(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタが、前記半導体薄膜上に設けられたチャネル保護膜と、前記チャネル保護膜上及び前記半導体薄膜上に設けられたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に設けられた前記ソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する２つの辺を有している薄膜トランジスタパネルであって、
前記画素電極と同一の層として形成されるとともに、前記画素電極とは電気的に絶縁された導電性被覆膜を有し、
前記導電性被覆膜は、少なくとも一部が前記２つの辺に重なるように、前記ドレイン電極上に前記ドレイン電極よりも幅広に形成され、
前記オーミックコンタクト層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスクに基づいてパターニングされていて、
前記半導体薄膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスク及び前記チャネル保護膜に基づいてパターニングされていて、
前記チャネル保護膜のドレイン電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ドレイン電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記導電性被覆膜によって覆われており、前記チャネル保護膜の前記ソース電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ソース電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記画素電極によって覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項２】
前記ソース電極は、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する２つの辺を有し、
前記画素電極は、少なくとも一部がソース側導電性被覆膜として前記ソース電極における前記２つの辺に重なるように、前記ソース電極上に前記ソース電極よりも幅広に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は薄膜トランジスタパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜トランジスタには、基板の上面にゲート電極が設けられ、ゲート電極を含む基板の上面にゲート絶縁膜が設けられ、ゲート電極上におけるゲート絶縁膜の上面に真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜が設けられ、半導体薄膜の上面の所定の箇所に窒化シリコンからなるチャネル保護膜が設けられ、チャネル保護膜の上面両側及びその両側における半導体薄膜の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層が設けられ、各オーミックコンタクト層の上面にソース電極及びドレイン電極が形成され設けられ、その上に窒化シリコンからなるオーバーコート膜が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−９３４６０号公報
【０００４】
上記従来の薄膜トランジスタでは、ソース電極及びドレイン電極の幅を半導体薄膜上に直接設けられた領域の各オーミックコンタクト層の幅よりも大きくし、且つ、半導体薄膜上に直接設けられた領域の各オーミックコンタクト層をソース電極及びドレイン電極によって完全に覆っているので、その上に窒化シリコンからなるオーバーコート膜をプラズマＣＶＤ法により成膜しても、半導体薄膜上に直接設けられた領域の各オーミックコンタクト層の表面がプラズマダメージを受けることがなく、ひいてはＶｇ（ゲート電圧）−Ｉｄ（ドレイン電流）特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の薄膜トランジスタでは、ソース電極及びドレイン電極の幅を半導体薄膜上に直接設けられた領域の各オーミックコンタクト層の幅よりも大きくしているので、ソース電極及びドレイン電極を形成するためのフォトリソグラフィ工程がオーミックコンタクト層を形成するためのフォトリソグラフィ工程と別となり、フォトリソグラフィ工程数が増加するという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる上、フォトリソグラフィ工程数が増加しないようにすることができる薄膜トランジスタパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、上記目的を達成するため、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜が設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタが、前記半導体薄膜上に設けられたチャネル保護膜と、前記チャネル保護膜上及び前記半導体薄膜上に設けられたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層上に設けられた前記ソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記チャネル長方向に平行な方向に延伸する２つの辺を有している薄膜トランジスタパネルであって、
前記画素電極と同一の層として形成されるとともに、前記画素電極とは電気的に絶縁された導電性被覆膜を有し、
前記導電性被覆膜は、少なくとも一部が前記２つの辺に重なるように、前記ドレイン電極上に前記ドレイン電極よりも幅広に形成され、
前記オーミックコンタクト層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスクに基づいてパターニングされていて、
前記半導体薄膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一のマスク及び前記チャネル保護膜に基づいてパターニングされていて、
前記チャネル保護膜のドレイン電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ドレイン電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記導電性被覆膜によって覆われており、前記チャネル保護膜の前記ソース電極側の外側であって且つ前記ゲート電極上における、前記半導体薄膜、前記オーミックコンタクト層及び前記ソース電極のチャネル幅方向の両端面が、当該両端面に接触して設けられた前記画素電極によって覆われていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる上、フォトリソグラフィ工程数が増加しないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図２（Ａ）は図１のIIA−IIAに沿う断面図を示し、図２（Ｂ）は図１のIIB−IIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面には、マトリックス状に配置された複数の画素電極２と、これらの画素電極２に接続された薄膜トランジスタ３と、行方向に配置され、各薄膜トランジスタ３に走査信号（ゲート電圧）を供給する走査ライン４と、列方向に配置され、各薄膜トランジスタ３にデータ信号を供給するデータライン５とが設けられている。
【００１０】
すなわち、ガラス基板１の上面の所定の箇所にはクロムやアルミニウム系金属等からなるゲート電極６及び該ゲート電極６に接続された走査ライン４が設けられている。ゲート電極６及び走査ライン４を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜７が設けられている。ゲート電極６上におけるゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜８が設けられている。
【００１１】
半導体薄膜８の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜９が設けられている。この場合、チャネル保護膜９は、そのサイズがゲート電極６のサイズよりもある程度小さく、ゲート電極６の中央部上における半導体薄膜８の上面に設けられている。チャネル保護膜９の上面においてチャネル長Ｌ方向の両側及びその両側における半導体薄膜８の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなる一対のオーミックコンタクト層１０、１１が設けられている。各オーミックコンタクト層１０、１１の上面にはクロムやアルミニウム系金属等からなるソース電極１２及びドレイン電極１３が設けられている。
【００１２】
この場合、各オーミックコンタクト層１０、１１の周端面はソース電極１２及びドレイン電極１３の周端面と同じとなっている。すなわち、各オーミックコンタクト層１０、１１はソース電極１２及びドレイン電極１３下にのみ設けられている。半導体薄膜８の周端面はチャネル保護膜９を含む一対のオーミックコンタクト層１０、１１の周端面と同じとなっている。すなわち、半導体薄膜８はチャネル保護膜９を含む一対のオーミックコンタクト層１０、１１下にのみ設けられている。また、一対のオーミックコンタクト層１０、１１、ソース電極１２及びドレイン電極１３の相対向する一端側はチャネル保護膜９上に延出されている。
【００１３】
ゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所にはデータライン５が設けられている。データライン５は、下から順に、真性アモルファスシリコン層５ａ、ｎ型アモルファスシリコン層５ｂ、クロムやアルミニウム系金属等からなる金属層５ｃの３層構造となっている。そして、真性アモルファスシリコン層５ａ、ｎ型アモルファスシリコン層５ｂ及び金属層５ｃは、ドレイン電極１３形成領域における半導体薄膜８、オーミックコンタクト層１１及びドレイン電極１３に接続されている。
【００１４】
ソース電極１２のチャネル保護膜９側の上面及びそのチャネル幅Ｗ方向の両側におけるチャネル保護膜９とゲート絶縁膜７の上面にはＩＴＯ等からなる一方の導電性被覆膜１４が設けられている。ドレイン電極１３とその近傍のデータライン５の金属層５ｃの上面及びそのチャネル幅Ｗ方向の両側におけるチャネル保護膜９とゲート絶縁膜７の上面にはＩＴＯ等からなる他方の導電性被覆膜１５が設けられている。この場合、各導電性被覆膜１４、１５のチャネル幅Ｗ方向の幅はソース電極１２及びドレイン電極１３の同方向の幅よりも幅広とされている。また、チャネル保護膜９上に延出されたソース電極１２及びドレイン電極１３の各先端は各導電性被覆膜１４、１５に覆われていない。また、他方の導電性被覆膜１５はドレイン電極１３から該ドレイン電極１３に接続されたデータライン（ドレイン配線）５の一部に跨るように延出されている。
【００１５】
ここで、チャネル保護膜９の外側におけるゲート電極６上において、半導体薄膜８と各オーミックコンタクト層１０、１１との重合部分は、チャネル領域の外側領域であり、各オーミックコンタクト領域１６、１７を形成している。そして、一方のオーミックコンタクト領域１６における半導体薄膜８、一方のオーミックコンタクト層１０及びソース電極１２のチャネル幅Ｗ方向の両端面は、当該両端面に接触して設けられた一方の導電性被覆膜１４によって完全に覆われている。また、他方のオーミックコンタクト領域１７における半導体薄膜８、他方のオーミックコンタクト層１１及びドレイン電極１３のチャネル幅Ｗ方向の両端面は、当該両端面に接触して設けられた他方の導電性被覆膜１５によって完全に覆われている。
【００１６】
そして、ゲート電極６、ゲート絶縁膜７、半導体薄膜８、チャネル保護膜９、一対のオーミックコンタクト層１０、１１、ソース電極１２、ドレイン電極１３及び一対の導電性被覆膜１４、１５により、チャネル保護膜型でボトムゲート構造の薄膜トランジスタ３が構成されている。
【００１７】
ソース電極１２のチャネル保護膜９側とは反対側の上面及びゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等からなる画素電極２が設けられている。この場合、一方の導電性被覆膜１４は画素電極２に連続するように一体的に形成されている。画素電極２及び薄膜トランジスタ３等を含むゲート絶縁膜７の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１８が設けられている。
【００１８】
ここで、この薄膜トランジスタパネルにおける薄膜トランジスタ３では、図１においてゲート電極６の右側つまり走査ライン４と平行する方向の右側に一方のオーミックコンタクト層１０及びソース電極１２が設けられ、その反対の左側に他方のオーミックコンタクト層１１及びドレイン電極１３が設けられている。この場合、半導体薄膜８のチャネル長Ｌはチャネル保護膜９の左右方向の長さとなっており、チャネル幅Ｗはオーミックコンタクト層１０、１１の上下方向の長さとなっている。
【００１９】
ところで、この薄膜トランジスタパネルにおける薄膜トランジスタ３では、各オーミックコンタクト領域１６、１７における半導体薄膜８及び各オーミックコンタクト層１０、１１のチャネル幅Ｗ方向両端面は、ソース電極１２及びドレイン電極１３のチャネル幅Ｗ方向の幅よりも幅広とされた各導電性被覆膜１４、１５によって完全に覆われている。また、各導電性被覆膜１４、１５は、ソース電極１２及びドレイン電極１３に接続されているので、ソース電極１２及びドレイン電極１３と同電位となる。
【００２０】
この結果、各オーミックコンタクト領域１６、１７における半導体薄膜８及び各オーミックコンタクト層１０、１１には、そのチャネル幅Ｗ方向両端面も含んで、ソース電極１２及びドレイン電極１３と同電位である各導電性被覆膜１４、１５とゲート電極６との間で形成される、ガラス基板１に対して垂直方向の縦電界がかかり、これにより、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができることが確認された。なお、ゲート電極６に印加されるゲートオン電圧とゲートオフ電圧とは、その絶対値が同じであることが望ましい。
【００２１】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の上面の所定の個所に、スパッタ法により成膜されたクロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極６及び走査ライン４を形成する。次に、ゲート電極６及び走査ライン４を含むガラス基板１の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜７、真性アモルファスシリコン膜２１及び窒化シリコン膜２２を連続して成膜する。
【００２２】
次に、窒化シリコン膜２２の上面のチャネル保護膜形成領域に、塗布されたレジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、レジスト膜２３を形成する。次に、レジスト膜２３をマスクとして、窒化シリコン膜２２をエッチングすると、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、レジスト膜２３下にチャネル保護膜９が形成される。次に、レジスト膜２３を剥離する。
【００２３】
次に、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、チャネル保護膜９を含む真性アモルファスシリコン膜２１の上面に、ＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜２４を成膜し、次いで、スパッタ法により、クロム等からなる金属膜２５を成膜する。次に、金属膜２５の上面の各所定の箇所に、塗布されたレジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、レジスト膜２６ａ、２６ｂを形成する。この場合、レジスト膜２６ａはソース電極１２を形成するためのものであり、レジスト膜２６ｂはドレイン電極１３及びデータライン５を形成するためのものである。
【００２４】
次に、レジスト膜２６ａ、２６ｂ（チャネル保護膜９を含む）をマスクとして、金属膜２５、ｎ型アモルファスシリコン膜２４及び真性アモルファスシリコン膜２１を順次エッチングすると、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すようになる。すなわち、レジスト膜２６ａ下にソース電極１２及びオーミックコンタクト層１０が形成され、レジスト膜２６ｂ下にドレイン電極１３及びオーミックコンタクト層１１が形成され、両オーミックコンタクト層１０、１１及びチャネル保護膜９下に半導体薄膜８が形成される。また、レジスト膜２６ｂ下に金属膜５ｃ、ｎ型アモルファスシリコン膜５ｂ及び真性アモルファスシリコン膜５ａからなる３層構造のデータライン５が形成される。次に、レジスト膜２６ａ、２６ｂを剥離する。
【００２５】
この場合、レジスト膜２６ａ、２６ｂ（チャネル保護膜９を含む）をマスクとして、金属膜２５、ｎ型アモルファスシリコン膜２４及び真性アモルファスシリコン膜２１を順次エッチングして、ソース電極１２、ドレイン電極１３、一対のオーミックコンタクト層１０、１１及び半導体薄膜８を形成しているので、ソース電極１２及びドレイン電極１３を一対のオーミックコンタクト層１０、１１及び半導体薄膜８と別のフォトリソグラフィ工程で形成する場合と比較して、フォトリソグラフィ工程数を少なくすることができる。
【００２６】
なお、ソース電極１２及びドレイン電極１３を形成した後に、レジスト膜２６ａ、２６ｂを剥離し、次いで、ソース電極１２及びドレイン電極１３（チャネル保護膜９を含む）をマスクとして、ｎ型アモルファスシリコン膜２４及び真性アモルファスシリコン膜２１を順次エッチングして、一対のオーミックコンタクト層１０、１１及び半導体薄膜８を形成するようにしてもよい。
【００２７】
次に、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ソース電極１２、ドレイン電極１３及びデータライン５を含むゲート絶縁膜７の上面に、スパッタ法により、ＩＴＯからなる画素電極形成用膜２７を成膜する。次に、画素電極形成用膜２７の上面の各所定の箇所に、塗布されたレジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、レジスト膜２８ａ、２８ｂを形成する。この場合、レジスト膜２８ａは画素電極２及び一方の導電性被覆膜１４を形成するためのものであり、レジスト膜２８ｂは他方の導電性被覆膜１５を形成するためのものである。
【００２８】
次に、レジスト膜２８ａ、２８ｂをマスクとして画素電極形成用膜２７をエッチングすると、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すようになる。すなわち、レジスト膜２８ａ下に画素電極２及び一方の導電性被覆膜１４が形成され、レジスト膜２８ｂ下に他方の導電性被覆膜１５が形成される。この場合、一対の導電性被覆膜１４、１５は、画素電極２と同一の材料によって画素電極２の形成と同時に形成しているので、フォトリソグラフィ工程数が増加しないようにすることができる。
【００２９】
また、この状態では、一方の導電性被覆膜１４下のソース電極１２、オーミックコンタクト層１０及び半導体薄膜８のチャネル幅Ｗ方向の両端面は、一方の導電性被覆膜１４によって完全に覆われている。また、他方の導電性被覆膜１５下のドレイン電極１３、オーミックコンタクト層１１及び半導体薄膜８のチャネル幅Ｗ方向の両端面は、他方の導電性被覆膜１５によって完全に覆われている。
【００３０】
次に、レジスト膜２８ａ、２８ｂを剥離する。次に、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、画素電極２等を含むゲート絶縁膜７の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１８を成膜する。かくして、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。
【００３１】
（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図１０（Ａ）は図９のＸA−ＸAに沿う断面図を示し、図１０（Ｂ）は図９のＸB−ＸBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極２及び一方の導電性被覆膜１４をオーバーコート膜１８の上面に該オーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール１９を介してソース電極１２に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜１５をオーバーコート膜１８の上面に該オーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール２０を介してドレイン電極１３に接続させて設けた点である。
【００３２】
（第３実施形態）
図１１はこの発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図１２（Ａ）は図１０のXIIA−XIIAに沿う断面図を示し、図１２（Ｂ）は図１１のXIIB−XIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと大きく異なる点は、薄膜トランジスタ３をチャネルエッチ型とした点である。
【００３３】
すなわち、この薄膜トランジスタパネルにおける薄膜トランジスタ３では、チャネル保護膜９を備えておらず、ゲート絶縁膜７の上面の所定の箇所に平面ほぼ十字形状に設けられた比較的厚めの半導体薄膜８の上面において、一対のオーミックコンタクト層１０、１１下以外の領域に凹部８ａが形成されている。
【００３４】
また、この薄膜トランジスタ３では、各オーミックコンタクト領域１６、１７がソース電極１２及びドレイン電極１３のゲート電極６側の端面までとなるので、これらの端面の部分を各導電性被覆膜１４、１５で覆うようにする。なお、この場合の薄膜トランジスタ３はチャネルエッチ型であるので、チャネル長Ｌを上記第１実施形態の場合よりもある程度短くすることが可能となる。
【００３５】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について簡単に説明する。まず、ゲート絶縁膜７の上面に比較的厚く成膜された真性アモルファスシリコン膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして比較的厚い半導体薄膜８を平面ほぼ十字状に形成し、この半導体薄膜８を含むゲート絶縁膜７の上面に連続して成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜及び金属膜をフォトリソグラフィ法により順次パターニングしてソース電極１２、ドレイン電極１３及び一対のオーミックコンタクト層１０、１１を形成する。この場合、一対のオーミックコンタクト層１０、１１下以外の領域における半導体薄膜８の上面には、オーバーエッチングにより、凹部８ａが形成される。
【００３６】
次に、ソース電極１２及びドレイン電極１３等を含むゲート絶縁膜７の上面に成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして画素電極２及び一対の導電性被覆膜１４、１５を形成する。したがって、この場合も、フォトリソグラフィ工程数が増加することはない。なお、半導体薄膜８を形成するためのそれ専用のフォトリソグラフィ工程が必要となるが、チャネル保護膜を形成するためのフォトリソグラフィ工程が不要となるので、全体としてのフォトリソグラフィ工程数が増加することはない。
【００３７】
（第４実施形態）
図１３はこの発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図１４（Ａ）は図１３のXIVA−XIVAに沿う断面図を示し、図１４（Ｂ）は図１３のXIVB−XIVBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１１及び図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、画素電極２及び一方の導電性被覆膜１４をオーバーコート膜１８の上面に該オーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール１９を介してソース電極１２に接続させて設け、且つ、他方の導電性被覆膜１５をオーバーコート膜１８の上面に該オーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール２０を介してドレイン電極１３に接続させて設けた点である。
【００３８】
（第５実施形態）
図１５はこの発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図１６（Ａ）は図１５のXVIA−XVIAに沿う断面図を示し、図１６（Ｂ）は図１５のXVIB−XVIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜１４を省略した点である。
【００３９】
なお、図１及び図２（Ａ）、（Ｂ）に示す場合において、他方の導電性被覆膜１５を省略してもよい。また、図９及び図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す場合において、一対の導電性被覆膜１４、１５のうちのいずれか一方を省略してもよい。また、図１１及び図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す場合において、一対の導電性被覆膜１４、１５のうちのいずれか一方を省略してもよい。さらに、図１３及び図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す場合において、一対の導電性被覆膜１４、１５のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００４０】
（第６実施形態）
図１７はこの発明の第６実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示し、図１８（Ａ）は図１７のXVIIIA−XVIIIAに沿う断面図を示し、図１８（Ｂ）は図１７のXVIIIB−XVIIIBに沿う断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図９及び図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、一方の導電性被覆膜１４を省略し、他方の導電性被覆膜１５をドレイン電極１３に接続させずにオーバーコート膜１８の上面に島状に設けた点である。すなわち、ドレイン電極１３上におけるオーバーコート膜１８にコンタクトホール２０を形成することがレイアウト的に困難な場合には、他方の導電性被覆膜１５をドレイン電極１３に電気的に接続させずにオーバーコート膜１８の上面に島状に設けるようにしてもよい。
【００４１】
この場合、他方の導電性被覆膜１５は島状であってドレイン電極１３と電気的に絶縁されているが、オーバーコート膜１８を介してドレイン電極１３と対向する部分において容量結合による縦電界が形成され、且つ、オーバーコート膜１８及びゲート絶縁膜７を介してゲート電極６と対向する部分において容量結合による縦電界が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】この発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図２】（Ａ）は図１のIIA−IIAに沿う断面図、（Ｂ）は図１のIIB−IIBに沿う断面図。
【図３】第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例における当初の工程を説明するために示すものであって、（Ａ）は図１同様の透過平面図、（Ｂ）はそのIIIB−IIIBに沿う断面図。
【図４】（Ａ）は図３に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのIVB−IVBに沿う断面図。
【図５】（Ａ）は図４に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのＶB−ＶBに沿う断面図。
【図６】（Ａ）は図５に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのVIB−VIBに沿う断面図。
【図７】（Ａ）は図６に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのVIIB−VIIBに沿う断面図。
【図８】（Ａ）は図７に続く工程の透過平面図、（Ｂ）はそのVIIIB−VIIIBに沿う断面図。
【図９】この発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図１０】（Ａ）は図９のＸA−ＸAに沿う断面図、（Ｂ）は図９のＸB−ＸBに沿う断面図。
【図１１】この発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図１２】（Ａ）は図１１のXIIA−XIIAに沿う断面図、（Ｂ）は図１１のXIIB−XIIBに沿う断面図。
【図１３】この発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図１４】（Ａ）は図１３のXIVA−XIVAに沿う断面図、（Ｂ）は図１３のXIVB−XIVBに沿う断面図。
【図１５】この発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図１６】（Ａ）は図１５のXVIA−XVIAに沿う断面図、（Ｂ）は図１５のXVIB−XVIBに沿う断面図。
【図１７】この発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図１８】（Ａ）は図１７のXVIIIA−XVIIIAに沿う断面図、（Ｂ）は図１７のXVIIIB−XVIIIBに沿う断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１  ガラス基板
２  画素電極
３  薄膜トランジスタ
４  走査ライン
５  データライン
６  ゲート電極
７  ゲート絶縁膜
８  半導体薄膜
９  チャネル保護膜
１０、１１  オーミックコンタクト層
１２  ソース電極
１３  ドレイン電極
１４、１５  導電性被覆膜
１６、１７  オーミックコンタクト領域
１８  オーバーコート膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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