(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、
前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、
前記ステージに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設け、
前記放熱フィンは、その一部が前記半導体素子に向けて折り曲がった接触部を有し、前記接触部で前記半導体素子に直接接触する構成としたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に係り、特に放熱機構を有した半導体装置に関する。
【０００２】
近年、半導体装置に内設される半導体素子は高電力化され、これに伴い発熱量も増大する傾向にある。また、半導体装置に対する低コスト化の要求も、ますます増大する傾向にある。
【０００３】
よって、半導体装置の構成を大きく変更することなく、換言すれば半導体装置のコスト上昇を伴うことなく、半導体素子から発生する熱を効率よく放熱できる半導体装置が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】
図１乃至図３は、従来の半導体装置１を説明するため図である。図１は半導体装置１の断面図であり、図２は半導体装置１を底面側から透視した図であり、更に図３は半導体装置１に設けられた半導体素子２を示す図である。尚、図１は図２におけるＡ１−Ａ１線に沿う断面を示しており、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）におけるＡ２−Ａ２線に沿う断面を示している。
【０００５】
半導体装置１は、樹脂パッケージ５内に半導体素子２,ステージ３,リード４，及びワイヤ６等を設けた構成とされている。半導体素子２はＡｇペースト７によりステージ３に固定されている。このステージ３は、サポートバー８により支持されている。また、リード４のインナーリード部（樹脂パッケージ５に埋設された部分）はワイヤ６により半導体素子２と電気的に接続されており、アウターリード部は樹脂パッケージ５から外部に延出して外部端子として機能する。
【０００６】
ここで、ステージ３に注目すると、ステージ３の面積は半導体素子２の面積に対して小さく設定されている。このように、ステージ３の面積を半導体素子２の面積に対して小さく設定したのは次の理由による。
【０００７】
即ち、以前においてはステージの面積は半導体素子の面積と略同じか、或いは若干大きく設定することが行なわれていた。また、半導体素子はステージに対してＡｇペースト等の接合部材を用いて固定されるが、上記のように以前はステージの面積と半導体素子の面積は略同等であったため、Ａｇペーストの配設面積も半導体素子の面積と略同等の面積で配設されていた。
【０００８】
しかしながら、ＡｇペーストはＡｇに樹脂ペーストを混合した構成であるため、吸湿し易い特性がある。よって、吸湿したＡｇペーストを用いて半導体素子をステージに固定（貼着）し、その後に樹脂パッケージをモールドして半導体装置を製造した場合、その後に実装時等において半導体装置に加熱処理がされた場合、吸湿したＡｇペースト内の水分が熱膨張し、半導体素子とステージとの間に剥離が生じたり、また樹脂パッケージにクラックが発生したりすることが生じた。これは、特に近年提案されている鉛フリー化により、実装時における加熱温度が高くなると大きな問題となる。
【０００９】
そこで、ステージの面積を半導体素子の面積より小さくすることにより、Ａｇペーストの配設面積を小さくし、これによりＡｇペーストの吸湿に起因した上記不都合を防止することが行なわれている。また、樹脂パッケージも樹脂であるため接着力を有しており、特に半導体素子との接合性が良好であることが知られている。このため、ステージ面積を小さくしても、半導体素子は樹脂パッケージと接合することにより保持されるため、機械的強度においても十分な強度を得ることができる。
以上説明した各理由により、図１乃至図３に示されるように、半導体素子２の面積に対してステージ３の面積を小さく設定することが行われている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ステージ３の機能は、上記したように半導体素子２を固定する機能ばかりではなく、半導体素子２で発生した熱を放熱するという機能を有している。この放熱機能は、当然のことながら放熱面積が大きい程、換言すればステージ３の面積が広い程、効率の高い放熱が行なえる。
【００１１】
しかしながら、上記のようにステージ３の面積を半導体素子２に対して小さく設定すると、半導体素子２とステージ３との間の剥離や樹脂パッケージ５にクラックが発生することは防止できるものの、半導体素子２で発生する熱を効率よく放熱できないという新たな問題点が生じる。
近年では、半導体素子２の高電力化が進んでおり、これに伴い半導体素子２で発生する熱量も増大する傾向にある。よって、上記の問題点は、半導体素子２の高電力化に伴い重要に問題点となる。
【００１２】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体素子とステージ間の剥離や樹脂パッケージにクラックが発生することを抑制しつつ、かつ半導体素子で発生する熱を効率よく放熱しうる半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１６】
請求項１記載の発明は、
半導体素子と、
サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、
前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、前記サポートバーに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことを特徴とするものである。
【００１７】
上記発明によれば、サポートバーに半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことにより、半導体素子を効率よく冷却することができる。また、サポートバーにはステージが設けられるため、リードフレーム形成時にサポートバーと放熱フィンとを一括的に形成することが可能であり、低コストで放熱フィンを形成することができる。
【００２６】
また、請求項２記載の発明は、
半導体素子と、
サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、
前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、
前記ステージに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設け、
前記放熱フィンの一部が前記半導体素子に直接接触する構成としたことを特徴とするものである。
【００２７】
上記発明によれば、放熱フィンの一部が半導体素子に直接接触することにより、半導体素子で発生した熱は直接放熱フィンに熱伝導し放熱される。よって、半導体素子で発生する熱をより効果的に放熱することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００３３】
図４乃至図６は、本発明の第１実施例である半導体装置１０Ａを説明するため図である。図４は半導体装置１０Ａの断面図であり、図５は半導体装置１０Ａを底面側から透視した図であり、更に図６は半導体装置１０Ａに使用されるリードフレーム２０Ａを示す図である。尚、図４は図５におけるＡ３−Ａ３線に沿う断面を示しており、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）におけるＡ４−Ａ４に沿う断面を示している。
【００３４】
半導体装置１０Ａは、大略すると半導体素子１２,ステージ１３Ａ,リード１４，樹脂パッケージ１５．及び放熱フィン１９Ａ等により構成されている。半導体素子１２は、接合部材として機能するＡｇペースト１７によりステージ１３Ａに固定されている。本実施例では、Ａｇペースト１７はステージ１３Ａの略全面に配設されている。
【００３５】
ステージ１３Ａは、図６に示すリードフレーム２０Ａの状態において、サポートバー１８Ａにより支持される構成となっている。このリードフレーム２０Ａは、例えば銅合金，４２アロイ等の周知のリードフレーム材料により形成されている。尚、リードフレーム２０Ａの状態では、リード１４及びサポートバー１８Ａは、図示を省略している枠体（樹脂パッケージ１５の形成後に切断除去される）に、一体的に接続し保持された構成となっている。
【００３６】
ここで、ステージ１３Ａの面積に注目すると、本実施例ではテージ１３Ａの面積を半導体素子１２の面積よりも小さく設定している。従って、吸湿性を有するＡｇペースト１７の配設面積も小さくなっている。よって、Ａｇペースト１７が吸湿していたとしても、その配設面積（即ち、配設量）が少ないため、半導体装置１０Ａに対し実装時等において加熱処理が実施されても水分膨張による影響を抑えることができる。これにより、半導体素子１２とステージ１３Ａとの間で剥離が発生することを防止できると共に、ステージ１３Ａと樹脂パッケージ１５との界面にクラックが発生することを防止できる。
【００３７】
リード１４は、インナーリード部（樹脂パッケージ１５に埋設された部分）と、アウターリード部（樹脂パッケージ１５から外部に延出した部分）とにより構成されている。リード１４のインナーリード部は、ワイヤ１６を用いて半導体素子１２と電気的に接続される。また、リード１４のアウターリード部は外部接続端子として機能し、実装時において例えば実装基板に半田付けされる。
この実装処理の際、前記したように近年では鉛フリー化が進んでおり、無鉛半田を用いることが多くなっていきている。この無鉛半田は、以前から用いられている有鉛半田に比べて融点が高いことは前述した通りである。
【００３８】
樹脂パッケージ１５は、半導体素子１２，リード１４のインナーリード部，ワイヤ１６，及び後述する放熱フィン１９Ａを内部に封止することにより、これらを保護する機能を奏する。この樹脂パッケージ１５は、前記のように半導体素子１２との接合性が高いため、ステージ１３Ａの面積が半導体素子１２よりも小さくても、半導体素子１２のステージ１３Ａからはみ出した部分は樹脂パッケージ１５と接合する。よって、ステージ１３Ａの面積を小さくしても、半導体素子１２は樹脂パッケージ１５内に確実に保持され、半導体装置１０Ａの強度は維持されている。
【００３９】
続いて、本実施例の特徴となる放熱フィン１９Ａについて説明する。
本実施例に係る放熱フィン１９Ａは、ステージ１３Ａに一体的に設けられた構成とされている。この放熱フィン１９Ａは、樹脂パッケージ１５内において、ステージ１３Ａに対し斜め上方に向けて延出するよう形成されている。
【００４０】
このようにステージ１３Ａに放熱フィン１９Ａを設けることにより、半導体素子１２で発生した熱は、Ａｇペースト１７，ステージ１３Ａを介して放熱フィン１９Ａに熱伝導してゆき、放熱フィン１９Ａにおいて放熱される。よって、図１及び図２に示した従来の半導体装置１のように、半導体素子２で発生する熱を小面積であるステージ３及びサポートバー８のみで放熱する構成に比べ、本実施例によればステージ１３Ａ，サポートバー１８Ａに加え、放熱フィン１９Ａによって放熱することができるため、半導体素子１２を効率よく冷却することができる。
【００４１】
この放熱フィン１９Ａは、図６に示すリードフレーム２０Ａの形成時に、リード１４，ステージ１３Ａ，サポートバー１８Ａ等の形成と共に一括的にプレス形成されるものである。よって、放熱フィン１９Ａを新たに形成しても、リードフレーム２０Ａ及び半導体装置１０Ａの製造工程が複雑になることはなく、低コストで形成することができる。
【００４２】
また、放熱フィン１９Ａは、ステージ１３Ａとリード１４との間に形成されている。この放熱フィン１９Ａの形成領域は、従来のリードフレーム９ではなにも形成されていなかった領域（図３に矢印Ｂで示す領域）である。また、この放熱フィン１９Ａの形成領域は、ステージ１３Ａが小面積化されたことによりリードフレーム２０Ａに形成されることとなった領域である。本実施例では、従来ではリードフレーム９の形成時に打ち抜かれ廃棄されていた領域を利用して放熱フィン１９Ａを形成している。
【００４３】
このように、リード１４とステージ１３Ａとの間に形成される空間部分に放熱フィン１９Ａを形成することにより、放熱フィン１９Ａの形状を大きく取ることができ、かつ放熱フィン１９Ａと半導体素子１２Ａとの離間距離を小さくすることができる。これにより、半導体素子１２で発生した熱を効率よく放熱フィン１９Ａに熱伝導させることができ、また熱伝導された熱は面積の広い放熱フィン１９Ａにより放熱されるため、半導体素子１２で発生する熱を効果的に放熱することが可能となる。
【００４４】
続いて、本発明の第２実施例について説明する。
【００４５】
図７乃至図９は、本発明の第２実施例である半導体装置１０Ｂを説明するため図である。図７は半導体装置１０Ｂの断面図、図８は半導体装置１０Ｂの底面側からの透視図、更に図９は半導体装置１０Ｂに使用されるリードフレーム２０Ｂを示す図である。また、図７は図８におけるＡ５−Ａ５線に沿う断面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）におけるＡ６−Ａ６線に沿う断面図である。
尚、図７乃至図９において、先の説明に使用した図４乃至図６と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。また、図１０乃至図２０を用いて説明する各実施例においても同様とする。
【００４６】
前記した第１実施例に係る半導体装置１０Ａは、ステージ１３Ａに放熱フィン１９Ａを形成したことを特徴としていた（図４乃至図６参照）。これに対して本実施例では、サポートバー１８Ｂに放熱フィン１９Ｂを形成したことを特徴とするものである。また、本実施例においても、放熱フィン１９Ｂは樹脂パッケージ１５内において、ステージ１３Ｂに対し斜め上方に向けて延出するよう形成されている。
【００４７】
このようにサポートバー１８Ｂに放熱フィン１９Ｂを設けることにより、半導体素子１２で発生した熱は、Ａｇペースト１７，ステージ１３Ｂ，サポートバー１８Ｂを介して放熱フィン１９Ｂに熱伝導してゆき、放熱フィン１９Ｂにおいて放熱される。よって、第１実施例の半導体装置１０Ａと同様に、半導体素子１２を効率よく冷却することができる。
【００４８】
また、本実施例に係る放熱フィン１９Ｂも、図９に示すリードフレーム２０Ｂの形成時に、ステージ１３Ｂとリード１４との間の領域を利用し、リード１４，ステージ１３Ｂ，サポートバー１８Ｂ等の形成と同時に一括形成される。よって、広い面積を有した放熱フィン１９Ｂを低コストで形成することができる。
【００４９】
更に、本実施例においても、テージ１３Ｂの面積は半導体素子１２の面積よりも小さく設定されているため、実装時等において半導体装置１０Ｂに対し加熱処理が実施されても、Ａｇペースト１７内の水分膨張による影響を抑えることができ、半導体素子１２とステージ１３Ｂとの間における剥離、及びステージ１３Ｂと樹脂パッケージ１５との界面にクラックが発生することを防止できる。
【００５０】
続いて、本発明の第３実施例について説明する。
【００５１】
図１０乃至図１２は、本発明の第３実施例である半導体装置１０Ｃを説明するため図である。図１０は半導体装置１０Ｃの断面図、図１１は半導体装置１０Ｃの底面側からの透視図、更に図１２は半導体装置１０Ｃに使用されるリードフレーム２０Ｃを示す図である。また、図１０は図１１におけるＡ７−Ａ７線に沿う断面図であり、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）におけるＡ８−Ａ８線に沿う断面図である。
【００５２】
本実施例に係る半導体装置１０Ｃは、リード１４の一部としてダミーリード２１を形成し、このダミーリード２１に放熱フィン１９Ｃを熱的に接続した構成としたことを特徴とするものである。このダミーリード２１は半導体素子１２の外部接続に寄与しないリードであり、本実施例では放熱フィン１９Ｃと一体的な構成とされている。また、放熱フィン１９Ｃは、樹脂パッケージ１５内においてダミーリード２１（リード１４）に対し斜め上方に向けて延出するよう形成されている。
【００５３】
このように、ダミーリード２１に放熱フィン１９Ｃを設けることにより、半導体素子１２で発生した熱は、樹脂パッケージ１５を介して放熱フィン１９Ｃに熱伝導し放熱されると共にダミーリード２１に熱伝導し放熱される。特に、ダミーリード２１のアウターリード部は樹脂パッケージ１５の外部に露出しているため、効率よく放熱することができる。よって、本実施例に係る半導体装置１０Ｃによっても、第１及び第２実施例に係る半導体装置１０Ａ，１０Ｂと同様に、半導体素子１２を効率よく冷却することができる。
【００５４】
また、本実施例に係る放熱フィン１９Ｃも、図１２に示すリードフレーム２０Ｃの形成時に、ステージ１３Ｃとリード１４（ダミーリード２１）との間の領域を利用し、リード１４，ステージ１３Ｃ，サポートバー１８Ｃ，ダミーリード２１等の形成と同時に一括形成される。よって、広い面積を有した放熱フィン１９Ｃを低コストで形成することができる。
【００５５】
更に、本実施例においても、テージ１３Ｃの面積は半導体素子１２の面積よりも小さく設定されているため、実装時等において半導体装置１０Ｃに対し加熱処理が実施されても、Ａｇペースト１７内の水分膨張による影響を抑えることができ、半導体素子１２とステージ１３Ｃとの間に発生する剥離、及びステージ１３Ｃと樹脂パッケージ１５との界面に発生するクラックを防止することができる。
尚、本実施例では、他のリード１４と異なりワイヤ１６の配設を行なわない構成としているが、半導体素子１２がダミーパッド（素子の入出力に寄与しない電極パッド）を有する場合には、このダミーパッドとダミーリード２１をワイヤ接続する構成としてもよい。この構成とした場合には、半導体素子１２で発生した熱はワイヤ１６を介してダミーリード２１に熱伝導し、ダミーリード２１のアウターリード部及び放熱フィン１９Ｃで放熱される。よって、より効率の高い放熱処理を行なうことができる。
【００５６】
続いて、本発明の第４実施例について説明する。
【００５７】
図１３乃至図１５は、本発明の第４実施例である半導体装置１０Ｄを説明するため図である。図１３は半導体装置１０Ｄの断面図、図１４は半導体装置１０Ｄの底面側からの透視図、更に図１５は半導体装置１０Ｄに使用されるリードフレーム２０Ｄを示す図である。また、図１３は図１４におけるＡ９−Ａ９線に沿う断面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）におけるＡ１０−Ａ１０線に沿う断面図である。
【００５８】
本実施例に係る半導体装置１０Ｄは、図４乃至図６を用いて説明した第１実施例に係る半導体装置１０Ａと近似した構成であるが、放熱フィン１９Ｄに接触部２２を設けた点で相違している。接触部２２は放熱フィン１９Ｄと一体的に形成されており、放熱フィン１９Ｄから半導体素子１２に向け舌片状に延出している。そして、接触部２２の先端部は、半導体素子１２の図中上面（Ａｇペースト１７により接合される面）に直接接触した構成とされている。この際、接触部２２と半導体素子１２は直接接触した状態となっており、接触部２２と半導体素子１２との間にＡｇペースト１７等は介在しない。
【００５９】
このように、ステージ１３Ｄに放熱フィン１９Ｄを設け、更に放熱フィン１９Ｄに接触部２２を設けることにより、半導体素子１２が接触部２２と接触した位置では、半導体素子１２で発生した熱は直接接触部２２に熱伝導し、その後に放熱フィン１９Ｄに熱伝導し放熱される。また、半導体素子１２がステージ１３Ｄと対向する位置では、半導体素子１２で発生した熱はＡｇペースト１７，ステージ１３Ｄを介して放熱フィン１９Ｄに熱伝導し放熱される。
【００６０】
よって、本実施例に係る半導体装置１０Ｄによれば、半導体素子１２で発生した熱は接触部２２により放熱フィン１９Ｄに直接的に熱伝導し放熱されるため、間接的に熱伝導を行なう構成に比べ、半導体素子１２で発生する熱をより効率よく効果的に放熱することができる。更に本実施例では、第１実施例のようにステージ１３Ｄを介して半導体素子１２で発生した熱を放熱フィン１９Ｄに熱伝導し放熱する構成も採用しているため、更に効率よく半導体素子１２で発生する熱の放熱を行なうことができる。
【００６１】
また、本実施例に係る放熱フィン１９Ｄ及び接触部２２は、図１５に示すリードフレーム２０Ｄの形成時に、ステージ１３Ｄとリード１４との間の領域を利用し、リード１４，ステージ１３Ｄ，サポートバー１８Ｄ等の形成と同時に一括形成される。よって、接触部２２を有する放熱フィン１９Ｄを低コストで形成することができる。
【００６２】
更に、本実施例においても、テージ１３Ｄの面積は半導体素子１２の面積よりも小さく設定されているため、上記した理由により、実装時等において半導体素子１２とステージ１３Ｄとの間に発生する剥離、及びステージ１３Ｃと樹脂パッケージ１５との界面に発生するクラックを防止することができる。
【００６３】
尚、上記実施例では接触部２２が半導体素子１２の上面に直接接触する構成を示したが、接触部２２の半導体素子１２に対する接触位置は上面に限定されものではなく、半導体素子１２の他の部位（例えば、半導体素子１２の側壁等）に接触する構成としてもよい。
【００６４】
続いて、本発明の第５実施例について説明する。
【００６５】
図１６乃至図１８は、本発明の第５実施例である半導体装置１０Ｅを説明するため図である。図１６は半導体装置１０Ｅの断面図、図１７は半導体装置１０Ｅの底面側からの透視図、更に図１８は半導体装置１０Ｅに使用されるリードフレーム２０Ｅを示す図である。また、図１６は図１７におけるＡ１１−Ａ１１線に沿う断面図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）におけるＡ１２−Ａ１２線に沿う断面図である。
【００６６】
上記した各実施例では、加熱処理時における半導体素子１２とステージ１３Ａ〜１３Ｄ間の剥離防止、及びステージ１３Ａ〜１３Ｄと樹脂パッケージ１５の界面におけるクラック発生防止を図るため、ステージ１３Ａ〜１３Ｄの面積を半導体素子１２の面積よりも小さく設定した構成としていた。これに対して本実施例では、ステージ１３Ｅの面積を半導体素子１２の面積よりも若干大きく設定しつつ、かつ、Ａｇペースト１７の配設面積を他の実施例と同様に半導体素子１２の面積よりも小さくなるよう設定したことを特徴としている。以下、具体的な構成について説明する。
【００６７】
ステージ１３Ｅは、ステージ部２３と放熱フィン部２４とにより構成されている。放熱フィン部２４は平板状とされており、その中央位置には凹状のステージ部２３が形成されている。この放熱フィン部２４は、半導体素子１２の配設側と反対側に突出する凹形状となるよう構成されている。また、放熱フィン部２４の面積は、半導体素子１２の面積よりも小さく設定されており、具体的には前記した各実施例のステージ１３Ａ〜１３Ｄと略等しい面積とされている。
【００６８】
凹状とされたステージ部２３の内部には、Ａｇペースト１７が配設されている。そして、半導体素子１２はこのＡｇペースト１７によりステージ１３Ｅに接合された構成とされている。しかしながら、Ａｇペースト１７は放熱フィン部２４には配設されておらず、よって半導体素子１２をステージ１３Ｅに固定した状態において、放熱フィン部２４は半導体素子１２に直接接触した状態となる。
【００６９】
本実施例のように、ステージ１３Ｅの面積を半導体素子１２の面積と略等しくすると共に、ステージ１３ＥにＡｇペースト１７が配設されたステージ部２３と、平板状の放熱フィン部２４とを設けたことにより、半導体素子１２で発生した熱は直接放熱フィン部２４に熱伝導し放熱される。この放熱フィン部２４は、半導体素子１２の略全面と接しており、またその面積も広いため、半導体素子１２で発生した熱を効率よく放熱することができる。
【００７０】
また、Ａｇペースト１７が配設されたステージ部２３の面積は、半導体素子１２の面積よりも小さく設定されているため、実装時等において半導体装置１０Ｃに対し加熱処理が実施されても、他の実施例と同様にＡｇペースト１７内の水分膨張による影響を抑えることができ、実装時等において発生する半導体素子１２とステージ１３Ｄとの間における剥離、及びステージ１３Ｃと樹脂パッケージ１５との界面にクラックを防止することができる。
【００７１】
また、ステージ部２３は、図１８に示すリードフレーム２０Ｅの形成時に、プレス加工を行なうことにより、リード１４，サポートバー１８Ｄ等の形成と同時に一括形成することができる。よって、ステージ部２３及び放熱フィン部２４を有するステージ１３Ｅを低コストで形成することができる。
【００７２】
図１９及び図２０は、先に図４乃至図６を用いて説明した第１実施例に係る半導体装置１０Ａの変形例に使用するリードフレーム２０Ｆ，２０Ｇを示している。
【００７３】
図１９に示す変形例は、放熱フィン１９Ｅに複数のスリット２５を設けたことを特徴とするものである。この構成とすることにより、放熱フィン１９Ｅの放熱面積を増大させることができるため、半導体素子１２で発生する熱をより効果的に放熱することができる。また、スリット２５はリードフレーム２０Ｆの形成時に一括的に形成することができるため、スリット２５を設けた構成としても、半導体装置のコストが上昇するようなことはない。
【００７４】
また、図２０に示すリードフレーム２０Ｇは、放熱フィン１９Ｆの形状を樹脂抵抗の少ない形状としたことを特徴とするものである。樹脂パッケージ１５は、金型を用いてモールド形成される。この際、放熱フィンは樹脂パッケージ１５となる樹脂の流れを妨げるものとなる。よって、放熱フィンの形状を設定するに際し、モールド時における樹脂の流れを考慮しない場合、樹脂が完全に行き渡らない部位が発生し、ボイド（空間部）が発生するおそれがある。
【００７５】
そこで、本変形例では放熱フィン１９Ｅの形状を樹脂の流れ方向に対し流れ抵抗の少ない形状とし、これによりボイドが発生することを防止する構成としている。これにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）半導体素子と、
サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、
前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、
前記ステージに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことを特徴とする半導体装置。
（付記２）半導体素子と、
サポートバーに接続されると共に、前記半導体素子が接合部材を介して接合されるステージと、
前記半導体素子と電気的に接続されるリードと、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージとを有してなる半導体装置において、
前記サポートバーに前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことを特徴とする半導体装置。
（付記３）付記１または２記載の半導体装置において、
前記ステージの面積を前記半導体素子の面積に対して小さく設定したことを特徴とする半導体装置。
（付記４）付記１乃至３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接合部材の配設面積を前記ステージの面積に対して小さく設定したことを特徴とする半導体装置。
（付記５）付記１乃至４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱フィンの一部が前記半導体素子に直接接触する構成としたことを特徴とする半導体装置。
（付記６）付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記リードに前記半導体素子の外部接続に寄与しないダミーリードを設けると共に、該ダミーリードと前記放熱フィンとを熱的に接続したことを特徴とする半導体装置。
（付記７）付記１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記放熱フィンを櫛歯形状としたことを特徴とする半導体装置。
【００７７】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
【００７９】
請求項１記載の発明によれば、サポートバーに半導体素子から発生する熱を放熱する放熱フィンを設けたことにより、半導体素子を効率よく冷却することができる。また、サポートバーにはステージに設けられるため、リードフレーム形成時にサポートバーにと共に放熱フィンを一括的に形成することが可能であり、低コストで放熱フィンを形成することができる。
【００８４】
また、請求項２記載の発明によれば、放熱フィンの一部が半導体素子に直接接触することにより、半導体素子で発生した熱は直接放熱フィンに熱伝導し放熱され、よって半導体素子で発生する熱をより効果的に放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例である半導体装置を示す断面図である。
【図２】従来の一例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図３】従来の一例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図４】本発明の第１実施例である半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図６】本発明の第１実施例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図７】本発明の第２実施例である半導体装置を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図９】本発明の第２実施例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図１０】本発明の第３実施例である半導体装置を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図１２】本発明の第３実施例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図１３】本発明の第４実施例である半導体装置を示す断面図である。
【図１４】本発明の第４実施例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図１５】本発明の第４実施例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図１６】本発明の第５実施例である半導体装置を示す断面図である。
【図１７】本発明の第５実施例である半導体装置の底面からの透視図である。
【図１８】本発明の第５実施例である半導体装置に配設されたリードフレームを示す図である。
【図１９】本発明の変形例である半導体装置に配設されるリードフレームを示す図である（その１）。
【図２０】本発明の変形例である半導体装置に配設されるリードフレームを示す図である（その２）。
【符号の説明】
１０Ａ〜１０Ｅ  半導体装置
１２  半導体素子
１３Ａ〜１３Ｅ  ステージ
１５  樹脂パッケージ
１７  Ａｇペースト
１８Ａ〜１８Ｆ  サポートバー
１９Ａ〜１９Ｅ  放熱フィン
２０Ａ〜２０Ｇ  リードフレーム
２１  ダミーリード
２２  接触部
２３  ステージ部
２４  放熱フィン部
２５  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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