(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャネル及びガラスボーダーから成るマイクロチャネルプレートであって、
入力側は不動態化層によって被覆され、不動態化層はチャネルの中空を覆うことなくチャネル内に伸長し、マイクロチャネルプレートから光電陰極へ流れる電子の数を減少させるようかつ二次電子を製造するよう動作し、
不動態化層はイオンの放出を減少させる、
ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層はAl2O3の層から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層は窒化シリコンの層から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項４】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層はリン化ガリウムの層から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項５】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層は窒化ガリウムの層から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項６】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層は窒化アルミニウムの層から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項７】
請求項１に記載のマイクロチャネルプレートであって、不動態化層は二次電子を製造する材料から成る、ところのマイクロチャネルプレート。
【請求項８】
複数のチャネル及びガラスボーダーから成るマイクロチャネルプレートから成る光子検出器であって、
入力側は不動態化層によって被覆され、不動態化層はチャネルの中空を覆うことなくチャネル内に伸長し、マイクロチャネルプレートから光電陰極へ流れる電子の数を減少させるようかつ二次電子を製造するよう動作し、
不動態化層はイオンの放出を減少させる、
ところの光子検出器。
【請求項９】
請求項８に記載の光子検出器であって、不動態化層はAl2O3の層から成る、ところの光子検出器。
【請求項１０】
請求項８に記載の光子検出器であって、不動態化層は窒化シリコンの層から成る、ところの光子検出器。
【請求項１１】
請求項８に記載の光子検出器であって、不動態化層は二次電子を製造する材料から成る、ところの光子検出器。
【請求項１２】
請求項８に記載の光子検出器であって、該光子検出器はさらにマイクロチャネルプレートに結合された光電陰極から成り、該光電陰極は入射光子をマイクロチャネルプレートに送られる電子に変換するよう作用する、
ところの光子検出器。
【請求項１３】
マイクロチャネルプレートを製造するための方法であって、
複数のチャネル及びガラスボーダーから成るマイクロチャネルプレートを与える工程と、
チャネルの中空を覆うことなくチャネル内に伸長し、マイクロチャネルプレートから光電陰極に流れる電子の数を減少させかつ二次電子を製造するよう作用する不動態化層を入力側にコーティングする工程と、
から成り、
不動態化層はイオンの放出を防止する、
ところの方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、不動態化層はAl2O3の層から成る、ところの方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、不動態化層は窒化シリコンの層から成る、ところの方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、不動態化層は二次電子を製造する材料から成る、ところの方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の技術分野
本発明は、強化視界システムに関し、特に強化コーティングを有するマイクロチャネルプレートに関する。
【０００２】
発明の背景
暗視技術は民間及び軍事的使用の両方に対して有用な製品を与えるところまで進化したが、そのような装置の性能を強化することが常に目標である。
【０００３】
強化視界システムを改良するためのひとつの方法は強化視界システム内で利用されるマイクロチャネルプレートを改良することである。標準的なマイクロチャネルプレートにおいて、そのマイクロチャネルプレートの入力側及び出力側は電子を加速するのを助けるべく電気的ポテンシャルが設定されるように適用されたコーティングを有する。しかし、このコーティングは二次電子の製造に対し、若しくはイオンがマイクロチャネルプレートを離れ光電陰極にダメージを与えるのを防止するための不動態化層として最適化されていない。
【０００４】
発明の要旨
本発明にしたがって、強化された信号対ノイズ比を有するマイクロチャネルプレートが与えられる。該マイクロチャネル信号プレートは以前開発されたマイクロチャネルプレートに対して利点をもたらす。
【０００５】
ひとつの実施例において、改良されたマイクロチャネルプレートが開示される。該マイクロチャネルプレートは入力側及び出力側を有する。コーティングは二次電子の製造を増加させかつイオンがマイクロチャネルプレート面を離れ光電陰極にダメージを与えるのを防止するように、入力側に適用される。
【０００６】
本発明の技術的な利点は、マイクロチャネル上へのコーティングの付加が動作中にイオンがマイクロチャネルプレートを離れ光電陰極に衝突するのを防止するよう作用するということである。付加的に、コーティングは二次放出電子の生成を増加させる。さらなる技術的な利点は以下の詳細な説明及び図面から明らかとなる。
【０００７】
発明の詳細な説明
本発明の好適実施例及びその利点は図１から３を参照することによって最も理解できる。ここで図中、同じ部品は同符号で示される。
【０００８】
図１は、本発明の教示に従うイメージ増強装置10の略示図である。イメージ増強装置10はイメージから光子を受取りそれを可視イメージに変換するよう動作する。イメージ増強装置10は、情景が通常の視力で見える状態及び情景が星明り若しくは他の赤外線ソースによってのみ照らされているため通常の視力では全体として見ることができない状態を含むさまざまな光の状態において、視界を強化するよう設計されている。しかし、イメージ増強装置10は視界を強化するために使用されるが、イメージ増強装置10はまた半導体を検査するための光子検出システムを含む他の応用に使用されてもよいことがわかる。
【０００９】
イメージ増強装置10はイメージ増強管16に接続された光学機器12から成る。イメージ増強管16は入力側17a及び出力側17bを有する。イメージ増強装置10は光子検出器及びイメージ生成器として作動することができる。電源18はイメージ増強管16に接続されている。イメージ増強管16はイメージ増強管16によって生成されたイメージを強化するためのディスプレイ20を含む。
【００１０】
光学機器12は情景からの光をイメージ増強管16上に集束させるよう動作する。
【００１１】
電源18はイメージ増強管16のコンポーネントへ電力を与えるよう作用する。典型的な実施例において、電源18は連続DC電力をイメージ増強管16に与える。電源18の使用はさらに図２との関連で説明される。
【００１２】
エレクトロニクス14はイメージ増強装置10に必要な他の電子回路を表す。これらはとりわけ電源16を制御するのに使用されるエレクトロニクスを含む。イメージ増強装置の所望の応用によって、エレクトロニクス14は電源のゲート及び管利得の調整のような機能を実行する。
【００１３】
ディスプレイ20はイメージ増強管16によって生成されたイメージ用の便利なディスプレイとして与えられる。ディスプレイ20はイメージ増強管16によって生成されたイメージをユーザーに提供する光学機器であり、イメージ増強管16によって生成されたイメージを陰極線管（CRT）ディスプレイ若しくは他のディスプレイ装置に表示するためにカメラのような必要なエレクトロニクスを含んでもよい。
【００１４】
図２は本発明の教示に従うイメージ増強管16を示す。イメージ増強管16は入力側22a及び出力側22bを有する光電陰極22から成る。光電陰極22に結合されているのは、MCP入力側24a及びMCP出力側24bを有するマイクロチャネルプレート(MCP)24である。また、マイクロチャネルプレート24に結合された燐スクリーン26も含まれる。燐スクリーン26とマイクロチャネルプレート24との間には第2の電場25が存在する。
【００１５】
動作中、イメージからの光子は光電陰極22の入力側に衝突する。光電陰極22は光子を電子に変換し、それはオリジナルイメージを表すパターンで光電陰極22の出力側から放出される。典型的に、光電陰極22は周知技術のように基板上に成長された半導体材料から製造された円盤状構造である。ひとつの適当な構造は、ガラス、光ファイバー若しくは類似の透明基板上に成長されたガリウムヒ素(GaAs)から成る。他の構造はインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)、アルミニウム・ガリウム・ヒ素(AlGaAs)、非晶質ダイヤモンド、ビアルカリ材料、他のIII-V族合金若しくはいくつかの半導体材料から成る多層構造体を含む。
【００１６】
光電陰極22から放出された電子は第1の電場23内で加速される。第1の電場23は電源18によって生成される。第1の電場23内で加速された後、電子はマイクロチャネルプレート24の入力側24aに衝突する。典型的に、マイクロチャネルプレート24は入射電子に関してわずかに軸外しされて方向付けされた多くの中空繊維から形成された薄いガラスのウエハから成る。典型的にマイクロチャネルプレート24はMCP入力側24a及びMCP出力側24bに配置された導電電極層33を有する。電源18によって供給される差動電圧はMCP入力24a及びMCP出力24bを横切って印加される。光電陰極22からの電子はそれらが二次電子を生成するところのマイクロチャネルプレート24内に進入し、それが差動電圧によって加速される。加速された二次電子はMCP出力24bにおいてマイクロチャネルプレート24を離れる。
【００１７】
典型的に、マイクロチャネルプレートは入力側24aと出力側24bの両方で薄い金属コーティング33を有するよう要求される。これによって、MCPを横切って電場が印加されることができる。デポジットされた金属電極は二次電子の生成を補助する。しかし、金属コーティングは必ずしも二次電子放出の生成用に最適化されない。
【００１８】
本発明において、従来の金属コーティングを有するマイクロチャネルプレート24がイメージ増強装置内で使用するために与えられる。しかし本発明において、MCP24の入力面24aは金属コーティングの上に配置されたコーティングを有し、該コーティングは金属コーティングより多くの二次電子を生成しかつ光電陰極22にダメージを与えるイオンの放出を防止するのに役立つものである。
【００１９】
マイクロチャネルプレート24を出て第2の電場25内で加速した後、二次電子は燐スクリーン26上に衝突し、そこでオリジナルイメージを写したパターンが形成される。荷電結合装置を使用するようなイメージを表示する他の方法が使用されてもよい。
【００２０】
図３は本発明の教示に従うマイクロチャネルプレート24を示す。図示されたマイクロチャネルプレート24は、マイクロチャネルプレートチャネル30及びガラスボーダー32から成る。図３に示されるように、入射電子34はMCP24内の相互作用によって二次放出電子36を生成する。
【００２１】
本発明において、MCP入力側24aはイオンバリア膜を有しても有しなくてもよい。マイクロチャネルプレート24を製造するのに使用されるクラッディングガラスはニクロムのような従来のコーティング33を付加することによって二次電子放出電子を生成するべく導電性に作られる。先に議論されたように、入力面（MCP入力側24a）は第２コーティング38によって覆われる。このコーティングはAl2O3、Si3N4、GaP若しくはSi2Oのような材料である。そのような材料は単結晶、多結晶若しくは非晶質である。コーティング38はスパッタされた石英、ドープされたガラス若しくは高い二次電子放出量を生成する他の材料から成る。例えば、Ti若しくはTi合金、Au、Ag、W若しくはW合金、Al若しくはAl合金若しくは他の適当な金属及び合金のような導体材料、または例えばSi及び合金、Ge及び合金、GaN若しくはSiCのような高ドープ半導体材料もまた層38を形成するのに使用される。この実施例はMCPの入力側で層33及び38が単一層38に置き換えられるという利点を有する。コーティング38は上で議論されたいくつかの材料の薄い層若しくは量子井戸を含む多層構造から成る。付加的に、コーティング38はマイクロチャネルプレート24の表面を不動態化するよう働く。これは、真空中で動作中にイオンがMCP24から離れるのを防止することを意味し、したがって光電陰極22をイオンダメージから保護する。図３に示されるように、不動態化層と呼ばれるコーティング38はチャネル30を覆うことなくチャネル30の中空内に伸長する。コーティングの厚さは使用される材料のタイプ及びその結晶構造に依存する。厚さは、MCPから光電陰極へ流れる電子の数を減少しながら、光電陰極からMCP内への電子の流れに対する障害を最小化するために最適化される。ひとつの実施例において、ドープされたガラスの厚さ10nmのコーティングが適用される。発明は詳細な説明によって示されかつ説明されてきたが、発明の思想及び態様から離れることなくさまざまな変更が可能であることは当業者の知るところである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の教示に従うイメージ増強装置の略示図である。
【図２】  図２は、本発明の教示に従うイメージ増強管を示す。
【図３】  図３は、本発明の教示に従うマイクロチャネルプレートを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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