(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一時的欠陥管理領域を有するライトワンス型の光ディスクであって、
前記一時的欠陥管理領域には、欠陥領域リストと、構造情報とがクラスタ単位に記録されており、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、
前記構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)の順に並べられている部分があり、
前記欠陥領域リスト(1)及び前記欠陥領域リスト(2)は、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域についてのエントリーを含み、
前記構造情報は、前記欠陥領域リスト(1)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報と、前記欠陥領域リスト(2)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報とを含む
ことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
クラスタ単位に記録されるライトワンス型光ディスクに少なくとも1つの欠陥領域を示す欠陥領域リストを書き込む記録装置であって、
欠陥領域リストの一部分を含むクラスタの位置を示す複数の位置情報を含む構造情報を生成する生成手段と、
生成された構造情報を、欠陥領域リストと共に、ライトワンス型光ディスクにおける一時的欠陥管理領域に書き込む書込手段とを備え、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、
前記構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)
の順に並べられている部分があり、
前記欠陥領域リスト(1)及び前記欠陥領域リスト(2)は、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域についてのエントリーを含み、
前記構造情報は、前記欠陥領域リスト(1)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報と、前記欠陥領域リスト(2)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報とを含む
ことを特徴とする記録装置。
【請求項３】
前記記録装置は、
全ての欠陥領域リストが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してベリファイを行うベリファイ手段を備え、
前記書込手段は、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リストを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、前記欠陥領域リスト(2)を前記一時的欠陥管理領域に得る
ことを特徴とする請求項２記載の記録装置。
【請求項４】
前記記録装置は、先頭の欠陥領域リストから最後の1つ前の欠陥領域リストまでが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してベリファイを実行するベリファイ手段を備え、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リストを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、前記欠陥領域リスト(2)を前記一時的欠陥管理領域に得る
ことを特徴とする請求項２記載の記録装置。
【請求項５】
クラスタ単位に記録されるライトワンス型光ディスクの一時的欠陥管理領域から欠陥領域リストを読み出す読出装置であって、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、
構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)の順に並べられている部分があり、
前記欠陥領域リスト(1)及び前記欠陥領域リスト(2)は、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域についてのエントリーを含み、
前記構造情報は、前記欠陥領域リスト(1)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報と、前記欠陥領域リスト(2)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報とを含み、
欠陥領域リストを光ディスクからメモリに読み出す読出手段と、
メモリに読み出された欠陥領域リストを保持する保持手段と、
欠陥領域リストに示される欠陥領域に対するアクセスが、上位装置から命じられた場合、当該欠陥領域の代わりに、当該欠陥領域に対応するスペア領域に対するアクセスを実行するアクセス手段と
を備えることを特徴とする読出装置。
【請求項６】
クラスタ単位に記録されるライトワンス型光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域を示す欠陥領域リストを光ディスクに書き込む記録方法であって、
欠陥領域リストの一部分を含むクラスタの位置を示す複数の位置情報を含む構造情報を生成する生成ステップと、
生成された構造情報を、欠陥領域リストと共に、ライトワンス型光ディスクにおける一時的欠陥管理領域に書き込む書込ステップとを備え、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、
前記構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)
の順に並べられている部分があり、
前記欠陥領域リスト(1)及び前記欠陥領域リスト(2)は、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域についてのエントリーを含み、
前記構造情報は、前記欠陥領域リスト(1)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報と、前記欠陥領域リスト(2)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報とを含む
ことを特徴とする記録方法。  
【請求項７】
前記記録方法は、
全ての欠陥領域リストが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してベリファイを行うベリファイステップを備え、
前記書込ステップは、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リストを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、前記欠陥領域リスト(2)を前記一時的欠陥管理領域に得る
ことを特徴とする請求項６記載の記録方法。
【請求項８】
前記記録方法は、
先頭の欠陥領域リストから最後の1つ前の欠陥領域リストまでが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してベリファイを実行するベリファイステップを備え、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リストを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、前記欠陥領域リスト(2)を前記一時的欠陥管理領域に得る
ことを特徴とする請求項６記載の記録方法。
【請求項９】
クラスタ単位に記録されるライトワンス型光ディスクの一時的欠陥管理領域から欠陥領域リストを読み出す読出方法であって、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、
構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)
の順に並べられている部分があり、
前記欠陥領域リスト(1)及び前記欠陥領域リスト(2)は、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域についてのエントリーを含み、
前記構造情報は、前記欠陥領域リスト(1)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報と、前記欠陥領域リスト(2)に含まれるエントリーが記録されたクラスタの位置を示す位置情報とを含み、
欠陥領域リストを光ディスクからメモリに読み出す読出ステップと、
メモリに読み出された欠陥領域リストを保持する保持ステップと、
欠陥領域リストに示される欠陥領域に対するアクセスが、上位装置から命じられた場合、当該欠陥領域の代わりに、当該欠陥領域に対応するスペア領域に対するアクセスを実行するアクセスステップと
を含むことを特徴とする読出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥エントリーの一時記録技術の技術分野に属する発明である。
【背景技術】
【０００２】
欠陥エントリーとは、欠陥クラスタの位置と、その欠陥クラスタの代わりとなる代替セクタの位置とを対応づけた情報である。
この欠陥エントリーの一時記録とは、ライトワンス型の光ディスクに対する記録処理時において、欠陥領域が発見された場合、この欠陥領域についての欠陥エントリーを、一時的な領域に書き込むという処理である。一時的な書き込みが必要な理由は以下の通りである。光ディスクには、欠陥エントリーを書き込むための領域(Defect Management Area:DMAと呼ばれる)が予め規定されているものの、追記型(ライトワンス型)の光ディスクでは、ファイナライズ処理がなされるまで、かかるDMAに欠陥エントリーを書き込む訳にはいかない。何故なら、ライトワンス型の光ディスクでは、事後的な書き換えが不可能であり、一旦欠陥エントリーを書き込んだ後に、更なる欠陥領域が発見されたとしても、DMAに対する追記・変更が不可能になるからである。そのため、記録処理時において欠陥領域が発見された場合は、その欠陥領域についての欠陥エントリーを、一時的な欠陥管理領域(Temporary Disc Management Structure:TDMSと呼ばれる)に書き込むことが必要になる。
【０００３】
欠陥領域についての複数の欠陥エントリーからなる一時的な欠陥領域リスト(Temporary DeFect List:以下TDFLと呼ぶ)を、TDMSに書き込む技術については、以下の特許文献１に示される先行技術がある。
【特許文献１】特許第２６７１６５６号公報（第３−６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
DMAにおいて複数の欠陥領域リストは、それに示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べられて、連続的に記録されている。こうして記録しておけば、内周から外周にかけて光ディスクの記録内容を光学的に読み込んでゆくだけで、複数の欠陥領域リストは、それに示される欠陥領域のアドレスが小さい順に、メモリ上に読み出されることになる。そしてドライブ装置のファームウェアは、かかる順序で、欠陥領域リストがメモリ上で並べられているものとして、欠陥領域リストを用いた処理を行う。ドライブ装置のファームウェアは、いわゆる物理層の制御を実現するものであり、原始的なソフトウェアなので、かかる順序で、欠陥領域リストを供することが必要とされる。
【０００５】
TDMSに記録された欠陥領域リストも、DMAに記録された欠陥領域リストと同様の性質をもつので、それに示される欠陥領域のアドレスが、小さい順に、メモリ上に読み出され、連続的に配列されねばならない。そうでないと、上記ファームウェアは、欠陥領域リストに対する処理を正常に行うことはできないからである。
従って、従来の光ディスクのTDMSにおける欠陥領域リストは、それに示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べられて、連続した形で、TDMSに記録されている。しかし、この順序での記録が要求されるため、従来の光ディスクでは、欠陥領域リスト配置の自由度が存在しないという問題点がある。かかる自由度がないので、複数欠陥領域リストの記録途中に、欠陥クラスタに遭遇した場合、複数欠陥領域リストをバラバラに記録することが許容されず、その欠陥クラスタ以降のクラスタに、全ての欠陥領域リストを記録し直す必要がある。
【０００６】
欠陥クラスタの遭遇時に、全欠陥領域リストを記録し直す必要があるので、TDMSとして利用可能な領域の消耗が早いという問題点がある。
図１は、欠陥領域リストの書き込みの過程で、欠陥クラスタに遭遇した際の処理を示した図である。本図における第1段目は、TDMS＃jを構成する複数のクラスタを示す。図中のTDFLは、複数の欠陥領域リストから構成される一時的な欠陥領域リストである。第1段目において、TDMSを構成するクラスタ＃1〜クラスタ＃4のうち、クラスタ＃2は、欠陥クラスタであるとする。第2段目は、TDFL＃1がクラスタ＃1に書き込まれた状態を示し、第3段目は、TDFL＃2がクラスタ＃2に書き込まれた状態を示す。クラスタ＃2が欠陥クラスタであるとすると、従来では、TDFL＃1〜TDFL＃4が、連続に配置されることを想定しているので、リトライにより、クラスタ＃3以降に、TDFL＃1〜TDFL＃4と、TDDSとが書き込まれることになる。TDDS（Temporary Disc Definition Structure:以下TDDSと呼ぶ）とは、TDFL＃1〜TDFL＃4のうち、先頭のもの(図中のアドレスC3)の位置情報を示す情報である。第4段目〜第7段目は、クラスタ＃3以降に、TDFL＃1〜TDFL＃4と、TDDSとが書き込まれる過程を示す。
【０００７】
ここでTDMSは、リードイン領域と呼ばれる光ディスク上の限られた領域に割り当てられている。欠陥クラスタに遭遇した際、全ての欠陥領域リストを書き直す必要があるので、従来のTDFLの配置では、この限られたTDMSの消費が早いという問題がある。
本発明の目的は、所定の順序に並べられた形で、複数欠陥領域リストをメモリ上に読み出すとの原則を貫きつつも、一時的欠陥管理領域の消耗を早めることがない光ディスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る光ディスクは、一時的欠陥管理領域を有するライトワンス型の光ディスクであって、前記一時的欠陥管理領域には、欠陥領域リストと、構造情報とがクラスタ単位に記録されており、前記一時的欠陥管理領域には、最初の書き込みで、書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(1)、書き込みのリトライで書き込みに成功したクラスタからなる欠陥領域リスト(2)、前記構造情報を含む最後のクラスタに含まれる欠陥領域リスト(3)の順に並べられている部分があり、前記欠陥領域リストは、光ディスクにおける少なくとも1つの欠陥領域を示し、前記構造情報は、前記欠陥領域リストの一部分を含むクラスタの位置を示す複数の位置情報を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
上述したような光ディスクによれば、欠陥などにより記録できなかった欠陥領域リストと、最後の欠陥領域リストと、構造情報とを再書き込みすることができるので、一時的欠陥管理領域の消耗を早めることがない。一時的欠陥管理領域の更新に要する時間を短縮し、使い勝手を向上することが可能となり、一時的欠陥管理領域を更新している途中における電源OFFなどによる急な更新の停止による失敗の発生リスクを低減させることができる。
【００１０】
欠陥領域リストの読み出し順序が、欠陥領域リストに対応する位置情報にて表現されているので、予備の領域内に欠陥クラスタが存在したとしても、複数の欠陥領域リストを連続的に配置しておく必要はない。欠陥クラスタを挟んだ離散的な連続領域に、この複数の欠陥領域リストを配置するという、欠陥領域リストのランダムな配置が可能になる。
一時的欠陥管理領域内に欠陥クラスタが存在する場合に、ランダムな配置が許容されるので、複数の欠陥領域リストを、クラスタ列に書き込む場合において、1つのクラスタが欠陥であった場合、リトライの対象となる欠陥領域リストは、全部ではなく、一部の欠陥領域リストになる。リトライ時に書き込むべき欠陥領域リストが少なくなるので、一時的欠陥管理領域の消耗を抑えることができる。
【００１１】
欠陥クラスタに書き込まれた欠陥領域リストと、これ以降の欠陥領域リストとは必ずしも連続した順序で書き込まれる必要はないので、欠陥領域リスト配置の自由度が増す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る光ディスクの生産行為の形態について説明する。図２（ａ）は、光ディスクの全体構成を示す図である。光ディスク１は、レーザとして青色レーザを用いる大容量のＢＤ−Ｒであり、スパイラル状に多数のトラックが形成されている。各トラックには、細かく分けられた多数のクラスタが形成されている。
図２（ｂ）は、クラスタの内部構成を示す図である。クラスタとは、誤り訂正のためのセクタの集まりをいい、誤り訂正ブロックとも呼ばれる。エラー訂正は、このクラスタの単位でなされるので、記録および再生動作は、このクラスタを最小単位として行われる。本図に示すようにクラスタは、３２個のセクタからなり、６４ＫＢｙｔｅのサイズをもつ。
【００１３】
図３は、光ディスク１においてスパイラル状に形成されている複数のトラックを、横方向に引き伸ばして描いた図である。本図の第３段目は、引き伸ばされた複数のトラックを示し、第２段目は、この複数トラック上に形成される、リードイン領域２と、データ領域３と、リードアウト領域４を示す。
“リードイン領域２”は、装置が参照する制御情報を格納しており、更に、光ヘッドがデータ領域３の端へアクセスする場合に、光ヘッドがオーバーランしてもトラックに追随できるように“のりしろ”としての役割を果たす領域である。
【００１４】
“データ領域３”は、光ディスクの実体部分にあたる領域である。
“リードアウト領域４”は、装置が参照する制御情報を格納しており、更に、光ヘッドがデータ領域３の端へアクセスする場合に、光ヘッドがオーバーランしてもトラックに追随できるように“のりしろ”としての役割を果たす領域である。
図３の第１段目は、“データ領域３”の内部構成を示す。この第１段目に示すように、データ領域３は、２つのスペア領域５、７と、ユーザデータ領域６とから構成される。
【００１５】
“ユーザデータ領域６”とは、音楽やビデオなどのリアルタイムデータや文章やデータベースなどのコンピュータデータなど、ユーザによって任意の情報が記録される領域である。
“スペア領域５、７”とは、ユーザデータ領域６内に欠陥クラスタが存在する場合、その欠陥クラスタの代わりにデータを記録する代替領域のことである。
【００１６】
＜リードイン領域２の内部構成＞
図４（ａ）は、リードイン領域２の内部構成を示す図である。本図の第２段目は、リードイン領域２全体を示し、第１段目は、このリードイン領域２の内部構成を示す。この第１段目に示すように、リードイン領域２には、第１の欠陥管理領域（ｆｉｒｓｔ Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ、以下１ｓｔＤＭＡと呼ぶ）と、第２の欠陥管理領域（Ｓｅｃｏｎｄ Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ、以下２ｎｄＤＭＡと呼ぶ）と、一時的な欠陥管理領域（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ Ｄｉｓｃ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ、以下ＴＤＭＡと呼ぶ）とが存在する。１ｓｔＤＭＡと２ｎｄＤＭＡは共に光ディスク１における欠陥クラスタの情報を管理するための領域である。
【００１７】
＜リードアウト領域４の内部構成＞
図４（ｂ）は、リードアウト領域４の内部構成を示す図である。本図の第２段目は、リードアウト領域４全体を示し、第１段目は、このリードアウト領域４の内部構成を示す。この第１段目に示すように、リードアウト領域４には、第３の欠陥管理領域（Ｔｈｉｒｄ Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ、以下３ｒｄＤＭＡと呼ぶ）と第４の欠陥管理領域（Ｆｏｕｒｔｈ Ｄｅｆｅｃｔ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ａｒｅａ、以下４ｔｈＤＭＡと呼ぶ）を備えている。３ｒｄＤＭＡと４ｔｈＤＭＡは共に光ディスク１における欠陥クラスタの情報を管理するための領域である。
【００１８】
ここで１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡはそれぞれ所定の位置に配置される領域であり、サイズは欠陥クラスタの個数に応じて可変長である。
１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡは共通の構成を有する。その共通の構成とは、図５（ａ）の通りである。これらのＤＭＡは、それぞれディスク定義構造（Ｄｉｓｃ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ以下ＤＤＳと呼ぶ）と欠陥領域リスト（ＤｅＦｅｃｔ Ｌｉｓｔ：以下ＤＦＬと呼ぶ）とから構成され、ＤＤＳの次にＤＦＬが配置されるというものである。
【００１９】
＜ＤＦＬのデータ構造＞
図５（ｂ）は、ＤＦＬのデータ構造を示す図である。
ＤＦＬは、“欠陥リストヘッダ”と、０個以上Ｍ個以下の“欠陥エントリ＃１〜＃Ｍ”から構成される。
“欠陥リストヘッダ”は、ＤＦＬ中に含まれる欠陥エントリの個数（欠陥エントリ数）などを含む。
【００２０】
“欠陥エントリ＃１〜＃Ｍ”は、ユーザデータ領域６に対するアクセス時に検出された欠陥クラスタの先頭位置を示す“欠陥クラスタの先頭位置情報”と、その欠陥クラスタの代わりに用いられたスペア領域５、７内のクラスタの位置を示す“代替クラスタの位置情報”とを含む。
＜ＤＤＳのデータ構造＞
図５（ｃ）は、ＤＤＳのデータ構造を示す図である。ＤＤＳは、各ＤＭＡにおける１つ以上のＤＦＬのうち、先頭のＤＦＬ位置を示す“ＤＦＬ位置情報（ＤＦＬポインタ）”と、“その他の情報”とを含む。ＤＤＳには、ＤＦＬの先頭位置が示されているので、このＤＤＳを、先にアクセスすることにより、各ＤＭＡにおけるＤＦＬをメモリに読み出することができる。
【００２１】
１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡは、欠陥リストの最初の位置情報を除いて、同一の情報を含んでいなければならない。１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡは、それぞれ３２クラスタで構成されており、先頭の４クラスタはＤＤＳ用に使用され、ＤＤＳが４回繰り返し記録される。それ以降の２８クラスタは、ＤＦＬ用に使用され、最初はクラスタ５〜８、不確かな状態になったら次の４クラスタ（クラスタ９〜１２）というように４クラスタずつ使用される。以上が、ＤＦＬ、ＤＤＳについての説明である。
【００２２】
＜ＴＤＭＡ＞
続いてＴＤＭＡについて説明する。ＴＤＭＡとは、ファイナライズを実施する以前において生成された欠陥エントリーを一時的に記録するための領域であり、読出専用の光ディスク（ＢＤ−ＲＯＭ）や、書き換え可能型の光ディスク（ＢＤ−ＲＥ）には存在しない、追記型光ディスク特有の領域である。
【００２３】
“ファイナライズ”とは、追記型の光ディスクを書換え型の光ディスクと互換のあるデータ構造にする処理である。リードイン領域５に、ＴＤＭＡを設けておくことの技術的意義は以下の通りである。書換え型光ディスクの場合、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡの書換えが可能であるため、最新の欠陥領域に関する欠陥エントリーを１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡに書き込み、これを何度でも書き換えることができる。そのため、最新の欠陥領域に関する情報を、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡに示させておくことができる。
【００２４】
しかしながら追記型光ディスクの場合は、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡへの記録は、１回しか出来ないため、最新の欠陥領域に関する情報を、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡに示させておくことができない。このように、書き換え型の光ディスクとの互換をとるためにＴＤＭＡを設けている。
＜ＴＤＭＡの内部構成＞
図６は、ＴＤＭＡの構成を示す図である。本図の第２段目は、ＴＤＭＡの内部構成を示す。この第２段目に示すように、ＴＤＭＡには、Ｎ個のＴＤＭＳ（ＴＤＭＳ＃１，＃２，＃３・・・・＃Ｎ）が存在する。Ｎ個のＴＤＭＳのそれぞれは、１回目、２回目、ｎ回目の、ユーザデータ領域に対する記録時に発見された欠陥領域についての情報（欠陥エントリー）を書き込んでおく領域である。
【００２５】
これらＴＤＭＳは、番号が大きいもの程新しく、そして一番番号が大きいもののみが有効になる。光ディスク１に対するアクセスにあたっては、ＴＤＭＳのうち、最新のもののみが参照され、ファイナライズにあたっては、ＴＤＭＳのうち、最新のものの内容が、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡに書き込まれることになる。
ＴＤＭＳは何れも共通の構成を有している。その共通構成とは、図６の第１段目に示す通りであり、“一時欠陥領域リスト（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ ＤｅＦｅｃｔ Ｌｉｓｔ：以下ＴＤＦＬと呼ぶ）”と、“一時ディスク定義構造（Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ Ｄｉｓｃ Ｄｉｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：以下ＴＤＤＳと呼ぶ）”とから構成され、ＴＤＦＬの次にＴＤＤＳが配置されるというものである。
【００２６】
ＴＤＭＳはクラスタ単位で構成されており、欠陥エントリの数によって可変長であるため、１つのクラスタもしくは複数クラスタから構成される。ＴＤＭＳが１つのクラスタで構成される場合、ＴＤＦＬとＴＤＤＳとが１つのクラスタに収められることになる。ＴＤＭＳが複数クラスタから構成される場合は、ＴＤＭＳ末尾のクラスタに、ＴＤＦＬとＴＤＤＳとが収められ、それ以外のクラスタには、ＴＤＦＬのみが収められる。
【００２７】
＜ＴＤＦＬのデータ構造＞
図７（ａ）は、ＴＤＦＬのデータ構造を示す図である。
ＴＤＦＬは、ＤＦＬと同一の構成であり、引き出し線ｆ１に示すように、“欠陥リストヘッダ”と０個以上Ｍ個以下の“欠陥エントリ＃１〜＃Ｍ”から構成される。
“欠陥リストヘッダ”は、ＤＦＬ中に含まれる欠陥エントリの個数（欠陥エントリ数）などを含む。
【００２８】
“欠陥エントリ＃１〜＃Ｍ”は、ファイナライズ前のユーザデータ領域６に対するアクセス時に検出された欠陥クラスタの位置を示す“欠陥クラスタの位置情報”と、その欠陥クラスタの代わりに用いられたスペア領域５、７内のクラスタの位置を示す“代替クラスタの位置情報”とを含む。
＜ＴＤＤＳの内部構成＞
図７（ｂ）は、ＴＤＤＳの内部構成を示す図である。ＴＤＤＳは固定サイズの情報、１セクタ（２ＫＢｙｔｅ）であり、ディスク定義構造（ＤＤＳ）と同じサイズである。ＴＤＤＳは、ＴＤＭＳにおける末尾のクラスタ内の所定の位置、例えばクラスタを構成する３２個のセクタのうち、末尾セクタに配置される。図７（ｂ）に示すように、ＴＤＤＳは、各ＴＤＦＬの先頭のＤＦＬ位置を示す“ＴＤＦＬ先頭位置情報（ＴＤＦＬポインタ）”と、“その他の情報”とを含む。ＤＤＳ同様、ＴＤＤＳは、ＤＦＬの位置を示す役割をもつが、ＤＤＳと決定的に違うのは、同じＴＤＭＳに複数のＴＤＦＬが存在する場合、ＴＤＤＳは、これら各ＴＤＦＬの先頭位置を、個別に示す複数のＴＤＦＬ位置情報を有する点である。そして、対応するＴＤＦＬにて示される欠陥領域のアドレスが小さい順序に、複数のＴＤＦＬ位置情報が並べられており、ＴＤＦＬ＃１位置情報、ＴＤＦＬ＃２位置情報が、ＴＤＤＳ内部において隣り合っている点である。ここで同じＴＤＭＳにＴＤＦＬが４つ存在する場合、これら４つのＴＤＦＬ＃１〜＃４の位置が、ＴＤＤＳに示されることになる。ＴＤＤＳに、各ＴＤＦＬの位置が示されるので、１つのＴＤＭＳ内において、ＴＤＦＬを離散的に配置することができる。
【００２９】
ＴＤＦＬを離散配置したいとの要請は、ＴＤＭＳを構成するクラスタに欠陥クラスタが存在する場合に、特に生じる。
＜ＴＤＦＬの離散配置＞
図８は、ＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳを構成する複数のクラスタ（クラスタ＃１、クラスタ＃２、クラスタ＃３〜クラスタ＃７）を示し、第２段目は、これらのクラスタに書き込まれた４つのＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとを示す。
【００３０】
図８におけるＴＤＭＳ＃ｊは、クラスタ＃１〜クラスタ＃７からなり、その中のクラスタ＃２は、欠陥クラスタである。本図においてＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４は、その欠陥クラスタであるクラスタ＃２に先行する先行領域であるクラスタ＃１と、欠陥クラスタに後続する後続領域であるクラスタ＃３〜クラスタ＃５とに分断した状態で書き込まれている。
【００３１】
図８におけるＴＤＤＳは、欠陥クラスタに先行する領域における最後のクラスタ（クラスタ＃１）のアドレスＣ１を、ＴＤＦＬ＃１の位置として示すＴＤＦＬ＃１位置情報（ＴＤＦＬ＃１：アドレスＣ１）と、欠陥クラスタに後続する領域（クラスタ＃３〜クラスタ＃５）における最初のクラスタ（クラスタ＃３）のアドレスＣ３を、ＴＤＦＬ＃２の位置として示すＴＤＦＬ＃２位置情報（ＴＤＦＬ＃２：アドレスＣ３）とを含む。この図８におけるＴＤＤＳの特徴は、対応するＴＤＦＬにて示される欠陥領域のアドレスが小さい順序に、複数のＴＤＦＬ位置情報（ＴＤＦＬ＃１位置情報、ＴＤＦＬ＃２位置情報、ＴＤＦＬ＃３位置情報、ＴＤＦＬ＃４位置情報）が並べられており、ＴＤＦＬ＃１位置情報、ＴＤＦＬ＃２位置情報が、ＴＤＤＳ内部において隣り合っていることである。ＴＤＤＳがこのように構成されているので、ＴＤＤＳ内の位置情報に従い、ＴＤＦＬを読み出してゆけば、上述した欠陥クラスタの存在に拘らず、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４を予め定められた順序で読み出し、これらをメモリ上に並べることができる。
【００３２】
以上のように本実施形態におけるＴＤＤＳは、４つのＴＤＦＬの位置情報をもっており、４つのＴＤＦＬが書き込まれたクラスタの先頭位置を指し示すことができるので、ＴＤＦＬ＃１と、ＴＤＦＬ＃２〜ＴＤＦＬ＃４を離散的に配置しても構わない。そのため、本来ＴＤＭＳのクラスタ＃２以降に記録されるはずであったＴＤＦＬ＃２〜ＴＤＦＬ＃４が、欠陥クラスタの隣接クラスタであるＴＤＭＳのクラスタ＃３〜クラスタ＃５に記録されている。
【００３３】
ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４が離散配置されたとしても、ＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ３，ｃ４，ｃ５）を示しているので、再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタにアクセスすれば、これらのＴＤＦＬを、連続した順序で、装置上のメモリに読み出すことができる。
【００３４】
尚、本実施形態におけるＴＤＭＳは２つ目のクラスタが欠陥クラスタであるとしたが、これは簡単のためであり、必ずしも２つ目に存在する必要は無く、また、欠陥の数もいくつであっても良いことは言うまでもない。
以上のように、第１実施形態における光ディスク１では、ＴＤＤＳにＴＤＦＬ位置情報を欠陥エントリの昇順に格納することとし、欠陥などにより記録できなかった領域のみを再記録可能とするので、有限なＴＤＭＡを効率的に使用できる。
【００３５】
＜ＤＦＬ位置情報と、ＴＤＦＬ位置情報との対比＞
ここでＤＦＬは、光ディスク１上の複数の離散的な領域（１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡ）に記録されており、ＤＦＬ位置情報は、欠陥エントリーに示される欠陥領域のアドレスが小さい順に、光ディスク１の予め決められた位置（１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡの先頭に位置するＤＤＳ）に配置される。
【００３６】
ＴＤＦＬは、光ディスク１上の複数の離散的な領域（図８に示したような欠陥クラスタの前後の領域）に記録されており、複数のＴＤＦＬ位置情報は、欠陥エントリーに示される欠陥領域のアドレスが小さい順に、光ディスク１の予め決められた位置（ＴＤＭＳの未記録領域直前に位置するＴＤＤＳ）に配置される。
これらを対比すると、欠陥エントリーの位置を示す位置情報を、ある決まった領域に記録しておくという点で、ＤＦＬの記録方式は、ＴＤＦＬの記録方式と共通性を有しているといえる。こうした共通性があるので、再生装置は、ＤＦＬを利用する場合も、ＴＤＦＬを利用する場合も、共通の手順、即ち、光ディスク１上の決められた領域（１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡの先頭にあるＤＤＳ、ＴＤＭＳの未記録領域直前に位置するＴＤＤＳ）から複数の位置情報を読み出し、これら複数位置情報の順序に従い、欠陥エントリーを読み出すとの処理を行えば、欠陥エントリーがＤＦＬ、ＴＤＦＬの何れの場合でも、これを利用した処理を実行することができる。
【００３７】
ＤＦＬを用いた制御手順と互換をとる形で、ＴＤＦＬを用いた制御手順を実現できるので、再生装置における制御ソフトウェアの複雑化を招くことなく、ＴＤＦＬを利用できるような制御手順を再生装置に実装することができる。このように、本実施形態におけるＴＤＦＬ位置情報は、ＤＦＬを用いた処理との互換を実現し、再生装置における制御ソフトウェアを簡略することができるという優れた効果を奏することができる。
【００３８】
以上で本発明に係る光ディスクの実施行為についての説明を終える。
＜記録読出装置１００＞
続いて、本発明に係る記録装置及び読出装置の実施行為についての説明を始める。図９における記録読出装置１００は、本発明に係る記録装置の機能と、読出装置の機能とを兼備した装置であり、以降、この記録再生装置１００について説明を行う。
【００３９】
図９において記録読出装置１００は、Ｉ／Ｏバスを介して上位制御装置２００と接続されている。この上位制御装置２００は、典型的にはホストコンピュータであり、この上位制御装置２００が発する、コマンドに従い光ディスク１に対する読み出しや、データ書き込みを実行する。この書き込みにあたって、ファイナライズがなされる時までは、ＤＭＡを空欄にしておき、記録動作中に発見された欠陥クラスタについての情報を、ＴＤＭＳに書き込むとの動作を行う。
【００４０】
この図９において記録読出装置１００は、ドライブ機構１１、命令処理部１２、欠陥管理情報処理部１３、再生制御部１４、記録制御部１５、格納バッファ１６から構成される。
ドライブ機構１１は、光ディスク１のローディング／イジェクトを行い、光ディスク１の記録内容を光学的に読み出し、また光ディスク１に、光学的にデータを書き込む。
【００４１】
命令処理部１２は、上位制御装置２００が発したコマンドに応じて、光ディスク１からのユーザデータの読み出しを行い、又は、光ディスク１に対するユーザデータの書き込みを実行する。
欠陥管理情報処理部１３は、欠陥エントリーを用いた、光ディスク１に対するアクセスを実現すると共に、ＴＤＭＳの更新を実現する。
【００４２】
“欠陥エントリーを用いた光ディスクアクセス”とは、上位制御装置２００からのコマンドの読出先又は書込先が、どれかの欠陥エントリーに示される欠陥クラスタであるなら、代替クラスタにアクセスするという処理である。また、この光ディスクアクセスにあたって、命令処理部１２による、ユーザデータ領域のアクセス中に欠陥領域が新たに発見された場合、その欠陥領域に対する欠陥エントリーを新たに生成する。
【００４３】
“ＴＤＭＳの更新”とは、記録処理において、新たに発見された欠陥領域を示す欠陥エントリーを、最新のＴＤＭＳに記録されているＴＤＦＬに追加し、そうして欠陥エントリーが追加されたＴＤＦＬを、当該ＴＤＭＳの次のＴＤＭＳに書き込むことをいう。
再生制御部１４は、命令処理部１２及び欠陥管理情報処理部１３からの指示に従って、光ディスク１上の所望のクラスタからデータを読み出すよう、ドライブ機構１１を制御する。
【００４４】
記録制御部１５は、命令処理部１２及び欠陥管理情報処理部１３からの指示に従って、光ディスク１上の所望のクラスタに、データを書き込むよう、ドライブ機構１１を制御する。
格納バッファ１６は、ＤＭＡからの読み取り情報（ＤＭＡ情報という）、ＴＤＭＳからの読み取り情報（ＴＤＭＳ情報）を一旦格納しておくためのバッファである。
【００４５】
以上が、記録読出装置１００の内部構成である。
＜欠陥管理情報処理部１３の内部構成＞
続いて、欠陥管理情報処理部１３の内部構成についてより詳しく説明する。図１０は、欠陥管理情報処理部１３の内部構成を示す図である。本図において欠陥管理情報処理部１３は、ＤＭＡ情報読出部２１、ＴＤＭＳ情報読出部２２、制御メモリ２３、欠陥エントリー追加部２４、ＴＤＦＬ変換部２５、ＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８、ＤＭＡ情報書込部２９から構成される。
【００４６】
＜ＤＭＡ情報読出部２１＞
ＤＭＡ情報読出部２１は、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡの中で正常な欠陥管理領域を判断し、その欠陥管理領域に記録された内容を制御メモリ２３に読み出す。ここでＤＭＡ情報読出部２１は、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡが正常に再生できることでファイナライズ後と判断し、１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡが未記録のために正常な読み出しができないことでファイナライズ前と判断する。
【００４７】
＜ＴＤＭＳ情報読出部２２＞
ＴＤＭＳ情報読出部２２は、ローディングされた光ディスク１が未ファイナライズのものである場合、記録済み終端クラスタを探索し、最新のＴＤＭＳ（ＴＤＭＳ＃ｊ−１）をサーチする。そして記録済みの終端クラスタからＴＤＤＳを取り出して、ＴＤＦＬの数ｎと、各ＴＤＦＬの位置とを取得する。各ＴＤＦＬの位置を取得すれば、最新のＴＤＭＳからＴＤＦＬを制御メモリ２３に読み出し、これをＤＦＬを構成する複数の欠陥エントリーとして保持する。この複数の欠陥エントリーは、読出処理に用いられる。
【００４８】
＜制御メモリ２３＞
制御メモリ２３は、欠陥エントリー等を作業用に格納しておくためのメモリである。
＜欠陥エントリー追加部２４＞
欠陥エントリー追加部２４は、ｊ回目の記録処理において、ユーザデータ領域６中の欠陥領域が発見された場合、その欠陥領域を示す欠陥エントリーを、制御メモリ２３に読み出された複数の欠陥エントリーに付け加える。具体的には、例えばユーザデータ領域６において、新規に１つの欠陥クラスタが検出された場合、欠陥エントリー追加部２４は、制御メモリ２３における複数の欠陥エントリーに対して、新規欠陥クラスタに相当する欠陥エントリを追加する。さらに欠陥エントリに含まれる欠陥クラスタの位置情報に従い欠陥エントリのソーティングを行い、さらに欠陥エントリ数を“１”増加させる。
【００４９】
＜ＴＤＦＬ変換部２５＞
ＴＤＦＬ変換部２５は、今回の記録処理において、発見された欠陥領域を示す欠陥エントリーと、前回までの記録処理において、発見された欠陥領域を示す欠陥エントリーとを、それに示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べ、そうして並べられた複数の欠陥エントリーを“ＴＤＦＬ”に変換する。これにより、ＴＤＭＳの更新を実現する。この変換にあたって、制御メモリ２３中に存在する複数欠陥エントリーの総サイズを算出し、この総サイズを固定サイズであるＴＤＤＳのサイズと足し合わせたサイズが１つのクラスタサイズを越えるかどうかを判定する。そして、足し合わせたサイズがクラスタサイズ以下である場合には、複数の欠陥エントリーを１つのＴＤＦＬに変換する。ＴＤＭＳが１つのクラスタから構成されるとき、ＴＤＦＬ＃１のサイズと、固定サイズのＴＤＤＳのサイズとを足し合わせて、１クラスタにせねばならない。ここでＴＤＤＳのサイズは、１セクタであるので、ＴＤＦＬのサイズは最大３１セクタサイズとなる。一方、足し合わせたサイズが、クラスタサイズを越える場合には、複数の欠陥エントリーを複数のＴＤＦＬに変換する。
【００５０】
＜ＴＤＭＳ情報書込部２６＞
ＴＤＭＳ情報書込部２６は、ＴＤＦＬ変換部２５の変換により得られたＴＤＦＬを、それに示される欠陥領域のアドレスが、小さい順に、最新のＴＤＭＳ（ＴＤＭＳ＃ｊ）に書き込んでゆく。また、ＴＤＦＬの書き込み後、ＴＤＤＳもＴＤＭＳ＃ｊに書き込む。図１１は、ＴＤＭＳ情報読出部２２によるＴＤＭＳ情報の読み出しと、ＴＤＭＳ情報書込部２６によるＴＤＭＳ情報の書き込み処理とを示す図である。図１１（ａ）は、この処理の前提となる状況を示している。この状況とは、Ｎ個のＴＤＭＳのうち、ＴＤＦＬ＃１からＴＤＭＳ＃ｊ−１までにＴＤＦＬ、ＴＤＤＳが書き込まれており、最新のＴＤＭＳ＃ｊ−１のみが有効になっているというものである。この場合、ＴＤＭＳ情報読出部２２はｊ回目の記録時において、ＴＤＭＳ＃ｊ−１に記録されているＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＤＳを読み出す（図１１（ｂ））。ｊ回目の記録処理時に発見された欠陥領域を示すＴＤＦＬ＃４を、このＴＤＭＳに存在するＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃３に加えて（図１１（ｃ））、ＴＤＭＳ情報書込部２６は、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳをＴＤＭＳ＃ｊに書き込む（図１１（ｄ））。これによりＴＤＭＳ＃ｊには、１回目からｊ回目の記録時までに発見された全ての欠陥領域を示す欠陥リストが書き込まれることになる。
【００５１】
＜ベリファイ部２７＞
ベリファイ部２７は、ＴＤＭＳ情報読出部２２に内蔵されている構成要素であり、ＴＤＭＳ情報書込部２６により書き込まれたＴＤＦＬに対してベリファイを行う。本明細書において、“ベリファイ”とは、クラスタに対する記録時に、この記録が正常に行われたかどうかを確かめる動作をいう。このベリファイには、記録したデータに対して、エラー訂正を行うことで判断する方法や、記録されたデータを読み出して、そのデータが記録されたデータと一致しているかを確かめることで実現される。欠陥等により正常に記録できなかったと判断した場合、ＴＤＭＳ情報書込部２６は、ＴＤＦＬの書き込みをリトライすることになる。
【００５２】
＜位置情報生成部２８＞
位置情報生成部２８は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がＴＤＦＬをＴＤＭＳ＃ｊに書き込もうとする際、ＴＤＦＬの書込先を示すＴＤＦＬ位置情報を、制御メモリ２３上のＴＤＤＳ内に生成する。こうした生成は、ＴＤＦＬの最初の書き込み時だけではなく、ＴＤＦＬ書き込みのリトライ時にもなされる。以上のようにして、制御メモリ２３上のＴＤＤＳ内に、ＴＤＦＬ位置情報が複数生成されれば、このうちＴＤＦＬが正常に記録されたＴＤＦＬ位置情報のみを取り出して、これらのＴＤＦＬ位置情報を、対応するＴＤＦＬにて示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べ替える。たとえＴＤＦＬの書き込み時にリトライがなされ、正常なＴＤＦＬがバラバラの順序で、ＴＤＭＳ＃ｊ上に配列されたとしても、正常なＴＤＦＬ位置情報の取り出しと、並べ替えとにより、ＴＤＦＬ位置情報は、対応するＴＤＦＬが正常に書き込まれたものだけ、対応するＴＤＦＬにて示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べられることになる。
【００５３】
正常なＴＤＦＬがバラバラの順序で、ＴＤＭＳ＃ｊ上に配列されたとしても、これらに対応するＴＤＦＬ位置情報が、予め定められた順序で、読み出されるよう、ＴＤＦＬ位置情報を並べ替えておくのが、位置情報生成部２８の使命である。こうして生成されたＴＤＤＳは、ＴＤＭＳ情報書込部２６が最後のＴＤＦＬを書き込む際、その最後のＴＤＦＬと共に、ＴＤＭＳに書き込まれることになる。
【００５４】
＜ＤＭＡ情報書込部２９＞
ＤＭＡ情報書込部２９は、ファイナライズの際に１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡへの記録処理を行う。図１２は、ＤＭＡ情報書込部２９による書き込み処理を示す図である。図１２（ａ）は、この処理の前提となる状況を示している。この状況とは、Ｎ個のＴＤＭＳのうち、ＴＤＭＳ＃ｊにＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳが書き込まれており、最新のＴＤＭＳ＃ｊのみが有効になっているというものである。このＴＤＭＳ＃ｊの記録内容が、ＤＭＡ情報読出部２１により制御メモリ２３に読み出され（図１２（ｂ））、ＤＭＡ情報書込部２９によりＴＤＭＳ＃ｊの記録内容たるＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４に存在する欠陥エントリーが、ＤＦＬに変換されて、１ｓｔＤＭＡに書き込まれる（図１２（ｃ））。同様に、２ｎｄＤＭＡ，３ｒｄＤＭＡ，４ｔｈＤＭＡにも、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４を変換することで得られたＤＦＬが書き込まれることになる。
【００５５】
以上が欠陥管理情報処理部１３の内部構成である。続いて、ソフトウェアによる欠陥管理情報処理部１３の実装について説明する。欠陥管理情報処理部１３は、図１３から図１５に示すフローチャートに基づき、プログラムを生成して、これをＣＰＵに実行させることにより、記録読出装置１００内に実装することができる。
図１３は、ＤＦＬの読み出し処理の手順を示すフローチャートである。
【００５６】
ステップＳ１は、光ディスク１がローディングされたか否かの処理待ちであり、もし光ディスク１がローディングされれば、ステップＳ２において、ＤＭＡ情報読出部２１は、この光ディスク１がファイナライズ後のものかどうかを判定する。もしファイナライズ後のものであれば、読出専用ディスクと同様の処理を行う。
光ディスク１が未ファイナライズのものなら、ＴＤＭＳ情報読出部２２は、複数のＴＤＭＳから記録済みの終端クラスタを探索して、最新のＴＤＭＳ＃ｊをサーチする（ステップＳ３）。そして記録済みの終端クラスタからＴＤＤＳを取り出して、ＴＤＦＬの数ｎと、各ＴＤＦＬの位置とを取得する（ステップＳ５）。各ＴＤＦＬの位置を取得すれば、ステップＳ６〜ステップＳ９からなるループ処理を実行する。このループ処理は、変数ｋを初期化し（ステップＳ６）、ＴＤＤＳにおける複数のＴＤＦＬ位置情報のうち、ＴＤＦＬ＃ｋ位置情報のものに基づき、ＴＤＭＳからＴＤＦＬ＃ｋを読み出すという処理（ステップＳ７）を繰り返すというものである。本フローチャートは、変数ｋを制御変数にしている。変数ｋは、ステップＳ７〜ステップＳ９からなるループ処理が一巡する度にインクリメントされ（ステップＳ９）、この変数ｋが、ｎになることがループ処理の終了条件である（ステップＳ８）。
【００５７】
以上のようにして、ＴＤＦＬを読み出せば、ＴＤＦＬを構成する欠陥エントリーを、ＤＦＬを構成する欠陥エントリーとして制御メモリ２３上に保持させた上で（ステップＳ１０）、上位制御装置２００からのコマンドに応じた光ディスク１の読み出し／書き込み処理を実行する（ステップＳ３０）。
図１４は、上位制御装置２００からのコマンドに応じた読み出し／書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
【００５８】
図１４におけるステップＳ１１、ステップＳ１２は、コマンド待ちループを形成している。ステップＳ１１は、上位制御装置２００からのコマンドが読出コマンドであるか否かの判定を行うステップであり、ステップＳ１２は、命令処理部１２が上位制御装置２００からのコマンドが書込コマンドであるか否かの判定を行うステップである。
上位制御装置２００からのコマンドが読出コマンドであれば、ステップＳ１３〜ステップＳ１５の処理を実行する。ステップＳ１３は、命令処理部１２がコマンドの読出先が、ＤＦＬのどれかの欠陥エントリーに示される欠陥クラスタであるか否かを判定するステップであり、欠陥クラスタでないなら、その読出先クラスタからユーザデータを読み出す（ステップＳ１４）。欠陥クラスタであるなら、欠陥管理情報処理部１３がその欠陥クラスタの代替クラスタからユーザデータを読み出した上で（ステップＳ１５）、ステップＳ１１〜ステップＳ１２のループ処理に戻る。
【００５９】
上位制御装置２００からのコマンドが書込コマンドであれば、書込先クラスタにユーザデータを書き込む（ステップＳ１８）。その後、ステップＳ１９〜ステップＳ２３からなるループ処理に移行する。
このループ処理は、書き込まれたユーザデータのベリファイを行い（ステップＳ１９）、ベリファイの結果、欠陥クラスタが発見されれば（ステップＳ２０でＹｅｓ）、欠陥管理情報処理部１３が欠陥クラスタに代替クラスタを割り当てて（ステップＳ２１）、欠陥クラスタと、代替クラスタとを対応づけてけ示す欠陥エントリーを生成してから（ステップＳ２２）、代替クラスタへの書き込みをリトライする（ステップＳ２３）という処理を、ステップＳ２０がＮｏと判定されるまで繰り返すものである。
【００６０】
書き込まれたユーザデータのベリファイの結果、欠陥クラスタが発見されなければ、ステップＳ２４〜ステップＳ２６の処理を実行する。この処理は、欠陥エントリーが新たに生成されたかどうかを判定して（ステップＳ２４）、もし欠陥エントリーが新たに生成されていれば、ＤＦＬを更新して、新たな欠陥エントリーを追加するとの処理を行い（ステップＳ２５）、そうして得られた更新後のＤＦＬを、ＴＤＦＬに変換して、最新のＴＤＭＳに書き込み（ステップＳ２６）、ステップＳ１１〜ステップＳ１２のループ処理に戻るというものである。
【００６１】
図１５は、ＴＤＭＳへの書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
ステップＳ３１において、ＴＤＦＬ変換部２５は、ＤＦＬを構成する複数の欠陥エントリーを、１つ以上のＴＤＦＬに変換する変換手順を実現する。ステップＳ３２は、制御メモリ２３にあるＴＤＭＡの記録済み終端クラスタを１つ先の位置へ進め、未記録領域の先頭位置を算出して、この先頭位置をカレントクラスタとする処理である。このカレントクラスタが記録を開始する位置となる。
【００６２】
以降、ステップＳ３３〜ステップＳ４０からなるループ処理を実行する。
このループ処理は、制御メモリ２３における未記録ＴＤＦＬを昇順に取り出し、取り出したＴＤＦＬをＴＤＦＬｉとして、ＴＤＭＳ情報書込部２６がカレントクラスタに書き込み（ステップＳ３３）、カレントクラスタを次に進めて（ステップＳ３４）、変数ｉをインクリメントするという処理（ステップＳ３５）を、ＴＤＦＬｉが最後の１つ前のＴＤＦＬ（ＴＤＦＬｎ−１）になるまで繰り返す（ステップＳ３６でＹｅｓ）ものである。
【００６３】
このループ処理では、１つのＴＤＦＬが書き込まれる度に、ベリファイ部２７は、その書き込みに対してベリファイを行う（ステップＳ３７）。このベリファイの結果、ＴＤＦＬが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであることが判明した場合、変数ｉのインクリメントを行わず、代わりにリトライフラグをＯＮにする（ステップＳ３８）。ステップＳ３３に先立つステップＳ３９は、このリトライフラグがＯＮかＯＦＦかの判定であり、もしリトライフラグがＯＮなら、ＴＤＭＳ情報書込部２６は、記録に失敗したＴＤＦＬｉを、カレントクラスタに書き込む（ステップＳ４０）。
【００６４】
以上の繰り返しにて、ＴＤＦＬ＃１からＴＤＦＬ＃３（最後の１つ前のＴＤＦＬ）がＴＤＭＳに書き込まれれば、ステップＳ４１〜ステップＳ４５の処理を実行する。
ステップＳ４１〜ステップＳ４５は、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとをＴＤＭＳに書き込む処理を形成する。ステップＳ４１は、位置情報生成部２８が既に書き込まれたＴＤＦＬの位置を示すと共に、最後のＴＤＦＬが書き込まれるべき位置を示すＴＤＦＬ位置情報をＴＤＤＳ内に生成してから（ステップＳ４１）、ステップＳ４２〜ステップＳ４５のループ処理を実行するというものである。
【００６５】
このループ処理は、ＴＤＭＳ情報書込部２６が生成したＴＤＤＳと、最後のＴＤＦＬとをカレントクラスタに書き込み（ステップＳ４２）、ベリファイ部２７は書き込まれたクラスタのベリファイを行って（ステップＳ４３）、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、処理を終了し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、カレントクラスタを次のクラスタにして（ステップＳ４４）、位置情報生成部２８がＴＤＤＳにおける最後のＴＤＦＬの位置を書き換えたＴＤＤＳを新たに生成し（ステップＳ４５）、再度、ステップＳ４２、ステップＳ４３を実行するというものである。
【００６６】
ステップＳ４５における位置情報生成部２８によるＴＤＦＬ位置情報の書き換えは、最後のＴＤＦＬについてのＴＤＦＬ位置情報を、カレントクラスタにすることでなされる。
図１６は、第１実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳを構成する複数のクラスタを示し、第２段目〜第６段目は、これらのクラスタに書き込まれた４つのＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとからなる。第１段目において、クラスタ＃２は、欠陥クラスタであるとする。
【００６７】
第２段目は、このＴＤＭＳを構成する各クラスタのうち、クラスタ＃１にＴＤＦＬ＃１が書き込まれた状態を示す。第３段目は、クラスタ＃２にＴＤＦＬ＃２が書き込まれた状態を示すが、上述の通りクラスタ＃２は欠陥クラスタであるので、ＴＤＦＬ＃２の記録リトライがなされる。第４段目は、記録リトライにより、クラスタ＃２の隣のクラスタ（クラスタ＃３）に対して、書き込まれたＴＤＦＬ＃２を示す。第５段目は、クラスタ＃４にＴＤＦＬ＃３が書き込まれた時点を示し、第６段目は、最後のＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとが書き込まれた時点を示す。
【００６８】
以上の第２段目〜第６段目において、欠陥エントリーを挟んでＴＤＦＬ＃１と、ＴＤＦＬ＃２〜ＴＤＦＬ＃４とが離散的に配置されるが、最後のＴＤＦＬと共に書き込まれたＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ３，ｃ４，ｃ５）を示す。再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタをアクセスすれば、これらのＴＤＦＬを、連続した順序で、記録読出装置１００のメモリに読み出すことができる。
【００６９】
以上のように本実施形態によれば、ＴＤＦＬの読み出し順序が、ＴＤＦＬに対応する位置情報にて表現されているので、予備の領域内に欠陥クラスタが存在したとしても、複数のＴＤＦＬを連続的に配置しておく必要はない。欠陥クラスタを挟んだ離散的な連続領域に、この複数のＴＤＦＬを配置するという、ＴＤＦＬのランダムな配置が可能になる。
ＴＤＭＳ内に欠陥クラスタが存在する場合に、ランダムな配置が許容されるので、複数のＴＤＦＬを、クラスタ列に書き込む場合において、１つのクラスタが欠陥であった場合、リトライの対象となるＴＤＦＬは、全部ではなく、欠陥クラスタに書き込まれたＴＤＦＬになる。リトライ時に書き込むべきＴＤＦＬが少なくなるので、ＴＤＭＳの消耗を抑えることができる。
【００７０】
（第２実施形態）
第２実施形態は、ＴＤＭＳの書き込みの高速化を図るための、ＴＤＭＳにおけるＴＤＦＬの配置を提案する。
図１７は、第２実施形態に係るＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳを構成する複数のクラスタを示し、第２段目は、これらのクラスタに書き込まれたＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとからなる。
【００７１】
この第２段目において、ＴＤＦＬ及びＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳ、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳの順序で並んでいる。ＴＤＤＳ及びＴＤＦＬ＃４は２つずつ存在するが、このうち後に記録されたものが有効であり、先に記録されたものは無効として扱われる。何故ならＴＤＤＳは、未記録領域の直前にあるもののみが、有効になるからである。
【００７２】
図１７におけるＴＤＭＳ＃ｊには、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４が、
ｉ）最初の書き込みで、書き込みに成功したＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃３、）、
ｉｉ）書き込みのリトライで、書き込みに成功したＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃２）、
ｉｉｉ）最後のＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃４）
の順に並べられていることがわかる。
【００７３】
そしてＴＤＤＳにおいて複数のＴＤＦＬ位置情報は、対応するＴＤＦＬにて示される欠陥領域のアドレスが、小さい順序に並べられている。
本図においても、クラスタ＃２は欠陥クラスタであり、この欠陥クラスタに書き込まれたＴＤＦＬ＃２は、本来ＴＤＦＬ＃１の後に配置すべきであるが、この配置順序に拘らず、記録リトライにより、ＴＤＦＬ＃４及びＴＤＤＳが書き込まれたクラスタの１つ前のクラスタに書き込まれている。ＴＤＦＬ＃４が重複して配置され、ＴＤＦＬ＃２が順不同に配置されたとしても、ＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ５，ｃ３，ｃ６）を、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４の順に示しているので、再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタをアクセスすれば、これらのＴＤＦＬ＃１〜＃４を、連続した順序で、記録読出装置１００のメモリに読み出すことができる。このように、ＴＤＦＬの離散的な配置を許容するだけではなく、重複配置をも許容するのが、第２実施形態における光ディスクの改良である。
【００７４】
以上が本実施形態に係る光ディスクについての改良である。続いて本実施形態に係る記録読出装置１００について説明する。本実施形態に係る記録読出装置１００の改良点は、ＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８にある。
第２実施形態に係るＴＤＭＳ情報書込部２６は、ＴＤＭＡにおける最新のＴＤＭＳに、全てのＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとを、一度に書き込む。もし、ＴＤＦＬが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、欠陥クラスタに書き込まれたＴＤＦＬ、最後のＴＤＦＬ、ＴＤＤＳの書き込みをリトライする。
【００７５】
第２実施形態に係るベリファイ部２７は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がＴＤＦＬ、ＴＤＤＳの書き込みを行った際（リトライ時の書き込みを含む）、書き込まれたＴＤＦＬに対してベリファイを行い、書き込まれたＴＤＦＬが正しいかどうかを判定する。
第２実施形態に係る位置情報生成部２８は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がＴＤＦＬの書き込みを行おうとする際（リトライ時の書き込みを含む）、ＴＤＤＳに格納されるべきＴＤＦＬ位置情報を生成する。
【００７６】
これらＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８についての改良は、図１８のフローチャートに表されている。
図１８は、第２実施形態に係るＴＤＭＳへの書き込み処理を示すフローチャートである。図１５の同様の処理（ステップＳ３１、ステップＳ３２）を行った後、ステップＳ５１〜ステップＳ５２の処理を実行する。
【００７７】
ステップＳ５１〜ステップＳ５２は、複数のＴＤＦＬが、カレントクラスタ以降の４つのクラスタに書き込まれると予測して、位置情報生成部２８が予測した位置を示すＴＤＦＬ位置情報をＴＤＤＳ内に生成した上で（ステップＳ５１）、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４と、ＴＤＤＳとをカレントクラスタ以降に書き込む（ステップＳ５２）との、全書き込み処理を実行するものである。ここで、ＴＤＦＬの記録を１クラスタずつではなく複数クラスタを連続記録することにより、記録開始位置を探査することによる待ち時間を減少することができ、ＴＤＭＳの更新に要する時間を短縮することが可能となる。
【００７８】
ステップＳ５１における位置情報生成部２８によるＴＤＦＬ位置情報の生成は、４つのＴＤＦＬが、カレントクラスタ以降に配列されるとして、ＴＤＤＳにおけるＴＤＦＬ位置情報を生成することでなされる。ここで書き込みの対象となる１つ以上のＴＤＦＬが、ｋ個存在するとすると、リトライ対象となるｋ個のＴＤＦＬのうち、ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報を、
ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報←カレントクラスタ＋（ｉ−１）×クラスタ
とする。
【００７９】
ステップＳ５３は、こうした全書き込みの結果に対するベリファイ部２７によるベリファイであり、書き込み内容が正常であるなら（ステップＳ５３で成功）、本フローチャートの処理を終了する。
欠陥クラスタが存在するなら（ステップＳ５３で失敗）、既に書き込まれたＴＤＦＬの位置、書き込みに失敗したＴＤＦＬが書き込まれるべき位置、最後のＴＤＦＬが書き込まれるべき位置を示す情報を、位置情報生成部２８がＴＤＤＳ内に生成した後（ステップＳ５４）、ステップＳ５５〜ステップＳ５８からなるループ処理に移行する。
【００８０】
このステップＳ５５〜ステップＳ５８からなるループ処理は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がリトライを実行するものである。図１７の例でいうと、リトライの対象は、書き込みに失敗したＴＤＦＬ＃２だけではなく、新たなＴＤＦＬ＃２の位置を示す新規ＴＤＤＳと、このＴＤＤＳと同一クラスタに書き込まれるべきＴＤＦＬ＃４である。
ステップＳ５５〜ステップＳ５８は、ＴＤＭＳ情報書込部２６が書き込みに失敗したＴＤＦＬと、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとをカレントクラスタ以降に書き込み（ステップＳ５５）、ベリファイ部２７が書き込まれたクラスタのベリファイを行って（ステップＳ５６）、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、処理を終了し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、カレントクラスタを次のクラスタにして（ステップＳ５７）、位置情報生成部２８が書き込みに失敗したＴＤＦＬの位置と、ＴＤＤＳにおける最後のＴＤＦＬの位置とを書き換えたＴＤＤＳを新たに生成し（ステップＳ５８）、再度、ステップＳ５５、ステップＳ５６を実行するというものである。
【００８１】
ステップＳ５４、Ｓ５８における、位置情報生成部２８によるＴＤＦＬ位置情報の生成及び書き換えは、以下のようにしてなされる。ＴＤＦＬのリトライを行う場合、ＴＤＭＳには、リトライの対象となる１つ以上のＴＤＦＬ（１）、最後のＴＤＦＬ（２）の順に並ぶので、リトライの対象となる１つ以上のＴＤＦＬが、カレントクラスタ以降に配列されるとして、ＴＤＤＳにおけるＴＤＦＬ位置情報を書き換える。ここでリトライの対象となる１つ以上のＴＤＦＬが、ｋ個存在するとすると、リトライ対象となるｋ個のＴＤＦＬのうち、ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報を、
ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報←カレントクラスタ＋（ｉ−１）×クラスタ
とする。
【００８２】
また、最後のＴＤＦＬのＴＤＦＬ位置情報を、
最後のＴＤＦＬのＴＤＦＬ位置情報←カレントクラスタ＋（ｋ−１）×クラスタ
とすることでなされる。
図１９は、第２実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳ＃ｊを構成する複数のクラスタを示し、第２段目〜第３段目は、これらのクラスタに書き込まれた４つのＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとが書き込まれる過程を示す。第１段目において、クラスタ＃２は、欠陥クラスタであるとする。第２段目は、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４と、ＴＤＤＳとをクラスタ＃１からクラスタ＃４に書き込んだ状態を示す。このＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４）を示している。上述したように、クラスタ＃２は欠陥クラスタであるので、リトライが必要になる。ここでのリトライは、書き込みに失敗したＴＤＦＬ＃２だけではなく、新たなＴＤＦＬ＃２の位置を示す新規ＴＤＤＳと、このＴＤＤＳと同一クラスタに書き込まれるべきＴＤＦＬ＃４も対象になる。第３段目は、リトライにより、クラスタ＃５以降に、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳが書き込まれた時点を示す。最後のＴＤＦＬと共に書き込まれたＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ５，ｃ３，ｃ６）を示す。再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタをアクセスすれば、これらのＴＤＦＬを、連続した順序で、記録読出装置１００のメモリに読み出すことができる。
【００８３】
以上のように本実施形態によれば、欠陥などにより記録できなかったＴＤＦＬと、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとの書き込みをリトライするので、ＴＤＭＳ更新に要する時間を短縮し、使い勝手を向上することが可能となる。また、ＴＤＭＳを更新している途中における電源ＯＦＦなどによる急な更新の停止による失敗の発生リスクを低減させることができる。
【００８４】
さらに、ＴＤＭＡに傷などによる欠陥がある場合、径方向に並んでいる複数クラスタが欠陥であることが多い。光ディスク１の内周部では１周がほぼ２クラスタ分であるため、ＴＤＭＳが４つのクラスタから構成されているとすると、リトライ時において、ＴＤＭＳに書き込むべき内容が、常に同じであるなら、ＴＤＭＳの更新の失敗を繰り返す可能性がある。しかし、第２実施形態の手順では、径方向に欠陥クラスタが並んでいる場合、欠陥クラスタに当たるＴＤＦＬが毎回変わるので、リトライに成功する確率を高めることができる。
【００８５】
（第３実施形態）
第３実施形態は、第２実施形態程ではないが、第１実施形態と、第２実施形態との中間レベルの書き込み速度を実現する改良に関する。
図２０は、第３実施形態に係るＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳを構成する複数のクラスタを示し、第２段目は、これらのクラスタに書き込まれたＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとからなる。
【００８６】
この第２段目において、ＴＤＦＬ及びＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳの順序で並んでいる。本図においても、クラスタ＃２は欠陥クラスタであり、この欠陥クラスタに書き込まれたＴＤＦＬ＃２は、最後のＴＤＦＬであるＴＤＦＬ＃４の前に配置されている。リトライにより書き込まれたＴＤＦＬは、最後のＴＤＦＬたるＴＤＦＬ＃４の１つ前のクラスタに書き込まれていることがわかる。ＴＤＦＬ＃２が順不同に配置されたとしても、ＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ４，ｃ３，ｃ５）を、ＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃４の順に示しているので、再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタをアクセスすれば、これらのＴＤＦＬを、連続した順序で、記録読出装置１００のメモリに読み出すことができる。このように、ＴＤＦＬの離散的な配列を許容するのが、第３実施形態における光ディスクの改良である。
【００８７】
以上の様に、第３実施形態における光ディスク１では、ＴＤＤＳにＴＤＦＬ位置情報を欠陥エントリの昇順に位置し、欠陥などにより記録できなかったＴＤＦＬの先頭位置情報のみを、この後に並べるので、有限なＴＤＭＳのサイズを効率的に利用できる。
以上が本実施形態に係る光ディスクについての改良である。続いて本実施形態に係る記録読出装置１００について説明する。本実施形態に係る記録読出装置１００の改良点は、ＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８にある。
【００８８】
第３実施形態に係るＴＤＭＳ情報書込部２６は、ＴＤＭＡにおける最新のＴＤＭＳに、最後のＴＤＦＬを除く全てのＴＤＦＬを、一度に書き込む。もし、ＴＤＦＬが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、欠陥クラスタに書き込まれたＴＤＦＬの書き込みをリトライし、その後に最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとをＴＤＭＳに書き込む。
第３実施形態に係るベリファイ部２７は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がＴＤＦＬ、ＴＤＤＳの書き込みを行った際（リトライ時の書き込みを含む）、書き込まれたＴＤＦＬに対してベリファイを行い、書き込まれたＴＤＦＬが正しいかどうかを判定する。
【００８９】
第３実施形態に係る位置情報生成部２８は、ＴＤＭＳ情報書込部２６がＴＤＦＬの書き込みを行おうとする際（リトライ時の書き込みを含む）、ＴＤＤＳに格納されるべきＴＤＦＬ位置情報を生成する。
これらＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８についての改良は、図２１のフローチャートに表されている。以降、図２１を参照しながら、第３実施形態に係るＴＤＭＳ情報書込部２６、ベリファイ部２７、位置情報生成部２８の処理について説明する。
【００９０】
図２１は、第３実施形態に係るＴＤＭＳへの書き込み処理を示すフローチャートである。図１５の同様の処理（ステップＳ３１、ステップＳ３２）を行った後、ステップＳ６３〜ステップＳ６４の処理を実行する。
ステップＳ６３〜ステップＳ６４は、複数のＴＤＦＬが、カレントクラスタ以降の４つのクラスタに書き込まれると予測して、位置情報生成部２８が予測した位置を示すＴＤＦＬ位置情報をＴＤＤＳ内に生成した上で（ステップＳ６３）、ＴＤＦＬ＃１からＴＤＦＬｎ−１までをカレントクラスタ以降に書き込む（ステップＳ６４）との処理を実行するものである。
【００９１】
ステップＳ６５は、こうした全書き込みの結果に対するベリファイ部２７によるベリファイであり、書き込み内容が正常であるなら（ステップＳ６５で成功）、ステップＳ６６〜ステップＳ７０の処理をスキップする。
ステップＳ６６〜ステップＳ７０は、欠陥クラスタが存在する場合の処理であり、書き込みに成功したＴＤＦＬの位置を示すと共に、書き込みに失敗したＴＤＦＬが書き込まれるべき位置を示す情報を、位置情報生成部２８がＴＤＤＳ内に生成した後（ステップＳ６６）、ステップＳ６７〜ステップＳ７０からなるループ処理に移行する。
【００９２】
ステップＳ６７〜ステップＳ７０は、ＴＤＭＳ情報書込部２６が書き込みに失敗したＴＤＦＬをカレントクラスタ以降に書き込み（ステップＳ６７）、カレントクラスタを次のクラスタに移行した後（ステップＳ６８）、書き込まれたクラスタのベリファイをベリファイ部２７が行って（ステップＳ６９）、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、このループ処理を抜けてステップＳ７１に移行し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、ＴＤＤＳにおける書き込みに失敗したＴＤＦＬの位置情報を位置情報生成部２８が書き換えた上で（ステップＳ７０）、再度、ステップＳ６７に移行するというものである。
【００９３】
ステップＳ７０における位置情報生成部２８によるＴＤＦＬ位置情報の書き換えは、以下のようにしてなされる。ＴＤＦＬのリトライを行う場合、ＴＤＭＳには、リトライの対象となる１つ以上のＴＤＦＬが、カレントクラスタ以降に配列されるとして、ＴＤＤＳにおけるＴＤＦＬ位置情報を書き換える。ここでリトライの対象となる１つ以上のＴＤＦＬが、ｋ個存在するとすると、リトライ対象となるｋ個のＴＤＦＬのうち、ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報を、
ｉ番目のＴＤＦＬ（ｉ≦ｋ）のＴＤＦＬ位置情報←カレントクラスタ＋（ｉ−１）×クラスタ
とする。
【００９４】
ステップＳ７１〜ステップＳ７５は、既に書き込まれたＴＤＦＬの位置を示すと共に、最後のＴＤＦＬが書き込まれるべき位置を示す情報をＴＤＤＳ内に生成してから（ステップＳ７１）、ステップＳ７２〜ステップＳ７５のループ処理を実行するとい
うものである。
このループ処理は、生成したＴＤＤＳと、最後のＴＤＦＬとをＴＤＭＳ情報書込部２６がカレントクラスタに書き込み（ステップＳ７２）、書き込まれたクラスタのベリファイを行って（ステップＳ７３）、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、処理を終了し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、カレントクラスタを次のクラスタにして（ステップＳ７４）、ＴＤＤＳにおける最後のＴＤＦＬの位置情報を書き換えたＴＤＤＳを位置情報生成部２８が新たに生成し（ステップＳ７５）、再度、ステップＳ７２、ステップＳ７３を実行するというものである。
【００９５】
ステップＳ７５における位置情報生成部２８によるＴＤＦＬ位置情報の書き換えは、最後のＴＤＦＬについてのＴＤＦＬ位置情報を、カレントクラスタにすることでなされる。
図２２は、第３実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。本図における第１段目は、ＴＤＭＳ＃ｊを構成する複数のクラスタを示し、第２段目〜第４段目は、４つのＴＤＦＬ（ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４）と、ＴＤＤＳとが書き込まれる過程を示す。第１段目において、クラスタ＃２は、欠陥クラスタであるとする。第２段目は、ＴＤＦＬ＃１からＴＤＦＬ＃３までが、クラスタ＃１からクラスタ＃３までに書き込まれた状態を示す。
【００９６】
上述したように、クラスタ＃２は欠陥クラスタであるので、リトライが必要になる。ここでのリトライは、書き込みに失敗したＴＤＦＬ＃２だけであるが、このリトライと同時に、最後のＴＤＦＬであるＴＤＦＬ＃４と、ＴＤＤＳとを一度に書き込む。第３段目は、リトライにより、ＴＤＦＬ＃２が書き込まれた状態を示し、第４段目は、ＴＤＦＬ＃４、ＴＤＤＳが書き込まれた状態を示す。最後のＴＤＦＬと共に書き込まれたＴＤＤＳは、ＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、ＴＤＦＬ＃４が書き込まれたクラスタの位置（アドレスｃ１，ｃ４，ｃ３，ｃ５）を示す。再生時において、これらＴＤＤＳに示された位置に従って、ＴＤＭＳ内のクラスタをアクセスすれば、これらのＴＤＦＬを、連続した順序で、記録読出装置１００のメモリに読み出すことができる。
【００９７】
以上のように本実施形態によれば、欠陥などにより記録できなかったＴＤＦＬと、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとの書き込みをリトライするので、ＴＤＭＳ更新に要する時間を短縮し、使い勝手を向上することが可能となる。また、更新途中の電源ＯＦＦなどによる急なＴＤＭＳ更新の停止による失敗の発生リスクを低減させることができる。
さらに、ＴＤＭＡに傷などによる欠陥がある場合、径方向に並んでいる複数クラスタが欠陥であることが多い。光ディスク１の内周部では１周がほぼ２クラスタ分であるため、ＴＤＭＳが４つのクラスタから構成されているとすると、リトライ時において、ＴＤＭＳに書き込むべき内容が、常に同じであるなら、ＴＤＭＳの更新の失敗を繰り返す可能性がある。しかし、第３実施形態のような書き込み手順では、径方向に欠陥クラスタが並んでいる場合、欠陥クラスタに当たるＴＤＦＬが毎回変わるので、リトライに成功する確率を高めることができる。
【００９８】
（備考）
以上、本願の出願時点において、出願人が知り得る最良の実施形態について説明したが、以下に示す技術的トピックについては、更なる改良や変更実施を加えることができる。これらの改良・変更を施すか否かは、何れも任意的であり、実施する者の意思によることは留意されたい。
【００９９】
（ＴＤＭＳの構成）
ここではＴＤＭＳはＴＤＦＬとＴＤＤＳとの２つが記録されているが、その他の追加情報が追加されてもよい。その場合、ＴＤＦＬ、ＴＤＤＳ、追加情報のサイズを足し合わせたサイズが、１つのＴＤＭＳのサイズとなる。
（ＴＤＤＳ）
ＴＤＤＳのサイズは、必ずしもＤＤＳのサイズと同じサイズでなくとも良い。ここで、ＴＤＦＬとＴＤＤＳ、その他の意味のある情報を足し合わせたサイズがクラスタサイズに満たない場合は、その部分は意味を持たないデータ、例えば０を書いた形でクラスタサイズとすることは言うまでもない。
【０１００】
（他のリストへの応用）
第１実施形態ではＴＤＦＬを対象としたが、代替元と代替先のエントリから成るリスト情報であって、例えば記録済み領域への上書き記録データを別領域に記録し、エントリで仮想的に上書き記録するようなリストであっても、全く同様に扱うことが可能であることは言うまでもない。
【０１０１】
（ＴＤＭＳの更新）
第１実施形態では、新たな欠陥エントリが追加された際の、ＴＤＭＳ更新において、エントリの追加の影響が、一部のＴＤＦＬに限定される場合には差分のみを更新することも可能であることはいうまでもない。
（ファイナライズ識別フラグ）
ＤＭＡ情報読出部２１は１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡからファイナライズ前かどうかの判断機能を有するが、例えば、ＴＤＭＳ中の所定の位置にファイナライズ実施有無を識別するためのファイナライズ識別フラグを備えれば、ＴＤＭＳ情報読出部２２でもファイナライズ前かどうかの判断を行うことが出来る。なお、ファイナライズ識別フラグは、必ずしもＴＤＭＳ中でなくとも、媒体上の所定の位置に含まれていれば良い。
【０１０２】
（ＴＤＦＬからＤＦＬへの変換）
本実施形態ではＴＤＦＬ位置情報の順序に従って、ＴＤＦＬを１クラスタずつ読み出して格納バッファ１６に格納したが、ＴＤＦＬ＃１位置情報が指し示す位置から記録済み終端クラスタまで全クラスタを読み出したあと、ＴＤＦＬ位置情報が指し示す位置に相当する有効なＴＤＦＬのみを抽出し、ＴＤＦＬ位置情報の順序で並べ換えたものをＤＦＬとしても良い。
【０１０３】
（ＴＤＦＬの読み出し）
各実施形態ではＴＤＦＬ位置情報の順序に従って、ＴＤＦＬを１クラスタずつ読み出して格納バッファ１６に格納したが、ＴＤＦＬ位置情報が指し示すＴＤＦＬの間に欠陥クラスタや無効クラスタが存在するかどうかを、ＴＤＦＬ位置情報の連続性から判断し、有効なＴＤＦＬが連続して存在している場合には複数クラスタを連続で読出してもよい。この場合、１クラスタずつ読出した場合と比べて、欠陥エントリーを取得するのに要する時間を短縮することが可能である。
【０１０４】
（ＴＤＦＬからＤＦＬへの変換）
格納バッファ１６中では、読み出した全てのＴＤＦＬを組み合わせてＤＦＬとして保持しておいても良いし、読み出した状態のまま保持しておいても良い。
（ＴＤＭＳ更新）
第１実施形態におけるＴＤＦＬ変換部２５によるＴＤＭＳ更新はあくまで一例であり、欠陥に関する情報が反映されていればよい。例えば欠陥エントリのソーティング等は必ずしも行われなくてはならないものではない。
【０１０５】
（ＴＤＭＳの構成）
各実施形態におけるＴＤＭＳはＴＤＦＬとＴＤＤＳの２つで構成されているが、その他の追加情報が追加されてもよい。その場合、ＴＤＦＬ、ＴＤＤＳ、追加情報のサイズを足し合わせたサイズが、１つのＴＤＭＳのサイズとなる。
（ベリファイのタイミング）
第２実施形態、第３実施形態では、記録に失敗したクラスタとＴＤＤＳを含むブロックを連続的に記録し、ベリファイしているが、記録に失敗したクラスタのみの記録と、ベリファイとを繰り返し、最後のＴＤＦＬ及びＴＤＤＳ以外のブロックの記録に成功した後にＴＤＤＳを含むブロックの記録、ベリファイを行っても良いことはいうまでもない。
【０１０６】
（記録の際にエラーが生じた場合）
第２実施形態、第３実施形態では、ベリファイしたときに記録に失敗したことを判定し、記録リトライを行っているが、記録を行う際に発生したエラーに応じて、リトライを行ってもよい。この場合、記録時のエラー発生に応じて、既に連続記録により記録を行った記録済みクラスタのベリファイを行い、記録に失敗したクラスタと記録をまだ行っていないブロックとＴＤＤＳを含むクラスタを連続記録し、ベリファイすることを繰り返すことにより、同様の効果が得られる。
【０１０７】
（ＴＤＭＳ更新の対象）
第３実施形態では、新たな欠陥エントリが追加された際の、ＴＤＭＳの更新において、エントリの追加の影響が、一部のＴＤＦＬに限定される場合には差分のみを更新すればよいことはいうまでもない。
（ＴＤＤＳの書き換え）
第２実施形態では、リトライの前にＴＤＦＬのＴＤＦＬ位置情報を求めてＴＤＤＳに含まれるそれぞれのＴＤＦＬに対応するＴＤＦＬ位置情報を書き換えているが、必ずしもリトライ前にＴＤＦＬ位置情報を書き換える必要は無く、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとを書き込む段階において、全ての有効なＴＤＦＬのＴＤＦＬ位置情報を求めてＴＤＤＳに含まれるそれぞれのＴＤＦＬに対応するＴＤＦＬ位置情報を書き換えても良いことはいうまでもない。
【０１０８】
（ベリファイのタイミング）
第３実施形態では、記録に失敗したクラスタを全て連続記録し、ベリファイすることを繰り返し、最後のＴＤＦＬ及びＴＤＤＳ以外を正常に記録したあとに、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとを記録しベリファイしているが、記録に失敗したクラスタとＴＤＤＳとを、連続したクラスタに書き込み、ベリファイを行っても良いことはいうまでもない。
【０１０９】
（ベリファイのタイミング）
第３実施形態では、記録に失敗したクラスタを全て連続記録し、ベリファイすることを繰り返し、最後のＴＤＦＬ及びＴＤＤＳ以外を正常に記録したあとに、ＴＤＤＳと、最後のＴＤＦＬとを記録しベリファイしているが、記録に失敗したＴＤＦＬを１つずつ記録し、ベリファイすることを繰り返し、最後のＴＤＦＬ以外を正常に記録したあとに、最後のＴＤＦＬと、ＴＤＤＳとを記録しベリファイすることを繰り返しても良いことはいうまでもない。
【０１１０】
（ＴＤＦＬの順序）
欠陥クラスタが存在する場合であっても、有効なＴＤＦＬ＃１〜ＴＤＦＬ＃ｎの順序は昇順となることがある。例えば、ＴＤＦＬ＃ｎを記録するはずの位置が欠陥クラスタである場合、ＴＤＦＬはＴＤＦＬ＃１、ＴＤＦＬ＃２、ＴＤＦＬ＃３、・・・、欠陥クラスタ、ＴＤＦＬ＃ｎの順に記録されるため、昇順に並ぶ。
【０１１１】
（制御手順の実現）
各実施形態においてフローチャートを引用して説明した制御手順や、機能的な構成要素による制御手順は、ハードウェア資源を用いて具体的に実現されていることから、自然法則を利用した技術的思想の創作といえ、“プログラムの発明”としての成立要件を満たす。
【０１１２】
・本発明に係るプログラムの生産形態
本発明に係るプログラムは、以下のようにして作ることができる。先ず初めに、ソフトウェア開発者は、プログラミング言語を用いて、各フローチャートや、機能的な構成要素を実現するようなソースプログラムを記述する。この記述にあたって、ソフトウェア開発者は、プログラミング言語の構文に従い、クラス構造体や変数、配列変数、外部関数のコールを用いて、各フローチャートや、機能的な構成要素を具現するソースプログラムを記述する。
【０１１３】
記述されたソースプログラムは、ファイルとしてコンパイラに与えられる。コンパイラは、これらのソースプログラムを翻訳してオブジェクトプログラムを生成する。
コンパイラによる翻訳は、構文解析、最適化、資源割付、コード生成といった過程からなる。構文解析では、ソースプログラムの字句解析、構文解析および意味解析を行い、ソースプログラムを中間プログラムに変換する。最適化では、中間プログラムに対して、基本ブロック化、制御フロー解析、データフロー解析という作業を行う。資源割付では、ターゲットとなるプロセッサの命令セットへの適合を図るため、中間プログラム中の変数をターゲットとなるプロセッサのプロセッサが有しているレジスタまたはメモリに割り付ける。コード生成では、中間プログラム内の各中間命令を、プログラムコードに変換し、オブジェクトプログラムを得る。
【０１１４】
ここで生成されたオブジェクトプログラムは、各実施形態に示したフローチャートの各ステップや、機能的構成要素の個々の手順を、コンピュータに実行させるような１つ以上のプログラムコードから構成される。ここでプログラムコードは、プロセッサのネィティブコード、ＪＡＶＡ（登録商標）バイトコードというように、様々な種類がある。プログラムコードによる各ステップの実現には、様々な態様がある。外部関数を利用して、各ステップを実現することができる場合、この外部関数をコールするコール文が、プログラムコードになる。また、１つのステップを実現するようなプログラムコードが、別々のオブジェクトプログラムに帰属することもある。命令種が制限されているＲＩＳＣプロセッサでは、算術演算命令や論理演算命令、分岐命令等を組合せることで、フローチャートの各ステップを実現してもよい。
【０１１５】
オブジェクトプログラムが生成されるとプログラマはこれらに対してリンカを起動する。リンカはこれらのオブジェクトプログラムや、関連するライブラリプログラムをメモリ空間に割り当て、これらを１つに結合して、ロードモジュールを生成する。こうして生成されるロードモジュールは、コンピュータによる読み取りを前提にしたものであり、各フローチャートに示した処理手順や機能的な構成要素の処理手順を、コンピュータに実行させるものである。以上の処理を経て、本発明に係るプログラムを作ることができる。
【０１１６】
・本発明に係るプログラムの使用形態
本発明に係るプログラムは、以下のようにして使用することができる。
（ｉ）組込プログラムとしての使用
本発明に係るプログラムを組込プログラムとして使用する場合、プログラムにあたるロードモジュールを、基本入出力プログラム（ＢＩＯＳ）や、様々なミドルウェア（オペレーションシステム）と共に、命令ＲＯＭに書き込む。こうした命令ＲＯＭを、制御部に組み込み、ＣＰＵに実行させることにより、本発明に係るプログラムを、記録読出装置１００の制御プログラムとして使用することができる。
【０１１７】
（ｉｉ）アプリケーションとしての使用
記録読出装置１００が、ハードディスク内蔵モデルである場合は、基本入出力プログラム（ＢＩＯＳ）が命令ＲＯＭに組み込まれており、様々なミドルウェア（オペレーションシステム）が、ハードディスクにプレインストールされている。また、ハードディスクから、システムを起動するためのブートＲＯＭが、記録読出装置１００に設けられている。
【０１１８】
この場合、ロードモジュールのみを、過搬型の記録媒体やネットワークを通じて、記録読出装置１００に供給し、１つのアプリケーションとしてハードディスクにインストールする。そうすると、記録読出装置１００は、ブートＲＯＭによるブートストラップを行い、オペレーションシステムを起動した上で、１つのアプリケーションとして、当該アプリケーションをＣＰＵに実行させ、本発明に係るプログラムを使用する。
【０１１９】
ハードディスクモデルの記録読出装置１００では、本発明のプログラムを１つのアプリケーションとして使用しうるので、本発明に係るプログラムを単体で譲渡したり、貸与したり、ネットワークを通じて供給することができる。
（欠陥管理情報処理部１３）
各実施形態に示した欠陥管理情報処理部１３は、一個のシステムＬＳＩとして実現することができる。
【０１２０】
システムＬＳＩとは、高密度基板上にベアチップを実装し、パッケージングしたものをいう。複数個のベアチップを高密度基板上に実装し、パッケージングすることにより、あたかも１つのＬＳＩのような外形構造を複数個のベアチップに持たせたものも、システムＬＳＩに含まれる（このようなシステムＬＳＩは、マルチチップモジュールと呼ばれる。）。
【０１２１】
ここでパッケージの種別に着目するとシステムＬＳＩには、ＱＦＰ（クッド フラッド アレイ）、ＰＧＡ（ピン グリッド アレイ）という種別がある。ＱＦＰは、パッケージの四側面にピンが取り付けられたシステムＬＳＩである。ＰＧＡは、底面全体に、多くのピンが取り付けられたシステムＬＳＩである。
これらのピンは、他の回路とのインターフェイスとしての役割を担っている。システムＬＳＩにおけるピンには、こうしたインターフェイスの役割が存在するので、システムＬＳＩにおけるこれらのピンに、他の回路を接続することにより、システムＬＳＩは、記録読出装置１００の中核としての役割を果たす。
【０１２２】
システムＬＳＩにパッケージングされるベアチップは、“フロントエンド部”、“バックエンド部”、“デジタル処理部”からなる。“フロントエンド部”は、アナログ信号を、デジタル化する部分であり、“バックエンド部”はデジタル処理の結果、得られたデータを、アナログ化して出力する部分である。
各実施形態において内部構成図として示した各構成要素は、このデジタル処理部内に実装される。
【０１２３】
先に“組込プログラムとしての使用”で述べたように、命令ＲＯＭには、プログラムにあたるロードモジュールや、基本入出力プログラム（ＢＩＯＳ）、様々なミドルウェア（オペレーションシステム）が書き込まれる。本実施形態において、特に創作したのは、このプログラムにあたるロードモジュールの部分なので、プログラムにあたるロードモジュールを格納した命令ＲＯＭを、ベアチップとしてパッケージングすることにより、本発明に係るシステムＬＳＩは生産することができる。
【０１２４】
具体的な実装については、ＳｏＣ実装やＳｉＰ実装を用いることができ望ましい。ＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｃｈｉｐ）実装とは、１チップ上に複数の回路を焼き付ける技術である。ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）実装とは、複数チップを樹脂等で１パッケージにする技術である。以上の過程を経て、本発明に係るシステムＬＳＩは、各実施形態に示した記録読出装置１００の内部構成図を基に作ることができる。
【０１２５】
尚、上述のようにして生成される集積回路は、集積度の違いにより、ＩＣ、ＬＳＩ、スーパーＬＳＩ、ウルトラＬＳＩと呼称されることもある。
さらに、各記録読出装置の構成要素の一部又は全てを１つのチップとして構成してもよい。集積回路化は、上述したＳｏＣ実装，ＳｉＰ実装に限るものではなく、専用回路又は汎用プロセスで実現してもよい。ＬＳＩ製造後に、プログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）や、ＬＳＩ内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なシリコンフィギュラブル・プロセッサを利用することが考えられる。更には、半導体技術の進歩又は派生する技術によりＬＳＩに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積回路化を行っても良い。例えば、バイオ技術の適応などが可能性としてありうる。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明に係る光ディスク、記録装置、読出装置は、上記実施形態に内部構成が開示されており、この内部構成に基づき量産することが明らかなので、資質において工業上利用することができる。このことから本発明に係る光ディスク、記録読出装置、読出装置は、産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】欠陥領域リストの書き込みの過程で、欠陥クラスタに遭遇した際の処理を示した図である。
【図２】（ａ）光ディスクの全体構成を示す図である。（ｂ）クラスタの内部構成を示す図である。
【図３】ＢＤ−Ｒにおいてスパイラル状に形成されている複数のトラックを、横方向に引き伸ばして描いた図である。
【図４】（ａ）リードイン領域２の内部構成を示す図である。  （ｂ）リードアウト領域４の内部構成を示す図である。
【図５】（ａ）１ｓｔＤＭＡ〜４ｔｈＤＭＡの共通の構成を示す図である。（ｂ）ＤＦＬのデータ構造を示す図である。（ｃ）ＤＤＳのデータ構造を示す図である。
【図６】ＴＤＭＡの内部構成を示す図である。
【図７】（ａ）ＴＤＦＬのデータ構造を示す図である。  （ｂ）ＴＤＤＳの内部構成を示す図である。
【図８】ＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。
【図９】記録読出装置１００の内部構成を示す図である。
【図１０】欠陥管理情報処理部１３の内部構成を示す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）ＴＤＭＳ情報読出部２２によるＴＤＭＳ情報の読み出しと、ＴＤＭＳ情報書込部２６によるＴＤＭＳ情報の書き込み処理とを示す図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）ＤＭＡ情報書込部２９による書き込み処理を示す図である。
【図１３】ＤＦＬの読み出し処理の手順を示すフローチャートである。
【図１４】上位制御装置２００からのコマンドに応じた読み出し／書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１５】ＴＤＭＳへの書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１６】第１実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。
【図１７】第２実施形態に係るＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。
【図１８】第２実施形態に係るＴＤＭＳへの書き込み処理を示すフローチャートである。
【図１９】第２実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。
【図２０】第３実施形態に係るＴＤＦＬの離散配置の一例を示す図である。
【図２１】第３実施形態に係るＴＤＭＳへの書き込み処理を示すフローチャートである。
【図２２】第３実施形態に係る記録読出装置１００により、ＴＤＦＬが書き込まれる過程を示した図である。
【符号の説明】
【０１２８】
１ 光ディスク
２ リードイン領域
３ データ領域
４ リードアウト領域
５ スペア領域
６ ユーザデータ領域
７ スペア領域
１１ BD-Rドライブ
１２ 命令処理部
１３ 欠陥管理情報処理部
１４ 再生制御部
１５ 記録制御部
１６ 格納バッファ
２１ DMA情報読出部
２２ TDMS情報読出部
２３ 制御メモリ
２４ 欠陥エントリー追加部
２５ TDFL変換部
２６ TDMS情報書込部
２７ ベリファイ部
２８ 位置情報生成部
２９ DMA情報書込部
１００ 記録読出装置
２００ 上位制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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