(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラー面の形状を変化させる形状可変ミラーの製造方法において、
圧電膜と、該圧電膜の下に配置された第１の電極と、前記圧電膜の上に配置された第２の電極と、を有する圧電アクチュエータが基板上に複数配置されたアクチュエータアレイを準備する準備工程と、
該アクチュエータアレイ上に最終的に除去される犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記圧電アクチュエータの各々に対応するように前記犠牲層に孔を形成し前記第２の電極の少なくとも一部を露出させる孔形成工程と、
前記露出した第２の電極の上に前記ミラー面を支持する柱部を形成するために、前記犠牲層に形成された前記孔を柱部用材料で埋没させる孔埋没工程と、
前記犠牲層及び前記柱部の上面を平坦化させる平坦化工程と、
該平坦化工程により平坦化した前記犠牲層及び前記柱部の上面にミラー面を形成するミラー面形成工程と、
該ミラー面形成工程により前記ミラー面が形成された後，前記犠牲層をエッチング法により除去する犠牲層除去工程と、
を含むことを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【請求項２】
請求項１の形状可変ミラーの製造方法において、
前記圧電アクチュエータと該圧電アクチュエータ下部に位置する基板との間に、前記圧電膜を上下に変位させやすくするための凹部を前記基板に形成する凹部形成工程を有することを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【請求項３】
請求項２の形状可変ミラーの製造方法において、
前記圧電アクチュエータの各々の外縁にドライエッチング用の気体が通過する第１通過孔を最表面から前記基板に至るまで形成する第１通過孔形成工程と、
前記各圧電アクチュエータに対応するように前記ミラー面に前記ドライエッチング用の気体が通過する第２通過孔を形成する第２通過孔形成工程と、を含み、
前記犠牲層除去工程は、前記第２通過孔を介して前記犠牲層を前記ドライエッチング用の気体に曝すことにより前記犠牲層を除去する工程であって、
前記凹部形成工程は、前記犠牲層除去工程にて前記犠牲層が除去された後、前記第１通過孔を介して前記基板の上部を前記ドライエッチング用の気体に曝すことにより前記基板の上部の一部を所定量除去し、前記圧電アクチュエータと基板との間に前記凹部を形成する工程であることを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【請求項４】
請求項３の形状可変ミラーの製造方法において、
前記準備工程にて準備される前記アクチュエータアレイの圧電アクチュエータには、前記基板と第１電極との間にγ―アルミナが形成されていることを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【請求項５】
請求項４の形状可変ミラーの製造方法において、
ミラー面形成工程では、前記犠牲層及び前記柱部の上面にミラー面の自重によるミラー面の変形を抑制する抑制層を形成させ、その抑制層の上にミラー面を形成することを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラー面の形状を変化させる形状可変ミラー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を反射させるためのミラー面と、圧電膜及び圧電膜の上下に配置された電極を有する圧電アクチュエータが二次元的に配列されたアクチュエータアレイと、ミラー面と各圧電アクチュエータとの間に配置されミラー面を支持すると共に圧電アクチュエータの変位をミラー面に伝達する柱部（バンプ）と、を有する形状可変ミラーが知られている。
【０００３】
ところで、上記のような形状可変ミラーを製造する場合、下記の非特許文献１では、アクチュエータアレイ用の基板と、ミラー面用の基板を別に製造し、これらを重ね合わせた後、ミラー面用の基板をエッチングにより磨くことでミラー面を形成させていた。
【非特許文献１】Yang,E.-H.他５名 「Thin-Film Piezoelectric Unimorph Actuator-Based Deformable Mirror With a Transferred Silicon Membrane」,JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,VOL.15,NO.5,OCTOBER 2006,P1214〜P1225
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の手法の場合、アクチュエータアレイ用の基板とミラー面用の基板を別に製造するため、製造に手間がかかるものであった。
【０００５】
本発明は、上記問題点を鑑み、効率良く形状可変ミラーを製造できる形状可変ミラーの製造方法を提供することを技術課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とする。
【０００７】
（１）
ミラー面の形状を変化させる形状可変ミラーの製造方法において、
圧電膜と、該圧電膜の下に配置された第１の電極と、前記圧電膜の上に配置された第２の電極と、を有する圧電アクチュエータが基板上に複数配置されたアクチュエータアレイを準備する準備工程と、
該アクチュエータアレイ上に最終的に除去される犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記圧電アクチュエータの各々に対応するように前記犠牲層に孔を形成し前記第２の電極の少なくとも一部を露出させる孔形成工程と、
前記露出した第２の電極の上に前記ミラー面を支持する柱部を形成するために、前記犠牲層に形成された前記孔を柱部用材料で埋没させる孔埋没工程と、
前記犠牲層及び前記柱部の上面を平坦化させる平坦化工程と、
該平坦化工程により平坦化した前記犠牲層及び前記柱部の上面にミラー面を形成するミラー面形成工程と、
該ミラー面形成工程により前記ミラー面が形成された後，前記犠牲層をエッチング法により除去する犠牲層除去工程と、
を含むことを特徴とする。
（２）
（１）の形状可変ミラーの製造方法において、
前記圧電アクチュエータと該圧電アクチュエータ下部に位置する基板との間に、前記圧電膜を上下に変位させやすくするための凹部を前記基板に形成する凹部形成工程を有することを特徴とする。
（３）
（２）の形状可変ミラーの製造方法において、
前記圧電アクチュエータの各々の外縁にドライエッチング用の気体が通過する第１通過孔を最表面から前記基板に至るまで形成する第１通過孔形成工程と、
前記各圧電アクチュエータに対応するように前記ミラー面に前記ドライエッチング用の気体が通過する第２通過孔を形成する第２通過孔形成工程と、を含み、
前記犠牲層除去工程は、前記第２通過孔を介して前記犠牲層を前記ドライエッチング用の気体に曝すことにより前記犠牲層を除去する工程であって、
前記凹部形成工程は、前記犠牲層除去工程にて前記犠牲層が除去された後、前記第１通過孔を介して前記基板の上部を前記ドライエッチング用の気体に曝すことにより前記基板の上部の一部を所定量除去し、前記圧電アクチュエータと基板との間に前記凹部を形成する工程であることを特徴とする。
（４）
（３）の形状可変ミラーの製造方法において、
前記準備工程にて準備される前記アクチュエータアレイの圧電アクチュエータには、前記基板と第１電極との間にγ―アルミナが形成されていることを特徴とする。
（５）
（４）の形状可変ミラーの製造方法において、
ミラー面形成工程では、前記犠牲層及び前記柱部の上面にミラー面の自重によるミラー面の変形を抑制する抑制層を形成させ、その抑制層の上にミラー面を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、アクチュエータアレイ用の基板とミラー面用の基板を別に製造することなく、効率の良く形状可変ミラーを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図１は本実施形態に係る形状可変ミラーの要部断面図である。形状可変ミラー１０は、複数の圧電アクチュエータ１０１が配列された圧電アクチュエータアレイ１００と、各圧電アクチュエータ１０１の上に設けられた柱部３００と、ミラー面５００と、に大別される構成となっており、圧電アクチュエータ１０１に対して電圧が印加されたときの圧電アクチュエータ１０１の変位に伴って柱部３００が上下に変位されることにより、ミラー面５００の形状が変化する。
【００１０】
図２は、本実施形態に係る圧電アクチュエータアレイの構成について説明する要部断面図である。圧電アクチュエータアレイ１００は、図３に示すように基板１０２上に複数の圧電アクチュエータ１０１が配列された構成となっている。本実施形態では、基板１０２上に、複数の圧電アクチュエータ１０１が格子状に配列されたような構成となっている。この場合、圧電アクチュエータが二次元的に所定の間隔で配置された構成であれば良く、例えば、複数の圧電アクチュエータが放射状に配列されたような構成であってもよい。なお、アクチュエータアレイ１００には、各圧電アクチュエータ１０１に対応する電極端子１０９が複数形成されており、各電極端子１０９を介して各圧電アクチュエータ１０１に対して電圧を供給できるようになっている。
【００１１】
図２において、各圧電アクチュエータ１０１は、圧電膜１０３と、第１の電極１０５、第２の電極１０７、を有し、基板１０２の上に配置されている。圧電膜１０３は、電圧を印加することで変位を起こす圧電体が用いられおり、その厚さは、例えば、約０．５〜３μm程度が考えられる。第１の電極１０５は、圧電膜１０３の下側表面に形成されており、第２の電極１０７は、圧電膜１０３の上側表面に形成されている。すなわち、第１の電極１０５及び第２の電極１０７の２つの電極により圧電膜１０３が挟まれた構成となっている。また、第１の電極１０５は、不図示の配線により電極端子１０９と電気的に接続されており、電極端子１０９に対して電圧が印加されると、圧電膜１０３は、圧電膜１０３の形成面に対して垂直な方向に変位される。この場合、第２の電極１０７と電極端子１０９とが電気的に接続される構成であってもよい。なお、第１の電極１０５及び第２の電極１０７は、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属薄膜からなる。
【００１２】
また、基板１０２は、圧電膜１０３、第１の電極１０５、及び第２の電極１０７を下方から支持するためのものであり、第１の電極１０５の下側表面に形成されている。なお、基板１０２としては、例えば、約５００μｍの厚さからなるシリコン基板（４インチのウェハの場合）を用いることができる。
【００１３】
次に、本実施形態に係る形状可変ミラーの製造方法について、図４〜図８を用いて説明する。まず、アクチュエータアレイ１００を準備する工程について説明する。図４は、圧電アクチュエータアレイ１００の製造工程について説明する図である。基板１０２の材料としては、ＳｉやＭｇＯ等の単結晶材料を用いることにより圧電膜１０３の圧電特性を高くすることができるが、特に制限されるものではない。なお、本実施形態では、基板の厚みが約４００μｍの単結晶Ｓｉ基板を使用した。また、基板１０２の上にγ−Ａｌ2Ｏ3（アルミナ：図番号１１０参照）を形成することにより圧電膜１０３の圧電特性が高くなるようにしておく。なお、γ−Ａｌ2Ｏ3の形成方法は、例えば、MBE法 (Molecular Beam Epitaxy)、CVD法 (Chemical Vapor Deposition)、と多くあるが、膜を形成できる技術であれば特に限定されることはない。
【００１４】
次に、基板１０２の上に第１の電極１０５を形成する。第１の電極１０５の材料としては、導電性の高い金属（例えば、Ｐｔ、Ｔｉ、等）が好適に利用される。次に、第１の電極の上に圧電膜１０３を形成する。圧電膜１０３の材料としては、ＰＺＴ（チタン酸ジルコニウム鉛）、ＰＺＴと同系のＰｂを含むペロブスカイトなどの圧電定数が高く変形の大きい材料が好適に使用される。なお、電極膜及び圧電膜の形成方法は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition）、又はゾルゲル法と多くあるが、膜を形成できる技術であれば特に制限されることはない。本実施形態においては、第１の電極の材料には、ＰｔとＴｉを使用し、膜厚はそれぞれ１０ｎｍ（Ｔｉ）、１００ｎｍ（Ｐｔ）の二重構造とした。圧電膜１０３の材料にはＰＺＴを使用し、膜厚は約２〜３μｍとした。Ｐｔ及びＴｉの形成はスパッタ法を行い、ＰＺＴの形成はゾルゲル法を用いる。
【００１５】
次に、圧電膜１０３の上に第２の電極１０７を形成する。第２の電極１０７の材料及び形成方法は第１の電極１０５と同様である。本実施形態においては、材料はＰｔを使用し、膜厚は１００ｎｍとした。また、Ｐｔの形成はスパッタ法で行う（以上、図４（ａ）参照）。
【００１６】
次に、図４（ｂ）に示すように、圧電アクチュエータ１０１のアレイを形成させるために、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、各圧電アクチュエータ１０１の周辺を第１の電極１０５の上部が露出されるまで除去する。より具体的には、第２の電極１０７上にフォトレジストを塗布した後、圧電アクチュエータ１０１の配列パターンが描かれたマスクを用いて感光した部分を残すように露光処理を行う。次に、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いて第２の電極１０７及び圧電膜１０３における各圧電アクチュエータ１０１の周辺部に対応する領域を選択的に取り除き、第２の電極１０７を露出させる。その後、プラズマエッチング、溶剤、等によって残ったフォトレジストを取り除く。
【００１７】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１の電極１０５を各圧電アクチュエータ１０１に対応するように分割させると共に、各電極端子１０９とを接続させるために、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、第１の電極１０５の周辺をγ−アルミナ１１０が露出されるまで除去する。なお、具体的手法については、前述の第２の電極及び圧電膜１０７の除去と同様の手法を採用できるため、説明を省略する。
【００１８】
次に、図４（ｄ）に示すように、圧電アクチュエータアレイ１００の上面全体に対してＳｉＯ２を形成させる。なお、ＳｉＯ2の形成方法としては、ＣＶＤ法、スパッタリング法、などが考えられる。
【００１９】
次に、図４（ｅ）に示すように、第２の電極１０７を露出させるために、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、第２の電極１０７の上部が露出されるまで除去する。なお、具体的手法については、前述の第２の電極及び圧電膜１０７の除去と同様の手法を採用できるため、説明を省略する。
【００２０】
次に、図４（ｆ）に示すように、圧電アクチュエータ１０１の各々の外縁にドライエッチング用の気体が通過する第１通過孔１２０を最表面から基板１０２に至るまで形成する。より具体的には、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、各圧電アクチュエータ１０１の周辺に形成されたＳｉＯ2膜及び第１の電極１０５及びγ―アルミナ１１０を除去して基板１０２の一部を露出させておく。この場合、除去されずに残される部分によって圧電アクチュエータ１０１が支持された状態となるように、例えば、図５に示すように、圧電アクチュエータ１０１を上から見たときに、圧電アクチュエータ１０１の四隅に対してそれぞれ略Ｌ字状の孔１２０（溝）を形成させておき、圧電アクチュエータ１０１を形成する各辺の中央部１２１を残すようなことが考えられる。この場合、圧電アクチュエータ１０１は中央部１２１によって四点支持された状態となる。なお、前述のように形成された孔１２０は、後述する薄膜犠牲層２００及び基板１０２を除去するためのエッチングガスが通過するエッチングホールとして利用される。
【００２１】
図６は、アクチュエータアレイ１００に薄膜犠牲層を形成させる工程からミラー面を形成させる工程までを説明する図である。ここで、図６（ａ）に示すように、アクチュエータアレイ１００上に最終的除去される薄膜犠牲層２００を形成させる。なお、薄膜犠牲層２００の材料としては、対応するエッチングガスによって除去されやすい特性を有するものが好ましく、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、等が用いられる。また、薄膜犠牲層２００の形成方法は、膜を形成できる技術であれば、特に制限されることはない。本実施形態においては、薄膜犠牲層２００の材料には、ポリシリコンを使用し、膜厚を約１０μｍとし、スパッタリング法またはCVD法によりアクチュエータアレイ１００の上側表面一面に製膜処理を施す。
【００２２】
次に、図６（ｂ）に示すように、圧電アクチュエータ１０１の各々に対応するように薄膜犠牲層２００に孔２５０を形成し第２の電極１０７の少なくとも一部を露出させる。この場合、フォトリソグラフィー及びエッチング法を用いて、各圧電アクチュエータ１０１における第２の電極１０７の中央部分（上方から見たとき）が露出されるように薄膜犠牲層２００を除去する。
【００２３】
次に、図６（ｃ）に示すように、露出した第２の電極１０７の上にミラー面５００を支持する柱部３００を形成するために、犠牲層２００に形成された孔２５０を柱部用材料で埋没させる。より具体的には、薄膜犠牲層２００に形成された孔２５０に金属を流し込むことにより第２の電極１０７の上に柱部３００を複数形成する。また、柱部３００の形成方法は、柱部を形成できる技術であれば、特に制限されることはない（例えば、電解めっき、蒸着法、等）。本実施形態においては、柱部３００の材料には、Ｉｎを使用し、孔２５０に液体上のＩｎを流し込んでから冷却処理を施すことにより柱部３００を形成する。
【００２４】
次に、図６（ｄ）に示すように、薄膜犠牲層２００及び柱部３００の上面を平坦化させる。この場合、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）を用いた手法が考えられる。これにより、平坦な上面を有する薄膜犠牲層２００及び柱部３００が形成される。なお、平坦化に際して、第２の電極１０７からの柱部３００の高さが予め設定された高さ（例えば、約１０μｍ）になるまで、平坦化を行うようにしてもよい。
【００２５】
次に、図６（ｅ）に示すように、平坦化された薄膜犠牲層２００及び柱部３００の上面に反射ミラー面（ミラー膜）５００を形成する。ミラー面５００の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、等の金属、ＳｉＯ2／Ｔａ2Ｏ5などの低屈折率誘電体／高屈折率誘電体のλ／４多層膜が好適に使用される。また、ミラー面５００の形成方法について、例えば、スパッタ法又は蒸着法と多くあるが、膜を形成できる技術であれば特に制限されることはない。また、ミラー面の膜厚としては、例えば、約１μｍ程度が考えられる。この場合、薄膜犠牲層２００及び柱部３００の上面にミラー面５００の自重によるミラー面５００の変形を抑制する抑制層を形成させ、その抑制層の上にミラー面５００を形成するようにしてもよい。なお、抑制層の材料としては、ＳＵ−８、ポリイミド、ＳＩＮ、などが好適に利用される。また、抑制層の形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、等があるが、抑制層を形成できる技術であれば、特に制限されることはない。
【００２６】
上記のようにミラー面５００が形成された後、次に、図７及び図８に示すように、各圧電アクチュエータ１０１に対応するように、ドライエッチング用の気体が通過する第２通過孔５５０をミラー面５００に形成する。この場合、孔５５０としては、フォトリソグラフィー及びエッチング法によって柱部３００から等距離離れた４点に微小な孔を空けるようなことが考えられる。より具体的には、図７に示すように、圧電アクチュエータ１０１の四隅に対してそれぞれ略Ｌ字状の孔１２０（溝）が形成されたような場合、圧電アクチュエータ１０１を上方より見たときに、孔１２０の角部と孔５５０の形成位置が重なるようにして、孔５５０を４点形成させる。
【００２７】
次に、図８に示すように、犠牲層２００をエッチング法により除去する。より具体的には、薄膜犠牲層２００及び基板１０２に反応するガス中にアクチュエータアレイ１００を配置することにより、孔５５０を介して薄膜犠牲層２００及び基板１０２を除去する。本実施形態では、薄膜犠牲層２００としてポリシリコンが使用され、基板１０２としてＳｉ基板が使用されているため、シリコンをエッチングする特性を有するエッチング
ガス（例えば、ＸｅＦ2）を用いるようなことが考えられる。この場合、薄膜犠牲層２００及び基板１０２以外の物質（例えば、ミラー面５００、柱部３００、ＳｉＯ２膜、等）は、エッチングガスの影響を受けずに残る。なお、上記のように反応ガス中に薄膜犠牲層２００及び基板１０２を曝す方法に限るものではなく、プラズマによってエッチングガスをイオン化してエッチングさせる反応性イオンエッチング法を用いても良い。
【００２８】
ここで、エッチング処理が開始されると、図８（ａ）に示すように、孔５５０を通過するエッチングガスが薄膜犠牲層２００を削っていく。このとき、エッチングガスは、孔５５０を中心に放射状に薄膜犠牲層２００を削っていく。
【００２９】
そして、柱部３００（圧電アクチュエータ１０１の中心部）に向けて進行するエッチングガスによって薄膜犠牲層２００の柱部３００を取り囲んでいた部分が除去されると共に、隣接して配置された圧電アクチュエータ１０１（圧電アクチュエータ１０１の周辺側）に向けて進行するエッチングガスによって各圧電アクチュエータ１０１間に形成された薄膜犠牲層２００が除去されると、各圧電アクチュエータ１０１の第２の電極１０７の上に設けられた柱部３００によってミラー面５００が下方より支持された状態となる。
【００３０】
また、孔５５０から下方向に向けて進行するエッチングガスによって、孔５５０と孔１２０との間に形成された薄膜犠牲層２００が除去された後、エッチングガスが孔１２０を通過して基板１０２に達し、基板１０２の上部がドライエッチング用の気体に曝されると、孔１２０を中心に放射状に基板１０２が削られていき、基板１０２の上部位置が所定量除去される。ここで、基板１０２上に形成された孔１２０は、図７に示すように、圧電アクチュエータ１０１を四方から取り囲むように形成されており、圧電アクチュエータ１０１の中央部分に向けて進行するエッチングガスは、図８（ｂ）に示すように、基板１０２における第１の電極１０５の下側表面部分を除去する。これにより、第２の電極１０７と基板１０５との間に空洞部５９０が形成される。なお、圧電アクチュエータ１０１の下部に形成された空洞部５９０は、圧電膜１０３に対して電圧が印加されることにより圧電膜１０３が上下方向に変位されるときのスペースとして利用される。これにより、圧電アクチュエータ１０１と圧電アクチュエータ１０１の下部に位置する基板１０２との間に、圧電膜１０３を上下に変位させやすくするための凹部（空洞部５９０）が基板１０２に形成される。
【００３１】
この場合、エッチングガスによる除去速度は各方向においてほぼ一定であり、ミラー面５００に形成された孔５５０及び基板表面に形成された孔１２０が圧電アクチュエータ１０１の水平面上における中心位置から等間隔で形成されていることにより、圧電アクチュエータ１０１の下面に形成される空洞部５９０が基板１０２の面上において均一に形成される。なお、上記のようにエッチングガスによる犠牲層２００及び基板１０２の上部の一部を除去する場合、実験等により、エッチングガスの投入後、犠牲層２００の除去及び空洞部５９０の形成がなされるまでの時間を予め求めておけばよい。
【００３２】
以上のような製造方法とすれば、手間なく高い精度の形状可変ミラーを作成できる。よって、眼底撮影等の分野において被検眼の波面収差を補償する収差補償光学系を介して眼底撮影を行うような収差補償機能付眼底カメラにおいて、精度良く収差を補償できるようになり、より精密な眼底像を得ることが可能となる。
【００３３】
以下、本発明の他の実施形態について、図９〜図１１を用いて説明する。図９は本実施形態に係る形状可変ミラーの要部断面図であり、図１０は本実施形態に係る形状可変ミラーの電極の配置について説明する平面図である。
【００３４】
図９に示すように、形状可変ミラー２０は、圧電膜６０３と、圧電膜６０３の下に形成された第１の電極６０５と、圧電膜の上に形成された第２の電極６２０と、を有し第１の電極６０５及び第２の電極６２０から圧電膜６０３に電圧を供給することにより変位する圧電素子６４０と、圧電素子６４０を下方から支持する基板６００と、基板６００の下側に形成された凹部６１１と、第２の電極６２０の上方に形成されたミラー面６５０と、ミラー面６５０の自重によるミラー面６５０の変形を抑制する抑制層７００と、を有する。
【００３５】
より具体的には、基板６００の上に電極材料としてＰｔ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｒｕのうち少なくとも一つを含む金属もしくは酸化物の第１の電極（電極膜）６０５が形成され、さらにその上に、圧電性を有するペロブスカイト構造の酸化物を含む圧電膜６０３が形成されている。圧電膜６０３の上には、第２の電極６２０が形成されている。
【００３６】
また、第２の電極６２０は、電極パターンとして形成され、種々の態様で個別電極を配置することができる。例えば、図１０に示すように、格子状に個別電極６２０ａを配置するようなことが考えられる。この場合、他の配置構成としては、例えば、同心円状に配置された複数（例えば、３つ）の領域に、それぞれ個別電極を配置するような構成が考えられる。
【００３７】
なお、形状可変ミラー２０には、図示無き複数個の電極端子が形成されており、各電極端子は、不図示の配線パターンにより、それぞれ個別電極６２０ａと接続されており、また、不図示の配線により、第１の電極６０５に電気的に接続されている。
【００３８】
また、抑制層７００は、第２の電極６２０とミラー面６５０との間に配置され、その材料としては、ＳＵ−８、ポリイミド、ＳＩＮ、などが好適に利用される。また、抑制層７００の形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、等があるが、抑制層７００を形成できる技術であれば、特に制限されることはない。本実施形態においては、抑制層７００の材料として、ＳＵ−８を使用し、膜厚を１０〜２０μｍ程度とした。なお、抑制層７００は、第２の電極６２０とミラー面６５０との間を電気的に絶縁する絶縁層としての役割を兼用する。
【００３９】
また、抑制層７００の上に形成されると共に、抑制層７００によって保持されるミラー面６５０は、抑制層７００によってその形状が一定に保たれる。これにより、ミラー面６５０の自重によるミラー面６５０の変形が抑制される。この場合、ミラー面６５０の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、等の金属、ＳｉＯ2／Ｔａ2Ｏ5などの低屈折率誘電体／高屈折率誘電体のλ／４多層膜が好適に使用される。また、ミラー面６５０の形成方法について、例えば、スパッタ法又は蒸着法と多くあるが、膜を形成できる技術であれば特に制限されることはない。また、ミラー面の膜厚としては、例えば、約１μｍ程度が考えられる。なお、抑制層７００の上にミラー面６５０を形成させる場合、ＣＭＰ等により平坦化処理を行うのが好ましい。
【００４０】
また、図９に示すように、形状可変ミラー２０の下面の中心には、第２の電極６２０に対応して、基板６００の一部が除去され、円柱形上の凹部６１１が形成されている。なお、凹部６１１は、フォトリソグラフィー及びエッチング法によって基板６００を下方から削っていくことにより形成可能である。この凹部６１１によって、圧電膜６０３が上下に変位しやすくなる。
【００４１】
なお、本実施形態では、基板６００と第１の電極６０５との間にγ―アルミナ６０１が形成されており、圧電膜６０３の圧電特性を高める特性を持つ。なお、必ずしも基板６００と第１の電極６０５との間にγ―アルミナ６０１を設ける必要はない。
【００４２】
以上のような構成とすれば、抑制層７００によってミラー面６５０の面形状が一定に保たれるため、ミラー面６５０の形状可変による収差補正を正確に行うことが可能となる。
【００４３】
なお、以上の説明においては、抑制層７００の上にミラー面６５０を設けるような構成としたが、凹部６１１の底面にＡｌ等の金属を蒸着することによりミラー面とするような構成としてもよい。
【００４４】
また、ミラー面６５０を形成させる際に、図１１に示すように、ミラー面６５０のたわみを防ぐための弾性体（例えば、ＰＤＭＳ等）を流し込んでフラットな平面とし、その上にミラー面６５０をコーティングするようにしてもよい。なお、図１１（ａ）は、ミラー面６５０を抑制層７００の上に設けた場合の構成であり、抑制層７００とミラー面６５０との間に弾性体８００が形成される。また、図１１（ｂ）は、凹部６１１の底面にミラー面６５０を設けた場合の構成であり、凹部６１１の底面（γ―アルミナ６０１）とミラー面６５０との間に弾性体８００が形成される。なお、弾性体８００の膜厚としては、例えば、約１０μｍ程度が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態に係る形状可変ミラーの要部断面図である。
【図２】本実施形態に係る圧電アクチュエータアレイの構成について説明する要部断面図である。
【図３】本実施形態に係る圧電アクチュエータアレイの構成について説明する上方概略図である。
【図４】圧電アクチュエータアレイの製造工程について説明する図である。
【図５】本実施形態に係る圧電アクチュエータを上方より見たときの上方概略図である。
【図６】アクチュエータアレイ１００に薄膜犠牲層を形成させる工程からミラー面を形成させる工程までを説明する図である。
【図７】各圧電アクチュエータに対応するように形成されるドライエッチング用の通過孔の形成位置について説明する図である。
【図８】薄膜犠牲層の除去と空洞部の形成工程について説明する図である。
【図９】本実施形態に係る形状可変ミラーの要部断面図である。
【図１０】本実施形態に係る形状可変ミラーの電極の配置について説明する平面図である。
【図１１】ミラー面の下に弾性体を設けた場合の要部断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０、２０  形状可変ミラー
１００  圧電アクチュエータアレイ
１０１  圧電アクチュエータ
１０２  基板
１０３  圧電膜
１０５  第１の電極
１０７  第２の電極
１１０  γ―アルミナ
１２０  第１通過孔
２００  薄膜犠牲層
２５０  孔
３００  柱部
５００  ミラー面
５５０  第２通過孔
５９０  空洞部
６００  基板
６０１  γ―アルミナ
６０３  圧電膜
６０５  第１の電極
６１１  凹部
６２０  第２の電極
７００  抑制層
８００  弾性体
【図１】
0005079540.tif 000002
【図２】
0005079540.tif 000003
【図３】
0005079540.tif 000004
【図４】
0005079540.tif 000005
【図５】
0005079540.tif 000006
【図６】
0005079540.tif 000007
【図７】
0005079540.tif 000008
【図８】
0005079540.tif 000009
【図９】
0005079540.tif 000010
【図１０】
0005079540.tif 000011
【図１１】
0005079540.tif 000012