(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶膜をペリクル膜として備えたペリクルであって、
前記シリコン単結晶膜の主面は、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面であることを特徴とするペリクル。
【請求項２】
前記格子面は｛１００｝面群に属し、前記結晶面は＜１１１＞方向に３〜５°傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
【請求項３】
前記格子面は｛１１１｝面群に属し、前記結晶面は＜１１０＞方向に３〜５°傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のペリクル。
【請求項４】
前記シリコン単結晶膜は、ＳＯＩ基板を薄膜化して得られたものである請求項１乃至３の何れか１項に記載のペリクル。
【請求項５】
前記シリコン単結晶膜は、１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が０．００５／ｎｍ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載のペリクル。
【請求項６】
前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の主面に保護膜を備えている請求項１乃至５の何れか１項に記載のペリクル。
【請求項７】
前記保護膜は、１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が０．０５／ｎｍ以下である請求項６に記載のペリクル。
【請求項８】
前記保護膜は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ、及びＲｈからなる群のうちの少なくとも１つの材料からなるものである請求項６又は７に記載のペリクル。
【請求項９】
｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜を一方主面に有するＳＯＩ基板にペリクル膜保持部を設ける工程と、前記ＳＯＩ基板の他方主面側から支持基板を除去して前記シリコン単結晶膜をペリクル膜とする工程とを備えていることを特徴とするペリクルの製造方法。
【請求項１０】
前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の面に保護膜を形成する工程を更に備えている請求項９に記載のペリクルの製造方法。
【請求項１１】
前記保護膜の形成が、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ、及びＲｈからなる群のうちの少なくとも１つの材料からなる膜を被膜することにより実行される請求項１０に記載のペリクルの製造方法。
【請求項１２】
前記保護膜の被膜方法がガスクラスタ・イオンビーム蒸着法である請求項１１に記載のペリクルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ用ペリクルに関し、より詳細には、極端紫外光（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）を用いたリソグラフィに好適なペリクルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高集積化に伴ってリソグラフィによって形成されるパターンは微細化し、現在では４５ｎｍ程度のパターン幅のデバイスも実用化されつつある。このような細線パターンは、従来のエキシマ露光技術の改良技術であるＡｒＦ液浸法や二重露光法といった手法によるリソグラフィによって実現可能である。
【０００３】
しかしながら、このようなエキシマ露光技術に基づくリソグラフィでは、パターン幅が３２ｎｍ以下といった更なる微細化が求められるパターニングには対応が困難であるとされ、これに代わる新たな露光技術としての極端紫外光（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）を用いたリソグラフィが注目されている。
【０００４】
１３．５ｎｍを主波長とするＥＵＶ光を用いた露光技術の実用化のためには、光源は勿論のこと、新しいレジストやペリクルなどの開発が不可欠であるが、これらのうち、光源やレジストについては既にかなりの進展がみられている一方、ペリクルに関してはＥＵＶ用ペリクルの実現のために解決しなければならない技術的課題が未解決のまま多く残されている。
【０００５】
ＥＵＶ用ペリクルに設けられるペリクル膜には、フォトマスク上への異物の付着を防止する防塵機能はもとより、ＥＵＶ光に対する高い透過性と化学的安定性が求められるが、これら高透過性と化学的安定性に優れた実用的なペリクル膜の材料開発という課題の解決には未だ目処が立っていないのが現状である。
【０００６】
１３．５ｎｍを主波長とする波長帯の光に対して透明な材料は現在のところ知られていないが、シリコンはこの波長帯の光に対しての透過率が比較的高いことから、ＥＵＶ用のペリクル膜材料としてシリコンが注目されてきている（例えば、Shroff et al. “EUV pellicle Development for Mask Defect Control,” Emerging Lithographic Technologies X, Proc of SPIE  Vol.6151 615104-1 (2006)：（非特許文献１）、米国特許第6,623,893号明細書：（特許文献１））。
【０００７】
しかし、非特許文献１でペリクル膜として用いられているシリコンはスパッタ等の方法で堆積された膜であるため、必然的に非晶質となり、ＥＵＶ領域での吸収係数が高くなって透過率は必然的に低くならざるを得ない。
【０００８】
また、特許文献１に開示されているペリクル膜もその材料はシリコンであるが、このシリコン膜はＣＶＤなどの方法で堆積されることが前提とされており、この場合のシリコン膜は非晶質若しくは多結晶の膜となってしまうため、ＥＵＶ領域での吸収係数は高くならざるを得ない。
【０００９】
加えて、特許文献１や非特許文献１に開示されているペリクル膜のように、スパッタ法やＣＶＤ法で成膜したシリコン結晶中には強い応力が導入され易く、当該応力によって光学膜特性が劣化したり不均一なものとなったりし易いという問題もある。
【００１０】
そこで本発明者等は、上述の欠点を解決して、高透過性と化学的安定性に優れた実用的なＥＵＶ用ペリクル及びその製法を考案して特許出願をなした（特願２００７−２９３６９２（未公開））。しかしながら、その後の更なる検討の結果、上記特許出願にかかる発明のうち、（１００）面を主面とするシリコン単結晶膜をペリクル膜として用いた場合には、ＥＵＶペリクルの光学特性は優れるものの、ペリクル製造の工程においてシリコン結晶を薄膜化する際に、剥離、エッチング、あるいはハンドリング等の工程において、シリコン結晶膜に亀裂や欠陥が発生し易く、製造歩留まりを低下させてしまうという問題があることが判明した。なお、本明細書において結晶面およびその方位を表すために用いた記号の意味は例えば非特許文献２の第２章2.2項に記載のとおりであり、当業者に一般的に使用されているところのものである。
【特許文献１】米国特許第6,623,893号明細書
【非特許文献１】Shroff et al. “EUV pellicle Development for Mask Defect Control,” Emerging Lithographic Technologies X, Proc of SPIE  Vol.6151 615104-1 (2006).
【非特許文献２】志村史夫著  「半導体シリコン結晶工学」第２章2.2項（丸善株式会社）1993年
【非特許文献３】F. Shimura, “Semiconductor Silicon Crystal Technology” Chapter3, Academic Press, Inc.(1989)
【非特許文献４】山田公編著  「クラスターイオンビーム  基礎と応用」第４章（日刊工業社）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高透過性と機械的、化学的安定性に優れ、更に製造歩留まりが高く、コスト的にも実用的なＥＵＶ用ペリクル膜を備えたペリクルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような課題を解決するために、本発明のペリクルは、シリコン単結晶膜をペリクル膜として備えたペリクルであって、前記シリコン単結晶膜の主面は、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面であることを特徴とする。例えば、前記格子面は｛１００｝面群に属し、前記結晶面は＜１１１＞方向に３〜５°傾斜している。また、例えば、前記格子面は｛１１１｝面群に属し、前記結晶面は＜１１０＞方向に３〜５°傾斜している。
【００１３】
好ましくは、前記シリコン単結晶膜はＳＯＩ基板を薄膜化して得られたものであり、また、１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が０．００５／ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
本発明のペリクルは、前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の主面に保護膜を備えるようにしてもよい。この場合、保護膜の１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数が０．０５／ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
好ましくは、この保護膜は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ、及びＲｈからなる群のうちの少なくとも１つの材料からなるものである。
【００１６】
本発明のペリクルの製造方法は、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜を一方主面に有するＳＯＩ基板にペリクル膜保持部を設ける工程と、前記ＳＯＩ基板の他方主面側から支持基板を除去して前記シリコン単結晶膜をペリクル膜とする工程とを備えていることを特徴とする。
【００１７】
この製造方法に於いて、前記シリコン単結晶膜の少なくとも一方の面に保護膜を形成する工程を更に備えるようにすることもできる。
【００１８】
この場合、前記保護膜の形成は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮ、Ｍｏ、Ｒｕ、及びＲｈからなる群のうちの少なくとも１つの材料からなる膜を被膜することにより実行される。また、保護膜の被膜方法としては、ガスクラスタ・イオンビーム蒸着法が好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜をペリクル膜として利用することとしたので、剥離、研磨やエッチングなどの種々のペリクル作製時の機械的、化学的な処理を行う際に安定であり、ハンドリングに伴う衝撃などに起因する亀裂やボイドなどの発生を大幅に低減することができる。その結果、高透過性と機械的、化学的安定性に優れ、また歩留まりが高く、コスト的にも実用的なＥＵＶ用ペリクル膜を備えたペリクルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、図面を参照して本発明のペリクルの構造について説明する。
【００２１】
図１（Ａ）および（Ｂ）は、本発明のペリクルの構造例を説明するための断面概略図で、このペリクル１０は、シリコン単結晶膜をペリクル膜として備えたペリクルであって、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜のペリクル膜１１が、ペリクルフレーム１２の端面に接着されている。このようなシリコン単結晶膜の主面は、例えば、結晶方位が＜１００＞から＜１１１＞方向に３〜５°傾斜（｛１００｝面群に属する格子面から＜１１１＞方向に３〜５°傾斜）した結晶面であり、結晶方位が＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜（｛１１１｝面群に属する格子面から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜）した結晶面である。
【００２２】
ここで、結晶方位が＜１１１＞の結晶面（｛１１１｝面）には、結晶方位が［１１１］、［１１−１］、［１−１１］、［−１１１］、［１−１−１］、［−１１−１］、［−１−１１］、［−１−１−１］の８つの結晶面が含まれるが、これらの何れの結晶面であってもよい。同様に、＜１１０＞方向には、［１１０］、［−１１０］、［−１−１０］、［１−１０］、［０１１］、［０−１１］、［０−１−１］、［０１−１］、［−１０１］、［１０１］、［−１０−１］、［１０−１］の１２の方向が含まれる。「＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°ずれている」という場合、結晶方位が［１１１］の場合には、例えば、［−１１０］方向に３〜５°ずれていることとなる。
【００２３】
ペリクル膜１１とされるシリコン単結晶膜は、間接遷移型の半導体膜であるために、ＥＵＶ光での吸収係数は他の物質より相対的に低くペリクル膜に好適である。本発明者らの検討によれば、シリコン単結晶膜の吸収係数等の光学特性に関してはその主面の結晶方位による優劣は殆ど認められないが、機械的特性、化学的特性、或いは歩留まりなどの製造コスト面において有意な結晶方位依存性が認められることが分かった。
【００２４】
上述したように、本発明者らは、（１００）面を主面とするシリコン単結晶膜をペリクル膜として用いた、高透過性と化学的安定性に優れた実用的なＥＵＶ用ペリクル及びその製法を考案して特許出願済みであるが、主面の結晶方位が＜１００＞のシリコン単結晶は、機械的、化学的に比較的安定で、電気的性能も高く、加工性に優れ、半導体用には最もバランスが取れており、量的に最も多く生産されていることからコストも安いという利点があるものの、ペリクル製造の工程においてシリコン結晶を薄膜化する際に、剥離、エッチング、あるいはハンドリング等の工程において、シリコン結晶膜に亀裂や欠陥が発生し易いという問題が明らかとなった。なお、＜１１０＞や＜５１１＞といった結晶方位のシリコン単結晶基板は、製造量が少なく経済的に不利であるために実際的とは言えない。
【００２５】
そこで本発明者らが検討を重ねた結果、本発明のように、主面が、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面であるシリコン単結晶膜をペリクル膜として利用することとすると、剥離、研磨やエッチングなどの種々のペリクル作製時の機械的、化学的な処理を行う際に安定であり、ハンドリングに伴う衝撃などに起因する亀裂やボイドなどの発生を大幅に低減できることを見出した。これは、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜（３°オフ乃至５°オフ）した結晶面を主面とするシリコン単結晶では、＜１００＞方位のシリコン単結晶よりも、有効ボンド密度やヤング率が４０〜５０％程度高いために、劈開が起こり難く亀裂が発生しづらいこと、また、耐フッ酸性などの化学的耐性が高くエッチピットやボイドが発生し難いことによるものと考えられる（例えば、非特許文献３参照）。
【００２６】
ところで、ペリクル膜材料として、シリコン単結晶のような低吸収係数の材料が要求されるのは、できるだけＥＵＶ光を透過させながらも、ある程度の膜強度もたせる必要があるからである。具体的には、例えば２０〜１５０ｎｍ程度の厚みのペリクル膜で、ＥＵＶ光の透過率（１３．５ｎｍの波長の光の透過率）を５０％以上とするためである。
【００２７】
ペリクル膜の吸収係数をα（ｎｍ−１）、膜厚をｘ（ｎｍ）とすると、ペリクル膜を透過した光の強度Ｉは、入射光の強度をＩ０として、次式で与えられる。
【数１】
0004928494.tif 000002
【００２８】
従って、ＥＵＶ光の透過率を５０％以上とするために必要なペリクル膜の厚みｘは、概ね０．６９３／αとなり、吸収係数αが０．００５／ｎｍ以下であれば、１４０ｎｍの厚みのペリクル膜でも５０％のＥＵＶ透過率が確保可能である。シリコン単結晶はこれに合致する最適な物質である。このようなペリクル膜は、例えば後述する手法により、ＳＯＩ基板（ここで、「ＳＯＩ基板」は、ＳＯＱ基板やＳＯＧ基板を含む用語として用いている）を薄膜化して得られたＳＯＩ膜から作製することが好適である。
【００２９】
本発明のペリクル１０は、ペリクル膜１１であるシリコン単結晶膜の少なくとも一方の主面に保護膜（１３ａ、１３ｂ）を設けてシリコン結晶面を被覆するようにしてもよい（図１（Ｂ））。このような保護膜は、高出力光源からの光によるシリコン単結晶膜の表面の酸化を防止するなどの役割を担うもので、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ｙ２Ｏ３、ＹＮなどのセラミックスの膜や、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈなどの金属膜などを例示することができ、これらの組み合わせにより得られる材料からなる膜としたり、複数の膜を積層させた態様の膜とすることも可能である。
【００３０】
保護膜の形成法に特別な制限はなく、公知のＣＶＤ法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などによる成膜が可能であるが、ガスクラスタ・イオンビーム（ＧＣＩＢ）蒸着法によれば理論密度に近い高密度の緻密な保護膜が形成可能であり、薄い膜であっても高い耐酸化性を得ることが期待できる（非特許文献４：山田公編著  「クラスターイオンビーム  基礎と応用」第四章  日刊工業社）。従って、ペリクルとしての透過率を然る程低下させることのない保護膜の形成法としては、ＧＣＩＢ蒸着法が好適である。
【００３１】
保護膜は比較的薄く形成することが容易であるため、その吸収係数はペリクル膜ほど低いものである必要はないが、１３．５ｎｍの波長の光に対する吸収係数を０．０５／ｎｍ以下とすることが好ましい。保護膜を設けた場合には、当該保護膜とペリクル膜を透過するＥＵＶ光の透過率が５０％以上となるように、双方の厚み等が設計されることとなる。
【００３２】
シリコン単結晶は、ペリクルフレーム１２の材質としても選択することができる。シリコン単結晶は純度が高く且つ機械的強度も確保でき、更に、ペリクルフレームとした際の発塵も抑制することができるという利点がある。
【００３３】
なお、透過膜（ペリクル膜および保護膜）が汚れたり亀裂が生じたりした場合には当該透過膜の貼替えが必要となる。このため、透過膜の脱着・装着が容易に行なえることが好ましい。従って、ペリクルフレームとペリクル膜との接着は、一般的な接着剤や半田を用いた固定方法によるものとせず、脱着・装着が可能な粘着剤、磁石、静電チャック、あるいはホックなどの機械的な固定方法によるものとすることが好ましい。このような機械的固定部材は、ＥＵＶ光の照射により劣化し難いものであるか、或いは、ＥＵＶ光から遮蔽されるように設けられることが好ましい。
【００３４】
ペリクルをフォトマスクに貼り付ける作業は、通常は常圧下で行なわれるが、ＥＵＶ露光は真空下で行なわれる。このため、ペリクルフレームには圧力調整機構を設けておくことが望ましい。このような圧力調整機構は、気体の流出入時に異物が混入しないような構造のものである必要がある。従って、圧力調整機構にＵＬＰＡのような極めて微細な異物をも捕獲可能なフィルタを設けておくことが好ましい。そのようなフィルタは、透過膜が不均一な圧力差で大きく伸縮したり、あるいは破損したりすることがないような面積のものとすることが重要である。
【実施例１】
【００３５】
図２は、本発明のペリクル製造方法のプロセス例を説明するための図である。広義のＳＯＩ基板がＳＯＱ（Silicon On Quartz）基板およびＳＯＧ（Silicon On Glass）基板である場合の支持基板１はそれぞれ、石英基板およびガラス基板である。また、狭義のＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板の支持基板１は表面にシリコン基板１ａ上に酸化膜１ｂが設けられている基板である。これらの支持基板の主面には、｛１１１｝面群に属する格子面から３〜５°傾斜した結晶面を主面とするシリコン単結晶膜２が設けられており、このシリコン単結晶膜２がペリクル膜となる。なお、支持基板上に設けられたシリコン単結晶膜２は何れも、ＥＵＶ光の吸収係数が概ね０．００１５ｎｍ−１の、膜厚７０ｎｍ程度の膜である。
【００３６】
ここで、ＳＯＩ基板の支持基板となるシリコン基板１ａは、例えば、ＣＺ法（チョクラルスキ法）により育成された一般に市販されている単結晶シリコン基板である。この単結晶シリコン基板１ａの表面に、熱酸化などの方法によって予め酸化膜１ｂが１００ｎｍ程度形成され、その上に、結晶方位＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜した結晶面を主面とする単結晶のシリコン結晶膜がＳＯＩ層として形成されている。
【００３７】
これらＳＯＱ基板、ＳＯＧ基板、およびＳＯＩ基板は、短辺１２２ｍｍと長辺１４９ｍｍの矩形の基板であり、この矩形基板の表面側であるシリコン単結晶膜２にシリコン単結晶からなるペリクルフレーム１２を接着する（図２（Ｂ））。そして、支持基板の裏面側から研磨とエッチングを施して（図２（Ｃ））、ペリクルフレーム１２に保持されたシリコン単結晶膜のぺリクル膜１１を得る（図２（Ｄ））。なお、このペリクルフレーム１２は、高さ７ｍｍで厚み２ｍｍであり、側面にはＵＬＰＡフィルタ取付用の複数の開口部が設けられており、裏面の最外周には、幅１ｍｍ、深さ２ｍｍの溝が形成されている。
【００３８】
支持基板がＳＯＱ基板およびＳＯＧ基板の場合には、支持基板１を裏面から研磨して１００μｍ程度まで薄くした後に、残りのＳｉＯ２部分をＨＦにより除去してシリコン単結晶膜２のみとしてペリクル膜１１とすることができる。
【００３９】
支持基板が狭義のＳＯＩ基板の場合には、先ず、支持基板であるシリコン基板１ａを１００μｍ程度まで薄くした後に、残りのシリコン部分をＫＯＨエッチャントでエッチング除去して酸化膜１ｂを露出させ、その後にＨＦにより酸化膜１ｂを除去してシリコン単結晶膜２のみとしてペリクル膜１１とする。
【００４０】
最後に、シリコン単結晶膜のペリクル膜１１と一体化した状態のペリクルフレーム１２にＵＬＰＡフィルタを取り付け、更に、このペリクルフレーム１２の裏面最外周部に設けられた溝に、シリコーン粘着剤を注入してペリクル１０とした。この溝は露光光からシリコーン粘着剤を遮蔽するためのものである。
【００４１】
本発明のように、ＳＯＩ基板（ＳＯＱ基板、ＳＯＧ基板、狭義のＳＯＩ基板）を用い、結晶方位が＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜している（３°オフ乃至５°オフ）方位面を主面とするシリコン単結晶膜からなるペリクル膜を形成した場合には、支持基板を除去してシリコン結晶膜単独のペリクル膜とする過程で極度の応力が加わることがなく、しかも室温程度の温度下でペリクル膜形成が完了するために歪みが導入されることもない。更に、膜の劈開が起こりにくく、亀裂が発生しづらい。また、耐フッ酸性などの化学的耐性が高く、エッチピットやボイドも生じ難い。
【００４２】
なお、図２（Ｄ）のように得られたペリクルフレーム１２に支持されたシリコン単結晶膜のペリクル膜１１の表裏面に、図１で図示したような保護膜を形成するようにしてもよいし、支持基板の薄膜化に先立って予め前記シリコン単結晶膜２上に保護膜を形成しておくようにしてもよい。
【実施例２】
【００４３】
図２で示した工程に従って、結晶方位が＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜している（３°オフ乃至５°オフ）方位面を主面とするシリコン単結晶膜のペリクル膜１１がペリクルフレーム１２に支持された状態のものを得た。なお、本実施例のシリコン単結晶膜のペリクル膜１１の厚みは２０ｎｍである。そして、このペリクル膜１１の表面と裏面のそれぞれに、数ｎｍの厚みのＳｉＣ薄膜をガスクラスタ・イオンビーム蒸着法で蒸着してシリコン単結晶膜のペリクル膜１１を被覆した。
【００４４】
実施例１および実施例２で得られたペクリルは何れも、ＥＵＶ光の透過率が５０％以上であり、ＥＵＶ露光時のスループットも実用的レベルであり、異物によるデバイスの歩留まり低下は全く認められないことが確認された。
【００４５】
上述の実施例では、ペリクル膜が、結晶方位が＜１１１＞から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜（｛１１１｝面群に属する格子面から＜１１０＞方向に３〜５°傾斜）した結晶面を主面とする単結晶シリコン膜である場合について説明したが、シリコン単結晶膜の主面は、｛１００｝面群および｛１１１｝面群に属する何れかの格子面から３〜５°傾斜した結晶面であればよく、例えば、結晶方位が＜１００＞から＜１１１＞方向に３〜５°傾斜（｛１００｝面群に属する格子面から＜１１１＞方向に３〜５°傾斜）した結晶面を主面とする単結晶シリコン膜をペリクル膜としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、高透過性と機械的、化学的安定性に優れ、更に製造歩留まりが高く、コスト的にも実用的なＥＵＶ用ペリクル膜を備えたペリクルを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のペリクルの構造例を説明するための断面概略図である。
【図２】本発明のペリクル製造方法のプロセス例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  支持基板
１ａ  シリコン基板
１ｂ  酸化膜
２  シリコン単結晶膜
１０  ペリクル
１１  ペリクル膜
１２  ペリクルフレーム
１３  保護膜
【図１】
0004928494.tif 000003
【図２】
0004928494.tif 000004