(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着してコア部を形成する工程と、
該コア部の前記第２の繊維が配置された位置に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内側面に導体層を形成して前記第１の繊維と干渉しない配置に導通スルーホールを形成してコア基板とする工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記コア部を形成する工程において、複数枚のプリプレグを、前記導通スルーホールが通過する前記第２の繊維が配置された位置を相互に位置合わせして熱圧着することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
コア基板と、
コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、
該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、
前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記第１の繊維は、カーボンファイバであることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２の繊維はアラミド繊維であることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項６】
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられた配線基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、コア基板を備える配線基板およびこの配線基板の製造方法、並びに配線基板を用いた半導体装置および配線基板に用いられるプリプレグに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載する配線基板には、カーボンファイバ強化プラスチック（CFRP)をコア基板に備えた製品がある。このカーボンファイバ強化プラスチックを備えたコア基板は、従来のガラスエポキシ基板からなるコア基板と比較して低熱膨張率であり、このコア基板を用いた配線基板は、半導体素子と熱膨張係数をマッチングさせることができ、半導体素子と配線基板との間に生じる熱応力を回避する上で有用である。
【０００３】
配線基板はコア基板の両面に配線層を積層して形成され、コア基板には、その両面に積層される配線層と電気的導通をとるための導通スルーホールPTH（Plated through hole)が形成される。この導通スルーホールは、基板に貫通孔を形成し、めっきにより貫通孔の内壁面に導通部（めっき層）を形成することによって形成される。
【０００４】
ところで、カーボンファイバ強化プラスチックのような導電性を有するコア部を備えるコア基板の場合には、単に基板に貫通孔を形成して貫通孔の内壁面にめっきを施すと、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡してしまう。このため、導電性を有するコア部を備えるコア基板に導通スルーホールを形成する際には、コア基板に導通スルーホールよりも大径の下孔を貫設し、下孔に絶縁性を有する樹脂を充填した後、下孔内に導通スルーホールを貫通させて、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡しないようにしている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２１８２８７号公報
【特許文献２】再表２００４／０６４４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、コア基板に下孔をあけて下孔内に導通スルーホールを貫通させる配置では、下孔が導通スルーホールよりも大径になるから、コア基板に単に導通スルーホールを配置する場合と比較して、導通スルーホールの配置間隔が広くなり、導通スルーホールを高密度に配置することが制約される。
また、下孔内に絶縁用の樹脂を充填すると、コア基板の熱膨張係数が大きくなるように作用し、カーボンファイバをコア部に備える配線基板の場合には、低熱膨張係数に形成されているコア基板の利点が阻害される。
【０００６】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、配線基板に形成される導通スルーホールの配置ピッチを微細化することができ、コア基板に求められる強度、熱膨張係数といった特性を満足することができる配線基板およびその製造方法並びに半導体装置、配線基板に用いられるプリプレグを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、配線基板の製造方法として、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着してコア部を形成する工程と、該コア部の前記第２の繊維が配置された位置に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に導体層を形成して前記第１の繊維と干渉しない配置に導通スルーホールを形成してコア基板とする工程とを有することを特徴とする。
前記コア部を形成する工程においては、複数枚のプリプレグを、前記導通スルーホールが通過する前記第２の繊維が配置された位置を相互に位置合わせして熱圧着する。
【０００８】
また、配線基板において、コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられていることを特徴とする。なお、配線基板はインターポーザとして使用することができる。
前記第１の繊維としては、カーボンファイバが好適に用いられ、前記第２の繊維としてアラミド繊維が好適に用いられる。
【０００９】
また、半導体装置において、コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられた配線基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする。
【００１０】
また、配線基板のコア基板あるいは絶縁層を構成するプリプレグであって、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、樹脂が含浸して形成されていることを特徴とする。
前記第２の繊維は、導通スルーホールが通過する位置に配置されていることにより、導通スルーホールを設けた際に、導電性を有する第１の繊維と電気的に短絡することを防止することができる。
また、前記第１の繊維として、カーボンファイバが好適に用いられ、前記第２の繊維としてアラミド繊維が好適に用いられる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る配線基板およびその製造方法においては、コア基板のコア部を形成するプリプレグが導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含み、非導電性の第２の繊維が配置された位置に導通スルーホールを通過させる配置とすることによって、導通スルーホールを第１の繊維に電気的に短絡させずに配置することができる。これによって導通スルーホールを微細ピッチに配置することができ、配線基板の構成および製造工程を簡素化することができる。また、第１の繊維と第２の繊維を組み合わせることによって、配線基板の特性の改善を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（配線基板の製造方法）
以下、本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態について説明する。
本実施形態の配線基板の製造方法においては、カーボンファイバ強化プラスチックからなるコア部を備えたコア基板を用いる。
図１は、カーボンファイバ強化プラスチックから成るコア部１０を備えたコア基板２０を形成するまでの工程を示す。
【００１３】
図１（ａ）は、カーボンファイバを含有するプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、熱膨張係数を調整するためにアルミナ、シリカ、等のフィラーを含有する電気的絶縁性を有するプリプレグ１２とを、熱圧着するために、位置合わせして配した状態を示す。
本実施形態では、３枚のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを重ねてコア部１０を形成しているが、コア部１０を構成するプリプレグの枚数は、配線基板の厚さあるいはコア基板としての強度等の要請から適宜選択することができる。
【００１４】
本実施形態の配線基板の製造方法においてもっとも特徴とする構成は、コア部１０を構成するカーボンファイバを含有するプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの構成にある。すなわち、通常のカーボンファイバ織布を用いたプリプレグでは、カーボンファイバ織布にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させてプリプレグとするが、本実施形態では第１の繊維としてカーボンファイバ５を用い、第２の繊維として非導電性の繊維６を用いた複合織りによる織布７を使用する。
【００１５】
とくに、本実施形態においては、非導電性の繊維６の縦糸と横糸とが交差する位置をコア基板に形成する導通スルーホールが通過する位置に設定する。
非導電性の繊維６の縦糸と横糸とが交差する位置を導通スルーホールが通過する位置に設定するという意味は、コア基板に導通スルーホールを形成したときに、導通スルーホールが非導電性の繊維６からなる縦糸と横糸が交差している領域を通過するように、あらかじめ織布を形成するという意味である。
図２に、プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いる織布７の例を示す。この織布７はカーボンファイバ５からなる縦糸と横糸、非導電性の繊維６からなる縦糸と横糸とを組合わせて織られたものである。
【００１６】
図３（ａ）は、織布７を構成する横糸の配置、図３（ｂ）は縦糸の配置を示す。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、横糸および縦糸ともに、カーボンファイバ５を配置する領域と非導電性の繊維６を配置する領域を一定幅間隔ごとに交互に配置する。このように縦糸と横糸を配置して織り込むと、図２に示す織布７が得られる。
この織布７で、非導電性の繊維６の縦糸と横糸が交差する領域８では、非導電性の繊維６のみが存在し、この領域８以外の領域ではカーボンファイバ５のみが存在する領域とカーボンファイバ５と非導電性の繊維６が存在する領域となる。
【００１７】
縦糸と横糸で設定する非導電性の繊維６の配置位置および配置本数を調節することによって、織布７上で、非導電性の繊維６が存在する領域の位置と領域８の大きさを調節することができる。本実施形態で使用しているプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いる織布７は、非導電性の繊維６が交差する領域でコア基板に設ける導通スルーホール通過するようにあらかじめ設定されたものである。
【００１８】
カーボンファイバの単線は数μｍ程度の径である。したがって、カーボンファイバの単線を用いて織布７を形成することもできるし、カーボンファイバの単線を複数本撚り合わせた糸を用いて織布７を形成することもできる。カーボンファイバの撚糸は、数十μｍ程度の径となる。
非導電性の繊維６には、たとえばアラミド繊維を用いることができる。アラミド繊維は熱膨張係数が２〜３ppm／℃程度であり、半導体素子の熱膨張係数よりも低く、コア基板を低熱膨張係数とする場合に有効に使用できる。
コア基板に形成する導通スルーホールの配置ピッチは製品によって異なるが、たとえば一般的な半導体素子搭載基板で用いられている４００μｍ程度の配置ピッチに導通スルーホールを配置する場合であれば、非導電性の繊維６のみからなる領域８を導通スルーホールの配置ピッチに合わせて形成することは容易である。
【００１９】
図２に示した織布７は、カーボンファイバ５の糸と非導電性の繊維６とが直角に交差する配置で織られているが、縦糸と横糸を交差角度を直角以外に、たとえば６０°に交差させて織るといったことも可能である。また、織布７に形成する非導電性の繊維６からなる領域８は図２では正方形になるが、縦糸と横糸を斜めに交差させて織ると、ひし形になる。織布の織り方にはさまざまな方法があり、コア基板のコア部に用いる織布７の織り方が限定されるものではない。
【００２０】
通常、コア基板に形成される導通スルーホールは縦横方向に一定間隔で整列して配置されているから、これらの配置間隔にしたがって、非導電性の繊維６のみが存在する領域８を設定すること、導通スルーホールの孔径に応じて繊維６のみが存在する領域８の大きさを設定することは容易である。
なお、コア基板に設けられる導通スルーホールが一定間隔で整列して配置されていない場合に、これらの導通スルーホールの平面配置に合わせて非導電性の繊維６の領域８を配置することも考えられる。本願発明は、導通スルーホールが均一に整列されて配置されている配線基板に限らず、導通スルーホールが不均一に配置されている場合にも適用可能である。
【００２１】
織布７を樹脂に含浸させ、半硬化状態に乾燥させることによってプリプレグが得られる。図１（ａ）は、こうして織布７に樹脂を含浸させて得られたプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを位置合わせした状態である。プリプレグを位置合わせする場合は、織布７の非導電性の繊維６のみが存在する領域８の平面配置位置が一致するように位置合わせする。製造工程上は、大判の織布７を用意し、この織布７をエポキシ樹脂等の樹脂に含浸させて大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを形成し、大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを使用してコア基板を形成する。図１は、多数個取り用の大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの一部を拡大して示している。
【００２２】
図１（ｂ）は、プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１２を熱圧着して、平板体に形成した状態を示す。プリプレグ１２からなる絶縁層１２ａの内層にプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃが一体化して形成されたコア部１０が配される。コア部１０には第１の繊維であるカーボンファイバ５と、第２の繊維である非導電性の繊維６が混在する領域と、非導電性の繊維６のみが存在する領域８とが存在する。カーボンファイバ５が存在する領域は導電性を有する領域であり、非導電性の繊維６のみが存在する領域８が電気的絶縁性を有する領域である。
【００２３】
コア部１０を一体形成した後、コア部１０の非導電性の繊維６のみが存在する領域８に合わせて貫通孔１３を形成する（図１（ｃ））。貫通孔１３は非導電性の繊維６のみが存在する領域（図２では繊維６が交差する領域）の内側を通過するように形成する。
これによって貫通孔１３の内側面には樹脂が含浸した非導電性の繊維６の部分が露出する。貫通孔１３はたとえばドリル加工によって形成する。
【００２４】
図１（ｄ）は、導通スルーホールを形成するために、コア部１０に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施し、貫通孔１３の内側面およびコア部１０の表面に導体層１４を形成した状態である。貫通孔１３の内側面は非導電性の繊維６および繊維６に含浸された樹脂によって被覆されているから、貫通孔１３の内側面に導体層１４を被着形成しても導体層１４と、コア部１０の導電性を有するカーボンファイバ５を含有する領域が電気的に短絡することはない。
【００２５】
図１（ｅ）は、貫通孔１３に樹脂１５を充填した後、コア部１０の両表面に導体層１６を形成した状態を示す。導体層１６はめっきによって形成することができる。
図１（ｆ）は、導体層１６、１４を所定パターンにエッチングして基板の表面に配線パターン１８を形成し、コア基板２０を形成した状態である。貫通孔１３の内側面に形成された導体層１４は、コア基板２０の両面に形成される配線パターンを電気的に接続する導通スルーホール１９となる。
導通スルーホール１９はコア部１０に形成された貫通孔１３を通過して配置され、貫通孔１３の内側面は非導電性の繊維６および繊維６に含浸された樹脂によって被覆されているから、導通スルーホール１９がコア部１０の導体部に電気的に短絡することが防止される。
【００２６】
このように、本実施形態のコア基板の製造方法においては、コア部１０を構成する織布７をカーボンファイバ５と、アラミド繊維等の非導電性の繊維６からなる複合織りとし、繊維６が交差する位置をコア基板２０の導通スルーホール１９が通過する位置に設定することによって、導通スルーホール１９とコア基板２０のコア部１０を構成するカーボンファイバ５とが電気的に短絡することを回避することができる。
【００２７】
コア基板２０のコア部１０には導通スルーホール１９を形成する貫通孔１３を設けるのみであり、従来のコア基板のように、導通スルーホールを通過させる下孔を形成する必要がない。これによってコア基板２０に形成する導通スルーホール１９の配置ピッチを従来のコア基板にくらべて狭くすることができ、導通スルーホール１９をより高密度に形成することができる。
また、コア部１０に形成する貫通孔１３は従来よりも小径であるから、貫通孔１３に樹脂１５を充填したとしても、従来のように下孔に樹脂を充填した場合と比較して、樹脂の充填量が抑えられ、コア基板の熱膨張係数が大きくなることを有効に抑制することができる。
【００２８】
（配線基板）
図４は、コア基板２０の両面に配線層２２を積層して配線基板３０を形成した状態を示す。配線層２２は、ビア２４を介して絶縁層２５間で配線パターン２６を電気的に接続して形成される。配線基板３０の両面の配線層２２に形成された配線パターン２６は、コア基板２０に形成された導通スルーホール１９を介して電気的に接続される。
配線層２２は、たとえばビルドアップ法によって形成することができる。半導体素子が搭載される配線基板３０の一方の面には半導体素子が接続されるパッド２７が形成される。配線基板３０の他方の面にははんだボール等の外部接続端子が接合されるランド２９が形成される。
【００２９】
図５は、配線基板３０に半導体素子４０を搭載した半導体装置５０を実装基板６０に実装した状態を示す。半導体素子４０は、フリップチップ接続によって配線基板３０に搭載されている。半導体装置５０は、ランド２９にはんだボール６２を接合して実装基板６０に実装されている。
半導体素子４０と実装基板６０とは、配線基板３０に形成した導通スルーホール１９および配線層２２に形成された配線パターン１８、２６、ビア２４等を介して電気的に接続する。
【００３０】
前述したように、配線基板３０に形成される導通スルーホール１９は、コア基板２０に導通スルーホール１９を形成するための貫通孔１３を孔開けして形成するから、導通スルーホール１９を、たとえば４００μｍピッチといった微細ピッチに配置することが可能であり、電極が微細ピッチに配置されている半導体素子の搭載に適している。
【００３１】
また、本実施形態の配線基板３０および半導体装置５０は、コア基板２０に低熱膨張係数のカーボンファイバ５を有する織布７を用いたことにより、半導体素子４０と熱膨張係数をマッチングさせることが可能となる。カーボンファイバの熱膨張係数は０〜１ppm／℃である。織布７を構成するカーボンファイバ５と非導電性の繊維６の組成比を調節すること、織布７に含浸させる樹脂に混入するフィラーを調節する等により、配線基板３０の全体としての熱膨張係数を半導体素子の熱膨張係数にマッチングさせることができる。
【００３２】
なお、上記実施形態では配線基板３０に半導体素子４０を搭載した半導体装置５０を、実装基板６０に実装した例を示すが、配線基板３０をインターポーザとして使用し、回路基板上に配線基板３０を介して半導体素子４０を搭載した半導体装置を実装基板６０に搭載する構成とすることもできる。
【００３３】
図６は、カーボンファイバ５と非導電性の繊維６を複合織りする際に、最終的に個片の配線基板に切断する位置に合わせて非導電性の繊維６を織り込んだ例である。図で、Ｃ−Ｃ線、Ｃ’−Ｃ’線が配線基板の切断位置を示す。このように、配線基板を個片に切断する位置に非導電性の繊維６のみを配置すると、大判の配線基板から得られる個片のパッケージ基板は、外側面に非導電性の繊維６が露出した状態で得られる。このパッケージ基板は、外側面にカーボンファイバ５が露出しないから、パッケージ基板の外側面からカーボンファイバ５が剥落することを防止する。カーボンファイバ５がパッケージ基板の外側面に露出しないことから、パッケージ基板が他の電子部品に接触して電気的な短絡を生じさせるという問題を回避することができる。また、非導電性の繊維６と樹脂に含浸された樹脂によりパッケージ基板の外側面の封止性が良好になり、パッケージ基板の内部に水分が浸透することを防止することができる。
【００３４】
上記実施形態における配線基板３０はコア基板２０としてカーボンファイバ５と非導電性の繊維６を複合して構成した織布７を用いている。配線基板３０を構成するコア基板２０には、種々の特性が求められる。上述した、コア基板２０を低熱膨張係数として半導体素子を搭載した際に生じる半導体素子と配線基板との熱応力を低減させることもその一つである。その他に、配線基板３０の厚さを薄く形成すること、所定の強度を備えること、高周波伝送を可能とし高速演算を可能にするといった特性が求められる。
【００３５】
本発明に係る配線基板は、コア基板を構成するプリプレグを第１の繊維としてカーボンファイバ、第２の繊維として非導電性の繊維を使用する構成としたことによって、これらの組み合わせにより、所要の特性を備える配線基板として提供することが可能となる。
上記実施形態においては、第２の繊維としてアラミド繊維を使用したが、この他に、ポリエステルなどの液晶ポリマ繊維、セルロースミクロフィブリル繊維、ガラス繊維、とくに石英ガラス繊維、シンジオタクチッキポリマー等を用いることができる。
【００３６】
これらの導電性を備える第１の繊維と非導電性を備える第２の繊維を使ってプリプレグを構成する方法によれば、カーボンファイバ織布のように完全に導電性を備えたプリプレグを使用してコア部を形成した場合に、コア部が導電性を備えることによる課題、たとえば導通スルーホールをコア部に対して電気的に絶縁する、コア部と配線層との間の電気的絶縁を図るといった、構造上の煩雑さを回避することができ、配線基板を薄く形成するといったことが可能になる。
【００３７】
なお、プリプレグを構成する繊維としては、第１、第２の２種類の繊維に限らず、３種類以上の繊維を組み合わせて使用することが可能である。また、上記実施形態でコア部を構成するプリプレグに使用した織布にかえて不織布を使用することが可能である。また、プリプレグにフィラーを添加することも可能である。
（付記１）
導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着してコア部を形成する工程と、該コア部の前記第２の繊維が配置された位置に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に導体層を形成して前記第１の繊維と干渉しない配置に導通スルーホールを形成してコア基板とする工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記２）
前記コア基板の両面に配線層を積層する工程を有することを特徴とする付記１記載の配線基板の製造方法。
（付記３）
前記コア部を形成する工程において、複数枚のプリプレグを、前記導通スルーホールが通過する前記第２の繊維が配置された位置を相互に位置合わせして熱圧着することを特徴とする付記１または２記載の配線基板の製造方法。
（付記４）
前記第１の繊維がカーボンファイバであることを特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記５）
前記第２の繊維がアラミド繊維であることを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記６）
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられていることを特徴とする配線基板。
（付記７）
前記第２の繊維は、個片化された配線基板の外側面に位置することを特徴とする付記６記載の配線基板。
（付記８）
前記第１の繊維と第２の繊維は、半導体素子よりも低い熱膨張係数を有することを特徴とする付記６または７記載の配線基板。
（付記９）
前記第１の繊維は、カーボンファイバであることを特徴とする付記６記載の配線基板。
（付記１０）
前記第２の繊維はアラミド繊維であることを特徴とする付記６〜９のいずれか一項記載の配線基板。
（付記１１）
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、導通スルーホールが通過する位置に前記第２の繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記第１の繊維と干渉することなく設けられた配線基板に半導体素子が搭載され、あるいは前記配線基板をインターポーザとして半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
前記第１の繊維はカーボンファイバであり、前記第２の繊維はアラミド繊維であることを特徴とする付記１１記載の半導体装置。
（付記１３）
コア基板のコア部を構成するプリプレグであって、導電性の第１の繊維と非導電性の第２の繊維を含有し、樹脂が含浸して形成されていることを特徴とするプリプレグ。
（付記１４）
前記第２の繊維は、導通スルーホールが通過する位置に配置されていることを特徴とする付記１３記載のプリプレグ。
（付記１５）
前記第１の繊維は、カーボンファイバであることを特徴とする付記１３または１４記載のプリプレグ。
（付記１６）
前記第２の繊維は、アラミド繊維であることを特徴とする付記１３〜１５のいずれか一項記載のプリプレグ。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】コア基板の製造工程を示す断面図である。
【図２】プリプレグを構成する織布の平面図である。
【図３】織布の横糸と縦糸の配置例を示す平面図である。
【図４】配線基板の断面図である。
【図５】半導体装置の断面図である。
【図６】プリプレグを構成する織布の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３９】
７  織布
８  領域
１０  コア部
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１２  プリプレグ
１３  貫通孔
１８、２６  配線パターン
１９  導通スルーホール
２０  コア基板
２２  配線層
２６  配線パターン
３０  配線基板
４０  半導体素子
５０  半導体装置
６０  実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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