(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視矩形状の基板の表面に当該基板の肉厚部を挟んで対向し互いに接続された二つの導電パターンからなる電極を二対有し、前記二対の前記二つの導電パターンからなる電極はそれぞれ貫通電極を介して接続されており、前記二対の電極の前記二つの導電パターンのうち一方に電子部品を実装して成る電子デバイスであって、前記貫通電極は前記基板の外形を成す互いに対向する二辺のうち、短辺側の二辺各々の中間を通る直線に沿って配置され、前記二つの導電パターンのうち前記電子部品と接続された導電パターンは、前記基板の一面に配置されると共に、少なくともその一部に前記電子部品を実装するための実装端子を備え、前記二対の電極が備えた貫通電極のうち少なくとも一方は、当該二つの実装端子の間に配置されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記二対の電極が備えた導電パターンのうち、前記電子部品と接続されていない他方の導電パターンは、前記基板の一面と対向する他面に配置されると共に、少なくともその一部に前記電子部品を外部へ電気的に接続するための外部接続端子を備え、前記二対の電極が備えた貫通電極のうち少なくとも一方は、当該二つの外部接続端子のうち対応する外部接続端子と平面的に重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造、及び電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、平面視方形状の基板の表面に形成された二つの導電パターンが基板の肉厚部に設けられた貫通電極を介して相互に接続された電極構造が知られている。（例えば、特許文献１、２参照）
【０００３】
図２は、従来の電極構造を備えた電子デバイスの一例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図２（ｂ）上面図においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、蓋部材を省略してある。ここに示す従来の電子デバイスにおいては、シリコン（Ｓｉ）などの半導体材料から成る平面視矩形状の基板１の一主面側に箱型の凹部１ａが設けられ、その凹部１ａの内面全体と凹部１ａを囲繞する壁部１ｂの上端面にポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第一の絶縁層２が形成されている。第一の絶縁層２の表面には、圧電振動片３を実装するための二つの実装端子４ａ、４ｂが凹部１ａ底面の短辺片側に寄せて形成され、それら二つの実装端子４ａ、４ｂの上に互いに電気的極性の異なる図示しない二つの励振電極を備えた圧電振動片３が図示しない導電性接着剤を介して実装されている。
【０００４】
基板１の凹部１ａ底面上に配設された二つの実装端子４ａ、４ｂのうち一方の実装端子４ａの直下には、基板１の凹部１ａ底面からそれと対向する下面に向かって直線的に貫通する貫通電極６ａが設けられ、また、他方の実装端子４ｂには、凹部１ａ底面の長手方向へ直線的に延びる引回し配線５が一体的に形成されると共に、その引回し配線５の先端部直下に基板１の凹部１ａ底面からそれと対向する下面に向かって直線的に貫通する貫通電極６ｂが設けられている。
【０００５】
二つの貫通電極６ａ、６ｂは、基板１の凹部１ａ底面と下面との間の肉厚部に設けられた円柱状の貫通孔に、第一の絶縁層２を介して金（Ａｕ）などの導電材料が充填、又はその内面全体に薄膜状に堆積されることで形成されている。
【０００６】
基板１の下面には、ポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第二の絶縁層７がその全面にわたって形成され、その第二の絶縁層７の表面に、圧電振動片３の励振電極を外部へ電気的に接続するための二つの外部接続端子８ａ、８ｂが形成されている。
【０００７】
基板１の下面に配設された二つの外部接続端子８ａ、８ｂのうち一方の外部接続端子８ａは、貫通電極６ａを介して一方の実装端子４ａと接続され、他方の外部接続端子８ｂは、貫通電極６ｂと引回し配線５を介して他方の実装端子４ｂと接続されており、これにより圧電振動片３の二つの励振電極がそれぞれ対応する外部接続端子８ａ、８ｂと電気的に接続されている。
【０００８】
また、基板１の壁部１ｂ上端部には、シリコン（Ｓｉ）やガラスなどから成る平板状の蓋部材９が接合され、これにより圧電振動片３が凹部１ａ内に気密封止された状態となっている。
【特許文献１】特開２００６−２７９８７２号公報
【特許文献２】特開２００７−２６７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明した従来の電極構造においては、電極構造が形成された基板を外部の回路基板に実装する際などに、基板に発生した捻り応力が貫通電極に大きく作用し、その応力によって貫通電極が断線したり基板から剥離する虞があった。
【００１０】
本発明は、以上の問題点に鑑みて成されたものであり、基板の捻り応力により貫通電極が破損することのない電極構造、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
平面視矩形状の基板の表面に当該基板の肉厚部を挟んで対向し互いに接続された二つの導電パターンからなる電極を二対有し、前記二対の前記二つの導電パターンからなる電極はそれぞれ貫通電極を介して接続されており、前記二対の電極の前記二つの導電パターンのうち一方に電子部品を実装して成る電子デバイスであって、前記貫通電極は前記基板の外形を成す互いに対向する二辺のうち、短辺側の二辺各々の中間を通る直線に沿って配置され、前記二つの導電パターンのうち前記電子部品と接続された導電パターンは、前記基板の一面に配置されると共に、少なくともその一部に前記電子部品を実装するための実装端子を備え、前記二対の電極が備えた貫通電極のうち少なくとも一方は、当該二つの実装端子の間に配置されている電子デバイスとする。
【００１２】
前記二対の電極が備えた導電パターンのうち、前記電子部品と接続されていない他方の導電パターンは、前記基板の一面と対向する他面に配置されると共に、少なくともその一部に前記電子部品を外部へ電気的に接続するための外部接続端子を備え、前記二対の電極が備えた貫通電極のうち少なくとも一方は、当該二つの外部接続端子のうち対応する外部接続端子と平面的に重なる位置に配置されている電子デバイスとする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、平面視方形状の基板の外形を成す互いに対向する二辺のうち、少なくとも一方の二辺各々の中間を通る直線に沿って貫通電極を配置することで、基板に発生した捻り応力が貫通電極に大きく作用するのを回避することができるため、応力による貫通電極の破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の電極構造を備えた電子デバイスの一実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ断面図、（ｄ）（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。尚、図１（ｂ）においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、蓋部材を省略してある。ここに示す電子デバイスは、シリコン（Ｓｉ）から成る平面視矩形状の基板２１の一主面側に箱型の凹部２１ａが設けられ、その凹部２１ａの内面全体と凹部２１ａを囲繞する壁部２１ｂの上端面にポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第一の絶縁層２２が形成されている。第一の絶縁層２２の表面には、圧電振動片３を実装するための二つの実装端子２３ａ、２３ｂが凹部２１ａ底面の短辺片側に寄せて形成され、それら二つの実装端子２３ａ、２３ｂの上に互いに電気的極性の異なる図示しない二つの励振電極を備えた圧電振動片３が図示しない導電性接着剤を介して実装されている。
【００１８】
基板２１の凹部２１ａ底面上に配設された二つの実装端子２３ａ、２３ｂには、凹部２１ａ底面の短手方向へ直線的に延びる引回し配線２５ａと、長手方向へＬ字状に延びる引回し配線２５ｂとがそれぞれ一体的に形成され、それら二つの引回し配線２５ａ、２５ｂの先端部直下に、基板２１の凹部２１ａ底面からそれと対向する下面に向かって直線的に貫通する貫通電極２４ａ、２４ｂがそれぞれ設けられている。
【００１９】
貫通電極２４ａ、２４ｂは、基板２１の凹部２１ａ底面と下面との間の肉厚部に設けられた円柱状の貫通孔に、第一の絶縁層２２を介して金（Ａｕ）などの導電材料が充填、又はその内面全体に薄膜状に堆積されることで形成されている。
【００２０】
ここで、本実施例の最たる特徴として、二つの貫通電極２４ａ、２４ｂは、基板２１の外形を成す互いに対向する二辺のうち、短辺側の二辺各々の中間を通る直線Ｌに沿って配置されており、この状態において、とりわけ一方の貫通電極２４ａは、二つの実装端子２３ａ、２３ｂの間に配置されている。
【００２１】
通常、図１に示すような平面視矩形状の基板２１においては、基板２１をその長手方向の軸周りなどに捻った際に発生する捻り応力が、その軸から離れた領域に発生し易いため、貫通電極２４ａ、２４ｂがその軸となる直線Ｌ上から外れた位置に配置されていると、特に電子デバイスを外部の回路基板に実装する際などに、基板２１に発生した捻り応力が貫通電極２４ａ、２４ｂに大きく作用し、その応力によって貫通電極２４ａ、２４ｂが断線したり基板２１から剥離する虞がある。しかしながら、本実施例においては、以上の捻り応力が比較的発生し難い直線Ｌに沿って貫通電極２４ａ、２４ｂが配置されているため、以上の問題が起こり難い。
【００２２】
尚、基板２１に発生する捻り応力は、基板２１の長手方向の軸周りだけではなく、短手方向の軸周りにも発生するため、そちら側の捻り応力も考慮して貫通電極２４ａ、２４ｂの適切な配置箇所を決定するようにしてもよい。
【００２３】
また、貫通電極２４ａ、２４ｂに作用する捻り応力を低減する観点からは、本実施例のように二つの貫通電極２４ａ、２４ｂを共に直線Ｌに沿って配置するのが好ましいが、それらのうち一方のみを直線Ｌに沿って配置することでも本発明の効果が得られる。
【００２４】
また、貫通電極２４ａ、２４ｂは、本実施例のように直線Ｌと完全に一致する状態で配置されている必要はなく、直線Ｌに近接して配置されているだけでも本発明の効果が得られる。
【００２５】
基板２１の下面には、ポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第二の絶縁層２６がその全面にわたって形成され、その第二の絶縁層２６の表面に、圧電振動片３の励振電極を外部へ電気的に接続するための二つの外部接続端子２７ａ、２７ｂが形成されている。
【００２６】
二つの外部接続端子２７ａ、２７ｂと二つの貫通電極２４ａ、２４ｂは、それぞれ互いに平面的に重なるように配置されており、とりわけ一方の貫通電極２４ａは、一方の外部接続端子２７ａの平面的な中心点と重なるように配置され、それと同様に他方の貫通電極２４ｂは、他方の外部接続端子２７ｂの平面的な中心点と重なるように配置されている。
【００２７】
基板２１の下面に配設された二つの外部接続端子２７ａ、２７ｂのうち一方の外部接続端子２７ａは、貫通電極２４ａと引回し配線２５ａを介して一方の実装端子２３ａと接続され、他方の外部接続端子２７ｂは、貫通電極２４ｂと引回し配線２５ｂを介して他方の実装端子２３ｂと接続されており、これにより圧電振動片３の二つの励振電極がそれぞれ対応する外部接続端子２７ａ、２７ｂと電気的に接続されている。
【００２８】
また、基板２１の壁部２１ｂ上端部には、シリコン（Ｓｉ）やガラスなどから成る平板状の蓋部材９が接合され、これにより圧電振動片３が凹部２１ａ内に気密封止された状態となっている。
【００２９】
以上、本発明の電極構造が形成される基板は、半導体基板に限らずセラミック基板などの絶縁性基板であってもよく、その形状についても、実施例で示したような平面視矩形状のものに限らず正方形などであってもよい。
【００３０】
また、本発明の電子デバイスは、凹部内に電子部品を気密封止したパッケージ部品に限らず単に平板状の基板に電子部品が実装されたものであってもよく、電子部品についても圧電振動片に限らずその他種々のものが対象となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電極構造を備えた電子デバイスの一実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図、（ｄ）（ｂ）のＢ−Ｂ断面図
【図２】従来の電極構造を備えた電子デバイスの一例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図
【符号の説明】
【００３２】
１      基板
１ａ    凹部
１ｂ    壁部
２      第一の絶縁層
３      圧電振動片
４ａ    実装端子
４ｂ    実装端子
５      引回し配線
６ａ    貫通電極
６ｂ    貫通電極
７      第二の絶縁層
８ａ    外部接続端子
８ｂ    外部接続端子
９      蓋部材
２１    基板
２１ａ  凹部
２１ｂ  壁部
２２    第一の絶縁層
２３ａ  実装端子
２３ｂ  実装端子
２４ａ  貫通電極
２４ｂ  貫通電極
２４ｃ  導電層
２５ａ  引回し配線
２５ｂ  引回し配線
２６    第二の絶縁層
２７ａ  外部接続端子
２７ｂ  外部接続端子
【図１】
0005026323.tif 000002
【図２】
0005026323.tif 000003