(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射の断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備え、
前記投影システムは、光学デバイスを収容する真空チャンバと、前記光学デバイスのアクチュエータを制御する制御装置と、を備え、
前記アクチュエータは、前記パターン付き放射ビームを誘導、成形及び／又は制御するように構成され、
前記投影システムは、前記真空チャンバ内に配置される気密封止型ハウジングを備え、
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を収容し、
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を前記アクチュエータに電気的に接続する電気接続部を備え、
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を冷却する流体冷却路を介して前記真空チャンバの外壁に接続されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記気密封止型ハウジングは、前記気密封止型ハウジング内に少なくとも部分大気圧を維持する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記気密封止型ハウジングは、前記気密封止型ハウジング内に少なくとも部分大気圧を維持する空気圧路を介して前記真空チャンバの前記外壁に更に接続される、請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を前記真空チャンバの前記外壁に接続する更なる電気接続部を備える、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記電気接続部は、前記気密封止型ハウジングに対して気密封止されたプリント回路基板を備え、前記プリント回路基板に埋め込まれた電気導体が、電気接点を介して前記プリント回路基板の対向する平坦な側からそれぞれ電気的に接続可能である、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記埋め込まれた電気導体が前記プリント回路基板の前記平坦な側に実質的に平行に延在する、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
光学デバイスを収容する真空チャンバであって、
前記真空チャンバ内に配置される気密封止型ハウジングを備え、
前記気密封止型ハウジングは、前記光学デバイスのアクチュエータを制御する制御装置を収容し、
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を前記光学デバイスに電気的に接続する電気接続部を備え、
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を冷却する流体冷却路を介して前記真空チャンバの外壁に接続される、真空チャンバ。
【請求項８】
前記気密封止型ハウジングは、前記気密封止型ハウジング内に少なくとも部分大気圧を維持する空気圧路を介して前記真空チャンバの前記外壁に更に接続される、請求項７に記載の真空チャンバ。
【請求項９】
前記気密封止型ハウジングは、前記制御装置を前記真空チャンバの前記外壁に接続する更なる電気接続部を備える、請求項７又は請求項８に記載の真空チャンバ。
【請求項１０】
前記電気接続部は、前記気密封止型ハウジングに対して気密封止されたプリント回路基板を備え、前記プリント回路基板に埋め込まれた電気導体が、電気接点を介して前記プリント回路基板の対向する平坦な側からそれぞれ電気的に接続可能である、請求項７乃至請求項９のうち何れか１項に記載の真空チャンバ。
【請求項１１】
前記埋め込まれた電気導体が前記プリント回路基板の前記平坦な側に実質的に平行に延在する、請求項１０に記載の真空チャンバ。
【請求項１２】
前記制御装置又はそのコンポーネントが前記プリント回路基板に装着される、請求項１０又は請求項１１に記載の真空チャンバ。
【請求項１３】
前記プリント回路基板が繊維強化材料及び／又は軟質箔材料を備える、請求項１０乃至請求項１２のうち何れか１項に記載の真空チャンバ。
【請求項１４】
プリント回路基板積層材料の低温流れドローが、前記プリント回路基板との気密封止部を形成する、請求項１０乃至請求項１３のうち何れか１項に記載の真空チャンバ。
【請求項１５】
前記制御装置又はそのコンポーネントがヒートシンクに熱力学的に接続する、請求項７乃至請求項１４のうち何れか１項に記載の真空チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置及び真空チャンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニング構造から基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームを誘導、成形及び／又は制御するために光学デバイスが配置された真空チャンバを備えることができる。光学デバイスのアクチュエータを制御する制御装置を提供することにより、所望の機能に従ってアクチュエータを駆動することができる。動的アクチュエータ性能のリアルタイム要件が上がっているので、制御装置を光学デバイスのアクチュエータに物理的に近づけて配置することが望ましい。しかし、光学デバイスが配置されているチャンバ内の真空状態は、制御装置の電子機器に特定の要件を与え、それによって制御装置が高価になり、潜在的に信頼性が低下する。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  制御装置の仕様を有意に変更せずに、リソグラフィ装置内で光学デバイスのアクチュエータの物理的に近くに制御装置を配置することが望ましい。
【０００５】
[0005]  本発明の態様によれば、放射ビームを調整する照明システムと、パターニングデバイスを支持する支持体とを含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えて、パターン付き放射ビームを形成する。装置は、基板を保持する基板テーブル、及びパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムも含む。投影システムは真空チャンバ、及び真空チャンバ内に配置された光学デバイスのアクチュエータを制御する制御装置を含む。アクチュエータは、パターン付き放射ビームを誘導、成形及び／又は制御する。投影システムは、制御装置が収容された気密封止型ハウジングも含む。ハウジングは真空チャンバ内に配置され、制御装置を光学デバイスのアクチュエータに電気的に接続する電気接続部を備える。ハウジングは、制御装置を冷却する流体冷却路を介して真空チャンバの外壁に接続される。
【０００６】
[0006]  本発明の態様によれば、真空チャンバと、真空チャンバ内に配置された光学デバイスのアクチュエータを制御する制御装置とが提供される。真空チャンバは、制御装置が収容された気密封止型ハウジングを含む。ハウジングは、制御装置を光学デバイスに電気的に接続する電気接続部を備える。ハウジングは、制御装置を冷却する流体冷却路を介して真空チャンバの外壁に接続される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
[0007]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【０００８】
【図１】[0008]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0009]図１のリソグラフィ装置の真空チャンバの実施形態を示した図である。
【図３】[0010]図１のリソグラフィ装置の密封ハウジングの実施形態を示した図である。
【図４】[0011]図１のリソグラフィ装置のプリント回路基板及びヒートシンクのアセンブリの実施形態を示した図である。
【図５】[0012]図４のプリント回路基板の実施形態を示した図である。
【図６】[0013]図４のヒートシンクの実施形態を示した図である。
【図７】[0014]図３の密封ハウジングの電気接続部を示した図である。
【図８】[0015]図３の密封ハウジングの代替電気接続部を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0016]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又は可視光放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１０】
[0017]  照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１１】
[0018]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、所望に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１２】
[0019]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１３】
[0020]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0021]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１５】
[0022]  ここに示している本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。
【００１６】
[0023]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１７】
[0024]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１８】
[0025]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0026]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２０】
[0027]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２１】
[0028]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２２】
[0029]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２３】
[0030]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２４】
[0031]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２５】
[0032]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００２６】
[0033]  図２は、図１によるリソグラフィ装置の真空チャンバ１を示す。実施形態では、真空チャンバ１は上述した投影システムＰＳの一部である。真空チャンバ１は、真空チャンバ１の内部空間３の境界を規定する外壁２を有する。光学デバイス９が真空チャンバ１に収容され、１つ又は複数のアクチュエータ９ａを備える。コリメータなどの光学デバイス９は、パターン付き放射ビームを誘導、成形及び／又は制御するために配置されている。さらに、真空チャンバ１内には、光学デバイス９の１つ又は複数のアクチュエータ９ａを制御する制御装置５を備える気密封止型ハウジング４が光学デバイス９の近傍に配置される。密封ハウジング４は、制御装置５を光学デバイス９の１つ又は複数のアクチュエータ９ａに電気的に接続する電気接続部６を備える。電気接続部６及びデータ線７、８を介して、制御装置５は光学デバイス９に接続される。さらに、ハウジング４は、制御装置５を冷却するために流体冷却路１６を介して真空チャンバ１の外壁２に接続される。流体冷却路１６は、流体相互接続要素１７を介して真空チャンバ１の外壁２を通り抜ける。流体冷却路１６は、同様の流体相互接続要素（図示せず）を介して、壁２３を通ってハウジング４に入る。
【００２７】
[0034]  流体冷却路を実現することにより、制御装置の電子コンポーネントを含む気密封止型ハウジング４の内部を能動的に冷却することができる。この状況で、真空状態での伝導及び放射を介した熱伝達は比較的少ないことが分かる。したがって、流体冷却路がない状態では、極めて高温で制御装置５の電気的機能を実行するために、特定の電気コンポーネントの使用が必要になることがある。さらに、流体冷却路を提供することにより、密封ハウジング４を原則的に、光学デバイス９付近で真空チャンバ内の所望の位置に配置することができる。
【００２８】
[0035]  密封ハウジング４は、密封ハウジング４内で少なくとも部分大気圧を維持するために、空気圧路１５を介して真空チャンバ１の外壁２にさらに接続される。密封ハウジング４内に少なくとも部分大気圧を提供することにより、密封ハウジング４内の電気コンポーネントの脱ガスを抑制し、それによって電気コンポーネントの仕様をさらに減少させることができる。しかし原則的に、例えば真空チャンバ１内にハウジング４を密封して配置する前に、ハウジング４内に初期の少なくとも分圧を提供することにより、空気圧相互接続要素１４を介して真空チャンバの外側に接続された空気圧路１５がない状態でも、密封ハウジング４を実現することができる。
【００２９】
[0036]  密封ハウジングは、制御装置を真空チャンバ１の外壁２に接続するさらなる電気接続部も備える。さらなる電気接続部は、一方端がデータ線７、８と同じ電気接続部６に接続され、他方端が外壁２内の貫通要素１２、１３に接続された１つ又は複数の電気導体１０、１１を備える。さらなる電気接続部は、電力を供給する、及び／又は制御装置５と外部処理装置（図示せず）との間でデータを交換する働きをすることができる。
【００３０】
[0037]  制御装置５を光学デバイス９と相互接続するデータ線７、８は、１つ又は複数のアクチュエータ９ａを駆動し、密封ハウジング４内又は真空チャンバ１の内部空間３内で、駆動信号及び／又は光学デバイス９のセンサ要素が生成したセンサ信号などのデータを、光学デバイス９と制御装置５の間で伝達する働きをすることができる。
【００３１】
[0038]  密封ハウジング４内の制御装置５によって、１つの光学デバイスばかりでなく、複数の光学デバイスを制御できることが分かる。それに関して、複数のデバイスを、上述したような電気接続部によって制御装置５に電気的に接続することができる。同様に、１つ又は複数のアクチュエータを備える他のデバイスタイプも、制御装置によって制御することができる。
【００３２】
[0039]  図３は、密封ハウジング４をさらに詳細に示す。密封ハウジング４内には制御装置が収容されている。つまり制御装置が密封ハウジング４の内側に配置されている。制御装置５は、電気コンポーネントが装着されているプリント回路基板６ａを含む。複数のプリント回路基板要素を使用する場合、これらの要素は箔２０を介して相互接続される（図５参照）。プリント回路基板要素は、ＦＲ４及び／又は軟質箔材料などの繊維強化材料を備えてよい。さらに、プリント回路基板の側縁１９は、金属被覆され、ヒートシンク２１の対応する縁部２２に接続されて、プリント回路基板６ａに装着されている電気コンポーネントが発生した熱を排出している。制御装置又はそのコンポーネントをヒートシンクに熱力学的に接続することにより、発生した熱を電気コンポーネントから、密封ハウジング４から熱を除去できる位置へと受動的に除去することができる。図４は、プリント回路基板６ａとヒートシンク２１のアセンブリを示し、図６は分解したヒートシンク２１を示す。図３に示す実施形態では、ヒートシンク２１はプリント回路基板６ａを支持するフレームとしても働く。プリント回路基板の上部セグメントは、以下で説明するように密封ハウジング４の外側の導電線への電気接続部としてもさらに働くことができる。
【００３３】
[0040]  ヒートシンク２１は、密封ハウジング４の底部に配置された流体冷却網１８に熱力学的に接続されている。流体冷却網１８は、ハウジング４と真空チャンバ１の外壁２との間に設けられている流体冷却路１６に接続される。ヒートシンクを能動的に冷却することにより、熱力学的に結合された制御装置も冷却され、したがって電気コンポーネントの予め規定された温度範囲が維持される。冷却流体は、冷却液又は冷却気を備えてよい。
【００３４】
[0041]  図７は、密封ハウジング４の電気接続部６を組立分解図で示す。電気接続部６は、ハウジング４の壁２３の窓２４を覆っているプリント回路基板２５を含む。プリント回路基板は、繊維強化材料及び／又は軟質箔材料を備えてよい。プリント回路基板は、カバー要素又は真空フランジ２７によってハウジングの壁２３に押しつけられる。気密封止を獲得するために、真空フランジ２７とプリント回路基板２５の間、及びプリント回路基板２５と壁２３の間にそれぞれ密封リング２６が適用される。
【００３５】
[0042]  プリント回路基板２５には電気導体３０が埋め込まれる。埋め込まれた電気導体３０は、プリント回路基板２５の平坦な側に実質的に平行に延在し、それによって漏電を最小限に抑えることが好ましい。さらに、プリント回路基板２５に埋め込まれた電気導体３０は、電気接点２８、２９それぞれを介してプリント回路基板の対向する平坦な側から電気的にアクセス可能である。
【００３６】
[0043]  プリント回路基板をハウジングの壁２３に対して気密封止することにより、プリント回路基板の漏れのない特性を有利に活用し、電気的真空貫通接続を獲得する。さらに、真空フランジ面積当たり、比較的多数の電気相互接続部を実現することができる。しかし、例えば成形又は溶接コネクタなど、他の電気接続タイプも使用できることが分かる。
【００３７】
[0044]  図８は、密封ハウジング４の電気接続部６の実施形態の断面図を示す。ここでは密封リング２６が除去されている。プリント回路基板２５は、パターン付き回路３０、４０とプリント回路基板２５の頂部及び底部との間の中間層として、例えばテフロン（登録商標）とも呼ばれるポリテトラフルオロエチレン（ＰＦＴＥ）などのプリント回路基板積層材料を備える。電気接続部６の実施形態では、プリント回路基板２５の低温流れ特性を適用して、気密封止を獲得することができる。真空フランジ２７をハウジング４の壁２３に向かって押すことにより、プリント回路基板２５の頂部及び底部のテフロン材料が変形し、低温流れドロー（cold-flow draws）３５を形成する。低温流れドロー３５は、プリント回路基板２５の上面及び底面をそれぞれカバー２７及び側壁２３で気密封止する。テフロン系プリント回路基板を加圧した接続部との組合せで使用することにより、このように気密封止を獲得することができ、したがって密封リング２６の使用が不要になる。ＰＦＴＥを使用する代わりに、原則的に他のプリント回路基板積層品を適用して、カバー／プリント回路基板の境界面とプリント回路基板／側壁の境界面との間に低温流れシールを形成することもできる。実施形態では、Ｏリングを適用して、プリント回路基板２５の第一区間でシールを獲得し、プリント回路基板２５の第二区間は、プリント回路基板積層品の低温流れ特性を使用して密封できることが分かる。
【００３８】
[0045]  カバー２７及び／又はハウジング４の側壁２３は、対応する低温流れドロー３５を受ける窪み３６を備えてよい。さらに、原則的にはハウジングの側壁２３に対してカバーを押し込み、カバー２７及び側壁２３それぞれの対応する接触部分に溝などの窪み３６を選択的に配置することにより、複数の気密封止部を実現することができる。また、ハウジング４は、プリント回路基板２５が押し込まれすぎた場合に、プリント回路基板に加えられた力を相殺する、つまり予め規定された変形を越えた場合に、力を相殺するために、硬質の止め部（図示せず）を備えることができる。
【００３９】
[0046]  実施形態では、制御装置５又はそのコンポーネントをプリント回路基板２５、６ａに装着し、それによって密封ハウジング４を提供するために使用するコンポーネントの数を減少させることができる。しかし、制御装置又はそのコンポーネントは、密封ハウジング４内に収容されている別個のプリント回路基板に装着することもできる。
【００４０】
[0047]  本発明の実施形態による真空チャンバ１は、単にリソグラフィ装置の用途ばかりでなく、解析システムなどの他のデバイスにも適切である。これについては、真空チャンバ内に収容されたアクチュエータを制御する制御装置が配置されている。
【００４１】
[0048]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００４２】
[0049]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００４３】
[0050]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００４４】
[0051]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【００４５】
[0052]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００４６】
[0053]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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