(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層と、光起電力薄膜半導体層と、裏面電極層とを含む積層が形成され、複数個の領域に分割されてなされる光起電力素子とバス領域とを有し光起電力薄膜半導体層に隣の単位光起電力素子との接続のための溝が設けられ、当該溝によって単位光起電力素子が直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を取り出すバス領域とそのバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体とを有する薄膜太陽電池モジュールであって、
バス領域と該良導体との接続を、
バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明電極層が露呈するように透明絶縁基板と透明電極層とを残して光起電力薄膜半導体層または／及び裏面電極層を除去した開孔と、
その開孔を充填し、バス領域と良導体を機械的かつ電気的に接続する接着性導体とでおこなうことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記接着性導体が、導電性金属または有機金属成分を含む導電性液を前記開孔に設置し、固化したものであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記接着性導体が、セラミック用半田あるいは、鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記良導体が半田あるいは錫で被覆された銅の線または箔であることを特徴とする請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田は、鉛が１〜６０重量％、錫が１０〜９８重量％、亜鉛が０．０１〜２５重量％及びアンチモンが０．０１〜５０重量％であることを特徴とする請求項３記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記良導体が、幅２ｍｍ以上の半田メッキ銅箔であり、半田メッキの厚みが５０μｍ以上好ましくは１００μｍ以上、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項７】
透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層と、光起電力薄膜半導体層とを形成し光起電力薄膜半導体層に溝を設け、さらに裏面電極層とを含む積層が形成され、複数個の領域に分割されて光起電力素子とバス領域とが形成され、光起電力素子の単位光起電力素子が前記溝によって直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を集めるバス領域を有する薄膜太陽電池を形成する工程と、
バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明絶縁基板と透明電極層とを残して透明電極層が露呈するように光起電力薄膜半導体層または／及び裏面電極層を除去した開孔を設ける工程と、
該開孔に接着性導体のバンプを設置する工程と、
該接着性導体のバンプにバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体を接続する工程とを有することを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記開孔に接着性導体のバンプを設置する工程が、導電性金属または有機金属成分を含む導電性液をディスペンスする工程を含む請求項７に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記開孔に接着性導体のバンプを設置する工程が、少なくとも一部が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田を超音波を発振する半田ゴテで、超音波を発振し且つ加熱して取り付ける工程であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記開孔を設ける工程が、開孔の大きさ以下の先端部を有する金属製の工具で超音波を用いて機械的に穿孔する工程であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記開孔を設ける工程が、レーザの放射エネルギーを用いて熱的に穿孔する工程であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１２】
超音波を発振する半田ゴテを用いて前記開孔を設ける工程と、該開孔に半田のバンプを設置する工程と同時におこなうことを特徴とする請求項７に記載の薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及び該半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは太陽電池モジュール、特に非晶質シリコンを始めとする薄膜半導体層により光電変換を行う装置、いわゆる薄膜太陽電池モジュールとその製造方法に関する。更に詳しくは、上記太陽電池モジュールの正・負極の取出し段における構造と電気的良導体の取付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
資源の枯渇、あるいは二酸化炭素の発生量の増大等の環境問題を解決する手段として太陽光発電が盛んとなっており、シリコン等の半導体材料の使用量が少ないと言う点で薄膜太陽電池が注目されている。
【０００３】
薄膜太陽電池は従来から実用化されている結晶基板を用いる太陽電池と比較して光を電力に変換する効率が数割低いながら、設置した後の外観である光入射面の外観が結晶基板の太陽電池と比較して、１）色調が茶系統や黒系統であり家屋や建物の屋根と類似している、２）配線や内部の機構が見えることなく密に並べられたストリップ状の太陽電池素子が全面に存在するために遠目からは一様に見える等の特徴があり、意匠性の面からも大いに注目を集めている。
特に、透明絶縁基板に直接太陽電池素子を形成し、基板上で接続する薄膜太陽電池モジュール（以降、基板一体型太陽電池モジュールと呼ぶ）が提案されており、発電領域の面積はモジュール専有面積の９割程度まで実現可能であり、素子以外の部分は殆ど目立たない構成となっている。
【０００４】
基板一体型太陽電池の太陽電池部分の構造、並びにその製造方法については、米国特許第４２９２０９２号に開示されている。ガラス等の透明絶縁基板に透明導電膜を形成し、レーザ加工線によりストリップ状の個別の光起電力領域に分離し、その上にｐ型、ｉ型、ｎ型のアモルファスシリコンを全面に製膜し光起電力半導体層とする。最初の加工線と平行にずらした位置に隣の素子と接続するための接続溝をレーザ加工にて作り、さらに裏面電極層を形成した後、接続溝と平行かつ透明電極の分離溝と反対側に裏面電極分離溝を形成する。これらの工程により一つの基板にストリップ状の複数の光起電力素子が直列に接続された薄膜太陽電池が形成される。
【０００５】
この構成だと太陽電池の接続部分は幅０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの細い線として存在し２０ｍも離れた場所からは、目視では認識できない。
【０００６】
薄膜太陽電池の電力を取り出す為に接続の終端部あるいは途中にバス手段が設けられる。バス手段は発電に寄与しない部分であるので光起電力素子より若干狭いストリップ状の領域（バス領域）に、より電力を集めやすい様に、良導体を設置する。良導体としては例えば特開平３−１７１６７５に開示されている様に透明絶縁基板に透明電極を形成した直後の工程でガラスフリット等の金属粒子を分散したペーストをその領域に塗布する方法、あるいは特開平９−８３００１に開示されている様にバス領域の裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分に半田メッキ銅箔をセラミック用の半田で接続する方法がある。
【０００７】
前者の方法を具体的に図２に紹介すると、薄膜太陽電池１００上に正負の電力を集めるバス領域３，３’を設け、それらの幅方向の概略中央部に裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分２５を設ける、それらの上には超音波半田ゴテを用いて鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とするセラミック半田のバンプを離散的に設けその上に半田メッキ銅箔４，４’が設けられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術は、裏面電極に半田や導電性ペースト等で良導体を設置するというそれより古い技術で発生する、ペースト材料や半田材料と裏面電極材料との反応による腐食や接続部分の剥離等の問題に対して、金属間の電食の問題、剥離の問題の極めて少ない透明電極層に直接ペースト材料や半田材料を付けることで解消する視点で発明されたものであるが、特開平３−１７１６７５に示した方法では、ガラスフリット等のペーストが透明電極と接した部分を光入射側から見ると銀色の光沢部分となることが判明した。
【０００９】
一方、特開平９−８３００１の構造ではバス領域の幅方向の概略中央部に裏面電極層および半導体層を線状に除去して透明電極を露呈した部分を通して半田メッキ銅箔の金属光沢が光入射面から見えることが判明した。
【００１０】
これらの、外観的な特徴は、建物の一部として設置するタイプの太陽電池モジュールの意匠性を著しく損ねることが判明した。
【００１１】
すなわち、太陽電池モジュールを一般家屋などの屋根等の建材あるいは建材に準じた構成要素として用いる場合において、建築家の多くは従来の建材と類似のあるいはそれを越える意匠性を要求している。例えば、屋根葺き材として太陽電池を用いる場合は、通常のコロニアル瓦やシングルの様に茶系統の色調、艶消し性、全面が一様で模様が無いことなどの外観的特性が要求される。
【００１２】
この場合、上記に示した金属的な光沢は太陽電池屋根材の色調から極めて離れたものであり、目立つ模様となり好ましくない。
【００１３】
また、そうかといって、その前の技術の様に裏面電極に付ける方法では信頼性が著しく低下することは自明であり、外観と信頼性の両者を満足する構造を提案することが極めて重要な課題である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
発明者は、上記課題を満たす解決手段を、特開平９−８３００１に開示した構造を出発点として、日夜改良してきた結果、請求項に記載したように本発明に開示する単純且つ明解な手段を見いだした。
【００１５】
本発明の要旨とするところは、透明絶縁基板の一方の面上に、透明電極層と、光起電力薄膜半導体層と、裏面電極層とを含む積層が形成され、複数個の領域に分割されてなされる光起電力素子とバス領域とを有し光起電力薄膜半導体層に隣の単位光起電力素子との接続のための溝が設けられ、当該溝によって単位光起電力素子が直列に電気的に接続され、その接続の終端として薄膜太陽電池モジュールの正・負極の取り出し段における電力を取り出すバス領域とそのバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体とを有する薄膜太陽電池モジュールであって、バス領域と該良導体との接続を、バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明電極層が露呈するように透明絶縁基板と透明電極層とを残して光起電力薄膜半導体層または／及び裏面電極層を除去した開孔と、その開孔を充填し、バス領域と良導体を機械的かつ電気的に接続する接着性導体とでおこなうことにある。
【００１６】
ここで用いる接着性導体は、導電性ペースト等の様に導電性金属または有機金属成分を含む導電性液を前記開孔に設置し固化したもの、あるいはセラミック系の材料に接着性を有する鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田、更に詳しくは鉛が１〜６０重量％、錫が１０〜９８重量％、亜鉛が０．０１〜２５重量％及びアンチモンが０．０１〜５０重量％であるのものが好ましく用いられる。
【００１７】
また金属線あるいは金属リボンからなる良導体としては半田あるいは錫で被覆された銅の線または箔であり、好ましくは幅２ｍｍ以上の半田メッキ銅箔であり、半田メッキの厚みが５０μｍ以上好ましくは１００μｍ以上、２００μｍ以下のものが好適に用いられる。
【００１８】
これらの構成の製法としては、バス領域の幅側の中央部に長手方向に離散的に配置され透明絶縁基板と透明電極層とを残して透明電極層が露呈するように光起電力薄膜半導体層または／及び裏面電極層を除去した開孔を設ける工程と、
該開孔に接着性導体のバンプを設置する工程と、
該接着性導体のバンプにバス領域の電力収集をするための金属線あるいは金属リボンからなる良導体を接続する工程とでこの部分を実施する。
バンプの構成は導電性ペースト等の導電性金属または有機金属成分を含む導電性液をディスペンスして後熱で硬化させるか、セラミックなどに使用する半田あるいは鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田を超音波を発振する半田ゴテで、超音波を発振し且つ加熱して取り付けても良い。
【００１９】
開孔を設けるには、開孔の大きさ以下の先端部を有する金属製の工具で機械的に穿孔するか、あるいは超音波半田ゴテの様に金属製の工具で超音波を用いて機械的に穿孔する機械的工程で行われるか、あるいは、レーザの放射エネルギーを用いて熱的工程で行うことができる。
【００２０】
さらには、前記の半田を用いる場合にしか適用できないが、超音波半田ゴテの超音波の周波数やパワー、コテ先と加工部分との距離を最適化することで、前記開孔を設ける工程と、該開孔に半田のバンプを設置する工程と同時におこなうことで一工程で本発明の特徴とする工程が実現できる。この場合の装置的な工夫としては、セラミックに半田を付ける目的として装置に設定されている条件より１割以上大きな超音波発振パワーに設定すると共に、そのパワーが常に出るように、超音波半田ゴテのコテの部分にある発振子（スピーカーのコイルとボールピースだけをこての部分に付けたもの）の温度を下げる冷却手段を設けている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、具体的な実施の形態を図１を用いて説明する。ここに述べられる内容は形態を説明するものであり、これに限定されるものではなく、別の形態をとるものであってもその技術思想を反映するものであれば、適用できるものである。
【００２２】
［薄膜太陽電池］
図１の断面には、本発明で用いられる薄膜太陽電池が示されている。
【００２３】
薄膜太陽電池で用いられる透明絶縁基板１としてはガラスや耐熱性のプラスチックが用いられる。この基板上に基板の不純物がその上の層に拡散しない様に例えばＳｉＯ2が形成される。この上に透明電極層が形成される。
【００２４】
透明電極層１６としては、結晶粒の頂角によって凹凸が形成される形に成長したＳｎＯ2が好適に用いられる。その形成方法としては熱ＣＶＤ法が一般的である。
【００２５】
この透明電極層はレーザ加工法などを用いて溝１８が設けられ、ストリップ状の個別領域１７が形成される。
【００２６】
その上には半導体層１９が形成される。半導体層としてはアモルファスシリコンや、薄膜多結晶シリコン、ＣＩＳ、ＣｄＴｅなどの光起電力接合が適宜形成される。また透明電極の材料もこれらの半導体に適したものが適宜選択される。
【００２７】
これらの半導体層には隣の光起電力素子との接続の為の溝２１が設けられる。
【００２８】
半導体層１９の上には裏面電極層２２が形成される。裏面電極層としては、ＺｎＯなどの透明導電材料とＡｇなどの高光反射金属を組み合わせた電極が好適に用いられる。
【００２９】
これらの裏面電極層２２は溝２４によって個別の電極２３となる。この形態により透明電極と裏面電極の間に半導体が挟まれた単位素子２８が直列に接続される。
【００３０】
これらの素子２８が接続されたの両端には電力を集めるためのバス領域３，３’が設けられる。この領域には透明電極層を露呈させるための離散的な開孔２９が複数設けられる。
【００３１】
この開孔を開ける方法としては、発明者の実験では後の工程で述べる超音波半田ゴテのチップで半田を付ける際より高めの超音波パワーで擦ることにより、効率良く半導体層及び裏面電極層を除去し透明電極層を露呈できることが判った。この原理を利用すれば工業的に採算できる装置を作製することが可能である。その場合、発振子は常に発振する状態であるので、発熱しこの発熱に伴って発振子の共振点が変化するために超音波パワーが低下することが判明した。この対策として発振子をブロアーあるいは水冷することで常に安定した超音波パワーが確保できることが判明した。さらに、この改良により、超音波半田ゴテのコテ先にセラミック半田が溶融して付いた状態でも同様に削ることが可能であるとともに半田を付けることも可能であった。この場合、削る工程と半田を付ける工程ではパワー、コテ先とバス領域との距離を、削る段階では大きいパワーでコテ先を押さえつける様にし、半田をつけるときは、少しパワーを下げて、コテ先を浮かす感触にすると２つの段階が効率良く行えることが判明した。
【００３２】
一方、別の方法としては、レーザの条件を裏面電極を部分的に除去する条件とすることで離散的に裏面電極と半導体を除去することも原理的には可能である。ただし、この方法を高速に実施する装置の登場を待つ必要がある。
【００３３】
該開孔には離散的にセラミック半田のバンプ２６が形成される。これらのバンプあるいは開孔の直径は、同出願人の公開特許平９−１３５０３５に開示している様に直径２ｍｍでありバンプの中心と中心の距離は約２０ｍｍである。
【００３４】
セラミック半田は透明電極やセラミックと接合が可能になるように希土類を配合したものであり、千住金属などからセラソルザの商品名で市販されている。またこれらの成分は鉛が１〜６０重量％、錫が１０〜９８重量％、亜鉛が０．０１〜２５重量％及びアンチモンが０．０１〜５０重量％であるのものが好ましく用いられている。
【００３５】
また、別の態様としてセラミック半田のかわりに、ディスペンサーあるいはスクリーン印刷を用いて金属あるいは導電性樹脂系の導電性ペーストを該開孔にバンプを設置する。しかるのち、熱風で乾燥することでバンプが形成される。
【００３６】
導電性ペーストとしては、市販のものが良好に用いられるが、本発明を実施するに当たっては乾燥後の色調が暗い色である必要がある。ペースト材料としてはカーボン系、銅系、ニッケル系が好適に用いられる。
【００３７】
このバンプ２６に半田メッキ銅箔４が接続されている。半田メッキ銅箔４は０．２ｍｍ前後の厚みの幅数ｍｍの銅箔を通常の共晶半田でコートしたものである。このコートにより耐食性が改善されるのと、バンプの上にこの銅箔を配置し銅箔の上から半田ゴテで押さえるだけで容易に半田接続ができるという効果がある。また、バンプと半田接合強度を確保する上で、半田付け強度は最低でも１ｋｇは必要であるが、この強度を確保するためには半田メッキ銅箔上の半田厚みを５０μｍ以上にする必要があり好ましくは０．１ｍｍあるものが望ましい。
【００３８】
半田の量が少ないと半田強度が小さくなる原因は、銅箔の面が接触面に対して０．１ｍｍ以上の凹凸があり、その凹凸を埋めるだけの半田が無いと半田接合は面状ではなく点状になるためである。
【００３９】
また、ここで用いられる半田付け工程は全てフラックスを用いない工程になっている。フラックスを用いるとフラックス中の酸が残留し信頼性を著しく低下させるためである。
【００４０】
この後の工程は、本発明の明細書では詳述しないが、図３、図４に記載するがごとく、まず図３（Ａ）の様に、バス領域上３．３’の半田メッキ銅箔４，４’に別の半田メッキ銅箔５，５’を接続する工程。
【００４１】
図３（Ｂ）の様に絶縁シートを埋設する充填材６，８を、絶縁シート７をサンドイッチの様に挟んで所定の位置にセットする工程。
【００４２】
電力取り出し接続手段までの半田メッキ銅箔５，５’を端子ボックス設置位置にて、その端子ボックス側の端が基板に対して垂直になるように折り曲げて、図３（Ｃ）に示す様に半田メッキ銅箔を通すためのスリット１０を開口した基板全面を覆う充填材９を被せる工程。
【００４３】
具体的には図３（Ｄ）、図４（Ｅ）に示す様に充填材のシートの上に保護カバーの穴より少し大きめで切り込みのあるＴｅｄｌｅｒシート小片１３を半田メッキ銅箔の周りにセットし、さらにほぼ同じサイズのＥＶＡシート小片１２をセットする工程と保護カバーを被せる工程
保護カバーの開口から半田メッキ銅箔を出すとともに耐熱性テープで銅箔と保護カバーが接触しない位置に仮固定する工程、図４（Ｆ）、図４（Ｇ）参照。
【００４４】
並びに二重真空槽式ラミネーター（略称真空ラミネーター）で加熱圧着する工程を経て封止された太陽電池モジュールを作製する。
【００４５】
図３、図４に示した工程は、本発明の構造を構成したあとの工程で構成される要素との関係を示したものであり。もちろん、この構成に限定されるものではなく。本発明の要素を含むものであれば、適宜、利用できる。
【００４６】
【実施例】
次に、本発明の実施例をガラス上に構成されたアモルファスシリコン太陽電池で実施例を示す。
【００４７】
（実施例１）
透明絶縁基板１として短辺５０ｃｍ長辺１００ｃｍ厚さ４ｍｍの青板ガラスを用いた。このガラスはプロセス中の熱割れや機械的な破壊を防ぐため切断面の周辺を面取りしたものを用いている。
【００４８】
このガラスに熱ＣＶＤ法によりアルカリバリアとしてＳｉＯ２を１０００Å形成し透明導電層１６としてフッ素ドープのＳｎＯ2を１００００Å形成した。その表面は結晶粒の頂角によって凹凸が形成されている。
【００４９】
この透明電極層１６にはＹＡＧレーザの第２高調波を用いてレーザ加工法で溝１８を設けた。
【００５０】
その上にプラズマＣＶＤ法を用いてｐ型アモルファスシリコンカーバイドを１００Å、ｉ型アモルファスシリコンを３０００Å、ｎ型アモルファスシリコンを３００Å半導体層１９として形成した。
【００５１】
ＹＡＧレーザの第２高調波を用いて隣の光起電力素子との接続の為の溝２１が設けられた。
【００５２】
更に半導体層１９の上に、スパッタ法を用いてＺｎＯを１０００Å、Ａｇを３０００Å形成し裏面電極層２２とした。
【００５３】
これらの裏面電極層２２はＹＡＧレーザの第２高調波を用いて溝２４を形成し個別の電極２３を得た。この形態により透明電極と裏面電極の間に半導体が挟まれた単位素子２８が直列に接続される。この単位素子の幅は約１０ｍｍである。
【００５４】
同様にレーザ加工を用いてこれらの素子の両端に電力を集めるためのバス領域３，３’を５ｍｍの幅で設けた。正極のバス領域３’と負極のバス領域３との間隔は４８ｃｍであった。
このバス領域の幅方向中央部に２ｃｍおきに超音波半田ゴテを用いて半導体とアモルファスシリコンを機械的に除去して開孔２７を片側４８個系９６個形成しセラソルザのバンプ２６を設けた。この穴の大きさは直径２ｍｍである。
【００５５】
このバンプに２ｍｍ幅、銅箔厚み０．２ｍｍ、半田厚み０．１ｍｍの半田メッキ銅箔４を接続した。
【００５６】
また基板１の周辺領域２７は、サンドブラスト法を用いて研磨し全ての上の層が存在しない領域を設けた。
【００５７】
なお、バス領域上の半田メッキ銅箔４，４’は、充填材が銅箔と素子面との隙間に充填するように０．１ｍｍの隙間を形成するように調整した。
【００５８】
バス領域３，３’上の半田メッキ銅箔４，４’の基板端から５ｃｍの位置に長さ３０ｃｍ幅５ｍｍの半田メッキ銅箔５，５’を接続した。この銅箔の厚みと半田厚みは前述の半田メッキ銅箔と同じである。
【００５９】
この太陽電池モジュールの外観を光入射側から観察したところ全面の色調はワインレッドであった。太陽電池の接続部は近くで見ると約０．１ｍｍの銀色の線に見えた。また、バス領域を観察すると、バンプの部分が暗い灰色に見えたが、約２ｍ程離れたところで観察すると、これらの点は見えなくなった。
【００６０】
半田の色は、テクスチャー透明電極を用いた場合と平面透明電極を用いた場合ではテクスチャー透明電極の方が、色調的に暗くなることが判明した。
【００６１】
（実施例２〜３）
半田の換わりに、導電性ペーストを用いても同様に本発明の接続部分を形成できる。銅ペーストを用いた場合は、光照射面からみる色調が暗赤色になりアモルファスシリコンと類似する色調になった。また、クロム系のペーストを用いると黒色になることがわかった。２ｍ以上から離れてみると両者は同様に目立たなくなることが判った。
【００６２】
【発明の効果】
以上の様に、本発明によれば、バス領域との良導体との接続方法を離散的なバンプで行い、それらの下地を離散的に設けることにより、当該部分の外観を大幅に改善することが可能である。
【００６３】
このことにより、基板一体型薄膜太陽電池の本来持っていた外観上の特性を発揮することが可能になり、建材用途における薄膜太陽電池の優位性を遺憾なく発揮することが出来るようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜太陽電池モジュールの各部材の積層斜視図
【図２】従来例の薄膜太陽電池モジュールの各部材の積層斜視図
【図３】本発明の配線の工程図（１）
【図４】本発明の配線の工程図（２）
【符号の説明】
１    透明絶縁基板
２    太陽電池の発電領域
３，３’    バス領域
４，４’    バス領域のコンダクタンスを増大する手段（半田メッキ銅箔）
５，５’    バス領域と電力を外部に出すための接続手段までの配線（半田メッキ銅箔）
６    絶縁シートを埋設する充填材
７    絶縁シート
８    絶縁シートと５の配線を埋設する充填材
９    充填材
１０    ５の配線を通すために充填材に設けられた開口
１１    裏面保護カバーの開口と５の配線との接触を防ぐ為の開口付きの別の絶縁シート
１２    １１の絶縁シートを埋設するための充填材
１３    裏面保護カバー
１４    ５の配線を通すために裏面保護カバーに設置された開口
１５    従来発明で用いた絶縁材
１６    透明電極層
１７    個別の透明電極
１８    透明電極を個別化するための溝
１９    半導体層
２０    個別に分けられた半導体層
２１    隣接した光起電力素子を接続するために半導体層に設けられた溝
２２    裏面電極層
２３    個別の裏面電極
２４    裏面電極を分離するための溝
２５    バス領域にコンダクタンス増大手段を接続するための溝
２６    半田バンプ
２７    薄膜太陽電池周囲に設けられた絶縁領域
２８    薄膜太陽電池を構成する個別の光起電力素子
２９    透明電極層を露呈させるための離散的な開孔
１００  太陽電池素子
【図１】
0004854105.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004854105.tif 000005