(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム系の第１電極及び第２電極を備えた回路素子が樹脂層に
埋設され、前記第１電極に接続されるように形成された第１電極パッドと、前記第２電
極に接続されるように形成された第２電極パッドとがそれぞれ表面側に形成された平板
状の樹脂チップの前記表面側に対向する面を、アルミニウム系の第３電極が形成された
配線基板に固定する第１の工程と、
前記配線基板に固定された前記樹脂チップを絶縁層で被覆する第２の工程と、
前記第１電極パッドと、前記第２電極パッドと、前記第３電極とのそれぞれの一部が
露出するように、第１開口部と、第２開口部と、第３開口部とをそれぞれ前記絶縁層に
形成する工程であり、前記第１開口部と前記第２開口部の深さが同じであり、前記第３
開口部の深さが前記第１開口部及び前記第２開口部の深さよりも深い第３の工程と、
前記第１開口部内の前記第１電極パッドと、前記第２開口部内の前記第２電極パッド
とのそれぞれ面に、前記絶縁層の表面と同じ高さ（Ｈ）までニッケル系の第１の導電層
を形成し、前記第３開口部内の前記第３電極の面に、前記第１開口部内及び前記第２開
口部内に形成された前記第１の導電層と同じ厚さの、前記ニッケル系の第１の導電層を
形成する第４の工程と、
導電層を形成する次の工程Ａ又は工程Ｂからなる第５の工程と
を有し、
前記工程Ａは、前記第１電極パッドと前記第２電極パッドと前記第３電極のそれぞれ
の面に形成された前記第１の導電層の面と、前記絶縁層の面と、前記第３開口部の内壁
面とにそれぞれ、導電材料を被着しこれをパターニングして、前記第３電極の面に形成
された前記第１の導電層と、前記第２電極パッドの面に形成された第１の導電層とを接
続する第３の導電層を形成する工程であり、
前記工程Ｂは、前記第１開口部内の前記第１電極パッドと、前記第２開口部内の前記
第２電極パッドとのそれぞれ面に形成された前記第１の導電層の面をマスク材で覆い、
前第３開口部の内部に形成された前記第１の導電層の面に、第２の導電層を前記絶縁層
の表面まで形成した後に、前記第１の導電層の面と、前記絶縁層の面と、前記第２の導
電層の面とにそれぞれ、導電材料を被着しこれをパターニングして、前記第２の導電層
と、前記第２電極パッドの面に形成された第１の導電層とを接続する第３の導電層を形
成する工程である、
多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層に対してレーザ光照射によって前記第１開口部と、前記第２開口部と、前記第３開口部とをそれぞれ形成する、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項３】
前記第１の導電層の形成を無電解メッキ法によって行う、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項４】
前記第２の導電層又は／及び前記第３の導電層を導電材料の物理的成膜法又はメッキ法によって形成する、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項５】
前記回路素子を発光素子とする、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項６】
前記第２の導電層が無電解メッキ層からなるニッケル系のメッキ層又は銅メッキ層からなる、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項７】
前記第３の導電層が銅配線層からなる、請求項１に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法に基づく、電気回路装置の製造方法。
【請求項９】
画像表示装置又は光源装置を製造する、請求項８に記載の電気回路装置の製造方法。
【請求項１０】
アルミニウム系の第１電極及び第２電極を備えた回路素子が樹脂層
に埋設され、前記第１電極に接続されるように形成された第１電極パッドと、前記第２
電極に接続されるように形成された第２電極パッドとがそれぞれ表面側に形成された平
板状の樹脂チップの前記表面側に対向する面が固定され、アルミニウム系の第３電極が
形成された配線基板と、
前記配線基板に固定された前記樹脂チップを被覆する絶縁層と、
前記第１電極パッドと、前記第２電極パッドと、前記第３電極とのそれぞれの一部が
露出するように、前記絶縁層にそれぞれ形成された開口部であり、同じ深さを有する第
１開口部及び第２開口部と、この第１開口部及び第２開口部よりも深さが深い第３開口
部と、
前記第１開口部内の前記第１電極パッドと、前記第２開口部内の前記第２電極パッド
とのそれぞれ面に、前記絶縁層の表面と同じ高さ（Ｈ）まで形成されたニッケル系の第
１の導電層、及び、前記第３開口部内の前記第３電極の面に、前記第１開口部内及び前
記第２開口部内に形成された前記第１の導電層と同じ厚さで形成された、前記ニッケル
系の第１の導電層と、
次の導電層Ａ又は導電層Ｂからなる導電層と
を有し、
前記導電層Ａは、前記第１電極パッドと前記第２電極パッドと前記第３電極のそれぞ
れの面に形成された前記第１の導電層の面と、前記絶縁層の面と、前記第３開口部の内
壁面とにそれぞれ、導電材料を被着しこれをパターニングして、前記第３電極の面に形
成された前記第１の導電層と、前記第２電極パッドの面に形成された第１の導電層とを
接続する第３の導電層であり、
前記導電層Ｂは、前記第１開口部内の前記第１電極パッドと、前記第２開口部内の前
記第２電極パッドとのそれぞれ面に形成された前記第１の導電層の面をマスク材で覆い
、前記第３開口部の内部に形成された前記第１の導電層の面に、前記絶縁層の表面まで
形成された第２の導電層の面と、前記第１の導電層の面と、前記絶縁層の面とにそれぞ
れ、導電材を被着しこれをパターニングして、前記第２の導電層と、前記第２電極パッ
ドの面に形成された第１の導電層とを接続する第３の導電層である、
多層配線構造又は電極取り出し構造。
【請求項１１】
前記回路素子を発光素子とする、請求項１０に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１の何れか１項に記載の多層配線構造又は電極取り出し構造を有する、電気回路装置。
【請求項１３】
画像表示装置又は光源装置を構成する、請求項１２に記載の電気回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気回路装置の製造方法としては、ウエーハからダイシングして回路素子（例えば半導体チップ）を分離し、分離した回路素子をダイシングシートからチップトレイに移送し、更には、チップトレイから回路素子を真空吸着でピックアップして、基板にマウント若しくは接続した後に配線するという方法が知られている。
【０００３】
この方法は、例えば、半導体パッケージの製造工程等において一般的に行われている。
【０００４】
【発明に至る経過】
本出願人は、効果的で好ましい多層配線構造及び電極取り出し構造を有する画像表示装置及びこれらの製造方法等を特願２００１−１４４５９２等において既に提起した。
【０００５】
この先願発明による多層配線構造、電極取り出し構造、画像表示装置及びこれらの製造方法等は下記に例示するようなものである。
【０００６】
この回路素子は、例えば、先細り形状とされた先端部を有する回路素子であって、図１８に示すような構造を有する発光素子を挙げることができる。図１８の（ａ）が発光素子の断面図であり、図１８の（ｂ）がその平面図である。
【０００７】
この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例えば、サファイア基板（図示せず）上に結晶成長される発光素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオード素子は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションを生じさせ、ＧａＮの分解に伴なってサファイア基板とＧａＮ系の結晶成長層との間の界面で膜剥れが生じ、素子の分離が容易になるという特徴を有している。
【０００８】
この構造によれば、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層２１上に選択成長された六角錐形状のｎ型のＧａＮ：Ｓｉ層２２が形成されている。下地成長層２１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ：Ｓｉ層２２は、この絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によって形成される。
【０００９】
このＧａＮ：Ｓｉ層２２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合に、Ｓ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。そして、このＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。
【００１０】
次に、ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面を覆うように、活性層であるＩｎＧａＮ層２３が形成されており、その外側に、マグネシウムドープのｐ型のＧａＮ：Ｍｇ層２４が形成される。なお、このマグネシウムドープのＧａＮ：Ｍｇ層２４もクラッドとして機能する。
【００１１】
更に、このような発光ダイオード素子５２には、ｐ電極２５とｎ電極２６とが形成されている。ｐ電極２５は、マグネシウムドープのＧａＮ層２４上に形成されるが、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。
【００１２】
又、ｎ電極２６は、前述の図示しない絶縁膜を開口した部分に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料材料蒸着して形成される。なお、下地成長層２１の裏面側からｎ電極２６の取り出しを行う場合には、ｎ電極２６は下地成長層２１の表面側に形成する必要はない。
【００１３】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオード素子５２は、青色発光も可能な素子であって、特に、レーザアブレーションによって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することによって選択的な剥離を実現する。
【００１４】
なお、このＧａＮ系の発光ダイオード素子５２としては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であってもよく、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであってもよい。又、他の窒化物系や化合物半導体等であってもよい。
【００１５】
次に、表示用素子として用いられる樹脂チップ５４について説明する。
【００１６】
この樹脂チップ５４は、図１９及び図２０に示すように、ほぼ平板状でありその主たる面がほぼ正方形状となっている。この樹脂チップ５４の形状は樹脂５３を固めて形成された形状であり、具体的には、未硬化の樹脂によって各発光ダイオード素子５２をほぼ包み込むように全面的に塗布して樹脂層５３を形成し、これを硬化した後で、縁の部分をダイシング等で切断することによって得られる。
【００１７】
ほぼ平板状の発光ダイオード素子５２が埋設された樹脂層５３の表面側には、電極パッド５６及び５７が形成される。電極パッド５６及び５７の形成方法としては、例えば、全面に電極パッド５６及び５７の材料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術等により、所要の電極の形状にパターニングすることで形成される。この電極パッド５６及び５７は、発光ダイオード素子である素子５２のｐ電極２５とｎ電極２６とにそれぞれ接続されるように形成されており、このためには樹脂層５３にビアホール等が形成される。
【００１８】
なお、電極パッド５６及び５７の位置が平面的にみてずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとる際に重ならないようにするためである。電極パッド５６及び５７の形状は正方形に限定されず、他の形状としてもよい。
【００１９】
このような樹脂チップ５４を構成することによって、発光ダイオード素子５２の周りが樹脂５３で被覆されて平坦化され、精度良く電極パッド５６及び５７を形成できると共に、発光ダイオード素子５２に比べて広い領域に電極パッド５６及び５７を延在でき、次の転写工程における転写を吸着装置等で行う場合に取り扱いが容易になる。
【００２０】
又、後述するように、最終的な配線が、転写工程の後に行われるために、比較的大きいサイズの電極パッド５６及び５７を利用した配線を行うことによって、配線不良が未然に防止される。
【００２１】
次に、図６から図１７までを参照しながら、図１８に示した発光ダイオード素子５２からの電極取り出し構造、多層配線構造、画像表示装置及びこれらの製造方法等について説明する。
【００２２】
図６に示すように、第１の一時保持用部材５１の上面に、第１の剥離層６４と樹脂層５３とが２層になって密着形成されている。
【００２３】
第１の剥離層６４を介して樹脂層５３と密着する第１の一時保持用部材５１の材質としては、高分子シート等を挙げることができ、第１の一時保持用部材５１上の第１の剥離層６４の材質としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）及びポリイミド等を用いることができる。
【００２４】
又、この第１の一時保持用部材５１上の樹脂層５３としては、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂のいずれかからなる層を用いることができる。一例として、第１の一時保持用部材５１として高分子シート等を用い、第１の剥離層６４としてポリイミド膜を形成後、樹脂層５３としてＵＶ硬化型樹脂を塗布することができる。
【００２５】
そして、樹脂層５３上の、発光ダイオード素子５２を埋設（転写）する部分以外を、レーザ光を照射することによって硬化させる。そして、これ以外のレーザ光を照射しない部分は、後の工程で発光ダイオード素子５２を埋め込む軟質部８２とする。
【００２６】
図７に示すように、サファイア等の第１基板５０の主面上には、上記した結晶成長によって複数の発光ダイオード素子５２がマトリクス状に形成されている。
【００２７】
第１基板５０の構成材料としては、サファイア基板等のように、発光ダイオード素子５２に照射するレーザ光の波長の透過率の高い材料が用いられる。又、発光ダイオード素子５２にはｐ電極及びｎ電極までは既に形成されているが、最終的な配線は未だなされておらず、発光ダイオード素子５２間を分離する分離溝６２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード素子５２は分離できる状態にある。
【００２８】
この溝６２ｇの形成は、例えば、反応性イオンエッチング等で行う。そして、このような第１基板５０を第１の一時保持用部材５１に対峙させて、図７に示すように、樹脂層５２への発光ダイオード素子５２の転写を行う。
【００２９】
この転写に際しては、図７に示すように、転写する所定の発光ダイオード素子５２に対してレーザ光を第１基板５０の裏面から照射し、この転写する所定の発光ダイオード素子５２を第１基板５０からレーザアブレーションを利用して剥離する。なお、このＧａＮ系の発光ダイオード素子５２は、サファイア基板である第１基板５０との界面でレーザアブレーションによって金属のＧａと窒素とに分解することから、比較的簡単に剥離できる。
【００３０】
照射するレーザ光としては、エキシマレーザ及び高調波ＹＡＧレーザ等が用いられる。そして、このレーザアブレーションを利用した剥離作用によって、転写する所定の発光ダイオード素子５２は下地層であるＧａＮ層と第１基板５０との界面で分離し、図８に示すように、反対側の樹脂層５３の軟質部８２にｐ電極の一部分を突き刺すようにして転写する。
【００３１】
なお、樹脂層５３の軟質部８２に転写される所定の発光ダイオード素子５２以外の発光ダイオード素子５２については、前工程において、この発光ダイオード素子５２が接触する樹脂層５３の部分が、既にレーザ光によって硬化しているために、接触するだけでは樹脂層５３に転写されることはなく、第１基板５０上に付着したままとなる。
【００３２】
そして、転写後の状態は、図８に示すように、転写された発光ダイオード素子５２の間隔が、第１基板５０上に配列されていた時よりも離間して第１の一時保持用部材５１上に配列されたものとなる。
【００３３】
即ち、Ｘ方向にそれぞれの発光ダイオード素子５２の間隔が広げられ、同時に、Ｘ方向に垂直なＹ方向にもそれぞれの発光ダイオード素子５２の間隔が広げられた状態になる。
【００３４】
次に、図９に示すように、樹脂層５３の軟質部８２上にｐ電極を一部突き刺すようにして保持された発光ダイオード素子５２を、加圧手段８４によって加圧し、樹脂層５３の軟質部８２に更に押し付けて埋設する。
【００３５】
こうして、発光ダイオード素子５２は、図１０に示すように、第１の一時保持用部材５１の樹脂層５３にほぼ埋設保持された状態になる。そして、この発光ダイオード素子５２の裏面は、第１基板５０との間にあった樹脂５３等が残らないように確実に除去、洗浄される。
【００３６】
次に、図１１に示すように、発光ダイオード素子５２の埋設された樹脂層５３から第１の一時保持用部材５１を第１の剥離層６４のレーザ光照射によって剥離し、しかる後に、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂層５３の裏面側を第２の剥離層６０を介して第２の一時保持用部材６７に密着させて転写する。
【００３７】
図１２は、第１の一時保持用部材５１から発光ダイオード素子５２を、第２の剥離層６０を介して第２の一時保持用部材６７に転写した後、レーザ光照射でアノード電極（ｐ電極）側及びカソード電極（ｎ電極）側にビアホール７０をそれぞれ形成し、アノード側の電極パッド５６及びカソード側の電極パッド５７を形成した後、更に樹脂層５３の一部をダイシングして個々の樹脂チップ５４とした状態を示している。
【００３８】
このダイシングプロセスにより、発光ダイオード素子５２毎に硬化した樹脂層５３を分断し、各発光ダイオード素子５２に対応した樹脂チップ５４とする。ここで、ダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、或いは、レーザビームを用いたレーザダイシングにより行う。
【００３９】
なお、ダイシングによる切り込み幅は、画像表示装置の画素内の樹脂層５３で覆われた発光ダイオード素子５２（樹脂チップ５４）の大きさに依存するが、例えば、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要な時には、上記のレーザビームを用いたレーザによる加工を行うことが必要である。この時、レーザビームとしては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。
【００４０】
このダイシングの結果、素子分離溝７１が形成され、発光ダイオード素子５２は、素子毎に区分けされて樹脂チップ５４になる。この素子分離溝７１はマトリクス状の各発光ダイオード素子５２を分離するため、平面的に見たパターンとしては、縦横に延長された複数の平行線からなる。なお、この素子分離溝７１の底部では、第２の一時保持用部材６７の表面が臨んでいる。この第２の一時保持用部材６７は、一例として、プラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してあるダイシングシートであり、紫外線（ＵＶ）が照射されると粘着力が低下する材質のものを利用できる。
【００４１】
なお、上記の転写の際には、図１１に示すように、第１の剥離層６４を形成した第１の一時保持用部材５１の裏面から例えばエキシマレーザ光を照射する。これにより、例えば、第１の剥離層６４としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドのアブレーションにより剥離する。その後、各発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂層５３を第２の一時保持用部材６７側に転写する。
【００４２】
更に、上記のアノード及びカソード側の電極パッド５６及び５７の形成プロセスの例としては、樹脂層５３の表面を酸素プラズマで発光ダイオード素子５２のｐ電極及びｎ電極が露出してくるまでエッチングして形成する。又、ビアホール７０の形成には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ及び炭酸ガスレーザ等を用いることができる。又、アノード及びカソード側の電極パッド５６及び５７はＣｕで形成する。
【００４３】
次に、図１３に示すように、機械的手段としての吸着装置７３を用いて、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２の一時保持用部材６７から剥離する。この時、第２の一時保持用部材６７上には、例えば、フッ素コート、シリコーン樹脂及び水溶性接着剤（例えば、ＰＶＡ）及びポリイミド等からなる第２の剥離層６０が形成されているが、このような剥離層６０を形成した第２の一時保持用部材６７の裏面から、例えばＹＡＧ第３高調波レーザ光を照射する。これにより、例えば、第２の剥離層６０をポリイミドで形成した場合では、ポリイミドの層と第２の一時保持用部材６７の界面とでポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４は、第２の一時保持用部材６７から上記の吸着装置７３のような機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００４４】
図１３は、第２の一時保持用部材６７上に配列している発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を、上記の機械的手段としての吸着装置７３でピックアップする状態を示した図である。
【００４５】
この時の吸着装置７３の吸着孔７５は、画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード素子５２埋設した樹脂チップ５４を多数個、一括して吸着できるようになっている。
【００４６】
そして、吸着孔７５の部材には、例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、若しくは、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属板７２をエッチングで穴加工したもの等が使用される。そして、金属板７２の吸着孔７５の奥には吸着チャンバ７４が形成され、この吸着チャンバ７４を負圧に制御することで発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４の吸着が可能になる。
【００４７】
なお、発光ダイオード素子５２は、この段階では樹脂５３で覆われており、その上面はほぼ平坦化されている。この為に、吸着装置７３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００４８】
次に、図１４は、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を、第２基板５５に固定（ボンディング）する工程を示すものである。
【００４９】
この第２基板５５に樹脂チップ５４を固定する際に、第２基板５５上には予め接着剤層７６が塗布されているために、発光ダイオード素子５２の下面のこの接着剤層７６を選択的に硬化させることによって、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２基板５５上に固定して配列させることができる。この固定後には、吸着装置７３の吸着チャンバ７４部分が圧力の高い状態となり、吸着装置７３と発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４との吸着による結合状態は解放される。
【００５０】
この時、接着剤層７６の樹脂を硬化させるエネルギーを与えるビーム９３は第２基板５５の裏面から照射される。例えばＵＶ硬化型接着剤を使用する場合は、ＵＶ照射装置によって行い、又、熱硬化性接着剤を使用する場合は、レーザによって、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４の下面のみを硬化させ、又、熱可塑性接着剤を使用する場合は、レーザ照射にて接着剤７６を溶融させて接着を行う。
【００５１】
又、第２基板５５上にシャドウマスクとしても機能する配線基板である電極層７７を配設し、特に電極層７７の画面側の面に黒クロム層７８を形成する。これによって、画像のコントラストが向上し、更に黒クロム層７８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるビーム９３によって接着剤層７６を早く硬化させることができる。
【００５２】
次に、図１５は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のそれぞれの発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを第２基板５５上に配列し、絶縁層７９で被覆した状態を示す。
【００５３】
吸着装置７３を使用して、第２基板５５のそれぞれの色に対応する位置にマウントすると、画素としてのピッチを一定のままに３色からなる画素を形成できる。なお、絶縁層７９の材質としては、透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤及びポリイミド等を用いることができる。
【００５４】
なお、図１５では、赤色の発光ダイオード素子５２Ｒが六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード素子５２Ｇ及び５２Ｂとその形状が異なっているが、この段階では、各発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂは既に樹脂チップ５４として樹脂５３で覆われており、素子としての構造が違うにもかかわらず形状が同様のために同一の取り扱いを実現できる。
【００５５】
次に、図１６に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５６や、第２基板５５上の電極層７７等に対応して、これらを電気的に接続するための開口部であるビアホール７０’をそれぞれ形成し、更に図１７に示すように、配線８６を形成する。ビアホール７０’の形成は、例えば、レーザビーム等を用いて行う。
【００５６】
なお、この時に形成するビアホール７０’は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５６の面積を大きくしているために、電極パッド５６に対応したビアホール７０’の形状を大きくでき、且つ、ビアホール７０’の位置精度も、各発光ダイオード素子５２に直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。
【００５７】
そして、配線８６の形成後、保護層（図示せず）を配線上に形成し、画像表示装置のパネルを完成する。
【００５８】
この保護層は、図１５の絶縁層７９と同様に、透明エポキシ接着剤等の材料を使用できる。この保護層は加熱硬化して配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線にドライバーＩＣを接続して駆動パネルを作製する。
【００５９】
次に、図２１は、発光の色の異なる複数種類の発光（ダイオード）素子を、配線が形成されたガラス基板１１（上記の５５に相当）上に一括転写した例を示すものである。
【００６０】
このガラス基板１１上には、上記の電極層７７に接続された第１配線層１２と第２配線層１３とが互いに直交して形成されており、各配線層１２及び１３がそれぞれ接続された赤色発光ダイオード素子５２Ｒ、緑色発光ダイオード素子５２Ｇ及び青色発光ダイオード素子５２Ｂがそれぞれマトリクス状に配列されている。各発光ダイオード素子は、上述のようなプロセスを経て第２基板上に交互にマトリクス状に配列される。
【００６１】
なお、ここでは、画像表示装置の基板としてガラス基板１１を使用し、この上に発光ダイオード素子を転写するようにしたが、高分子シート等を被転写基板として使用することも可能である。又、第２の一時保持用部材６７をそのまま基板として活用することも可能である。そして、例えば、高分子シートを画像表示装置の基板として使用した場合には、屈曲性を有し、軽量で、且つ割れにくい画像表示装置を実現することが可能となる。
【００６２】
【発明が解決しようとする課題】
従来、絶縁層が形成されたプリント基板（配線基板）等にレーザビア（レーザ光によって形成された接続孔のことを指し、以下においては単に接続孔とする。）を加工形成する工程、及びこの接続孔周辺に配線等を形成する工程においては、絶縁層下の電極パッド又は配線等はＣｕ層からなり、且つこのＣｕ層の厚さは一般的に１０μｍ以上であるため、加工用のレーザ光によるダメージを受けにくく、電極パッド又は配線等の上に、ＣＯ2レーザ及び高調波ＹＡＧレーザ等の短波長で高出力のレーザ光を用いて接続孔を加工形成することができる。
【００６３】
そして、接続孔の形成後、電解メッキ法等によって接続孔を電解Ｃｕメッキ層等で埋め込んでから、配線を形成している。
【００６４】
ところが、昨今、配線基板上の配線としてＣｕ層を形成する場合、その厚さを薄くしたいという要望がある。なぜなら、配線基板上に形成されたＣｕ配線をフォトエッチング技術でパターニングする際に、この配線が加工し易くなるからである。
【００６５】
特に、絶縁層が形成された配線基板上の電極パッド又は配線等のＣｕ層の厚さを１μｍにまで薄くするときはその効果が大となり、フォトエッチング加工の精度が向上する。
【００６６】
しかし、図６〜図１７に示した画像表示装置の製造の場合、配線基板のガラス基板上に形成されたＣｕ層からなる電極７７や配線、樹脂チップ５４等に形成されるＣｕ層からなる電極パッド５６、５７等の厚さを約１μｍとしたとき、これらの上の絶縁層７９に接続孔７０’を形成するためのレーザ光をオーバーショット（過照射）すると、Ｃｕ層からなる電極パッドや配線等に穴が開き、断線等の故障の原因となってしまうことがある。
【００６７】
これは、Ｃｕ層からなる電極パッド及び配線等が熱の吸収率が大きいという特性ゆえに、レーザ光の照射によって生じる熱を吸収して加工され易くなるためである。
【００６８】
そこで、絶縁層７９に対してエキシマレーザや高調波ＹＡＧレーザ等によるレーザビア（接続孔）の形成を行う場合に、絶縁層中の電極パッド及び電極層等の材質をＣｕではなく、アルミニウム（Ａｌ）にすると、レーザ光の照射時の熱吸収率が低いアルミニウム（Ａｌ）の特性によって、電極パッドや配線等がレーザ加工され難くなるために、高出力で短波長のレーザによる接続孔の加工が容易になる。
【００６９】
ところが、これまで、形成されたレーザビア（接続孔）の埋め込みのために接続孔内にＣｕメッキ層を形成する際、このＣｕメッキ前に、Ｃｕメッキ層とＡｌ層との接続性の向上のために前処理（酸処理）をＡｌ層の表面に施す必要があるが、この前処理（酸処理）のためにＡｌ層が侵されてしまい、この上にＣｕメッキ層を形成することは難しくなる。
【００７０】
本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、Ａｌ層上にＣｕ層を形成する場合でも、これらを良好に接続することができる多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。
【００７１】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、Ａｌ等のアルミニウム系の第１導電層上に絶縁層が形成され、
前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成され、
前記接続孔内にＮｉ等のニッケル系の第２導電層が形成され、
前記第２導電層上にＣｕ等の第３の導電層が形成されている、
多層配線構造又は電極取り出し構造、及びこれらの製造方法に係るものである。
【００７２】
本発明は又、回路素子に接続されるか、或いは／並びに、下層の配線を形成しているＡｌ等のアルミニウム系の第１導電層上に絶縁層が形成され、
前記第１導電層上において前記絶縁層に接続孔が形成され、
前記接続孔内にＮｉ等のニッケル系の第２導電層が形成され、
前記第２導電層上にＣｕ等の第３の導電層が形成され、
前記回路素子が前記第３導電層によって前記配線基板に接続されている、
電気回路装置及びその製造方法に係るものである。
【００７３】
本発明によれば、第１導電層がアルミニウム系によって形成されているので、この第１導電層は接続孔の形成時に生じるダメージに対する耐久性を有するために、第１導電層のダメージを軽減し、第１導電層を薄膜化しても耐久性を保持することができる。
【００７４】
又、第１導電層と第３導電層との間にニッケル系の第２導電層が形成されることにより、第１導電層と第３導電層との間の接続が可能となり、この接続に際して第１導電層の酸処理が不要となり、第１導電層が第２導電層で保護された状態で第３導電層との接続が良好となる。
【００７５】
更に、接続孔内にニッケル系の第２導電層が形成されることにより、接続孔の深さが減少するため、その上に設ける第３導電層の段切れがなくなり、信頼性が増す。
【００７６】
【発明の実施の形態】
本発明においては、前記第１導電層を下層の配線、電極パッド又は電極とするのが望ましい。
【００７７】
又、絶縁層表面の平坦化のために、回路素子に接続された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁層の表面の高さまで埋め込むのが望ましい。
【００７８】
又、回路素子を接続固定した配線基板に形成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込むのが望ましい。
【００７９】
又、絶縁層表面に平坦化のために、前記回路素子に接続された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁層の表面の高さまで埋め込むのが望ましい。
【００８０】
又、回路素子を接続固定した配線基板に形成された前記第１導電層上の前記接続孔を、前記第２導電層によって前記絶縁層の表面高さよりも浅く埋め込み、更にこの第２導電層上にて第４の導電層を前記絶縁層の表面の高さまで埋め込むのが望ましい。
【００８１】
又、前記回路素子を前記第３導電層によって前記配線基板に接続するのが望ましい。
【００８２】
又、前記絶縁層に対してレーザ光照射によって前記接続孔を形成するのが望ましい。
【００８３】
又、前記第２導電層の形成を無電解メッキ法によって行うのが望ましい。
【００８４】
又、前記第３導電層又は／及び前記第４導電層を導電材料の物理的成膜法又はメッキ法によって形成するのが望ましい。
【００８５】
又、前記回路素子を発光素子とするのが望ましい。
【００８６】
又、画像表示装置又は光源装置を構成するのが望ましい。
【００８７】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に具体的に説明する。
【００８８】
第１の実施の形態
図１及び図２は、本発明の第１の実施の形態を示すものである。
【００８９】
本実施の形態においては、発光ダイオード素子５２に接続する電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の材質にアルミニウム（Ａｌ）を使用する以外は前述した工程と同様とする。先ず、前述の図６から図１６までの工程は同様に行う。
【００９０】
その後、図１に示すように、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の一部が露出するように、レーザ光によって絶縁層７９にビアホール７０’を形成する。更に、このビアホール７０’内に、Ｎｉを析出及び付着させる無電解Ｎｉメッキ処理を行って、ビアホール７０’内に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する。このＮｉメッキ層８１は、発光ダイオード素子５２を埋め込んだ樹脂チップ５４上のビアホール７０’は完全に埋めるように形成され、配線基板の電極層７７上のビアホール７０’では途中深さまで形成される。
【００９１】
ここで、電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の材料としてＡｌを使用するのは、このＡｌがレーザ光に対してレーザ吸収能の低い材料であるため、電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７上に接続孔であるビアホール７０’を形成する際にレーザ光が照射されても、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７等は、レーザ光の照射による加熱によって変形等が生じ難いからである。
【００９２】
又、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７上に無電解Ｎｉメッキ層８１の形成を行う理由は次の通りである。例えば、これらの上に直接電気メッキ等によってＣｕ層である配線８６を施す際には、Ｃｕ層とＡｌ層との接続性を高めるために、Ａｌ層上に酸を用いた前処理を行わなければないが、この酸による前処理を行うとＡｌ層が腐食されてしまう。そのために、この酸による前処理をしなくても、Ａｌ層とＣｕ層とを直接接触させないように、Ａｌ層とＣｕ層との間に、ＣｕとＡｌとの両方の金属と接続性のよい無電解Ｎｉメッキ層８１を形成することによって、Ａｌ層とその上のＣｕ層との間の接続性及び導電性を確保できるからである。
【００９３】
この無電解Ｎｉメッキ層８１の形成は、下記のメカニズムで進行する。
【００９４】
例えば、無電解メッキ液に次亜リン酸塩を還元剤として添加すると、Ｎｉの析出時に次のような反応が生じる。
Ｎｉ2+＋Ｈ2ＰＯ2-＋Ｈ2Ｏ  →  Ｎｉ＋Ｈ2ＰＯ3-＋２Ｈ+
Ｈ2ＰＯ2-＋Ｈ2Ｏ  →  Ｈ2ＰＯ3-＋Ｈ2
【００９５】
この場合、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７上への無電解Ｎｉメッキ処理は、前処理としてのジンケート処理を施した後に行う。
【００９６】
このジンケート処理は、Ｚｎイオンを含むアルカリ溶液中で、ＡｌとＺｎとの置換反応によって、Ａｌ表面に先ずＺｎ粒子が析出し、しかる後に、上記した還元反応時にＺｎとＮｉとが置換反応することによりＮｉが析出する。その後は、この析出したＮｉが触媒的な起点（シード）となり、次亜リン酸イオンによる還元析出反応が進行する。
【００９７】
このような工程を経て、図１のように、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７がビアホール７０’に露出する露出部にのみ、無電解Ｎｉメッキ層８１が析出形成されて成長する。
【００９８】
ここで、電極パッド５６及び電極パッド５７上のビアホール７０’内では、無電解Ｎｉメッキ層８１を成長形成させる高さを、絶縁層７９の表面と同じ高さにすることにより、絶縁層７９の表面が比較的平坦化され、次の配線工程において、ビアホール７０’の埋め込み面と絶縁層７９との表面の段差がなくなり（電極パッド５６、５７上）、或いは減少して（電極層７７上）、図２に示す配線８６の形成が比較的容易になる。
【００９９】
即ち、図１に示すように、樹脂チップ５４の電極パッド５６及び電極パッド５７上のビアホール７０’の深さと、配線基板上の電極層７７上のビアホール７０’の深さとが異なるので、電極パッド５６及び電極パッド５７上のビアホール７０’の深さに合わせて、配線基板上の電極層７７上のビアホール７０’に無電解Ｎｉメッキ層８１を形成する。
【０１００】
次に、図２に示すように、絶縁層７９の上部、電極パッド５６及び電極パッド５７上に設けられたビアホール７０’に埋め込まれた無電解Ｎｉメッキ層８１、及び電極層７７上のビアホール７０’に被着された無電解Ｎｉメッキ層８１上等に、スパッタ等の物理的成膜法によりＣｕを被着し、これをフォトリソグラフィーでパターニングしてＣｕ配線８６を形成する。
【０１０１】
このように、本実施の形態においては、第１導電層としての電極パッド５４及び５６、電極層７７をアルミニウムによって形成するので、これらの上の絶縁層７９にビアホール７０’をレーザ光照射で形成する時にレーザ光に対する耐久性（低熱吸収率）を有するために、レーザビアの形成に伴うダメージをなくし、かつアルミニウム層は１μｍと薄膜化しても耐久性を保持することができる。
【０１０２】
又、これらのアルミニウム層上に無電解ニッケルメッキ層８１が形成されることにより、アルミニウム層５４、５６、７７とＣｕ層８６との接続が十分となり、この接続に際して第１導電層の酸処理が不要となる。
【０１０３】
更に、ビアホール７０’内に無電解ニッケルメッキ層８１が形成されることにより、ビアホールの深さがなくなるか或いは減少するため、その上にＣｕ層８６を段切れなしに信頼性良く形成することができる。
【０１０４】
即ち、無電解Ｎｉメッキ層８１の存在によって、絶縁層７９の表面が平坦化され、或いはビアホール７０’の深さが浅くなって段差が少なくなるので、配線８６の加工性及び被着性が良好となり、断線が生じない。
【０１０５】
又、無電解Ｎｉメッキ層８１の存在によって、金属の熱膨張で配線８６等に生じるストレスを緩和できるために、断線が生じず、しかも配線の抵抗を下げることもできる。仮に、無電解Ｎｉメッキ層８１を設けずに、Ｃｕ層８６を直接スパッタ等で形成する場合には、その厚みによって熱膨張でストレスが増大し、断線し易くなる。
【０１０６】
又、ビアホール７０’の埋め込みに電解メッキを行わないので、電解メッキ層の形成用に必要な配線等を形成しなくてもよい。なお、無電解Ｎｉメッキ層８１の形成により、ビアホールの深さをコントロールし易い。
【０１０７】
レーザ光の照射により接続孔（ビア）を形成する場合、そのサイズを微細化するために高出力で短波長のＵＶ−ＹＡＧ、更にはエキシマレーザ等のレーザ光で加工するときには、レーザ光によって形成されるビアホールとその底面の電極等のサイズも、微細パターン化が求められるようになり、更に電極の厚さもより薄くなるが、いずれの場合も、本実施の形態は効果的に適応できるものとなる。
【０１０８】
本実施の形態は、表示素子用の回路装置のみならず、一般の電気回路基板にも適用できる。
【０１０９】
即ち、ディスプレイ等の表示装置だけでなく、プリント基板又はフレキシブル基板等にも本実施の形態を適用できる。
【０１１０】
第２の実施の形態
図３〜図５は、本発明の第２の実施の形態を示すものである。
【０１１１】
本実施の形態においては、発光ダイオード素子５２に形成された電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の材質にアルミニウム（Ａｌ）を使用する以外は前述の工程（図６から図１６までの工程）と同様に行った後、図３に示すように、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７の接続用のビアホール７０’をレーザ光によって形成し、ここに無電解Ｎｉメッキを行って無電解Ｎｉメッキ層８１を成長形成する。
【０１１２】
このような工程を経て、Ａｌからなる電極パッド５６、電極パッド５７及び電極層７７上のビアホール７０’に、無電解Ｎｉメッキ層８１が形成されて成長する。電極パッド５６及び電極パッド５７の接続用に形成されたビアホール７０’内の無電解Ｎｉメッキ層８１は、絶縁層７９の表面と同じ高さまで形成して成長させることにより、絶縁層７９の表面が平坦化されると、次の配線工程においては、絶縁層７９の表面の段差がほとんどなくなるので、配線形成が容易になる。
【０１１３】
この場合、上述の第１の実施の形態と同様に、樹脂チップ５４の電極パッド５６及び電極パッド５７上のビアホール７０’の深さと、配線基板の電極層７７上のビアホール７０’の深さとが異なるが、図３に示すように、電極パッド５６及び電極パッド５７の深さ（高さ）に合わせて、配線基板上の電極層７７への無電解Ｎｉメッキ層８１の形成を行う。
【０１１４】
次に、図４に示すように、樹脂チップ５４（電極パッド５６、５７）上を図示省略したマスク材で覆い、無電解Ｎｉメッキ層８１がある程度埋め込まれた電極層７７上の凹部にパラジウム等による表面処理をした後に、再度無電解Ｎｉメッキを行うことにより、第４導電層８０を絶縁層７９の表面まで形成してビアホール７０’を完全に埋める。なお、このＮｉメッキに代えて、無電解Ｎｉメッキ層８１を電極とした電解メッキ法によりＣｕ電気メッキ層８０を形成してもよい。
【０１１５】
しかる後に、上記マスク材を除去すれば、電極パッド５６及び電極パッド５７上のメッキ層８１の高さと電極層７７上のメッキ層８０の高さとを絶縁層７９の表面高さに揃えることができるため、配線層８６をフォトリソグラフィー技術により高精度に所定パターンに形成することができる。この場合、絶縁層７９の表面を例えば化学的機械研磨法（ＣＭＰ：Chemical mechanical polishing）によって研磨することが望ましいことがあるが、これは、そのような研磨によって、下地をより平坦化できるために、配線層８６を一層形成し易いからである。
【０１１６】
即ち、上記のように、樹脂チップ５４の電極パッド５６及び電極パッド５７上にて無電解Ｎｉメッキ層８１を埋め込み、更に、この埋め込み面をフォトレジストで選択的にマスクした後に、電極層７７上のビアホール７０’内の無電解Ｎｉメッキ層８１上に導電層８０を形成し、更に図５に示すように、スパッタ法等によりＣｕ層を被着し、パターニングしてＣｕ配線８６を形成する。
【０１１７】
本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態と同様、第１導電層としての電極パッド５６及び５７、電極層７７がアルミニウムによって形成されているので、ビアホール７０’の形成時に生じるダメージに対する耐久性を薄膜化の場合であっても保持することができる。
【０１１８】
その他、第２導電層としての無電解ニッケルメッキ層８１、８０の存在によって、アルミニウム層５６、５７、７７とその上の第３導電層としてのＣｕ配線８６との間の十分な接続が酸処理なしでも可能となり、しかも配線形成時の熱ストレスを一層抑え、断線の発生を更に防止することができる。
【０１１９】
更に、ビアホール７０’内に無電解ニッケルメッキ層８１を形成し、更にこの上に導電層８０を埋め込んでいるので、上記マスク材を除去した後の絶縁層７９の表面が、樹脂チップ５４上だけでなく導電層７７上も平坦化されるため、その上に配線層８６を段切れなしに一層信頼性良く形成できる。
【０１２０】
又、Ｃｕ層８０を電解Ｃｕメッキで形成する場合、電気メッキに必要である電極の役割を、ビアホール７０’内に既に形成された無電解Ｎｉメッキ層８１が担うことができるので、別個に電解Ｃｕメッキ専用の電極を形成しなくてよい。
【０１２１】
その他、本実施の形態においては、上述の第１の実施の形態で述べたと同様の作用及び効果が生じる。
【０１２２】
以上に述べた本発明の実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【０１２３】
例えば、上記の実施の形態においては、レーザビア及びそこへの無電解Ｎｉメッキは、発光ダイオード素子５２からなる画素部に適用したが、本発明はこれ以外にも、周辺駆動回路にも同様に適用できる。
【０１２４】
又、上記の実施の形態の電極取り出し構造は、多層配線構造における上下の配線の接続に適用してもよい。
【０１２５】
又、上記の実施の形態は、発光ダイオード素子に関するものであるが、他の任意の素子にも適用することができ、例示するならば、半導体レーザ素子、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子等、及びこれらを有する発光表示装置等の電気回路装置に適用することができる。
【０１２６】
又、各電極パッド５６、５７及び電極層７７等の材質は、Ａｌ単体としたが、例えばＡｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金を使用してもよく、また無電解Ｎｉメッキ層８１の材質もＮｉ単体だけでなくＮｉ合金を使用してもよく、更に配線８６の材質もＣｕ単体だけでなくＣｕ合金、更には他の導電材料を使用してもよい。
【０１２７】
又、樹脂チップの構造、特に電極取り出し構造をはじめ、各工程時におけるレーザ光の種類、照射量、照射時間及び照射位置等は、所定の効果が有れば、任意に変えてよい。
【０１２８】
【発明の作用効果】
本発明は、上述したように、第１導電層がアルミニウム系によって形成されているので、この導電層は接続孔の形成時に生じるダメージに対する耐久性を有するために、第１導電層のダメージを軽減し、第１導電層を薄膜化しても耐久性を保持することができる。
【０１２９】
又、第１導電層と第３導電層との間にニッケル系の第２導電層が形成されることにより、第１導電層と第３導電層との間の接続が可能となり、この接続に際して第１導電層の酸処理が不要となり、第１導電層が第２導電層で保護された状態で第３導電層との接続が良好となる。
【０１３０】
更に、接続孔内にニッケル系の第２導電層が形成されることにより、接続孔の深さが減少するため、その上に設ける第３導電層の段切れがなくなり、信頼性が増す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態において、ビアホールに無電解Ｎｉメッキ層を埋め込む工程の断面図である。
【図２】同、配線を形成する工程の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態において、ビアホールに無電解Ｎｉメッキ層を埋め込む工程の断面図である。
【図４】同、ビアホールに更にメッキ層を埋め込む工程の断面図である。
【図５】同、配線を形成する工程の断面図である。
【図６】先願発明において、樹脂層にレーザ光を照射する工程の断面図である。
【図７】同、発光ダイオード素子を樹脂層に転写する工程の断面図である。
【図８】同、発光ダイオード素子を樹脂層に転写した状態の断面図である。
【図９】同、発光ダイオード素子を樹脂層に埋設する工程の断面図である。
【図１０】同、発光ダイオード素子を樹脂層に埋設した状態の断面図である。
【図１１】同、発光ダイオード素子を埋設した樹脂層にレーザ光を照射して更に転写する工程の断面図である。
【図１２】同、転写後の樹脂層を電極パッド形成後に分離する工程の断面図である。
【図１３】同、樹脂チップをピックアップする工程の断面図である。
【図１４】同、樹脂チップを配線回路基板にボンディングする工程の断面図である。
【図１５】同、絶縁層で被覆した画像表示装置の断面図である。
【図１６】同、ビアホールを形成した状態の断面図である。
【図１７】同、配線を形成した状態の断面図である。
【図１８】同、発光ダイオード素子の断面図及び平面図である。
【図１９】同、樹脂チップの斜視図である。
【図２０】同、樹脂チップの平面図である。
【図２１】同、３色の発光ダイオード素子を用いた画像表示装置の一部分の平面図である。
【符号の説明】
１１…ガラス基板、１２…第１配線層、１３…第２配線、２１…下地成長層、
２２…ＧａＮ：Ｓｉ層、２３…ＩｎＧａＮ層、２４…ＧａＮ：Ｍｇ層、
２５…ｐ電極、２６…ｎ電極、５０…第１基板、５１…第１の一時保持用部材、
５２…発光ダイオード素子、５２Ｒ…赤色発光ダイオード素子、
５２Ｇ…緑色発光ダイオード素子、５２Ｂ…青色発光ダイオード素子、
５３…樹脂層、５４…樹脂チップ、５５…第２基板、５６、５７…電極パッド、
６０…第２の剥離層、６２ｇ…溝、６４…第１の剥離層、
６７…第２の一時保持用部材、７０、７０’…ビアホール、７１…素子分離溝、
７２…金属板、７３…吸着装置、７４…吸着チャンバ、７５…吸着孔、
７６…接着剤層、７７…電極層、７８…黒クロム層、７９…絶縁層、
８０…メッキ層、８１…無電解Ｎｉメッキ層、８２…軟質部、
８４…加圧手段、８６…配線、９３…ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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