(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚｎ及びＳｎを含有する合金ターゲットからの反応性カソードスパッタリングによって作られた少なくとも１種の複合金属酸化物層を含む、透明基材のための積層体であって、
前記複合金属酸化物層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、及びＴａのうちの１又は複数の元素を含むこと、
前記Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、及びＴａのうちの１又は複数の元素の、前記複合金属酸化物層における全金属に対する量が、０．５〜６．５ｗｔ％であること、
前記複合金属酸化物層の厚さが、２〜６ｎｍ又は７〜５０ｎｍであること、及び
前記積層体が、金属又は窒化物の少なくとも１つの機能層を持つこと
を特徴とする、透明基材のための積層体。
【請求項２】
前記金属又は窒化物の少なくとも１つの機能層が、Ａｇ、ＮｉＣｒ、鋼、ＴｉＮ又はＺｒＮである、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記複合金属酸化物層が、Ａｌを含む、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記複合金属酸化物層が、Ｓｂを含む、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項５】
前記複合金属酸化物層が、全金属の量に対してそれぞれ、３５〜７０ｗｔ％のＺｎ及び２９〜６４．５ｗｔ％のＳｎを含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項６】
前記複合金属酸化物層が、６６〜６９ｗｔ％のＺｎ、２９〜３２ｗｔ％のＳｎ、及び１〜４ｗｔ％のＡｌ又はＳｂを含有する、請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
前記複合金属酸化物層の厚さが、２〜６ｎｍである、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項８】
前記複合金属酸化物層が、金属でできた１又は複数の機能層を有する積層体の、下側反射防止層及び／又は上側反射防止層である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項９】
前記複合金属酸化物層が、多層積層体の拡散バリアー層である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項１０】
前記複合金属酸化物層が、上側反射防止層及び／又は下側反射防止層の下層である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項１１】
層の順序が、基材−ＳｎＯ２−Ｍｅ−Ａｇ−Ｍｅ−ＳｎＯ２−ＺｎｘＳｎｙＡｌｚＯｎであり、Ｍｅがブロック金属又はブロック合金である、請求項１０に記載の積層体。
【請求項１２】
層の順序が、基材−ＳｎＯ２−Ｍｅ−Ａｇ−Ｍｅ−ＺｎｘＳｎｙＡｌｚＯｎ−ＳｎＯ２であり、Ｍｅがブロック金属又はブロック合金である、請求項１０に記載の積層体。
【請求項１３】
層の順序が、下記のいずれかである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の積層体：
ＳｎＯ２／ＺｎＯ／Ａｇ／随意のブロック層／ＳｎＯ２／ＺｎＳｎＯ：Ａｌ若しくはＳｂ、又は
ＳｎＯ２／ＺｎＯ／Ａｇ／随意のブロック層／ＳｎＯ２／ＳｉＯ２／ＳｎＯ２／ＺｎＳｎＯ：Ａｌ若しくはＳｂ。
【請求項１４】
太陽光防止性、低放射性、反射防止性、又は電気的機能を持つ、請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項１５】
前記複合金属酸化物層がスピネル構造である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の積層体。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の積層体によって少なくとも１つの面をコーティングされている、硬質又は可撓性のポリマー材料又はガラスの透明基材。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基材を組み込んだモノリシック、積層、又は多重グレージング。
【請求項１８】
Ｚｎ及びＳｎと、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、及びＴａのうちの１又は複数の元素とを含む金属ターゲットからの反応性スパッタリングによって、前記複合金属酸化物層を堆積させる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の積層体を具備している、ディスプレイパネル用透明基板。
【請求項２０】
請求項１９に記載のディスプレイパネル用透明基板を具備している、ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、透明基材、特にガラス板のための積層体に関し、この積層体は、Ｚｎ及びＳｎを含有する合金ターゲットからの反応性カソードスパッタリングによって作った少なくとも１つの複合金属酸化物の層を有する。この層を堆積させる基材は、透明有機ポリマーで作ることができ、また硬質又は可撓性であってよい。硬質ポリマー基材は、ポリカーボネート類又はある種のポリウレタン類から選択することができる。これらは、メチルメタクリレートＰＭＭＡであってもよい。可撓性基材は例えば、ポリエチレンテレフタレートＰＥＴでよく、そのフィルムはその後、ガラス板間において２つの熱可塑性樹脂シート（例えばポリビニルブチラルＰＶＢ）と共に積層することができる。
【０００２】
ヨーロッパ特許出願第０，１８３，０５２号及び同第０，２２６，９９３号明細書は、透明度が高い低放射性積層体を開示しており、ここでは、金属機能層、特に薄い銀層が２つの誘電体反射防止層の間に埋め込まれている。ここでこの誘電体は、亜鉛／スズ合金の酸化生成物である。これらの誘電体酸化物層は、Ｚｎ／Ｓｎ合金からなる金属ターゲットから、酸素含有作業ガスを用いて、磁場促進反応性カソードスパッタリング法を使用してスパッタリングする。Ｚｎ：Ｓｎ比に依存して、この様にして作られた複合酸化物層は、比較的多量の又は比較的少量のスズ酸亜鉛Ｚｎ2 ＳｎＯ4 を含む。この層は、特に機械的及び化学的安定性に関してかなり良好な性質を与える。重量によるＺｎ：Ｓｎ比が４６：５４から５０：５０％のＺｎ：Ｓｎ合金は、ターゲットとして使用するのに好ましい。
【０００３】
工業的な積層体のスパッタリングプロセスでは、Ｚｎ／Ｓｎ合金ターゲットからのＺｎ2 ＳｎＯ4 層のスパッタリングは、純粋なＺｎＯ又はＳｎＯ2 層のスパッタリングよりもかなり困難である。これは、特にスパッタリングプロセスの開始において、スパッタリング容器の一部及びターゲットの材料が絶縁効果を示し、それによって欠陥のある製品、そして製品の廃棄がもたらされることによる。更に、このタイプの合金ターゲットは、ゆっくりとしたスパッタリング速度で操作しなければならない。つまり、電力を低下させなければならない。これは、特に共融組成領域においては、ターゲット合金の融点が、それぞれの２つの成分の融点よりも低いことによる。従って、このタイプのターゲットの冷却は、特に強力でなければならない。これは、特に設計されたターゲットでのみ達成することができ、その製造にはかなりの費用がかかる。
【０００４】
本発明の目的は、スズ酸亜鉛を含有する誘電体層の機械的及び化学的性質を更に改良することと、Ｚｎ／Ｓｎ合金のスパッタリングプロセスの難点を減少させることである。
【０００５】
本発明の目的は、複合金属酸化物層が、元素Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、及びＴａのうちの１又は複数を含むことで達成できる。
【０００６】
本発明による前記元素の添加によって、スパッタリングプロセスの間の効率の改良と並んで、重要な層の性質の全てにおいてかなりの改良が得られる。ここでこれらの元素は、例外なく周期表のＩＩＩ、ＩＶ、及びＶ属又はその亜族に属する。
【０００７】
本発明によって添加される元素、例えばＡｌ及びＳｂの添加によって作られる混合酸化物の質的な組成は、金属Ｚｎ及びＳｎの量の選択に依存して、ＺｎＯ・ＺｎＳｎＯ3 ・Ｚｎ2 ＳｎＯ4 ・ＺｎＡｌ2 Ｏ4 ・ＺｎＳｂ2 Ｏ6 である。結晶化においては、これらの酸化物のいくらかが、原子レベルで特に密なスピネル構造を作る。層の性質に関して得られる改良は、添加された前記元素を組み込むことによるスピネル構造で得られる特に高密度の充填でおそらく説明することができ、スパッタリングプロセスの間の良好な影響は、前記添加された元素を組み込むことによる混合酸化物の導電性の増加におそらく起因している。密な結晶構造によって層は、特に高い機械的及び化学的安定性を示すだけでなく、この層への又はこの層を通る拡散プロセスも遅らせる。これは、前記層又は積層体の任意の他の層における改質が開始する危険性を減少させる。この改質は、特に熱処理及び貯蔵プロセスの間の、水分子及び酸素及びＮａ+ 及び適用可能な場合（すなわち、積層体がＡｇ層を含む場合）のＡｇ+ の拡散に起因することがある。
【０００８】
スピネル構造を最密化するために、添加する元素のイオン半径がＺｎ2+及びＳｎ4+のイオン半径とあまり変わらないことが特に好ましい。ここで、Ｚｎ2+及びＳｎ4+のイオン半径はそれぞれ０．８３Å及び０．７４Åである。この条件は特に元素Ａｌ及び及びＳｂの場合に満足される。ここでそれぞれのイオン半径は、Ａｌ3+＝０．５７Å、及びＳｂ5+＝０．６２Åである。他方で、上述のように、少なくとも部分的に結晶化した層に上述の元素を組み込むと、ターゲット表面自身と並んで、コーティング容器の壁及びアノード面の酸化物堆積物の導電性が増加する。結果として、スパッタリングプロセスの間のターゲットの操作時間がかなり改良され、それによって層の性質が改良されるだけでなく、スパッタリングプロセスにおいても改良を見出すことができる。
【０００９】
本発明によって複合金属酸化物層に加えられる元素の量は、全金属重量に対して、好ましくは０．５〜６．５ｗｔ％である。
【００１０】
特に有利であることが見出された複合金属酸化物の組成は、金属の全重量に対して、Ｚｎの量が３５〜７０ｗｔ％であり、Ｓｎの量が２９〜６４．５ｗｔ％である。この複合金属酸化物層の製造のためには、Ｚｎが５０〜７０ｗｔ％、特に６６〜６９ｗｔ％、Ｚｎが２９〜５０ｗｔ％、特に２９〜３２ｗｔ％、及びＡｌ又はＳｂが１〜４ｗｔ％（特に１．５〜３ｗｔ％）の合金ターゲットを使用することが好ましい。
【００１１】
本発明の複合金属層は特に、銀でできた金属機能層を有する反射積層体でうまく使用することができる。そのような積層体においては、それらは、結合層若しくは反射防止層として、上側に堆積する銀層のための凝縮層として、銀層の上側若しくは下側のブロック層として、並びに積層体の上部層及び／又は下部層の領域の下層として、使用することができる。
【００１２】
本発明の積層体の図に示す態様を以下で詳細に説明する。この説明では、本発明の積層体によって達成される性質を、従来技術の対応する積層体の性質とそれぞれ比較している。
【００１３】
層の性質を評価するために、全ての試料について１０種類の試験を行った。試験は以下のようなものである。
【００１４】
［Ａ．割れ硬さ］
この場合には、所定の速度で重量をかけた針で層に線を付ける。割れが発生する重量を、割れ硬さの測定値として利用する。
【００１５】
［Ｂ．水の中での貯蔵の後の割れ硬さ］
３０分間にわたって２０℃で水の中に貯蔵した後で、Ａのように試験を行った。
【００１６】
［Ｃ．ＡＳＴＭ２４８６によるエリクセン（Ｅｒｉｃｈｓｅｎ）洗浄試験］
視覚的な評価。
【００１７】
［Ｄ．水の凝縮試験（ＷＣＫ）］
試料を、１４０時間にわたって、温度が６０℃で相対湿度が１００％の雰囲気に露出する。視覚的な評価。
［Ｅ．Ｚｎ2+浸出］
測定は、ＫｉｍｍｅｌらのＺ．Ｇｌａｓｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅ  Ｂｅｒｉｃｈｔｅ  ５９（１９８６年）、ｐ２５２以下の、プレート法を使用して行う。試験は、Ｚｎを含有する積層体の耐加水分解性についての情報を与える。
【００１８】
［Ｆ．Ａｇ+ 浸出］
測定は、Ｚｎ2+浸出を決定するのに使用したＫｉｍｍｅｌらのプレート法を再び使用して行う。測定の結果は、Ａｇ層上の誘電体層の密度に関する解析的な評価を与える。
【００１９】
［Ｇ．塩酸試験］
この場合には、３８℃において０．０１ＮのＨＣｌ中に８分間にわたってガラス試料を浸漬し、放射性の低下をパーセントで測定する。
【００２０】
［Ｈ．塩酸試験、視覚的な評価］
試験Ｇのようにしてガラス試料を塩酸中に浸漬する。評価の基準は、浸漬した縁で見出されるものである。
【００２１】
［Ｉ．ＥＭＦ試験］
この試験は、Ｚ．Ｓｉｌｉｋａｔｔｅｃｈｎｉｋ  ３２（１９８１年）、ｐ．２１６「Ｕｎｔｅｒｓｕｃｈｕｎｇｅｎ  ｚｕｒ  ｅｌｅｋｔｒｏｃｈｅｍｉｓｃｈｅｎ  ｐｒｕｅｆｕｎｇ  ｄｕｅｎｎｅｒ  Ｍｅｔａｌｌｓｃｈｉｃｈｔｅｎ」（薄い金属層の電気化学的試験に関する研究）で説明されている。これは、銀層上のカバー層の不動態的な質に関する情報、及びＡｇ層の耐腐食性に関する情報を与える。積層体と参照電極との電位差（ｍＶ）が小さければ小さいほど、層の質は良好である。
【００２２】
［Ｋ．水膜試験］
試料の層側を、２４時間にわたって水の薄膜と接触させる。この試験は、微量の水がガラス間に入った場合の、コーティングされた多量のガラス板の貯蔵安定性に関する情報を与える。これらの評価は視覚的に行う。
【００２３】
［比較例１］
産業的な連続マグネトロン積層では、以下の順序の層を有する従来技術の積層体を厚さ６ｍｍのフロートガラス板に、一般的なコーティング条件で適用している：
ガラス板−40nmSnO2−2nm CrNi−10nmAg−4nmCrNi −37nmSnO2−3nmZn2NnO4
【００２４】
ＣｒＮｉ層は、Ａｒ雰囲気中において、２０ｗｔ％のＣｒ及び８０ｗｔ％のＮｉのＣｒＮｉ合金でできたターゲットからスパッタリングする。また、Ｚｎ2 ＳｎＯ4 層は、Ａｒ／Ｏ2 雰囲気において、５２．４ｗｔ％のＺｎ及び４７．６ｗｔ％のＳｎのＺｎ／Ｓｎ合金でできたターゲットから反応性スパッタリングする。
【００２５】
Ｚｎ2 ＳｎＯ4 の堆積の間、スパッタリング処理の最初に望ましくない電気アークが発生し、これらはコーティング欠陥をもたらす。更に、ガラス板の積み重ねのための装置で使用する吸盤の影響を、コーティングされたガラス板上で見出すことができる。
【００２６】
試験Ａ〜Ｋとして示された試験を、コーティングされたガラス板の対応する試料に行った。試験の結果は、本発明の実施例１に対応する試料に行った試験結果と共に表１にまとめてある。
【００２７】
［実施例１］
以下の順序の層を有する本発明の積層体を厚さ６ｍｍのフロートガラス板に、同じコーティング積層体において及び同じコーティング条件で適用した：
ガラス−40nmSnO2−2nm CrNi−10nmAg−4nmCrNi −37nmSnO2−3nmZn x Sny Alz O n 
【００２８】
比較例との唯一の違いは、積層体のカバー層を、６８ｗｔ％のＺｎ、３０ｗｔ％のＳｎ、及び２ｗｔ％のＡｌを有する合金からなるターゲットから、反応性スパッタリングしたことである。この上端のカバー層のスパッタリングの間に、好ましくない電気アークが観察されなかった。更に、望ましくない吸着の影響がこの積層体で観察されないことが予想外に分かった。
【００２９】
この積層体で得られる試験結果は、以下の表１で与える。
【表１】
0005085814.tif 000002
【００３０】
比較例による積層体と比較すると、本発明の積層体ではほとんど全ての試験において良好な結果を与えることが表１から理解できる。
【００３１】
［比較例２］
以下の順序の層を有する従来技術による積層体を再び、厚さ６ｍｍのフロートガラス板に、同じコーティング積層体において及び相当するコーティング条件で適用した：
ガラス板−40nmSnO2−2nm CrNi−10nmAg−4nmCrNi −34nmSnO2−4nmZn2SnO4−4.5nmTiO2 
【００３２】
Ｚｎ2 ＳｎＯ4 層は再び、５２．４ｗｔ％のＺｎ及び４７．６ｗｔ％のＳｎからなる合金ターゲットからの反応性スパッタリングによって提供した。このＺｎ2 ＳｎＯ4 層の適用の間には、望ましくないアークが再び観察され、且つこれらはコーティングに欠陥をもたらした。ＴｉＯ2 は、ＤＭＳカソードを有する金属チタンからの反応性スパッタリングによって提供し、作業ガスはＡｒ／Ｏ2 ／Ｎ2 混合物からなっていた。
【００３３】
試験Ａ〜Ｋとして示される試験を、コーティングされたガラス板の試料に再び行った。試験結果は、本発明の実施例２で作った試料で得られた結果と共に、以下の表２にまとめている。
【００３４】
［実施例２］
以下の順序の層を有する本発明の積層体を厚さ６ｍｍのフロートガラス板に、同じコーティング積層体及び同じコーティング条件で適用した：
ガラス−40nmSnO2−2nm CrNi−10nmAg−4nmCrNi −34nmSnO2−4nmZn x Sny Sbz O n −4.5nmTiO2 
【００３５】
比較例との唯一の違いは、Ｚｎ／Ｓｎ混合酸化物を含む下層を作るために、６８ｗｔ％のＺｎ、３０ｗｔ％のＳｎ、及び２ｗｔ％のＳｂからなる合金でできたターゲットを使用したという事実である。この合金のスパッタリングの間には、望ましくないアークが観察されなかった。
【００３６】
試験Ａ〜Ｋとして示される試験を、コーティングされたガラス板の試料に行った。試験結果は、比較例２で得られる結果と共に、以下の表２にまとめている。
【表２】
0005085814.tif 000003
【００３７】
これらの試験結果は、比較例のスズ酸亜鉛と比較すると、ＴｉＯ2 カバー層が本発明の組成の層により良い適合性を持つことを示している。これは、試験結果のかなりの改良、特に試験Ｄ（水凝縮試験）での実質的な改良及びＥＭＦ試験結果の実質的な改良から明らかである。Ａｇ* 浸出の結果も実質的に比較的良好であり、この積層体は結果としてかなり良好な質を示す。
【００３８】
［比較例３］
以下の順序の層を有する積層体を再び厚さ６ｍｍのフロートガラス板に、同じコーティング積層体において及び相当するコーティング条件で比較例として適用した：
ガラス−20nmSnO2−17nm ZnO−11nmAg−4nmTiO2 −40nmSnO2
【００３９】
この積層体は、従来技術により試みられて試験された積層体である。
【００４０】
試験Ａ〜Ｋとして示される試験を、この積層体でコーティングされたガラス板の試料にも行った。この試験結果は、本発明の実施例３で作った試料で得られた結果と共に、以下の表３にまとめている。
【００４１】
［実施例３］
比較例３に相当するコーティング条件において同じコーティング積層体で、以下の順序の層を有する本発明の積層体を厚さ６ｍｍのフロートガラス板に適用した：
ガラス−20nmSnO2−17nm ZnO−11nmAg−1nmTi −3nmZn x Sny Alz O n −40nmSnO2
【００４２】
この例においては、本発明の混合酸化物複合材層は、ブロック層として、銀層に直接に配置された薄いＴｉ層と共に機能する。
【００４３】
対応する試料に行った試験の結果を、表３に同様に示している。
【表３】
0005085814.tif 000004
【００４４】
これらの試験結果を比較すると、本発明の層をブロック層として使用すると、機械的性質及び化学的性質の両方にかなりの改良が観察されることが分かる。
【００４５】
結果として、本発明の複合層は、堆積プロセスの単純化と、特に本発明の層を積層体の最後の層又は積層体の最後の層（最も外側の層）のすぐ下の層で使用する場合の、本発明の複合層を含む積層体の化学的及び機械的耐久性の増加との両方をもたらす。この種の層は、誘電体層金属酸化物として使用する積層体をより抵抗性にすることを可能にし、それらの積層体の耐久性を、窒化ケイ素のような窒化物でできた代わりの誘電体層を使用する積層体の耐久性に近付けることを可能にする。複合酸化物層においてＡｌでなくＳｂを選択すると、耐久性の改良は比較的大きくなると考えられる。
【００４６】
本発明は、ガラス基材又は他の透明基材、特に上述のように有機ポリマーでできた透明基材で使用することができる。
【００４７】
本発明の層は、保護のための薄いオーバーコーティング層として、又は「ブロック」層（この用語は、酸素の存在下での反応性スパッタリングによって続く金属酸化物の層を堆積させる場合の劣化から、この層がＡｇの様な金属の機能層を保護することを意味している）として、例えば約２〜６ｎｍの厚さで使用することができる。この層が有意の光学的役割を行うようにして使用する場合、この層の厚さは比較的厚い厚さ、例えば７〜５０ｎｍでよい。
【００４８】
本発明の層は、薄い干渉層の多くの積層体、特にＡｇ層のような低放射率の機能層又は太陽光防止性の機能層を有する積層体に組み込むことができる。ヨーロッパ特許第６３８，５２８号、同第７１８，２５０号、同第８４４，２１９号、同第８４７，９６５号、フランス国特許第９８／１３２４９号、及び同第９８／１３２５０号明細書で説明されるように、積層体は１又は複数のＡｇ層を含むことができる。積層体は他の種類の機能層、例えばヨーロッパ特許第５１１，９０１号明細書で説明されるようなＮｉ−Ｃｒ合金若しくは鋼のような金属の機能層、又はＴｉＮ若しくはＺｒＮの様な窒化物の機能層を含むこともできる。
【００４９】
本発明の誘電体層は、反射防止積層体の一部であってよい。この積層体は例えば、ヨーロッパ特許第７２８，７１２号又は国際公開第９７／４３２２４号明細書で説明されるような積層体である。また本発明の積層体は、熱的、光学的、電気的な機能を持ち、且つ屈折率が２程度の誘電体／酸化物層を使用する任意の他の積層体であってもよい。
【００５０】
これらの基材を使用して、モノリシック（単一基材）グレージング（ｇｌａｚｉｎｇ）、積層グレージング、又は多重グレージング（２重グレージング、風防等）を製造することもできる。これらは建築物、自動車に取り付けて使用することもでき、またディスプレイパネルとして使用することもできる。
【００５１】
本発明の層を組み込んでいるいくつかの積層体を以下に例示する。
透明基材／SnO2／ZnO ／Ag／NiCrのような随意のブロック層／SnO2／ZnSnO:Al又はSb
透明基材／SnO2／ZnO ／Ag／NiCr又はTiのような随意のブロック層／SnO2／SiO2／SnO2／ZnSnO:Al又はSb
【００５２】
積層体は２つのＡｇ層を含んでいてもよい。
【００５３】
Ａｌ又はＳｂのような金属ターゲットに添加される金属の量は、そのターゲットで得られる層におけるそれらの量とほぼ同じであることも重要である。
【００５４】
当然に積層体は本発明の層を複数含んでいてもよく、特にブロック層としての本発明の層とオーバーコーティングとしての本発明の層を含むことができる。