(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度調節手段による加熱または冷却によって湾曲した載置面を有する移動可能な載置台に吸着保持された被検査体と上記載置台の上方に傾斜調整可能に配置されたプローブカードの複数のプローブと電気的に接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブ方法であって、
第１の撮像手段を用いて上記プローブカードの所定の複数のプローブの針先を撮像して上記プローブの針先の位置情報を求める第１の工程と、
第２の撮像手段を用いて上記被検査体の上面の高さの分布及び上記所定の複数のプローブに対応する複数の上記電極の位置情報を求める第２の工程と、
少なくとも３本の上記プローブの針先を含む平面とこれらのプローブと対向する上記被検査体の少なくとも３個の電極を含む平面との平行度を調節するために、上記第２の工程で求められた上記高さの分布に基づいて上記少なくとも３個の電極の高さを求める第３の工程と、
上記所定の複数のプローブの針先の位置情報とこれらのプローブに対向する上記複数の電極の位置情報に基づいて互いに対向する上記複数のプローブと上記複数の電極との距離をそれぞれ求める第４の工程と、
上記複数の距離が等しくなるように上記プローブカードの傾斜を調整する第５の工程と、
二番目以降の検査をする場合には、上記第３の工程から上記第５の工程を繰り返して実行する第６の工程と、を備えている
ことを特徴とするプローブ方法。
【請求項２】
コンピュータを駆動させて、温度調節手段による加熱または冷却によって湾曲した載置面を有する移動可能な載置台に吸着保持された被検査体と上記載置台の上方に傾斜調整可能に配置されたプローブカードの複数のプローブと電気的に接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブ方法を実行させるプログラム記憶媒体であって、
上記コンピュータを駆動させて、
第１の撮像手段を用いて上記プローブカードの所定の複数のプローブの針先を撮像して上記プローブの針先の位置情報を求める第１の工程と、
第２の撮像手段を用いて上記被検査体の上面の高さの分布及び上記所定の複数のプローブに対応する複数の上記電極の位置情報を求める第２の工程と、
少なくとも３本の上記プローブの針先を含む平面とこれらのプローブと対向する上記被検査体の少なくとも３個の電極を含む平面との平行度を調節するために、上記第２の工程で求められた上記高さの分布に基づいて上記少なくとも３個の電極の高さを求める第３の工程と、
上記所定の複数のプローブの針先の位置情報とこれらのプローブに対向する上記複数の電極の位置情報に基づいて互いに対向する上記複数のプローブと上記複数の電極との距離をそれぞれ求める第４の工程と、
上記複数の距離が等しくなるように上記プローブカードの傾斜を調整する第５の工程と、
二番目以降の検査をする場合には、上記第３の工程から上記第５の工程を繰り返して実行する第６の工程と、を実行させる
ことを特徴とするプログラム記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱の影響等により湾曲した載置面に吸着保持された被検査体とプローブカードの複数のプローブを極力均一な針圧で接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プローブ装置は、被検査体（例えば、半導体ウエハ）の電気的特性検査を行うために用いられる。プローブ装置は、検査室内に設けられた半導体ウエハを載置する載置台と、検査室の上面を形成するヘッドプレートの開口部に装着された複数のプローブを有するプローブカードと、半導体ウエハの電極パッドとプローブカードのプローブの位置合わせを行うアライメント機構と、これらの構成機器を制御する制御装置と、を備えている。載置台は、半導体ウエハの高温検査または低温検査を行えるように温度調整機構を備え、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向及びθ方向に移動可能に構成されている。アライメント機構は、プローブカードのプローブを撮像する下カメラと、載置台上の半導体ウエハを撮像する上カメラと、を備えている。
【０００３】
近年、半導体ウエハが大型化するに伴って、載置台及びプローブカードが大型化している。半導体ウエハの高温検査または低温検査に備えて、温度調整機構で載置台を加熱または冷却すると載置台の載置面が僅かではあるが湾曲する。半導体ウエハは載置台の載置面に吸着されて保持されているため、半導体ウエハも載置台の載置面に倣って湾曲することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体ウエハが３００ｍｍ以上になると、高温検査時または低温検査時に半導体ウエハが載置台の載置面に倣って湾曲すると、載置面の中央部と周縁部の間に高低差を生じ、載置台をオーバードライブさせて半導体ウエハの電極パッドとプローブカードの複数のプローブを接触させても、複数のプローブが対応する電極パッドに対して均一な針圧で接触することができず、検査の信頼性が低下する。場合によっては過剰な針圧によりプローブやチップが損傷することがある。
【０００５】
ヘッドプレートに装着したプローブカードが傾斜している場合には複数のプローブとこれらに対応する半導体ウエハの電極パッドとの間に接触不良を生じるが、この場合には、載置台の載置面をプローブカードの傾斜に合わせ、あるいはプローブカードの傾斜を直し、半導体ウエハとプローブカードの平行度を調整する機構が、特許文献１や特許文献２において提案されている。
【０００６】
しかし、特許文献１の技術や特許文献２の技術では載置台の載置面が湾曲している場合には対応することができない。
【０００７】
【特許文献１】特開平０６−０２１１６６号公報
【特許文献２】特開平０６−０６９２９３号公報
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、熱の影響等により載置台の載置面が湾曲している場合でもプローブカードの複数のプローブとこれらに対応する半導体ウエハ（被検査体）の電極とを極力均一な針圧で接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載のプローブ方法は、温度調節手段による加熱または冷却によって湾曲した載置面を有する移動可能な載置台に吸着保持された被検査体と上記載置台の上方に傾斜調整可能に配置されたプローブカードの複数のプローブと電気的に接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブ方法であって、第１の撮像手段を用いて上記プローブカードの所定の複数のプローブの針先を撮像して上記プローブの針先の位置情報を求める第１の工程と、第２の撮像手段を用いて上記被検査体の上面の高さの分布及び上記所定の複数のプローブに対応する複数の上記電極の位置情報を求める第２の工程と、少なくとも３本の上記プローブの針先を含む平面とこれらのプローブと対向する上記被検査体の少なくとも３個の電極を含む平面との平行度を調節するために、上記第２の工程で求められた上記高さの分布に基づいて上記少なくとも３個の電極の高さを求める第３の工程と、上記所定の複数のプローブの針先の位置情報とこれらのプローブに対向する上記複数の電極の位置情報に基づいて互いに対向する上記複数のプローブと上記複数の電極との距離をそれぞれ求める第４の工程と、上記複数の距離が等しくなるように上記プローブカードの傾斜を調整する第５の工程と、二番目以降の検査をする場合には、上記第３の工程から上記第５の工程を繰り返して実行する第６の工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項２に記載のプログラム記録媒体は、コンピュータを駆動させて、温度調節手段による加熱または冷却によって湾曲した載置面を有する移動可能な載置台に吸着保持された被検査体と上記載置台の上方に傾斜調整可能に配置されたプローブカードの複数のプローブと電気的に接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うプローブ方法を実行させるプログラム記憶媒体であって、上記コンピュータを駆動させて、第１の撮像手段を用いて上記プローブカードの所定の複数のプローブの針先を撮像して上記プローブの針先の位置情報を求める第１の工程と、第２の撮像手段を用いて上記被検査体の上面の高さの分布及び上記所定の複数のプローブに対応する複数の上記電極の位置情報を求める第２の工程と、少なくとも３本の上記プローブの針先を含む平面とこれらのプローブと対向する上記被検査体の少なくとも３個の電極を含む平面との平行度を調節するために、上記第２の工程で求められた上記高さの分布に基づいて上記少なくとも３個の電極の高さを求める第３の工程と、上記所定の複数のプローブの針先の位置情報とこれらのプローブに対向する上記複数の電極の位置情報に基づいて互いに対向する上記複数のプローブと上記複数の電極との距離をそれぞれ求める第４の工程と、上記複数の距離が等しくなるように上記プローブカードの傾斜を調整する第５の工程と、二番目以降の検査をする場合には、上記第３の工程から上記第５の工程を繰り返して実行する第６の工程と、を実行させることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、熱の影響等により載置台の載置面が湾曲している場合でも載置面の如何なる領域であってもプローブカードの複数のプローブとこれらに対応する被検査体の電極とを極力均一な針圧で接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプローブ方法及びプローブ方法を記録したプログラム記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図１〜図６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明のプローブ装置の一実施形態を示す構成図、図２は図１に示すプローブ装置に用いられるプローブカードの傾き調整機構を示す断面図、図３は図１に示すプローブ装置を用いる本発明のプローブ方法の一実施形態を示すフローチャート、図４の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図３に示すフローチャートの一部の工程を示す工程図、図５の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図３に示すフローチャートの図４に続く工程を示す工程図、図６は半導体ウエハとプローブカードの接触回数を説明するための平面図である。
【００１７】
本実施形態のプローブ装置１０は、例えば図１に示すように、被検査体である半導体ウエハＷを載置するＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動可能な載置台１１と、この載置台１１の上方に配置された複数のプローブ１２Ａを有するプローブカード１２と、このプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａと載置台１１上の半導体ウエハＷの電極パッドとのアライメントを行うアライメント機構１３と、載置台１１及びアライメント機構１３を含む種々の構成機器を制御する制御装置（コンピュータ）１４と、を備え、制御装置１４の制御下でアライメント機構１３が駆動して、載置台１１上の半導体ウエハＷの電極パッドとプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａとのアライメントを行った後、載置台１１上の半導体ウエハＷをインデックス送りしながら半導体ウエハＷの全てのチップについての電気的特性検査を行うように構成されている。
【００１８】
図１に示すように、載置台１１は、制御装置１４の制御下で駆動するＸＹテーブルを含む駆動機構１５を介してＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動するように構成されている。この載置台１１は、図１に示すように温度調節手段として加熱手段（ヒータ）１１Ａ及び冷却手段（図示せず）を内蔵し、半導体ウエハＷを所定の検査温度に設定できるように構成されている。また、載置台１１は、半導体ウエハＷを真空吸着する吸着手段を備えている。吸着手段は、載置台１１の内部に形成された排気用の流路と、載置台１１の載置面に同心円状に形成された複数の吸着溝と、これらの吸着溝を繋ぐ溝と、各吸着溝に所定間隔を空けて流路から開口する複数の吸着孔と、を有し、真空排気装置によって半導体ウエハＷを載置台１１の載置面に真空吸着して半導体ウエハＷを載置面に保持するように構成されている。
【００１９】
プローブカード１２は、図１、図２に示すようにカードホルダ１６を介してプローバ室のヘッドプレート１７の開口部に取り付けられている。プローブカード１２は、半導体ウエハＷに形成された多数のチップのうち、複数のチップと同時に接触し、複数のチップを同時に測定できるようになっている。プローブ１２Ａの本数は一個のチップと接触する本数であっても良い。図１、図２に示すようにヘッドプレート１７の開口部には段部が形成され、この段部に周方向に所定間隔を空けて複数の上下調整部材１８からなるプローブカードの傾き調整機構が配設されている。プローブカードの傾き調整機構は、特に制限されるものではないが、例えば本出願人が特開２００６−３１７３０２号公報において提案したものを用いることができる。また、本実施形態のプローブカードの傾き調整機構を構成する上下調整部材１８は、例えば昇降駆動部と、昇降駆動部のロッドの上端にカードホルダ１６の傾きに倣って傾斜する昇降体と、を有し、それぞれの位置で上下調整部材制御部１８Ａによって個々に制御されてプローブカード１２を上下させてその傾きを調整するように構成されている。昇降体はロッド上端に取り付けられた球体が摺動部材を介して回転自在に嵌合している。また、上下調整部材１８は、上下調整部材制御部１８Ａによって電圧制御可能な圧電素子を用いることができる。
【００２０】
アライメント機構１３は、図１に示すように、載置台１１の側方に付設されてプローブカード１２のプローブ１２Ａの針先を撮像する第１の撮像手段（下カメラ）１９と、移動可能なアライメントブリッジ２０に取り付けられて載置台１１上の半導体ウエハＷを撮像する第２の撮像手段（上カメラ）２１と、を備えている。下カメラ１９は、制御装置１４の制御下で載置台１１を介して移動し、プローブカード１２のプローブカード１２Ａの針先を撮像し、その画像処理部１９Ａで画像処理すると共にその画像を画像記憶部１９Ｂで記憶し、更にこの画像を表示装置（図示せず）に表示すると共にその時の載置台１１の位置に基づいてプローブ１２Ａの針先の位置情報（ｘ，ｙ，ｚ）を求める。上カメラ２１は、制御装置１４の制御下でアライメントブリッジ２０を介して待機位置（検査室の背面側）とプローブカード１２の中心の真下（以下、「プローブセンタ」と称す。）を往復しプローブカード１２の真下で半導体ウエハＷを撮像し、その画像処理部２１Ａで画像処理すると共にその画像を画像記憶部２１Ｂで記憶し、更にこの画像を表示画面（図示せず）に画像を表示すると共にその時の載置台１１の位置に基づいて電極パッドの位置情報（ｘ，ｙ，ｚ）を求める。
【００２１】
また、制御装置１４は、図１に示すように、中央演算処理部１４Ａ、プログラム記憶部１４Ｂ及び記憶部１４Ｃを備えている。プログラム記憶部１４Ｂに格納された種々のプログラムによってプローブ装置１０を制御する。従って、本発明のプローブ方法を実行するプログラムがプログラム記憶部１４Ｂに格納されている。プローブ方法は中央演算処理部１４Ａがそのプログラムをプログラム記憶部１４Ｂから読み出すことによって実行される。プローブ方法によって得られた種々のデータは記憶部１４Ｃにおいて記憶される。また、上下のカメラ１９、２１の画像処理部１９Ａ、２１Ａは、プログラム記憶部１４Ｂに格納された画像処理プログラムに従って中央演算処理部１４Ａにおいて処理される。
【００２２】
次に、本実施形態のプローブ装置による本発明のプローブ方法の一実施形態について図３〜図６を参照しながら説明する。本実施形態では半導体ウエハＷの高温検査を行う場合について説明する。高温検査は、例えば１５０℃の高温下で行われる。
【００２３】
例えば高温検査を行う場合にはまず、載置台１１上に半導体ウエハＷを載置し、真空吸着手段によって半導体ウエハＷを載置面に真空吸着して、半導体ウエハＷを載置台１１で保持する。この時、ヒータ１１Ａが載置台１１を介して半導体ウエハＷを加熱し、半導体ウエハＷの温度を例えば１５０℃に設定する。この加熱により載置台１１が熱膨張して載置面が図１に誇張して示すように椀状に湾曲する。半導体ウエハＷは載置面に真空吸着されているため、半導体ウエハＷも椀状に湾曲する。この状態で以下において説明するように本実施形態のプローブ方法が制御装置１４の制御下で実行される。
【００２４】
即ち、中央演算処理部１４Ａがプログラム記憶部１４Ｂからプログラムを読み出して本実施形態のプローブ方法を実行する。まず、図３に示すようにプローブカード１２の所定のプローブ１２Ａの針先位置を求める（ステップＳ１）。このステップＳ１では、載置台１１が制御装置１４の制御下でプローブカード１２の下方で移動し、下カメラ１９によってプローブカード１２の四隅にある所定のプローブ１２Ａを順次探索し、探索したプローブ１２Ａの針先を図４の（ａ）に示すように下カメラ１９でその都度撮像する。中央演算処理部１４Ａでは四隅のプローブ１２Ａの針先を撮像した時の載置台１１の座標位置に基づいて四隅のプローブ１２Ａの針先の位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を位置情報としてそれぞれ求め、これらの位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を記憶部１４Ｃにおいて記憶する。
【００２５】
プローブ１２Ａの針先位置を求めた後、図３に示すように半導体ウエハＷの中心と径を求める（ステップＳ２）。ステップＳ２では、アライメントブリッジ２０が制御装置１４の制御下でプローブセンタまで移動し停止する。次いで、載置台１１が上カメラ２１の真下で移動し、載置台１１上の半導体ウエハＷの端３点を上カメラ２１で順次探索し、探索した半導体ウエハＷの端３点を上カメラ２１でその都度撮像する。中央演算処理部１４Ａでは半導体ウエハＷの端３点を撮像した時の載置台１１の座標位置に基づいて半導体ウエハＷの中心の位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を求め、これらの位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を記憶部１４Ｃにおいて記憶する。
【００２６】
半導体ウエハＷの中心を求めた後、図３に示すように半導体ウエハＷの上面の高さの分布を求める（ステップＳ３）。ステップＳ３では、載置台１１が上カメラ２１の真下で移動し、図４の（ｂ）に示すように載置台１１上の半導体ウエハＷの中心、左右上下の５点を上カメラ２１で順次探索し、探索した半導体ウエハＷの５点を上カメラ２１でその都度撮像する。中央演算処理部１４Ａでは半導体ウエハＷの５点を撮像した時の載置台１１の座標位置に基づいて５点の位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を求め、これら５点の位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を記憶部１４Ｃにおいて記憶する。
【００２７】
半導体ウエハＷの上面の５点における高さの分布を求めた後、図３に示すように載置台１１をθ方向に回転させて半導体ウエハＷに形成された複数のチップＴの並び（配列方向）を載置台１１の移動方向となるＸＹ軸方向に合わせる（ステップＳ４）。ステップＳ４では、載置台１１が上カメラ２１の真下で移動し、図４の（ｃ）に示すように予め登録されたパターンのチップＴ０に合致するチップＴを２個以上探索し、これらのチップＴの配列方向が上記ＸＹ軸方向から角度θだけずれている場合、載置台１１を角度θだけ回転させて、同図の（ｄ）に示すようにチップＴの配列方向をＸＹ軸方向に平行になるように調整する。このようにチップＴの配列方向を載置台１１のＸＹ軸に平行にすることで、載置台１１をＸＹ方向にインデックス送りすることができ、各チップＴの電気的検査を行える。
【００２８】
チップＴの配列方向をＸＹ軸に平行に調整した後、図３に示すようにプローブカード１２のプローブ１２Ａと半導体ウエハＷの接触位置を求める（ステップＳ５）。ステップＳ５では、図５の（ａ）に示すように制御装置１４において記憶部１４Ｃに予め登録されているチップＴの登録パターンと一致する座標位置に基づいてプローブ１２Ａと接触すべき最初の複数（一個でも良い）のチップＴの電極パッドＰを算出する。本実施形態では複数のプローブ１２Ａは複数のチップＴに接触するため、以下では複数のチップＴをチップ群Ｔとして説明する。
【００２９】
最初のチップ群Ｔを算出した後、プローブカード１２の複数のプローブ１２Ａの接触位置（接触範囲）内にある半導体ウエハＷの平面を求める（ステップＳ６）。ステップＳ６では、最初のチップ群Ｔの電極パッドＰの中から、図５の（ａ）、（ｂ）に示すようにステップＳ１で求められたプローブカード１２の四隅の所定のプローブ１２Ａと対向する４箇所の電極パッドＰの位置座標（ｘ，ｙ，ｚ）を求める。４箇所の電極パッドＰの高さｚは、ステップ３で求められた位置座標から求めることができる。尚、図５の（ｂ）では●印は四隅のプローブ１２Ａを示し、これらのプローブ１２Ａと対向する４箇所の電極パッドＰは●印で隠されている。載置台１１の載置面が湾曲しているため、半導体ウエハＷも湾曲している。湾曲面の曲率半径が大きいため、図５の（ａ）では傾斜平面として表されている。
【００３０】
複数のプローブ１２Ａの接触範囲内にある半導体ウエハＷの平面を求めた後、図３に示すように複数のプローブ１２Ａの針先で形成される平面を半導体ウエハＷの平面に合わせる（ステップＳ７）。ステップＳ７では、ステップＳ１で求められたプローブカード１２の四隅のプローブ１２Ａの針先高さと、これらのプローブ１２Ａに対向するステップＳ６で求められた４箇所の電極パッドＰの高さを比較し、図５の（ｃ）に示すように４箇所におけるプローブ１２Ａと対向する電極パッドＰの高さの差、即ち、互いに対向するプローブ１２Ａの針先と電極パッドＰ間の距離が等しくなるように上下調整部材制御部１８Ａがプローブカードの傾き調整機構を構成する複数個所の上下調整部材１８をそれぞれ制御してプローブカード１２の傾きを調整する。このように複数のプローブ１２Ａが接触する範囲内では複数のプローブ１２Ａとこれらに対応する電極パッドＰの距離が等しくなる。この状態で載置台１１を上昇させると、複数のプローブ１２Ａと対応する電極パッドＰが均一に接触し、更にオーバードライブをかけることで均一な針圧で電気的に接触して信頼性の高い検査を行うことができる。
【００３１】
二番目以降のチップ群Ｔを検査する場合には、ステップＳ５〜ステップＳ７を繰り返し実行することによって二番目のチップ群Ｔと複数のプローブ１２Ａを均一な針圧で電気的に接触させることができる。プロ-ブカードの傾き調整機構の各上下調整部材１８は、各チップ群Ｔにおける傾斜面の高低差に基づいて上下調整部材制御部１８Ａの制御下で駆動し、高低差をなくするように機能する。
【００３２】
プローブカード１２と半導体ウエハＷの接触回数が多いほどより均一な針圧を確保することができる。例えば、図６の（ａ）〜（ｃ）はプローブカードの接触回数と半導体ウエハＷの関係を示している。図６の（ａ）はプローブカード１２が半導体ウエハＷと一括接触して一回の接触で検査をする場合を示し、同図の（ｂ）はプローブカード１２が半導体ウエハＷと９（３×３）回接触して検査する場合を示し、同図の（ｃ）はプローブカード１２が半導体ウエハＷと２５（５×５）回接触して検査する場合を示している。従って、図６の（ｃ）に示す場合が最も均一な針圧で接触することができる。
【００３３】
このことを示したものが表１である。表１は載置台１１の湾曲面の深さｄ[μｍ]と接触回数における複数のプローブ１２Ａと電極パッドとの最大の高低差を計算した例である。表１に示す結果によれば、図６の（ａ）の場合には複数のプローブ１２Ａと電極パッドの最大の高低差はそれぞれの湾曲面の深さになる。図６の（ｂ）の場合には複数のプローブ１２Ａと電極パッドの最大の高低差を示す図６の（ａ）の場合と比較して約１／１０になる。図６の（ｃ）の場合には同図の（ｂ）に示す場合より湾曲面が深くなるほど数分の一の高低差になっている。
【００３４】
【表１】
0005074974.tif 000002
【００３５】
尚、上記実施形態では載置台１１を加熱する場合について説明したが、載置台１１を冷却する場合についても本発明を適用することができる。従って、本発明は、上記各実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行うプローブ装置に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明のプローブ装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示すプローブ装置に用いられるプローブカードの傾き調整機構を示す断面図である。
【図３】図１に示すプローブ装置を用いる本発明のプローブ方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図３に示すフローチャートの一部の工程を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図３に示すフローチャートの図４に続く工程を示す工程図である。
【図６】半導体ウエハとプローブカードの接触回数を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０    プローブ装置
１１    載置台
１１Ａ  ヒータ（温度調節手段）
１２    プローブカード
１４    制御装置
１４Ａ  中央演算処理部（電極の高さを求める手段、プローブと電極との距離を求める手段）
１８    上下調整部材（プローブカードの傾きを調整する手段）
１８Ａ  上下調整部材制御部（プローブカードの傾きを調整する手段）
１９    下カメラ（第１の撮像手段）
２１    上カメラ（第２の撮像手段）
Ｗ  半導体ウエハ（被検査体）
【図１】
0005074974.tif 000003
【図２】
0005074974.tif 000004
【図３】
0005074974.tif 000005
【図４】
0005074974.tif 000006
【図５】
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【図６】
0005074974.tif 000008