(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下面上に電子部品が実装された第１の基板と、
前記電子部品を収容するための凹部が上面側に形成された第２の基板と
を備え、
前記第１の基板の下面と前記第２の基板の上面とを対向させ、かつ前記電子部品を前記凹部内に収容した状態で、前記第１の基板と前記第２の基板とが接合され、
前記第１の基板には、第１の配線導体が設けられ、
前記第２の基板には、前記第１の配線導体に対して前記第１の基板と前記第２の基板との接合部分において電気的に接続された第２の配線導体が設けられ、
前記第２の配線導体は、前記第２の基板の露出する外表面上に形成される外部端子電極を含み、
少なくとも前記第１の基板は、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成され、
前記電子部品は放熱を必要とするものであり、前記第２の基板の前記凹部の底面壁を貫通するように熱伝導性の良好な材料からなる熱伝導体が設けられている、
電子部品ユニット。
【請求項２】
前記外部端子電極は、前記第２の基板の下面上に形成される、請求項１に記載の電子部品ユニット。
【請求項３】
前記第２の配線導体は、前記第２の基板を上下方向に貫通して前記外部端子電極に電気的に接続されたスルーホール導体を含む、請求項２に記載の電子部品ユニット。
【請求項４】
前記第２の配線導体は、前記第２の基板の外側面側を通って前記外部端子電極に電気的に接続された側面導体膜を含む、請求項２に記載の電子部品ユニット。
【請求項５】
前記電子部品と前記凹部の底面壁とは、半田または熱伝導性接着剤を介して熱的結合されている、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品ユニット。
【請求項６】
前記熱伝導体は、金属または熱伝導性セラミックを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品ユニット。
【請求項７】
前記第１の基板の上面上には、第２の電子部品が実装されている、請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品ユニット。
【請求項８】
前記第２の電子部品を収容するための第２の凹部を下面に形成した第３の基板をさらに備え、前記第１の基板の上面と前記第３の基板の下面とを対向させ、かつ前記第２の電子部品を前記第２の凹部内に収容した状態で、前記第１の基板と前記第３の基板とが接合されている、請求項７に記載の電子部品ユニット。
【請求項９】
前記第３の基板の上面上には、第３の電子部品が実装されている、請求項８に記載の電子部品ユニット。
【請求項１０】
前記第３の基板は、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成される、請求項８または９に記載の電子部品ユニット。
【請求項１１】
内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成されるもので、少なくとも下面上に電子部品が実装され、かつ下面上に第１の接続用導体膜が形成され、前記第１の接続用導体膜を含む第１の配線導体が設けられている、第１の基板を用意する工程と、
前記電子部品を収容するための凹部が上面側に形成され、前記凹部の底面壁を貫通するように熱伝導性の良好な材料からなる熱伝導体が設けられ、かつ上面上に第２の接続用導体膜が形成され、前記第２の接続用導体膜を含む第２の配線導体が設けられている、第２の基板を用意する工程と、
前記第１の接続用導体膜と前記第２の接続用導体膜とが互いに電気的に接続されるように、前記第１の基板の下面と前記第２の基板の上面とを対向させ、かつ前記電子部品を前記凹部内に収容した状態で、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程と、
前記第２の基板の露出する外表面上に前記第２の配線導体の一部としての外部端子電極を形成する工程と
を備える、電子部品ユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記外部端子電極を形成する工程は、前記第２の基板を用意する工程において実施される、請求項１１に記載の電子部品ユニットの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程は、前記第１の接続用導体膜と前記第２の接続用導体膜とを半田付けする工程を備える、請求項１１または１２に記載の電子部品ユニットの製造方法。
【請求項１４】
前記半田付けする工程は、前記第１の接続用導体膜と前記第２の接続用導体膜との少なくとも一方にクリーム半田を付与する工程と、前記クリーム半田を介して前記第１の接続用導体膜と前記第２の接続用導体膜とを対向させた状態で加熱して前記クリーム半田をリフローさせる工程とを備える、請求項１３に記載の電子部品ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子部品ユニットおよびその製造方法に関するもので、特に、電子部品が実装されながら内蔵された構造を有しかつ回路モジュールとして好適に用いられる電子部品ユニットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この発明にとって興味ある構造、すなわち電子部品が実装されながら内蔵された構造を有する多層基板として、特開平１０−１５０２７３号公報に記載されたものがある。図６を参照して、この従来の多層基板の構造を説明する。
【０００３】
多層基板１は積層構造を有し、その内部には、導体膜やビアホール導体のような配線導体が設けられているが、図６では、これらの図示が省略されている。
【０００４】
多層基板１の上面上には、いくつかの導体膜２が形成され、これら導体膜２に電気的に接続された状態で、いくつかの電子部品３が表面実装されている。
【０００５】
他方、多層基板１の下面側には、キャビティ４が設けられている。キャビティ４には、別の電子部品５が収容される。この電子部品５は、たとえば表面実装部品またはベアチップであり、キャビティ４の底面上に形成された接続パッドのような導体膜６と電気的に接続される。この接続にあたって、電子部品５が表面実装部品である場合には、半田リフロー法が適用され、ベアチップである場合には、たとえば、半田フリップチップ実装が適用されたり、金バンプフリップチップ実装が適用されたり、あるいは、ワイヤボンディングが適用されたりすることができる。
【０００６】
フリップチップ実装が適用される場合には、通常、キャビティ４と電子部品５との間にアンダーフィル充填が施される。
【０００７】
また、キャビティ４の開口を閉じるように、たとえばメタルクラッド７が設けられ、これによって、キャビティ４内が封止される。電子部品５がパワーモジュールのように放熱を必要とするものである場合には、メタルクラッド７によって放熱機能が与えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示したような電子部品５を埋め込んだ構造を有する多層基板１には、キャビティ４の存在のために、次のような問題に遭遇する。
【０００９】
キャビティ４内に電子部品５を適正に実装するためには、キャビティ４の底面に対して良好な平滑性が要求される。しかしながら、多層基板１がセラミックから構成される場合には、キャビティ４の底面に良好な平滑性を与えることは容易ではない。
【００１０】
また、電子部品５の実装に際して、フリップチップ実装が適用される場合には、前述したように、通常、アンダーフィル充填が施されるが、アンダーフィル充填を施そうとすれば、キャビティ４内に、アンダーフィル充填のためのノズルを挿入できるスペースを設けておく必要があり、そのため、キャビティ４の寸法を大きくしておく必要があり、結果として、多層基板１の小型化を阻害してしまう。
【００１１】
また、一般に、表面実装部品を実装しようとする場合、前もって、クリーム半田をスクリーン印刷しておくことが通常であるが、これを、キャビティ４内の電子部品５に適用しようとしても、キャビティ４内ではスクリーン印刷を行なうことができない。また、実装後において、洗浄が必要となるが、キャビティ４内における洗浄は容易ではない。これらのことから、キャビティ４内に収容される電子部品５として、表面実装部品を用いることは実質的に不可能であると言っても過言ではなく、汎用性の点で劣る。
【００１２】
また、キャビティ４内の電子部品５が放熱を必要とするものである場合、放熱のために、たとえばメタルクラッド７を用いる必要があり、そのために製造工程の複雑化を招いてしまう。
【００１３】
そこで、この発明は、上述したような問題を解決し得る、電子部品ユニットおよびその製造方法を提供しようとすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る電子部品ユニットは、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１５】
すなわち、この発明に係る電子部品ユニットは、少なくとも下面上に電子部品が実装された第１の基板と、上記電子部品を収容するための凹部が上面側に形成された第２の基板とを備えている。
【００１６】
これら第１の基板と第２の基板とは、第１の基板の下面と第２の基板の上面とを対向させ、かつ電子部品を凹部内に収容した状態で接合される。
【００１７】
また、第１の基板には、第１の配線導体が設けられ、他方、第２の基板には、第１の配線導体に対して第１の基板と第２の基板との接合部分において電気的に接続された第２の配線導体が設けられている。
【００１８】
そして、第２の配線導体は、第２の基板の露出する外表面上に形成される外部端子電極を含んでいる。
さらに、少なくとも第１の基板は、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成される。このように、第１の基板が多層セラミック基板によって構成されると、第１の基板に実装される電子部品に対する配線を多層セラミック基板によって実現しながら、第２の基板の構造を簡単なものとすることができる。
また、上述の凹部内に収容される電子部品は放熱を必要とするものである。そのため、第２の基板の凹部の底面壁を貫通するように熱伝導性の良好な材料からなる熱伝導体が設けられている。この熱伝導性の良好な材料としては、たとえば、金属または熱伝導性セラミックが用いられる。
【００１９】
上述した外部端子電極は、第２の基板の下面上に形成されることが好ましい。
【００２０】
第２の配線導体は、第１の配線導体と外部端子電極とを電気的に接続する機能をその少なくとも一部において有するものであるが、上述したように、外部端子電極が第２の基板の下面上に形成される場合、第２の配線導体は、第２の基板を上下方向に貫通して外部端子電極に電気的に接続されたスルーホール導体を含んでいても、第２の基板の外側面側を通って外部端子電極に接続された側面導体膜を含んでいてもよい。
【００２３】
放熱を必要とする電子部品と凹部の底面壁とは、半田または熱伝導性接着剤を介して熱的結合されていることがより好ましい。
【００２５】
第１の基板の上面上に、前述した電子部品とは異なる第２の電子部品が実装されてもよい。
【００２６】
上述の場合、第２の電子部品を収容するための第２の凹部を下面に形成した第３の基板をさらに備えるようにしてもよい。第３の基板は、第１の基板の上面とこの第３の基板の下面とを対向させ、かつ第２の電子部品を第２の凹部内に収容した状態で、第１の基板と接合される。
【００２７】
上述した第３の基板の上面上に、別の電子部品すなわち第３の電子部品が実装されていてもよい。
【００２８】
この第３の基板も、また、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成されてもよい。
【００２９】
なお、必要に応じて、第３の基板と同様、凹部を有する基板をさらに接合することも可能である。
【００３０】
この発明は、上述したような電子部品ユニットの製造方法にも向けられる。
【００３１】
この発明に係る電子部品ユニットの製造方法は、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成されるもので、少なくとも下面上に電子部品が実装され、かつ下面上に第１の接続用導体膜が形成され、第１の接続用導体膜を含む第１の配線導体が設けられている、第１の基板を用意する工程と、電子部品を収容するための凹部が上面側に形成され、この凹部の底面壁を貫通するように熱伝導性の良好な材料からなる熱伝導体が設けられ、かつ上面上に第２の接続用導体膜が形成され、第２の接続用導体膜を含む第２の配線導体が設けられている、第２の基板を用意する工程と、第１の接続用導体膜と第２の接続用導体膜とが互いに電気的に接続されるように、第１の基板の下面と第２の基板の上面とを対向させ、かつ電子部品を凹部内に収容した状態で、第１の基板と第２の基板とを接合する工程と、第２の基板の露出する外表面上に第２の配線導体の一部としての外部端子電極を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００３２】
上述した外部端子電極は、第２の基板を用意する工程において形成されること、すなわち、第１の基板と第２の基板とを接合する工程の前に予め形成されることが好ましい。
【００３３】
第１の基板と第２の基板とを接合する工程において、好ましくは、第１の接続用導体膜と第２の接続用導体膜とを半田付けすることが行なわれる。
【００３４】
上述の半田付けする工程は、第１の接続用導体膜と第２の接続用導体膜との少なくとも一方にクリーム半田を付与する工程と、クリーム半田を介して第１の接続用導体膜と第２の接続用導体膜とを対向させた状態で加熱してクリーム半田をリフローさせる工程とを備えることがより好ましい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、この発明の第１の参考例を説明するためのものである。ここで、図１は、電子部品ユニット１１を示す断面図であり、図２は、電子部品ユニット１１を得るための製造工程の途中の状態を示す断面図である。以下に説明する第１ないし第３の参考例は、第２の基板の凹部の底面壁に放熱機能を有する放熱手段が設けられていない点でのみ、この発明の範囲外のものである。
【００３６】
まず、図２を参照して、電子部品ユニット１１を得るため、第１の基板１２および第２の基板１３が用意される。第１の基板１２には、第１の配線導体が設けられ、第２の基板１３には、第２の配線導体が設けられている。第１および第２の配線導体の詳細については、以下に説明する。
【００３７】
第１の基板１２に設けられる第１の配線導体としては、上面上に設けられるいくつかの導体膜１４、１５、１６および１７がある。第１の基板１２の上面上には、いくつかの電子部品１８、１９、２０および２１が実装される。導体膜１４〜１７の少なくとも一部は、これら電子部品１８〜２１に電気的に接続される接続パッドを与えている。
【００３８】
第１の基板１２に設けられる第１の配線導体として、また、下面上に設けられるいくつかの導体膜２２、２３および２４がある。第１の基板１２の下面上には、別の電子部品２５が実装される。導体膜２３の少なくとも一部は、電子部品２５を電気的に接続するための接続パッドを与える。また、導体膜２２および２４は、後述するように、第２の基板１３に対して電気的に接続される接続用導体膜として機能する。
【００３９】
上述した電子部品１８〜２１および２５は、たとえば表面実装部品またはベアチップによって構成される。表面実装部品の場合には、導体膜１４〜１７および２３上の特定の領域に、クリーム半田がスクリーン印刷によって予め付与され、電子部品１８〜２１および２５を配置した後、リフロー処理することによって、電気的接続が達成される。ベアチップの場合には、たとえば、半田フリップチップ実装、金バンプフリップチップ実装、ワイヤボンディングなどが適用される。また、フリップチップ実装の場合には、通常、アンダーフィル充填が施される。
【００４０】
なお、電子部品１８〜２１および２５は、いずれも、図６に示した従来技術の場合のように、キャビティに収容された状態ではないので、上述したようなクリーム半田を付与するためのスクリーン印刷を容易に行なうことができ、また、フリップチップ実装やワイヤボンディングにとって必要な良好な平滑性を第１の基板１２の上面および下面において得ることが容易であり、また、アンダーフィル充填に用いられるノズルのための特別なスペースを必要としない。
【００４１】
第１の基板１２は、低温焼結セラミックをもって製造される多層セラミック基板から構成される。そのため、第１の基板１２に設けられる第１の配線導体としては、その内部に設けられる内部導体膜２６およびビアホール導体またはスルーホール導体２７がある。これら内部導体膜２６およびビアホール導体またはスルーホール導体２７によって、第１の基板１２の内部には、コンデンサやインダクタなどの受動素子が構成されることができる。
【００４２】
第２の基板１３の上面側には、電子部品２５を収容するための凹部２８が形成される。
【００４３】
また、第２の基板１３に設けられる第２の配線導体としては、その上面上に設けられるいくつかの導体膜２９および３０、その下面上に設けられるいくつかの外部端子電極３１および３２、ならびに上下方向に貫通して、導体膜２９および３０と外部端子電極３１および３２とをそれぞれ電気的に接続するいくつかのスルーホール導体３３および３４がある。なお、導体膜２９および３０は、後述するように、第１の基板１２の接続用導体膜２２および２４の各々に対して電気的に接続される接続用導体膜として機能する。
【００４４】
第２の基板１３は、図示したような簡単な構造のもので十分であるが、必要に応じて、第２の基板１３を、内部に配線導体を有する、たとえば低温焼結セラミックをもって製造される多層セラミック基板によって構成してもよい。この場合には、第２の基板１３の内部にコンデンサやインダクタなどの受動素子が構成されることができる。この場合、これらの受動素子は、第１の基板１２側の受動素子と独立して、あるいは協働して機能を果たすように構成される。
【００４５】
第１および第２の基板１２および１３は、第１の基板１２の下面と第２の基板１３の上面とを対向させ、かつ電子部品２５を凹部２８内に収容した状態で、互いに接合される。これによって、図２において矢印で示すように、接続用導体膜２２は接続用導体膜２９と電気的に接続され、また、接続用導体膜２４は接続用導体膜３０に電気的に接続される。
【００４６】
上述した接合工程において、より具体的には、接続用導体膜２２および２４と接続用導体膜２９および３０とをそれぞれ半田付けするようにされる。
【００４７】
この半田付けのため、接続用導体膜２２および２４と接続用導体膜２９および３０との少なくとも一方にクリーム半田を付与し、このクリーム半田を介して接続用導体膜２２および２４と接続用導体膜２９および３０とをそれぞれ対向させた状態で加熱してクリーム半田をリフローさせることが行なわれる。
【００４８】
上述したクリーム半田の付与にあたっては、たとえば、第１の基板１２の導体膜２３上にクリーム半田を付与するためのスクリーン印刷において、これと同時に、接続用導体膜２２および２４上にもクリーム半田を付与するようにすれば能率的である。
【００４９】
このようにして、図１に示すような電子部品ユニット１１が完成される。
【００５０】
この電子部品ユニット１において、第２の基板１３側に設けられる凹部２８の底面壁３５上には、何らの電子部品も実装される必要がないため、この底面壁３５における良好な平滑性は要求されることはない。したがって、凹部２８を設けるための加工等において、高い精度が要求されることがなく、そのため、製造コストの低減も図ることができる。
【００５１】
なお、外部端子電極３１および３２は、完成品としての電子部品ユニット１１の外表面上に形成されるものであるので、第１および第２の基板１２および１３の接合を終えた後に、これらを形成する、といった工程順を採用してもよい。
【００５２】
図３は、この発明の第２の参考例となる電子部品ユニット１１ａを示す、図１に相当する図である。図３において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】
図３に示した電子部品ユニット１１ａは、第２の基板１３に設けられる第２の配線導体として、図１に示すようなスルーホール導体３３および３４を備えず、代わりに、第２の基板１３の外側面側を通って外部端子電極３１および３２に電気的にそれぞれ接続された側面導体膜３６および３７を備えることを特徴としている。
【００５４】
なお、側面導体膜３６および３７の各々は、それ自身、外部端子電極として機能させることもできる。そのため、側面導体膜３６および３７を外部端子電極とし、第２の基板１３の下面上に形成された外部端子電極３１および３２を省略することもできる。
【００５５】
図４は、この発明の第３の参考例を説明するための図２に相当する図である。図４において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５６】
図４に示した参考例は、第１の基板１２の上面上に実装された電子部品１８および２０を収容するための凹部３８を下面に形成した第３の基板３９をさらに備えることを特徴としている。
【００５７】
第３の基板３９の下面上には、いくつかの導体膜４０および４１が形成される。
【００５８】
第３の基板３９の上面上には、いくつかの導体膜４２、４３および４５が形成される。また、第３の基板３９の上面上には、いくつかの電子部品４６、４７、４８および４９が実装される。導体膜４２〜４５の少なくとも一部は、電子部品４６〜４９に電気的に接続される接続パッドを与えている。
【００５９】
また、第３の基板３９には、その上下方向に貫通するスルーホール導体５０が設けられ、このスルーホール導体５０によって、導体膜４０および４２が互いに電気的に接続される。図示しないが、他のスルーホール導体も、必要に応じて設けられることもある。
【００６０】
この参考例では、前述したように、第１の基板１２と第２の基板１３とが接合されるだけでなく、第３の基板３９が第１の基板１２に接合される。この接合に際しては、第１の基板１２の上面と第３の基板３９の下面とを対向させ、かつ電子部品１８および２０を凹部３８内に収容した状態とされる。
【００６１】
また、この接合状態において、第３の基板３９の下面上に形成された導体膜４０および４１ならびに第１の基板１２の上面上に形成された導体膜１４および１７は、接続用導体膜として機能する。すなわち、導体膜４０および４１は、それぞれ、導体膜１４および１７と電気的に接続される。
【００６２】
なお、これら導体膜４０および４１と導体膜１４および１７との電気的接続には、たとえば半田付けが適用されるが、この半田付け方法については、前述した導体膜２２および２４と導体膜２９および３０との電気的接続のために実施した半田付け方法と実質的に同様の方法を適用することができる。
【００６３】
また、第３の基板３９は、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成されてもよい。この場合には、第３の基板３９内に構成されるコンデンサやインダクタなどの受動素子は、独立して、あるいは、第１の基板１２もしくは第１および第２の基板１２および１３と協働して機能を果たすようにすることができる。
【００６４】
図４に示した参考例に関連して、第３の基板３９の上面上に、さらに、凹部を形成した基板を必要に応じて、必要な数だけ、接合するようにしてもよい。
【００６５】
図５は、この発明の一実施形態を説明するための図２に相当する図である。図５において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６６】
図５に示した実施形態は、第２の基板１３の凹部２８の底面壁３５に放熱機能を有する放熱手段が設けられていることを特徴としている。このような実施形態は、凹部２８内に収容される電子部品２５が、たとえばパワーモジュールの場合のように、放熱を必要とするものである場合において有利に適用される。
【００６７】
上述した放熱手段としては、たとえば、凹部２８の底面壁３５を貫通するように設けられた熱伝導性の良好な材料からなる熱伝導体５１によって与えられる。熱伝導体５１は、底面壁３５の上面および下面にそれぞれ形成される熱伝導膜５２および５３ならびに熱伝導膜５２および５３を互いに連結するように底面壁３５を貫通して延びるいくつかの熱伝導貫通体５４を備えている。
【００６８】
このような熱伝導体５１は、たとえば金属または熱伝導性セラミックを含む組成をもって構成される。
【００６９】
第２の基板１３が焼成工程を経て得られるセラミックをもって構成される場合、金属または熱伝導性セラミックを含むペーストを用意し、熱伝導膜５２および５３を形成するにあたっては、このペーストを印刷等により付与し、熱伝導貫通体５４を形成するにあたっては、このペーストをビアホール導体またはスルーホール導体を形成するための方法と同様の方法にて付与し、第２の基板１３を得るための焼成を実施し、ペースト中に含まれる金属または熱伝導性セラミックを焼結状態とすれば、所望の熱伝導体５１を得ることができる。
【００７０】
また、凹部２８内に収容される電子部品２５は、半田または熱伝導性接着剤５５を介して底面壁３５と熱的結合されることが好ましい。
【００７１】
この実施形態によれば、電子部品２５において発生する熱を、外部に効率的に逃がすことができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、電子部品が実装されながら内蔵された構造を有する電子部品ユニットにおいて、電子部品を収容するための凹部が形成された第２の基板とは異なる、凹部が形成されない第１の基板に対して、電子部品が実装されるので、電子部品を実装すべき面において良好な平滑性を得ることが容易であり、この実装にあたって、表面実装、フリップチップ実装またはワイヤボンディングなどの種々の方法を問題なく適用することができ、また、実装後の洗浄が容易であり、アンダーフィル充填を施す場合にも、ノズルのための特別なスペースと必要とせず、電子部品ユニットの小型化を有利に図ることができる。
【００７３】
この発明に係る電子部品ユニットによれば、少なくとも第１の基板が、内部に配線導体を有する多層セラミック基板によって構成されているので、第１の基板の内部においてコンデンサやインダクタのような受動素子を構成することができ、電子部品ユニットの多機能化を図ることができる。
【００７４】
また、第２の基板の凹部の底面壁に、放熱機能を有する放熱手段としての熱伝導体が設けられているので、凹部の底面壁と凹部に収容される電子部品とが、半田または熱伝導性接着剤を介して熱的結合されていると、電子部品から発生する熱を効率的に外部へ逃がすことができる。また、第２の基板の下面は、通常、この電子部品ユニットを実装する基板側に向いているので、上述した電子部品からの放熱は、この基板へと効率的に逃がすことができる。
【００７５】
また、第１の基板の上面上に、第２の基板の電子部品が実装され、この第２の電子部品を収容するための第２の凹部を下面に形成した第３の基板をさらに備え、この第３の基板が第１の基板に接合されたり、さらには、第３の基板の上面上に第３の電子部品が実装されたりすると、電子部品ユニットの占有面積を増加させることなく、その多機能化をさらに推進することができる。
【００７６】
この発明に係る電子部品ユニットの製造方法によれば、第１の基板と第２の基板とを各々別に予め用意し、その後、これらを接合するようにしているので、第１および第２の基板の各々に対して施される電子部品の実装や配線導体の形成といった工程を容易にかつ能率的に実施することができる。
【００７７】
上述した第１の基板と第２の基板とを接合するにあたって、第１の基板側に設けられた第１の接続用導体膜と第２の基板側に設けられた第２の接続用導体膜との少なくとも一方にクリーム半田を付与し、このクリーム半田を介して第１の接続用導体膜と第２の接続用導体膜とを対向させた状態で加熱してクリーム半田をリフローさせるようにすれば、この接合工程を能率的に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の参考例となる電子部品ユニット１１を示す断面図である。
【図２】図１に示した電子部品ユニット１１を得るための工程の途中の状態を示す断面図である。
【図３】  この発明の第２の参考例となる電子部品ユニット１１ａを示す、図１に相当する図である。
【図４】  この発明の第３の参考例を説明するための図２に相当する図である。
【図５】  この発明の一実施形態を説明するための図２に相当する図である。
【図６】この発明にとって興味ある従来技術を説明するためのもので、キャビティ４内に電子部品３が収容された多層基板１を示す断面図である。
【符号の説明】
１１，１１ａ  電子部品ユニット
１２  第１の基板
１３  第２の基板
１４〜１７，２２〜２４，２９，３０，４０〜４５  導体膜
１８〜２１，２５，４６〜４９  電子部品
２６  内部導体膜
２７  ビアホール導体またはスルーホール導体
２８，３８  凹部
３１，３２  外部端子電極
３３，３４  スルーホール導体
３５  底面壁
３６，３７  側面導体膜
３９  第３の基板
５１  熱伝導体
５５  半田または熱伝導性接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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