(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、サセプタをＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトによって構成するカーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。
【請求項２】
カーボンの供給を抑えた反応室内条件が、さらに断熱材をＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトによって構成することである請求項１に記載の平坦化処理方法。
【請求項３】
水素ガスを５〜３０分間供給してＳｉＣ基板表面をエッチングする請求項１又は２に記載の平坦化処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の平坦化処理方法によって得られた平滑な表面を有するＳｉＣ基板表面に、エピタキシャル結晶成長法によってＳｉＣ薄膜を形成するＳｉＣエピタキシャル結晶成長法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＳｉＣ基板（ＳｉＣウェハーということもある）表面の平坦化処理方法およびＳｉＣエピタキシャル結晶成長法に関し、さらに詳しくはカーボンの供給を抑えた反応室内条件下に、特定の条件で前処理した後、水素ガス雰囲気下にＳｉＣ基板表面をエッチングすることによってＳｉドロップレットが抑制されて平滑な表面が得られるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法およびＳｉＣエピタキシャル結晶成長法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロニクス分野における低損失化や小型化の実現に向けて、従来のＳｉ半導体に比べて高い電気変換効率および高い熱伝導率などによって大幅な性能向上が期待できるＳｉＣ単結晶半導体がパワー半導体デバイス材料として有望視されている。このＳｉＣ単結晶半導体はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置などの製膜装置を用いて半導体基板上へのエピタキシャル薄膜の形成によって得られる。
このＣＶＤ装置によれば、サセプタおよび断熱材を備えた反応室に原料ガスをキャリアガスとともに供給してＳｉＣ基板にＳｉＣ単結晶薄膜をエピタキシャル結晶成長させることができる。
【０００３】
しかし、一般的なグラファイトサセプタやグラファイト断熱材などを備えた製膜装置を使用してエピタキシャル結晶成長させると、この製膜装置を起源とするハイドロカーボン・不純物の発生があり、その発生量や種類の制御が難しく、ＳｉＣ単結晶の成長条件の精密な制御が困難である。
このため、サセプタとしてＳｉＣを用いるかサセプタ表面をＳｉＣでコートしたＳｉＣコートグラファイトを用いるなどのカーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板上にＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる技術が検討されている。
【０００４】
一方、ＳｉＣ基板のスライス技術や研磨技術がシリコン基板（シリコンウェハー）の技術に比べて未だ十分でないため、ＳｉＣ基板には研磨によるダメージ層やスクラッチと呼ばれる傷が全面に発生する。最終的なデバイス性能の多くはＳｉＣ基板上に成長させたエピタキシャル薄膜の膜質に左右され、エピタキシャル薄膜は下地層の影響を受けるから、高品質のエピタキシャル薄膜を得るためには、エピタキシャル薄膜の成膜前にＳｉＣ基板表面のダメージ層を除去して平坦かつ清浄な表面を得ることが必要となる。
このため、エピタキシャル成長の前処理として、ＳｉＣ基板の水素雰囲気によるエッチング処理が提案された（特許文献１〜３）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２５５６９２号公報
【特許文献２】特開２００５−２７７２２９号公報
【特許文献３】特開２００５−３１１３４８号公報
【０００６】
上記の特許文献１には、炭化珪素単結晶ウェハーを１５５０℃以上の温度で水素ガス又は塩化水素ガス流通雰囲気中で前処理を行った後に、該ウェハー上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長する炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法が記載されている。そして、具体例として、グラファイトサセプタを用いて前記温度および雰囲気で前処理を行った例が示されている。
【０００７】
上記の特許文献２には、炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガスを添加する炭化珪素平滑化基板の作製方法が記載されている。そして、原料ガスとしてシランが記載され、サセプタの種類については記載がない。
【０００８】
上記の特許文献３には、炭化珪素基板の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させてエピタキシャル層を形成するバイポーラ型半導体装置の製造方法が記載されているが、サセプタの種類については記載がない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このように、公知文献に記載の方法は、グラファイトサセプタを用いるなどカーボンの供給を前提とする反応室内条件下あるいはカーボンの供給を抑えることが不明な反応室内条件下での水素エッチングによるエピタキシャル成長の前処理であり、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下で平滑な表面を有するＳｉＣ基板表面の平坦化処理法は知られていない。
従って、この発明の目的は、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下で平滑な表面を形成することが出来るＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明者らは、前記の目的を達成することを目的として鋭意検討した結果、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下に水素ガスを供給してＳｉＣ基板を高温熱処理すると基板表面がＳｉ過剰となりＳｉドロップレットが生じることを見出し、さらに検討を行った結果、この発明を完成した。
この発明は、水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、サセプタをＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトによって構成するカーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法に関する。
また、この出願の発明は、前記の平坦化処理方法によって得られた平滑な表面を有するＳｉＣ基板表面に、エピタキシャル結晶成長法によってＳｉＣ薄膜を形成するＳｉＣエピタキシャル結晶成長法に関する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下でＳｉＣ基板表面を平坦化処理して、基板表面のＳｉドロップレットが抑制されて平滑な表面を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この発明における好適な態様を次に示す。
１）カーボンの供給を抑えた反応室内条件が、サセプタをＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトによって構成することである前記の平坦化処理方法。
２）カーボンの供給を抑えた反応室内条件が、さらに断熱材をＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトによって構成することである前記の平坦化処理方法。
３）水素ガスを５〜３０分間供給してＳｉＣ基板表面をエッチングする前記の平坦化処理方法。
【００１３】
以下、この発明を図面を参照して説明する。図１は、この発明の平坦化処理方法に用いる製膜装置の１実施態様の概略図であり、図２はこの発明の１実施態様における加熱温度の時間変化およびハイドロカーボン供給の時間変化を示すグラフである。
図１において、製膜装置は、反応室１内にサセプタ２および断熱材３を備え、サセプタ２上のＳｉＣ基板４に薄膜を形成するためのチャンバー、例えば、石英製チャンバーからなり、反応室１外に装置内加熱装置５、例えば、高周波電源と装置内加熱温度測定用の熱電対温度計６と、ガス、例えば水素キャリアガス、原料ガスの供給配管（図示せず）、排気管（図示せず）および形成された薄膜を取り出す薄膜取り出し装置（図示せず）を備えている。
【００１４】
この発明は、例えば図１に一例を示す製膜装置を用いたＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法に関するものであり、先ずカーボンの供給を抑えた反応室内条件下に水素ガス供給下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給することが必要である。
前記のカーボンの供給を抑えた反応室内条件としては、好適にはサセプタをＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトで構成することが挙げられ、さらに断熱材もＳｉＣ、ＳｉＣコートグラファイト又はＴａＣコートグラファイトで構成することが挙げられる。
【００１５】
そして、前記のカーボンの供給を抑えた反応室内条件下とＳｉＣ基板の水素ガス供給下の昇温中にハイドロカーボンを供給する方法としては、図２に示すように、昇温の最初は水素ガスを供給し、次いで水素ガスとともにハイドロカーボンを昇温の途中、好適には５００℃以上の温度、特に７５０℃以上の温度、その中でも１０００℃以上の温度に達した段階で供給することが好ましい。この温度は、図１に示すように熱伝対温度計で測定される加熱温度を意味する。また、前記の昇温中とは、エピタキシャル成長温度に到達するまでの温度範囲内で熱電対温度計が示す温度が上昇している状態を示す。昇温の条件については特に制限はなく、図２に示すように一定の昇温速度で温度上昇させてもよく又は、温度上昇−温度保持−温度上昇等の段階的な昇温を繰り返しても良い。
【００１６】
この発明の方法において、水素ガス単独で供給した後に水素ガスとともにハイドロカーボンを供給する条件については特に制限はないが、圧力は、１ｔｏｒｒ〜１ａｔｍ、特に２ｔｏｒｒ〜１ａｔｍであることが好ましい。また、水素ガスは、好適には１０〜５０００ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎの略号、０℃で規格化したｓｃｃｍを表示する。）、特に５０〜２５００ｓｃｃｍ程度の供給量で供給することが好ましい。
また、水素ガスとともに供給するハイドロカーボンとしては、特に制限はなく、例えばメタン、プロパン、アセチレンなどを使用することができる。
前記のハイドロカーボンは、水素ガスの供給量中の割合が０．１〜５０容積％、特に１〜１０容積％、その中でも２〜１０容積％で供給することが好ましい。
【００１７】
この発明においては、前記のカーボンの供給を抑えた反応室内条件下で昇温中に水素ガスとともにハイドロカーボンを供給することが必要であり、ハイドロカーボンを供給せず水素ガスを単独で供給したのではＳｉＣ基板表面にシリコンドロップレットが生じる。
この従来の昇温中での水素ガスの単独供給によるＳｉドロップレット生成の要因として、水素雰囲気下でＳｉＣ基板を加熱することによって下記の反応がおきることによると考えられる。
【００１８】
ＳｉＣ＋２Ｈ２→Ｓｉ（ｓ）＋ＣＨ４（ｇ）＋０．７２ｅＶ
このＳｉＣ基板表面に発生したＳｉ（ｓ）がドロップレットとして表面に残ると考えられる。
このＳｉ（ｓ）は加熱により次式に従って蒸発すると考えられる。
Ｓｉ（ｓ）→Ｓｉ（ｇ）＋４．４ｅＶ
この反応によるＳｉの蒸発は、活性化エネルギーの関係から低温域では遅く、高温域では早い。また、飽和蒸気圧の関係から、蒸発速度は圧力の平方根分の１に比例するため温度や圧力によってＳｉＣ基板表面に残るＳｉ量が異なり、結局水素ガス雰囲気ではＳｉＣ基板表面にＳｉがドロップレットとして残ることは避けられない。
【００１９】
これに対して、この発明においてＳｉドロップレットが抑制される要因としては、ＳｉＣ基板の昇温中に水素ガスとともにハイドロカーボンを供給するため、下記の反応がおきることによると考えられる。
Ｓｉ＋ＣＨ４→ＳｉＣ＋Ｈ２−０．７２ｅＶ
３Ｓｉ＋Ｃ３Ｈ８→３ＳｉＣ＋４Ｈ２−０．８８ｅＶ
２Ｓｉ＋Ｃ２Ｈ２→２ＳｉＣ＋Ｈ２＋０．９１ｅＶ
この反応式に示すように、ハイドロカーボンの種類によって反応式は異なるが、いずれによってもＳｉＣ基板でＳｉＣの再生成が起き、Ｓｉのドロップレットが解消されると考えられる。
【００２０】
この発明においては、ＳｉＣ基板の昇温中に水素ガスとともにハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることが必要である。後者の場合はハイドロカーボン（特にアセチレン）の供給を昇温中の３分の１以下、特に５分の１以下に減らすことが好ましい。エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らさないで、そのまま水素ガスとともにハイドロカーボンを供給すると、ＳｉＣ基板表面が曇り等の現象が現れ平坦面が得られないので好ましくない。
【００２１】
前記のエピタキシャル成長温度に到達後は、図２に示すように一定温度で水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることが好ましいが、エピタキシャル成長温度以上の温度であれば加熱温度について特に制限はなく、前記の範囲で温度を上昇又は降温させてＳｉＣ基板表面を水素ガスエッチングしてもよい。
前記のエピタキシャル成長温度としては、１３００℃以上〜２０００℃未満、特に１５００℃以上〜１８００℃、その中でも特に１５００〜１５５０℃の温度が好適である。
また、前記のハイドロカーボンの供給を停止した後に引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングする条件としては、１０〜５０００ｓｃｃｍ、特に５０〜２５００ｓｃｃｍ程度の水素ガス供給量、１５００℃以上〜２０００℃未満、特に１５００〜１８００℃程度、その中でも特に１５００〜１５５０℃の温度、５分間〜２時間、特に５〜３０分間の時間が好ましい。
【００２２】
前記の一連の工程によるこの発明の方法によりＳｉＣ基板表面をエッチングすることによって、ＳｉＣドロップレットの発生が抑制され、表面の研磨ひずみ層が除去されてＳＲｑ（粗さ曲面の自乗平均平方根粗さを示す）が好適には１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下、その中でも０．４ｎｍ以下の平坦面を有するＳｉＣ基板を得ることができる。
前記のエッチング処理されたＳｉＣ基板に、引き続いてキャリアガス（前記の水素ガスを使用しても良い。）および原料ガスを供給してＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させることができる。
【００２３】
前記のＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる方法としては特に制限はなく、任意の方法を採用することが出来る。
例えば、エピタキシャル成長によって形成される薄膜は単一層であってもよく２種以上の多層であってもよい。また、ＳｉＣのみからなる薄膜の場合、ｐ型およびｎ型の単結晶が相互に接合されて構成されてもよく、異種の結晶からなる薄膜が相互に接合されて構成されてもよい。
前記のＳｉＣをエピタキシャル結晶成長させるために原料ガスとしては、シリコン源としてＳｉＨ４やジクロルシランなどを挙げることができ、カーボン源としてメタン、プロパン、アセチレンなどを使用することができる。
【００２４】
さらに、反応室内の温度（サセプタの熱電対温度）は１０００℃以上２０００℃未満、特に１５００〜１８００℃の範囲内の温度であることが好ましく、１ｔｏｒｒ〜２ａｔｍの圧力、厚みによって異なるが５〜１０μｍの場合には通常１〜２時間の反応時間（素子１枚ごとの成長時間）でエピタキシャル成長を行うことが好ましい。
前記の各サセプタおよび断熱材のうちどれを組み合わせて使用するかによって、原料のシリコン源およびカーボン源の割合を変えることが好ましく、例えば、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材の場合、ＳｉＣエピタキシャル結晶成長時の適切な原料供給比：Ｃ／Ｓｉは６である。
【００２５】
この発明のＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法によって得られるＳｉドロップレットがなく平滑な表面を有するＳｉＣ基板表面に、前記のＳｉＣエピタキシャル結晶成長法によってＳｉＣ薄膜を得ることができる。
【実施例】
【００２６】
以下にこの発明の実施例を示すが、この発明は以下の実施例に限定されるものではない。
以下の各例において、ＳｉＣ基板の表面粗さをＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｏ、原子間力顕微鏡）によって測定し、ＳＲｑで表示する。
【００２７】
実施例１
図１に示す製膜装置を用いて、下記の工程でＳｉＣ基板の表面平坦化処理を行った。
１）洗浄したＳｉＣ基板を、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材を備えた製膜装置の反応室に設置した。
２）水素ガス５００ｓｃｃｍを流しながら２ｔｏｒｒの圧力下で加熱を始め、４０℃／分の一定の昇温速度で昇温し、温度が１０００℃になったところで水素ガス希釈５％メタンの供給を開始した。この際の水素ガス希釈５％メタンの供給量を０．５ｓｃｃｍ、１ｓｃｃｍ、１．４ｓｃｃｍおよび２ｓｃｃｍで行った。
３）引き続き一定速度で昇温し、エピタキシャル成長温度の１５００℃になったところでメタンの供給を停止し、そのまま３０分間水素ガスを供給しながら温度を保持して、ＳｉＣ基板を表面平坦化処理した。
【００２８】
ＳｉＣ基板の表面平坦化処理が終了後、降温してＳｉＣ基板を取り出し、ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭを用いて評価した。
この加熱温度の時間変化およびハイドロカーボン供給の時間変化の概略を示すグラフを図２に示す。
また、表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板の表面粗さを測定した結果を比較例の結果とともにまとめて図５に、ＡＦＭによるＳｉＣ基板の表面形状を図６に示す。
【００２９】
比較例１
下記の工程に変えた他は、実施例１と同様にしてＳｉＣ基板の表面平坦化処理を行った。
１）洗浄したＳｉＣ基板を、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材を備えた製膜装置の反応室に設置した。
２）水素ガス５００ｓｃｃｍを流しながら２ｔｏｒｒの圧力下で加熱を始め、４０℃／分の一定の昇温速度で昇温した。
３）引き続き一定速度で昇温し、エピタキシャル成長温度の１５００℃になるまで加熱を続けて、ＳｉＣ基板を表面平坦化処理した。
【００３０】
ＳｉＣ基板の表面平坦化処理が終了後、降温してＳｉＣ基板を取り出し、ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭを用いて評価した。
この加熱温度の時間変化を示すグラフを図３に示す。
また、ＡＦＭによるＳｉＣ基板の表面形状を図７に示す。
【００３１】
比較例２
下記の工程に変えた他は、実施例１と同様にしてＳｉＣ基板の表面平坦化処理を行った。
１）洗浄したＳｉＣ基板を、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材を備えた製膜装置の反応室に設置した。
２）水素ガス５００ｓｃｃｍを流しながら２ｔｏｒｒの圧力下で加熱を始め、４０℃／分の一定の昇温速度で昇温し、温度が１０００℃になったところで水素ガス希釈５％メタンの供給を開始した。この際のメタンの供給量を０．５ｓｃｃｍ、１．４ｓｃｃｍ、２．８ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍおよび１００ｓｃｃｍで行った。
３）引き続き一定速度で昇温し、エピタキシャル成長温度の１５００℃になったところで昇温を停止し、そのまま３０分間水素ガスおよびメタンを供給しながら温度を保持して、ＳｉＣ基板を表面平坦化処理した。
【００３２】
ＳｉＣ基板の表面平坦化処理が終了後、降温してＳｉＣ基板を取り出し、ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭを用いて評価した。
この加熱温度の時間変化を示すグラフを図４に示す。
また、表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板の表面は曇り、表面粗さを測定したところ、ＳＲｑが数十〜２００ｎｍで、且つ晶癖を有した形状であった。メタンの供給量が０．５ｓｃｃｍ、１．４ｓｃｃｍおよび２．８ｓｃｃｍの場合のＳｉＣ基板のＡＦＭによる表面形状を図８に示す。
【００３３】
比較例３
下記の工程に変えた他は、実施例１と同様にしてＳｉＣ基板の表面平坦化処理を行った。
１）洗浄したＳｉＣ基板を、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材を備えた製膜装置の反応室に設置した。
２）水素ガス５００ｓｃｃｍを流しながら２ｔｏｒｒの圧力下で加熱を始め、４０℃／分の一定の昇温速度で昇温した。
３）引き続き一定速度で昇温し、エピタキシャル成長温度の１５００℃になったところで昇温を停止し、そのまま水素ガスを供給しながら３０分間保持して、ＳｉＣ基板を表面平坦化処理した。
【００３４】
ＳｉＣ基板の表面平坦化処理が終了後、降温してＳｉＣ基板を取り出し、ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭを用いて評価した。
この加熱温度の時間変化を示すグラフは図４と同じである。
また、表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭにより評価した。
ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭにより評価した結果について、実施例１と比較例１〜３の結果をまとめて表１に示す。
【００３５】
【表１】
0005024886.tif 000002
【００３６】
実施例２
図１に示す製膜装置を用いて、下記の工程でＳｉＣ基板の表面平坦化処理を行った。
１）洗浄したＳｉＣ基板を、ＳｉＣサセプタおよびＳｉＣ断熱材を備えた製膜装置の反応室に設置した。
２）水素ガス５００ｓｃｃｍを流しながら２ｔｏｒｒの圧力下で加熱を始め、４０℃／分の一定の昇温速度で昇温し、温度が１０００℃になったところで水素ガス希釈１％アセチレンの供給を開始した。この際のアセチレンの供給量を７ｓｃｃｍで行った。
３）引き続き一定速度で昇温し、エピタキシャル成長温度の１５００℃になったところでアセチレンの供給量を１ｓｃｃｍに減らし、そのまま３０分間温度を維持して、ＳｉＣ基板を表面平坦化処理した。
【００３７】
ＳｉＣ基板の表面平坦化処理が終了後、降温してＳｉＣ基板を取り出し、ＳｉＣ基板の表面形状をＡＦＭを用いて評価した。
表面粗さＳＲｑは０．３ｎｍと平坦になった。
Ｒａｍａｎ散乱測定から、表面にＳｉドロップレットが発生していないことを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、この発明の平坦化処理方法に用いる製膜装置の１実施態様の概略図である。
【図２】図２は、この発明の１実施態様における加熱温度の時間変化およびハイドロカーボン供給の時間変化を示すグラフである。
【図３】図３は、比較例１における加熱温度の時間変化を示すグラフである。
【図４】図４は、比較例２における加熱温度の時間変化を示すグラフである。
【図５】図５は、実施例１および比較例２の表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板の表面粗さをまとめて示すグラフである。
【図６】図６は、実施例１の表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板のＡＦＭによる表面形状写真である。
【図７】図７は、比較例１の表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板のＡＦＭによる表面形状写真である。
【図８】図８は、比較例２の表面平坦化処理によって得られたＳｉＣ基板のＡＦＭによる表面形状写真である。
【符号の説明】
【００３９】
１    反応室
２    サセプタ
３    断熱材
４    基板
５    装置内加熱装置
６    熱電対温度計
１０    製膜装置
【図１】
0005024886.tif 000003
【図２】
0005024886.tif 000004
【図３】
0005024886.tif 000005
【図４】
0005024886.tif 000006
【図５】
0005024886.tif 000007
【図６】
0005024886.tif 000008
【図７】
0005024886.tif 000009
【図８】
0005024886.tif 000010