(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に供給されるソリッドワイヤーが挿通される送出孔を有し、前記送出孔の内面で前記ソリッドワイヤーと接触させて、電流を前記ソリッドワイヤーに供給するガスシールドアーク溶接のコンタクトチップであって、
０．０３〜０．７質量％のＡｇ及び０．００５〜０．１質量％のＯを含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物から構成されることを特徴とするコンタクトチップ。
【請求項２】
電気伝導率（ＩＡＣＳ）９５％以上、硬度６５ＨＶ以上であることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトチップ。
【請求項３】
送出孔を、引き抜き加工により形成したことを特徴とする請求項１または２に記載のコンタクトチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ガスシールドアーク溶接に用いられるコンタクトチップに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、自動車部品等の組立の際に、ＭＡＧ溶接やＭＩＧ溶接等のガスシールドアーク溶接が利用されている。特許文献１には、ガスシールドアーク溶接方法の技術が開示されている。ガスシールドアーク溶接に用いられる溶接トーチは、図４に示されるように、その先端からソリッドワイヤーが送り出されるコンタクトチップ５０と、このコンタクトチップ５０を保持するチップホルダ５１と、コンタクトチップ５０及びチップホルダ５１を包容するように配設された筒状のシールドノズル５２と、シールドノズル５２をチップホルダ５１に取り付けるノズルホルダ５３とから構成されている。
【０００３】
ガスシールドアーク溶接は、連続的に送り出されるソリッドワイヤーに、コンタクトチップ５０を介して電流を供給して、前記ソリッドワイヤーと被溶接部材との間でアークを発生させ（放電させ）、その際に発生する熱により、前記ソリッドワイヤーや被溶接部材を溶かして、被溶接部材を溶接する溶接方法である。溶接を行う際には、溶接箇所と空気とが接触することによるブローホールの発生を防止するために、チップホルダ５１に形成されたガス供給口５１ａから、シールドノズル５２内にＣＯ２やアルゴン等の不活性ガスを供給し、シールドノズル５２の先端から、溶接箇所に不活性ガスを供給して、溶接箇所と空気との接触を防ぐようにしている。
【０００４】
コンタクトチップ５０は、その中心にソリッドワイヤーが送り出される送出孔５０ａが貫通形成されていて、銅や銅合金で構成されている。コンタクトチップ５０の送出孔５０ａ内面でソリッドワイヤーと接触させることにより、ソリッドワイヤーに電流を供給している。
【０００５】
従来では、コンタクトチップ５０の送出孔５０ａをドリル加工により貫通形成していた。このため、送出孔５０ａの内面には、ドリル加工による送り目が形成されており、この送り目の方向が、ソリッドワイヤーの送出方向に対して、垂直方向となっていることから、ソリッドワイヤーを送出すると送出孔５０ａの送り目によりソリッドワイヤーが削られて、削り粉が発生し、送出孔５０ａ内に詰まり、ソリッドワイヤーの送出抵抗が増大してしまい、ソリッドワイヤーの送出が不安定になってしまい、溶接品質が不安定になってしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、ソリッドワイヤーの送出抵抗が大きくならないために、従来では、表１に示されるように送出孔５０ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを大きく設定していた。
【０００７】
【表１】
0005041529.tif 000002
【０００８】
ガスシールドアーク溶接時には、ソリッドワイヤーは、８ｍ〜１５ｍ／分の速度でコンタクトチップ５０の送出孔５０ａから送出される。ガスシールドアーク溶接時には、コンタクトチップ５０は、送出されるソリッドワイヤーとの摩擦熱及び、溶接池の反射熱で軟化し、前述した比較的速い速度で、ソリッドワイヤーが送出孔５０ａから送出されるので、送出孔５０ａが摩耗してしまう。上記表１のように、送出孔５０ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを大きく設定すると、送出孔５０ａがソリッドワイヤーの送出により摩耗して、前記クリアランスが、更に大きくなった場合には、コンタクトチップからソリッドワイヤーに通電しない時間が発生し、アークが不安定になってしまう。もし、アークが不安定になり、アーク長が長くなると、ソリッドワイヤーがコンタクトチップに溶着してしまうバーンバック現象が生じが生じてしまう。また、アークが不安定になると、スパッタの大きさと量が共に増大し、このスパッタを除去するための後処理に手間がかかってしまう。更に、前記クリアランスが大きくなると、溶接位置が狙い位置から外れてしまうという問題もある。
【０００９】
このため従来では、送出孔５０ａの摩耗を防止するために、銅にクロムを添加し、溶体化焼鈍と析出硬化処理とからなる熱処理を行い、クロムを析出させて、コンタクトチップ５０の硬度を上げていた。しかしながら、前記方法でコンタクトチップ５０の硬度を上げると、電気抵抗が上昇して、電気伝導率が７７〜８０％（ＩＡＣＳ）に低下してしまう。電気伝導率が低下すると、ソリッドワイヤーへの給電効率が悪化し、給電が不安定となるので、送出孔５０ａのソリッドワイヤーとの接触長を４０ｍｍ以上にする必要があった。しかし、送出孔５０ａのソリッドワイヤーとの接触長を長く設定すると、送出孔５０ａとソリッドワイヤーとの送出抵抗が大きくなり、前述したようにソリッドワイヤーの送出が不安定になる問題が生じてしまう。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２４９３２３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、熱処理によりコンタクトチップの硬度を上げると、電気伝導率が低下するという問題点を解決し、電気伝導率及び硬度の高いコンタクトチップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するためになされた本発明は、連続的に供給されるソリッドワイヤーが挿通される送出孔を有し、前記送出孔の内面で前記ソリッドワイヤーと接触させて、電流を前記ソリッドワイヤーに供給するガスシールドアーク溶接のコンタクトチップであって、０．０３〜０．７質量％のＡｇ及び０．００５〜０．１質量％のＯを含み、残部がＣｕ及び不純物から構成されることを特徴とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
また、電気伝導率（ＩＡＣＳ）９５％以上、硬度６５ＨＶ以上にすることが好ましい。
【００１６】
また、送出孔を引き抜き加工により形成することが好ましい。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、コンタクトチップに０．０３〜０．７質量％のＡｇを含有させたので、コンタクトチップの軟化温度を高めることが可能となった。
【００２２】
更に、コンタクトチップに含有するＯを、０．００５〜０．１質量％にしたので、コンタクトチップの水素脆化を防ぎつつ電気伝導率を向上させることが可能となる。
【００２３】
参考として、ソリッドワイヤーの外径に対する送出孔の内径について説明する。前記内径を、表２の寸法のように設定し、送出孔とソリッドワイヤーとのクリアランスを小さく設定すると、安定してソリッドワイヤーと送出孔を接触させることができ、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することができ、溶接不良を防ぐことが可能となる。このように、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となるので、送出孔とソリッドワイヤーとの接触長を短く設定することができ、送出孔とソリッドワイヤーとの送出抵抗を小さくすることができ、ソリッドワイヤーの送出が安定し、溶接品質を安定させることが可能となる。また、前記接触長を短く設定すると、コンコンタクトチップの全長を短くすることが可能となる。また、前記クリアランスを小さくすると、初めから前記クリアランスが大きい従来のコンタクトチップに比べて、交換時期のクリアランスになるまでの使用時間を大幅に延ばすこと可能となり、従来のコンタクトチップに比べて、交換時期のクリアランスになるまでの使用時間を大幅に延ばすこと可能となる。従来２時間でコンタクトチップを交換していたところ、本発明をコンタクトチップを使用すると、使用時間を約４〜６時間に延ばすことが可能となり、ユーザのコストを削減することが可能となり、省資源に寄与することが可能となる。
【００２４】
【表２】
0005041529.tif 000003
【００２５】
また、コンタクトチップの電気伝導率（ＩＡＣＳ）を９５％以上にすると、ソリッドワイヤーに効率よく電流を供給することが可能となり、溶接不良を防ぐことが可能なる。また、効率良く電流をソリッドワイヤーに供給することができるので、コンタクトチップの全長を短くすることが可能となる。
【００２６】
また、コンタクトチップの硬度を６５ＨＶ以上にすると、コンタクトチップの送出孔が、ソリッドワイヤーの送出により摩耗することを抑制することが可能となる。このため、送出孔とソリッドワイヤーとのクリアランスが大きくなりにくく、ソリッドワイヤーへの電流への供給が安定し、溶接品質を向上させることが可能となる。また、前記クリアランスが大きくなりにくいことから、溶接位置が、狙い位置から外れることを抑制することが可能となる。
【００２７】
また、送出孔を引き抜き加工により形成することとすると、送出孔の内面の摺痕を、ソリッドワイヤーの送出方向と同一方向にすることができ、また、送出孔の内面を平滑にすることが可能となるので、ソリッドワイヤーの送出時に、ソリッドワイヤーが送出孔により、削られることを抑制することが可能となる。このため、ソリッドワイヤーが削られ、削り粉が送出孔に詰まることを防止することが可能となる。また、送出孔の内面が平滑であるので、ソリッドワイヤーの送出の安定し、送出孔とソリッドワイヤーとの接触が良好となり、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となり、溶接品質を向上させることが可能となる。
【００２８】
参考として、本発明のコンタクトチップを製造するのに最適な製造方法につき説明すると、０．０３〜０．７質量％のＡｇを含み、残部がＣｕ及び不純物から構成される押出用ビレットに、熱間押し出し加工を行い外径を減少させるとともに、穿孔加工を行い貫通孔を形成して第１の中間材を形成し、この第１の中間材に、引き抜き加工を行い外径を減少させて第２の中間材を形成し、この第２の中間材に、最終引き抜き加工を行い送出孔を形成して第３の中間材を形成し、この第３の中間材に、切削加工を行いコンタクトチップの外形を形成し、前記引き抜き加工、最終引き抜き加工、切削加工を、冷間加工により行い、且つ、全工程を通じて熱処理を行わない方法である。このため、電気伝導率を低下させることなく、硬度を上げることが可能となり、電気伝導率（ＩＡＣＳ）９５％以上、硬度６５ＨＶ以上にすることが可能となった。
【００２９】
なお、最終引き抜き加工を、送出孔の内径と同一の外径にした突出部が引き抜く方向側に突設された浮きプラグを、第２の中間材の貫通孔に挿通して、前記第２の中間材を引き抜く浮きプラグ法により行うと、送出孔の内面の摺痕を、ソリッドワイヤーの送出方向と同一方向にすることができ、また、送出孔の内面を平滑にすることが可能となるので、ソリッドワイヤーの送出時に、ソリッドワイヤーが送出孔により、削られることを抑制することが可能となる。また、送出孔の内面が平滑であるので、送出孔とソリッドワイヤーとの接触が良好となり、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となる。また、ソリッドワイヤーの送出を安定させることが可能となる。
【００３０】
また、最終引き抜き加工を、空引き法により行うと、浮きプラグを使用しないので、浮きプラグの破損のリスクがなく、コンタクトチップの生産性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（コンタクトチップの構成）
以下に、図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を示す。図１は本発明の実施の形態を示すコンタクトチップ１の説明図である。コンタクトトップ１の先端部分は、先端側に向かって外径が小さくなる略砲弾形状をしている。コンタクトチップ１には、軸線方向に連通する送出孔１ａが貫通形成されている。この送出孔１ａにソリッドワイヤーを挿通して、送出孔１ａの内面でソリッドワイヤーを接触させて、ソリッドワイヤーに電流を供給するようにしている。コンタクトチップ１の基端部は、他の部分に比べて外径が小さくなっていて、当該部分にネジ山が螺刻されていて、取付部１ｂとなっている。
【００３２】
送出孔１ａの取付部１ｂ側の端部には、外径が大きくなっている空洞部１ｃが形成されている。この空洞部１ｃは、ソリッドワイヤーの送出を良好にするための潤滑剤を入れるポケットの役割をしている。送出孔１ａの空洞部１ｃに開放している部分は、空洞部１ｃに向かって徐々に内径が大きく形成されたテーパー部１ｄとなっている。
【００３３】
コンタクトチップ１の外表面には、面取り部１ｅが形成されている。この面取り部１ｅにスパナ等の工具を係合させて、取付部１ｂを、ガスシールドアーク溶接用トーチのチップホルダに螺入して、コンタクトチップ１を、チップホルダに取り付けるようにしている。ガスシールドアーク溶接時には、ソリッドワイヤーは、チップホルダ側から連続的に供給されるようになっている。
【００３４】
なお、図１において、ａはソリッドワイヤーと送出孔１ａとが接触する接触長であり、送出孔１ａの全長から、テーパー部１ｄの長さを引いた寸法である。また、ｂはソリッドワイヤーが接触しない非接触長であり、挿入部１ｃとテーパー部１ｃの長さ寸法を足し合わせた寸法である。また、ｃはコンタクトチップ１の全長である。
【００３５】
（コンタクトチップの組成）
以下、コンタクトチップ１の組成について説明をする。本発明のコンタクトチップ１の組成は、０．０３〜０．７質量％の銀（Ａｇ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不純物から構成される銅合金である。このように、銅に微量の銀を含有させると、溶融した上記銅合金が凝固する際に、銀が析出する析出強化により、硬度が高くなる。コンタクトチップ１の硬度が高くなる一方で、銅に含有させる銀の電気伝導率は、あらゆる金属のなかで最も高いので、コンタクトチップ１の電気伝導率を低下させることなく、コンタクトチップ１の硬度を高くすることが可能となる。本発明のコンタクトチップ１は、後述する製造方法により、コンタクトチップ１の硬度６５ＨＶ（ビッカース硬さ）以上で、電気伝導率は９５％以上（ＩＡＣＳ：International Annealed Copper Standardの略、国際焼きなまし銅線標準ともいう）となっている。
【００３６】
なお、銅に微量の銀を含有させると、コンタクトチップ１の軟化温度を高い値に向上させることが可能となる。銀の含有量が、０．０３質量％未満では、コンタクトチップの軟化温度を十分に向上させることができない。一方で、銀を０．７質量％を超えて銅に含有させると、電気伝導率が低下してしまう。そこで、本発明では、銀の含有量を０．０３〜０．７質量％に設定することとした。
【００３７】
一般的に銅地金（電気銅やタフピッチ銅）には、不純物として少量の酸素が含有している。銅合金に微量の酸素（Ｏ）が含有していると、電気伝導率が向上する。一方で、銅合金に過剰の酸素が含有していると、電気伝導率が悪化する。銅合金に対する酸素の質量％が、０．０５質量％までは、電気伝導率が向上するが、銅合金に対する酸素の質量％が、０．０５％を超えると、電気伝導率が悪化する。また、銅合金に過剰の酸素が含有していると、コンタクトチップ１が水素脆化することもある。このため、コンタクトチップ１に含有する酸素量を０．００５〜０．０１質量％に調整することが好ましい。つまり、本発明のコンタクトチップ１の望ましい組成は、０．０３〜０．７質量％のＡｇ及び０．００５〜０．１質量％のＯを含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物から構成される銅合金であることが好ましい。
【００３８】
（コンタクトチップの製造方法）
以下、本発明のコンタクトチップ１の製造方法について説明をする。上記組成の銅合金材料を溶解して、外径が３００〜６００ｍｍの鋳塊を得る。この鋳塊に切削加工を行い、外径が２５０ｍｍから５５０ｍｍの押出用ビレットを形成する。
【００３９】
この押出用ビレットを、熱間（上記銅合金の再結晶温度以上の温度、本実施形態では約９００℃）により、穿孔加工及び押し出し加工を行い、軸線方向に貫通する貫通穴を形成するとともに外径を減少さて、外径が８０〜５０ｍｍで管状の第１の中間材を形成する。なお、前記穿孔加工は、互いに傾斜した圧延ロールで、被加工物を挟み込み、プラグを押し付けて穿孔するマンネスマン・ピアサーにより行うことが好ましいが、これに限定されない。
【００４０】
更に、この第１の中間材を、被加工物の外径より小さい内径の挿通孔が形成されたダイに挿通して引き抜き（この加工法を以下、引き抜き加工とする）、外径を減少させて、外径が７〜１５ｍｍで管状の第２の中間材を形成する。なお、第２の中間材を形成する引き抜き加工は、上記銅合金の再結晶温度以下の冷間引き抜き加工により行う。このように冷間引き抜き加工を行うと、転位密度が増殖し変形抵抗が大きくなって硬度が増す。
【００４１】
なお、一度に外径を減少させると、破断する恐れがあるため、冷間引き抜き加工は、複数段階に分けて行うことが好ましい。冷間引き抜き加工には、マンドレル法、浮きプラグ法、空引き法が含まれる。なお、マンドレル法は、ダイの挿通孔の内径よりも小さい外径のマンドレルを被加工物に挿通し、被加工物をマンドレルとダイの間に挟み込んで引き抜く加工法である。また、浮きプラグ法は、ダイの挿通孔の内径よりも大きい外径の浮きプラグを被加工物に挿通した状態で、被加工物をダイの挿通孔に挿通して引き抜く加工法である。また、空引き法は、前記マンドレルや浮きプラグを使用することなく、被加工物をダイの挿通孔に挿通して引き抜く加工法である。冷間引き抜き加工を、マンドレル法もしくは浮きプラグ法により行うと、被加工物の貫通孔が、前記マンドレルもしくは浮きプラグの外表面と摺れて（この加工法をバニシ加工という）、前記貫通孔の内表面の荒さが小さくなり、表面が平滑になる。このことをバニシ効果という。また、冷間引き抜き加工を、マンドレル法もしくは浮きプラグ法により行うと、貫通孔の軸線方向と同一方向の、微少な摺痕が形成される。
【００４２】
次に、第２の中間材に、最終引き抜き加工を行い、送出孔１ａを形成して第３の中間材を形成する。
【００４３】
１．０ｍｍ以上の内径の送出孔１ａを形成する場合には、最終引き抜き加工は、浮きプラグ法により行う。図２に、最終引き抜き加工における浮きプラグ法の説明図を示し、以下説明をする。ダイ２１には、第２の中間材の外径よりも小さい内径の挿通孔２１ａが形成されている。２２は浮きプラグであり、本体部２２ａと突出部２２ｂとから構成されている。本体部２２ａは、断面形状が円の略円柱形状をしている。本体部２２ａの外径は、ダイ２１の挿通孔２１ａの内径よりも大きく、第２の中間材の内径よりの小さくなっている。突出部２２ｂは、断面形状が円の略円柱形状をしていて、中心軸が本体部２２ａの中心軸と同一になるように、本体部２１ａの先端側（つまり引き抜く方向側に）突設している。突出部２２ｂの外径は、ダイ２１の挿通孔２１ａの内径よりも小さくなっている。突出部２２ｂの外径を、送出孔１ａの内径と同一の寸法にしている。なお、本実施形態の浮きプラグ２２は、本体部２２ａと突設部２２ｂとを接続する、円錐台形状の接続部２２ｃが形成されている。突設部２２ｂを引き抜く方向側にして、浮きプラグ２２を第２の中間材の貫通孔に挿通し、第２の中間材をダイ２１の挿通孔２１ａに挿通して引き抜く。この状態では、引き抜き加工中の第２の中間材は、浮きプラグ２２の突出部２２ｂと、ダイ２１の挿通孔２１ａとの間に挟まれた状態で引き抜かれるので、第３の中間材の内径は、浮きプラグ２２の突出部２２ｂの外径と同一の外径となり、挿通孔１ａが形成される。また、第３の中間材の外径は、ダイ２１の挿通孔２１ａの内径と同一の寸法となる。前述したように、浮きプラグ法で冷間引き抜き加工で行うと、第３の中間材の挿通孔１ａは、バニシ効果により、内表面が平滑になる。
【００４４】
１．０ｍｍ未満の内径の送出孔１ａを形成する場合には、最終引き抜き加工は、空引き法により行うことが好ましい。図３に、最終引き抜き加工における空引き法の説明図を示し、以下説明をする。ダイ２５には、第２の中間材の外径よりも小さい内径の挿通孔２５ａが形成されている。第２の中間材を、ダイ２５の挿通孔２５ａに挿通して引き抜くと外径が減少し、外径の寸法がダイ２５の挿通孔２５ａの内径と同一となり、また、内径が減少して挿通孔１ａが形成されて第３の中間材が形成される。
【００４５】
もし、１．０ｍｍ未満の送出孔１ａを形成する場合に、最終引き抜き加工を浮きプラグ法で行うと、浮きプラグ２２の突出部２２ａの外径が小さくなることから、突出部２２ｂが破損し易く、生産性が悪化する。このため、１．０ｍｍ未満の送出孔１ａを形成する場合には、空引き法で最終引き抜き加工を行うこととした。なお、生産性の悪化が許容できる場合には、１．０ｍｍ未満の送出孔１ａを形成する場合であっても、最終引き抜き加工を前述した浮きプラグ法により行うこととしても差し支えない。
【００４６】
なお、最終引き抜き加工を空引き法で行う場合には、第２の中間材を形成する冷間引き抜き加工の少なくとも一工程は、浮きプラグ法もしくはマンドレル法で行うことにしている。前述したように、浮きプラグ法もしくはマンドレル法で冷間引き抜き加工で行うと、第２の中間材の貫通孔は、バニシ効果により、内表面が平滑になり、最終引き抜き加工を空引き法で行った場合であっても、第３の中間材の貫通孔の内表面の性状は維持され、平滑な状態が維持される。
【００４７】
最終引き抜き加工も、冷間加工で行うので、転位が増殖して加工硬化により銅合金の硬度が上昇する。
【００４８】
第３の中間材に、切削加工を行い、先端部１ａ、取付部１ｂ、空洞部１ｃ、テーパー部１ｄ、面取り部１ｅを形成して、コンタクトチップ１が完成する。勿論、前記切削加工は、冷間加工である。
【００４９】
本発明では、全工程を通じて溶体化処理や析出硬化処理等の熱処理を行わず、第２の中間材を形成する引き抜き加工及び第３の中間材を形成する最終引き抜き加工、コンタクトチップ１の外形を形成する切削加工を、上記銅合金の再結晶温度以下の冷間加工で行い、硬度を上昇させることにした。このため、電気伝導率が低下することがなく、コンタクトチップ１の硬度を６５ＨＶ以上するとともに、電気伝導率（ＩＡＣＳ）を９５％以上にすることが可能となった。
【００５０】
また、本発明では、引き抜き加工（最終引き抜き加工を含む）により、送出孔１ａを形成することとしたので、送出孔１ａの内面の摺痕を、ソリッドワイヤーの送出方向と同一方向にすることができ、また、送出孔１ａの内面を平滑にすることが可能となるので、ソリッドワイヤーの送出時に、ソリッドワイヤーが送出孔１ａにより、削られることを抑制することが可能となる。このため、ソリッドワイヤーが削られ、削り粉が送出孔に詰まることを防止することが可能となる。また、送出孔１ａの内面が平滑であるので、ソリッドワイヤーの送出の安定し、送出孔１ａとソリッドワイヤーとの接触が良好となり、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することができる。また、送出孔１ａの内面の摺痕を、ソリッドワイヤーの送出方向と同一方向にし、送出孔１ａの内面を平滑にしたので、ソリッドワイヤーの送出抵抗を低下させることが可能となり、次に説明するように、送出孔１ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを小さくすることが可能となる。
【００５１】
本発明では、送出孔１ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを、表３に示されるように小さく設定している。
【００５２】
【表３】
0005041529.tif 000004
【００５３】
このように、本発明では、送出孔１ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを小さく設定したので、常時、ソリッドワイヤーとコンタクトチップとを接触させることができ、安定して、コンタクトチップ１からソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となる。このように、安定して、コンタクトチップ１からソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となるので、ソリッドワイヤーと送出孔１ａとの接触長ａを短く設定することが可能となる。このため、送出孔１ａとソリッドワイヤーとの送出抵抗が小さくなり、ソリッドワイヤーの送出が安定する。また、前記接触長ａを短く設定することが可能となるので、コンタクトチップ１の全長ｃを短くすることが可能となる。なお、本実施形態では、接触長ａは、５ｍｍ〜２３ｍｍであり、これに対応する全長ｃは１３ｍｍ〜２５ｍｍとなる。
【００５４】
このように、本発明では、銅に微量の銀を含有させ、全工程を通じて熱処理を行わず、引き抜き加工及び最終引き抜き加工、切削加工を、再結晶温度以下の冷間加工で行うことにより電気伝導率低下させずに硬度を高くし、更に、送出孔１ａとソリッドワイヤーとのクリアランスを小さく設定したので、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することが可能となった。このように、安定してソリッドワイヤーに電流を供給することができるので、コンタクトチップ１供給する電流を小さくしても、ガスシールドアーク溶接を行うことができることから、安定してスプレー移行状態で溶接することができ、このため、スパッタ粒も小さくなり、溶接品質を向上させることが可能となった。
【００５５】
以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うコンタクトチップもまた技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。  
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態を示すコンタクトチップの説明図である。
【図２】最終引き抜き加工における浮きプラグ法の説明図である。
【図３】最終引き抜き加工における空引き法の説明図である。
【図４】ガスシールドアーク溶接用トーチの説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      コンタクトチップ
１ａ    送出孔
１ｂ    取付部
１ｃ    空洞部
１ｄ    テーパー部
１ｅ    面取り部
２１    ダイ（浮きプラグ法）
２１ａ  挿通孔
２２    浮きプラグ
２２ａ  本体部
２２ｂ  突出部
２２ｃ  接続部
２５    ダイ（空引き法）
２５ａ  挿通孔
５０    コンタクトチップ
５０ａ  ソリッド送出孔
５１    チップホルダ
５２    シールドノズル
５３    ノズルホルダ
ａ      接触長
ｂ      非接触長
ｃ      全長
【図１】
0005041529.tif 000005
【図２】
0005041529.tif 000006
【図３】
0005041529.tif 000007
【図４】
0005041529.tif 000008