(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成方法。
【請求項２】
前記反応室内を６００℃〜８００℃に設定し、前記反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項１に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
【請求項３】
前記反応管内の圧力を１．３３Ｐａ〜１３３０Ｐａに設定する、ことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
【請求項４】
前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコン炭窒化膜の形成方法。
【請求項５】
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とするシリコン炭窒化膜の形成装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記加熱部を制御して前記反応室内を６００℃〜８００℃に設定する、ことを特徴とする請求項５に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記排気手段を制御して前記反応室内の圧力を１．３３Ｐａ〜１３３０Ｐａに設定する、ことを特徴とする請求項５または６に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
【請求項８】
前記反応室には、前記被処理体が複数枚収容されている、ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のシリコン炭窒化膜の形成装置。
【請求項９】
コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、被処理体、例えば、半導体ウエハにシリコン窒化膜のような薄膜を形成することが行われている。このような薄膜形成処理では、半導体ウエハ上に、例えば、シリコンソースと窒化ガスとを交互に供給して、半導体ウエハにシリコン窒化膜を形成する、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法が採用され始め、ＡＬＤ法に関する種々の提案がなされている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−２８１８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、デバイスの微細化に伴い、シリコン窒化膜においては、耐薬品性の向上が求められている。このため、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）等の薬液に対する耐薬液性を向上させるように、シリコン窒化膜中に炭素（Ｃ）を添加（ドープ）したシリコン炭窒化膜が検討されている。
【０００４】
しかし、ＡＬＤ法を用いてシリコン炭窒化膜の形成すると、半導体ウエハにシリコンソースを吸着させた後に炭素（Ｃ）を添加し、その後、これを窒化するという工程を繰り返すことになるため、生産性が悪くなってしまうという問題がある。また、シリコン炭窒化膜は、その耐薬品性をさらに向上させることが望まれている。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、生産性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、耐薬品性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるシリコン炭窒化膜の形成方法は、
被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する、ことを特徴とする。
【０００７】
前記反応室内を６００℃〜８００℃に設定し、前記反応室内にジクロロシランとイソプロピルアミンとを供給して、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成することが好ましい。
【０００８】
前記反応管内の圧力を、例えば、１．３３Ｐａ〜１３３０Ｐａに設定することが好ましい。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
【０００９】
本発明の第２の観点にかかるシリコン炭窒化膜の形成装置は、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段と、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１０】
前記制御部は、例えば、前記加熱部を制御して前記反応室内を６００℃〜８００℃に設定する。
【００１１】
前記制御部は、例えば、前記排気手段を制御して前記反応室内の圧力を１．３３Ｐａ〜１３３０Ｐａに設定する。
前記反応室には、例えば、前記被処理体が複数枚収容されている。
【００１２】
本発明の第３の観点にかかるプログラムは、
コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にジクロロシランを供給する珪素ソース供給手段、
前記反応室内にイソプロピルアミンを供給するイソプロピルアミン供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記珪素ソース供給手段および前記イソプロピルアミン供給手段を制御して、前記ジクロロシランと前記イソプロピルアミンとを前記反応室内に供給させ、前記被処理体にシリコン炭窒化膜を形成する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シリコン炭窒化膜の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置について説明する。本実施の形態では、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置１を用いた場合を例に本発明を説明する。
【００１５】
図１に示すように、熱処理装置１は、反応室を形成する反応管２を備えている。反応管２は、例えば、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状に形成されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００１６】
反応管２の上端には、上端側に向かって縮径するように略円錐状に形成された頂部３が設けられている。頂部３の中央には反応管２内のガスを排気するための排気口４が設けられ、排気口４には排気管５が気密に接続されている。排気管５には、図示しないバルブ、後述する真空ポンプ１２７などの圧力調整機構が設けられ、反応管２内を所望の圧力（真空度）に制御する。
【００１７】
反応管２の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。また、蓋体６は、後述するボートエレベータ１２８により上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６が上昇すると、反応管２の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ１２８により蓋体６が下降すると、反応管２の下方側（炉口部分）が開口される。
【００１８】
蓋体６の上部には、保温筒７が設けられている。保温筒７は、反応管２の炉口部分からの放熱による反応管２内の温度低下を防止する抵抗発熱体からなる平面状のヒータ８と、このヒータ８を蓋体６の上面から所定の高さに支持する筒状の支持体９とから主に構成されている。
【００１９】
また、保温筒７の上方には、回転テーブル１０が設けられている。回転テーブル１０は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容するウエハボート１１を回転可能に載置する載置台として機能する。具体的には、回転テーブル１０の下部には回転支柱１２が設けられ、回転支柱１２はヒータ８の中央部を貫通して回転テーブル１０を回転させる回転機構１３に接続されている。回転機構１３は図示しないモータと、蓋体６の下面側から上面側に気密状態で貫通導入された回転軸１４を備える回転導入部１５とから主に構成されている。回転軸１４は回転テーブル１０の回転支柱１２に連結され、モータの回転力を回転支柱１２を介して回転テーブル１０に伝える。このため、回転機構１３のモータにより回転軸１４が回転すると、回転軸１４の回転力が回転支柱１２に伝えられて回転テーブル１０が回転する。
【００２０】
回転テーブル１０上には、ウエハボート１１が載置されている。ウエハボート１１は、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容可能に構成されている。このため、回転テーブル１０を回転させるとウエハボート１１が回転し、この回転により、ウエハボート１１内に収容された半導体ウエハＷが回転する。ウエハボート１１は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００２１】
また、反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ１６が設けられている。この昇温用ヒータ１６により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。
【００２２】
反応管２の下端近傍の側面には、複数の処理ガス導入管１７が接続されている。なお、図１では処理ガス導入管１７を１つだけ描いている。処理ガス導入管１７は、反応管２の下端近傍の側壁に挿通され、成膜用ガス等を反応管２内に導入する。
【００２３】
成膜用ガスには、ジクロロシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ２Ｃｌ２）、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ：Ｓｉ２Ｃｌ６）のような珪素（Ｓｉ）ソースと、炭素（Ｃ）ソースおよび窒化ソースとしてのイソプロピルアミン（ＩＰＡ：（ＣＨ３）２ＣＨＮＨ２）とが用いられる。本実施の形態では、成膜用ガスとして、ＤＣＳとＩＰＡとが用いられている。
【００２４】
また、反応管２の下端近傍の側面には、パージガス供給管１８が挿通されている。パージガス供給管１８には、図示しないパージガス供給源が接続されており、パージガス供給源からパージガス供給管１８を介して所望量のパージガス、例えば、窒素ガスが反応管２内に供給される。
【００２５】
また、熱処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図２に制御部１００の構成を示す。図２に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８等が接続されている。
【００２６】
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
【００２７】
温度センサ（群）１２２は、反応管２内、排気管５内、処理ガス導入管１７内等の各部の温度を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内、排気管５内、処理ガス導入管１７内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
【００２８】
ヒータコントローラ１２４は、ヒータ８、及び、昇温用ヒータ１６を個別に制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、これらに通電してこれらを加熱し、また、これらの消費電力を個別に測定して、制御部１００に通知する。
【００２９】
ＭＦＣ制御部１２５は、処理ガス導入管１７、及び、パージガス供給管１８に設けられた図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を制御して、これらに流れるガスの流量を制御部１００から指示された量にするとともに、実際に流れたガスの流量を測定して、制御部１００に通知する。
【００３０】
バルブ制御部１２６は、各管に配置されたバルブの開度を制御部１００から指示された値に制御する。真空ポンプ１２７は、排気管５に接続され、反応管２内のガスを排気する。
【００３１】
ボートエレベータ１２８は、蓋体６を上昇させることにより、回転テーブル１０上に載置されたウエハボート１１（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードし、蓋体６を下降させることにより、回転テーブル１０上に載置されたウエハボート１１（半導体ウエハＷ）を反応管２内からアンロードする。
【００３２】
制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ１１２と、ＲＡＭ１１３と、Ｉ／Ｏポート１１４と、ＣＰＵ１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。
【００３３】
レシピ記憶部１１１には、セットアップ用レシピと複数のプロセス用レシピとが記憶されている。熱処理装置１の製造当初は、セットアップ用レシピのみが格納される。セットアップ用レシピは、各熱処理装置に応じた熱モデル等を生成する際に実行されるものである。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う熱処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、例えば、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みのウエハＷをアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、処理ガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
【００３４】
ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
【００３５】
Ｉ／Ｏポート１１４は、操作パネル１２１、温度センサ１２２、圧力計１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７、ボートエレベータ１２８等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
【００３６】
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、熱処理装置１の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ１１５は、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ＭＦＣ制御部１２５等に反応管２内、処理ガス導入管１７内、及び、排気管５内の各部の温度、圧力、流量等を測定させ、この測定データに基づいて、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等に制御信号等を出力し、上記各部がプロセス用レシピに従うように制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
【００３７】
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いて、本発明のシリコン炭窒化膜の形成方法について説明する。本実施の形態では、半導体ウエハＷにＤＣＳとＩＰＡとを供給して、半導体ウエハＷ上に所定厚のシリコン炭窒化膜を形成する場合を例に本発明を説明する。図３に本実施の形態のシリコン炭窒化膜の形成方法を説明するためのレシピを示す。
【００３８】
なお、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。また、各処理における反応管２内の温度、圧力、ガスの流量等は、前述のように、制御部１００（ＣＰＵ１１５）がヒータコントローラ１２４（ヒータ８、昇温用ヒータ１６）、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６、真空ポンプ１２７等を制御することにより、図３に示すレシピに従った条件になる。
【００３９】
まず、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、３００℃に設定する。また、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給し、シリコン炭窒化膜を形成する被処理体としての半導体ウエハＷが収容されているウエハボート１１を蓋体６上に載置する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６を上昇させ、半導体ウエハＷ（ウエハボート１１）を反応管２内にロードする（ロード工程）。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、７００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図３（ｂ）に示すように、４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
【００４１】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。続いて、処理ガス導入管１７から所定量の成膜用ガスを反応管２内に導入する。本実施の形態では、例えば、図３（ｄ）に示すように、ＤＣＳを０．１リットル／ｍｉｎ供給するとともに、図３（ｅ）に示すように、ＩＰＡを０．２リットル／ｍｉｎ供給する。反応管２内に成膜用ガスが導入されると、成膜用ガスが反応管２内で加熱され、半導体ウエハＷの表面にシリコン炭窒化膜が形成される（成膜工程）。
【００４２】
このように、成膜用ガスにＤＣＳとＩＰＡとを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン炭窒化膜を形成しているので、その生産性を向上させることができる。また、炭素（Ｃ）ソースおよび窒化ソースとしてＩＰＡを用いているので、窒化能力を持ちながら、高炭素ドープを行うことができる。
【００４３】
半導体ウエハＷの表面に所定厚のシリコン炭窒化膜が形成されると、処理ガス導入管１７からの成膜用ガスの導入を停止する。そして、反応管２内のガスを排出するとともに、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から所定量の窒素を供給して、反応管２内のガスを排気管５に排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
【００４４】
続いて、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１８から反応管２内に所定量の窒素を供給して、図３（ｂ）に示すように、反応管２内の圧力を常圧に戻す。また、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、３００℃に設定する。そして、ボートエレベータ１２８により蓋体６を下降させることにより、半導体ウエハＷ（ウエハボート１１）を反応管２内からアンロードする（アンロード工程）。これにより、シリコン炭窒化膜の形成が終了する。
【００４５】
次に、本実施の形態の効果を確認するため、成膜工程における反応管２内の温度を６５０℃（実施例１）、７００℃（実施例２）、および、７５０℃（実施例３）とした場合について、シリコン炭窒化膜を形成し、その成膜速度（デポレート）、および、０．１％の希フッ酸（ＤＨＦ）に対する耐薬液性（エッチングレート）を測定した。図４にシリコン炭窒化膜のデポレートの結果を示し、図５にシリコン炭窒化膜のＤＨＦに対するエッチングレートの結果を示す。
【００４６】
なお、成膜工程における反応管２内の温度以外は、上記実施の形態と同一の条件で、シリコン炭窒化膜を形成した。また、比較のため、従来のＡＬＤ法を用いたシリコン炭窒化膜の形成方法の一例として、ＤＣＳとモノメチルアミン（ＭＭＡ：ＣＨ３ＮＨ２）とを交互に供給してシリコン炭窒化膜を形成し（比較例１）、そのデポレート、および、エッチングレートを測定した。
【００４７】
図４に示すように、本発明の方法で形成されたシリコン炭窒化膜のデポレートは、従来の方法で形成されたシリコン炭窒化膜のデポレートよりも大きく（速く）できる。このため、本発明の方法により、デポレートを向上できることが確認できた。
【００４８】
図５に示すように、本発明の方法で形成されたシリコン炭窒化膜のＤＨＦに対するエッチングレートは、従来の方法で形成されたシリコン炭窒化膜のＤＨＦに対するエッチングレートの１／１０以下に小さくすることができる。このため、本発明の方法により、ＤＨＦに対する耐薬液性を向上できることが確認できた。なお、実施例１〜３、および、比較例１のシリコン炭窒化膜中の炭素濃度は、例えば、実施例２の場合が２４％、比較例１の場合が２６％のように、ほぼ同一である。また、他の薬液についても同様の方法で試験したところ、同様の傾向を示すことが確認できた。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、成膜用ガスにＤＣＳとＩＰＡとを用いたＣＶＤ法によりシリコン炭窒化膜を形成しているので、その生産性を向上させることができ、耐薬品性を向上させることができる。
【００５０】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００５１】
上記実施の形態では、ＳｉソースにＤＣＳを用い、反応管２内の温度を７００℃に設定した場合を例に本発明を説明した。反応管２内の温度は、使用するＳｉソースの種類に応じた範囲となるように設定することが好ましく、例えば、ＳｉソースにＤＣＳを用いる場合には６００℃〜８００℃に設定することが好ましい。
【００５２】
また、上記実施の形態では、ＳｉソースにＤＣＳを用いた場合を例に本発明を説明したが、ＳｉソースはＤＣＳに限定されるものではなく、ＨＣＤ等のような、Ｓｉを有する種々なガスを用いることができる。例えば、ＳｉソースにＨＣＤを用いる場合には、反応管２内の温度を３００℃〜６５０℃に設定することが好ましく、反応管２内の温度を低温にすることができる。また、処理ガス導入管１７に活性化手段を設け、活性化された成膜用ガスを反応管２内に供給しても、反応管２内の温度を低くすることができる。活性化させる手段としては、加熱手段の他、プラズマ発生手段、光分解手段、触媒活性化手段等がある。
【００５３】
上記実施の形態では、反応管２内を４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）に設定した場合を例に本発明を説明したが、反応管２内の圧力は低圧、例えば、１．３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ）〜１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）にすることが好ましく、１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）〜１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）にすることがさらに好ましい。
【００５４】
上記実施の形態では、熱処理装置として、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、枚葉式の熱処理装置に本発明を適用することも可能である。
【００５５】
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
【００５６】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置を示す図である。
【図２】図１の制御部の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態のシリコン炭窒化膜の形成方法を説明するレシピを示した図である。
【図４】シリコン炭窒化膜のデポレートを示す図である。
【図５】シリコン炭窒化膜のＤＨＦに対するエッチングレートを示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  熱処理装置
２  反応管
３  頂部
４  排気口
５  排気管
６  蓋体
７  保温筒
８  ヒータ
９  支持体
１０  回転テーブル
１１  ウエハボート
１２  回転支柱
１３  回転機構
１４  回転軸
１５  回転導入部
１６  昇温用ヒータ
１７  処理ガス導入管
１８  パージガス供給管
１００  制御部
１１１  レシピ記憶部
１１２  ＲＯＭ
１１３  ＲＡＭ
１１４  Ｉ／Ｏポート
１１５  ＣＰＵ
１１６  バス
１２１  操作パネル
１２２  温度センサ
１２３  圧力計
１２４  ヒータコントローラ
１２５  ＭＦＣ制御部
１２６  バルブ制御部
１２７  真空ポンプ
１２８  ボートエレベータ
Ｗ  半導体ウエハ
【図１】
0005064296.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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