(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投光素子から投光されて受光素子に至る光軸を予め決まった大きさのメダルが通過するメダル通路に交差させ、該光軸を検知するようにした第１の検知手段と第２の検知手段を通路方向に沿って並設し、前記両検知手段の各検知領域が並設部間で重なる検知領域と、重ならない各々の検知領域とが存在する位置関係でメダルの通過を検知するメダル通過検知センサであって、
前記検知手段の光軸上に、外乱光を反射させる光学反射部材を介在させ、該光学反射部材より反射された外乱光の反射方向に外乱光検知素子を配置して構成した
メダル通過検知センサ。
【請求項２】
前記受光素子と外乱光検知素子とを内部に区画して収納保持するケースを有し、該ケースの片面がメダル通路の一部となる通路壁に、前記メダル通路を交差して導かれた光軸及び外乱光をケースの内部に入光させる開口部を有し、該開口部を封止する透光性封止カバーの内面に前記光学反射部材を備えた
請求項１に記載のメダル通過検知センサ。
【請求項３】
前記光学反射部材は、プリズムで構成した
請求項１に記載のメダル通過検知センサ。
【請求項４】
前記光学反射部材は、入光される光の一部を透過させ、他部を反射させるハーフミラーで構成した
請求項１に記載のメダル通過検知センサ。
【請求項５】
前記光学反射部材は、平板状の反射板で構成した
請求項１に記載のメダル通過検知センサ。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つに記載のメダル通過検知センサを備えて構成した
遊技機の投入メダル選別装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メダルを通過させる通路と、この通路を通過するメダルを検知するセンサとを備えたスロットマシンの投入メダル選別装置に備えられるようなメダル通過検知センサに関し、さらに詳しくは不正対策に優れたメダル通過検知センサ及び遊技機の投入メダル選別装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、スロットマシンの投入メダル選別装置（メダルセレクタ）に備えられるメダル通過検知センサを例にとって説明する。  
一般に、スロットマシンの内部には投入メダル選別装置が備えられており、メダル投入口にメダルが投入されると、その投入されたメダルは該投入メダル選別装置に導かれ、ここで適正メダルか否かが選別される。適正と判定されたメダルは１枚ずつ通路を通って内部に取り込まれる。この取り込み過程で通路上に配設されたメダル通過検知センサでメダルの通過枚数を計数し、この計数結果に応じて遊技利用可能な回数が定められている。
【０００３】
ところが、メダル通過検知センサに対し、外部からセンサ信号を誤動作させようとする不正が行われることがある。例えば、不正治具の１つとして、メダル投入口に挿入可能な板状の部材（セル）に複数のＬＥＤを直列に配置し、各ＬＥＤが異なるタイミングで点滅するように制御されるものが知られている。この不正治具をメダル投入口から挿入してＬＥＤを、通路内部に設置されたメダル通過検知センサとしての光電センサと対向させると、ＬＥＤの点滅により光電センサはメダルが通過したと誤って検知してしまう。これにより、実際にメダルの投入を行うことなく、メダルを投入したと誤動作させることができる。
【０００４】
このような不正行為（光ゴト）の対策として、例えば先行出願の特許文献１に開示されているように、投光素子から投光されて受光素子に至る光軸の状態を検知しておき、投光素子の消灯時に、受光素子が受光していると判定された時、次のタイミングでその投光素子を点灯させないように構成している。これにより、光ゴトが行われてもメダルの計数を実行しなくなるので、光ゴトによる不正を防止することができる。ところが、この場合は光ゴトの不正な光そのものを防止するものではないため、より確かな光ゴト対策に効果的なものが望まれていた。
【０００５】
前記光ゴト対策として、投光素子と受光素子とからなるメダル通過検知部だけでなく、メダル通過検知部の投光素子からの投光を受光しない位置に外乱光受光部を配置しておき、外乱光受光部がオンになった時、光ゴトと判定して遊技を中止するようにしたものがある(例えば特許文献２参照)。
【０００６】
しかし、この場合はメダル通過検知部の投光を受光しないため、メダル通過検知部の光軸上の光を検知できない。このため、光ゴトを完全に防止できず、光軸上の外乱光によりメダル通過検知部が誤動作されてしまう問題を有していた。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２７０６２１号公報
【特許文献２】特開２００５−２４５７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明は特に光を利用した不正行為によるメダルのカウントを実行しないメダル通過検知センサ及び遊技機の投入メダル選別装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、投光素子から投光されて受光素子に至る光軸を予め決まった大きさのメダルが通過するメダル通路に交差させ、該光軸を検知するようにした第１の検知手段と第２の検知手段を通路方向に沿って並設し、前記両検知手段の各検知領域が並設部間で重なる検知領域と、重ならない各々の検知領域とが存在する位置関係でメダルの通過を検知するメダル通過検知センサであって、前記検知手段の光軸上に、外乱光を反射させる光学反射部材を介在させ、該光学反射部材より反射された外乱光の反射方向に外乱光検知素子を配置して構成したメダル通過検知センサであることを特徴とする。
【００１０】
上述のメダルは、コインや硬貨に適用してもよく、投光素子はＬＥＤ（発光ダイオード）などに適用してもよく、受光素子及び外乱光検知素子はフォトトランジスタやフォトダイオードなどの受光素子、または予め回路化された受光素子に適用してもよい。
【００１１】
前記光学反射部材は、光軸上の外乱光を光軸方向より異方向に反射させて、その一部を取り出すものである。その取り出された外乱光を、同取出方向に対向する外乱光検知素子にて検知することにより、光ゴト行為を検知することができる。
【００１２】
ことに、光学反射部材の配設位置を光軸上に介在させて配置しているため、受光素子の光軸上の前段で、光ゴト行為による外乱光そのものを事前に検知して、受光素子に外乱光が届く前に外乱光検知素子にて検知することができる。これにより、メダル通過検知センサの誤動作を未然に防止できる。
【００１３】
また、光ゴト行為を検知した場合は、不正治具の使用と判定して、エラー信号を出力するので、センサ外部つまり遊技機等の装置本体側において、不正の有無をチェックすることができる。また、前記エラー信号を用いて直ちに利用中止やアラームを駆動するなどの光ゴト行為に対する適切な処置を講じることができる。
【００１４】
この発明の態様として、前記受光素子と外乱光検知素子とを内部に区画して収納保持するケースを有し、該ケースの片面がメダル通路の一部となる通路壁に、前記メダル通路を交差して導かれた光軸及び外乱光をケースの内部に入光させる開口部を有し、該開口部を封止する透光性封止カバーの内面に前記光学反射部材を備えて構成することができる。
【００１５】
透光性封止カバーは、光軸を透光させる透明部材などにて構成されており、ケースの開口部を封止するカバー機能と、該カバーの内面に光学反射部材を取り付けることができる支持部材としての機能を有している。このため、透光性封止カバーによって、ケースの開口部を封止してケース外部から塵埃が侵入するのを防止している。また、透光性封止カバーと光学反射部材とが一体化しているので、これらの取扱いが容易になる。例えば、ケースの開口部を透光性封止カバーで封止すると同時に、光学反射部材をケース内部の光軸上の位置に配置させることができる。
【００１６】
この発明の態様として、前記光学反射部材をプリズムで構成することができる。  
前記プリズムを用いることにより、受光素子の直前において外乱光の反射方向を任意の方向に指向させることができる。この結果、外乱光検知素子の配設位置に制約を受け難くなり、該外乱光検知素子をケース内の任意の位置に効率よく配設することができる。さらに、このプリズムによって指向方向を自由にとれるため、該プリズムを前記透光性封止カバーの内面に、直接取り付けることが可能になる。
【００１７】
また、プリズムの配置例として、光軸方向と平行する２枚のプリズムを並設して配置構成することができる。このような配置構成にすると、プリズム間に導かれた光は直進して受光素子へと受光される。その両側のプリズムに到達した光は反射して外乱光検知素子へと受光される。また、２枚のプリズムを幅狭間隔に並設した場合は、２枚のプリズムの間の距離が狭いため、不正光を受光素子に到達させ難くすることができ、不正対策に効果的である。
【００１８】
さらに、並設した２枚のプリズムの厚さの合計を、その２枚のプリズムが平行して作る対向面間の距離よりも大きく作ることにより外乱光検知素子に届く光量を多くしている。よって、光軸上において、外乱光は受光素子よりも外乱光検知素子に早く検知される。従って、光ゴト行為による外乱光がある場合は、受光素子が外乱光を検知して誤動作しようとする前に外乱光検知素子で外乱光を検知し、エラー信号を出力するように対処するので、センサ出力が光ゴト行為による影響を受けることがなくなり、不正によるメダルカウントを実行しない効果がある。
【００１９】
この発明の態様として、前記光学反射部材を、入光される光の一部を透過させ、他部を反射させるハーフミラーで構成することができる。  
前記ハーフミラーを用いれば、所望の割合の透過率と反射率に設定できるので、入光される光に対して外乱光検知素子が外乱光を受光するのに適した反射光量に設定できる。
【００２０】
この発明の態様として、前記光学反射部材を平板状の反射板で構成することができる。  
前記反射板は平板でよいため量産に適しているほか、またその取付けに際しても、他部材に平面的に対応させて貼付けるだけでよい。
【００２１】
なお、前記プリズム、ハーフミラー及び反射板は単独に取り付けてもよく、前記透光性封止カバーと一体化して取り付けてもよい。例えば、平板状のハーフミラーや反射板の場合は、透光性封止カバーの内面に水平な貼着用の突片を突設させ、この貼着用の突片に、ハーフミラー及び反射板を平面対応させて貼り付ければ、透光性封止カバーにハーフミラーや反射板を一体に取り付けることができる。
【００２２】
このようなメダル通過検知センサを遊技機の投入メダル選別装置に備えた場合は、光ゴトを阻止するのに適した遊技機としての運用を図ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、不正な光を用いた光ゴトによるメダルのカウントを実行しないので、光ゴト行為の対策に極めて有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
この発明の実施の形態を以下図面に基づいて詳述する。  
【実施例１】
【００２５】
図面はスロットマシンの投入メダル選別装置に備えられるメダル通過検知センサ１１を示し、このメダル通過検知センサ１１は、図１〜図５に示すように構成されている。図１はメダル通過検知センサ１１を示す外観斜視図、図２はメダル通過検知センサ１１の正面図、図３は図２のＡ−Ａ線矢視断面図、図４は外乱光検知状態を示す説明図、図５は図２のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００２６】
メダル通過検知センサ１１は、縦長の箱形状を有し、その箱形状のケース１２の開放された後面を平板状のカバー１３で閉鎖した２分割構造を有している。そして、これらのケース１２とカバー１３内の収納空間に回路基板１４と素子ブロック１５とを配置している。前記ケース１２とカバー１３は外部からの不適な光を遮光する不透明な樹脂材等の遮光素材を用いる。
【００２７】
ケース１２の上部には上方に延びる突片１６を一体形成し、この突片１６には図２に示すように、取付け孔１７と位置決め孔１８とが形成されている。また、突片１６の付け根部には、前方に水平に延出する延出部１９が一体形成されている。
【００２８】
そして、ケース１２の前面と延出部１９の下面とで囲まれる逆Ｌ型空間部２０がメダル検知領域に設けられ、このメダル検知領域がメダルを立ち姿で転動させるメダル通路（図８及び図９参照）に対応して配設される。この逆Ｌ型空間部２０のメダル通路方向に沿って上流側（図１、図２の右側）と下流側（図１、図２の左側）に第１検知センサＳ１と第２検知センサＳ２を並設している。
【００２９】
第２検知センサＳ２は、図３に示すように、延出部１９に反射板２１を固定し、該反射板２１と対応する同高さ位置においてケース１２内の素子ブロック１５に投光素子２２を配設し、そのリード線２３を、素子ブロック１５を介して後方に対設される回路基板１４に接続している。また、投光素子２２の投光側と対応してケース１２の延出部１９には投光通路としての水平な光軸通路Ｌ１が形成されている。
【００３０】
一方、反射板２１によって光が反射される側には素子ブロック１５の下部に受光素子２４を配設し、そのリード線２５を、素子ブロック１５を介して回路基板１４に接続している。この受光素子２４は、その受光面が反射板２１の方向に指向すべく斜めに配置されていて、ケース１２には受光通路としての光軸通路Ｌ２（スリット）が傾斜状に開口形成され、投光素子２２から反射板２１を介して受光素子２４に至る受光角度を有する光軸Ｘ１を形成している。この光軸Ｘ１は斜め上方の反射板２１から斜め下方の受光素子２４へと導かれる際に、該光軸Ｘ１がメダル通路（逆Ｌ型空間部２０）を交差する。また、投光素子２２の光量は、該投光素子２２の光が受光素子２４に入ることで該受光素子２４が入光状態になるように設定されている。従って、入光する光軸Ｘ１を遮らない限り遮光状態とならないように構成されている。
【００３１】
ところで、ケース１２の前面はメダルを転動させるメダル通路の片壁面を形成する通路壁となり、この通路壁の正面視中央部には、光軸Ｘ１をケース１２の外部から内部に入光させる小さな第１開口部２６ａを有している。また、該第１開口部２６ａに対しては、ケース１２の前面（メダル通路）側から透光性の封止カバー２７で覆っている。
【００３２】
前記封止カバー２７は、図６に示すように、透明の樹脂材によりコ型状に形成され、このコ型状の中央面が前記第１開口部２６ａに平面対応して封止するように構成されている。この封止カバー２７のコ型の両側中央部にはそれぞれ小さな係止窓２８を開口しており、ケース１２への取付時にコ型部分でケース１２の前面を抱えるように、係止窓２８がケース両壁面に突出する係止突起２９に係止して一体に取り付けられる。また、第１開口部２６ａと対応する封止カバー２７の内面中央部に、後述するプリズム３０を突設している。
【００３３】
上述のプリズム３０は、封止カバー２７と同じ透明の樹脂材で一体形成して設けることができ、封止カバー２７の内面に突出させた小さな長方板の内端側上角部を傾斜して切欠いた切欠き面３０ａを有し、この切欠き面３０ａが斜め上向きに向いた状態で封止カバー２７の内面に突設している。また、封止カバー２７の内面に突設されるプリズム３０の位置は、ケース１２の第１開口部２６ａと対応する位置に突設されて、封止カバー２７をケース１２の前面より覆うように取り付けるとき、ケース１２の第１開口部２６ａにプリズム３０が挿入して取り付けられる。この場合、プリズム３０は光軸Ｘ１上に介在して光軸Ｘ１と交差し、該光軸Ｘ１上の外乱光を異方向に反射させる役目を有している。
【００３４】
具体的には、図４に示すように、このプリズム３０はレンズ面となる切欠き面３０ａと底面３０ｂとでプリズム機能として設けられる三角形状のプリズムレンズ面を形成し、斜め上方から斜め下向きに入光された光軸Ｘ１を斜め上向きに反射させる反射面としての底面３０ｂを対向させる位置関係に設定して取り付けている。よって、斜め下向きに入光された光軸Ｘ１が底面３０ｂより反射し、反射した光は切欠き面３０ａを透過し、光束が広がらずに斜め上向きに直進する。
【００３５】
また、プリズム３０は光軸Ｘ１の方向と平行する２枚のプリズム３０を並設しており、並設した間に光軸Ｘ１を導くように配置している。この場合、同じ形状の２枚のプリズム３０を幅狭間隔に並設している。これにより、２枚のプリズム３０の間の距離が狭いため、不正光を受光素子に到達させるためには、その狭い間を通過させる必要があり、不正が難しくなる。
【００３６】
そして、プリズム３０を介して光軸Ｘ１から反射した分岐光軸Ｘ２は、その分岐光軸Ｘ２と対向する方向に配設された外乱光検知素子３１に導かれる。この外乱光検知素子３１は素子ブロック１５に搭載され、そのリード線３２を、素子ブロック１５を介して回路基板１４に接続している。また、プリズム３０の切欠き面３０ａと対向する外乱光検知素子３１との対向方向には、前記光軸通路Ｌ２に分岐して連通する外乱光受光通路としての光軸通路Ｌ３が形成されている。
【００３７】
前記外乱光検知素子３１はフォトダイオードなどにより構成され、投光素子２２からの光以外の外乱光が光軸Ｘ１に含まれている場合に、その外乱光を取り出すように光軸Ｘ１から分岐光軸Ｘ２へと導いて該外乱光検知素子３１で検知する構造を有している。ことに、ケース１２内において、光軸Ｘ１上の受光素子２４の前段で、外乱光が受光素子２４に届く前に、該外乱光検知素子３１が検知できるように、プリズム３０から受光素子２４までの光軸距離よりも、プリズム３０から外乱光検知素子３１までの光軸距離を短く設定する。さらに、２個のプリズム３０を幅狭に並設したことにより外乱光検知素子３１で外乱光をいち早く検知するので、外乱光検知素子３１での早い外乱光の検知を可能にしている。
【００３８】
この場合、投光素子２２からの光の一部は、プリズム３０に反射して外乱光検知素子３１に入るが、このとき外乱光検知素子３１での外乱光のＯＮ／ＯＦＦ判定レベルを、投光素子２２からの光では反応しないレベルに設定する。
【００３９】
このように、外乱光がある場合は外乱光検知素子３１がいち早く検知することができるので光ゴト行為の発生を正確に検知することができる。従って、光ゴト行為による外乱光がある場合は、受光素子２４が外乱光を検知して誤動作を開始する前に、先に外乱光検知素子３１が外乱光を検知して、エラー信号を出力するように対処できるので、センサ出力が光ゴト行為による影響を受けなくなる。
【００４０】
また、ケース１２内において光を外乱光検知素子３１に導く際、プリズム３０を用いることによって、光の反射方向をケース１２内の任意の方向に指向させることができる。この結果、外乱光検知素子３１の配設に制約を受け難くなり、該外乱光検知素子３１をケース１２内の任意の位置に効率よく内蔵させて配設することができ、コンパクトなケース１２を維持できる。  
このように、上述の各素子２２，２４，３１により、メダル通過方向の下流側に第２検知センサＳ２が構成されている。
【００４１】
第１検知センサＳ１は、図１及び図２に示すように、メダル通過方向の上流側に形成され、図５に示すように、上述の延出部１９に反射板２１を取付け、この反射板２１によって光が反射される側には素子ブロック１５に受光素子３３を配設し、そのリード線３４を、素子ブロック１５を介して回路基板１４に接続している。また受光素子３３の受光側と対応してケース１２の延出部１９には光軸通路Ｌ４が形成されている。
【００４２】
また、素子ブロック１５の下方には投光素子３５が配置されている。この投光素子に３５は反射板２１の方向に指向すべく斜めに配置されていて、ケース１２内には投光通路としての光軸通路（スリット）Ｌ５が傾斜状に開口形成され、投光素子３５から反射板２１を介して受光素子３３に至る受光角度を有する光軸Ｘ３を形成している。また、上述の投光素子３５のリード線３６は素子ブロック１５を介して回路基板１４に接続されている。
【００４３】
また、光軸Ｘ３と対向するケース１２の前面には、光軸Ｘ３をケース１２の内部から外部へと投光させる小さな第２開口部２６ｂを有しており、この第２開口部２６ｂに対しても、ケース１２の前面から前記封止カバー２７で覆って封止している。  
そして、上述の各素子３３，３５により、メダル通過方向の上流側に第１検知センサＳ１が構成されている。
【００４４】
前記第１検知センサＳ１においては、上側に受光素子３３を設け、下側に投光素子３５を設けており、第２検知センサＳ２においては、上側に投光素子２２を設け、下側に受光素子２４と外乱光検知素子３１とを設け、第１検知センサＳ１と第２検知センサＳ２とで投受光素子の配置関係を上下逆になるように設定している。
【００４５】
前記投光素子２２，３５としてはＬＥＤ（発光ダイオード）を用いることができ、受光素子２４，３３としては例えば受光素子が予め回路化された素子を用いることができる。さらに、外乱光検知素子３１としてはフォトダイオード等の受光素子を用いることができる。さらに、外乱光検知素子３１は、第１検知センサＳ１と第２検知センサＳ２の一方、あるいは双方に備えることができる。
【００４６】
図７は投入メダル選別装置７１を示す外観斜視図、図８(Ａ)は投入メダル選別装置７１の基板７２と開閉板７３との対応状態を背面側から見た分解斜視図、図８(Ｂ)は投入メダル選別装置７１の基板７２と開閉板７３との対応状態を正面側から見た分解斜視図である。
【００４７】
この投入メダル選別装置７１は、基板７２と開閉板７３とを備え、開閉板７２側の支軸７４を基板７２側の軸受部７５に軸支すると共に、バネ７６により開閉板７３を常時基板７２側に付勢し、これら基板７２と開閉板７３との両者によりメダル通路７７を形成している。
【００４８】
このメダル通路７７は、上面の一側に開口された入口７８と下方の出口７９とを有するＬ字状に形成され、メダルＭはメダル通路７７を通って出口７９より内部に取り込まれる。なお、通過途中で不適と判定されたメダルは出口７９に至るまでに選別されて排除口８０より排除される。
【００４９】
そして、出口７９直前のメダル通路７７に対し、前記した第１検知センサＳ１と第２検知センサＳ２を備えたメダル通過検知センサ１１が取り付けられ、ここを通過するメダルを順に計数する。
【００５０】
投入メダル選別装置７１にメダル通過検知センサ１１を取り付ける際は、出口７９の直前において基板７２の通路壁に、メダル通路７７より高い位置にセンサ取付口８１を開口し、このセンサ取付口８１にメダル通過検知センサ１１の延出部１９を基板７２の裏面側より通路側に向けて突出させた状態に取り付ける。
【００５１】
このようにメダル通過検知センサ１１は、図７及び図８に示すように、基板７２のセンサ取付口８１からメダル通路７７の上方部に位置するように延出部１９が配置され、前記ケース１２は基板７２の裏面に固定されている。また、延出部１９よりも下側の部分において、光軸Ｘ１，Ｘ３と対応する基板７２の通路壁には第１開口部２６ａと第２開口部２６ｂが形成されており、メダル通過検知センサ１１の全体はメダル通路７７の片面側からのみ投受光し得るコンパクトな配置構成となっている。
【００５２】
そして、投入メダル選別装置７１にメダル通過検知センサ１１を備えた場合、メダル通路７７の通過方向に沿って第１検知センサＳ１と第２検知センサＳ２との２つの光軸Ｘ３，Ｘ１が形成される。そして、メダルＭがメダル通路７７に沿って転動し、メダルＭが光軸Ｘ３，Ｘ１を、この順に遮ることで、メダルＭの通過を検出することができる。
【００５３】
図９はメダル通過検知センサ１１の制御回路ブロック図を示し、この回路はメダル検知処理回路９０Ａと外乱光検知処理回路９０Ｂとを備えて構成される。まず、メダル検知処理回路９０Ａでは受光素子２４，３３の次段に受光信号を増幅する増幅回路９１を接続し、この増幅回路９１の次段には判定回路９２を接続している。また、判定回路９２で判定されたメダル検知出力の判定結果が出力回路９３から出力される。
【００５４】
さらに、タイミング発生回路（同期回路）９４を上述の判定回路９２と投光素子駆動回路（ＬＥＤ駆動回路）９５との双方に接続し、発振回路９６からの発振信号に応じて投光素子駆動回路９５で間欠点灯される投光素子２２，３５の投光パルスと、この投光パルスを受光する受光素子２４，３３の受光タイミングとを同期させている。
【００５５】
次に、外乱光検知処理回路９０Ｂでは、外乱光検知素子３１の次段に外乱光の受光信号を増幅する増幅回路９７を接続し、この増幅回路９７の次段には判定回路９８を接続している。また、判定回路９８で判定された外乱光検知出力の判定結果がディレイ回路９９を介して出力回路１００から出力される。  
また、上述の各回路要素２２，２４，３１，３３，９１〜１００には、定電圧回路（電源回路）９０からの電源が供給されるように構成している。
【００５６】
このように構成したメダル通過検知センサ１１を投入メダル選別装置７１に備えてメダルを検知する場合、メダル通路７７に導かれた適正なメダルＭはメダル通過検知センサ１１を通過して内部に取り込まれる。このとき、メダルＭはメダル通過検知センサ１１の第１検知センサＳ１の光軸Ｘ３と第２検知センサＳ２の光軸Ｘ１を遮りながら通過する。この通過時の遮光信号や遮光順序からメダルが適正に取り込まれたことを検知し、メダルの通過枚数を計数する。このメダルの検知時において、投光素子２２，３５からの各光軸Ｘ１，Ｘ３が受光素子２４，３３に受光及び遮光される状態を検知確認するだけでなく、外乱光検知素子３１によって外乱光発生の有無を検知確認している。外乱光検知素子３１が外乱光を検知していない外乱光ＯＦＦ状態の場合は、不正信号の発生がなく、これらの信号を管理する制御部では正常なメダルの取込処理動作と判定できる。
【００５７】
これに対し、不正治具がメダル通路７７に挿入されて、通路内部で不正な光を点滅させるような光ゴト行為が行われた場合、メダル通路７７の狭い空間で発生した外乱光の一部が仮にケース１２内の光軸Ｘ１に入光したとしても、その入光した外乱光は、先にプリズム３０の位置で反射されて外乱光検知素子３１へと導かれ、ここで外乱光の発生を検知する。よって、光軸Ｘ１上の外乱光が受光素子２４に届く前に、その光軸Ｘ１上の外乱光を外乱光検知素子３１が先に検知する。このように、投光素子２２からの光以外の外乱光が光軸Ｘ１に含まれている場合には、その外乱光を取り出すように該外乱光を光軸Ｘ１から分岐光軸Ｘ２へと導いて、外乱光検知素子３１で先に検知することができる。このため、受光素子２４が外乱光の影響を受けて誤動作を開始する前に、先に外乱光検知素子３１が外乱光を検知して、エラー信号を出力するように対処できるので、メダル通過検知センサ１１のセンサ出力が光ゴト行為による影響を受けなくなる。例えば、光ゴト行為を検知した場合は、不正治具の使用と判定して、エラー信号を出力するので、メダル通過検知センサ１１を管理するスロットマシンの装置本体側において、不正の有無をチェックすることができる。また、前記エラー信号を用いて直ちに利用中止やアラームを駆動するなどの光ゴト行為に対する適切な処置を講じることができる。
【実施例２】
【００５８】
図１０はメダル通過検知センサ１０１の他の実施例を示す縦断面図である。ここで、実施例２のメダル通過検知センサ１０１は実施例１のメダル通過検知センサ１１と比較して、プリズム３０に代えてハーフミラー１０２を用いたことが異なり、他は同じであるため同一の部分についてはその説明を省略し、異なる部分を説明する。
【００５９】
このメダル通過検知センサ１０１は、ケース１２の前面に小さく開口されている第１開口部２６ａの内方に、光軸Ｘ１の一部を通過させる光軸Ｘ１との交差位置に水平で平面的な貼付台１０３を形成し、該貼付台１０３の上面に板状のハーフミラー１０２を貼り付けて構成したものである。
【００６０】
この場合、ハーフミラーを用いることにより、光軸Ｘ１から入光される光の一部を受光素子２４側に透過させ、他部を外乱光検知素子３１側に反射させることができるので、所望の割合の透過率と反射率に設定して配設することができる。よって、入光される光に対して外乱光検知素子３１が外乱光を受光するのに適した反射光量に設定できる。このようなハーフミラー１０２を用いても、外乱光を的確に検知することができ、実施例１とほぼ同様の作用、効果を奏するものである。
【実施例３】
【００６１】
図１１はメダル通過検知センサ１１１の他の実施例を示す縦断面図である。ここで、実施例３のメダル通過検知センサ１１１は実施例１のメダル通過検知センサ１１と比較して、プリズム３０に代えて反射板１１２を用いたことが異なり、他は同じであるため同一の部分についてはその説明を省略し、異なる部分を説明する。
【００６２】
このメダル通過検知センサ１１１は、ケース１２の前面に小さく開口されている第１開口部２６ａの内方に、光軸Ｘ１の一部を通過させる光軸Ｘ１との交差位置に水平で平面的な貼付台１１３を形成し、該貼付台１１３の上面にシート状の反射板１１２を貼り付けて構成したものである。この場合、反射板１１２を用いることにより、光軸Ｘ１から入光される外乱光を反射させて外乱光検知素子３１に検知させることができる。
【００６３】
特に、反射板１１２は光を反射させることができる小さな平板でよいため量産に適しており、低コスト化を図ることができるほか、またその取付けに際しても、他部材に平面的に貼付けるだけでよいため取扱い易い利点がある。このような反射板１１２を用いても、外乱光を的確に検知することができ、実施例１とほぼ同様の作用、効果を奏するものである。
【００６４】
なお、前記プリズム３０、ハーフミラー１０２及び反射板１１２は、ケース１２内に単品として取り付けてもよく、封止カバー２７と一体化して取り付けてもよい。例えば、平板状のハーフミラー１０２や反射板１１２を封止カバー２７と一体化する場合は、封止カバー２７の内面に水平な貼着用の突片を突設させ、この突片に平板状のハーフミラー１０２や反射板１１２を平面対応させて貼り付ければ一体に取り付けることができる。
【００６５】
この発明の構成と、上述の実施例との対応において、
この発明の第１の検知手段は、実施例の第１検知センサＳ１に対応し、
以下同様に、
第２の検知手段は、第２検知センサＳ２に対応し、
光学反射部材は、プリズム３０、ハーフミラー１０２及び反射板１１２に対応し、
透光性封止カバーは、封止カバー２７に対応するも、
この発明は、請求項に示される技術思想に基づいて応用することができ、上述の実施例の構成のみに限定されるものではない。例えば、図９の制御回路ブロック図において投光素子２２，３５以外の部分はＩＣ化してもよく、各要素９１〜１００はＩＣ回路に代えてＣＰＵで構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】メダル通過検知センサを示す外観斜視図。
【図２】メダル通過検知センサの正面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線矢視断面図。
【図４】外乱光検知状態を示す説明図。
【図５】図２のＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図６】封止カバーの外観斜視図。
【図７】投入メダル選別装置を示す外観斜視図。
【図８】(Ａ)は投入メダル選別装置の基板と開閉板との対応状態を背面側から見た分解斜視図、(Ｂ)は投入メダル選別装置の基板と開閉板との対応状態を正面側から見た分解斜視図。
【図９】メダル通過検知センサの制御回路ブロック図。
【図１０】実施例２のメダル通過検知センサの要部縦断面図。
【図１１】実施例３のメダル通過検知センサの要部縦断面図。
【符号の説明】
【００６７】
１１，１０１，１１１…メダル通過検知センサ
３０…プリズム
３１…外乱光検知素子
１０２…ハーフミラー
１１２…反射板
Ｘ１…光軸
Ｘ２…分岐光軸
【図１】
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【図２】
0004928406.tif 000003
【図３】
0004928406.tif 000004
【図４】
0004928406.tif 000005
【図５】
0004928406.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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