(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に膜厚１〜５ｎｍの窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記窒化シリコン膜が、プラズマＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法により形成される請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記窒化シリコン膜が、窒素ガスおよび／またはアンモニアガス、窒素ガスおよび／またはアンモニアガスと水素ガスとの組み合わせからなる原料ガスを用いて形成される請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、良好な電池特性を有する太陽電池を歩留りよく製造し得る太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、光の照射によって半導体内部に発生した電子と正孔とをｐｎ接合で分離することにより電流を取り出している。
ｐ型結晶シリコン基板を用いた太陽電池では、一般にリン、ヒ素のような５族元素をｐ型結晶シリコン基板に拡散させることにより、ｐｎ接合を形成している。
例えば、ｐ型結晶シリコン基板にリンを拡散させる方法としては、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を気相拡散させる方法やリンを含んだ溶液をシリコン基板の表面にスピンコート法やスプレー法などによって塗布した後、熱拡散させる方法などが知られている。
【０００３】
太陽電池の量産において製造コストを削減する観点では、前者が後者よりも優れているといえる。
このリンを含んだ溶液をｐ型結晶シリコン基板に塗布し、熱拡散させる方法においては、リンを基板の表面全体にわたって均一に拡散させるために、シリコン基板の表面とリンを含んだ溶液との密着性が重要になる。
【０００４】
非特許文献１には、リン酸と有機溶剤との混合溶液をｐ型結晶シリコン基板に塗布し、熱拡散させることによりｐｎ接合を形成できること、混合溶液に含まれる有機溶剤がシリコン基板との密着性を良好にするために必須であることが報告されている。また、非特許文献１には、リン酸と純水とを混合したリン酸水溶液を採用した場合には、リン酸水溶液とシリコン基板の表面との密着性が悪く、ｐｎ接合を形成できないことも報告されている。
【０００５】
また、非特許文献２や非特許文献３には、リン酸水溶液をｐ型結晶シリコン基板に塗布し、熱拡散させる前に、予めシリコン基板を塩酸と過酸化水素水の混合溶液に浸漬し、その表面を親水性にして、リン酸水溶液とシリコン基板の表面との密着性を改善することが報告されている。
すなわち、上記の技術では、シリコン基板がリン酸水溶液を弾くために、リンの熱拡散が行なわれない部分が形成され、太陽電池特性を低下させる問題を解決している。
【０００６】
しかしながら、非特許文献１の方法は、有機溶剤を使用するので、製造過程においてＶＯＣ（Volatile Organic Compounds、揮発性有機化合物）が発生し、環境面で問題となる。このＶＯＣは揮発し易い有機化合物の総称であり、光化学スモッグなどの発生原因となる。
【０００７】
また、非特許文献２や非特許文献３の方法は、有機溶剤を使用しないので、ＶＯＣの問題は起こらない。しかしながら、シリコン基板の表面を親水性にするための工程が必要であり、シリコン基板（ウエハ）に機械的なストレスを与えるのみならず、ハンドリングが困難であり、製品の歩留まりを低下させるという問題がある。さらに、この工程はウェットプロセスであるので、シリコン基板の乾燥という工程を加えなければならないという問題もある。
【０００８】
近年、シリコン材料の使用量を削減するためにシリコン基板（ウエハ）の薄型化が進み、太陽電池の製造工程における熱処理などによりシリコン基板が機械的ストレスを受け易くなっている。このような状況を考慮すると、シリコン基板に対する機械的ストレスを避けることは重要であり、ウェットプロセスを避けることが望ましい。
【０００９】
【非特許文献１】D. Bouhafsほか4名，「N+ silicon solar calls emitters realized using phosphoric acid as doping source in a spray process」，Thin Solid Films，Volume 510，2006年，p.325-328
【非特許文献２】S. Sivoththamanほか3名，「Papid thermal annealing of spin-coated phosphoric acid films for shallow junction formation」，Applied Physics Letters，Volume 71，1997年，p.392-394
【非特許文献３】D. S. Kimほか5名，「Development of a phosporus spray diffusion system for low-cost silicon solar calls」，Journal of the Electrochemical Society，Volume 153，2006年，p.A1391-1396
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、良好な電池特性を有する太陽電池を歩留りよく製造し得る太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、ｐ型結晶シリコン基板にリン酸水溶液を塗布した後、加熱することにより、リン原子をｐ型結晶シリコン基板に熱拡散させてｎ型半導体層を形成する前に、ｐ型結晶シリコン基板の表面上に薄い窒化シリコン膜を形成することにより、ｐ型結晶シリコン基板とリン酸水溶液との密着性が向上し、ｐ型結晶シリコン基板に均一にｐｎ接合が形成できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１２】
かくして、本発明によれば、ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、良好な電池特性を有する太陽電池を歩留りよく製造し得る太陽電池の製造方法を提供することができる。
すなわち、本発明によれば、ｐ型結晶シリコン基板の表面を親水性にすることができ、ｐ型結晶シリコン基板上にリン酸水溶液を均一に塗布できるので、均一にｐｎ接合が形成でき、良好な太陽電池特性を得ることができる。
また、本発明は、有機溶媒を使用しないのでＶＯＣが発生することがなく、ウェットプロセスではないので、ｐ型結晶シリコン基板に機械的なストレスを与えず、製品の歩留まりを向上させることができる。
さらに、本発明によれば、ｐ型結晶シリコン基板の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の太陽電池の製造方法は、ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする。
本発明において、ｐ型結晶シリコン基板の「主面」とは、太陽電池の受光面側の表面を意味する。
【００１５】
具体的には、本発明の太陽電池の製造方法は、次の工程：
（ａ）ｐ型結晶シリコン基板の表面上に、薄い窒化シリコン膜を形成する工程、
（ｂ）前記窒化シリコン膜上にリン酸水溶液を塗布した後、加熱してｐ型結晶シリコン基板にｎ型半導体層を形成する工程、
（ｃ）前記窒化シリコン膜上に、反射防止膜を形成する工程、
（ｄ）前記ｐ型結晶シリコン基板の裏面上に、裏面電極を形成する工程、および
（ｅ）前記反射防止膜上に、受光面電極を形成する工程
を含む。
【００１６】
本発明の太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略断面図である。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１７】
１．窒化シリコン膜形成工程
まず、図１（ａ）に示すように、ｐ型結晶シリコン基板１の表面上に、薄い窒化シリコン膜２を形成する。これにより、ｐ型結晶シリコン基板の表面を親水性にすることができる。
【００１８】
ｐ型結晶シリコン基板は、結晶シリコン基板であれば特に限定されず、例えば単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板のいずれであってもよい。シリコン基板の抵抗値や結晶方位などは特に限定されない。
窒化シリコン膜の形成前に、ｐ型結晶シリコン基板の表面の洗浄や表面ダメージ層の除去を目的として、強アルカリ水溶液、強酸水溶液などでｐ型結晶シリコン基板を処理するのが好ましい。
また、窒化シリコン膜の形成前に、入射した光を光電変換素子の受光面側で多重反射させることで、より効果的に光を取り込むための微細な凹凸（テクスチャ）構造を形成することを目的として、アルカリ溶液でｐ型結晶シリコン基板を処理するのが好ましい。
【００１９】
窒化シリコン膜の形成方法は、公知の方法を適用できる。これらの方法の中でも、量産に適したプラズマＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が好ましい。これらの中でも、プラズマＣＶＤ法は、後のプロセスである反射防止膜の製膜方法として量産レベルで最も普及した方法であり、同じ装置を本プロセスにおいても使用できる可能性があるという点で特に好ましい。
また、窒化シリコン膜は、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスまたはこれらのガスの組み合わせ、すなわち窒素ガスおよび／またはアンモニアガス、窒素ガスおよび／またはアンモニアガスと水素ガスとの組み合わせからなる原料ガスを用いて形成されるのが好ましい。
原料ガスに水素が含まれている場合には、形成された窒化シリコン膜に水素が含まれ、その後の加熱処理により、水素がｐ型結晶シリコン基板内に入り込み、ｐ型結晶シリコン基板中の欠陥をパッシベーションすることができるので好ましい。
【００２０】
窒化シリコン膜の膜厚は、１〜５ｎｍであるのが好ましい。窒化シリコン膜の膜厚が１ｎｍ未満の場合、ｐ型結晶シリコン基板の表面を親水性にすることができ難いので好ましくない。また、窒化シリコン膜の膜厚が５ｎｍを超える場合、リン原子が窒化シリコン膜を貫通し難くなるので好ましくない。窒化シリコン膜の膜厚が上記の範囲であれば、ｐ型結晶シリコン基板の表面を親水性にすると同時に、リン原子が窒化シリコン膜を貫通（拡散）させることができる。
【００２１】
２．ｎ型半導体層形成工程（ｐｎ接合形成工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、窒化シリコン膜２上にリン酸水溶液を塗布した後、加熱してｐ型結晶シリコン基板１にｎ型半導体層３を形成してｐｎ接合とする。
【００２２】
リン酸（Ｈ3ＰＯ4）水溶液は、リン酸と純水とを混合することにより調製することができ、そのリン酸濃度は１〜１２重量％が好ましく、加熱後に形成されるｎ型半導体層のウエハ面内の均一性を良好にすることを考慮すると２〜８重量％が特に好ましい。
リン酸水溶液の塗布方法は、公知の方法を適用できる。例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法などが挙げられ、溶液を比較的簡単にウエハ面内に均一に塗布できるという点でスピンコート法が特に好ましい。
【００２３】
加熱方法としては、例えば、ｐ型結晶シリコン基板を温度１５０〜３００℃で加熱し、リン酸水溶液の塗膜を乾燥させた後、温度７００〜１０００℃の高温炉で加熱するのが好ましい。高温炉での加熱により、ｐ型結晶シリコン基板の表面に付着したリン酸のリン原子が窒化シリコン膜を貫通してｐ型結晶シリコン基板に拡散する。
拡散後に形成されるｎ型半導体層３のシート抵抗は、２０〜２００Ω／□の範囲にあるのが望ましい。
このようにドーパントであるリンを含む溶液を塗布する方法は、ｎ型半導体層の受光面にのみ選択的に形成することができ、気相拡散法のように受光面側以外の部分（裏面および側面）に形成されたｎ型半導体層を除去するための付加的な工程を含める必要がないため、より量産に適している。
【００２４】
３．反射防止膜形成工程
次に、図１（ｃ）に示すように、太陽光などの光を有効に取り込むために、ｎ型半導体層３上に、反射防止膜４を形成する。
このとき窒化シリコン膜は非常に薄いので、窒化シリコン膜が反射防止膜の形成において光学的特性に影響を与えることはなく、以降の工程に影響を与えることもない。したがって、図１（ｃ）〜（ｆ）には窒化シリコン膜２を図示しない。
また、反射防止膜４を形成する前に、フッ酸水溶液に浸漬するなどの方法で窒化シリコン膜２を除去しても、本発明の実施において何の影響も及ぼさない。しかしながら、製造工程の増加になることから、窒化シリコン膜２の除去工程を省略するのが好ましい。
【００２５】
反射防止膜の材料は、公知の材料を適用できる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化チタンなどが挙げられ、これらの中でも汎用されている窒化シリコンが特に好ましい。
その形成方法は、公知の方法を適用できる。例えば、プラズマＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法などが挙げられ、連続処理が可能で、量産に適したプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００２６】
例えば、プラズマＣＶＤ法により反射防止膜として窒化シリコン膜を形成する条件は、反応室の形状などにより適宜設定すればよいが、例えば、モノシラン１０〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア１０〜１０００ｓｃｃｍおよび窒素５０〜１０００ｓｃｃｍの混合ガスの場合、圧力１０〜２００Ｐａ、温度２００〜６００℃の範囲であるのが望ましい。このような形成条件であれば、窒化シリコン膜に優れた特性を付与することができる。
反射防止膜の厚さは、膜の屈折率やｐ型結晶シリコン基板の表面凹凸の大きさにより適宜設定すればよいが、通常６０〜１００ｎｍ程度である。
【００２７】
４．裏面電極形成工程
次に、図１（ｄ）に示すように、ｐ型結晶シリコン基板１の裏面上に、裏面電極５を形成する。この裏面電極５は、ｐ型結晶シリコン基板１内で発生したキャリアを電流として取り出すために利用される。
その材料および形成方法は、公知の材料および方法を適用できる。例えば、スクリーン印刷法により、アルミニウム粉末などを含んだ導電性ペーストを太陽電池の裏面全面に塗布（印刷）し、温度１００〜４００℃で乾燥させることにより、裏面電極を得る。スクリーン印刷法は量産レベルにおいてはコストを低減できるので好ましい。
裏面電極の厚さは、通常１０〜６０μｍ程度である。
【００２８】
５．受光面電極形成工程
次に、図１（ｅ）に示すように、反射防止膜４上に、受光面電極６を形成する。
その材料および形成方法は、公知の材料および方法を適用できる。例えば、スクリーン印刷法により、銀粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルおよび有機溶媒とを主成分とする導電性ペーストを反射防止膜上に塗布（印刷）し、温度１００〜４００℃で乾燥させることにより、受光面電極を得る。
受光面電極６のパターンは特に限定されず、一般に太陽電池に用いられるパターンであれば特に限定されない。例えば、魚骨型（櫛形状）が挙げられる。
裏面電極の厚さは、通常１０〜６０μｍ程度である。
【００２９】
６．受光面電極のファイアスルーおよび裏面電界層形成工程
上記工程の後、図１（ｆ）に示すように、得られたｐ型結晶シリコン基板１を焼成処理に付して、受光面電極のファイアスルー（図示せず）およびｐ型結晶シリコン基板と裏面電極との界面に裏面電界層７を同時に形成するのが好ましい。
ファイアスルーとは、ｐ型結晶シリコン基板を焼成する際に、受光面電極に添加されているガラス粉末の作用で反射防止膜が破られることによって起こる現象である。これにより受光面電極をｐ型結晶シリコン基板に接触させることができる。
裏面電界層は、ｐ型結晶シリコン基板を焼成する際に、裏面電極に含まれるアルミニウムの一部がｐ型結晶シリコン基板に拡散された領域のことであり、これによりｐ型結晶シリコン基板内部で発生したキャリアの収集効率を向上させることができる。
焼成条件は、温度６００〜９００℃の範囲、焼成時間１〜３００秒間程度が好ましい。
【実施例】
【００３０】
本発明を実施例および比較例によりさらに具体的に説明するが、実施例により本発明が限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
この実施例では、特開２００１−２２３１７２号公報に記載の方法で作製されたシートシリコン（面積：１５ｃｍ×１５ｃｍ、厚さ：３５０μｍのｐ型多結晶シリコン基板１）を用いて、図１（ａ）〜（ｆ）に示される製造工程により、太陽電池を作製した。
【００３２】
（１）ｐ型多結晶シリコン基板の準備工程
まず、上記のｐ型多結晶シリコン基板１をＨＮＯ3／ＨＦ混合溶液で処理して、両面合わせて１０μｍ程度をエッチングして、表面の洗浄およびダメージ層の除去を同時に行なった（図示せず）。次いで、ＮａＯＨ水溶液による異方性エッチングを行い、ｐ型多結晶シリコン基板１の表面にテクスチャと呼ばれる微細な凹凸構造を形成した（図示せず）。ここで、テクスチャは、入射した光を太陽電池の受光面側で多重反射させることで、より効果的に光を取り込むための構造である。
【００３３】
（２）窒化シリコン膜形成工程
次いで、図１（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置の真空室内で、ｐ型多結晶シリコン基板１上に膜厚約３．５ｎｍの窒化シリコン膜２を形成した。
窒化シリコン膜２の原料ガスはアンモニアとした。また、その他の成膜条件は、周波数１３．５６ＭＨｚ、成膜圧力１００Ｐａ、成膜温度４５０℃、成膜時間７５０秒とした。
【００３４】
この工程により窒化シリコン膜が形成されていることを確認するために、プラズマＣＶＤ装置の真空室内に、片面をミラー状に研磨した単結晶シリコンウエハを設置し、ｐ型多結晶シリコン基板１と同時に窒化シリコン膜２の形成工程を実施した。実施後に単結晶シリコンウエハの表面をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析したところ、窒化シリコンに起因するスペクトルが認められ、窒化シリコン膜２の形成が確認できた。
また、分光エリプソメトリーから求めた、単結晶シリコンウエハ上の窒化シリコン膜２の膜厚は約３．５ｎｍであった。
【００３５】
（３）ｎ型半導体層形成工程（ｐｎ接合形成工程）
次いで、リン酸（Ｈ3ＰＯ4、含量８５％、キシダ化学株式会社製）に純水を混合し、５重量％のリン酸水溶液を調製した。得られたリン酸水溶液をｐ型多結晶シリコン基板１上に滴下し、スピンコーターにより塗布した。このとき、リン酸水溶液が全面に塗布されたことを目視で確認した。
その後、ｐ型多結晶シリコン基板１を２５０℃に加熱したホットプレートに１０分間静置して、リン酸水溶液を乾燥させた。次いで、ｐ型多結晶シリコン基板１を９００℃の高温炉に１５分間投入し、図１（ｂ）に示すように、太陽電池の受光面側にｎ型半導体層３を形成した。
【００３６】
（４）反射防止膜形成工程
次いで、図１（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置の真空室内で、ｐ型多結晶シリコン基板１上に、膜厚約８０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜４を形成した。
反射防止膜４の成膜時の混合ガス流量比は、モノシラン：アンモニア：窒素＝１：２：１２とした。また、その他の成膜条件は、周波数１３．５６ＭＨｚ、成膜圧力１００Ｐａ、成膜温度４５０℃、成膜時間２２５秒とした。
【００３７】
（５）裏面電極形成工程
次いで、図１（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法によりｐ型多結晶シリコン基板１の裏面上にアルミニウムペーストを印刷し、温度１５０℃で十分に乾燥させて、厚さ４０μｍのアルミニウムの裏面電極５を得た。
【００３８】
（６）受光面電極形成工程
次いで、図１（ｅ）に示すように、スクリーン印刷法によりｐ型多結晶シリコン基板１の反射防止膜４上に、銀粉末、ガラス粉末、有機質ビヒクルおよび有機溶媒を主成分とする銀ペーストを魚骨型のパターンで印刷し、温度１５０℃で十分に乾燥させて、厚さ３０μｍのアルミニウムの受光面電極６を得た。なお、魚骨型のパターンは、バスバー電極（メイングリッド）とフィンガー電極（サブグリッド）とで形成されており、フィンガー電極が２本のバスバー電極に垂直に配置されているものを用いた。
【００３９】
（７）ファイアスルーおよび裏面電界層形成工程
次いで、近赤外線炉を用いてｐ型多結晶シリコン基板１を温度８５０℃で１２０秒間焼成処理に付して、図１（ｆ）に示すように、受光面電極６のファイアスルー（図示せず）およびｐ型多結晶シリコン基板１と裏面電極５との界面に裏面電界層（図示せず）を形成し、太陽電池を得た。
【００４０】
（８）太陽電池の評価
ソーラーシミュレータを用いて、得られた太陽電池にＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の擬似光を照射し（温度条件：２５℃）、短絡電流密度（ｍＡ／ｃｍ2）、開放電圧（Ｖ）、曲率因子および変換効率（％）を測定した。得られた結果を表１に示す。
【００４１】
（比較例１）
工程（２）を実施しないこと以外は実施例１と同様にして太陽電池を作製し、評価した。得られた結果を表１に示す。
工程（３）においてリン酸水溶液をｐ型多結晶シリコン基板１上に滴下したとき、ｐ型多結晶シリコン基板１がリン酸水溶液を弾く状態が目視で確認された。また、その状態のままスピンコートをすると、シリコン基板の表面内にリン酸水溶液が塗布できていない部分があることが目視で確認された。
【００４２】
（比較例２）
工程（２）の代わりに、塩酸と過酸化水素水との混合溶液でｐ型多結晶シリコン基板１の表面を親水性にすること以外は実施例１と同様にして太陽電池を作製し、評価した。得られた結果を表１に示す。
すなわち、塩酸と過酸化水素水との混合溶液（体積比１：１）にｐ型多結晶シリコン基板１を浸漬し、目視によりその表面が親水性になったことを確認した後、純水で十分に洗浄し、乾燥した。
その後の工程（３）において、リン酸水溶液がｐ型多結晶シリコン基板１の全面に塗布されたことを目視で確認した。
【００４３】
【表１】
0004977587.tif 000002
【００４４】
表１の結果から、実施例１の太陽電池は、工程（２）の窒化シリコン膜形成工程を実施しなかった、すなわちｎ型半導体層を形成する前に、窒化シリコン膜を形成せず、ｐ型多結晶シリコン基板の表面を親水性にしなかった比較例１の太陽電池よりも優れた太陽電池特性を有していることがわかる。
これは、後者の太陽電池において、ｎ型半導体層を形成するためのリン酸水溶液がｐ型多結晶シリコン基板に弾かれて均一に塗布されず、ｐｎ接合が形成されていない部分が形成されたことに起因するものと考えられる。
【００４５】
また、工程（２）の窒化シリコン膜形成工程の代わりに、塩酸と過酸化水素水との混合溶液でｐ型多結晶シリコン基板の表面を親水性にした比較例２の太陽電池は、実施例１の太陽電池に近い太陽電池特性を有していることがわかる。
しかしながら、塩酸と過酸化水素水との混合溶液でｐ型多結晶シリコン基板の表面を親水性にする工程は、シリコン基板に機械的なストレスを与えるのみならず、ハンドリングが困難であり、製品の歩留まりを低下させるという問題があり、この工程はウェットプロセスであるので、シリコン基板の乾燥という工程を加えなければならないという問題もある。
【００４６】
さらに、実施例１の太陽電池は、比較例２の太陽電池よりも優れた太陽電池特性を有していることがわかる。
これは、実施例１の太陽電池において、工程（２）で形成した窒化シリコン膜中に含まれる水素が、工程（３）の高温でのドーパント（リン原子）の拡散の際に、ｐ型多結晶シリコン基板内部に入り込み、欠陥をパッシベーションしたために、ｐ型多結晶シリコン基板の品質が向上したことに起因するともの考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ｐ型結晶シリコン基板（ｐ型多結晶シリコン基板）
２  窒化シリコン膜
３  ｎ型半導体層
４  反射防止膜
５  裏面電極
６  受光面電極
７  裏面電界層
【図１】
0004977587.tif 000003