(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
前記真空チャンバの内部に配置され絶縁性の原料フィルムを連続的に繰り出す巻出し部と、
前記巻出し部から繰り出された原料フィルムを巻き取る巻取部と、
前記巻出し部と前記巻取部との間に配置され前記原料フィルムと密着して当該フィルムを冷却する冷却用ローラと、
前記冷却用ローラに対向配置され前記原料フィルムに金属膜を成膜する成膜手段と、
前記巻出し部と前記成膜手段との間に配置され、前記原料フィルムに電子ビームを照射する荷電粒子照射手段と、
接地電位に接続され、前記冷却用ローラと前記巻取部との間に配置され前記原料フィルムの成膜面に接触して当該原料フィルムの走行をガイドする補助ローラと、
前記冷却用ローラに接続された正極と接地電位に接続された負極とを有し、前記冷却用ローラと前記補助ローラとの間に直流電圧を印加する電圧印加手段と、
一方の電極が接地された直流二極放電型プラズマ発生源で構成され、前記冷却用ローラと前記補助ローラとの間に配置され前記原料フィルムを除電する除電手段とを備え、
前記除電手段は、プラズマ形成チャンバと、前記プラズマ形成チャンバ内にプロセスガスを導入するための導入管と、前記プラズマ形成チャンバ内に設置され前記原料フィルムを挟んで対向する少なくとも一対の電極部材とを有し、
前記プラズマ形成チャンバ及び前記電極部材のうち、何れか一方が接地電位に接続され、他方が電源電位に接続され、
前記電極部材は軸状であり、その外周囲に永久磁石が装着され、
前記プラズマ形成チャンバ内で前記プロセスガスのプラズマを発生させ、前記プラズマ内に前記原料フィルムを通過させる
ことを特徴とする巻取式真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減圧雰囲気内で絶縁性のフィルムを連続的に繰り出し、フィルムを冷却用ローラに密着させ冷却しながら、当該フィルムに金属膜を蒸着し巻き取る方式の巻取式真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、巻出しローラから連続的に繰り出された長尺の原料フィルムを冷却用キャンローラに巻き付けながら、当該キャンローラに対向配置される蒸発源からの蒸発物質を原料フィルム上に蒸着させ、蒸着後の原料フィルムを巻取りローラで巻き取る方式の巻取式真空蒸着装置は、例えば下記特許文献１に開示されているように公知になっている。【０００３】
この種の真空蒸着装置においては、蒸着時における原料フィルムの熱変形を防止するために、原料フィルムを冷却用キャンローラの周面に密着させて冷却しながら成膜処理を行うようにしている。したがって、この種の真空蒸着装置においては、冷却用キャンローラに対する原料フィルムの密着作用をいかに確保するかが重要な問題となっている。【０００４】
原料フィルムと冷却用キャンローラとの間の密着力を高める構成として、例えば、下記特許文献２に開示されたものがある。図８は下記特許文献２に記載の巻取式（プラズマＣＶＤ）成膜装置の概略構成を示している。【０００５】
図８を参照して、減圧雰囲気に維持されている真空チャンバ１の内部には、金属膜付フィルム２の巻出しローラ３と、冷却用キャンローラ４と、巻取りローラ５とが設置され、キャンローラ４の下方には反応ガス供給源６が配置されている。
ここで、金属膜付フィルム２は、絶縁性フィルムの上に導電性一次薄膜が形成されてなるもので、この導電性一次薄膜の上に、反応ガス供給源６からの反応ガスが反応し成膜されるようになっている。また、キャンローラ４は、金属製のロール表面に絶縁層が形成されてなるもので、ロール本体には所定のマイナス電位が印加されている。【０００６】
そして、図８に示した巻取式（プラズマＣＶＤ）成膜装置においては、巻出しローラ３とキャンローラ４との間に電子線照射器７を設置すると共に、この電子線照射器７とキャンローラ４との間に金属膜付フィルム２上の導電膜を接地電位に接続するガイドローラ８を設けている。これにより、金属膜付フィルム２の絶縁層側表面に電子ビームを照射して金属膜付フィルム２を帯電させ、キャンローラ４との間に発生する電気的吸着力によって金属膜付フィルム２とキャンローラ４との間の密着を図っている。【０００７】
【特許文献１】特開平７−１１８８３５号公報
【特許文献２】特開２０００−１７４４０号公報
【特許文献３】特開２００３−３０１２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図８に示した構成の従来の巻取式（プラズマＣＶＤ）成膜装置においては、金属膜付フィルム２として導電膜付きのプラスチックフィルムのみ有効であるにすぎず、プラスチックフィルムに例示される原料フィルムに金属膜を成膜する処理には適用できないという問題がある。【０００９】
これは、当該従来の巻取式（プラズマＣＶＤ）成膜装置においては、既に金属膜が形成されているので、処理前に、冷却用キャンローラに印加したバイアス電位を金属膜付フィルムに作用させることができるが、金属膜を成膜する場合、金属膜が成膜される前の原料フィルムにはバイアス電位を付加できないためである。さらに、金属膜蒸着前の原料フィルムを帯電させる場合、フィルム上に金属膜を成膜すると、原料フィルムに帯電した電荷が、その上に成膜された金属膜に拡散し、これが原因でキャンローラと原料フィルムとの間の静電引力が低下し、両者の密着力が劣化する場合がある。【００１０】
したがって、従来の巻取式（プラズマＣＶＤ）成膜装置における帯電およびバイアス電位の印加の方法は、プラスチックフィルムに例示される原料フィルムに金属膜を成膜しようとする場合に適用できず、冷却用キャンローラと原料フィルムとの間の高い密着力を得られないために、原料フィルムの冷却効果が不足してフィルムに皺等の熱変形を誘発したり、原料フィルム走行速度の高速化が図れずに生産性向上が望めなくなる。【００１１】
更に、キャンローラと原料フィルムとの間の密着力を高める目的で行われる原料フィルムに対する電子線の照射の影響で、成膜後においてもなお原料フィルムに電荷が帯電し、その帯電圧によっては、フィルム巻取り時やフィルムコンデンサ等の製品組立時においてフィルムに皺が発生し、適正に巻き取れなくなるという問題を有している。【００１２】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、プラスチックフィルムに例示される絶縁性の原料フィルムの熱変形を抑制し、高速で金属膜を成膜して生産性向上を図ることができ、更にはフィルムの除電効果を高めることができる巻取式真空成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の巻取式真空成膜装置は、巻出し部と成膜手段との間に配置され原料フィルムに荷電粒子を照射する荷電粒子照射手段と、冷却用ローラと巻取り部との間に配置され原料フィルムの成膜面に接触して当該原料フィルムの走行をガイドする補助ローラと、冷却用ローラと補助ローラとの間に直流電圧を印加する電圧印加手段と、冷却用ローラと巻取り部との間に配置され原料フィルムを除電する除電手段とを備え、当該除電手段は、一方の電極が接地された直流二極放電型プラズマ発生源で構成されている。【００１４】
金属膜の成膜前において、荷電粒子の照射により帯電した原料フィルムは、バイアス電位が印加された冷却用ローラに対して静電的な引力で密着される。
一方、金属膜の成膜後は、成膜された金属膜により原料フィルムに帯電した電荷の一部が消失されるものの、補助ローラとの接触により金属膜に電位が印加され、これと冷却用ローラとの間に静電的な引力を生じさせることができる。これにより、成膜後においても原料フィルムと冷却用ローラとの間の密着力が維持されることになる。【００１５】
また、金属膜の成膜後は、冷却用ローラと巻取り部との間に配置された除電手段によってフィルムに帯電した荷電粒子の除電が行われる。この除電手段は、一方の電極が接地された直流二極放電型プラズマ発生源で構成されているので、接地電位を基準とする直流電圧の微調整を可能として、除電効果の向上が図れるようになる。【００１６】
以上のように、本発明においては、金属膜の成膜前後にわたって原料フィルムと冷却用ローラとの間に高い密着力を得ることができるので、原料フィルムの冷却効率が高まり、これにより成膜時における原料フィルムの熱変形が防止され、また、原料フィルムの走行速度を高めて生産性向上に貢献することが可能となる。また、原料フィルムの除電効果を高めて、フィルム巻取り工程あるいは製造したフィルムコンデンサ等の製品組立工程の適正化が図れるようになる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、絶縁性の原料フィルムに対する金属膜の成膜前後において、原料フィルムと冷却用ローラとの間に高い密着力を確保することができるので、原料フィルムの熱変形を防止できると共に、原料フィルムの走行速度を高めて生産性向上に大きく貢献することが可能となる。また、原料フィルムの除電効果を高めて、フィルム巻取り工程あるいは製品組立工程の適正化が図れるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態による巻取式真空蒸着装置１０の概略構成図である。
【図２】原料フィルム成膜面を示す図であり、Ａはオイルパターン２５の形成後の状態を示し、Ｂは金属膜２６の蒸着後の状態を示している。
【図３】原料フィルム１２に対する電子ビームの照射工程を説明する断面模式図である。
【図４】蒸着後の原料フィルム１２とキャンローラ１４との間の吸着作用を説明する断面模式図である。
【図５】除電ユニット２３の一構成例を示す断面図である。
【図６】除電ユニット２３の内部構成の要部の拡大図である。
【図７】除電ユニット２３の構成の変形例を示す断面図である。
【図８】従来の巻取式真空成膜装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０    巻取式真空蒸着装置（巻取式真空成膜装置）
１１    真空チャンバ
１２    原料フィルム
１３    巻出しローラ
１４    キャンローラ（冷却用ローラ）
１５    巻取りローラ
１６    蒸発源（成膜手段）
１８    補助ローラ
２０    パターン形成ユニット（マスク形成手段）
２１    電子ビーム照射器（荷電粒子照射手段）
２２    直流バイアス電源（電圧印加手段）
２３    除電ユニット（除電手段）
２５    オイルパターン
２６    金属膜
３０    フレーム（プラズマ形成チャンバ）
３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ    電極
３６    磁石ブロック
Ｅ１，Ｅ２    接地電位
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の形態では、巻取式真空成膜装置として、巻取式真空蒸着装置に本発明を適用した例について説明する。【００２１】
図１は、本発明の実施の形態による巻取式真空蒸着装置１０の概略構成図である。本実施の形態の巻取式真空蒸着装置１０は、真空チャンバ１１と、原料フィルム１２の巻出しローラ１３と、冷却用キャンローラ１４と、巻取りローラ１５と、蒸着物質の蒸発源（本発明の「成膜手段」に対応）１６とを備えている。【００２２】
真空チャンバ１１は、配管接続部１１ａ，１１ｃを介して図示しない真空ポンプ等の真空排気系に接続され、その内部が所定の真空度に減圧排気されている。真空チャンバ１１の内部空間は、仕切板１１ｂにより、巻出しローラ１３、巻取りローラ１５等が配置される室と、蒸発源１６が配置される室とに仕切られている。【００２３】
原料フィルム１２は、所定幅に裁断された長尺の絶縁性プラスチックフィルムでなり、本実施の形態では、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）単層フィルムが用いられている。
なお、これ以外にも、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）フィルム等のプラスチックフィルムや紙シート等が適用可能である。【００２４】
原料フィルム１２は、巻出しローラ１３から繰り出され、複数のガイドローラ１７、キャンローラ１４、補助ローラ１８、複数のガイドローラ１９を介して巻取りローラ１５に巻き取られるようになっている。巻出しローラ１３及び巻取りローラ１５はそれぞれ本発明の「巻出し部」及び「巻取り部」に対応し、これらには、図示せずとも、それぞれ回転駆動部が設けられている。【００２５】
キャンローラ１４は筒状で鉄等の金属製とされ、内部には冷却媒体循環系等の冷却機構や、キャンローラ１４を回転駆動させる回転駆動機構等が備えられている。キャンローラ１４の周面には所定の抱き角で原料フィルム１２が巻回される。キャンローラ１４に巻き付けられた原料フィルム１２は、その外面側の成膜面が蒸発源１６からの蒸着物質で成膜されると同時に、キャンローラ１４によって冷却されるようになっている。【００２６】
蒸発源１６は、蒸着物質を収容するとともに、蒸着物質を抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム加熱等の公知の手法で加熱蒸発させる機構を備えている。この蒸発源１６はキャンローラ１４の下方に配置され、蒸着物質の蒸気を、対向するキャンローラ１４上の原料フィルム１２上へ付着させ被膜を形成させる。【００２７】
蒸着物質としては、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属元素単体のほか、Ａｌ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｆｅ−Ｃｏ等の二種以上の金属あるいは多元系合金が適用され、蒸発源も１つに限らず、複数設けられてもよい。【００２８】
本実施の形態の巻取式真空蒸着装置１０は、更に、パターン形成ユニット２０、電子ビーム照射器２１、直流バイアス電源２２及び除電ユニット２３を備えている。【００２９】
パターン形成ユニット２０は、原料フィルム１２の成膜面に対して金属膜の蒸着領域を画定するパターンを形成するもので、巻出しローラ１３とキャンローラ１４との間に設置されている。【００３０】
図２は原料フィルム１２の成膜面を示している。
パターン形成ユニット２０は、例えば図２Ａにおいてハッチングで示す形状のオイルパターン２５を、原料フィルム１２の成膜面にその長手方向（走行方向）に沿って複数列にわたって塗布するように構成されている。従って、成膜時は、オイルパターン２５の開口部２５ａに蒸着物質が被着した略矩形状の金属パターンが連接部２６ａを介して所定ピッチで連接される形態の金属膜２６が複数列、成膜されることになる（図２Ｂ）。なお、金属膜２６の成膜形態は上記に限定されるものではない。【００３１】
次に、電子ビーム照射器２１は、本発明の「荷電粒子照射手段」に対応し、原料フィルム１２に荷電粒子として電子ビームを照射して原料フィルム１２を負に帯電させる。
図３は原料フィルム１２に対する電子ビームの照射工程を説明する断面模式図である。本実施の形態では、電子ビーム照射器２１は、キャンローラ１４の周面との対向位置に設置され、キャンローラ１４に接触した原料フィルム１２の成膜面に電子ビームが照射されるようにしている。キャンローラ１４上で電子ビームを照射することにより、原料フィルム１２を冷却しながら電子ビームを照射できる。【００３２】
特に、本実施の形態では、電子ビームが原料フィルム１２の幅方向に走査しながら照射されるように、電子ビーム照射器２１が構成されており、これにより、局所的な電子ビームの照射による原料フィルムの加熱損傷を回避できると同時に、原料フィルム１２を均一に効率良く帯電させることが可能となる。【００３３】
直流バイアス電源２２は、キャンローラ１４と補助ローラ１８との間に所定の直流電圧を印加する、本発明の「電圧印加手段」に対応する。本実施の形態では、キャンローラ１４は正極に接続され、補助ローラ１８は負極に接続されている。これにより、電子ビームが照射され負に帯電した原料フィルム１２は、図３に示すように、キャンローラ１４の周面に静電引力によって電気的に吸着され、かつ密着されることになる。なお、直流バイアス電源２２は固定式、可変式のいずれでもよい。【００３４】
ここで、補助ローラ１８は金属製であり、その周面が原料フィルム１２の成膜面に転接する位置に設けられている。この補助ローラ１８は、接地電位Ｅ１に接続されている（図１）。【００３５】
図４は蒸着後の原料フィルム１２とキャンローラ１４との間の吸着作用を説明する断面模式図である。蒸着により、原料フィルム１２上にパターン状に金属膜２６が形成される。図２Ｂに示したように、金属膜２６は長手方向につながっているので、補助ローラ１８にガイドされる原料フィルム１２は、その成膜面上の金属膜２６（図２Ｂ参照）と補助ローラ１８の周面との接触により、金属膜２６とキャンローラ１４との間に挟まれる原料フィルム１２が分極し、原料フィルム１２とキャンローラ１４との間に静電的な吸着力が生じて、両者の密着が図られることになる。【００３６】
そして、除電ユニット２３は、本発明の「除電手段」に対応し、冷却用キャンローラ１４と巻取りローラ１５との間に配置され、電子ビーム照射器２１からの電子照射により帯電した原料フィルム１２を除電する機能を有する。除電ユニット２３の構成例としては、プラズマ中に原料フィルム１２を通過させ、イオンボンバード処理により原料フィルム１２を除電する機構が採用されている。【００３７】
図５は除電ユニット２３の一構成例を示しており、Ａはフィルム走行方向に関して垂直な断面図、Ｂはフィルム走行方向に平行な断面図である。除電ユニット２３は、原料フィルム１２が通過可能なスロット３０ａ，３０ａを備えた金属製フレーム３０と、このフレーム３０内において原料フィルム１２を挟んで対向する二対の電極３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂと、フレーム３０内にアルゴン等のプロセスガスを導入する導入管３３とを備えている。なお、フレーム３０は、本発明の「プラズマ形成チャンバ」に対応する。【００３８】
一方のフレーム３０は、直流電源３４の正極に接続されているとともに、接地電位Ｅ２に接続されている。
他方、各々の電極３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂは軸状の電極部材でなり、それぞれ直流電源３４の負極に接続されている。これら各電極の外周囲には、図６に示すように、複数の環状の永久磁石小片３５でなる磁石ブロック３６が複数組、ＳＮ−ＮＳ−ＳＮ−…を繰り返すようにして、電極の軸方向に沿って互いに極性を反転させて装着されている。【００３９】
なお、各磁石ブロック３６を複数の永久磁石小片３５で構成したのは、当該磁石ブロック３６の磁極間の長さを調整し易くするためである。勿論、これら各磁石ブロック３６を単一の永久磁石材料で形成することも可能である。また、直流電源３４は固定電源として図示しているが、勿論、可変電源としてもよい。【００４０】
上述したように本実施の形態の除電ユニット２３は、フレーム３０と電極３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂとの間に直流電圧を印加してプラズマを発生させる直流二極放電型のプラズマ発生源を基本構成としながら、これらフレーム−電極間における電場成分に各磁石ブロック３６の磁場成分を直交させた磁場収束（マグネトロン放電）機能を付加して、電極の周りの磁場に閉じ込められるようにプラズマが発生する。【００４１】
また、原料フィルム１２を保護する観点から、プラズマは低圧であることが好ましい。この場合、図示するマグネトロン放電型を採用することにより、プラズマを低圧で容易に発生させることができる。【００４２】
次に、本実施の形態の巻取式真空蒸着装置１０の動作について説明する。【００４３】
所定の真空度に減圧された真空チャンバ１１の内部において、巻出しローラ１３から連続的に繰り出される原料フィルム１２は、オイルパターン２５の形成工程、電子ビーム照射工程、蒸着工程、除電工程を経て、巻取りローラ１５に連続的に巻き取られる。【００４４】
マスク形成工程において、原料フィルム１２はパターン形成ユニット２０によって、成膜面に例えば図２Ａに示す形態のオイルパターン２５が塗布形成される。マスク形成方法としては、原料フィルム１２に転接する転写ローラによるパターン転写法を採用できる。【００４５】
オイルパターン２５が形成された原料フィルム１２はキャンローラ１４に巻回される。原料フィルム１２は、キャンローラ１４との接触開始位置近傍において、電子ビーム照射器２１により電子ビームが照射され、電位的に負に帯電される。
このとき、原料フィルム１２がキャンローラ１４と接触した位置で電子ビームを照射するようにしているので、原料フィルム１２を効率良く冷却することができる。
また、走行する原料フィルム１２の成膜面に対しその幅方向に走査しながら電子ビームを照射することによって、電子ビームの局所的な照射による原料フィルム１２の熱変形を回避できると同時に、均一に効率良く原料フィルム１２を帯電させることができるようになる。【００４６】
電子ビームの照射を受けて負に帯電した原料フィルム１２は、直流バイアス電源２２によって正電位にバイアスされているキャンローラ１４に対して、静電引力により密着される（図３）。そして、蒸発源１６から蒸発した蒸着物質が原料フィルム１２の成膜面に堆積することによって、図２Ｂに示す金属膜２６が形成される。この金属膜２６は、連接部２６ａを介して原料フィルム１２の長手方向に連接された複数列の島状の形態を有する。【００４７】
原料フィルム１２に成膜された金属膜２６は、補助ローラ１８を介して直流バイアス電源２２の負電位が印加される。金属膜２６は、原料フィルム１２の長手方向に連接する島状に形成されているので、金属膜２６の蒸着後、キャンローラ１４に巻回された原料フィルム１２において、金属膜２６側の一方の表面にあっては正に、キャンローラ１４側の他方の表面にあっては負にそれぞれ分極し、図４に示すように、原料フィルム１２とキャンローラ１４との間に静電的な吸着力を生じさせる。その結果、原料フィルム１２とキャンローラ１４とが互いに密着される。【００４８】
上記のように本実施の形態においては、金属膜２６の蒸着前は、電子ビームの照射により原料フィルム１２を帯電させてキャンローラ１４へ密着させ、金属膜２６の蒸着後は、当該金属膜２６とキャンローラ１４との間に印加したバイアス電圧により原料フィルム１２をキャンローラ１４へ密着させるようにしているので、金属膜の蒸着前に原料フィルム１２に帯電させた電荷（電子）の一部が、その後の金属膜の蒸着工程で当該金属膜に放出され消失しても、補助ローラ１８から金属膜２６への負電位の印加（電子の供給）によって当該消失された電荷の一部又は全部を補償することが可能となる。【００４９】
したがって、本実施の形態によれば、蒸着工程後においても原料フィルム１２とキャンローラ１４との間の密着力低下が抑止され、蒸着工程の前後にわたって原料フィルム１２の安定した冷却作用が確保されることになる。【００５０】
これにより、金属膜の蒸着時における原料フィルム１２の熱変形を防止することができるとともに、原料フィルム１２の高速走行化、成膜運転速度の高速化を可能として、生産性向上を図ることができるようになる。このような構成は、ＯＰＰフィルム等のような金属膜が付着すると帯電しにくい素材で原料フィルム１２を構成した場合に特に有利である。更に、原料フィルム１２上にパターン状に金属膜２６を形成する場合、部分的に温度が上がるとともに電荷が変化することがあるため、電荷が抜けた金属膜形成部分をバイアス電圧で密着性を高めることは、原料フィルム１２が均一に冷却されるため望ましい。【００５１】
さて、以上のようにして金属膜２６の蒸着が行われた原料フィルム１２は、除電ユニット２３で除電された後、巻取りローラ１５に巻き取られる。本実施の形態によれば、除電ユニット２３を、一方の電極が接地された直流二極放電型プラズマ発生源で構成されているので、フレーム３０の電位を基準とした電極３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂの電位調整あるいは微調整を容易かつ的確に行うことが可能となり、除電効果の向上が図れるようになる。【００５２】
即ち、除電ユニット２３を接地電位に接続しない場合、ユニット全体の電位が浮遊状態となり、基準電位が微妙にずれて高い除電効率が得られなかったが、本発明のように除電ユニット２３の一方の電極（フレーム３０）を基準電位Ｅ２に接続することにより、ＤＣ電圧３４を調整して数Ｖから数十Ｖの除電の調整が行えるようになる。これにより、原料フィルムの帯電圧を数Ｖのオーダに抑えられるようになり、原料フィルム１２の安定した巻取り動作を確保できると同時に、帯電による巻きシワを防止できる。また、積層フィルムコンデンサ等の製品の組立の適正化が図れるようになる。【００５３】
また、補助ローラ１８をも接地させているので、除電ユニット２３への導入前に原料フィルム１２の予備的な除電処理が可能となり、除電ユニット２３における除電効率の更なる向上を図ることができる。【００５４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。【００５５】
例えば以上の実施の形態では、原料フィルム１２上に蒸着する金属膜２６として図２Ｂに示すように連接部２６ａを介して連接される島状に形成したが、これに限らず、例えばフィルム長手方向に沿った直線パターンとしたり、マスク形成を行わずにベタ状に成膜することも勿論可能である。【００５６】
また、以上の実施の形態では、電子ビームを照射して原料フィルム１２を負に帯電させるようにしたが、これに代えて、イオンを照射して原料フィルム１２を正に帯電させるようにしてもよい。この場合は、キャンローラ１４及び補助ローラ１８に印加されるバイアスの極性を上記実施の形態と逆（キャンローラ１４を負極、補助ローラ１８を正極）にする。【００５７】
更に、除電ユニット２３の構成として、軸状の電極３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂを原料フィルム１２を挟むように二対設けたが、これに限らず、図７に示すように一対の電極３１Ａ，３１Ｂで除電ユニットを構成してもよい。また、除電ユニット２３のフレーム側を接地させるに限らず、上記軸状電極側を接地させてもよい。また、除電ユニット２３は補助ローラ１８の下流側に設置されてもよい。【００５８】
なお、以上の実施の形態では金属膜の成膜法に真空蒸着法を適用した例について説明したが、勿論これに限らず、スパッタ法や各種ＣＶＤ法等、金属膜を成膜する他の方法も適用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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