(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密に構成された処理室と、
前記処理室に接続されたガス導入管と、
ＣＶＤ用の反応性ガスを、前記ガス導入管を介して前記処理室内に供給するガス供給源と、
前記処理室内に配置され被処理体を載置する載置台と、
前記処理室内に配設され、前記ガス導入管と連通するガス出口と、
前記ガス出口に配設されたシャワー部材と、
前記シャワー部材に配設され、前記シャワー部材内の温度を調節する温度調整機構であって、前記シャワー部材内の温度を前記反応性ガスが反応する温度より低く、前記反応性ガスが液化する温度より高い温度に調整する温度調整機構と、
前記シャワー部材の前記載置台側隔壁を構成し、複数の吐出孔が穿孔された吐出板とを具備し、
前記ガス出口が、前記ガス出口から噴出する前記反応性ガスの動圧が前記吐出孔での流動圧力損失と比べて実質的に無視できるように、前記吐出板に向かって拡開されていることを特徴とするＣＶＤ処理装置。
【請求項２】
前記ガス出口が、ガス導入管の開口面積の２倍以上の開口面積を有するように拡開されていることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ処理装置。
【請求項３】
前記ガス出口が、その中心軸からの広がり角度が１〜３０度の範囲で拡開されていることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ処理装置。
【請求項４】
気密に構成された処理室と、
前記処理室内に配置され、熱源手段が内設された、被処理体を載置する載置台と、
前記処理室内に配設され、温度調調整段を有するシャワーヘッドとを用い、
ＣＶＤ用の反応性ガスを前記シャワーヘッドを介して前記処理室内に供給して、
前記載置台に載置された被処理基板にＣＶＤ処理する方法であって、
前記熱源手段により前記被処理基板の温度を所望の温度に調整し、
前記温度調整手段により、前記シャワーヘッド内の温度を前記反応性ガスが反応する温度より低く、前記反応性ガスが液化する温度より高い温度に調整し、
前記シャワーヘッドを、前記シャワーヘッド内に前記反応性ガスを噴出するガス出口と、多数の吐出孔を有し前記シャワーヘッド底面側壁を構成する吐出板とで構成し、
かつ、前記ガス出口を、前記ガス出口から噴出する前記反応性ガスの動圧が前記吐出孔での流動圧力損失と比べて実質的に無視できるように、前記吐出板に向かって拡開した構成とすることにより、
前記シャワーヘッド内に噴出する前記反応性ガスの流速を減速させる
ことを特徴とするＣＶＤ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ処理装置及びＣＶＤ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程では、処理室内に各種のガスを導入して、被処理体に所定の処理を施すガス処理装置が用いられている。
【０００３】
このようなガス処理装置を用いるものとして、例えばＣＶＤでは、処理室内に原料となる各種のガスをウエハのような被処理体上に供給し、ウエハ上の熱エネルギー、プラズマ励起等を利用してガスを化学的に活性な反応種とさせて、化学反応によりウエハ上に薄膜を形成させる構成となっている。このため、ウエハ上の全面に薄膜を均一に形成するためには、ウエハ上の全面にガスを均一に供給する必要がある。
【０００４】
ウエハ上の全面にガスを均一に供給するため、ＣＶＤでは、ウエハの被処理面と対向する位置にガス供給手段、例えば図１３に示したような断面形状を備えたシャワーヘッドを配置して、このシャワーヘッドによりウエハ上にガスを供給する構造のガス処理装置が用いられている。
【０００５】
図１３はガス処理装置のシャワーヘッド付近の模式断面図である。
【０００６】
図１３に示すように、シャワーヘッド４１は、噴出側となる底面がウエハ４２と対向するように配置されている。シャワーヘッド４１の上部にはガスをシャワーヘッド４１内に導入するガス導入管４３が接続されている。一方、シャワーヘッド４１の下部にはシャワーヘッド４１の底面側隔壁を構成する吐出板４４が配置されている。この吐出板４４には、ガス噴出孔としての吐出孔４５が多数穿孔されている。そして、ガス導入管４３からシャワーヘッド４１内に導入されたガスが、吐出孔４５を通過してウエハ４２上に供給される。
【０００７】
更にこのシャワーヘッドを用いる場合、シャワーヘッドの中心から吐出されるガス流量とシャワーヘッドの周縁付近から吐出されるガス流量との差を小さくするため、バッフル板と呼ばれる、小径の貫通孔が多数穿孔された板をシャワーヘッド内に取り付けたものが提案されている。その例を図１４に示す。
【０００８】
図１４はバッフル板を備えたガス処理装置のシャワーヘッド付近の模式断面図である。
【０００９】
図１４に示すように、シャワーヘッド４１内の吐出板４４とガス導入管４３の接続部分との間に多数の貫通孔４６が穿孔されたバッフル板４７が挿入されている。このバッフル板４７を挿入したことにより、ガス導入管４３から導入されたガスはバッフル板４７の上流側のバッフル空間４８に一旦滞留する。
【００１０】
そのためガス導入管４３からのガスの動圧による圧力ムラが減少され、貫通孔４６を通過するガスの流量がほぼ均一になる。そして、流量がほぼ均一になったガスがバッフル板４７のガス移動方向下流側のシャワー前室４９に供給される。従って、シャワー前室４９での圧力ムラが減少し、吐出板４４全体として噴出される流量が均一となり、ウエハ４２上の全面にガスが均一に供給される。
【００１１】
ここで、貫通孔４６を通過するガスの流量を均一にするには、貫通孔４６での流動圧力損失ができるだけ大きくなるように、貫通孔４６の孔径を小さくすることが有効である。これは、貫通孔４６の孔径を小さくすると、バッフル空間４８の圧力が上昇してガスの動圧による圧力ムラが減少するとともに、バッフル板４７の上下（バッフル空間４８とシャワー前室４９）の差圧が大きくなり、バッフル板４７の各位置での差圧の値がほぼ均一になるためであり、その結果、各貫通孔４６を通過するガスの流量も、これに基づいてほぼ均一になるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、加工精度の限界、経済的な制限、バッフル板４７の上流側の圧力の制約等により、貫通孔４６の孔径を小さくするにも限度があり、ウエハ４２上の全面にガスを均一に供給することができないという問題がある。
【００１３】
また、貫通孔４６の孔径が小さくなると、これに伴ってガスの流速が速くなる。このため、貫通孔４６から流出するガス流の動圧が増大し、貫通孔４６の直下付近の吐出孔４５の背圧を局所的に増大させる結果となり、吐出孔４５の吐出流量相互間で不均一を生じさせるという問題がある。
【００１４】
一方、特開平１−１３９７７１号公報には、吐出孔をガスの入口側より出口側で大きくなるように形成することにより、吐出孔を通過するガスが吐出孔出口側で膨張、拡散して均一に噴出させる技術が記載されている。
【００１５】
しかしながら、これは個々の吐出孔においてガスが均一に噴出されるものであり、例えば吐出板の中央と端部のように異なる吐出孔で比較すると、噴出されるガスの流量は異なっており、ウエハ上の全面にガスを均一に供給することができないという問題がある。
【００１６】
本発明は上記問題を解決するためになされたものである。即ち、本発明は被処理体上の全面にガスを均一に供給することのできるＣＶＤ処理装置及びＣＶＤ処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記問題を解決するため、本発明のCVD処理装置は、気密に構成された処理室と、前記処理室に接続されたガス導入管と、ＣＶＤ用の反応性ガスを、前記ガス導入管を介して前記処理室内に供給するガス供給源と、前記処理室内に配置され被処理体を載置する載置台と、前記処理室内に配設され、前記ガス導入管と連通するガス出口と、前記ガス出口に配設されたシャワー部材と、前記シャワー部材に配設され、前記シャワー部材内の温度を調節する温度調整機構であって、前記シャワー部材内の温度を前記反応性ガスが反応する温度より低く、前記反応性ガスが液化する温度より高い温度に調整する温度調整機構と、前記シャワー部材の前記載置台側隔壁を構成し、複数の吐出孔が穿孔された吐出板とを具備し、前記ガス出口が、前記ガス出口から噴出する前記反応性ガスの動圧が前記吐出孔での流動圧力損失と比べて実質的に無視できるように、前記吐出板に向かって拡開されていることを特徴とする。
【００１８】
上記発明において、ガス出口とは、前記ガス導入管のうち前記処理室内に配設された部分の端部をいい、ガス供給源から供給されたガスが処理室内に出てくるガスの出口をいう。
【００１９】
本発明のＣＶＤ処理装置によれば、ガス導入管のガス出口に導入されたガスは、その拡開された内面に接触して減速するとともに、ガス出口を流れるガスの流速が平均化するように流出され、ガス出口を通過したガスの流速が減速される。特に、ガス出口の中心軸からの広がり角度が１〜３０度の範囲で拡開された場合には、ガス出口を通過したガスの流速が大きく減速される。
【００２０】
さらに、ガス出口が、ガス導入管の開口面積の２倍以上の開口面積を有するように拡開されていると、ガス出口を通過したガスの流速がさらに大きく減速される。このため、ガス出口から噴出されるガスの動圧が小さくなって、吐出板の背圧が均一になり、被処理体上の全面にガスが均一に供給される。
【００２２】
本発明のCVD処理方法は、気密に構成された処理室と、前記処理室内に配置され、熱源手段が内設された、被処理体を載置する載置台と、前記処理室内に配設され、温度調調整段を有するシャワーヘッドとを用い、ＣＶＤ用の反応性ガスを前記シャワーヘッドを介して前記処理室内に供給して、前記載置台に載置された被処理基板にＣＶＤ処理する方法であって、前記熱源手段により前記被処理基板の温度を所望の温度に調整し、前記温度調整手段により、前記シャワーヘッド内の温度を前記反応性ガスが反応する温度より低く、前記反応性ガスが液化する温度より高い温度に調整し、前記シャワーヘッドを、前記シャワーヘッド内に前記反応性ガスを噴出するガス出口と、多数の吐出孔を有し前記シャワーヘッド底面側壁を構成する吐出板とで構成し、かつ、前記ガス出口を、前記ガス出口から噴出する前記反応性ガスの動圧が前記吐出孔での流動圧力損失と比べて実質的に無視できるように、前記吐出板に向かって拡開した構成とすることにより、前記シャワーヘッド内に噴出する前記反応性ガスの流速を減速させることを特徴とする。
【００２４】
上記本発明において、被処理体上の全面に均一にガスが導入されたか否かは、ガス流の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）という概念を用いて評価される。このガス流の均一性は、次の近似式で表すことができる。
【００２５】
Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ＝（Ｇmax −Ｇmin ）／（Ｇmax ＋Ｇmin ）
ここで、Ｇmax は吐出孔のガスの質量流量の最大値、Ｇmin は吐出孔のガスの質量流量の最小値である。このように、ガス流の均一性の評価を近似式で表したのは、吐出孔の個々の孔を流れるガスの流量を求めることは困難であり、正確なガスの質量流量を求めることができないからである。
【００２６】
次に、このガス流の均一性を求める手順について説明する。
【００２７】
一般に、内径Ｄ、流れ方向の微小距離ｄＬの円管内を平均流速Ｕの層流で流れる密度ρ、粘度μの流体の流動圧力損失ｄＰは、Ｆａｎｎｉｎｇの一般式から導かれたＨａｇｅｎ−Ｐｏｉｓｅｕｉｌｌｅの式により次の関係式で表される。
【００２８】
−（ｄＰ／ｄＬ）＝３２Ｕμ／Ｄ2ガス処理装置、例えばＣＶＤで用いられる操作圧力下では、ガスは理想気体の状態方程式が適用できると考えられ、孔内のガスの差圧ΔＰは、次の関係式で表される。
【００２９】
ΔＰ＝｛Ｐ02＋６４μＬＲＴＧ／（ＭＤ2）｝0.5−Ｐ0
ここで、Ｐ0 は孔の下流側圧力、Ｌは孔の長さ、Ｒはガス定数、Ｔは温度、Ｇは孔内のガスの平均質量流量、Ｍはガスの分子量である。
【００３０】
また、ガス処理装置でのプロセス圧力が比較的減圧の場合、ガス導入管から導入される線速度が音速の近くまで増大することが考えられ、ガス流の動圧の影響を考慮する必要がある。この動圧ＰDは、次の関係式で表される。
【００３１】
ＰD ＝（０．５）ρＵ2
そして、この動圧ＰD を考慮して最大差圧ΔＰmax 及び最小差圧ΔＰminを求めると、最大質量流量Ｇmax及び最小質量流量Ｇminが求められ、この結果、ガス流の均一性を求めることができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、被処理体上の全面にガスを均一に供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
（第１の参考例）
まず、第１の参考例について図１を参照して説明する。図１は、第１の参考例に係るＣＶＤ処理装置を模式断面図で示したものである。
【００３４】
図１に示すように、ＣＶＤ処理装置１の処理室２は例えばアルミニウム等により気密可能な構造に形成されている。図１では省略したが、処理室２内には加熱機構や冷却機構を備えている。
【００３５】
処理室２には上部中央にガスを導入するガス導入管３が接続され、処理室２内とガス導入管３内とが連通されている。また、ガス導入管３はガス供給源４に接続されている。そして、ガス供給源４からガス導入管３にガスが供給され、ガス導入管３を介して処理室２内にガスが導入されている。このガスには、薄膜形成の原料となる各種のガスが用いられ、必要な場合には不活性ガスがキャリアガスとして用いられている。
【００３６】
処理室２の下部には、処理室２内のガスを排気するガス排気管５が接続され、ガス排気管５は真空ポンプ等からなる図示しない排気手段に接続されている。そして、この排気手段により処理室２内のガスがガス排気管５から排気され、処理室２内が所望の圧力に設定されている。
【００３７】
また、処理室２の下部には、被処理体としてのウエハ６を載置する載置台７が配置されている。本実施の形態では、ウエハ６と略同径大の図示しない静電チャックによりウエハ６が載置台７上に載置されている。この載置台７には図示しない熱源手段が内設されており、載置台７上に載置されたウエハ６の処理面を所望の温度に調整できる構造に形成されている。
【００３８】
この載置台７の大きさは、３００ｍｍの大径ウエハ６を載置できる大きさとなっており、必要に応じて載置したウエハ６を回転できるような機構になっている。 このように大型の載置台７を内蔵することにより、３００ｍｍの大径ウエハ６を処理することができ、高い歩留まりと、その結果もたらされる、廉価な製造コストを実現することができる。
【００３９】
図１中、載置台７の右側の処理室２壁面にはウエハ６を出し入れするための開口部２ａが設けられており、この開口部２ａの開閉はゲートバルブ１８を図中上下方向に移動することにより行われる。図１中、ゲートバルブ１８の更に右側にはウエハ６を搬送する例えばメインアームなどの搬送装置（図示省略）が隣設されており、メインアームが開口部２ａを介して処理室２内に出入りして載置台７上にウエハ６を載置したり、処理後のウエハ６を処理室２から搬出するようになっている。
【００４０】
載置台７の上方にはシャワー部材としてのシャワーヘッド８が配設されている。このシャワーヘッド８は載置台７とガス導入管３との間の空間を区画するように形成されており、例えばアルミニウム等から作られている。
【００４１】
シャワーヘッド８は、その上部中央にガス導入管３のガス出口３ａが位置するように形成され、処理室２内に導入されたガスがそのまま処理室２内に配設されたシャワーヘッド８内に導入されている。
【００４２】
図２にシャワーヘッド８の模式断面図を示す。図２に示すように、シャワーヘッド８の底面には吐出板９が配置されている。吐出板９はシャワーヘッド８の底面側、即ち載置台７側の隔壁を構成し、ウエハ６と対向する位置に配置されている。この吐出板９には多数の吐出孔１０が穿孔され、シャワーヘッド８内に導入されたガスはシャワーヘッド８の底面の吐出孔１０を通過して、ウエハ６上に供給される。
【００４３】
シャワーヘッド８内の吐出板９とガス導入管３との間には、バッフル部材としてのバッフル板１１が配設されている。本実施の形態では、バッフル板１１は吐出板９とガス導入管３との間の空間を区画するように、吐出板９と平行に配置されている。
【００４４】
バッフル板１１には、多数の貫通孔１２が穿孔されている。図３に貫通孔１２の模式図を示す。図３に示すように、貫通孔１２は径の小さい第１開口部としての上孔部１３と、上孔部１３から拡開された第２開口部としての下孔部１４との径の異なる２つの円筒孔を同一軸上で結合した異径孔に形成されている。そして、バッフル板１１は、ガス導入管３側に上孔部１３、吐出板９側に下孔部１４が位置するように配置されている。
【００４５】
この下孔部１４は、貫通孔１２の中心軸Ｐからの広がり角度が０．５〜４５度、好ましくは１〜３０度の範囲になるように形成されている。ここで、広がり角度とは、拡開された下孔部１４の下流端Ａと上孔部１３の下流端Ｂとの２点を通る直線Ｒと、貫通孔１２の中心軸Ｐとがなす角度Ｘをいう。また、下孔部１４の孔径Ｌ２は、上孔部１３の孔径Ｌ１の２1/2 倍以上、好ましくは２倍以上の範囲で上孔部１３から拡開するように形成されている。
【００４６】
また図２では省略したが、シャワーヘッド８内には加熱機構や冷却機構が配設されており、シャワーヘッド８内にＣＶＤ用反応ガスを導入する際にはシャワーヘッド８内の温度を反応温度より低く、かつ、ＣＶＤ用反応ガスを構成する成分の液化温度より高い温度に調節できるようになっている。
【００４７】
次に、以上のように構成されたＣＶＤ処理装置１の作用について説明する。
【００４８】
まず、ウエハ６を載置台７上に配置し、ウエハ６を静電チャックで載置台７上に載置する。次に、ガス供給源４からガス導入管３にガスが供給され、ガス導入管３を介してシャワーヘッド８内にガスが導入される。なお、排気手段により処理室２内のガスがガス排気管５から排気され、処理室２内が所望の圧力に設定されている。ガス導入管３からシャワーヘッド８内に導入されたガスは、貫通孔１２、吐出孔１０を介してウエハ６上に噴出される。この噴出時間はガスの種類などによって異なるが、本実施の形態では数十秒から１分である。そして、図示しない熱源手段によるウエハ６上の熱エネルギーによって、ガスが化学的に活性な反応種となり、この反応種の化学反応によりウエハ６上に薄膜が形成される。
【００４９】
ここで、シャワーヘッド８内にガスが導入されると、ガス導入管３のガス出口３ａ付近では、ガス出口３ａからのガスの噴出流によってガスの動圧が高くなるが、貫通孔１２の上孔部１３は直径が小さいので比較的流れにくく、これを通過するガスの流動圧力損失が大きくなるためにバッフル板１１の前後、即ちバッフル空間１５とシャワー前室の空間１６の差圧が大きくなる結果、バッフル板１１の背圧が大きくなると共に上流側のバッフル空間１５の圧力が大きくなり、ガス導入管からのガス噴流の動圧が減少する。このため、ガス導入管からのガス噴流の衝突による局所的なバッフル背圧のムラが、バッフル板の差圧に対して占める比率が減少され、貫通孔１２を通過するガスの流量もこれに基づいて均一に近付くようになる。
【００５０】
さらに、下孔部１４を広がり角度が４５度以下となるように拡開したことから、貫通孔１２内を上孔部１３から下孔部１４に流れるガスは、下孔部１４の壁面（内面）との接触による摩擦により減速するとともに、下孔部１４内で流速が平均化するように流出し、下孔部１４内を流れるガスの流速が減速される。特に、広がり角度が１〜３０度の範囲内の場合には下孔部１４の内面に確実に接触し、下孔部１４内を流れるガスの流速が有効に減速される。
【００５１】
これは、貫通孔１２の上孔部１３から噴出するガス流の流速分布の断面形状は、一般に図４に示すように、ガスの圧力が１Torr以上のような粘性流領域では楕円状となり、その軸方向から離れるにしたがってさらに減衰する。広がり角度が４５度とは、ガスの粘性が最も少なく真円状に噴出する場合のガス流の流速分布であり、貫通孔１２の広がり角度が４５度より大きい場合には、ガスが下孔部１４の内面まで広がらないために、下孔部１４の内面から剥離したような自由流となり、下孔部１４の下端から流出するガス流速が下孔部１４の下端の開口面積に反比例して減少しなくなる。
【００５２】
このガス流速と開口面積との関係は、以下の式で表される。
【００５３】
ガス流速＝ガス流量／開口面積このため、ガス流量が一定の場合、孔内を流れるガス流速は開口面積に反比例し、ガスの動圧は開口面積の２乗に反比例する。例えば、下孔部１４の孔径Ｌ２を上孔部１３の孔径Ｌ１の２倍（Ｌ２／Ｌ１＝２）の場合、その断面積では４倍になる。従って、貫通孔１２の上孔部１３の流速に対して下孔部１４の流速は１／４倍となり、上孔部１３の動圧に対して下孔部１４の動圧は１／１６倍になる。 このように、下孔部１４の孔径Ｌ２が大きいほど動圧は小さくなり、下孔部１４の孔径Ｌ２は上孔部１３の孔径Ｌ１の２1/2倍以上、好ましくは２倍以上の範囲で上孔部１３から拡開するように形成されている。
【００５４】
このように、バッフル板１１は、ガス導入管３側、即ち貫通孔１２の上流側に上孔部１３、吐出板９側、即ち貫通孔１２の下流側に下孔部１４が位置するように配置されているので、上孔部１３の開口面積の小さい孔を通過するガスの比較的大きい流動抵抗に基づくバッフル室の圧力上昇によって、ガス導入管からのガス噴流の動圧がバッフル板に局所的に与える背圧ムラに基づく貫通孔相互間の流量ムラが減少するとともに、下孔部１４の拡開された開口面積の大きい孔を通過するガス流速の減速によって、貫通孔から下流側に噴出するガス流が上流側の動圧ムラの影響を吐出板に与える割合が更に減少する。このように、シャワーガス流量の均一化のために上孔部１３の効果と下孔部１４の効果とが効率的に発揮される。
【００５５】
以上のように、貫通孔１２の下流側の孔径を拡大することによって、貫通孔１２を通過したガスの動圧は減少し、この結果、ガスの動圧ムラも小さくなる。このため、ガスの動圧ムラは吐出孔１０での流動圧力損失に比べて実質的に無視できるようになる。従って、吐出孔１０からはガスが均一に噴出され、ウエハ上の全面にガスが均一に供給される。
【００５６】
次に、具体的な参考例により、効果を確認する。
【００５７】
（参考例１）
参考例１では、ガスの分子量が２８ｇ／ｍｏｌ（窒素）、ガス密度が２．５５×１０-3ｋｇ／ｍ3、ガス粘度が１．７６×１０-5Ｐａ・ｓ、処理室２内の温度が２７度、その圧力が１．７Torrとなるように設定されている。また、ガス導入管３の内径は７ｍｍ、ガス供給源４からのガス供給量（ガス流量）は２０００ｓｃｃｍに設定されている。
【００５８】
吐出板９の板厚は１０ｍｍであり、吐出孔１０は吐出板９の全面に孔数６４１個が均一に穿孔され、吐出孔１０は孔径１ｍｍの円孔に形成されている。
【００５９】
バッフル板１１の板厚は７ｍｍであり、貫通孔１２はバッフル板１１の全面に孔数６４１個が均一に穿孔されている。また、上孔部１３は孔径Ｌ１＝１ｍｍ、孔長３．５ｍｍに形成され、下孔部１４は孔径Ｌ２＝２ｍｍ、孔長３．５ｍｍに形成されている。このため、Ｌ２／Ｌ１＝２、広がり角度は約８．１度である。そして、前記の動圧の式、差圧の式及び均一性の式に基づいて、本参考例の場合の均一性を求めた。
【００６０】
なお、この参考例１ではガスとして窒素ガスを用いた。実際のガス処理ではプラズマＴｉＮプロセスにおいて、大容量の窒素ガスが用いられるため、シミュレーションにおいても、微量に添加されるＴｉＣｌ4 などの物性値を抜いて計算しても実用上は十分に当てはまる。
【００６１】
また、比較のため、バッフル板１１を配置しない場合（比較例１）、貫通孔１２を１ｍｍのストレート孔とした場合（比較例２）、貫通孔１２を２ｍｍのストレート孔とした場合（比較例３）、貫通孔１２の孔径を上下逆にし、ガス導入管３側を２ｍｍ、吐出板９側を１ｍｍとした場合（比較例４）について同様に均一性を求めた。結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
0004943407.tif 000002
【００６３】
表１に示すように、参考例１での均一性は０．３９％である。これに対して、上孔部１３と同一の孔径である比較例２では７倍近い２．５９％になっている。このように、参考例１の均一性の値が小さくなったのは、下孔部１４の径を大きくした上孔部１３からの拡開による効果であり、拡開されることによって下孔部１４を流れるガスの流速が遅くなり、下孔部１４から噴出するガスの動圧が小さくなったために、貫通孔相互間の流量ムラに基づく貫通孔流出ガスの孔相互間の動圧ムラが吐出板の背面全面の圧力ムラに与える影響が小さくなったことを示している。なお、下孔部１４と同一の孔径である比較例３が比較例２の８倍近い２０．６％になっている。これは、上孔径を大きくすることにより、貫通孔１２を通過するガスの流動圧力損失が小さくなるために、ガス導入管から導入されたガス噴流の動圧の影響が相対的に増大してバッフル板背面の圧力ムラが大きくなり、貫通孔相互間の流量ムラが増大した結果、この増大したガス流量ムラが動圧ムラとして吐出板の背圧ムラを増大させ、比較例２に比べてシャワーガスの流量ムラが増大したことを示している。
【００６４】
また、貫通孔１２の孔径を参考例１と上下逆にした比較例４では、均一性の値は２０倍近い７．８８％になっている。このように、参考例１と大きく差がでたのは、比較例４では比較例２及び比較例３と同様に、貫通孔１２を通過するガスの流動圧力損失のみによって均一性が小さくなったためである。このことから、吐出板９側に拡開された下孔部１４が位置するように配置することにより、下孔部１４内でガスの流速を遅くして、下孔部１４から噴出するガスの動圧ムラを小さくすることができ、均一性の値が飛躍的に小さくなることが確認できた。
【００６５】
次に、同様の条件にて、貫通孔１２の上孔部１３及び下孔部１４の孔径を０．２ｍｍ〜３ｍｍまで変化させた場合について均一性を求めた。結果を表２及び図５に示す。
【００６６】
【表２】
0004943407.tif 000003
【００６７】
表２及び図５に示すように、下孔部１４の孔径を上孔部１３の孔径の１．５倍にすると、均一性の値が１／２〜１／３以下に減少することが分かる。特に下孔部１４の孔径を上孔部１３の孔径の２倍にすると、均一性の値が１／１０以下に大きく減少することが分かる。これは、貫通孔１２の下流側（下孔部１４）を拡開することによって、下孔部１４内を流れるガスの流速が減速され、下孔部１４から噴出するガスの動圧が小さくなるためである。
【００６８】
一方、上孔部１３の孔径より下孔部１４の孔径を大きくすると、下孔部１４内を流れるガスの流速が減速され、下孔部１４から噴出するガスの動圧が小さくなる。例えば上孔部１３が１ｍｍの場合をみると、下孔部１４を０．３ｍｍとした場合と１．２５ｍｍとした場合とがほぼ同一の均一性である。これは、下孔部１４の孔径を小さくすることによってもバッフル室の圧力上昇に基づく動圧ムラの減少のために均一性の値はある程度小さくなるが、これ以上に本発明の下孔部１４の孔径を大きくすることにより、均一性の値がさらに小さくなることが分かる。なお、下孔部１４の孔長は３．５ｍｍと変化させていないことから、貫通孔１２の広がり角度は全て４５度以内である。
【００６９】
さらに、表２及び図５から、例えば貫通孔１２を０．５ｍｍのストレート孔とした場合と、上孔部１３の孔径を１ｍｍ、下孔部１４の孔径を１．５ｍｍとした場合とがほほ同一の均一性であることが分かる。このように、貫通孔１２を加工することが困難かつコスト高になる細径の孔を穿孔しなくても、ほほ同一の均一性を有することができる。
【００７０】
次に、ガスの流量を２０００ｓｃｃｍの他、４０００ｓｃｃｍ、６０００ｓｃｃｍとした場合について、貫通孔１２の上孔部１３及び下孔部１４の孔径を変化させ、同様に均一性を求めた。なお、参考のため、貫通孔１２を１ｍｍのストレート孔とした場合についても同様にその均一性を求めた。結果を表３に示す。
【００７１】
【表３】
0004943407.tif 000004
【００７２】
表３に示すように、上孔部１３及び下孔部１４の孔径にかかわらず、ガスの流量が２０００ｓｃｃｍの場合を基準とすると、４０００ｓｃｃｍの場合で約５倍、６０００ｓｃｃｍの場合で約１０倍となり、ほぼ同様の傾向を示した。  このことから、ガスの流量を変化させても同様の傾向を示すことが確認できた。
【００７３】
次に、分子量が３５ｇ／ｍｏｌ、粘度が２．６×１０-5Ｐａ・ｓのガスを用い、処理室２内の圧力を８０Torrに設定した場合について、貫通孔１２の上孔部１３及び下孔部１４の孔径を変化させ、同様に均一性を求めた。なお、参考のため、貫通孔１２を１ｍｍのストレート孔とした場合についても同様に均一性を求めた。結果を表４に示す。
【００７４】
【表４】
0004943407.tif 000005
【００７５】
表４に示すように、上孔部１３及び下孔部１４の孔径にかかわらず、ガスの種類を変化させた場合にも、ガスの流量を変化させた場合とほぼ同様の傾向を示した。このことから、ガスの種類を変化させても同様の傾向を示すことが確認できた。
【００７６】
なお、以上の結果から、本発明者は、以下の知見を得ることができた。
【００７７】
上孔部１３の孔径と孔長は、貫通孔１２の１つ当たりの平均流量に対する流動圧力損失が、ガス導入管３のガス出口から流出するガスの動圧の２倍以上、好ましくは５倍以上となるように定めると、上孔部１３での通過ガスの流動圧力損失により、ガス出口からのガスの噴出流によるガスの動圧による影響が小さくなる。また、下孔部１４の孔径と孔長は、貫通孔１２の１つ当たりの平均流量に対する貫通孔１２の下端から流出するガスの動圧が、吐出孔１０の１つ当たりの平均流量に対する流動圧力損失の１／２以下、好ましくは１／５以下となるように定めると、下孔部１４内を流れるガスの流速が有効に減速され、下孔部１４からのガスの噴出流によるガスの動圧による影響が小さくなる。
【００７８】
そして、貫通孔１２の数は、隣接する貫通孔１２間の距離がバッフル板１１と吐出板９との間隔の２倍以内、好ましくは１倍以内となるように貫通孔１２を設けると、貫通孔１２を通過したガスの動圧による影響が小さくなる。
【００７９】
本参考例によれば、ガス導入管３側に上孔部１３が形成されているので、上孔部１３を通過するガスの流動圧力損失が大きくなり、貫通孔相互間のガスの流量ムラが小さくなる。また、吐出板９側に上孔部１３から拡開された下孔部１４が形成されているので、下孔部１４内を流れるガスの流速が減速され、貫通孔１２の下孔部１４の下端から噴出するガス流の動圧が小さくなる。このため、ウエハ６上の全面にガスを均一に導入することができる。
【００８０】
本参考例によれば、貫通孔１２を加工することが困難かつコスト高になる細径の孔を穿孔しなくても、ほぼ同一の均一性を得ることができる。
【００８１】
また、貫通孔１２を孔径の異なる２つの孔部（上孔部１３及び下孔部１４）から構成したので、例えば、バッフル板１１を板の途中まで孔径の太いキリで孔（下孔部１４）を穿孔した後、その奥部に孔径の細いキリで孔（上孔部１３）を穿孔することにより、貫通孔１２を容易に加工することができる。さらに、孔径が変化しないストレート孔に比べて一度に穿孔する距離（孔長）が短くなり、孔径の細いキリの破損を防止することができる。貫通孔の下孔部の穿孔にテーパ状の刃先を有するキリを使用することにより、下孔部の形状を円筒状ではなくテーパ状とすることも容易に可能である。
【００８２】
（実施の形態）
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００８３】
なお、この実施の形態においては、上述した第１の参考例と重複する点については同一の符号を付けて説明を省略する。従って、以下には第１の参考例と異なった点を中心に説明する。
【００８４】
図６に、本実施の形態のシャワーヘッド８の模式断面図を示す。図６に示すように、本実施の形態では、バッフル板１１を配置していない点、及びガス導入管３のガス出口の形状を変更した点が第１の参考例と異なっている。
【００８５】
本実施の形態では、ガス導入管３の処理室２に接続するガス出口１７は、シャワーヘッド８側に向かって拡開されている。このガス出口１７はガス導入管３の中心軸からの広がり角度が０．５〜４５度、好ましくは１〜３０度の範囲になるように形成されている。また、ガス出口１７の孔径は、ガス導入管３の孔径の１．５倍以上、好ましくは２倍以上となるように形成されている。
【００８６】
本実施の形態によれば、ガス導入管３からガス出口１７に流れるガスは、ガス出口１７の壁面（内面）との接触による摩擦により減速するとともに、ガス出口１７内で流速が平均化するように流出し、ガス出口１７内を流れるガスの流速が減速される。本実施の形態では、ガス流速と開口面積との関係式から、ガス出口１７での流速はガス導入管３のガス出口が拡開されていない場合の流速の２分の１倍以下、好ましくは４分の１倍以下となる。このように、ガス出口１７内を流れるガスの流速が減速されることから、ガス出口１７から噴出するガスの動圧が小さくなり、この結果、ガスの動圧ムラが小さくなる。このため、ガス出口１７から噴出するガスの動圧は吐出孔１０での流動圧力損失に比べて実質的に無視できるようになり、吐出孔１０からはガスが均一に噴出され、ウエハ６上の全面にガスが均一に供給される。
【００８７】
次に、具体的な実施例により本実施の形態の効果を確認する。
【００８８】
（実施例１）
実施例１では、参考例１と同様の条件にて、ガス出口１７の孔径を７ｍｍ〜２０ｍｍまで変化させた場合について均一性を求めた。結果を表５に示す。
【００８９】
【表５】
0004943407.tif 000006
【００９０】
表５に示すように、ガス出口１７の孔径が大きくなってゆくと、均一性の値がかなり小さくなっていることが分かる。例えば、ガス出口１７の孔径を１０ｍｍとした場合の均一性は１３．７％であり、前述した比較例３である２ｍｍのストレート孔が設けられたバッフル板１１を配設した場合の均一性２０．６％（表１に示す）より良好な結果となっている。また、ガス出口１７の孔径を１５ｍｍとした場合の均一性は２．９３％であり、前述した比較例２である１ｍｍのストレート孔が設けられたバッフル板１１を配設した場合の均一性２．５９％（表１に示す）とほぼ同一の結果となっている。このように、ガス出口１７をガス導入管３の中心軸からの広がり角度が４５度以内でシャワーヘッド８側に向かって拡開するだけで、バッフル板１１を配設した場合と同様の効果が得られることが確認できた。
【００９１】
本実施の形態によれば、ガス出口１７がガス導入管３の中心軸からの広がり角度が４５度以内でシャワーヘッド８側に向かって拡開されているので、ガス出口１７内を流れるガスの流速が有効に減速され、ガス出口１７から噴出するガスの動圧による影響が小さくなる。このため、ウエハ６上の全面にガスを均一に導入することができる。
【００９２】
本実施の形態によれば、バッフル板１１を配置することなく、ウエハ６上の全面にガスを均一に導入することができ、シャワーヘッド８及びガス処理装置１の構造を簡単にすることができる。
【００９３】
（第２の参考例）
次に、第２の参考例を図面を参照して説明する。
【００９４】
本参考例では、本発明をエッチング装置に適用した場合について説明する。図７に、本参考例のエッチング装置の模式断面図を示す。
【００９５】
図７に示すように、ガス処理装置としてのエッチング装置２１の処理室２２は気密可能な構造に形成され、処理室２２の上部中央にはガス導入管２３が接続されている。ガス導入管２３はガス供給源２４に接続され、ガス供給源２４からガス導入管２３を介して処理室２２内にガスが導入されている。また、処理室２２の下部にはガス排気管２５が設けられ、処理室２２内が所望の圧力に設定されている。
【００９６】
処理室２２の下部にはウエハ２６を載置する載置台２７が配置されており、載置台２７の上方には、ウエハ２６と対向するようにガスが導入されるシャワーヘッド２９が配置されている。
【００９７】
図７に示すように、載置台２７は高周波電源２８に接続されており、プロセス時には高周波電源２８から高周波電力が載置台２７に印加されている。一方、シャワーヘッド２９、及び処理室２２のハウジングはそれぞれ接地されている。
【００９８】
このエッチング装置２１では、載置台２７は下部電極として作用し、後述する上部電極との間にグロー放電が生じて処理室２２内に導入されたガスをプラズマ化し、例えばプラズマ化によって生じたイオン粒子またはラジカル粒子によってウエハ２６にエッチング処理が施される。
【００９９】
図８にシャワーヘッド２９の模式断面図を示す。図８に示すように、シャワーヘッド２９の底面には吐出板３０が配置され、前述のように、載置台２７に印加された高周波電力により、載置台２７と吐出板３０との間にグロー放電が生じる。このように、シャワーヘッド２９は上部電極として作用している。吐出板３０には多数の貫通孔３１が穿孔され、シャワーヘッド２９内に導入されたガスは貫通孔３１を通過してウエハ２６上に導入されている。
【０１００】
シャワーヘッド２９内の吐出板３０とガス導入管２３との間には、バッフル板３２が配設されている。このバッフル板３２には多数の貫通孔３３が穿孔されている。この貫通孔３３は第１の参考例と同様に、流路断面積或いは開口面積の小さい上孔部３４と、上孔部３４から拡開された流路断面積或いは開口面積の大きい孔としての下孔部３５からなる異径孔に形成され、下孔部３５は貫通孔３３の中心軸からの広がり角度が０．５〜４５度、好ましくは１〜３０度の範囲になるように拡開され、下孔部３５の出口端の孔径は上孔部３４の孔径の２1/2倍以上、好ましくは２倍以上の範囲で上孔部３４から拡開するように形成されている。
【０１０１】
本参考例では、まず、ウエハ２６を載置台２７上に配置し、ガス供給源２４からガス導入管２３を介してシャワーヘッド２９内にガスが導入される。シャワーヘッド２９内に導入されたガスは貫通孔３３、貫通孔３１を介してウエハ２６上に噴出されるとともに、処理室２２内は所定の圧力に設定、維持される。この状態で、高周波電源２８から高周波電力が載置台２７に印加される。すると、ウエハ２６上に噴出されたガスがプラズマ化され、このラジカル粒子によってウエハ２６にエッチング処理が施される。
【０１０２】
ここで、バッフル板３２に穿孔された貫通孔３３は、第１開口部としての上孔部３４と第２開口部としての下孔部３５からなる異径孔であり、第１の参考例と同様に、上孔部３４での流動圧力損失、下孔部３５でのガスの流速の減速によって、ガス導入管２３のガス出口２３ａのガス噴流の局所的な動圧に基づく貫通孔相互間の流量ムラが小さくなり、従って貫通孔端の噴流の動圧ムラが小さくなる。このため、ウエハ２６上の全面にガスを均一に供給することができる。
【０１０３】
次に、具体的な参考例により、効果を確認する。
【０１０４】
（参考例２）
参考例２では、ガス導入管２３の内径４．８ｍｍ、貫通孔３３の数６６個、上孔部３４の孔径１ｍｍ、孔長１ｍｍ、下孔部３５の孔径３ｍｍ、孔長２ｍｍに設定されている。また、プロセスガスとしてＣ4 Ｆ8 ／Ａｒ／Ｏ2の混合ガスを２１／５１０／１１＝５４２ｓｃｃｍ、処理室２２内の温度３０度、その圧力４０ｍTorrに設定されている。この条件にて、貫通孔３１の孔数を３００個、８００個、１６００個とした場合、貫通孔３１の孔径を０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、０．８ｍｍとした場合、貫通孔３１の孔長を５ｍｍ、１０ｍｍ、１５ｍｍ、２０ｍｍとした場合について、均一性を求めた。結果を表６に示す。なお、比較のため、貫通孔３３を１ｍｍのストレート孔とした場合（比較例５）、バッフル板３２を配置しない場合（比較例６）についても同様に均一性を求めた。この結果も表６に示す。
【０１０５】
【表６】
0004943407.tif 000007
【０１０６】
表６に示すように、第１の参考例と同様に、均一性の値が飛躍的に向上し、エッチング装置２１に用いた場合にも適用できることが確認できた。
【０１０７】
次に、貫通孔３１の孔数を８００個、貫通孔３１の孔長を１０ｍｍ、貫通孔３１の孔径を０．５ｍｍとし、下孔部３５の孔径を１ｍｍ、１．５ｍｍ、２ｍｍ、２．５ｍｍとした場合について、均一性を求めた。結果を表７に示す。
【０１０８】
【表７】
0004943407.tif 000008
【０１０９】
表７に示すように、下孔部３５の孔径を上孔部３４の孔径の２1/2 倍にすると、均一性の値が約１／２に減少し、２倍にすると、均一性の値が１／４以下に減少することが分かる。このように、下孔部３５の孔径を上孔部３４の孔径の２1/2倍以上、特に２倍以上にすることにより均一性の値が向上し、このことから、ウエハ２６上の全面にガスを均一に導入することができることが確認できた。このように、エッチング装置２１に用いた場合についても第１の参考例と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
（第３の参考例）
次に、第３の参考例を図面を参照して説明する。なお、この参考例においては、図６に示した本発明の実施の形態と重複する点については同一の符号を付けて説明を省略する。以下には第２の参考例と異なった点を中心に説明する。
【０１１１】
図９に、本参考例シャワーヘッド２９の模式断面図を示す。図９に示すように、本参考例では、バッフル板３２を配置していない点、及びガス導入管２３のガス出口３６の形状を本発明の実施の形態と同様にした点が第２の参考例と異なっている。
【０１１２】
本参考例では、前述した本発明の実施の形態と同様に、ガス導入管２３の処理室２２に接続するガス出口３６は、シャワーヘッド２９側に向かって拡開されている。このガス出口３６はガス導入管２３の中心軸からの広がり角度が０．５〜４５度、好ましくは１〜３０の範囲になるように形成されている。また、ガス出口３６の孔径は、ガス導入管２３の孔径の２1/2 倍以上、好ましくは２倍以上となるように形成されている。
【０１１３】
本参考例によれば、本発明の実施の形態と同様に、ガス導入管２３からガス出口３６に流れるガスは、ガス出口３６の壁面（内面）との接触による摩擦により減速するとともに、ガス出口３６内で流速が平均化する方向に流出し、ガス出口３６内を流れるガスの流速が減速される。このため、ガス出口３６から噴出するガスの動圧は貫通孔３１での流動圧力損失に比べて実質的に無視できるようになり、貫通孔３１からはガスが均一に噴出され、ウエハ２６上の全面にガスが均一に供給される。
【０１１４】
次に、具体的な参考例により効果を確認する。
【０１１５】
（参考例３）
参考例３は、参考例２と同様の条件にて、貫通孔３１の孔長を５ｍｍ、１０ｍｍの場合について、ガス出口３６の孔径を１２ｍｍに変化させて均一性を求めた。結果を表８に示す。
【０１１６】
【表８】
0004943407.tif 000009
【０１１７】
表８及び表６に示すように、ガス出口３６の孔径を４．８ｍｍから１２ｍｍに拡開することにより、均一性の値は約１／３０になっていることが分かる。このように、ガス出口３６をガス導入管２３の中心軸からの広がり角度が４５度以内でシャワーヘッド２９側に向かって拡開するだけで、バッフル板３２を配設した場合と同様の効果が得られることが確認できた。本参考例のように、エッチング装置２１に用いた場合についても実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１８】
なお、本発明の実施の形態は前記のものに限らず、例えば以下の場合であってもよい。
【０１１９】
図１０に示すように、本発明の実施の形態のＣＶＤ処理装置に、第１の参考例のバッフル板１１を配置してもよい。この実施例として、上孔部１３の孔径１ｍｍ、下孔部１４の孔径２ｍｍのバッフル板１１を配設した場合（実施例２）についてガス出口１７の孔径を変化を７ｍｍ〜２０ｍｍまで変化させた場合について均一性を求めてみた。この結果を表５に合わせて示す。また、孔径１ｍｍのストレート孔を配設した場合（実施例３）についても同様に表５に示す。表５に示すように、バッフル板を配設することにより、均一性はさらに良好な値を示す。特に、実施例２では飛躍的に均一性が良好な結果となっており、例えばガス出口１７の孔径を１５ｍｍとした場合の均一性は０．００７６％であり、第１の参考例の上孔部１３の孔径０．２ｍｍ、下孔部１４の孔径０．７５ｍｍのバッフル板１１を配設した場合とほぼ同一の均一性になる（表２参照）。
【０１２０】
このように、本発明の実施の形態のＣＶＤ処理装置に、第１の参考例のバッフル板１１を配置することで、さらにウエハ６上の全面にガスを均一に導入することができる。
【０１２１】
同様に、第３の参考例のエッチング装置に、第２の参考例のバッフル板３２を配置してもよい。この参考例として、上孔部３４の孔径１ｍｍ、下孔部３５の孔径３ｍｍのバッフル板３２を配設した場合（参考例４）について均一性を求めてみた。この結果を表８に合わせて示す。また、孔径１ｍｍのストレート孔を配設した場合（参考例５）についても同様に表８に示す。
【０１２２】
表８に示すように、バッフル板を配設することにより、均一性はさらに良好な値を示す。特に、参考例４では均一性が０．００と飛躍的に良好な結果となる。このように、第３の参考例のエッチング装置に、第２の参考例のバッフル板３２を配置することで、さらにウエハ２６上の全面にガスを均一に導入することができる。ガス導入管２３のガス出口３６の形状は、その中心軸からの広がり角度が４５度より小さい範囲でシャワーヘッド２９側に向かって拡開されていればよい。この場合にも、ガスの流速が減速され、ガス導入管２３のガス出口３６から噴出するガスの動圧が小さくなる。
【０１２３】
ガス導入管３は１つの場合に限らず、複数の場合であってもよい。また、ガス導入管３はシャワーヘッド８上部中央に接続されている場合に限らず、例えば上部斜方、側方の場合であってもよい。これらの場合にもガス導入管３から噴出したガスの動圧により、ガス流が不均一になりやすく、例えばガス導入管３がシャワーヘッドの側方に接続されている場合、ガスはガス導入管３と対向する位置のシャワーヘッド８の側壁に衝突した後、その進路をバッフル板１１と直交する方向に転換して衝突し、バッフル板１１の周辺部付近の背圧が大きくなる。このため、本発明を適用するにより、ウエハ６上の全面にガスをさらに均一に導入することができる。
【０１２４】
本実施の形態では、熱ＣＶＤ装置に用いられる場合について説明したが、本発明はこれに限るものではなく、例えばプラズマＣＶＤ装置に用いられるものであってもよい。
【０１２５】
載置台７はウエハ６を支持できるものであればよく、静電チャックを用いたものの他、例えばエアシリンダのような駆動機構によって昇降可能とされたクランプリングを用い、ウエハ６を押圧したものであってもよい。または、単に重力によってウエハを置くだけのものでもよい。
【０１２６】
本実施の形態では、シャワーヘッド８の側壁を独立の区画壁を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限るものではなく、例えばシャワーヘッド８を処理室２の側壁と吐出板９とで構成した形状としてもよい。
【０１２７】
シャワーヘッド８は１つの場合に限らず、複数（いわゆるポストミックス）の場合であってもよい。このポストミックスが用いられるのは、複数のガスをシャワーヘッド８内で混合させないように、別々の経路を通過させて分散供給する必要がある場合である。
【０１２８】
以下にポストミックス型シャワーヘッドの例を示す。
【０１２９】
図１２はポストミックス型シャワーヘッド５０の垂直断面図である。図１２に示したように、このシャワーヘッド５０内には二つのガス流路Ａ及びガス流路Ｂがそれぞれ独立して配設されている。
【０１３０】
即ち、ガス流路Ａはガス導入口５１から流路５２を経て複数の小室５３，５３，…へ導かれ、各小室５３，５３，…の下部にはそれぞれ吐出口５４，５４，…が設けられている。複数の小室５３，５３，…は互いに連通しており、ガス導入口５１から送り込まれた処理ガスは流路５２を経て複数の小室５３，５３，…へ等しく流れ込むようになっている。
【０１３１】
流路５２の一部には、処理ガス移動方向上流側から下流側に向けて拡開された拡開部５５，５５…が設けられている。
【０１３２】
ガス導入口５１から供給された処理ガスＧ１は流路５２を通って複数の小室５３，５３，…へ流れ込む。その際の拡開部５５，５５…を通過するときに流路の拡大のために処理ガスが減速され、更に、互いに連通した複数の小室５３，５３，…で拡散される。その結果、吐出口５４，５４，…に到達するまでの間に図中横方向での処理ガスの流速が均一化されるため、各吐出口５４，５４，…から吐出される処理ガスの流量が均一になる。
【０１３３】
一方、ガス流路Ｂはガス導入口６１から流路６２を経て複数の小室６３，６３，…へ導かれ、各小室６３，６３，…の下部にはそれぞれ吐出口６４，６４，…が設けられている。複数の小室６３，６３，…は互いに連通しており、ガス導入口６１から送り込まれた処理ガスは流路６２を経て複数の小室６３，６３，…へ等しく流れ込むようになっている。
【０１３４】
流路６２の一部には、処理ガス移動方向上流側から下流側に向けて拡開された拡開部６５が設けられている。
【０１３５】
ガス導入口６１から供給された処理ガスＧ２は流路６２を通って複数の小室６３，６３，…へ流れ込む。その際の拡開部６５を通過するときに流路の拡大のために処理ガスが減速され、更に、互いに連通した複数の小室６３，６３，…で拡散される。その結果、吐出口６４，６４，…に到達するまでの間に図中横方向での処理ガスの流速が均一化されるため、各吐出口６４，６４，…から吐出される処理ガスの流量が均一になる。
【０１３６】
更に図１２に示したように、シャワーヘッド５０では、ガス流路Ａの先端にあたる吐出口５４とガス流路Ｂの先端にあたる吐出口６４とが交互かつ隣接して配設してあるため処理ガスＧ１と処理ガスＧ２とがそれぞれ独立かつ均一に吐出されてウエハ（図示省略）に供給される。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】第１の参考例のＣＶＤ処理装置の模式断面図。
【図２】第１の参考例のシャワーヘッドの模式断面図。
【図３】貫通孔の模式図。
【図４】孔から噴出するガス流の流速分布を示す模式図。
【図５】貫通孔の径の変化による均一性の影響を示すグラフ。
【図６】本発明の第１の実施の形態のシャワーヘッドの模式断面図。
【図７】第２の参考例のエッチング処理装置の模式断面図。
【図８】第２の参考例のシャワーヘッドの模式断面図。
【図９】第３の参考例のシャワーヘッドの模式断面図。
【図１０】別の実施の形態のシャワーヘッドの模式断面図。
【図１１】別の参考例のシャワーヘッドの模式断面図。
【図１２】別の参考例のガス処理装置の模式断面図。
【図１３】従来のシャワーヘッド（バッフル板なし）の模式断面図。
【図１４】従来のシャワーヘッド（バッフル板あり）の模式断面図。
【符号の説明】
【０１３８】
１……ＣＶＤ処理装置、２……処理室、３……ガス導入管、４……ガス供給源、６……被処理体としてのウエハ、７……載置台、８……シャワー部材としてのシャワーヘッド、９……吐出板、１０……吐出孔、１１……バッフル板、１２……貫通孔、１７……ガス出口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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