(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
６００Å〜１０００Åの厚みとした第一層薄膜を、幅をＤ１とし、長尺方向に連続的に、光線透過率による幅方向、長さ方向の膜厚を管理制御しつつこれを成膜し、第１積層体を積層し、
次いで、第１積層体上に、６００Å〜１０００Åの厚みとした第二層薄膜を、幅をＤ２とし、前記同様にして、長尺方向に連続的に成膜し、第２積層体を積層し、
このときＤ１＜Ｄ２とし、前記基材（Ａ）の幅方向の両側端に第二層薄膜しか積層されていない非積層部（Ｓｍ）を設け、また第一層薄膜上に第二層薄膜が積層された箇所を積層蒸着部（Ｖ）とし、
非積層蒸着部（Ｓｍ）に蒸着される薄膜の光線透過率を測定し制御することで、積層蒸着部（Ｖ）膜厚を間接的に測定し制御し、
次いで、結果的にこの方法を繰り返すことで均一膜厚さで、膜厚が１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体を製造すること、
を特徴とする、特定厚みの蒸着膜を得る方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子フイルムからなる基材の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜と虹彩層やホログラム層等の装飾性薄膜を積層した偽造防止等に使用できるセンサーや電磁遮蔽包装材や装飾材やインキ等の表記材料等に使用できるところの薄膜積層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、透明ポリエステルフイルム等の透明フイルム基材上に、アルミニウム等の金属薄膜を蒸着等で積層した薄膜積層体は、包装材、装飾材等としてよく知られている。
これらの金属薄膜等である薄膜の実質的な厚さは、高々１０００Åであり、またこれらの技術を開示した特許公報等には、２０００Å等の厚さも開示されているが、偽造防止や包装材や装飾材などにおいては、１０００Å以上の膜厚さを必要とする場合は殆どないものであり、蒸着によってこれらの金属薄膜を１０００Å以上均一厚さに膜形成することが困難であり、それらの２０００Å等の厚さが幅方向において如何なる均一さを有しているかは開示されていないのものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、金属に代表される薄膜を１２００Å以上１μｍ以下の膜厚さでフイルム上に蒸着形成するときに、一般的に使用される透過光率制御方式で製造する場合に幅方向は勿論、長さ方向においても不均一な膜厚さの積層体しか製造することができないことを、改良すべき検討を行い、簡便な製造方法で積層体として膜厚さが均質な、良品質のものでかつ装飾性にも優れた薄膜積層体となることを見出し、提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）に、蒸着によって形成された膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄膜（Ｃ）とを積層したことを特徴とする薄膜積層体であり、また前記の薄膜積層体をスリットして得られるスリット糸であり、さらにまた前記の薄膜積層体から得られる細断体または箔粉である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明における、高分子フイルムからなる基材（Ａ）としては、磁性薄膜（Ｂ）を形成することのできるものであれば特に限定されるものではないが、好ましい例としては、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリアミドフイルム、ポリオレフィンフイルム、フッ素含有樹脂フイルム、ポリアクリル系フイルム、ポリカーボネートフイルム等が挙げられる、その中でも透明性、耐熱性、強度や伸度等の機械的性質などから、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレンナフタレートフイルム等のポリエステルフイルム、ナイロン６フイルムやナイロン６６フイルムや芳香族基含有ポリアミドフイルム等のポリアミドフイルム、ポリプロピレンフイルムやポリエチレンフイルム等のポリオレフィンフイルム、ポリイミドフイルム、ポリフェニレンスルフィッドフイルム等から選ばれた一種以上のフイルムが特に好ましいものであり、これらが多層押し出し、積層等の形態をとってもよいものである。
また、これらのフイルムは、その形成に際しフイルムの加工性、耐候性、滑り性、難燃性、抗菌性や帯電性などの電気的性質を改良するために、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、充填剤、帯電防止剤、難燃剤、抗菌剤、染料等の色材等を添加せしめてもよく、これらの添加剤を他樹脂等に含有せしめてフイルム表面に塗布せしめてもよいものであり、また予め虹彩層やホログラム加工層を設けたものでもよい。
【０００６】
また、前記フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成するにあたり、予め低温プラズマ処理、コロナ処理、グロー放電処理、前洗浄等の表面清浄化処理等の前処理を施してもよく、磁性薄膜（Ｂ）と基材フイルムとの密着性などを向上せしめるために、該基材フイルムの表面に、アンカーコート層、プライマーコート層等を形成せしめてもよいものである。
これらのフイルムの厚さとしては６〜３００μｍ程度であり好ましくは１０〜２００μｍである。
【０００７】
本発明における、磁性薄膜（Ｂ）としては、蒸着やスパッタリング等の蒸着によって形成せしめるものであり、その材料は蒸着やスパッタリングで薄膜として形成可能であって、１０００Åの厚さで光線透過率が１％以下となる材料、さらに限定的には１０００Åの厚さで光線（波長５５０ｎｍ）透過率が０．１％以下となる材料であって、磁性や導電性等の特殊機能を有するものであれば限定されるものではない。この磁性薄膜（Ｂ）材料としては、好ましくは蒸着やスパッタリング等によって形成可能な金属やその化合物であり、ニッケル等のように１２００Å以上の厚みとその磁性特性の発現のように、機能特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、特定気体遮断性等）が１２００Å以上の厚みで発現するような金属やその化合物である。
磁性薄膜（Ｂ）としては、具体例として例えば、ニッケル、鉄、コバルト、ガドリウム、テルビウム、クロム等の金属およびこれらの合金や混合物等、または前記金属の酸化物、ハロゲン化物等の化合物、これらの一種以上からなるものの薄膜が挙げられる。
これらの磁性薄膜（Ｂ）の厚さは１２００Å〜１μｍが好ましく、さらに好ましくは１２００Å〜４０００Åである。１２００Åに満たない場合は、機能特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、特定気体遮断性等）が発現し難く、特に他フイルムとの積層や貼合、保護層の形成等から実際使用時の性能発現が困難であり、１μｍを超える場合は高分子フイルムからなる基材フイルム（Ａ）が皺やたるみを生じるなど生産上も問題が発生し易く、経済的にも不利となり、蒸着に依らない方法で作成可能な場合が多い。
【０００８】
本発明においては磁性薄膜（Ｂ）を高分子フイルムからなる基材フイルム（Ａ）に形成し、さらに該磁性薄膜（Ｂ）上に別の透明なプラスチック薄膜を積層することで磁性薄膜（Ｂ）の保護が達成できる。この別の透明なプラスチック薄膜を積層するには、透明プラスチックフイルムを積層するか、透明プラスチック材料を塗布乾燥するなどの方法が採用できる。この別の透明なプラスチック薄膜としては、特に限定されないが、例えばポリエチレンやエチレン系共重合体、ポリプロピレンやポリプロピレン系共重合体、ポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニル系共重合体、ポリ塩化ビニリデンやポリ塩化ビニリデン系共重合体、ポリビニルアルコールやポリビニルアルコール系共重合体、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンテレフタレート系共重合体、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素含有樹脂、シリコン樹脂等のフイルムやこれら樹脂を主成分とするコーテイング剤からなるものが挙げられ、またこれらフイルムにホログラム加工したり虹彩層を設けたり公知の低屈折率層や高屈折率層を設けたりしたものが好ましい例として挙げられる。
【０００９】
本発明の、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体において、該積層体の幅（横方向）、長さ（縦方向）が共に２０ｃｍ以上の寸法を有し、幅方向における膜厚さ分布が、所定幅位置での所定等間隔における測定値をｄｊ（ｊ＝１，２，３，４…ｎ、８≦ｎ≦２０）とし、その単純平均値をｄavとし、標準偏差をσとしたとき、（σ／ｄav）≦０．１を満足することがより好ましいものであり、該薄膜積層体を製造するには、例えば、幅が２０ｃｍ以上の長さが３０ｍ以上の長尺高分子フイルムからなる基材（Ａ）を用い、該フイルムを真空蒸着装置内に装填し、薄膜材料を蒸着源として下記する方法で蒸着することで形成し得ることが判った。
【００１０】
この蒸着による磁性薄膜（Ｂ）の積層方法は以下の通りである。
（１）  ６００Å〜１０００Åの厚みとした第一層薄膜を、幅をＤ１とし、長尺方向に連続的に、光線透過率による幅方向、長さ方向の膜厚を管理制御しつつこれを成膜し、第１積層体を積層する。
（２）  次いで、第１積層体上に、６００Å〜１０００Åの厚みとした第二層薄膜を、幅をＤ２とし、前記同様にして、長尺方向に連続的に成膜し、第２積層体を積層する。
（３）  このときＤ１＜Ｄ２とし、前記基材（Ａ）の幅方向の両側端に少なくとも２箇所の第二層薄膜しか積層されていない非積層部（Ｓｍ）を設ける。また第一層薄膜上に第二層薄膜が積層された箇所を積層蒸着部（Ｖ）とする。
（４）  第２積層体の積層時には幅Ｄ１で積層蒸着部（Ｖ）が形成されるが、同時に非積層蒸着部（Ｓｍ）にも第２積層体が蒸着一定膜厚さで蒸着されることに着目して、非積層蒸着部（Ｓｍ）に蒸着される薄膜の光線透過率を測定し制御することで、積層蒸着部（Ｖ）膜厚を間接的に測定し制御する。
（５）  結果的にこの方法を繰り返すことで均一膜厚さで、膜厚が１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体を製造する。
【００１１】
本発明における、（σ／ｄav）≦０．１はより好ましくは（σ／ｄav）≦０．０８でありさらに好ましくは（σ／ｄav）≦０．０５である。この値（σ／ｄav）が０．１を超える場合は、薄膜積層体は、断裁して所定面積の平面体、細断体または基材フイルムを剥がすか剥がさずして粉砕した箔粉やスリットして糸状体として使用する場合が多くその際、個々の平面体、糸状体間の性能のばらつきが大きすぎて、多数のそれらの中での性能として合格するものの割合が極端に落ちこむことや、平面体や基材フイルムを剥がすか剥がさずして粉砕した箔粉や糸状体の切断部の外観むらの発生多発、断裁、スリットの工程で切断むらや糸状体自体の切断が発生し易く、生産効率においても大きな問題を生じることが極端に急増大する。
【００１２】
本発明の薄膜積層体における、薄膜の膜厚さの測定は、段差法、蛍光Ｘ線測定法、膜厚さと機能導電性や磁性との検量線法等公知のいずれの方法でもよい。
得られた不透明薄膜積層体はそのままの長尺体で、また断裁して所定面積の平面体、またはスリットして糸状体等の形で、または、他の基材の上に貼り合せたり、他材で挟持したりして使用してもよい。
本発明における装飾性薄膜（Ｃ）としては単独でまたは磁性薄膜（Ｂ）との光学的相互作用で光干渉効果等により虹彩色等を呈するものであり、例えば染料や顔料で着色された着色層、ホログラム加工層、虹彩層、または磁性薄膜に対して低屈折率である低屈折率層、磁性薄膜に対して高屈折率である高屈折率層が挙げられ、これらの層の単独または組み合わせによる使用が可能である。
本発明の薄膜積層体は、ホログラム加工等予め装飾性薄膜（Ｃ）を施したフイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成してもよく、未加工フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成し、ホログラム加工等装飾性薄膜（Ｃ）を設けたフイルムを貼り合わせてもよく、また未加工フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成した後ホログラム加工等装飾性薄膜（Ｃ）を形成してもよく、その形成過程に限定されるものではなく、高分子フイルムからなる基材（Ａ）の少なくとも片面に、蒸着積層された膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄膜（Ｃ）とを積層した薄膜積層体であればよい。
上記形成方法によって形成される本発明の層構成は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）、磁性薄膜（Ｂ）、装飾性薄膜（Ｃ）とこれらの層以外に必要に応じて公知の離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせることや挿入することも何ら本発明の主旨を損なわないものであれば差しつかえないものであり、層構成としては、例えばＡ／Ｂ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ、Ａ／Ｃ／Ｂ／Ｃ、Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ等が挙げられ、これらに前記の離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせることや挿入をしてもよいものである。
以下に実施例を挙げて説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００１３】
【実施例】
＊実施例１
厚さ１６μｍ、幅７４０ｍｍ、長さ１０００ｍの透明ポリエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜（Ｂ）形成用フイルム（Ａ−１）として採用した。
この基材フイルムとしての（Ａ−１）フイルム上に、フイルムを真空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式で、ニッケル金属の薄膜を幅６００ｍｍ（Ｄ1）になるようにマスキングして、厚さ９００Åで形成し積層体１を得た。得られた積層体を前記と同様にして、ニッケル金属の薄膜を、幅７００ｍｍ（Ｄ2；中心部位は同一にして）で積層体１のニッケル薄膜上に厚さ１１００Åで形成し積層体２を得た。この積層体１を得る時すなわち１回目の蒸着時には幅方向の中心部で光線透過率を測定して、光線透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め得られた検量線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚さとなるように制御して、ニッケル不透明薄膜を長さ方向に連続的に形成した。ついで積層体２すなわち２回目の蒸着時には、両端の１回目非積層蒸着部の両方で光線透過率を測定して、光線透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め得られた検量線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚さとなるように制御して、ニッケル不透明薄膜を幅７００ｍｍで長さ方向に連続的に形成した。
得られた積層体２を幅方向の両端７０ｍｍずつ切り取り長さ方向の両端５ｍずつ切り取り、幅６００ｍｍの、長さ９９０ｍの長尺薄膜積層体（積層体３）を得た。
この得られた長尺薄膜積層体（積層体３）の一定位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は１８２０Åであり、標準偏差をσは５８Åであり、（σ／ｄav）は０．０３２であった。
また、前記一定位置から長さ方向に１００ｍはなれた位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2は１８３０Åであり、ｄav1／ｄav2は０．９９５であった。
この積層体３のニッケル不透明薄膜上に低屈折率層としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さで形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積層体４を得た。積層体４は見る方向で緑、青、紫の色合いが変化する美麗で、磁性に優れたものであった。
この本発明の薄膜積層体４をスリットして幅２ｍｍの糸状体を得て、その導電性を測定したがいずれの糸状体においても、導電性は所定範囲内に入り、薄膜積層体および糸状体は共に均質性に優れた導電性を示すものであった。
【００１４】
＊比較例１
厚さ２５μｍ、幅７４０ｍｍ、長さ１０００ｍの透明ポリポリエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜（Ｂ）形成用フイルムとして採用した（Ａ’−１）。
この基材フイルムとしての（Ａ’−１）フイルム上に、フイルムを真空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式で、ニッケル金属の薄膜を、厚さ９００Åで形成し積層体１’を得た。この得られた長尺薄膜積層体（積層体１’）の一定位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は８９０Åであり、標準偏差をσは２０Åであり、（σ／ｄav）は０．０２２であった。
また、前記一定位置から長さ方向に１００ｍはなれた位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2は８９０Åであり、ｄav1／ｄav2は１．０であった。後この長尺薄膜積層体（積層体１’）のニッケル不透明薄膜上に低屈折率層としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さで形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積層体２’を得た。積層体２’は見る方向で緑、青、紫の色合いが変化する美麗であったが、磁性、導電性において不充分であり、この積層体２’をスリットして幅２ｍｍの糸状体を得て、その導電性を測定したが個々の糸状体において、磁性、導電性均一性において優れたものであったが、その絶対値が劣る糸状体であった。
【００１５】
【発明の効果】
工業的に製造し得る、長尺であって磁性薄膜が所定膜厚さである薄膜積層体において、特定製造法を採用することで、均質な膜厚さの不透明薄膜積層体を得られることを見出した。
該均質な所定膜厚さの磁性薄膜を有し、かつ装飾性薄膜をも有する薄膜積層体は、スリットしたり、裁断して使用するとき個々の糸状体内や平面体内は勿論、各糸状体間や平面体間での膜厚さが均質でありそのため得られる機能性例えば導電性や磁性特性が均質なものでかつ美麗なものとなり工業的に極めて有意である。