(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に被加熱物を載置する第１セラミックス焼結体からなるプレート部と、
前記プレート部の下面に接合されたシャフト部とからなるセラミックスヒータであって、
前記シャフト部は、
前記プレート部の下面に一端が直接接合され、前記第１セラミックス焼結体と同じ組成のセラミックス焼結体からなる筒形状の第１部材と、
該第１部材の他端に直接接合され、前記プレート部より熱伝導率が低い第２セラミックス焼結体からなる筒形状の第２部材
とを有し、
前記第１部材は、前記一端と前記他端の間で筒形状の径方向において外に向かって凸の曲率を有し、前記一端から前記他端に向かって直径が減少することを特徴とするセラミックスヒータ。
【請求項２】
前記一端に、前記第１部材を前記プレート部にホットプレス法により接合するためのフランジが設けられ、前記他端に、前記第１部材を第２部材にホットプレス法により接合するためのフランジが設けられたことを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒータ。
【請求項３】
前記第１部材及び第２部材が、肉厚が７ｍｍ〜８ｍｍの厚肉円筒状であることを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒータ。
【請求項４】
前記第１セラミックス焼結体が、イットリアを添加物として２重量％〜１０重量％含む窒化アルミニウムであり、前記第２セラミックス焼結体は、純度が９９％以上の窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックスヒータ。
【請求項５】
前記第１部材は、高さが３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックスヒータ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミックスヒータの製造方法であって、
上面に被加熱物を載置する第１セラミックス焼結体からなるプレート部を形成する工程と、
前記第１セラミックス焼結体と同じ組成のセラミックス焼結体からなる筒形状の第１部材を形成する工程と、
前記プレート部より熱伝導率が低い第２セラミックス焼結体からなる筒形状の第２部材を形成する工程と、
前記第１部材の他端に前記第２部材の一端をホットプレスにより接合する工程と、
前記第１及び第２部材を接合した後に、前記プレート部の下面に前記第１部材の一端をホットプレスにより接合する工程
とを含むことを特徴とするセラミックスヒータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造装置に用いるセラミックスヒータ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶装置等の電子装置の製造工程において、化学気相成長（ＣＶＤ）、表面改質等の高温処理が用いられている。例えば、ＣＶＤにおいては、ＣＶＤ装置の反応室に設けられたセラミックスヒータ上に被処理物の基板を載置する。基板はセラミックスヒータにより約５００℃以上の高温に加熱され、基板上に半導体膜や絶縁膜の成膜が行なわれる。
【０００３】
セラミックスヒータは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製の平板状のプレート部の下面に筒状のシャフト部を接合することで製造されている(特許文献１参照。)。プレート部には、発熱体が埋め込まれる。プレート部の上面が基板の載置面となる。セラミックスヒータは、反応室にシャフト部により固定される。
【０００４】
プレート部には、均熱性をよくするために、ＡｌＮに添加物を添加した熱伝導率の高い材料が用いられる。一方、セラミックスヒータではプレート部の熱がシャフト部を伝わり逃げていく。そのため、シャフト部が接合された領域近傍にクールスポットが形成され、プレート部上面の均熱性が劣化する。シャフト部を介しての放熱を防ぐために、シャフト部ではプレート部よりも熱伝導率の低い、高純度の窒化アルミニウムを材料として用いている。
【０００５】
このように、プレート部及びシャフト部に純度の異なるＡｌＮを用いることにより、シャフト部を介しての放熱を低減することができ、プレート部上面の均熱性の劣化を防止できる。
【特許文献１】特許第２７８３９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近、従来より高温で長時間過酷な状況でセラミックヒーターを使用したいとの要望が高まっている。しかしながら、このようなセラミックスヒータを高温で長時間使用すると、プレート部とシャフト部の接合部近傍の強度が低下する。その結果、セラミックスヒータの耐久性が劣化し、過大な荷重がかかると破損する場合があることが判明した。
【０００７】
本発明の目的は、このような強度の劣化を抑制可能なセラミックスヒータ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、（イ）上面に被加熱物を載置する第１セラミックス焼結体からなるプレート部と、（ロ）プレート部の下面に接合されたシャフト部とからなるセラミックスヒータであって、（ハ）前記シャフト部は、プレート部の下面に一端が接合され、第１セラミックス焼結体と同じ組成のセラミックス焼結体からなる第１部材と、（ニ）第１部材の他端に接合され、プレート部より熱伝導率が低い第２セラミックス焼結体からなる第２部材とを有するセラミックスヒータが提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、（イ）上面に被加熱物を載置する第１セラミックス焼結体からなるプレート部を形成する工程と、（ロ）第１セラミックス焼結体と同じ組成のセラミックス焼結体からなる筒形状の第１部材を形成する工程と、（ハ）プレート部より熱伝導率が低い第２セラミックス焼結体からなる筒形状の第２部材を形成する工程と、（二）第１部材の他端に第２部材の一端をホットプレスにより接合する工程と、（ホ）第１及び第２部材を接合した後に、プレート部の下面に第１部材の一端をホットプレスにより接合する工程とを含むセラミックスヒータの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、加熱による接合部の強度の劣化を抑制可能なセラミックスヒータ及びその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１２】
本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータは、図１及び図２に示すように、プレート部１０、シャフト部１２、発熱体１８等を備える。プレート部１０の内部に、発熱体１８が埋め込まれる。シャフト部１２は、第１部材１４及び第２部材１６を備える。
【００１３】
プレート部１０は、例えば被加熱物が円形の半導体基板であれば円板形状である。被加熱物は、プレート部１０の上面に載置され、プレート部１０に埋め込まれた発熱体１８により加熱される。発熱体１８には、電極端子（図示省略）が接続される。なお、セラミックスヒータは、円板形状に限定されず、例えば、多角形状であってもよい。
【００１４】
セラミックスヒータは、ＣＶＤ装置等の反応室（図示省略）に筒形状のシャフト部１２により固定される。シャフト部１２の第１部材１４の一端には、第１部材１４をプレート部１０の下面に接合するためのフランジ２０が設けられる。第１部材１４の他端には、第２部材１６が接合されるフランジ２２が設けられる。第１部材１４は、一端のフランジ２０から他端のフランジ２２の間で筒形状の径方向において外に向かって凸の曲率を有し、フランジ２０からフランジ２２に向かって直径が減少する「はかま」形状を有する。第２部材１６の一端には、フランジ２２に接合されるフランジ２４が設けられる。第２部材１６の他端には、反応室（図示省略）に固定するためのフランジ２６が設けられる。第２部材１６は、一端のフランジ２４から他端のフランジ２６に向かって直径が略同一の円筒形状を有する。
【００１５】
プレート部１０の直径は、例えば、２００ｍｍ〜３００ｍｍである。シャフト部１２の高さは、２００ｍｍである。第１部材１４の両端間の距離を高さＨとする。第１部材１４のフランジ２０側の外径Ｄａは、例えば、６０ｍｍである。フランジ２２の外径Ｄｂとフランジ２４の外径Ｄｃは、略同一である。第２部材１６の中央部の内径Ｄｄ及び外径Ｄｅは、それぞれ３６ｍｍ及び４５ｍｍである。なお、上記した第１及び第２部材１４、１６の各寸法は、限定されず、適宜変更可能である。
【００１６】
プレート部１０及びシャフト部１２として、同じ組成のＡｌＮセラミックス焼結体が用いられる。例えば、プレート部１０及び第１部材１４には、イットリア（Ｙ2Ｏ3）を添加物として２重量％〜１０重量％、望ましくは４重量％〜６重量％含有するＡｌＮセラミックス焼結体（第１セラミックス焼結体）が用いられる。なお、添加物として、Ｓｍ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｙｂ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ等のＡｌＮの焼結助剤として一般に用いられる金属酸化物を用いてもよい。第２部材１６には、純度が９９％以上のＡｌＮセラミックス焼結体（第２セラミックス焼結体）が用いられる。
【００１７】
発熱体１８として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ(Ｎｂ)等の高融点金属、又は炭化タングステン（ＷＣ）等の高融点金属炭化物等の導電材料が用いられる。発熱体１８は、コイル状や、メッシュ、スクリーン印刷体、あるいは箔等の平面型形状が用いられる。
【００１８】
例えば、Ｙ2Ｏ3を５重量％含有するＡｌＮ、及び純度が９９％のＡｌＮの熱伝導率は、それぞれ１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）及び５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。プレート部１０は、熱伝導率が大きなセラミックス焼結体を用いているので、均熱性をよくすることが可能である。一方、第２部材１６は、熱伝導率の低いセラミックス焼結体を用いているので、シャフト部１２を介しての放熱を抑制することができる。その結果、プレート部１０の均熱性は従来のセラミックスヒータと比べ遜色ない。
【００１９】
また、第１部材１４には、プレート部１０と同様にＹ2Ｏ3を含有するＡｌＮセラミックス焼結体が用いられる。ＣＶＤ等の６００℃以上の高温処理時に、プレート部１０とフランジ２０の接合部の近傍が高温に曝される。接合部の近傍の領域では、濃度勾配は無いため、Ｙ2Ｏ3の拡散を抑制することができる。また、第１及び第２部材１４、１６の接合部であるフランジ２２、２４は、プレート部１０から離れた位置にあり、高温処理時においても比較的低温に保たれる。その結果、第１部材１４から第２部材１６へのＹ2Ｏ3の拡散を抑制することができ、接合部の強度の劣化を防止することが可能となる。
【００２０】
次に、図１及び図２に示したセラミックスヒータの製造方法を、図３及び図４を用いて説明する。
【００２１】
（イ）まず、プレート部１０をホットプレス焼成により作製する。第１及び第２部材１４、１６それぞれのセラミックス成形体を、冷間静水圧（ＣＩＰ）成形により形成し、焼成する。プレート部１０及び第１部材１４には、Ｙ2Ｏ3を添加物として、例えば５重量％含有するＡｌＮが用いられる。第２部材１６には、純度が９９％のＡｌＮが用いられる。
【００２２】
（ロ）図３に示すように、第１部材１４のフランジ２２に第２部材１６のフランジ２４をホットプレスにより接合して、シャフト部１２を形成する。ホットプレスは、温度が１５００℃〜２５００℃、圧力が４０ｋＰａ〜６０ｋＰａの条件で、図３に矢印で示したように、突き合わせたフランジ２２、２４をフランジ面を合わせて図示しない黒鉛冶具で挟むように押圧することにより実施される。
【００２３】
（ハ）図４に示すように、第１部材１４のフランジ２０をプレート部１０の下面にホットプレスにより接合する。ホットプレスは、温度が１５００℃〜２５００℃、圧力が４０ｋＰａ〜６０ｋＰａの条件で、図４に矢印で示したように、フランジ２０及びプレート部上面を図示しない黒鉛冶具で挟むように押圧することにより実施される。このようにして、図１及び図２に示したセラミックスヒータが製造される。
【００２４】
製造されたセラミックスヒータのシャフト部１２の形状の変化が、形状評価装置により評価されている。また、セラミックスヒータに対して、大気中で８００℃、５０００時間の加熱処理が施され、接合強度が引張強度試験により測定されている。
【００２５】
なお、図５に示すように、Ｙ2Ｏ3を添加物として５重量％含有するＡｌＮセラミックス成形体からなるプレート部１０、及び純度が９９％のＡｌＮセラミックス焼結体からなるシャフト部１２ａを備えるセラミックスヒータが、比較例として用いられる。比較例においては、シャフト部１２ａは一体焼結体で、高さＨのはかま形状の第１シャフト部１４ａ及び円筒形状の第２シャフト部１６ａを備える。シャフト部１２は、第１シャフト部１４ａのフランジ２０によりプレート部１０に接合される。
【００２６】
図６の表には、Ｙ2Ｏ3を添加物として含有する第１部材１４の高さＨを３０ｍｍ〜７０ｍｍの範囲で変化させて製造した実施例１〜５の接合強度を評価した結果が示されている。Ｙ2Ｏ3を添加物として含有するセラミックス焼結体がないシャフト部１２ａを備える比較例では、加熱試験前後の初期強度及び試験後強度は、それぞれ３００ＭＰａ及び１００ＭＰａである。
【００２７】
比較例のセラミックスヒータで高温長期間の使用で劣化した接合部近傍を詳細に観察したところ、プレート部１０からシャフト部１２ａへ焼結助剤のＹ2Ｏ3の拡散が生じていると考えられ、ＡｌＮ中の粒界に沿って原子拡散による物質移動に伴うボイド化が起こっているようである。特に空気中で劣化が激しいことから、酸素の拡散が影響しているものと考えられる。拡散はプレート部１０とシャフト部１２ａのＹ2Ｏ3の濃度が異なるために生じていると考えられる。
【００２８】
一方、第１部材を備える実施例１〜５においては、初期強度及び試験後強度は、それぞれ４３０ＭＰａ〜４６０ＭＰａの範囲及び２１０ＭＰａ〜４４０ＭＰａと、劣化の割合が比較例に比べて著しく小さい。実施例１〜５では、初期強度には大きな差は見られないが、試験後強度は第１部材１４の高さＨの増加と共に増加し、例えば高さＨが７０ｍｍの実施例５においては、試験後強度は４４０ＭＰａと初期強度と同程度の値を示している。即ち、第１部材１４の高さＨは増加させる方が、加熱処理による接合強度の劣化をより効果的に防止できることが判る。しかし、シャフト部の高さ２００ｍｍに対して、第１部材１４の高さＨを１２０ｍｍ以上にすると、シャフト部１２を通しての放熱が増加してプレート部１０の均熱性が劣化してしまう。したがって、第１部材１４の高さＨとして、３０ｍｍ〜１２０ｍｍの範囲、好ましくは５０ｍｍ〜７０ｍｍの範囲が望ましい。
【００２９】
上記のセラミックスヒータにおいては、プレート部１０と実質的に同一の純度のＡｌＮセラミックス焼結体からなる第１部材１４を用いて説明している。しかし、図５に示した一体焼結体からなるシャフト部１２ａにおいて、ＡｌＮの純度を傾斜させた第１シャフト部１４ａを用いてもよい。プレート部１０及び第２シャフト部１６ａのＡｌＮセラミックス焼結体の純度を、それぞれ９５％（Ｙ2Ｏ3を５重量％含有）及び９９％とする。第１シャフト部１４ａの高さＨを７０ｍｍとして、第１シャフト部１４ａにおいて、プレート部１０側を９５％、第２シャフト部１６ａ側を９９％として、その間を純度差４％以下の刻み幅で等間隔に純度を傾斜させる。図７の表には、ＡｌＮセラミックス成形体の純度を刻み幅４％、２％、１％、及び０．５％で等間隔に傾斜させた実施例６〜９の接合強度が示されている。
【００３０】
図７に示すように、実施例６〜９の初期強度及び試験後強度は、それぞれ３４０ＭＰａ〜３９０ＭＰａ及び３００ＭＰａ〜３５０ＭＰａと比較例に比べて増加している。純度の刻み幅を小さくしたほうが初期強度及び試験後強度共に大きな値を示している。また、加熱試験による劣化も４０ＭＰａと比較的小さい。
【００３１】
図８の表には、図２に示したフランジ２２の外径Ｄｂとフランジ２４の外径Ｄｃのフランジ外径差（Ｄｂ−Ｄｃ）を変化させた場合の接合強度が示されている。フランジ外径差（Ｄｂ−Ｄｃ）が、−５ｍｍ、−２ｍｍ、２ｍｍ、及び５ｍｍの実施例１０〜１３の初期強度及び試験後強度は、フランジ外径差（Ｄｂ−Ｄｃ）がほぼ０の実施例５よりは低いが、それぞれ４００ＭＰａ〜３７０ＭＰａ及び３８０ＭＰａ〜３５０ＭＰａと比較例に比べて増加している。また、第２部材１６のフランジ２４の外径を第１部材１４のフランジ２２より小さくすると、接合強度の低下が若干大きいことがわかる。このように、フランジ２２、２４の外径差は、小さい方が望ましく、更に、フランジ２４の外径をフランジ２２より小さくしない方が望ましい。
【００３２】
図９の表には、ホットプレス処理において、接合順番及び押圧場所を変えて接合強度及びシャフト部１２の変形の有無を評価した結果が示されている。実施例５及び１４では、先に第１部材１４と第２部材１６を接合し、実施例１５及び１６では、先にプレート部１０と第１部材１４を接合している。また、後に接合する対象の部材に対して、実施例５及び１５では、接合対象のフランジを押圧し、実施例１４及び１６では、接合対象のフランジに対向する端面のフランジを押圧している。
【００３３】
図９に示すように、実施例５及び１４〜１６のいずれも比較例より接合強度が大きい。接合順番については、先に第１部材１４と第２部材１６とを接合した方が初期強度及び試験後強度共に若干大きくなることがわかる。先に第１部材１４と第２部材１６とを接合する場合、接合対象のフランジを押圧した方がよいことがわかる。一方、先にプレート部１０と第１部材１４を接合した実施例１５及び１６では、押圧場所に対する依存性は小さいことがわかる。また、実施例１４及び１６では、接合順番が後のホットプレス処理においてフランジ２６の端面が押圧されるため、シャフト部１２の変形が生じている。また、実施例１５においては、接合順番が後の第１部材１４と第２部材１６の接合の際、プレート部１０とフランジ２４を押圧場所としているため、はかま形状の第１部材１４に変形が生じている。このように、第１及び第２部材１４、１６を先に接合する手順が望ましく、押圧場所は接合対象のフランジとすることが望ましい。
【００３４】
上記の説明においては、図２に示したはかま形状のシャフト部１２を用いているが、シャフト部の形状は限定されない。例えば、図１０に示すように、円筒形状の第１部材１４ｂと円筒形状の第２部材１６を備える寸胴形状のシャフト部１２ｂであってもよい。第１部材１４ｂは、プレート部１０に接合されるフランジ２０と、第２部材１６のフランジ２４に接合されるフランジ２２を備える。第１及び第２部材１４ｂ、１６の円筒部の肉厚は４ｍｍ〜５ｍｍである。また、図１１に示すように、厚肉円筒状の第１及び第２部材１４ｃ、１６ｃを備える太形状のシャフト部１２ｃを用いてもよい。第１及び第２部材１４ｃ、１６ｃの肉厚は、例えば７ｍｍ〜８ｍｍと厚く、両端にはフランジは設けられていない。このシャフト部１２ｃは、第１及び第２部材１４ｃ、１６ｃの肉厚の円筒部の端面からプレート部１０に向かう細い貫通孔を、強度を損なうことなく設けることができ、真空チャックの用途に適した構造である。
【００３５】
図１２の表には、シャフト種類として、はかま形状、寸胴形状及び太形状のシャフト部１２、１２ｂ、１２ｃを有する実施例５、１７及び１８それぞれの接合強度及びシャフト部の変形を評価した結果を示している。実施例５及び１７のホットプレス処理での押圧場所は、接合対象のフランジである。実施例１８では、第１及び第２部材１４ｃ、１６ｃそれぞれの端面が押圧場所となる。
【００３６】
図１２に示すように、いずれのシャフト種類であっても、比較例に比べて接合強度は大きい。また、シャフト種類としては実施例５のはかま形状が強度が最大であり、実施例１７の寸胴形状、実施例１８の太形状の順に強度が若干低下している。シャフトの変形は、実施例５、１７、１８のいずれも見られない。端面を押圧場所とする実施例１８では、第１及び第２部材１４ｃ、１６ｃが肉厚の円筒部材を用いているため、ホットプレスによるシャフト部１２ｃの変形を防止することが可能となる。
【００３７】
また、第１及び第２部材１４、１６の接合に際し、平面で接触するフランジ２２及び２４の代わりに、部材間の位置ずれを防止するためにシャフト部１２の接合形状として、テーパや段差を設けてもよい。図１３に示すように、第１部材１４のフランジ２２ａと第２部材１６のフランジ２４ａ間の接合面をテーパ角αで傾斜させて第１及び第２部材１４、１６が接合される。図１４に示すように、第１部材１４のフランジ２２ｂの内側が外側より凹むようにフランジ２２ｂ、２４ｂのそれぞれの接合面に段差Ｓａを設けて第２部材１４、１６が接合される。図１５に示すように、第１部材１４のフランジ２２ｂの外側が内側より凹むようにフランジ２２ｃ、２４ｃのそれぞれの接合面に段差Ｓｂを設けて第２部材１４、１６が接合される。
【００３８】
図１６の表には、シャフト部１２の接合形状が、テーパ形状の実施例１９〜２１、段差Ｓａの実施例２２、及び段差Ｓｂの実施例２３それぞれに対する接合強度の評価結果が示されている。実施例１９〜２１のテーパ角αは、それぞれ５°、１０°、及び１５°である。
【００３９】
図１６に示すように、テーパ角αが大きくなると、接合強度は低下する。テーパ角αが１５°の実施例２１では、初期強度が比較例と同程度の値となっているが、試験後強度の低下は比較例に比べて抑制されていることがわかる。実施例２２、２３の結果から、段差Ｓａの方が段差Ｓｂよりも接合強度が大きいことがわかる。接合形状が平面の実施例５の接合強度が最も高くなっている。したがって、シャフト部１２の接合形状がテーパの場合は、テーパ角αを小さく、接合形状が段差の場合は、段差を小さくすることが望ましい。
【００４０】
このように、本発明の実施の形態では、プレート部１０とプレート部１０に接合される第１部材１４にＹ2Ｏ3を添加物として含有するＡｌＮセラミックス焼結体を用い、反応室に固定される第２部材１６には９９％以上の純度のＡｌＮセラミックス焼結体を用いている。したがって、プレート部１０を高温に加熱する際、プレート部１０とシャフト部１２の接合部が高温に曝されても、接合部の強度劣化を防止することができる。また、第１及び第２部材１４、１６の接合部は比較的低温に保持されるため、接合部の強度劣化はほとんど生じない。更に、第２部材１６の熱伝導率は、プレート部１０及び第１部材１４に比べて小さい。そのため、シャフト部１２を通しての放熱を抑制することができる。このように、本発明の実施の形態によれば、セラミックスヒータの良好な均熱性が得られ、高温での加熱による接合部の強度の劣化を防止することが可能となる。
【００４１】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの一例を示す平面図である。
【図２】図１に示したセラミックスヒータのＡ−Ａ断面を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの製造方法の一例を示す断面図（その１）である。
【図４】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの製造方法の一例を示す断面図（その２）である。
【図５】比較例によるセラミックスヒータの一例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の一例を示す表である。
【図７】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の他の例を示す表である。
【図８】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の他の例を示す表である。
【図９】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の他の例を示す表である。
【図１０】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの他の例を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの他の例を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の他の例を示す表である。
【図１３】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの他の例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの他の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの他の例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態に係るセラミックスヒータの評価結果の他の例を示す表である。
【符号の説明】
【００４３】
１０…プレート部
１２…シャフト部
１４…第１部材
１６…第２部材
２０、２２、２４、２６…フランジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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