(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、
設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する工程と、
前記差分図形に対して前記許容誤差領域に対応する図形を差し引く処理を行い前記許容誤差領域における差分図形を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。
【請求項２】
前記許容誤差領域に対応する図形は、予め定められた任意角近似値に基づいて生成されたことを特徴とする請求項１に記載の描画データの検証方法。
【請求項３】
前記許容誤差領域に対応する図形は、任意角の角度に応じた任意角近似値に基づいて生成されたことを特徴とする請求項１に記載の描画データの検証方法。
【請求項４】
設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、
設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域を生成する工程と、
前記許容誤差領域内における差分図形の被覆率、図形の高さを含む差分図形のサイズ、前記領域の任意角斜辺を境界として二つに分けた場合の差分図形の面積差のうち、少なくとも一つの算出結果に基づいて前記許容誤差領域内に不具合となる差分図形が含まれるか否かを判定する工程と、を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。
【請求項５】
設計データを入力する入力部と、
前記設計データと、この設計データから変換された描画データとで排他的論理和演算を行い差分図形を求める第1の論理演算部と、
前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する許容誤差領域生成部と、
前記差分図形から前記許容誤差領域に対応する図形の論理差を求める演算を行い、前記許容誤差領域を除いた差分図形を求める第2の論理演算部と、
を備えたことを特徴とするマスク描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電ビームによってパターンを形成する荷電ビーム描画装置の描画データ検証方法及びそのマスク描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイス製造に要求される回路パターンの線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子ビーム描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
電子ビーム描画技術を用いてパターンを形成するための電子ビーム描画装置としては、例えば可変成形型の電子ビーム描画装置が存在する。これは二つのアパーチャを用いて電子ビームを矩形又は４５°三角形（直角二等辺三角形）に成形し、レジストが塗布されたガラス基板表面の遮光膜に電子ビームを照射して微細なパターンを形成する描画装置である。
【０００４】
電子ビーム描画を行うにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとしてＣＡＤデータ（設計データ）が生成される。そして、かかる設計データは電子ビーム描画装置に入力される描画データに変換される。そして、この描画データは、さらに、電子ビーム描画装置内のフォーマットのデータに変換された後、変換後のデータを用いて電子ビーム描画を行う。
【０００５】
いま、図１６のようにＣＡＤデータ２１０と変換された描画データ２１２との間で変換によるずれがある場合、ＸＯＲ検証を行うと、変換前後のずれが差分図形２１４（図示の斜線部）として検出される。またＣＡＤデータに図１７(a)に示すような任意角図形２２０が定義されている場合、４５度台形又は矩形のアパーチャをもつ描画装置では図１７(b)に示す描画可能な図形で任意角図形を近似分割して描画データ２２２を作成する。このような変換に対してＸＯＲ検証を行った場合、変換による不具合ではないが、図１８に示すような差分図形２２４（図示の斜線部）が検出されてしまう。こうした変換時の不具合による差分と任意角近似に起因する差分とが混在する場合には、図１９に示すように、任意角近似に起因する箇所に不具合混在差分が検出されてしまう場合がある。このように任意角近似に起因する差分と不具合による差分が混在し、差分図形が多数検出された場合、不具合による差分のみを発見することは困難になり、データ検証の妨げになるという問題がある。
【０００６】
ここで、設計データを変換した描画データが元の設計データと相違ないかどうかを検証する技術として、以下の内容の文献が存在する。この公知文献は、ＬＳＩのＣＡＤデータ（設計データ）とそのデータ変換後のＥＢデータ（描画データ）との間で、排他的論理和（ＸＯＲ）演算等を行う。そして、得られた差分図形と設計データとの間で論理積（ＡＮＤ）演算を行い、出力される図形数の有無によってデータ変換時の変換エラーがあったかどうかを効率的に判断するように動作することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−３４４３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記背景技術にあっては、データ変換時における任意角近似に起因する差分と不具合による差分が混在し、差分図形が多数検出された場合、不具合による差分のみを発見することは困難になり、データ検証の妨げになるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決し、データ変換時の変換エラーの検証を高精度に行う描画データ検証方法及びマスク描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施態様の描画データ検証方法は、設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する工程と、前記差分図形に対して前記許容誤差領域に対応する図形を差し引く処理を行い前記許容誤差領域における差分図形を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の描画データの検証方法において、許容誤差領域に対応する図形は、予め定められた任意角近似値に基づいて生成されようにすることが望ましい。
【００１１】
また、本発明の描画データの検証方法において、許容誤差領域に対応する図形は、任意角の角度に応じた任意角近似値に基づいて生成されるようにすることが望ましい。
また、本発明の別の実施態様の描画データ検証方法は、設計データと、この設計データから変換された描画データとの差分図形を求める工程と、設計データを描画データに変換する際に、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域を生成する工程と、前記許容誤差領域内における差分図形の被覆率、図形の高さを含む差分図形のサイズ、前記領域の任意角斜辺を境界として二つに分けた場合の差分図形の面積差のうち、少なくとも一つの算出結果に基づいて前記許容誤差領域内に不具合となる差分図形が含まれるか否かを判定する工程と、を備えたことを特徴とする描画データ検証方法。
【００１２】
さらに、本発明の他の実施形態のマスク描画装置は、設計データを入力する入力部と、
前記設計データと、この設計データから変換された描画データとで排他的論理和演算を行い差分図形を求める第1の論理演算部と、前記設計データに含まれる任意角図形から任意角近似に起因する差分が発生する領域の許容誤差領域に対応する図形を生成する許容誤差領域生成部と、前記差分図形から前記許容誤差領域に対応する図形の論理差を求める演算を行い、前記許容誤差領域を除いた差分図形を求める第2の論理演算部と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、データ変換時の任意角近似に起因する差分図形を除去するので、変換エラーの検証を高精度に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１におけるシステム構成の一例を示す概念図である。
図１に示すように、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとなるＣＡＤデータ（設計データ）１０が生成される。そして、ＣＡＤデータ１０が変換装置２０で変換され、電子ビーム描画装置に入力される描画データ１２が生成される。描画データ１２は、電子ビームを用いて試料に図形パターンを描画する電子ビーム描画装置の入力フォーマットに変換されたデータとなる。試料の例としてはレチクル、フォトマスクなどがある。そして、描画データ１２に基づいて、さらに、電子ビーム描画装置内のフォーマットのデータに変換されて描画される。そして、ＣＡＤデータ１０とこれを変換した描画データ１２とが相違ないかどうかをデータ検証装置２００で検証する。データ検証装置２００は、検証部１００とモニタ１０２とインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１０４を備えている。そして、検証部１００は、ＣＡＤデータ１０と描画データ１２を入力して、排他的論理和（ＸＯＲ）演算を行い、データ変換に起因する差分図形を検出する。さらに任意角近似に起因して差分が発生する領域に対応する差分図形を除去する論理差演算を行う。そして、その結果データ１４をＩ／Ｆ回路１０４を介して外部に出力する。或いはモニタ１０２に表示する。この結果データをユーザが確認することで変換前後の図形の一致或いは不一致を検証することができる。
【００１５】
図２は、実施の形態１におけるデータ検証装置の内部構成の一例を示す概念図である。
図２において、検証部１００は、ＣＡＤデータ振分回路１１２、描画データ振分回路１１４、メモリ１０６、ＸＯＲ演算回路１２２，１２４、マスク処理回路１３０を有している。
【００１６】
まず、入力工程として、検証部１００は、ＣＡＤデータ１０を入力する。そして、入力されたＣＡＤデータ１０は、ＣＡＤデータ振分回路１１２に送られる。他方、検証部１００は、ＣＡＤデータ１０から変換された描画データ１２を入力する。
【００１７】
図３は、実施の形態１におけるＣＡＤデータに含まれる図形の一例を示す図である。
図３は、三角形の任意角図形１４０と、矩形の非任意角図形１５０が混在するＣＡＤデータ１０を示している。ここで、任意角図形１４０とは、描画装置がもつ成形アパーチャで成形できない角度をもつ図形を示している。例えば、４５度と９０度の角度が成形可能な成形アパーチャをもつ描画装置であれば、任意角は４５度又は９０度の整数倍を除く角度となる。
【００１８】
図４は、実施の形態１における変換後の描画データに含まれる図形の一例を示す図である。
ここでは、非任意角図形となる矩形の図形１６０と、任意角図形がスリット分割された分割図形群１７０とが混在した描画データ１２を示している。尚、この例では矩形の非任意角図形は一つであるが、実際には複数の図形からなる図形群を形成する。
【００１９】
そして、図２に示すように、入力された描画データ１２は、描画データ振分回路１１４に送られる。ここでは、直接、各振分回路にデータを入力しているが、Ｉ／Ｆ回路を介して入力されても構わない。
【００２０】
次に、振分工程として、ＣＡＤデータ振分回路１１２は、ＣＡＤデータ１０に含まれる図形を任意角図形と非任意角図形とに振り分ける。
ＣＡＤデータ振分回路１１２は、ＣＡＤデータ１０に含まれる図形のうち、任意角図形だけを定義させたファイル３２を作成してメモリ１０６に格納する。また、非任意角図形（矩形図形）だけを定義させたファイル４２を作成してメモリ１０６に格納する。
【００２１】
一方、描画データ振分回路１１４は、描画データ１２に含まれる図形を上述した任意角
図形に対応する図形群（スリット分割図形）と上述した非任意角図形に対応する図形（矩形図形）とに振り分ける。
【００２２】
図４は、非任意角図形に対応する図形１６０と任意角図形に対応するスリット分割図形１７０を示す図である。描画データ振分回路１１４は、非任意角図形（矩形図形）だけを定義させたファイル４４を作成して、メモリ１０６に格納する。また、描画データ振分回路１１４は、スリット分割図形群だけを定義させたファイル３４を作成して、メモリ１０６に格納する。
【００２３】
次に、ＸＯＲ演算工程として、ＸＯＲ演算回路１２２は、メモリ１０６から任意角図形のデータファイル３２とスリット分割図形群のデータファイル３４を読み出す。そして、ファイル３２に含まれる任意角図形のデータとファイル３４に含まれるスリット分割図形群のデータとで排他的論理和（ＸＯＲ）演算を行う。他方、ＸＯＲ演算回路１２４は、メモリ１０６から非任意角図形のデータファイル４２と非任意角対応図形のデータファイル４４を読み出す。そして、ファイル４２に含まれる非任意角図形のデータとファイル４４に含まれる非任意角対応図形のデータとで排他的論理和（ＸＯＲ）演算を行う。
【００２４】
図５は、実施の形態１における任意角部分の演算結果の一例を示す図である。図５に示すように、変換エラーによる矩形図形の差分図形（斜線部）１８１や、任意角近似に起因する差分が発生する任意角図形群の差分図形１８２（斜線部）が出力される。
次に、ＡＥＤ（許容誤差：Ａｌｌｏｗａｂｌｅ  Ｅｒｒｏｒ  Ｄｏｍａｉｎ）領域を覆う図形を作成する工程として、ＡＥＤ生成部１２６は、メモリ１０６から任意角図形のデータファイル３２を読み出し、図３に示すＣＡＤデータ１０に含まれる任意角図形１４０の斜辺の始点ｔ１（ｘ１，ｙ１）及び終点ｔ２（ｘ２，ｙ２）の座標データ（位置データ）を取得すると共に、メモリ１０６から任意角近似値（ε値）を定義してある設定ファイル５６を読み出す。ここで、任意角図形の斜線上に近似分割図形の中点があり、斜線と近似分割図形とのズレの最大値が任意角近似値（近似精度）となる分割方式を用いる場合にあっては、ＡＥＤ領域を覆う図形は片側の幅を任意角近似値とすることができる。例えば、図６に示すように、まず、取得した各点ｔ１、ｔ２の座標データから各点を結ぶ基準線を引き、取得した任意角近似値に基づき斜線の両側にε値を幅とする線を引く。また始点ｔ１（ｘ１，ｙ１）と終点ｔ２（ｘ２，ｙ２）からＸ軸、Ｙ軸の方向にそれぞれ垂線を引き、これらの各線によって囲まれた範囲をＡＥＤ領域として定義し、このＡＥＤ領域に対応する大きさの図形を作成する。
【００２５】
次に、ＡＥＤ領域内の差分図形を除去する工程として、マスク処理回路１３０は、ＸＯＲ回路１２２から出力される差分図形と、ＡＥＤ生成部１２６から出力されるＡＥＤ領域に対応する大きさの図形（以下、ＡＥＤ図形という）が入力される。図７に示すように、マスク処理回路１３０は、ＸＯＲ回路１２２から出力される差分図形からＡＥＤ領域に対応するＡＥＤ図形２０２の論理差演算を行い、ＡＥＤ領域内の差分図形を除去する。すなわち、マスク処理回路１３０は「差分図形」ＡＮＤ「ＮＯＴ演算したＡＥＤ図形」となる論理差演算を行い、（差分図形−ＡＥＤ図形）が実現できる。この結果、図８に示すような差分図形１９１，１９２が得られる。演算結果は外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）を介して結果データ５１として出力される。
【００２６】
次に、実施形態１における処理フローにつき図９を参照して説明する。
まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとなるＣＡＤデータ（設計データ）が生成される（ステップＳ１）。
【００２７】
ＣＡＤデータ１０は変換装置２０で変換されて、電子ビーム描画装置に入力される描画データ１２が生成される。（ステップＳ２）。
【００２８】
また、後述するＡＥＤ領域を覆うＡＥＤ図形を作成のためのパラメータとなる所定の任意角近似値（角度とε値）の設定ファイルが検証部１００に搭載されたメモリーに予め保存されている（ステップＳ３）。
【００２９】
検証部１００は、ＣＡＤデータ１０と描画データ１２を入力し、ＸＯＲ演算回路にて排他的論理和を求める演算を行う（ステップＳ４）。この演算により、データ変換処理エラーによる差分図形、任意角を近似している部分の差分図形が検出される。
【００３０】
また、ＡＥＤ生成部は、図６に示すように任意角近似値に基づいてＡＥＤ領域に対応する大きさのＡＥＤ図形を作成する（ステップＳ５）。
【００３１】
次に、ステップＳ４の排他的論理和（ＸＯＲ）演算で求めた差分図形に対してＡＥＤ図形でマスクし、ＡＥＤ領域内の差分図形を除去する。すなわち、マスク処理回路１３０を用いて、差分図形からＡＥＤ領域に対応するＡＥＤ図形の論理差を求める演算を行い、ＡＥＤ領域内の差分図形を除去する（ステップＳ６）。この論理差演算による差分図形は、任意角近似に起因する差分図形を取り除いたものであり、図8に示すように、データ変換処理の不具合による差分図形のみが残る。
【００３２】
次に、論理差演算によって得られた差分図形を結果データ５１として出力する（ステップＳ７）。結果データ５１はメモリ１４に格納される。
【００３３】
尚、上述の実施形態１の説明において、図２に示すデータ検証装置の一例では、ＣＡＤデータ振分回路１１２及び描画データ振分回路１１４を用いて矩形図形とそれ以外の任意角図形（又はスリット分割図形）に振分けた後、ＣＡＤデータ及び描画データをＸＯＲ演算回路１２２、１２４に入力して演算を行い、ＣＡＤデータと描画データの差分図形を検出しているが、この回路構成に限定されるものではない。例えば、変形例として、ＣＡＤデータ振分回路１１２、描画データ振分回路１１４を省略し、ＣＡＤデータ１０及び描画データ１２を直接、ＸＯＲ演算回路１２２、１２４に入力して差分図形を検出する構成であっても良い。すなわち、図３に示すＣＡＤデータ１０及び図４に示す描画データ１２は任意角図形とそれ以外の図形（矩形又はスリット分割図形）に振り分けられることなく、ＸＯＲ演算回路に入力される。そしてＸＯＲ演算回路で演算されて差分図形が検出される。
【００３４】
さらに、ＸＯＲ演算で求めた差分図形からＡＥＤ図形の論理差を求める演算を行い、ＡＥＤ領域内の差分図形を除去することで、データ変換処理の不具合による差分図形を検出することができる。
【００３５】
以上のように、この実施形態１では、任意角を近似している部分、すなわち、任意角近似部における許容可能な領域における差分図形をＡＥＤ図形により除去しているので、データ変換による不具合を絞り込むことができ、データ検証を高精度に行うことができる。
【００３６】
（実施の形態２）
前述の実施形態１では、任意角の角度に関らず一つの任意近似値を元にＡＥＤ領域に対応する大きさのＡＥＤ図形を作成していたが、本実施形態では、図１０に示すように任意角の角度ごとに任意角近似値（ε値）が記述された設定ファイル５６を用いてＡＥＤ図形を作成する。
【００３７】
図１１は、実施の形態２における処理フローを示すものであり、同図を参照して説明する。まず、半導体集積回路のレイアウトが設計される。そして、レイアウトデータとなるＣＡＤデータ（設計データ）が生成される（ステップＳ１）。
【００３８】
ＣＡＤデータ１０は変換装置２０で変換されて、電子ビーム描画装置に入力される描画データ１２が生成される。（ステップＳ２）。
また、図１０に示すようにＡＥＤ領域を覆うＡＥＤ図形を作成のためのパラメータとなる任意角近似値（角度とε値）が記述された設定ファイル５６がメモリ１０６に格納されている（ステップＳ１３）。
【００３９】
検証部１００は、ＣＡＤデータ１０と描画データ１２を入力し、ＸＯＲ演算回路にて排他的論理和を求める演算を行う（ステップＳ４）。この演算により、データ変換処理エラーによる差分図形、任意角を近似している部分の差分図形が検出される。
【００４０】
ＡＥＤ生成部１２６は、図１１に示すように設定ファイルに記述された任意角近似値（角度、ε値）を読み出し、これに基づいてＡＥＤ領域を覆うＡＥＤ図形を作成する（ステップＳ５）。
【００４１】
ＡＥＤ領域とは、まず設計データの任意図形から、任意角近似アルゴリズムから予想される任意角近似部に起因する差分が検出される領域である。設定ファイル５６には、任意角度に応じたε値が記述されており、例えば、任意角の角度により任意角近似値が異なる分割アルゴリズムを用いて描画データのスリット分割図形を作成する場合は、それぞれの角度の近似値（ε値）を元に図６に示されるＡＥＤ図形を作成する。ＣＡＤデータ１０における任意角がデータ中に複数存在する場合は、それぞれの異なる角度を有する任意角図形に対して図６に示すＡＥＤ図形をそれぞれ作成する。
【００４２】
次に、マスク処理回路１３０を用いて、差分図形からＡＥＤ領域の差分図形を除去する論理差演算を行う。この演算によって、不具合による差分図形を検出する（ステップＳ６）。この差分図形は、任意角近似に起因する差分図形を取り除いたものであり、データ変換処理の不具合による差分図形のみとなる。ここで差分図形を除去する場合、異なる任意図形の角度に応じて図６に示すＡＥＤ図形を作成しているので、検証精度を高めることができる。尚、図１０に示す例では、任意角近似値定義ファイルには角度が４５度の場合にε値は無い。これは電子ビーム描画装置には４５度の角度が形成可能な成形アパーチャを有しているためである。
【００４３】
次に、論理差演算によって得られた差分図形を結果データ５１として出力する（ステップＳ７）。結果データ５１はメモリ１４に格納される。
以上のように、実施形態２では、角度ごとに記述された任意角近似値を設定ファイルから読み出してＡＥＤ図形を作成しているので、任意角図形の角度に応じてＡＥＤ図形を作成しているので、データ検証を高精度に行うことができる。
【００４４】
（実施形態３）
前述の実施形態１、２ではＡＥＤ領域内の不具合による差分図形は検出できない。そこでＡＥＤ領域内部のデータ検証が必要な場合についての検証方法を説明する。
【００４５】
図１２に示すように、ＡＥＤ領域内にデータ変換エラーで発生した余分な図形や細かく分割された図形などが含まれている場合、これらの不具合は検出できない。そこでＡＥＤ内部の検証が必要な場合には以下の方法を用いて検証を行う。
まず、図１３に示す例は、ＡＥＤ領域内の差分図形の面積を計算して、ＡＥＤ領域に対する被覆率の値に基づき不具合の有無を検証する。
【００４６】
ＡＥＤ領域内における正常な差分図形のパターン被覆率は、2/7＋2/8×ｎ＋2/7、で予測できる。ここで、ｎはＡＥＤ領域の両端を除くスリット分割数で、ｎ＝（スリット分割数−２）である。描画データのパターン被覆率を計算し、この被覆率の値が予測値から外れた場合には、ＡＥＤ領域内に意図しないパターン、例えば、図１２に示すようなデータ変換で発生した余分な図形や細かな分割図形などが発生している可能性が高いものと判定される。
【００４７】
次に、図１４に示す例は、ＡＥＤ領域内の全ての差分図形に対して、図形の一辺が斜線かどうか、或いは斜線からの高さを測定して、図形の良否を判定する。図１４では、左から２番目の図形は斜線がなく、変換エラーで発生した余分な図形であり、異常な図形と判定する。左から1番目、３乃至５番目は斜線を有するが高さを測定することで正常かどうかを判定する。この例では高さ測定の結果、１、３番目は所定の値を満たし正常と判定する。
【００４８】
さらに、図１５に示す例は、ＡＥＤ領域は任意角の斜辺を境界として二つの領域に分け、各領域における差分図形の面積和を求める。例えば、左上側のＡＥＤ領域Ａ1の差分図形はプラスとして面積合計を求める。一方、右下側のＡＥＤ領域Ａ2の差分図形はマイナスとして面積合計（Ａ1＋Ａ2）を求め、ＡＥＤ領域全体の和を求める。その結果が０近傍（許容範囲内）であれば正常と判定し、許容範囲を越えていれば不具合と判定する。
【００４９】
以上のように、本実施の形態３では、ＡＥＤ領域内における差分図形の不具合の有無を判定できるので、高精度の検証を行うことができる。
【００５０】
尚、上述の説明の中で、「〜回路」、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することが可能である。また、ソフトウェアとなるプログラムではなく、ハードウェア或いはファームウェアとの組み合わせによって実現させても良い。
【００５１】
また、描画データ検証方法は、記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータに読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、描画データ検証方法の各処理を実現することが可能である。記録媒体としては、例えば、磁気ディスク装置、光ディスク装置（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等）、半導体メモリ等の記憶装置が含まれる。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、これらの具体例に限定されるものではなく、実施段階では本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００５３】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を
省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態１におけるシステム構成の一例を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるデータ検証装置の内部構成の一例を示す概念図である。
【図３】実施の形態１におけるＣＡＤデータに含まれる図形の一例を示す図である。
【図４】図３のＣＡＤデータを描画データに変換した図形の一例を示す図である。
【図５】ＣＡＤデータと描画データの差分図形を示す図である。
【図６】ＡＥＤ領域に対応する図形作成の一例を示す図である。
【図７】ＸＯＲ演算した差分図形に対してＡＥＤ図形でマスクした図形の一例を示す図である。
【図８】ＸＯＲ演算した差分図形に対してＡＥＤ領域内の差分図形を除去した図形の一例を示す図である。
【図９】実施の形態１における処理フローの一例を示す図である。
【図１０】任意角近似値が記述された設定ファイルの一例を示す図である。
【図１１】実施形態２における処理フローの一例を示す図である。
【図１２】ＡＥＤ領域内部の差分図形の一例を示す図である。
【図１３】ＡＥＤ領域内部の差分図形の被覆率を算出する一例を示す図である。
【図１４】ＡＥＤ領域内部の差分図形の高さを測定する一例を示す図である。
【図１５】ＡＥＤ領域内部の差分図形を二つに分けた領域の面積を算出する一例を示す図である。
【図１６】従来のデータ変換前後のＸＯＲ検証結果の一例を示す図である。
【図１７】従来のＣＡＤデータ及び変換した描画データの任意角図形の一例を示す図である。
【図１８】従来の任意角図形における描画データ変換前後のＸＯＲ検証結果の一例を示す図である。
【図１９】従来の任意角図形を含む描画データ変換前後のＸＯＲ検証結果の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  ＣＡＤデータ
１２  描画データ
１４，５１，５３  結果データ
２０  変換装置
３２，３４，４２，４４，５６  ファイル
１００  検証部
１０２  モニタ
１０４  Ｉ／Ｆ回路
１０６  メモリ
１１２  ＣＡＤデータ振分回路
１１４  描画データ振分回路
１２６  ＡＥＤ生成部
１３０  マスク処理回路
【図２】
0004945402.tif 000002
【図３】
0004945402.tif 000003
【図４】
0004945402.tif 000004
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１】
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