(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数の光学素子を搭載して成る光通信モジュールにおいて、
前記半導体基板には、送信光又は受信光の少なくとも一方が通過する光路溝が形成され、
前記光学素子の少なくとも１つが接着樹脂によって前記半導体基板に接着され、
前記接着樹脂は、前記半導体基板上に形成される疎水性の第１の樹脂層と；当該第１の樹脂層の上に形成される第２の樹脂層とから成り、
前記第１の樹脂層は、長鎖アルキル基を含むアクリル系樹脂からなることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
半導体基板上に複数の光学素子を搭載して成る光通信モジュールにおいて、
前記半導体基板には、送信光又は受信光の少なくとも一方が通過する光路溝が形成され、
前記光学素子の少なくとも１つが接着樹脂によって前記半導体基板に接着され、
前記接着樹脂は、前記半導体基板上に形成される疎水性の第１の樹脂層と；当該第１の樹脂層の上に形成される第２の樹脂層とから成り、
前記第１の樹脂層は、エーテル結合を含まないポリイミド樹脂からなることを特徴とする光通信モジュール。
【請求項３】
半導体基板を準備する工程と；
前記半導体基板の表面に受信用又は送信用の光が通過する光路溝を形成する工程と；
光学素子が搭載される前記半導体基板上の領域に疎水性の第１の樹脂層を形成する工程と；
前記第１の樹脂層を硬化させる工程と；
前記第１の樹脂層の上に第２の樹脂層を形成する工程と；
前記第２の樹脂層を硬化させる前に、当該樹脂層の上に前記光学素子を搭載する工程と；
前記光学素子を搭載した後に、前記第２の樹脂層を硬化させる工程とを含み、
前記第１の樹脂層は、長鎖アルキル基を含むアクリル系樹脂からなることを特徴とする光通信モジュールの製造方法。
【請求項４】
半導体基板を準備する工程と；
前記半導体基板の表面に受信用又は送信用の光が通過する光路溝を形成する工程と；
光学素子が搭載される前記半導体基板上の領域に疎水性の第１の樹脂層を形成する工程と；
前記第１の樹脂層を硬化させる工程と；
前記第１の樹脂層の上に第２の樹脂層を形成する工程と；
前記第２の樹脂層を硬化させる前に、当該樹脂層の上に前記光学素子を搭載する工程と；
前記光学素子を搭載した後に、前記第２の樹脂層を硬化させる工程とを含み、
前記第１の樹脂層は、エーテル結合を含まないポリイミド樹脂からなることを特徴とする光通信モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器として用いられる光通信モジュール及びその製造方法に関する。本発明は、特に、表面実装法を用いて基板上に送受信用の光学素子をまとめて搭載する光通信モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＴＴＨ （Fiber To The Home）を代表とする光通信ネットワークにおいては、一芯双方向の光通信方式が普及しつつある。一芯双方向の光通信方式では、局舎とユーザ間を１本の光ファイバでつなぎ、異なる波長を持つ２種類の光をそれぞれ送信信号、受信信号として双方向の通信を行なう。
【０００３】
従来の双方向光通信モジュールにおいては、送信部であるレーザモジュールと受信部であるフォトダイオードを別々にパッケージングする。そして、これらのモジュール（送信モジュール、受信モジュール）と、送信光及び受信光を分岐する波長分波器（波長フィルタ）とを一つにまとめてパッケージングする。これにより双方向通信が実現される。
【０００４】
しかしながら、このような方式においては、パッケージングされた送信モジュール及び、受信モジュールについて別々に調整（光軸調整など）する必要が有るため、製作コストが大きくなる。また、モジュール全体が大きくなり、小型化が難しいという問題があった。
【０００５】
これらの問題を解決する方法としては、特許文献１（特開２００６−１５４５３５号公報）などに記載の一芯双方向光通信モジュールが提案されている。特許文献２等に記載のモジュールにおいては、送信部と受信部、及び波長フィルタをまとめて一つの基板に搭載している。これにより、光通信モジュールの小型化、低コスト化を実現している。
【０００６】
図１は、特許文献１に開示された従来の一芯双方向光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図２は、図１の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。図１及び図２において、支持基板であるシリコン基板１００上には、実装時の素子との位置合わせに用いられるアライメントマーク１０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝１０１，１０２が異方性エッチングにより形成されている。この基板１００上に、送信用の光を放射するレーザチップ（ＬＤ）１０３、送信側レンズ１０４、受信側レンズ１０５、光信号を電気信号に変換する受光素子（ＰＤ）１０６、ガラス素子１０７、波長フィルタ１０８を搭載し、光通信モジュールを作製する。
【０００７】
次に、特許文献１に開示された光通信モジュールによる双方向通信の方法について説明する。図３は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を示す平面図である。図４は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。図３及び図４に示すように、送信時においては、ＬＤ１０３から出射される送信光１１９は、直近のレンズ２０４によってコリメートされ、波長フィルタ１０８を介した後、ボールレンズ１１４によって光ファイバ１１２に集光される。
【０００８】
受信時においては、光ファイバ１１２から出射された受信光１２０がボールレンズ１１４によって回折された後、波長フィルタ１０８の反射膜によって９０°屈折して受信側のレンズ１０５に達する。受信光１２０はレンズ１０５において回折した後、受光側のＶ溝１０２内を通過し、Ｖ溝１０２の終端面に形成された反射面（図示せず）で反射し、ガラス素子１０７を介してその上面に実装されたＰＤ１０６の受光面に到達する。
【０００９】
上記の方式による双方向の通信では、ノイズの影響を避けるために一つの基板上に実装されるＬＤ１０３とＰＤ１０６はそれぞれ電気的、光学的に分離（絶縁）されている必要がある。そのため、基板１００とＰＤ１０６との間にはガラス素子１０７を配置し、基板１００とガラス素子１０７との接着には、接着樹脂（１２２）を使用している。
【００１０】
図５〜図７は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図である。ここで、図５は接着樹脂を塗布する前の状態；図６は接着樹脂を塗布した状態；図７は接着樹脂の上に素子を搭載した状態を各々示す。
【００１１】
図５に示す状態から、まず、図６に示すように、基板１００のＶ溝１０１，１０２の周辺に接着樹脂１２２を塗布する。次に、図７に示すように、ガラス素子１０７を押し付けた状態で熱による硬化を行い、接着する。
【００１２】
図８は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図）である。図９は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図・受信側光路）である。
【００１３】
特許文献１に記載の方式によると、図８に示すように、接着樹脂１２２の塗布時に接着樹脂１２２が過剰に塗布された場合や、素子の搭載時に接着樹脂１２２の上からガラス素子１０７を押し付けることにより樹脂１２２が基板１００上を移動した場合に問題が発生する。すなわち、接着樹脂１２２がＶ溝１０２及びアライメントマーク１０９に流れ込む現象が起こる。
【００１４】
アライメントマーク１０９は、素子搭載時の画像認識工程において、基板１００上における素子搭載位置を算出するための基準座標となる。このため、接着樹脂１２２がアライメントマーク１０９に流れ込んだ場合、接着樹脂１２２が影となり、アライメントマーク１０９を正確に認識できなくなる。その結果、画像認識において認識エラーが発生し、素子搭載が出来なくなるか、あるいは素子位置ずれの原因となる。
【００１５】
また、図９に示すように、Ｖ溝１０２に流れ込んだ接着樹脂１２２はＶ溝１０２内部を埋める形で固定され、反射層１２１を覆うことになる。このため、光ファイバから届く受信光１２０の経路が接着樹脂１２２によって塞がれ、ＰＤ１０６の受光部に受信光が正常に到達できなくなり、所望の受信性能が得られなくなる。
【００１６】
ところで、半導体基板は、自然酸化膜により徐々に表面は親水性となる。あるいは、熱酸化処理を行うことにより、親水性となる。一方、光学素子の固定用として用いられる樹脂は疎水性である。このため、接着樹脂の塗布範囲の制御が難しく、歩留まり、工程時間に問題が発生していた。
【００１７】
特許文献２（特開２００４−１７９５７８号公報）の図９には、アンダーフィル材の流れを制御するために、ソルダーレジストの表面の電子部品搭載領域に対応して疎水部を形成するとともに、前記疎水部を包囲するように親水部を形成することが開示されている。
【００１８】
【特許文献１】特開２００６−１５４５３５号公報
【特許文献２】特開２００４−１７９５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであり、接着樹脂の流出による不具合を回避可能な光通信モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００２０】
本発明の他の目的は、接着樹脂の塗布範囲の制御が容易な光通信モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、半導体基板上に複数の光学素子を搭載して成る光通信モジュールにおいて、前記半導体基板には、送信光又は受信光の少なくとも一方が通過する光路溝が形成され、前記光学素子の少なくとも１つが接着樹脂によって前記半導体基板に接着される。そして、前記接着樹脂は、前記半導体基板上に形成される疎水性の第１の樹脂層と；当該第１の樹脂層の上に形成される第２の樹脂層とから成ることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の第２の態様に係る光通信モジュールの製造方法は、半導体基板を準備する工程と；前記半導体基板の表面に受信用又は送信用の光が通過する光路溝を形成する工程と；光学素子が搭載される前記半導体基板上の領域に疎水性の第１の樹脂層を形成する工程と；前記第１の樹脂層を硬化させる工程と；前記第１の樹脂層の上に第２の樹脂層を形成する工程と；前記第２の樹脂層を硬化させる前に、当該樹脂層の上に前記光学素子を搭載する工程と；前記光学素子を搭載した後に、前記第２の樹脂層を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
ここで、疎水性の第１の樹脂層は、少なくとも半導体基板表面の親水性よりも弱い親水性を有することが必要である。また、第１の樹脂層は第２の樹脂層の塗布範囲より広めに塗布することが好ましい。実際には、第２の樹脂層（接着樹脂）が塗布時又は光学素子搭載時に広がるため、最終的には第１の樹脂層と第２の樹脂層の塗布範囲は概ね等しくなる。
【発明の効果】
【００２４】
上記のような構成の本発明によれば、親水性の半導体基板表面上に疎水性の第１の樹脂層を下地として塗布することにより、その上に塗布される第２の樹脂層の不規則なはみ出しが発生せず、所望の範囲に接着樹脂を塗布することが可能となる。
【００２５】
その結果、接着樹脂がアライメントマークや光路溝に到達することを防止することができ、アライメントマークの形状が保たれ、また、光路溝内部における光路を確保することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本実施例に係る光通信モジュールは、一枚のシリコン基板２００上に送信と受信の両方の素子を一括して搭載することにより、光の双方向通信を実現する。シリコン基板２００上に光路用のＶ溝（２０２）及びアライメントマーク（２０９）の直近に小溝（２１３）を形成する。これにより、樹脂塗布時または素子固定時の過剰な樹脂や素子押し付けによる樹脂の広がりによるアライメントマーク（２０９）及びＶ溝（２０２）への流れ込みを抑制する。その結果、精密な素子搭載工程を実現し、受信光の光路を確保する構造を持つ一芯双方向光通信モジュールを得ることができる。
【００２７】
図１０は、本発明の第１実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。図１１は、図１０の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【００２８】
本実施例に係る光通信モジュールにおいては、半導体基板（２００）に送信光又は受信光の少なくとも一方が通過する光路溝（２０１，２０２）が形成され、光学素子の少なくとも１つが接着樹脂（２２２）によって半導体基板（２００）に接着される。接着樹脂（２２２）は、半導体基板２００上に形成される疎水性の第１の樹脂層（２５０）と；当該第１の樹脂層（２５０）の上に形成される第２の樹脂層（２５２）とから成る。
【００２９】
光学素子としては、送信用の光（送信光）を出力する発光素子（２０３）と；受信した光（受信光）を電気信号に変換する受光素子（２０６）と；受光素子（２０３）に導かれる受信光と発光素子（２０３）から出力される送信光とを分岐する波長フィルタ（２０８）とを含むことができる。
【００３０】
光学素子として、更には、発光素子（２０３）から出力された送信光を回折する出力用シリコンレンズ（２０４）と、受光素子（２０６）に入射する受信光を回折する入力用シリコンレンズ（２０５）とを含むことができる。入力用シリコンレンズ（２０４）は光路溝（２０１）を基準に位置決めされる。また、受光素子（２０６）は、少なくとも底面の一部が光路溝上（２０２）に配置される。
【００３１】
第１の樹脂層（２５０）としては、長鎖アルキル基を含むアクリル系樹脂や、エーテル結合を含まないポリイミド樹脂を使用することができる。第２の樹脂層（２５２）としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。
【００３２】
半導体基板２００は、ダイシングによる溝が形成されたシリコンウェハーからなる。発光素子２０３としては、レーザーダイオード（ＬＤ）を使用することができる。受光素子２０６としては、フォトダイオード（ＰＤ）を使用することができる。
【００３３】
半導体基板２００上に形成された、複数のアライメントマーク２０９と、横方向から見た断面形状がＶ字形状となるＶ溝２０１，２０２は、異方性エッチングによって形成される。
【００３４】
本実施例において、受光素子２０６は、接着樹脂２２２によって半導体基板２００に搭載されるガラス部材２０７の上に固定される。ガラス部材２０７の受光素子２０６搭載面もしくは搭載面とは反対の面には、送信光を反射する反射膜（図示せず）が形成されている。ガラス部材２０７を介して受光素子２０６を半導体基板２０２に搭載することにより、１つの半導体基板２００上に実装される発光素子２０３と受光素子２０６とが、電気的、光学的に分離（絶縁）される。
【００３５】
半導体基板２００には、当該基板２００上の位置を定める凹状の複数のアライメントマーク２０９が更に形成されている。
【００３６】
受光素子２０６は、半導体基板からなる本体部と、当該本体部の底面側（ガラス部材２０７側）に形成された受光部とを備えている。また、基板２００とガラス部材２０７との間（ガラス部材２０７の底面）には、発光素子２０３から出力された送信光等の不要な光を遮断する波長フィルタ（図示せず）が設けられている。
【００３７】
本実施例に係る光送受信モジュールは、更に、発光素子２０３から出力された送信光２１９を回折する出力用シリコンレンズ２０４と、受光素子２０６に入射する受信光２２０を回折する入力用シリコンレンズ２０５とを備えている。ここで、シリコンレンズ２０４，２０５は断面がＶ字状の光路溝２０１，２０２を基準に位置決めされる。受光素子２０６は、少なくとも底面の一部が光路溝２０２上に配置される。光路溝２０２には、入力用シリコンレンズ２０５によって回折された受信光２２０を受光素子２０６に導く反射部材（２２４）が設けられている。
【００３８】
シリコンレンズ２０４、２０５は、図１０等に示すように、角柱状の支持部に同じ厚さの円柱状のレンズ部を形成した構造となっている。そして、円柱状のレンズ部の外周が断面Ｖ字状の光路溝２０１、２０２の傾斜した内壁面に接することにより芯決めされる。
【００３９】
なお、シリコンレンズ２０４、２０５；波長フィルタ２０８；発光素子２０３；受光素子２０６；光路溝（Ｖ溝）２０１，２０２等の個々の基本的な構成については、特開２００６−１５４５３５号公報に開示されたものを採用することができる。
【００４０】
図１２は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を示す平面図である。図１３は、図１０に示す第１実施例に係る光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。本実施例の光通信モジュールによる双方向通信の方法について説明する。図１２及び図１３に示すように、送信時においては、ＬＤ２０３から出射される送信光２１９は、直近のシリコンレンズ２０４によってコリメートされる。その後、波長フィルタ２０８を介してボールレンズ２１４に入射し、光ファイバ２１２に集光される。
【００４１】
一方、受信時においては、光ファイバ２１２から出射された受信光２２０がボールレンズ２１４によって回折された後、波長フィルタ２０８の反射膜によって９０°屈折して受信側のシリコンレンズ２０５に達する。受信光２２０はシリコンレンズ２０５において回折した後、受光側の光路溝２０２内を通過し、溝２０２の終端面に形成された反射面２２４（図１７参照）に達する。溝２０２の反射面２２４で反射した光は、ガラス素子２０７を介してその上面に実装された受光素子２０６の受光面に到達する。
【００４２】
本実施例に係る光通信モジュールに使用されるシリコン基板２００の加工（製造）に際しては、先ず、基板２００上にレジストを塗布し、基板設計の図面を元に素子搭載のためのＶ溝パターン（２０１，２０２）、位置合わせ用のアライメントパターン（２０９）、フィルタ搭載面作製パターン（２４８）を露光形成する。次に、この基板２００をウェットエッチングすることにより、素子搭載のためのＶ溝２０１，２０２、位置合わせ用のアライメントマーク２０９を形成する。この時、それぞれの溝の深さはエッチングの時間とパターンの幅によって決定され、パターン幅が狭いほど深さは小さくなる。
【００４３】
次に、素子搭載用のＶ溝２０１，２０２の断面を出すためにダイシングライン２０５に沿ってダイシングを行う。その後、基板間を分離するためにダイシングライン２５２に沿ってダイシングを行い、チップを個片化する。
【００４４】
図１４〜図１８は、本実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図であり、チップを個片化した後の工程を示す。なお、接着樹脂の塗布、シリコンレンズなどの光学素子の搭載はチップを個片化する前に行うことも可能である。
【００４５】
本発明に係る光通信モジュールの製造方法は、半導体基板２００を準備する工程と；半導体基板２００の表面に受信用又は送信用の光が通過する光路溝（２０１，２０２）を形成する工程と；光学素子（２０４，２０５・・・）が搭載される半導体基板２００上の領域に疎水性の第１の樹脂層（２５０）を形成する工程と；第１の樹脂層（２５０）を硬化させる工程と；第１の樹脂層（２５０）の上に第２の樹脂層（２５２）を形成する工程と；第２の樹脂層（２５２）を硬化させる前に、当該樹脂層（２５２）の上に光学素子（２０４，２０５・・・）を搭載する工程と；光学素子（２０４，２０５・・・）を搭載した後に、第２の樹脂層（２５２）を硬化させる工程とを含む。
【００４６】
まず、図１４に示すように、半導体基板２００に光路溝２０１，２０２；アライメントマーク２０９；第１の保護溝２１３ａ；第２の保護溝２１３ｂが予め形成されている。これらの溝２０１，２０２，２０９，２１３ａ，２１３ｂは、周知のフォトリソグラフィー技術、異方性エッチングにより形成される。受信側の光路溝２０２の終端部には、反射膜２２４が形成されている。
【００４７】
次に、同図に示すように、送信側の光路溝２０１の端部に電極パッド２４０を形成し、さらにその上に発光素子２０３を接着するための半田膜２４２を形成する。その後、半田膜２４２の上に発光素子２０３を接着・搭載する。この時、発光素子２０３を表面実装機によりピックアップし、半導体基板２００上に設置されたアライメントマーク２０９から発光素子２０３の搭載座標を画像認識により算出する。その後、発光素子２０３の中心座標を同じく画像認識により算出し、両座標が一致するように表面実装機により発光素子２０３の位置を調整する。半田膜２４２を介した発光素子２０３と電極パッド２４０との接続に際しては、発光素子２０３を半田膜２４２に対して圧着した後、規定の圧力・温度(約３５０〜４００度)で熱処理を行う。
【００４８】
次に、図１５に示すように、光学素子を搭載する領域に疎水性の第１の樹脂２５０をコーティングする。第１の樹脂２５０は、例えば、スピンコートによって基板２００に塗布することができ、その後、光を照射し重合させることによって疎水性樹脂を目的の位置に固定する（硬化させる）。上述したように、第１の樹脂層２５０としては、長鎖アルキル基を含むアクリル系樹脂や、エーテル結合を含まないポリイミド樹脂を使用することができる。
【００４９】
次に、図１６に示すように、第１の樹脂層２５０の上に疎水性の第２の樹脂層（接着樹脂）２５２を塗布する。この時、疎水性樹脂は、親水性部分から遠ざかるように凝集するため所望の場所からの樹脂のはみ出しが小さくなる。なお、この時点で第２の樹脂層２５２は硬化していない。
【００５０】
続いて、各光学素子を第２の樹脂２５２の上に搭載するが、各素子を搭載する順序については、基本的に高温での熱処理が必要なものから始めて低温の処理が必要な素子という順序にすることが好ましい。また、各素子の搭載位置については事前の光学設計によって設定される。
【００５１】
図１７に示すように、発光素子２０３からの光をコリメートして出射するためのシリコンレンズ２０４を搭載する。発光素子２０３の時と同様に表面実装機によりシリコンレンズ２０４をピックアップし、基板２００上のアライメントマーク２０９との間で画像認識を行い、搭載位置の調整を行った後、シリコンレンズ２０４を圧着し、約２００度での熱処理を行い固定する。この時点でシリコンレンズ２０４下の第２の樹脂層２５２が硬化する。
【００５２】
同様に、光ファイバ２１２から入射した光を受光素子２０６に導くシリコンレンズ２０５を搭載する。発光素子側のシリコンレンズ２０４と同様に、シリコンレンズ２０５をピックアップし、アライメントマーク２０９との間で画像認識を行って搭載位置を調整した後、シリコンレンズ２０５を圧着し、約２００度での熱処理を行い固定する。この時点でシリコンレンズ２０５下の第２の樹脂層２５２が硬化する。
【００５３】
次に、受光素子２０６の搭載を行う。ガラス素子２０７と受光素子２０６との接着に際しては、まずガラス表面上に形成した電極パッドと受光素子２０６間をはんだにより接着する。この時、発光素子と基板間の接着と同様に、ガラス表面と受光素子２０６裏面のアライメントマークを用いて位置合わせを行う。受光素子２０６のガラス素子２０７上への搭載は、基板２００への実装の流れとは別に行われる。また、受光素子２０６を搭載したガラス素子２０７の基板２００上への搭載は、受光素子２０６の搭載と同様に、シリコンレンズ２０５の搭載の後、波長フィルタ２０８の搭載の前に行う。
【００５４】
次に、図１８に示すように、波長フィルタ２０８の搭載を行う。搭載の手順は、シリコンレンズ２０４，２０５及び受光素子２０６と同様である。即ち、搭載位置に樹脂２５２を塗布した後、アライメントマーク２０９とフィルタ２０８間で画像認識を行い、位置を調整した後、圧着して熱処理を行い固定する。上記のような工程を経て本実施例の一芯双方向光通信モジュールが作製される。
【００５５】
本発明の第１実施例によると、素子搭載時においても、接着樹脂２５２は光路溝２０２に流れ込むことがなく、光路溝２０２内部における受信光の光路を確保することが可能となる。
【００５６】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲に示された技術的思想の範疇において変更可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、従来の光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【図３】図３は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を示す平面図である。
【図４】図４は、図１に示す従来の光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。
【図５】図５は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図であり、接着樹脂を塗布する前の状態を示す。
【図６】図６は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図７】図７は、図１に示す従来の光通信モジュールの組み立て工程の一部を示す上面図及び側面図であり、接着樹脂の上に素子を搭載した状態を示す。
【図８】図８は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図）である。
【図９】図９は、図１に示す従来の光通信モジュールの問題点を示すための説明図（側面図・受信側光路）である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの構造を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図１０の側面Ａ（受信側）及び側面Ｂ（送信側）から観察した様子を示す側面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの光路を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの光路を、受信側と送信側に分けて示す側面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施例に係る光通信モジュールの製造工程の一部を示す上面図及び側面図である。
【符号の説明】
【００５８】
２００    半導体基板
２０１    送信側光路溝（Ｖ溝）
２０２    受信側光路溝（Ｖ溝）
２０３    発光素子（ＬＤ）
２０４    送信側シリコンレンズ
２０５    受信側シリコンレンズ
２０６    受光素子（ＰＤ）
２０８    波長フィルタ（分波器）
２０９    アライメントマーク
２５０    第１の樹脂層
２５２    第２の樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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