(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタを被って保護膜が形成された画素領域内に透過領域と反射領域を有し、
前記反射領域において、前記保護膜の表面に凹凸面が形成され、この凹凸面が形成された前記保護膜の表面に、透明導電膜からなり前記保護膜に形成された第１スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続される容量電極と、第１容量絶縁膜と、前記保護膜に形成された前記凹凸面が前記容量電極および前記第１容量絶縁膜を介して浮上して顕在化された反射板が対向電極を兼用して形成され、
前記透過領域において、前記保護膜の表面に、透明導電膜からなる対向電極が形成され、
前記反射領域および前記透過領域を被って形成された第２容量絶縁膜と、
前記第２容量絶縁膜の上面に該第２容量絶縁膜に形成された第２スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極を前記反射領域および前記透過領域に備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射領域に形成された前記反射板と透過領域に形成された前記対向電極が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
反射領域に形成された前記反射板は面状電極をなし、前記第２容量絶縁膜を介して前記反射領域に形成される前記画素電極は、複数の並設された線状電極をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
透過領域に形成された前記対向電極は面状電極をなし、前記第２容量絶縁膜を介して前記透過領域に形成される前記画素電極は、複数の並設された線状電極をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記保護膜に形成された第１スルーホールと前記第２容量絶縁膜に形成された第２スルーホールは同軸に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に対向電圧共通信号線が配置され、前記反射板は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の反射板と共通接続され、この共通接続された前記反射板は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に周辺に対向電圧共通信号線が配置され、前記対向電極は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の対向電極と共通接続され、この共通接続された前記対向電極は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記基板は、ガラス、石英ガラス、プラスチックのうちいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型、あるいはトップゲート型のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板を備え、
前記第２基板の液晶側の面に対向電極が形成され、
前記第１基板の液晶側の面上に薄膜トランジスタを被って保護膜が形成された画素領域内に透過領域と反射領域を有し、
前記反射領域において、前記保護膜の表面に凹凸面が形成され、この凹凸面が形成された前記保護膜の表面に、透明導電膜からなり前記対向電極と同電位に保持される容量電極と、第１容量絶縁膜と、前記保護膜に形成された前記凹凸面が前記容量電極および前記第１容量絶縁膜を介して浮上して顕在化され、かつ、前記保護膜に形成されたスルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された反射板が形成され、
前記透過領域において、前記保護膜の表面に、前記スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極が形成されていることを特徴する液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射領域において、前記反射板を被って形成される第２容量絶縁膜を備えることを特徴とする請求項１０に記載に液晶表示装置。
【請求項１２】
複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に対向電圧共通信号線が配置され、前記容量電極は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の容量電極と共通接続され、この共通接続された前記容量電極は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記基板は、ガラス、石英ガラス、プラスチックのうちいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型、あるいはトップゲート型のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、いわゆる半透過型と称され、画素に反射領域を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる半透過型の液晶表示装置は、その各画素の領域に透過領域と反射領域を有して構成されている。
【０００３】
透過領域において、バックライトから各画素の液晶内を通過させた透過光を観察者に照射させるように構成され、反射領域において、太陽光等の外光から各画素の液晶内を通過させた反射光を観察者に照射させるように構成されている。
【０００４】
このようにすることによって、たとえば、屋外においてバックライトを消灯させて表示画像を認識でき、消費電力の低減が図れる液晶表示装置を得ることのできる効果を奏するようになる。
【０００５】
そして、このような構成からなる液晶表示装置は、その画素の反射領域に液晶に電界を発生せしめる一対の電極のうち一方の電極を兼用させた金属からなる反射板を配置させて構成されている。
【０００６】
また、反射領域における反射光は散乱させて観察者に照射させることが表示品質の向上につながることから、前記反射板はこの反射板を形成する絶縁膜の表面に凹凸面を形成しておき、該凹凸面を被って形成する前記反射板の表面に前記凹凸面を浮上させて顕在化させた構成したものが知られている。
【０００７】
このような構成からなる液晶表示装置は、たとえば、下記特許文献１に開示がなされている。
【０００８】
また、下記特許文献１に開示された液晶表示装置は、その画素の反射領域において、前記反射板と該反射膜の上面に形成された容量絶縁膜を介し該容量絶縁膜の上面の前記反射板と対になる他方の電極との間に保持容量を形成する構成となっている。
【特許文献１】特開２００７−１２１５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述の液晶表示装置において、前記構成からなる保持容量では充分な容量を確保できずコントラストが低下していることが指摘されるに至っている。
【００１０】
このため、該保持容量の容量を向上させるため、前記容量絶縁膜の厚さを薄く形成したり、あるいは、画素の領域の一部に別個の保持容量を形成する試みがなされている。
【００１１】
この場合、前者にあっては、前記容量絶縁膜の表面の平坦化を確保することが困難となり、また、後者にあっては、画素の開口率の低減を免れないという不都合を許容せざるを得なくなる。
【００１２】
また、既存の保持容量に対して別個の保持容量を形成する場合、それに応じて製造工数の増大がともなう不都合を有する。
【００１３】
本発明の目的は、絶縁膜の平坦化が損なわれずに大きな保持容量を備える液晶表示装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、画素の開口率の低減を損なうことなく大きな保持容量を備える液晶表示装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は、製造工数の低減を図った液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、基板上に薄膜トランジスタを被って保護膜が形成された画素領域内に透過領域と反射領域を有し、
前記反射領域において、前記保護膜の表面に凹凸面が形成され、この凹凸面が形成された前記保護膜の表面に、透明導電膜からなり前記保護膜に形成された第１スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続される容量電極と、第１容量絶縁膜と、前記保護膜に形成された前記凹凸面が前記容量電極および前記第１容量絶縁膜を介して浮上して顕在化された反射板が対向電極を兼用して形成され、
前記透過領域において、前記保護膜の表面に、透明導電膜からなる対向電極が形成され、
前記反射領域および前記透過領域を被って形成された第２容量絶縁膜と、
前記第２容量絶縁膜の上面に該第２容量絶縁膜に形成された第２スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極を前記反射領域および前記透過領域に備えることを特徴とする。
【００１８】
（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記反射領域に形成された前記反射板と透過領域に形成された前記対向電極が電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、反射領域に形成された前記反射板は面状電極をなし、前記第２容量絶縁膜を介して前記反射領域に形成される前記画素電極は、複数の並設された線状電極をなすことを特徴とする。
【００２０】
（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、  透過領域に形成された前記対向電極は面状電極をなし、前記第２容量絶縁膜を介して前記透過領域に形成される前記画素電極は、複数の並設された線状電極をなすことを特徴とする。
【００２１】
（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記保護膜に形成された第１スルーホールと前記第２容量絶縁膜に形成された第２スルーホールは同軸に形成されていることを特徴とする。
【００２２】
（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、  複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に対向電圧共通信号線が配置され、前記反射板は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の反射板と共通接続され、この共通接続された前記反射板は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２３】
（７）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、  複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に周辺に対向電圧共通信号線が配置され、前記対向電極は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の対向電極と共通接続され、この共通接続された前記対向電極は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２４】
（８）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記基板は、ガラス、石英ガラス、プラスチックのうちいずれかで構成されていることを特徴とする。
【００２５】
（９）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型、あるいはトップゲート型のいずれかで構成されていることを特徴とする。
【００２６】
（１０）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１基板と第２基板を備え、
前記第２基板の液晶側の面に対向電極が形成され、
前記第１基板の液晶側の面上に薄膜トランジスタを被って保護膜が形成された画素領域内に透過領域と反射領域を有し、
前記反射領域において、前記保護膜の表面に凹凸面が形成され、この凹凸面が形成された前記保護膜の表面に、透明導電膜からなり前記対向電極と同電位に保持される容量電極と、第１容量絶縁膜と、前記保護膜に形成された前記凹凸面が前記容量電極および前記第１容量絶縁膜を介して浮上して顕在化され、かつ、前記保護膜に形成されたスルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された反射板が形成され、
前記透過領域において、前記保護膜の表面に、前記スルーホールを通して前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極が形成されていることを特徴する。
【００２７】
（１１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１０）の構成を前提とし、前記反射領域において、前記反射板を被って形成される第２容量絶縁膜を備えることを特徴とする。
【００２８】
（１２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１０）の構成を前提とし、複数の画素が配置された画像表示領域の周辺の少なくとも一部に対向電圧共通信号線が配置され、前記容量電極は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されるドレイン信号線を跨いで隣接する画素の容量電極と共通接続され、この共通接続された前記容量電極は前記対向電圧共通信号線に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２９】
（１３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１０）の構成を前提とし、前記基板は、ガラス、石英ガラス、プラスチックのうちいずれかで構成されていることを特徴とする。
【００３０】
（１４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１０）の構成を前提とし、前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型、あるいはトップゲート型のいずれかで構成されていることを特徴とする。
【００３３】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００３４】
このように構成した液晶表示装置は、絶縁膜の平坦化が損なわれずに大きな保持容量を備えたものを得ることができる。
【００３５】
また、画素の開口率の低減を損なうことなく大きな保持容量を備えたものを得ることができる。
【００３６】
さらに、前記液晶表示装置の製造方法によれば、製造工数の低減を図ったものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
【００３８】
〈実施例１〉
（全体の等価回路）
図２は、本発明による液晶表示装置であって、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式と称される液晶表示装置の等価回路図である。図２は、液晶を介して対向配置される一対の基板のうち一方の基板（符号ＳＵＢ１で示す）の液晶側の面に形成される等価回路図を示している。図２は等価回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応させて描いた図となっている。
【００３９】
図２において、まず、図中ｘ方向に伸張されて形成されるゲート信号線ＧＬが図中ｙ方向に並設されて形成されている。これら各ゲート信号線ＧＬは図中左端側においてゲートドライバＧＤＶに接続されている。各ゲート信号線ＧＬには、前記ゲートドライバＧＤＶによって、走査信号が、たとえば上段のゲート信号線ＧＬから下段のゲート信号線ＧＬへ、さらには上段のゲート信号線ＧＬに戻って、順次繰り替えされて供給されるようになっている。
【００４０】
また、図中ｙ方向に伸張されて形成されるドレイン信号線ＤＬが図中ｘ方向に並設されて形成されている。これら各ドレイン信号線ＤＬが図中上端側においてドレインドライバＤＤＶに接続されている。各ドレイン信号線ＤＬには、前記ドレインドライバＤＤＶによって、映像信号が、前記ゲートドライバＧＤＶからの各走査信号の供給のタイミングに合わせて、各ドレイン信号線ＤＬに供給されるようになっている。
【００４１】
一対の隣接するゲート信号線ＧＬと一対の隣接するドレイン信号線ＤＬで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域（画素領域:図中点線枠Ａ内）となっており、これらの画素領域の集合体で画像表示領域ＡＲを構成するようになっている。
【００４２】
そして、画素の構成の後述の説明でも明らかとなるように、各画素領域には領域的に区分された透過領域ＴＲと反射領域ＲＲを有するようになっている。
【００４３】
画素領域には、この画素領域に隣接する一方のゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して当該画素領域に隣接する一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸに供給される前記映像信号（電圧）に対して基準となる信号（電圧）が供給される対向電極ＣＴが備えられている。
【００４４】
前記画素電極ＰＸは透過領域ＴＲと反射領域ＲＲのいずれにおいても形成されており、ここでは、透過領域ＴＲに形成される画素電極ＰＸにおいてその符号をＰＸ（ｔ）に換えて示し、反射領域に形成される画素電極ＰＸにおいてその符号をＰＸ（ｒ）に換えて示すことによって、これら画素電極ＰＸを区別するようにしている。
【００４５】
なお、この実施例では、前記画素電極ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）と電気的に接続され後述の保持容量Ｃ３の一方の容量電極ＣＴＭを反射領域ＲＲに備える構成となっている。
【００４６】
この保持容量Ｃ３の他方の容量電極は反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）となっている。
【００４７】
これら画素電極ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）は、画素内で互いに電気的に接続され、画素の駆動の際においていずれも同電位となるようになっている。
【００４８】
また、前記対向電極ＣＴも透過領域ＴＲと反射領域ＲＲのいずれにおいても形成されており、ここでは、透過領域ＴＲに形成される対向電極ＣＴにおいてその符号をＣＴ（ｔ）に換えて示し、反射領域ＲＲに形成される対向電極ＣＴにおいてその符号をＣＴ（ｒ）に換えて示すことによって、これら対向電極ＣＴを区別するようにしている。
【００４９】
なお、反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）は反射板として機能するようになっており、後述する保持容量Ｃ３の他方の容量電極として機能するようになっていることは上述したとおりである。
【００５０】
これら対向電極ＣＴ（ｔ）、ＣＴ（ｒ）は、画素内で互いに電気的に接続され、画素の表示の際においていずれも同電位となるようになっている。
【００５１】
また、これら対向電極ＣＴ（ｔ）、ＣＴ（ｒ）は、たとえばドレインドライバＤＤＶに接続されたとえば画像表示領域ＡＲの図中左側辺に配置される対向電圧共通信号線ＣＣＬ、および該対向電圧共通信号線ＣＣＬと接続されたとえばゲート信号線ＧＬと平行に配置されている対向電圧信号線ＣＬを介して基準信号が供給されるようになっている。
【００５２】
また、透過領域ＴＲにおける画素電極ＰＸ（ｔ）と対向電極ＣＴ（ｔ）の間には保持容量Ｃ１と液晶容量Ｃ（Ｌ１）が形成され、反射領域ＲＲにおける画素電極ＰＸ（ｒ）と対向電極ＣＴ（ｒ）の間には保持容量Ｃ２と液晶容量Ｃ（Ｌ２）および保持容量Ｃ３が形成されるようになっている。
【００５３】
ちなみに、図６は、従来の液晶表示装置の全体の等価回路図で、図２に対応させて描いた図となっている。また、同符号で示す部材は同一の機能を有する部材となっている。
【００５４】
図２と図６を比較することによって明らかとなるように、図２では、反射領域ＲＲにおいて、保持容量Ｃ３が備えられ、これにともなって、その一方の容量電極が画素電極ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）と接続されて設けられ、他方の容量電極が反射板を兼ねる対向電極ＣＴ（ｒ）としているのに対し、図６では前記保持容量Ｃ３が設けられていない構成となっている。
【００５５】
また、図６に示す従来の液晶表示装置の画素において、その透過領域ＴＲおよび反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴは透明導電層で共通に形成され、反射領域ＲＲにおいて必要とされる反射板ＲＳは前記対向電極ＣＴと直接に重ねて形成されている。
【００５６】
（画素の構成）
図３は図２の点線枠Ａ内の画素の構成の一実施例を示す平面図である。図３では対向電圧共通信号線ＣＣＬが示され、この対向電圧共通信号線ＣＣＬと当該画素の対向電極ＣＴ（ｔ）、ＣＴ（ｒ）との接続形態も示されている。また、図３のＣ−Ｃ'線における断面図を図１に、図３のＤ−Ｄ'線における断面図を図４に示している。
【００５７】
図３において、基板ＳＵＢ１（図１、図４参照）があり、この基板ＳＵＢ１の液晶側の表面において図中ｘ方向に伸張するゲート信号線ＧＬが図中ｙ方向に並設されて形成されている。
【００５８】
一対の隣接するゲート信号線ＧＬは後述の一対の隣接するドレイン信号線ＤＬとともに画素領域を画するようになっている。
【００５９】
ここで、該画素領域は領域的に区分された透過領域ＴＲと反射領域ＲＲから構成され、この実施例では、たとえば、ゲート信号線ＧＬと平行な線によって二分される各領域のうち、図中下側を反射領域ＲＲとし、上側を透過領域ＴＲとしている。
【００６０】
前記ゲート信号線ＧＬのうち前記反射領域ＲＲに隣接する側のゲート信号線ＧＬはその一部において反射領域ＲＲ側に突出する延在部を有し、この延在部は後述の薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴを構成するようになっている。
【００６１】
そして、基板ＳＵＢ１の表面には前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をも被って絶縁膜ＧＩ（図１、図４参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するようになっている。
【００６２】
前記絶縁膜ＧＩの表面には、前記ゲート電極ＧＴを跨ぐようにして島状の半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層として機能し、この半導体層ＡＳの上面に互いに対向させて配置されるドレイン電極ＤＴ、およびソース電極ＳＴを形成することによって、いわゆる逆スタガ構造（ボトムゲート型）のＭＩＳ型トランジスタが構成される。
【００６３】
なお、ＭＩＳ型トランジスタは、そのバイアスの印加の状態によってドレイン電極ＤＴとソース電極ＳＴが入れ替わるようになっているが、この明細書では、便宜上、後述のドレイン信号線ＤＬと接続される側の電極をドレイン電極ＤＴと、後述の画素電極ＰＸと接続される側の電極をソース電極ＳＴとする。
【００６４】
前記絶縁膜ＧＩの上面には、図中ｙ方向に伸張するドレイン信号線ＤＬが図中ｘ方向に並設されて形成されている。
【００６５】
該ドレイン信号線ＤＬはその一部において前記半導体層ＡＳの上面にまで至って形成される突出部を有し、この突出部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴを構成するようになっている。
【００６６】
また、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴは、たとえば、前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成され、前記半導体層ＡＳの上面から該半導体層ＡＳが形成されていない画素領域に至り、該画素領域のほぼ中央部に端部を有するように延在されている。
【００６７】
ソース電極ＳＴの前記端部は、後述の画素電極ＰＸと電気的な接続がなされるパッド部ＰＤを構成し、比較的大きな面積で形成されている。
【００６８】
また、画像表示領域ＡＲの左側辺において、図中ｙ方向に伸張する対向電圧共通信号線ＣＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＣＬはたとえば前記ドレイン信号線ＤＬ（ドレイン電極ＤＴ）、およびソース電極ＳＴ（パッド部ＰＤ）の形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００６９】
基板ＳＵＢ１の上面には、上述のように構成された薄膜トランジスタＴＦＴ、対向電圧共通信号線ＣＣＬをも被ってたとえばシリコン窒化膜からなる無機材料の第１絶縁膜ＩＮ１（図１、図４参照）およびたとえばアクリル膜からなる有機材料の第２絶縁膜ＩＮ２（図１、図４参照）が積層されて形成されている。
【００７０】
この場合、第２絶縁膜ＩＮ２は、塗布方法で形成され、透過領域ＴＲにおいて平坦化された表面を有している。
【００７１】
第１絶縁間膜ＩＮ１および第２絶縁膜ＩＮ２の積層膜は、たとえば、薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避させ該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止する保護膜として機能するようになっている。
【００７２】
ここで、前記第２絶縁膜ＩＮ２は、その反射領域ＲＲの表面において、多数の散在された凹面（凸面）が形成されている。この凹凸面は、前記反射領域ＲＲに後述する反射板ＲＳを形成する場合において該凹凸面を該反射板ＲＳの表面に浮上させて顕在化させるために設けられるようになっている。
【００７３】
該反射板ＲＳに凹凸面を形成することによって該反射板ＲＳによる反射光に散乱を生じさせるためである。
【００７４】
また、前記第２絶縁膜ＩＮ２と前記第１絶縁膜ＩＮ１には、同軸のコンタクトホールＴＨ１が形成され、このコンタクトホールＴＨ１によって、前記パッド部ＰＤの中央部が露出されるようになっている。該コンタクトホールＴＨ１を通して後述の画素電極ＰＸと前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴと電気的接続を図るためである。
【００７５】
さらに、前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに重畳する部分において、透過領域ＴＲ側の部分に該対向電圧共通信号線ＣＣＬの一部を露出させるコンタクトホールＴＨ２、反射領域ＲＲ側の部分に該対向電圧共通信号線ＣＣＬの一部を露出させるコンタクトホールＴＨ３が形成されている。
【００７６】
透過領域ＴＲの対向電極ＣＴ（ｔ）を前記コンタクトホールＴＨ２を通して前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに接続させ、反射領域ＲＲの対向電極ＣＴ（ｒ）を前記コンタクトホールＴＨ３を通して前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに接続させるためである。
【００７７】
これらコンタクトホールＴＨ２、コンタクトホールＴＨ３はたとえば前記コンタクトホールＴＨ１の形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００７８】
前記第２絶縁膜ＩＮ２の表面には前記コンタクトホールＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３をも被ってたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜が形成されている。
【００７９】
この透明導電膜は、透過領域ＴＲに形成される部分と反射領域ＲＲに形成される部分が物理的に分離され、透過領域ＴＲに形成された透明導電膜と反射領域ＲＲに形成された透明導電膜は、それぞれ電気的に異なる機能を有するようになっている。
【００８０】
すなわち、反射領域ＲＲに形成された透明導電膜は、前記コンタクトホールＴＨ１を通して前記パッド部ＰＤと電気的に接続されているとともに、当該反射領域ＲＲにおいてのみ島状に形成され、前記保持容量Ｃ３の一方の電極ＣＴＭを構成するようになっている。
【００８１】
なお、この保持容量ＣＴＭの一方の電極を構成する透明導電膜は、第２絶縁膜ＩＮ２の凹凸面が形成された表面を被って形成され、このため、該透明導電膜の表面には前記凹凸面が浮上して顕在化されている。
【００８２】
一方、透過領域ＴＲに形成された前期透明導電膜は、前記パッド部ＰＤと接続されることなく形成され、該透明領域ＴＲにおける対向電極ＣＴとして機能するようになっている。
【００８３】
そして、この対向電極ＣＴは前記ドレイン信号線ＤＬを跨いで図中ｘ方向に隣接する他の画素の透過領域ＴＲにおける対向電極ＣＴと接続されて形成されている。
【００８４】
このことから、図中ｘ方向に隣接する他の画素の対応する各対向電極ＣＴは当該画素において対向電極としての機能を有するとともに、図２に示した対向電圧信号線ＣＬとしての機能をも有するようになっている。
【００８５】
このように構成された透明導電膜は、上述のように対向電圧信号線ＣＬとしての機能を有することから、たとえば、その左端側の前記スルーホールＴＨ２の部分において、対向電圧共通信号線ＣＣＬに電気的に接続されるようになっている。
【００８６】
なお、反射領域ＲＲ側の前記スルーホールＴＨ３には該スルーホールＴＨ３とその周辺にのみ前記透明導電膜が残存されて形成され、この透明導電膜によって第１接続体ＪＬ１が形成されている。後に説明で明らかとなるが、前記第１接続体ＪＬ１は反射領域ＲＲの対向電極ＣＴ（ｒ）と前記対向電圧共通信号線ＣＣＬとの接続を図る際の一構成要素となるものである。
【００８７】
反射領域ＲＲにおいて、前記保持容量Ｃ３の一方の容量電極ＣＴＭとして形成された透明導電膜の上方には第１容量絶縁膜ＣＩＮ１（図１参照）が島状に形成されている。
【００８８】
この第１容量絶縁膜ＣＩＮ１は、たとえばシリコン窒化膜からなり、前記容量電極ＣＴＭの凹凸面が形成された表面を被って形成されるため、該第１容量絶縁膜ＣＩＮ１の表面には前記凹凸面が浮上して顕在化されている。
【００８９】
また、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１の上面にはこの第１容量絶縁膜ＣＩＮ１をも被って反射板ＲＳが形成されている。この反射板ＲＳは、たとえばアルミニゥムからなり、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１の凹凸面が形成された表面を被って形成されるため、該反射膜ＲＳの表面には前記凹凸面が浮上して顕在化されている。
【００９０】
この反射板ＲＳは前記ドレイン信号線ＤＬを跨いで図中ｘ方向に隣接する他の画素の反射領域ＲＲにおける反射板ＲＳと接続されて形成されている。
【００９１】
この反射板ＲＳは、反射領域において対向電極ＣＴ（ｒ）として機能するとともに、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１を誘電体膜とする前記保持容量Ｃ３の他方の容量電極を構成し、映像信号に対して基準となる電圧が印加されるようになっている。
【００９２】
このため、図中ｘ方向に並設される各画素において共通に接続された前記反射板ＲＳ（対向電極ＣＴ（ｒ））は、その左端側において、その下層に存在する前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１とともに、前記対向電圧共通信号線ＣＣＬの形成箇所の近傍にまで延在されて形成されている。後述するように、該対向電極ＣＴ（ｒ）を前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに電気的に接続させるためである。
【００９３】
そして、基板ＳＵＢ１の上面には、前記反射板ＲＳ等をも被って第２容量絶縁膜ＣＩＮ２（図１、図４参照）が形成されている。この第２容量絶縁膜ＣＩＮ２はたとえばアクリル膜からなる有機絶縁膜で形成され、その表面が平坦化されて形成されている。
【００９４】
また、このように形成された第２容量絶縁膜ＣＩＮ２は前記パッド部ＰＤの中央部を露出させるためのコンタクトホールＴＨ４が形成されている。このため、第２容量絶縁膜ＣＩＮ２の前記コンタクトホールＴＨ４は前記第１絶縁膜ＩＮ１および第２絶縁膜ＩＮ２の積層膜に形成したコンタクトホールＴＨ１とほぼ同軸に形成されるようになっている。
【００９５】
さらに、前記第２容量絶縁膜ＣＩＮ２には、前記第１絶縁膜ＩＮ１および第２絶縁膜ＩＮ２の積層膜に形成したコンタクトホールＴＨ３を露出させるためのコンタクトホールＴＨ５、および前記対向電圧信号線ＣＣＬの近傍に延在されて形成されている前記反射板ＲＳ（対向電極ＣＴ（ｒ））の一部を露出させるコンタクトホールＴＨ６（図４参照）が形成されている。該コンタクトホールＴＨ５は、反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）を前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに電気的に接続させるために形成されている。
【００９６】
前記第２容量絶縁膜ＣＩＮ２の表面には前記コンタクトホールＴＨ４、ＴＨ５、ＴＨ６をも被ってたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜が形成されている。
【００９７】
この透明導電膜は、反射領域ＲＲおよび透過領域ＴＲのそれぞれにおいて、前記コンタクトホールＴＨ１，ＴＨ４を通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ（パッド部ＰＤ）と電気的に接続された画素電極ＰＸとして機能するようになっている。
【００９８】
すなわち、透過領域ＴＲにおいて画素電極ＰＸ（ｔ）、反射領域ＲＲにおいて画素電極ＰＸ（ｒ）が形成されている。前記画素電極ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）は、それぞれ、たとえば図中ｙ方向に伸張し図中ｘ方向に並設される線状の電極の電極群を構成し、反射領域ＲＲと透過領域ＴＲの境界部に前記コンタクトホールＴＨ４、ＴＨ１を通して前記パッド部ＰＤと接続されて形成された導体層ＣＮＤに接続されたパターンで構成されている。
【００９９】
この場合、前記画素電極ＰＸ（ｔ）は、対向電極ＣＴ（ｔ）に重畳して形成され、それらの間に介在される第２容量絶縁膜ＣＩＮ２を誘電体膜とする保持容量Ｃ１が形成され、前記画素電極ＰＸ（ｒ）は、対向電極ＣＴ（ｒ）に重畳した形成され、それらの間に介在される第２容量絶縁膜ＣＩＮ２を誘電体膜とする保持容量Ｃ２が形成されるようになっている。
【０１００】
なお、前記第２容量絶縁膜ＣＩＮ２の上面に形成される透明導電膜は、反射領域ＲＲ側であって対向電圧信号線ＣＣＬの近傍において、前記スルーホールＴＨ５、およびスルーホールＴＨ６をも被って第２接続体ＪＬ２を構成するようになっている。
【０１０１】
これにより、反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）は、前記第２接続体ＪＬ２、第１接続体ＪＬ１を介して対向電圧信号線ＣＣＬと電気的に接続されるようになっている。
【０１０２】
ちなみに、図７は、従来の液晶表示装置の画素の一例を示す構成図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ'線における断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ'線における断面図を示している。
【０１０３】
図７（ａ）は図３に、図７（ｂ）は図１に、図７（ｃ）は図４に対応した図となっており、同符号で示す部材は同一の機能を有する部材となっている。
【０１０４】
従来の液晶表示装置の画素の構成と比較することによって明らかとなるように、本実施例による画素では、その反射領域において、第１容量絶縁膜ＣＩＮ１が新たに設けられている。
【０１０５】
この第１容量絶縁膜ＣＩＮ１は、透過領域ＴＲの対向電極ＣＴ（ｔ）と同時に形成し該対向電極ＣＴ（ｔ）と物理的、電気的に切り離した透明導電膜であって、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ（パッド部ＰＤ）と電気的に接続して構成した容量電極ＣＴＭの上面に形成されている。
【０１０６】
そして、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１の上面には反射板ＲＳを兼ねる対向電極ＣＴ（ｒ）が形成され、この対向電極ＣＴ（ｒ）は前記容量電極ＣＴＭと対となる他の容量電極として機能させ、これにより、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１を誘電体膜とする保持容量Ｃ３を構成している。
【０１０７】
このため、本実施例による画素の構成によれば、画素の占有面積を増大させることなく新たな保持容量Ｃ３を形成でき、これにともなって、保持容量の増大を図ることができるようになる。
【０１０８】
また、前記容量電極ＣＴＭ、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１、他の容量電極を構成する対向電極ＣＴ（ｒ）の順次積層体で構成される保持容量Ｃ３は、対向電極ＣＴ（ｒ）に形成した凹凸面が、第１容量絶縁膜ＣＩＮ１、および容量電極ＣＴＭにそのまま浮上して顕在化された構造となっている。
【０１０９】
このため、前記保持容量Ｃ３は、平面的に投影された面積よりも、実際には大きな面積を有しており、これにより、保持容量Ｃ３の容量値を大きくできる。
【０１１０】
（製造方法）
図５（ａ）〜（ｅ）は本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示した工程図であり、図１に示す断面に相当する箇所の工程を示している。
【０１１１】
以下、工程順に説明する。
【０１１２】
工程１．（図５（ａ））
基板ＳＵＢ１を用意し、この基板ＳＵＢ１の液晶側の面にゲート信号線ＧＬを形成し、さらに該ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩを形成する。図５（ａ）では、前記ゲート信号線ＧＬと一体に形成されるゲート電極ＧＴが示されている。
【０１１３】
そして、前記絶縁膜ＧＩの上面に前記ゲート電極ＧＴを跨ぐようにして島状の半導体層ＡＳを形成する。この半導体層ＡＳはたとえばアモルファスＳｉからなっているが、これに限定されることはなく、たとえばポリＳｉであってもよい。
【０１１４】
さらに、ドレイン信号線ＤＬとこのドレイン信号線ＤＬと一体のドレイン電極ＤＴ、およびソース電極ＳＴとこのソース電極ＳＴと一体のパッド部ＰＤを形成する。
【０１１５】
工程２．（図５（ｂ））
基板ＳＵＢ１の上面にたとえばシリコン窒化膜によって第１絶縁膜ＩＮ１を形成し、さらに、たとえばアクリル膜によって第２絶縁膜ＩＮ２を形成する。
【０１１６】
そして、第２絶縁膜ＩＮ２の反射領域ＲＲの表面にたとえばハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術による選択エッチング法によって凸部（凹部）を散在させた凹凸面ＤＰを形成する。
【０１１７】
さらに、第２絶縁膜ＩＮ２および第１絶縁膜ＩＮ１を貫通する同軸のスルーホールＴＨ１を形成して、パッド部ＰＤの中央部を露出させる。この場合、同時に、図４に示すスルーホールＴＨ２、ＴＨ３も形成する。
【０１１８】
第２絶縁膜ＩＮ２の上面に、前記凹凸面ＤＰ、スルーホールＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３をも被ってたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を形成する。
【０１１９】
そして、該透明導電膜を所定のパターンで形成することにより、反射領域ＲＲにおいて前記スルーホールＴＨ１を通して前記パッド部ＰＤに接続された保持容量Ｃ３の一方の容量電極ＣＴＭを構成し、透光領域ＴＲにおいて対向電極ＣＴ（ｔ）を構成する。
【０１２０】
この場合、前記透明導電膜の所定のパターンの形成の際に、図４に示すように、スルーホールＴＨ３を被い対向電圧共通信号線と電気的に接続される第１接続体ＪＬ１を形成するようにする。さらに、前記対向電極ＣＴ（ｔ）は、図４に示すように、スルーホールＴＨ２を通して対向電圧共通信号線ＣＣＬと電気的に接続されるようにする。
【０１２１】
工程３．（図５（ｃ））
基板ＳＵＢ１の上面に、前記透明導電膜をも被って、たとえばシリコン窒化膜からなる第１容量絶縁膜ＣＩＮ１、およびアルミニゥム膜を順次形成し、これらアルミニゥム膜および第１容量絶縁膜ＣＩＮ１をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって同時にパターニングする。
【０１２２】
このため、この製造方法においては、前記第１容量絶縁膜を別個にパターニングする必要がなく、製造工数の低減を図ることができる。
【０１２３】
前記第１容量絶縁膜ＣＩＮは保持容量Ｃ３の誘電体膜として構成され、前記アルミニュウム膜は、反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）として構成され、この対向電極ＣＴ（ｒ）は反射板ＲＳおよび前記保持容量Ｃ３の他方の容量電極としても構成されるようになる。
【０１２４】
なお、前記対向電極ＣＴ（ｒ）は、その表面において、前記第２絶縁膜ＩＮ２の表面に形成した凹凸面ＤＰが前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１を介し浮上して顕在化されている。
【０１２５】
工程４．（図５（ｄ））
基板ＳＵＢ１の上面に、前記対向電極ＣＴ（ｔ）、ＣＴ（ｒ）をも被ってたとえばアクリル膜からなる第２容量絶縁膜ＣＩＮ２を形成する。
【０１２６】
そして、この第２容量絶縁膜ＣＩＮ２に前記パッド部ＰＤの中央部を露出させるためのスルーホールＴＨ２を形成する。これにより、該スルーホールＴＮＨ２は前記第１絶縁膜ＩＮ１および第２絶縁膜ＩＮ２の積層体に形成したスルーホールＴＨ１とほぼ同軸に形成される。この際、図４に示すスルーホールＴＨ５を同時に形成する。
【０１２７】
第２容量絶縁膜ＣＩＮ２の上面に前記スルーホールＴＨ４をも被ってたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターン化することにより、反射領域ＲＲにおける画素電極ＰＸ（ｒ）、透過領域ＴＲにおける画素電極ＰＸ（ｔ）を形成する。
【０１２８】
これら画素電極ＰＸ（ｒ）、ＰＸ（ｔ）はいずれも前記スルーホールＴＨ４、ＴＨ１を通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴ（パッド部ＰＤ）と電気的に接続されて形成される。
【０１２９】
この際、図４に示す第２接続体ＪＬ２を同時に形成し、これにより、反射領域ＲＲにおける対向電極ＣＴ（ｒ）を前記第２接続体ＪＬ２、第１接続体ＪＬ１を介して対向電圧共通信号線ＣＣＬに接続させるようにする。
【０１３０】
工程５．（図５（ｅ））
基板ＳＵＢ１の上面には、前記画素電極ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）をも被って、配向膜ＯＲＩ１を形成する。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜となり、該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を設定するようになっている。
【０１３１】
そして、基板ＳＵＢ１の液晶とは反対側の面に偏光板ＰＯＬ１を配置させる。該偏光板ＰＯＬ１は前記液晶ＬＣの電界による挙動を可視化させるために設けられるものである。
【０１３２】
なお、図５（ｅ）には、上述した工程で形成してきた基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置させる基板ＳＵＢ２をも示している。
【０１３３】
該基板ＳＵＢ２は、その液晶側の面にカラーフィルタＦＩＬが形成され、さらに、該カラーフィルタＦＩＪＬをも被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。前記配向膜ＯＲＩ１と同様の機能を有する。
【０１３４】
また、基板ＳＵＢ２の液晶とは反対側の面に偏光板ＰＯＬ２が配置されている。前記偏光板ＰＯＬ１と同様に機能を有する。
【０１３５】
〈実施例２〉
（全体の等価回路）
図８は、ＴＮ（Twisted Nematic）型あるいはＶＡ（Vertical Alignment）型と称される液晶表示装置の等価回路図であり、図２と対応させて描いている。図８において、図２に示す符号と同じ符号の部材は同一の機能を有するものとなっている。
【０１３６】
ＴＮ型あるいはＶＡ型と称される液晶表示装置は基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される基板ＳＵＢ２の液晶側の面に対向電極ＣＴを備えた構成となっており、図８では、基板ＳＵＢ１の側に形成される回路の他に前記対向電極ＣＴをも併せ描いている。
【０１３７】
図８において、図２の場合と比較して異なる構成は、まず、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴと接続される画素電極ＰＸは、透過領域ＴＲに形成される画素電極ＰＸ（ｔ）において透明導電膜で形成され、反射領域ＲＲに形成される画素電極ＰＸ（ｒ）において反射板ＲＳで形成されている。
【０１３８】
また、前記画素電極ＰＸとの間で電界を発生させる対向電極ＣＴは、基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置される他の基板ＳＵＢ２の該液晶ＬＣ側の面に形成されている。
【０１３９】
この対向電極ＣＴは、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間に介在される導体層（図示せず）を介して対向電圧共通信号線ＣＣＬと電気的に接続されるようになっており、該対向電圧共通信号線ＣＣＬを介して対向電圧信号が供給されるようになっている。
【０１４０】
前記画素電極ＰＸ（ｔ）と対向電極ＣＴとの間には液晶容量Ｃ（Ｌ１）が形成され、前記画素電極ＰＸ（ｒ）と対向電極ＣＴとの間には液晶容量Ｃ（Ｌ２）が形成されるようになっている。
【０１４１】
さらに、基板ＳＵＢ１側の画素の反射領域ＲＲにおいて、前記対向電圧共通信号線ＣＣＬと電気的に接続された容量電極ＣＴＭが形成され、この容量電極ＣＴＭは反射領域ＲＲの画素電極ＰＸ（ｒ）との間に保持容量Ｃを形成するようになっている。
【０１４２】
（画素の構成）
図９は図８の点線枠Ｂ内の画素の構成の一実施例を示す平面図である。図３では対向電圧共通信号線ＣＣＬが示され、この対向電圧共通信号線ＣＣＬと当該画素の容量電極ＣＴＭとの接続形態も示されている。また、図９のＥ−Ｅ'線における断面図を図１０に示している。
【０１４３】
図９は図３と対応させて描いており、図１０は図１と対応させて描いている。図９、図１０において、図３、図１と同符号のものは同一の機能を有するようになっている。
【０１４４】
図９、図１０において、基板ＳＵＢ１の上面に薄膜トランジスタＴＦＴを被って第１絶縁膜ＩＮ１、第２絶縁膜ＩＮ２が形成され、該第２絶縁膜ＩＮ２の反射領域ＲＲの表面に凹凸面ＤＰが形成され、また、この第１絶縁膜ＩＮ１、第２絶縁膜ＩＮ２の積層体にパッド部ＰＤの中央部を露出させるスルーホールＴＨ１が形成された構成は、図３、図１の場合と同様となっている。
【０１４５】
このため、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極と一体に形成されるドレイン信号線ＤＬ、該ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成される対向電圧信号線ＣＣＬも第１絶縁膜ＩＮ１、第２絶縁膜ＩＮ２の積層体の下に形成され、図３、図１の場合と同様となっている。
【０１４６】
そして、前記第２絶縁膜ＩＮ２の上面には、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、透過領域ＴＲにおいて画素電極ＰＸ（ｔ）を構成し、反射領域ＲＲにおいて容量電極ＣＴＭを構成するようになっている。前記画素電極ＰＸ（ｔ）は前記スルーホールＴＨを通して前記パッド部ＰＤに電気的に接続され、前記容量電極ＣＴＭとは物理的に分離されて電気的絶縁がなされている。
【０１４７】
前記容量電極ＣＴＭは、ドレイン信号線ＤＬを股いで図中ｘ方向に隣接する画素の当該容量電極ＣＴＭと共通に形成され、その図中左端側は、第１絶縁膜ＩＮ１、第２絶縁膜ＩＮ２の積層体に形成されたスルーホールＴＨ３を通して前記対向電圧信号線ＣＣＬと電気的接続がなされている。該スルーホールＴＨ３はたとえば前記スルーホールＴＨ１の形成の際に同時に形成されるようになっている。
【０１４８】
なお、前記容量電極ＣＴＭは、その表面において、前記第２絶縁膜ＩＮ２の表面に形成した凹凸面ＤＰが浮上して顕在化されている。
【０１４９】
前記容量電極ＣＴＭの上面には、少なくとも後述の反射板ＲＳが重ねて形成される領域においてたとえばシリコン窒化膜からなる第１容量絶縁膜ＣＩＮ１（図１０参照）が形成されている。この第１容量絶縁膜ＣＩＮ１は前記保持容量Ｃの誘電体膜として機能するようになっている。この第１容量絶縁膜ＣＩＮ１は、その表面において、前記第２絶縁膜ＩＮ２の表面に形成した凹凸面ＤＰが前記容量電極ＣＴＭを介し浮上して顕在化されている。
【０１５０】
そして、反射領域ＲＲには、たとえばアルミニゥムからなる反射板ＲＳが形成されている。この反射板ＲＳは前記スルーホールＴＨ１を被って形成され、これにより、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴと電気的に接続され、反射領域ＲＲにおける画素電極ＰＸ（ｒ）として機能するようになっている。
【０１５１】
また、前記反射板ＲＳは、その表面において、前記第２絶縁膜ＩＮ２の表面に形成した凹凸面ＤＰが前記容量電極ＣＴＭおよび前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１を介し浮上して顕在化されている。これにより、該反射板ＲＳに入射される光は散乱して反射されるようになる。
【０１５２】
また、反射領域ＲＲに、たとえばアクリル膜からなる第２容量絶縁膜ＣＩＮ２が前記画素電極ＰＸ（ｒ）（反射板ＲＳ）を被って形成されている。
【０１５３】
この第２容量絶縁膜ＣＩＮ２は、前記画素電極ＰＸ（ｒ）と後述する基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成される対向電極ＣＴとの間に配置されることになり、液晶ＬＣとともに前記画素電極ＰＸ（ｒ）と対向電極ＣＴとの間に保持容量Ｃ（Ｌ２）を形成するようになっている。
【０１５４】
また、この第２容量絶縁膜ＣＩＮ２は、反射領域ＲＲの液晶ＬＣの層厚を透過領域ＴＲの液晶ＬＣの層厚の約１／２とし、これにより、反射領域ＲＲにおける液晶ＬＣ内の光の往復に要する光路長を、透過領域ＴＲにおける液晶ＬＣ内の光の光路長とほぼ等しくさせる機能も備える。
【０１５５】
そして、このように構成された基板ＳＵＢ１の表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜で液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定させるようになっている。
【０１５６】
このように構成した液晶表示装置においても、画素の占有面積を増大させることなく新たな保持容量Ｃを形成でき、これにともなって、保持容量の増大を図ることができるようになる。
【０１５７】
また、前記容量電極ＣＴＭ、前記第１容量絶縁膜ＣＩＮ１、他の容量電極を構成する画素電極ＰＸ（ｒ）の順次積層体で構成される保持容量Ｃは、容量電極ＣＴＭに形成された凹凸面が、第１容量絶縁膜ＣＩＮ１を介して、前記画素電極ＰＸ（ｒ）にそのまま浮上して顕在化された構造となっている。
【０１５８】
このため、前記保持容量Ｃは、平面的に投影された面積よりも、実際には大きな面積を有しており、これにより、保持容量Ｃの容量値を大きくできる。
【０１５９】
なお、図１０には、基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置させる基板ＳＵＢ２をも示している。
【０１６０】
該基板ＳＵＢ２は、その液晶側の面にカラーフィルタＦＩＬが形成され、さらに、該カラーフィルタＦＩＬを被ってたとえばＩＴＯからなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは画素表示領域ＡＲの外方の基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２の間に介在される導電層を介して前記対向電圧共通信号線ＣＣＬに接続されていることは前述した通りである。
【０１６１】
さらに、前記基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、前記対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。また、基板ＳＵＢ２の液晶とは反対側の面に偏光板ＰＯＬ２が配置されている。
【０１６２】
（他の実施例）
上述した実施例では、いずれも基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２をガラスで構成したものである。しかし、これに限らず、たとえば石英ガラスあるいはプラスチック等の他の絶縁基板であってもよい。
【０１６３】
基板に石英ガラスを用いた場合、プロセス温度を高くでき、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を緻密化できるため、該薄膜トランジスタの信頼性を向上させる効果を奏する。また、基板にブラックチックを用いた場合、軽量で、耐衝撃性に優れた液晶表示装置を得ることができる効果を奏する。
【０１６４】
上述した実施例では、いわゆるボトムゲート型の薄膜トランジスタＴＦＴを示したものであるが、これに限らず、トップゲート型の薄膜トランジスタＴＦＴであってもよい。
【０１６５】
また、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層としてはアモルファスシリコンに限らず、ポリシリコン等であってもよい。
【０１６６】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要部断面図で、図３のＣ−Ｃ'線における断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す断面図で、図３のＤ−Ｄ'線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図６】従来の液晶表示装置の一例を示す等価回路図である。
【図７】従来の液晶表示装置の画素の一例を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す等価回路図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１０】図９のＥ−Ｅ'線における断面図である。
【符号の説明】
【０１６８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＧＤＶ……ゲートドライバ、ＤＤＶ……ドレインドライバ、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＡＲ……画像表示領域、ＣＬ……対向電圧信号線、ＣＣＬ……対向電圧共通信号線、ＴＲ……透過領域、ＲＲ……反射領域、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ、ＰＸ（ｔ）、ＰＸ（ｒ）……画素電極、ＣＴ、ＣＴ（ｔ）、ＣＴ（ｒ）……対向電極、ＣＴＭ……容量電極、ＧＩ……ゲート絶縁膜、ＩＮ１……第１絶縁膜、ＩＮ２……第２絶縁膜、ＣＩＮ１……第１容量絶縁膜、ＣＩＮ２……第２容量絶縁膜、ＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３、ＴＨ４、ＴＨ５、ＴＨ６……スルーホール、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２……配向膜、ＦＩＬ……カラーフィルタ、ＰＯＬ１、ＰＯＬ２……偏光板。
【図１】
0005075583.tif 000002
【図２】
0005075583.tif 000003
【図３】
0005075583.tif 000004
【図４】
0005075583.tif 000005
【図５】
0005075583.tif 000006
【図６】
0005075583.tif 000007
【図７】
0005075583.tif 000008
【図８】
0005075583.tif 000009
【図９】
0005075583.tif 000010
【図１０】
0005075583.tif 000011