(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線情報を電荷情報に変換するための半導体層と、
前記電荷情報を読み出すためのアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に接続され、前記読み出された電荷情報を増幅して電圧に変換する増幅回路と、
表面に前記アクティブマトリクス基板を、裏面に前記増幅回路を配置するとともに、内部に温度制御用の熱媒体が通る流路が設けられたベース基板とを有し、
前記ベース基板の裏面に肉薄部が形成され、当該肉薄部に前記増幅回路が配置されているとともに、当該肉薄部以外の部分に前記流路が形成され、
前記増幅回路と前記肉薄部以外の部分との間に熱伝導手段を設けるとともに、
前記増幅回路と前記肉薄部との間に断熱手段を設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記増幅回路は、前記アクティブマトリクス基板に接続されたＴＡＢフィルムに対して前記肉薄部と反対側に位置するように搭載されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記断熱手段が弾性体であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記肉薄部以外の部分に配置された電源回路基板を更に有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線等の放射線、可視光線、赤外線などを受けて画像を検出する撮像装置に関し、特に内部の温度制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術の撮像装置を図６に示す。
入射した放射線を電荷情報に変換するための半導体層１０２が、当該電荷情報を読み出すためのアクティブマトリクス基板１０３上に蒸着されている。また、半導体層１０２上に、バイアス電極１１９が形成されている。更に、アクティブマトリクス基板１０３は、ベース基板１０５上に緩衝層１１８を介して配置されている。
【０００３】
半導体層１０２で生じた電荷情報は、アクティブマトリクス基板１０３によって読み出され、アクティブマトリクス基板１０３に接続されたＴＡＢフィルム１０８上に搭載された増幅回路１０４によって電圧に変換される。変換された電圧は、画像信号処理回路基板１１５によってデジタル信号に変換される。
【０００４】
一方、ベース基板１０５の裏面には、電源回路基板１１１が配置されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ１１２によって生成した種々のＤＣ電圧を、アクティブマトリクス基板１０３及びその周辺回路に対して供給している。
【０００５】
ここで、増幅回路１０４及び、電源回路基板１０１に搭載されているＤＣ−ＤＣコンバータ１１２は、動作時に相当の熱を発生する。発生した熱を排熱して温度を略一定に保つべく、増幅回路１０４及び電源回路基板１０１を構成するＤＣ−ＤＣコンバータ１１２の表面に、ヒートパイプ１５１が接続されている。（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−３４５９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の構成によれば、撮像装置の横幅が広くなり、小型化を阻害する要因になっていた。
【０００７】
また、増幅回路１０４及び、電源回路基板１０１を構成する半導体素子を恒温化するために、複数の場所にヒートパイプ１５１を配置する必要があり、部品点数の増大に繋がっていた。
【０００８】
更に、半導体層１０２と増幅回路１０４とが近接しているため、半導体層１０２の温度が上昇する恐れがあった。アモルファスセレンを主成分とする材料は、４０℃以上になると再結晶化することが知られており、当該材料を半導体層１０２として採用した場合にはその温度上昇が問題となっていた。
【０００９】
本発明は、少ない部品点数で、必要な部品の恒温化を図ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の課題を解決するために、本発明の撮像装置は、光または放射線情報を電荷情報に変換するための半導体層と、電荷情報を読み出すためのアクティブマトリクス基板と、読み出された電荷情報を増幅して電圧に変換する増幅回路と、表面にアクティブマトリクス基板を、裏面に増幅回路を配置するとともに、内部に流路が設けられたベース基板とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、ベース基板の裏面に肉薄部が形成され、当該肉薄部に増幅回路が配置されるとともに、当該肉薄部以外の部分に流路が形成されていることが望ましい。また、肉薄部に増幅回路を配置した場合には、増幅回路と肉薄部以外の部分との間に熱伝導手段を設けることが望ましい。また、増幅回路と肉薄部以外の部分との間に熱伝導手段を設けた場合には、増幅回路と、肉薄部との間に、断熱手段を設けることが望ましい。
【００１２】
また、増幅回路は、アクティブマトリクス基板に接続されたＴＡＢフィルムに対して、ベース基板の肉薄部と反対側に位置するように搭載されていることが望ましい。その場合には、断熱手段が弾性体であることが望ましい。
更に、本発明においては、肉薄部以外の部分に電源回路基板を配置することとしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の撮像装置は、増幅回路と半導体層との間に、内部に流路を有するベース基板が介在している。増幅回路は、ベース基板を介して、流路を流れる媒体をとの間で熱交換される。換言すれば、増幅回路で発生した熱が、半導体層へ伝達しにくい。よって、増幅回路で発生した熱に起因する半導体層の温度上昇を抑制することができる。同様に、半導体層と流路を流れる媒体との間でも熱交換が行われる。従って、環境温度など他の要因による半導体層の温度変化を抑制することができる。また、ベース基板の周辺に恒温化手段を設ける必要が無く、省スペース化を図ることができる。
【００１４】
ここで、アクティブマトリクス基板から増幅回路へは、微弱な電荷情報が伝達される。この線路長が長くなると、外部ノイズが電荷情報に重畳しやすくなる。
この点、ベース基板の裏面形成された肉薄部に増幅回路が配置されていれば、肉薄にした分だけアクティブマトリクス基板と増幅回路との線路長を短縮することができる。従って、外部ノイズの影響を低減することができる。
【００１５】
また、肉薄部に増幅回路を配置し、かつ肉薄部以外の部分に流路を配置すると、増幅回路と半導体層との距離が近づくことに加え、増幅回路と半導体層との間に流路が存在しなくなる。その結果、増幅回路と流路を流れる媒体との間における熱交換量が低下し、増幅回路と半導体層との間における熱交換量が増大する。
この点、増幅回路と肉薄部以外の部分との間に熱伝導手段を設けることとすれば、熱伝達手段を介して、流路近傍へ熱を伝達することが可能となる。従って、相対的に半導体層へ伝達される熱量を低減させることが可能となる。
また、増幅回路と肉薄部との間に断熱手段を設けることとすれば、半導体層へ伝達される熱量を更に低減させることができる。
【００１６】
ＴＡＢフィルム上に半導体素子を搭載した場合には、搭載面の裏面がモールドされる。そのモールドは半導体素子に比べて強度が低い。従って、アクティブマトリクス基板に接続されたＴＡＢフィルムを有し、ＴＡＢフィルムに対して前記肉薄部と反対側に位置するように増幅回路をＴＡＢフィルムに搭載すれば、増幅回路をベース基板の裏面に配置したときに、より強度の強い半導体素子が外面を向くことになり、外部からの圧力・衝撃等によりモールド部が破損するのを防止することができる。
また、増幅回路と肉薄部との間に設けた断熱手段を弾性体により構成すれば、肉薄部又は断熱手段との衝突によるモールド部の破損を防止することができる。
【００１７】
また、撮像装置は、増幅回路以外に電源回路に代表される他の発熱源を内蔵することがあり、これらの発熱源と、半導体層との熱交換を抑制することが望ましい。この点、電源回路基板を、ベース基板における肉薄部以外の部分に配置することとすれば、電源回路基板と半導体層との間に流路が介在することになる。その結果、電源回路基板と半導体層との熱交換量を抑制することができる。
なお、増幅回路の場合と異なり、電源回路基板とアクティブマトリクス基板を結ぶ線路長が多少長くなったとしても、外部ノイズの影響をそれ程考慮しなくて良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下本発明に係る撮像装置の実施例について説明する。
【００１９】
（実施例１）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施例に係る撮像装置１を、放射線の入射面を正面としたときの背面から見た図である。また、図２（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、内部に流路としての銅管５１を有するベース基板５上に緩衝層１８を介してアクティブマトリクス基板３が配置されている。
ベース基板５は、熱伝導率が高く、かつ内部に必要な銅管５１を配置できる最小限の厚みであっても、アクティブマトリクス基板３より高い剛性を実現できる材質で形成されている。具体的には、アルミニウム若しくはアルミニウムを主成分とする合金が好ましい。熱伝導率が高い材質とは、少なくとも、空気よりも熱伝導率が高い材質を言う。
また、緩衝層１８は、シリコン系樹脂組成物等の樹脂を主材としたゲル状物質が例示され、その他、エポキシやアクリルに代表される樹脂板材料や、スポンジ等の緩衝材料を使用しても良い。
【００２１】
なお、緩衝層１８を省略して、ベース基板５にアクティブマトリクス基板３を直接接触させることとしても良い。ただし、緩衝層１８を設けることにより、ベース基板５とアクティブマトリクス基板３との熱膨張率が異なる場合における温度変化若しくは振動等の要因によって、アクティブマトリクス基板３に生じる応力を吸収することが可能となる点で好ましい。更に、ベース基板５とアクティブマトリクス基板３との間の熱抵抗を低減するような緩衝層１８を介在させることで、安定温度に達するまでの時間を短縮することができる。
【００２２】
当該ベース基板５の内部には、公知の摩擦拡散接合技術により、銅管５１が埋め込まれている。このように流路をより導電性の高い銅管５１により形成し、銅管５１とベース基板５とを摩擦拡散接合により密に接触させることにより、流路内部を流れる温度制御用の熱媒体とベース基板５との間で効率よく熱交換を行わせることが可能となる。
なお、流路を他の方法で形成してもよく、単にベース基板５の内部に空洞を設けることとしても、流路として機能する。
【００２３】
また、銅管５１の両端は、それぞれ、流路入口５４及び流路出口５５としてベース基板の裏面に突出しており、温度制御用の熱媒体を供給するためのチューブ（図示省略）が接続される。チューブには、液体循環装置（図示省略）が接続される。当該液体循環装置は、恒温化された熱媒体を循環させる。
ここで、恒温化とは、液体循環装置を含む循環流路のいずれかの場所において、熱媒体の温度が略一定になるようにすることをいう。
【００２４】
本実施例では、温度制御用の熱媒体として恒温化されたものを例示したが、撮像装置１内のいずれかの場所に温度センサを設け、当該温度センサで計測された温度が略一定になるように、熱媒体液体の温度を制御することとしても良い。このような構成は、既知のフィードバック制御により実現することができる。
【００２５】
更に、アクティブマトリクス基板３の上には、入射した放射線を電荷に変換する半導体層２が積層されている。半導体層２は、アモルファスセレンを主成分とする半導体厚膜を、アクティブマトリクス基板３の上に蒸着することにより形成している。
ただし、半導体層２の材質及び形成方法は、種々選択可能である。例えば、半導体層２として、ＣｓＩ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ等を選択可能であり、更に放射線を一端光に変換した後、フォトダイオードで電荷情報に変換する方式（間接変換型）の撮像装置であっても良い。その他、使用環境若しくは撮像装置に内蔵される各種熱源の温度変化によって、性能に影響が及ぶ恐れのある全ての半導体層について、本発明を適用可能である。
【００２６】
また、半導体層２の上には、バイアス電圧を供給するためのバイアス電極１９が形成されている。
なお、アクティブマトリクス基板３、半導体層２、バイアス電極１９のそれぞれの間に、他の層が介在していてもよい。例えば、半導体層２の両面又は片面に、暗電流低減のためのブロッキング層を設ける構成についても、本発明を適用することができる。
【００２７】
次に、アクティブマトリクス基板３、及びアクティブマトリクス基板３に接続される各種回路について説明する。
【００２８】
図２に示すように、アクティブマトリクス基板３は、複数の画素電極Ｐとスイッチング素子ＳＷがマトリクス状に配置されている。画素電極Ｐは、スイッチング素子ＳＷのソース端子Ｓに接続されるとともに、グランド電極ＧＮＤとの間に設けられた誘電体層との関係により、容量Ｃｐを形成する。当該容量Ｃｐは、画素電極Ｐから収集した電荷を蓄積する。
また、アクティブマトリクス基板３は、同一行に属するスイッチング素子ＳＷのゲート端子Ｇに接続されたゲート線ＬＧを行の数だけ有している。更に、同一列に属するスイッチング素子ＳＷのドレイン端子Ｄに接続されたデータ線ＬＤを列の数だけ有している。
【００２９】
当該複数のデータ線ＬＤが、図１におけるＴＡＢフィルム８ａを介して増幅回路４に接続されている。更に、増幅回路４は、ＴＡＢフィルム８ａを介して画像信号処理回路基板１５と接続されている。同様に、当該複数のゲート線ＬＧが、ＴＡＢフィルム８ｂを介してゲート駆動回路９に接続されている。更に、当該ゲート駆動回路９は、ゲート制御回路１０に接続されている。
【００３０】
本実施例１では、アクティブマトリクス基板３と、増幅回路４とをＴＡＢフィルム８ａで接続することとしたが、電荷信号を伝達することができるものであればよい。例えば単にフラットケーブルを用いて、アクティブマトリクス基板３と増幅回路４を配した基板とを接続することとしても良い。
【００３１】
ゲート駆動回路９は、ゲート制御回路１０によって選択されたゲート線ＬＧをアクティブにする。これにより、当該ゲート線に接続された複数のスイッチング素子ＳＷがオンになる。その結果、容量Ｃｐに蓄積された電荷が、スイッチング素子ＳＷを通じて、データ線ＬＤに流入する。
【００３２】
増幅回路４は、データ線ＬＤに流入した電荷を増幅して電圧に変換する。当該変換された電圧は、画像信号処理回路基板１５により逐次読み込まれ、デジタル値に変換される。
【００３３】
これら一連の動作を、駆動するゲート線ＬＧを順次走査しながら実行することにより、全ての画素について電荷情報に対応したデジタル値を収集することができる。収集したデジタル値に基づいて、Ｘ線撮影画像を得ることができる。
【００３４】
ここで、増幅回路４及び画像信号処理回路基板１５は、ベース基板５の裏面に配置されている。このとき、発熱の大きい増幅回路４は、ベース基板５に密着配置されている。従って、増幅回路４をベース基板５の側面に配置した場合に比べ、半導体層２と増幅回路４との距離を大きくとることができる。その結果、増幅回路４により生じた熱により、半導体層２が劣化することを防止することができる。更に、側面に増幅回路４を配置しないので、撮像装置１の外形を小さくすることができる。
更に、ベース基板５を介して、増幅回路４と銅管５１内を通る温度制御用の熱媒体との間で熱交換が行われるため、増幅回路４の表面温度を銅管５１内の流体の温度に略維持することができ、増幅回路４の温度変化による特性の変化を抑制することができる。
【００３５】
なお、画像信号処理回路基板１５にも発熱の大きい素子や、温度変化の影響を受けやすい素子が搭載されている場合には、それらの素子と、ベース基板５とを、熱的に接続することが望ましい。
【００３６】
本実施例１においては、増幅回路４と同様に、ゲート駆動回路９をベース基板５に接触させている。ゲート駆動回路９は、スイッチング素子に供給するゲート電圧をオンオフする機能しか有さないため、温度上昇によるゲート駆動回路９の特性への影響は小さい。ただし、ゲート駆動回路９をベース基板５の側面に配置した場合に比べ、半導体層２とゲート駆動回路９との距離を大きくとることができるため、ゲート駆動回路９により生じた熱により、半導体層２が劣化することを防止することができる。更に、側面にゲート駆動回路９を配置しないので、撮像装置１の外形を小さくすることができる。
ただし、当該ゲート駆動回路９の配置構成は、本発明の必須の構成ではない。
【００３７】
なお、図１において、ＴＡＢフィルム８ａ、増幅回路４、画像信号処理回路基板１５は、それぞれ同じものを左右に配置しているため、左側の符合を省略している。同様に増幅回路４はＴＡＢフィルム８ａ上に複数搭載された増幅回路４は、最上部のものにのみ符号を付し、その他の符号を省略している。ゲート駆動回路９についても、最右のものにのみ符号を付し、他を省略している。
【００３８】
また、ＴＡＢフィルム８ａ、増幅回路４、画像信号処理回路基板１５を、それぞれ同じものを左右に配置しているのは、検出エリアを左右に分割して並列で電荷情報を読み出すためである。従って、片方に全ての増幅回路を４と画像信号処理回路基板１５を配置してもよい。ただし、左右に分割して配置することとすれば、発熱体の配置を分散させることができるため、局所的な温度上昇による半導体層２への悪影響が低減される。
【００３９】
更に、図１に示すように、ベース基板５の裏面には、電源回路基板１１が配置されている。当該電源回路基板１１上には、ＤＣ−ＤＣコンバータ１２が搭載されている。ＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、ベース基板５に接触されていることにより、動作時に生じた熱を排熱しやすくしている。
【００４０】
なお、ＤＣ−ＤＣコンバータ１２は、必ずしもベース基板５に接触されている必要はなく。他の熱伝導性の高い部材を介して、ベース基板５に接続してもよい。また、電源回路基板１１に搭載する素子として、ＤＣ−ＤＣコンバータ１２を例示したが、その他の素子についても、同様の構成を採用することができる。更に、本発明において、電源回路基板１１をベース基板５の裏面に配置する構成は必須ではない。
【００４１】
（実施例２）
図３（ａ）は、本発明の第２の実施例に係る撮像装置１を、放射線の入射面を正面としたときの背面から見た図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
実施例２に係る撮像装置１は、ベース基板５の裏面に肉薄部５３が形成されている点、及び、当該肉薄部５３に増幅回路４等を配置することにより、ＴＡＢフィルム８ａ、８ｂが短くなっている点においてのみ、実施例１の構成と相違する。従って、その他の構成の説明を省略する。
【００４２】
図３に示すように、ベース基板５の裏面には、肉薄部５３が形成されている。実施例２における肉薄部５３は、左右及び下部に形成されている。左右に形成された肉薄部５３には、増幅回路４及び画像信号処理回路基板１５が配置されている。また、下部に形成された肉薄部５３には、ゲート駆動回路９及びゲート制御回路１０が配置されている。
従って、肉薄部５３を形成した分だけ、ＴＡＢフィルム８ａ、８ｂを短くすることができる。
【００４３】
なお、流路としての銅管５１は、ベース基板５における肉薄部以外の部分５２に配置されている。肉薄部５３に流路を形成することとすると、肉薄部５３も銅管５１を超える厚みを要することになり、ベース基板５を薄くすることができないためである。
【００４４】
上述の通り、アクティブマトリクス基板３から増幅回路４へ、ＴＡＢフィルム８ａを介して電荷が伝達される。伝達される電荷は非常に微弱な信号であり、環境雑音の影響を受けやすい。本実施例２の構成によれば、実施例１の構成に比べ、電荷の伝達距離を短縮できるため、環境雑音の影響を低減することが可能となる。
【００４５】
なお、ゲート駆動回路９及びゲート制御回路１０については、アクティブマトリクス基板３へ伝達する信号強度が大きいため、環境雑音の影響を受けにくい。従って、下部に肉薄部５３を設け、当該部分にゲート駆動回路９及びゲート制御回路１０を配置する構成は、必須ではない。ただし、本実施例２の構成によれば、ＴＡＢフィルム８ａ、８ｂの長さを統一することができるため、部品の共通化による製造コストの低減が期待できる。
【００４６】
（実施例３）
図４（ａ）は、本発明の第３の実施例に係る撮像装置１の断面図である。以下、実施例２との相違点についてのみ以下説明する。
【００４７】
図４（ａ）に示すように、ＴＡＢフィルム８ａ上における増幅回路４の搭載面が、実施例１、２とは逆になっている。すなわち、図４（ｂ）に示すように、ＴＡＢフィルム８ａ上に増幅回路４を搭載した後に、ＴＡＢフィルム８ａを伸ばした状態で、増幅回路４が図の上側を向くようにアクティブマトリクス基板３の端に接続し、ベース基板５の裏面へ折り曲げられている。
これにより、増幅回路４は、ＴＡＢフィルム８ａに対して、ベース基板５の裏面（肉薄部５３）と反対側に位置するようにＴＡＢフィルム８ａに搭載されている状態となる。
【００４８】
増幅回路４の搭載部分について、図５を参照して更に詳細に説明する。
図５（ａ）は、ＴＡＢフィルム８ａの平面図である。ＴＡＢフィルム８ａには、素子搭載用の孔８１が設けられている。また、ＴＡＢフィルム８ａの内部には電極８５が複数設けられており、ＴＡＢフィルム８ａの両端と、孔８１の両端部分のみ外部に露出している。
【００４９】
まず、図５（ａ）のＡ−Ａ’断面図である図５（ｂ）に示すように、搭載すべき増幅回路４を孔８１の上に置き、増幅回路４の脚と電極８５の露出部分と加熱圧着する。次に、図５（ｃ）のように、搭載面の裏面から、孔８１を塞ぐように、モールド８２を充填する。
【００５０】
ここで、現状におけるモールド８２は、加圧や衝撃が加わると比較的容易に壊れてしまう。従って、モールド８２を形成した面が、外方向へ向くように実装することは好ましくない。そこで、本実施例３では、モールド８２を形成した面が内側を向くように配置することにより、外部からの衝撃などにより、モールド８２が破損するのを防止することができる。
【００５１】
しかし、そのように配置しただけでは、増幅回路４をベース基板５に接触させることができない。そこで、増幅回路４と、ベース基板５における肉薄部以外の部分５２との間を熱的にバイパスする熱伝導手段６を設けている。
熱伝導手段６は、熱伝導性の高いグラファイトシートや、銅製のプレートにより形成することが好ましい。ただし、ベース基板５と同等以上の熱伝導率を有している限りにおいて、その材質、及び形状を種々選択可能である。
【００５２】
このように構成することにより、熱伝導手段６及びベース基板５を介して増幅回路４と銅管５１内を通る温度制御用の熱媒体との間で、熱交換をすることができる。更に、肉薄部以外の部分５２には、流路としての銅管５１が設けられており、かつ、熱伝導手段６によって、増幅回路４と肉薄部以外の部分５２とを熱的に接続しているので、実施例２に比べて、増幅回路４と、流路を通る熱媒体との間の熱交換を効率的に行うことができる。また、実施例２の構成では、流路が形成されていない肉薄部５３を介して、増幅回路４と半導体層２との間で多少の熱交換が生じていたが、本実施例３の構成によれば、当該影響を排除することができる。更に、増幅回路４（のモールド８２）と、肉薄部５３との間に、断熱手段としてのスポンジ７を配置することにより、当該影響を確実に排除することができる。
また、断熱手段としてのスポンジ７は弾性を有しており、モールド８２を衝撃から保護する役目も果たしている。
【００５３】
本実施例３では、増幅回路４（のモールド８２）と、肉薄部５３との間に、断熱手段としてのスポンジ７を配置することとした。ただし、当該構成は必須ではなく、また弾性を有するものに限られるものではない。なお、断熱手段とは、少なくとも空気と同等以下の熱伝導性を有する材料を言うものとする。また、弾性を有するとは、二次元撮像装置に、製品仕様で定める最大許容衝撃が加わった時に、モールド８２が破損しない程度にその衝撃を吸収することができることを言う。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１を説明する図である。
【図２】アクティブマトリクス基板の内部構造を説明する図である。
【図３】本発明の実施例２を説明する図である。
【図４】本発明の実施例３を説明する図である
【図５】ＴＡＢフィルムへの素子の実装を説明する図である。
【図６】従来技術に係る二次元撮像装置を説明する図である。
【符号の説明】
【００５５】
１     撮像装置
２     半導体層
３     アクティブマトリクス基板
４     増幅回路
５     ベース基板
６     熱伝導手段
７     断熱手段
８     ＴＡＢフィルム
９     ゲート駆動回路
１０   ゲート制御回路
１１   電源回路基板
１２   ＤＣ−ＤＣコンバータ
１５   画像信号処理回路基板
１６   Ａ／Ｄ変換回路
１８   緩衝層
１９   バイアス電極
２１   電荷阻止層
２２   正孔阻止層
３１   スイッチング素子
３２   蓄積容量
３３   データライン
３４   ゲートライン
４１   チャージアンプ
４２   電圧増幅器
４３   マルチプレクサ
４４   電圧出力端子
５１   流路
５２   肉薄部以外の部分
５３   肉薄部
５４   流路入口
５５   流路出口
８１   孔
８２   モールド
【図１】
0004911312.tif 000002
【図２】
0004911312.tif 000003
【図３】
0004911312.tif 000004
【図４】
0004911312.tif 000005
【図５】
0004911312.tif 000006
【図６】
0004911312.tif 000007