(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリであって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも２つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータと
を含み、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている能動減衰システムアセンブリ。
【請求項２】
前記インタフェースマスは前記構造物に減衰バネを介して取り付けられている、
請求項１記載の能動システムアセンブリ。
【請求項３】
前記反作用物体は基盤フレームであり、前記アクチュエータは、前記基盤フレームと前記インタフェースマスとの間に接続されている、
請求項１又は２記載の能動減衰システムアセンブリ。
【請求項４】
前記インタフェースマスが環状である、請求項１〜３のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
【請求項５】
前記能動ダンパが投影システムの周囲に一様に分布されている、請求項１〜４のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
【請求項６】
４以上の能動ダンパを備え、２以上のインタフェースマス各々が前記投影システムに弾性的に取り付けられ、さらに前記４以上の能動ダンパのうちの少なくとも２つが、前記２以上のインタフェースマスの各々に接続されている、請求項１〜５のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
【請求項７】
前記構造物が投影システムである、請求項１〜６のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
【請求項８】
放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリとを備えるリソグラフィ装置であって、
前記能動減衰システムアセンブリが、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも２つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータと
を含み、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている、リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記構造物が投影システムである、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記投影システムの周囲を囲むように、前記投影システムの周囲に対して少なくとも２つの弾性接続を用いて前記投影システムに取り付けられたインタフェースマスと、
前記投影システムの少なくとも一部分の振動を減衰させる複数の能動ダンパとを備え、
前記複数の能動ダンパの各々が、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータとを備え、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている、投影アセンブリ。
【請求項１１】
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰アセンブリであって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも２つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと、
モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを有する多変数制御装置と、
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサ、および、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいてインタフェースマスに力を加えるように構成されたアクチュエータと
を含む能動減衰アセンブリ。
【請求項１２】
前記構造物が投影システムである、請求項１１に記載の能動減衰アセンブリ。
【請求項１３】
前記投影システムがリソグラフィ装置の部分である、請求項１２に記載の能動減衰アセンブリ。
【請求項１４】
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるように２以上の能動ダンパを制御する方法であって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも２つの弾性接続を用いて前記構造物に弾性的に少なくとも１つのインタフェースマスを取り付け、
前記インタフェースマスにそれぞれ接続された複数のセンサを使用して前記インタフェースマスの位置量を測定し、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間にそれぞれ取り付けられた複数のアクチュエータを使用して、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加え、
モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを備える多変数制御装置を設け、
前記センサの出力信号を前記モード分離マトリックスに、前記モード分離マトリックスの出力を前記複数のモード制御装置に、さらに前記モード制御装置の出力を前記モード結合マトリックスを介して前記アクチュエータに供給することによって、前記出力信号に基づいて前記アクチュエータを作動させること、を含む方法。
【請求項１５】
多変数制御装置を設けることが、前記構造物および前記インタフェースマスの動力学に基づいて前記モード結合および分離マトリックスを決定することを含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、構造物と２以上の能動減衰システムの組合せ、リソグラフィ装置および投影アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板に、通常基板のターゲット部分に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合には、代わりにマスクまたはレチクルと選択的に呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のチップの部分を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射敏感材料（レジスト）の層への結像によっている。一般に、単一基板は、連続してパターニングされる隣り合うターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナがあり、ステッパでは、各ターゲット部分に光が当てられて、ターゲット部分に全パターンが一度に露光され、スキャナでは、各ターゲット部分に光が当てられて、放射ビームによってパターンが所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンされ、同時に同期してこの方向に対して平行または反平行に基板がスキャンされる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィで現在目的とされている高精度高分解能を得るために、パターニングデバイス（例えば、マスク）を保持するためのレチクルステージ、投影システム、および基板を保持するための基板テーブルのようなリソグラフィ装置の部分を互いに正確に位置決めすることが望ましい。例えばパターニングデバイス（例えば、レチクル）ステージおよび基板テーブルの位置決めは別にして、このことは、また、投影システムに対する要求をもたらすことがある。現在の具体化では投影システムは、レンズマウント（透過光学系の場合）またはミラーフレーム（反射光学系の場合）などの支持構造と、レンズ要素、ミラー、その他のような複数の光学エレメントとから成る。動作中に、投影システムは、複数の原因のために振動を受けやすいことがある。例として、リソグラフィ装置内の部分の動きは、投影システムが取り付けられているフレームの振動、基板ステージまたはパターニングデバイス（例えば、レチクル）ステージのようなステージの動き、またはそれらの加速／減速を引き起こすことがあり、これらは、ガス流および／または乱流および／または音響波を引き起こして投影システムに影響を及ぼすことがある。そのような外乱は、投影システム全体の振動または投影システムの部分の振動を引き起こすことがある。そのような振動によって、レンズ要素またはミラーの変位が引き起こされることがあり、この変位が、今度は、イメージング誤差、すなわち、基板へのパターン投影の誤差の原因になることがある。
【０００４】
[0004]  一般に、投影システムまたはこれの部分の振動を減衰させるために、減衰システムが設けられる。さらに、受動減衰システム、または能動減衰システム、または受動減衰システムと能動減衰システムの組合せが、多くの形で知られているように設けられることがある。この文献で、能動減衰システムという用語は、振動の影響を検出または決定するデバイス（例えば、位置センサ、速度センサ、加速度センサ、その他）と、制動されるべき構造物またはこれの部分に作用するアクチュエータとを含む減衰システムとして理解されるべきであり、このアクチュエータは、センサによって供給される信号に依存して例えば制御装置によって駆動される。センサによって供給される信号に依存してアクチュエータを駆動することによって、投影システムまたはこれの部分に対する振動の影響は、ある程度軽減されるか、または打ち消されることがある。そのような能動減衰システムの例は、帰還ループによって実現されることがある。センサが位置量（投影システムまたはこれの部分の位置、速度、加速度、ジャーク、その他のような）を供給し、この位置量が制御装置に送り込まれ、制御装置が、アクチュエータを駆動するための制御装置出力信号を生成し、そして次に、アクチュエータは、帰還ループが実現されるように投影システムまたはこれの部分に作用する。制御装置は、どんな型の制御装置によって形成されてもよく、さらに、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、または任意の他のプログラマブルデバイスによって実行されるソフトウエアで実現されてもよく、または専用ハードウエアによって実現されてもよい。
【０００５】
[0005]  帰還ループの安定性を得ることが望ましい。すなわち、リンギングおよび／または振動が起こらないようにされた帰還ループの周波数挙動を実現することが望ましい。同時に、能動減衰システムの高帯域幅が望ましい。というのは、高帯域幅の能動減衰システムはそのような高帯域幅内で振動を抑制することができるからである。リソグラフィ装置の速さに対する要求が絶えず大きくなっているために、リソグラフィ装置内の動きは、より高速で、したがってより速い遷移を含んで起こる傾向があり、このことは、結果として、ますます高い周波数の振動の発生となることがある。したがって、能動減衰システムのさらに高い帯域幅に向けて要求が現れる。
【０００６】
[0006]  起きる現象は、例えばレンズ、ミラーおよび／または他の光学エレメント、レンズマウントおよび／またはミラーマウント、レンズ本体のような投影システムのハウジング、その他を含んだ様々な部分から投影システムが一般に組み立てられることである。その結果、投影システムの周波数挙動は、極端な低周波で剛体マスとしてスタートし、それによって、投影システムが取り付けられているフレームは固定界からすでに切り離されていると想定して、投影システムに作用する力から投影システムの速度までの、周波数に逆比例した伝達関数を生成する。共振周波数範囲では、投影システムの共振が観察され、この共振の後に、周波数が高くなるにつれて複数のさらに他の共振が続くことがあり、それによって全体的に伝達関数の大きさの増加をもたらす。事実上、共振周波数範囲から離れるにつれて、投影システムは、もはや単一物体として挙動せず、代わりに、各々投影システムの要素の共振に対応する様々な共振現象を示す。この結果として、周波数が高いほど、伝達関数に「寄与」する残りマスは小さくなり、このことは、共振周波数範囲より上の周波数範囲において投影システムに作用する力から投影システムの速度までの伝達関数の大きさが、周波数が高くなるにつれて大きくなることの説明であると考えることができる。
【０００７】
[0007]  当業者が理解するように、投影システムの共振を減衰させることができるほど十分に高い能動減衰システムの帯域幅を実現しようとするとき、先に概略説明したように投影システムの周波数挙動は、結果として安定性の問題を引き起こすことがある。伝達関数は、投影システムに作用する力の関数として例えば投影システムの速度によって表されることがある。留意されたいことであるが、伝達関数は、また、投影システムに対する力の結果としての投影システムの加速度などの他の任意の適切な量でも表されることがある。その場合、伝達関数の低周波挙動は、周波数に無関係であることを示し、その後に、共振周波数範囲およびこの共振周波数範囲よりも上での伝達関数の増加（複数の共振ピークを示す）が続く。
【０００８】
[0008]  投影システムの振動を減衰させるために２以上の能動減衰システムが設けられるとき、特に能動減衰システムは１つの主方向で減衰作用を行うように構成されることが多いので、全体的な減衰性能は一般に向上する。したがって、２以上の能動減衰システムを設けることによって、対応する数の方向で改善された減衰が得られる可能性がある。しかし、減衰性能に対する要求が高まるにつれて、様々な能動減衰システムの減衰作用は、投影システムの内部動力学によっても互いに影響し合うことがあることが明らかになっている。そのような相互影響は、やはり全体的な減衰性能にマイナスの影響を及ぼすことがある。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  複数の能動減衰システムの組合せの全体的な減衰性能が改善される構造物と２以上の減衰システムの組合せを提供することが望ましい。
【００１０】
[0010]  本発明の実施形態に従って、構造物と、この構造物に取り付けられたインタフェースマスと、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムまたはダンパとの組合せが提供され、この能動減衰システムまたはダンパは、インタフェースマスの位置量を測定するためのセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるためのアクチュエータを含み、この組合せは、各々インタフェースマスに接続されている１つまたは複数のさらに他の能動減衰システムまたはダンパを含む。
【００１１】
[0011]  本発明の実施形態に従って、放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、さらに、構造物と、この構造物に取り付けられたインタフェースマスと、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムまたはダンパとの組合せを含み、この能動減衰システムまたはダンパは、インタフェースマスの位置量を測定するためのセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるためのアクチュエータを含み、この組合せは、各々インタフェースマスに接続されている１つまたは複数のさらに他の能動減衰システムまたはダンパを含む。
【００１２】
[0012]  本発明の実施形態に従って、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、インタフェースマスと、投影システムの少なくとも一部分の振動を減衰させる減衰システムまたはダンパと含む投影アセンブリが提供され、この減衰システムは、インタフェースマスの位置量を測定するセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータを含み、この組合せは、各々インタフェースマスに接続されている１つまたは複数のさらに他の能動減衰システムまたはダンパを含む。
【００１３】
[0013]  本発明の実施形態に従って、構造物と、この構造物に取り付けられた少なくとも１つのインタフェースマスと、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる２以上の能動減衰システムまたはダンパとの組合せが提供され、能動減衰システムまたはダンパは、インタフェースマスの位置量を測定するセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータを含み、この組合せは、モード分離マトリックス、いくつかのモード制御装置およびモード結合マトリックスを含む多変数制御装置を含む。
【００１４】
[0014]  本発明の実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるように２以上の能動減衰システムまたはダンパを制御する方法が提供され、この方法は、構造物に少なくとも１つのインタフェースマスを取り付け、インタフェースマスの位置量を測定するセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータを設け、モード分離マトリックス、いくつかのモード制御装置およびモード結合マトリックスを含む多変数制御装置を設けるステップと、センサの出力信号をモード分離マトリックスに、モード分離マトリックスの出力をいくつかのモード制御装置に供給し、さらにモード制御装置の出力をモード結合マトリックスを介してアクチュエータに供給することによって、センサの出力信号に基づいてアクチュエータを作動させることを含む。
【００１５】
[0015]  本発明の実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリが提供され、この能動減衰システムアセンブリは、構造物に取り付けられたインタフェースマスの位置量を測定するセンサと、センサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータとを各々が含む複数の能動ダンパを含み、複数の能動ダンパの各々はインタフェースマスに接続されている。
【００１６】
[0016]  本発明の実施形態に従って、放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリとを含むリソグラフィ装置が提供され、この能動減衰システムアセンブリは、構造物に取り付けられたインタフェースマスの位置量を測定するセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータを各々が含む複数の能動ダンパを含み、複数の能動ダンパの各々はインタフェースマスに接続されている。
【００１７】
[0017]  本発明の実施形態に従って、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、インタフェースマスと、投影システムの少なくとも一部分の振動を減衰させる複数の能動ダンパとを含む投影アセンブリが提供され、複数の能動ダンパの各々は、インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、センサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータとを含み、複数の能動ダンパの各々はインタフェースマスに接続されている。
【００１８】
[0018]  本発明の実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰アセンブリが提供され、この能動減衰アセンブリは、構造物に取り付けられたインタフェースマスの位置量を測定するセンサおよびセンサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加えるアクチュエータを各々が含む２以上の能動ダンパと、モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを備える多変数制御装置とを含む。
【００１９】
[0019]  本発明の実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるように２以上の能動ダンパを制御する方法が提供され、この方法は、構造物に少なくとも１つのインタフェースマスを取り付け、センサを使用してインタフェースマスの位置量を測定し、アクチュエータを使用して、センサによって供給される信号に依存してインタフェースマスに力を加え、モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを備える多変数制御装置を設けるステップと、センサの出力信号をモード分離マトリックスに、モード分離マトリックスの出力を複数のモード制御装置に、さらにモード結合マトリックスを介してモード制御装置の出力をアクチュエータに供給することによって、センサの出力信号に基づいてアクチュエータを作動させることを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  ここで、本発明の実施形態が、添付の模式的な図面を参照して、単なる例示として説明される。図面では、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【００２１】
【図１】[0021]本発明の実施形態が組み込まれることがあるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0022]能動減衰システムを示す図である。
【図３】[0023]リソグラフィ装置の投影システムの伝達関数を示す周波数プロットである。
【図４】[0024]図２に従った能動減衰システムが見るようなリソグラフィ装置の投影システムの伝達関数を示す周波数プロットである。
【図５】[0025]投影システム、インタフェースマスおよび３つの能動減衰システムの組合せを示す図である。
【図６】[0026]構造と２以上の能動減衰システムの組合せのアクチュエータを作動させる制御方式を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0027]  図１は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射または任意の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートすなわちマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを含む。本装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴすなわち基板サポートを含む。本装置は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のチップを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００２３】
[0028]  照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型または他の型の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々な型の光学コンポーネントを含むことができる。
【００２４】
[0029]  パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件に依存したやり方で、パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械技術、真空技術、静電技術または他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは、必要に応じて固定されても、または可動であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
【００２５】
[0030]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作るために、パターンを放射ビームの断面に与えるために使用することができる任意のデバイスを意味するものとして、広く解釈されるべきである。留意すべきことであるが、放射ビームに与えられたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに必ずしも対応していないことがある。例えばパターンが位相シフト用のフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、そうである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００２６】
[0031]  パターニングデバイスは透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られており、マスクには、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）シフトのようなマスクの型、並びに様々なハイブリッドマスクのタイプがある。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、この小さなミラーの各々は、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができる。傾いたミラーが、ミラーマトリックスで反射された放射ビームにパターンを与える。
【００２７】
[0032]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射または、液浸液の使用または真空の使用のような他の要素に適切であるような、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型および静電型の光学システム、またはこれらの任意の組合せを含んだ投影システムの任意のタイプを含むものとして広く解釈されるべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００２８】
[0033]  ここで示すように、本装置は透過型である（例えば、透過マスクを使用する）。代わりに、本装置は反射型であることがある（例えば、上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）。
【００２９】
[0034]  リソグラフィ装置は、２個（デュアルステージ）またはもっと多くの基板テーブルすなわち「基板サポート」（および／または２個またはもっと多くのマスクテーブルすなわち「マスクサポート」）を有する型であってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルすなわちサポートは並列に使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルすなわちサポートが露光に使用されている間に、１つまた複数の他のテーブルすなわちサポートで準備ステップを行うことができる。
【００３０】
[0035]  リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板の間のスペースを満たすように比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部が覆われることがある型のものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばパターニングデバイス（例えば、マスク）と投影システムの間にも使用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を高めるために使用することができる。本明細書で使用されるような「液浸」という用語は、基板などの構造物が液体中に沈められなければならいことを意味するのではなく、それどころか、露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するだけである。
【００３１】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源がエキシマレーザであるときなど放射源およびリソグラフィ装置は別個の実体であってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成していると考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含んだビームデリバリシステムＢＤを使用して、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合には、放射源が水銀ランプであるときなど放射源は、リソグラフィ装置の一体化部分であることがある。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要な場合にはビームデリバリシステムＢＤと一緒にして、放射システムと呼ばれることがある。
【００３２】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、σ−outer、σ−innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の部品を含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の一様性および強度分布を持つように放射ビームを調節することができる。
【００３３】
[0038]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、そしてパターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、この投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば放射ビームＢの経路の中に異なったターゲット部分Ｃを位置付けするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭおよび他の位置センサ（図１にはっきり示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置付けすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」の移動は、第２の位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナに対して）の場合には、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストローク用アクチュエータだけに接続されてもよく、または、固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、これらの専用ターゲット部分は、ターゲット部分とターゲット部分の間のスペースに位置付けすることができる（これらの専用ターゲット部分は、けがき線アライメントマークとして知られている）。同様に、２以上のチップがマスクＭＡに設けられる状況では、マスクアライメントマークはチップ間に位置付けされることがある。
【００３４】
[0039]  図示の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
【００３５】
[0040]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートおよび基板テーブルＷＴすなわち基板サポートは基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴすなわち基板サポートはＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３６】
[0041]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートおよび基板テーブルＷＴすなわち基板サポートは同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートに対する基板テーブルＷＴすなわち基板サポートの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定されることがある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の（スキャン方向の）縦幅が決定される。
【００３７】
[0042]  ３．他のモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、そして基板テーブルＷＴすなわち基板サポートは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、動かされるか、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、そしてプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
【００３８】
[0043]  上述の使用モードの組合せおよび／または変形、あるいは全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００３９】
[0044]  図２は、投影システム１の非常に模式的な図を示し、この例では投影システム１は計測フレーム２中に保持されている。投影システム１は、任意の適切なデバイス、例えば剛性マウント、弾性マウント、その他によって計測フレーム２中に保持されることがある。任意の物体、好ましくは剛性マスを含むことがあるインタフェースマス３が、弾性接続４、好ましくは減衰接続によって投影システム２に接続されている。
【００４０】
[0045]  投影システム１の振動の能動減衰を行うために、能動減衰システム５が設けられる。能動減衰システム５は、センサ６、制御装置７およびアクチュエータ８を含む。能動減衰システム５は、一般に能動「ダンパ」と呼ばれることがある。
【００４１】
[0046]  投影システム１の振動は、通常、インタフェースマス３の振動を引き起こし、センサ６によって感知される。同じことが、投影システムの部分（レンズ要素、ミラー、または任意の他の部分のような）の振動について当てはまり、この振動は、同様にインタフェースマス３の振動を引き起こすことがある。そのような振動はセンサ６によって感知されることがあり、このセンサ６は、位置測定センサ、速度測定センサ、加速度測定センサ、その他などの任意の型の振動センサであってもよい。センサ信号に基づいてインタフェースマス３に作用するアクチュエータ８が設けられる。
【００４２】
[0047]  図示の実施形態では、アクチュエータ８は、リソグラフィ装置の基盤フレーム９（しかし、任意の他の反作用物体または他の基準が利用されてもよい）とインタフェースマス３の間に接続されている。反作用マスとして慣性マス、すなわち、反作用マスの慣性を利用してアクチュエータ８で加えられる力に対して反対に作用するようにアクチュエータに接続されたマスを設けることも可能である。その場合、少なくともアクチュエータ８の反作用力の方向で慣性マスの動きを可能にするように、慣性マスは、例えば板バネによってインタフェースマス３に接続されることがある。
【００４３】
[0048]  アクチュエータ８は、圧電アクチュエータ、モータ、その他などの任意の適切な型のアクチュエータであってもよく、好ましい実施形態ではローレンツアクチュエータが使用される。その理由は、ローレンツアクチュエータは基盤フレーム９およびインタフェースマス３にそれぞれ接続されたそれぞれの部分に対して無接触作用を行うことができるので、それによって、基盤フレーム９、他の反作用物体または基準とインタフェースマス３との間に機械的接触を設けない無接触アクチュエータが実現可能であるからである。
【００４４】
[0049]  アクチュエータ８は、センサ６によって供給される信号に依存した適切な制御装置７を使用して駆動される。
【００４５】
[0050]  インタフェースマス３と投影システム１の間に弾性接続４を設けることによって、ある特定の減衰周波数より上の周波数範囲において、投影システムの部分の振動および共振の効果的な分離が実現されることがある。弾性接続４の減衰周波数（すなわち、投影システム１からインタフェースマス３への振動の伝達がそれより上で実質的に減少する周波数）を能動減衰システムの帯域幅よりも低く設計することによって、すなわち、言い換えると、接続４の減衰周波数を超える能動減衰システム５の帯域幅を生成することによって、その周波数帯域で実質的に共振の無い挙動から利益を得て、能動減衰システム５の安定動作を助長することができる。インタフェースマス３と投影システム１の間の弾性接続４は、好ましくは、減衰バネなどのバネを含む。
【００４６】
[0051]  センサ６およびアクチュエータ８は、投影システム１に直接接続されるのではなく、インタフェースマス３に接続され、そして次にインタフェースマス３が弾性接続４によって投影システム１に接続されるので、以下の効果が得られる。特定の減衰周波数よりも下では、伝達関数の挙動は、まるでセンサ６およびアクチュエータ８が投影システム１に直接取り付けられているかのようになる。投影システム１の振動は、インタフェースマス３に対応する振動を引き起こし、逆にインタフェースマス３の振動は投影システム１に対応する振動を引き起こす。この減衰周波数よりも上では、センサ６は、もはや投影システム１またはこれの部分の振動および共振を実測しないか、または実質的に実測しない。というのは、アクチュエータ８からセンサ６までの実測されるような周波数挙動は、弾性接続４によって投影システムから実質的に分離されるからである。
【００４７】
[0052]  例として、図３は、投影システムが取り付けられているフレームがすでに固定界から切り離されているものと想定して、投影システム１に作用する力から投影システム１の速度までの、周波数に逆比例する伝達関数ＴＦを示している。共振周波数範囲では、投影システムの共振ＲＥＳが実測され、その後に、周波数が高くなるにつれて複数のさらに他の共振が続くことがあり、それによって、全体的に伝達関数の大きさの増加が起きている。
【００４８】
[0053]  共振周波数よりも下では、投影システムは剛体マスＲＢＭとして挙動するが、共振周波数範囲から投影システムはもはや単一物体として挙動せず、代わりに、各々投影システムの要素の共振に対応する様々な共振現象を示す。その結果として、周波数が高いほど、伝達関数に「寄与」する残りマスが小さくなり、このことは、投影システムに作用する力から投影システムの速度までの伝達関数の大きさが、共振周波数範囲よりも上の周波数範囲において、周波数が高くなるにつれて大きくなることの説明であると考えることができる。
【００４９】
[0054]  図４は、インタフェースマス３に作用する力からインタフェースマス３の速度までの伝達関数ＴＦを示す。減衰周波数ＦＤＭよりも下では、投影システム１の振動はインタフェースマス３に対応する振動を引き起こし、逆にインタフェースマス３の振動は投影システム１に対応する振動を引き起こすので、この周波数ＦＤＭより下では、伝達関数の挙動は図３に示されるものとほとんど一致している。周波数ＦＤＭの後では、センサ６およびアクチュエータ８はもはや投影システムまたはこれの部分の振動および共振を実測しないか、または実質的に実測せず、代わりに、センサ６およびアクチュエータ８から実測されるような周波数挙動はインタフェースマス３によって支配されている。したがって、図４は、３つの周波数帯域を示す。すなわち、投影システムが剛体マスとして挙動する低周波領域ＲＢＭ、投影システムの共振部分ＲＥＳおよび共振、および再びインタフェースマス３で生成される剛体マス。結果として、周波数ＦＤＭ後の伝達関数の位相は、比較的一定の挙動を示し、それによって、ことによるとセンサ６およびアクチュエータ８を含む能動減衰システムの安定な挙動に有利に働く。
【００５０】
[0055]  したがって、センサ６／アクチュエータ８と投影システムの間にインタフェースマス３を設けることによって、投影システム１の不都合な高周波挙動は能動減衰システム５の制御ループでもはや考慮に入れられない。実際には、もっと高い周波数でも、インタフェースマス３自体が再び共振を示すことがある。しかし、この共振は、能動減衰システム５の実効帯域幅を超えている筈である。インタフェースマス３は、投影システム１よりも小さな重量および複雑さを有する可能性があるので、そのような挙動は、実際の具体化で容易に実現される可能性がある。
【００５１】
[0056]  インタフェースマス３は、投影システム１のいかなる関連部分に接続されてもよく、透過投影システムの実際の具体化では、インタフェースマスはレンズマウント（すなわち、投影システムの複数のレンズ要素の１つのマウント）に接続されることがある。反射投影システムの場合には、インタフェースマスは、例えば、１つまたは複数のミラーを保持するフレームに接続されることがある。それによって、インタフェースマスをレンズマウントまたはフレームに接続すること（したがって、能動減衰システムを間接的に接続すること）は投影システムの複数の構成部分、例えばレンズ要素、ミラー、その他に影響を及ぼすので、投影システムおよびこれの構成部分は効果的に制動されることがある。それは、これらの構成要素は、全て次には、レンズマウントまたは基準フレームに接続されるからである。
【００５２】
[0057]  インタフェースマス３のマスは、一般に、投影システム１のマスの０．００１倍から０．１倍に、より好ましくは、投影システム１のマスの０．００１倍から０．０１倍に選ばれることがある。というのは、それによって、減衰周波数を能動減衰システム５の所望帯域幅内にある周波数範囲中に生成することができ、それによって、能動減衰システム５の安定な閉ループ動作に有利に働くからである。インタフェースマス３の結果として得られたマスは、一般に、５〜２０ｋｇの範囲内であり、例えば１０ｋｇである。
【００５３】
[0058]  上述の能動減衰システムは、米国特許出願番号第６０／９６０，５７９号である同時係属出願により詳細に説明されており、この出願の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００５４】
[0059]  図２において、たった１つの能動減衰システム５が投影システム１に取り付けられて示されている。そのような能動減衰システム５は、投影システム１の１つの位置で一般に主に１つの方向に減衰を実現する。多くの用途では、もっと多くの位置で、かつ１より多い方向の減衰が要求される。
【００５５】
[0060]  そのような用途では、２以上の能動減衰システム５を投影システムの異なる位置に設け、各能動減衰システムがそれ自体のインタフェースマス３および制御装置８を備えることが可能である。しかし、２以上の能動減衰システム５を設けることは、異なる能動減衰システムの減衰作用が互いに影響し合う可能性があるという結果になることがある。能動減衰システムの主方向が直交方向に向けられたときでも、投影システム１の内部動力学が、能動減衰システム５の減衰性能の相互影響を引き起こすことがある。本発明の実施形態は、構造物と２以上の能動減衰システムすなわちダンパ５の組合せの減衰性能を改善するために更なる改善を実現し、この改善は、特に、２以上の能動減衰システムすなわちダンパ５の相互影響を考慮に入れることに向けられる。
【００５６】
[0061]  図５は、投影システム１と、インタフェースマス３と、各々センサ６（図５に示されない）およびアクチュエータ８を含む３つの能動減衰システムすなわちダンパ５とを含む投影アセンブリの上面図を示す。３つの能動減衰システムすなわちダンパの組合せは、能動減衰システムアセンブリを形成する。各能動減衰システムすなわちダンパ５のセンサ６およびアクチュエータ８は、同じインタフェースマス３に接続されている。インタフェースマス３は、投影システム１の周囲に一様に分布された４つの弾性取付け位置４で投影システム２に取り付けられている。
【００５７】
[0062]  その結果として、インタフェースマス３を介して投影システム２に加えられる各能動減衰システムすなわちダンパ５の反作用力は、投影システム１の異なる位置の弾性接続４にわたって分布されている。また、各センサ６によって測定される位置量は、４つの弾性接続４を介したインタフェースマスの動きによって決定される。したがって、能動減衰システム５の減衰性能は、単一能動減衰システム５の単一インタフェースマスが投影システム１に接続されている特定の位置に余り依存しない。能動減衰システム５が見るような投影システム動力学は、能動減衰システム５の特定の取付け位置に大きく依存するので、このことは特に関係がある。取付け位置を投影システムの周りに分布させることによって、減衰作用は、ある特定の取付け位置の特定の投影システム動力学に余り依存しなくなり、それで全体的な減衰性能が向上する。
【００５８】
[0063]  インタフェースマス３は、実質的に環状であり、投影システム２を囲んでいる。したがって、インタフェースマス３は、非常に効率の良いやり方でリソグラフィ装置に組み込まれる。さらに、たった１つのインタフェースマス３が３つの能動減衰システム５のために使用され、このたった１つのインタフェースマス３は、ただ１つの能動減衰システムのためにインタフェースマスに必要とされるのと実質的に同じマスであってもよいので、インタフェースマスの全マスは実質的に３分の１である。したがって、インタフェースマス３の全体積はより小さくなり、この体積は非常に効率の良いやり方でリソグラフィ装置に組み込まれる。
【００５９】
[0064]  図５の実施形態では、３つの能動減衰システムすなわちダンパ５は、単一のインタフェースマス３を使用するように示されている。代替実施形態では、２以上のインタフェースマスが設けられることがあり、これらのインタフェースマス３のうちの少なくとも１つが２つの能動減衰システム５のために使用される。例えば、６つの能動減衰システムすなわちダンパ５および２つの環状インタフェースマス３が設けられ、各インタフェースマス３が３つの能動減衰システム５に接続されることがある。好ましくは、１つの単一インタフェースマス３が全ての能動減衰システム５のために設けられ、または１つのインタフェースマス３が実質的に同じ平面内でいくつかの能動減衰システム５のために設けられる。そのような実施形態では、図示の環状インタフェースマス５が、インタフェースマス３として特に適している。
【００６０】
[0065]  好ましくは、能動減衰システムは、インタフェースマス３のマスだけでなく投影システムの周囲にも一様に分布されている。また、各インタフェースマス３と投影システム１の間に弾性接続４を一様に分布させることが好ましい。
【００６１】
[0066]  図示されるような４つの弾性接続４は、インタフェースマス３を投影システム１に適切に取り付けるのに十分である。任意の他の数の弾性接続４も利用されることがある。
【００６２】
[0067]  図２に示されるような実施形態では、能動減衰システム１は、センサ６の測定信号に依存してアクチュエータを駆動するために、単一入力単一出力の制御装置を使用することがある。
【００６３】
[0068]  複数の能動減衰システム５を含むシステムでは、各能動減衰システムの制御装置は、投影システムの特定の位置のある特定の方向の加速を最小限にするように構成されることがある。しかし、第１の能動減衰システムの減衰作用は、また、インタフェースマス３の位置および／または投影システムに影響を及ぼし、それでその他の能動減衰システムの挙動に影響を及ぼすことがある。図５に示されるように単一インタフェースマス３が複数の能動減衰システム５のために使用されるときも、そうである。したがって、たとえ単一能動減衰システムすなわちダンパ５の減衰性能のために制御装置が最適化されても、異なる能動減衰システム間の相互影響が、投影システム１、１つまたは複数のインタフェースマス３および能動減衰システム５の組合せの全体的な減衰性能にマイナスの影響を及ぼすことがある。
【００６４】
[0069]  図６は、投影システムに取り付けられた６つの能動減衰システム５の制御方式を示し、能動減衰システム５の相互影響が考慮に入れられている。この制御方式は、多変数制御装置１０を使用する。制御装置１０は、モード分離マトリックス１１、６つのモード制御装置のマトリックス１２およびモード結合マトリックス１３を含む。そのような多変数制御装置は、それ自体が知られている。制御装置１０は、例えば、図５の能動減衰システムの制御のために（３×３のもので）使用されることがある。
【００６５】
[0070]  能動減衰システム５のセンサ５の各々の出力は、分離マトリックス１１に送り込まれて、センサ５の信号を６つの独立した振動モードに変換する。これらの振動モードは、互いに影響し合わないように構成される。モード分離マトリックス１１の出力信号は、ことによると基準信号から引き算された後で、各制御装置が振動モードの１つを制御するように構成されている１組のモード制御装置１２に供給される。
【００６６】
[0071]  モード制御装置１２は独立した制御信号を各モードに供給し、この制御信号は、制御信号を能動減衰システム５の主方向に対応した信号に変換するモード結合マトリックス１３に送り込まれる。変換後に、その信号は、それぞれの能動減衰システム５のアクチュエータ８の入力として使用される。
【００６７】
[0072]  モード分離マトリックスは、制御されるシステムの動力学、すなわち投影システムおよびアクチュエータとセンサの間のインタフェースマスの動力学に基づいている。モード結合マトリックスは、分離マトリックスの逆マトリックスである。モード制御装置は、任意の型の適切な制御装置であってもよく、例えばＰＩ制御装置であってもよい。
【００６８】
[0073]  分離マトリックス１１および結合マトリックス１３を使用する多変数制御装置１０を設けることによって、制御座標は、投影システムおよびインタフェースマスのモード形に一致している。その結果として、各モード制御装置１２の開ループ伝達関数はいっそう有利であり、それで、能動減衰システム５の減衰性能改善を可能にする。
【００６９】
[0074]  多変数制御装置は、２以上の能動減衰システムがインタフェースマスを共有している複数の能動減衰システムのためだけでなく、各々それ自体のインタフェースマスを介して投影システムに接続されている複数の能動減衰システムのために使用されることがある。
【００７０】
[0075]  制御装置および制御方法は、Ｃ＋＋、Ｊａｖａ（登録商標）、フォートランまたは同様なものなどの任意のプログラム言語から生成された１つまたは複数のプログラムモジュールまたはオブジェクト、またはその１つまたは複数のプログラムモジュールまたはオブジェクトの一部に従って、メインフレームコンピュータ、パーソナルコンピュータまたは同様なものなどの一般的なコンピュータで実行されるソフトウエアに含まれることがある。各ステップまたは各ステップを実施するファイルまたはオブジェクトまたは同様なものは、その目的のために設計された専用ハードウエアまたは回路モジュールによって実行されることがある。例えば、本発明は、不揮発性記憶装置にローディングされたファームウエアプログラムとして実施されることがあり、または機械読取可能コードとしてデータ記憶媒体中にまたはデータ記憶媒体からローディングされたソフトウエアプログラムとして実施されることがあり、そのようなコードは、マイクロプロセッサまたは他のディジタル信号処理装置のような論理素子のアレイで実行可能な命令である。
【００７１】
[0076]  上記において、本発明は、リソグラフィ装置の投影システムに関連して説明されたが、本発明は、任意の投影システムに応用されることがあり、または、さらに一般に、いくつかの能動減衰システムによって機械的に制動されるようになっている任意の構造にも応用されることがある。したがって、本発明並びにこの文献で説明された実施形態は、投影システムおよびいくつかの能動減衰システムを含むリソグラフィ装置として、投影システムおよびいくつかの能動減衰システムを含む投影アセンブリとして、さらに、構造物と、この構造物の振動を減衰させるためのいくつかの能動減衰システムとの組合せとして実現されることがある。
【００７２】
[0077]  この明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することがあるが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置には、集積光システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、その他の製造などの他の用途がある可能性があることは理解すべきである。当業者は理解することであろうが、そのような他の用途の背景では、本明細書での用語「ウェーハ」または「チップ」の使用はどれも、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えることができる。本明細書で参照される基板は、例えばトラック（一般にレジスト層を基板に塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または検査ツールで、露光前または後に処理することができる。応用可能な場合、本明細書の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに応用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作るために一度より多く処理されることがあるので、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層をすでに含む基板も意味することができる。
【００７３】
[0078]  光リソグラフィの背景での本発明の実施形態の使用について特に言及された可能性があるが、理解されることであろうが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、背景が許す場合、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジスト層の中に押し込まれることがあり、それからレジストは、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを加えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストから外に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンが残る。
【００７４】
[0079]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍ、あるいはその辺りの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含する。
【００７５】
[0080]  用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学コンポーネントを含んだ様々な種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００７６】
[0081]  本発明の特定の実施形態を上で説明したが、理解されることであろうが、本発明は説明されたのと違ったやり方で実施されてもよい。例えば、本発明は、先に開示されたような方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ることができる。
【００７７】
[0082]  上述の説明は、例示であり制限しない意図である。したがって、当業者には明らかなことであろうが、示された特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明されたような本発明に修正が加えられることがある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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