(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極を有する光透過性の第１の回路形成体と、
上記それぞれの第１の電極に対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、
上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域と当該対向領域の縁部に隣接する外側領域とに一体的に配置されて両者を接合する絶縁性接着剤樹脂と、
を備え、
上記外側領域に位置する上記絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域に、上記絶縁性接着剤樹脂中の接着成分より分子量の小さい低分子成分に対して低分子成分残渣除去処理が施されている、電極接合構造体。
【請求項２】
上記低分子成分除去残渣処理が、上記対向領域の縁部に位置する上記絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域にも施されている、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項３】
前記低分子成分は、分子量１００以下である、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項４】
前記低分子成分は、上記絶縁性接着剤樹脂の分子量の１／３０以下である、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項５】
さらに、上記絶縁性接着剤樹脂中に分散され、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子を備える、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項６】
複数の第１の電極を有する光透過性の第１の回路形成体と、上記それぞれの第１の電極に対向配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体とを絶縁性接着剤樹脂により接合して、上記それぞれの第１の電極と第２の電極とを電極接合する電極接合ユニットであって、
上記第１の回路形成体を下方から支持する圧着ステージと、
上記圧着ステージの上方に上下動可能に配置され、上記第１の回路形成体に上記絶縁性接着剤樹脂を介して対向配置された上記第２の回路形成体を介して上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱可能な圧着ツールと、
上記圧着ツールによる加圧加熱により上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域の縁部に隣接する外側領域に流動した絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域に、上記第１の回路形成体を通じてレーザ光を照射して、上記表面領域に存在する上記絶縁性接着剤樹脂より低い分子量の成分に対して低分子成分残渣を除去処理する残渣除去用光源装置と、
を備えた、電極接合ユニット。
【請求項７】
上記圧着ステージは、光透過性部材により構成され、
上記残渣除去用光源装置は、上記圧着ステージと上記第１の回路形成体とを通じて上記表面領域に上記レーザ光を照射する、請求項６に記載の電極接合ユニット。
【請求項８】
上記残渣除去用光源装置より照射される上記レーザ光を反射して、上記表面領域に入射させる光反射部材をさらに備える、請求項６又は７に記載の電極接合ユニット。
【請求項９】
上記第１の回路形成体は、ガラスを主成分とする部材により構成され、
上記レーザ光は、波長３００ｎｍ以上の紫外光又は赤外光である、請求項６〜８のいずれか１つに記載の電極接合ユニット。
【請求項１０】
上記レーザ光は、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ、又はＣＯ２レーザである、請求項９に記載の電極接合ユニット。
【請求項１１】
上記圧着ツールにより上記絶縁性接着剤樹脂が加圧加熱されて上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とが電極接合された残渣除去処理前の電極接合構造体を、上記圧着ツールが加圧加熱動作する加圧加熱位置から残渣除去処理位置に搬送する搬送装置をさらに備え、
上記残渣除去用光源装置は、上記残渣除去処理位置に搬送された上記電極接合構造体の上記表面領域に、上記第１の回路形成体を通じて上記レーザ光を照射して上記低分子成分残渣を除去処理する、請求項６に記載の電極接合ユニット。
【請求項１２】
上記搬送装置は、上記加圧加熱位置から上記残渣除去処理位置に上記電極接合構造体を搬送するとともに、次の電極接合対象物を上記加圧加熱位置に搬送する動作を逐次行い、
上記残渣除去用光源装置は、上記圧着ツールが上記次の電極接合対象物に対して上記加圧加熱動作している間に、上記搬送装置により上記残渣除去処理位置に搬送された上記電極接合構造体の上記表面領域に、上記第１の回路形成体を通じて上記レーザ光を照射して上記低分子成分残渣を除去処理する、請求項１１に記載の電極接合ユニット。
【請求項１３】
上記残渣除去用光源装置は、
レーザ光を照射する光源と、
上記光源を移動させる光源移動装置と、を備え、
上記光源移動装置により上記光源を移動させて上記レーザ光を走査することにより、上記低分子成分残渣を除去処理する、請求項６〜１２のいずれか１つに記載の電極接合ユニット。
【請求項１４】
上記光源移動装置は、上記絶縁性接着剤樹脂の流動方向と直交する方向に上記光源を移動させる、請求項１３に記載の電極接合ユニット。
【請求項１５】
第１の回路形成体と第２の回路形成体との対向領域の縁部より内側に熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を配置した電極接合対象物の上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して、上記縁部に隣接する外側領域まで上記絶縁性接着剤樹脂を流動させたのち硬化させて上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とを接合するとともに、
上記絶縁性接着剤樹脂の上記外側領域における上記第１の回路形成体側の表面領域にレーザ光を照射して、上記表面領域に存在する上記絶縁性接着剤樹脂より分子量の小さい低分子成分に対して低分子成分残渣を除去処理する、電極接合方法。
【請求項１６】
上記第１の回路形成体は、光透過性部材で構成され、
上記レーザ光は、上記第１の回路形成体を通じて上記表面領域に照射される、請求項１５に記載の電極接合方法。
【請求項１７】
上記レーザ光は、光反射部材により反射されたのち、上記表面領域に入射する、請求項１５又は１６に記載の電極接合方法。
【請求項１８】
上記レーザ光は、上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱したのちであって、次の電極接合対象物の絶縁性接着剤樹脂に対して加圧加熱動作を行っている間に、既に上記加圧加熱された流動硬化後の絶縁性接着剤樹脂の上記表面領域に対して照射される、請求項１５〜１７のいずれか１つに記載の電極接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する電極接合構造体、電極接合方法、及び電極接合ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板やフレキシブル基板等の回路形成体の電極に、他のガラス基板やフレキシブル基板、あるいは電子部品等の回路形成体の電極を電気的に接合する技術として、導電性粒子が分散された絶縁性接着剤樹脂、例えば異方性導電性シートを用いる技術が知られている。この技術は、接合対象となる電極間に異方性導電性シートを配置し、回路形成体を介して異方性導電性シートを圧着ツールで加圧加熱することで、上記絶縁性接着剤樹脂を溶融（軟化）させて、導電性粒子を介して電極間を導通させる技術である。
【０００３】
この異方性導電性シートを用いる電極接合技術は、様々な形態の電極接合に適応可能であり、例えば、ガラス基板とフレキシブル基板との電極接合（ＦＯＧ）、ガラス基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＧ）、フレキシブル基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＦ）、フレキシブル基板とフレキシブル基板との電極接合等、幅広く適用されている。
【０００４】
近年、例えばガラス基板とフレキシブル基板との電極接合に代表されるフラットパネルの接合技術においては、電極間に高電圧が印加されるときの信頼性の確保とともに、電子機器の高密度化に伴って隣接配線電極間の更なる狭ピッチ化（微細化）が求められている。具体的には、その隣接配線電極間のピッチは、従来求められていた３００μｍ〜２００μｍから、２００μｍ〜１００μｍ以下まで狭ピッチ化することが求められている。また、例えばガラス基板とＩＣチップ部品との電極接合やフレキシブル基板とＩＣチップ部品との電極接合等の、ＩＣチップ部品をフェイスダウン方式で接合する技術においても、同様に、多機能化に伴いバンプ電極間の更なる狭ピッチ化（微細化）が求められている。具体的には、それらの隣接配線電極間のピッチは、従来求められていた１２０μｍ〜８０μｍから、８０μｍ〜４０μｍ以下まで狭ピッチ化することが求められている。
【０００５】
上記のレベルまで隣接配線電極間の狭ピッチ化が進むと、異方性導電性シートを用いる電極接合技術においては、マイグレーション不良やショート不良等による絶縁信頼性に対する不具合を生じる可能性が高くなる。特に、電極の材料として銀を使用した場合には、銀がイオン化傾向の大きい物質であるため、マイグレーション不良が発生しやすい。
【０００６】
マイグレーション不良が発生する主な要因としては、一般に以下の４つが知られている。
（１）電極接合部の隙間から電極への吸水
（２）強電界強度によるイオン伝導
（３）空気中に飛散する異物の混入
（４）電極接合材料（例えば絶縁性接着剤樹脂）中に含まれる異物、不純物、及び洗浄残渣
【０００７】
上記（１）の電極接合部の隙間は、例えば、対向配置された電極同士を熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を用いて電極接合する場合において、当該樹脂を加圧加熱して硬化させた際に生じる当該樹脂の体積変化や、当該樹脂と基板との密着不足などによって形成される。上記隙間は、特に２つの基板間の対向領域の縁部に隣接する外側領域において発生しやすい。
【０００８】
上記（１）に起因するマイグレーション不良を抑制する技術としては、例えば、特許文献１（特開平３−１８４０７７号公報）に開示された技術が知られている。特許文献１では、２つの基板間に熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を配置したのち当該樹脂を加圧加熱して硬化させ、その際に２つの基板間の対向領域の縁部に隣接する外側領域に生じた隙間に、防湿性の樹脂を充填する。この防湿性の樹脂により電極への吸水経路を断ち、マイグレーション不良を抑制している。
【特許文献１】特開平３−１８４０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記マイグレーション不良の発生要因のうち、特に（４）については、隣接配線電極間が狭ピッチ化される前までは、それ程問題となることはなかった。このため、上記特許文献１のように上記（１）に起因するマイグレーション不良を抑制することで十分な効果があった。しかしながら、隣接配線電極間の狭ピッチ化が進めば進むほど、上記（４）に起因するマイグレーション不良が発生する恐れが高くなる。このため、上記特許文献１の技術では、上記（４）に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができず、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することは困難である。このことにつき、図１０Ａ〜図１０Ｄを用いて、以下に詳しく説明する。
【００１０】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、従来例の電極接合方法を模式的に示す断面図である。図１０Ｃは、図１０Ｂのｘ−ｘ断面図であり、図１０Ｄは、図１０Ｂのｙ−ｙ断面図である。ここでは、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造を例にとって説明する。
【００１１】
まず、図１０Ａに示すように、複数の第１の電極１０４Ａを有するガラス基板１０４と、それぞれの第１の電極１０４Ａと対向するように形成された複数の第２の電極１０５Ａを有するフレキシブル基板１０５との対向領域１００Ｘに、異方性導電性シート１０１を配置する。
【００１２】
この後、圧着ツール１０６によりフレキシブル基板１０５を介して異方性導電性シート１０１を加圧加熱する。これにより、異方性導電性シート１０１の絶縁性接着剤樹脂１０２が溶融して、図１０Ｂに示すように、対向領域１００Ｘの縁部に隣接する外側領域１００Ｙまで流動して硬化する。このとき、絶縁性接着剤樹脂１０２中に分散された導電性粒子１０３が、図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように第１の電極１０４Ａと第２の電極１０５Ａとの間に配置されて両者を電気的に接合する。
【００１３】
このような従来例の電極接合方法に用いる絶縁性接着剤樹脂１０２は、一般的に以下のような材料組成を有する。すなわち、絶縁性接着剤樹脂１０２は、基板間を接着させるための高分子成分を含む固形エポキシ樹脂と、加圧加熱された際に上記固定エポキシ樹脂の溶融及び流動を促進させるための低分子成分を含む液状エポキシ樹脂と、固形及び液状エポキシ樹脂を熱硬化させる為の硬化剤と、樹脂をシート化する為のシート化溶剤と、その他エラストマーやカップリング剤、イオン交換体などで構成されている。
【００１４】
上記材料組成のうちの液状エポキシ樹脂中の低分子成分は、絶縁性接着剤樹脂１０２が加圧加熱された際、絶縁性接着剤樹脂１０２の流動に伴って他の成分から分離する性質を有する。分離した低分子成分は、特に、外側領域１００Ｙにおいて互いに隣接する第１の電極１０４Ａ間で凝集し、図１０Ｂ及び図１０Ｄに示す低分子成分残渣１０７となる。隣接配線電極間のピッチ１００Ｐ（図１０Ｃ参照）が小さくなるほど、低分子成分残渣１０７が互いに隣接する第１の電極１０４Ａ，１０４Ａ間をつなぎやすくなる。この低分子成分残渣１０７は、樹脂の濡れ性を阻害するだけでなく、ガス化して膨張し、樹脂の架橋時に他の成分に取り込まれずに、電極中の金属イオンの移動媒体となる恐れがある。このため、低分子成分残渣１０７により、絶縁性接着剤樹脂１０２とガラス基板１０４との密着性が低下し、マイグレーション不良が発生しやすくなる。
【００１５】
この低分子成分残渣１０７に起因するマイグレーション不良においては、上記特許文献１の技術（すなわち、上記加圧加熱により絶縁性接着剤樹脂１０２が硬化したのちにその硬化により生じた隙間に防湿性の樹脂を充填する方法）により解決することは困難である。
【００１６】
また、低分子成分残渣１０７に起因するマイグレーション不良の発生を抑える他の方法としては、単純には、液状エポキシ樹脂中の低分子成分の成分量を低減（カット）することが考えられる。しかしながら、低分子成分の成分量を低減した場合には、その分、加圧加熱した際の絶縁性接着剤樹脂１０２の流動性が悪くなる。このため、ガラス基板１０４と絶縁性接着剤樹脂１０２、又はフレキシブル基板１０５と絶縁性接着剤樹脂１０２との密着性が低下するといった別の問題を生じる恐れがある。
【００１７】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する電極接合において、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる電極接合構造体、電極接合方法、及び電極接合ユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様によれば、複数の第１の電極を有する光透過性の第１の回路形成体と、
上記それぞれの第１の電極に対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、
上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域と当該対向領域の縁部に隣接する外側領域とに一体的に配置されて両者を接合する絶縁性接着剤樹脂と、
を備え、
上記外側領域に位置する上記絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域に、上記絶縁性接着剤樹脂中の接着成分より分子量の小さい低分子成分に対して低分子成分残渣除去処理が施されている、電極接合構造体を提供する。
【００１９】
本発明の第２態様によれば、上記低分子成分除去残渣処理が、上記対向領域の縁部に位置する上記絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域にも施されている、第１態様に記載の電極接合構造体を提供する。
本発明の第３態様によれば、前記低分子成分は、分子量１００以下である、第１態様に記載の電極接合構造体を提供する。
本発明の第４態様によれば、前記低分子成分は、上記絶縁性接着剤樹脂の分子量の１／３０以下である、第１態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２０】
本発明の第５態様によれば、さらに、上記絶縁性接着剤樹脂中に分散され、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子を備える、第１〜４態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２２】
本発明の第６態様によれば、複数の第１の電極を有する光透過性の第１の回路形成体と、上記それぞれの第１の電極に対向配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体とを絶縁性接着剤樹脂により接合して、上記それぞれの第１の電極と第２の電極とを電極接合する電極接合ユニットであって、
上記第１の回路形成体を下方から支持する圧着ステージと、
上記圧着ステージの上方に上下動可能に配置され、上記第１の回路形成体に上記絶縁性接着剤樹脂を介して対向配置された上記第２の回路形成体を介して上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱可能な圧着ツールと、
上記圧着ツールによる加圧加熱により上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域の縁部に隣接する外側領域に流動した絶縁性接着剤樹脂の上記第１の回路形成体側の表面領域に、上記第１の回路形成体を通じてレーザ光を照射して、上記表面領域に存在する上記絶縁性接着剤樹脂より低い分子量の成分に対して低分子成分残渣を除去処理する残渣除去用光源装置と、
を備えた、電極接合ユニットを提供する。
【００２３】
本発明の第７態様によれば、上記圧着ステージは、光透過性部材により構成され、
上記残渣除去用光源装置は、上記圧着ステージと上記第１の回路形成体とを通じて上記表面領域に上記レーザ光を照射する、第６態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２４】
本発明の第８態様によれば、上記残渣除去用光源装置より照射される上記レーザ光を反射して、上記表面領域に入射させる光反射部材をさらに備える、第６又は７態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２５】
本発明の第９態様によれば、上記第１の回路形成体は、ガラスを主成分とする部材により構成され、
上記レーザ光は、波長３００ｎｍ以上の紫外光又は赤外光である、第６〜８態様のいずれか１つに記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２６】
本発明の第１０態様によれば、上記レーザ光は、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ、又はＣＯ２レーザである、第９態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２７】
本発明の第１０態様によれば、上記レーザ光は、ＹＡＧレーザ又はＣＯ２レーザである、第８態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２８】
本発明の第１１態様によれば、上記圧着ツールにより上記絶縁性接着剤樹脂が加圧加熱されて上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とが電極接合された残渣除去処理前の電極接合構造体を、上記圧着ツールが加圧加熱動作する加圧加熱位置から残渣除去処理位置に搬送する搬送装置をさらに備え、
上記残渣除去用光源装置は、上記残渣除去処理位置に搬送された上記電極接合構造体の上記表面領域に、上記第１の回路形成体を通じて上記レーザ光を照射して上記低分子成分残渣を除去処理する、第６態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００２９】
本発明の第１２態様によれば、上記搬送装置は、上記加圧加熱位置から上記残渣除去処理位置に上記電極接合構造体を搬送するとともに、次の電極接合対象物を上記加圧加熱位置に搬送する動作を逐次行い、
上記残渣除去用光源装置は、上記圧着ツールが上記次の電極接合対象物に対して上記加圧加熱動作している間に、上記搬送装置により上記残渣除去処理位置に搬送された上記電極接合構造体の上記表面領域に、上記第１の回路形成体を通じて上記レーザ光を照射して上記低分子成分残渣を除去処理する、第１１態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００３０】
本発明の第１３態様によれば、上記残渣除去用光源装置は、
レーザ光を照射する光源と、
上記光源を移動させる光源移動装置と、を備え、
上記光源移動装置により上記光源を移動させて上記レーザ光を走査することにより、上記低分子成分残渣を除去処理する、第６〜１２態様のいずれか１つに記載の電極接合ユニットを提供する。
【００３１】
本発明の第１４態様によれば、上記光源移動装置は、上記絶縁性接着剤樹脂の流動方向と直交する方向に上記光源を移動させる、第１３態様に記載の電極接合ユニットを提供する。
【００３２】
本発明の第１５態様によれば、第１の回路形成体と第２の回路形成体との対向領域の縁部より内側に熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を配置した電極接合対象物の上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して、上記縁部に隣接する外側領域まで上記絶縁性接着剤樹脂を流動させたのち硬化させて上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とを接合するとともに、
上記絶縁性接着剤樹脂の上記外側領域における上記第１の回路形成体側の表面領域にレーザ光を照射して、上記表面領域に存在する上記絶縁性接着剤樹脂より低い分子量の成分に対して低分子成分残渣を除去処理する、電極接合方法を提供する。
【００３３】
本発明の第１６態様によれば、上記第１の回路形成体は、光透過性部材で構成され、
上記レーザ光は、上記第１の回路形成体を通じて上記表面領域に照射される、第１５態様に記載の電極接合方法を提供する。
【００３４】
本発明の第１７態様によれば、上記レーザ光は、光反射部材により反射されたのち、上記表面領域に入射する、第１５又は１６態様に記載の電極接合方法を提供する。
【００３６】
本発明の第１９態様によれば、上記レーザ光は、上記絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱したのちであって、次の電極接合対象物の絶縁性接着剤樹脂に対して加圧加熱動作を行っている間に、既に上記加圧加熱された流動硬化後の絶縁性接着剤樹脂の上記表面領域に対して照射される、第１５〜１７態様のいずれか１つに記載の電極接合方法を提供する。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の電極接合構造体によれば、低分子成分残渣が発生する絶縁性接着剤樹脂の表面領域に、低分子成分残渣除去処理を行っているので、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００３８】
また、本発明の電極接合ユニットによれば、レーザ光を照射して低分子成分残渣を除去処理する残渣除去用光源装置を備えているので、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００３９】
また、本発明の電極接合方法によれば、レーザ光を照射して低分子成分残渣を除去処理するようにしているので、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。
以下、本発明の最良の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４１】
《第１実施形態》
図１Ａ〜図１Ｃを用いて、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１の構成を説明する。本発明の第１実施形態では、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造を例にとって説明する。図１Ａは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１の構成を示す縦断面図である。図１Ｂは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１を、図１Ａのａ−ａの位置で切った横断面図である。図１Ｃは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１の部分平面図である。
【００４２】
本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１は、複数の第１の電極４Ａを有する第１の回路形成体の一例であるガラス基板４と、それぞれの第１の電極４Ａに対向して配置された複数の第２の電極５Ａを有する第２の回路形成体の一例であるフレキシブル基板５とを備えている。さらに、電極接合構造体１は、ガラス基板４とフレキシブル基板５との対向領域５１と当該対向領域５１の縁部５１Ａに隣接する外側領域５２とに一体的に配置されて両者を接合する絶縁性接着剤樹脂２と、絶縁性接着剤樹脂２中に分散され、それぞれ第１の電極４Ａとそれらに対向するそれぞれの第２の電極５Ａとを電気的に接続する導電性粒子３を備えている。
【００４３】
ここで、「対向領域５１の縁部５１Ａ」は、ガラス基板４又はフレキシブル基板５の厚み方向（図１Ａの縦方向）でガラス基板４とフレキシブル基板５とに挟まれている領域と挟まれていない領域との境界部分よりも内側（上記挟まれている領域側）で、且つ全体の電極間の導通にほとんど影響がない部分に位置している。例えば、対向領域５１において電極間の導通が必要な領域の長さ（図１Ａの横方向）が３ｍｍである場合には、縁部５１Ａの長さは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００４４】
また、「外側領域５２」とは、縁部５１Ａに外側で隣接している領域であって、ガラス基板４又はフレキシブル基板５の厚み方向（図１Ａの縦方向）でガラス基板４とフレキシブル基板５とに挟まれていない領域をいう。言い換えれば、ガラス基板４とフレキシブル基板５との間に絶縁性接着剤樹脂２を挟んだ状態で加圧加熱したときに、絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４とフレキシブル基板５との間からはみ出した領域をいう。
【００４５】
ガラス基板４は、ガラスを主成分とする光透過性のガラス部材で構成されている。ガラス基板４の複数の第１の電極４Ａは、例えば厚さ３μｍ〜５μｍ程度の厚膜電極（例えば厚膜銀電極）で構成されている。
フレキシブル基板５の複数の第２の電極５Ａは、例えば厚さ１０〜５０μｍ程度の厚膜電極（例えば厚膜銅電極）と、当該厚膜電極上に例えば厚さ１〜５μｍで施した錫メッキとで構成されている。
【００４６】
導電性粒子３は、例えば、金属球又は樹脂性のボールをコアとして、その表面上にニッケルメッキが形成され、当該ニッケルメッキの表面上にさらに金メッキが形成されてなる粒子である。導電性粒子３の平均粒径は、３〜１５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。導電性粒子３の平均粒径が３μｍ未満である場合には電極間の導通を確保することが困難であり、導電性粒子３の平均粒径が１５μｍを越える場合には電極間のショート不良が発生しやすくなるといった不都合を生じる恐れがある。
【００４７】
絶縁性接着剤樹脂２は、耐熱性、耐吸湿性、接着性、絶縁性等の面で機能的に優れた樹脂、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂で構成されている。外側領域５２に位置する絶縁性接着剤樹脂２のガラス基板４側の表面（界面）領域２Ａには、低分子成分残渣除去処理が施されている。
【００４８】
ここで、「低分子成分」とは、絶縁性接着剤樹脂２中に含まれる基板間を接着させるための高分子成分の平均分子量に対して、その平均分子量が十分小さい（例えば１／３０〜１／７０程度の）成分をいい、マイグレーション不良を発生させる恐れがある成分を含む成分をいう。上記マイグレーション不良を発生させる恐れがある成分としては、例えば、分子量１００以下の成分や、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
また、「低分子成分残渣除去処理」とは、後で詳しく説明するように、絶縁性接着剤樹脂２の加圧加熱時に絶縁性接着剤樹脂２中から分離して表面領域２Ａに凝集した低分子成分残渣を、レーザ光により除去処理することをいう。
また、「除去処理」とは、上記低分子成分残渣に起因するマイグレーション不良の発生を抑えるために、上記低分子成分残渣の一部又は大部分を除去する処理をいう。上記除去処理にはレーザ光を用いるので、上記低分子成分残渣が接触する表面領域２Ａ及びガラス基板４には、微小な低分子成分残渣７ａ（図１Ｃ参照）やレーザ痕が残ることになる。
【００４９】
なお、上記低分子成分残渣は、絶縁性接着剤樹脂２が加圧加熱されたときに主に流動する側で発生するものであり、特に上記流動側の外側領域５２で発生するものである。このため、ここでは、主にフレキシブル基板５の端部側（図１Ａの右側）に向かって絶縁性接着剤樹脂２が流動するものとし、フレキシブル基板５の端部側で且つ外側領域５２に位置する絶縁性接着剤樹脂２の表面領域２Ａに対して低分子成分残渣除去処理を行うものとしている。
【００５０】
以上のように構成される本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１によれば、低分子成分残渣が発生する絶縁性接着剤樹脂２の表面領域２Ａに、低分子成分残渣除去処理を行っているので、絶縁性接着剤樹脂２に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間（ここでは、互いに隣り合う第１の電極４Ａ，４Ａ、又は第２の電極５Ａ，５Ａ）の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００５１】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、上記のようにマイグレーション不良の発生が抑えられるので、ガラス基板４の第１の電極４Ａを銀で形成することができ、フラットディスプレイパネルなどへの適用が可能となる。
【００５２】
なお、上記では、上記低分子成分残渣は、絶縁性接着剤樹脂２が流動する側の外側領域５２のみで発生するものとしたが、縁部５１Ａにおいても発生する恐れがあるものである。すなわち、上記低分子成分残渣は、縁部５１Ａから外側領域５２にかけて発生する恐れがあるものである。このため、縁部５１Ａに発生した低分子成分残渣がマイグレーション不良を発生させる恐れがある場合には、絶縁性接着剤樹脂２のガラス基板４側の縁部５１Ａから外側領域５２にわたる表面領域に対して低分子成分残渣除去処理が行われてもよい。これにより、絶縁性接着剤樹脂２に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を、さらに抑えることができる。
【００５３】
次に、図１Ａ〜図１Ｃ、図２Ａ〜図２Ｄ、図３Ａ、図３Ｂ、図４、及び図５を用いて、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１の電極接合方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法の手順を示す断面図である。図３Ａは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法に用いる電極接合ユニット１０の構成を示す斜視図である。図３Ｂは、図３Ａのｂ−ｂ断面図である。図４は、図２Ｃの状態における部分平面図である。図５は、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法のフローチャートである。
【００５４】
本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法を説明する前に、図３Ａ及び図３Ｂを用いて当該電極接合方法に用いる電極接合ユニット１０について説明する。
【００５５】
電極接合ユニット１０は、ガラス基板４を下方から支持する圧着ステージ１１と、圧着ステージ１１の上方に上下動可能に配置され、絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱するための圧着ツール１２と、低分子成分残渣７（図３Ｂ参照）にレーザ光１３ａを照射して、当該低分子成分残渣７を除去するための残渣除去用光源装置１３とを備えている。
【００５６】
圧着ステージ１１は、レーザ光１３ａを透過させるために全体又は一部が、例えば石英などの光透過性部材で構成されている。圧着ステージ１１にはモータ１１Ａが接続され、モータ１１Ａが駆動することにより圧着ステージ１１は上下動可能に構成されている。圧着ステージ１１内には、残渣除去用光源装置１３より照射されるレーザ光１３ａを反射して、反射光１３ｂを低分子成分残渣７に入射させる光反射部材の一例である回折ミラー１４が配置されている。なお、回折ミラー１４は、圧着ステージ１１内ではなく、圧着ステージ１１の外部に配置されてもよい。
【００５７】
圧着ツール１２は、図３Ｂに示すように、下端部に加熱用ヒータ１２Ａを備えるとともに上部にエアシリンダ１２Ｂを備え、エアシリンダ１２Ｂに接続されたモータ１２Ｃが駆動することにより上下動可能に構成されている。
【００５８】
残渣除去用光源装置１３は、レーザ光１３ａを照射する光源１３Ａと、光源１３Ａを絶縁性接着剤樹脂２が加圧加熱されて流動する方向と直交する方向（ここでは、第１の電極４Ａの延在方向と直交する方向）に移動可能に構成された光源移動装置１３Ｂとを備えている。光源１３Ａが照射するレーザ光１３ａは、圧着ステージ１１及びガラス基板４を透過可能な波長に設定されている。このレーザ光１３ａの波長の設定方法については、後で詳しく説明する。光源移動装置１３Ｂにはモータ１３Ｃが接続され、モータ１３Ｃが駆動することにより、光源１３Ａが上記直交方向に移動するように構成されている。この移動により、レーザ光１３ａは上記直交方向に走査される。
【００５９】
それぞれのモータ１１Ａ，１２Ｃ，１３Ｃと加熱用ヒータ１１Ａと光源１３Ａとは、制御部１５に接続されている。制御部１５は、予め記憶された動作プログラム及び実装データに基づいて、それぞれモータ１１Ａ，１２Ｃ，１３Ｃの駆動と、加熱用ヒータ１１Ａの発熱タイミングと、光源１３Ａのレーザ光１３ａの照射タイミングとを制御するように構成されている。
【００６０】
以下、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法を説明する。なお、以下の電極接合動作は、制御部１５の制御の下に行われる。
【００６１】
まず、ステップＳ１では、図２Ａから図２Ｂに示すように、それぞれの第１の電極４Ａとそれぞれの第２の電極５Ａとが対向するように、ガラス基板４とフレキシブル基板５とを対向配置するとともに、ガラス基板４とフレキシブル基板５との対向領域５１の縁部５１Ａより内側に絶縁性接着剤樹脂２を配置する。ここでは、このように配置したものを電極接合対象物１Ａという。
なお、図２Ａでは、絶縁性接着剤樹脂２が予めガラス基板４側に配置（貼付）されている例を示したが、絶縁性接着剤樹脂２は予めフレキシブル基板５側に配置（貼付）されてもよい。
【００６２】
ステップＳ２では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、圧着ステージ１１によりガラス基板４を下方から支持しながら、圧着ツール１２によりフレキシブル基板５を介して絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱する。より具体的には、モータ１１Ａ，１２Ｃを駆動して、圧着ステージ１１を上昇させるとともに圧着ツール１２を降下させる。これにより、ガラス基板４を圧着ステージ１１に支持させるとともに、フレキシブル基板５に加熱用ヒータ１２Ａの加圧加熱面を接触させる。この接触状態で、さらにモータ１２Ｃを駆動して圧着ツール１２を降下させるとともに、加熱用ヒータ１２Ａを発熱させる。これにより、フレキシブル基板５を介して絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱する。
【００６３】
上記加圧加熱により、絶縁性接着剤樹脂２が溶融（軟化）して対向領域５１の縁部５１Ａを通じて外側領域５２に流動し、図２Ｃに示すように、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａを封止するように絶縁性接着剤樹脂２が対向領域５１に充填されたのち硬化する。
これにより、ガラス基板４とフレキシブル基板５とが絶縁性接着剤樹脂２により強固に接合される。また、このとき、絶縁性接着剤樹脂２の流動に伴って、導電性粒子３が第１の電極４Ａと第２の電極５Ａとの間に配置され、両者が電気的に接合される。さらに、このとき、絶縁性接着剤樹脂２が外側領域５２に流動する過程で、絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分が分離し、図２Ｃ及び図４に示すように、外側領域５２に位置する絶縁性接着剤樹脂２のガラス基板４側の表面領域２Ａに凝集して低分子成分残渣７となる。
【００６４】
ステップＳ３では、図２Ｄ、図３Ａ、及び図３Ｂに示すように、光源１３Ａよりレーザ光１３ａを照射し、回折ミラー１４により反射させて、反射光１３ｂを圧着ステージ１１及びガラス基板４を通じて表面領域２Ａに入射させる。この反射光１３ｂが有する光エネルギー又は熱エネルギーにより、低分子成分残渣７が揮発及び分解される。揮発及び分解された低分子成分残渣７は、例えば、絶縁性接着剤樹脂２中に分散吸収されるなどして、表面領域２Ａより除去処理される。これにより、図１Ａ〜図１Ｃに示す電極接合構造体１が製造される。上記ステップＳ３の動作を、ここでは低分子成分残渣除去処理という。
【００６５】
以上、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法によれば、レーザ光１３ａを照射して低分子成分残渣７を除去処理するようにしているので、絶縁性接着剤樹脂２に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００６６】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法によれば、レーザ光１３ａを回折ミラー１４で反射して、その反射光１３ｂを表面領域２Ａに照射するようにしているので、光源１３ａの配置の自由度を向上させることができる。
【００６７】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法によれば、上記のようにマイグレーション不良の発生が抑えられるので、ガラス基板４の第１の電極４Ａを銀で形成することができ、フラットディスプレイパネルなどへの適用が可能となる。
【００６８】
なお、上記ステップＳ１で用いる絶縁性接着剤樹脂２の形態は、ペースト状であってもシート（フィルム）状でもよい。例えば、異方性導電性ペーストや異方性導電性フィルム、異方性導電性シートであってもよい。それらの中でも異方性導電性シートが用いられることが、加工性や取り扱い性が優れているので好ましい。なお、上記では、導電性粒子３が分散された絶縁性接着剤樹脂２を用いて電極接合を行ったが本発明はこれに限定されない。例えば、絶縁性接着剤樹脂２としてＮＣＦ（ノンコンダクティブフィルム）やＮＣＰ(ノンコンダクティブペースト）などを用いて電極接合を行ってもよい。
【００６９】
また、上記低分子成分残渣除去処理は、絶縁性接着剤樹脂２の外側領域５２への流動硬化後に行ってもよいし、絶縁性接着剤樹脂２の外側領域５２への流動に伴って同時的に行ってもよい。すなわち、上記ステップＳ３は、上記ステップＳ２の後に行ってもよいし、上記ステップＳ２と同時的に行われてもよい。前者の場合には、絶縁性接着剤樹脂２が硬化して位置が確定した低分子成分残渣７に対して、低分子成分残渣除去処理を行うことができるので、低分子成分残渣７の除去精度を向上させることができる。これにより、低分子成分残渣７に起因するマイグレーション不良の発生を、後者に比べて抑えることができる。一方、後者の場合には、絶縁性接着剤樹脂２の硬化前に低分子成分残渣除去処理を行うことになるので、低分子成分残渣７が除去処理した際に生じる、低分子成分残渣７の体積分の隙間を無くすことができる。これにより、当該隙間を介して第１の電極４Ａが吸水することによるマイグレーション不良の発生を、前者に比べて抑えることができる。
【００７０】
次に、図６を用いて、残渣除去用光源装置１３の光源１３Ａが照射するレーザ光１３ａの好ましい波長について説明する。図６は、ガラス基板４のレーザ光の波長と透過率との関係を示すグラフである。図６において、実線で示すグラフと点線で示すグラフは共に、ガラス基板４を構成する部材として一般的に用いられるガラス部材４１，４２を示している。すなわち、ガラス基板４は、ガラス部材４１，４２のいずれで構成されても良いものである。また、図６は、ガラス部材４１，４２の肉厚を２．８ｍｍに設定したときのグラフである。
【００７１】
図６に示されるように、ガラス部材４１，４２は共に、レーザ光の波長が３００ｎｍ未満であるとき、その透過率は０％である。したがって、光源１３Ａが照射するレーザ光１３ａの波長は、ガラス基板４を透過させるために、３００ｎｍ以上に設定する必要がある。
【００７２】
一方、レーザ光１３ａは低分子成分残渣７に光エネルギー又は熱エネルギーを与えるためのものであるので、レーザ光１３ａの波長は３８０ｎｍより短い紫外光の波長領域内で設定するか、あるいは、７８０ｎｍより長い赤外光の波長領域内で設定することが好ましい。赤外光の波長領域内にあるレーザ光１３ａとしては、ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ付近）又はＣＯ２レーザ（波長１０６４０ｎｍ付近）が用いられることが好ましい。
【００７３】
また、レーザ光１３ａの波長は、高くし過ぎると、第１の電極４Ａなどの他の部材を切断してしまうなどの不具合を生じる恐れがあるため、紫外光の波長領域内で設定することがより好ましい。すなわち、レーザ光１３ａの波長は、３００ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内で設定されることがより好ましい。
また、図６に示されるように、上記範囲内においては、波長が高くなるほど透過率が高くなるので、透過率約７０％以上を確保できる３５０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内でレーザ光１３ａの波長が設定されることがさらに好ましい。このようなレーザ光１３ａとしては、ＵＶレーザ（波長３６５ｎｍ付近）が用いられることが好ましい。
上記のような波長に設定されたレーザ光１３ａを照射することで、確実に又は効率良くガラス基板４を透過させて低分子成分残渣７に光エネルギー又は熱エネルギーを供給することができ、低分子成分残渣７を除去処理することができる。
なお、光源１３Ａのレーザ光１３ａの照射パワーは、低分子成分残渣７のみを除去できるパワーに設定されることが好ましい。低分子成分残渣７は、絶縁性接着剤樹脂２中の高分子成分などの他の成分や導電性粒子５などを除去するよりも弱いパワー（例えば、１ｍＪ以下）で除去することが可能である。このため、当該照射パワーは、１ｍＪ程度あるいは１ｍＪ以下に設定することが好ましい。
【００７４】
本発明の第１実施形態にかかる電極接合ユニット１０によれば、レーザ光１３ａを照射して低分子成分残渣７を除去処理する残渣除去用光源装置１３を備えているので、絶縁性接着剤樹脂２に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。これにより、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００７５】
《第２実施形態》
図７Ａ及び図７Ｂを用いて、本発明の第２実施形態にかかる電極接合ユニット及び電極接合方法について説明する。図７Ａは、本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造ユニットの構成を示す斜視図であり、図７Ｂは、図７Ａのｃ−ｃ断面図である。本発明の第２実施形態にかかる電極接合ユニット２０は、回折ミラー１４に代えて搬送装置１６を備え、光源１３Ａのレーザ光１３ａが回折ミラー１４及び圧着ステージ１１を介さず低分子成分残渣７に照射されるように残渣除去用光源装置１３を配置している点で、上記第１実施形態にかかる電極接合ユニット１０と異なる。それ以外の点については、上記第１実施形態と同様であるので重複する説明は省略し、以下では主に相違点について説明する。
【００７６】
搬送装置１６は、圧着ツール１２により絶縁性接着剤樹脂２が加圧加熱されてガラス基板４とフレキシブル基板５とが電極接合された残渣除去処理前の電極接合構造体１を、圧着ツール１２が加圧加熱動作する加圧加熱位置１６Ａから残渣除去処理位置１６Ｂに搬送するよう構成されている。また、搬送装置１６は、加圧加熱後で且つ残渣除去処理前の電極接合構造体１を加圧加熱位置１６Ａから残渣除去処理位置１６Ｂに搬送するとともに、次の電極接合対象物１Ａを加圧加熱位置１６Ａに搬送する動作を逐次行うように構成されている。また、搬送装置１６は、制御部１５に接続され、制御部１５により搬送動作を制御される。
【００７７】
残渣除去用光源装置１３の光源１３Ａは、搬送装置１６により残渣除去処理位置１６Ｂに搬送された残渣除去処理前の電極接合構造体１の低分子成分残渣７に、レーザ光１３ａを照射するように配置されている。
これにより、電極接合ユニット２０は、電極接合構造体１を連続的に製造できるように構成されている。
【００７８】
本発明の第２実施形態にかかる電極接合ユニット２０によれば、圧着ツール１２が加圧加熱動作を行う加圧加熱位置１６Ａとは別の残渣除去処理位置１６Ｂで光源１３Ａがレーザ光１３ａを照射して、低分子成分残渣７の除去処理を行うように構成しているので、圧着ステージ１１を光透過性部材で構成する必要性を無くすことができる。また、回折ミラー１４及び圧着ステージ１１を介さず、低分子成分残渣７にレーザ光１３ａを照射するようにしているので、レーザ光１３ａの焦点調整を容易にすることができる。また、絶縁性接着剤樹脂２が硬化して位置が確定した低分子成分残渣７に対して、低分子成分残渣除去処理を行うので、低分子成分残渣７の除去精度を向上させることができる。これにより、低分子成分残渣７に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができる。
【００７９】
なお、電極接合構造体１の低分子成分残渣７へのレーザ光１３ａの照射は、圧着ツール１２が次の電極接合対象物１Ａに対して加圧加熱動作している間に行われることが好ましい。これにより、複数の電極接合構造体１の製造をより短時間で行うことができる。
【００８０】
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、上記第１実施形態では、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬを代表とするフレキシブル基板同士の接合構造や種々の態様で実施できる。すなわち、上記では第１の回路形成体としてガラス基板を一例に挙げたが、光透過性のフレキシブル基板であってもよい。また、上記では第２の回路形成体としてフレキシブル基板を一例に挙げたが、ＩＣチップ等の電子部品であってもよい。
【００８１】
図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、及び図９Ｂを用いて、第２の回路形成体がＩＣチップ部品等の矩形の電子部品３５である場合について説明する。図８Ａは、第２の回路形成体が電子部品３５であるときの電極接合構造体の低分子成分残渣除去処理前の平面図であり、図８Ｂは、図８Ａのｄ−ｄ断面図である。図９Ａは、第２の回路形成体が電子部品であるときの電極接合構造体の低分子成分残渣除去処理後の平面図であり、図９Ｂは、図９Ａのｅ−ｅ断面図である。図８Ａ及び図９Ａでは、電極接合部分の構造を理解し易くするために、電子部品３５を取り除いた状態を示している。なお、図９Ａ中の白丸は導電性粒子３を示している。
【００８２】
第２の回路形成体が矩形の電子部品３５である場合には、絶縁性接着剤樹脂２が圧着ツール１２によって加圧加熱されたとき、絶縁性接着剤樹脂２は、図８Ａの主に上下左右方向に流動する。このため、低分子成分残渣７は、図８Ａに示すように、電子部品３５を囲むように位置する。したがって、第２の回路形成体が矩形の電子部品３５である場合には、この低分子成分残渣７に対して光源１３Ａよりレーザ光１３ａが照射されるように、残渣除去処理用光源装置１３を構成すればよい。レーザ光１３ａにより低分子成分残渣７を除去処理したのちは、低分子成分残渣７が接触していた絶縁性接着剤樹脂２の表面領域２Ａ及び電子部品３５には、微小な低分子成分残渣７ａ（図９Ａ参照）やレーザ痕が残ることになる。
【００８３】
また、上記第１実施形態では、光源移動装置１３Ｂにより光源１３Ａを移動させることで、レーザ光１３ａを走査したが、本発明はこれに限定されない。例えば、回折ミラー１３ｂの傾斜角度を時間と共に変更することで、レーザ光１３ａを走査するようにしてもよい。
【００８４】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明にかかる電極接合構造体、電極接合方法、及び電極接合ユニットは、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる効果を有するので、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する技術、特にガラス基板とフレキシブル基板との電極接合に代表されるフラットパネルの接合技術において、隣接する電極間の狭ピッチ化が求められるときに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の構成を示す縦断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａのａ−ａ断面図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の部分平面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法の手順を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く手順を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く手順を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに続く手順を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合ユニットの構成を示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ａの側面図ｂ−ｂ断面図である。
【図４】図２Ｃの状態における部分平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法のフローチャートである。
【図６】レーザ光の波長とガラス基板の透過率との関係を示すグラフである。
【図７Ａ】本発明の第２実施形態にかかる電極接合ユニットの構成を示す斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ａのｃ−ｃ断面図である
【図８Ａ】本発明にかかる電極接合構造体において、第２の回路形成体が電子部品であるときの、低分子成分残渣除去処理前の状態を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａのｄ−ｄ断面図である。
【図９Ａ】本発明にかかる電極接合構造体において、第２の回路形成体が電子部品であるときの、低分子成分残渣除去処理後の状態を示す平面図である。
【図９Ｂ】図９Ａのｅ−ｅ断面図である。
【図１０Ａ】従来例の電極接合方法の手順を示す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く手順を示す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂのｘ−ｘ断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｂのｙ−ｙ断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１    電極接合構造体
１Ａ  電極接合対象物
２    絶縁性接着剤樹脂
３    導電性粒子
４    ガラス基板
４Ａ  第１の電極
５    フレキシブル基板
５Ａ  第２の電極
７    低分子成分残渣
１０    電極接合ユニット
１１    圧着ステージ
１２    圧着ツール
１３    残渣除去用光源装置
１４    回折ミラー
１５    制御装置
１６    搬送装置
３５    電子部品
【図１Ａ】
0004976929.tif 000002
【図１Ｂ】
0004976929.tif 000003
【図１Ｃ】
0004976929.tif 000004
【図２Ａ】
0004976929.tif 000005
【図２Ｂ】
0004976929.tif 000006
【図２Ｃ】
0004976929.tif 000007
【図２Ｄ】
0004976929.tif 000008
【図３Ａ】
0004976929.tif 000009
【図３Ｂ】
0004976929.tif 000010
【図４】
0004976929.tif 000011
【図５】
0004976929.tif 000012
【図６】
0004976929.tif 000013
【図７Ａ】
0004976929.tif 000014
【図７Ｂ】
0004976929.tif 000015
【図８Ａ】
0004976929.tif 000016
【図８Ｂ】
0004976929.tif 000017
【図９Ａ】
0004976929.tif 000018
【図９Ｂ】
0004976929.tif 000019
【図１０Ａ】
0004976929.tif 000020
【図１０Ｂ】
0004976929.tif 000021
【図１０Ｃ】
0004976929.tif 000022
【図１０Ｄ】
0004976929.tif 000023