(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに固定した半導体素子をエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形で封止してなる半導体装置に用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）、硬化促進剤（Ｅ）を含有し、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂を含有し、シランカップリング剤（Ｄ）が一級、二級および三級のアミノシランからなる群から選択される少なくとも一種を５重量％以上含有し、かつ硬化促進剤（Ｅ）がアミジン化合物を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
0005087814.tif 000011
【請求項２】
エポキシ樹脂（Ａ）が一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂を１０重量％以上含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
リードフレームに固定した半導体素子を請求項１または２のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形で封止してなる半導体装置であって、リードフレームがパラジウムメッキフレームである半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐リフロー信頼性及び成形性に優れ、特に薄型半導体封止用として好適な半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置などの電子回路部品の封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッチックシールと共にフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止樹脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００３】
最近はプリント基板への半導体装置パッケージの実装において高密度化、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのため湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、耐リフロー信頼性、高温信頼性、耐湿信頼性などの信頼性が今後ますます重要となってくる。特に最近ではＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等厚さ１ｍｍ以下のパッケージにおける耐リフロー信頼性の向上が求められている。
【０００４】
表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置パッケージを載せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさらされるため、封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半導体チップの間、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こる。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿してリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームとの界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題になっている。更に、近年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることになりこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められている。
【０００５】
一般的に耐リフロー信頼性を向上させるには封止樹脂組成物中の充填材の割合を上げることが有効であることが知られていた。封止樹脂組成物中の樹脂成分を減らすことにより吸湿性が低下するからである。しかしながら、単純に封止樹脂組成物中の充填材の割合を大きくするだけだと流動性が悪化し、パッケージ未充填やステージシフトなどの問題が起こり、かつ、リードフレームと封止樹脂との線膨張差が大きくなるためリードフレームと封止樹脂との界面が剥離する。特にリードフレームインナーリード先端部の銀メッキ部やパラジウムメッキフレームは封止樹脂との密着性が悪く剥離するという問題があった。
【０００６】
そのため、耐リフロー信頼性を向上するために、エポキシ樹脂としてテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂を配合し充填材を２５〜９３重量％含有するエポキシ樹脂組成物が提案されている（特開平８−１３４１８３号公報）が、銀メッキ部やパラジウムメッキフレームに対する密着性未だ十分ではない。さらに、さらなる耐リフロー信頼性、特に２ｍｍ以下の厚みのパッケージにおいてさらに膨れ特性の優れる樹脂組成物が求められている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、より高温のリフロー温度において耐リフロー信頼性、特に膨れ特性、銀、パラジウムに対する密着性に優れるエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００９】
本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）、硬化促進剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂を含有し、シランカップリング剤（Ｄ）が一級、二級および三級のアミノシランからなる群から選択される少なくとも一種を５重量％以上含有し、かつ硬化促進剤（Ｅ）がアミジン化合物を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【００１０】
【化２】
0005087814.tif 000002
」である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明に用いられるエポキシ樹脂（Ａ）は、一般式（Ｉ）のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有するものであり、好ましくは一般式（Ｉ）のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に１０重量％以上含むエポキシ樹脂である。
【００１３】
一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００１４】
【化３】
0005087814.tif 000003
エポキシ樹脂（Ａ）に一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有させることによりリフロー時の膨れ特性が向上する。
【００１５】
一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、全エポキシ樹脂中に１０重量％以上含まれることが好ましい。１０重量％以上とすると低粘度化の効果が大きく、充填材を多量に配合させることができ、樹脂組成物の硬化物の吸湿量が小さくなる。そのため、半導体パッケージのリフロー時の膨れ特性が向上し、又、成形時の溶融粘度も小さくなり、特に薄型半導体パッケージへの充填性が向上するので好ましい。さらに、一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）全量に対して３０重量％以上がさらに好ましく、６０重量％以上であることがよりいっそう好ましい。
【００１６】
本発明のエポキシ樹脂（Ａ）は、用途によっては一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用してもよい。その他のエポキシ樹脂としては１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばアルキル置換基を持たないビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリフェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。又、これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いてもよい。
【００１７】
本発明に用いられる硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどのノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビスフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられ、これらを単独で用いても、２種以上の硬化剤を併用しても良い。硬化剤（Ｂ）の溶融粘度はＩＣＩ（１５０℃）粘度で１Ｐａ・s以下、さらには０．３Ｐａ・ｓ以下のものが特に好ましく使用される。
【００１８】
硬化剤（Ｂ）としてはリフロー信頼性の点から下記一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂が特に好ましく使用され、さらに好ましくは下記一般式（III）で表されるp-キシレン型フェノールアラルキル樹脂が良い。
【００１９】
【化４】
0005087814.tif 000004
【００２０】
【化５】
0005087814.tif 000005
【００２１】
２種以上の硬化剤を併用する場合、一般式（III）で表される硬化剤の含有量は硬化剤（Ｂ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましい。
【００２２】
２種以上の硬化剤を併用する場合、さらに好ましくは膨れ特性改良の観点から一般式（III）で表される硬化剤の含有量は硬化剤（Ｂ）全量に対して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上であることがより好ましい。
【００２３】
さらにはエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機械的性質、及び耐湿性も点からエポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５、特に０．７〜１．３の範囲にあることが好ましい。
【００２４】
本発明に用いられる充填材（Ｃ）としては、無機充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタンや酸化アンチモンなどの金属酸化物、アスベスト、ガラス繊維およびガラス球などが挙げられるが、中でも非晶性シリカは線膨脹係数を低下させる効果が大きく、低応力化に有効ななため好ましく用いられる。形状としては、破砕状のものや球状のものが用いられ、流動性の点から球状のものが特に好ましく使用される。
【００２５】
ここでいう非晶性シリカは、一般的には真比重が２．３以下のものを意味する。この非晶性シリカは公知の任意の方法で製造方法でき、例えば結晶性シリカを溶融する方法および金属ケイ素の酸化による方法、アルコキシシランの加水分解など、各種原料からの合成方法が使用できる。
【００２６】
非晶性シリカのなかでも石英を溶融して製造される球状溶融シリカが特に好ましい。
【００２７】
充填材（Ｃ）の粒径および粒度分布については、特に限定はないが、流動性、成形時のバリ低減の点から、平均粒径（メディアン径を意味する。以下同じ。）が５〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。また、平均粒径または粒度分布の異なる充填材を２種以上組み合わせることもできる。
【００２８】
充填材（Ｃ）の配合量としては成形性、耐半田リフロー性の点から８０〜９５重量％が好ましい。
【００２９】
樹脂組成物全体における充填材の割合を高めると難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することができる。このことにより、従来から難燃剤として使用してきたハロゲン成分を封止材成分に添加する必要がなくなり、環境保護の点で好ましい。
【００３０】
本発明に用いられるシランカップリング剤（Ｄ）は、一級、二級および三級のアミノシランからなる群から選択される少なくとも一種を５重量％以上含有するものである。これらのカップリング剤をシランカップリング剤（Ｄ）中に５重量％以上含有させることにより、リフロー時のリードフレーム銀メッキ部の密着性が向上する。これらのカップリング剤は充填材にあらかじめ表面処理しても構わないが、単に他の構成成分とブレンドするだけでも効果を発現できる。
【００３１】
一級アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルジエトキシシラン等が、二級アミノシランとしては、例えば、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルジエトキシシラン等が、三級アミノとしては、例えば、γ−ジブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ジブチルアミノプロピルジメトキシシラン、γ−ジブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ジブチルアミノプロピルジエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものでははい。又、上記シランカップリング剤は単独、もしくは混合して用いても良い。併用する他のカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、γ−（２，３−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカトプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【００３２】
シランカップリング剤（Ｄ）の配合割合としてはエポキシ樹脂組成物全量に対して０．１〜２重量％添加することが流動性及び充填性の点で好ましい。
【００３３】
本発明に用いられる硬化促進剤（Ｅ）は、アミジン化合物を含有する。アミジン化合物は、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との硬化反応を促進するとともに、更にその塩基性の強さからエポキシ樹脂中のエポキシ基同士の開環重合の開始触媒としても作用することが特徴である。アミジン化合物としては、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５、６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−５等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。又、上記群の化合物は、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７・テトラフェニルボレート等の無機酸或いは有機酸との塩の形でも使用できる。又、これらは単独でも混合して用いても良い。又、エポキシ基の開環重合を促進することはできないが、エポキシ基とフェノール性水酸基との付加反応を促進することができる他の硬化促進剤と併用しても良い。併用する他の硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げられる。硬化剤促進剤（Ｅ）の配合量としてはエポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．０２〜１．０重量％、特に０．０５〜０．５重量％が好ましい。また、硬化促進剤（Ｅ）を他の硬化促進剤と併用する場合は、硬化促進剤（Ｅ）が硬化促進剤全体に対して５０重量％以上が好ましく、特に８０重量％以上が好ましい。
【００３４】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）の成分の他、必須成分ではないが必要性に応じてブロム化合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に限定されない。ブロム化合物の好ましい具体例としては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。
【００３５】
同様に、本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられる。
【００３６】
これら難燃剤、難燃助剤を添加する場合、エポキシ樹脂組成物から発生する不要物の廃棄の容易さ、および半導体装置の信頼性の観点からハロゲン原子およびアンチモン原子それぞれが、エポキシ樹脂組成物に対して０．２重量％以下が好ましい。
【００３７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラストマー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなどの各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤が適宜配合可能である。
【００３８】
本発明のエポキシ樹脂組成物は上記各成分を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえば各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用される。
【００３９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融し、押し出ししてさらに切断したペレットの形状などの状態で使用できる。
【００４０】
そしてこれらの形状から半導体素子の封止に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うことができる。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はここに掲げた実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中の％は重量％を示す。
【００４２】
[実施例１、２、４〜１０、比較例１〜４]
表１に示した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサーによりドライブレンドした後、ロール表面温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４３】
【表１】
0005087814.tif 000006
【００４４】
【化６】
0005087814.tif 000007
【００４５】
【化７】
0005087814.tif 000008
【００４６】
＜膨れ特性評価＞
得られた樹脂組成物について１４４ｐｉｎＴＱＦＰ（外形：２０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍのものを用いた。
【００４７】
上記成形により得られた１４４ｐｉｎＴＱＦＰのパッケージ１０個を１７５℃、６時間の条件でポストキュアーした後、マイクロメーターにてパッケージ中央部の厚みＩ（μm）を計測した。これを８５℃／６０％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理を連続で２回行った。なお、リフロー炉の温度プロファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１００秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度を１．５〜２．５℃／秒とした。
パッケージがリフロー炉を出た５秒後、再びマイクロメーターにてパッケージの中央部の厚みII（μm）を計測した。さらに１０個それぞれのパッケージについて（厚みII−厚みＩ）を算出し、この１０個の平均値を「膨れ」（μm）とした。なお、膨れは小さい方が好ましく、８０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００４８】
＜Ａｇメッキ密着性（銀メッキ剥離数）評価＞
得られた樹脂組成物について４８ｐｉｎＴＳＯＰ（外形：１２ｍｍ×１８ｍｍ×１．０ｍｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ４ｍｍ×６ｍｍ×０．３ｍｍのものを用いた。
【００４９】
上記成形により得られた４８ｐｉｎＴＳＯＰのパッケージ３２個を１７５℃、６時間の条件でポストキュアーさせた。得られたパッケージを３０℃／６０％ＲＨで１９２時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理を連続で３回行った。なお、リフロー炉の温度プロファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１００秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度を１．５〜２．５℃／秒とした。超音波探傷装置を用いてインナーリード部先端の銀メッキ部と樹脂組成物との剥離が発生しているパッケージ数を測定し、剥離数（剥離発生パッケージ数／全パッケージ数）として表示した。
【００５０】
＜パラジウムメッキ密着性（パラジウムメッキ剥離数）評価＞
得られた樹脂組成物について２０８ｐｉｎＬＱＦＰ（外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×１．４ｍｍ、フレーム材料：パラジウムメッキフレーム）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ１２．７ｍｍ×１２．７ｍｍ×０．３ｍｍのものを用いた。
【００５１】
上記成形により得られた２０８ｐｉｎＬＱＦＰのパッケージ２０個を１７５℃、６時間の条件でポストキュアーさせた。得られたパッケージを３０℃／６０％ＲＨで１９２時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理を連続３回行った。なお、リフロー炉の温度プロファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１００秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度を１．５〜２．５℃／秒とした。超音波探傷装置を用いてダイパッド裏面と樹脂組成物との剥離が発生しているパッケージ数を測定し、剥離数（剥離発生パッケージ数／全パッケージ数）として表示した。
【００５２】
【表２】
0005087814.tif 000009
【００５３】
【表３】
0005087814.tif 000010
【００５４】
表２〜３に評価結果を示す。表２〜３に見られるようにシランカップリング剤（Ｄ）が一級〜三級のいずれかのアミノシランを含有しないと銀メッキ剥離数、膨れ性が不十分である（比較例１）。さらに、シランカップリング剤（Ｄ）が一級〜三級のいずれかのアミノシランを全シランカップリング剤中５重量％以上含有しない場合も、銀メッキ剥離数、膨れ性が不十分である（比較例２）。また、一般式（Ｉ）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を用いていない場合は膨れ性が不十分であり（比較例３）、硬化促進剤（Ｅ）がアミジン化合物を用いていない場合はパラジウムメッキ剥離数、膨れ性が不十分である（比較例４）。それらに対し、本発明のエポキシ樹脂組成物はリフロー時の耐銀メッキ剥離性、耐パラジウムメッキ剥離性、膨れ特性のいずれも優れている。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればリフロー時の耐剥離性、膨れ特性などの耐リフロー信頼性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物によって封止してなる半導体装置を得ることができる。