(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線、走査線、及び発光制御線の交差部ごとに位置する複数の画素と、
該各画素に備えられる有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報をセンシングするためのセンシング部と、
該センシング部でセンシングされた前記有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報を格納し、これを用いて、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、
該変換部から出力される校正データＤａｔａ’を受信して供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部と、
を含み、
前記センシング部は、それぞれのチャネルごとに位置するセンシング回路を含み、
前記センシング回路は、
前記画素の有機発光ダイオードに第１電流を供給するための電流ソース部と、
前記画素の駆動トランジスタから第２電流をシンクするための第１電流シンク部と、
前記画素の駆動トランジスタから第３電流をシンクするための第２電流シンク部と、
を含み、
前記有機発光ダイオードの劣化情報は、前記第１電流が供給されたときに生成される電圧に基づいてセンシングされ、
前記駆動トランジスタの移動度情報は、前記第２電流及び第３電流がそれぞれシンクされたときに生成される電圧の差に基づいてセンシングされることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記センシング部及び前記データ駆動部のいずれか１つをデータ線に接続するためのスイッチング部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記センシング回路から供給される前記有機発光ダイオードの劣化情報を第１デジタル値に変換し、前記駆動トランジスタの移動度情報を第２デジタル値に変換するための少なくとも１つのアナログ−デジタル変換部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記センシング回路は、前記電流ソース部、第１電流シンク部及び第２電流シンク部にそれぞれ接続されるスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第３電流は、第２電流の４ｊ（ｊは整数）倍に該当することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記スイッチング部は、それぞれのチャネルごとに一対のスイッチｓｗ１、ｓｗ２を備え、
前記一対のスイッチは、
前記データ駆動部と前記データ線との間に位置し、前記データ信号が供給されるときにターンオンされる第１スイッチｓｗ１と、
前記センシング部と前記データ線との間に位置し、前記劣化情報または移動度情報がセンシングされるときにターンオンされる第２スイッチｓｗ２と、
であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記変換部は、
前記第１デジタル値及び第２デジタル値を格納するためのメモリと、
該メモリに格納された情報を用いて、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換回路と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記画素のそれぞれは、
前記有機発光ダイオードＯＬＥＤと、
ゲート電極が走査線に接続され、データ線と第１ノードＡとの間に接続された第１トランジスタＭ１と、
ゲート電極が第２ノードＢに接続され、第１電極が第１電源ＥＬＶＤＤに接続される第２トランジスタＭ２と、
ゲート電極が発光制御線に接続され、前記第２トランジスタＭ２の第２電極と前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に接続された第３トランジスタＭ３と、
ゲート電極が感知線に接続され、データ線と前記第３トランジスタＭ３の第２電極との間に接続された第４トランジスタＭ４と、
ゲート電極が前段の走査線に接続され、前記第２トランジスタＭ２のゲート電極と第２電極との間に接続された第５トランジスタＭ５と、
ゲート電極が前段の走査線に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆ源と前記第１ノードとの間に接続された第６トランジスタＭ６と、
前記第１電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＢとの間に接続された第１キャパシタＣ１と、
前記第１ノードＡと第２ノードＢとの間に接続された第２キャパシタＣ２と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第１トランジスタ〜第６トランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタで実現されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記発光制御線に供給される発光制御信号は、前記第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２に、データ信号に対応する電圧が充電される期間、第２トランジスタＭ２の閾値電圧が格納される期間、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間にハイレベルで印加されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記感知線に供給される感知信号は、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間及び前記第２トランジスタＭ２の移動度情報がセンシングされる期間にローレベルで印加されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記基準電圧Ｖｒｅｆは、前記第１電源ＥＬＶＤＤに等しい電圧値で実現されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記画素のそれぞれは、
前記有機発光ダイオードＯＬＥＤと、
ゲート電極が走査線に接続され、データ線と第１ノードＡとの間に接続された第１トランジスタＭ１’と、
ゲート電極が第２ノードＢに接続され、第１電極が第１電源ＥＬＶＤＤに接続される第２トランジスタＭ２’と、
ゲート電極が発光制御線に接続され、前記第２トランジスタＭ２’の第２電極と前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間に接続された第３トランジスタＭ３’と、
ゲート電極が感知線に接続され、データ線と前記第３トランジスタＭ３’の第２電極との間に接続された第４トランジスタＭ４’と、
ゲート電極が走査線に接続され、前記第２トランジスタＭ２’のゲート電極と第２電極との間に接続された第５トランジスタＭ５’と、
ゲート電極が発光制御線に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆ源または制御線と、前記第１ノードとの間に接続された第６トランジスタＭ６’と、
該第６トランジスタＭ６’の第１電極を基準電圧源または制御線に接続させるスイッチング素子Ｔ１と、
前記第１電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＢとの間に接続された第１キャパシタＣ１’と、
前記第１ノードＡと第２ノードＢとの間に接続された第２キャパシタＣ２’と、
ゲート電極が前段の走査線に接続され、前記第６トランジスタＭ６’の第１電極と第２トランジスタＭ２’のゲート電極との間に接続された第７トランジスタＭ７’と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１トランジスタ〜第７トランジスタは、ＰＭＯＳトランジスタで実現されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記発光制御線に供給される発光制御信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間、第２トランジスタＭ２の移動度情報がセンシングされる期間、初期化期間、閾値電圧が格納される期間、及びデータ信号に対応する電圧が充電される期間にハイレベルで印加されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記感知線に供給される感知信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間にローレベルで印加されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第２トランジスタＭ２’の移動度情報がセンシングされる期間に前記スイッチング素子Ｔ１がターンオンされ、データ線Ｄｍ以外の別途の制御ラインＣｍを介して、前記画素がセンシング部に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記基準電圧Ｖｒｅｆは、接地電源ＧＮＤに等しい電圧値で実現されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第１電流を供給し、第１電圧を生成する第１ステップと、
該第１電圧を第１デジタル値に変更してメモリに格納する第２ステップと、
前記画素のそれぞれに含まれる駆動トランジスタを経由して第２電流をシンクし、第２電圧を生成する第３ステップと、
前記画素のそれぞれに含まれる駆動トランジスタを経由して第３電流をシンクし、第３電圧を生成する第４ステップと、
前記第２電圧及び第３電圧の差に該当する情報を第２デジタル値に変更してメモリに格納する第５ステップと、
該メモリに格納された情報を用いて、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する第６ステップと、
該校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号がデータ線に提供される第６ステップと、
を含み、
前記第１電圧には、前記有機発光ダイオードの劣化情報が含まれ、
前記第２電圧及び第３電圧の差には、前記駆動トランジスタの移動度情報が含まれることを特徴とする有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記第１ステップ〜第５ステップは、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われ、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記第３ステップ〜第５ステップは、有機電界発光表示装置が製品として出荷される前に行われ、その結果が予め格納され、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに前記予め格納された情報を用いることを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記第３電流は、前記第２電流の４ｊ（ｊは整数）倍に該当することを特徴とする請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
各画素に印加される第１電流によって測定される前記各画素内の有機発光ダイオードの電圧の変位を測定して格納するステップと、
各画素の駆動トランジスタを経由する第２電流及び第３電流を順次シンクし、これに対応する第２電圧及び第３電圧を測定し、前記第２電圧及び第３電圧の差を格納するステップと、
該格納された情報を用いて、入力データＤａｔａに対して前記有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度のばらつきを補償する校正データＤａｔａ’に変換するステップと、
該校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号が表示期間中に各画素に印加され、前記表示期間中、各画素の駆動トランジスタは、初期化過程によって閾値電圧が画素回路内で自体補償されるステップと、
を含み、
前記有機発光ダイオードの電圧には、前記有機発光ダイオードの劣化情報が含まれ、
前記第２電圧及び第３電圧の差には、前記駆動トランジスタの移動度情報が含まれることを特徴とする有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記各画素内の有機発光ダイオードの電圧の変位を測定して格納するステップは、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われ、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われることを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記第２電圧及び第３電圧を測定して前記第２電圧及び第３電圧の差を格納するステップは、有機電界発光表示装置が製品として出荷される前に行われ、その結果が予め格納され、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに前記予め格納された情報を用いることを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２６】
前記初期化は、前記駆動トランジスタがダイオード接続され、前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧が前記有機発光ダイオードのカソード電極の電圧に等しくなることを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２７】
前記初期化により、前記駆動トランジスタのゲート電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しくなることを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項２８】
前記基準電圧Ｖｒｅｆは、接地電源ＧＮＤに等しい電圧値で実現されることを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関し、特に、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの閾値電圧／移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の短所である重量及び体積を減少させることができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置には、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。
【０００３】
平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置は、電子と正孔との再結合により発光する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有するとともに、低消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。
【０００５】
同図に示すように、有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続され、有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２とを備える。
【０００６】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は、画素回路２に接続され、カソード電極は、第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路２から供給される電流に対応する輝度で発光する。
【０００７】
画素回路２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給されるとき、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応して、有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。
【０００８】
このため、画素回路２は、第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続された第２トランジスタＭ２と、第２トランジスタＭ２と、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎとの間に接続された第１トランジスタＭ１と、第２トランジスタＭ２のゲート電極と第１電極との間に接続されたストレージキャパシタＣｓｔとを備える。
【０００９】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続され、第１電極は、データ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続される。
【００１０】
ここで、第１電極は、ソース電極及びドレイン電極のいずれか１つに設定され、第２電極は、第１電極とは異なる電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定されると、第２電極はドレイン電極に設定される。走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は、走査線Ｓｎから走査信号が供給されるときにターンオンされ、データ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号に対応する電圧を充電する。
【００１１】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの一側端子に接続され、第１電極は、ストレージキャパシタＣｓｔの他側端子及び第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。
【００１２】
このような第２トランジスタＭ２は、ストレージキャパシタＣｓｔに格納された電圧値に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００１３】
しかしながら、このような有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に伴う効率の変化により、所望の輝度の映像を表示できない問題がある。
【００１４】
実際に、経時変化によって有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化し、これにより、同じデータ信号に対応して、次第に低輝度の光が生成される問題が生じる。また、従来は、画素４のそれぞれに含まれる駆動トランジスタＭ２の閾値電圧／移動度のばらつきにより、均一な輝度の画像を表示できない問題がある。
【特許文献１】韓国特許公開第２００７−００１５８２６号公報
【特許文献２】韓国特許公開第２００３−００９４７２１号公報
【特許文献３】米国特許公開２００５／００１７９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの閾値電圧／移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するため、本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、データ線、走査線、及び発光制御線の交差部ごとに位置する複数の画素と、該各画素に備えられる有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報をセンシングするためのセンシング部と、該センシング部でセンシングされた前記有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報を格納し、これを用いて、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、該変換部から出力される校正データＤａｔａ’を受信して供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法は、画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第１電流を供給し、第１電圧を生成する第１ステップと、該第１電圧を第１デジタル値に変更してメモリに格納する第２ステップと、前記画素のそれぞれに含まれる駆動トランジスタを経由して第２電流をシンクし、第２電圧を生成する第３ステップと、前記画素のそれぞれに含まれる駆動トランジスタを経由して第３電流をシンクし、第３電圧を生成する第４ステップと、前記第２電圧及び第３電圧の差に該当する情報を第２デジタル値に変更してメモリに格納する第５ステップと、該メモリに格納された情報を用いて、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する第６ステップと、該校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号がデータ線に提供される第６ステップと、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法は、各画素に印加される第１電流によって測定される前記各画素内の有機発光ダイオードの電圧の変位を測定して格納するステップと、各画素の駆動トランジスタを経由する第２電流及び第３電流を順次シンクし、これに対応する第２電圧及び第３電圧を測定し、前記第２電圧及び第３電圧の差を格納するステップと、該格納された情報を用いて、入力データＤａｔａに対して前記有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度のばらつきを補償する校正データＤａｔａ’に変換するステップと、該校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号が表示期間中に各画素に印加され、前記表示期間中、各画素の駆動トランジスタは、初期化過程によって閾値電圧が画素回路内で自体補償されるステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
このような本発明によると、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの閾値電圧／移動度のばらつきにかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる長所がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができる好ましい実施例を、添付された図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図２は、本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す図である。
【００２２】
同図に示すように、本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎ、及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍに接続される画素１４０を含む画素部１３０と、走査線Ｓ１〜Ｓｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動するための走査駆動部１１０と、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎを駆動するための感知線駆動部１６０と、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動するためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０、データ駆動部１２０、及び感知線駆動部１６０を制御するためのタイミング制御部１５０とを備える。
【００２３】
また、本発明の実施例による有機電界発光表示装置は、画素１４０のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報を抽出するためのセンシング部１８０と、センシング部１８０及びデータ駆動部１２０を選択的にデータ線Ｄ１〜Ｄｍに接続させるためのスイッチング部１７０と、センシング部１８０でセンシングされた情報を格納し、これを用いて、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データを変換する変換部１９０とをさらに備える。
【００２４】
画素部１３０は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍの交差部に位置する画素１４０を備える。画素１４０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳを受ける。このような画素１４０は、データ信号に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給される電流量を制御する。すると、有機発光ダイオードで所定の輝度の光が生成される。
【００２５】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０の制御により、走査線Ｓ１〜Ｓｎに走査信号を供給する。また、走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０の制御により、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を供給する。
【００２６】
感知線駆動部１６０は、タイミング制御部１５０の制御により、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎに感知信号を供給する。
【００２７】
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０の制御により、データ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給する。
【００２８】
スイッチング部１７０は、センシング部１８０及びデータ駆動部１２０を選択的にデータ線Ｄ１〜Ｄｍに接続させる。このため、スイッチング部１７０は、データ線Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれと接続される（すなわち、それぞれのチャネルごとに）一対のスイッチング素子を備える。
【００２９】
センシング部１８０は、画素１４０のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化情報を抽出し、抽出された劣化情報を変換部１９０に供給する。また、センシング部１８０は、画素１４０のそれぞれに含まれる駆動トランジスタの移動度情報を抽出し、抽出された移動度情報を変換部１９０に供給する。このため、センシング部１８０は、データ線Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれと接続される（すなわち、それぞれのチャネルごとに）センシング回路を備える。
【００３０】
ここで、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の第１非表示期間に行うことが好ましい。すなわち、有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行うことができる。
【００３１】
これに対し、前記駆動トランジスタの移動度情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の第２非表示期間に行うことができるだけでなく、最初に有機電界発光表示装置が製品として出荷される前に行い、それに応じた移動度情報を製品出荷時に予め設定された情報として提供することができる。すなわち、駆動トランジスタの移動度情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行うか、または製品出荷前の実行結果を予め格納することにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【００３２】
変換部１９０は、センシング部１８０から供給される劣化情報及び移動度情報を格納するものであって、前記変換部１９０は、全ての画素に含まれる有機発光ダイオードの劣化情報及び駆動トランジスタの移動度情報を格納する。このため、変換部１９０は、メモリと、当該メモリに格納された情報を用いて、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部から入力されるデータＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換回路とを備える。
【００３３】
タイミング制御部１５０は、データ駆動部１２０、走査駆動部１１０、及び感知線駆動部１６０を制御する。
【００３４】
また、外部から入力され、タイミング制御部１５０から出力されるデータＤａｔａは、前記変換部１９０により、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度の変位を補償するように校正データＤａｔａ’に変換され、データ駆動部１２０に供給される。すると、データ駆動部１２０は、前記変換された校正データＤａｔａ’を用いてデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を画素１４０に供給する。
【００３５】
本発明の実施例の場合、有機発光ダイオードの劣化及び駆動トランジスタの移動度は、前記センシング部１８０及び変換部１９０によって補償され、駆動トランジスタの閾値電圧の差は、以下で説明する画素構造内で自体補償されることを特徴とする。
【００３６】
図３は、図２に示す画素の第１実施例を示している。説明の便宜上、図３では、ｍ番目のデータ線Ｄｍ及びｎ番目の走査線Ｓｎに接続された画素を示すものとする。
【００３７】
同図に示すように、本発明の第１実施例による画素１４０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するための画素回路１４２とを備える。
【００３８】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は、画素回路１４２に接続され、カソード電極は、第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１４２から供給される電流に対応して、所定の輝度の光を生成する。
【００３９】
画素回路１４２は、走査線Ｓｎに走査信号が供給されるとき、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号を受信する。また、画素回路１４２は、感知線ＣＬｎに感知信号が供給されるとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報または駆動トランジスタ（すなわち、第２トランジスタＭ２）の移動度情報をセンシング部１８０に提供する。このため、画素回路１４２は、６つのトランジスタＭ１〜Ｍ６と、２つのキャパシタＣ１、Ｃ２とを備える。
【００４０】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続され、第１電極は、データ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は、第１ノードＡに接続される。
【００４１】
第２トランジスタＭ２のゲート電極は、第２ノードＢに接続され、第１電極は、第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。
【００４２】
また、前記第１電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＢとの間には、第１キャパシタＣ１が接続され、第１ノードＡと第２ノードＢとの間には、第２キャパシタＣ２が接続される。
【００４３】
このような第２トランジスタＭ２は、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２に格納された電圧値に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００４４】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は、発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は、第２トランジスタＭ２の第２電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第２電極は、有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続される。このような第３トランジスタＭ３は、発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給されるとき（ハイレバル）にターンオフされ、発光制御信号が供給されないとき（ローレベル）にターンオンされる。ここで、発光制御信号は、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２に、データ信号に対応する電圧が充電される期間（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）、閾値電圧が格納される期間（Ｖｔｈ  ｓｔｏｒｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間（ＯＬＥＤ  ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）に供給される。
【００４５】
第４トランジスタＭ４のゲート電極は、感知線ＣＬｎに接続され、第１電極は、第３トランジスタＭ３の第２電極に接続される。また、第４トランジスタＭ４の第２電極は、データ線Ｄｍに接続される。このような第４トランジスタＭ４は、感知線ＣＬｎに感知信号が供給されるとき（ローレベル）にターンオンされ、それ以外の場合は、ターンオフされる。ここで、感知信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間、及び第２トランジスタＭ２の移動度情報がセンシングされる期間（ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ｓｅｎｓｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）に供給される。
【００４６】
第５トランジスタＭ５のゲート電極は、前段の走査線Ｓｎ−１に接続され、第１電極は、第２トランジスタＭ２のゲート電極に接続される。また、第２電極は、第２トランジスタＭ２の第２電極に接続される。すなわち、前記第５トランジスタＭ５がターンオンされると、前記第２トランジスタＭ２は、ダイオード接続として実現される。
【００４７】
第６トランジスタＭ６のゲート電極は、前段の走査線Ｓｎ−１に接続され、第１電極は、基準電圧Ｖｒｅｆに接続され、第２電極は、第１ノードＡに接続される。すなわち、前記第６トランジスタＭ６がターンオンされると、前記第２キャパシタＣ２の第１電極には、前記基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００４８】
本発明の実施例の場合、前記第１トランジスタ〜第６トランジスタＭ１〜Ｍ６は、ＰＭＯＳトランジスタで実現されることを説明しているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００４９】
図４は、図２に示す画素の第２実施例を示している。説明の便宜上、同図では、ｍ番目のデータ線Ｄｍ及びｎ番目の走査線Ｓｎに接続された画素を示すものとする。
【００５０】
同図に示すように、本発明の第２実施例による画素１４０’は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するための画素回路１４２’とを備える。このような第２実施例による画素１４０’は、前記画素回路１４２’が７つのトランジスタＭ１’〜Ｍ７’、２つのキャパシタＣ１’、Ｃ２’、及び１つのスイッチング素子Ｔ１を備える点から、上記図３に示す第１実施例とは相違がある。
【００５１】
このとき、前記第１トランジスタＭ１’のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続され、第１電極は、データ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１’の第２電極は、第１ノードＡに接続される。
【００５２】
第２トランジスタＭ２’のゲート電極は、第２ノードＢに接続され、第１電極は、第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。
【００５３】
また、前記第１電源ＥＬＶＤＤと第２ノードＢとの間には、第１キャパシタＣ１’が接続され、第１ノードＡと第２ノードＢとの間には、第２キャパシタＣ２’が接続される。
【００５４】
このような第２トランジスタＭ２’は、第１キャパシタＣ１’及び第２キャパシタＣ２’に格納された電圧値に対応して、第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第２トランジスタＭ２’から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００５５】
第３トランジスタＭ３’のゲート電極は、発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は、第２トランジスタＭ２’の第２電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３’の第２電極は、有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続される。このような第３トランジスタＭ３’は、発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給されるとき（ハイレバル）にターンオフされ、発光制御信号が供給されないとき（ローレベル）にターンオンされる。ここで、発光制御信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間、第２トランジスタＭ２’の移動度情報がセンシングされる期間、初期化期間（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｉｎｇ  ｐｅｒｉｏｄ）、閾値電圧が格納される期間、及びデータ信号に対応する電圧が充電される期間に供給される。
【００５６】
第４トランジスタＭ４’のゲート電極は、感知線ＣＬｎに接続され、第１電極は、第３トランジスタＭ３’の第２電極に接続される。また、第４トランジスタＭ４’の第２電極は、データ線Ｄｍに接続される。このような第４トランジスタＭ４’は、感知線ＣＬｎに感知信号が供給されるとき（ローレベル）にターンオンされ、それ以外の場合は、ターンオフされる。ここで、感知信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間に供給される。
【００５７】
第５トランジスタＭ５’のゲート電極は、走査線Ｓｎに接続され、第１電極は、第２トランジスタＭ２’のゲート電極に接続される。また、第５トランジスタＭ５’の第２電極は、第２トランジスタＭ２’の第２電極に接続される。すなわち、前記第５トランジスタＭ５’がターンオンされると、前記第２トランジスタＭ２’は、ダイオード接続として実現される。
【００５８】
第６トランジスタＭ６’のゲート電極は、発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は、スイッチング素子Ｔ１に接続され、第２電極は、第１ノードＡに接続される。
【００５９】
また、前記スイッチング素子Ｔ１がターンオンされると、センシング部１８０に接続され、ターンオフされると、基準電圧Ｖｒｅｆ源に接続される。すなわち、前記スイッチング素子Ｔ１がターンオンされると、データ線Ｄｍ以外の別途の制御線Ｃｍを介して、前記画素１４０がセンシング部１８０に接続される。
【００６０】
すなわち、駆動トランジスタとしての第２トランジスタＭ２’の移動度情報がセンシングされる期間には、前記制御線Ｃｍを介して、画素１４０’がセンシング部１８０に接続されることを特徴とする。
【００６１】
第７トランジスタＴ７’のゲート電極は、前段の走査線Ｓｎ−１に接続され、第１電極は、第６トランジスタＭ６’の第１電極に接続され、第２電極は、第２トランジスタＭ２’のゲート電極に接続される。
【００６２】
本発明の実施例の場合、前記第１トランジスタ〜第７トランジスタＭ１’〜Ｍ７’は、ＰＭＯＳトランジスタで実現されることを説明しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００６３】
図５は、図２に示すスイッチング部、センシング部、及び変換部を詳細に示す図である。ただし、同図では、説明の便宜上、ｍ番目のデータ線Ｄｍに接続された構成を示すものとする。
【００６４】
同図に示すように、スイッチング部１７０のそれぞれのチャネルには、一対のスイッチｓｗ１、ｓｗ２が備えられる。そして、センシング部１８０のそれぞれのチャネルには、センシング回路１８１と、アナログ−デジタル変換部（Ａｎａｌｏｇ−Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）（以下、「ＡＤＣ」とする）１８２とが備えられる（ここで、ＡＤＣは、複数のチャネル当たり１つ、または全てのチャネルが１つのＡＤＣを共有して使用することができる）。また、変換部１９０は、メモリ１９１と、変換回路１９２とを備える。
【００６５】
前記スイッチング部１７０の第１スイッチｓｗ１は、データ駆動部１２０とデータ線Ｄｍとの間に位置する。このような第１スイッチｓｗ１は、データ駆動部１２０を介してデータ信号が供給されるときにターンオンされる。すなわち、第１スイッチｓｗ１は、有機電界発光表示装置が所定の映像を表示する期間にターンオン状態を保持する。
【００６６】
また、前記スイッチング部１７０の第２スイッチｓｗ２は、センシング部１８０とデータ線Ｄｍとの間に位置する。このような第２スイッチｓｗ２は、センシング部１８０を介して画素部の各画素から提供される有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報または第２トランジスタＭ２の移動度情報がセンシングされる間にターンオンされる。
【００６７】
このとき、前記第２スイッチｓｗ２は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後から映像が表示される前までの非表示期間にターンオン状態を保持するか、または製品が出荷される前の非表示期間にターンオン状態を保持する。
【００６８】
より詳細に説明すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報をセンシングする場合は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行うことが好ましい。すなわち、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報のセンシングは、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行うことができる。
【００６９】
これに対し、前記駆動トランジスタの移動度情報をセンシングする場合は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の第２非表示期間に行うことができるだけでなく、最初に有機電界発光表示装置が製品として出荷される前に行うことができる。
【００７０】
すなわち、駆動トランジスタの移動度情報のセンシングは、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行うか、または製品出荷前の実行結果を予め格納することにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【００７１】
前記センシング回路１８１は、図６に示すように、電流ソース部１８５と、第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７と、これらにそれぞれ接続されたスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３とを備える。
【００７２】
電流ソース部１８５は、第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオンされたとき、画素１４０に第１電流を供給し、当該第１電流が供給されるとき、データ線Ｄｍに生成される所定の電圧をＡＤＣ１８２に供給する。ここで、第１電流は、画素１４０に含まれる有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して供給される。したがって、電流ソース部１８５で生成される所定の電圧（または第１電圧）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を有する。
【００７３】
これを詳説すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど有機発光ダイオードＯＬＥＤの抵抗値が変化する。したがって、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化に対応して、所定の電圧の電圧値が変化し、これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を抽出することができる。
【００７４】
一方、第１電流の電流値は、定められた時間内に所定の電圧が印加できるように、種々に設定される。例えば、第１電流は、画素１４０が最大輝度で発光するとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れるべき電流値Ｉｍａｘに設定され得る。
【００７５】
第１電流シンク部１８６は、第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオンされたとき、画素１４０から第２電流をシンクし、当該第２電流がシンクされるとき、データ線Ｄｍまたは制御線Ｃｍに生成される所定の電圧（第２電圧）が測定される。
【００７６】
すなわち、図３に示す第１実施例の画素１４０が適用される場合は、前記データ線Ｄｍに生成される第２電圧が測定され、図４に示す第２実施例の画素１４０’が適用される場合は、前記制御線Ｃｍに生成される第２電圧が測定される。
【００７７】
また、第２電流シンク部１８７は、前記第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオフされ、第３スイッチング素子ＳＷ３がターンオンされたとき、画素１４０から第３電流をシンクし、当該第３電流がシンクされるとき、データ線Ｄｍまたは制御線Ｃｍに生成される所定の電圧（第３電圧）が測定される。
【００７８】
すなわち、図３に示す第１実施例の画素１４０が適用される場合は、前記データ線Ｄｍに生成される第３電圧が測定され、図４に示す第２実施例の画素１４０’が適用される場合は、前記制御線Ｃｍに生成される第３電圧が測定される。
【００７９】
このとき、前記第２電圧及び第３電圧の差に該当する情報は、ＡＤＣ１８２に供給される。
【００８０】
ここで、前記第２電流及び第３電流は、画素１４０、１４０’に含まれる第２トランジスタＭ２、Ｍ２’を経由してシンクされる。したがって、前記第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７を介して生成されるデータ線Ｄｍまたは制御線Ｃｍの所定の電圧の差（｜第２電圧−第３電圧｜）は、第２トランジスタＭ２、Ｍ２’の移動度情報を有する。
【００８１】
すなわち、図４に示す第２実施例による画素１４０’が適用される場合は、前記第２電流及び第３電流がシンクされるとき、画素１４０’内のスイッチング素子Ｔ１がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２’の移動度情報が伝達される経路に、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極が除外される。
【００８２】
これにより、前記第２トランジスタＭ２’の移動度情報は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度に影響されず、より正確な情報を獲得することができる。
【００８３】
前記ＡＤＣ１８２は、センシング回路１８１から供給される第１電圧を第１デジタル値に変換し、第２電圧及び第３電圧の差を第２デジタル値に変換する。
【００８４】
また、変換部１９０は、メモリ１９１と、変換回路１９２とを備える。
【００８５】
メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される第１デジタル値及び第２デジタル値を格納する。実際に、メモリ１９１は、画素部１３０に含まれる全ての画素１４０、１４０’それぞれの第２トランジスタＭ２、Ｍ２’の移動度情報及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を格納する。
【００８６】
変換回路１９２は、メモリ１９１に格納された第１デジタル値及び第２デジタル値を用いて、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２、Ｍ２’の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部１５０から伝達された入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。
【００８７】
例えば、変換回路１９２は、第１デジタル値を参照して、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど入力データＤａｔａのビット値を増加させ、校正データＤａｔａ’を生成することができる。当該生成された校正データＤａｔａ’は、データ駆動部１２０に伝達され、最終的に、前記校正データＤａｔａ’によるデータ信号が画素１４０、１４０’に提供される。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど低輝度の光が生成されることを防止する。
【００８８】
また、変換回路１９２は、第２デジタル値を参照して、第２トランジスタＭ２、Ｍ２’の移動度が補償できるように入力データＤａｔａを変換し、これにより、第２トランジスタＭ２、Ｍ２’の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる。
【００８９】
データ駆動部１２０は、前記校正データＤａｔａ’を用いてデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を画素１４０、１４０’に供給する。
【００９０】
図７は、データ駆動部の実施例を示すブロック図である。
【００９１】
同図に示すように、データ駆動部１２０は、シフトレジスタ部１２１と、サンプリングラッチ部１２２と、ホールディングラッチ部１２３と、デジタル−アナログ変換部（以下、「ＤＡＣ部」とする）１２４と、バッファ部１２５とを備える。
【００９２】
シフトレジスタ部１２１は、タイミング制御部１５０からソーススタートパルスＳＳＰ及びソースシフトクロックＳＳＣを受信する。ソースシフトクロックＳＳＣ及びソーススタートパルスＳＳＰを受信したシフトレジスタ部１２１は、ソースシフトクロックＳＳＣの１周期ごとにソーススタートパルスＳＳＰをシフトさせながら、順次にｍ個のサンプリング信号を生成する。このため、シフトレジスタ部１２１は、ｍ個のシフトレジスタ１２１１〜１２１ｍを備える。
【００９３】
サンプリングラッチ部１２２は、シフトレジスタ部１２１から順次に供給されるサンプリング信号に応答して、前記校正データＤａｔａ’を順次格納する。このため、サンプリングラッチ部１２２は、ｍ個の校正データＤａｔａ’を格納するためのｍ個のサンプリングラッチ１２２１〜１２２ｍを備える。
【００９４】
ホールディングラッチ部１２３は、タイミング制御部１５０からソース出力イネーブルＳＯＥ信号を受信する。ソース出力イネーブルＳＯＥ信号を受信したホールディングラッチ部１２３は、サンプリングラッチ部１２２から校正データＤａｔａ’を受信して格納する。そして、ホールディングラッチ部１２３は、自体に格納された校正データＤａｔａ’をＤＡＣ部１２４に供給する。このため、ホールディングラッチ部１２３は、ｍ個のホールディングラッチ１２３１〜１２３ｍを備える。
【００９５】
ＤＡＣ部１２４は、ホールディングラッチ部１２３から校正データＤａｔａ’を受信し、受信された校正データＤａｔａ’に対応してｍ個のデータ信号を生成する。このため、ＤＡＣ部１２４は、ｍ個のデジタル−アナログ変換器（Ｄｉｇｉｔａｌ−Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ：ＤＡＣ）１２４１〜１２４ｍを備える。すなわち、ＤＡＣ部１２４は、それぞれのチャネルごとに位置するＤＡＣ１２４１〜１２４ｍを用いてｍ個のデータ信号を生成し、生成されたデータ信号をバッファ部１２５に供給する。
【００９６】
バッファ部１２５は、ＤＡＣ部１２４から供給されるｍ個のデータ信号をｍ個のデータ線Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに供給する。このため、バッファ部１２５は、ｍ個のバッファ１２５１〜１２５ｍを備える。
【００９７】
図８ａ〜図８ｇは、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【００９８】
ただし、説明の便宜上、これらの図では、ｎ番目の走査線Ｓｎ及びｍ番目のデータ線Ｄｍに接続された画素の第１実施例（図３に示す）を、その対象とする。
【００９９】
ただし、上述したように、駆動トランジスタの移動度情報のセンシングは、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われるか、または製品出荷前に行われ、その結果が予め格納されることにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【０１００】
これらの図の実施例では、前記駆動トランジスタの移動度情報のセンシングが有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われることを、その例として説明する。しかし、本発明の実施例が必ずしもこれに限定されないことは、当業者にとって自明である。
【０１０１】
以下、これらの図を参照して、本発明に係る有機電界発光表示装置の駆動方法をより詳細に説明する。
【０１０２】
まず、図８ａは、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の第１非表示期間の動作を説明する。
【０１０３】
前記第１非表示期間には、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる（ＯＬＥＤ  ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｉｎｇ）動作が行われる。
【０１０４】
同図に示すように、前記第１非表示期間には、走査信号Ｓｎ、Ｓｎ−１がハイレベル、感知信号ＣＬｎがローレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０の画素回路内では、第４トランジスタＭ４のみがターンオンされる。
【０１０５】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオフ、第２スイッチｓｗ２がターンオンされ、前記画素１４０は、センシング部１８０に接続される。
【０１０６】
さらに、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオンされ、第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３はターンオフされる。このとき、前記電流ソース部１８５で提供する第１電流Ｉｒｅｆは、上述したように、前記画素１４０が最大輝度で発光するとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れるべき電流値Ｉｍａｘに設定され得る。
【０１０７】
前記のような信号の印加により、前記電流ソース部１８５から提供される第１電流Ｉｒｅｆが、データ線Ｄｍ及び画素１４０内の第４トランジスタＭ４を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される。
【０１０８】
これにより、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に生成される所定の電圧（第１電圧ＶＯＬＥＤ）は、前記センシング回路１８１に同一に印加され、前記第１電圧ＶＯＬＥＤは、ＡＤＣ１８２に供給される。
【０１０９】
すなわち、電流ソース部１８５を介して生成される第１電圧ＶＯＬＥＤは、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を有する。
【０１１０】
これにより、前記ＡＤＣ１８２は、センシング回路１８１から供給される第１電圧ＶＯＬＥＤを第１デジタル値に変換し、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される第１デジタル値を格納する。実際に、メモリ１９１は、画素部１３０に含まれる全ての画素１４０それぞれの有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を格納する。
【０１１１】
次に、図８ｂ及び図８ｃは、映像の表示前に、上記図８ａの第１非表示期間以降から映像が表示される前の第２非表示期間の動作を説明する。
【０１１２】
前記第２非表示期間には、画素１４０内の駆動トランジスタとしての第２トランジスタＭ２の移動度情報がセンシングされる動作が行われる。
【０１１３】
本発明の実施例では、前記第２トランジスタＭ２の移動度情報をセンシングするため、前記第２非表示期間を２つの期間に分けて、それぞれ独立に電流をシンクする動作を行うことを特徴とする。
【０１１４】
ただし、上述したように、第２トランジスタＭ２の移動度情報のセンシングは、製品出荷前に行われ、その結果が予め格納されることにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【０１１５】
図８ｂに示すように、前記第２非表示期間における第１期間には、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがローレベル、発光制御信号Ｅｎがローレベルで印加され、画素１４０の画素回路内では、第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４、及び第５トランジスタＭ５がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０１１６】
さらに、前記前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベルで印加されることにより、第６トランジスタＭ６はターンオンされ、これにより、第６トランジスタＭ６の第１電極に印加される基準電圧Ｖｒｅｆは、第１ノードＡに印加される。
【０１１７】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオフ、第２スイッチｓｗ２がターンオンされ、前記画素１４０は、センシング部１８０に接続される。
【０１１８】
さらに、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオフされ、第１電流シンク部１８６に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオンされ、第２電流シンク部１８７に接続された第３スイッチング素子ＳＷ３がターンオフされる。このとき、前記第１電流シンク部１８６でシンクされる第２電流は、一例として図示するように、１／４βＩｍａｘとなり得る。（βは定数）
【０１１９】
また、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード電極には、第２電源ＥＬＶＳＳではない、ハイレベルの電圧が印加される。これは、前記第１電流シンク部１８６でシンクされる電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給されることを防止するためである。
【０１２０】
前記のような信号の印加により、前記第１電流シンク部１８６は、第２スイッチング素子ＳＷ２、データ線Ｄｍ、第４トランジスタＭ４、第３トランジスタＭ３、及び第２トランジスタＭ２を経由して、第１電源ＥＬＶＤＤから第２電流、すなわち、１／４βＩｍａｘをシンクする。第１電流シンク部１８６で前記第２電流がシンクされるとき、第１電流シンク部１８６には、第２電圧ＶＧ１＿１が印加される。
【０１２１】
すなわち、前記第２電圧ＶＧ１＿１は、
【０１２２】
【数１】
0004964750.tif 000002
となる。
（μ：第２トランジスタの移動度、Ｗ／Ｌ：第２トランジスタのチャネルの幅に対する長さ比、Ｖｔｈ：第２トランジスタの閾値電圧）
【０１２３】
上記式に示すように、前記第２電流が第２トランジスタＭ２を経由してシンクされるため、第２電圧ＶＧ１＿１には、第２トランジスタＭ２の閾値電圧／移動度情報が含まれる。
【０１２４】
次に、図８ｃに示すように、前記第２非表示期間における第２期間には、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがローレベル、発光制御信号Ｅｎがローレベルで印加され、画素１４０の画素回路内では、第３トランジスタＭ３、第４トランジスタＭ４、及び第５トランジスタＭ５がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０１２５】
さらに、前記前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベルで印加されることにより、第６トランジスタＭ６はターンオンされ、これにより、第６トランジスタＭ６の第１電極に印加される基準電圧Ｖｒｅｆは、第１ノードＡに印加される。
【０１２６】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオフ、第２スイッチｓｗ２がターンオンされ、前記画素１４０は、センシング部１８０に接続される。
【０１２７】
さらに、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオフされ、第１電流シンク部１８６に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオフされ、第２電流シンク部１８７に接続された第３スイッチング素子ＳＷ３がターンオンされる。このとき、前記第２電流シンク部１８７でシンクされる第３電流は、一例として図示するように、βＩｍａｘとなり得る。（βは定数）
【０１２８】
すなわち、前記第３電流は、上述した第１電流シンク部１８６でシンクされる電流の４倍に該当することを特徴とする。ただし、これは１つの実施例であって、これに限定されるものではなく、前記第３電流は、第２電流の４ｊ（ｊは整数）倍に該当することが好ましい。
【０１２９】
また、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード電極には、第２電源ＥＬＶＳＳではない、ハイレベルの電圧が印加される。これは、前記第３電流シンク部１８７でシンクされる電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給されることを防止するためである。
【０１３０】
前記のような信号の印加により、前記第３電流シンク部１８７は、第３スイッチング素子ＳＷ３、データ線Ｄｍ、第４トランジスタＭ４、第３トランジスタＭ３、及び第２トランジスタＭ２を経由して、第１電源ＥＬＶＤＤから第３電流、すなわち、βＩｍａｘをシンクする。第３電流シンク部１８７で前記第３電流がシンクされるとき、第３電流シンク部１８６には、第３電圧ＶＧ１＿２が印加される。
【０１３１】
すなわち、前記第３電圧ＶＧ１＿２は、
【０１３２】
【数２】
0004964750.tif 000003
となる。
【０１３３】
上記式に示すように、前記第３電流が第２トランジスタＭ２を経由してシンクされるため、第３電圧ＶＧ１＿２には、第２トランジスタＭ２の閾値電圧／移動度情報が含まれる。
【０１３４】
このように、前記第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７を介して第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２が測定されると、前記第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２の差に該当する情報は、ＡＤＣ１８２に供給される。
【０１３５】
このとき、前記第２電圧及び第３電圧の差（｜第２電圧−第３電圧｜）は、
【０１３６】
【数３】
0004964750.tif 000004
となり、上記式に示すように、これは、第２トランジスタＭ２の移動度情報を有する。
【０１３７】
これにより、前記ＡＤＣ１８２は、センシング回路１８１から供給される第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２の差を第２デジタル値に変換し、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される前記第２デジタル値を格納する。実際に、メモリ１９１は、画素部１３０に含まれる全ての画素１４０それぞれの駆動トランジスタＭ２に対する移動度情報を格納する。
【０１３８】
すなわち、図８ａ〜図８ｃのステップを経て、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される第１デジタル値及び第２デジタル値を格納し、これにより、前記メモリ１９１は、画素部１３０に含まれる全ての画素１４０それぞれの第２トランジスタＭ２の移動度情報及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を格納する。
【０１３９】
これにより、変換回路１９２は、メモリ１９１に格納された第１デジタル値及び第２デジタル値を用いて、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部１５０から伝達された入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。
【０１４０】
すなわち、変換回路１９２は、第１デジタル値を参照して、各画素１４０に備えられた有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度を判断し、これと同時に、第２デジタル値を参照して、各画素１４０に備えられた第２トランジスタＭ２の移動度を測定し、タイミング制御部１５０から入力されるデータＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。その後、変換回路１９２は、前記校正データＤａｔａ’をデータ駆動部１２０に提供する。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど低輝度の光が生成されることを防止しつつ、第２トランジスタＭ２の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる。
【０１４１】
次に、前記変換された校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号がそれぞれの画素１４０に入力され、最終的に、前記データ信号に対応する階調で発光するステップが行われる。
【０１４２】
ただし、前記変換された校正データＤａｔａ’が画素１４０に入力されて発光する過程は、初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｉｎｇ）期間、閾値電圧の格納（Ｖｔｈ  ｓｔｏｒｉｎｇ）期間、データ信号に対応する電圧が充電される期間、すなわち、プログラミング（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）期間、及び発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）期間に分けられて実現される。前記それぞれの期間における動作を、以下の図８ｄ〜図８ｇを参照して説明する。
【０１４３】
図８ｄは、初期化期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１はローレベル、走査信号Ｓｎはハイレベル、感知信号ＣＬｎはハイレベル、発光制御信号Ｅｎはローレベルで印加される。
【０１４４】
したがって、第６トランジスタＭ６がターンオンされ、基準電圧Ｖｒｅｆが第１ノードＡに印加され、第５トランジスタＭ５及び第３トランジスタＭ３がターンオンされ、第２トランジスタＭ２のゲート電極、すなわち、第２ノードＢの電圧が有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード電極に印加される第２電源ＥＬＶＳＳに初期化する。
【０１４５】
このとき、前記基準電圧Ｖｒｅｆは、ハイレベルの電圧であって、第１電源ＥＬＶＤＤで実現することができ、前記第２電源ＥＬＶＳＳは、接地電源ＧＮＤ（０Ｖ）で実現することができる。すなわち、前記第２ノードＢの電圧は、０Ｖに初期化することができる。
【０１４６】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０１４７】
図８ｅは、閾値電圧の格納期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０の画素回路内では、第５トランジスタＭ５及び第６トランジスタＭ６がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０１４８】
すなわち、前記第１ノードＡには、前の期間と同様に、基準電圧Ｖｒｅｆが印加されており、前記第２ノードＢには、第２トランジスタＭ２及び第５トランジスタＭ５のターンオンにより、第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２トランジスタＭ２の閾値電圧Ｖｔｈの差に該当する電圧（ＥＬＶＤＤ−Ｖｔｈ）が印加される。
【０１４９】
したがって、上述したように、前記基準電圧Ｖｒｅｆが第１電源ＥＬＶＤＤに等しい場合、前記第１ノードＡと第２ノードＢとの間に接続された第２キャパシタＣ２には、前記第２トランジスタＭ２の閾値電圧Ｖｔｈが格納される。
【０１５０】
また、初期化期間と同様に、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０１５１】
図８ｆは、データ信号に対応する電圧が充電される期間、すなわち、プログラミング期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がハイレベル、走査信号Ｓｎがローレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０の画素回路内では、第１トランジスタＭ１のみがターンオンされる。
【０１５２】
これにより、データ駆動部１２０から出力されるデータ信号は、画素１４０の画素回路内に印加され得る。
【０１５３】
このとき、前記データ信号は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように変換された校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号である。
【０１５４】
前記データ信号が画素回路内に印加されて第１ノードＡの電圧が変動され、これにより、前記第２ノードＢの電圧は、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２のカップリングによって変動される。
【０１５５】
したがって、前記プログラミング期間を通じて第２ノードＢに印加される電圧は、一例として、
【０１５６】
【数４】
0004964750.tif 000005
となる。
【０１５７】
ここで、
【０１５８】
【数５】
0004964750.tif 000006
は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度を補償する電流比であり、
【０１５９】
【数６】
0004964750.tif 000007
は最初の入力データＤａｔａによって階調を表現するために調整される値（ｋはデータ駆動部内のＤＡＣのビット数）であり、βはシンクされる電流（１／４Ｉｍａｘ、Ｉｍａｘ）の電流比である。
【０１６０】
また、前の初期化期間と同様に、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０１６１】
最後に、図８ｇは、前記充電されたデータ信号に対応する階調で有機発光素子ＯＬＥＤが発光する期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１はハイレベル、走査信号Ｓｎはハイレベル、感知信号ＣＬｎはハイレベル、発光制御信号Ｅｎはローレベルで印加される。これにより、第３トランジスタＭ３がターンオンされる。
【０１６２】
すなわち、前記第３トランジスタＭ３がターンオンされることにより、プログラミングされた電圧に対応する電流は、前記第３トランジスタＭ３を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される。これにより、最終的に、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは、前記電流に対応する階調で光を発光する。
【０１６３】
また、前の初期化期間と同様に、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０１６４】
プログラミングされた電圧に対応する電流ＩＤは、次のような数式で表現され得る。
【０１６５】
【数７】
0004964750.tif 000008
【０１６６】
上記式から明らかなように、有機発光ダイオードＯＬＥＤに入力される電流は、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度が補償されるとともに、駆動トランジスタＭ２の移動度及び閾値電圧の特性を反映しない。したがって、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる。
【０１６７】
図９ａ〜図９ｇは、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【０１６８】
ただし、説明の便宜上、これらの図では、ｎ番目の走査線Ｓｎ及びｍ番目のデータ線Ｄｍに接続された画素の第２実施例（図４に示す）を、その対象とする。
【０１６９】
ただし、上述したように、駆動トランジスタの移動度情報のセンシングは、有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われるか、または製品出荷前に行われ、その結果が予め格納されることにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【０１７０】
これらの図の実施例では、前記駆動トランジスタの移動度情報のセンシングが有機電界発光表示装置に電源が印加されるたびに行われることを、その例として説明する。しかし、本発明の実施例が必ずしもこれに限定されないことは、当業者にとって自明である。
【０１７１】
以下、これらの図を参照して、本発明に係る有機電界発光表示装置の駆動方法をより詳細に説明する。
【０１７２】
まず、図９ａは、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の第１非表示期間の動作を説明する。
【０１７３】
前記第１非表示期間には、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる（ＯＬＥＤ  ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｉｎｇ）動作が行われる。
【０１７４】
図９ａに示すように、前記第１非表示期間には、走査信号Ｓｎ、Ｓｎ−１がハイレベル、感知信号ＣＬｎがローレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０’の画素回路内では、第４トランジスタＭ４’のみがターンオンされる。
【０１７５】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオフ、第２スイッチｓｗ２がターンオンされ、前記画素１４０’は、センシング部１８０に接続される。
【０１７６】
また、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオンされ、第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２及び第３スイッチング素子ＳＷ３はターンオフされる。このとき、前記電流ソース部１８５で提供する第１電流Ｉｒｅｆは、上述したように、前記画素１４０’が最大輝度で発光するとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れるべき電流値Ｉｍａｘに設定され得る。
【０１７７】
前記のような信号の印加により、前記電流ソース部１８５から提供される第１電流Ｉｒｅｆが、データ線Ｄｍ及び画素１４０’内の第４トランジスタＭ４’を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される。
【０１７８】
これにより、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に生成される所定の電圧（第１電圧）は、前記センシング回路１８１に等しく印加され、前記第１電圧は、ＡＤＣ１８２に供給される。
【０１７９】
すなわち、電流ソース部１８５を介して生成される第１電圧は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を有する。
【０１８０】
これにより、前記ＡＤＣ１８２は、センシング回路１８１から供給される第１電圧を第１デジタル値に変換し、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される第１デジタル値を格納する。実際に、メモリ１９１は、画素部に含まれる全ての画素１４０’それぞれの有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を格納する。
【０１８１】
次に、図９ｂ及び図９ｃは、有機電界発光表示装置に、上記図９ａの第１非表示期間以降から映像が表示される前の第２非表示期間の動作を説明する。
【０１８２】
前記第２非表示期間には、画素１４０’内の駆動トランジスタとしての第２トランジスタＭ２’の移動度情報がセンシングされる動作が行われる。
【０１８３】
本発明の実施例では、前記第２トランジスタＭ２’の移動度情報をセンシングするため、前記第２非表示期間を２つの期間に分けて、それぞれ独立に電流をシンクする動作を行うことを特徴とする。
【０１８４】
ただし、上述したように、第２トランジスタＭ２’の移動度情報のセンシングは、製品出荷前に行われ、その結果が予め格納されることにより、電源が印加されるたびに前記移動度情報の抽出を行うことなく、前記予め格納された情報を用いることもできる。
【０１８５】
図９ｂに示すように、前記第２非表示期間における第１期間には、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがローレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０’の画素回路内では、第１トランジスタＭ１’、第５トランジスタＭ５’、及び第７トランジスタＭ７’がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５’がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２’は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０１８６】
また、画素１４０’内に備えられたスイッチング素子Ｔ１にハイレベルが印加されてターンオンされ、画素１４０’が制御線Ｃｍを介してセンシング部１８０に接続される。このとき、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１及び第２スイッチｓｗ２が全てターンオフされる。
【０１８７】
また、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオフされ、第１電流シンク部１８６に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオンされ、第２電流シンク部１８７に接続された第３スイッチング素子ＳＷ３がターンオフされる。このとき、前記第１電流シンク部１８６でシンクされる第２電流は、一例として図示するように、１／４βＩｍａｘとなり得る。（βは定数）
【０１８８】
前記のような信号の印加により、前記第１電流シンク部１８６は、第２スイッチング素子ＳＷ２、制御線Ｃｍ、画素内のスイッチング素子Ｔ１、第７トランジスタＭ７’、第５トランジスタＭ５’、及び第２トランジスタＭ２’を経由して、第１電源ＥＬＶＤＤから第２電流、すなわち、１／４βＩｍａｘをシンクする。第１電流シンク部１８６で前記第２電流がシンクされるとき、第１電流シンク部１８６には、第２電圧ＶＧ１＿１が印加される。
【０１８９】
すなわち、前記第２電圧ＶＧ１＿１は、
【０１９０】
【数８】
0004964750.tif 000009
となる。
（μ：第２トランジスタの移動度、Ｗ／Ｌ：第２トランジスタのチャネルの幅に対する長さ比、Ｖｔｈ：第２トランジスタの閾値電圧）
【０１９１】
上記式に示すように、前記第２電流が第２トランジスタＭ２’を経由してシンクされるため、第２電圧ＶＧ１＿１には、第２トランジスタＭ２’の閾値電圧／移動度情報が含まれる。
【０１９２】
次に、図９ｃに示すように、前記第２非表示期間における第２期間には、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがローレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、画素１４０’の画素回路内では、第１トランジスタＭ１’、第５トランジスタＭ５’、及び第７トランジスタＭ７’がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５’がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２’は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０１９３】
さらに、画素１４０’内に備えられたスイッチング素子Ｔ１にハイレベルが印加されてターンオンされ、画素１４０’が制御線Ｃｍを介してセンシング部１８０に接続される。このとき、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１及び第２スイッチｓｗ２が全てターンオフされる。また、センシング回路１８１内では、電流ソース部１８５に接続された第１スイッチング素子ＳＷ１がターンオフされ、第１電流シンク部１８６に接続された第２スイッチング素子ＳＷ２がターンオフされ、第２電流シンク部１８７に接続された第３スイッチング素子ＳＷ３がターンオンされる。このとき、前記第２電流シンク部１８７でシンクされる第３電流は、一例として図示するように、βＩｍａｘとなり得る。（βは定数）
【０１９４】
すなわち、前記第３電流は、上述した前記第１電流シンク部１８６でシンクされる電流の４倍に該当することを特徴とする。ただし、これは１つの実施例であって、これに限定されるものではなく、前記第３電流は、第２電流の４ｊ（ｊは整数）倍に該当することが好ましい。
【０１９５】
前記のような信号の印加により、前記第２電流シンク部１８７は、第３スイッチング素子ＳＷ３、制御線Ｃｍ、画素１４０’内のスイッチング素子Ｔ１、第７トランジスタＭ７’、第５トランジスタＭ５’、及び第２トランジスタＭ２’を経由して、第１電源ＥＬＶＤＤから第３電流、すなわち、βＩｍａｘをシンクする。第２電流シンク部１８７で前記第３電流がシンクされるとき、第２電流シンク部１８７には、第３電圧ＶＧ１＿２が印加される。
【０１９６】
すなわち、前記第３電圧ＶＧ１＿２は、
【０１９７】
【数９】
0004964750.tif 000010
となる。
【０１９８】
上記式に示すように、前記第３電流が第２トランジスタＭ２’を経由してシンクされるため、第３電圧ＶＧ１＿２には、第２トランジスタＭ２’の閾値電圧／移動度情報が含まれる。
【０１９９】
このように、前記第１電流シンク部１８６及び第２電流シンク部１８７を介して第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２が測定されると、前記第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２の差に該当する情報は、ＡＤＣ１８２に供給される。
【０２００】
このとき、前記第２電圧及び第３電圧の差（｜第２電圧−第３電圧｜）は、
【０２０１】
【数１０】
0004964750.tif 000011
となり、上記式に示すように、これは、第２トランジスタＭ２’の移動度情報を有する。
【０２０２】
これにより、前記ＡＤＣ１８２は、センシング回路１８１から供給される第２電圧ＶＧ１＿１及び第３電圧ＶＧ１＿２の差を第２デジタル値に変換し、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される前記第２デジタル値を格納する。実際に、メモリ１９１は、画素部に含まれる全ての画素１４０’それぞれの駆動トランジスタＭ２’に対する移動度情報を格納する。
【０２０３】
すなわち、図９ａ〜図９ｃのステップを経て、メモリ１９１は、ＡＤＣ１８２から供給される第１デジタル値及び第２デジタル値を格納し、これにより、前記メモリ１９１は、画素部１３０に含まれる全ての画素１４０’それぞれの第２トランジスタＭ２’の移動度情報及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を格納する。
【０２０４】
これにより、変換回路１９２は、メモリ１９１に格納された第１デジタル値及び第２デジタル値を用いて、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２’の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部１５０から伝達された入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。
【０２０５】
すなわち、変換回路１９２は、第１デジタル値を参照して、各画素１４０’に備えられた有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度を判断し、これと同時に、第２デジタル値を参照して、各画素１４０’に備えられた第２トランジスタＭ２’の移動度を測定し、タイミング制御部１５０から入力されるデータＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換した後、これをデータ駆動部１２０に提供する。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化するほど低輝度の光が生成されることを防止しつつ、第２トランジスタＭ２’の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる。
【０２０６】
次に、前記変換されたデータＤａｔａ’に対応するデータ信号がそれぞれの画素１４０’に入力され、最終的に、前記データ信号に対応する階調で発光するステップが行われる。
【０２０７】
ただし、前記変換された校正データＤａｔａ’が画素１４０’に入力されて発光する過程は、初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｉｎｇ）期間、閾値電圧の格納及びデータ信号に対応する電圧が充電される（プログラミング）（Ｖｔｈ  ｓｔｏｒｉｎｇ  ａｎｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）期間、ブースト（ｂｏｏｓｔｉｎｇ）期間、並びに、発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）期間に分けられて実現され、前記それぞれの期間における動作を、以下の図９ｄ〜図９ｇを参照して説明する。
【０２０８】
図９ｄは、初期化期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がローレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加される。
【０２０９】
また、スイッチング素子Ｔ１はターンオフされ、前記第６トランジスタＭ６’の第１電極には、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【０２１０】
このとき、前記基準電圧Ｖｒｅｆは、接地電圧ＧＮＤ（０Ｖ）で実現されることが好ましい。
【０２１１】
したがって、第７トランジスタＭ７’がターンオンされ、第７トランジスタＭ７’の第２電極に印加された電圧、すなわち、第２トランジスタＭ２’のゲート電圧は、前記基準電圧Ｖｒｅｆに初期化する。
【０２１２】
さらに、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１及び第２スイッチｓｗ２が全てターンオフされ、前記期間では、画素１４０’がデータ駆動部１２０及びセンシング部１８０に接続されない。
【０２１３】
図９ｅは、閾値電圧の格納及びプログラミング期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がハイレベル、走査信号Ｓｎがローレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがハイレベルで印加され、スイッチング素子Ｔ１はターンオフされ、前記第６トランジスタＭ６’の第１電極は、基準電圧Ｖｒｅｆ源に接続される。
【０２１４】
これにより、前記画素１４０’の画素回路内では、第１トランジスタＭ１’及び第５トランジスタＭ５’がターンオンされる。また、前記第５トランジスタＭ５’がターンオンされることにより、第２トランジスタＭ２’は、ダイオード接続されるのでターンオンされる。
【０２１５】
すなわち、前記第２ノードＢには、第２トランジスタＭ２’及び第５トランジスタＭ５’のターンオンにより、第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２トランジスタＭ２’の閾値電圧Ｖｔｈの差に該当する電圧（ＥＬＶＤＤ−Ｖｔｈ）が印加される。
【０２１６】
また、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオンされ、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０’は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０２１７】
すなわち、前記期間では、データ駆動部１２０から印加されるデータ信号、すなわち、校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号が画素１４０’内に提供され、前記データ信号は、データ線Ｄｍ及び第１トランジスタＭ１’を経て第１ノードＡに印加される。
【０２１８】
このとき、前記データ信号により、前記第１ノードＡに加えられる電圧は、一例として、
【０２１９】
【数１１】
0004964750.tif 000012
となり得る。
【０２２０】
ここで、
【０２２１】
【数１２】
0004964750.tif 000013
は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度を補償する電流比であり、
【０２２２】
【数１３】
0004964750.tif 000014
は最初の入力データＤａｔａによって階調を表現するために調整される値（ｋはデータ駆動部内のＤＡＣのビット数）であり、βはシンクされる電流（１／４Ｉｍａｘ、Ｉｍａｘ）の電流比である。
【０２２３】
図９ｆは、ブースト期間に該当するものであり、前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がハイレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベルで印加され、発光制御信号Ｅｎがローレベルに遷移し、画素１４０’の画素回路内の第６トランジスタＭ６’がターンオンされる。
【０２２４】
これにより、前記第６トランジスタＭ６’の第１電極に提供される基準電圧Ｖｒｅｆは、第１ノードＡに印加され、これにより、前のプログラミング期間で印加されたデータ信号による第１ノードＡの電圧が変動される。これにより、前記第２ノードＢの電圧は、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２によるブーストによって変動される。
【０２２５】
したがって、前記ブースト期間を通じて第２ノードＢに印加される電圧は、一例として、
【０２２６】
【数１４】
0004964750.tif 000015
となる。
【０２２７】
また、前のプログラミング期間と同様に、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０’は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０２２８】
最後に、図９ｇは、前記充電されたデータ信号に対応する階調で有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する期間に該当するものである。前記期間には、図示のように、前段の走査信号Ｓｎ−１がハイレベル、走査信号Ｓｎがハイレベル、感知信号ＣＬｎがハイレベル、発光制御信号Ｅｎがローレベルで印加され、第３トランジスタＭ３’がターンオンされる。
【０２２９】
すなわち、前記第３トランジスタＭ３’がターンオンされることにより、プログラミングされた電圧に対応する電流は、前記第３トランジスタＭ３’を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤに印加される。したがって、最終的に、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは、前記電流に対応する階調で光を発光する。
【０２３０】
さらに、前の期間と同様に、スイッチング部１７０では、第１スイッチｓｗ１がターンオン、第２スイッチｓｗ２がターンオフされ、前記画素１４０’は、データ駆動部１２０に接続される。したがって、センシング回路１８１内の第１スイッチング素子〜第３スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は全てターンオフされる。
【０２３１】
プログラミングされた電圧に対応する電流ＩＤは、次のような数式で表現され得る。
【０２３２】
【数１５】
0004964750.tif 000016
【０２３３】
上記式から明らかなように、有機発光ダイオードＯＬＥＤに入力される電流は、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の程度が補償されるとともに、駆動トランジスタＭ２’の移動度及び閾値電圧の特性を反映しない。したがって、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び駆動トランジスタＭ２’の移動度にかかわらず、均一な輝度の映像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２３４】
【図１】有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。
【図２】本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図３】図２に示す画素の第１実施例を示す回路図である。
【図４】図２に示す画素の第２実施例を示す回路図である。
【図５】図２に示すスイッチング部、センシング部、及び変換部を詳細に示すブロック図である。
【図６】図５に示すセンシング回路を示す図である。
【図７】図２に示すデータ駆動部の実施例を示すブロック図である。
【図８ａ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｂ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｃ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｄ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｅ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｆ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図８ｇ】本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ａ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｂ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｃ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｄ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｅ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｆ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【図９ｇ】本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の駆動方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２３５】
１１０；走査駆動部
１２０；データ駆動部
１３０；画素部
１４０；画素
１５０；タイミング制御部
１６０；感知線駆動部
１７０；スイッチング部
１８０；センシング部
１９０；変換部
【図１】
0004964750.tif 000017
【図２】
0004964750.tif 000018
【図３】
0004964750.tif 000019
【図４】
0004964750.tif 000020
【図５】
0004964750.tif 000021
【図６】
0004964750.tif 000022
【図７】
0004964750.tif 000023
【図８ａ】
0004964750.tif 000024
【図８ｂ】
0004964750.tif 000025
【図８ｃ】
0004964750.tif 000026
【図８ｄ】
0004964750.tif 000027
【図８ｅ】
0004964750.tif 000028
【図８ｆ】
0004964750.tif 000029
【図８ｇ】
0004964750.tif 000030
【図９ａ】
0004964750.tif 000031
【図９ｂ】
0004964750.tif 000032
【図９ｃ】
0004964750.tif 000033
【図９ｄ】
0004964750.tif 000034
【図９ｅ】
0004964750.tif 000035
【図９ｆ】
0004964750.tif 000036
【図９ｇ】
0004964750.tif 000037