(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大面積の基板をコーティングするための装置であって、
減圧されたコーティングチャンバー（１）と、
前記チャンバー（１）の外側に配置されており、基板をコーティングするための材料を蒸発させる、少なくとも１つの取り外し可能な蒸発源（２８）と
前記蒸発源（２８）を取り外す又は取り付けるための装置（３７、３８）がチャンバー（１）の外側にさらに備えられ、
大面積の基板を直線的に、蒸発源（２８）に対して相対的に、垂直状態で移動させる駆動装置と、
前記チャンバー内に、前記基板から距離を置いて配置され、前記基板表面に蒸発源からの蒸気を直線状に分配するためのディストリビュータ（４０）と、
前記ディストリビュータ（４０）は、上下方向に延びた形状であり、基板（９）の表面と平行かつ重力の方向に平行に置かれ、
前記ディストリビュータ（４０）は、基板と対向して蒸発源からの蒸気を前記大面積の基板の表面に対して、垂直に放出し、
前記ディストリビュータは、一直線状に、垂直に配置された複数の蒸気放出用の開口孔（１０１）を有し、それにより蒸気の放出が直線状に行われ、
前記ディストリビュータ（４０）はその一部から延伸する第２の部分（４６）を有し、第２の部分（４６）の端部に接近して蒸発源（２８）が配置され、第２の部分を通って蒸気が噴出用の開口部（１０１）に送られ、
蒸発源は、るつぼを含んでおり、前記るつぼは、その温度が制御可能であり、正確に調節されるようになっている
コーティング装置。
【請求項２】
前記るつぼは正確に温度調節され、その温度範囲が１００℃から８００℃である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ディストリビュータ（４０）は、石英チューブである請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ディストリビュータの第２の部分（４６）が石英チューブである請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ディストリビュータ（４０）およびその第２の部分（４６）がそれぞれ、セラミックのスリーブ（５２、５８、４３）で囲まれている請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ディストリビュータ（４０）の周りのセラミックスリーブ（５２、５８）は２つの半部（５２、５８）からなり、一方の半部（５２）には直線状に配置された多数の開口孔（１０２）が設けられている請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記セラミックスリーブ（５２、５８、４３）の各々が金属スリーブ（５３、５７、４２）により包囲されている請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記１つのセラミックスリーブ（５２、５８）の周りの金属スリーブは、２つの半部（５３、５７）からなり、一方の半部（５３）には、１直線状に配置された多数の開口孔（１０３）が設けられている請求項７に記載の装置。
【請求項９】
ディストリビュータ（４０）および、または、その第２の部分（４６）は間接的に加熱ができる請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
セラミックスリーブ（５２、５８、４３）が電気ヒーターのエレメント（８８、８９、９２、９３）を備えている請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
前記るつぼ（４４）は、ディストリビュータ（４０）と連結可能である請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
蒸発源で蒸発される物質が有機物質である請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
ディストリビュータの第２の部分（４６）が、ディストリビュータから４５度の角度で延伸している請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
蒸発源（２８）は、るつぼ（４４）を有し、前記るつぼ（４４）は傾斜した仕切り壁（６９）によって２つの領域（４５、７３）に分割され、上方の領域は蒸発される物質が置かれ、一方下方の領域は空の空間となっている請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
るつぼ（４４）の底部（６６）に対向した面に、温度センサー（７７）を有する支持部（８８）がある請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
コーティングチャンバーが扉（６、７、８）を有するコーティングボイラーであり、その外側に蒸発源がフランジにより固定されている請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記コーティングボイラー（１）が重力の方向とは僅かに傾いている請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記傾き角度が７度である請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
間接的な加熱は、前記セラミックスリーブ（５２、５８、４３）の外側に設けた電気ヒーターのエレメント（８８から９０、９２、９３）により行われる請求項９に記載の装置。
【請求項２０】
前記るつぼ（４４）の下側の領域（４５）に、熱感知センサー（７８、８４）が配置される請求項１４に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特許請求の範囲の請求項１の前提部に記載の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
陰極線管は、百年以上に亘って、ラスタ状スポット表示による静止画および／または動画の光学的表示を行なう最適手段であった。しかしながら、陰極線管の１つの欠点は、例えば陰極線管は奥行がかなり大きく、このためフラットなテレビジョンスクリーンを製作することができないという事実にある。
【０００３】
従って、フラットスクリーンまたはフラットディスプレイを製作する試みが長い間行なわれてきた。この数年および数十年に亘って開発されてきた、フラットスクリーンを製作することができる最も良く知られた構造要素として、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶要素（ＬＣＤ）およびプラズマ要素がある。しかしながら、これらの現代的構造要素は依然として固有の欠点を有している。例えば、慣用ＬＥＤはかなり高レベルのエネルギを消費し、一方、小型蛍光管であるプラズマ要素は任意の所望サイズに小型化できない。プラズマ要素の画素ラスタは約０．５ｍｍに制限されている。フラットスクリーンを製作するための最近開発された技術として、いわゆる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）がある。これらの有機発光ダイオードの長所は、５ボルト以下の電圧で低エネルギ消費であること、強く発光すること、広い放射角を有すること、−４０〜＋８５℃の温度範囲内で使用できること、および軽量なこと等である。また、有機発光ダイオードの量子効率すなわち単位注入電子または正孔当りの発生光子数は、１６％以上（Helmut Lemme著「OLEDs−Senkrechtstarter aus Kunststoff, Elektronik 2/2000」第９８頁、右欄第２パラグラフ、No.[5]；Yi HeおよびJanicky, J著「High Efficiency Organic Polymer Light-Emitting Heterostructure Devices, Eurodisplay ’99」、VDE-Verlag Berlin, Offenbach参照）であり、従ってＩＩＩ−Ｖ世代半導体から製造された無機ＬＥＤの量子効率以上に高められている。かくして、ＯＬＥＤはバッテリ作動型装置での用途に最適である。ＯＬＥＤは２つの電極間に配置される１つ以上の半導体有機層を有し、一般に一方の電極は透明である。電界をかけると、電子または正孔が、陰極または陽極を通って有機層の搬送バンド（transport bands）内に注入される。両電荷キャリヤが互いに近付く方向に移動して、これらの或る部分が再結合すると、光量子が自発的放射により発生される（Helmut Lemme著「OLEDs−Senkrechtstarter aus Kunststoff, Elektronik 2/2000」第９７頁〜第１０３頁、E. Becker等著「Organische Lumineszenz: Neue Technologie fur flache Bildschirme, Fernseh-und Kino-Technik, 8-9/2000」第１頁〜第５頁参照）。
【０００４】
ＯＬＥＤの製造は、加熱された反応器内の非常に低い圧力のキャリヤガス流が物質を同伴して、これらの物質を基板上に薄い層として蒸着するＯＶＰＤ（Organic Vapor Phase Deposition：有機気相蒸着、米国特許第５ ５５４ ２２０号参照）技術により行なわれる。この基板は、例えば、予めガラス上に蒸着されているＩＴＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）電極で形成できる。この有機発光層上に引き続き別の電極が蒸着され、活性発光層を備えたこの電極の厚さは約４００ナノメートルになる。
【０００５】
基板に薄い有機層をコーティングする他の方法では、ヒータを備えた基板ホルダが使用され、この基板ホルダは、その下面に例えばガラスを保持する（欧州特許公開ＥＰ０ ９６２ ２６０ Ａ１すなわち米国特許第６ １０１ ３１６参照）。この基板の下には２つの気化器源（vaporizer sources）が設けられており、この気化器源は、基板と気化器との間に配置されたダイアフラムが開かれると基板上に蒸着される有機物質を気化させる。この方法では、大面積に亘って基板を均一コーティングすることはできない。２つの別々の気化器を使用するため、気化した物質が基板上に重畳され、不均一なコーティングを引き起こすからである。
【０００６】
気化すべき物質を気化させる気化タンクを備えた他の真空気化装置も知られている。この気化タンクの上面には、水平方向外方に延びるフードが設けられている。（欧州特許公開ＥＰ０ ４７７ ４７４ Ａ１参照）。この装置では、気化された物質の直線状分散を達成することはできない。
【０００７】
誘導により加熱される少なくとも１つの真空気化容器を備えたスチールバンドコーティング装置も知られている。この装置の特徴は、金属蒸気を排出させる開口が各容器に設けられていること、および金属蒸気の排出開口が、コーティングすべき基板から小さい間隔を隔てて配置された細いスロットの形状を有していることにある（国際特許公開ＷＯ ９６／３５８２２）。この装置でも蒸気の直線状分散は不可能である。
【０００８】
欧州特許公開ＥＰ ０ ９８２ ４１１ Ａ１には、有機エレクトロルミネッセンスダイオードの製造を行なう気化器源が開示されている。この気化器源が、有機物質を受け入れる、絶縁材料からなる容器を有している。この容器の周囲に近接して、有機物質を気化させるヒータが配置されている。容器は加熱ゾーンを有しており、この加熱ゾーンはヒータにより直接に加熱されかつ接触ゾーンを介して有機物質と接触される。基板のコーティングを行なう方法は詳細に説明されていない。
【０００９】
大面積に亘ってコーティングを行なうのに、原理的には、ドット状、線状または大面積状の気化器が使用できる。ドット状気化器は例えば欧州特許公開ＥＰ ０ ９８２ ４１１ Ａ２およびＥＰ ０ ９６２ ２６０ Ａ１から知られており、線状気化器もドイツ国特許ＤＥ ４２ ０４ ９３８ Ｃ１から知られている。この線状気化器の場合には、基板上への蒸着は下から行なわれる。これと同じことが、ドイツ国特許公開ＤＥ １９９ ２１ ７４４ Ａ１に開示された線状気化器についても適用されている。
【００１０】
このドット状気化器の欠点は、気化器と基板との距離が大きい場合にのみ大面積上への均一コーティングができることである。このため、気化器と基板との距離を大きくするため、コーティング装置を大型化する必要がある。また、少量の気化物質が利用されるに過ぎない。
【００１１】
また、気化器源は基板の下に配置されなくてはならず、このため、気化器源と基板との間にマスクを配置しなければならない問題が生じ、特に、基板が約３００×４００ｍｍのサイズに到達した後でマスクの構造が小さいときに問題が生じる。
【００１２】
直線状気化器源がコーティングすべき基板の下で水平方向に配置される場合には、約３００×４００ｍｍで出発するマスクと、例えば０．４×０．４ｍｍの画素サイズをもつマスク内の小さい構造とを使用するときに問題が生じる。なぜならば、この場合にはマスクが撓んでしまい、コーティングが不均一になってしまうからである。比較的厚い層に高レベルの均一性を達成するには、気化器源または基板は、互いに一層ゆっくりと移動させなくてはならない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、小さいスペースで済み、均一なコーティングを達成できかつ大型マスクを適用できる基板コーティング装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、特許請求の範囲の請求項１に記載の特徴を有する装置により解決される。
【００１５】
かくして本発明は、例えば矩形板のような大面積基板（areal substrate）をコーティングする装置に関する。本発明の装置は、気化器源および気化された物質を基板上に搬送するディストリビュータシステムを有している。ディストリビュータシステムはライン源（line source）を有し、このライン源および基板は相対移動できる。本発明の装置は、有機発光ダイオードを備えたフラットスクリーンの製造に使用するのが好ましい。
【００１６】
本発明により達成される長所は、特に、基板が直線状気化器源を通って案内されるため、大量の物質で大面積をコーティングできることである。気化器源と基板との間に配置されるマスクは大面積基板に対して平行に配置されるため、撓むことがない。また、気化された物質の効率的使用が可能であり、気化された有機物質と周囲の部品との化学反応は生じない。また、これにより、るつぼを越えかつ最終出口開口の前の全ディストリビュータ領域は一定の高温で作動するので、気化された物質が、有機分子の化学的分解を生じさせることなく凝縮することが防止される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、気化器を備えた本発明によるコーティングボイラ１を示す全体斜視図である。このコーティングボイラ１は前面２および後面３を有し、駆動装置を導入するため、前面２には前方開口４が、かつ後面３には後方開口５が設けられている。開口４、５は、駆動装置の導入後に再び閉じることができる。前方開口４の上方には前方板６が配置され、この前方板６は前方キャリヤ板７および後方キャリヤフレーム８を支持している。
【００１８】
コーティングボイラ１の部品１０、１１、１２はハウジングを形成し、このハウジングは、互いに隣接して配置されたそれ自体のハウジング（図１には示されていない）を備えた加工領域を形成している。
【００１９】
例えばガラス板のような基板９が、互いに隣接して配置された加工領域を通って移動され、各加工領域で異なる態様で加工される。かくして、ここには図示されていない全体的装置がモジュラ的に構成され、コーティングボイラ１は幾つかのモジュールの１つを示すものである。チャンバは、１０−４Ｐａ以下の基底圧力を有する方法ではなく、１０−２Ｐａ以下の圧力を有する方法により基板９をコーティングする。
【００２０】
キャリヤ板７およびキャリヤフレーム８は、前方キャリヤ板７から突出する幾つかの測定チューブにより互いに連結されており、このチューブはフランジ１３〜２３を備えている。例えば、フランジ１３を備えたチューブは観察チューブとして開発されており、この観察チューブは、基板９の表面の観察を可能にするガラスカバーを有している。フランジ１４を備えた測定チューブには熱電対が配置され、一方、フランジ１５を備えた測定チューブには水晶発振器が配置され、これにより気化器源の気化速度が測定される。参照番号２４はハンドルを示し、このハンドル２４は、キャリヤ板７およびキャリヤフレームを、コーティングボイラ１の残部から扉のようにして持ち上げることができる。フランジ１３〜２３を備えた測定チューブの回りには、キャリヤ板７およびキャリヤフレーム８を冷却するための冷却チューブ２５が巻かれている。より詳しくは、冷却チューブ２５は、冷却流体のための連結チューブ２６から、第１群を形成するフランジ１３〜１６から成る測定チューブの上方を通り、次にフランジ１３〜１６から成るこれらの測定チューブの下方（従って、第２群を形成するフランジ１７〜１９から成る他の測定チューブの上方）に案内され、最後に、フランジ２０〜２３から成る第３群の測定チューブの下に案内されて、冷却流体のための他の連結パイプ２７に連結されている。
【００２１】
フランジ１３〜２３から成る測定チューブと開口４との間には、前方チューブ２９と後方チューブ３０から成る気化器源２８が配置されている。両チューブ２９、３０は、連結ボルトを受け入れることができる連結クランプ３７、３８により一体に保持されている。チューブ３０の下端部には２つのポート３２、３３が配置されており、これらのポート３２、３３には例えば動力源が連結される。チューブ３０の回りには冷却チューブ３６が案内されており、この冷却チューブ３６は冷却手段のポート３９に連結されている。参照番号３４、３５は吊下げフックを示し、この吊下げフックにより、扉すなわちキャリヤフレーム８を形成するキャリヤ板７が持ち上げられる。
【００２２】
図１には示されていないが、特に、基板９と前方板６との間で、基板９に対して平行にマスクが慣用的に配置されている。このマスクは垂直に配向されるので、重力による撓みが排除される。
【００２３】
基板９は垂直、すなわち地球の引力の方向に対して平行に配向されている。しかしながら、この平行性からの僅かな偏寄は許容される。例えばコーティングボイラ１の全体は、ここではこれ以上説明しない理由から、垂直に対して約７°だけ傾斜させることができる。重要なことは、電位マスク（potential mask）の撓みが防止されることである。マスクが、基板９の傾斜位置によりこの基板９の頂側に載置される場合には、マスクは撓むことができない。
【００２４】
図２には、図１と同じものが正面図として再び示されている。ここには、前方キャリヤ板７に斜めに取り付けられた気化器源２８、フランジ１３〜２３から成る測定チューブ、冷却チューブ２５およびハンドル２４が再び明瞭に示されている。また、図３および図４に示す断面図を特徴付ける切断線Ａ−Ａ線またはＢ−Ｂ線も明瞭に示されている。
【００２５】
図３の断面図には、測定チューブおよびこれらのフランジ１４、１８、２１を備えたキャリヤ板７並びに基板９および気化器源２８のチューブ２９、３０が示されている。基板９は例えばガラス板であり、図面の平面内に出入りすることができる。この基板９の保持装置および駆動装置は図３には示されていない。基板９の左側に隣接している、基板９の全面を覆うマスクの保持装置および駆動装置も図３には示されていない。
【００２６】
チューブ２９内にはセラミックチューブ４３が配置されており、このセラミックチューブ４３は金属遮蔽チューブ４２により包囲されている。セラミックチューブ４３の下端部にはるつぼ４３が設けられており、このるつぼ４４の前方部は石英チューブ４６に連結される。図３には、この石英チューブ４６は、その下端部とるつぼ４４との間の距離がかなり大きくなるところまで引き出された状態が示されている。傾斜して配置された石英チューブ４６は、その前端部が、垂直に配置された石英チューブ４０の後壁４７に移行しており、石英チューブ４６から遠い側の石英チューブ４０の側面４８には垂直ライン上に配置された幾つかの孔が設けられている。これらの孔は、図７に更に詳細に示されている。垂直向きの石英チューブ４０は基板９の面と平行な面内に配置されなければならないが、基板９に対する石英チューブの位置はあまり問題にはならない。
【００２７】
垂直に配置された石英チューブ４０はセラミックチューブからなる２つの半部５２、５８により包囲されており、これらの半部５２、５８は図３に示すように左右に引き離されている。組み立てられた状態および作動中は、両半部５２、５８は、これらが石英チューブ４０を包囲する管状ユニットを形成するように一体化される。
【００２８】
セラミックチューブからなる２つの半部５２、５８は、更に、金属チューブ半部５３、５７により包囲されている。右側に設けられたセラミックチューブまたは金属チューブの半部５２、５３の、垂直石英チューブ４０と同じ位置には孔が設けられている。かくして、３つのチューブの孔は、他方の孔を越えて配置されておりかつライン源を形成している。
【００２９】
作動時には、石英チューブ４６の下端部はるつぼ４４に連結され、これにより、るつぼ４４からの気化した物質は傾斜石英チューブ４６を通って、セラミックチューブ半部５２、５８および金属チューブ半部により包囲された垂直石英チューブ４０に導かれる。これにより、気化された物質は、石英チューブ４０の垂直方向に配置された孔およびセラミックチューブまたは金属チューブの半部５２、５３の孔を通って、基板９が配置されたチャンバ内に導入される。これらの孔は、作動時には、図３に示した状態とは異なり基板９の左側に配置されるので、基板９には気化した物質が作用する。
【００３０】
マスクが金属チューブ５３と基板９との間に配置される場合には、気化物質は、基板９に到達する前にこのマスクに到達する。
石英チューブ４０、セラミックチューブ５２、５８および金属チューブ５３、５７の垂直方向に配置された孔により形成されるライン源を通って、基板９は図面の平面内に出入りするように案内される。これにより、大きな基板面積の連続コーティングが可能になる。
【００３１】
るつぼ４４の温度および石英チューブ４０、４６を収容するディストリビュータシステムの温度は別々に制御され、１００〜８００℃の間の範囲で正確な温度制御が確保されなくてはならない。るつぼ４４を首尾良く作動させるディストリビュータシステム全体は、凝縮を防止するが有機分子を熱分解させない一定の高温に維持されなくてはならない。ディストリビュータシステム全体の壁はそこに付着する蒸気が凝縮しないような温度に保たれなくてはならない。その必要な温度はおおむね材料の蒸発温度であって周囲圧力に依存する。つまり、その蒸発温度は大気圧下での蒸発温度には相当しない。図６に関連して説明するように、温度の均一性は、放射による間接加熱により最も良く達成される。基板９のコーティングの均一性は、多くの小孔またはスロットからなる出口開口の面積に対する石英チューブ４０、４６の直径の、気化に適合する比により達成される。出口開口は、特定テンパリングによるコーティングが行なわれないように有効に維持できる。
【００３２】
作動中の石英チューブ４０の前面４８と基板９との間の距離はできる限り小さく維持すべきである。図１〜図３に示した装置によれば、コーティング物質を、換気を必要とするるつぼ領域のみに限定して補充することができる。また、るつぼ４４を真空状態に維持すること、すなわちるつぼ、源全体または装置を換気することなく保護ガスをディストリビュータシステムに導入できる。また、異なる物質を気化させる２つの気化るつぼを設けることもでき、２種類の物質蒸気はディストリビュータシステムで均一に混合される。
【００３３】
図４は、コーティングボイラ１のＢ−Ｂ線断面を示す。ここにも、２つのチューブ２９、３０と、冷却チューブ３６と、キャリヤ板７またはフレーム８が明瞭に示されている。
【００３４】
チューブ２９は、金属チューブ４２、セラミックチューブ４３および石英チューブ４６が明瞭に示される断面で切断されている。前面４８および後面４７を備えた垂直石英チューブ４０は、ほぼ基板９のレベルで示されている。石英チューブ４０の前方には、セラミックチューブの一半部５２および金属チューブの一半部５３が配置されている。石英チューブ４０の後方には、セラミックの他方の半部５８および金属チューブの他方の半部５７が示されている。キャリヤ板７に対して傾斜して取り付けられた金属チューブ４２には、ライン源の垂直孔が基板９に対して垂直に配置されるように金属チューブ４２を配向することを目的として機能する２つの調節手段６２、６３が設けられている。
【００３５】
図５は、図３の気化器源２８の下方領域を拡大図で示すものである。
【００３６】
るつぼ４４は、隔壁６９により上方チャンバ７３および下方チャンバ４５に分割されている。上方チャンバ７３内には、気化すべき有機物質が入れられている。どのような物質を上方チャンバ７３内に入れるべきかは、例えば、E. Becker等の上記引用文献の図４に示されている。電子搬送のための可能物質として特に（Alq3、PBD）があり、発光用として（Alq3、1-AZM-Hex、OXD-8、ドーピング物質：Ph-Qd、DCM、Eu(TTFA) 3Phen）並びに正孔搬送（hole transport）用として（CuPc、TNATA、TAD、NPD）がある。たの物質も可能である（参照：国際特許公開WO 99/25894の特許請求の範囲第６項）。
【００３７】
るつぼ４４は石英ガラスからなる。しかしながら、タンタル、モリブデンまたはタングステンからなるるつぼを使用することもできる。あらゆる場合において、るつぼ４４はこの中に入れられる物質と化学的に反応しないことが確保されなくてはならない。
【００３８】
るつぼ４４の上方チャンバ７３の傾斜底６９は、この底６９が地表面に対して平行に配向されることを確保する。るつぼ４４の空のチャンバ４５の底に対向して、支持スプリング８３、６５、８１を備えた支持体８２が設けられている。熱センサ７８、８４が設けられており、該熱センサは、その上方部８４が底６６に近接して配置されかつチャンバ４５内に導入されている。また、熱センサの下方領域はコイルスプリング７９により包囲されている。冷却手段の入口３９は、冷却流体ライン７１に連結される。参照番号８５で示す短い鋼管には孔８６が設けられており、この孔８６を通ってフィードライン等が導入される。
【００３９】
図６は、図４を更に拡大したものである。ここには幾つかの加熱ワイヤ８８〜９０または９２、９３が示されており、これらの加熱ワイヤはセラミックチューブ４３または５８の外側に配置されており、セラミックチューブ４３または５８が石英チューブ４６または４０を間接的に加熱できるようにセラミックチューブ４３または５８を加熱する。加熱ロッド８８〜９０、９２、９３の代わりに、多数の小さい加熱コイルまたは他の加熱要素を設けることができる。参照番号９６、９５は金属チューブ５３、５７の下端部に配置されたカバーの一部を示す。
【００４０】
図７には、るつぼ４４内で気化された物質を基板上に分散させるディストリビュータシステムの重要な構成部品が斜視図で示されている。石英チューブ４６の一端はるつぼ４４（図７には示されていない）に連結され、他端部は、約４５°の角度で傾斜して石英チューブ４０に終端している。石英チューブ４６の回りにはセラミックチューブ４３が配置され、このセラミックチューブ４３は金属チューブ４２で包囲されている。チューブ４３または４２のセラミックまたは金属は、気化した物質とは反応しない材料が選択される。
【００４１】
約４５°の角度で取り付けられた３つの全てのチューブ４２、４３、４６が、断面で部分的に示されている。チューブ４２、４３はこられのチューブと同じ材料で作られたセミチューブ５７、５８に終端している。
【００４２】
分解図として示されたこれらのセミチューブ５７、５８には、セラミック・セミチューブ５２および金属セミチューブ５３が対向して配置されている。
【００４３】
セミチューブ５８、５２または５７、５３は、それぞれ、作動状態で２つの石英チューブ４６、４０の各々が１つのセラミックチューブにより包囲され、このセラミックチューブが金属チューブにより包囲されるようにして、クランプまたは他の連結手段の補助により連結されている。
【００４４】
石英チューブ４０の長手方向軸線に対して垂直で矢印１００の方向に移動される基板が石英チューブ４０並びにセラミックチューブ５２および金属セミチューブ５３のライン状気化器源の作用を受けるようにするため、多数の対向ボア１０１、１０２、１０３が設けられており、これらは協働してライン源を形成する。ライン状に配置された幾つかのボアを用いることにより、長手方向軸線スロットと比較して、気化された物質の良好な分散が行なわれる。これは、特に、気化された物質の初期分散が行なわれる石英チューブ４０についていえることである。しかしながら、金属セミチューブ５３には、気化された物質の均一分散が大きい影響を受けない連続スロットを設けることもできる。しかしながら、原理的には、セラミックセミチューブ５２および／または石英チューブ４０に純粋スロットを設けることもできる。
【００４５】
既に強調して述べたように、基板のこの方向および基板の重力に対して平行または垂直な移動方向は、潜在的に存在するマスクの撓みを防止することを意味するものと理解すべきである。このことはまた、マスクが重力方向に対して横方向に配向された基板の上側に置かれ、「上方からの」コーティングが行なわれる場合にも当てはまる。
【００４６】
また、静止気化器源（これに向って基板が移動される）の代わりに、静止気化器源（これを通って気化器源が案内される）を設けることもできる。
【００４７】
上記実施の形態においては、基板が垂直に配置された場合について説明したが、本発明は基板が水平に配置された場合にも同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるコーティングチャンバの全体を示す斜視図である。
【図２】図１のコーティングチャンバを示す正面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図５】図３のるつぼを示す拡大断面図である。
【図６】図４に鎖線で示す円で囲まれた部分を示す拡大断面図である。
【図７】気化された物質を分散させるディストリビュータ装置を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１  コーティングボイラ
９  基板
２８  気化器源
３６  冷却チューブ
４０  石英チューブ（第１ディストリビュータ装置）
４２  金属遮蔽チューブ
４３  セラミック遮蔽チューブ
４６  石英チューブ（第２ディストリビュータ装置）
８４  熱センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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