(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に画素部が形成された第１基板と、
前記画素部を含む前記第１基板の少なくとも一領域と重畳配置された第２基板と、
前記第１及び第２基板の間に接着されて前記画素部を封止するシーリング剤と、
前記シーリング剤と少なくとも一部重なるように前記第１基板上に形成され、少なくとも一領域が互いに異なるレイアに形成されてコンタクトホールを介して電気的に連結される第１導電層及び第２導電層を含んでなる導電配線とを含み、
前記第１導電層は、同じレイアに位置し一領域が物理的に断線して離間した第１及び第２領域を含み、
前記第１及び第２領域は、前記第２導電層及び前記コンタクトホールを介して電気的に連結され、
前記第１領域の境界面と前記第２領域の境界面は、物理的に離間し、前記第１基板上に積層される前記第１導電層の積層方向と垂直な同一方向に凹凸状に形成され、
前記第１領域の境界面における凹部は、前記第２の領域の境界面における凸部が対向し、前記第２の領域の境界面における凸部が入り込む、
前記第１領域の境界面における凸部は、前記第２の領域の境界面における凹部と対向し、前記第２の領域の境界面における凹部に入り込む、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１導電層の前記第１領域の境界面と前記第２領域の境界面は、前記凹凸状の上部ライン及び下部ラインのそれぞれが一直線を形成せずにずれるように配置されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールは前記第１導電層と前記第２導電層が互いに重なる領域の全般に均一に分散されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１導電層はゲート金属で形成され、前記第２導電層はソース／ドレイン金属で形成され、前記第１及び第２導電層の間にはゲート絶縁層が備えられたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２導電層は、その一領域が物理的に断線せずに連続的に形成され、前記第２導電層及び前記コンタクトホールを介して前記第１導電層の前記第１及び第２領域が互いに電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記導電配線は、前記画素部に画素電源を供給するための電源線であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記導電配線の他の領域は、前記第２導電層と、前記第２導電層の下部に均一に分散配置されたコンタクトホールを含んで構成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管と比較して重さが軽く、体積が小さな各種の平板表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  ＤＩｓｐｌａｙ  ＤｅｖＩｃｅ）が開発されている。平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置（ＯｒｇａｎＩｃ  ＬＩｇｈｔ  ＥｍＩｔｔＩｎｇ  ＤＩｓｐｌａｙ  ＤｅｖＩｃｅ）は有機化合物を発光材料として用いて輝度及び色純度に特に優れている。
【０００３】
このような有機電界発光表示装置は、走査線及びデータ線の交差部に位置する複数の画素を含む画素部と、画素部を駆動するための駆動回路部とを含む。
【０００４】
ここで、それぞれの画素はアノード電極及びカソード電極とこれらの間に形成された有機発光層を含む複数の有機発光ダイオードを含む。
【０００５】
但し、有機発光層は水分及び酸素により劣化し易い特性を有するので、通常、有機電界発光表示装置の画素部はエンキャップ部材により封止される。即ち、画素部が形成される有機電界発光表示装置の表示パネルは画素部が形成される第１基板と、シーリング剤により第１基板に接着されて少なくとも画素部を封止する第２基板とで構成される。そして、第１基板の一側には外部から駆動電源及び／又は駆動信号の供給を受けるためのパッド部が形成される。
【０００６】
このような有機電界発光表示装置において、画素部と駆動回路部との間及び／又は画素部とパッド部との間には駆動電源及び／又は駆動信号を画素部に供給するための導電配線が形成される。
【０００７】
例えば、画素部と駆動回路部との間には走査信号及び／又はデータ信号を伝達するための走査線及び／又はデータ線が形成され得る。そして、画素部とパッド部との間には第１及び第２画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを画素部に伝達するための電源線が形成され得る。
【０００８】
但し、このような駆動電源及び／又は駆動信号は導電配線を経由する間に導電配線の抵抗により電圧降下（ＩＲ  ｄｒｏｐ）が発生し得る。これにより、画質が不均一になるなど有機電界発光表示装置の特性が低下するおそれがある。
【０００９】
特に、ＤＣ電源形態で供給される画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳの場合、導電配線を経由する間に電圧降下が相対的に大きく発生し得る。これにより、各画素には電圧レベルの異なる画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳが供給される可能性があり、これは画質の不均一を招くおそれがある。
【００１０】
一方、デッドスペースなどが減少するようにパネルを設計する過程で導電配線のうちの少なくとも一部はシーリング剤と重なるように位置し得る。
【００１１】
この場合、シーリング剤の接合力はそれ自体の材料特性だけでなく、下部に位置する導電配線の構成によっても変化し得る。従って、シーリング剤の接合力が均一になるように、下部の導電配線を構成して有機電界発光表示装置の信頼性を向上させる必要がある。
【００１２】
【特許文献１】日本特許公開第２００７−２３４９７９号
【特許文献２】韓国特許公開第２００７−０００６６０４号
【特許文献３】韓国特許公開第２００７−０１０４２６９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、導電配線の抵抗を減少させると同時にシーリング剤の接合力を均一にできる有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、一面に画素部が形成された第１基板と、前記画素部を含む前記第１基板の少なくとも一領域と重畳配置された第２基板と、前記第１及び第２基板の間に接着されて前記画素部を封止するシーリング剤と、前記シーリング剤と少なくとも一部重なるように前記第１基板上に形成され、少なくとも一領域が互いに異なるレイアに形成されてコンタクトホールを介して電気的に連結される第１導電層及び第２導電層を含んでなる導電配線とを含み、前記第１導電層は同じレイアに位置し、一領域が物理的に断線して離間した第１及び第２領域を含み、前記第１及び第２領域の間の境界面は平面上凹凸状で形成された有機電界発光表示装置が提供される。
【００１５】
ここで、前記第１導電層の前記第１及び第２領域の間の境界面は前記凹凸形状の上部ライン及び下部ラインのそれぞれが一直線を形成せずにずれるように配置されてもよい。
【００１６】
また、前記コンタクトホールは前記第１導電層と前記第２導電層が互いに重なる領域の全般に均一に分散されてもよい。
【００１７】
更に、前記第１導電層はゲート金属で形成され、前記第２導電層はソース／ドレイン金属で形成され、前記第１及び第２導電層の間にはゲート絶縁層が備えられてもよい。
【００１８】
また、前記第２導電層はその一領域が物理的に断線せずに、連続的に形成され、前記第２導電層及び前記コンタクトホールを介して前記第１導電層の前記第１及び第２領域が互いに電気的に連結されてもよい。
【００１９】
更に、前記導電配線は前記画素部に画素電源を供給するための電源線として設定されてもよい。
【００２０】
また、前記導電配線の他の領域は前記第２導電層と、前記第２導電層の下部に均一に分散配置されたコンタクトホールを含んで構成されてもよい。
【００２１】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、一面に画素部が形成された第１基板と、前記画素部を含む前記第１基板の少なくとも一領域と重畳配置された第２基板と、前記第１及び第２基板の間に接着されて前記画素部を封止するシーリング剤と、前記シーリング剤と少なくとも一部重なるように前記第１基板上に形成された導電配線とを含み、前記導電配線は、複数のコンタクトホールが形成された絶縁膜上に形成された導電層で構成された有機電界発光表示装置が提供される。
【００２２】
ここで、前記コンタクトホールは前記導電層の下部に全般的に均一に分散されてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
このような本発明によれば、少なくとも２つの導電層（第１及び第２導電層）で構成された積層構造の導電配線を形成するにおいて、導電配線の抵抗を減少させることができるという効果を奏する。これにより、導電配線を経由して供給される駆動電源及び／又は駆動信号の電圧降下を減少させることができる。特に、画素電源を供給する導電配線を積層構造で形成することによって、均一な画質の映像を表示できる。
【００２４】
また、積層構造の導電配線をなす第１導電層の一領域を物理的に断線させてアンテナ効果を防止できる。更に、第１導電層が物理的に断線される領域間の境界面を分散させて導電配線の上部に位置するシーリング剤が均一な接合力を有するように形成できる。
【００２５】
更に、第１及び第２導電層の間、或いは第２導電層の下部に均一に分散配置されたコンタクトホールを形成することで、コンタクトホール上部の膜とシーリング剤の表面積を広げ、シーリング工程で発生した熱を分散させてシーリング剤の接合力を均一に強化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
また、例えば第１構成要素と第２構成要素が連結されると説明するにあたり、第１構成要素は第２構成要素と直接連結されてもよく、第３構成要素を介して第２構成要素と間接的に連結されてもよい。また、本発明の完全な理解のための必須的でない構成要素は明確性を図るために省略する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す平面図である。
【００２９】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置は、画素部１１０、駆動回路部１２０及びパッド部１３０が形成された第１基板１００と、第１基板１００の一領域の上部に配置された第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に接着されたシーリング剤３００とを含む。
【００３０】
画素部１１０は第１基板１００の一面に形成され、少なくとも有機電界発光ダイオードを備える複数の画素（図示せず）を含む。このような画素部１１０は、駆動回路部１２０及び／又はパッド部１３０から供給される駆動電源及び／又は駆動信号に対応して映像を表示する。
【００３１】
駆動回路部１２０は、パッド部１３０から供給される駆動電源及び／又は駆動信号に対応して走査信号及び／又はデータ信号を生成し、これを画素部１１０に供給する。このために、駆動回路部１２０は走査駆動部及び／又はデータ駆動部を含んで構成されることができる。このような駆動回路部１２０は、画素部１１０を形成する工程で画素部１１０と共に形成されるか、或いは集積回路ＩＣチップの形態で第１基板１００に実装され得る。
【００３２】
パッド部１３０は外部から駆動電源及び／又は駆動信号データの供給を受け、これを画素部１１０及び／又は駆動回路部１２０に供給する複数のパッドを備える。
【００３３】
ここで、画素部１１０は第２基板２００とシーリング剤３００により封止される封止領域内に位置し、駆動回路部１２０及び／又はパッド部１３０は封止領域の外部に位置する。
【００３４】
第２基板２００は第１基板１００の少なくとも一領域と重なるように第１基板１００上に配置される。このような第２基板２００はシーリング剤３００と共に少なくとも画素部１１０を含む第１基板１００の一領域を封止する。
【００３５】
シーリング剤３００は、第１基板１００に向かう第２基板２００の一面の縁に形成されて第１基板１００と第２基板２００を接着させる。即ち、シーリング剤３００は第１及び第２基板１００、２００の間に接着されて、これらの間の領域（特に、画素部１１０）を封止する。
【００３６】
このような有機電界発光表示装置において、画素部１１０と駆動回路部１２０との間及び／又は画素部１１０とパッド部１３０との間には画素部１１０に駆動電源及び／又は駆動信号を供給するための導電配線が形成される。
【００３７】
例えば、画素部１１０と駆動回路部１２０との間には走査信号及び／又はデータ信号を伝達するための走査線及び／又はデータ線が形成され得る。
【００３８】
そして、画素部１１０とパッド部１３０との間には外部から画素部１１０に第１及び第２画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを伝達するための第１及び第２導電配線１４０、１５０が形成され得る。
【００３９】
但し、ＤＣ電源の形態で供給される画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳの場合、導電配線１４０、１５０の抵抗により電圧降下（ＩＲ  ｄｒｏｐ）が発生し易い。従って、画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを供給するための導電配線１４０、１５０の幅は、他の信号線の幅に比べて相対的に大きく設定することが好ましい。
【００４０】
特に、画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳはデータ信号と共に画素の輝度に直接的に影響を及ぼし得る。従って、画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを伝達する導電配線１４０、１５０は画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳの電圧降下が最小となるように設計されなければならない。
【００４１】
便宜上、以下では第１画素電源ＥＬＶＤＤを伝達する第１導電配線１４０を例に本発明をより詳細に説明する。
【００４２】
第１導電配線１４０はその幅が相対的に大きく形成されることはもちろん、画素部１１０の外周を覆うように配置され得る。
【００４３】
このような第１導電配線１４０の少なくとも一領域は、互いに異なるレイアに形成されてコンタクトホールを介して電気的に連結される少なくとも２導電層の積層構造で形成される。これにより、第１画素電源ＥＬＶＤＤの電圧降下を最小化できる。これについてのより詳細な説明は後述する。
【００４４】
また、デッドスペースを最小化するために、第１導電配線１４０は少なくとも一部がシーリング剤３００と重畳配置され得る。
【００４５】
なお、図１では個々の有機電界発光表示装置で第１及び第２画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを伝達する第１及び第２導電配線１４０、１５０を図示したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４６】
例えば、複数の有機電界発光表示装置が形成された母基板上において、シート配線が同じ行及び／又は同じ列に位置する有機電界発光表示装置に共通して接続され得る。このように、自分と接続された有機電界発光表示装置に画素電源ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを供給するシート配線はシーリング剤３００と重なるように配置され得る。このようなシート配線にも本発明の技術思想が適用され得ることはもちろんである。
【００４７】
図２は、図１に示した第１導電配線の一例を示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。便宜上、図２では基板と絶縁膜の図示は省略した。
【００４８】
図２〜図３を参照すれば、第１導電配線１４０の少なくとも一領域１４０＿１は第１導電層１４０ａと、第２導電層１４０ｂの積層構造で形成される。
【００４９】
より具体的に、第１導電配線１４０の少なくとも一領域１４０＿１は第１導電層１４０ａと第２導電層１４０ｂを含む積層構造で形成され得る。このとき、第１導電層１４０ａは第１基板１００上に形成されることができ、第２導電層１４０ｂは絶縁膜１４１を挟んで第１導電層１４０ａと重なるように形成されることができる。
【００５０】
ここで、第１導電層１４０ａは基板１００上に形成されたバッファ層及び／又はゲート絶縁膜１０１などの上部に形成され、画素部１１０に含まれている薄膜トランジスタのゲート電極と同一工程で形成され得る。即ち、第１導電層１４０ａはゲート金属、例えば、モリブデン（Ｍｏ）で形成されることができる。
【００５１】
但し、モリブデン（Ｍｏ）などのゲート金属を長く延ばして形成すると、大きなアンテナ効果を引き起こすおそれがある。アンテナ効果とは、例えばエッチングなどの製造工程において導電配線に帯電した異常な電荷が、絶縁膜を損傷させ、信頼性の低下等を引き起こす現象のことである。従って、これを防止するために第１導電層１４０ａを長く設計せずに、少なくとも一領域が途絶えるように設計するのが好適である。
【００５２】
即ち、第１導電層１４０ａは同じ導電性材料で構成され、同じレイアに位置し、少なくとも一領域が物理的に断線して離間した第１及び第２領域１４０ａ１、１４０ａ２を含む
【００５３】
そして、これらが離間した空間、即ち、第１領域１４０ａ１と第２領域１４０ａ２との間には第１導電層１４０ａを所定形状のパターン１４０ａ３にパターン化して配置する。このようなパターン１４０ａ３は電源及び／又は信号を伝達はしないが、第１導電層１４０ａの上部に形成される膜の段差を緩和させる。
【００５４】
このような第１導電層１４０ａ上には層間絶縁膜などの絶縁膜１４１が形成される。そして、絶縁膜１４１上には第２導電層１４０ｂが形成される。
【００５５】
第２導電層１４０ｂは画素部１１０に含まれている薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一工程で形成され得る。即ち、第２導電層１４０ｂはソース／ドレイン金属、例えば、チタン／アルミニウム／チタン（ＴＩ／Ａｌ／ＴＩ）の三重膜構造で形成され得る。
【００５６】
このような第２導電層１４０ｂは第１導電配線１４０が形成される領域内でその一領域が物理的に断線することなく、連続的に形成される。そして、第２導電層１４０ｂは第１導電層１４０ａが物理的に断線される境界付近（図２の「Ａ」領域）に集中して形成されたコンタクトホール１４０ｃにより第１導電層１４０ａと電気的に連結される。
【００５７】
即ち、第１導電層１４０ａと第２導電層１４０ｂとの間に形成された絶縁膜１４１には複数のコンタクトホール１４０ｃが形成されて、第１導電層１４０ａと第２導電層１４０ｂを電気的に連結する。
【００５８】
このような構造によって第１導電層１４０ａの第１及び第２領域１４０ａ１、１４０ａ２はコンタクトホール１４０ｃ及び第２導電層１４０ｂを介して電気的な連結関係を維持する。
【００５９】
前述したように、第１導電配線１４０の少なくとも一領域１４０＿１を第１導電層１４０ａと第２導電層１４０ｂの積層構造で形成すると共にその幅を相対的に広く形成できる。これにより、第１導電配線１４０の抵抗を減少させることができる。そして、これにより、第１導電配線１４０を介して供給される駆動電源及び／又は駆動信号の電圧降下を最小化できる。特に、第１導電配線１４０を介して第１画素電源ＥＬＶＤＤを供給する場合、画素間の輝度偏差を防止して均一な画質の映像を表示できる。
【００６０】
一方、デッドスペースが減少するように有機電界発光表示装置を設計する過程で第１導電配線１４０のような配線の少なくとも一部はシーリング剤３００と重なるように位置し得る。例えば、シーリング剤３００は第１導電配線１４０と重なる領域で第１導電配線１４０と完全に重なるように第１導電配線１４０の内側上部に位置することもできる。また、第２導電層１４０ｂとシーリング剤３００との間には図示していない保護膜などが更に形成されてもよい。
【００６１】
但し、図２に示すように、第１導電配線１４０を設計する場合、第１導電配線１４０の上部に形成されたシーリング剤３００の接合力が不均一になることもある。
【００６２】
即ち、コンタクトホール１４０ｃが局部的に集中した部分は、その上部が平坦に形成されず、コンタクトホール１４０ｃの上部膜（例えば、第２導電層１４０ｂ）とシーリング剤３００とが接触する表面積が増加し得る。これにより、コンタクトホール１４０ｃの上部膜とシーリング剤３００の接合力は向上する反面、その他の部分の接合力は相対的に減少し得る。
【００６３】
また、コンタクトホール１４０ｃが集中した部分ではレーザなどを用いてシーリング剤３００を溶融させる段階で発生した熱エネルギーが下部の第１導電層１４０ａに分散されるため、第２導電層１４０ｂの体積膨脹は抑制される。その反面、その他の部分の熱エネルギーは十分に分散せず、コンタクトホール１４０ｃが集中した部分とその他の部分との間の接合力に相違が生じる可能性もある。
【００６４】
従って、シーリング剤３００は相対的に接合力が弱い部分で剥離に弱くなるおそれがある。これは有機電界発光表示装置の信頼性の低下を招く。従って、本実施形態では図４に示す第１導電配線１４０の他の積層構造を通じてシーリング剤３００の接合力を均一化するための方案を提示する。
【００６５】
図４は、図１に示した第１導電配線の他の例を示す平面図である。そして、図５Ａは、図４に示した第１導電層を示す平面図であり、図５Ｂは、図４に示したコンタクトホール及び第２導電層を示す平面図である。また、図６は、図４のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。図４〜図６を説明するに際して、図２〜図３と類似の部分についての詳細な説明は省略する。
【００６６】
図４〜図６を参照すれば、第１導電配線１４０の少なくとも一領域１４０＿２は第１導電層１４０ａ’と、第２導電層１４０ｂ’の積層構造で形成される。
【００６７】
第１導電層１４０ａ’は一領域が物理的に断線して離間した第１及び第２領域１４０ａ１’、１４０ａ２’を含み、第１及び第２領域１４０ａ１’、１４０ａ２’の境界面は平面から見るとき、凹凸形状となるように形成され得る。
【００６８】
そして、第１及び第２領域１４０ａ１’、１４０ａ２’の間の境界面は凹凸形状の上部ライン及び下部ラインのそれぞれが一直線を形成せずにずれるように配置される。
【００６９】
これにより、第１導電層１４０ａ’が物理的に断線される領域１４０ａ１’、１４０ａ２’の間の境界面を分散させることができる。
【００７０】
また、本実施形態では第１及び第２導電層１４０ａ’、１４０ｂ’を電気的に連結するコンタクトホール１４０ｃ’を第１導電層１４０ａ’と第２導電層１４０ｂ’とが互いに重なる領域の全般にわたって均一に分散させる。
【００７１】
前述したような本実施形態によれば、図２に示した実施形態と同様に、第１導電配線１４０の抵抗を減少させ、更に第１導電層１４０ａ’で発生し得るアンテナ効果を防止できる。また、シーリング剤３００が均一な接合力を有するように形成することもできる。
【００７２】
即ち、第１導電層１４０ａ’が物理的に断線される領域１４０ａ１’、１４０ａ２’の間の境界面を分散させ、第１及び第２導電層１４０ａ’、１４０ｂ’を電気的に連結するコンタクトホール１４０ｃを均一に分散配置できる。これにより、第１導電配線１４０の上部に位置するシーリング剤３００の接合力を均一に向上させることができる。
【００７３】
一方、図２〜図６では積層構造で形成される第１導電配線１４０の積層領域１４０＿１、１４０＿２のみ示したが、本実施形態は積層構造の第１導電配線１４０にのみ限定されるものではない。
【００７４】
即ち、第１導電配線１４０は単層構造で形成されることもできる。又は、第１導電配線１４０の一領域は図２〜図６に示す実施形態のうちの１つの積層構造で形成され、第１導電配線１４０の他の領域は単層構造で形成されることもできる。
【００７５】
例えば、第１導電配線１４０の全体、或いは第１導電配線１４０の一部は図７〜図８に示すように、第２導電層１４０ｂ’’でのみ構成された非積層領域１４０＿３で構成されることもできる。
【００７６】
但し、この場合にも、第１導電配線１４０の上部に形成されたシーリング剤３００が均一な接合力を有し得るように第２導電層１４０ｂ’’の下部の絶縁膜１４１にはコンタクトホール１４０ｃ’’が均一に分散配置されて形成されることができる。そして、このようなコンタクトホール１４０ｃ’’の下部にはバッファ層及び／又はゲート絶縁膜などの他の絶縁膜１０１が形成されて、第１導電配線１４０に伝達される第１画素電源ＥＬＶＤＤの電圧レベルに影響を及ぼさないようにすることができる。
【００７７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す平面図である。
【図２】図１に示した第１導電配線の一例を示す平面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図４】図１に示した第１導電配線の他の例を示す平面図である。
【図５Ａ】図４に示した第１導電層を示す平面図である。
【図５Ｂ】図４に示したコンタクトホール及び第２導電層を示す平面図である。
【図６】図４のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
【図７】図１に示した第１導電配線のもう１つの例を示す平面図である。
【図８】図７のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００            第１基板
１１０            画素部
１２０            駆動回路部
１３０            パッド部
１４０、１５０    導電配線
１４０ａ          第１導電層
１４０ｂ          第２導電層  
１４０ｃ          コンタクトホール
２００            第２基板
３００            シーリング剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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