の光軸と実質的に平行となっている。反射鏡１１５の内面（集光鏡）のコーティングとしては、波長１３ｎｍのＥＵＶ光を発生する場合にはＭｏ／Ｓｉ又はＭｏ／Ｓｒを用い、波長１１ｎｍのＥＵＶ光を発生する場合にはＭｏ／Ｂｅ又はＭｏ／Ｓｒを用いると、集光効率を向上させることができる。
【００２４】
本実施形態に係る光源装置においては、ＹＡＧレーザビームを用いた光源装置と比べて、ノズル１１３の開口部からプラズマ１１４までの距離Ｄをかなり長く採ることができ、例えば１０ｃｍ〜２０ｃｍ程度とすることができる。ＹＡＧレーザは、１μｍ帯の短い波長を有するレーザ光を出力するため、密度の大きいターゲットガスと相互作用させないと効率良くプラズマを発生することができない。一方、炭酸ガスレーザは、約１０μｍの長い波長を有するレーザ光を出力するため、密度の比較的小さいターゲットガスと相互作用させても効率良くプラズマを発生することができる。また、一酸化炭素レーザは、波長およそ５μｍ〜６μｍのレーザ光を出力するため、炭酸ガスレーザと同様の効果を期待できる。
【００２５】
従って、本実施形態によれば、ノズルの開口部から離れた位置において、レーザビームをターゲットガスに照射することが可能となる。これによって、プラズマによるノズルのダメージや加熱の問題を軽減し、デブリの発生を抑圧して反射鏡の寿命を長くすることができる。また、ノズルの開口部とプラズマが発生する位置との間隔を離すことができるので、ＥＵＶ光を取り出すための集光光学系の配置に関する設計が容易になる。さらに、ターゲットガスの柱の幅方向にレーザビームを照射した場合に、その幅の最遠端においてもプラズマを発生することができる。また、ノズル１１３としてラバールノズルを用いて、超音速でガス状又はクラスター状にターゲットを噴射することも可能である。図４に、ラバールノズルの断面形状を示す。図４に示すように、タンクＡとタンクＢとの間にスロートが設けられている。スロートは、タンクＡの出口において急速に狭まり、その後、タンクＢに向かって徐々に広がる形状を有している。なお、レーザ発振器１１１の炭酸ガスレーザとしては、パルス発振レーザであってもよく、不安定共振器を用いて集光性を高めることも可能である。
【００２６】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２に、本発明の第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す。本実施形態においては、レーザビームの光軸を、集光光学系から出射されるＥＵＶの光軸と実質的に直交させている。その他の点に関しては、第１の実施形態と同一である。
【００２７】
図２に示すように、ノズル１１３の開口部からターゲットとなるキセノンガスを下方に向けて噴射すると、横に広がったターゲットガスの柱が形成される。レーザ発振器１１１から発生されたレーザ光は、シリンドリカル集光レンズ１１２により集光されたレーザビームとなる。レーザビームがガス状のターゲットに照射されることにより、葉巻状のプラズマ１１４が生成される。なお、プラズマ化しなかったか、又は、定常状態に戻ったターゲットは、回収ダクト１１８によって吸収される。発生したプラズマから放射されるＥＵＶ光は、反射鏡１１５により反射集光されて平行光１１７となって出力される。
【００２８】
次に、本発明の一実施形態に係る露光装置について説明する。図３に、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示す。この露光装置は、本発明に係る光源装置を光源として用いており、光源におけるデブリが少ないため、光学系への悪影響を小さくできる。
【００２９】
図３に示すように、露光装置１は、ＥＵＶ光を発生する光源装置１００と、光源装置１００によって発生されたＥＵＶ光を複数のミラーを用いてレチクルステージ３００に取り付けられたレチクル（マスク）に集光する照明光学系２００と、前記マスクから反射されたＥＵＶ光を用いて対象物を露光させる投影光学系４０１とを含んでいる。投影光学系４０１は、ウエハを設置するためのウエハステージ４０２や、ウエハ５００の位置を検出するウエハアライメントセンサ４０３と共に、露光器４００を構成している。露光装置１の全体は、真空ポンプ等により低圧力に保たれた真空系内に設置されている。
【００３０】
本実施形態に係る露光装置の動作について説明する。
照明光学系２００は、光源装置１００によって発生されたＥＵＶ光を、集光ミラー２０１、２０２、２０３によって、レチクルステージ３００に集光する。このように、照明光学系２００は、全て反射系で構成されており、トータルの反射率は、約０．６５となっている。
【００３１】
レチクルステージ３００の図中下側には、所望のパターンが形成されたマスクが取り付けられており、このマスクは、形成されたパターンに従って、照明光学系２００から入射されたＥＵＶ光を反射する。露光器４００に設けられた投影光学系４０１は、マスクによって反射されたＥＵＶ光を、ウエハステージ４０２上のウエハ５００に塗布されたレジストに投影して、レジストを露光する。これにより、マスク上のパターンを縮小して、ウエハ上のレジストに転写することができる。レチクルステージ３００及びウエハステージ４０２は、光軸に対して垂直に移動可能であり、レチクルステージ３００及びウエハステージ４０２を移動させることにより、全マスクパターンを露光する。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置において、能率を高め、かつ、デブリの発生を抑制することができる。また、この光源装置を用いて、微細な光リソグラフィを実現する露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光源装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施態様に係る光源装置の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。
【図４】ラバールノズルの形状を示す断面図である。
【図５】従来の光源装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  露光装置
１００  光源装置
１０１  ＹＡＧレーザ発振器
１０２、１１２  集光レンズ
１０３、１１３  ノズル
１０４、１１４  プラズマ
１０５、１１５  反射鏡
１０６、１１６  デブリシールド
１０７、１１７  ＥＵＶの平行光
１１１  炭酸ガスレーザ発振器
１１８  回収ダクト
１１９  ターゲット供給装置
１２０  ターゲット回収装置
２００  照明光学系
２０１、２０２、２０３  集光ミラー
３００  レチクルステージ
４００  露光器
４０１  投影光学系
４０２  ウエハステージ
４０３  ウエハアライメントセンサ
５００  ウエハ
【図１】
0004995379.tif 000002
【図２】
0004995379.tif 000003
【図３】
0004995379.tif 000004
【図４】
0004995379.tif 000005
【図５】
0004995379.tif 000006