(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子ブロックに形成した素子収容部に収容され、発光チップを樹脂モールドしてなるレンズ無しの投光素子であって、
前記発光チップの中心位置に前記素子収容部の基準位置を一致させるように位置を合わせた前記素子収容部の輪郭線に沿って、前記樹脂モールドした外周部を切断してなることを特徴とする投光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の投光素子と、
光ファイバと、
収容された前記投光素子を素子外周部との嵌め合いにより位置決めする素子収容部を有し、かつ前記光ファイバをその光軸を前記基準位置に一致させた状態で固定した素子ブロックと、を備えたことを特徴とする光ファイバセンサ用投光部。
【請求項３】
前記素子ブロックにおける前記素子収容部の基準位置が、前記素子収容部の中心から外れた位置に設定されたものにおいて、
前記素子収容部の輪郭部分の形状を、前記投光素子を定められた正規向きでのみ収容可能な形状としたことを特徴とする請求項２に記載の光ファイバセンサ用投光部。
【請求項４】
請求項１に記載の投光素子と、
収容された前記投光素子を素子外周部との嵌め合いにより位置決めする素子収容部を有する素子ブロックと、を備えたことを特徴とする光電センサ用投光部。
【請求項５】
素子ブロックに形成した素子収容部に対して、発光チップを樹脂モールドしてなるレンズ無し投光素子を、前記素子収容部の基準位置に前記投光素子の発光チップの中心位置を一致させつつ取り付ける投光素子の位置合わせ方法であって、
前記樹脂モールドした外周部を前記素子収容部より予め大きく形成した投光素子における前記発光チップの中心位置を検出する中心位置検出工程と、
前記発光チップの中心位置に前記基準位置を一致させるように位置を合わせた前記素子収容部の輪郭線に沿って、樹脂モールドした前記投光素子の外周部を切断する切断工程と、を行い、外周部を切断した前記投光素子を前記素子収容部に嵌合させることにより、前記素子収容部側の基準位置に前記投光素子の発光チップの中心位置を一致させることを特徴とする投光素子の位置合わせ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投光素子、光ファイバセンサ用投光部、光電センサ用投光部、投光素子の位置合わせ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
投光側と受光側とで光軸を形成し、検出対象物に光を投光／受光させる光電式のセンサが広く知られている。この種のセンサは受光した光のレベルに基づいて物体の有無などを検出するので、検出を正確に行うには、投光側から出射された光が、受光側にて正しく受光されるように投光側と受光側とで位置を合わせる必要がある。このような位置合わせを行うには、その前提として、投光素子を、これを収容する投光側の素子ブロックに位置ずれなく収容させ、また受光素子を、これを収容する受光側の素子ブロックに位置ずれなく収容させることが必要であり、この種の位置合わせ方法が、下記特許文献に開示されている。このものによれば、半導体チップ（投光素子）１の外形画像を撮影し、その重心位置に合わせて集光レンズ５を接着し、集光レンズ５を取り付け孔５ａに嵌め合わせることにより、集光レンズ５を装着した半導体チップ１を素子ブロックとしてのホルダに対して取り付けている。
【特許文献１】特開平４−１３９８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、近年では、光学装置の小型化の要請を受けて、投光素子の小型化が益々進んでいる。このような小型化された投光素子に対して上記位置合わせ方法を適用するには、小型化された投光素子より小さな集光レンズを加工する加工作業、小さな集光レンズを小さな投光素子の重心位置に合わせて接着する接着作業が必要となるが、このような加工作業、接着作業は難易度が高く、製造コストが増大化してしまう。また、場合によっては、投光素子に集光レンズを一体的に設けていないものもあり、これに対応する必要があった。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、小型の投光素子であっても、素子収容部の基準位置に光学チップの中心位置を比較的簡単に一致させることが可能な投光素子の位置合わせ方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、素子ブロックに形成した素子収容部に収容され、発光チップを樹脂モールドしてなるレンズ無しの投光素子であって、前記発光チップの中心位置に前記素子収容部の基準位置を一致させるように位置を合わせた前記素子収容部の輪郭線に沿って、前記樹脂モールドした外周部を切断してなるところに特徴を有する。
【０００５】
本発明に係る光ファイバセンサ用投光部は、請求項１に記載の投光素子と、光ファイバと、収容された前記投光素子を素子外周部との嵌め合いにより位置決めする素子収容部を有し、かつ前記光ファイバをその光軸を前記基準位置に一致させた状態で固定した素子ブロックと、を備えたところに特徴を有する。
【０００６】
この発明に係る光ファイバセンサ用投光部の実施態様として、以下の構成としておくことが好ましい。
前記素子ブロックにおける前記素子収容部の基準位置が、前記素子収容部の中心から外れた位置に設定されたものにおいて、前記素子収容部の輪郭部分の形状を、前記投光素子を定められた正規向きでのみ収容可能な形状としておく。このようにしておけば、作業者が投光素子を素子ブロックに誤った向きで組み付けてしまう誤組み付けの防止が可能となる。
【０００７】
本発明に係る光電センサ用投光部は、請求項１に記載の投光素子と、収容された前記投光素子を素子外周部との嵌め合いにより位置決めする素子収容部を有する素子ブロックと、を備えたところに特徴を有する。
【０００８】
本発明は、素子ブロックに形成した素子収容部に対して、発光チップを樹脂モールドしてなるレンズ無し投光素子を、前記素子収容部の基準位置に前記投光素子の発光チップの中心位置を一致させつつ取り付ける投光素子の位置合わせ方法であって、前記樹脂モールドした外周部を前記素子収容部より予め大きく形成した投光素子における前記発光チップの中心位置を検出する中心位置検出工程と、前記発光チップの中心位置に前記基準位置を一致させるように位置を合わせた前記素子収容部の輪郭線に沿って、樹脂モールドした前記投光素子の外周部を切断する切断工程と、を行い、外周部を切断した前記投光素子を前記素子収容部に嵌合させることにより、前記素子収容部側の基準位置に前記投光素子の発光チップの中心位置を一致させるところに特徴を有する。
【０００９】
この発明の実施態様として、以下の構成とすることも可能である。
前記切断工程において、前記発光チップの中心位置に前記基準位置を一致させるように位置を合わせしつつ、投光素子の四隅が素子収容部の輪郭線よりはみ出すように周方向に向きを調整した後、はみ出した投光素子の四隅を前記輪郭線に沿って切断する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、投光素子を素子ブロックに組み付けるにあたり、中心位置検出工程と、切断工程とを事前に行うこととしている。そのため、外周部をカットした投光素子を素子収容部に収容させると、素子収容部の内周面と投光素子の外周面との嵌め合いによる位置決め作用により、投光素子の光学チップの中心位置が素子収容部側の基準位置に一致する。
【００１１】
このように本発明によれば、中心位置検出工程にて投光素子の光学チップの中心位置を検出する必要はあるものの、その他に必要となる作業は、投光素子の外周部を輪郭線に沿ってカットするという簡単な加工作業だけであり、他の作業を何ら必要としない。また、特に、小型の投光素子でも、外周部をカットするという簡単な加工作業を行うだけで、素子収容部側の基準位置に光学チップの中心位置を一致させることが可能となり、効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１ないし図１２によって説明する。
１．光ファイバセンサの全体構成
本光ファイバセンサＳは、図１にて示すように、合成樹脂製の素子ブロック５０の後部側に投光素子１０と受光素子３０を上下に並べて収容すると共に、素子ブロック５０の前部側に投光素子１０に対応して投光側光ファイバ（本発明の「光ファイバ」に相当）Ｆ１を、受光素子３０に対応して受光側光ファイバＦ２を取り付けている。尚、以下の説明において、図１の左側を前側、図１の右側を後側として説明を行う。
【００１３】
光ファイバセンサＳの構成について具体的構成に説明すると、素子ブロック５０は縦長なブロック状をなすと共に、後部中央は後方に張り出している。この張り出した箇所には素子ブロック５０の後面側に開口する第一収容部（本発明の「素子収容部」に相当）５１が凹設され、そこには、投光素子１０が投光面を前方に向けた状態で収容されている。投光素子１０は、図２に示すように、先端がＹ字型をなすカソード側ステム２１、カソード側ステム２１の先端部に実装される発光チップ２３、アノード側ステム２５などから構成され、これらを透明樹脂にてモールド（樹脂モールド）したものであり、集光レンズについては一体的に形成していない。
【００１４】
係る投光素子１０の外形形状は、図２にて示すように上下方向において段差が付けてあり、発光チップ２３を収めた発光部１３に対してステム２１、２５が引き出されるベース部１５が一回り大きな形状をしている。これら発光部１３及びベース部１５はいずれもブロック型をなし、平面視（投光素子１０を図２の上側から見たとき）では正方形状をなしている。そして、詳細には後述することとなるが、本実施形態では、係るベース部１５に対して事前加工を行って、その外周部を、次に説明する第一収容部５１のガイド部５５の形状に合わせて、予め切断（以下、カット）するようにしている。
【００１５】
第一収容部５１は図３にて示すように、逃がし部５３と、ガイド部５５とから構成され、全体として段差状をなしている。逃がし部５３は投光素子１０の発光部１３に対応しており、その大きさは若干の余裕を持って発光部１３を収容できるように発光部１３の外形に比べ、やや大きめに作られている。その一方、ガイド部５５は発光素子１０のベース部１５に対応しており、逃がし部５３に対して幅広になっている。このガイド部５５の形状は、図４に示すように正方形状をなすと共に、ガイド部５５の４つの内壁面はいずれもフラットに平面加工されている。
【００１６】
実施形態のものは、上記第一収容部５１側のガイド部５５の内周面５５Ａと、投光素子１０側のベース部１５の外周面１５Ａが位置決め壁となっており、図３に示すように第一収容部５１に対して投光素子１０を後方から差し込むと、ガイド部５５の内周面５５Ａに対し、ベース部１５の外周面１５Ａがその全周に亘って隙間なく嵌合する構成となっている。
【００１７】
また、第一収容部５１にはファイバ挿通孔５７が設けられている（図１参照）。係るファイバ挿通孔５７は前方に向けて水平に延びており、素子ブロック５０の前面壁を貫通して前方に開口している。このファイバ挿通孔５７には、前方側から投光側光ファイバＦ１が挿通されている。係るファイバ挿通孔５７の孔径と、投光側光ファイバＦ１のファイバ径はほぼ同じ寸法に設定してあり、挿通された投光側光ファイバＦ１の軸線Ｌが、ファイバ挿通孔５７の孔中心位置Ｏ１にほぼ一致する設定となっている。尚、このファイバ挿通孔５７の孔中心位置（本発明の「基準位置」に相当）Ｏ１は、この実施形態では第一収容部５１の中心に一致している。
【００１８】
また、素子ブロック５０の後部であって第一収容部５１の下側の位置には、第二収容部６１が設けられている。この第二収容部６１は第一収容部５１と同じく段差状をなすと共に、後面が開口しており、内部に受光素子３０が受光面を前方に向けた状態で収容されている。そして、この第二収容部６１の前面壁の中心からも第一収容部５１と同様、受光側光ファイバＦ２を挿通可能な挿通孔６７が、前方に向けて水平に延びている。この挿通孔６７は、素子ブロック５０の前面壁を貫通して前方に開口して形成しており、前方側から受光側光ファイバＦ２が挿通されている。
【００１９】
また、素子ブロック５０の前面壁は取付部７０とされ、そこには上下２個の保持部材８０と、同保持部材８０を覆うようにしてロック部材９０が装着されている。保持部材８０は合成樹脂製であって、図５に示すように一対の挟持片８１の上端同士を連結部８５によって連結したものであり、連結部８５を中心として両挟持片８１が開閉可能とされており、更に、両挟持片８１の対向面間に光ファイバＦ１、Ｆ２を挿通可能な大きさのファイバ保持孔８７が形成されている。
【００２０】
ロック部材９０は合成樹脂製であって、取付部７０よりも少し縦長で後方に開口した箱形をとされ、図５に示すように保持部材８０に対面する内面側には、左右対称形状をなす係合壁９５が形成されている。このロック部材９０は素子ブロック５０の前面壁に対して間に前記保持部材８０を収容しつつ、上下方向に移動自在に装着され、素子ブロック５０の上面のレバー９９に対する操作により、図６に示すロック位置と図５に示す解除位置（前記押圧を解く位置）とに変位操作できる構成となっている。
【００２１】
レバー９９を操作して解除位置にあるロック部材９０をロック位置に変位させてやると、ロック部材９０の係合壁９５が保持部材８０を内向きに押圧して、両挟持片８１を弾性変位させる結果、保持部材８０のファイバ保持孔８７が縮径されて、両光ファイバＦ１、Ｆ２は両保持部材８０によって抜け止め状態に保持される構成となっている。
【００２２】
上記の如く構成された光ファイバセンサＳでは、投光素子１０を駆動させて検出光を出射させると、その光は投光側光ファイバＦ１内を通って検出対象物（不図示）へと導かれ、ファイバ先端から検出対象物（不図示）に向けて出射される。そして、検出対象物にて反射した反射光は受光側光ファイバＦ２を通って受光素子３０へと導かれ、ファイバ先端を出た後、受光素子３０に入光する。以上のことから、受光した光のレベルに基づいて検出対象物の有無を検出することが出来る。
【００２３】
２．投光素子の事前加工
本実施形態では、投光素子１０のベース部１５を素子ブロック５０のガイド部５５より大きく形成してあり、素子ブロック５０に投光素子１０を組み付けるに先立って、以下の（ａ）、（ｂ）の工程からなる事前加工を行うこととしている。
【００２４】
（ａ）光学チップの中心位置を検出する中心位置検出工程
中心位置検出工程では、投光素子１０を不図示の作業台Ｚに単体の状態にてセットし、これを発光させ、図７にて示すように、発光状態にある投光素子１０を、その正面にセットした撮像カメラ（二次元ＣＣＤなど）１００にて撮影する。そして、撮影により得られた投光素子１０の正面画像から最も受光量レベルの高いポイント、すなわち投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２を検出する（図８参照）。
【００２５】
（ｂ）切断工程
そして、投光素子１０の正面画像から投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２が検出されると、その光学チップ２３の中心位置Ｏ２の座標データ（Ｘ１、Ｙ１）は、コンピュータ１２０に転送される。その一方、転送先のコンピュータ１２０には、素子ブロック５０側のガイド部５５の形状データ、具体的には孔中心位置Ｏ１の座標データ及び、ガイド部５５の輪郭線Ｇを形成する四隅の各点Ａ〜Ｄの座標データが予め入力されている。
【００２６】
以上のことから、光学チップ２３の中心位置Ｏ２の座標データ（Ｘ１、Ｙ１）と、ガイド部５５の形状データとを用いてデータ処理を行うことで、コンピュータ１２０のデータ上にて、作業台Ｚ上にセットされた投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２に、孔中心位置Ｏ１を一致させるようにガイド部５５の輪郭線Ｇを位置合わせできる（図９参照）。
【００２７】
そして、ガイド部５５の輪郭線Ｇが位置合わせされた後には、コンピュータ１２０の制御下のもと、図１０に示すように、ＮＣ加工装置（例えば、ＮＣルータなど）１３０のヘッド１３５により、作業台Ｚ上にセットされた投光素子１０のベース部１５が、ガイド部５５の輪郭線Ｇに沿ってカットされる。これにより、投光素子１０のガイド部５５の外周部のうち、図１１に示すハッチング部分が切断される。本実施形態のものは、このような事前加工を投光素子１０に施した後に、係る投光素子１０を、素子ブロック５０の第一収容部５１に後方から組み付けるようにしている（図３参照）。
【００２８】
３．効果
本実施形態では、事前加工により、投光素子１０のベース部１５をガイド部５５の輪郭線Ｇに合わせてカットしているので、投光素子１０を第一収容部５１に収容させると、ガイド部５５の内周面５５Ａにガイド部５５が隙間なく嵌り、投光素子１０が第一収容部５１にがたつきなく収まる。
【００２９】
しかも、事前加工は、カットラインとなる輪郭線Ｇの中心を、投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２に一致させるように位置を合わせした状態で行っているから、仮に、発光チップ２３がステム２１に対する実装時などにて位置ずれ等を起していたとしても、カット後の投光素子１０を素子ブロック５０の第一収容部５１に組み付けたときには、投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２が、第一収容部５１の孔中心位置Ｏ１、ひいては投光側光ファイバＦ１の軸線Ｌに一致する（図１２参照）。
【００３０】
従って、検出時に、投光素子１０より出射された光を、投光側光ファイバＦ１に、漏れなく入射させることが可能となり、言い換えれば、ファイバＦ１から外れる光がほとんどない。従って、検出対象物に十分な光量の光を照射することが可能となり、検出対象物の有無について、信頼性の高い検出結果を得ることが可能となる。
【００３１】
また、事前加工において、投光素子１０の画像を撮影する必要はあるものの、後は投光素子１０のベース部１５の外周部を輪郭線Ｇに沿ってカットするという比較的簡単な加工作業だけで済み、他の作業を必要としない。よって、対象となる投光素子１０が仮に小型のものであったしても、作業を簡単に行うことが出来、効果的である。尚、この実施形態では、単一の素子ブロック５０に投光素子１０と受光素子３０の双方を収容させた一体型の光ファイバセンサＳを例示したが、投光側と受光側を分離することも無論可能である。
【００３２】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２を図１３ないし図１５によって説明する。
実施形態１では、事前加工を行う前段階の投光素子１０として、ベース部１５の外形形状が、素子ブロック５０側のガイド部５５より一回り大きな正方形のものを例示し、事前加工において、ベース部１５の外周部を、その全周に亘ってカットするものを例示した。
【００３３】
これに対して、実施形態２のものは、図１３の右側に示すように、素子ブロック５０側の第一収容部５１のガイド部５５の形状は実施形態１にて説明したものと同じく正方形としてあるのに対して、図１３の左側に示すように、投光素子２００のベース部２１５の形状を十字型としている。
【００３４】
このようにしておけば、図１４にて示すように、投光素子２００側の光学チップ２３の中心位置Ｏ２に、ガイド部５５の輪郭線Ｇを位置合わせすると、ベース部２１５のうち、四方に延びる延出片２１６〜２１９だけが、輪郭線Ｇからはみ出した状態となる。よって、この場合には、事前加工において、輪郭線Ｇに沿って各延出片２１６〜２１９の、はみ出した部分のみをカットしてやればよい。
【００３５】
そして、事前加工を行った投光素子２００を、素子ブロック５０の第一収容部５１に組み付けてやると、図１５に示すように、ガイド部５５の４つの各内周面５５Ａに対して、輪郭線Ｇに沿ってカットされた各延出片２１６〜２１９の端面がそれぞれ当接した状態となるので、この場合も、実施形態１と同様に、投光素子２００を素子ブロック５０に対して位置合わせ出来、実施形態１と同様の作用効果が得られる。
【００３６】
＜実施形態３＞
次に、本発明の実施形態３を図１６ないし図１８によって説明する。
実施形態１では、投光側光ファイバＦ１を挿通させるファイバ挿通孔５７を、第一収容部５１の中心に形成したものを例示したが、実施形態３では、ファイバ挿通孔５７を、第一収容部５１の中心から外れた位置にファイバ挿通孔５７を形成している。
【００３７】
このような場合、投光素子１０の第一収容部５１に対する組み付けが、周方向について複数の向きで可能であると、事前加工において、投光素子１０のベース部１５をガイド部５５の輪郭線Ｇに沿ってカットしても、組み付けの仕方によっては、ファイバ挿通孔５７の孔中心位置Ｏ１に対して投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２がずれてしまう。そのため、この実施形態では、ガイド部５５の輪郭線Ｇを非対称形状（本発明で言うところの「（素子収容部の輪郭部分の形状を、前記投光素子を定められた正規向きでのみ収容可能な形状）に相当する形状」にすることにより、第一収容部５１に対する投光素子１０の組み付けを、正規向き以外の向きでは組み付け出来ないように規制し、上記ような位置のずれが起こらないようにしている。
【００３８】
具体的に説明すると、この実施形態では、図１６に示すようにガイド部５５のコーナに傾斜部５９を形成し、ガイド部５５の輪郭線Ｇの形状を、図１６において上下、左右とも非対称形状にしている。このようにしておけば、あとは、実施形態１の場合と同様に、事前加工を行って、投光素子１０のベース部１５をガイド部５５の輪郭線Ｇに合わせてカットしてやれば（図１７参照）、ガイド部５５に対し、定められた正規向き（ベース部１５のうち斜めにカットされた箇所が傾斜部５９に正対する向き）でしか、投光素子１０を組み付け出来ない。よって、組み付け後には、図１８に示すように、素子ブロック５０の孔中心位置Ｏ１に投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２が、必ず一致した状態となる。
【００３９】
＜実施形態４＞
次に、本発明の実施形態４を図１９ないし図２１によって説明する。
実施形態１では、投光素子１０側のベース部１５を、素子ブロック５０側のガイド部５５より、一回り大きな形状としておき、事前加工にて、ベース部１５の外周部を、ガイド部５５の輪郭線Ｇに沿って、その全周に亘ってカットしたものを例示した。
【００４０】
これに対し実施形態４では、図１９にて示すように、投光素子１０側のベース部１５を、素子ブロック５０側のガイド部５５に対して、幾らかは大きいもののほぼ同じ大きさとした上で、下記のような方法により、実施形態１と同様の事前加工を行うものである。
【００４１】
具体的には、作業台Ｚ上にセットされた投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２に、孔中心位置Ｏ１を一致させるようにガイド部５５の輪郭線Ｇを位置合わせした後、更に、ガイド部５５の輪郭線Ｇを孔中心位置Ｏ１を軸に４５度回転させている（図２０）。
【００４２】
これにより、図２０に示すように、回転後の輪郭線Ｇから投光素子１０のベース部１５の四隅がはみ出した状態となるので、あとは、輪郭線Ｇに沿って、はみ出したベース部１５の四隅を輪郭線Ｇに沿ってカットしてやればよい。このような方法であっても、
投光素子１０のベース部１５が輪郭線Ｇに合わせてカットされる。従って、素子ブロック５０の第一収容部５１に投光素子１０を組み付けると、図２１に示すように、素子ブロック５０の孔中心位置Ｏ１に投光素子１０の光学チップ２３の中心位置Ｏ２が一致した状態となるので、投光素子１０から出射した光を投光側光ファイバＦ１内に、漏れなく進入させることが可能となる。
【００４３】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００４４】
（１）上記実施形態１〜３ではいずれも、素子ブロック側のガイド部５５として輪郭線Ｇが正方形のものを例示したが、ガイド部５５の形状は正方形に限定されるものではなく、長方形の他、例えば円形などであってもよい。
【００４５】
（２）上記実施形態１では、中心位置検出工程において、光学チップ２３の中心位置Ｏ２を検出するのに、投光素子１０を発光させた状態で撮影を行う方法（撮影により得られた画像から最も受光量レベルの高いポイントを検出することにより中心位置Ｏ２を検出する方法）を取ったが、画像から発光チップ２３の中心位置Ｏ２を検出可能であれば、無論、投光素子１０を発光させない状態で、投光素子１０を撮影してもよい。
【００４６】
（３）上記実施形態１〜４ではいずれも、投光素子から出射した光を検出対象物まで導き、また検出対象物にて反射した光を受光素子まで導くのに光ファイバＦ１、Ｆ２を用いた光ファイバセンサＳを例示したが、例えば、光ファイバＦ１、Ｆ２を持たない単なる光電センサに対しても、本発明を適用することが可能である。ここで言う、光電センサとは、例えば、素子ブロック５０に投光素子１０を実施形態１の方法と同じ方法にて位置決めしつつ収容した投光部（ただし、光ファイバＦ１は廃止）と、それとは異なる他の素子ブロックに受光素子３０を収容した受光部とを構成要素とし、これら両投光部、受光部を、検出対象物を間に挟んで投光素子１０と受光素子３０とが光軸を形成するように対向配置するなどしてやればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態１における光ファイバセンサの垂直断面図
【図２】投光素子の拡大図
【図３】素子ブッロクの第一収容部に対し投光素子を組み付ける直前の状態を示す図
【図４】第一収容部の形状を示す図
【図５】ロック部材の解除位置を示す光電センサの断面図
【図６】ロック部材のロック位置を示す光電センサの断面図
【図７】事前加工の説明図（セット状態）
【図８】投光素子のベース部の形状を示す図
【図９】投光素子のベース部に対して、ガイド部の輪郭線を重ねた状態を示す図
【図１０】事前加工の説明図（カット状態）
【図１１】投光素子のベース部について、事前加工によるカットされる範囲を示す図
【図１２】事前加工済みの投光素子を素子ブロックの第一収容部に組み付けた状態を示す図
【図１３】実施形態２における、事前加工前の投光素子の形状と、素子ブロック側のガイド部の形状を示す図
【図１４】投光素子のベース部に対して、ガイド部の輪郭線を重ねた状態を示す図
【図１５】事前加工済みの投光素子を素子ブロックの第一収容部に組み付けた状態を示す図
【図１６】実施形態３における、事前加工前の投光素子の形状と、素子ブロック側のガイド部の形状を示す図
【図１７】投光素子のベース部に対して、ガイド部の輪郭線を重ねた状態を示す図
【図１８】事前加工済みの投光素子を素子ブロックの第一収容部に組み付けた状態を示す図
【図１９】実施形態４における、事前加工前の投光素子の形状と、素子ブロック側のガイド部の形状を示す図
【図２０】投光素子のベース部に対して、ガイド部の輪郭線を重ねた状態を示す図
【図２１】事前加工済みの投光素子を素子ブロックの第一収容部に組み付けた状態を示す図
【符号の説明】
【００４８】
１０…投光素子
１５…ベース部
２３…発光チップ
５０…素子ブロック
５１…第一収容部（本発明の「素子収容部」に相当）
５５…ガイド部
１００…撮像カメラ
１２０…コンピュータ
１３０…ＮＣ加工装置
２００…投光素子
Ｏ１…孔中心位置（本発明の「基準位置」に相当）
Ｏ２…光学チップの中心位置
Ｆ１…投光側光ファイバ（本発明の「光ファイバ」に相当）
Ｓ…ファイバセンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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