(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ装置であって、
液浸液の主要部を供給する流体処理システムと、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき、前記液浸液の主要部を囲む表面と、
該表面上または該表面内部に形成された能動滴操作システムと、を備え、
前記能動滴操作システムは、前記滴を前記液浸液の主要部に向けて案内する静電気力を生成するための該表面上または該表面内部に形成された電極セットを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記液浸液の主要部が投影系の末端要素と該末端要素の下方のバリア部材とに包囲されており、前記電極セットが前記末端要素の下面及び前記バリア部材の上面の少なくとも一方の上または内部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記能動滴操作システムは、前記流体処理システムの吸引システムへ前記滴を案内することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記電極セットは複数の電極を備え、前記複数の電極は、前記表面上の流体を静電的に操作するよう電圧が与えられるように前記電極セット内に配列されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記複数の電極は、前記電極セットにおいて列をなして配列されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記複数の電極は、前記表面上で流体が操作される方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
各電極の中心間距離は０．１ｍｍ乃至１ｍｍの範囲から選択されていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記複数の電極は、実質的に垂直な２つの電極の列からなる格子状パターンに前記電極セットにおいて配列されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記複数の電極は、希釈されたイオン溶液を静電的に操作するよう構成されていることを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記希釈されたイオン溶液は酸性であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記希釈されたイオン溶液は二酸化炭素が溶解された水を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記電極セットに与えられる電圧を制御するコントローラを備えることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
前記表面及び／または前記電極セットは疎液体性材料で少なくとも部分的に覆われていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記表面の前記一部は、該表面に前記滴が包囲されることなく存在しうる開放された表面であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記開放された表面は、前記滴が接触している唯一の表面であることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記開放された表面は、滴が位置する側に凸である表面、または平坦な表面であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記表面は、投影ビームが透過する表面以外の液浸リソグラフィ装置におけるいずれかの表面であることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記リソグラフィ装置は、基板を保持する基板テーブルを備え、前記表面は該基板テーブルの一部であり、及び／または、
前記装置は、パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系を備え、該投影系は末端要素を備え、前記表面は該投影系の一部であり、及び／または、
前記流体処理システムは、バリア部材を備えかつ前記末端要素と基板との間の空間に流体を供給し、保持し、及び／または排出し、前記表面は前記バリア部材の一部であり、及び／または、
前記装置は、センサを備え、前記表面はセンサの一部であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
前記流体処理システムは前記液浸液の主要部を囲むバリア部材を備え、前記電極セットは、前記バリア部材の下側の多孔質表面またはその近傍に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
パターンが付与された放射ビームを基板に投影系を使用して投影することと、
液浸システムを使用して、投影系と基板との間の空間に液浸流体を供給することと、
前記空間に供給された液浸流体を囲む表面上または該表面内部に形成された電極に制御電圧を与えることにより、前記液浸流体を囲む表面上の前記液浸流体の不要な滴を前記液浸流体に向けて案内する静電気力を生成することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２１】
前記滴は開放表面から除去されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記滴は、前記液浸流体を囲む表面のみに接触していることを特徴とする請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記不要な滴は、液体の滴であることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
液浸リソグラフィ装置であって、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、
該表面上または該表面内部に形成された能動滴操作システムと、を備え、
前記能動滴操作システムは、液浸液が保持されるべき領域に向けて前記滴を移動させることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に対応した回路パターンを形成するために使用され得る。このパターンが基板（例えばシリコンウエーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写されることになる。パターンの転写は典型的には、基板に塗布された放射感応性材料（レジスト）層への像形成により行われる。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置内の基板を比較的屈折率の高い例えば水などの液体に浸け、投影光学系の末端の要素と基板との間を当該液体で満たすようにすることが提案されている。この液体は蒸留水であってもよいし、その他の液体であってもよい。本発明の一実施形態は液体を例として説明されるが、濡れ性流体や非圧縮性流体、あるいは空気より高屈折率の流体（望ましくは水より高屈折率の流体）などの他の流体が適当である場合もありうる。この提案のポイントは、当該液体中で露光光の波長がより短くなって、より小さいパターンを結像させることができるということである（この液体の効果は光学系のＮＡを実効的に増大させるものとも、あるいは焦点深度を増大させるものともみなすこともできる）。他の液浸液も提案されており、例えば固体粒子（例えば石英）を浮遊状態で含む液体や、浮遊ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以内の粒子）を有する液体などがある。浮遊粒子は周囲の液体と同一または類似の屈折率を有していてもよいし、有していなくてもよい。その他に適当となりうる液体には炭化水素やフッ化炭化水素、水溶液もある。これらも本発明の一実施形態に含まれる。
【０００４】
しかし、基板のみあるいは基板及び基板テーブルの双方を液体槽に浸ける場合には（例えば米国特許第４５０９８５２号明細書を参照、本願明細書に援用する）、スキャン露光中に大量の液体が加速されなければならないことになる。そのためにはモータを追加したり、あるいはより強力なモータに取り替えたりすることが必要になる。また、液体に生じる乱流が不都合あるいは不測の影響をもたらすおそれがある。
【０００５】
提案されている１つの解決法は、液体を封じ込めるシステムを使用して投影光学系の末端の要素と基板との間において基板の局所的領域にしか液体を供給しない液体供給システムを用いることである（一般に投影系の末端要素よりも基板のほうが大面積である）。このような構成の一例が例えば国際公開第９９／４９５０４号（本願明細書に援用する）に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が基板に少なくとも１つの供給口ＩＮによって好ましくは末端要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影光学系の下を通過した後は少なくとも１つの排出口ＯＵＴによって取り除かれる。つまり基板が末端要素の下方で−Ｘ方向に走査される場合には、液体は末端要素の＋Ｘ側から供給されて−Ｘ側で回収される。図２には、供給口ＩＮから液体が供給され、排出口ＯＵＴにより末端要素の他方の側で液体が回収されるという構成が模式的に示されている。排出口ＯＵＴは低圧源に接続されている。図２においては末端要素に対する基板移動方向に沿って液体が供給されているが、これは必須ではない。さまざまな向き及び数の供給口及び排出口を末端要素の周囲に配置することが可能である。一例としては図３に示されるように、隣接する供給口及び排出口が末端要素の周囲に規則的に４組配置されていてもよい。
【０００６】
局所的に液体を供給するシステムを有する液浸露光法の一例が図４に示されている。投影光学系ＰＬの側部に設けられている２つの溝状のインレットＩＮから液体が供給され、インレットＩＮから放射方向外側に分散して配置されている複数のアウトレットＯＵＴによって取り除かれる。インレットＩＮ及びアウトレットＯＵＴは中心部に開口を有するプレートに形成されており、この開口を通じて投影ビームが投影される。液体は、投影光学系ＰＬの一方の側部の１つの溝状のインレットＩＮから供給され、投影光学系ＰＬの他方の側部に分散配置される複数のアウトレットＯＵＴによって除去される。これにより、投影光学系ＰＬと基板Ｗとの間に薄層状の液体の流れが形成される。どのインレットＩＮとアウトレットＯＵＴとを組み合わせて使用すべきかということは基板移動方向に依存する（インレットＩＮとアウトレットＯＵＴとの組み合わせによっては有効に機能しない）。
【０００７】
欧州特許出願公開第１４２０３００号明細書及び米国特許出願公開第２００４／０１３６４９４号明細書の全体をここに引用する。これらの文献にはツインステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置が開示されている。これらの装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。第１位置にあるテーブルで液浸液が無い状態でレベリング測定が実行され、第２位置にあるテーブルで液浸液が存在する状態で露光が実行される。これに代えて、リソグラフィ装置は、露光位置と測定位置とを移動する１つのテーブルしか有していなくてもよい。
【０００８】
液浸リソグラフィ装置においては、ある時点において液浸液があることが想定されていない表面または表面の一部に液浸液の液滴が意図せずして運ばれたり残されたりすることがある。これにより欠陥基板が生成されてしまうおそれがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
例えば、液浸リソグラフィ装置の表面から液浸液の不要な液滴を除去することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置であって、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、
該表面上または該表面内部に形成された能動滴除去システムと、を備え、
該表面の該一部は前記装置における隣接部分に対し十分に移動され、該表面の該一部の流体の滴に作用する毛細管力は毛細管現象により該流体の滴を移動させるには不十分であり、
前記能動滴除去システムは、毛細管現象の支援がなくても該表面の該一部の流体の滴を操作する装置が提供される。
【００１１】
本発明の一態様によれば、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、
該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、
前記能動滴除去システムは、流体が除去されるべき前記一部を含む前記表面以外の表面とは非接触である流体の滴を操作するよう構成されている液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
本発明の一態様によれば、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、
該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、
前記表面の前記一部は、前記表面の前記一部との間隙を流体が橋渡しするには該流体の表面張力が不十分であるすべての表面に対し十分に移動され、
前記能動滴除去システムは、前記表面の前記一部上の流体の滴を操作する液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１３】
本発明の一態様によれば、
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、
該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、
前記能動滴除去システムは、前記表面の前記一部上の流体の滴を操作し、
前記表面の前記一部の曲率中心は、操作される滴が位置する側とは反対側にある液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
本発明の一態様によれば、
パターンが付与された放射ビームを基板に投影系を使用して投影し、
液浸システムを使用して、投影系と基板との間の空間に液浸流体を供給し、
投影系または液浸システムの表面の一部から作用する毛細管力が毛細管現象による移動生じさせるには不十分である液浸流体の不要な滴を、該表面上または表面内部に設けられた電極に制御電圧を与えることにより毛細管現象の支援を受けることなく除去することを含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】リソグラフィ投影装置で用いられる液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置で用いられる液体供給システムを示す図である。
【図４】リソグラフィ投影装置で用いられる他の液体供給システムを示す図である。
【図５】リソグラフィ投影装置で用いられる他の液体供給システムを示す図である。
【図６】バリア部材の一例、及び不要な液滴が形成されうる典型的な周辺領域の拡大部分断面図である。
【図７】基板、基板テーブル、及びセンサの平面図である。
【図８】図６のバリア部材の一例及び周辺領域の拡大図であり、本発明の一実施形態に係る電極の配置を示す。
【図９】本発明の一実施形態に使用される電極配列の平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る電極を有するバリア部材の部分断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る電極の格子状パターン配列の平面図である。
【図１２】液浸リソグラフィ装置において液滴が形成されうるバリア部材の他の例及び周辺領域の部分断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態が適用されうる液浸リソグラフィ装置の基板テーブル、基板、及び液浸流体の部分断面図である。
【図１４】図１３の部分断面図において生じ得る不要な液滴の配置と本発明の一実施形態に係る電極配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
−放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明光学系（イルミネータ）ＩＬと、
−パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えばレジストでコーティングされたウエーハ）Ｗを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエーハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。
【００１７】
照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１８】
支持構造は、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造においてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術が用いられる。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００１９】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００２０】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２１】
本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。
【００２２】
ここに説明されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイや反射型マスクなどを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００２３】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００２４】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。
【００２５】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００２６】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに投影する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や露光走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは逆に）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスのアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスのアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００２８】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがＸ及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００２９】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、スキャン移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００３０】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームＰＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００３２】
液浸リソグラフィ装置においては、ある時点において液浸液があることが想定されていない表面または表面の一部に液浸液の液滴が意図せずして運ばれたり残されたりすることがある。これにより欠陥基板が生成されてしまうおそれがある。
【００３３】
問題の１つは、不要な液浸液の液滴があるとそれ自体が欠陥の原因となりうることである。例えば、不要な液滴がレンズ素子やセンサ素子に形成されたり残されたりすると、その素子の光学特性が変化して例えば計測や収束が不正確になるおそれがある。
【００３４】
また、表面に残された不要な液浸液滴は蒸発しうる。この蒸発は熱負荷の原因となりうる。熱負荷は、不要な液滴がある表面を有するリソグラフィ装置の要素に課される。熱負荷により素子の光学特性変化や物理的変形が生じてさらに精度が悪くなるおそれがある。
【００３５】
不要な液滴の発生及び蒸発によって生じる更なる問題は、蒸発によって汚染物質が表面に溜まっていくことである。汚染物質は例えば液浸液中の不純物や添加物によるものである。
【００３６】
不要な液浸液滴を除去する１つの手法は、液滴がある表面から受動的に除去することである。これは、表面に疎液体性のコーティングをすることにより可能である。あるいは、疎液体性のコーティングと親液体性のコーティングとを組み合わせて用いてもよい。しかし、受動的に不要液滴を除去するこれらの手法では液滴が比較的ゆっくりと除去される。よって、上述の問題が発生しうる。
【００３７】
不要液浸液滴を速く除去するには、気体流れを用いて表面から吹き飛ばすという方法もある。しかし、気体流れを使用すると液滴が一部蒸発しうる。そうすると上述の問題例えば熱負荷や不純物の堆積が生じ得る。
【００３８】
液浸リソグラフィ装置好ましくはその液浸システムの表面から不要液浸液滴を素早くかつ液浸液滴を大きく蒸発させることなく除去することが望ましい。ここで、「液浸システム」とは、液体処理システム、基板テーブルＷＴ、及び投影系ＰＳの末端要素を少なくとも含む。以下では液体を例として本発明の一実施形態を説明するが、その他の流体にも同じ原理を適用可能である。例えば、本発明の一実施形態は、流体の滴、液体の滴、浮遊固体粒子を有する流体の滴、及び浮遊固体粒子を有する液体の滴に少なくとも適用可能である。
【００３９】
滴との用語は例えば、自身より大きい液体の塊の一部を形成しない分離された滴を意味する。また、滴は、別の液体塊に液体で接続されていない。本願においては、複数の滴の制御または除去は単一の滴の制御または除去にも同様に適用され、逆も同様であると理解されたい。
【００４０】
また、本発明の一実施形態はリソグラフィ装置のいかなる要素にも適用可能である。特に液浸システムを含む液浸リソグラフィ装置のいかなる要素にも適用可能である。本発明の一実施形態は、不要液浸液滴が形成されやすい表面に適用するのが最もよい。この表面には例えば、投影系ＰＳの末端要素、基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、液体処理システム（例えば液体処理システムのバリア部材１２０）、及び／または液浸システムの表面及び／またはその周囲が含まれる。液浸システムとは、液浸リソグラフィ装置において液浸液を供給し、封じ込め、または制御するシステムである。
【００４１】
本発明の一実施形態はいかなる形式の液浸リソグラフィ装置にも適用可能であり、液浸リソグラフィ装置の液浸システムは、局所液体供給システム（すなわち「局所領域」）を有していてもよいし、非封じ込め液体供給システムを有していてもよい。非封じ込め液体供給システムには例えば、「液槽」式と「完全湿」式とがある。液槽式においては、基板は液浸液槽に完全に浸される（すなわち沈められる）。完全湿式においては、投影系に対向する基板の主表面が液浸液で完全に覆われる。液浸液は基板をフィルム状に覆ってもよい。このフィルムは薄いことが好ましい。液浸液の供給は、基板から自由に流出するようになされてもよい。更に基板主表面を取り巻く基板テーブルからも自由に流出するよう液浸液が供給されてもよい。以下に説明する実施形態は、「局所領域」液浸リソグラフィ装置及び「完全湿式」液浸リソグラフィ装置に関するが、実施形態はいかなる形式のリソグラフィ装置にも関連しうる。
【００４２】
その他に提案されている液浸リソグラフィ装置は、バリア部材（またはいわゆる液浸フード）を有する局所液体供給システムを備える。バリア部材は、投影系の末端要素と基板テーブルとの間の空間の辺縁部の少なくとも一部に沿って延在する。この方式は図５に示されている。バリア部材はＸＹ面内では投影系に対して実質的に静止しているが、Ｚ軸方向（光軸方向）にはある程度相対移動が可能である。一実施例においては、バリア部材と基板表面との間にシールが形成される。
【００４３】
図５に示されるように、シール部材１６は投影系の結像領域周囲に基板に非接触シールを形成し、投影系の末端要素と基板表面との間のリザーバまたは液浸空間１１に液体が封じ込められる。リザーバ１１は、投影系ＰＳの末端要素の下方及び周囲に配置されるバリア部材１２によって形成される。投影系下方及びバリア部材１２内側の空間に液体が与えられる。例えば、液体はポート１３を通じて供給及び／または除去されてもよい。バリア部材１２は投影系末端要素の若干上方にまで延びていてもよい。これにより液位が末端要素よりも上方に上昇して液体のバッファーが形成される。一実施例ではバリア部材１２は上端部において内周形状が投影系またはその末端要素の形状に近似していてもよく、例えば円周状であってもよい。底部においては内周形状が結像領域の形状例えば長方形に近似していてもよいが、これは必須ではない。
【００４４】
液体は、バリア部材１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によってリザーバに保持されている。ガスシールは例えば空気や合成空気などの気体により形成されるが、一実施例ではＮ２や他の不活性ガスでもよい。ガスは、バリア部材１２と基板との間隙に吹出口１５から所定圧で供給される。ガスは第１排出口１４を通じて排出される。ガス吹出口１５での超過圧力、第１排出口１４での真空レベル、及び間隙の幾何形状は、液体を封じ込める高速なガス流れを中心方向に生じさせるように構成される。このようなシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。
【００４５】
液浸リソグラフィ装置の更なる例が図６に示されている。図６の装置は、液体処理システムを有する。液体処理システムは例えば、液浸液を供給し、内部に保持し、排出する。液体処理システムは、バリア部材１２０を備えてもよい。液体処理システムは、液体供給システム（図６では図示していないが、図５の注入口１３と類似である）、液体排出システム１８、１８１、及び／または液浸液の通過を妨げるシール部材１６０のうち１つまたは複数を有してもよい。シール部材１６０は、液浸液をある容積に閉じ込めるのに用いられる。図６に示されるような典型的な局所領域液浸リソグラフィ装置は、液浸液の主要部２００を内部に保持してもよい。
【００４６】
液浸リソグラフィ装置の例えば液浸システムの表面に不要液浸液滴が残されたり形成されたりするおそれがある。図６は、液浸システム及びその周囲の液浸リソグラフィ装置構成の断面の拡大図である。図６は、リソグラフィ装置の図示される部位の表面に形成されまたは残されうる不要液滴の位置を種々示す。簡単のため、液浸液及びその周囲の断面図は半分だけを示す。図６に示される不要液滴の位置は、従来の液浸リソグラフィ装置で観察されるものであり、以下に説明する。しかし、液浸リソグラフィ装置特にその液浸システムの他のいかなる表面にも不要液浸液滴は形成されうるものと理解されたい。
【００４７】
斜線部は液浸液のある場所を示す。図６の装置において液浸液の存在が好ましい唯一の場所は領域２００である。領域２００は、投影系ＰＳの末端要素、基板Ｗ（または基板テーブルＷＴ）、及びバリア部材１２０の表面を境界としている。主メニスカス２０１がバリア部材１２０の底面１２１と基板Ｗとの間に延びている。液端２０２はバリア部材１２０と投影系ＰＳの末端要素との間に延びている。液端２０２は例えば表面張力により形成される。
【００４８】
不要液浸液滴が形成される典型的な領域は、基板Ｗに対向するバリア部材１２０の表面１２１である。図６に示すように、バリア部材１２０には液浸液吸引ダクト１８が設けられている。ダクト１８は、基板Ｗに対向するバリア部材１２０の表面１２１に形成されている。吸引ダクト１８は、液浸リソグラフィ装置の液浸液流れを制御する液体処理システムの一部である。ダクト１８は、異なる周辺位置に配置されている複数の針型吸引ダクトの１つである。吸引ダクトは円周状に配置されていてもよい。ダクト１８は領域２００を囲むように配置される。ダクトは、負圧源に開放されている排出口１８１を最終的には通じて、液浸液を排出するよう構成されている。このシステムは、液浸液の大半が吸引ダクト１８の入口を放射方向に通過しないことを保証するのに有効である。しかし、液浸液のいくらかは吸引ダクト１８で吸引されずに、液浸液があるべき領域２００の外部に不要液滴を形成するおそれがある。バリア部材１２０におけるこのような液滴は、その後基板に落下して基板Ｗに欠陥を生じさせるおそれがある。この欠陥はパターン欠陥試験において例えば円弧または直線で示される。
【００４９】
通常、不要な液浸液の副主要部１０１が吸引ダクト１８の入口をちょうど越えたところに形成されうる。この液浸液副主要部１０１は、基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴに対向するバリア部材１２０の表面１２１と基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴとの間に形成される。以下では基板Ｗまたは基板テーブルＷＴのいずれかに言及したときには、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの両方を指す場合がある。基板Ｗ及び基板テーブルＷＴはバリア部材１２０及び投影系ＰＳに対して移動するので、液浸液副主要部１０１は基板Ｗに対して移動し、基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴの表面に液滴１０２を形成する。これは、不要液浸液滴１０２の痕跡が基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴに残されるということである。１つまたは複数の不要液滴がバリア部材の表面１２１にも形成されうる。液浸液副主要部１０１に由来するこれらの液滴１０２は、基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴの欠陥の原因となりうる。この欠陥はパターン欠陥試験において例えば円弧または直線で示される。
【００５０】
吸引ダクト１８により回収されていない液体は液浸液主要部２００から更に遠くに運ばれるおそれがある。これを防止または少なくとも軽減するために、液浸リソグラフィ装置にガスシール１６０を設けてもよい。図示の実施形態では、ガスシール１６０は、ガスが通る吸気口１５０を有するガスナイフである。ガスナイフ１６０からの気体流れは基板Ｗへと向けられる。ガスナイフ１６０は、液浸液の通過を妨げるように構成される。理想的にはガスナイフ１６０は、液浸液の通過を完全に止める。図６の矢印１６１及び矢印１６２は、気体流れ経路の方向を示す。気体流れは最終的には経路１６１（すなわち液浸液主要部２００に向かう方向）に従って排出口１８１を通じて排出される。バリア部材１２０には、ガスナイフ１６０よりも（投影系の光軸に対して）放射方向内側に凹部１７０が設けられている。凹部１７０は、ガスナイフからの気体に、流れ経路１６１に沿ってガスナイフ１６０より放射方向内側に流れる適切な気体流れ排出経路を与える。
【００５１】
不要液浸液滴はガスナイフ１６０のいずれかの側面にも形成されうる。例えば、（投影系の光軸に対して）放射方向内側の表面に形成されうる。ガスナイフ１６０の放射方向外側にも形成されうる。ガスナイフ１６０の放射方向外側に不要液浸液滴が形成されるのは例えば、ガスナイフからの気体が基板または基板端部の液滴を液浸システム表面へと上方に飛び散らすからである。液浸システム表面は例えば、基板Ｗに対向するバリア部材１２０の下面１２１である。図６に示される例では、ガスナイフ１６０の放射方向外側の表面には不要液浸液滴は示されていない。
【００５２】
図示の例では、ガスナイフ１６０よりも放射方向内側（すなわち液浸液主要部２００に向かう方向）の表面に不要液浸液滴が形成されている。図６の例では２つの液滴が示されている。１つの液滴１０３が、ガス排出経路１６１を形成する凹部１７０の放射方向内側表面にある。１つの液滴１０４が、ガス排出経路１６１を形成する凹部１７０の放射方向外側表面にある。液滴１０３、１０４は、例えば重力により基板表面Ｗに落下しやすく、上述の問題が発生しうる。ガスナイフ１６０の動作により気体流れの再循環にさらされる表面はどこでも液浸液滴が形成されやすい。
【００５３】
基板Ｗに対向するバリア部材１２０の表面に形成された図６の液滴１０２、１０３に加えて、その他のいかなる場所にも不要液浸液滴は形成されうる。不要液浸液滴の正確な位置は例えば液体処理システムの設計に依存しうる。不要液浸液滴の正確な位置は例えば、バリア部材１２０、投影系ＰＳ、基板Ｗ、及び基板テーブルＷＴの相対移動に依存しうる。
【００５４】
不要液滴は、溶接された結合部を有する表面にも形成されうる。この結合部の表面から液浸液を完全に除去するのは特に難しい。
【００５５】
さらに、投影系ＰＳの末端要素とバリア部材１２０との対向面のそれぞれにも不要液浸液滴が形成されうる。例えば、バリア部材１２０の表面のうち基板Ｗとは反対側の表面１２２である。表面１２２は基板Ｗと投影系ＰＳの末端要素との間に位置しているので、バリア部材１２０の上面１２２と呼ぶこともある。この表面には特に不要液浸液滴が形成されやすい。投影系ＰＳの末端要素の下面もまた不要液浸液滴が特に形成されやすい。
【００５６】
その理由は、ステップ動作中及び／またはスキャン動作中においては、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗは、投影系ＰＳ、バリア部材１２０、及び液体処理システムの他の部分に対して移動する。液浸液主要部２００の運動量により液体が移動されることにより、液体上部のメニスカスすなわち液端２０２は、投影系末端要素表面とバリア部材１２０の上面との間を移動する。走査方向においてバリア部材前方に位置する液端は投影系の光軸に向かって移動し、走査方向でバリア部材後方に位置する液端は光軸から離れるように移動する。次のスキャンになってスキャン方向が反転されると、液端のそれぞれの部位の移動方向が変わる。このようなスキャン移動が連続して繰り返されることにより、液端位置が振動する。スキャン移動が高速であると、振動も速くなり制御不能となる。こうして液滴が液端の移動により形成される。この現象は「スロッシング」とも称される。この相対移動により液浸液滴が例えば投影系ＰＳの末端要素及び／またはバリア部材１２０の上面１２２に堆積する。投影系ＰＳの末端要素は以下では例えば投影レンズとも称される。投影レンズは例えばいわゆるＷＥＬＬＥレンズである。なお通常の使用においてはバリア部材１２０と投影系ＰＳの末端要素との間で液浸液の液位は変動しうるものであり、液浸液が表面から退くときは常に不要液滴が残されうる。
【００５７】
例えば図６に示される液浸システムは、２相吸引システムを備えてもよい。この２相吸引システムの機能は、液浸液主領域２００の位置及び／または液位を制御することである。例えば、２相吸引システムは、投影系ＰＳの末端要素周囲の液浸液の位置及び／または液位を制御してもよい。図６に示される実施形態においては、２相吸引システムは吸引ダクトまたは排出口１８を備える。バリア部材１２０の上面１２２と投影系ＰＳの末端要素下面との間の液体領域２００の端部２０２は、内向きに（投影系ＰＳの光軸に向けて）、または外向きに（投影系ＰＳの光軸から離れて）移動する。これは例えば、基板テーブルＷＴ（及び／または基板Ｗ）とバリア部材１２０（及び／または投影系ＰＳ）との相対移動が２相吸引システムでは補償できないほど高速であることに起因する。
【００５８】
液体領域２００の端部２０２は、基板テーブルＷＴとバリア部材１２０との相対移動により例えば外向きに移動しうる。液端２０２がその後内向きに移動するときに、バリア部材１２０の上面及び／または投影系ＰＳの末端要素下面に不要液浸液滴１０５、１０６が残されうる。
【００５９】
その他にも不要液滴はバリア部材１２０の上面１２２（基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴとは逆向きの面）と投影系ＰＳの末端要素下面（基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴを向くほうの面）との間に形成されうる。例えば基板テーブルＷＴ及び基板Ｗとバリア部材１２０とが相対的に近づくことによる。これが起こるのは例えば、基板Ｗまたは基板テーブルＷＴの制御に誤差が生じたときである。こうなると、液浸液主要部２００は、基板Ｗと反対向きのバリア部材１２０の表面１２２と投影系ＰＳの末端要素下面との間の領域へとあふれてしまうおそれがある。あふれた液浸液が退くときに（つまり基板Ｗ及び基板テーブルＷＴがバリア部材１２０から離れて戻るときに）、バリア部材１２０の表面１２２と投影系ＰＳの末端要素下面とに不要液浸液滴が残されてしまう。
【００６０】
図６に示される実施例では、バリア部材１２０の上面１２２に不要液滴１０５が示されている。別の不要液滴１０６が投影系ＰＳの下面に示されている。
【００６１】
既に説明したように、表面に不要液滴が残されていると蒸発してその表面に不要な熱負荷が与えられてしまうおそれがある。投影系ＰＳの末端要素下面の液滴１０６であれば、特に問題である。液滴の蒸発により投影系ＰＳの末端要素に不要な熱負荷が与えられてしまうからである。そうすると投影系ＰＳの光学特性ひいては性能に影響してしまう。これは例えば投影系ＰＳの末端要素がレンズ素子である場合に特に問題となりうる。蒸発の際の熱負荷が時間とともに変動して、投影系ＰＳの光学特性に予測できない変動をもたらすおそれがある。この予測不能な光学特性変動を補償するのは非常に難しい。
【００６２】
バリア部材１２０の上面１２２に液滴１０５が残された場合には蒸発して、バリア部材１２０に不要な熱負荷が生じ得る。この不要な熱負荷はバリア部材１２０の変形の原因となりうる。これにより、バリア部材１２０の例えば位置決めが難しくなる。そうすると、液浸液主要部２００の光学特性が変わるおそれがある。
【００６３】
また、液浸システムにおける液滴の蒸発により、液浸液主要部２００の境界を定めている表面が冷却される。例えば、投影系ＰＳの末端要素下面、バリア部材１２０の表面、及び／または基板自体の表面が冷却される。その結果、液浸液主要部２００自体も冷却され、液浸液主要部２００の光学特性に影響が生じる。例えば、液体の屈折率が変化する。
【００６４】
さらに、バリア部材１２０の上面１２２に形成された液滴１０５及び投影系ＰＳの末端要素下面に形成された液滴１０６は、動的に相互作用をしうる。例えば、２つの液滴の距離が近かったり、液滴が大きかったりすると、物理的に結合し得る。そうすると更なる熱負荷が生じ、それに起因する問題も生じる。例えば、その結合液滴により、投影系ＰＳの末端要素とバリア部材１２０との間に直接の熱伝達経路が形成されうる。
【００６５】
センサ表面も不要液滴が形成されうる領域である。例えば図７に示すように、基板テーブルＷＴ上の１つまたは複数のセンサの表面に不要液滴が形成されうる。図７の例では４つのセンサ５０、５１、５２、５３が示されている。センサ５０、５１、５２、５３は、基板テーブルＷＴ上に配置及び／または形成されていてもよい。不要液滴１０７がセンサ５１に位置している。不要液滴はその他のセンサ５０、５２、５３にも生じ得るし、他の形式のセンサにも生じ得る。不要液滴が形成されうるセンサには、位置センサ、透過像センサ（ＴＩＳ）、スキャナ上一体型レンズ干渉計センサ（ＩＬＩＡＳセンサ）、及び／またはスポットセンサがある。
【００６６】
本発明の一実施形態によれば、能動液滴除去システムが使用されて液浸リソグラフィ装置のいかなる表面に形成された不要液滴が移動されてもよい。好ましくは、能動液滴除去システムは、液滴が形成された直後に移動する。これが可能でない場合には、能動液滴除去システムは、できるだけ速やかに液滴を移動するよう構成される。能動液滴除去システムは、液滴の蒸発が生じないうちに液滴を移動するように構成されていてもよい。これが可能でない場合には、能動液滴除去システムは、液滴の蒸発が無視できないほど生じる前に液滴を移動するように構成されていてもよい。図８に示される実施形態によれば、能動液滴除去システムは複数の電極を備える。
【００６７】
本発明の一実施形態によれば、不要液滴が除去される表面は開放表面であってもよい。例えば、この表面は、液浸液または液浸液滴を包囲または部分的に包囲する容積を画定する複数の表面の１つである必要はない。本発明の一実施形態に係る能動液滴除去システムを使用して不要液滴は表面上を操作されてもよい。この表面が、流路、流れ経路、または導管を画定する複数の表面の１つの一部を形成しない場合であっても液滴は操作される。言い換えれば、不要液滴が接触している唯一の表面が、その不要液滴が除去または操作される表面であってもよい。そのために、本発明の一実施形態に係る能動液滴除去システムは、液滴に作用する毛細管力が毛細管現象を生じさせるほど大きくない場合であっても不要液浸液滴を移動させることが可能である。よって、移動されるべき液滴に毛細管力が作用しても（しなくても）、液滴の移動に毛細管力は必要ではない。したがって、本発明の一実施形態によれば液浸液滴の移動は、能動液滴除去システム単体により与えられる力によって生じ得る。例えばこれは静電気力であり、例えば電極により提供される。
【００６８】
不要液滴が除去または操作される表面は隣接する表面から遠く離れていてもよい。これはつまり、不要液滴に作用する毛細管圧による毛細管力がまったくまたはほとんどないということである。
【００６９】
本発明の一実施形態に係る能動液滴除去システムは、必要に応じて液浸システムのいずれの表面に適用されてもよい。これは、適用される表面の形状特性には関係ない。例えば、能動液滴除去システムが適用される表面は平坦であってもよいし、局所的に平坦であってもよい。また、能動液滴除去システムの適用面は、その表面に関して液滴が位置するのと同じ側に曲率中心及び／または局所的な曲率中心があってもよい。あるいは、能動液滴除去システムの適用面は、その表面に関して液滴が位置するのと反対側に曲率中心及び／または局所的な曲率中心があってもよい。
【００７０】
また、曲率中心及び／または局所的な曲率中心とその表面との最短距離は、液滴の幾何学的中心とその表面との最短距離よりも大きくてもよい。
【００７１】
本発明の一実施形態は、毛細管現象に依存することなく表面の一部から不要液浸液滴を除去することができる。
【００７２】
米国特許出願公開第２００４−０１６０５８２号明細書には、所望の方向への流れを液浸液に生じさせるために毛細管現象と静電気力とを組み合わせて使用することが開示されている。しかし、この構成では毛細管現象に依存するので、いわゆる「開放表面」から液滴を除去するには適さない。
【００７３】
本発明の一実施形態においては、不要液浸液滴を除去することが望まれるいずれの表面にも複数の電極が形成される。これは、上述のように、液滴が形成されそうな表面であってもよい。不要液浸液滴が表面を横断して、または不要液浸液滴が表面から外部へと、操作及び／または除去されるように電極は配列される。不要液浸液滴が形成されうる場所の一部またはあらゆる場所に電極が設けられてもよい。
【００７４】
電極に電圧が与えられ、表面の不要液浸液滴は静電的に操作される。そのために、電極が静電ポンプシステムを形成して不要液浸液滴を液体処理システムに返送してもよい。例えば、液浸液滴は液浸液主要部２００に送られてもよいし、液浸液供給システムまたは液浸液吸引システムに送られてもよい。
【００７５】
不要液浸液滴を操作するために、液滴が操作される領域のそれぞれにおいて複数の電極が使用される。複数の電極が１つの電極セットを形成する。電極セットの例が図９に示されている。コントローラ（例えば電圧コントローラＶＣ）が使用されて、電極セット３０の各電極３０１、３０２、３０３、３０４に与えられる電圧が制御される。コントローラは、電極に電圧を与えるとリソグラフィ装置の１つまたは複数の構成要素の動作に逆効果をもたらす時点において電極に電圧を与えないように電極への印加電圧を制御する。通常、隣接する電極の中心間の距離は０．１ｍｍ乃至１ｍｍの範囲にある。好ましくは、隣接する電極の中心間の距離は０．２５ｍｍ乃至０．７５ｍｍの範囲にある。一実施形態では、隣接する電極の中心間の距離は０．４ｍｍ乃至０．６ｍｍの範囲にある。一実施形態では、隣接する電極の中心間の距離はおよそ０．５ｍｍである。隣接する電極の中心間の距離は例えば、絶縁破壊電圧及び液滴サイズ（または予想液滴サイズ）により決定することができる。
【００７６】
図８は、本発明の一実施形態に係る液浸リソグラフィ装置に含まれる電極セット３０、３１、３２、３３、３４の配置を示す。図８に示される電極セットは、図６に示して述べた不要液浸液滴を操作することができるように配置されている。図８を見やすくするために図６に示した符号の一部を省略しているが、図６と図８とでは不要液浸液滴の位置は同じである。よって、電極セット３０は液滴１０５に関連し、電極セット３１は液滴１０６に関連し、電極セット３２は液滴１０３に関連し、電極セット３３は液滴１０４に関連する。なお、これら電極セットのいかなる組み合わせが設けられてもよい。電極セット３０、３１、３２、３３のすべてが設けられていなくてもよい。
【００７７】
液滴に付された矢印は、電極セットから液滴に作用する静電気力の方向を示している。いずれの場合にも、静電気力は不要液滴を液浸処理システムの液浸液に向けて案内するよう作用してもよい。液体処理システムは例えば、液浸液主要部２００、液浸液供給システム、または液浸液吸引システムである。言い換えれば、静電気力は、液浸液が保持されるべき領域、及び／または液浸システムから液浸液が除去されるべき領域に不要液浸液滴を案内するよう作用してもよい。
【００７８】
図９には電極セット３０の一例の詳細が示されている。電極セット３０は、分離された複数の電極３０１、３０２、３０３、３０４の列を備える。電極セット３０の電極３０１、３０２、３０３、３０４は、直列に配列されていてもよい。電極セット３０は例えば、図６に示されるバリア部材１２０の上面１２２上の不要液浸液滴１０５を除去するための電極セットとして使用されてもよい。図９は、電圧源からある時点に各電極に与えられる電荷を示している。図９は、４つの連続する時点ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４における４つの電極３０１、３０２、３０３、３０４に与えられる電圧（または相対電圧）の一例を示す。図示の例では、時点ｔ１においては、電極３０１には正の電圧が与えられ、電極３０３には負の電圧が与えられ、電極３０２、３０４には電圧が与えられない。図９には時点ｔ２、ｔ３、ｔ４において各電極に与えられる電圧（または相対電圧）も示されている。
【００７９】
ある実施形態では、電極３０１、３０２、３０３、３０４の各々、一部、または全部に、時間とともに繰り返される電圧パターンが与えられてもよい。例えば、図９に示される時点ｔ１乃至ｔ４に与えられる電圧は循環的であってもよい。つまり、このパターンが連続的に繰り返されてもよい。この連続的な電圧反復サイクルは、不要液滴を連続して移動させるように設定されていてもよい。言い換えれば、電極に付与される電圧は、「ポンプ動作」で液滴を移動するよう制御されてもよい。異なる電圧パターンが使用されてもよい。例えば、異なる時点及び／または異なる位置において異なる電圧パターンが使用されてもよい。
【００８０】
一部の電極に正の電圧が与えられ、他の電極に負の電圧が与えられることは必須ではない。それとは異なる相対電圧が各電極に与えられてもよい。電極３０１、３０２、３０３、３０４のすべてに正の電圧を異なる大きさで与えることも可能である。同様に、電極３０１、３０２、３０３、３０４のすべてに負の電圧を異なる大きさで与えることも可能である。
【００８１】
一実施形態においては、付与される電圧は交流（ＡＣ）である。あるいは、付与電圧は直流（ＤＣ）であってもよい。
【００８２】
図９に示される配列では、電極は平行な列である。図示の実施形態においては、バリア部材１２０の上面１２２の周縁に（例えば円周状、及び／または同一半径位置に）複数の電極セット３０が設けられる。この場合、各電極セット３０の個別の電極に与えられる電圧は個別に制御されてもよい。
【００８３】
一実施形態においては、電極セット３０の電極３０１、３０２、３０３、３０４はそれぞれが、バリア部材１２０の上面１２２の周囲を少なくとも部分的に延在する１つの連続的な電極として形成されてもよい。電極３０１、３０２、３０３、３０４のそれぞれにおいて周方向（例えば円周方向）に間隙を有しないようになっていてもよい。あるいは、電極３０１、３０２、３０３、３０４の各々、一部、または全部に、１つまたは複数の間隙が周方向にあってもよい。この場合、各電極３０１、３０２、３０３、３０４の同一の周方向位置に間隙があってもよいし、そうでなくてもよい。電極セット３０の各電極は、少なくとも部分的に帯状に形成されていてもよい。例えば電極セット３０の各電極が少なくとも部分的に環状であってもよい。この実施例では、１つの電極セット３０だけがバリア部材１２０の上面１２２に設けられていてもよい。一実施例では、電極３０１、３０２、３０３、３０４は互いに平行でなくてもよい。
【００８４】
上述のように、電極セット３０の各電極に与えられる電圧は時間とともに変化してもよい。各電極に与えられる電圧の時間変化は予め定められていてもよい。あるいは、例えば、バリア部材１２０の上面１２２上で電極セット３０の領域に不要液浸液滴が検出されたことに応答して時間変化させてもよい。
【００８５】
表面の電極に電圧を与えると、その表面を有する要素、または隣接する要素の機能、動作、及び／または意図した目的に影響を与えるおそれがある。例えば、本発明の一実施形態に係る能動液滴除去システムが適用されるセンサは、その表面またはその近傍の電極に電圧が与えられることにより影響を受けるおそれがある。（この問題が生じるとして）これを軽減または除去するには、電極セット３０の各電極に電圧を与える時間を注意深く制御すべきである。例えば、電圧の影響を受け得る要素が動作しているときにはその要素またはその近傍に設けられている電極には電圧を一切与えないように電圧制御をしてもよい。例えば、センサの非動作時にのみそのセンサの表面または表面近傍の電極に電圧を与えるようにしてもよい。
【００８６】
図１０は、電極セット３０及びバリア部材１２０の部分断面図である。図１０においても不要液浸液滴１０５が示されている。矢印Ｆ１の方向は、電極３０１、３０２、３０３、３０４への付与電圧により不要液浸液滴１０５に作用する静電気力を示す。図示の実施形態においては、この静電気力が、不要液浸液滴１０５を液浸液主要部２００に向けて移動させる。
【００８７】
図１０においては、バリア部材１２０の上面１２２及び電極３０１、３０２、３０３、３０４が絶縁層４１で被覆されている。絶縁層４１は必須ではない。この絶縁層は、各電極を他の電極と電気的に絶縁するとともに、（例えば平坦面を形成するよう）各電極を被覆してもよい。
【００８８】
図１０には更に、絶縁層４１を被覆するコーティング４０も示されている。一実施形態においては、コーティング４０は、バリア部材１２０の上面１２２及び電極セット３０を直接被覆してもよい。このコーティング４０は好ましくは疎液体性コーティングである。疎液体性コーティングは、ポリテトラフルオロエチレン等の材料を含んでもよい。こうして、コーティング４０は、液浸液と表面との接触角が９０度よりも大きくなる。または接触角が１２０度よりも大きくなる。コーティング４０は疎水性であってもよい。コーティング４０は、バリア部材１２０の上面１２２からの不要液浸液滴の除去をさらに促進してもよい。絶縁性及び疎液体性の両方を与える単一のコーティングをバリア部材１２０の上面１２２及び電極セット３０に形成してもよい。
【００８９】
一実施形態においては、疎液体性コーティング４０が存在していなくても不要液浸液滴１０５は液浸液主要部２００へと移動される。電極セット３０により生成された静電気力Ｆ１があるからである。よって、疎液体性コーティング４０は任意である。
【００９０】
一実施形態においては、バリア部材１２０の上面１２２及び／または電極セット３０を被覆するのに、疎液体性表面と親液体性表面とを組み合わせて使用してもよい。親液体性表面とは液浸液滴との接触角が９０度未満の表面である。疎液体性表面と親液体性表面との組み合わせは、ある領域からの不要液浸液滴の除去を更に促進するよう構成されていてもよい。
【００９１】
液浸液と特定の接触角の関係を有するコーティングまたは表面、例えば疎水性表面を使用することは、その表面がＵＶ放射に例えば液浸液とともにさらされる場合には好ましくない場合がある。接触角が変わりうるからである。よって、液浸液及びＵＶ放射にさらされる部位において液浸液の接触角が安定していることが好ましい場合には、単にコーティングのみを使用するのではなく、コーティングとともに能動液滴除去システムを使用することが望ましい。
【００９２】
この表面及びコーティングは、ＵＶ放射及び液浸液の影響により経時劣化が加速されるおそれがある。経時劣化によりコーティングの光学特性に影響が生じ得る。よって、液浸システムに重要な部分（例えばセンサやセンサの特定部位、例えばＴＩＳセンサのマーク）を被覆するコーティングがある場合には好ましくないことがある。このコーティングの劣化によりオーバレイ性能及びフォーカス性能に影響が生じ得る。よって、液浸システムにはコーティングをすることが好ましくないおそれのある部位がある。よって、単にコーティングのみを使用するのではなく、（例えば、隣接する非重要な部位に形成した）コーティングとともに能動液滴除去システムを使用することが望ましい場合がある。
【００９３】
図８の実施形態に係り図９及び図１０に示される電極セット３０によれば、本発明の一実施形態に係る電極は一列に配列されている。しかし、一実施形態においては、格子状パターンの電極が用いられてもよい。図１１に格子状パターンの例を示す。ここでは、実質的に垂直な電極の２つの列が互いに交差している。図１１においては、垂直電極セット３０５及び水平電極セット３０６を示す。この配列においては、直交する電極は互いに電気的に絶縁されていることが望ましい。よって、電極が格子状パターンを形成する場合には電気的に接続されていることは望ましくない。この実施例によれば、表面で２次元的に不要液浸液滴を操作することができる。格子状電極パターンの一方の列で一方の方向の静電気力を生成し、その格子状パターン電極セットの垂直な電極列で別の方向の静電気力を生成することができるからである。
【００９４】
液浸リソグラフィ装置で使用される液体の選択は、不要液浸液滴に与えられる力の大きさに影響を与えうる。例えば、イオン溶液の液滴であればより分極しやすいため、大きな静電気力がかかる。静電気力が大きければ不要液浸液滴に生じる加速度も大きく、液滴を表面から素早く除去することができる。よって、一実施例においては、イオン溶液を液浸液として使用してもよい。例えば、二酸化炭素水溶液からなる希釈されたイオン溶液を使用してもよい。本発明の一実施形態に係る装置においてイオン溶液を使用することは必須ではないが、使用すれば不要液浸液滴の操作が容易になる。
【００９５】
なお、イオン溶液が使用された場合において不要液浸液滴がある時間除去されなかった場合には、液滴中の溶質濃度が上がりうる。その場合、液滴の単位質量当たりに作用する力が大きくなる。よって、表面から液滴を除去する加速度も増加する。このため、不要液浸液滴に多少の蒸発が生じるとしても、大量の蒸発が生じる可能性はかなり低減される。
【００９６】
上述の説明では、本発明の一実施形態において不要液浸液滴が特定の位置にあるものとしたが、本発明の一実施形態に係る電極セット３０は不要液浸液滴が形成され、配置され、または残されうるいかなる場所に設けられてもよい。例えば、基板テーブルＷＴの上面に電極セットが設けられてもよい。これは例えば、基板テーブル上面に液浸液滴が残された場合に望ましい。そのような状況は例えば、基板Ｗのエッジ近傍のダイを露光する際に基板テーブル上面が液浸液に浸されるときに起こりうる。
【００９７】
上述の説明では、本発明の一実施形態において液浸リソグラフィ装置が針型の吸引ダクトまたは排出口１８を有するとしたが、本発明の一実施形態はいかなる形式の液浸リソグラフィ装置にも使用され得る。本発明の一実施形態によれば、電極を備える能動液滴除去システムが単相吸引システムを有する液浸リソグラフィ装置に設けられてもよい。単相吸引システムは例えば、図１２に示される多孔質部材液浸液吸引システムであってもよい。
【００９８】
この実施例では、液体吸引システムは、わずかに負圧に保たれて液浸液で満たされている室１７１を備える。この室の下面が多孔質部材１７（マイクロシーブとしても知られる）で形成されている。多孔質部材１７は、直径が例えば５μｍ乃至５０μｍの範囲の小孔を複数有する。この室の下面は、液体が除去されるべき表面（例えば基板Ｗの表面）からの高さが５０μｍ乃至１ｍｍの範囲、または５０μｍ乃至３００μｍの範囲に保たれる。多孔質部材１７は、穴あきプレートであってもよいし、液体を通過可能とするその他のいかなる構造であってもよい。一実施例においては、多孔質部材１７は少なくともわずかに親液体性であってもよい。すなわち、液浸液との接触角が９０度未満であってもよい。
【００９９】
負圧によって多孔質部材１７の孔にメニスカスが形成され、液浸液吸引システムの室１７１に気体が引き込まれない。一方、表面Ｗ上の液体に多孔質部材１７が接触すると、流れを制限するメニスカスはなくなる。よって、液体は、液浸液吸引システムの室１７１に自由に流入することができる。このデバイスにより、基板Ｗ表面から液体の大半を除去することができる。その結果、液体主要部２００に液体を保持することができる。
【０１００】
図１２の実施例では、液浸流体吸引システムは、バリア部材１２０の下方最内端近傍のリング状室１７１により形成される。上述のように、室１７１の下面は多孔質部材１７（例えば穴あきプレート）により形成される。リング状室１７１は、この室から液体を除去し所望の負圧に維持するポンプに接続される。使用の際には室１７１は液体で満たされるが、図１２においてはわかりやすくするため空の状態を示している。
【０１０１】
図１２に示されるように、多孔質部材１７の表面に不要液滴１０８が形成されうる。本発明の一実施形態によれば、能動液浸液除去システムが、多孔質部材１７から不要液滴１０８を除去するために設けられている。これにより、多孔質部材１７が適切に機能を維持することが支援される。上述のように、静電的に不要液滴を移動させる電極セットが設けられる。これらの電極は例えば、多孔質部材１７自体に設けられてもよいし、その近傍の表面に設けられてもよい。
【０１０２】
例えば、図１２に示されるように、不要液滴１０９を多孔質部材１７に向けて移動させるように、基板Ｗに対向するバリア部材１２０の表面１２１に電極が設けられてもよい。
【０１０３】
本発明の一実施形態によれば、「完全湿式」の液浸リソグラフィ装置の表面に形成された不要液浸液滴を除去する１つまたは複数の電極セットが設けられてもよい。特に、１つまたは複数の電極が、「完全湿式」の液浸リソグラフィ装置の液浸システムの表面に形成された不要液浸液滴を除去するために設けられてもよい。
【０１０４】
「完全湿式」液浸リソグラフィ装置は、液浸システムの液体供給システムにより液浸液が非封じ込め状態にある液浸リソグラフィシステムを備える。このため、少なくとも露光を受ける基板Ｗの主表面の全体が露光中に液体に浸される。よって、ある時点において露光されていない基板上の領域であっても液浸液に覆われている。これは、基板Ｗの目標部分（現在露光されている基板Ｗの部位）及びその周囲の領域のみが露光中に液浸液で覆われる上述の実施形態とは異なる。図１３に示されるのは、「完全湿式」液浸リソグラフィ装置における基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、及び液浸液３００の一部分の例である。
【０１０５】
上述の実施形態における不要液浸液滴は、「完全湿式」液浸リソグラフィ装置にも適用されうる。例えば図１３に示す「完全湿式」液浸リソグラフィ装置は、既に説明したもの以外の領域から不要液浸液滴を除去する１つまたは複数の電極セットを備えてもよい。例えば、格子プレート、スカート、及びエンコーダヘッド（これらはすべて位置決めシステムに影響する）から不要液滴を除去してもよいし、基板テーブルＷＴから不要液滴を除去してもよい。
【０１０６】
図１３に示されるように「完全湿式」液浸リソグラフィ装置においては、動作中は基板エッジ３０１と基板テーブルＷＴとの間隙が液浸液で満たされる。また、基板Ｗの下面３０２（すなわち、動作中に基板テーブルＷＴに対向する表面）と基板テーブルＷＴとの間隙も動作中に液浸液で満たされてもよい。図１３においては、基板テーブルＷＴに対向する基板Ｗの表面と基板テーブルＷＴとの間における液体主要部３００の境界３２０は、動作中に存在する物理的な境界であってもよい。あるいは、液体境界３２０は、表面張力により形成されてもよい。
【０１０７】
乾燥後においてもこれらの間隙及び／または基板表面に液浸液滴が残っていることは望ましくない。基板テーブルＷＴに液滴が残っていると、次の基板Ｗを基板テーブルＷＴに正しく配置することが妨げられる。基板Ｗが不正確に位置決めされる可能性が高まる。また、基板テーブルＷＴに次の基板を配置するときに、基板テーブルＷＴに残っている不要液浸液滴が他の領域（基板Ｗ自身を含む）に飛び散らされるおそれがある。これらの不要液滴が蒸発すると上述の問題が発生しうる。問題というのは例えば、不要液滴が存在している表面を有する構成要素に乾燥ステイン及び／または汚染パーティクルが残されたり、不要な熱負荷が生じたりするということである。
【０１０８】
図１４は、「完全湿式」液浸リソグラフィ装置において基板テーブルＷＴから基板Ｗが除去され更に乾燥された後に存在する不要液浸液滴１１０の例である。図１４に示される例では、液滴１１０のすべてが、動作中に基板Ｗの下面３０２に対向する基板テーブルＷＴの表面に示されている。しかし、液滴は基板テーブルＷＴまたは基板Ｗのその他のいかなる表面に形成されてもよい。例えば、動作中に基板Ｗの周縁エッジ表面３０１に隣接する基板テーブルＷＴの表面に液滴が残される場合もある。
【０１０９】
これらの不要液浸液滴を除去するために、「完全湿式」液浸リソグラフィ装置の適切な領域に電極セットが設けられてもよい。例えば、基板テーブルＷＴのベース（すなわち、基板Ｗに対向する基板テーブルＷＴの表面）に電極セットが設けられてもよい。
【０１１０】
図１４に示される例では、電極セット３５が設けられている。電極セット３５は不要液滴１１０を液体排出口３１０に向けて移動させることができる。ここで、液滴１１０に与えられる力は、図１４においては矢印Ｆ２の方向である。
【０１１１】
基板テーブルＷＴと基板Ｗの周縁エッジ表面との間隙に電極セットが設けられてもよい。実際、不要液滴の除去または操作が望ましいいかなる部位に電極セットが設けられてもよい。
【０１１２】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【０１１３】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。
【０１１４】
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【０１１５】
本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な１以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのような１以上のコンピュータプログラムが記録された（半導体メモリや磁気・光ディスクなどの）データ記録媒体の形式をとってもよい。本明細書で言及された１つまたは複数の異なるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に位置する１つまたは複数のコンピュータプロセッサにより１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み出されたときに動作可能であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラに通信可能であって、１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って当該コントローラが動作するように構成されていてもよい。
【０１１６】
本発明の１つ以上の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置にも適用可能であり、特に上述の形式のものには限られない。液浸用の液体が液体槽の方式で供給されるものにも基板上の局所領域にだけ供給されるものにも適用可能である。あるいは、非封じ込め式であってもよい。非封じ込め方式の一例においては、液浸液は基板表面及び／または基板テーブル表面から流れ出して基板及び／または基板テーブルの露出面の事実上全域が濡れてもよい。このような非封じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは、液浸液を封じ込めなくてもよいし、液浸液を完全にではなく部分的に封じ込めてもよい。
【０１１７】
本明細書にいう液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態では、液体供給システムは投影系と基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する構造の組合せまたは機構であってもよい。液体供給システムは１つ以上の構造部材の組合せ、空間に液体を供給するための１つ以上の液体流入口、１つ以上の気体流入口、１つ以上の気体流出口、及び／または１つ以上の液体流出口を備えてもよい。一実施例では、液体が供給される空間の一表面が基板及び／または基板テーブルの一部分であってもよい。あるいはその空間の一表面が基板及び／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよい。またはその空間は基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流速または他の特性を制御するための１つ以上の要素を更に含んでもよい。
【０１１８】
液浸リソグラフィ装置であって、少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、該表面上または該表面内部に形成された能動滴除去システムと、を備え、該表面の該一部は前記装置における隣接部分に対し十分に移動され、該表面の該一部の流体の滴に作用する毛細管力は毛細管現象により該流体の滴を移動させるには不十分であり、前記能動滴除去システムは、毛細管現象の支援がなくても該表面の該一部の流体の滴を操作することを特徴とする装置が提供される。
【０１１９】
前記能動滴除去システムは該表面上または該表面内部に形成された電極セットを備え、該電極セットは複数の電極を備えてもよい。前記複数の電極は、前記表面上の流体を静電的に操作するよう電圧が与えられるように前記電極セット内に配列されていてもよい。前記複数の電極は、前記表面または前記表面の一部から流体を除去するよう配列されていてもよい。前記複数の電極は、前記電極セットにおいて列をなして配列されていてもよい。前記複数の電極は、前記表面上で流体が操作される方向に沿って配列されていてもよい。各電極の中心間距離は０．１ｍｍ乃至１ｍｍの範囲から選択されていてもよい。前記複数の電極は、実質的に垂直な２つの電極の列からなる格子状パターンに前記電極セットにおいて配列されていてもよい。
【０１２０】
液浸リソグラフィ装置は、前記複数の電極に与えられる電圧を制御するコントローラを備えてもよい。前記コントローラは、異なる複数電圧の反復サイクルを前記電極のうち１つまたは複数に連続的に与えてもよい。前記コントローラは、電圧を与えたときに前記リソグラフィ装置内の構成要素の１つまたは複数の動作に逆効果を与えうる時点においては電圧を与えないように、前記複数の電極に与える電圧を制御してもよい。
【０１２１】
前記表面の前記一部は開放された表面であってもよい。前記開放された表面は、囲まれていない表面であってもよい。前記開放された表面は、滴が位置するほうの側とは反対側に曲率中心を有する表面であってもよい。前記表面は、空間を包囲する複数の表面のうちの１つでなくてもよい。前記表面は、流路の一部を形成する表面でなくてもよい。前記表面の前記一部は、他の表面に対し十分に移動され、液浸リソグラフィ装置において液浸流体として使用される流体が前記表面の前記一部と他の表面との間にメニスカスを形成することが不可能であってもよい。前記表面は、投影ビームが透過する表面以外の液浸リソグラフィ装置におけるいずれかの表面であってもよい。
【０１２２】
前記リソグラフィ装置は、基板を保持する基板テーブルを備え、前記表面は該基板テーブルの一部であり、及び／または、前記装置は、パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系を備え、該投影系は末端要素を備え、前記表面は該投影系の一部であり、及び／または、前記装置は、バリア部材を備えかつ前記末端要素と基板との間の空間に流体を供給し、保持し、及び／または排出する流体処理システムを備え、前記表面は前記バリア部材の一部であり、及び／または、前記装置は、センサを備え、前記表面はセンサの一部であってもよい。
【０１２３】
前記複数の電極は、該電極により生成された静電気力のみを使用して前記表面上で流体を操作するよう配列されていてもよい。前記複数の電極は、液浸流体を静電的に操作するよう配列されていてもよい。前記複数の電極は、希釈されたイオン溶液を静電的に操作するよう構成されていてもよい。前記希釈されたイオン溶液は酸性であってもよい。前記希釈されたイオン溶液は二酸化炭素が溶解された水を含んでもよい。
【０１２４】
前記表面及び／または前記電極は疎液体性材料で少なくとも部分的に覆われていてもよい。前記疎液体性材料は、ポリテトラフルオロエチレン型の材料を含んでもよい。
【０１２５】
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、前記能動滴除去システムは、流体が除去されるべき前記一部を含む前記表面以外の表面とは非接触である流体の滴を操作するよう構成されている液浸リソグラフィ装置が提供される。
【０１２６】
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、前記表面の前記一部は、前記表面の前記一部との間隙を流体が橋渡しするには該流体の表面張力が不十分であるすべての表面に対し十分に移動され、前記能動滴除去システムは、前記表面の前記一部上の流体の滴を操作する液浸リソグラフィ装置が提供される。
【０１２７】
少なくとも一部から流体の滴が除去されるべき表面と、該表面上または該表面内部に形成され、該表面周囲の流体の滴を操作する能動滴除去システムと、を備え、前記能動滴除去システムは、前記表面の前記一部上の流体の滴を操作し、前記表面の前記一部の曲率中心は、操作される滴が位置する側とは反対側にある液浸リソグラフィ装置が提供される。
【０１２８】
パターンが付与された放射ビームを基板に投影系を使用して投影し、液浸システムを使用して、投影系と基板との間の空間に液浸流体を供給し、投影系または液浸システムの表面の一部から作用する毛細管力が毛細管現象による移動生じさせるには不十分である液浸流体の不要な滴を、該表面上または表面内部に設けられた電極に制御電圧を与えることにより毛細管現象の支援を受けることなく除去することを含むデバイス製造方法が提供される。
【０１２９】
前記滴は、開放表面から除去されてもよい。前記滴は、流路の一部を形成しない表面の一部から除去されてもよい。前記滴は、ダクトの一部を形成しない表面の一部から除去されてもよい。前記滴は、空間を包囲する複数の表面のうちの１つではない表面の一部から除去されてもよい。前記滴は、除去されるべき前記一部を含む表面以外の表面とは非接触であってもよい。前記滴の表面張力は、前記流体が前記表面の前記一部とその他のいかなる表面との間隙を橋渡しするにも不十分であってもよい。前記不要な滴は液体の滴であってもよい。
【０１３０】
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の請求項の範囲から逸脱することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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