(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理室に接続された処理物の搬送室と、
該搬送室の内部に配置され、前記処理物を前記複数の処理室に搬送する搬送手段と、
該搬送手段を前記処理室に対して出し入れする移動機構と、を備えた搬送装置において、
前記搬送手段と前記移動機構とを相互に接続および分断する断接部を備え、
前記断接部は、前記搬送手段および前記移動機構のいずれか一方に形成されたフックと、前記搬送手段および前記移動機構のいずれか他方に形成され、前記フックと係合する係合部と、により構成され、
該断接部が接続された状態において、前記移動機構が前記搬送手段を前記処理室に対して出し入れし、前記断接部が分断された状態において、前記搬送手段が前記処理物を前記複数の処理室に搬送するように構成されていることを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記断接部は、前記搬送手段と前記移動機構の先端部とが相互に接続および分断されてなり、
前記移動機構の先端部の上下移動が可能となるように、該移動機構に支点が取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の搬送装置を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項４】
前記搬送装置を構成する処理室は、熱処理室であることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記搬送装置を構成する搬送手段から前記処理室に処理物を受け渡す受け渡し機構を備えていることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送装置および処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱処理を行う熱処理路が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の熱処理路では、処理品が載置された台板を主プッシャの先端の主プッシャヘッドで押し、主プッシャに押された台板はカムローラ上を移動して加熱炉へと搬送される構成が記載されている。
【特許文献１】特許第３５３６２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般に、熱処理路においては、搬送路内が高温になるため、処理品の搬送手段を熱処理室内に入れたまま熱処理することは好ましくない。そのため、熱処理室の一方側から搬送手段を出し入れして処理品の受け渡しを行っていた。そのため、連続的に熱処理を行う装置を構成することが困難であった。
また、特許文献１の熱処理路のように、耐熱性を確保するために、装置の外部から主プッシャで台板を押して処理品を機械的に搬送するものが一般的であり、モータなどを用いて電気的に稼働させて処理品を搬送する構成は困難であった。ただし、機械的に処理品を搬送させる場合にも、処理品が載置された台板を一方向にしか搬送できなかったため、処理装置の全体構成が制約されていた。
【０００４】
そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、処理装置の構成の自由度を向上することができる搬送機構を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載した発明は、複数の処理室に接続された処理物の搬送室と、該搬送室の内部に配置され、前記処理物を前記複数の処理室に搬送する搬送手段と、該搬送手段を前記処理室に対して出し入れする移動機構と、を備えた搬送装置において、前記搬送手段と前記移動機構とを相互に接続および分断する断接部を備え、前記断接部は、前記搬送手段および前記移動機構のいずれか一方に形成されたフックと、前記搬送手段および前記移動機構のいずれか他方に形成され、前記フックと係合する係合部と、により構成され、該断接部が接続された状態において、前記移動機構が前記搬送手段を前記処理室に対して出し入れし、前記断接部が分断された状態において、前記搬送手段が前記処理物を前記複数の処理室に搬送するように構成されていることを特徴としている。
請求項１に記載した発明によれば、搬送手段と移動機構とを接続／分断可能に構成するとともに、移動機構は処理室と対向するように配置し、搬送手段は搬送室内を移動可能に配置することで、複数の処理室に対して順に処理物を搬送し、連続的に処理を行うことができる。つまり、処理装置の構成の自由度を向上することができる効果がある。
また、請求項１に記載した発明によれば、搬送手段および移動機構に容易な加工を施すことで、搬送手段と移動機構とを接続／分断可能に構成することができる。
【０００６】
請求項２に記載した発明は、前記断接部は、前記搬送手段と前記移動機構の先端部とが相互に接続および分断されてなり、前記移動機構の先端部の上下移動が可能となるように、該移動機構に支点が取り付けられていることを特徴としている。
【０００７】
請求項３に記載した発明は、処理装置が、請求項１または２に記載の搬送装置を備えたことを特徴としている。
請求項３に記載した発明によれば、複数の処理室に対して順に処理物を搬送し、連続的に処理を行うことができる。つまり、処理装置の構成の自由度を向上することができる効果がある。
【０００８】
請求項４に記載した発明は、前記搬送装置を構成する処理室は、熱処理室であることを特徴としている。
請求項４に記載した発明によれば、連続的に熱処理を行うことができる効果がある。
【０００９】
請求項５に記載した発明は、前記搬送装置を構成する搬送手段から前記処理室に処理物を受け渡す受け渡し機構を備えていることを特徴としている。
請求項５に記載した発明によれば、熱処理室に処理物を受け渡すことで、搬送手段を熱処理室内に残すことなく熱処理を行うことが可能になり、搬送手段の信頼性を向上させることができる効果がある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、搬送手段と移動機構とを接続／分断可能に構成するとともに、移動機構は処理室と対向するように配置し、搬送手段は搬送室内を移動可能に配置することで、複数の処理室に対して順に処理物を搬送し、連続的に処理を行うことができる。つまり、処理装置の構成の自由度を向上することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（基板処理装置）
本発明の実施形態に係る基板処理装置について、図１〜図１３に基づいて説明する。
図１は基板処理装置の概略構成図である。図１に示すように、基板処理装置１０は、基板Ｗを基板処理装置１０内に取り込む仕込室１１と、仕込室１１と連接され、基板Ｗに対して第一の処理を行う第一処理室１２と、第一処理室１２に連接され、基板Ｗを載置可能なフォーク５１を備えた搬送室１３と、搬送室１３と連接され、基板Ｗに対して第二の処理を行う第二処理室１４と、第二処理室１４に連接され、処理が完了した基板Ｗを基板処理装置１０外に取り出す取出室１５と、を備えている。また、各室の境界には、ゲートバルブ１７ａ〜１７ｆが設けられている。なお、本実施形態では、基板Ｗをマッフル４０内に配置した状態で、基板処理装置１０内を移動しながら各室にて適宜処理が行われる。
【００１２】
また、本実施形態における基板処理装置１０は、搬送室１３を折り返し点として略コの字状に装置構成がなされている。そして、この基板処理装置１０は、高熱環境下で基板Ｗの処理を行う連続式熱処理炉として構成されている。例えば、基板処理装置１０を用いて、ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層を形成する装置である。
【００１３】
仕込室１１は、別の装置からマッフル４０を受け入れ可能に構成されている。仕込室１１には、室内を真空状態（減圧状態）にすることが可能な真空ポンプ１８が接続されている。
【００１４】
また、取出室１５は、仕込室１１と略同一の構造を有しており、第二処理室１４から処理の完了したマッフル４０を受け入れ可能に構成されている。取出室１５には、室内を真空状態（減圧状態）にすることが可能な真空ポンプ９８が接続されている。そして、マッフル４０を次の工程を行う装置へ取り出し可能に構成されている。
【００１５】
図２は第一処理室１２の側面断面図である。図２に示すように、第一処理室１２には、マッフル４０（基板W）に対してセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を供給・循環させるガス流通機構２０を備えている。第一処理室１２は、内部に空間部２１が構成された略直方体で形成されている。第一処理室１２の外壁２２は、二重壁構造になっており、その隙間２３に冷却水Ｃが供給されるようになっている。
【００１６】
図３は図２のＡ部拡大図である。図３に示すように、第一処理室１２の外壁２２は、第一処理室１２の外周面を構成する外側壁２４と、隙間２３を挟んで第一処理室１２の内周面を構成する内側壁２５と、で構成されている。なお、外側壁２４は例えばＳＵＳ３０４で形成され、内側壁２５は例えばＳＵＳ３１６で形成されている。つまり、内側壁２５の方が耐腐食性の高い部材を採用することが好ましい。外側壁２４と内側壁２５との間には、支持部材２６が適宜設けられている。また、内側壁２５の空間部２１側には断熱材２７が設けられている。断熱材２７は、ピン２８により内側壁２５に支持固定されている。さらに、断熱材２７の空間部２１側には、断熱材２７に沿うようにヒータ２９が取り付けられている。ヒータ２９は例えばカーボンヒータで構成されている。
【００１７】
図２に戻り、第一処理室１２には、ガス流通機構２０の配管３５，３６が接続されている。また、配管３５と配管３６との間には、ガス流通機構２０の循環ファン３７が配置されている。なお、ガス流通機構２０は、図示しないヒータが設けられており、第一処理室１２内と略同一の温度に保持できるようになっている。これにより、ガス流通機構２０におけるガスの凝固を防止することができる。２本の配管３５，３６は、第一処理室１２の外部において循環ファン３７の吸込側３７ａと吐出側３７ｂにそれぞれ１本ずつ接続されている。また、２本の配管３５，３６は、第一処理室１２の空間部２１において端部３５ａ，３６ａが露出した状態で配置されている。なお、端部３５ａ，３６ａは、高さ方向において略同一の高さに位置するように形成されている。端部３５ａ，３６ａは、マッフル４０と接続可能に構成されている。また、ガス流通機構２０により、マッフル４０内にセレン化水素が供給されるようになっている。
【００１８】
さらに、第一処理室１２の下面３３には、貫通孔３４が形成されている。貫通孔３４には、配管３８が接続されており、配管３８の先端には排気ポンプ３９が設けられている。排気ポンプ３９により第一処理室１２の空間部２１の排気ができるようになっている。
【００１９】
また、第一処理室１２には、例えばＮ２ガスを第一処理室１２内に供給可能な図示しないガス供給装置が設けられている。そして、このガス供給装置と排気ポンプ３９とで、第一処理室１２内の圧力を制御する雰囲気制御機構が構成される。このようにすることで、第一処理室１２内を所定圧力のガスで満たすことが可能になり、マッフル４０から第一処理室１２内へのセレン化水素ガスの漏洩、および第一処理室１２から外部へのセレン化水素ガスの漏洩を防止することができる。
また、第一処理室１２の空間部２１には、マッフル４０を載置するための図示しないテーブルが設けられている。
【００２０】
図４はマッフル４０の側面断面図である。図４に示すように、マッフル４０は、略直方体で形成されており、その内部は空間部４５が構成されている。なお、マッフル４０は例えばニッケルを含有した鉄など比較的耐腐食性の高い材料で形成されている。また、マッフル４０は、第一処理室１２の空間部２１に配置できる大きさで形成されている。マッフル４０の空間部４５には、基板Ｗが縦置きまたは横置きで複数枚配置できるようになっている。つまり、複数の基板Ｗを同時に処理できるようになっている。マッフル４０の上面４６には、貫通孔４７が複数（本実施形態では２箇所）形成されている。貫通孔４７には、ガス流通機構２０の配管３５，３６が接続できるように構成されている。
【００２１】
図１に戻り、第二処理室１４は、第一処理室１２と略同一の構造を有している。第二処理室１４は、マッフル４０（基板W）に対して硫化水素（Ｈ２Ｓ）を供給・循環させるガス流通機構６０を備えている。第二処理室１４は、内部に空間部８１が構成された略直方体で形成されている。第二処理室１４の外壁８２は、第一処理室１２と略同一の二重壁構造になっている。
【００２２】
第二処理室１４には、ガス流通機構６０の配管８５，８６が接続されている。また、配管８５と配管８６との間には、ガス流通機構６０の循環ファン８７が配置されている。なお、ガス流通機構６０には、図示しないヒータが設けられており、第二処理室１４内と略同一の温度に保持できるようになっている。これにより、ガス流通機構６０におけるガスの凝固を防止することができる。さらに、第二処理室１４には、排気ポンプ８９が設けられている。排気ポンプ８９により第二処理室１４の空間部８１の排気ができるようになっている。
【００２３】
搬送室１３は、第一処理室１２および第二処理室１４が連接されている。搬送室１３には、マッフル４０を載置するためのフォーク５１と、フォーク５１を移動させるための第一シリンダ６５および第二シリンダ７５が配置されている。このフォーク５１と第一シリンダ６５および第二シリンダ７５とで、搬送装置４１を構成している。また、搬送室１３には、室内を真空状態（減圧状態）にすることが可能な真空ポンプ４９が接続されている。
【００２４】
図５は、フォーク５１の配置状態を示す説明図であり、図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図５に示すように、フォーク５１の下方には、搬送室１３から第一処理室１２（第二処理室１４）へ指向した第一レール５３が設けられており、フォーク５１の下部に取り付けられた車輪５２が第一レール５３上に載置されている。また、第一レール５３の下方には、第一処理室１２の出口部から第二処理室１４の入口部へ指向した第二レール５５（図１参照）が設けられており、第一レール５３の下部に取り付けられた車輪５４が第二レール５５上に載置されている。なお、第二レール５５は、搬送室１３の床面ＦＬに配置されている。
【００２５】
また、搬送室１３における第一処理室１２が連接された壁部６１と対向した壁部６３には第一シリンダ６５が取り付けられている。第一シリンダ６５のロッド６５ａは、壁部６３に形成された貫通孔６４に挿通されており、搬送室１３内に位置しているロッド６５ａの先端部６７、すなわち移動機構の先端部にはフック６８が形成されている。また、搬送室１３の壁部６３の外側において、貫通孔６４を覆うようにベローズ６９が取り付けられている。これにより、搬送室１３の減圧状態を確保することができる。また、第一シリンダ６５には支点７０が取り付けられており、支点７０を中心に第一シリンダ６５の先端部６７、すなわち移動機構の先端部を上下移動させることができるようになっている。
【００２６】
一方、フォーク５１には、第一シリンダ６５のフック６８に係合可能な係合部７１が形成されている。このフック６８と係合部７１とにより、断接部９０が構成される。
図１に戻り、搬送室１３における第二処理室１４が連接された壁部６１と対向した壁部６３には第二シリンダ７５が取り付けられている。第二シリンダ７５のロッド７５ａは、壁部６３に形成された貫通孔７４に挿通されており、搬送室１３内に位置しているロッド７５ａの先端部７７、すなわち移動機構の先端部にはフック７８が形成されている。また、搬送室１３の壁部６３の外側において、貫通孔７４を覆うようにベローズ７９が取り付けられている。これにより、搬送室１３の減圧状態を確保することができる。また、第二シリンダ７５には支点８０が取り付けられており、支点８０を中心に第二シリンダ７５の先端部７７、すなわち移動機構の先端部を上下移動させることができるようになっている。
【００２７】
なお、仕込室１１および取出室１５にも、搬送室１３の第一レール５３、フォーク５１および第一シリンダ６５と同様の設備が設けられており、マッフル４０（基板Ｗ）を搬送可能に構成されている。
【００２８】
（作用）
次に、基板処理装置１０を用いて、ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層を形成する場合について、図６〜図１２に基づいて説明する。なお、図７〜図１２は搬送室１３内でのマッフル４０（基板Ｗ）の移動方法を示す説明図である。
【００２９】
図６は、ＣＩＳ系太陽電池の基本構成図である。図６に示すように、ＣＩＳ系太陽電池１００は、ガラス基板１０１上に裏面電極層１０２、光吸収層１０３、バッファ層１０４および透明電極層１０５が順に積層されたものである。ここで、基板処理装置１０に搬入される段階では、ガラス基板１０１上に裏面電極層１０２と光吸収層１０３を構成するＣｕ層、Ｉｎ層とが積層された状態で搬入される。マッフル４０（基板Ｗ）を搬入する際に、ゲートバルブ１７ａを開状態にし、仕込室１１に搬入する（図１参照）。
【００３０】
仕込室１１にマッフル４０が搬入されると、真空ポンプ１８で室内を真空状態（減圧状態）にする。室内が真空状態になった後、ゲートバルブ１７ｂを開状態にし、マッフル４０を第一処理室１２へと搬送する。なお、第一処理室１２は既に排気ポンプ３９により真空排気されている。
【００３１】
第一処理室１２では、室内に設置されたテーブル（不図示）にマッフル４０を載置する。このときマッフル４０の貫通孔４７に配管３５，３６を接続する。例えば、テーブルを上昇させて、貫通孔４７と配管３５，３６とを接続させる。そして、図示しない処理ガス供給装置から配管３５，３６内にＨ２Ｓｅガスを供給し、循環ファン３７を駆動させてＨ２Ｓｅガスをマッフル４０の空間部４５に供給する。
【００３２】
同時に、第一処理室１２の空間部２１に例えばＮ２ガスを図示しないガス供給装置により供給する。ここで、マッフル４０の空間部４５の圧力Ｐ１と第一処理室１２の空間部２１の圧力Ｐ２とは、圧力を調整しながらガスを供給する。なお、Ｐ１≦Ｐ２とすることで、マッフル４０から第一処理室１２へのＨ２Ｓｅガスの漏洩を防止することができる。さらに、Ｐ１およびＰ２を略同一（Ｐ１≒Ｐ２）とすることで、第一処理室１２からマッフル４０へのＮ２ガスの浸入を防止すること可能になり、マッフル４０内のＨ２Ｓｅガスの濃度を維持することができる。また、これらのガス圧は、大気圧より若干小さくなるようにすることが好ましい。このようにすることで、ガスが装置外へ漏洩することを防止できる。
【００３３】
また、Ｈ２Ｓｅガスをマッフル４０に供給し、ヒータ２９を駆動してマッフル４０（空間部４５）を加熱する。そして、マッフル４０（空間部４５）が所望の温度まで加熱されたら、その状態で保持する。この保持の間に、光吸収層１０３が形成される。光吸収層１０３が形成されたら、テーブルを下降してマッフル１３の貫通孔４７と配管３５，３６とを離間させる。
【００３４】
そして、排気ポンプ３９を駆動して、第一処理室１２の空間部２１、マッフル４０の空間部４５および配管３５，３６内に残存しているガス類を排気するとともに、第一処理室１２内を真空状態に保持する。
【００３５】
図７に示すように、第一処理室１２の空間部２１を減圧状態に保持し、ゲートバルブ１７ｃを開状態にして、搬送室１３のフォーク５１を空間部２１に移動する。なお、搬送室１３は既に真空ポンプ４９により真空状態に保持されている。フォーク５１でマッフル４０（基板Ｗ）を受け取ると、フォーク５１を第一処理室１２から搬出して、マッフル４０を搬送室１３へと搬送する。具体的には、第一シリンダ６５のフック６８をフォーク５１の係合部７１に係合し、その状態で第一シリンダ６５によりフォーク５１を前方に押し、第一レール５３上に沿ってフォーク５１を移動させ、フォーク５１の先端部をマッフル４０が載置されたテーブル（不図示）表面に形成された溝部に挿入する。その後、マッフル４０が載置されたテーブルが下降することにより、マッフル４０がテーブルからフォーク５１へ受け渡される（受け渡し機構）。フォーク５１の上面５１ａにマッフル４０が載置されたら、第一シリンダ６５によりフォーク５１を手前側に引くようにして、フォーク５１を第一処理室１２の空間部２１から退避させる。
【００３６】
図８に示すように、マッフル４０が載置されたフォーク５１が搬送室１３内に戻ると、ゲートバルブ１７ｃを閉状態にする。
図９に示すように、第一シリンダ６５を下方に押し下げると、支点７０を中心に第一シリンダ６５の先端部６７が押し上げられる。つまり、フック６８がフォーク５１の係合部７１から離間して、フォーク５１と第一シリンダ６５との係合状態が解除される。
【００３７】
次に、図１０に示すように、フォーク５１が載置された第一レール５３を、第二処理室１４側へと移動させる。つまり、フォーク５１および第一レール５３を、第二レール５５に沿って移動させる。具体的には、第一レール５３の車輪５４が第二レール５５に載置されているため、第一レール５３に対して第二レール５５に沿う方向の力をかけることで、第一レール５３を第二処理室１４側へと移動させる。この移動機構として、上述した構成と略同一のシリンダを用いてもよいし、チェーン式やラック＆ピニオン式を用いてもよい。
【００３８】
図１１に示すように、マッフル４０が載置されたフォーク５１が搬送室１３内の第二処理室１４側まで移動してきたら、第二シリンダ７５を支点８０を中心に押し上げるようにして、第二シリンダ７５のフック７８をフォーク５１の係合部７１に係合する。
【００３９】
図１２に示すように、ゲートバルブ１７ｄを開状態にした後、第二シリンダ７５を前方に押し、第一レール５３上に沿ってフォーク５１を移動させ、マッフル４０が載置されたフォーク５１を第二処理室１４の空間部に位置させる。その後、第二処理室１４内の図示しないテーブルが上昇して、マッフル４０がフォーク５１からテーブルへと受け渡される。フォーク５１からテーブルへとマッフル４０が受け渡されたら、第二シリンダ７５によりフォーク５１を手前側に引くようにして、フォーク５１を第二処理室１４の空間部から退避させる。そして、ゲートバルブ１７ｄを閉状態にする。また、マッフル４０の貫通孔４７に配管８５，８６を接続する。
【００４０】
第二処理室１４では、マッフル４０が配置された状態で、図示しない処理ガス供給装置から配管８５，８６内にＨ２Ｓガスを供給し、循環ファン８７を駆動させてＨ２Ｓガスをマッフル４０の空間部４５に供給する。
【００４１】
同時に、第二処理室１４の空間部に例えばＮ２ガスを図示しないガス供給装置により供給する。また、Ｈ２Ｓガスを第二処理室１４の空間部に供給する前か供給と略同時に、ヒータを駆動して空間部を加熱する。これによりＨ２Ｓガスの凝固を防止する。そして、空間部が所望の温度まで加熱されたら、その状態で保持する。この保持時間の間に、Ｓ雰囲気の中で高温アニールされることで、第一処理室１２で用いられたＳｅ２−を安定化することができる。
【００４２】
そして、処理終了後、排気ポンプ８９を駆動して、第二処理室１４の空間部、マッフル４０の空間部４５および配管８５，８６内に残存しているガス類を排気するとともに、第二処理室１４内を真空状態に保持する。
【００４３】
次に、マッフル４０を第二処理室１４から取出室１５へ移動する。なお、取出室１５は、真空ポンプ９８で室内を真空状態（減圧状態）にしておく。室内が真空状態になった後、ゲートバルブ１７ｅを開状態にし、マッフル４０を第二処理室１４から取出室１５へと搬送する。マッフル４０が取出室１５へ載置されたら、ゲートバルブ１７ｅを閉状態にする。そして、ゲートバルブ１７ｆを開状態にして、ロボットアームなどにマッフル４０が受け渡され、その後の工程へと進んでいく。そして、その後の工程でバッファ層１０４および透明電極層１０５を形成することで図６に示すＣＩＳ系太陽電池１００が製造される。
【００４４】
本実施形態によれば、複数の処理室１２，１４に接続されたマッフル４０（基板Ｗ）の搬送室１３と、搬送室１３の内部に配置され、マッフル４０（基板Ｗ）を複数の処理室１２，１４に搬送するフォーク５１と、フォーク５１を処理室１２，１４に対して出し入れするシリンダ６５，７５と、を備えた搬送装置において、フォーク５１とシリンダ６５，７５とを相互に接続および分断する断接部９０を備え、断接部９０が接続された状態で、シリンダ６５，７５がフォーク５１を処理室１２，１４に対して出し入れし、断接部９０が分断された状態で、フォーク５１がマッフル４０（基板Ｗ）を複数の処理室１２，１４に搬送するように構成した。
したがって、フォーク５１とシリンダ６５，７５とを接続／分断可能に構成するとともに、シリンダ６５，７５は処理室１２，１４と対向するように配置し、フォーク５１は搬送室１３内を移動可能に配置することで、複数の処理室１２，１４に対して順にマッフル４０（基板Ｗ）を搬送し、連続的に処理を行うことができる。つまり、基板処理装置１０の構成の自由度を向上することができる。
【００４５】
また、断接部９０を、シリンダ６５，７５に形成されたフック６８と、フォーク５１に形成され、フック６８と係合する係合部７１と、で構成したため、フォーク５１およびシリンダ６５，７５に容易な加工を施すことで、フォーク５１とシリンダ６５，７５とを接続／分断させることができる。
【００４６】
また、基板処理装置１０に、上述した搬送装置を備えたため、複数の処理室１２，１４に対して順にマッフル４０（基板Ｗ）を搬送し、連続的に処理を行うことができる。つまり、基板処理装置１０の構成の自由度を向上することができる。
【００４７】
さらに、処理室１２，１４を熱処理室としたため、連続的に熱処理を行うことができる。
【００４８】
そして、フォーク５１から処理室１２，１４にマッフル４０（基板Ｗ）を受け渡す受け渡し機構を備えたため、シリンダ６５，７５を処理室１２，１４内に残すことなく熱処理を行うことが可能になり、フォーク５１の信頼性を向上させることができる。
【００４９】
尚、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な形状や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。
例えば、基板処理装置の構成を図１３に示すように、仕込室、第一処理室、第二処理室および取出室を全て搬送室に接続したような構成にしてもよい。この場合、各室に対応してそれぞれシリンダを設けるようにすればよい。このようにすることで、各処理室においてセレン化水素処理および硫化水素処理を連続して行うことにより、複数の基板をバッチ処理することもできる。
また、本実施形態では、熱処理を行う場合に採用したが、熱処理以外の処理を行う装置に本発明を適用してもよい。
また、本実施形態では基板をマッフルに収容した状態で、マッフルを搬送しながら各処理を行う場合の説明をしたが、基板を露出した状態で装置内を搬送するように構成してもよい。
さらに、本実施形態では、シリンダにフックを形成し、フォークに係合部を形成した場合の説明をしたが、フォークにフックを形成し、シリンダに係合部を形成してもよい。また、断接部９０はフックおよび係合部に限られず、断接自在な他の構成としてもよい。
さらに、本実施形態では、処理室と搬送室との間の基板の受け渡しの際に、処理室内のテーブルを昇降させることで基板を受け渡す場合の説明をしたが、テーブルは固定でフォークを昇降させるようにして基板の受け渡しをするようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態における基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態における第一処理室の側面断面図である。
【図３】図２のＡ部拡大図である。
【図４】本発明の実施形態におけるマッフルの側面断面図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＩＳ系太陽電池の基本構成図である。
【図７】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（１）である。
【図８】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（２）である。
【図９】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（３）である。
【図１０】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（４）である（全体構成図）。
【図１１】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（５）である。
【図１２】本発明の実施形態における搬送室での処理の流れを示す説明図（６）である。
【図１３】基板処理装置の別の態様を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…基板処理装置（処理装置）  １２…第一処理室（処理室）  １３…搬送室  １４…第二処理室（処理室）  ４１…搬送装置  ５１…フォーク（搬送手段）  ６５…第一シリンダ（移動機構）  ６８，７８…フック  ７１…係合部  ７５…第二シリンダ（移動機構）  ９０…断接部  Ｗ…基板（処理物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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