(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸と過酸化水素水とが混合されて成るレジスト剥離用薬液を用いて基板のレジスト剥離処理を複数回行う半導体製造装置を洗浄する半導体製造装置の洗浄方法であって、
前記レジスト剥離処理が行われた後、次回の前記レジスト剥離処理が行われる前に、前記レジスト剥離処理に用いられた前記レジスト剥離用薬液に過酸化水素水を添加し、前記過酸化水素水が添加された前記レジスト剥離用薬液を用いて、前記レジスト剥離処理により生じた異物を除去し、前記異物の除去に用いられた前記レジスト剥離用薬液を前記半導体製造装置から排出する
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置の洗浄方法において、
前記レジスト剥離処理が行われた後、次回の前記レジスト剥離処理が行われる前に、前記レジスト剥離用薬液中の異物の量を計測し、前記レジスト剥離用薬液中の前記異物の量が所定値を超える場合に、硫酸と過酸化水素水とが混合されて成る洗浄用薬液を用いて、前記レジスト剥離処理により生じた前記異物を除去する
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体製造装置の洗浄方法において、
前記過酸化水素水が添加された前記レジスト剥離用薬液を、前記半導体製造装置の配管内に循環させることにより、前記レジスト剥離処理により生じた前記異物を除去する
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体製造装置の洗浄方法において、
前記異物の除去に用いられた前記レジスト剥離用薬液は、前記レジスト剥離処理に用いられた前記レジスト剥離用薬液よりも、前記過酸化水素水の混合比率が高い
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体製造装置の洗浄方法において、
前記過酸化水素水の混合比率が１５％以上の前記レジスト剥離用薬液を用いて、前記レジスト剥離処理により生じた異物を除去する
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体製造装置の洗浄方法において、
前記過酸化水素水の混合比率が２０％以上の前記レジスト剥離用薬液を用いて、前記レジスト剥離処理により生じた異物を除去する
ことを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェーハ上に形成したフォトレジスト膜を剥離する際には、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と硫酸（Ｈ２ＳＯ４）とが混合されて成る薬液であるＳＰＭ（Sulfuric acid-Hydrogen Peroxide Mixture）液が広く用いられている（特許文献１参照）。
【０００３】
硫酸は単独でも洗浄効果を有するが、それに過酸化水素水を混合すると下記の反応が生じ、その結果、ＣＡＲＯ酸（Ｈ２ＳＯ５）が発生し強い洗浄効果を得ることができる。
【０００４】
２Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２→Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２ＳＯ５＋Ｈ２Ｏ
この反応により生成されるＣＡＲＯ酸（Ｈ２ＳＯ５）は、非常に酸化力の強い化合物である。このＣＡＲＯ酸の作用によってレジストはウェーハ表面から剥離すると同時に二酸化炭素（ＣＯ２）に分解されてＳＰＭ液中から抜けていく。この処理をレジスト剥離処理という。
【０００５】
ただし、ＣＡＲＯ酸の濃度が低い場合、ウェーハから剥離したレジストがＣＡＲＯ酸によって分解されないままＳＰＭ液中に残留し、パーティクル（残留異物）として次に処理されるウェーハ表面に付着してしまう問題があった。このウェーハ表面に付着したパーティクルは数１０ｎｍ程度と微小ではあるが、近年では半導体製造工程の精密化が進み、素子の品質に影響を及ぼすことがある。例えば、処理工程によってはエッチング阻害物となったり、膜成長時の膨れの原因となったりと、製品の歩留まりに影響を与える欠陥の要因となり得る。
【特許文献１】米国特許第３９００３３７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数枚のウェーハを１回のレジスト剥離処理でまとめて処理する方式をバッチ処理方式という。このバッチ処理方式においては、通常は複数回使用した後に処理槽内のＳＰＭ液を交換する。その理由は、１回のレジスト剥離処理に使用するＳＰＭ液が多いためである。また別の理由として、ＳＰＭ液は排液処理に時間がかかり、使用する毎に交換していると装置の処理能力が落ちてしまう、ということがある。
【０００７】
そのような理由から、通常はＳＰＭ液を複数回使用した後に交換するが、ＳＰＭ液の使用回数が増えると、槽内の残留異物も徐々に蓄積し無視できない量となるという問題があった。図５は、ＳＰＭ液の使用回数とパーティクル数との関係を示すグラフである。横軸は、ＳＰＭ液の使用回数、即ち、同じＳＰＭ液を用いて行われたレジスト剥離処理の回数を示している。縦軸は、ＳＰＭ液の使用回数が１回のときのパーティクル数を１としたときのパーティクル数の比を示している。図５は、ＳＰＭ液によるレジスト剥離処理を行った後に、アンモニア（ＮＨ３）と過酸化水素水と水とが混合されて成る薬液であるＡＰＭ（Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture）液を用いてウェーハを洗浄し、洗浄されたウェーハに付着していたパーティクル数を求めることにより得られたものである。図５から分かるように、ＳＰＭ液の使用回数の増加に伴ってパーティクル数も増加する。また、ＳＰＭ液を複数回使用したときの残留異物は槽内だけでなく、装置の循環系にも徐々に蓄積されて除去しにくくなる、という問題もあった。
【０００８】
本発明の目的は、半導体製造装置内を清浄に保つことができる半導体製造装置の洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、硫酸と過酸化水素水とが混合されて成るレジスト剥離用薬液を用いて基板のレジスト剥離処理を複数回行う半導体製造装置を洗浄する半導体製造装置の洗浄方法であって、前記レジスト剥離処理が行われた後、次回の前記レジスト剥離処理が行われる前に、前記レジスト剥離処理に用いられた前記レジスト剥離用薬液に過酸化水素水を添加し、前記過酸化水素水が添加された前記レジスト剥離用薬液を用いて、前記レジスト剥離処理により生じた異物を除去し、前記異物の除去に用いられた前記レジスト剥離用薬液を前記半導体製造装置から排出することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、硫酸に過酸化水素水を十分に混合したＳＰＭ液、即ち、ＣＡＲＯ酸濃度が高い洗浄用薬液を用いて、ＳＰＭ槽やＳＰＭ液が循環する配管等を洗浄するため、パーティクルを分解・除去を十分に行うことができる。しかも、本発明によれば、排液する直前のＳＰＭ液、即ち、複数回のレジスト剥離処理が行われたＳＰＭ液に過酸化水素水を十分に加えることにより、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高いＳＰＭ液を生成し、かかる薬液を用いて洗浄を行うため、パーティクルの分解・除去を頻繁に行うことができる。従って、本発明によれば、ＳＰＭ液を用いてレジスト剥離処理を行う半導体製造装置を極めて清浄に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［一実施形態］
本発明の一実施形態による半導体製造装置の洗浄方法を図１乃至図４を用いて説明する。
【００１３】
図１は本実施形態による半導体製造装置の槽構成を示す概略図である。図２は本実施形態による半導体製造装置の洗浄方法を示すフローチャートである。
【００１４】
はじめに、本実施形態による半導体製造装置の槽構成について図１を用いて説明する。
【００１５】
本実施形態による半導体製造装置には、ウェーハのレジスト剥離処理を行う内槽１０と、内槽１０からあふれたＳＰＭ液を溜めるための外槽１２が設けられている。
【００１６】
また、内槽１０に供給する硫酸を一時的に溜めるための予備温調槽１４が設けられている。予備温調槽１４と内槽１０との間には配管１６が設けられている。配管１６にはバルブ１８が設けられている。
【００１７】
硫酸の供給口と予備温調槽１４との間には配管２０が設けられている。配管２０にはバルブ２２が設けられている。
【００１８】
また、内槽１０には、過酸化水素水を供給するための配管２４が設けられている。配管２４にはバルブ２６が設けられている。
【００１９】
この配管２４には途中で分岐した配管２８が設けられており、この配管２８は外槽１２へと設けられている。配管２８にはバルブ３０が設けられている。
【００２０】
また、外槽１２には、硫酸を補充するための配管３２が設けられている。配管３２にはバルブ３４が設けられている。
【００２１】
内槽１０には、排液用の配管３６が接続されている。また、外槽１２には、排液用の配管３８が接続されている。
【００２２】
配管３６には、内槽１０内の溶液を排液するためのバルブ４０が設けられている。また、配管３８には、外槽１２内の溶液を排液するためのバルブ４２が設けられている。
【００２３】
配管３６と配管３８は結合されて配管４４となる。配管４４には、循環用ポンプ４６とバルブ４５とフィルタ４８が設けられている。ＳＰＭ液は循環用ポンプ４６によりこのフィルタ４８を通り、内槽１０へと戻される。バルブ４５は、内槽１０内又は外槽１２内の溶液を、循環用ポンプ４６を用いて配管５０を介して排液する際に、溶液がフィルタ４８を介して内槽１０に達してしまうのを防止するためのものである。
【００２４】
配管４４からは排液のための配管５０が分岐している。配管５０にはバルブ５２が設けられている。
【００２５】
次に、本実施形態による半導体製造装置の洗浄方法について図２のフローチャートを用いて説明する。
【００２６】
はじめに、フローチャートには図示していないが、あらかじめ予備調温槽１４に硫酸を溜めておく。バルブ２２を開き、配管２０を介して予備調温槽１４に硫酸を溜めておく。
【００２７】
次に、バルブ２６を開き、配管２４を介して、内槽１０に過酸化水素水を注入する（ステップＳ１０）。
【００２８】
次いで、予備温調槽１４に溜めておいた硫酸を、バルブ１８を開き、配管１６を介して、内槽１０に滴下する（ステップＳ１１）。
【００２９】
このようにして、過酸化水素水と硫酸とが混合されて成る薬液であるＳＰＭ液（レジスト剥離用薬液）を、内槽１０に生成する。
【００３０】
このＳＰＭ液を使用して、ウェーハのレジスト剥離処理を行う（ステップＳ１２）。この処理は、１回のレジスト剥離処理で複数のウェーハを同時に処理するバッチ処理である。内槽１０内のＳＰＭ液中にウェーハを浸し、ウェーハの表面に付着したレジストを剥離する。処理中に内槽１０からあふれたＳＰＭ液は外槽１２へ溜まる。外槽１２に溜まったＳＰＭ液は、バルブ４２が開かれている状態で配管３８から排出される。外槽１２から排出されたＳＰＭ液は、循環用ポンプ４６により配管４４へ送られ、開かれている状態のバルブ４５とフィルタ４８を通って再び内槽１０へと戻される。
【００３１】
本実施形態では、バッチ処理でＳＰＭ溶液を複数回使用した後に、新しいＳＰＭ液に交換する。
【００３２】
このため、レジスト剥離処理の終了ごとに、ＳＰＭ液の交換が必要かどうかを判断する。まず、同じＳＰＭ液を何回使用したら、液交換を行うかをあらかじめ設定しておき、これを交換実施使用回数とする。そして、それまでのＳＰＭ液の使用回数と、交換実施使用回数とを比較する（ステップＳ１３）。
【００３３】
その結果、ＳＰＭ液の使用回数が交換実施使用回数に達していなければ、ステップＳ１２に戻り、同じＳＰＭ液を使って新たなウェーハに対してレジスト剥離処理を行う。一方、ＳＰＭ液の使用回数が交換実施使用回数に達していたら、ＳＰＭ液を排液して交換する。
【００３４】
ＳＰＭ液でレジスト剥離処理を繰り返すと、微小異物（パーティクル）がＳＰＭ槽、循環配管、及びフィルタ部分に蓄積する。しかし、ＳＰＭ液の交換だけではこれらの微小異物を必ずしも十分に除去することができない。そこで本実施形態では、交換前のＳＰＭ液に過酸化水素水を補充することでＳＰＭ液中のＣＡＲＯ酸の濃度を高め、異物を分解・除去する処理を追加する。この処理は、槽内に蓄積された異物を除去し、槽の清浄度を維持することが目的であるため、必ずしもＳＰＭ液の液交換ごとに行う必要はない。
【００３５】
そこで、液交換を何回行ったら槽内の洗浄を行うかをあらかじめ設定しておき、それを洗浄実施交換回数とする。そして、それまでのＳＰＭ液の交換回数と、洗浄実施交換回数とを比較する（ステップＳ１４）。
【００３６】
その結果、ＳＰＭ液の交換回数が、洗浄実施交換回数に達していなければ、通常の液交換のみを行うため、ＳＰＭ液を排液する（ステップＳ１５）。バルブ４０を開き、内槽１０内のＳＰＭ液を配管３６へ排出する。同様に、バルブ４２を開き、外槽１２内のＳＰＭ液を配管３８へ排出する。２つの配管３６、３８は配管４４に結合される。このＳＰＭ液を排液する際には、ポンプ４６を稼働させる。ＳＰＭ液がフィルタ４８を介して内槽１０内に戻ってしまうことがないよう、バルブ４５が閉じられている状態でポンプ４６を稼働させる。そしてバルブ５２を開いて、配管５０を介してＳＰＭ液を排液する。そしてステップＳ１０に戻り、新しいＳＰＭ液を生成する。
【００３７】
一方、ＳＰＭ液の交換回数が、洗浄実施交換回数に達したら、交換前のＳＰＭ液を使用して洗浄処理を行う。
【００３８】
まず、バルブ４２を開き、外槽１２から一定量のＳＰＭ液を配管３８へ排出する。そしてバルブ５２を開いて、配管５０を介して、一定量のＳＰＭ液を排液する（ステップＳ１６）。
【００３９】
次に、バルブ３０を開き、配管２８を介して、過酸化水素水を外槽１２へ一定量ずつ補充する（ステップＳ１７）。このとき、一度に過酸化水素水を補充すると硫酸と急激に反応し突沸する危険性があるため、少量の過酸化水素水を一定量ずつ外槽１２へ補充する。
【００４０】
そして、外槽１２へ補充した過酸化水素水の総量が、ステップＳ１６で排液したＳＰＭ液の量に達したかを判断する（ステップＳ１８）。
【００４１】
その結果、外槽１２へ補充した過酸化水素水の総量が、ステップＳ１６で排液したＳＰＭ液の量に達していなければ、ステップＳ１７に戻り、再び外槽１２へ過酸化水素水を補充する。
【００４２】
一方、外槽１２へ補充した過酸化水素水の総量が、ステップＳ１６で排液したＳＰＭ液の量に達したら、バルブ３０を閉じて過酸化水素水の補充を終了し、ＳＰＭ液を循環して装置を洗浄する（ステップＳ１９）。まず、バルブ４２を開いて、過酸化水素水を補充した外槽１２内のＳＰＭ液を配管３８へ排出する。そして、過酸化水素水を補充したＳＰＭ液は循環用ポンプ４６により配管４４へ送られ、開かれた状態のバルブ４５及びフィルタ４８を通って内槽１０へ送られる。このようにして、過酸化水素水を補充したＳＰＭ液が内槽１０へ供給される。そして、ＳＰＭ液はバルブ４０が開いて配管３６へ排出され、外槽１２と接続した配管３８へ再び合流する。
【００４３】
この循環を一定時間繰り返して、ＳＰＭ槽及びＳＰＭ液が循環する配管等を洗浄する。
【００４４】
そして、過酸化水素水を補充したＳＰＭ液による装置の洗浄が終了したら、バルブ４０、４２、５２を開いてこのＳＰＭ液を排液する（ステップＳ２０）。
【００４５】
この洗浄処理により、レジスト剥離を繰り返したＳＰＭ槽及び循環系に蓄積された異物（パーティクル）を分解することができる。しかし、かかる洗浄処理では、装置内に蓄積したすべての異物を分解することはできない。そこで本実施形態では、過酸化水素水の濃度を高くし、ＳＰＭ液中のＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定した薬液を循環させることで、装置内に蓄積した異物を分解・除去する処理を追加する。
【００４６】
ステップＳ１９で行った洗浄処理の結果、装置内の異物が充分に除去されず装置内に残留しているとき、ＳＰＭ液中のＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定した薬液による装置の洗浄を行う。
【００４７】
そこで、まず装置内に残留した異物（パーティクル）の量を計測する。より具体的には、ＳＰＭ液中の異物の量を計測する。そして、あらかじめ設定した基準値（所定値）と比較し、薬液による洗浄を行うかを判断する（ステップＳ２１）。
【００４８】
その結果、装置内に残留した異物の量が基準値以下であり、薬液による洗浄処理を行う必要性がないと判断されたら、ステップＳ１０に戻り、新しいＳＰＭ液の生成を行う。
【００４９】
一方、装置内に残留した異物の量が基準値を上回っていたら、ＳＰＭ液中のＣＡＲＯ酸の濃度を十分に高く設定した薬液を循環させて装置の洗浄を行う。
【００５０】
レジスト剥離を繰り返したＳＰＭ槽及び循環系に蓄積された異物は、過酸化水素水の濃度を高くし、ＳＰＭ液中のＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定した薬液を循環させることで分解することができる。
【００５１】
まず、硫酸と過酸化水素水とを内槽１０及び外槽１２にそれぞれ注入する（ステップＳ２２）。内槽１０及び外槽１２にそれぞれ注入する硫酸と過酸化水素水との比率は、例えば４：１とする。これにより、過酸化水素水が２０％混合されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）を生成する。こうして、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高い洗浄用のＳＰＭ液（洗浄用薬液）が得られる。
【００５２】
なお、ＳＰＭ液中からは過酸化水素が徐々に揮発していくため、ＳＰＭ液中における過酸化水素の濃度は徐々に減少していく。このため、ＳＰＭ液を生成する際に過酸化水素水を２０％混合したとしても、ＳＰＭ液中における過酸化水素の濃度は長時間に亘って２０％に維持されるわけではない。過酸化水素水が２０％混合されたＳＰＭ液とは、ＳＰＭ液を生成する際における過酸化水素水の混合比率が２０％であることを意味する。
【００５３】
そして、この洗浄用薬液を循環し装置内を洗浄する（ステップＳ２３）。バルブ４０を開き、内槽１０内の洗浄用薬液を配管３６へ排出する。次いでバルブ４２を開き、外槽１２内の洗浄用薬液を配管３８へ排出する。２つの配管３６、３８は配管４４に結合される。そして、洗浄用薬液は循環用ポンプ４６により、開かれた状態のバルブ４５を介してフィルタ４８へ送られ、再び内槽１０へ送られる。
【００５４】
この循環を一定時間繰り返して、ＳＰＭ槽及びＳＰＭ液が循環する配管等を洗浄する。
【００５５】
そして、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高く設定されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）による装置の洗浄が終了したら、バルブ４０、４２、５２を開いてこの洗浄用薬液を排液する（ステップＳ２４）。
【００５６】
その後、ステップＳ１０に戻り、新しいＳＰＭ液の生成を行い、レジスト剥離処理を適宜行う。
【００５７】
図３は、洗浄用薬液を用いた洗浄処理の効果を示すグラフである。図３において、洗浄前とは、洗浄用薬液による洗浄を行う前の半導体製造装置を用いてレジスト剥離処理を行った場合に観測されたパーティクル数を示しており、洗浄後とは、洗浄用薬液による洗浄を行った後の半導体製造装置を用いてレジスト剥離処理を行った場合に観測されたパーティクル数を示している。縦軸は、洗浄用薬液による洗浄を行う前の半導体製造装置を用いてレジスト剥離を行った場合に観測されたパーティクル数を１としたときの、パーティクル数の比を示している。図３は、ＳＰＭ液によるレジスト剥離処理を行った後に、ＡＰＭ液を用いてウェーハを洗浄し、洗浄されたウェーハに付着していたパーティクル数を求めることにより得られたものである。
【００５８】
図３から分かるように、硫酸に過酸化水素水を十分に混合したＳＰＭ液、即ち、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高い洗浄用薬液を用いて洗浄することにより、パーティクルを十分に分解・除去することが可能となる。
【００５９】
図４は、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理と、洗浄用薬液を用いた洗浄処理とを組み合わせることの効果を示すグラフである。図４において、比較例は、洗浄用薬液を用いた洗浄処理のみが行われた半導体製造装置を用いてレジスト剥離処理を行った場合を示している。実施例は、本実施形態の場合、即ち、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理と、洗浄用薬液を用いた洗浄処理とを上記のように組み合わせて行った場合を示している。図４は、ＳＰＭ液によるレジスト剥離処理を行った後に、ＡＰＭ液を用いてウェーハを洗浄し、洗浄されたウェーハに付着していたパーティクル数を求めることにより得られたものである。
【００６０】
図４から分かるように、本実施形態によれば、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高い洗浄用薬液を用いた十分な洗浄を行うのみならず、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた頻繁な洗浄をも行うため、半導体製造装置を極めて清浄に保つことが可能となる。
【００６１】
このように、本実施形態によれば、硫酸に過酸化水素水を十分に混合したＳＰＭ液、即ち、ＣＡＲＯ酸濃度が高い洗浄用薬液を用いて、ＳＰＭ槽やＳＰＭ液が循環する配管等を洗浄するため、パーティクルを分解・除去を十分に行うことができる。しかも、本実施形態によれば、排液する直前のＳＰＭ液、即ち、複数回のレジスト剥離処理が行われたＳＰＭ液に過酸化水素水を十分に加えることにより、ＣＡＲＯ酸濃度が十分に高いＳＰＭ液を生成し、かかる薬液を用いて洗浄を行うため、パーティクルの分解・除去を頻繁に行うことができる。従って、本実施形態によれば、ＳＰＭ液を用いてレジスト剥離処理を行う半導体製造装置を極めて清浄に保つことができる。
【００６２】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００６３】
例えば、上記実施形態では、過酸化水素水が２０％以上混合されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いて洗浄する場合を例に説明したが、かかる洗浄用薬液中に混合する過酸化水素水は２０％以上に限定されるものではない。過酸化水素水が十分に混合されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いれば、かかる洗浄用薬液中のＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定することができ、パーティクルを十分に分解・除去し得る。例えば、過酸化水素が１５％以上混合されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いれば、かかる洗浄用薬液中のＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定することができ、パーティクルを十分に分解・除去することが可能である。なお、過酸化水素水が１５％混合されたＳＰＭ液（洗浄用薬液）とは、かかるＳＰＭ液を生成する際における過酸化水素水の混合比率が１５％であることを意味する。
【００６４】
また、上記実施形態では、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理と、ＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定したＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いた洗浄処理とを組み合わせて行う場合を例に説明したが、ＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定したＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いた洗浄処理を行わなくてもよい。排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理を行うだけでも、パーティクル数をある程度抑制することが可能である。
【００６５】
また、上記実施形態では、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理と、ＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定したＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いた洗浄処理とを組み合わせて行う場合を例に説明したが、排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理を行わなくてもよい。ＣＡＲＯ酸濃度を十分に高く設定したＳＰＭ液（洗浄用薬液）を用いた洗浄処理を行うだけでも、パーティクル数をある程度抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態による半導体製造装置の槽構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体製造装置の洗浄方法を示すフローチャートである。
【図３】洗浄用薬液を用いた洗浄処理の効果を示すグラフである。
【図４】排液直前のＳＰＭ液に過酸化水素を添加したものを用いた洗浄処理と、洗浄用薬液を用いた洗浄処理とを組み合わせることの効果を示すグラフである。
【図５】ＳＰＭ液の使用回数とパーティクル数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６７】
１０…内槽
１２…外槽
１４…予備温調槽
１６…配管
１８…バルブ
２０…配管
２２…バルブ
２４…配管
２６…バルブ
２８…配管
３０…バルブ
３２…配管
３４…バルブ
３６…配管
３８…配管
４０…バルブ
４２…バルブ
４４…配管
４５…バルブ
４６…循環用ポンプ
４８…フィルタ
５０…配管
５２…バルブ
【図１】
0005076164.tif 000002
【図２】
0005076164.tif 000003
【図３】
0005076164.tif 000004
【図４】
0005076164.tif 000005
【図５】
0005076164.tif 000006