(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、遮光性膜、及び透明性膜が順次に形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長における該遮光性膜の屈折率が該透明性膜の屈折率よりも大きく、前記遮光性膜と前記透明性膜の主構成元素がジルコニウムシリサイドであり、反応性スパッタリング法によって透明基板上に上層が透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜が成膜されるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、該ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極小点が挟まれるように分光反射率曲線が設定されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項２】
前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記分光反射率曲線の極小点と１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍのいずれかの露光波長がほぼ一致することを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項３】
前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍのいずれかから選ばれ、前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光反射率曲線の前記露光波長が含まれる変曲点間の領域で変曲点間に極小点を挟んでおり、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ、５４６ｎｍ、６３３ｎｍ、７８０ｎｍの露光波長の順序において、前記選ばれた露光波長と同一波長の一段階から四段階長い、露光波長のいずれかが含まれるように、分光反射率曲線が設定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項４】
前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍのいずれかから選ばれ、前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光反射率曲線の前記露光波長が含まれる変曲点間の領域で変曲点間に極小点を挟んでおり、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ、５４６ｎｍ、６３３ｎｍ、７８０ｎｍの露光波長の順序において、前記選ばれた露光波長と同一の露光波長が存在しない場合、直近の露光波長の一段階から四段階長い、露光波長のいずれかが含まれるように、分光反射率曲線が設定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造プロセス中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用のフォトマスク、及びこれを製造するためのフォトマスク用ブランクに関わるものであり、特に、フォトマスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上させるようにしたハーフトーン型位相シフトマスク、及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、Ｓｉウエハー上などに微細パターンを形成するためのパターン露光の際にマスクとしてフォトマスクが用いられる。このフォトマスクの一種に位相シフト法を用いた位相シフトマスクがある。
位相シフト法は、微細パターンを転写する際の解像度を向上させる技術の１つであり、開発が盛んに行われている。原理的にはマスクパターン上の隣接する領域に互いの透過光の位相差が１８０度となるように位相シフト部を設けることにより、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの解像度を向上させるものである。
これにより通常のフォトマスクに比べて飛躍的に優れた微細パターンの解像度向上効果および焦点深度向上の効果を持つ。
【０００３】
上記のような位相シフトマスクの一種として、ハーフトーン型位相シフトマスクが開発されている。ハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透過部と、実質的に露光に寄与しない半透過部とで構成し、この半透過部に透過光の位相反転作用、及びパターン内部でレジストの感度以下での遮光性の役割を持たせることにより、透過部と半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして、光強度のエッジ形状を急峻にし、解像度や焦点深度を向上させマスクパターンを忠実にウエハー上に転写する効果を有したものである。
【０００４】
また、近年ではウエハー上に転写されるマスクパターンの解像度をより高めるために、半透過部における光の透過率を高めた高透過率ハーフトーンマスクも提案されている。高透過率ハーフトーンマスクは半透過部の透過率が高く、位相が反転して透過する光の強度も強くなる。このため位相の打ち消し効果が高くなり、Ｓｉウエハー上へのマスクパターン転写時における解像度が向上する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ハーフトーン型位相シフトマスク、及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクでは、位相シフトマスクとしての本来の光学特性であるパターン露光の際の、露光波長での位相変化量及び透過率が所望の条件を満たすことの他に、露光波長での反射率が低減されていること、及びパターン検査の際の検査波長での反射率が増大されている（透過率が低減されている）ことが必要である。
これは、露光波長でのフォトマスクの反射率が高いと露光を行う際にフォトマスクとウエハーとの間に多重反射がおこり、マスクパターンの転写精度が低下してしまうからである。
【０００６】
また、位相シフトマスクの検査・寸法測定での、検査波長は、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて露光を行う際の露光波長より長い波長の光が用いられ、例えば、露光波長が２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー）の場合に、検査波長は高圧水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）といった紫外域の光が用いられる。この検査波長に対する反射率が低い（透過率が高い）と、透過部（透明基板）と半透過部のコントラストが低下するため、検査・寸法測定が困難になるという問題が生じてしまうからである。
尚、理想的には、検査・寸法測定にも露光波長と同じ波長の光を用いることが望ましいのであるが、短い波長を発生させるのはコストが高くなるため、露光波長が年々短くなる中で、検査波長は露光波長に比較し長い波長にとどまっている。
【０００７】
以上のような問題を回避するために、フォトマスク面での反射防止技術の検討がなされ、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、例えば、半透過部を形成する材料に反射率の低い薄膜材料を用いることが検討されてきた。
しかし、特に露光波長の短波長化または露光波長での高透過率化への対応を行う中では、露光波長での位相差と透過率の制御を行うことにより、露光波長での反射率が高くなり、検査波長での反射率が低くなる（透過率が増大する）などの問題が生じやすくなる。
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決するために、半透過部を形成する材料を選択し、光学的に制御することにより、マスクパターンの転写精度を向上させ、また、検査を容易にするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透明基板上に、遮光性膜、及び透明性膜が順次に形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長における該遮光性膜の屈折率が該透明性膜の屈折率よりも大きく、かつ、前記遮光性膜と前記透明性膜の主構成元素がジルコニウムシリサイドであり、反応性スパッタリング法によって透明基板上に上層が透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜が成膜されるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、該ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極小点が挟まれるように分光反射率曲線が設定されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクである。このため、露光波長に対する反射防止の効果を有し、ウエハー上へのマスクパターン転写時に、多重反射によるパターン精度の低下を防ぐことができるだけでなく、透明基板上に膜を形成する際に、製造条件の変更等が簡易な変更で、下層膜と上層膜を連続的に形成することができ、製造効率を飛躍的に向上させることが可能となる。例えば、マスク用ブランクの製造に最も適する方法としてスパッタリング法が知られているが、この場合、同一のスパッタリングターゲットを用い、成膜時の条件、例えば、酸素流量等の雰囲気の変更だけで、下層膜と上層膜を連続的に形成することができる。
【００１１】
また、本発明は、透明基板上に、遮光性膜、及び透明性膜が順次に形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長における該遮光性膜の屈折率が該透明性膜の屈折率よりも大きく、かつ、前記遮光性膜と前記透明性膜の主構成元素がジルコニウムシリサイドであり、反応性スパッタリング法によって透明基板上に上層が透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜が成膜されるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、該ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極小点が挟まれるように分光反射率曲線が設定されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクである。このため、露光波長における反射率の低減が達成され、多重反射におけるマスクパターン精度の低下を防ぐことができ、また、検査波長が分光反射率の極大点を与える波長付近に含まれることにより、検査・寸法測定に必要な透過部と半透過部とのコントラストを得ることができる。
【００１２】
また、本発明は上記発明によるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記極小点と、前記ハーフトーン型位相シフトマスクの露光波長がほぼ一致することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクである。
このため、露光の際の反射を最小にすることができる。
【００１３】
また、本発明は、上記発明によるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、前記ハーフトーン型位相シフトマスクの露光波長が、１５７ｎｍ（Ｆ２レーザー）、１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー）、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー）、３６５ｎｍ（ｉ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）のいずれかから選ばれ、前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光反射率曲線の前記露光波長が含まれる変曲点間の領域で、変曲点間に極小点を挟んでおり、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ（Ｈｅ−Ｃｄレーザー）、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ（Ａｒレーザー）、５４６ｎｍ（ｅ線）、６３３ｎｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザー）、７８０ｎｍ（Ｇａ−Ａｓレーザー）の露光波長の順序において、前記選ばれた露光波長と同一波長の一段階から四段階長い、露光波長のいずれかが含まれるように、分光反射率曲線が設定されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクである。
さらに、前記ハーフトーン型位相シフトマスクの露光波長が、１５７ｎｍ（Ｆ２レーザー）、１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー）、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー）、３６５ｎｍ（ｉ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）のいずれかから選ばれ、前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光反射率曲線の前記露光波長が含まれる変曲点間の領域で、変曲点間に極小点を挟んでおり、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ（Ｈｅ−Ｃｄレーザー）、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ（Ａｒレーザー）、５４６ｎｍ（ｅ線）、６３３ｎｍ（Ｈｅ−Ｎｅレーザー）、７８０ｎｍ（Ｇａ−Ａｓレーザー）の露光波長の順序において、前記選ばれた露光波長と同一の露光波長が存在しない場合、直近の露光波長の一段階から四段階長い、露光波長のいずれかが含まれるように、分光反射率曲線が設定されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクである。
【００１４】
例えば、露光波長が１５７ｎｍである場合には、同一波長が存在しないため、直近の波長である１９３ｎｍ若しくは１９３ｎｍより一段階から四段階長い波長、即ち２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍの波長のいずれかが、前記分光反射率曲線における変曲点間に露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極大点を挟むように、分光反射率曲線が設定されているというものである。
【００１５】
さらに例を挙げれば、露光波長が１９３ｎｍである場合には、同一波長である１９３ｎｍより一段階から四段階長い波長、即ち２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍの波長のいずれかが、前記分光反射率曲線における変曲点間に露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極大点を挟むように、分光反射率曲線が設定されているというものである。
【００１６】
このため、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ、５４６ｎｍ、６３３ｎｍ、７８０ｎｍの波長から選ばれ、
前記選ばれた露光波長と同一波長の一段階から四段階長い、露光波長のいずれか、
前記選ばれた露光波長と同一の露光波長が存在しない場合、直近の露光波長若しくは直近の波長より一段階から四段階長い、露光波長のいずれかで、ハーフトーン型位相シフトマスクの検査を行うことが可能となる。すなわち、その検査波長において反射率が高くなるため、検査に必要なコントラストを得ることができ、精度の高い検査が可能となる。なお、検査は具体的には、パターン寸法測定やパターン欠け、パターン残り等に代表される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明を一実施の形態に基づいて以下に説明する。
図１（ａ）は、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの構造の一実施例を示す断面図である。また、図１（ｂ）、（ｃ）は，本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程、及び製造したハーフトーン型位相シフトマスクの一例を示す断面図である。
また、図２は、３層膜或いは透明基板上の２層膜による反射防止の説明図である。
【００２０】
以下に、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクに形成されている薄膜の屈折率、膜厚、及びその関連について説明する。
一般に、透明基板上に成膜された透明性２層膜に対する光の透過率や反射率はこれらの膜の光学定数（屈折率、消衰係数）と膜厚、及び基板、露光雰囲気（通常は空気）の屈折率に依存し、膜中での多重干渉の結果として定まる。
【００２１】
透明基板上に形成された透明性２層膜の反射率を０にするための条件、すなわち反射防止条件は、例えば、図２のように、垂直入射を仮定し、透明基板を含めた３層構造を考えたとき、層１、層２、層３及び空気の屈折率をそれぞれｎ１  、ｎ２  、ｎ３  およびｎ０  とすると、
ｎ２  ／ｎ１  ＝√（ｎ３  ／ｎ０  ）                      ・・・・（１）
かつ、屈折率ｎ１  の層１及び屈折率ｎ２  の層２それぞれの膜厚をｄ１  、ｄ２  とすると、
ｄ１  ＝（２ｍ＋１）λ／８ｎ１  （ｍ＝０、１、２、・・・）
ｄ２  ＝（２ｍ＋１）λ／８ｎ２  （ｍ＝０、１、２、・・・）
・・・・・・・・・・（２）
である。
【００２２】
上記数式（１）、及び（２）が満たされれば、反射率は０となる。同様に層２が金属性の膜である場合においては、数式（１）、及び（２）を完全には満たさなくとも、ｎ０  ＜ｎ２  ／ｎ１  ＜ｎ３  となるように成膜すれば、ある程度の反射防止効果を得ることができる。
【００２３】
このように数式（１）、及び（２）が満たされれば、反射率は低く抑えられるが、例えば、透明基板として合成石英を用いた場合、その屈折率は、露光波長でｎ３  ＝１．５程度であるので、
ｎ２  ／ｎ１  ＝√ｎ３  ＝１．２２
となり、ｎ２  ＞ｎ１  となることが必要条件となる。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクは、透明基板（３）の上に透明性膜（１）を上層膜とし、遮光性膜（２）を下層膜とする２層膜を形成することにより作製されたものである。
ゆえに、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクは、透明基板（３）も含めて、遮光性膜（２）、透明性膜（１）からなる３層構造であり、さらに、各層の光学定数を異ならしめて露光波長に対する全体の位相変化量および透過率が所望の値となり、かつ反射防止条件を満足するように構成されている。
各層の光学定数を異ならしめるためには、透明性膜と遮光性膜を形成する際に、異なる材料を用いるか、或いは同一の材料を用いて成膜条件を変化させればよい。
【００２５】
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの透明性膜及び遮光性膜を形成する材料としては、例えば、ＺｒとＳｉを主要な構成元素とするものが挙げられるが、Ｚｒ以外でもＨｆ、Ｔｉ、Ｍｏなど他の金属でも同様の傾向が見られるのでこれらの金属を用いることも可能である。
【００２６】
【実施例】
以下に、本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスクを実施例により説明する。
＜実施例１＞
本実施例１では、図１に示すハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの構成および製造工程について説明する。
屈折率ｎ＝１．５１、消衰係数ｋ＝０（波長λ＝２４８ｎｍ、以下同様）を有する石英基板からなる透明基板（３）上にジルコニウムシリサイドターゲットを用い、アルゴンガスに酸素を適量添加した反応性スパッタリング法により成膜を行い、遮光性膜（２）を形成した。このときの遮光性膜の膜厚は、４２．３ｎｍであった。
この遮光性膜（２）の光学定数は、あらかじめ予備実験により確認しており、屈折率ｎ＝２．３３、消衰係数ｋ＝０．７３であった。
【００２７】
次に、遮光性膜（２）上に遮光性膜の成膜時と同一のジルコニウムシリサイドターゲットを用い、アルゴンガスに酸素を適量添加した反応性スパッタリング法により成膜を行い、透明性膜（１）を形成した。このときの透明性膜の膜厚は９２．７ｎｍであった。
この透明性膜（１）の光学定数は、あらかじめ予備実験により確認しており、屈折率ｎ＝１．９４、消衰係数ｋ＝０であった。
【００２８】
このように石英基板上にジルコニウムシリサイドターゲットを用いて、上層を透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜を形成することにより、図１（ａ）に示すような構造のＫｒＦレーザー露光光（波長２４８ｎｍ）に対する位相差が１８０．２１度で、透過率が２０．１２％の高透過率対応の位相シフト型ハーフトーンマスク用ブランクを得た。
【００２９】
図３に上記のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光透過率曲線、及び分光反射率曲線を示す。
分光反射率は、波長２００ｎｍ付近及び３３０ｎｍ付近で極大をとり、波長２５０ｎｍ付近及び５５０ｎｍ付近で極小をとる。また、波長２２０ｎｍ付近、２７０ｎｍ付近及び４２０ｎｍ付近で変曲点をもつ。
このとき、露光波長２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザー露光時）は、波長２５０ｎｍ付近の極小点と波長２２０ｎｍ付近及び２７０ｎｍ付近の変曲点を含む波長領域に含まれる。
【００３０】
また、検査波長３６５ｎｍ（高圧水銀灯ｉ線）は３３０ｎｍ付近の極大点と波長２７０ｎｍ付近及び４２０ｎｍ付近の変曲点を含む波長領域に含まれる。さらに、露光波長２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザー露光時）における反射率は０．２５％であり、露光時における多重反射の影響を十分に低減できる。また、検査波長３６５ｎｍ（高圧水銀灯ｉ線）における反射率は２７．１％、透過率は３０．３％であり、検査時に必要なコントラストを得ることができる。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、このようにして得たハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにレジストを塗布し、露光、現像等のレジストプロセスを経てレジストパターン（４）を形成し、ドライエッチング、レジストパターンの剥膜を行って、図１（ｃ）に示すような、透明基板（３）上に遮光性膜パターン（２ａ）、透明性膜パターン（１ａ）が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを得た。
ドライエッチング条件は以下の通りである。ドライエッチング装置にはＲＩＥ装置を使用した。
・エッチングガス    ：ＢＣｌ３
・圧            力  ：１０Ｐａ（透明性膜）、２０Ｐａ（遮光性膜）
・高  周  波  出  力：１２５Ｗ（透明性膜）、６０Ｗ（遮光性膜）
尚、エッチングガスはこの他の塩素系ガスやフッ素系ガスを使った場合でもエッチングは可能である。
【００３２】
本発明は、透明基板上に、遮光性膜、及び透明性膜が順次に形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長における該遮光性膜の屈折率が該透明性膜の屈折率よりも大きく、かつ、前記遮光性膜と前記透明性膜の主構成元素がジルコニウムシリサイドであり、反応性スパッタリング法によって透明基板上に上層が透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜が成膜されるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、該ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極小点が挟まれるように分光反射率曲線が設定されているハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクであるので、露光波長に対する反射防止効果を有し、ウエハー上へのマスクパターン転写時に、多重反射によるパターン精度の低下を防ぐハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクとなるだけでなく、遮光性膜の主たる構成元素と透明性膜の主たる構成元素がジルコニウムシリサイドで同一であるため、透明基板上に膜を形成する際の製造条件の変更等が簡易な変更で、下層膜と上層膜を連続的に形成することができ、製造効率を飛躍的に向上させることが可能となる。
【００３４】
また、本発明は、透明基板上に、遮光性膜、及び透明性膜が順次に形成されたハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長における該遮光性膜の屈折率が該透明性膜の屈折率よりも大きく、かつ、
前記遮光性膜と前記透明性膜の主構成元素がジルコニウムシリサイドであり、反応性スパッタリング法によって透明基板上に上層が透明性膜、下層を遮光性膜とする２層膜が成膜されるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、該ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの露光波長が含まれる領域で、変曲点間に極小点が挟まれるように分光反射率曲線が設定されているので、露光波長における反射率の低減が達成され、また、検査・寸法測定に必要な透過部と半透過部とのコントラストを得ることができる。また、本発明は、極小点とハーフトーン型位相シフトマスクの露光波長がほぼ一致するので、露光の際の反射を最小にすることができる。
【００３５】
また、本発明は、露光波長が、１５７ｎｍ（Ｆ２レーザー）、１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー）、２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー）、３６５ｎｍ（ｉ線）、４３６ｎｍ（ｇ線）のいずれかから選ばれ、前記ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光反射率曲線の前記選ばれた露光波長が含まれる変曲点間の領域で、変曲点間に極小点を挟んでおり、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、３２５ｎｍ、３６５ｎｍ、４３６ｎｍ、４８８ｎｍ、５４６ｎｍ、６３３ｎｍ、７８０ｎｍの露光波長の順序において、前記露光波長と同一波長より一段階から四段階長い波長のいずれかが含まれるように、分光反射率曲線が設定されているので、検査波長において反射率が高くなり、検査に必要なコントラストを得ることができ、精度の高い検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの構造の一実施例を示す断面図である。
（ｂ）は，本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程図である。
（ｃ）は，本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの一例を示す断面図である。
【図２】２層膜による反射防止の説明図である。
【図３】ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの分光透過率曲線、及び分光反射率曲線である。
【符号の説明】
１…透明性膜
１ａ…透明性膜パターン
２…遮光性膜
２ａ…遮光性膜パターン
３…透明基板（合成石英）
４…レジストパターン
５…層１
６…層２
７…層３
８…入射光
９…反射光
【図１】
0004951813.tif 000002
【図２】
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【図３】
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