(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体磁場により発振周波数が変調する磁性発振素子からビット信号を抽出するステップと、
抽出した前記ビット信号と前記ビット信号に隣接するビット信号との位相差を検出して媒体記録信号を再生するステップと、
を含む信号再生方法。
【請求項２】
前記再生ステップは前記磁性発振素子から抽出された現在のビット信号とこの現在のビット信号の直前のビット信号を遅延して得られる遅延信号との位相差を検出するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再生ステップは
【数１】
0004966147.tif 000013
s(t)は現在の信号とs(t-T)は遅延信号、ω０は媒体磁場がない場合の発振周波数である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
媒体磁場により発振周波数が変調する磁性発振素子と、
前記磁性発振素子のビット信号と前記ビット信号に隣接するビット信号との位相差を検出し、検出信号を再生信号として出力する再生器と、
を具備する磁気ヘッド。
【請求項５】
前記再生器は、前記磁性発振素子から得られる現在のビット信号とこの現在のビット信号の直前に得られるビット信号を遅延して得られるビット信号とを比較して再生信号を生成する遅延検波器により構成される、請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記発振周波数変調の変調指数ｍが０．５であることを特徴とする請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記遅延検波器の前段に電圧又は電流の振幅を制御する振幅制御回路が設置されている請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁性発振素子を構成するフリー層が人工フェリ磁性体あるいは人工反強磁性体である、請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
フリー層が反強磁性体により交換バイアスが印加されている、請求項８に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁性発振素子を構成するフリー層が垂直磁化膜である、請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
垂直磁化膜がＣｏ又はＣｏ／非磁性体積層膜若しくはＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＴａＮｂなどのＣｏＣｒ系合金、Ｃｏ／Ｐｄ，Ｃｏ／Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ／ＰｄなどのＣｏ多層膜、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、さらに希土類を含むＳｍＣｏ系合金やＴｂＦｅＣｏ合金である、請求項６に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
請求項４乃至１１のいずれか１項に記載の磁気ヘッドと、この磁気ヘッドの検出信号を信号処理して再生信号を生成する信号処理回路とを具備する、磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁場により発振周波数が変調する磁性発振素子を用いて再生信号を生成する信号再生方法及びこの磁性発振素子を用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したＧＭＲヘッドの登場以来、磁気記録の記録密度は目覚しい速度で向上してきた。ＧＭＲ素子は、強磁性層／非磁性層／強磁性層のサンドイッチ構造の積層膜からなる。ＧＭＲ素子は、一方の強磁性層に交換バイアスを及ぼして磁化を固定し、他方の強磁性層の磁化方向を外部磁界により変化させ、２つの強磁性層の磁化方向の相対角度の変化を抵抗値の変化として検出する、いわゆるスピンバルブ膜の磁気抵抗効果を利用した素子である。
【０００３】
スピンバルブ膜の膜面に電流を流し、抵抗変化を検出するＣＩＰ−ＧＭＲ素子と、スピンバルブ膜の膜面に垂直に電流を流し抵抗変化を検出するＣＰＰ−ＧＭＲ素子が開発されている。その磁気抵抗比（ＭＲ比）はＣＩＰ−ＧＭＲ素子、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子とも数％程度であり、２００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の記録密度まで対応可能であろうと考えられている。より高密度な磁気記録に対応するため、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用したＴＭＲ素子の開発が進められている。
【０００４】
ＴＭＲ素子は強磁性層／絶縁体／強磁性層の積層膜からなり、強磁性層間に電圧を印加しトンネル電流を流す。ＴＭＲ素子は、トンネル電流の大きさが上下の強磁性層の磁化の向きによって変化することを利用し、磁化の相対的角度の変化をトンネル抵抗値の変化として検出する素子である。ＭＲ比は最大で１００％程度の素子が得られている。ＴＭＲ素子は、ＧＭＲ素子よりもＭＲ比が大きいため、信号電圧も大きくなる。しかしながら、純粋な信号成分だけでなく、ショットノイズによる雑音成分も大きくなり、Ｓ／Ｎ比（信号対雑音比）がよくならないという問題を抱えている。
【０００５】
ショットノイズは、電子がトンネル障壁を不規則に通過することによって発生する電流の揺らぎに起因しており、トンネル抵抗の平方根に比例して増大する。従ってショットノイズを抑え、必要な信号電圧を得るには、トンネル絶縁層を薄くし、トンネル抵抗を低抵抗化する必要がある。記録密度が高密度化するほど素子サイズは記録ビットと同程度のサイズに小さくする必要があるため、高密度になるほどトンネル絶縁層の接合抵抗を小さく、つまり、絶縁層を薄くする必要がある。３００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２の記録密度では１Ω・ｃｍ２以下の接合抵抗が必要とされ、Ａｌ−Ｏ（アルミニウム酸化膜）トンネル絶縁層の膜厚に換算して原子２層分の厚さのトンネル絶縁層を形成しなければならない。トンネル絶縁層を薄くするほど上下電極間の短絡が生じやすくＭＲ比の低下を招くため、素子の作製は飛躍的に困難になっていく。
【０００６】
以上の理由によってＴＭＲ素子の限界は３００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度であろうと見積もられている。上に述べた素子はいずれも広い意味での磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を利用しているが、これらのＭＲ素子に共通した磁気的白色雑音（ホワイトノイズ）の問題が近年急浮上している。この雑音は上に述べたショットノイズなどの電気的ノイズとは異なり、微小磁化の熱ゆらぎに起因して生じるためＭＲ素子の微細化に伴いより支配的となり２００〜３００Ｇｂｐｓｉ対応の素子では電気的雑音を凌駕すると考えられている。
【０００７】
磁気的白色雑音を回避するためには磁気的減衰定数αの小さなフリー層を用いることが必要となるが、αを小さくすると読み出し速度が遅くなるという問題が生じる。これらの問題を解決する手段として近年微小磁性発振素子を用いた磁気センサーの提案がなされている（特許文献１）。微小磁性発振素子を磁気センサーとして用い、媒体磁場による発振周波数の変化を利用すると、小さな磁気的減衰定数αのフリー層を用いても高速読み出しが可能となるが、微小磁性発振素子は発振周波数の安定度が低いためＳ／Ｎが低下するという問題を抱えている。
【特許文献１】特開２００６−２８６０９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
磁場によって周波数が変化する磁性発振素子を用い、この磁性発振素子の周波数変化を検出して信号を生成する磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、磁性発振素子は位相が変動しやすいため適切に信号を再生することが困難であった。
【０００９】
本発明は、磁性発振素子の位相の変動にたいしても適正に信号を再生する信号再生方法及び磁性発振素子を用い、高密度記録に対応した高速かつ高Ｓ／Ｎ比応答が可能な磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によると、磁場の向きによって発振周波数が変調する磁性発振素子から得られる隣接する信号間の位相差を検出して再生信号を生成する信号再生方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
媒体磁場により発振周波数が変調する磁性発振素子からの隣接する信号の位相差を検出して媒体信号の読み出しを行うことにより高いＳ／Ｎ比の信号検出が可能となる。また、信号のＳ／Ｎ比は磁性発振素子の発振線幅に依存するが、フリー層に人工反強磁性膜又は人工フェリ磁性膜若しくは垂直磁化膜を用いることにより発振線幅の狭い安定な磁性発振素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照して本発明の実施形態を説明する。  
磁性発振素子を磁気ヘッドに用いる場合、媒体磁場による発振振幅の変化を利用するよりも発振周波数の変化を利用するほうがより高速な検出が可能となる。なぜならば振幅変化には従来のＧＭＲ素子と同様にフリー層磁化の磁気緩和時間程度の時間が必要であるが、周波数変化は緩和時間よりも数桁短い時間で生じるからである。しかしながら周波数変調された信号波を検波（ＦＭ検波）する際に、微小磁性発振素子の位相相関時間は磁化の熱ゆらぎにより極めて短いことを考慮する必要がある。位相相関時間は発振電圧（電流）の位相が１ラジアン程度変化する時間であり、微小磁性発振素子の場合高々１μｓ程度である。ＦＭ放送の受信に広く用いられているクォドラチュア（直角）検波の方法は検波出力が信号波の位相に依存して変化してしまうので、位相相関時間の短い磁性発振素子の信号を検波するために用いることはできない。
【００１３】
同期検波の方法を利用することは原理的に可能であるが、検波に必要な基準波の位相を信号波の位相に同期させなければならない。すなわち極めて短い相関時間でランダムに変化する信号波の位相に基準波を高速で（数ｎｓの時間で）追随させねばならず、既存の同期検波回路を用いることは困難である。
【００１４】
図１は磁性発振素子の出力電圧を模式的に示しており、これによると媒体磁場ｈｓの向きにより発振周波数が変化していることが分かる。１ビットの時間Ｔは現行の磁気記録では３ｎｓ（３００Ｍｂ／ｓ）程度、将来的には１ｎｓ（１Ｇｂ／ｓ）程度となることが予想されている。注目すべき点は１ビット当たりの時間Ｔが上で述べた位相相関時間（約１μｓ）に比べて十分短いことであり、このことは１ビット前の信号の位相と現在の信号の位相とを高い精度で比較できることを示している。この点に着目して１ビット前の信号の位相と現在の信号の位相との位相差を検出することによって媒体の記録信号を再生できることが分かる。従って、本実施形態では、磁性発振素子から得られる隣接信号の位相差を検出して再生信号を生成する方法を提供する。このような隣接する信号の位相差を検出する方法として遅延検波が好ましく、以下に遅延検波について説明する。
【００１５】
図２に示した回路は遅延検波回路と呼ばれる検波回路であり、遅延回路１１を通った１ビット（時間Ｔ）前の信号と現在の信号とを乗算器１２で乗算して得られる積をローパスフィルタ（ＬＰＦ）１３を介して出力する。現在の信号s(t)と遅延回路を通った１ビット前の信号s(t-T)を（１）、（２）式で表す。
【数２】
0004966147.tif 000002
【００１６】
ただしω0は媒体磁場がない場合の発振周波数（中心周波数）である。
【００１７】
ローパスフィルタにより高周波（マイクロ波）成分を取り去った出力電圧ｖ（ｔ）は（３）式のようになる。
【数３】
0004966147.tif 000003
【００１８】
媒体に記録された（１，０）のデジタル信号に対応した媒体磁場（ｈｓ，−ｈｓ）により磁性発振素子の発振周波数が（Δω，−Δω）変化するので、（４）式のφ（ｔ）、φ（ｔ−Ｔ）、φ（ｔ）−φ（ｔ−Ｔ）はそれぞれ図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のように変化する。
【００１９】
媒体磁場ｈｓを調節し、ΔωＴ＝２πΔｆＴ＝π／２となるようにすると、φ（ｔ）−φ（ｔ−Ｔ）は図４に示したようにビットの境界で±π／２となる。このタイミングで信号を読み出すと出力電圧±Ａ２／２が得られ、媒体に記録されたデジタル信号（１，０）が再生される。
【００２０】
ΔωＴ＝２πΔｆＴ＝π／２の場合、ｍ≡２ΔｆＴで定義される変調指数ｍは０．５となるが、ｍ＝０．５の周波数変調は通信分野でＭＳＫ方式と呼ばれ、ＡＳＫ（振幅変調）方式やＰＳＫ（位相変調）方式に比較して狭いバンド幅でデジタル信号を送信できることが知られている。素子の電気的雑音であるジョンソン雑音やショット雑音はバンド幅に比例して増大するので、ＭＳＫ方式は再生信号の低雑音化に有利である。
【００２１】
微小磁性発振素子の位相相関時間は１μｓ程度と短いためクォドラチュア（直角）検波の方法や既存の同期検波回路を用いることができないことを上で述べたが、遅延検波の方法で信号の再生が可能であることを以下に示す。（４）式を用いるとビットの境界の時刻ｎＴにおける出力電圧は（５）式で表される。
【数４】
0004966147.tif 000004
【００２２】
フリー層の磁化の熱ゆらぎに伴う磁性発振素子の位相ゆらぎΔφ（ｔ）（ジッター）を考慮すると時刻ｎＴでの位相φ（ｎＴ）を（６）式のように書くことができる。
【数５】
0004966147.tif 000005
【００２３】
ただしφ０（ｔ）はゆらぎのない場合の位相で（７）式の関係を満足する。
【数６】
0004966147.tif 000006
【００２４】
したがって（８）式が成り立ち、出力電圧は（９）式で表される。
【数７】
0004966147.tif 000007
【００２５】
ランダムな位相ゆらぎに関して成り立つ（１０）式の関係式を用いて（９）式をｎに関して平均すると（１１）式が得られる。
【数８】
0004966147.tif 000008
【００２６】
ただしＴ０は（１２）式で表される位相相関時間であり、Δｆｏｓｃは発振線幅である。
【数９】
0004966147.tif 000009
【００２７】
Δｆｏｓｃ＝１ＭＨｚとすると、Ｔ０＝０．３μｓである。Ｔ＝３ｎｓ（３００Ｍｂ／ｓ）の場合Ｔ／Ｔ０＝０．０１となり、磁性発振素子の位相ゆらぎ（ジッター）に伴う出力電圧の低下はわずか１％である。位相ゆらぎに伴って発生する雑音電圧ｖｎは（１３）式により評価することができる。
【数１０】
0004966147.tif 000010
【００２８】
位相ゆらぎに伴う雑音電圧のみを考慮したＳ／Ｎ比は（１４）式となり、極めて高い値である。
【数１１】
0004966147.tif 000011
【００２９】
すなわち遅延検波の方法を用いることにより信号波の位相ゆらぎに伴って発生する雑音電圧を十分小さくすることができる。将来予想される読み取り速度１Ｇｂ／ｓの場合には、Ｔ＝１ｎｓ，Ｔ／Ｔ０＝０．００３なので、位相ゆらぎに伴う雑音電圧のみを考慮したＳ／Ｎ比はさらに向上しＳ／Ｎ＝２１０となる。
【００３０】
詳細は省略するがクォドラチュア（直角）検波では出力電圧がｃｏｓΔφ（ｔ）に比例するので、位相相関時間より十分短い時間内しか媒体信号を再生することができない。一方同期検波では入力された信号波に位相同期した基準波を用いる必要がある。しかしながら相関時間が極めて短くランダムな位相ゆらぎを示す信号波に同期した基準波を再生することは、位相同期ループを用いた既存の同期検波回路では困難でありＳ／Ｎ比が低下する。
【００３１】
微小磁性発振素子では、磁化の熱ゆらぎにより位相ゆらぎ（位相雑音）のみならず振幅ゆらぎ（振幅雑音）が発生し、再生信号のＳ／Ｎ比を低下させる。振幅雑音を低減するためには検波回路の前段に電圧リミッタなどの振幅制御回路を設けることが有効である。例えば、図５に示す再生回路において、磁性発振素子２１の出力端に磁性発振素子２１から得られる検出信号の振幅を制限する機能を有するリミッタ２２が接続される。リミッタ２２の出力端は遅延検波器２３の入力端に接続される。この遅延検波器２３は図２に示されるように構成され、現在の信号とこの現在の信号より１ビット（時間Ｔ）前の信号との積の信号をローパスフィルタ処理して得られる検波信号を出力する。検波信号は識別回路２４及びタイミング回路２５に入力される。識別回路２４は検波信号に応じてタイミング回路から出力されるタイミング信号に従ってビット信号を識別し、そのビット信号を出力する。
【００３２】
図５の再生回路に使用される磁性発振素子２１のフリー層にはパーマロイやコバルトなどの面内磁化膜が用いられており、その発振現象には磁化の運動に伴って発生し時間的に変化する反磁場が関与する。このような素子においては周波数が互いに近い複数の発振モードが存在するためその特性は不安定であり、また素子間のばらつきが大きい。反磁場の影響を低減し、発振線幅の狭い安定な素子を得るためにはフリー層磁化を減少させることが重要であるが、その方法の一つとして人工反強磁性又は人工フェリ磁性のフリー層を用いることが有効である。しかしながら磁性発振素子を磁気ヘッドに用いる場合、上記の説明から明らかなようにｆ０＝ω０／（２π）＞＞１／Ｔとする必要があり、数ＧＨｚ以上のマイクロ波周波数で発振させなければならない。フリー層に面内磁化膜を用いた場合、素子の発振周波数ω０は（１５）式で与えられ、数１００Ｏｅ低い有効磁場Ｈの下で数ＧＨｚの発振が容易に得られるが、人工反強磁性や人工フェリ磁性を用いた場合には発振周波数は（１６）式で与えられ、数ＧＨｚの発振には数１０００Ｏｅの有効磁場が必要となる。
【数１２】
0004966147.tif 000012
【００３３】
薄くかつ合成磁化の小さい人工反強磁性や人工フェリ磁性膜に強い有効磁場を印加するには交換バイアスの方法が有効であり、強い外部磁場を印加することなく高い周波数の発振が可能となる。
【００３４】
反磁場の影響を低減し、安定な素子を得るためのもう一つの方法はフリー層に垂直磁化膜を用いることである。垂直磁化膜を用いた場合の発振周波数は（１６）式で与えられるが、数ＧＨｚ以上で発振させるためには大きな異方性磁場を示す垂直磁化膜を用いることが有効である。そのような垂直磁化膜としてＣｏ又はＣｏ／非磁性体積層膜若しくはＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＴａＮｂなどのＣｏＣｒ系合金、Ｃｏ／Ｐｄ，Ｃｏ／Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ／ＰｄなどのＣｏ多層膜、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、さらに希土類を含むＳｍＣｏ系合金やＴｂＦｅＣｏ合金などを用いることができる。
【００３５】
上述した再生回路に使用される磁性発振素子２１として、スパッタ成膜と光及び電子線リソグラフィーを用いてシリコン基板上に図６に示した磁性発振素子を作製した。素子サイズは１００×２００ｎｍであり、Ｃｕの上下電極はそれぞれストリップライン及びグランドプレーンに接続されている。フリー層にはＣｏ（３．２ｎｍ）／Ｒｕ（０．６ｎｍ）／Ｃｏ（２．６ｎｍ）の人工フェリ磁性体を用い、磁化固定層にはＣｏ（４０ｎｍ）の面内磁化膜を用いた。フリー層には反強磁性体ＩｒＭｎ（１０ｎｍ）を用いて約３０００Ｏｅの交換磁場を印加した。フリー層のＣｏ（３．２ｎｍ）膜、磁化固定層及び反強磁性層の形成は約２０００Ｏｅの磁場印加の下で行いフリー層膜と磁化固定層膜の異方性軸が一致するようにした。上記フリー層と非磁性層（Ｃｕ  １０ｎｍ）の間にＮＯＬを形成し、素子抵抗（磁化平行時）を４８Ωに高めた。素子の上方には絶縁層（ＳｉＯ２）を介して素子に高周波磁場を印加するためのＣｕ配線がなされている。
【００３６】
電磁石により外部磁場を印加して測定した素子のＭＲ比は２．５％であった。バイアスティーを用いてこの素子に直流電流を供給し、バイアスティーのマイクロ波出力端子を増幅率４０ｄＢの増幅器を介してスペクトルアナライザーに接続し発振スペクトルの測定を行った。図7は素子電流を１．５ｍＡに固定した状態における発振周波数及び発振線幅の外部磁場依存性を示している。発振線幅（半値幅）の測定はスペクトルをローレンツ曲線でフィッティングすることにより行った。発振周波数は外部磁場５００Ｏｅの下で１０．２０ＧＨｚであり、約３ＭＨｚ／Ｏｅの磁場依存性を示し、発振線幅は約１ＭＨｚである。外部磁場は電磁石又は図６の高周波磁場印加用配線に直流電流を流すことにより行い、後者の磁場の較正も併せて行った。
【００３７】
素子電流及び電磁石磁場をそれぞれ１．５ｍＡ、５００Ｏｅ、発振周波数を１０．２０ＧＨｚに固定した状態で、高周波磁場印加用配線に高周波パルス電流を印加し擬似信号磁場を発生させた。パルス電流の周期Ｔ（ビット長、約３ｎｓ）は上で述べた条件ω０Ｔ＝２ｎπ−π／２（ただしω０＝２πｆ０，ｆ０＝１０．２０ＧＨｚ）を考慮して２．９１７ｎｓ（ｎ＝３０）とした。また高周波パルス電流で発生させる磁場ｈｓはＭＳＫの条件２ΔｆＴ＝０．５から導かれるｈｓ＝３０．６１Ｏｅとした。ランダムに±ｈｓの高周波磁場を発生させた状態で観測した発振スペクトルが図８に示されている。但し、この測定においてはスペクトルアナライザーの前段に±１００ｍＶの電圧リミッタを設置し振幅雑音を除去した。変調によって増大したバンド幅は約０．５ＧＨｚであり、ＭＳＫ変調から期待されるバンド幅に一致する。
【００３８】
次に、図５の電圧リミッタ２２の出力端子をスペクトルアナライザーに代えて遅延検波器２３に接続し検波出力の測定を行った。遅延検波器２３の遅延回路、即ち図２の検波回路の遅延回路１１にはＹＩＧ薄膜を用いたフェライト遅延素子を用いている。遅延検波器２３の出力をシンクロスコープに接続して観測したアイパターンが図９に示されている。時間Ｔ≒３ｎｓ毎に大きく眼が開きこのタイミングで検波可能であることがわかる。アイパターンから推定されるＳ／Ｎ比は約４０（３２ｄＢ）であった。
【００３９】
次に、第２の実施形態として図５に示す再生回路を用いた磁気記録再生装置を説明する。磁気記録再生装置は図１０に示すように、図５に示す再生回路３１と増幅回路３２と信号処理回路３３と出力回路３４とによって構成される。増幅回路３２は再生回路３１による検出信号を増幅し、増幅信号を信号処理回路３３に入力する。信号処理回路は増幅信号を信号処理し、再生信号を生成する。この再生信号は出力回路３４によってユーザに提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】磁性発振素子の出力電圧を模式的に示す図である。
【図２】第1の実施形態に従った再生回路に使用される遅延検波回路を示す回路図を示す。
【図３】媒体磁場により磁性発振素子の発振周波数が変化する状態を示す図である。
【図４】ビットの境界で±π／２となる位相を示す図である。
【図５】第1の実施形態に従った磁性発振素子を用いた再生回路の回路図を示す。
【図６】磁性発振素子の構造を示す図である。
【図７】素子電流を固定したときの発振周波数及び発振線幅の外部磁場依存性を示す図である。
【図８】発振スペクトルと周波数の関係を示す図である。
【図９】シンクロスコープに表示される検波回路の出力のアイパターンを示す図である。
【図１０】第２の実施形態に従った磁気記録再生装置のブロック回路図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１…遅延回路、１２…乗算器、１３…ローパスフィルタ、２１…磁性発振素子、２２…リミッタ、２３…識別回路、２５…タイミング回路、３１…再生回路、３２…増幅回路、３３…信号処理回路、３４…出力回路。
【図１】
0004966147.tif 000014
【図２】
0004966147.tif 000015
【図３】
0004966147.tif 000016
【図４】
0004966147.tif 000017
【図５】
0004966147.tif 000018
【図６】
0004966147.tif 000019
【図７】
0004966147.tif 000020
【図８】
0004966147.tif 000021
【図９】
0004966147.tif 000022
【図１０】
0004966147.tif 000023