(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に接続導体膜が形成されたチップ部品を、支持基体上に形成されたパッド導体膜上に半田を用いて搭載してなる電子部品において、
前記パッド導体膜は、複数の突部が形成されているチップ部品搭載領域と、該チップ部品搭載領域から張り出した、前記チップ部品が搭載されていない張出部とからなり、
前記突部は筋状であり、複数の前記筋状の突部の一端が前記張出部に向かうように形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の突部の高さが同じであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記パッド導体膜が前記支持基体の上面に設けられたキャビティの底面に形成されており、前記キャビティの側壁が前記パッド導体膜の外周に沿って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記張出部は、前記チップ部品搭載領域に向かって幅が広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子等のチップ部品を回路基板等の支持基体上に半田を用いて搭載したチップ部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、多くの機器や装置に電子部品が組み込まれており、その代表的な構成は、チップ部品を支持基体上に半田などを用いて搭載したものである。チップ部品としては、例えば半導体素子等の能動素子やチップコンデンサおよびチップインダクタ等の受動素子が用いられ、支持基体としては、例えばセラミック基板とこのセラミック基板上に形成されたパッド導体膜とから成る回路基板が用いられる。このような電子部品は、チップ部品が回路基板の回路配線と電気的に接続されることにより電子回路を構成しているものであり、その目的別に所定の機能が働くようになっている。
【０００３】
従来の電子部品は、例えば次のような製造方法により作製される。まず、セラミック基板に形成されたパッド導体膜の上面に半田ペーストを塗布し、さらに、この半田ペースト上に、下面に接続導体膜が形成されたチップ部品を載せ、そして、半田ペーストを加熱して半田ペースト中のフラックスの粘度を低下させ、接続導体膜およびパッド導体膜の表面全体にフラックスを行き渡らせて半田濡れ性を高めておいてから半田ペースト中の半田を溶融させ、半田を接続導体膜およびパッド導体膜のほぼ表面全体に付着させるようにし、しかる後に溶融した状態の半田を冷却して固化させることにより、回路基板とチップ部品とを機械的に接合させるとともに、回路基板の回路配線とチップ部品とを電気的に接続させる（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開平８−293670号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の製造方法によって製造された電子部品は、半田ペーストを塗布してから半田を溶融させるまでの過程では、チップ部品は半田ペーストまたは溶融した半田の上に浮かんだ状態となり、チップ部品の接続導体膜と支持基体のパッド導体膜との間の半田は、チップ部品の重みによりチップ部品の外側に若干量はみ出すことになる。また、半田の上に浮かんだチップ部品は不安定な状態となっているものである。このことから、従来の電子部品は、接続導体膜とパッド導体膜との間の相対的な位置がばらつくことによりチップ部品の外側にはみ出す半田の量が変化することになり、接続導体膜とパッド導体膜との間の半田の量がばらつきやすいものであった。
【０００５】
例えば、チップ部品として下面にグランド電位の接続導体膜が形成された半導体素子としての増幅回路素子を搭載してなる高周波用途の電子部品において、接続導体膜とパッド導体膜との間の半田の量がばらついた場合には、増幅回路素子のグランド電位がばらつくことになるので、高周波用途においては利得がばらつくという問題点がある。このほか、チップ部品がチップコンデンサやチップインダクタであるときには、接続導体膜とパッド導体膜との間の抵抗値がばらつくので、分布定数回路として設計される高周波用途等においてはインピーダンスがばらつき、その結果、発振特性やフィルタ特性等の高周波特性がばらつくという問題点がある。
【０００６】
以上のように、電子部品において、チップ部品の接続導体膜と支持基体のパッド導体膜との間の半田の量がばらつくと、その間の抵抗値や電位の安定性がばらついて、安定した特性が得られなくなるという問題点がある。
【０００７】
本発明は上記のような従来の電子部品における問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、チップ部品の接続導体膜と支持基体のパッド導体膜との間で半田の量のばらつきを低減させて、安定した特性が得られる電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品は、下面に接続導体膜が形成されたチップ部品を、支持基体上に形成されたパッド導体膜上に半田を用いて搭載してなる電子部品において、前記パッド導体膜は、複数の突部が形成されているチップ部品搭載領域と、該チップ部品搭載領域から張り出した、前記チップ部品が搭載されていない張出部とからなり、前記突部は筋状であり、複数の前記筋状の突部の一端が前記張出部に向かうように形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の電子部品は、上記構成において、前記複数の突部の高さが同じであることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の電子部品は、上記構成において、前記パッド導体膜が前記支持基体の上面に設けられたキャビティの底面に形成されており、前記キャビティの側壁が前記パッド導体膜の外周に沿って設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の電子部品は、上記構成において、前記張出部は、前記チップ部品搭載領域に向かって幅が広くなっていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子部品によれば、下面に接続導体膜が形成されたチップ部品を、支持基体上に形成されたパッド導体膜上に半田を用いて搭載してなる電子部品において、パッド導体膜は、複数の突部が形成されているチップ部品搭載領域と、このチップ部品搭載領域から張り出した、チップ部品が搭載されていない張出部とからなることから、パッド導体膜と接続導体膜との間の過剰な量の半田をチップ部品の重みにより圧力の加わらない張出部へと流出させておいて、チップ部品が突部へと当たった時点で半田の流出を止めるという制御が可能になり、パッド導体膜と接続導体膜との間の半田の量がばらつかなくなるので、パッド導体膜と接続導体膜との間の抵抗値がばらつきにくくなり、安定した特性が得られる電子部品とすることができる。
【００１４】
また、本発明の電子部品によれば、複数の突部の高さが同じであるときには、チップ部品の接続導体膜と支持基体のパッド導体膜とを平行に配置することができるので、例えばチップ部品が半導体素子であって搭載された後にワイヤボンティングによりさらに微細に電気的な接続がされるものであれば、ワイヤボンティング装置のキャピラリの先端部分の接触面積を広くすることができるので、ワイヤボンティングの接着強度を高くすることができる。
【００１５】
また、本発明の電子部品によれば、突部が筋状であり、複数の筋状の突部の一端が張出部に向かうように形成されているときには、パッド導体膜と接続導体膜との間の過剰な量の半田が張出部へと誘導されて半田の流れが一定方向となるので、半田中の気泡がチップ部品搭載領域から張出部へと取り出されやすくなり、パッド導体膜と接続導体膜との間の半田の密度を高くしつつ安定させることができ、例えば、抵抗値をさらに安定させることができるものとなる。
【００１６】
また、本発明の電子部品によれば、パッド導体膜が支持基体の上面に設けられたキャビティの底面に形成されており、キャビティの側壁がパッド導体膜の外周に沿って設けられているときには、半田が張出部へと流れていくことによりチップ部品が張出部の方へと引っ張られたとしても、キャビティの側壁によりチップ部品の移動を抑えることができるので、チップ部品の位置ずれを最小限に抑えることができる。
【００１７】
また、本発明の電子部品によれば、張出部がチップ部品搭載領域に向かって幅が広くなっているときには、張出部の面積が同じであっても過剰な量の半田を張出部へと取り出す部分を大きくすることができるので、張出部の面積を最小限にしつつ張出部以外の部分からの半田のはみ出しを少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の電子部品について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明の電子部品の実施の形態の一例を示す断面図である。同図において、電子部品10は、下面に接続導体膜１ａが形成されたチップ部品１を、支持基体５上に形成されたパッド導体膜２上に半田３を用いて搭載してなるものである。
【００２０】
チップ部品１は、例えば半導体素子・チップコンデンサ・チップインダクタ等であり、下面には接続導体膜１ａが形成されている。チップ部品１は、増幅回路用途の半導体素子であれば、例えば、上面に増幅回路等の能動回路パターン７が形成されたシリコン半導体基板からなり、下面にはグランド電位の接続導体膜１ａが金等の金属材料を蒸着することにより形成されており、さらに上面から下面に貫通する孔（図示せず）が形成され、この孔の内側に形成された金等の導体膜により上面の能動回路パターン７と下面のグランド電位の接続導体膜１ａとが電気的に接続されたものである。グランド電位の接続導体膜１ａは、外部の回路のグランド電位と電気的に接続され、増幅回路のトランジスタを接地させる基準電位としての役割を持つ。なお、接続導体膜１ａは、チップ部品１がチップコンデンサであれば、例えば、銅等を主成分とする導体材料を焼き付けることにより形成されたものである。
【００２１】
支持基体５は、例えば絶縁基板であり、絶縁体の材料としては窒化珪素・アルミナ・ムライト・ガラスセラミックス等のセラミックス材料や、エポキシ・ポリアミド等の有機樹脂材料が用いられる。
【００２２】
支持基体５の上面に形成されたパッド導体膜２は、例えば銅を主成分とするメタライズ膜の表面にニッケル層および金層を形成したものである。なお、支持基体５の上面または内部には、他のパッド導体や回路を構成するための回路配線が形成されている。これら回路配線の材料としては、パッド導体膜２と同じ材料を用いることができる。
【００２３】
接続導体膜１ａとパッド導体膜２との間に配置された半田３は、錫・銀・銅を主成分とする鉛フリーの半田材料であり、接続導体膜１ａとパッド導体膜２とを機械的に接合するとともに電気的に接続している。
【００２４】
以下に、本発明の電子部品10の製造方法について説明する。
【００２５】
図２（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の電子部品10の製造方法の一例を説明するための工程別の平面図であり、図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、図３（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図であり、図３（ｃ）は図２（ｃ）のＣ−Ｃ’線断面図であり、図３（ｄ）は図２（ｄ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
【００２６】
（第１工程）まず、下面に接続導体膜１ａが形成されたチップ部品１と、パッド導体膜２が上面に形成された支持基体５とを準備する。チップ部品１は、例えば能動回路パターン７を含む複数の半導体素子領域が縦横の並びに配置されてなるウエハをダイシングカットすることにより得られる、四角形状の半導体素子を用いる。支持基体５としては窒化珪素基板を用いる。パッド導体膜２は、銅粉末をビヒクル中に分散させてなるメタライズ用ペーストをスクリーン印刷によって塗布して焼成することにより焼き付けた銅導体膜の表面にニッケル層をメッキにより形成し、さらにその表面に金層をメッキにより形成したものを用いる。
【００２７】
本発明の電子部品10においては、図２（ａ）および図２（ａ）に示すように、パッド導体膜２は、上面に複数の突部２ａが形成されているチップ部品搭載領域２ｍと、チップ部品搭載領域２ｍから張り出した、チップ部品１が搭載されない張出部２ｒとからなるものである。
【００２８】
チップ部品搭載領域２ｍは、チップ部品１の下面に形成された接続導体膜１ａと同じ形状とするか、または若干面積を大きくした相似形状としたものである。このチップ部品搭載領域２ｍに形成されている複数の突部２ａは、パッド導体膜２を構成する膜状の導体の一部に設けられた、例えば高さが10〜200μｍの円形状の突起であり、チップ部品搭載領域２ｍにはこの複数の突部２ａがほぼ等間隔の配置になるように設けられる。このような複数の突部２ａは、メタライズ用ペーストをスクリーン印刷によって塗布することによりパッド導体膜２を形成した場合には、チップ部品搭載領域２ｍおよび張出部２ｒを含むパッド導体膜２に対応する部分の塗布を行なった後で、突部２ａの部分のみを塗布するスクリーンを用いて、メタライズ用ペーストを２〜５回塗布することによって設けることができる。
【００２９】
（第２工程）次に、図２（ｂ）および図３（ｂ）に示すように、パッド導体膜２のうちチップ部品搭載領域２ｍの上面に、ほぼ同じ形状・面積に半田ペースト膜３を形成する。この半田ペースト３は、材料として、錫・銀・銅の金属粉末を、アミン・ハロゲン化物・ロジン・パラフィン・ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を含む有機成分中に分散させた半田ペーストを準備しておいて、パッド導体膜２のチップ部品搭載領域２ｍよりも少し小さめに開口部が形成されたメタルマスクを準備して、チップ部品搭載領域２ｍに、メタルマスクの開口部の位置を合わせて準備した半田ペーストをスクリーン印刷することにより、このメタルマスクの開口部の形状・厚みに応じた半田ペーストをチップ部品搭載領域２ｍの上面に吐出させ、少し時間をおいてレベリングさせることにより形成することができる。
【００３０】
（第３工程）次に、図２（ｃ）および図３（ｃ）に示すように、半田ペースト膜３上に、半田ペースト膜３の形成された領域内に収まるようにして、チップ部品１を載せる。このとき、チップ部品１は、チップ部品搭載領域２ｍ上の半田ペースト膜３の粘着力によって、一旦仮固定される。なお、半田ペースト膜３上にチップ部品１を載せる際には、チップ部品１がチップ部品搭載領域２ｍからはみ出したとしても、後述するように半田が溶融した際に自動的にチップ部品搭載領域２ｍに引き戻す作用が働くが、張出部２ｒ上に被さるように載せてしまうと、チップ部品１を引き戻す作用が弱くなり、チップ部品１の搭載位置がずれてしまいやすいので、特に注意しておく必要がある。
【００３１】
（第４工程）次に、このチップ部品１を載せた支持基体５を、ピーク温度を210〜260℃に設定したリフロー炉に入れることにより、半田ペースト膜３を加熱して溶融させる。このとき、まず、半田ペースト膜３に含まれるアミン・ハロゲン化物等の活性化物がチップ部品搭載領域２ｍから張出部２ｒへと到達してパッド導体膜２の表面の酸化皮膜を順次破壊していき、次に、溶融したロジンが露出したパッド導体膜２の金属面を覆っていくようになり、そして、半田ペースト膜３に含まれる錫・銀・銅等の半田が、溶融してロジンを押しのけながら、接続導体膜１ａの表面およびパッド導体膜２のチップ部品搭載領域２ｍの表面にそれぞれ濡れ広がって付着することになる。
【００３２】
しかる後に、溶融した状態の半田３を冷却して固化させることにより、半田３によって、支持基体５とチップ部品１とを機械的に接合させるとともに支持基体５のパッド導体膜２とチップ部品１の接続導体膜１ａとを電気的に接続させることとなる。
【００３３】
なお、半田ペースト膜３を塗布してからそれが溶融するまでの過程では、チップ部品１は半田ペースト膜３または溶融した半田３の上に浮かんだ状態となり、チップ部品１の接続導体膜１ａとパッド導体膜２のチップ部品搭載領域１ｍとの間の半田３には、チップ部品１の重みにより、チップ部品１の外側に若干量はみ出そうとする力が働くようになる。
【００３４】
この点において、本発明の電子部品10においては、パッド導体膜２は、複数の突部２ａが形成されているチップ部品搭載領域２ｍと、このチップ部品搭載領域２ｍから張り出した、チップ部品１が搭載されていない張出部２ｒとからなるものとしている。このことから、図２（ｄ）および図３（ｄ）に示すように、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の過剰な量の半田３をチップ部品１の重みにより圧力の加わらない張出部２ｒへと流出させておいて、チップ部品１の下面の接続導体膜１ａが突部２ａへと当たった時点で半田３の流出を止めるという制御が可能になる。従って、本発明の電子部品10によれば、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の半田３の量がばらつかなくなるので、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の抵抗値がばらつきにくくなり、安定した特性が得られる電子部品10とすることができる。例えば、チップ部品１が増幅回路用途の半導体素子であり、下面の接続導体膜１ａが外部の回路のグランド電位と電気的に接続され、増幅回路のトランジスタを接地させる基準電位となるグランド電位の導体膜とされているものであれば、外部の回路と接続導体膜１ａとの間の抵抗値がばらつかなくなるので、高周波用途においては利得がばらつかなくなり、半田３の抵抗値を設計する時点で規格化させやすくなる。
【００３５】
また、張出部２ｒとチップ部品搭載領域２ｍとの境界線の長さは、チップ部品１の張出部２ｒ側の辺の長さよりも小さくしておくことが望ましい。こうすることにより、半田３が張出部２ｒへと流れていくことにより発生する、チップ部品１を張出部２ｒの方へと引っ張る力が小さくなるので、チップ部品１が移動しにくくなってチップ部品１とパッド導体膜２との位置ズレが発生しにくくなる。
【００３６】
また、本発明の電子部品10において、チップ部品１として増幅回路用途の半導体素子を用いた場合であれば、チップ部品１の上面に形成した能動回路パターン７の電極と支持基体５上の他のパッド導体とを金やアルミニウム等の金属からなるワイヤ８を用いてワイヤボンディングすることにより、増幅回路等の能動回路パターン７と支持基体５の回路配線とを電気的に接続する。
【００３７】
本発明の電子部品10は、複数の突部２ａが同じ高さとなるように設定しておくことが好ましく、これにより、チップ部品１の接続導体膜１ａと支持基体５のパッド導体膜２とを平行に配置することができる。チップ部品１が傾いて搭載されていると、チップ部品１の上面の電極に対して、ワイヤボンティング装置のキャピラリの先端部分は一部分しか接触しなくなるが、本発明の電子部品10によれば、水平に位置決めされた支持基体５の上面でチップ部品１の上面を水平に配置させることができ、ワイヤボンティング装置のキャピラリの先端部分とチップ部品１の上面の電極との接触面積を広くすることができるので、ワイヤボンティングによるワイヤ８の接着強度を高くすることができる。なお、径が100μｍ以下のワイヤ８を用いてワイヤボンディングする場合は、一般的には、チップ部品１の傾きが１°を超えると接着強度不良の発生が顕著に増加するとされている。
【００３８】
また、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、張出部２ｒがチップ部品搭載領域２ｍに向かって幅が広くなっているときには、張出部２ｒの面積が同じであっても過剰な量の半田３を張出部２ｒへと取り出やすくなるので、張出部２ｒの面積を最小限にしつつ張出部２ｒ以外の部分からのはみ出しを少なくすることができる。
【００３９】
本発明の電子部品10の実施例として、寸法が35×35×１ｍｍの窒化珪素からなる支持基体５の上面に、直径を0.2ｍｍとし高さを0.1ｍｍとして複数の円形状の突部２ａが設けられた5.5×5.5ｍｍのチップ部品搭載領域２ｍ、およびチップ部品搭載領域２ｍの一辺の中央付近の0.5ｍｍに渡る部分から二等辺三角形状に0.5ｍｍの長さで張り出した張出部２ｒを有するパッド導体膜２を形成し、チップ部品搭載領域２ｍ上に塗布形成した錫・銀・銅を主成分とする厚みが0.15ｍｍの半田ペースト膜３を介して、寸法が５×５×0.3ｍｍのシリコン単結晶基板から成る半導体素子としてのチップ部品１を搭載したものを６個作製した。
【００４０】
また、比較例の電子部品として、突部２ａおよび張出部２ｒを有しないパッド導体膜２が上面に形成された支持基体５を準備し、同様に、チップ部品１をパッド導体膜２のチップ部品搭載領域２ｍ上に塗布形成した半田ペースト膜３を介してチップ部品１を搭載したものを６個作製した。
【００４１】
本発明の電子部品10の実施例および比較例の電子部品について、チップ部品１が搭載された部分の断面を観察してパッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の半田３の量を測定してみると、半田３の量のばらつきは、比較例の電子部品では25％以上であったが、本発明の電子部品10の実施例においては15％以下であった。
【００４２】
このように、本発明の電子部品10によれば、パッド導体膜２のチップ部品搭載領域２ｍに突部２ａを設けることにより、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間に突部２ａの高さに相当する量の半田３に対して過剰な量の半田３を張出部２ｒへと流出させることができるので、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の半田３の量のばらつきを少なくできることが確認できた。
【００４３】
なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更や改良等が可能である。
【００４４】
例えば、上述した本発明の電子部品10の一例においては、突部２ａは円形状のものとしているが、三角形状または四角形状等の多角形状の突部２ａとしても構わない。
【００４５】
また、張出部２ｒは二等辺三角形のものとしているが、この形状に限定されるものではなく、例えば四角形状または楕円形状とすることもできる。
【００４６】
図４は、本発明の電子部品10の実施の形態の他の例を示す、パッド導体膜２を上方から見た平面図である。図４に示すように、突部２ａが筋状であり、複数の直線状に、または湾曲して、それぞれ筋状の突部２ａの一端が張出部２ｒに向かうように形成されているときには、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の過剰な量の半田３が筋状の突部２ａに沿って張出部２ｒへと誘導されるようになり、このような現象が起こることによって溶融した半田３の流れが一定方向となって、半田３中の気泡がチップ部品搭載領域２ｍから張出部２ｒへと取り出されやすくなるので、パッド導体膜２と接続導体膜１ａとの間の半田３の密度を高くしつつ安定させることができる。これは、例えば、チップ部品１の接続導体膜１ａと支持基体５のパッド導体膜２との間の抵抗値をさらに安定させることができるという効果を高めることができる。
【００４７】
図５は、本発明の電子部品10の実施の形態のさらに他の例を示す、支持基体５の断面図である。図５に示すように、パッド導体膜２が支持基体５の上面に設けられたキャビティ５ａの底面に形成されており、キャビティ５ａの側壁がパッド導体膜２の外周に沿って設けられているときには、半田３が張出部２ｒへと流れていくことによりチップ部品１が張出部２ｒの方へと引っ張られたとしても、キャビティ５ａの側壁によりチップ部品１が移動しないように押さえることができるので、チップ部品１の位置ずれを最小限に抑えることができる。
【００４８】
また、上述した本発明の電子部品10の一例においては、製造する過程で、張出部２ｒには半田ペースト膜３を形成してないが、張出部２ｒに半田ペースト膜３を形成することもできる。ただし、張出部２ｒの半田３の量が多くなり過ぎる場合には、充分な量の半田３が張出部２ｒに流出しにくくなるので、例えば、張出部２ｒの一部にまで半田ペースト膜３を形成する場合には、その量を加減して、半田３が流出する量とのバランスを調整することが望ましい。
【００４９】
また、上述した本発明の電子部品10の一例においては、パッド導体膜２は、張出部２ｒがチップ部品搭載領域２ｍの一箇所からだけ張り出した形状となっているが、この形状に限定されるものではなく、張出部２ｒが複数箇所から張り出した形状としてもよい。特に、張出部２ｒが互いに対称な位置に配置されているときには、半田３の流れの方向が対称的になるので、チップ部品１が移動しにくくなってチップ部品１とパッド導体膜２との位置ずれが発生しにくくなる。
【００５０】
さらに、上述した本発明の電子部品10の一例においては、パッド導体膜２は、張出部２ｒが四角形状の辺の中央付近から張り出した形状となっているが、この形状に限定されるものではなく、角部から張り出した形状としてもよい。パッド導体膜２をこのような形状にしたときには、チップ部品１の張出部２ｒ側の辺の数が２つになるので、半田３が張出部２ｒへと流れていくことにより発生する、チップ部品１を張出部２ｒの方へと引っ張る力に対して引き戻す力が大きくなるので、チップ部品１が移動しにくくなってチップ部品１とパッド導体膜２との位置ずれが発生しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の電子部品の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の電子部品の製造方法の実施の形態の一例を説明するための工程別の平面図である。
【図３】（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図であり、（ｃ）は図２（ｃ）のＣ−Ｃ’線断面図であり、（ｄ）は図２（ｄ）のＤ−Ｄ’線断面図である。
【図４】本発明の電子部品の実施の形態の他の例を示す、パッド導体膜２を上方から見た平面図である。
【図５】本発明の電子部品の実施の形態のさらに他の例を示す、支持基体５の断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・チップ部品
１ａ・・・接続導体膜
２・・・パッド導体膜
２ａ・・・突部
２ｍ・・・チップ部品搭載領域
２ｒ・・・張出部
３・・・半田（半田ペースト膜）
５・・・支持基体
５ａ・・・キャビティ
【図１】
0004994173.tif 000002
【図２】
0004994173.tif 000003
【図３】
0004994173.tif 000004
【図４】
0004994173.tif 000005
【図５】
0004994173.tif 000006