(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上部にアルミニウム系列の導電物質からなる配線を形成する段階；
前記配線上にケイ素層を形成する段階；
アニーリングを実施して前記配線上にＡｌXＳｉXを含む層間反応層を形成する段階；
前記層間反応層を経由して前記配線と電気的に連結されるＩＺＯからなる導電層を形成する段階を含む配線の接触構造形成方法。
【請求項２】
前記アニーリングは２００〜４００℃で実施する、請求項１に記載の配線の接触構造形成方法。
【請求項３】
アルミニウム系列の導電物質からなるゲート配線を形成する段階；
半導体層を形成する段階；
アルミニウム系列の導電物質からなるデータ配線を形成する段階；
前記ゲート配線及び前記データ配線上にケイ素層を形成する段階；
前記ゲート配線及び前記データ配線の上部にアニーリングを通じてＡｌXＳｉXを含む層間反応層を形成する段階；
前記層間反応層を経由して前記ゲート配線または前記データ配線と電気的に連結されるＩＺＯからなる導電層を形成する段階；
を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記アニーリングは２００〜４００℃範囲で実施する、請求項３のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記層間反応層形成段階の前にエッチング液またはプラズマを利用した湿式または乾式洗浄を実施する段階をさらに含む、請求項３又は４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板の上にアルミニウム系列の導電物質を積層しパターニングしてゲート線、前記ゲート線と連結されているゲート電極を含むゲート配線を形成する段階；
ゲート絶縁膜を積層する段階；
半導体層を形成する段階；
アルミニウム系列の導電物質を積層しパターニングして前記ゲート線と交差するデータ線、前記データ線と連結されていて前記ゲート電極に隣接するソース電極及び前記ゲート電極に対して前記ソース電極の対向側に位置するドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階；
保護膜を積層する段階；
前記保護膜をパターニングして前記ドレーン電極の上部に第１接触孔を形成する段階；
前記保護膜上にケイ素層を形成する段階；
アニーリングを実施して前記ゲート配線及び前記データ配線の上部にＡｌXＳｉXを含む層間反応層を形成する段階；
前記保護膜の上部に前記ドレーン電極と電気的に連結されるＩＺＯからなる画素電極を形成する段階
を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記アニーリングは２００〜４００℃範囲で実施される、請求項６に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記ゲート配線は外部から走査信号の伝達を受けて前記ゲート線に伝達するゲートパッドをさらに含み、
前記データ配線は外部から映像信号の伝達を受ける前記データ線に伝達するデータパッドをさらに含み、
前記保護膜は前記データパッド及び前記ゲート絶縁膜と共に前記ゲートパッド上部の前記層間反応層を露出する第２及び第３接触孔を有し、
前記画素電極と同一層に前記第２及び第３接触孔を通じて前記ゲートパッド及び前記データパッドと電気的に連結される補助ゲートパッドと補助データパッドとをさらに形成する請求項６又は７のいずれかに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記データ配線及び前記半導体層は部分的に厚さが異なる感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で共に形成する、請求項６〜８のいずれかに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記感光膜パターンは第１厚さを有する第１部分、前記第１厚さより厚い第２部分、前記第１及び第２部分を除いた厚さのない第３部分を含む、請求項９に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記写真エッチング工程において、前記感光膜パターンは第１領域、前記第１領域より低い透過率を有する第２領域及び前記第１領域より高い透過率を有する第３領域を含む光マスクを用いて形成される、請求項１０に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記写真エッチング工程において、前記第１部分は前記ソース電極と前記ドレーン電極の間、前記第２部分は前記データ配線の上部に位置するように形成される、請求項１１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１〜第３領域の透過率を異なるように調節するために、前記光マスクには半透明膜または露光器の分解能より少ないスリットパターンが形成されている、請求項１２に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体層と前記データ配線の間に抵抗性接触層を形成する段階をさらに含む、請求項６〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記データ配線と前記接触層及び前記半導体層を一つのマスクを使用して形成する、請求項１４に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に半導体装置における配線は信号が伝えられる手段として用いられるので信号の遅延を最小化することが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この時、信号の遅延を防止するために配線は、低抵抗を有する金属物質、特にアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）などのようなアルミニウム系列の金属物質を使用するのが一般的である。しかし、アルミニウム系列の配線は物理的または化学的な特性が弱いために接触部で他の導電物質と連結される時に腐食し、接触抵抗を上昇させて半導体素子の特性を低下させる問題点を有している。このような接触の特性を改善するために、アルミニウム系列で配線を形成する時、他の金属を介在させることが考えられるが、多層の配線を形成するためには互いに異なるエッチング液が必要であるだけでなく、数回のエッチング工程が必要になって製造工程が複雑になる。
【０００４】
一方、液晶表示装置は現在最も広く用いられている平板表示装置のうちの一つであって、電極が形成されている二枚の基板とその間に挿入されている液晶層からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。
【０００５】
液晶表示装置の中でも現在主に用いられるのは二つの基板に電極が各々形成されていて電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタを有している液晶表示装置であり、二つの基板のうち一つに薄膜トランジスタが形成されたものが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような液晶表示装置でも、信号の遅延を防止するために、配線として低抵抗を有するアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ ａｌｌｏｙ）などのような低抵抗物質を使用するのが一般的である。しかし、液晶表示装置のように透明な導電物質であるＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を使用して画素電極を形成した場合、アルミニウム系列の金属とＩＴＯの接触特性がよくないのでパッド部の信頼性を確保するためにモリブデン系列またはクロムなどの他の金属を介在させることが行われる。この場合、接触部でアルミニウムまたはアルミニウム合金を除去しなければならないので製造工程が複雑になるという問題点を有している。
【０００７】
一方、液晶表示装置の製造方法の中で、薄膜トランジスタが形成されている基板はマスクを利用した写真エッチング工程を通じて製造するのが一般的である。この時、生産費用を減らすためにはマスクの数を減少させるのが好ましい。
【０００８】
本発明における技術的課題は、低抵抗物質からなると同時に優れた接触特性を有する配線の接触構造及びその形成方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の課題は、優れた接触特性を有する配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の課題は、薄膜トランジスタ基板の製造方法を単純化することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような問題点を解決するために本発明では、配線の上部に熱処理工程を実施して層間反応層を形成する。
【００１２】
本発明による配線の接触構造及び形成方法では、先ず基板上部に金属配線を形成し、金属配線の上部に層間反応層を形成する。次に、層間反応層を経由して金属配線と連結される導電層を形成する。
【００１３】
この時、金属配線はアルミニウム系列の導電物質で形成するのが好ましく、層間反応層は遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔａｌ）またはケイ素を含むのが好ましい。ここで、配線と導電層との間に接触孔を有する絶縁膜を形成することができ、絶縁膜は層間反応層より先に形成することができ、以後に形成することもできる。
【００１４】
また、層間反応層はアニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）で熱処理工程を実施して形成することができ、アニーリングは２００〜４００℃範囲で実施するのが好ましい。
【００１５】
ここで、導電層はアルミニウム系列の金属と接触してバッテリー反応（ｂａｔｔ−ｅｒｙ ｒｅａｃｔｉｏｎ）が起こらないＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉ−ｄｅ）のように透明な導電物質であるのが好ましい。
【００１６】
また、層間反応層は遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔａｌ）または非晶質ケイ素またはドーピングされた非晶質ケイ素からなるバッファー膜を積層しアニーリングを実施して形成することができる。バッファー膜は除去することもでき、パターニングして残すことも可能である。
【００１７】
このような本発明による配線の接触構造及びその形成方法は薄膜トランジスタ基板の製造方法にも適用することができる。
【００１８】
先ず、ゲート配線、データ配線及び半導体層を形成し、これらを覆う絶縁膜を形成する。ゲート配線及びデータ配線の上部に少なくとも遷移金属またはケイ素を含む層間反応層を形成し、絶縁膜をパターニングしてゲート配線またはデータ配線の上部に層間反応層を露出する接触孔を形成する。次に、接触孔を通じてゲート配線またはデータ配線と層間反応層を経由して電気的に連結される透明導電層を形成する。
【００１９】
この時、ゲート配線及びデータ配線はアルミニウム系列の導電物質を含んで形成するのが好ましく、導電層はＩＺＯで形成するのが好ましい。
【００２０】
さらに詳しくは、絶縁基板の上に導電物質を積層してパターニングし、ゲート線、前記ゲート線と連結されているゲート電極を含むゲート配線を形成し、ゲート絶縁膜を積層する。次に、ゲート絶縁膜の上部に半導体層を形成し、その上部に導電物質を積層しパターニングしてゲート線と交差するデータ線、データ線と連結されていてゲート電極に隣接するソース電極及びゲート電極に対してソース電極の対向側に位置するドレーン電極を含むデータ配線を形成する。次に、保護膜を積層し、パターニングしてドレーン電極の上部に第１接触孔を形成し、保護膜上部にドレーン電極と電気的に連結される画素電極を形成する。この時、ゲート配線とデータ配線の上部に層間反応層を形成する。
【００２１】
ここで、層間反応層は熱処理工程を通じて形成するのが好ましく、ゲート配線及びデータ配線はアルミニウム系列の金属を含むのが好ましく、画素電極は透明な導電物質で形成するのが良く、ＩＺＯで形成することができる。
【００２２】
ゲート配線は外部から走査信号の伝達を受けてゲート線に伝達するゲートパッドをさらに含み、データ配線は外部から映像信号の伝達を受けてデータ線に伝達するデータパッドをさらに含み、保護膜はデータパッド及びゲート絶縁膜と共にゲートパッドを露出する第２及び第３接触孔を有し、ゲートパッド及びデータパッド上部まで層間反応層が形成されており、画素電極と同一層に第２及び第３接触孔を通じて層間反応層を経由してゲートパッド及びデータパッドと電気的に連結される補助ゲートパッドと補助データパッドをさらに形成することができる。
【００２３】
また、層間反応層を形成する前にエッチング液を利用した湿式洗浄またはプラズマを利用した乾式洗浄を実施し、接触孔を通じて露出された部分を洗浄するのが良い。
【００２４】
データ配線及び半導体層は部分的に厚さが異なる感光膜パターンを利用した写真エッチング工程で共に形成することができ、感光膜パターンは第１厚さを有する第１部分、第１厚さより厚い第２部分、第１及び第２部分を除いた厚さのない第３部分を含むのが好ましい。
【００２５】
写真エッチング工程における感光膜パターンは第１領域、前記第１領域より低い透過率を有する第２領域及び前記第１領域より高い透過率を有する第３領域を含む光マスクを用いて形成することができ、写真エッチング工程で第１部分はソース電極とドレーン電極の間、第２部分はデータ配線の上部に位置するように形成するのが好ましい。
【００２６】
第１〜第３領域の透過率を異なるように調節するために光マスクには半透明膜または露光器の分解能より小さいスリットパターンが形成されることができ、第１部分の厚さは第２部分の厚さに対して１/２以下に形成するのが好ましい。
【００２７】
半導体層とデータ配線の間に抵抗性接触層を形成する段階をさらに含むことができ、データ配線と抵抗性接触層及び半導体層を一つのマスクを使用して形成することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に、添付した図面を参考として本発明の実施例による配線の接触構造及びその形成方法並びにこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。
【００２９】
半導体装置、特に信号を伝達する配線として、信号の遅延を最小化するために１５μΩｃｍ以下の低い比抵抗を有するアルミニウム系列の金属物質が適している。この時、配線は外部から信号を受けたり、外部に信号を伝達するために半導体素子の端子と連結されなければならないが、製造過程で他の物質と接触する時、容易に腐食されないようにするべきである。このために本発明の実施例による配線の接触構造及びその製造方法では、先ず基板の上部に低抵抗を有する金属からなる配線を形成し、次に、配線の上部に遷移金属またはケイ素を含むバッファー層を積層してアニーリングを実施し、配線の上部に遷移金属またはケイ素を含む層間反応層を形成する。次に、絶縁膜の接触孔を通じて層間反応層を経由して配線と電気的に連結される導電層を形成する。
【００３０】
ここで、層間反応層は絶縁膜を形成する前に形成することができ、接触孔を形成した後、形成することもできる。
【００３１】
この時、配線はアルミニウム系列の導電物質で形成するのが好ましく、導電層はアルミニウム系列の導電層とバッテリー反応が起こらないＩＺＯなどのように透明な導電物質であるのが良い。
【００３２】
ケイ素は非晶質ケイ素またはドーピングされた非晶質ケイ素を使用することができ、金属は遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｍｅｔａｌ）を用いるのが好ましい。
【００３３】
また、アニーリング工程は２００〜４００℃範囲で実施するのが好ましい。
【００３４】
ここで、層間反応層はアルミニウム系列の配線とＩＺＯの導電層の間の接触抵抗を低くする機能を有する。
【００３５】
この時、配線は薄膜トランジスタのゲート配線またはデータ配線として使用することができる。
【００３６】
このような本発明による配線の形成方法は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の形成方法にも適用することができる。
【００３７】
まず、図１及び図２を参考として本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳細に説明する。
【００３８】
図１は、本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板であり、図２は図１に示した薄膜トランジスタ基板をII-II’線に沿って切断して示した断面図である。
【００３９】
絶縁基板１０の上に低抵抗を有するアルミニウム系列の金属物質からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は横方向にのびているゲート線２２、ゲート線２２の端に連結されていて外部からのゲート信号の印加を受けてゲート線に伝達するゲートパッド２４及びゲート線２２に連結されている薄膜トランジスタのゲート電極２６を含む。
【００４０】
絶縁基板１０の上には窒化ケイ素（ＳｉＮx）などからなるゲート絶縁膜３０がゲート配線２２、２４、２６を覆うように形成されている。
【００４１】
ゲート電極２４のゲート絶縁膜３０上部には非晶質ケイ素などの半導体からなる半導体層４０が島形に形成されており、半導体層４０の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質ケイ素などの物質で作られた抵抗性接触層５５、５６が各々形成されている。
【００４２】
抵抗性接触層５５、５６及びゲート絶縁膜３０の上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン-タングステン（ＭｏＷ）合金、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）などの金属または導電体からなるデータ配線６２、６４、６６、６８が形成されている。データ配線は縦方向に形成されてゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２、データ線６２の分枝で抵抗性接触層５４の上部までのびているソース電極６５、データ線６２の一端部に連結されていて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド６８、ソース電極６５と分離されていてゲート電極２６に対してソース電極６５の反対側の抵抗性接触層５６の上部に形成されているドレーン電極６６を含む。
【００４３】
データ配線６２、６５、６６、６８はアルミニウム系列の単一膜で形成するのが好ましいが、二重層以上で形成されることもある。二重層以上で形成する場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し、他の層は他の物質との接触特性が良い物質で作るのが好ましい。その例としてはＣｒ/Ａｌ（またはＡｌ合金）またはＡｌ/Ｍｏなどがあり、本発明の実施例でデータ配線６２、６５、６６、６８はＣｒの下部膜６０１とアルミニウム合金の上部膜６０２で形成されている。
【００４４】
データ配線６２、６５、６６、６８及びこれらが遮らない半導体層４０の上部には保護膜７０が形成されている。保護膜７０にはドレーン電極６６及びデータパッド６８を各々露出する接触孔７６、７８が各々形成されており、ゲート絶縁膜３０と共にゲートパッド２４を露出する接触孔７４が形成されている。
【００４５】
接触孔７４、７６、７８を通じて露出されたゲートパッド２４、ドレーン電極６６及びデータパッド６８それぞれの上部には少なくともアルミニウムとケイ素からなるＡｌXＳｉXを含むか、あるいは金属間のコンパウンド層からなる層間反応層９４、９６、９８が形成されている。ここで、層間反応層９４、９６、９８は以後に形成されるＩＺＯの画素配線８２、８６、８８とアルミニウム系列の金属からなるゲートパッド２４及びドレーン電極６６とデータパッド６８の上部膜６０２との接触特性を向上させるための層であり、金属間のコンパウンド層で構成する場合にはクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金などのような遷移金属を含む。
【００４６】
保護膜７０の上には、接触孔７６を通じてドレーン電極６６上部の層間反応層９６と連結されていて画素に位置する画素電極８２と、接触孔７４、７８を通じて各々ゲートパッド２４及びデータパッド６８上部の層間反応層９４、９８と連結されている補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８を含み、ＩＺＯからなる画素配線が形成されている。
【００４７】
ここで、画素電極８２は図１及び図２のように、ゲート線２２と重なって維持蓄電器をなし、維持容量が不足した場合にはゲート配線２２、２４、２６と同一層に維持容量用配線を追加することもできる。
【００４８】
このような本発明の実施例による構造では低抵抗のアルミニウム系列の金属からなるゲート配線２２、２４、２６及びデータ配線６２、６４、６６、６８を含んでいて大画面高精細の液晶表示装置に適用することができる。また、同時にゲートパッド２４、データパッド６８及びドレーン電極６６とＩＺＯからなる補助ゲートパッド８６、補助データパッド８８及び画素電極８２は各々これらの接触特性を向上させるための層間反応層９４、９８、９６を通じて各々接触していて接触部で接触抵抗を最少化しアルミニウム系列の金属の腐食を防止してパッド部を含む接触部の信頼性が確保できる。
【００４９】
一方、本発明の第１実施例ではクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金などの遷移金属またはＡｌXＳｉXを含む層間反応層９４、９６、９８が各々接触孔７４、７６、７８の内側に形成されているが、遷移金属層からなる層間反応層が接触孔７４、７６、７８を覆う模様に形成することができ、図３及び図４を参照して詳細に説明する。
【００５０】
図３は、本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板であり、図４は図３に示した薄膜トランジスタ基板をＩＶ-ＩＶ’線に沿って切断して示した断面図である。
【００５１】
図３及び図４のように、大部分の構造は図１及び図２のように第１実施例と類似している。
【００５２】
しかし、層間反応層９４、９６、９８の各々は接触孔７４、７６、７８を覆う模様に形成されており、補助ゲートパッド８６、画素電極８２及びデータパッド９８は各々層間反応層９４、９６、９８を完全に覆うように形成されている。
【００５３】
このような本発明の第１及び第２実施例による構造の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法について図１〜図４と図５〜図１６を参照して詳細に説明する。
【００５４】
まず、図５及び図６に示すように、絶縁基板１０の上に低抵抗を有するアルミニウム系列の金属のうち、２ ａｔ％のＮｄを含むＡｌ-Ｎｄの標的（ｔａｒｇｅｔ）を用いて２，５００Å程度の厚さに１５０℃程度でスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇ）により導電膜を積層してパターニングし、ゲート線２２、ゲート電極２６及びゲートパッド２４を含む横方向のゲート配線を形成する。
【００５５】
次に、図７及び図８に示すように、ゲート絶縁膜３０、非晶質ケイ素からなる半導体層４０、ドーピングされた非晶質ケイ素層５０の三層膜を連続して積層し、マスクを利用したパターニング工程で半導体層４０とドーピングされた非晶質ケイ素層５０をパターニングしてゲート電極２４と対向するゲート絶縁膜３０の上部に島形の半導体層４０と抵抗性接触層５０を形成する。
【００５６】
次に、図９及び図１０に示すように、モリブデンまたはモリブデン合金またはクロムまたはタンタルまたはチタニウム等からなる下部膜６０１を３００Å以上の厚さで、低抵抗を有するアルミニウム系列の金属からなる上部膜６０２を２５００Å程度の厚さで各々順次に積層した後、マスクを利用した写真工程でパターニングしてゲート線２２と交差するデータ線６２、データ線６２と連結されてゲート電極２６の上部まで延びているソース電極６５、データ線６２の一端部に連結されているデータパッド６８及びソース電極６５と分離されていてゲート電極２６を中心にソース電極６６と対向するドレーン電極６６を含むデータ配線を形成する。ここで、上部膜６０２及び下部膜６０１は全て湿式エッチングでエッチングすることができ、上部膜６０２は湿式エッチングでエッチングし、下部膜６０１は乾式エッチングでエッチングすることもできる。
【００５７】
次に、データ配線６２、６５、６６、６８で遮らないドーピングされた非晶質ケイ素層パターン５０をエッチングしてゲート電極２６を中心に両側に分離する一方、両側のドーピングされた非晶質ケイ素層５５、５６の間の半導体層パターン４０を露出させる。引き続き、露出された半導体層４０の表面を安定化させるために酸素プラズマを実施するのが好ましい。
【００５８】
次に、図１１及び図１２に示すように、窒化ケイ素または有機絶縁膜からなる保護膜７０を積層した後、マスクを利用した写真エッチング工程でゲート絶縁膜３０と共に乾式エッチングによりパターニングし、ゲートパッド２４、ドレーン電極６６及びデータパッド６８を露出させる接触孔７４、７６、７８を形成する。引き続き、接触孔７４、７６、７８を通じて露出されたゲートパッド２４及びドレーン電極６６とデータパッド６８の上部膜６０２の表面を乾式洗浄する。この時、使用する気体としてはＳＦ6/Ｏ2などがある。
【００５９】
次に、図１３及び図１４のように、基板１０の上部にＩＺＯとアルミニウム系列の金属との接触特性を向上させることができる層間反応層を形成するために、非晶質ケイ素または非晶質ケイ素などのケイ素層を５００Å程度の厚さに積層したりクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金またはチタニウム等の遷移金属を２００Å以上の厚さに積層する。引き続き、２００〜４００℃程度の範囲でアニーリングを実施して接触孔７４、７６、７８を通じて露出されたゲートパッド２４及びドレーン電極６６とデータパッド６８のアルミニウム系列の金属からなる上部膜６０２の上部にＡｌXＳｉXを含か、あるいはクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金またはチタニウムなどの遷移金属を含む層間反応層９４、９６、９８を各々形成した後、ケイ素層または金属膜を全面エッチングを通じて除去する。この時、ケイ素層または金属膜は除去されるが、アニーリングを通じて形成された層間反応層９４、９６、９８は残る。本発明の実施例では３００Å程度の厚さで遷移金属膜を積層して３００℃程度で３０分間アニーリング工程を実施し、この時に形成された金属間のコンパウンド層９４、９６、９８の厚さは６０Å以下に形成された。
【００６０】
ここで、アルミニウム系列の金属からなる金属膜２４、６０２上部の層間反応層９４、９６、９８を良く形成するためには、保護膜７０を乾式エッチングして接触孔７４、７６、７８を形成した後、アルミニウム系列の金属膜２４、６０２の表面をエッチング液を利用した湿式洗浄を実施したりプラズマを利用した乾式洗浄を実施するのが好ましい。
【００６１】
一方、第２実施例のように層間反応層９４、９６、９８を形成する場合には、図１５及び図１６のように、遷移金属またはこれらの合金からなる金属膜を積層した後、マスクを利用した写真エッチング工程で層間反応層９４、９６、９８を形成する。
【００６２】
次に、最後に図１及び図２と図３及び図４に示すように、ＩＺＯ膜を５００Å程度の厚さに積層してマスクを利用したパターニングを実施し、接触孔７６を通じてドレーン電極６６上部の層間反応層９６と連結される画素電極８２と接触孔７４、７８を通じてゲートパッド２４及びデータパッド６８上部の層間反応層９４、９８と各々連結される補助ゲートパッド８６及び補助データパッド８８を各々形成する。本発明の実施例において、接触部の接触抵抗を最少化するためにはＩＺＯを常温で２００℃以下の範囲で積層するのが好ましく、ＩＺＯ薄膜を形成するために用いられる標的はＩｎ2Ｏ3及びＺｎＯを含むのが好ましく、Ｚｎの含有量は１５〜２０ａｔ％範囲である標的を用いるのが好ましい。本発明の実施例におけるＩＺＯ膜８２、８６、８８を形成するための標的（ｔａｒｇｅｔ）はイデミツ（ｉｄｅｍｉｔｓｕ）社のＩＤＩＸＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｘ-ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）という商品を使用した。
【００６３】
このような本発明の実施例による製造方法では、ＩＺＯ膜を積層する前にＩＺＯとアルミニウム系列の金属の間の接触特性を向上させるために層間反応層または接触改善層９４、９６、９８を形成する。従って、パッドを含んだ接触部で発生する腐食を防止して接触部の信頼性を確保することができる。
【００６４】
このような方法は、前述したように５枚または６枚のマスクを用いる製造方法に適用することができるが、４枚マスクを用いる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法でも同一に適用することができる。これについて図面を参照して詳細に説明する。
【００６５】
まず、図１７〜図１９を参考として本発明の実施例による４枚マスクを用いて完成された液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の単位画素構造について詳細に説明する。
【００６６】
図１７は、本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図１８及び図１９は各々図１７に示した薄膜トランジスタ基板をＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ’線及びＸＩＸ-ＸＩＸ’線に沿って切断して示した断面図である。
【００６７】
まず、絶縁基板１０の上に第１実施例と同一にアルミニウム系列の金属からなるゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含むゲート配線が形成されている。そして、ゲート配線は絶縁基板１０上部にゲート線２２と平行で、上板の共通電極に入力される共通電極電圧などの電圧の印加を外部から受ける維持電極２８を含む。維持電極２８は後述する画素電極８２と連結された維持蓄電器用導電体パターン６４と重なって画素の電荷保存能力を向上させる維持蓄電器をなし、後述する画素電極８２とゲート線２２の重畳で発生する維持容量が十分な場合には形成しないこともある。
【００６８】
ゲート配線２２、２４、２６、２８上には窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜３０が形成されてゲート配線２２、２４、２６、２８を覆っている。
【００６９】
ゲート絶縁膜３０上には水素化非晶質ケイ素（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍ−ｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）などの半導体からなる半導体パターン４２、４８が形成されており、半導体パターン４２、４８の上には燐（Ｐ）などのｎ型不純物で高濃度にドーピングされている非晶質ケイ素などからなる抵抗性接触層（ｏｈｍｉ−ｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）パターンまたは中間層パターン５５、５６、５８が形成されている。
【００７０】
抵抗性接触層パターン５５、５６、５８の上には低抵抗を有するアルミニウム系列の導電物質からなるデータ配線が形成されている。データ配線は縦方向に形成されているデータ線６２、データ線６２の一端部に連結されて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド６８、そしてデータ線６２の分枝である薄膜トランジスタのソース電極６５からなるデータ線部を含み、またデータ線部６２、６５、６８と分離されていてゲート電極２６または薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｃ）に対してソース電極６５の反対側に位置する薄膜トランジスタのドレーン電極６６と維持電極２８上に位置している維持蓄電器用導電体パターン６４も含む。維持電極２８を形成しない場合維持蓄電器用導電体パターン６４もまた形成しない。
【００７１】
データ配線６２、６４、６５、６６、６８もゲート配線２２、２４、２６、２８と同様に単一層で形成されることがあるが、第１実施例と類似しているようにクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金またはタンタルまたはチタニウムを含む二重膜で形成されることもできる。
【００７２】
接触層５５、５６、５８はその下部の半導体パターン４２、４８とその上部のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８の接触抵抗を低くする役割を果たし、データ配線６２、６４、６５、６６、６８と完全に同一な形態を有する。つまり、データ線部中間層パターン５５はデータ線部６２、６８、６５と同一で、ドレーン電極用中間層パターン５６はドレーン電極６６と同一で、維持蓄電器用中間層パターン５８は維持蓄電器用導電体パターン６４と同一である。
【００７３】
一方、半導体パターン４２、４８は薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｃ）を除けばデータ配線６２、６４、６５、６６、６８及び抵抗性接触層パターン５５、５６、５８と同一な模様をしている。具体的には、維持蓄電器用半導体パターン４８と維持蓄電器用導電体パターン６４及び維持蓄電器用接触層パターン５８は同一な模様であるが、薄膜トランジスタ用半導体パターン４２はデータ配線及び接触層パターンの残り部分と多少異なる。つまり、薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｃ）でデータ線部６２、６８、６５、特にソース電極６５とドレーン電極６６が分離されていてデータ線部中間層５５とドレーン電極用接触層パターン５６も分離されているが、薄膜トランジスタ用半導体パターン４２はこちらで切れずに連結されて薄膜トランジスタのチャンネルを生成する。
【００７４】
データ配線６２、６４、６５、６６、６８の上には保護膜７０が形成されており、保護膜７０はドレーン電極６６、データパッド６８及び維持蓄電器用導電体パターン６４を露出する接触孔７１、７３、７４を有しており、またゲート絶縁膜３０と共にゲートパッド２４を露出する接触孔７２を有している。保護膜７０は窒化ケイ素やアクリル系などの有機絶縁物質からなり得る。
【００７５】
第１実施例と同様に接触孔７１、７２、７３、７４を通じて露出されたドレーン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８及び維持蓄電器用導電体パターン６４の上部にはＡｌXＳｉXを含んだり金属間のコンパウンド層からなる層間反応層９１、９２、９３、９４が形成されている。
【００７６】
保護膜７０の上には薄膜トランジスタから画像信号を受けて上板の電極と共に電場を生成する画素電極８２が形成されている。画素電極８２はＩＺＯなどの透明な導電物質で作られ、接触孔７１を通じてドレーン電極６６上部の層間反応層９１と物理的・電気的に連結されて画像信号の伝達を受ける。画素電極８２はまた隣接するゲート線２２及びデータ線６２と重なって開口率を高めているが、重ならないこともある。また、画素電極８２は接触孔７４を通じて維持蓄電器用導電体パターン６４上部の層間反応層９４とも連結されて導電体パターン６４で画像信号を伝達する。一方、ゲートパッド２４及びデータパッド６８上部の層間反応層９２、９３の上には接触孔７２、７３を通じて各々これらと連結される補助ゲートパッド８４及び補助データパッド８６が形成されており、これらはパッド２４、６８と外部回路装置との接着性を補完してパッドを保護する役割を果たすもので必須ではなく、これらの適用如何は選択的である。
【００７７】
ここでは画素電極８２の材料の例として透明なＩＺＯを挙げたが、透明な導電性ポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）等で形成することもでき、反射型液晶表示装置の場合、不透明な導電物質を使用してもかまわない。
【００７８】
では、図１７〜図１９の構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を４枚マスクを用いて製造する方法について詳細に図１７〜図１９と図２０〜図３９を参照して説明する。
【００７９】
まず、図２０〜図２２に示すように、第１実施例と同一にアルミニウム系列の金属のうち、２ａｔ％のＮｄを含むＡｌ-Ｎｄからなる標的を１５０℃温度範囲で２５００Å程度の厚さにスパッタリングして導電膜積層し、第１マスクを利用した写真エッチング工程で絶縁基板１０の上にゲート線２２、ゲートパッド２４、ゲート電極２６及び維持電極２８を含み、低抵抗を有するアルミニウム系列の金属からなるゲート配線を形成する。
【００８０】
次に、図２３及び図２４に示すように、ゲート絶縁膜３０、半導体層４０、中間層５０を化学気相蒸着法を用いて各々１５００Å〜５０００Å、５００Å〜２０００Å、３００Å〜６００Åの厚さで連続蒸着し、引き続いて低抵抗を有するアルミニウム系列の金属で導電体層６０をスパッタリングなどの方法で１５００Å〜３０００Åの厚さで蒸着した後、その上に感光膜１１０を１μｍ乃至２μｍの厚さに塗布する。
【００８１】
その後、第２マスクを通じて感光膜１１０に光を照射した後に現像し、図２６及び図２７に図示するように、感光膜パターン１１２、１１４を形成する。この時、感光膜パターン１１２、１１４の中で薄膜トランジスタのチャンネル部（Ｃ）、つまり、ソース電極６５とドレーン電極６６の間に位置した第１部分１１４はデータ配線部（Ａ）、つまり、データ配線６２、６４、６５、６６、６８が形成される部分に位置した第２部分１１２より厚さが小さくなるようにし、その他部分（Ｂ）の感光膜は全て除去する。この時、チャンネル部（Ｃ）に残っている感光膜１１４の厚さとデータ配線部（Ａ）に残っている感光膜１１２の厚さの比は、後述するエッチング工程での工程条件によって異なるようにしなければならないが、第１部分１１４の厚さを第２部分１１２の厚さの１/２以下とするのが好ましく、例えば、４、０００Å以下であるのが良い。
【００８２】
このように、位置によって感光膜の厚さを別にする方法は多様であり、Ａ領域の光透過量を調節するために主にスリット（ｓｌｉｔ）や格子形態のパターンを形成したり半透明膜を使用する。
【００８３】
この時、スリットの間に位置したパターンの線幅やパターンの間の間隔、つまり、スリットの幅は露光時に使用する露光器の分解能より小さいのが好ましく、半透明膜を用いる場合にはマスクを製作する時、透過率を調節するために他の透過率を有する薄膜を用いたり厚さが異なる薄膜を用いることができる。
【００８４】
このようなマスクを通じて感光膜に光を照射すれば光に直接露出される部分では高分子が完全に分解され、スリットパターンや半透明膜が形成されている部分では光の照射量が少ないので高分子は完全分解されない状態であり、遮光膜で遮られた部分では高分子が殆ど分解されない。引き続いて感光膜を現像すると、高分子の分子が分解されない部分のみが残り、光が少なく照射された中央部分には光に全く照射されない部分より薄い厚さの感光膜を残し得る。この時、露光時間を長くすると、全ての分子が分解されるのでそうならないようにしなければならない。
【００８５】
このような薄い厚さの感光膜１１４はリフローが可能な物質からなる感光膜を用い、光が完全に透過できる部分と光が完全に透過できない部分に分けられた通常のマスクで露光した後に現像し、リフローして感光膜が残留しない部分に感光膜の一部が流れるようにすることによって形成することもできる。
【００８６】
次に、感光膜パターン１１４及びその下部の膜、つまり、導電体層６０、中間層５０及び半導体層４０に対するエッチングを進行する。この時、データ配線部（Ａ）にはデータ配線及びその下部の膜がそのまま残っており、チャンネル部（Ｃ）には半導体層だけ残っていなければならず、残り部分（Ｂ）には前記３ケ層６０、５０、４０が全て除去されてゲート絶縁膜３０が露出されなければならない。
【００８７】
まず、図２８及び図２９に示したように、他の部分（Ｂ）の露出されている導電体層６０を除去してその下部の中間層５０を露出させる。この過程では乾式エッチングまたは湿式エッチング方法を全て使用することができ、この時、導電体層６０はエッチングされて感光膜パターン１１２、１１４は殆どエッチングされない条件下で行うのが良い。しかし、乾式エッチングの場合、導電体層６０だけをエッチングして感光膜パターン１１２、１１４はエッチングされない条件を検索するのが難しいので、感光膜パターン１１２、１１４も共にエッチングされる条件下で行うことができる。この場合には湿式エッチングの場合より第１部分１１４の厚さを厚くしてこの過程で第１部分１１４が除去されて下部の導電体層６０が露出されることがないようにする。
【００８８】
導電体層６０がＭｏまたはＭｏＷ合金、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔａのうちのある一つである場合には、乾式エッチングや湿式エッチングのうちいずれも可能である。しかし、Ｃｒは乾式エッチング方法ではよく除去されないために導電体層６０がＣｒであると湿式エッチングだけを用いるのが良い。導電体層６０がＣｒである湿式エッチングの場合にはエッチング液でＣｅＮＨＯ3を使用することができ、導電体層６０がＭｏやＭｏＷである乾式エッチングの場合のエッチング気体としては、ＣＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ2の混合気体を使用することができ、後者の場合、感光膜に対しエッチング比も殆ど同様である。
【００８９】
このようにすると、図２８及び図２９に示したように、チャンネル部（Ｃ）及びデータ配線部（Ｂ）の導電体層、つまり、ソース/ドレーン用導電体パターン６７と維持蓄電器用導電体パターン６４のみが残り、他の部分（Ｂ）の導電体層６０は全て除去されてその下部の中間層５０が露出される。この時、残った導電体パターン６７、６４はソース及びドレーン電極６５、６６が分離されず連結されている点を除くとデータ配線６２、６４、６５、６６、６８の形態と同一である。また、乾式エッチングを使用した場合、感光膜パターン１１２、１１４もある程度の厚さでエッチングされる。
【００９０】
次に、図３０及び図３１に示すように、その他部分（Ｂ）の露出された中間層５０及びその下部の半導体層４０を感光膜の第１部分１１４と共に乾式エッチング方法で同時に除去する。この時のエッチングは感光膜パターン１１２、１１４と中間層５０及び半導体層４０（半導体層と中間層はエッチング選択性が殆ど無い）が同時にエッチングされ、ゲート絶縁膜３０はエッチングされない条件下で行わなければならず、特に、感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比が殆ど同一な条件でエッチングするのが好ましい。例えば、ＳＦ6とＨＣｌの混合気体や、ＳＦ6とＯ2の混合気体を使用すると殆ど同一な厚さで二つの膜をエッチングすることができる。感光膜パターン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング比が同一な場合、第１部分１１４の厚さは半導体層４０と中間層５０の厚さを合せたものと同一であるか、それより小さくするべきである。
【００９１】
このようにすると、図３０及び図３１に示したように、チャンネル部（Ｃ）の第１部分１１４が除去されてソース/ドレーン用導電体パターン６７が露出され、他の部分（Ｂ）の中間層５０及び半導体層４０が除去されてその下部のゲート絶縁膜３０が露出される。一方、データ配線部（Ａ）の第２部分１１２もまたエッチングされるので厚さが薄くなる。また、この段階で半導体パターン４２、４８が完成する。図面符号５７と５８は各々ソース/ドレーン用導電体パターン６７下部の中間層パターンと維持蓄電器用導電体パターン６４の下部の中間層パターンを示す。
【００９２】
次に、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）を通じてチャンネル部（Ｃ）のソース/ドレーン用導電体パターン６７の表面に残っている感光膜クズを除去する。
【００９３】
その後、図３２及び図３３に示したようにチャンネル部（Ｃ）のソース/ドレーン用導電体パターン６７及びその下部のソース/ドレーン用中間層パターン５７をエッチングして除去する。この時、エッチングはソース/ドレーン用導電体パターン６７と中間層パターン５７の全てに対して乾式エッチングだけで進めることができ、ソース/ドレーン用導電体パターン６７に対しては湿式エッチングで、中間層パターン５７に対しては乾式エッチングで行うこともできる。前者の場合、ソース/ドレーン用導電体パターン６７と中間層パターン５７とのエッチング選択比が大きい条件の下でエッチングを行うのが好ましく、これはエッチング選択比が大きくない場合、エッチング終点をさがすのが難しくてチャンネル部（Ｃ）に残る半導体パターン４２の厚さを調節するのが容易ではないためである。例えば、ＳＦ6とＯ2の混合気体を使用してソース/ドレーン用導電体パターン６７をエッチングすることがある。湿式エッチングと乾式エッチングとを交互にする後者の場合には湿式エッチングされるソース/ドレーン用導電体パターン６７の側面はエッチングされるが、乾式エッチングされる中間層パターン５７は殆どエッチングされないので階段模様に作られる。中間層パターン５７及び半導体パターン４２をエッチングする時に使用するエッチング気体の例としては、前記に言及したＣＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ2の混合気体があり、ＣＦ4とＯ2を使用すると均一な厚さで半導体パターン４２を残すことができる。この時、図２４に示したように半導体パターン４２の一部が除去されて厚さが小さくなることがあり、感光膜パターンの第２部分１１２もこの時ある程度の厚さでエッチングされる。この時のエッチングはゲート絶縁膜３０がエッチングされない条件で行わなければならず、第２部分１１２がエッチングされてその下部のデータ配線６２、６４、６５、６６、６８が露出されることがないように感光膜パターンが厚いほうが好ましいのは当然のことである。
【００９４】
このようにすると、ソース電極６５とドレーン電極６６が分離されながらデータ配線６２、６４、６５、６６、６８とその下部の接触層パターン５５、５６、５８が完成する。
【００９５】
最後に、データ配線部（Ａ）に残っている感光膜第２部分１１２を除去する。しかし、第２部分１１２の除去はチャンネル部（Ｃ）ソース/ドレーン用導電体パターン６７を除去した後、その下の中間層パターン５７を除去する前にすることもできる。
【００９６】
前述したように、湿式エッチングと乾式エッチングとを交互にしたり乾式エッチングだけを使用することができる。後者の場合には一種類のエッチングだけを使用するので工程が比較的に簡便であるが、適当なエッチング条件をさがすのがむずかしい。反面、前者の場合にはエッチング条件をさがすのが比較的にやさしいが工程が後者に比べて面倒な点がある。
【００９７】
前記のようにしてデータ配線６２、６４、６５、６６、６８を形成した後、図３４〜図３６に示したように窒化ケイ素をＣＶＤ方法で蒸着したり有機絶縁物質をスピンコーティングし、３０００Å以上の厚さを有する保護膜７０を形成する。引き続いて第３マスクを用いて保護膜７０をゲート絶縁膜３０と共にエッチングしてドレーン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８及び維持蓄電器用導電体パターン６４を各々露出する接触孔７１、７２、７３、７４を形成する。
【００９８】
次に、図３７〜図３９に示すように、ＳＦ6/Ｏ2またはＣＦ4/Ｏ2またはＢＣｌ3/Ｃｌ2またはＢＣｌ3/ＨＢｒ2などの気体を用いてプラズマ状態で接触孔７１、７２、７３、７４を通じて露出されたドレーン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８及び維持蓄電器用導電体パターン６４の乾式洗浄を実施した後、絶縁基板１０の上部に第１実施例のように遷移金属膜またはケイ素層を積層してアニーリングし、全面エッチングを通じて金属膜またはケイ素層だけを除去して接触孔７１、７２、７３、７４を通じて露出されたドレーン電極６６、ゲートパッド２４、データパッド６８及び維持蓄電器用導電体パターン６４を各々露出するアルミニウム系列の金属膜の上部に遷移金属またはＡｌXＳｉXを含む層間反応層９１、９２、９３、９４を形成する。
【００９９】
最後に、図１７〜図１９に示すように、１５０℃程度の温度で４００Å〜５００Åの厚さでＩＺＯ層を蒸着して第４マスクを使用してエッチングし、層間反応層９１、９４を通じてドレーン電極６６及び維持蓄電器用導電体パターン６４と連結された画素電極８２、層間反応層９２を通じてゲートパッド２４と連結された補助ゲートパッド８４及び層間反応層９３を通じてデータパッド６８と連結された補助データパッド８６を形成する。ここでも、接触部の接触抵抗を最少化するためにはＩＺＯを常温で２００℃以下の範囲で積層するのが好ましく、ＩＺＯ薄膜を形成するために用いられる標的はＩｎ2Ｏ3及びＺｎＯを含むのが好ましく、ＺｎＯの含有量は１５〜２０ａｔ％範囲であるのが好ましい。
【０１００】
このような本発明の第３実施例では、第１実施例による効果だけでなくデータ配線６２、６４、６５、６６、６８とその下部の接触層パターン５５、５６、５８及び半導体パターン４２、４８を一つのマスクを用いて形成し、この過程でソース電極６５とドレーン電極６６が分離して製造工程を単純化することができる。
【０１０１】
このような本発明の実施例によって完成された薄膜トランジスタ基板でＡｌXＳｉXを含む層間反応層を形成した場合に接触部の接触抵抗は１０Ｅ４kΩ程度と測定され、反復的にアニーリングを実施しても接触抵抗は増加しなかった。
【０１０２】
このような本発明の実施例では、アルミニウム系列の金属とＩＺＯ膜との接触特性を向上させるために、これらの間にＡｌXＳｉXを含む層間反応層を形成したが、他の配線の接触構造ではクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金などの他の金属で配線で形成して他の金属とケイ素を含む層間反応層を形成することもできる。また、ケイ素の代わりに他の物質を用いることもできる。
【０１０３】
また、本発明の第１乃至第３実施例では接触孔７１、７２、７３、７４、７６、７８を形成した後、層間反応層９１、９２、９３、９４、９６、９８を形成したが、保護膜７０を形成する前にゲート配線及びデータ配線の上部に層間反応層を形成することができ、層間反応層を形成するためのバッファー層の厚さを最小化してバッファー層を除去する工程を省略することもできる。
【０１０４】
【発明の効果】
このように、本発明によればクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金またはケイ素を含む層間反応層をアルミニウム系列の金属膜とＩＺＯ膜の間に形成してパッド部の信頼性を確保すると同時に、低抵抗のアルミニウムまたはアルミニウム合金で配線を形成することによって大画面高精細の製品の特性を向上させることができる。また、製造工程を単純化して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造し、製造工程を単純化して製造費用を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板である。
【図２】図１に示した薄膜トランジスタ基板をII-II’線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板である。
【図４】図３に示した薄膜トランジスタ基板をIV-IV’線に沿って切断して示した断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図６】図５でＶＩ-ＶＩ’線に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図８】図７でＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ’線に沿って切断して示した図面であって、図６の次の段階を示した断面図である。
【図９】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１０】図９でＸ−Ｘ’線に沿って切断して示した図面であって、図８の次の段階を示した断面図である。
【図１１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１２】図１１でＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿って切断して示した図面であって、図１０の次の段階を示した断面図である。
【図１３】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１４】図１３でＸＩＶ−ＸＩＶ’線に沿って切断して示した図面であって、図１２の次の段階を示した断面図である。
【図１５】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する中間過程で図１１の次の段階を示した薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１６】図１５でＸＶＩ−ＸＶＩ’線に沿って切断して示した図面として図１２の次の段階を示した断面図である。
【図１７】本発明の第３実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１８】図１７に示した薄膜トランジスタ基板をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図１９】図１７に示した薄膜トランジスタ基板をＸＩＸ−ＸＩＸ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図２０】本発明の第３実施例によって製造する第１段階における薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２１】図２０でＸＸＩ−ＸＸＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図２２】図２０でＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図２３】図２０でＸＸＩ−ＸＸＩ’線に沿って切断して示した断面図であって、図２１の次の段階での断面図である。
【図２４】図２０でＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿って切断して示した断面図であって、図２２の次の段階での断面図である。
【図２５】図２３及び図２４次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２６】図２５でＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図２７】図２５でＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図２８】図２５でＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿って切断して断面図であって、図２６の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図２９】図２５でＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ’線に沿って切断して断面図であって、図２７の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図３０】図２５でＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿って切断して断面図であって、図２８の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図３１】図２５でＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ’線に沿って切断して断面図であって、図２９の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図３２】図２５でＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ’線に沿って切断して断面図であって、図３０の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図３３】図２５でＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ’線に沿って切断して断面図であって、図３１の次の段階を工程順に従って示したものである。
【図３４】図３２及び図３３の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図３５】図３４でＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図３６】図３４でＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図３７】図３４の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図３８】図３７でＸＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＸＶＩＩＩ’線に沿って切断して示した断面図である。
【図３９】図３７でＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ’線に沿って切断して示した断面図である。
【符号の説明】
１０   絶縁基板
２２   ゲート線
２４   ゲートパッド
２６   ゲート電極
２８   維持電極
３０   ゲート絶縁膜
４０   半導体層
４２、４８   半導体パターン
５０  抵抗性接触層
５５   データ線部抵抗性接触層
５６   ドレーン電極用接触層パターン
５７   抵抗性接触層
５８   維持蓄電器用抵抗性接触層
６２   データ線
６４   維持蓄電器用導電体パターン
６５   ソース電極
６６   ドレーン電極
６７   ソース／ドレーン用導電体パターン
６８   データパッド
７０   保護膜
７１、７２、７４、７６、７８   接触孔
８２   画素電極
８６   補助ゲートパッド
８８   補助データパッド
９２、９３、９４   層間反応層
９６   層間反応層
９８   層間反応層
１１０、１１４   感光膜
６０１   下部膜
６０２   上部膜
【図１】
0004928665.tif 000002
【図２】
0004928665.tif 000003
【図３】
0004928665.tif 000004
【図４】
0004928665.tif 000005
【図５】
0004928665.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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