(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板側溝部を備える金属支持基板と、前記金属支持基板の表面に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の表面に形成される導体パターンと、前記金属支持基板の厚み方向に投影したときに、前記基板側溝部と重なるように設けられる光導波路とを備え、
前記光導波路の少なくとも一部が、前記金属支持基板の裏面よりも、前記導体パターン側に配置されており、
前記ベース絶縁層には、前記金属支持基板の厚み方向に投影したときに、前記基板側溝部と重なるようにベース側溝部が設けられており、
前記光導波路には、その下面に支持板が設けられており、前記光導波路の少なくとも一部が、前記ベース側溝部内に収容されており、また、前記支持板の少なくとも一部が、前記基板側溝部に嵌合している
ことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、熱アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、ハードディスクを光照射により加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって記録することにより、情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる熱アシスト法（熱アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、熱アシスト法を採用する熱アシスト磁気記録ヘッドでは、サスペンションの長手方向一方側に、浮上スライダーおよび記録磁極を配置し、また、長手方向他方側にレーザダイオードを配置し、レーザダイオードから記録磁極へ光を導くための光導波路を、一方側から他方側に向かう方向に沿って、サスペンションの上に配置することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。そして、このようなサスペンションは、通常、ハードディスクドライブのＥブロックに実装される。
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報（図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に記載されるサスペンションでは、光導波路がサスペンションの上に設けられていることから、光導波路が、サスペンションから突出する。そのため、サスペンションをＥブロックに実装するときに、光導波路が、サスペンションのＥブロックへの差し込みを阻害する。また、そのときには、光導波路がＥブロックと接触し、損傷を受けるという不具合がある。
【０００４】
本発明の目的は、熱アシスト法を採用できながら、サスペンションをＥブロックへ円滑に差し込めるとともに、光導波路の損傷を低減できる回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明の回路付サスペンション基板は、基板側溝部を備える金属支持基板と、前記金属支持基板の表面に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の表面に形成される導体パターンと、前記金属支持基板の厚み方向に投影したときに、前記基板側溝部と重なるように設けられる光導波路とを備え、前記光導波路の少なくとも一部が、前記金属支持基板の裏面よりも、前記導体パターン側に配置されており、前記ベース絶縁層には、前記金属支持基板の厚み方向に投影したときに、前記基板側溝部と重なるようにベース側溝部が設けられており、前記光導波路には、その下面に支持板が設けられており、前記光導波路の少なくとも一部が、前記ベース側溝部内に収容されており、また、前記支持板の少なくとも一部が、前記基板側溝部に嵌合していることを特徴としている。
【０００６】
この回路付サスペンション基板では、光導波路の少なくとも一部が、金属支持基板の厚み方向に投影したときに、基板側溝部と重なる位置において、金属支持基板の裏面よりも導体パターン側に配置されている。そのため、光導波路の回路付サスペンション基板の裏面からの突出を低減することができる。そのため、光導波路による回路付サスペンション基板のＥブロックへの差し込みの阻害、および、光導波路のＥブロックから受ける損傷を、低減することができる。
【０００８】
また、光導波路が、ベース側溝部内に収容されていると、光導波路を金属支持基板よりさらに内側に配置することができる。そのため、光導波路による回路付サスペンション基板のＥブロックへの差し込みの阻害、および、光導波路のＥブロックから受ける損傷を、より一層低減することができる。
【０００９】
また、光導波路が、ベース側溝部内に収容され、また、支持板が、基板側溝部に嵌合していると、光導波路の回路付サスペンション基板に対する確実な位置決めを確保することができる。そのため、光導波路の伝達効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路付サスペンション基板では、熱アシスト法に用いられる光導波路の、金属支持基板の裏面への突出を低減することができる。そのため、回路付サスペンション基板をＥブロックへ円滑に差し込めるとともに、光導波路の損傷を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の参考実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における、回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向（以下、幅方向という。）に沿う断面図（光導波路が基板側溝部内に収容される形態）を示す。なお、図１において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、省略している。
【００１２】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド２８（図４参照）を実装して、その磁気ヘッド２８を、磁気ヘッド２８とハードディスク２６（図４参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など）２と、磁気ヘッド２８とを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。
【００１３】
この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨張する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において、ジンバル部４の先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、スリット部５に幅方向に挟まれる領域には、ヘッドスライダ搭載部９が備えられている。
【００１４】
ヘッドスライダ搭載部９は、ヘッドスライダ２７を搭載するための領域であって、スリット部５に幅方向に挟まれる領域において、平面視略矩形状に区画されている。
導体パターン１３は、外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１７と、それら外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に備えている。
【００１５】
各信号配線１５は、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って複数（４本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
複数の信号配線１５は、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって、順次配置されている。
より具体的には、配線部３において、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、互いに平行して延びるように形成されている。ジンバル部４において、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、スリット部５の幅方向一方側外方に配置され、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、スリット部５の幅方向他方側外方に配置されている。第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、ジンバル部４の先端部に至った後、ジンバル部４の幅方向内側に延び、さらにジンバル部４の長手方向後側に向かって折り返されて、磁気ヘッド側接続端子部１７の先端部に至るように配置されている。
【００１６】
外部側接続端子部１６は、配線部３の後端部に配置され、各信号配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。また、外部側端子接続部１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、外部側端子接続部１６は、外部側端子接続部１６に接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１外部側接続端子部１６ａ、第２外部側接続端子部１６ｂ、第３外部側接続端子部１６ｃおよび第４外部側接続端子部１６ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この外部側接続端子部１６には、破線で示す外部回路基板２の図示しない端子部が接続される。
【００１７】
磁気ヘッド側端子接続部１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、ヘッドスライダ搭載部９の先端部と隣接して配置されている。磁気ヘッド側端子接続部１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
より具体的には、磁気ヘッド側端子接続部１７は、ヘッドスライダ搭載部９の先端縁に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。また、磁気ヘッド側端子接続部１７は、これに接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃおよび第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この磁気ヘッド側接続端子部１７には、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が接続される。
【００１８】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板１１と金属支持基板１１の表面に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の表面に形成される導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の表面に、導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
金属支持基板１１は、図１および図３に示すように、スリット部５および回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
【００１９】
ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の周端縁およびスリット部５に対応する部分が露出するように、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３が形成される位置に対応するように形成されている。より具体的には、ベース絶縁層１２は金属支持基板１１より長手方向および幅方向がやや短くなる平帯状に形成されている。
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、上記したように、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７と、信号配線１５とを、一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
【００２０】
カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、信号配線１５が形成される位置に対応するように配置されている。カバー絶縁層１４は、スリット部５に対応する部分、外部側端子接続部１６および磁気ヘッド側端子接続部１７が露出し、信号配線１５を被覆するように形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１には、図１に示すように、熱アシスト法に用いられる熱アシスト部１８が設けられている。
【００２１】
熱アシスト部１８は、光導波路１９と、発光素子２０とを備えている。
この回路付サスペンション基板１には、発光素子２０を設けるために、発光素子搭載部３７が区画されている。
発光素子搭載部３７は、発光素子２０を搭載するための領域であって、配線部３の後部の幅方向中央における、外部側接続端子部１６より先側に配置され、長手方向に延びる平面視略矩形状に区画されている。
【００２２】
また、この回路付サスペンション基板１には、図２に示すように、光導波路１９および発光素子２０を設けるために、磁気ヘッド側開口部７、発光素子側開口部２５および基板側溝部３５が設けられている。
磁気ヘッド側開口部７は、ヘッドスライダ搭載部９の先端部における幅方向中央に配置され、金属支持基板１１、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４を厚み方向に貫通する、平面視略矩形状に形成されている。
【００２３】
発光素子側開口部２５は、発光素子搭載部３７の幅方向中央に配置され、金属支持基板１１、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４を厚み方向に貫通する、平面視略矩形状に形成されている。
基板側溝部３５は、配線部３およびジンバル部４の幅方向中央において、磁気ヘッド側開口部７と発光素子側開口部２５とを連結するように、それらの間において長手方向に沿って直線的に形成されている。基板側溝部３５は、図３に示すように、金属支持基板１１を厚み方向に貫通し、ベース絶縁層１２の底面が露出するように下方に向かって開口する断面略矩形状の長溝から形成されている。
【００２４】
つまり、基板側溝部３５は、金属支持基板１１における上記開口の両内側面と、ベース絶縁層１２の底面とから区画されている。
発光素子２０は、光導波路１９に光を入射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を射出する。この発光素子２０は、発光素子２０の射出する光が、発光素子側開口部２５内へと入射するよう、発光素子搭載部３７に配置されている。
【００２５】
また、発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０には、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される供給端子部３１が接続されている。
なお、供給配線３０は、発光素子２０の後端から後方に延び、供給端子部３１は、外部側接続端子部１６と幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆されており、供給端子部３１は、カバー絶縁層１４から露出している。
【００２６】
光導波路１９は、金属支持基板１１を厚み方向に投影したときに、金属支持基板１１に設けられる基板側溝部３５と重なるように配置されており、具体的には、基板側溝部３５に収容されている。
光導波路１９は、断面略矩形状に形成されており、幅方向および上下方向の長さが、基板側溝部３５のそれらと同一長さで形成されている。
【００２７】
また、光導波路１９は、その底面が金属支持基板１１の底面と面一となるように、基板側溝部３５内に嵌合している。
そして、図４に示すように、この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、基板側溝部３５において、配線部３の発光素子側開口部２５と、ジンバル部４の磁気ヘッド側開口部７とにわたって連続して設けられ、直線的に配置されている。
【００２８】
光導波路１９の先端面である磁気ヘッド側端面２１は、磁気ヘッド側開口部７に臨むように配置されるとともに、その後端面である発光素子側端面２９が、発光素子側開口部２５に臨むように配置されている。
発光素子側端面２９は、発光素子２０の射出窓と、発光素子側開口部２５を挟んで厚み方向に対向配置されている。
【００２９】
発光素子側端面２９は、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように、上端から下端に向かって先側に傾斜する傾斜面として形成されている。これにより、発光素子側端面２９は、傾斜角αを有する反射面となり、発光素子２０により射出した光は、発光素子側開口部２５を通過し、発光素子側端面２９によって所定の角度で光路変換され、その後、光導波路１９へと入射する。
【００３０】
また、磁気ヘッド側端面２１は、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）βで交差するように、上端から下端に向かって後側に傾斜する傾斜面として形成されている。これにより、その磁気ヘッド側端面２１は、傾斜角βを有する反射面となり、光導波路１９から射出する光は、磁気ヘッド側端面２１によって所定の角度で光路変換され、その後、磁気ヘッド側開口部７へと出射する。
【００３１】
このような傾斜角αおよびβは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より好ましくは、４５°である。
なお、このような光導波路１９は、後述するが、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２２の上に形成されるコア層２３と、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。
【００３２】
そして、このような回路付サスペンション基板１は、通常、ハードディスクドライブに実装され、熱アシスト法を採用する。
図５および図６は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する断面図、右側図は、光導波路に沿う断面図を示す。
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図５および図６を参照して、説明する。
【００３３】
まず、この方法では、図５（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の表面に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３、カバー絶縁層１４を順次積層する。
【００３４】
ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するには、まず、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の表面に形成する。
ベース絶縁層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【００３５】
ベース絶縁層１２を形成するには、例えば、金属支持基板１１の表面に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００３６】
次いで、導体パターン１３を上記したパターンで形成する。
導体パターン１３は、例えば、銅、ニッケル、スズ、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料から形成されている。
導体パターン１３を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。
【００３７】
これにより形成される導体パターンでは、厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、５〜１０００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍである。
また、各外部側接続端子部１６および各磁気ヘッド側接続端子部１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側端子接続部１６間の間隔、および、各磁気ヘッド側接続端子部１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００３８】
カバー絶縁層１４は、ベース絶縁層１２で例示した絶縁材料から形成される。
カバー絶縁層１４を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン１３およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の表面に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。これにより形成されるカバー絶縁層１４の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、２〜１０μｍある。
【００３９】
これにより、カバー絶縁層１４は、スリット部５、外部側接続端子部１６、磁気ヘッド側接続端子部１７、発光素子側開口部２５および磁気ヘッド側開口部７に対応する部分が開口され、信号配線１５が被覆されるパターンとして形成されている。
このようにして、金属支持基板１１の表面に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層することができる。
【００４０】
なお、上記した導体パターン１３の形成とともに、供給配線３０および供給端子部３１を上記と同様の方法により、同時に形成する。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、金属支持基板１１に、基板側溝部３５を設ける。
基板側溝部３５を設けるには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、ウエットエッチングにより形成する。
【００４１】
このようにして設けられる基板側溝部３５は、その幅が、例えば５〜２５０μｍ、好ましくは、１０〜１５０μｍであり、その長さ（長手方向長さ）が、例えば、５〜１００ｍｍ、好ましくは、１０〜５０ｍｍである。
なお、基板側溝部３５の形成と同時に、磁気ヘッド側開口部７および発光素子側開口部２５に対応する部分の金属支持基板１１もエッチングする。さらに必要であれば、金属支持基板１１の外形加工も同時に実施する。
【００４２】
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１２を、厚み方向に貫通して、磁気ヘッド側開口部７および発光素子側開口部２５を形成する。
ベース絶縁層１２のエッチングは、公知の方法でよく、例えば、化学エッチング、プラズマエッチングなどにより形成する。好ましくは、化学エッチングにより形成する。
このようにして形成される磁気ヘッド側開口部７および発光素子側開口部２５は、幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍであり、長さ（長手方向長さ）が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは１００〜２００μｍである。
【００４３】
次いで、この方法では、図６（ｅ）に示すように、光導波路１９を、基板側溝部３５内に収容する。
光導波路１９は、別途形成されており、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層し、硬化させることにより得られている。具体的には、アンダークラッド層２２、コア層２３、オーバークラッド層２４は、例えば、支持板３４（図８参照）を用意し、支持板３４の表面に順次積層される。
【００４４】
支持板３４を形成する材料としては、特に限定されず、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。
アンダークラッド層２２、コア層２３、オーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、アンダークラッド層２２を、支持板３４の表面に形成する。
アンダークラッド層２２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、または、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂が用いられる。これら樹脂は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられ、より具体的には、４，４−ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートなどが用いられる。
【００４５】
アンダークラッド層２２を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を調製して、その支持板３４の表面に塗布した後、乾燥させ、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光し、その後、未露光部分を溶解させることにより現像して、必要により硬化させる。
【００４６】
アンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．５５である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜５０μｍであり、好ましくは、５〜２０μｍであり、その幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍである。
次いで、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成する。
コア層２３を形成する材料としては、アンダークラッド層２２の樹脂材料よりも、屈折率が高くなる樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、上記と同様の樹脂が用いられ、好ましくは、フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）とオキセタン化合物との混合樹脂が用いられる。
【００４７】
コア層２３を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２の表面に塗布した後、乾燥させ、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光し、その後、未露光部分を溶解させることにより現像して、必要により硬化させる。
【００４８】
コア層２３の屈折率は、アンダークラッド層２２の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍであり、その幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
次いで、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成する。
【００４９】
オーバークラッド層２４を形成する材料としては、上記したアンダークラッド層２２を同様の樹脂材料が用いられる。
オーバークラッド層２４を形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を調製して、そのワニスを、コア層２３を含むアンダークラッド層２２の表面に塗布した後、乾燥させ、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光し、その後、露光部分を溶解させることにより、現像して、必要により硬化させる。
【００５０】
オーバークラッド層２４の屈折率は、コア層２３の屈折率より低く設定されており、例えば、アンダークラッド層２２の屈折率と同様に設定されている。また、オーバークラッド層２４のコア層２３の表面からの厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、その幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜１００μｍである。
【００５１】
このようにして、支持板３４の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層することにより、光導波路１９を形成することができる。
そして、光導波路１９は、支持板３４から剥離して、基板側溝部３５内に収容する。
光導波路１９を基板側溝部３５内に収容するには、例えば、光導波路１９の上面および必要により両側面に接着剤を塗布し、その後、光導波路１９を基板側溝部３５内に嵌合させる。これにより、光導波路１９の上面が基板側溝部３５において露出するベース絶縁層１２の底面に接着（密着）され、光導波路１９の両側面が、必要により金属支持基板１１における基板側溝部３５の両内側面に接着（密着）される。
【００５２】
また、これにより、光導波路１９の先端部は、磁気ヘッド側開口部７と、金属支持基板１１の厚み方向において重なるように配置される。より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の先端部が、磁気ヘッド側開口部７の中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の先端部が、磁気ヘッド側開口部７の後側半分に配置される。
また、光導波路１９の後端部は、発光素子側開口部２５と、金属支持基板１１の厚み方向において重なるように配置される。より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の後端部が、発光素子側開口部２５の中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の後端部が、発光素子側開口部２５の先側半分に配置される。
【００５３】
次いで、この方法では、図６（ｆ）に示すように、光導波路１９の先端部を、磁気ヘッド側開口部７側から、レーザ加工により切削して、磁気ヘッド側端面２１を形成する。
レーザ加工では、図６（ｆ）の破線で示すように、磁気ヘッド側開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、磁気ヘッド側開口部７側（厚み方向上側）から入射させる。
【００５４】
次いで、上記した方法と同様にして、光導波路１９の後端部を、発光素子側開口部２５側（厚み方向上側）から、レーザ加工により切削して、発光素子側端面２９を形成する。
その後、配線部３の後端側において、発光素子２０の射出する光が、発光素子側開口部２５内へと入射するよう、発光素子２０を、カバー絶縁層１４の発光素子搭載部３７に配置する。これにより、回路付サスペンション基板１が得られる。
【００５５】
そして、回路付サスペンション基板１では、図１および図２の破線で示すように、配線部３において、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される。また、外部回路基板２には、磁気ヘッド２８（図４参照）および発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、ＩＣ配線３３を介して、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が接続される端子部と、電気的に接続される。
【００５６】
また、回路付サスペンション基板１には、図１および図４に示すように。ジンバル部４のヘッドスライダ搭載部９にヘッドスライダ２７が搭載される。ヘッドスライダ２７には、磁気ヘッド２８が実装されており、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が、磁気ヘッド側接続端子部１７と電気的に接続される。また、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８は、磁気ヘッド側開口部７に臨み、光導波路１９の磁気ヘッド側端面２１と、磁気ヘッド側開口部７を挟んで厚み方向において対向配置される。
【００５７】
そして、磁気ヘッド２８、ヘッドスライダ２７、回路付サスペンション基板１および外部回路基板２が搭載されるハードディスクドライブでは、熱アシスト法を採用することができる。
なお、回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド２８、ヘッドスライダ２７および外部回路基板２が実装された後、ハードディスクドライブのＥブロックに差し込まれる。
【００５８】
ハードディスクドライブでは、例えば、ハードディスク２６が、光導波路１９の磁気ヘッド側端面２１および磁気ヘッド２８に対して、相対的に走行している。そして、発光素子２０から下方に射出された光が、発光素子側開口部２５を通過後、発光素子側端面２９において、金属支持基板１１の平行方向に光路変換され、光導波路１９を通過する。その後、光は、磁気ヘッド側端面２１において、上方に光路変換され、磁気ヘッド側開口部７を通過後、磁気ヘッド２８を通過して、上側に対向するハードディスク２６の表面に照射される。これにより、ハードディスク２６の照射部分が加熱される。磁気ヘッド２８からの磁界の照射によりハードディスク２６に情報が記録され、そして、ハードディスク２６の保磁力が低下されているので、ハードディスク２６に情報を、小さな磁界の照射によって、高密度で記録することができる。
【００５９】
この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９が、基板側溝部３５内に収容されている。すなわち、光導波路１９の底面が、金属支持基板１１の底面と面一となるように、基板側溝部３５内に嵌合している。そのため、光導波路１９が、回路付サスペンション基板１の裏面から突出しない。その結果、光導波路１９による回路付サスペンション基板１のＥブロックへの差し込みの阻害、および、光導波路１９のＥブロックから受ける損傷を、低減することができる。
【００６０】
また、導体パターン１３が、ベース絶縁層１２の表面に形成されるのに対し、光導波路１９は、ベース絶縁層１２の裏面側に配置されるため、回路付サスペンション基板１の設計上の自由を確保できる。
上記した説明では、光導波路１９を配置する溝部を、金属支持基板１１に設けたが、例えば、ベース絶縁層１２にも設けることができる。
【００６１】
図７は、図３に示す回路付サスペンション基板の他の参考実施形態（光導波路がベース側溝部内に収容される形態）の断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、図７において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
この回路付サスペンション基板１においては、基板側溝部３５が、図３における基板側溝部３５よりも幅広に形成されている。また、ベース絶縁層１２は、光導波路１９の厚みと同一の厚みで形成されている。
【００６２】
ベース絶縁層１２には、ベース側溝部３６が、基板側溝部３５と金属支持基板１１の厚み方向に重なるようにして、基板側溝部３５の幅方向中央に形成されている。
ベース側溝部３６は、図７における基板側溝部３５よりも幅狭に形成されており、具体的には、ベース側溝部３６は、図３における基板側溝部３５と同一の幅で形成されている。また、ベース側溝部３６は、磁気ヘッド側開口部７と、基板側溝部３５と同様に、発光素子側開口部２５とに連通している。また、ベース側溝部３６は、ベース絶縁層１２を厚み方向に貫通し、カバー絶縁層１４の底面が露出するように下方に向かって開口する断面略矩形状の長溝から形成されている。つまり、ベース側溝部３６は、ベース絶縁層１２における上記開口の両内側面と、カバー絶縁層１４の底面とから区画されている。
【００６３】
このようなベース側溝部３６は、上記した化学エッチングにより、ベース絶縁層１２をエッチングすることで、形成することができる。
この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、ベース絶縁層１２に設けられたベース側溝部３６内に収容されている。
光導波路１９をベース側溝部３６内に収容するには、例えば、光導波路１９の上面および必要により両側面に接着剤を塗布し、その後、光導波路１９をベース側溝部３６内に嵌合させる。これにより、光導波路１９の上面がベース側溝部３６において露出するカバー絶縁層１４の底面に接着（密着）され、光導波路１９の両側面が、必要によりベース絶縁層１２におけるベース側溝部３６の両内側面に接着（密着）される。
【００６４】
この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９が、ベース側溝部３６内に収容されているので、光導波路１９を金属支持基板１１よりさらに内側に配置することができる。そのため、光導波路１９による回路付サスペンション基板１のＥブロックへの差し込みの阻害、および、光導波路１９のＥブロックから受ける損傷を、より一層低減することができる。
【００６５】
図８は、図７に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態であって、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態（光導波路がベース側溝部内に収容され、支持板が基板側溝部に嵌合する形態）の断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、図８において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図７に示す実施形態では、光導波路１９を支持板３４から剥離して、ベース側溝部３６内に収容している。しかし、この実施形態では、光導波路１９を支持板３４から剥離することなく、光導波路１９を支持板３４に支持させたまま、ベース側溝部３６内に収容する。
【００６６】
この実施形態においては、支持板３４は、断面略矩形平板状に形成されており、幅方向および上下方向の長さが、基板側溝部３５のそれらと同一長さで形成されている。
この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２に設けられるベース側溝部３６内に収容するとともに、支持板３４を、金属支持基板１１に設けられる基板側溝部３５内に嵌合している。
【００６７】
光導波路１９をベース側溝部３６内に収容するとともに、支持板３４を基板側溝部３５に嵌合するには、例えば、光導波路１９の上面、必要により光導波路１９の両側面に接着剤を塗布し、さらに、必要により支持板３４の両側面に接着剤を塗布する。その後、光導波路１９をベース側溝部３６内に嵌合させるとともに、支持板３４を基板側溝部３５に嵌合させる。これにより、光導波路１９の上面がベース側溝部３６において露出するカバー絶縁層１４の底面に接着（密着）され、光導波路１９の両側面が、必要によりベース絶縁層１２におけるベース側溝部３６の両内側面に接着（密着）される。さらに、支持板３４の両側面が、必要により金属支持基板１１における基板側溝部３５の両内側面に接着（密着）される。
【００６８】
光導波路１９が、ベース側溝部３６内に収容され、また、支持板３４が、基板側溝部３５に嵌合していれば、光導波路１９の回路付サスペンション基板１に対する確実な位置決めを確保することができる。そのため、光導波路１９の伝達効率の向上を図ることができる。また、支持板３４が、光導波路１９の下面に設けられているため、光導波路１９が、Ｅブロックから損傷を受けることを防止することができる。
【００７０】
なお、上記した説明では、磁気ヘッド側開口部７および発光素子側開口部２５に、空隙が生じるが、これら空隙を、光損失がないように、接着剤などで封止することもできる。
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１に、１本の光導波路１９を設けたが、その本数は特に限定されず、例えば、回路付サスペンション基板１の用途および目的に応じて、複数本の光導波路１９を設けることもできる。
【００７１】
また、上記した説明では、光導波路１９の幅方向両側面を、金属支持基板１１における基板側溝部３５の両内側面またはベース絶縁層１２におけるベース側溝部３６の両内側面に密着させたが、光導波路１９の幅方向両側面を、それらと間隔を隔てるように設けることもできる。この場合には、光導波路１９の幅を、基板側溝部３５の幅またはベース側溝部３６の幅より狭く形成する。
【００７２】
なお、上記した実施形態において、回路付サスペンション基板１は、ヘッドスライダ２７を実装した後に、ヘッドスライダ搭載部９と所望の角度に屈曲することがある。このような場合、スリット部５を横切る光導波路１９は、屈曲に追従して弾性変形が可能な材料から形成されている。
【実施例】
【００７３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
参考実施例１（光導波路が基板側溝部内に収容される形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図５（ａ）参照）。
次いで、金属支持基板の上に、ポリイミド樹脂を塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、硬化させて、ベース絶縁層を上記したパターンで形成した。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００７４】
次いで、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した。これらの厚みは１０μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の上に、ポリイミド樹脂を塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、硬化させて、カバー絶縁層を上記したパターンで形成した。このカバー絶縁層の厚みは５μｍであった。これにより、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層した（図５（ｂ）参照）。
【００７５】
次いで、金属支持基板の幅方向中央部に、金属支持基板の長手方向に沿った基板側溝部を、ウエットエッチングにより設けた（図５（ｃ）参照）。この基板側溝部の幅は１００μｍ、長さは２０ｍｍであった。
次いで、化学エッチングによって、ベース絶縁層をエッチングし、金属支持基板、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の厚み方向に貫通する、磁気ヘッド側開口部および発光素子側開口部を、形成した（図５（ｄ）参照）。磁気ヘッド側開口部および発光素子側開口部の幅は、１００μｍ、長さは、１００μｍであった。
【００７６】
別途、ステンレスからなる支持板を用意し、その上に、光導波路を形成した。支持板の厚みは２０μｍであった。
アンダークラッド層の形成では、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液２重量部、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（希釈剤、脂環式エポキシ、セロキサイド２０２１Ｐ、ダイセル化学社製）４０重量部を配合してワニスを調製した。
【００７７】
次いで、このワニスを、支持板の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、支持板の上に、アンダークラッド層を形成した。
このアンダークラッド層（硬化後のアンダークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は、１．５４０であった。また、アンダークラッド層の厚みは５μｍ、幅は８０μｍであった。
【００７８】
次いで、コア層をアンダークラッド層の上に形成した。
コア層の形成では、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，１，１−トリス{４−[２−（３−オキセタニル）]ブトキシフェニル}エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−フェキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部、乳酸エチル（希釈剤）３０重量部を配合してワニスを調製した。
【００７９】
次いで、このワニスを、アンダークラッド層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を形成した。
【００８０】
このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は、１．５９４であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように形成した。
オーバークラッド層の形成では、まず、上記したアンダークラッド層を形成するためのワニスと同様のワニスを調製し、次いで、このワニスを、コア層を含むアンダークラッド層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。
【００８１】
その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するようにオーバークラッド層を形成した。
このオーバークラッド層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は、１．５４０であった。また、オーバークラッド層のコア層の表面からの厚みは５μｍ、幅は８０μｍであった。これによって光導波路を得た。
【００８２】
次いで、この光導波路を、支持板から剥離し、光導波路の上面および両側面に接着剤を塗布した。
次いで、光導波路の上面を、基板側溝部において露出するベース絶縁層の底面に接着し、光導波路の両側面を、金属支持基板における基板側溝部の両内側面に接着することにより、光導波路を基板側溝部内に収容した（図６（ｅ）参照）。
【００８３】
次いで、光導波路を、磁気ヘッド側開口部側および発光素子側開口部側から、レーザ加工により、光導波路の先端部および後端部を、長手方向と交差するように、一度に切削した（図６（ｆ）参照）。この切削により形成された磁気ヘッド側端面および発光素子側端面の傾斜角は、それぞれ４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、発光素子を、カバー絶縁層の上に配置した（図１および図２参照）。
【００８４】
参考実施例２（光導波路がベース側溝部内に収容される形態）
参考実施例１において、ベース絶縁層の厚みを２０μｍとし、基板側溝部の幅を１００μｍとし、さらにベース絶縁層にベース側溝部を設け、光導波路をベース側溝部内に配置した以外は、参考実施例１と同様に、回路付サスペンション基板を製造した（図７参照）。
すなわち、磁気ヘッド側開口部および発光素子側開口部を形成するときに、金属支持基板をベース側溝部が設けられるようにマスクし、参考実施例１におけるプラズマエッチングと同様の方法によって、ベース絶縁層をエッチングした。これにより、ベース絶縁層に、ベース絶縁層の長手方向に沿って磁気ヘッド側開口部と発光素子側開口部とを連結するベース側溝部を設けた。ベース側溝部の幅は８０μｍ、長さは２０ｍｍであった。
【００８５】
次いで、参考実施例１と同様に光導波路を形成し、支持板から剥離し、光導波路の上面および両側面に接着剤を塗布した。
次いで、光導波路の上面を、ベース側溝部において露出するカバー絶縁層の底面に接着し、光導波路の両側面を、ベース絶縁層におけるベース側溝部の両内側面に接着することにより、光導波路をベース側溝部内に収容した。
【００８６】
次いで、光導波路を、磁気ヘッド側開口部側および発光素子側開口部側から、レーザ加工により、光導波路の先端部および後端部を、長手方向と交差するように、一度に切削した。この切削により形成された磁気ヘッド側端面および発光素子側端面の傾斜角は、それぞれ４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、発光素子を、カバー絶縁層の上に配置した。
【００８７】
実施例１（光導波路がベース側溝部内に収容され、支持板が金属支持基板に嵌合する形態）
参考実施例２において、光導波路を形成した後に、支持板から光導波路を剥離せず、支持板を幅８０μｍに加工し、光導波路をベース側溝部に収容するとともに、支持板を金属支持基板に嵌合させた以外は、参考実施例２と同様に、回路付サスペンション基板を製造した（図８参照）。
【００８８】
すなわち、参考実施例２と同様に光導波路を形成し、支持板から剥離せずに、光導波路の上面および両側面に接着剤を塗布し、さらに、支持板の両側面に接着剤を塗布した。
次いで、光導波路の上面を、ベース側溝部において露出するカバー絶縁層の底面に接着し、光導波路の両側面を、ベース絶縁層におけるベース側溝部の両内側面に接着し、光導波路をベース側溝部内に収容するとともに、支持板の両側面を、金属支持基板における基板側溝部の両内側面に接着し、支持板を基板側溝部に嵌合した。
【００８９】
次いで、光導波路を、磁気ヘッド側開口部側および発光素子側開口部側から、レーザ加工により、光導波路の先端部および後端部を、長手方向と交差するように、一度に切削した。この切削により形成された磁気ヘッド側端面および発光素子側端面の傾斜角は、それぞれ４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、発光素子を、カバー絶縁層の上に配置した。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の参考実施形態を示す平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図を示す。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における、幅方向に沿う断面図（光導波路が基板側溝部内に収容される形態）である。
【図４】熱アシスト法を採用して、ハードディスクに情報を記録する状態の説明図を示す。
【図５】図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する断面図、右側図は、光導波路に沿う断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の表面に、ベース絶縁層、導体パターン、カバー絶縁層を積層する工程、（ｃ）は、金属支持基板に、基板側溝部を設ける工程、（ｄ）は、磁気ヘッド側開口部および発光素子側開口部を形成する工程を示す。
【図６】図５に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する断面図、右側図は、光導波路に沿う断面図であり、（ｅ）は、基板側溝部内に、光導波路を収容する工程、（ｆ）は、磁気ヘッド側端面および発光素子側端面を形成する工程を示す。
【図７】図３に示す回路付サスペンション基板の他の参考実施形態（光導波路がベース側溝部内に収容される形態）を示す断面図である。
【図８】図７に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態であって、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態（光導波路がベース側溝部内に収容され、支持板が基板側溝部に嵌合する形態）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１    回路付サスペンション基板
１１  金属支持基板
１２  ベース絶縁層
１３  導体パターン
１９  光導波路
３４  支持板
３５  基板側溝部
３６  ベース側溝部
【図１】
0004928499.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0004928499.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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