(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカーボンナノチューブが、π電子共役系と−Ｇ−ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ２−（Ｇは−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２Ｏ−、又は−Ｓ−を表す）を含む連結基（ただし、当該連結基と前記カーボンナノチューブとの結合は、エステル結合又はアミド結合ではない。）であって、該カーボンナノチューブとフェニレン基またはビニレン基を介して結合する連結基を介して、複数の架橋部位で相互に架橋していることを特徴とするカーボンナノチューブ架橋体。
【請求項２】
前記架橋体が、前記カーボンナノチューブにｐ−ヒドロキシベンゼンジアゾニウムで架橋剤と反応しうる官能基を導入し、ビニルスルホン系架橋剤で架橋されたものである請求項１に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
【請求項３】
前記ビニルスルホン系架橋剤が、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｆ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、又はＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２である請求項２に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
【請求項４】
複数のカーボンナノチューブが、π電子共役系を含む連結基（ただし、当該連結基と前記カーボンナノチューブとの結合は、エステル結合又はアミド結合ではない。）であって、該カーボンナノチューブとフェニレン基またはビニレン基を介して結合する連結基を介して、複数の架橋部位で相互に架橋しており、該連結基が、−Ｍ−Ｃ５Ｈ５−Ｌ−Ｃ５Ｈ５−Ｍ−（式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｌはビニレン基のみからなる２価の基を表す。）で表される基であることを特徴とするカーボンナノチューブ架橋体。
【請求項５】
前記Ｌが、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−である、請求項４に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブ架橋体に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、その特異な形状や特性ゆえに、様々な応用が考えられている。カーボンナノチューブの形状は炭素原子の六員環で構成されるグラフェンシートを巻いた１次元性を有する筒状であり、グラフェンシートが１枚の構造のカーボンナノチューブを単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）、多層の場合を多層ナノチューブ（ＭＷＮＴ）と呼ぶ。ＳＷＮＴは直径約１ｎｍ、多層カーボンナノチューブは数十ｎｍ程度であり、従来のカーボンファイバーと呼ばれる物よりも極めて細い。
【０００３】
また、カーボンナノチューブは、マイクロメートルオーダーの長さを有し、直径とのアスペクト比が非常に大きいことが特徴的である。さらに、カーボンナノチューブは炭素原子の六員環の配列が螺旋構造をとることから、螺旋構造の違いに応じて金属性と半導体性のいずれか一方の性質を有するという、極めて希有な特性を有する物質であるが、通常は金属性と半導体性のカーボンナノチューブの混合物として得られる。加えて、カーボンナノチューブの電気伝導性は極めて高く、電流密度に換算すると１００ＭＡ／ｃｍ2以上の電流を流すことができる。
【０００４】
カーボンナノチューブは、電気的特性だけではなく、機械的性質についても優れた点を有する。すなわち、炭素原子のみで構成されているため、非常に軽量であるにもかかわらず、１ＴＰａを越えるヤング率を有し、極めて強靱である。また、ケージ物質であるために弾力性・復元性にも富んでいる。このように、カーボンナノチューブは様々な優れた性質を有するため、工業材料として、極めて魅力的な物質である。
【０００５】
これまでに、カーボンナノチューブの優れた特性を利用した応用研究が数多く行われている。樹脂の強化や伝導性複合材料としてカーボンナノチューブを添加したり、走査プローブ顕微鏡の探針として利用されたりしている。また、微小電子源として、電界放出型電子素子やフラットディスプレイとしてカーボンナノチューブが利用され、さらに水素貯蔵への応用が進められている。
【０００６】
このように、カーボンナノチューブは、種々の応用が考えられるが、特に電子材料・電子デバイスとしての応用が注目を浴びている。既にダイオードやトランジスタなどの電子デバイスの試作が行われており、現在のシリコン半導体に代わるものとして期待されている。
【０００７】
しかしながら、カーボンナノチューブを実際に配置することは極めて困難が伴う。現在、カーボンナノチューブを配線する技術がいくつか試みられている。
【０００８】
１つ目は、走査型電子顕微鏡内において、マニピュレータを用いて１本または数本のカーボンナノチューブをピックアップし、所望の位置に配置する技術である。変形例として、プローブ顕微鏡を用いて、カーボンナノチューブを配置させる技術もある。しかし、この技術は多くの時間と労力を必要とし、基礎的研究には向いているが、実用的ではない。
【０００９】
２つ目は、電気泳動法を用いて、カーボンナノチューブを一定の方向に配向させる技術である。この方法は、一方向ならば配線できる可能性があるが、複数方向の配線を行うことは難しく、現実的ではない。
【００１０】
３つ目は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いる技術である。ＣＶＤ法は、原料として炭素を含むアセチレンガスやメタンガス等を用い、原料ガスの化学分解反応により、カーボンナノチューブを生成する方法である。
【００１１】
非特許文献１には、基板と水平方向にカーボンナノチューブを配線する方法が開示されている。すなわち、基板上にＳｉピラーを作製し、そのピラーの頂上部に添加剤を載せ、メタンガスを流すことにより、ピラー間にカーボンナノチューブを橋渡しする技術である。この技術による方法では、確かに水平方向の配線を可能にはしたが、架橋の確率は非常に低く、任意の位置に配線することは依然として困難であった。
【００１２】
以上のように、カーボンナノチューブを１本または数本の単位で配線する技術は、未だ開発途中段階である。
【００１３】
一方、カーボンナノチューブを膜にして、配線やパターニングを行う方法が開発されている。例えば、これまでに、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー技術を用いて、カーボンナノチューブのパターン形成がされている。これらの技術は、一度に広い面積にパターン形成することに優れており、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）の電子源のパターニングとして用いられている。しかし、これらの方法は、カーボンナノチューブを溶媒に単に分散させて塗布したり、バインダーを混ぜて塗布したりしているため、機械的強度や電気的な導電性といった性能面で不十分であり、そのまま、電極や電気回路として使用することは困難である。
【００１４】
特許文献１には、官能化されたカーボンナノチューブを用いて３次元構造のカーボンナノチューブを形成することが可能である旨開示されている。しかし、当該文献には、単にクロマトグラフィのフローセル電極として用いるべく、多孔性で通過物質の分離吸着のための官能基を結合させたカーボンナノチューブを金属メッシュ上に堆積させて多孔質化して利用するものや、アルミニウムやシリカのアルコキシド（当該アルコキシド自体は、絶縁物となる。）を架橋剤として用いてカーボンナノチューブ同士を結合させるものが開示されている。
【００１５】
しかしながら、アルコキシドはそれ同士で架橋してしまうため、得られるカーボンナノチューブ構造体は、架橋部が数十のアルコキシドの残基がランダムに連鎖を形成し、カーボンナノチューブ間の距離および化学構造が架橋部毎にばらついてしまうため、意図した特性を得ることが困難であり、各種用途に利用する上の制約となる。そして、カーボンナノチューブの網目構造が十分に密に形成されないため、カーボンナノチューブが本来的に有する、電気伝導性、熱伝導性、機械的強度の優れた特性を十分に利用できていないという問題点を有していた。
【特許文献１】特表２００２−５０３２０４号公報
【非特許文献１】キャッセル・エヌ・フランクリン(Cassell，N．Franklin)、ティー・トムブラー(T．Tombler)、イー・チャン(E．Chan)、ジェー・ハン(J．Han)、エイチ・ダイ(H．Dai)著、「ジャーナル  オブ  アメリカン  ケミカル  ソサエティ(J．Am．Chem．Soc．)」、１９９９年、１２１，ｐ．７９７５〜７９７６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そこで、本発明の目的は、電気伝導性、熱伝導性、機械的強度に優れた新規なカーボンナノチューブ架橋体を提供することを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の課題は、下記の手段によって解決された。
［１］複数のカーボンナノチューブが、π電子共役系と−Ｇ−ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ２−（Ｇは−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２Ｏ−、又は−Ｓ−を表す）を含む連結基（ただし、当該連結基と前記カーボンナノチューブとの結合は、エステル結合又はアミド結合ではない。）であって、該カーボンナノチューブとフェニレン基またはビニレン基を介して結合する連結基を介して、複数の架橋部位で相互に架橋していることを特徴とするカーボンナノチューブ架橋体。
［２］前記架橋体が、前記カーボンナノチューブにｐ−ヒドロキシベンゼンジアゾニウムで架橋剤と反応しうる官能基を導入し、ビニルスルホン系架橋剤で架橋されたものである［１］に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
［３］前記ビニルスルホン系架橋剤が、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｆ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、又はＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２である［２］に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
［４］複数のカーボンナノチューブが、π電子共役系を含む連結基（ただし、当該連結基と前記カーボンナノチューブとの結合は、エステル結合又はアミド結合ではない。）であって、該カーボンナノチューブとフェニレン基またはビニレン基を介して結合する連結基を介して、複数の架橋部位で相互に架橋しており、該連結基が、−Ｍ−Ｃ５Ｈ５−Ｌ−Ｃ５Ｈ５−Ｍ−（式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｌはビニレン基のみからなる２価の基を表す。）で表される基であることを特徴とするカーボンナノチューブ架橋体。
［５］前記Ｌが、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−である、［４］に記載のカーボンナノチューブ架橋体。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、π電子共役系を含む連結基を介して架橋しており、連結されたカーボンナノチューブ間の電子移動が効率よく行われるため、導電性に優れる。また、架橋により三次元網目構造が形成されているため、熱伝導性および機械的強度にも優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、複数のカーボンナノチューブが、π電子共役系を含む連結基（ただし、当該連結基と前記カーボンナノチューブとの結合は、エステル結合又はアミド結合ではない。）を介して、複数の架橋部位で相互に架橋していることを特徴とする。ここで、π電子共役系とは、ｓｐ２混成もしくはｓｐ混成の原子が互いに隣接して形成される電子系であり、原子間の結合軸に対して垂直に配置したｐ軌道同士が原子間の結合軸方向に重なることによって形成されるπ結合の連鎖からなる。π電子共役系は、炭素−炭素間もしくは炭素−窒素間の二重結合、炭素−炭素間の三重結合、又は非共有電子対を有するヘテロ原子のうち少なくとも一種からなるものが好ましく、炭素−炭素間もしくは炭素−窒素間の二重結合、炭素−炭素間の三重結合、又は非共有電子対を有するヘテロ原子のうち少なくとも二種の組み合わせからなるものがより好ましく、ベンゼン環、炭素−炭素間の二重結合、又は炭素−炭素間の三重結合のうち少なくとも二種の組み合わせからなるものが更に好ましい。
【００２０】
本発明において、主要な構成要素であるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブでも、二層以上の多層カーボンナノチューブでも構わない。いずれのカーボンナノチューブを用いるか、あるいは双方を混合するかは、用途により、あるいはコストを考慮して、適宜、選択すればよい。
【００２１】
また、単層カーボンナノチューブの変種であるカーボンナノホーン（一方の端部から他方の端部まで連続的に拡径しているホーン型のもの）、カーボンナノコイル（全体としてスパイラル状をしているコイル型のもの）、カーボンナノビーズ（中心にチューブを有し、これがアモルファスカーボン等からなる球状のビーズを貫通した形状のもの）、カップスタック型ナノチューブ、カーボンナノホーンやアモルファスカーボンで外周を覆われたカーボンナノチューブ等、厳密にチューブ形状をしていないものも、本発明においてカーボンナノチューブとして用いることができる。
【００２２】
さらに、カーボンナノチューブ中に金属等が内包されている金属内包ナノチューブ、フラーレンまたは金属内包フラーレンがカーボンナノチューブ中に内包されるピーポッドナノチューブ等、何らかの物質をカーボンナノチューブ中に内包したカーボンナノチューブも、本発明においてカーボンナノチューブとして用いることができる。
【００２３】
以上のように、本発明においては、一般的なカーボンナノチューブのほか、その変種や、種々の修飾が為されたカーボンナノチューブ等、いずれの形態のカーボンナノチューブでも、その反応性から見て問題なく使用することができる。したがって、本発明における「カーボンナノチューブ」には、これらのものが全て、その概念に含まれる。
【００２４】
これらカーボンナノチューブの合成は、従来から公知のアーク放電法、レーザーアブレーション法、ＣＶＤ法のいずれの方法によっても行うことができ、本発明においては制限されない。これらのうち、高純度なカーボンナノチューブが合成できるとの観点からは、磁場中でのアーク放電法が好ましい。
【００２５】
用いられるカーボンナノチューブの直径としては、０．３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。カーボンナノチューブの直径が、当該範囲を超えると、合成が困難であり、コストの点で好ましくない。カーボンナノチューブの直径のより好ましい上限としては、３０ｎｍ以下である。
【００２６】
一方、一般的にカーボンナノチューブの直径の下限としては、その構造から見て、０．３ｎｍ程度であるが、あまりに細すぎると合成時の収率が低くなる点で好ましくない場合もあるため、１ｎｍ以上とすることがより好ましく、１０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
【００２７】
用いられるカーボンナノチューブの長さとしては、０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。カーボンナノチューブの長さが、当該範囲を超えると、合成が困難、もしくは、合成に特殊な方法が必要となりコストの点で好ましくなく、当該範囲未満であると、一本のカーボンナノチューブにおける架橋結合点数が少なくなる点で好ましくない。カーボンナノチューブの長さの上限としては、１０μｍ以下であることがより好ましく、下限としては、１μｍ以上であることがより好ましい。
【００２８】
本発明に用いられるカーボンナノチューブは、架橋しやすくするために、架橋剤と反応しうる官能基が導入されていてもよい。
カーボンナノチューブが有する官能基としては、カーボンナノチューブに化学的に付加させることができ、かつ、何らかの架橋剤により架橋反応を起こし得るものであれば、特に制限されず、如何なる官能基であっても選択することができる。具体的な官能基としては、−ＣＯＯＲ、−ＣＯＸ、−ＭｇＸ、−Ｘ（以上、Ｘはハロゲン）、−ＯＲ、−Ｃ6Ｈ4ＯＨ、−ＮＲ1Ｒ2、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＮＨ2、−ＳＨ、−ＳＯ3Ｈ、−Ｒ'ＣＨＯＨ、−ＣＨＯ、−ＣＮ、−ＣＯＳＨ、−ＳＲ、−ＳｉＲ'3（以上、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2およびＲ'は、それぞれ独立に、置換または未置換の炭化水素基）等の基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
これらの中でも、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ（Ｒは、置換または未置換の炭化水素基）、−ＣＯＸ（Ｘはハロゲン原子）、−Ｃ6Ｈ4ＯＨ、−ＮＨ2および−ＮＣＯからなる群より選ばれる少なくとも１つの基を選択することが好ましく、その場合、架橋剤としては、選択された前記官能基と架橋反応を起こし得るものを選択する。
【００３０】
官能基の導入量としては、カーボンナノチューブの長さ・太さ、単層か多層か、官能基の種類、ＣＮＴ架橋体の用途等により異なり、一概には言えないが、１本のカーボンナノチューブに２以上の官能基が付加する程度の量とすることが、得られる架橋体の強度の観点から好ましい。
【００３１】
本発明のカーボンナノチューブ架橋体におけるπ電子共役系を含む連結基は、カーボンナノチューブとの結合がエステル結合又はアミド結合ではない。
本発明のカーボンナノチューブ架橋体におけるπ電子共役系を含む連結基は、フェニレン基またはビニレン基を介して前記カーボンナノチューブと結合するものである。また、−Ｇ−ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ２−基（式中、Ｇは、前記カーボンナノチューブに結合する２価の基である、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２Ｏ−、又は−Ｓ−を表す。）を介して前記カーボンナノチューブと結合するものも好ましい。
または、本発明のカーボンナノチューブ架橋体におけるπ電子共役系を含む連結基は、−Ｍ−Ｃ５Ｈ５−Ｌ−Ｃ５Ｈ５−Ｍ−（式中、Ｍは遷移金属原子を表し、Ｌは２価の基であり、好ましくは、−(ＣＨ＝ＣＨ)ｎ−、−(Ｃ６Ｈ４)ｎ−、及びこれらの組み合わせから選択される基であるが、本発明においてはビニレン基のみからなる２価の基を表す。）で表される基であることが好ましい。
【００３２】
本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、カーボンナノチューブと架橋剤とを反応させることで得ることができる。
架橋剤としては、ビニルスルホン系架橋剤やビスメタロセン系架橋剤を好ましく用いることができる。
ビニルスルホン系架橋剤の具体例としては、ＶＳ−１：ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＶＳ−２：ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−Ｃ６Ｆ４−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＶＳ−３：ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２、ＶＳ−４：ＣＨ２＝ＣＨ−ＳＯ２−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２−ＳＯ２−ＣＨ＝ＣＨ２等が挙げられる。これらは、例えば、Ｎａｍｂａｒａ，「薬学雑誌」，７５巻，１５６０−１５６３（１９５６）や、Ａｍｏｓｏｖａ．Ｓ．Ｖ．，「Ｒｕｓｓ．Ｃｈｅｍ．Ｂｕｌｌ．」，４５（２），４１４−４１６（１９９６）等の記載を参照して合成することができる。
ビスメタロセン系架橋剤の具体例としては、ＦＥ−１：フェロセン−フェロセン、ＦＥ−２：フェロセン−Ｐ（＝Ｏ）Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２−フェロセン、ＦＥ−３：フェロセン−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−フェロセン、ＦＥ−４：フェロセン−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−フェロセン、ＦＥ−５：フェロセン−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−フェロセン等が挙げられ、このうち本発明で使用される架橋剤の具体例はＦＥ−５である。
【００３３】
本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、例えば、以下のようにして調製することができる。
合成例１
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）にパラヒドロキシベンゼンジアゾニウムを反応させ（Woo-Jae  Khim  et  al.，Chem．Mater.，19，1571-1576(2007)を参照。）、ＣＮＴ−Ｃ6Ｈ4−ＯＨとする。
これに、ビニルスルホン系架橋剤ＣＨ2＝ＣＨ−ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＳＯ2−ＣＨ＝ＣＨ2を反応させることにより、ＣＮＴ−Ｃ6Ｈ4−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＳＯ2−Ｃ6Ｈ4−ＳＯ2ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ6Ｈ4−ＣＮＴというＣＮＴ架橋体が得られる。
【００３４】
合成例２
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）にビスメタロセン系架橋剤フェロセン−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−フェロセンを反応させることにより、ＣＮＴ−Ｆｅ−Ｃ5Ｈ5−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ5Ｈ5−Ｆｅ−ＣＮＴというＣＮＴ架橋体が得られる。
【００３５】
従来のカーボンナノチューブ架橋体ではＣＮＴ同士の導電性がホッピング伝導であったが、これに対し、本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、シグマ結合に比べて電子の授受が容易なπ電子共役系を介して連結することにより、連結されたカーボンナノチューブ間の電子移動が効率よく行われるため、導電性に優れた炭素材料として有用である。
【００３６】
また、導電性フィルムは、電磁波を反射する性質を併せ持つため、λ／４型の電磁波吸収体として用いることもできる。本発明のカーボンナノチューブ架橋体を用いた場合、支持体上にカーボンナノチューブによるマイクロ回路が形成され、電磁波を導電損失によって吸収することができる。
従来の電磁波吸収体は、フェライト等の強磁性材料による磁性損失により電磁波を吸収するものであったが、磁性損失は、電磁波の周波数がギガヘルツ帯以上に高くなると、磁極の分極が追いつかなくなり電磁波吸収性能が悪化するという問題があった。また、従来の炭素材料を樹脂に練り込む電磁波吸収材料は、樹脂をバインダーとして炭素材料が分散されており、分散する炭素材料間でコンデンサーを形成して誘電損失により電磁波を吸収するものであったが、このような構成はバインダーが導電性や熱伝導性を損なうという問題があった。これらに対し、本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、導電性や熱伝導性などを損なうことなく、効率よく電磁波を吸収することができる。
【００３７】
また、本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、電磁波吸収性能に優れるため、吸収した電磁波により発熱しうる。この原理を利用して、電磁波を吸収した部分のみを局部的に発熱させ、その発熱を捉えることによって電磁波を検出する電磁波可視化センサーとして用いることもできる。これにより、電子レンジ等の電磁波発生機器からの電磁波漏れを可視化して検出することができる。電磁波可視化センサーは、例えば、本発明のカーボンナノチューブ架橋体を含有する構造体に、感熱紙等に用いられている発熱を可視化できるマイクロカプセルを発色剤として塗布して形成することができ、電磁波を吸収した部分の発色の違いによって電磁波が当たった部分を可視化することができる。発色剤としては、感熱マイクロカプセルの他にも、温度変化によって色が変わるコレステリック液晶などを塗布することでも可能である。
【００３８】
本発明のカーボンナノチューブ架橋体は、複合材料、水素吸蔵材料、ガス吸蔵材料、電子材料（発光材料、光学材料、電極材料、電磁波吸収材料、半導体材料、制振材料、振動材料、研磨材料など）、電子機器材料（プローブ、センサー、照明、トランジスタ、キャパシター、コンデンサー、導体、サージアブソーバなど）、医薬品材料、バイオ材料、触媒、潤滑剤、その他化成品として、適宜用いられる。
【実施例】
【００３９】
以下に具体例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
（多層カーボンナノチューブの架橋構造体）
シクロへキサン（２００ｍＬ）と和光純薬製多層カーボンナノチューブ（０．５ｇ）を混合し、室温で１０分間攪拌する。ビスフェロセン化合物ＦＥ−５（１５．８ｇ、４０ｍｍｏｌ）、塩化アルミニウム１３．３ｇ、１００ｍｍｏｌ）、アルミニウム粉（０．６８ｇ、２５ｍｍｏｌ）を加え、窒素下で８時間還流する。０℃に冷却し、メタノールを加え、生じる固体を遠心分離し、超音波浴中で、メタノール、アセトン、エーテルで洗い、減圧下６０℃で乾燥することにより、架橋多層カーボンナノチューブを得る。これに少量のエタノールを加え、超音波照射により懸濁物とし、ＳｉＯ2／Ｓｉ基盤上に滴下し、乾燥した後伝導度を測定することにより、比較例２より高い伝導度を観測する。
【００４１】
実施例２
（単層カーボンナノチューブの架橋構造体）
多層カーボンナノチューブの代わりにＨｉＰｃｏ単層カーボンナノチューブを用いる他は実施例１と同様にして、架橋単層カーボンナノチューブを得る。これに少量のエタノールを加え、超音波照射により懸濁物とし、ＳｉＯ2／Ｓｉ基盤上に滴下し、乾燥した後伝導度を測定することにより、比較例１より高い伝導度を観測する。
【００４２】
実施例３
（単層カーボンナノチューブの架橋構造体）
ＨｉＰｃｏ単層カーボンナノチューブを１％ドデシル硫酸ナトリウム水溶液に加え、超音波処理し、超遠心分離機で沈殿物を除去し、単層カーボンナノチューブの懸濁液を得る。この液をｐＨ５．５、４５℃に調整し、その５ｍＬを攪拌しつつ、これに、Woo-Jae  Kim等の著した米国化学会2007年発行のChemistry  of  Materials誌、19巻、1571-1576頁に記載された方法で調製される４−ヒドロキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートの水溶液（０．３ｍｍｏｌ／Ｌ、５００μＬ）をシリンジポンプを用いて、約２０μＬ／ｈの速度で添加する。水酸化ナトリウム水溶液を加えてアルカリ性に調整し、ビニルスルホン化合物ＶＳ−１のメタノール溶液を加えて室温で２４時間攪拌する。溶媒を減圧下に留去し、水、メタノール、アセトンで洗い、減圧下に乾燥して架橋単層カーボンナノチューブを得る。これに少量のエタノールを加え、超音波照射により懸濁物とし、ＳｉＯ2／Ｓｉ基盤上に滴下し、乾燥した後伝導度を測定することにより、比較例１より高い伝導度を観測する。
【００４３】
比較例１
（特開２００５−９６０５５号公報記載の多層カーボンナノチューブ架橋体の合成）
多層カーボンナノチューブ粉末（純度９０％、平均直径３０ｎｍ、平均長さ３μｍ；サイエンスラボラトリー製）３０ｍｇを濃硝酸（６０質量％水溶液、関東化学製）２０ｍＬに加え、１２０℃の条件で還流を２０時間行い、カーボンナノチューブカルボン酸を合成した。
溶液の温度を室温に戻したのち、５０００ｒｐｍの条件で１５分間の遠心分離を行い、上澄み液と沈殿物とを分離した。回収した沈殿物を純水１０ｍＬに分散させて、再び５０００ｒｐｍの条件で１５分間の遠心分離を行い、上澄み液と沈殿物とを分離した（以上で、洗浄操作１回）。この洗浄操作をさらに５回繰り返し、最後に沈殿物を回収した。
【００４４】
上記工程で調製されたカーボンナノチューブカルボン酸３０ｍｇを、メタノール（和光純薬製）２５ｍＬに加えた後、濃硫酸（９８質量％、和光純薬製）５ｍＬを加えて、６５℃の条件で還流を４時間行い、メチルエステル化した。
溶液の温度を室温に戻したのち、ろ過して沈殿物を分離した。沈殿物は、水洗した後回収した。
【００４５】
上記工程で得られたメチルエステル化したカーボンナノチューブカルボン酸１０ｍｇを、グリセリン（関東化学製）５ｍＬに加え、超音波分散機を用いて混合した。さらに、これを粘度調整剤としてのメタノール１０ｍＬに加えた。
以上のようにして得られた塗料を、パスツールピペットでＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に０．１ｍＬ程度滴下して供給した。
【００４６】
以上のようにして上記塗料が供給された基板を２００℃で２時間加熱して、エステル交換反応による重合を行い、網目状構造体からなるグリセリン架橋多層カーボンナノチューブ構造体を形成した。２端子法で伝導度の評価を行ったところ、約１０Ｓ／ｃｍであった。
【００４７】
比較例２
（特開２００５−９６０５５号公報記載の単層カーボンナノチューブ架橋体の合成）
比較例１において、多層カーボンナノチューブ粉末に代えて単層カーボンナノチューブ粉末（純度９０％、平均直径１．２ｎｍ、平均長さ１．５μｍ；サイエンスラボラトリー製）３０ｍｇを用いたこと以外は比較例１と同様にして、グリセリン架橋した単層カーボンナノチューブ構造体を調製した。２端子法で導伝率の評価を行ったところ、約２０Ｓ／ｃｍであった。