(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上の銅を集束イオンビームでミリングする方法であり、
上記集束イオンビームを特徴付けるスポットの大きさよりも大きい第１のピクセルスペーシングによって特徴付けられる第１のパターンで、域内の銅の方に集束イオンビームを方向付け、さらに
上記第１のピクセルスペーシングよりも小さくかつ上記イオンビームのスポットの大きさよりも小さい又は等しい第２のピクセルスペーシングによって特徴付けられる第２のパターンで、域内の銅の方に集束イオンビームを方向付け、
それにより銅が略残留しないミリングされた上記域の均一、且つ、平滑なフロアを生成する、方法。
【請求項２】
さらに、上記銅の導体の下にある材料のエッチングを禁止するために、水蒸気、酸素、又は蒸気を含む他の酸素の噴射を上記イオンビームの衝突点に方向付ける、請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記第１のパターンで上記集束イオンビームを上記銅の方に方向付けること及び上記第２のパターンで上記集束イオンビームを上記銅の導体の方に方向付けることが、ガリウムイオンのサブミクロンビームを方向付けることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
スポットの大きさによって特徴付けられる荷電粒子で試料の表面上のターゲット域をミリングする方法であって、
上記ターゲット領域内の多数の第１のミリング位置であって、
上記第１の多数のミリング位置が、上記ターゲット域中に一連の穴を生成するために上記スポットの大きさよりも大きい距離お互いに離れて配置される位置を、
上記荷電粒子ビームでミリングし、
多数の第２のミリング位置であって、
上記スポットの大きさよりも小さいか等しい距離お互いに離れて配置される第２のミリング位置を、
ミリングし、
それにより上記ターゲット域から残留物を除去して、平滑なフロアを生成する、
方法。
【請求項５】
上記多数の第１のミリング位置を上記荷電粒子でミリングすることは、一連のミリング段階を実施することを含み、上記各段階は、上記段階と関連するピクセル距離だけ離れている多数のミリング位置をミリングすることを含み、その後の段階におけるピクセル距離は先行する段階のピクセル距離よりも短い、請求項４記載の方法。
【請求項６】
上記各段階の上記ピクセルスペーシングは、先行する段階のピクセルスペーシングよりも狭く、上記第２のミリング位置は上記スポットの大きさに略等しい又は小さい距離だけ離れている請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記第２のミリング位置は上記スポットの大きさに略等しい又は小さい距離だけ離れている請求項４記載の方法。
【請求項８】
上記第１のミリング位置は一つ以上の長方形グリッドを形成する請求項４記載の方法。
【請求項９】
上記ターゲット域の下にある材料のエッチングを禁止するために、上記ミリング位置にガスを方向付けることを更に有する請求項４記載の方法。
【請求項１０】
上記ガスは、水蒸気、酸素、又は、他の酸素を含む材料を有する請求項９記載の方法。
【請求項１１】
上記荷電粒子は、集束イオンビームである請求項４記載の方法。
【請求項１２】
ミリングされるべき域は、銅の導体を有する請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
上記集束イオンビームは、液体金属イオン源からのガリウムイオンのビームを有する請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
銅を有するターゲット域を集束イオンビームでミリングする間に試料の表面上にエッチング耐性領域が形成又は広がることを禁止する方法であって、
上記銅中に上記エッチング禁止領域の形成又は広がりを防止するために、上記イオンビームのスポットサイズよりも大きな距離離れた多数の第１の場所をエッチングするよう上記ターゲット域に集束イオンビームを、最初に方向付け、
均一且つ平面のミリングされたターゲット域を生成するために、上記ターゲット領域で上記スポットサイズより小さいか等しい距離離れている多数のオーバーラップする場所をエッチングするように収束イオンビームを上記ターゲット領域に方向付ける段階とを有する、方法。
【請求項１５】
上記ターゲット域は銅を有し、
上記イオンビームは、スポットの大きさによって特徴付けられ、
上記エッチング禁止領域の形成及び広がりを防止するために十分に離間された多数の場所をエッチングするよう上記集束イオンビームを方向付けることは、上記スポットの大きさよりも大きい距離だけ離れた多数の場所をエッチングするよう上記集束イオンビームを方向付けることを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
上記多数のオーバーラップする場所をエッチングするよう上記集束イオンビームを方向付けることは、上記エッチング耐性領域の形成又は広がりを防止するに十分な速度で上記イオンビームを走査することを含む請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
銅を有するターゲット域を集束イオンビームでミリングする装置であって、
イオン源と、
上記イオンビームを方向付ける偏向電極を含むイオンカラムとを有し、
上記偏向電極は、
最初に、上記銅における上記エッチング耐性領域の形成又は広がりを防止するために、十分に離間される多数の第１の位置で上記銅をエッチングするよう上記集束イオンビームを方向付け、
次に、均一且つ平面のミリングされたターゲット域を生成するために、
上記第１の位置が離されている距離よりも小さい距離離れた多数のオーバーラップする場所をエッチングするよう上記集束イオンビームを方向付けるようプログラムされる装置。
【請求項１８】
上記イオンビームはスポットの大きさによって特徴付けられ、
上記エッチング禁止領域の形成又は広がりを防止するために十分に離間された多数の場所は上記スポットの大きさよりも大きい距離だけ離れている請求項１７記載の装置。
【請求項１９】
多数のオーバーラップする場所をエッチングするために上記集束イオンビームを方向付けるよう上記偏向電極がプログラムされることは、上記銅において上記エッチング耐性領域の形成又は広がりを防止するに十分な速度で上記イオンビームを走査することを含む請求項１７記載の装置。
【請求項２０】
上記集束イオンビームを、ひとつ又はそれ以上の中間パターンであって、ピクセルスペーシングが、上記第１のピクセルスペーシングよりも小さく、かつ上記第２のピクセルスペーシングよりも大きい中間パターンで、上記域の上記銅の方向へ方向付けることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
多数の中間ミリング位置であって、
上記多数のミリング位置が、上記第１のミリング位置及び上記第２のミリング位置の間の距離お互いに離れた、
多数のミリング位置をさらにミリングすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項２２】
上記集束イオンビームを上記域上の銅の方に、第１のパターンで、前駆体ガスの不存在下で方向付ける、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の技術分野
本発明は、荷電粒子ビーム処理の分野、特に、集束イオンビームを用いて半導体回路の銅メタライゼーションをミリングする方法及び装置に関わる。
【０００２】
発明の背景及び要約
集束イオンビーム（ＦＩＢ）システムは、イメージし、エッチングし、ミリングし、相当な正確さで分析するその能力のため、顕微鏡スケールの製造操作において幅広く使用されている。例えば、ガリウム液体金属イオン源（ＬＭＩＳ）を使用するＦＩＢシステム上のイオンカラムは、５乃至８ナノメートルの横方向のイメージング解像度を提供し得る。ＦＩＢシステムは、その多用性及び正確さのため、集積回路（ＩＣ）産業において処理の展開、故障の分析、及び、最近では欠陥の特徴付けにおいて使用する分析ツールとして世界的に受け入れられている。
【０００３】
ＦＩＢシステムのイオンビームは、典型的に集積回路の表面をラスタパターンで走査する。このラスタパターンは、回路のトップライン及び素子を表す表面のイメージを生成するためにしばしば最初に使用される。イメージは、回路レイアウト情報と共に、回路の特定の素子又は特徴の位置探しをするよう集積回路の周りにイオンビームをナビゲートするために使用される。ラスタパターンを関心のある特徴の局部的な域に移動させると、イオンビーム電流はダイスの中に切り込むために増加され、埋められた層中の回路特徴を露出させる。ＦＩＢシステムは、電気接続を壊すために導電性のトレースを切断し、或いは、新しい電気接続を設けるために導電性材料を堆積することで露出された回路を変更することができる。ガス状の材料は、イオンビームの衝突点でサンプルにしばしば方向付けられ得、イオンは、使用されるガス状の化合物に依存してエッチング速度を選択的に上げる又は材料を堆積する化学反応を引き起こす。
【０００４】
最近まで、集積回路の金属相互接続部に対するＦＩＢシステムのミリングの適用は、多結晶アルミニウム又はタングステンのスパッタリングに制限されてきた。両方の材料とも関心域上をガリウムイオンのビームでラスタリングすることによってミリングされ得る。エッチング速度を上げるためには、ハロゲン族（臭素、塩素、又は、ヨウ素）の元素を含むガスがエッチングを高めるためにイオンビームの衝突点にしばしば向けられる。ビームは、点から点へビームを進めるディジタル電子装置を用いてミリングされるべき域上を典型的に走査される。点と点との間の距離をピクセルスペーシングと呼ぶ。ガス無しでミリングするとき、ピクセルスペーシングは、典型的にビームのスポットの大きさよりも小さく、つまり、その後のビーム位置夫々は、均一なカット及び平滑な仕上げを確実にするために先行する位置とオーバーラップする。この方法を「デフォルト・ミリング」と称する。ミリング方法は、“Method  for  Semiconductor  Device  Manufacture”なる名称のSwanson外への米国特許第５，１８８，７０５号に記載される。
【０００５】
近年では、半導体製造業者は、アルミニウムの相互接続部の代わりに銅を使用することに移行し始めた。製造業者が、チップが動く速度を速めようとするにつれ、銅の相互接続部の使用はアルミニウムに対して幾つかの利点を提供する。例えば、銅はより低いシート抵抗を有し、改善された金属ライン及びライン／ビア／ラインの電気移動法の信頼性の両方を示す。
【０００６】
他の金属相互接続部材料の集束イオンビームのエッチングを高めるために使用されるハロゲンは、銅のエッチングをあまり高めず、銅のルーチンＦＩＢミリングに対して適切な他の化学薬品も見つかっていない。例えば、堆積物を残す傾向がある。従って、銅の導体のミリングは適切な、エッチング向上化学薬品がないため、遅い。更に、化学薬品無しで銅をミリングすることは、イオンビームが均一に与えられた時でさえも不均一に材料を除去することが分かった。不均一な除去は、エッチングされた域のフロアを平面にせず、銅の導体下の材料の許容可能でないミリング、即ち、ミリングが残留する銅をイオンビーム下の一つの領域から除去し続けると、銅が既に除去された域の下における露出された層をミリングすることによって著しいダメージが引き起こされる。
【０００７】
この不均一なミリングは、ミリング中に形成され、イオンビームに露出された域にわたって広がる抵抗Ｃｕ領域の形成に原因があると考えられる。この領域は、入来するイオンを結晶にチャンネリングし、それにより入来するイオンによる銅のスパッタリング速度が低下すると考えられる。この領域は、二次電子モードにあるイオンビームを用いてイメージングされると黒く現われ、これは明らかに、入来するイオンの増加したチャンネリングも表面の近傍において二次イオンの出射を減らすからである。
【０００８】
領域は、Ｃｕ−Ｇａ合金から構成されていると考えられる。この域は、一旦形成されると、約２乃至約４の倍数だけ表面スパッタリング速度を抑制する。この域がミリング手順中、時間をかけて形成され、チャンネリングの変化のため、ラスタリングされた領域は不均一にエッチングされる。幅が１ミクロンより狭い走査された域は、必ずしも黒い領域の形成を示さず、多くの場合、均一にエッチングする。更に、ミリング中にＢｒ２又はＣｌ２ガスのいずれかを使用することは、抵抗域の形成を緩和せず、室温で向上させる更なるガスを探すことはまだ成功していない。
【０００９】
従って、本発明は、銅及び他の材料の荷電粒子ビームのミリングの均一性を改善することを目的とする。
【００１０】
本発明は、銅及び他の材料の荷電粒子ビームのミリング速度を改善することを更なる目的とする。
【００１１】
本発明は、有害ガス又は腐食性ガスを使用することなく銅及び他の材料の集束イオンビームのミリング速度及び均一性を改善することを更なる目的とする。
【００１２】
出願人は、銅の導体のエッチング速度がデフォルト・ミリングに対して高められ、サンプルが、イオンビームが最初にオーバーラップするピクセルのラスタパターンではなくサンプルが一連の非連続的な点で典型的にミリングされるパターンで移動する場合より均一にエッチングされることが分かる。ミリングが続くと、ミリング点は、ミリングを完了するためにオーバーラップする点のラスタパターンが典型的にミリングされるまで段々に互いに近接する。例えば、第１の線量のイオンは、ｘ方向及びｙ方向に０．５μｍ離間されたミリング位置又はピクセルに与えられてもよい。その後の線量は、０．４μｍ、０．３μｍ、０．２５μｍ、及び、０．１μｍのピクセルスペーシングで与えられ得る。０．０５μｍのピクセルスペーシングでの最後のミリングは、ミリングされた域のフロアに均一な仕上げを生成する。本例では、説明したようにミリング段階は６つある。銅の成功したミリングは、厚さ及び粒の構造のような特定の銅特性に依存して最小で２最大で１０のミリング段階を用いて実現される。ラスタリングされた域内のミリングの方が均一であるため、本発明は、銅の導体の下にある材料に対するダメージを軽減する。このダメージは、銅が除去された域を連続的にミリングする一方でラスタリングされたボックス内の隣接する抵抗域から残留する銅を除去することを試みることによって生ずる。
【００１３】
本発明のミリング方法は、例えば、銅の導体の局部化された加熱を減らすことによってエッチング耐性域の形成を禁止する。非連続的な場所のミリングは、一箇所でイオンビームの衝撃によって伝えられたエネルギーをビームがその域に戻る前に試料を通じて消散させ、それによりエッチング耐性領域を形成するのに必要なエネルギーの累積を防止する。ビームからのエネルギーを、エッチング耐性域が形成する前に消散させる他の方法は、エッチング耐性領域形成を防止することにおいて効果的となり得、これは出願人の発見及び発明の範囲内にあるとする。例えば、集束イオンビームの加速電圧は、３０ｋｅＶ乃至５０ｋｅＶの典型的な範囲から１ｋｅＶ乃至２０ｋｅＶのような減少された範囲まで減少され得、それにより１イオン当たりのターゲットに伝わる量が少ない。エッチング耐性域の広がりは、本発明の方法は銅をセグメントに隔離する穴を形成するため減らされ、エッチング耐性域はこれら穴を越えて広がることができなくなり得る。
【００１４】
本発明のミリング方法は、エッチング耐性域の形成を防止するだけでなく、一般的に銅の導体のミリング速度を上げる。イオンビームの限定されたエッジ解像度のため、ミリングされた穴の側面は表面に対して正確に垂直でない。これは、ターゲットの露出した表面積を増大し、幾らかの衝突するイオンを垂直角でない角でターゲット表面に当たらす。増大した表面積及び垂直でない入射の両方がエッチング速度を上げると考えられる。
【００１５】
本発明は、エッチング速度を上げ、エッチングの均一性に寄与するために化学前駆体に依存しないため、どの特定のタイプのサンプル材料にも制限されないが、本発明の恩恵はエッチング耐性領域を形成する傾向がある銅のミリングに特に見られる。典型的には腐食性又は有害であるエッチング向上ガスの使用が要求されないことにより、このようなガスの取り扱いに関連する問題は回避される。
【００１６】
好ましい実施例の詳細な説明
本発明及びその利点をより完全に理解するためには、添付の図面と共に以下の説明を参照する。
【００１７】
図１では、集束イオンビームシステム８は、上ネック部分１２を有する排気されたエンベロープ１０を含み、この上ネック部分１２内には、液体金属イオン源１４、及び、引出し電極並びに静電光学系を含む集束カラム１６がある。イオンビーム１８は、源１４からカラム１６、及び、概略的に参照番号２０で示す静電偏向手段の間をサンプル２２の方に通り、サンプル２２は、例えば、下部チャンバ２６内の可動なＸ−Ｙステージ２４上に位置決めされる半導体装置を有する。イオンポンプ２８は、ネック部分１２を排気するために使用される。チャンバ２６は、真空制御器３２下でターボ分子及び機械的ポンピングシステム３０を用いて排気される。真空システムは、約１×１０−７トル乃至５×１０−４トルの真空をチャンバ２６内に提供する。エッチング促進又はエッチング抑制ガスが使用されるとき、チャンバのバックグラウンド圧力は、典型的に約１×１０−５トルである。
【００１８】
高電圧電源３４は、約１ｋｅＶ乃至６０ｋｅＶのイオンのビーム１８を形成し、このビームを下方向に方向付けるために、液体金属イオン源１４並びに集束カラム１６中の適当な電極に接続される。パターン発生器３８によって与えられる規定のパターンに従って動作する偏向制御器及び増幅器３６は、偏向板２０に結合され、それによりビーム１８はサンプル２２の上表面上の対応するパターンをトレースするよう制御されてもよい。トレースされるべきパターンは、以下に詳細に説明する。幾つかのシステムでは、偏向板は、技術において周知の通り、最終レンズの前に配置される。
【００１９】
源１４は、ガリウムの金属イオンビームを典型的に供給するが、他のイオン源、例えば、マルチカスプ又は他のプラズマイオン源も使用され得る。源は、イオンミリング、高められたエッチング、材料堆積によって表面２２を変更、又は、表面２２をイメージングする目的のいずれかのためにサンプル２２で十分の一サブミクロン幅のビームに典型的に集束し得る。イメージングのための二次イオン又は電子の出射を検出するために使用される荷電粒子増倍管４０は、ビデオ回路及び増幅器４２に接続され、ビデオ回路及び増幅器４２は制御器３６からも偏向信号を受信するビデオモニタ４４を駆動させる。チャンバ２６内の荷電粒子増倍管４０の位置は、異なる実施例において異なり得る。例えば、好ましい荷電粒子増倍管４０は、イオンビームと同軸であり、イオンビームを通すための穴を有し得る。走査型電子顕微鏡４１には、その電源及び制御部４５と共に、ＦＩＢシステム８が任意に設けられる。
【００２０】
流体送出しシステム４６は、サンプル２２の方にガス状の蒸気を送り且つ向けるために下部チャンバ２６の中に任意に延在する。本発明の譲受人に譲渡された“Gas  Delivery  Systems  For  Particle  Beam  Processing”なる名称のCasella外への米国特許第５，８５１，４１３号は、適切な流体送出しシステム４６を開示する。
【００２１】
加熱又は冷却されてもよいステージ２４上にサンプル２２を挿入し、貯蔵器５０を与えるためにドア６０が開く。ドアは、システムが真空下にある場合には開かないようインターロックされている。高電圧電源は、イオンビーム１８を励起し集束するためにイオンビームカラム１６中の電極に適当な加速電圧を供給する。イオンビームがサンプルに当たると、材料はスパッタリングされ、つまり、サンプルから物理的に放出される。集束イオンビームシステムは、例えば、本出願の譲受人であるＦＥＩ  Company，Hillsboro，Oregonから市販されている。
【００２２】
本発明の好ましい実施例では、偏向制御器及び増幅器３６に供給される信号は、ミリング速度を上げ、より均一な材料の除去を発生する新しいパターンでミリングされるべきターゲット域内で集束イオンビームを移動させる。図２は、本発明の好ましい実施例に伴われる段階を示すフローチャートである。段階１００では、ミリングされるべきターゲット域は下部チャンバ２６中のサンプル２２上にある。段階１０２では、ターゲット域は、ターゲット表面においてイオンビームのエッジからエッジまでの径として定義されるビームのスポットの大きさよりも大きいピクセルスペーシングを用いてミリングされ、ビームのエッジはビームの強度がその最大値の十分の一に下がる点として考えられる。イオンビームは、０．０５μｍ乃至０．１５μｍの間のスポットの大きさをミリングのために典型的に有するが、ミリングされるべきターゲットに依存し、最小で０．００５μｍのビームも０．８μｍ以上のビームと同様に容易に実現され使用され得る。
【００２３】
段階１０４では、ターゲット域は、段階１０２において使用されたピクセルスペーシングよりも狭いピクセルスペーシングを用いて再びミリングされる。ミリングされる材料、ミリングされる域の大きさ、使用されるイオンビームの特性に依存して、段階１０４が繰り返され、このときピクセルスペーシングは、段階１０６に示すように、ターゲット域上に平滑且つ平坦なフロアを生成するに充分に小さくなるまで減少される。任意には、段階１０８において、下にある基板の全ての故意でないエッチングを更に減らすよう下にある材料のエッチング速度を下げるためにガスが供給される。エッチングされる材料に依存して、ミリングされる薄膜金属のエッチング速度を上げ、又は、膜の下の低レベル誘電体のエッチング速度を禁止するいずれかのためにエッチング処理全体中にガスが与えられ得る。
【００２４】
可変ピクセルミリング（ＶＰＭ）と呼ばれる好ましい実施例では、本発明は、一連の「ミリング・ボックス」を使用する。ミリング・ボックスは、ｘ方向及びｙ方向に特定の量だけ離間されたミリング位置又はピクセルの群として定義される。１単位面積当たりの電荷として表される、平均的なイオン線量は、各ミリング・ボックスに対して指定されている。イオンビームは、ボックス中のミリング位置の間で移動し、ボックス中の各ミリング位置がボックスに対して指定される所定の平均線量を略受けるまでミリング位置でミリングする。各ミリング位置では、ビームのスポットの大きさに略等しい径を有する穴がミリングされる。線量を供給することにおいて、イオンビームは、一回のドウェル期間中にボックスに対する線量全部を各点に運ぶ代わりに、典型的にはボックス中の各点を数回訪れる。最初のミリング・ボックスが完了した後、サンプル表面はミリングされていない材料によって分離された多数の穴を有する。
【００２５】
連続的に近接するピクセルを夫々有する多数のミリング・ボックスが与えられる。「ネステッド」ボックスは、所望の関心特徴の上に位置決めされ、ミリングは逐次実施され、その後のボックスはより狭い間隔のピクセルスペーシングを有する。この結果、非常にチャンネリングされた黒い領域の形成を抑止する一連の隔離された銅のアイランドが生成される。この領域の形成を抑止することにより、ミリングは平坦且つ均一な表面を生成する。更に、これら銅のアイランドの形成によって実現される増大した表面積は、約１．２５乃至約４．０倍だけミリング全体の効率化を高める。
【００２６】
後のボックスにおいてミリングされた穴の幾つかは、前にミリングされた穴を典型的にオーバーラップする。しかしながら、完全な組のミリング・ボックスを終えると、サンプル中の各点から除去された材料の量は、ミリングされた域全体にわたって均一且つ平坦なフロアを生成するための量に略等しい。最後のミリング・ボックスは、典型的に従来のピクセルスペーシングを使用、つまり、ピクセルスペーシングは平滑且つ均一にミリングされた域を生成するためにビームのスポットの大きさよりも小さい。
【００２７】
ＦＩＢカラム中で１５０μｍのアパーチャ、及び、２．０４ｎＡのビーム電流を使用して銅の相互接続部をミリングする一つの好ましい実施例では、６つのミリング・ボックスが使用される。イオンビームは、０．０５μｍ乃至０．１０μｍのビームのスポットの大きさを有する。銅の１．０μｍの厚さに対する、各ボックスのパラメータを表１で以下に示す。
【００２８】
【表１】
0005095897.tif 000002
表１のミリング・ボックスの最初の５つは、標準のデフォルト・ミリングに使用されるピクセルスペーシングよりも著しく大きいピクセルスペーシングを使用する。最後のミリング・ボックスだけが従来のデフォルト走査スペーシングを使用する。各ミリング・ボックス内では、ビームは多数の回路を形成、つまり、ボックスに対して指定された平均線量を各ピクセルが略受けるまで各ピクセルは数回ミリングされる。ビームは、典型的に各ピクセルにおいて約５μ秒ドウェルし、結果として各ドウェル期間中各ピクセルにおいて約０．００１ｎＣの線量をもたらす。
【００２９】
図３Ａ乃至図３Ｆは、各ミリング・ボックスが順次に与えられた後のサンプルを示し、このとき図３Ｆは最後のミリング・ボックスが完了した後のサンプルを示す。図３Ｆは、残留する銅が明らかでない平滑な底表面を有するサンプルを示す。図４Ａは、従来のミリングを用いてミリングされたサンプルの銅の相互接続部を示し、図４Ｂは比較として本発明に従ってミリングされた同様の銅の相互接続部を示す。
【００３０】
ミリング・ボックスは、１５０μｍのアパーチャを用いて、２０μｍ×２０μｍよりも大きい大きさから１μｍ×１μｍまでの幅広い範囲の大きさにわたってうまくスケールされている。ボックスは、同じピクセルスペーシング及び線量を維持して所望の域に単に拡大又は収縮される。
【００３１】
１５０μｍよりも大きい又は小さいのいずれかのアパーチャの使用は、この手順をうまく実行するためにピクセルスペーシングを注意深くスケーリングすることを要求する。出願人は、５０μｍ乃至１５０μｍのアパーチャの範囲にわたってミリング・ボックスをスケールした。例えば、２０μｍ×２０μｍよりも大きい域に対してミリング時間を可能な限り短い期間で維持するためには、ＦＩＢ操作者はスポットの大きさを大きくし、ビーム電流をより大きくするといった両方を提供する大きいアパーチャを選択し得る。スポットの大きさが大きくなると、多数のボックス中のピクセルスペーシングは相応じて大きくされなくてはならず、それによりピクセルは最初の５つのボックスにおいて連続的でなくなる。
【００３２】
当業者は、上述の例によって案内される任意のアパーチャの大きさに使用するためのボックスの組を過度の実験無しに決定することができる。
【００３３】
出願人は、ミリング仕様、つまり、各ボックスのピクセルスペーシング、線量、イオンエネルギー、ビームの大きさ、及び他のパラメータ、並びに、使用される異なるボックスの数が、銅の粒の構造及び厚さを含む銅の特性に依存してミリングを最適化するために変えられてもよいことが分かる。出願人は、最小で２最大で１０のミリング・ボックスを使用して銅を上手くミリングした。各ミリング・ボックスの仕様及びボックスの数は、案内として上記した例及び情報を用いて実験的に決定され得る。
【００３４】
均一なフロアの生成を補助するためにガスを使用することも可能である。 “Method  for  Water  Vapor  Enhanced  Charged−Particle−Beam  Machining”なる名称のRussell外に対する米国特許第５，９５８，７９９号に記載するように、酸化ケイ素のエッチングを禁止するために水蒸気が用いられる。水蒸気が銅のミリング中に与えられると、銅の導体の下にある酸化物のミリングを禁止する。
【００３５】
上述のパターンではミリングが各ボックス内の固定のピクセルスペーシングの長方形のアレイで実施されているが、本発明はその実施例に制限されない。例えば、ピクセルスペーシングは、別々の段階で減少される代わりに除々に減少され得、ミリング位置は、エッチング耐性域の成長を防止するにピクセルが充分に広く間隔があけられ、各点から最終的に除去される材料の量が平坦、平滑、且つ平面なフロアを生成するための量と略同じとなる限り長方形又は正則のパターンに配置される必要はない。ピクセルスペーシングは、不変のままでもよく、ピクセル位置は平坦、平滑、且つ平面なフロアを生成するためにその後の走査において変化される。
【００３６】
本発明のミリング方法は、例えば、銅の導体の局部的な加熱を減らすことによってエッチング耐性域の形成を禁止する。非連続的な場所をミリングすることは、一箇所でイオンビームの衝撃によって与えられるエネルギーをビームがその域に戻る前に放散させ、それによりエッチング耐性領域の形成を生ずるに必要なエネルギーの累積を防止する。エッチング耐性域が形成する前にビームからのエネルギーを放散させる他の方法は、エッチング耐性領域の形成を防止するに効果的であり、出願人の発見及び本発明の範囲内である。
【００３７】
例えば、出願人は、減少したビームエネルギーがエッチング耐性領域の形成を防止することも分かった。好ましい減少されたビームエネルギーは、許容可能な速度で銅をスパッタリングするに充分であるがエッチング耐性領域を形成するための余剰のエネルギーには不十分なエネルギーを供給する。例えば、集束イオンビームの加速電圧は、ターゲットに対する１イオン当たりのエネルギーがより少なく与えられるよう３０ｋｅＶ乃至５０ｋｅＶの典型的なミリング範囲に減少され得る。好ましいビームエネルギーは、約２０ｋｅＶよりも少なく、より好ましくは、約１０ｋｅＶよりも少ない。好ましい最小エネルギーは約１ｋｅＶである。出願人は、幾つかの銅のターゲットに関して約５ｋｅＶのエネルギーが好適であることが分かった。
【００３８】
出願人は、本願では、本発明の成功を説明するために仮説を説明したが、本発明は下にある機構とは無関係に経験的に動作することを示した。
【００３９】
好ましい実施例は、集束イオンビームを使用するが、本発明の方法は電子ビーム処理のためにも有用である。本発明は、銅の相互接続部をミリングする問題を解決したが、プラズマガスイオン源を含む任意の荷電粒子ミリングに適用され得、どの特定の材料又は適用法にも制限されない。
【００４０】
本発明及びその利点を詳細に説明したが、様々な変化、置き換え、及び変更が添付の特許請求の範囲に記載する本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く本願記載の実施例に対してなされ得ることを理解すべきである。更に、本出願の範囲は、明細書に説明する処理、機械、製造、物質の組成、手段、方法、及び段階の特定の実施例に制限されないことを意図する。当業者が本発明の開示から容易に認識できるように、本願記載の実施例に対応する実施例と同じ機能を実質的に実施し、又は、略同じ結果を実現する現行の又は、後に開発される処理、機械、製造、物質の組成、手段、方法、又は、段階が本発明に従って利用されてもよい。従って、添付の特許請求の範囲は、その範囲内に、このような処理、機械、製造、物質の組成、手段、方法、又は、段階を含むことを意図する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の好ましい実施例において典型的な集束イオンビームシステムを示す図である。
【図２】  図１のＦＩＢシステムを動作する好ましい方法を示すフローチャートである。
【図３Ａ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、サンプルに第１のミリング・ボックスを適用した結果を示す図である。
【図３Ｂ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、図３Ａからのサンプルへの第２のミリング・ボックスの適用を示す図である。
【図３Ｃ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、図３Ｂからのサンプルへの第３のミリング・ボックスの適用を示す図である。
【図３Ｄ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、図３Ｃからのサンプルへの第４のミリング・ボックスの適用を示す図である。
【図３Ｅ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、図３Ｄからのサンプルへの第５のミリング・ボックスの適用を示す図である。
【図３Ｆ】  図２の方法による一連のミリング操作後のサンプルを示し、図３Ｅからのサンプルへの第６のミリング・ボックスの適用を示す図である。
【図４Ａ】  従来のラスタミリングの結果を示す図である。
【図４Ｂ】  各ボックスにおいて５．５ｎＣ／μｍ２の線量を使用する本発明によるミリングの結果を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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