(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材上に、前記ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように、半導体チップを接着するのに用いられる接着シートであって、
可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、前記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び前記高分子ポリマー（Ａ２）以外のエポキシ樹脂（Ａ３）と、硬化剤（Ｂ）とを含有し、かつ、前記ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度における粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲にあり、
前記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が、アクリロニトリル骨格およびブタジエン骨格を有し、前記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）が、エポキシ基含有アクリル樹脂であり、前記エポキシ樹脂（Ａ３）が、多環式炭化水素骨格を有するエポキシ樹脂を含むことを特徴とする、接着シート。
【請求項２】
請求項１に記載の接着シートと、該接着シートの片面に直接又は間接に積層されたダイシングシートとを備えることを特徴とする、ダイシングダイボンディングテープ。
【請求項３】
非粘着基材シートをさらに備え、前記接着シートの片面に前記非粘着基材シートが積層されており、かつ前記非粘着基材シートの前記接着シートが積層された面とは反対側の面に前記ダイシングシートが積層されている、請求項２に記載のダイシングダイボンディングテープ。
【請求項４】
請求項１に記載の接着シートと、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材と、半導体チップとを用意する工程と、
前記接着シートの粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、前記支持部材の上面に、前記接着シートを前記ボンディングワイヤーの一部が前記接着シート内に埋め込まれるように積層する工程と、
前記接着シートの上面に前記半導体チップを積層する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の接着シートが下面に接合された半導体チップを用意する工程と、
ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材を用意する工程と、
前記接着シートの粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、前記支持部材の上面に、前記半導体チップを前記接着シート側から、前記ボンディングワイヤーの一部が前記接着シート内に埋め込まれるように積層する工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着シートが下面に接合された半導体チップを用意する工程が、
マザーの接着シートの片面に非粘着基材シートが積層されているダイシングダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
前記ダイシングダイボンディングテープの前記接着シートの前記非粘着基材シートが積層された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
ダイシングダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記接着シートごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
剥離力を変化させることなく、半導体チップを前記接着シートごと前記非粘着基材シートから剥離し、前記接着シートが下面に接合された半導体チップを取り出す工程とを有する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ダイシングダイボンディングテープとして、前記非粘着基材シートの前記接着シートが積層された面とは反対側の面にダイシングシートが積層されているダイシングダイボンディングテープを用いる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体チップを取り出す工程において、半導体チップと前記接着シートとの接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、半導体チップを前記接着シートごと前記非粘着基材シートから剥離する、請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材上に、ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように、半導体チップを接着するのに用いられる接着シート、該接着シートを有するダイシングダイボンディングテープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップが、接着剤層を介して積層された半導体装置が広く知られている。この種の半導体装置として、下方の半導体チップの上面に設けられた電極にボンディングワイヤーが接続されており、該ボンディングワイヤーの一部が接着剤層に埋め込まれた半導体装置が提案されている。
【０００３】
ボンディングワイヤーの一部が接着剤層に埋め込まれた半導体装置の一例として、下記の特許文献１には、ボンディングワイヤーが上面の電極に接続されている第１の半導体チップ上に、下面に接着剤層が設けられた第２の半導体チップが接着剤層側から積層された半導体装置が開示されている。ここでは、第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを積層する際に、ボンディングワイヤーの一部が接着剤層に埋め込まれている。ボンディングワイヤーの一部が埋め込まれた後に、接着剤層が硬化されて半導体装置が構成されている。
【特許文献１】特開２００７−０３５８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、接着剤層は、エポキシ樹脂等を用いて構成されている。また、接着剤層のボンディングワイヤーの一部が埋め込まれる際の温度における溶融粘度は、１〜１００ｋＰａ・ｓ程度とされている。
【０００５】
しかしながら、接着剤層の上記溶融粘度が１〜１００ｋＰａ・ｓ程度であっても、接着剤層を構成する材料によっては、溶融した接着剤層が、第２の半導体チップの下面から外側にはみ出し、第２の半導体チップの側面上に至ったり、さらに上面にまで回り込むことがあった。また、接着剤層のはみ出しによって接着剤層の厚みが薄くなり、第２の半導体チップの下面にボンディングワイヤーが接触することがあった。
【０００６】
さらに、ボンディングワイヤーの一部が接着剤層内に埋め込まれる際に、ワイヤーが押し倒されたり、ワイヤー同士が接触されたりして、ボンディングワイヤーの接続不良が生じることがあった。また、接着剤層内に埋め込まれたボンディングワイヤーの周囲、特にボンディングワイヤーの下部に空隙が形成されることもあった。
【０００７】
ところで、ボンディングワイヤーの一部を埋め込む用途に用いられる上記接着剤層には、該接着剤層を用いて得られた半導体装置が例えば２００〜２６０℃の温度に晒されても、リフロークラックが生じないことが強く求められている。そこで、上述の接着剤層のはみ出しやボンディングワイヤーの埋め込み不良が生じ難いだけでなく、耐熱性に優れた硬化物を与える接着剤層が強く求められていた。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、ボンディングワイヤーの一部を埋め込む用途に用いられる接着シートであって、ボンディングワイヤーの埋め込み時に、接着シートのはみ出しやボンディングワイヤーの埋め込み不良が生じ難く、かつ耐熱性に優れた硬化物を与える接着シート、ダイシングダイボンディングテープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材上に、前記ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように、半導体チップを接着するのに用いられる接着シートであって、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、前記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び前記高分子ポリマー（Ａ２）以外のエポキシ樹脂（Ａ３）と、硬化剤（Ｂ）とを含有し、かつ、前記ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度における粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲にあり、前記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が、アクリロニトリル骨格およびブタジエン骨格を有し、前記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）が、エポキシ基含有アクリル樹脂であり、前記エポキシ樹脂（Ａ３）が、多環式炭化水素骨格を有するエポキシ樹脂を含むことを特徴とする、接着シートが提供される。
【００１０】
前記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が、アクリロニトリル骨格およびブタジエン骨格を有することで、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が他の樹脂成分により一層均一に分散され得るので、ボンディングワイヤーの埋め込み不良をより一層抑制することができる。
【００１１】
本発明に係る接着シートの他の特定の局面では、前記エポキシ樹脂（Ａ３）が多環式炭化水素骨格を有し、それによってボンディングワイヤーの埋め込み不良がより一層生じ難く、接着シートの硬化物の接着信頼性も高められる。
【００１２】
本発明に係るダイシングダイボンディングテープは、本発明に従って構成された接着シートと、該接着シートの片面に直接又は間接に積層されたダイシングシートとを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明のダイシングダイボンディングテープのある特定の局面では、非粘着基材シートがさらに備えられ、前記接着シートの片面に前記非粘着基材シートが積層されており、かつ前記非粘着基材シートの前記接着シートが積層された面とは反対側の面に前記ダイシングシートが積層されている。この場合、ダイシング後に非粘着基材シートから接着シートごと半導体チップを剥離し、接着シートが下面に接合された半導体チップを容易に取り出すことができる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明に従って構成された接着シートと、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材と、半導体チップとを用意する工程と、前記接着シートの粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、前記支持部材の上面に、前記接着シートを前記ボンディングワイヤーの一部が前記接着シート内に埋め込まれるように積層する工程と、前記接着シートの上面に前記半導体チップを積層する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の他の製造方法は、本発明に従って構成された接着シートが下面に接合された半導体チップを用意する工程と、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材を用意する工程と、前記接着シートの粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、前記支持部材の上面に、前記半導体チップを前記接着シート側から、前記ボンディングワイヤーの一部が前記接着シート内に埋め込まれるように積層する工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造装置のある特定の局面では、前記接着シートが下面に接合された半導体チップを用意する工程が、マザーの接着シートの片面に非粘着基材シート積層されているダイシングダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、前記ダイシングダイボンディングテープの前記接着シートの前記非粘着基材シートが積層された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシングダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記接着シートごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、剥離力を変化させることなく、半導体チップを前記接着シートごと前記非粘着基材シートから剥離し、前記接着シートが下面に接合された半導体チップを取り出す工程とを備えている。これにより、接着シートが下面に接合された半導体チップをより一層容易に得ることができる。
【００１７】
尚、本明細書において剥離力を変化させないとは、例えば、光照射や加熱によりダイシング・ダイボンディングシートのいずれかの層を硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる、又は、いずれかの層を収縮させて剥離力を変化させる、あるいは、発泡させて剥離力を変化させる、等の工程をいずれも行わないことを意味する。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法の他の特定の局面では、前記ダイシングダイボンディングテープとして、前記非粘着基材シートの前記接着シートが積層された面とは反対側の面にダイシングシートが積層されているダイシングダイボンディングテープが用いられる。この場合、ダイシングシートの貼付け工程を削減することができる。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記半導体チップを取り出す工程において、半導体チップと前記接着シートとの接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、半導体チップが前記接着シートごと前記非粘着基材シートから剥離される。この場合、剥離時に半導体チップの破損をより一層抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る接着シートでは、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び高分子ポリマー（Ａ２）以外のエポキシ樹脂（Ａ３）と、硬化剤（Ｂ）とを含有し、かつ、ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度における粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲にあるため、ボンディングワイヤーの埋め込み時に、上層の半導体チップの下面から接着シートがはみ出し難い。また、ボンディングワイヤーの埋め込み時に、ワイヤーが押し倒されたり、接着シート内に埋め込まれたボンディングワイヤーの周囲に空隙が形成され難い。さらに、接着シートの硬化物は耐熱性に優れている。
【００２１】
本発明に係るダイシングダイボンディングテープは、本発明に従って構成された接着シートと、該接着シートの片面に直接又は間接に積層されたダイシングシートとを備えているので、半導体ウェーハをダイシングするのに用いることができる。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、接着シートを粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなるように加熱し、ボンディングワイヤーが接続された支持部材の上面に、接着シートをボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように積層するので、接着シートのはみ出しや、ボンディングワイヤーの埋め込み不良が生じ難い。さらに、接着シートの硬化物の耐熱性が高められた半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２４】
本願発明者らは、上記課題を解決するために、ボンディングワイヤーが上面に接続されている支持部材上に、ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように、半導体チップを接着するのに用いられる接着シートについて鋭意検討した結果、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び高分子ポリマー（Ａ２）以外のエポキシ樹脂（Ａ３）と、硬化剤（Ｂ）とを用いて接着シートを構成し、かつ、接着シートのボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度における粘度を５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲とすれば、ボンディングワイヤーの埋め込み時に、接着シートのはみ出しやボンディングワイヤーの埋め込み不良が生じ難く、かつ接着シートの硬化物の耐熱性が高められることを見出し、本発明をなすに至った。
【００２５】
本発明に係る接着シートは、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び高分子ポリマー（Ａ２）以外のエポキシ樹脂（Ａ３）（以下、その他エポキシ樹脂（Ａ３）ともいう）と、硬化剤（Ｂ）とを含む。
【００２６】
接着シートが可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）を含有することにより、ボンディングワイヤーの埋め込み時に、接着シートのはみ出しや、ワイヤーの埋め込み不良、特に接着シート内のボンディングワイヤーの周囲に空隙が生じるのを抑制することができる。さらに、接着シートの硬化物の耐熱性が高められる。
【００２７】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）としては、接着シートの硬化物において、可撓性を発現するものを好適に用いることができる。
【００２８】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）としては、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、炭素数２〜９、好ましくは炭素数２〜４のアルキレン基を含むポリオキシアルキレングリコールやポリテトラメチレンエーテルグリコール等を含む長鎖ポリオールのポリグリシジルエーテル、グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニルもしくは（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体、共役ジエン化合物を主体とする（共）重合体またはその部分水添物の（共）重合体における不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの、１分子当たり１個以上、好ましくは２個以上のエポキシ基を有するポリエステル樹脂、ウレタン結合やポリカプロラクトン結合を導入した、ウレタン変性エポキシ樹脂やポリカプロラクトン変性エポキシ樹脂、ダイマー酸またはその誘導体の分子内にエポキシ基を導入したダイマー酸変性エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２９】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）は、アクリロニトリル骨格およびブタジエン骨格を有することが好ましい。これらの骨格を有する可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）を含む場合には、該可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が上記高分子ポリマー（Ａ２）及びその他エポキシ樹脂（Ａ３）と適度な親和性を有するので、接着シートの硬化物において粘稠性を有する可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が他の樹脂成分により一層均一に分散される。従って、ボンディングワイヤーの埋め込み不良をより一層抑制することができる。
【００３０】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）としては、下記式（１）で表される可撓性エポキシ樹脂がさらに好ましい。
【００３１】
【化１】
0004950777.tif 000002
【００３２】
上記式（１）中、Ｒは、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ＝ＣＨ２）−であり、Ａ１は、−φ−Ｃ（ＣＨ３）２−φ−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−Ｏ−（Ｃ＝０）−（φはベンゼン環）であり、Ａ２は、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−Ｏ−φ−Ｃ（ＣＨ３）２−φ−（φはベンゼン環）であり、ｍは０または１、ｎは正の整数である。
【００３３】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは１０００〜１００００の範囲である。重量平均分子量が１０００より小さいと、接着シートの可撓性が充分に高められないことがある。重量平均分子量が１００００より大きいと、架橋点間距離が長くなりすぎるため、接着シートの硬化物の架橋密度が著しく低下し、耐熱性が低下することがある。接着シートの硬化物の耐熱性がより一層高められるので、上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、１０００〜５０００の範囲がより好ましい。
【００３４】
上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）の配合量としては、接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量％中、５〜２０重量％が好ましい。可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が５重量％未満であると、ボンディングワイヤー埋め込み時に、接着シートのはみ出しやワイヤーの埋め込み不良を抑制し、かつ接着シートの硬化物の耐熱性を高めることが困難なことがある。可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）が２０重量％を超えると、接着シートの可撓性が高くなりすぎて、接着シートの硬化物の耐熱性が低下することがある。
【００３５】
なお、全樹脂成分とは、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）、高分子ポリマー（Ａ２）、その他エポキシ樹脂（Ａ３）、硬化剤（Ｂ）及び必要に応じて添加される樹脂構成成分の総和をいうものとする。
【００３６】
接着シートは、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）を含有する。上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）としては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、接着シートの硬化物の機械的強度や耐熱性が高められるので、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらの高分子ポリマー（Ａ２）は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００３７】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）としては、懸濁重合法で製造された高分子ポリマーが好ましい。懸濁重合法で製造されたエポキシ基を有する高分子ポリマー、より好ましくは懸濁重合法で製造されたエポキシ基含有アクリル樹脂を用いることにより、接着シートの硬化物の機械的強度や耐熱性がより一層高められる。
【００３８】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）の重量平均分子量は、１０万以上が好ましい。高分子ポリマー（Ａ２）の重量平均分子量が１０万未満であると、造膜性が不充分となり、接着シートを安定に製造することができなかったり、接着シートの硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。
【００３９】
また、上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）のエポキシ当量の好ましい下限は２００、好ましい上限は１０００である。高分子ポリマー（Ａ２）のエポキシ当量が２００未満であると、接着シートの硬化物の可撓性が充分に向上しないことがあり、エポキシ当量が１０００を超えると、接着シートの硬化物の機械的強度や耐熱性が不充分となることがある。
【００４０】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）の配合量としては、接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量％中、１０〜３０重量％が好ましい。より好ましくは１５〜２５重量％である。高分子ポリマー（Ａ２）が少なすぎると、造膜均一性に劣る、また接着シートのはみ出し不良を引き起こす場合があり、多すぎるとボンディングワイヤー埋め込み時に、ワイヤーの埋め込み不良を抑制し、かつ接着シートの硬化物の耐熱衝撃性を高めることが困難なことがある。
【００４１】
接着シートには、上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び上記エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）以外のその他エポキシ樹脂（Ａ３）が含有される。
【００４２】
上記その他エポキシ樹脂（Ａ３）としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を有するエポキシ樹脂がより好ましい。接着シートが、上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）及び上記高分子ポリマー（Ａ２）と共に多環式炭化水素骨格を有するエポキシ樹脂を含有することにより、ボンディングワイヤー埋め込み時に、接着シートのはみ出しやワイヤーの埋め込み不良をより一層抑制することができ、かつ接着シートの硬化物の耐熱性をより一層高めることができる。その他エポキシ樹脂（Ａ３）としては、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂がさらに好ましい。
【００４３】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられ、なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。
【００４４】
上記その他エポキシ樹脂（Ａ３）の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。その他エポキシ樹脂（Ａ３）の重量平均分子量が５００未満であると、接着シートの硬化物の機械的強度や耐熱性が充分に向上しないことがあり、１０００を超えると、接着シートの硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００４５】
上記その他エポキシ樹脂（Ａ３）の配合量としては、接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量％中、６０〜８０重量％が好ましい。その他エポキシ樹脂（Ａ３）が６０重量％未満であると、接着シートの硬化物の耐熱性が低下することがあり、８０重量％を超えると接着シートが脆化し易く、接着シートの皮膜安定性や加工性に劣り、ボンデシングワイヤーの埋め込み時に、接着シートがはみ出し易くなる。
【００４６】
本発明に係る接着シートは、本発明の目的を損なわない範囲で、上記可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）、高分子ポリマー（Ａ２）及びその他エポキシ樹脂（Ａ３）以外のエポキシ基を有しない樹脂をさらに含有してもよい。そのような樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４７】
上記熱可塑性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、酢酸ビニル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル系共重合体、アクリル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール系樹脂、スチレン系樹脂、飽和ポリエステル系樹脂、熱可塑性ウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、ケトン系樹脂、ノルボルネン系樹脂、スチレン−ブタジエン系ブロック共重合体等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４８】
上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、尿素樹脂、メラミン樹脂等のアミノ系樹脂、フェノール系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性ウレタン系樹脂、熱硬化性ポリイミド系樹脂、アミノアルキド系樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。また、上記熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。
【００４９】
エポキシ基を有しない樹脂を添加する場合、その配合量としては接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量％中、１０重量％以下が好ましい。エポキシ基を有しない樹脂が多すぎると、ボンディングワイヤーの埋め込み時に接着シートのはみ出しやワイヤーの埋め込み不良が生じ易くなり、接着シートの硬化物の耐熱性が低下することがある。
【００５０】
接着シートは、硬化剤（Ｂ）を含む。硬化剤（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、ドデセニル無水コハク酸等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンノボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック等のフェノール系硬化剤、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、メンセンジアミン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、トリエチレングリコールジアミン等のアミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤、ｐ−メトキシベンゼンジアゾミウムヘキサフルオロフォスフェート、ジフェニルイオドニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート等のカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤（Ｂ）は単独で用いられても良く、２種以上が併用されてもよい。
【００５１】
硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤（Ｂ）とともに、硬化促進剤を併用しても良い。
【００５２】
上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００５３】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡ−０Ｋ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００５４】
上記酸無水物系硬化剤と、例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合、酸無水物系硬化剤の配合量としては、好ましくはエポキシ基に対して理論的に必要な当量の６０〜１００％、さらに好ましくは７０〜９０％が好ましい。酸無水物系硬化剤の配合量が多すぎると、接着シートの硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、接着シートの硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００５５】
接着シートは、添加剤としてコアシェル構造のゴム粒子を含有していてもよい。コア（芯材）のガラス転移温度が２０℃以下であり、シェル（外殻）のガラス転移温度が４０℃以上であるコアシェル構造のゴム粒子が好適である。このようなゴム粒子を含むことにより、接着シートの硬化物では、マトリックス樹脂であるエポキシ樹脂に対してゴム成分の安定的な相分離構造を形成させることができ、柔軟で優れ、優れた応力緩和性を発現する。
【００５６】
上記ゴム粒子の平均粒子径は、３μｍ以下が好ましい。ゴム粒子の平均粒子径が３μｍを超えると、接着シートの硬化物の応力緩和性が充分に向上しないことがある。
【００５７】
上記ゴム粒子の市販品としては、特に限定されるものではないが、例えば、根上工業社製の商品名「パラクロンＲＰ−１０１」、「パラクロンＲＰ−４１２」等、ガンツ化成社製の商品名「スタフィロイドＩＭ−１０１」、「スタフィロイドＩＭ−６０１」、「スタフィロイドＡＣ−４０３０」等、ゼオン化成社製の商品名「ゼオンＦ３５１」等、三菱レーヨン社製の商品名「メタブレンＣ−１４０Ａ」、「メタブレンＣ−２１５Ａ」等が挙げられる。また、予めゴム粒子を分散させたエポキシ樹脂の市販品としては、特に限定されるものではないが、例えば、日本触媒社製の商品名「エポセットＢＰＡ−８２８」等が挙げられる。これらのゴム粒子や予めゴム粒子を分散させたエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００５８】
接着シートは、無機フィラーを含有していてもよい。無機フィラーを添加することで、吸水性、弾性率が向上し、耐湿性能等が向上する。
【００５９】
上記無機フィラーとしては特に限定されるものではないが、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、ガラス繊維、アルミナ微粒子等が挙げられる。なかでも、シリカが好適に用いられ、表面に疎水化処理が施された疎水性シリカがより好適に用いられる。これらの無機フィラーは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６０】
無機フィラーの配合量としては、接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量部に対して、６０重量部以下が好ましく、より好ましくは３０重量部以下である。無機フィラーの最大粒径は３μｍ以下が好ましい。
【００６１】
接着シートは、密着性向上剤をさらに含有していてもよい。密着性向上剤としては特に限定されるものではないが、例えば、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤等が挙げられる。なかでも、シランカップリング剤が好適に用いられる。これらの密着性向上剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６２】
上記密着性向上剤の配合量としては、接着シートに含まれている全樹脂成分の合計１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好ましい。密着性向上剤が１０重量部を超えると硬化前の貯蔵安定性が悪くなったり、凝集力が弱くなりすぎることがある。
【００６３】
次に、図１〜３を用いて、本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法を以下説明する。
【００６４】
図１に示すように、まず、支持部材としての第１の半導体チップ１と、第２の半導体チップ２と、接着シート３とを用意する。支持部材として第１の半導体チップ１に代えて、基板を用いてもよい。
【００６５】
接着シート３は、上述のように、可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）と、エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）と、その他エポキシ樹脂（Ａ３）と、硬化剤（Ｂ）とを含有し、かつ、ボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度における粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲とされている。
【００６６】
第１の半導体チップ１の上面１ａの外周縁近傍には、外部と電気的な接続を果たすための電気接続端子が６ａ，６ｂが設けられている。第１の半導体チップ１の上面１ａに設けられた電気接続端子６ａ，６ｂに、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一端が接続されている。ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの他端は、基板４の上面４ａに設けられた電気接続端子８ａ，８ｂに接続されている。図示しないが、第１の半導体チップ１の上面１ａには、複数のボンディングワイヤー７ａ，７ｂが接続されている。
【００６７】
次に、図２に示すように、接着シート３の粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、第１の半導体チップ１の上面１ａに、接着シート３をボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部が接着シート３内に埋め込まれるように積層する。これにより、電気接続端子６ａと、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂとの接続部分が接着シート３内に埋め込まれる。
【００６８】
すなわち、接着シート３にボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部を埋め込む際に、接着シート３の粘度は５００〜５０００Ｐａ・ｓとされる。上記溶融粘度は、例えば溶融粘弾性測定装置、もしくはキャピラリーレオメーターを用いて測定することができる。
【００６９】
ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの埋め込み時に、接着シートの粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲とされているので、接着シート３が第２の半導体チップ２の下面からはみ出し難く、半導体チップ１の上面１ａに接続されたボンディングワイヤー７ａ，７ｂが押し倒されたり、ワイヤー７ａ，７ｂ同士が接触されることを抑制することができる。さらに、接着シート３内のワイヤー７ａ，７ｂの周囲、特に接着シート内のワイヤー７ａ，７ｂの下部に空隙も形成され難い。
【００７０】
次に、図３に示すように、接着シート３の上面３ａに、第２の半導体チップ２を積層する。第２の半導体チップ２は、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部が接着シート３内に埋め込まれた直後、接着シート３の粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓであるときに、積層されることが好ましい。
【００７１】
しかる後、接着シート３を硬化させる。接着シート３が硬化されると、図４に示す半導体装置１１を得ることができる。半導体装置１１では、第１，第２の半導体チップ２，３が接着シート３の硬化物を介して接着され、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部が接着シート３内に埋め込まれている。接着シート３の硬化物は、上述のように構成されているので、耐熱性が高められている。
【００７２】
次に、図５〜８を用いて、本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の他の製造方法を以下説明する。
【００７３】
図５に示すように、先ず、上述のボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一端が、上面１ａに設けられた電気接続端子６ａ，６ｂに接続されている第１の半導体チップ１を用意する。さらに、接着シート３が下面２ａに接合されている第２の半導体チップ２Ａを用意する。
【００７４】
上記接着シート３が下面２ａに接合されている第２の半導体チップ２Ａは、例えば図６に示すダイシングダイボンディングテープ２１を用いて得ることができる。
【００７５】
図６に示すように、ダイシングダイボンディングテープ２１は、離型フィルム２２上に、マザーの接着シート３Ａと、非粘着基材シート２３と、ダイシングシート２４とが、この順で積層されて構成されている。接着シート３Ａの片面に非粘着基材シート２３が積層されている。非粘着基材シート２３の接着シートが積層されている一方面２３ａとは反対側の他方面２３ｂにダイシングシート２４が積層されている。ダイシングシート２４は、接着シート３Ａの片面に非粘着基材シート２３を介して間接に積層されている。
【００７６】
ダイシングシート２４は、基材２４ａと基材２４ａの片面に塗布された粘着剤２４ｂとを有する。ダイシングシート２４は、粘着剤２４ｂ側から非粘着基材シート２３に積層されている。
【００７７】
上記離型フィルム２２は、接着シート３Ａの半導体チップが接合される面を保護するために用いられている。
【００７８】
上記離型フィルム２２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。
【００７９】
上記マザーの接着シート３Ａは、切断されて接着シート３を構成するための接着シートである。接着シート３Ａは、上述の接着シート３を構成する材料を離型フィルム２２の上面にホットメルト塗工やキャスト塗工等の公知の塗工方法により塗工することで作製することができる。
【００８０】
上記非粘着基材シート２３は、ダイシングが行われた後に、接着シート３付き半導体チップ２Ａのピックアップ性を高めるために用いられている。非粘着基材シート２３は、粘着性を有しない基材シートである。
【００８１】
上記非粘着基材シート２３としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムや、ＬＤＰＥフィルム、ＬＤＰＥ＋ＬＬフィルム、ＬＤＰＥ＋ＨＤＰＥフィルム、ＬＤＰＥ＋ＨＤＰＥ＋ＬＬフィルム、ＬＬＤＰＥフィルム等が挙げられる。
【００８２】
上記ダイシングシート２４は、ダイシングリング５３に貼り付けるために必要であり、ダイシングが行われた後のエキスパンド性を高めるために、あるいは接着シート３付き半導体チップ２Ａのピックアップ性を高めるためにも用いられている。上記ダイシングシート２４は、上述のように基材２４ａと基材２４ａの片面に粘着剤が塗布された粘着剤２４ｂとを有する。
【００８３】
上記基材２４ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
【００８４】
上記粘着剤２４ｂは、特に限定されないが、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの粘着剤が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の粘着剤が非粘着性シート２３に対する貼着力、およびダイシングリング５３からの再剥離性、コスト面に優れているため好適に用いられる。
【００８５】
接着シート３付き半導体チップ２Ａを得る際には、図７（ａ）に示すように、例えば、ステージ５１上に第２の半導体チップ２となる半導体ウェーハ５２を載置する。そして、ダイシングダイボンディングテープ２１の離型フィルム２２を剥離し、接着シート３Ａを露出させ、露出した接着シート３Ａに半導体ウェーハ５２を接合する。ここでは、ダイシングシート２４は、接着シート３Ａ及び非粘着基材シート２３の外周縁よりも超えるように延ばされている延長部２４ｃを有し、該延長部２４ｃの粘着剤２４ｂが、ダイシングリング５３に貼付されている。
【００８６】
次に、図７（ｂ）に示すように、接着シート３Ａに半導体ウェーハ５２が接合されたダイシングシート２１を取り出し、裏返して、半導体ウェーハ５２が上方となるように、別のステージ５４上に載置する。
【００８７】
しかる後、図７（ｂ）に矢印Ｘを付して示す方向、すなわち半導体ウェーハ５２側から、半導体ウェーハ５２を接着シート３Ａごとダイシングすることにより、個々の第２の半導体チップ２Ａに分割する。ダイシングにより、マザーの接着シート３Ａは切断され、個々の接着シート３に分割される。
【００８８】
ダイシング後に、剥離力を変化させることなく、第２の半導体チップ２Ａを接着シート３ごと非粘着基材シート２３から剥離し、接着シート３が下面２ａに接合された第２の半導体チップ２Ａ取り出す。これにより、図５に示す接着シート３が下面２ａに接合されている第２の半導体チップ２Ａを得ることができる。
【００８９】
半導体チップの破損をより一層防止することができるので、第２の半導体チップ２Ａと接着シート３との接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、半導体チップ２Ａを接着シート３ごと非粘着基材シート２３から剥離することが好ましい。
【００９０】
図８に示すように、第１，第２の半導体チップ１，２Ａを用意した後、接着シート３の粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓとなる温度で、第１の半導体チップ１の上面１ａに、第２の半導体チップ２Ａを接着シート３側から、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部が接着シート３内に埋め込まれるように積層する。このとき、接着シート３の粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓの範囲とされているので、接着シート３のはみ出しや、ボンディングワイヤー７ａ，７ｂの埋め込み不良を抑制することができる。特に、接着シート３内のワイヤー７ａ，７ｂの周囲に空隙が形成され難い。
【００９１】
しかる後、接着シート３を硬化させる。接着シート３が硬化されると、図４に示した半導体装置１１を得ることができる。
【００９２】
以下実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００９３】
接着シートを構成する材料として、以下のものを用意した。
【００９４】
１．可撓性エポキシ樹脂（Ａ１）
（１）ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（商品名「ＥＰＲ−４０２３」、アデカ社製）
（２）ＮＢＲ変性エポキシ樹脂（商品名「ＥＰＲ−４０３０」、アデカ社製）
【００９５】
２．エポキシ基を有する高分子ポリマー（Ａ２）
エポキシ基含有アクリル樹脂（商品名「マープルーフＧ−２０５０Ｍ」、エポキ当量：３４０、重量平均分子量：２０万、日本油脂社製）
【００９６】
３．その他エポキシ樹脂（Ａ３）
（１）ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂（商品名「ＥＸＡ−７２００ＨＨ」、大日本インキ化学工業社製）
（２）ビスＦ型液状エポキシ樹脂（商品名「ＥＰ−８０７」、ジャパンエポキシレジン社製）
【００９７】
４．硬化剤（Ｂ）
架橋環式二環性酸無水物（商品名「ＹＨ−３０９」、ジャパンエポキシレジン社製、固形粉末、融点６０℃）
【００９８】
５．硬化促進剤
イソシアヌル変性イミダゾール（商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」、四国化成製）
【００９９】
６．密着性向上剤
アミノシランカップリング剤  （商品名「ＫＢＭ−４０３」信越化学工業社製）
【０１００】
７．無機フィラー
表面疎水化ヒュームドシリカ（商品名「レオロシールＭＴ−１０」、平均粒子径：１μｍ以下、トクヤマ社製）
【０１０１】
８．応力緩和性付与剤
コアシェル型アクリルゴム粒子（商品名「スタフィロイドＡＣ−４０３０」、ガンツ化成社製）
【０１０２】
９．溶剤
酢酸エチル（ゴードー溶剤社製）
【０１０３】
（実施例１）
ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂１０重量部、エポキシ基含有アクリル樹脂２０重量部、ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂７０重量部、架橋環式二環性酸無水物４０重量部、イソシアヌル変性イミダゾール５重量部、アミノシランカップリング剤２重量部、表面疎水化ヒュームドシリカ４重量部、及びコアシェル型アクリルゴム粒子５重量部を酢酸エチルに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍで均一に攪拌混合して、固形分６０重量％の硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
【０１０４】
次に、得られた硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートの離型処理面上に、乾燥後の厚みが６０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で３分間乾燥して、接着シートを作製した。
【０１０５】
（実施例２〜４及び比較例１〜３）
硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を得る際に、配合組成を下記表１に示す組成（単位は重量部）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、固形分６０重量％の硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を得た。得られた硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を用いて、実施例１と同様にして接着シートを作製した。
【０１０６】
（接着シートの評価）
（１）接着シートの粘度
厚み０．５ｍｍになるように各接着シートを重ね合わせた。ＶＩＳＣＯＴＥＣＨ  ＤＳＲ（ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  ＡＢ社製、φ２０ｍｍパラレルプレート使用、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％）を用いた。温度条件については、下記の半導体装置の製造に際してボンディングワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれる際の温度を１００℃に設定しているため、８０℃、９０℃、１００℃及び１１０℃の各温度に接着シートを段階的に昇温しつつ、接着シートの粘度を測定した。昇温に際しては、８０℃、９０℃、１００℃及び１１０℃の各温度に５分間保持し、さらに開始温度である４０℃、８０℃、９０℃、１００℃及び１１０℃の各温度間における昇温時間を１分とした。
【０１０７】
なお、接着シートの１００℃における粘度を下記表１に示した。
【０１０８】
（２）ボンディングワイヤー埋め込み性
厚み８０μｍの半導体ウェーハに厚み６０μｍの各接着シートを６０℃で接合した後、８．６ｍｍ×８．６ｍｍサイズにダイシングし、接着シートが下面に接合されたＴＥＧチップを得た。
【０１０９】
得られたＴＥＧチップを、表面が１００℃に加熱されているガラスエポキシ樹脂からなる基板の上面に、５Ｎ１ｓｅｃでダイボンディングしたのち、接着シートを１２０℃で６０分間加熱し、さらに１７０℃で３０分間加熱し、硬化させた。
【０１１０】
直径２５μｍの金ワイヤーを用いて、１辺あたり２４本、４辺合計で９６本の金ワイヤーをボンディングすることによりＴＥＧチップと基板とを接続して、金ワイヤーが上面に接続されている支持部材としてのＴＥＧチップを作製した。このＴＥＧチップを１００℃に加熱し、該ＴＥＧチップ上に、上記接着シートが下面に接合された別のＴＥＧチップを５Ｎ１ｓｅｃで、金ワイヤーの一部が接着シート内に埋め込まれるように、ダイボンディングした。しかる後、１２０℃で６０分間加熱し、さらに１７０℃で３０分間加熱し、接着シートを硬化させ、半導体装置を得た。
【０１１１】
得られた半導体装置において、上層の半導体チップの下面から接着シートがはみ出している最大距離及び上層の半導体チップの上面への接着シートの回り込みの有無を評価した。さらに、接着シート内に埋め込まれている金ワイヤーの下部における空隙の有無、上層の半導体チップの下面と金ワイヤーとの間隔を測定した。
【０１１２】
なお、上記接着シートがはみ出している最大距離、及び上記半導体チップの上面への接着シートの回り込みの有無は、実体顕微鏡を用いて１００倍で観察することにより評価した。また、上記金ワイヤーの下部における空隙の有無、及び上記半導体チップの下面とボンディングワイヤー上端との間隔は、６００倍でＳＥＭ観察することにより評価した。
【０１１３】
（３）耐熱性
上記（２）で得られた半導体装置を、８５℃、相対湿度８５％の雰囲気に７日間放置した。しかる後、プレヒート区間として１５０〜１８０℃が９０秒以上、リフロー区間として２３０℃以上が２０秒間以上、かつ最高温度が２５０〜２６０℃に設定されたＩＲリフロー炉に半導体装置を投入した。投入後、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いて、半導体装置のリフロークラックの有無を観察し、接着シートの硬化物の耐熱性を評価した。半導体装置２７個中、リフロークラックが発生した個数を下記表１に示す。
【０１１４】
【表１】
0004950777.tif 000003
【０１１５】
実施例１〜４の接着シートでは、接着シートのはみ出しやボンディングワイヤーの埋め込み不良が生じておらず、特に接着シート内に埋め込まれているボンディングワイヤーの周囲に空隙が形成されていなかった。さらに、半導体装置のリフロークラックも生じておらず、接着シートの硬化物は耐熱性に優れていた。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための正面断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための図であり、第１の半導体チップの上面に、接着シートを積層したときの状態を示す正面断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための図であり、接着シートの上面に第２の半導体チップを積層したときの状態を示す正面断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて得られた半導体装置を示す正面断面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の他の製造方法に用いられる第１の半導体チップ、及び接着シートが下面に接合された第２の半導体チップを示す部分切欠正面断面図。
【図６】接着シートが下面に接合された第２の半導体チップを得るのに用いられるダイシングダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の製造方法において、接着シートが下面に接合されている第２の半導体チップを得る各工程を説明するための部分切欠正面断面図。
【図８】本発明の一実施形態に係る接着シートを用いた半導体装置の他の製造方法を説明するための図であり、第１の半導体チップの上面に、第２の半導体チップを接着シート側から積層したときの状態を示す正面断面図。
【符号の説明】
【０１１７】
１…第１の半導体チップ
１ａ…上面
２…第２の半導体チップ
２Ａ…第２の半導体チップ
２ａ…下面
２ｂ…上面
３…接着シート
３ａ…上面
３Ａ…マザーの接着シート
４…基板
４ａ…上面
５…接着剤層
６ａ，６ｂ…電気接続端子
７ａ，７ｂ…ボンディングワイヤー
８ａ，８ｂ…電気接続端子
１１…半導体装置
２１…ダイシングダイボンディングテープ
２２…離型フィルム
２３…非粘着基材シート
２３ａ…一方面
２３ｂ…他方面
２４…ダイシングシート
２４ａ…基材
２４ｂ…粘着剤
２４ｃ…延長部
５１…ステージ
５２…半導体ウェーハ
５３…ダイシングリング
５４…ステージ
【図１】
0004950777.tif 000004
【図２】
0004950777.tif 000005
【図３】
0004950777.tif 000006
【図４】
0004950777.tif 000007
【図５】
0004950777.tif 000008
【図６】
0004950777.tif 000009
【図７】
0004950777.tif 000010
【図８】
0004950777.tif 000011