(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨面から分離された金属原子又はそのイオンを含む水不溶性化合物を水溶化する水溶化成分であるアンモニアを含有するとともに、上記金属原子又はそのイオンと水可溶性錯体を形成する水可溶性錯体形成成分であるアミノ酸を更に含有し、ｐＨが９以上であることを特徴とする研磨パッド洗浄用組成物。
【請求項２】
上記アミノ酸がグリシンである請求項１記載の研磨パッド洗浄用組成物。
【請求項３】
上記金属が銅、アルミニウム及びタングステンのうちの少なくともいずれかである請求項１又は２に記載の研磨パッド洗浄用組成物。
【請求項４】
本研磨パッド洗浄用組成物全体を１００質量％とした場合に、上記水溶化成分は０．０１〜２０質量％である請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の研磨パッド洗浄用組成物。
【請求項５】
本研磨パッド洗浄用組成物全体を１００質量％とした場合に、上記水可溶性錯体形成成分は０．０１〜２５質量％である請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の研磨パッド洗浄用組成物。
【請求項６】
被研磨面から分離された金属原子又はそのイオンを含む水不溶性化合物が付着した研磨パッドの洗浄方法であって、上記研磨パッドを請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の研磨パッド洗浄用組成物と接触させることを特徴とする研磨パッド洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッド洗浄方法に関する。更に詳しくは、研磨時に水不溶性化合物が形成される研磨に使用される研磨パッドに生じる目詰まりを研磨パッドの消耗を抑制して効率よく回復できる研磨パッド洗浄用組成物及びこのような研磨パッド洗浄用組成物を用いた研磨パッド洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ等の研磨に用いられる化学的機械的研磨（以下、単に「ＣＭＰ」という）では、研磨パッドと被研磨面との界面に砥粒等を含有させたスラリー（水系分散体）を供給して研磨を行う。この時、研磨パッドとして発泡ポリウレタン等の多孔質体が用いられるが、研磨屑等で次第に目詰まりし、研磨速度が低下する。このため、研磨パッドの表面をＣＭＰに適した状態に回復し、研磨面を更新するドレッシングと称される工程が行われる。このドレッシングはダイヤモンド粉末等が付着された研磨体（ドレッサー）を研磨パッド表面で摺動させて行う。このドレッシングには、ｉｎ  ｓｉｔｕドレッシングと称される方法と、インターバルドレッシングと称される方法が知られている。前者は研磨を行いながら研磨パッド上の研磨を行っていない領域をドレッシングする方法であり、後者は研磨を行うのを停止してドレッシングのみを行う方法を表す。
【０００３】
今日のＣＭＰでは、ｉｎ  ｓｉｔｕドレッシングは必要に応じて行われているが、インターバルドレッシングは、通常、必須である。この時、インターバルドレッシングは被研磨体を一枚研磨する毎に５〜３０秒程度行っている。このため、製品の歩留まり向上には一定の限界があった。更に、インターバルドレッシングでは、物理的な目立てのみが行われるか又は冷却用水を供給して目立てが行われる。しかし、化学的な効果を併用させようととする試みはあまりされていない。
近年、インターバルドレッシングの際にアニオン性の界面活性剤を含有する洗浄剤組成物を用いる技術が特開２０００−３０９７９６号公報に開示された。しかし、このような洗浄剤組成物は被研磨面の種類、および研磨に使用されたスラリー等に関係なく広く用いることができる一方、半導体ウエハを構成する成分、スラリーに含有される成分等によっては、必ずしも最適な洗浄剤組成物であるとはいい難い。
【０００４】
また、ＣＭＰに用いられるスラリーとして、特開平８−８３７８０号公報、特開平１０−１１６８０４号公報、特開平１１−１１６９４８号公報及び特開２００１−１１０７５９号公報等に開示されるように、被研磨面を構成する金属がスラリーにより過度に浸食されることを防止する目的や、一度研磨された金属が被研磨面に再付着することを防止する目的等で、スラリーに被研磨面から分離された金属原子又はそのイオンからなる水に不溶の化合物を形成する成分を含有させたスラリーが用いられることが提案されている。
【０００５】
このようなスラリーを用いたＣＭＰで使用された研磨パッドの目詰まりを解消するのは従来のインターバルドレッシング又はｉｎ  ｓｉｔｕドレッシングのような機械的処理だけでは困難であり、インターバルドレッシングに従来より長い時間を要することとなる。そのため、製品の歩留まり向上がさらに困難となるばかりでなく、ドレッシングを長く行うとそれだけ研磨パッドの消耗も激しく好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題を解決するものであり、水不溶性化合物が形成される研磨に用いられた研磨パッドを洗浄でき、研磨速度を回復させることができ、更には研磨パッドの消耗を抑制できる研磨パッド洗浄用組成物、及び、このような研磨パッド洗浄用組成物を用いて効率よく洗浄を行うことができ、生産性を向上させることができ、更には研磨パッドの消耗を抑制できる研磨パッド洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物は、被研磨面から分離された金属原子又はそのイオンを含む水不溶性化合物を水溶化する水溶化成分であるアンモニアを含有するとともに、上記金属原子又はそのイオンと水可溶性錯体を形成する水可溶性錯体形成成分であるアミノ酸を更に含有し、ｐＨが９以上であることを特徴とする。
【０００８】
上記「金属」は、特に限定されず、例えば、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、チタン、インジウム及びスズ等を挙げることができる。これら金属は１種のみであっても、２種以上であってもよく、イオンにおいては価数も特に限定されない。本発明の研磨パッド洗浄用組成物を用いることは、上記金属のなかでも銅、アルミニウム、タングステン及びタンタルの少なくともいずれか１種である場合に特に効果的である。
【０００９】
また、金属原子又はそのイオンの分離元である上記「被研磨面」を構成する基材としては、例えば、金属の単体及び合金（銅−シリコン合金及び銅−アルミニウム合金等）などを挙げることができる。この被研磨面から分離される過程も特に限定されず、例えば、被研磨面からスラリーに含有される酸や酸化剤等によりイオン化されて分離されてもよく、また、スラリーに含有される後述する水不溶性化合物形成成分等と結合した後、研磨により分離されてもよい。
この被研磨面を支持する基体としては、特に限定されず種々を用いることができるが、例えば、半導体基板となる半導体ウエハ、ＬＣＤ用ガラス基板及びＴＦＴ用ガラス基板等を挙げることができる。
【００１０】
上記「水不溶性化合物」は、研磨中にスラリー等に溶解せずに、研磨パッドの研磨面に固形分として残留する化合物である。但し、十分に水に溶解させることはできないが僅かに溶解させることができる水難溶性化合物も含むものである。この水不溶性化合物の溶解度は特に限定はされないが、通常、ｐＨ１〜１２、温度１５〜５０℃の間のいずれかの条件下において１ｇ未満／水１００ｇである化合物をいう。特に、上記の金属が銅である場合にはｐＨ７〜１１、アルミニウムの場合にはｐＨ２〜６、タングステンの場合にはｐＨ２〜６、タンタルの場合にはｐＨ３〜１１において各々溶解度が１ｇ未満／水１００ｇとなり易い。また、この水不溶性化合物は１種であっても、２種以上であってもよい。
【００１１】
このような化合物を形成する水不溶性化合物形成成分としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシル基、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）、カルボキシル基、カルボニル基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等）、アミノ基（第１級アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基、ヒドロキシアミノ基、スルホアミノ基、ニトロアミノ基、ニトロソアミノ基等を含む）、イミノ基（オキシイミノ基、ヒドロキシイミノ基、スルホイミノ基、ニトロイミノ基、ニトロソイミノ基等を含む）、シアノ基、シアナト基、ニトリル基、ノトロソ基、ニトリロ基、スルホ基、スルホニル基、スルフィノ基、スルホン酸基、メルカプト基、カルバモイル基等（水系媒体中におけるこれらのイオンを含む）のＮ、Ｏ及びＳを有する官能基を備える化合物を挙げることができる。更に、これらの官能基を備える芳香族化合物や、複素環化合物や、複素縮合環化合物（特に、複素五員環を備える縮合環化合物や複素六員環を備える縮合環化合物）を挙げることができる。
【００１２】
水不溶性化合物形成成分の具体例としては、例えば、ピラジン、ピリジン、ピロール、ピリダジン、ヒスチジン、チオフェン、トリアゾール、トリルトリアゾール、インドール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾフラン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、ベンゾキノン、ベンゾキノリン、ベンゾピラン、ベンゾオキサジン及びメラミン等の誘導体化合物（特に上記挙げた官能基を有する誘導体化合物）、サリチルアルドキシム、クペロン、ホスホン酸類等を挙げることができる。
また、水不溶性化合物には、上記のような水不溶性化合物形成成分と銅との反応生成物のみではなく、研磨スラリー中に含有される酸化剤により酸化された酸化銅も含まれる。
【００１３】
上記「水溶化成分」は、上記水不溶性化合物を水溶化する成分である。この水溶化成分により、水不溶性化合物は研磨パッド表面への水の滴下又は研磨パッドの水への浸漬等により十分に水に溶解させることができることが好ましい。このような水溶化成分としては、アンモニア、水酸化カリウム及び水酸化第４級アンモニウム｛テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド、メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド、ジメチルジヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキサイド等｝（水系媒体中におけるこれらのイオンを含む）などを挙げることができるが、本発明ではアンモニアが用いられる。これら水溶化成分は１種のみを用いてもよく、また、２種以上を混合して用いてもよい。
また、これらの水溶化成分は、上記金属が銅、アルミニウム、タングステン及びタンタルの少なくとも１種である場合に効果的にこの化合物を水溶化させることができ、特に上記金属が銅である場合に好ましい。
【００１４】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物中に含有されるこの水溶化成分の量は、特に限定されないが、本発明の研磨パッド洗浄用組成物全体を１００質量％とした場合に、０．０１〜２０質量％（より好ましくは０．１〜１５質量％、更に好ましくは０．５〜１０質量％）であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の研磨パッド洗浄用組成物には、更に、金属原子又はそのイオンと水可溶性錯体を形成する水可溶性錯体形成成分を含有する。
上記「水可溶性錯体」とは、水に対して易溶性であり、十分に水に溶解させることができる錯体である。この水可溶性錯体の溶解度は、測定条件を同じにした水不溶性化合物の溶解度を上回るものであれば、特に限定されない。また、この水可溶性錯体は１種であっても、２種以上であってもよい。
【００１６】
上記「水可溶性錯体形成成分」は、金属イオンに配位して水可溶性錯体を形成する成分である。この水可溶性錯体形成成分は、通常、金属イオンに配位できる官能基を有する。この官能基はＮ、Ｏ及びＳのうちの少なくともいずれかを有することが好ましく、このような官能基としては、ヒドロキシル基、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基等）、カルボキシル基、カルボニル基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等）、アミノ基（第１級アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基、ヒドロキシアミノ基、スルホアミノ基、ニトロアミノ基、ニトロソアミノ基等を含む）、イミノ基（オキシイミノ基、ヒドロキシイミノ基、スルホイミノ基、ニトロイミノ基、ニトロソイミノ基等を含む）、シアノ基、シアナト基、ニトリル基、ノトロソ基、ニトリロ基、スルホ基、スルホニル基、スルフィノ基、スルホン酸基、メルカプト基、カルバモイル基等（水系媒体中におけるこれらのイオンを含む）を挙げることができる。
【００１７】
このような金属イオンに配位できる官能基は１つのみを有していてもよいが、２つ以上（通常６つ以下、好ましくは４つ以下）有することが好ましい。このような官能基を２つ以上有する水可溶性錯体形成成分としては、種々のものを挙げることができるが、中でも有機酸を用いることが好ましい。この有機酸としてはアミノ酸（グリシン等のアミノ酢酸、アラニン等のアミノプロピオン酸、システイン等のアミノメルカプトプロピオン酸、アミド硫酸など）、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、マロン酸、シュウ酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸等（水系媒体中におけるこれらのイオンを含む）を挙げることができるが、本発明ではアミノ酸が用いられる。これらは１種のみを用いても、２種以上を同時に用いてもよい。
【００１８】
このような水可溶性錯体形成成分は、被研磨体に上記金属として銅が含有される場合に、特に効果的に水可溶性銅錯体を形成することができる。特にアミノ酸が用いられ、更には、研磨速度を回復させる作用が高いためグリシンを用いることが好ましい。
【００１９】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物中に含有されるこの水可溶性錯体形成成分の量は、研磨パッド洗浄用組成物全体を１００質量％とした場合に、０．０１〜２５質量％（より好ましくは０．１〜２０質量％、更に好ましくは０．５〜１５質量％）であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の研磨パッド洗浄用組成物は、上記の水溶化成分及び水可溶性錯体形成成分等の溶媒として、通常、水系溶媒を含有する。その他、本発明の研磨パッド洗浄用組成物は、必要に応じて各種の添加剤を含有することができる。例えば、ｐＨ調整剤（有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基等）、界面活性剤（脂肪族アミン塩、脂肪族アンモニウム塩等のカチオン系界面活性剤や、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等のスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩などのアニオン系界面活性剤や、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のエーテル型、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル等のエーテルエステル型、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ソルビタンエステル等のエステル型などの非イオン系界面活性剤）等を挙げることができる。このような界面活性剤を適当量添加することにより、水不溶性化合物の除去効率を増大する効果があるばかりでなく、研磨中に発生する研磨屑や研磨スラリー中の砥粒残りの効率的な除去にも有効である。
【００２１】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物のｐＨは９以上である。研磨工程に使用された研磨スラリーのｐＨよりも高いｐＨを有することが好ましく、被研磨面を構成する金属がアルミニウム又はタングステンである場合には９以上、銅又はタンタルである場合には１１を超えるｐＨであることが更に好ましい。
【００２２】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物によると、上記の水不溶性化合物が形成されるＣＭＰに用いられる研磨パッドであっても、確実に研磨面の目詰まりを解消し、研磨速度を回復させることができる。この際、ドレッシングは行っても、行わなくてもよいが、ドレッシングを行った方がより確実に研磨面の再生を行うことができ好ましい。この際、本発明の研磨パッド洗浄用組成物を用いることで、ドレッシングによる研磨パッドの消耗を抑制でき、更には、生産性（スループット）を向上させることもできる。
【００２３】
本発明の研磨パッド洗浄方法は、被研磨面から分離された金属原子又はそのイオンを含む水不溶性化合物が付着した研磨パッドの洗浄方法であって、上記研磨パッドを請求項１乃至請求項５のうちのいずれか１項に記載の研磨パッド洗浄用組成物と接触させることを特徴とする。
【００２４】
本発明の洗浄方法において、研磨パッドに研磨パッド洗浄用組成物を接触させる方法は特に限定されず、種々の方法を用いることができる。例えば、研磨パッド洗浄用組成物を研磨パッド表面に滴下したり、高圧でスプレー噴射することができる。更に、研磨パッド自体を研磨パッド洗浄用組成物中に浸漬させてもよい。
【００２５】
また、研磨パッドと研磨パッド洗浄用組成物接触とを接触させる際には、接触だけさせてもよいが、同時にその他物理的な力を加えることもできる。即ち、上記のように滴下供給する場合には、半導体ウエハの代わりにベアウエハ（金属部を有さないウエハ）を用いてベアウエハを研磨パッドに摺動させてることができる。また、従来と同様にドレッサーを併用することもできる。更に、ブラシ等により研磨パッド表面を掃拭してもよい。また、浸漬接触させる場合には、高圧流を発生させて研磨パッド表面に当てることができる他、超音波を負荷することもできる。
【００２６】
本発明の洗浄方法を用い、本発明の研磨パッド洗浄用組成物を１００〜１０００ｃｃ／分の速度で供給し、更に、ドレッサーに負荷する荷重を３０〜２００Ｎとしてインターバルドレッシングを同時に行うことで、研磨を停止してから研磨パッドの洗浄を完了するまでの時間を１０秒〜５分とすることができる。また、本発明の洗浄方法によると、研磨パッドの消耗を大幅に抑制することが可能となり、また、所定時間内に研磨できる被研磨体の数を増やす、即ち、研磨生産性を向上させることができる。尚、本発明において対象となるような、水不溶性化合物により目詰まりした研磨パッドの研磨性能を、従来の機械的研磨であるインターバルドレッシングのみを用いて回復させると、通常、１０分以上を要する。従って、生産効率に問題があるばかりでなくパッドの寿命にも悪影響を及ぼし、実用に供せるものではない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を用いて本発明を更に詳しく説明する。
［１］スラリーの調製
（１）スラリーＳ1
全体を１００質量部（以下、単に「部」という）とした場合に、イオン交換水が９３．２部、水酸化カリウムが０．２部、キナルジン酸（水不溶性化合物形成成分）が０．５部、平均一次粒径１２ｎｍ、平均粒径２００ｎｍのコロイダルシリカが５．０部、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムが０．１部、過硫酸アンモニウムが１．０部となるように配合し、３時間攪拌してスラリーＳ1を得た。得られたスラリーＳ1のｐＨは７．２であった。
【００２８】
（２）スラリーＳ2
全体を１００部とした場合に、イオン交換水が９５．５部、アンモニアが０．１５部、キナルジン酸（水不溶性化合物形成成分）が０．５部、平均一次粒径３０ｎｍ、平均粒径２００ｎｍのコロイダルシリカが３．５部、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウムが０．１部、過酸化水素が０．３部となるように配合し、３時間攪拌してスラリーＳ2を得た。得られたスラリーＳ2のｐＨは７．６であった。
【００２９】
［２］研磨パッド洗浄用組成物の調製
研磨パッド洗浄用組成物Ａ〜Ｈ（Ａ〜Ｂ：本発明品、Ｃ〜Ｇ：参考品、Ｈ：比較品）
各研磨パッド洗浄用組成物全体を１００部とした場合に、表１に示す水溶化成分及び水可溶性錯体形成成分が表１に示す割合であり、残部がイオン交換水となるように配合し、３０分間攪拌して研磨パッド洗浄用組成物Ａ〜Ｆを得た。
また、研磨パッド洗浄用組成物全体を１００部とした場合に、表１に示す水溶化成分のみ、又は、水可溶性錯体形成成分のみを表１に示す割合で配合し、残部をイオン交換水として、３０分間攪拌し、研磨パッド洗浄用組成物Ｇ及びＨを得た。
【００３０】
【表１】
0004945857.tif 000002
【００３１】
［３］連続研磨における研磨速度について（参考例）
［１］で得られたスラリーＳ1を用い、膜厚が６０００Ａ以上であるブランケットＣｕウエハを被研磨体（被研磨面を構成する金属；銅）とし、ウエハ２５枚を連続して（即ち、研磨の間にドレッシングを行わない）研磨した。その際、ＣＭＰ装置（株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−１１２」）の定盤には多孔質ポリウレタン製の研磨パッド（ロデールニッタ社製、商品名ＩＣ１０００）を張り付けて使用した。また、スラリーＳ1の供給速度は毎分２００ｃｃ、ウエハキャリアの荷重は１０５ｈＰａ、テーブル回転数は１００ｒｐｍ、ヘッド回転数１０１ｒｐｍとして行った。更に、各ウエハは各々１分間の研磨を行った。
【００３２】
この研磨を行う間に各ウエハの研磨速度を算出し、その結果を図１に示した。尚、この際研磨速度は、下記式（１）により算出した。また、式（１）中における銅膜の厚さは、抵抗率測定機（ＮＰＳ社製、型式「Σ−１０」）により測定した抵抗値と銅膜の抵抗率（文献値）とから下記式（２）を用いて算出した。
研磨速度（Å／ｍｉｎ）＝（研磨前の銅膜の厚さ−研磨後の銅膜の厚さ）／研磨時間  ・・・・・（１）
銅膜の厚さ（Å）＝｛抵抗値（Ω／ｃｍ2）×銅膜の抵抗率（Ω／ｃｍ）｝×１０8・・・・・（２）
【００３３】
［４］研磨パッド洗浄用組成物の効果について
（１）ウエハの研磨
［３］と同様にして、スラリーＳ1又はスラリーＳ2を用い、膜厚が６０００Å以上であるブランケットＣｕウエハを被研磨体（被研磨面を構成する金属；銅）として、［３］におけると同様な研磨条件で２３枚のウエハを連続して研磨した。この研磨においては、１枚目のウエハの研磨速度（ＶF）と、２３枚目のウエハにおける研磨速度とを算出し、表２に示した。
【００３４】
【表２】
0004945857.tif 000003
【００３５】
（２）研磨パッドの洗浄及びドレッシング（実施例１〜４、参考例５〜１３、比較例１）
ついで、２４枚目のウエハの研磨を行う前に、ウエハキャリアにベアシリコンウエハを装着し、［２］で得られた各研磨パッド洗浄用組成物Ａ〜Ｇを各々毎分２００ｃｃの速度で供給し、テーブル回転数は７０ｒｐｍ、ウエハキャリアの荷重は３００ｈＰａ、ヘッド回転数は７０ｒｐｍとして研磨パッドの洗浄を２分間行った。この際に、研磨パッド上のウエハキャリアが存在しない領域において、外径が２７０ｍｍである＃１００のダイヤモンドドレッサーリングを、ドレッサー回転数２５ｒｐｍ、ドレッサー荷重１００ｈＰａで研磨パッドに摺動させてインターバルドレッシングを行った。その後、直ちにイオン交換水を毎分６００ｃｃの速度で１分間供給して水洗を行った。
【００３６】
（３）研磨パッドの洗浄及びドレッシング（比較例）
スラリーとしてＳ1を用い、研磨パッド洗浄用組成物としてＨを用い、ドレッシングを行わないこと以外は、上記（２）と同様に、研磨パッドの洗浄及び水洗を行った。
【００３７】
（４）研磨パッドの洗浄による効果
上記の研磨パッドの洗浄を終えた研磨パッドを用いて、（１）と同様にして２４枚目のウエハの研磨を１分間行った。この２４枚目のウエハの研磨速度を算出し、表２に併記した。また、１枚目のウエハの研磨速度（ＶF）及び２４枚目のウエハの研磨速度（ＶL）よりＶL／ＶF×１００を回復率として算出し、表２に併記した。
【００３８】
［５］結果
［３］における図１の結果より、水不溶性化合物を形成するウエハの研磨においては、研磨枚数が１０枚程度では概ね初期の研磨速度（６５００Å／ｍｉｎ）を保持しているものの、１５枚程度までに次第に研磨速度が低下しはじめ、２０枚を超えると急激に研磨速度が低下（２５枚目では初期の研磨速度から約１０００Å／ｍｉｎ低下）してゆくことが分かる。
これに対して、［４］における表２の結果によると、［３］の結果では急激に研磨速度が低下しているウエハの研磨を２０枚以上連続して行った研磨パッドであっても、実施例１〜４に示すように本発明の研磨パッド洗浄用組成物を用いて洗浄を行うことで、ほぼ完全に初期の研磨速度まで回復（回復率９４．２％以上）させることができることが分かる。特に、実施例１及び２に示すように水溶化成分としてアンモニアを用い、且つ水可溶性錯体形成成分としてグリシンを用いた場合には回復率は９８％以上であり、優れた効果が得られることが分かる。これに対して、比較例１では回復率が８６．８％と実施例１〜４及び参考例５〜１３に比べて劣っていることが分かる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッドの洗浄方法によると、被研磨面から分離され、イオン化された金属のイオンからなる水不溶性化合物が形成される研磨に用いられた研磨パッドの目詰まりを解消し、研磨速度を回復させることができ、研磨パッドの消耗も抑制することができ、更には、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例で得られたウエハの研磨枚数と研磨速度との相関を示すグラフである。
【図１】
0004945857.tif 000004