(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂、及び、１５０〜７５０ｎｍの光照射によって塩基を発生することを特徴とする一般式（１）または（２）で示されるイミダゾリウム塩化合物を少なくとも含む回路接続用フィルム状接着剤。
【化１】
0005005149.tif 000019
（式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は独立に水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキリデン基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、炭素数１〜６のフェノキシアルキル基、炭素数１〜６のフェニルアルキル基、炭素数１〜６のシアノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、ベンジル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、メチルチオ基、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素を示す。また、Ａｒ１は次式（Ｉ）〜（ＸＩＶ）で表される芳香族基であり、
【化２】
0005005149.tif 000020
式中Ｒ５〜Ｒ２８は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（Ｘ）、（ＸＩ）及び（ＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｆは、炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかを示す。またＡｒ２は、次式（ＸＶ）〜（ＸＸＩＩＩ）で示される芳香族基であり、
【化３】
0005005149.tif 000021
Ｒ２９〜Ｒ３６は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（ＸＶＩＩＩ）、（ＸＩＸ）及び（ＸＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｄは、独立に炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかであり、それらは炭素、窒素、炭素数１〜６のアルキル基、酸素、硫黄と結合しても良い。また、Ｘ−は、チオシアネート、次式（ＸＸＩＶ）で表されるほう酸である。
【化４】
0005005149.tif 000022
Ｒ３７〜Ｒ４０は、独立にフェニル基、フッ素が少なくとも１つ以上置換したフルオロフェニル基である。
【請求項２】
エポキシ樹脂と反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物を含み、前記官能基が、カルボキシル基、メルカプト基、フェノール性水酸基、１級又は２級の芳香族アミノ基である請求項１に記載の回路接続用フィルム状接着剤。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路接続用フィルム状接着剤の硬化に際し、光照射のみ、または光照射と加熱を同時または光照射後に加熱を行うことより硬化物を得る硬化方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の回路接続用フィルム状接着剤に、光照射のみ、または光照射と加熱を同時または光照射後に加熱を行うことより得られる硬化物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１５０〜７５０ｎｍの光照射によって塩基を発生する光塩基発生剤およびこれを用いた硬化性組成物、硬化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光硬化技術は、従来の熱硬化技術と比較して低温硬化、プロセスの短縮化、短時間硬化、微細加工等の特徴を活かし、コーティング、レジスト等に応用が図られている。光硬化で主に用いられている硬化システムとしては、ラジカル硬化とカチオン硬化に大別される。ラジカル硬化の場合、光ラジカル発生剤と（メタ）アクリレート樹脂が主成分であり、光照射の際に光ラジカル発生剤が開裂や水素引抜き等の過程を経てラジカルを発生し、（メタ）アクリレート樹脂の硬化を行うシステムであり、速硬化が可能であることが特徴である。カチオン硬化の場合、光酸発生剤とカチオン重合性を有するエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ビニルエーテル樹脂等からなり、光照射の際に光酸発生剤が酸を発生してカチオン重合性樹脂の硬化を行うシステムであり、硬化時の硬化収縮が低い特徴を持つ。また、これらの光硬化系は遮光することによりポットライフに優れるという特徴をもつ。しかしながら、ラジカル硬化系の場合には低接着力、カチオン硬化系の場合には強酸が系内に残存するため金属や無機材質の被着体を使用すると腐食を引き起こす問題がある。
従来から接着剤等の用途に対してはイミダゾールやジシアンジアミド等の塩基性基を持つ熱潜在性触媒とエポキシ樹脂、またはエポキシ樹脂と反応性を持つカルボキシル基、メルカプト基、アミノ基、フェノール性水酸基等を組み合わせた熱硬化システムが用いられている。本システムは、無機材質、金属材質、有機材質等の被着体に対して高い接着性を持ち、また耐湿性、耐候性、耐熱性にも優れるため、建築材料から電気・電子材料、半導体材料に至る広範な用途で用いられている。しかしながら、前記潜在性硬化剤を用いた場合、一般に１７０℃以上の硬化温度が必要となり、１７０℃以下の温度で硬化する場合、ポットライフを兼備えた硬化システムの構築が難しい。
ポットライフと低温硬化性を考慮し、光照射によって塩基性化合物を発生する光塩基発生剤の研究が近年行われている。このような光塩基発生剤としては、例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙ  ＆  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｏｆ  ＵＶ  ＆  ＥＢ  Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ，  Ｉｎｋｓ  ＆  Ｐａｉｎｔｓ，Ｅｄ．ｂｙ  Ｇ．  Ｂｒａｄｌｅｙ，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ａｎｄ  Ｓｏｎｓ  Ｌｔｄ．（１９９８年）、ｐ４７９〜ｐ５４５に記載されているカルバメート誘導体やオキシムエステル誘導体が一般的に知られている。しかしながら、これらのほとんどの化合物は発生効率が低く、また光照射によって発生する塩基性化合物が１級または２級アミンであるため塩基性が低く、エポキシ樹脂を十分に硬化するための触媒活性を持たない問題がある。
光照射によって強塩基を発生する化合物はいくつか報告されており、例えば特開昭５５-２２６６９号公報に記載されているカルボン酸アンモニウム塩や特開平１１-７１４５０号に記載されているα-アミノアセトフェノン誘導体が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カルボン酸アンモニウム塩の場合、カルボン酸と３級アミンとの結合がイオン結合であるため、エポキシ硬化性組成物中に溶解すると、解離が進行してポットライフに劣る欠点がある。また、α-アミノアセトフェノン誘導体の場合、分子内の立体障害によって触媒を不活性化しているものの、エポキシ硬化性組成物中に溶解した場合、分子内の自由回転が可能となるため、ポットライフに劣ることが分かっている。
【０００４】
本発明は、従来の光硬化技術の特徴を維持し、触媒発生効率が高く、触媒活性を有し、ポットライフにも優れた光塩基発生剤、硬化性組成物及び硬化方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記事情に鑑みて鋭意検討した結果、イミダゾリウム塩化合物がポットライフに優れ、かつ光照射によって強塩基であるイミダゾールを発生して１７０℃以下の低温でエポキシ樹脂を硬化できることを見出した。
本発明は１５０〜７５０ｎｍの光照射によって塩基を発生することを特徴とする一般式(１)または(２)で示されるイミダゾリウム塩化合物に関するものである。
【０００６】
【化５】
0005005149.tif 000002
（式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は独立に水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキリデン基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、炭素数１〜６のフェノキシアルキル基、炭素数１〜６のフェニルアルキル基、炭素数１〜６のシアノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、ベンジル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、メチルチオ基、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素を示す。
【０００７】
また、Ａｒ１は一般式（Ｉ）〜（ＸＩＶ）で表される芳香族基であり、
【化６】
0005005149.tif 000003
式中Ｒ５〜Ｒ２８は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（Ｘ）、（ＸＩ）及び（ＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｆは、炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかを示す。またＡｒ２は、次式（ＸＶ）〜（ＸＸＩＩＩ）で示される芳香族基であり、
【０００８】
【化７】
0005005149.tif 000004
Ｒ２９〜Ｒ３６は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（ＸＶＩＩＩ）、（ＸＩＸ）及び（ＸＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｄは、独立に炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかであり、それらは炭素、窒素、炭素数１〜６のアルキル基、酸素、硫黄と結合しても良い。また、Ｘ−は、炭素数１〜６のジアルキルジチオカルバミド酸、チオシアネート、次式（ＸＸＩＶ）で表されるほう酸である。
【化８】
0005005149.tif 000005
Ｒ３７〜Ｒ４０は、独立にフェニル基、フッ素が少なくとも１つ以上置換したフルオロフェニル基である。
【０００９】
炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso-プロピル基、ｎ−ブチル基、sec-ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられる。炭素数１〜８のアルコキシ基としては、メトシキ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基が挙げられる。炭素数１〜８のアルキリデン基としては、例えば、メチリデン基、エチリデン基、ｎ−プロピリデン基、iso-プロピリデン基、n-ブチリデン基、sec-ブチリデン基、tert−ブチリデン基、ペンチリデン基、iso-ペンチリデン基、neo-ペンチリデン基、ヘキシリデン基、ヘプチリデン基、オクチリデン基が挙げられる。炭素数４〜８のシクロアルキル基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基が挙げられる。炭素数４〜８のシクロアルケニル基としては、例えば、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプチニル基、シクロオクテニル基が挙げられる。炭素数１〜６のフェノキシアルキル基としては、例えば、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基、フェノキシ‐n-プロピル基、フェノキシ‐iso-プロピル基、フェノキシ‐n-ブチル基、フェノキシ‐sec-ブチル基、フェノキシ‐tert-ブチル基、フェノキシペンチル基、フェノキシ‐iso-ペンチル基、フェノキシ‐neo-ペンチル基、フェノキシヘキシル基が挙げられる。炭素数１〜６のフェニルアルキル基としては、例えば、フェニルメチル基、フェニルエチル基、フェニル‐n-プロピル基、フェニル‐iso-プロピル基、フェニル‐n-ブチル基、フェニル‐sec-ブチル基、フェニル‐tert-ブチル基、フェニルペンチル基、フェニル−iso-ペンチル基、フェニル‐neo-ペンチル基、フェニルヘキシル基が挙げられる。炭素数１〜６のシアノアルキル基としては、例えば、シアノメチル基、シアノエチル基、シアノ‐n-プロピル基、シアノ‐iso-プロピル基、シアノ‐ｎ−ブチル基、シアノ‐sec-ブチル基、シアノ‐tert−ブチル基、シアノペンチル基、シアノ‐iso-ペンチル基、シアノ‐neo-ペンチル基、シアノヘキシル基が挙げられる。炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシ‐n-プロピル基、ヒドロキシ‐iso-プロピル基、ヒドロキシ‐n-ブチル基、ヒドロキシ‐sec-ブチル基、ヒドロキシ‐tert-ブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシ‐iso-ペンチル基、ヒドロキシ‐neo-ペンチル基、ヒドロキシヘキシル基が挙げられる。炭素数１〜８のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert-ブチルチオ基、ペンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基が挙げられる。炭素数１〜６のアルキルアミノ基としては、例えば、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノ‐n-プロピル基、アミノ‐iso-プロピル基、アミノ‐n-ブチル基、アミノ‐sec-ブチル��、アミノ‐tert-ブチル基、アミノ‐ペンチル基、アミノ‐iso-ペンチル基、アミノ‐neo-ペンチル基が挙げられる。炭素数１〜３のジアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ-n-プロピルアミノ基、ジ-iso-プロピルアミノ基が挙げられる。電子供与性基としては、例えば、アミノ基、水酸基、ハロゲン（塩素、臭素、ヨウ素など）、アルキル基等が挙げられる。電子吸引性基としては、例えば、ニトロ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトリル基等が挙げられる。
【００１０】
また、本発明はエポキシ樹脂及び上記一般式(１)または(２)で示されるイミダゾリウム塩化合物を少なくとも含む硬化性組成物である。
また、本発明はエポキシ樹脂、上記一般式(１)または(２)で示されるイミダゾリウム塩化合物、エポキシ樹脂と反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物を有する硬化性組成物である。
また、本発明はエポキシ樹脂と反応性を有する官能基が、カルボキシル基、メルカプト基、フェノール性水酸基、１級又２級の芳香族アミノ基である上記の硬化性組成物である。
また、本発明は分子内に二つ以上のイソシアナート基を持つ化合物、上記一般式(１)または(２)で示されるイミダゾリウム塩化合物、分子内に二つ以上の水酸基を持つ化合物を含む硬化性組成物である。
また、本発明は前記硬化性組成物の硬化に際し、光照射のみ、または光照射と加熱を同時または光照射後に加熱を行うことよって硬化物を得る硬化方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明において用いるイミダゾリウム塩化合物は、上記一般式（１）または（２）で表され、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は独立に水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキリデン基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、炭素数１〜６のフェノキシアルキル基、炭素数１〜６のフェニルアルキル基、炭素数１〜６のシアノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フェニル基、電子供与性基および/または電子吸引性基が置換したフェニル基、ベンジル基、電子供与性基および/または電子吸引性基が置換したベンジル基、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、メチルチオ基、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素を示す。上記一般式（１）中のＡｒ１は一般式（Ｉ）〜（ＸＩＶ）で表される芳香族基であり、
【化９】
0005005149.tif 000006
式中Ｒ５〜Ｒ２８は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（Ｘ）、（ＸＩ）及び（ＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｆは、炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかである。また、上記一般式（２）中のＡｒ２は、次式（ＸＶ）〜（ＸＸＩＩＩ）で示される芳香族基であり、
【化１０】
0005005149.tif 000007
Ｒ２９〜Ｒ３６は独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキルチオ基、炭素数４〜８のシクロアルキル基、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、モルフォリノ基、メルカプト基、水酸基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のカルボニル基、アルデヒド基、シアノ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したフェニル基、電子供与性基および／または電子吸引性基が置換したベンジル基である。また式（ＸＶＩＩＩ）、（ＸＩＸ）及び（ＸＸＩＩＩ）中Ａ〜Ｄは、独立に炭素、窒素、酸素、硫黄原子のいずれかであり、それらは炭素、窒素、炭素数１〜６のアルキル基、酸素、硫黄と結合しても良い。また、上記一般式（１）、（２）中のＸ−は、炭素数１〜６のジアルキルジチオカルバミド酸、チオシアネート、または次式（ＸＸＩＶ）で表されるほう酸である。
【化１１】
0005005149.tif 000008
Ｒ３７〜Ｒ４０は、独立にフェニル基、フッ素が少なくとも１つ以上置換したフルオロフェニル基である。
【００１２】
イミダゾリウム塩化合物の合成は、公知の方法を用いることができる。合成の簡便性、安全性を考慮すると、下式に示すように、ハロゲン化アルキルケトン誘導体とイミダゾール誘導体とで、イミダゾリウム・ハロゲン塩を合成した後、アニオン交換反応によって、イミダゾリウム塩を合成する方法が好ましい。
【化１２】
0005005149.tif 000009
合成温度、合成時間に関しては、使用する出発物質の分解等が無ければ特に制限を受けないが、一般的には０〜１００℃の温度で３０分〜７日間攪拌することによって目的のイミダゾリウム塩化合物を得ることができる。
【００１３】
本発明において用いる分子内に少なくとも２個以上のエポキシ基を有する化合物（エポキシ樹脂）としては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく、公知のものを使用しうる。
本発明で使用されるエポキシ基を有する化合物のうち、１分子中に２つのエポキシ基を有する化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる（Ｍｅはメチル基、折れ線は場合によりメチレン基を示す）。
【００１４】
【化１３】
0005005149.tif 000010
【００１５】
【化１４】
0005005149.tif 000011
【００１６】
また、本発明で使用されるエポキシ基を有する化合物のうち、１分子中に三つのエポキシ基を有する化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる(Meは、メチル基、Etはエチル基、折れ線は場合によりメチレン基を示す)。
【００１７】
【化１５】
0005005149.tif 000012
【００１８】
さらに、本発明で使用されるエポキシ基を有する化合物のうち、１分子中に四つのエポキシ基を有する化合物としては、以下に示す化合物が挙げられる
【化１６】
0005005149.tif 000013
【００１９】
本発明で用いられるエポキシ基を有する化合物として、一般式（３）で表される化合物も用いることができる。
【化１７】
0005005149.tif 000014
一般式（３）中、Ｒ8〜Ｒ11は各々独立に水素原子の他、フッ素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子、または一価の基が挙げられる。一価の基として、例えば、アミノ基、カルボメトキシ基等のエステル基、カルボアミノメチル基等のアミド基、アミノカルボキシメチル基等のカルバミノ基、置換もしくは未置換のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基などのアルキル基もしくは置換または未置換のフェニル基、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基などのアルケニル基、シリル基などが挙げられる。
【００２０】
また、本発明におけるエポキシ基を有する化合物として、エポキシ当量４３から１００００程度のエポキシ基を有する化合物を用いてもよい。エポキシ当量が４３以下では架橋密度が低下し、また１００００より大きい場合は反応速度が低下する傾向がある。また、この際単一分子だけでなく、以下に示すような、繰り返し単位数（ｚ）に分布を持つオリゴマーを用いると、組成物の結晶性が低下し、保存安定性に優れる。したがって、０＜ｚが好ましく、０．５≦ｚがさらに好ましく、１≦ｚが最も好ましい。
【００２１】
【化１８】
0005005149.tif 000015
【００２２】
このような分子内に少なくとも２個以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂等があり、これらのエポキシ樹脂はハロゲン化されていてもよく、水素添加されていてもよい。これらのエポキシ樹脂は、２種以上を併用してもよい。これらの中で、他の各種のエポキシ化合物と比較すると分子量の異なるグレードが広く入手可能で、接着性や反応性等を任意に設定できる点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。
【００２３】
前記イミダゾリウム塩化合物は、一般的にはエポキシ樹脂の硬化触媒として用いることができ、その使用量は、エポキシ樹脂の１００重量部に対して０．０１〜５０重量部とすることが好ましく、０．１〜３０重量部とすることがより好ましい。この量が、０．０１重量部未満では、硬化促進効果が不十分となる傾向があり、５０重量部を超えると、相溶性が低下する傾向がある。
【００２４】
本発明は、前記エポキシ樹脂とイミダゾリウム塩化合物に、さらエポキシ樹脂と反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物を併用することができる。ここでエポキシ樹脂と反応性を有する官能基とは、エポキシ樹脂と反応することが知られているカルボキシル基、メルカプト基、フェノール性水酸基、１級又は２級の芳香族アミノ基を用いることができる。これらの官能基は、３次元硬化性を考慮した場合、一分子中に２つ以上有することが必須である。また、重量平均分子量１０,０００以上のポリマ側鎖に官能基を導入したものを用いても良い。
【００２５】
エポキシ樹脂と反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物の使用量は、前記エポキシ樹脂に対して、官能基の総量／エポキシ基の総量（当量比）で０．５／１．５〜１．５／０．５の比率となるようにすることが好ましく、０．８／１．２〜１．２／０．８の比率となるようにすることがより好ましい。この比率が、０．５／１．５未満の場合及び１．５／０．５を超える場合には未反応のエポキシ基や官能基が硬化物中に多量に残存することとなり、硬化物の機械特性を低下させる傾向がある。
【００２６】
本発明は、イソシアナート基を持つ化合物、水酸基を持つ化合物及び前記イミダゾリウム塩化合物から構成される硬化性組成物としての応用も可能である。
本発明において用いるイソシアナート基をもつ化合物（以後、イソソアネート樹脂とする）としては、分子内に２個以上のイソシアナート基を有するものであれば特に制限なく、公知のものを使用しうる。このような化合物としては、ｐ−フェニレンジイソシアネート、２,４−トルエンジイソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等に代表される低分子化合物の他に、重量平均分子分子量３,０００以上のポリマの側鎖あるいは末端にイソシアネート基が存在するものを用いてもよい。
【００２７】
前記イソシアネート基を持つ化合物は、通常分子内に水酸基を持つ化合物と組み合わせて用いられる。このようなイソシアネート樹脂としては、分子内に２個以上の水酸基を有するものであれば特に制限なく、公知のものを使用しうる。このような化合物としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジグリセリン、ペンタエリスリトール等の低分子化合物の他に、重量平均分子量３,０００以上のポリマの側鎖あるいは末端に水酸基が存在するものを用いてもよい。
【００２８】
分子内に二つ以上の水酸基を有する化合物の使用量は、前記イソシアネート樹脂に対して、水酸基の総量／イソシアネート基の総量（当量比）で０．５／１．５〜１．５／０．５の比率となるようにすることが好ましく、０．８／１．２〜１．２／０．８の比率となるようにすることがより好ましい。この比率が、０．５／１．５未満の場合及び１．５／０．５を超える場合には未反応のエポキシ基や官能基が硬化物中に多量に残存することとなり、硬化物の機械特性を低下させる傾向がある。
【００２９】
イソシアネート樹脂と水酸基を持つ化合物の硬化触媒として用いるイミダゾリウム塩化合物の使用量は、イソシアネート基を持つ化合物と水酸基を持つ化合物の総量１００重量部に対して０．０１〜５０重量部とすることが好ましく、０．１〜３０重量部とすることがより好ましい。この量が、０．０１重量部未満では、硬化促進効果が不十分となる傾向があり、５０重量部を超えると、相溶性が低下する傾向がある。
【００３０】
本発明の硬化性組成物は、照射光の高吸収化、高感度化を目的に、増感剤を併用してもよい。使用する増感剤としては、硬化性組成物に悪影響を及ぼさない限り、公知の一重項増感剤、三重項増感剤を用いることができる。例えば、ナフタレン、アントラセン、ピレン等の芳香族化合物誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体等が好適に用いられる。増感剤の使用量は、増感剤の吸収波長及びモル吸光係数を参考にする必要があるが、一般的にイミダゾリウム塩化合物１部に対して０．０１〜５部であり、０.１〜２部が特に好ましい。増感剤が０.０１部以下になると光吸収の効率が低くなり、５部以上では硬化性組成物全体に光が届かない恐れがある。
【００３１】
本発明の硬化性組成物は、必要に応じてカップリング剤等の密着向上剤、レベリング剤、有機または無機充填材などの添加剤を適宜添加してもよい。
【００３２】
本発明の硬化性組成物は、増粘化やフィルム化を目的として、種々のポリマを適宜添加してもよい。使用するポリマは特に制限を受けないが、硬化性に悪影響を及ぼさないことが必須である。このようなポリマとしては、ポリイミド、ポリアミド、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂やビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂等の汎用フェノキシ樹脂類、ポリメタクリレート類、ポリアクリレート類、ポリイミド類、ポリウレタン類、ポリエステル類、ポリビニルブチラール、ＳＢＳ及びそのエポキシ変性体、ＳＥＢＳ及びその変性体などを用いることができる。これらは単独あるいは２種類以上を混合して用いることができる。さらに、これらポリマ中にはシロキサン結合やフッ素置換基が含まれていても良い。これらは、混合する樹脂同士が完全に相溶するか、もしくはミクロ相分離が生じて白濁する状態であれば好適に用いることができる。分子量は特に制限を受けるものではないが、一般的な重量平均分子量としては５，０００〜１５０，０００が好ましく、１０，０００〜８０，０００が特に好ましい。この値が、５，０００未満ではフィルム形成性が劣る傾向があり、また１５０，０００を超えると他の成分との相溶性が悪くなる傾向がある。使用量としてはエポキシ樹脂またはイソシアネート樹脂１００重量部に対して２０〜３２０重量部とすることが好ましい。
【００３３】
本発明の硬化性組成物は、常温（２５℃）で液状である場合にはペースト状で使用することができる。室温で固体の場合には、加熱して使用する他、溶剤を使用してペースト化してもよい。使用できる溶剤としては、硬化性に悪影響を及ぼさず、かつ十分な溶解性を示すものであれば、特に制限は受けないが、常圧での沸点が５０〜１５０℃であるものが好ましい。沸点が５０℃以下の場合、室温で放置すると揮発する恐れがあり、開放系での使用が制限される。また、沸点が１５０℃以上だと、溶剤の除去が難しくなる恐れがある。
【００３４】
本発明の硬化性組成物はフィルム状にして用いることもできる。硬化性組成物に必要により溶剤等を加えるなどした溶液を、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離形紙等の剥離性基材上に塗布し、あるいは不織布等の基材に前記溶液を含浸させて剥離性基材上に載置し、溶剤等を除去してフィルムとして使用することができる。フィルムの形状で使用すると取扱性等の点から一層便利である。
【００３５】
本発明の硬化性組成物は、光照射のみ、または光照射と加熱を同時、または光照射後に加熱を行うことで硬化させることができる。光照射は、１５０〜７５０ｎｍの波長域の照射光が好ましく、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプを使用して０.１〜１００Ｊ／ｃｍ２の照射量で硬化することができる。加熱温度は、使用するエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂と反応性を持つ官能基を有する化合物の分解点以下であれば特に制限は受けないが、３０〜２００℃の温度が好ましく、５０〜１７０℃がさらに好ましい。また、加熱時間は、硬化を十分に行うために１秒〜３時間、好ましくは３０秒〜１時間である。
【００３６】
本発明の硬化性組成物は、塗料、接着剤、インク、フォトレジスト、コーティング材、各種自動車部品、電気・電子材料、半導体材料、光学材料、光ファイバー、光ファイバー用接着剤、光導波路材等、多種多様な用途に応用することができる。
特に接着剤に関しては、木材、建材、プラスチック、皮革等の接着の他に、異方導電接着剤、銀ペースト、銀フィルム等に代表される回路接続材料、フリップチップ等の半導体素子とプリント配線板との接続を行うフリップチップ用異方導電材等の半導体素子接着材料として使用することができる。
【００３７】
【実施例】
以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００３８】
（実施例１）  イミダゾリウム塩１の合成
フェナシルブロマイド (２.００ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)をアセトン(２０g)に溶解させ、これにアセトン(５ｇ)に溶解させた１−ベンジル―２−メチルイミダゾール(１．７３ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)の溶液をゆっくり添加し、この後、室温（２５℃）で２時間かくはんしたところ、白色結晶が析出した。これをろ過し、アセトンで２度洗浄を行った後、真空下６０℃で５時間乾燥して、イミダゾリウム・ブロマイド塩１を得た（収量３.５４ｇ）。
上記イミダゾール・ブロマイド塩１（２．００ｇ、５．４ｍｍｏｌ）を、メタノール/水（１５ｇ/１５ｇ）溶液に溶解させ、これに水（５．０ｇ）に溶解させたテトラフェニルほう酸ナトリウム（１．８４ｇ、５．４ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくり添加した。添加とともに、白色スラリー状の析出が認められ、添加後、さらに室温で５時間かくはんした。この析出物をろ過し、アセトン（２０ｇ）に溶解させて再結晶を行い、目的のイミダゾリウム・テトラフェニルほう酸塩（イミダゾリウム塩１）を得た（収量２．８６ｇ）。
この化合物の１Ｈ-ＮＭＲを図１に示した。また、酸素雰囲気下での融点及び熱分解開始温度をＴＧ-ＤＴＡで測定したところ、融点１８７℃、分解開始温度２２４℃であった。
【００３９】
（実施例２）  イミダゾリウム塩２の合成
ｐ−ニトロフェナシルブロマイド (２.００ｇ、８．２ｍｍｏｌ)をアセトン(２０g)に溶解させ、これにアセトン(５ｇ)に溶解させた１，２−ジメチルイミダゾール(０．７９ｇ、８．２ｍｍｏｌ)の溶液をゆっくり添加し、この後、室温で２時間かくはんしたところ、白色結晶が析出した。これをろ過し、アセトンで２度洗浄を行った後、真空下６０℃で５時間乾燥して、イミダゾリウム・ブロマイド塩２を得た（収量２．６２ｇ）。
上記イミダゾール・ブロマイド塩２（２．００ｇ、５．８ｍｍｏｌ）を、メタノール/水（１５ｇ/１５ｇ）溶液に溶解させ、これに水（５．０ｇ）に溶解させたテトラフェニルほう酸ナトリウム塩（２．０１ｇ、５．８ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくり添加した。添加とともに、白色スラリー状の析出が認められ、添加後、さらに室温で５時間かくはんした。これをろ過し、アセトン（２０ｇ）に溶解させて再結晶を行い、目的のイミダゾリウム・テトラフェニルほう酸塩（イミダゾリウム塩２）を得た（収量２．８３ｇ）。
この化合物の１Ｈ-ＮＭＲを図２に示した。また、酸素雰囲気下での融点及び熱分解開始温度をＴＧ-ＤＴＡで測定したところ、融点１６５℃、分解開始温度１９５℃であった。
【００４０】
（実施例３）
エポキシ樹脂にＤＥＲ７３６（ダウ・ケミカル社製商品名、エポキシ当量１７２）：１.００ｇ、メルカプト化合物としてペンタエリスリトールテトラ(メルカプトアセテート)（東京化成工業株式会社製、ＳＨ基当量１０８）：０.６１４ｇ、実施例１のイミダゾリウム塩１：０.０１６gを室温で混合し、均一な溶液とした。これをＤＳＣのサンプルパンに３ｍｇとなるようにサンプリングし、光照射を行った後、ＤＳＣを測定した。
光照射は、フュージョン社製紫外線照射装置ＡＥＬ  １Ｂ／Ｍ(３６５ｎｍ照度：２１.５ｍＷ/ｃｍ２)を用いて、３Ｊ/ｃｍ2照射した。
【００４１】
（実施例４）
イミダゾリウム塩化合物を実施例２のイミダゾリウム塩２に代えた以外は実施例３と同様にＤＳＣ測定を行った。
【００４２】
（比較例１）
光照射を行わなかった以外は、実施例３と同様にＤＳＣ測定を行った。
【００４３】
（比較例２）
光照射を行わなかった以外は、実施例４と同様にＤＳＣ測定を行った。
【００４４】
実施例３、４及び比較例１、２の結果を表１に示した。なお、表中の反応開始温度は、発熱開始温度を示すＯｎｓｅｔ温度とした。
【００４５】
実施例３、４の硬化性組成物は、比較例１、２と比較して硬化反応が３０℃以上低温で進行することを示しており、光照射によりイミダゾリウム塩化合物が塩基性化合物を発生し低温硬化が可能になったことを示している。
【００４６】
【表１】
0005005149.tif 000016
【００４７】
（実施例５）  イミダゾリウム塩３の合成
フェナシルブロマイド (２.００ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)をアセトン(２０g)に溶解させ、これにアセトン(５ｇ)に溶解させた１−ベンジル―２−メチルイミダゾール(１．７３ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)の溶液をゆっくり添加し、この後、室温で２時間かくはんしたところ、白色結晶が析出した。これをろ過し、アセトンで２度洗浄を行った後、真空下６０℃で５時間乾燥して、イミダゾリウム・ブロマイド塩３を得た（収量３.５４ｇ）。
上記イミダゾール・ブロマイド塩３（２．００ｇ、５．４ｍｍｏｌ）を、エタノール（５０ｇ）に溶解させ、これにエタノール（２０ｇ）に溶解させたジチオカルバミン酸ナトリウム塩・２水和物（１．３３ｇ、５．４ｍｍｏｌ）の溶液をゆっくり添加した。添加後、２０分間還流させて反応させ、溶媒を留去したところ、黄色粉末が析出した。これを、エタノール（２０ｇ）で３度再結晶を行い、目的のイミダゾリウム・ジチオカルバメート塩（イミダゾリウム塩３）を得た（収量１．８０ｇ）。
この化合物の１Ｈ-ＮＭＲを図３に示した。また、酸素雰囲気下での融点及び熱分解開始温度をＴＧ-ＤＴＡで測定したところ、融点１８１℃、分解開始温度１６８℃であった。
【００４８】
（実施例６）
実施例５で得られたイミダゾリウム塩３を０．１４ｇ、ポリグリシジルメタクリレート（Ｍｎ：１３８，０００、Ｍｗ/Ｍｎ：１．４９）を１．００ｇ秤量し、重量比でシクロヘキサノン／アセトニトリル：５／２となるように調整した混合溶媒２１．７ｇに溶解させた。上記溶液をシリコンウェハ上に膜厚１μｍとなるようにスピンコートした後、高圧水銀灯を用いて全面にＵＶ照射を行った。この後、ＴＨＦ中に室温で３分間浸漬し、シリコンウェハ上の残存膜厚を測定した。
【００４９】
実施例６の結果を表２に示した。なお、表中の残膜率は、現像後膜厚×１００／スピンコート後の膜厚（１μｍ）とした。
【００５０】
ＵＶ照射量の増加と共に、残膜率が上昇していることから、ＵＶ照射によってイミダゾリウム塩３が塩基を発生し、ポリグリシジルメタクリレートの架橋を促進していることが示された。
【００５１】
【表２】
0005005149.tif 000017
【００５２】
（実施例７）  イミダゾリウム塩４の合成
フェナシルブロマイド (２.００ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)をアセトン(２０g)に溶解させ、これにアセトン(５ｇ)に溶解させた１−メチルイミダゾール(０．８２ｇ、１０．５ｍｍｏｌ)の溶液をゆっくり添加し、この後、室温で２時間かくはんしたところ、白色結晶が析出した。これをろ過し、アセトンで２度洗浄を行った後、真空下６０℃で５時間乾燥して、イミダゾリウム・ブロマイド塩４を得た（収量２.７６ｇ）。
上記イミダゾール・ブロマイド塩４（２．７６ｇ、９.８ｍｍｏｌ）を、エタノール（２０ｇ）に溶解させ、これにチオシアン酸ナトリウム（０．８８ｇ、９．９ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加後、６０分室温で反応させ、溶媒を留去したところ、白色粉末が析出した。これを、エタノール（２０ｇ）で３度再結晶を行い、目的のイミダゾリウム・チオシアナート塩（イミダゾリウム塩４）を得た（収量１．７１ｇ）。
この化合物の１Ｈ-ＮＭＲを図４に示した。また、酸素雰囲気下での融点を測定したところ、融点７４-７６℃であった。
【００５３】
（実施例８）
実施例７で得られたイミダゾリウム塩４を０．１３ｇ、ポリグリシジルメタクリレート（Ｍｎ：１３８，０００、Ｍｗ/Ｍｎ：１．４９）を１．００ｇ秤量し、重量比でシクロヘキサノン／アセトニトリル：５／２となるように調整した混合溶媒２１．７ｇに溶解させた。上記溶液をシリコンウェハ上に膜厚１μｍとなるようにスピンコートした後、高圧水銀灯を用いて全面にＵＶ照射を行い、さらにホットプレート上６０℃、１０分間加熱した。この後、ＴＨＦ中に室温で３分間浸漬し、シリコンウェハ上の残存膜厚を測定した。
【００５４】
実施例８の結果を表３に示した。なお、表中の残膜率は、現像後膜厚×１００／スピンコート後の膜厚（１μｍ）とした。
【００５５】
【表３】
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【００５６】
ＵＶ照射量の増加と共に、残膜率が上昇していることから、ＵＶ照射によってイミダゾリウム塩４が塩基を発生し、６０℃/１０分間の加熱でポリグリシジルメタクリレートの架橋を促進していることが示された。
【００５７】
（実施例９）
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名エピコート８２８、エポキシ当量１８４）５０ｇを、重量比でメチルエチルケトンに溶解して、固形分４０重量％の溶液としこれを用いた。ポリチオールとして、ペンタエリスリチオール（ＳＨ当量５０）を１３．５ｇ用いた。イミダゾリウム塩として、実施例２のイミダゾリウム塩２を２．０ｇ用いた。また、シランカップリング剤として、エポキシシラン化合物(日本ユニカー株式会社製、商品名Ａ１８７)を１.５ｇ用いた。
【００５８】
フェノキシ樹脂として、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ（１／１）とエピクロロヒドリンから、ビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂（平均分子量２０，０００）５０ｇを一般的方法により作製し、これを重量比でメチルエチルケトンに溶解して、固形分４０重量％の溶液とし、これを用いた。導電粒子としては、ポリスチレンを核とする粒子の表面に、厚み０．２μｍのニッケル層を設け、このニッケル層の外側に、厚み０．０２μｍの金属を設け、平均粒径１０μｍ、比重２．０の導電粒子を作製しこれを用いた。
【００５９】
導電粒子を除いて上記成分を配合した溶液（固形分でエポキシ樹脂５０ｇ、ポリチオール１３．５ｇ、イミダゾリウム塩２を２．０ｇ、エポキシシラン化合物１.５ｇ、フェノキシ樹脂５０ｇ）に、導電粒子を３体積％配合分散させ、厚み８０μｍのフッ素樹脂フィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾燥によりフッ素樹脂フィルム上に厚みが２５μｍの回路接続用組成物からなるフィルムを形成した。
【００６０】
上記製法によって得たフィルム状接着剤を用いて、ライン幅５０μｍ、ピッチ１００μｍ、厚み１８μｍの銅回路を５００本有するフレキシブル回路板（ＦＰＣ）と、０．２μｍの酸化インジウム（ＩＴＯ）の薄層を形成したガラス（厚み１．１ｍｍ、表面抵抗２０Ω／□）とを、１７０℃、４ＭＰａで６０秒間加熱加圧して幅２ｍｍにわたり接続した。この時、あらかじめＩＴＯガラス上に、フィルム状回路接続材料の接着面を７０℃、０．５ＭＰａで５秒間加熱加圧して仮接続した後、フッ素樹脂フィルムを剥離し、回路接続用組成物からなるフィルム面に、高圧水銀ランプを有する紫外線照射装置（ウシオ電機株式会社製）を用いて３．０Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射した。その後、もう一方の被着体であるＦＰＣと接続し接続体を得た。
この接続体の隣接回路間の抵抗値を測定したところ、隣接回路間の抵抗１５０点の平均（ｘ＋３σ；σは標準偏差）は２.７Ωであり、良好な接続特性を示した。
【００６１】
また、この接続体の接着強度をＪＩＳ−Ｚ０２３７に準じて９０度剥離法で測定し、評価した。ここで、接着強度の測定装置は東洋ボールドウィン株式会社製テンシロンＵＴＭ−４（剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃）を使用した。以上のようにして行った接続体の接着強度は、６００Ｎ／ｍであり、十分な接着強度を示した。
【００６２】
（実施例１０）
イソシアネート樹脂として、ヘキサメチレンジイソシアネート（関東化学株式会社製）０.６７２ｇ、水酸基を持つ樹脂としてポリテトラヒドロフラン（ＢＡＳＦジャパン社製、商品名ポリテトラヒドロフラン２５０）１．００ｇ、実施例１のイミダゾリウム塩１を０.０１６ｇからなる均一なワニスを調整した。これをＤＳＣのサンプルパンに３ｍｇとなるようにサンプリングし、１０分間光照射を行いながら、ＤＳＣを測定した(温度は４０℃で一定とした)。光照射は、ウシオ電機株式会社製スポットキュアを用いた(３６５ｎｍ、５３ｍＷ/ｃｍ２)。この結果、９２.４Ｊ／ｇのイソシアネートと水酸基を有する化合物との反応による発熱が得られ、光照射によって反応が起こっていることが確認された。
【００６３】
本発明によれば、光照射を行うことにより低温で（ａ）エポキシ樹脂とイミダゾリウム塩化合物、（ｂ）エポキシ樹脂、イミダゾリウム塩化合物、エポキシ樹脂と反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物、（ｃ）分子内に二つ以上のイソシアナート基を有する化合物、イミダゾリウム塩化合物、分子内に二つ以上の水酸基を有する化合物の低温硬化が可能な硬化性組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  イミダゾリウム塩１の１Ｈ-ＮＭＲスペクトル図(溶媒：ＣＤ３ＣＮ、標準物質：ＴＭＳ、図中＊は不純物)
【図２】  イミダゾリウム塩２の１Ｈ-ＮＭＲスペクトル図(溶媒：ＣＤ３ＣＮ、標準物質：ＴＭＳ、図中＊は不純物)
【図３】イミダゾリウム塩３の１Ｈ-ＮＭＲスペクトル図(溶媒：ＣＤＣｌ３、標準物質：ＴＭＳ、図中＊は不純物)
【図４】イミダゾリウム塩４の１Ｈ-ＮＭＲスペクトル図(溶媒：Ｄ２Ｏ)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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