(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）液体のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収容するＩＰＡ槽、
（２）該ＩＰＡ槽の周囲に設けられた側壁、
（３）該ＩＰＡ槽から上方に所定の間隔をおいて且つ該側壁近傍に設けられた冷却管、
（４）該ＩＰＡ槽の少なくとも下部に設けられた加熱手段、
（５）該ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに予備加熱された液体ＩＰＡを供給するための、予備加熱手段を含むＩＰＡ供給手段、
（６）該ＩＰＡ槽中のＩＰＡの液面、該側壁及び該冷却管により規定される空間にシリコンウエハを出し入れするための搬送手段、
（７）シリコンウエハ上のＩＰＡと水分との混合物を回収し前記空間外に排出するための排出手段、及び
（８）前記冷却管の直下に設けられている、液受け及び該液受けから前記予備加熱手段に向かって延びるＩＰＡ回収管
を含むシリコンウエハのＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項２】
前記予備加熱手段がインラインヒーターである請求項１に記載のＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項３】
前記予備加熱手段が加熱槽である請求項１に記載のＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項４】
前記加熱槽がＩＰＡを収容する石英槽と少なくともその下部に配置されたヒーターを含む請求項３に記載のＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項５】
前記排出手段が、排液受け及び該排液受けから前記空間外に伸びるドレインを含む請求項１に記載のＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項６】
前記ＩＰＡ供給手段が、ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに近接して又は液体ＩＰＡに接して設けられた供給口を更に含む請求項１に記載のＩＰＡ蒸気乾燥装置。
【請求項７】
（１）イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）槽中に収容された液体ＩＰＡの液面、（２）該ＩＰＡ槽の周囲に設けられた側壁、及び（３）該ＩＰＡ槽から上方に所定の間隔をおいて且つ該側壁近傍に設けられた冷却管、により規定される空間に、該液体ＩＰＡを加熱してＩＰＡ蒸気を充満させる工程、
ＩＰＡ蒸気が充満した該空間内にシリコンウエハを保持してシリコンウエハ表面上の水分とＩＰＡとを混合させる工程、
水分とＩＰＡとの該混合物を前記空間外へ排出してシリコンウエハ上の水分をＩＰＡに置換する工程、
水分をＩＰＡに置換されたシリコンウエハを前記空間外へ移動し、シリコンウエハからＩＰＡを蒸発させる工程、
水分とＩＰＡとの前記混合物の前記空間外への排出及び前記空間外におけるシリコンウエハからのＩＰＡの蒸発によるＩＰＡ槽中のＩＰＡの減量を補充するために、ＩＰＡ槽にＩＰＡを供給する工程であって、予め加熱された液体のＩＰＡをＩＰＡ槽に供給する工程、及び
前記冷却管により液化されたＩＰＡを回収し、再加熱し、前記予め加熱された液体のＩＰＡとしてＩＰＡ槽に供給する工程
を含むシリコンウエハの乾燥方法。
【請求項８】
前記予め加熱された液体ＩＰＡの温度が、５０〜８２．４℃である請求項７に記載のシリコンウエハの乾燥方法。
【請求項９】
前記ＩＰＡ槽にＩＰＡを供給する工程が、ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに近接して又は液体ＩＰＡに接して設けられた供給口を通じてＩＰＡ槽にＩＰＡを供給することを含む請求項７に記載のシリコンウエハの乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造過程において、洗浄後のシリコンウエハを乾燥する際に使用されるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気乾燥装置及びＩＰＡ蒸気を用いたシリコンウエハの乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程において、ウエハの乾燥工程は、ウエハのウェット洗浄処理の最後に行われ、ウエハ表面の水分を完全に除去する目的で行われる。即ち、ウエハ上に残留したミクロンからサブミクロン以下の径の水滴は、ウエハの自然酸化を促進し、いわゆるウォーターマークと呼ばれる欠陥部分を生じる原因となる。ウォーターマークを含む部分から得られたチップは、製造する素子の構造にもよるが、約８０％という高い確率で不良な半導体素子となることが知られている。また、種々の洗浄溶液でウエハ表面を清浄化しても、この乾燥工程で不純物を再度付着させては、それ以前に行った洗浄工程が無駄となる。従って、半導体製造工程において、乾燥工程は、その前工程であるウェット洗浄工程同様に極めて重要である。
【０００３】
従来、一般的なウエハの乾燥法として、比較的簡単に行うことができるなどの理由からスピン乾燥法が普及していた。しかし、この方法には、発塵、静電気発生により、ウエハを再汚染してしまうこと、素子を破壊してしまうこと（絶縁破壊）などの問題や、ウエハ上のミクロンからサブミクロン以下の径の水滴を除去することが難しいという問題がある。このため、現在においては、ウエハの乾燥は、以下に説明するイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気乾燥法により行うことが主流となっている。
【０００４】
ＩＰＡ蒸気乾燥法には、一般に、図１に示すようなＩＰＡ蒸気乾燥装置１００が使用される。この装置１００は、大まかにいって、その内部中央に複数のウエハを収容できるウエハ保持空間及びこの保持空間周辺のＩＰＡ蒸気を充満させる乾燥空間を備えた槽状構造物からなる。装置１００の下部には、ＩＰＡ蒸気を供給するためのＩＰＡ槽９及び少なくともその下部に設けられたＩＰＡを加熱するためのヒーター８が設けられている。装置１００の側壁１５には、ＩＰＡ蒸気の上昇を乾燥空間内に止め、ＩＰＡ蒸気を乾燥空間内に充満させるための複数の冷却水管７が設けられている。ウエハ保持空間の直下には、排液受け１３及び排液受け１３から装置外へと延びるドレイン５が設けられている。
【０００５】
装置１００内中央のウエハ保持空間は、ＩＰＡ槽から装置上部に向かって、下待機位置２、中間待機位置３及び上待機位置４の３つの区画に大別される。下待機位置２は、ＩＰＡ槽から冷却水管７までの空間であり、ＩＰＡ蒸気が充満しており、ウエハがＩＰＡ蒸気により置換（即ち、水分を除去）される空間である。中間待機位置３は、冷却水管７から装置最上部までの空間であり、装置内の空間であるが、ＩＰＡ蒸気は充満していない。この位置で、ウエハを放置或いは加熱してＩＰＡ乾燥後にウエハ上に残ったＩＰＡを蒸発させる。上待機位置４は、装置外の空間であり、この空間において、前工程又は次工程との間でウエハの運搬が行われる。ウエハ保持空間には、エレベーター１２が設置されており、ウエハはこれら三つの空間をエレベーター１２に載せられて移動する。
【０００６】
このＩＰＡ蒸気乾燥方法は、図１により次のように説明される。即ち、ＩＰＡ蒸気乾燥装置１００の下部に設けられたＩＰＡ槽９をヒーター８で加熱し、ＩＰＡ蒸気を装置１００内に充満させる（ここで、ＩＰＡ槽９は、ＩＰＡの沸点が８２．４℃なので、８２．５℃以上には加熱されない）。洗浄工程などを経たウエハ１１は、上待機位置４でエレベーター１２に載せられ、装置内の下待機位置２までウエハを下降させる。ＩＰＡ蒸気は、ウエハ表面で凝縮し、ウエハ上の水分と混合する。こうして生じたウエハ上のＩＰＡ及び水の混合物は、自重によりウエハ表面から排液受け１３上に落下し、ドレイン５を通じて装置外に排出される。このようにして水分を除去されたウエハは、中間待機位置３まで引き上げられて、この位置で、そのまま放置、赤外線加熱、熱風吹きつけなどによりウエハ上に残ったＩＰＡを蒸発させる。
【０００７】
このようにＩＰＡ蒸気乾燥法は、ＩＰＡ蒸気中での乾燥であるため、スピン乾燥法に比して、雰囲気からの汚染が起こりにくい、静電気が発生しにくい、ミクロンからサブミクロンの水滴が除去できるのでウォーターマークの発生が比較的少ないなどの利点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＩＰＡ蒸気乾燥法には、ＩＰＡ中の水分量を制御し、ＩＰＡの加熱システム、液体ＩＰＡの流速、ＩＰＡ蒸気密度を最適化しなければ、ウエハ上の水分を十分にかつ再現性良く除去できないという課題が残されている。この課題は、特に、ウエハが、２００ｍｍ以上と大口径化するに伴い顕著なものとなる。即ち、ウエハが大口径化すると、ウエハ面内で温度勾配が生じるために、均一な乾燥処理が困難となり、一つのウエハ内で、或いはウエハ間で、同じ品質の製品が得られない。
【０００９】
ウォーターマークの発生を十分にかつ再現性よく防止するためには、ウエハ表面上の水分が、ウエハ上に液化したＩＰＡへ置換する速度をより一層速くすることが必要である。即ち、ＩＰＡ蒸気乾燥の処理時間は限られており、この限られた時間内に、ウエハができるだけ多くのＩＰＡ蒸気と効率よく接触することが必要である。逆にいえば、水分のＩＰＡへの置換速度が何らかの原因で一時的に遅くなると、水分の除去が十分とならず、ウォーターマークが発生してしまう。この置換速度は、ＩＰＡ蒸気の発生量、濃度に大きく依存する。そして、ＩＰＡ蒸気の発生量、濃度は、ＩＰＡ槽９の温度変化に大きく影響される。従って、置換速度を高くかつ一定に保つためには、ＩＰＡ槽の温度を一定に保ち（沸点８２．４℃を保ち沸騰状態を維持し）ＩＰＡ蒸気の発生量を一定に維持する必要がある。
【００１０】
上述した従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置１００では、ドレイン５を通じて、又は中間待機位置３で蒸発して装置外に排出されたＩＰＡを補うために、補充用ＩＰＡ供給ライン６からＩＰＡが随時補充されるようになっている。この時補充されるＩＰＡの温度は、室温に近い温度（２０℃前後）であるために、ＩＰＡ槽内のＩＰＡの温度は、ＩＰＡの供給の度ごとに低下してしまう。
【００１１】
即ち、乾燥すべきウエハが、下待機位置に到着するとＩＰＡ蒸気はウエハと接触して急激に液化し、ドレイン５から排出される。この際、ＩＰＡ蒸気の急激な液化を補うため、ヒータを急激に加熱してＩＰＡ蒸気の供給量を増大させることはできるが、ウエハの乾燥開始からＩＰＡ蒸気供給量増大までの間に、ＩＰＡ蒸気の密度の急激な低下と急激な増大がもたらされることになる。
【００１２】
また、ＩＰＡ槽の液量を一定に保つためには、一回のウエハ乾燥毎にＩＰＡの供給を行わなければならない。本発明者らの調査によれば、ＩＰＡの凝縮により急激に減少したＩＰＡ量を補うために室温のＩＰＡを供給すると、ＩＰＡの温度がその沸点温度まで復帰するのに２、３分間程度の時間を要する。通常、水分をＩＰＡに置換するのに設定される処理時間（下待機位置にウエハを保持する時間）は、４分間前後であるため、ＩＰＡの温度を復帰させるために要する２、３分間の時間は、上記処理時間にほぼ等しく、ウエハの乾燥効率を著しく低下させる。従って、ウォーターマークを十分に低減させるためには、８分間を越える処理時間を要する場合があった。
【００１３】
更に、従来のＩＰＡ乾燥装置１００では、冷却水管７によって液化されたＩＰＡも液受け１４を通じてＩＰＡ槽９に回収される構造となっているために、このようにして回収されたＩＰＡもＩＰＡ槽の温度低下を招く原因となっている。即ち、ヒーター８の加熱温度を上昇しＩＰＡ蒸気の密度を増大させても、冷却水管７により冷却され液受け１４を通じてＩＰＡ槽９に回収されるＩＰＡの量も増大するため、液体ＩＰＡの温度がヒーター８の温度上昇を十分に反映することなく、一時的にＩＰＡ蒸気密度の増大と低下が起こる。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、洗浄（特に酸化膜、窒化膜を形成するための炉処理に先だって行う炉前洗浄）後の乾燥工程において、ウエハ上のミクロンからサブミクロン以下の径の水滴を効率良くかつ再現性よく除去し、ウエハ上のウォーターマークの形成を防止することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
（１）液体のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を収容するＩＰＡ槽、
（２）該ＩＰＡ槽の周囲に設けられた側壁、
（３）該ＩＰＡ槽から上方に所定の間隔をおいて且つ該側壁近傍に設けられた冷却管、
（４）該ＩＰＡ槽の少なくとも下部に設けられた加熱手段、
（５）該ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに予備加熱された液体ＩＰＡを供給するための、予備加熱手段を含むＩＰＡ供給手段、
（６）該ＩＰＡ槽中のＩＰＡの液面、該側壁及び該冷却管により規定される空間にシリコンウエハを出し入れするための搬送手段、及び
（７）シリコンウエハ上のＩＰＡと水分との混合物を回収し前記空間外に排出するための排出手段、
を含むシリコンウエハのＩＰＡ蒸気乾燥装置が提供される。
【００１６】
上記ＩＰＡ蒸気乾燥装置においては、
１．前記予備加熱手段がインラインヒーター、加熱槽（特に、ＩＰＡを収容する石英槽と少なくともその下部に配置されたヒーターを含むもの）からなること；
２．前記排出手段が、排液受け及び該排液受けから前記空間外に伸びるドレインを含むこと；
３．前記冷却管の直下には、液受け及び該液受けから前記予備加熱手段に向かって延びるＩＰＡ回収管が設けられていること；
４．前記ＩＰＡ供給手段が、ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに近接して又は液体ＩＰＡに接して設けられた供給口を更に含むこと、
が好ましい。
【００１７】
本発明によればまた、
（１）イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）槽中に収容された液体ＩＰＡの液面、（２）該ＩＰＡ槽の周囲に設けられた側壁、及び（３）該ＩＰＡ槽から上方に所定の間隔をおいて且つ該側壁近傍に設けられた冷却管、により規定される空間に、該液体ＩＰＡを加熱してＩＰＡ蒸気を充満させる工程、
ＩＰＡ蒸気が充満した該空間内にシリコンウエハを保持してシリコンウエハ表面上の水分とＩＰＡとを混合させる工程、
水分とＩＰＡとの該混合物を前記空間外へ排出してシリコンウエハ上の水分をＩＰＡに置換する工程、
水分をＩＰＡに置換されたシリコンウエハを前記空間外へ移動し、シリコンウエハからＩＰＡを蒸発させる工程、及び
水分とＩＰＡとの前記混合物の前記空間外への排出及び前記空間外におけるシリコンウエハからのＩＰＡの蒸発によるＩＰＡ槽中のＩＰＡの減量を補充するために、ＩＰＡ槽にＩＰＡを供給する工程、
を含むシリコンウエハの乾燥方法において、
前記ＩＰＡ供給工程が、予め加熱された液体のＩＰＡをＩＰＡ槽に供給することを特徴とするシリコンウエハの乾燥方法が提供される。
【００１８】
上記乾燥方法においては、
１．前記冷却管により液化されたＩＰＡを回収し、再加熱し、前記予め加熱された液体のＩＰＡとしてＩＰＡ槽に供給する工程を更に含むこと、
２．前記予め加熱された液体ＩＰＡの温度が、５０〜８２．４℃であること、
が好ましい。
【００１９】
本発明では、予備加熱された液体のＩＰＡを装置内のＩＰＡ槽へ補充することが新規な特徴である。即ち、補充用の液体ＩＰＡを予備加熱部により予め加熱しておき、補充されるＩＰＡとＩＰＡ浴との間の温度差を小さくすることでＩＰＡ補充によるＩＰＡ浴の温度低下を防止することができる。この結果、乾燥処理中にＩＰＡが補充されてもＩＰＡ蒸気の発生量、濃度の低下を抑えることが可能となる。従って、常に一定のＩＰＡ蒸気の雰囲気で乾燥処理を行うことが可能となるので、限られた処理時間で効率よくウエハ上の水分を除去することが可能となる。また、ＩＰＡ浴の温度回復を待つ必要が無く、乾燥効率が向上する。
【００２０】
後述する実施例を参照されたい。実施例１は、予備加熱された液体ＩＰＡ（７５℃）のみがＩＰＡ槽に供給されるように構成された、図２に示す本発明のＩＰＡ蒸気乾燥装置を使用して、ウエハの乾燥を行った例である。この例によれば、ＩＰＡ浴の温度は、ウエハの乾燥時間中に殆ど変化がなく（図６参照）、安定した蒸気供給が可能となっており、それゆえに乾燥後のウォーターマーク発生率が３個／ウエハと非常に低いことが明らかとなる。これに対して、比較例１は、予備加熱されない液体ＩＰＡ（２０℃）のみがＩＰＡ槽に供給されるように構成された、図１に示す従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を使用して、ウエハの乾燥を行った例である。この例によれば、ＩＰＡ浴の温度は、ウエハの乾燥時間中にＩＰＡ補充による低下が著しく（図７参照）、ＩＰＡ蒸気の供給が安定していないことが明らかである。それゆえに比較例１においては、乾燥後のウォーターマーク発生率が２０個／ウエハと多い。ここで、ウォーターマーク発生がウエハ上部に集中する理由は、ウエハ上部が洗浄後ＩＰＡ蒸気に接触するまでの時間が最も長く、ＩＰＡ蒸気に接触する前に自然乾燥してウォーターマークを形成してしまう場合があるからである。
【００２１】
このように、本発明によれば、予備加熱部から加熱されたＩＰＡを供給することにより、ウォーターマークの発生を著しく低減させることができる。
本発明ではまた、予備加熱された液体ＩＰＡが供給されるために、ＩＰＡ供給手段から延びるＩＰＡ供給口が、該ＩＰＡ槽中の液体ＩＰＡに近接して又は液体ＩＰＡに接して設けられていることが好ましい。
【００２２】
ＩＰＡ供給口が液体ＩＰＡから離れて設けられていると、ＩＰＡの供給時に、落下するＩＰＡによってＩＰＡ浴の液面が波立ち、これによってＩＰＡ蒸気の供給が不安定になる傾向がある。この場合、供給口は、供給口のサイズ（例えば、直径）と同じかそれ以下の間隔でＩＰＡ液面に近接していることが好ましい。
【００２３】
ＩＰＡ供給口は、好ましくは液体ＩＰＡ中に設けられていることがＩＰＡ液面を安定に維持する上で好ましい。この場合、ＩＰＡ浴の上部からＩＰＡを供給するための予備加熱手段から延びるパイプを液体ＩＰＡ中に導入してもよいし、ＩＰＡ浴の底壁又は側壁に供給口を設けてもよい。
【００２４】
予備加熱手段から延びるパイプを液体ＩＰＡ中に導入する場合、供給口は底壁の近傍に位置するように設けることが、液面を安定にする上で更に好ましい。特に、供給されるＩＰＡを底壁のヒーターに沿って流せば、液面の乱れのみならず、液面の温度低下をも十分に防止することができる。
【００２５】
ＩＰＡ浴の底壁又は側壁に供給口を設ける場合、非供給時にＩＰＡが逆流することを防止するために、供給口又は供給口と予備加熱部との間の供給ライン上に弁を設けることが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図２は、ＩＰＡ予備加熱部を備え付けた本発明のＩＰＡ蒸気乾燥装置２００の一例を示す概略図である。図１に示した従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置と異なり、装置２００の外部であって、ＩＰＡ槽９と補充用ＩＰＡ供給ライン６との間には、予備加熱部１７が設置されている。このような予備加熱部を設けることによって、予備加熱されたＩＰＡ（液体）を装置内のＩＰＡ槽９へ補充することが可能となる。また、ＩＰＡ供給ライン末端の供給口１９はＩＰＡ浴内に位置しているので、ＩＰＡの供給によってＩＰＡ液面が乱れにくく構成されている。
【００２７】
予備加熱部１７において、ＩＰＡの加熱手段としては、加熱槽（図３）やインラインヒーター（図４）を使用することができる。加熱されたＩＰＡをウエハの乾燥終了ごとに（バッチごとに）供給するためには、加熱槽の形態を使用することが好ましい。また、加熱されたＩＰＡを連続的に供給するためには、インラインヒーターの形態を使用することが好ましい。
【００２８】
予備加熱部１７によりＩＰＡの温度は、５０℃から８２．４℃まで加熱することが可能となっているが、７０℃から８０℃に設定するのが最適である。これは補充時の温度低下を最小限にし、ＩＰＡ供給ラインの安全性を確保し、また開放系でＩＰＡを予備加熱する場合には蒸発によるＩＰＡ損失を少なくし消費量を最小限に抑えられるからである。
【００２９】
また本発明では、図２に示すように、冷却水管７で液体に戻されたＩＰＡを、液受け１４により集め、ＩＰＡ回収ライン１８を通じて予備加熱部１７に戻すように構成することもできる。このように構成することによって、冷却水管７で液体に戻されたＩＰＡがＩＰＡ槽に落下することによるＩＰＡ槽の温度低下を防止することが可能となる。
【００３０】
ＩＰＡ蒸気を充満させる蒸気乾燥槽１６には、石英や電解研磨したステンレス鋼を用いることができる。
冷却水管７は、通常、石英製であり、冷却媒体には、通常、市水、純水を使用する。
【００３１】
また、ＩＰＡの蒸発損失を少なくするために、中間待機位置３内にＩＰＡ蒸気回収装置設けてもよいし、中間待機位置３上部には、自動開閉蓋が取り付けられてもよい。
【００３２】
廃液受け１３は、通常、ＳＵＳ（ステンレス鋼）製、石英製のものが使用される。
ウエハのＩＰＡ蒸気乾燥のためには、通常、８〜１０分間、より好ましくは６〜８分間の時間を要する。本発明によれば、均一なＩＰＡ蒸気を供給することが可能となるので、例えば、従来の装置では８分間以下に乾燥時間（例えば、図１における下待機位置にウエハを放置する時間）を短くすることが困難である場合にも、本発明の装置を使用すれば６分間以下、特に４分間程度にまで短縮することが可能となる。
【００３３】
【実施例】
本発明を以下の例により更に説明するが、本発明はこれら例に何等限定されるものではない。
【００３４】
［実施例１］
予備加熱部として図３に示した加熱槽を備えた図２のＩＰＡ蒸気乾燥装置を使用して、ＲＣＡ洗浄工程後のウエハの乾燥を行った。なお、図２中、供給口１９の形状は直径１０ｍｍの円形であり、ＩＰＡ浴中に位置していた。
【００３５】
予備加熱部から供給されるＩＰＡの温度は７５℃であり、一回の供給は、２００ｍＬ／ｍｉｎ．の流速で３０秒間行われた。
５０枚の６インチシリコンウエハをウエハ表面を縦にしてキャリアー上に並べ、一度にエレベーター１２で搬送し、乾燥した。下待機位置に４分間シリコンウエハを放置し、ウエハとＩＰＡ蒸気を接触させた。その後、エレベーター１２を上昇させて中間待機位置に４分間ウエハを放置し、ウエハ上のＩＰＡを蒸発させた。
【００３６】
その結果、ウエハ上のウォーターマークは、３個／ウエハであった（図５（ｂ）参照）。乾燥時間におけるＩＰＡ槽の温度変化を図６に示す。なお、図６中、装置内にウエハを搬入開始した時点を０分として、下待機位置の放置時間：４分間、中間待機位置の放置時間：４分間、装置内の上下移動時間：３０秒を経て、合計８分３０秒後にウエハは装置外に搬出された。
【００３７】
［比較例１］
予備加熱部を有しない従来の図１のＩＰＡ蒸気乾燥装置を使用して、ＲＣＡ洗浄工程後のウエハの乾燥を行った。
【００３８】
補充用ＩＰＡ供給ラインから供給されるＩＰＡの温度は２０℃であり、一回の供給は、２００ｍＬ／ｍｉｎ．の流速で３０秒間行われた。
乾燥するシリコンウエハの枚数、サイズは、実施例１と同様であった。また、下待機位置での乾燥時間、中間待機位置での放置時間も実施例１と同様であった。
【００３９】
その結果、ウエハ上のウォーターマークは、２０個／ウエハであった（図５（ａ）参照）。乾燥時間におけるＩＰＡ槽の温度変化を図７に示す。なお、図７中、装置内にウエハを搬入開始した時点を０分として、下待機位置の放置時間：４分間、中間待機位置の放置時間：４分間、装置内の上下移動時間：３０秒を経て、合計８分３０秒後にウエハは装置外に搬出された。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、補充用のＩＰＡをこの予備加熱部により予め加熱しておき、補充されるＩＰＡとＩＰＡ浴の温度との間の温度差を小さくすることにより、乾燥処理中にＩＰＡが補充されてもＩＰＡ蒸気の発生量及び濃度の低下を抑えることが可能となる。従って、ＩＰＡ浴が常に一定の状態で乾燥処理を行うことが可能となるので、ウエハ上の水分が十分に除去され、ウーターマークが生じにくい。、また、ＩＰＡ補充の際のＩＰＡ浴の温度回復を待つ必要が無いので、ウエハの乾燥処理効率が向上する。
【００４１】
本発明によれば、予備加熱部をＩＰＡ供給ラインの一部に取り付けるという比較的容易な装置の改良に基づくので、大規模な製造ラインに対しても本発明の装置及び方法は、容易に組み込むことが可能であり、しかもその効果は甚大であり、極めて実用的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置の概略図である。
【図２】  ＩＰＡ予備加熱部を備え付けた本発明のＩＰＡ蒸気乾燥装置の一例を示す概略図である。
【図３】  図２の予備加熱部１７において、ＩＰＡの加熱手段として使用できる加熱槽の一例を示す図である。
【図４】  図２の予備加熱部１７において、ＩＰＡの加熱手段として使用できるインラインヒーターの一例を示す図である。
【図５】  ウエハ上のウォーターマーク発生部位を示す図である。（ａ）は、図１の従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置による乾燥後のウエハを示し、（ｂ）は、図２の本発明のＩＰＡ蒸気乾燥装置による乾燥後のウエハを示す。図中に楕円で囲んだ部分は、ウォーターマーク発生部位である。
【図６】  実施例１におけるＩＰＡ浴の温度の時間変化を示すグラフである。
【図７】  比較例１におけるＩＰＡ浴の温度の時間変化を示すグラフである。
【図１】
0004906198.tif 000002
【図２】
0004906198.tif 000003
【図３】
0004906198.tif 000004
【図４】
0004906198.tif 000005
【図５】
0004906198.tif 000006
【図６】
0004906198.tif 000007
【図７】
0004906198.tif 000008