(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線部を表面に有する搭載基板と、
光素子と、前記搭載基板の前記表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に前記光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスと、
前記光デバイスを保持する光デバイス保持部において前記光デバイスを保持するケース部材と、
前記ケース部材の一部を覆う金属材料を有して形成されるシールドケースと、
前記光素子の動作を制御する制御部及び配線部を表面に有する実装済基板とを備え、
前記シールドケースは、前記搭載基板に固定されるとともに、前記搭載基板との間で形成される空間内に、前記光デバイス、前記ケース部材の一部、及び実装済基板を遮蔽して収容し、かつ
前記シールドケースと前記搭載基板とで形成される空間内で、前記光デバイスと前記実装済基板との間、前記実装済基板と前記搭載基板との間、及び前記シールドケースと前記搭載基板との間を、接続部材を用いて一括して接続して形成される光モジュール。
【請求項２】
前記実装済基板は、前記シールドケースの内壁と前記実装済基板の外縁とが接しない大きさに形成される請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記シールドケースは、前記シールドケースの一部が前記搭載基板の孔に挿入される請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記ケース部材は、光導波路を保持する光導波路保持部を有し、
前記搭載基板の前記孔は、前記光導波路保持部の端部の下方に形成される請求項３に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高性能化に伴い、データ転送速度の向上、ＥＭＩノイズの低減等への対応を目的として、電気信号を光信号に置き換えてデータ伝送する技術が採用されている。そして、このような技術において、複数の電子機器間の光信号の伝送に発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）、レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）等の光素子を用いた様々な光コネクタが提案されている。
【０００３】
このような光コネクタとして、光ファイバの端面を保持するプラグコネクタと、透明樹脂で包まれている受発光素子を有する光トランシーバとが、光ファイバの端面と受発光素子との間に光伝導性部材を介して接続されると共に、受発光素子と基板とがリードフレームを介して接続され、リードフレームと基板とが導通可能に押圧される屈曲部を備える光コネクタについて提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載の光コネクタによれば、受発光素子を搭載するリードフレームに屈曲部を形成することにより、屈曲部と基板とを簡単に電気的に接続することができる。
【特許文献１】特開２００３−１９５１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、シールド性が高いと共に信頼性の高い光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光モジュールを提供する。
【００１２】
（１）配線部を表面に有する搭載基板と、
光素子と、前記搭載基板の前記表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に前記光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスと、
前記光デバイスを保持する光デバイス保持部において前記光デバイスを保持するケース部材と、
前記ケース部材の一部を覆う金属材料を有して形成されるシールドケースと、
前記光素子の動作を制御する制御部及び配線部を表面に有する実装済基板とを備え、
前記シールドケースは、前記搭載基板に固定されるとともに、前記搭載基板との間で形成される空間内に、前記光素子、前記光デバイス、前記ケース部の一部、及び実装済基板を遮蔽して収容し、
前記シールドケースと前記搭載基板とで形成される空間内で、前記光デバイスと前記実装済基板との間、前記実装済基板と前記搭載基板との間、及び前記シールドケースと前記搭載基板との間を、接続部材を用いて一括して接続して形成される光モジュール。
【００１３】
（２）実装済基板は、シールドケースの内壁と実装済基板の外縁とが接しない大きさに形成される上記（１）に記載の光モジュール。
【００１４】
（３）シールドケースは、シールドケースの一部が搭載基板の孔に挿入される上記（１）に記載の光モジュール。
【００１５】
（４）ケース部材は、光導波路を保持する光導波路保持部を有し、搭載基板の孔は、光導波路保持部の端部の下方に形成される上記（３）に記載の光モジュール。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１から４に記載の光モジュールによれば、シールドケースを搭載基板に固定することにより、光導波路の抜き差し等において生じ、接続部分にかかる応力をシールドケースにおいて吸収するので、接続部材での信頼性の劣化を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの断面図を示す。また、図２の（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの正面図を示し、（ｂ）は、光デバイス及び光ファイバを保持したケースの断面図を示す。
【００２０】
（光モジュール１の構成）
第１の実施の形態に係る光モジュール１は、図１に示すように、受光素子又は発光素子としての光素子２３０を有する光デバイス２０と、光素子２３０と光結合して光素子２３０が受発光する光を伝播する光ファイバ１５と、光ファイバ１５及び光デバイス２０を保持するケース１０と、光ファイバ１５及び光デバイス２０を保持したケース１０と所定の電子部品とをそれぞれ搭載する搭載基板としての光デバイス搭載基板３０とを備える。
【００２１】
そして、光デバイス２０が、素子搭載部としてのリードフレーム２１１ａの接続端子部の一部としての接合部２１１ｄが配線層３１に接続部材としての半田３４を介して接続して光デバイス搭載基板３０に固定される。この場合において、光デバイス２０を保持したケース１０は、ボス１４を介して光デバイス搭載基板３０に固定される。これにより、本実施の形態に係る光モジュール１が形成される。なお、光デバイス２０を保持したケース１０は、ボス１４に設けられたねじ止め穴１４ａと光デバイス搭載基板３０に設けられたねじ止め穴３０Ａとを介して、光デバイス搭載基板３０にねじ３６止めされる。
【００２２】
（光デバイス搭載基板３０の構造）
光デバイス搭載基板３０は、上面視にて略四角形に形成される。光デバイス搭載基板３０は、絶縁性を有する有機材料又は絶縁性を有する無機材料を含んで形成される。光デバイス搭載基板３０は、一例として、ガラス繊維とエポキシ樹脂との複合材料、すなわち、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成される。
【００２３】
光デバイス搭載基板３０は、その表面に配線部としての複数の配線層３１を有すると共に、配線層３１を有する面の反対側の面に複数の配線層３２を有する。また、光デバイス搭載基板３０は、所定の位置にねじ止め穴３０Ａと複数のスルーホール３０Ｂとを有する。そして、複数のスルーホール３０Ｂのそれぞれには、導電性材料から形成される導通部３３が設けられる。更に、光デバイス搭載基板３０は、配線層３１上に半田３４を介して信号処理ＩＣ４０及び回路部品４１を有する。また、光デバイス搭載基板３０は、配線層３２上に半田ボール３５を有する場合もある。
【００２４】
（配線層３１、配線層３２、及び導通部３３）
配線層３１は、光デバイス搭載基板３０の一の表面上に所定の回路パターンを有して形成される。同様に、配線層３２は、一の表面の反対側の他の表面上に所定の回路パターンを有して形成される。また、導通部３３は、光デバイス搭載基板３０の所定の位置に形成されたスルーホール３０Ｂに導電性材料を充填して設けられる。配線層３１、配線層３２、及び導通部３３はそれぞれ、導電性材料から形成され、一例として、銅等の金属材料を有して形成される。
【００２５】
（信号処理用ＩＣ４０）
光素子２３０の動作を制御する制御部としての信号処理用ＩＣ４０は、発光素子又は受光素子としての光素子２３０の動作を制御する。具体的には、光デバイス２０が発光素子を有する場合、信号処理用ＩＣ４０は、発光素子を駆動する駆動回路としてのドライバーＩＣの機能を有する。また、光デバイス２０が受光素子を有する場合、信号処理用ＩＣ４０は、受光素子が受光した光に基づいて、当該受光素子において光電変換された電気信号を増幅する増幅回路としてのレシーバＩＣの機能を有する。
【００２６】
（回路部品４１）
回路部品４１は、光モジュール１を用いた光通信の実施に要する抵抗器、コンデンサ、集積回路（ＩＣ）等の電子部品である。光モジュール１の動作に要求される所定の条件に基づいて、光デバイス搭載基板３０の配線層３１の上に半田３４を介して回路部品４１が適宜設けられる。
【００２７】
（半田３４、半田ボール３５）
半田３４は、複数の配線層３１の上にそれぞれ設けられる。また、半田ボール３５は、複数の配線層３２の上にそれぞれ設けられる。半田ボール３５は、略球形に形成される。半田３４及び半田ボール３５は、導電性を有する合金材料から形成され、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系の金属材料、Ｓｎ−Ｚｎ系の金属材料、Ｓｎ−Ｉｎ系の金属材料等の合金材料から形成される。
【００２８】
（光デバイス２０の構造）
図２（ａ）に示すように、光デバイス２０は、受光又は発光する光素子２３０と、光素子２３０を搭載する素子搭載部としてのリードフレーム２１１ａと、光素子２３０にワイヤ２５０を介して電気的に接続されるリードフレーム２１１ｂと、リードフレーム２１１ａの一部及び光素子２３０を封止する光透過部２１０とを有する。
【００２９】
（光素子２３０）
光素子２３０は、所定の波長の光を発する発光素子、又は所定の波長範囲の光に対して受光感度を有する受光素子である。光素子２３０が発光素子である場合、光素子２３０は、面発光型の発光ダイオード、又は面発光型半導体レーザダイオードである。本実施の形態においては、発光素子は面発光型半導体レーザダイオードである。また、光素子２３０が受光素子である場合、光素子２３０は、面型のフォトダイオードである。
【００３０】
（発光素子としての光素子２３０）
具体的に、本実施の形態に係る発光素子としては、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を用いる。そして、光デバイス搭載基板３０に設けられ、発光素子であるＶＣＳＥＬに電力を供給する配線層３１は、リードフレーム２１１ａ又はリードフレーム２１１ｂの端部である接合部２１１ｄと電気的に接続する。なお、接合部２１１ｄと接続している配線層３１は、光デバイス搭載基板３０上に予め形成されている回路パターンを介して信号処理用ＩＣ４０と電気信号的に接続される。これにより、信号処理用ＩＣ４０と発光素子としての光素子２３０とが電気的に接続する。
【００３１】
本実施の形態に係る発光素子としてのＶＣＳＥＬは、一例として、閾値電流が１ｍＡであり、１．６Ｖから２．２Ｖの順電圧において、発光波長が８４０ｎｍから８６０ｎｍの範囲内、例えば、８５０ｎｍに発光波長を有する。すなわち、発光素子は、近赤外領域（波長：７００ｎｍから１０００ｎｍ）に発光波長を有する。また、本実施の形態に係る発光素子の応答速度は、２．５Ｇｂｐｓである。
【００３２】
また、本実施の形態に係る発光素子としてのＶＣＳＥＬは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造を有する。例えば、ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板の上に、ｎ型下部反射鏡層としてのｎ型ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層としてのｐ型ＤＢＲ層、ｐ型コンタクト層がこの順に形成される。
【００３３】
ここで、ｎ型ＤＢＲ層は、例えば、ｎ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、ｐ型ＤＢＲ層は、例えば、ｐ型のＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）を用いることができる。また、活性層は、ｉ−ＧａＡｓのバルクの層、又は単一量子井戸層、若しくは多重量子井戸層から構成することができる。そして、電流狭窄層は、例えば、ｐ型ＤＢＲ層の所定の領域にプロトンを注入して高抵抗領域とすることにより形成できる。更に、ｐ型コンタクト層は、例えば、所定濃度のｐ型ドーパントとしてのＺｎをドーピングしたＧａＡｓから形成できる。
【００３４】
ｎ型ＧａＡｓ基板のｎ型ＤＢＲ層が形成されている面の反対側にはｎ型電極が形成され、ｐ型コンタクト層の上にはｐ型電極が形成される。ここで、ｐ型電極は、活性層の発光領域の直上に開口としての発光領域を有する。発光領域は上面視にて略円状に形成され、５μｍから１０μｍの直径を有する。そして、発光領域から近赤外領域の光が出射される。なお、応答速度が１０ＧｂｐｓであるＶＣＳＥＬを発光素子として用いてもよい。
【００３５】
（受光素子としての光素子２３０）
受光素子としての光素子２３０は、一例として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のフォトダイオードである。本実施の形態に係る受光素子としてのフォトダイオードは、ＰＩＮフォトダイオードである。そして、光デバイス搭載基板３０に設けられ、受光素子であるＰＩＮフォトダイオードに電力を供給する配線層３１は、リードフレーム２１１ａ又はリードフレーム２１１ｂの端部である接合部２１１ｄと電気的に接続する。なお、接合部２１１ｄと接続している配線層３１は、光デバイス搭載基板３０上に予め形成されている回路パターンを介して信号処理用ＩＣ４０と電気信号的に接続される。これにより、信号処理用ＩＣ４０と受光素子としての光素子２３０とが電気的に接続する。
【００３６】
本実施の形態に係る受光素子としてのＰＩＮフォトダイオードは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構造を有する。例えば、ＰＩＮフォトダイオードは、ＧａＡｓ基板上に、ｐ型半導体層（ｐ層）と、真性半導体層（ｉ層）と、ｎ型半導体層（ｎ層）とが形成され、ｉ層がｐ層とｎ層との間に形成されるＰＩＮ構造を有する。そして、ＰＩＮフォトダイオードは、ｐ層に接続されたｐ側電極と、ｎ層に形成されたｎ側電極とを更に備え、ｎ側電極は、所定の領域に開口としての受光領域を有する。ＰＩＮフォトダイオードは、受光領域において光を受光する。ここで、ＰＩＮフォトダイオードは、一例として、波長が８５０ｎｍにおける感度が０．２（Ａ／Ｗ）であり、受光領域の直径は、例えば約１ｍｍである。
【００３７】
本実施の形態に係る発光素子としての光素子２３０及び受光素子としての光素子２３０を形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造は、例えば、有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、ハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等によって形成される。
【００３８】
（光透過部２１０）
光透過部２１０は、光素子２３０及び光素子２３０を搭載している側のリードフレーム２１１ａの一部を封止する。光透過部２１０は、光素子２３０が受発光する波長の光を透過する樹脂材料、又は低融点ガラスから形成される。光透過部２１０は、光素子２３０の受発光面の直上に、光素子２３０の光軸と光軸が一致するレンズ部２１０ａと、レンズ部２１０ａの周囲から光素子２３０の反対側に向かって所定の傾斜を有して形成されるテーパー部２１０ｂとを有する。テーパー部２１０ｂは、光素子２３０の受発光面の法線方向に沿って受発光面から離れるに従って、当該法線から離れる方向に傾斜して形成される。
【００３９】
（リードフレーム２１１ａの形状）
本実施の形態に係るリードフレーム２１１ａは、その先端部分の接合部２１１ｄにおいて半田３４を介して配線層３１と電気信号的に接続する。この場合において、リードフレーム２１１ａは、光デバイス搭載基板３０の表面の法線方向と略水平な部分と光デバイス搭載基板３０の表面の法線方向と略垂直な部分とを含んで形成される。具体的に、リードフレーム２１１ａは、光デバイス搭載基板３０の表面の法線方向と略水平な部分と光デバイス搭載基板３０の表面の法線方向と略垂直な部分との間に所定の曲率を有する接続端子部としての湾曲部２１１ｃを有して形成される。
【００４０】
より具体的に、リードフレーム２１１ａは、リードフレーム２１１ａの光素子２３０が搭載されている側と配線層３１に接続する接合部２１１ｄの側との間に湾曲部２１１ｃを設けることによって形成される光デバイス搭載基板３０の表面に略平行な部分、すなわち接合部２１１ｄを有する。更に、リードフレーム２１１ａの湾曲部２１１ｃは、光素子２３０の受発光面が受発光する方向と同一の方向、つまり、光素子２３０の受発光面側に接合部２１１ｄが向くように湾曲されて形成される。換言すると、リードフレーム２１１ａの先端部分が信号処理用ＩＣ４０の側に向かうように、リードフレーム２１１ａの中間部分が湾曲されて湾曲部２１１ｃが形成される。これにより、接合部２１１ｄと信号処理用ＩＣ４０との間の距離が縮まる。
【００４１】
本実施の形態においては、リードフレーム２１１ａは湾曲部２１１ｃを有して、湾曲部２１１ｃの端部の接合部２１１ｄにおいて配線層３１と接続する。したがって、リードフレーム２１１ａが光デバイス搭載基板３０を貫通することなしに、光デバイス２０は光デバイス搭載基板３０上に搭載されることになる。すなわち、リードフレーム２１１ａを光デバイス搭載基板３０のスルーホールに挿入して光デバイス２０を光デバイス搭載基板３０に固定する場合に比べて、本実施の形態に係る光デバイス２０は、光素子２３０と信号処理用ＩＣ４０との間の分岐点及び距離が低減された状態で、光デバイス搭載基板３０に固定されることとなる。
【００４２】
（ケース１０の構造）
図２（ｂ）に示すように、ケース部材としてのケース１０は、光デバイス２０を保持する光デバイス保持部としての光デバイス挿入部１３と、光デバイス挿入部１３の光デバイス２０を挿入する側に形成される開口１３ａと、芯線部１５ａを保持する芯線挿入部１２と、光導波路としての光ファイバ１５を保持する光導波路保持部としての光ファイバ挿入部１１と、開口部１３ａが形成されている側に設けられるボス１４とを有する。なお、光ファイバ１５は、芯線部１５ａ及び芯線部１５ａを覆う被覆部１５ｂを有する。
【００４３】
（光デバイス挿入部１３）
光デバイス挿入部１３は、光デバイス２０の光透過部２１０の外径形状に応じて形成される。そして、光デバイス挿入部１３は、開口１３ａから挿入された光デバイス２０を機械的に保持する。一例として、光デバイス２０は凸部を有して形成することができ、光デバイス挿入部１３は、当該凸部に対応した凹部を有して形成することができる。そして、光デバイス２０の凸部と光デバイス挿入部１３の凹部とが嵌め合わされることにより、光デバイス２０が光デバイス挿入部１３に固定される。
【００４４】
（芯線挿入部１２及び光ファイバ挿入部１１）
芯線挿入部１２は、光ファイバ１５の芯線部１５ａの直径に応じて形成され、挿入された光ファイバ１５の芯線部１５ａを保持する。また、光ファイバ挿入部１１は、光ファイバ１５の外径に応じて形成され、挿入された光ファイバ１５を保持する。なお、芯線部１５ａは、所定の波長の光を伝播するコアと、コアの周囲を覆うクラッドとを含む。そして、光ファイバ１５の端部の芯線部１５ａが露出している領域を除き、クラッドの外周には芯線部１５ａを保護する被覆部１５ｂが設けられている。
【００４５】
なお、光ファイバ１５の芯線部１５ａの端部を、光透過部２１０のテーパー部２１０ｂの表面に突き合わせてもよい。これにより、光素子２３０の光軸と光ファイバ１５の光軸とを所定の誤差範囲内において位置合わせすることができる。
【００４６】
図３Ａから図３Ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【００４７】
図３Ａ（ａ）に示すように、光ファイバ１５の外径に応じて略円筒状に形成される光ファイバ挿入部１１と、光ファイバ挿入部１１に連続して芯線部１５ａの外径に応じて略円筒形状に設けられる芯線挿入部１２と、光ファイバ１５が光ファイバ挿入部１１に挿入される方向と垂直方向に沿って開口１３ａを有して形成される光デバイス挿入部１３と、開口１３ａが形成される側に設けられねじ止め穴１４ａを含む接触部としてのボス１４とを有するケース１０を準備する。なお、ケース１０は、導電性又は絶縁性の有機材料、若しくは無機材料から形成する。
【００４８】
次に、図３Ａ（ｂ）に示すように、リードフレーム２１１ａの先端側を約９０度の角度で光素子２３０の受発光面側に向けて湾曲させて形成された湾曲部２１１ｃを有する光デバイス２０を、開口部１３ａに挿入する。そして、光デバイス２０を光デバイス挿入部１３において保持する。なお、この場合に、接合部２１１ｄの開口１３ａが形成されているケース１０の表面からの距離と、開口１３ａが形成されているケース１０の表面からボス１４のねじ止め穴１４ａが形成されている側の面までの距離とが略等しくなるように湾曲部２１１ｃは形成される。
【００４９】
次に、図３Ｂ（ａ）に示すように、光デバイス２０を保持しているケース１０を、予め信号処理用ＩＣ４０及び回路部品４１が所定の位置に配置されている光デバイス搭載基板３０上に配置する。この場合に、ケース１０のボス１４のねじ止め穴１４ａと光デバイス搭載基板３０のねじ止め穴３０Ａとが一致すると共に、リードフレーム２１１ａの接合部２１１ｄが所定位置の配線層３１に半田３４を介して一致する位置に、光デバイス２０を保持しているケース１０を光デバイス搭載基板３０上に配置する。これにより、ねじ止め穴１４ａが設けられているボス１４の表面が光デバイス搭載基板３０の表面に接触すると共に、接合部２１１ｄが半田３４を介して配線層３１に接触する。
【００５０】
続いて、光デバイス２０を保持したケース１０が表面上に配置された光デバイス搭載基板３０に、所定の雰囲気下、所定の温度、所定の時間のリフロー処理を施す。これにより、光デバイス２０と、信号処理用ＩＣ４０と、回路部品４１とがそれぞれ、光デバイス搭載基板３０に一括して固定される。なお、光モジュール１の小型化を目的として、信号処理用ＩＣ４０をケース１０の下部に配置することが望ましい。なお、光デバイス２０はケース１０に保持されているので、光デバイス２０を保持したケース１０は、光デバイス搭載基板３０上に自立する。
【００５１】
また、ボス１４を光デバイス搭載基板３０の表面に接触させた状態で、光デバイス２０を保持したケース１０と光デバイス搭載基板３０とにリフロー処理を施すので、リフロー処理中に半田３４が軟化しても、光デバイス２０が倒れることが防止される。
【００５２】
次に、図３Ｂ（ｂ）に示すように、ねじ止め穴３０Ａにねじ３６を挿入して、光デバイス搭載基板３０とボス１４とを固定する。なお、ねじ止め穴３０Ａの周囲にＧＮＤパッドを形成することもできる。
【００５３】
続いて、図３Ｃに示すように、光ファイバ１５を光ファイバ挿入部１１に挿入することにより、光モジュール１が形成される。なお、ケース１０が、光ファイバ１５及び光デバイス２０を保持するので、光ファイバ１５の光軸と光デバイス２０の光軸との位置ずれの程度は、リフロー処理による影響を受けない。
【００５４】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの断面を示す図である。
【００５５】
第２の実施の形態に係る光モジュール２は、第１の実施の形態に係る光モジュール１とは、ケース１０の外部をシールドケース５０が覆っていることを除き、光モジュール１と略同一の構成を有する。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００５６】
（光モジュール２の構成）
第２の実施の形態に係る光モジュール２は、図４に示すように、受光素子又は発光素子としての光素子２３０を有する光デバイス２０と、光素子２３０と光結合して光素子２３０が受発光する光を伝播する光ファイバ１５と、光ファイバ１５及び光デバイス２０を保持するケース１０と、ケース１０の外部を覆うシールドケース５０と、ケース１０及びシールドケース５０と所定の電子部品とをそれぞれ搭載する光デバイス搭載基板３０とを備える。
【００５７】
（シールドケース５０）
シールドケース５０は、ケース１０の外形形状に対応して、ケース１０を外部から覆う形に形成される。また、シールドケース５０は、シールドケース５０の縁の一部に、光デバイス搭載基板３０の外部接続端子としての配線層３１と半田３４を介して接続する保持部５０２を有する。シールドケース５０は、電磁ノイズを低減することを目的として、アルミニウム、ステンレス等の金属材料から形成される。
【００５８】
なお、第２の実施の形態に係るケース１０は、光ファイバ挿入部１１と連結している複数の貫通孔１００を有する。また、第２の実施の形態においては、電磁ノイズを低減することを目的として、ケース１０を導電性の樹脂材料から形成することが望ましい。この場合、ケース１０は、例えば、所定の樹脂材料を用いて所定の形状を有する成形体に成形した後、成形後の成形体の表面に導電性材料を設けることにより形成することができる。
【００５９】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【００６０】
第２の実施の形態に係る光モジュール２の製造工程は、第１の実施の形態に係る光モジュール１とは、ケース１０の外部をシールドケース５０で覆うことを除き、光モジュール１の製造工程と略同一である。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００６１】
図５Ａ（ａ）に示すように、光デバイス２０を保持したケース１０と、シールドケース５０とを準備する。そして、図５Ａ（ｂ）に示すように、光デバイス２０を保持したケース１０をシールドケース５０内に組み込む。
【００６２】
次に、図５Ｂ（ａ）に示すように、光デバイス２０を保持したケース１０を組み込んだシールドケース５０の上下を反転させて、信号処理用ＩＣ４０及び回路部品４１を予め配置した光デバイス搭載基板３０上に配置する。そして、図５Ｂ（ｂ）に示すように、シールドケース５０の縁の一部を孔としてのスルーホール３０Ｂに挿入すると共に保持部５０２を光デバイス搭載基板３０の所定の位置の配線層３１上に半田３４を介して接触させる。なお、スルーホール３０Ｂは、ケース１０の光ファイバ挿入部１１の端部、すなわち、光ファイバ挿入部１１の芯線挿入部１２の反対側の端部の下方に形成される。シールドケース５０が有するシールドケース５０の一部としての保持部５０２が光デバイス搭載基板３０の配線層３１に半田３４を介して接触することにより、シールドケース５０は光デバイス搭載基板３０上に自立する。
【００６３】
この状態で、ケース１０が組み込まれたシールドケース５０が表面上に配置された光デバイス搭載基板３０に、所定の雰囲気下、所定の温度、所定の時間のリフロー処理を施す。これにより、シールドケース５０と光デバイスの接合部２１１ｄとが光デバイス搭載基板の所定の配線層３１上に一括で固定される。なお、リフロー処理時の熱は、貫通孔１００を介して信号処理用ＩＣ４０及び接合部２１１ｄ上に伝播する。光デバイス２０を保持したケース１０をシールドケース５０に組み込むことにより、光デバイス２０を保持したケース１０がシールドケース５０に支えられて光デバイス搭載基板３０上に固定される。
【００６４】
そして、図５Ｂ（ｂ）に示すように、光ファイバ挿入部１１に光ファイバ１５が挿入されることにより、第２の実施の形態に係る光モジュール２が形成される。なお、第２の実施の形態に係るケース１０は、第１の実施の形態に係るケース１０と同様にボス１４を有して形成することもできる。
【００６５】
図６Ａ及び図６Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【００６６】
第３の実施の形態に係る光モジュール２の製造工程は、第１の実施の形態に係る光モジュール１とは、ケース１０の外部をシールドケース５０で覆う点、及び高速の信号を処理する信号処理用ＩＣ４０を実装済基板７０に別途搭載する点を除き、光モジュール１の製造工程と略同一である。したがって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００６７】
図６Ａ（ａ）に示すように、光デバイス２０を保持したケース１０と、シールドケース５０とを準備して、シールドケース５０に光デバイス２０を保持したケース１０を組み込む。更に、信号処理用ＩＣ４０を予め実装している実装済基板７０を準備する。第３の実施の形態に係る実装済基板７０は、一の表面上に形成される配線部としての配線層７４と、配線層７４が形成される面の反対側の他の表面上に形成される配線層７２と、配線層７４上に設けられる半田３４と、配線層７２上に設けられる半田ボール３５と、所定位置の配線層７４上に固定される信号処理用ＩＣ４０と、信号処理用ＩＣ４０と電気的に接続する配線層７４に電気的に接続する導通部７３とを有する。
【００６８】
次に、図６Ａ（ｂ）に示すように、光デバイス搭載基板３０上の複数の配線層３１上に、半田ボール３５を介して実装済基板７０を配置して、スルーホール３０Ｂにシールドケース５０の一端を挿入する。更に、シールドケース５０の保持部５０２を配線層３１上に配置する。続いて、ケース１０が組み込まれたシールドケース５０と実装済基板７０とが表面上に配置された光デバイス搭載基板３０に、所定の雰囲気下、所定の温度、所定の時間のリフロー処理を施す。これにより、シールドケース５０と光デバイス搭載基板３０との間、及び実装済基板７０と光デバイス搭載基板３０との間、並びに光デバイス２０の接合部２１１ｄと実装済基板７０上の配線層７４との間が一括で固定される。
【００６９】
なお、この場合において、実装済基板７０とシールドケース５０との間には所定間隔のクリアランスが設けられる。すなわち、シールドケース５０の内壁と実装済基板７０の外側（外縁）とが接しない大きさに、実装済基板７０は形成される。
【００７０】
そして、図６Ｂに示すように、光ファイバ挿入部１１に光ファイバ１５が挿入されることにより、第３の実施の形態に係る光モジュールが形成される。
【００７１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組み合わせの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの正面図であり、（ｂ）は、光デバイス及び光ファイバを保持したケースの断面図である。
【図３Ａ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図３Ｂ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図３Ｃ】本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの断面図である。
【図５Ａ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図５Ｂ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図６Ａ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【図６Ｂ】本発明の第３の実施の形態に係る光モジュールの製造工程の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１、２  光モジュール
１０  ケース
１１  光ファイバ挿入部
１２  芯線挿入部
１３  光デバイス挿入部
１３ａ  開口
１４  ボス
１４ａ  ねじ止め穴
１５  光ファイバ
１５ａ  芯線部
１５ｂ  被覆部
２０  光デバイス
３０  光デバイス搭載基板
３０Ａ  ねじ止め穴
３０Ｂ  スルーホール
３１、３２  配線層
３３  導通部
３４  半田
３５  半田ボール
３６  ねじ
４０  信号処理用ＩＣ
４１  回路部品
５０  シールドケース
７０  実装済基板
７２、７４  配線層
１００  貫通穴
２１０  光透過部
２１０ａ  レンズ部
２１０ｂ  テーパー部
２１１ａ  リードフレーム
２１１ｃ  湾曲部
２１１ｄ  接合部
２３０  光素子
２５０  ワイヤ
５０２  保持部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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