(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理装置において、
前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる回転手段と、
前記回転手段により回転駆動される前記基板の表面のうち前記回転中心と異なる表面部位に対して局部的に前記処理液を供給するノズルと、
前記基板の回転方向において前記ノズルからの前記処理液の供給位置に対して上流側で前記処理液が供給される直前の直前位置で前記表面部位を局部的に加熱して該表面部位を前記表面処理に応じた温度に昇温させる加熱手段とを備え、
前記基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる前記基板の周端面とから構成される前記基板の端部を前記表面部位として前記基板端部に対して前記表面処理を施し、
前記ノズルは前記基板端部に対して局部的に前記処理液を供給し、
前記加熱手段は、前記基板の表面周縁部に対向して配置され、前記直前位置で前記基板端部を局部的に加熱して前記基板端部を前記表面処理に応じた温度に昇温させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理装置において、
前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる回転手段と、
前記回転手段により回転駆動される前記基板の表面のうち前記回転中心と異なる表面部位に対して局部的に前記処理液を供給するノズルと、
前記基板の回転方向において前記ノズルからの前記処理液の供給位置に対して上流側で前記処理液が供給される直前の直前位置で前記表面部位を局部的に加熱して該表面部位を前記表面処理に応じた温度に昇温させる加熱手段と、
押圧機構とを備え、
前記基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる前記基板の周端面とから構成される前記基板の端部を前記表面部位として前記基板端部に対して前記表面処理を施し、
前記ノズルは前記基板端部に対して局部的に前記処理液を供給し、
前記加熱手段は前記直前位置で前記基板端部を局部的に加熱して前記基板端部を前記表面処理に応じた温度に昇温させ、
前記基板保持手段は、回転自在に設けられた回転部材と、前記基板表面を上方に向けた状態で前記基板の裏面に当接して前記基板を前記回転部材から離間させて支持する複数の支持部材とを有し、
前記押圧機構は前記基板表面にガスを供給することで前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記押圧機構は、ガス吐出口が設けられた基板対向面を有し、該基板対向面が前記基板表面に近接しながら対向配置された対向部材と、前記ガス吐出口からガスを吐出させることで前記基板対向面と前記基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給するガス供給部とを備え、前記間隙空間に供給されたガスによって前記基板を前記支持部材に押圧させるとともに、
前記基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔が設けられ、前記ノズルを前記ノズル挿入孔に挿入させた状態で前記ノズルから前記表面周縁部に向けて前記処理液を吐出する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記加熱手段はレーザ光を照射するレーザユニットを有し、
前記レーザユニットは、前記基板の周端面に対向して配置されるとともに、前記基板の周端面にレーザ光を照射して前記基板端部を局部的に加熱する請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記表面処理の実行前に前記回転部材に対する前記基板の偏心状態を確認する請求項４記載の基板処理装置であって、
前記レーザユニットは、前記回転手段により回転駆動される前記基板の周端面にレーザ光を照射して前記周端面から反射されるレーザ光を受光可能に構成され、前記基板の偏心状態の確認時に前記基板の周端面にレーザ光を照射するとともに前記周端面から反射されるレーザ光を受光して前記回転部材に対する前記基板の偏心量を検出する一方、前記表面処理の実行時に前記基板の周端面にレーザ光を照射して前記基板端部を加熱する基板処理装置。
【請求項６】
前記基板の回転方向において前記ノズル挿入孔に対して上流側で前記基板対向面に開口部を有する貫通孔が設けられ、前記加熱手段は前記貫通孔を介してまたは前記貫通孔に挿入されて前記基板の表面周縁部に対向して配置される請求項３記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記加熱手段はレーザ光を照射するレーザユニットを有し、
前記レーザユニットは前記基板の表面周縁部に対向して配置されるとともに、前記表面周縁部にレーザ光を照射して前記基板端部を局部的に加熱する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記表面処理の実行前に前記回転部材に対する前記基板の偏心状態を確認する請求項７記載の基板処理装置であって、
前記レーザユニットを前記基板の周端面に対向する端面対向位置と前記基板の表面周縁部に対向する表面対向位置とに移動させるユニット移動機構をさらに備え、
前記レーザユニットは、前記回転手段により回転駆動される前記基板の周端面にレーザ光を照射して前記周端面から反射されるレーザ光を受光可能に構成され、前記基板の偏心状態の確認時に前記ユニット移動機構により前記端面対向位置に位置決めされて前記基板の周端面にレーザ光を照射するとともに前記周端面から反射されるレーザ光を受光して前記回転部材に対する前記基板の偏心量を検出する一方、前記表面処理の実行時に前記ユニット移動機構により前記表面対向位置に位置決めされて前記基板の表面周縁部にレーザ光を照射して前記基板端部を加熱する基板処理装置。
【請求項９】
前記レーザユニットはレーザ光の照射出力を切り換え可能に構成され、
前記レーザユニットからのレーザ光の照射出力を前記基板の偏心状態の確認時と前記表面処理の実行時との間で切り換え制御する制御手段をさらに備える請求項５または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理方法において、
前記基板を保持しながら前記基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる基板回転工程と、
回転駆動される前記基板の表面のうち前記回転中心と異なる表面部位に局部的に前記処理液を供給する液供給工程と、
前記基板の回転方向において前記処理液の供給位置に対して上流側で前記処理液が供給される直前の直前位置で前記表面部位を局部的に加熱して該表面部位を前記表面処理に応じた温度に昇温させる加熱工程とを備え、
前記表面処理は、前記基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる前記基板の周端面とから構成される前記基板の端部を前記表面部位として前記基板端部に対して行う処理であり、
前記加熱工程では、前記基板の表面周縁部に対向して配置される加熱手段を用いて前記表面部位を加熱する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
基板を回転させながら前記基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理方法において、
前記基板を保持しながら前記基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる基板回転工程と、
回転駆動される前記基板の表面のうち前記回転中心と異なる表面部位に局部的に前記処理液を供給する液供給工程と、
前記基板の回転方向において前記処理液の供給位置に対して上流側で前記処理液が供給される直前の直前位置で前記表面部位を局部的に加熱して該表面部位を前記表面処理に応じた温度に昇温させる加熱工程とを備え、
前記表面処理は、前記基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる前記基板の周端面とから構成される前記基板の端部を前記表面部位として前記基板端部に対して行う処理であり、
前記基板回転工程では、前記基板表面を上方に向けた状態で前記基板の裏面に複数の支持部材を当接させることによって前記基板を回転自在な回転部材から離間させて支持しながら、前記基板表面にガスを供給することで前記基板を前記支持部材に押圧させて前記回転部材に保持させる
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記液供給工程は前記加熱工程で加熱された表面部位が前記処理液の供給位置に至ってから処理液の供給を開始する請求項１０または１１記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面にエッチング液や洗浄液などの処理液を供給して基板表面に対してエッチングや洗浄を施す表面処理工程が実行される。この表面処理工程においては、表面処理の処理効率を高めるために、基板を加熱昇温する技術が提案されている。例えば、特許文献１に記載の装置では、処理チャンバー内で基板が基板支持アーム（基板保持手段）上に保持される。処理チャンバーの外側にはヒータまたはマイクロウェーブ発生装置が配置されており、ヒータまたはマイクロウェーブ発生装置により処理チャンバーの雰囲気を加熱することで基板全体が昇温される。これにより、薬液を用いた薬液処理時における基板上の薬液温度の低下を抑制している。また、特許文献２に記載の装置では、アーム上に固定された基板の上方からハロゲンランプにより基板全体を加熱した後に、基板に洗浄用の薬液を散布している。これにより、基板に対する洗浄処理の処理時間の短縮を図っている。また、特許文献３に記載の装置では、基板の裏面に加熱されたガスを供給して基板全体を加熱昇温させることで、基板表面に供給される処理液の温度変化を最小化している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２７３９１２号公報（図１、図３）
【特許文献２】特開平５−１２１３８８号公報（図１）
【特許文献３】特開２０００−１９５８３９号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の装置では、処理チャンバーの雰囲気を加熱することで基板全体を昇温させている。このため、基板のみならず、基板保持手段などの装置内において基板の周辺に配置された周辺部材（以下、単に「基板周辺部材」という）も加熱されてしまう。その結果、基板周辺部材が熱によるダメージを受け、基板周辺部材の耐久性が劣化するおそれがあった。特に、処理チャンバー内で薬液を用いた薬液処理を基板に対して施す場合には、薬液による基板周辺部材の腐食を防ぐために耐薬品性を有する材料で基板周辺部材を構成する必要がある。このような理由から、耐薬品性を備えた樹脂材料を中心として基板周辺部材を形成することが多くなっている。しかしながら、このような樹脂材料で基板周辺部材を形成した場合には基板周辺部材の耐熱性を確保することが困難であり、処理回数や処理時間に応じて基板周辺部材の耐久性が著しく劣化するおそれがあった。
【０００５】
また、特許文献２、３に記載の装置でも、同様な問題が発生するおそれがあった。すなわち、特許文献２に記載の装置では、ハロゲンランプから放射される熱によって基板の周辺雰囲気が加熱され、基板周辺部材の耐久性が劣化するおそれがあった。また、特許文献３に記載の装置では、加熱されたガスが基板周辺部材に接触することによって基板周辺部材の耐久性が劣化するおそれがあった。
【０００６】
さらに、特許文献１〜３に記載のように基板全体を加熱するにしても、基板全体を均一に加熱昇温させることは事実上困難であった。このため、基板の表面部位によっては表面処理に応じた温度にまで基板を昇温させることができず、表面処理を良好に行うことができない場合があった。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる基板処理装置は、基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、次の特徴を有している。
この発明にかかる基板処理装置の第１態様は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる回転手段と、回転手段により回転駆動される基板の表面のうち回転中心と異なる表面部位に対して局部的に処理液を供給するノズルと、基板の回転方向においてノズルからの処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させる加熱手段とを備え、基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる基板の周端面とから構成される基板の端部を表面部位として基板端部に対して表面処理を施し、ノズルは基板端部に対して局部的に処理液を供給し、加熱手段は、基板の表面周縁部に対向して配置され、直前位置で基板端部を局部的に加熱して基板端部を表面処理に応じた温度に昇温させることを特徴としている。
また、この発明にかかる基板処理装置の第２態様は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる回転手段と、回転手段により回転駆動される基板の表面のうち回転中心と異なる表面部位に対して局部的に処理液を供給するノズルと、基板の回転方向においてノズルからの処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させる加熱手段と、押圧機構とを備え、基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる基板の周端面とから構成される基板の端部を表面部位として基板端部に対して表面処理を施し、ノズルは基板端部に対して局部的に処理液を供給し、加熱手段は直前位置で基板端部を局部的に加熱して基板端部を表面処理に応じた温度に昇温させ、基板保持手段は、回転自在に設けられた回転部材と、基板表面を上方に向けた状態で基板の裏面に当接して基板を回転部材から離間させて支持する複数の支持部材とを有し、押圧機構は基板表面にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させることを特徴としている。
【０００９】
また、この発明にかかる基板処理方法は、基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して該基板表面に対して所定の表面処理を施す基板処理方法であって、上記目的を達成するため、次の特徴を有している。
この発明にかかる基板処理方法の第１態様は、基板を保持しながら基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる基板回転工程と、回転駆動される基板の表面のうち回転中心と異なる表面部位に局部的に処理液を供給する液供給工程と、基板の回転方向において処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させる加熱工程とを備え、表面処理は、基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる基板の周端面とから構成される基板の端部を表面部位として基板端部に対して行う処理であり、加熱工程では、基板の表面周縁部に対向して配置される加熱手段を用いて表面部位を加熱することを特徴としている。
また、この発明にかかる基板処理方法の第２態様は、基板を保持しながら基板を所定の回転中心回りに回転駆動させる基板回転工程と、回転駆動される基板の表面のうち回転中心と異なる表面部位に局部的に処理液を供給する液供給工程と、基板の回転方向において処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させる加熱工程とを備え、表面処理は、基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる基板の周端面とから構成される基板の端部を表面部位として基板端部に対して行う処理であり、基板回転工程では、基板表面を上方に向けた状態で基板の裏面に複数の支持部材を当接させることによって基板を回転自在な回転部材から離間させて支持しながら、基板表面にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させることを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、回転駆動される基板の表面のうち回転中心と異なる表面部位に対して局部的に処理液が供給される。また、基板の回転方向において処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位が局部的に加熱され該表面部位が表面処理に応じた温度に昇温される。このため、表面部位が表面処理に応じた温度に昇温された直後に基板の回転により加熱昇温された表面部位に処理液が供給されることとなる。したがって、処理液の供給位置で表面部位を表面処理に応じた温度に保って表面処理を良好に行うことができる。しかも、直前位置で表面部位を局部的に加熱しているので、加熱部位が基板の一部領域（表面部位の一部）に限定されている。したがって、基板周辺部材が加熱昇温されるのを抑制して基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止することができる。
【００１１】
また、液供給工程は加熱工程で加熱された表面部位が処理液の供給位置に至ってから処理液の供給を開始すると、加熱昇温される前の表面部位に処理液が供給されるのを防止して表面処理を良好に行うことができる。
【００１２】
ここで、基板の表面周縁部と該表面周縁部に連なる基板の周端面とから構成される基板の端部を表面部位として基板端部に対して表面処理を施す基板処理装置においては、ノズルは基板端部に対して局部的に処理液を供給し、加熱手段は直前位置で基板端部を局部的に加熱して基板端部を表面処理に応じた温度に昇温させるのが好ましい。この構成によれば、処理液の供給位置で基板端部を表面処理に応じた温度に保つことができ、基板端部を基板の全周にわたって良好に処理することができる。
【００１３】
また、加熱手段としては、次のような態様を採用することができる。例えば、加熱手段を基板の周端面に対向して配置して基板端部を加熱するように構成してもよいし、加熱手段を基板の表面周縁部に対向して配置して基板端部を加熱するように構成してもよい。いずれの態様でも、直前位置で基板端部を良好に加熱することができる。
【００１４】
ここで、基板保持手段として回転自在に設けられた回転部材と、基板表面を上方に向けた状態で基板の裏面に当接して基板を回転部材から離間させて支持する複数の支持部材とを有するものを採用するとともに、押圧機構により基板表面にガスを供給することで基板を支持部材に押圧させて回転部材に保持させるように構成してもよい。このような構成によれば、基板表面を上方に向けた状態で基板がその裏面に当接する複数の支持部材により支持されるとともに、基板表面に供給されるガスによって支持部材に押圧されて回転部材に保持される。そして、回転部材が回転されると、支持部材に向けて押圧された基板は支持部材と基板との間に発生する摩擦力によって支持部材に支持されながら回転部材とともに回転する。つまり、基板は端縁部分に当接する当接部材がない状態で回転する。したがって、基板端部を基板の全周にわたって良好に処理することができる。その一方で、このようにガスを基板表面に供給すると表面周縁部に供給された処理液がガスによって冷却されてしまうおそれがある。これに対し、この発明では、直前位置で基板を加熱しているので供給位置において供給された処理液の温度低下を抑制することができる。
【００１５】
また、ガス吐出口が設けられた基板対向面を有し、該基板対向面が基板表面に近接しながら対向配置された対向部材と、ガス吐出口からガスを吐出させることで基板対向面と基板表面との間に形成される間隙空間にガスを供給するガス供給部とを設けて、間隙空間に供給されたガスによって基板を支持部材に押圧させる構成を採用するとともに、基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔を設けてノズルをノズル挿入孔に挿入させた状態でノズルから表面周縁部に向けて処理液を吐出するように構成してもよい。この構成によれば、間隙空間に供給されたガスの押圧力により基板をその裏面に当接して支持する支持部材に確実に押圧させることができる。しかも、対向部材が基板表面を覆うことで基板の表面中央部に処理液が付着するのを防止しながら、ノズルをノズル挿入孔に挿入させることでノズルから表面周縁部に直接に処理液を供給することができる。
【００１６】
ここで、加熱手段の具体的な構成として、(1)レーザユニットを基板の周端面に対向して配置するとともに、レーザユニットから基板の周端面にレーザ光を照射して基板端部を局部的に加熱するものを採用してもよい。また、基板の回転方向においてノズル挿入孔に対して上流側で基板対向面に開口部を有する貫通孔を設けることにより、加熱手段を貫通孔を介してまたは貫通孔に挿入させて基板の表面周縁部に対向して配置することができる。このような構成を採用する場合には、加熱手段の構成として、(2)レーザユニットを基板の表面周縁部に対向して配置するとともに、表面周縁部にレーザ光を照射して基板端部を局部的に加熱するものを採用してもよい。上記(1)および(2)のいずれの構成を採用しても、レーザ光の直進性の高さを利用することで、基板周辺部材が加熱されるのを防止しながら基板自体を選択的かつ効率的に加熱昇温させることが可能となっている。
【００１７】
また、上記(1)の構成を採用する場合であって、表面処理の実行前に回転部材に対する基板の偏心状態を確認する基板処理装置においては、レーザユニットは、回転手段により回転駆動される基板の周端面にレーザ光を照射して周端面から反射されるレーザ光を受光可能に構成され、基板の偏心状態の確認時に基板の周端面にレーザ光を照射するとともに周端面から反射されるレーザ光を受光して回転部材に対する基板の偏心量を検出する一方、表面処理の実行時に基板の周端面にレーザ光を照射して基板端部を加熱するようにしてもよい。この構成によれば、単一のレーザユニットを用いて基板の偏心量の検出と基板の加熱を行うことができ、装置構成を簡素化することができる。
【００１８】
また、上記(2)の構成を採用する場合であって、表面処理の実行前に回転部材に対する基板の偏心状態を確認する基板処理装置においては、レーザユニットを基板の周端面に対向する端面対向位置と基板の表面周縁部に対向する表面対向位置とに移動させるユニット移動機構をさらに備え、レーザユニットは、回転手段により回転駆動される基板の周端面にレーザ光を照射して周端面から反射されるレーザ光を受光可能に構成され、基板の偏心状態の確認時にユニット移動機構により端面対向位置に位置決めされて基板の周端面にレーザ光を照射するとともに周端面から反射されるレーザ光を受光して回転部材に対する基板の偏心量を検出する一方、表面処理の実行時にユニット移動機構により表面対向位置に位置決めされて基板の表面周縁部にレーザ光を照射して基板端部を加熱するようにしてもよい。この構成によれば、上記(1)の構成を採用する場合と同様に、単一のレーザユニットを用いて基板の偏心量の検出と基板の加熱を行うことができ、装置構成を簡素化することができる。
【００１９】
ここで、レーザユニットはレーザ光の照射出力を切り換え可能に構成され、レーザユニットからのレーザ光の照射出力を基板の偏心状態の確認時と表面処理の実行時との間で切り換え制御する制御手段をさらに備えるように構成することが好ましい。この構成によれば、基板の偏心状態の確認時と表面処理の実行時とに対応して適切な照射出力でレーザ光を基板に照射することができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、処理液が供給される直前の直前位置で表面部位が局部的に加熱され該表面部位が表面処理に応じた温度に昇温される。そして、加熱昇温された直後に基板の回転により加熱昇温された表面部位に処理液が供給される。このため、処理液の供給位置で表面部位を表面処理に応じた温度に保って表面処理を良好に行うことができる。しかも、加熱部位が基板の一部領域に限定されているので、基板周辺部材が加熱昇温されるのを抑制して基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。また、図２は図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Ｗの表面周縁部ＴＲと該表面周縁部ＴＲに連なる基板Ｗの周端面ＥＦとから構成される基板Ｗの端部（本発明の「表面部位」に相当）に存在する薄膜（不要物）をエッチング除去する装置である。または、この基板処理装置は、基板Ｗの端部および基板裏面Ｗｂに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。ここで、処理対象となっている基板Ｗには、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）又はシリコン酸化膜よりも比誘電率の高い絶縁膜（Ｈｉｇｈ―ｋ膜）等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が基板表面Ｗｆに形成された基板や上記薄膜が表裏面Ｗｆ，Ｗｂに形成された基板が含まれる。
【００２２】
そこで、基板表面Ｗｆのみに薄膜が形成されている場合には、基板Ｗの端部に薬液およびＤＩＷ（deionized water：脱イオン水）などのリンス液（以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という）を供給して基板Ｗの端部から薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Ｗｂに処理液を供給して裏面Ｗｂを洗浄する。また、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂに薄膜が形成されている場合には、基板Ｗの端部および裏面Ｗｂに処理液を供給して基板Ｗの端部および裏面Ｗｂから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Ｗｆとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面を意味している。
【００２３】
この基板処理装置は、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１（本発明の「基板保持手段」に相当）と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）の中央部に向けて処理液を供給する下面処理ノズル２と、基板表面側からスピンチャック１に保持された基板Ｗの端部に対して局部的に処理液を供給するノズル３と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向配置された対向部材５とを備えている。また、この基板処理装置には、基板Ｗの水平方向の位置を位置決めするための位置決めユニット４が基板Ｗの側方に配設されている。
【００２４】
スピンチャック１では、中空の回転支軸１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により回転中心Ａ０を中心に回転支軸１１が回転可能となっている。この回転支軸１１の上端部にはスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が回転中心Ａ０を中心に回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「回転手段」として、スピンベース１５が本発明の「回転部材」として機能する。
【００２５】
また、中空の回転支軸１１には処理液供給管２１が挿通されており、その上端に下面処理ノズル２が結合されている。処理液供給管２１は薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液としてＤＩＷが選択的に供給される。また、回転支軸１１の内壁面と処理液供給管２１の外壁面の隙間は、環状のガス供給路２３を形成している。このガス供給路２３はガス供給ユニット１８と接続されており、基板裏面Ｗｂと該基板裏面Ｗｂに対向するスピンベース１５の上面とに挟まれた空間に窒素ガスを供給できる。なお、この実施形態では、ガス供給ユニット１８から窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２６】
図３はスピンベースを上方から見た平面図である。スピンベース１５の中心部には開口が設けられている。また、スピンベース１５の周縁部付近には複数個（この実施形態では６個）の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６と、複数個（この実施形態では６個）の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６とが、本発明の「支持部材」として昇降自在に設けられている。第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されているとともに、第２支持ピンＳ１〜Ｓ６が円周方向に沿って各第１支持ピンＦ１〜Ｆ６の間に位置するように、回転中心Ａ０を中心として放射状に略等角度間隔でスピンベース１５から上方に向けて突設されている。
【００２７】
第１支持ピンＦ１〜Ｆ６および第２支持ピンＳ１〜Ｓ６の各々は基板裏面Ｗｂと当接することによって、スピンベース１５から所定距離だけ上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持可能となっている。これらのうち、周方向に沿って１つ置きに配置された６個の第１支持ピンＦ１〜Ｆ６は第１支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。一方で、残る６個の第２支持ピンＳ１〜Ｓ６は第２支持ピン群を構成し、これらは連動して基板Ｗを支持し、または基板裏面Ｗｂから離間してその支持を解除するように動作する。なお、基板Ｗを水平に支持するためには、各支持ピン群が有する支持ピンの個数は少なくとも３個以上であればよいが、各支持ピン群が有する支持ピンの個数を６個とすることで安定して基板Ｗを支持できる。
【００２８】
また、この実施形態では、後述するように基板Ｗの水平方向の位置を位置決めすることが必要となっており、基板Ｗの位置決めを行うために一対の位置決めガイド４５と一対の位置決め用支持ピン４８とがスピンベース１５の周縁部付近にスピンベース１５から上方に向けて突設されている。一対の位置決めガイド４５と一対の位置決め用支持ピン４８とは回転中心Ａ０に対して略対象な位置に固定的に設けられている。
【００２９】
図４は位置決めガイドの構成を示す拡大斜視図である。一対の位置決めガイド４５の各々は、基板Ｗの裏面周縁部を点接触で支持する円錐台状の基板支持部４６と、この基板支持部４６よりも基板Ｗの径方向外方に位置し、基板Ｗの周端面ＥＦに対向する位置決め面（ガイド面）４７とを有している。位置決め面４７は位置決めユニット４に対向する位置に配置されており、位置決め面４７に基板Ｗの周端面ＥＦが当接したときに基板Ｗの中心（重心）と回転中心Ａ０とが一致するように、スピンベース１５の上面に立設されている。なお、位置決め面４７は基板Ｗの上昇および下降時の擦れを軽減するために、鉛直方向に対して５度程度傾斜した傾斜面となっている。但し、擦れが特に問題とならない場合は位置決め面４７を鉛直面としてよい。
【００３０】
また、一対の位置決め用支持ピン４８の各々は、基板Ｗの下面周縁部を点接触で支持する半球状の基板支持部４９を有している。位置決め用支持ピン４８の基板支持部４９と位置決めガイド４５の基板支持部４６とは基板Ｗの位置決め時に基板Ｗの裏面周縁部に接触して基板Ｗを支持する位置決め用支持部であり、スピンベース５の上面に対して一定の基板支持高さで基板Ｗを支持することが可能となっている。第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６は、基板Ｗに対して後述の膜除去処理を施す際には位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８による基板支持高さよりも高い位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持する一方、基板Ｗの位置決めを行う際には位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８による基板支持高さよりも低い位置（退避位置）に退避して基板Ｗから離間することが可能となっている。
【００３１】
図５は第１および第２支持ピンの構成を示す部分拡大図である。なお、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はいずれも同一構成を有しているため、ここでは１つの支持ピンＦ１の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。支持ピンＦ１は、基板Ｗの下面に離当接可能な当接部６１と、当接部６１を昇降可能に支持する可動ロッド６２と、この可動ロッド６２を昇降させるモータ等を含む昇降駆動部６３と、可動ロッド６２を取り囲むように設けられ可動ロッド６２と昇降駆動部６３とを外部雰囲気から遮断するベローズ６４とを有している。ベローズ６４は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）より形成され、フッ酸等の薬液により基板Ｗを処理する際に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）またはアルミニウム等から形成される可動ロッド６２を保護する。また、当接部６１は耐薬性を考慮して、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）で形成されるのが好ましい。ベローズ６４の上端部は当接部６１の下面側に固着される一方、ベローズ６４の下端部はスピンベース１５の上面側に固着されている。
【００３２】
上記した構成を有する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６では、昇降駆動部６３が制御ユニット８からの駆動信号に基づき図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド６２を１〜数ｍｍのストロークで駆動させることにより、次のように基板Ｗを支持する。すなわち、昇降駆動部６３を駆動させない状態では、所定の高さ位置（基板処理位置）で基板Ｗを支持するように支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６の各々はコイルばね等の付勢手段（図示せず）によって上向きに付勢されており、基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群と、支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により支持される。また、支持ピンＳ１〜Ｓ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＳ１〜Ｓ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群のみにより支持される。また、支持ピンＦ１〜Ｆ６を付勢力に抗して下降駆動させると、支持ピンＦ１〜Ｆ６の当接部６１は基板裏面Ｗｂから離間して基板Ｗは支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群のみにより支持される。なお、基板Ｗが第１支持ピン群および第２支持ピン群の少なくともいずれか一方によって支持されている状態では、位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８は基板Ｗから離間している（図５（ａ））。
【００３３】
その一方で、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６、つまり第１支持ピン群および第２支持ピン群の両方を付勢力に抗して下降駆動させると、基板裏面Ｗｂが位置決めガイド４５の基板支持部４６および位置決め用支持ピン４８の基板支持部４９に当接して基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６から位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８に受け渡される。すなわち、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６が基板Ｗから離間して退避位置に移動し、基板Ｗは位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８によって支持される（図５（ｂ））。
【００３４】
次に、図１および図３を参照しつつ、位置決めユニット４について説明する。基板Ｗの周端面ＥＦから内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするためには、基板Ｗの中心（重心）と回転中心Ａ０とを一致させることが重要となっている。基板Ｗの中心と回転中心Ａ０とが位置ずれ（偏心）していると、周縁エッチング幅を均一にして処理することができなくなるからである。ここで、例えば基板Ｗの周縁を挟持するチャックピン等の挟持部材を３個以上設けた場合には、各挟持部材が基板Ｗの周縁を挟持することで、回転部材の回転中心と基板Ｗの中心とを所定の範囲に位置決めすることが可能である。その一方で、本発明のように挟持部材がない状態では、基板Ｗが装置内に搬入された後、基板Ｗの水平位置を補正する必要がある。そこで、位置決めユニット４により、次のようにして回転中心Ａ０と基板Ｗの中心とを一致させている。
【００３５】
位置決めユニット４は、スピンチャック１の側方に配設され、基板Ｗを位置決めガイド４５の位置決め面４７に押し付ける役割を担う。この位置決めユニット４は、基板Ｗの周端面ＥＦに当接して該基板Ｗを水平方向に押圧する押圧ブロック４１と、押圧ブロック４１を支持するロッド４２と、該ロッド４２に接続され、押圧ブロック４１を回転中心Ａ０を通り水平方向（スピンベース１５の径方向）に延びる線上に沿って移動させるブロック移動機構４３とを有している。
【００３６】
押圧ブロック４１は円筒状に形成され、その上面にロッド４２が固着されている。そして、ブロック移動機構４３がロッド４２を水平方向に駆動させることで、押圧ブロック４１の側面４１ａを基板Ｗの周端面ＥＦに当接させつつ基板Ｗを水平方向に押動することが可能となっている。具体的には、位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８に滑動自在に支持された基板Ｗに対して押圧ブロック４１の側面４１ａが当接しつつ押圧することで、基板Ｗを位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８上で滑動させて押圧方向に基板Ｗを移動させることが可能となっている。押圧ブロック４１の横断面形状は円形であり、押圧ブロック４１が基板Ｗと当接する際に側面４１ａと基板Ｗの周端面ＥＦとが点接触するように構成されている。
【００３７】
ブロック移動機構４３は、ロッド４２を駆動させることで、押圧ブロック４１を基板Ｗに対して前進位置Ｐ４１（図３の破線位置）と後退位置Ｐ４２（図３の実線位置）との間で進退可能に構成されている。具体的には、ブロック移動機構４３は、押圧ブロック４１を後退位置Ｐ４２から前進位置Ｐ４１に移動させることで、押圧ブロック４１と基板Ｗとを当接させながら基板Ｗを位置決めガイド４５の位置決め面４７に向けて押動可能となっている。ここで、前進位置Ｐ４１は、基板Ｗの周端面ＥＦが位置決め面４７に達するように設定された位置である。
【００３８】
また、基板Ｗの側方には、スピンベース１５に対する基板Ｗの偏心状態を確認するためにレーザユニット７が配設されている。レーザユニット７は基板Ｗの周端面ＥＦに対向して配置され、基板Ｗの周端面ＥＦに向けてレーザ光を照射するとともに基板Ｗの周端面ＥＦから反射されるレーザ光を受光することで基板Ｗの周端面ＥＦまでの距離を検出する。ここで、レーザユニット７とスピンベース１５の回転中心Ａ０との間の相対距離は一定であるので、基板Ｗの中心が回転中心Ａ０から偏心している場合には、レーザユニット７から基板Ｗの周端面ＥＦまでの距離が基板Ｗの回転に伴って変動する。これにより、スピンベース１５に対する基板Ｗの偏心を検知するとともに、その偏心量、すなわち水平方向における回転中心Ａ０から基板Ｗの中心までの距離を検出することができる。
【００３９】
レーザユニット７としては、例えば三角測距方式を用いたレーザ変位センサが用いられる。このようなレーザ変位センサとしては、例えば投光部（光源）に赤色半導体レーザ（波長６５０ｎｍ、出力０．９５ｍＷ）を使用し、受光部にＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷転送素子）を使用したものを採用することができる。
【００４０】
図１に戻って説明を続ける。スピンチャック１の上方には、スピンチャック１に保持された基板Ｗに対向する円盤状の対向部材５が水平に配設されている。対向部材５はスピンチャック１の回転支軸１１と同軸上に配置された回転支軸５１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。この回転支軸５１には対向部材回転機構５４が連結されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて対向部材回転機構５４のモータを駆動させることで対向部材５を回転中心Ａ０を中心に回転させる。また、制御ユニット８は対向部材回転機構５４をチャック回転機構１３と同期するように制御することで、スピンチャック１と同じ回転方向および同じ回転速度で対向部材５を回転駆動できる。
【００４１】
また、対向部材５は対向部材昇降機構５５と接続され、対向部材昇降機構５５の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、対向部材５をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。例えば基板処理装置に対して基板Ｗが搬入出される際には、制御ユニット８はスピンチャック１から上方に十分に離れた離間位置に対向部材５を上昇させる。その一方で、基板Ｗに対して膜除去処理を施す際には、制御ユニット８はスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆのごく近傍に設定された近接位置まで対向部材５を下降させる。これにより、対向部材５の下面５０１（本発明の「基板対向面」に相当）と基板表面Ｗｆとが近接した状態で対向配置される。
【００４２】
回転支軸５１の中空部には、ガス供給路５７が形成されている。このガス供給路５７はガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗｆと対向部材５の下面５０１とに挟まれた間隙空間ＳＰに窒素ガスを供給可能となっている。このように、この実施形態では、ガス供給ユニット１８が本発明の「ガス供給部」として機能する。
【００４３】
図６は対向部材の下面を見た図である。また、図７はノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。この対向部材５の下面５０１は基板Ｗの直径と同等以上の平面サイズを有している。このため、対向部材５が近接位置に配置されると基板表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断可能となっている。この対向部材５の下面５０１には、複数のガス吐出口５０２が形成されている。これらのガス吐出口５０２はスピンチャック１に保持される基板Ｗの表面中央部、つまり表面周縁部ＴＲより径方向内側の非処理領域ＮＴＲ（図１）に対向する位置に、回転中心Ａ０を中心とする円周に沿って等角度間隔に形成されている。これらのガス吐出口５０２は対向部材５の内部に形成されたガス流通空間５０３に連通しており、ガス流通空間５０３にガス供給路５７を介して窒素ガスが供給されると、複数のガス吐出口５０２を介して窒素ガスが間隙空間ＳＰに供給される。
【００４４】
そして、対向部材５が近接位置に位置決めされた状態で、複数のガス吐出口５０２から間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給されると、間隙空間ＳＰの内部圧力が高まり基板Ｗがその裏面Ｗｂに当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧される。この押圧状態のまま制御ユニット８の動作指令に応じてスピンベース１５が回転すると、基板裏面Ｗｂと支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６との間に発生する摩擦力によって基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に支持されながらスピンベース１５とともに回転する。なお、間隙空間ＳＰに供給された窒素ガスは基板Ｗの径方向外側へと流れていく。
【００４５】
この対向部材５の周縁部には、対向部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通するノズル挿入孔５２が形成され、対向部材５の下面５０１に開口部５２１が形成されている。そして、このノズル挿入孔５２にノズル３が挿入されて該挿入状態でノズル３から基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けて処理液を吐出して基板Ｗの端部に対して局部的に処理液を供給することができる。この構成によれば、対向部材５が基板表面Ｗｆを覆うことで基板Ｗの表面中央部（非処理領域）に処理液が付着するのを防止しながら、ノズル３をノズル挿入孔５２に挿入させることでノズル３から表面周縁部ＴＲに直接に処理液を供給することができる。ここでは、ノズル３とノズル挿入孔５２の構成について図１、図２および図７を参照しつつさらに詳述する。
【００４６】
ノズル３は、図１に示すように、水平方向に延びるノズルアーム３１の一方端に取り付けられている。このノズルアーム３１の他方端はノズル移動機構３３（図２）に接続されている。さらに、ノズル移動機構３３はノズル３を水平方向に所定の回動軸回りに揺動させるとともに、ノズル３を昇降させることができる。このため、制御ユニット８からの動作指令に応じてノズル移動機構３３が駆動されることで、ノズル３を対向部材５のノズル挿入孔５２に挿入して表面周縁部ＴＲに向けて薬液またはＤＩＷを吐出可能な処理位置Ｐ３１と、基板Ｗから離れた待機位置Ｐ３２とに移動させることができる。
【００４７】
ノズル３は対向部材５に設けられたノズル挿入孔５２の形状に合わせた形状を有している。すなわち、ノズル３のノズル外径は必要以上にノズル挿入孔５２の孔径を大きくすることのないように、例えばφ５〜６ｍｍ程度に形成される。また、ノズル３では、略円筒状に形成されたノズル胴部の断面積がノズル先端側と後端側で異なるように構成されている。具体的には、ノズル先端側の胴部３０２の断面積がノズル後端側の胴部３０３の断面積より小さくなるように構成されており、ノズル先端側の胴部３０２とノズル後端側の胴部３０３との間に段差面３０４が形成されている。すなわち、ノズル先端側の胴部３０２の外周面（側面）とノズル後端側の胴部３０３の外周面（側面）は段差面３０４を介して結合されている。この段差面３０４はノズル先端側の胴部３０２を取り囲むように、しかもスピンチャック１に保持された基板表面Ｗｆに略平行に形成されている。
【００４８】
また、ノズル３の内部には液供給路３０１が形成されている。この液供給路３０１はノズル後端部において薬液供給ユニット１６およびＤＩＷ供給ユニット１７に接続されており、薬液またはＤＩＷを選択的に供給可能となっている。一方、液供給路３０１の先端部（下端部）には、ノズル３の吐出口３０１ａが形成されている。この吐出口３０１ａは基板Ｗの径方向外側に向けて開口している。このため、薬液供給ユニット１６から薬液が液供給路３０１に圧送されると、ノズル３から薬液が基板Ｗの径方向外側に吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲに供給された薬液は基板Ｗの径方向外側に向かって流れ、表面周縁部ＴＲに連なる基板Ｗの周端面ＥＦを伝って基板外に排出される。したがって、薬液の供給位置よりも径方向内側の非処理領域ＮＴＲには薬液は供給されず、基板Ｗの周端面から内側に向かって一定の幅（周縁エッチング幅）で薄膜がエッチング除去される。また、ＤＩＷ供給ユニット１７からＤＩＷが液供給路３０１に圧送されると、ノズル３からＤＩＷが基板Ｗの径方向外側に向けて吐出される。これにより、表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ（基板Ｗの端部）に供給された薬液がＤＩＷで洗い流される。
【００４９】
一方、ノズル挿入孔５２は次のように構成されている。このノズル挿入孔５２の内壁には、図７に示すように、ノズル３の段差面３０４と当接可能な円環状の当接面５２２が形成されている。そして、ノズル３がノズル挿入孔５２に挿入されると、段差面３０４と当接面５２２とが当接することで、ノズル３が処理位置Ｐ３１（図１）に位置決めされる。また、この位置決め状態でノズル３の先端面は対向部材５の下面（基板対向面）５０１と面一になっている。なお、当接面５２２は対向部材５の下面５０１と略平行に、つまり基板表面Ｗｆと略平行に形成されており、ノズル３の段差面３０４と面接触するようになっている。このため、ノズル３を処理位置Ｐ３１に位置決めする際に、ノズル３が対向部材５に当接して位置固定され、ノズル３を安定して位置決めすることができる。
【００５０】
また、対向部材５のノズル挿入孔５２の内壁には、ガス導入口５０５が開口されており、ガス導入口５０５からノズル挿入孔５２の内部空間に窒素ガスを供給可能となっている。ガス導入口５０５はガス流通空間５０３を介してガス供給ユニット１８に連通している。したがって、ガス供給ユニット１８から窒素ガスが圧送されると、ノズル挿入孔５２の内部空間に窒素ガスが供給される。これにより、ノズル３が待機位置Ｐ３２に位置決めされた状態、つまり、ノズル３がノズル挿入孔５２に未挿入の状態では、ノズル挿入孔５２の上下双方の開口から窒素ガスが噴出される。このため、ノズル挿入孔５２にノズルが未挿入の状態でも、処理液がノズル挿入孔５２の内壁に付着するのが防止される。
【００５１】
また、この実施形態では、薬液によるエッチング処理効率を高めるために、図８に示すようにレーザユニット７を用いて基板Ｗを加熱している。ノズル３からの薬液は基板表面Ｗｆの一部領域（表面周縁部ＴＲの一部）のみに供給され、薬液の供給量は比較的少量であるため、薬液温度は周辺雰囲気および基板Ｗと薬液との間の熱交換とによって急激に低下してしまう。さらに、この実施形態では、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に基板Ｗを押付けることを目的として基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給しているため、ノズル３から供給された薬液が窒素ガスによって冷却されてしまう。特に、比較的高温の薬液を用いる場合には、薬液の温度低下が顕著となる傾向にある。その結果、薬液による薄膜のエッチング処理効率（エッチングレート）が大幅に低下し、スループットが大きく低下するという問題があった。そこで、この実施形態では、以下のようにして基板Ｗを加熱することにより薬液によるエッチング処理効率を高めている。
【００５２】
図８は基板の加熱の様子を示す拡大斜視図である。この実施形態では、レーザユニット７は基板Ｗの偏心状態を確認する以外に、基板Ｗを局部的に加熱することが可能となっている。レーザユニット７は、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３から表面周縁部ＴＲに薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部を局部的に加熱することが可能となっている。この実施形態では、レーザユニット７は基板Ｗの周端面ＥＦに対向して配置されており、制御ユニット８からの動作指令に応じて周端面ＥＦに向けてレーザ光がレーザユニット７から照射されると基板Ｗの端部が局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理（薬液による薄膜のエッチング除去処理）に応じた温度に昇温される。直前位置ＡＰにおける基板Ｗの端部の温度としては、基板Ｗの端部に存在する薄膜および薬液の種類等にもよるが６０℃以上、好ましくは８０℃程度となるようにレーザ光の照射条件が設定される。
【００５３】
レーザユニット７はレーザ光の照射出力を切り換え可能に構成されており、制御ユニット８からの選択指令に応じてレーザ光の照射出力が２段階に切り換えられる。すなわち、この実施形態では、基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理時（基板Ｗの加熱時）との間でレーザ光の照射出力が切り換えられる。レーザ光の照射出力は、基板Ｗの偏心状態の確認時では比較的低出力のセンシング用出力に設定される一方、薬液処理時では比較的高出力の基板加熱用出力に設定される。ここで、センシング用出力としては１ｍＷ程度に設定される一方、基板加熱用出力としては１〜数Ｗ程度に設定される。
【００５４】
また、レーザ光の波長としては、基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理時とで同一波長を用いてもよいし、異なる波長を用いてもよい。基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理時とで同一波長を用いる場合には、例えば赤色半導体レーザ（波長６５０ｎｍ）を用いて照射出力のみを切り換えるようにすればよい。また、レーザ光の波長を変更自在にレーザユニット７を構成することによって基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理時とで基板Ｗの吸収波長に応じてレーザ光の波長を切り換えるようにしてもよい。
【００５５】
また、レーザ光の照射出力を連続的に変更可能なレーザユニットを用いて薄膜の種類等の処理内容に応じてレーザ光の照射出力を変更してもよい。これにより、処理内容に応じて基板Ｗの加熱温度を調整することができ、薄膜を適正なエッチングレートで基板Ｗから除去することができる。また、レーザ光の波長についても連続的に変更可能なレーザユニットを用いて処理内容に応じてレーザ光の波長を変更してもよい。
【００５６】
レーザユニット７の光源としては半導体レーザのほか、薬液処理に応じた温度にまで基板Ｗを昇温することができるものであれば、固体レーザ（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなど）、気体レーザ（炭酸ガスレーザ、アルゴンイオンレーザ、ヘリウム−ネオンレーザなど）、色素レーザ、エキシマレーザ、自由電子レーザなどを用いることができる。
【００５７】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図９を参照しつつ説明する。図９は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、未処理の基板Ｗが装置内に搬入されると、制御ユニット８が装置各部を制御して該基板Ｗに対して高濃度フッ酸（４０％水溶液）を用いた一連の膜除去処理（薬液処理工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される。ここでは、基板表面Ｗfに薄膜が形成された基板Ｗに対して表面処理を行う動作について説明する。つまり、基板表面Ｗfが薄膜形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが装置内に搬入される。なお、基板搬入時においては、対向部材５は離間位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００５８】
基板Ｗが装置内に搬入されると（ステップＳ１）、基板Ｗの水平位置を位置決めする位置決め処理が実行される（ステップＳ２）。基板Ｗの搬入時には支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６は退避位置に移動され、基板Ｗは位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８によって支持される。続いて、ブロック移動機構４３の作動により押圧ブロック４１を駆動させて後退位置Ｐ４２から前進位置Ｐ４１に進出させる。これにより、押圧ブロック４１と基板Ｗとが当接しながら基板Ｗが位置決めガイド４５の位置決め面４７に向けて押動され、基板Ｗの周端面ＥＦと位置決め面４７とが当接する。こうして、基板Ｗの位置決めが完了する。
【００５９】
そして、制御ユニット８は、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６を位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８による基板支持高さよりも高い位置（基板処理位置）に上昇させる。これにより、位置決めガイド４５および位置決め用支持ピン４８から支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６へと基板Ｗが受け渡される。こうして、位置決めガイド４５の位置決め面４７に基板Ｗの周端面ＥＦを押し当ててから基板Ｗが支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に渡されることにより、回転中心Ａ０に基板Ｗの中心が整合した状態で基板Ｗが支持されることになる。
【００６０】
この後は、スピンベース１５がゆっくりと１回転し停止され、この間にレーザユニット７によって基板Ｗの偏心状態が検査される。具体的には、レーザユニット７によって回転中心Ａ０に対する基板Ｗの偏心量が検出され（ステップＳ３）、制御ユニット８は基板Ｗの偏心量が所定の目標精度内にあるか否かを判断する（ステップＳ４）。このとき、レーザユニット７からのレーザ光の照射出力はセンシング用出力に設定される。また、基板Ｗの偏心量の検出後はレーザ光の照射が停止される。そして、基板Ｗの偏心量が目標精度を超える場合には、アラームを発して以降の処理が中止される。その一方で、基板Ｗの偏心量が目標精度内にあれば、適正に基板Ｗが位置決めされたものとして以降の処理が実行される。
【００６１】
こうして、基板Ｗの位置決めが適正に行われると、基板Ｗに対して膜除去処理が実行される。制御ユニット８は、後述のレーザ照射による基板Ｗの加熱を実行する前までに、レーザユニット７からのレーザ光の照射出力をセンシング用出力から基板加熱用出力に切り換える（ステップＳ５）。その一方で、離間位置にある対向部材５のガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出する（ステップＳ６）。その後、対向部材５が近接位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ７）。これによって、間隙空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧されてスピンベース１５に保持される。また、基板表面Ｗｆは対向部材５の下面５０１に覆われて基板周囲の外部雰囲気から確実に遮断される。
【００６２】
次に、対向部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ８：基板回転工程）。このとき、支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧された基板Ｗは支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６と基板裏面Ｗｂとの間に発生する摩擦力でスピンベース１５に保持されながらスピンベース１５とともに回転する。続いて、ノズル３が待機位置Ｐ３２から処理位置Ｐ３１に位置決めされる（ステップＳ９）。具体的には、ノズル３を水平方向に沿って対向部材５のノズル挿入孔５２の上方位置に移動させた後、ノズル３を降下させてノズル挿入孔５２に挿入する。
【００６３】
続いて、ノズル３から薬液を基板Ｗの端部に供給する前に、レーザユニット７からレーザ光を照射して基板Ｗを約６０℃に加熱する（ステップＳ１０：加熱工程）。これにより、加熱昇温される前の基板Ｗの端部に薬液が供給されるのが防止される。レーザユニット７から照射されたレーザ光は基板Ｗの周端面ＥＦを介して基板Ｗに入射し、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部が局部的に加熱される。その結果、加熱された基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。なお、レーザユニット７からのレーザ光の照射は後述の薬液処理が完了するまで行われる。
【００６４】
そして、このように基板Ｗにレーザ光を照射した状態で加熱された部位が供給位置ＬＰに至るとノズル３から薬液を表面周縁部ＴＲに向けて局部的に吐出して基板Ｗの端部に対して薬液を連続的に供給する（ステップＳ１１：液供給工程）。このため、基板Ｗの端部が薬液処理（薬液による薄膜のエッチング除去処理）に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給されることとなる。これにより、薬液の供給位置ＬＰで基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に保たれ、基板Ｗの端部から薄膜が効率良くエッチング除去される。したがって、周縁エッチング幅を精度良く、基板Ｗの全周にわたって均一にして処理することができる。しかも、薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦにレーザ光を照射していることから、レーザ光が薬液に照射されるのを回避することができる。このため、レーザ光が薬液によって散乱するのを防止することができ、基板Ｗを効率良く加熱することができる。
【００６５】
こうして、基板Ｗを６００ｒｐｍで回転させながら薬液処理を３０秒継続する。そして、薬液処理が完了すると、薬液の供給とレーザ光の照射が停止されるとともに、ノズル３からＤＩＷが供給される。これによって、基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび周端面ＥＦ）に対してリンス処理が実行される（ステップＳ１２）。ノズル３から所定時間ＤＩＷを供給し、リンス処理が完了すると、ＤＩＷの供給が停止される。
【００６６】
リンス処理が完了した後、ノズル３が処理位置Ｐ３１から待機位置Ｐ３２に位置決めされる（ステップＳ１３）。それに続いて、スピンベース１５の回転数とほぼ同一の回転数で同一方向に対向部材５を回転させる（ステップＳ１４）。その後、下面処理ノズル２から回転する基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ１５）。具体的には、下面処理ノズル２から基板裏面Ｗｂの中央部に向けて処理液として薬液とリンス液とが順次供給されることにより、裏面全体と裏面Ｗｂに連なる基板端面部分が洗浄される。
【００６７】
ここで、洗浄処理中に支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６を基板裏面Ｗｂから少なくとも１回以上、離間させることで支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６と基板裏面Ｗｂの当接部分にも処理液を回り込ませて当該部分を洗浄できる。例えば、洗浄処理途中に、支持ピンＦ１〜Ｆ６からなる第１支持ピン群と支持ピンＳ１〜Ｓ６からなる第２支持ピン群との両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態から第１支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第２支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。その後、両方の支持ピン群により基板Ｗを支持した状態に移行させた後に、第２支持ピン群のみにより基板Ｗを支持した状態に切り換え、基板Ｗと第１支持ピン群との間の当接部分に処理液を回り込ませる。これにより、基板Ｗと支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６との間の当接部分のすべてに処理液を回り込ませて裏面全体の洗浄処理を行うことができる。
【００６８】
こうして、裏面洗浄処理が完了すると、基板Ｗおよび対向部材５を高速（例えば１５００ｒｐｍ）に回転させる。これにより、基板Ｗの乾燥が実行される（ステップＳ１６）。このとき、基板表面Ｗｆへの窒素ガス供給と併せてガス供給路２３からも窒素ガスを供給して基板Ｗの表裏面に窒素ガスを供給することで、基板Ｗの乾燥処理が促進される。
【００６９】
基板Ｗの乾燥処理が終了すると、対向部材５の回転を停止させる同時に、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１７）。そして、対向部材５が上昇された後（ステップ１８）、ガス供給路５７およびガス吐出口５０２からの窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１９）。これにより、基板Ｗの支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６への押圧保持が解除され、処理済の基板Ｗが装置から搬出される（ステップＳ２０）。
【００７０】
以上のように、この実施形態によれば、ノズル３から基板Ｗの表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ（基板Ｗの端部）に対して薬液を局部的に供給している。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいて薬液の供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部を局部的に加熱して薬液処理に応じた温度に昇温させている。このため、加熱昇温された直後にノズル３から基板Ｗの端部に薬液が供給され、供給位置ＬＰで基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に保たれる。その結果、基板Ｗの全周にわたって基板Ｗの端部から薄膜を効率良くエッチング除去することができる。したがって、エッチング処理効率（エッチングレート）を高めてスループットを向上させることができる。しかも、直前位置ＡＰで基板Ｗの端部を局部的に加熱しているので、加熱部位が基板Ｗの一部領域（基板Ｗの端部の一部）に限定されている。したがって、基板周辺部材が加熱昇温されるのを抑制して基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止することができる。
【００７１】
また、この実施形態によれば、レーザユニット７からのレーザ光を基板Ｗに照射することによって基板Ｗを局部的に加熱している。このため、レーザ光の直進性の高さを利用することで、基板周辺部材が加熱されるのを防止しながら基板自体を選択的かつ効率的に加熱昇温させることが可能となっている。
【００７２】
また、この実施形態によれば、表面処理（薬液処理）の実行前にスピンベース１５に対する基板Ｗの偏心状態の確認を行っているが、単一のレーザユニットを用いて基板Ｗの偏心量を検出する一方、薬液処理時に基板Ｗの加熱を行っている。このため、基板Ｗの偏心状態の確認用と薬液処理用（基板Ｗの加熱時）とで個別にレーザユニットを設ける場合に比較して装置構成を簡素化することができる。
【００７３】
また、薬液はフッ酸に替えてアンモニア過水を用いてもよい。
【００７４】
さらに、この実施形態によれば、レーザユニット７はレーザ光の照射出力を切り換え可能に構成され、基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理の実行時との間でレーザユニット７からのレーザ光の照射出力を切り換えている。このため、基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理の実行時とに対応して適切な照射出力でレーザ光を基板Ｗに照射することができる。
【００７５】
＜第２実施形態＞
図１０はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。同図（ａ）は側面図であり、同図（ｂ）は平面図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、レーザユニット７を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向配置して基板Ｗを加熱している点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは相違点を中心に説明する。
【００７６】
この実施形態では、レーザユニット７を基板Ｗの周端面ＥＦに対向する端面対向位置Ｐ７１（図１０（ａ）の破線で示す位置）と基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向する表面対向位置Ｐ７２（図１０（ａ）の実線で示す位置）とに移動させるユニット移動機構７３が設けられている。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル挿入孔５２に対して上流側で対向部材５の下面５０１に開口部５３１を有する貫通孔５３が形成されている。貫通孔５３は対向部材５の周縁部に対向部材５を上下方向（鉛直軸方向）に貫通して形成されている。このため、ユニット移動機構７３によりレーザユニット７が表面対向位置Ｐ７２に位置決めされると、貫通孔５３を介してレーザユニット７（レーザ光の照射部）と表面周縁部ＴＲとが対向する。つまり、表面対向位置Ｐ７２は近接位置に位置決めされた対向部材５の貫通孔５３を介してレーザユニット７と表面周縁部ＴＲとが対向する位置に設定されている。なお、この実施形態では、端面対向位置Ｐ７１としてレーザユニット７を対向部材５の上面に配置しているが、レーザユニット７を貫通孔５３に挿入させてレーザユニット７を表面周縁部ＴＲに対向させるようにしてもよい。
【００７７】
制御ユニット８は、基板Ｗの偏心状態の確認時にユニット移動機構７３によりレーザユニット７を端面対向位置Ｐ７１に位置決めしてレーザユニット７を用いて基板Ｗの偏心量を検出する一方、薬液処理時（基板Ｗの加熱時）にレーザユニット７を表面対向位置Ｐ７２に位置決めしてレーザユニット７を用いて基板Ｗの加熱を行う。また、制御ユニット８は、第１実施形態と同様に基板Ｗの偏心状態の確認時と薬液処理の実行時との間でレーザユニット７からのレーザ光の照射出力を切り換え制御する。
【００７８】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図１１を参照しつつ説明する。図１１は図１０の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。基板Ｗが装置内に搬入されると（ステップＳ２１）、基板Ｗの位置決め処理が実行される（ステップＳ２２）。その後、レーザユニット７によって基板Ｗの偏心状態が検査される。具体的には、レーザユニット７は端面対向位置Ｐ７１に位置決めされており、基板Ｗの周端面ＥＦにレーザ光を照射するとともに周端面ＥＦから反射されるレーザ光を受光してスピンベース１５に対する基板Ｗの偏心量を検出する（ステップＳ２３）。このとき、レーザユニット７からのレーザ光の照射出力はセンシング用出力に設定されている。そして、制御ユニット８は基板Ｗの偏心量が所定の目標精度内にあるか否かを判断し（ステップＳ２４）、基板Ｗの偏心量が目標精度内にあれば、膜除去処理が実行される。
【００７９】
制御ユニット８は、後述のレーザ照射による基板Ｗの加熱を実行する前までに、レーザユニット７からのレーザ光の照射出力をセンシング用出力から基板加熱用出力に切り換える（ステップＳ２５）。その一方で、離間位置にある対向部材５のガス吐出口５０２から窒素ガスを吐出する（ステップＳ６）。その後、対向部材５が近接位置まで降下され基板表面Ｗｆに近接配置される（ステップＳ２７）。これによって、間隙空間ＳＰの内部圧力が高められ、基板Ｗはその下面（裏面Ｗｂ）に当接する支持ピンＦ１〜Ｆ６，Ｓ１〜Ｓ６に押圧されてスピンベース１５に保持される。
【００８０】
次に、対向部材５を停止させた状態で基板Ｗを回転させる（ステップＳ２８：基板回転工程）。そして、ノズル３が待機位置Ｐ３２から処理位置Ｐ３１に位置決めされる（ステップＳ２９）。また、ユニット移動機構７３によりレーザユニット７が端面対向位置Ｐ７１から表面対向位置Ｐ７２に移動される（ステップＳ３０）。端面対向位置Ｐ７１では、周縁エッチング幅に応じてレーザ光の照射位置、照射範囲を微調整するためにレーザユニット７の位置合わせが実行される（ステップＳ３１）。なお、レーザユニット７の表面対向位置Ｐ７２への位置決めは、対向部材５が近接位置まで降下された直後に行うようにしてもよい。
【００８１】
こうして、レーザ光の照射準備が整えられると、レーザユニット７からレーザ光を基板Ｗの表面周縁部ＴＲに照射して基板Ｗの端部を局部的に加熱する（ステップＳ３２：加熱工程）。レーザユニット７から照射されたレーザ光は表面周縁部ＴＲを介して基板Ｗに入射する。これにより、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部が局部的に加熱される。その結果、加熱された基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。
【００８２】
そして、このように基板Ｗにレーザ光を照射した状態でノズル３から薬液を表面周縁部ＴＲに向けて局部的に吐出して基板Ｗの端部に対して薬液を連続的に供給する（ステップＳ３３：液供給工程）。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給されることとなる。これにより、薬液の供給位置ＬＰで表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ（基板Ｗの端部）が薬液処理に応じた温度に保たれ、基板Ｗの端部から薄膜が効率良くエッチング除去される。なお、薬液処理が完了した後の動作（ステップＳ３４〜ステップＳ４２）は、第１実施形態におけるステップＳ１２からステップＳ２０の動作（図９）と同様である。
【００８３】
このように、この第２実施形態では、基板Ｗの偏心状態の確認後、レーザユニット７を端面対向位置Ｐ７１から表面対向位置Ｐ７２に移動して基板Ｗの加熱を行っている。このため、第１実施形態と同様に、単一のレーザユニットを用いて基板Ｗの偏心量の検出と基板Ｗの加熱を行うことができ、装置構成を簡素化することができる。しかも、薬液処理時（基板Ｗの加熱時）には、レーザユニット７が表面対向位置Ｐ７２に移動することにより基板Ｗの側方にレーザユニット７が存在していない。このため、図１０（ａ）に示すように、薬液処理時に基板Ｗの周囲を包囲するように筒状のスプラッシュガード９を配置させることが可能となっている。これにより、回転駆動される基板Ｗから除去された処理液が飛散するのを防止することができる。ここで、スプラッシュガード９を昇降自在に設けて、処理液を用いた表面処理時にスプラッシュガード９を上方位置（図１０（ａ）の実線で示す位置）に配置する一方、基板Ｗの偏心状態の確認時にスプラッシュガード９を下方位置（図１０（ａ）の破線で示す位置）に配置するのが好ましい。これにより、基板Ｗから飛散する処理液を捕集可能となる一方、基板Ｗの偏心状態の確認時にレーザユニット７からのレーザ光がスプラッシュガード９によって遮断されてしまうのを回避することができる。
【００８４】
＜第３実施形態＞
図１２はこの発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。同図（ａ）は側面図であり、同図（ｂ）は平面図である。この第３実施形態が第２実施形態と大きく相違する点は、基板Ｗの偏心量の検出用および基板Ｗの加熱用にそれぞれレーザユニットが専用に設けられている点である。
【００８５】
この実施形態では、基板Ｗの偏心量の検出用にレーザユニット７Ａが基板Ｗの周端面ＥＦに対向して配置される一方、基板Ｗの加熱用にレーザユニット７Ｂ（本発明の「加熱手段」に相当）が基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向して配置されている。レーザユニット７Ｂは対向部材５の上方に取り付けてもよいし、ユニット移動機構（図示せず）により表面周縁部ＴＲと対向する位置と対向部材５から離れた位置との間でレーザユニット７Ｂを移動させるように構成してもよい。後者の場合には、レーザユニット７Ｂをノズル３とともにノズルアーム３１に取り付けてもよい。この場合、ノズル移動機構３３によりノズル３が処理位置Ｐ３１に位置決めされると、レーザユニット７Ｂが貫通孔５３に挿入されて基板Ｗの表面周縁部ＴＲに対向して配置される。このため、単一の駆動手段によってノズル３とレーザユニット７Ｂとを駆動することができ、駆動構成を簡素化することができる。また、レーザユニット７Ａからのレーザ光の照射出力は比較的低出力のセンシング用出力に設定される一方、レーザユニット７Ｂからのレーザ光の照射出力は比較的高出力の基板加熱用出力に設定されている。
【００８６】
この実施形態では、基板Ｗの偏心状態の確認時にレーザユニット７Ａを用いて基板Ｗの偏心量が検出される一方、薬液処理時にレーザユニット７Ｂを用いて基板Ｗの加熱が行われる。このため、用途に応じたレーザユニットを選択することができ、基板Ｗの偏心状態の確認用と基板Ｗの加熱用とに対応した適切なレーザユニットを採用することができる。
【００８７】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板Ｗの表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる基板Ｗの周端面ＥＦから構成される基板Ｗの端部に対して表面処理を施している。しかしながら、本発明の適用範囲はこれに限定されず、回転駆動される基板Ｗの表面のうち回転中心Ａ０と異なる表面部位に対して局部的に処理液を供給することにより、該表面部位に対して表面処理を施す装置にも適用することができる。この場合、基板Ｗの回転方向において処理液の供給位置に対して上流側で処理液が供給される直前の直前位置で表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させればよい。これにより、処理液の供給位置で表面部位を表面処理に応じた温度に保って表面処理を良好に行うことができる。
【００８８】
また、上記実施形態では、加熱手段としてレーザユニットを用いてレーザユニットからレーザ光を基板Ｗに照射して基板Ｗを加熱しているが、これに限定されない。例えば、加熱手段として、ランプ等の光源から発光する光を光学系を用いてスポット状に絞り込んで基板Ｗに照射する構成を採用してもよい。この場合、基板Ｗの加熱効率の観点からは、基板Ｗの吸収波長に対応した波長を有する光を発光する光源を用いることが好ましい。また、高温のガスをスポット状に基板Ｗに向けて吐出する構成を採用してもよい。このような構成を採用しても、基板Ｗの表面部位を局部的に加熱して該表面部位を表面処理に応じた温度に昇温させることができる。
【００８９】
また、上記実施形態では、処理対象となっている基板ＷにＳｉＮ膜又はＨｉｇｈ―ｋ膜等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が形成されている場合について主に説明しているが、基板Ｗにはテトラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）膜等の薬液により比較的容易にエッチング除去することが可能な薄膜が形成されている場合がある。このため、薄膜の種類に応じて適正なエッチングレートで薄膜をエッチング除去する必要がある。というのも、エッチングレートが過度に高い場合には、周縁エッチング幅を正確にコントロールすることが困難となるからである。その一方で、エッチングレートが低すぎる場合には、スループットが大きく低下することとなるからである。したがって、薄膜の種類に応じてレーザユニットからレーザ光を照射するか否かを選択可能に構成することが好ましい。例えば、薄膜の種類に対応してレーザ光を照射（基板Ｗを加熱）するか否かを基板Ｗの処理内容を規定する処理レシピに規定しておき、処理レシピの選択により、薄膜の種類に応じた表面処理を実行することが好ましい。
【００９０】
また、上記実施形態では、基板Ｗの下面（裏面Ｗｂ）を支持ピン群で支持しながら間隙空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗを支持ピン群に押圧することによって基板Ｗを保持しているが、基板の保持方式は任意である。
【００９１】
また、上記実施形態では、基板Ｗの端部に存在する薄膜（不要物）を薬液を用いてエッチング除去する装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、剥離液を用いたレジスト剥離処理やリンス液を用いたリンス処理を実行する場合にも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板などを含む各種基板に処理液を供給して基板に対して所定の表面処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。
【図３】スピンベースを上方から見た平面図である。
【図４】位置決めガイドの構成を示す拡大斜視図である。
【図５】第１および第２支持ピンの構成を示す部分拡大図である。
【図６】対向部材の下面を見た図である。
【図７】ノズルとノズル挿入孔とを示す部分斜視図である。
【図８】基板の加熱の様子を示す拡大斜視図である。
【図９】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１０】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図１１】図１０の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００９４】
１…スピンチャック（基板保持手段）
３…ノズル
５…対向部材（押圧機構）
７，７Ｂ…レーザユニット（加熱手段）
８…制御ユニット（制御手段）
１３…チャック回転機構（回転手段）
１５…スピンベース（回転部材）
１８…ガス供給ユニット（ガス供給部、押圧機構）
５２…ノズル挿入孔
５３…貫通孔
７３…ユニット移動機構
５０１…対向部材の下面（基板対向面）
５０２…ガス吐出口
５２１…（ノズル挿入孔の）開口部
５３１…（貫通孔の）開口部
Ａ０…回転中心
ＡＰ…直前位置
ＥＦ…周端面（表面部位）
Ｆ１〜Ｆ６…第１支持ピン（支持部材）
ＬＰ…（処理液の）供給位置
Ｐ７１…端面対向位置
Ｐ７２…表面対向位置
Ｒ…回転方向
Ｓ１〜Ｓ６…第２支持ピン（支持部材）
ＳＰ…間隙空間
ＴＲ…表面周縁部（表面部位）
Ｗ…基板
Ｗｂ…基板裏面
Ｗｆ…基板表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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