(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を剥離する剥離用組成物であって、
下記の化合物群Ｘから選ばれる１種以上からなる溶剤Ａを主成分とすることを特徴とする剥離用組成物。
化合物群Ｘは、誘電率が７以上である環状エーテル系化合物、誘電率が７以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が７以上であるアミド系化合物からなる。
【請求項２】
前記ポリアリーレン樹脂がフッ素原子を有する、請求項１に記載の剥離用組成物。
【請求項３】
前記化合物群Ｘが、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなる、請求項１または２に記載の剥離用組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の剥離用組成物を用いて、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離することを特徴とする剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は剥離用組成物およびこれを用いた剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス分野において、低誘電率の絶縁材料の開発が進んでいる。特に半導体素子の層間絶縁膜、再配線層の応力緩和層等への適用に優れた材料としてポリアリーレン樹脂が提案されている（特許文献１〜３参照。）。
またＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の製造工程の中で、個々の画素を形成する際の埋め込み材料として、高透明、低誘電率のポリアリーレン樹脂が提案されている（特許文献４参照。）。透明性の高い低誘電率材料を適用することにより、素子の応答特性が向上し、かつ、開口数を大きくすることが可能となる。
【０００３】
さらにポリアリーレン樹脂に感光性を持たせた光硬化性組成物が提案されている（特許文献５、６参照）。感光性を有していると、例えばレジストと同様に、フォトリソグラフィによる微細加工が可能である。したがって、例えばポリアリーレン樹脂からなる層間絶縁膜にコンタクトホールを容易に形成できる等の利点がある。
なお、レジストは後工程で除去され最終製品に残らないプロセス材料であるのに対して、層間絶縁膜など、最終製品において機能する部材として残る材料を、本発明では直材という。
【０００４】
ところで、一般にフォトリソグラフィでレジストを加工する際には、感光工程から現像工程にかけて失敗が発生し、工程不良品が製造されることがある。この場合に感光した硬化物を剥離して除去することができれば製造コストを下げることができる。レジストの剥離用組成物は既に提案されている（特許文献７参照。）。
【特許文献１】米国特許第６３６１９２６号明細書
【特許文献２】国際公開第０３／８４８３号パンフレット
【特許文献３】特開平１０−７４７５０号公報
【特許文献４】国際公開第２００６／１３７３２７号パンフレット
【特許文献５】特表平７−５０３７４０号公報
【特許文献６】国際公開第２００７／１１９３８４号パンフレット
【特許文献７】特開２００３−１２２０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ポリアリーレン樹脂の光硬化物を剥離するための剥離用組成物は未だ知られていない。
また、直材は、レジストと異なり、最終製品に残るため、高い信頼性と耐久性が要求される。したがって、直材と基板との接着力が高いことが要求され、必要であれば接着促進剤が用いられる。このため、剥離力が弱い剥離用組成物では直材を剥離することができない。一方、剥離力が強すぎると、直材だけでなくその下層まで剥離されるおそれがあるため、直材の状態に合わせた好適な剥離用組成物が求められる。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離するのに好適な剥離用組成物、およびこれを用いた剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために本発明の剥離用組成物は、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を剥離する剥離用組成物であって、下記の化合物群Ｘから選ばれる１種以上からなる溶剤Ａを主成分とすることを特徴とする。
化合物群Ｘは、誘電率が７以上である環状エーテル系化合物、誘電率が７以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が７以上であるアミド系化合物からなる。
前記ポリアリーレン樹脂がフッ素原子を有することが好ましい。
前記化合物群Ｘが、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、プロピレングリコールモノメチルエーテルからなることが好ましい。
【０００８】
また本発明の剥離方法は、本発明の剥離用組成物を用いて、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から剥離することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の剥離用組成物は、これを用いてポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から良好に剥離できる。
本発明の剥離方法によれば、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物を光硬化せしめて得られる直材を、基材から良好に剥離できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜ポリアリーレン樹脂＞
本発明において、剥離する対象となる硬化物は、架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂の硬化物を含む。ポリアリーレン樹脂は、複数の芳香族環が単結合または連結基を介して結合している構造を有する樹脂である。該連結基は、例えばエーテル結合（−Ｏ−）、スルフィド結合（−Ｓ−）、カルボニル基（−ＣＯ−）、スルホン酸基から水酸基を除いた二価基（−ＳＯ２−）等が挙げられる。該ポリアリーレン樹脂のうち、特に芳香族環どうしがエーテル結合（−Ｏ−）を含む連結基で結合されている構造を有する樹脂をポリアリーレンエーテル樹脂という。本発明における「ポリアリーレン樹脂」はポリアリーレンエーテル樹脂を含む概念である。
該エーテル結合を含む連結基の具体例としては、エーテル性酸素原子のみからなるエーテル結合（−Ｏ−）、炭素鎖中にエーテル性酸素原子を含むアルキレン基等が例示される。
【００１１】
本発明におけるポリアリーレン樹脂は架橋性官能基を有する。該架橋性官能基の少なくとも一部は、感光剤の存在下で光照射されることにより、架橋反応又は鎖延長反応を引き起こし、ポリアリーレン樹脂を硬化させる反応性官能基である。
架橋性官能基の具体例としては、ビニル基、アリル基、メタクリロイル（オキシ）基、アクリロイル（オキシ）基、ビニルオキシ基、トリフルオロビニル基、トリフルオロビニルオキシ基、エチニル基、１−オキソシクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル基、シアノ基、アルコキシシリル基、ジアリールヒドロキシメチル基、ヒドロキシフルオレニル基、シクロブタレン環、オキシラン環等が挙げられる。反応性が高く、高い架橋密度が得られる点で、ビニル基、メタクリロイル（オキシ）基、アクリロイル（オキシ）基、トリフルオロビニルオキシ基、エチニル基、シクロブタレン環、オキシラン環が好ましく、得られる硬化物の耐熱性が良好となる点から、ビニル基、エチニル基が最も好ましい。
なおメタクリロイル（オキシ）基とは、メタクリロイル基またはメタクリロイルオキシ基を意味する。アクリロイル（オキシ）基も同様である。
【００１２】
ポリアリーレン樹脂は、芳香族環を有するため、耐熱性が良好であり、例えば半導体素子の構成部材に用いた場合に高い信頼性が得られる。
ポリアリーレン樹脂のうちでも、特に、ポリアリーレンエーテル樹脂は、エーテル性酸素原子を有ため、分子構造が柔軟性を有し、樹脂の可とう性が良好である点で好ましい。
ポリアリーレン樹脂はフッ素原子を有する含フッ素ポリアリーレン樹脂が好ましい。フッ素原子を有すると、該樹脂の硬化物の誘電率及び誘電損失が低くなりやすいため、絶縁膜を形成する樹脂として好ましい。絶縁膜の誘電率及び誘電損失が低いと、信号伝播速度の遅延を抑制でき、電気特性に優れた素子が得られる。
またフッ素原子を有すると、該樹脂の硬化物の吸水率が低くなるため、接合電極及びその周辺の配線部分等における接合状態の変化が抑制できる点、または金属の変質（錆等）が抑制できる点等において優れ、素子の信頼性向上という点で効果が大きい。
【００１３】
含フッ素ポリアリーレン樹脂の好適な例としては、ペルフルオロ（１，３，５−トリフェニルベンゼン）、ペルフルオロビフェニル等の含フッ素芳香族化合物と；１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のフェノール系化合物と；ペンタフルオロスチレン、アセトキシスチレン、クロルメチルスチレン等の架橋性化合物と；を炭酸カリウム等の脱ハロゲン化水素剤の存在下で反応させて得られるポリマーが挙げられる。
【００１４】
＜硬化性組成物＞
本発明における硬化性組成物は光硬化性を有する。具体的にはポリアリーレン樹脂と感光剤を含有する。さらに溶剤を含有することが好ましく、接着性向上剤等の添加剤を含有してもよい。
感光剤、溶剤および添加剤は、一般的な光硬化性組成物において公知のものを適宜用いることができる。
感光剤の具体例としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ９０７（α−アミノアルキルフェノン系）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３６９（α−アミノアルキルフェノン系）、ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ（アシルホスフィンオキサイド系）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１（オキシムエステル誘導体）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０２（オキシムエステル誘導体）（いずれもチバスペシャリティーケミカルズ社製）等が挙げられる。これらのうちで、ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０２が特に好ましい。
溶剤の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＥＧＭＥＡともいう）等が挙げられる。
接着性向上剤としては、シランカップリング剤等が挙げられる。硬化性組成物に接着性向上剤を含有させると、該硬化性組成物の光硬化物（直材）と基材との接着性が向上するため好ましい。なお、基材に予め接着性向上剤を塗布する方法でも、基材と直材との接着性を向上させることができる。
【００１５】
本発明における硬化性組成物として、上記特許文献５に記載されているオリゴマー化シクロブタレーンと感光剤を含む組成物、または上記特許文献１、４、６に記載されている、ポリアリーレン樹脂と感光剤を含む組成物を用いることができる。
さらに、上記特許文献２、３に記載されているポリアリーレン樹脂と、公知の感光剤とを含む硬化性組成物を用いることもできる。
【００１６】
＜直材＞
本発明における直材は、前記硬化性組成物を光硬化せしめて得られる光硬化物である。該直材は基材上に形成される。直材は、好ましくは基材上に上記硬化性組成物を塗布し、光を照射して硬化させた膜である。
直材の具体例は、半導体等の基板上に直接またはパッシベーション膜（窒化ケイ素、ポリイミド等からなる）を介して形成された絶縁膜である。
なお、本発明における基材は、直材を形成する対象物であり、例えば基板上に直接絶縁膜を形成する場合は、該基板が本発明における基材である。基板上にパッシベーション膜を介して絶縁膜を形成する場合には、基板とパッシベーション膜の積層物が、本発明における基材である。
【００１７】
基材上に絶縁膜を形成するには、例えば、まず溶液状の硬化性組成物をスピンコート法等の塗工方法で基材上に塗布した後、必要に応じてプリベークを行い、露光する。露光には紫外線が多く採用される。露光部は光硬化し、未露光部は未硬化のままである。露光後に現像を行って、未露光部の硬化性組成物を除去する。現像液としては、硬化性組成物の溶剤と同じものを用いることができる。この後、必要に応じて加熱を行い、光硬化した樹脂をキュアする（キュア工程）。こうして基材上に絶縁膜（直材）を形成できる。絶縁膜の厚さは１〜１００μｍ程度が好ましく、３〜５０μｍがより好ましい。さらに素子の設計に応じて、該絶縁膜の上に配線層を形成する。配線層に用いられる金属としては、銅、アルミニウム、チタン、金等が例示できる。絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程は、必要に応じて複数回繰り返される。
【００１８】
本発明において、剥離用組成物を用いて剥離する光硬化物（直材）は、キュア工程前のものである。具体的には、上記の露光後または現像後に検査を行い、不良品が発見された場合には、キュア工程の前に剥離用組成物を用いて該不良品の光硬化物（直材）を基材から剥離して除去することが好ましい。
【００１９】
＜剥離用組成物＞
本発明の剥離用組成物は溶剤Ａを主成分とする。剥離用組成物における溶剤Ａの含有率は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。該含有率の上限は１００質量％であり、剥離用組成物が溶剤Ａのみからなる組成物であってもよい。
【００２０】
溶剤Ａは化合物群Ｘから選ばれる１種以上からなる。化合物群Ｘは、誘電率が７以上である環状エーテル系化合物、誘電率が７以上である非環状エーテルアルコール系化合物、および誘電率が７以上であるアミド系化合物からなる。
溶剤Ａとして用いる化合物の誘電率が低いと、樹脂硬化物（直材）への浸透力が不充分になると考えられる。すなわち溶剤Ａとして用いる化合物の誘電率が７未満であると、ポリアリーレン樹脂の光硬化物（直材）の剥離が充分に進行しない場合がある。該誘電率は１０以上がより好ましい。上限は基材等への影響を抑制する点から５０以下が好ましい。
さらに溶剤Ａとしては、特定の化合物が選択される。すなわち溶剤Ａとしては、所定の誘電率を有し、かつ、環状エーテル系化合物、非環状エーテルアルコール系化合物、およびアミド系化合物からなる群から選択される。これら以外の化合物では、樹脂硬化物（直材）への浸透力が不充分になると考えられ、ポリアリーレン樹脂の光硬化物（直材）の剥離が充分に進行しない場合がある。
溶剤Ａとして用いる化合物は、使用時に液体であればよく、２５℃において液体であることが好ましい。
【００２１】
上記環状エーテル系化合物の好ましい例としては、テトラヒドロフラン（誘電率ε＝７．５）が挙げられる。
上記非環状エーテルアルコール系化合物の好ましい例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ε＝１２．３）が挙げられる。
上記アミド系化合物の好ましい例としては、Ｎ−メチルピロリドン（ε＝３２）、ジメチルホルムアミド（ε＝３７）、ジメチルアセトアミド（ε＝３８）等が挙げられる。
これらのうち含フッ素ポリアリーレン樹脂の光硬化物（直材）への浸透力が高く剥離効果が高いことから、アミド系化合物がより好ましい。さらに剥離後の処理の容易さからジメチルホルムアミドおよび／またはジメチルアセトアミドが特に好適である。
溶剤Ａは上記化合物群Ｘから選ばれる１種でもよく、２種以上を混合して用いてもよく、基材の材質や、必要とされる剥離力に応じて調整できる。
【００２２】
また剥離用組成物には溶剤Ａの他に、他の溶剤を含有させてもよい。剥離用組成物における他の溶剤の含有率は１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。ゼロでもよい。
例えば剥離用組成物に添加剤として酸またはアルカリを含有させる場合に、他の溶剤としてプロピレングリコール（ＰＧ）、グリセリン等の多価アルコールを併用すると、酸またはアルカリによる金属への影響を低減させることができる。
【００２３】
また、例えば添加剤の溶解性を良好にする等、必要に応じて剥離用組成物に水を含有させてもよい。剥離用組成物の含水率は１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、ゼロが最も好ましい。含水率が１５質量％より高いとポリアリーレン樹脂の光硬化物（直材）に対する剥離効果が不十分になりやすい。
【００２４】
剥離用組成物はさらに、剥離力向上のための添加剤、防食剤等を含んでもよい。
剥離力向上のための添加剤は、酸またはアルカリが好ましい。特に金属配線を表面に有する基材上に設けられた直材を剥離する場合には、金属原子または金属イオンのいずれも含まない、酸またはアルカリを用いることが好ましい。金属原子または金属イオンは基板の信頼性を低下させる原因となりうる。
具体的な酸としては、硫酸、硝酸、ドデシルベンゼンスルホン酸が例示できる。具体的なアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）が例示できる。特にＴＭＡＨの添加は剥離力の向上効果が大きい点で好ましい。剥離力向上のための添加剤としての酸またはアルカリの添加量は、剥離用組成物の０．１〜１０質量％が好ましい。
【００２５】
剥離用組成物に防食剤を添加すると、配線を構成している金属を保護する効果が得られる。特に剥離用組成物が金属と接触しうる場合であって、剥離用組成物が酸またはアルカリを含む場合は、防食剤を添加することが好ましい。防食剤としては、安息香酸、安息香酸アンモニウム、カテコール、ベンゾトリアゾール、ソルビトール、アデニン、没食子酸、グリオキシサン、ピロガロール等が例示できる。防食剤の添加量は剥離用組成物の０．１〜５質量％が好ましい。
【００２６】
＜剥離方法＞
本発明の剥離方法は、基材上に形成された、ポリアリーレン樹脂を含有する硬化性組成物の光硬化物（直材）を、剥離用組成物を用いて剥離、除去する。
剥離処理は、直材が形成された基材を剥離用組成物に浸漬する方法で行うのが好ましい。剥離用組成物中で、基材を揺動させてもよく、または基材に対して超音波を照射してもよい。剥離処理は枚葉処理でもバッチ処理でもよい。浸漬時間は１〜６０分が好ましく、５〜２０分が好ましい。剥離用組成物は室温で用いることができるが、沸点未満に加温してもよい。剥離用組成物を加温すると光硬化物（直材）への浸透力が向上して好ましい。剥離用組成物の使用温度は、１０〜１００℃が好ましく、５０〜９０℃がより好ましい。剥離処理後にリンス等の後処理を行ってもよい。その後、適切な乾燥処理を実施することが好ましい。
【００２７】
ポリアリーレン樹脂は溶剤に可溶であるが、光照射により硬化した光硬化物は不溶または難溶となるため、現像によって未硬化の樹脂のみを除去することができる。現像後に残った光硬化物（直材）は、本発明の剥離用組成物を用いて剥離処理を行うことにより、基材から良好に剥離させることができる。
また、ポリアリーレン樹脂よりも含フッ素ポリアリーレン樹脂の方が、直材の剥離が難しい傾向があるが、本発明の剥離用組成物によれば、後述の実施例に示されるように、含フッ素ポリアリーレン樹脂の光硬化物を良好に剥離できる。
また、剥離される直材が、窒化ケイ素またはポリイミドからなるパッシベーション膜上に形成された絶縁膜である場合には、該パッシベーション膜と直材との接着力が高くなりやすく、直材は剥離し難くなる傾向があるが、本発明の剥離用組成物によれば、後述の実施例に示されるように、窒化ケイ素またはポリイミドで処理された基材上の光硬化物（直材）であっても良好に剥離できる。
したがって、本発明における硬化性組成物は、半導体素子を構成する低誘電率材料として好適に用いることができ、露光工程から現像工程にかけて失敗が発生し、工程不良品が製造された場合には、光硬化物を剥離して除去することができる。これにより、工程不良品の再利用を可能とし、廃棄物の削減と製造コスト低減という効果が得られる。
【実施例】
【００２８】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（調製例１）
含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂を含有する硬化性組成物（Ｉ）を調製した。
すなわち、ペルフルオロビフェニルと、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンと、ペンタフルオロスチレンとを炭酸カリウムの存在下に反応させて得られたポリマーを含むＰＥＧＭＥＡ溶液に、感光剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）を添加し、さらにシランカップリング剤を添加して硬化性組成物（Ｉ）を得た。
【００２９】
（剥離試験）
下記の３通りの条件（ａ）〜（ｃ）で硬化性組成物（Ｉ）の光硬化物をそれぞれ作製した。
（ａ）下処理として窒化ケイ素処理を施したシリコンウエハー（６インチ）に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
（ｂ）下処理としてポリイミド処理を施したシリコンウエハー（６インチ）上に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
（ｃ）下処理を施さないシリコンウエハー（６インチ）上に、接着性向上剤としてシランカップリング剤をスピンコート法で塗布し、その上に調製例１で得た硬化性組成物（Ｉ）をスピンコート法により塗布した後、紫外線を全面に照射して光硬化させた。この後、窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱処理してキュア工程を行って厚さ７μｍの光硬化膜（下層膜）を形成したものを基材として用い、該基材上に光硬化物を形成した。
【００３０】
光硬化物の形成は、以下の方法で行った。
まず調製例１で得た硬化性組成物（Ｉ）を、基材上にスピンコート法により塗布した後、ホットプレートにより８０℃で９０秒間加熱して、膜厚７μｍの塗膜を形成した。該塗膜に対して、マスクを介してＱｕｉｎｔｅｌ社製の露光機ＵＬ−７０００（製品名）を用いて紫外線を照射し、露光を行った。照射量は３６０ｍＪ／ｃｍ２であった。この後、現像液としてＰＥＧＭＥＡを用い、パドル現像を行った後、乾燥してウエハーを２ｃｍ角に切り出した。
こうして、基材上に硬化性組成物（Ｉ）の光硬化物からなる、１辺が１ｃｍの正方形状の均質膜（いわゆるベタ部）が形成されたが形成された試験片を得た。
【００３１】
得られた試験片に対して、下記１１種類の剥離用組成物（試験Ｎｏ．１〜１１）を用い、以下の方法で基材上の光硬化物を剥離する試験を行った。
すなわち、１００ｍＬビーカーに剥離用組成物を２０ｍＬ入れ、表１に示す加熱温度に加熱したホットプレートに載せ、５分以上経過した後、試験片を１０分間浸漬させて取り出した。
剥離の評価は目視で行い、光硬化物（面積１ｃｍ２のベタ膜）が剥離したものを○、光硬化物（面積１ｃｍ２のベタ膜）のうち面積０．５ｃｍ２以上を剥離できたが剥離残りがあるものを△、剥離できなかったものを×とした。結果を表１に示す。
【００３２】
試験Ｎｏ．１〜１１の剥離用組成物は以下の通りである。
Ｎｏ．１：トルエン、誘電率ε＝２．４。
Ｎｏ．２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、誘電率ε＝８．３。
Ｎｏ．３：アセトン、誘電率ε＝２１。
Ｎｏ．４：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、誘電率ε＝４９。
Ｎｏ．５：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、誘電率ε＝７．６。
Ｎｏ．６：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、誘電率ε＝１２．
Ｎｏ．７：アルカリとしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の５質量％、ＰＧＭＥの８０質量％、プロピレングリコール（ＰＧ、誘電率ε＝３２）の１０質量％、および水の５質量％からなる混合物。
Ｎｏ．８：ＰＧＭＥ５０質量％とジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）５０質量％の混合物。
Ｎｏ．９：Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、誘電率ε＝３２。
Ｎｏ．１０：ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、誘電率ε＝３７。
Ｎｏ．１１：ＤＭＡｃ、誘電率ε＝３８。
【００３３】
【表１】
0004918909.tif 000002
【００３４】
表１の結果に示されるように、本発明の剥離用組成物を用いた試験Ｎｏ．５〜１１では、密着力の高い下処理が施されている場合（条件ａ、ｂ）でも、含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂の光硬化物を良好に剥離することができた。またキュア工程を経た下層膜上に光硬化物を形成した場合（条件ｃ）でも、含フッ素ポリアリーレンエーテル樹脂の光硬化物を良好に剥離することができ、下層膜への影響はなかった。