(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、透明基板の片面上にＴＦＴ素子、ゲート配線、ソース配線、画素配線、及び補助容量部が形成されたＴＦＴ素子形成電極基板と、前記ＴＦＴ素子形成電極基板上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成された接着剤層と、前記接着剤層上に形成された着色層と、前記画素配線と接続するように前記着色層上に形成された画素電極と、からなるカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法であって、
前記着色層は、少なくとも転写ベースと、前記転写ベース上に形成された剥離層と、前記剥離層上に形成された着色層及び柱状部と、からなる転写シートを用いて形成されるカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法において、
前記ＴＦＴ素子形成電極基板のＴＦＴ素子側上の全面に前記保護膜を形成する工程と、
前記補助容量部上であって前記画素配線上に位置する前記保護膜を除去して前記画素配線の一部を露出させる工程と、
前記保護膜上に接着剤層を形成する工程と、
前記柱状部が前記補助容量部上に位置するよう位置合わせした後、前記転写シートの着色層が形成された面と前記接着剤層とを圧着させる工程と、
前記接着剤層を前記透明基板側から露光して光硬化させる工程と、
前記転写シートを剥離して前記転写シートの着色層を前記接着剤層上に転写する工程と、
前記補助容量部上及び前記ＴＦＴ素子上の接着剤層を除去してスルーホールを形成する工程と、
前記画素配線と接続するように前記補助容量部上のスルーホール内及び前記着色層上に画素電極を形成する工程と、
前記ＴＦＴ素子上のスルーホールに柱状スペーサーを形成する工程と、
をこの順に行うことを特徴とするカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法において、
隣接する前記ソース配線同士の間の幅と、前記転写シート上の着色層の幅とが等しいことを特徴とするカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記スペーサーが黒色感光性樹脂組成物からなることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラー液晶表示装置用電極基板およびカラー液晶表示装置に関するものであり、特に、アクティブマトリックス型カラー液晶表示装置用電極基板、その製造方法、およびその電極基板を用いたカラー液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１６は、転写シートの一例の一部分を模式的に示した断面図である。また、図１７は、図１６の転写シートをロール状に巻いたものの一部分を模式的に示した断面図である。
図１６および図１７に示すように、この転写シート（２５）は、例えば４２合金（３１）（ニッケル４２重量％、残部鉄）とその両面に形成された剥離層（３２）からなる支持シート（２６）と、カラーフィルター機能を有する着色層（１４）とで構成されている。
【０００３】
前記のような、支持シート（２６）上にカラーフィルター機能を有する着色層（１４）が形成された転写シートの着色層（１４）側と、薄膜トランジスタ素子形成電極基板の薄膜トランジスタ素子形成側とを対向させて接着剤（１４）で貼りあわせ着色層を転写する際、均等に圧着することが難しく接着剤層の厚さがばらつきやすい。カラー液晶表示装置用電極基板の製造において、この問題が解決されないままであれば、転写による着色層の形成方式で今後の高精細・高機能液晶表示装置に対応することは困難になると予想される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明における課題は、上記のように両基板を貼り合わせた時の接着剤層の厚さのバラツキを０．０３μｍ以下の安定した状態で形成し、今後の高精細・高機能化の要求に対応できる高精度なカラー液晶表示装置用電極基板、その製造方法及びカラー液晶表示装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、着色層を転写シートからの転写により形成するカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法において、少なくとも、一定高さの柱状部およびカラーフィルタ機能を有する着色層が形成された転写シートを用い、該着色層を転写する際には前記柱状部は転写しないことを特徴とするカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法である。
【０００６】
また本発明は、前記のカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法において、薄膜トランジスタ素子形成電極基板の補助容量部上の保護膜に画素配線を露出させるように形成するスルーホールの位置に対応するように、転写シート上に柱状部を形成し、着色層の転写の際には、感光性接着剤層を設けてから前記電極基板のスルーホール部位に転写シート上の柱状部を嵌入させて接着剤層の厚みを規整して圧着し、必要な着色層部位のみを硬化させ転写することを特徴とするカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法である。
【０００７】
また本発明は、上記のカラー液晶表示装置用電極基板の製造方法よって製造されたカラー液晶表示装置用電極基板を用いたカラー液晶表示装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明によるカラー液晶表示装置用電極基板およびその製造方法、ならびにそれを用いたカラー液晶表示装置を、その一実施形態に基づいて詳細に説明する。
【０００９】
図１は、本発明に用いる着色層の転写シートを使用して製造された本発明のカラー液晶表示装置用電極基板の一部分を模式的に示した断面図の一例である。また、図２は、図１に示すカラー液晶表示装置用電極基板を用いたカラー液晶表示用装置の一部分を模式的に示した断面図の一例である。
【００１０】
図１に示すように、液晶表示装置用電極基板（１）は、透明基板（１１）の片面上にＴＦＴ素子（１２）、保護膜（１３）、接着剤層（１５）、カラーフィルター機能を有する着色層（１４）、画素電極（１８）、配向膜（１６）および柱状スぺーサー（１７）が形成されたものである。
【００１１】
また、図２に示すように、図１に示す液晶表示装置用電極基板（１）を用いた液晶表示装置（４）は、液晶表示装置用電極基板（１）、電極基板（２）および液晶（３）で構成されている。
電極基板（２）は、透明基板（２１）の片面上に透明導電膜（２２）、配向膜（２３）が形成されたものである。
【００１２】
図１および図２に示すように、本発明に用いる転写シートを用いて製造された本発明の液晶表示装置用電極基板（１）およびそれを用いた液晶表示装置（４）の一実施形態においては、基板間の液晶層の厚みを保つためのスぺーサー粒子をセル内部の画素部に存在させることなく、液晶層の厚みを保つためのスぺーサー機能を柱状スぺーサ（１７）に持たせ、画素部にはスぺーサ粒子を存在させない液晶表示装置を可能とするものである。
【００１３】
図３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明のカラー液晶表示装置用電極基板の製造に使用する転写シートの説明図である。図３（ａ）は転写シート（３０）の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ’における断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のＹ−Ｙ’における断面図である。
【００１４】
図３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すように、転写シート（３０）は、４２合金（３１）とその上に形成された剥離層（３２）からなる支持シート（２６）上に、感光性樹脂等よりなる柱状部（３３）、およびカラーフィルター機能を有する着色層（１４）が形成されたものである。
カラーフィルター機能を有する着色層（１４）は、カラー表示用の、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のストライプ状のパターンが多数規則的に配列されたものである。この着色層（１４）は、顔料分散型フォトレジスト、印刷インキ、無機物質多層干渉膜等により形成される。
【００１５】
図１８は、こうして作成された転写シート（３０）の一断面を模式的に示した説明図であり、これは図３（ａ）のＺ−Ｚ’における断面に相当する。また、図１９は、図１８の転写シートをロール状に巻いたものの断面の一部分を模式的に示した説明図である。図に示すように、柱状部（３３）の上端が、４２合金（３１）の下側の剥離層（３２）に接している。
【００１６】
図４〜図１５は、本発明のカラー液晶表示装置用電極基板の製造工程の一実施形態を示す説明図である。図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明のカラー液晶表示装置用電極基板の製造に用いる薄膜トランジスタ素子形成電極基板（以下ＴＦＴ素子形成電極基板）の説明図である。
図４（ａ）は、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ’における断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ’における断面図である。
【００１７】
図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）は、透明基板（１１）の片面上にＴＦＴ素子（１２）、ゲート配線（４１）、ソース配線（４２）、画素配線（４３）、及び補助容量部（４４）等が形成されたものである。そして、図４におけるソース配線（４２）のピッチ（Ｐ）、及び幅（Ｗ）は、図３における転写シート上の着色層（１４）のピッチ（Ｐ）、及び幅（Ｗ）に対応したものとなっている。
ＴＦＴ素子（１２）は、ゲート電極（４５）、及びドレイン電極（４８）などで構成されている。
【００１８】
まず、図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側上の全面に保護膜（４９）を形成する。
次いで、例えばフォトグラフィー法、ドライエッチング法等により、図５に示すように、所定パターンに従って補助容量部（４４）上の保護膜（４９）にスルーホール（５１）を形成し、画素配線（４３）の一部を保護膜より露出させる。
【００１９】
次いで、図６に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側上の全面に例えば無溶剤型紫外線硬化型の接着剤よりなる接着剤層（１５）を形成する。なお、無溶剤型紫外線硬化型接着剤としては、硬化した時点で透明であり、光を透過するものを用いることが肝要である。
【００２０】
次いで、図７に示すように、前記転写シート（３０）を図４におけるソース配線（４２）の幅（Ｗ）と、図３における転写シート上の着色層（１４）の幅（Ｗ）に対応するように、位置を制御しながらＴＦＴ素子形成電極基板（４０）に重ね合わせる。このとき、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）の接着剤層（１５）が形成された面と、転写シート（３０）の着色層（１４）が形成された面とを対向させ圧着するものである。このとき圧着後の接着剤層の厚さは、柱状部（３３）の高さで決定される。
【００２１】
次いで、図８に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側の対向面と反対の側から紫外線（８１）を照射してＴＦＴ素子、ゲート配線、ソース配線、及び補助容量部など以外の光透過性部分の接着剤層（１５）を光硬化させる。
【００２２】
次いで、図９に示すように、支持シート（２６）を剥離して、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側に、光硬化させた接着剤上の着色層（１４）を転写し、未硬化の接着剤上の柱状部及び着色層を剥離する。
【００２３】
次いで、図１０に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側のＴＦＴ素子、ゲート配線、ソース配線、及び補助容量部などの光不透過性部分の未硬化の接着剤層（１５）を除去し、スルーホール部分の画素配線（４３）を露出させる。
【００２４】
次いで、図１１に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側上全面にＩＴＯを付け、焼成して透明導電膜（２８）を形成する。
【００２５】
次いで、図１２に示すように、透明電極膜を所定の形状にパターニングして、スルーホールにより画素配線（４３）と電気的に接続した透明導電膜よりなる画素電極（１８）を形成する。
【００２６】
次いで、図１３に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側のＴＦＴ素子側上の全面に黒色感光性樹脂組成物（３７）を塗布する。
次いで、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側の反対側から紫外線（８２）を照射すると、図１４に示すように、ＴＦＴ素子、ゲート配線、ソース配線、及び補助容量部と着色層がマスクとなって黒色感光性樹脂組成物が硬化する。
【００２７】
このように塗布面の裏側から塗布面側に既に形成されているパターンをマスクとして露光することを、本発明では裏露光セルフアライメントと称している。
そして、現像によって未硬化の黒色感光性樹脂組成物を除去することによって遮光膜（２７）を形成する。
【００２８】
このように裏露光セルフアライメントにて紫外線（８２）を照射し遮光膜（２７）を形成するので、遮光膜が着色層にオーバーラップすることなく各着色層の輪郭をはっきりとし、コントラストを向上させることになる。
【００２９】
ここで、裏露光セルフアライメントについて、上記の実施形態を用いてさらに詳述する。まず、転写シートを用いてカラーフィルター層を形成しているために、転写された着色層に次のような欠け欠陥が生ずる可能性がある。即ち、第一に転写シートの着色層にピンホール状等の欠け不良があることにより、転写された着色層に欠けが発生する欠陥であり、第二には、支持シートを剥離する際に、接着剤層の硬化された部分と硬化されない部分の境界部で着色層の分断が行なわれるが、分断がきれいに行なわれず、転写される部分の着色層が剥離されてしまい、転写された着色層に欠けが発生する欠陥である。この支持シートを剥離する際に生じる欠け欠陥は転写によって着色層を形成する際に特有の問題であり、着色層の輪郭部分において発生する。
【００３０】
このような欠け欠陥が生じた場合においても、ＴＦＴ素子側に黒色感光性樹脂組成物を塗布し裏露光すると、着色層の欠け欠陥上の黒色感光性樹脂組成物が硬化され、遮光層が形成される。そのため、液晶表示装置の使用時に着色層の輪郭部分やその他の部分の欠け欠陥から光が漏れることがなく、コントラストを向上させ、表示画質を美しくさせるものである。
【００３１】
続いて、図１５に示すように、ＴＦＴ素子形成電極基板（４０）のＴＦＴ素子側表面の全面に黒色感光性樹脂組成物を塗布し、ＴＦＴ素子側からマスクを用いて露光することによってＴＦＴ素子（１２）側に柱状スぺーサー（１７）を形成する。
【００３２】
ここでは、裏露光セルフアライメントによって遮光層が形成されているため、少なくともスペーサー部分の光を透過するマスクを用いればよいが、裏露光ではＴＦＴ素子上には遮光層が形成されていないため、ＴＦＴ素子上には遮光層を形成することが望ましく、さらに裏露光ではゲート配線等の配線上にも遮光層が形成されていないため、遮光層を平滑化して液晶の配向不良を防ぐためにも、配線部分上にも遮光層を形成することが望ましい。このような遮光層の形成領域を変えることは、マスクのパターンを変更することによって容易に行なえる。
【００３３】
そして、着色層の輪郭部分等に着色層の欠け欠陥が存在した場合でも既に裏露光セルフアライメントによって遮光層が形成されており、このマスクはそれほど高い精度は要しない。またマスクの位置ズレも多少であれば許容することができる。
以上の工程により柱状スぺーサーを有する液晶表示装置用電極基板を製造するものである。
【００３４】
本発明における透明基板は、ガラス、好ましくはアルカリ金属元素を少量しか含まないか、まったく含まない熱膨張係数の低いガラスを用いる。その厚さは、例えば、０．５〜１．１ｍｍ程度のものである。
【００３５】
以下、本発明に用いる転写シートの構成について述べる。転写ベースは、連続する金属板、または金属箔であって、板厚は０．２０ｍｍ以下、望ましくは０．０６〜０．２０ｍｍ程度であり、材質は被転写体である透明ガラス基板と熱膨張率がほぼ等しい金属が好ましい。
【００３６】
液晶表示装置に使われる透明ガラス基板は、熱膨張率４０×１０-7／℃程度の低膨張率ガラスであるので、用いる金属としては、鉄〜ニッケル合金、例えば４２合金（ニッケル４２重量％、残部鉄）、アンバー（ニッケル３６重量％、マンガン微量、残部鉄）等が熱膨張率１０〜４０×１０-7／℃程度であるので好都合である。鉄〜ニッケル合金は、空気中で錆びにくく、保存性が良い点でも適している。
【００３７】
剥離層は、有機溶剤に耐性を有する高分子膜で、転写ベースの表面平滑化の効果、及び転写に際してガラス透明基板と転写ベースとの密着性を保つための弾性を与えるものである。膜厚としては、４．５μｍ以上５．５μｍ以下が好ましい。また、剥離層は柔軟性を有することが転写適性からは好ましいが、他方剥離層としての本来の適性からすると、表面が不活性で膜硬度は高いことが望ましい。
【００３８】
具体的には、耐有機溶剤性のある水溶性樹脂でカゼイン、ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース等を塗布乾燥した膜が、また、弾性のある樹脂としてポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂があげられるが、これらの樹脂に限定されるものではない。剥離性を向上させる目的でシリコーン系、フッ素系界面活性剤を添加することも有効であり、転写ベースは剥離層と一体化して初めて本来の機能が発現可能となるものである。
【００３９】
剥離層上に作る、ＴＦＴ基板補助容量部上の保護膜に設けられる所定のスルーホールパターンの位置に対応する柱状部は、公知のフォトリソグラフィー法により、ネガ型感光性樹脂組成物を用い、着色層のパターンサイズおよびピッチに応じて、例えば塗膜の厚さ約３μｍで１５μｍ□程度のパターンを形成するものである。
【００４０】
着色層は、顔料分散法、印刷法等が適用できる。
顔料分散法は、予め所望する色相の顔料を分散した感光性樹脂を塗布・露光・現像・加熱工程を繰り返して着色層を形成するものである。
また、印刷法は、赤色、緑色、青色インキを、例えば、主に平版オフセットあるいは凹版オフセット印刷方式で順次基板上に印刷することでカラー着色層を形成する方法である。
【００４１】
本発明における接着剤は、分子中にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する樹脂と、希釈モノマー、光増感剤、熱硬化成分及び添加剤からなるものが好ましい。
【００４２】
また、本発明における遮光膜及び柱状スぺーサーに用いる黒色感光性樹脂組成物は、高絶縁性を有し、組成としては、樹脂系材料と架橋剤と光酸発生剤とポリマーグラフト化されたカーボンブラックとからなるものが好ましい。高絶縁性であることにより、液晶表示装置の電極間のリークを防ぎ表示品質を良好なものとする。
【００４３】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００４４】
＜実施例１＞
（転写シートの作成）
厚さ１５０μｍの４２合金（鉄−ニッケル合金、ニッケル４２重量％、残部鉄）を使用した。所定の部位に、各着色層の形成の際の位置合わせ、および、着色層とＴＦＴ形成電極基板との間の位置合わせ等のためのアライメントマークをフォトリソグラフィー法によって形成した。
【００４５】
次に、４２合金によく接着し、かつ着色層との剥離性が良好である光硬化ポリビニルアルコールからなる剥離層を厚さ５μｍ程度、表面の平滑度は０．０５μｍ程度に形成した。
【００４６】
この硬化した剥離層の上に、以下に示すネガ型感光性樹脂組成物を用い、塗膜の厚さ約３μｍに塗布した。この塗膜面にフォトマスクを用い、約１５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線照射を行った。現像液として、炭酸ナトリウム：０．１重量％、重炭酸ナトリウム：０．１重量％を組成とするアルカリ性水溶液を用いて現像処理を行った。以上のようにして、塗膜の厚さが約３μｍで１５μｍ□のパターンの柱状部を形成した。
【００４７】
＜ネガ型感光性樹脂組成物の組成＞
Ａ：以下の組成からなるアニオン性アクリル共重合体  …１０重量部
・メタクリル酸                    １重量部
・メチルメタクリレート            ２重量部
・ヒドロキシエチルメタクリレート  ２重量部
・ブチルメタクリレート            ２重量部
・シクロヘキシルアクリレート      ３重量部
Ｂ：多官能アクリルモノマー「アローニクスＭ４００」  …１０重量部
（東亜合成化学工業（株）製）
Ｃ：光重合開始剤「イルガキュア９０７」  …０．５重量部
（チバガイギー製)
Ｄ：溶剤シクロヘキサノン  …７９．５重量部
【００４８】
次いで、着色層を公知のフォトリソグラフィー法を用いた顔料分散法により形成し、転写シートを得た。
【００４９】
（液晶表示装置用電極基板の作成）
透明基板の片面上にＴＦＴ素子、ゲート配線、ソース配線、画素配線、及び補助容量部を公知の方法により形成したＴＦＴ素子形成電極基板を用いた。
まず、ＴＦＴ素子形成電極基板の全面にＳｉＯ2を蒸着形成し保護膜を形成した。
【００５０】
次いで、保護膜上に感光性レジスト（ヘキスト社製、商品名「ＡＺ４６２０」）を塗布した後、フォトリソグラフィー法を用い、補助容量部の領域の感光性レジストから、所定パターンに従って保護膜を一部露出させた。
【００５１】
次いで、ドライエッチング装置（ラムリサーチ社製、商品名「ドライテック３８４Ｔ」）を用い、圧力１５０ｍＴｏｒｒ、出力７００Ｗ、ＣＨＦ3ガス量１００ＳＣＣＭの条件にて、感光性レジストから露出した保護膜にドライエッチングを行った。
しかる後、感光性レジストを剥離し、保護膜に、所定パターンに従って画素配線の一部を露出させるスルーホールを形成した。
【００５２】
次いで、ＴＦＴ素子形成電極基板の全面に接着剤層を塗布形成した。この接着剤は、分子中にエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する樹脂と、希釈モノマー、光増感剤、熱硬化成分及び添加剤からなるものを用いた。
【００５３】
次いで、前記転写シートを位置合わせを行いながら、ＴＦＴ素子形成面と着色層面とが対向するよう重ね合わせ、この状態を保ってロールプレスにて圧力５ｋｇ／ｃｍ2でＴＦＴ素子形成電極基板および転写シートをプレスした後、ＴＦＴ素子形成面の反対面側から紫外線を照射して、素子および配線部等を除いた接着剤層部分を光硬化させ、ＴＦＴ素子形成電極基板に着色層を転写した。
【００５４】
この時、ＴＦＴ素子および配線上の接着剤層の部分は、塗膜の厚さが約３μｍで、１５μｍ□のパターンの柱状部により、接着剤の膜厚は一定になる。またＴＦＴ素子および配線が照射された紫外線を遮光するため、未露光となり光硬化しない。
【００５５】
次いで、支持シートを取り除き、ＴＦＴ素子形成電極基板をアルカリ液等で洗浄し、未露光の未硬化部位、すなわち、ＴＦＴ素子および配線上の接着剤を除去した。これにより、ＴＦＴ素子および配線上の未露光未硬化の接着剤層が洗浄除去され、ＴＦＴ素子および配線等の表面が現れる。
【００５６】
次いで、ＩＴＯ膜をスパッタリングなどにより付け、焼成して透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いエッチングした。これにより、所定の形状にパターニングされた画素電極を着色層上に作成した。なお、画素電極は、スルーホールにより画素配線と電気的接続がなされている。
【００５７】
次いで、画素電極が形成されている面に、遮光膜形成用の黒色感光性樹脂組成物を塗布し、裏露光セルフアライメントによって遮光膜を形成した。
【００５８】
続いて、ＴＦＴ素子側に、黒色感光性樹脂組成物を塗布し、ＴＦＴ素子側からマスクを介して露光することにより、ＴＦＴ素子上に遮光膜および柱状スぺーサーを形成し、柱状スペーサーを有する液晶表示装置用電極基板を得た。
【００５９】
（液晶表示装置の作成）
得られた上記の柱状スペーサーを有する液晶表示装置用電極基板上の、表示画面の周辺枠部のシール部に、エポキシ系接着剤を液晶注入口を残して塗布し、一方、ガラス基板上の表示画面にあたる部分の全面にＩＴＯの透明電極を形成した基板とを対向させ位置合わせをして圧着し両基板を接着した。この際、柱状スぺーサの働きにより両基板間の間隙は一定に保たれる。
【００６０】
次いで、個別の表示画面ごとに両基板のガラスをスクライブして切り出し、それぞれに液晶注入口から、この液晶表示装置の仕様に適した組成に調製された液晶組成物を注入し、注入口を封止して、カラー液晶表示装置を作成した。この後、各種配線および制御回路の実装、バックライトの取り付けなどを行って液晶表示パネルを完成する。
【００６１】
なお、本発明の形態は、上記実施例に限定されるものでなく、転写やパターニングの方式は、熱圧着硬化、ＥＢ（電子ビーム）硬化、電子線硬化など種々のものが考えられ、使用する材料、膜厚、着色層やＴＦＴ素子の構造等種々の条件も変更できることは言うまでもない。
【００６２】
【発明の効果】
本発明は、薄膜トランジスタ素子形成電極基板の補助容量部上の保護膜に画素配線を露出させるように形成するスルーホールの位置に対応するように、転写シート上に柱状部を形成し、着色層の転写の際には、感光性接着剤層を介して前記電極基板のスルーホール部位に転写シート上の柱状部を嵌入させて圧着することで接着剤層の厚みを規整し、接着剤層の厚さのバラツキを０．０５μｍ以下に抑えることができた。それによって、転写された着色層の表面が平坦になり、液晶表示装置の液晶層の間隙幅が一定になるため、液晶の配向不良が抑制される。
これにより今後、応答速度の速い液晶表示装置、あるいは高品位液晶表示装置にも表示性能上の不具合を起こすこと無く対応できるので、実用上優れているといえる。
【００６３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によって製造された液晶表示装置用電極基板の断面の一部分を模式的に示した説明図である。
【図２】本発明の方法によって製造された液晶表示装置用電極基板を用いた本発明の液晶表示装置の断面の一部分を模式的に示した説明図の一例である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法において使用する転写シートの説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による液晶表示装置用電極基板の製造方法を示す説明図である。
【図１６】従来の転写シートの断面の一例を模式的に示した説明図である。
【図１７】図１６の転写シートをロール状に巻いたものの断面の一部分を模式的に示した説明図である。
【図１８】本発明の転写シートの断面の一例を模式的に示した説明図である。
【図１９】本発明の転写シートをロール状に巻いたものの断面の一部分を模式的に示した説明図である。
【符号の説明】
１・・・液晶表示装置用電極基板
２・・・電極基板
３・・・液晶
４・・・液晶表示装置
５・・・薄膜トランジスト素子側電極基板
１１、２１・・・透明基板
１２・・・ＴＦＴ素子
１３、４９・・・保護膜
１４・・・着色層
１５・・・接着剤層
１６、２３・・・配向膜
１７・・・柱状スペーサ
１８・・・画素電極
１９・・・絶縁膜
２２、２８・・・透明導電膜
２５・・・従来の転写シート
２６・・・支持シート
２７・・・遮光膜
３０・・・本発明の転写シート
３１・・・４２合金
３２・・・剥離層
３３・・・柱状部
３７・・・黒色感光性樹脂組成物
４０・・・ＴＦＴ素子形成電極基板
４１・・・ゲート配線
４２・・・ソース配線
４３・・・画素配線
４４・・・補助容量部
４５・・・ゲート電極
４６・・・ソース電極
４７・・・シリコン
４８・・・ドレイン電極
５１・・・スルーホール
８１、８２・・・紫外線
Ｒ・・・・赤色
Ｇ・・・・緑色
Ｂ・・・・青色
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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