(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲッタ材料（１０）が位置決めされる空洞（８）を備えるマイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
空洞（８）内に、ゲッタ材料（１０）と、反応性材料（１４）と、前記ゲッタ材料の少なくとも一部を、埋没するように被覆する保護材料（１２）とを膜の形態で形成し、
前記保護材料（１２）を反応性材料（１４）と反応させて保護材料を除去する除去温度に前記空洞の温度を上昇させ、
前記ゲッタ材料（１０）の少なくとも１部分が前記保護材料（１２）に被覆されなくなるように、前記保護材料（１２）と前記反応性材料（１４）との間の反応によって、前記保護材料（１２）を前記ゲッタ材料から前記反応性材料（１４）に向かって移動させることを特徴とするマイクロ電子デバイスを形成する方法。
【請求項２】
ゲッタ材料（１０）は、厚さ１００ｎｍから１０μｍの間の薄膜状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
保護材料（１２）は、厚さ１００ｎｍから１０μｍの間の薄膜状に形成され、ゲッタ材料（１０）を全体的に被覆することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記保護材料（１２）は安定的であって、前記ゲッタ材料に対して非湿潤であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ゲッタ材料（１０）はチタンであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記除去温度は、２００から５００℃であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記反応性材料（１４）は前記除去温度で可溶する材料であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記反応性材料（１４）は、前記保護材料を移動する前に湿潤材料（１８）上に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記保護材料（１２）は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔから選択され、前記反応性材料（１４）はＡｕ／Ｓｉ合金またはスズをベースとする合金から選択されることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護材料（１２）は前記除去温度で融解する可溶性材料から成ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記反応性材料（１４）は前記可溶性保護材料（１２）のための湿潤材料であり、保護材料は、融解するとき、ゲッタ材料から除去されるように反応性材料によって引きつけられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記保護材料（１２）は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／ＡｇおよびＳｎ／Ａｕのようなスズベースの合金から選択され、前記反応性材料（１４）は金であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反応性材料（１４）は、ゲッタ材料（１０）と空洞（８）の同じ壁に配置されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応性材料（１４）は、前記ゲッタ材料（１０）を支える壁と対向する空洞 （８）の壁に配置されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応性材料（１４）は、ゲッタ材料（１０）を囲むリング状であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記反応性材料（１４）は、ゲッタ材料（１０）を部分的に被覆する数個の反応ブロックを備えることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記反応性材料（１４）は前記空洞（８）の少なくとも１つの壁（２０）を構成することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
温度を上昇する前または間に、前記空洞（８）を密封する段階をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記空洞（８）はマイクロ電子デバイスの活性化合物（４）をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
反応性材料（１４）とゲッタ材料（１０）とが配置される空洞（８）を備え、前記ゲッタ材料（１０）は、前記反応性材料と反応可能な保護材料（１２）によって少なくとも部分的に被覆され、前記空洞の温度を、前記保護材料を融解する除去温度に上昇させたとき、前記保護材料は、前記反応性材料と反応して該反応性材料と混合物を形成するためゲッタ材料から反応性材料に向かって移動させることを特徴とするマイクロ電子デバイス（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にマイクロ電子デバイスの空洞内の真空を維持する分野に関する。さらに本発明は、この空洞に存在する、一般に『ゲッタ』として知られる収着(sorption)素子に関連する。
【０００２】
本発明は特に薄膜状のゲッタに言及し、空洞の製造時に反応性部品を、その性質を変化させずに一時的に保護することを可能にする方法に関する。 
【０００３】
すなわち、本発明は、熱処理中に反応して、ゲッタ材料を被覆する保護材料を反応性材料に移動させることに関する。
【背景技術】
【０００４】
今日、カプセル化すなわち『パッケージ化』はマイクロシステム、特にＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）、赤外線探知器等の機械マイクロシステム発展における鍵のひとつである。例えば非冷却共振器またはボロメータのような部品にとって、ほぼ強力な真空下で空洞内の部品を孤立させることが必要である。
【０００５】
カプセル化は、密封した筐体で個別に（チップごとに）または基板レベル（ウェハレベル・パッケージ化）で実施される。これにはハーメチック封止による蓋の移動、または薄膜蒸着技術を用いてデバイス周辺に密閉空洞の製造等、異なる技術が用いられる。例えばＭＥＭ真空密封技術として、ジン・Ｙほかによる論文、２００３年ＩＥＥＥ電子パッケージ技術会議３０１から３０６ページ「ＭＥＭＳ真空パッケージ技術ならびに応用」に記載されている。
【０００６】
部品の稼動寿命を通して空洞内の真空を維持するために、通常、残存ガスを自然に確実に揚水するための『ゲッタ』材料として知られる材料を該部品に加える。バリウム、マグネシウム、アルミニウム、トリウム、バナジウム等、ゲッタ特性を持つ様々な金属がある。特に、集積技術に非常に広範に用いられるチタンは、当該分野の当業者にとって周知である。
【０００７】
ゲッタはいくつかのカテゴリに分類され、各々が異なる手法によって導入される。物理的ゲッタおよび化学的ゲッタはそれぞれ２つに分かれる。化学的蒸発性ゲッタは、例えば、空洞が密封されると真空下で蒸発し、真空を維持したい空洞の壁に凝結する材料である。このように形成された膜は非常に反応性が高く、そのままでポンプを形成する。バリウムおよびアルミニウム／バリウム合金は主に蒸発性ゲッタとして、例えばＣＲＴ（陰極線管）に使用される。別の蒸発性ゲッタポンプとして、チタンまたはチタンとモリブデンの合金がポンプ本体の冷却した壁上で昇華、凝結されたチタン昇華ポンプ（ＴＳＰ）がある。
【０００８】
同時に、化学的非蒸発性ゲッタ、即ちＮＥＧがある。主にジルコニウム、バナジウム、鉄またはチタンをベースにした合金がある。ＮＥＧは固体にとどまり、適当な熱処理によって活性化され、その後吸収および／またはＨ２、ＣＯ、Ｎ２、ＣＯ２、Ｏ２等の特定のガスを吸収してもよい。
【０００９】
例として、サエス・ゲッター社が種々のＮＥＧを商品化している。Ｓｔ１２２はチタンベースの合金であり、Ｓｔ７０７はＺｒＶＦｅ合金（ジルコニウム７０％、バナジウム２４．６％、鉄５．４％）である。これらを金属基板上の薄膜にシルクスクリーン印刷によって蒸着する。ＭＥＭＳアプリケーションでは、これらのゲッタは一般に配置および接着によって集積される（『ピック・アンド・プレイス』型手法）。
【００１０】
現在、化学的非蒸発性ゲッタは、非冷却マイクロシステムまたはボロメータのパッケージ化によく用いられる。化学的非蒸発性ゲッタを基板に取り付けられる蓋に設けられた空洞に配置、接着する。別の手法として、薄膜形態のゲッ材料を蓋へ直接蒸着する（国際特許公開公報第０２／４２７１６号参照）。ゲッタは、共に溶融する封入用のビードとしても機能する膜にはんだ付けしてもよい。
【００１１】
薄膜に蒸着されたＮＥＧの場合、空洞密封工程の前または間の『真空破壊』段階に飽和が起きる、すなわち制御雰囲気を維持できないという問題がある。まさに、収着層の外付け部がＭＥＭＳカプセル化方法の大気暴露時に反応し、飽和することによってその『ゲッタ』能力を制限する可能性がある。ゲッタ材料は加熱によって再生可能ではあるが、マイクロデバイスの製造過程に収着素子を飽和させないため、および／またはその能力を劣化させないために、その表面を密封して保護することが好ましい。
【００１２】
膜状のゲッタ材料の存在に関連する別の問題として、この膜が特定の従来のマイクロ加工技術（例えば、特定の樹脂、化学的または反応性エッチングを用いる場合等）と互換性がなく、製造方法の選択可能範囲を制限することが挙げられる。
【００１３】
解決策として、アメリカ特許公開公報第２００３／０１３８６５６号は、ゲッタ材料を真空破壊時に保護する役割を果たす非反応膜で被覆することを提案している。続く熱処理によってゲッタ材料は非反応膜内に拡散され、完全にそのポンプ（吸着）機能を果たす。しかしながら、非反応性材料におけるゲッタ材料の拡散は吸着性を減少させてしまう。
【００１４】
したがって、ＭＥＭＳ空洞に集積されている間、収着素子を保護する問題は解決されていない。
【発明の開示】
【００１５】
ポンプ（吸着）機構ならびに薄膜形態のゲッタの作用の理解に基づき、本発明はポンプをマイクロシステムに集積することによって、特定の圧力でのポンプの稼動寿命を延長させる低コストな方法を提供する。
【００１６】
本発明の一形態に基づく方法では、収着素子を空洞、特にマイクロ電子またはマイクロ加工デバイスに、好ましくは厚さ０．１から１０マイクロメータの、例えばチタンのゲッタ材料で構成される薄膜の部分形態で導入する。空洞はさらにマイクロ電子部品、ＭＥＭＳ、ボロメータ、その他の部品を備えてもよく、その動作は収着素子を制御雰囲気ならびにほぼ強力な真空下で空洞に配置することが推奨される。
【００１７】
反応性材料は、空洞に、好ましくはゲッタ材料からノンゼロ距離で、同じ壁または対向する壁に、または空洞密封ビードとして設置される。反応性材料は収着素子と異なる構造を有しても良い。周りに連続的な枠を形成する、部分的にのみ囲む、ゲッタ材料の周囲に広がる異なる反応ブロックを備える、または部分的に前記ゲッタ材料を被覆しても良い。
【００１８】
さらに、ゲッタ材料を少なくとも部分的に、好ましくは全体的に保護材料で被覆する。これは厚さ０．１から１０マイクロメータの蒸着された膜状の保護材料でもよい。その材料はゲッタ材料に対して不活性、すなわち安定的で非湿潤である。
【００１９】
本発明に記載の方法は、空洞の密封時または空洞を真空下に配置後、アセンブリの温度を上昇させて、保護材料と反応性材料とを反応させることにある。保護材料は『吸引』または『消費』によって反応材料に向かって移動して、その場所にとどまるもしくは集積する。そのためゲッタ材料は保護材料に被覆されなくなり、少なくとも部分的に除去される。保護材料を除去してゲッタ材料を解放するために保護材料の移動は、好ましくは２００から５００℃の間で行われる。
【００２０】
保護材料の除去は主に、保護材料および反応性材料の一方を融解することによって達成される。例えば、反応性材料は、温度上昇時に例えば金、銀またはプラチナの保護材料と反応し、消費されることによってゲッタ材料を解放するスズベースの合金またはＡｕ／Ｓｉ合金のような可溶性材料とすることができる。可溶性の反応材料は好ましくは、湿潤材料と一体化して位置を変えず、ゲッタ材料または活性化合物を変化させない。反応性材料は、低温でまたは融解温度に達したときにのみ、保護材料と接触させてもよい。
【００２１】
逆に、保護材料は、特に、温度が上昇し除去温度に達すると融解するスズベースの合金を備えてもよい。この場合、保護材料が溶けて反応性材料に引き寄せられ、ゲッタ材料を解放するために、反応性材料は、例えば金に対して湿潤であることが好ましい。保護材料はさらに第２の材料を備えてもよく、例えば２層にして、移動する間、可溶性材料によって運ばれるようにしてもよい。
【００２２】
本発明に基づく別の形態は、上述の方法から中間または最終手順で分岐する装置に関する。
【００２３】
本発明の特徴および利点は、添付する図面とともに以下の詳細な説明を読むことによって最も理解される。図面は例示のためにのみ提供されたものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１Ａに概略を示すマイクロデバイス１は、カプセル化前に通常、例えばシリコン等の半導体材料で形成された基板２を備え、基板２上には活性化合物４が配置されている。例えばガラス製または半導体材料で形成された蓋６はくぼみを有し、蓋６を基板２上に移動することによって、活性化合物４がはめ込まれる空洞８を作ることができる。この空洞は１ｍｍ２から数ｃｍ２の直径を有し、活性化合物４はセンサー型マイクロメカニカル・システムであって、懸垂される素子（加速度計、ジャイロメータ、ボロメータ等）を備えてもよい。化合物４は蓋６に配置される、または蓋を異なる方式により基板２に加えてもよいのは明らかである。例えば、蓋６はくぼみがなく平らでもよく、空洞８をはんだビードを付加して作成してもよい。基板２はくぼみがあってもよい。
【００２５】
さらに、空洞８はゲッタ材料１０を収容する。ゲッタ材料はＺｒ、Ｖ、Ｆｅ、Ｔｉベースの合金、またはＢａ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖａ、Ｆｅ、Ｐｄ、または吸着力を有するその他の材料をベースとする金属域を備えてもよい。収着力の高いチタンが好ましい。
【００２６】
ゲッタ材料は好ましくは、薄膜状に配置し、例えば真空状態で蒸発またはスパッタする、厚さ１００ｎｍから１０μｍの薄膜が有利である。スパッタの場合、その方法は、蒸着時に取り込まれ、保温段階で空洞８内に放出可能な中性ガスの量を減らすように構成される。図解した通常の実施形態において、ゲッタ材料１０の膜は、活性化合物４を備える壁に直面する空洞８の壁に、すなわちこの場合、蓋６に蒸着されるが、たとえば化合物４に隣接するゲッタ材料１０で、代替が可能であることは明らかである。または活性化合物４の一部例えば加速度計の懸垂された素子等に配置されてもよい。
【００２７】
蓋６が基板２に移動されると、ゲッタ材料１０を蒸着する間使用される真空を維持するのは難しい。 ゲッタ材料１０の保護を達成し、それによって空洞８の制御雰囲気下に配置される前の飽和を回避するために、ゲッタ材料１０は保護材料１２によって被覆される。保護材料１２で部分的にゲッタ材料を被覆してもよいが、全体的に被覆すると効果的である。すなわち、保護材料１２の表面積はゲッタ材料１０の表面積より大きく、それを包含する。保護材料１２をゲッタ材料の膜上に自然に、すなわち真空を破壊せずにゲッタ材料蒸着装置に蒸着すると有利である。
【００２８】
保護材料１２は、１または数段階で蒸着してもよい。例えばゲッタ材料１０を局在させるために、ゲッタ材料をエッチングする段階、つまり保護層積重を実行しても良い。エッチング後、エッチング側のレベルで、むき出しのゲッタ材料を保護するために別の保護材料１２の蒸着を行うと有用である。
【００２９】
保護材料１２はゲッタ材料１０と相互作用しないように選択される。特に保護材料１２は安定性がありゲッタ材料を保護するために正確に被覆することができる。厚さはその性質次第であるが、完全に除去可能とするために約０．１から１μｍの薄さが好ましい。
【００３０】
保護材料はさらに、熱処理時の反応性によって選択される。特に空洞８の温度を上昇し、除去温度に達するまたはそれを超えることを可能にすると、保護材料１２は、物理的に移動する反応性材料１４と反応することによってゲッタ材料１０の表面を解放することができる。空洞８の密封時または後に、真空が空洞８内に導入され、これが維持される間、温度を上昇させる。
【００３１】
図１に示すとおり、保護材料１２は反応性材料１４と接触している。保護材料１２の除去温度以上で、反応性材料１４は、後述の図１Ｂで明らかにされるようにクリープまたは消費によって、保護材料１２を『吸い上げるあるいは引き付ける』。保護材料１２および反応性材料１４はゲッタ材料１０上であまり濡れない（湿潤されない）ことが有利である。このことはまた、Ｔｉは多くの合金に対して非湿潤のため、ゲッタ材料にチタンを使用することを有利にする。
【００３２】
保護材料１２はしたがって、ゲッタ材料１０を漸進的に解放し、図１Ｃのマイクロデバイス１となる。図１Ｃにおいて、解放されたゲッタ材料１０は、ほぼ強力な真空が広がり、素子１６を備える空洞８内で活性化合物４と対向する。素子１６は反応性材料１４および保護材料１２のほぼ均質の混合物から構成される。 
【００３３】
保護材料を移動させて、保護材料１２を除去するために別の解決策を想定してもよい。
【００３４】
特に、図２に図示するとおり、保護材料１２を材料を局所的に融解することによって消費させることができる。温度上昇時、除去温度で融解する反応性材料１４は変形して、ドロップ１４’を形成する（図２Ｂ）。ドロップ１４’は、融解材料の性質に従って、材料、例えば保護材料１２と接触して引き寄せてもよい。 保護材料１２は従って反応性材料１４の近くにあって、反応性材料１４がドロップ形状のときに接触するように配置される。好ましくは、反応性材料の融点より低い温度であっても隣接させる。
【００３５】
保護材料１２と反応性材料１４の対としては多くの可能性がある。特にＡｕ、ＡｇまたはＰｔのような貴金属が保護材料１２の好適な例である。これらは薄膜状に蒸着されると、非常に安定性があり、反応合金１４によって非常に容易に消費される。特にＡｕ／Ｓｉ合金またはスズベース合金例えばＳｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／ＰｂＩｎ／Ｓｎ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ等が挙げられる。ただし、吸着できる材料または反応性合金がある場合は、保護材料１２は他の卑金属材料で形成してもよい。例えば銅、アルミニウム、またはＡｌ／Ａｕ／Ｓｉを使用してもよい。
【００３６】
この場合、反応性材料１４は可溶性であるが、事前に反応性材料１４が導入される湿潤材料１８を膜状に設定しておくことが望ましい。保護材料１２が消費される間に融解すると、反応性材料からなるドロップ１４’はその位置にとどまり、ゲッタ材料１０から分離される。金はもっとも広範に用いられる湿潤材料１８であり、一般にＴｉ／Ｎｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｄ／Ａｕの３層に蒸着される。チタンが結合膜として、ニッケルまたはパラジウムが拡散障壁として作用する。
【００３７】
例えば、図２Ａに示すような素子として、厚さ１００ｎｍから１０μｍのチタン膜１０を真空下で蒸着（蒸発またはスパッタリングによって）し、その後、真空を破壊する前に、一般的な厚さ１００ｎｍから１μｍの金の膜１２を真空下で蒸着（蒸発またはスパッタリングによって）することによって被覆する。本実施形態において、ゲッタ材料の位置を規定するためにパターニングを作成してもよい。このパターニングは従来のマイクロ電子方法、特に蒸着手順、フォトリソグラフィ、エッチング等によって形成される。湿潤材料１８はその後、Ｔｉ（結合膜）、Ｎｉ（拡散障壁）ならびにＡｕ（湿潤膜）を、例えば蒸
発、スパッタリングまたは電着によって連続して蒸着することによって配置される。各単分子層は、事例により異なるが、一般に０．１から１μｍである。湿潤材料１８上には、共晶合金Ａｕ／Ｓｎ（８０／２０％）、厚さ約１００ｎｍから１０μｍの膜１４が蒸着（蒸発、スパッタリングまたは電着）される。パターニングを作成してもよい。
【００３８】
この例において、保護材料１２の反応性材料１４による吸着条件は、数秒から数分間の２８０℃を超えるアニールであって、図２Ａに示す化合物から図２Ｃに示す化合物へと通過する。当然のことながら、ゲッタ材料１０および／または保護材料１２の前に湿潤材料１８または反応性材料１４を導入することが想定される。 
【００３９】
図３に示す通り、保護材料１２自体を除去温度で可溶にすることができる。保護材料１２は、表面張力によって事前に規定された反応性湿潤材料に向かって移動する。もう一度、多くの可溶性合金／湿潤膜の対が可能である。例として、ゲッタ材料に用いられるほとんどの材料、特にチタンに対しては非湿潤であるが、金のような反応性材料１４に対しては非常に湿潤であるため、合金１２、Ｓｎ／ＰｂまたはＳｎ／Ａｇが特に望ましい。反応性湿潤材料１４は上述したとおり、一般的にＴｉ／Ｎｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｄ／Ａｕの３層に蒸着される。
【００４０】
図３Ａに基づくデバイスの実施形態は、真空下に蒸着（蒸発またはスパッタリングによって）された厚さ１００ｎｍから１０μｍのチタン膜１０を備える。実施形態によっては、パターニングを作成してもよい。反応性湿潤材料１４は、このときまたは事前に、Ｔｉ（結合膜）、Ｎｉ（拡散障壁）ならびにＡｕ（湿潤膜）を、例えば蒸発、スパッタリングまたは電着によって、連続して蒸着することによって配置される。各単層は、通常０．１から１μｍである。選択したパターニング次第であるが、湿潤材料１４のパターニングがあってもよい。２つの部分、即ち、ゲッタ材料１０および反応性材料１４は真空が破壊される前に、合金Ｓｎ／Ａｇ（９６．５／３．５％）、一般的な厚さ１００ｎｍから１μｍの保護材料１２を真空下（蒸発またはスパッタリングによって）で、蒸着することによって被覆される。
【００４１】
この例において、図３Ｂに示す異質の材料１６を形成するための保護材料１２の反応性材料１４による吸着条件は、数秒から数分間の２００℃を超えるアニールである。
【００４２】
保護材料１２はさらに、消費可能な『不活性』保護の役割を果たす金のような膜１２’と図４に示す可溶性材料１２’’の双方から構成してもよい。反応性材料１４は湿潤材料を備え、温度の上昇は、保護材料１２の可溶性材料１２’’を湿潤反応性材料１４に向かって浮動させる。同時に不活性膜１２’は消費される。他の構造も可能である。
【００４３】
反応性材料１４は、ゲッタ材料の片側に配置した例を示したが、実際は、図５、６、７に示すように様々な構成が可能である。表示した枠内のゲッタ材料１０は、５０μｍから１ｃｍの辺ｃの膜を形成する。保護材料１２は ゲッタ材料１０を完全に被覆し、各辺上にゲッタ材料１０を越えて伸びる。反応性材料１４は、約１０μｍから１ｍｍの幅ｌの細長状に形成され、ゲッタ材料から約数ミクロンの距離ｄ分離れている。別の実施形態では、反応性材料がゲッタ材料１０と反応しない場合は、前者を後者に隣接して配置するもしくは、重なり合わせてもよい（図７）。反応性材料１４は、全体的（図５）または部分的（図６）にゲッタ材料１０を囲む、または透かしのネットワーク状に配置してもよい。Ａ、Ｂ、Ｃの手順は図１の手順を繰り返し、ゲッタ材料１０の解放と保護材料１２の移動を示している。ゲッタ材料１０の大きさおよび性質、到達した除去温度、他のものから除去する際の反応速度に依存して、他の構成が可能であることは明らかである。
【００４４】
図８に示す具体例は、共融封入のための空洞８の密封ビードとしても機能する反応性材料１４に関する。空洞８の密封を保証するために、Ａｕ／Ｓｉ、Ｓｎ／ＰｂまたはＳｎ／Ａｇのビード２０は、蓋６が基板２に戻されると熱せられる。同時に、ゲッタ材料１０を保護するため、事前に蒸着される金の膜１２を消費する。
【００４５】
特に、保護材料１２が融解する反応性材料１４によって消費される場合、保護材料１２を塗布したゲッタ材料１０と対向する空洞８の壁に、特に基板２に反応性材料１４を配置することも想定される （図９Ａ参照）。反応性材料１４（例えばＡｕ／Ｓｉ、Ｓｎ／ＰｂまたはＳｎ／Ａｇ）を湿潤材料１８に導入して活性域４の汚染を避けることが望ましい。また、この湿潤材料１８を限られた大きさにして、湿潤材料１８にドロップ１４’を形成する、融解する反応性材料１４をこの時点で集結し、保護材料１２（例えば金）と接触させて、それを消費する（図９Ｂ）。２つの保護材料１２および反応性材料１４は周辺温度において接触せず、融解温度に達するまたは超えると隣接するだけであることが好ましい。
【００４６】
本発明に基づく方法は特に利用が容易であって、コストのかかるカプセル化技術への変更も必要としない。特に、保護材料の除去は、空洞の密封と平行して実施でき、温度を上昇させることによって、通常、ゲッタ材料の再生を伴う。本方法は、ゲッタ材料の量を最適化することによって、空洞の１つまたは必要に応じて数個の表面に、直接蒸着された薄膜の利用を可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１Ａから１Ｃは、本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態を示す。
【図２】図２Ａから２Ｃは、本発明に記載される方法の好ましい実施形態を示す。
【図３】図３Ａおよび３Ｂは、本発明に記載される方法の別の好ましい実施形態を示す。
【図４】図４は、本発明に記載される方法の別の好ましい実施形態を示す。
【図５】図５は、本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態の図示可能な構造を示し、指数Ａ、Ｂ、Ｃはゲッタ材料の解放時の保護状態の手順を示す。
【図６】図６は、本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態の図示可能な構造を示し、指数Ａ、Ｂ、Ｃはゲッタ材料の解放時の保護状態の手順を示す。
【図７】図７は、本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態の図示可能な構造を示し、指数Ａ、Ｂ、Ｃはゲッタ解放時の保護状態の手順を示す。
【図８】図８は本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態の代替の実施形態を示す。
【図９】図９Ａおよび９Ｂは本発明に記載されるゲッタ材料の保護状態の代替の実施形態を示す。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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