(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出する応力算出部と、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、前記応力算出部にて算出された平均主応力とによって、前記発生率を算出する破断発生率計算部と、
を備えるリフロー工程評価装置。
【請求項２】
請求項１に記載のリフロー工程評価装置において、
前記応力算出部は、ハンダ接合された前記チップと基板を冷却する冷却時間と冷却温度との関係を示す少なくとも一つの温度プロファイルに基づき、該温度プロファイルそれぞれに対応した前記平均主応力を算出し、
前記破断発生率計算部は、更に前記応力算出部にて算出された平均主応力に基づき前記温度プロファイルそれぞれに対応した発生率を算出することを特徴とするリフロー工程評価装置。
【請求項３】
請求項２に記載のリフロー工程評価装置において、
更に、前記破断発生率計算部によって算出された前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率に基づき所定の温度プロファイルを選定する温度プロファイル選定部を備えることを特徴とするリフロー工程評価装置。
【請求項４】
チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出することをコンピュータに実行させるリフロー工程評価プログラム。
【請求項５】
チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出するリフロー工程評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩパッケージの実装に関し、リフロー工程の設計を支援し、評価するリフロー工程評価装置、リフロー工程評価プログラム、リフロー工程評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップと基板とを接合する際、ＬＳＩチップの小型化、高密度化に対応するためリフロー方式によってハンダ接合が行われ、ＬＳＩパッケージが製造される。
【０００３】
図８に、ＬＳＩチップと基板との斜視図および側面図を示し、更に図９にＬＳＩチップの配線層位置および配線層の拡大図を示す。ＬＳＩチップを基板にハンダ接合をする際の熱応力によって、ＬＳＩチップの配線層側のハンダ実装部分が剥離する場合があり（例えば図８の配線層拡大図付近）、製品の信頼性を確保する上で大きな問題となっている。
【０００４】
その対策として熱応力シミュレーションによる評価を行い、剥離に対する信頼性を評価する方法がある。この評価方法においては、チップ全体の最大応力を評価指標としている。
【０００５】
なお、本発明の関連ある従来技術として、ハンダ接続部の寿命をより迅速に予測可能とするシステムが開示されている（例えば特許文献１）。また従来技術として、最適なハンダ材料と部品電極構成を評価することができる強化システムが開示され（例えば特許文献２）、さらにＢＧＡが冷熱衝撃を受けた場合の不良発生予測方法および信頼性の高い寿命推定方法（例えば特許文献３）が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３１３１２７号公報
【特許文献２】特開２００１−３５８４６０号公報
【特許文献３】特開２００１−２９８１０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、剥離箇所が配線層側のハンダ実装部分に限定されるため、チップ全体の最大応力を評価指標として比較しても、実験結果と整合しない。更に、チップ配線の接合強度は一定の確率分布で分布しているため、同じ応力が作用しても剥離が発生するかしないかは確率的に変動する。以上より応力の最大値を評価指標とした場合、実験結果と整合しないという課題がある。
【０００７】
また、剥離の有無、発生率は製造時の温度履歴により変化することが知られている。このためＬＳＩパッケージの製造時適切な温度履歴（温度プロファイル）を選択すると剥離の発生率を低下、抑制することが可能であるが、どのような温度プロファイルを選択すれば、剥離発生率を低下させることができるかが不明である。
【０００８】
また、生産性を向上させるために剥離発生率を低下させつつ製造にかかる時間を短縮できるような温度プロファイルを選定することも必要である。
【０００９】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、平均主応力と、接合部が破断する発生率（剥離発生率）との関係式を使用することで、リフロー工程の評価を行うリフロー工程評価装置、リフロー工程評価プログラム、リフロー工程評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決するため、本発明の一態様に係るリフロー工程評価装置は、チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出する応力算出部と、前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、前記応力算出部にて算出された平均主応力とによって、前記発生率を算出する破断発生率計算部とを備えるものである。
【００１１】
また、上述した課題を解決するため、本発明の一態様に係るリフロー工程評価プログラムは、チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出することをコンピュータに実行させるものである。
【００１２】
さらに、上述した課題を解決するため、本発明の一態様に係るリフロー工程評価方法は、チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係るリフロー工程評価装置、リフロー工程評価プログラム、リフロー工程評価方法によって、平均主応力に基づく破断発生率を容易に算出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。まず、図１に、本実施の形態におけるリフロー工程評価装置を示す。
【００１５】
本実施の形態におけるリフロー工程評価装置１は、構造解析計算部２、ハンダレイアウト選択部３、チップ応力抽出部４、抽出応力計算部５、剥離発生率算出部６、冷却温度プロファイル選定部７を備える。尚、リフロー工程評価装置１はＣＰＵ、メモリ、ハードディスクドライブ、入出力装置等のハードウェア資源を備えたコンピュータであり、上述の各部はリフロー工程評価装置１に備えられた各ハードウェア資源とソフトウェアとが協働することで実現される。
【００１６】
構造解析計算部２は、基板やＬＳＩチップのモデル情報や冷却温度条件、また基板やＬＳＩチップ、ハンダで使われている物質の熱膨張係数等の物性を考慮し、ＬＳＩチップ全体にかかる主応力を計算する。ハンダレイアウト選択部３は、基板やＬＳＩチップのモデル情報に基づき、予め定義された複数のハンダのレイアウトパターン（配置パターン）から対象となるＬＳＩチップ、基板に適合したレイアウトパターンを選択する。
【００１７】
チップ応力抽出部４は、ハンダレイアウト選択部３によって選択されたレイアウトパターンと構造解析計算部２による計算結果（ＬＳＩチップ全体にかかる主応力）とから、チップの剥離発生側要素にかかる主応力のみを抽出する。抽出応力計算部５は、チップ応力抽出部４によって抽出された主応力をハンダ接合される電極の個数で平均化することで、１つのハンダ接合にかかる主応力（以下、平均主応力）を算出する。
【００１８】
剥離発生率算出部６は、抽出応力計算部５によって算出された平均主応力と、所定の関係式に基づき、剥離発生率（破断の発生率）を求める。冷却温度プロファイル選定部７は、剥離発生率算出部６にて算出された剥離発生率に基づき複数の温度プロファイル（後述）から所定の温度プロファイルを選定する。
【００１９】
次に、本実施の形態におけるリフロー工程評価装置１の処理を図２のフローチャートを参照しつつ説明する。
【００２０】
構造解析計算部２は、解析入力データ（ＬＳＩチップや基板のモデル情報、ＬＳＩチップの冷却温度条件、物性等）を取得し（ステップＳ１）、ＬＳＩチップ全体にかかる主応力を算出するため構造解析計算を行う（ステップＳ２）。
【００２１】
尚、構造解析計算部２は、主応力の計算方法としてリフローでの時刻歴応力（後述の温度プロファイルに基づき、応力が時間の経過とともに累積加算される累積応力）を採用する。よって構造解析計算部２は、時刻歴応力が蓄積された最終時刻のときの主応力をＬＳＩチップ全体にかかる主応力として採用すればよい。また、最終時刻は所定の温度（例えば２５℃）になるまでの時間であるため、構造解析計算部２は所定の温度になるまでに蓄積された主応力をＬＳＩチップ全体にかかる主応力として採用してもよい。尚、鉛フリーハンダ以外の場合は、途中の最大応力値を採用してもよい。
【００２２】
ハンダレイアウト選択部３は、ＬＳＩチップのモデル情報に基づき、予め定義された複数のレイアウトパターンから、対象となるＬＳＩチップに適合するレイアウトパターンを選択する（ステップＳ３）。ここで、レイアウトパターンの一例を図３にて示す。
【００２３】
ＬＳＩチップと基板とをハンダ接合する場合、互いに接する面の全面にハンダ接合がなされるのではなく、電極となる箇所に対しハンダ接合がなされる。そのハンダ接合部分（基板とＬＳＩチップとがハンダによって接合される領域）は、ＬＳＩチップの電極の配置に依拠するものであり、ＬＳＩチップの種別、型番等のモデル情報によって異なる。
【００２４】
尚、図３においては、ハンダ接合部分を黒で示している。例えばレイアウトパターンＡは、均等に且つ密にハンダ接合がなされるパターンであり、レイアウトパターンＢは、密の箇所および粗の箇所が存在するパターンである。レイアウトパターンＣは、市松模様状（チェック模様状）にハンダ接合がなされるパターンである。
【００２５】
次に、チップ応力抽出部４は、ハンダレイアウト選択部３によって選択されたレイアウトパターンと構造解析計算部２によるＬＳＩチップ全体にかかる主応力とから、チップの剥離発生側要素（接合部）にかかる主応力のみを抽出する（ステップＳ４）。尚、剥離発生側要素は、ハンダ接合する際に生ずる主応力の影響を受ける箇所をいう。例えば図４に示すようにＬＳＩチップが第１層、第２層の２層にて構成され、第２層がハンダと接合している場合、第２層の領域において、選択されたレイアウトパターンにて示されるハンダ接合部分以外の部分（図３の白の部分）の領域を除外した領域を剥離発生側要素とする。
【００２６】
チップ応力抽出部４は、例えば全体にかかる主応力と、ＬＳＩチップと基板とが互いに接する面の全面と上述のハンダ接合部分との比率とを使用することで剥離発生側要素にかかる主応力を算出する。
【００２７】
このように、リフロー工程評価装置１は、従来ＬＳＩチップと基板とが接している面の全ての領域に応力がかかるものとして主応力を算出していたのを、電極の配置に応じたレイアウトパターンに従い、主応力を算出する。このようにすることで、より正確な解析結果を得ることができる。
【００２８】
図２のフローチャートに戻ると、抽出応力計算部５は、チップ応力抽出部４によって抽出された剥離発生側要素にかかる主応力を、ハンダ接合を行う電極の個数で平均化し、１つの電極にかかる主応力の平均値（ハンダにて接合された１つの箇所にかかる主応力の平均値。以下、平均主応力とする）を算出する（ステップＳ５）。尚、本実施の形態では抽出応力計算部５は、平均主応力を算出するものとしたが、標準偏差を算出してもよい。
【００２９】
このように剥離の発生する要素に評価を限定し、更に全体平均値に対し評価応力を変換することで、剥離発生の有無を評価指標とした有効なパラメータが得られる。
【００３０】
次に、剥離発生率算出部６は、平均主応力と剥離発生率との関係式と、ステップＳ５にて算出された平均主応力から、剥離発生率を算出する（ステップＳ６）。ここで、平均主応力と剥離発生率との関係式の求め方を図５を参照しつつ説明する。
【００３１】
平均主応力を横軸に、剥離発生率を縦軸としたグラフ上に、実験値に基づき測点を示すと、平均主応力と剥離発生率との関係は例えば最小二乗法等によって一次関数に近似することができる。尚、平均主応力をｘ（ＭＰａ）、剥離発生率をｙ（％）とすると、本実施の形態における平均主応力と剥離発生率との関係式は、
ｙ＝８．５１３６ｘ−１６．８２１
と近似される。剥離発生率算出部６は、この関係式に抽出応力計算部５にて算出された平均主応力を代入することで剥離発生率を算出する。
【００３２】
リフロー工程評価装置１は、上述のステップＳ１からステップＳ６の処理を予め定義された複数の温度プロファイルごとに計算する。
【００３３】
ここで、温度プロファイルについて説明する。温度プロファイルは、ハンダ接合を行ったＬＳＩチップと基板とをどのように冷却するかを、冷却時間と冷却温度とで表したものである。
【００３４】
尚、ＬＳＩチップと基板との冷却は、常時冷却を行う場合より、ある程度冷却後、一時的に一定温度に保ち、その後冷却を再開する方が主応力の作用は小さくなり、剥離の発生が生じにくい。また、短時間のうちに冷却するよりも長時間かけて冷却した方が主応力の作用も小さく、剥離の発生が生じにくい。しかしながら冷却に長時間かかるのは生産効率の低下につながる。よって、剥離発生率と冷却時間とを比較考量することで最適な温度プロファイルを選定する必要がある。
【００３５】
ここで、温度プロファイルの一例を図６に示すと、温度プロファイルＸは、開始から６０分までに、１４０℃付近まで冷却し、２４０分ほど恒温状態に保つ。その後、２５分かけて常温（２５℃）にするパターンである。
【００３６】
温度プロファイルＹは、開始から２５分までに１００℃まで冷却し、その後７５分程度恒温状態を保ち、１０分程度で常温（２５℃）にするパターンである。また、温度プロファイルＺは、開始から１５分に６０℃付近まで冷却し、その後１７０分程恒温状態に保ち、その後１５分程度で常温（２５℃）にするパターンである。
【００３７】
上述の温度プロファイルＸ、Ｙ、Ｚはあくまで一例だが、このような温度プロファイルを予め複数作成しておく。冷却温度プロファイル選定部７は、複数の温度プロファイルから最適な温度プロファイル（すなわち、剥離発生率が低く、かつ常温までの冷却時間が短い冷却温度プロファイル）を選定する。
【００３８】
尚、上述のステップＳ２における構造解析計算部２は、温度プロファイルＸの場合は最終冷却時刻（開始から３２５分）のときの主応力（累積応力）を算出する。温度プロファイルＹ、Ｚも同様に最終冷却時刻（温度プロファイルＹは開始から１１０分、温度プロファイルＺは２００分）のときの主応力（累積応力）が算出される。以降ステップＳ６までの処理はこの最終冷却時刻のときの主応力（累積応力）に基づき行われる。
【００３９】
図２のフローチャートに説明を戻すと、冷却温度プロファイル選定部７は、ステップＳ６にて算出された剥離発生率のうちの１つが所定の剥離発生率以下（例えば０．５％以下。以降０．５％を第１閾値とする）であるか否かを判定する。第１閾値以下である場合（ステップＳ１０）、冷却温度プロファイル選定部７は、当該剥離発生率の温度プロファイルを最適温度プロファイルとして選定し、ユーザに対し選定された最適温度プロファイルおよび剥離発生率を表示する（ステップＳ９）。
【００４０】
一方、ステップＳ６にて算出された全ての剥離発生率が第１閾値より大きい場合（ステップＳ７）、冷却温度プロファイル選定部７は、次に、所定の剥離発生率以下（例えば５％以下、以降５％を第２閾値とする）となる温度プロファイルを選定し、選定した温度プロファイルのうちで最短の冷却時間となる温度プロファイルを最適温度プロファイルとして選定する（ステップＳ８）。そして冷却温度プロファイル選定部７は、ユーザに対し選定した最適温度プロファイルおよび剥離発生率を表示する（ステップＳ９）。
【００４１】
尚、リフロー工程評価装置１は、第１閾値と剥離発生率との比較判定をせず、全ての温度プロファイルに対しステップＳ６の処理終了後、ステップＳ８に処理を進めてもよい。
【００４２】
上述の冷却温度プロファイル選定部７の処理（ステップＳ７からステップＳ１０まで）は、剥離発生率と冷却時間とを比較考量するものであるが、冷却温度プロファイル選定部７は、予め定義された複数の温度プロファイルのうちから、最小の剥離発生率となる温度プロファイルを最適温度プロファイルとして選定してもよい。最小の剥離発生率を選定する処理を図７のフローチャートに示す。尚、図７においてステップＳ２０以外は上述と同様であるため、ここでの説明を省略する（図２参照）。
【００４３】
冷却温度プロファイル選定部７は、予め定義された複数の温度プロファイルそれぞれに対し、剥離発生率を算出し（ステップＳ１からステップＳ６まで）、剥離発生率が最小となる温度プロファイルを最適温度プロファイルとして選定し（ステップＳ２０）、ユーザに対し選定した最適温度プロファイルおよび剥離発生率を表示する（ステップＳ９）。
【００４４】
本実施の形態によって、ＬＳＩパッケージ設計段階にて、一定の剥離発生率以下のパッケージを設計することが可能となる。
【００４５】
また、本実施の形態によって、複数の温度プロファイルの中で剥離発生率が最小となる、最も壊れにくい冷やし方である温度プロファイルを選択することが可能となる。
【００４６】
更に、本実施の形態によって、設計済みのＬＳＩパッケージであっても温度プロファイルを変更することにより、剥離発生率を低下させることができる。
【００４７】
尚、応力算出部は本実施の形態における構造解析計算部２、ハンダレイアウト選択部３、チップ応力抽出部４、抽出応力計算部５に対応し、破断発生率計算部は剥離発生率算出部６に対応する。また、温度プロファイル選定部は冷却温度プロファイル選定部７に対応する。
【００４８】
更に、リフロー工程評価装置を構成するコンピュータにおいて上述した各ステップを実行させるプログラムを、リフロー工程評価プログラムとして提供することができる。上述したプログラムは、コンピュータにより読取り可能な記録媒体に記憶させることによって、リフロー工程評価装置を構成するコンピュータに実行させることが可能となる。ここで、上記コンピュータにより読取り可能な記録媒体としては、ＲＯＭやＲＡＭ等のコンピュータに内部実装される内部記憶装置、ＣＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスク、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータ並びにそのデータベースや、更に回線上の伝送媒体をも含むものである。
【００４９】
（付記１）  チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出する応力算出部と、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、前記応力算出部にて算出された平均主応力とによって、前記発生率を算出する破断発生率計算部と、
を備えるリフロー工程評価装置。
（付記２）  付記１に記載のリフロー工程評価装置において、
前記応力算出部は、ハンダ接合された前記チップと基板を冷却する冷却時間と冷却温度との関係を示す少なくとも一つの温度プロファイルに基づき、該温度プロファイルそれぞれに対応した前記平均主応力を算出し、
前記破断発生率計算部は、更に前記応力算出部にて算出された平均主応力に基づき前記温度プロファイルそれぞれに対応した発生率を算出することを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記３）  付記２に記載のリフロー工程評価装置において、
更に、前記破断発生率計算部によって算出された前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率に基づき所定の温度プロファイルを選定する温度プロファイル選定部を備えることを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記４）  付記３に記載のリフロー工程評価装置において、
前記温度プロファイル選定部は、前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率が所定の発生率以下となる温度プロファイルを選定し、選定した温度プロファイルのうちで最短の冷却時間となる温度プロファイルを前記所定の温度プロファイルとして選定することを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記５）  付記１乃至付記４のいずれかに記載のリフロー工程評価装置において、
前記応力算出部は、更に前記基板と前記チップとがハンダによって接合される領域を示す配置パターンに基づき、前記平均主応力を算出することを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記６）  付記５に記載のリフロー工程評価装置において、
前記応力算出部は、前記配置パターンによって示される領域が前記チップの電極の数を示すものである場合、前記チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を前記電極の数で平均化することで前記平均主応力を算出することを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記７）  付記２乃至付記６のいずれかに記載のリフロー工程評価装置において、
前記応力算出部は、前記ハンダ接合されたチップと基板が所定の冷却温度になるときの平均主応力を前記接合部に作用する平均主応力とすることを特徴とするリフロー工程評価装置。
（付記８）  チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出することをコンピュータに実行させるリフロー工程評価プログラム。
（付記９）  付記８に記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
前記平均主応力を算出する際は、ハンダ接合された前記チップと基板を冷却する冷却時間と冷却温度との関係を示す少なくとも一つの温度プロファイルに基づき、該温度プロファイルそれぞれに対応した前記平均主応力を算出し、
前記発生率を算出する際は、更に前記応力算出部にて算出された平均主応力に基づき前記温度プロファイルそれぞれに対応した発生率を算出することを特徴とするリフロー工程評価プログラム。
（付記１０）  付記９に記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
更に、算出された前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率に基づき所定の温度プロファイルを選定することをコンピュータに実行させるリフロー工程評価プログラム。
（付記１１）  付記１０に記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
前記所定の温度プロファイルは、前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率が所定の発生率以下となる温度プロファイルが選定され、さらに選定された温度プロファイルのうちで最短の冷却時間となる温度プロファイルであることを特徴とするリフロー工程評価プログラム。
（付記１２）  付記８乃至付記１１のいずれかに記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
前記平均主応力は、更に前記基板と前記チップとがハンダによって接合される領域を示す配置パターンに基づき算出されることを特徴とするリフロー工程評価プログラム。
（付記１３）  付記１２に記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
前記平均主応力は、前記配置パターンによって示される領域が前記チップの電極の数を示すものである場合、前記チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力が前記電極の数で平均化されることで算出されることを特徴とするリフロー工程評価プログラム。
（付記１４）  付記９乃至付記１３のいずれかに記載のリフロー工程評価プログラムにおいて、
前記平均主応力は、前記ハンダ接合されたチップと基板が所定の冷却温度になるときの平均主応力であることを特徴とするリフロー工程評価プログラム。
（付記１５）  チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力を受ける接合部に作用する平均主応力を算出し、
前記接合部が破断する発生率と前記接合部に作用する平均主応力との関係式と、算出された前記平均主応力とによって、前記発生率を算出するリフロー工程評価方法。
（付記１６）  付記１５に記載のリフロー工程評価方法において、
前記平均主応力を算出する際は、ハンダ接合された前記チップと基板を冷却する冷却時間と冷却温度との関係を示す少なくとも一つの温度プロファイルに基づき、該温度プロファイルそれぞれに対応した前記平均主応力を算出し、
前記発生率を算出する際は、更に前記応力算出部にて算出された平均主応力に基づき前記温度プロファイルそれぞれに対応した発生率を算出することを特徴とするリフロー工程評価方法。
（付記１７）  付記１６に記載のリフロー工程評価方法において、
更に、算出された前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率に基づき所定の温度プロファイルを選定するリフロー工程評価方法。
（付記１８）  付記１７に記載のリフロー工程評価方法において、
前記所定の温度プロファイルは、前記複数の温度プロファイルそれぞれに対応した発生率が所定の発生率以下となる温度プロファイルが選定され、さらに選定された温度プロファイルのうちで最短の冷却時間となる温度プロファイルであることを特徴とするリフロー工程評価方法。
（付記１９）  付記１５乃至付記１８のいずれかに記載のリフロー工程評価方法において、
前記平均主応力は、更に前記基板と前記チップとがハンダによって接合される領域を示す配置パターンに基づき算出されることを特徴とするリフロー工程評価方法。
（付記２０）  付記１９に記載のリフロー工程評価方法において、
前記平均主応力は、前記配置パターンによって示される領域が前記チップの電極の数を示すものである場合、前記チップと基板とがリフロー方式でハンダ接合されることによって生ずる主応力が前記電極の数で平均化されることで算出されることを特徴とするリフロー工程評価方法。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係るリフロー工程評価装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係るリフロー工程評価装置の処理の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係るハンダのレイアウトパターンの一例を示す図である。
【図４】本発明に係る剥離発生側要素の一例を示す図である。
【図５】本発明に係る平均主応力と剥離発生率との関係の一例を示す図である。
【図６】本発明に係る温度プロファイルの一例を示す図である。
【図７】本発明に係るリフロー工程評価装置の処理（剥離発生率が最小となる温度プロファイルを選択）の一例を示すフローチャートである。
【図８】ＬＳＩチップと基板を示す斜視図および側面図である。
【図９】ＬＳＩチップの配線層の位置を示す図および剥離発生箇所の拡大図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  リフロー工程評価装置、２  構造解析計算部、３  ハンダレイアウト選択部、４  チップ応力抽出部、５  抽出応力計算部、６  剥離発生率算出部、７  冷却温度プロファイル選定部。
【図１】
0004882998.tif 000002
【図２】
0004882998.tif 000003
【図３】
0004882998.tif 000004
【図４】
0004882998.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004882998.tif 000010