(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを積層する方法であって：
第１素子構造層、及び該第１素子構造層の上に存在する、第１金属コンタクトを含む、第１金属接続層を有する第１ウエハを供する工程；
前記第１金属接続層の上に第１保護層を形成する工程；
前記第１金属コンタクトと接触するように前記第１保護層内に第１結合パッドを形成して第１結合パッド層を形成する工程；
第２素子構造層及び該第２素子構造層の上に存在する、第２金属コンタクトを含む、第２金属接続層を有する第２ウエハを供する工程；
前記第２金属接続層の上に第２保護層を形成する工程；
前記第２金属コンタクトと接触するように前記第２保護層内に第２結合パッドを形成して第２結合パッド層を形成する工程；
前記第１結合パッド層の上に第１導電性接合層を形成する工程、及び／又は前記第２結合パッド層の上に第２導電性接合層を形成する工程；
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１つを介して前記第１結合パッド層と該第１結合パッド層に対応する前記第２結合パッド層の面とを結合することによって、前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層する工程；
第３素子構造層及び該第３素子構造層の上に存在する、第３金属コンタクトを含む、第３金属接続層を有する第３ウエハを供する工程；
前記第３金属接続層の上に第３保護層を形成する工程；
前記第３金属コンタクトと接触するように前記第３保護層内に第３結合パッドを形成して第３結合パッド層を形成する工程；
前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層した後に続き、前記第２ウエハの背面厚さを減少させる工程；
前記第２ウエハの背面上に中間保護層を形成し、該中間保護層内に前記第２金属コンタクトの背面への少なくとも１つの開口部を形成し、該少なくとも１つの開口部の内部に側壁スペーサを形成し、かつ前記第２金属コンタクトの背面の上に少なくとも１つの中間結合パッドを形成することによって、前記第２ウエハの背面上に中間結合パッド層を形成する工程；
前記中間結合パッド層の上に中間接合層を形成する工程、及び／又は前記第３結合パッド層の上に第３導電性接合層を形成する工程；並びに
前記第３導電性接合層及び前記中間接合層のうちの少なくとも１つを介して前記中間結合パッド層と該中間結合パッド層に対応する前記第３結合パッド層の面とを結合することによって、前記第２ウエハ上に前記第３ウエハを積層する工程；
を有するウエハ積層方法。
【請求項２】
前記第１結合パッド層を形成する工程が：
前記第１保護層内に第１開口部を形成することで前記第１金属コンタクトを曝露する工程；及び
前記第１開口部内に前記第１結合パッドを形成する工程；
を有する、
請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項３】
前記第２結合パッド層を形成する工程が：
前記第２保護層内に第２開口部を形成することで前記第２金属コンタクトを曝露する工程；及び
前記第２開口部内に前記第２結合パッドを形成する工程；
を有する、
請求項２に記載のウエハ積層方法。
【請求項４】
前記第１金属接続層が第４金属コンタクトを有し、かつ
前記第１結合パッド層を形成する工程が：
前記第１保護層内に第２開口部を形成することで前記第４金属コンタクトを曝露する工程；及び
前記第２開口部内に第４結合パッドを形成する工程；
をさらに有する、
請求項２に記載のウエハ積層方法。
【請求項５】
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程が、前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成して、前記第１結合パッドと前記第４結合パッドの両方を接触させることで、前記第１結合パッドと前記第４結合パッドとを電気的に接続する工程を有する、請求項４に記載のウエハ積層方法。
【請求項６】
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程が、前記第１結合パッドと前記第４結合パッドの間にギャップが含まれるように、前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成することで、前記第１結合パッドを前記第４結合パッドから絶縁する工程を有する、請求項４に記載のウエハ積層方法。
【請求項７】
前記第１結合パッド層及び前記第２結合パッド層を、各々が平坦な表面を有するように形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項８】
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成することで、前記第１結合パッドと前記第２結合パッドとの間に電気的接続を供する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項９】
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成することで、前記第１結合パッドと前記第２結合パッドとの間に電気的接続、及び前記第１結合パッドと前記第４結合パッドとの間に絶縁を供する工程をさらに有する、請求項４に記載のウエハ積層方法。
【請求項１０】
前記第１接合層を形成する工程が：
前記第１接合層にわたって接合材料層を堆積する工程；
該接合材料層にわたって所定のパターンを有するマスク層を形成する工程；
前記接合材料層をエッチングしてパターニングされた接合層を形成する工程；
前記マスク層を除去する工程；及び
前記パターニングされた接合層上でスパッタ洗浄又は湿式洗浄処理を実行する工程；
を有する、
請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１１】
最終ウエハの積層後に該最終ウエハの背面上に最終中間結合パッド層を形成する工程；
前記最終中間結合パッド層の上に最終金属接続層を形成する工程；
前記最終金属接続層の上に最終保護層を形成する工程；
前記最終保護層の上にポリイミド層７２６を形成する工程；及び
前記最終保護層内に少なくとも１つの開口部を形成して前記最終金属接続層を曝露する工程；
をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１２】
積層前に前記第１、第２、及び第３ウエハの各々に位置合わせ印を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１３】
前記中間結合パッド層を形成する工程が：
酸化物層と窒化物層が含まれるように前記中間保護層を形成する工程；
酸化物を堆積及びエッチングして前記側壁スペーサを形成する工程；
前記少なくとも１つの開口部を金属でメッキする工程；及び
前記金属を化学機械研磨して前記中間結合パッドを形成する工程；
を有する、
請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１４】
積層前に複数のウエハでウエハの選別を実行する工程をさらに有する方法であって、前記複数のウエハから前記第１ウエハと前記第２ウエハが選ばれる、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成して、拡散バリア、雑音遮蔽体、及びヒートシンクのうちの少なくとも１つを供する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１６】
前記の第１及び第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程が、リソグラフィ、エッチングマスク除去、及び表面処理を有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１７】
Ｔｉベース材料を用いて前記第１及び第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１８】
絶縁を供するギャップを有するように前記第１及び第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項１９】
前記結合パッド層の表面にビア又は穴が存在しないように前記第１及び第２導電性接合層のうちの少なくとも１層を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載のウエハ積層方法。
【請求項２０】
積層されたダイデバイスであって、
当該ダイデバイスは：
第１素子構造層及び該第１素子構造層の上に存在する、第１金属コンタクトを含む、第１金属接続層を有する第１ダイ；
前記第１金属接続層の上に存在する第１保護層；
第１結合パッド層を形成するために前記第１金属コンタクトと接触する前記第１保護層内の第１結合パッド；
基板、該基板の上に存在する第２素子構造層及び該第２素子構造層の上に存在する、第２金属コンタクトを含む、第２金属接続層を有する第２ダイ；
前記第２金属接続層の上に存在する第２保護層；
第２結合パッド層を形成するために前記第２金属コンタクトと接触する前記第２保護層内の第２結合パッド；
前記第１結合パッド層と前記第２結合パッド層との間に存在する導電性接合層であって、前記第１結合パッド層と前記第２結合パッド層の各対応する面同士が当該導電性接合層を解して結合する、導電性接合層；
前記第２ダイの基板背面と直接接触する中間結合パッド層であって、中間保護層、該中間保護層と前記第２ダイの基板を介して前記第２金属コンタクトへ到達する少なくとも１つの開口部、及び前記第２金属コンタクトの背面の上に存在する中間結合パッドを有する中間結合パッド層；
第３素子構造層及び該第３素子構造層の上に存在する、第３金属コンタクトを含む、第３金属接続層を有する第３ダイ；
前記第３金属接続層の上に存在する第３保護層；
第３結合パッド層を形成するために前記第３金属コンタクトと接触する前記第３保護層内の第３結合パッド；
前記中間結合パッド層と前記第３結合パッド層との間に存在する中間接合層；
を有し、
前記中間結合パッド層と前記第３結合パッド層とが前記中間接合層を介して結合する、
積層されたダイデバイス。
【請求項２１】
前記第１ダイの基板の厚さが、前記第２ダイ及び前記第３ダイの基板の厚さよりも厚い、請求項２０に記載の積層されたダイデバイス。
【請求項２２】
前記第１保護層内に第４結合パッドをさらに有する積層されたダイデバイスであって、
前記導電性接合層が、前記第１結合パッドと前記第２結合パッドとの間に電気的接続を供し、かつ前記第１結合パッドと前記第４結合パッドとの間に絶縁を供する、
請求項２０に記載の積層されたダイデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書において開示されている方法及び素子は、半導体素子の集積の分野に関し、より詳細には複数の半導体ウエハの積層に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの動作速度及び性能に関する要件が大きくなることで、コンピュータに必要とされるメモリの量も増大する。メモリ容量を増大させたいという欲求と共に、一般利用者はまた、サイズが小さくて、かつ値段の下がったコンピュータをも求める。その結果として、高密度で、サイズが減少し、かつ低コストのメモリ素子に対する要求が高まっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような高まる要求を満たすため、より高密度でサイズの小さいメモリ素子を製造するため、より微細な設計規則を有する新たな技術が採用されてきた。しかし新たな技術への投資は労働集約的であり、コストを要するものであり、かつ危険が伴う。さらに同一の技術ノードを用いることによって単純にチップサイズを乗算的に増大させることで高いメモリ密度を得ることは現実的ではないだろう。従って高密度メモリを製造する代替的な製造手法が求められ、特に、既存のコンピュータプラットフォームの再設計を必要としない、古くてコストを要さないメモリチップ技術を利用できる製造手法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によると、ウエハを積層する方法が供される。当該方法は：
第１素子構造層及び該第１素子構造層の上に存在する、第１金属コンタクトを含む、第１金属接続層を有する第１ウエハを供する工程；
前記第１金属接続層の上に第１保護層を形成する工程；
前記第１金属コンタクトと接触するように前記第１保護層内に第１結合パッドを形成して第１結合パッド層を形成する工程；
第２素子構造層及び該第２素子構造層の上に存在する、第２金属コンタクトを含む、第２金属接続層を有する第２ウエハを供する工程；
前記第２金属接続層の上に第２保護層を形成する工程；
前記第２金属コンタクトと接触するように前記第２保護層内に第２結合パッドを形成して第２結合パッド層を形成する工程；
前記第１結合パッド層の上に第１導電性接合層を形成する工程、及び／又は前記第２結合パッド層の上に第２導電性接合層を形成する工程；
前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１つを介して前記第１結合パッド層と該第１結合パッド層に対応する前記第２結合パッド層の面とを結合することによって、前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層する工程；
第３素子構造層及び該第３素子構造層の上に存在する、第３金属コンタクトを含む、第３金属接続層を有する第３ウエハを供する工程；
前記第３金属接続層の上に第３保護層を形成する工程；
前記第３金属コンタクトと接触するように前記第３保護層内に第３結合パッドを形成して第３結合パッド層を形成する工程；
前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層した後に続き、前記第２ウエハ基板の背面厚さを減少させる工程；
前記第２ウエハ基板の背面上に中間保護層を形成し、該中間保護層内に前記第２金属コンタクトの背面への少なくとも１つの開口部を形成し、該少なくとも１つの開口部の内部に側壁スペーサを形成し、かつ前記第２金属コンタクトの背面の上に少なくとも１つの中間結合パッドを形成することによって、前記第２ウエハの基板背面上に中間結合パッド層を形成する工程；
前記中間結合パッド層の上に中間接合層を形成するか、かつ／又は前記第３結合パッド層の上に第３導電性接合層を形成する工程；並びに
前記第３導電性接合層及び前記中間接合層のうちの少なくとも１つを介して前記中間結合パッド層と該中間結合パッド層に対応する前記第３結合パッド層の面とを結合することによって、前記第２ウエハ上に前記第３ウエハを積層する工程；
を有する。
【０００５】
また本発明によると、積層されたダイデバイスが供される。当該積層されたダイデバイスは：
第１素子構造層及び該第１素子構造層の上に存在する、第１金属コンタクトを含む、第１金属接続層を有する第１ダイ；
前記第１金属接続層の上に存在する第１保護層；
第１結合パッド層を形成するために前記第１金属コンタクトと接触する前記第１保護層内の第１結合パッド；
第２素子構造層及び該第２素子構造層の上に存在する、第２金属コンタクトを含む、第２金属接続層を有する第２ダイ；
前記第２金属接続層の上に存在する第２保護層；
第２結合パッド層を形成するために前記第２金属コンタクトと接触する前記第２保護層内の第２結合パッド；
前記第１結合パッド層と前記第２結合パッド層との間に存在し、かつ前記第１結合パッド層と前記第２結合パッド層の各対応する面同士を結合させる導電性接合層；
前記第２ダイの基板背面と直接接触する中間結合パッド層であって、中間保護層、該中間保護層と前記第２ダイの基板を介して前記第２金属コンタクトへ到達する少なくとも１つの開口部、及び前記第２金属コンタクトの背面の上に存在する中間結合パッドを有する中間結合パッド層；
第３素子構造層及び該第３素子構造層の上に存在する、第３金属コンタクトを含む、第３金属接続層を有する第３ダイ；
前記第３金属接続層の上に存在する第３保護層；
第３結合パッド層を形成するために前記第３金属コンタクトと接触する前記第３保護層内の第３結合パッド；並びに
前記中間結合パッド層と前記第３結合パッド層との間に存在し、かつ前記中間結合パッド層と前記第３結合パッド層とを結合させる中間接合層；
を有する。
【０００６】
前記の一般的な記載も以降の詳細な説明も典型的なものにすぎず、主張しているように本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ａ及びｂは、半導体ウエハ上で実行される様々なプロセス工程の実施例を図示している。
【図２】半導体ウエハ上で実行されるあるプロセス工程の実施例を図示している。
【図３】ａ−ｃは、半導体ウエハの上に存在する接合層の様々な配置を図示している。
【図４】２枚の積層されたウエハの一の実施例を図示している。
【図５】２枚の積層されたウエハの他の実施例を図示している。
【図６】ａ−ｃは、２枚のウエハの積層後での様々なプロセス工程の実施例を図示している。
【図７】４枚の積層されたウエハの一の実施例を図示している。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書に組み込まれていて本明細書の一部を構成する添付図面は本発明の実施例を図示している。
【０００９】
以降の説明では、限定ではない説明を目的として、本明細書で与えられた技術を完全に理解してもらうため、特定の技術及び実施例−たとえば特定の順序の工程、及び構成−について説明する。本文中には基本的に前記特定の技術及び実施例が記載されているが、当業者は、図に示されていない素子でも前記特定の技術及び実施例を実施できることを理解する。
【００１０】
ここで典型的実施例をより詳細に参照する。典型的実施例の数例は添付の図面に示されている。全ての図において、同一参照番号は一貫して同一又は同様の部品を指し示すのに用いられる。
【００１１】
図１ａは典型的なウエハ１００を図示している。ウエハ１００は基板１０２及び該基板１０２の上に素子構造層１０４を有する。素子構造層１０４は、たとえばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ、又は機能論理回路のような集積回路（ＩＣ）素子構造を含んで良い。
【００１２】
金属接続層１１０は、素子構造層１０４の上に形成され、かつ素子構造層１０４と電気的に接続するように備えられている。一の実施例では、金属接続層１１０は金属コンタクト１１２を有する。金属コンタクト１１２は、アルミニウム、銅、又は利用に適した他の任意の導電性材料で構成されて良い。他の実施例では、金属接続層１１０は、複数の金属コンタクト及びレーザー溶接部を有する。続いて保護層１２０は金属接続層１１０の上に形成される。保護層１２０は、酸化物層１２２及び窒化物層１２４を有し、かつウエハへの機械的及び化学的損傷の防止を含む多数の機能を実行する。酸化物層１２２及び窒化物層１２４は従来の手法によって形成されて良い。
【００１３】
開口部１２６は、保護層１２０内であって金属コンタクト１１２の上に形成される。開口部１２６はフォトリソグラフィを用いて作製されて良い。そのフォトリソグラフィでは、フォトレジストが保護層１２０の上に塗布され、マスクを介して露光され、かつ現像される。その後、ウエハ１００はエッチングされ、かつマスクパターンが保護層１２０上に転写される。それにより、金属コンタクトを露出させる開口部１２６が保護層１２０内に形成される。ウエハ１００上に残ったフォトレジストは除去され、ウエハは洗浄される。それにより図１ａに図示された構造が露出される。一の実施例では、金属接続層１１０内の各金属コンタクト及び各レーザー溶融部の上に開口部が形成される。
【００１４】
次に図１ｂでは、結合パッド１３０が開口部１２６内に形成される。結合パッド１３０は、ダマシンプロセス及び化学メッキプロセスを含む−ただしこれらに限定されるわけではない−様々な方法によって形成されて良い。結合パッド１３０は、たとえば銅のような金属である導電性材料で構成される。本実施例では、内部に結合パッドが形成された保護層１２０は、結合パッド層１３４と呼ばれる。結合パッド層１３４は、実質的に平坦な表面を有するように形成される。
【００１５】
シングルダマシンプロセスを用いた結合パッド形成の一実施例では、最初に、メッキの結果を改善するためにウエハ１００の表面が処理される。表面処理は、保護層１２０の上であって開口部１２６内に、たとえばＴａ、ＴａＮ、又はＴｉＮ層のような拡散バリア（図示されていない）を堆積する工程を含んで良い。表面処理後、たとえば銅又はタンタルシード層のようなシード層が、可能な方法によって堆積されて良い。可能な方法には、物理気相成長（ＰＶＤ）法及びイオン化金属プラズマ（ＩＭＰ）スパッタリングを含まれる。このシード層は、保護層の表面及び開口部１２６の外形と適合し、かつ引き続いて堆積される厚い金属層の成長を促進する。その厚い金属層は、可能な方法によって堆積されて良い。可能な方法には、電解メッキ又は化学メッキが含まれる。その後アニーリング工程が実行される。アニーリング工程では、堆積された厚い金属層から不純物を除去し、かつ該金属層の電気的特性を改善するため、ウエハ１００が加熱される。最終的に、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを用いることによって、厚い金属層は、保護層１２０の表面を露出させるために減量される。それにより開口部１２６内に結合パッド１３０が形成され、かつ上述の結合パッド層１３４の平坦な表面が形成される。
【００１６】
化学メッキプロセスを用いた結合パッド形成の一実施例では、最初に、メッキされる表面の洗浄、すすぎ洗い、及び活性化を行うためにウエハ１００の表面が処理される。選択的化学メッキ及び自己整合平坦化を用いることによって、その後金属層が、開口部１２６内において保護層１２０の表面レベルに達するまで形成される。それにより結合パッド１３０が形成される。続いてアニーリング工程が実行される。最終的に、保護層１２０の表面を露出及び平坦化するようにＣＭＰプロセスが行われる。
【００１７】
図２は典型的なウエハ２００を図示している。ウエハ２００は実質的にウエハ１００と同様で、かつウエハ１００の形成に用いられる方法と同様の方法を用いて形成される。ウエハ２００は、基板２０２、素子構造層２０４、第１金属コンタクト２１２と第２金属コンタクト２１４を含む金属接続層２１０、及び酸化物層２２２と窒化物層２２４を含む保護層２２０を有する。基板２０２、素子構造層２０４、金属接続層２１０、保護層２２０、酸化物層２２２、及び窒化物層２２４はそれぞれ、ウエハ１００の基板１０２、素子構造層１０４、金属接続層１１０、保護層１２０、酸化物層１２２、及び窒化物層１２４に相当する。しかしウエハ２００はウエハ１００とは以下の点で異なる。それは、金属接続層２１０が第１金属コンタクト２１２と第２金属コンタクト２１４を含む一方で、ウエハ１００の金属接続層１１０は１つの金属コンタクト１１２しか有していない点である。またウエハ２００が第１結合パッド２３０及び第２結合パッド２３２を有する一方で、ウエハ１００は１つの結合パッド１３０しか有していない。結合パッド層２３４は、保護層２２０、第１結合パッド２３０、及び第２結合パッド２３２を有する。図２に図示された実施例では、金属コンタクト２１４はＶｓｓコンタクトである。
【００１８】
説明の簡明を期すため、本明細書で用いられ、かつ当業者によって理解されている語句に従うと、各ウエハは複数のダイで構成され、ウエハ処理、ウエハ分類、及び／又はレーザー補修の完了の際には、ウエハは、チップとも呼ばれる複数のダイにダイシングされる。
【００１９】
ウエハ分類及び／又はレーザー溶融補修は、積層又はダイシング前に、１バッチの被処理ウエハ−ウエハ２００も含まれる−上で実行されて良い。たとえばウエハがメモリセルを含むメモリ素子構造を有するとき、ウエハ分類においては、（複数のダイのうち）いずれのダイが、機能しているか、又は（複数の）ダイ上に設けられている事前設計された（複数の）余分なメモリセル列を用いた後に機能するか、を判断するために、各ウエハが検査される。レーザー溶融補修においては、溶融部は、チップ内の欠陥を有するメモリセル列を切り離すために計画的に切断される。これらの欠陥を有するメモリセル列は、そのチップ内の機能する余分なメモリセル列と交換される。
【００２０】
例示を目的として、ウエハの積層方法に係る実施例が複数のウエハを用いて説明される。各ウエハは２つの金属コンタクトを有する。しかし開示された実施例について考察すると、当業者は、本明細書において開示されたウエハの積層方法は１つしか金属コンタクトを有していないウエハにも適用され、かつ実施例によっては、ウエハは３つ以上の金属コンタクトを含むことがあることを理解する。
【００２１】
図２では、導電性接合層２４０が結合パッド層２３４の上に形成される。接合層２４０は、たとえばＴｉＮを含むＴｉ若しくはＣｕベース材料のような導電性材料、又は導電性ポリマーを有する。接合層２４０は、同一ダイ上に設けられた結合パッド間に絶縁を供するギャップ２５０を有するように備えられる。上記ギャップ２５０は、結合パッド間での所望の接続又は絶縁に依存して、必要に応じて供される。接合層２４０は、可能な方法のうちのいずれか１つを用いて形成及び構成されて良い。たとえば接合層２４０は、接合材料層を堆積し、該接合材料層にわたって所定のパターンを有するマスク層を形成し、かつ前記接合材料層を乾式又は湿式エッチングをしてパターニングされた接合層を形成することによって形成されて良い。その後マスク層は除去され、かつ結合用のパターニングされた接合層を準備するため、スパッタ洗浄又は湿式洗浄のような表面処理が、パターニングされた接合層上で実行されて良い。
【００２２】
結合パッド層２３４は実質的に平坦な表面を有するように形成されるので、接合層２４０もまた実質的に平坦な表面を有する。
【００２３】
図２に図示された実施例では、ギャップ２５０は、接合層２４０を、様々なサイズの孤立した接合パッドに分割する。すでに十分な説明をしたように、金属コンタクト２１４の上に設けられた結合パッド２３２と接触するように形成された接合層２４０の一部を介して、金属コンタクト２１４は、ウエハ２００上に積層されるウエハ内の１つ以上の金属コンタクトと電気的に接続して良い。しかし間に介在するギャップ２５０の構成に基づいて、本実施例では、金属コンタクト２１４は金属コンタクト２１２から絶縁されている。それに加えて、あるいはその代わりに、接合層２４０は、２つ以上の結合パッドが、それらに対応する金属コンタクトと電気的に接続するように橋渡しを行うように備えられて良い。従って接合層２４０は、様々な結合パッド間での絶縁と接続を供するように備えられ、かつ経路変更層として機能して良い。それに加えて、接合層２４０は、結合パッド２３０及び２３２からの金属の拡散に対するバリアとして機能して良い。接合層２４０はまた雑音遮蔽体及びヒートシンクとして機能しても良い。ギャップ２５０は小さくて良く、かつ約０．５μｍの最小寸法を有して良い。ギャップ２５０は結合パッド間での絶縁を供するだけではなく、結合パッドに係る機械的応力を緩和する役割を果たす。
【００２４】
図３ａ、図３ｂ、及び図３ｃはそれぞれ、図２に図示されたウエハ２００と実質的に同様であるウエハ３００ａ、３００ｂ、及び３００ｃを図示している。図２のウエハ２００同様に、ウエハ３００ａと３００ｂの各々は、基板２０２、素子構造層２０４、第１金属コンタクト２１２と第２金属コンタクト２１４を含む金属接続層２１０、酸化物層２２２と窒化物層２２４を含む保護層２２０、第１金属コンタクト２１２の上に存在する第１結合パッド２３０、及び第２金属コンタクト２１４の上に存在する第２結合パッド２３２を有する。しかしウエハ３００ａと３００ｂは以下の点において図２のウエハ２００とは異なる。それは、ウエハ３００ａと３００ｂそれぞれの接合層２４０は、図２の接合層２４０とは異なる構成を有していることである。またウエハ３００ａの接合層２４０はウエハ３００ｂの接合層２４０とも異なる構成をとる。
【００２５】
図３ａでは、ウエハ３００ａの接合層２４０は、分離された接合パッドを画定するように備えられたギャップ２５０を含む。その分離された接合パッドには、金属コンタクト２１２の上に形成された結合パッド２３０と金属コンタクト２１４の上に形成された結合パッド２３２の各々の上に存在する分離された接合パッドが含まれる。図３ｂでは、ウエハ３００ｂの接合層２４０は、２つのＶｓｓ金属コンタクト２１４を、各Ｖｓｓ金属コンタクト２１４に対応する結合パッド２３０と２３２及び接合層２４０の一部を介して、互いに電気的に接続するように備えられている。図３ｃはウエハ３００ｃの一部の典型的な上面図を示している。この上面図では、接合層２４０はギャップ２５０を含むように備えられている。それにより、様々なサイズの分離した接合パッドが生成される。図３ｃは、接合層２４０は、ウエハ３００ｃ上に積層されたウエハへの所望の接続のみならず、結合パッド間での所望の接続又は分離を供するように備えられて良い。
【００２６】
図４は、ウエハ２００ａ及び２００ｂを有するウエハの積層体４００の実施例を図示している。ウエハ２００ａは、図２に図示された第１の典型的ウエハ２００である。ウエハ２００ｂもまた、図２に図示された第２の典型的ウエハ２００である。明確かつ簡潔にするため、ウエハ２００ａ又は２００ｂの部位を指定するために図４で用いられる各参照番号は、図２において同一の参照番号が指定する部位に相当する。さらに図４では、添え字”ａ”又は”ｂ”はそれぞれ、ウエハ２００ａ又は２００ｂの部位を指定する参照番号に付される。たとえば図４では、”２０２ａ”はウエハ２００ａの基板を指し示し、かつ”２０２ｂ”はウエハ２００ｂの基板を指し示す。
【００２７】
よってウエハ２００ａは、基板２０２ａ、素子構造層２０４ａ、第１金属コンタクト２１２ａと第２金属コンタクト２１４ａを含む金属接続層２１０ａ、酸化物層２２２ａと窒化物層２２４ａを含む保護層２２０ａ、及び第１金属コンタクト２１２ａの上に第１結合パッド２３０ａと、第２金属コンタクト２１４ａの上に第２結合パッド２３２ａを有する。結合パッド層２３４ａは、保護層２２０ａ、第１結合パッド２３０ａ、及び第２結合パッド２３２ａを有する。結合パッド層２３４ａの上に形成された接合層２４０ａはギャップ２５０ａを含む。
【００２８】
ウエハ２００ａと同様に、ウエハ２００ｂは、基板２０２ｂ、素子構造層２０４ｂ、第１金属コンタクト２１２ｂと第２金属コンタクト２１４ｂを含む金属接続層２１０ｂ、酸化物層２２２ｂと窒化物層２２４ｂを含む保護層２２０ｂ、及び第１金属コンタクト２１２ｂの上に第１結合パッド２３０ｂと、第２金属コンタクト２１４ｂの上に第２結合パッド２３２ｂを有する。任意で接合層２４０は結合パッド層２３４ｂの上に形成され、かつギャップ２５０ｂを含む。あるいはその代わりに接合層２４０ａと２４０ｂのうちのいずれか１つだけが供されても良い。たとえば接合層２４０ａを形成して接合層２４０ｂを省略するなどである。
【００２９】
接合層２４０ａと２４０ｂの両方が供される場合には、接合層２４０ａと２４０ｂを介して、又は接合層２４０ｂが省略されている場合には、接合層２４０ａのみを介して、ウエハ２００ａと２００ｂは、結合パッド層２３４ａと２３４ｂの対応する面を直接結合することによって積層される。図４に図示されているように、接合層２４０ａと２４０ｂの両方が供される場合には、結合パッド層２３４ａと２３４ｂの結合は、結合した接合層２４０ａｂと結合したギャップ２５０ａｂを介して行われる。接合層２４０ａのみが供されて接合層２４０ｂが省略されている場合には、結合パッド層２３４ａと２３４ｂの結合は、接合層２４０ａを介して行われる。さらに上述したように、結合パッド層２３４ａと２３４ｂが実質的に平坦になるように形成されていることで、接合層２４０ａと２４０ｂもそれぞれ実質的に平坦となるので、接合層２４０ａと２４０ｂを介して、又は接合層２４０ａのみを介して互いに結合する、結合パッド層２３４ａと２３４ｂの面は実質的に平坦である。
【００３０】
その結果形成される積層体４００は、ウエハ２００ａ上に積層されたウエハ２００ｂを有する。ここでウエハ２００ｂは、ウエハ２００ａに対して上下が反対となるように配向している。このとき当業者は、ウエハ２００ｂがウエハ２００ａに対して上下が反対となるように配向しているとき、ウエハ２００ａは、ウエハ２００ａとウエハ２００ａとの間で所望の接続が可能となるように備えられなくてはならないことを理解する。
【００３１】
接合層２４０ａと２４０ｂが滑らかな表面を有するように備えられているので、ウエハ２００ａと２００ｂとの間で信頼性の高いコンタクトが実現される。積層プロセス中にウエハの位置設定及び位置合わせを助けるため、結合前に、位置合わせ印（図示されていない）がウエハ２００ａと２００ｂ上に生成されて良い。位置合わせ印は、各ウエハのいずれの面、又はウエハ端部に生成されて良い。
【００３２】
積層体４００では、金属コンタクト２１２ａが、結合パッド２３０ａ、結合した接合層２４０ａｂ（２４０ａと２４０ｂ）、及び結合パッド２３０ｂを介して金属コンタクト２１２ｂと電気的に接続するように、ウエハ２００ａと２００ｂとの位置合わせが行われる。同様に、金属コンタクト２１４ａが、結合パッド２３２ａ、結合した接合層２４０ａｂ、及び結合パッド２３２ｂを介して金属コンタクト２１４ｂと電気的に接続する。他方結合したギャップ２５０ａｂによる妨害のため、金属コンタクト２１２ａは、金属コンタクト２１４ａと２１４ｂから絶縁される。
【００３３】
図５は２つの積層されたウエハ２００ａと２００ｂを有する積層体５００の実施例を図示している。図５は以下の点において図４とは異なる。その異なる点とは、図５に図示された積層体５００は、各ウエハ内に、１つの金属コンタクト−つまり金属コンタクト２１４ａ又は２１４ｂ−と、１つの結合パッド−つまり結合パッド２３２ａ又は２３２ｂ−しか図示していないが、図４に図示された積層体４００は、各ウエハ内に、２つの金属コンタクトと、２つの結合パッドを図示していることである。各ウエハ内の金属コンタクトと結合パッドの数を別にすれば、ウエハ２００ａと２００ｂは、図４に図示されたウエハ２００ａと２００ｂと実質的に同一である。
【００３４】
図５のウエハ２００ａと２００ｂは、図４のウエハ２００ａと２００ｂを積層する方法と実質的に同様の方法で積層される。つまり図５のウエハ２００ａと２００ｂは、接合層２４０ａと２４０ｂの対応する面を直接結合することによって積層される。その結果、結合した接合層２４０ａｂと結合したギャップ２５０ａｂが形成される。積層体５００は以下の点において積層体４００とは異なる。その異なる点とは、ウエハ２００ａの金属コンタクト２１４ａとウエハ２００ｂの金属コンタクト２１４ｂとが垂直方向に揃っていないことである。それでも金属コンタクト２１４ａと２１４ｂは、結合パッド２３２ａ、結合した接合層２４０ａｂ、及び結合パッド２３２ｂを介して互いに電気的に接続する。よって図５は、接合層２４０が、積層されたウエハの揃っていない結合パッド同士を電気的に接続させる機能を図示している。
【００３５】
図６ａ−６ｃは、一例として積層体４００を用いて実行される、本発明の実施例と調和したウエハ積層プロセスでの他の工程を図示している。最初に図６ａでは、基板背面の厚さは、利用可能な化学的及び／又は機械的方法−たとえばサンドブラスト処理−を用いることによって、目標の厚さにまで減少される。一の実施例では、基板２０２ｂの背面の厚さは１０μｍ以下にまで減少される。厚さの減少に続いて、より厳密に目標の厚さを実現するため、ＣＭＰ工程が実行されて良い。ＣＭＰ工程はまた、さらなる処理を助けるため、基板２０２ｂの背面上に平滑化した−つまり平坦な−表面をも生成することができる。
【００３６】
次に保護層２６０が基板２０２ｂの上に形成される。保護層２６０は、従来手法によって形成された酸化物層２６２と窒化物層２６４を有して良い。続いて開口部２６６と２６８が保護層２６０と基板２０２ｂ内に形成されることで、金属コンタクト２１２ｂと２１４ｂの背面が曝露される。開口部２６６と２６８は、図１ａにおいて開口部１２６の形成について述べた方法と同一の方法を用いて形成されて良い。
【００３７】
次に図６ｂに図示されているように、側壁スペーサ２７０が、堆積及びエッチバック工程によって、開口部２６６と２６８の各々の垂直壁に形成される。側壁スペーサ２７０は酸化物を含んで良い。また側壁スペーサ２７０は、開口部２６６と２６８内に形成される結合パッドと基板２０２ｂとを分離する役割を果たして良い。よって図６ｃに図示されているように、結合パッド２８０と２８２はそれぞれ、開口部２６６と２６８の内部に形成される。結合パッド２８０と２８２は、図１ｂの結合パッド１３０の形成の際に前述した方法を用いて形成されて良い。結合パッド２８０と２８２を形成することで、保護層２６０、側壁スペーサ２７０、及び結合パッド２８０と２８２を有する中間結合パッド層２８４の形成が完了する。最終的には、中間接合層２８６は、図２の接合層２４０の形成の際に前述した方法を用いて、結合パッド層２８４の上に形成されて良い。中間接合層２８６には、結合パッド層２８４の結合パッド−たとえば結合パッド２８０と２８２−間での分離若しくは電気的接続を助けるためのギャップ、及び／又はウエハ２００ｂ上に積層された他のウエハの結合パッド、が適切に備えられて良い。中間接合層２８６が形成された後、積層体４００は、その上に他のウエハを積層する体勢が整う。
【００３８】
図４−６ｃのウエハ２００ａ上へのウエハ２００ｂの積層に関連して前述した方法と同一の方法を用いることによって、追加のウエハが積層されて良い。図７は、ウエハ２００ａ、２００ｂ、２００ｃ、及び２００ｄを含む典型的な積層体７００を図示している。ウエハ２００ａと２００ｂの積層は、図４−６ｃに関連して前述した。図７では、中間結合パッド層２８４ｂは、図６ｃに記載された中間結合パッド層２８４に相当する。また中間結合パッド層２８４ｂは、酸化物層２６２ｂと窒化物層２６４ｂを含む保護層２６０ｂ、側壁スペーサ２７０ｂ、及び結合パッド２８０ｂと２８２ｂを有する。中間結合パッド層２８４ｂはウエハ２００ｂの背面上に形成される。この中間結合パッド層２８４ｂはウエハ２００ａの上に形成される。中間接合層２８６ｂは図６ｃの中間接合層２８６に相当する。また中間接合層２８６ｂは中間結合パッド層２８４ｂの上に形成される。それに加えて図７はウエハ２００ｃと２００ｄを有する。ウエハ２００ｃと２００ｄの部位にはそれぞれ、”ｃ”及び”ｄ”の添え字が付されている。
【００３９】
ウエハ２００ｃは、基板２０２ｃ、素子構造層２０４ｃ、第１金属コンタクト２１２ｃと第２金属コンタクト２１４ｃを含む金属接続層２１０ｃ、酸化物層２２２ｃと窒化物層２２４ｃを含む保護層２２０ｃ、及び第１金属コンタクト２１２ｃの上に第１結合パッド２３０ｃと、第２金属コンタクト２１４ｃの上に第２結合パッド２３２ｃを有する。結合パッド層２３４ｃは、保護層２２０ｃ、第１結合パッド２３０ｃ、及び第２結合パッド２３２ｃを有する。結合パッド層２３４ｃの上に形成された接合層２４０ｃはギャップ２５０ｃを含む。同様に、ウエハ２００ｄは、基板２０２ｄ、素子構造層２０４ｄ、第１金属コンタクト２１２ｄと第２金属コンタクト２１４ｄを含む金属接続層２１０ｄ、酸化物層２２２ｄと窒化物層２２４ｄを含む保護層２２０ｄ、及び第１金属コンタクト２１２ｄの上に第１結合パッド２３０ｄと、第２金属コンタクト２１４ｄの上に第２結合パッド２３２ｄを有する。結合パッド層２３４ｄは、保護層２２０ｄ、第１結合パッド２３０ｄ、及び第２結合パッド２３２ｄを有する。結合パッド層２３４ｄの上に形成された接合層２４０ｄはギャップ２５０ｄを含む。
【００４０】
ウエハ２００ｃがウエハ２００ｂの上に積層され、ウエハ２００ｄがウエハ２００ｃの上に積層される。ウエハ２００ｂの上にウエハ２００ｃを積層して、ウエハ２００ｃの上にウエハ２００ｄを積層する方法は、ウエハ２００ａ上へのウエハ２００ｂの積層に関して前述した方法と実質的に同様である。ウエハ２００ｄの積層前に、中間結合パッド層２８４ｃがウエハ２００ｃの背面上に形成され、かつ、中間結合パッド層２８４ｃは、酸化物層２６２ｃと窒化物層２６４ｃを含む保護層２６０ｃ、側壁スペーサ２７０ｃ、及び第１結合パッド２８０ｃと第２結合パッド２８２ｃを有する。中間接合層２８６ｃは中間結合パッド層２８４ｃの上に形成される。中間接合層２８６ｃには、結合パッド層２８４ｃの結合パッド−たとえば結合パッド２８０ｃと２８２ｃ−間での分離若しくは電気的接続を助けるためのギャップ、及び／又はウエハ２００ｄ上に積層された他のウエハの結合パッド、が適切に備えられて良い。
【００４１】
また中間結合パッド層２８４ｄはウエハ２００ｄの背面上に形成され、かつ、中間結合パッド層２８４ｄは、酸化物層２６２ｄと窒化物層２６４ｄを含む保護層２６０ｄ、側壁スペーサ２７０ｄ、及び第１結合パッド２８０ｄと第２結合パッド２８２ｄを有する。一の実施例では、最終ウエハ２００ｄが積層され、かつ基板２０２ｄの背面の厚さが減少した後に、前に基板２０２ｄの背面上に形成された位置合わせ印が除去されて良い。
【００４２】
基板２０２ｂ、２０２ｃ、及び２０２ｄの背面の厚さを減少させる際、基板は、その表面が平坦であることが保証されるように研磨される。つまり接合層−つまりウエハ２００ｂと保護層２６０ｂとの界面、ウエハ２００ｃと保護層２６０ｃとの界面、及びウエハ２００ｄと保護層２６０ｄとの界面−を介して接続していない各表面は平坦である。従って積層体７００の上側表面と下側表面を除いて、積層体内部の各表面は平坦な面を有する。本発明の一の実施例によると、全ての基板の厚さを減少させた後、基板２０２ａは、基板２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、及び２０２ｅよりも厚い。
【００４３】
最終ウエハ２００ｄを積層した後、ウエハ２００ｄの背面上に形成される中間結合パッド層２８４ｄの上に最終層７０２が形成される。最終層７０２は、中間結合パッド層２８４ｄの上に形成された最終金属接続層７１０を有する。最終金属接続層７１０は、結合パッド２８０ｄの上で結合パッド２８０ｄと接する金属コンタクト７１２、及び結合パッド２８２ｄの上で結合パッド２８２ｄと接する金属コンタクト７１４を有する。最終層７０２はまた、最終金属接続層７１０の上に形成される最終保護層７２０をも有する。最終保護層７２０は酸化物層７２２と窒化物層７２４を有して良い。最終層７０２はさらに、最終保護層７２０の上に形成されたポリイミド層７２６を有する。ポリイミド層７２６は保護膜として機能しても良い。開口部７３０と７３２はポリイミド層７２６と最終保護層７２０を介して形成され、金属コンタクト７１２と７１４が曝露される。開口部７３０と７３２は、図１ａの開口部を形成する際に前述した方法を用いて形成されて良い。最終的に、追加の結合パッド（図示されていない）が、開口部７３０と７３２内に形成されて良い。
【００４４】
前述したウエハ積層プロセスの実施例は、全種類の半導体ウエハ及びＩＣ素子に適用されて良い。ＩＣ素子にはたとえば、システム・オン・チップ（ＳｏＣ）を形成する、ＤＲＡＭやフラッシュメモリ、及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を有する素子が含まれる。前述したように、これらの素子は各ウエハ内の素子構造層中に形成される。これらの実施例は、低コストで様々なＩＣ素子を支持する複数のウエハを積層する単純で効率的なプロセスを供する。積層されたウエハ間に接合層が厳密に形成されることで、その積層されたウエハは所定の方法で電気的に接続するため、その積層されたウエハ内部で垂直に揃ったダイは１つのユニットとして協働して良い。ウエハ積層体中の各ウエハがメモリ素子構造を有するとき、垂直に揃ったダイで構成される高密度メモリ構造が、低密度メモリ構造を含むウエハを積層することによって、低コストで形成される。低密度メモリ構造は、任意で全て同一のメモリ容量を有する素子構造を含んで良い。しかも各ウエハ内部の各ダイ上のコンタクトは、そのダイ内部に形成されるメモリ素子への機能的アクセスを供する。その結果、ウエハが積層され、かつ垂直に揃ったダイが接合層を介して導電性を有するように接続するとき、各対応する垂直に揃ったダイのメモリ素子への機能的アクセスが供される。
【００４５】
下の表１は、４枚のウエハからなる積層されたウエハ構造で実行されるウエハプローブ検査のウエハ選別結果を示している。各ウエハが有するダイの各々は１ＧｂのＤＲＡＭ構造を有する。よって４枚のウエハからなる積層体は、多数の垂直に揃ったダイの積層構造を有する。垂直に揃ったダイの積層構造の各々は積層されたＤＲＡＭ構造を有する。表１では例示目的のため、プローブ検査は、各ウエハ上の８０％のダイが機能し（「良好なダイ」）、かつ各ウエハ上の８０％のダイが欠陥を有する（「劣悪なダイ」）と判断したものと仮定する。従って各々が１ＧｂのＤＲＡＭを有する４枚のウエハからなる積層体は、４つの積層されたダイすべてが良好であるときには、全体で４Ｇｂの容量となる歩留まりが得られる。積層されたダイのうちの３つが良好であるときには、３Ｇｂの歩留まりが得られる。積層されたダイのうちの２つが良好であるときには、２Ｇｂの歩留まりが得られる。そして積層されたダイのうちの１つが良好であるときには、１Ｇｂの歩留まりが得られる。表１は、各ウエハ上の８０％のダイが良好なダイで、かつ各ウエハ上の２０％のダイが劣悪なダイであるときには、積層されたウエハ構造中のすべてのダイのうちの４０．９６％が良好な４ＧｂのＤＲＡＭを含み、４０．９６％が良好な３ＧｂのＤＲＡＭを含み、１５．３６％が良好な２ＧｂのＤＲＡＭを含み、かつ２．５６％が良好な１ＧｂのＤＲＡＭを含むことを示している。つまり積層されたウエハ構造中の全てのダイのうちの９９．８４％が、ある特定の容量を有する良好なＤＲＡＭを含んでいる。
【００４６】
【表１】
0005068273.tif 000002
下の表２は、４枚の積層されたウエハから形成されるパッケージのバックエンドでの歩留まりを示している。各ウエハは１ＧｂのＤＲＡＭ構造を有する。ダイのサイズが実質的に同一なので、４Ｇｂ、３Ｇｂ、２Ｇｂ、及び１ＧｂのＤＲＡＭ構造をそれぞれ含むパッケージは全て相互に相性が良い。しかも複数の構造を含むパッケージは、たとえば１Ｇｂ、２Ｇｂ、３Ｇｂ及び４Ｇｂ等の単位チップ密度の倍数である任意の密度となるように再度画定されて良い。これは、結合チップ間の相互接続を保持又は切断することによって実現されて良い。結合チップ間の相互接続を保持又は切断は、各単位チップ内で設計される開口部の溶融接続を選ぶことで実行される。従って４Ｇｂの積層されたメモリによって、４つの異なる製品を選ぶことができる。ここでは、ウエハの結合歩留まりは９６％、アセンブリ歩留まりは９９％で、かつバックエンド検査の歩留まりは９０％であるものと仮定する。表２が示しているように、機能するパッケージの全体のバックエンド歩留まりは９５．０３％である。ウエハ選別後に良好なダイの歩留まりが８０％であることを考慮すると、累積的な歩留まりは９５．０３％である。この割合は、積層していない場合の１Ｇｂのメモリパッケージの累積的な歩留まりよりも２０．６３％高い。
【００４７】
【表２】
0005068273.tif 000003
当業者にとっては、本発明の他の実施例は、本明細書で開示されている本発明の仕様及び実施態様から明らかである。本明細書は、本発明の一般的原則に従い、かつ当技術分野において知られ、又は一般的に実施されている範囲内での本開示からの逸脱を含む、本発明の変化型、使用、又は修正型を網羅するものと解される。仕様及び例は典型的なもののみが考慮されているが、本発明の真の技術的範囲及び技術的思想は、以降の特許請求の範囲によって示されるものと解される。
【００４８】
本発明は、上述し、かつ添付の図面に示された厳密な構成に限定されるわけではなく、本発明の技術的範囲から逸脱することなく様々な修正型及び変化型が可能であることは明らかである。本発明の技術的範囲は添付の請求項によってのみ限定される。
【符号の説明】
【００４９】
１００  ウエハ
１０２  基板
１０４  素子構造層
１１０  金属接続層
１１２  金属コンタクト
１２０  保護層
１２２  酸化物層
１２４  窒化物層
１２６  開口部
１３０  結合パッド
１３４  結合パッド層
２００  ウエハ
２０２  基板
２０４  素子構造層
２１０  金属接続層
２１２  第１金属コンタクト
２１４  第２金属コンタクト
２２０  保護層
２２２  酸化物層
２２４  窒化物層
２３０  第１結合パッド
２３２  第２結合パッド
２３４  結合パッド層
２４０  導電性接合層
２５０  ギャップ
２６０  保護層
２６２  酸化物層
２６４  窒化物層
２６６  開口部
２６８  開口部
２７０  側壁スペーサ
２８０  結合パッド
２８２  結合パッド
２８４  結合パッド層
２８６  中間接合層
３００ａ  ウエハ
３００ｂ  ウエハ
３００ｃ  ウエハ
４００  積層体
５００  積層体
７００  積層体
７０２  最終層
７１０  最終金属接続層
７１２  金属コンタクト
７１４  金属コンタクト
７２０  最終保護層
７２２  酸化物層
７２４  窒化物層
７２６  ポリイミド層
７３０  開口部
７３２  開口部
【図１】
0005068273.tif 000004
【図２】
0005068273.tif 000005
【図３】
0005068273.tif 000006
【図４】
0005068273.tif 000007
【図５】
0005068273.tif 000008
【図６】
0005068273.tif 000009
【図７】
0005068273.tif 000010