(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に可変容量ダイオードを製造する方法であって、
前記半導体基板の表面に第１導電型エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に第１ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させて第１導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して第１熱酸化膜を形成した後、第１熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層及び第１熱酸化膜の表面に第２ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層に第２導電型不純物をイオン注入する工程と、
前記第２ポリシリコン層を熱酸化して前記第２導電型不純物を拡散させて前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅い第２導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層を熱酸化して第２熱酸化膜を形成した後、第２熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層の表面に第１電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第２電極を形成する工程と、
を含む可変容量ダイオードの製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に可変容量ダイオードを製造する方法であって、
前記半導体基板の表面に第１導電型エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に第１ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させて第１導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して第１熱酸化膜を形成した後、第１熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層及び第１熱酸化膜表面に第２ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層に第２導電型不純物をイオン注入する工程と、
前記第２ポリシリコン層表面に第１電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第２電極を形成する工程と、
を含み、
前記第２導電型不純物が注入された前記第２ポリシリコン層は、前記第２導電型不純物をイオン注入する工程の後のいずれかの工程によって前記第２導電型不純物を拡散されて前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅い第２導電型不純物拡散層が形成される、可変容量ダイオードの製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に形成される可変容量ダイオードであって、
前記半導体基板の表面に形成された第１導電型エピタキシャル層と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に形成された第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層に形成された第１導電型不純物拡散領域と、
前記第１導電型不純物拡散領域上に形成された第２ポリシリコン層に第２導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第２ポリシリコン層を熱酸化して前記第２導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層の表面に前記第１導電型不純物拡散領域に重なるように、前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅く形成された第２導電型不純物拡散領域と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する第１開口部を有し、前記第１ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第１ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第１開口部内に位置する前記第２導電型不純物拡散領域を露出する第２開口部を有し、前記第２ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第２ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第２導電型不純物拡散領域及び前記第２ポリシリコン酸化膜の表面に形成される第１電極と、
前記半導体基板の裏面に形成される第２電極と、
を備える可変容量ダイオード。
【請求項４】
半導体基板上に形成される可変容量ダイオードであって、
前記半導体基板の表面に形成された第１導電型エピタキシャル層と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に形成された第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層に形成された第１導電型不純物拡散領域と、
前記第１導電型不純物拡散領域上に形成された第２ポリシリコン層に第２導電型不純物を高濃度にイオン注入して、前記イオン注入後のいずれかの工程により前記第２導電型不純物を拡散されることによって、前記第１導電型不純物拡散領域に重なるように、前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅く形成された第２導電型不純物拡散領域と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する開口部を有し、前記第１ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第１ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する前記開口部を覆うように前記第１ポリシリコン熱酸化膜上に形成されている前記第２ポリシリコン層の表面上に形成される第１電極と、
前記半導体基板の裏面に形成される第２電極と、
を備える可変容量ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可変容量ダイオード、特に、高周波回路に用いられるディスクリートの可変容量ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
可変容量ダイオードは、逆バイアス電圧を印加したときのｐｎ接合の空乏層がコンデンサとして働くことを利用するダイオードである。可変容量ダイオードの空乏層の容量は、逆バイアスの大きさを変更することにより調節される。このような空乏層の容量の変化を利用して、可変容量ダイオードを同調・周波数逓倍・周波数変換・自動周波数制御などに利用している。
【０００３】
ディスクリートの可変容量ダイオードは、例えば、ｎ型半導体基板上にｎ型エピタキシャル層を形成し、ｎ型エピタキシャル層の表面に酸化膜を形成する。次に、酸化膜上からｎ型エピタキシャル層にｎ型不純物を高濃度にイオン注入し、その後アニールしてｎ+拡散層を形成する。ｎ+拡散層を形成した後、酸化膜上からｎ型エピタキシャル層にｐ型不純物を高濃度にイオン注入し、その後アニールしてｎ型エピタキシャル層の表面にｎ+拡散層と重なるようにｐ+拡散層を形成する。このようにｐｎ接合を形成した後、酸化膜をエッチングしてｐ+拡散層の一部を露出させ、ｐ+拡散層に電気的に接続されるようにアノード電極を形成する。そして最後に、ｎ型半導体基板の裏面にカソード電極を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
可変容量ダイオードの容量電圧変化率を高くするためには、ｐ型及びｎ型の不純物濃度の分布を急峻にする必要があり、また、高周波特性を向上させるには、ｐ型及びｎ型の不純物濃度を低くする必要がある。上述したような、酸化膜を介してｎ+拡散層を形成した後にｐ+拡散層を形成してｐｎ接合を形成する方法では、ｐ+拡散層を浅く形成することに限界があり、それに応じてｎ+拡散層も浅くすることができない。したがって、従来の製造方法では、ｐ+拡散層及びｎ+拡散層を深く形成する必要があり、不純物濃度を低くすること及び不純物濃度分布を急峻にすることに限界がある。その結果、可変容量ダイオードの容量電圧変化率及び高周波特性をこれ以上向上させることが困難である。
【０００５】
本発明の目的は、可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。
【０００６】
第１発明に係る可変容量ダイオードの製造方法は、半導体基板上に可変容量ダイオードを製造する方法であって、以下の工程を含んでいる。即ち、
前記半導体基板の表面に第１導電型エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に第１ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させて第１導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して第１熱酸化膜を形成した後、第１熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層及び第１熱酸化膜の表面に第２ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層に第２導電型不純物をイオン注入する工程と、
前記第２ポリシリコン層を熱酸化して前記第２導電型不純物を拡散させて前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅い第２導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層を熱酸化して第２熱酸化膜を形成した後、第２熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層の表面に第１電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第２電極を形成する工程と、
を含んでいる。
【０００７】
第１発明に係る可変容量ダイオードの製造方法では、第１ポリシリコン層上から第１導電型不純物を注入した後に熱処理をして、ｎ型エピタキシャル層表面に第１導電型不純物拡散領域を形成する。その後、第２ポリシリコン層上から第２導電型不純物を注入した後に熱処理をして、ｎ型エピタキシャル層表面に第１導電型不純物拡散領域に重なるように第２導電型不純物拡散領域を形成する。また第１及び第２ポリシリコン層は、それぞれ不純物が注入された後に熱酸化され、電極が形成される領域がエッチングにより取り除かれる。第１発明に係る可変容量ダイオードによれば、従来のように酸化膜を介して不純物を注入するのではなく、ポリシリコン層に不純物を注入した後に熱処理を施して不純物拡散領域を形成するので、第１導電型エピタキシャル層には不純物が深く侵入せず、ｐ型及びｎ型の不純物拡散領域を浅く形成できる。不純物拡散領域を浅く形成することができるので、不純物濃度を低減でき、不純物拡散領域の濃度分布を急峻にすることができる。また、不純物が注入されたポリシリコン層を熱酸化し、電極が形成される部分を取り除くので、電極からみた不純物拡散領域はさらに浅くなる。
【０００８】
第２発明に係る可変容量ダイオードの製造方法は、半導体基板上に可変容量ダイオードを製造する方法であって、以下の工程を含んでいる。即ち、
半導体基板上に可変容量ダイオードを製造する方法であって、
前記半導体基板の表面に第１導電型エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に第１ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させて第１導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記第１ポリシリコン層を熱酸化して第１熱酸化膜を形成した後、第１熱酸化膜の一部をエッチングして前記第１導電型エピタキシャル層を露出する工程と、
前記第１導電型エピタキシャル層及び第１熱酸化膜表面に第２ポリシリコン層を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン層に第２導電型不純物をイオン注入する工程と、
前記第２ポリシリコン層表面に第１電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第２電極を形成する工程と、
を含み、
前記第２導電型不純物が注入された前記第２ポリシリコン層は、前記第２導電型不純物をイオン注入する工程の後のいずれかの工程によって前記第２導電型不純物を拡散されて前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅い第２導電型不純物拡散層が形成される。
【０００９】
第２発明に係る可変容量ダイオードの製造方法では、第２ポリシリコン層をエッチングせずに、第２ポリシリコン層表面に第１電極を形成する。第１電極の下に第２ポリシリコン層を残すので、その分だけ第１発明の場合よりも不純物拡散領域が厚くなるが、この場合も、ポリシリコン層を形成した後に不純物を注入するので、従来より不純物拡散領域を浅く形成できる。これにより、不純物濃度を低減でき、不純物拡散領域の濃度分布を急峻にすることができる。
【００１０】
第３発明に係る可変容量ダイオードは、
前記半導体基板の表面に形成された第１導電型エピタキシャル層と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に形成された第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層に形成された第１導電型不純物拡散領域と、
前記第１導電型不純物拡散領域上に形成された第２ポリシリコン層に第２導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第２ポリシリコン層を熱酸化して前記第２導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層の表面に前記第１導電型不純物拡散領域に重なるように、前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅く形成された第２導電型不純物拡散領域と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する第１開口部を有し、前記第１ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第１ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第１開口部内に位置する前記第２導電型不純物拡散領域を露出する第２開口部を有し、前記第２ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第２ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第２導電型不純物拡散領域及び前記第２ポリシリコン酸化膜の表面に形成される第１電極と、
前記半導体基板の裏面に形成される第２電極と、
を備えている。
【００１１】
第３発明に係る可変容量ダイオードでは、ポリシリコン層上から不純物を注入して第１及び第２不純物拡散領域を形成する。そのため、不純物が第１導電型エピタキシャル層に深く入りこまず、第１及び第２不純物拡散領域を浅く形成することができる。これにより、不純物濃度を低減し、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。また、ポリシリコン層は、熱酸化され、電極が形成される部分が取り除かれるので、電極からみた不純物拡散領域はさらに浅い。
【００１２】
第４発明に係る可変容量ダイオードは、
前記半導体基板の表面に形成された第１導電型エピタキシャル層と、
前記第１導電型エピタキシャル層上に形成された第１ポリシリコン層に第１導電型不純物を高濃度にイオン注入して、かつ前記第１ポリシリコン層を熱酸化して前記第１導電型不純物を拡散させることによって、前記第１導電型エピタキシャル層に形成された第１導電型不純物拡散領域と、
前記第１導電型不純物拡散領域上に形成された第２ポリシリコン層に第２導電型不純物を高濃度にイオン注入して、前記イオン注入後のいずれかの工程により前記第２導電型不純物を拡散されることによって、前記第１導電型不純物拡散領域に重なるように、前記第１導電型不純物拡散層よりも広くかつ浅く形成された第２導電型不純物拡散領域と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する開口部を有し、前記第１ポリシリコン層を熱酸化することによって形成された第１ポリシリコン熱酸化膜と、
前記第２導電型不純物拡散領域を露出する前記開口部を覆うように前記第１ポリシリコン熱酸化膜上に形成されている前記第２ポリシリコン層の表面上に形成される第１電極と、
前記半導体基板の裏面に形成される第２電極と、
を備えている。
【００１３】
第４発明に係る可変容量ダイオードでは、ポリシリコン層上から不純物を注入することにより第１及び第２不純物拡散領域を形成する。そのため、不純物が第１導電型エピタキシャル層に深く入りこまず、第１及び第２不純物拡散領域を浅く形成することができる。この可変容量ダイオードは、第２発明において述べたと同様に、第１電極の下にポリシリコン層を残すので、その分だけ第３発明の場合よりも不純物拡散領域が厚くなるが、この場合も、ポリシリコン層を形成した後に不純物を注入するので、従来より不純物拡散領域を浅く形成することができる。これにより、不純物濃度を低減でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
〔構成〕
図１は、本発明の一実施形態例に係る可変容量ダイオードを示した断面構造図である。この可変容量ダイオードは、ｎ型半導体基板１と、ｎ型半導体基板１上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型エピタキシャル層２と、ｎ型エピタキシャル層２の所定領域にｎ型不純物が高濃度に注入されたｎ+拡散層３と、ｎ+拡散層３に重なるようにｎ型エピタキシャル層２の表面に形成されたｐ+拡散層４と、ｐ+拡散層４の所定領域に開口部を有するように形成された熱酸化膜５と、熱酸化膜５と同じパターンに開口部を有するように熱酸化膜５の表面に形成された第１ポリシリコン熱酸化膜６と、熱酸化膜５及び第１ポリシリコン熱酸化膜６の開口部を介してｐ+拡散層４及び第１ポリシリコン熱酸化膜６表面に形成され、ｐ+拡散層４の一部を露出するように形成される第２ポリシリコン熱酸化膜７と、露出されたｐ+拡散層４に電気的に接続されるようにＡｌＳｉにより形成される可変容量ダイオードのアノード電極８と、第２ポリシリコン熱酸化膜７及びアノード電極８の一部を覆うように形成される保護膜９と、ｎ型半導体基板１の裏面にＡｕ、Ａｇ等により形成される可変容量ダイオードのカソード電極１０とを備えている。
【００１５】
〔製造プロセス〕
図２から図７は、図１に示した可変容量ダイオードの製造プロセスを説明するための断面構成図である。以下、図２〜図７及び図１を参照して、本実施形態例の可変容量ダイオードの製造プロセスについて説明する。
【００１６】
まず、図２に示すように、１０19〜５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3のＡｓを含むｎ型半導体基板１にＳｉをエピタキシャル成長させ、ｎ型エピタキシャル層２を形成する。
【００１７】
次に、図３に示すように、ｎ型エピタキシャル層２の表面を熱酸化させて熱酸化膜５を形成し、フォトレジストパターンを形成後にエッチングすることによりｎ+拡散層３を形成すべき位置に開口部１１を形成する。
【００１８】
レジストを剥離した後、図４に示すように、ｎ型エピタキシャル層２及び熱酸化膜５の表面上にポリシリコンを積層して第１ポリシリコン層６’を形成する。次に、第１ポリシリコン層６’にＡｓを１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でイオン注入した後、第１ポリシリコン層６’を熱酸化することにより、Ａｓを拡散させて図５に示すようなｎ+拡散層３を形成する。ｎ+拡散層３を形成した後、第１ポリシリコン層６’を熱酸化することにより形成した第１ポリシリコン熱酸化膜６及び熱酸化膜５を、図５に示すように、同じパターンにエッチングする。
【００１９】
次に、図６に示すように、ｎ型エピタキシャル層２及び第１ポリシリコン熱酸化膜６の表面上にポリシリコンを積層し、第２ポリシリコン層７’を形成する。次に、第２ポリシリコン層７’にＢを１０19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度でイオン注入し、第２ポリシリコン層７’を熱酸化することにより、図７に示すように、ｎ型エピタキシャル層２の表面にｎ+拡散層３よりも広いｐ+拡散層４を形成する。ｐ+拡散層４を形成した後、第２ポリシリコン層７’が熱酸化されて形成された第２ポリシリコン熱酸化膜７をエッチングして、アノード電極８を形成するべき領域に開口部１２を形成し、ｐ+拡散層４の表面を露出させる。
【００２０】
その後、第２ポリシリコン熱酸化膜７の表面上及び開口部１２を介してｐ+拡散層４の表面上に、ＡｌＳｉのターゲットを用いてＡｌＳｉをスパッタリングにより堆積させる。その後ＡｌＳｉ上にフォトレジストパターンを形成してＡｌＳｉをエッチングすることにより、図１に示すようにＰ+拡散層４の上部のみアノード電極８を形成する。その後、第２ポリシリコン酸化膜７及びアノード電極８上にＣＶＤによりＳｉ3Ｎ4などの保護膜９を形成する。保護膜９上にフォトレジストパターンを形成後、保護膜９をエッチングすることにより、アノード電極８の一部を露出する。最後にｎ型半導体基板１の裏面を研磨後、ＡｕやＡｇを蒸着させてカソード電極１０を形成する。
【００２１】
図８は、従来の可変容量ダイオードと本発明の可変容量ダイオードのｐｎ接合の不純物濃度の分布を示す模式図である。縦軸は不純物濃度であり、横軸はｎ型エピタキシャル層２の表面からの深さｘｊである。図８（ａ）は、従来の可変容量ダイオードの場合であり、ｎ型エピタキシャル層の表面上に酸化膜を形成後、この酸化膜を介して不純物をイオン注入した場合の不純物濃度の分布を示している。一方、図８（ｂ）は、本実施形態例による可変容量ダイオードの場合であり、上述したように、ｎ型エピタキシャル層２上のポリシリコン層６’，７’を介して不純物をイオン注入した場合の不純物濃度を示している。
【００２２】
従来の酸化膜を介してイオンを注入する方法によれば、同図（ａ）に示すように、ｐ+拡散層を１μｍより浅く形成することができない。そのため、ｎ+拡散層３も、予め２μｍの深さに形成している。一方、本実施形態例のようにポリシリコン層６’，７’を形成した後に不純物をイオン注入する方法によれば、不純物がｎ型エピタキシャル層２に深く侵入せず、ｐ+拡散層４を０．５μｍ、すなわち従来の半分の厚さに形成できる。そのため、ｎ+拡散層３も従来の半分程度の深さである１μｍに形成されている。ｐ+拡散層４及びｎ+拡散層３を浅く形成できるので、ｐ型及びｎ型両方の不純物濃度を低減することができ、ｐ型及びｎ型両方の不純物濃度の分布を急峻にすることができる。また、不純物が注入されたポリシリコン層６’，７’を熱酸化し、電極が形成される部分を取り除くので、電極からみたｎ+拡散層３及びｐ+拡散層４はさらに浅くなる。
【００２３】
このようにｐｎ接合を浅く形成でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができるので、本実施形態例の可変容量ダイオードでは、図９に示すように、逆バイアス電圧に対する空乏層容量の変化の比（電圧容量変化率）を大きくすることができる。
【００２４】
本実施形態例によれば、不純物拡散層を浅く形成できるので、ｎ型エピタキシャル層２を薄くすることができ、アノード電極８とカソード電極１０との間の直列抵抗を低くすることができる。また、ｐ型及びｎ型の不純物濃度を下げることができ、キャリアの移動が速くなり、可変容量ダイオードの高周波特性を改善することができる。
【００２５】
〔他の実施形態例〕
上記実施形態例では、図７に示すように、第２ポリシリコン層７’を熱酸化して第２ポリシリコン熱酸化膜７を形成し、その後第２ポリシリコン熱酸化膜７の一部をエッチングして開口部１２を形成したが、熱酸化せずに図１０に示すように第２ポリシリコン層７’の表面にアノード電極８を形成してもよい。この場合、第２ポリシリコン層７’もｐ+拡散層として残るが、第２ポリシリコン層７’とｐ+拡散層４とを合わせた深さは、従来のｐ+拡散層よりも浅くなる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、第１導電型エピタキシャル層の表面上にポリシリコン層を形成した後に、ポリシリコン層に不純物をイオン注入するので、不純物拡散領域を浅く形成することができる。これにより、不純物濃度を低減でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。この結果、可変容量ダイオードの電圧容量変化率及び高周波特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態例に係る可変容量ダイオードを示した断面構造図。
【図２】その製造工程を説明する図（その１）。
【図３】その製造工程を説明する図（その２）。
【図４】その製造工程を説明する図（その３）。
【図５】その製造工程を説明する図（その４）。
【図６】その製造工程を説明する図（その５）。
【図７】その製造工程を説明する図（その６）。
【図８】不純物拡散領域の深さと濃度分布を示す模式図。
【図９】電圧容量変化率を示す模式図。
【図１０】他の実施形態例に係る可変容量ダイオードを示した断面構造図。
【符号の説明】
１          ｎ型半導体基板
２          ｎ型エピタキシャル層
３          ｎ+拡散層
４          ｐ+拡散層
５          熱酸化膜
６’        第１ポリシリコン層
６          第１ポリシリコン熱酸化膜
７’        第２ポリシリコン層
７          第２ポリシリコン熱酸化膜
８          アノード電極
９          保護膜
１０        カソード電極
１１，１２  開口部
【図１】
0005072146.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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