(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている配線および遮光膜を形成し、
前記配線において、前記第４の導電膜を除去し、
前記配線および前記遮光膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記遮光膜を露出させる開口部と、前記配線に達するコンタクトホールとを形成し、
前記層間絶縁膜、前記絶縁膜、および前記配線上に画素電極を形成する工程を含む半導体装置の作製方法。
【請求項２】
チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている配線および遮光膜を形成し、
前記配線および前記遮光膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記遮光膜を露出させる開口部と、前記配線に達するコンタクトホールとを形成し、
前記配線において、前記第４の導電膜を除去し、
前記層間絶縁膜、前記絶縁膜、および前記配線上に画素電極を形成する工程を含む半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第９の工程と、
チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記配線において、前記第４の導電膜を除去する第１２の工程と、
第３層間絶縁膜を形成する第１３の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記配線に達するコンタクトホールとを形成する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第９の工程と、
チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
第３層間絶縁膜を形成する第１２の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記配線に達するコンタクトホールとを形成する第１３の工程と、
前記配線において、前記第４の導電膜を除去する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板に遮光性を有する導電膜を成膜してパターニングすることで、ゲート線およびソース線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線および前記ソース線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールと、前記ソース線に達するコンタクトホールとを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極と、保持容量とを形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極、前記保持容量および前記ソース線上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールと、前記保持容量に達するコンタクトホールと、前記ソース線に達するコンタクトホールとを形成する第９の工程と、
前記第２層間絶縁膜上に、チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている第１の配線、第２の配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１の配線および前記第２の配線において、前記第４の導電膜を除去する第１２の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜上に、第３層間絶縁膜を形成する第１３の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記第１の配線に達するコンタクトホールとを形成する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記第１の配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有し、
前記第１０の工程において、前記第１の配線は、前記保持容量と電気的に接続しており、前記第２の配線は、前記ソース線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板に遮光性を有する導電膜を成膜してパターニングすることで、ゲート線およびソース線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線および前記ソース線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールと、前記ソース線に達するコンタクトホールとを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極と、保持容量とを形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極、前記保持容量および前記ソース線上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールと、前記保持容量に達するコンタクトホールと、前記ソース線に達するコンタクトホールとを形成する第９の工程と、
前記第２層間絶縁膜上に、チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている第１の配線、第２の配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜上に、第３層間絶縁膜を形成する第１２の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記第１の配線に達するコンタクトホールとを形成する第１３の工程と、
前記第１の配線および前記第２の配線において、前記第４の導電膜を除去する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記第１の配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有し、
前記第１０の工程において、前記第１の配線は、前記保持容量と電気的に接続しており、前記第２の配線は、前記ソース線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板に遮光性を有する導電膜を成膜してパターニングすることで、ゲート線および第１のソース線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線および前記第１のソース線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールと、前記第１のソース線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極と、保持容量と、前記第１のソース線と接続された第２のソース線とを形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極、前記保持容量および前記第２のソース線上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールと、前記保持容量に達するコンタクトホールと、前記第２のソース線に達するコンタクトホールとを形成する第９の工程と、
前記第２層間絶縁膜上に、チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている第１の配線、第２の配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１の配線および第２の配線において、前記第４の導電膜を除去する第１２の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜上に、第３層間絶縁膜を形成する第１３の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記第１の配線に達するコンタクトホールとを形成する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記第１の配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有し、
前記第１０の工程において、前記第１の配線は、前記保持容量と電気的に接続しており、前記第２の配線は、前記第２のソース線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板に遮光性を有する導電膜を成膜してパターニングすることで、ゲート線および第１のソース線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線および前記第１のソース線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に、前記ゲート線に達するコンタクトホールと、前記第１のソース線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート線と接続されたゲート電極と、保持容量と、前記第１のソース線と接続された第２のソース線とを形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極、前記保持容量および前記第２のソース線上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールと、前記保持容量に達するコンタクトホールと、前記第２のソース線に達するコンタクトホールとを形成する第９の工程と、
前記第２層間絶縁膜上に、チタンを主成分とする第１の導電膜を成膜し、前記第１の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第２の導電膜を成膜し、前記第２の導電膜上にチタンを主成分とする第３の導電膜を成膜し、前記第３の導電膜上にアルミニウムを主成分とする第４の導電膜を成膜することで積層されている第１の配線、第２の配線および遮光膜を形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に陽極酸化法を用いて絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜上に、第３層間絶縁膜を形成する第１２の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記絶縁膜を露出させる開口部と、前記第１の配線に達するコンタクトホールとを形成する第１３の工程と、
前記第１の配線および第２の配線において、前記第４の導電膜を除去する第１４の工程と、
前記絶縁膜、前記第３層間絶縁膜、および前記第１の配線上に画素電極を形成する第１５の工程と、を有し、
前記第１０の工程において、前記第１の配線は、前記保持容量と電気的に接続しており、前記第２の配線は、前記第２のソース線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記配線と前記遮光膜は同一工程で同一材料から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁体表面に形成された半導体膜を活性層として作製した半導体装置およびその作製方法に関する。なお、本明細書において、半導体装置とは、トランジスタ、特に電界効果型トランジスタ、代表的にはＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタや薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下、ＴＦＴとする）といった装置を指し、該半導体装置を用いて作製された回路を駆動回路や画素部に有する液晶表示装置、該液晶表示装置を表示部に用いた電気器具もその範疇に含まれるものとする。
【０００２】
【従来技術】
近年、同一基板上に駆動回路と画素部とが形成されたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の開発が活発に進められてきている。なかでも、小型の液晶パネル（以下、液晶表示装置という）を用いる液晶プロジェクタの普及が急速に進んでいる。パーソナルコンピュータ（ＰＣ）の画面をスクリーン上に投影することのできるプロジェクターが発表されて以来、企業のプレゼンテーションでの使用など需要が増大し続けている。また、近年では、家庭でも大画面で映像を楽しもうとする（ホームシアター）動きが盛んになり、学校の授業に使用するという計画も進行中である。使用される場が広がってくるにつれ便利性が求められるため、小型化、高輝度化、高精細化ならびに低価格化などを進めるための開発が続けられている。
【０００３】
液晶プロジェクタや電気器具の表示部に用いられるアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素部には数百万個の各画素があり、各画素にはＴＦＴが形成されており、各画素のＴＦＴには画素電極が設けられている。液晶を挟んだ対向基板側には対向電極が設けられており、液晶を誘電体とした一種のコンデンサを形成している。そして、各画素に印加する電位をＴＦＴのスイッチング機能により制御して、このコンデンサへの電荷を制御することで液晶を駆動して透過光量を制御して画像を表示する仕組みになっている。
【０００４】
このコンデンサはリーク電流により次第にその容量が減少するため、透過光量が変化して画像表示のコントラストを低下させる原因となっていた。そこで、従来では容量配線を設けて、液晶を誘電体とするコンデンサとは別のコンデンサ（保持容量）を並列に設けてあった。この保持容量は、液晶を誘電体とするコンデンサが損失する容量を補う働きをしている。
【０００５】
しかし、画素部に容量配線を用いた保持容量を形成して十分な容量を確保しようとすると、開口率を犠牲にしなければならなかった。特に、液晶プロジェクタに用いられるような小型の高精細な液晶表示装置では、一個当たりの画素面積も小さいため、容量配線による開口率の低下は問題となっていた。
【０００６】
そこで、特許第２９２４５０６号では、開口率を犠牲にすることなく保持容量を形成し、光もれを遮断することができる構造として、ソース電極およびドレイン電極の形成後、層間膜を形成し、該層間膜上にアルミニウムからなる遮光膜を形成し、遮光膜を陽極酸化して遮光膜の上面および側面にＡｌ2Ｏ3からなる陽極酸化膜を形成し、その上に透明画素電極を形成して、遮光膜／Ａｌ2Ｏ3膜／透明画素電極からなる保持容量を有する画素構造を開示している。
【０００７】
しかし、透過型液晶表示装置の基板のＴＦＴが形成されていない面（以下、基板裏面という）側からの光や、上面から入射した光が基板中を乱反射した光によって、光リーク電流が増えてしまいオフ電流が高くなってしまう。リーク電流が高くなれば、補償するための保持容量を大きくしなければならず、開口率の問題を考えると、活性層の下側にも遮光膜を形成する必要があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
今後、画素サイズの縮小化は、液晶表示装置の小型化と同時に高精細化が求められる限り続くことが十分予想される。例えば対角０．９インチ小型の液晶表示装置で、ＸＧＡ（１０２４×７６８画素）という高精細な表示を実現するためには、画素のひとつひとつのサイズが、１８μｍ×１８μｍという極めて小さな面積となっている。
【０００９】
現在、高輝度化のためには開口率をあげ、また高精細化のためには画素数を増やして対応してきているが、画素サイズが小型化し続けるなかで、開口率の向上および画素数の向上を同時に満たすような画素構造の設計をすることは、極めて難しい問題である。遮光膜を形成し、さらに開口率の向上および画素数の向上を同時に満たすような画素構造を実現しようとすれば、当然工程数が増え、工程も複雑になるため、歩留まりが悪くなり液晶表示装置の製造コストがあがってしまうという問題があった。
【００１０】
本発明はこのような画素構造に関する課題を解決するための技術であり、ＴＦＴと保持容量の構成に関し、従来技術より工程数を増加することなく、開口率が高く高精細な表示を行うことができ、さらに、信頼性の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現することを課題としている。また、十数μｍ角という非常に小さな画素サイズで設計された液晶表示装置および該液晶表示装置を表示部に用いた電気器具においても明るい高精細な画像表示を実現することを課題とする。
【００１１】
また、配線にアルミニウムからなる導電膜を用い、画素電極にＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物）を用いるとコンタクト抵抗が高くなってしまうという問題点が残っていた。本発明はコンタクト抵抗を低くし、信頼性の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現することを課題としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記の課題を解決するために、ソース線とＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴと画素電極とを電気的に接続する配線と同一の面上に遮光膜を形成し、該遮光膜上に絶縁膜を形成した後、有機絶縁膜を用いて層間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜に絶縁膜および配線に達するコンタクトホールを形成して、画素電極を形成している。また遮光膜／絶縁膜／画素電極で保持容量を形成している。
【００１３】
また、ＴＦＴは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む活性層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を含み、ゲート電極は活性層より下層（基板側）に形成された下部遮光膜を兼ねるゲート線に接続されている。
【００１４】
また、ソース線とＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴと画素電極とを電気的に接続する配線と同一の工程で遮光膜を形成しているため、工程数を増やさなくてもよい。さらに、下部遮光膜および遮光膜を有しているため、光もれによるリーク電流の発生を防ぐことができる。
【００１５】
また、ドレイン電極部の最上層のアルミニウムからなる導電膜を除去することでコンタクト抵抗を低くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図５（Ｃ）の断面図を用いて、本発明の画素構造について説明する。
【００１７】
基板１００上に下部遮光膜としても機能するゲート線１０１が形成されている。ゲート線１０１上には下地絶縁膜１０２、半導体層１０９、ゲート絶縁膜１１０の順に形成されている。ゲート絶縁膜１１０上のゲート電極１１４はゲート線１０１と接続されている。ゲート電極１１４上には第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜が積層されており、第２層間絶縁膜上にＴＦＴ（特にチャネル形成領域）の遮光膜１２２および配線１２０、１２１が形成されている。遮光膜１２２上には酸化絶縁膜１２３が形成されている。酸化絶縁膜１２３の形成方法としては、陽極酸化法を用いればよい。次いで、ドレイン電極部の最上層のアルミニウムを除去した後、第３層間絶縁膜１２４を形成し、画素電極１２５が形成される。ここで、ドレイン電極部１２１のアルミニウムの除去と第３層間絶縁膜１２４の除去の順番を入れ替えることも可能である。
【００１８】
本発明において、遮光膜１２２がＴＦＴとソース線１１５とを電気的に接続する配線１２０およびＴＦＴと画素電極１２５とを電気的に接続する配線１２１と同一の工程において形成されている。この遮光膜１２２、該遮光膜１２２上に形成された絶縁膜１２３、該絶縁膜１２３上に形成された画素電極１２５から保持容量１２６を形成している点に特徴がある。また、画素電極１２５で遮光膜１２２および絶縁膜１２３を覆うのではなく、第３層間絶縁膜１２４を形成した後、この第３層間絶縁膜に絶縁膜１２３および配線１２１に達するコンタクトホールを形成し、画素電極１２５を形成している。従来、画素電極で遮光膜を覆う画素構造が一般的であったが、この方法では、画素電極を形成してできる段差が遮光膜の外側になるため、ラビング処理後に配向不良を起こし、光もれを起こす原因となっていた。
【００１９】
本発明で開示する画素構造は、画素電極１２５を形成した後形成される段差が、遮光膜１２２の真上に形成されるため（図５（Ｃ））、光もれを防ぐことができる。また、保持容量は前記段差の内側の絶縁膜１２３の膜厚が均一であって、容量が均一に得られる領域で形成されている。
【００２０】
また、本発明で開示する画素構造は、下部遮光膜（ゲート線）１０１を有しているため、半導体層に当たる可能性があった基板裏面側の光や、上面から入射した光が基板中を乱反射した光を遮ることができる。
【００２１】
また、本発明で開示する画素構造は、保持容量の一方の電極として用いる遮光膜１２２がＴＦＴとソース線１１５とを電気的に接続する配線１２０およびＴＦＴと画素電極１２５とを電気的に接続する配線１２１と同一の工程において形成されているため、工程数を増やさずに保持容量を形成することができる。
【００２２】
また、本発明で開示する画素構造は、絶縁膜１２３を陽極酸化法により形成する場合、遮光膜１２２は配線１２０、１２１とは接続されていないため、配線１２０、１２１に陽極酸化膜が形成されることはなく、さらに、ＴＦＴに陽極酸化時に電流が流れてしまうこともない。
【００２３】
また、本発明で開示する画素構造は、ドレイン電極部１２１の最上層のアルミニウムを除去しているので、画素電極とのコンタクト抵抗を低くすることができる。
【００２４】
【実施例】
［実施例１］
本実施例においては、本発明を用いてアクティブマトリクス基板を作製する工程について説明する。なお、本明細書において、アクティブマトリクス基板とは駆動回路および画素部（ＴＦＴおよび保持容量を有する）が同一基板上に作製された基板のことをいう。
【００２５】
まず、基板（石英基板）１００の絶縁表面にポリシリコン膜およびＷＳｉx膜を積層し、これらの膜を所望の形状にパターニングして基板裏側からの光を遮光するための下部遮光膜１０１を形成する。下部遮光膜を形成する膜としては、ポリシリコン膜、ＷＳｉx（x＝２．０〜２．８）膜、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料からなる膜のいずれか一種または複数種を成膜すればよい。なお、下部遮光膜１０１は、ゲート線としての機能も果たす。本実施例では、ポリシリコン膜を下部遮光膜１０１ａとして膜厚５０ｎｍ、ＷＳｉx膜を第２下部遮光膜１０１ｂとして膜厚１００ｎｍで積層して形成した。以下では、下部遮光膜１０１をゲート線１０１と称する（図１（Ａ））。
【００２６】
次いで、ゲート線１０１を覆う下地絶縁膜１０２を形成する。下地絶縁膜１０２は、シリコンを含む絶縁膜（例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜等）をプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法などで形成する。
【００２７】
次いで、下地絶縁膜１０２上に、減圧ＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜としては、特に限定はないが、好ましくはシリコンもしくはシリコンゲルマニウム（ＳｉxＧｅ1-x：０＜ｘ＜１、代表的には、ｘ＝０．００１〜０．０５）合金などで形成するとよい。なお、本実施例では、非晶質半導体膜としてアモルファスシリコン膜１０３を膜厚６５ｎｍに形成した（図１（Ｂ））。
【００２８】
次いで、アモルファスシリコン膜１０３を結晶化する。まず、アモルファスシリコン膜１０３上にマスク１０４を形成して、アモルファスシリコン膜１０３に選択的に結晶化を促進する作用を有する触媒元素（例えばＮｉ）を含有する触媒元素含有層１０５を形成する。続いて、窒素雰囲気において６００℃（５００〜７００℃）、１２時間（４〜１２時間）の加熱処理を行って、結晶質シリコン膜１０６を形成する。なお、触媒元素含有層１０５を形成した後、アモルファスシリコン膜１０３中に含まれる水素を低減するために、４５０℃で１時間、水素出しのための加熱処理を行ってもよい。また、結晶化のための加熱処理後、結晶質シリコン膜の結晶性をさらに向上させるために、レーザー照射を行ってもよい（図１（Ｂ））。
【００２９】
続いて、結晶質シリコン膜１０６から触媒元素をゲッタリングするための加熱処理工程を行う。触媒元素は、シリコン膜中に深いエネルギー準位を形成してキャリアを捕獲し再結合してしまい、電気特性や悪影響を及ぼす。また、結晶質半導体膜中に残留した触媒元素は結晶粒界に偏析してしまい、この偏析が微弱な電流の逃げ道となりオフ電流の突発的な増加の原因になるとも考えられている。そこで、ＴＦＴの特性に悪影響を及ぼさない程度にまで、残留触媒元素の濃度を低減する必要がある。そこで、触媒元素ゲッタリング作用を有する不純物元素を選択的に結晶質シリコン膜に添加する。マスク１０７は、触媒元素含有層１０５を形成する工程で用いたマスク１０４を除去せずに用いている。続いて、不純物元素を添加してゲッタリング領域１０８を形成する。なお、本実施例ではゲッタリング作用を有する不純物元素として周期表の１５族に属する元素、代表的にはリン（Ｐ）を添加した。この後、７００℃（６００〜８００℃）で１２時間の加熱処理を行って結晶質シリコン膜１０５中の触媒元素（Ｎｉ）をゲッタリング領域１０８に捕獲させる。ゲッタリングのための加熱処理工程が終了したら、ゲッタリング領域１０８は除去する。なお、上記した半導体膜の結晶化のためおよび触媒元素のゲッタリングのための加熱処理はロータリーポンプやメカニカルブースターポンプにより排気を行った減圧雰囲気（圧力１．３３〜１３３Ｐａ）において行うことが好ましい（図１（Ｃ））。
【００３０】
次いで、結晶質シリコン膜１０６の結晶性を向上させるための加熱処理を行う。減圧ＣＶＤ装置により２０ｎｍ厚の酸化シリコン膜（図示せず）を成膜し、９５０℃で加熱酸化処理を行う。この処理により、結晶質シリコン膜上に結晶質シリコン膜が酸化されて形成された膜（熱酸化膜）が形成される。以上の加熱処理により結晶質シリコン膜は、膜厚３５ｎｍ程度になる。この結晶質シリコン膜を所望の形状にパターニングして、後のＴＦＴの活性層となる半導体層１０９を形成する。
【００３１】
次いで、半導体層１０９を覆うゲート絶縁膜１１０を形成する（図１（Ｄ））。続いて、ゲート絶縁膜１１０を介してｐ型を付与する不純物元素（以下、ｐ型不純物元素とする）を添加する。ｐ型不純物元素としては、代表的に周期表の１３族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程（チャネルドープ工程という）はＴＦＴのしきい値電圧を制御するための工程である。この工程により、後のＴＦＴの活性層となる半導体層１０９に１×１０15〜１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には、５×１０16〜５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）の濃度でｐ型不純物元素が添加される。
【００３２】
次いで、レジストからなるマスクを形成し、ｎ型不純物元素（本実施例では、リン）を添加して、高濃度にリンを含む不純物領域１１１を形成する。この領域には、リンが１×１０20〜５×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には２×１０20〜１×１０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度が含まれるようにする。
【００３３】
続いて、下地絶縁膜にゲート線１０１に達するコンタクトホールを形成する。その後、ゲート電極となる導電膜を形成する。なお、ゲート電極は、単層の導電膜で形成してもよいが、必要に応じて２層、３層といった積層膜とすることが好ましい。本実施例では、導電膜（Ａ）１１２および導電膜（Ｂ）１１３からなる積層膜を形成する（図２（Ａ））。
【００３４】
本実施例では、導電膜（Ａ）１１２としてＴａＮ膜、導電膜（Ｂ）１１３としてＷ膜を用いるが、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする導電膜（代表的には、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜等）、または前記元素を組み合わせた合金膜（代表的にはＭｏ−Ｗ合金膜、Ｍｏ−Ｔａ合金膜、タングステンシリサイド膜等）を用いることができる。なお、導電膜（Ａ）１１２は、１０〜５０ｎｍ（好ましくは、２０〜３０ｎｍ）とし、導電膜（Ｂ）１１３は２００〜４００ｎｍ（好ましくは、２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで成膜すればよい。その後、導電膜（Ａ）１１２および導電膜（Ｂ）１１３を所望の形状にパターニングして、ゲート電極１１４、ソース線１１５および容量電極１１６を形成する（図２（Ｂ））。
【００３５】
次いで、ゲート電極１１４をマスクとして用いて、ｎ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素とする）を後のＴＦＴの活性層となる半導体層に添加する。ｎ型不純物元素としては、周期表の１５族に属する元素、典型的にはリンまたはヒ素を用いることができる。このｎ型不純物元素が添加された領域は、ＬＤＤ領域１１７として機能させるための低濃度不純物領域であり、ｎ型不純物元素が１×１０16〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（代表的には、１×１０17〜５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）の濃度で含まれている。
【００３６】
次いで、後のｎチャネル型ＴＦＴとなる領域をマスクで覆い、後のｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層にｐ型不純物元素としてボロンを３×１０20〜３×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、代表的には５×１０20〜１×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度が含まれるように添加する（図示せず）。
【００３７】
次に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜を５０〜５００ｎｍ、代表的には２００〜３００ｎｍの厚さで形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法で、２００ｎｍ厚の窒化酸化シリコン膜を形成した（図２（Ｂ））。
【００３８】
その後、それぞれの半導体層にそれぞれの濃度で添加されたｎ型およびｐ型の不純物元素を活性化するための加熱処理を行った。この工程は、電気炉を用いたアニール法、レーザーアニール法、ランプアニール法またはそれらを併用して行うことができる。電気炉を用いたアニール法を行う場合は、不活性ガス雰囲気中において、５５０〜１０００℃で行えばよい。本実施例では、９５０℃、３０分の加熱処理を行い、不純物元素の活性化を行う。
【００３９】
なお、本実施例でゲート電極として用いている導電膜は、非常に酸化されやすく、酸化すると抵抗率が上がってしまうという問題があった。そこで、本実施形態における活性化のための加熱処理は、ロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプにより排気を行って雰囲気中の酸素濃度を低減し、減圧の雰囲気下で加熱処理を行うことが好ましい。
【００４０】
次いで、熱的に励起された水素により活性層中のダングリングボンドを終端する水素化のため、水素雰囲気中で、４１０℃で１時間の加熱処理を行う。水素化の他の手段として、プラズマにより励起された水素を用いるプラズマ水素化を行ってもよい。
【００４１】
なお、第２層間絶縁膜１１９を無機絶縁膜を用いて形成する場合には、水素化のための加熱処理は、保持容量の誘電体となる絶縁膜を形成した後に行ってもよい。
【００４２】
次いで、第２層間絶縁膜１１９を膜厚５００〜１０００ｎｍ（本実施例では８００ｎｍ）に形成する。第２層間絶縁膜としては、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機絶縁膜、もしくは、酸化窒化シリコン膜もしくは窒化酸化シリコン膜といった無機絶縁膜を用いればよい。
【００４３】
続いて、半導体層１０９に達するコンタクトホールをゲート絶縁膜１１０、第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９に、ソース線１１５および容量電極１１６に達するコンタクトホールを第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９に形成する。次いで、それぞれのＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴ（チャネル形成領域）を遮光するための遮光膜を形成するために導電膜を形成し、所望の形状にパターニングして配線１２０、１２１および上部遮光膜１２２を形成する（図２（Ｃ）及び図４）。配線材料としては、チタン（Ｔｉ）を主成分とする導電膜を膜厚５０〜１００ｎｍに成膜した後、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜を膜厚３００〜５００ｎｍに成膜し、その上にチタン（Ｔｉ）を主成分とする導電膜を膜厚５０〜１００ｎｍに成膜した後、さらにアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜を膜厚５０〜１００ｎｍに成膜する積層構造とした（図３（Ａ））。ここで、Ｔｉを主成分とする導電膜＼アルミニウムを主成分とする導電膜の２層構造としても良いが、後工程でアルミニウムを主成分とする導電膜を除去した際、周辺回路部の配線層がチタンを主成分とする導電膜単層となりアルミニウムに比べて高抵抗化してしまう。なお、配線および遮光膜を形成するための導電膜としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする膜、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜またはチタン（Ｔｉ）を主成分とする膜のいずれかを積層させて形成すればよい。
【００４４】
次に、遮光膜１２２の表面に陽極酸化法またはプラズマ酸化法（本実施例では陽極酸化法）により２０〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜５０ｎｍ）の厚さの酸化膜１２３を形成する。本実施例では遮光膜１２２としてチタンを主成分とする膜とアルミニウムを主成分とする膜とを積層して用いており、最上層にあるアルミニウムを主成分とする膜が陽極酸化され、陽極酸化絶縁膜１２３として酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）が形成される。この酸化絶縁膜１２３を保持容量の誘電体として用いる。なお、タンタル（Ｔａ）またはチタン（Ｔｉ）を陽極酸化して得られる酸化絶縁膜も誘電率が高いため、保持容量の誘電体として好適に用いることができる（図５（Ａ））。
【００４５】
この陽極酸化処理に際して、まず十分にアルカリイオン濃度の小さい酒石酸エチレングリコール溶液を作製する。これは１５％の酒石酸アンモニウム水溶液とエチレングリコールとを２：８で混合した溶液であり、これにアンモニア水を加え、ｐＨが７±０．５となるように調節する。そして、この溶液中に陰極となる白金電極を設け、遮光膜１２２が形成されている基板を溶液に浸し、遮光膜１２２を陽極として、一定（数ｍＡ〜数十ｍＡ）の直流電流を流す。本実施例では１枚の基板に２００ｍＡの電流を流した。
【００４６】
溶液中の陰極と陽極との間の電圧は陽極酸化物の成長に従い時間と共に変化するが、定電流のまま一定の昇圧レートで電圧を上昇させて、到達電圧４５Ｖに達したところで陽極酸化処理を終了させる。このようにして遮光膜１２２の表面には厚さ約５０ｎｍの陽極酸化絶縁膜１２３を形成することができる。なお、ここで示した陽極酸化法に係わる数値は一例にすぎず、作製する素子の大きさ等によって当然最適値は変化しうるものである。
【００４７】
なお、この陽極酸化工程で陽極酸化されるのは、遮光膜１２２だけである。配線１２０、１２１は遮光膜１２２と接続していないため、陽極酸化膜が形成されることはない。また、陽極酸化の際にＴＦＴに電流が流れることもないためＴＦＴの劣化を防ぐことができる。
【００４８】
また、ここでは陽極酸化法を用いて遮光膜表面のみに絶縁膜を設ける構成としたが、絶縁膜をプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法またはスパッタ法などの気相法によって形成しても良い。また、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜、酸化タンタル膜または有機絶縁膜を用いても良い。さらに、これらを組み合わせた積層膜を用いても良い。
【００４９】
酸化絶縁膜１２３を形成した後、積層構造となっている配線１２０、１２１の４層目のアルミニウムを主成分とする導電膜を除去する（図３（Ａ））。アルミニウムを主成分とする導電膜の除去には、混酸アルミ液（和光純薬工業株式会社製、硝酸：２．０％、酢酸：９．８％、リン酸：７２．３％含有）を用いることができる。
【００５０】
本実施例における陽極酸化法の条件で、アルミニウム膜に陽極酸化膜を形成すると膜厚約５０ｎｍのＡｌＯx膜が形成された。後のアルミニウム膜除去の際、１０〜２０ｎｍ程度ＡｌＯx膜はエッチングされる。このＡｌＯx膜上に２００μｍ×１７００μｍのＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物）を形成し、Ａｌ−ＡｌＯx膜−ＩＴＯ膜間に５Ｖの電圧をかけたところ、１．３×１０-11Ａの微少なリーク電流が測定された（図６）。
【００５１】
次いで、第３層間絶縁膜１２４を形成する。第３層間絶縁膜１２４は、平坦化する必要があるため、ポリイミド、アクリルといった有機絶縁膜を用いて膜厚１．５μｍに形成する。続いて、保持容量となる領域の層間絶縁膜はエッチングして除去し、酸化絶縁膜１２３を露出させる。また、同一の工程において第３層間絶縁膜１２４にドレイン配線１２１に達するコンタクトホールを形成し（図５（Ｂ））、画素電極１２５を形成する（図５（Ｃ））。画素電極１２５は、一部の領域で酸化絶縁膜１２３に接し、遮光膜１２２を下部電極、陽極酸化膜１２３を誘電体、画素電極１２５を上部電極とした第１保持容量１２６が形成される。本実施例では、透過型の液晶表示装置とするために、ＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物）を用いて、膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜する。なお、第２保持容量１２７は、半導体層１０９、ゲート絶縁膜１１０および容量電極１１６からなる。
【００５２】
本実施例を用いると、配線部分の最上層のアルミニウムを主成分とする導電層を除去しないものに比べてコンタクト抵抗が５〜６桁低いアクティブマトリクス基板を作成することが出来る。また、こうして形成されたアクティブマトリクス基板に液晶層を配向させる配向膜を形成し、公知のセル組み技術を用いて対向電極および配向膜が形成された対向基板およびアクティブマトリクス基板を貼り合わせた後、液晶を注入し封止することでアクティブマトリクス型液晶表示装置を完成することができる。
【００５３】
［実施例２］
本実施例においては、本発明を用いてアクティブマトリクス基板を作製する工程について説明する（図７）。
【００５４】
第２層間絶縁膜１１９の形成までは、実施例１と同様にすればよい。
【００５５】
続いて、半導体層１０９に達するコンタクトホールをゲート絶縁膜１１０、第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９に、ソース線１１５および容量電極１１６に達するコンタクトホールを第１層間絶縁膜１１８および第２層間絶縁膜１１９に形成する。次いで、それぞれのＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴ（チャネル形成領域）を遮光するための遮光膜を形成するために導電膜を形成し、所望の形状にパターニングして配線１２８、１２９および上部遮光膜１３０を形成する。配線材料としては、チタン（Ｔｉ）を主成分とする導電膜を膜厚５０〜１００ｎｍに成膜した後、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜を膜厚３００〜５００ｎｍに成膜する積層構造とした。なお、配線および遮光膜を形成するための導電膜としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする膜、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜またはチタン（Ｔｉ）を主成分とする膜のいずれかを積層させて形成すればよい（図３（Ｂ）および図７（Ａ））。
【００５６】
次に、遮光膜１３０の表面に陽極酸化法またはプラズマ酸化法（本実施例では陽極酸化法）により２０〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜５０ｎｍ）の厚さの酸化膜１３１を形成する。本実施例では遮光膜１３０としてチタンを主成分とする膜とアルミニウムを主成分とする膜とを積層して用いており、最上層にあるアルミニウムを主成分とする膜が陽極酸化され、陽極酸化絶縁膜１３１として酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）が形成される。この酸化絶縁膜１３１を保持容量の誘電体として用いる。なお、タンタル（Ｔａ）またはチタン（Ｔｉ）を陽極酸化して得られる酸化絶縁膜も誘電率が高いため、保持容量の誘電体として好適に用いることができる（図７（Ａ））。
【００５７】
なお、この陽極酸化工程で陽極酸化されるのは、遮光膜１３０だけである。配線１２８、１２９は遮光膜１３０と接続していないため、陽極酸化膜が形成されることはない。また、陽極酸化の際にＴＦＴに電流が流れることもないためＴＦＴの劣化を防ぐことができる。
【００５８】
次いで、第３層間絶縁膜１３２を形成する。第３層間絶縁膜１３２は、平坦化する必要があるため、ポリイミド、アクリルといった有機絶縁膜を用いて形成する。続いて、第３層間絶縁膜１３２をエッチングし、遮光膜１３０および配線１２９の一部を露出させる（図７（Ｂ））。
【００５９】
次いで、積層構造となっているドレイン配線１２９の２層目のアルミニウムを主成分とする導電膜を除去する（図３（Ｂ））。本実施例ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＢＣｌ3とＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比を４０／４０ｓｃｃｍとし、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ電力、及び基板側に１００ＷのＲＦ電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。
【００６０】
次いで、画素電極１３３を形成する（図７（Ｃ））。画素電極１３３は、一部酸化絶縁膜１３１に接するように形成される。本実施例では、透過型の液晶表示装置とするために、ＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物）を用いて、膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜する。ここまでの工程により、遮光膜１３０を下部電極、陽極酸化膜１３１を誘電体、画素電極１３３を上部電極とした保持容量１３４が形成される。
【００６１】
本実施例を用いると、配線部分の最上層のアルミニウムを主成分とする導電層を除去しないものに比べてコンタクト抵抗が５〜６桁低いアクティブマトリクス基板を作成することが出来る。また、こうして形成されたアクティブマトリクス基板に液晶層を配向させる配向膜を形成し、公知のセル組み技術を用いて対向電極および配向膜が形成された対向基板およびアクティブマトリクス基板を貼り合わせた後、液晶を注入し封止することでアクティブマトリクス型液晶表示装置を完成することができる。
【００６２】
［実施例３］
本実施例においては、本発明を用いてアクティブマトリクス基板を作製する工程について説明する（図８）。
【００６３】
第３層間絶縁膜１３２の形成までは、実施例２と同様にすればよい。
【００６４】
続いて、保持容量となる領域の層間絶縁膜１３２はエッチングして除去し、酸化絶縁膜１３１を露出させる。また、同一の工程において第３層間絶縁膜１３２にドレイン配線１３５の線幅より大きいコンタクトホールを形成する（図３（Ｃ））および図８（Ａ））。これにより、画素電極１３６の断線を防ぐことが出来る。
【００６５】
次いで、積層構造となっているドレイン配線１３５の２層目のアルミニウムを主成分とする導電膜を除去する（図３（Ｃ））。アルミニウムを主成分とする導電膜の除去には、混酸アルミ液（和光純薬工業株式会社製、硝酸：２．０％、酢酸：９．８％、リン酸：７２．３％含有）を用いることができる。
【００６６】
次いで、画素電極１３６を形成する（図８（Ｂ））。画素電極１３６は、一部の領域で酸化絶縁膜１３１に接し、遮光膜１３０を下部電極、陽極酸化膜１３１を誘電体、画素電極１３６を上部電極とした第１保持容量１３７が形成される。本実施例では、透過型の液晶表示装置とするために、ＩＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物）を用いて、膜厚１００ｎｍでスパッタ法により成膜する。なお、第２保持容量１２７は、半導体層１０９、ゲート絶縁膜１１０および容量電極１１６からなる。
【００６７】
本実施例を用いると、配線部分の最上層のアルミニウムを主成分とする導電層を除去しないものに比べてコンタクト抵抗が７〜８桁低いアクティブマトリクス基板を作成することが出来る。また、こうして形成されたアクティブマトリクス基板に液晶層を配向させる配向膜を形成し、公知のセル組み技術を用いて対向電極および配向膜が形成された対向基板およびアクティブマトリクス基板を貼り合わせた後、液晶を注入し封止することでアクティブマトリクス型液晶表示装置を完成することができる。
【００６８】
［実施例４］
実施例１で作製されたアクティブマトリクス基板を用いて作製されたアクティブマトリクス型液晶表示装置の一例について説明する。
【００６９】
図９において、アクティブマトリクス基板は基板１００上に形成された画素部と駆動回路とその他の信号処理回路とで構成される。画素部にはＴＦＴ（画素ＴＦＴともいう）と保持容量とが設けられ、画素部の周辺に設けられる駆動回路はＣＭＯＳ回路を基本として構成されている。
【００７０】
遮光膜１２２は、ゲート線１０１の上方にゲート線１０１と平行な方向に設けられ、保持容量の下部電極として機能している。ソース線１１５は、ゲート線１０１と垂直な方向に設けられている。
【００７１】
駆動回路からは、それぞれゲート線１０１、ソース線１１５が画素部に延在し、画素ＴＦＴに接続している。また、フレキシブルプリント配線板（Flexible Printed Circuit :ＦＰＣ）２０１が外部入力端子２０２に接続していて画像信号などを入力するのに用いる。ＦＰＣ２０１は補強樹脂によって強固に接着されており、接続配線で、それぞれの駆動回路に接続している。また、対向基板２００には図示していないが、透明対向電極が設けられている。
【００７２】
［実施例５］
本実施例では、実施例１と異なる構造の画素部について、図を用いて説明する。なお、基本的な構造は、図５（Ｃ）に示した画素部と同一構造であるので、相違点のみを説明する（図１０及び図１１）。
【００７３】
まず、基板（石英基板）３００の絶縁表面にポリシリコン膜およびＷＳｉx膜を積層し、これらの膜を所望の形状にパターニングして基板裏側からの光を遮光するための下部遮光膜３０１、３０２を形成する。以下では、下部遮光膜３０１をゲート線３０１と、下部遮光膜３０２をソース線３０２称する。
【００７４】
実施例１に従って、ゲート絶縁膜を形成する工程まで行う。次いで、ソース線３０２に達するコンタクトホールを下地膜１０２とゲート絶縁膜１１０に形成する。次いで、導電膜を形成し所望の形状にパターニングして、ゲート電極１１４、ソース線１３８および容量電極１１６を形成する。
【００７５】
以降、実施例１に従って、アクティブマトリクス基板が完成する。
【００７６】
本実施例のような画素部の構造にすることで、開口率を高めることが可能となる。
【００７７】
［実施例６］
本発明を実施して形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置をプロジェクタに用いた例を図１２に示す。
【００７８】
図１２（Ａ）はフロント型プロジェクタであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。
【００７９】
図１２（Ｂ）はプロジェクタであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。
【００８０】
なお、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶表示装置２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１２（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【００８１】
また、図１２（Ｄ）は、図１２（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１２（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【００８２】
ただし、図１２に示したプロジェクタにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の液晶表示装置の適用例は図示していない。
【００８３】
本発明を用いて作製された液晶表示装置は、他の電気器具の表示部に組み込んで用いることもできる。電気器具の例として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１３及び図１４に示す。
【００８４】
図１３（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【００８５】
図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【００８６】
図１３（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【００８７】
図１３（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【００８８】
図１３（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【００８９】
図１３（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【００９０】
図１４（Ａ）は携帯電話であり、３００１は表示用パネル、３００２は操作用パネルである。表示用パネル３００１と操作用パネル３００２とは接続部３００３において接続されている。接続部３００３における、表示用パネル３００１の表示部３００４が設けられている面と操作用パネル３００２の操作キー３００６が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。さらに、音声出力部３００５、操作キー３００６、電源スイッチ３００７、音声入力部３００８を有している。
【００９１】
図１４（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【００９２】
図１４（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【００９３】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜５を組み合わせて実現することができる。
【００９４】
【発明の効果】
本発明を用いることにより、工程数を増加することなく、十分な保持容量を有し、コンタクト抵抗が低く、開口率の高い半導体装置を作製することができる。また、非常に小さな画素サイズで設計された液晶表示装置および該液晶表示装置を表示部に用いた電気器具においても明るい高精細な画像表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の一例を示す図。
【図２】  本発明の実施の一例を示す図。
【図３】  本発明の実施の一例を示す図。
【図４】  本発明の実施の一例を示す図。
【図５】  本発明の実施の一例を示す図。
【図６】  本発明の実施の一例を示す図。
【図７】  本発明の実施の一例を示す図。
【図８】  本発明の実施の一例を示す図。
【図９】  本発明の実施の一例を示す図。
【図１０】  本発明の実施の一例を示す図。
【図１１】  本発明の実施の一例を示す図。
【図１２】  電気器具の一例を示す図。
【図１３】  電気器具の一例を示す図。
【図１４】  電気器具の一例を示す図。
【図１】
0005046445.tif 000002
【図２】
0005046445.tif 000003
【図３】
0005046445.tif 000004
【図４】
0005046445.tif 000005
【図５】
0005046445.tif 000006
【図６】
0005046445.tif 000007
【図７】
0005046445.tif 000008
【図８】
0005046445.tif 000009
【図９】
0005046445.tif 000010
【図１０】
0005046445.tif 000011
【図１１】
0005046445.tif 000012
【図１２】
0005046445.tif 000013
【図１３】
0005046445.tif 000014
【図１４】
0005046445.tif 000015