(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域の間に構成し、前記光電変換領域に生成された電荷を第１方向に転送する複数の垂直電荷結合素子（ＶＣＣＤ）と、
前記ＶＣＣＤと結合し、前記ＶＣＣＤを介して転送された前記電荷を第２方向に転送する各々が所定の離隔距離で離隔された複数のチャネルを含むチャネル領域を備える水平電荷結合素子（ＨＣＣＤ）と
を備え、
前記チャネル領域の前記複数のチャネルは、最も狭い幅を有するチャネルが前記チャネル領域の中央に位置し、前記複数のチャネルの幅は、前記チャネル領域の中央から離れるにつれて徐々に大きくなるように配置され、
前記チャネル領域は、前記幅または離隔距離を調整することにより前記複数のチャネルの一つが他のチャネルよりも高い電位を有するように形成され、
前記他のチャネルの電位は、最も高い電位を有する前記一つのチャネルから離れるにつれて徐々に低くなり、それによって前記チャネル領域は、電荷の転送の間に前記最も高い電位を有するチャネルを中心に前記電荷が集められるように、前記ＨＣＣＤ内の前記電荷を転送する、電荷転送デバイス。
【請求項２】
前記ＨＣＣＤにおける前記最も高い電位を有する前記チャネルは、前記ＨＣＣＤの中央領域に設けられている、請求項１記載の電荷転送デバイス。
【請求項３】
前記ＨＣＣＤ内の電位差は前記ＨＣＣＤ内の電荷移動方向に対して垂直方向に維持される、請求項１記載の電荷転送デバイス。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面のウェル領域に形成された複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域に生成された電荷を第１方向に転送する複数の垂直電荷結合素子（ＶＣＣＤ）と、
前記ＶＣＣＤを介して転送された前記電荷を、複数の分離した部分に分けられたウェル領域内で第２方向に転送する水平電荷結合素子（ＨＣＣＤ）と、
前記ウェル領域の前記分離した部分は、最も狭い幅を有する分離した部分が前記ＨＣＣＤの中央に位置し、前記分離した部分の幅は、前記ＨＣＣＤの中央から離れるにつれて徐々に大きくなるように配置され、
前記ＨＣＣＤは、前記幅または隣接する分離した部分の互いの間の距離を調整することにより、前記分離した部分の一つが他の分離した部分よりも高い電位を有するように形成され、
前記他の分離した部分の電位は、最も高い電位を有する前記一つの分離した部分から離れるにつれて徐々に低くなり、それによって前記ＨＣＣＤは、電荷の転送の間に前記最も高い電位を有する分離した部分を中心に前記電荷が集められるように、前記ＨＣＣＤ内の前記電荷を転送する、電荷転送デバイス。
【請求項５】
前記ウェル領域の前記分離した部分は、電荷の移動方向でもある特定の方向において、互いに分離して離れている、請求項４記載の電荷転送デバイス。
【請求項６】
前記ウェル領域の前記分離した部分は、前記ウェル領域の中心近くにおいて互いの間の距離が最も広く、前記ウェル領域の中心から遠ざかるにつれて隣接する前記分離した部分の間の距離が減少するように、配置されている、請求項４記載の電荷転送デバイス。
【請求項７】
前記ＨＣＣＤのポテンシャルプロファイルは、前記複数の分離した部分のそれぞれの幅と前記複数の分離した部分の互いの間の距離の調整に応じて、電荷転送方向に対して垂直方向において、階段状又は電位井戸が分離された形態を有する、請求項４記載の電荷転送デバイス。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面のウェル領域に形成された複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域に生成された電荷を第１方向に転送する複数の垂直電荷結合素子（ＶＣＣＤ）と、
前記ＶＣＣＤを介して転送された前記電荷を、複数の分離した部分に分けられたウェル領域内で第２方向に転送する水平電荷結合素子（ＨＣＣＤ）と、
前記ウェル領域の前記分離した部分は、最も狭い幅を有する分離した部分が前記ＨＣＣＤにおける前記ＶＣＣＤに隣接する第１の側に位置し、前記分離した部分の幅は、前記ＨＣＣＤの前記第１の側から離れるにつれて徐々に大きくなるように配置され、
前記ＨＣＣＤは、前記幅または隣接する分離した部分の互いの間の距離を調整することにより、前記分離した部分の一つが他の分離した部分よりも高い電位を有するように形成され、
前記他の分離した部分の電位は、最も高い電位を有する前記一つの分離した部分から離れるにつれて徐々に低くなり、それによって前記ＨＣＣＤは、電荷の転送の間に前記最も高い電位を有する分離した部分を中心に前記電荷が集められるように、前記ＨＣＣＤ内の前記電荷を転送する、電荷転送デバイス。
【請求項９】
前記ウェル領域の前記分離した部分は、前記ＨＣＣＤにおける前記ＶＣＣＤと隣接していない側の近くで、互いの間の距離が最も広く、前記ＶＣＣＤに向かって
近づくにつれて隣接する前記分離した部分の間の距離が減少するように、配置されている、請求項８記載の電荷転送デバイス。
【請求項１０】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面のウェル領域に形成された複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域に生成された電荷を第１方向に転送する複数の垂直電荷結合素子（ＶＣＣＤ）と、
前記ＶＣＣＤを介して転送された前記電荷を、複数の分離した部分に分けられたウェル領域内で第２方向に転送する水平電荷結合素子（ＨＣＣＤ）と、
前記ウェル領域の前記分離した部分は、最も広い幅を有する分離した部分が前記ＨＣＣＤにおける前記ＶＣＣＤに隣接しない側に位置し、前記分離した部分の幅は、前記ＶＣＣＤに近づくにつれて徐々に小さくなるように配置され、
前記ＨＣＣＤは、前記幅または隣接する分離した部分の互いの間の距離を調整することにより、前記分離した部分の一つが他の分離した部分よりも高い電位を有するように形成され、
前記他の分離した部分の電位は、最も高い電位を有する前記一つの分離した部分から離れるにつれて徐々に低くなり、それによって前記ＨＣＣＤは、電荷の転送の間に前記最も高い電位を有する分離した部分を中心に前記電荷が集められるように、前記ＨＣＣＤ内の前記電荷を転送する、電荷転送デバイス。
【請求項１１】
前記ウェル領域の前記分離した部分は、前記ＨＣＣＤにおける前記ＶＣＣＤと隣接している第１の側の近くで、互いの間の距離が最も狭く、前記ウェル領域の前記第１の側から離れるにつれて隣接する前記分離した部分の間の距離が増加するように、配置されている、請求項１０記載の電荷転送デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電荷転送デバイスに関し、特に電荷転送効率を高くすることができるように、電荷転送領域を複数の領域に分けて各領域が電位差を持つようにした電荷転送デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下、添付図面を参照して従来の技術の電荷転送デバイスを説明する。
図１は一般な固体撮像素子の平面構成図であり、図２は従来の技術の水平電荷転送チャネルの平面構成図である。
一般に、電荷転送デバイスを用いた撮像素子は、図１に示すように、光に関する信号を電気的な信号に変換して出力するものであり、光電変換を行い、そこで生成された電荷を蓄積するフォトダイオード領域１１と、ここで生成された信号電荷を転送する電荷転送チャネルのＶＣＣＤ１２ａ、ＨＣＣＤ１２ｂと、電荷転送チャネルを介して転送された信号電荷をセンシングするセンスアンプ１３とを備えている。
【０００３】
電荷転送チャネルは、複数のフォトダイオード領域１１から生成された電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送領域ＶＣＣＤ１２ａと、垂直に転送された電荷を水平方向に転送する水平電荷転送領域ＨＣＣＤ１２ｂとから構成される。いずれも転送チャネルは、図２に示すように、半導体基板の表面部に形成されるｐ型ウェル領域内にＡｓなどのイオン注入によりチャネル領域２１が形成され、チャネル領域２１上に電荷の転送のために電位差を発生させるゲート電極２２がそれぞれ分離されて繰り返して構成されている。
【０００４】
このように構成された電荷転送領域の電荷転送について水平電荷転送領域ＨＣＣＤ１２ｂを例として説明する。
図３Ａ、図３Ｂは図２のＡ−Ａ’線及びＢ−Ｂ’線上の断面構成図である。なお、ゲート電極２２は除いてある。
均一の濃度に形成されたチャネル領域（ＨＣＣＤ）２１は、ゲート電極２２にクロック信号を加えない状態では均一な電位分布を有する。このチャネル領域２１は、半導体基板（Ｎ−ＳＵＢ）内にｐ型不純物イオンを均一に注入してｐ型ウェルを形成し、ｐ型ウェル領域内にｎ型不純物を均一に注入して形成する。このように構成された電荷転送デバイスの水平電荷転送領域上の各ゲート電極２２にレベル差のあるクロック信号が印加されると、電圧差によりチャネル領域２１に電位差が形成される。この電位差により電荷は一方向に移動する。逆に言えば、電荷が一方方向に移動するようにゲート電極に電圧を加える。ここで、電荷は、信号量に係わらずに、チャネル領域２１の全体に均一に広がって移動する。水平電荷転送領域は垂直電荷転送領域から転送された電荷を短時間で全て読み出さなければならないので、垂直電荷転送領域は４位相クロッキングで動作するに対して水平電荷転送領域は２位相クロッキングで動作する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
かかる従来の技術の電荷転送デバイスは、チャネル領域を移動する電荷量が多い場合には問題ないが、電荷量の少ない場合には次のような問題点があった。
（１）ゲート電極の下側のチャネル領域全体にわたって電荷が広がって移動するため、チャネル領域自体の欠陥により電荷の流失が発生することがある。
（２）水平電荷転送領域のチャネル領域が広いため、非常に少ない電荷の場合には、ゲート電極に印加される電圧によりその電位を維持することができず失われることもある。
（３）チャネル領域を狭くすればするほど電荷転送効率を高めるのに有利である。しかし、最大電荷量を考慮して水平電荷転送領域を設計するため、その幅が広い。これは少ない電荷量の転送時の電荷転送効率の低下を意味する。
【０００６】
本発明はこのような従来の技術の電荷転送デバイスの問題を解決するためになされたものであり、その目的は、電荷転送効率を高くできる電荷転送デバイスを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の電荷転送デバイスは、複数の光電変換領域と、光電変換領域の間に構成し、光電変換領域から生成された電荷を第１方向に転送する複数の垂直電荷転送領域と、垂直電荷転送領域から転送された電荷を第２方向に転送する水平電荷転送領域とを含み、水平電荷転送領域を転送方向に平行な複数のチャネルに分け、電荷転送時に、最大電位を有するあるチャネルを基準としてその隣接のチャネルの電位が順に低くなるように構成したことを特徴とするものである。それによって、電荷の転送時に最大電位のチャネルに電荷が集まった状態で転送することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の電荷転送デバイスを詳しく説明する。
図４は本発明による水平電荷転送チャネルのｐ型ウェル領域の形成後の平面構成図であり、図５Ａ、図５Ｂは図４のＣ−Ｃ’線及びＤ−Ｄ’線上の断面構成図である。
本発明は、水平電荷転送領域の電荷転送効率を高めるために、半導体基板内に形成されるウェル領域を水平電荷転送領域の形成される全幅にわたって一定に形成するのではなく、ウェル領域を電荷転送方向に並列な複数の部分に分離して形成したものである。このように、ウェル領域を分離して形成する場合、ウェル領域間の離隔距離、すなわち一つのウェル領域とそれに隣接する他のウェル領域との間の幅の差に起因して水平電荷転送領域のポテンシャルは幅方向に差を有するようになる。
【０００９】
まず、本発明の実施形態による電荷転送デバイスの平面構成におけるウェル領域は次のように形成される。
水平電荷転送領域４４の形成される半導体基板４１の表面部にウェル領域を、図４に示すように、転送方向に平行な複数の領域に分離して形成させる。分離された個々の領域の幅とその領域の間の間隔共に異なるようにしている。図５Ａに示すように、ウェル領域の形成深さは同一である。そして、ｐ型ウェル領域の幅は図５Ｂに示すように４３ａ＞４３ｂ＞４３ｃ＞４３ｄ＞４３ｅの順に大きさになり、ｐ型ウェル領域間の離隔距離はａ＞ｂ＞ｃ＞ｄの順に大きさになる。図４に示すように４３ｅが垂直電荷転送領域ＶＣＣＤ側である。
垂直電荷転送領域４２の形成される領域のｐ型ウェル領域は分離形成せずに従来通り一体型に形成する。
【００１０】
上記のような水平電荷転送領域４４が形成される領域のｐ型ウェル領域間の離隔距離は、前述したように、本実施形態では垂直電荷転送領域側のものとその次のものとの間が最も広く、反対側に行くに従って狭くなるように形成している。しかし、もちろんこれにこだわるわけではなく、逆に垂直電荷転送領域側を最も狭くして順次広くなるようにしても良く、さらには中央部分を最も狭くしても良い。また、中央部分を最も広くして両側に行くに従って順次狭くなるようにしても良い。また、個々のウェル領域の幅についても、実施形態に限定されるわけではなく、垂直電荷転送領域側を幅広としてもよく、中央部分のものを最も幅広、最も幅狭としてもよい。さらには、個々の領域の幅それ自体は一定としてその離間距離だけを順次異なるようにしても良い。逆に離間距離を一定として幅だけを異なるようにしても良い。このように、ウェル領域を分離して形成し、離隔距離及びウェルの形成幅を異ならせるのは、水平電荷転送領域の一部分を中心としてその部分の電位を最も高くして互いに電位差を有するようにするためである。最も高い電位を有する部分を、フローティング拡散領域を基準として設定しても良い。
【００１１】
また、ウェル領域間の離隔距離及びウェルの形成幅の調整により、水平電荷転送領域の電位が電荷転送方向に垂直な方向に階段状に異なって現れるか、又は電位井戸が分離された形態で現れる。図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂは各々の領域内でポケットが発生しない形態の電位を示し、図１１Ｃは電位井戸が分離され、各々の領域でポケットがある形態の電位を示す。
【００１２】
このようなｐ型ウェル領域を形成した後の工程は次の通りである。
図６は本実施形態による水平電荷転送デバイスのチャネル領域の形成後の平面構成図であり、図７Ａ、図７Ｂは図６のＥ−Ｅ’線及びＦ−Ｆ’線上の断面構成図である。
水平電荷転送領域が形成される領域のウェル領域を一つのマスクを用いて一度のイオン注入工程で前述したように形成した後、図６に示すようにｎ型の不純物イオンを注入して水平電荷転送領域４４を形成する。図示してないが、この際に垂直電荷転送領域も同時に形成する。このように形成された水平電荷転送領域４４は、図７Ａ、図７Ｂに示すように形成深さは同一である。しかし、このように均一の濃度に形成された水平電荷転送領域４４は、下部のｐ型ウェル４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅを等間隔又は異なる間隔で、形成幅を異ならせて又は異ならせないで前述のように形成しているので、実質的なポテンシャルの大きさは位置に応じて異なる。
【００１３】
次に、ゲート電極を形成する。図８は本実施形態による水平電荷転送デバイスのチャネルゲート電極の形成後の平面構成図であり、図９Ａ、図９Ｂは図８のＧ−Ｇ’線及びＨ−Ｈ’線上の断面構成図である。
このように水平電荷転送領域４４を形成した後、その上側に電荷転送のためのゲート電極４５ａ、４５ｂを形成する。ゲート電極４５ａ、４５ｂはそれぞれ電気的に絶縁され、一定部分オーバーラップされ、繰り返して形成される。このように形成されたゲート電極４５ａ、４５ｂにクロックが印加されると、その下側の水平電荷転送領域４４に電位差が発生して電荷が一方向に移動する。ゲート電極の形状並びに配置は従来のものと特に変える必要はない。一定の方向に電荷を移動させることができるように形成させればよい。
【００１４】
このように構成された本発明による電荷転送デバイスの動作は以下の通りである。
図１０Ａ、図１０Ｂは、図８のＧ−Ｇ’線及びＨ−Ｈ’線上の電位分布図である。図１１Ａは電位の最も高い部分が中央に位置する場合における水平電荷転送領域のポテンシャルプロファイルであり、図１１Ｂは電位の最も高い部分がＶＣＣＤから遠い場合における水平電荷転送領域でのポテンシャルプロファイルである。図１１Ｃは電位井戸が分離された形態の水平電荷転送領域のポテンシャルプロファイルである。
【００１５】
図１０Ａは電荷がフローティング拡散領域に向かって移動することを示す。このような電位差はゲート電極４５ａ、４５ｂによって発生する。そして、図１０ＢはＶＣＣＤに近い側が最大電位を有するように形成させた水平電荷転送領域４４での電荷移動状態を示し、低い照明で撮影されたときに生成された電荷は水平電荷転送領域４４の全体にわたって分散して移動せず、ｐウェル領域４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅにより電位差を有する水平電荷転送領域４４の最大電位部分に全て集まることを示している。その集まった状態でフローティング拡散領域に移動する。このように、生成された電荷量が少ない場合には、水平電荷転送領域４４の全体領域を用いて電荷を転送するのでなく、一部分だけを用いて電荷を転送するので、電荷の流失がない。
【００１６】
図１１Ａは水平電荷転送領域４４の断面位置で最大電位が中央部分になっている状態を示し、階段状の電位プロファイルを有する。図１１Ｂは同様に階段状の電位プロファイルを有し、ＶＣＣＤから遠い側が最大電位を有する。そして、図１１Ｃはｐ型ウェル領域の離隔距離を調整して電位井戸が分離された形態になるようにしたものを示している。この実施形態では最大電位部分を中央部分にしてある。
【００１７】
【発明の効果】
上記したような本発明の電荷転送デバイスは次のような効果がある。
電荷転送領域を複数のチャネル領域に分離し、それらを均一の電位を有するように形成せず、領域別に異なる電位を有するように形成したので、低照明時の撮影において生成される少ない量の電荷を電荷転送領域の全体領域でなく一部分を用いて転送する。従って、電荷の流失を抑制することができ、電荷転送効率を高め、画質を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般な固体撮像素子の平面構成図。
【図２】従来の技術の水平電荷転送デバイスの平面構成図。
【図３】図２のＡ−Ａ’線（ａ）及びＢ−Ｂ’線（ｂ）上の断面構成図。
【図４】本発明による水平電荷転送デバイスのｐウェル領域の形成後の平面構成図。
【図５】図４のＣ−Ｃ’線（ａ）及びＤ−Ｄ’（ｂ）線上の断面構成図。
【図６】本発明による水平電荷転送デバイスのチャネル領域の形成後の平面構成図。
【図７】図６のＥ−Ｅ’線（ａ）及びＦ−Ｆ’線（ｂ）上の断面構成図。
【図８】本発明による水平電荷転送デバイスのチャネルゲート電極の形成後の平面構成図。
【図９】図８のＧ−Ｇ’線（ａ）及びＨ−Ｈ’線（ｂ）上の断面構成図。
【図１０】図８のＧ−Ｇ’線（ａ）及びＨ−Ｈ’（ｂ）線上の電位分布図。
【図１１】電位の最も高い部分が中央に位置する場合における水平電荷転送領域のポテンシャルプロファイル（ａ）、Ｂは電位の最も高い部分がＶＣＣＤから遠い場合における水平電荷転送領域のポテンシャルプロファイル（ｂ）、Ｃは電位の最も高い部分が中央に位置する場合における水平電荷転送領域の他のポテンシャルプロファイル（ｃ）。
【符号の説明】
４１    半導体基板
４２    垂直電荷転送領域
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ、４３ｅ    ｐ型ウェル
４４    水平電荷転送領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004906016.tif 000008
【図８】
0004906016.tif 000009
【図９】
0004906016.tif 000010
【図１０】
0004906016.tif 000011
【図１１】
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