(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク原盤に対するレーザ照射位置をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構を有する光ディスク原盤製造装置で、上記移送機構が原点位置とされているときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整に用いる基準原盤として、
原盤中心を中心とする所定サイズの正方形領域に、レーザ照射の際に反射光変動を観測できる所定数の直線が平行かつ等間隔に記録されていることを特徴とする基準原盤。
【請求項２】
平行かつ等間隔に記録された全ての上記直線の線幅は、平行線間隔の０．１倍未満の同一の線幅とされるとともに、
各直線同士の間隔は、全て各線幅の中心線の間隔にて２０μｍから１３０μｍまでの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の基準原盤。
【請求項３】
上記基準原盤は、基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、
上記直線は、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により形成されることを特徴とする請求項２に記載の基準原盤。
【請求項４】
上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われたものであることを特徴とする請求項３に記載の基準原盤。
【請求項５】
上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、表面に反射膜が成膜されたことを特徴とする請求項３に記載の基準原盤。
【請求項６】
ディスク原盤に対するレーザ照射位置をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構を有する光ディスク原盤製造装置において、上記移送機構が原点位置とされているときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整方法として、
原盤中心を中心とする所定サイズの正方形領域に、レーザ照射の際に反射光変動を観測できる所定数の直線が平行かつ等間隔に記録されている基準原盤を回転させた状態で、上記基準原盤上の材料の記録感度に満たないパワーでレーザ光照射を行うとともに、
上記レーザ光の戻り光を観測して、上記レーザ光が横切る上記直線の本数がゼロとなるようにすることを特徴とする芯出し調整方法。
【請求項７】
上記移送機構の移送方向をｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向をｙ方向とし、
上記芯出し調整は、
上記ｘ方向における上記移送機構の原点位置を調整するとともに、
上記レーザ光を出力するピックアップヘッドの取付位置としてｙ方向の位置の調整を行うことで、上記レーザ光が横切る上記直線の本数がゼロとなるようにすることを特徴とする請求項６に記載の芯出し調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造に用いる光ディスク原盤の製造装置において、いわゆる芯出し調整を行うために用いる基準原盤と、その基準原盤を用いた芯出し調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】国際公開第２００４／０３４３９１号パンフレット
【特許文献２】特開２００７−２８０５０８号公報
【０００３】
いわゆるエンボスピットによるピット列が形成された再生専用光ディスクの製造のためには、その製造工程において、まずピット列に相当する凹凸パターンが形成された光ディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
また、相変化記録方式や色素変化記録方式でユーザーデータが記録再生可能な記録可能型の光ディスク（いわゆるリライタブルディスクやライトワンスディスク）については、記録トラックを形作るグルーブ（溝）が形成されているが、このような光ディスクを製造するためには、その製造工程において、まずグルーブに相当する凹凸パターンが形成された光ディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
【０００４】
上記の光ディスク原盤の製造には、いわゆるカッティング装置或いはマスタリング装置と呼ばれる原盤製造装置が用いられる。
原盤製造装置は、レジスト層が形成された原盤基板上を回転させると共に、対物レンズで集光したレーザ光を照射する。このとき、レーザ光は、その焦点深度内にレジスト原盤表面上に追従するようにフォーカス制御される。この動作により、所定のトラックピッチにて、原盤上のレジスト材料を感光させることで、ピット列あるいはグルーブを記録する。
一般的にはこの後に現像（エッチング）工程を行い、レジスト材料の段差によりピット列あるいはグルーブを形成する。
【０００５】
原盤上のピット列あるいはグルーブの寸法の精度は、水平面内において、半径方向の移送機構の精度と、原盤上のビーム位置の精度に依存する。水平面内にて半径方向に直線的に動くような半径方向の移送機構（スライダと呼ぶ）の移動方向をｘ方向、これと水平面内で垂直な方向をｙ方向とする。
理想的には、スライダの位置をｘ＝０、つまりスライダの移送の原点位置としたときに、レーザ光の照射位置が回転機構（スピンドルモータと呼ぶ）の回転中心位置に一致するのが望ましい。これはスライダによるスライド設定位置が、原盤上の半径位置と一致させる状態となるためである。
実際には誤差が生ずることになるのだが、そのときのｘ方向の誤差は、スライダの原点校正により補正できる。
【０００６】
一方、ｙ方向の誤差は、スライダでは補正することができず、レーザ光の位置そのものをｙ方向に動かして補正する必要がある。そのためには、レーザ光の出力端である対物レンズを含む光学系全体を動かすか、スピンドルモータを動かすか、いずれかを行わなければならない。ピックアップヘッド型光学系と呼ばれるような、半導体レーザ光源、対物レンズ、戻り光フォトディテクタなどを含む各種光学系一式をコンパクトに集積したユニットを利用する場合には、スピンドルモータを動かさずとも、ピックアップヘッドそのものをｙ方向に移動させることでｙ方向の調整を行うことができる。
【０００７】
このように、原盤製造装置において、スライダが原点位置にあるときに、レーザ光の照射位置がスピンドル回転中心に一致するように、スライダの原点位置調整（ｘ方向調整）や、光学系の位置調整（ｙ方向調整）を行うことを、芯出し調整（以下、単に「芯出し」という）と呼ぶ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、芯出しの精度を追い込むには、通称「０点カット」という作業によりズレ量を確認して調整を行っていた。これは、レジスト層を形成した原盤にリングパターンを記録し、記録されたリングの直径を実測してその値から補正量を求めて、スライダのｘ方向の原点校正と、ピックアップヘッドのｙ方向位置調整を行うものである。
【０００９】
「０点カット」の方法は以下のようになる。
まずピックアップヘッドを原盤製造装置（カッティングマシン）に装着する。
また表面にレジスト層を形成した原盤（通常のカッティングに使う原盤と同様のもの）を原盤製造装置にセットする。
そして所定の回転速度、例えば６００ｒｐｍで原盤を回転させる。またレーザパワー設定として通常のカッティングに用いる記録レーザーパワー条件を適用する。
【００１０】
そしてまず、スライダを原点位置とする。つまりスライダの半径位置設定としてｘ＝０．０００ｍｍに位置させ、その状態で回転されている原盤に対して記録レーザパワーでレーザ照射を行う。レーザ照射は、ピット列又はグルーブを形成するための出力パターンとする。
本来、理想的には、スライダが原点位置にあるときは、レーザ照射位置はスピンドル回転中心（つまり原盤の回転中心）に一致しているはずであるため、このように、スライダが原点位置とされた状態で原盤にレーザ照射を行っても、レーザによる露光部分は点になるだけであるはずだが、芯出し前のずれがあることにより、原盤上にはリング状のパターン（ピット列又はグルーブのパターン）が露光形成されることになる。
そして上記のようにスライダ半径位置ｘ＝０．０００ｍｍ、つまりスライダ原点位置でのレーザ照射により、回転されている原盤には、図３２に示す小円Ｃ１が形成されることになる。
【００１１】
次に、スライダの半径位置設定ｘ1＝０．１００ｍｍにて、同様に所定のレーザパワーにてピット列またはグルーブを同心円状に記録する。すると、回転されている原盤には、図３２に示す大円Ｃ２が形成されることになる。
次にスピンドル回転を停止させて、スピンドル角度位置設定θ＝0.0degにて固定し、所定の記録レーザパワーでレーザ照射を行いながら、スライダ半径位置をｘ＝−０．０２０ｍｍからｘ＝０．２００ｍｍまで移動させる。すると、原盤には例えば図３３（ａ）における直線Ｌ１が露光記録される。
さらに、スピンドル回転を停止させたまま、スピンドル角度位置設定θ＝15.0degにて固定し、所定の記録レーザパワーでレーザ照射を行いながら、スライダ半径位置をｘ＝−０．０２０ｍｍからｘ＝０．２００ｍｍまで移動させる。すると、原盤には例えば図３３（ａ）における直線Ｌ２が露光記録される。
【００１２】
ここで図３２を参照する。
図３２は、原盤上における相対的なレーザ照射位置とレーザ照射位置の軌跡として描かれたリング状の小円Ｃ１、大円Ｃ２をｘｙ平面状にあらわしたものである。このｘｙ平面では、スライド進行方向をｘ軸、ｘに垂直な方向をｙ軸、スライドの半径設定値をプラスに設定したときのレーザ光照射位置をｘ軸上プラス方向と定義する。このｘｙ平面の各記号は以下のとおりである。
Ｏ：スライダ原点位置でのレーザ光照射位置（＝小円Ｃ１描画時のスライダ設定位置）
ＲＣ：スピンドル回転中心
Ｈ：スピンドル回転中心Ｐからｘ軸への垂線の足（回転中心Ｐのｘ座標値）
｜ａ｜＝ＯＨ：ｘ軸方向の芯ずれ
｜ｂ｜＝ＰＨ：ｘ軸に垂直な方向（ｙ軸方向）の芯ずれ
ｒ0＝ＰＯ：小円Ｃ１の半径
ｒ1：大円Ｃ２の半径
ｘ1：大円Ｃ２の描画時のスライダ設定位置
【００１３】
上記のように小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１、Ｌ２を露光記録したら、次のようにしてｘ方向、ｙ方向の補正量を求める。
まず２つのリングとして小円Ｃ１、大円Ｃ２を記録した原盤をレーザ顕微鏡にて観察して、２個のリングの半径を測定する。即ち小円Ｃ１の半径ｒ0と、大円Ｃ２の半径ｒ1を実測する。
この小円Ｃ１の半径ｒ0、大円Ｃ２の半径ｒ1、大円描画時のスライダ設定値ｘ1の関係は、図３２のように表され、次の関係式が成り立つ。
ｒ02＝ａ2＋ｂ2
ｒ12＝（ｘ1−ａ）2＋ｂ2
【００１４】
そして、ｘ軸方向の芯ずれａとｙ軸方向の芯ずれ｜ｂ｜について、次のように解が求められる。
ａ＝｛（ｒ12−ｒ02）／２ｘ1｝−（ｘ1／２）
｜ｂ｜＝√（ｒ02−ａ2）
ここで、ｙ軸方向での芯ずれの方向、即ち上記の「ｂ」の正負は、直線Ｌ１，Ｌ２で判別できる。
即ち小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の関係が図２０（ａ）のようであれば、ｂ＞０である。一方、小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の関係が図２０（ｂ）のようであれば、ｂ＜０である。
【００１５】
以上の結果に基づいて芯出しのための調整を行う。
まず上記「ａ」を補正するようにスライドの原点位置を補正する。例えば、スライド原点位置が120.500[mm]であったとしたら、これを120.500−ａ [mm]に置き換える。
また上記「ｂ」を補正するようにピックアップヘッドの取付位置を補正する。例えばｂ＝−１５０μｍであったとしたら、ピックアップヘッドの位置をｙ軸＋方向に１５０μｍ動かす。
このように調整した後、再び上記のように動作（小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の描画と観測・ａ、ｂ算出）を行ってずれ量を確認し、所定の許容量に収まれば芯出しＯＫとする。ａ値、ｂ値がいまだ許容範囲に収まっていなければ、さらに同様の動作を繰り返すことになる。
【００１６】
芯出しは、以上のように行っていたがが、ｘ方向の補正は[μｍ]程度の精度が確実に得られるのに対し、ｙ方向の補正はピックアップヘッドの位置調整によるから、これを[μｍ]単位で調整するのは非常に困難であった。ピックアップヘッドの交換と取り付けを容易にするため、ピックアップヘッドのｙ方向位置調整にはプッシュ・プル方式の２本のネジにて行う方法を採用していたためでもある。
ピックテストでｙ方向移動量を計測しながら行う調整にて正確に補正を行うには相当の熟練が必要である。またピックアップヘッドを固定するネジのネジ穴のｘ方向の遊び分だけｘ方向にずれるリスクがあり、０点カットの結果のみをもとにしてｘ方向とｙ方向を同時に追い込むことは非常に困難であった。
【００１７】
このため、上記のような芯出し調整、即ちずれ量としてのａ値、ｂ値を算出し、それに基づいてピックアップヘッドの位置調整を行うと、実際には上記調整動作を何度も繰り返し実行して追い込んで行かなければならず、調整を行うスタッフの熟練度にもよるが、芯出し調整に数時間程度かかるという現状があった。
【００１８】
このような問題を克服するため、本出願人は上記特許文献２に記載したように、リングジグを用いた芯出しの手法を提案した。
これは、カッティングマシンにおいて、図３４のような例えば半径ｒ0＝２５μｍの小さなリングＬＧを有する基準原盤を用いて戻り光をモニタしながらレーザビーム位置を、少なくとも小さなリングの半径ｒ0より内側に位置するように調整する手法である。
レーザビームの位置が、戻り光波形から確実にフィードバックされることが特徴であり、その精度は必ず半径ｒ0未満である。また計算によりずれ量を見積もることができ、従来必要であったずれ量確認のための通称「０点カット」を不要とした。
【００１９】
この手法においては、リングＬＧを有する基準原盤をカッティングマシンのスピンドルテーブル上に装着するときの偏芯として１０μｍ未満を想定していた。なぜなら小さなリングＬＧの半径ｒ0の範囲を２０μｍ〜６５μｍと規定したからである。
リングＬＧを記録して基準原盤を作成するときの基準原盤の偏芯において１０μｍ、基準原盤のリングＬＧをレーザビームで読み出すときの偏芯において１０μｍ、合わせて２０μｍの偏芯マージンが必要であるから、２０μｍを小さなリングＬＧの最低半径と規定したのである。
ところがこのため、基準原盤の偏芯が１０μｍを超えると小さなリングＬＧが機能しなくなるリスクが発生し、２０μｍを超えるとまったく機能しなくなってしまうという弱点があった。レーザビームが小さなリングＬＧの内側に存在することができなくなってしまうからである。
【００２０】
そこで本発明は、これらの問題を解消しつつ、短時間で精度の良い芯出し調整を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の基準原盤は、ディスク原盤に対するレーザ照射位置をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構を有する光ディスク原盤製造装置で、上記移送機構が原点位置とされているときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整に用いる基準原盤として、原盤中心を中心とする所定サイズの正方形領域に、レーザ照射の際に反射光変動を観測できる所定数の直線が平行かつ等間隔に記録されているものである。
また平行かつ等間隔に記録された全ての上記直線の線幅は、平行線間隔の０．１倍未満の同一の線幅とされるとともに、各直線同士の間隔は、全て各線幅の中心線の間隔にて２０μｍから１３０μｍまでの範囲内である。
また上記基準原盤は、基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、上記直線は、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により形成される。
また上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われたものとしてもよい。
また上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後に（又はさらに露光後にエッチング処理が行われた後に）、表面に反射膜が成膜されたものとしてもよい。
【００２２】
本発明の芯出し調整方法は、原盤中心を中心とする所定サイズの正方形領域に、レーザ照射の際に反射光変動を観測できる所定数の直線が平行かつ等間隔に記録されている基準原盤を回転させた状態で、上記基準原盤上の材料の記録感度に満たないパワーでレーザ光照射を行うとともに、上記レーザ光の戻り光を観測して、上記レーザ光が横切る上記直線の本数がゼロとなるようにする。
また、上記移送機構の移送方向をｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向をｙ方向とした場合、上記芯出し調整は、上記ｘ方向における上記移送機構の原点位置を調整するとともに、上記レーザ光を出力するピックアップヘッドの取付位置としてｙ方向の位置の調整を行うことで、上記レーザ光が横切る上記直線の本数がゼロとなるようにする。
【００２３】
このような本発明では、カッティングマシンにおいて、原盤中心を中心とした正方形領域に例えば５０μｍ程度の等間隔に記録した平行線を有する基準原盤を用いて、戻り光をモニタしながら、レーザ光位置を、回転中心付近にてどの平行線とも交差しない位置に調整する。
この場合、レーザ光の位置が戻り光波形から確実にフィードバックされる。即ちレーザ光の戻り光の波形を観測する（何本の直線と交差するかを観測する）ことで、レーザ光照射位置を直接確認できる。
そして、基準原盤装着時の偏芯に依存しないものとすることができ、その調整精度は平行線間隔の半分未満となる。
もちろん、ずれ量確認のための「０点カット」も不要である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基準原盤上で平行線が形成された領域の原盤反射による戻り光波形から、レーザ光の位置を確実に把握して、これを調整にいかすことができる。つまり戻り光波形をもってレーザ光位置調整にフィードバックが可能である。これは調整が容易であることを意味する。
そして回転中心付近においてレーザ光が「交差する直線の本数」をゼロにするだけで調整を行うことができる。
また幾何学的な計算により、ビーム位置と原盤回転中心位置とのずれ量を見積もることが出来る。この見積もられたずれ量は、いわゆる「０点カット」から得られるずれ量の測定値に十分近い値を示す。つまり「０点カット」の手間を省いてずれ量を正確に見積もることが可能である。
また、リング状ジグを用いた芯出し手法に比べても、追い込みの手法が直感的に理解しやすい。
また基準原盤装着時の偏芯によらず、芯出しが可能である。リング状ジグを用いた芯出し手法では、原盤装着時の偏芯＝±１０μｍ以内を想定していたが、本方式では±１００μｍ程度の偏芯があっても問題なく芯だしを行うことができる。
これらのことから、本発明の基準原盤を用い、本発明の芯出し調整方法を実行することで、芯出しに要する時間を劇的に短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
［１．ディスク製造工程］
［２．原盤製造装置の構成］
［３．基準原盤の作成］
［４．基準原盤を用いた芯出し調整］
【００２６】
［１．ディスク製造工程］
まず図３０を参照して、光ディスクの製造工程を述べる。
図３０（ａ）はディスク原盤を構成する原盤形成基板１００を示している。先ず、この原盤形成基板１００の上に、スパッタリング法により無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０２を均一に成膜する（レジスト層形成工程、図３０（ｂ））。本例では、ディスク原盤を製造するマスタリング工程として、無機系のレジスト材料を用いたＰＴＭマスタリングを行うが、この場合、レジスト層１０２に提供される材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。
なお、レジスト層１０２の露光感度の改善のために基板１００とレジスト層１０２との間に所定の中間層１０１を形成しても良く、図３０（ｂ）ではその状態を示している。レジスト層１０２の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００２７】
次に、後述する原盤製造装置を利用してレジスト層１０２に信号パターンとしてのピット列もしくはグルーブに対応した選択的な露光を施し感光させる（レジスト層露光工程、図３０（ｃ））。そしてレジスト層１０２を現像（エッチング）することによって所定の凹凸パターン（ピット列やグルーブ）が形成されたディスク原盤１０３が生成される（レジスト層現像工程、図３０（ｄ））。
続いて、上記のように生成したディスク原盤１０３の凹凸パターン面上に金属ニッケル膜を析出させ（図３０（ｅ））、これをディスク原盤１０３から剥離させた後に所定の加工を施し、ディスク原盤１０３の凹凸パターンが転写された成型用のスタンパ１０４を得る（図３０（ｆ））。
そのスタンパ１０４を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板１０５を成形する（図３０（ｇ））。
その後、スタンパ１０４を剥離し（図３０（ｈ））、その樹脂製ディスク基板の凹凸面にＡｇ合金などの反射膜１０６（図３０（ｉ））と、膜厚０．１ｍｍ程度の保護膜１０７とを成膜することにより光ディスクを得る（図３０（ｊ））。即ちピット列が形成された再生専用ディスクや、グルーブが形成された記録可能型のディスクが製造される。
【００２８】
このような製造工程において、ディスク原盤１０３の製造に用いられるレジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。
例えば、遷移金属の酸化物として化学式ＭｏＯ3を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ3の酸化状態を組成状態を組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合とする。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。
このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、無機レジストでありながら現像工程において露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られる。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。
【００２９】
ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。
上述のようにレジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００３０】
このような光ディスク製造工程において、本例では、図３０（ｃ）（ｄ）の原盤製造工程（マスタリング工程）でディスク原盤１０３が製造される。なお本例のマスタリング工程は、後述する原盤製造装置によりＰＴＭ(Phase Transition Mastering)方式が用いられる。ＰＴＭ方式について簡単に説明しておく。
【００３１】
例えばＣＤ（Compact Disc）方式やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)方式などのディスクを製造する際には、まずフォトレジストを塗布したディスク原盤を用意し、マスタリング装置（原盤製造装置）によってディスク原盤上にガスレーザ等の光源からレーザーを照射し、ピットに応じた露光パターンを形成していった。この場合、連続発振レーザーであるレーザ光源からのレーザ光を、例えばＡＯＭ（Acousto-Optical Modulator）で光強度変調し、強度変調されたレーザ光を光学系によってディスク原盤に導き、露光する。即ち、ＡＯＭにはピット変調信号である例えばＮＲＺ(Non Return to Zero)変調信号を与え、このＡＯＭによってレーザ光がピットパターンに対応した強度変調を受けることで、原盤上ではピット部分のみが露光されていく。
例えば図３１（ｂ）には１つのピット形状を示しているが、ＡＯＭで変調されたレーザ発光強度は図３１（ｃ）のようになる。原盤上のフォトレジストの露光はいわゆる光記録であるため、図３１（ｃ）のようなレーザにより露光された部分が、そのままピットとなる。
【００３２】
一方、ＰＴＭ方式では、無機レジストを塗布したディスク原盤に対して、半導体レーザからのレーザ光を照射し、熱記録としての露光を行う。
この場合、レーザ照射による熱の蓄積を抑圧してピット幅の均一化を計るために、通常図３１（ａ）に示すようなパルス光で露光する。即ちこの場合には、一般にクロックに同期したＮＲＺ変調信号が、そのＨレベルの長さに応じてクロック周期より短い時間幅のパルス信号へ変換され、変換されたパルス変調信号に同期して直接変調可能な半導体レーザーへ電力供給される。これによって図３１（ａ）のような与熱用のパルス発光Ｐｐと、ピット長に応じた加熱用のパルス発光Ｐ１〜Ｐｎとしてのレーザ出力が行われる。
【００３３】
［２．原盤製造装置の構成］
ＰＴＭ方式でマスタリングを行う本例の原盤製造装置の構成例を図１に示す。この原盤製造装置は、上記図３０（ｃ）（ｄ）のマスタリング工程において、無機レジストを塗布したディスク原盤１０３に対してレーザ照射による熱記録動作により、ピットパターンやグルーブパターンの露光を行う。
また、この原盤製造装置は、後述する基準原盤１０３Ｒの作成を行うこともできる。基準原盤１０３Ｒは、芯出しに用いる原盤である。芯出しとは、この原盤製造装置において、スライダ４５が原点位置にあるときに、レーザ光の照射位置がスピンドル回転中心に一致するように、スライダの原点位置調整（ｘ方向調整）や、光学系（ピックアップヘッド１０）の位置調整（ｙ方向調整）を行うことである。
図３０で説明したマスタリング工程に先立って、基準原盤１０３Ｒを用いて原盤製造装置で芯出し調整が行われることで、その後原盤製造装置により適切な精度のディスク原盤１０３が製造できることになる。
なお、図１ではマスタリング工程においてピット列としての凹凸パターンを形成する原盤製造装置の構成例を説明する。
【００３４】
原盤製造装置には、ピックアップヘッド１０が取り付けられる。ピックアップヘッド１０は破線部として示す構成を備える。
ピックアップヘッド１０内において、半導体レーザとしてのレーザ光源１１は、例えば波長４０５ｎｍのレーザーを出力するものとされる。このレーザ光源１１には、例えばＲＬＬ（１−７）ｐｐ等のＮＲＺ変調信号が図３１（ａ）のようにパルス変調信号に変換されたレーザ駆動信号ＤLが供給され、このレーザ駆動信号ＤLに則って発光する。
レーザ光源１１から出射したレーザ光は、コリメータレンズ１２で平行光とされた後、アナモルフィックプリズム１３でスポット形状が例えば円形に変形され、偏光ビームスプリッタ１４に導かれる。
そして偏光ビームスプリッタ１４を透過した偏光成分は、λ／４波長板１４，ビームエキスパンダ１６を介して対物レンズ２６に導かれ、この対物レンズ２６で集光されてディスク原盤１０３（無機レジスト層１０２が形成された原盤形成基板１００）上に照射される。
なお、基準原盤１０３Ｒを作成する際や、芯出し調整を行う際には、対物レンズ２６で集光されたレーザ光は基準原盤１０３Ｒ上に照射されることになる。
【００３５】
上記のように対物レンズ２６を介してディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に照射される波長４０５ｎｍのレーザ光源１１からのレーザ光は、ディスク原盤１０３上で焦点を結ぶことになる。ディスク原盤１０３はシリコンウェハ上に金属酸化物からなる無機レジストを成膜したもので、４０５ｎｍのレーザービームを吸収することで、照射部の特に中心付近の高温に加熱された部分が多結晶化する。
即ち、対物レンズ２６で集光されたレーザ光スポットによる熱記録で、ピット列としての露光パターンがディスク原盤１０３上に形成されていく。
なお、図３０（ｄ）で述べたように、露光されたディスク原盤１０３をＮＭＤ３等のアルカリ現像液で現像することにより、露光した部分のみが溶出し、所望のピット形状としての凹凸パターンが形成されるものである。
【００３６】
偏光ビームスプリッタ１４において反射された偏光成分は、モニタディテクタ１７（レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ）に照射される。モニタディテクタ１７は、受光した光量レベル（光強度）に応じた光強度モニタ信号ＳMを出力する。
【００３７】
一方、ディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に照射されたレーザ光の戻り光は、対物レンズ２６，ビームエキスパンダ１６、λ／４波長板１４を通過して偏光ビームスプリッタ１４に達する。この場合、λ／４波長板１４を往路と復路で２回通過していることで偏光面が９０°回転されており、偏光ビームスプリッタ１４で反射されることになる。偏光ビームスプリッタ１４で反射された戻り光は集光レンズ１８，シリンドリカルレンズ１９を介してフォトディテクタ２０の受光面に受光される。
フォトディテクタ２０の受光面は、例えば４分割受光面を備え、非点収差によるフォーカスエラー信号を得ることができるようにされている。
フォトディテクタ２０の各受光面では、受光光量に応じた電流信号を出力して反射光演算回路２１に供給する。
反射光演算回路２１は、４分割の各受光面からの電流信号を電圧信号に変換すると共に、非点収差法としての演算処理を行ってフォーカスエラー信号ＦＥを生成し、そのフォーカスエラー信号ＦＥをフォーカス制御回路２２に供給する。
フォーカス制御回路２２は、フォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、対物レンズ２６をフォーカス方向に移動可能に保持しているアクチュエータ２９のサーボ駆動信号ＦＳを生成する。そしてアクチュエータ２９がサーボ駆動信号ＦＳに基づいて、対物レンズ２６を原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に対して接離する方向に駆動することで、フォーカスサーボが実行される。
【００３８】
また反射光演算回路２１は、４分割の各受光面の受光光量の電圧信号を加算して、反射光レベルを示す反射光量検出信号を生成し、これを接続された外部のオシロスコープ２００に供給する。オシロスコープ２００は、基準原盤１０３Ｒを用いた芯出しを行う際に作業者が戻り光波形を観測するために接続されるものである。
【００３９】
レーザ光源１１に対するレーザ駆動信号ＤLは、記録データ生成部４３，レーザ駆動パルス発生部４２、レーザドライバ４１により生成される。
記録データ生成部４３は、ディスク原盤１０３にピット露光パターンとして記録するデータＤＴを出力する。例えば主データとして映像信号や音声信号、さらには物理情報、管理情報等のデータを出力する。
データＤＴは、レーザ駆動パスル発生部４２に供給される。レーザ駆動パスル発生部４２は、データＤＴに基づいて、実際にレーザ光源１１をパルス発光駆動するためのレーザ駆動パルスを生成する。即ち図３１（ａ）に示したように、形成するピット長に応じて、予熱用パルスＰｐとパルスＰ１〜Ｐｎとしてのタイミング及び光強度でレーザ発光が行われるようにするためのパルス波形を生成する。
このレーザ駆動パルスはレーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、レーザ駆動パスルに基づいてレーザ光源１１としての半導体レーザに対して駆動電流を印加する。これによって、レーザ駆動パルスに応じた発光強度でのレーザのパルス発光が行われることになる。
またモニタディテクタ１７から得られた光強度モニタ信号ＳMは、レーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、光強度モニタ信号ＳMを基準値と比較することでレーザ発光強度を所定レベルに保つ制御を行う。
なお、レーザドライバ４１は、例えば０．０１ｍＷ間隔で、レーザーパワーを可変できるものとされている。
ディスク原盤１０３にマスタリング記録を行う場合や、基準原盤１０３Ｒを作成する際には、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して記録パワー（例えば９〜１０ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。また基準原盤１０３Ｒを用いて芯出しを行う際には、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して再生パワー（例えば０．５ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。
【００４０】
ディスク原盤１０３（基準原盤１０３Ｒ）は、スピンドルモータ４４によって回転駆動される。スピンドルモータ４４は、スピンドルサーボ／ドライバ４７によって回転速度が制御されながら回転駆動される。これによってディスク原盤１０３は例えば一定線速度で回転される。
スライダ４５は、スライドドライバ４８によって駆動され、ディスク原盤１０３が積載された、スピンドル機構を含む基台全体を移動させる。即ち、スピンドルモータ４４で回転されている状態のディスク原盤１０３は、スライダ４５で半径方向に移動されながら上記光学系によって露光されていくことで、露光されるピット列によるトラックがスパイラル状に形成されていくことになる。
スライダ４５による移動位置、即ちディスク原盤１０３の露光位置（ディスク半径位置：スライダ半径位置）はセンサ４６によって検出される。センサ４６による位置検出情報ＳＳはコントローラ４０に供給される。
【００４１】
コントローラ４０は、この原盤製造装置の全体を制御する。即ち、記録データ生成部４３からのデータ発生動作の指示、レーザ駆動パルス発生部４２での処理の制御、レーザドライバ４１に対してのレーザパワー設定、スピンドルサーボ／ドライバ４７によるスピンドル回転動作制御、スライドドライバ４８によるスライダ４５の移動動作の制御等を行う。
メモリ４９は、コントローラ４０において実行されるプログラムコードを格納したり、実行中の作業データを一時保管するために使用される。この図の場合、メモリ４９は、例えばプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、演算ワーク領域や各種一時記憶のためのＲＡＭ（Random Access Memory）、ＥＥＰ−ＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）等の不揮発性メモリを含むものとして示している。
【００４２】
図２は、原盤製造装置におけるピックアップヘッド１０、スライダ４５、スピンドルモータ４４の配置を示している。
原盤製造装置では、基台部６０に対してピックアップヘッド１０が取り付けられる。基台部６０に取り付けられたピックアップヘッド１０の下方には、スピンドルテーブル６１に積載されたディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）が位置する。
このスピンドルテーブル６１がスピンドルモータ４４によって回転されることでディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）が回転される。
スピンドルテーブル６１及びスピンドルモータ４４は、スライダ４５に搭載された状態となっている。このスライダ４５がスライド軸６２に沿って原盤の半径方向に移動されることで、スピンドルモータ４４及び原盤配置部６１が移送され、ピックアップヘッド１０とディスク原盤１０３（基準原盤１０３Ｒ）の相対位置が半径方向に移動される。
このスライダ４５の移動方向をｘ方向とする。
芯出しの際のｘ方向の調整は、スライダ４５の移動の原点位置を調整するものとなる。換言すれば、スライダ４５が原点位置にあるときに、ピックアップヘッド１０からのレーザ光の照射位置としてのｘ方向の位置が、スピンドルモータ４４の回転中心に一致するように調整する。
【００４３】
一方、芯出しの際のｙ方向（原盤平面上でｘ方向と直交する方向）の調整は、ピックアップヘッド１０の取付位置の調整によって行う。
基台部６０とピックアップヘッド１０を図３，図４に示している。
図３に示すように、ピックアップヘッド１０の筐体は、上部筐体１０ａ、下部筐体１０ｂ及び取付部１０ｃを有して成る。図１の対物レンズ２６やアクチュエータ２９は下部筐体１０ｂ内に配置されている。
取付部１０ｃには、その４隅に取付ネジ５２の挿通孔５１が形成されている。この挿通孔５１は、ｙ方向に長孔とされる。例えばｙ方向に１ｍｍの範囲でピックアップヘッド１０の基台部６０に折り付ける位置を可変調整できるようにする長孔である。
【００４４】
基台部６０は中央に、ピックアップヘッド１０の下部筐体１０ｂが挿通できる中央孔６１が形成され、また４隅に、取付ネジ５２に対応するネジ孔６２が形成されている。
また基台部６０のｙ方向の両側面には板状部６３が形成され、この板状部６３にはマイクロメータ６５が取り付けられている。
【００４５】
図４は、基台部６０にピックアップヘッド１０が取り付けられた状態を示している。
即ちピックアップヘッド１０の下部筐体１０ｂが図３に示した基台部６０の中央孔６１に挿通され、取付部１０ｃが基台部６０の上面に積載される状態で、取付ネジ５２が挿通孔５１を介して基台部６０のネジ孔６２に噛合することで、ピックアップヘッド１０が取り付けられた状態である。
上記のように取付部１０ｃの挿通孔５１は、ｙ方向の径が長い長孔とされていることで、ピックアップヘッド１０の取付位置は、ｙ方向に調整可能である。
【００４６】
ｙ方向の微調整は２つのマイクロメータ６５を用いて行うことができる。
マイクロメータ６５は、取付部１０ｃをそれぞれ両側から押圧できるように板状部６３に取り付けられている。
つまり、ｙ方向に両側から２箇所それぞれのマイクロメータ６５，６５でピックアップヘッド１０（取付部１０ｃ）を押してｙ方向位置を調整する。
片方のマイクロメータ６５によりピックアップヘッド１０を押すときは、もう片方のマイクロメータ６５を緩めて押せるマージンを確保してから行う。逆も同様である。
後述する芯出しの際のｙ方向の調整は、２つのマイクロメータ６５、６５によって、ピックアップヘッド１０からのレーザ光の照射位置としてのｙ方向の位置が、スピンドルモータ４４の回転中心に一致するように調整するものとなる。
【００４７】
［３．基準原盤の作成］
例えば上記図１と同様の構成の原盤製造装置を用いて、芯出しに使用する基準原盤１０３Ｒを作成する。基準原盤１０３Ｒの作成について図５〜図７を参照して説明する。
図５は基準原盤１０３Ｒを示している。
この基準原盤１０３Ｒは、その原盤中心を中心とした正方形の領域が平行線描画領域３００とされる。
この平行線描画領域３００を拡大したものが図６である。
ここでは一例として、直線Ｌ（Ｌ２０、Ｌ２１・・・Ｌ０、Ｌ−１、Ｌ−２・・・・Ｌ−２０）として示す４１本の直線Ｌが記録された状態を示している。
各直線Ｌ（Ｌ２０・・・Ｌ−２０）は全て２ｍｍの長さの平行線とされる。線幅は例えば１μｍとされる。また各直線の間隔Ｐ（物理的な太さとしての線幅のある各直線の中心線から中心線までのピッチ）は５０μｍとする。
このような各直線Ｌにより、平行線描画領域３００は２ｍｍ四方の正方形の領域となる。
【００４８】
図７に、このような基準原盤１０３Ｒの作成手順を示す。
図７のステップＦ１０１として、まず基準原盤１０３Ｒとする原盤を生成する。即ち無機レジスト膜が形成された原盤を用意する。
基準原盤の基板は、例えばシリコンで、厚みを0.725ｍｍ、形状を直径２００ｍｍの円形とする。例えばこのシリコン基板上に、７０ｎｍ厚のシリコンをスパッタし、さらに７０ｎｍ厚のレジスト材料をスパッタする。レジスト材料はタングステンとモリブデンを含む不完全酸化物である。
【００４９】
ステップＦ１０２では、基準原盤を記録装置にセットし、円形の基準原盤１０３Ｒの原盤中心位置を見いだす。なお記録装置では、基準原盤に、１μｍ線幅を記録するための所定の記録パワー、スキャン速度、記録方式を設定する。
記録装置としては、レーザーマーカー、電子ビーム露光装置などの記録装置を使用できる。ここでは、上記図１〜図４で説明したように、Ｙ方向位置制御機構とスライダＸ方向制御機構を備えた原盤製造装置を記録装置として想定する。
【００５０】
ステップＦ１０３では、基準原盤１０３Ｒの表面のなす平面をXY平面とみなして、直行するｘ軸とｙ軸を定義し（方向は任意)）、原盤中心位置をＸＹ平面の原点Ｏとする。
そしてステップＦ１０４以降で平行線の描画を行う。
まずステップＦ１０４で、変数ｍ＝−２０とする。
そしてステップＦ１０５で、ｙ座標値を、ｙ＝（ｍ×５０）μｍに固定した状態で、ｘ＝−１ｍｍからｘ＝＋１ｍｍまでの２ｍｍ長の直線を露光する。
即ち、まずｙ＝−１０００μｍに固定し、レーザ光照射を行いながらスライダ４５を−１ｍｍ〜＋１ｍｍまで移動させることで、図６の直線Ｌ−２０の露光を行う。
【００５１】
ステップＦ１０６で変数ｍ＝＋２０でない場合、つまり平行線描画を完了していなければ、ステップＦ１０７で変数ｍを＋１してステップＦ１０５の作業を行う。
従って、次はｙ＝−９５０μｍに固定し、レーザ光照射を行いながらスライダ４５を−１ｍｍ〜＋１ｍｍまで移動させることで、図６の直線Ｌ−１９の露光を行う。
以降、同様に、ｙ値を５０μｍずつ変化させながら、同様に露光を行っていくことで、変数ｍ＝＋２０としての露光を終えた時点で、図６の直線Ｌ−２０〜Ｌ２０の４１本の直線が露光されたことになる。
これによってステップＦ１０６から図７の処理を終える。
以上の手順で、原盤中心の２ｍｍ四方の領域に５０μｍ間隔の４１本の平行線（Ｌ−２０〜Ｌ２０）が記録できたことになる。
【００５２】
各直線Ｌ−２０〜Ｌ２０は、全ての直線同士の間隔を等しくする必要がある。上記例では、間隔Ｐ＝５０μｍとしたが、この間隔Ｐは２０μｍ〜１３０μｍの範囲内で決めればよい。
その根拠は次のとおりである。後に図２９を用いて述べるが、ディスク上、半径２０ｍｍより外側において、ディスク上半径精度誤差を０．１μｍ以内に抑えるには、レーザ光位置のｙ方向誤差を６５μｍ以下にすればよい。
また、後述するように芯出し時の芯ずれ量の精度は、平行線の間隔ＰについてＰ／２未満ということが出来る。
よってｙ方向誤差を６５μｍ以下とするには、平行線の間隔の最大値は６５μｍ×２＝１３０μｍとすればよい。
またピックアップヘッド１０のＹ方向調整機構として最小目盛幅１０μｍのマイクロメータ６５を使うことを想定しているとすると、再現性と精度を確保してＹ方向位置調整するには、平行線間隔は少なくとも２０μｍ以上が必要である。
これらのことから間隔Ｐは２０μｍ〜１３０μｍの範囲内とする。
【００５３】
各直線Ｌ自体の線幅については、これがあまりに太すぎると、基準原盤１０３Ｒの回転中心が直線Ｌ上に位置する場合が生じて芯出しが出来ない状況が生じやすい。
平行線の間隔をＰ、各直線の線幅をＷとすると、基準原盤１０３Ｒを回転させたときに基準原盤１０３Ｒの回転中心が直線Ｌ上に位置する確率はＷ／Ｐである。これを１０％未満にするためには、Ｗ＜（Ｐ／１０）であればよい。
つまり各直線Ｌの線幅Ｗはなるべく細いほうがよいが、太くても平行線間隔Ｐの０．１倍未満にしておくことが望ましい。
なお、後述する芯出しの際に、原盤製造装置にチャッキングされた基準原盤１０３Ｒの回転中心が直線Ｌ上に位置する可能性は常に付きまとう。
本例の場合、その状況であると、芯出し時に「レーザ光が交差する直線の本数」をゼロとするような調整が適切にできないことがあるが、その場合は、基準原盤１０３Ｒを装着しなおして再度調整を行えばよいため、回転中心が直線Ｌ上に位置する可能性があることは、大きな問題ではない。
【００５４】
ところで、図７のステップＦ１０１〜Ｆ１０７で形成される基準原盤１０３Ｒは、各直線Ｌ−２０〜Ｌ２０を露光記録した状態である。
図８（ａ）に原盤基板１００上の無機レジスト層１０２に、レーザ光によって露光記録された露光部分１１１を模式的に示している。
無機レジスト層１０２の場合、レーザ光の露光によって、露光部分１１１は１０ｎｍ程度、僅かにもりあがる現象があり、この露光によって反射率が変化する。即ち図８（ａ）で非露光部分の反射率Ｒｆ１と、露光部分１１１の反射率Ｒｆ２は異なるものとなる。このため、現像を行わなくとも、戻り光波形として、レーザ光が直線Ｌに交差する状況を観測できる。従って、現像（エッチング）しない状態でも、基準原盤１０３Ｒとして使用できる。
【００５５】
但し、図７の処理により各直線Ｌ−２０〜Ｌ２０の露光記録を行った後、エッチング処理を行って図８（ｂ）の状態としてもよい。例えばエッチング処理は、トリメチルアンモニウムハイドロキサイド溶液にて１２分間行う。
この場合、反射率Ｒｆ１、Ｒｆ２の差が大きくなり、戻り光波形として各リングをより容易に観測できるようになる。
【００５６】
さらには、エッチング処理の後に、その上で反射膜１１０をスパッタ形成した図８（ｃ）の状態としてもよい。反射膜１１０は無機材料又は金属材料を用いればよい。例えばタングステン、モリブデン、チタンなどを含む酸化物あるいは窒化物などの無機材料や、アルミニウム、銀などを含む合金よりなる金属材料である。
この場合、反射率Ｒｆ１、Ｒｆ２の差がより大きくなり、戻り光波形として各リングをさらに容易に観測できるようになる。
さらには、エッチングせずに、図８（ａ）の状態の表面に、無機材料や金属材料による反射膜を形成してもよい。
【００５７】
なお、上記例では基準原盤１０３Ｒは、２ｍｍ四方の平行線描画領域３００に直線Ｌ−２０〜Ｌ２０の４１本を記録するものとしたが、これに限られない。
例えば３００μｍの長さの７本の直線を、５０μｍ間隔で平行に描画するような例も考えられる。この場合、平行線描画領域３００は、３００μｍ四方の正方形領域となる。
【００５８】
また本例では、基準原盤１０３Ｒに無機レジストを使用しているが、無機レジストを使用することによる利点を記しておく。
無機レジストを使用すれば、量産に使う原盤１０３とレジスト材料の組み合わせを流用して基準原盤１０３Ｒを作ることができるので、原盤の装着、フォーカス、偏芯による回転時のダイナミックアンバランスなど、量産時と同じ条件で一通りの調整手順を行うことができる。
【００５９】
また無機レジストを使用すれば、基準原盤１０３Ｒの露光後、現像の手順を経なくても、反射光により平行線を検出することができる。上記のように無機レジストの場合、露光部分が膨張して変形するからである。さらに、現像して露光部を除去することで平行線部における反射率の低下率をより大きくすることもできる。
有機レジストの場合は、レジスト材料がやわらかく形状を保持できないので、現像して形状変化させたとしても量産に使うレジスト付き原盤をそのまま基準原盤として用いることができず、何らかの手段で基準原盤に形状を転写する必要があるので、無機レジストほど簡便ではない。
但し、有機レジストを用いて基準原盤１０３Ｒを作成することも原理的には可能である。
【００６０】
［４．基準原盤を用いた芯出し調整］
上記の基準原盤１０３Ｒを用いて原盤製造装置の芯出しが行われる。
図９、図１０は芯出しの手順を示している。以下、図９、図１０の各ステップに沿いつつ、図１１以降を参照しながら芯出し調整方式を説明していく。
【００６１】
まずＸＹ平面と原点を定義する。基準原盤１０３Ｒをスピンドルテーブル６１上に装着したときの基準原盤表面を含む平面内において、スライダ４５によるスライド移動方向をＸ軸、これに垂直な方向をＹ軸、スピンドル回転中心位置座標を（ｘ，ｙ）＝（ａ，０）とする。ａとは後述にあるようにスライダＸ軸方向座標がゼロ（ｘ＝０）のときのピックアップヘッド１０より原盤表面に出射されるビームのｘ方向位置である。つまりビームのｘ原点位置と、原盤回転中心位置のｘ座標のずれ量に相当する。
【００６２】
図９のステップＦ２０１として、原盤製造装置へのピックアップヘッド１０の装着、及び基準原盤１０３Ｒの装着が行われる。
【００６３】
まずピックアップヘッド１０を基台部６０に取り付ける。ピックアップヘッド１０のＹ方向位置は、目分量で稼動範囲の中間位置に調整する。
なおピックアップヘッド１０を基台部６０に装着する取付ネジ５２はこの時点では、緩やかに締めておく。
上述のようにピックアップヘッド１０を原盤製造装置に取り付ける際には、４箇所を取付ネジ５２でネジ止めするが、取付ネジ５２の挿通孔５１はｙ方向に長い穴を採用しており、ｘ方向位置は固定したままでｙ方向のみの位置調整を行うことができるようにしてある。ピックアップヘッド１０のｙ方向位置調整機構として、マイクロメータ６５が取り付けてあり、１０μｍの最小目盛幅で＋方向にも−方向にも位置合わせを行うことが出来る。
【００６４】
またスピンドルテーブル６１には基準原盤１０３Ｒを搭載する。
そして図１に示したように、ピックアップヘッド１０で得られる戻り光信号がオシロスコープ２００で観測できるようにする。
【００６５】
基準原盤１０３Ｒを搭載したら、レーザ出力をリードパワー＝０．５ｍＷにより原盤表面にフォーカスさせ、スピンドルモータ４４を６００ｒｐｍで回転させ、原盤表面からの反射光強度をオシロスコープ２００にてモニタする。
そしてスライド位置：ｘ方向、ピックアップヘッド位置：ｙ方向を動かして、基準原盤１０３Ｒの中心位置の平行線の戻り光波形を見つける。
【００６６】
露光された部分つまり直線Ｌが記録された部分は、まわりの未露光部つまりミラー部に比べて光散乱の影響を大きく受けるために反射率が落ちる。このため図１１（ｂ）に示すような戻り光波形が観測されることになる。
図１１（ａ）はスピンドルインデックスパルスとよぶパルス波形で、その周期はスピンドルモータの１回転に同期している。スピンドル回転速度が６００ｒｐｍのとき、１周期は１００ｍｓｅｃである。
【００６７】
ここで、「回転中心からのレーザ照射位置（ビーム位置）までの距離」と１回転あたりにレーザ光が「交差する直線の本数」の関係について述べておく。
「回転中心からのビーム位置まで距離」と１回転あたりにビームが「交差する直線の本数」の関係のグラフを図１２に示す。
２ｍｍ四方の平行線描画領域３００の中心、つまり４１本の平行線の中央にある直線の中間点が回転中心に完全に一致したものとし、直線の幅を０と仮定し、レーザ光の軌跡が直線と接する場合には交差しないとみなす。
図１３には、平行線描画領域３００の中心を回転中心ＲＣとした状態で、各種のビーム位置の状態でのレーザ光の軌跡（ビーム軌跡）を示している。
【００６８】
回転中心ＲＣに対してビーム位置が十分に遠方にあれば「交差する直線の本数」はゼロである。例えば図１３でビーム軌跡ＬＣ１のような状態である。
回転中心ＲＣからビーム位置が１ｍｍ×√２＝１．４１４ｍｍの距離に或る状態は、ビーム軌跡ＬＣ２のようになり、レーザ光は１回転期間に４回交差する。即ち直線Ｌ２０に２回、直線Ｌ−２０に２回交差する。
回転中心ＲＣからビーム位置が１．４１４ｍｍよりも近づくにつれて交差する本数が増加し、最大８０を数えて以降は減少して最終的には２本となる。
例えばビーム軌跡ＬＣ３は、ビーム軌跡ＬＣ２より交差する本数が増えている。そしてビーム軌跡ＬＣ４の状態で、交差本数は８０となる。
また、よりビーム位置が回転中心ＲＣに近づいた状態のビーム軌跡を、ビーム軌跡ＬＣ５、ＬＣ６，ＬＣ７として示しているが、これらからわかるように、交差本数は徐々に減っていき、ビーム軌跡ＬＣ７では、交差本数は最小の２本となる。
このような回転中心ＲＣからのビーム位置の距離と、交差する本数を示したものが図１２となる。
【００６９】
但し、この図１２のグラフでは、図１３のように直線Ｌ０の真上に回転中心ＲＣがあると仮定しているが、実際にはスピンドルテーブル６１への基準原盤装着時の芯ずれ（偏芯）と、上述した基準原盤１０３Ｒの作成時（平行線描画時）のための記録装置への装着の際の位置ずれが起こるため、このように直線Ｌ０の真上に回転中心ＲＣがくることは稀である。現実的には平行線同士の間の領域に回転中心ＲＣが位置し、回転中心ＲＣ付近においてはレーザ光が「交差する直線の本数」がゼロになるのが殆どである。
【００７０】
例えば図１６（ａ）には、４１本の平行線の中央にある直線Ｌ０の中間点から２５μｍの距離に回転中心ＲＣがある場合を示している。
図１６（ａ）のように、回転中心ＲＣから２つの平行線Ｌ０，Ｌ１までの距離は２５μｍと等しい状態である。
例えばビームの位置が回転中心ＲＣから３０μｍ程度の距離にある場合に、ビーム軌跡ＬＣ１１の状態になり、交差本数は４本となる。
またビームの位置が回転中心ＲＣから２５μｍ未満の距離にあると、例えばビーム軌跡ＬＣ１０のような状態になり、交差本数は０本となる。
このように回転中心ＲＣが、２つの平行線の中間にある状況において、「回転中心ＲＣからのビーム位置までの距離」と１回転あたりにビームが「交差する直線の本数」の関係は図１４に示すようになる。
【００７１】
ところが、回転中心ＲＣが２本の平行線から完全に等距離になることも稀である。現実的には回転中心は２本の平行線のうちどちらかに近い位置になることが殆どである。
例えば図１６（ｂ）には、４１本の平行線の中央にある直線Ｌ０の中間点から１２．５μｍの距離に回転中心ＲＣがある場合を示している。
この場合、ビーム軌跡ＬＣ２２では交差本数は４本、ビーム軌跡ＬＣ２１では交差本数は２本となる。
そして、ビーム位置が回転中心ＲＣから１２．５ｕｍ未満の距離にあると、ビーム軌跡ＬＣ２０のような状態になり、交差本数は０本となる。
このように回転中心ＲＣが、４１本の平行線の中央にある直線Ｌ０の中間点から１２．５μｍの距離にある状況において、「回転中心ＲＣからのビーム位置までの距離」と１回転あたりにビームが「交差する直線の本数」の関係は図１５に示すようになる。
そしてこの図１５のグラフとなる状況が最も通常の状況となる。
つまり、図１４，図１５から、交差する本数が０となった状態が、最もビーム位置が回転中心ＲＣに近い状況であることがわかる。
【００７２】
図９に戻って説明を続ける。
ステップＦ２０２では、スピンドル回転速度を６００ｒｐｍとして回転させたまま、スライダ移動速度を１００μｍ／ｓにセットして、スライダ位置Ｘ＝２ｍｍからＸ＝０ｍｍまでスライダ４５を移動させる。そしてこのときの戻り光波形を観測する。すると、スライダ４５の位置に応じて、図１５に示したような交差本数の変化が観測される。即ち交差本数が増大してから減少する傾向が得られる。
観測される交差本数を「ｎ」とすると、図１５のように、交差本数ｎは０から増大していき、８０本となった後、また減少していくことになる。なお、この時点では調整前であり、ｙ方向の位置ズレがあるため、Ｘ＝０ｍｍの付近であっても、交差本数が０となるとは限らない。
【００７３】
また、スライダ位置Ｘ＝２ｍｍからＸ＝０ｍｍまでスライダ４５を移動させても、交差本数ｎが０から増大していき、その後減少していくという状態が観測できないこともある。そのような場合はステップＦ２０３からＦ２０７に進み、基準原盤１０３Ｒの装着し直し、又はピックアップヘッド１０の装着のし直しを行ってステップＦ２０２からやり直す。
一方、交差本数ｎが０から増大していき、その後減少していくという状態が観測できた場合は、ステップＦ２０３からＦ２０４に進み、実際の芯出しのための調整を行う。
【００７４】
ここで本例の芯出しの考え方について述べておく。
基準原盤１０３Ｒの装着時において、回転中心ＲＣから最も近い直線Ｌまでの距離を「ｄ」とする。平行線の間隔Ｐは５０μｍであるため、距離ｄの範囲は０＜ａ＜２５μｍである。
スライドのＸ方向およびピックアップヘッド１０のＹ方向の位置を調整して、回転中心ＲＣ付近で交差本数ｎをゼロにすることができれば、ビーム位置の芯ずれ量は少なくとも「ｄ」以下、つまりこの場合には２５μｍ未満にすることができる。
距離ｄの値はその都度の基準原盤１０３Ｒの装着状態によるが、２５μｍ未満であることは自明である。
よって基準原盤１０３Ｒの装着状態に依存せずに、ビーム位置の芯ずれ量を２５μｍ未満に調整することが可能といえる。
一般的には、２５μｍに相当する量、つまり芯出し時の芯ずれ量の精度は、平行線の間隔Ｐに対して、Ｐ／２ということが出来る。
【００７５】
ステップＦ２０４では、スライダ４５のＸ方向位置を動かしながら、回転中心付近で、交差本数ｎを最小にするようなＸの範囲：ｘｍｉｎ＜ｘ＜ｘｍａｘ探す。
そして、その範囲の中間位置  ｘ＝（ｘｍｉｎ＋ｘｍａｘ）／２にスライダ４５のＸ方向位置を定める。
この動作を図１７を参照して説明する。
今、基準原盤１０３Ｒの回転中心ＲＣが図１７に示す位置にあるとする。また、この時点ではｙ方向の調整前であるが、ビーム位置が、ｙ方向には、回転中心ＲＣから矢印ｑだけずれているとする。
この状態でスライダ４５をＸ方向に移動させると、ビーム位置は、図の一点鎖線のように動くことになる。なお、図面上では一点鎖線は直線Ｌに平行に示しているが、基準原盤１０３Ｒ（即ち各直線Ｌ）は回転していることに注意されたい。
このステップＦ２０４では、スライダ４５のＸ位置を段階的に移動させながら、各位置で交差本数ｎを確認するという作業を行う。図中、Ｘａ〜Ｘｇは、スライダ４５が認識しているＸ座標値である。
今、スライダ４５がＸ＝Ｘａの位置に移動された状態を考えると、回転している基準原盤１０３Ｒに対してのレーザ光は、ビーム軌跡ＬＣ３２として示すように照射される。この場合、交差本数ｎ＝６となる。
また、スライダ４５がＸ＝Ｘｂの位置に移動された状態では、ビーム軌跡ＬＣ３１となるため、観測される交差本数ｎ＝４となる。
このようにスライダ４５を順次Ｘ方向に移動させながら交差本数ｎを確認する。
この図１７の場合、スライダ４５の位置が、Ｘｂ，Ｘｃ，Ｘｄ，Ｘｅ，Ｘｆの各場合において、交差本数ｎ＝４となる。
一方、スライダ４５の位置が、Ｘａより図中左側とされた場合や、Ｘｇより図中右側に移動されるにつれ、交差本数ｎは増えていく。
【００７６】
この時点では、ｙ方向調整前であるため、必ずしも交差本数ｎの最小値はゼロとはならない。例えば図１７の場合は、交差本数ｎの最小値はｎ＝４となる。
ステップＦ２０４では、このようにスライダ４５を移動させながら交差本数ｎを確認していき、交差本数ｎを最小にするＸの範囲：ｘｍｉｎ＜ｘ＜ｘｍａｘ探すわけであるが、この場合、ｘｍｉｎ＝Ｘｂ、ｘｍａｘ＝Ｘｆとなる。
そして、その範囲の中間位置  ｘ＝（ｘｍｉｎ＋ｘｍａｘ）／２にスライダ４５のＸ方向位置を定めるということは、スライダ４５を回転中心ＲＣのＸ座標値に位置させるということになる。
これによってＸ方向の調整が行われたことになる。
【００７７】
次にステップＦ２０５でｙ方向の調整を行う。
この場合は、ピックアップヘッド１０のＹ方向位置調整用のマイクロメータ６５を動かして、交差本数ｎを最小にするようなＹの範囲：ｙｍｉｎ＜ｙ＜ｙｍａｘ探す。上記Ｘ方向と同様の作業である。
そしてｙｍｉｎ、ｙｍａｘとしての位置を見つけたら、その範囲の中間位置ｙ＝（ｙｍｉｎ＋ｙｍａｘ）／２にＹ方向位置を定める。
これによってＹ方向の調整が行われたことになる。
【００７８】
ステップＦ２０５でＹ方向の調整を行ったら、ステップＦ２０６では、交差本数ｎを確認する。上記ステップＦ２０４でＸ方向の調整が行われ、ステップＦ２０５でＹ方向の調整が行われたことで、本来は、このステップＦ２０５の時点で観測される交差本数ｎ＝０となっているはずである。
もしステップＦ２０６で交差本数ｎがゼロでない場合は、レーザ光が直線Ｌの幅の直上に位置しているか、あるいはＸ方向の調整が正しく行われていないことが原因の可能性が高い。例えば図１２，図１３で述べたように、非常に稀ではあるが、回転中心ＲＣが直線Ｌ上となった場合、観測される交差本数ｎ＝０にはならない。また、Ｘ方向の調整が適切でない場合は、回転中心ＲＣとビーム位置がずれていることから、当然、交差本数ｎ＝０とならない。
このため、状況に応じてステップＦ２０７に進み、ピックアップヘッド１０の取り付けあるいは基準原盤１０３Ｒの装着からやり直す。
【００７９】
ステップＦ２０６で交差本数ｎ＝０となっていれば、ビーム位置は回転中心ＲＣに一致（許容できる誤差範囲内で一致）していることになる。
つまり位置調整は終了である。その場合、ステップＦ２０６から図１０のステップＦ２０８に進み、以後、スライダＸ方向位置補正（スライダ４５の原点校正）とピックアップヘッド１０のＹ方向ずれ量見積もりを行う。
スライダＸ方向位置補正とは、スライダ４５がスライド原点位置（ｘ＝０）と認識する位置が、回転中心ＲＣに一致する位置に補正する動作である。
【００８０】
ステップＦ２０８の説明に先立って図２７を参照する。
図２７には、回転中心ＲＣと、第一近線ＬＮ１、第二近線ＬＮ２を示してる。
基準原盤１０３Ｒの平面内にてスライダ４５をＸ方向に動かしたときのビーム位置の軌跡がなす直線をｘ軸とみなす。数ある平行線の内、回転中心ＲＣからの距離が最も近い直線Ｌを第一近線ＬＮ１と呼ぶ。おなじく第一近線ＬＮ１の次に近い直線を第二近線ＬＮ２と呼ぶ。
なお図２７の「ａ」は、回転中心のＸ座標、つまりピックアップヘッド１０のＸ方向ずれ量に相当する。
【００８１】
図１０のステップＦ２０８では、スライダ４５をＸ方向を動かしながら、スピンドル回転中心ＲＣを中心とする円形をなすビーム軌跡を想定し、これが第一近線ＬＮ１の中心線と接するときのＸ座標の値、Ｘ1pとＸ1mを求める。ただしＸ1p＞Ｘ1mである。
第一近線ＬＮ１の中心線と接するときのビーム軌跡は、図２７の第一内接円ＮＣ１に相当する。
また、ステップＦ２０９では、同様に円形を成すと想定するビーム軌跡が第二近線ＬＮ２の中心線と接するときのＸ座標の値、Ｘ2pとＸ2mを求める。ただしＸ2p＞Ｘ2mである。第二近線ＬＮ２の中心線と接するときのビーム軌跡は、図２７の第二内接円ＮＣ２に相当する。
【００８２】
ここで、ピックアップヘッド１０のＸ方向およびＹ方向ずれはゼロ（つまり、回転中心ＲＣにビーム位置が一致している）と仮定した上で、回転中心ＲＣと第一近線ＬＮ１との距離が１２．５μｍであるとしたときの波形の見え方の例を図１８〜図２５に示す。
【００８３】
図１８は、スライダ位置Ｘ＝０の場合を示している。
図１８（ｃ）に示すように、回転中心ＲＣは、第一近線ＬＮ１との距離が１２．５μｍで第二近線ＬＮ２との距離が３７．５μｍである。そしてピックアップヘッド１０のＸ方向およびＹ方向ずれをゼロと仮定すれば、スライダ４５を移動させた場合のビーム位置は、図の一点鎖線のように移動する。
まずスライダ位置Ｘ＝０とは、ビーム位置が回転中心ＲＣに一致している状態である。従って基準原盤１０３Ｒが回転しても、ビーム位置は常に回転中心ＲＣにある。このため図１８（ａ）（ｂ）に示すように、１回転周期内で戻り光波形により観測される交差本数ｎ＝０となる。
【００８４】
図１９は、スライダ位置がＸ＝１２．５μｍの直前の位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図１９（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３０として示すようになされる。このとき、図１９（ｄ）に模式的に示すように、ビームの一部が第一近線ＬＮ１の一部と接する。
このため図１９（ａ）（ｂ）に示すように、１回転周期内で戻り光波形により観測される交差本数ｎ＝１となるが、ビームスポットの一部が第一近線ＬＮ１にかかるだけであるため、反射光量変化は少なく、その波形レベルは小さい。
【００８５】
図２０は、スライダ位置がＸ＝１２．５μｍの位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２０（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３１として示すようになされる。このとき、図２０（ｄ）に模式的に示すように、ビーム中心の軌跡ＢＣが第一近線ＬＮ１の中心線と接する。
このため図２０（ａ）（ｂ）に示すように、１回転周期内で戻り光波形により観測される交差本数ｎ＝１となる。ビームスポットが第一近線ＬＮ１に完全にかかるため、反射光量変化は大きく、その波形レベルは大きい。
【００８６】
図２１は、スライダ位置がＸ＝１２．５μｍの直後の位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２１（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３２として示すようになされる。このとき、図２１（ｄ）に模式的に示すように、ビーム中心の軌跡ＢＣが第一近線ＬＮ１の中心線と２回交差する状態となる。
このため１回転周期内で観測される戻り光波形は、図２１（ａ）（ｂ）に示すようになる。
【００８７】
図２２は、スライダ位置がＸ＝２５μｍの位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２２（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３３として示すようになされ、第一近線ＬＮ１の中心線と完全に２回交差する状態となる。
このため１回転周期内で観測される戻り光波形として、図２１（ａ）（ｂ）に示すように交差本数ｎ＝２が観測される。
【００８８】
図２３は、スライダ位置がＸ＝３７．５μｍの直前の位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２３（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３４として示すようになされ、第一近線ＬＮ１の中心線と完全に２回交差するとともに、ビームの一部が第二近線ＬＮ２の一部と接する（図１９（ｄ）と同様の状態）。
このため１回転周期内で観測される戻り光波形は図２３（ａ）（ｂ）に示すようになり、第一近線ＬＮ１との２回の交差と、第二近線ＬＮ２と接した状態が観測される。第二近線ＬＮ２に対しては、ビームスポットの一部がかかるだけであるため、反射光量変化は少なく、その波形レベルは小さい。
【００８９】
図２４は、スライダ位置がＸ＝３７．５μｍの位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２４（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３５として示すようになされ、第一近線ＬＮ１の中心線と完全に２回交差するとともに、ビームの中心線の軌跡が第二近線ＬＮ２の中心線と接する（図２０（ｄ）と同様の状態）。
このため１回転周期内で観測される戻り光波形は図２４（ａ）（ｂ）に示すようになり、第一近線ＬＮ１との２回の交差と、第二近線ＬＮ２との１回の交差として交差本数ｎ＝３が観測される。
【００９０】
図２５は、スライダ位置がＸ＝３７．５μｍの直後の位置である場合を示している。
この場合、基準原盤１０３Ｒに対するレーザ光照射は、図２５（ｃ）のビーム軌跡ＬＣ３６として示すようになされ、第一近線ＬＮ１の中心線と完全に２回交差するとともに、ビームの中心線の軌跡が第二近線ＬＮ２の中心線と２回交差する（図２１（ｄ）と同様の状態）。
このため１回転周期内で観測される戻り光波形は図２５（ａ）（ｂ）に示すようになる。
【００９１】
現実には、ピックアップヘッド１０のＸ方向およびＹ方向ずれが発生しており、上記図１８〜図２５の場合として記したＸ座標の値は正確ではないが、戻り光波形の見え方の傾向は同じである。
そして図２０に相当するスライド位置で図２０（ｂ）のような戻り光波形が得られるＸ座標が図１０のステップＦ２０８で求めるＸ1pであり、これと反対方向で同じ波形が得られるＸ座標がＸ1mである。
また、図２４に相当するスライド位置で図２４（ｂ）のような戻り光波形が得られるＸ座標がステップＦ２０９で求めるＸ2p、これと反対方向で同じ波形が得られるＸ座標がＸ2mである。
【００９２】
ここで、次のようにパラメータを設定して方程式を解く（図２６，図２７，図２８）。
「ｐ」を、図２６に示すように平行線の間隔（第一近線ＬＮ１と第二近線ＬＮ２の間隔とする。
「ｄ」を、図２６に示すように基準原盤１０３Ｒの装着時における、回転中心ＲＣから最も近い直線（第一近線ＬＮ１）までの距離とする。
「ａ］を、図２７に示すように、回転中心ＲＣのＸ座標、つまりピックアップヘッドのＸ方向ずれ量とする。
「ｂ」を、ピックアップヘッド１０のＹ方向ずれ量とする。これは図２８のようにスライダ４５でＸ方向にビームを動かしたときにビーム位置と回転中心ＲＣが最も近づいたときの距離に相当する。
【００９３】
図２８に示す「ｃ１」は、上記「ｄ」を斜辺、「ｂ」を一辺とする直角三角形の残りの一辺の長さである。
ｃ１＝（Ｘ1p−Ｘ1m）／２
図２８に示す「ｃ２」は、上記「ｐ」「ｄ」「ｂ」について、ｐ−ｄを斜辺、ｂを一辺とする直角三角形の残りの一辺の長さである。
ｃ２＝（Ｘ2p−Ｘ2m）／２
【００９４】
図２７を参照し、
（Ｘ1p＋Ｘ1m）／２＝ａ１
（Ｘ2p＋Ｘ2m）／２＝ａ２
とすると、
図形の対称性から、
ａ１＝ａ２＝ａ
となる。
【００９５】
ピタゴラスの定理により、図２８において、
ｂ2＋ｃ１2  ＝ｄ2
ｂ2＋ｃ２2  ＝（ｐ−ｄ）2
これを解くと、
ｄ＝（ｐ2＋ｃ１2−ｃ２2）／２ｐ
｜ｂ｜＝√（ｄ2−ｃ１2）
となる。
【００９６】
図１０のステップＦ２１０では、上記のａ１とａ２の差を確認する。
本来は、ａ１とａ２は一致するはずであり、｜ａ１−ａ２｜＝０となるはずである。ただし平行線の寸法精度や測定誤差により、ａ１とａ２が一致しない場合もあるが、ステップＦ２１０では、
｜ａ１−ａ２｜＜５μｍ
であればＯＫとする。もし、ａ１とａ２の差が５μｍ以上であれば、ステップＦ２０８から測定をやり直す。ａ１とａ２の差が５μｍ未満であればＯＫとする。例えばａの値は、ａ１とａ２の平均値の値とすればよい。
【００９７】
ステップＦ２１１では、上記Ｙ方向ずれ量「ｂ」について、
｜ｂ｜＜６５μｍ
を満たしているか否かを確認する。満たしていなければステップＦ２０８から測定をやり直す。｜ｂ｜＜６５μｍとする理由は後述する。
【００９８】
｜ａ１−ａ２｜＜５μｍであり、また｜ｂ｜＜６５μｍであれば、この結果を元にスライダ４５の原点位置校正を行う。
即ちステップＦ２１２では、現時点のスライダ原点位置の座標値から「ａ」を減じた値を新たな原点位置の座標値として置き換えればよい。
例えば、スライダ原点位置がそれまで１２０．５００［ｍｍ］であったとしたら、これを１２０．５００−ａ［ｍｍ］に置き換える。
【００９９】
この校正の後、ステップＦ２１３以降で今一度確認を行う。
ステップＦ２１３、Ｆ２１４で、ステップＦ２０８、Ｆ２０９と同様にＸ1p、Ｘ1m、Ｘ2p、Ｘ2mを測定してａ１、ａ２を求める。
そしてステップＦ２１５で、ａ１、ａ２の値を確認し、
｜ａ１｜＜５μｍ
｜ａ２｜＜５μｍ
を満たしていればよいとする。５μｍの限度はディスクの寸法規格、スライダの位置精度を考慮したものである。
また、ステップＦ２１６で、念のため「ｂ」を計算して｜ｂ｜＜６５μｍであることを確認する。
これでＯＫであれば、一連の芯出し及びスライダ原点校正を終える。
もし、ステップＦ２１５，Ｆ２１６でＮＧとなった場合は、ステップＦ２０８からやり直す。
なお、ステップＦ２１０，Ｆ２１１、Ｆ２１５，Ｆ２１６でＮＧとなった場合、図９のステップＦ２０７に戻って、基準原盤１０３Ｒの装着し直し、或いはピックアップヘッド１０の装着し直しを行い、ステップＦ２０２からの作業をやり直すことも考えられる。
【０１００】
上記のようにＹ方向ずれ量ｂについて、｜ｂ｜＜６５μｍとする条件について図２９を用いて説明する。
レーザ光照射位置（芯ずれ）のｘ方向誤差を０と仮定したときに、ディスク原盤１０３上で半径２１ｍｍより外周の領域においてｘ方向誤差を０．１μｍ以内とするために許容されるｙ方向ずれは、最大６５μｍである。図２９に示す半径ｒについて、
ｒ2＝ｘ2＋ｂ2   (ｒ＞０) であるから、
ｘ＝２１ｍｍ、ｒ−ｘ＝０．１μｍのとき、
ｂ2＝ｒ2−ｘ2＝21000.12−210002＝4200.01であり、
｜ｂ｜＝64.8 [μｍ]
よって、｜ｂ｜＜６５μｍであれば、半径２１ｍｍより外周側の領域において、ｘ方向誤差は０．１μｍ以内となる。
つまり、ステップＦ２１１、Ｆ２１６で｜ｂ｜＜６５μｍを条件とするのは、芯出し調整後に、ディスク原盤１０３上で、半径２０ｍｍより外側において半径精度誤差を０．１μｍ以内に抑えるためである。
【０１０１】
以上の説明からわかるように本実施の形態では、原盤製造装置において、中心付近に平行線描画領域３００として５０μｍ程度の等間隔に記録した直線Ｌ−２０〜Ｌ２０を有する基準原盤１０３Ｒを用いて戻り光をモニタしながらビーム位置を、回転中心付近にてどの平行線とも交差しない位置に調整する。
つまり回転中心付近において「交差する直線の本数」をゼロにするだけで調整を行うことができる。そしてその調整精度は平行線間隔の半分未満である。
また、平行線描画領域３００の原盤反射による戻り光波形から、レーザ光照射位置を確実に把握して、これを調整にいかすことができる。つまり戻り光波形をもってビーム位置調整にフィードバックが可能。これは調整が容易であることを意味する。
【０１０２】
また幾何学的な計算により、ビーム位置と原盤回転中心位置とのずれ量を見積もることが出来る。この見積もられたずれ量は、いわゆる「0点カット」から得られるずれ量の測定値に十分近い値を示す。つまり「０点カット」の手間を省いてずれ量を正確に見積もることが可能である。
また、リング状ジグを用いた芯出し手法に比べても、追い込みの手法が直感的に理解しやすい。
また、原盤装着時の偏芯によらず、芯出しが可能である。リング状ジグを用いた芯出し手法では、原盤装着時の偏芯＝±１０μｍ以内を想定していたが、本方式では±１００μｍ程度の偏芯があっても問題なく芯出しを行うことができる。
そしてこれらのことから、本例の芯出し調整方式では、芯出しに要する時間は０．５時間程度で済む。また芯出し手法を習得するのに要する労力は、従来のリング状ジグを用いたものよりも、およそ半分で済むこととなった。
【０１０３】
以上の実施の形態について説明したが、本発明は実施の形態に限定されること無く、請求項に記載した発明の要旨の範囲内で各種の変形例が考えられる。
また、上記図１の原盤製造装置は、ピット列の凹凸パターンを有するディスク原盤１０３、つまり再生専用ディスクの製造に用いるディスク原盤１０３の原盤製造装置として説明し、その芯出しを行う例を説明したが、もちろんライトワンスディスクやリライタブルディスクの製造のためのディスク原盤１０３を作成する原盤製造装置についても、基準原盤１０３Ｒを用いた同様の方式で芯出しを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施の形態の原盤製造装置のブロック図である。
【図２】実施の形態の原盤製造装置の取り付け構造の説明図である。
【図３】実施の形態のピックアップヘッドと基台部の説明図である。
【図４】実施の形態のピックアップヘッドのＹ方向調整の説明図である。
【図５】実施の形態の基準原盤の説明図である。
【図６】実施の形態の基準原盤の平行線描画領域の説明図である。
【図７】実施の形態の基準原盤作成手順のフローチャートである。
【図８】実施の形態の基準原盤の各例の説明図である。
【図９】実施の形態の芯出し手順のフローチャートである。
【図１０】実施の形態の芯出し手順のフローチャートである。
【図１１】実施の形態の戻り光波形の説明図である。
【図１２】実施の形態のビーム位置と交差本数の関係の説明図である。
【図１３】実施の形態のビーム軌跡と直線の交差状況の説明図である。
【図１４】実施の形態のビーム位置と交差本数の関係の説明図である。
【図１５】実施の形態のビーム位置と交差本数の関係の説明図である。
【図１６】実施の形態のビーム軌跡と直線の交差状況の説明図である。
【図１７】実施の形態のＸ方向調整の説明図である。
【図１８】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図１９】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２０】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２１】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２２】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２３】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２４】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２５】実施の形態のビーム位置に応じた戻り光波形の説明図である。
【図２６】実施の形態の回転中心と第一近線の距離及び平行線間隔の説明図である。
【図２７】実施の形態の原点校正の作業の説明図である。
【図２８】実施の形態の原点校正でのパラメータの説明図である。
【図２９】実施の形態のＹ方向ズレ量の条件の説明図である。
【図３０】実施の形態の光ディスク製造工程の説明図である。
【図３１】ＰＴＭマスタリングの説明図である。
【図３２】従来の芯出しの説明図である。
【図３３】従来の芯出しの説明図である。
【図３４】従来の他の芯出しの説明図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  ピックアップヘッド、１１  レーザ光源、２１  反射光演算回路、２２  フォーカス制御回路、２６  対物レンズ、４０  コントローラ、４１  レーザドライバ、４２  レーザ駆動パルス発生部、４３  記録データ生成部、４４  スピンドルモータ、４５  スライダ、４６  センサ、６０  基台部、６１  スピンドルテーブル、６５  マイクロメータ、１０３  ディスク原盤、１０３Ｒ  基準原盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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