(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板の上に形成された絶縁層の上に形成され、電子部品と接続するための端子部を有する導体パターンと、前記金属支持基板または前記絶縁層の上に形成され、前記電子部品を実装するための基準穴を形成するための開口部を有するマークとを同時に形成する工程と、
前記マークの前記開口部内に配置される前記金属支持基板、または、前記マークの前記開口部内に配置される前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングして、前記基準穴を形成する工程と
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項２】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程では、前記導体パターンおよび前記マークを、導体層およびその下面に形成される種膜から形成し、
前記基準穴を形成する工程では、前記種膜をエッチングレジストとして、前記マークの前記種膜から露出する前記金属支持基板、または、前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングすることにより、前記基準穴を形成することを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、
前記絶縁層および前記絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に前記種膜を形成する工程と、
前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、
前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、
前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、
前記基準穴を形成する工程は、
第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、
部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、
前記マークの前記種膜から露出する前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項４】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、
前記絶縁層の上に前記種膜を形成する工程と、
前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、
前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、
前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、
前記基準穴を形成する工程は、
第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、
部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、
前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、
前記絶縁層の上に前記種膜を介して積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、
前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークと同一パターンで第１エッチングレジストを形成する工程と、
前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層および種膜をエッチングすることにより、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程と、
前記第１エッチングレジストを除去する工程とを備え、
前記基準穴を形成する工程は、
第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、
部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、
前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることを特徴とする、請求項２に回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程では、前記導体パターンおよび前記マークを、少なくとも前記導体層から形成し、
前記基準穴を形成する工程では、前記導体パターンの表面および前記マークの表面に、金属めっき層を形成し、次いで、前記マークの表面に形成される前記金属めっき層をエッチングレジストとして、前記マークの表面の前記金属めっき層から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングすることにより、前記基準穴を形成することを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、
前記絶縁層の上に前記種膜を形成する工程と、
前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、
前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、
前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、
前記基準穴を形成する工程は、
第２エッチングレジストを、前記導体パターンの表面の前記金属めっき層を被覆し、前記マークの表面の前記金属めっき層を部分的に露出するように、形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項６に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、
前記絶縁層の上に積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、
前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークと同一パターンで第１エッチングレジストを形成する工程と、
前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層をエッチングすることにより、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程と、
前記第１エッチングレジストを除去する工程とを備え、
前記基準穴を形成する工程は、
第２エッチングレジストを、前記導体パターンの表面の前記金属めっき層を被覆し、前記マークの表面の金属めっき層を部分的に露出するように、形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項６に記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項９】
前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程において、１枚のフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光することを特徴とする、請求項３〜５、７および８のいずれかに記載の回路付サスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板の製造方法、詳しくは、電子部品を実装する回路付サスペンション基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板は、ハードディスクドライブに用いられており、磁気ヘッドを支持するためのサスペンション基板に、磁気ヘッドを接続するための端子部を含む配線回路パターンが一体的に形成されている。また、回路付サスペンション基板は、ステンレスからなるサスペンション基板、その上に形成され、ポリイミドからなるベース絶縁層、および、ベース絶縁層の上に形成され、銅からなる配線回路パターンを備えている。
【０００３】
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板に開口されるツーリングホールを基準として、磁気ヘッドを実装して、その磁気ヘッドの端子を端子部と接続するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、回路付サスペンション基板では、ベース絶縁層の形成と同時に、位置決めマークを形成し、その位置決めマークを基準として、配線回路パターンを形成するためのフォトマスクを位置決めし、さらに、ツーリングホールを形成するためのフォトマスクを位置決めしている。
【特許文献１】特開２００７−１０９７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
すなわち、上記方法では、共通の位置決めマークを基準として、まず、配線回路パターンの形成時に、配線回路パターンを形成するためのフォトマスクを位置決めし、その後、ツーリングホールの形成時に、ツーリングホールを形成するためのフォトマスクを位置決めしている。
【０００６】
しかし、上記方法では、配線回路パターンを形成するためのフォトマスクと、ツーリングホールを形成するためのフォトマスクとを、別々の工程でそれぞれ用いている。
【０００７】
そのため、位置決めマークに対して、配線回路パターンを形成するためのフォトマスク、または、ツーリングホールを形成するためのフォトマスクを位置決めできるものの、形成された配線回路パターンとツーリングホールとの相対配置は、位置決めマークに対する配線回路パターンを形成するためのフォトマスクの公差と、位置決めマークに対するツーリングホールを形成するためのフォトマスクの公差との両方を含み、その分、精度の向上を図ることが困難となる。
【０００８】
一方、磁気ヘッドをツーリングホールを基準として実装し、磁気ヘッドの端子と配線回路パターンの端子部とを接続するには、ツーリングホールと配線回路パターンとを精度よく相対配置させる必要がある。
【０００９】
本発明の目的は、電子部品を精度よく実装でき、かつ、電子部品の端子と導体パターンの端子部とを精度よく接続することのできる、回路付サスペンション基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板の上に形成された絶縁層の上に形成され、電子部品と接続するための端子部を有する導体パターンと、前記金属支持基板または前記絶縁層の上に形成され、前記電子部品を実装するための基準穴を形成するための開口部を有するマークとを同時に形成する工程と、前記マークの前記開口部内に配置される前記金属支持基板、または、前記マークの前記開口部内に配置される前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングして、前記基準穴を形成する工程とを備えていることを特徴としている。
【００１１】
この方法では、導体パターンとマークとを同時に形成するので、導体パターンとマークとを、精度よく相対配置させることができる。
【００１２】
そして、マークの開口部に基づいて基準穴を形成するので、その基準穴を基準として実装される電子部品の端子と、マークに対して精度よく相対配置された端子部とを確実に接続することができる。
【００１３】
その結果、接続信頼性に優れる回路付サスペンション基板を得ることができる。
【００１４】
また、この回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程では、前記導体パターンおよび前記マークを、導体層およびその下面に形成される種膜から形成し、前記基準穴を形成する工程では、前記種膜をエッチングレジストとして、前記マークの前記種膜から露出する前記金属支持基板、または、前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングすることにより、前記基準穴を形成することが好適である。
【００１５】
この方法では、種膜をエッチングレジストとして、マークの種膜から露出する金属支持基板、または、マークの種膜から露出する絶縁層および金属支持基板をエッチングするので、確実、かつ、簡便な方法で、基準穴を形成することができる。
【００１６】
また、この回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、前記絶縁層および前記絶縁層から露出する前記金属支持基板の上に前記種膜を形成する工程と、前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、前記めっきレジストを除去する工程と、前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、前記基準穴を形成する工程は、第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、前記マークの前記種膜から露出する前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることが好適である。
【００１７】
この方法では、フォトマスクを精密に形成すれば、導体パターンとマークとをより一層精密に相対配置させることができる。また、金属支持基板のみをエッチングする簡便な方法で、基準穴を形成できる。
【００１８】
また、この回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、前記絶縁層の上に前記種膜を形成する工程と、前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、前記めっきレジストを除去する工程と、前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、前記基準穴を形成する工程は、第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることが好適である。
【００１９】
この方法では、フォトマスクを精密に形成すれば、導体パターンとマークとをより一層精密に相対配置させることができる。また、導体パターンとマークとをともに絶縁層に形成するので、より精密な相対配置を確保することができる。
【００２０】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、前記絶縁層の上に前記種膜を介して積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークと同一パターンで第１エッチングレジストを形成する工程と、前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層および種膜をエッチングすることにより、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程と、前記第１エッチングレジストを除去する工程とを備え、前記基準穴を形成する工程は、第２エッチングレジストを、前記導体パターンを被覆し、前記マークを部分的に露出するように、形成する工程と、部分的に露出した前記マークの前記導体層を、前記第２エッチングレジストをエッチングレジストとしてエッチングする工程と、前記マークの前記種膜から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板を、前記種膜をエッチングレジストとしてエッチングすることにより、前記基準穴を形成する工程とを備えていることが好適である。
【００２１】
この方法では、フォトマスクを精密に形成すれば、導体パターンとマークとをより一層精密に相対配置させることができる。また、工程数の低減を図ることができる。
【００２２】
また、この回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程では、前記導体パターンおよび前記マークを、少なくとも前記導体層から形成し、前記基準穴を形成する工程では、前記導体パターンの表面および前記マークの表面に、金属めっき層を形成し、次いで、前記マークの表面に形成される前記金属めっき層をエッチングレジストとして、前記マークの表面の前記金属めっき層から露出する前記絶縁層および前記金属支持基板をエッチングすることにより、前記基準穴を形成することが好適である。
【００２３】
この方法では、金属めっき層をエッチングレジストとしてエッチングするので、確実、かつ、簡便な方法で、基準穴を形成することができる。
【００２４】
また、この回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、前記絶縁層の上に前記種膜を形成する工程と、前記種膜の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークの逆パターンでめっきレジストを形成する工程と、前記めっきレジストから露出する前記種膜の上に、前記導体層を積層する工程と、前記めっきレジストを除去する工程と、前記導体層から露出する前記種膜を除去して、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程とを備え、前記基準穴を形成する工程は、第２エッチングレジストを、前記導体パターンの表面の前記金属めっき層を被覆し、前記マークの表面の前記金属めっき層を部分的に露出するように、形成する工程を備えていることが好適である。
【００２５】
この方法では、フォトマスクを精密に形成すれば、導体パターンとマークとをより一層精密に相対配置させることができる。
【００２６】
また、回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程は、前記絶縁層の上に積層される前記導体層の上にフォトレジストを積層する工程と、前記フォトレジストをフォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、前記導体パターンおよび前記マークと同一パターンで第１エッチングレジストを形成する工程と、前記第１エッチングレジストから露出する前記導体層をエッチングすることにより、前記導体パターンおよび前記マークを形成する工程と、前記第１エッチングレジストを除去する工程とを備え、前記基準穴を形成する工程は、第２エッチングレジストを、前記導体パターンの表面の前記金属めっき層を被覆し、前記マークの表面の金属めっき層を部分的に露出するように、形成する工程を備えていることが好適である。
【００２７】
この方法では、フォトマスクを精密に形成すれば、導体パターンとマークとをより一層精密に相対配置させることができる。また、工程数の低減を図ることができる。
【００２８】
また、回路付サスペンション基板の製造方法では、前記導体パターンと前記マークとを同時に形成する工程において、１枚のフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光することが好適である。
【００２９】
この方法では、１枚のフォトマスクを介した１回の露光によりフォトレジストを形成して、導体パターンとマークとを精密に相対配置させることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、導体パターンとマークとを同時に形成するので、導体パターンとマークとを、精度よく相対配置させることができる。
【００３１】
そして、マークの開口部に基づいて基準穴を形成するので、その基準穴を基準として実装される電子部品の端子と、マークに対して精度よく相対配置された端子部とを確実に接続することができる。
【００３２】
その結果、接続信頼性に優れる回路付サスペンション基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態により製造される回路付サスペンション基板の平面図、図２〜図４は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。なお、図１において、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３およびカバー絶縁層１１は省略されている。
【００３４】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）が実装される金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【００３５】
導体パターン４は、後述するが、電子部品としての磁気ヘッドの端子と接続するための磁気ヘッド側接続端子部５Ａと、電子部品としてのリード・ライト基板の端子と接続するための外部側接続端子部５Ｂと、磁気ヘッド側接続端子部５Ａおよび外部側接続端子部５Ｂ（以下、これらを単に「端子部５」と総称する場合がある。）を接続するための複数の配線６とを一体的に備えている。
【００３６】
金属支持基板２は、長手方向に延びる平帯形状に形成されている。金属支持基板２の長手方向一端部（以下、先端部という。）には、磁気ヘッド側接続端子部５Ａが設けられている。また、金属支持基板２の長手方向他端部（以下、後端部という。）には、外部側接続端子部５Ｂが設けられている。
【００３７】
また、回路付サスペンション基板１の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル２２および基準穴１０が設けられている。
【００３８】
ジンバル２２は、磁気ヘッドが実装される部分に形成されており、そのジンバル２２には、磁気ヘッド側接続端子部５Ａを長手方向において挟む切欠部２１が形成されている。
【００３９】
基準穴１０は、磁気ヘッドを実装するときの磁気ヘッドの位置合わせの基準として用いられる。基準穴１０は、ジンバル２２の後側で、幅方向途中において、平面視略円形状に形成され、金属支持基板２を厚み方向に貫通するように形成されている。基準穴１０の孔径は、例えば、３００〜１０００μｍである。
【００４０】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図４（ｍ）に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層１１とを備えている。
【００４１】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面において、導体パターン４が形成される部分に対応するように、形成されている。
【００４２】
導体パターン４は、金属支持基板２の表面に積層される種膜７と、種膜７の表面（上面）に積層される導体層８とから形成される。
【００４３】
カバー絶縁層１１は、配線６を被覆して、端子部５および後述するマーク９を露出するように、形成されている。
【００４４】
そして、図１に示すように、この回路付サスペンション基板１の先側には、マーク９が設けられている。
【００４５】
マーク９は、図１および図４（ｍ）に示すように、基準穴１０の周縁に配置され、平面視略円環状に形成されている。マーク９は、種膜７と種膜７の上（上面）に形成される導体層８とからなり、基準穴１０を形成するための平面視略円形状の開口部１６が形成されている。
【００４６】
開口部１６は、基準穴１０と平面視において同一位置となるように形成されている。
【００４７】
マーク９における導体層８の内側端部１５は、後述する基準穴１０を形成するときのエッチングにより、除去されており、これにより、マーク９の導体層８は、内側端部１５において種膜７を露出させて、基準穴１０を平面視において間隔を隔てて囲むように、形成されている。
【００４８】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
【００４９】
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
【００５０】
金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜６０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
【００５１】
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に形成する。
【００５２】
ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００５３】
例えば、感光性ポリイミドを用いて、ベース絶縁層３を形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、このベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光した後、現像し、次いで、これを、例えば、３００℃以上で加熱して硬化（イミド化）することにより、ベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。
【００５４】
このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
【００５５】
次いで、この方法では、図２（ｃ）〜図３（ｉ）に示すように、導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により同時に形成する。
【００５６】
導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により同時に形成するには、まず、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上に種膜７を形成する。
【００５７】
種膜７を形成する材料としては、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などの金属材料が用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。また、種膜７は、複数の層から形成することもできる。
【００５８】
種膜７は、例えば、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成される。好ましくは、スパッタリングにより形成される。
【００５９】
スパッタリングとしては、例えば、上記した金属をターゲットとするスパッタリングが用いられ、好ましくは、クロムスパッタリングが用いられ、これらによりクロム薄膜を積層する。
【００６０】
このようにして形成される種膜７の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
【００６１】
次いで、図２（ｄ）に示すように、種膜７の上にフォトレジスト１２を積層する。
【００６２】
フォトレジスト１２は、例えば、ドライフィルムレジストを、種膜７の表面に積層する。
【００６３】
次いで、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト１２を、フォトマスク１３を介して露光し、その後、図３（ｆ）に示すように、現像することにより、導体パターン４およびマーク９の逆パターンでめっきレジスト１４を形成する。
【００６４】
フォトマスク１３には、図２（ｅ）に示すように、導体パターン４を形成するためのパターンと、マーク９を形成するためのパターンとが、１枚のフォトマスクに一体的に形成されている。具体的には、フォトマスク１３は、光を透過しない遮光部分１３ａと、光を透過する光透過部分１３ｂとを上記パターンで備えており、ネガ画像でパターンニングする場合には、導体パターン４およびマーク９を形成する部分には、遮光部分１３ａが対向し、導体パターン４およびマーク９を形成しない部分には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。
【００６５】
その後、図３（ｆ）に示すように、遮光部分１３ａが対向していた未露光部分、すなわち、導体パターン４およびマーク９を形成する部分を、現像により除去する。現像は、例えば、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。
【００６６】
これによって、めっきレジスト１４が、種膜７の表面に、導体パターン４およびマーク９の逆パターンで形成される。
【００６７】
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち導体パターン４およびマーク９を形成する部分に、フォトマスク１３の光透過部分１３ｂを対向させて露光した後、現像する。
【００６８】
次いで、図３（ｇ）に示すように、めっきレジスト１４から露出する種膜７の上に、導体層８を積層する。
【００６９】
導体層８を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。
【００７０】
導体層８は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、積層する。
【００７１】
このようにして積層される導体層８の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
【００７２】
次いで、図３（ｈ）に示すように、めっきレジスト１４を除去する。めっきレジスト１４は、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
【００７３】
次いで、図３（ｉ）に示すように、導体層８から露出する種膜７を除去する。
【００７４】
導体層８から露出する種膜７は、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
【００７５】
これにより、種膜７および導体層８からなる、導体パターン４およびマーク９を同時に形成することができる。
【００７６】
次いで、この方法では、図４（ｊ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。
【００７７】
カバー絶縁層１１を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３の絶縁材料と同様のものが用いられる。
【００７８】
例えば、感光性ポリイミドを用いて、カバー絶縁層１１を形成するには、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、導体パターン４およびマーク９を含むベース絶縁層３の表面に均一に塗布し、例えば、７０〜１２０℃で加熱して乾燥してカバー皮膜を形成する。次いで、このカバー皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光した後、現像し、次いで、これを、例えば、３００℃以上で加熱して硬化（イミド化）することにより、カバー絶縁層１１を上記したパターンで形成する。
【００７９】
このようにして形成されるカバー絶縁層１１の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。
【００８０】
次いで、この方法では、図４（ｋ）〜図４（ｍ）に示すように、基準穴１０を形成する。
【００８１】
基準穴１０を形成するには、まず、図４（ｋ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、導体パターン４を被覆し、マーク９を部分的に露出するように、形成する。具体的には、第２エッチングレジスト１９は、マーク９において、平面視略円環状の導体層８の内側端部１５を露出するように、形成する。第２エッチングレジスト１９から露出する導体層８の内側端部１５の幅Ｗ１は、例えば、２０〜６０μｍである。
【００８２】
第２エッチングレジスト１９は、例えば、ドライフィルムレジストを、導体パターン４およびマーク９を含むベース絶縁層３およびカバー絶縁層１１の表面およびベース絶縁層３の裏面に積層した後、露光および現像することにより、上記したパターンで形成する。
【００８３】
次いで、図４（ｌ）に示すように、第２エッチングレジスト１９から露出する導体層８の内側端部１５を、第２エッチングレジスト１９をエッチングレジスト（マスク）としてエッチングするとともに、種膜７をエッチングレジスト（マスク）として、マーク９の種膜７から露出する金属支持基板２をエッチングする。
【００８４】
エッチングとしては、例えば、銅とステンレスとを溶解する塩化第２鉄水溶液などのエッチング液による化学エッチングなどが用いられる。
【００８５】
次いで、図４（ｍ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を除去する。第２エッチングレジスト１９は、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
【００８６】
そして、この方法では、導体パターン４とマーク９とを同時に形成するので、導体パターン４とマーク９とを、精度よく相対配置させることができる。とりわけ、フォトマスク１３（図２（ｅ）参照）における、導体パターン４（端子部５）を形成するためのパターンと、マーク９を形成するためのパターンとを精密に形成すれば、１回の露光によりめっきレジスト１４を形成して、磁気ヘッド側接続端子部５Ａとマーク９とをより一層精密に相対配置させることができる。
【００８７】
また、種膜７をエッチングレジストとして、マーク９の種膜７から露出する金属支持基板２をエッチングするので、確実、かつ、簡便な方法で、基準穴１０を形成することができる。
【００８８】
そのため、その基準穴１０を基準として実装される磁気ヘッドの端子と、マーク９に対して精度よく相対配置された磁気ヘッド側接続端子部５Ａとを確実に接続することができる。
【００８９】
また、金属支持基板２のみをエッチングする簡易な方法で、基準穴１０を形成できる。
【００９０】
その結果、接続信頼性に優れる回路付サスペンション基板１を、低い製造コストで得ることができる。
【００９１】
なお、上記した説明では、基準穴１０および開口部１６を平面視略円形状に形成したが、図示しないが、例えば、平面視矩形状などの適宜の形状に形成することができる。
【００９２】
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態について、図５を参照して説明する。なお、上記した各部に対応する部分については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９３】
上記した図４（ｌ）の説明では、導体層８のエッチングにおいて、第２エッチングレジスト１９をエッチングレジスト（マスク）としたが、例えば、図５（ｌ）に示すように、カバー絶縁層１１をエッチングレジスト（マスク）とすることもできる。
【００９４】
すなわち、カバー絶縁層１１は、図５（ｊ）に示すように、マーク９が部分的に露出されるように、形成されている。具体的には、カバー絶縁層１１は、マーク９の開口部１６を露出させるカバー開口部２８が形成されるパターンに形成されている。すなわち、カバー絶縁層１１は、マーク９の内側端部１５の表面（上面および内側面）を露出させ、かつ、マーク９の外側端部１７の表面（上面および外側面）を被覆するように、形成されている。
【００９５】
そして、この方法では、図５（ｊ）に示すように、カバー絶縁層１１を、上記したパターンで形成する。
【００９６】
次いで、図５（ｋ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、導体パターン４を被覆し、カバー絶縁層１１の外側端部２７を被覆し、カバー絶縁層１１の内側端部２６を露出するように、形成する。具体的には、第２エッチングレジスト１９におけるカバー開口部２８を露出させる開口端縁は、平面視において、カバー開口部２８より外側（長手方向外側および幅方向外側）に間隔を隔てて配置されている。
【００９７】
次いで、図５（ｌ）に示すように、カバー開口部２８から露出するマーク９の導体層８の内側端部１５を、カバー絶縁層１１をエッチングレジスト（マスク）としてエッチングする。これと同時に、マーク９の種膜７をエッチングレジストとして、種膜７から露出する金属支持基板２をエッチングする。この導体層８および金属支持基板２のエッチングは、上記と同様のエッチングが用いられる。
【００９８】
その後、図５（ｍ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、上記と同様にして除去する。
【００９９】
そして、この方法では、マーク９の導体層８を、カバー絶縁層１１をエッチングレジストとして、エッチングすることができる。
【０１００】
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態により製造される回路付サスペンション基板について、図８（ｍ）を参照して説明する。
【０１０１】
図８（ｍ）に示すように、この回路付サスペンション基板１において、ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面において、導体パターン４およびマーク９が形成される部分に対応するように、形成されている。
【０１０２】
また、基準穴１０は、金属支持基板２およびベース絶縁層３を厚み方向に貫通するように開口されている。
【０１０３】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６〜図８を参照して説明する。
【０１０４】
まず、この方法では、図６（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２を形成する金属材料および厚みは、上記と同様である。
【０１０５】
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、上記したパターンで形成する。ベース絶縁層３の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１０６】
次いで、この方法では、図６（ｃ）〜図７（ｉ）に示すように、導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により同時に形成する。
【０１０７】
導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により同時に形成するには、まず、図６（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上に種膜７を形成する。種膜７は、上記と同様の方法により形成する。
【０１０８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、種膜７の上にフォトレジスト１２を積層する。フォトレジスト１２は、上記と同様の方法により積層する。
次いで、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト１２を、フォトマスク１３を介して露光し、その後、図７（ｆ）に示すように、現像することにより、導体パターン４およびマーク９の逆パターンでめっきレジスト１４を形成する。フォトレジスト１２の露光および現像は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１０９】
次いで、図７（ｇ）に示すように、めっきレジスト１４から露出する種膜７の上に、導体層８を積層する。導体層８は、上記と同様の方法により積層する。
【０１１０】
次いで、図７（ｈ）に示すように、めっきレジスト１４を、上記と同様の方法により、除去する。
【０１１１】
次いで、図７（ｉ）に示すように、導体層８から露出する種膜７を、上記と同様の方法により、除去する。
【０１１２】
これにより、種膜７および導体層８からなる、導体パターン４およびマーク９を同時に形成することができる。
【０１１３】
次いで、この方法では、図８（ｊ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。カバー絶縁層１１の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１１４】
次いで、この方法では、図８（ｋ）〜図８（ｍ）に示すように、基準穴１０を形成する。
【０１１５】
基準穴１０を形成するには、まず、図８（ｋ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、導体パターン４を被覆し、マーク９を部分的に露出するように、上記と同様にして形成する。
【０１１６】
次いで、図８（ｌ）に示すように、第２エッチングレジスト１９から露出する導体層８を、第２エッチングレジスト１９をエッチングレジストとして、エッチングする。これと同時に、種膜７をエッチングレジスト（マスク）として、種膜７から露出するベース絶縁層３をエッチングする。ベース絶縁層３のエッチングは、アルカリ水溶液などを用いる化学エッチングが用いられる。
【０１１７】
その後、図８（ｌ）および図８（ｍ）に示すように、第２エッチングレジスト１９から露出する導体層８の内側端部１５を、第２エッチングレジスト１９をエッチングレジスト（マスク）としてエッチングするとともに、種膜７をエッチングレジスト（マスク）として、その種膜７から露出する金属支持基板２をエッチングする。導体層８および金属支持基板２のエッチングは、上記と同様のエッチングが用いられる。
【０１１８】
その後、図８（ｍ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、上記と同様にして除去する。
【０１１９】
そして、この方法では、導体パターン４とマーク９とをともにベース絶縁層３に形成するので、より精密な相対配置を確保することができる。
【０１２０】
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態について、図９を参照して説明する。
【０１２１】
上記した図８（ｌ）の説明では、導体層８のエッチングにおいて、第２エッチングレジスト１９のみをエッチングレジスト（マスク）としたが、例えば、図９（ｌ）に示すように、第２エッチングレジスト１９とカバー絶縁層１１とをエッチングレジスト（マスク）とすることもできる。
【０１２２】
すなわち、カバー絶縁層１１は、図９（ｊ）に示すように、回路付サスペンション基板１の製造途中においては、マーク９を被覆するように形成されている。すなわち、カバー絶縁層１１は、マーク９の開口部１６内に充填され、マーク９の表面（上面および両側面）を被覆するように、形成されている。
【０１２３】
そして、この方法では、図９（ｊ）に示すように、カバー絶縁層１１を、上記したパターンで形成する。
【０１２４】
次いで、図９（ｋ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、導体パターン４を被覆し、マーク９の表面（上面）に形成されたカバー絶縁層１１の外側端部２７を被覆し、これらの間の途中部２９を露出するように、形成する。
【０１２５】
次いで、図９（ｌ）に示すように、第２エッチングレジスト１９から露出するカバー絶縁層１１の途中部２９を、第２エッチングレジスト１９をエッチングレジストとしてエッチングする。これと同時に、マーク９から露出するベース絶縁層３を、マーク９をエッチングレジストとしてエッチングする。カバー絶縁層１１およびベース絶縁層３のエッチングは、上記したベース絶縁層３と同様のエッチングが用いられる。
【０１２６】
次いで、図９（ｍ）に示すように、種膜７から露出する金属支持基板２を、種膜７をエッチングレジストとしてエッチングする。ベース絶縁層３および金属支持基板２のエッチングは、上記と同様の方法が用いられる。
【０１２７】
次いで、図９（ｎ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、上記と同様にして除去する。
【０１２８】
そして、この方法では、第２エッチングレジスト１９とカバー絶縁層１１との両方をエッチングレジストとして、導体層８をエッチングすることができる。
【０１２９】
また、上記した説明では、導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により形成したが、例えば、図１０および図１１に示すように、サブトラクティブ法により形成することもできる。
【０１３０】
導体パターン４とマーク９とをサブトラクティブ法により同時に形成するには、まず、図１０（ａ）に示すように、金属支持基板２、ベース絶縁層３、種膜７および導体層８が順次積層された４層基材２４を用意する。
【０１３１】
より具体的には、４層基材２４は、金属支持基板２の上にベース絶縁層３が積層され、ベース絶縁層３の上に種膜７が積層され、種膜７の上に導体層８が形成されている。金属支持基板２を形成する金属材料と、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料と、種膜７を形成する材料と、導体層８を形成する導体材料とは、上記と同様である。また、金属支持基板２、ベース絶縁層３、種膜７および導体層８の厚みも、上記と同様である。
【０１３２】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、導体層８（ベース絶縁層３の上に種膜７を介して積層される導体層８）の上にフォトレジスト１２を積層する。フォトレジスト１２は、上記と同様の方法により積層する。
【０１３３】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト１２を、フォトマスク１３を介して露光し、その後、図１０（ｄ）に示すように、現像することにより、導体パターン４およびマーク９と同一パターンで第１エッチングレジスト１８を形成する。
【０１３４】
フォトマスク１３を介する露光および現像において、導体パターン４およびマーク９を形成する部分に、光透過部分１３ｂを対向させて露光した後、現像する。
【０１３５】
これによって、第１エッチングレジスト１８が、導体層８の表面に、導体パターン４およびマーク９と同一パターンで形成される。
【０１３６】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、第１エッチングレジスト１８から露出する導体層８および種膜７をエッチングする。導体層８および種膜７のエッチングとしては、例えば、エッチング液による化学エッチングなどが用いられる。
【０１３７】
これにより、導体層８および種膜７からなる、導体パターン４およびマーク９をサブトラクティブ法により形成する。
【０１３８】
次いで、図１１（ｆ）に示すように、第１エッチングレジスト１８を除去する。第１エッチングレジスト１８の除去は、例えば、エッチング、剥離などによって、除去する。
【０１３９】
次いで、図１１（ｇ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。カバー絶縁層１１の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１４０】
次いで、この方法では、図１１（ｈ）〜図１１（ｊ）に示すように、基準穴１０を形成する。基準穴１０を形成するには、上記した図８（ｋ）〜図８（ｍ）において説明した方法と、同様の方法が用いられる。
【０１４１】
そして、この方法では、導体パターン４とマーク９とをともにベース絶縁層３に形成するので、より精密な相対配置を確保することができる。
【０１４２】
また、導体パターン４とマーク９とを４層基材２４を用いるサブトラクディブ法により形成するので、導体層８および種膜７を形成するための工程数の低減を図ることができる。
【０１４３】
なお、上記した方法では、金属支持基板２、ベース絶縁層３、種膜７および導体層８が予め積層された４層基材２４を用意したが、例えば、図示しないが、上記した各層を順次積層することもできる。例えば、まず、金属支持基板２を用意し、次いで、金属支持基板２の上にベース絶縁層３を積層し、次いで、ベース絶縁層３の上に種膜７を積層し、その後、導体層８を積層することもできる。
【０１４４】
次に、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態により製造される回路付サスペンション基板について、図１４（ｍ）を参照して説明する。
【０１４５】
図１４（ｍ）に示すように、この回路付サスペンション基板１において、端子部５の表面には、金属めっき層２３が形成されている。具体的には、金属めっき層２３は、端子部５の側面および上面に形成されている。
【０１４６】
また、マーク９にも、金属めっき層２３が形成されている。具体的には、金属めっき層２３は、マーク９の表面（上面および側面）に形成されている。
【０１４７】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図１２〜図１４を参照して説明する。
【０１４８】
まず、この方法では、図１２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２を形成する金属材料および厚みは、上記と同様である。
【０１４９】
次いで、この方法では、図１２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の表面に形成する。ベース絶縁層３の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１５０】
次いで、この方法では、図１２（ｃ）〜図１３（ｉ）に示すように、導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により同時に形成する。
【０１５１】
導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により形成するには、上記した図６（ｃ）〜図７（ｉ）において説明したアディティブ法と、同様のアディティブ法が用いられる。
【０１５２】
次いで、図１４（ｊ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。カバー絶縁層１１の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１５３】
次いで、図１４（ｋ）に示すように、金属めっき層２３を、端子部５の表面およびマーク９の表面に、形成する。
【０１５４】
金属めっき層２３を形成する金属としては、後述するエッチングにより浸食されない金属、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、マンガン、ジルコニウム、錫などの金属が用いられ、エッチング液による浸食の観点から、好ましくは、金が用いられる。
【０１５５】
金属めっき層２３は、例えば、無電解めっきなどにより、好ましくは、無電解金めっきにより形成する。このようにして形成される金属めっき層２３の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．０１〜０．１μｍである。
【０１５６】
次いで、この方法では、図１４（ｌ）および図１４（ｍ）に示すように、基準穴１０を形成する。
【０１５７】
基準穴１０を形成するには、まず、図１４（ｌ）に示すように、第２エッチングレジスト１９を、カバー絶縁層１１および端子部５の金属めっき層２３を被覆し、マーク９の表面の金属めっき層２３を部分的に露出するように、形成する。具体的には、第２エッチングレジスト１９は、マーク９の表面において、平面視略円環状の導体層８の内側端部１５を露出するように、形成する。
【０１５８】
続いて、マーク９の表面に形成される金属めっき層２３をエッチングレジスト（マスク）として、マーク９の表面に形成される金属めっき層２３から露出するベース絶縁層３をエッチングする。
【０１５９】
ベース絶縁層３のエッチングは、上記と同様の方法が用いられる。
【０１６０】
次いで、図１４（ｍ）に示すように、マーク９の表面に形成される金属めっき層２３をエッチングレジスト（マスク）として、マーク９の表面に形成される金属めっき層２３から露出する金属支持基板２をエッチングする。
【０１６１】
金属支持基板２のエッチングは、上記と同様の方法が用いられる。
【０１６２】
その後、第２エッチングレジスト１９を、上記と同様の方法により、除去する。
【０１６３】
これにより、基準穴１０を形成することができる。
【０１６４】
そして、この方法では、金属めっき層２３をエッチングレジストとして、金属めっき層２３から露出するベース絶縁層３および金属支持基板２をエッチングするので、確実、かつ、簡便な方法で、基準穴１０を形成することができる。
【０１６５】
なお、上記した図１４（ｊ）および図１４（ｋ）に示す方法では、カバー絶縁層１１を形成し、次いで、金属めっき層２３を形成したが、カバー絶縁層１１および金属めっき層２３の形成順序はこれらに制限されず、例えば、図示しないが、まず、金属めっき層２３を形成し、その後、カバー絶縁層１０を形成することもできる。なお、この場合には、金属めっき層２３は、配線６の表面にも形成される。
【０１６６】
また、上記した説明では、導体パターン４とマーク９とをアディティブ法により形成したが、例えば、図１５（ａ）〜図１５（ｆ）に示すように、サブトラクティブ法により形成することもできる。
【０１６７】
図１６（ｊ）に示すように、導体パターン４とマーク９とがサブトラクティブ法により形成された回路付サスペンション基板１では、導体パターン４およびマーク９は、導体層８のみから形成されている。
【０１６８】
そして、導体パターン４とマーク９とをサブトラクティブ法により同時に形成するには、まず、図１５（ａ）に示すように、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体層８が予め積層された３層基材２５を用意する。３層基材２５は、金属支持基板２の上にベース絶縁層３が積層され、ベース絶縁層３の上に導体層８が形成されている。
【０１６９】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、導体層８の上にフォトレジスト１２を直接積層する。フォトレジスト１２は、上記と同様の方法により積層する。
【０１７０】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、フォトレジスト１２を、フォトマスク１３を介して露光し、その後、図１５（ｄ）に示すように、現像することにより、導体パターン４およびマーク９と同一パターンで第１エッチングレジスト１８を形成する。フォトマスク１３を介する露光および現像は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１７１】
次いで、図１５（ｅ）に示すように、第１エッチングレジスト１８から露出する導体層８をエッチングする。導体層８のエッチングは、上記と同様の方法が用いられる。
【０１７２】
これにより、導体層８からなる、導体パターン４およびマーク９をサブトラクティブ法により形成する。
【０１７３】
次いで、図１５（ｆ）に示すように、第１エッチングレジスト１８を除去する。第１エッチングレジスト１８の除去は、上記と同様の方法が挙げられる。
【０１７４】
次いで、図１６（ｇ）に示すように、カバー絶縁層１１を、ベース絶縁層３の上に上記したパターンで形成する。カバー絶縁層１１の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【０１７５】
次いで、図１６（ｈ）に示すように、金属めっき層２３を、端子部５の表面およびマーク９の表面に、形成する。金属めっき層２３の形成は、上記と同様の方法が挙げられる。
【０１７６】
次いで、この方法では、図１６（ｌ）および図１６（ｍ）に示すように、基準穴１０を形成する。基準穴１０を形成するには、上記した図１４（ｌ）および図１４（ｍ）において説明した方法と、同様の方法が用いられる。
【０１７７】
そして、この方法では、導体パターン４とマーク９とを３層基材２５を用いるサブトラクディブ法により形成するので、導体層８を形成するための工程数の低減を図ることができる。さらに、この方法におけるサブトラクティブ法では、種膜７を用いるアディティブ法に比べて、種膜７を形成する必要がないので、種膜７を形成するための工程数の低減を図ることもできる。
【０１７８】
なお、上記した方法では、図１５（ａ）に示すように、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体層８が予め順次積層された３層基材２５を用意したが、例えば、上記した各層を順次積層することができ、さらには、ベース絶縁層３およびベース絶縁層３の上に積層された導体層８からなる２層基材を用意し、次いで、２層基材の裏面（ベース絶縁層３の下面）に金属支持基板２を貼着することもできる。
【０１７９】
また、上記した方法では、種膜が積層されていない３層基材２５を用いたが、例えば、種膜７を含む４層基材２４（図１０（ａ）参照）を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態により製造される回路付サスペンション基板の平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の上に種膜を形成する工程、（ｄ）は、種膜の上にフォトレジストを積層する工程、（ｅ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程を示す。
【図３】図２に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｆ）は、フォトレジストを現像して、めっきレジストを、導体パターンおよびマークの逆パターンで形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストから露出する種膜の上に、導体層を積層する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、導体層から露出する種膜を除去する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｊ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｋ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンを被覆し、マークを部分的に露出するように形成する工程、（ｌ）は、種膜から露出する金属支持基板をエッチングする工程、（ｍ）は、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図５】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図４（ｊ）〜図４（ｍ）に対応し、（ｊ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、マークを部分的に露出するように、形成する工程、（ｋ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンを被覆し、マークの上面に形成されたカバー絶縁層の内側端部を露出するように形成する工程、（ｌ）は、カバー絶縁層から露出するマークの導体層をエッチングするとともに、種膜から露出する金属支持基板をエッチングする工程、（ｍ）は、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図６】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の上に種膜を形成する工程、（ｄ）は、種膜の上にフォトレジストを積層する工程、（ｅ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程を示す。
【図７】図６に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｆ）は、フォトレジストを現像して、めっきレジストを、導体パターンおよびマークの逆パターンで形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストから露出する種膜の上に、導体層を積層する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、導体層から露出する種膜を除去する工程を示す。
【図８】図７に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｊ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｋ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンを被覆し、マークを部分的に露出するように形成する工程、（ｌ）は、カバー絶縁層のカバー開口部から露出する導体層、および、種膜から露出するベース絶縁層をエッチングする工程、（ｍ）は、種膜から露出する金属支持基板をエッチングし、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図９】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図８（ｊ）〜図８（ｍ）に対応し、（ｊ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、マークを被覆するように、形成する工程、（ｋ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンを被覆し、マークの上面に形成されたカバー絶縁層の内側端部を露出するように形成する工程、（ｌ）は、カバー絶縁層のカバー開口部から露出する導体層をエッチングするとともに、種膜から露出する金属支持基板をエッチングする工程、（ｍ）は、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図１０】（ａ）は、金属支持基板、ベース絶縁層、種膜および導体層が順次積層された４層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体層の上にフォトレジストを積層する工程、（ｃ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程、（ｄ）は、フォトレジストを現像して、第１エッチングレジストを、導体パターンおよびマークと同一パターンで形成する工程、（ｅ）は、第１エッチングレジストから露出する導体層および種膜をエッチングする工程を示す。
【図１１】図１０に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｆ）は、第１エッチングレジストを除去する工程、（ｇ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｈ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンを被覆し、マークを部分的に露出するように形成する工程、（ｉ）は、種膜から露出するベース絶縁層をエッチングする工程、（ｍ）は、種膜から露出する金属支持基板をエッチングし、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図１２】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の上に種膜を形成する工程、（ｄ）は、種膜の上にフォトレジストを積層する工程、（ｅ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程を示す。
【図１３】図１２に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｆ）は、フォトレジストを現像して、めっきレジストを、導体パターンおよびマークの逆パターンで形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストから露出する種膜の上に、導体層を積層する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、導体層から露出する種膜を除去する工程を示す。
【図１４】図１３に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｊ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｋ）は、金属めっき層を、端子部の表面およびマークの表面に形成する工程、（ｌ）は、第２エッチングレジストを、マークの表面の金属めっき層を部分的に露出するように形成し、続いて、マークの表面に形成される金属めっき層をエッチングレジストとして、金属めっき層から露出するベース絶縁層をエッチングする工程、（ｍ）は、金属めっき層から露出する金属支持基板をエッチングし、その後、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図１５】本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ａ）は、金属支持基板、ベース絶縁層および導体層が順次積層された３層基材を用意する工程、（ｂ）は、導体層の上にフォトレジストを積層する工程、（ｃ）は、フォトレジストを、フォトマスクを介して露光する工程、（ｄ）は、フォトレジストを現像して、第１エッチングレジストを、導体パターンおよびマークと同一パターンで形成する工程、（ｅ）は、第１エッチングレジストから露出する導体層をエッチングする工程（ｆ）は、第１エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図１６】図１５に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法の他の実施形態の製造工程図であって、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、（ｇ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｈ）は、金属めっき層を、端子部の表面およびマークの表面に形成する工程、（ｉ）は、第２エッチングレジストを、マークの表面の金属めっき層を部分的に露出するように形成し、続いて、金属めっき層から露出するベース絶縁層をエッチングする工程、（ｍ）は、金属めっき層から露出する金属支持基板をエッチングし、その後、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。
【符号の説明】
【０１８１】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
５    端子部
７    種膜
８    導体層
９    マーク
１０  基準穴
１２  フォトレジスト
１３  フォトマスク
１４  めっきレジスト
１６  開口部
１８  第１エッチングレジスト
１９  第２エッチングレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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