(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元に広がっている光活性ポリマーフィルムを含む記憶媒体において光学的に読み取り可能なディジタル情報の光学的書き込み方法であって、書き込み用の光が１５０μＷ〜１００ｍＷの強度を有しそして１０ｎｍ〜８μｍの範囲の寸法（完全半値幅）を有するスポットに集光され、光パルスのエネルギー密度は１０ｍＪ／ｃｍ2〜１００Ｊ／ｃｍ2であり、光学的書き込みプロセスによって、少なくとも１０ｎｍの深さと、元の表面で測定された１つの方向における１０μm未満の幅を有する凹みが光活性ポリマーフィルムに形成されるのに十分に変性されて、記憶媒体の表面トポグラフィーが光学的読み取りプロセスのため適当であり、
光活性ポリマーフィルムが式（Ｉａ）のモノマーに基づき、非対称性の式（ＩＩａ）のモノマーに由来する基を有する側鎖を有するポリマーを含むこと、
【化１】
0005002104.tif 000050
ここで、
Ｒ1は水素またはメチルであり、
Ｓ1は−Ｏ−であり、
Ｔ1は−（ＣＨ2）p−であり、ｐは２〜４であり、
Ｑ1は−Ｏ−または−（Ｎ−Ｒ5）−であり、Ｒ5はメチルであり
Ｘ1′は直接結合であり、
Ａｒ1フェニル基であり、
Ｘ2′は−（ＣＯ−ＮＲ5）−であり、Ｒ5は水素であり、
yは式（Ｉａ）について１であり、式（ＩＩａ）について０であり
Ａｒ2はフェニル基であり、
Ｘ3′は−（Ｎ＝Ｎ）−であり、
ｚは１であり、
Ａｒ3はＣＮで置換されたフェニル基であり、
Ｘ4はＣＮである、
を特徴とする方法。
【請求項２】
記憶媒体として、光活性ポリマーフィルムに加えて少なくとも１つの機械的に十分に安定な基材及び被覆層を、基材、光活性ポリマーフィルム、被覆層の順で具備する多層ディスクを使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
情報が書き込まれるべき記憶媒体が０．０５〜１００μｍの厚さの光活性ポリマーフィルムからなる光活性層を有する請求項１〜２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
使用される記憶媒体が光活性ポリマーフィルムの書き込みレーザーの波長における吸光度として０．３〜２０を示す請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
記憶媒体の表面トポグラフイーの変化によって、少なくとも１０ｎｍの深さと、元の表面で測定された１つの方向における１０μm未満の幅を有する凹みが、好ましくは３８０ｎｍ〜８２０ｎｍの波長を有するレーザー光により生成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
記憶媒体の基材がポリマー、好ましくは熱可塑性ポリマー、特に好ましくはポリカーボネートを含んでなる記憶媒体に情報を書き込むことができることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも２０ｄＢのキャリア／ノイズ比を有する信号偏差が記憶媒体に書き込まれることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
光活性ポリマーフィルムと基材との間に、好ましくは、アルミニウム、銀、金よりなる群からの、特に好ましくはアルミニウム及び銀よりなる群からの、最も特に好ましくはアルミニウムの追加の光反射層を含む記憶媒体に情報を書き込むことができる請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
共焦点読み出しプロセスが用いられる場合、情報が書き込まれるべき記憶媒体が反射層を有しない請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
音響−光学モジュレータを有するレーザーにより又はレーザーダイオードの変調により生成された可変強度の偏光により光学的書き込みプロセスが行われ、そして反射された光の偏光状態が偏光光学システムにおいて検出されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに従って光学的書き込みをして得ることができる記憶媒体。
【請求項１２】
光活性ポリマーフイルムとして
【化２】
0005002104.tif 000051
のモノマーユニットから形成されるポリマーを使用する請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は二次元に広がっている記憶媒体におけるディジタル情報の光学的書き込み及びその後の光学的読み取り方法に関する。
【０００２】
光学的測定システムを使用してディジタルデータをその後に読み取るために、プラスチックディスク上に表面トポグラフイー（ｓｕｒｆａｃｅ  ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）局部的変化、いわゆるピットの形態でディジタルデータを記憶させることは既知でありそして商業的な利用が増大している（ＥＰ−Ａ−２５２５３）。この概念は、オーディオ記録（オーディオ−ＣＤ）及びコンピュータソフトウエア（ＣＤ−ＲＯＭ）を再生するための現在の市場を支配する技術の基礎をなす。しかしながら、情報を光学的に書き込むことは可能ではない。その代わりに、コスト高の複雑な多段階プロセスにおいて、データ情報を各個々のＣＤ上に射出成形スタンピング方法において伝達するモールドが製造される。従って、この技術は大量生産においてのみ経済的に成り立つ。
【０００３】
ディジタルデータをやはり光学的測定システムを使用して読み取ることができるように、プラスチックディスクにおける可視光の吸収能力の局部的差の形態でディジタルデータを記憶することも可能である。この測定システムは上記した射出成形スタンピングされたオーディオ−ＣＤ又はＣＤ−ＲＯＭを読み取るための測定システムに極めて類似しているか又は事実上同じである。この場合には、プラスチックディスクは染料を有するコーティングを含有し、染料の吸収挙動は適当な波長の光によって強く変化させることができ、この変化はこれまで未変化の領域の吸収挙動に影響を与えることなく一般により少ない強度の光を使用してその後走査されることができる（Ｙ．Ｊ．Ｈｕｈ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ  ３６（１９９７），ｐ．７２３３−７２３８）。一般に入手可能なＣＤ−Ｒはいくつかの層から構成される。トラッキング溝（プリグルーブ（ｐｒｅｇｒｏｏｖｅｓ））は中でもポリカーボネートからなる支持材料においてスタンピングされ、該支持材料上に薄い染料層、続いて中でも金からなるは反射層が配列されており、反射層はコーティングラッカーにより保護されている。
【０００４】
一般に、種々の光誘発プロセスがＣＤ−Ｒの吸収挙動の変化の原因であり、即ち、書き込みレーザーが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を通して染料上に集光される（ｆｏｃｕｓｅｄ）。光吸収性染料は主として入射光量子の吸収源として役立ちそして使用されるレーザー源に対するその吸収挙動に関して最適化される。染料は吸収により温度が高くなり、溶融し、それによりその周囲を変性し（ｍｏｄｉｆｙ）、即ち、ピット状構造として読み取りレーザーにより検出される泡及び他の変形（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ）が染料とポリカーボネート基板との界面及び染料と金との界面に形成される。
【０００５】
染料の変更からの寄与も実際の信号に関与する。染料の光学的パラメータは、中でも読み取り信号に影響を与えるその破壊により変えられる。現時点では３つのタイプの記録層が主として使用される。
【０００６】
−金属−安定化されたシアニン染料（緑）
−フタロシアニン染料（金−褐色）
−アゾ染料（青）
すべての前記した場合に、染料は単に熱源として役立ち、そしてピット状変形は染料システム自体においては生成されないで、主として光の吸収期間中染料に生じた変化から生じる隣接境界層の変性（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）によって生成される。
【０００７】
このような記憶媒体は１回しか書き込むことができないが、所望によりしばしば読み取ることができる（１回書き込めば他数回読み取れる（ｗｒｉｔｅ  ｏｎｃｅ  ｒｅａｄ  ｍａｎｙ）：ＷＯＲＭディスク）。何故ならば、読み取るためのレーザーの強度は、染料において吸収されたエネルギーが前記した変形を誘発するのに十分ではないように減少するからである。ＣＤ−Ｒは２つの大きな欠点を有する．即ち、１つには金反射層のコストが製造コストを決定的に決める。金層はＣＤ仕様に要求される反射値を適えるために必要である。更に、金層は必要な化学的不活性（耐酸化性）を有する。他の欠点は、必然的に限定される記憶安定性にある。現在の商業的に入手可能なシステムは高度に感光性であり、そしてもし日光中に貯蔵されるならば、僅か数時間後には既にもはや書き込むことはできない。
【０００８】
従って、本発明の目的は、上記の欠点を減少させるか又は除去する方法を提供することであった。
【０００９】
驚くべきことに、二次元記憶媒体のための材料の適当な選択によって、光学的書き込みシステムを使用して染料自体の表面トポグラフィーの局部的変化の形態でこの記憶媒体にデータを書き込むことができ、そして後に光学的にデータを読み取ることができることが今回見いだされた。これに関して、隣接境界区域で起こるプロセスは本質的な役割を演じるのではなく、そして表面トポグラフィーは染料システムにおける変性によってのみ影響を受ける。
【００１０】
表面変性は、例えば共焦点配列（ｃｏｎｆｏｃａｌ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）の形態にある適当に最適化された読み取り光学システムにより、慣用のＣＤ−Ｒで測定される信号関係よりも有意に優れた、表面変性された点及び非変性点における測定値間の信号関係が追加の反射層なしでも達成されうるような方法で、強く表現することができる。かくして新しい書き込み可能な媒体をなんらの追加の反射層なしで使用することができる。
【００１１】
しかしながら、慣用のオーディオ−ＣＤ及びＣＤ−Ｒの仕様（本）に述べられたＣＤの絶対反射の高い値が設定されなければならないかぎり、本発明に従う記憶媒体においても追加の反射層は必要である。
【００１２】
本発明に従う方法は、書き込まれた情報の読み取り可能性が記憶ディスク（ｓｔｏｒａｇｅ  ｄｉｓｋ）に対する外部損傷によってのみ悪影響を受けうるので、保証された長期安定性の利点を伴って、ＣＤ−Ｒと同様な書き込み速度及び記憶密度で例えばＣＤ−Ｒ様プラスチックディスク上にディジタル情報を書き込むことを可能とする。表面トポグラフィーにおける書き込まれた構造はこの層のガラス転移温度の付近までこの層を加熱することによってのみ変えることができる。ポリマー構造により、ガラス転移温度は１００℃より有意に高く、好ましくは１５０℃より高く、これは熱的抹消（ｔｈｅｒｍａｌ  ｄｅｌｅｙｉｏｎｓ）を記憶ディスクの適当な貯蔵により回避することができることを意味する。
【００１３】
本発明に従う方法の更なる利点は、これまで一般に使用されている方法と比べて、情報の光学的読み取り期間中有意に改良された信号偏差（ｓｉｇｎａｌ  ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）である。既に上記したとおり、信号偏差は、例えば共焦点読みだしプロセスを使用するときは、追加の反射層を省くことができる程大きい。
【００１４】
従って本発明は、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を含んでなる記憶媒体は、例えば、サンプル表面全体にわたって連続的又はパルス式操作モードで走査することができそして多層の場合に層配列に依存してそれぞれの機能層に集光させることができる集光されたレーザービームによって、ディジタル二進又は非二進情報を記憶させるように誘導されうる記憶方法を記載する。別法として、レーザー走査方法は、もし媒体とレーザースポット間の相対的運動が他の方法で、例えば、媒体を回転させることにより達成されうるならば省くことができる。
【００１５】
従って、本願は、二次元に広がっている記憶媒体において光学的に読み取り可能なディジタル情報の光学的書き込み方法であって、光学的書き込みプロセスによって、記憶媒体の表面トポグラフィーが光学的読み取りプロセスのために適当に且つ十分に変性され（ｍｏｄｉｆｉｅｄ）、そして更に特定的には、活性吸収体層（ａｃｔｉｖｅ  ａｂｓｏｒｂｅｒ  ｌａｙｅｒ）に隣接した区域の劣化及び／又は物理的もしくは化学的変性（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）から生じる検出される信号の有意な部分なしに変性されることを特徴とする方法を提供する。
【００１６】
光による適当な局部的照明の下でこの照明の領域のその表面トポグラフィーを、該領域を適当な光学的画像形成技術により、例えば、レミッションコントラスト法（ｒｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｍｅｔｈｏｄ）における共焦点レーザー走査顕微鏡（ｃｏｎｆｏｃａｌ  ｌａｓｅｒ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により独特に同定することができるような程度に、変えるいかなる単一層又は多層材料も記憶媒体として適当である。機械的に十分に安定な基板、光活性層（ｌｉｇｈｔ−ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）としてのポリマーフイルム及び使用期間中機械的損傷に対してポリマーフイルムを保護する被覆層を有する多層ディスクを、好ましくは適当な記憶媒体として挙げることができる。書き込みは被覆層を通して及びベースディスク（ｂａｓｅ  ｄｉｓｋ）を通して行うことができる。被覆層を通しての書き込みが好ましい。層を通して書き込みが行われるその層（被覆層、ベースディスク）は書き込み光の波長に対して十分に透明でなければならない。４００ｎｍ〜８２０ｎｍの波長範囲では、３０％より高い、好ましくは８０％より高い、特に好ましくは８５％より高い透過度が達成されるべきである。３８０ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲では、３０％より高い、好ましくは５０％より高い、特に好ましくは７５％より高い透過度が達成されるべきである。
【００１７】
反射層が省かれる場合には、多層記憶媒体を形成することもできる。実際の記憶層は、この場合には光活性ではない層によってお互いから分離されている。情報を読み取るために反射層が必要であるならば、その場合にはその吸収は、レーザー照射下の多層記憶媒体（いくつかの書き込み可能な記憶層を有する記憶媒体）の場合に、対応する層の強度は所望の変性を生じさせるのに依然十分であるように選ばれなければならない。
【００１８】
光活性ポリマーフイルムのための材料として、好ましくはバックボーンとして働く主鎖上に異なるタイプの側鎖を有するポリマーを挙げることができ、その少なくとも１つのタイプは可視光の波長範囲、即ち、λ＝３８０ｎｍ〜λ＝８２０ｎｍの波長、特に好ましくはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝７８０ｎｍ、最も特に好ましくはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝６６０ｎｍの波長の電磁放射を吸収することができる。
【００１９】
本発明に従う方法で使用される記録材料は好ましくはポリマー状もしくはオリゴマー状の有機、無定形材料、特に好ましくは側鎖を有するポリマー（ｓｉｄｅ−ｃｈａｉｎ  ｐｏｌｙｍｅｒ）及び同様に特に好ましくはブロックコポリマー及び／又はグラフトポリマーである。
【００２０】
側鎖を有するポリマーの主鎖は下記の基本的構造：ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリシロキサン、ポリ尿素、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド又はセルロースから誘導される。ポリアクリレート及びポリメタクリレートが好ましい。
【００２１】
本願で述べられたすべての側鎖を有するポリマー及び対応するモノマーも本願の主題である。
【００２２】
ブロックコポリマーはいくつかのブロックからなり、その少なくとも１つのタイプは上記でより詳細に説明したコポリマー系を含有する。他のブロックは、必要な光学密度を調節するために機能的ブロックを希釈する役目を果たす非機能化ポリマーバックボーンからなる。機能的ブロックの寸法は可視波長より短く、好ましくは２００ｎｍ未満、特に好ましくは１００ｎｍ未満の領域にある。
【００２３】
ブロックコポリマーの重合は、遊離基もしくはアニオン重合、又は他の適当な重合法、場合によりその後のポリマー様反応により又はこれらの方法の組み合わせにより行われる。系の均一性は２．０未満、好ましくは１．５未満の領域にある。遊離基重合により得られるブロックコポリマーの分子量は５０，０００の領域の値に達するが、アニオン重合により１００，０００より大きい値が達成されうる。
【００２４】
本発明に従う方法で使用される染料、特にアゾ染料は、これらのポリマーバックボーンにＳ−Ｔ−Ｑスペーサーを介して側鎖として共有結合している
【００２５】
【化１８】
0005002104.tif 000002
【００２６】
ここで、−Ａｒ1−は
【００２７】
【化１９】
0005002104.tif 000003
【００２８】
であり、
−Ａｒ2−は、
【００２９】
【化２０】
0005002104.tif 000004
【００３０】
であり、
−Ａｒ3−は
【００３１】
【化２１】
0005002104.tif 000005
【００３２】
であり、
上記式中、
ｙは１又は２を表し、
ｚは０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、もしｙ及び／又はｚが２であるならば、異なる意味を有していてもよく、
ＡはＯ、Ｓ又はＮ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）ｐ、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−（Ｃ＝ＮＲ8）−、−（ＣＮＲ8−ＮＲ5）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【００３３】
【化２２】
0005002104.tif 000006
【００３４】
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜１２、好ましくは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル、エチル、プロピル又はＣ6−Ｃ10−アリール−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）を表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ12は互いに独立に水素又は非イオン性置換基を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−、−（ＳＯ2−Ｏ）−、−（ＳＯ2−ＮＲ5）−又は−（ＣＮＲ8−ＮＲ5）−を表し、そして
Ｘ2′及びＸ3′は更に−（Ｃ＝ＮＲ8）−、−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ2′又はＸ3′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（ＳＯ2）、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す。
【００３５】
非イオン性置換基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式
【００３６】
【化２３】
0005002104.tif 000007
【００３７】
の基を表すものと理解される。
【００３８】
アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリール基は、３個までの上記した非イオン性置換基により置換されていてもよく、そしてアルキル及びアルケニル基は直鎖状又は分岐状であることができる。
【００３９】
ハロゲンという用語は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素を意味するものと理解される。
【００４０】
本発明に従う方法において使用されるポリマー状又はオリゴマー状の有機無定形材料は、例えば式（Ｉ）の染料の外に、非対称性の基（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｌｙ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｇｒｏｕｐｉｎｇｓ）を有することができる。これらの２つは一般にポリマーバックボーンにスペーサーを介して結合している。
【００４１】
寸法的に異方性の基は、式（ＩＩ）
【００４２】
【化２４】
0005002104.tif 000008
【００４３】
式中、上記置換基の定義（式Ｉ）は式ＩＩについても成り立ち、但し基Ｘ2′又はＸ3′のいずれも−Ｎ＝Ｎ−を表すことができず、そしてＲ11〜Ｒ22は式（ＶＩＩＩ）の基を表すことができないものとする、
の構造により示される。
【００４４】
本発明に従う方法で使用されるポリマーは式（Ｉ）の同一の又は異なる側基を有することができ、いくつかの異なる側基がある場合の基は異なっており、そして該ポリマーは式（ＩＩ）の同一の又は異なる側基を有していなくてもよく、いくつかの異なる側基がある場合の基は異なっている。
【００４５】
特に好ましいものは、式Ｉの側基及び式ＩＩの側基の両方を有するポリマーである。
【００４６】
染料基（Ｉ）を有するモノマー及び／又は非対称性の基（ＩＩ）を有するモノマーは、好ましくは、式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）を有する。
【００４７】
【化２５】
0005002104.tif 000009
【００４８】
式中、Ｒ1は水素又はメチルを示し、そして  他の基は染料基及び非対称性の基について上記した意味を有する。
【００４９】
本発明に従う方法では、好ましくは、式（Ｉ）において、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【００５０】
【化２６】
0005002104.tif 000010
【００５１】
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式
【００５２】
【化２７】
0005002104.tif 000011
【００５３】
の基を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−又は−（ＳＯ2−Ｏ）−を表し、そして
Ｘ2′及びＸ3′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ2′又はＸ3′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル（ＳＯ2）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（Ｉ）の染料側基を含有するポリマーが使用される。
【００５４】
式（Ｉ）の染料側基の外に、式（ＩＩ）において、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−、−（ＳＯ2）−、−（Ｏ−ＳＯ2）−、−（ＮＲ5−ＳＯ2−）−、−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−又は式
【００５５】
【化２８】
0005002104.tif 000012
【００５６】
の二価の基を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ9−又は−ＯＳｉＲ102Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換されていてもよく、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素、メチル又はエチルを表し、
Ｒ10はメチル又はエチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10−アリール、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3、ＣＣｌ3、−ＣＯＯ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−、−（ＳＯ2）−又は−（ＳＯ2−Ｏ）−を表し、そして
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ20−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ20−アルキル−（ＳＯ2）−、Ｃ3〜Ｃ10−シクロアルキル（ＳＯ2）−、Ｃ2〜Ｃ20−アルケニル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（ＩＩ）の非対称性の側基を含有するポリマーも本発明に従う方法において好ましく使用される。
【００５７】
式（Ｉ）において、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置にあり、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置又はｍ−位置にあり、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、（ＶＩＩ）における２つの結合はｐ−位置にあり、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−又は−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素又はメチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、メチル、メトキシ、フェノキシ、フェニル、アセチル−、ベンゾイル−、ＣＨ3−（ＳＯ2）−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、ＣＨ3−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式
【００５８】
【化２９】
0005002104.tif 000013
【００５９】
の基を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−（ＳＯ2）−を表し、そして
Ｘ2′及びＸ3′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ2′又はＸ3′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、
Ｒ4、Ｒ5及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ4−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（Ｉ）の染料側基を含有する本発明に従うポリマーは特に好ましい。
【００６０】
式（Ｉ）の染料側基の外に、式（ＩＩ）において、
Ａｒ1が式（ＩＩＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置にあり、
Ａｒ2が式（ＶＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置又はｍ−位置にあり、
Ａｒ3が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、（ＶＩＩ）における２つの結合はｐ−位置にあり、
ｙが１又は２を表し、
ｚが０、１又は２を表し、そして
Ｘ2′及びＡｒ2並びに／あるいはＸ3′及びＡｒ3は、ｙ及び／又はｚが２を表すならば、異なる意味を有することができ、
ＡはＯ又はＳを表し、
Ｑ1及びＱ2は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＮＲ5−ＣＯ）−又は−Ｏ−Ｃ6Ｈ5−ＣＯＯ−を表し、
Ｔ1及びＴ2は互いに独立に−（ＣＨ2）p−を表し、
Ｓ1及びＳ2は互いに独立に直接結合、−Ｏ−又は−ＮＲ9−を表し、
ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ9は水素又はメチルを表し、
Ｒ11〜Ｒ22は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、メチル、メトキシ、フェノキシ、フェニル、アセチル−、ベンゾイル−、ＣＨ3−（ＳＯ2）−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ3−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、又はＣＨ3−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、
Ｘ4は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3又はＸ4′−Ｒ4を表し、
Ｘ1′、Ｘ2′、Ｘ3′及びＸ4′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−（ＳＯ2）−を表し、
Ｒ4、Ｒ5及びＲ8は互いに独立に水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ10−アリールを表し、そして
Ｒ4及びＲ5は更に互いに独立にＣ1〜Ｃ4−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ6〜Ｃ10−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル−（ＳＯ2）−又はＣ6〜Ｃ10−アリール−（ＳＯ2）−を表す、
式（ＩＩ）の非対称性の側基を含有するポリマーを本発明に従う方法において使用するのも特に好ましい。
【００６１】
同様に、式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）において、基が式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）の好ましい意味及び特に好ましい意味を有し、そして
Ｒ1が水素を表しそして特に好ましくはメチルを表す、
式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）のモノマーも好ましい。
【００６２】
本発明に従う方法において特に好ましく使用されるクロマトホアモノマー（ｃｈｒｏｍａｔｏｐｈｏｒｅ  ｍｏｎｏｍｅｒｓ）（Ｉａ）は、
【００６３】
【化３０】
0005002104.tif 000014
【００６４】
【化３１】
0005002104.tif 000015
【００６５】
【化３２】
0005002104.tif 000016
【００６６】
【化３３】
0005002104.tif 000017
【００６７】
【化３４】
0005002104.tif 000018
【００６８】
【化３５】
0005002104.tif 000019
【００６９】
【化３６】
0005002104.tif 000020
【００７０】
【化３７】
0005002104.tif 000021
【００７１】
【化３８】
0005002104.tif 000022
【００７２】
【化３９】
0005002104.tif 000023
【００７３】
を包含する。
【００７４】
本方法で特に好ましく使用される非対称性のモノマー（ＩＩａ）は、
【００７５】
【化４０】
0005002104.tif 000024
【００７６】
【化４１】
0005002104.tif 000025
【００７７】
を包含する。
【００７８】
本発明の方法で使用される特に好ましい組み合わせは
【００７９】
【化４２】
0005002104.tif 000026
【００８０】
【化４３】
0005002104.tif 000027
【００８１】
【化４４】
0005002104.tif 000028
【００８２】
【化４５】
0005002104.tif 000029
【００８３】
【化４６】
0005002104.tif 000030
【００８４】
【化４７】
0005002104.tif 000031
【００８５】
【化４８】
0005002104.tif 000032
【００８６】
を包含する。
【００８７】
これらの機能的構築ブロック（Ｉａ）及び（ＩＩａ）の他に、本発明に従う方法において使用されるオリゴマー又はポリマーは、主として官能的構築ブロックの百分率含有率、特に染料構築ブロックの含有率を減少させるのに役立つ構築ブロックも含有することができる。この目的の他に、それらはオリゴマー又はポリマーの他の性質、例えばガラス転移温度、液晶化度（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｉｔｙ）、フイルム形成特性等の原因ともなりうる。
【００８８】
ポリアクリレート又はポリメタクリレートでは、このようなモノマーは式（ＩＩＩａ）
【００８９】
【化４９】
0005002104.tif 000033
【００９０】
式中、
Ｒは水素又はメチルを表し、そして
Ｒ23は場合により分岐していてもよいＣ1〜Ｃ20−アルキル又は少なくとも１種の更なるアクリル単位を含有する基を表す、
のアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルである。
【００９１】
本発明に従う方法で使用されるポリアクリレート及びポリメタクリレートは、そこで、好ましくは繰り返し単位として式（Ｉａ）の繰り返し単位、好ましくは式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）の繰り返し単位又は式（Ｉａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位又は式（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位を含有する。
【００９２】
式（Ｉａ）の繰り返し単位及び／又は式（ＩＩａ）及び／又は（ＩＩＩａ）の繰り返し単位のいくつかが存在することもできる。
【００９３】
Ｉａ、ＩＩａ及びＩＩＩａ間の量比は任意である。好ましくは、Ｉａの濃度は、Ｉａの吸収係数に依存して、当該混合物に対して０．１〜１００％である。Ｉａ対ＩＩａの比は１００：０〜１：９９、好ましくは１００：０〜３０：７０、最も好ましくは１００：０〜５０：５０である。
【００９４】
本発明に従う方法において使用されるポリマー及びオリゴマーは、好ましくは少なくとも４０℃のガラス転移温度Ｔｇを有する。ガラス転移温度は、例えばＢ．Ｖｏｌｌｍｅｒ，ＧｒｕｎｄｒｉＢ  ｄｅｒ  Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅｎ  Ｃｈｅｍｉｅ（Ｏｕｔｌｉｎｅ  ｏｆ  Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ），ｐｐ．４０６−４１０，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，Ｈｅｉｄｅｒｂｅｒｇ，１９６２に従って測定することができる。
【００９５】
本発明に従う方法において使用されるポリマー及びオリゴマーは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定して（ポリスチレンにより較正される）５，０００〜２，０００，０００、好ましくは８，０００〜１，５００，０００の重量平均分子量を有する。
【００９６】
グラフトポリマーは、オリゴマー又はポリマーベース系に対する式（Ｉ）の染料基を有するモノマー（Ｉａ）の遊離基結合並びに場合により更に式（ＩＩ）の非対称性基を有するモノマー（ＩＩａ）の結合及び／又は同様に更に式（ＩＩＩａ）のモノマーの結合により製造される。このようなベース系は、最も広
い可能な範囲のポリマー、例えば、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、デンプン、セルロース及びペプチドを包含することができる。遊離基結合は光による照射により又は遊離基を生成する試薬、例えば、ｔｅｒｔ．−ブチルヒドロパーオキシド、ジベンゾイルパーオキシド、アゾジイソブチロニトリル、過酸化水素／鉄（ＩＩ）塩の使用により行うことができる。
【００９７】
ポリマー及びオリゴマーの構造により、式Ｉの構造要素のお互いとの分子間相互作用又は式Ｉａ及びＩＩａのお互いとの分子間相互作用は、液晶級の状態の形成が抑制されそして場合により等方性の、透明な非散乱性フイルム、シート、プレート又は管状体（ｔｕｂｏｉｄｓ）が生成されうるように調節することができる。他方、分子間相互作用は、フォトクロム（（ｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｅ）及び非フォトクロム側基の光化学的に誘導される共働的な（ｃｏ−ｏｐｅｒａｔｉｖｅ）目標とされた再配向が光による照射下に起こるには依然として十分に強い。
【００９８】
好ましくは、式Ｉの側基の光誘発された形状変化（ｐｈｏｔｏ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎａｌ  ｃｈａｎｇｅ）が他の側基Ｉａ及び／又はＩＩの整列した（ａｌｉｇｎｅｄ）−いわゆるとして共働的−再配向を生成させるのに十分である相互作用が、式Ｉａの繰り返し単位の側基の間で又は式Ｉａ及びＩＩａの繰り返し単位の側基の間で起こる。
【００９９】
本発明に従う方法で特許請求されたすべてのポリマー及びモノマーは同様に本発明の主題である。本願は物理的プロセスにおけるこれらの物質の使用も提供する。本願に記載のすべてのポリマー、オリゴマー及びモノマー、及び場合により測定信号として複屈折を使用するＤＶＤ記憶システムのためのそれらの使用は、同様に本願の主題である。
【０１００】
光学的異方性の極めて高い値は、光学的に等方性無定形フォトクロムポリマー（０．４までのΔｎ）において誘発させることができる。光学的等方性という表現は、光学的に不透明ではない、即ち、３８０ｎｍ〜８２０ｎｍの範囲の波長の光による光散乱実験において認め得る光散乱を示さないポリマーサンプルを示す。
【０１０１】
この点について、散乱光強度の和対入射光強度の比は１０-3未満、好ましくは１０-4未満、特に好ましくは１０-5未満、最も特に好ましくは１０-6未満である。
【０１０２】
化学作用のある光（ａｃｔｉｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ）の作用下に、ポリマー又はオリゴマーにおいて秩序状態が発生させられそして変性され、そしてそれにより光学的性質がモジュレートされる（ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）。
【０１０３】
その波長が吸収バンドの領域、好ましくは式Ｉａの繰り返し単位の長波ｎ−π＊バンドの領域にある偏光が光として使用される。
【０１０４】
ポリマー及びオリゴマーの製造は、文献で知られた方法に従って、例えば、ＤＥ−Ａ２７６２９７、ＤＥ−Ａ３８０８４３０、Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ  Ｃｈｅｍｉｅ  １８７，１３２７−１３３４（１９８４），ＳＵ８８７５７４、Ｅｕｒｏｐ．Ｐｏｌｙｍ．１８，５６１（１９８２）  ａｎｄ  Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ，２，１９５（１９８７）に従って行うことができる。
【０１０５】
フイルム、シート、ディスク及び直方体（ｃｕｂｏｉｄｓ）は、外部フイールド（ｅｘｔｅｒｎａｌ  ｆｉｅｌｄｓ）及び／又は表面効果を含む複雑な且つ費用のかかる配向方法の必要なしに首尾良く製造することができる。それらは、スピンコーテイング、ディッピング、キャスティング又は他の技術的に容易に達成されるコーテイングプロセスにより基板に適用することができ、プレス成形又はインフロー（ｉｎｆｌｏｗ）により２つの透明なディスク間に導入することができ、又はキャスティングもしくは押出により自己支持性材料として簡単に製造することができる。このようなフイルム、シート、ディスク及び直方体は、急な冷却、即ち、＞１００Ｋ／分の冷却速度で又は溶媒の急速な除去により前記した意味において構造要素を含有する液晶性ポリマー又はオリゴマーから製造することもできる。
【０１０６】
光学的に透明な材料、例えば、ガラス又は熱可塑性プラスチック、好ましくはポリカーボネートは基板材料として適当である。情報が書き込まれそして基板を通してではなくて保護層を通して読み取れるならば、この基板材料はもはや光学的な透明性の要求を満たす必要はない。
【０１０７】
光活性ポリマーフイルムを機械的損傷に対して保護する被覆層の質量密度（ｍａｓｓ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を正確にこのポリマーフイルムの質量密度に、例えば、０．５ｇ／ｃｍ3未満、特に好ましくは０．１ｇ／ｃｍ3未満、最も特に好ましくは０．０５ｇ／ｃｍ3未満の残留差（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）となるように合わせることが又好都合であり得る。実際に被覆層の流れ挙動が適当に最適化されるならば、この層は、書き込み期間中に起こる記憶媒体と被覆層との界面における強制されたトポグラフィー変化に完全に追従し、そして中空空間は界面に形成されない。しかしながら、この場合に、書き込まれた界面トポグラフィーを再び平らにする（ｌｅｖｅｌｌｅｄ）か又は変えることができる回復力は書き込み後は存在しない。換言すれば、界面トポグラフィーとして書き込まれた情報は極めて記憶安定性である（ｓｔｏｒａｇｅ−ｓｔａｂｌｅ）。
【０１０８】
一般に、記憶媒体に書き込まれたトポグラフィー情報を読み取るための光学的測定システムとして、その画像の鮮明さ（ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）が高さの座標及び／又は形成された界面要素の局部的配向（ｌｏｃａｌ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）に依存するいかなる光学的画像形成システムも適当である。例えば、例としてＲｏｄｅｎｓｔｏｃｋからの光学的プロフィロメータにおいて又は例としてＬｅｉｃａ  Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅｍｅからの共焦レーザー走査顕微鏡において使用される測定方法を首尾良く使用することができ、後者の場合にそれに関して、レーザービームを走査するために必要なすべての構造要素をもちろん省くことができる。
【０１０９】
コントラスト機構は、異なる深さにある走査されたサンプルスポットの部分から生じるビーム部分間の干渉の原理に基づくか、又は主として幾何光学的効果、例えば傾斜コントラスト、即ち、水平に対して強く傾斜した走査されたサンプルスポットの表面の部分が、反射された放射を測定光学システムによりもはや包含されない空間角度範囲に偏向させ、そして表面変性されたサンプル部位は暗色となること、に基づくことができる。
【０１１０】
前記した記憶プロセスに付すことができる媒体は、少なくとも１つの基板材料（プラスチック、例えばポリカーボネート、ＰＭＭＡ、環状ポリオレフィン、ポリカーボネートコポリマー等）及び前記した機能的記憶層の少なくとも１つの機能的被覆層から構成される。更に追加の非金属中間層／被覆層を基板層と機能層との間及び機能層自体の上に配置することもできる。
【０１１１】
上記により詳細に説明したポリマーも包含されうるフォトアドレッサブルポリマー（ｐｈｏｔｏａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）を含んでなる材料の種類の場合には、ホログラフィー格子を書き込むときは表面格子を生成させることができることは文献から既に知られている（Ｃ．Ｂａｒｒｅｔ．Ｐ．Ｒｏｃｈｏｎ  ａｎｄ  Ａ．Ｎａｔａｎｓｏｈｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．１０９（４），１５０５（１９９８），Ｄ．Ｙ．Ｋｉｍ，Ｓ．Ｋ．Ｔｒｉｐａｔｈｙ，Ｌ．Ｌｉ  ａｎｄ  Ｊ．Ｋｕｍａｒ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６（１０），１１６６（１９９５），Ｎ．Ｈｏｌｍｅ，Ｌ．Ｎｉｋｏｌｏｖａ，Ｐ．Ｓ．Ｒａｍａｎｕｊａｍ  ａｎｄ  Ｓ．Ｈｖｉｌｓｔｅｄ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７０，１５１８（１９９７）：２つの直線偏向レーザービームの重なりは干渉パターンを生じる。サンプルがこの干渉パターンの部位に位置するならば、表面の変性を伴ってこの光パターンに追従するポリマーが見いだされ得る。
【０１１２】
表面の上で走査方式で案内される個々の強く集光された（ｆｏｃｕｓｅｄ）光によるまさに局部的照明により、表面トポグラフィーを、それが機能層が破壊されることなく光学測定システムにより確実に読み出され得るような程度に局部的に変化させることが可能であるということは極めて驚くべきことであるといわなければならない。このような高いコントラストはこれまでは、例えば、レーザー融除（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）により又は例えばＣＤ−Ｒ適用（ＣＤ−Ｒ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）における染料層の蒸発により可能であった。
【０１１３】
ポリマーバックボーンに結合した側鎖の光誘発再配向は本発明に従う方法の機能的容量について決定的である。入射光量子の吸収により、形状の変化が関係する（ｉｎｖｏｌｖｅｄ）及び隣接した（ｎｅｉｇｈｂｏｕｒｉｎｇ）分子において起こる（アゾ染料のトランス−シス−トランス−異性体化サイクル、隣接メソゲン基（ａｄｊａｃｅｎｔ  ｍｅｓｏｇｅｎｉｃ  ｇｒｏｕｐｓ）の共働エントレインメント（ｃｏ−ｏｐｅｒａｔｉｖｅ  ｅｎｔｒａｉｍｅｎｔ）。かくして入射光エネルギーは、分子が新しい形状配列（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎａｌ  ａｒｒａｎｇｅｍｎｔ）となるのを助けるのに主として使用される。吸収期間中も放出される熱は転位効果を助長するように思われる。最適化された光学的走査の下で傾斜依存性局部信号の顕著な低下を生じさせる「ソーセージ」又は「球状」アーチ構造は、それにより照射の案内に依存して形成される。
【０１１４】
本発明に従う方法は、例えばＣＤ−Ｒの書き込み速度及び記憶密度と同様な書き込み速度及び記憶密度を有し、しかも保証された長期の安定性の利点を伴う例えばＣＤ−Ｒ様プラスチックディスクにディジタル情報を書き込むことを可能とする。何故ならば、書き込まれた情報の読み取り可能性は記憶ディスクへの外部損傷によってのみ損なわれ得るからである。表面トポグラフィーにおいて書き込まれた構造はこの層をそのガラス転移温度近くに加熱することによってのみ変化させることができる。ポリマーの構造によって、ガラス転移温度は有意に１００℃より高く、好ましくは１５０℃より高く、その結果記憶された情報の熱的破壊は記憶ディスクの適正な貯蔵により回避されうる。
【０１１５】
本発明に従う方法の更なる利点は、これまでに商業的に使用された方法に比べて、情報の光学的読み取り期間中の有意に改良された信号偏差（ｓｉｇｎａｌ  ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）である。これまでにより詳細に既に述べたとおり、信号偏差は、例えば追加の反射層に対する共焦点読み取り方法（ｃｏｎｆｏｃａｌ  ｒｅａｄｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）を省くことができる程大きい。
【０１１６】
従って本発明は、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を含んでなる記憶媒体を、例えばサンプル表面上を連続又はパルス方式で走査させることができる集光されたレーザービームにより、そして多層の場合に層構造に依存して直接関連した（ｒｅｌｅｖａｎｔ）機能層に集光させることができる集光されたレーザービームによって、ディジタル二進又は非二進情報の記憶に付すことができる記憶方法を説明する。別法として、例えば媒体を回転させることにより、媒体とレーザースポット間の相対的運動を行う別の方法が使用されるならば、レーザー走査は省くことができる。
【０１１７】
機能層の層厚さは、層の比吸光度（層厚さ当たりの消光（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ））に依存して、０．０５〜１００μｍ、好ましくは０．１〜１０μｍ、最も特に好ましくは０．１〜２μｍの範囲にある。層厚さは  前の測定方法で測定された機能層の比吸光度から及び機能層の消光から又は機械的に（層を損傷させそして例えばＴｅｎｃｏｒ  Ｃｏｍｐａｎｙからのプロフィロメータで走査することにより）決定することができる。
【０１１８】
少なくとも１つの保護層の層厚さは０．１〜１０００μｍ、好ましくは０．１〜１００μｍ、特に好ましくは０．５〜１０μｍの範囲にある。
【０１１９】
表面トポグラフィーを書き込むために使用されるレーザーの波長では、機能層の光学濃度は０．３〜２０、好ましくは０．５〜１０、特に好ましくは０．７〜８、最も特に好ましくは１〜５の範囲にある。
【０１２０】
書き込みのために使用されるレーザーの強度は商業的レーザーダイオードの出力範囲内にあり、即ち、１５０μＷ〜１００ｍＷ、好ましくは５００μＷ〜５０ｍＷ、特に好ましくは７５０μＷ〜３０ｍＷ、最も特に好ましくは１ｍＷ〜２０ｍＷの強度が使用される。読み取りのためにも同じレーザーが使用されるならば、その強度は書き込みに使用される強度よりも好ましくは１０の係数、特に好ましくは１００の係数、最も特に好ましくは１０００の係数だけより小さくなければならない。  その波長がポリマーの染料の吸収範囲にないレーザーが情報を読み取るのに選ばれるならば、レーザービームの出力密度は書き込みレーザービームの出力密度より高くすらすることができる。今日の商業的システムの場合の最大の可能な読み出し速度は測定信号の量子ノイズにより既に限定されているので、これは、本発明に従うシステムの場合には、読み取り速度は高出力読み取りレーザービームを使用することにより著しく上昇させることができることを意味する。
【０１２１】
使用されるレーザーの波長に依存して、レーザービームは商業的に入手可能な及び／又は特定的に最適化されたレンズシステム及び対物レンズにより集光される。
【０１２２】
レーザービームの寸法（完全半価幅（ｆｕｌｌ  ｈａｌｆ−ｖａｌｕｅ  ｗｉｄｔｈ））は３００ｎｍ〜８μｍ、好ましくは３００ｎｍ〜９５０ｎｍ、特に好ましくは３５０ｎｍ〜８００ｎｍ、最も特に好ましくは３８０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲にある。
【０１２３】
更に、この効果は光学的近視野でも達成されるべきである。この場合に、寸法は１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満、最も好ましくは１０ｎｍ未満である。
【０１２４】
本発明に従う方法では、少なくとも１０ｎｍ、特に好ましくは少なくとも５０ｎｍ、最も特に好ましくは少なくとも１００ｎｍの凹み（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）が記憶媒体の光活性層の表面トポグラフィーの変化として好ましい。
【０１２５】
本方法における記憶媒体に生成される凹みは、元の表面上で測定して、１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満、特に好ましくは１μｍ未満の１つの方向における幅を有する。
【０１２６】
本発明に従う好ましい方法では、少なくともキャリア／ノイズ＝２０ｄＢ、特に好ましくは少なくとも４０ｄＢ、最も特に好ましくは少なくとも６０ｄＢの信号偏差が記憶媒体に書き込まれる。
【０１２７】
キャリアノイズ比は下記の如く定義される。即ち、
Ｃ／Ｎ＝２０ｌｏｇ（Ｉsignal／Ｉnoise、Ｉsignal＝測定された検出信号
及びＩnoise＝ノイズレベル。
【０１２８】
集光された（ｆｏｃｕｓｅｄ）レーザービームは、例えば、制御可能な且つ調節可能な角度設定を有するミラー（Ｓｃａｎｏｐｔｉｋ）によりレーザービームを偏向させることにより又は集光されたレーザースポットの下で基材を回転させることにより案内される。媒体とレーザースポット間の相対的速度は０．０１ｍ／秒〜６００ｍ／秒、好ましくは０．２ｍ／秒〜１００ｍ／秒、特に好ましくは０．５ｍ／秒〜７５ｍ／秒、最も特に好ましくは１ｍ／秒〜６０ｍ／秒の範囲にある。
【０１２９】
光誘発表面変性（ｌｉｇｈｔ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を検出するために、例えば、書き込みのためにも使用される装置と同じ装置を使用することができる。この目的で、例えば、書き込みレーザーの出力密度を減少させることができる。別法として、例えば、他のレーザー源、好ましくは書き込みレーザーより長い波長で放出されるレーザーを使用することもできる。この場合に、読み取り波長は、書き込み波長よりは好ましくは少なくとも２０ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ、最も特に好ましくは１００ｎｍ長い。
【０１３０】
二次元構造に対する適当なレコーダー装置（ｒｅｃｏｒｄｅｒ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）において動的露出実験を行うことができる。このために、記録層に集光されたレーザー（いわゆる書き込みレーザー）からの光パルスが、円形又はスパイラルトラックに局部的に情報を書き込むために使用される。書き込みレーザーの波長は、記録材料の染料分子の吸収範囲にあり、好ましくは、λ＝３８０ｎｍ〜λ＝８２０ｎｍの波長、特に好ましくは、λ＝３８５ｎｍ〜λ＝７８０ｎｍの波長、最も特に好ましくはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝６６０ｎｍの波長である。
【０１３１】
記録材料てコーティングされた基板は６０〜６００００回／分、好ましくは１００〜１００００回／分、特に好ましくは２００〜１０００回／分で回転する。４ｎｓ〜１０μｓ、好ましくは１０ｎｓ〜１μｓの書き込みレーザーのパルス期間において、パルスは０．３〜５０μｍ、好ましくは０．３〜１０μｍの空間距離で記録層上に集光される。
【０１３２】
モジュレーション可能な（ｍｏｄｕｒａｂｌｅ）書き込みレーザーの初期出力は、０．１５〜１００ｍＷ、好ましくは０．５〜５０ｍＷ、特に好ましくは０．７５〜３０ｍＷ、最も特に好ましくは１ｍＷ〜２０ｍＷの範囲にある。書き込みレーザービームは記録層に集光され、記録層はミラーコーテッド基板上に溶液から塗布されたものである。焦点の直径は０．３０〜８μｍ、好ましくは０．３０〜０．９５μｍ、特に好ましくは３５０ｎｍ〜８００ｎｍ、最も特に好ましくは３８０ｎｍ〜６５０ｎｍである。近視野では、焦点は１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満、最も特に好ましくは１０ｎｍ未満である。レーザー光焦点においては、１００ＭＷ／ｃｍ2までの出力密度に達する。パルスのエネルギー密度は１ｍＪ／ｃｍ2〜１００Ｊ／ｃｍ2の範囲にある。書き込みレーザーの偏光は、慣用の偏光システム（石英光学機器、ＬＣ部品）によりプリセットされそして中でも直線偏光又は円偏光され、好ましくは直線偏光される。
【０１３３】
適当なモジュレータは、コンピュータで発生した電圧パルスシーケンスを、記録フイルムに存在する異方性を局部的に変える強度パターンに変換する。
【０１３４】
書き込みレーザーの光パルスは、エネルギーに依存して、ポリマー層に対して異なる効果を有することが実験的に見いだされた。
【０１３５】
１．小さなパルスエネルギーでは、変化は、ＬｅＡ３１１３５に既に記載のとおり、記録材料の複屈折のレベルにおいて光パルスにより誘発される。分子配向分布のこれらの変化は光子により及び／又は熱的に誘発される。
【０１３６】
２．増加するパルスエネルギーと共に、書き込みレーザーからの光は記録層にたいして二番目の効果（ｓｅｃｏｎｄ  ｅｆｆｅｃｔ）を有することが見いだされた。即ち、驚くべきことに、記録材料の表面の変性を生じさせる。レーザーパルスは中心凹み及び縁蓄積（ｅｄｇｅ  ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎｓ）を有するクレーター様形状を発生させる。この表面構造は、焦点の直径を１０〜３０％越える最大横寸法を有する。プロフィル深さはパルスエネルギーと共に増加しそして層厚さの値に近づくことができ、そして典型的には層厚さの６０％〜８０％までであることができる。
【０１３７】
上記２に記載の表面効果は２〜６ｎｍの記録層の表面の典型的な粗さを越える光パルスのエネルギー密度の閾値は１０ｍＪ／ｃｍ2〜１００Ｊ／ｃｍ2、好ましくは２０ｍＪ／ｃｍ2〜１０Ｊ／ｃｍ2、特に好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ2〜１Ｊ／ｃｍ2にある。
【０１３８】
記録媒体として、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を具備する層配列が使用される。
【０１３９】
記憶媒体は、例えば、ポリマーの溶液を基板材料にスピンコーティングすることにより製造される。この目的で、ＴＨＦ又はＤＭＦの如き慣用の溶媒が使用される。
【０１４０】
本発明は、例えば回折要素の如き光学部品の分野のこのような処理された二次元構造体の使用も説明する。
【０１４１】
本発明に従う方法は、更に、好ましくは、
式（Ｉ）において、
−（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4が式
【０１４２】
【化５０】
0005002104.tif 000034
【０１４３】
ここで、Ｘ3′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表す、
の基を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含むポリマーの使用を包含する。
【０１４４】
これらのポリマーは同様に本発明の主題である。
【０１４５】
好ましくは、
Ｘ3′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、
Ｘ4は水素又はメチルを表し、
ＡはＳを表し、
Ｒ19〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル又はメトキシを表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１４６】
本発明に従う方法において、
式（Ｉ）において、
−（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4が式
【０１４７】
【化５１】
0005002104.tif 000035
【０１４８】
の基を表し、
Ｘ3′は−Ｏ−、−（ＳＯ2）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用が更に好ましい。
【０１４９】
これらのポリマーは同様に本発明の主題である。
【０１５０】
好ましくは、
Ｘ3′は−Ｏ−、−（ＳＯ2）−、又は−（Ｎ−Ｒ5）−を表し、
Ｘ4は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、
Ｒ19〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１５１】
本発明に従う方法において、
式（Ｉ）において、
−（Ｘ2′−Ａｒ2）y−が式
【０１５２】
【化５２】
0005002104.tif 000036
【０１５３】
の二価の基を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用は更に好ましい。
【０１５４】
これらのポリマーも本発明の主題である。
【０１５５】
好ましくは、
Ｒ15〜Ｒ18は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで２つの環における意味は異なっていてもよい。
【０１５６】
本発明に従う方法において、
式（Ｉ）において、
−（Ｘ1′−Ａｒ1）−Ｘ2′が式
【０１５７】
【化５３】
0005002104.tif 000037
【０１５８】
の二価の基を表し、
ここで、Ｘ1′及びＸ2′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そしてＸ1′及びアゾ基は互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にあり、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用は更に好ましい。
【０１５９】
これらのポリマーも本発明の主題である。
【０１６０】
好ましくは、
Ｘ1′は式
【０１６１】
【化５４】
0005002104.tif 000038
【０１６２】
の基、
特に、式
【０１６３】
【化５５】
0005002104.tif 000039
【０１６４】
の基を表し、
Ｘ2′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、
Ｘ4は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここで
Ｘ4は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、
Ｒ15〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで基Ｒ19〜Ｒ22の１つは式
【０１６５】
【化５６】
0005002104.tif 000040
【０１６６】
の基を表すことができ、
該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、
上記式において、
Ｘ4″は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして
Ｒ19′〜Ｒ22′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして
Ｓ1、Ｔ1及びＱ1は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１６７】
本発明は、
式（Ｉａ）において、
−（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4が式
【０１６８】
【化５７】
0005002104.tif 000041
【０１６９】
の基を表し、
Ｘ3′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、
式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーの製造におけるそれらの使用も提供する。
【０１７０】
好ましくは、
Ｘ3′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、
Ｘ4は水素又はメチルを表し、
ＡはＳを表し、
Ｒ19〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル又はメトキシを表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１７１】
本発明は、
式（Ｉａ）において、
−（Ｘ3′−Ａｒ3）z−Ｘ4が式
【０１７２】
【化５８】
0005002104.tif 000042
【０１７３】
の基を表し、
Ｘ3′は−Ｏ−、−（ＳＯ2）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ5）−、−（ＣＯ−ＮＲ5）−又は−Ｃ（Ｒ6Ｒ7）−を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーの製造におけるそれらの使用も提供する。
【０１７４】
好ましくは、
Ｘ3′は−Ｏ−、−（ＳＯ2）−、又は−（Ｎ−Ｒ5）−を表し、
Ｘ4は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4−アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、
Ｒ19〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１７５】
本発明は、
式（Ｉａ）において、
−（Ｘ2′−Ａｒ2）y−が式
【０１７６】
【化５９】
0005002104.tif 000043
【０１７７】
の二価の基を表し、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーを製造するためのそれらの使用も提供する。
【０１７８】
好ましくは、
Ｒ15〜Ｒ18は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで２つの環における意味は異なっていてもよい。
【０１７９】
本発明は、
式（Ｉａ）において、
−（Ｘ1′−Ａｒ1）−Ｘ2′が式
【０１８０】
【化６０】
0005002104.tif 000044
【０１８１】
の二価の基を表し、
ここで、Ｘ1′及びＸ2′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そしてＸ1′及びアゾ基は互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にあり、そして
他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する、
式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーを製造するためのそれらの使用も提供する。
【０１８２】
好ましくは、
Ｘ1′は式
【０１８３】
【化６１】
0005002104.tif 000045
【０１８４】
の基、
特に、式
【０１８５】
【化６２】
0005002104.tif 000046
【０１８６】
の基を表し、
Ｘ2′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、
Ｘ4は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここで
Ｘ4は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、
Ｒ15〜Ｒ22は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで基Ｒ19〜Ｒ22の１つは式
【０１８７】
【化６３】
0005002104.tif 000047
【０１８８】
の基を表すことができ、
該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、
上記式において、
Ｘ4″は水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルコキシ、ジ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1〜Ｃ4−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして
Ｒ19′〜Ｒ22′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして
Ｓ1、Ｔ1及びＱ1は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する。
【０１８９】
本発明に従う方法を下記の実施例の助けをかりて以下更に詳細に説明する。
【０１９０】
【実施例】
実施例１
適応した記録ユニットにおける動的書き込み実験
式
【０１９１】
【化６４】
0005002104.tif 000048
【０１９２】
のポリマーの（２５０±３０）ｎｍ厚さの層で湿潤されたミラーコーテッド基板に関して、動的露光実験を下記に詳細に述べるレコーダにより完全に自動化された方式で行なった。
【０１９３】
０．１の複屈折を記録層に二次元で書き込み（装置を正確に記載する）、その際予備露光の偏光方向は半径に対して４５°である。基板は６００回／分で回転した。１０μｓのパルス期間及び１．６〜４．９ｃｍのコンピュータ制御式の調節可能なトラック半径で、メモリ位置はその場合に１０〜３５μｍ離れていた。
【０１９４】
ダイオードポンピング式（ｄｉｏｄｅ−ｐｕｍｐｅｄ）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（Ｃｏｈｅｒｅｎｔから）を書き込みレーザーとして使用し、その第２調波（ｓｅｃｏｎｄ  ｈａｒｍｏｎｉｃ）（波長５３２ｎｍ）は音響−光学モジュレータ（ａｃｏｕｓｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）（Ｉｓｏｍｅｔから）を通過しそして繊維を介してレコーダにカップリングされた。繊維の後の放出パワーは最大１８ｍＷであった。別法として、レーザーダイオードを使用することもでき、それは直接変性されそしてこのようにして種々の強度のレーザーパルスを発生する。書き込みビームは二色性ビームスプリッタ（ｄｉｃｈｒｏｉｔｉｃ  ｂｅａｍ  ｓｐｌｉｔｔｅｒ）を通過しそして記録層に集光された。焦点の直径は（７±１）μｍであった。パルスエネルギーは、０．１〜１００Ｊ／ｃｍ2の１０００の等距離段階においてコンピュータ制御方式で変えられた。書き込みレーザーは半径方向に対して４５°偏光されそしてＰＡＰ層の予備照明方向に対して９０°偏光された。音響−光学モジュレータは、コンピュータで発生した電圧パルスシーケンスを、ポリマーフイルムに存在する異方性を徐々に局部的に消す強度パターンに転換する。
【０１９５】
レコーダにおいて、波長６７０ｎｍの半導体レーザーダイオード（読み出しレーザー）（出力２０ｍＷ）を、二色性ビームスプリッタを介して書き込みビームパスに横にカップリングさせそして記録層の情報担持トラック上に集光させた。焦点の直径は１１μｍであった。読み出しレーザーからの光を基板のアルミニウム層で反射させそして記録層に２回通した。偏光依存性ビームスプリッタは背面反射光の偏光解消された部分を横にデカップリングさせ、それによりそれは光電池により検出されうる。グレーレベルはハイパスユニットを使用して電子工学的に可視性とされた。強度レベルの高さはそれぞれの書き込みパルスのエネルギーを介して調節された。
【０１９６】
増加するパルスエネルギーと共に記録層の表面の変性があることが見い出された。レーザーパルスが創り出したクレーター様形状は半径方向に９μｍ延びていた。プロフィル深さはパルスエネルギーとともに増加した。１０Ｊ／ｃｍ2（強度１ＭＷ／ｃｍ2）のパルスエネルギーまで、変性は３ｎｍの最大寸法を有していた。これは溶液からの遠心により付着したポリマー層の典型的な粗さに相当する。記録層の変性は、１００Ｊ／ｃｍ2（強度１０ＭＷ／ｃｍ2）の最大利用可能なエネルギーにおいて、その形状が原子力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用して容易に解像することができる程顕著であった。中心凹みは（７０±１０）ｎｍであった。（３０±５）ｎｍ高さの蓄積を縁で観察することができた。
【０１９７】
実施例２
書き込み及び読み取りプロセスの機能的容量
前記した記憶プロセスの機能化は、例えば、共焦点レーザー走査顕微鏡（ＣＬＳＭ）によって説明することができる。Ｌｅｉｃａからの装置の商業的品目（ＴＣＳ／ＮＴ装置）をこの実施例で使用した。このＣＬＳＭはレーザーを更にＡＯＭの助けによってモジュレート及び／又はパルス化することができる顕微鏡である。コントラスト生成機構はＲＥＭ及びＡＦＭ研究により発見されそしてＣＬＳＭの共焦コントラストと比較された。ＣＬＳＭは１６倍対物レンズで操作した。４８８ｎｍの波長を使用して情報を書き込んだ。サンプル表面における出力は１５０μＷであり、そしてレーザースポットの直径は９４０ｎｍであった。サンプル部位における出力密度は下記の如くして計算された。
【０１９８】
Ｐ＝２．１６×１０7ｍＷ／ｃｍ2
線の走査の期間は２．２ｍｓであり、その０．７７ｍｓは線の実際の走査を表していた（残り：カスプ点、反射光等）。線の横方向寸法は視野の選択により固定することができ、最も小さい視野は２０μｍであった。視野を拡大すると、線を走査するのに必要な時間（０．７７ｍｓ）及びサンプルにおける出力密度の両方が同じままであり、そして走査範囲、即ち、線の長さのみが増加した。従って、これは走査速度の増加をもたらし、これは特定のポリマー点におけるレーザーの滞留時間の減少を事実上意味する。
【０１９９】
書き込みを行うために、アルゴンレーザー（４８８ｎｍ）をＡＯＭによって走査された線内で繰り返しスイッチオン及びオフした。線の走査は、個々の画素の位置が有意に不鮮明にされることなく引き続く実験において高度の正確さで繰り返すことができた。
【０２００】
書き込まれた線はＨｅＮｅレーザーにより検出された。このレーザーは一方では、その波長がポリマーの吸収波長の外側にあるので、それは単に検出された信号に対して回折性貢献をなしそして吸収性貢献をしないという大きな利点を有する。第２に、この波長はいかなる認められ得る分子再配向も誘発することはできず、これは測定されたコントラスト比がアルゴンレーザーでの照射によってのみ生成されることをそれにより保証する。
【０２０１】
ポリマー
【０２０２】
【化６５】
0005002104.tif 000049
【０２０３】
の約１μｍ厚さのサンプルを使用した。
【０２０４】
本発明に従う方法のために、この表面変性の形成は実際のコントラスト生成機構を構成する。
【０２０５】
実施例３
記憶安定性
表面変性が実施例１で書き込まれているサンプルを１６０℃で１カ月貯蔵した。この貯蔵後、表面変性を、再び共焦顕微鏡を使用して調査した。先に書き込まれた表面変性はＣＬＳＭ及びＡＦＭの両方の下で検査したとき変わらないことが見いだされた。
【０２０６】
実施例４
ＣＤ−Ｒにおける共焦コントラストとの比較
商業的なＣＤ−Ｒ（ＫＯＫＤＡＫ、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ＣＤ−Ｒ、６５０ＭＢ，７４分）が商業的に入手可能なＣＤ−バーナー（ＣＤ−ｂｕｒｎｅｒ）（ＴＥＡＣ  Ｃｏｍｐａｎｙ，ＣＤ−Ｒ５５ＳＫ，ＣＤ−ｗｒｉｔｅｒ）で書き込まれた。書き込まれたＣＤを２０μｍ×２０μｍの視野で６３２ｎｍの波長でＬＥＩＣＡからのＣＬＳＭ（ＴＣＳ／ＮＴ）において調査した。書き込まれたピットは明瞭に認識することができた。書き込まれていない領域と書き込まれた領域間の共焦反射モード（ｃｏｎｆｏｃａｌ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｍｏｄｅ）で測定された強度値の差を、実施例１で書き込まれた表面トポグラフィーに沿った強度の差と比較したところ、同じ設定条件下に、実施例１で書き込まれた表面トポグラフィーの共焦コントラストは、バーニングされたＣＤ（ｂｕｒｎｔ  ＣＤ）のピットに沿ったコントラストよりも２〜３の係数だけより大きかった。
【０２０７】
実施例５
被覆層を通す露光
約１０μｍ厚さのＵＶ硬化性被覆層（ＢＡＹＥＲ，Ｒｏｓｋｙｄａｌ  ２２６５，３０００回／分でスピンコーティングすることにより塗布された）を実施例１で記載の如くして製造したサンプルにおけるポリマー上に塗布しそして商業的に入手可能なランプの下で１５秒間露光させてＵＶラッカーを硬化させた。次いで実施例１に記載の如くして複屈折をサンプルにおいて生じさせ、その後パルスシーケンスを実施例１に記載したのと同様に書き込んだ。共焦調査は、被覆層にもかかわらず、実施例１で記載の表面トポグラフィーは依然として、しかも更に、記憶媒体と被覆層との界面における何らの中空部、バブル又は同様な欠陥を生じることなく観察することができることを示した。