(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示機能層と、
前記表示機能層を挟んで対向する状態に貼り合わせられた２枚の基板と、
前記２枚の基板のうち、一方の基板に電気的かつ機械的に接続されるフレキシブルプリント配線基板とを備え、
前記一方の基板には、貼り合わせ面と同一面上に駆動回路が形成されており、
前記一方の基板の非貼り合わせ面に凹部を形成し、当該凹部に前記フレキシブルプリント配線基板に実装された部品を収容して成り、
前記凹部は、前記一方の基板を前記貼り合わせ面から見たときに、前記フレキシブルプリント配線基板が接続される領域と重なり合わない位置に形成されており、
前記部品の高さは、前記凹部の深さ以下であり、
前記フレキシブルプリント配線基板と前記一方の基板の非貼り合わせ面との間に隙間が設けられている表示装置。
【請求項２】
前記フレキシブルプリント配線基板は、前記一方の基板との接続部を起点として当該一方の基板の一端部を迂回するように横Ｕ字形に折り曲げられ、更に、前記一方の基板の他端部で逆向きの横Ｕ字形に折り曲げられている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記部品は、前記フレキシブルプリント配線基板の表面に半田付けにて実装された表面実装型の電子部品である請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記凹部は、内壁が底面に対して直角である請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記一方の基板を前記貼り合わせ面から見たときに、前記２枚の基板のうちの他方の基板と重なる領域に形成されている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記一方の基板は、貼り合わせ面と同一面上に半導体チップが実装された駆動基板であって、
前記凹部は、前記駆動基板を前記貼り合わせ面から見たときに、前記半導体チップが実装される領域と重なり合わない位置に形成されている請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記凹部の表面を導電性のシールド材で被覆してなる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記シールド材を金属板を用いて構成するとともに、前記金属板に折り曲げ部を設けて成る請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記凹部に収容した部品を、当該凹部に充填した樹脂で封止してなる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記一方の基板の板厚は、他方の基板の板厚よりも大である請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
表示機能層と、
前記表示機能層を挟んで対向する状態に貼り合わせられた２枚の基板と、
前記２枚の基板のうち、一方の基板に電気的かつ機械的に接続されるフレキシブルプリント配線基板とを備え、
前記一方の基板には、貼り合わせ面と同一面上に駆動回路が形成されており、
前記一方の基板の非貼り合わせ面に凹部を形成し、当該凹部に前記フレキシブルプリント配線基板に実装された部品を収容して成り、
前記凹部は、前記一方の基板を前記貼り合わせ面から見たときに、前記フレキシブルプリント配線基板が接続される領域と重なり合わない位置に形成されており、
前記部品の高さは、前記凹部の深さ以下であり、
前記フレキシブルプリント配線基板と前記一方の基板の非貼り合わせ面との間に隙間が設けられている表示装置を用いた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)表示装置や液晶表示装置などに適用される表示装置とこれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置等に代表される平面型表示装置（ＦＰＤ；フラット・パネル・ディスプレイ）の分野で、薄型化の進展が顕著になっている。表示装置の薄型化に対応する従来の技術としては、例えば下記特許文献１，２に記載された技術が知られている。
【０００３】
＜特許文献１の記載技術＞
特許文献１には、液晶表示素子複数個分の面積をもつ一対のガラス基板の外面に、このガラス基板の厚さを薄くするエッチング処理を施すことにより、基板全体の厚さを均一に薄くする技術が記載されている。
【０００４】
＜特許文献２の記載技術＞
特許文献２には、一対のガラス基板間に液晶を封入してなる液晶表示素子の製造方法として、一対のガラス基板を貼り合わせた後、少なくとも一方のガラス基板を研磨して薄くする技術が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報
【特許文献２】特開平５−６１０１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１，２に記載された技術は、いずれもガラス基板の厚みをエッチングや研磨によって一様に薄くすることにより表示装置の薄型化を実現するものである。このため、薄型化の進展が機械的な強度（絶対強度）の低下を招き、表示装置の信頼性を損なう恐れがある。
【０００７】
そこで、本発明においては、表示装置の強度的な信頼性を損なわずに薄型化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る表示装置は、表示機能層と、この表示機能層を挟んで対向する状態に貼り合わせられた２枚の基板とを備え、これら２枚の基板のうち、一方の基板の非貼り合わせ面に凹部を形成し、この凹部に部品を収容した構成を採用している。
【０００９】
本発明に係る表示装置においては、一方の基板の非貼り合わせ面に凹部を形成し、この凹部に部品を収容することにより、表示装置の厚み方向で、部品の高さ寸法が一方の基板の板厚寸法に吸収される。このため、部品の高さが表示装置の厚みに加算されなくなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、一方の基板の非貼り合わせ面に形成した凹部に部品を収容することにより、部品の高さが表示装置の厚みに加算されなくなるため、基板の厚みを均一に薄くする場合に比較して、表示装置の機械的な強度を高く維持しつつ表示装置全体を薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】
＜表示装置の構成＞
図１は本発明が適用される表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。図示した有機ＥＬ表示装置１は複数（多数）の有機ＥＬ素子２を用いて構成されるものである。有機ＥＬ素子２は、有機電界発光素子となるもので、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光色の違いで単位画素ごとに区分されている。ただし、図１では、そのうちの１つだけを示している。
【００１３】
有機ＥＬ素子２は、素子形成用の基板（以下、「素子形成用基板」と記す）３を用いて構成されている。素子形成用基板３上には、後述する駆動回路（詳細は後述）とともに、下部電極４、絶縁層５、有機層６及び上部電極７が順に積層されている。さらに、上部電極７は保護層８によって覆われ、この保護層８の上に接着層９を介して対向基板１０が配置されている。
【００１４】
素子形成用基板３と対向基板１０は、それぞれ透明なガラス基板によって構成されるものである。素子形成用基板３と対向基板１０は、それら２枚の基板の間に、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７、保護層８、接着層９を挟み込むかたちで、互いに対向する状態に貼り合わせて配置されている。また、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７及び保護層８は、素子形成用基板３の貼り合わせ面上に積層状態で形成されている。
【００１５】
ここで、素子形成用基板３の「貼り合わせ面」とは、表示機能層となる有機層６を介して対向基板１０と対向する側の面をいい、その反対側（裏側）の面を素子形成用基板３の「非貼り合わせ面」という。同様に、対向基板１０の「貼り合わせ面」とは、有機層６を介して素子形成用基板３と対向する側の面をいい、その反対側（裏側）の面を対向基板１０の「非貼り合わせ面」という。
【００１６】
下部電極４及び上部電極７は、一方がアノード電極となり、他方がカソード電極となる。下部電極４は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には高反射性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は透明材料で構成される。
【００１７】
ここでは、一例として、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型（トップエミッション方式）で、下部電極４がアノード電極である場合を想定している。この場合、下部電極４は、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ)、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、又はその合金で構成される。
【００１８】
なお、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）,インジウム（Ｉｎ）,マグネシウム（Ｍｇ）−銀(Ａｇ)合金,リチウム(Ｌｉ)−フッ素(Ｆ)化合物、リチウム-酸素（Ｏ）化合物のように、仕事関数が小さく、かつ、光反射率の高い導電性材料で構成される。
【００１９】
また、有機ＥＬ表示装置１が透過型（ボトムエミッション方式）で、下部電極４がアノード電極である場合は、下部電極４は、例えばＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で構成される。また、有機ＥＬ表示装置１が透過型で、下部電極４がカソード電極である場合は、下部電極４は、仕事関数が小さく、かつ、光透過率の高い導電性材料で構成される。
【００２０】
絶縁層５は、下部電極４の周辺部を覆う状態で素子形成用基板３の上面に形成されている。絶縁層５には単位画素ごとに窓が形成されており、この窓の開口部分で下部電極４が露出している。絶縁層５は、例えばポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いて形成されるものである。
【００２１】
有機層６は、例えば図２に示すように、素子形成用基板３側から順に、正孔注入層６１、正孔輸送層６２、発光層６３（６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ）及び電子輸送層６４を積層した４層の積層構造を有するものである。
【００２２】
正孔注入層６１は、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ〔4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine〕によって形成されるものである。正孔輸送層６２は、例えば、α−ＮＰＤ[4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl]によって形成されるものである。なお、材料はこれに限定されず、例えばベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料を用いることができる。また、正孔注入層６１及び正孔輸送層６２は、それぞれ複数層からなる積層構造であってもよい。
【００２３】
発光層６３は、ＲＧＢの色成分ごとに異なる有機発光材料によって形成されるものである。具体的には、赤色発光層６３ｒは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成される。緑色発光層６３ｇは、例えば、ホスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料としてクマリン６を５重量％混合したものにより構成される。青色発光層６３ｂは、例えば、ゲスト材料となるＡＤＮに、ドーパント材料として４，４’≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成される。各色の発光層６３ｒ，６３ｇ，６３ｂは、画素の色配列に応じてマトリクス状に配置される。
【００２４】
電子輸送層６４は、例えば、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）によって形成されるものである。
【００２５】
上部電極７は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合は、透明又は半透明の導電性材料で構成され、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、高反射性材料で構成される。
【００２６】
以上の素子形成用基板３、下部電極４、絶縁層５、有機層６、上部電極７により、有機ＥＬ素子２（赤色有機ＥＬ素子２ｒ、緑色有機ＥＬ素子２ｇ、青色有機ＥＬ素子２ｂ）が構成されている。
【００２７】
保護層８は、上部電極７や有機層６への水分の到達を防止するなどの目的で形成されるものである。このため、保護層８は、透水性及び吸水性の低い材料を用いて十分な膜厚で形成される。また、保護層８は、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合には、有機層６で発光させた光を透過させる必要があるため、例えば８０％程度の光透過率を有する材料で構成される。
【００２８】
また、上部電極７を金属薄膜で形成し、この金属薄膜の上に直接、絶縁性の保護層８を形成するものとすると、保護層８の形成材料として、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）、さらにはアモルファスカーボン（α−Ｃ）等を好適に用いることができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護層８となる。
【００２９】
接着層９は、例えばＵＶ（紫外線）硬化型樹脂によって形成されるものである。接着層９は、対向基板１０を固着させるためのものである。
【００３０】
なお、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機ＥＬ表示装置１にカラーフィルタを組み合わせて設ける場合には、ＲＧＢの各色に対応する有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂから発せられる発光のスペクトルのピーク波長近傍の光のみを透過するカラーフィルタを、各色の有機ＥＬ素子２ｒ，２ｇ，２ｂの光取り出し面側に設けることになる。
【００３１】
＜駆動回路の構成＞
図３は有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。有機ＥＬ表示装置１の駆動回路は、素子形成用基板３の貼り合わせ面と同一面上に形成されるものである。素子形成用基板３上には、表示領域１１とその周辺領域１２とが設定されている。表示領域１１には、複数の走査線１３と複数の信号線１４とが縦横にマトリクス状に配線されている。走査線１３と信号線１４の各交差部には画素１５が一つずつ設けられている。各々の画素１５には、上述した有機ＥＬ素子２を含む画素回路（詳細は後述）が設けられている。また周辺領域１１には、走査線１３を走査駆動する走査線駆動回路１６と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線１４に供給する信号線駆動回路１７とが配置されている。
【００３２】
＜画素回路の構成＞
図４は画素回路の構成例を示す図である。画素回路は、有機ＥＬ発光素子２、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２、及び保持容量Ｃｓによって構成されている。駆動トランジスタＴｒ１及び書き込みトランジスタＴｒ２は、それぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されるものである。この画素回路では、走査線駆動回路１６の駆動により、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線１４から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から有機ＥＬ発光素子２に供給され、この電流値に応じた輝度で有機ＥＬ発光素子２が発光する仕組みになっている。
【００３３】
なお、上述した画素回路の構成は、あくまで一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数の薄膜トランジスタを設けたりして画素回路を構成してもよい。また、周辺領域１２には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路を追加してもよい。
【００３４】
＜第１実施形態＞
図５は本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。図示のように、素子形成用基板３と対向基板１０を貼り合わせた構造の表示パネルには、フレキシブルプリント配線基板２０が接続されている。フレキシブルプリント配線基板２０は、例えばポリイミドフィルムからなる基材を用いて構成される、可撓性を有するプリント配線基板である。フレキシブルプリント配線基板２０には複数（図例では２つ）の部品２１，２２が実装されている。各々の部品２１，２２は、表示パネルの駆動を制御するうえで必要な表面実装型の電子部品（例えば、チップコンデンサやチップ抵抗、発振子、電源生成IC、メモリIC、ドライバーICなど）であって、例えばはんだリフロー方式やＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film)を用いた異方導電性接続方式、他の実装方式によりフレキシブルプリント配線基板２０の表面に実装されている。
【００３５】
素子形成用基板３の一部は、対向基板１０の端部からはみ出している。素子形成用基板３のはみ出し部分には、図示しない基板接続用の電極が形成され、この電極形成領域にフレキシブルプリント配線基板２０の一端部が電気的かつ機械的に接続されている。素子形成用基板３とフレキシブルプリント配線基板２０は、例えば前述のＡＣＦ接続方式により接続されている。基板接続用の電極は、素子形成用基板３のはみ出し部分で上記駆動回路と同じ面に形成されるものである。
【００３６】
素子形成用基板３の非貼り合わせ面には凹部２３が形成されている。凹部２３は、素子形成用基板３の非貼り合わせ面を部分的に凹ませた状態で形成されている。このため、素子形成用基板３の板厚（凹部２３が形成されていない部分の厚み）を“Ｔ１”とし、凹部２３が形成された部分の厚みを“Ｔａ”とすると、これらの寸法関係はＴ１＞Ｔａの条件で設定されている。
【００３７】
これに対して、フレキシブルプリント配線基板２０は、上記基板接続用の電極との接続部分を起点として、素子形成用基板３のはみ出し部を迂回するように横Ｕ字形に折り曲げられ、さらに当該はみ出し部と反対側で逆向きの横Ｕ字形に折り曲げられている。このため、フレキシブルプリント配線基板２０全体で見ると、略Ｓ字形の折り曲げ形状となっている。
【００３８】
このように折り曲げられたフレキシブルプリント配線基板２０の部品実装面は、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に対向する状態で配置されている。このため、フレキシブルプリント配線基板２０に実装された各々の部品２１，２２は、素子形成用基板３側を向いて配置されている。また、各々の部品２１，２２は、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に形成された凹部２３に収容されている。ここで、各々の部品２１，２２の高さを“Ｈ”とし、素子形成用基板３の非貼り合わせ面（外側面）を基準とした凹部２３の深さを“Ｄ”とすると、これらの寸法関係はＨ≦Ｄの条件で設定されている。
【００３９】
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１を製造する場合は、複数の表示装置単位が集合体として一括形成される大型基板同士を貼り合わせた状態、又は当該大型基板から個々の表示装置単位をスクライブ・ブレイク等によって分離した状態で、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に上記部品２１，２２の寸法や実装位置に応じた形状・深さで掘り込み加工を行なうことにより、凹部２３を形成する。
【００４０】
具体的な加工方法としては、凹部２３を形成すべき部位だけを開口する状態で素子形成用基板３の非貼り合わせ面を図示しない加工マスクで覆い、この状態で例えばエッチング液としてＨＦ溶液等を用いたウェットエッチング法により、非貼り合わせ面の所定部位に凹部２３を形成する方法を採用することが可能である。また、これ以外にも、例えば、上述のように素子形成用基板３の非貼り合わせ面を開口付きの加工マスクで覆った状態で、当該非貼り合わせ面に向けてノズルから微細な研磨粒を高速に衝突させる、マイクロブラスト法により、非貼り合わせ面の所定部位に凹部２３を形成する方法を採用することも可能である。
【００４１】
特に、マイクロブラスト法によって加工する場合は、素子形成用基板３の非貼り合わせ面を一様にエッチングする場合に比較して、加工時間を短縮することが可能である。このため、コストメリットが大きくなる。
【００４２】
また、凹部２３の深さＤに関しては、例えば、素子形成用基板３がアルカリガラスからなり、その板厚Ｔ１が０．７ｍｍであると仮定した場合、駆動回路の維持に必要な最低限のガラス厚み、加工精度を考慮すると、Ｄ＝０．６５ｍｍ程度に設定することが可能である。
【００４３】
また、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に凹部２３を形成するにあたっては、表示パネルを完成した後（凹部２３を形成した後）に行なうフレキシブルプリント配線基板２０の接続工程で、上記基板接続用の電極形成領域の平坦性や強度が特に重要になる。このため、素子形成用基板３の非貼り合わせ面内においては、図６に示すように、素子形成用基板３を貼り合わせ面から見たときに（素子形成用基板３を平面視したときに）、フレキシブルプリント配線基板２０が接続される領域（電極形成領域）２４とは重なり合わない位置に凹部２３を形成することが望ましい。
【００４４】
一方、素子形成用基板３に凹部２３を形成した後は、個々に分離された表示装置の表示パネルに対して、予め表示パネルの制御に必要な部品２１，２２を実装済みのフレキシブルプリント配線基板２０を、ＡＦＣ接続等の手段で素子形成用基板３の電極に接続する。さらに、そのフレキシブルプリント配線基板２０を上記図５のように折り曲げて、当該フレキシブルプリント配線基板２０に実装された部品２１，２２を凹部２３に収容し、両面テープなどを用いてフレキシブルプリント配線基板２０を素子形成用基板３の非貼り合わせ面に貼り付ける。これにより、フレキシブルプリント配線基板２０付きの表示パネルが、表示装置として完成する。
【００４５】
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１においては、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に凹部２３を形成し、この凹部２３に部品２１，２２を収容した構成となっているため、素子形成用基板３の強度を極力低下させることなく、部品実装済みのフレキシブルプリント配線基板２０を含めた表示装置全体の厚みを薄くすることができる。
【００４６】
特に、素子形成用基板３に関しては、凹部２３の形成によって基板の一部が肉薄となっても、その周囲が基板厚相当の厚肉部分で囲まれるため、従来のように基板全体を一様に薄くする場合に比較して、基板全体の強度を高く維持することができる。また、フレキシブルプリント配線基板２０に実装された部品２１，２２を素子形成用基板３の凹部２３に収容することで、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に近接してフレキシブルプリント配線基板２０を配置することができる。したがって、表示装置の強度的な信頼性を損なうことなく薄型化を実現することが可能となる。
【００４７】
＜第１の比較例＞
第１の比較例として、図７に示すように、素子形成用基板３の板厚を“Ｔ１”とし、対向基板１０の板厚を“Ｔ２”として、これら２枚の基板を貼り合わせるとともに、高さ“Ｈ”の部品２１，２２を実装済みのフレキシブルプリント配線基板２０を素子形成用基板３に接続して略Ｓ字形に折り曲げた構成の有機ＥＬ表示装置１を比較対象とする。そうした場合、第１の比較例では、部品２１，２２の高さＨが表示装置の厚みに加算されるが、上記第１実施形態では、部品２１，２２の高さＨに相当する寸法が、素子形成用基板３の板厚Ｔ１に相当する寸法に吸収されるため、部品２１，２２の高さＨが表示装置の厚みに加算されなくなる。このため、第１実施形態では、各々の基板３，１０の強度を低下させることなく、第１の比較例よりも部品２１，２２の高さ寸法分だけ表示装置を薄型化することができる。
【００４８】
＜第２の比較例＞
第２の比較例として、図８に示すように、素子形成用基板３の板厚を上記Ｔ１よりも薄い“Ｔ３”とし、対向基板１０の板厚を上記Ｔ２よりも薄い“Ｔ４”として、これら２枚の基板を貼り合わせるとともに、高さ“Ｈ”の部品２１，２２を実装済みのフレキシブルプリント配線基板２０を素子形成用基板３に接続して略Ｓ字形に折り曲げた構成の有機ＥＬ表示装置１を比較対象とする。そうした場合、第２の比較例では、部品２１，２２の高さＨが表示装置の厚みに加算されるが、上記第１実施形態では、上記同様の理由により、部品２１，２２の高さＨが表示装置の厚みに加算されなくなる。このため、例えば、Ｔ１＝Ｔ２＝０．７ｍｍ、Ｔ３＝Ｔ４＝０．２ｍｍ、Ｈ＝０．５ｍｍと仮定すると、上記第１実施形態では、フレキシブルプリント配線基板２０の部品実装面を基準とした表示装置の厚みが１．４ｍｍ（０．７ｍｍ×２）となり、第２の比較例では、フレキシブルプリント配線基板２０の部品実装面を基準とした表示装置の厚みが０．９ｍｍ（０．２ｍｍ×２＋０．５ｍｍ）となる。したがって、第２の比較例では、上記第１実施形態よりも表示装置の厚みが０．５ｍｍ薄くなる。ただし、第２の比較例では、各々の基板３，１０の板厚Ｔ３，Ｔ４が０．２ｍｍと非常に薄くなっているため、絶対強度の低下によって信頼性を損なう恐れがある。
【００４９】
これに対して、上記第１実施形態では、各々の基板３，１０の板厚Ｔ１，Ｔ２が０．７ｍｍと厚くなっているため、表示パネルの機械的な強度を十分に確保することができる。このため、強度的な信頼性を損なう恐れがない。また、上記第１実施形態の変形例として、図９に示すように、素子形成用基板３の板厚をＴ１＝０．７ｍｍとしたままで、対向基板１０の板厚を第２の比較例と同じＴ４＝０．２ｍｍと仮定すると、フレキシブルプリント配線基板２０の部品実装面を基準とした表示装置の厚みは第２の比較例と同じ０．９ｍｍ（０．７ｍｍ＋０．２ｍｍ）となる。このため、表示装置の強度的な信頼性を損なうことなく、第２の比較例と同等のレベルまで表示装置を薄型化することが可能となる。このように、素子形成用基板３の板厚Ｔ１を対向基板１０の板厚Ｔ４よりも大とすることで、素子形成用基板３の機械的な強度を維持した状態で、素子形成用基板３に部品収容用の凹部２３を形成することができる。また、素子形成用基板３の板厚Ｔ１に比較して、対向基板１０の板厚Ｔ４を小とすることで、２枚の基板３，１０を貼り合わせた状態（表示パネル全体）の厚みを薄くすることができる。
【００５０】
さらに、上記第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、素子形成用基板３を貼り合わせ面から見たときに、フレキシブルプリント配線基板２０が接続される領域（電極形成領域）２４とは重なり合わない位置に凹部２３を形成しているため、素子形成用基板３にフレキシブルプリント配線基板２０を接続する場合に、ＡＣＦ接続等の加圧に伴う基板の変形を抑えて接続部位の平坦性や強度を良好に維持することができる。このため、素子形成用基板３とフレキシブルプリント配線基板２０の接続品質を維持しつつ表示装置を薄型化することが可能となる。
【００５１】
また、これと同様の理由により、上記第１実施形態の第２変形例として、図１０に示すように、素子形成用基板３上にＣＯＧ(chip on glass)方式で半導体チップ（ＬＳＩチップ）２５を実装する場合は、素子形成用基板３を貼り合わせ面から見たときに、半導体チップ２５が実装される領域と重なり合わない位置に凹部２３を形成することが望ましい。この場合は、フレキシブルプリント配線基板２０が接続される領域（電極形成領域）２４と半導体チップ２５が実装される領域のいずれにも重なり合わない位置に凹部２３を形成することで、素子形成用基板３とフレキシブルプリント配線基板２０の接続品質及び素子形成用基板３と半導体チップ２５の接続品質を共に良好に維持しつつ表示装置を薄型化することが可能となる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
図１１は本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。この第２実施形態においては、上記第１実施形態に比較して、特に、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に形成した凹部２３の表面を導電性のシールド材２６で被覆した点が異なる。
【００５３】
シールド材２６は、例えばアルミニウム、ステンレス等からなる薄い金属板を用いて構成されるものである。この金属板は、素子形成用基板３の非貼り合わせ面おける凹凸形状にならって折り曲げられている。また、金属板の一方の面は接着剤等を用いて素子形成用基板３に固定され、金属板の他方の面（部品２１，２２と向かい合う面）には樹脂等のコーティングによって絶縁処理が施されている。
【００５４】
このように凹部２３の表面をシールド材２６で被覆することにより、素子形成用基板３の貼り合わせ面側に形成された駆動回路と、素子形成用基板３の凹部２３に収容された部品２１，２２との間に、導電性のシールド材２６が介在した状態となる。このため、フレキシブルプリント配線基板２０やこれに実装された部品２１，２２と、素子形成用基板３に形成された駆動回路との間で、容量性、誘導性結合による干渉の影響を低減することができる。このため、表示装置の動作信頼性を維持しながら薄型化を図ることが可能となる。
【００５５】
また、素子形成用基板３の凹部２３の内壁部分を含めて、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に、金属板を用いたシールド材２６を接着固定することにより、素子形成用基板３の機械的な強度を高めることができる。特に、金属板に折り曲げ部を設けることにより、素子形成用基板３の機械的な強度を更に高めることができる。
【００５６】
＜第３実施形態＞
図１２は本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。この第３実施形態においては、上記第１実施形態に比較して、特に、素子形成用基板３の凹部２３に収容した部品２１，２２を、当該凹部２３に充填した樹脂２７で封止した点が異なる。
【００５７】
樹脂２７は、例えば熱硬化型の絶縁性樹脂材料によって構成されるものである。封止用の樹脂２７としては、これを熱硬化させる際に、上記有機層６（図１参照）や素子形成用基板３の駆動回路などに熱的なダメージを与えないように、比較的低温で熱硬化するウレタン系の熱硬化型樹脂を用いることが望ましい。
【００５８】
凹部２３への樹脂２７の充填は、例えば、フレキシブルプリント配線基板２０の所定の位置に予め樹脂注入口を設けておき、凹部２３に部品２１，２２を収容した状態で、上記樹脂注入口から未硬化状態の樹脂２７をディスペンサ等で注入することにより行なう。そして、樹脂２７を充填した後は、これを熱処理によって硬化させることにより、凹部２３内の部品２１，２２を樹脂２７で封止する。
【００５９】
このように凹部２３に収容した部品２１，２２を樹脂２７で封止することにより、フレキシブルプリント配線基板２０やこれに実装された部品２１，２２を素子形成用基板３に固定することができる。このため、表示装置を取り扱う上でハンドリング性が向上する。また、凹部２３内に充填した樹脂２７により、素子形成用基板３の機械的な強度を高めることができる。
【００６０】
なお、上記第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の各特徴事項は、適宜組み合わせることが可能である。例えば、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１に対して、第２実施形態で記述したシールド材２６を設けることが可能である。また、第２実施形態及び第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１に、それぞれＣＯＧ方式で半導体チップ２５を実装することも可能である。
【００６１】
また、上記各実施形態においては、有機ＥＬ表示装置１が上面発光型である場合を想定して、素子形成用基板３の非貼り合わせ面に凹部２３を形成するものとしたが、有機ＥＬ表示装置１が透過型である場合は、有機層６の発光層６３で発光させた光を素子形成用基板３側から取り出す必要があるため、素子形成用基板３に代えて、対向基板１０の非貼り合わせ面に凹部２３を形成し、この凹部２３に部品２１，２２を収容する構成を採用すればよい。また、一つの凹部２３に対して、一つずつ部品を収容してもよいし、複数個の部品をまとめて収容してもよい。また、素子形成用基板３又は対向基板１０の非貼り合わせ面内に、複数の箇所にわたって凹部２３を形成してもよい。また、基板の凹部２３に収容される部品は、フレキシブルプリント配線基板２０に実装された部品２１，２２に限らず、他の部品であってもよい。
【００６２】
＜適用例＞
上記構成からなる有機ＥＬ表示装置１は、図１３〜図１７に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用可能である。
【００６３】
図１３は第１適用例となるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００６４】
図１４は第２適用例となるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００６５】
図１５は第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００６６】
図１６は第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００６７】
図１７は第５適用例となる携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５に上記の有機ＥＬ表示装置１を適用可能である。
【００６８】
なお、本発明に係る表示装置は、有機ＥＬ表示装置に限らず、表示機能層となる液晶層を、一方を駆動基板（例えば、ＴＦＴアレイ基板）、他方を対向基板（例えば、カラーフィルタ基板）とした２枚の基板（ガラス基板等）で挟み込んだ構造の液晶表示装置にも適用可能である。反射型の液晶表示装置の場合は、光を透過させる必要のない基板の非貼り合わせ面に凹部を形成すればよい。透過型の液晶表示装置の場合は、２枚の基板とも光を透過させる必要があるため、光の透過領域を避けて凹部を形成する必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明が適用される表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の積層構造の一例を示す断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の駆動回路の構成例を示す図である。
【図４】画素回路の構成例を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図６】本発明の第１実施形態に有機ＥＬ表示装置の基板平面レイアウト図である。
【図７】第１の比較例となる有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図８】第２の比較例となる有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１変形例を示す概略図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２変形例を示す概略図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図１３】第１適用例となるテレビを示す斜視図である。
【図１４】第２適用例となるデジタルカメラを示す図である。
【図１５】第３適用例となるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１６】第４適用例となるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１７】第５適用例となる携帯端末装置を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１…有機ＥＬ表示装置、３…素子形成用基板、６…有機層、１０…対向基板、２０…フレキシブルプリント配線基板、２１，２２…部品、２３…凹部、２５…半導体チップ、２６…シールド材、２７…樹脂
【図１】
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【図２】
0005034712.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
0005034712.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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