(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録し、
前記記録された複数のテスト情報を再生し、
前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値のうちの、０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きいことを示す情報に基づき、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、
前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きいことを示す情報に基づき、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、
前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、
前記最適記録パワーにより実記録情報を記録する、
ことを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録し、
前記記録された複数のテスト情報を再生し、
前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定し、
０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量、及び０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量を測定し、
前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、
前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、
前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、
前記最適記録パワーにより実記録情報を記録する、
ことを特徴とする情報記録方法。
【請求項３】
前記第１のβ値の範囲は0.20>β>0.05であり、
前記第２のβ値の範囲は-0.05>β>-0.20である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録方法。
【請求項４】
記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録する記録手段と、
前記記録された複数のテスト情報を再生する再生手段と、
最適記録パワーを制御する記録制御手段と、
を備え、
前記記録制御手段は、
前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定し、
０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量、及び０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量を測定し、
前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、
前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、
前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、
前記記録手段は、
前記最適記録パワーにより実記録情報を記録する、
ことを特徴とする情報記録装置。
【請求項５】
記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録し、前記記録された複数のテスト情報を再生し、前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定し、０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量、及び０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量を測定し、前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、前記最適記録パワーにより記録される実記録情報を記憶するための情報記憶媒体であって、
前記第１のβ値、前記第２のβ値、及び前記所定係数に関する情報を記憶した第１の領域と、
前記複数のテスト情報を記憶するための第２の領域と、
前記最適記録パワーにより記録される実記録情報を記憶するための第３の領域と、
を備えたことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項６】
有機金属錯体を含む有機色素層を備え、
前記第１、第２、第３の領域は、前記有機色素層に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の情報記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、記録パワーを変化させながら、光ディスクに対して情報を記録し、記録した情報を再生し、再生信号のアシンメトリを評価し、記録パワーを最適な状態に制御する情報記録方法及び情報記録装置に関する。また、本発明は、このような記録パワー最適制御により制御された記録パワーにより記録される情報記録情報を記憶する情報記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクには、大きく分けて再生専用のＲＯＭディスク、追記型のＲディスク、書き換え型のＲＷまたはＲＡＭディスクの３種類がある。情報の大容量化に伴い、光ディスクにも大容量化と高転送レート化が求められている。現在市場に出ている光ディスクにはＣＤやＤＶＤなどがあるが、これらも記録可能な光ディスクにおける記録時間短縮という市場の要求に応えるため、例えばＣＤ−Ｒでは４８倍速、ＤＶＤ−Ｒでは１６倍速といったように高転送レート化されてきた。
【０００３】
ここで、更なる光ディスクの大容量化を行うために、ＨＤ  ＤＶＤという種類の光ディスクが開発されている。データ容量は、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＯＭやＨＤ  ＤＶＤ−Ｒでは片面１５ＧＢと、今までのＤＶＤの４．７ＧＢと比較して３倍以上の大容量化を実現している。このようなＨＤ  ＤＶＤ−Ｒの記録層には、有機色素材料が使用されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
情報の記録を行うためのパワーキャリブレーションの方法として、追記型光ディスクではβ法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
また、上記特許文献３には、光ディスクの歪みや色素むらなどに起因した個体差等によってβ値が特異的に変化するのに対応して、記録レーザパワー値とβ値の変化量であるΔβ値との関係を求め、当該Δβ値を考慮して記録レーザパワー値を決定する技術が開示されている。この特許文献３では、β値は記録レーザパワー値とほぼ線形関係となることを前提としている。
【特許文献１】特開２００６−２０５６８３
【特許文献２】特開２００５−２７１５８７
【特許文献３】特開２００２−２６０２３０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと異なり、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒでは、βの傾きがある記録レーザパワー値を境に変化してしまうものがあることが判明した。βの傾きの変化は色素特性やディスク構造に起因しているものと考えられる。βの傾きが変化してしまうと、従来の方法では最適な記録パワーをみつけるのが非常に困難となり、記録信号品位の低下が懸念される。特に、βの傾きが小さい場合には最適記録パワーの誤差が大きくなる。
【０００７】
本発明の目的は、βの傾きの変化の有無にかかわらず、高い記録信号品位で記録することが可能な情報記録方法及び情報記録装置を提供することにある。また、このような情報記録方法及び情報記録装置に適用可能な情報記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一実施形態に係る情報記録方法は、記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録し、前記記録された複数のテスト情報を再生し、前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定し、０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量、及び０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量を測定し、前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、前記最適記録パワーにより実記録情報を記録する。
【０００９】
この発明の一実施形態に係る情報記録装置は、記録パワーを変化させて複数のテスト情報を記録する記録手段と、前記記録された複数のテスト情報を再生する再生手段と、最適記録パワーを制御する記録制御手段とを備え、前記記録制御手段は、前記複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定し、０より大きい第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量、及び０より小さい第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量を測定し、前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値に対応する第１の記録パワーを検出し、前記第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が前記第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、前記第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値に対応する第２の記録パワーを検出し、前記第１の記録パワー及び所定係数、或いは前記第２の記録パワー及び前記所定係数に基づき最適記録パワーを制御し、前記記録手段は、前記最適記録パワーにより実記録情報を記録する。
【００１０】
この発明の一実施形態に係る情報記憶媒体は、前記第１のβ値、前記第２のβ値、及び前記所定係数に関する情報を記憶した第１の領域と、前記複数のテスト情報を記憶するための第２の領域と、前記最適記録パワーにより記録される実記録情報を記憶するための第３の領域とを備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、βの傾きの変化の有無にかかわらず、高い記録信号品位で記録することが可能な情報記録方法及び情報記録装置を提供できる。また、このような情報記録方法及び情報記録装置に適用可能な情報記憶媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
＜光ディスク＞
図１は、光ディスク（情報記憶媒体）の模式図である。光ディスク１は、中心にチャッキング用のクランプ孔２が設けられており、１つ以上の情報記録層（以下レイヤーと称する）を有している。レイヤーが一つの光ディスクは単層光ディスク、二つの光ディスクは２層光ディスクと呼ぶ。複数のレイヤーがある場合、それぞれのレイヤーで情報領域のレイアウトは若干異なる。単層光ディスクの情報記録層は内周側からリードイン領域３、データ領域４、リードアウト領域５に区分されている。また、リードイン領域３の内側にはＢＣＡ領域６が配置されている場合もある。
【００１４】
リードイン領域３は、光ディスク装置が管理情報やテスト情報を記録したり、光ディスクメーカがあらかじめ必要な管理情報を記録したりするために用いられる。管理情報は、記録マークによって記録される場合もあるが、エンボスピット、ウォブル、ランドプリピット等の手法によって記録される場合もある。データ領域４にはユーザー情報や追加の管理情報が記録される。リードアウト領域５には管理情報やテストデータが記録される。リードイン領域３、データ領域４、リードアウト領域５の一部または全部にはスパイラル状にグルーブが形成されており、グルーブは光ディスク装置により集光されたレーザーを走査するための案内溝の役割を果たす。
【００１５】
また、光ディスクには、記録マークを一箇所に一回だけ可能な追記型と記録マークの上書き、消去が可能な書き換え型の２種類がある。グルーブ部にはウォブル、ランドプリピット等の方法で物理アドレス等の管理情報が保存されている。記録マーク、エンボスピットとして保存される情報は元のデータに対し、ＥＴＭ（Eight to Twelve modulation）や、１-７ＰＰ（Parity Preserve）といった変調を施したものであり、さらに、誤り訂正用の情報が付加されている。ここで、ＥＴＭ（Eight to Twelve modulation）は変調方式の一つで、８ビットの情報ビットごとに、冗長性を持たせた１２ビットのチャネルビットに変換して信号を記録する方式である。このように、元のデータにたいして冗長性を持たせたことにより、直接データを光ディスクに記録する場合に比べ情報の記録再生の信頼度を飛躍的に向上させている。
【００１６】
＜リードイン領域＞
図２は、リードイン領域のレイアウトの一例を示す図である。内周側から、テスト領域３１、管理情報保存領域３２、イニシャル領域３３、バッファー領域３４、コントロールデータ領域３５、バッファー領域３６に区分されている。テスト領域３１は光ディスク装置による記録波形の最適化動作（ＯＰＣ：Optimum power control）に用いられる領域である。管理情報保存領域３２は現在のディスクの状態（未記録、記録中、ＲＯＭ互換状態）、データ領域の使用状況や、ＯＰＣ後の記録波形設定値（後述するβ0及び係数αに関する情報）といった情報を逐次記録するための領域である。イニシャル領域３３、バッファー領域３４、３６はいずれもサーボのオーバーランを許容するためのダミーデータなどが記録される。コントローデータ領域３５には後述の物理フォーマット情報やコピーライトプロテクション情報等がプリピット、ウォブルもしくは記録マークによって形成される。
【００１７】
ＢＣＡ領域６には、基板の溝や、反射膜の剥離、記憶媒体の変化によってＢＣＡマークがあらかじめ記録される。ここには、ディスクの識別情報やコピーライトプロテクションの情報が保存されている。ＢＣＡマークは光ディスクの円周方向に変調されており、半径方向には同一の情報が並ぶ櫛型のマークである。ＢＣＡコードは、ＲＺ変調方法により変調されて記録される。パルス幅が狭いパルスは、この変調されたＢＣＡコードのチャネルクロック幅の半分よりも狭い必要が有る。また、ＢＣＡマークは半径方向に同一の形状を持っているため、トラッキングをかける必要がなく、フォーカスをかけただけで情報の再生が可能となる。
【００１８】
＜管理情報＞
図３は、コントロールデータ領域に記録された物理フォーマット情報の一例を示す図である。光ディスクには、物理フォーマット情報として、ディスクの種類、物理的な特徴、ディスクの対応可能な記録速度、シリアル番号、ディスクの製造メーカＩＤ、ディスクに最適化された推奨の記録波形形状、ＯＰＣの目標となるＯＰＣ目標値等があらかじめディスクメーカ等によって保存されている。さらに、記録波形の形状、ＯＰＣの目標値は記録速度、対応光ディスク装置等にあわせて複数個保存されている。記録波形の形状、ＯＰＣの目標値は後述する手順で決定、保存される。さらに、ＯＰＣの目標値は一つの記録速度に対して、複数個保存することができる。例えば低い記録パワー用のＯＰＣ目標値、高い記録パワー用のＯＰＣ目標値のように記録パワー等の記録波形設定値の範囲に応じてＯＰＣの目標値を設定する。光ディスク装置は光ディスクにユーザー情報を記録する前または記録中に、これらの情報を参考に、記録波形の最適化の調整を行う。この結果、各光ディスクに最適な条件で記録を行うことが可能となり、ユーザー情報記録の安定性、装置間の互換性が向上する。
【００１９】
図４は、管理情報保存領域に保存する管理情報の一例を示す図である。光ディスクには、管理情報として、光ディスクが未記録であるか記録済みであるか、フォーマットされているかいないか等の光ディスクの状態を示す情報、記録済みユーザーデータの開始位置や終了位置等のデータ領域の使用状況を示す情報、それらの情報を登録した光ディスク装置のＩＤ、ディスクに最適化された推奨の記録波形形状、ＯＰＣの目標となるＯＰＣ目標値等を保存可能である。これらの管理情報は光ディスク装置が自動的に光ディスクに記録するものである。
【００２０】
＜光ディスク装置＞
図５は、本発明の一実施形態に係る光ディスク装置（情報記録装置）のブロック図である。光ディスク装置はピックアップヘッド（ＰＵＨ）１１から出射されるレーザー光（例えば400nm〜410nmの範囲の紫色波長帯）を光ディスクの情報記録層に集光し、情報の記録再生を行っている。光ディスクから反射した光は、再び、ＰＵＨ１１の光学系を通過し、フォトディテクターで電気信号として検出される。
【００２１】
検出された電気信号は、プリアンプ１２で増幅され、サーボ回路、ＲＦ信号処理回路、アドレス信号処理回路等を含む信号処理回路１３に出力される。
【００２２】
サーボ回路では、フォーカス、トラッキング、チルト等のサーボ信号が生成され、各信号がそれぞれ、ＰＵＨのフォーカス、トラッキング、チルトアクチュエータに出力される。
【００２３】
ＲＦ信号処理回路では、検出された信号のうち、主に和信号を処理することにより、記録されたユーザー情報等の情報を再生する。この際の復調方法としては、スライス方式やＰＲＭＬ方式がある。
【００２４】
アドレス信号処理回路では、検出された信号を処理することにより、光ディスク上の記録位置を示す、物理アドレス情報を読み出し、制御部１４に出力する。制御部１４はこのアドレス情報を元に、所望の位置のユーザー情報等の情報を読み出したり、所望の位置にユーザー情報等の情報を記録したりする。この際、ユーザー情報は、記録波形発生回路１６を構成する記録信号処理回路で光ディスク記録に適したデータに変調される。このとき、データの変調は例えば(１、１０)ＲＬＬ（Run length limited）変調、(１、７)ＲＬＬ変調といった変調方式が用いられる。(１、１０)ＲＬＬ変調では、データの変調に用いられた最も短い符号は２Ｔ、最も長い符号は１１Ｔとなる。さらに、記録波形発生回路１６は、入力された符号を元にレーザー発光波形を制御するための信号を生成し、ＬＤ駆動回路１５はこのレーザ発行波形制御信号に基づきＬＤ（レーザドライバ）を駆動し、これにより光ディスクに情報が記録される。
【００２５】
さらに、光ディスク装置は制御部１４の制御により、パワーを変化させて情報を記録する機能と、記録した情報を再生する機能と、再生した信号のアシンメトリ等の特徴量を算出する機能を有する。さらに再生した信号から再生信号の品位を表す情報である情報の読み取り特性を評価する機能、記録パワーの許容範囲を算出する機能、記録パワーを変化させる範囲を複数に分割してアシンメトリ等の特徴量を評価する機能、アシンメトリの評価結果に従って記録波形の設定または設定方法を変更する機能、評価した特徴量、読み取り特性、最適化した記録波形の形状情報を装置付属のメモリ１７、まはた光ディスクに保存する機能のなどを組み合わせて有する。
【００２６】
記録パワーを変化させる範囲を２分割してアシンメトリを評価する場合には、例えば記録パワーの許容範囲の上限値におけるアシンメトリ値と許容範囲の下限値におけるアシンメトリ値を算出することで実現することができる。また、再生信号の読み取り特性とは例えば、バイト、ビット、シンボルエラーレート等の各種エラーレートやＳｂＥＲ、ＰＲＳＮＲ、ジッタといった特性のことである。
【００２７】
＜再生波形＞
次に、記録信号の再生波形から評価可能な特徴量について説明する。光ディスク装置は、再生波形の特徴量を算出し、その特徴量を評価し、この評価結果に基づき最適な記録波形の形状を決定する。つまり、光ディスク装置は、このような手順に従い、記録波形を最適化する。上記した特徴量には、例えば、アシンメトリ、変調度、２Ｔ３Ｔアシンメトリ、３Ｔ８Ｔアシンメトリ、アシンメトリ変化量、変調度変化量といったものがある。
【００２８】
図６は、記録信号の再生波形（アイパターン）の一例を示す図であり、図６の左側の再生波形はアシンメトリの値が０の状態を示し、図６の右側の再生波形はアシンメトリの値が０ではない状態を示している。
【００２９】
また、図７は、図６の左側の再生波形及び右側の再生信号をＡＣ（Alternating current）でカップリングした信号を示す図である。また、図７中の０レベルは光ディスクを再生していない状態での出力レベルを示している。
【００３０】
例えば、光ディスクには２Ｔから８Ｔのデータが記録されているとする。最も信号の振幅が大きいのは８Ｔであるため、一番レベルが低いところに発生している信号と一番レベルが高いところに発生している信号は、この８Ｔのデータの再生信号である。ここで、８Ｔのデータから得られる最も低い部分の信号をＩ８Ｌ、高い部分の信号をＩ８Ｈとする。同様に、２Ｔのデータから得られる最も低い部分の信号をＩ２Ｌ、高い部分の信号をＩ２Ｈ、３Ｔのデータから得られる最も低い部分の信号をＩ３Ｌ、高い部分の信号をＩ３Ｈとする。また、各２Ｔ、３Ｔ、８Ｔのデータから得られる信号の振幅をＩ２、Ｉ３、Ｉ８と呼ぶ。
【００３１】
ここで、アシンメトリについて説明する。アシンメトリとは各２Ｔ、３Ｔ、８Ｔの信号の中心レベルが同じレベルにあるかどうかを評価する指標である。再生信号のアシンメトリは以下の式で表される。
【００３２】
アシンメトリ＝[(I8H+I8L)-(I2H+I2L)]/[2×(I8H-I8L)]・・・(1)
上記式（１）に基づき、図６の再生波形のアシンメトリを計算することができる。図６の左側の再生波形では、８Ｔのデータから得られた信号のレベルの中心と２Ｔのデータから得られた信号のレベルの中心がほぼ等しい。よって、図６の左側の再生波形のアシンメトリは０に近い値となる。
【００３３】
一方で、図６の右側の再生波形では、８Ｔのデータから得られた信号のレベルに対しては相対的に２Ｔから得られた信号のレベルが高くなっている。よって、図６の左側の再生波形のアシンメトリはマイナスの値となる。
【００３４】
このようにアシンメトリという特徴量を用いて再生信号の形状を評価することが可能となる。このほかのアシンメトリの評価方法として、２Ｔ３Ｔアシンメトリ、３Ｔ８Ｔアシンメトリがある。前者は光ディスクに使用される変調符号のうち、最密符号と最密符号の次に短い符号の中心レベルを比較する方法である。一例を挙げると、２Ｔ信号と３Ｔ信号の中心レベルを比較する方法である。また、後者は最密符号の次に短い符号と最疎符号の中心レベルを比較する方法である。一例を挙げると、３Ｔ信号と８Ｔ信号の中心レベルを比較する方法である。
【００３５】
２Ｔ３Ｔアシンメトリ＝[(I3H+I3L)-(I2H+I2L)]/[2×(I8H-I8L)]・・・(2)
３Ｔ８Ｔアシンメトリ＝[(I8H+I8L)-(I3H+I3L)]/[2×(I8H-I8L)]・・・(3)
さらに、アシンメトリを評価するもう一つの例について説明する。
【００３６】
図７に示す波形は記録データを再生したときの再生信号をＡＣカップリングした出力波形である。ここで、信号の最大値部分のレベルと０レベルの差をＡ、信号の最小値部分のレベルと０レベルの差をＢとすると、この信号から算出されるアシンメトリβは下記の式で表される。
【００３７】
アシンメトリβ＝(A+B)/(A-B)・・・(4)
上記式（４）に基づき、図７の再生波形のアシンメトリを計算することができる。図７の左側の再生波形では信号の上下が対象であるため、ＡＣカップルを実行した場合に、０レベルの上側に位置する波形部分と下側に位置する波形部分の幅が同程度となる。よって、図７の左側の再生波形のアシンメトリは、ほぼ０になる。
【００３８】
一方、図７の右側の再生波形では信号の上下が非対称となっている。このため、ＡＣカップルを実行した場合に、０レベルの上側に位置する波形部分と下側に位置する波形部分の幅が異なる。よって、図７の右側の再生波形のアシンメトリは、マイナスとなる。このようにβを用いても式（１）とほぼ同様にアシンメトリを評価することが出来る。
【００３９】
次に、変調度について説明する。変調度は、信号の振幅を評価する指標である。変調度ｍは以下の式で表される。
【００４０】
変調度ｍ＝I8/I8H・・・(5)
また、アシンメトリ変化量とは記録波形設定の変化に対するアシンメトリの変化量を評価する値である。例えば、記録パワーＮ［ｍＷ］で記録を行った際の、第一の波長のレーザーで再生された信号のアシンメトリをアシンメトリ（Ｎ）とし、記録パワーＭ［ｍＷ］で記録を行った際の、再生された信号のアシンメトリをアシンメトリ（Ｍ）とすると、アシンメトリ変化量は下記の式で表される。
【００４１】
アシンメトリ変化量＝(アシンメトリ(M)-アシンメトリ(N))/(M-N)・・・(6)
変調度の変化量も同様に記録波形設定の変化に対する変調度変化量を評価する値である。ここで、記録パワーＮ［ｍＷ］で記録を行った際の、再生信号の変調度を変調度（Ｎ）とし、記録パワーＭ［ｍＷ］で記録を行った際の、再生信号の変調度を変調度（Ｍ）とすると、測定される変調度変化量は下記の式で表される。
【００４２】
変調度変化量＝(変調度(M)-変調度(N))/(M-N)・・・(7)
さらに、記録パワーの違いに対する変調度変化量の値をなるべく一定にするために、下記の式で表される変調度変化量γを使うことも可能である。
【００４３】
γ＝[(変調度(M)-変調度(N))/(M-N)]×[M/変調度(M)]・・・(8)
このように、光ディスク装置は、記録した信号の再生波形からさまざまな特徴量を抽出する機能を有している。
【００４４】
＜記録波形＞
図８は、光ディスク装置による記録波形の一例を説明するための図である。なお、図８に示す基準クロック信号は、光ディスク装置に用いられている信号である。また、図８に示すＮＲＺＩ波形は、ＮＲＺＩ形式に変換された状態の記録データを示している。図８に示す記録波形は、上記記録データを記録するための記録波形を示している。図８に示すプリグルーブは、上記記録データに対応する記録マークの記録場所である。記録マークの形状は、図８に示す通りである。
【００４５】
図８に示す記録波形は、１つのマークを記録するために複数のパルスを使用するマルチパルスと呼ばれる波形である。複数のパルスのうち先頭のものをファーストパルス、最後のものをラストパルス、その間のものをマルチパルスと呼ぶ。またラストパルスの後にバイアスパワー１を出力する部分も設けられている。記録波形の形状はレベル方向には、記録パワー、消去パワー、バイアスパワー１及びバイアスパワー２の４つのレベルで規定されている。時間方向にはＮＲＺＩ形式のデータの立ち上がり、及びクロック信号を基準に、ファーストパルスの開始時間Ｆ１、ファーストパルスの終了時間Ｆ３、ファーストパルスの間隔Ｆ２といった時間情報で規定される。またファーストパルスの開始時間Ｆ１やラストパルスの終了時間Ｌ３等、特に記録マークの形成に影響を与えやすいパラメータに関してはＮＲＺＩ信号のパターンに応じてそれぞれの間隔を記録中に動的変更する。これらの記録波形設定値は記録波形の形状情報として、光ディスク装置内のメモリ１７で管理されるほか、物理フォーマット情報、管理情報として情報記憶媒体に保存される。
【００４６】
図９は、光ディスク装置による記録波形の別例を説明するための図である。図９は、ブロックパルスと呼ばれる波形を説明するための図である。図９に示された記録波形は、マルチパルスを含まず、ファーストパルス、ラストパルス、クーリングパルスを含み、これらパルスにより記録マークを形成する。この場合でも、クロック信号に対するパルスの開始位置や、先頭の突起部の終了位置等の設定情報が定められている。
【００４７】
次に、光ディスク装置を用いて光ディスクの物理フォーマット情報、光ディスク装置の等に保存する最適記録波形の形状情報、及びＯＰＣ目標値の決定手順について説明する。最適記録波形の形状情報及びＯＰＣ目標値の決定は、光ディスクメーカが光ディスクの出荷前に実行し、出荷の判定を行ったり、決定した結果を光ディスクの物理フォーマット情報に保存したりする場合に用いられる。また、光ディスクメーカが実施し、決定した結果を光ディスク装置のメモリに保存する場合にも用いられる。さらに、ユーザー情報（実記録情報）の記録前に、光ディスク装置によって事前に実施され、記録可能の可否の判定や決定した結果を管理情報保存領域に保存したりする場合に用いられる。
【００４８】
図１９は、本発明の一実施形態に係る情報記録方法の概要を示すフローチャートである。
【００４９】
（ＳＴ１）光ディスク装置が、光ディスク上の管理領域３２からターゲットβ0と係数α（図１８参照）に関する情報を読み出す。
【００５０】
（ＳＴ２）光ディスク装置が、記録パワーを変えて光ディスク上のテスト領域３１に対して複数のテスト情報を記録する。
【００５１】
（ＳＴ３）光ディスク装置が、記録された複数のテスト情報を再生する。
【００５２】
（ＳＴ４）光ディスク装置が、複数のテスト情報に対応する複数の再生信号の各々のアシンメトリを示すβ値を測定する。
【００５３】
（ＳＴ５）光ディスク装置が、０より大きい第１のβ値の範囲（0.20>β>0.05）におけるβ値の変化量（傾斜）、及び０より小さい第２のβ値の範囲（-0.05>β>-0.20）におけるβ値の変化量（傾斜）を測定する。さらに、光ディスク装置が、第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値（β0）を選出し、逆に、第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きい場合、第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値（β0）を選出する。
【００５４】
（ＳＴ６）光ディスク装置は、選出された第１のβ値に対応する第１の記録パワー（Pw0）を検出する。或いは、光ディスク装置は、選出された第２のβ値に対応する第２の記録パワー（Pw0）を検出する。
【００５５】
（ＳＴ７）光ディスク装置が、第１の記録パワー（Pw0）及び係数αに基づき最適記録パワーPwを決定する（Pw=α×Pw0）。或いは、光ディスク装置が、第２の記録パワー（Pw0）及び係数αに基づき最適記録パワーPwを決定する。
【００５６】
（ＳＴ８）光ディスク装置が、最適記録パワーPwにより光ディスク上のデータ領域４に対して実記録情報を記録する。
【００５７】
なお、事前に、第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量が第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きいことが判明している場合には、メモリ１７にそのことを記憶しておき、第１のβ値の範囲に含まれる第１のβ値（β0）に対応する第１の記録パワー（Pw0）を検出し、第１の記録パワー（Pw0）及び係数αに基づき最適記録パワーPwを決定するようにしてもよい。同様に、事前に、第２のβ値の範囲におけるβ値の変化量が第１のβ値の範囲におけるβ値の変化量より大きいことが判明している場合には、メモリ１７にそのことを記憶しておき、第２のβ値の範囲に含まれる第２のβ値（β0）に対応する第２の記録パワー（Pw0）を検出し、第２の記録パワー（Pw0）及び係数αに基づき最適記録パワーPwを決定するようにしてもよい。
【００５８】
以下、上記した情報記録方法について詳細に説明する。
【００５９】
図１０Ａは、情報記憶媒体Aのβと記録パワーの関係を示す図である。図１０Ｂは、情報記憶媒体Bのβと記録パワーの関係を示す図である。情報記憶媒体Aでは、記録パワーに対してβの傾きが線形となる特徴がある。一方、情報記憶媒体Bでは、記録パワーに対してβの傾きが非線形となる特徴がある。
【００６０】
そこで、あらかじめターゲットβ0と係数αを求めておき、情報記憶媒体の管理情報保存領域３２に保存しておき、光ディスク装置が管理情報保存領域３２からターゲットβ0と係数αを読み出し、メモリ１７がターゲットβ0と係数αを記憶する。この場合のターゲットβ0はβ0>0.05（0.20>β0>0.05）である。情報の記録を行う際には、まずOPCを行うが、その際にターゲットβ0に対応する記録パワーPw0を求める。光ディスク装置のメモリ１７に記憶された係数αを読み出し、記録パワーPw0に係数αを掛けて算出される最適記録パワーPwを求め、最適記録パワーPwで実記録情報を記録する。
【００６１】
情報記憶媒体Aでは、最適記録パワーPwが9.5mWのときにβ=0となる。このとき、β0=0.10、Pw0=8.1mW、α=1.17である。
【００６２】
情報記憶媒体Bでは、最適記録パワーPwが8.8mWのときにβ=-0.03となる。このとき、β0=0.10、Pw0=7.5mW、α=1.17である。
【００６３】
これに対して、従来の最適記録パワー制御では、以下のような結果が得られる。
【００６４】
OPCによりβ=0となる記録パワーを見つけて、この記録パワーを最適記録パワーとする。図１１Ａは、情報記憶媒体Aに対して５回OPCを行って記録パワーを見つけた結果を示す図である。情報記憶媒体Aでは、β=0となる記録パワーはほぼ8.1mWとなり、最適記録パワーをほぼ正しく見つけることができる。
【００６５】
図１１Ｂは、情報記憶媒体Bに対して５回OPCを行って記録パワーを見つけた結果を示す図である。情報記憶媒体Bでは、β=-0.03となる記録パワーを見つけようとしても、βの記録パワーに対する傾きが最適記録パワー付近で小さく、8.0mWから9.5mWまで変化がわかりづらく、最適記録パワーを見つけるのは困難であった。
【００６６】
本発明の一実施形態に係る情報記録方法では、以下のようにして最適記録パワーPwを決定する。
【００６７】
まずβ0となる記録パワーPw0を求め、記録パワーPw0に係数αを掛けて算出される最適記録パワーPwを求め、最適記録パワーPwで実記録情報を記録する。
【００６８】
図１２Ａは、情報記憶媒体Aに対してＯＰＣを５回適用した結果を示す図である。図１２Ｂは、情報記憶媒体Bに対してＯＰＣを５回適用した結果を示す図である。情報記憶媒体A,Bどちらの情報記憶媒体においても、ほぼ正確に最適記録パワーを見出すことが可能であった。
【００６９】
なお、本実施形態で説明した情報記憶媒体は、例えば1.1mm厚の基板、この基板上に形成されたAg合金反射膜、このAg合金反射膜上に塗布された色素、さらに0.1mmのカバー層を積層した構造である。また、0.6mm厚の基板の上に色素を塗布し、その上にAg合金反射膜を積層し、そのAg合金反射膜の上に0.6mmの基板を積層した構造、つまり0.6mm厚の基板を貼り合わせた構造としても同様の効果があった。
【００７０】
本発明の一実施形態において使用できるＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ型（Ｌ  ｔｏ  Ｈ型）の有機色素として、色素部と対イオン（アニオン）部とからなるもの、有機金属錯体を使用することができる。色素部としては、シアニン色素、スチリル色素、ポルフィリン系色素、アゾ色素等を使用することができる。特に、シアニン色素、スチリル色素、アゾ色素は、記録波長に対する吸収率の制御がしやすく好適である。
【００７１】
Ｌ  ｔｏ  Ｈ型の有機色素の中でも、モノメチン鎖を有するモノメチンシアニン色素は、透明樹脂基板に塗布される記録膜を薄膜化することにより、極大吸収と記録波長域（４００ｎｍ〜４０５ｎｍ）での吸光度を０．３〜０．５付近、好ましくは０．４付近に容易に調整することができる。このため、記録再生特性を良くすることが可能で、かつ、光反射率、記録感度を共に良好に設計することができる。
【００７２】
有機色素のアニオン部としては、有機金属錯体とするのが光安定性の観点からも良好である。有機金属錯体は、コバルトまたはニッケルを中心金属とするものが、特に光安定性に優れている。
【００７３】
有機金属錯体としては、例えばアゾ金属錯体を使用することができ、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール（ＴＦＰ）を溶媒とした場合の溶解性も良好であって、スピンコート用の溶液を容易に作ることができる。また、スピンコート後のリサイクルが可能なので、情報記録媒体製造のコストダウンを図ることができる。
【００７４】
なお、有機金属錯体は、ＴＦＰ液に溶解させ、スピン塗布することができる。特に、アゾ金属錯体が記録後に変形を生じにくいので、記録層を２層とする情報記録媒体に使用する場合、Ａｇ合金層の薄いＬ０用記録層には良好である。中心金属はＣｕ，Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙが使えるが、特に再生光耐性が良好なのはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｏであり、Ｃｕは遺伝毒性が無く、記録再生信号の品質が優良である。
【００７５】
中心金属を取り巻くリガンド（配位子）は様々なものが使用できる。たとえば下記構造式（Ｄ１）ないし（Ｄ６）で表される色素のようなものが使用される。ここに出てきたリガンドを組み合わせて他の構造にしてもよい。
【００７６】
また、中心金属は必ずしもひとつである必要はなく、複数、いわゆる複核錯体の構造をとっても良い。この際、リガンドと中心金属との比は中心金属の配位数やリガンドの大きさ及び構造に依存するが、1:1, 1:2, 1:3, 1:4, 2:2, 2:3, 2:4, 2:5, 2:6, 3:3, 3:4, 3:5, 3:6, 3:7, 3:8, 4:4, 4:5, 4:6, 4:7, 4:8, 4:9, 4:10などにすることも可能である。複核錯体にすることで、特に幅広い記録速度において記録再生信号の品質が優良となる。この中でも特に、2:2, 3:3, 4:4の比を持つ色素については、再生耐久性も良好であり、高線速でも広い記録パワーマージンを持つので優良である。
【化１】
0004864935.tif 000002
【００７７】
【化２】
0004864935.tif 000003
【００７８】
【化３】
0004864935.tif 000004
【００７９】
【化４】
0004864935.tif 000005
【００８０】
【化５】
0004864935.tif 000006
【００８１】
【化６】
0004864935.tif 000007
【００８２】
また、図２０は、本発明に使用できるＬ  ｔｏ  Ｈ型有機色素層として使用し得る有機色素材料として、色素Ａ〜Ｄの４つの例を示している。色素Ａは、色素部（カチオン部）をスチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体１としたものである。色素Ｃは、色素部（カチオン部）をスチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体２としたものである。色素Ｄは、色素部（カチオン部）をモノメチンシアニン色素、アニオン部をアゾ金属錯体１としたものである。なお、有機金属錯体の単体も使用可能である。例えば、色素Ｂは、ニッケル錯体色素である。
【００８３】
ここで、下記一般式（Ｅ１）は、上記色素Ａ，Ｃの色素部となるスチリル色素の一般式を示し、下記一般式（Ｅ２）は、色素Ａ，Ｃのアニオン部となるアゾ金属錯体の一般式を示している。また、下記一般式（Ｅ３）は、上記色素Ｄの色素部となるモノメチンシアニン色素の一般式を示し、下記一般式（Ｅ４）は、色素Ｄのアニオン部となるアゾ金属錯体
の一般式を示している。
【化７】
0004864935.tif 000008
【００８４】
【化８】
0004864935.tif 000009
【００８５】
【化９】
0004864935.tif 000010
【００８６】
【化１０】
0004864935.tif 000011
【００８７】
上記スチリル色素の一般式において、Ｚ３は芳香環を表わし、その芳香環は置換基を有していてもよい。Ｙ３１は炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３３は互いに同じか異なる脂肪族炭化水素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。Ｒ３４，Ｒ３５はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし、Ｙ３１がヘテロ原子である場合、Ｒ３４，Ｒ３５のいずれか一方または両方存在しない。
【００８８】
また、上記モノメチンシアニン色素の一般式において、Ｚ１，Ｚ２は互いに同じか異なる芳香環を表わし、それらの芳香環は置換基を有していてもよい。Ｙ１１，Ｙ１２はそれぞれ独立に、炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。Ｒ１１，Ｒ１２は脂肪族炭化水素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし、Ｙ１１，Ｙ１２がヘテロ原子である場合、Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６の一部または全部が存在しない。
【００８９】
この実施の形態で用いるモノメチンシアニン色素としては、置換基を１または複数有することのあるモノメチン鎖の両端に、置換基を１または複数有することのある、互いに同じか異なるイミダゾリン環、イミダゾール環、ベンゾイミダソール環、α−ナフトイミダゾール環、β−ナフトイミダゾール環、インドール環、イソインドール環、インドレニン環、イソインドレニン環、ベンゾインドレニン環、ピリジノインドレニン環、オキサゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジノオキサゾール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフトオキサゾール環、セレナゾリン環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール環、α−ナフトセレナゾール環、β−ナフトセレナゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、イソチアゾール環、ベンゾチアゾール環、α−ナフトチアゾール環、β−ナフトチアゾール環、テルラゾリン環、テルラゾール環、ベンゾテルラゾール環、α−ナフトテルラゾール環、β−ナフトテルラゾール環、さらには、アクリジン環、アントラセン環、イソキノリン環、イソピロール環、イミダノキサリン環、インダンジオン環、インダゾール環、インダリン環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、キサンテン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、クロマン環、シクロヘキサンジオン環、シクロペンタンジオン環、シンノリン環、チオジアゾール環、チオオキサゾリドン環、チオフェン環、チオナフテン環、チオバルビツール酸環、チオヒダントイン環、テトラゾール環、トリアジン環、ナフタレン環、ナフチリジン環、ピペラジン環、ピラジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾロン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピリリウム環、ピロリジン環、ピロリン環、ピロール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントレン環、フェナントロリン環、フタラジン環、プテリジン環、フラザン環、フラン環、プリン環、ベンゼン環、ベンゾオキサジン環、ベンゾピラン環、モルホリン環、ロダニン環等の環状核が結合してなる色素を挙げることができる。
【００９０】
また、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式を通じて、Ｚ１〜Ｚ３は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環等の芳香環を表わし、それらの芳香環は置換基を１または複数有していてもよい。置換基としては、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基等の芳香族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲン基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、フェニルチオ基等のチオ基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、プロピルスルファモイル基、ジプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモイル基、ジブチルスルファモイル基等のスルファモイル基、第一級アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピペリジノ基等のアミノ基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ジプロピルカルバモイル基等のカルバモイル基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルフィノ基、スルホ基、メシル基等が挙げられる。なお、一般式において、Ｚ１及びＺ２は互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
【００９１】
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＹ１１，Ｙ１２，Ｙ３１は炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子等の周期律表における第１５族及び第１６族の原子が挙げられる。なお、Ｙ１１，Ｙ１２，Ｙ３１における炭素原子は、例えば、エチレン基、ビニレン基等の２個の炭素原子を主体とする原子団であってもよい。また、モノメチンシアニン色素の一般式におけるＹ１１，Ｙ１２は互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
【００９２】
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＲ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ３２，Ｒ３３は脂肪族炭化水素基を表わしている。脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソプロペニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、２−ペンテニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。この脂肪族炭化水素基は、Ｚ１〜Ｚ３におけるものと同様の置換基を１または複数有していてもよい。
【００９３】
なお、モノメチンシアニン色素の一般式におけるＲ１１，Ｒ１２と、スチリル色素の一般式におけるＲ１３，Ｒ３２，Ｒ３３とは、それぞれ、互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
【００９４】
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるＲ１３〜Ｒ１６，Ｒ３４，Ｒ３５は、個々の一般式においてそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わしている。置換基としては、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲン基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。なお、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式において、Ｙ１１，Ｙ１２，Ｙ３１がヘテロ原子である場合には、Ｚ１及びＺ２におけるＲ１３〜Ｒ１６の一部または全部、また、Ｚ３におけるＲ３４，Ｒ３５の一方もしくは両方が存在しないこととなる。
【００９５】
また、上記アゾ金属錯体の一般式において、Ａ及びＡ´は窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を１または複数含んでなる、互いに同じか異なる、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、ピペリジル基、キノリル基、イソオキサゾリル基等の五員環〜十員環の複素環基を表わしている。この複素環基は、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、５−メチルヘキシル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、キシリル基、メシチル基、スチリル基、シンナモイル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、さらには、カルボキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を１または複数有していてもよい。
【００９６】
色素部と対イオン（アニオン）部とからなるものの具体的な例を示す。
【００９７】
色素部としては、以下のＦ１〜Ｆ６に示す構造を持つことが可能である。
【化１１】
0004864935.tif 000012
【００９８】
【化１２】
0004864935.tif 000013
【００９９】
【化１３】
0004864935.tif 000014
【０１００】
【化１４】
0004864935.tif 000015
【０１０１】
【化１５】
0004864935.tif 000016
【０１０２】
【化１６】
0004864935.tif 000017
【０１０３】
また、対イオン（アニオン）部としては、以下のＧ１〜Ｇ６に示す構造を取ることができる。これらの色素部と対イオン部を適宜組み合わせて用いることが可能である。
【化１７】
0004864935.tif 000018
【０１０４】
【化１８】
0004864935.tif 000019
【０１０５】
【化１９】
0004864935.tif 000020
【０１０６】
【化２０】
0004864935.tif 000021
【０１０７】
【化２１】
0004864935.tif 000022
【０１０８】
【化２２】
0004864935.tif 000023
【０１０９】
なお、一般式で表わされるアゾ系有機金属錯体を構成するアゾ化合物は、常法にしたがって、一般式に対応するＲ２１，Ｒ２２か、または、Ｒ２３，Ｒ２４を有するジアゾニウム塩と、分子内に、カルボニル基に隣接する活性メチレン基を有する、例えば、イソオキサゾロン化合物、オキサゾロン化合物、チオナフテン化合物、ピラゾロン化合物、バルビツル酸化合物、ヒダントイン化合物、ロダニン化合物等の複素環式化合物とを反応させることによって得ることができる。Ｙ２１，Ｙ２２は、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子等の、周期律表における第１６族の元素から選ばれる互いに同じか異なるヘテロ原子を表わしている。
【０１１０】
一般式で表されるアゾ金属錯体は、通常、その１または複数が金属（中心原子）に配位してなる金属錯体の形態で用いられる。中心原子となる金属元素の例としては、例えば、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀等が挙げられ、特にコバルトが好ましい。
【０１１１】
また、中心原子は、ひとつあるいは複数のいわゆる複核錯体となっても良い。その場合、配位子と中心原子との比は、1:2, 2:2, 2:3, 2:4, 3:3, 3:4, 3:5, 3:6, 4:4, 4:5, 4:6, 4:7, 4:8などと成り得る。以下に、複核錯体の一例（Ｈ１）を示す。
【化２３】
0004864935.tif 000024
【０１１２】
ここで、R1〜R4は個々の一般式においてそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わしている。例えば、R1=イソペンチル基、R2=R3=エチル基、R4=水素のとき、nは２から６までの値を取りえる。
【０１１３】
図２１（ａ）は、上記色素Ａにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図２２（ｂ）は、上記色素Ｂにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図２２（ｃ）は、上記色素Ｃにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。
【０１１４】
また、図２２（ａ）は、上記色素Ｄにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図２２（ｂ）は、上記色素Ｄのアニオン部において、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。
【０１１５】
図２１及び図２２に示す特性から明らかなように、各色素Ａ〜Ｄは、その最大吸収波長領域が記録波長（４０５ｎｍ）よりも長波長側にシフトしている。この実施の形態で説明する記型光ディスクは、上記のような特性を有する有機色素を記録膜に含ませ、かつ、レーザ光照射前の光反射率よりもレーザ光照射後の光反射率が高くなる、いわゆるＬ  ｔｏ  Ｈの特性を持たせるように構成することにより、青色レーザ光等のような短波長レーザ光を使用しても、保存耐久性、再生信号ＳＮ比、ビット誤り率等の点で優れ、高密度で十分に実用に適するレベルの性能をもって情報の記録再生を行なうことを可能としている。
【０１１６】
すなわち、この追記型光ディスクは、有機色素を含む記録膜の極大吸収波長が記録用レーザ光の波長よりも長波長側にあるため、紫外線等の短波長の光の吸収を小さく抑えることができるので、光安定性に優れ、情報記録再生の信頼性が高くなる。
【０１１７】
また、情報の記録時点では、光反射率が低いことから、反射拡散によるクロスライトが生じないため、隣接トラックに情報が記録されている状態であっても、再生信号ＳＮ比、ビット誤り率の劣化を少なくすることができる。さらに、熱に対しても、記録マークのコントラスト、解像度を高い品質で保持することができ、記録感度設計を容易に行なうことができる。
【０１１８】
次に、情報記憶媒体A-Eまでの記録特性指標であるSbERとβとの関係について説明する。図１３は、情報記憶媒体Aの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図であり、図１４は、情報記憶媒体Bの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図であり、図１５は、情報記憶媒体Cの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図であり、図１６は、情報記憶媒体Dの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図であり、図１７は、情報記憶媒体Eの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図であり。
【０１１９】
情報記憶媒体Aに関してはβが線形であるが、情報記憶媒体Bに関してはβの傾きが0付近で変化している。具体的には、情報記憶媒体Bに関して、βの値が小さいほうがβの傾きが小さく、βの値が大きいほうがβの傾きが大きくなる。また、情報記憶媒体Cに関しては、βの値が0.01を境に、βの値が小さいほうがβの傾きは小さくなる。情報記憶媒体Dに関しては、βの値が0付近でβの傾きが変わり、βの値が小さいほうがβの傾きは大きくなる。情報記憶媒体Eに関しては、βの値が-0.01付近でβの傾きが変わり、βの値が小さいほうがβの傾きは大きくなる。
【０１２０】
図１８は、上記した５種類の情報記憶媒体A-Eにおいて、β0、Pw0, α、Pwの設定の例を示す図である。設定されたβ0、αは、上記したように、情報記憶媒体の管理情報保存領域３２に格納される。
【０１２１】
βの傾きが小さい側（β値の範囲）とβの傾きが大きい側（β値の範囲）に分けると、β傾きが小さい側については測定による誤差が大きい。このため、最適パワーの決定のためのβ0として使用しないほうが好ましい。
【０１２２】
βの傾きの変化点は実験結果より0.05から−0.05の間である。変化点付近ではパワーキャリブレーションを行うときに本来の最適記録パワーとキャリブレーションで算出した記録パワーとの誤差が大きくなりやすい。
【０１２３】
βの値は0.20よりも大きくなると信号特性劣化が大きく、信号振幅も小さくなるために、測定誤差が大きくなる傾向にある。また、βの値が-0.20よりも小さくなる場合も信号特性劣化が大きく、測定が困難となっていく。
【０１２４】
そこで、0.20>β>0.05の範囲内あるいは-0.05>β>-0.20の範囲内で、βの傾き（変化量）が大きな側でβ0とαを設定し、この値からパワーキャリブレーションを行うことが好ましい。
【０１２５】
ここで、αは、0.5 < α < 1.5の範囲が好ましい。この範囲内であれば、記録特性が比較的良好で、β測定誤差も小さくなると予想される。
【０１２６】
以下、本実施形態についてまとめる。
【０１２７】
情報記録方法は、波長450nm以下の半導体レーザーを用いて、記録パワーを変化させて情報記憶媒体のテスト領域にテスト情報を記録し、記録されたテスト情報を再生し、再生信号のアシンメトリを示すβ値を測定し、β>0.05の範囲（より具体的には0.20>β>0.05の範囲、或いは-0.05>β>-0.20の範囲）で下記（式１）を満たすように求めておいた任意のターゲットβ0と係数αから最適記録パワーPwを求め、最適記録パワーPwにより実記録情報を記録する。
【０１２８】
Pw =α x Pw0   (式1)
(Pw：最適記録パワー、α：記録パワー係数、Pw0：β0となるときの記録パワー)
この情報記録方法によれば、高記録パワーに対応してβの傾きが小さくなる特性を有する情報記憶媒体については、低記録パワーに対応してβの傾きが大きくなる範囲内の任意のターゲットβ0を設定しておき、そのターゲットβ0に対応する記録パワーPw0と係数αとの関係から最適記録パワーPwを求める。これにより、高品位で情報を記録することが可能となる。
【０１２９】
また、この情報記録方法によれば、低記録パワーに対応してβの傾きが小さくなる特性を有する情報記憶媒体については、高記録パワーに対応してβの傾きが大きくなる範囲内の任意のターゲットβ0を設定しておき、そのターゲットβ0に対応する記録パワーPw0と係数αとの関係から最適記録パワーPwを求める。これにより、高品位で情報を記録することが可能となる。
【０１３０】
また、情報記憶媒体は、同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された記録層とを少なくとも有し、記録層は、記録に関するパラメータを含む所定領域（管理情報保存領域３２）を有し、この所定領域は、ターゲットβ0とαに関する情報を記憶する。
【０１３１】
なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】光ディスクの模式図である。
【図２】リードイン領域のレイアウトの一例を示す図である。
【図３】コントロールデータ領域に記録された物理フォーマット情報の一例を示す図である。
【図４】管理情報保存領域に保存する管理情報の一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置のブロック図である。
【図６】記録信号の再生波形（アイパターン）の一例を示す図である。
【図７】図６に示す記録信号の再生波形をＡＣ（Alternating current）でカップリングした信号を示す図である。
【図８】光ディスク装置による記録波形の一例を説明するための図である。
【図９】光ディスク装置による記録波形の別例を説明するための図である。
【図１０Ａ】情報記憶媒体Aのβと記録パワーの関係を示す図である。
【図１０Ｂ】情報記憶媒体Bのβと記録パワーの関係を示す図である。
【図１１Ａ】情報記憶媒体Aに対して５回OPCを行って記録パワーを見つけた結果を示す図である。
【図１１Ｂ】情報記憶媒体Aに対して５回OPCを行って記録パワーを見つけた結果を示す図である。
【図１２Ａ】情報記憶媒体Aに対してＯＰＣを５回適用した結果を示す図である。
【図１２Ｂ】情報記憶媒体Bに対してＯＰＣを５回適用した結果を示す図である。
【図１３】情報記憶媒体Aの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図である。
【図１４】情報記憶媒体Bの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図である。
【図１５】情報記憶媒体Cの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図である。
【図１６】情報記憶媒体Dの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図である。
【図１７】情報記憶媒体Eの記録特性指標であるSbERとβとの関係を示す図である。
【図１８】５種類の情報記憶媒体A-Eにおいて、β0、Pw0、α、Pwの設定の例を示す図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る情報記録方法の概要を示すフローチャートである。
【図２０】Ｌ  ｔｏ  Ｈ型有機色素層として使用し得る有機色素材料として、色素Ａ〜Ｄの４つの例を示す図である。
【図２１】色素Ａ〜Ｃにおいて照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示す図である。
【図２２】色素Ｄにおいて照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示すとともに、色素Ｄのアニオン部において照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示す図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１…光ディスク、２…クランプ孔、３…リードイン領域、４…データ領域、５…リードアウト領域、６…ＢＣＡ領域、１１…ＰＵＨ、１２…プリアンプ、１３…信号処理回路、１４…制御部、１５…ＬＤ駆動回路、１６…記録波形発生回路、１７…メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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