(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層されて成り、一方の主面に半導体素子が収容される第一凹部を有するとともに他方の主面に密閉空間形成用の第二凹部を有するセラミック基体と、該セラミック基体の表面および内部に配設されており、前記半導体素子の各電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体と、前記第二凹部底面に被着されており、前記メタライズ配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライズ電極と、前記他方の主面に前記第二凹部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合されたセラミック板と、前記セラミック板の内側主面に前記第一メタライズ電極と対向するように被着されており、前記メタライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出装置用パッケージであって、前記第一凹部の側面が前記第二凹部の側面よりも外周側に位置しており、前記メタライズ配線導体が前記第一凹部の内側の底面中央部に形成されており、前記セラミック基体の前記第二凹部周辺上面の全周にわたって被着されている枠状の第一接合用メタライズ層と、前記セラミック板の下面外周部の全周にわたって被着されているとともに前記第二メタライズ電極に電気的に接続された枠状の第二接合用メタライズ層とが、導電性接合材を介して接合されていることを特徴とする圧力検出装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力を検出するための圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、圧力を検出するための圧力検出装置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。この静電容量型の圧力検出装置は、例えば図３に断面図で示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線基板31上に、静電容量型の感圧素子32と、パッケージ38に収容された演算用の半導体素子39とを備えている。感圧素子32は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極33が被着された凹部を有する絶縁基体34と、この絶縁基体34の上面に絶縁基体34との間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の他方の電極35が被着された絶縁板36と、各静電容量形成用の電極33・35をそれぞれ外部に電気的に接続するための外部リード端子37とから構成されており、外部の圧力に応じて絶縁板36が撓むことにより各静電容量形成用の電極33・35間に形成される静電容量が変化する。そして、この静電容量の変化を演算用の半導体素子39により演算処理することにより外部の圧力を検出することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の圧力検出装置によると、感圧素子32と半導体素子39とを配線基板31上に個別に実装していることから、圧力検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極33・35と半導体素子39との間の配線が長いものとなり、この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度が低いという問題点を有していた。
【０００４】
そこで、本願出願人は、先に特願2000-178618において、例えば図２に断面図で示すように、一方の主面に半導体素子23が収容される凹部21ａを有するとともに他方の主面に密閉空間を形成するための凹部21ｂを有する絶縁基体21と、この絶縁基体21の表面および内部に配設されており、半導体素子23の各電極が電気的に接続される複数の配線導体24と、凹部21ｂ底面に被着されており、配線導体24の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一電極25と、絶縁基体21の他方の主面に凹部21ｂとの間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合された絶縁板22と、この絶縁板22の内側主面に第一電極25に対向して被着されており、配線導体24の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二電極26とを具備する圧力検出装置用パッケージを提案した。
【０００５】
この圧力検出装置用パッケージによると、一方の主面に半導体素子23が収容される凹部21ａを有するとともに他方の主面に密閉空間形成用の凹部21ｂを有する絶縁基体の凹部21ｂ底面に静電容量形成用の第一電極25を設けるとともに、この第一電極25に対向する静電容量形成用の第二電極26を一方の主面に有する絶縁板22を、凹部21ｂとの間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導体素子23を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることができる。
【０００６】
なお、この圧力検出装置用パッケージにおける絶縁基体21は、セラミックグリーンシート積層法を採用して製作されており、具体的には、複数枚の平板状のセラミックグリーンシートと凹部21ａ・21ｂを形成するための貫通穴を有するセラミックグリーンシートとを準備するとともにこれらのセラミックグリーンシートに配線導体24および第一電極25用のメタライズペーストを印刷塗布し、しかる後、これらのメタライズペーストが印刷塗布されたセラミックグリーンシートを上下に積層圧着して絶縁基体21用の生セラミック成形体を形成し、最後にこの絶縁基体21用の生セラミック成形体を高温で焼成することによって製作されている。
【０００７】
しかしながら、この圧力検出装置用パッケージによると、絶縁基体21の他方の主面に形成された密閉空間形成用の凹部21ｂは、絶縁基体21の一方の主面に形成された半導体素子23を収容するための凹部21ａよりも大きく、その側面が凹部21ａの側面よりも外周側に位置することから、この絶縁基体21をセラミックグリーンシート積層法により製作する際、絶縁基体21用のセラミックグリーンシートを積層して生セラミック成形体となすと、第一凹部21ａを形成するための貫通穴を有するセラミックグリーンシートを介して印加される積層の圧力が密閉空間形成用の凹部21ｂ底面外周部を絶縁基体21の一方の主面側から押しあげるように作用し、その結果、密閉空間形成用の凹部21ｂ底面に大きな変形が生じやすいものとなっていた。そして、そのような変形が生じると、密閉空間形成用の凹部21ｂ底面に形成された静電容量形成用の第一電極25と、この凹部21ｂとの間に密閉空間を形成するように接合された絶縁板22の内側主面に形成された静電容量形成用の第二電極26との距離がばらついてしまい、その結果、得られる圧力検出装置において外部の圧力を正確に検出することができないという問題点を有していた。
【０００８】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、第一電極が形成された凹部底面に変形がなく、それにより外部の圧力を正確に検出することが可能な圧力検出装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧力検出装置用パッケージは、複数のセラミック層が積層されて成り、一方の主面に半導体素子が収容される第一凹部を有するとともに他方の主面に密閉空間形成用の第二凹部を有するセラミック基体と、このセラミック基体の表面および内部に配設されており、半導体素子の各電極が電気的に接続される複数のメタライズ配線導体と、セラミック基体の第二凹部底面に被着されており、メタライズ配線導体の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第一メタライズ電極と、セラミック基体の他方の主面に第二凹部との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合されたセラミック板と、セラミック板の内側主面に第一メタライズ電極と対向するように被着されており、メタライズ配線導体の他の一つに電気的に接続された静電容量形成用の第二メタライズ電極とを具備して成る圧力検出装置用パッケージであって、第一凹部の側面が第二凹部の側面よりも外周側に位置しており、メタライズ配線導体が第一凹部の内側の底面中央部に形成されており、セラミック基体の第二凹部周辺上面の全周にわたって被着されている枠状の第一接合用メタライズ層と、セラミック板の下面外周部の全周にわたって被着されているとともに第二メタライズ電極に電気的に接続された枠状の第二接合用メタライズ層とが、導電性接合材を介して接合されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、セラミック基体の一方の主面に形成された半導体素子が収容される第一凹部の側面がセラミック基体の他方の主面に形成された密閉空間形成用の第二凹部の側面よりも外周側に位置しており、メタライズ配線導体が第一凹部の内側の底面中央部に形成されていることから、セラミック基体を製作する際に積層の圧力が密閉空間形成用の第二凹部底面を押し上げるように作用することはなく、したがって、第二凹部底面に変形がなく、静電容量形成用の第一メタライズ電極と第二メタライズ電極との間隔を所定の距離として外部の圧力を正確に検出することができる。また、セラミック基体の第二凹部周辺上面の全周にわたって被着されている枠状の第一接合用メタライズ層と、セラミック板の下面外周部の全周にわたって被着されているとともに第二メタライズ電極に電気的に接続された枠状の第二接合用メタライズ層とが、導電性接合材を介して接合されていることから、セラミック基体とセラミック板とが強固に接合されるとともに、第二メタライズ電極とメタライズ配線導体とが電気的に接続され、さらに第二凹部とセラミック板とで形成される密閉空間の封止性を良好に確保することが可能となります。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面を基に詳細に説明する。図１は、本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、１はセラミック基体、２はセラミック板、３は半導体素子である。
【００１２】
セラミック基体１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材料から成る積層体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施すことによりセラミック基体１用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【００１３】
セラミック基体１は、その下面中央部に半導体素子３を収容するための第一凹部１ａが形成されており、それにより半導体素子３を収容する容器として機能する。そして、この第一凹部１ａの底面中央部が半導体素子３が搭載される搭載部となっており、この第一凹部１ａ底面中央部に半導体素子３を搭載するとともに第一凹部１ａ内に例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材４を充填することにより半導体素子３が封止される。なお、この例では半導体素子３は樹脂製封止材４を第一凹部１ａ内に充填することにより封止されるが、半導体素子３はセラミック基体１の下面に金属やセラミックスから成る蓋体を第一凹部１ａを塞ぐように接合させることにより封止されてもよい。なお、このような第一凹部１ａは、セラッミク基体１用のセラミックグリーンシートの一枚に第一凹部１ａ形成用の貫通穴を所定の大きさ・形状に打ち抜いておくことによってセラミック基体１の下面中央部に形成される。
【００１４】
また、第一凹部１ａ底面には半導体素子３の各電極と接続される複数のメタライズ配線導体５が導出しており、これらのメタライズ配線導体５と半導体素子３の各電極とを半田バンプ６等の電気的接続手段を介して接合することにより半導体素子３の各電極と各メタライズ配線導体５とが電気的に接続されるとともに半導体素子３が第一凹部１ａ内に固定される。なお、この例では、半導体素子３の電極とメタライズ配線導体５とは半田バンプ６を介して接続されるが、半導体素子３の電極とメタライズ配線導体５とはボンディングワイヤ等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよい。
【００１５】
メタライズ配線導体５は、半導体素子３の各電極を外部電気回路および後述する第一メタライズ電極７・第二メタライズ電極９に電気的に接続するための導電路として機能し、その一部はセラミック基体１の外周下面に導出し、別の一部は第一メタライズ電極７・第二メタライズ電極９に電気的に接続されている。そして、半導体素子３の各電極をこれらのメタライズ配線導体５に半田バンプ６を介して電気的に接続するとともに半導体素子３を樹脂製封止材４で封止した後、メタライズ配線導体５のセラミック基体１外周下面に導出した部位を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材を介して接合することにより、内部に収容する半導体素子３が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１６】
このようなメタライズ配線導体５は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体１用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これをセラミック基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体１の内部および表面に所定のパターンに形成される。なお、メタライズ配線導体５の露出表面には、メタライズ配線導体５が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配線導体５と半田等との接合を良好なものとするために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚みが0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着されている。
【００１７】
また、セラミック基体１の上面中央部には深さが0.01〜５ｍｍ程度の略円形の第二凹部１ｂが設けられている。なお、このような第二凹部１ｂは、セラッミク基体１用のセラミックグリーンシートの一枚に第二凹部１ｂ形成用の略円形の貫通穴を所定の大きさに打ち抜いておくことによってセラミック基体１の上面中央部に形成される。この第二凹部１ｂは、後述するように、セラミック板２との間に密閉空間Ｓを形成するためのものであり、この第二凹部１ｂの底面には静電容量形成用の第一メタライズ電極７が被着されている。
【００１８】
この第一メタライズ電極７は、後述する第二メタライズ電極９とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば略円形のパターンに形成されている。そして、この第一メタライズ電極７にはメタライズ配線導体５の一つ５ａが接続されており、それによりこのメタライズ配線導体５ａに半導体素子３の電極を半田バンプ６等の電気的接続手段を介して接続すると半導体素子３の電極と第一メタライズ電極７とが電気的に接続されるようになっている。
【００１９】
このような第一メタライズ電極７は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体１の第二凹部１ｂ底面に所定のパターンに形成される。なお、第一メタライズ電極７の露出表面には、第一メタライズ電極７が酸化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２０】
また、セラミック基体１の第二凹部１ｂ周辺上面にはその全周にわたり枠状の第一接合用メタライズ層８が被着されており、この第一接合用メタライズ層８には、下面に第二メタライズ電極９および第二接合用メタライズ層10を有するセラミック板２が銀−銅ろう材等の導電性接合材を介して接合されている。
【００２１】
この第一接合用メタライズ層８にはメタライズ配線導体５の一つ５ｂが接続されており、それによりこのメタライズ配線導体５ｂに半導体素子３の電極を半田バンプ６等の電気的接続手段を介して電気的に接続するとメタライズ配線導体５ｂおよび第一接合用メタライズ層８および第二接合用メタライズ層10を介して第二メタライズ電極９と半導体素子３の電極とが電気的に接続されるようになっている。
【００２２】
第一接合用メタライズ層８は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック基体１用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック基体１用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック基体１の上面に枠状の所定のパターンに形成される。なお、第一接合用メタライズ層８の表面には、第一接合用メタライズ層８が酸化腐食するのを防止するとともに第一接合用メタライズ層８と導電性接合材との接合を強固なものとするために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２３】
また、セラミック基体１の上面には第二凹部１ｂとの間に密閉空間Ｓを形成するようにしてセラミック板２が接合されている。このセラミック板２は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材料から成る厚みが0.01〜５ｍｍの略平板であり、外部の圧力に応じて撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラムとして機能する。
【００２４】
なお、セラミック板２は、その厚みが0.01ｍｍ未満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうため、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊されてしまう危険性が大きなものとなり、他方、５ｍｍを超えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用のダイアフラムとしては不適となってしまう。したがって、セラミック板２の厚みは0.01〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００２５】
このようなセラミック板２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施すことによりセラミック板２用の生セラミック成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２６】
また、セラミック板２の下面中央部には、静電容量形成用の略円形の第二メタライズ電極９が被着されている。この第二メタライズ電極９は前述の第一メタライズ電極７とともに感圧素子用の静電容量を形成するための電極として機能する。
【００２７】
このような第二メタライズ電極９は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック板２用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック板２の下面の中央部に所定のパターンに形成される。なお、第二メタライズ電極９の露出表面には、第二メタライズ電極９が酸化腐食するのを防止するために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００２８】
さらに、セラミック板２の下面外周部には、第二メタライズ電極９に電気的に接続された枠状の第二接合用メタライズ層10が被着されている。この第二接合用メタライズ層10はセラミック板２をセラミック基体１に接合するための接合用下地金属層として機能し、第一接合用メタライズ層８と第二接合用メタライズ層10とを銀−銅ろう等の導電性接合材を介して接合することによりセラミック基体１にセラミック板２が接合されるとともにメタライズ配線導体５ｂと第二メタライズ電極９とが電気的に接続される。
【００２９】
このような第二接合用メタライズ層10は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミック板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これをセラミック板２用の生セラミック成形体とともに焼成することによってセラミック板２の下面の外周部に所定のパターンに形成される。なお、第二接合用メタライズ層10の表面には、第二接合用メタライズ層10が酸化腐食するのを防止するととも第二接合用メタライズ層10と導電性接合材との接合を良好とするために、通常であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層が被着されている。
【００３０】
このとき、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９とは、セラミック基体１とセラミック板２との間に形成された密閉空間Ｓを挟んで対向しており、これらの間には、第一メタライズ電極７や第二メタライズ電極９の面積および第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間隔に応じて所定の静電容量が形成される。そして、セラミック板２の上面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じてセラミック板２がセラミック基体１側に撓んで第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間隔が変わり、それにより第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。そして、この静電容量の変化を第一凹部１ａ内に収容した半導体素子３にメタライズ配線導体５ａ・５ｂを介して伝達し、これを半導体素子３で演算処理することによって外部の圧力の大きさを知ることができる。
【００３１】
そして、本発明においては、第一凹部１ａの側面が第二凹部１ｂの側面よりも外周側に位置しており、メタライズ配線導体５が第一凹部１ａの内側の底面中央部に形成されており、そのことが重要である。このように本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、第一凹部１ａの側面が第二凹部１ｂの側面よりも外周側に位置していることから、セラミック基体１用のセラミックグリーンシートを積層して生セラミック成形体を得る際に、第一凹部１ａを形成するための貫通穴を有するセラミックグリーンシートを介して印加される積層の圧力が第二凹部１ｂの底面外周部を押し上げるように作用することがなく、その結果、第二凹部１ｂ底面に変形が発生することがない。したがって、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間隔がばらつくことはなく、外部の圧力を正確に検出することが可能となる。
【００３２】
なお、第一凹部１ａの側面が第二凹部１ｂの側面よりも２ｍｍを超えて外側に位置する場合、セラミック基体１を製作する際に積層の圧力が第一凹部１ａの底面外周部に大きく作用して第一凹部１ａ底面に大きな変形が発生しやすくなり、そのように第一凹部１ａ底面に大きな変形が発生すると、第一凹部１ａ底面に半導体素子３を正常に搭載することが困難となる。したがって、第一凹部１ａの側面の位置は第二凹部１ｂの側面よりも２ｍｍ以下外周側に位置することが好ましい。
【００３３】
以上説明したように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子３が搭載されるセラミック基体１の他方の主面に、静電容量形成用の第一メタライズ電極７を設けるとともにこの第一メタライズ電極７と対向する静電容量形成用の第二メタライズ電極９を内側主面に有するセラミック板２をセラミック基体１との間に密閉空間Ｓを形成するように可撓な状態で接合させたことから、半導体素子３を収容する容器と感圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型化することができる。また、静電容量形成用の第一メタライズ電極７および第二メタライズ電極９を、セラミック基体１に設けたメタライズ配線導体５ａ・５ｂを介して半導体素子３に接続することから、第一メタライズ電極７および第二メタライズ電極９を短い距離で半導体素子３に接続することができ、その結果、これらのメタライズ配線導体５ａ・５ｂ間に発生する不要な静電容量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供することができる。
【００３４】
なお、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間隔が１気圧中において0.01ｍｍ未満の場合、セラミック板２に大きな圧力が印加された際に、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９とが接触して圧力を検出することができなくなってしまう危険性があり、他方、５ｍｍを超えると、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間に形成される静電容量が小さなものとなり、圧力を検出する感度が低いものとなる傾向にある。したがって、第一メタライズ電極７と第二メタライズ電極９との間隔は、１気圧中において0.01〜５ｍｍの範囲が好ましい。
【００３５】
かくして、上述の圧力検出装置用パッケージによれば、第一凹部１ａ底面に半導体素子３を搭載するとともに半導体素子３の各電極とメタライズ配線導体５とを電気的に接続し、しかる後、半導体素子３を封止することによって小型でかつ感度が高く、外部の圧力を正確に検出することが可能な圧力検出装置となる。
【００３６】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の圧力検出装置用パッケージによれば、セラミック基体の一方の主面に形成された半導体素子が収容される第一凹部の側面がセラミック基体の他方の主面に形成された密閉空間形成用の第二凹部よりも外周側に位置しており、メタライズ配線導体が第一凹部の内側の底面中央部に形成されていることから、セラミック基体を製作する際に第一凹部１ａを形成するための貫通穴を有するセラミックグリーンシートを介して印加される積層の圧力が第二凹部１ｂの底面外周部を押し上げるように作用することがなく、その結果、第二凹部１ｂ底面に変形が発生することがない。したがって、静電容量形成用の第一メタライズ電極と第二メタライズ電極とを所定の距離として外部の圧力を正確に検出することが可能な小型で高感度の圧力検出装置用パッケージを提供することができる。また、セラミック基体の第二凹部周辺上面の全周にわたって被着されている枠状の第一接合用メタライズ層と、セラミック板の下面外周部の全周にわたって被着されているとともに第二メタライズ電極に電気的に接続された枠状の第二接合用メタライズ層とが、導電性接合材を介して接合されていることから、セラミック基体とセラミック板とが強固に接合されるとともに、第二メタライズ電極とメタライズ配線導体とが電気的に接続され、さらに第二凹部とセラミック板とで形成される密閉空間の封止性を良好に確保することが可能となります。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来の圧力検出装置用パッケージの断面図である。
【図３】従来の圧力検出装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・セラミック基体
１ａ・・・・・・・第一凹部
１ｂ・・・・・・・第二凹部
２・・・・・・・・セラミック板
３・・・・・・・・半導体素子
５・・・・・・・・メタライズ配線導体
７・・・・・・・・第一メタライズ電極
９・・・・・・・・第二メタライズ電極
Ｓ・・・・・・・・密閉空間
【図１】
0004974424.tif 000002
【図２】
0004974424.tif 000003
【図３】
0004974424.tif 000004