(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体にケイ素を溶浸する方法であって、
ケイ素と窒化ホウ素とを含んでなる混合物であって、窒化ホウ素が６重量％以下の量で存在する混合物を形成し、
ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる上記物体を上記混合物と接触させ、かつ
上記で接触させた物体に上記混合物からのケイ素を溶浸せしめる
ことを含んでなる、方法。
【請求項２】
上記物体との接触が、上記混合物のスラリーを上記物体に浸漬コート若しくはスプレーコートすることを含んでなる、又は、上記物体を上記ケイ素と窒化ホウ素の粉末混合物中に埋込むことを含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記物体が上記のケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を５体積％以上含んでなる、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記のケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分が元素態炭素、金属及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
上記金属がモリブデン、チタン、クロム、タングステン、銀及びアルミニウムからなる群から選択される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
上記物体が、当該物体の１０体積％超乃至９５体積％の開放気孔率を有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
非酸化性部分真空中で、ケイ素は流体となるが上記物体の融点よりは低い溶浸温度に加熱することにより、上記の接触させた物体に上記混合物からのケイ素を溶浸せしめる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
上記ケイ素が１５０ミクロン以下の粒度を有し、かつ上記窒化ホウ素が１５０ミクロン以下の粒度を有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
上記窒化ホウ素が六方晶窒化ホウ素である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
上記物体が上記のケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を１０体積％以上含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
上記物体の残余が、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選択されるセラミック材料を含んでなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
上記物体がケイ素／炭化ケイ素（Ｓｉ／ＳｉＣ）複合体を含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる上記物体を、六方晶窒化ホウ素とケイ素のスラリーでコートし、かつ上記でコートした物体に上記スラリーからのケイ素を溶浸せしめることを含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
液体中に分散したケイ素粉末と六方晶窒化ホウ素粉末とを含んでなるスラリーを形成し、ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる上記物体を上記スラリーと接触させ、かつ上記で接触させた物体に上記スラリーからのケイ素を溶浸せしめることを含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
上記スラリーが水と分散剤を含んでなる、請求項１３又は請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術的背景】
本発明は、合衆国エネルギー省との契約番号ＤＥＦＣ  ０２−９２−ＣＥ４１０００による合衆国政府の援助の下になされたものである。合衆国政府は本発明に関し所定の権利を有する。
【０００２】
本発明はある材料の多孔質体にケイ素を溶浸する方法に関する。
【０００３】
板状及び繊維状材料は各種複合材料における充填剤及び補強剤として作用させるため溶浸によって導入されるのが普通である。炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び／又は炭素（Ｃ）を含む多孔質体へのケイ素の溶浸は、反応焼結炭化ケイ素もしくは「ケイ素化」炭化ケイ素複合材料の一般的製造方法である。かかる複合材料の具体例はケイ素／炭化ケイ素（Ｓｉ／ＳｉＣ）セラミックス及び強靱化セラミックマトリックス複合体である。ケイ素溶浸法の利点の一つはニアネットシェイプで製品を製造できることである。ニアネットシェイプとは、溶浸／緻密化法の際にプリフォームの寸法にほとんど或いは全く変化が起こらないことを意味する。ニアネットシェイプ法では最低限の機械加工だけで製品を製造することができる。
【０００４】
溶浸法の重要な側面は、ケイ素を多孔質プリフォームと接触させるプロセスである。ケイ素はプリフォームと直接接触させることができる。別の方法では、炭素繊維ウィックを用いて、被溶浸材料に液体ケイ素を液溜めから毛細管作用によって移送する。これらのプロセスには幾つかの短所がある。プリフォームとケイ素を直接接触させる場合、多孔質体表面に過剰のケイ素を残さずに多孔質体に完全に溶浸するにはケイ素量の非常に精密な計量が必要とされる。異なる技術により或いは異なる比率の出発原料で製造される多孔質体では、十分に溶浸するのに異なるレベルのケイ素が必要とされる。各プロセス変更には、試行錯誤によりケイ素量を調整することが必要とされる。溶浸にケイ素−ホウ素アロイを使用する場合、溶融時にケイ化ホウ素（例えばＢ3Ｓｉ、Ｂ4Ｓｉ及びＢ6Ｓｉ等）が生成する。これらのケイ化ホウ素は溶浸プロセス時に上記アロイに完全には溶解しない。その結果、かかるホウ化物の付着性残渣が物体の表面に残り、機械加工で取り除かなければならない。ウィックを使用する場合、溶浸体の表面よりもウィックに残渣が残る。しかし、ウィックは溶浸体に強く付着しており、これを取り除くのに機械加工が必要とされる。また、今度はウィック自体の大きさのバラツキも考慮に入れなければならないので、ケイ素レベルの調整に関連した問題はますます悪くなる。物体が大きかったり複雑な形状のものであったりすると、ケイ素の溶浸が不均一に起こり、組成及び性質にバラツキが生じかねない。
【０００５】
ケイ素溶浸のもう一つの問題は、ケイ素が凝固時に膨張するという事実によって引き起こされる。ケイ素が膨張すると、過剰のケイ素が物体表面から押し出され金属ケイ素のこぶができてしまう。ケイ素のこぶは物体を許容差の範囲外のものとしてしまい、この場合も溶浸後に経費のかかる機械加工が必要となる。
【０００６】
そこで、組成及び性質にバラツキを生じることなく、しかも溶浸複合製品の経費のかかる機械加工も必要としないケイ素溶浸法を提供することが求められている。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は物体にケイ素を溶浸する方法に関する。ケイ素と少なくとも若干乃至約１０重量％の六方晶窒化ホウ素とを含んでなる混合物を形成する。ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる物体を上記混合物と接触させ、接触させた物体に混合物からのケイ素を溶浸せしめる。上記の「少なくとも若干乃至約１０重量％」という記載には、約０．１重量％もの僅かな六方晶窒化ホウ素が包含され、さらには約１．０重量％〜約１０重量％の六方晶窒化ホウ素が包含され、約４重量％〜約１０重量％の六方晶窒化ホウ素も包含される。
【０００８】
別の態様では、本発明は、物体にケイ素を溶浸する方法に関し、当該方法は、ケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分を含んでなる物体を、六方晶窒化ホウ素とケイ素のスラリーでコートすることを含んでなる。コートした物体に次いで上記スラリーからのケイ素を溶浸せしめる。
【０００９】
【発明の詳しい説明】
ケイ素粉末と調節された量の六方晶窒化ホウ素粉末の混合物中に多孔質体を埋込むことによってケイ素を多孔質体に溶浸することができる。Ｍｏｒｅｌｏｃｋの米国特許第４７３７３２８号には、ケイ素と反応する物質を含んでなる多孔質体を、ケイ素と六方晶窒化ホウ素粉末からなる粉末混合物中に埋込むことによる複合体の製造方法が開示されている。このＭｏｒｅｌｏｃｋの米国特許では、ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物について１０体積％〜９０体積％のケイ素（窒化ホウ素（ＢＮ）９０．６重量％〜９．６重量％に相当）という限定条件が教示されている。今回、５０重量％〜１０重量％の窒化ホウ素（ＢＮ）を含有する圧密化ケイ素−窒化ホウ素Ｓｉ−ＢＮ混合物では、炭化ケイ素／炭素（ＳｉＣ／Ｃ）へのケイ素（Ｓｉ）の溶浸は起こらないことが判明した。ケイ素の溶浸は、窒化ホウ素（ＢＮ）レベルが約１０％未満のレベルに制御されたときだけに、起こる。
【００１０】
さらに、Ｍｏｒｅｌｏｃｋの米国特許では、多孔質プリフォームの接触方法を鋳型又はダイ内部でのドライ圧密化を用いるものに特定している。本発明では、溶浸を行うのにケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）の水性スラリーを用いてプリフォームをコートすればよい。
【００１１】
本発明は、ケイ素溶浸を実施するための改良法を提供し、過剰の金属ケイ素のない清浄な表面の物体を与える。粉末の形態のケイ素溶浸材を少なくとも若干乃至約１０重量％の窒化ホウ素粉末と混合する。六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）は約９．６重量％未満の量で存在し得る。好ましい実施態様では、窒化ホウ素粉末は混合物の約１重量％〜約９．５重量％の量で存在し、最も好ましくは混合物の約５重量％〜約９．０重量％の量で存在する。ケイ素はホウ素のような他のアロイ成分を含んでいてもよいが、望ましい複合体を製造するのに少なくとも十分な量で粉末混合物中に存在すべきである。好ましくは、ケイ素（Ｓｉ）は全混合物の約９９重量％〜約８０重量％の範囲で存在する。
【００１２】
混合物は様々な技術で形成し得る。例えば、２種類の粉末を単に一緒に混ぜ合わせてもよい。２種類の粉末の少なくとも相当均一な混合物を形成し、好ましくは均一又は実質的に均一な混合物を形成する。本発明の別の態様では、混合物を水と混ぜ合わせてスラリーを形成し、これをプリフォームの表面に浸漬コート又はスプレーコートする。このプリフォームを次いで溶浸熱処理に付して、ケイ素を融解させ多孔質体中に溶浸せしめる。真空圧、加熱炉温度及び溶浸時間は、上記Ｍｏｒｅｌｏｃｋの米国特許の技術で用いられているのと同一もしくは実質的に同一であり、その開示内容は文献の援用によって本明細書の内容の一部をなす。
【００１３】
本発明のすべての態様において、溶浸材ミックス中の過剰のケイ素又は凝固時に物体表面に押し出されるケイ素は表面に残って窒化ホウ素（ＢＮ）粉末と混ざる。溶浸後、物体表面に残る材料はすべて脆い窒化ホウ素（ＢＮ）混合物であり、容易に掻き取ることができる。加えて、プリフォームのコートをスプレーコート又は浸漬コートで実施する態様では、プリフォームの表面全体にわたりケイ素を導入するのが容易であり、均一で迅速な溶浸法が提供される。
【００１４】
ケイ素粉末の粒度は広範囲に変更し得るが、好ましくは約１００メッシュを超えない、すなわち約１５０ミクロン以下のものであるべきである。本明細書中に記載のメッシュはＵＳメッシュサイズである。大きな粒子は合体して物体に溶浸しない傾向がある。好ましくは、ケイ素粉末の粒度は約２００メッシュ、すなわち約７５ミクロン以下である。六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）粉末の粒度は変更し得るが、好ましくは約１００メッシュを超えない、すなわち約１５０ミクロン以下である。大きな粒子は、ケイ素を合体させて物体への溶浸を阻害してしまいかねない。好ましくは、六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）粉末の粒度は約３２５メッシュ、すなわち約４５ミクロン以下である。
【００１５】
ある実施態様では、被溶浸材料の５体積％以上はケイ素で濡れるか又はケイ素と反応する成分からなる。ケイ素は、ケイ素と反応する物質に対して親和性を有しており、そうした成分に向かって移行する。こうした反応性成分はケイ素を多孔質体に溶浸させるのに必要とされる。反応性成分の代表的なものには、元素態炭素、並びにモリブデン、チタン、クロム、タングステン、銀及びアルミニウム等の金属がある。本明細書中で用いる「元素態炭素」という用語には、グラファイトを始めとするあらゆる形態の非ダイヤモンド系元素態炭素が包含される。
【００１６】
ケイ素で濡れるかケイ素と反応する成分は、被溶浸材料の約５体積％〜約１００体積％の範囲の量で存在し得る。かかる成分の具体的量は所望とする個々の複合体に応じて異なる。通例、ケイ素で濡れるかケイ素と反応する成分は、被溶浸材料の約１０体積％以上の量、又は２０体積％以上の量、又は５０体積％以上の量で存在する。
【００１７】
材料のうちケイ素との反応性をもたない部分は、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素（ＢＮ）及び窒化アルミニウム等のセラミック材料を含み得る。ダイヤモンドもその粒度によっては非反応性成分として存在し得る。微細な粒度のものはケイ素と反応して炭化ケイ素を生じる可能性がある。
【００１８】
被溶浸材料は多種多様な形態をとり得る。例えば、粒子の形態でも、フィラメントの形態でも、布の形態でも、或いはこれらの混合形態でもよい。本明細書中におけるフィラメントという用語には繊維及びウィスカーも包含される。
【００１９】
被溶浸材料は様々な技術で多孔質体へと成形し得る。好ましくは、多孔質体は複合体の望ましい大きさ及び形状のものである。例えば、多孔質体は押出成形、射出成形、ダイプレス成形、静水圧プレス成形又は鋳込み成形することで所望の大きさ及び形状の多孔質体を作製することができる。滑剤、バインダー、その他賦形に使用される同様の材料も多孔質体とともに使用し得る。かかる材料は、溶浸温度未満の温度（好ましくは５００℃未満）で加熱すると、有害な残渣を残さずに蒸発する種類のものであるべきである。別法として、被溶浸材料は、粉末混合物からなる鋳型のキャビティ内に充填することで充填材料もしくは束縛材料(constrained material)とすることもできる。
【００２０】
多孔質体もしくは充填材料は、当該物体の約１０体積％超乃至約９５体積％の開放気孔率を有する。具体的な気孔率は所望とする複合体に応じて異なる。具体的には、気孔率は約１５体積％〜約８０体積％、又は約３０体積％〜約６０体積％の範囲で変動し得る。物体の開放気孔率とは、物体の表面に通じていて周囲雰囲気が内部表面に接近できる気孔もしくはボイドを意味する。開放気孔率は様々な金属組織学の常法によって求めることができる。好ましくは、溶浸される充填材料すなわち多孔質体は閉鎖気孔を全く有していないか、或いは有意な量の閉鎖気孔を有していない。多孔質体もしくは充填材料中の気孔は、大きなケイ素ポケットが生じないように、均一もしくは少なくとも相当均一に分布しているべきである。大きなケイ素ポケットは溶浸体すなわち複合体の機械的性質を低下させるおそれがある。気孔の大きさは約２０００ミクロンまでとし得る。最良の結果を得るには、気孔はサブミクロンの大きさである。
【００２１】
六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）とケイ素粉末の混合物は様々な形態で使用することができ、該混合物は様々な技術で被溶浸材料と接触させることができる。例えば、上述の通り、粉末混合物は粉末をプレスした形態のものでもよいし、或いは最終的溶浸体又は複合体に望まれる大きさ及び形状のキャビティをもつ鋳型の形態であってもよい。多孔質体又は圧縮材料と接触させるときは、溶浸前の上記粉末混合物は好ましくは当該粉末混合物の約５０体積％未満、さらに好ましくは約４０体積％未満、最も好ましくは約３０体積％未満の気孔率を有する。
【００２２】
一つの実施態様では、多孔質体にケイ素を溶浸して複合体を形成するための本発明の方法では、材料の約５体積％以上がケイ素で濡れるかケイ素と反応する成分からなる材料を準備する。この材料はケイ素の融点よりも高い融点をもつ。この材料から約１０体積％超乃至約９０体積％の範囲内の開放気孔率を有する多孔質体を形成する。この多孔質体を、ケイ素と六方晶窒化ホウ素を含んでなる粉末混合物で六方晶窒化ホウ素の量が当該混合物の少なくとも若干乃至約１０重量％であるような粉末混合物と接触させる。こうして接触させた多孔質体を、次いで、非酸化性部分真空中で、ケイ素は流体となるが多孔質体の融点よりは低い温度に加熱する。流体ケイ素を、次いで、閉塞ガスを多孔質体から除去するのに少なくとも十分な部分真空にて多孔質体に溶浸せしめ、複合体を生じさせる。
【００２３】
別の実施態様では、粉末混合物を、所望の複合体製品の大きさ及び形状を有するキャビティをもつ鋳型へと賦形する。材料の約５体積％以上がケイ素で濡れるかケイ素と反応する成分からなる材料を準備する。この材料は粒子、フィラメント、布の形態又はこれらの混合形態であり、ケイ素の融点よりも高い融点をもつ。この材料を上記キャビティに充填して、キャビティ内部で、約１０体積％超乃至約９０体積％の範囲内の開放気孔率を有する充填材料すなわち多孔質体を生じせしめる。次に、多孔質体を、上述の実施態様と同様に、非酸化性部分真空中でケイ素は流体となるが多孔質体の融点よりは低い温度に加熱して複合体を生じさせる。
【００２４】
本発明の方法を実施するに当たり、六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）及び元素態ケイ素粉末の混合物を作って多孔質体の表面又は充填材料の表面と接触させる。溶融ケイ素はこの方法で用いる温度では六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）粉末を濡らさないので、ケイ素は合体せず、蒸気又は液体の流れによって多孔質体又は束縛材料の表面に容易に移動してそこで該材料の表面と反応及び／又は材料表面を濡らす。窒化ホウ素（ＢＮ）は、多孔質体又は材料にケイ素が表面液滴を形成せずに均一に溶浸できるようにする。
【００２５】
別の実施態様では、多孔質体を支持するための支持手段、好ましくはグラファイトその他の元素態炭素を用い、多孔質体を上記粉末混合物でコートする。得られるアセンブリを次いで溶浸温度に加熱する。支持体を六方晶窒化ホウ素（ＢＮ）のような離型剤でプレコートすることもできる。
【００２６】
本発明の別の実施態様を実施するに当たり、多孔質体をその表面に露出した部分が全く残らないように粉末混合物中に浸漬又は粉末混合物で包む。別の実施態様では、多孔質体を粉末混合物の鋳型に充填し、このアセンブリ全体を約０．１ｔｏｒｒに減圧した真空炉内に入れて加熱する。冷えて大気圧に戻したら、アセンブリを炉から取り出して、分解してケイ素溶浸部分を粉末混合物から取り外す。
【００２７】
本プロセスに使用する炉は元素態炭素で作成した炭素炉とすることができる。この溶浸法は酸素の存在下では液体ケイ素が酸化されて固体シリカを生じるので実施することができない。炭素炉は酸素と反応して一酸化炭素（ＣＯ）又は二酸化炭素（ＣＯ2）を生成することでスカベンジャーとして作用し、非酸化性雰囲気をもたらす。さらに、非酸化性雰囲気を担保すべく、元素態炭素のような酸素スカベンジャーを炉に加えることもできる。
【００２８】
以下の実施例は本発明の例示である。
【００２９】
【実施例】
実施例１
−３２５メッシュのケイ素（Ｓｉ）粉末と−３２５メッシュの窒化ホウ素（ＢＮ）粉末を５０Ｓｉ／５０ＢＮ、６０Ｓｉ／４０ＢＮ、７０Ｓｉ／３０ＢＮ、８０Ｓｉ／２０ＢＮ、９０Ｓｉ／１０ＢＮ及び９５Ｓｉ／５ＢＮの重量比でドライブレンディングすることによってＳｉ−ＢＮペレットを調製した。これらの混合粉末を１／４インチ鋼製ダイの中で１００００ｐｓｉの圧力でドライプレスしてペレットに成形した。これらのペレットをカーボンフェルト（ＮａｔｉｏｎａｌＥｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｃｏ．製のタイプＷＤＦカーボンフェルト）片の上に置いて、真空炉中で１４３０℃に加熱した。冷却後、各カーボンフェルト片の質量を測定した。元のペレットに存在していたケイ素のうちカーボンフェルトに実際に溶浸したものの百分率を計算した。結果を以下の表１に示す。５０％、４０％及び３０％の窒化ホウ素（ＢＮ）では、カーボンフェルトに浸透したＳｉは実際上ないに等しく、換言すればフェルトへの溶浸は全く起こらなかった。２０％及び１０％の窒化ホウ素（ＢＮ）では、利用可能なケイ素（Ｓｉ）のうちのわずか２０％しかフェルトに溶浸しなかった。５％の窒化ホウ素（ＢＮ）では、ペレットから利用可能なＳｉの７０％近くがカーボンフェルトに溶浸した。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）のペレットの残存物は脆性であった。
【００３０】
【表１】
0004889843.tif 000002
【００３１】
この実施例は、セラミックを溶浸するのに重量％未満のＢ粉末混合物で改善された結果が得られることを実証している。
実施例２
９４ｇのケイ素（Ｓｉ）粉末（−１００メッシュ）と６ｇの窒化ホウ素（ＢＮ）粉末（−３２５メッシュ）と６０ｇの水を混合してスラリーを調製した。これに、０．８４ｇのＲｏｈｍ  ＆  Ｈａａｓ社製Ｄｕｒａｍａｘ  Ｄ−３０１９分散剤及び１．６ｇのＲｏｈｍ  ＆  Ｈａａｓ社製Ｄｕｒａｍａｘ  Ｂ−１０３５アクリルエマルジョン型バインダーを加えた。これらの成分は磁気攪拌機を用いて均一になるまで混合した。次いで、多孔質複合体プリフォーム棒を上記スラリーに浸漬して該棒をケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物でコートし、乾燥させた。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物の量がケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物と多孔質プリフォームの質量比にして０．８〜１．４となるまで浸漬を繰り返した。コートしたプリフォームを次いで１４３０℃にゆっくりと（５℃／分）加熱し、この温度に２０分間保った後、室温に冷却した（５℃／分）。棒の表面の残存物は掻き取りによって容易に取り除かれ、当初の多孔質プリフォームと同様の表面仕上げが得られた。溶浸棒の密度及び開放気孔度を以下の表２に示す。
【００３２】
【表２】
0004889843.tif 000003
【００３３】
このデータは、１〜１．４の溶浸材ミックスとプリフォームの質量比において、緻密で低気孔度の溶浸体が得られることを示している。上記質量比が１を下回るときに限って、溶浸体の密度が低下し、解放気孔度が上昇した。この結果は、清浄な表面を有する緻密な溶浸体を得るのに溶浸材ミックスの使用量を精密に制御する必要がないことを実証している。
【００３４】
溶浸をＳｉだけで実施するときは、Ｓｉ／プリフォームの質量比は正確に制御しなければならない。質量比が低すぎると気孔度の高いものが得られ、質量比が高すぎると表面に過剰のＳｉが残り機械加工が必要となるからである。この実施例は、清浄な表面を有する緻密な溶浸体を与えるのに本発明の方法が広範な質量比で役立つことを示している。従って、本発明の溶浸方法はケイ素（Ｓｉ）を単独で使用する場合に比べて質量比の多少の誤差に対する許容度が大きい。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物は高質量比のＳｉ／プリフォームの使用を可能にし、高密度が保証される。残存する表面の堆積物は実質的に窒化ホウ素（ＢＮ）であり、これは脆性であるので容易に除去される。
【００３５】
実施例３
９１ｇのＳｉ粉末（−３２５メッシュ）と６ｇのＢＮ粉末（−３２５メッシュ）と３ｇのホウ素粉末（＜１ミクロン）を７０ｇの水及び１ｇのＲｏｈｍ  ＆  Ｈａａｓ社製Ｄｕｒａｍａｘ  Ｄ−３０１９分散剤と混合してスラリーを調製した。これらの成分は磁気攪拌機を用いて均一になるまで混合した。多孔質プリフォーム棒を上記スラリーに浸漬して該棒をＳｉ−ＢＮ混合物でコートし、乾燥させた。ケイ素−窒化ホウ素（Ｓｉ−ＢＮ）混合物の量が所望のレベルになるまで浸漬を繰り返した。Ｓｉ−ＢＮ混合物の質量と多孔質プリフォームの質量の比は１．０及び１．５に調整した。コートした棒を次いで上記と同様に加熱してケイ素を溶浸せしめた。この場合も、溶浸後の棒の表面の残存物はすべて掻き取りによって容易に取り除かれ、棒は十分に溶浸されていた（２つの棒共に密度２．７ｇ／ｃｃ超及び開放気孔度３％未満であった）。これらの結果は、原料粉末の粒度が異なっていて、しかもＢを加えて溶浸用のＳｉ−Ｂアロイを形成したときも本技術がうまくいくことを実証している。