(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
列状に配置された複数の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された複数の端子を具備する支持部材と、
前記半導体素子の電極と前記支持部材における端子との間を接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する樹脂封止部と、
を具備し、
前記複数のボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列中に、隣接ワイヤ間距離拡大部が配設され、
前記ボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記ボンディングワイヤのワイヤ列中における、隣り合う２本のボンディングワイヤの少なくとも一方が、屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記支持部材上へ複数個の半導体素子が積層されて搭載され、前記複数個のそれぞれの半導体素子に接続された前記ボンディングワイヤが重畳し、
前記隣接ワイヤ間距離拡大部が重畳して形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記支持部材上に搭載された前記半導体素子上に、複数の電極パッドを含むパッド列が複数列配設され、前記複数のパッド列にそれぞれ接続された前記ボンディングワイヤが重畳し、
複数の前記隣接ワイヤ間距離拡大部が重畳して形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
列状に配置された複数の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された複数の端子を具備する支持部材と、
前記半導体素子の電極と前記支持部材における端子との間を接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する樹脂封止部と、
を具備し、
前記複数のボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列中に、隣接ワイヤ間距離拡大部が配設され、
前記半導体素子の一辺におけるボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極部と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
列状に配置された複数の電極を有する半導体素子を、前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された端子を有する支持部材上に載置し、
前記半導体素子の電極と支持部材上に配設された端子との間をボンディングワイヤにより接続する際、当該ボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列に少なくとも一つの隣接ワイヤ間距離拡大部を形成し、
しかる後、前記半導体素子を前記ボンディングワイヤと共に樹脂封止する、ことを有し、
前記隣接ワイヤ間距離拡大部は、前記ボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて形成される、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に配線基板などの支持部材上に搭載された半導体素子の電極パッドと前記配線基板に設けられたボンディング端子との間がボンディングワイヤにより接続され、当該半導体素子及びボンディングワイヤが当該配線基板上において樹脂封止されてなる半導体装置及び当該半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に搭載される半導体装置の一つの形態として、配線基板等の支持部材上に搭載された半導体素子の電極パッド（外部接続端子）と前記配線基板に設けられたボンディング端子（電極端子）との間が、ボンディングワイヤにより接続され、更に当該半導体素子及びボンディングワイヤが配線基板上において樹脂封止されてなる半導体装置がある。
【０００３】
かかる半導体装置にあっては、半導体素子の高機能化・高集積化、ならびに半導体装置としての小型化・高密度実装化に伴い、半導体素子の電極パッド数が増加し、これに対応する配線基板のボンディング端子も増加すると共に、かかる電極パッド、ボンディング端子がより高密度に配置される傾向にある。
【０００４】
この為、半導体素子の電極パッドならびに配線基板のボンディング端子のより小形化を図ると共に、当該電極パッド及びボンディング端子をより微細なピッチをもって列状に配置する態様、あるいは当該電極パッド又はボンディング端子を複数列に配置し、隣り合う列に於ける電極パッド又はボンディング端子の配置を、互いに例えば１／２ピッチずらした所謂千鳥状（スタガー：Ｓｔａｇｇｅｒ）に配置にすることにより、電極パッド又はボンディング端子を高密度に配置する態様が採られている。
【０００５】
例えば、アイランドと、前記アイランド上に搭載されたＩＣチップと、前記ＩＣチップの周囲に配置された複数のリードと、前記複数のリードと前記ＩＣチップの導通手段とを接続するボンディングワイヤとを有する半導体集積回路パッケージであって、前記複数のリード上に絶縁体を介して且つ前記ＩＣチップを囲繞する如く、少なくとも１つの電源供給導体を配置してなる半導体集積回路パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
かかる構成によれば、電源供給端子を任意の位置に設定することができると共に、リードの数、密度を高めることができる。
【０００７】
また、ボンディングワイヤによる結線（接続）を高密度に行う場合に、隣接するボンディングワイヤ間において、そのループ形状を異ならせる態様も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００８】
ここでは、半導体チップとリードフレームのインナリードとの間をワイヤにて接続する半導体装置であって、ワイヤについて階段的にループ高を異にした半導体装置、ならびに半導体チップの中央部から周辺に向けてループ高さを階段的に異ならしめた半導体装置が提案されている。
【０００９】
かかる態様によれば、ボンディングワイヤの結線の際に、ボンディングキャピラリが、既に結線した隣接するボンディングワイヤに接触することを防止でき、また樹脂封止する際、封止用樹脂の流動に因ってボンディングワイヤに変形が生じても、当該ボンディングワイヤが隣接するボンディングワイヤに接触してしまうことが防止される。
【００１０】
前述の如き、半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とのボンディングワイヤによる結線は、半導体素子の上方から見た際に、その平面形態が一直線状になる様、即ち半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とを結ぶ直線上にボンディングワイヤが位置する様に行われるのが一般的である。
【００１１】
これに対し、半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とを接続するボンディングワイヤの平面上の形態を、屈曲又は湾曲した形状とする態様も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１２】
かかる態様によれば、ボンディングワイヤを用いた結線の引き回しの自由度を向上することができ、更に、樹脂封止する際の樹脂の流動に因るボンディングワイヤの変形を低減することができる。
【特許文献１】特許第２７５２９３２号公報
【特許文献２】特開平９−２６６２２３号公報
【特許文献３】特開２００３−２１８１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、半導体素子の電極パッド及び配線基板等の支持部材に於けるボンディング端子が高密度に且つ列状に配置され、当該半導体素子の電極パッドと配線基板のボンディング端子とを接続するボンディングワイヤが互いに近接して配設される半導体装置にあっては、当該半導体装置の製造過程において、トランスファーモールド法或いはコンプレッションモールド法等により樹脂封止を行うと、次の様な問題が生じてしまう。
【００１４】
かかる問題について、図１に示される従来の半導体装置構造を用いて説明する。尚、図１（ｂ）は、当該半導体装置の平面形態を表す図１（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図１（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。
【００１５】
図１に示される半導体装置１０にあっては、矩形状の平面形状を有する板状の配線基板１の一方の主面（上面）の略中央に、半導体素子２が接着剤であるダイボンディング材３を介して搭載されている。
【００１６】
配線基板１には、多層配線層構造をもって配線層（図示せず）が選択的に配設され、当該配線基板１の上面には、前記配線層に接続された電極であるボンディング端子４が、配線基板１の上面の四辺に沿って複数個、列状に且つ互いに近接して配設されている。
【００１７】
また、配線基板１の他方の主面（下面）には、前記配線層に接続された導電層が格子状に配設され（図示せず）、当該導電層のそれぞれには半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子５が配設されている。
【００１８】
一方、半導体素子２は、矩形状半導体個片の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路が形成されており、当該電子回路領域の周囲には、電極パッド６が複数個、当該半導体個片の四辺に沿って、列状に且つ互いに近接して配設されている。
【００１９】
そして、当該半導体素子２の電極パッド６と、配線基板１の主面（上面）に形成されたボンディング端子４との間は、ボンディングワイヤ７により接続されている。また、半導体素子２の電極パッド６の数が多いことから、当該半導体素子２の一つの辺に沿って列状に配設された複数個の電極パッド６のそれぞれに対して接続され、導出されるボンディングワイヤ７は、配線基板１上において互いに近接して配設される。
【００２０】
そして、半導体素子２ならびにボンディングワイヤ７は、配線基板１の上面に於いて封止用樹脂８により一体的に封止されている。
【００２１】
かかる構造を有する半導体装置１０の製造過程に於いては、配線基板１の上面の略中央に搭載された半導体素子２の電極パッド６と配線基板１のボンディング端子４との間をボンディングワイヤ７を用いて接続した後に、トランスファーモールド法或いはコンプレッションモールド法等により樹脂封止が行われる。
【００２２】
しかしながら、前述の如く、ボンディングワイヤ７は、配線基板１上において互いに近接して配設されるため、当該ボンディングワイヤ７の近傍を流れる封止用樹脂の流動速度は低い。従って、当該封止用樹脂が、ボンディングワイヤ７の上方からその下方に流入する際に、当該ボンディングワイヤ７の下方部に於いては、封止用樹脂が完全に充填されず、ボイド（気泡）Ｂが生じてしまう恐れがある。当該ボイドＢは、半導体装置１０の信頼性の低下を招く一因となる。
【００２３】
このような封止用樹脂の未充填によって発生するボイドＢは、前記ボンディングワイヤのループ形状を、配線基板１の表面と略並行な方向となる方向に屈曲又は湾曲した形状とする態様であっても生じ得る。
【００２４】
また、前記特許文献２により提案される態様であっても、当該特許文献２の図４（ｃ）に示される構造の如く、ボンディングワイヤのループ高さが低い箇所にあっては、当該ボンディングワイヤの下方に封止用樹脂が流入することが困難であり、当該ボンディングワイヤの下方には封止用樹脂が充填されず、ボイドＢが発生する可能性がある。
【００２５】
この様に、ボンディングワイヤの下方に於いて、封止用樹脂が完全に充填されずボイドＢが発生する問題は、インジェクションモールド法又はトランスファーモールド法とも称され、半導体素子の側方から樹脂注入を行う射出成形法を用いて樹脂封止を行う場合に、当該半導体素子の周囲４辺のうち、封止用樹脂が注入される部位に対してより遠い部位に位置するボンディングワイヤ部において生じ易い。
【００２６】
かかる問題は、半導体素子の上方の略中央部から樹脂注入を行う射出成形法又はコンプレッションモールド法により樹脂封止を行う際にも生ずる。即ち、半導体素子の上方の略中央から樹脂注入を行った場合、封止用樹脂が半導体素子の中央部から周囲の配線基板方向へ流動する際、当該封止用樹脂は、主としてボンディングワイヤのループ上を流動することとなり、当該ボンディングワイヤのループ下の空間に流入することが困難となる。この為、当該空間に封止用樹脂の未充填部を生じてしまう。
【００２７】
更に、かかる問題は、配線基板上に、複数の半導体素子が積層して配置され、それぞれの半導体素子の電極パッドが配線基板上のボンディング端子にボンディングワイヤにより接続される構成において、下段の半導体素子に接続されたボンディングワイヤのループ上に、上段の半導体素子に接続されたボンディングワイヤのループが重なる場合に、下段の半導体素子に接続されたボンディングワイヤの下方の部位においてより顕著に発生する。
【００２８】
また、かかる問題は、配線基板上に実装された第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が載置・積層され、第２の半導体素子と重ならない第１の半導体素子の領域における電極パッドが配線基板上のボンディング端子にボンディングワイヤにより接続される構成においても、当該ボンディングワイヤの下方において発生する。
【００２９】
本発明は、この様な点に鑑みてなされ、配線基板等の支持部材上に搭載された半導体素子の電極パッドと前記配線基板のボンディング端子とがボンディングワイヤにより接続され、半導体素子及びボンディングワイヤが配線基板上で樹脂封止された半導体装置であって、樹脂封止の際、近接して配設されたボンディングワイヤと配線基板との間に封止用樹脂の未充填部を生ぜず、従ってボイド（気泡）を生ずることなく封止用樹脂を充填することができる半導体装置構造ならびに半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明の一観点によれば、列状に配置された複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された複数の端子を具備する支持部材と、前記半導体素子の電極と前記支持部材における端子との間を接続する複数のボンディングワイヤと、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する樹脂封止部と、を具備し、前記複数のボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列中に、隣接ワイヤ間距離拡大部が配設されてなることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００３１】
前記ボンディングワイヤのワイヤ列中における、隣り合う２本のボンディングワイヤの少なくとも一方が、屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されてなることとしてもよい。前記ボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極部と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることとしてもよい。前記半導体素子の一辺におけるボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極部と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることとしてもよい。
【００３２】
本発明の別の観点によれば、列状に配置された複数の電極を有する半導体素子を、前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された端子を有する支持部材上に載置し、前記半導体素子の電極と支持部材上に配設された端子との間をボンディングワイヤにより接続する際、当該ボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列に少なくとも一つの隣接ワイヤ間距離拡大部を形成し、しかる後、前記半導体素子を前記ボンディングワイヤと共に樹脂封止する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、配線基板等の支持部材上に搭載された半導体素子の電極パッドと前記支持部材上に配設されたボンディング端子とがボンディングワイヤにより接続され、半導体素子及びボンディングワイヤ等が配線基板上に於いて樹脂封止された半導体装置であって、その製造過程において封止用樹脂の未充填部を生ぜず、従ってボイド（気泡）を生ずることなく封止用樹脂を確実に充填することができる半導体装置構造ならびに半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００３５】
１．第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１００を、図２に示す。尚、図２（ｂ）は、当該半導体装置１００の平面形態を表す図２（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図２（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。
【００３６】
当該半導体装置１００にあっては、支持部材である平面外形形状が矩形状を有する板状の配線基板２１の一方の主面（上面）上にあって、その略中央部に、半導体素子２２が接着剤であるダイボンディング材２３を介して搭載されている。
【００３７】
当該配線基板２１は、回路基板、支持基板、或いはインタポーザとも称され、所謂プリント配線板構造を有する。即ち、当該配線基板２１は、例えば、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック又はガラス等の無機材料を基材とし、必要に応じて、その片面或いは両面に、又は多層配線層構造をもって銅（Ｃｕ）等からなる配線層（図示を省略する）が選択的に配設される。
【００３８】
当該配線基板２１の一方の主面（上面）、即ち半導体素子２２の搭載面には、前記配線層に接続された電極であるボンディング端子２４が複数個、当該半導体素子２２の電極パッド２６の配列に対応して、且つ当該配線基板２１の四辺に沿って列状に、略等間隔をもって配設されている。
【００３９】
当該ボンディング端子２４は、前記配線層の一部として形成されてもよく、また当該ボンディング端子２４の表面には、下層よりＮｉ（ニッケル）／金（Ａｕ）めっきが施されてもよい。
【００４０】
当該配線基板２１の他方の主面（下面・裏面）、即ち、半導体素子２２が搭載される面と反対側の面には、図示を省略する電極端子が複数個、格子状（マトリックス状）に配設され、当該電極端子上には、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）半田、或いは錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）半田等、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子２５が配設されている。
【００４１】
即ち、半導体装置１００は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置を構成している。
【００４２】
なお、外部接続端子２５は、銅（Ｃｕ）からなり、その表面に下層よりニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっきが形成されたランド状の形状を有していてもよい。即ち、本発明は、所謂ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型半導体装置に対しても適用され得る。また、当該外部接続端子２５は、配線基板２１の電極端子に接続された、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金、銅（Ｃｕ）、又は銅（Ｃｕ）合金等の導体からなるリードをもって形成することもできる。
【００４３】
一方、前記半導体素子２２は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路領域を具備して個片化（チップ化）されている。そして、当該電子回路領域の周囲および／或いは当該領域上には、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属をもって形成された電極パッド２６が、半導体素子の四辺に沿って複数個、列状に且つ互いに近接して配設されている。列状をなす電極パッド２６は、互いにほぼ等間隔に配設されている。
【００４４】
そして、当該半導体素子２２は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂等からなる熱硬化性又は熱可塑性接着剤であるダイボンディング材２３を介して、配線基板２１上に搭載・固着されている。なお、ダイボンディング材２３は、配線基板２１上又は半導体素子２２の前記配線基板２１と対向する主面上に供給される際には、ペースト状又はフィルム状の何れの状態であってもよい。
【００４５】
当該半導体素子２２の電極パッド２６と、これに対応して前記配線基板２１の主面に配設されたボンディング端子２４との間は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等からなるボンディングワイヤ２７を用いての所謂ワイヤボンディング法により接続されている。従って、前記電極パッド２６ならびにこれに対応するボンディング端子２４の数が多いと、ボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上において、相互により近接して配設されることとなる。
【００４６】
これにより、当該電極パッド２６とボンディング端子２４との間に於ける半導体素子２２と配線基板２１上には、複数本のボンディングワイヤ２７をもってワイヤ列ＷＬが形成される。即ち、当該半導体素子２２の四辺に沿って、それぞれ複数本のワイヤボンディング２７から構成されたワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４が形成される。
【００４７】
当該半導体装置１００は、後述するように、当該複数本のボンディングワイヤ２７をもって形成されるワイヤ列ＷＬの構成に特徴を有する。
【００４８】
そして、前記半導体素子２２ならびにボンディングワイヤ２７は、配線基板２１の主面上に於いて、封止用樹脂２８により被覆されて封止されている。当該封止用樹脂２８としては、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂或いはエポキシ系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
本実施の形態にあっては、複数本のワイヤボンディング２７から構成され、半導体素子２２の四辺に沿って設けられたワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４の、それぞれの略中央部分に於いて、隣接するワイヤ間の離間距離を拡大してなる隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ（Ｓ１乃至Ｓ４）が配設されている。
【００５０】
当該ワイヤ間距離拡大部Ｓの一つを、図３に拡大して示す。図３（ａ）は、図２において点線Ｐ１により囲繞したところの、ワイヤ列ＷＬ１中に形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１を拡大して示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すボンディングワイヤ２７−１の側面を示している。図３においても、封止用樹脂２８の図示を省略している。
【００５１】
即ち、本実施の形態にあっては、ワイヤ列ＷＬ１の配設方向にあって隣接するボンディングワイヤ２７−１及び２７−２について、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線ＤＬ（図３（ａ）において点線で示す）から、ワイヤ列ＷＬ１の配設方向に沿って互いに遠ざかる方向に屈曲又は湾曲させ、当該ボンディングワイヤ２７−１及び２７−２間の間隔を拡張して、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１を形成している。
【００５２】
そして、ワイヤ列ＷＬ１中において、前記ボンディングワイヤ２７−１が屈曲又は湾曲している側に位置するボンディングワイヤ２７は、当該ボンディングワイヤ２７−１の屈曲又は湾曲形状と略同様の形状を有して配設され、一方ボンディングワイヤ２７−２が屈曲又は湾曲している側に位置するボンディングワイヤ２７は、当該ボンディングワイヤ２７−２の屈曲又は湾曲形状と略同様の形状を有して配設される。
【００５３】
即ち、前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１に近接する他のボンディングワイヤ２７は、前記ボンディングワイヤ２７−１或いは２７−２の屈曲又は湾曲に対応して、互いにほぼ並行となるよう屈曲又は湾曲されて配設され、相互の接触が防止されている。
【００５４】
かかるワイヤ列ＷＬ１を構成するボンディングワイヤ２７−１の一端（始端）は、所謂ボールボンディング法により、ボンディングキャピラリ（図示ぜず）を用いて、半導体素子２２の電極パッド２６に、超音波熱圧着又は熱圧着される。（ファーストボンディング）
そして、当該ボンディングワイヤ２７−１の始端から上方に延出された部位（図３（ｂ）に於けるＡ）は、ループ高さを一定に維持しつつ、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ前記仮想直線ＤＬ１から遠ざかる方向に、屈曲又は湾曲されている。そして、その延長部位（図３（ｂ）に於けるＢ）は、ループ高さをほぼ一定に保ちつつ、前記仮想直線ＤＬ１に略平行に延在される。
【００５５】
そして、その延長部位（図３（ｂ）に於けるＣ）は、前記仮想直線ＤＬ１と略平行に位置して、且つ配線基板２１のボンディング端子２４に近づくにつれて、そのループ高さが漸次低下される。更に、その延長部位（図３（ｂ）に於けるＤ）は、ボンディング端子２４に近づくにつれて、ループ高さが漸次低下され、且つ前記仮想直線ＤＬ１に近づく方向に屈曲又は湾曲されている。
【００５６】
そして、ボンディングワイヤ２７−１の他端（終端）は、ステッチボンディング法により、ボンディングキャピラリにより、配線基板２１のボンディング端子２４に超音波熱圧着法又は熱圧着法により接続される。（セカンドボンディング）
当該ボンディングワイヤ２７−１のループ形状は、ボンディングワイヤ２７−２の形状にも適用される。即ち、当該ボンディングワイヤ２７−２は、ボンディングワイヤ２７−１ならびに仮想直線ＤＬ２から遠ざかる方向に、即ちボンディングワイヤ２７−１とは逆方向に屈曲又は湾曲される。
【００５７】
この様に、隣接するボンディングワイヤ２７−１及び２７−２を、ワイヤ列ＷＬ１の配設方向であって、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線ＤＬから遠ざかる方向に屈曲又は湾曲させることにより、両ボンディングワイヤ間の間隔が拡大されて、ワイヤ列ＷＬ１中に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１が形成される。
【００５８】
尚、ワイヤ列ＷＬ２乃至ＷＬ４中にそれぞれ形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２乃至Ｓ４（図２参照）は、ワイヤ列ＷＬ１中に形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１と同様の構成を有している。即ち、ワイヤ列ＷＬ２乃至ワイヤ列ＷＬ４にあっても、それぞれのワイヤ配列ＷＬを形成するボンディングワイヤ配列のほぼ中央部に於いて、ボンディングワイヤ２７に対し屈曲又は湾曲を生じせしめ、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２乃至隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ４を設けている。
【００５９】
この様に、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２１のボンディング端子２４との間をボンディングワイヤ２７にて接続してなる構造において、前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを配設することにより、トランスファーモールド法或いはコンプレッションモールド法等により、当該半導体素子２２にならびにボンディングワイヤ２７を被覆する封止被覆（樹脂封止）処理を行う際、封止用樹脂は前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを通してボンディングワイヤ配列の下方、即ち当該ボンディングワイヤ配列と配線基板２１表面との間に用いる容易に流入し、充填される。
【００６０】
従って、ボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間において、封止用樹脂２８中にボイド（気泡）が発生することを防止することができる。
【００６１】
また、樹脂封止の際、ボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間において、封止用樹脂２８中にボイド（気泡）が発生しても、前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１乃至Ｓ４を介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間に、封止用樹脂の未充填部が生じることを防止することができる。
【００６２】
なお、本実施の形態にあっては、ワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４のそれぞれに、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓが形成されているが、本発明はかかる態様に限定されない。ワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４の少なくとも１つに、少なくとも１つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓが配設されていれば良い。
【００６３】
即ち、トランスファーモールド法或いはコンプレッションモールド法等により封止用樹脂を注入する場合、当該封止用樹脂の注入口（注入ゲート）から最も離れた箇所に位置するワイヤ列ＷＬ内を流動する封止用樹脂の流動速度が最も低く、当該箇所に位置するワイヤ列ＷＬを構成するボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間にボイド（気泡）を生じ易い。従って、当該封止用樹脂の注入口から最も離れた箇所に位置するワイヤ列ＷＬにおいて、少なくとも１つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを配設することにより、当該箇所において封止用樹脂が充填されず、ボイド（気泡）が発生してしまうことを防止することができる。
【００６４】
図２及び図３に示す実施の形態にあっては、隣接するボンディングワイヤ２７−１及び２７−２をそれぞれ、ワイヤ列ＷＬ１の配設方向であって、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線ＤＬから遠ざかる方向に屈曲又は湾曲させて、ワイヤ列ＷＬ１中に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１が形成されている。
【００６５】
しかしながら、本発明はかかる態様に限定されず、ボンディングワイヤ２７−１又は２７−２の一方を、ワイヤ列ＷＬ１の配設方向であって、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線ＤＬから遠ざかる方向に屈曲又は湾曲させることにより、ワイヤ列ＷＬ１中に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを形成してもよい。
【００６６】
また、図２に示す実施の形態にあっては、ワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４のそれぞれにおいて、一つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを形成しているが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。当該ワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４のそれぞれにおいて、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを複数個配設しても良い。
【００６７】
ワイヤ列ＷＬ１乃至ＷＬ４のそれぞれにおいて、複数の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを配設してなる構成を、半導体装置１５０として、図４に示す。尚、図４（ｂ）は、当該半導体装置１５０の平面形態を表す図４（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図４（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。更に、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００６８】
当該半導体装置１５０にあっては、複数の回路機能を有し高集積化されて、多数の電極パッド２６を具備する半導体素子２２が、配線基板２１上に搭載されている。
【００６９】
かかる半導体素子２２の四辺において、縁部に沿って配設された電極パッド２６と、配線基板２１上のボンディング端子２４との間は、複数のボンディングワイヤ２７により接続されている。そして、複数のボンディングワイヤ２７から形成されるワイヤ列ＷＬ５においては、２つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ５及びＳ６が互いに離間して形成されている。
【００７０】
同様に、ワイヤ列ＷＬ６においても、２つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ７及びＳ８が互いに離間して形成され、またワイヤ列ＷＬ７においても、２つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ９及びＳ１０が互いに離間して形成されている。更に、ワイヤ列ＷＬ８においても、２つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１１及びＳ１２が互いに離間して形成されている。
【００７１】
即ち、当該半導体装置１５０にあっては、各ワイヤ列ＷＬ５乃至ＷＬ８のそれぞれにおいて、その略中央部に位置する９本のボンディングワイヤ２７は、当該半導体素子２２の縁部からほぼ直角方向に延びて、電極パッド２６とボンディング端子２４との間をほぼ直線状に結線・接続している。
【００７２】
これに対し、当該９本のボンディングワイヤ２７の両側に位置する複数のボンディングワイヤ２７は、それぞれワイヤ列ＷＬ５乃至ＷＬ８の配設方向であって、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲して配設されている。これにより、各ワイヤ列ＷＬ５乃至ＷＬ８のそれぞれにおいて、９本のボンディングワイヤ２７の両側に位置して、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓが配設されている。
【００７３】
この様に、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２１のボンディング端子２４との間をボンディングワイヤ２７にて接続してなる構造において、前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを複数個配設することにより、トランスファーモールド法或いはコンプレッションモールド法等により、当該半導体素子２２にならびにボンディングワイヤ２７を被覆する樹脂被覆（樹脂封止）処理を行う際、封止用樹脂は当該複数個の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓのそれぞれを通してボンディングワイヤ配列の下方、即ち当該ボンディングワイヤ配列と配線基板２１表面との間の空間に流入する。
【００７４】
従って、例えば半導体素子２２の略中央部に位置して封止用樹脂を流入させた場合であっても、当該封止用樹脂は当該半導体素子２２の上面に沿って流動し、前記ボンディングワイヤ配列上を流動すると共に、複数の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを通してボンディングワイヤ配列の下方、即ち当該ボンディングワイヤ配列と配線基板２１表面との間にも容易に流入する。
【００７５】
従って、比較的大形の半導体素子あって、その電極パッドに接続され導出されるボンディングワイヤ２７の数が多数である場合にも、ボンディングワイヤ配列と配線基板２１表面との間に封止用樹脂は充填され、当該ボンディングワイヤ配列と配線基板２１表面との間に充填される封止用樹脂中にボイド（気泡）が生じることが防止される。
【００７６】
また、樹脂封止の際、ボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間において、封止用樹脂内にボイド（気泡）が発生しても、複数の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７の下方、配線基板２１との間に、封止用樹脂の未充填部が生じる状態を回避することができる。
【００７７】
２．第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置２００を、図５に示す。尚、図５（ｂ）は、当該半導体装置２００の平面形態を表す図５（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図５（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。また、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００７８】
当該半導体装置２００にあっては、半導体素子２２が、矩形状の平面形状を有する配線基板２１の一方の主面（上面）の略中央において、接着剤であるダイボンディング材２３を介して搭載されている。
【００７９】
当該半導体装置２００を形成する際、封止用樹脂は、図５（ａ）において矢印Ｑ１により示される方向から注入される。即ち、当該封止用樹脂の注入口(図示せず)に最も近い部位に位置するワイヤ列ＷＬ１２を構成する複数のボンディングワイヤ２７ａは、当該注入口から流入する封止用樹脂の流れに略並行になるよう、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２１のボンディング端子２４との間を、互いに並行して且つ直線状形態をもって接続している。
【００８０】
一方、封止用樹脂の注入口から最も離れた箇所、即ち半導体素子２２に於いて、前記ワイヤ列ＷＬ１２が配設された辺と対向する辺に沿って配設されるワイヤ列ＷＬ１０にあっては、当該ワイヤ列ＷＬ１０の配設方向の略中央部におけるボンディングワイヤ２７ｂが、電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１３が形成されている。
【００８１】
そして、本実施の形態における特徴的構成として、半導体素子２２の、前記対向する辺の間において封止用樹脂の注入方向と略平行して位置する辺に配設されたワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１にあっては、当該ワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１を構成するボンディングワイヤ２７のループ高さが、当該封止用樹脂の流れる方向に沿って変更されている。
【００８２】
かかるワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１の構成を、図６も参照して説明する。図６は、図５において点線Ｐ２により囲繞した部分の斜視図である。当該図６にあっても封止用樹脂２８の表示を省略している。
【００８３】
図５及び図６を参照するに、ワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１を構成する複数のボンディングワイヤ２７は、ワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１それぞれの略中央部分を境に、封止用樹脂の注入口から遠い領域（図５においてＦで示す箇所）と封止用樹脂の注入口に近い領域（図５においてＲで示す箇所）とに２分され、グループ化されている。
【００８４】
そして、前記封止用樹脂の注入口から遠い領域（図５におけるＦ）において配設されるボンディングワイヤ２７ｃは、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２１のボンディング端子２４との間を、フォワードボンディング（順ボンディング）法により接続している。即ち、当該ボンディングワイヤ２７ｃの一端（始端）は、ボールボンディング法により、ボンディングキャピラリ（図示せず）を用いて半導体素子２２の電極パッド２６に超音波熱圧着又は熱圧着により接続されている。（ファーストボンディング）
そして、当該ボンディングワイヤ２７ｃの他端（終端）は、ステッチボンディング法により、配線基板２１上のボンディング端子２４に、超音波熱圧着又は熱圧着により接続されている。（セカンドボンディング）
かかるフォワードボンディング法により接続されたボンディングワイヤ２７ｃは、半導体素子２２の電極パッド２６近傍において最高点を有するループ形状をなしている。
【００８５】
一方、前記封止用樹脂の注入口から近い領域（図５におけるＲ）において配設されるボンディングワイヤ２７ｄは、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２２のボンディング端子２４とを、所謂リバースボンディング（逆ボンディング）法により結線している。
【００８６】
即ち、当該ボンディングワイヤ２７ｄの一端（始端）は、ボールボンディング法により、ボンディングキャピラリ（図示せず）を用いて配線基板２１のボンディング端子２４に超音波熱圧着又は熱圧着により接続されている。（ファーストボンディング）
そして、当該ボンディングワイヤ２７ｄの他端（終端）は、ステッチボンディング法により、ボンディングキャピラリ（図示せず）を用いて半導体素子２２の電極パッド２６に超音波熱圧着又は熱圧着により接続されている。（セカンドボンディング）
かかるリバースボンディング法により接続されたボンディングワイヤ２７ｄは、配線基板２１のボンディング端子２４近傍において最高点を有するループ形状を有している。
【００８７】
この様に、ボンディングワイヤ２７ｃ及びボンディングワイヤ２７ｄのループ形状が異なることにより、ボンディングワイヤ２７ｃとボンディングワイヤ２７ｄとには、配線基板２１の表面に対し鉛直方向に、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１４が形成される。
【００８８】
前述の如く、封止用樹脂の注入口に最も近い部位に位置するワイヤ列ＷＬ１２を構成する複数のボンディングワイヤ２７ａは、当該注入口から流入する封止用樹脂の流れに略並行になるよう、半導体素子２２の電極パッド２６と配線基板２１のボンディング端子２４との間を、互いに略並行して且つ直線状形態をもって接続している。従って、当該封止用樹脂の流動を阻害することなく、そして当該ワイヤ列ＷＬ１２と配線基板２１との間への封止用樹脂の流入を可能として、ボイド（気泡）の発生を招来しない。
【００８９】
また、前記ワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１にあっては、それぞれのワイヤ列の略中央において配線基板２１の表面に対し鉛直方向に、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１４が形成されており、当該ワイヤ列ＷＬ９及びＷＬ１１に沿う封止用樹脂の流動を阻害しない。
【００９０】
当該封止用樹脂の流動により、ワイヤ列ＷＬ９或いはＷＬ１１と配線基板２１との間に、
ボイド（気泡）が生じても、当該隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１４を通して排出させることができ、当該ワイヤ列ＷＬ１２と配線基板２１との間にボイド（気泡）の残存を招来しない。
【００９１】
更に、前記封止用樹脂の注入口から最も離れた箇所、即ち半導体素子２２の前記ワイヤ列ＷＬ１２が配設された辺と対向する辺に沿って位置するところの、ボンディングワイヤ２７ｂから構成されるワイヤ列ＷＬ１０にあっては、当該ワイヤ列ＷＬ１０の配設方向の略中央部に、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１３が配設されている。これにより、当該ワイヤ列ＷＬ１０と配線基板２１との間にもボイド（気泡）の発生を招来しない。従って、当該半導体素子２２、並びにボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上において、封止用樹脂２８の内部にボイド（気泡）を含むことなく封止される。
【００９２】
尚、前記ワイヤ列ＷＬ９或いはＷＬ１１にあっては、フォワードボンディング（順ボンディング）法により接続されるボンディングワイヤ２７ｃと、所謂リバースボンディング（逆ボンディング）法により接続されるボンディングワイヤ２７ｄとの、配設される位置関係を逆転させても良い。即ち、前記封止用樹脂の注入口から近い領域（図５におけるＲ）に、フォワードボンディング（順ボンディング）法によりボンディングワイヤ２７を接続配置し、一方封止用樹脂の注入口から遠い領域（図５におけるＦ）にリバースボンディング（逆ボンディング）法によりボンディングワイヤ２７を接続配置することとしても良い。
【００９３】
更に、前記ワイヤ列ＷＬ１０にあっては、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを複数個配設しても良い。
【００９４】
３．第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置３００を、図７に示す。尚、図７（ｂ）は、当該半導体装置３００の平面形態を表す図７（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図７（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。また、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００９５】
当該第３の実施形態にかかる半導体装置３００にあっては、配線基板２１の一方の主面に配設されたボンディング端子７１に対し、第１の半導体素子７２が、バンプとも称される凸状外部接続端子７３を介して所謂フェイスダウン状態をもって接続されている。そして当該第１の半導体素子７２上には、電極パッド２６が配設された面を上とした所謂フェイスアップ状態をもって、半導体素子（本実施の形態ではかかる半導体素子を「第２の半導体素子」という）２２が載置されている。
【００９６】
即ち、当該半導体装置３００は、所謂半導体素子積層構造を有する。
【００９７】
かかる構成において、第１の半導体素子７２は、半導体素子２２と同様に、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を含み、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属から形成されてなる電極パッド７４が、半導体基板の主面の四辺に沿って複数、高密度且つ列状に、略等間隔をもって形成されている。
【００９８】
そして、当該電極パッド７４上には、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金、半田等からなる凸状外部接続端子７３が形成されている。当該凸状外部接続端子７３は、配線基板２１の上面に配設されたボンディング端子７１に接続されている。なお、当該凸状外部接続端子７３は、ワイヤボンディング技術を用いた所謂ボールボンディング法、めっき法、或いは印刷・リフロー法等により形成することができる。
【００９９】
また、当該第１の半導体素子７２は、当該半導体素子７２と配線基板２１との間に充填されたアンダーフィル材７５を介して、当該配線基板２１上に固着されている。アンダーフィル材７５は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル樹脂等からなる熱硬化性又は熱可塑性接着剤が適用される。
【０１００】
一方、前記第２の半導体素子２２は、ダイボンディング材７６を介して第１の半導体素子７２の背面上に固着されている。ダイボンディング材７６としては、エポキシ、ポリイミド等のフィルム状の接着剤を用いることができる。かかるフィルム状の接着剤の他、ペースト状の樹脂接着剤を用いてもよい。
【０１０１】
そして、当該第２の半導体素子２２の電極パッド２６と、これに対応して配線基板２１の主面に形成されたボンディング端子２４との間は、ボンディングワイヤ２７により接続されている。当該ボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上において、互いに近接して配設されている。
【０１０２】
当該ワイヤボンディング２７により構成され、第２の半導体素子２２の四辺に沿って配設されたワイヤ列ＷＬ１３乃至ＷＬ１６にあっては、それぞれの略中央部に、ボンディングワイヤ２７を電極パッド２６とボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に水平方向に屈曲又は湾曲させて形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ（Ｓ１５乃至Ｓ１８）が配設されている。
【０１０３】
そして、第１の半導体素子７３、第２の半導体素子２２並びにボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上に於いて、封止用樹脂２８によって樹脂封止されている。
【０１０４】
かかる構造を有する半導体装置３００の製造過程においては、先ず配線基板２１の一方の主面上に、第１の半導体素子７２がフリップチップ実装され、当該第１の半導体素子７３上に第２の半導体素子２２が固着される。そして、当該第２の半導体素子２２の電極パッド２６と、これに対応する配線基板２１のボンディング端子２４との間をボンディングワイヤ２７により接続する。
【０１０５】
しかる後、トランスファーモールド法又はコンプレッションモールド法等により樹脂封止がなされる。
【０１０６】
かかる樹脂封止処理の際、封止用樹脂を、ワイヤ列ＷＬ１３乃至ＷＬ１６のそれぞれに形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１５乃至Ｓ１８を介して、ボンディングワイヤ２７の上方から下方に確実且つ容易に流入させることができる。
【０１０７】
従って、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、あるいは第２の半導体素子２２の下方であって第１の半導体素子７２の周囲に封止用樹脂が充填されず、ボイド（気泡）が発生してしまうことを防止することができる。
【０１０８】
また、仮に、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、あるいは第２の半導体素子２２の下方であって第１の半導体素子７２の周囲において、封止用樹脂の内部にボイド（気泡）が発生しても、前記隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１５乃至Ｓ１８を介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、あるいは第２の半導体素子２２の下方であって第１の半導体素子７２の周囲において、封止用樹脂の未充填状態の発生を防止することができる。
【０１０９】
なお、第３の実施の形態にあっても、封止用樹脂の注入口に対応して、ワイヤ列ＷＬ１３乃至ＷＬ１６の少なくとも１つに、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓが配設されれば良い。
【０１１０】
一方、ワイヤ列ＷＬ１３乃至ＷＬ１６のそれぞれにおいて、複数の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを配設してもよい。
【０１１１】
更に、当該ワイヤ列ＷＬ１３乃至ＷＬ１６における隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを、配線基板２１の表面に対し鉛直方向に形成しても良い。（図６参照）
この様に、支持部材上へ複数個の半導体素子が積層されて搭載され、当該半導体素子の電極からボンディングワイヤが導出される形態にあっても、当該複数個の半導体素子ならびにボンディングワイヤに対する樹脂封止は、内部にボイド（気泡）を生ずることなくなされ、高い信頼性を有する半導体装置が形成される。
【０１１２】
４．第４の実施の形態
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置４００を、図８に示す。尚、図８（ｂ）は、当該半導体装置４００の平面形態を表す図８（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図８（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。また、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１１３】
第４の実施の形態にかかる半導体装置４００にあっては、配線基板２１上に、ダイボンディング材７５を介して載置された第１の半導体素子８１、及び当該第１の半導体素子８１上にダイボンディング材７６を介して固着された第２の半導体素子８２を具備し、当該半導体素子８１および半導体素子８２の電極パッドは、配線基板２１のボンディング端子に対しワイヤボンディング法により接続されている。
【０１１４】
配線基板２１の一方の主面（上面）には、第1の半導体素子８１の電極パッド２６ａ、ならびに第２の半導体素子８２の電極パッド２６ｂそれぞれの配列に対応して、複数のボンディング端子２４が、配線基板２１の四辺に沿って列状に、略等間隔をもって配設されている。
【０１１５】
これら第１の半導体素子８１並びに第２の半導体素子８２は、いずれも所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を含み、対向する２辺の縁部に沿ってアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる電極パッドが複数個、列状に、略等間隔をもって配設されている。
【０１１６】
そして、当該第１の半導体素子８１と第２の半導体素子８２は、当該電極パッドが互いに異なる位置に表出されるよう、即ち当該電極パッドが配設された辺を互いに略９０°異ならしめて積層されている。
【０１１７】
また、第１の半導体素子８１の電極パッド２６ａ及び第２の半導体素子８２の電極パッド２６ｂはそれぞれ、これに対応する配線基板２１の主面に形成されたボンディング端子２４に対し、ボンディングワイヤ２７を介してワイヤボンディング法により接続されている。従って、ボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上において、互いに近接して配設されている。
【０１１８】
これにより、第１の半導体素子８１にあっては、対向する２辺に沿ってワイヤ列ＷＬ１９及びＷＬ２０が形成され、第２の半導体素子８２にあっても同様に、対向する２辺に沿ってワイヤ列ＷＬ２１及びＷＬ２２が形成されている。
【０１１９】
そして、複数のボンディングワイヤ２７から構成され、第２の半導体素子２２の一辺に沿って設けられたワイヤ列ＷＬ２１の略中央に位置する５本のボンディングワイヤ２７は、第２の半導体素子８２の電極パッド２６ｂとボンディング端子２４との間を直線状に結線している。一方、その両側に位置するボンディングワイヤ２７は、ワイヤ列ＷＬ１９の配設方向であって、電極パッド２６ｂとボンディング端子２４とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲して結線されている。これにより、ワイヤ列ＷＬ２１には、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１９ならびに隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２０が形成されている。
【０１２０】
そして、当該第１の半導体素子８１、第２の半導体素子８２ならびにボンディングワイヤは、配線基板２１上に於いて、封止用樹脂２８により樹脂封止されている。
【０１２１】
かかる半導体装置４００は、その製造過程に於いて、配線基板２１上に第１の半導体素子８１を搭載し、当該第１の半導体素子８１上に第２の半導体素子８２を固着する。この時、両半導体素子の電極パッドが表出されるよう、電極パッドが配設された辺を互いに略９０°異ならしめて積層される。
【０１２２】
そして、第１の半導体素子８１の電極パッド２６ａならびに第２の半導体素子８２の電極パッド２６ｂは、これに対応して配線基板２１の主面に形成されたボンディング端子２４に、それぞれボンディングワイヤ２７により接続される。
【０１２３】
しかる後、トランスファーモールド法又はコンプレッションモールド法等を用いて、図８において矢印Ｑ２により示される方向に封止用樹脂を注入して、第１の半導体素子８１、第２の半導体素子８２ならびにボンディングワイヤなどを樹脂封止する。この時、封止用樹脂の注入口（図示せず）から最も離れた部位に位置するワイヤ列ＷＬ２１にあっては、封止用樹脂は、当該ワイヤ列に形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１９及びＳ２０を介して、ボンディングワイヤ２７の上方から下方に確実且つ容易に流入される。
【０１２４】
従って、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、ならびに第２の半導体素子８２の下方であって第１の半導体素子８１の周囲に、封止用樹脂が充填されずにボイド（気泡）が発生することを防止することができる。
【０１２５】
また、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、ならびに第２の半導体素子８２の下方であって第１の半導体素子８１の周囲において、封止用樹脂中にボイド（気泡）が発生しても、ワイヤ列ＷＬ２１中に形成された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ１９及びＳ２０を介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、ならびに第２の半導体素子８２の下方であって第１の半導体素子８１の周囲に、封止用樹脂の未充填部位の発生を防止することができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態においても、他のワイヤ列ＷＬ１９、ＷＬ２０ならびにＷＬ２２に、少なくとも１つの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓが配設されても良い。また、ワイヤ列ＷＬ２１中に形成される隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓは、１つであっても良い。更に、当該ワイヤ列ＷＬ２１中に形成される隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを、配線基板２１の表面に対し鉛直方向に形成しても良い。（前記図６参照）
この様に、支持部材上へ複数個の半導体素子が積層されて搭載され、当該複数個の半導体素子それぞれの電極から、異なる方向にボンディングワイヤが導出される形態にあっても、当該複数個の半導体素子ならびにボンディングワイヤに対する樹脂封止は、内部にボイド（気泡）を生ずることなくなされ、高い信頼性を有する半導体装置が形成される。
【０１２７】
５．第５の実施の形態
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置５００を、図９に示す。尚、図９（ｂ）は、当該半導体装置５００の平面形態を表す図９（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図９（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。また、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１２８】
当該第５の実施の形態にかかる半導体装置５００にあっては、配線基板２１上に、ダイボンディング材７５を介して第１の半導体素子９１が載置され、当該第１の半導体素子９１上に、接着剤７６を介して板状のスペーサ部材９２が固着されている。そして、当該スペーサ部材９２上に、ダイボンディング材７６を介して第２の半導体素子９３が搭載・固着されている。
【０１２９】
一方、配線基板２１の主面上においては、対向する２辺に沿って、第１のボンディング端子２４ａが複数個、第1の半導体素子９１の電極パッド２６ａの配列に対応して列状に配設され、また当該第１のボンディング端子２４ａよりも外側には、第２のボンディング端子２４ｂが複数個、第2の半導体素子９３の電極パッド２６ｂの配列に対応して列状に配設されている。当該第１のボンディング端子２４ａの配列と第２のボンディング端子２４ｂの配列は、ほぼ並行している。
【０１３０】
前記第１の半導体素子９１並びに第２の半導体素子９３は、いずれも所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を含み、対向する２辺の縁部に沿ってアルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属からなる電極パッドが複数個、列状に、略等間隔をもって配設されている。
【０１３１】
当該第１の半導体素子９１と第２の半導体素子９３は、前記スペーサ部材９２を介して、それぞれの電極パッドが重なる位置となるよう、即ち当該電極パッドが配設された辺を同一の方向として積層されている。尚、当該スペーサ部材９２は、シリコン（Ｓｉ）、セラミック、ガラス、プラスチック、或いは銅（Ｃｕ），ニッケル（Ｎｉ）又はこれらの合金等の金属から形成される。
【０１３２】
そして、前記第１の半導体素子９１ならびに第２の半導体素子９３の電極パッドは、それぞれ配線基板２１のボンディング端子に対し、ワイヤボンディング法により接続されている。
【０１３３】
即ち、かかる構成において、第１の半導体素子９１の電極パッド９４と、これに対応する配線基板２１の第１のボンディング端子２４ａとの間は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等からなる第１のボンディングワイヤ２７ａを介して接続されている。
【０１３４】
電極パッド２６ａが近接して配置されていることから、ボンディングワイヤ２７ａは第１の半導体素子９１の対向する２辺に沿って、第１のワイヤ列ＷＬ２３及びＷＬ２４を形成する。一方、第２の半導体素子９３の電極パッド２６ｂと、これに対応する配線基板２１の第２のボンディング端子２４ｂとの間も同様に、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等からなる第２のボンディングワイヤ２７ｂを介して接続されている。電極パッド９４が近接して配置されていることから、ボンディングワイヤ２７ｂは第２の半導体素子９３の対向する２辺に沿って、第２のワイヤ列ＷＬ２５及びＷＬ２６を形成する。
【０１３５】
この結果、ボンディングワイヤ２７ａにより形成されるワイヤ列ＷＬ２３とボンディングワイヤ２７ｂにより形成されるワイヤ列ＷＬ２５とが重なり、一方ボンディングワイヤ２７ａにより形成されるワイヤ列ＷＬ２４とボンディングワイヤ２７ｂにより形成されるワイヤ列ＷＬ２６とが重なって形成される。
【０１３６】
かかる構成において、前記ワイヤ列ＷＬ２３には、ボンディングワイヤ２７ａが水平方向に屈曲又は湾曲してなる隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２１及びＳ２２が配設され、またワイヤ列ＷＬ２４にも、ボンディングワイヤ２７ａが水平方向に屈曲又は湾曲してなる隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２３及びＳ２４が配設されている。
【０１３７】
一方、ワイヤ列ＷＬ２５にも、ボンディングワイヤ２７ｂが水平方向に屈曲又は湾曲してなる隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２５及びＳ２６が配設され、更にワイヤ列ＷＬ２６にも、ボンディングワイヤ２７ｂが水平方向に屈曲又は湾曲してなる隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２７及びＳ２８が配設されている。
【０１３８】
そして、前記ワイヤ列ＷＬ２５に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２５は、ワイヤ列ＷＬ２３に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２１のほぼ直上に位置し、またワイヤ列ＷＬ２５に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２６は、ワイヤ列ＷＬ２３に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２２のほぼ直上に位置している。
【０１３９】
一方、ワイヤ列ＷＬ２４に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２７は、ワイヤ列ＷＬ２２に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２３のほぼ直上に位置し、更にワイヤ列ＷＬ２４に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２８は、ワイヤ列ＷＬ２２に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２４のほぼ直上に位置している。
【０１４０】
そして、当該第１の半導体素子９１、スペーサ部材９２、第２の半導体素子９３ならびにボンディングワイヤは、配線基板２１上に於いて、封止用樹脂２８により樹脂封止されている。
【０１４１】
かかる半導体装置５００は、その製造過程に於いて、配線基板２１上に第１の半導体素子９１を搭載し、当該第１の半導体素子９１上に、スペーサ部材９２を介して第２の半導体素子９３を固着する。この時、両半導体素子は、電極パッドが配設された辺を同じ方向に重畳する如く搭載される。
【０１４２】
そして、第１の半導体素子９１の電極パッド２６ａ及び第２の半導体素子９３の電極パッド２６ｂと、これに対応して配線基板２１の主面に形成されたボンディング端子２４との間を、それぞれボンディングワイヤ２７により接続する。
【０１４３】
しかる後、トランスファーモールド法又はコンプレッションモールド法等を用いて、封止用樹脂を注入し、第１の半導体素子９１、スペーサ９２、第２の半導体素子９３ならびにボンディングワイヤなどを樹脂封止する。
【０１４４】
この時、ワイヤ列のそれぞれに配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを介して、ボンディングワイヤ２７の上方から下方に封止用樹脂を確実且つ容易に流入させることができる。即ち、前記ワイヤ列ＷＬ２５に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２５が、ワイヤ列ＷＬ２３に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２１のほぼ直上に位置することから、封止用樹脂は、当該隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２５、Ｓ２１を通して当該ワイヤ列ＷＬ２５とワイヤ列ＷＬ２３との間、ならびに第１の半導体素子９１周囲にまで容易に流入する。他のワイヤ列ＷＬにおける隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓの重畳部においても同様に、封止用樹脂は速やかに流入し流動する。
【０１４５】
従って、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間、ならびに第２の半導体素子９３の下方であってスペーサ部材９２の周囲あるいは第１の半導体素子９１の周囲に、封止用樹脂が充填されずボイド（気泡）が発生してしまうことを防止することができる。
【０１４６】
また、仮に、ボンディングワイヤ２７ａと配線基板２１との間、ならびに第１の半導体素子９１と第２の半導体素子９３との間の部分において、封止用樹脂２８内にボイド（気泡）が発生しても、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２１乃至Ｓ２４及び隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２５乃至Ｓ２８を介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７ａと配線基板２１との間、ならびに第１の半導体素子９１と第２の半導体素子９３との間の部分に、封止用樹脂の未充填部位の発生を回避することができる。
【０１４７】
なお、ワイヤ列ＷＬ２３及びＷＬ２５、あるいはワイヤ列ＷＬ２４及びＷＬ２６中に配設される隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓは１つであってもよいが、ワイヤ列ＷＬ２３とワイヤ列ＷＬ２５との間において隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓの位置がほぼ一致することが、またワイヤ列ＷＬ２４とワイヤ列ＷＬ２６間において隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓの位置がほぼ一致することが必要である。
【０１４８】
この様に、支持部材上へ複数個の半導体素子が積層されて搭載され、それぞれの半導体素子の電極から導出されるボンディングワイヤが重畳する形態にあっても、当該複数個の半導体素子ならびにボンディングワイヤに対する樹脂封止は、内部にボイド（気泡）を生ずることなくなされ、高い信頼性を有する半導体装置が形成される。
【０１４９】
６．第６の実施の形態
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置６００を、図１０に示す。尚、図１０（ｂ）は、当該半導体装置６００の平面形態を表す図１０（ａ）の、Ｘ−Ｘ' 断面を示す。また、図１０（ａ）にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。また、前記図２に示される構成に対応する部位には、当該図２に於けると同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１５０】
当該第６実施の形態にかかる半導体装置６００にあっては、矩形形状を有する配線基板２１の一方の主面（上面）の略中央に、半導体素子１０１が、接着剤であるダイボンディング材２３を介して搭載されている。
【０１５１】
当該配線基板２１は、回路基板、支持基板、又はインタポーザとも称されるプリント配線板であって、例えば、ガラス−エポキシ、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック又はガラス等の無機材料を基材として形成されている。
【０１５２】
また、半導体素子１０１は、所謂ウェーハプロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板の一方の主面に、トランジスタ等の能動素子、容量素子等の受動素子並びにこれらの素子を接続する配線層をもって形成された電子回路を含み、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）を主体とする金属から形成されてなる電極パッド２６ａ及び２６ｂが、半導体基板の表面の四辺に沿って複数、高密度且つ列状に、略等間隔で形成されている。
【０１５３】
当該電極パッドは、電極パッド２６ａからなるパッド列が半導体素子の縁部に沿う外周側に配設され、また電極パッド２６ｂからなるパッド列が電極パッド２６ａからなるパッド列よりも内側（半導体素子の中心側）に配設されてなる2列構成を有する。当該電極パッド２６ａと電極パッド２６ｂは、互いに１／２ピッチ位置を異ならしめた（ずらした）所謂千鳥（スタガー：Ｓｔａｇｇｅｒ）配置により高密度に配設されている。即ち、当該半導体素子１０１の主面には、電極パッド２６ａならびに電極パッド２６ｂを含む複数のパッド列が配設され、当該半導体素子１０１の多機能化、高集積化に対応している。
【０１５４】
一方、前記配線基板２１の一方の主面（上面）には、半導体素子１０１の電極パッド２６ａの配列に対応して、複数のボンディング端子２４ａからなる端子列Ｌ１乃至Ｌ４が配設されている。また、半導体素子１０１の電極パッド２６ｂの配列に対応して、複数のボンディング端子２４ｂからなる端子列Ｌ５乃至Ｌ８が配設され、更に複数のボンディング端子２４ｃからなる端子列Ｌ９乃至Ｌ１２が配設されている。
【０１５５】
かかるボンディング端子２４ａからなる端子列Ｌ１乃至Ｌ４が、配線基板２１の最も外周側に配置され、またボンディング端子２４ｂからなる端子列Ｌ５乃至Ｌ８が、端子列Ｌ１乃至Ｌ４よりも配線基板２１の内側に配置されている。更にボンディング端子２４ｃからなる端子列Ｌ９乃至Ｌ１２が、端子列Ｌ５乃至Ｌ８よりも内側に配設されている。
【０１５６】
ここで、端子列Ｌ５乃至Ｌ８を構成するボンディング端子２４ｂと、端子列Ｌ９乃至Ｌ１２２を構成するボンディング端子２４ｃは、互いに１／２ピッチ位置を異ならしめた（ずらした）千鳥（スタガー：Ｓｔａｇｇｅｒ）配置とされている。
【０１５７】
そして、前記半導体素子１０１の電極パッド２６ｂと、これに対応する配線基板２１のボンディング端子２４ａとの間は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金等からなるボンディングワイヤ２７ａにより接続されている。
【０１５８】
また当該半導体素子１０１の電極パッド２６ａと、これに対応する配線基板２１のボンディング端子２４ｂならびに２４ｃとの間は、それぞれボンディングワイヤ２７ｂ、２７ｃにより接続されている。
【０１５９】
かかるワイヤボンディング接続にあっては、図１０（ｂ）に示されるように、配線基板２１のボンディング端子２４ａと半導体素子１０１の電極パッド２６ｂとを接続するボンディングワイヤ２７ａのループ高さが、配線基板２１のボンディング端子２４ｂ及び２４ｃと半導体素子１０１の電極パッド２６ａとを接続するボンディングワイヤ２７ｂ及び２７ｃの高さよりも高く設定されている。
【０１６０】
また、複数のボンディングワイヤ２７ａによりワイヤ列ＷＬ２７乃至ＷＬ３０が構成され、複数のボンディングワイヤ２７ｂによりワイヤ列ＷＬ３１乃至ＷＬ３４が構成され、更に複数のボンディングワイヤ２７ｃによりワイヤ列ＷＬ３５乃至ＷＬ３８が構成されている。
【０１６１】
そして、各ワイヤ列ＷＬ２５乃至ＷＬ３６にあっては、それぞれの略中央部に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２９乃至Ｓ４０が配設されている。当該複数個の隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓにおいて、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２９、Ｓ３３及びＳ３７はほぼ重なり、また隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３０、Ｓ３４及びＳ３８がほぼ重なっている。また、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３１、Ｓ３５及びＳ３９も重なり、更に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３２、Ｓ３６及びＳ４０もほぼ重なって位置している。
【０１６２】
そして、半導体素子１０１、ボンディングワイヤ２７は、配線基板２１上にあって封止用樹脂により被覆されている。
【０１６３】
かかる構成を有する半導体装置６００は、その製造過程に於いて、配線基板２１上に半導体素子１０２を搭載し、当該半導体素子１０１の電極パッド２６ｂと配線基板２１のボンディング端子２４ａとをワイヤボンディング法により接続し、また半導体素子１０１の電極パッド２６ａと配線基板２１のボンディング端子２４ｂ及び２４ｃとをワイヤボンディング法により接続する。
【０１６４】
そして、トランスファーモールド法又はコンプレッションモールド法等を用いて、封止用樹脂を注入して、半導体素子１０１、ならびにボンディングワイヤを樹脂封止する。この時、前記ワイヤ列のそれぞれに配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを介して、封止用樹脂を、ボンディングワイヤ２７の上方から下方に確実且つ容易に流入させることができる。
【０１６５】
即ち、前述の如く、隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２９、Ｓ３３及びＳ３７がほぼ重なり、また隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３０、Ｓ３４及びＳ３８がほぼ重なっており、また隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３１、Ｓ３５及びＳ３９も重なり、更に隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ３２、Ｓ３６及びＳ４０もほぼ重なって位置していることから、封止用樹脂は、これらの隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓを通して、当該ワイヤ列ＷＬ相互間、ならびに半導体素子１０１の周囲にまで流入する。
【０１６６】
従って、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間に、封止用樹脂が充填されずにボイド（気泡）が生じてしまうことを防止することができる。
【０１６７】
また、仮に、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間において、封止用樹脂内にボイド（気泡）が発生しても、ワイヤ列ＷＬ２５乃至ＷＬ３６それぞれの略中央に配設された隣接ワイヤ間距離拡大部Ｓ２９乃至Ｓ４０を介して、当該ボイドを外部に排出することができ、ボンディングワイヤ２７と配線基板２１との間に、封止用樹脂が充填されない状態の発生を防止することができる。
【０１６８】
この様に、支持部材上に搭載された一つの半導体素子の電極から導出されるボンディングワイヤが重畳する形態にあっても、当該半導体素子ならびにボンディングワイヤに対する樹脂封止は、内部にボイド（気泡）を生ずることなくなされ、高い信頼性を有する半導体装置が形成される。
【０１６９】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１７０】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
列状に配置された複数の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された複数の端子を具備する支持部材と、
前記半導体素子の電極と前記支持部材における端子との間を接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する樹脂封止部と、
を具備し、
前記複数のボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列中に、隣接ワイヤ間距離拡大部が配設されてなることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
付記１記載の半導体装置であって、
前記ボンディングワイヤのワイヤ列中における、隣り合う２本のボンディングワイヤの少なくとも一方が、屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
（付記３）
付記２記載の半導体装置であって、
前記ボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極部と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記１記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の一辺におけるボンディングワイヤのワイヤ列中において選択されたボンディングワイヤが、当該ボンディングワイヤにより接続される電極部と端子とを結ぶ仮想直線から遠ざかる方向に屈曲又は湾曲されて、前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されることを特徴とする半導体装置。
（付記５）
付記１記載の半導体装置であって、
前記隣接ワイヤ間距離拡大部は、前記配線基板に対して鉛直方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記６）
付記５記載の半導体装置であって、
前記隣接ワイヤ間距離拡大部は、隣り合う２本の前記ボンディングワイヤのループ高さを異ならせることによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記７）
付記６記載の半導体装置であって、
前記隣接ワイヤ間距離拡大部は、順ボンディング法により設けられたボンディングワイヤと、逆ボンディング法により設けられた隣り合うボンディングワイヤにより、形成されることを特徴とする半導体装置。
（付記８）
付記１乃至７いずれか一項記載の半導体装置であって、
少なくとも前記ワイヤ列中に、複数の前記隣接ワイヤ間距離拡大部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
（付記９）
列状に配置された複数の電極を有する半導体素子を、前記半導体素子の電極に対応して列状に配置された端子を有する支持部材上に載置し、
前記半導体素子の電極と支持部材上に配設された端子との間をボンディングワイヤにより接続する際、当該ボンディングワイヤにより形成されるワイヤ列に少なくとも一つの隣接ワイヤ間距離拡大部を形成し、
しかる後、前記半導体素子を前記ボンディングワイヤと共に樹脂封止する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】従来の半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図３】図２において点線Ｐ１により囲んだ部分を示す拡大図である。
【図４】図２に示す半導体装置の変形例を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図６】図５において点線Ｐ２により囲んだ部分の外観斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【０１７２】
１００、１５０、２００、３００、４００、５００、６００    半導体装置
２１                    配線基板
２２、７２、８１、８２、９１、９３、１０１                半導体素子
２４、７１、            ボンディング端子
２６、７４              電極パッド
２７                    ボンディングワイヤ
２８                    封止用樹脂
９２                    スペーサ部材
ＷＬ                    ワイヤ列
Ｓ                      隣接ワイヤ間距離拡大部
【図１】
0004957513.tif 000002
【図２】
0004957513.tif 000003
【図３】
0004957513.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004957513.tif 000006
【図６】
0004957513.tif 000007
【図７】
0004957513.tif 000008
【図８】
0004957513.tif 000009
【図９】
0004957513.tif 000010
【図１０】
0004957513.tif 000011