(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上のパターンを投影光学系を介してウエハ上に投影露光する時に所望のパターンが投影露光されるように、該マスク上のパターンを補正するようにしたマスクパターンのデータを作成するマスクパターンデータ方法において、
上記補正を行うために、露光領域を複数の計算メッシュ領域に分割する工程と、
該計算メッシュ領域の境界を中心として予め定めた幅Ｗを有するメッシュ境界領域および、該メッシュ境界領域外に位置するメッシュ内部領域を設定する工程と、
各計算メッシュ領域上に周囲の領域から来る光量を計算する工程と、
該各メッシュ領域における周辺領域から来る光量に応じて、マスクパターン寸法補正を行う工程とを含み、
上記計算メッシュ領域の境界を規定するグリッドと交差し、かつメッシュ境界領域を越えて他の領域に跨がるパターンに関しては、該パターンを跨がるメッシュ境界領域Ａおよびメッシュ内部領域Ｂごとにパターンを区分する工程と、
該メッシュ境界領域Ａに対して、該当グリッドに接する各計算領域の露光量補正の単純平均に相当する補正露光量を算出する工程と、
メッシュ内部領域Ｂに対して、該領域Ｂが属する計算メッシュ領域における補正露光量を算出する工程と、
区分したパターンごとに、算出した露光補正量に応じてマスクパターン寸法補正を行う工程、を含むことを特徴とするマスクパターンデータ作成方法。
【請求項２】
請求項１記載のマスクパターンデータ作成方法を用いて、マスクパターンを作成する工程と、
作成したマスクパターンを用いて半導体ウエハを露光する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造プロセスに関し、特に、ＥＵＶ(Extreme Ultraviolet)リソグラフィなどのウエハ露光の際、フレアの影響をマスクパターンで補正し、微細かつ高精度なパターンを形成するためのマスクパターンデータ作成方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程に用いられるリソグラフィ技術としては、波長３６５ｎｍのｉ線リソグラフィ、２４８ｎｍのＫｒＦリソグラフィ、１９３ｎｍのＡｒＦリソグラフィなど光リソグラフィが用いられてきた。最近では、ＡｒＦリソグラフィでも解像度の要求を満たさなくなってきたことから、より解像度の出る液浸リソグラフィが盛んに検討されている。しかしながら、この液浸リソグラフィでもハーフピッチで４５ｎｍの解像が限界となる。そこで、波長１３．５ｎｍのＥＵＶがハーフピッチ３２ｎｍのリソグラフィ技術として盛んに検討されている。
【０００３】
ＥＵＶリソグラフィの課題の一つとして、レンズフレアの問題がある。ＥＵＶリソグラフィでは、露光波長が１３．５ｎｍと極めて短い。光吸収と屈折率の関係から、屈折レンズ系ではなく反射レンズ系を用いて投影露光している。多層膜ミラーで構成されている反射レンズのごく微細な表面ラフネスの影響で露光光が散乱され、迷光であるフレアを発生する。このフレアのため、パターン周辺の開口比率に応じて露光カブリが生じパターン寸法が変化する。これがレンズフレアの問題である。レジストやレンズのラフネスに依存するが、開口比率が１％上昇するごとに０．７ｎｍの寸法変化が生じることがある。対象寸法が３２ｎｍレベルであるため、様々なパターンが様々な密度で並存するＬＳＩの製造、特にパターンの種類が多いＳｏＣ(System on Chip)などのロジックＬＳＩの製造では、このレンズフレアの問題は大きな問題になっている。
【０００４】
このレンズフレアの問題を解決するために、マスク上のパターンの幅を周辺のパターンの開口率に応じて調整し、所望の寸法精度のパターンを得るフレア補正技術が開発されている。このフレア補正技術は、下記特許文献１，２などに記載されている。
【０００５】
このフレア補正法では、周辺の領域から来る迷光量を対象パターンに積分し、その増加した光量に対応した分マスクパターンに寸法バイアスをかけて補正を行っている。すなわち、図２に示すように、露光領域を複数の計算メッシュ領域に区分し、対象とするパターンの周囲領域、例えば（αｉ＋ｌ，ｊ＋ｍ，δｉ＋ｌ，ｊ＋ｍ）が、対象のパターンを含む計算メッシュ領域（αｉ，ｊ，δｉ，ｊ）へ与える光量（フレア）を求め、対象とするパターンの周囲の各計算メッシュ領域に渡って、計算メッシュ領域（αｉ，ｊ，δｉ，ｊ）へ与える光量を積分的に計算する。
【０００６】
このようにして、フレアがない場合を基準として、フレアがある場合に、計算メッシュ領域（αｉ，ｊ，δｉ，ｊ）へ与える光量の増加を求め、その増加した光量の下で所望の寸法が得られるように、対象パターンへの寸法バイアス、即ち、対象の計算メッシュ領域上のマスクパターンに対し、光量の増加に見合った寸法補正を行う。
【０００７】
なお、この計算メッシュ領域の区分法としては、露光領域を均一の間隔のメッシュとする方法と、対象パターンの近傍ではメッシュ間隔が狭く、ある距離以上では広いメッシュ間隔として計算量を低減する方法などが提案されている。また、ある周辺メッシュ領域からの光量の算出に当たって、パターンの開口密度補正を行う方法も提案されている。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６８１５１２９号明細書
【特許文献２】特開２００４−１２６４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来の方法では、対象とするパターンが計算メッシュ境界にかかった場合、マスクパターン図形が複雑になって、マスクパターンデータ量が膨大になってデータ処理に負荷がかかったり、その負荷によってマスクパターンの描画に負荷がかかったり、またマスクパターン検査に負荷がかかるという問題がある。そのような問題の一例を図３に示す。
【００１０】
図３は、上面から見たマスクパターンの例を示す。破線は、計算メッシュ領域の境界を規定するグリッドを示し、符号２０１〜２０５は、矩形状の設計パターンを例示している。ここで示した全てのパターン２０１〜２０５は、グリッドと交差している。Ａ１，１，Ａ１，２，Ａ２，１，Ａ２，２は、個々の計算メッシュ領域を示している。ここでは、周辺領域からのフレアによる光量増加は、計算メッシュ領域Ａ１，２では小さく、計算メッシュ領域Ａ１，１およびＡ２，２では中庸で、計算メッシュ領域Ａ２，１では大きい場合を例示している。
【００１１】
この場合、フレアを考慮して補正を加えた後のマスクパターンは、符号２０１ａ〜２０５ａに示すような多角形図形（例えば、凸形状など）となる。マスクパターンが多角形図形になると、マスク描画図係数が増え、描画グリッドが細かくなり、またマスク検査の分解能もより細かいものが必要になり、マスク作成工程での負荷が増加してしまうという問題がある。
【００１２】
図４は、折れ線形状の対象パターン２１０が、３つのメッシュ領域Ａ１，１，Ａ２，１およびＡ２，２を跨いでいる例を示す。この場合もフレアを考慮して補正を加えた後のマスクパターンは、符号２１０ａに示すように、隅部の線幅だけが太くなったような多角形図形となり、上記と同様な問題が生じる。また、従来法には位置ズレの問題があった。その様子を説明するためのマスクパターンレイアウト図を図５に示す。
【００１３】
図５は、ライン状のパターン２２０が、４つの計算メッシュ領域Ａ１，１，Ａ２，１，Ａ１，２およびＡ２，２を跨いでいる例を示す。この場合、フレアを考慮して補正を加えた後のマスクパターンは、符号２２０ａに示すように、複雑な多角形となる。このようにすると、パターンの線幅は所望の範囲に収まるが、パターンの重心位置は、補正前と比べて上下でずれ、上下で位置ずれが生じる。これは計算メッシュの粗さの問題から由来するもので、パターンの左端と右端で寸法補正量が異なることによる。従来法でこの問題を解決しようとすると、計算メッシュを細かくする必要があり、そのことはＥＤＡ(Electrical Design Automation)に過大な負荷をかけ、マスクパターンを生成するまでの時間も長くなるという問題を生じる。
【００１４】
本発明の目的は、フレアを考慮して補正したマスクパターン形状が簡素化でき、マスクパターン描画データ量の削減、それに伴うマスク描画の負荷軽減、マスク欠陥検査の負荷軽減が図られるマスクパターンデータ方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一実施例によれば、フレアを考慮してマスクパターン形状を補正する際、計算メッシュ領域の境界を中心として予め定めた幅Ｗを有するメッシュ境界領域および、該メッシュ境界領域外に位置するメッシュ内部領域を予め設定する。そして、計算メッシュ領域の境界を規定するグリッドと交差し、かつメッシュ境界領域を越えて他の領域に跨がるパターンに関しては、該パターンを跨がるメッシュ境界領域Ａおよびメッシュ内部領域Ｂごとにパターンを区分して、そして、区分したパターンごとに、算出した露光補正量に応じてマスクパターン寸法補正を行う。
【発明の効果】
【００１７】
この実施例によれば、フレアを考慮して補正したマスクパターン形状が、従来のような複雑な多角形にならず済むため、その結果、マスクパターン描画データ量の削減、それに伴うマスク描画の負荷軽減、マスク欠陥検査の負荷軽減が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
実施の形態１．
本発明の第１実施形態を図１を用いて説明する。図１は、本発明に係るマスクパターンデータ作成方法の一例を示すフローチャートである。
【００１９】
まずステップＳ２において、露光領域を複数の計算メッシュ領域に分割する。次にステップＳ３において、マスクパターンが、計算メッシュ領域の境界を規定するグリッドと交差しているか否かを判定する。
【００２０】
グリッドと交差していない場合には、ステップＳ３に移行して、該当メッシュ領域に割り当てられた露光補正量Ｄを、その計算メッシュ領域内のそのパターンに適用する。露光補正量Ｄは、フレアによる該当メッシュ領域外からそのメッシュ領域に被ってくる露光量を、図２に関連して説明した従来法と同じ手法を用いて、積分的に計算する。具体的には、図２に示すように、該当計算メッシュ領域外の各計算メッシュ領域が該当計算メッシュ領域に与えるフレア起因の露光量を求め、積分を行う。その際、該当計算メッシュ領域外の各計算メッシュ領域内のパターン面積密度を計算し、その密度を掛け合わせることによって重み補正を行う。
【００２１】
図６は、本発明に係る計算メッシュおよび計算領域の区分分けの説明図である。計算メッシュ１０１を用いて複数の領域に区分するとともに、メッシュ１０１の境界を規定するグリッドを中心として予め定めた幅Ｗを有するメッシュ境界領域を設定する。このようにして各メッシュ領域Ａ１，１，Ａ１，２，Ａ２，１，Ａ２，２，…を、メッシュコーナー近傍のメッシュ境界領域ｄ１，１，ｄ１，２，…、２つのメッシュ領域に跨がるメッシュ境界領域ｂ１，１，ｂ１，２，…，ｃ１，１，ｃ１，２，…、およびメッシュ内部領域ａ１，１，ａ１，２，…に区分する。
【００２２】
マスクパターンが計算メッシュ１０１のグリッドと交差している場合は、図１のステップＳ５に移行して、マスクパターンがメッシュ境界領域（ｂ１，１，ｂ１，２，…，ｃ１，１，ｃ１，２，…，ｄ１，１，ｄ１，２，…など）を越えて跨がっているかか否かを判定する。
【００２３】
跨いでいない場合は、ステップＳ６に移行して、マスクパターンに対して属するメッシュ境界領域の露光量補正を行う。この露光量補正は、パターンが属する各メッシュ領域に各々割り当てられた補正量Ｄｉの単純平均の補正量ΣＤｉ／Ｎとする。ここで、Ｎは対象となるメッシュ領域の数である。
【００２４】
この露光量補正について、図６を用いて具体的に説明する。１）マスクパターンがメッシュ境界領域ｂ２，２内にあって、かつ計算メッシュ１０１のグリッドと交差している場合、マスクパターンに対する露光量補正は、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２とメッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１の単純平均、すなわち（Ｄ２，２＋Ｄ２，１）／２とする（Ｓ６）。
【００２５】
２）マスクパターンがメッシュ境界領域ｄ２，２内にあって、かつ縦方向グリッドおよび横方向グリッドの両方と交差している場合、マスクパターンに対する露光量補正は、メッシュ領域Ａ１，１に対する露光補正量Ｄ１，１、メッシュ領域Ａ１，２に対する露光補正量Ｄ１，２、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の単純平均、すなわち（Ｄ１，１＋Ｄ１，２＋Ｄ２，１＋Ｄ２，２）／４とする（Ｓ６）。
【００２６】
３）マスクパターンがメッシュ境界領域ｄ２，２内にあるが、メッシュ領域Ａ２，２とメッシュ領域Ａ２，１だけに跨がり、計算メッシュ１０１のグリッドは横方向のグリッドだけと交差している場合、パターンに対する露光量補正は、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１とメッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の単純平均、すなわち（Ｄ２，１＋Ｄ２，２）／２とする（Ｓ６）。
【００２７】
４）マスクパターンがメッシュ境界領域を越えて跨がっている場合、メッシュ境界領域内のパターン部に関しては、該当のパターン部が跨がってかかっているメッシュ領域に各々割り当てられた補正量Ｄｉの単純平均の補正量ΣＤｉ／Ｎを適用し、メッシュ境界領域外のパターン部に関しては、該当のパターン部が属するメッシュ領域に割り当てられた補正量Ｄを適用する（Ｓ７）。例えば、マスクパターンがメッシュ境界（グリッド）１０１を横切ってメッシュ内領域ａ２，２、メッシュ境界領域ｂ２，２およびメッシュ内領域ａ２，１に渡る場合、メッシュ内領域ａ２，２における部分の露光補正量は、メッシュ領域Ａ２，２の露光補正量Ｄ２，２とし、メッシュ境界領域ｂ２，２における部分の露光補正量は、メッシュ領域Ａ２，２の露光補正量Ｄ２，２およびメッシュ領域Ａ２，１の露光補正量Ｄ２，１の単純平均（Ｄ２，２＋  Ｄ２，１）／２とし、メッシュ内領域ａ２，１における部分の露光補正量は、メッシュ領域Ａ２，１の露光補正量Ｄ２，１とする。
【００２８】
その後、ステップＳ８に移行して、各々の部分に割り当てられた露光補正量に応じて、通常の方法でマスクパターン寸法補正を、区分された各々のパターンの部分に対し施し、マスクパターンデータ作成を終了する（Ｓ９）。
【００２９】
上記手順で形成したマスクパターンの一例を図７に示す。マスクパターンは何れも矩形状であり、計算メッシュ１０１のグリッドと交差したマスクパターンと、グリッドと交差しないマスクパターンとが存在する。但し、マスクパターンがグリッドと交差する場合、そのパターンはメッシュ境界領域を越えて周囲のメッシュ区分領域にまで跨がっていない例を示している。なお、数字で示したパターンが設計上のパターン３０１〜３１１で、ｂが添え字として追加されているパターンがフレア補正を行った後のパターン３０１ｂ〜３１１ｂである。
【００３０】
また、メッシュ領域Ａ１，１に対する露光補正量Ｄ１，１、メッシュ領域Ａ１，２に対する露光補正量Ｄ１，２、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の間に、Ｄ２，１＞Ｄ１，１＝Ｄ２，２＞Ｄ１，２の関係がある場合をここでは例示している。分かりやすくするために、Ｄ２，１−Ｄ１，１＝Ｄ２，２−Ｄ１，２とし、露光補正量Ｄ１，２を用いて寸法補正を行ったときに設計寸法どおりになるように、プロセスがチューニングされた場合を示している。
【００３１】
そこで、１）計算メッシュ境界であるグリッドと交差していないパターン３０３，３０４，３０５，３０７，３０８および３１０に関しては、当該パターンが属する計算メッシュ領域に応じた露光量補正に伴うマスク寸法補正を施す。この場合、パターン３０３，３０４，３０７，３１１のように、計算メッシュ境界領域内にあったり、計算メッシュ境界領域にかかったりしているパターンに関しては、単純に計算メッシュ領域に応じた露光量補正に伴うマスク寸法補正を施す。
【００３２】
一方、２）パターン３０２，３０６，３０９のように、計算メッシュ境界であるグリッドと交差し、２つの計算メッシュ領域にかかるパターンに関しては、その２つの計算メッシュ領域に対する露光補正量の単純平均の露光補正量に応じたマスク寸法補正を施す。
【００３３】
さらに、３）パターン３０１のように、縦方向グリッドおよび横方向グリッドの両方と交差して、４つの計算メッシュ領域に跨がるパターンに関しては、その４つの計算メッシュ領域に対する露光補正量の単純平均の露光補正量に応じたマスク寸法補正を施す。
【００３４】
このようにマスク寸法補正を施したパターン形状は、補正前のパターン形状と相似形になって、簡単な矩形状に維持される。従って、本方法によれば、フレア補正したマスクパターン形状は、図３に示したように従来のような複雑な多角形とはならず、マスクパターン描画データ量の削減、それに伴うマスク描画の負荷軽減、マスク欠陥検査の負荷軽減に効果がある。
【００３５】
上記本実施形態の手順で形成したマスクパターンの別の例を図８に示す。これは、パターンが計算メッシュ１０１のグリッドと交差し、かつそのパターンはメッシュ境界領域を越えて他のメッシュ区分領域に跨がっている場合を示している。符号４０１が設計パターンで、符号４０１ｂがフレア補正を行った後のパターンを示す。
【００３６】
図７の場合と同じく、メッシュ領域Ａ１，１に対する露光補正量Ｄ１，１、メッシュ領域Ａ１，２に対する露光補正量Ｄ１，２、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の間には、Ｄ２，１＞Ｄ１，１＝Ｄ２，２＞Ｄ１，２の関係があり、Ｄ２，１−Ｄ１，１＝Ｄ２，２−Ｄ１，２とし、露光補正量Ｄ１，２を用いて寸法補正を行ったときに設計寸法どおりになるように、プロセスがチューニングされた場合を示している。
【００３７】
設計パターン４０１のうち、計算メッシュ境界と交差し、２つの計算メッシュ領域に跨がる部分に関しては、その属する計算メッシュ境界領域内で、その２つの計算メッシュ領域に対する露光補正量の単純平均の露光補正量に応じたマスク寸法補正を施している。メッシュ内部領域の部分に関しては、属するメッシュ領域の露光補正量に応じたマスクパターン寸法補正を施している。
【００３８】
一方、従来法によるフレア補正を行ったときの場合を図９に示す。設計段階でのマスクパターンは単純なエルボーパターンであったが、フレア補正を行うことによりともに多角形図形へと変わっている。計算メッシュのサイズ自体は従来法も本方法も変わらないが、本方法では１段当たりの変化量が少なく段階的に寸法補正が行われているのに対し、従来法ではステップが大きくなっている。ステップの急激な変化は、そのステップの近傍で寸法変化を生む。所望の寸法精度を得るためには、その寸法変化を小さくする必要があり、そのため計算メッシュ間隔を狭める必要が生じる。
【００３９】
段階的に寸法を変化させ、計算メッシュ間隔を特に狭めることなく所望の寸法精度が得られる本方法は、従来法に比べ計算量、データ量を削減でき、マスクパターンデータ作成方法として有効である。なお、本実施形態で生成したマスクパターン（図８）は、従来法により作成したマスクパターン（図９）に比べて、より頂点数の多い多角形パターンとなっているが、メッシュ境界幅Ｗを跨ぐパターンは少なくとも幅Ｗ以上の比較的大きなパターンであり、この点は問題とはならない。
【００４０】
本実施形態の手順を適用した第３の適用例を図１０に示す。ここでは、パターンが４つの計算メッシュ領域に跨がるとともに、複数の計算メッシュ境界領域にも跨がる場合を例示する。この場合、計算メッシュに跨がる計算メッシュ境界領域に設計パターン２２０を分割し、各々に対してフレアに伴う露光補正、およびそれに伴うマスク寸法補正処理を行った。この場合も、メッシュ領域Ａ１，１に対する露光補正量Ｄ１，１、メッシュ領域Ａ１，２に対する露光補正量Ｄ１，２、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の間には、Ｄ２，１＞Ｄ１，１＝Ｄ２，２＞Ｄ１，２の関係があり、Ｄ２，１−Ｄ１，１＝Ｄ２，２−Ｄ１，２とし、露光補正量Ｄ１，２を用いて寸法補正を行ったときに設計寸法どおりになるように、プロセスがチューニングされた場合を示している。
【００４１】
本方法によれば、フレア補正後のマスクパターン２２０ｂは局所的に左右対称性が維持され、パターン重心位置の移動、すなわちマスクパターン補正法に伴う位置ズレの問題は発生していない。一方、本設計パターンに従来法を適用した例は図５に示しており、従来法で作成したフレア補正後のマスクパターン２２０ａは局所的に左右対称性が崩れ、位置ズレが発生している。従って、本方法は位置ズレの観点でも有効であることが判る。
【００４２】
本実施形態の手順を適用した第４の適用例を図１１に示す。ここでは、複数の設計パターンが１つの計算メッシュ境界領域にあるが、特定の設計パターンが、４つの計算メッシュ領域に跨がる場合（例えば、設計パターン２２１）と、２つの計算メッシュ領域に跨がる場合（例えば、設計パターン２２２，２２３）とを例示している。各々のパターンに対してフレアに伴う露光補正、およびそれに伴うマスク寸法補正処理を行って、フレア補正後のマスクパターン２２１ｂ，２２２ｂおよび２２３ｂを生成している。この場合も、メッシュ領域Ａ１，１に対する露光補正量Ｄ１，１、メッシュ領域Ａ１，２に対する露光補正量Ｄ１，２、メッシュ領域Ａ２，１に対する露光補正量Ｄ２，１、メッシュ領域Ａ２，２に対する露光補正量Ｄ２，２の間には、Ｄ２，１＞Ｄ１，１＝Ｄ２，２＞Ｄ１，２の関係があり、Ｄ２，１−Ｄ１，１＝Ｄ２，２−Ｄ１，２とし、露光補正量Ｄ１，２を用いて寸法補正を行ったときに設計寸法どおりになるように、プロセスがチューニングされた場合を示している。
【００４３】
フレア補正後のパターン２２２ｂは、４つの計算メッシュ領域Ａ１，１〜Ａ２，２に跨がる計算メッシュ境界領域にあるが、パターン自体は４つの計算メッシュ領域には跨いでおらず、跨がっているのはＡ２，１とＡ２，２の２つの計算メッシュ領域のため、その計算メッシュ領域に区分している。
【００４４】
本実施形態に係るマスクパターンデータ作成方法は、コンピュータプログラムとしてコード化可能であり、各種プログラムやデータを保存する記録媒体（例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスクドライブ、光ディスクドライブなど）および各種演算を実行するプロセッサなどを備えたコンピュータ上で容易に実施できる。
【００４５】
このように本実施形態では、フレア補正されたマスクパターンの形状は、局所的に従来のような複雑な多角形とはならず、マスクパターン描画データ量の削減、それに伴うマスク描画の負荷軽減、マスク欠陥検査の負荷軽減に効果がある。
【００４６】
また、本方法では、比較的大きなパターンに対しては、１段当たりの変化量が少なく段階的に寸法補正が行われる。ステップの急激な変化は、そのステップの近傍で寸法変化を生む。所望の寸法精度を得るためには、その寸法変化を小さくする必要があり、そのため計算メッシュ間隔を狭める必要が生じる。段階的に寸法を変化させ、計算メッシュ間隔を特に狭めることなく所望の寸法精度が得られる本方法は、従来法に比べ計算量、データ量を削減でき、マスクパターンデータ作成方法として有効である。
【００４７】
また、本方法によれば、フレア補正後のマスクパターンは局所的に左右対称性が維持され、パターン重心位置の移動、すなわちマスクパターン補正法に伴う位置ズレの問題から開放される。
【００４８】
実施の形態２．
本実施形態では、第１実施形態で説明したマスクパターンデータ作成方法を用いて、例えば、ＥＵＶリソグラフィ用の露光マスク上にマスクパターンを作成し、続いて、作成したマスクパターンを用いて半導体ウエハを露光することによって、半導体装置を製造する。本方法は、特に、ＭＯＳＦＥＴのゲート層、ホール層、配線層および拡散層（アクティブ層）に適用することが好ましい。
【００４９】
このように本実施形態では、従来法に比べて、本方法は、マスクデータ処理が簡便、かつ高速で、マスクパターンデータ量もコンパクトであり、さらにマスクパターン欠陥検査も容易になる。さらに、製造した半導体装置では所望の寸法精度が得られ、またパターン位置ズレの問題も発生せず、マスクに起因するパターン欠陥も発生しない。こうしたマスクパターンデータ生成の高速化は、パターン設計から半導体装置製造までのターンアラウンドタイム(ＴＡＴ: Turn Around Time)の削減に極めて有効であり、製造された半導体装置の市場投入期間を短縮でき、半導体装置の付加価値を高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、微細かつ高精度なパターンを含む半導体装置を高い生産効率で製造できる点で、産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係るマスクパターンデータ作成方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】従来のフレア補正の計算概念を示した説明図である。
【図３】従来の方法によって生成したマスクパターン形状の一例を示す平面図である。
【図４】従来の方法によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【図５】従来の方法によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【図６】本発明に係る計算メッシュおよび計算領域の区分分けの説明図である。
【図７】本発明によって生成したマスクパターン形状の一例を示す平面図である。
【図８】本発明によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【図９】本発明によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【図１０】本発明によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【図１１】本発明によって生成したマスクパターン形状の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０１  計算メッシュ、
２０１〜２０５，２１０，２２０  設計マスクパターン、
２０１ａ〜２０５ａ，２１０ａ，２２０ａ  補正後のマスクパターン、
２２１〜２２３  設計マスクパターン、
２２１ｂ〜２２３ｂ  補正後のマスクパターン、
３０１〜３１１，４０１  設計マスクパターン、
３０１ｂ〜３１１ｂ，４０１ｂ  補正後のマスクパターン、
Ａ１，１，Ａ１，２，Ａ２，１，Ａ２，２  メッシュ領域、
ａ１，１，ａ１，２，  メッシュ内部領域、
ｂ１，１，ｂ１，２，ｃ１，１，ｃ１，２，  メッシュ境界領域、
ｄ１，１，ｄ１，２  メッシュ境界領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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