(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（Ｂ）と、基材（Ｂ）に接する第１層（Ａ１）および第２層（Ａ２）からなる絶縁層（Ａ）とを具備してなる多層絶縁フィルムの製造方法であって、
絶縁層（Ａ）は、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および重量平均分子量５０００以上の樹脂を含有する高分子材料（ｄ）を含む樹脂組成物（Ｉ）であって、該重量平均分子量５０００以上の樹脂を組成物（Ｉ）全量基準で５〜６０重量％含む樹脂組成物（Ｉ）をフィルム状に形成し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が７２〜９４％になるように硬化させ、第１層（ＡＩ）の硬化フィルムを作製する第一の工程と、引き続き、該硬化フィルムに、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）および組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で３０〜９０重量％の無機充填材（ｃ２）を含む樹脂組成物（ＩＩ）からなる第２層（Ａ２）を積層する第二の工程とを経て、形成されることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する際の硬化温度が１３０〜１５０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記高分子材料（ｄ）に含有される重量平均分子量５０００以上の樹脂がフェノキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記無機充填材（ｃ１）は、イミダゾールシランカップリング剤による表面処理がされたシリカであり、かつ該シリカが組成物（Ｉ）の固形分全量基準で５〜５０重量％含有されていることを特徴とする請求項１に記載の多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記無機充填材（ｃ２）として、シリカ及び層状珪酸塩を含有し、該層状珪酸塩が組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で０．０１〜５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂（ａ１、ａ２）は、エポキシ樹脂であり、および前記硬化剤（ｂ１、ｂ２）は、フェノール化合物であることを特徴とする請求項１に記載の多層絶縁フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の多層絶縁フィルムの製造方法から得られた多層絶縁フィルムを、第２層（Ａ２）が回路基板に対向するように、該回路基板上に載置し、温度６０〜２００℃、かつ圧力１〜３０ＭＰａにて、加熱加圧する第１の工程と、
前記多層絶縁フィルムを温度６０〜１４０℃で加温処理する第２の工程と、
前記第２の工程の温度よりも２０℃以上高く、かつ１４０〜２００℃の範囲の温度で前記多層絶縁フィルムを加温処理する第３の工程とを、
含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層絶縁フィルムと多層プリント配線板の製造方法に関し、より詳細には、第１層と第２層が剥離し難い多層絶縁フィルムの製造方法、及びこの製造方法より得られた多層絶縁フィルムを回路基板に積層した多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＴ機器の小型化・軽量化の要請に伴い、多層プリント配線板には、薄型化、高密度化及び高信頼性化が要求されている。高密度化は、多層プリント配線板の面方向だけでなく、厚さ方向へも要求が高まっている。この要求に応えるべく、絶縁層の厚さを薄くすることが行われてきているが、厚さを薄くすると、層の厚さの不均一に起因する、層間接続距離の不均一による電気信号の遅延などといった問題が発生している。また、厚さ方向の高密度化のために、多層プリント配線板内に電気部品や半導体素子など内蔵する手法がとられているが、配線板と部品との間に、絶縁性樹脂が充填されずボイドが発生し易いなどといった問題があった。
【０００３】
例えば、特許文献１では、最低溶融粘度の異なる２種類の接着剤シートを用いることにより、最低溶融粘度の低い方の樹脂で、内層スルーホールを埋め込み、最低溶融粘度が高い方の樹脂で、均一で厚みばらつきの少ない絶縁層を形成するとされている。
また、特許文献２では、内層の絶縁基板に貫通孔を設け、その上に部品を設置し、絶縁基材と導体基材とを積層し、この積層と同時に絶縁基材にて部品を封止する工程とを有する部品内蔵型プリント配線板の製造方法が開示されている。この貫通孔が絶縁基材の樹脂流れ性を向上させることにより、部品下部及び周辺にボイドなどの不具合要因を発生させないとされている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された接着剤シート及び積層方法では、回路基板上の凹凸が大きくなったり、スルーホールなどの孔が大きくなったりした場合には、絶縁層の表面の平坦性が不充分である恐れがある。また、特許文献２に開示されたプリント基板では、部品の下に貫通孔が必要であり、近年の高密度化の要求において、このような制約があるのは好ましくない。
【特許文献１】特開２００５−１２３４３６号公報
【特許文献２】特開２００６−４１０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、スルーホールやビアホール等の孔や回路パターン等の凹凸を有する回路基板上に、多層絶縁フィルムを積層する場合に、基板内部にボイドが生じにくく、表面平坦性が充分に確保され、多層絶縁フィルムの第１層の厚みを均一に保つことができ、第１層と第２層が剥離し難い多層絶縁フィルムの製造方法、及びこの製造方法より得られた多層絶縁フィルムを回路基板に積層した多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、基材と、２層からなる絶縁層とを具備してなる多層絶縁フィルムの製造方法において、該絶縁層が、エポキシ樹脂等と、特定の高分子材料を特定量含む樹脂組成物をフィルム状に形成し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が６０〜９４％になるように硬化させ、第１層の硬化フィルムを作製する第一の工程と、該硬化フィルムに、エポキシ樹脂などを含む樹脂組成物からなる第２層を積層する第二の工程とを経て、形成されると、第１層及び第２層の各厚みを均一にでき、上記課題が達成されることを見出した。本発明は、こうした知見に基づいて、さらに検討を重ね、完成するに至ったものである。
【０００７】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、基材（Ｂ）と、基材（Ｂ）に接する第１層（Ａ１）および第２層（Ａ２）からなる絶縁層（Ａ）とを具備してなる多層絶縁フィルムの製造方法であって、絶縁層（Ａ）は、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および重量平均分子量５０００以上の樹脂を含有する高分子材料（ｄ）を含む樹脂組成物（Ｉ）であって、該重量平均分子量５０００以上の樹脂を組成物（Ｉ）全量基準で５〜６０重量％含む樹脂組成物（Ｉ）をフィルム状に形成し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が７２〜９４％になるように硬化させ、第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する第一の工程と、引き続き、該硬化フィルムに、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）および組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で３０〜９０重量％の無機充填材（ｃ２）を含む樹脂組成物（ＩＩ）からなる第２層（Ａ２）を積層する第二の工程とを経て、形成されることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、前記第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する際の硬化温度が１３０〜１５０℃の範囲であることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
また、本発明の第３の発明によれば、第１の発明において、前記高分子材料（ｄ）に含有される重量平均分子量５０００以上の樹脂がフェノキシ樹脂であることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
さらに、本発明の第４の発明によれば、第１の発明において、前記無機充填材（ｃ１）は、イミダゾールシランカップリング剤による表面処理がされたシリカであり、かつ該シリカが組成物（Ｉ）の固形分全量基準で５〜５０重量％含有されていることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
【０００９】
また、本発明の第５の発明によれば、第１の発明において、前記無機充填材（ｃ２）として、シリカ及び層状珪酸塩を含有し、該層状珪酸塩が組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で０．０１〜５重量％であることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
さらに、本発明の第６の発明によれば、第１の発明において、前記熱硬化性樹脂（ａ１、ａ２）は、エポキシ樹脂であり、および前記硬化剤（ｂ１、ｂ２）は、フェノール化合物であることを特徴とする多層絶縁フィルムの製造方法が提供される。
【００１０】
一方、本発明の第７の発明によれば、第１〜６のいずれかの発明の多層絶縁フィルムの製造方法から得られた多層絶縁フィルムを、第２層（Ａ２）が回路基板に対向するように、該回路基板上に載置し、温度６０〜２００℃、かつ圧力１〜３０ＭＰａにて、加熱加圧する第１の工程と、前記多層絶縁フィルムを温度６０〜１４０℃で加温処理する第２の工程と、前記第２の工程の温度よりも２０℃以上高く、かつ１４０〜２００℃の範囲の温度で前記多層絶縁フィルムを加温処理する第３の工程とを、含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層絶縁フィルムの製造方法によれば、第１層及び第２層の各厚みを均一にでき、スルーホール等のような孔やビアホール等の凹凸等を有する回路基板に多層絶縁フィルムを積層する場合でも、ボイドが生じにくく、かつ、表面平坦性が充分に確保され、多層絶縁フィルムの第１層の厚みを均一に保つことができ、第１層と第２層が剥離し難い多層絶縁フィルムの製造方法を提供できる。また、この製造方法より得られた多層絶縁フィルムを回路基板上に積層した多層プリント配線板の絶縁厚みを一定に保つことが可能な多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の詳細を項目毎に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本発明の多層絶縁フィルムの製造方法は、基材（Ｂ）と、基材（Ｂ）に接する第１層（Ａ１）および第２層（Ａ２）からなる絶縁層（Ａ）とを具備してなる多層絶縁フィルムの製造方法であって、絶縁層（Ａ）は、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および重量平均分子量５０００以上の樹脂を組成物（Ｉ）全量基準で５〜６０重量％含有する高分子材料（ｄ）を含む樹脂組成物（Ｉ）をフィルム状に形成し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が６０〜９４％になるように硬化させ、第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する第一の工程と、引き続き、該硬化フィルムに、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）および組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で３０〜９０重量％の無機充填材（ｃ２）を含む樹脂組成物（ＩＩ）からなる第２層（Ａ２）を積層する第二の工程とを経て、形成されることを特徴とするものである。
【００１３】
１．多層プリント配線板及び多層絶縁フィルム
本発明に係る多層プリント配線板は、本発明の製造方法から得られた多層絶縁フィルムを、回路基板やプリント基板（回路基板やプリント基板を総称して、以下において「回路基板」と言う。）上に、積層して構成される。
この多層絶縁フィルムは、（イ）基材（Ｂ）と、（ロ）原料として、熱硬化性樹脂（ａ）、硬化剤（ｂ）および無機充填材（ｃ）、またはさらに高分子材料（ｄ）及び／又は硬化促進剤（ｅ）を含む樹脂組成物（Ｉ、ＩＩ）からなり、高分子材料（ｄ）として、重量平均分子量５０００以上の樹脂を５〜６０重量％含有し、基材（Ｂ）に接する第１層（Ａ１）と、この第１層上に設けられ、無機充填材（ｃ）の合計量を３０〜９０重量％含有する第２層（Ａ２）とを含んで積層された絶縁層（Ａ）とを備える。
即ち、多層絶縁フィルムは、基材（Ｂ）、第１層（Ａ１）、第２層（Ａ２）の順に積層されている。第１層と第２層との間には、追加で第１層や第２層と同等の層が積層されてもよい。また、層と層との間に接着剤、プライマー等が塗布されて積層されていてもよく、これらの接着剤、プライマー等が層と層との間に挿入された場合は、層間強度を高めることができるため好ましい。
【００１４】
また、第１層（Ａ１）に、重量平均分子量が５０００以上の高分子材料（ｄ）を５〜６０重量％含有することにより、プレス時に圧力がかかっても流動しない非流動層（高粘度層）を形成し、初期厚みを維持できるので、狙いの絶縁層厚みに仕上げることが可能である。
さらに、第２層（Ａ２）に無機充填材（ｃ）を多く含ませることにより、高流動性層（流動層）とすることにより、表面にビアホール等の孔や回路パターンの凹凸を有する基板上に、第１層と第２層からなる絶縁膜を積層した場合において、部位による収縮率に差が生じにくく、かつ、樹脂シートの表面平坦性が充分に確保され、絶縁層厚みが一定に保たれた多層プリント配線板を得ることができる。
第２層は、無機充填材の合計量を３０〜９０重量％とすることで、プレス時の樹脂流動後の収縮量を小さくできるので、平坦性を充分確保することができる。
【００１５】
本発明に係る多層プリント配線板に用いられる回路基板は、特に限定されないが、例えば、多層積層板用途向けにスルーホールビアを有する基板、ブラインドビアを有する基板、金属が配線された基板等、表面が平坦ではなく、凹凸を有する基板等が挙げられる。ここで、基板の材質については、特に限定されるものではない。
【００１６】
本発明に係る多層プリント配線板は、ビアホール等の孔や回路パターンの凹凸を有する回路基板上に、多層絶縁フィルムを積層する場合でも、多層絶縁フィルムの積層部位による収縮率に差が生じにくく、極めて良好な厚さ精度を有し、かつ、多層絶縁フィルムの表面平坦性が充分に確保される。このため、本発明に係る多層プリント配線板は、金属配線を用いて回路基板上に回路を形成した際に、厚さ方向の電気抵抗と電気信号の長さのばらつきが少なくなり、信号のノイズ等が低減できる。
【００１７】
２．多層絶縁フィルムを構成する材料
本発明の製造方法により得られる多層絶縁フィルムを構成する第１層、第２層及び基材について説明する。
（１）第１層（Ａ１）
先ず、本発明に係る多層絶縁フィルムの絶縁層（Ａ）を構成する第１層（Ａ１）について説明する。
絶縁層（Ａ）の高粘度層（非流動層）となる第１層（Ａ１）は、原料として、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および高分子材料（ｄ）を含む樹脂組成物（Ｉ）からなる。また、樹脂組成物（Ｉ）には、硬化促進剤（ｅ）を含むことが好ましい。
上記高分子材料（ｄ）としては、重量平均分子量が５０００以上であれば、特に限定されず、従来公知のポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＰＢ）、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミドなどのエンジニアプラスチック、及びこれらの樹脂に官能基を付与した樹脂や、また、フェノキシ樹脂などの高分子量の熱硬化性樹脂等を用いることができる。
この中で、本発明に係る多層絶縁フィルムの第１層（Ａ１）を製造するに当たり、原料として用いられる後述の熱硬化性樹脂（ａ１）であるエポキシ樹脂との相溶性の観点から、フェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。
【００１８】
高分子材料（ｄ）の重量平均分子量は、５０００以上であることが好ましく、より好ましくは２００００以上である。重量平均分子量が５０００未満であると、高温時において高分子材料の粘度が低くなるため、例えば、真空プレス機などを用いた回路基板への加熱加圧時に、第１層が均一な絶縁厚みを維持できなくなる傾向がある。また、高分子材料（ｄ）は、少量の添加で増粘効果が高いことが望ましいことから、分子量が大きい方が好適に使用できる。
【００１９】
高分子材料（ｄ）は、用いる原料全体、すなわち樹脂組成物（Ｉ）全量に対して、５〜６０重量％であることが好ましく、より好ましくは３０〜５０重量％である。５重量％未満であると、原料混合物全体の粘度が低下し、例えば真空プレス機などを用いて回路基板への加熱圧着する際に、第１層が均一な絶縁厚みを維持できなくなる傾向がある。一方、６０重量％を超えると、原料混合物全体の粘度が増大しすぎて、ボイドが発生し易くなる傾向がある。
本発明において、高分子材料（ｄ）は、第１層の粘度を上昇させることにより流動性を抑制し、プレス時にほとんど流動せず、圧力が開放された後も、平坦性を確保できるという役割を果たしている。つまり、回路基板と多層絶縁フィルムとが積層された積層基板表面の平滑性を向上することができる。
【００２０】
本発明に係る多層絶縁フィルムを構成する絶縁層（Ａ）の第１層（Ａ１）の原料としての熱硬化性樹脂（ａ１）には、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、少なくとも１個のエポキシ基（オキシラン環）を有する有機化合物が挙げられる。エポキシ樹脂中のエポキシ基の数としては、１分子当たり１個以上であることが好ましく、１分子当たり２個以上であることがより好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、
（ｉ）ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂といった芳香族エポキシ樹脂、
（ｉｉ）３，４−エポキシシクロヘキシルメチルー３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートなどの脂環族エポキシ樹脂、
（ｉｉｉ）ネオペンチルグリコールのジグリシジルエーテルなどの脂肪族エポキシ樹脂、
（ｉｖ）フタル酸ジグリシジルエステルなどのグリシジルエステル型エポキシ樹脂、
（ｖ）トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタンなどのグリシジルアミン型エポキシ樹脂、
（ｖｉ）グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体などのグリシジルアクリル型エポキシ樹脂、
（ｖｉｉ）１分子当たり１個以上、好ましくは２個以上のエポキシ基を有するポリエステル樹脂などのポリエステル型エポキシ樹脂、
（ｖｉｉｉ）エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化ジシクロペンタジエン等の共役ジエン化合物を主体とする重合体又はその部分水添物の重合体における不飽和炭素の二重結合を有する化合物をエポキシ変性したエポキシ樹脂、
（ｉｘ）スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体など、あるいはこれらを水添した化合物にエポキシ変性したエポキシ樹脂、
（ｘ）更には、エポキシ樹脂の構造中にウレタン結合やポリカプロラクトン結合を導入した、ウレタン変性エポキシ樹脂やポリカプロラクトン変性エポキシ樹脂、
などが挙げられる。
この中で、絶縁フィルムを製造する際の原料の溶媒への溶解性や成形性の向上という観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂を、絶縁フィルムの耐久性・耐薬品性向上、更には、耐熱性向上、吸水性低減、熱履歴付与に対する寸法安定性向上及び電気特性の向上という観点から、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２１】
また、エポキシ樹脂には、例えば、１）分子内にブタジエン骨格を有する可撓性エポキシ樹脂などといったエポキシ樹脂の誘導体、２）エポキシ樹脂の水添物、３）熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂などといったエポキシ樹脂と共重合可能な樹脂が含有されていてもよい。
【００２２】
多層絶縁フィルムの第１層の原料としての硬化剤（ｂ１）としては、例えば、フェノール化合物、アミン化合物、アミン化合物から合成される化合物、３級アミン化合物、イミダゾール化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物、活性エステル化合物、熱潜在性カチオン重合触媒、光潜在性カチオン重合開始剤及びそれらの誘導体などが挙げられる。
この中で、樹脂組成物の電気的特性、機械的特性及び成形性の向上という観点から、フェノール化合物を、また、特に、樹脂組成物の耐熱性向上、吸水性低減、熱履歴付与に対する寸法安定性向上及び電気特性の向上という観点から、ビフェニル構造を有するフェノール化合物を用いることが好ましい。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２３】
硬化剤（ｂ１）の配合割合は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、熱硬化性樹脂（ａ１）であるエポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは１〜２００重量部である。硬化剤（ｂ１）が１重量部より少ないと、エポキシ樹脂が充分に硬化しないことがあり、一方、２００重量部より多いと、エポキシ系樹脂を硬化するのに過剰となることがある。
【００２４】
絶縁層の第１層（Ａ１）の原料としての無機充填材（ｃ１）としては、シリカ、層状珪酸塩、タルク、誘電体セラミック粉末や、アルミニウム、マグネシウム、ケイ素、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム、タンタルなどの金属元素を含む金属酸化物粉末などが挙げられる。
無機充填材（ｃ１）の含有量は、第１層中における樹脂組成物（Ｉ）の全固形分量に対して、５〜７０重量％であることが好ましい。より好ましくは１０〜５０重量％である。５重量％未満であると、高温時に高分子材料に流動性が生じた場合に流動性を抑制効果が少ない傾向がある。一方、７０重量％を超えると、加圧や加熱冷却の繰り返えされるような場合にひずみを吸収できず、ひび割れが生じたりする傾向がある。
【００２５】
無機充填材（ｃ１）としてのシリカは、例えば、天然シリカ原料を粉砕して得られる結晶性シリカ、火炎溶融及び粉砕によって得られる破砕溶融シリカ及び球状溶融シリカ、フュームドシリカ（アエロジル）、あるいはゾルゲル法などによって得られる合成シリカなどが挙げられる。
ここで、合成シリカは、イオン性不純物を含んでいる場合が多いため、純度の面で溶融シリカを用いるのが好ましい。シリカの形状としては、特に限定されないが、真球状、不定形状などが挙げられる。シリカの粒径は、微細金属配線のファインパターン形成の観点から、平均粒子径が０．０１〜２．００μｍ、最大粒子径が５．００μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
また、多層絶縁フィルムの第１層の原料に無機充填材（ｃ１）として用いられるシリカは、表面処理を施されていることが好ましく、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが使用可能である。
シリカは、メッキ前処理して微細なアンカー（粗面）を形成できファインパターンが形成可能であるという観点から、イミダゾールシランカップリング剤により表面処理されていることが好ましい。
さらに、第１層に用いるイミダゾールシランカップリング剤により表面処理されたシリカの含有量は、第１層中における樹脂組成物（Ｉ）の全固形分量に対して５〜５０重量％であることが好ましい。より好ましくは、１０〜３０重量％である。５重量％未満であると、粗化ピールが低くなる傾向がある。一方、５０重量％を超えると、樹脂成分が少なくなった結果、絶縁フィルムをメッキの前処理する際に処理液で削れ易くなり、粗化ピールが低くなる傾向がある。
【００２７】
多層絶縁フィルムの第１層の原料に無機充填材（ｃ１）として用いる層状珪酸塩は、層間に交換性金属カチオンを有する層状の珪酸塩鉱物を意味し、天然物であっても合成物であってもよい。
層状珪酸塩として、アスペクト比が大きい層状珪酸塩を用いることで、得られる絶縁フィルムの機械的特性を向上させることができる。
アスペクト比が大きい層状珪酸塩としては、例えば、スメクタイト系粘度鉱物、膨潤性マイカ、バーミキュライト、ハロイサイトなどが挙げられる。
スメクタイト系粘度鉱物としては、モンモリロナイト、ヘクトライト、サポナイト、バイデライト、スティブンサイト、ノントロナイトなどが挙げられる。
これらのうち、層状珪酸塩として、モンモリロナイト、ヘクトライト、及び膨潤性マイカからなる群より選択される少なくとも１種が好適に用いられる。
また、これらの層状珪酸塩は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
層状珪酸塩は、有機化層状珪酸塩であることが好ましい。有機化層状珪酸塩とは、層状珪酸塩を、樹脂中の分散性や、劈開性を向上させるなどの目的で、公知の有機化処理、例えば、層状珪酸塩の結晶層間を炭素数６以上のアルキル基を有する４級アンモニウム塩や４級ホスホニウム塩でカチオン交換がされてもよい。
【００２８】
層状珪酸塩は、第１層中における樹脂組成物（Ｉ）の全固形分量に対して０．０１〜２０重量％であることが好ましい。より好ましくは０．０１〜１０重量％である。０．０１重量％未満であると、高温時に高分子材料に流動性が生じた場合に流動性を抑制する効果が少ない傾向がある。一方、２０重量％を超えると、加圧や加熱冷却の繰り返えされるような場合にひずみを吸収できず、ひび割れが生じたりする傾向がある。
層状珪酸塩をシリカと併用すると、無機充填材（ｃ１）量が比較的多い場合でも、絶縁フィルムをメッキの前処理する際に処理液で削れ難くなり、粗化ピールの低下が抑制される。この場合、第１層中における樹脂組成物（Ｉ）の全固形分量に対して０．０１〜１０重量％であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜２重量％である。
【００２９】
多層絶縁フィルムの第１層の樹脂組成物（Ｉ）には、上記の熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および高分子材料（ｄ）に加えて、必要に応じて、さらに、硬化促進剤（ｅ）を含むことが好ましい。樹脂組成物（Ｉ）に、硬化促進剤（ｅ）を配合することにより、加熱硬化を適切にすることができる。
【００３０】
上記硬化促進剤（ｅ）としては、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ−ＣＮ）、２，４−ジアミノ−６−［２‘−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−Ｓ−トリアジン（２ＭＺＡ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２‘−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−Ｓ−トリアジン（Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、２，４−ジアミノ−６−［２‘−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１‘）］−エチル−Ｓ−トリアジン（２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１‘）］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（２ＭＡＯＫ−ＰＷ）、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物（２ＰＺ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−ビニル−Ｓ−トリアジン（ＶＴ）などが挙げられる。
【００３１】
硬化促進剤（ｄ）の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物（Ｉ）の樹脂成分に対し、０．１〜１０重量％が好ましく、特に０．５〜５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、熱硬化性樹脂（ａ１）であるエポキシ樹脂が硬化不足し、一方、前記上限値を超えると、エポキシ樹脂の自己重合が生じて、硬化剤（ｂ１）によるエポキシ樹脂の硬化反応が阻害されることがあり、また、保存安定性が低下する恐れがある。
【００３２】
なお、絶縁層の第１層（Ａ１）は、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および高分子材料（ｄ）、加えて、必要に応じて用いられる硬化促進剤（ｅ）以外に、本発明の目的を阻害しない限り、必要に応じて、原料として、熱可塑性樹脂類、熱可塑性エラストマー類、架橋ゴム、オリゴマー類、無機化合物、造核剤、酸化防止剤、老化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、難燃助剤、帯電防止剤、防曇剤、充填剤、軟化剤、可塑剤、及び着色剤等の添加剤が配合されてもよい。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３３】
（２）第２層（Ａ２）
次に、本発明に係る多層絶縁フィルムの絶縁層（Ａ）を構成する第２層（Ａ２）について説明する。
絶縁層（Ａ）の流動層となる第２層（Ａ２）は、高粘度層となる第１層（Ａ１）とは異なり、原料として、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）および無機充填材（ｃ２）を含む樹脂組成物（ＩＩ）からなり、高分子材料（ｄ）は、必須成分ではない。また、樹脂組成物（ＩＩ）には、樹脂組成物（Ｉ）と同様に、硬化促進剤（ｅ）を含むことが好ましい。
【００３４】
絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）の無機充填材（ｃ２）として、好ましくは、シリカ及び層状珪酸塩が含有される。絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）に用いられるシリカ及び層状珪酸塩としては、第２層に用いる樹脂組成物（ＩＩ）の固形成分に対して、合計して３０〜９０重量％の含有量であることが好ましく、多層絶縁フィルムの第１層（Ａ１）で使用するシリカ及び層状珪酸塩を用いることができる。
シリカ及び層状珪酸塩の合計の含有量が３０重量％未満であると、固形分全体に対する樹脂分の割合が高くなり、このような原料混合物を用いて絶縁フィルムを作製した場合には、塗工後の加熱処理時に、硬化収縮率が高くなる。このことより、塗工膜厚の厚い部位は、塗工膜厚の薄い部位に比べて、硬化収縮が大きく、結果として、多層絶縁フィルムを回路基板に積層し、多層プリント基板を得た場合に、多層プリント基板表面の凹凸が大きくなる傾向があり、平坦性が充分に確保されない恐れがある。一方、シリカ及び層状珪酸塩の合計の含有量が９０重量％を超えると、原料混合物の粘度が高くなり、絶縁フィルム作製時のハンドリング性が低下する傾向にある。斯かる傾向を踏まえた上で、シリカ及び層状珪酸塩の合計のより好ましい含有量は、４５〜７０重量％である。
【００３５】
第２層の無機充填材（ｃ２）としての層状珪酸塩は、第２層の樹脂組成物（ＩＩ）の全固形分量に対して０．０５〜５重量％以下であることが好ましい。より好ましくは０．１〜３重量％である。０．０５重量％未満であると、スルーホールなどへ充填される際にシリカの流動性に不均一が生じ、硬化収縮を抑制する効果や機械強度などに不均一を生じる傾向がある。一方、５重量％を超えると、増粘により流動性が悪化し、ビアホール等への充填性が低下する傾向がある。
【００３６】
絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）の原料としての熱硬化性樹脂（ａ２）には、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。即ち、第２層の絶縁層の原料としてのエポキシ樹脂は、特に限定されず、多層絶縁フィルムの第１層で使用する熱硬化性樹脂（ａ１）であるエポキシ樹脂を用いることができる。
また、上記と同様に、絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）の原料としての硬化剤（ｂ２）も、特に限定されず、多層絶縁フィルムの第１層（Ａ１）で使用する硬化剤（ｂ１）を用いることができる。
さらに、上記と同様に、絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）の原料として、必要に応じて用いられる硬化促進剤（ｅ）も、特に限定されず、多層絶縁フィルムの第１層（Ａ１）で使用する硬化促進剤（ｅ）を用いることができる。
【００３７】
また、絶縁層（Ａ）の第２層（Ａ２）は、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）、無機充填材（ｃ２）、硬化促進剤（ｅ）以外に、本発明の目的を阻害しない限り、必要に応じて、熱可塑性樹脂類、熱可塑性エラストマー類、架橋ゴム、オリゴマー類、シリカと層状珪酸塩以外の無機充填剤、造核剤、酸化防止剤、老化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、難燃助剤、帯電防止剤、軟化剤、可塑剤、及び着色剤等の添加剤が配合されてもよい。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
本発明に係る多層絶縁フィルムを構成する樹脂組成物（Ｉ，ＩＩ）中に含まれる固形成分とは、加熱硬化によっても実質的に揮発しない成分を指す。例えば、液状の樹脂などは固形成分であり、溶剤などは固形成分ではない。
【００３９】
（３）基材（Ｂ）
本発明に係る多層絶縁フィルムを構成する基材（Ｂ）としては、樹脂コート紙、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、銅箔などが挙げられ、必要に応じて、更に、離型処理がされていてもよい。
また、基材（Ｂ）には、更に、ごみなどの付着を防ぐために、保護フィルムが積層されていてもよい。このようなものとしては、基材（Ｂ）で用いることができるフィルムを用いることができ、基材（Ｂ）と同じ材質であってもよく、異なる材質であってもよい。
【００４０】
多層絶縁フィルムを回路基板に積層し、多層プリント基板を得た場合に、多層プリント基板表面の凹凸を小さくするには、銅箔などの弾性率の高い基材が好ましい。
基材（Ｂ）は、そのまま回路パターン形成に用いてもよく、剥離してもよい。基材を剥離するには、機械的に剥離したり、基材を溶解しうる溶解剤を用いて剥離することができる。基材が銅箔の場合は、例えば、塩化第２鉄などを含む溶液が挙げられる。剥離した後は、銅メッキなどにより導体層を形成した後に、回路を形成することもできる。
【００４１】
基材（Ｂ）を剥離した多層プリント基板の表面粗さは、元の基材（Ｂ）の表面粗さが小さいほど、小さくなる傾向がある。一方、元の基材の表面粗さが小さすぎると、積層工程において、多層絶縁フィルムの基材（Ｂ）と第１層（Ａ１）との間で剥離が生じ、ひいては多層プリント基板表面の凹凸を小さくする効果が薄れてしまう恐れがある。
より好ましい基材の一例としては、マット処理されたＰＥＴなどのプラスチックフィルムや低粗度の銅箔などが挙げられる。表面粗さの小さい基材（Ｂ）とイミダゾールシラン処理シリカを５〜５０重量％含有されている第１層（Ａ１）との組み合わせにより、メッキ前処理の後に微細な粗面を形成するこができ、例えばＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍのファインパターン形成が可能となる。今後、多層プリント基板の高集積化に伴い、Ｌ／Ｓはますます小さくなる一方で、表面粗さの大きいものでは、ファインパターンの形成が困難であり、本発明の有効性は非常に高いと考えられる。
【００４２】
また、離型処理方法としては、離型性を有するフィルムに、シリコン系化合物、フッ素系化合物、界面活性剤などを含有させたり、離型性を有するように、表面に凹凸を付与する処理、例えば梨地のエンボス加工などを施したり、シリコン系化合物、フッ素系化合物、界面活性剤などの離型性を有する物質を表面に塗布したりする方法などを挙げることができる。これらの離型性を有するフィルムを更に保護するために、樹脂コート紙、ポリエステルフィルム、ＰＥＴフィルム、ＰＰフィルムなどの保護フィルムが、離型性を有するフィルムに積層されていてもよい。
【００４３】
３．多層絶縁フィルムの製造方法
本発明の多層絶縁フィルムの製造方法は、上記の構成材料を用い、基材（Ｂ）と、基材（Ｂ）に接する第１層（Ａ１）および第２層（Ａ２）からなる絶縁層（Ａ）とを具備してなる多層絶縁フィルムの製造方法であって、絶縁層（Ａ）は、熱硬化性樹脂（ａ１）、硬化剤（ｂ１）、無機充填材（ｃ１）および重量平均分子量５０００以上の樹脂を組成物（Ｉ）全量基準で５〜６０重量％含有する高分子材料（ｄ）を含む樹脂組成物（Ｉ）をフィルム状に形成し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が６０〜９４％になるように硬化させ、第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する第一の工程と、引き続き、該硬化フィルムに、熱硬化性樹脂（ａ２）、硬化剤（ｂ２）および組成物（ＩＩ）の固形分全量基準で３０〜９０重量％の無機充填材（ｃ２）を含む樹脂組成物（ＩＩ）からなる第２層（Ａ２）を積層する第二の工程とを経て、形成されることを特徴とするものである。
そして、前記第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する際の硬化温度が１３０〜１５０℃の範囲であることが好ましい。
【００４４】
絶縁層（Ａ）の形成方法として、第１の工程は、基材（Ｂ）上に、樹脂組成物（Ｉ）からなる第１層（Ａ１）を積層し、ジメチルホルムアミドに常温１０分浸漬させたときのゲル分率が６０％〜９４％になるように硬化をさせ、フィルム状に形成し、第１層（Ａ１）の硬化フィルムを作製する工程である。積層方法については、特に限定されないが、例えば、上記の樹脂組成物（Ｉ）を所定の溶剤に、所定の濃度で溶解したワニスを、基材（Ｂ）に、塗工後、乾燥および硬化を行って作製するのが好ましい。
ワニスに用いられる溶剤としては、樹脂組成物に対し良好な溶解性を持つものを選択することが好ましい。例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、メタノール、エタノール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセロソルブ、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミドなどのうち一種または二種以上の混合系を使用することが可能である。特に、ＤＭＦ、シクロヘキサノン、ヘキサンなどが好ましい。
その硬化フィルムを作製する際の硬化温度は、好ましくは１３０〜１５０℃である。硬化温度が１３０℃未満であると、樹脂組成物（Ｉ）が充分に硬化せず、一方、１５０℃を超えると、塗工後のワニス中の溶剤が急激に揮発することによるピンホール状の跡が残るため、外観不良となるおそれがある。また、硬化時間は、１０分〜２０分であることが好ましい。硬化時間が１０分以下であると、樹脂組成物（Ｉ）が充分に硬化せず、一方、２０分以上であると充分に硬化するが、第１層（Ａ１）の生産性が低下する。
また、硬化フィルムの厚みについては、特に限定されないが、用途によって１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００４５】
また、絶縁層（Ａ）の形成方法としての第２の工程は、上記の第１工程で得られた硬化フィルムに、樹脂組成物（ＩＩ）からなる第２層（Ａ２）を積層する工程である。積層方法については、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物（Ｉ）からなる第１層（Ａ１）と同様に、上記の樹脂組成物（ＩＩ）を所定の溶剤に、所定の濃度で溶解したワニスを、上記の第１工程で得られた硬化フィルムに、塗工後８０℃以上１５０℃以下の乾燥を行って作製するのが好ましい。乾燥後の樹脂組成物の厚みについては、用途によって１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲になるように塗工する。
ワニスに用いられる溶剤としては、樹脂組成物（Ｉ）と同様に、樹脂組成物に対し良好な溶解性を持つものを選択することが好ましい。
【００４６】
本発明の多層絶縁フィルムの製造方法として、上記の絶縁層（Ａ）の形成方法以外については、特に限定されないが、例えば、（イ）熱硬化性樹脂、硬化剤、高分子材料、無機充填材等の原料を、押出機にて溶融混練した後に押出し、Ｔダイやサーキュラーダイなどを用いてシート（フィルム）状に成形する押出成形法、（ロ）熱硬化性樹脂、硬化剤、高分子材料、無機充填材等の原料を、有機溶剤等の溶媒に溶解又は分散させた後、キャスティングしてシート（フィルム）状に成形するキャスティング成形法、（ハ）従来公知のその他のシート（フィルム）成形法等が挙げられる。
【００４７】
本発明に係る多層絶縁フィルムは、基材（Ｂ）、第１層（Ａ１）、第２層（Ａ２）の順に積層されている。多層絶縁フィルムを作製する手順は、絶縁層（Ａ）の形成方法以外については特に問わない。また、第１層（Ａ１）と第２層（Ａ２）は、必要に応じて、同時に、又は各々独立して、溶剤の乾燥処理や加熱処理を行うことができる。また、層と層との間には、接着剤、プライマー等が塗布されて積層されると、層間強度を高めることができるため好ましい。
【００４８】
４．多層プリント配線板の製造方法
次に、本発明の製造方法により得られた多層絶縁フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法について、一例を用いて説明する。
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、（イ）上記の製造方法により得られた多層絶縁フィルムを用意し、第２層（Ａ２）が回路基板に対向するように、多層絶縁フィルムを回路基板上に載置し、温度６０〜２００℃、かつ、圧力１〜３０ＭＰａにて加熱加圧する第１の工程と、（ロ）第１の工程の後、多層絶縁フィルムを温度６０〜１４０℃で加温処理する第２の工程と、（ハ）第２の工程の後、第２の工程の温度よりも２０℃以上高く、かつ、１４０〜２００℃の範囲の温度で多層絶縁フィルムを加温処理する第３の工程とを含む。
【００４９】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法においては、回路基板の表面にメッキを施すか、銅箔を積層するなどして回路基板上に回路を形成し、必要によっては、回路基板にスルーホールやビアホールを形成した後に、回路基板上に、多層絶縁フィルムを積層して、多層プリント配線板を得ることができる。更に、この多層プリント配線板（先の多層プリント配線板）を回路基板として用いて、先の多層プリント配線板の表面にメッキを施すか銅箔を積層するなどして、先の多層プリント配線板上に回路を形成し、必要によっては先の多層プリント配線板にスルーホールやビアホールを形成した後に、先の多層プリント配線板上に多層絶縁フィルムを積層して、新たな多層プリント配線板を形成するという手順を繰り返すことで、より多層化された多層プリント配線板を得ることができる。
【００５０】
多層プリント配線板の製造方法の第１の工程は、多層絶縁フィルムの第２層（Ａ２）をプリント基板上に形成された回路面上に設置し、プレス機にて温度６０〜２００℃、かつ、圧力１〜３０ＭＰａにて加熱加圧する。第１の工程〜第３の工程は、同一の装置で行っても、別の装置で行ってもよい。同一の装置であれば、温度の変更に時間がかかり生産性は低くなる傾向があるが、平坦性は良好である。別の装置であれば、温度変更の時間がない代わりに、多くの設備が必要となる。
【００５１】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法に用いる加熱加圧装置としては、加熱プレス機やロールラミネーターを挙げることができる。例えばプレス機を用いる場合は、プレス金型と多層積層フィルムの基材との間に、表面が平滑な金属板、クッション材、離型フィルム、保護フィルムなど公知の板状物を挿入することができる。同様に、ロールラミネーターを用いる場合には、クッション材、離型フィルム、保護フィルムなどを用いることができる。
【００５２】
プレス金型と多層積層フィルムの基材との間に、表面が平滑な金属板を用いると、得られる多層プリント基板の表面の平滑性が向上する。プレス金型と多層積層フィルムの基材との間に、クッション材を用いると、基材面又は第１層面に均一に圧力をかけることができ、ボイドの発生をより低減することができる。プレス金型と多層積層フィルムの基材との間に、離型フィルムを用いると、基材面又は第１層面が、上記表面が平滑な金属板あるいはクッション材との離型性を確保することができる。プレス金型と多層積層フィルムの基材との間に、保護フィルムを用いると、基材面、第１層面、第２層面などの汚れや傷を防止することができる。また、離型フィルムと同様の効果も有する。
【００５３】
また、プレス金型とプリント基板が接する場合にも同様に、プレス金型とプリント基板との間に、表面が平滑な金属板、クッション材、離型フィルム、保護フィルムなど公知の板状物を挿入することができる。更に、２枚の金属板で多層樹脂フィルムとプリント基板の積層体を挟んだまま各工程を移動させると、表面平滑性が安定して得ることができる。
【００５４】
多層絶縁フィルムの基材（Ｂ）は、単層であっても、多層であってもよく、各工程終了後に、必要に応じて、剥離することができる。基材（Ｂ）は、ＰＥＴフィルムや銅箔などが挙げられるが、第２の工程及び第３の工程が終了するまで、剥離せず付着したままで行うと、樹脂の硬化収縮を抑制による凹凸低減が期待できる。また、ごみの付着防止の効果も期待できる。
【００５５】
多層プリント配線板の製造方法の第１の工程において、基材を剥がした後に加熱加圧する際、適切な離型処理を施されたＰＥＴフィルムでは、第２の工程後及び第３の工程後でも、剥がすことができる。銅箔の場合、塩化第二鉄により常温で５分揺動させながら、銅箔をエッチングする。エッチング装置を用いてエッチングをおこなってもよい。また、塩化第二鉄のほかに塩化第二銅、一般的なソフトエッチ液も適用できる。また、基材の銅箔を用いて、サブトラクティブ法により導体パターンを形成したり、更に銅箔が１０μｍ以下の場合、セミアディティブ法により導体パターンを形成してもよい。
【００５６】
［第１の工程］
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の第１の工程は、多層絶縁フィルムを、その第２層（Ａ２）を回路基板に対向させた状態で、真空プレスにて温度６０〜２００℃、かつ、圧力１〜３０ＭＰａにてプレスする工程である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法に用いられるプレス機は、特に限定されず、通常のプレス機等も用いられる。例えば、北川精機の真空プレス、ミカドテクノスの真空プレス等が挙げられる。以下、加熱加圧に用いる設備として、真空プレス機を用いて説明する。
【００５７】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法において、真空プレス時の温度は、６０〜２００℃であれば、特に限定されない。６０℃未満であると、多層絶縁フィルムの第２層の粘度が充分に低下せず、プレスをしても、絶縁フィルム表面の平坦性が確保されにくく、また、充填が不十分となるために、ビア部に空隙が発生する傾向がある。一方、２００℃を超えると、絶縁フィルムの第２層を構成している樹脂の硬化反応が進行しすぎることで、樹脂の粘度が充分に低下した状態とならず、プレスをしても、絶縁フィルム表面の平坦性が確保されにくく、また、充填が不十分となるために、ビア部に空隙が発生する傾向がある。斯かる傾向を踏まえ、真空プレス時のより好ましい温度範囲は、７０〜１７０℃である。
【００５８】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法において、真空プレス時の圧力は、１〜３０ＭＰａであれば、特に限定されない。１ＭＰａ未満であると、プレスをしても、絶縁フィルムの第２層の充填が不十分となるために、ビア部に空隙が発生する傾向がある。一方、３０ＭＰａを超えると、基材の凹凸が、多層絶縁フィルムの第１層にまで影響し、第１層の厚みムラが生じて、絶縁フィルム表面の平坦性が確保されにくくなったり、第１層の厚さが薄くなり、絶縁層厚みを確保できなくなる傾向となる。斯かる傾向を踏まえ、真空プレス時のより好ましい圧力範囲は、２〜１５ＭＰａである。
【００５９】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の第１の工程は、熱硬化を完全に終了させないようにすることで、熱硬化による収縮を最小限にとどめている。更に、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の第２の工程及び第３の工程の２段階の加熱工程を踏むことで、多層絶縁フィルムを緩やかに硬化させることができ、急激な硬化収縮起因の局所的な凹凸形成を抑制することができ、平坦性を確保することができる。したがって、プレス時間については、特に限定されるものではないが、絶縁フィルムの基材凹面への充分な充填及び充分な表面平坦性の確保、生産作業の効率化等の観点から、２〜４０分が好ましい。
【００６０】
［第２の工程］
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法の第２の工程は、第１の工程の後で得られた「回路基板付き多層絶縁フィルム」を、温度６０〜１３５℃で加熱処理する工程である。加熱処理については、特に限定されないが、例えば、オーブン等を用いて行われる。
【００６１】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法において、加熱処理時の温度は、６０〜１４０℃であれば、特に限定されない。６０℃未満であると、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応の進行が不十分となり、続く第３の工程の加熱処理時に、樹脂の熱収縮が大きくなり、多層絶縁フィルムの表面の平坦性が確保されにくくなる傾向にある。一方、１４０℃を超えると、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応が急激に進行し、樹脂の熱収縮が大きくなり、多層絶縁フィルムの表面の平坦性が確保されにくくなる傾向にある。斯かる傾向を踏まえ、加熱処理時のより好ましい温度範囲は、８０〜１３０℃である。
【００６２】
なお、第２の工程の加熱処理時間については、特に限定されないが、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応及び熱収縮等を考慮した場合、５〜６０分が好ましい。
【００６３】
［第３の工程］
多層プリント配線板の製造方法の第３の工程は、第２の工程の後で得られた「回路基板付き多層絶縁フィルム」を、第２の工程の温度よりも２０℃以上高い温度で、かつ、温度１４０〜２００℃で加熱処理する工程である。加熱処理については、特に限定されないが、例えば、オーブン等を用いて行われる。
【００６４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法において、加熱処理時の温度は、第２の工程の温度よりも２０℃以上高い温度で、かつ、１４０〜２００℃であれば、特に限定されない。硬化を均一にかつ段階的に進行させる第３の工程の加熱処理時の温度は、第２の工程の加熱処理時の温度よりも、２０℃以上高い温度であることが必要である。ここで、第３の工程の加熱処理時の温度が１４０℃未満であると、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応の進行が不十分となり、その結果、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法により、プリント基板を製造した後に、更に、多層絶縁フィルムの表面に微細金属を配線するために、多層絶縁フィルムの表面を膨潤処理・粗化処理した場合、多層絶縁フィルムの表面が受ける損傷が大きくなる恐れがある。一方、第３の工程の加熱処理時の温度が２００℃を超えると、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応が急激に進行し、樹脂の熱収縮が大きくなり、多層絶縁フィルムの表面の平坦性が確保されにくくなる傾向にある。斯かる傾向を踏まえ、加熱処理時のより好ましい温度範囲は、１５０〜１８０℃である。
【００６５】
なお、加熱処理時間については、特に限定されないが、多層絶縁フィルムの第１層及び第２層を構成している樹脂の硬化反応及び熱収縮等を考慮した場合、３０〜９０分が好ましい。
【００６６】
積層した多層プリント配線板をセミアディティブ法により導体パターンを形成する際、樹脂表面を膨潤工程、粗化させる工程、粗化した樹脂表面にメッキ触媒を付着させる工程、更にメッキする工程を行うが、膨潤処理方法としては、特に限定されず、従来公知の手法により行われる。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホシキド、Ｎ−メチル２ピロリドン、ピリジン、硫酸、スルホン酸などを主成分とする化合物の水溶液や有機溶媒分散溶液による処理方法等が挙げられる。この中で、例えば、エチレングリコールを含んだ水溶液などを用いて、処理温度６０〜８５℃で１〜２０分間、多層プリント配線板を浸漬揺動させる方法が好適である。
【００６７】
また、多層絶縁フィルムの表面を粗化処理する方法としては、特に限定されず、従来公知の手法により行われる。例えば、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウムなどのマンガン化合物、重クロム酸カリウム、無水クロム酸カリウムなどのクロム化合物、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸化合物を主成分とする化学酸化剤の水溶液や有機溶媒分散溶液による処理方法などが挙げられる。この中で、例えば、３０〜９０ｇ／Ｌ過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液、３０〜９０ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度７０〜８５℃で１又は２回、上記多層プリント配線板を浸漬揺動させる方法が好適である。粗化した樹脂表面にメッキ触媒を付着させる工程や、更にメッキする工程については、公知の方法を採用することにより行うことができる。
【００６８】
多層プリント配線板においては、多層絶縁フィルム層にビアホールがある場合には、多層絶縁フィルムの表面の粗化処理を行うことで、同時にデスミア処理も行うことが可能である。
【００６９】
高粘度の第１層（Ａ１）と、無機材料を多く含み高流動性である第２層（Ａ２）の構成よりなる多層絶縁フィルムを用いて、上記の工程を経ることで、表面にビアホール等の孔や回路パターンの凹凸を有する基板上に、絶縁膜を積層する場合でも、部位による収縮率に差が生じにくく、かつ、樹脂シートの表面平坦性が充分に確保され、絶縁層厚みが一定に保たれた多層プリント配線板を得ることができる。第１層（Ａ１）は、重量平均分子量が５０００以上の高分子材料（ｄ）を５〜６０重量％含有しているので、プレス時に圧力がかかっても、流動せずに初期厚みを維持できるので、狙いの絶縁層厚みに仕上げることが可能であると共に、好ましい態様であるイミダゾールシランカップリング剤により表面処理されたシリカを５〜５０重量％含有させることで、メッキ前処理後の粗面を微細にすることができる。一方、第２層（Ａ２）は、無機充填材（ｃ２）の合計量を３０〜９０重量％とすることにより、プレス時の樹脂流動後の収縮量を小さくできるので、平坦性を充分確保することができる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明を実施例及び比較例を挙げることにより、具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【００７１】
（使用した材料）：
［エポキシ系樹脂（熱硬化性樹脂）］
ビフェニル系エポキシ樹脂（１）（商品名「ＮＣ−３０００ＦＨ」、エポキシ当量３４０、日本化薬社製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（２）（商品名「エピコート８２８ＵＳ」、エポキシ当量１８３、ＪＥＲ社製）
ビフェニル系エポキシ樹脂（３）（商品名「ＮＣ−３０００Ｈ」、エポキシ当量２８８、日本化薬社製）
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（４）（商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ８３０Ｓ」、エポキシ当量１６８、大日本インキ化学工業社製）
【００７２】
［エポキシ樹脂硬化剤］
フェノール系硬化剤（１）（商品名「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」、Ｐｓｔ換算での重量平均分子量１０２００、ＯＨ当量２４１、明和化成社製）
【００７３】
［硬化促進剤］
促進剤（１）（商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」、四国化成社製）
促進剤（２）（商品名「トリフェニルホスフィン」、和光純薬社製）
【００７４】
［層状珪酸塩（合成ヘクトライト）］
トリオクチルメチルアンモニウム塩で化学処理が施された合成ヘクトライト
［シリカ］
シリカ（１）（龍森社製、平均粒径０．２μｍ）をイミダゾールシラン（商品名「ＩＭ−１０００」日興マテリアルズ社製）により表面処理したシリカ
シリカ（２）（アドマテックス社製、平均粒径０．３μｍ）をイミダゾールシラン（商品名「ＩＭ−１０００」日興マテリアルズ社製）により表面処理したシリカ
【００７５】
［高分子材料］
フェノキシ樹脂（１）（商品名「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、Ｐｓｔ換算での重量平均分子量３９０００、固形分３０％、ＭＥＫ３５％、シクロヘキサノン３５％、ジャパンエポキシレジン社製）
フェノキシ樹脂（２）（商品名「１２５５ＨＸ３０ＢＰＡタイプ」、Ｐｓｔ換算での重量平均分子量４９０００、固形分３０％、キシレン３５％、シクロヘキサノン３５％、ジャパンエポキシレジン社製）
【００７６】
［溶剤］
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（特級試薬、和光純薬工業社製）
【００７７】
［実施例１］：
＜回路基板の作製＞
ガラスエポキシ基板（商品名「ＦＲ−４」、品番「ＣＳ−３６６５（１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．４ｍｍ）」、利昌工業社製）上に、穴開けドリルで、φ３００μｍ、φ７００μｍ、φ１．５ｍｍのスルーホールを５０個ずつ形成した。
そのＦＲ−４基板の下側片面に、ノバデュラン５０４０ＺＳ（三菱エンジニアリング社製）を溶融し、Ｔダイで押出成形してなる厚さ８０μｍのフィルムを、ロールラミネーターを用いて２００℃でラミネートして、片面が保護フィルムで蓋をされたガラスエポキシ基板からなる回路基板（Ａ）を得た。
【００７８】
＜多層絶縁フィルムの作製＞
基材として、銅箔（ＮＡ−ＤＥＦ、三井金属社製、ｍａｔ面、算術平均粗さ（以後Ｒａ）：２５０ｎｍ、十点平均粗さ（以後Ｒｚ）：２．５μｍ）上に、表１の実施例１に係る多層絶縁フィルムの第１層を構成する原料配合からなる樹脂混合物を、ダイコーターにて仕上がり膜厚２０μｍとなるように塗工後、加熱乾燥炉内で１４０℃、１５分間の加熱処理を行うことにより、硬化フィルムを得た。
【００７９】
次に、前記硬化フィルム上に、表１の実施例１の第２層を構成する原料配合からなる樹脂混合物を、ダイコーターにて仕上がり膜厚１２０μｍとなるように塗工後、加熱乾燥炉内にて１２０℃、１２分間の加熱処理を行い、その上に、保護フィルムとしてＰＥＴフィルム（東洋紡社製、厚み３５μｍ、Ｒａ：７０ｎｍ、Ｒｚ：１．２μｍ）を貼り合わせることにより、基材と第１層及び第２層、ならびに保護フィルムからなる多層絶縁フィルム（Ｃ）を得た。
【００８０】
＜プレス処理＞
多層絶縁フィルム（Ｃ）から保護フィルムを剥離した多層絶縁フィルム（Ｃ’）を準備した。下からＳＵＳ板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×１．５ｍｍ）、ガラスエポキシ基板からなる回路基板（Ａ）、多層絶縁フィルム（Ｃ’）（第２層が作製された回路基板に接するように配置）、ＳＵＳ板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×１。５ｍｍ）の順に重ねて、真空プレス機（ミカドテクノス社製）に設置し、１００℃、４ＭＰａで１０分間圧着処理を行った。
【００８１】
＜加熱処理１＞
多層絶縁フィルム（Ｃ’）が圧着され、スルーホールが樹脂で充填された回路基板（Ｂ）を、ギアオーブン中で、１２０℃、１０分間の加熱処理を行った。
【００８２】
＜加熱処理２＞
更にギアオーブン中で、１７０℃、６０分間の加熱処理を行い回路基板（Ｃ）を得た。
【００８３】
＜エッチング＞
回路基板（Ｃ）上の基材の銅箔は、塩化第二鉄により常温で５分間揺動させながらエッチングし、銅箔を除去して、第１層を最外面として露出した。その後、純粋でよく洗浄した。
【００８４】
＜粗化メッキ＞
次いで、多層絶縁フィルム（Ｃ’）の露出した第１層の表面に粗化処理を行った。７０℃の過マンガン酸カリウム（コンセントレートコンパクトＣＰ、アトテックジャパン社製）粗化水溶液に、多層絶縁フィルムを入れて５分間揺動させる処理を行った。また、過マンガン酸塩処理が終了した多層絶縁フィルムを、２５℃の洗浄液（リダクションセキュリガントＰ、アトテックジャパン社製）を用いて２分間処理した後、純粋でよく洗浄し、乾燥させた。
次に、粗化処理された第１層が最外面となった多層絶縁フィルムに銅メッキ処理を行った。多層絶縁フィルムを６０℃のアルカリクリーナ（クリーナーセキュリガント９０２）で５分間処理し、表面を脱脂洗浄した。洗浄後、多層絶縁フィルムを２５℃のプリディップ液（プリディップネオガントＢ）で２分間処理した。その後、多層絶縁フィルムを４０の℃のアクチベーター液（アクチベーターネオガント８３４）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、３０℃の還元液（リデューサーネオガントＷＡ）で５分間処理した。次に、多層絶縁フィルムを化学銅液（ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ、カッパープリントガントＭＳＫ、スタビライザープリントガントＭＳＫ）に入れ、無電解メッキをメッキ厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解メッキ後は、残留水素ガス除去のため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解メッキの工程までのすべての工程においては、ビーカースケールで処理液を１Ｌとし、多層絶縁フィルムを揺動させながら各工程を実施した。
次に、無電解メッキ処理された樹脂シートに、電解メッキをメッキ厚さが２０μｍとなるまで実施した。電気銅メッキとして硫酸銅（リデューサーＣｕ）を用い、電流は０．６Ａ／ｃｍ２とした。１８０℃×１ｈｒのアフターベークを行った。その後、純水でよく洗浄し、真空乾燥機でよく乾燥させた。
【００８５】
［実施例２〜２１（実施例２、３、５〜８、１０〜１３、１６〜２１は参考例）及び比較例１〜５］：
多層絶縁フィルム（Ｃ）の原料配合、加熱乾燥条件、第１層ゲル分率などを下記表１〜４に示すようにしたこと以外は、実施例１と同様にして、回路基板の作製、多層絶縁フィルムの作製、プレス処理及び加熱処理を行った。
尚、比較例３については、多層絶縁フィルムの第１層は、実施例２と同様にして行い、硬化フィルム（ａ）を得た。次に、保護フィルムとしてのＰＥＴフィルム（東洋紡社製、厚み３５μｍ、Ｒａ：７０ｎｍ、Ｒｚ：１．２μｍ）上に、実施例２の第２層を構成する原料配合からなる樹脂組成物を、ダイコーターにて仕上がり膜厚１２０μｍとなるように、塗工後、加熱乾燥炉内にて、１２０℃、１２分間の加熱処理を行うことにより、硬化フィルム（ｂ）を得た。そして、硬化フィルム（ａ）と硬化フィルム（ｂ）を、１２０℃で真空ラミネートにて張り合わせることにより、基材と第１層および第２層および保護フィルムからなる多層絶縁フィルムを得た。また、実施例２と同様のプレス処理及び加熱処理を行った。
【００８６】
（実施例及び比較例の評価）
１．埋め込み性
回路基板（Ｃ）のスルーホール部分の断面を金属顕微鏡（ＯＬＹＭＰＡＳ  ＭＭ６−ＬＳ２２）で観察し、多層絶縁フィルム（Ｃ）が下部まで封止されているものを○、封止されていないものを×とした。なお、封止の可否判断は、スルーホール部分の断面の気泡の存在の有無（無しを○、有りを×とした）で行った。
【００８７】
２．粗化接着強度
基材に銅箔を用いた実施例は、銅箔が薄すぎて測定が困難であったため、銅箔を取り除いた後にメッキを施して評価を行った。
多層絶縁フィルム（Ｃ）を、ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４、品番「ＣＳ−３６６５」、利昌工業社製）に１２０℃で加熱ラミネートし、基材を剥離して、その後１７０℃のギアオーブン中で１時間加熱して、第１層の表面を、下記の過マンガン酸塩処理、即ち粗化処理を行った。
【００８８】
（１）過マンガン酸塩処理：
７０℃の過マンガン酸カリウム（コンセントレートコンパクトＣＰ、アトテックジャパン社製）粗化水溶液に、多層絶縁フィルムを入れて５分間揺動させる処理を行った。また、過マンガン酸塩処理が終了した多層絶縁フィルムを、２５℃の洗浄液（リダクションセキュリガントＰ、アトテックジャパン社製）を用いて２分間処理した後、純粋でよく洗浄し、乾燥させた。
【００８９】
（２）銅メッキ処理：
次に、粗化処理された第１層が最外面となった多層絶縁フィルムに銅メッキ処理を行った。多層絶縁フィルムを６０℃のアルカリクリーナ（クリーナーセキュリガント９０２、アトテックジャパン社製）で５分間処理し、表面を脱脂洗浄した。洗浄後、多層絶縁フィルムを２５℃のプリディップ液（プリディップネオガントＢ、アトテックジャパン社製）で２分間処理した。その後、多層絶縁フィルムを４０の℃のアクチベーター液（アクチベーターネオガント８３４、アトテックジャパン社製）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、３０℃の還元液（リデューサーネオガントＷＡ、アトテックジャパン社製）で５分間処理した。次に、多層絶縁フィルムを化学銅液（ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ、カッパープリントガントＭＳＫ、スタビライザープリントガントＭＳＫ、いずれもアトテックジャパン社製）に入れ、無電解メッキをメッキ厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解メッキ後は、残留水素ガス除去のため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解メッキの工程までのすべての工程においては、ビーカースケールで処理液を１Ｌとし、多層絶縁フィルムを揺動させながら各工程を実施した。
次に、無電解メッキ処理された樹脂シートに、電解メッキをメッキ厚さが２０μｍとなるまで実施した。電気銅メッキとして、硫酸銅（リデューサーＣｕ、アトテックジャパン社製）を用い、電流は０．６Ａ／ｃｍ２とした。１８０℃×１ｈｒのアフターベークを行った。得られた硬化物の銅層に、１０ｍｍ幅に切り欠きを入れて、クロスヘッド速度５ｍｍ／分の条件で測定を行い、粗化接着強度を測定した。
具体的な粗化接着強度測定方法は、得られた銅箔メッキを施された回路基板に１０ｍｍ幅に切り欠きを入れて、この回路基板を引張試験機（商品名「オートグラフ」、島津製作所社製）に固定し、銅層をチャックにセットして、引張試験機（商品名「オートグラフ」、島津製作所社製）を用いて、クロスヘッド速度５ｍｍ／分の条件で測定を行い、粗化した絶縁樹脂層と銅メッキとの接着強度を測定した。
【００９０】
３．表面粗さ
ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４、品番「ＣＳ−３６６５」、利昌工業社製）に多層絶縁フィルムを加圧プレスし、過マンガン酸塩による粗化処理を行った。得られた硬化物を走査型レーザー顕微鏡（品番「１ＬＭ２１」、レーザーテック社製）にて１００μｍ２の測定範囲における表面粗さ（Ｒａ，Ｒｚ）を測定した。
【００９１】
４．絶縁層厚み
スルーホール部分及びビアが存在しない任意の５０箇所の回路基板断面を観察し、多層絶縁フィルム（Ｃ）が圧着された回路基板の上面側の面から、多層絶縁フィルムの樹脂成分までの最上点までの距離を計測し、絶縁層厚みを算出した。
絶縁層厚みは、第１層の元の厚さに対して８０％以上であることが好ましく、元の厚みの９０％以上であるものが更に好ましい。
【００９２】
５．凹凸
スルーホール部分の任意の５０箇所の回路基板断面を観察し、回路基板の上面側の面からスルーホール近傍の多層絶縁フィルム（Ｃ）の樹脂成分までの最上点までの距離から、多層絶縁フィルム（Ｃ）が圧着された回路基板の上面側の面からスルーホール中心部の最下点までの距離を引いた値の平均値を凹凸として算出した。
凹凸は、絶縁層厚みに対して３０％以下であることが好ましく、２０％以下であるものが更に好ましい。
【００９３】
６．厚みバラツキ
スルーホール部分及びビアが存在しない任意の５０箇所の回路基板断面を観察し、多層絶縁フィルム（Ｃ）が圧着された回路基板の上面側の面から、多層絶縁フィルムの樹脂成分までの最上点までの距離を計測し、これらの値の最大値から最小値を引いた値をバラツキとして算出した。
バラツキは、絶縁層厚みに対して４０％以下であることが好ましく、３０％以下であるものが更に好ましい。
【００９４】
７．第１層と第２層の剥離性
回路基板（Ｃ）のスルーホール部分の断面を金属顕微鏡（ＯＬＹＭＰＡＳ  ＭＭ６−ＬＳ２２）で観察し、第１層と第２層の界面で剥離が発生していないかどうかを観察した。
【００９５】
８．第１層のゲル分率
各実施例および各比較例で作製した第１層の硬化フィルムのゲル分率を測定した。
まず、第１層の硬化フィルムを５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズに切り出し重量（Ｗｏ）を測定した。次に、常温（２３℃）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（和光純薬工業社製）が満たされたガラス瓶に５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズに切り出した実施例１〜１２および比較例１〜１０の第１層の硬化フィルムを１０分間浸漬し、金属メッシュ（２０００番）にてろ過を行い、前記金属メッシュおよび金属メッシュ上の残留物を１７０℃１時間加熱乾燥し、そのときの重量（Ｗ１）を測定した。そして、重量（Ｗｏ）、重量（Ｗ１）および金属メッシュの重量（Ｗｃ）から、以下の計算式にてゲル分率（％）を算出した。
ゲル分率（％）＝｛（Ｗ１）−（Ｗｃ）｝／Ｗｏ×１００
【００９６】
また、上記の評価結果を、多層絶縁フィルムの組成、製造条件などと共に、下記表１〜４に示す。
【００９７】
【表１】
0004922207.tif 000002
【００９８】
【表２】
0004922207.tif 000003
【００９９】
【表３】
0004922207.tif 000004
【０１００】
【表４】
0004922207.tif 000005
【０１０１】
表１〜４の評価結果などから、本発明の製造方法から得られた多層絶縁フィルムは、第１層及び第２層の各厚みを均一にでき、スルーホール等のような孔やビアホール等の凹凸等を有する回路基板に多層絶縁フィルムを積層する場合でも、ボイドが生じにくく、かつ、表面平坦性が充分に確保され、多層絶縁フィルムの第１層の厚みを均一に保つことができ、第１層と第２層が剥離し難いことが判った。また、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法によれば、ビアホール等の孔や回路パターンの凹凸を有する回路基板上に多層絶縁フィルムを積層する場合でも、多層絶縁フィルムの積層部位による収縮率に差が生じにくく、極めて良好な厚さ精度を有し、かつ、多層絶縁フィルムの表面平坦性が充分に確保された回路基板と多層絶縁フィルムとからなる多層プリント配線板を得ることができる。そのため、本発明に係る多層絶縁フィルムを絶縁層として用いた多層プリント配線板は、金属配線を用いて回路を回路基板上に形成した際に、厚さ方向の電気抵抗と電気信号の長さのばらつきが少なくなり、信号のノイズ等が低減できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明の多層絶縁フィルムの製造方法は、スルーホールやビアホール等の孔や回路パターン等の凹凸を有する回路基板上に、多層絶縁フィルムを積層する場合に、基板内部にボイドが生じにくく、表面平坦性が充分に確保され、多層絶縁フィルムの第１層の厚みを均一に保つことができ、第１層と第２層が剥離し難い多層絶縁フィルムを生産性良く製造できる方法を提供し、産業上、利用可能性が高いものである。