(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、
前記バネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備え、
前記バネ部が、前記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有することを特徴とするコンタクト。
【請求項２】
前記一対の接点それぞれの先端部分が、半径３０μｍ以下の円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のコンタクト。
【請求項３】
当該コンタクトが、５０μｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求項１または２記載のコンタクト。
【請求項４】
前記バネ部が、該バネ部のループ形状を、前記一対の接点を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が互いに異なる断面形状を有するものであることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載のコンタクト。
【請求項５】
前記バネ部が、該バネ部のループ形状を、前記一対の接点を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が非対称な形状を有するものであることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載のコンタクト。
【請求項６】
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、該バネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備え、前記バネ部が、前記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有するコンタクト、および、
前記括れ部の、前記一対の接点を結ぶ方向の寸法に対応した厚さを有し、該括れ部が入り込んだ貫通孔を有する板状の支持体を有するハウジングを備えたことを特徴とするインタポーザ。
【請求項７】
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、該バネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備え、前記バネ部が、前記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有するコンタクト、および、
前記括れ部の、前記一対の接点を結ぶ方向の寸法よりも厚くかつ前記一対の接点間の距離よりも薄い厚さを有し、貫通孔と、表裏面それぞれに、該表裏面に平行に該貫通孔を貫いて延びるスリットとを有し、前記括れ部が、前記貫通孔の中央部分に入り込み、前記表裏面をそれぞれのスリットから前記一対の接点のうちの一方および他方の接点それぞれを、前記バネ部の、該一方および他方の接点にそれぞれ隣接した部分を含めて突出させてなる板状の支持体を有するハウジングを備えたことを特徴とするインタポーザ。
【請求項８】
前記ハウジングが矩形形状を有し、前記コンタクトが二次元的に複数配列されたものであって、前記スリットが前記ハウジングの矩形形状の辺に対し斜めに延びるスリットであることを特徴とする請求項７記載のインタポーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路基板のパターンや半導体バンプなどといった被接触物に接触するコンタクト、およびこのようなコンタクトが絶縁体に実装されたインタポーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップについて、この半導体チップ上に配列される半導体バンプなどといった端子（被接触物）にコンタクトを接触させて電気的特性を測定するプロービングテストが行われている。
【０００３】
このようなコンタクトとして、例えば、導電性ゴムや、いわゆるポゴピンや、打ち抜き加工によって製作されたスタンピングスプリングや、電鋳パイプによるリングスプリングなどといったコンタクトが知られている。プロービングテストでは、例えば、このようなコンタクトが絶縁体に実装されたインタポーザが用いられている。
【０００４】
このようなコンタクトとして、例えば、打ち抜き加工によって製作された、独立した２つのループが連結されたコンタクトが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この特許文献１に提案されたコンタクトは、高弾性を有するとともに、低ばね定数で低抵抗かつ低自己インダクタンスである。
【０００５】
また、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）工程で形成された接続体（コンタクト）が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。この特許文献２に提案されたコンタクトは、一端が半導体バンプに接触する第１接触部と、第１接触部の一端に対する他端から連続して延びるＣ形状を有する連結部と、連結部の一端に連結され凸形状を有する支持部と、支持部の一端から連続して延びるＯ形状を有し電気回路基板に挿入される第２接触部とを有する。そして、このコンタクトはＭＥＭＳ工程で形成されるものであることから微細加工が可能であり、特に、半導体バンプに接触する第１接触部の一端を、打ち抜き加工では実現困難な微細加工とすることができる。
【特許文献１】米国特許第５５７３４３５号明細書
【特許文献２】特表２００６−５１４２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、導電性ゴムからなるコンタクトは耐久性に劣るという欠点がある。また、ポゴピンやリングスプリングからなるコンタクトは接触信頼性に劣るという欠点がある。また、スタンピングスプリングからなるコンタクトは、微細加工に限界があることから更なる小型化が困難であり、絶縁体への高密度実装や高速信号に劣るという欠点がある。
【０００７】
また、特許文献１に提案されたコンタクトは、２つのループが独立しているので、このコンタクトが絶縁体に実装されたインタポーザにおいて、変位量が相対的に小さく、かつ高接圧になる。大変位量かつ低接圧にするにはループを小さくする必要があるものの、独立した２つのループが連結された形状のものを小型化することは困難である。また、このコンタクトにおける独立した２つのループの連結構造は、分離した片端を中央部に嵌め込んでなる構造であるので、このコンタクトが横加重を受けると連結が外れてしまうおそれがある。また、このコンタクトは、打ち抜き加工によって製作されたものであるため、絶縁体への高密度実装や高速信号に劣るという欠点がある。
【０００８】
また、特許文献２に提案されたコンタクトは、このコンタクトが絶縁体に実装されたインタポーザにおいて、変位量が片持ち梁状の連結部のみに依存するので、大きな変位量を得る（所定のばね荷重を得る）ためにはコンタクトの厚みを、例えば１００μｍ以上とするなど、厚くする必要がある。ところが、ＭＥＭＳ工程で１００μｍの厚みを有するコンタクトを形成するためには、約１０時間の析出を要することが知られている。コンタクトは消耗品であり、定期的な交換が必要であるため、厚みを厚くする必要がある特許文献２に提案されたコンタクトでは、極めてコスト高となる。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、絶縁体への高密度実装が可能であり、高速信号に対応できるコンタクト、およびこのようなコンタクトを備えたインタポーザを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成する本発明のコンタクトは、
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、
上記バネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明のコンタクトは、バネ部が、押圧されることにより弾性変形するものであって、外方に突出した一対の接点を有するため、この一対の接点が、例えば電気回路基板のパターンや半導体バンプなどといった被接触物に接触して押圧を受けるときに、低荷重すなわち低い接圧であっても高い集中応力が得られる。そのため、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、その高集中応力により、一対の接点がこれらを破壊し、被接触物と良好な接触抵抗を得ることができる。また、本発明のコンタクトは、変位量が片持ち梁状の連結部のみに依存する従来のコンタクトの形状とは異なる、両端固定の梁に近似する形状であるので、コンタクトの厚みを厚くすることなく、その従来のコンタクトよりも大きな変位量を得ることができる。さらに、本発明のコンタクトは、バネ部が無端ループ状に形成されているため、分離した片端を中央部に嵌め込むことによって２つのループを連結した従来のコンタクトとは異なり、横加重を受けて連結が外れてしまうといった問題がなく、コンタクトの構造や機能を維持できる。従って、本発明のコンタクトによれば、高い耐久性を有するとともに、接触信頼性が高い。
【００１２】
また、本発明のコンタクトは、このコンタクトの製作にあたり、例えば、従来より知られている、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術が適用可能である。このようにして製作されたコンタクトは、非常に小さいため、このコンタクトを絶縁体に高密度実装することができる。また、非常に小さなコンタクトによれば、電気長が短いこととなるため、高速信号を流すことが可能である。さらに、このような微細加工技術を適用することにより、コンタクトの接点先端を数μｍの微細な半径の円弧状に形成することができ、低い接圧であっても更に高い集中応力が得られ、接触信頼性が高い。
【００１３】
また、本発明のコンタクトは、このコンタクトの製作にあたり、例えば、従来より知られている、フォトリソグラフィとＮｉ合金電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術が適用可能である。このようにして製作されたＮｉ合金（例えば、Ｈｖ４５０〜Ｈｖ６００）からなるコンタクトは、耐摩耗に強く、高い耐久性を有する。
【００１４】
ここで、本発明のコンタクトは、上記一対の接点それぞれの先端部分が、半径３０μｍ以下、好適には半径１０μｍ以下の円弧状に形成されていることが好ましい。打ち抜き加工では、半径５０μｍが製造限度であるからである。
【００１５】
このような好ましい形態は、従来より知られている、フォトリソグラフィと電気鋳造と
を組み合わせた微細加工技術により実現可能である。そして、このような好ましい形態によれば、コンタクトの接点先端が非常に鋭いので、低い接圧であっても更に高い集中応力が得られる。その結果、被接触物と良好な接触抵抗を得ることができ、接触信頼性が極めて高い。
【００１６】
また、本発明のコンタクトは、当該コンタクトが、５０μｍ以下の厚み、好適には３０μｍ以下の厚みを有することも好ましい形態である。５０μｍまでの厚みであればほぼ１時間以内の電気鋳造加工で形成可能であるが、５０μｍを超える厚みの形成には飛躍的に時間を要するからである。
【００１７】
このような好ましい形態は、従来より知られている、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術により実現可能である。ここで、本発明のコンタクトは、上述したように、低荷重すなわち低い接圧であっても高い集中応力が得られるため、大きな荷重を要しない。また、本発明のコンタクトは、上述したように、変位量が片持ち梁状の連結部のみに依存する従来のコンタクトよりも大きな変位量を得ることができる。そのため、コンタクトの厚みを、例えば１００μｍ以上とするなど、厚くする必要がない。従って、このような好ましい形態によれば、コンタクトを低コストで製作できる。
【００１８】
また、本発明のコンタクトは、上記バネ部が、上記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有することが好ましい。
【００１９】
このような括れ部を有するコンタクトによれば、この括れ部を利用して絶縁体にコンタクトをより一層高密度実装することができる。
【００２０】
また、本発明のコンタクトは、上記バネ部が、このバネ部のループ形状を、上記一対の接点を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が互いに異なる断面形状を有するものであることも好ましい形態である。
【００２１】
このような好ましい形態は、一対の接点が被接触物に接触して押圧を受けるときに、バネ部の上記一方と上記他方が歪んで変形する。これにより、一対の接点が被接触物に対してワイピングする。従って、このような好ましい形態によれば、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、一対の接点のワイピングによって、これらが確実に破壊され、被接触物とより一層良好な接触抵抗を得ることができ、接触信頼性が極めて高い。
【００２２】
さらに、本発明のコンタクトは、上記バネ部が、このバネ部のループ形状を、上記一対の接点を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が非対称な形状を有するものであるという形態も好ましい。
【００２３】
このような好ましい形態は、一対の接点が被接触物に接触して押圧を受けるときに、バネ部の上記一方と上記他方が歪んで変形する。これにより、一対の接点が被接触物に対してワイピングする。従って、このような好ましい形態によれば、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、一対の接点のワイピングによって、これらが確実に破壊され、被接触物とより一層良好な接触抵抗を得ることができ、接触信頼性が極めて高い。
【００２４】
また、上記目的を達成する本発明のインタポーザのうちの第１のインタポーザは、
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、このバネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備えたコンタクト、および、
上記一対の接点のうちの一方および他方の接点を、上記バネ部の、その一方および他方の接点にそれぞれ隣接した部分を含めてそれぞれ突出させるスリットが形成された一対の板体を有するハウジングを備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明のインタポーザのうちの第１のインタポーザは、本発明のコンタクトを備えた実装構造であるため、そのコンタクトの利点と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００２６】
また、上記目的を達成する本発明のインタポーザのうちの第２のインタポーザは、
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、このバネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備え、上記バネ部が、上記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有するコンタクト、および、
上記括れ部の、上記一対の接点を結ぶ方向の寸法に対応した厚さを有し、この括れ部が入り込んだ貫通孔を有する板状の支持体を有するハウジングを備えたことを特徴とする。
【００２７】
本発明のインタポーザのうちの第２のインタポーザは、本発明のコンタクトを備えた実装構造であるため、そのコンタクトの利点と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。また、この第２のインタポーザは、コンタクトが括れ部を有するため、この括れ部を利用してハウジングにコンタクトをより一層高密度実装することができる。
【００２８】
また、上記目的を達成する本発明のインタポーザのうちの第３のインタポーザは、
押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されたバネ部と、このバネ部のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出し、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける一対の接点とを備え、上記バネ部が、上記一対の接点が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部を有するコンタクト、および、
上記括れ部の、上記一対の接点を結ぶ方向の寸法よりも厚くかつ上記一対の接点間の距離よりも薄い厚さを有し、貫通孔と、表裏面それぞれに、この表裏面に平行にその貫通孔を貫いて延びるスリットとを有し、上記括れ部が、上記貫通孔の中央部分に入り込み、上記表裏面をそれぞれのスリットから上記一対の接点のうちの一方および他方の接点それぞれを、上記バネ部の、その一方および他方の接点にそれぞれ隣接した部分を含めて突出させてなる板状の支持体を有するハウジングを備えたことを特徴とする。
【００２９】
本発明のインタポーザのうちの第３のインタポーザは、本発明のコンタクトを備えた実装構造であるため、そのコンタクトの利点と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。また、この第３のインタポーザは、コンタクトが括れ部を有するため、この括れ部を利用してハウジングにコンタクトをより一層高密度実装することができる。また、この第３のインタポーザによれば、ハウジングに実装されたコンタクトの姿勢がスリットによって安定する。
【００３０】
ここで、本発明のインタポーザのうちの第１のインタポーザまたは第３のインタポーザは、上記ハウジングが矩形形状を有し、上記コンタクトが二次元的に複数配列されたものであって、上記スリットが上記ハウジングの矩形形状の辺に対し斜めに延びるスリットであることがさらに好ましい。
【００３１】
このような好ましい形態によれば、ハウジングにコンタクトをより一層高密度実装することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、絶縁体への高密度実装が可能であり、高速信号に対応できるコンタクト、およびこのようなコンタクトを備えたインタポーザが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００３４】
図１，図２は、本発明のインタポーザについての第１実施形態を示す外観図である。図１は、インタポーザ１を前面斜め上から見た斜視図である。また、図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は右側面図である。
【００３５】
また、図３は、図２に示すＡ−Ａ線における拡大断面図である。また、図４は、図２に示すＢ−Ｂ線における拡大断面図である。尚、図３には、説明のために、電気回路基板３０のパッド３１や半導体バンプ４０も図示されている。
【００３６】
インタポーザ１は、コンタクト１０と、コンタクト１０が実装された絶縁体のハウジング２０とから構成されている。
【００３７】
コンタクト１０は、バネ部１１と一対の接点１２（１２１，１２２）とを備えている。このコンタクト１０は、本発明のコンタクトについての第１実施形態である。コンタクト１０は、例えばＮｉ−ＣｏやＮｉＭｎなどといったＮｉ合金（例えば、Ｈｖ４５０〜Ｈｖ６００）からなるものであって、従来より知られている、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術により製作されたものである。従って、コンタクト１０の厚みを、５０μｍ以下の厚みとすることができ、ここでは例えば２０μｍとされている。Ｎｉ合金からなるコンタクト１０は、耐摩耗に強く、高い耐久性を有する。
【００３８】
コンタクト１０のバネ部１１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されている。また、このバネ部１１は、一対の接点１２（１２１，１２２）が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部１１１を有した瓢箪形状のものである。
【００３９】
コンタクト１０の一対の接点１２（１２１，１２２）は、バネ部１１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。また、この一対の接点１２（１２１，１２２）それぞれの先端部分は、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術によって半径３０μｍ以下の円弧状に形成することができ、ここでは例えば５μｍとされている。そして、この一対の接点１２（１２１，１２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。被接触物は、例えば、電気回路基板３０のパッド３１や半導体バンプ４０といった端子である。
【００４０】
従って、第１実施形態のコンタクト１０によれば、一対の接点１２（１２１，１２２）が被接触物に接触して押圧を受けるときに、低荷重すなわち低い接圧であっても高い集中応力が得られる。そのため、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、その高集中応力により、一対の接点１２（１２１，１２２）がこれらを破壊し、被接触物と良好な接触抵抗を得ることができる。また、第１実施形態のコンタクト１０は、変位量が片持ち梁状の連結部のみに依存する従来のコンタクトの形状とは異なる、両端固定の梁に近似する形状であるので、コンタクト１０の厚みを厚くすることなく、例えば２０μｍの厚みであっても、その従来のコンタクトよりも大きな変位量を得ることができるとともに、コンタクト１０を低コストで製作できる。さらに、第１実施形
態のコンタクト１０は、バネ部１１が無端ループ状に形成されているため、分離した片端を中央部に嵌め込むことによって２つのループを連結した従来のコンタクトとは異なり、横加重を受けて連結が外れてしまうといった問題がなく、コンタクト１０の構造や機能を維持できる。また、コンタクト１０は、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術によって、コンタクト１０の接点１２（１２１，１２２）の先端が、例えば５μｍの微細な半径の円弧状に、非常に鋭く形成されており、低い接圧であっても更に高い集中応力が得られる。従って、第１実施形態のコンタクト１０によれば、高い耐久性を有するとともに、接触信頼性が高い。
【００４１】
また、第１実施形態のコンタクト１０は、フォトリソグラフィと電気鋳造とを組み合わせた微細加工技術により製作された非常に小さいものであるため、コンタクト１０をハウジング２０に高密度実装することができる。また、括れ部１１１を利用してハウジング２０にコンタクト１０をより一層高密度実装することもできる。また、非常に小さなコンタクト１０によれば、電気長が短いこととなるため、高速信号を流すことが可能である。
【００４２】
ハウジング２０は、括れ部１１１の、一対の接点１２（１２１，１２２）を結ぶ方向の寸法よりも厚くかつ一対の接点１２（１２１，１２２）間の距離よりも薄い厚さを有する。また、このハウジング２０は、複数の横断面円形の貫通孔２１と、コンタクト１０の厚さより若干大きな間隙を有するスリット２２とを有している。スリット２２は、ハウジング２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂそれぞれに、表面２０ａおよび裏面２０ｂに平行に、複数の貫通孔２１を貫いて延びている。コンタクト１０は、コンタクト１０の括れ部１１１が、貫通孔２１の中央部分に入り込み、表面２０ａおよび裏面２０ｂをそれぞれのスリット２２から一対の接点１２（１２１，１２２）のうちの一方の接点１２１および他方の接点１２２それぞれを、バネ部１１の、一方の接点１２１および他方の接点１２２にそれぞれ隣接した部分を含めて突出させて実装されている。そして、ハウジング２０は、実装されたコンタクト１０を支持する、板状の支持体２３を有する。
【００４３】
従って、第１実施形態のインタポーザ１は、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。また、このインタポーザ１によれば、ハウジング２０に実装されたコンタクト１０の姿勢がスリット２２によって安定する。
【００４４】
次に、本発明のインタポーザについての第２実施形態について説明する。
【００４５】
尚、以下説明する第２実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるコンタクト１０を、このコンタクト１０とは異なる形状のコンタクト５０に置き換えたものである。
【００４６】
以下、第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００４７】
図５は、第２実施形態のインタポーザ２のハウジング２０にコンタクト５０が実装された部分の拡大断面図である。
【００４８】
インタポーザ２は、コンタクト５０と、コンタクト５０が実装された絶縁体のハウジング２０とから構成されている。
【００４９】
コンタクト５０は、バネ部５１と一対の接点５２（５２１，５２２）とを備えている。このコンタクト５０は、本発明のコンタクトについての第２実施形態である。
【００５０】
コンタクト５０のバネ部５１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形
成されている。また、このバネ部５１は、一対の接点５２（５２１，５２２）が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部５１１を有した上下のループが矢印形状を有する略瓢箪形状のものである。
【００５１】
コンタクト５０の一対の接点５２（５２１，５２２）は、バネ部５１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。そして、この一対の接点５２（５２１，５２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。
【００５２】
このような略瓢箪形状のコンタクト５０が実装されたインタポーザ２であっても、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００５３】
次に、本発明のインタポーザについての第３実施形態について説明する。
【００５４】
尚、以下説明する第３実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるコンタクト１０を、このコンタクト１０とは異なる形状のコンタクト６０に置き換えたものである。
【００５５】
以下、第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００５６】
図６は、第３実施形態のインタポーザ３のハウジング２０にコンタクト６０が実装された部分の拡大断面図である。
【００５７】
インタポーザ３は、コンタクト６０と、コンタクト６０が実装された絶縁体のハウジング２０とから構成されている。
【００５８】
コンタクト６０は、バネ部６１と一対の接点６２（６２１，６２２）とを備えている。このコンタクト６０は、本発明のコンタクトについての第３実施形態である。
【００５９】
コンタクト６０のバネ部６１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されている。また、バネ部６１のループ形状は、一対の接点６２（６２１，６２２）を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が非対称な形状である。また、このバネ部６１は、一対の接点６２（６２１，６２２）が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部６１１を有した瓢箪形状のものである。
【００６０】
コンタクト６０の一対の接点６２（６２１，６２２）は、バネ部６１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。そして、この一対の接点６２（６２１，６２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。
【００６１】
バネ部のループ形状が非対称な形状である第３実施形態のインタポーザ３は、一対の接点６２（６２１，６２２）が被接触物に接触して押圧を受けるときに、バネ部６１の一方と他方が歪んで変形する。これにより、一対の接点６２（６２１，６２２）が被接触物に対して水平方向に移動し、ワイピングする。従って、第３実施形態のインタポーザ３によれば、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、一対の接点６２（６２１，６２２）のワイピングによって、これらが確実に破壊され、被接触物とより一層良好な接触抵抗を得ることができ、接触信頼性が極めて高い。また、このインタポーザ３は、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、高密
度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００６２】
次に、本発明のインタポーザについての第４実施形態について説明する。
【００６３】
尚、以下説明する第４実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるコンタクト１０を、このコンタクト１０とは異なる形状のコンタクト７０に置き換えたものである。
【００６４】
以下、第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００６５】
図７は、第４実施形態のインタポーザ４のハウジング２０にコンタクト７０が実装された部分の拡大断面図である。
【００６６】
インタポーザ４は、コンタクト７０と、コンタクト７０が実装された絶縁体のハウジング２０とから構成されている。
【００６７】
コンタクト７０は、バネ部７１と一対の接点７２（７２１，７２２）とを備えている。このコンタクト７０は、本発明のコンタクトについての第４実施形態である。
【００６８】
コンタクト７０のバネ部７１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成されている。また、バネ部７１のループ形状は、一対の接点７２（７２１，７２２）を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が互いに異なる断面形状である。また、このバネ部７１は、一対の接点７２（７２１，７２２）が配置された２つの位置の中間部分に、互いに近づく向きに括れた括れ部７１１を有した瓢箪形状のものである。
【００６９】
コンタクト７０の一対の接点７２（７２１，７２２）は、バネ部７１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。そして、この一対の接点７２（７２１，７２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。
【００７０】
バネ部のループ形状が、一対の接点６２（６２１，６２２）を結ぶ直線で２分割したときの一方と他方が互いに異なる断面形状である第４実施形態のインタポーザ４は、第３実施形態のインタポーザ３と同様に、一対の接点７２（７２１，７２２）が被接触物に接触して押圧を受けるときに、バネ部７１の一方と他方が歪んで変形する。これにより、一対の接点７２（７２１，７２２）が被接触物に対して水平方向に移動し、ワイピングする。従って、第４実施形態のインタポーザ４によれば、被接触物の表面にコンタミネーション（汚染物）や絶縁皮膜が形成されていても、一対の接点７２（７２１，７２２）のワイピングによって、これらが確実に破壊され、被接触物とより一層良好な接触抵抗を得ることができ、接触信頼性が極めて高い。また、このインタポーザ４は、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００７１】
次に、本発明のインタポーザについての第５実施形態について説明する。
【００７２】
尚、以下説明する第５実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるコンタクト１０およびハウジング２０を、このコンタクト１０およびハウジング２０とは異なる形状のコンタクト８０およびハウジング２１０に置き換えたものである。
【００７３】
図８は、第５実施形態のインタポーザ５のハウジング２１０にコンタクト８０が実装さ
れた部分の拡大断面図である。
【００７４】
インタポーザ５は、コンタクト８０と、コンタクト８０が実装された絶縁体のハウジング２１０とから構成されている。
【００７５】
コンタクト８０は、バネ部８１と一対の接点８２（８２１，８２２）とを備えている。このコンタクト８０は、本発明のコンタクトについての第５実施形態である。
【００７６】
コンタクト８０のバネ部８１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成された、円形状のものである。
【００７７】
コンタクト８０の一対の接点８２（８２１，８２２）は、バネ部８１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。そして、この一対の接点８２（８２１，８２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。
【００７８】
ハウジング２１０は、一対の接点８２（８２１，８２２）間の距離よりも薄い厚さを有する。また、ハウジング２１０は、一対の接点８２（８２１，８２２）のうちの一方の接点８２１および他方の接点８２２を、バネ部８１の、一方の接点８２１および他方の接点８２２にそれぞれ隣接した部分を含めてそれぞれ突出させるスリット２１１が形成された一対の板体２１２を有する。コンタクト８０は、スリット２１１に入り込み、スリット２１１から一対の接点８２（８２１，８２２）のうちの一方の接点８２１および他方の接点８２２それぞれを、バネ部８１の、一方の接点８２１および他方の接点８２２にそれぞれ隣接した部分を含めて突出させて実装されている。
【００７９】
このような円形状のコンタクト８０が、スリット２１１が形成された一対の板体２１２を有するハウジング２１０に実装されたインタポーザ５であっても、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００８０】
次に、本発明のインタポーザについての第６実施形態について説明する。
【００８１】
尚、以下説明する第６実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるコンタクト１０およびハウジング２０を、このコンタクト１０およびハウジング２０とは異なる形状のコンタクト９０およびハウジング２２０に置き換えたものである。
【００８２】
図９は、第６実施形態のインタポーザ６のハウジング２２０にコンタクト９０が実装された部分の拡大断面図である。
【００８３】
インタポーザ６は、コンタクト９０と、コンタクト９０が実装された絶縁体のハウジング２２０とから構成されている。
【００８４】
コンタクト９０は、バネ部９１と一対の接点９２（９２１，９２２）とを備えている。このコンタクト９０は、本発明のコンタクトについての第６実施形態である。
【００８５】
コンタクト９０のバネ部９１は、押圧されることにより弾性変形する無端ループ状に形成された、略楕円形状のものである。
【００８６】
コンタクト９０の一対の接点９２（９２１，９２２）は、バネ部９１のループの略半周分離れた位置においてそれぞれが外方に突出して形成されたものである。そして、この一
対の接点９２（９２１，９２２）は、それぞれに対向する各被接触物に接触して押圧を受ける。
【００８７】
ハウジング２２０は、一対の接点９２（９２１，９２２）間の距離よりも薄い厚さを有する。また、ハウジング２２０は、一対の接点９２（９２１，９２２）のうちの一方の接点９２１および他方の接点９２２を、バネ部９１の、一方の接点９２１および他方の接点９２２にそれぞれ隣接した部分を含めてそれぞれ突出させるスリット２２１が形成された一対の板体２２２を有する。コンタクト９０は、スリット２２１に入り込み、スリット２２１から一対の接点９２（９２１，９２２）のうちの一方の接点９２１および他方の接点９２２それぞれを、バネ部９１の、一方の接点９２１および他方の接点９２２にそれぞれ隣接した部分を含めて突出させて実装されている。
【００８８】
このような略楕円形状のコンタクト９０が、スリット２２１が形成された一対の板体２２２を有するハウジング２２０に実装されたインタポーザ６であっても、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、接触信頼性が高く、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００８９】
次に、本発明のインタポーザについての第７実施形態について説明する。
【００９０】
尚、以下説明する第７実施形態は、上述した第１実施形態のインタポーザ１の構成要素であるハウジング２０を、このハウジング２０とは異なる形状のハウジング２３０に置き換えたものである。
【００９１】
以下、第１実施形態における要素と同じ要素については同じ符号を付して説明を省略し、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００９２】
図１０は、第７実施形態のインタポーザ７の平面図である。
【００９３】
インタポーザ７は、コンタクト１０と、コンタクト１０が実装された絶縁体のハウジング２３０とから構成されている。
【００９４】
ハウジング２３０は、括れ部１１１の、一対の接点１２（１２１，１２２）を結ぶ方向の寸法よりも厚くかつ一対の接点１２（１２１，１２２）間の距離よりも薄い厚さを有する直方体形状を有している。また、コンタクト１０が二次元的に複数配列されたものであって、スリット２３１がハウジング２３０の平面視で矩形形状の辺に対し斜めに延びるスリットである。
【００９５】
このようなハウジング２３０にコンタクト１０が実装されたインタポーザ７は、ハウジング２３０にコンタクト１０をより一層高密度実装することができる。また、このインタポーザ７は、第１実施形態のインタポーザ１と同様に、高い耐久性を有し、高密度実装が可能であり、高速信号に対応できる。
【００９６】
尚、上述した各実施形態のコンタクトは、インタポーザの他に、半導体試験装置のテストソケットや、高密度基板間接続にも適用することができる
また、上述した各実施形態のインタポーザは、例えば、電気的特性を測定するプロービングテストの装置の他、例えば、医療用の超音波診断装置やＣＴ、ＭＲＩやＮＭＲなどの高密度実装に応用できる。
【００９７】
また、上述した第１実施形態〜第４実施形態インタポーザは、ハウジングが、複数の貫通孔とスリットとを有している例を挙げて説明したが、本発明にいうハウジングは、コン
タクトの括れ部の、一対の接点を結ぶ方向の寸法に対応した厚さを有し、この括れ部が入り込んだ貫通孔を有する板状の支持体を有するものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明のインタポーザについての第１実施形態を示す外観斜視図である。
【図２】本発明のインタポーザについての第１実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明のインタポーザについての第１実施形態を示す正面図である。
【図４】本発明のインタポーザについての第１実施形態を示す右側面図である。
【図５】第２実施形態のインタポーザのハウジングにコンタクトが実装された部分の拡大断面図である。
【図６】第３実施形態のインタポーザのハウジングにコンタクトが実装された部分の拡大断面図である。
【図７】第４実施形態のインタポーザのハウジングにコンタクトが実装された部分の拡大断面図である。
【図８】第５実施形態のインタポーザのハウジングにコンタクトが実装された部分の拡大断面図である。
【図９】第６実施形態のインタポーザのハウジングにコンタクトが実装された部分の拡大断面図である。
【図１０】第７実施形態のインタポーザの平面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１，２，３，４，５，６，７    インタポーザ
１０，５０，６０，７０，８０，９０    コンタクト
１１，５１，６１，７１，８１，９１    バネ部
１１１，５１１，６１１，７１１    括れ部
１２，５２，６２，７２，８２，９２    一対の接点
１２１，５２１，６２１，７２１，８２１，９２１    一方の接点
１２２，５２２，６２２，７２２，８２２，９２２    他方の接点
２０，２１０，２２０，２３０    ハウジング
２０ａ    表面
２０ｂ    裏面
２１    貫通孔
２２，２１１，２２１，２３１    スリット
２３    支持体
２１２，２２２    一対の板体
３０    電気回路基板
３１    パッド
４０    半導体バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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