(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、
前記第１及び第４トランジスタがオンの状態と前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第１〜第４トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態から前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第５トランジスタと、
前記第５トランジスタがオンになると、前記第４トランジスタをオンさせる保護回路と、
を備えることを特徴とするモータ駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載のモータ駆動回路であって、
Ｐ型基板上にＮ型ウェルが形成され、前記Ｎ型ウェル上にＰ型ウェルが形成され、前記Ｐ型ウェル上にソース電極及びドレイン電極が形成されたＮ型トリプルウェル構造のＭＯＳＦＥＴの前記Ｎ型ウェルを用いて前記第５トランジスタの前記入力電極が構成され、
前記ＭＯＳＦＥＴの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも何れか一方を用いて前記第５トランジスタの前記出力電極が構成され、
前記ＭＯＳＦＥＴの前記Ｐ型ウェルを用いて前記第５トランジスタの前記制御電極が構成されてなること、
を特徴とするモータ駆動回路。
【請求項３】
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、
前記第１及び第４トランジスタがオンの状態と前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第１〜第４トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態から前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第５トランジスタと、
前記第５トランジスタがオンになると、前記第４トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とするファンモータ。
【請求項４】
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
前記ファンによって冷却される被冷却装置と、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、
前記第１及び第４トランジスタがオンの状態と前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第１〜第４トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態から前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第５トランジスタと、
前記第５トランジスタがオンになると、前記第４トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
前記ファンによって冷却されるプロセッサと、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、
前記第１及び第４トランジスタがオンの状態と前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第１〜第４トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態から前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第５トランジスタと、
前記第５トランジスタがオンになると、前記第４トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とするノート型パーソナルコンピュータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータ駆動回路、ファンモータ、電子機器、及びノート型パーソナルコンピュータに関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器では、例えばプロセッサ等の発熱部品を冷却するためにファンモータが用いられる。ファンモータでは、モータの回転位置を示す信号に応じてモータコイルに印加される駆動電圧を制御することにより、モータが所望の回転をするように制御が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３は、単相のファンモータを駆動するモータ駆動回路の構成の一例を示す図である。モータ駆動回路１００は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０，１１１、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２，１１３、及び駆動制御回路１２０を含んで構成されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０，１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２，１１３はＨブリッジ回路を構成しており、駆動制御回路１２０によって適宜オンオフされることにより、モータが所望の回転をすることとなる。例えば、あるタイミングでは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２がオフとされることにより、端子ＯＵＴ１から端子ＯＵＴ２の向きに、モータコイルＬに電流が流れることとなる。また、別のタイミングでは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオフとされることにより、端子ＯＵＴ２から端子ＯＵＴ１の向きに、モータコイルＬに電流が流れることとなる。
【０００４】
なお、モータコイルＬの電流の向きを切り替える際には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０，１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２，１１３を全てオフの状態を経由することとなる。例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオフとなった後に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２がオンとなる。
【特許文献１】特開２００６−１７４６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
モータ駆動回路１００において、例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３がオフになると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１３は電流を流さなくなるが、モータコイルＬは蓄積されたエネルギーによって電流を流し続けようとする。そのため、接地側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２の寄生ダイオード、モータコイルＬ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１１の寄生ダイオードを通って電源側に電流が流れることとなる。
【０００６】
このように接地側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２を通って電流が流れると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２のドレイン電極の電圧が接地電圧より低くなってしまう。図４に例示するように、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１０，１１１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２，１１３は接地されたＰ型基板１３０上に形成されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１２のドレイン電極１３１の電圧が接地電圧以下となることにより、Ｐ型基板１３０上の任意のＮ型領域１３２とともに、寄生トランジスタが形成されることとなる。このように寄生トランジスタが形成されてしまうと、Ｎ型領域１３２から電荷が抜かれることにより、集積回路内で誤動作が生じる可能性がある。また、接地側から電源側に電流が流れることにより、電源側の電圧が上昇し、モータ駆動回路１００の構成部品に対して過剰なストレスを与えてしまうことがある。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、異常動作の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明のモータ駆動回路は、入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態と前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第１〜第４トランジスタを制御する駆動制御回路と、入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第１及び第４トランジスタがオンの状態から前記第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第５トランジスタと、前記第５トランジスタがオンになると、前記第４トランジスタをオンさせる保護回路とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
異常動作の発生を抑制することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。モータ駆動回路１０は、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器において、プロセッサ等の発熱部品（被冷却装置）を冷却するためのファンモータに組み込まれており、冷却用のファンを回転させるためのモータを駆動するために用いられる。
【００１１】
本実施形態のモータ駆動回路１０は単相のファンモータを駆動する回路であり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５〜１８、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１、ＮＰＮトランジスタ２５，２６、抵抗２８，２９、及び駆動制御回路３５を含んで構成されている。本実施形態においては、モータ駆動回路１０はＰ型基板上に集積化されており、端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２間に、モータコイルＬが接続されている。
【００１２】
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５（第１トランジスタ）及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０（第２トランジスタ）は直列に接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５のソースに電源電圧Ｖddが印加され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のソースに接地電圧が印加されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０の接続点が端子ＯＵＴ１と接続されている。同様に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６（第３トランジスタ）及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１（第４トランジスタ）は直列に接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６のソースに電源電圧Ｖddが印加され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のソースに接地電圧が印加されている。そして、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１の接続点が端子ＯＵＴ２と接続されている。すなわち、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１は、モータコイルＬを駆動するためのＨブリッジ回路を構成している。
【００１３】
駆動制御回路３５は、モータの回転位置等に応じてＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１のオンオフを適宜制御する回路である。例えば、端子ＯＵＴ１から端子ＯＵＴ２の方向にモータコイルＬに電流を流す場合、駆動制御回路３５は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０をオフにする。また、端子ＯＵＴ２から端子ＯＵＴ１の方向にモータコイルＬに電流を流す場合、駆動制御回路３５は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０をオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオフにする。
【００１４】
なお、駆動制御回路３５は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオフの状態に切り替える際には、一旦、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５，１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０，２１を全てオフにする。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオフの状態に切り替える際も同様である。
【００１５】
ＮＰＮトランジスタ２５（第５トランジスタ）は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子ＯＵＴ１と接続され、コレクタに抵抗２８を介して電源電圧Ｖddが印加されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７は、ソースに電源電圧Ｖddが印加され、ゲートがＮＰＮトランジスタ２５のコレクタと接続され、ドレインが駆動制御回路３５と接続されている。ＮＰＮトランジスタ２６は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子ＯＵＴ２と接続され、コレクタに抵抗２９を介して電源電圧Ｖddが印加されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８は、ソースに電源電圧Ｖddが印加され、ゲートがＮＰＮトランジスタ２６のコレクタと接続され、ドレインが駆動制御回路３５と接続されている。なお、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７及び抵抗２８により構成される回路が本発明の保護回路に相当する。
【００１６】
また、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６を第１トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１を第２トランジスタ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５を第３トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０を第４トランジスタ、ＮＰＮトランジスタ２６を第５トランジスタ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１８及び抵抗２９により構成される回路を保護回路とすることもできる。
【００１７】
ここで、ＮＰＮトランジスタ２５は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子ＯＵＴ１と接続されている。端子ＯＵＴ１の電圧は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５がオンの状態では電源電圧Ｖdd近くまで上昇するため、ＮＰＮトランジスタ２５のエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を電源電圧Ｖddに応じて高くする必要がある。そこで、本実施形態では、ＮＰＮトランジスタ２５，２６は、トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いて構成されている。
【００１８】
図２は、トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いたＮＰＮトランジスタ２５の構成例を示す図である。トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴは、Ｐ型基板４０上にＮ型ウェル４１が形成され、Ｎ型ウェル４１上にＰ型ウェル４２が形成され、Ｐ型ウェル４２上にＮ型領域のドレイン電極４３及びソース電極４４が形成され、さらにゲート電極４５が形成されて構成されている。そして、Ｐ型ウェル４２がＮＰＮトランジスタ２５のベースとして用いられ、ドレイン電極４３及びソース電極４４がＮＰＮトランジスタ２５のエミッタとして用いられ、Ｎ型ウェル４１がＮＰＮトランジスタ２５のコレクタとして用いられている。なお、ドレイン電極４３またはソース電極４４の何れか一方のみをＮＰＮトランジスタ２５のエミッタとして用いることとしてもよい。
【００１９】
トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴのドレイン電極４３及びソース電極４４と、Ｐ型ウェル４２（バックゲート）との間の逆バイアスの耐圧は、一般的なＮＰＮトランジスタにおけるエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧より高いことが知られている。したがって、図２に示すようにトリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いてＮＰＮトランジスタ２５を構成することにより、一般的なＮＰＮトランジスタを用いる場合よりもエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を高めることが可能となる。ＮＰＮトランジスタ２６についても同様である。
【００２０】
モータ駆動回路１０の動作の一例について説明する。まず、駆動制御回路３５が、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０をオフの状態にしていることとする。このとき、モータコイルＬには端子ＯＵＴ１から端子ＯＵＴ２の方向に電流が流れている。また、端子ＯＵＴ１の電圧は電源電圧Ｖdd近くまで上昇しているため、ＮＰＮトランジスタ２５がオフとなっている。そのため、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のゲートの電圧は電源電圧Ｖddとなり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７もオフとなっている。
【００２１】
次に、駆動制御回路３５が、モータコイルＬの電流の向きを切り替えるために、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオフにする。このとき、モータコイルＬは電流を流し続けようとするため、接地側からＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０の寄生ダイオード、モータコイルＬ、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６の寄生ダイオードを通って電源側へと電流が流れる。
【００２２】
そして、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０の寄生ダイオードを電流が流れることにより、端子ＯＵＴ１の電圧が接地電圧より低くなる。すなわち、ＮＰＮトランジスタ２５のエミッタの電圧が接地電圧より低くなる。ＮＰＮトランジスタ２５の閾値電圧をＶthとすると、ＮＰＮトランジスタ２５のベースには接地電圧が印加されているため、端子ＯＵＴ１の電圧が−Ｖthより低くなるとＮＰＮトランジスタ２５がオンとなる。ＮＰＮトランジスタ２５がオンになると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７のゲートの電圧は、電源電圧Ｖddから抵抗２８の分だけ降下した電圧となり、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７がオンとなる。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７がオンになると、駆動制御回路３５に電源電圧Ｖddが入力される。このとき、駆動制御回路３５は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１のゲートの電圧を電源電圧Ｖdd近くまで上昇させ、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオンにする。
【００２３】
ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオンになると、モータコイルＬからＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６の寄生ダイオードを通って電源側に流れていた電流が、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６の寄生ダイオードよりオン抵抗の低いＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１を通って接地側に流れ、モータコイルＬに蓄積されたエネルギーが急速に消費されることとなる。モータコイルＬに蓄積されたエネルギーが消費されると、電流が流れなくなり、端子ＯＵＴ１の電圧が接地電圧より低くなった状態が解消される。そして、ＮＰＮトランジスタ２５及びＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１７がオフとなり、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオフとなる。
【００２４】
また、モータ駆動回路１０では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のドレインをエミッタとし、Ｐ型基板をベースとする寄生トランジスタが構成されているが、一般的に、寄生トランジスタの閾値電圧（例えば０．９Ｖ程度）はＮＰＮトランジスタ２５の閾値電圧（例えば０．７Ｖ程度）よりも高いため、寄生トランジスタがオンになりにくい。
【００２５】
そして、駆動制御回路３５は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０をオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオフにする。その後、駆動制御回路３５が、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０をオフにするタイミングで、端子ＯＵＴ２の電圧が接地電圧より低い状態が発生するが、端子ＯＵＴ１の場合と同様に、ＮＰＮトランジスタ２６、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１８、及び抵抗２９による制御が行われる。
【００２６】
以上、本実施形態のモータ駆動回路１０について説明した。モータ駆動回路１０によれば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１をオフにした際に、端子ＯＵＴ１の電圧が接地電圧より低くなると、ＮＰＮトランジスタ２５がオンとなってＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオンとなり、モータコイルＬが流し続けようとする電流はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１を通って接地側に流れることとなる。そのため、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６の寄生ダイオードを通って電源側に電流が流れることが抑制され、異常な電圧の発生を抑制することができる。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０のドレインをエミッタとする寄生ダイオードよりもＮＰＮトランジスタ２５の方がオンしやすいため、寄生ダイオードによる誤動作を抑制することが可能となる。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオン、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１５及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１がオフの状態から、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１６及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２０がオフの状態になる際も同様である。
【００２７】
また、トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いてＮＰＮトランジスタ２５，２６を構成することにより、ＮＰＮトランジスタ２５，２６のエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を向上させることが可能となり、電源電圧Ｖddが高い場合であってもＮＰＮトランジスタ２５，２６を壊れにくくすることができる。
【００２８】
そして、このようなモータ駆動回路１０を用いてノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器に組み込まれるファンモータを構成することにより、ファンモータの動作が異常になることを抑制することができ、プロセッサ等の冷却対象の部品を適切に冷却することが可能となる。
【００２９】
なお、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。例えば、本実施形態では、モータ駆動回路１０を単相のファンモータの駆動用としたが、駆動対象のモータはファンモータに限られず、相数についても単相に限られない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態であるモータ駆動回路の構成を示す図である。
【図２】トリプルウェル構造のＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いたＮＰＮトランジスタの構成例を示す図である。
【図３】単相のファンモータを駆動するモータ駆動回路の構成の一例を示す図である。
【図４】モータ駆動回路に形成される寄生トランジスタの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  モータ駆動回路
１５〜１８  ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
２０，２１  ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２５，２６  ＮＰＮトランジスタ
２８，２９  抵抗
３５  駆動制御回路
４０  Ｐ型基板
４１  Ｎ型ウェル
４２  Ｐ型ウェル
４３  ドレイン電極
４４  ソース電極
４５  ゲート電極
【図１】
0005087376.tif 000002
【図２】
0005087376.tif 000003
【図３】
0005087376.tif 000004
【図４】
0005087376.tif 000005