(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
背光面と受光面とを有し、前記背光面に感光素子が形成された第１基板を有する半導体チップと、
前記第１基板から所定の距離隔てて分離され、前記第１基板を囲んだ支持ブリックであって、前記第１基板と同一平面上にあり、前記第１基板と同じ材料から構成されている支持ブリックと、
前記第１基板と前記支持ブリックとの間に配置され、前記第１基板を囲んだパターン開口と、
前記第１基板の前記背光面に形成され、前記第一基板から前記支持ブリックにわたる表面を有する接合パッドと、
前記第１基板の前記背光面に形成され、前記接合パッドと前記感光素子とを覆う保護層と、
前記保護層に接合した第２基板と、
前記第１基板の受光面を覆う第１パッケージ層と、
前記第２基板を覆う第２パッケージ層と、
前記第２パッケージ層上に形成され、前記第２パッケージ層の下から前記接合パッドと前記支持ブリックとの側面上にまで延設されるように形成され、前記接合パッドに電気的に接続される導電体配線層と、
前記第２パッケージ層の下に形成され、前記導電体配線層に電気的に接続される導電体バンプと、を含むことを特徴とする電子デバイスパッケージ。
【請求項２】
前記パターン開口に配置された絶縁体を更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。
【請求項３】
前記支持ブリックは、シリコン材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスパッケージ。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスパッケージに関し、特に、ウェハスケールパッケージ（wafer scale package；WSP）プロセスを用いて製造された電子デバイスパッケージ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、画像センサなどの光電（photosensitive）集積回路は、光電素子（optical electronics devices）の画像をとらえるのに重要な役割を果たしている。これらの集積回路は、例えばデジタルカメラ、デジタルレコーダーと、携帯電話などの消費家電製品と携帯用電子機器などに広く用いられている。
【０００３】
図１は、従来技術の画像センサパッケージ（image sensor package）１の断面図を示している。図１では、基板２上に感光素子４と接合パッド６が形成され、カバープレート８が基板２の上方に取り付けられている。また、図１に示されるように、キャリア９は、基板２に貼り合わされている。さらにはんだボール１２がキャリアプレート９の背面上に形成され、導電配線層１０によって接合パッド６に電気的に接続される。感光素子４は、その正面よりカバープレート８を通過した入射光を感知して、信号を発生する。導電配線層１０によってこの信号をはんだボール１２を介して外部回路に伝送する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術よりも簡略化した電子デバイスパッケージ及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態にかかる電子デバイスパッケージは、背光面と受光面とを有し、前記背光面に感光素子が形成された第１基板を有する半導体チップと、前記第１基板から所定の距離隔てて分離され、前記第１基板を囲んだ支持ブリックであって、前記第１基板と同一平面上にあり、前記第１基板と同じ材料から構成されている支持ブリックと、前記第１基板と前記支持ブリックとの間に配置され、前記第１基板を囲んだパターン開口と、前記第１基板の前記背光面に形成され、前記第一基板から前記支持ブリックにわたる表面を有する接合パッドと、前記第１基板の前記背光面に形成され、前記接合パッドと前記感光素子を覆う保護層と、前記保護層に接合した第２基板と、
前記第１基板の受光面を覆う第１パッケージ層と、前記第２基板を覆う第２パッケージ層と、前記第２パッケージ層上に形成され、前記第２パッケージ層の下から前記接合パッドと前記支持ブリックとの側面上にまで延設されるように形成され、前記接合パッドに電気的に接続される導電体配線層と、前記第２パッケージ層の下に形成され、前記導電体配線層に電気的に接続される導電体バンプと、を有する。
【０００６】
本発明の電子デバイスパッケージでは、支持ブリックと第１基板の間に絶縁層を有することでこれによって、支持ブリックと第１基板を絶縁している。また、前記接合パッドは、絶縁層上の全体に設置される。よって、支持ブリックの側面上に形成された導線層は、感光素子に影響を与えない。また、前記電子デバイスは、支持ブリックを有するため、導線層と接合パッド間の構造の強度（またはＴ接触の構造の強度）を増加することができる。よって、前記電子デバイスパッケージの全体的な構造の強度を増強することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子デバイスパッケージの製造方法では、パターン開口が光電素子の分離と光電素子を検出する開口の提供を同時にできることから、別の分離または開口の製作のステップを必要としないため、製造プロセスを短縮し、簡易化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】従来技術の画像センサパッケージの断面図を示している。
【図２】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、感光素子が形成されたウェハ基板を示している。
【図３】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、第１基板と第２基板とが貼り合わされた状態を示している。
【図４】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、第１基板をパターン化のステップを行った後の第１基板上から見た平面図である。
【図５】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、図４に示されたラインＡ−Ａ’に沿った画像センサパッケージの断面図である。
【図６】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、カラーフィルタとマイクロレンズとが形成された状態を示している。
【図７】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、上パッケージ層が形成された状態を示している。
【図８】本発明に係る電子デバイスパッケージの実施形態の一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、下パッケージ層および絶縁層が形成された状態を示している。
【図９】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、予定切断線位置に切欠きを形成した状態を示している。
【図１０】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージの製造工程における中間製品の概略図であり、導電体配線層が形成された状態を示している。
【図１１】本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージの断面図である。
【図１２】本発明に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージの製造についての工程フローを示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。図、または説明において、類似または同じ部分の素子は、同じ符号を用いる。また、図において、簡易化のために、または表示をし易くするために実施例の素子の形状または厚さを大きくすることができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態にかかる電子デバイスパッケージおよびその製造方法について以下詳細に説明する。しかしながら、本発明は、様々な用途で具現化される多くの応用可能な発明概念を与えるものであることを理解すべきである。以下説明される特定の実施形態は、本発明にかかる電子デバイスパッケージおよびその製造方法を実施する特定の方法を例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００１４】
例えば背面照射型（back side illumination）のセンサの画像センサパッケージ（image sensor package）を製造する方法を用いて本発明につき開示する。しかし、次の点につき理解すべきである。本発明にかかる電子パッケージは、能動素子または受動素子（active or passive elements）、デジタル若しくはアナログ回路または光電素子（optoelectronics devices）、微小電気機械システム（micro electro mechanical systems；MEMS）、微小流体システム（micro fluidic systems）、または熱、光線と圧力などの物理量変化を測定する物理センサ他の集積回路を含む各種の電子要素（electronic components）に同様に応用可能である。さらに、本発明にかかるウェハスケールパッケージは、画像センサ、発光ダイオード、太陽電池、無線周波数回路、加速器、ジャイロスコープ、マイクロアクチュエータ、弾性表面波デバイス（surface acoustic wave devices）、プロセスセンサ（process sensor）、またはインクジェットプリンタヘッドなどの半導体チップのパッケージングに用いることができる。
【００１５】
本発明にかかるウェハスケールパッケージプロセスにおいては、ウェハレベルのパッケージを完成した後、ウェハは個々の半導体チップに切断される。さらに、切断された半導体チップをウェハキャリア（a carrying wafer）上に新たに戴置される。また、本発明にかかるウハスケールパッケージプロセスは、積層集積回路素子を形成するための積層ウェハにも好適に用いられる。
【００１６】
図２乃至図１１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージを製造工程における中間製品の概略図である。図１２は、本発明の実施形態である画像センサパッケージを製造する工程フローを示している。
【００１７】
図２において、ウェハ（またはウェハ基板）が示されている。このウェハは、第１基板１００を含むものであり、第１基板１００上には感光素子（photosensitive device）１０２と複数の接合パッド１０４とが形成されている。感光素子１０２は、接合パッド１０４に電気的に接続され、これにより信号を端子接点（terminal contact）（図示されていない）に伝送する。続いて保護層１１０を第１基板１００上に形成し、接合パッド１０４と感光素子１０２とを覆う。
【００１８】
図２では、第１基板１００は、複数の感光領域１０６と非感光領域１０８に区画される。感光領域１０６は、感光素子１０２が形成された領域を指し、非感光領域１０８は、感光素子１０２が形成されていない領域または２つの感光領域１０６の間の領域を指している。また、この非感光領域１０８は、いわゆる予定切断線（predetermined scribe line）であり、複数の半導体チップに分離するためにウェハを切断することにより、後で除去される領域である。さらに、非感光領域１０８は、感光領域１０６を囲む。また、感光領域１０６はダイ領域と言うこともできる。
【００１９】
１つの実施形態では、第１基板１００は、シリコンまたは他の適当な半導体材料である。感光素子１０２として、画像検知可能な相補型金属酸化膜半導体（CMOS）または電荷結合素子（charge-couple device；CCD）を用いることができる。また、接合パッド１０４は、エクステンションパッド（extension pad）または導電パッドとも言うことができる。さらに、好ましくは、接合パッド１０４は、銅、アルミニウム、または他の適当な金属材料からなるものである。
【００２０】
図３に示されるように、例えばシリコンまたは他の適当な半導体材料からなる第２基板１１２が示されている。第１基板１００は反転され、第２基板１１２の表面に貼りあわされている。その結果、感光素子１０２が第１、第２基板１００と１１２の間に位置している。続いて、例えばエッチング、ミリング（milling）、研削（grinding）、研磨（polishing）の方法によって、感光素子１０２が第１基板１００の背面より入射した光を感知できる好ましい厚さになるまで、第１基板１００の背面から第１基板１００を薄肉化する。即ち、第１基板１００は、十分な光を通過させることができる厚さまで薄肉化され、発光素子１０２がこの入射した光を感知して信号を発生できるようにする。その結果感光素子１０２は入射光を検知し、信号が発生する。上述の基板薄肉化後の第１基板１００は光を通過させるものであるが、その厚さは、特に限定されるものではない。
【００２１】
第１基板１００の前面は、接合パッド１０４または感光素子１０２を形成される表面のことを指しており、背光面（light back surface）ということができる。一方、その相対する背面（第１基板１００の背面）を受光面ということができる。注意するのは、もう１つの、例えば発光ダイオードの光電素子の実施形態では、第１基板１００の背面は、出光面（light-emitting surface）と言うことができる。
【００２２】
図４は、パターン化のステップを行った後の第１基板１００の平面図である。図４に示されるように、基板薄肉化ステップ後、フォトリソグラフィー／エッチングプロセスによって第１基板１００をパターン化し、第１基板１００の中にパターン開口（patterned opening）部１１４を形成して、接合パッド１０４の一部を露出する。同時にこのパターン開口部１１４によって感光領域１０６内の第１基板１００と非感光領域１０８内の第１基板１００とが分離される。非感光領域１０８内の第１基板１００は、分離された第１基板１０１という。また、このパターン化のステップによって、第１基板１００またはウェハは、複数の半導体チップに分離される。
【００２３】
図４では、パターン開口部１１４は、第１開口１１４ａと、第２開口１１４ｂと、第１開口１１４ａと第２開口１１４ｂとの両方に通じている溝１１４ｃとを含むことができる。第１開口１１４ａは、実質的に一部の接合パッド１０４を露出して感光領域１０６内の感光素子１０２の開口のテストに提供される。第２開口１１４ｂは、実質的に第１開口１１４ａに対応して設置される。第２開口１１４ｂは、実質的に第１開口１１４ａの長さと同じ長さを有する。また、溝１１４ｃは、感光領域１０６と非感光領域１０８（または分割予定線とも言う）との間に位置し、感光領域１０６内の第１基板１００と非感光領域１０８内の第１基板１０１とを分離する。注意しなければならないのは、パターン開口部１１４は、接合パッドを同時に露出し、領域を分離して形成することができれば、任意の形状でよい。よって、パターン開口部１１４は、図４に示された形状に限定されるものではない。
【００２４】
図５は、図４に示されたラインＡ−Ａ’に沿った画像センサパッケージ１の断面図である。図５に示されるように、第１基板１００の中にパターン開口部１１４を形成して一部の接合パッド１０４を露出する。また、パターン開口部１１４によって第１基板１００と第１基板１０１とを互いに分離させる。そのため、別に分離工程を行う、またはテストをするための開口を形成するステップをすることなく、パターン開口部１１４は、接合パッド１０４を露出させるとともに感光領域１０６を分離ことができる。
【００２５】
図６に示されるように、カラーフィルタ１１６が第１基板１００の背面上に形成され、且つ感光素子１０２に対応して配置される。続いてカラーフィルタ１１６上にマイクロレンズ（micro lens）１１８が形成される。マイクロレンズ１１８は、好ましくはフェノール樹脂（phenolic resin）、メラミン樹脂（melamine resin）、エポキシ樹脂、または他の適当な材料からなる。
【００２６】
図７に示されるように、上パッケージ層（upper packaging layer）１２０（またはカバー板とも言う）を第１基板１００の背面上に形成する。１つの実施形態では、まず、上パッケージ層１２０が形成され、続いて、この上パッケージ層１２０上にスペーサ（spacer）１２２を形成する。さらに、接合層（bonding layer）１２４をスペーサ１２２上に形成する。上パッケージ層１２０を第１基板１００に接合して第１基板１００の背面を覆う。上パッケージ層１２０は、例えばガラス、石英、オパール、プラスチック、または他の任意の光線を通過させることができる透明基板からなる。そのほかに、フィルタ及び／または反射防止層（anti-reflective layer）を上パッケージ層１２０の上に選択的に形成することもできる。
【００２７】
スペーサ１２２は、エポキシ樹脂、ソルダーレジスト（solder mask）、または他の適当な絶縁材料、例えば、無機材料の酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、金属酸化物、またはその組み合わせ、または有機高分子材料のポリイミド（polyimide）、ブチルシクロブテン（butylcyclobutene）、パリレン（parylene）、ポリナフタレン（polynaphthalenes）、フロン系ガス（fluorocarbons）、アクリレート（acrylates）などからなる。また、このスペーサ１２２は塗布法、例えばスピンコーティング（spin coating）、スプレーコーティング（spray coating）、カーテンコーティング（curtain coating）、または他の適当な堆積法、例えば液相堆積（liquid phase deposition）、物理蒸着（physical vapor deposition；PVD）、化学気相堆積（chemical vapor deposition；CVD）、低圧化学蒸着（low pressure chemical vapor deposition；LPCVD）、プラズマ化学気相成長（plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD）、高速熱化学気相成長（rapid thermal chemical vapor deposition；RTCVD）または大気圧化学気相成長（atmospheric pressure chemical vapor deposition；APCVD）の方式を用いて形成される。スペーサ１２２により、不純物や水分の混入を防止することができる。
【００２８】
また、接合層１２４は、高分子膜、または１種類以上の接着剤、例えばエポキシ樹脂、またはポリウレタン（polyurethane）を含み、接合層１２４によって、上パッケージ層１２０とスペーサ１２２とが第１基板１００に接合される。また、注意を要するのは、図中には、表示されていないが、カラーフィルタ１１６、接合層１２４またはスペーサ１２２は、パターン開口部１１４の中に充填されて、第１基板１００と第１基板１０１を分離する絶縁層にすることができる。
【００２９】
図８に示されるように、前記したステップが完了した後、フォトリソグラフィー／エッチングプロセスによって、感光領域（またはダイ領域）１０６間の予定切断線の位置に沿って、第２基板１１２の中に切り欠き（notch）１２６を形成する。この切り欠き１２６により、第２基板１１２を分離し、且つ感光領域に対応する複数のキャリアを形成する。続いて絶縁層１２８を形成して第２基板１１２の側面とその背面を覆う。下パッケージ層（lower packaging layer）１３０が第２基板１１２の背面上に形成され第２基板１１２と絶縁層１２８とを覆う。
【００３０】
絶縁層１２８は、エポキシ樹脂、ソルダーレジスト、または他の適当な絶縁材料、例えば、無機材料の酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、金属酸化物、またはその組み合わせ、または有機高分子材料のポリイミド、ブチルシクロブテン、パリレン、ポリナフタレン、フロン系ガス、アクリレートなどからなる。また、この絶縁層１２８は塗布法、例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、カーテンコーティング、または他の適当な堆積法、例えば液相堆積、物理蒸着、化学気相堆積、低圧化学蒸着、プラズマ化学気相成長、高速熱化学気相成長または大気圧化学気相成長の方法を用いて形成される。絶縁層１２８は、第２基板１１２を後で分離し、導電体配線層（conductive trace layer）を形成するのに用いられる。
【００３１】
下パッケージ層１３０は、第１基板１００と第２基板１１２とを担持するのに用いられる。また、この下パッケージ層１３０は、例えばシリコン基板または金属基板のような高い熱伝導性を有する基板からなるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
図９に示すように、下パッケージ層１３０を形成した後、この下パッケージ層１３０上に絶縁層１３２を選択的に形成する。切り欠き形成のステップを行い、チャネル切り欠き（channel notch）１３４と支持ブリック（supporting brick）１０１ａを形成する。１つの実施形態では、例えば切り欠き装置（notching equipment）によって、予定切断線の位置に沿って切り欠き形成のステップを行い、チャネル切り欠き１３４を形成して上パッケージ層１２０の表面を露出する。予定切断線は、分離した第１基板１０１（図８に示されるように）を含むことから、切り欠き形成のステップにより、第１基板１０１の一部が除去される。残存した第１基板が支持ブリック１０１ａとなる。
【００３３】
注意しなければならないのは、パッケージ構造は第１基板１０１の存在により強度が増大しているため、切り欠き形成プロセスを行った時、例えば素子の亀裂など、切り欠き形成プロセスによって生じるダメージが防がれる。また、支持ブリック１０１ａの材料は、シリコンに限られず、第１基板１００の材料と類似する材料でもよい。
【００３４】
図１０に示されるように、導電体配線層１３６が下パッケージ層１３０の背面の下方より、チャネル切り欠き１３４に沿って接合パッド１０４と支持ブリック１０１ａの側面まで延設されるように形成され、接合パッド１０４に電気的に接続されている。１つの実施形態では、例えば銅、アルミニウム、銀、ニッケル、またはその合金からなる導電体材料が、例えば電気めっきまたはスパッタリングの方法によって、下パッケージ層１３０上に堆積される。この導電体材料は、下パッケージ層１３０、絶縁層１２８、接合パッド１０４と支持ブリック１０１ａの側面上と、チャネル切り欠き１３４の底部にまで延設されており、接合パッド１０４に電気的に接続されている。次に、フォトリソグラフィー／エッチングプロセスによって前記した導電体材料層をパターン化し、導電体配線層１３６が形成される。
【００３５】
注意しなければならないのは、前記した導電体材料層をパターン化するステップによって、続くプロセスにより導電体バンプが形成される範囲を下パッケージ層の周辺領域から下パッケージ層の背面全体に拡大させることができる。よって、この導電体配線層１３６は、再分布層（redistribution layer）と言うこともできる。また、導電体配線層１３６は、ドープしたポリシリコン（doped polysilicon）、単結晶シリコン、または導電ガラス層などの材料、またはチタン、モリブデン、クロム、またはチタンタングステン（titanium tungsten）のアニールされた金属材料の堆積層からなるものでもよい。
【００３６】
また、支持ブリック１０１ａは、絶縁層が充填されたパターン開口部１１４によって第１基板１００と分離されているため、支持ブリック１０１ａの側面上に形成された導電体配線層１３６は、感光素子に影響を与えない。
【００３７】
続いて図１０では、例えばソルダーレジストの保護層１３８を導線層１３６上に塗布し、導電体バンプ１４０を下パッケージ層１３０の下に形成されている。導電体バンプ１４０は導電体配線層１３６に電気的に接続されている。１つの実施形態では、保護層１３８を形成した後、この保護層１３８をパターン化し、導線層１３６の一部を暴露する開口を形成する。続いて、電気めっきまたはスクリーン印刷の方法によって、例えば、はんだボール、または、はんだペーストを前記した開口内に充填し、リフロープロセスを行い、導電性バンプ１４０を形成する。図１１に示されるように、上述のステップを完成した後、続いて切断機を用いて、予定切断線に沿って切断することにより、上パッケージ層１２０を分離し、画像センサパッケージ１５０が完成する。
【００３８】
図１１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスパッケージの一つである画像センサパッケージ１５０の断面図である。図１１に示す半導体チップは第１基板１００を有する。支持ブリック１０１ａは第１基板１００と既定距離が隔てられている。接合パッド１０４は第１基板１００から支持ブリック１０１ａにわたる表面を有する。また、図１１に示されたように、第１基板１００は、第１表面と第１表面と向かい合う第２表面とを有する。感光素子１０２は、第１基板１００の第１表面上に形成される。第２基板１１２は、第１基板１００の第２表面と接合され、上パッケージ層１２０と下パッケージ層１３０とは、第１基板１００の第１表面と第２基板１１２とをそれぞれ覆う。図１１からわかるように、導電体配線層１３６は、下パッケージ層１３０の下に形成されている。さらに導電体配線層１３６は、接合パッド１０４と支持ブリック１０１ａの側面上まで延設されている。導電体配線層１３６は、接合パッド１０４に電気的に接続されている。また、導電体バンプ１４０は、下パッケージ層１３０の下に形成されており、導電体配線層１３６に電気的に接続されている。
【００３９】
１つの実施形態では、第１基板１００の第２表面を、受光面としてもよい。また、感光素子１０２が形成された第１表面は、背光面としてもよい。外界の光は受光面を通過して感光素子１０２に達する。このようにして、感光素子１０２がこの第１基板を通過した光を感知して信号を発生させることができる。続いてこの信号は接合パッド１０４と導電体配線層１３６とを経由して導電性バンプ１４０に伝送される。
【００４０】
注意しなければならないのは、支持ブリック１０１ａと第１基板１００は同一平面上にあることである。さらに、支持ブリック１０１ａと第１基板１００との間には、絶縁体が充填され、支持ブリック１０１ａと第１基板１００とが分離されていることである。また、接合パッド１０４は、絶縁層上の全体にわたって配置される。よって、支持ブリック１０１ａの側面上に形成された導電体配線層１３６は、感光素子に影響を与えない。また、支持ブリック１０１ａは、接合パッド１０４上（Ｔ接触の位置）に設置されるため、導電体配線層１３６と接合パッド１０４との間の構造の強度（またはＴ接触の構造の強度）を増大させて、画像センサパッケージの全体的な構造の強度を増大させることができる。
【００４１】
図１２は、本発明の実施例に基づいた画像センサパッケージを製造する工程フロー図である。図１２に示されるように、まず、ステップＳ５のように、複数の感光領域を有する第１基板を含むウェハを提供し、この第１基板上に複数の接合パッドを形成する。続いてステップＳ１０のように、この第１基板を第２基板に接合する。次に、ステップＳ１５のように、前記第１基板を薄肉化する。前記第１基板を薄肉化した後、ステップＳ２０のように、パターン開口を前記第１基板内に形成し、前記第１基板から支持ブリックを分離して接合パッドの一部を露出する。続いて、ステップＳ２５のように、カラーフィルタとマイクロレンズを前記第１基板の背面上に順次形成する。次に、ステップＳ３０とＳ３５のように、上パッケージ層を前記第１基板の上方に設置し、切り欠きを前記第２基板内に形成して前記第２基板を分離する。続いて、ステップＳ３５のように、下パッケージ層を前記第２基板の背面上に設置する。
【００４２】
ステップＳ４５のように、前記したステップを完了した後、切り欠き形成のステップを行ってチャネル切り欠きを形成し、上パッケージ層の表面を露出する。次に、ステップＳ５０のように、導電体配線層を前記下パッケージ層の背面の下から前記チャネル切り欠きに沿って前記支持ブリックと接合パッドの側面に延設されるように形成して、接合パッドに電気的に接続させる。続いて、導電体バンプを下パッケージ層の背面の下に形成し、前記導電体配線層に電気的に接続させる。次に、ステップＳ６０のように、切断のステップを行って画像センサパッケージを完成させる。
【００４３】
よって、前記パターン開口部が接合パッドの露出を同時に達成できることから、感光素子の検出と、感光領域の第１基板を分離して形成する目的を提供するため、製造プロセスを短縮し、簡易化することができる。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することが可能である。従って、本発明が請求する保護範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
【符号の説明】
【００４５】
１  画像センサパッケージ
２  基板
４  感光素子
６  接合パッド
８  カバー
９  キャリアプレート
１０  導電体配線層
１２  はんだボール
１００  第１基板
１０１  分離された第１基板
１０１ａ  支持ブリック
１０２  感光素子
１０４  接合パッド
１０６  感光領域
１０８  非感光領域
１１０  保護層
１１２  第２基板
１１４  パターン開口
１１４ａ  第１開口
１１４ｂ  第２開口
１１４ｃ  溝
１１６  カラーフィルタ
１１８  マイクロレンズ
１２０  上パッケージ層
１２２  スペーサ
１２４  接合層
１２６  切り欠き
１２８  絶縁層
１３０  下パッケージ層
１３２  絶縁層
１３４  チャネル切り欠き
１３６  導線層
１３８  保護層
１４０  導電性バンプ
１５０  画像センサパッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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