(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を、その表面が上方に向いたほぼ水平な姿勢に保持しつつ、鉛直軸線周りに回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域において当接するブラシと、
前記ブラシに薬液を供給するために、前記基板回転手段により回転される基板の裏面における周縁領域を除く所定の位置に向けて薬液を吐出する薬液供給手段と、
基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定のリンス液吐出位置に向けて、その所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側からリンス液を吐出する周縁リンス液吐出手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記ブラシの内部に含まれる薬液を吸引するための薬液吸引手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定の薬液吐出位置に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出するための下流側周縁薬液吐出手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記周縁リンス液吐出手段により基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液に対して、前記所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転方向下流側に間隔を隔てた位置において、基板の回転半径方向の内側から不活性ガスを吹き付けるためのガス吹付け手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ブラシは、弾性変形可能な材料を用いて形成され、前記基板回転手段により回転される基板の表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて狭まる形状の第１洗浄面を備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ブラシは、前記第１洗浄面の前記一方側の端縁から前記垂線方向の前記一方側に向けて拡がる形状の第２洗浄面を備えていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記薬液は、アンモニア過酸化水素水混合液であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄処理するための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の周縁部の汚染が、ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚のウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。
【０００３】
そのため、最近では、ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、ウエハの表面に付着する付着物（汚染）を薬液により除去した後、ウエハを回転させつつ、そのウエハの表面の中央部に純水を供給して、ウエハの表面に残留している薬液および付着物を除去する際に、ウエハの周縁部に円筒状のブラシの外周面を当接させることにより、ウエハの周縁部に付着している付着物を除去する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２７８５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、基板の表面が疎水性を示す場合（たとえば、基板の表面にＬｏｗ−ｋ膜が形成されている場合、基板の表面にベアシリコンが露出している場合など）、デバイス形成領域である表面の中央部に純水が供給されると、デバイス形成領域にウォータマーク（純水の乾燥跡）を生じるおそれがある。また、基板の表面に銅配線などが形成されている場合には、基板の表面の中央部に純水が供給されると、銅配線の酸化による腐食を生じるおそれがある。
【０００５】
このような問題を回避するため、基板の表面に純水を供給しないことも考えられるが、そうすると、ブラシにより基板の周縁部から掻き取られた汚染が周縁部上に残り、その汚染が残存したまま基板が乾燥されることにより、汚染の基板へのこびりつきが発生するおそれがある。
そこで、この発明の目的は、基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を良好に除去することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を、その表面が上方に向いたほぼ水平な姿勢に保持しつつ、鉛直軸線周りに回転させるための基板回転手段（３）と、前記基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域において当接するブラシ（２１）と、前記ブラシに薬液を供給するために、前記基板回転手段により回転される基板の裏面における周縁領域を除く所定の位置に向けて薬液を吐出する薬液供給手段（５）と、基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域（Ｐ１）に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定のリンス液吐出位置（Ｐ３）に向けて、その所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側からリンス液を吐出する周縁リンス液吐出手段（９）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域にブラシが当接されることにより、その周縁領域に付着する汚染を掻き取ることができる。一方、基板の表面の周縁領域には、ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定のリンス液吐出位置に、周縁リンス液吐出手段からのリンス液が供給される。これにより、ブラシにより掻き取られた汚染を、その掻き取られた直後にリンス液により洗い流すことができる。そのため、基板の表面の周縁領域にブラシにより掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
【０００８】
さらに、リンス液が供給される所定のリンス液吐出位置が基板の表面の周縁領域とブラシとの接触領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てているので、所定のリンス液吐出位置に供給されたリンス液がブラシに供給されることがほとんどない。これにより、リンス液により洗い流される汚染がブラシに付着するのを抑制することができる。
また、基板の表面の周縁領域上の所定のリンス液吐出位置に供給されるリンス液は、その所定のリンス液吐出位置に対して基板の回転半径方向の内側から供給されるので、基板の回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、リンス液に対して基板の回転による遠心力が作用する。このため、基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液が表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、基板の表面のデバイス形成領域にリンス液による影響を与えるおそれがない。
【０００９】
その結果、基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を良好に除去することができる。
また、薬液が供給されたブラシが、基板回転手段により回転される基板に対して、少なくとも基板の表面の周縁領域に当接される。高い洗浄力を有する薬液によって基板の表面の周縁領域に付着する汚染を良好に除去することができる。
【００１２】
また、基板の裏面に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の裏面を伝ってその周縁領域に向けて流れる。そして、基板の裏面の周縁領域に達した薬液は、基板の周縁部と接触しているブラシに供給される。このため、基板の表面のデバイス領域に薬液を供給することなく、ブラシに対して薬液を供給することができる。
【００１３】
請求項２記載の発明は、前記ブラシの内部に含まれる薬液を吸引するための薬液吸引手段（５４，５５）をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置である。
この発明によれば、ブラシに対して、薬液供給手段からの薬液が供給される一方、ブラシの内部に含まれる薬液が薬液吸引手段によって吸引される。
【００１４】
ブラシに薬液が供給されることにより、ブラシの内部には十分な量の薬液が含まれている。そのため、基板の表面の周縁領域には、ブラシが接触する領域に、適切な濡れ幅を有する薬液の液膜を形成することができる。これにより、高い洗浄力を有する薬液によって基板の表面の周縁領域に付着する汚染を良好に除去することができる。
ブラシの内部に含まれる薬液は吸引手段によって吸引される。そのため、ブラシが接触する領域よりも回転方向下流側における基板の表面の周縁領域に、ブラシから染み出る薬液の量は比較的少量である。このため、基板の表面の周縁領域に供給された薬液が表面の中央部に進入することがほとんどない。
【００１５】
その結果、基板の表面のデバイス形成領域に薬液による影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域を良好に洗浄することができる。
請求項３記載の発明は、基板の表面の周縁領域における前記ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定の薬液吐出位置（Ｐ２）に向けて、その所定の薬液吐出位置よりも基板の回転半径方向の内側から薬液を吐出するための下流側周縁薬液吐出手段（８）をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１６】
この発明によれば、基板の表面の周縁領域には、ブラシが接触する領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てた所定の薬液吐出位置に、下流側周縁薬液吐出手段からの薬液が供給される。これにより、ブラシにより掻き取られた汚染を、その掻き取られた直後に薬液により洗い流すことができる。そのため、基板の表面の周縁領域にブラシにより掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
【００１７】
さらに、薬液が供給される所定の薬液吐出位置が基板の表面の周縁領域とブラシとの接触領域に対して基板の回転方向下流側に間隔を隔てているので、所定の薬液吐出位置に供給された薬液が、基板を介して直接的にブラシに接触するのを防止することができる。これにより、薬液により洗い流される汚染がブラシに付着するのを防止することができる。
また、基板の表面の周縁領域上の所定の薬液吐出位置に供給される薬液は、その所定の薬液吐出位置に対して基板の回転半径方向の内側から供給されるので、基板の回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、薬液に対して基板の回転による遠心力が作用する。このため、基板の表面の周縁領域に供給された薬液が表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、基板の表面のデバイス形成領域に薬液による影響を与えるおそれがない。
【００１８】
その結果、基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を良好に除去することができる。
請求項４記載の発明は、前記周縁リンス液吐出手段により基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液に対して、前記所定のリンス液吐出位置よりも基板の回転方向下流側に間隔を隔てた位置（Ｐ４）において、基板の回転半径方向の内側から不活性ガスを吹き付けるためのガス吹付け手段（１０）をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１９】
この発明によれば、基板の表面の周縁領域に供給されたリンス液に対して、基板の回転方向の内側から不活性ガスが吹き付けられる。このため、汚染洗浄後のリンス液を基板外に排出することができる。これにより、基板の表面の周縁領域から汚染を速やかに除去することができ、乾燥後における基板の表面への汚染のこびりつきの発生を防止することができる。
【００２０】
また、ガス吹付け手段を設ける場合には、周縁リンス液吐出手段から吐出されるリンス液の量を少なくしても、基板の表面の周縁領域から汚染を良好に除去することができる。周縁リンス液吐出手段からのリンス液の量を少なくすることにより、基板の周縁領域から飛散したリンス液の基板の表面への跳ね返りを防止することができる。
請求項５に記載のように、前記ブラシ（２１）は、弾性変形可能な材料を用いて形成され、前記基板回転手段により回転される基板の表面に垂直な垂線方向の一方側に向けて狭まる形状の第１洗浄面（３２）を備えていてもよい。このような形状の第１洗浄面は、その垂線方向に対して傾斜しているので基板の表面の周縁領域および周端面に跨って当接させることができる。これにより、基板の表面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。
【００２１】
また、請求項６に記載のように、前記ブラシは、前記第１洗浄面の前記一方側の端縁から前記垂線方向の前記一方側に向けて拡がる形状の第２洗浄面（３３）をさらに備えていてもよい。このような第２洗浄面は基板の裏面の周縁領域および周端面に跨って当接させることができる。これにより、基板の裏面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。よって、第１洗浄面により基板の表面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができ、また、第２洗浄面により基板の裏面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。その結果、基板の両面の周縁領域ならびに周端面を含む周縁部全域を良好に洗浄することができる。
なお、請求項７に記載のように、前記薬液は、アンモニア過酸化水素水混合液であってもよい。
【００２２】
なお、請求項１０に記載のように、前記薬液は、アンモニア過酸化水素水混合液であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
基板処理装置１は、基板の一例としてのウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。この基板処理装置１は、ウエハＷを、その表面（デバイスが形成される側の面）を上方に向けてほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面（表面と反対側の面）に薬液としてのＳＣ１（アンモニア過酸化水素水）を供給するための一対の裏面ＳＣ１ノズル５（図１では一方のみ図示）と、ウエハＷの裏面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された純水）を供給するための一対の裏面ＤＩＷノズル６（図１では一方のみ図示）と、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ機構７と、ウエハＷの表面の周縁領域（デバイスが形成されない領域）４０にＳＣ１を供給するための第１表面ＳＣ１ノズル８と、ウエハＷの表面の周縁領域４０にＤＩＷを供給するための第１表面ＤＩＷノズル９と、ウエハＷの表面の周縁領域４０に不活性ガスとしてのＮ2ガスを供給するためのＮ2ガスノズル１０とを備えている。
【００２４】
なお、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面の周縁領域４０、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２を含む部分をいう。また、周縁領域４０，４１とは、たとえば、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域をいう。
スピンチャック３は、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面を吸着して保持する吸着ベース１２と、スピン軸１１と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ１３とを備えている。ウエハＷの裏面が吸着ベース１２に吸着保持された状態で、スピンモータ１３が駆動されると、ウエハＷがスピン軸１１の中心軸線まわりに回転する。
【００２５】
各裏面ＳＣ１ノズル５には、裏面ＳＣ１バルブ１４を介して、図示しないＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるようになっている。
各裏面ＤＩＷノズル６には、裏面ＤＩＷバルブ１５を介して、図示しないＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。
第１表面ＳＣ１ノズル８には、第１表面ＳＣ１バルブ１６を介して、図示しないＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるようになっている。
【００２６】
第１表面ＤＩＷノズル９には、第１表面ＤＩＷバルブ１７を介して、図示しないＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。
Ｎ2ガスノズル１０には、Ｎ2ガスバルブ１８を介して、図示しないＮ2ガス供給源からのＮ2ガスが供給されるようになっている。
ブラシ機構７は、スピンチャック３によるウエハＷの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム１９と、揺動アーム１９を支持するアーム支持軸２０と、揺動アーム１９の先端に保持されて、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ２１とを備えている。
【００２７】
アーム支持軸２０は、鉛直方向に延びて設けられている。このアーム支持軸２０の上端部は、揺動アーム１９の一端部（基端部）の下面に結合されている。アーム支持軸２０には、揺動駆動機構２３の駆動力が入力されるようになっている。揺動駆動機構２３の駆動力をアーム支持軸２０に入力して、アーム支持軸２０を往復回転させることによって、揺動アーム１９を、アーム支持軸２０を支点に揺動させることができる。また、アーム支持軸２０には、昇降駆動機構２４が結合されている。昇降駆動機構２４により、アーム支持軸２０を上下動させて、このアーム支持軸２０と一体的に揺動アーム１９を上下動させることができる。
【００２８】
揺動アーム１９の先端部には、ブラシ回転軸２５が回転可能に保持されている。ブラシ回転軸２５には、揺動アーム１９の内部において、ブラシ回転軸２５を回転させるためのブラシ自転機構２６が結合されている。一方、ブラシ回転軸２５の下端部には、ホルダ取付部２７が固定されている。ホルダ取付部２７に、ブラシホルダ２８を介して、ブラシ２１が取り付けられている。
【００２９】
図２は、ブラシの構成を示す側面図である。
ブラシ２１は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材からなる。このブラシ２１は、ウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２を洗浄するための第１洗浄部３０と、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２を洗浄するための第２洗浄部３１とを上下に一体的に備え、鉛直軸線まわりに回転対称な略鼓状に形成されている。
【００３０】
第１洗浄部３０は、その上部３０ａが略円筒状をなし、下部３０ｂが下方に向けて狭まる略円錐台状をなしている。第１洗浄部３０の下部３３ｂの側面は、上端縁が上部３０ａの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対してたとえば４５°の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線に近づくように傾斜している。この第１洗浄部３０において、下部３０ｂの側面がウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に当接する第１洗浄面３２となっている。
【００３１】
第２洗浄部３１は、第１洗浄部３０の下端に一体的に結合されて、第１洗浄部３０と中心軸線を共有するように配置されている。この第２洗浄部３１は、上部３１ａが下方に向けて拡がる略円錐台状をなし、下部３１ｂが略円筒状をなしている。第２洗浄部３１の上部３１ａの側面は、上端縁が第１洗浄部３０の下部３０ｂの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対して４５度の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線から離れるように傾斜している。また、上部３１ａの側面の下端縁は、下部３１ｂの側面の上端縁に連続している。この第２洗浄部３１において、上部３１ａの側面がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に当接する第２洗浄面３３となっている。
【００３２】
図３は、スピンチャックに保持されたウエハの平面図である。
一対の裏面ＳＣ１ノズル５は、平面視で、スピン軸１１の中心軸線を中心とする円周上に、その中心軸線を中心として対称となるように配置されている。各裏面ＳＣ１ノズル５は、その吐出口を、ウエハＷの裏面に近接する位置で、鉛直方向上方に向けて配置されている。
【００３３】
一対の裏面ＤＩＷノズル６は、平面視で、裏面ＳＣ１ノズル５と同じ円周上に、その中心軸線を中心として互いに対称をなし、かつ、裏面ＳＣ１ノズル５の位置と９０°ずれる位置に配置されている。各裏面ＤＩＷノズル６は、その吐出口を、ウエハＷの裏面に近接する位置で、鉛直方向上方に向けて配置されている。
第１表面ＳＣ１ノズル８は、スピンチャック３の上方で、その吐出口をウエハＷの表面の周縁領域４０上のＳＣ１着液位置Ｐ２に向けて、ＳＣ１着液位置Ｐ２よりもウエハＷの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第１表面ＳＣ１ノズル８の吐出口から吐出されるＳＣ１は、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。ＳＣ１着液位置Ｐ２は、ブラシ２１が当接するウエハＷの周縁部のブラシ接触位置Ｐ１に対して、ウエハＷの回転方向（矢印３５で示す方向）の下流側に間隔Ｌ１を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ１として、ウエハＷの直径の１／１０程度のサイズを例示することができる。
【００３４】
第１表面ＤＩＷノズル９は、スピンチャック３の上方で、その吐出口をウエハＷの表面の周縁領域４０のＤＩＷ着液位置Ｐ３に向けて、ＤＩＷ着液位置Ｐ３よりもウエハＷの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第１表面ＤＩＷノズル９から吐出されるＤＩＷは、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。ＤＩＷ着液位置Ｐ３は、ＳＣ１着液位置Ｐ２に対してウエハＷの回転方向の下流側に間隔Ｌ２を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ２として、ウエハＷの直径の１／１０程度のサイズを例示することができる。
【００３５】
Ｎ2ガスノズル１０は、スピンチャック３の上方で、その吐出口をウエハＷの表面の周縁領域４０のＮ2ガス吹付け位置Ｐ４に向けて、ガス吹付け位置Ｐ４よりもウエハＷの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、Ｎ2ガスノズル１０から吹き付けられるＮ2ガスは、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。Ｎ2ガス吹付け位置Ｐ４は、ＤＩＷ着液位置Ｐ３に対してウエハＷの回転方向の下流側に間隔Ｌ３を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ３として、ウエハＷの直径の１／１０程度のサイズを例示することができる。
【００３６】
図４は、基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部５０を備えている。
この制御部５０には、スピンモータ１３、裏面ＳＣ１バルブ１４、裏面ＤＩＷバルブ１５、第１表面ＳＣ１バルブ１６、第１表面ＤＩＷバルブ１７、Ｎ2ガスバルブ１８、揺動駆動機構２３、昇降駆動機構２４およびブラシ自転機構２６が制御対象として接続されている。
【００３７】
図５は、基板処理装置におけるウエハの処理を説明するための工程図である。以下、その表面の中央部（デバイス形成領域）にＬｏｗ−ｋ膜（疎水性膜）が形成されたウエハＷを洗浄する場合を例にとって説明する。
基板処理装置１内に搬入されるウエハＷは、その表面を上方に向けて、スピンチャック３に保持される。
【００３８】
ウエハＷがスピンチャック３に保持されると、制御部５０によりスピンモータ１３が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１）。ウエハＷは、矢印３５で示す方向に、たとえば１００ｒｐｍの回転速度で回転される。
次いで、制御部５０によって裏面ＳＣ１バルブ１４が開かれて、一対の裏面ＳＣ１ノズル５からウエハＷの裏面へのＳＣ１の供給が開始される（ステップＳ２）。一対の裏面ＳＣ１ノズル５から吐出されるＳＣ１の流量は、たとえば２０ｍｌ／ｍｉｎである。ウエハＷの裏面に供給されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの裏面を伝ってその周縁領域４１に向けて流れる。
【００３９】
また、制御部５０により第１表面ＳＣ１バルブ１６が開かれて、第１表面ＳＣ１ノズル８からウエハＷの表面の周縁領域４０のＳＣ１着液位置Ｐ２に向けてＳＣ１が吐出される（ステップＳ２）。ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されるＳＣ１は、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうベクトルを有している。第１表面ＳＣ１ノズル８から吐出されるＳＣ１の流量は、たとえば１０ｍｌ／ｍｉｎである。このようにＳＣ１の流量を比較的少量としたのは、ウエハＷの表面から飛散したＳＣ１がスピンチャック３の周囲に配置される部材（たとえば、スピンチャック３を取り囲むように収容する図示しない処理カップ）に当たって跳ね返り、ウエハＷの表面の中央部にＳＣ１が付着することを防止するためである。
【００４０】
さらに、制御部５０によってＮ2ガスバルブ１８が開かれて、Ｎ2ガスノズル１０からウエハＷの表面の周縁領域４０のＮ2ガス吹付け位置Ｐ４に向けてＮ2ガスが吹き付けられる（ステップＳ２）。Ｎ２ガスノズル１０から吹き出されるＮ2ガスの流量は、たとえば５Ｌ／ｍｉｎである。
また、制御部５０によりブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ２１が、たとえば、１００〜２００ｒｐｍの回転速度で、ウエハＷの回転方向と同方向に回転される。その後、制御部５０により揺動駆動機構２３および昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に当接される（ステップＳ３）。具体的には、まず、昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が予め設定された高さの位置に移動され、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷの周端面１５に対向する。次に、揺動駆動機構２３が制御されて、揺動アーム１９が旋回し、ブラシ２１が水平移動することにより、ブラシ２１の第２洗浄面３３にウエハＷが食い込み、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に押し付けられる。この状態において、ブラシ２１には、ウエハＷの裏面の周縁領域４１に達するＳＣ１が供給される。そして、ＳＣ１が供給されたブラシ２１によって、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２が洗浄される。
【００４１】
ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０により昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が所定の高さまで下降される（ステップＳ４）。これにより、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷから離れ、第１洗浄面３２にウエハＷの周縁部が当接する。そして、第１洗浄面３２にウエハＷが食い込み（ステップＳ５：ブラシの第１洗浄面当接）、第１洗浄面３２がウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に押し付けられる。この状態において、ウエハＷの裏面へのＳＣ１の供給が継続されており、ブラシ２１には、ウエハＷの裏面を伝って周端面４２に達するＳＣ１が供給される。これにより、ＳＣ１が供給されたブラシ２１によって、ウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２が洗浄される。
【００４２】
ブラシ接触位置Ｐ１よりもウエハＷの回転方向の下流側に位置するＳＣ１着液位置Ｐ２に、第１表面ＳＣ１ノズル８からのＳＣ１が供給される。ブラシ２１によりウエハＷから剥がされた汚染は、第１表面ＳＣ１ノズル８からのＳＣ１によって洗い流される。ブラシ接触位置Ｐ１よりも回転方向下流側にＳＣ１が供給されるので、表面の周縁領域４０から剥がれて間もない汚染をＳＣ１により洗い流すことができる。
【００４３】
ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの回転半径方向の外方に向けて流れる。ＳＣ１着液位置Ｐ２が、ブラシ接触位置Ｐ１に対して間隔Ｌ１を隔てた位置に位置しているので、洗浄後のＳＣ１が、ウエハＷを介して直接的にブラシ２１に接触することはない。
また、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１に対して、ウエハＷの回転半径方向の内側から、Ｎ2ガスノズル１０からのＮ2ガスが吹き付けられる。これにより、ＳＣ１は、回転半径方向外側に向けて押され、ウエハＷの表面の周縁領域４０上に止まることなく、周縁領域４０上から速やかに除去される。
【００４４】
ブラシ２１の第１洗浄面３２がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０により揺動駆動機構２３および昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が処理開始前のホームポジションに退避される（ステップＳ６）。また、ブラシ２１がホームポジションに戻される間に、ブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ２１の回転が停止される。さらに、制御部５０によって裏面ＳＣ１バルブ１４および第１表面ＳＣ１バルブ１６が閉じられて、裏面ＳＣ１ノズル５および第１表面ＳＣ１ノズル８からのＳＣ１の供給が停止される（ステップＳ７）。
【００４５】
その後、制御部５０により裏面ＤＩＷバルブ１５が開かれて、ウエハＷの裏面の中央部にＤＩＷが供給される（ステップＳ８）。これにより、ウエハＷの裏面に付着したＳＣ１が洗い流される。また、制御部５０により第１表面ＤＩＷバルブ１７が開かれる。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域４０に付着したＳＣ１が洗い流される。
このとき、Ｎ2ガスノズル１０からウエハＷの表面の周縁領域４０へのＮ2ガスの供給は続行されている。これにより、ＤＩＷの表面の中央部への回り込みを防止することができる。
【００４６】
裏面ＤＩＷバルブ１５および第１表面ＤＩＷバルブ１７の開成から所定時間が経過すると、制御部５０により裏面ＤＩＷバルブ１５および第１表面ＤＩＷバルブ１７が閉じられて、裏面ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給および第１表面ＤＩＷノズル９からのＤＩＷの供給が停止される（ステップＳ９）。また、制御部５０によりＮ2ガスバルブ１８が閉じられて、Ｎ2ガスノズル１０からのＮ2ガスの供給が停止される（ステップＳ９）。
【００４７】
その後は、制御部５０によりスピンモータ１３が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転され、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて、ウエハＷが乾燥される。ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられた後、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが基板処理装置１から搬出されていく。
【００４８】
以上のように、この実施形態によれば、スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。一方、ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ１を隔てたＳＣ１着液位置Ｐ２に、第１表面ＳＣ１ノズル８からのＳＣ１が供給される。これにより、ブラシ２１により掻き取られた汚染を、その掻き取られた直後にＳＣ１により洗い流すことができる。そのため、ウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１により掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
【００４９】
さらに、ＳＣ１着液位置Ｐ２がブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ１を隔てているので、ＳＣ１着液位置Ｐ２に供給されたＳＣ１が、ウエハＷを介して直接的にブラシ２１に接触するのを防止することができる。これにより、ＳＣ１により洗い流される汚染がブラシ２１に付着するのを防止することができる。
また、ウエハＷの表面の周縁領域４０上のＳＣ１着液位置Ｐ２に供給されるＳＣ１は、そのＳＣ１着液位置Ｐ２に対してウエハＷの回転半径方向の内側から供給されるので、ウエハＷの回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、ＳＣ１に対してウエハＷの回転による遠心力が作用する。このため、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１がウエハＷの表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、ウエハＷの表面のデバイス形成領域にＳＣ１による影響を与えるおそれがない。
【００５０】
その結果、ウエハＷの表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、ウエハＷの表面の周縁領域４０から汚染を良好に除去することができる。
図６は、本発明の他の実施形態（第２の実施形態）に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。この第２の実施形態において、前述の図１〜図５の実施形態（第１の実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付して示し、特に説明が必要な場合を除き、その説明を省略する。
【００５１】
第１の実施形態では、ブラシ２１へのＳＣ１の供給のために、ウエハＷの裏面に裏面ＳＣ１ノズル５からのＳＣ１が供給される構成について説明したが、第２の実施形態では、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されるＳＣ１を用いて、ブラシ２１にＳＣ１を供給している。そして、この第２の実施形態では、裏面ＳＣ１ノズル５および裏面ＤＩＷノズル６が省略されている。
【００５２】
基板処理装置５１は、ウエハＷの表面の周縁領域４０にＳＣ１を供給するための第２表面ＳＣ１ノズル５２と、ウエハＷの表面の周縁領域４０にＤＩＷを供給するための第２表面ＤＩＷノズル５７とを備えている。
第２表面ＳＣ１ノズル５２には、第２表面ＳＣ１バルブ５３を介して、図示しないＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるようになっている。
【００５３】
第２表面ＤＩＷノズル５７には、第２表面ＤＩＷバルブ５８を介して、図示しないＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。
さらに、基板処理装置５１は、ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１を吸引するための吸引ノズル５４を備えている。吸引ノズル５４には、吸引管５５の一端が接続されている。吸引管５５の他端は、吸引管５５の内部を真空吸引するための吸引装置（図示せず）に接続されている。吸引管５５の途中部には、吸引ノズル５４からの吸引／吸引停止を切り換えるための吸引バルブ５６が介装されている。この吸引ノズル５４は、ブラシホルダ２８に係止された保持金具（図示せず）によって、ブラシ２１と一体的に昇降可能に構成にされている。
【００５４】
図７は、第２の実施形態に係る基板処理装置のスピンチャックに保持されたウエハの平面図である。
第２表面ＳＣ１ノズル５２は、スピンチャック３の上方で、その吐出口をウエハＷの表面の周縁領域４０上のＳＣ１着液位置Ｐ５に向けて、ＳＣ１着液位置Ｐ５よりもウエハＷの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第２表面ＳＣ１ノズル５２の吐出口から吐出されるＳＣ１は、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。ＳＣ１着液位置Ｐ５は、ブラシ２１が当接するウエハＷの周縁部のブラシ接触位置Ｐ１に対して、ウエハＷの回転方向（矢印３５で示す方向）の上流側に間隔Ｌ４を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ４として、ウエハＷの直径の１／３０程度のサイズを例示することができる。
【００５５】
第２表面ＤＩＷノズル５７は、スピンチャック３の上方で、その吐出口をウエハＷの表面の周縁領域４０のＤＩＷ着液位置Ｐ６に向けて、ＤＩＷ着液位置Ｐ６よりもウエハＷの回転半径方向における内側に配置されている。これにより、第２表面ＤＩＷノズル５７から吐出されるＤＩＷは、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かう。ＤＩＷ着液位置Ｐ６は、ブラシ２１が当接するウエハＷの周縁部のブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向の下流側に間隔Ｌ５を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ５として、ウエハＷの直径の１／１０程度のサイズを例示することができる。
【００５６】
また、第２の実施形態では、Ｎ2ガスノズル１０からのＮ2ガスが吹き付けられるＮ2ガス吹付け位置Ｐ４は、ＤＩＷ着液位置Ｐ６に対してウエハＷの回転方向の下流側に間隔Ｌ６を隔てた位置に設定されている。この間隔Ｌ６として、ウエハＷの直径の１／１０程度のサイズを例示することができる。
吸引ノズル５４は、その先端が、ブラシ２１の周面（図６および図７では、たとえば、第２洗浄面３３）に微小な間隔（たとえば、３ｍｍ）を隔てて配置されている。そのため、ブラシ２１にＳＣ１が含まれている状態で、吸引バルブ５６が開かれて、吸引管５５の内部が吸引装置（図示せず）によって吸引されると、ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１が、吸引ノズル５４に吸引される。したがって、ブラシ２１の回転を妨げることなく、ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１を、吸引ノズル５４により吸引することができる。
【００５７】
図８は、第２の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御部５０には、スピンモータ１３、第２表面ＳＣ１バルブ５３、第２表面ＤＩＷバルブ５８、Ｎ2ガスバルブ１８、吸引バルブ５６、揺動駆動機構２３、昇降駆動機構２４およびブラシ自転機構２６が制御対象として接続されている。
【００５８】
図９は、第２の実施形態に係る基板処理装置におけるウエハの処理を説明するための工程図である。第１の実施形態と同様、その表面の中央部（デバイス形成領域）にＬｏｗ−ｋ膜（疎水性膜）が形成されたウエハＷを洗浄する場合を例にとって説明する。
基板処理装置５１内に搬入されるウエハＷは、その表面を上方に向けて、スピンチャック３に保持される。
【００５９】
ウエハＷがスピンチャック３に保持されると、制御部５０によりスピンモータ１３が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１１）。ウエハＷは、たとえば１００ｒｐｍの回転速度で回転される。
次いで、制御部５０によって第２表面ＳＣ１バルブ５３が開かれる（ステップＳ１２）。これにより、第２表面ＳＣ１ノズル５２からウエハＷの表面の周縁領域４０のＳＣ１着液位置Ｐ５に向けてＳＣ１が吐出される（ステップＳ１２）。第２表面ＳＣ１ノズル５２から吐出されるＳＣ１の流量は、たとえば２０ｍｌ／ｍｉｎである。ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されるＳＣ１は、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうベクトルを有している。
【００６０】
また、制御部５０によって吸引バルブ５６が開かれる（ステップＳ１２）。
さらにまた、制御部５０によってＮ2ガスバルブ１８が開かれて、Ｎ2ガスノズル１０からウエハＷの表面の周縁領域４０のＮ2ガス吹付け位置Ｐ４に向けてＮ2ガスが吹き付けられる（ステップＳ１２）。Ｎ2ガスノズル１０から吹き出されるＮ2ガスの流量は、たとえば５Ｌ／ｍｉｎである。
【００６１】
さらに、制御部５０によりブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ２１が、たとえば、１００〜２００ｒｐｍの回転速度で、ウエハＷの回転方向と同方向に回転される。その後、制御部５０により揺動駆動機構２３および昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に当接される（ステップＳ１３）、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２が洗浄される。ステップＳ１３の処理は、図５のステップＳ３と同様の処理である。
【００６２】
ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０により昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が所定の高さまで下降される（ステップＳ１４）。これにより、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷから離れ、第１洗浄面３２にウエハＷの周縁部が当接する。そして、第１洗浄面３２にウエハＷが食い込み（ステップＳ１５：ブラシの第１洗浄面当接）、第１洗浄面３２がウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に押し付けられる。この状態において、第２表面ＳＣ１ノズル５２からのＳＣ１の供給が継続されている。ウエハＷの表面の周縁領域４０のＳＣ１着液位置Ｐ５に着液したＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、表面の周縁領域４０上をウエハＷの回転半径方向の外方に向けて移動し、ウエハＷの周縁部に接触しているブラシ２１に付与される。これにより、ＳＣ１が供給されたブラシ２１によって、ウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２が洗浄される。したがって、ウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に付着する汚染が剥がされる。
【００６３】
また、この状態において、吸引ノズル５４によるＳＣ１の吸引は続行されている。すなわち、ブラシ２１に対して、第２表面ＳＣ１ノズル５２からのＳＣ１が供給される一方、ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１が吸引ノズル５４によって吸引される。
ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１が吸引ノズル５４によって吸引されているとともに、ブラシ２１へＳＣ１が供給されているので、ブラシ２１に含まれるＳＣ１は必要十分で適切な量に保たれている。そのため、ブラシ２１が当接するウエハＷの周縁部のブラシ接触位置Ｐ１では、適切な濡れ幅（たとえば、２ｍｍ）のＳＣ１の液膜を形成することができる。
【００６４】
さらに、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１に対して、ウエハＷの回転半径方向の内側から、Ｎ2ガスノズル１０からのＮ2ガスが吹き付けられる。これにより、ＳＣ１は、回転半径方向外側に向けて押され、ウエハＷの表面の周縁領域４０上に止まることなく、周縁領域４０上から速やかに除去される。
ブラシ２１の第１洗浄面３２がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０によって第２表面ＳＣ１バルブ５３が閉じられて、第２表面ＳＣ１ノズル５２からのＳＣ１の供給が停止される（ステップＳ１６）。また、制御部５０によって吸引バルブ５６は開いた状態が維持されて、吸引ノズル５４からのＳＣ１の吸引は継続される（ステップＳ１６）。
【００６５】
その後、制御部５０により第２表面ＤＩＷバルブ５８が開かれる（ステップＳ１７）。これにより、第２表面ＤＩＷノズル５７からウエハＷの表面の周縁領域４０のＤＩＷ着液位置Ｐ６に向けてＤＩＷが吐出される。第２表面ＤＩＷノズル５７から吐出されるＤＩＷの流量は、たとえば１０ｍｌ／ｍｉｎである。ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されるＤＩＷは、平面視において、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうベクトルを有している。また、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＤＩＷには、ウエハＷの回転による遠心力が作用する。そのため、着液位置Ｐ６に吐出されたＤＩＷのほとんどはウエハＷの外方に排出される。しかしながら、ＤＩＷの一部は、ウエハＷの表面の周縁領域４０に残留する。
【００６６】
また、制御部５０により昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が所定の高さまで上昇される（ステップＳ１８）。これにより、ブラシ２１の第１洗浄面３２がウエハＷから離れ、第２洗浄面３３にウエハＷの周縁部が当接する。そして、第２洗浄面３３にウエハＷが食い込み（ステップＳ１９：ブラシの第２洗浄面当接）、第２洗浄面３３がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に押し付けられる。この状態において、ウエハＷの回転に伴って、ウエハＷの表面の周縁領域４０に残留したＤＩＷがブラシ２１に供給される。ＤＩＷが供給されたブラシ２１によって、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２が洗浄され、ウエハＷの裏面の周縁領域４１に付着したＳＣ１が洗い流される。
【００６７】
ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０により昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が所定の高さまで下降される（ステップＳ２０）。これにより、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷから離れ、第１洗浄面３２にウエハＷの周縁部が当接する。そして、第１洗浄面３２にウエハＷが食い込み（ステップＳ２１：ブラシの第１洗浄面当接）、第１洗浄面３２がウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に押し付けられる。この状態において、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷの供給が継続されている。そのため、ウエハＷの回転に伴って、ウエハＷの表面の周縁領域４０に残留したＤＩＷがブラシ２１に供給される。ＤＩＷが供給されたブラシ２１によって、ウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２が洗浄され、ウエハＷの裏面の周縁領域４１に付着したＳＣ１が洗い流される。
【００６８】
ブラシ接触位置Ｐ１よりもウエハＷの回転方向の下流側に位置するＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１によりウエハＷから剥がされた汚染は、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷによって洗い流される。ブラシ接触位置Ｐ１よりも回転方向下流側にＤＩＷが供給されるので、表面の周縁領域４０から剥がれた汚染をＤＩＷにより洗い流すことができる。
【００６９】
ブラシ２１の第１洗浄面３２がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部５０により揺動駆動機構２３および昇降駆動機構２４が制御されて、ブラシ２１が処理開始前のホームポジションに退避されるとともに、制御部５０によって吸引バルブ５６が閉じられて、吸引ノズル５４からのＳＣ１の吸引が停止される（ステップＳ２２）。また、ブラシ２１がホームポジションに戻される間に、ブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ２１の回転が停止される。さらに、制御部５０によって第２表面ＤＩＷバルブ５８が閉じられて、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷの供給が停止される（ステップＳ２３）。
【００７０】
その後は、制御部５０によりスピンモータ１３が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転され、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて、ウエハＷが乾燥される。ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられた後、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが基板処理装置５１から搬出されていく。
【００７１】
以上のように、スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０に、ＳＣ１が供給されたブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。一方、ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。これにより、ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。そのため、ウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１により掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
【００７２】
さらに、ＤＩＷ着液位置Ｐ６がブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てているので、ＤＩＷ着液位置Ｐ６に供給されたＤＩＷのほとんどは、ウエハＷを介して直接的にブラシ２１に接触しない。これにより、ＤＩＷにより洗い流される汚染がブラシ２１に付着するのを抑制することができる。
また、ウエハＷの表面の周縁領域４０上のＤＩＷ着液位置Ｐ６に供給されるＤＩＷは、そのＤＩＷ着液位置Ｐ６に対してウエハＷの回転半径方向の内側から供給されるので、ウエハＷの回転半径方向の外側に向かうベクトルを有している。そして、その供給後には、ＤＩＷに対してウエハＷの回転による遠心力が作用する。このため、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＤＩＷがウエハＷの表面の中央部に進入することがほとんどない。したがって、ウエハＷの表面のデバイス形成領域にＤＩＷによる影響を与えるおそれがない。
【００７３】
その結果、ウエハＷの表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、ウエハＷの表面の周縁領域４０から汚染を良好に除去することができる。
また、スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向上流側のＳＣ１着液位置Ｐ５に向けて、第２表面ＳＣ１ノズル５２からのＳＣ１が供給される。ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁部に接触しているブラシ２１に付与される。このため、ブラシ２１に対してＳＣ１を良好に供給することができる。
【００７４】
さらに、第２表面ＳＣ１ノズル５２からのＳＣ１が、ウエハＷの表面の周縁領域４０を伝って、回転状態にあるブラシ２１に供給される。そのため、第２表面ＳＣ１ノズル５２からブラシ２１に向けてＳＣ１を直接吐出する構成と比較して、ブラシ２１の回転に伴うＳＣ１の飛散を抑制することができる。
さらにまた、ブラシ２１へのＳＣ１の供給により、ブラシ２１の内部には十分な量のＳＣ１が含まれている。そのため、ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に、所定の濡れ幅を有するＳＣ１の液膜を形成することができる。これにより、ＳＣ１  の洗浄力によってウエハＷの表面の周縁領域４０に付着する汚染を良好に掻き取ることができる。一方、ブラシ２１の内部に含まれるＳＣ１は吸引ノズル５４によって吸引される。そのため、ブラシ接触位置Ｐ１よりも回転方向下流側におけるウエハＷの表面の周縁領域４０に、ブラシ２１から染み出るＳＣ１の量は比較的少量である。このため、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＳＣ１がウエハＷの表面の中央部に進入することがほとんどない。
【００７５】
以上、本発明の２つの実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、ブラシ２１にＳＣ１を直接供給する構成を採用することもできる。この場合、ブラシ２１の洗浄面３２，３３に対してＳＣ１が供給されてもよいし、ブラシ回転軸２５を介してブラシ２１の内部にＳＣ１が供給されてもよい。
また、前記の２つの実施形態では、基板処理装置１，５１を用いて、ウエハＷの表面の中央部にＬｏｗ−ｋ膜（疎水性膜）が形成されたウエハＷを洗浄する場合を例にとって説明したが、基板処理装置１，５１を用いた洗浄処理は、その表面の中央部に銅配線が形成されたウエハＷを洗浄対象とすることもできるし、それ以外のウエハＷを洗浄対象とすることもできる。
【００７６】
また、第１の実施形態の基板処理装置においては、ブラシ２１を吸引する吸引ノズルを備えていないが、さらに、第２の実施形態と同様の吸引ノズル５４及び吸引管５５を設け、ブラシ２１内のＳＣ１等の液体を吸引するようにしてもよい。
さらに、第１の実施形態の処理工程では、ステップＳ８のリンス処理時にブラシ２１がホームポジションに退避されているが、このリンス処理時のブラシ２１がウエハＷの周縁部に接触させられていてもよい。この場合、リンス処理では、ステップＳ２〜Ｓ７のＳＣ１処理のように、まず、ブラシ２１の第２洗浄面３３がウエハＷの裏面の周縁領域４１および周端面４２に当接されて、その後に、ブラシ２１の第１洗浄面３２がウエハＷの表面の周縁領域４０および周端面４２に当接されることが好ましい。
【００７７】
また、第２実施形態において、第１実施形態のように裏面ＤＩＷノズル６を配設する構成を採用することもできる。かかる場合には、ステップＳ１７〜Ｓ２２のリンス処理時に、裏面ＤＩＷノズル６からのＤＩＷを、ブラシ２１に供給することができる。このため、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷをブラシ２１に供給する必要はない。
したがって、ステップＳ１７〜Ｓ２２のリンス処理において、Ｎ2ガスノズル１０からＮ2ガスを吐出させることもできる。このとき、ウエハＷの表面の周縁領域４０に供給されたＤＩＷに対して、ウエハＷの回転半径方向の内側から、Ｎ2ガスノズル１０からのＮ2ガスが吹き付けられる。これにより、ＤＩＷは、回転半径方向外側に向けて押され、ウエハＷの表面の周縁領域４０上に止まることなく、周縁領域４０上から速やかに除去される。
【００７８】
また、リンス処理においてＮ2ガスノズル１０からＮ2ガスを吐出させる場合には、第２表面ＤＩＷノズル５７から吐出されるＤＩＷの量を少なくしても、ウエハＷの表面の周縁領域４０から汚染を良好に除去することができる。第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷの量を少なくすることにより、ウエハＷの表面の周縁領域４０から飛散したＤＩＷのウエハＷの表面への跳ね返りを防止することができる。
【００７９】
さらに、裏面ＤＩＷノズル６を配設する構成では、リンス処理時にブラシ２１に十分な量のＤＩＷが供給される。そのため、吸引ノズル５４からの吸引を、ステップＳ１２〜Ｓ１６のＳＣ１処理だけでなく、ステップＳ１７〜Ｓ２２のリンス処理において行う構成であってもよい。この場合、ウエハＷの中央部へのＤＩＷの進入を防止することができる。
また、前記の２つの実施形態では、ＳＣ１処理後にリンス処理を施す構成を例に挙げて説明したが、ＳＣ１（薬液）を用いずにＤＩＷ（リンス液）だけを用いて、ウエハＷの表面の周縁領域４０を洗浄することもできる。かかる場合、第２の実施形態では、ステップＳ１２〜Ｓ１６のＳＣ１処理に関する工程を削除することができる。
【００８０】
この場合、ＤＩＷが供給されたブラシ２１がウエハＷの表面の周縁領域４０に接触することにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。一方、ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。これにより、ブラシ２１により掻き取られた汚染を、その掻き取られた直後にＤＩＷにより洗い流すことができる。そのため、ウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１により掻き取られた汚染が残留してこびりつくことを防止することができる。
【００８１】
さらに、前記の２つの実施形態では、薬液としてＳＣ１を例示したが、これ以外にたとえばアンモニア水を用いることができる。
また、リンス液としては、ＤＩＷに限られず、たとえば、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水を用いることもできる。
さらにまた、前記の２つの実施形態では、スピンチャック３として真空吸着式のチャックを用いたが、スピンチャック３は、このような真空吸着式のチャックに限られない。たとえば、ウエハＷの周端面４２を複数個の回転ローラを用いて挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができるローラ式のチャックが採用されていてもよい。この場合、ウエハＷの裏面に薬液またはリンス液を供給する構成を採用する場合には、ウエハＷの裏面の回転中心近傍に薬液またはリンス液が供給されることにより、ブラシ２１への薬液またはリンス液の供給が達成されることが好ましい。また、ウエハＷの裏面に薬液またはリンス液を供給する構成を採用しない場合には、ウエハＷの周端面４２を複数個のチャックピンを用いて挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる端面挟持型のチャックが採用されていてもよい。
【００８２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】ブラシの構成を示す側面図である。
【図３】スピンチャックに保持されたウエハの平面図である。
【図４】基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図５】基板処理装置におけるウエハの処理を説明するための工程図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図７】第２の実施形態に係る基板処理装置のスピンチャックに保持されたウエハの平面図である。
【図８】第２の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図９】第２の実施形態に係る基板処理装置におけるウエハの処理を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００８４】
１，５１  基板処理装置
３  スピンチャック（基板回転手段）
５  裏面ＳＣ１ノズル（薬液供給手段）
６  裏面ＤＩＷノズル
８  第１表面ＳＣ１ノズル（下流側周縁薬液吐出手段）
９  第１表面ＤＩＷノズル（周縁リンス液吐出手段）
１０  Ｎ２ガスノズル（ガス吹付け手段）
２１  ブラシ
２３  揺動駆動機構
２４  昇降駆動機構
３２  第１洗浄面
３３  第２洗浄面
５２  第２表面ＳＣ１ノズル
５４  吸引ノズル（薬液吸引手段）
５５  吸引管（薬液吸引手段）
５７  第２表面ＤＩＷノズル
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６  間隔
Ｐ１  ブラシ接触位置
Ｐ２  ＳＣ１着液位置（所定の薬液吐出位置）
Ｐ３  ＤＩＷ着液位置（所定のリンス液吐出位置）
Ｐ４  Ｎ２ガス吹付け位置
Ｐ５  ＳＣ１着液位置
Ｐ６  ＤＩＷ着液位置
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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