(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を用いて露光を行う荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線源の複数の中間像をアレイ状に形成する電子光学系アレイと、
前記電子光学系アレイによってアレイ状に形成された前記複数の中間像を被露光面上に投影する投影電子光学系と、を備え、
前記電子光学系アレイは、
複数の開口がアレイ状に配列されたメンブレン、および、前記メンブレンの周囲を支持する支持部で構成された第１の電極基板および第２の電極基板と、
前記第１の電極基板および前記第２の電極基板の支持部を支持するベース基板と、を有し、
前記第１の電極基板は、前記第２の電極基板を介することなく前記ベース基板に固定され、前記第２の電極基板は、前記第１の電極基板を介することなく前記ベース基板に固定され、
前記第１の電極基板および前記第２の電極基板は、前記第２の電極基板が前記ベース基板に固定された前記第１の電極基板の内側で前記ベース基板に固定されるような入れ子構造を形成することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記第１の電極基板の支持部および前記第２の電極基板の支持部の各々が前記ベース基板の１つの面に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記電子光学系アレイは、前記第１の電極基板および前記第２の電極基板とは別の少なくとも２つの電極基板と、をさらに有し、
前記少なくとも２つの電極基板は、前記入れ子構造とは別の入れ子構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
前記第１の電極基板の支持部および前記第２の電極基板の支持部の各々が前記ベース基板の第１の面に固定され、
前記少なくとも２つの電極基板の支持部の各々が前記ベース基板の前記第１の面とは別の第２面に固定されていることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
前記電子光学系アレイは、少なくとも１つのシールド電極基板と、をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の荷電粒子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム等の荷電粒子線を利用する荷電粒子線露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの生産において、電子ビーム露光技術は０．１μm以下の微細パターン露光を可能とするリソグラフィの有力候補として脚光を浴びており、いくつかの方式がある。例えば、いわゆる一筆書きでパターンを描画する可変矩形ビーム方式がある。しかし、これはスループットが低く量産用露光機としては課題が多い。スループットの向上を図るものとして、ステンシルマスクに形成したパターンを縮小転写する図形一括露光方式が提案されている。この方式は、繰り返しの多い単純パターンには有利であるが、ロジック配線層等のランダムパターンではスループットの点で課題が多く、実用化に際して生産性向上の妨げが大きい。
【０００３】
これに対して、マスクを用いずに複数本の電子ビームで同時にパターンを描画するマルチビームシステムの提案がなされており、物理的なマスク作製や交換を不要とするなど、実用化に向けて多くの利点を備えている。電子ビームをマルチ化する上で重要となるのが、複数の電子ビームを生成するための電子光学系アレイに配列される電子レンズの数である。電子光学系アレイに配置することができる電子レンズの数により電子ビーム数が決まり、これがスループットを決定する大きな要因となる。このため電子光学系アレイの性能を高めながら如何に小型化できるかが、マルチビーム型露光装置の性能向上のカギのひとつとなる。
【０００４】
電子レンズには電磁型と静電型があり、静電型は磁界型に比べて、コイルコア等を設ける必要がなく構成が容易であり小型化に有利となる。ここで静電型の電子レンズ（静電レンズ）の小型化に関する主な従来技術を以下に示す。
【０００５】
UnitedStatesPatent (USP) No. 4,419,580は、Ｓｉ基板に電子レンズを2次元配置した電子光学系アレイを提案するもので、Ｖ溝と円筒形のスペーサにより電極間のアライメントを行う。K.Y.Lee等（J.Vac.Sci.Technol.B12(6)Nov/Dec 1994 pp3425-3430）は、陽極接合法を利用してＳｉとパイレックスガラスが複数積層に接合された構造体を開示するもので、高精度にアライメントされたマイクロカラム用電子レンズを提供する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記USP 4,419,580に開示された電子光学系アレイは、薄く加工したＳｉ基板を積層する必要があるので、電極間隔が小さくなると作製プロセスが困難となり、また、強度的に問題がある。
【０００７】
一方、上記K.Y.Lee等に開示された電子光学系アレイは、１）電極間隔が小さい場合、中間にガラスを挟む方法には限界があり、２）陽極接合の回数が多くプロセスが複雑である（２（ｎ−１）回の接合工程が必要である）、といった数々の解決すべき課題を有する。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の課題を認識することを出発点とするもので、その改良を主目的とする。具体的な目的のひとつは、小型化、高精度化、信頼性といった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系アレイの提供である。さらには、これを用いた高精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方法、半導体デバイス生産工場などを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を用いて露光を行う荷電粒子線露光装置に係り、前記荷電粒子線源の複数の中間像をアレイ状に形成する電子光学系アレイと、前記電子光学系アレイによってアレイ状に形成された前記複数の中間像を被露光面上に投影する投影電子光学系と、を備え、前記電子光学系アレイは、複数の開口がアレイ状に配列されたメンブレン、および、前記メンブレンの周囲を支持する支持部で構成された第１の電極基板および第２の電極基板と、前記第１の電極基板および前記第２の電極基板の支持部を支持するベース基板と、を有し、前記第１の電極基板は、前記第２の電極基板を介することなく前記ベース基板に固定され、前記第２の電極基板は、前記第１の電極基板を介することなく前記ベース基板に固定され、前記第１の電極基板および前記第２の電極基板は、前記第２の電極基板が前記ベース基板に固定された前記第１の電極基板の内側で前記ベース基板に固定されるような入れ子構造を形成する。
その他、明細書に記載された発明の第１の側面は、複数の電子レンズを有する電子光学系アレイに係り、前記電子光学系アレイは、複数の荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の電極を備え、前記複数の電極の各々は、該複数の荷電粒子線の経路上に複数の開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する支持部とを有し、前記複数の電極のうち少なくとも２つの電極は、入れ子構造が形成されるように配置されている。
【００１０】
本発明の好適な実施例によれば、前記電子光学系アレイはベース部材を更に備え、前記入れ子構造を形成する前記少なくとも２つの電極の支持部は、前記ベース部材によって支持されることが好ましい。ここで、前記入れ子構造を形成する前記少なくとも２つの電極の支持部は、例えば、前記ベース部材の１つの面によって支持される。
【００１１】
本発明の好適な実施例によれば、例えば、前記複数の電極の全てが、入れ子構造を形成するように配置される。ここで、前記電子光学系アレイはベース部材を更に備え、例えば、前記複数の電極の全ての支持部が、前記ベース部材によって支持される。更に、前記複数の電極の全ての支持部が、前記ベース部材の１つの面によって支持されてもよい。
【００１２】
本発明の好適な実施例によれば、前記複数の電極は、少なくとも２つの入れ子構造が形成されるように配置されてもよい。ここで、前記電子光学系アレイは、第１及び第２の面を有するベース部材を更に備え、前記ベース部材は、前記少なくとも２つの入れ子構造のうちの１つの入れ子構造を前記第１の面で支持し、前記少なくとも２つの入れ子構造のうちの他の１つの入れ子構造を前記第２の面で支持してもよい。或いは、前記電子光学系アレイは、前記少なくとも２つの入れ子構造を各々支持する少なくとも２つのベース部材を更に備えてもよい。或いは、前記電子光学系アレイは、前記少なくとも２つの入れ子構造を互いに連結する連結部を更に備えてもよい。
【００１３】
本発明の好適な実施例によれば、前記入れ子構造を形成する少なくとも２つの電極の支持部は各々孔部を有し、１つの電極の孔部の内側に他の電極が配置される。
【００１４】
本発明の好適な実施例によれば、前記複数の電極のうち前記入れ子構造を形成する少なくとも２つの電極以外の１つの電極は、前記入れ子構造を形成する少なくとも２つの電極のうち前記ベース部材から最も遠い位置に配置された電極に対向して配置されてもよい。ここで、前記複数の電極のうち前記入れ子構造を形成する少なくとも２つの電極以外の１つの電極の支持部の寸法は、前記入れ子構造を形成する少なくとも２つの電極のうち前記ベース部材から最も遠い位置に配置された電極の支持部よりも寸法よりも小さいことが好ましい。
【００１５】
本発明の好適な実施例によれば、前記複数の電極は、該複数の電極のメンブレンが互いに接触しないように、配置される。
【００１６】
本発明の好適な実施例によれば、前記複数の電極のうち少なくとも１つの電極は、その複数の開口によって形成される列を単位として分割されていることが好ましい。
【００１７】
本発明の好適な実施例によれば、前記入れ子構造を形成する電極の個数は、例えば、典型的には２個又は３個であるが、４個以上でもよい。
【００１８】
本発明の好適な実施例によれば、前記複数の電極のうち少なくとも１つの電極は、荷電粒子線に作用させる電界を形成する電極であり、前記複数の電極のうち他の少なくとも１つの電極は、シールド電極である。
【００１９】
その他、明細書に記載された発明の第２の側面は、複数の電子レンズを有する電子光学系アレイを製造する製造方法に係り、複数の開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する支持部とを各々有する複数の電極を準備する準備工程と、ベース部材を準備する工程と、前記複数の電極の全部又は一部が入れ子構造を形成するように、前記複数の電極の支持部を前記ベース部材に固定する固定工程とを含む。前記電極の準備工程では、例えば、めっき法を利用して前記複数の電極を作製する。
【００２１】
その他、明細書に記載された発明の第４の側面は、デバイスの製造方法に係り、荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程とを含む。前記荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を放射する荷電粒子線源と、複数の電子レンズを有し、該複数の電子レンズにより前記荷電粒子線源の中間像を複数形成する電子光学系アレイと、前記電子光学系アレイによって形成される複数の中間像を基板上に投影する投影電子光学系とを備える。前記電子光学系アレイは、前記複数の中間像に係る複数の荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の電極を含み、前記複数の電極の各々は、該複数の荷電粒子線の経路上に複数の開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する支持部とを有し、前記複数の電極のうち少なくとも２つの電極は、入れ子構造が形成されるように配置される。
【００２２】
本発明の好適な実施例によれば、この製造方法は、前記複数の半導体製造装置をローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワークと前記工場外の外部ネットワークとを接続する工程と、前記ローカルエリアネットワーク及び前記外部ネットワークを利用して、前記外部ネットワーク上のデータベースから前記荷電粒子線露光装置に関する情報を取得する工程と、取得した情報に基づいて前記荷電粒子線露光装置を制御する工程とを更に含むことが好ましい。
【００２３】
その他、明細書に記載された発明の第５の側面は、半導体製造工場に係り、荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置と、前記複数の半導体製造装置を接続するローカルエリアネットワークと、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとを接続するゲートウェイとを備える。前記荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を放射する荷電粒子線源と、複数の電子レンズを有し、該複数の電子レンズにより前記荷電粒子線源の中間像を複数形成する電子光学系アレイと、前記電子光学系アレイによって形成される複数の中間像を基板上に投影する投影電子光学系とを備える。前記電子光学系アレイは、前記複数の中間像に係る複数の荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の電極を含み、前記複数の電極の各々は、該複数の荷電粒子線の経路上に複数の開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する支持部とを有し、前記複数の電極のうち少なくとも２つの電極は、入れ子構造が形成されるように配置される。
【００２４】
その他、明細書に記載された発明の第６の側面は、荷電粒子線露光装置の保守方法に係り、荷電粒子線露光装置が設置された工場外の外部ネットワーク上に、該荷電粒子線露光装置の保守に関する情報を蓄積するデータベースを準備する工程と、前記工場内のローカルエリアネットワークに前記荷電粒子線露光装置を接続する工程と、前記外部ネットワーク及び前記ローカルエリアネットワークを利用して、前記データベースに蓄積された情報に基づいて前記荷電粒子線露光装置を保守する工程とを含む。前記荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を放射する荷電粒子線源と、複数の電子レンズを有し、該複数の電子レンズにより前記荷電粒子線源の中間像を複数形成する電子光学系アレイと、前記電子光学系アレイによって形成される複数の中間像を基板上に投影する投影電子光学系とを備える。前記電子光学系アレイは、前記複数の中間像に係る複数の荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の電極を含み、前記複数の電極の各々は、該複数の荷電粒子線の経路上に複数の開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する支持部とを有し、前記複数の電極のうち少なくとも２つの電極は、入れ子構造が形成されるように配置される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例を説明する。
【００２６】
＜実施例１＞
本発明の第１の実施例の電子光学系アレイを図１を用いて説明する。この電子光学系アレイは、上電極１、中間電極２、および下電極３が入れ子構造になっており、ベース基板４の同一面上に支持されている。すなわち、この電子光学系アレイは、それぞれが、複数の電子ビーム（荷電粒子線）の経路上に複数の開口が形成されたメンブレン１Ａ、２Ａ、３Ａと、該メンブレンを支持する支持基板１Ｂ、２Ｂ、３Ｂを備えた第１電極１、第２電極２および第３電極３を有し、前記メンブレン同士が空間的に絶縁された構造を有する。前記第１乃至第３電極のそれぞれの支持基板は、同一のベース基板４上に保持されている。前記第２電極２の支持基板２Ｂは、前記第１電極１の支持基板１Ｂの内側に位置し、前記第３電極３の支持基板３Ｂが前記第２電極２の支持基板２Ｂの内側に位置し、３つの電極が入れ子構造になっている。なお、本実施例においては、説明を簡便にするために各電極について３×３個の開口のみを示すが、実際にはそれ以上の個数（例えば、８×８個）の開口を備えることができる。
【００２７】
上記電子光学系アレイの作製方法を説明する。まず上電極１及び下電極３の作製方法を図２（ａ）〜（ｄ）に示す。なお、ここでは、説明の便宜上、上電極１及び下電極３の作製方法を図２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明するが、両者は図１に示すように互いに異なる形状及び大きさを有する。
【００２８】
最初に、基板１０１として結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハを用意し、マスク層１０２として基板１０１の両面に熱酸化法によって膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜する。その後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによってパターニングし、後に孔部及びアライメント溝となる部分のマスク層１０２を除去する（図２（ａ））。基板１０１の大きさおよび厚さは、第１の電極１及び第３の電極３の寸法に合わせて適宜選択することができる。
【００２９】
次いで、基板の上面にチタン／銅をそれぞれ５ｎｍ／５μｍの膜厚で連続蒸着した後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、電子ビーム（荷電粒子線）の経路となる部分に複数の開口１０５を有する電極層１０３を形成する。蒸着方法としては、例えば、抵抗加熱若しくは電子ビームによる蒸着法、又は、スパッタ法などを用いることが出来る。電極材料としては、これに代えて、例えばチタン／金、チタン／白金などを用いてもかまわない（図２（ｂ））。
【００３０】
次いで、電極層１０３をポリイミドを用いて保護し、他方の面を２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、９０℃でシリコン基板１０１のバックエッチングを行う。エッチングは、シリコンがエッチングによって除去され、マスク層１０２が露出するまで行い、これにより孔部１０６及びアライメント溝１０４を形成する。その後、基板を水洗し、乾燥させ、ドライエッチング装置内でテトラフルオロメタンを用いて、シリコンのドライエッチング後に露出したマスク層１０２をエッチング除去する。最後に、他方の面の保護に用いたポリイミド膜をアッシングにより除去する。これにより、電子ビームの経路となる部分に複数の開口１０５を有する上電極１及び下電極３が得られる（図２（ｃ））。なお、図２（ｄ）は、完成した図２（ｃ）に示す電極の上面図である。
【００３１】
次に、中間電極２の作製方法を図３（ａ）〜（ｆ）で説明する。最初に、基板２０１として結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハを用意し、マスク層２０２として基板１０１の両面に熱酸化法によって膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜した後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、後に孔部及びアライメント溝となる部分のマスク層２０２を除去する（図３（ａ））。
【００３２】
次いで、メッキ用電極２０３としてクロム／金をそれぞれ５ｎｍ／１００ｎｍの膜厚で蒸着する（図３（ｂ））。メッキ用電極２０３上にメッキの鋳型となるレジストよりなるパターン２０４を形成する。レジストとしては、エポキシ化ビスフェノールＡオリゴマーを主成分とするＳＵ−８（Micro Chem. co）を用いて、膜厚６０μｍに成膜する。露光は、高圧水銀ランプを用いた密着型の露光装置を用いて例えば６０秒行う。また、露光後、ホットプレート上で８５℃で３０分間、露光後ベーク（ＰＥＢ）を行う。そして、基板を室温まで徐冷した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで５分間現像し、メッキ用の鋳型パターン２０４を形成する。レジストとしは、これに代えて、例えば、ポリビニルフェノールベースや環化ゴム系のネガ型レジストやノボラックベースのポジ型レジストを用いることもできる。また、厚い膜の形成が困難なレジスト材料の場合には複数回に分けてレジストを形成してもかまわない（図３（ｃ））。
【００３３】
次いで、電気めっきにより、レジスト２０４の開口部に電極層を埋め込む。これにより、電子ビームの経路となる部分に複数の開口を有する他、アライメント溝２０８を有する電極層２０５が形成される。具体的には、例えば、酸性銅メッキ液を用いて、例えばメッキ液流速５Ｌ／分、電流密度７．５ｍＡ／ｃｍ2、液温２８℃で６時間４０分電気めっきを行うことにより、膜厚５０μｍの銅パターンをレジストパターン２０４の間隙に埋め込むことができる。次いで、８０℃のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）中でＳＵ−８レジスト２０４を剥離し、ＩＰＡで洗浄し、乾燥させ、電極層２０５としての銅パターンを得ることができる。この時、電極層を形成する金属としては、銅の他にも、例えば、金、白金などの非磁性体の材料を用いることができる（図３（ｄ））。
【００３４】
次いで、メッキ面をポリイミドを用いて保護し（不図示）、他方の面を２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、マスク層２０２が露出するまで、９０℃でシリコン基板２０１のバックエッチングを行う。エッチングは、シリコンがエッチングされ、マスク層２０２が露出するまで行い、これにより孔部２０６及びアライメント溝２０８を形成する。その後、基板を水洗し、乾燥させ、ドライエッチング装置内でテトラフルオロメタンを用いて、シリコンのドライエッチング後に露出したマスク層２０２およびメッキ用電極２０３をエッチング除去する。最後に、他方の面の保護をしたポリイミド膜をアッシングにより除去して中間電極２を完成させる（図３（ｅ））。図３（ｆ）は、完成した図３（ｅ）に示す中間電極２の上面図である。この実施例では、アレイ状の開口を列ごとにグループ化する分割電極２０５が形成される。このようにメッキ法を用いて作製した電極は、不純物ドーピングのシリコンよりなる電極と比較して導電率が大きく、電極としての性能が高いという利点がある。
【００３５】
次に、ベース基板４の作製方法を図４（ａ）〜（ｅ）に示す。基板３０１として結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハを用意し、マスク層３０２として基板の両面に熱酸化法によって膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2膜を成膜する。その後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、後に貫通孔及びアライメント溝となる部分のマスク層３０２を除去する（図４（ａ））。
【００３６】
次いで、２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、マスク層３０２が露出するまで、９０℃でシリコン基板１０１のバックエッチングを行う。このとき、アライメント溝３０５が形成される（図４（ｂ））。
【００３７】
次いで、フッ化水素とフッ化アンモニウムの混合水溶液を用いて、残りのマスク層３０２を除去し、貫通孔３０３を形成する（図４（ｃ））。最後に再び基板の全面に熱酸化法で膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2層３０４を成膜し、これを絶縁層とする（図４（ｄ））。図４（ｅ）は、完成した図４（ｄ）に示すベース基板４の上面図である。
【００３８】
以上のようにして作製した電極１、２、３をベース基板４に位置合わせして接合する。手順としては、最初に下電極３をベース基板４の上面に接合して固定し、次に中間電極２をベース基板４の上面に接合して固定し、最後に上電極１をベース基板４の上面に接合して固定する。接合の方法としては、接合部分にフッ酸水溶液を滴下した後、赤外線カメラを用いてアライメント溝を観察し、すべてのアライメント溝同士が重なり合うように、基板面同士のアライメントを行ってから、２つの基板を接合する。なお、さらに簡便には接着剤を用いて基板同士を接合するようにしてもよい。その場合、接着剤としては真空中での脱ガスの少ないものを選択する。
【００３９】
以上の構造を備えた電子光学系アレイによれば、電極同士を入れ子構造とすることで、以下のような優れた作用効果を有し、小型化、高精度化、信頼性といった各種条件を高いレベルで実現することができる。
（１）対向する電極のメンブレンの間隔を小さくすることが容易である。この効果は、特に３層以上の電極の積層において大きい。
（２）各電極の基板部分（支持部分）を厚くできるので、高い強度を持たせることが出来、信頼性、取扱い性、組立ての容易性が向上する。
（３）１つのベース基板を位置基準として各電極のアライメントを行なうため、基板同士の位置合わせ精度が高まる。
【００４０】
＜実施例２＞
図５は、本発明の第２の実施例の電子光学系アレイを示す図である。この電子光学系アレイは、中間電極１２と下電極１３をベース基板１４上に固定して入れ子構造にする一方で、上電極１１は入れ子構造にせず、中間電極１２の上に固定したものである。上電極１１と中間電極１２とは、ファイバー等のスペーサ１５を挟んで接着剤１６で固定されており、スペーサ１５の外形寸法が基板間隔を決定する。図５において、１１Ａ、１２Ａ、１３Ａは、各々上電極１１、中間電極１２、下電極１３のメンブレンであり、１１Ｂ、１２Ｂ、１３Ｂは、各々上電極１１、中間電極１２、下電極１３におけるメンブレンの支持基板である。
【００４１】
上電極１１ならびに下電極１３の作製方法を図６（ａ）〜図６（ｆ）に示す。なお、ここでは、説明の便宜上、上電極１１及び下電極１３の作製方法を図６（ａ）〜図６（ｆ）を参照して説明するが、両者は図５に示すように互いに異なる形状及び大きさを有する。
【００４２】
最初に、基板４０１として結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハを用意し、マスク層４０２として基板４０１の両面に熱酸化法によって膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2層を成膜する。その後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによってパターニングし、後に孔部及びアライメント溝となる部分のマスク層を除去する（図６（ａ））。
【００４３】
次いで、チタン／銅をそれぞれ５ｎｍ／５μｍの膜厚で連続蒸着した後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、アライメント溝４０３を有する電極層４０４を形成する。蒸着方法としては、例えば、抵抗加熱若しくは電子ビームによる蒸着法、又は、スパッタ法などを用いることが出来る。電極材料としては、これに代えて、例えば、チタン／金、チタン／白金などを用いてもかまわない（図６（ｂ））。
【００４４】
次いで、先の図３（ｃ）と同様の方法を用いて、電極層４０４上にメッキの鋳型となるレジストよりなるパターン４０５を形成する。レジストとしてはＳＵ−８を採用し、その膜厚を１１０μｍとする（図６（ｃ））。
【００４５】
次いで、図３（ｄ）と同様の方法を用いて、銅の電気めっきにより、レジスト４０５の開口部に膜厚１００μｍのシールド電極４０６を形成する。次いで、８０℃のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）中でＳＵ−８レジスト４０５を剥離し、ＩＰＡで洗浄し、乾燥させ、シールド電極４０６としての銅パターンを得る（図６（ｄ））。
【００４６】
次いで、メッキ面をポリイミドを用いて保護し（不図示）、他方の面を２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、９０℃でシリコン基板４０１のバックエッチングを行う。エッチングは、シリコンがエッチング除去され、マスク層４０２が露出するまで行う。これにより、孔部４０９及びアライメント溝４０７が形成される。基板を水洗し、乾燥させ、ドライエッチング装置内でテトラフルオロメタンを用いて、シリコンのドライエッチング後に露出したマスク層をエッチング除去する。最後に、他方の面の保護をしたポリイミド膜をアッシングにより除去し、電子ビームの経路となる部分に複数の開口を有する上電極１１及び下電極１３を完成させる（図６（ｅ））。図６（ｆ）は完成した図６（ｅ）に示す電極の上面図である。
【００４７】
ここで、入れ子構造の内側に位置する下電極１３については、最後に図６（ｇ）で示すように基板の両端部をカッティングする。これはダイシングソー、レーザーカッターなど半導体製造プロセス等で使用される装置を用いて行うことが出来る。
【００４８】
図７（ａ）〜図７（ｅ）は、ベース基板１４の作製方法を示す図である。最初に、基板５０１として結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハを用意し、マスク層５０２として基板の両面に熱酸化法によって膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2層を成膜する。その後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、後に貫通孔及びアライメント溝となる部分のマスク層５０２を除去する（図７（ａ））。
【００４９】
次いで、２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、マスク層５０２が露出するまで、９０℃でシリコン基板のバックエッチングを行う。このとき、アライメント溝５０３が形成される（図７（ｂ））。
【００５０】
次いで、フッ化水素とフッ化アンモニウムの混合水溶液を用いて、残りのマスク層５０２を除去し、貫通孔５０４を形成する（図７（ｃ））。最後に、再び基板の全面に熱酸化法により膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2を成膜し、これを絶縁層５０５とする（図７（ｄ））。図７（ｅ）は図７（ｄ）に示す電極の上面図である。
【００５１】
以上のようにして作製した電極１１、１２、１３、ベース基板１４を位置合わせして接合する。手順としては、最初に下電極１３をベース基板１４の上面に接合して固定し、次に中間電極１２をベース基板１４の上面に接合して固定する。各接合の際には、接合部分にフッ酸水溶液を滴下した後、赤外線カメラを用いて観察しながら位置合わせして接合する。次に、上電極１を中間電極１２の上面に接合して固定する。上電極１１と中間電極１２とを接合する際には、両基板のアライメント溝にスペーサ１５が位置するように位置合わせてしてから、接着剤１６で固定する。接着剤としては真空中での脱ガスの少ないものを選択する。
【００５２】
＜実施例３＞
図８は、本発明の第３の実施例の電子光学系アレイを示す図である。この電子光学系アレイは、上電極２１と中間電極２２との間に、シールド電極２５を有する。具体的には、この電子光学系アレイは、ベース基板２０に固定された入れ子構造の上電極２１とシールド電極２５、ならびにベース基板２４に固定された下電極２３と中間電極２２の２つのユニットを有し、これらのユニット同士をスペーサ２６を挟んで接着剤２７で固定したものである。図８において、２１Ａ、２２Ａ、２３Ａ、２５Ｂは、各々上電極２１、中間電極２２、下電極２３、シールド電極２５のメンブレンであり、２１Ｂ、２２Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂは、各々上電極２１、中間電極２２、下電極２３、シールド電極２５におけるメンブレンの支持基板である。
【００５３】
図９（ａ）〜図９（ｆ）は中間電極２２の作製方法を説明する図である。最初に、結晶方位が＜１００＞のシリコンウェーハ６０１を用意し、マスク層６０２として基板６０１の両面に熱酸化法により膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2層を成膜する。その後、これをレジストプロセスとエッチングプロセスによりパターニングし、後に孔部及びアライメント溝となる部分のマスク層６０２を除去する（図９（ａ））。
【００５４】
次いで、水酸化カリウム水溶液を用いてシリコン基板の異方性エッチングを行い、厚さ５０μｍのメンブレン部６０４と孔部６０６およびアライメント溝６０５、６０７を形成する（図９（ｂ））。
【００５５】
次いで、レジストを塗布し、フォトリソグラフィーを用いてこれをパターニングした後、これをマスクとして反応性イオンエッチングによりマスク層６０２およびシリコン６０１をエッチングし、電子ビームの経路となる部分に複数の開口６０８を形成する（図９（ｃ））。
【００５６】
次いで、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液を用いて両面のマスク層６０２を除去する（図９（ｄ））。
【００５７】
次いで、熱酸化法により基板を覆うようにシリコンＳｉＯ2を３００ｎｍ成膜し、これを絶縁層６０９とする（図９（ｅ））。
【００５８】
最後に、真空蒸着法によりＴｉを５０ｎｍ、Ａｕを１００ｎｍ成膜し、これをフォトリソグラフィーの手法によりパターニングし、分割配線６１０を形成する（図９（ｆ））。
【００５９】
図１０（ａ）〜図１０（ｅ）は、シールド電極２５の作製方法を説明する図である。最初に、不純物のドーピングにより導電性を付与した結晶方位が＜１００＞のシリコンウエハ７０１を用意し、マスク層７０２として基板７０１の両面に熱酸化法により膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2層を成膜する。その後、これをフォトリソグラフィーとエッチングプロセスによりパターニングし、後に孔部及びアライメント溝となる部分のマスク層７０２を除去する（図１０（ａ））。
【００６０】
次に、２２％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、９０℃で裏面からエッチングを行い、２０μｍの厚さのメンブレン部７０４、孔部７０５及びアライメント溝７０３、７０６を形成する（図１０（ｂ））。
【００６１】
次いで、フォトリソグラフィーと、ドライエッチングプロセスを用いて表面のマスク層７０２とシリコン基板をエッチングし、複数の開口７０７を形成する（図１０（ｃ））。
【００６２】
最後に、ＣＦ4ガスを用いた反応性イオンエッチング法により、表面のマスク層７０２を除去する（図１０（ｄ））。図１０（ｅ）は、図１０（ｄ）に示すシールド電極の上面図である。
【００６３】
上電極２１、下電極２３については、上記の第２の実施例に従って形成され得る。
【００６４】
以上のようにして作製した電極２１、２２、２３、シールド電極２５、ベース基板２０、２４を位置合わせして接合する。手順としては、最初に下電極２３をベース基板２４の上面に接合して固定し、次に中間電極２２をベース基板２４の上面に接合して固定する。各接合の際には、接合部分にフッ酸水溶液を滴下した後、赤外線カメラを用いて観察しながら位置合わせして接合する。次に、上電極２１をベース基板２０に接合して固定し、次いでシールド電極２５をベース基板２０の同一面に接合して固定する。最後に、これら２つのユニット同士の間にスペーサ２６を挟んで位置合わせてしてから、接着剤２７で固定する。
【００６５】
＜実施例４＞
図１１は、本発明の第４の実施例の電子光学系アレイを示す図である。第４の実施例は、第１の実施例の電極１、２、３を２組備えた構造を有する。具体的には、この電子光学系アレイは、第１の実施例の電極１、２、３に相当する第１電極１ａ、第２電極２ａ、第３電極３ａがベース基板４の一方の面によって支持され、第１の実施例の電極３、２、１に相当する第４電極３ｂ、第５電極２ｂ、第６電極１ｂがベース基板４の他方の面によって支持されている。この構成によれば、１つのベース基板を位置基準としているため、電極間の位置合わせ精度が高い電子光学系アレイを得ることができる。また、このような多段構成の電子光学系アレイは、１段の電子レンズではレンズパワーが十分でない場合に好適である。
【００６６】
なお、この実施例では、第１の実施例の電極１、２、３を２組備えて１つの電子光学系アレイが構成されているが、３組み以上備えて１つの電子光学系アレイを構成してもよい。
【００６７】
＜実施例５＞
図１２は、本発明の第５の実施例の電子光学系アレイを示す図である。第５の実施例は、第２の実施例の電極１１、１２、１３を２組備えた構造を有する。具体的には、この電子光学系アレイは、第２の実施例の電極１１、１２、１３に相当する第１電極１１ａ、第２電極１２ａ、第３電極１３ａがベース基板１２の一方の面によって支持され、第２の実施例の電極１３、１２、１１に相当する第４電極１３ｂ、第５電極１２ｂ、第６電極１１ｂがベース基板１２の他方の面によって支持されている。この構成によれば、１つのベース基板を位置基準としているため、２組の電子光学系アレイ間の位置合わせ精度が高い電子光学系アレイを得ることができる。また、このような多段構成の電子光学系アレイは、１段の電子レンズではレンズパワーが十分でない場合に好適である。
【００６８】
なお、この実施例では、第２の実施例の電極１１、１２、１３を２組備えて１つの電子光学系アレイが構成されているが、３組以上備えて１つの電子光学系アレイを構成してもよい。
【００６９】
＜実施例６＞
図１３は、本発明の第６の実施例の電子光学系アレイを示す図である。第６の実施例は、第３の実施例の電極２１、２２、２３を２組備えた構造を有する。具体的には、この電子光学系アレイは、第３の実施例の電極２１、２２、２３に相当する第１電極２１ａ、第２電極２２ａ、第３電極２３ａを含む組みと、第３の実施例の電極２３、２２、２１に相当する第４電極２３ｂ、第５電極２２ｂ、第６電極２１ｂを含む組みとを有する。この構成によれば、１つのベース基板を位置基準としているため、２組の電子光学系アレイ間の位置合わせ精度が高い電子光学系アレイを得ることができる。また、このような多段構成の電子光学系アレイは、１段の電子レンズではレンズパワーが十分でない場合に好適である。
【００７０】
なお、この実施例では、第３の実施例の電極２１、２２、２３を２組備えて１つの電子光学系アレイが構成されているが、３組み以上備えて１つの電子光学系アレイを構成してもよい。
【００７１】
＜配線例＞
上記の第２実施例又は第５の実施例に好適な配線例を図１４（ａ）及び図１４（ｂ）を参照して説明する。図１４（ａ）は斜視組立図、図１４（ｂ）は平面図である。この例では、上電極１１（１１ａ、１１ｂ）の支持基板１１Ｂの寸法が、それに対向する中間電極１２（１２ａ、１２ｂ）の支持基板１２Ｂの寸法よりも小さい。なお、図１４（ａ）に示すように、中間電極１２（１２ａ、１２ｂ）と下電極１３（１３ａ、１３Ｂｂ）とは、入れ子構造を形成するようにベース基板１４によって固定され、上電極１１（１１ａ、１１ｂ）は、中間電極１２（１２ａ、１２ｂ）に対向して配置されている。このような構成によれば、図１４（ｂ）で示すように、中間電極１２（１２ａ、１２ｂ）のメンブレン１２Ａの一部９２１、９２２、９２３が露出するため、ワイヤボンディングなどによる中間電極１２（１２ａ、１２ｂ）への配線が容易である。
【００７２】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す配線例では、中間電極（第２電極）の複数の開口のアレイは、列単位にグループ分けされ、グループ分けされた各列には、同一電位が印加される。すなわち、第１の列には配線９０１により電位が印加され、第２の列には配線９０２により電位が印加され、第３の列には配線９０３により電位が印加される。
【００７３】
＜電子ビーム露光装置＞
次に、上記のいくつかの実施例に代表される電子光学系アレイを用いたシステム例として、マルチビーム型の荷電粒子露光装置（電子ビーム露光装置）の実施例を説明する。図１５は全体システムの概略図である。図中、荷電粒子源である電子銃501はカソード501ａ、グリッド501b、アノード501cから構成される。カソード501aから放射された電子はグリッド501b、アノード501cの間でクロスオーバ像を形成する（以下、このクロスオーバ像を電子源ESと記す）。この電子源ESから放射される電子ビームは、コンデンサーレンズである照射電子光学系502を介して補正電子光学系503に照射される。照射電子光学系502は、それそれが3枚の開口電極からなる電子レンズ（アインツェルレンズ）521,522で構成される。補正電子光学系503は、上記の電子光学系アレイが適用された電子光学系アレイを含み、電子源ESの中間像を複数形成する（構造の詳細は後述する）。ここで、補正電子光学系５０３は、投影電子光学系５０４の収差の影響を補正するように、複数の中間像の形成位置を調整する。補正電子光学系503で形成された各中間像は投影電子光学系504によって縮小投影され、被露光面であるウエハ505上に電子源ES像を形成する。投影電子光学系504は、第1投影レンズ541(543)と第2投影レンズ542(544)とからなる対称磁気ダブレットで構成される。506は補正電子光学系503からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像を同時にウエハ505上でX,Y方向に変位させる偏向器である。507は偏向器506を作動させた際に発生する偏向収差による電子源像のフォーカス位置のずれを補正するダイナミックフォーカスコイルであり、508は偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイルである。509はウエハ505を載置して、光軸AX(Ｚ軸)方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージであって、その上にはステージの基準板510が固設されている。511はθ-Ｚステージを載置し、光軸AX(Ｚ軸)と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージである。512は電子ビームによって基準板510上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。
【００７４】
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は補正電子光学系503の詳細を説明する図である。補正電子光学系503は、光軸に沿ってアパーチャアレイAA、ブランカーアレイBA、要素電子光学系アレイユニットLAU、ストッパーアレイSAで構成される。図１６（ａ）は電子銃501側から補正電子光学系503を見た図、図１６（ｂ）はAA’断面図である。アパーチャアレイAAは図１６（ａ）に示すように基板に複数の開口が規則正しく配列（８×８）形成され、照射される電子ビームを複数（６４本）の電子ビームに分割する。ブランカーアレイBAはアパーチャアレイAAで分割された複数の電子ビームを個別に偏向する偏向器を一枚の基板上に複数並べて形成したものである。要素電子光学系アレイユニットLAUは、同一平面内に複数の電子レンズを2次元配列して形成した電子レンズアレイである第1電子光学系アレイLA1、及び第2電子光学系アレイLA2で構成される。これら各電子光学系アレイLA1,LA2は上述の実施例で説明した電子光学系アレイを８×８の配列に応用した構造を備え、上述する方法で作製されたものである。要素電子光学系アレイユニットLAUは、ＸＹ座標が共通の第1電子レンズアレイLA1の電子レンズと第2電子レンズアレイLA2の電子レンズとで一つの要素電子光学系ELを構成する。ストッパーアレイSAは、アパーチャアレイAAと同様に基板に複数の開口が形成されている。そして、ブランカーアレイBAで偏向されたビームだけがストッパーアレイSAで遮断され、ブランカーアレイの制御によって各ビーム個別に、ウエハ505へのビーム入射のON/OFFの切り替えがなされる。
【００７５】
本実施例の荷電粒子線露光装置によれば、補正電子光学系に上記説明したような優れた電子光学系アレイを用いることで、極めて露光精度の高い装置を提供することでき、これによって製造するデバイスの集積度を従来以上に向上させることができる。
【００７６】
＜半導体生産システムの実施例＞
次に、上記露光装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００７７】
図１７は全体システムをある側面から切り出して表現したものである。図中、1010は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所101内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム1080、複数の操作端末コンピュータ1100、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）1090を備える。ホスト管理システム1080は、ＬＡＮ1090を事業所の外部ネットワークであるインターネット1050に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００７８】
一方、1020〜1040は、製造装置のユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場1020〜1040は、互いに異なるメーカーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場1020〜1040内には、夫々、複数の製造装置1060と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）1110と、各製造装置1060の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム1070とが設けられている。各工場1020〜1040に設けられたホスト管理システム1070は、各工場内のＬＡＮ1110を工場の外部ネットワークであるインターネット1050に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ1110からインターネット1050を介してベンダー1010側のホスト管理システム1080にアクセスが可能となる。ここで、典型的には、ホスト管理システム1080のセキュリティ機能によって、限られたユーザーだけがホスト管理システム1080に対するアクセスが許可される。
【００７９】
このシステムでは、インターネット1050を介して、各製造装置1060の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知し、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から工場側に送信することができる。各工場1020〜1040とベンダー1010との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ1110でのデータ通信には、典型的には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者がアクセスすることができない、セキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００８０】
さて、図１８は本実施形態の全体システムを図１７とは別の側面から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの複数の製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、2010は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置2020、レジスト処理装置2030、成膜処理装置2040が導入されている。なお、図１８では製造工場2010は1つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ2060で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム2050で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー2100、レジスト処理装置メーカー2200、成膜装置メーカー2300などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム2110,2210,2310を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム2050と、各装置のベンダーの管理システム2110,2210,2310とは、外部ネットワーク2000であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネット2000を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００８１】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図１９に一例を示す様な画面のユーザーインターフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（4010）、シリアルナンバー（4020）、トラブルの件名（4030）、発生日（4040）、緊急度（4050）、症状（4060）、対処法（4070）、経過（4080）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（4100〜4120）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００８２】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図２０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（露光制御データ作製）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ7）する。例えば、前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行われてもよく、この場合、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信されてもよい。
【００８３】
図２１は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに描画（露光）する。ステップ17（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００８４】
【発明の効果】
本発明によれば、小型化、高精度化、信頼性といった各種条件を高いレベルで実現した電子光学系アレイを提供することができる。そして、これを用いた高精度な露光装置、生産性に優れたデバイス製造方法、半導体デバイス生産工場などを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施例の電子光学系アレイの構造を説明する図である。
【図２】図１の上電極および下電極の作製方法を説明する図である。
【図３】図１の中間電極の作製方法を説明する図である。
【図４】図１のベース基板の作製方法を説明する図である。
【図５】電子光学系アレイの別の実施例の構造を説明する図である。
【図６】図５の上電極および下電極の作製方法を説明する図である。
【図７】図５のベース基板の作製方法を説明する図である。
【図８】電子光学系アレイのさらに別の実施例の構造を説明する図である。
【図９】図８の中間電極の作製方法を説明する図である。
【図１０】図８のシールド電極の作製方法を説明する図である。
【図１１】電子光学系アレイの更に別の実施例の構造を示す図である。
【図１２】電子光学系アレイの更に別の実施例の構造を示す図である。
【図１３】電子光学系アレイの更に別の実施例の構造を示す図である。
【図１４】本発明の好適な実施例の配線例を説明する図である。
【図１５】マルチビーム型露光装置の全体図である。
【図１６】補正電子光学系の詳細を説明する図である。
【図１７】半導体デバイス生産システムの例をある角度から見た概念図である。
【図１８】半導体デバイス生産システムの例を別の角度から見た概念図である。
【図１９】ディスプレイ上のユーザーインターフェースを示す図である。
【図２０】半導体デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図２１】ウエハプロセスの詳細を説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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