(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを材料面に照射して該材料面上に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算方法において、
パターンデータを分割した分割パターンデータを複数のパターン展開基板に順次転送して該パターンデータを展開するパターン展開工程と、
前記各パターン展開基板でパターン展開されたデータを複数のＰＥＣ演算基板に順次転送してＰＥＣ演算を行なうＰＥＣ演算工程と、
を有し、
前記パターン展開工程とＰＥＣ演算工程のそれぞれ前記パターン展開基板または前記ＰＥＣ演算基板において、同じ基板で連続してエラーが発生した場合、繰り返しリトライを行ない、
最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、
最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には、当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行う、ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算方法。
【請求項２】
荷電粒子ビームを材料面に照射して該材料面上に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算装置において、
パターンデータを受けて分割した分割パターンデータを生成するパターンデータ受信／制御部と、
該パターンデータ受信／制御部からの前記分割パターンデータが順次転送されてパターン展開する複数のパターン展開基板と、
パターン展開されたデータを受けてＰＥＣ演算を行う複数のＰＥＣ演算基板と、
該パターン展開基板からのパターン展開データを前記各ＰＥＣ演算基板に順次転送するための展開パターン受信／制御部と、
前記各ＰＥＣ演算基板の出力を受けてＰＥＣ補正量を出力するＰＥＣ補正量出力制御部と、を有し
前記パターン展開基板または前記ＰＥＣ演算基板でエラーが発生した場合、繰り返しリトライを行ない、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、
最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には、当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行う、ことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算方法及び装置に関し、再現性の低いエラーが発生しても描画は停止せず、ランニングコストの悪化を防げるようにした近接効果補正演算方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム装置により特定のパターンを描画する際、荷電粒子ビーム装置のビーム電流、マスクのレジスト感度等から最適なショット時間を求め描画を行なったとしても、パターンの密な領域において、描画パターンが太る現象が起こる。この現象は、マスクに照射された荷電粒子ビームが散乱し、周囲に広がることにより起こるものであり、近接効果と呼ばれる。
【０００３】
この効果を相殺し、描画パターンの粗密に依存しない描画パターンを得るために近接効果補正（Proximity Effect Correction:以下、ＰＥＣという）を行なう。図３は荷電粒子ビーム描画装置の構成例を示す図である。ここでは、荷電粒子ビームとして電子ビームが用いられている。図において、１は描画パターンデータやジョブデータが格納されるディスクである。２は該ディスク１に記憶されているパターンデータを読み出して近接効果補正を行なう近接効果補正装置である。該近接効果補正装置２からは、パターン毎の近接効果補正信号Ｓｍｏｄ＋１が出力される。
【０００４】
３はディスク１からの描画パターンデータと近接効果補正装置２からの近接効果補正信号Ｓｍｏｄ＋１を受けて、電子ビーム描画装置の各構成要素にデータを転送するデータ転送システムである。４はデータ転送システム３から送られてくるショット時間データを受けるブランキングアンプである。
【０００５】
５は電子ビーム６を出射する電子銃、７は該電子ビーム６を集束する第１レンズ、８は該第１レンズ７の近傍であってかつ光軸に設けられたブランキング電極である。該ブランキング電極８は、前記ブランキングアンプ４により駆動され、露光時間が制御される。９は該ブランキング電極８の真下に設けられたブランキング絞りである。
【０００６】
１０は電子ビーム６の一部を透過させる第１成形スリット、１１は第１成形スリット１０の真下に設けられた上下２段の電極よりなる成形偏向器である。該成形偏向器１１は前記データ転送システム３から成形制御信号を受けるようになっている。１２は第２レンズ、１３は前記成形偏向器１１の真下に配置された第２成形スリットである。前記第１成形スリット及び第２成形スリット１３を用いて電子ビーム６の面積が決定される。１４は第３レンズである。
【０００７】
１５は前記データ転送システム３からの偏向信号を受けて、電子ビーム６を偏向する副偏向器、１６は対物レンズ、１７は光軸を囲むように形成され、電子ビーム６に含まれる各種の非点収差を補正する非点補正器、１８は前記データ転送システム３からの偏向信号を受けて、電子ビーム６を偏向させる主偏向器、１９はその表面に描画がなされる描画材料面である。
【０００８】
ディスク１には描画するパターンデータ、描画条件等が格納されており、近接効果補正装置、データ転送システムは描画時に必要なデータをこのディスクから読み出す。近接効果補正装置２は、描画に先駆けてディスク１からパターンデータ、描画条件を読み込み、近接効果補正量（Ｓｍｏｄ＋１）を出力する。
【０００９】
データ転送システム３は、ディスク１に格納れているパターンデータ、描画条件を鏡筒の各偏向器、ブランキングのタイミング（ショット時間）、フォーカス非点補正のデータに変換する。パターンデータ、描画条件から求めたショット時間に対し、近接効果補正量Ｓｍｏｄ＋１を乗算により変調させてブランキングアンプに出力する。
【００１０】
ブランキングアンプ４は、データ転送システム３により出力されたショット時間（デジタルデータ）のパルス幅を持つアナログ信号をブランキング電極に出力する。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
【００１１】
先ず、ディスク１に記憶されているパターンデータが近接効果補正装置２に入り、近接効果補正データＳｍｏｄ＋１が出力される。データ転送システム３は、ディスク１からのパターンデータと近接効果補正装置２で得られた近接効果補正データＳｍｏｄ＋１とを受けて、近接効果が発生しないようにパターンデータのショット時間を決め、ブランキングアンプ４にショット時間データを与える。
【００１２】
該ブランキングアンプ４は、ブランキング電極８のオン／オフを制御し、所定のショット時間だけパターンデータをオンにする。このパターンデータは、第１成形スリット１０を通り、成形偏向器１１により成形された後、第２成形スリット１３を通り、副偏向器１５で偏向され、非点補正器１７で収差補正がなされた後、対物レンズ１６で描画材料面１９に焦点を合わせられ、照射される。この場合において、ショットされるパターンデータに応じて、主偏向器１８で描画材料面１９上に所定のパターンを描画していく。
【００１３】
この実施の形態によれば、近接効果補正装置２により補正データＳｍｏｄ＋１がパターンデータに加味されたショット時間で描画材料面１９に描画されるので、近接効果の影響を除去した描画パターンを得ることができる。
【００１４】
ここで、近接効果補正装置２の動作について説明する。図４は近接効果補正装置の構成を示すブロック図である。近接効果補正装置２は、パターンデータ受信／制御部２０と、複数（ｎ個）のパターン展開基板２１と、展開パターン受信／制御部２２と、複数（ｍ個）のＰＥＣ演算基板２３と、ＰＥＣ補正量出力制御部２４から構成されており、ＰＥＣ補正量出力制御部２４からＰＥＣ補正量出力が出力される。なお、演算速度を速くする必要から、パターン展開基板２１とＰＥＣ演算基板２３はハードウェアで構成されている。
【００１５】
ディスクに格納されているパターンデータをパターンデータ受信／制御部２０が受け取る。該パターンデータ受信／制御部２０は、受け取ったパターンデータを荷電粒子ビーム装置の定めるサイズに分割し、処理を行なっていない＃１〜＃ｎまでのパターン展開基板２１に順次転送する。パターン展開基板２１は、それぞれ特定のフォーマットで送られてくるパターンデータを２次元情報に展開する。
【００１６】
パターン展開基板２１は、高速化を実現するため、完全に並列に展開を実行する。展開されたパターンデータを展開パターン受信／制御部２２が受け取り、処理を行なっていないＰＥＣ演算基板２３に転送する。これらＰＥＣ演算基板２３は、受け取った展開済みの２次元状のデータに対してＰＥＣ演算を行なう。
【００１７】
ＰＥＣ補正量出力制御部２４は、ＰＥＣ演算基板２３から出力されるＰＥＣ補正量を受信し、荷電粒子ビーム描画装置の定めるプロトコルでＰＥＣ補正量出力を出力する。図４に示す構成は、大きく分けて、パターン展開演算を行なう＃１〜＃ｎまでのパターン展開基板２１と、ＰＥＣ演算を行なうＰＥＣ演算基板２３と、これらの演算部に効率よくデータを供給し、出力データの受信を行なう制御部２０，２２，２４に分けられる。              
【００１８】
この種の装置としては、制御信号に基づいて電子ビームの照射又は非照射を行う照射手段と、電子ビーム源から発生する電子ビームを露光パターンに対応して偏向する偏向手段と、前記電子ビームを露光物上に集束する集束手段とを備え、前記制御信号の異常を監視する監視手段と、前記制御信号が異常である場合に、該制御信号を前記照射手段へ入力させないマスク手段を有する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【００１９】
また、露光動作を制御するための制御データの処理の際に発生し得るエラーを検知し、そのエラーを完全に訂正するようにした技術が知られている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１９６２９７号公報（段落００１６〜００２３、図１、図２）
【特許文献２】特開２００１−７６９９１号公報（段落００２５〜００６３、図１〜図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
描画パターンは、微細化、高集積化の傾向があり、描画時間の短縮も望まれている。このため、パターン展開演算部、ＰＥＣ演算部共に、より大量かつ高速な演算が必要となる。これらを実現するために、ハードウェア動作はより厳しくなり、以前に比べて以下のような問題が頻繁に生じるようになった。
１）エラーが発生した際、原因の特定、解決に時間がかかる。
２）エラーに再現性がなく、原因を特定しづらい。
３）高集積化のため、基板不良によりエラーが発生する場合があり、１），２）との切り分けが難しい。
【００２１】
このため、荷電粒子ビーム描画装置において、描画中に異常が発生した場合、修正に時間がかかり、ランニングコストが悪化してしまう。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる、荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算方法及び装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
（１）請求項１記載の発明は、荷電粒子ビームを材料面に照射して該材料面上に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算方法において、パターンデータを分割した分割パターンデータを複数のパターン展開基板に順次転送して該パターンデータを展開するパターン展開工程と、前記各パターン展開基板でパターン展開されたデータを複数のＰＥＣ演算基板に順次転送してＰＥＣ演算を行なうＰＥＣ演算工程とを有し、前記パターン展開工程とＰＥＣ演算工程のそれぞれ前記パターン展開基板または前記ＰＥＣ演算基板において、同じ基板で連続してエラーが発生した場合、繰り返しリトライを行ない、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には、当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行う、ことを特徴とする。
（２）請求項２記載の発明は、荷電粒子ビームを材料面に照射して該材料面上に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置における近接効果補正演算装置において、パターンデータを受けて分割した分割パターンデータを生成するパターンデータ受信／制御部と、該パターンデータ受信／制御部からの前記分割パターンデータが順次転送されてパターン展開する複数のパターン展開基板と、パターン展開されたデータを受けてＰＥＣ演算を行う複数のＰＥＣ演算基板と、該パターン展開基板からのパターン展開データを前記各ＰＥＣ演算基板に順次転送するための展開パターン受信／制御部と、前記各ＰＥＣ演算基板の出力を受けてＰＥＣ補正量を出力するＰＥＣ補正量出力制御部とを有し、前記パターン展開基板または前記ＰＥＣ演算基板でエラーが発生した場合、繰り返しリトライを行ない、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には、当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行う、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
（１）請求項１記載の発明によれば、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行うので、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる。
（２）請求項２記載の発明によれば、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には、当該基板に再び分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行い、最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には当該基板を使用しないようにし、当該基板以外の基板に順次分割パターンデータまたはパターン展開されたデータを転送してパターン展開またはＰＥＣ演算を行うので、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１はパターン展開処理を示すフローチャートである。荷電粒子ビーム描画装置及び近接効果補正装置としては、図３及び図４を用いるものとする。近接効果補正装置２は、通常の動作中にパターン展開基板２１でエラーが発生したかどうかを常時監視している（Ｓ１）。エラーが発生していない場合には、通常処理を続行する。
【００２５】
パターン展開エラーが発生した場合には、エラーの発生したパターン展開基板２１が自分の番号＃ｉ（ｉ＝１〜ｎ）と、エラーの発生したパターン区画番号Ｆｉを展開パターン受信／制御部２２に通知する（Ｓ２）。ここで、区画番号とはフィールド番号のことである（以下同じ）。該展開パターン受信制御部２２は、Ｆｉの区画のパターンを再読み込みする（Ｓ３）。そして、近接効果補正装置２は、同じ＃ｉ，Ｆｉでエラーが連続的に発生した回数が最大リトライ回数以下であるかどうかチェックする（Ｓ４）。ここで、最大リトライ回数は、予め近接効果補正装置２に設定され、記憶されているものとする。
【００２６】
エラーが発生した回数が最大リトライ回数以下であった場合、即ち最大リトライ回数まで達しない間にエラーが復帰した場合、近接効果補正装置２は、パターン展開基板＃ｉを初期化し、エラー状態から復帰する（Ｓ５）。そして、展開パターン受信／制御部２２がパターン展開基板＃ｉに区画Ｆｉのパターンを転送する（Ｓ６）。パターン展開基板＃ｉが区画Ｆｉを再展開する（Ｓ７）。その後、ステップＳ１に戻る。
【００２７】
一方、ステップＳ４においてエラーが連続的に発生した回数が最大リトライ回数を超えた場合、そのパターン展開基板２１は使用しないようにする。このため、近接効果補正装置２は、以降、パターン展開基板＃ｉをパターン展開に使用しないように設定する（Ｓ８）。次に、展開パターン受信／制御部２２がパターン展開基板＃ｉ、及び過去エラーの発生したパターン展開基板２１以外のパターン展開基板２１に区画Ｆｉのパターンを転送する（Ｓ９）。この場合において、区画Ｆｉのパターンを受け取ったパターン展開基板２１が区画Ｆｉパターンを再展開し、ステップＳ１に戻る。
【００２８】
図２はＰＥＣ演算処理を示すフローチャートである。荷電粒子ビーム描画装置及び近接効果補正装置としては、図３及び図４を用いるものとする。近接効果補正装置２は、通常の動作中にＰＥＣ演算基板２３でエラーが発生したかどうかを常時監視している（Ｓ１）。エラーが発生していない場合には、通常処理を続行する。
【００２９】
エラーが発生した場合には、エラーの発生したＰＥＣ演算基板２３が自分の＃ｊと、エラーの発生した展開パターン区画番号Ｆｊを展開パターン受信制御部２２に通知する（Ｓ２）。展開パターン受信制御部２２がＦｊの区画の展開パターンを再度読み込む（Ｓ３）。次に、近接効果補正装置２は同じ＃ｊ，Ｆｊでエラーが連続的に発生した回数が最大リトライ回数以下であるかどうかチェックする（Ｓ４）。
【００３０】
最大リトライ回数以下であった場合、エラーは回復していることになる。そこで、近接効果補正装置２はＰＥＣ演算基板＃１〜＃ｍを初期化し、エラー状態から復帰させる（Ｓ５）。そして、展開パターン受信／制御部２２がＰＥＣ演算基板＃ｊに区画Ｆｊの展開パターンを転送する（Ｓ６）。次に、ＰＥＣ演算基板＃ｊが区画Ｆｊ展開パターンを再演算し（Ｓ７）、ステップＳ１に戻る。
【００３１】
一方、ステップＳ４にて、エラー回数が最大リトライ回数を超えた場合、以降、近接効果補正装置２は、ＰＥＣ演算基板＃ｊをパターン展開に使用しないように設定する（Ｓ８）。その後、展開パターン受信／制御部２２がＰＥＣ演算基板＃ｊ及び過去エラーの発生したＰＥＣ演算基板２３以外に区画Ｆｊの展開パターンを転送する（Ｓ９）。そして、区画Ｆｊの展開パターンを受け取ったＰＥＣ演算基板２３が、区画Ｆｊの展開パターンを再演算し（Ｓ１０）、ステップＳ１に戻る。
【００３２】
このように、本実施の形態によれば、最大リトライ回数以下でエラーが復帰した場合には通常の処理に戻り、最大リトライ回数リトライしてもエラーが復帰しない場合には当該基板を使用しないようにするので、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる。
【００３３】
次に、近接効果補正（ＰＥＣ）の原理について説明する。荷電粒子ビームの散乱によるビームショット位置周辺への散乱分布は以下の式で表される。
【００３４】
【数１】
0004994129.tif 000002
【００３５】
ここで、Ｅはマスク上の入射電子エネルギー分布であり、塗りつぶしに必要なエネルギーで規格化された量である。パターンを描きたい位置で１、パターンの無いところで０となるもので、近似を含まない現時点では、１，０の２値のみ持つ分布量である。Ｅｉｄは、電子線がマスク上のある一点のみに照射された際の電子線の分布を表す。近接効果補正により、パターンの分布に依らずＥで狙ったとおりのパターンを得るために以下の演算を行なう。
【００３６】
【数２】
0004994129.tif 000003
【００３７】
【数３】
0004994129.tif 000004
【００３８】
ここで、Ｄａは１図形を描くための電子線第１ショット毎の電子線エネルギー量、ηは後方散乱係数である。この式の意味は入射電子量を表す第１項、入射された電子の散乱を表す第２項を足したものが一定になることを表す方程式である。そのため、電子線１ショット毎にこの式を満たすＳｍｏｄ＋１を求めることが近接効果補正演算の目的となる。但し、（２），（３）式をＳｍｏｄ＋１につて解析的に解くことは難しい。（２），（３）式の第２項のＳｍｏｄ＋１が、ＥとＥｉｄの畳み込み積分におけるＥに対する重みとなっているためである。そのため、（２），（３）式の第２項のＳｍｏｄ＋１をＥｂｐのかけ算であると見なして（４）式のようにする。
（Ｓｍｏｄ＋１）＋Ｃ２×η×Ｅｂｐ（ｘ，ｙ）×｛Smod（ｘ−ｘ´，ｙ−ｙ´）＋１｝
＝Ｃ１        （４）
（４）式をＳｍｏｄ＋１について解くと、
Ｓｍｏｄ（ｘ,ｙ）＋１＝Ｃ１／｛１＋Ｃ２×η×Ｅｂｐ（ｘ，ｙ）｝    （５）
しかしながら、（５）式で求まるのは、（４）式で行なった近似を含むものであるため、以下の手順により（２），（３）式の解析的な値に漸近させる。（５）式で求めたＳｍｏｄ＋１を再度（２），（３）式に代入すると、Ｅｂｐ´は次式で表される。
【００３９】
【数４】
0004994129.tif 000005
【００４０】
（５）式で求めたＳｍｏｄ＋１を用いて（６）式を求めて（６）式をＥｂｐとして（２），（３）式に代入すると、Ｓｍｏｄ＋１は次式で表される。
Ｓｍｏｄ＋１＝Ｃ１−｛Ｃ２×η×Ｅｂｐ´（ｘ，ｙ）｝      （７）
となり、Ｓｍｏｄ＋１について解くことができる。以降、同様に（６）式，（７）式の計算を繰り返すことで、Ｓｍｏｄ＋１は（２），（３）式の解析解に漸近させることができる。
【００４１】
しかしながら、実際の計算では、（１），（５），（６），（７）式はハードウェアで高速に演算されるため、各信号をサンプリング、量子化する必要がある。（１），（５），（６），（７）式はそれぞれ（８），（９），（１０），（１１）式のようになる。
【００４２】
【数５】
0004994129.tif 000006
【００４３】
Ｓｍｏｄ＋１＝Ｃ１／（１＋Ｃ２×η×Ｅｂｐm,n）      （９）
【００４４】
【数６】
0004994129.tif 000007
【００４５】
Ｓｍｏｄ＋１＝Ｃ１−｛Ｃ２×η×Ｅｂｐ´m,n｝        （１１）
（８）式から（１１）式はｍ，ｎ，ｉ，ｊで全て同じ区画でサンプリングされる。但し、Ｅは（１）式における１，０のみの２値信号から、区画内全て塗りつぶしで１、区画内に一切パターンが無い場合で０という、電子の入射エネルギーの割合となり、０〜１の範囲で値を持つ。
【００４６】
以上から、近接効果補正を行なうにあたり、ハードウェアは（８），（１０）式の畳み込みと、（９），（１１）式に必要な四則演算を行なう。
以上、説明した本発明の効果を説明すれば、以下の通りである。
１）再現性の低いエラーが発生しても描画は停止せず、ランニングコストの悪化を防げる。２）また、再現性の低いエラーによる影響は描画に現れないため、マスクが無駄にならない。
３）不良基板が特定されるため、基板交換により迅速に不具合に対処することができる。
【００４７】
このように、本発明によれば、エラーを検出しても荷電粒子ビーム描画装置を極力停止することなく稼働率を向上させることができる近接効果補正演算方法及び装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】パターン展開処理を示すフローチャートである。
【図２】ＰＥＣ演算処理を示すフローチャートである。
【図３】荷電粒子ビーム描画装置の構成例を示す図である。
【図４】近接効果補正装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４９】
２０  パターンデータ受信／制御部
２１  パターン展開基板
２２  展開パターン受信／制御部
２３  ＰＥＣ演算基板
２４  ＰＥＣ補正量出力制御部
【図１】
0004994129.tif 000008
【図２】
0004994129.tif 000009
【図３】
0004994129.tif 000010
【図４】
0004994129.tif 000011