(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元的な周期的パターンを有する複数の薄膜パターン層を、３次元的な周期性の下に積層してなる３次元構造体の製造方法であって、
基板上に多孔質層を形成し、この多孔質層の上に薄膜層を形成した後、この薄膜層を前記２次元的な周期的パターンによりパターニングして前記複数の薄膜パターン層の各々を形成する工程と、
前記複数の薄膜パターン層を一層ずつ３次元的な周期性の下に積層する工程とを含み、
前記多孔質層の上に薄膜層を形成する工程において、水素アニールにより前記多孔質層の表面に存在する穴を塞いだのち、熱ＣＶＤ法により前記多孔質層の上に薄膜層を形成すると共に、前記水素アニールと前記熱ＣＶＤ法とを行っている間に、前記多孔質層の上に前記薄膜層を形成している間において前記薄膜層が部分的にあるいは全面的に前記基板から剥がれない程度の引っ張り強度を有する分離層を、前記多孔質層の内部に形成し、
前記複数の薄膜パターン層を積層する工程において、一層の薄膜パターン層を積層した後、次の薄膜パターン層を積層する前に、前記基板を前記分離層を境として剥離し、前記薄膜パターン層の表面に残存する前記多孔質層を除去する
３次元構造体の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜パターン層を一定間隔で平行に並んだ同一形状の複数の角柱により形成し、前記互いに重なり合う薄膜パターン層を前記複数の角柱が互いに直交するように積層する
請求項１記載の３次元構造体の製造方法。
【請求項３】
前記基板としてシリコン（Ｓｉ）基板を使用し、前記多孔質層として多孔質シリコン層を形成し、前記薄膜層として薄膜単結晶シリコン層を形成する
請求項１記載の３次元構造体の製造方法。
【請求項４】
前記基板としてシリコン基板を使用し、前記多孔質層として多孔質シリコン層を形成し、前記薄膜層として薄膜単結晶シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層を形成し、
前記シリコン基板を剥離した後、前記多孔質シリコン層のみを選択的にエッチングして前記薄膜単結晶シリコンゲルマニウム層のみを残す
請求項１記載の３次元構造体の製造方法。
【請求項５】
前記剥離された基板を研磨して再び薄膜パターン層の形成に使用する
請求項１記載の３次元構造体の製造方法。
【請求項６】
前記複数の薄膜パターン層を積層する工程において、３次元的な周期において同一の位相にある薄膜パターン層を、積層方向に直交する平面内における位置を互いにずらして積層する
請求項１記載の３次元構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトニック結晶（photonic crystal）に好適に用いられる３次元構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光エレクトロニクスにおいてフォトニック結晶が注目されている。フォトニック結晶は、周期的な屈折率分布を有しており、光を閉じ込めることができる。１次元フォトニック結晶は、通常、多層膜と呼ばれるものである。一次元フォトニック結晶は、多層膜の積層方向のみにおいて（すなわち、１次元的に）光を遮断することができ、コーティング等に利用される。これを２次元に拡張した２次元フォトニック結晶の例には、例えば、周期的に形成または配置された穴、溝、柱、凹凸などの２次元的な周期的パターンを有する膜がある。さらに、このような２次元的な周期的パターンを有する膜を多数積層して３次元に拡張すれば、３次元フォトニック結晶が得られる（例えば、特願平１０−３３５７５８）。
【０００３】
１次元フォトニック結晶では、内部に発光デバイス、例えばレーザを作製すると例えば横に逃げる成分があるので効率が低下し、レーザのしきい値が高くなる。しかしながら、３次元フォトニック結晶内にレーザを作製すると、零しきい値レーザなどの低しきい値のレーザを作ることができる。フォトニック結晶の応用可能性は広く、例えばフォトニック結晶ファイバーや光回路などを初め、情報処理または光通信における実用化が期待されている。しかしながら、フォトニック結晶の製造には極めて高精度が要求され、コストが高いので、現在では広範な実用化に至ってはいない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、３次元構造体の製造技術として従来より陽極化成や陽極酸化が知られているが、陽極化成または陽極酸化のみによってはフォトニック結晶のような３次元的な周期構造は作製できない。シリコン等の半導体から３次元的な周期構造を製造するための技術としては、従来、半導体基板上に薄膜半導体層を成膜し、その後、薄膜半導体層を別の基板に融着し、半導体基板を研磨して除去するという一連の工程を繰り返すという方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、このような研磨による方法では、半導体基板をすべて研磨して除去する必要があるので、製作時間と製作コストが増大するという問題点がある。
【０００６】
ところで、前述の特開平１０−３３５７５８号公報には、２次元的に周期的な凹凸をもつ基板上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）層とシリコン（Ｓｉ）層とを交互に積層し、これらの層の成膜後または成膜と同時にスパッタエッチングを行ってこれらの層を例えば蜂の巣のような凹凸形状に整形することにより、周期が１μｍ程度ないしそれ以下の周期的な３次元構造を作製する方法が開示されている。なお、この方法では、各層の凹凸が同じ位置に重なるようにして積層している。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光の閉じ込め効果が高く高精度な３次元的な周期構造を低コストで形成することができる３次元構造体の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による３次元構造体の製造方法は、２次元的な周期的パターンを有する複数の薄膜パターン層を、３次元的な周期性の下に積層してなる３次元構造体を製造するものであって、基板上に多孔質層を形成し、この多孔質層の上に薄膜層を形成した後、この薄膜層を前記２次元的な周期的パターンによりパターニングして複数の薄膜パターン層の各々を形成する工程と、複数の薄膜パターン層を一層ずつ３次元的な周期性の下に積層する工程とを含み、多孔質層の上に薄膜層を形成する工程において、水素アニールにより多孔質層の表面に存在する穴を塞いだのち、熱ＣＶＤ法により多孔質層の上に薄膜層を形成すると共に、水素アニールと熱ＣＶＤ法とを行っている間に、多孔質層の上に薄膜層を形成している間において薄膜層が部分的にあるいは全面的に基板から剥がれない程度の引っ張り強度を有する分離層を、多孔質層の内部に形成し、複数の薄膜パターン層を積層する工程において、一層の薄膜パターン層を積層した後、次の薄膜パターン層を積層する前に、基板を分離層を境として剥離し、薄膜パターン層の表面に残存する多孔質層を除去するようにしたものである。
【０００９】
本発明による３次元構造体の製造方法では、基板上に多孔質層を介して薄膜パターン層を形成し、一層ずつ積層していく。このとき、多孔質層の内部に分離層を形成しておき、一層の薄膜パターン層を積層した後、次の薄膜パターン層を積層する前に、分離層を境として基板を剥離し、薄膜パターン層の表面に残存する多孔質層を除去する。したがって、基板をすべて研磨する必要がなく、製造時間や製造コストを減らすことができる。剥離された基板は、表面を研磨すれば再び薄膜パターン層の形成に使用することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る３次元構造体の一例を表している。この３次元構造体１０は、支持基板１１上に、同一形状の多数の角柱からなる２次元的な周期的パターンを有する薄膜パターン層１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１を融着により積層してなる３次元フォトニック結晶である。薄膜パターン層１２〜２１の各角柱の長手方向に垂直な断面は、例えば、一辺の長さが０．０５μｍ〜０．５μｍの正方形であり、薄膜パターン層１２〜２１における２次元的な周期Ｐ２は、角柱の断面の一辺の長さの２倍、すなわち０．１〜１．０μｍとなっている。
【００１２】
本実施の形態では、支持基板１１は例えば合成石英からなり、薄膜パターン層１２〜２１は例えばシリコン（Ｓｉ）からなる。薄膜パターン層１２〜２１をシリコンから構成した場合には、それぞれの角柱の表面を熱酸化して二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）膜により覆うようにしてもよい。なお、支持基板１１は必ずしも設ける必要はなく、また、作製後に除去してもよい。
【００１３】
薄膜パターン層１２の角柱と、薄膜パターン層１３の角柱とは、互いに直交するように積層されている。また、薄膜パターン層１３の角柱と薄膜パターン層１４の角柱とは互いに直交するように積層されている。つまり、薄膜パターン層１４の角柱は薄膜パターン層１２の角柱と互いに平行になっている。
【００１４】
さらに、薄膜パターン層１４の角柱と薄膜パターン層１５の角柱とは互いに直交するように積層されている。つまり、薄膜パターン層１５の角柱は薄膜パターン層１３の角柱と互いに平行になっている。薄膜パターン層１５の上には、同様にして、薄膜パターン層１６〜２１の角柱が順次積層されている。
【００１５】
このように、薄膜パターン層１２〜２１の角柱は一層おきに平行になっており、３次元的な周期性の下に積層されている。３次元構造体１０における３次元的な周期Ｐ３は、角柱の断面の一辺の長さの２倍、すなわち０．１〜１．０μｍとなっている。なお、３次元構造体１０においては、薄膜パターン層１４，１６，１８，２０の角柱は、薄膜パターン層１２の角柱の真上になるように積層されている。薄膜パターン層１５，１７，１９，２１の角柱は、薄膜パターン層１３の角柱の真上になるように積層されている。
【００１６】
このような３次元構造体１０は、例えば図２〜図１６に示すような製造方法によって製造することができる。
【００１７】
まず、図２（Ａ）に示したように、基板３１を用意する。基板３１としては、例えば、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を添加した０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ程度の比抵抗を有する単結晶シリコン基板を用いる。次いで、図２（Ｂ）に示したように、基板３１の一方の表面に、例えば陽極化成法により、多孔質シリコンからなる多孔質層３２を形成する。
【００１８】
なお、基板３１としては、陽極化成法により多孔質シリコンからなる多孔質層３２を形成する観点からは、ｐ型の単結晶シリコン基板を用いることが望ましいが、条件設定によってはｎ型の単結晶シリコン基板を用いるようにしてもよい。
【００１９】
続いて、多孔質層３２の上に薄膜層３３を形成する。すなわち、まず、例えば１１００℃の温度で３０分間水素アニールを行い、多孔質層３２の表面に存在する穴を塞ぐ。そののち、図２（Ｃ）に示したように、例えば熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法により、多孔質層３２上に、ＳｉＨ4 またはＳｉＣｌ4 等のガスを用いてｐ型単結晶シリコンからなる薄膜層３３を成膜する。成膜温度は、ＳｉＨ4 を用いた場合には例えば１０７０℃とし、ＳｉＣｌ4 を用いた場合には例えば１１４０℃とする。
【００２０】
このように水素アニールと熱ＣＶＤとを行っている間に、多孔質層３２中の原子が移動し再配列される結果、多孔質層３２中の多孔率が大きかった部分が更に大きく変化し、引っ張り強度が最も弱い層すなわち分離層３２Ａが形成される。但し、この分離層３２Ａは、多孔質層３２の上に薄膜層３３を形成している間において、薄膜層３３が部分的にあるいは全面的に基板３１から剥がれない程度の引っ張り強度は十分有している。
【００２１】
薄膜層３３を形成したのち、図２（Ｄ）に示したように、薄膜層３３の表面に、フォトレジスト膜３４を形成する。次いで、図２（Ｅ）に示したように、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜３４をパターニングし、図１に示したような２次元的な周期的パターンを形成する。そして、図３（Ａ）に示したように、フォトレジスト膜３４をマスクとして薄膜層３３をパターニングする。その後、フォトレジスト膜３４を除去すると、図３（Ｂ）に示したように、同一形状の多数の角柱からなる２次元的な周期的パターンを有する薄膜パターン層１２が形成される。
【００２２】
なお、ここで、前述したように、シリコンからなる薄膜パターン層１２の角柱の表面および多孔質層３２の表面を例えば４００℃程度で熱酸化して二酸化ケイ素膜で覆うようにしてもよい。
【００２３】
続いて、図４（Ａ）に示したように、薄膜パターン層１２を支持基板１１の一方の表面に設置し、１０００℃程度に加熱して融着する。その後、図４（Ｂ）に示したように、基板３１を、分離層３２Ａにおいて薄膜パターン層１２から剥離する。この剥離の際には、例えば、基板３１と薄膜パターン層１２との間に引張応力を生じさせる方法、基板３１を低温化する方法、水あるいはエタノールなどの溶液中に基板３１を浸し、超音波を照射して多孔質層３２の強度を弱めて剥離する方法、またはウォータージェットを用いる方法などを用いることができる。
【００２４】
その後、薄膜パターン層１２の表面に残存している多孔質層３２Ｃを化学薬品によるエッチングまたは研磨等により除去すると、図４（Ｃ）に示したように、支持基板１１上に薄膜パターン層１２が完成する。
【００２５】
一方、剥離された基板３１については、図５に示したように、表面に残存している多孔質層３２Ｂを通常の研磨方法、電解研磨あるいはシリコンエッチングにより除去し、再研磨して表面を平坦化すれば再利用することができる。
【００２６】
なお、薄膜パターン層１２の角柱の表面を熱酸化した場合には、多孔質層３２Ｃが除去された後にも熱酸化を行って、角柱のすべての面を熱酸化してもよい。ただし、前述したように、熱酸化は必ずしも行う必要はない。
【００２７】
次いで、図６に示したように、薄膜パターン層１３を形成する。薄膜パターン層１３は、基板３１と同様の別の基板４１上に、多孔質層４２を介して、図２および図３において説明したのと同様に形成することができる。なお、薄膜パターン層１３は、図５に示した多孔質層３２Ｂを除去した後の基板３１を再利用して形成することも可能であり、これにより製造コスト削減が期待できる。
【００２８】
続いて、図７（Ａ）に示したように、薄膜パターン層１３の角柱が薄膜パターン層１２の角柱に直交するように薄膜パターン層１３を薄膜パターン層１２の上に設置し、１０００℃程度に加熱して融着する。その後、図７（Ｂ）に示したように、基板４１を、分離層４２Ａにおいて薄膜半導体パターン層１３から剥離する。
【００２９】
こうして剥離された基板４１については、図５に示した基板３１の場合と同様に、表面に残存している多孔質層４２Ｂを除去して表面を平坦化し、再利用することができる。
【００３０】
一方、薄膜パターン層１３の表面に残存している多孔質層４２Ｃを化学薬品によるエッチングまたは研磨等により除去すると、図７（Ｃ）に示したように、支持基板１１上に薄膜パターン層１２および薄膜パターン層１３が積層される。
【００３１】
この後、図６および図７を用いて説明したような薄膜パターン層１３の製造プロセスを繰り返すことにより、さらに薄膜パターン層１４〜２１を形成・積層し、図１に示した３次元構造体１０を製造することができる。
【００３２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、薄膜パターン層１２と基板３１との間に多孔質層３２を介在させるようにしたので、薄膜パターン層１２を支持基板１１に融着した後で多孔質層３２を境として基板３１を剥離することができる。薄膜パターン層１３〜２１についても同様である。したがって、薄膜パターン層１２〜２１を形成するのに用いた基板３１，４１またはその他の基板をすべて研磨する必要はなく、３次元構造体１０の製造時間や製造コストを著しく削減することができる。
【００３３】
さらに、剥離した後の基板３１，４１またはその他の基板は、再研磨して再利用することも可能であるから、これにより更なる製造コスト削減が期待できる。
【００３４】
また、本実施の形態では、薄膜パターン層１２〜２１を屈折率の高い半導体材料、例えばシリコンから構成したので、フォトニック結晶として優れた特性を有する３次元構造体１０を作製することができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る３次元構造体について説明する。本実施の形態に係る３次元構造体は、支持基板１１としてシリコン基板またはゲルマニウム（Ｇｅ）基板を用いること、および薄膜パターン層１２〜２１をシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）から構成することのみにおいて第１の実施の形態に係る３次元構造体１０と異なっており、その他は、第１の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。よって、同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００３６】
本実施の形態に係る３次元構造体１０も、図２ないし図７を参照して第１の実施の形態で説明したのと同じ製造方法により作製することができる。
【００３７】
本実施の形態では、第１の実施の形態による効果に加えて、更に次のような優れた効果が得られる。すなわち、本実施の形態では、薄膜パターン層１２〜２１をシリコンゲルマニウムから構成するようにしたので、例えば薄膜パターン層１２の場合、薄膜パターン層１２を支持基板１１に融着して（図４（Ａ）参照）、基板３１を剥離した後（図４（Ｂ）参照）、薄膜パターン層１２の表面に残存している多孔質層３２Ｃを除去する際に、シリコンからなる多孔質層３２Ｃのみを選択的にエッチングしてシリコンゲルマニウムからなる薄膜パターン層１２のみを劣化させることなく残すことができる。第１の実施の形態では、多孔質層３２とシリコンからなる薄膜パターン層１２との界面が平坦ではなく凹凸があるので、完成した３次元構造体１０の形状精度が低下する傾向がある。これに対して、本実施の形態では、シリコンゲルマニウムからなる薄膜パターン層１２を、シリコンからなる多孔質層３２Ｃのエッチングの際にエッチングストッパとして用いることができ、かつ、エッチングにより薄膜パターン層１２を劣化させる虞がない。したがって、本実施の形態では、薄膜パターン層１２の表面が平坦になり、良好な形状精度を有する３次元構造体１０が得られる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態に係る３次元構造体について説明する。図８は、本実施の形態に係る３次元構造体の概略構成を表すものである。この３次元構造体３０は、同一形状の多数の角柱からなる複数の層が井桁状に積層されるとともに、３次元的な周期において同一の位相にある層が、積層方向に直交する平面内における位置を互いにずらして積層されている、ダイヤモンド構造の屈折率分布をもつ３次元フォトニック結晶であり、完全に光を閉じ込めることができる。
【００３９】
具体的には、３次元構造体３０においては、角柱が互いに平行になっている、すなわち３次元的な周期において同一の位相にある薄膜パターン層１２，１４，１６，１８，２０が、積層方向（Ｚ方向）に直交する平面（ＸＹ平面）内における位置を、それぞれ距離ＳX だけ互いにずらして積層されている。同様に、薄膜パターン層１３，１５，１７，１９，２１も、積層方向（Ｚ方向）に直交する平面（ＸＹ平面）内における位置を、それぞれ距離ＳY だけ互いにずらして積層されている。これ以外は、本実施の形態の３次元構造体３０は、第１の実施の形態または第２の実施の形態と同一の材料および構成を有しており、同様の作用および効果を得ることができる。よって、同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００４０】
本実施の形態においては、このずれの距離ＳX ，ＳY は、薄膜パターン層１２〜２１の角柱の断面の一辺の長さに等しくなっている。すなわち、ずれの距離ＳX ，ＳY は、２次元的な周期Ｐ２の半分に等しくなっている。
【００４１】
３次元構造体３０の製造方法については、薄膜パターン層１２〜２１を一層ずつ積層していく際に、上述のように３次元的な周期において同一の位相にある薄膜パターン層１２，１４，１６，１８，２０、および薄膜パターン層１３，１５，１７，１９，２１を積層する際に、積層方向（Ｚ方向）に直交する平面（ＸＹ平面）内における位置を、それぞれ距離ＳX ，ＳY だけ互いにずらしていくことを除けば、第１の実施の形態で説明した製造方法と同様である。
【００４２】
本実施の形態では、第１の実施の形態または第２の実施の形態による効果に加えて、更に次のような優れた効果が得られる。すなわち、本実施の形態では、角柱が互いに平行になっている、すなわち３次元的な周期において同一の位相にある薄膜パターン層１２，１４，１６，１８，２０、および薄膜パターン層１３，１５，１７，１９，２１を積層する際に、積層方向（Ｚ方向）に直交する平面（ＸＹ平面）内における位置を、それぞれ距離ＳX ，ＳY だけ互いにずらしていくようにしたので、光の閉じ込め効果がより高い３次元構造体３０を得ることができる。なお、図８に示したずれの距離ＳX ，ＳY を、図１の３次元構造体における２次元的な周期Ｐ２の４分の１に等しくすると光の閉じ込め効果を最も高くすることができる。
【００４３】
なお、図８に示したずれの距離ＳX とＳY とは、同一であってもよいし、それぞれ独立に設定してもよい。また、局所的に変化させてもよい。
【００４４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、図２（Ｃ）の工程において、単結晶シリコンからなる薄膜層３３を成長させるようにしたが、非晶質シリコンや多結晶シリコンよりなる薄膜層を成長させてもよい。
【００４５】
また、上記実施の形態では支持基板１１の材質は合成石英としたが、他にもガラスなども使用可能である。
【００４６】
また、上記実施の形態では、薄膜パターン層１２〜２１の材質はｐ型単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムとしたが、これに限られるものではない。例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ）とヒ素（Ａｓ）との化合物，ガリウムと窒素（Ｎ）との化合物またはガリウムとインジウム（Ｉｎ）との化合物など、他の半導体材料を用いることも可能である。さらに、例えば、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）またはステンレス鋼などの金属材料とすることもできる。薄膜パターン層１２〜２１をこのような金属材料で構成する場合、薄膜層３３の形成は上記実施の形態で説明した熱ＣＶＤ法だけでなく、スパッタリングまたは真空蒸着によっても行うことができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の３次元構造体の製造方法によれば、薄膜パターン層と基板との間に多孔質層を介在させると共に、多孔質層の内部に分離層を形成しておくようにしたので、薄膜パターン層を融着積層した後で分離層を境として基板を剥離することができる。したがって、従来のように薄膜パターン層を形成するのに用いた基板をすべて研磨する必要はなく、３次元構造体の製造時間や製造コストを著しく削減することができる。
【００４８】
特に、請求項５記載の３次元構造体の製造方法によれば、剥離した後の基板は、再研磨して再利用することも可能であるから、これにより更なる製造コスト削減が期待できる。
【００４９】
また、特に、請求項３記載の３次元構造体の製造方法によれば、薄膜パターン層を屈折率の高い半導体材料、例えばシリコンから構成したので、フォトニック結晶として優れた特性を有する３次元構造体を作製することができる。
【００５０】
とりわけ、請求項４記載の３次元構造体の製造方法によれば、薄膜パターン層をシリコンゲルマニウムから構成するようにしたので、薄膜パターン層の表面に残存している多孔質層を除去する際に、シリコンからなる多孔質層のみを選択的にエッチングしてシリコンゲルマニウムからなる薄膜パターン層のみを劣化させることなく残すことができる。したがって、薄膜パターン層の表面が平坦になり、良好な形状精度を有する３次元構造体が得られる。
【００５１】
加えて、特に、請求項６に記載の３次元構造体の製造方法によれば、３次元的な周期において同一の位相にある薄膜パターン層を、積層方向に直交する平面内における位置を互いにずらして積層するようにしたので、光の閉じ込め効果がより高い３次元構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る３次元構造体の一例を説明するための斜視図である。
【図２】図１に示した３次元構造体の製造方法の一例を工程毎に説明するための断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く製造工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く製造工程を表す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る３次元構造体の一例を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
１０，３０…３次元構造体、１１…支持基板、１２〜２１…薄膜パターン層、３１，４１…基板、３２，４２…多孔質層、３３…薄膜層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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