(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、
前記チップを、チップ保持面が凹状となっているコレットにより、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持する保持工程と、
前記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して前記配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドするダイボンディング工程と、
前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧により加圧する静圧加圧工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記静圧加圧工程後、前記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化する熱硬化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記静圧加圧工程による静圧加圧状態のまま、前記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化する熱硬化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記未硬化の接着剤層が設けられたチップは、基材と未硬化の接着剤層とからなるダイシング・ダイボンディングシートにウェハを貼付し、該ウェハとともに該接着剤層をダイシングして未硬化の接着剤層が設けられたチップであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つにダイボンディング工程がある。この工程では、通常、チップを吸着する吸着部が平面に形成されたコレット（平コレット）により、接着剤層が設けられたチップを吸着して平らに保持し、次いで接着剤層を介してチップを配線基板に熱圧着する。
【０００３】
しかしながら、熱圧着する際に空気が巻き込まれて、配線基板と接着剤層との界面にボイドが発生するという問題があった。このボイドは、最終的に得られた半導体装置においても残存してパッケージクラックの起点となりうる。このように、チップを吸着する吸着部が平面に形成されたコレットを用いた場合は、信頼性の高い半導体装置を製造することは困難であった。
【０００４】
これに対して、特許文献１では、チップの一方の表面を支持し、配線基板の取付面に向って凸に彎曲変形させ、チップの他方の表面と配線基板の取付面との間に、接着剤が介在された状態で、チップと配線基板とを熱圧着する方法が試みられている。
【特許文献１】特開２００４−２２９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の方法によれば、チップの中央部から外周部に向かって荷重がかかるため、チップの中央部においては、空気の巻き込みはある程度抑えられ、配線基板と接着剤層との界面のボイドは少なくできる。
【０００６】
しかしながら、上記の方法では、チップの外周部において、上記界面のボイドが発生しやすい。そして、チップの中央部や外周部に一度ボイドが発生すると、最終的に得られた半導体装置においても残存するという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、チップの中央部および外周部の全面において、配線基板と接着剤層との界面のボイドが存在しない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは鋭意研究した結果、特定の保持およびダイボンディング工程と特定の静圧加圧工程とを組み合わせれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、上記チップを、チップ保持面が凹状となっているコレットにより、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持する保持工程と、上記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して上記配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドするダイボンディング工程と、上記硬化が完了する前に、上記チップがダイボンドされた配線基板を常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧により加圧する静圧加圧工程とを含む。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記静圧加圧工程後、上記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、上記未硬化の接着剤層を硬化する熱硬化工程をさらに含むことが好ましく、または、上記静圧加圧工程による静圧加圧状態のまま、上記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、上記未硬化の接着剤層を硬化する熱硬化工程をさらに含むことが好ましい。
【００１１】
上記未硬化の接着剤層が設けられたチップは、基材と未硬化の接着剤層とからなるダイシング・ダイボンディングシートにウェハを貼付し、該ウェハとともに該接着剤層をダイシングして未硬化の接着剤層が設けられたチップであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、チップの外周を未硬化の接着剤層を介して配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドし、次いで、該チップがダイボンドされた配線基板を常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧により加圧することにより、チップの中央部および外周部の全面において、配線基板と接着剤層との界面のボイドが存在しない半導体装置が得られる。すなわち、信頼性の高い半導体装置が製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。
＜実施の形態１＞
本発明に係る半導体装置の製造方法は、未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、後述する保持工程、ダイボンディング工程および静圧加圧工程とを含む。
【００１４】
本発明に用いられる未硬化の接着剤層は、熱硬化性の接着剤から形成される。上記熱硬化性の接着剤は、熱硬化性樹脂を含んでいればよい。該熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ、フェノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーンなどが挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、適当な硬化剤と、必要に応じて添加される硬化促進剤と組み合わせて用いられる。また、上記熱硬化性の接着剤としては、常温で粘着性を有する粘接着剤であってもよい。粘接着剤とは、初期状態において常温で粘着性を示し、加熱のようなトリガーにより硬化し強固な接着性を示す接着剤をいう。上記粘接着剤としては、たとえば常温で感圧接着性を有するバインダー樹脂と上記のような熱硬化性樹脂との混合物が挙げられる。上記バインダー樹脂としては、たとえばアクリル、ポリエステル、ポリビニルエーテル、ウレタン、ポリアミドなどが挙げられる。
【００１５】
未硬化の接着剤層の厚みは、接着するチップの大きさや、配線基板の凹凸の高さや形状などによって適宜設定されるが、通常１〜１００μｍ、好ましくは５〜８０μｍである。
上記チップは、用途によっても異なるが、通常、厚みが１０〜２００μｍであり、大きさが１ｍｍ×１ｍｍ〜２０ｍｍ×２０ｍｍである。
【００１６】
未硬化の接着剤層が設けられたチップは、以下のようにして得られる。
まず、基材上に上述した接着剤層（未硬化の接着剤層）が剥離可能に積層されたダイシング・ダイボンディングシートを用意する。なお、接着剤層を形成する接着剤中にウレタ
ン系アクリレートオリゴマーなどのエネルギー線硬化性樹脂をさらに配合しておくことが好ましい。次いで、基材と未硬化の接着剤層とからなるダイシング・ダイボンディングシートに、シリコンなどのウェハを貼付し、該ウェハとともに該接着剤層をダイシングすれば、所望の大きさを有し、かつチップと同サイズの未硬化の接着剤層が設けられたチップが得られる。なお、ダイシング・ダイボンディングシートがエネルギー線硬化性を有する場合は、ダイシング前またはダイシング後にエネルギー線を照射し、基材との密着性を低下させておく。
【００１７】
上記配線基板としては、たとえば、金属からなるリードフレーム、有機材料または無機材料からなる基板、金属と有機材料または無機材料とからなる積層基板などが挙げられる。
以下、図面を参照しながら本発明の各工程を説明する。
【００１８】
［保持工程］
保持工程は、上記チップを、チップ保持面（吸着部）が凹状となっているコレットを用いて、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持する工程である。上記ダイシング後、未硬化の接着剤層が設けられたチップを基材からピックアップし、次のダイボンディング工程に続く工程の一部である。すなわち、この保持工程は、上記ダイシングされたチップを直接保持する工程であってもよく、上記ダイシングされたチップを一度他のシートに付着させて保管、移送等した後、このチップを保持する工程であってもよい。
【００１９】
保持には、図１に示す吸着装置１０が用いられる。吸着装置１０は、シリンダ１２と、シリンダ１２に対して伸縮するロッド１４と、下面に吸着部１６ａを備えたコレット１６とから構成されている。コレット１６の形状は、チップの形状に対応して平面視矩形状である。吸着部１６ａは、図２−１に示したように、未硬化の接着剤層が設けられたチップの該接着剤層が設けられていない面（上面）を吸着した場合に、チップの中央部を上方に湾曲させられる形状、すなわち、上記チップを上記配線基板に対して凹状態とできるような形状を有する。具体的には、中央部ほど空間部の背が高く外周縁部に近づくほど空間部の背の低い緩やかに湾曲した凹所１８を有する。このような凹所１８であれば、図２−２に示したように、ロッド１４に形成された貫通孔を介して吸着部１６ａ（凹所１８）を吸引した場合に、未硬化の接着剤層２０ａが設けられたチップ２０の上面全体を吸着部１６ａに密着させた姿勢で、該チップ２０を湾曲させて保持することができる。なお、上記状態を達成するためにはチップの強度や厚さにあわせて吸着圧を適宜調整すればよい。
【００２０】
また、凹所１８の高さＨは１〜５００μｍであることが好ましい。これにより、上述した範囲の厚みを有するチップ２０であれば、吸着時の吸着部に密着した姿勢が容易に達成される。この場合は、チップ２０の外周と中央部との高さの差ｈも１〜５００μｍとなる。
【００２１】
［ダイボンディング工程］
ダイボンディング工程は、チップ保持面（吸着部）が凹状となっているコレットを用いて保持することにより、上記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して上記配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドする工程である。
【００２２】
具体的には、まず、ロッド１４を移動させ、先に凹状態となっているチップ２０の外周が未硬化の接着剤層２０ａを介して配線基板２２に接するようにする（図２−３）。次いで、ロッド１４をさらに下方向に移動させてチップ２０を押圧し、チップ２０の全面が未硬化の接着剤層２０ａを介して配線基板に接するようにする。最後に、吸着部１６ａ（凹所１８）の吸引を解除し、ロッド１４を上方向に移動させる（図２−４）。前記保持工程
において、チップ２０を配線基板２２に対して凹状態に保持しているため、チップ２０の外周から未硬化の接着剤層２０ａを介して配線基板２２に接触させることができる。
【００２３】
なお、ダイボンドの条件（圧力、温度、時間等）は、未硬化の接着剤層２０ａを構成する接着剤の組成によって適宜設定すればよい。
この工程により、未硬化の接着剤層２０ａを介してチップ２０が積層された配線基板２２が得られる。ここで、上記ダイボンドの条件によっては、未硬化の接着剤層と配線基板との界面にボイドが形成される場合がある。なお、チップの外周部を配線基板に密着させてダイボンドが行われるため、該ダイボンディング工程後の配線基板では、上記界面にボイドが発生する場合は、チップの外周には存在せず中央部のみに存在する状態となる（図２−４のボイド３０、図３）。
【００２４】
［静圧加圧工程］
静圧加圧工程は、上記硬化が完了する前に、上記チップがダイボンドされた配線基板を全方位から均等に加圧（静圧加圧）する工程である。ここでは、常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧、好ましくは０．１〜１．０ＭＰａ大きな静圧を印加する。
【００２５】
上述したように、本発明の保持工程およびダイボンディング工程を経て得られた配線基板では、接着剤層と配線基板との界面のボイドは、チップの外周には存在せず中央部のみに外気から遮断された状態で存在しうる（図３）。このような配線基板に対して静圧を印加すれば上記ボイドを消滅できる。ここでは、ダイボンドされたチップを含む配線基板全体を全方向から均一に加圧することにより、マイクロスコープでは検出できない程度にボイドが小さく分散して消滅すると推察される。すなわち、本発明の製造方法によれば、チップの外周にも中央部にもボイドが存在しない配線基板が得られる。
【００２６】
一方、上記チップを、チップ保持面（吸着部）が平らなコレットまたは凸状となっているコレットを用いて上記配線基板に対して平らな状態または凸状態となるように保持する場合は、ダイボンドの際にチップの外周部を配線基板に密着させられないことが多く、該ダイボンディング工程を経た配線基板では、接着剤層と配線基板との界面のボイドは、チップの中央部だけでなく外周にも存在する（図４）。この場合は、続いて静圧を印加したとしても、チップの中央部のボイドのみが消滅し、外気と連通しているチップの外周のボイドは残存する。
【００２７】
このように、本発明においては、単に配線基板に対して静圧を印加するのみでなく、上述した保持工程およびダイボンディング工程を経て得られた配線基板に対して静圧を印加することにより、チップの全面にボイドが存在しない配線基板が得られる。
【００２８】
なお、本発明の保持工程、ダイボンディング工程および静圧加圧工程を行うことにより、配線基板の表面の凹凸が大きくても、チップの全面にボイドが存在しない配線基板が得られる。さらに、ダイボンディング工程後の接着剤層中にボイドが存在していたとしても、この静圧加圧工程によれば、接着剤層中にボイドは界面のボイドと同様に消滅できる。
【００２９】
また、圧力を印加する時間は、好ましくは１〜１２０分、より好ましくは５〜９０分である。
静圧加圧装置としては、上記チップがダイボンドされた配線基板に静圧が印加できれば特に制限されないが、オートクレーブ（コンプレッサー付き耐圧容器）が好適に用いられる。ところで、オートクレーブのように一定容積内で圧力が加えられると雰囲気温度の上昇が起こる。半導体装置の安定生産を行うためには温度を一定に保つことが好ましいため、未硬化の接着剤層が硬化しない程度の温度に制御してもよい。また、未硬化の接着剤層が硬化しない程度の温度まで温度を上げることにより、接着剤層が流動化して発生したボイドが動きやすくなり、消滅しやすくなることも期待できる。このような温度としては、接着剤層を形成する接着剤の組成に依存するが、たとえば３０〜１２０℃である。
【００３０】
［熱硬化工程］
熱硬化工程は、静圧加圧工程後、上記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、上記未硬化の接着剤層を硬化する工程である。すなわち、上記未硬化の接着剤層を加熱して、接着剤層の硬化を完了する工程（未硬化状態から充分な硬化状態にする工程）である。なお、本明細書において、未硬化の状態とは、接着剤の硬化反応が進行していない状態をいう。硬化が完了した状態（充分な硬化状態）とは、反応が進行し、接着剤が変形できない状態いう。
【００３１】
より具体的には、静圧加圧工程でボイドが消滅した配線基板を加圧装置から取り出し、加熱装置に投入して大気圧下で加熱を行う。これにより、未硬化の接着剤層が充分硬化されて、半導体装置のダイボンド用接着剤として必要な接着性能が与えられる。この工程を経た配線基板では、静圧加圧工程後の状態を維持しており、接着剤層と配線基板との界面にはボイドが存在せず、チップと配線基板とが強固に接着されている。
【００３２】
加熱温度および加熱時間は、接着剤層が充分に硬化できれば特に制限されず、接着剤の組成に依存するが、加熱温度は、好ましくは１００〜２００℃、より好ましくは１２０〜１６０℃であり、加熱時間は、好ましくは１５〜３００分、より好ましくは３０〜１８０分である。
熱硬化を行うための加熱装置としては、たとえば従来使用されている熱硬化装置（オーブン）が利用できる。
【００３３】
［その他の工程］
熱硬化工程後には、必要に応じてワイヤーボンディング工程、モールディング工程が行われ最終的に半導体装置が製造される。
【００３４】
＜実施の形態２＞
上述した保持工程およびダイボンディング工程において用いられるコレット１６の凹所は、図５−１に示したように、角錐状の凹所２４であってもよい。このように、空間部の中央部が深く形成された凹所２４であれば、図５−２に示したように、ロッド１４に形成された貫通孔を介して吸着部１６ａ（凹所２４）を吸引した場合に、チップ２０の上面全体が吸着部１６ａに密着されるのではなく、外周部のみを密着させた姿勢で、該チップ２０を上方に湾曲させて、保持することができる。この場合は、吸着圧を適宜調整することにより、チップ２０の外周と中央部との高さの差ｈは１〜５００μｍとなる。
【００３５】
なお、コレット１６の凹所は、角錐台状の凹所２６であってもよい（図６）。具体的には、凹所２６を形成する外周縁部の形状を断面視三角形としてもよい。さらに、コレット１６において、凹所２８を形成する外周縁部に四角形状の縁部１６ｂを残すようにしてもよい（図７）。これら凹所２６、２８を有するコレット１６の場合も、凹所２４を有するコレット１６と同様に、チップ２０の上面全体が吸着部１６ａに密着されるのではなく、外周部のみを密着させた姿勢で、該チップ２０を上方に湾曲させて、保持することができる。
【００３６】
＜実施の形態３＞
未硬化の接着剤層が設けられたチップは、以下のようにして得られたチップであってもよい。
【００３７】
まず、ウェハ上に上述したような成分を有する液状の接着剤をスピンコートで塗布した
後に乾燥する。また、基材上に感圧接着性の接着剤が積層されたダイシング加工専用のダイシングシートを用意する。次いで、乾燥した接着剤層を介してウェハをダイシングシート上に貼付し、該ウェハとともに該接着剤層をダイシングすれば、所望の大きさを有し、かつ未硬化の接着剤層が設けられたチップが得られる。なお、チップをピックアップすることにより、チップの接着剤層とダイシングシートの感圧接着性の接着剤との間で剥がれる。
【００３８】
＜実施の形態４＞
本発明は、静圧加圧工程による静圧加圧状態のまま、上記チップがダイボンドされた配線基板を加熱して、上記未硬化の接着剤層を加熱して硬化する熱硬化工程をさらに含む態様であってもよい。具体的には、静圧加圧工程を開始すると同時に、加圧下におきながら熱硬化工程を開始して、上記未硬化の接着剤層の硬化を完了した後に（上記未硬化の接着剤層を充分に硬化させた後に）、静圧加圧工程と熱硬化工程とを同時に終了する態様であってもよい。この態様は、熱硬化が行われるような高温で発生すると考えられる接着剤層中のボイドを、発生すると同時に静圧加圧により消滅しうるため好ましい。最終的に製造される半導体装置では、上記界面のボイドが存在せず、充分に硬化した接着剤によってチップと配線基板とが強固に接着されている。
【００３９】
本態様においては、常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧を、好ましくは０．１〜１．０ＭＰａ大きな静圧を印加する。また、加熱温度は、接着剤層が充分に硬化できれば特に制限されないが、好ましくは１００〜２００℃、より好ましくは１２０〜１６０℃である。また、加圧および加熱時間は、ボイドが消滅でき、接着剤層が充分に硬化できれば特に制限されないが、好ましくは１５〜３００分、より好ましくは３０〜１８０分である。また、加圧および加熱温度は、上記範囲の中で段階的に変化させてもよい。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４０】
［実施例］
＜評価方法＞
試験  １；外周密着性
チップ外周の密着性は、チップ外周の密着性を表す指標βを以下のようにして求めて評価した。
【００４１】
下記式（２）のように、チップ外周の長さに対して、未硬化の接着剤層を介してチップが密着している部分の長さの合計の割合を求めた。
β＝チップが密着している部分の長さの合計（ＩＩ）／チップ外周の長さ（Ｉ）
×１００（％）                                                    （２）
具体的には、まず、チップ外周の長さ（Ｉ）（ａ、ｂ、ｃ、ｄの合計の長さ）を求めた（図８）。次に、チップ外周の内、チップが密着していない部分（ボイド部分）を除いたチップが密着している部分の長さの合計（ＩＩ）（ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｃ、ｄの合計の長さ）を求めた後、上記式（２）により計算した（β＝（ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）×１００（％））。
【００４２】
ここで、チップ外周の長さ（Ｉ）としては、後述するダイシング工程で８ｍｍ×８ｍｍにダイシングしたガラスチップを使用したため、３２ｍｍの値を用いた。チップが密着している部分の長さの合計（ＩＩ）は、ダイボンディング工程後の配線基板について、デジタルマイクロスコープによりガラスチップ側から観察して測定した。
なお、指標βが１００％であることは、チップ外周にボイドがないことを意味し、指標βが１００％未満であることは、チップ外周にボイドがあることを意味する。
【００４３】
試験  ２；ボイドの観察
後述するダイボンディング工程後、チップ外周および中央部に存在するボイド（接着剤層および被着体の界面のボイド）の有無をデジタルマイクロスコープでガラスチップ側から評価した。後述する静圧加圧工程後、熱硬化工程後においても同様にボイドの有無を調べた。
【００４４】
＜接着剤＞
実施例および参考例で用いた接着剤１および２は、以下に示す成分を表１の割合で配合して調製した。配合部数は全て固形分を示す。
【００４５】
（Ａ）アクリル共重合体
アクリル酸ブチル55重量部、メタクリル酸10重量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル15重量部、およびメタクリル酸グリシジル20重量部を共重合してなる重量平均分子量80万、ガラス転移温度-28℃の共重合体。
（Ｂ）エポキシ樹脂成分
（B1）固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）社製、エピコート1055）を有機溶媒（メチルエチルケトン）に溶解した溶液（固形濃度が65％）。
（B2）ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂（日本触媒製、BPA328）を有機溶媒（メチル
エチルケトン）に溶解した溶液（固形濃度が80％）。
（B3）o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）社製、EOCN-104S）。
（Ｃ）熱活性型潜在性硬化剤
（C1）硬化剤（旭電化製、アデカハードナー3636AS）を有機溶媒（メチルエチルケトン）に分散した溶液（固形濃度が１５％）。
（C2）硬化促進剤（四国化成工業製、キュアゾール2PHZ）を有機溶媒（メチルエチルケトン）に分散した溶液（固形濃度が１５％）。
（Ｄ）架橋剤
芳香族ポリイソシアナート（日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートL）。
（Ｅ）エネルギー線硬化性樹脂
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬社製、カラヤッドDPHA）
（Ｆ）光開始剤
イルガキュア184（チバスペシャリティケミカルズ社製）を有機溶媒（トルエン）に溶
解した溶液（固形濃度が30％）。
【００４６】
【表１】
0004959527.tif 000002
[実施例１]
（１）ダイシング・ダイボンディング用シートの製造
剥離フィルム（リンテック（株）製、厚さ38μｍ、SP-PET3811）の剥離処理面に、ロールナイフコーターを用いて、乾燥膜厚が30μｍとなるように接着剤１を塗布した後、接着剤１が塗布された剥離フィルムを100℃、2分の条件で乾燥して、接着剤１から形成されたフィルム状の接着剤を得た。その後、厚み100μｍの基材（ポリエチレンフィルム、表面
張力31mN/m）に、接着剤（粘接着剤）を積層して接着シートを作製した。
【００４７】
一方、リングフレーム固定用粘着シートとして、ポリ塩化ビニルフィルム（80μｍ）に再剥離型アクリル粘着剤（10μｍ）が形成された粘着シート（内径220mmの円形が切断除
去された形状）を用意した。
【００４８】
次いで、上記で作製した接着シートの剥離フィルムを剥がし、接着剤面と、リングフレーム固定用粘着シートのポリ塩化ビニル面とを積層した。次いで、リングフレーム固定用粘着シートの切断除去された円形と同心円となるように、外径270mmの円形に切断した。
このようにして、外周部にドーナツ状のリングフレーム固定用粘着シートを有するダイシング・ダイボンディングシートを得た。
【００４９】
（２）未硬化の接着剤層が設けられたガラスチップの作製
透明円形ガラス板（エヌ・エス・ジープレシジョン社製、直径8インチ、厚さ100μm）
に、上記ダイシング・ダイボンディング用シートをテープマウンター（リンテック社製、Adwill RAD2500 m/8）を用いて貼付し、同時にリングフレームに固定した。その後、UV照射装置（リンテック社製Adwill RAD2000 m/8）を用いて基材面から紫外線を照射した。
次に、ダイシング装置（株式会社ディスコ製、DFD651）を使用して、透明円形ガラス板を8mm×8mmのサイズにダイシングし、未硬化の接着剤層が設けられたチップを得た。なお、ダイシングの際の切り込み量は、基材に対して20μm切り込むようにした。
【００５０】
（３）保持工程
ダイシングで得られたチップを接着剤層（未硬化の接着剤層）ごとピックアップした。すなわち、図２−１に示すチップ保持面（吸着部）が凹状となっているコレット（H=10μm）を用いて、チップが被着体に対して凹状態となるように、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持した。なお、このとき、吸着圧を−８０KPaとし、上面全体を吸着部に密着させた姿勢で、チップを湾曲させて保持した（図２−２）。
【００５１】
（４）ダイボンディング工程
チップをダイボンドする被着体（配線基板）として、銅箔張り積層板（三菱ガス化学株式会社製CCL-HL830）の銅箔に回路パターンが形成され、パターン上にソルダーレジスト
（太陽インキ製、PSR-4000 AUS5）を有している基板(株式会社ちの技研製)を用いた。
凹状態となっている上記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して上記被着体に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該被着体に接するようにしてダイボンドした。このとき、100℃、300gf、1秒間の条件で圧着（ダイボンド）した。
評価結果を表２に示す。
【００５２】
（５）静圧加圧工程
続いて、チップがダイボンドされた基板を加圧乾燥炉（サンユレック株式会社製）に投入し、常圧よりも0.5MPa大きい静圧下で120℃、30分加熱して、接着剤層と被着体との間
の界面のボイドを除去した。なお、このとき、接着剤層は未硬化の状態のままであった。評価結果を表２に示す。
【００５３】
（６）熱硬化工程
加熱乾燥炉よりチップがダイボンドされた基板を取り出した後、常圧のオーブンにて120℃、1時間、続いて140℃、1時間加熱し、接着剤の硬化を確認した。評価結果を表２に示す。
【００５４】
[実施例２]
実施例１において（１）ダイシング・ダイボンディング用シートの製造に用いた接着剤１を接着剤２に変更した以外は、実施例１と同様に行った。評価結果を表２に示す。
【００５５】
［実施例３］
実施例１において（５）静圧加圧工程と（６）熱硬化工程とを同時に開始し同時に終了した以外は、実施例１と同様に行った。
【００５６】
すなわち、チップがダイボンドされた基板を加圧乾燥炉（サンユレック株式会社製）に投入し、常圧よりも0.5MPa大きい静圧下で、120℃、1時間、続いて140℃、1時間加熱して、接着剤層と被着体との界面のボイドを除去するとともに、未硬化の接着剤層を充分に硬化させた。評価結果を表２に示す。
【００５７】
[比較例１]
実施例１において（３）保持工程に使用した図２−１に示すコレットを、チップ保持面（吸着部）が平面であるコレット（平コレット、H=0μm）に変更した以外は、実施例１と同様に行った。なお、チップの吸着の際には、上記チップは上記配線基板に対して平らな状態で保持された。評価結果を表２に示す。
【００５８】
[比較例２]
実施例１において（３）保持工程に使用した図２−１に示すコレットを図９に示すコレット（H’=10μm）に変更した以外は、実施例１と同様に行った。なお、図９に示すコレット１６において、吸着部１６ａは、図９の紙面に垂直な軸線を有する円筒面の周方向にわたる一部分であった。したがって、チップの吸着の際には、上記チップは上記配線基板に対して凸状態となるように保持された（特開２００４−２２９９５号公報図１参照）。評価結果を表２に示す。
【００５９】
【表２】
0004959527.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２−１】図２−１は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２−２】図２−２は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２−３】図２−３は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２−４】図２−４は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５−１】図５−１は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５−２】図５−２は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０：      吸着装置
１２：      シリンダ
１４：      ロッド
１６：      コレット
１６ａ：      吸着部（チップ保持面）
１６ｂ：      縁部
１８，２４，２６，２８：      凹所
２０：      チップ
２０ａ：      未硬化の接着剤層
２２：      配線基板
３０：      ボイド
【図１】
0004959527.tif 000004
【図２−１】
0004959527.tif 000005
【図２−２】
0004959527.tif 000006
【図２−３】
0004959527.tif 000007
【図２−４】
0004959527.tif 000008
【図３】
0004959527.tif 000009
【図４】
0004959527.tif 000010
【図５−１】
0004959527.tif 000011
【図５−２】
0004959527.tif 000012
【図６】
0004959527.tif 000013
【図７】
0004959527.tif 000014
【図８】
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【図９】
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