(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に設けられた複数の第１電極と、
隣接して配置される前記第１電極の間に設けられた絶縁性の画素分離膜と、
前記画素分離膜の上に設けられた導電性材料からなる補助配線と、
前記補助配線の上に設けられた逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁と、
前記第１電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように設けられ、少なくとも発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に設けられた第２電極と、を有し、
前記補助配線のうち少なくとも２本が表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられており、
前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は透明導電性材料からなり、有機ＥＬ発光が前記第２電極を介して取り出されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記隔壁が複数の層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２電極の膜厚は、２０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板の上に、第１電極と、少なくとも発光層を含む有機層と、第２電極とを有する有機ＥＬ素子を複数備え、隣接して配置される前記第１電極の間に絶縁性の画素分離膜を備え、前記画素分離膜の上に導電性材料からなる補助配線を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記基板の上に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の周縁部を覆い、各前記第１電極を区画するように前記画素分離膜を形成  前記画素分離膜の上に前記補助配線を形成する補助配線の形成工程と、
前記補助配線の上に逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる前記隔壁を形成する隔壁の形成工程と、
前記第１電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように、前記有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に前記第２電極を形成し、前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第２電極とを電気的に接続する工程とを有し、
前記補助配線の形成工程にて形成される前記補助配線のうち少なくとも２本が、表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁の形成工程にて形成される前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機層を形成する工程は、前記有機層を真空蒸着法で形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２電極を形成する工程は、前記第２電極をスパッタ法で形成する工程であることを特徴とする請求項５又は６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅの略で、以下ＥＬと略記する。）表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光性材料からなる有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が高速応答や広視野角などの特長を有する表示装置として、研究開発が精力的に進められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を多数備えた有機ＥＬ表示装置をアクティブマトリクス回路を用いて駆動する場合、各有機ＥＬ素子（画素）に画素への電流を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を１組ずつ接続する必要がある。
【０００４】
アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置では基板上に微細なトランジスタやコンデンサなどを配置するために、画素からの発光は図８のように基板と反対方向から取り出す所謂トップエミッション型とすることが開口率向上のためにも好ましい。
【０００５】
ここで、従来のアクティブマトリクス方式のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置について図８、図９を用いて説明する。
【０００６】
図８は、従来のアクティブマトリクス方式のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を示す断面概略図である。図９は、図８の有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子の構成例を示す断面概略図である。
【０００７】
画素は、ガラス基板５００の上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を積層形成して成り立っている。
【０００８】
ガラス基板５００の上に有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴ５０１が形成されている。ちなみに、図中、符号５１０はソース領域、５１１はｐｏｌｙ−Ｓｉ、５１２はドレイン領域、５１３はゲート絶縁膜、５１４はゲート電極、５１５は層間絶縁膜を示す。
【０００９】
ＴＦＴ５０１は無機絶縁膜５１７に覆われ、さらに基板５００の表面を平坦化するために平坦化膜５１８で覆われている。その上に反射電極（第１電極）５２０が形成されている。
【００１０】
反射電極５２０は画素ごとにパターニングされており、反射電極５２０とＴＦＴ５０１のドレイン電極５１６は前記無機絶縁膜５１７及び前記平坦化膜５１８に形成されたコンタクトホールを通して電気的に接続されている。
【００１１】
画素分離膜５３０は隣接する画素間に設けられた絶縁膜であり、反射電極５２０の周縁部を覆うように配置されている。
【００１２】
陽極となる反射電極（第１電極）５２０の上に発光層５２２を含む有機層５２５として、正孔輸送層５２３、発光層５２２、電子輸送層５２４が形成され、陰極（共通電極）となる透明電極（第２電極）５２１が形成されている。
【００１３】
有機ＥＬ素子を水分から守るために、封止ガラス５４０がＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いてガラス基板５００に貼り付けられている。封止ガラス５４０の空隙部分には不活性ガス５４１が充填されている。
【００１４】
上記のように基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の構成では、第２電極にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）など透明導電性材料薄膜を使用するが、透明導電性材料は金属より抵抗が高い。
【００１５】
そのため、第２電極内において電圧降下が生じ易く、表示面の各有機ＥＬ素子に印加される電圧が不均一になり、表示面の中央での発光強度が低下する等の電圧勾配による表示性能の低下の問題がある。
【００１６】
したがって、前述の電圧勾配を抑制するために低抵抗な補助配線を形成することが望ましい。前記補助配線は、画素の開口を確保するため画素間などの非表示領域に形成する必要がある。
【００１７】
また、有機層形成後に低抵抗な補助配線を形成する場合、有機層を形成する有機材料が水や有機溶媒、紫外線により劣化する。そのため、フォトリソグラフィーによって補助配線の成膜後にパターニングすることが困難であり、成膜時にメタルマスクなどでパターニングする必要がある。
【００１８】
金属などの低抵抗材料を真空蒸着法で成膜する時にメタルマスクでパターニングする場合、金属の蒸発温度は高く、輻射熱によりメタルマスクが伸びるため、基板とメタルマスクとの距離を一定に保つことが難しく、パターニング精度を高く保つことは難しい。特に高精細なパネルでは、画素の間隔が小さいため、そのパターニングはより困難となる。
【００１９】
そこで、第２電極に電気的に接続される補助配線を有機層形成前に画素間に設ける対策が提案されている（特許文献１、特許文献２及び特許文献３）。
【００２０】
また特許文献３には、上部補助電極と下部補助電極とからなるオーバーハング状の断面形状を有する補助電極を、有機層を積層する前に形成する旨も開示されている。そして、オーバーハングした上方部の下方に位置する部位を利用して、上部電極に対して確実に電気接続することができる旨も開示されている。
【００２１】
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【特許文献２】特開２００２−３１８５５３号公報
【特許文献３】特開２００１−２３００８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかしながら、有機層は移動度が１０-3ｃｍ2／Ｖ・ｓ〜１０-6ｃｍ2／Ｖ・ｓ程度の極めて高抵抗な有機半導体である。画素間に設けられた補助配線と第２電極との間に有機層が配置されると、補助配線と第２電極との間を電気的に接続することが難しくなる。このため、特許文献１や特許文献２に開示されている構成では、図１０に示すように有機ＥＬ素子を形成する全ての有機層は補助配線上に有機層の無い部分ができるようにパターニングがなされている必要がある。
【００２３】
有機ＥＬ素子を形成する全ての有機層が補助配線上に有機層の無い部分ができるようにパターニングするためには、アライメントを要する工程が有機層の数だけ必要となる。全ての有機層をパターニングする場合は、発光層だけを画素ごとにパターニングする場合など一部の有機層のみをパターニングする場合に比べ、装置コストが高くなる。さらには、成膜に掛かるタクトタイムが長くなることによる有機ＥＬ素子に用いられる高価な有機材料の利用効率の低下、パターニング工程におけるパターニングずれなどによる歩留まり低下などの問題がある。
【００２４】
一方、特許文献３に開示されている構成では、有機層を画素ごとにパターニングしなくても有機層に被覆されずに補助電極が露出する領域を得ることができる。しかしながら、補助電極が露出する領域は、上部補助電極部の裏面や下部補助電極の側面であるため、この領域に第２電極（上部電極）を接触させるには、第２電極を必要以上に厚く形成しなくてはならなくなる。この場合、基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置においては、光透過率が低下し、高い光取り出し効率を得ることが難しくなる。
【００２５】
そこで、本発明は、有機層を画素ごとにパターニングしなくても、また第２電極を必要以上に厚くしなくても、補助配線と第２電極とを電気接続することができる有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板の上に設けられた複数の第１電極と、
隣接して配置される前記第１電極の間に設けられた絶縁性の画素分離膜と、
前記画素分離膜の上に設けられた導電性材料からなる補助配線と、
前記補助配線の上に設けられた逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁と、
前記第１電極、前記画素分離膜及び前記隔壁を含む表示領域全面を覆うように設けられ、少なくとも発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に設けられた第２電極と、を有し、
前記補助配線のうち少なくとも２本が表示領域内に並行して設けられており、
前記隔壁が、前記補助配線が設けられている方向に、かつ前記隔壁が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅が、前記隔壁と隣り合う隔壁間の間隔よりも大きくなるように間隔を空けて設けられており、
前記隔壁の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線と前記第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、有機層を画素ごとにパターニングしなくても、さらには第２電極を必要以上に厚くしなくても、補助配線と第２電極との電気的な接続をとることができる。そして、パターニング工程の少ない製造工程でより光取り出し効率の高い有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明するが、本発明は本実施の形態に限るものではない。
【００２９】
図１は本発明の有機ＥＬ表示装置における実施形態の一例を示す模式図である。この有機ＥＬ表示装置は、基板１０１上に、第１電極３００と、少なくとも発光層を含む有機層３１０と、第２電極３２０とを有する有機ＥＬ素子を複数備えており、発光層が発する有機ＥＬ発光が第２電極３２０を介して取り出される構成とされている。そして、隣り合って配置される前記第１電極の間に絶縁性の画素分離膜３３０を備え、前記画素分離膜３３０上に導電性材料からなる補助配線３４０を備えている。
【００３０】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置は、前記補助配線３４０上に、逆テーパー状の絶縁体又は導電体からなる隔壁３５０が形成されている。前記隔壁３５０の逆テーパー部の直下位置で前記補助配線３４０と第２電極３２０とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００３１】
以下、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を、製造方法に沿って具体的に説明する。
【００３２】
ガラスからなる基板１０１上に、各々の有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴ２００を形成する。基板１０１は透明であっても不透明であっても良く、合成樹脂などからなる絶縁性基板、又は表面に酸化珪素膜若しくは窒化珪素膜などの絶縁膜を形成した導電性基板若しくは半導体基板でも良い。なお、ＴＦＴ２００の能動層はｐｏｌｙ−Ｓｉ１０４で構成しているが、ポリシリコンに限定されるものではなく、非晶質シリコン、微結晶シリコンなどを用いても良い。ちなみに、図中、符号１０２はソース領域、１０３はドレイン領域、１０５はゲート電極、１０６はゲート絶縁膜、１０７は層間絶縁膜を示す。
【００３３】
ＴＦＴ２００は窒化珪素からなる無機絶縁膜１０９で覆い、さらにＴＦＴ２００の凹凸を平坦化するためにアクリル系樹脂からなる平坦化膜１１０で覆う。無機絶縁膜１０９は、酸化窒化珪素膜又は酸化珪素膜等からなる無機絶縁膜でも良い。平坦化膜１１０はポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等でも良い。
【００３４】
各画素に対応する位置にパターニングによって第１電極３００を形成する。尚、この第１電極３００は、本実施形態においては反射電極として機能する。またこの第１電極３００は、ＴＦＴ２００のドレイン電極１０８と無機絶縁膜１０９及び平坦化膜１１０に形成されたコンタクトホールを通して電気的に接続されている。このとき、第１電極３００とドレイン電極１０８とは直接電気接続されても良いが、アルミ膜などの金属やＩＴＯなどの酸化物導電膜を介して電気接続されても良い。
【００３５】
第１電極３００としては、例えば、クロムを用いる。ただし第１電極３００は、銀膜若しくは添加物を含む銀膜、又はアルミ膜若しくは添加物を含むアルミ膜若しくはアルミ合金膜でも良いし、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの酸化物透明導電膜であってもよい。
【００３６】
第１電極３００上には、有機層へのキャリア注入性を向上させるために、高仕事関数の電極、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物透明導電膜をさらに形成しても良い。
【００３７】
第１電極３００の周縁部を覆い、各第１電極３００を区画するように画素分離膜３３０を形成する。画素分離膜３３０としては、酸化窒化珪素膜又は酸化珪素膜等からなる無機物を用いても良く、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂でも良い。
【００３８】
画素分離膜３３０上に、同画素分離膜３３０に接するように補助配線３４０を形成する。補助配線３４０としてはアルミを用いるが、その他の金属、又はアルミ若しくはその他の金属に添加物を加えた物でも良い。また、補助配線３４０は、その後に形成する第２電極材料がより確実に堆積するように、基板面に対して平行な面を有していることが好ましい。補助配線３４０は、スパッタ法により成膜され、フォトリソグラフィー等によりパターニングされ、画素間の画素分離膜３３０上に形成される。補助配線３４０は、蒸着法やＣＶＤ法で成膜されても良い。
【００３９】
補助配線３４０上に逆テーパー状の絶縁体又は導電体で構成される隔壁３５０を形成する（図３（ａ））。隔壁３５０は、ＵＶ吸収剤を混合したネガ型の感光材料をスピンコート法で塗布してプリベーク後、所定のパターンのフォトマスクを用いてＵＶ露光し現像して加熱硬化することにより得られる。隔壁３５０が絶縁体で構成される場合、絶縁体としてはアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を用いれば良い。隔壁３５０が導電体で構成される場合、導電体としてはモリブデン、タングステン、アルミ、チタン、クロム、銀やこれらに添加物を加えたもの及び合金等を用いれば良い。隔壁３５０に金属を用いた場合、補助配線３４０と隔壁３５０は電気的に接続されるため、補助配線３４０の配線抵抗が下がることが期待できる。
【００４０】
隔壁３５０は、複数の層で形成されていても良いし、前記複数の層の中には酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素などの無機膜が含まれていても良い。
【００４１】
隔壁３５０の形状について図２及び図４乃至図６を用いて説明する。
【００４２】
隔壁３５０の形状は、例えば、図２に示されるように逆テーパー形状である。ここで逆テーパー形状とは、例えば、図２に示されるように上辺Ｌ3と底辺Ｌ4が、Ｌ3＜Ｌ4の関係にある形状をいう。従って、隔壁３５０の形状は、図１乃至図５に示されるように斜面が平面状に形成されており、基板側に向かって単調に幅が減少する断面逆台形形状だけでなく、図６に示されるように、斜面が曲面に形成される形状や、段階的に幅が減少する形状であっても良い。即ち、本発明の隔壁の形状は、その形状によって有機層成膜の際に補助配線３４０上に影（有機層が形成されない部分）が形成される形状であればよい。
【００４３】
点蒸着源を用いた真空蒸着で有機層３１０が成膜される場合、次のように隔壁３５０が形成される。すなわち、隔壁３５０の上端部と下端部を結ぶ直線と基板の法線との成す角度θ1と、点蒸着源と基板の最端に位置する隔壁３５０の基板中央側の上端を結ぶ直線と基板の法線との成す角θ2は、θ1≧θ2を満たすように隔壁３５０が形成される。これにより、補助配線３４０上に影（有機層３１０が形成されない部分）を作ることができる。
【００４４】
隔壁３５０により有機層３１０が第１電極上に成膜されない部分ができると、第１電極と第２電極が短絡する。これを防ぐため隔壁３５０の幅Ｌ4は画素分離膜３３０の幅Ｌ5より大きくないことが好ましい。つまり、Ｌ4≦Ｌ5を満たすように隔壁３５０が形成されることが好ましい。
【００４５】
また、隔壁３５０の幅Ｌ3よりも補助配線３４０の幅Ｌ7が小さいと、隔壁３５０によって形成される影に形成される第２電極３２０と補助配線３４０が接触する面積が狭くなる。このため、隔壁３５０の幅Ｌ3よりも補助配線３４０の幅Ｌ7を小さくしないようにするのが好ましい。つまり、Ｌ3≦Ｌ7を満たすように隔壁３５０を形成するのが好ましい。
【００４６】
補助配線３４０を基準とした隔壁３５０の高さＬ1は、感光性樹脂で形成できる高さ、典型的には０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲にあるのが好ましい。またＬ1は、Ｌ4と同様に第１電極と第２電極とが短絡しない高さであれば良く、補助配線３４０上に有機層３１０が形成されない部分ができる高さであれば良い。
【００４７】
具体的には、点蒸着源と基板の最端に位置する隔壁３５０の基板端部側の上端を結ぶ直線と基板の法線との成す角をθ3とすると、隔壁３５０、補助配線３４０および画素分離膜３３０の合計の高さＬ6が、下記式１を満たすように形成されていれば良い。
（Ｌ6×ｔａｎθ3＋Ｌ4／２）≦Ｌ5／２  ＜式１＞
【００４８】
ちなみに、隔壁３５０は画素間に不連続に配置されていても良いし、連続的に配置されていても良く、画素間に複数配置されていても良いし、単数配置されていても良い。
【００４９】
隔壁が不連続に配置されている場合、例えば、図７のように隔壁６０４が一定の間隔を空けて断続的に設けられている場合には、隔壁６０４の逆テーパー部の影になる部分６０４ａの面積が増す。このため、より確実に補助配線６０２と第２電極６０３との電気的導通を図ることができる。尚、影になる部分６０４ａの面積を増やすためには、隔壁６０４が並んでいる方向に対して交差する方向の隔壁の幅Ｄ1が隔壁の隣り合う隔壁間の間隔Ｄ２よりも大きいことが好ましい。即ち、図７において、Ｄ1＞Ｄ2であることが好ましい。
【００５０】
また、図７にように、画素６０１がＸＹマトリクス状に配置される場合、補助配線６０２及び隔壁６０４はＸ方向とＹ方向、又はいずれかの方向の画素間の全てに配置されていても良いし、任意の画素間にのみ配置されていても良い。補助配線６０２がＸ方向またはＹ方向に設けられる場合には、少なくとも２本の補助配線が表示領域内に並行して設けられるようになる。尚、表示領域内に並行して設けられるとは、図７に示されるように、少なくとも２本の補助配線が表示領域（画素６０１）をストライプ状に分割していることをいう。
【００５１】
次に、第１電極３００、画素分離膜３３０及び隔壁３５０を含む表示領域全面を覆うように、有機層３１０を形成する（図３（ｂ））。有機層３１０は真空蒸着法により形成することが好ましい。有機層３１０を真空蒸着法で形成すると、蒸発源から蒸発した材料の粒子が同一角度で対象物に入射する。そのため、前記隔壁３５０の逆テーパー部がひさしとなり、前記補助配線３４０上の影の部分には有機層３１０のない部分が形成される。
【００５２】
但し、有機層３１０を形成する工程は、第２電極３２０よりカバーレッジ性能に劣る成膜方法を用いれば良く、真空蒸着以外の成膜方法でも良い。さらに、真空蒸着法においては、基板に対し斜法から成膜する斜法蒸着法でも良い。
【００５３】
有機層３１０は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層から構成されるが、発光層のみ、若しくは２層、４層など複数の層から構成されても良い。正孔輸送層としては、例えば電子供与性のＦＬ０３を用いるが、それ以外の材料であっても良い。
【００５４】
有機層３１０内の発光層は、発光色毎にメタルマスクにより塗り分けられる。発光層は、赤色発光層として例えばＣＢＰにＩｒ（ｐｉｑ）3をドープしたもの、緑色発光層として例えばＡｌｑ3にクマリンをドープしたもの、青色発光層としてＢ−Ａｌｑ3にＰｅｒｙｌｅｎｅをドープしたものを用いるが、それ以外の材料であっても良い。
【００５５】
電子輸送層としては、例えば電子受容性のＢａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｒｏｌｉｎｅを用いるが、それ以外の材料であっても良い。
【００５６】
有機層３１０内の正孔輸送層および電子輸送層のどちらかが発光色毎にメタルマスクにより塗り分けられていても良い。
【００５７】
以下に有機層３１０を形成する材料の具体例を示す。
【００５８】
【化１】
0005008606.tif 000002
【００５９】
有機層３１０上に陰極となる透明電極（第２電極）３２０を形成する（図３（ｃ））。第２電極３２０の膜厚は２０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることが好ましい。４５ｎｍよりも厚いと光透過率が低下し有機層３１０で発する光の光取り出し効率が低下してしまう。一方、２０ｎｍよりも薄いとシート抵抗が上昇し、補助配線を用いても表示面内の輝度ムラを防ぐのが難しくなる。
【００６０】
第２電極３２０はスパッタ法で形成することが好ましい。第２電極３２０を真空蒸着法に比べ凹凸に対するカバーレッジ性能に優れる成膜方法で形成することで、第２電極３２０は前記補助配線３４０上の有機層３１０のない部分、つまり隔壁３５０の逆テーパー部の直下位置に形成される。その結果、隔壁３５０の逆テーパー部の直下位置で補助配線３４０と第２電極３２０とが電気的に接続される。したがって、有機層３１０をメタルマスクなどによって画素ごとにパターニングしなくても、補助配線３４０と第２電極３２０との電気的な接続をとることができ、パターニング工程の少ない製造工程で有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【００６１】
但し、第２電極３２０を形成する工程は、カバーレッジ性能に優れる成膜方法を用いれば良く、ＣＶＤ法などでも良いしその他の成膜方法でも良い。
【００６２】
第２電極３２０は、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を用いるが、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの酸化物透明導電膜や、銀、アルミ、金などの金属半透過膜でも良い。
【００６３】
また、本実施形態においては、第１電極を陽極として第２電極を陰極としているが、これらが反転した構成をとることもある（特開２００１−２０３０８０号公報）。
【００６４】
この場合も、陽極の第２電極としては、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの酸化物透明導電膜や、銀、アルミ、金などの金属半透過膜を用いることができる。第２電極を形成する工程はスパッタ法、ＣＶＤ法などカバーレッジ性能に優れる成膜方法が用いられれば良く、その他のカバーレッジ性能に優れる成膜方法でも良い。
【００６５】
外部からの水分による劣化を防ぐために、露点−６０℃以下の窒素雰囲気において封止ガラス４０１をＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付ける。
【００６６】
封止ガラス４０１の有機ＥＬ素子側には、酸化ストロンチウム又は酸化カルシウムのような吸湿膜が配置されることが好ましい。本実施形態では、封止ガラス４０１の空隙部分にドライ窒素４０２を充填している。
【００６７】
なお、封止ガラス４０１によって封止しているが、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜等からなる無機絶縁膜で封止していても良い。
【００６８】
封止ガラス４０１上に位相差フィルムと偏光フィルムからなる偏光板３４１が配置されることが好ましいが、配置されなくても良い。位相差フィルムと偏光フィルムは粘着材で貼り合わせていても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法は、様々な電気器具の表示部に適用することができる。たとえば、デジタルカメラの電子ファインダー部や照明器具に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置に係る実施形態の一例を表す断面模式図である。
【図２】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一部を表す断面模式図である。
【図３】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面模式図である。
【図４】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一部を表す断面模式図である。
【図５】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一部を表す断面模式図である。
【図６】隔壁の形状を表す断面模式図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の一部を表す平面模式図である。
【図８】従来のアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。
【図９】図８の有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子を示す断面模式図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置の断面を表す模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０１  ガラス基板
１０２  ソース領域
１０３  ドレイン領域
１０４  ｐｏｌｙ−Ｓｉ
１０５  ゲート電極
１０６  ゲート絶縁膜
１０７  層間絶縁膜
１０８  ドレイン電極
１０９  無機絶縁膜
１１０  平坦化膜
２００  ＴＦＴ
３００  反射電極（第１電極）
３１０  有機層
３２０  透明電極（第２電極）
３３０  画素分離膜
３４０  補助配線
３４１  偏光板
３５０  隔壁
４０１  封止ガラス
４０２  ドライ窒素
５００  ガラス基板
５０１  ＴＦＴ
５１０  ソース領域
５１１  ｐｏｌｙ−Ｓｉ
５１２  ドレイン領域
５１４  ゲート電極
５１３  ゲート絶縁膜
５１５  層間絶縁膜
５１６  ドレイン電極
５１７  無機絶縁膜
５１８  有機平坦化膜
５２０  反射電極（第１電極）
５２１  透明電極
５２２  発光層
５２３  正孔輸送層
５２４  電子輸送層
５２５  有機層
５３０  画素分離膜
５４０  封止ガラス
５４１  不活性ガス
６０１  画素（表示領域）
６０２  補助配線
６０３  透明電極（第２電極）
６０４  隔壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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