(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜に熱処理を行って結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に選択的に絶縁膜およびＴｉ、Ｗ、Ｃｒまたは黒色樹脂のいずれかを有する遮光膜を順に積層したマスクを形成し、
前記結晶性半導体膜および前記マスクにレーザ光を照射して、前記マスクに覆われていない領域の前記結晶性半導体膜の一部に誘起欠陥を形成し、
前記遮光膜を除去し、
前記結晶性半導体膜を加熱して、前記金属元素を前記絶縁膜に覆われていない領域の前記結晶性半導体膜の一部に移動させて前記誘起欠陥でトラップし、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性半導体膜の一部をエッチングし、
前記絶縁膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体膜に金属元素を添加し、
前記半導体膜に熱処理を行って結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に選択的に絶縁膜およびＴｉ、Ｗ、Ｃｒまたは黒色樹脂のいずれかを有する遮光膜を順に積層したマスクを形成し、
前記結晶性半導体膜を加熱しながら、前記結晶性半導体膜および前記マスクにレーザ光を照射して、前記絶縁膜に覆われていない領域の前記結晶性半導体膜の一部に誘起欠陥を形成するとともに、前記絶縁膜に覆われていない領域の前記結晶性半導体膜の一部に前記金属元素を移動させて前記誘起欠陥でトラップし、
前記遮光膜を除去し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性半導体膜の一部をエッチングし、
前記絶縁膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂから選ばれた一種または複数の元素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記レーザ光として、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、もしくはＮｄ：ＹＡｌＯ３レーザから選ばれた一種または複数種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと言う）で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関する。例えば、液晶表示装置に代表される電気光学装置、及び電気光学装置を部品として搭載した電気機器の構成の作製方法に関する。なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指し、上記電気光学装置及び電子機器もその範疇にあるとする。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス等の絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜に対し、加熱、またはレーザアニール、または加熱とレーザアニールの両方を行ない、結晶化させたり、結晶性を向上させる技術が広く研究されている。上記半導体膜には珪素膜が用いられる場合が多い。なお、本明細書中において、結晶性半導体膜とは、結晶構造を有する半導体膜のことを指す。
【０００３】
結晶性半導体膜は、非晶質半導体膜と比較し、非常に高い移動度を有する。このため、結晶性半導体膜を利用すると、例えば、従来の非晶質半導体膜を使って作製した半導体装置では実現できなかったアクティブマトリクス型の液晶表示装置（一枚の基板上に、画素部と駆動回路用のＴＦＴを作製した半導体装置）が作製できる。このような半導体装置を使用する場はますます広がっており、それに伴って便利性が求められ、半導体装置の小型化、高精細化ならびに低価格化などを進めるための開発が続けられている。
【０００４】
ところで、結晶性半導体膜は、非晶質半導体膜と比較して、高い移動度を有することに代表されるように、非常に特性の高い半導体膜である。これが、上記研究の行われる理由である。しかしながら、熱処理により非晶質半導体膜の結晶化を行うには、例えば、６００℃以上で、１０時間以上の時間が必要であった。この熱処理の条件に耐え得る基板には、例えば、合成石英基板がある。しかしながら、合成石英基板は高価である上、特に大面積の基板に加工するのは非常に困難であった。基板の大面積化は特に生産効率を上げるためには必要不可欠な要素である。近年、生産効率の向上のために基板を大面積化する動きが著しく、将来的には、一辺が１ｍを越える基板が生産工場で使用される見込みである。
【０００５】
合成石英基板をこのような大面積基板に加工することは現在の技術では難しく、たとえできたとしても産業として成り立つ価格までは下がらないと考えられる。大面積基板を容易に作製できる材料に、例えばガラス基板がある。例えば、無アルカリガラスは非常に安価で、大面積化も容易である。しかしながら、無アルカリガラスは歪点温度が５９３℃であり、６００℃以上の加熱には問題があった。
【０００６】
ガラス基板の１つに、歪点温度が６６７℃と比較的高い無アルカリガラスもある。この無アルカリガラスに非晶質半導体膜を成膜し、６００℃の雰囲気に２０時間置いても、作製工程に影響するほどの基板の変形は見られなかった。しかしながら、２０時間の加熱時間は生産工程としては長過ぎた。
【０００７】
このような問題を解決するため、新しい結晶化の方法が考案された。前記方法の詳細は特開平７−１８３５４０号公報に記載されている。ここで、前記方法を簡単に説明する。まず、非晶質半導体膜にニッケルまたは、パラジウム、または鉛等の金属元素を微量に添加する。添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。前記添加の後、例えば５５０℃の窒素雰囲気に４時間、非晶質半導体膜を置くと、特性の良好な結晶性半導体膜が得られる。結晶化に最適な加熱温度や加熱時間等は、前記金属元素の添加量や、非晶質半導体膜の状態による。
【０００８】
しかしながら、前記結晶化の方法では、結晶化を助長するために用いた前記金属元素が高抵抗領域（チャネル形成領域やオフセット領域）中に金属化合物として局所的に残留すると言う問題がある。前記金属化合物は電流が流れやすいため、高抵抗領域であるべき領域の抵抗を局所的に下げることになり、ＴＦＴの特性の安定性および信頼性を損なう原因となる。
【０００９】
この問題を解決するため、結晶性半導体膜から結晶化を助長するための金属元素を除去する技術（ゲッタリング）が開発され、特開平１０−２７０３６３号公報に開示している。ここで、前記ゲッタリングについて簡単に説明する。前記金属元素や、前記金属元素が金属化合物として残留している前記結晶性半導体膜に、１５族に属する元素を選択的に導入した後、熱処理を行う。ここで、前記１５族に属する元素が導入された領域をゲッタリング領域、前記１５族に属する元素が導入されていない領域を被ゲッタリング領域と呼ぶ。前記熱処理により、被ゲッタリング領域の前記金属元素および前記金属化合物は、前記被ゲッタリング領域から、ゲッタリング領域に移動する。その結果、前記被ゲッタリング領域において、前記金属元素および前記金属化合物を除去または低減することができる。ゲッタリングに最適な加熱温度や加熱時間等は、前記金属元素の導入量や前記１５族に属する元素の導入量などによる。また、１５族に属する元素はｎ型を付与する不純物元素であるが、ゲッタリング領域に１５族に属する元素およびｐ型を付与する不純物元素が添加されていても、ゲッタリングが行なわれることは確認されている。
【００１０】
なお、不純物元素を導入する処理はプラズマドーピング法やイオン注入法、イオンドーピング法などによって行えば良いが、この処理において、半導体膜へ打ち込まれるイオンのエネルギーは、半導体膜を形成する元素の結合エネルギーと比較して非常に大きい。そのため、前記半導体膜へ打ち込まれるイオンは前記半導体膜を形成する元素を格子点から弾き飛ばして結晶に欠陥を生じさせる。したがって、不純物元素を導入する処理を行った後は前記欠陥の回復を行うために熱処理を行うことが多い。
【００１１】
また、不純物元素を導入する処理として、例えば、プラズマドーピング法を用いる場合にはプラズマドーピング装置を適用する。プラズマドーピング装置は、まずイオン源にて、導入された材料ガスをトリガーによりプラズマ化し、複数枚の電極によりプラズマ中のイオンを引き出す。続いて、引き出し電極および加速電極等の複数枚から構成される電極により、前記イオンに適切なエネルギーが付与され、半導体膜に打ち込まれる。なお、他の不純物元素を導入する処理の方法においても、複数の電極によりイオンにエネルギーが付与される点では同様である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、不純物元素を導入する処理において用いられるガス（代表的にはPH3、B2H6）は、高圧ガス保安法において最も規制の厳しい特殊高圧ガスであり、可燃性および強い毒性を有する非常に危険なガスである。そのため、取り扱う際には非常に注意を要しなくてはならない。
【００１３】
また、不純物元素を導入する処理は、大気成分であるC、N、Oと言った材料ガス以外の元素を半導体膜中に導入させないため、真空中で行われる。そのため、チャンバーや搬送室などを真空引きする必要がある。しかし、真空中で行っていても、導入された材料ガスがプラズマ化したイオンが、電極やチャンバーの内壁などに衝突して、該電極やチャンバーを構成する成分であるＡｌ、ＭｏやＳＵＳなどを叩き出すことがある。そして、半導体膜に、必要な不純物元素だけでなくＡｌ、ＭｏやＳＵＳなども導入されてしまう場合がある。特に、前記材料ガスとしてＡｒ等の原子量の比較的大きな元素を用いると、前記電極やチャンバーを構成する成分が半導体膜に導入される傾向が顕著になる傾向がある。
【００１４】
また、不純物元素を導入する処理を行ううちに、トリガー、チャンバーの内壁および電極等に材料ガスによって生成されたもの（本明細書中では生成物と呼ぶ。）が付着する。この生成物が剥がれ落ちてパーティクルとなる。パーティクルが多くなると、成膜時のカバレッジが悪くなり、半導体装置の特性に悪影響を及ぼす。また、トリガーに多量の生成物が付着すると、プラズマが生成できなくなる。これらのような場合には、メンテナンスが必要となる。このメンテナンスは１ヶ月〜数ヶ月に１度と非常に高い頻度で行われ、処理装置の稼働率を低下させる要因の一つとなっている。
【００１５】
前記メンテナンスは、以下のような手順により行われる。まずチャンバー内を真空にすることで材料ガスを排出し、続いて、窒素によりパージする。材料ガスは毒性および可燃性を有するガスであるため、チャンバーの外に漏れると非常に危険である。そのため、真空引きおよび窒素パージを複数回に渡って行う。チャンバー内から十分に材料ガスを排出した後、チャンバーを開放する。そして、複数枚からなる電極等を解体して洗浄し、付着した生成物を除去する。その後、複数枚からなる電極同士の位置決めを行いながら組み立て、チャンバー内の真空引きを行って終了する。
【００１６】
このように、不純物元素を導入する処理において用いられる装置の維持や管理は非常に困難である上、人件費も掛かり、量産用装置としてはランニングコスト（ここでは稼働に伴い発生する費用を意味する）が高い。そのため、製造コストの増加を招くという問題がある。
【００１７】
さらに、基板が大型化するに伴って、チャンバーもまた大型化し、今後チャンバーの真空引きおよび窒素パージにはますます時間を要し、メンテナンスはさらに困難で大掛かりなものになることは容易に予測できる。
【００１８】
また、不純物元素を導入した後に、熱処理を行うと、不純物元素の活性化だけでなく、該不純物元素が半導体膜において高抵抗領域であるべきオフセット領域やチャネル形成領域にまで拡散してしまうこともある。特に、必要な不純物元素だけでなく電極やチャンバーを構成する成分も半導体膜に打ち込まれた場合には、これらの成分が高抵抗領域に拡散して、高抵抗領域であるべき領域の抵抗を局所的に下げることになり、ＴＦＴの特性の安定性および信頼性を損なう原因となる場合がある。
【００１９】
本発明はこのような問題点を解決するための技術であり、半導体膜における金属汚染を低減し、低コストで効率良くゲッタリングを行うことを目的とする。さらに、このようにして得られた半導体膜を用いて作製されたＴＦＴの電気的特性を向上し得る。さらに、前記ＴＦＴを用いて作製するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現することを目的としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、レーザ光を半導体膜に選択的に照射した後、熱処理を行うことにより、結晶化を助長するために用いた金属元素を所望の領域から除去、または、ＴＦＴを作製したときの電気的特性に悪影響を及ぼさない程度にまで低減することを特徴とする。
【００２１】
半導体膜にレーザ光を照射すると、半導体膜にはダングリングボンドや格子の歪みなどが形成される。本明細書中では、レーザ光の照射により形成されるこれらの欠陥を誘起欠陥と呼ぶ。つまり、半導体膜に選択的にレーザ光を照射すると、レーザ光が照射された領域（ゲッタリング領域）のみに誘起欠陥が形成される。続いて、半導体膜に熱処理を行うと、結晶化を助長するために用いた金属元素が作る化合物（金属化合物と呼ぶ）の結合が切れ（この状態を放出と呼ぶ）、レーザ光が照射されていない領域（被ゲッタリング領域）からゲッタリング領域へ前記金属元素が移動し（この状態を拡散と呼ぶ）、前記ゲッタリング領域に形成された誘起欠陥にトラップされる（この状態を捕獲と呼ぶ）。このようにして、前記被ゲッタリング領域において、金属元素の除去または低減を行うことができる。
【００２２】
また、レーザ光の照射は、不純物元素の導入することにより欠陥を形成する方法とは異なり、半導体膜中に不純物元素を導入しないので、該半導体膜を汚染することがないクリーンな処理方法である。もちろん、不純物元素以外の元素が導入されることもない。そして、レーザ光の照射後に熱処理を行っても半導体膜中に不純物元素が拡散することもなく、半導体膜の膜質を低下させることがない。このことは、半導体装置の信頼性の向上にもつながる。
【００２３】
さらに、レーザ発振器は、不純物元素を導入する装置とは異なり、特殊高圧ガスを用いることもない。また、メンテナンスもそれほど頻繁に行う必要もない。例えば、エキシマレーザはレーザ発振を行うレーザチューブや発振過程で生成した不要な化合物を除去するためのガス精製器などの付属機器を２〜３年に一度交換すれば良い。特に、固体レーザは、固体結晶の寿命が２０年程度、固体結晶を励起するための光源の寿命は１００００時間であるし、基本的に固体結晶、共振ミラーおよび固体結晶を励起するための光源があればレーザ光を出力できるため、メンテナンスの手間がかからない。即ち、ランニングコストが非常に低いため、半導体装置の製造コストを大幅に低減することが可能となる。また、メンテナンスの回数が減れば量産ラインの稼働率も高まるため製造工程のスループット全体が向上し、このことも半導体装置の製造コストの低減に大きく寄与する。
【００２４】
このように本発明は、半導体膜における金属汚染を低減し、低コストで効率良くゲッタリングを行うことのできる手段であり、このような方法により形成された半導体膜を用いてＴＦＴを作製すれば、その電気的特性は良好なものとなり、さらには半導体装置の性能および信頼性をも向上し得る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図１の断面図を用いて説明する。
【００２６】
図１（Ａ）において基板１０には、合成石英ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラスと言ったガラス基板を用いても良い。例えば、コーニング社製の７０５９ガラスや１７３７ガラスなどを好適に用いることが出来る。また、本実施形態の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００２７】
前記基板１０の上に下地絶縁膜１１を公知の手段（ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等）により窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜または酸化珪素膜などで形成する。
【００２８】
次に、半導体膜１２をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の手段で１０〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１００ｎｍ）の厚さに形成する。前記半導体膜１２としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。その後、結晶化を助長するための金属元素を含む層（金属含有層１３）を形成する。前記金属元素としては、ニッケル、またはパラジウム、または鉛等の金属元素があり、添加の方法は、プラズマ処理法や蒸着法、イオン注入法、スパッタ法、溶液塗布法等を利用すればよい。そして、第１の熱処理を行って、結晶性半導体膜１４を形成する。この熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜５５０℃で行えばよい。また、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができ、これらを組み合わせて熱処理を行うこともできる。
【００２９】
続いて、前記結晶性半導体膜１４上に、絶縁膜１５を形成する。ゲート絶縁膜１５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。
【００３０】
次いで、前記絶縁膜１５上に、遮光膜１６を形成する。遮光膜１６はレーザ光を遮光して、前記遮光膜１６の下方に存在する半導体膜にレーザ光が照射されるのを防ぐ。そのため、遮光膜としては、レーザ光に対して反射率の高いＡｌ等の金属膜を適用することができる。もちろん、Ａｌよりも反射率の低いＴａ、Ｗなどを適用することもでき、この場合には、遮光性を十分なものにするため、膜厚を厚くするのが望ましい。また、半導体膜上に一層の膜を形成しただけで、遮光膜として機能させる場合には、膜厚によって周期的に反射率が変化する酸化珪素膜等の絶縁膜を用い、反射率が高くなる膜厚にすればよい。
【００３１】
そして、第１のエッチング処理として、フォトリソグラフィ法を用いて前記遮光膜１６上にレジストからなるマスク（図示せず）を形成し、前記遮光膜１６のエッチングを行う。前記遮光膜１６として、例えば、Ａｌを形成する場合は、Ａｌ混酸（ＨＮＯ3＝２．０％、Ｃｈ3ＣＯＯＨ＝９．８％、Ｈ3ＰＯ4＝７２．３％）等によりエッチングを行えばよい。
【００３２】
続いて、第２のエッチング処理として、レジストからなるマスク（図示せず）を形成した状態で、前記絶縁膜１５のエッチングを行う。前記絶縁膜１５として、例えば、酸化珪素膜を形成する場合は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＦ2）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）を１５．４％含む混合溶液（ステラケミファ社製、商品名ＬＡＬ５００）等によりエッチングを行えばよい。（図１（Ｄ））
【００３３】
そして、レジストを除去し、レーザ光の照射を行う。レーザとして、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4レーザ、もしくはＹＡｌＯ3レーザ等から選ばれた一種または複数種のレーザを用いることができる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザ光を光学系で照射面における形状が線状であるレーザ光（線状ビーム）を形成し、半導体膜に照射する方法を用いると良い。照射条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、エネルギー密度を１００〜１０００mJ/cm2(代表的には２００〜９００mJ/cm2)とするのが望ましい。また、ＹＡＧレーザを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜３００Ｈｚとし、エネルギー密度を３００〜１２００mJ/cm2(代表的には３５０〜１０００mJ/cm2)とすると良い。そして、幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍの線状ビームを照射する。この時の線状ビームのショット数は、エネルギー密度にも依るが、１０〜１５０ショット程度とする。このような条件で、レーザ光を照射すると、遮光膜１７および絶縁膜１８で覆われていない領域の半導体膜１９には、誘起欠陥が形成される。
【００３４】
なお、レーザ光を照射するときに、同時に熱処理を行うこともできる。このような方法を用いれば、誘起欠陥を形成すると同時に金属元素のゲッタリングを行うこともできる。もちろん、さらに、後工程の第２の熱処理も行うことも可能である。
【００３５】
そして、第３のエッチング処理を行って、遮光膜１６を除去する。もちろん、半導体膜１４上に金属膜が形成されていない場合は、第３のエッチング処理を行わずに、第２の熱処理を行うことができる。
【００３６】
続いて、第２の熱処理を行う。第２の熱処理は、第１の熱処理と同様に、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール法、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができ、これらを組み合わせて行ってもよい。例えば、熱アニール法として、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下で４００〜７００℃の窒素雰囲気中にて１〜１２時間程度行えばよい。第２の熱処理により、レーザ光が照射されていない領域２０からレーザ光が照射された領域１９へ、金属元素や金属化合物が拡散する。このようにして、所望の領域から金属元素を除去または低減することができる。（図１（Ｅ））
【００３７】
そして、絶縁膜１８をマスクとして、レーザ光が照射された領域１９をエッチングし、続いて、前記絶縁膜１８をエッチングすれば、金属元素が除去または、ＴＦＴを作製した際の電気的特性に悪影響を及ぼさない程度にまで除去された半導体膜２２を得ることができる。（図１（Ｈ））
【００３８】
そして、このような半導体膜２２を用いてＴＦＴを作製すると、その電気的特性は良好なものとなり、半導体装置の特性をも向上し得る。
【００３９】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例によりさらに詳細な説明を行うこととする。
【００４０】
【実施例】
［実施例１］
本発明の実施の有効性について以下に示す実験を行った。
【００４１】
半導体膜は減圧ＣＶＤ装置により形成された膜厚５３nmの非晶質珪素膜に重量換算で５ｐｐｍの酢酸ニッケル含有水溶液を塗布した後、４５０℃にて１時間の脱水素処理と、６００℃にて１２時間の熱処理により結晶化させた結晶性半導体膜を用いた。この結晶性半導体膜上に、減圧ＣＶＤ装置で膜厚５０ｎｍの酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜上に、スパッタ装置にて膜厚４００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ（２ｗｔ％）膜を形成した。そして、フォトリソグラフィ法によりレジストを形成し、レジストにより覆われていない領域のＡｌ−Ｓｉ膜をＡｌ混酸によりエッチングする。続いて、ＬＡＬ５００によりレジストにより覆われていない領域の酸化珪素膜をエッチングし、レジストを除去した。このようにして作製された試料の上方からレーザ光を照射した。本実施例ではエキシマレーザを用い、エネルギー密度を５００ｍＪ／ｃｍ2、ショット数を１３、６５、１３０ショットとした。また、レーザ光を照射しない試料も作製した。そして、Ａｌ−Ｓｉ膜をＡｌ混酸により除去したのち、７００度で１２時間の熱処理を行った。
【００４２】
図２（Ａ）はレーザ光を照射しなかった試料のＳＩＭＳ分析の結果を示し、図２（Ｂ）はレーザ光を１３０ショットで照射した試料のＳＩＭＳ分析の結果を示す。図２（Ａ）では、ニッケルが膜中深くまで検出されているのに対し、図２（Ｂ）では、ニッケルの含有量が検出限界以下となっている。このことから、本発明のレーザ光の照射によるゲッタリングが極めて有効であることが確認できた。
【００４３】
また、前記熱処理を行った後、酸化珪素膜を除去し、続いて、ＦＰＭで処理した。ゲッタリングの効果は、結晶性半導体膜の被ゲッタリング領域におけるエッチピットの数により確認することができる。即ち、添加したニッケルの大部分はニッケルシリサイドとして結晶性半導体膜に残存するが、これはＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）によりエッチングされることが知られている。従って、被ゲッタリング領域をＦＰＭで処理してエッチピットの有無を確認することにより、ゲッタリングの効果を確認することができる。この場合、エッチピットの数が少ない程、ゲッタリングの効果が高いことを意味する。図３にエッチピットが形成された試料の簡略図を示す。なお、図３（Ａ）は画素部におけるゲッタリング領域および被ゲッタリング領域を示し、図３（Ｂ）は駆動回路部におけるゲッタリング領域および被ゲッタリング領域を示す。また、図４に、レーザ光のショット数を振って照射した試料およびレーザ光を照射していない試料の画素部および駆動回路部のエッチピットの様子を光学顕微鏡（明視野透過モード）により５００倍にて観察した結果を示す。なお、図４の画素部において、被ゲッタリング領域に存在するエッチピットの数をカウントして１画素当たりのエッチピット数を得たものを図５に示す。図４および図５から、ショット数が増える従って、エッチピット数が減っていることが分かる。つまり、ショット数が増えるに従って、ゲッタリングの効果が著しく高められることを意味し、本発明のレーザ光の照射を利用したゲッタリングが極めて有効であることを示している。
【００４４】
［実施例２］
本実施例では、実施形態とは異なる構成について図７の断面図を用いて説明する。
【００４５】
実施例１にしたがって、図１（Ｃ）に示す半導体膜１４の形成まで行う。
【００４６】
続いて、前記半導体膜１４上に、絶縁膜２５を形成する。前記絶縁膜２５は、絶縁膜２５の厚さは１〜１０nm程度とし、簡便にはオゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイドを絶縁膜２５としても良い。また、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオゾンを発生させて酸化処理を行っても良い。また、クリーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成し絶縁膜２５としても良い。或いは、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法などで１〜５ｎｍ程度の酸化膜を堆積しても良い。いずれにしても、ゲッタリング工程時に、金属元素が第２の半導体膜側に移動できて、第２の半導体膜の除去工程時には、エッチング液がしみこまない（第１の半導体膜１４をエッチング液から保護する）膜、例えば、オゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイド膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯx）、または多孔質膜を用いればよい。
【００４７】
そして、半導体膜２６をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の手段で１０〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１００ｎｍ）の厚さに形成する。前記半導体膜１２としては、非晶質半導体膜や微結晶半導体膜などがあり、非晶質珪素ゲルマニウム膜などの非晶質構造を有する化合物半導体膜を適用しても良い。また、多結晶半導体膜を用いても良い。
【００４８】
続いて、レーザ光の照射を行う。レーザとして、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4レーザ、もしくはＹＡｌＯ3レーザ等を用いることができる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザ光を光学系で照射面における形状が線状であるレーザ光（線状ビーム）を形成し、半導体膜に照射する方法を用いると良い。本実施例で示す構造では、半導体膜２６のみに誘起欠陥を形成させるために、半導体膜２６の膜厚にも依るが、吸収係数の比較的大きな波長のレーザ光を用いて、半導体膜１４には誘起欠陥の形成を防ぐのが望ましい。そのため、ＹＡＧレーザやＹＶＯ4レーザ等を用いる場合には、第３高調波に変換して用いるのが望ましい。そして、パルス発振周波数１〜３００Ｈｚとし、エネルギー密度を３００〜１２００mJ/cm2(代表的には３５０〜１０００mJ/cm2)とすると良い。また、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、エネルギー密度を１００〜１０００mJ/cm2(代表的には２００〜９００mJ/cm2)とするのが望ましい。いずれのレーザを用いる場合においても、幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍの線状ビームを照射するのが望ましい。この時の線状ビームのショット数は、エネルギー密度にも依るが、２０〜１５０ショット程度とする。このような条件で、レーザ光を照射すると、半導体膜２６には、誘起欠陥が形成される。
【００４９】
なお、レーザ光を照射するときに、同時に熱処理を行うこともできる。このような方法を用いれば、誘起欠陥を形成すると同時に金属元素のゲッタリングを行うこともできる。もちろん、後工程の第２の熱処理も行うことも可能である。
【００５０】
続いて、第２の熱処理を行う。この熱処理は、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール法、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができ、これらを組み合わせて行ってもよい。例えば、熱アニール法として、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下で４００〜７００℃の窒素雰囲気中にて１〜１２時間程度行えばよい。第２の熱処理により、半導体膜１４からレーザ光が照射された半導体膜２６へ、金属元素や金属化合物が拡散する。このようにして、半導体膜１４から金属元素を除去または低減することができる。（図７（Ｃ））
【００５１】
そして、レーザ光が照射された半導体膜２６をエッチングし、続いて、前記絶縁膜１５をエッチングすれば、金属元素が除去、または、ＴＦＴを作製した際の電気的特性に悪影響を及ぼさない程度にまで除去された半導体膜２８を得ることができる。（図７（Ｅ））
【００５２】
そして、このような半導体膜２８を用いてＴＦＴを作製すると、その電気的特性は良好なものとなり、半導体装置の特性をも向上し得る。
【００５３】
［実施例３］
本実施例ではアクティブマトリクス基板の作製方法について図７〜図１２を用いて説明する。本明細書ではＣＭＯＳ回路、及び駆動回路と、画素ＴＦＴ、保持容量とを有する画素部を同一基板上に形成された基板を、便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【００５４】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板５０１を用いる。なお、基板５０１としては、石英基板やシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。本実施例では合成石英ガラス基板を用いる。
【００５５】
次いで、石英基板５００上に下部遮光膜を形成する。まず、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る膜厚１０〜１５０ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）の下地膜を形成する。そして、本実施例の処理温度に耐え得るＴａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料およびその積層構造により３００nm程度の膜厚で下部遮光膜を形成する。前記下部遮光膜はゲート配線としての機能も有する。本実施例では膜厚７５ｎｍの結晶質珪素膜を形成し、続いて膜厚１５０ｎｍのＷＳｉｘ（x＝２．０〜２．８）を成膜した後、不要な部分をエッチングして下部遮光膜５０３を形成する。なお、本実施例では、下部遮光膜５０２として単層構造を用いるが、前記絶縁膜を２層以上積層させた構造を用いても良い。
【００５６】
そして基板５００および下部遮光膜５０２上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る膜厚１０〜６５０ｎｍ（好ましくは５０〜６００ｎｍ）の下地膜５０３を形成する。本実施例では下地膜５０３として単層構造を用いるが、前記絶縁膜を２層以上積層させた構造を用いても良い。本実施例では、下地膜５０３としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜を形成する。膜厚５８０ｎｍの酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成する。
【００５７】
次いで、下地膜５０３上に半導体膜５０４を形成する。半導体膜５０４は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により、２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素または珪素ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【００５８】
そして、ニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法を行って、半導体膜を結晶化する。また、ニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法の他に、公知の結晶化処理（レーザ結晶化法、熱結晶化法等）を組み合わせて行ってもよい。本実施例では、酢酸ニッケル溶液（重量換算濃度１０ｐｐｍ、体積５ｍｌ）をスピンコートにより膜上全面に塗布し、温度５００度の窒素雰囲気中に１２時間曝す。
【００５９】
また、レーザ結晶化法も適用する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4レーザ、もしくはＹＡｌＯ3レーザ等を用いることができる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザビームを光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜８００mJ/cm2(代表的には２００〜７００mJ/cm2)とする。また、ＹＡＧレーザを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜１０００mJ/cm2(代表的には３５０〜８００mJ/cm2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザビームを基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザビームの重ね合わせ率（オーバーラップ率）を５０〜９８％として行ってもよい。
【００６０】
続いて、前記半導体膜５０４上に、絶縁膜５０６を形成する。絶縁膜５０６はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。
【００６１】
次いで、前記絶縁膜５０６上に、遮光膜５０７を形成する。遮光膜５０７はレーザ光を遮光して、前記遮光膜５０７の下方に存在する半導体膜に選択的にレーザ光が照射されるのを防ぐ。そのため、遮光膜としては、レーザ光に対して反射率の高いＡｌ等の金属膜を適用することができる。本実施例では、スパッタ法により膜厚２００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ膜を形成する。
【００６２】
そして、第１のエッチング処理として、フォトリソグラフィ法を用いて前記遮光膜５０７上にレジストからなるマスク（図示せず）を形成し、前記遮光膜５０７のエッチングを行う。本実施例では、Ａｌ混酸を用いて遮光膜のエッチングを行う。
【００６３】
続いて、第２のエッチング処理として、レジストからなるマスク（図示せず）を形成した状態で、前記絶縁膜５０６のエッチングを行う。前記絶縁膜５０６として、例えば、酸化珪素膜を形成する場合は、フッ化水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＦ2）を７．１３％とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）を１５．４％含む混合溶液（ステラケミファ社製、商品名ＬＡＬ５００）等によりエッチングを行えばよい。
【００６４】
そして、レジストを除去し、レーザ光の照射を行う。レーザとして、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ等を用いることができる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザ光を光学系で照射面における形状が線状であるレーザ光（線状ビーム）を形成し、半導体膜に照射する方法を用いると良い。本実施例では、ＹＡＧレーザの第２高調波を用い、パルス発振周波数３００Ｈｚとし、エネルギー密度を９００mJ/cm2、ショット数を１００ショットとしてレーザ光を照射する。このような条件で、レーザ光を照射すると、遮光膜５０８ａ〜５０８ｄおよび絶縁膜５０９ａ〜５０９ｄで覆われていない領域の半導体膜５１０には、誘起欠陥が形成し、さらに膜厚も薄くなる。（図７（Ｄ））
【００６５】
なお、レーザ光を照射するときに、同時に熱処理を行うこともできる。このような方法を用いれば、誘起欠陥を形成すると同時に金属元素のゲッタリングを行うこともできる。もちろん、後工程の第２の熱処理も行うことも可能である。
【００６６】
そして、第３のエッチング処理を行って、遮光膜５０８ａ〜５０８ｄを除去する。
【００６７】
続いて、第２の熱処理を行う。第２の熱処理は、第１の熱処理と同様に、ファーネスアニール炉を用いる熱アニール法、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができ、これらを組み合わせて行ってもよい。本実施例では、熱アニール法を適用し、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、７００℃の窒素雰囲気中にて１２時間行う。第２の熱処理により、レーザ光が照射されていない領域５１１ａ〜５１１ｄからレーザ光が照射された領域５１０へ、金属元素や金属化合物が拡散する。このようにして、所望の領域から金属元素を除去または低減することができる。（図８（Ａ））
【００６８】
なお、本実施例では、半導体膜５０５の下方に下部遮光膜５０３が形成されていることから、第１の絶縁膜および遮光膜を形成せず、基板の裏面側からレーザ光を照射しても、レーザ光が照射される領域（ゲッタリング領域）およびレーザ光が照射されない領域（被ゲッタリング領域）を形成される。続いて、熱処理を行えば、ゲッタリングを行うことができ、第１の絶縁膜および遮光膜を形成して、基板の表面側からレーザ光を照射する場合よりも工程数を削減することができる。このとき、レーザ光の一部が基板を透過する波長であるものが望ましい。
【００６９】
そして、絶縁膜５０９ａ〜５０９ｄをマスクとして、レーザ光が照射された領域５１０をエッチングし、続いて、前記絶縁膜５０９ａ〜５０９ｄをエッチングすれば、金属元素が除去または、ＴＦＴを作製した際の電気的特性に悪影響を及ぼさない程度にまで除去された半導体膜５１１ａ〜５１１ｄを得ることができる。（図８（Ｂ））
【００７０】
なお、半導体層５１１ａ〜５１１ｄを形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。
【００７１】
次いで、半導体層５１１ａ〜５１１ｄを覆う第１のゲート絶縁膜５１２を形成する。第１のゲート絶縁膜５１２はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを２０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により３５ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を用いても良い。
【００７２】
また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Pa、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜０．８W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００７３】
そして、前記ゲート絶縁膜を部分的にエッチングして、保持容量の電極の一方となる半導体層５１１ｄを露出させ、該半導体層５１１ｄに不純物元素を導入する。このとき、他の領域にはレジスト５１３が形成されており、不純物元素は導入されない。本実施例では、不純物元素としてＰ（リン）を用い、加速電圧１０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０14/ｃｍ2としてドーピング処理を行う。
【００７４】
続いて、第２のゲート絶縁膜５１５を形成する。第２のゲート絶縁膜５１５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを２０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により５０ｎｍの厚さで酸化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を用いても良い。
【００７５】
そして、下部遮光膜と接続するコンタクトを形成した後、膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜５１６ａと、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜５１６ｂとを積層形成する。本実施例では、膜厚３０ｎｍのＴａＮ膜からなる第１の導電膜５１６ａと、膜厚３７０ｎｍのＷ膜からなる第２の導電膜５１６ｂを積層形成する。ＴａＮ膜はスパッタ法で形成し、Ｔａのターゲットを用い、窒素を含む雰囲気内でスパッタした。また、Ｗ膜は、Ｗのターゲットを用いたスパッタ法で形成した。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。
【００７６】
なお、本実施例では、第１の導電膜５１６ａをＴａＮ、第２の導電膜５１６ｂをＷとしたが、特に限定されず、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、第１の導電膜をタンタル（Ｔａ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化チタン（ＴｉＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜とする組み合わせとしてもよい。
【００７７】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク（図示せず）を形成し、電極及び配線を形成するためのエッチング処理を行う。本実施例ではエッチング条件として、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５：２５：１０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行い、導電層５１７〜５２１を形成する。
【００７８】
そして、第２のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を導入する。（図９（Ａ））ドーピング処理はイオンドープ法、若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件は１×１０13〜５×１０14/cm2とし、加速電圧を３０〜８０ｋｅＶとして行う。本実施例ではドーズ量を１．５×１０13／cm2とし、加速電圧を６０ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層５１７〜５２１がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に低濃度不純物領域５２３〜５２４が形成される。低濃度不純物領域５２３〜５２４には１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。ここで、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にはレジストによるマスク５２２が形成されており、ｎ型を付与する不純物元素は導入されない。
【００７９】
次いで、レジストからなるマスクを除去し、新たにマスクを形成して、図９（Ｂ）に示すように、第３のドーピング処理を行う。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜１×１０15/cm2とし、加速電圧を３０〜１２０ｋｅＶとして行う。このとき、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｎ型を付与する不純物元素を導入しないためにマスク５２５ｂを形成し、また、ｎチャネル型ＴＦＴを形成するための半導体層に選択的に高濃度不純物領域を形成するためにマスク５２５ａ、５２５ｃを形成する。本実施例ではドーズ量を２×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を５０ｋｅＶとして行った。こうして、高濃度不純物領域５２６、５２９が形成される。
【００８０】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、新たにレジストからなるマスク５３２ａおよび５３２ｂを形成して、図９（Ｃ）に示すように、第４のドーピング処理を行う。この第５のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層に前記一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素が添加された不純物領域５３３を形成する。第２の導電層５１８を不純物元素に対するマスクとして用い、ｐ型を付与する不純物元素を添加して自己整合的に不純物領域を形成する。本実施例では、不純物領域５３３はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法で形成する。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜１×１０14/cm2とし、加速電圧を３０〜１２０ｋｅＶとして行う。この第４のドーピング処理の際には、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層はレジストからなるマスク５３２ａおよび５３２ｂで覆われている。
【００８１】
次いで、レジストからなるマスクを除去し、新たにマスクを形成して、図１０（Ａ）に示すように、第５のドーピング処理を行う。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜１×１０15/cm2とし、加速電圧を２０〜１２０ｋｅＶとして行う。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型を付与する不純物元素を導入しないためにマスク５３４ａ、５３４ｃを形成し、また、ｐチャネル型ＴＦＴを形成するための半導体層に選択的に高濃度不純物領域を形成するためにマスク５３４ｂを形成する。本実施例ではドーズ量を１×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を４０ｋｅＶとして行う。こうして、高濃度不純物領域５３５が形成される。
【００８２】
以上までの工程で、それぞれの半導体層に高濃度不純物領域および低濃度不純物領域が形成される。
【００８３】
次いで、レジストからなるマスク５３４を除去して第１の層間絶縁膜５３８を形成する。この第１の層間絶縁膜５３８としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した。もちろん、第１の層間絶縁膜５３８は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００８４】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、第３の熱処理を行って、半導体層の結晶性の回復、それぞれの半導体層に添加された不純物元素の活性化を行う。この熱処理はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法としては、酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜５５０℃で行えばよく、本実施例では５５０℃、４時間の熱処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。
【００８５】
また、第１の層間絶縁膜を形成する前に熱処理を行っても良い。ただし、用いた配線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため層間絶縁膜（珪素を主成分とする絶縁膜、例えば窒化珪素膜）を形成した後で熱処理を行うことが好ましい。
【００８６】
そして、熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行うと水素化を行うことができる。この工程は第１の層間絶縁膜５３８に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。もちろん、第１の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することもできる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）や、３〜１００％の水素を含む雰囲気中にて３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行っても良い。
【００８７】
次いで、第１の層間絶縁膜５３８上に無機絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜５３９を形成する。本実施例では、膜厚１μｍの窒化酸化珪素膜を形成する。
【００８８】
そして、駆動回路５５５において、各不純物領域とそれぞれ電気的に接続する配線５４０〜５４２を形成する。また、画素部５５６においては、ソース配線５４３、５４５、ドレイン電極５４４を形成する。なお、これらの配線は、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜をパターニングして形成する。（図１０（Ｃ））
【００８９】
図１１にここまで作製された状態の上面図を示す。なお、図７〜図１０に対応する部分には同じ符号を用いている。図１０（Ｃ）中の鎖線Ａ−Ａ’は図１１中の鎖線Ａ―Ａ’で切断した断面図に対応している。また、図１０（Ｃ）中の鎖線Ｂ−Ｂ’は図１１中の鎖線Ｂ―Ｂ’で切断した断面図に対応している。
【００９０】
次いで、第２の層間絶縁膜５３９および配線５４０〜５４２上に無機絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第３の層間絶縁膜５６０を形成する。本実施例では、膜厚１．８μｍの窒化酸化珪素膜を形成する。
【００９１】
第３の層間絶縁膜５６０上にＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、または黒色樹脂等の高い遮光性を持つ膜を所望の形状にパターニングして遮光膜５６１、５６２を形成する。この遮光膜５６１、５６２は画素の開口部以外を遮光するように網目状に配置する。（図１２（Ａ））
【００９２】
さらに、この遮光膜５６１、５６２を覆うように第４の層間絶縁膜５６３を無機絶縁材料により形成する。
【００９３】
そして、接続配線５４４に通じるコンタクトホールを形成し、ＩＴＯ等の透明導電膜を１００nm厚形成し、所望の形状にパターニングすることで画素電極５６４、５６５を形成する。（図１２（Ｂ））
【００９４】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ５５１とｐチャネル型ＴＦＴ５５２からなるＣＭＯＳ回路、及びｎチャネル型ＴＦＴ５５３を有する駆動回路５５６と、画素ＴＦＴ５５４、保持容量５５５とを有する画素部５０７を同一基板上に形成することができる。こうして、アクティブマトリクス基板が完成する。
【００９５】
なお、本実施例は実施例１または実施例２と自由に組み合わせることが可能である。
【００９６】
［実施例４］
本実施例では、実施例３で作製したアクティブマトリクス基板から、反射型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１３を用いる。
【００９７】
まず、実施例３に従い、図１２（Ｂ）の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図１２（Ｂ）のアクティブマトリクス基板上、少なくとも画素電極５６４、５６５上に配向膜５６７を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜５６７を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ５７２を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【００９８】
次いで、対向基板５６９を用意する。次いで、対向基板５６９上に着色層５７０、平坦化膜５７３を形成する。
【００９９】
次いで、平坦化膜５７３上に透明導電膜からなる対向電極５７６を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜５７４を形成し、ラビング処理を施した。
【０１００】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材５６８で貼り合わせる。シール材５６８にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料５７５を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料５７５には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図１３に示す反射型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、対向基板のみに偏光板（図示しない）を貼りつけた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつけた。
【０１０１】
以上のようにして作製される液晶表示パネルにおける半導体膜中には、結晶化に用いた金属元素が除去、または、電気的特性に影響を及ぼさない程度にまで低減されているため、前記液晶表示装置の動作特性も大幅に向上し得る。そして、このような液晶表示装置は、各種電子機器の表示部として用いることができる。
【０１０２】
なお、本実施例は実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【０１０３】
［実施例５］
本実施例では、本発明を用いて発光装置を作製した例について説明する。本明細書において、発光装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにＩＣを実装した表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（発光層）と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）があり、これらのうちどちらか、あるいは両方の発光を含む。
【０１０４】
図１４は本実施例の発光装置の断面図である。図１４において、基板上に設けられたスイッチングＴＦＴ６０３は図１０（Ｃ）のｎチャネル型ＴＦＴ５５１を用いて形成される。したがって、構造の説明はｎチャネル型ＴＦＴ５５１の説明を参照すれば良い。
【０１０５】
なお、本実施例ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０１０６】
基板７００上に設けられた駆動回路は図１４のＣＭＯＳ回路を用いて形成される。従って、構造の説明はｎチャネル型ＴＦＴ５５１とｐチャネル型ＴＦＴ５５２の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１０７】
また、配線７０１、７０３はＣＭＯＳ回路のソース配線、７０２はドレイン配線として機能する。また、配線７０４はソース配線７０８とスイッチングＴＦＴのソース領域とを電気的に接続する配線として機能し、配線７０５はドレイン配線７０９とスイッチングＴＦＴのドレイン領域とを電気的に接続する配線として機能する。
【０１０８】
なお、電流制御ＴＦＴ６０４は図１０（Ｃ）のｐチャネル型ＴＦＴ５５２を用いて形成される。従って、構造の説明はｐチャネル型ＴＦＴ５０２の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１０９】
また、配線７０６は電流制御ＴＦＴのソース配線（電流供給線に相当する）であり、７０７は電流制御ＴＦＴの画素電極７１０上に重ねることで画素電極７１０と電気的に接続する電極である。
【０１１０】
なお、７１０は、透明導電膜からなる画素電極（発光素子の陽極）である。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いても良い。画素電極７１０は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜７１１上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜７１１を用いてＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成される発光層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、発光層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【０１１１】
配線７０１〜７０７を形成後、図１４に示すようにバンク７１２を形成する。バンク７１２は１００〜４００ｎｍの珪素を含む絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。
【０１１２】
なお、バンク７１２は絶縁膜であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例ではバンク７１２の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を添加して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は１×１０6〜１×１０12Ωｍ（好ましくは１×１０8〜１×１０10Ωｍ）となるようにカーボン粒子や金属粒子の添加量を調節すれば良い。
【０１１３】
画素電極７１０の上には発光層７１３が形成される。なお、図１４では一画素しか図示していないが、本実施例ではＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を作り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。具体的には、正孔注入層として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜を設け、その上に発光層として７０ｎｍ厚のトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）膜を設けた積層構造としている。Ａｌｑ3にキナクリドン、ペリレンもしくはＤＣＭ１といった蛍光色素を添加することで発光色を制御することができる。
【０１１４】
但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて発光層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光層として用いる例を示したが、高分子系有機発光材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１１５】
次に、発光層７１３の上には導電膜からなる陰極７１４が設けられる。本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀との合金膜）を用いても良い。陰極材料としては、周期表の１族もしくは２族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を添加した導電膜を用いれば良い。
【０１１６】
この陰極７１４まで形成された時点で発光素子７１５が完成する。なお、ここでいう発光素子７１５は、画素電極（陽極）７１０、発光層７１３及び陰極７１４で形成されたダイオードを指す。
【０１１７】
発光素子７１５を完全に覆うようにしてパッシベーション膜７１６を設けることは有効である。パッシベーション膜７１６としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
【０１１８】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い発光層７１３の上方にも容易に成膜することができる。また、ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、発光層７１３の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に発光層７１３が酸化するといった問題を防止できる。
【０１１９】
さらに、パッシベーション膜７１６上に封止材７１７を設け、カバー材７１８を貼り合わせる。封止材７１７としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。また、本実施例においてカバー材７１８はガラス基板や石英基板やプラスチック基板（プラスチックフィルムも含む）の両面に炭素膜（好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜）を形成したものを用いる。
【０１２０】
こうして図１４に示すような構造の発光装置が完成する。なお、バンク７１２を形成した後、パッシベーション膜７１６を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式（またはインライン方式）の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材７１８を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。
【０１２１】
こうして、基板にｎチャネル型ＴＦＴ６０１、６０２、スイッチングＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０３および電流制御ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０４が形成される。ここまでの製造工程で必要としたマスク数は、一般的なアクティブマトリクス型発光装置よりも少ない。
【０１２２】
即ち、ＴＦＴの製造工程が大幅に簡略化されており、歩留まりの向上および製造コストの低減が実現できる。
【０１２３】
さらに、図１４を用いて説明したように、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いｎチャネル型ＴＦＴを形成することができる。そのため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
【０１２４】
また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【０１２５】
さらに、発光素子を保護するための封止（または封入）工程まで行った後の本実施例の発光装置について図１５を用いて説明する。なお、必要に応じて図１４で用いた符号を引用する。
【０１２６】
図１５（Ａ）は、発光素子の封止までを行った状態を示す上面図、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）をＣ−Ｃ’で切断した断面図である。点線で示された８０１はソース側駆動回路、８０６は画素部、８０７はゲート側駆動回路である。また、９０１はカバー材、９０２は第１シール材、９０３は第２シール材であり、第１シール材９０２で囲まれた内側には封止材９０７が設けられる。
【０１２７】
なお、９０４はソース側駆動回路８０１及びゲート側駆動回路８０７に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０５からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１２８】
次に、断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。基板７００の上方には画素部８０６、ゲート側駆動回路８０７が形成されており、画素部８０６は電流制御ＴＦＴ６０４とそのドレインに電気的に接続された画素電極７１０を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路８０７はｎチャネル型ＴＦＴ６０１とｐチャネル型ＴＦＴ６０２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路（図１４参照）を用いて形成される。
【０１２９】
画素電極７１０は発光素子の陽極として機能する。また、画素電極７１０の両端にはバンク７１２が形成され、画素電極７１０上には発光層７１３および発光素子の陰極７１４が形成される。
【０１３０】
陰極７１４は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０４を経由してＦＰＣ９０５に電気的に接続されている。さらに、画素部８０６及びゲート側駆動回路８０７に含まれる素子は全て陰極７１４およびパッシベーション膜５６７で覆われている。
【０１３１】
また、第１シール材９０２によりカバー材９０１が貼り合わされている。なお、カバー材９０１と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、第１シール材９０２の内側には封止材９０７が充填されている。なお、第１シール材９０２、封止材９０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１シール材９０２はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、封止材９０７の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い。
【０１３２】
発光素子を覆うようにして設けられた封止材９０７はカバー材９０１を接着するための接着剤としても機能する。また、本実施例ではカバー材９０１を構成するプラスチック基板９０１aの材料としてＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
【０１３３】
また、封止材９０７を用いてカバー材９０１を接着した後、封止材９０７の側面（露呈面）を覆うように第２シール材９０３を設ける。第２シール材９０３は第１シール材９０２と同じ材料を用いることができる。
【０１３４】
以上のような構造で発光素子を封止材９０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の発光層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。
【０１３５】
以上のようにして作製される発光装置における半導体膜中には、結晶化に用いた金属元素が除去、または、電気的特性に影響を及ぼさない程度にまで低減されているため、前記発光装置の動作特性も大幅に向上し得る。そして、このような発光装置は、各種電子機器の表示部として用いることができる。
【０１３６】
なお、本実施例は実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【０１３７】
［実施例６］
本発明を適用して、様々な電気光学装置（アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマトリクス型発光装置、アクティブマトリクス型ＥＣ表示装置）を作製することができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んださまざまな電子機器に本発明を適用できる。
【０１３８】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの例を図１６、図１７及び図１８に示す。
【０１３９】
図１６（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を表示部２００３に適用することができる。
【０１４０】
図１６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表示部２１０２に適用することができる。
【０１４１】
図１６（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。本発明は表示部２２０５に適用できる。
【０１４２】
図１６（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２に適用することができる。
【０１４３】
図１６（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２に適用することができる。
【０１４４】
図１６（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発明を表示部２５０２に適用することができる。
【０１４５】
図１７（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。本発明は投射装置２６０１の一部を構成する液晶表示装置２８０８やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１４６】
図１７（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。本発明は投射装置２７０２の一部を構成する液晶表示装置２８０８やその他の駆動回路に適用することができる。
【０１４７】
なお、図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶表示装置２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１７（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１４８】
また、図１７（Ｄ）は、図１７（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１７（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１４９】
ただし、図１７に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及び発光装置での適用例は図示していない。
【０１５０】
図１８（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６等を含む。本発明を表示部２９０４に適用することができる。
【０１５１】
図１８（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表示部３００２、３００３に適用することができる。
【０１５２】
図１８（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）のディスプレイには有利である。
【０１５３】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、さまざま分野の電子機器に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜５のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１５４】
【発明の効果】
本発明の構成を採用することにより、以下に示すような基本的有意性を得ることが出来る。
（ａ）従来のＴＦＴの作製プロセスに適合した、簡単な方法である。
（ｂ）不純物元素の導入に伴う半導体膜の膜質の低下を防ぐことができる。
（ｃ）メンテナンスの頻度が少なくなり、装置の稼働率を上げることを可能とする。これにより、ランニングコストを低減し、かつ、スループット全体を向上させることが可能となる。
（ｄ）以上の利点を満たした上で、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される半導体装置において、半導体装置の動作特性および信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の概念の一例を示す図。
【図２】  （Ａ）ゲッタリングを行わない場合のＳＩＭＳ分析結果。
（Ｂ）本発明を用いてゲッタリングを行った場合のＳＩＭＳ分析結果。
【図３】  ゲッタリング後の光学顕微鏡による半導体膜の表面の様子を示す模式図。
【図４】  ゲッタリング後の光学顕微鏡による半導体膜の表面の様子を示す図。
【図５】  ショット数とエッチピットの関係を示す図。
【図６】  本発明の概念の一例を示す図。
【図７】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図８】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図９】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図１０】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図１１】  画素ＴＦＴの構成を示す上面図。
【図１２】  画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を示す断面図。
【図１３】  アクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程を示す断面図。
【図１４】  発光装置の駆動回路及び画素部の断面図。
【図１５】  （Ａ）発光装置の上面図。
（Ｂ）発光装置の駆動回路及び画素部の断面図。
【図１６】  半導体装置の例を示す図。
【図１７】  半導体装置の例を示す図。
【図１８】  半導体装置の例を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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