(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップ線路からなる信号電極と、該信号電極に接続する電源供給用の第１のバイアス電極と、前記信号電極の一方の端部に配置されたオープンスタブ線路と、該オーブンスタブ線路近傍で前記信号電極を挟んで配置された２つの第１の表面接地電極と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された裏面接地電極と、前記２つの第１の表面接地電極と該裏面接地電極とをそれぞれ接続する前記誘電体基板を貫通する２つの第１のヴィアホールと、前記信号電極の他方の端部に配置された発振信号の出力部と、
底面の中央に形成されたアノード又はカソードのいずれか一方の電極と、前記底面の両側に形成された他方の電極とを備え、前記一方の電極を前記信号電極に接続すると共に前記他方の電極を前記表面接地電極にそれぞれ接続した表面実装型のガンダイオードと、
前記オープンスタブ線路と高周波的に結合する伝送線路と、該伝送線路に接続する第２の表面接地電極と、該第２の表面接地電極と前記裏面接地電極とを接続する前記誘電体基板を貫通する第２のヴィアホールと、前記伝送線路近傍に配置されたバックオープンスタブと、該バックオープンスタブに接続する変調電圧印加用の第２のバイアス電極と、アノード又はカソードのいずれか一方の電極を前記伝送線路に接続すると共に他方の電極を前記バックオープンスタブにそれぞれ接続したバラクタダイオードとからなるバラクタダイオード変調回路とを具備したガンダイオード電圧制御発振器において、
前記バラクタダイオード変調回路を２つ備え、
該２つのバラクタダイオード変調回路は、印加する変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が大きくなり、さらに印加する変調電圧を大きくしたとき、変調増加幅が小さくなる変調特性を有し、
前記２つのバラクタダイオード変調回路の一方は、印加する前記変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が大きくなる電圧範囲で、前記変調電圧を印加し、他方は、印加する前記変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が小さくなる電圧範囲で、前記変調電圧を印加することにより、発振周波数を変調することを特徴とするガンダイオード電圧制御発振器。
【請求項２】
請求項１記載のガンダイオード電圧制御発振器において、
前記オープンスタブ線路と高周波的に結合する前記伝送線路の幅が、前記バラクタダイオード変調回路ごとに異なることを特徴とするガンダイオード電圧制御発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波やミリ波用のガンダイオードを用いた発振器に係り、変調幅を広げると共に変調特性の線形性の改善を図ったガンダイオード電圧制御発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８にマイクロ波やミリ波帯の発振器に用いられるメサ型構造のガリウム砒素（ＧａＡｓ）表面実装型のガンダイオード２００の表面図（ａ）および断面図（ｂ）を示す。高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板２２上に、ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる第１の半導体層２３、低濃度ｎ型ＧａＡｓからなる活性層２４、高濃度ｎ型ＧａＡｓからなる第２の半導体層２５が順次積層され、電子の走行空間の面積を小さくするため、メサ型構造となっている。２６は絶縁体、２７はアノード電極、２８はカソード電極、２９は導電性突起によるアノードバンプ、３０は導電性突起によるカソードバンプである。絶縁体２６は、上面から活性層２４と第１の半導体層２３の境までボロン注入により筒形状に形成され、アノード電極２７をカソード電極２８から分離し、この絶縁体２６により囲まれた内側の活性層２４及び第２の半導体層２５によりガンダイオードの機能部が形成されている。図８では絶縁体２６により囲まれた筒状の部分が６個形成され、６個のアノード電極２７の下層に各々ガンダイオード機能部が形成されている。また、アノードバンプ２９は６個のアノード電極２７の全ての上面に各々形成されており、カソードバンプ３０はカソード電極２８上面の両側にアノードバンプ２９の一群を両側から挟むように片側に３個ずつ合計で６個形成されている。この種の表面実装型のガンダイオードは、特許文献１に開示されている。
【０００３】
また、上記のような表面実装型のガンダイオードの他に、第１の半導体層２３、活性層２４及び第２の半導体層２５からなるガンダイオードの機能部をもち、カソード電極を半導体基板側に形成し、そのガンダイオード素子をピル型パッケージに組み立てて、ピル型ガンダイオードとしても用いられている場合もある。
【０００４】
図９は、図８のガンダイオード２００をマイクロストリップ線路で構成された発振回路１００に搭載して構成したガンダイオード電圧制御発振器の一部断面図である。図１０はマイクロストリップ線路で構成されたガンダイオード電圧制御発振器の全体斜視図である。発振回路１００は、誘電体基板１１の上面にマイクロストリップ線路で構成された出力用の信号線路１２と共振器を構成するオープンスタブ線路１７が形成され、そのオープンスタブ線路１７を両側から挟むように２個のガンダイオード用の表面接地電極１３を形成すると共に、裏面に裏面接地電極１４を形成し、各表面接地電極１３と裏面接地電極１４を、誘電体基板１１を貫通するヴィアホール１５により導通させたものである。出力用の信号線路１２にはガンダイオード２００に電源供給するためのガンダイオード用のバイアス電極１６が形成されている。ガンダイオード２００は、中央のアノードバンプ２９が信号線路１２およびオープンスタブ線路１７に、両側のカソードバンプ３０が両側のガンダイオード用の表面接地電極１３に接続するように実装される。
【０００５】
バラクタダイオード３００は、アノードに接続したアノードバンプ（図示せず）が、オープンスタブ線路１７の近傍に設置され、オープンスタブ線路１７と高周波的に結合した伝送線路１８に、カソードに接続したカソードバンプ（図示せず）が、伝送線路１８の近傍に設置されたバックオープンスタブ線路２１に接続するように実装されている。伝送線路１８には、バラクタダイオード用の表面接地電極１９が形成されており、バックオープンスタブ線路２１には、バラクタダイオード用のバイアス電極２０が形成されている。バイアス電極２０に変調電圧が印加され、バラクタダイオード３００の容量値が変化することにより発振周波数が変調され、ガンダイオード電圧制御発振器を構成している。この種の電圧制御型のガンダイオード発振回路は特許文献２に開示されている。３１は放熱基台であるが、図１０では図示を省略した。
【特許文献１】特開２００３−１５２２４６号公報
【特許文献２】特開２００２−９５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来のガンダイオード電圧制御発振器では、十分な変調幅と良好な線形性が得られないという問題点があった。本発明の目的は、良好な線形性を保った変調幅が広いガンダイオード電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため本願請求項１に係る発明は、誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップ線路からなる信号電極と、該信号電極に接続する電源供給用の第１のバイアス電極と、前記信号電極の一方の端部に配置されたオープンスタブ線路と、該オーブンスタブ線路近傍で前記信号電極を挟んで配置された２つの第１の表面接地電極と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された裏面接地電極と、前記２つの第１の表面接地電極と該裏面接地電極とをそれぞれ接続する前記誘電体基板を貫通する２つの第１のヴィアホールと、前記信号電極の他方の端部に配置された発振信号の出力部と、底面の中央に形成されたアノード又はカソードのいずれか一方の電極と、前記底面の両側に形成された他方の電極とを備え、前記一方の電極を前記信号電極に接続すると共に前記他方の電極を前記表面接地電極にそれぞれ接続した表面実装型のガンダイオードと、
前記オープンスタブ線路と高周波的に結合する伝送線路と、該伝送線路に接続する第２の表面接地電極と、該第２の表面接地電極と前記裏面接地電極とを接続する前記誘電体基板を貫通する第２のヴィアホールと、前記伝送線路近傍に配置されたバックオープンスタブと、該バックオープンスタブに接続する変調電圧印加用の第２のバイアス電極と、アノード又はカソードのいずれか一方の電極を前記伝送線路に接続すると共に他方の電極を前記バックオープンスタブにそれぞれ接続したバラクタダイオードとからなるバラクタダイオード変調回路とを具備したガンダイオード電圧制御発振器において、前記バラクタダイオード変調回路を２つ備え、該２つのバラクタダイオード変調回路は、印加する変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が大きくなり、さらに印加する変調電圧を大きくしたとき、変調増加幅が小さくなる変調特性を有し、前記２つのバラクタダイオード変調回路の一方は、印加する前記変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が大きくなる電圧範囲で、前記変調電圧を印加し、他方は、印加する前記変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が小さくなる電圧範囲で、前記変調電圧を印加することにより、発振周波数を変調することを特徴とする。
【０００８】
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載のガンダイオード電圧制御発振器において、前記オープンスタブ線路と高周波的に結合する前記伝送線路の幅が、前記バラクタダイオード変調回路ごとに異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のガンダイオード電圧制御発振器は、バラクタダイオード変調回路を少なくとも２つ備え、一方のバラクタダイオード変調回路の変調特性と他方のバラクタダイオード変調回路の変調特性を組み合わせることで、バラクタダイオード変調回路を１つだけ備える場合と比較して、線形性を保った変調幅の広い特性を得ることができる。
【００１２】
バラクタダイオード変調回路の変調特性は、バラクタダイオードを実装した伝送線路の幅を変えることで、オープンスタブ電極との結合度を変え、簡便に調整することができる。また、ほぼ等しい特性の２つのバラクタダイオードを用いて、一方を印加電圧の小さい電圧範囲で使用するバラクタダイオード変調回路として使用し、他方を印加電圧の大きい電圧範囲で使用するバラクタダイオード変調回路として組合せて使用することで、容易に調整することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明のガンダイオード電圧制御発振器について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は表面実装型のガンダイオード２００を用いた本発明のガンダイオード電圧制御発振器の第１の実施例の説明図である。ガンダイオード２００は、図８に示したように底面中央にアノードバンプ２９が、両側にカソードバンプ３０が各々突出形成された表面実装型のガンダイオードであり、マイクロストリップ線路で構成された出力用の信号線路１２に後述するように実装されている。
【００１５】
発振回路は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ダイアモンド等のように比抵抗が１０6Ω・ｃｍ以上、熱電導率が１４０Ｗ／ｍＫ以上で良好な半絶縁性の基板を誘電体基板１１とし、その誘電体基板１１の表面に、出力用の信号線路１２、ガンダイオード用の表面接地電極１３、オープンスタブ線路１７、ガンダイオード２００へ電源を供給するためのガンダイオード用のバイアス電極１６が形成されている。また、オープンスタブ線路１７に高周波的に結合した伝送線路１８Ａ、伝送線路１８Ａ近傍に設置されたバックオープンスタブ線路２１Ａ、バラクタダイオード３００Ａへ変調電圧を印加するためのバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ａ、バラクタダイオード用の表面接地電極１９Ａが形成されている。そしてさらに、オープンスタブ線路１７に高周波的に結合した伝送線路１８Ｂ、伝送線路１８Ｂ近傍に設置されたバックオープンスタブ線路２１Ｂ、バラクタダイオード３００Ｂへ変調電圧を印加するためのバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｂ、バラクタダイオード用の表面接地電極１９Ｂが形成されている。各表面接地電極１３、１９Ａ、１９Ｂは、誘電体基板１１を貫通するヴィアホール１５を通して、裏面接地電極１４に接続している。
【００１６】
ガンダイオード２００は、中央のアノードバンプ２９が信号線路１２およびオープンスタブ線路１７に、両側のカソードバンプ３０が両側のガンダイオード用の表面接地電極１３に接続するように実装されている。またバラクタダイオード３００Ａは、アノードに接続したアノードバンプ（図示せず）が伝送線路１８Ａに、カソードに接続したカソードバンプ（図示せず）が、バックオープンスタブ線路２１Ａに接続するように実装され、第１のバラクタダイオード変調回路を構成している。さらに、バラクタダイオード３００Ｂは、アノードに接続したアノードバンプ（図示せず）が伝送線路１８Ｂに、カソードに接続したカソードバンプ（図示せず）が、バックオープンスタブ線路２１Ｂに接続するように実装され、第２のバラクタダイオード変調回路を構成している。
【００１７】
このような構成のガンダイオード電圧制御発振器では、ガンダイオード用のバイアス電極１６を介してガンダイオード２００にバイアス電圧を印加し、バラクタダイオード用のバイアス電極２０Ａを介してバラクタダイオード３００Ａにバイアス電圧を印加するとともに、同時にバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｂを介してバラクタダイオード３００Ｂにバイアス電圧を印加することで、ガンダイオード２００の出力信号の発振周波数を、２つのバラクタダイオード変調回路によって変調することができる。
【００１８】
ここで本実施例では、一方のバラクタダイオード変調回路に印加する変調電圧と、他方のバラクタダイオード変調回路に印加する変調電圧は、次のように設定する。
【００１９】
図２は、バラクタダイオード３００Ａを搭載した第１のバラクタダイオード変調回路（第１の変調回路と表示）とバラクタダイオード３００Ｂを搭載した第２のバラクタダイオード変調回路（第２の変調回路と表示）の変調特性を示すグラフである。図２に示すようにバラクタダイオードに印加する変調電圧が大きくなるに従い、発振周波数が変化していることがわかる。また、変調電圧を０Ｖから徐々に大きくしていくと、変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅（所定の電圧から一定幅の電圧まで増加させたとき、変化する発振周波数幅）が徐々に大きくなっていく領域と、変調電圧がある程度大きくなると、変調電圧が大きくなるに伴い、変調増加幅が徐々に小さくなる領域があることがわかる。
【００２０】
本発明は、このような変調増加幅の変化が相互に異なる変調特性を有するバラクタダイオード変調回路を組み合わせて使用することで、線形性が良好で、広い変調幅を有するガンダイオード電圧制御発振器を提供している。一例として、図２に示す変調特性を有するバラクタダイオード変調回路の場合、０〜１０Ｖの範囲が、変調増加幅が徐々に大きくなる領域であり、１０〜１５Ｖの範囲が、変調増加幅が徐々に小さくなる領域となっている。そこで、第１のバラクタダイオード変調回路には、０〜１０Ｖの変調電圧を印加し、第２のバラクタダイオード変調回路には、１０〜１５Ｖの変調電圧を同時に印加する構成とする。具体的には、第１のバラクタダイオード変調回路に０、１、２、３・・・１０Ｖと変調電圧を印加するとき、第２のバラクタダイオード変調回路には、１０．０、１０．５、１１．０、１１．５・・・１５．０Ｖとなるように変調電圧を、それぞれ独立に、かつ同時に印加した。
【００２１】
図３は、図２に示す２つのバラクタダイオード変調回路を用いた場合のガンダイオード電圧制御発振器の変調特性を示すグラフである。図３において変調電圧は、第１のバラクタダイオード変調回路に印加する変調電圧を示している。図３に示すように、変調電圧が０〜１０Ｖの範囲で変化させたとき（第２のバラクタダイオード変調回路の変調電圧は、１０〜１５Ｖの範囲で変化させる）、変調幅は２１０ＭＨｚ、線形性は０．９５％という結果となった。比較のため、図１に示す第１のバラクタダイオード変調回路のみを使用した場合（変調電圧０〜１０Ｖ）、変調幅は１２２ＭＨｚ、線形性は７．４％であり、同様に第２のバラクタダイオード変調回路のみを使用した場合（変調電圧０〜１０Ｖ）、変調幅は１５９ＭＨｚ、線形性は７．５％であり、本発明の特性が優れていることが良くわかる。
【００２２】
なお本実施例では、バラクタダイオード変調回路が２つである場合に限定されるものではなく、その数を増やすことにより、変調幅の向上、線形性の改善、さらに発振周波数の微調整が可能となる。なお、印加する変調電圧は、所望の周波数特性が得られるように適宜設定されるものであり、例えば２つのバラクタダイオード変調回路を備える構成とする場合には、後述するように、印加する変調電圧のほぼ半分で、変調特性の直線が交差するような条件に設定すると、簡便に調整することができる。バラクタダイオード変調回路は、図２に示すように相互に異なる変調特性を示すものに限らず、ほぼ同じ変調特性を示すものであっても良く、その変調特性に応じて、印加する変調電圧を所望の周波数特性を得ることができるように適宜設定すればよい。
【実施例２】
【００２３】
図４は、表面実装型のガンダイオード２００を用いた本発明のガンダイオード電圧制御発振器の第２の実施例の説明図である。第１の実施例同様、ガンダイオード２００は、図８に示したように底面中央にアノードバンプ２９が、両側にカソードバンプ３０が各々突出形成された表面実装型のガンダイオードであり、マイクロストリップ線路で構成された出力用の信号線路１２に後述するように実装されている。
【００２４】
発振回路は、図１で説明したように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ダイアモンド等のように比抵抗が１０6Ω・ｃｍ以上、熱電導率が１４０Ｗ／ｍＫ以上で良好な半絶縁性の基板を誘電体基板１１とし、その誘電体基板１１の表面に、出力用の信号線路１２、ガンダイオード用の表面接地電極１３、オープンスタブ線路１７、ガンダイオード２００へ電源を供給するためのガンダイオード用のバイアス電極１６が形成されている。また、オープンスタブ線路１７に高周波的に結合した伝送線路１８Ｃ、伝送線路１８Ｃ近傍に設置されたバックオープンスタブ線路２１Ｃ、バラクタダイオード３００Ｃへ変調電圧を印加するためのバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｃ、バラクタダイオード用の表面接地電極１９Ｃが形成されている。そしてさらに本実施例では、オープンスタブ線路１７に高周波的に結合した幅の狭い伝送線路１８Ｄ、伝送線路１８Ｄ近傍に設置されたバックオープンスタブ線路２１Ｄ、バラクタダイオード３００Ｄへ変調電圧を印加するためのバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｄ、バラクタダイオード用の表面接地電極１９Ｄが形成されている。伝送線路１８Ｃと伝送線路１８Ｄは、幅が異なるように形成することで、オープンスタブ線路１７との結合度が異なるように構成されている。各表面接地電極１３、１９Ｃ、１９Ｄは、誘電体基板１１を貫通するヴィアホール１５を通して、裏面接地電極１４に接続している。
【００２５】
ガンダイオード２００は、中央のアノードバンプ２９が信号線路１２およびオープンスタブ線路１７に、両側のカソードバンプ３０が両側のガンダイオード用の表面接地電極１３に接続するように実装される。バラクタダイオード３００Ｃは、アノードに接続したアノードバンプ（図示せず）が伝送線路１８Ｃに、カソードに接続したカソードバンプ（図示せず）が、バックオープンスタブ線路２１Ｃに接続するように実装され、第３のバラクタダイオード変調回路を構成している。さらに、バラクタダイオード３００Ｄは、アノードに接続したアノードバンプ（図示せず）が伝送線路１８Ｄに、カソードに接続したカソードバンプ（図示せず）が、バックオープンスタブ線路２１Ｄに接続するように実装され、第４のバラクタダイオード変調回路を構成している。
【００２６】
このような構成のガンダイオード電圧制御発振器では、ガンダイオード用のバイアス電極１６を介してガンダイオード２００にバイアス電圧を印加し、バラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｃを介してバラクタダイオード３００Ｃにバイアス電圧を印加するとともにバラクタダイオード用のバイアス電極２０Ｄを介してバラクタダイオード３００Ｄにバイアス電圧を印加することで、ガンダイオード２００の出力信号の発振周波数を、２つのバラクタダイオード変調回路によって変調することができる。
【００２７】
特に本実施例では、一方のバラクタダイオード変調回路に印加する変調電圧と、他方のバラクタダイオード変調回路に印加する変調電圧を次のように設定すると共に、伝送線路の形状を変えることで、発振周波数の変調を調整することが大きな特徴となっている。
【００２８】
図５は、バラクタダイオード３００Ｃを搭載した第３のバラクタダイオード変調回路とバラクタダイオード３００Ｄを搭載した第４のバラクタダイオード変調回路の変調増加幅を示している。変調増加幅は、前述の通り、各変調電圧から一定幅の電圧まで増加させたとき変化する周波数幅で表している。図５に示すように、第３のバラクタダイオード変調回路及び第４のバラクタダイオード変調回路はいずれも、変調電圧が１０Ｖのとき、変調増加幅が最大となることがわかる。また、第３のバラクタダイオード変調回路に比べて、伝送線路１８Ｄの幅を狭く形成した第４のバラクタダイオード変調回路の変調幅が広くなっていることがわかる。
【００２９】
このように変調増加幅の異なるバラクタダイオードを組み合わせて使用することにより、第１の実施例同様、線形性が良好で、広い変調幅を有するガンダイオード電圧制御発振器を構成することができる。
【００３０】
次に、図５に示す特性を有するバラクタダイオード変調回路を用いて、変調特性を調整する方法について説明する。図６は、第３のバラクタダイオード変調回路（第３の変調回路と表示）には、１０〜１５Ｖの変調電圧を印加し、第４のバラクタダイオード変調回路（第４の変調回路と表示）には、１〜１０Ｖの変調電圧を印加した場合の変調増加幅を示している。この場合、図５に示すように、変調電圧が約３Ｖで各直線が交差している。一方図７は、第３のバラクタダイオード変調回路（第３の変調回路と表示）には、０〜１０Ｖの変調電圧を印加し、第４のバラクタダイオード変調回路（第４の変調回路と表示）には、１０〜１５Ｖの変調電圧を印加した場合の変調増加幅を示している。図６に示す場合には、変調電圧が約５Ｖで各直線が交差している。このようなバラクタダイオード変調回路を用いてガンダイオード電圧制御発振器の変調特性を調べた結果、図６に示すバラクタダイオード変調回路を用いた場合には、線形性が２．６３％であったのに対し、図７に示すバラクタダイオード変調回路を用いた場合には、線形性が０．９５％という結果となった。一般的に、変調増加幅が右肩上がりに増加する変調特性と、逆に減少する変調特性とが、設定する変調電圧の変化幅のほぼ半分の電圧で交差するように調整することで、特性の優れたガンダイオード電圧制御発振器を得ることができることがわかった。また変調特性を示す直線の傾きは、印加する変調電圧幅を変更することで調整すればよい。
【００３１】
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は、上記実施例に限定されるものでないことはいうまでもない。例えば、導体線路の形状、バラクタダイオードに印加する変調電圧の設定は、所望の発振特性を得るため、適宜設定すればよい。また、ガンダイオード２００は、ガンダイオード機能部を挟むようにアノード電極とカソード電極を反対面に形成し、ピル型パッケージ内に組み立てたピル型ガンダイオードを用いる等、表面実装型に限るものではない。ピル型ガンダイオードを用いる場合は、表面接地電極１３は必ずしも必要ではない。バラクタダイオードも表面実装型に限るものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施例であるガンダイオード電圧制御発振器の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例のバラクタダイオード変調回路の変調特性を説明する図である。
【図３】本発明の第１の実施例であるガンダイオード電圧制御発振器の変調特性を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施例であるガンダイオード電圧制御発振器の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施例のバラクタダイオード変調回路の変調特性を説明する図である。
【図６】本発明のガンダイオード電圧制御発振器の変調特性の調整方法を説明する図である。
【図７】本発明のガンダイオード電圧制御発振器の変調特性の調整方法を説明する図である。
【図８】従来のガンダイオードの説明図である。
【図９】従来のガンダイオード電圧制御発振器の一部断面図である。
【図１０】従来のガンダイオード電圧制御発振器の説明図である。
【符号の説明】
【００３３】
１００：発振回路、２００：ガンダイオード、３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ：バラクタダイオード、１１：誘電体基板、１２：信号線路、１３：ガンダイオード用の表面接地電極、１４：裏面接地電極、１５：ヴィアホール、１６：ガンダイオード用のバイアス電極、１７：オープンスタブ線路、１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ：伝送線路、１９、１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ：バラクタダイオード用の表面接地電極、２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ：バラクタダイオード用のバイアス電極、２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ：バックオープンスタブ線路、２２：半導体基板、２３：第１の半導体層、２４：活性層、２５：第２の半導体層、２６：絶縁体、２７：アノード電極、２８：カソード電極、２９：アノードバンプ、３０：カソードバンプ、３１：放熱基台
【図１】
0004869213.tif 000002
【図２】
0004869213.tif 000003
【図３】
0004869213.tif 000004
【図４】
0004869213.tif 000005
【図５】
0004869213.tif 000006
【図６】
0004869213.tif 000007
【図７】
0004869213.tif 000008
【図８】
0004869213.tif 000009
【図９】
0004869213.tif 000010
【図１０】
0004869213.tif 000011