(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体内部から導出されたリード端子と露出された電極を有する半導体素子、冷媒に曝されて冷却される放熱部と上記半導体素子の電極が搭載される導電部とを有する導電兼放熱プレート、上記半導体素子が搭載された導電兼放熱プレートを所定の間隔を隔てて複数配列保持する絶縁フレーム部、及び上記リード端子と上記導電部に形成された上記電極の接続端子を互いに接続して所定の回路を形成する回路部を備え、
単一の導電兼放熱プレート上には、複数の上記半導体素子を搭載して互いに並列接続すると共に、隣り合う上記導電兼放熱プレート上にそれぞれ並列接続して搭載された上記半導体素子は、上記回路部により直列接続され、
上記導電兼放熱プレート部の放熱部は、絶縁性カバーで覆われ冷媒で冷却されることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
上記導電兼放熱プレートは、複数の半導体素子が搭載可能な同一形状の部材で形成したことを特徴とする請求項１記載の回路装置。 
【請求項３】
互いに隣り合う上記導電兼放熱プレートは、両側縁に設けたフランジ部により導電的且つ熱伝導的に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項４】
上記半導体素子と共に回路を構成する別の電子部品類は、上記絶縁フレーム部に配置されると共に、上記フランジ部に導電的且つ熱伝導的に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電力用半導体素子を実装する回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の大きな電流、電圧を制御するような回路装置では、半導体素子や電子部品の損失が大きく、これらを冷却する必要がある。そのため、これらの電子部品は、放熱性の高い金属と薄い樹脂絶縁層からなる金属基板に搭載され、これらの基板裏面側にグリースや接着剤を介して取り付けられたヒートシンクから放熱することによって冷却する構造となっていた。電子部品が搭載される基板は、例えば樹脂に比べて熱伝導率が高いアルミナや窒化アルミニウムに金属箔を貼り付けたセラミック基板も一般的に良く用いられる。
基板上に半導体素子や電子部品を搭載し、かつ配線を引き回すと基板面積が大きくなるため、例えば特許文献１のように半導体素子を放熱体に絶縁シートを介して固定すると共に、半導体素子からのリードを半導体素子の上方のバスバー構造体に接続して立体的に配結線する方法がある。
【０００３】
【特許文献１】特開平２００４−１９０５２５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の回路装置にあっては、半導体素子は、放熱体の放熱面に対して並べて固定されるため、半導体素子の搭載する数が増えると半導体素子が占める面積が大きくなり、回路装置が大きくなる懸念がある。また、半導体素子同士の配線が必要な場合、バスバー構造体を介してなされるため、電流量によっては配線の損失が大きくなって回路装置の効率が低下したり、温度が上昇し過ぎる恐れがある。
また、半導体素子は、熱抵抗の大きな絶縁シートを介して放熱体に取り付けられているため、半導体素子の温度上昇が大きく、収納される筐体内部の温度上昇を招いたり、半導体素子や他の電子部品のはんだ付部の熱ストレスが大きくなったり、さらには、回路装置の効率が悪化する恐れがあった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、コンパクト化された回路装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明に係わる回路装置は、本体内部から導出されたリード端子と露出された電極を有する半導体素子、冷媒に曝されて冷却される放熱部と上記半導体素子の電極が搭載される導電部とを有する導電兼放熱プレート、上記半導体素子が搭載された導電兼放熱プレートを所定の間隔を隔てて複数配列保持する絶縁フレーム部、及び上記リード端子と上記導電部に形成された上記電極の接続端子を互いに接続して所定の回路を形成する回路部を備え、単一の導電兼放熱プレート上には、複数の上記半導体素子を搭載して互いに並列接続すると共に、隣り合う上記導電兼放熱プレート上にそれぞれ並列接続して搭載された上記半導体素子は、上記回路部により直列接続され、
上記導電兼放熱プレート部の放熱部は、絶縁性カバーで覆われ冷媒で冷却されるものである。
【発明の効果】
【０００６】
この発明の回路装置によれば、放熱部と導電部とを一つの導電プレートが兼ね備えるため、部材点数が少なくて済み、非常にコンパクトな回路装置が実現できる。特に、半導体素子を縦型に配置して並べることができるので、半導体素子を収納する面積が小さくて済むため、非常にコンパクトな回路装置を製造することができる。
また、放熱部と導電部とが一体形成のため、半導体素子は絶縁層を介さずに放熱部に直接搭載される構成となるために冷却性能が優れ、さらには、導電プレートの電気抵抗を小さくすることができるので、配線損失の低減を図ることができ、温度上昇の低減と回路装置の高効率化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。
なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
【０００８】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
図１において、表面に露出された電極（以下「電極部」という）２０１を有する半導体素子２は、その電極部２０１を導電兼放熱プレート（以下「プレート」という）１の導電部３の主面（半導体素子２の搭載面）３ａに、はんだ付けすることにより接合される。
このプレート１は、金属等の導電性材料で構成され、上記の導電部３のほかに、冷媒に曝されて冷却される放熱部（後述）６を有し、このプレート１とプレートに搭載された半導体素子２とによりプレート部１０１を構成している。
複数個のプレート１は、樹脂などの絶縁材料からなる絶縁フレーム部１０ａに上方或いは下方から取り付け保持され所定の間隔を隔てて並設(配列）されている。また、複数個
のプレート１は、半導体素子２を搭載した主面３ａが同一の方向になるように整列配置される。
【０００９】
半導体素子２は、電極部２０１の裏面とは相対する面に図示しないデバイスが搭載されて樹脂でモールドされており、半導体素子２の少なくとも一面からデバイス内部（本体内部）と外部とを電気的に接続するリード端子群（リード端子）４が突出（導出）した構造であり、さらにリード端子群４は、例えばプレート１と隣接するプレート１ａに接続される。
また、プレート部１０１の上方には、電気的な引き出しをするための中継端子５が並んでおり、制御基板７に接続されている。
半導体素子２を搭載した主面３ａが下方に伸びたプレート１の下方部分は、放熱部（放熱部位）６を形成し、冷媒に曝されて半導体素子２を冷却する放熱部材ともなっている。冷媒は、ファンで強制的に送風される空気などの気体、或いは自然対流で流れる空気などの気体であってもよく、或いは水やクーラント材などの液体であってもよい。
【００１０】
回路装置全体は、上部から蓋１０ｂを被せて保護すると共に、下部もプレート１が突出する底板１０ｃを設けて装置内部を保護する。装置内部は、保護のための樹脂を充填してもよい。したがって、絶縁フレーム部１０ａは、蓋１０ｂ、底板１０ｃなどで構成されている。
【００１１】
図１のように並設した各々のプレート１に搭載された半導体素子２同士は、直列的に接続されており、直列接続した個々の半導体素子２に対して放熱部位６を設けて冷媒に曝すことで放熱性能が確保できる。
半導体素子２の電極部２０１からの電流は、プレート１を通じて流れる。これに対して従来のように配線基板を用いる場合には、基板上のパターンでは配線の断面積が小さいために配線損失が大きく、回路装置の効率が悪くなり、排熱のための冷却も強化する必要がある。これに対して、プレート１は断面積が大きいので、電気抵抗を小さく抑えることができ配線損失が小さくなる。
また、半導体素子２は、裏面に設けられた電極部２０１で放熱部材としてのプレート１に、はんだ付けされて搭載されるため熱抵抗が小さく高い冷却性能が実現できる。さらには、プレート１が導電部材と放熱部材を兼ね備えており、ヒートシンクなどの別な部材を必要とせず、安価で小型軽量な回路装置を実現できる。
【００１２】
例えば自動車用の電源系を制御する回路装置であれば、半導体素子は低耐圧のMOSFETを用いればよく、オン抵抗が非常に小さいので平たい導電プレートの表面を放熱部位とするだけで、十分な放熱性を確保することができる。また、回路装置の損失が小さいことは効率向上となって自動車の燃費性能を大きく向上することになり、環境に対する貢献が著しい。
【００１３】
プレート１は、銅或いはアルミニウムといった材料であれば、導電率が大きくてより効率化できる。アルミニウムの場合には、半導体素子２をはんだ付けするためにニッケルメッキを施すことで外気に曝される放熱部位の耐食性を確保することができる。
一方、より電流量が大きい場合や、半導体素子２の損失が大きい場合には、例えば図２に示すようにプレート１ｃの放熱部位６ｂにフィン部２４を設けて冷媒に曝し、プレート部１１１として伝熱面積を増大させれば、放熱部位６ｂの放熱量が増えて、温度上昇が抑制できる。特に、プレート１ｃを銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金から製造すれば、鍛造などの方法で容易に一体的にプレート１ｃにフィン部２４を設けることができる。さらに、アルミニウム、アルミニウム合金であれば、ダイキャストで容易に一体的にプレートにフィン部を設けることができる。
このような回路装置においては、複数の半導体素子２を縦型に配置することによって、半導体素子２を並べる面積が小さくなるので、特に多数の半導体素子２を配列する回路装置においては、コンパクト化に対する効果が著しく大きい。
【００１４】
ところで、この実施の形態１の場合、プレート１は導電体であり、表面に何も処理をしない状態では、放熱部位は電位を持っている。したがって回路装置の電圧仕様に応じて、プレート間の距離を決定して、絶縁性を確保する。また、プレートが冷媒に曝されるように回路装置下方から露出した放熱部位は、例えばアルマイト処理のような化学処理や、絶縁層を被覆する処理を施すことによって、プレート間の距離を小さくすることができたり、異物などの付着による絶縁性の回避をすることができる。
【００１５】
図３は、パワー部（回路部）を構成する個々のプレート部１０１を説明するための斜視図である。
プレート１は、半導体素子２を搭載する主面３ａと主面３ａからＬ字型に屈曲して延設した端子部８、主面３ａの両側に延びるように形成されたフランジ部９を有する。
図４は、半導体素子２がプレート１に取り付けられたプレート部１０１を具体的に示した斜視図で、半導体素子２の一面には、上記したように電極部２０１が形成されており、電極部２０１がプレート１にはんだ付けされる。
半導体素子２の別の一面からは主電流リード端子４ａと信号端子４ｂとからなるリード端子群４が突出しており、プレート１のＬ字型に屈曲した端子部８と直線状に異なった方向にＬ字型に屈曲させる。一方、プレートの端子部８は分割しており、並設されるパワー部の隣り合うプレートに搭載された半導体素子の主電流リード端子が接続されるようになっている。
この実施の形態１におけるプレート１は、３個の半導体素子が搭載されるようになっており、プレートの端子部８は、隣り合うプレートに搭載された半導体素子２から出た２本の主電流リード端子４ａが接続されるように、２分割された端子部８が３箇所設けられている。
このように、同一のプレートに搭載された半導体素子は、回路装置に流れる電流をお互いに並列的に分担して流す回路を形成し、また、隣接するプレート間の半導体素子と直列的に接続される回路部を形成することになる。
【００１６】
図５は、パワー部を上面から見た模式図である。
図４では、３個の半導体素子２が並列的に接続されたユニット部分が示されているが、半導体素子２の搭載できる個数は、図５に示すように１個、或いは図示しないが２個であってもよい。
図５のプレート部１０２では、３個の半導体素子２ａ、２ｂ、２ｃを搭載しており、これらの半導体素子２は、並列接続されている。一方、プレート部１０３では、１個の半導体素子２ｌが搭載されており、プレート部１０２の半導体素子２とプレート部１０３の半導体素子２が直列的に接続されている。
このように回路の仕様によって、半導体素子数には種々の並列数がある場合があるが、どのような場合でも、同じ形状のプレートを使っていろいろな数の半導体素子２を搭載したプレート部１０１、１０２、…を構成し、これらを縦列、又は横列（後述）に並設すれば、単一のプレート１を製造するだけでよいので生産性を向上でき工業的な価値が高くなる。
【００１７】
また、半導体素子２を搭載した複数のプレート部１０１、１０２、…は、図６に示すように樹脂などの絶縁材料からなる絶縁フレーム１０ａによって、図１で説明したように主面３ａが同一方向になるように取り付けられる。絶縁フレーム１０ａには、プレート部１０２に対応して整列配置された複数の開口部１１が形成されている。また、この実施の形態１における半導体素子２は、図４にて説明したように隣接するプレート１、１ａに接続される主電流リード端子４ａとは別に、図１にて説明した制御基板７などと接続する信号端子４ｂが設けられており、絶縁フレーム１０ａには、制御基板７と接続される中継端子５ｃが取り付けられていて、信号端子４ｂと中継端子５ｃが互いに接続される。
【００１８】
中継端子５ｃの取り付け方法としては、あらかじめ絶縁フレーム１０ａの樹脂成形時に中継端子５ｃをインサートして一体的に成形すれば、取り付けスペースや取り付け部品も不要となって小型化できる。取り付けの際、ネジ止めなどの方法でもよく、絶縁フレーム１０ａにプレート部１０１、１０２…を接着してもよい。あらかじめ図示しない嵌合部を絶縁フレーム側、プレート部側の何れか或いは両方に形成し、圧入固定するようにすれば、ネジ、接着材などの部材が不要となる。
【００１９】
また、半導体素子２を搭載したプレート部１０１、１０２、…を絶縁フレーム１０ａに複数個固定することによって、絶縁フレーム１０ａにインサートする部品点数が少なくて済み、絶縁フレーム１０ａの製造が容易になる。また、複雑な立体形状となった導電部に半導体素子２を搭載する必要がなく、実装が容易である。特に、プレート１に半導体素子２を搭載した同様のプレート部を多数製造することで、製造コストが安価になる。
【００２０】
この実施の形態１では、個々のプレート１に３個の半導体素子２が並列的に搭載されたプレート部１０１となっており、各プレート部に対して３本の中継端子５ｃが並んで設けられている。半導体素子のリード端子群４は、主電流リード端子４ａが隣接したプレートの２分割された端子部８に接続され、信号端子４ｂが中継端子５ｃのＬ字型に曲げられた端部に接続される。
リード端子群４とプレート端子部８ならびに中継端子５ｃのＬ字型端部との接続には、はんだ付、抵抗溶接、アーク溶接、超音波接合、かしめなどの方法で行うことができるが、図７に示すようにレーザ溶接すれば、接合するための部材が不要となり、しかもリード端子周辺の空間を小さくすることができ、回路装置のコンパクト化に寄与すること著しい。
【００２１】
次に、レーザ溶接によってリード端子群４とプレート端子部８ならびに中継端子５と接合する場合の例を図７に示す模式図によって説明する。
ビーム出射口先端１３ａ、１３ｂは、プレート部１０１の下方或いは中継端子５ａの上方に位置し、レーザ１４ａ、１４ｂを照射して溶接する。複数に配列された溶接部１５はビーム出射口１３ａ、１３ｂを移動させることにより、短時間で連続的に溶接することができる。
【００２２】
これらの部材を溶接する場合、リード端子厚さとプレート端子部或いは中継端子厚さの小さい方から照射することによって小さい照射エネルギーで溶接することが可能となるので、照射方向は適宜選択すればよい。また、プレート部１０１を絶縁フレーム部１０ａに取り付ける際に、自律的にリード端子４ａ、４ｂとプレート端子部８或いは中継端子５ａとが互いに押圧するような形状にすれば、加圧工具などがなくても接合界面を通じて溶接時の熱伝導が良く、良好な溶接部が形成できる。例えば、リード端子群４やプレート端子部８、中継端子５ａにベント構造を設けてもよい。
【００２３】
実施の形態２．
図８は、実施の形態２における回路構成を示し、図５で説明したパワー部を複数個組み合わせた構成を示す模式図である。
この実施の形態２では、プレート１ｅ〜１ｊが主面３ａと垂直方向に並設されているだけでなく、主面３ａの水平方向にも並べられている。
主面３ａと垂直方向に隣接したプレート１ｅ〜１ｊに搭載した半導体素子同士、すなわちプレート１ｅ〜１ｊに搭載された半導体素子同士２ｄ〜２ｉは直列接続され、一方、主面３ａの水平方向に隣接したプレート同士、例えば１ｇ、１ｋ、１Ｌは、図３で説明したものと同機能のフランジ部９ｂで締結接続され、これらのプレートに搭載した半導体素子、すなわちプレート１ｇ、１ｋ、１Lに搭載された半導体素子２ｆ、２ｊ、２ｋは、プレートと一体化したフランジ部で導電的且つ熱伝導的並列接続されることによって、熱的な分散も図られ、放熱性が向上する。また、隣接する互いのプレートの主面３ａが同一平面になるようにフランジ部９ｂは、プレートの厚み分だけオフセットしている。
【００２４】
このようにフランジ部９ｂで並列的に接続することができるので、半導体素子２が直列、並列双方で回路構成する場合であっても、同一形状のプレート部材を用いることができ、部品の種類が少なく生産性が高い。また、この実施の形態２のように同一のプレート部を直並列に自由に並べて回路が構成できるので、多品種の回路装置であっても、同一の部材の組み合わせで製造することができるため、多品種の生産に対して工業的な価値が高い。
【００２５】
実施の形態３．
図９は、実施の形態３を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
この実施の形態３では、半導体素子２の直並列回路と、別の電子部品すなわち異形の電子部品とを組み合わせた回路装置である。
絶縁フレーム１０ａに中継端子５ｄと共にインサートされたターミナル１６ａ、１６ｂに、異形電子部品１７ａ、１７ｂの端子が接続されており、ターミナル１６ａ、１６ｂは、絶縁フレーム１０ａから突出したフレームフランジ部１８と一体的に繋がっている。プレート部１０２は、絶縁フレーム１０ａ下方側から絶縁フレーム１０ａに対して固定され、リード端子群４、プレート端子部８及び中継端子５ｄが実施の形態１で説明した方法で接合される。その後、コンデンサやコイルといった異形電子部品１７ａ、１７ｂを搭載して端子とターミナル１６ａ、１６ｂを接合する。
接合は、はんだ付でもよいが、大きな電流を流すターミナルなどの熱容量が大きいため、ＴＩＧ溶接やレーザ溶接などの高いエネルギーで接合できる方法が好ましい。異形電子部品１７ａ、１７ｂの上方には制御基板７が配置され、中継端子５ｄがはんだ付けされる。
【００２６】
この実施の形態３では、異形電子部品はターミナルを介して導電的且つ伝熱的に接続されている。ターミナルは、フレームフランジ部１８と一体的になってインサートされており、ターミナルを介して放熱部材であるプレート１と繋がるため、異形電子部品１７ａ、１７ｂの熱をプレート１に放散することができる。異形電子部品１７ａ、１７ｂを組み合わせた構成で、例えばインサートケースに収納して製造したサブ部品を、回路構成上必要な箇所に取り付けられるようにすることによって、絶縁フレーム１０ａの構造が簡単になって低コスト化に繋がる。また、プレート１ａ間を接続するフランジ部９ａを異形電子部品１７ａ、１７ｂを収納したサブ部品から出るフレームフランジ部１８との接続にも使用できるため、配線部材が少なくて済み複雑な配線にならずに装置がコンパクトになり、小型低コスト化に貢献できる。
また、異形電子部品からプレートにいたる熱抵抗が小さくできるので、優れた冷却性能が得られる。
【００２７】
実施の形態４．
図１０は、実施の形態４を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
プレート１ａの半導体素子よりも下方に延設された放熱部６が、保護カバー１９によって覆われている。保護カバー１９とプレート１ａの間は風路２０となって、図１０の断面方向に対して冷却風が流れるように構成されており、保護カバー１９とプレート１ａの間隙は、図示しないファンの動特性と整合するように適正化される。また、自然空冷による対流の場合にも適正な間隙で製造される。また、保護カバー１９と収納ケース部との間をシールすることによって、容易に防水性も確保することができる。
この実施の形態４によれば、保護カバー１９で風路２０を形成するので、冷媒のバイパスがなく、一層冷却性能が向上する。特に、風路２０を回路装置の絶縁フレーム部１０ａと一体で製造すれば、部品点数も増えずに済む。
また、保護カバー１９が風路２０と外部との絶縁の双方を兼ねており、個々に部材の組み付けや処理の必要がない。特に、表面に絶縁層を処理したプレート１ａでは、表面の傷の導入などで絶縁性が低下することも考えられるが、保護カバー１９によって保護することで、強固に確実に外部との絶縁性が確保できる。また、この実施の形態４のように、プレート毎に仕切った構造となっているので、結露しても異電位のプレート間での電食がなく、結露等の発生によるプレートの腐食の進行や、異物の付着による短絡を確実に防止できる。
【００２８】
実施の形態５．
これまでの実施の形態１〜４においては、モールドパッケージ構造を有する半導体素子２を元に説明したが、図１１に示す実施の形態５のように、半導体素子２に相当する部品としてベアデバイス２１をプレート１ａ、１ｂに搭載してアセンブリすることによっても実施できる。
この場合、ベアデバイス２１と隣接するプレート１ｂ或いは制御基板７への中継端子５ｄとの接続のため、各プレート１ａ、１ｂに配線回路部材２２を取り付ける。
配線回路部材２２は、樹脂基板を折り曲げてプレートの主面３ａ上に接着などの方法で固定すると共に、ベアデバイス２１の上面にある主電流が流れる主電極及び信号電極と配線回路部材２２との間をボンディングワイヤ２３でワイヤボンドし、中継端子５ｄや隣接するプレート１ｂとはんだ付や溶接、導電性樹脂接着などの方法で接続される。配線回路部材２２は、複数のターミナル部材を樹脂成形で連接して製造してもよい。
【００２９】
この実施の形態５よれば、ベアデバイス２１を直接的にプレート１ａに搭載するために、モールド構造を有する半導体素子２に比べてベアデバイス２１周辺のスペースが小さく、プレート部１０２を小形化することができる。特に、各プレート間の距離を小さくすることができる。
また、ベアデバイス２１にリード部材をはんだ付などの方法で接合してもよい。この場合には、例えば複数のターミナル部材を樹脂成形で連接して製造することでターミナル材間の位置決め精度も良く、容易に組み立てることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の実施の形態１における回路装置を模式的に示した断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１における回路装置の変形例を模式的に示した断面図である。
【図３】プレート部を説明するための斜視図である。
【図４】プレート部を具体的に示した斜視図である。
【図５】複数のプレート部を直列的に接続する回路装置を説明するためのパワー部を上面から見た模式図である。
【図６】絶縁フレームとプレート部の取り付け構造を説明するための斜視図である。
【図７】リード端子群と端子部、中継端子をレーザ溶接する方法を説明するための模式図である。
【図８】この発明の実施の形態２における回路装置を模式的に示した断面図である。
【図９】この発明の実施の形態３における回路装置を模式的に示した断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態４における回路装置を模式的に示した断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態５における回路装置を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１、１ａ〜１L  導電兼放熱プレート
１０１、１０２、１０３、１１１  プレート部
２、２ａ〜２L  半導体素子
２０１  電極部
３  導電部
３ａ  導電部の主面（半導体素子２の搭載面）
４  リード端子群
４ａ  主電流リード端子
４ｂ  信号端子
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ  中継端子
６、６ｂ  放熱部（放熱部位）
７  制御基板
８  プレートの端子部
９、９ａ、９ｂ  フランジ部
１０ａ  絶縁フレーム部
１０ｂ  蓋部
１０ｃ  底板部
１１  絶縁フレーム部の開口部
１３ａ、１３ｂ  ビーム出射口
１４ａ、１４ｂ  レーザ
１５  溶接部
１６ａ、１６ｂ  ターミナル
１７ａ、１７ｂ  異形電子部品
１８  フレームフランジ部
１９  保護カバー    ２０  風路
２１  ベアデバイス
２２  配線回路部材
２３  ボンディングワイヤ
２４  フィン部。
【図１】
0005069587.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005069587.tif 000008
【図８】
0005069587.tif 000009
【図９】
0005069587.tif 000010
【図１０】
0005069587.tif 000011
【図１１】
0005069587.tif 000012