(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバとの接続のために入力用光導波路または出力用光導波路にスポットサイズ変換部と、その他の光導波路部とを備えた光導波回路であって、
前記その他の光導波路の上部クラッドの厚さＡ１は、前記その他の光導波路のコアの厚さをＢ１、前記その他の光導波路における導波光の最大モードフィールド径をＲ１としたときに、次式を満足し、
Ａ１≧（Ｒ１−Ｂ１）／２
前記スポットサイズ変換部の上部クラッドの厚さＡ２は、前記スポットサイズ変換部のコアの厚さをＢ２、前記スポットサイズ変換部における導波光の最大モードフィールド径をＲ２としたときに、次式を満足し、
Ａ２≧（Ｒ２−Ｂ２）／２
前記スポットサイズ変換部の上部クラッドの厚さＡ２は、前記その他の光導波路の上部クラッドの厚さＡ１よりも厚くなるように、すなわち、Ａ２＞Ａ１を満たすように構成され、上部クラッドの厚さＡ１の領域に、溝が形成されたことを特徴とする光導波回路。
【請求項２】
請求項１に記載の光導波回路であって、
上部クラッドの厚さＡ２の領域は、光導波回路の入力または出力端面から一定の範囲を占め、当該領域に板張りガラスが接着され、前記入力用光導波路または出力用導波路に光ファイバが接続されるように構成されたことを特徴とする光導波回路。
【請求項３】
スポットサイズ変換部を備えた光導波回路の製造方法であって、
基板上に下部クラッドを形成するステップと、
前記下部クラッド上にスポットサイズ変換部を備えたコアを形成するステップと、
前記コアおよび下部クラッド上に上部クラッドを形成するステップであって、前記上部クラッドの厚さＡ２が、前記スポットサイズ変換部のコアの厚さをＢ２、前記スポットサイズ変換部における導波光の最大モードフィールド径をＲ２としたとき、Ａ２≧（Ｒ２−Ｂ２）／２となるよう前記上部クラッドを形成するステップと、
前記スポットサイズ変換部以外の光導波路部の上部クラッドをエッチングするステップであって、前記光導波路部の上部クラッドの厚さＡ１が、前記光導波路部のコアの厚さをＢ１、前記光導波路部における導波光の最大モードフィールド径をＲ１としたとき、Ａ２＞Ａ１≧（Ｒ１−Ｂ１）／２となるように前記光導波路部の上部クラッドをエッチングするステップと、
上部クラッドの厚さＡ１の領域に、溝を形成するステップと
を備えることを特徴とする光導波回路の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の光導波回路の製造方法であって、
上部クラッドの厚さＡ２の領域に、光ファイバ接続用の板張りガラスを接着するステップをさらに備えることを特徴とする光導波回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スポットサイズ変換器を備えた光導波回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネット利用の世界的な広がりにより、画像や映像情報などの大容量データを高速に伝達できる光波長分割多重（ＷＤＭ）技術などを用いた光通信システムは、メトロ網にも商用導入が進んでいる。これに伴って、光通信システムを構成する光回路の研究開発にも拍車がかかっており、ＬＳＩ微細加工技術を応用して平面基板上に光導波路を一括形成できる導波路型光回路は、集積性・量産性に優れていることから、高性能で複雑な光回路を実現できる手段として期待されている。特に石英系光導波路は、低損失で信頼性が高いため、様々なモジュールが実用化されている。
【０００３】
光導波回路では、光の干渉現象を機能的に利用することによって多種多様な光回路を実現することができる。中でも光波長合分波器は、ＷＤＭシステムのキーデバイスとして重要である。
【０００４】
図５に、光波長合分波器の一例を示す。図中、一点鎖線で示した部分は、光波長合分波器の各部を模式的に拡大したものである。この光波長合分波器５００は、アレイ導波路格子（ＡＷＧ）を用いたアサーマルタイプのものであり、入力用チャネル導波路５０２と、出力用チャネル導波路５０４と、チャネル導波路アレイ５０６と、入力側スラブ導波路５０８と、出力側スラブ導波路５１０とを備えている。また、アサーマル化を実現するために、入力側スラブ導波路５０８には、樹脂が充填された深溝５１２が形成されている。さらに、低損失で光ファイバと接続するために、入力用チャネル導波路５０２の入力端および出力用チャネル導波路５０４の出力端には、スポットサイズ変換器５１４および５１６がそれぞれ形成されている。
【０００５】
図６は、光波長合分波器の製造工程の概略図である。まず、図６（ａ）に示すように、基板６０２の上に下部クラッド６０４、コア６０６、そして上部クラッド６０８を順次形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、上部クラッド６０８の上に、アサーマル溝を形成するためのレジストパターン６１０を形成する。そして、図６（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングで溝６１２を形成した後、図６（ｄ）に示すように、レジスト６１０を除去し、図６（ｅ）に示すように、シリコーン樹脂６１４を充填する。
【０００６】
図７に、別の例として光減衰器を示す。図中、一点鎖線で示した部分は、光減衰器の各部を模式的に拡大したものである。この光減衰器７００は、非対称マッハツェンダ干渉計（ＭＺＩ）を用いたものであり、２本の入力用導波路７０２と、２本の出力用導波路７０４と、２本のアーム導波路７０６とが、２つの３ｄＢ方向性結合器７０８で結ばれ、アーム導波路７０６の上には薄膜ヒータを用いた位相シフタ７１０が形成されている。また、アーム導波路の両側には、低消費電力および低偏波依存性を実現するために、熱の伝搬を遮断し、応力を解放する溝７１２が形成されている。さらに、図５の光波長合分波器と同様に、低損失で光ファイバと接続するために、入力用導波路７０２の入力端および出力用導波路７０４の出力端には、スポットサイズ変換器７１４および７１６がそれぞれ形成されている。
【０００７】
近年、こうした光導波回路は、コアの屈折率を高くして光の導波路への閉じ込めを強化し、導波路の密度を増加させることによって、小型化を図っている。
【０００８】
【特許文献１】特許第３１７８５６５号公報
【特許文献２】特開平９−６１６５２号公報
【非特許文献１】J. H. den Besten et al., “Low-Loss, Compact, and Polarization Independent PHASAR Demultiplexer Fabricated by Using a Double-Etch Process,” IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 14, No. 1, January 2002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図５および７に示すアサーマルＡＷＧやＭＺＩでは、製造工程で溝などの加工をしなければならない。アサーマルＡＷＧでは、コアを切断するように溝５１４を形成しなければならないが、これらの溝では、原理上、放射損失が発生する。特にコアの屈折率が高くなればなるほどこうした放射損失は大きくなる。そのため、コアの屈折率を高くするほど導波路に形成する溝は細くしなければならない。
【００１０】
また、ＭＺＩでは、消費電力を削減するために、アーム導波路の両側に形成される断熱溝７１４はできるだけ導波路に近接させる必要があるが、製造誤差等により溝が導波路に近接しすぎると、光が染み出して損失が増加する。
【００１１】
このような細い溝や高精度の溝の加工には、溝形成に伴う寸法シフトを抑えるためにエッチングの深さが浅ければ浅いほど良い。すなわち、上部クラッドの厚さが薄ければ薄いほど良い。というのは、エッチングする溝が深いと、フォトレジストパターンを厚くする必要があり、フォトレジストパターンが厚くなればなるほど細い溝や高精度の溝のパターンを露光解像することが難しくなるからである。
【００１２】
他方で、こうした光導波回路は、光ファイバに低損失で接続するために、光導波路に閉じ込めた光のモードフィールド径を光ファイバのモードフィールド径に変換するスポットサイズ変換器が必要となる。一例として、スポットサイズ変換器は、図５および７に示すように、光回路が形成されたチップの端面に向かってコア幅が細くなるように形成される。このスポットサイズ変換器の部分では光のモードフィールド径がそれ以外の部分に比較して拡大されるので、上部クラッドの厚さは、スポットサイズの大きいスポットサイズ変換器の部分に合わせて厚くしなければならない。
【００１３】
このように、高精度で溝を加工するためには上部クラッドを薄くする必要があるが、上部クラッドを薄くしすぎると、光のスポットサイズが拡大されるスポットサイズ変換器では上部クラッドから光が染み出し、損失が増加するという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光導波回路の損失を低く抑えつつ、溝などの加工を精度良く行うことができる光導波回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、光ファイバとの接続のために入力用光導波路または出力用光導波路にスポットサイズ変換部と、その他の光導波路部とを備えた光導波回路であって、前記その他の光導波路の上部クラッドの厚さＡ１は、前記その他の光導波路のコアの厚さをＢ１、前記その他の光導波路における導波光の最大モードフィールド径をＲ１としたときに、Ａ１≧（Ｒ１−Ｂ１）／２を満足し、前記スポットサイズ変換部の上部クラッドの厚さＡ２は、前記スポットサイズ変換部のコアの厚さをＢ２、前記スポットサイズ変換部における導波光の最大モードフィールド径をＲ２としたときに、Ａ２≧（Ｒ２−Ｂ２）／２を満足し、前記スポットサイズ変換部の上部クラッドの厚さＡ２は、前記その他の光導波路の上部クラッドの厚さＡ１よりも厚くなるように、すなわち、Ａ２＞Ａ１を満たすように構成され、上部クラッドの厚さＡ１の領域に、溝が形成されたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光導波回路であって、上部クラッドの厚さＡ２の領域は、光導波回路の入力または出力端面から一定の範囲を占め、当該領域に板張りガラスが接着され、前記入力用光導波路または出力用導波路に光ファイバが接続されるように構成されたことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明は、スポットサイズ変換部を備えた光導波回路の製造方法であって、基板上に下部クラッドを形成するステップと、前記下部クラッド上にスポットサイズ変換部を備えたコアを形成するステップと、前記コアおよび下部クラッド上に上部クラッドを形成するステップであって、前記上部クラッドの厚さＡ２が、前記スポットサイズ変換部のコアの厚さをＢ２、前記スポットサイズ変換部における導波光の最大モードフィールド径をＲ２としたとき、Ａ２≧（Ｒ２−Ｂ２）／２となるよう前記上部クラッドを形成するステップと、前記スポットサイズ変換部以外の光導波路部の上部クラッドをエッチングするステップであって、前記光導波路部の上部クラッドの厚さＡ１が、前記光導波路部のコアの厚さをＢ１、前記光導波路部における導波光の最大モードフィールド径をＲ１としたとき、Ａ２＞Ａ１≧（Ｒ１−Ｂ１）／２となるように前記光導波路部の上部クラッドをエッチングするステップと、上部クラッドの厚さＡ１の領域に、溝を形成するステップとを備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の光導波回路の製造方法であって、上部クラッドの厚さＡ２の領域に、光ファイバ接続用の板張りガラスを接着するステップをさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、光導波回路の溝を形成する部分の上部クラッドの厚さを薄くできるので溝の加工精度を高くすることができる。これにより、アサーマルタイプの導波路では、細い溝を形成することができ、溝部での損失を低減することができる。また、ＭＺＩでは、加工精度の高い溝を形成することができるので、導波路に近接させて溝部を形成することができ、断熱性能の改善により、消費電力を低減することができる。この結果、特に比屈折率差Δの高い導波路で問題となる損失特性の劣化を抑えることができ、低損失で高性能な光導波回路を実現することができる。
【００２２】
また、光ファイバとの接続損失を低減するために光のスポットサイズが拡大されるスポットサイズ変換器の上部クラッドの厚さを厚くすることができるので、スポットサイズ変換器部分での損失を低減することができる。さらに、光導波回路の光ファイバ接続用板張りガラスの接着領域を十分に確保すれば、光ファイバを実装する信頼性も十分に確保できる。加えて、上部クラッドの厚い領域は、光導波路回路の入出力端面に限れば、溝パターン形成用のレジストパターン膜の厚さが不均一になることはない。
【００２３】
ところで、スポットサイズ変換器を有する光集積回路において、スポットサイズ変換器上部のクラッドを厚くした構造が知られている（特許文献１）。しかし、この構造では、対象となっている光導波路がレーザを構成し、スポットサイズを制御するためにクラッドの層の厚さを調整している。したがって、この構造では、スポットサイズ変換器の上部クラッドの厚さを緩やかに変化させる必要がある。本発明では、スポットサイズが拡大された導波光が外に染み出して損失が増加するのを防ぐために、導波光のスポットサイズ径に合わせて一定値以上に厚くするだけでよい。また、スポットサイズ変換器の上部だけでなく、光導波回路の入出力端から一定の幅の範囲を厚くすれば、光ファイバ接続用の板張りガラスの接着領域を十分に確保することができる。
【００２４】
また、特許文献２に示されるように、コア層の膜厚を出射端に向かって薄くした結果、上部クラッドが厚くなる構造が知られている。しかし、この構造も、レーザの出射端に関するものであり、スポットサイズを制御するためにクラッドの厚さを調整している。したがって、この構造も、スポットサイズ変換器の上部クラッドの厚さを緩やかに変化させる必要がある。
【００２５】
さらに、非特許文献１に示されるように、エッチングを２段階で行う構造も知られている。これは、半導体ＡＷＧのスラブ導波路とチャネル導波路アレイの接合部を２段階でエッチングして、この部分で発生する損失を低減している。これは、斜めのスロープを作製するのが困難であることから、階段状のステップで代用したものである。こうした構造を実用的な観点から見ると、最初のエッチングで段差が形成されているところに２度目のエッチングパターンのレジストを塗布する段階で、凹凸のある表面にレジストを塗布しなければならないことから、レジストが均一になりにくい。本発明では、上部クラッドが厚い領域はスポットサイズ変換器を有する入出力導波路の端部でよいため、２回目のエッチングの際のレジスト不均一性をまったく心配する必要はない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１に、本発明の一実施例によるアサーマルタイプのＡＷＧを用いた光波長合分波器を示す。図中、一点鎖線で示した部分は、光波長合分波器の各部を模式的に拡大したものである。光波長合分波器１００は、入力用チャネル導波路１０２と、出力用チャネル導波路１０４と、チャネル導波路アレイ１０６と、入力側スラブ導波路１０８と、出力側スラブ導波路１１０とを備えている。また、スラブ導波路１０８には、３角形の溝１１２が形成されており、この溝にはシリコーン樹脂が充填され、アサーマル特性を実現している。さらに、低損失で光ファイバと接続するために、入力用チャネル導波路１０２の入力端および出力用チャネル導波路の出力端には、スポットサイズ変換器１１４および１１６が形成されている。なお、溝１１２は、入力用スラブ導波路１０８、出力用スラブ導波路１１０、チャネル導波路アレイ１０６の少なくとも１つ以上に設計に応じて形成すればよいことが知られている。
【００２８】
図５に示す従来の光波長合分波器５００と比較して、図１に示す本発明による光波長合分波器１００では、スポットサイズ変換器１１４および１１６をカバーする領域１２４および１２６の上部クラッドが、溝１１２を形成する領域１２５の上部クラッドよりも厚くなっている。これは、スポットサイズ変換器１１４および１１６で導波光のモードフィールド径が拡大されるため、領域１２４および１２６の上部クラッドを厚くする一方で、溝１１２の加工精度を良くするため、領域１２５の上部クラッドを薄くした結果である。すなわち、スポットサイズ変換器１１４および１１６の上部クラッドを、スポットサイズ変換器での導波光のモードフィールド径に合わせて厚くすることにより、導波光がクラッドの外へ染み出し、損失が増大するのを防ぐことができる。他方、溝１１２の上部クラッドをコアでの導波光のモードフィールド径に合わせてできるだけ薄くすることにより、溝１１２を細く形成することができ、溝１１２での放射損失を低減することができる。
【００２９】
本実施例では、コアとクラッドの比屈折率差Δを２．５％、下部クラッドの厚さを１５μｍ、スポットサイズ変換器をカバーする領域１２４および１２６の上部クラッドの厚さを１５μｍ、それ以外の領域１２５の上部クラッドの厚さを５μｍに設計した。スポットサイズ変換器１１４および１１６は、光波長合分波器１００の端面に向けて導波路幅が狭くなるように構成されている。しかし、コアの膜厚が変わらないか、または徐々に薄くなるような特徴を有するスポットサイズ変換器であれば、他の構成を用いてもよい。このような光波長合分波器では、領域１２５の導波路では垂直方向のモードフィールド径（コアに分布する光の光強度が１／ｅ2になる光分布直径）が約５μｍであり、出力用チャネル導波路１０４の端面では約１０μｍに拡大される。したがって、領域１２５の上部クラッドの厚さを５μｍとし、領域１２４および１２６の上部クラッドの厚さを１５μｍとした。
【００３０】
上記の膜厚設計を一般化して記述すれば、上部クラッドの厚さＡ１は、領域１２５における導波路のコアの厚さをＢ１、導波路の垂直方向の最大モードフィールド径をＲ１としたときに、次式を満足するように設計する。
Ａ１≧（Ｒ１−Ｂ１）／２
【００３１】
同様に、上部クラッドの厚さＡ２は、領域１２４，１２６における導波路のコアの厚さをＢ２、導波路の垂直方向の最大モードフィールド径をＲ２としたときに、次式を満足するように設計する。
Ａ２≧（Ｒ２−Ｂ２）／２＞Ａ１
【００３２】
図２は、本発明の一実施例による光波長合分波器の製造工程の概略図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板２０２の上に下部クラッド２０４、コア２０６、そして上部クラッド２０８を順次形成する。このとき、上部クラッドの厚さＡ２が１５μｍとなるようにする。次に、図２（ｂ）に示すように、スポットサイズ変換器をカバーする領域の上部クラッド２０８の上にレジストパターン２１０を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングで溝をカバーする領域の上部クラッドの厚さＡ１が５μｍとなるようにエッチングする。その後、レジストパターン２１０を一旦除去し、改めてレジストを全面塗布し、フォトリソグラフィで溝を形成するためのレジストパターン２１２を形成する（図２（ｄ））。そして、図２（ｅ）に示すように、反応性イオンエッチングで溝２１４を形成する。溝の深さは、上部クラッド５μｍ、コア３．５μｍ、下部クラッド５μｍとして合計１３．５μｍとする。最後に、レジスト２１２を除去し（図２（ｆ））、シリコーン樹脂２１６を充填する（図２（ｇ））。
【００３３】
図５に示すような従来の光波長合分波器では、上部クラッドの厚さが１５μｍあるため、溝の深さは、２３．５μｍとなる。図１に示す本発明による光波長合分波器では、溝の深さは１３．５μｍであり、エッチングの深さを大幅に削減できることが分かる。これにより、加工可能な溝の最小幅を５μｍから２．５μｍに低減でき、その結果、アサーマル用の溝部での放射損失を１．５ｄＢから０．５ｄＢに低減することができた。
【００３４】
図３は、図１の光波長合分波器に光ファイバを接続した状態を示している。入力用チャネル導波路および出力用チャネル導波路の上部クラッドの上には、板張りガラス３０２および３０４が接着され、光波長合分波器の入力および出力側の端面の面積を増加させている。これら端面にそれぞれ入力用ファイバブロック３１２および出力用ファイバグロック３１４を接着し、光波長合分波器の導波路に光ファイバ３１６および３１８を接続している。実際には、光波長合分波器とファイバブロックを接着する端面は、反射を防ぐために斜めに研磨されているが、図３では垂直に簡略化されている。
【００３５】
板張りガラス３０２および３０４は、信頼性上、光波長合分波器の上面にしっかりと接着されていることが重要である。もし、図１の領域１２４および１２６の面積が小さいと、板張りガラス３０２および３０４との接着強度が弱くなってしまう。上部クラッドの厚い領域１２４および１２６における、光の導波しない部分の上部クラッドをメッシュ状に残すなどして、実効的に接着強度を増加させてもよい。なお、接着強度の観点から、領域１２４、１２６の幅は、少なくとも板張りガラス３０２、３０４の幅の半分以上に設定されていることが望ましい。
【実施例２】
【００３６】
図４に、本発明の一実施例による非対称ＭＺＩを用いた光減衰器を示す。図中、一点鎖線で示した部分は、光減衰器の各部を模式的に拡大したものである。この光減衰器４００は、２本の入力用導波路４０２と、２本の出力用導波路４０４と、２本のアーム導波路４０６とが、２つの３ｄＢ方向性結合器４０８で結ばれ、アーム導波路４０６の上には薄膜ヒータを用いた位相シフタ４１０が形成されている。また、アーム導波路の両側には、低消費電力および低偏波依存性を実現するために、熱の伝搬を遮断し、応力を解放する溝４１２が形成されている。さらに、低損失で光ファイバと接続するために、入力用導波路４０２の入力端および出力用導波路４０４の出力端には、スポットサイズ変換器４１４および４１６がそれぞれ形成されている。
【００３７】
図７に示す従来の光減衰器７００と比較して、図４に示す本発明による光減衰器４００では、スポットサイズ変換器４１４および４１６をカバーする領域４２４および４２６の上部クラッドが、溝４１２をカバーする領域４２５の上部クラッドよりも厚くなっている。これは、スポットサイズ変換器４１４および４１６で導波光のモードフィールド径が拡大されるため、領域４２４および４２６の上部クラッドを厚くする一方で、溝４１２の加工精度を良くするため、領域４２５の上部クラッドを薄くした結果である。すなわち、スポットサイズ変換器４１４および４１６の上部クラッドを、スポットサイズ変換器での導波光のモードフィールド径に合わせて厚くすることにより、導波光がクラッドの外へ染み出し、損失が増大するのを防ぐことができる。他方、溝４１２の上部クラッドをコアでの導波光のモードフィールド径に合わせてできるだけ薄くすることにより、溝４１２をコアにできるだけ近接させて形成することができ、溝４１２での断熱効果が向上し、位相シフタ４１０での消費電力を低減することができる。
【００３８】
本実施例では、下部クラッドの厚さを１５μｍ、コアの厚さを３．５μｍ、スポットサイズ変換器をカバーする領域４２４および４２６の上部クラッドの厚さを１５μｍ、それ以外の領域４２５の上部クラッドの厚さを５μｍに設計した。この場合、溝４１２の深さは、下部クラッド１５μｍ、コア３．５μｍ、上部クラッド５μｍの合計２３．５μとなる。これは、図７に示す従来の光減衰器７００の溝７１２の深さ３３．５μｍ（下部クラッド１５μｍ、コア３．５μｍ、上部クラッド１５μｍ）に比べて、７０％程度である。この結果、製造工程における±１μｍのパターンのばらつきを±０．７μｍに抑えることができるようになった。
【００３９】
なお、光減衰器４００の製造工程は、図２に示すものと基本的に同じであるが、図２（ｃ）の状態で薄膜ヒータおよび配線を形成するプロセスが加わることになる。また、本実施例においても、図３と同様に、入力用および出力用のファイバブロックを接着し、光減衰器の導波路に光ファイバを接続することができる。
【００４０】
以上、本発明について、具体的にいくつかの実施例について説明したが、本発明の原理を適用できる多くの実施可能な形態に鑑みて、ここに記載した実施例は、単に例示に過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。例えば、本発明は、コアとクラッドの比屈折率差Δがどのような導波路に対しても適用することができる。また、本発明は、ガラス形成法に依存せず、火炎堆積法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで作製した光導波回路に適用できる。加えて、基板として石英基板を用いる場合は、石英基板が下部クラッドを兼ねてもよい。さらに、代表的な光導波回路として、アサーマルＡＷＧおよび非対称ＭＺＩを取り上げたが、スポットサイズ変換器を有し、溝などの加工を行う必要がある任意の光導波回路に適用可能である。したがって、ここに例示した実施形態は、本発明の趣旨から逸脱することなくその構成と詳細を変更することができる。さらに、説明のための構成要素および手順は、本発明の趣旨から逸脱することなく変更、補足、またはその順序を変えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施例による光波長合分波器を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による光波長合分波器の製造工程を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例による光波長合分波器に光ファイバを接続した状態を示す図である。
【図４】本発明の一実施例による光減衰器を示す図である。
【図５】従来の光波長合分波器を示す図である。
【図６】従来の光波長合分波器の製造工程を説明するための図である。
【図７】従来の光減衰器を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００  光波長合分波器
１０２  入力用チャネル導波路
１０４  出力用チャネル導波路
１０６  チャネル導波路アレイ
１０８  入力側スラブ導波路
１１０  出力側スラブ導波路
１１２  溝
１１４，１１６  スポットサイズ変換器
１１８  基板
１２４，１２６  上部クラッドが厚い領域
１２５  上部クラッドが薄い領域
２０２  基板
２０４  下部クラッド
２０６  コア
２０８  上部クラッド
２１０，２１２  レジストパターン
２１４  溝
２１６  シリコーン樹脂
３０２，３０４  板張りガラス
３１２  入力用ファイバブロック
３１４  出力用ファイバグロック
３１６，３１８  光ファイバ
４００  光減衰器
４０２  入力用導波路
４０４  出力用導波路
４０６  アーム導波路
４０８  方向性結合器
４１０  位相シフタ
４１２  溝
４１４，４１６  スポットサイズ変換器
４２４，４２６  上部クラッドが厚い領域
４２５  上部クラッドが薄い領域
４２８  基板
５００  光波長合分波器
５０２  入力用チャネル導波路
５０４  出力用チャネル導波路
５０６  チャネル導波路アレイ
５０８  入力側スラブ導波路
５１０  出力側スラブ導波路
５１２  溝
５１４，５１６  スポットサイズ変換器
５１８  基板
６０２  基板
６０４  下部クラッド
６０６  コア
６０８  上部クラッド
６１０  レジストパターン
６１２  溝
６１４  シリコーン樹脂
７００  光減衰器
７０２  入力用導波路
７０４  出力用導波路
７０６  アーム導波路
７０８  方向性結合器
７１０  位相シフタ
７１２  溝
７１４，７１６  スポットサイズ変換器
７１８  基板
【図１】
0004954828.tif 000002
【図２】
0004954828.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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