(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外光を遮光する遮光膜と、
その一部が、前記遮光膜の下に位置し、マトリクス状に複数形成された複数の単位回路が形成された回路層と、
制御手段と、
を備え、
前記複数の単位回路の各々は、
一方の電極に電源線が電気的に接続され、ゲート電位に応じた検出電流を他方の電極から出力する第１トランジスタと、
第１制御線を介してゲートに供給されるリセット信号に応じて導通状態又は非導通状態が制御され、前記導通状態において前記第１トランジスタのゲートに第１の電位を供給する第２トランジスタと、
一方の端子に前記第１トランジスタのゲートが電気的に接続され、他方の端子に第２の電位が供給される基準容量と、
一方の端子に前記第１トランジスタのゲートが電気的に接続され、他方の端子に第３の電位が供給される静電容量検出素子と、
前記第１トランジスタの他方の電極と検出線との間に設けられ、第２制御線を介してゲートに供給される選択信号に応じてオン状態となる第３トランジスタとを備え、
前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとのうち少なくとも一方は、前記遮光膜によって外光が遮光されない領域に形成され、
制御手段は、前記複数の単位回路の各々から出力される各検出電流に基づく検出データのデータ値を所定幅で区分けし、区分けごとの頻度のうち最も頻度の大きい区分けに対応する最頻値に基づき照度データを生成する
ことを特徴とするセンシング装置。
【請求項２】
前記電源線には前記第１の電位が供給され、前記第２トランジスタは前記電源線と前記１トランジスタのゲートとの間に設けられることを特徴とする請求項１に記載のセンシング装置。
【請求項３】
前記第２の電位は前記リセット信号の電位であり、前記基準容量の他方の端子は前記第１制御線と電気的に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載のセンシング装置。
【請求項４】
前記第３の電位は固定電位であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のセンシング装置。
【請求項５】
前記基準容量は、前記第２トランジスタのゲートとソースとの間に生じる寄生容量であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のセンシング装置。
【請求項６】
前記第１乃至第３トランジスタは、同じプロセスで形成され、半導体層と、ゲート酸化膜と、ゲート配線とを備え、
前記基準容量は、前記半導体層を一方の電極として用い、前記ゲート配線を他方の電極として用いる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のセンシング装置。
【請求項７】
画素電極、対向電極、および前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された誘電体を有する複数の画素回路と、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のセンシング装置とを備える、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記静電容量検出素子は、前記画素電極と同時に形成される第１電極と、前記対向電極と同時に形成される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された前記誘電体とを備える請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記誘電体は液晶であり、
バックライトと、
前記制御手段から出力される外光の照度に応じて前記バックライトの明るさを調整する調光手段とを備えた、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量の変化を検出するセンシング装置、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量の変化を検出するセンシング回路を備えた表示装置が知られている。例えば、特許文献１に記載された技術は、液晶表示装置にセンシング回路を組み込んだものである。このセンシング回路では、基準容量と静電容量検出素子とを直列に接続し、その接続点を増幅トランジスタのゲートに接続し、ゲート電位に応じた検出電流を増幅トランジスタに流す。そして、静電容量素子の静電容量の変化を検出電流の変化として取り出す。センシング回路を構成するトランジスタに外光が入射すると、漏れ電流が発生する。この漏れ電流が発生すると、静電容量の変化を正確に測定することができない。このため、センシング回路を構成するトランジスタの上部には遮光膜を設けて、外光が入来しないようにしていた。
【特許文献１】特開２００７-４８２７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、表示装置の照度は、環境の明るさに応じて調整することが好ましい。例えば、日中の屋外では、周囲が明るいので画面を見やすくするために高い照度が必要となる一方、夜になれば、低い照度でも十分なコントラストを得ることができる。このような制御を実行するためには、外光の照度を測定するセンサを表示装置に設ける必要がある。従来の表示装置においてセンサを設ける場合、パネルの外部や周辺部に配置することになる。このような場合、画面の外側（いわゆる額縁）の面積が大きくなり、コストが上昇するといった問題があった。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、静電容量の変化を検出するセンシング装置に外光を検出する機能を持たせることを解決課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題を解決するために本発明に係るセンシング装置は、外光を遮光する遮光膜と、その一部が、前記遮光膜の下に位置し、単位回路が形成された回路層とを備え、前記単位回路は、一方の電極に電源線が電気的に接続され、ゲート電位に応じた検出電流を他方の電極から出力する第１トランジスタ（例えば、図３に示す４１）と、第１制御線を介してゲートに供給されるリセット信号に応じて導通状態又は非導通状態が制御され、前記導通状態において前記第１トランジスタのゲートに第１の電位を供給する第２トランジスタ（例えば、図３に示す４２）と、一方の端子に前記第１トランジスタのゲートが電気的に接続され、他方の端子に第２の電位が供給される基準容量と、一方の端子に前記第１トランジスタのゲートが電気的に接続され、他方の端子に第３の電位が供給される静電容量検出素子と、前記第１トランジスタの他方の電極と検出線との間に設けられ、第２制御線を介してゲートに供給される選択信号に応じてオン状態となる第３トランジスタ（例えば、図２に示す４３）とを備え、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタとのうち少なくとも一方は、前記遮光膜によって外光が遮光されない領域に形成されることを特徴とする。
【０００５】
この発明によれば、第１トランジスタと第２トランジスタとの少なくとも一方は、遮光膜によって外光が遮光されない領域に形成される。このため、基準容量および静電容量検出素子に充電された電荷がリーク電流の発生によって流れ出る。これによって、増幅トランジスタのゲート電位が変化するので、外光の照度に応じた大きさの検出電流を検出線を介して取り出すことができる。
ここで、前記電源線には前記第１の電位が供給され、前記第２トランジスタは前記電源線と前記１トランジスタのゲートとの間に設けられることが好ましい。この場合には、第１トランジスタのゲート電位をリセットするために電源線を介して第１の電位を供給するので、リセット用に特別な電源を用意する必要がなく、これを供給する配線数を減らすことができる。
また、前記第２の電位は前記リセット信号の電位であり、前記基準容量の他方の端子は前記第１制御線と電気的に接続されることが好ましい。この場合には、基準容量の一方の端子は第１制御線に接続され、リセット信号によってセンシング動作を行うので、基準容量に専用の電源を設ける必要がなく、さらにこれを供給する配線数を減らすことができる。よって、センシング回路の構成を大幅に簡素化できる。
さらに、前記第３の電位は固定電位であることが好ましい。この場合には、静電容量素子の他方の端子には固定電位が供給されるので、第１トランジスタのゲート電位が所定の周期で変動することがない。また、表示装置の画像表示の周期と同期してセンシングを実行する必要がないので、必要に応じてセンシングしたり、より長い周期でセンシングを実行することができる。この結果、消費電力を削減することができる。
【０００６】
上述したセンシング装置において、前記基準容量は、前記第２トランジスタのゲートとソースとの間に生じる寄生容量であることが好ましい。この場合には、基準容量を素子として作り込む必要がないので、より一層、センシング回路の構成を簡素化することができる。
また、前記第１乃至第３トランジスタは、同じプロセスで形成され、半導体層と、ゲート酸化膜と、ゲート配線とを備え、前記基準容量は、前記半導体層を一方の電極として用い、前記ゲート配線を他方の電極として用いることが好ましい。この場合には、基準容量を作り込むことになるが、第１乃至第３トランジスタと同一のプロセスで形成できるので、製造コストを削減することができる。
さらに、上述したセンシング装置において、前記回路層には、前記単位回路がマトリクス状に複数形成され、前記複数の単位回路の各々から前記検出電流を取り出すことが好ましい。この場合には、スキャナーのような２次元画像の取り込みにセンシング装置を応用することができる。
【０００７】
次に、本発明に係る表示装置は、画素電極、対向電極、および前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された誘電体を有する複数の画素回路と、上述したセンシング装置と、前記センシング装置から出力される各検出電流に基づいて、前記各単位回路に入射する外光の照度の大きさを所定の幅で区分けし、頻度の最も大きい区分けに対応する照度を外光の照度として出力する制御手段を有することを特徴とする。この発明によれば、複数の単位回路のいずれかで、静電容量の変化が検出されたとしても、最頻値を求めるので、外光の照度を検出することが可能となる。
【０００８】
ここで、前記静電容量検出素子は、前記画素電極と同時に形成される第１電極と、前記対向電極と同時に形成される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された前記誘電体とを備えることが好ましい。この発明によれば、第１電極と第２電極との間の距離（ギャップ長）が変化すると、静電容量検出素子の容量値が変化するので、人が触れると、これを検知することができる。
【０００９】
さらに、上述した表示装置において、前記誘電体は液晶であり、バックライトと、前記制御手段から出力される外光の照度に応じて前記バックライトの明るさを調整する調光手段とを備えることが好ましい。この発明によれば、検出された外光の照度に応じてバックライトの明るさを調整するので、環境に応じて画面の明るさを自動的に調整できる。しかも、特別な外光センサは不要であるので、表示装置を小型化でき、コストの上昇を招くこともない。
次に、本発明に係る電子機器は、上述した表示装置を備えることが好ましい。このような電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末、およびタッチパネルなどが含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜１．実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置（表示装置の一態様）の構成を示すブロック図である。液晶表示装置５００は、表示領域Ａを備える。表示領域Ａには、複数の走査線３０と複数のデータ線３１と、これらの交差に対応して複数の画素回路Ｐが配置されている。画素回路Ｐは、トランジスタ３３と、画素電極３４と、共通電位Ｖcomが供給される対向電極３６と、画素電極３４と対向電極３６との間に挟持された液晶３５を備える。トランジスタ３３はＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成され、そのゲートは走査線３０に、ドレインはデータ線３１に、ソースは画素電極３４に接続される。
【００１１】
また、詳細は後述するが、４つの画素回路Ｐに１個の割合で、センシング回路４０を設ける。複数のセンシング回路４０は、駆動回路３００から供給される各種の信号に基づいて駆動され、静電容量の変化を検出電流（図示略）として駆動回路３００に供給する。駆動回路３００は、検出電流を電圧に変換して、検出信号Ｄとして制御回路３１０に供給する。検出信号Ｄは、各センシング回路４０における静電容量の変化および外光の照度を示す。制御回路３１０は、検出信号Ｄに基づいて、表示領域Ａが押下げられた領域を示す指示データＤａと環境の照度を示す照度データＤｂとを生成する。照度データＤｂを生成する処理については後述する。
調光回路３２０は照度データＤｂに基づいて、バックライト３３０の明るさを調整する。具体的には、照度データＤｂの示す照度が大きい場合にバックライト３３０の照度を明るくし、照度データＤｂの示す照度が小さい場合にはバックライト３３０の照度を暗くする。これにより、コントラストを確保しつつ、消費電力の低減を図ることができる。
【００１２】
Ｙドライバ１００は、複数の走査線３０を順次選択するための走査信号を生成して、各画素回路Ｐに各々供給する。走査信号は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線３０に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、各走査線３０の各々に走査信号として供給する。一方、Ｘドライバ２００は、選択された走査線３０に位置する画素回路Ｐの各々に対し表示すべき階調に応じた大きさのデータ信号を供給する。
【００１３】
図２に、ブラックマトリックスＢＭ、画素回路Ｐ、およびセンシング回路４０の配置関係を示す。ブラックマトリックスＢＭは、外光を遮光する遮光膜として機能する。この例において、ブラックマトリックスＢＭは、画素回路Ｐの間に設けられている。センシング回路４０とブラックマトリックスＢＭとを合わせてセンシング装置として把握することができる。このセンシング装置において、センシング回路４０の一部はブラックマトリックスＢＭの下に位置し、他部はブラックマトリックスＢＭの下に位置せず、外光が入射する。
【００１４】
図３にセンシング回路４０の回路図を示す。センシング回路４０は、増幅トランジスタ４１、リセットトランジスタ４２、および選択トランジスタ４３を備える。これらのトランジスタは、上述した画素回路Ｐのトランジスタ３３と同様にＴＦＴで構成され、例えば、同じプロセスで形成してもよい。
リセットトランジスタ４２のゲートには、第１制御線１０を介してリセット信号ＲＥＳが供給される。リセットトランジスタ４２のドレインは電源線２０に接続され、そのソースは増幅トランジスタ４１のゲートと接続される。電源線２０には電圧ＶＲＨが供給される。ここで、リセットトランジスタ４２は、ブラックマトリックスＢＭの下に位置せず、外光が入射するように配置されている。一般に、トランジスタに光が入射すると、トランジスタがオフ状態においてリーク電流が発生する。リーク電流の大きさは、入射光の光量が大きい程、大きくなる。
【００１５】
増幅トランジスタ４１のドレインは電源線２０に接続され、そのソースは選択トランジスタ４３のドレインに接続される。選択トランジスタ４３のソースは検出線２１に接続され、そのゲートには第２制御線１１を介して選択信号ＳＥＬが供給される。
また、増幅トランジスタ４１のゲートと第１制御線１０との間には、基準容量素子４４が設けられている。さらに、静電容量検出素子４５の一方の端子は、増幅トランジスタ４１のゲートに接続され、その他方の端子には固定電位Ｖｘが供給される。この例では、増幅トランジスタ４１及び選択トランジスタ４３は、ブラックマトリックスＢＭの下に位置するように配置されている。
【００１６】
次に、センシング回路４０の動作を図４〜図７を参照して説明する。センシング回路４０は、リセット期間Ｔres、センシング期間Ｔsen、および読出期間Ｔoutを一単位として動作する。
まず、リセット期間Ｔresにおいて、リセット信号ＲＥＳのレベルはＶＤとなり、リセットトランジスタ４１がオン状態となる。このとき、選択信号ＳＥＬはローレベルであり選択トランジスタ４３はオフ状態となる。すると、図４に示すように増幅トランジスタ４１のゲートの電位が電源電位ＶＲＨにリセットされる。
【００１７】
次に、リセット期間Ｔresに続くセンシング期間Ｔsenでは、リセット信号ＲＥＳのレベルがＶＤからＧＮＤ（＝０Ｖ）に変化する。すると、図６に示すようにリセットトランジスタ４２がオフ状態となる。第１制御線１０は基準容量素子４４の一方の電極と接続されているので、基準容量素子４４はカップリング容量として機能し、リセット信号ＲＥＳのレベルが変化すると増幅トランジスタ４１のゲート電位が変化する。
【００１８】
ここで、基準容量素子４４の容量値をＣｒ、静電容量検出素子４５の容量値をＣｓ、第１制御線１０の電位変化をΔＶgate（＝ＶＤ）とすれば、増幅トランジスタ４１のゲート電位の変化分ΔＶは、以下に示す式（１）で与えられる。但し、寄生容量は無視する。
ΔＶ＝ΔＶgate*Ｃｒ／（Ｃｒ＋Ｃｓ）……（１）
式（１）から、静電容量検出素子４５の容量値Ｃｓが大きければ容量カップリングによる変化分ΔＶは小さく、逆に容量値Ｃｓが小さければ変化分ΔＶは大きい。したがって、静電容量検出素子４５の容量変化をゲート電位に反映させることができる。
【００１９】
次に、読出期間Ｔoutでは、選択信号ＳＥＬがローレベルからハイレベルに変化する。すると、図７に示すように選択トランジスタ４３がオン状態となる。これによって、増幅トランジスタ４１のゲート電位に応じた検出電流Ｉdetが検出線２１に流れる。
読出期間Ｔoutにおいて、選択トランジスタ４３を確実にオン状態とするためには、読出期間Ｔoutに先立って、検出線２１の電位をプリチャージ電位Ｖpreにプリチャージすることが好ましい。この例では、図４に示すように、リセット期間Ｔresおよびセンシング期間Ｔsenをプリチャージ期間Ｔpreとし、当該期間において検出線２１にプリチャージ電位Ｖpreを供給している。
【００２０】
ここで、静電容量検出素子４５による静電容量の変化を図７を参照して説明する。静電容量検出素子４５は図８に示すように第１電極４５ａと第２電極４５ｂとの間に液晶３５を挟持して構成される。人の指が触れない状態では、同図（Ａ）に示すように第１電極４５ａと第２電極４５ｂとが平行であるが、指で液晶表示装置５００を押すと、第２電極４５ｂが撓み、第１電極４５ａと第２電極４５ｂの距離が短くなる。このため、人が指で液晶表示装置５００を押すと、静電容量検出素子４５の容量値Ｃｓが大きくなる。このようにして、静電容量の変化が検出される。
【００２１】
さらに、上述したようにリセットトランジスタ４２は、外光が入射するように配置されるので、人が指で液晶表示装置５００を押さなくても、リーク電流によって増幅トランジスタ４１のゲート電位が変化する。図９に出力電圧（検出信号Ｄのレベル）と照度との関係を示す。同図から明らかなように、照度が大きくなると、検出信号Ｄのレベルが大きくなることが分かる。
但し、検出信号Ｄには、タッチによる静電容量の変化も反映されていることから、これと外光の影響によるものを区別する必要がある。このため、制御回路３１０は、図１０に示す照度検出処理を実行する。
【００２２】
まず、制御回路３１０は、１画面分の検出信号ＤをＡＤ変換して検出データとして取り込み、メモリに記憶する（Ｓ１）。次に、制御回路３１０は、メモリに記憶した検出データを読み出して、ヒストグラムを生成する（Ｓ２）。ヒストグラムは、検出データのデータ値を所定の幅で区分けし、区分けごとの頻度を示すものである。次に、制御回路３１０は、ヒストグラムの中で最も頻度の高い、区分けの中心値を最頻値として特定する（Ｓ３）。さらに、制御回路３１０は、最頻値を照度に変換して照度データＤｂを生成する。
【００２３】
例えば、図１１（Ａ）に示すように人が指で領域Ｑ１を押下げたとする。この場合、検出データの大きさは、指の押下げの影響を受ける領域Ｑ１と、指の影になって外光の照度が低くなる領域Ｑ２と、外光が十分入射する領域Ｑ３とに分けられる。タッチ操作は、表示領域Ａの一部について行われるので、環境の照度は、最も面積の大きい領域Ｑ３によって得られる。ヒストグラムを作成し、最頻値を求めることによって、領域Ｑ３における外光の照度を求めることが可能となる。なお、この例ではヒストグラムを作成したが、これを作成することなく、検出データそのものから最頻値を生成してもよい。
【００２４】
なお、上述した実施形態では、リセットトランジスタ４２のリーク電流を用いて、外光の照度を検出したが、増幅トランジスタ４１のリーク電流を利用して外光の照度を検出してもよい。さらに、リセットトランジスタ４２と増幅トランジスタ４１の両方のリーク電流を用いて外光を検出してもよい。即ち、リセットトランジスタ４２と増幅トランジスタ４１の少なくとも一方をブラックマトリックスＢＭの下に位置せず、外光が入射するように配置すればよい。
【００２５】
また、この例の基準容量素子４４は一方の電極として半導体層４７を用い、他方の電極としてゲート配線４８を用い、それらの間にゲート酸化膜４９を挟持して構成される。なお、半導体層４７、ゲート配線４８、およびゲート酸化膜４９は、他のトランジスタ４１や４２と同一のプロセスによって形成される。したがって、基準容量素子４４を形成するために特別なプロセスは不要であり、製造コストを削減することができる。
【００２６】
ところで、基準容量素子４４は、第１制御線１０と増幅トランジスタ４１のゲートの間に設ければよい。リセットトランジスタ４２のゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間には、その構造に起因する寄生容量が付随する。そこで、図１２に示すセンシング回路４０Ａように、リセットトランジスタ４２の寄生容量を基準容量素子４４として用いてもよい。この場合には、図３に示すように基準容量素子４４を作り込まなくてもよいので、構造をより一層、簡素化することができる。
また、上述した実施形態では、センシング回路４０を駆動するために、駆動回路３００を設けたが、画像表示と同期してセンシングを実行することを許容するのであれば、センシング回路４０に供給する選択信号ＳＥＬおよびリセット信号ＲＥＳをＹドライバ２０１で生成してもよい。
さらに、上述したセンシング回路４０の替わりに図１３に示すセンシング回路４０Ｂを用いてもよい。このセンシング回路４０Ｂは、以下の点でセンシング回路４０と相違する。
第１に、センシング回路４０では、リセットトランジスタ４２の一方の電極が電源線２０と電気的に接続されていたが、センシング回路４０Ｂでは、電源線２０と接続されておらず、他の配線（図示せず）を介して第１の電位ＶＲＳが供給される。
第２に、センシング回路４０では、リセットトランジスタ４２の一方の電極が電源線２０と電気的に接続されていたが、センシング回路４０Ｂでは、基準容量素子４４の一方の端子が増幅トランジスタ４１のゲートと接続され、他方の端子が第１制御線１０に接続されていたが、センシング回路４０Ｂでは、他方の端子が第１制御線１０と接続されておらず、他の配線（図示せず）を介して第２の電位ＶＲＣが供給される。
第３に、センシング回路４０では、静電容量検出素子４５の他方の端子には固定電位Ｖｘが供給されたが、センシング回路４０Ｂでは、静電容量検出素子４５の他方の端子に第３の電位Ｖａが供給される。
第１乃至第３の電位は、周辺回路で生成される。例えば、可変出力のレギュレータやＤＡコンバータを用いることができる。このように電位を可変することを許容すると、センシング動作の自由度を向上させることができる。
さらに、第３の電位Ｖａとして共通電位Ｖcomを用いてもよい。センシング動作中には第３の電位Ｖａは固定である必要があるが、共通電位Ｖcomを交流駆動して変動させても、センシング動作中に極性を反転させるタイミングがこないように設定すればよい。
【００２７】
＜２．応用例＞
次に、本発明に係る液晶表示装置を利用した電子機器について説明する。図１３は、液晶表示装置５００を表示部として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示部としての液晶表示装置５００と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。液晶表示装置５００にはメニューボタン２０２０、２０３０、および２０４０が表示される。これらのメニューボタンには各種のプログラムを割り当てることができる。例えば、メニューボタン２０２０には電子メールを割り当て、メニューボタン２０３０にはブラウザを割り当て、メニューボタン２０４０には描画ソフトを割り当てることができる。ユーザーはキーボード２００２を操作しなくても、メニューボタンに触れるだけで、所望のソフトを起動することが可能となる。
【００２８】
図１４に、実施形態に係る液晶表示装置５００を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示部としての液晶表示装置５００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶表示装置５００に表示される画面がスクロールされる。液晶表示装置５００にはメニューボタン３０１０および３０２０が表示される。例えば、メニューボタン３０１０をユーザーが触れると電話帳が表示され、メニューボタン３０２０をユーザーが触れるとこの携帯電話機の電話番号が表示される。
【００２９】
図１５に、実施形態に係る液晶表示装置５００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示部としての液晶表示装置５００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、メニューボタン４０１０および４０２０が表示される。メニューボタン４０１０を押すと住所録が表示され、メニューボタン４０２０を押すとスケジュール帳が表示される。
【００３０】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１３から図１５に示したもののほか、各種のチケットを発券する発券装置、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００３１】
なお、上述したセンシング回路４０は、表示領域Ａの画素回路Ｐが形成される同一の平面上に形成されたが、表示領域Ａの上に別の基板として形成し、両者を張り合わせて用いてもよい。さらに、液晶表示装置５００の替わりに、有機発光ダイオードを用いた表示装置であってもよい。くわえて、液晶は誘電体の一例であり、窒化シリコンを誘電体として用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
【図２】ブラックマトリックス、画素回路、およびセンシング回路の配置関係を示す平面図である。
【図３】センシング回路の構成を示す回路図である。
【図４】センシング回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】リセット期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図６】センシング期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図７】読出期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図８】静電容量検出素子の構造を示す断面図である。
【図９】出力電圧と照度との関係を示すグラフである。
【図１０】照度検出処理の内容を示すフローチャートである。
【図１１】画面を人の指で触れた場合の模式図である。
【図１２】センシング回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１３】センシング回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３３】
５００……液晶表示装置、Ａ……表示領域、４０……センシング回路、４１……増幅トランジスタ、４２……リセットトランジスタ、４３……選択トランジスタ、４４……基準容量素子、４５……静電容量検出素子、ＲＥＳ……リセット信号、ＳＥＬ……選択信号、１０……第１制御線、１１……第２制御線、２０……電源線、２１……検出線、Ｔres……リセット期間、Ｔsen……センシング期間、Ｔout……読出期間、Ｔpre……プリチャージ期間。
【図１】
0004978453.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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