(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数のスリットを有し、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記画素電極と層間絶縁膜を介して対向する対向電極と、
前記液晶層と接触する配向膜と、を備え、
前記スリットは、略平行四辺形状に形成され、内角が鋭角となるコーナ部に、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向膜のラビング方向は、前記行方向と平行であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記スリットのエッジから１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で窪んでいることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
横電界駆動モードの液晶表示装置の製造方法であって、対向電極と層間絶縁膜を介して対向する画素電極の形成工程において、
層間絶縁膜上に導電層を成膜し、
前記導電層上にレジストを成膜し、
前記レジストを、画素電極に対応したパターンを有するフォトマスクを介して露光し、
前記レジストを現像し、
前記レジストから露出した前記導電層を除去する工程を含み、
前記レジストを露光する工程で適用されるフォトマスクは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットに対応したパターンを有するとともに、スリットの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有し、
前記画素電極のスリットは、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有するように形成されたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記補正パターンは、一辺が２．５〜３．５μｍの概略コーナ部と相似形であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記補正パターンは、前記スリットのエッジから１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で突出していることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、横電界駆動モードの液晶表示装置及びこの液晶表示装置に適用される画素電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴディスプレイに代わる平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）
このような横電界駆動モードの液晶表示装置は、アレイ基板において層間絶縁膜を介して対向する画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界を形成して液晶分子をスイッチングする。また、アレイ基板及び対向基板のそれぞれの外面には、互いに偏向軸方向が直交するように配置された偏光板が配置されている。このような偏光板の配置により、例えば電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に透過率（変調率）が増加して白色画面を表示する。このような液晶表示装置では、液晶分子が基板主面とほぼ平行な平面内で回転するため、透過光の入射方向に対して偏光状態が大きく影響しないので、視野角依存性は小さく、広い視野角特性を有するといった特徴がある。
【特許文献１】特開２００５−１０７５３５号公報
【特許文献２】特開２００６−１３９２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特に、ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、画素電極は、層間絶縁膜を介して対向電極に対向するように配置されている。また、この画素電極には、対向電極に対向するスリットが設けられている。このような構成により、スリットを介して画素電極と対向電極との間に形成される電界によって液晶分子を駆動している。
【０００４】
このような形状の画素電極において、スリットの両端部付近では、電界の向きが揃わないことがあり、このような電界によって駆動される液晶分子の配向方向も不揃いとなる。つまり、電圧印加時（白色画面表示時）にスリットの両端部付近で液晶分子の配向不良が生じ、この部分（ドメイン）での透過率が低く、暗線となる。また、このような配向不良を生じたドメインは、スリットのエッジに沿って成長する傾向があり、更なる透過率の低下を招くおそれがある。したがって、白色画面を表示した際に十分に高い輝度が得られないといった課題がある。
【０００５】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の態様による液晶表示装置は、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数のスリットを有し、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記画素電極と層間絶縁膜を介して対向する対向電極と、
前記液晶層と接触する配向膜と、を備え、
前記スリットは、略平行四辺形状に形成され、内角が鋭角となるコーナ部に、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有することを特徴とする。
【０００７】
この発明の態様による液晶表示装置の製造方法は、
横電界駆動モードの液晶表示装置の製造方法であって、対向電極と層間絶縁膜を介して対向する画素電極の形成工程において、
層間絶縁膜上に導電層を成膜し、
前記導電層上にレジストを成膜し、
前記レジストを、画素電極に対応したパターンを有するフォトマスクを介して露光し、
前記レジストを現像し、
前記レジストから露出した前記導電層を除去する工程を含み、
前記レジストを露光する工程で適用されるフォトマスクは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットに対応したパターンを有するとともに、スリットの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有し、
前記画素電極のスリットは、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有するように形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。ここでは、一方の基板に画素電極及び対向電極を備え、これらの間に形成される横電界を利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明する。
【００１０】
図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。このような液晶表示装置は、画像を表示する表示領域ＤＳＰを備えている。この表示領域ＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１１】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示領域ＤＳＰにおいて、画素毎に配置されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、各画素ＰＸの行方向Ｈにそれぞれ延在したｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、各画素ＰＸの列方向Ｖにそれぞれ延在したｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいて走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、画素電極ＥＰと層間絶縁膜ＩＬを介して対向配置された対向電極ＥＴなどを備えている。
【００１２】
アレイ基板ＡＲは、さらに、表示領域ＤＳＰの周辺の駆動回路領域ＤＣＴにおいて、ｎ本の走査線Ｙに接続された走査線ドライバＹＤを構成する少なくとも一部や、ｍ本の信号線Ｘに接続された信号線ドライバＸＤを構成する少なくとも一部などを備えている。走査線ドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本の走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、信号線ドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本の信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１３】
各スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層ＳＣは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能である。スイッチング素子Ｗのゲート電極ＷＧは、走査線Ｙに接続されている（あるいは走査線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極ＷＳは、信号線Ｘに接続される（あるいは信号線Ｘと一体に形成される）とともに、半導体層ＳＣのソース領域にコンタクトしている。スイッチング素子Ｗのドレイン電極ＷＤは、コンタクトホールＣＨを介して画素電極ＥＰに接続されるとともに、半導体層ＳＣのドレイン領域にコンタクトしている。
【００１４】
対向電極ＥＴは、例えば各画素ＰＸにおいて島状に配置され、コモン電位のコモン配線ＣＯＭに電気的に接続されている。この対向電極ＥＴは、層間絶縁膜ＩＬによって覆われている。画素電極ＥＰは、層間絶縁膜ＩＬの上において対向電極ＥＴと対向するように配置されている。この画素電極ＥＰには、対向電極ＥＴと対向する複数のスリットＳＬが設けられている。これらの画素電極ＥＰ及び対向電極ＥＴは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。アレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱに接触する面には、配向膜２２が配置されている。
【００１５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、図３に示したように、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面すなわち液晶層ＬＱに対向する面に、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素に配置されたカラーフィルタ層３４などを備えている。また、対向基板ＣＴは、さらに、外部電界の影響を緩和するためのシールド電極や、カラーフィルタ層３４の表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバコート層などを備えて構成してもよい。
【００１６】
ブラックマトリクス３２は、絶縁基板３０上において、アレイ基板ＡＲに設けられた走査線Ｙや信号線Ｘ、さらにはスイッチング素子Ｗなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ層３４は、絶縁基板３０上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。対向基板ＣＴの液晶層ＬＱに接触する面には、配向膜３６が配置されている。
【００１７】
このような対向基板ＣＴと上述したようなアレイ基板ＡＲとをそれぞれの配向膜２２及び配向膜３６が対向するように配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの配向膜２２と対向基板ＣＴの配向膜３６との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。
【００１８】
また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと接する面とは反対の外面）に設けられた光学素子ＯＤ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと接する面とは反対の外面）に設けられた光学素子ＯＤ２を備えている。これらの光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、偏光板を含み、例えば、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態において液晶表示パネルＬＰＮの透過率が最低となる（つまり黒を表示する）ノーマリーブラックモードを実現している。
【００１９】
このような構成により、液晶表示パネルＬＰＮに対してアレイ基板ＡＲ側に配置されたバックライトユニットからのバックライト光を液晶表示パネルＬＰＮで選択的に透過し、画像を表示する。
【００２０】
特に、この実施の形態においては、画素電極ＥＰに形成されたスリットＳＬは、図２に示すように、概ね行方向Ｈに沿って延在しており、しかも、行方向Ｈに対して鋭角に交差するように形成されている。また、複数のスリットＳＬは、列方向Ｖに並んでいる。また、この実施の形態では、色味の視野角特性改善のために、１画素内にスイッチング方向が異なる液晶分子を含むように構成されている。
【００２１】
具体的には、１つの画素電極ＥＰは、少なくとも２方向に延在するスリットを有しており、例えば、第１方向に長軸ＡＸ１を有する複数のスリットＳＬ１と、第１方向とは異なる第２方向に長軸ＡＸ２を有する複数のスリットＳＬ２とを有している。長軸ＡＸ１は、行方向Ｈに対して７度程度の角度θ１をなすように傾いている。また、長軸ＡＸ２は、行方向Ｈに対して７度程度の角度θ２をなすように傾いている。つまり、これらの長軸ＡＸ１及びＡＸ２は、行方向Ｈに対して略線対称となるように配置されている。複数のスリットＳＬ１は、互いに平行に配置されている。複数のスリットＳＬ２は、互いに平行に配置されている。なお、配向膜２２及び配向膜３６のラビング方向は、行方向Ｈと平行に設定されている。
【００２２】
図４に拡大したように、スリットＳＬのそれぞれは、略平行四辺形状に形成されている。つまり、各スリットＳＬは、概ね行方向Ｈに沿って延在し且つ行方向Ｈに対して鋭角に交差する長軸と平行な２つのエッジＬ１及びＬ２と、概ね列方向Ｖに沿って延在し且つ列方向Ｖに対して鋭角に交差する短軸と平行な２つのエッジＳ１及びＳ２と、を有している。
【００２３】
また、スリットＳＬのそれぞれは、内角が鋭角となるコーナ部に円弧状の凹部を有している。つまり、各スリットＳＬは、エッジＬ１とエッジＳ２とが交差するコーナ部Ｃ１と、エッジＬ２とエッジＳ１とが交差するコーナ部Ｃ２については、それぞれエッジＬ１及びＬ２の外方に向かって窪んだ円弧状の凹部ＣＣを有している。すなわち、平行四辺形状のスリットＳＬにおいて、対角線上のコーナ部において互いに相反する向きに延在した凹部ＣＣを形成したことにより、スリットＳＬは、略Ｓ字状または積分記号（∫）状に形成されている。
【００２４】
このような構成において、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電界が形成されていない場合には、液晶層ＬＱに含まれる液晶分子は、配向膜２２及び配向膜３６による規制力によって、ラビング方向に平行に配向されている。この状態では、バックライト光は、液晶表示パネルＬＰＮを透過した後、光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板に吸収される（つまり、黒表示となる）。
【００２５】
一方、画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に電位差が形成された場合、スリットＳＬを介して、スリットＳＬのエッジＬ１及びＬ２に対して直交する方向に電界Ｅが形成される。このような電界Ｅにより、液晶分子がスイッチングされる（つまり、液晶分子は電界Ｅと平行な方向に配向するように駆動される）。このとき、スリットＳＬ１付近においては左回り（反時計回り）に液晶分子が回転し、スリットＳＬ２付近においては右回り（時計回り）に液晶分子が回転する。この状態では、バックライト光は、液晶表示パネルＬＰＮを透過した際に液晶分子の複屈折の影響を受けて変調され、その少なくとも一部の成分が光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板を透過する（つまり、白表示となる）。また、画素電極ＥＰが少なくとも２方向に延在するスリットＳＬ１及びＳＬ２を有していることにより、スリットＳＬ１の形状に応じた液晶分子の面内の回転方向（左回り）と、スリットＳＬ２の形状に応じた液晶分子の回転方向（右回り）とは、相反することになる。このため、液晶表示パネルＬＰＮの観察方向に依存した色付きを補償することが可能となり、広い視野角範囲において良好な表示品位を得ることが可能となる。
【００２６】
このような本実施形態の構成による効果を説明する。
【００２７】
上述したようなスリットＳＬを介して画素電極ＥＰと対向電極ＥＴとの間に形成される電界によって液晶分子を駆動する構成においては、スリットの両端部付近では、電界の向きが揃わないことがあり、このような電界によって駆動される液晶分子の配向方向も不揃いとなる。このような液晶分子の配向不良は、透過率の低下を招き、しかも、スリットのエッジに沿って成長する傾向がある。
【００２８】
発明者は、特に、略平行四辺形状のスリットを形成した際に、内角が鋭角となるコーナ部において配向不良が顕著に見られ、しかも、このコーナ部を基点としてスリットの長軸に平行なエッジに沿って配向不良が成長することに着目した。すなわち、発明者は、内角が鋭角となるコーナ部において電界の向きの不揃いを緩和して配向不良の発生を抑制するとともに、たとえ配向不良が発生したとしてもその成長を抑制する構造として、スリットのエッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部ＣＣが適当であることを見出した。
【００２９】
つまり、スリットにおいて内角が鋭角となる部分では、直線状の２つのエッジが交差するため、一方のエッジを介して形成される電界と他方のエッジを介して形成される電界とが混在して配向不良が生じやすい。これに対して、円弧状の部分では、電界の向きの変化が緩やかであり、鋭角となる部分と比較して配向不良の発生を抑制できる。また、円弧状の凹部ＣＣがエッジＬ１及びＬ２の外方に向かって窪んでいるため、たとえ凹部ＣＣにおいて配向不良が生じたとしても、凹部ＣＣを形成する円弧状のエッジＬ１及びＬ２と直線状のエッジとの交点が障壁となり、凹部ＣＣ内での配向不良が直線状のエッジＬ１及びＬ２に沿って成長することを抑制できる。
【００３０】
発明者が種々検討したところ、凹部ＣＣは、スリットＳＬのエッジＬ１及びＬ２から１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で窪んでいることが望ましいことが確認された。すなわち、エッジＬ１及びＬ２からの窪みＤが１．０μｍ未満であると、配向不良の成長抑制に十分な効果が得られず、また、エッジＬ１及びＬ２からの窪みＤが１．０μｍ以上であれば配向不良の成長抑制効果が十分に得られるものの、エッジＬ１及びＬ２からの窪みＤが２．０μｍを超えると、隣接するスリットの間隔が十分に確保できなくなることから、上記範囲が望ましい。なお、ここでの窪みＤとは、図４に示したように、エッジＬ１及びＬ２に垂直な方向に沿ったエッジＬ１及びＬ２と凹部ＣＣの頂点との距離に相当する。
【００３１】
また、発明者は、略平行四辺形状のスリットを形成した際に、内角が鈍角となるコーナ部において電界の向きの不揃いの影響が小さいことも見出した。このため、スリットＳＬは、略Ｓ字状または積分記号（∫）状に形成されている。つまり、スリットＳＬにおいて、内角が鋭角となるコーナ部及び鈍角となるコーナ部にそれぞれ凹部ＣＣを設けようとすると、パターニング時の解像度限界により隣接するスリットＳＬが繋がってしまうことがあるため、隣接するスリットＳＬの間隔を十分に広く確保する必要がある。このことは、１画素内に形成可能なスリット数の減少を意味し、透過率の低下を招くおそれがある。したがって、発明者が見出したような形状のスリットＳＬを適用することにより、透過率の向上が可能となる。
【００３２】
したがって、電圧印加時（白表示時）の透過率を向上することができ、表示品位の良好な画像を表示することが可能となる。
【００３３】
上述したようなスリットＳＬを有する画素電極ＥＰは、以下のような形成工程を経て製造可能である。
【００３４】
すなわち、図５Ａに示すように、対向電極ＥＴを覆う層間絶縁膜ＩＬの上に導電層Ｍを成膜する。ここで、導電層Ｍとしては、例えば、ＩＴＯを用いた。続いて、図５Ｂに示すように、導電層Ｍの上に感光性樹脂材料からなるレジストＲを成膜する。ここでは、レジストＲとして、例えば、感光して可溶性となるポジタイプの感光性樹脂材料を適用している。
【００３５】
続いて、図５Ｃに示すように、フォトマスクＰＭを介してレジストＲを露光する。ここで、適用するフォトマスクＰＭは、少なくとも画素電極ＥＰに対応したパターンを有している。続いて、図５Ｄに示すように、レジストＲを現像する。これにより、少なくとも画素電極ＥＰに対応したパターンのレジストＲが残る。
【００３６】
続いて、図５Ｅに示すように、レジストＲから露出した導電層Ｍを除去する。この導電層Ｍの除去には、例えばウエットエッチングプロセスやドライエッチングプロセスなどを適用可能である。これにより、少なくとも画素電極ＥＰに対応したパターンの導電層Ｍが残る。続いて、図５Ｆに示すように、導電層Ｍの上のレジストＲを除去して、画素電極ＥＰが形成される。
【００３７】
このような一連のフォトリソグラフィプロセスにおいて、レジストＲの露光工程で適用されるフォトマスクＰＭは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットＳＬに対応したパターンを有するとともに、スリットＳＬの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有している。
【００３８】
すなわち、電極を形成するために、矩形状などの角を有したパターンを有するフォトマスクＰＭを用いて一連のフォトリソグラフィプロセスを適用すると、レジスト露光工程での露光条件、レジスト現像工程での現像条件、導電層除去工程での除去条件などの影響を受けて、完成した電極は、丸みを持った形状となりやすい。
【００３９】
そこで、この実施の形態では、図６に示すように、画素電極ＥＰのスリットＳＬとして形成すべき平行四辺形状と同一のパターンＰ１と、このパターンＰ１のうちの鋭角となるコーナ部に重なる部分に、エッジの外方に向かって突出するように配置された概略コーナ部と相似形の補正パターンＰ２とを有するフォトマスクＰＭを適用している。このようなフォトマスクＰＭを用いて一連のフォトリソグラフィプロセスを行うことにより、完成した画素電極ＥＰにおいて、スリットＳＬの内角が鋭角となるコーナ部に円弧状の凹部ＣＣが形成される。なお、スリットパターンＰ１の幅Ｗは５μｍに設定した。
【００４０】
上述した実施の形態において、発明者は、フォトマスクＰＭに適用される補正パターンＰ２の最適なサイズについて、種々検討した。これによると、補正パターンＰ２は、一辺が２．５〜３．５μｍの概略コーナ部ＣＣと相似形であり、しかも、スリットＳＬのエッジから１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で突出していることが望ましい、との結論に達した。
【００４１】
すなわち、図６に示すように、補正パターンＰ２は、平行四辺形状のスリットパターンＰ１の鋭角となるコーナ部Ｐ１Ｃを覆い、且つ、部分Ｐ１のエッジＰ１Ｌから突出するように配置されている。ここでは、さらに、補正パターンＰ２は、部分Ｐ１のエッジＰ１Ｓからも突出するように配置されている。このとき、発明者は、補正パターンＰ２の一辺の長さａ、及び、補正パターンＰ２のエッジＰ１Ｌ及びＰ１Ｓからの突出量ｂを種々変更して同一条件で画素電極ＥＰをパターニングし、最良の凹部ＣＣが形成される寸法の範囲を導き出した。
【００４２】
なお、補正パターンＰ２の一辺の長さとは、エッジＰ１Ｌ及びＰ１Ｓとそれぞれ平行な辺の長さであり、ここではエッジＰ１Ｌ及びＰ１Ｓとそれぞれ平行な辺の長さを同一に設定した。また、突出量ｂは、エッジＰ１Ｌ及びＰ１Ｓに垂直な方向に沿ったスリットパターンＰ１と補正パターンＰ２との距離に相当する。
【００４３】
特に、フォトマスクＰＭ上での突出量ｂと、パターニング後に完成した画素電極ＥＰのスリットＳＬにおける窪み量Ｄとは、略同一となり、凹部ＣＣがスリットＳＬのエッジＬ１及びＬ２から１．０μｍ〜２．０μｍの範囲で窪んでいることが望ましいことに鑑みて、突出量ｂも同様に、１．０μｍ〜２．０μｍの範囲が最適であることが確認された。
【００４４】
以上説明したように、この実施の形態の液晶表示装置によれば、透過率を向上することができ、表示品位の良好な画像、特に白色画面を表示する場合に輝度の高い画像を表示することが可能となる。
【００４５】
なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、本実施形態における１画素分の画素電極及び対向電極の構造を概略的に示す平面図である。
【図３】図３は、図２に示したアレイ基板をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。
【図４】図４は、本実施形態における画素電極のスリットを拡大した図である。
【図５Ａ】図５Ａは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、導電層の成膜工程を説明するための図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの成膜工程を説明するための図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの露光工程を説明するための図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの現像工程を説明するための図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、導電層の除去工程を説明するための図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの除去工程を説明するための図である。
【図６】図６は、フォトマスクに適用されるスリットパターン及び補正パターンと、補正パターンの最適寸法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
ＬＰＮ…液晶表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＰＸ…画素
Ｈ…行方向  Ｖ…列方向
Ｙ…走査線  Ｘ…信号線  Ｗ…スイッチング素子
ＥＰ…画素電極  ＩＬ…層間絶縁膜  ＥＴ…対向電極
ＳＣ…半導体層  ＷＧ…ゲート電極  ＷＳ…ソース電極  ＷＤ…ドレイン電極
ＣＯＭ…コモン配線
ＳＬ…スリット  Ｌ１…エッジ  Ｌ２…エッジ  Ｓ１…エッジ  Ｓ２…エッジ
Ｃ１…コーナ部  Ｃ２…コーナ部  ＣＣ…凹部
ＰＭ…フォトマスク  Ｐ１…スリットパターン  Ｐ２…補正パターン
２０…絶縁基板  ２２…配向膜
３０…絶縁基板  ３２…ブラックマトリクス  ３４…カラーフィルタ層  ３６…配向膜
【図１】
0004911773.tif 000002
【図２】
0004911773.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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