(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターン、および、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層を備える回路基板部と、
前記回路基板部から延出され、前記回路基板部の少なくとも一部を被覆するための被覆部とを備え、
前記被覆部は、前記金属支持基板および前記ベース絶縁層を含み、外側に前記金属支持基板が配置され、内側に前記ベース絶縁層が配置されるように折り曲げられることにより、前記回路基板部の少なくとも一部と厚み方向において重なることができるように形成されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記導体パターンは、複数の配線を備え、
前記回路基板部は、前記配線が形成される配線形成部を含み、
前記被覆部は、前記配線形成部から、前記配線に沿う方向と交差する方向に膨出するように形成され、
前記被覆部と前記配線形成部との間には、折曲部が設けられており、
前記被覆部は、前記折曲部に沿って折り曲げられるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記折曲部は、前記金属支持基板においてスリットが設けられることにより、前記ベース絶縁層の１層のみから形成されることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記被覆部は、嵌合部を備え、
前記回路基板部は、前記嵌合部に嵌合されるための被嵌合部を備え、
前記嵌合部は、前記被覆部が折り曲げられたときに、厚み方向において前記被嵌合部と対向配置され、その被嵌合部と嵌合できるように形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
前記被覆部が折り曲げられたときに、前記被覆部と前記厚み方向において対向する前記回路基板部の前記ベース絶縁層の厚みが、それに隣接する前記ベース絶縁層の厚みより、薄く形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の回路付サスペンション基板の前記被覆部を、前記回路基板部の少なくとも一部と厚み方向において重なり、外側に前記金属支持基板が配置され、内側に前記ベース絶縁層が配置されるように、折り曲げる折曲工程、および、
前記折曲工程後、前記回路付サスペンション基板をＥブロックに実装する工程
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の実装方法。
【請求項７】
金属支持基板を用意する工程と、
回路基板部、折曲部および被覆部に対応して連続するように、前記金属支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程と、
前記回路基板部の前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、
前記回路基板部の前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層を形成する工程と、
前記金属支持基板を、前記回路基板部、前記折曲部および前記被覆部に対応する形状に外形加工する工程と
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項８】
前記外形加工する工程において、前記金属支持基板の前記折曲部に対応する部分にスリットを形成する工程を備えることを特徴とする、請求項７に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板ならびにその実装方法および製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブのＥブロックなどに実装される回路付サスペンション基板ならびにその実装方法および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板は、通常、ハードディスクドライブにおける櫛形状のＥブロックに実装される。
例えば、ハードディスクドライブに備えられるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）において、フレキシャを有する複数のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が、Ｅブロックに実装されることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００７−１６４９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、ＨＧＡは、Ｅブロックの隙間に挿入されて実装されるところ、ＨＧＡの挿入時に、ＨＧＡのフレキシャがＥブロックのエッジと接触すると、Ｅブロックが剛性の高い材料（金属など）からなることから、フレキシャが損傷する場合がある。
とりわけ、Ｅブロックのエッジにバリがあると、フレキシャは、バリとの接触によって、容易に損傷する。
【０００４】
本発明の目的は、Ｅブロックへの実装において、損傷を防止することのできる、回路付サスペンション基板ならびにその実装方法および製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターン、および、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層を備える回路基板部と、前記回路基板部から延出され、前記回路基板部の少なくとも一部を被覆するための被覆部とを備え、前記被覆部は、前記金属支持基板および前記ベース絶縁層を含み、外側に前記金属支持基板が配置され、内側に前記ベース絶縁層が配置されるように折り曲げられることにより、前記回路基板部の少なくとも一部と厚み方向において重なることができるように形成されていることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記導体パターンは、複数の配線を備え、前記回路基板部は、前記配線が形成される配線形成部を含み、前記被覆部は、前記配線形成部から、前記配線に沿う方向と交差する方向に膨出するように形成され、前記被覆部と前記配線形成部との間には、折曲部が設けられており、前記被覆部は、前記折曲部に沿って折り曲げられるように形成されていることが好適である。
【０００７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記折曲部は、前記金属支持基板においてスリットが設けられることにより、前記ベース絶縁層の１層のみから形成されることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記被覆部は、嵌合部を備え、前記回路基板部は、前記嵌合部に嵌合されるための被嵌合部を備え、前記嵌合部は、前記被覆部が折り曲げられたときに、厚み方向において前記被嵌合部と対向配置され、その被嵌合部と嵌合できるように形成されていることが好適である。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記被覆部が折り曲げられたときに、前記被覆部と前記厚み方向において対向する前記回路基板部の前記ベース絶縁層の厚みが、それに隣接する前記ベース絶縁層の厚みより、薄く形成されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板の実装方法は、上記した回路付サスペンション基板の前記被覆部を、前記回路基板部の少なくとも一部と厚み方向において重なり、外側に前記金属支持基板が配置され、内側に前記ベース絶縁層が配置されるように、折り曲げる折曲工程、および、前記折曲工程後、前記回路付サスペンション基板をＥブロックに実装する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、回路基板部、折曲部および被覆部に対応して連続するように、前記金属支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程と、前記回路基板部の前記ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程と、前記回路基板部の前記ベース絶縁層の上に前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層を形成する工程と、前記金属支持基板を、前記回路基板部、前記折曲部および前記被覆部に対応する形状に外形加工する工程とを備えることを特徴としている。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、前記外形加工する工程において、前記金属支持基板の前記折曲部に対応する部分にスリットを形成する工程を備えることが好適である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路付サスペンション基板では、被覆部を折り曲げれば、被覆部が回路基板部の少なくとも一部と厚み方向において重なり、被覆部により、回路基板部の少なくとも一部を被覆することができる。
そのため、本発明の回路付サスペンション基板の実装方法によれば、折曲工程後の回路付サスペンション基板をＥブロックに実装するときに、回路付サスペンション基板がＥブロックと接触しても、回路基板部が被覆部により被覆されているので、回路基板部ではなく被覆部がＥブロックと接触するので、回路基板部のＥブロックとの接触に起因する損傷や断線を防止することができる。
【００１０】
その結果、導体パターンの損傷や断線が防止された回路付サスペンションをハードディスクドライブに搭載することにより、そのハードディスクドライブの信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の要部拡大平面図、図３は、図２におけるＡ−Ａ線に沿う断面図、図４は、図２におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
なお、図１において、後述するベース絶縁層１２および導体パターン１３の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層１４は省略している。
【００１２】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、磁気ヘッドとハードディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、その磁気ヘッドを、ハードディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持する。また、回路付サスペンション基板１には、金属支持基板１１に、図示しない外部回路基板（例えば、リード・ライト基板）および磁気ヘッドを電気的に接続するための導体パターン１３が形成されている。
【００１３】
なお、導体パターン１３は、後述するが、磁気ヘッドの端子に接続するためのヘッド側端子１７と、リード・ライト基板の端子に接続するための外部側端子１８と、これらを接続するための複数の配線１５とを一体的に備えている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平面視略矩形平帯状に形成されており、回路基板部２と、被覆部３と、折曲部７とを一体的に備えている。
【００１４】
回路基板部２は、図１および図２に示すように、長手方向に延びる平面視略矩形平帯状に形成されている。また、回路基板部２は、配線形成部４と、ヘッド側端子形成部５と、外部側端子形成部６とを一体的に備えている。
配線形成部４は、先後方向（長手方向）に延びる平面視略矩形状に形成されている。また、配線形成部４の先後方向途中は、後述する折曲工程によって、被覆部３により被覆される、回路基板部２の一部としての保護部分８とされている。そして、配線形成部４には、長手方向に沿って延びる複数の配線１５が幅方向（長手方向に直交する方向、以下同様。）に間隔を隔てて並列配置されている。また、配線形成部４には、被嵌合部１０が設けられている。
【００１５】
被嵌合部１０は、後述する嵌合部９に嵌合されるために設けられ、保護部分８における長手方向略中央の幅方向他端部に形成されている。具体的には、被嵌合部１０は、保護部分８の幅方向他端縁から幅方向他方に向かって突出する、第３突出部２３を備えている。
各第３突出部２３は、平面視略矩形状に形成され、幅方向他端部の長手方向中央が平面視略矩形状に切り欠かれた溝２４が開口されている。
【００１６】
ヘッド側端子形成部５は、図１に示すように、回路基板部２に対して先側（長手方向一方側、以下同様。）に隣接配置されており、具体的には、配線形成部４の先端縁から先側に向かって延び、回路基板部２の幅とほぼ同幅の平面視略矩形状に形成されている。
また、ヘッド側端子形成部５には、図示しない磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子１７が形成されている。ヘッド側端子１７は、ヘッド側端子形成部５において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されており、複数の配線１５の先端がそれぞれ接続されている。
【００１７】
外部側端子形成部６は、回路基板部２に対して後側（長手方向他方側、以下同様。）に隣接配置されており、具体的には、配線形成部４の後端縁から後側に向かって延び、回路基板部２の幅よりやや幅広の平面視略矩形状に形成されている。
また、外部側端子形成部６には、図示しないリード・ライト基板と電気的に接続される外部側端子１８が形成されている。外部側端子１８は、外部側端子形成部６において、幅方向に間隔を隔てて並列配置されており、複数の配線１５の後端がそれぞれ接続されている。
【００１８】
被覆部３は、回路基板部２の配線形成部４から、折曲部７を介して、幅方向一方側に延出されている。具体的には、被覆部３は、配線形成部４の保護部分８の幅方向一端縁から、折曲部７を介して幅方向一方側に膨出（突出）するように、幅方向に配線形成部４と対向配置されている。また、被覆部３は、配線形成部４（保護部分８）と略同幅の平面視略形状に形成されている。さらに、被覆部３には、嵌合部９が設けられている。
【００１９】
嵌合部９は、被嵌合部１０と嵌合するために設けられ、被覆部３における長手方向略中央において、幅方向において被嵌合部１０と保護部分８および折曲部７を挟んで対向配置されている。具体的には、嵌合部９は、被覆部３の幅方向一端部に形成されており、被覆部３の幅方向一端縁から幅方向一方に向かって突出する、平面視略Ｔ字状をなし、第１突出部２１および第２突出部２２を備えている。
【００２０】
第１突出部２１は、図２に示すように、被覆部３の幅方向一端縁から幅方向一方に向かって直線状に延びる、平面視略矩形状に形成されている。
第２突出部２２は、第１突出部２１の幅方向一端部の長手方向両端縁から連続して長手方向両側に向かって直線状に延びる、平面視略矩形状に形成されている。
折曲部７は、被覆部３と配線形成部４との間に設けられており、具体的には、被覆部３の幅方向他端縁と、保護部分８の幅方向一端縁とを連結するように、幅方向において、それらの間に架設されている。また、折曲部７は、長手方向に沿って、被覆部３の長さ（長手方向長さ）よりわずかに短い長さにまで延びる、幅狭の平面視略矩形状に形成されている。
【００２１】
また、この回路付サスペンション基板１は、図３および図４に示すように、金属支持基板１１、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２、ベース絶縁層１２の上に形成される導体パターン１３、および、ベース絶縁層１２の上に形成され、導体パターン１３を被覆するカバー絶縁層１４を備えている。
金属支持基板１１は、図１〜図３に示すように、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する形状に形成されている。
【００２２】
具体的には、金属支持基板１１は、回路基板部２および被覆部３に対応するように形成されている。
また、金属支持基板１１は、回路基板部２においては、被嵌合部１０の平面視形状に対応するように形成され、また、被覆部３においては、嵌合部９の平面視形状に対応するように形成されている。
【００２３】
また、金属支持基板１１には、折曲部７に対応する部分に、長手方向に沿い、厚み方向を貫通するスリット１９が形成されている。スリット１９は、回路基板部２の金属支持基板１１と、被覆部３の金属支持基板１１とを、幅方向において分断するように、折曲部７の長手方向一端から長手方向他端までのすべてにわたって形成されている。
金属支持基板１１の寸法は、回路基板部２における幅（幅方向長さ）が、例えば、０．３〜５ｍｍ、好ましくは、０．４〜３ｍｍであり、被覆部３における幅が、例えば、０．３〜５ｍｍ、好ましくは、０．４〜３ｍｍであり、スリット１９の幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
【００２４】
また、嵌合部９の寸法は、嵌合部９の幅（第１突出部２１の突出長さ）Ｌ１が、例えば、５００〜５０００μｍ、その長さ（第２突出部２２の長手方向両端部間の長さ）Ｌ２が、例えば、５００〜５０００μｍである。また、第１突出部２１の幅（長手方向長さ）Ｗ１が、例えば、５０〜１０００μｍ、第２突出部２２の幅（幅方向長さ）Ｗ２が、例えば、３００〜３０００μｍである。
【００２５】
また、被嵌合部１０の寸法は、被嵌合部１０の幅（第３突出部２３の突出長さ）Ｌ３が、例えば、５００〜５０００μｍ、第３突出部２３の長手方向長さＬ４が、例えば、３００〜６０００μｍ、溝２４の幅（長手方向長さ）Ｌ５は、例えば、６０〜２０００μｍである。なお、溝２４の深さ（長手方向長さ）Ｄ１は、例えば、３００〜３０００μｍである。
【００２６】
金属支持基板１１の厚みは、回路基板部２および被覆部３において、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
ベース絶縁層１２は、回路基板部２、折曲部７および被覆部３に対応して形成されている。具体的には、ベース絶縁層１２は、回路基板部２、折曲部７および被覆部３にわたって連続して形成されている。
【００２７】
すなわち、ベース絶縁層１２は、回路基板部２においては、金属支持基板１１の表面に形成されている。また、ベース絶縁層１２は、配線形成部４と、ヘッド側端子形成部５と、外部側端子形成部６とにわたって連続して、導体パターン１３が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。また、ベース絶縁層１２は、図１に示すように、回路基板部２において、その金属支持基板１１の周端部（金属支持基板１１の長手方向両側端、および、保護部分８の幅方向一側端を除く金属支持基板１１の幅方向両側端）を露出させている。つまり、ベース絶縁層１２は、回路基板部２において、その金属支持基板１１よりやや小さく形成されている。
【００２８】
また、ベース絶縁層１２は、回路基板部２において、図３および図４に示すように、保護部分８（被覆部３が折り曲げられたときに、被覆部３と厚み方向において対向する部分（図７参照）。図２における斜線部分。）のベース絶縁層１２の厚みＴ１が、それに隣接するベース絶縁層１２の厚みＴ２より、薄く形成されている。すなわち、保護部分８のベース絶縁層１２の厚みＴ１は、図３に示すように、被覆部３および折曲部７のベース絶縁層１２の厚みＴ２より薄く、かつ、図４に示すように、回路基板部２における保護部分８と長手方向両側に隣接するベース絶縁層１２の厚みＴ２よりも薄く形成されている。
【００２９】
具体的には、保護部分８のベース絶縁層１２の厚みＴ１は、保護部分８に隣接するベース絶縁層１２の厚みＴ２を１００％としたときに、例えば、５０％以下、好ましくは、４０％以下、さらに好ましくは、通常、１０％以上であり、具体的には、例えば、４μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下、さらに好ましくは、通常、１．５μｍ以上である。
また、保護部分８に隣接するベース絶縁層１２の厚みＴ２は、例えば、５〜１５μｍ、好ましくは、８〜１２μｍである。
【００３０】
また、ベース絶縁層１２は、被覆部３においては、金属支持基板１１の表面に形成されている。ベース絶縁層１２は、図１に示すように、金属支持基板１１の周端部（金属支持基板１１の長手方向両側端、および、金属支持基板１１の幅方向一側端）を露出させている。つまり、ベース絶縁層１２は、被覆部３において、その金属支持基板１１よりやや小さく形成されている。
【００３１】
また、ベース絶縁層１２は、折曲部７においては、金属支持基板１１のスリット１９から下側に露出している。
ベース絶縁層１２の寸法は、回路基板部２における幅（幅方向長さ）が、例えば、２５０〜４５００μｍ、好ましくは、３５０〜２５００μｍであり、被覆部３における幅が、例えば、２５０〜４５００μｍ、好ましくは、７５０〜４５００μｍである。なお、折曲部７のベース絶縁層１２の幅は、上記したスリット１９の幅と同一である。
【００３２】
導体パターン１３は、図１、図３および図４に示すように、回路基板部２におけるベース絶縁層１２の表面に設けられ、上記したように、ヘッド側端子１７と外部側端子１８と配線１５とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
導体パターン１３の寸法は、各配線１５の幅が、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍ、その間隔が、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、各ヘッド側端子１７の幅および各外部側端子１８の幅が、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各ヘッド側端子１７間の間隔および各外部側端子１８間の間隔が、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００３３】
カバー絶縁層１４は、図２および図３に示すように、回路基板部２に対応して設けられ、導体パターン１３の表面、および、導体パターン１３から露出するベース絶縁層１２の表面に設けられている。具体的には、カバー絶縁層１４は、配線形成部４において、配線１５を被覆し、ヘッド側端子形成部５および外部側端子形成部６において、ヘッド側端子１７および外部側端子１８を露出するパターンとして形成されている。
【００３４】
カバー絶縁層１４の寸法は、回路基板部２における幅が、例えば、５０〜４５００μｍ、好ましくは、１５０〜２５０μｍであり、その厚みが、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
図５は、回路付サスペンション基板の製造方法を説明する工程図である。
次に、この配線回路基板の製造方法について、図５を参照して説明する。
【００３５】
まず、この方法では、図５（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、平板シート形状の金属箔や金属薄板からなり、これを形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。
次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の上に、回路基板部２、被覆部３および折曲部７にわたる上記したパターンで形成する。
【００３６】
ベース絶縁層１２を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。好ましくは、ポリイミドが用いられる。
ベース絶縁層１２を上記したパターンで形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板１１の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。
【００３７】
次いで、ベース皮膜を、階調露光フォトマスク（図示せず）を介して露光する。なお、階調露光フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分のパターンを備えており、保護部分８以外のベース絶縁層１２に形成されるベース皮膜には光全透過部分を、保護部分８のベース絶縁層１２に形成されるベース皮膜には光半透過部分を、ベース絶縁層１２を形成しないベース皮膜（回路基板部２および被覆部３における金属支持基板１１の周端部）には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置する。露光後、必要により加熱し、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００３８】
これにより、ベース絶縁層１２を、保護部分８のベース絶縁層１２とそれに隣接するベース絶縁層１２との厚みが相違するように、形成する。
次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、導体パターン１３を、回路基板部２におけるベース絶縁層１２の上に上記した配線回路パターンで形成する。
導体パターン１３は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料からなり、好ましくは、銅からなる。
【００３９】
また、導体パターン１３は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層１２および金属支持基板１１の表面に、導体薄膜（種膜）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
【００４０】
次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン１３のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、導体パターン１３を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、カバー絶縁層１４を、回路基板部２におけるベース絶縁層１２の上に上記したパターンで形成する。
【００４１】
カバー絶縁層１４を上記したパターンで形成するには、例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、導体パターン１３、ベース絶縁層１２および金属支持基板１１の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターン（ヘッド側端子１７および外部側端子１８が開口されるパターン）を形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００４２】
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、金属支持基板１１を開口して、スリット１９を形成する。
金属支持基板１１の開口は、例えば、ドライエッチングやウェットエッチング（化学エッチング）などのエッチング、例えば、ドリル加工やレーザ加工などが用いられる。好ましくは、化学エッチングが用いられる。
【００４３】
スリット１９の形成では、回路基板部２および被覆部３に金属支持基板１１が残存するように、折曲部７の金属支持基板１１を除去する。これにより、折曲部７において、金属支持基板１１が形成されず、折曲部７が、ベース絶縁層１２の１層から形成されて、さらに、被覆部３が、金属支持基板１１およびベース絶縁層１２の２層から形成される。
また、このスリット１９の形成と同時に、図２に示すように、回路基板部２および被覆部３の金属支持基板１１を外形加工することにより、嵌合部９および被嵌合部１０を形成して、回路付サスペンション基板１を得る。
【００４４】
図６は、図１の回路付サスペンション基板の平面図であって、被覆部が折り曲げられた状態を示し、図７は、図２の回路付サスペンション基板の幅方向に沿う断面図であって、被覆部が折り曲げられた状態を示し、図８は、図７の回路付サスペンション基板の実装方法の説明図である。
次に、図１および図６〜図８を参照して、回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブのＥブロック３０に実装する方法を説明する。
【００４５】
まず、この方法では、図１の矢印および図７の矢印および仮想線に示すように、回路付サスペンション基板１において、被覆部３を、回路基板部２に対して、折曲部７に沿って折り曲げる（折曲工程）。
具体的には、折曲部７の表面（折曲部７のベース絶縁層１２の表面）を谷にして、回路基板部２のカバー絶縁層１４の表面と、被覆部３のベース絶縁層１２の表面とが近接するように、被覆部３を保護部分８に重ねる。
【００４６】
また、折曲工程において、図７に示すように、嵌合部９を被嵌合部１０に嵌合する。すなわち、上記したように、嵌合部９は、折曲部７に沿って折り曲げられたときに、厚み方向において被嵌合部１０と対向配置される。そして、図２が参照されるように、嵌合部９の第１突出部２１を、被嵌合部１０の溝２４に挿入して、嵌合部９の第２突出部２２を、被嵌合部１０の裏面側に配置させる。これによって、嵌合部９を被嵌合部１０に嵌合することができる。
【００４７】
上記した折曲工程によって、被覆部３は、保護部分８と厚み方向において重なることができる。また、嵌合部９と被嵌合部１０との嵌合によって、被覆部３と保護部分８との重なり状態を維持することができる。
その後、この方法では、図８に示すように、折り曲げられた回路付サスペンション基板１をＥブロック３０に実装する（実装工程）。
【００４８】
Ｅブロック３０は、ハードディスクドライブにおけるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）などに備えられ、図８に示すように、例えば、金属製の断面櫛形状に形成され、回路付サスペンション基板１を収納するための隙間３１が複数仕切られている。なお、Ｅブロック３０は、その表面が、通常、ニッケルなどの金属によってめっきされて被覆されている。
【００４９】
回路付サスペンション基板１をＥブロック３０に実装するには、矢印で示すように、回路付サスペンション基板１を、その折曲部７側から、Ｅブロック３０の隙間３１に差し込む。
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、被覆部３を折り曲げることによって、被覆部３が回路基板部２の保護部分８と厚み方向において重なり、被覆部３により、回路基板部２の保護部分８を被覆することができる。
【００５０】
とりわけ、折曲部７は、金属支持基板１１におけるスリット１９が設けられ、しかも、ベース絶縁層１２の１層のみから形成されているので、折曲部７の柔軟性を向上させることができ、折曲部７に沿って被覆部３を容易に折り曲げることができる。
また、嵌合部９は、被覆部３が折り曲げられたときに、厚み方向において被嵌合部１０と対向配置され、その被嵌合部１０と嵌合できるように形成されている。そのため、嵌合部９を被嵌合部１０と嵌合させることができ、被覆部３と保護部分８との重なり状態を確実に維持することができる。
【００５１】
さらには、被覆部３と厚み方向において対向する保護部分８のベース絶縁層１２の厚みが、保護部分８に隣接するベース絶縁層１２の厚みより、薄く形成されているので、重ねられた保護部分８および被覆部３の合計厚み（Ｔ１＋Ｔ２）が過度に厚くなることを防止することができる。そのため、保護部分８および被覆部３の合計厚み（Ｔ１＋Ｔ２）を薄く維持することで、保護部分８の配線１５の損傷や断線を防止しながら、回路付サスペンション基板１をＥブロック３０へ円滑に差し込むことができる。
【００５２】
折曲工程後の回路付サスペンション基板１をＥブロック３０に実装するときに、回路付サスペンション基板１がＥブロック３０と接触しても、とりわけ、Ｅブロック３０のエッジ（端）３３にバリ３２（例えば、ニッケルめっきにより発生したバリ３２）があり、これと接触しても、回路基板部２が被覆部３により被覆されているので、回路基板部２ではなく、被覆部３がＥブロック３０のバリ３２と接触するので、回路基板部２のＥブロック３０のバリ３２との接触に起因する損傷や断線を防止することができる。
【００５３】
その結果、配線１５の損傷や断線が防止された回路付サスペンション基板１をハードディスクドライブに搭載することにより、そのハードディスクドライブの信頼性を向上させることができる。
なお、上記した説明では、被覆部３を、折曲工程において保護部分８と重なることができるように形成したが、例えば、図示しないが、保護部分８を含む配線形成部４のすべてと重なることができるように形成することもできる。
【００５４】
また、上記した説明では、嵌合部９および被嵌合部１０を形成して、これらの嵌合により、被覆部３と保護部分８との重なり状態を維持したが、例えば、図２の仮想線（符号１１にて表される。）で示すように、嵌合部９および被嵌合部１０を形成せず、これらに代えて接着剤層を設けることもできる。すなわち、保護部分８のカバー絶縁層１４の表面全面、および／または、被覆部３のベース絶縁層１２の表面全面に、公知の接着剤からなる接着剤層を設けて、保護部分８と被覆部３とを接着剤層を介して接着することにより、これらを固定する。
【００５５】
さらには、嵌合部９および被嵌合部１０による嵌合と、接着剤層による接着とを併用することもできる。
図９は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（ベース開口部が形成される態様）の要部拡大平面図を示す。
上記した説明では、折曲部７を、ベース絶縁層１２から長手方向にわたって連続して形成したが、例えば、図９に示すように、ベース絶縁層１２の長手方向途中に、スリット１９と厚み方向に連通するベース開口部２０を形成することもできる。
【００５６】
これにより、折曲部７は、長手方向においてベース開口部２０によって２つに分断され、分断された２つのベース絶縁層１２が、スリット１９を幅方向に横切るように形成される。つまり、折曲部７における２つのベース絶縁層１２は、保護部分８の長手方向両端部のベース絶縁層１２と、被覆部３の長手方向両端部のベース絶縁層１２とをそれぞれ連結するように形成されている。
【００５７】
折曲部７の長手方向長さＬ６は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、７０〜１０００μｍである。
そして、折曲部７は、ベース開口部２０が形成され、長手方向に分断されているので、折曲工程において、ベース開口部２０に沿って、折曲部７のベース絶縁層１２の表面を谷にして、被覆部３をより一層容易に折り曲げることができる。
【００５８】
図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（保護部分とそれに隣接するベース絶縁層の厚みが同一である態様）の幅方向に沿う断面図を示す。
上記した説明では、保護部分８のベース絶縁層１２の厚みＴ１を、それに隣接するベース絶縁層の厚みＴ２より薄く形成したが、例えば、図１０に示すように、それに隣接するベース絶縁層の厚みＴ２と同一厚みで形成することもできる。
【００５９】
保護部分８のベース絶縁層１２と、それに隣接するベース絶縁層１２とを同一厚みで形成する場合には、ベース皮膜の露光における階調露光フォトマスクに代えて、構造が簡単なフォトマスク（遮光部分および光全透過部分のみのパターンのフォトマスク）を用いるので、ベース絶縁層１２を簡便に形成して、回路付サスペンション基板１の製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、上記した説明では、折曲部７における金属支持基板１１にスリット１９を設けたが、例えば、図５（ｅ）の仮想線（符号１１にて表される。）で示すように、スリット１９を形成することなく、金属支持基板１１を、回路基板部２、折曲部７および被覆部３にわたって連続するように形成することもできる。金属支持基板１１を上記のように形成する場合には、スリット１９を形成する必要がないので、金属支持基板１１を簡便に形成することができる。
【００６１】
図１１は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（被覆部がベース絶縁層のみから形成される態様）の幅方向に沿う断面図を示す。
上記した説明では、被覆部３を、金属支持基板１１およびベース絶縁層１２の２層から形成したが、被覆部３の層構成はこれに限定されない。例えば、図１１に示すように、ベース絶縁層１２の１層から形成することもできる。さらには、図示しないが、例えば、金属支持基板１１の１層、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の２層、金属支持基板１１、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の３層、金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４の４層などから形成することもできる。
【００６２】
これらのうち、被覆部３によって保護部分８を確実に保護する観点から、好ましくは、被覆部３を、上記し図３に示すように、金属支持基板１１およびベース絶縁層１２の２層から形成する。
あるいは、重ねられた被覆部３および保護部分８の合計厚みを薄くする観点から、好ましくは、被覆部３を、上記し図１１に示すように、ベース絶縁層１２のみの１層、または、金属支持基板１１のみの１層（図示せず）から形成する。
【実施例】
【００６３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１（被覆部を金属支持基板およびベース絶縁層から形成し、折曲工程で、接着剤により固定する態様）
厚さ２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図５（ａ）参照）。
【００６４】
次いで、金属支持基板の表面に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、ベース皮膜を、遮光部分および光全透過部分のパターンのフォトマスクを介して露光させ、露光部分を１８０℃に加熱して乾燥させた後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、ベース皮膜をパターンに形成した。
【００６５】
次いで、ベース皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、回路基板部、折曲部および被覆部にわたって連続して形成した（図５（ｂ）および図１０参照）。
なお、ベース絶縁層は、回路基板部における幅が１５００μｍ、折曲部における幅が１００μｍ、被覆部における幅が１５００μｍであった。
【００６６】
次いで、導体パターンを、回路基板部、被覆部および折曲部におけるベース絶縁層の上に、上記した配線回路パターンで形成した。すなわち、ベース絶縁層および金属支持基板の表面に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とからなる導体薄膜を、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、順次形成した。その後、導体薄膜の上に、配線回路パターンの逆パターンでめっきレジスト形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解銅めっきにより、銅からなる厚み２０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｃ）参照）。
【００６７】
その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていた部分の導体薄膜を、化学エッチングにより除去した。
導体パターンの寸法は、各配線の幅が２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍであり、各ヘッド側端子および各外部側端子の幅が１００μｍ、各ヘッド側端子間の間隔および各外部側端子間の間隔が８０μｍであった。
【００６８】
次いで、カバー絶縁層を、回路基板部におけるベース絶縁層の上に上記したパターンで形成した。
すなわち、導体パターン、ベース絶縁層および金属支持基板の表面に、ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布した後、１３０℃で加熱することにより、カバー皮膜を形成した。次いで、フォトマスクを介して露光させ、露光部分を１８０℃に加熱して乾燥させた後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンに形成した。
【００６９】
次いで、カバー皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ（Ｔ２）５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、回路基板部に形成した（図５（ｄ）参照）。なお、カバー絶縁層の回路基板部における幅が１５００μｍであった。
次いで、化学エッチングにより、金属支持基板を開口して、幅１００μｍのスリットを形成するとともに、金属支持基板を外形加工して、平面視矩形状の回路基板部および被覆部を形成した。
【００７０】
なお、金属支持基板は、回路基板部における幅が１６００μｍ、被覆部における幅が１６００μｍであった。
これにより、回路付サスペンション基板を得た（図５（ｅ）および図１０参照）。
その後、保護部分のカバー絶縁層の表面に接着剤層を積層し、その後、折曲部に沿って、被覆部を折り曲げて、被覆部を接着剤層を介して保護部分に重ねて接着し、これらを固定した。
【００７１】
実施例２（被覆部を金属支持基板およびベース絶縁層から形成し、折曲工程で、嵌合部および被嵌合部により嵌合する態様）
実施例１の金属支持基板の外形加工において、回路基板部の配線形成部に被嵌合部を形成し、被覆部に嵌合部を形成し、さらに、接着剤層による固定に代えて、嵌合部と被嵌合部との嵌合に変更した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１および図２参照）。
【００７２】
なお、嵌合部は、図２が参照されるように、幅（Ｌ１）が１０００μｍ、長さ（Ｌ２）が１５００μｍであり、第１突出部の幅（Ｗ１）が５００μｍであり、第２突出部の幅（Ｗ２）が、５００μｍであった。
また、被嵌合部は、幅（Ｌ３）が１０００μｍ、第３突出部の長手方向長さ（Ｌ４）が１５００μｍ、溝の幅（Ｌ５）は６００μｍであり、溝の深さ（Ｄ１）５００μｍであった。
【００７３】
実施例３（折曲部に、ベース開口部を形成する態様）
折曲部にベース開口部が形成されるように、ベース絶縁層を形成した以外は、実施例２と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図９参照）。
なお、ベース開口部により長手方向に分断された、折曲部の長手方向長さ（Ｌ６）は２００μｍであった。
【００７４】
実施例４（保護部分のベース絶縁層をそれに隣接するベース絶縁層より薄く形成する態様）
保護部分のベース絶縁層を、それに隣接するベース絶縁層よりも薄く形成した以外は、実施例１と同様にしてベース絶縁層を形成し、続いて、回路付サスペンション基板を得た（図３および図４参照）。
【００７５】
すなわち、ベース皮膜の露光において、保護部分以外のベース絶縁層に形成されるベース皮膜に光全透過部分を対向させ、保護部分のベース皮膜に光半透過部分を対向させ、それら以外のベース皮膜に遮光部分を対向させるように、階調露光フォトマスクを配置した。
なお、保護部分におけるベース絶縁層の厚み（Ｔ１）は３μｍであった。
【００７６】
実施例５（被覆部をベース絶縁層のみから形成し、折曲工程で、接着剤により固定する態様）
実施例１の金属支持基板の外形加工において、折曲部および被覆部の金属支持基板をエッチングにより除去し、回路基板部の金属支持基板を残存させた以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図１１参照）。
【００７７】
すなわち、被覆部をベース絶縁層のみから形成した。
（回路付サスペンション基板の実装）
実施例１〜５の回路付サスペンション基板を、ハードディスクドライブにおけるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）のＥブロックに実装した。なお、Ｅブロックにおける隙間の高さ（隙間を仕切る櫛状部材間の間隔）（Ｈ）は１００μｍであった。
【００７８】
その後、保護部分における配線の損傷の有無を確認したところ、いずれの回路付サスペンション基板においても、損傷が確認されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の要部拡大平面図を示す。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図５】回路付サスペンション基板の製造方法を説明する工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、スリットを形成する工程を示す。
【図６】図１の回路付サスペンション基板の平面図であって、被覆部が折り曲げられた状態を示す。
【図７】図２の回路付サスペンション基板の幅方向に沿う断面図であって、被覆部が折り曲げられた状態を示す。
【図８】図７の回路付サスペンション基板の実装方法の説明図である。
【図９】本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（ベース開口部が形成される態様）の要部拡大平面図を示す。
【図１０】本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（保護部分とそれに隣接するベース絶縁層の厚みが同一である態様）の幅方向に沿う断面図を示す。
【図１１】本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態（被覆部がベース絶縁層のみから形成される態様）の幅方向に沿う断面図を示す。
【符号の説明】
【００８０】
１    回路付サスペンション基板
２    回路基板部
３    被覆部
４    配線形成部
７    折曲部
８    保護部分
９    嵌合部
１０  被嵌合部
１１  金属支持基板
１２  ベース絶縁層
１３  導体パターン
１４  カバー絶縁層
３０  Ｅブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004994304.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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