(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、
前記プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで前記基板電極と対向し、前記プラズマ空間に面する第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面で両面を定義し、前記第１主面から前記第２主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極とを備え、
前記複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも前記高周波電極の外周部に設けられたガス吹き出し部が、第１開口部及び該第１開口部に接続された第２開口部を有し、前記第１開口部の開口幅が０．３ｍｍ以上、２ｍｍ以下の範囲で、前記第２開口部の開口幅が５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下の範囲であり、前記貫通する方向に測った前記第１開口部の長さが１ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ電極。
【請求項２】
前記第１開口部が、前記第１主面側に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ電極。
【請求項３】
前記第１開口部が、前記第２主面側に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ電極。
【請求項４】
前記複数のガス吹き出し部の全てが、前記第１及び第２開口部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ電極。
【請求項５】
前記複数のガス吹き出し部のうち、前記高周波電極の中央領域に設けられたガス吹き出し部が、前記第１開口部と同じ開口幅で前記第１主面から前記第２主面に貫通することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ電極。
【請求項６】
前記第１及び第２開口部の断面形状が、前記貫通する方向に沿って切った断面において矩形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ電極。
【請求項７】
前記第２開口部の断面形状が、前記貫通する方向に沿って切った断面において、前記第１開口部に接する位置では前記第１開口部と同じ開口幅であり、前記第１開口部から離れるに従って開口幅がテーパ状に広がることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ電極。
【請求項８】
前記第２開口部が、前記第１及び第２主面に平行な方向に沿って並列する複数の溝であり、前記第１開口部が前記複数の溝の底面に形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ電極。  
【請求項９】
前記第２開口部が、前記第１及び第２主面に平行な方向に沿って設けられ、互いに交差する複数の溝であり、前記第１開口部が前記複数の溝の交点に形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ電極。  
【請求項１０】
プラズマ化学気相堆積処理を行う処理室と、
前記処理室内に配置された請求項１〜９のいずれか１項に記載のプラズマ電極
とを備えることを特徴とするプラズマ化学気相堆積装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平行平板型のプラズマ電極及びプラズマ化学気相堆積装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平行平板型プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）装置のプラズマ電極は、基板電極、及び基板電極と対向して配置された高周波電極とを備える。基板電極の上面には、半導体基板等の被処理基板が載置される。高周波電極には、プロセスガスを被処理基板に向かって吹き出して供給する複数のガス吹き出し部が設けられる。基板電極及び高周波電極間に高周波電力が供給される
太陽電池の反射防止膜などに用いられる窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜をプラズマＣＶＤ装置で成膜する場合、プロセスガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4）、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）等が用いられる。通常、ガス吹き出し部は、高周波電極の全面に０．３ｍｍ〜２ｍｍ程度の直径が一定の貫通孔である。
【０００３】
プロセスガスをガス吹き出し部から基板に向かって吹き出しながら高周波電極に高周波電力を供給すると、平行平板型のプラズマ電極間の空間にほぼ均一なプラズマが生成される。生成されたプラズマによりプロセスガスに対して解離や励起等の化学反応が促進されるため、基板温度が熱ＣＶＤに比べて低温（２００℃〜６００℃）でも基板上に成膜することができる。
【０００４】
平行平板型プラズマＣＶＤ装置では、成膜速度を向上させるため、通常、プラズマ電極に印加投入する高周波電力を増加することが行われる。その場合、投入電力がある閾値を越えると、いわゆるホローカソード効果による放電が発生する。ホローカソード効果を積極的に利用して高速度の成膜速度を得るため、プラズマに接する表面側でガス吹き出し部の貫通孔の直径が大きくなるように断面形状が曲線状あるいは円錐状となる複数の窪みを等間隔に配置して形成したホロー高周波電極が提案されている（特許文献１及び２参照。）。
【０００５】
通常のプラズマ電極において投入電力が閾値を越える場合、均一なプラズマが生成された正常放電状態から、高周波電極表面の一部の特定領域での貫通孔において局所的にプラズマ発光強度が増加した、ホローカソード効果による異常放電状態へと移行する。特定領域で異常放電が発生すると、特定領域以外の高周波電極の領域に比べて特定領域では不連続的に大きな高周波電力が消費される。また、特定領域で成膜に寄与する反応が促進される。その結果、基板上での成膜分布が極端に不均一になるという問題がある。
【０００６】
更に、Ｓｉ3Ｎ4膜等の絶縁膜の成膜を行うと、プラズマと接触するプラズマ電極表面に絶縁性の堆積物が付着する。プラズマ電極上の堆積物には電子が蓄積され、負に帯電する。成膜工程を重ねるたびに高周波電極表面に付着した堆積物の厚さは増加し、ガス吹き出し部の貫通孔内壁にも堆積物が付着する。貫通孔内壁の堆積物が負に帯電して、プラズマからのイオン入射によるイオン衝撃を受ける頻度が高くなる。一般に絶縁物の二次電子放出係数は高く、イオン衝撃により堆積物からの二次電子が多量に発生し、貫通孔の軸心付近でのプロセスガスのイオン化が促進される。このようにして、堆積物が付着した貫通孔内壁へのイオン衝撃が加速度的に増大し、ついには特定領域の貫通孔において壊滅的な異常放電が発生してしまう。
【０００７】
ホローカソード効果による異常放電を抑制するためには、ガス吹き出し部内でのプロセスガスのイオン化が促進されないように高周波電極の厚さを薄くすればよい。しかしながら、プラズマＣＶＤでは、基板上の成膜反応の促進と、プラズマ電極を含むプラズマ周辺の構造物への堆積物の付着を低減するためプラズマ周辺の構造物の温度を２００℃〜６００℃程度の高温に保っている。そのため、高周波電極を薄くすると熱歪により高周波電極が顕著に変形してしまう。その結果、不均一なプラズマが生成され基板上での成膜分布が不均一になるという問題がある。
【特許文献１】特公平１−１３９７７１号公報
【特許文献２】特開２００２−２７４５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来は、正常放電状態から異常放電状態へ移行する高周波電力の閾値を高めるために、ガス吹き出し分の貫通孔の直径を小さくする方向で対策が取られていた。しかし、一旦高周波電力が閾値を越えて異常放電状態へ移行すると、異常放電を起こした貫通孔の内壁に急速に絶縁性の堆積物が付着する。そのため、オフラインで付着した堆積物を除去しない限り正常放電状態を維持することは困難であった。
【０００９】
上記問題点を鑑み、本発明は、異常放電を抑制して均一なプラズマを生成することが可能なプラズマ電極及びプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、（イ）プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、（ロ）プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで基板電極と対向し、プラズマ空間に面する第１主面及び第１主面の反対側の第２主面で両面を定義し、第１主面から第２主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極とを備え、（ハ）複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも高周波電極の外周部に設けられたガス吹き出し部が、第１開口部及び第１開口部に接続された第２開口部を有し、第１開口部の開口幅が第２開口部よりも小さく、貫通する方向に測った第１開口部の長さが１ｍｍ以下であるプラズマ電極であることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第２の態様は、（イ）プラズマ化学気相堆積処理を行う処理室と、（ロ）処理室内に配置された本発明の第１の態様によるプラズマ電極とを備えるプラズマ化学気相堆積装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、異常放電を抑制して均一なプラズマを生成することが可能なプラズマ電極及びプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、装置やシステムの構成等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な構成は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの構成等が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１４】
又、以下に示す本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１５】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、プラズマＣＶＤ処理を行う処理室３０、及び処理室３０内に配置されたプラズマ電極（１０、１２）等を備える。プラズマ電極（１０、１２）は、基板電極１２及び基板電極１２に対向する高周波電極１０を備える。基板電極１２及び高周波電極１０の間にプラズマ１４が生成されるプラズマ空間が挟まれる。基板電極１２表面に、プラズマ１４の反応により薄膜を堆積する基板２０が載置される。高周波電極１０は、ガス配管４０を通してプロセスガスが供給されるシャワーヘッド４２に設けられる。なお、高周波電極１０の全面に均一にプロセスガスを供給するため、高周波電極１０とガス配管４０の間に拡散板を設けてもよい。処理室３０は、排気配管３４に接続された真空ポンプ（図示省略）等により真空排気される。基板電極１２は、処理室３０を介して接地される。高周波電極１０には、プラズマ生成用の高周波電源３６が接続される。
【００１６】
高周波電極１０は、プラズマ空間に面する第１主面６と、第１主面６の反対側の第２主面８とでその両面が定義される平行平板を基礎とする形状である。第１主面６が、プラズマ空間を挟んで基板電極１２上の基板２０と対向するようにプラズマ空間に面するので、第２主面８は、プロセスガスの供給側に位置している。
【００１７】
図２及び図３に示すように、高周波電極１０は矩形状で、厚さがＴｔである。なお、高周波電極１０の形状は、矩形状に限定されず、円形、多角形等の形状であってもよい。高周波電極１０は、第１主面６から第２主面８に貫通する複数のガス吹き出し部（２、４）を有する。ガス吹き出し部(２、４)は、第１主面６側に設けられた第１開口部２、及び第２主面８側に設けられ、第１開口部２に接続された第２開口部４を有する。
【００１８】
第１及び第２開口部２、４は共に、ガス吹き出し部(２、４)の貫通する方向に沿って切った断面が矩形状の円孔で、互いの軸心はほぼ同一線上にある。第１開口部２の直径（開口幅）Ｗａは、第２開口部４の直径（開口幅）Ｗｂよりも小さい。また、ガス吹き出し部（２、４）の貫通する方向に測った第１開口部２の長さはＴａである。
【００１９】
高周波電極１０は、金属製である。第１及び第２開口部２、４は、例えば、機械加工により形成される。
【００２０】
例えば、Ｓｉ3Ｎ4膜をプラズマＣＶＤで堆積する場合、プロセスガスとしてＳｉＨ4、Ｎ2、ＮＨ3等のガスが用いられる。プロセスガスは、図１に示したガス配管４０からシャワーヘッド４２に供給される。プロセスガスは、高周波電極１０の第２主面８から第１主面６に向かってガス吹き出し部（２、４）を通って高周波電極１０と基板２０の間のプラズマ空間に供給される。基板２０及び高周波電極１０を２００℃〜６００℃程度の所定の温度に加熱しながら、高周波電源３６から高周波電極１０に高周波電力を供給しプラズマ１４を生成させる。このようにして、Ｓｉ3Ｎ4膜が基板２０上に堆積する。同時に、高周波電極１０表面にも絶縁性の堆積物が付着する。
【００２１】
高周波電極１０の厚さＴｔは、熱歪による変形等の影響を抑制するため、３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲が望ましい。また、プロセスガスをプラズマ中に均一に供給するため、第１開口部２の直径Ｗａは２ｍｍ以下が望ましい。ＣＶＤ中に第１開口部２の内壁に付着する堆積物により、第１開口部２が目詰まりするのを避けるため、第１開口部２の直径は０．３ｍｍ以上が望ましい。また、不連続な異常放電を防止するため、第２開口部４の直径Ｗｂは５ｍｍ以上が望ましい。ガス吹き出し部（２、４）からプロセスガスをプラズマ中に均一に供給するため、第２開口部４の直径は２０ｍｍ以下が望ましい。更に、第１開口部２の長さＴａは１ｍｍ以下が望ましい。第１開口部２の長さＴａが１ｍｍを越えると、第１開口部２の中で発生した異常放電が持続維持されやすく、壊滅的な異常放電に至るためである。
【００２２】
図４に示すように、従来の高周波電極１１０においては、ガス吹き出し部として第１主面１０６から第２主面１０８に貫通する貫通孔１０２が設けられる。貫通孔１０２は、第１及び第２主面１０６、１０８に対して垂直な内壁１０７を有する。図５に示すように、プロセスガスは、第２主面１０８側から供給され、第１主面１０６と基板(図示省略)の間にプラズマ１４が生成される。長時間プラズマＣＶＤを行うと、高周波電極１１０のプラズマと接触する第１主面１０６上、及び貫通孔１０２の内壁１０７上に絶縁性の堆積物１２０が蓄積する。
【００２３】
高周波電極１１０の第１主面１０６側には、発生したプラズマ１４により自己バイアス電圧が立つ。自己バイアス電圧は、高周波電源に含まれるインピーダンス整合器によりブロックされ保持されるため、高周波電極１１０の第１主面１０６上に付着した堆積物１２０の帯電状態がプラズマ１４に与える影響は殆どない。また、イオン衝撃で堆積物１２０からの二次電子放出が増加しても、高周波電極１１０と基板間の放電領域連続しているため、自己調整され安定放電によるプラズマ１４が維持される。
【００２４】
一方、貫通孔１０２の内壁１０７に堆積物１２０が蓄積されると、堆積物１２０の表面が負に帯電し、イオン衝撃の頻度が高くなる。また、堆積物１２０は絶縁性物質であり、二次電子放出係数が高い。更に、高周波電極１１０の厚さは、熱歪による変形を防止するため３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲とされている。このように、貫通孔１０２の内壁１０７で囲まれた領域が十分な厚さであるため、イオン衝撃により二次電子が多量に放出される。放出された二次電子は、貫通孔１０２の軸心付近でのプロセスガスのイオン化を促進する。したがって、貫通孔１０２内で放電が起こると、貫通孔１０２の軸心付近の領域と内壁１０７に付着した堆積物１２０表面との間をイオンＩ+及び電子ｅ-が往復運動してイオン化促進が更に増大することになる。貫通孔１０２の直径が２ｍｍ以下の場合、貫通孔１０２内に発生する放電領域は第１主面１０６の全面に発生するプラズマ１４とは不連続になる。その結果、ホローカソード効果に二次電子放出増大の効果が相乗されて、正常なプラズマ１４の放電領域と不連続な貫通孔１０２の内部領域に壊滅的な異常放電１１４が発生する。
【００２５】
第１の実施の形態に係る高周波電極１０では、プラズマ１４に接触する第１主面６側に設けられた第１開口部２の長さＴａは１ｍｍ以下である。また、第２開口部４の直径Ｗｂは５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲である。したがって、第１開口部２の内壁に付着した堆積物がイオン衝撃を受けても、放出される二次電子はプラズマ１４中や第２開口部４側に拡散していく。このように、第１開口部２においてイオン化を促進する領域が不十分であるため、異常放電状態を維持することはできない。また、異常放電を抑制するために第１開口部２の長さＴａを１ｍｍ以下にするだけで、高周波電極１０の厚さＴｔは、３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲と厚くすることができる。したがって、高周波電極１０を加熱しても、熱歪による変形等を防止することができ、均一なプラズマ１４を生成させることが可能となる。
【００２６】
なお、上述の高周波電極１０では、第１及び第２開口部２、４は共に、ガス吹き出し部(２、４)の貫通する方向に沿って切った断面が矩形状である。しかし、図６に示すように、ガス吹き出し部(２、４ａ)の貫通する方向に沿って切った第２開口部４ａの断面を、第１開口部２に接する位置では第１開口部２と同じ直径であり、第１開口部２から離れて第２主面８に向かうに従って直径が広がったテーパ形状としてもよい。また、図７に示すように、第１及び第２開口部２、４ａを共にテーパ形状としてもよい。この場合、第１開口部２は、直径が２ｍｍ以下のテーパ形状の部分となる。
【００２７】
また、図８〜図１０に示すように、第２開口部４Ａ、４Ｂを、第１及び第２主面に平行な方向に沿って設けられ、互いに交差する複数の溝で形成してもよい。第２開口部４Ａ、４Ｂの交点に第１開口部２が形成される。更に、図１１及び図２１に示すように、第２開口部４Ａを、第１及び第２主面に平行な方向に沿って並列する複数の溝で形成してもよい。第１開口部２は、溝の底面に形成される。
【００２８】
また、高周波電極の温度均一性を保つための特別な手段を施さない場合、一般に高周波電極の外周領域が中央領域に比べて温度が低くなる傾向がある。このため、高周波電極の外周領域において堆積物の付着が速く進行する。その結果、高周波電極の外周領域で異常放電が発生しやすい。したがって、図１３に示すように、高周波電極１０の外周部の一行及び一列に第１及び第２開口部２、４を有するガス吹き出し部（２、４）を設け、中央領域には第１開口部２と同じ直径の貫通孔からなるガス吹き出し部２ａを設けてもよい。また、図１４に示すように、高周波電極１０の外周部の一行及び一列に設けた溝を第２開口部４Ａ、４Ｂとしてもよい。高周波電極１０の外周部に第２開口部４、４Ａ、４Ｂを設けることにより、外周部での異常放電を防止することができる。このような構造を適用することにより、機械加工を簡略化することができ、製造コストを低減することが可能となる。なお、外周部の第２開口部は、複数の行及び複数の列に設けてもよい。
【００２９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極１０は、図１５及び図１６に示すように、矩形状で、厚さがＴｔである。高周波電極１０は、第１主面６から第２主面８に貫通する複数のガス吹き出し部（２、４）を有する。ガス吹き出し部(２、４)は、第２主面８側に設けられた第１開口部２、及び第１主面６側に設けられ、第１開口部２に接続された第２開口部４を有する。
【００３０】
第１及び第２開口部２、４は共に、ガス吹き出し部(２、４)の貫通する方向に沿って切った断面が矩形状の円孔で、互いの軸心はほぼ同一線上にある。第１開口部２の直径（開口幅）Ｗａは、第２開口部４の直径（開口幅）Ｗｂよりも小さい。また、ガス吹き出し部（２、４）の貫通する方向に測った第１開口部２の長さはＴａである。
【００３１】
高周波電極１０の厚さＴｔは、熱歪による変形等の影響を抑制するため、３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲が望ましい。また、プロセスガスをプラズマ中に均一に供給するため、第１開口部２の直径Ｗａは２ｍｍ以下が望ましい。ＣＶＤ中に第１開口部２の内壁に付着する堆積物により、第１開口部２が目詰まりするのを避けるため、第１開口部２の直径は０．３ｍｍ以上が望ましい。また、不連続な異常放電を防止するため、第２開口部４の直径Ｗｂは５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲が望ましい。第２開口部４の直径Ｗｂが５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲であれば、第２開口部４内でホローカソード効果によりプラズマ強度が増大するが、不連続な放電状態が第２開口部４内で発生するのを抑制することができる。更に、第１開口部２の長さＴａは１ｍｍ以下が望ましい。第１開口部２の長さＴａが１ｍｍを越えると、第１開口部２の中で発生した異常放電が持続維持されやすく、壊滅的な異常放電に至るためである。
【００３２】
第２の実施の形態では、第１開口部２が第２主面８側に配置され、第２開口部４が第１主面６側に配置される点が第１の実施の形態と異なる。他の構成は、第１の実施の形態と同様であるので、重複する記載は省略する。
【００３３】
第２の実施の形態では、第２開口部４が、図１に示した高周波電極１０と基板２０の間に生成されるプラズマ１４と接触する。第２開口部４の直径Ｗｂは、５ｍｍ〜２０ｍｍと大きく、ホローカソード効果により第２開口部４内で発生する放電は、プラズマ１４に接続される。このように、第２開口部４においては、プラズマ１４から孤立した不連続な異常放電は発生しない。また、第１開口部２の長さＴａは１ｍｍ以下である。したがって、第１開口部２においてイオン化を促進する領域が不十分であるため、異常放電状態を維持することはできない。このように、第２の実施の形態では、ガス吹き出し部（２、４）内での異常放電を抑制することができ、高周波電極１０と基板２０の間で、均一で且つプラズマ強度の高いプラズマを生成することができる。その結果、プラズマＣＶＤの堆積速度を増大させることが可能である。
【００３４】
なお、上述の高周波電極１０では、第１及び第２開口部２、４は共に、ガス吹き出し部(２、４)の貫通方向に沿って切った断面が矩形状である。しかし、図１７に示すように、ガス吹き出し部(２、４ａ)の貫通する方向に沿って切った第２開口部４ａの断面を、第１開口部２に接する位置では第１開口部２と同じ直径であり、第１開口部２から第１主面６に向かって直径が広がったテーパ形状としてもよい。また、第１及び第２開口部２、４ａを共にテーパ形状としてもよい。この場合、第１開口部２は、直径が２ｍｍ以下のテーパ形状の部分となる。
【００３５】
また、図１８に示すように、第２開口部４Ａ、４Ｂを、互いに交差する複数の溝で形成してもよい。第２開口部４Ａ、４Ｂの交点に第１開口部２が形成される。更に、図１９に示すように、第２開口部４Ａを並列する複数の溝で形成してもよい。第１開口部２は、溝の底面に形成される。
【００３６】
また、図２０に示すように、異常放電が発生しやすい高周波電極１０の外周部の一行及び一列に第１及び第２開口部２、４を有するガス吹き出し部（２、４）を設け、中央領域には第１開口部２と同じ直径の貫通孔からなるガス吹き出し部２ａを設けてもよい。また、図２１に示すように、高周波電極１０の外周部の一行及び一列に設けた溝を第２開口部４Ａ、４Ｂとしてもよい。高周波電極１０の外周部に第２開口部４、４Ａ、４Ｂを設けることにより、外周部での異常放電を防止することができる。このような構造を適用することにより、機械加工を簡略化することができ、製造コストを低減することが可能となる。なお、外周部の第２開口部は、複数の行及び複数の列に設けてもよい。
【００３７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は本発明の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３８】
本発明の第１及び第２の実施の形態の説明においては、第１開口部２は、第１又は第２主面６、８側に設けられている。しかし、図２２に示すように、第１及び第２主面６、８の両側に断面が矩形状の第２開口部４を設けて、両側の第２開口部４で挟まれた第１開口部２を設けてもよい。また、図２３に示すように、第１及び第２主面６、８の両側に断面がテーパ状の第２開口部４ａを設けて、両側の第２開口部４ａで挟まれた第１開口部２を設けてもよい。なお、第１開口部を挟む一方の第２開口部の断面を矩形状とし、他方の断面をテーパ状としてもよい。また、第１開口部２をテーパ状としてもよい。
【００３９】
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ電極の高周波電極の一例を示す平面図である。
【図３】図２に示した高周波電極のＡ−Ａ線に沿った断面を示す概略図である。
【図４】従来の高周波電極の一例を示す断面図である。
【図５】従来の高周波電極で発生する異常放電の一例を説明する概略図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図９】図８に示した高周波電極のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す概略図である。
【図１０】図８に示した高周波電極のＣ−Ｃ線に沿った断面を示す概略図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す断面図である。
【図１２】図１１に示した高周波電極のＤ−Ｄ線に沿った断面を示す概略図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の一例を示す平面図である。
【図１６】図１５に示した高周波電極のＥ−Ｅ線に沿った断面を示す概略図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す平面図である。
【図２２】本発明のその他の実施の形態に係る高周波電極の一例を示す断面図である。
【図２３】本発明のその他の実施の形態に係る高周波電極の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
２…第１開口部
４…第２開口部
６…第１主面
８…第２主面
１０…高周波電極
１２…基板電極
１４…プラズマ
２０…基板
３０…処理室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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