(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスに対する試験を行ってシュムデータを得る試験装置本体と、当該試験装置本体で得られた前記シュムデータを表示する表示部を有する端末装置とを備える半導体試験装置において、
前記端末装置は、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示する表示制御部と、
前記試験装置本体で得られた前記シュムデータについてのシュムプロットを縮小した縮小シュムプロットの各々を、前記表示部の前記第１表示領域とは異なる第２表示領域に表示する縮小表示制御部と、
ユーザにより操作される操作部と、
前記第２表示領域に表示された前記縮小シュムプロットのうち、前記ユーザによる前記操作部の操作によって特定された縮小シュムプロットに関するシュムデータを選択する選択部とを備えており、
前記表示制御部は、前記選択部によって選択されたシュムデータのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示する
ことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
半導体デバイスに対する試験を行ってシュムデータを得る試験装置本体と、当該試験装置本体で得られた前記シュムデータを表示する表示部を有する端末装置とを備える半導体試験装置において、
前記端末装置は、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示する表示制御部と、
前記試験装置本体で得られた前記シュムデータについてのシュムプロットを縮小した縮小シュムプロットの各々を、前記表示部の前記第１表示領域とは異なる第２表示領域に表示する縮小表示制御部と、
ユーザにより操作される操作部と、
前記第２表示領域に表示された縮小シュムプロットのうち、当該縮小シュムプロットの元となるシュムプロットの大きさ、試験種類、及び評価位置の少なくとも１つが共通する縮小シュムプロットに関するシュムデータを選択する自動選択部とを備えており、
前記表示制御部は、ユーザによる前記操作部の操作によって前記自動選択部による選択が指定された場合に、前記自動選択部によって選択されたシュムデータのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示する
ことを特徴とする半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの試験を行う半導体試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体試験装置は、半導体デバイスに試験信号を印加して得られる信号を所定の期待値と比較してパス・フェイルを判定することにより半導体デバイスの試験を行う。この半導体試験装置で行われる試験の一種にシュムプロット（Shmoo Plot）がある。ここで、シュムプロットとは、半導体デバイスに印加する試験信号の電圧とタイミングとを段階的に変化させつつパス・フェイルを判定し、その判定結果（シュムデータ）をシュムツールを用いて２次元的又は３次元的にプロットする試験、又は、その試験により得られるプロット表示をいう。尚、かかる試験では、試験信号を印加するタイミングに代えて、半導体デバイスから得られる信号の判定タイミングを変化させる場合もある。
【０００３】
図５は、従来のシュムツールを用いたシュムプロットの表示例を示す図である。図５に示す通り、従来のシュムツールには、シュムプロットが表示されるプロット表示領域Ｒ１０１と、シュムプロットにおけるパス・フェイルの変化時点が表示される変化点表示領域Ｒ１０２とが設けられている。プロット表示領域Ｒ１０１には時間軸（紙面横方向）と電圧軸（紙面縦方向）とが設定されており、試験時に設定した各々の電圧値及びタイミングにおける判定結果を、その結果に応じて例えば色分けプロットすることにより、図５に示すフェイル領域Ｆ１００とパス領域Ｐ１００とが表示される。
【０００４】
また、変化点表示領域Ｒ１０２には、プロット表示領域Ｒ１０１における各電圧値（図５に示す例では、０．２［Ｖ］から５．８［Ｖ］まで０．４［Ｖ］刻みの電圧値）におけるパス・フェイルの変化時点が数値で表示される。尚、１つの電圧値に対する変化時点は、パスからフェイルに変化する時点とフェイルからパスに変化する時点とが存在するため、変化点表示領域Ｒ１０２には各々の時点が数値で表示される。図５に例示したシュムプロットをユーザが参照することで、半導体デバイスの特性を解析することができる。
【０００５】
尚、従来の半導体試験装置におけるシュムデータの表示方法及び比較方法等については、例えば以下の特許文献１を参照されたい。
【特許文献１】特開平１０−１０６２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来のシュムデータの解析は、上述した通り、基本的にシュムツールに設けられたプロット表示領域Ｒ１０１に、フェイル領域Ｆ１００とパス領域Ｐ１００とからなるシュムプロットを表示させることによって行われる。このため、ユーザが現在プロット表示領域Ｒ１０１に表示されているシュムデータ（シュムプロット）以外の他のシュムデータの解析を行う場合には、現在読み込んでいるシュムデータを一旦破棄するとともに、解析すべき新たなシュムデータをシュムツールに読み込ませてそのシュムプロットをプロット表示領域Ｒ１０１に表示させる必要がある。
【０００７】
また、ユーザが複数のシュムデータについてのシュムプロットを比較解析する場合には、まず各々のシュムデータをシュムツールに読み込ませてシュムプロットをそれぞれ表示させ、それらの表示内容を所定のファイル形式（例えば、ＰＤＦ（Portable Document Format）形式）で個別に保存する。次いで、ユーザが保存した各々のファイルを他のアプリケーションを用いて開き、その内容を目視で比較する。
【０００８】
以上の通り、従来のシュムツールは、基本的にシュムプロットを一度に１つしか表示できないという制限がある。このため、ユーザが複数のシュムプロットを比較する場合には、上記の通り、各々のシュムプロットをＰＤＦ形式のファイル等で保存し、その後で他のアプリケーションを用いて目視確認をしなければならず、操作が極めて煩雑であるとともに解析効率が悪いという問題があった。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、複数のシュムプロットを解析する場合に必要なユーザの操作を低減し、効率的な解析を行うことができる半導体試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の半導体試験装置は、半導体デバイス（３０）に対する試験を行ってシュムデータを得る試験装置本体（１０）と、当該試験装置本体で得られた前記シュムデータを表示する表示部（２６）を有する端末装置（２０）とを備える半導体試験装置（１）において、前記端末装置は、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域（Ｒ１）に表示する表示制御部（２２ａ）と、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータについてのシュムプロットを縮小した縮小シュムプロット（ＳＮ１〜ＳＮ７）の各々を、前記表示部の前記第１表示領域とは異なる第２表示領域（Ｒ３）に表示する縮小表示制御部（２２ｂ）と、ユーザにより操作される操作部（２５）と、前記第２表示領域に表示された前記縮小シュムプロットのうち、前記ユーザによる前記操作部の操作によって特定された縮小シュムプロットに関するシュムデータを選択する選択部（２２ｄ）とを備えており、前記表示制御部は、前記選択部によって選択されたシュムデータのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、半導体デバイス（３０）に対する試験を行ってシュムデータを得る試験装置本体（１０）と、当該試験装置本体で得られた前記シュムデータを表示する表示部（２６）を有する端末装置（２０）とを備える半導体試験装置（１）において、前記端末装置は、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域（Ｒ１）に表示する表示制御部（２２ａ）と、前記試験装置本体で得られた前記シュムデータについてのシュムプロットを縮小した縮小シュムプロット（ＳＮ１〜ＳＮ７）の各々を、前記表示部の前記第１表示領域とは異なる第２表示領域（Ｒ３）に表示する縮小表示制御部（２２ｂ）と、ユーザにより操作される操作部（２５）と、前記第２表示領域に表示された縮小シュムプロットのうち、当該縮小シュムプロットの元となるシュムプロットの大きさ、試験種類、及び評価位置の少なくとも１つが共通する縮小シュムプロットに関するシュムデータを選択する自動選択部（２２ｅ）とを備えており、前記表示制御部は、ユーザによる前記操作部の操作によって前記自動選択部による選択が指定された場合に、前記自動選択部によって選択されたシュムデータのシュムプロットを、重ね合わせた状態で前記表示部の第１表示領域に表示することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、試験装置本体で得られたシュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で表示部の第１表示領域に表示しているため、従来のようにユーザが煩雑な作業を行わなくともシュムプロットの比較を行うことができ、シュムプロットの解析を効率的に行うことができるという効果がある。
また、本発明によれば、シュムプロットのサムネイルを表示部の第１表示領域とは異なる第２表示領域に表示しているため、ユーザがサムネイルを参考にして重ね合わせるシュムプロットを選択したり、第２表示領域に表示されたサムネイルのうちから、大きさ等が共通するシュムプロットを自動的に選択させるといった多様な操作が可能であり、更なる解析の効率化を図ることができるという効果がある。
また、本発明によれば、サムネイルに関連する関連情報をサムネイル上又はその近傍に位置する第３表示領域に表示しているため、例えば第１表示領域に重ね合わせ表示されているシュムプロットの１つについて、どの半導体デバイスに対してどのような試験を行ったときのものであるかを知ることができ、半導体デバイスの特性の解析をより効率的に行うことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による半導体試験装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体試験装置の構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の半導体試験装置１は、半導体デバイス（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）という）３０の試験を行う試験装置本体１０と、試験装置本体１０に接続された端末装置２０とを備える。
【００１３】
試験装置本体１０は、制御部１１、試験部１２、及び試験メモリ１３を備えており、ＤＵＴ３０に対して試験信号を印加して試験を行う。ここで、試験装置本体１０は、シュムプロットを行う場合には、ＤＵＴ３０に印加する試験信号の電圧又は電流とそのタイミングとを段階的に変化させつつパス・フェイルを判定し、その判定結果（シュムデータ）を得る。尚、本実施形態では、シュムプロットを行う際に、試験信号の印加タイミングを変化させる場合を例に挙げて説明するが、試験信号を印加するタイミングに代えて、ＤＵＴ３０から得られる信号の判定タイミングを変化させてシュムデータを得ることも可能である。
【００１４】
制御部１１は、ユーザによって予め作成された試験プログラムＰ１に従って試験部１２及び試験メモリ１３等を制御することにより試験装置本体１０の動作を統括的に制御する。試験部１２は、制御部１１の制御の下で、ＤＵＴ３０の試験を行うための試験信号を生成するとともに、試験信号を印加したときにＤＵＴ３０から出力される信号と所定の期待値とを比較し、パス・フェイルを判定する。尚、シュムプロットを行う場合には、試験部１２が電圧又は電流が段階的に変化する試験信号を生成し、ＤＵＴ３０に対する試験信号の印加タイミング（或いは、ＤＵＴ３０から得られる信号の判定タイミング）を段階的に変化させる。尚、以下では、説明を簡単にするために、シュムプロットを行う場合には試験部１２はＤＵＴ３０に印加する試験信号の電圧を変化させるものとする。
【００１５】
試験メモリ１３は、シュムデータ等のＤＵＴ３０の試験結果と、この試験結果に関連する関連情報とを対応させて記憶する。ここで、関連情報とは、ＤＵＴ３０を特定する情報及びＤＵＴ３０に対する試験の種類を示す情報の少なくとも一方の情報を含む情報である。ここで、ＤＵＴ３０に対する試験の種類を示す情報としては、例えばＤＵＴ３０の試験に用いた試験プログラムを特定する情報（例えば、試験プログラム名）、その試験プログラムに挙げられた試験項目を示す情報（例えば、ファンクションテスト）、試験に用いた試験パターンを特定する情報（例えば、試験パターン名）等が挙げられる。これらの関連情報は、制御部１１又は試験部１２で得られる情報である。
【００１６】
試験メモリ１３には、試験プログラムＰ１によって試験結果格納領域Ａ１と関連情報格納領域Ａ２とが設けられる。ＤＵＴ３０の試験結果（シュムデータを含む）は試験結果格納領域Ａ１に格納され、制御部１１又は試験部１２で得られる関連情報は関連情報格納領域Ａ２に格納される。尚、図１では、試験メモリ１３に試験結果格納領域Ａ１及び関連情報格納領域Ａ２がそれぞれ１つずつ設けられている場合を例示しているが、ユーザが試験プログラムＰ１を変えることによってこれらの領域を複数設けることも可能である。上記の試験メモリ１３としては、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Read Only Memory）等の内部記憶装置又はハードディスク等の外部記憶装置を用いることができる。
【００１７】
端末装置２０は、ユーザがＤＵＴ３０の試験によって得られた試験結果を表示させることによりＤＵＴ３０の試験状況を確認し、或いは作成した試験プログラムに記述された試験条件が妥当であるか否かを確認するために用いるものである。この端末装置２０は、試験装置本体１０で得られたシュムデータを取得してその表示（シュムプロット）が可能である。ここで、端末装置２０は、複数のシュムデータが有る場合には、それらについてのシュムプロットを重ね合わせた状態で表示することができ、また、シュムプロットのサムネイルＳＮ１〜ＳＮ７（縮小シュムプロット：図２参照）の表示も可能である。
【００１８】
また、端末装置２０は、ユーザによって所定の操作（例えば、サムネイル上の同一位置にマウスカーソルを一定時間配置する等の操作）がなされた場合には、そのサムネイルに関連する関連情報をサムネイル上又はその近傍にバルーンヘルプ形式（吹き出し形式）で表示する。ここで、サムネイルに関連する関連情報とは、上述したＤＵＴ３０を特定する情報及びＤＵＴ３０に対する試験の種類を示す情報の少なくとも一方の情報を含む情報である。
【００１９】
また更に、端末装置２０は、単に試験結果の表示を行うのみならず、試験プログラムＰ１を試験装置本体１０に転送したり、試験装置本体１０に制御信号を出力して試験装置本体１０の動作を制御するためにも用いられる。この端末装置２０は、ワークステーション又はパーソナルコンピュータにより実現することが望ましい。
【００２０】
図１に示す通り、端末装置２０は、試験データ取得部２１、制御部２２、メモリ２３、ハードディスク２４、操作部２５、及び表示部２６を備える。試験データ取得部２１は、試験装置本体１０の制御部１１との間で通信を行い、試験装置本体１０の試験メモリ１３に記憶されている試験結果及び関連情報を取得する。
【００２１】
制御部２２は、端末装置２０の動作を統括的に制御するものであり、ハードディスク２４に格納された各種制御プログラム（図示省略）を読み込んで実行することにより、制御部２２には表示制御部２２ａ、縮小表示制御部２２ｂ、関連情報表示制御部２２ｃ、選択部２２ｄ、及び自動選択部２２ｅが実現される。ここで、表示制御部２２ａは、試験装置本体１０で得られたシュムデータ（ハードディスク２４に記憶されているシュムデータ）のうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットを、重ね合わせた状態で表示部２６に表示する。具体的には、選択部２２ｄ又は自動選択部２２ｅで複数のシュムデータが選択された場合には、それら選択されたシュムデータについてのシュムプロットを重ね合わせた状態で表示部２６に表示する。
【００２２】
図２は、シュムプロットの表示例を示す図である。シュムプロットを表示する場合には、図２に示すウィンドウＷ１が表示部２６に表示される。このウィンドウＷ１には、シュムプロットを表示するプロット表示領域Ｒ１（第１表示領域）、シュムプロットにおけるパス・フェイルの変化時点が表示される変化点表示領域Ｒ２、及びサムネイル表示領域Ｒ３（第２表示領域）が設けられている。上述した表示制御部２２ａは、重ね合わせた状態のシュムプロットをプロット表示領域Ｒ１に表示する。
【００２３】
変化点表示領域Ｒ２には、プロット表示領域Ｒ１における各電圧値（図２に示す例では、０．２［Ｖ］から５．８［Ｖ］まで０．４［Ｖ］刻みの電圧値）におけるパス・フェイルの変化時点が数値で表示される。尚、１つの電圧値に対する変化時点は、パスからフェイルに変化する時点とフェイルからパスに変化する時点とが存在するため、変化点表示領域Ｒ２には各々の時点が数値で表示される。かかる変化点表示領域Ｒ２の表示制御は、表示制御部２２がプロット表示領域Ｒ１の表示制御とともに行う。
【００２４】
また、プロット表示領域Ｒ１及び変化点表示領域Ｒ２には、表示されたシュムプロット及び電圧変化時点の双方を紙面縦方向に平行移動（スクロール）させるためのスクロールバーＳＢ１と、シュムプロット及び電圧変化時点を個別に紙面横方向にスクロールさせるためのスクロールバーＳＢ２，ＳＢ３とが設けられている。これらスクロールバーＳＢ１〜ＳＢ３をユーザが操作することにより、プロット表示領域Ｒ１内におけるシュムプロットの表示位置、及び変化点表示領域Ｒ２内における電圧変化時点の表示位置をユーザの所望の位置に移動させることが可能である。
【００２５】
縮小表示制御部２２ｂは、試験データ取得部２１によって取得されたシュムデータ（ハードディスク２４に記憶されているシュムデータ）についてのシュムプロットのサムネイルの各々を、ウィンドウＷ１内におけるプロット表示領域Ｒ１とは異なる位置に設けられたサムネイル表示領域Ｒ３に表示する。尚、図２においては、６つのサムネイルＳＮ１〜ＳＮ６とサムネイルＳＮ７の一部とがサムネイル表示領域Ｒ３に表示されている例について図示している。
【００２６】
尚、図２に示す例では、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルＳＮ３，ＳＮ４に関するシュムプロットが重ね合わされた状態でプロット表示領域Ｒ１に表示されている。図２に示す例において、プロット表示領域Ｒ１に表示されたシュムプロットは、符号Ｄ１〜Ｄ３を用いて指し示した部分が相違しており、かかる相違部分Ｄ１〜Ｄ３が強調される態様でシュムプロットは重ね合わせ表示される。相違部分の強調方法は、色分け表示、ハイライト表示等の任意の方法を用いることが可能である。
【００２７】
関連情報表示制御部２２ｃは、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルに関連する関連情報（ＤＵＴ３０を特定する情報及びＤＵＴ３０に対する試験の種類を示す情報の少なくとも一方の情報を含む情報）を、ユーザによる操作部２５の操作に応じてサムネイル上又はその近傍にバルーンヘルプ形式（吹き出し形式）で表示する。例えば、サムネイル上の同一位置にマウスカーソルを一定時間配置する等の操作がユーザによってなされた場合に、そのサムネイルに関連する関連情報をサムネイル上又はその近傍にバルーンヘルプ形式（吹き出し形式）で表示する。
【００２８】
図３は、関連情報の表示例を示す図である。例えば、図３に示す通り、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されているサムネイルＳＮ４上の同一位置に、マウスカーソル等のカーソルＣを一定時間配置すると、サムネイルＳＮ４上又はその近傍（或いは、カーソルＣの表示位置の近傍）に連情報表示領域Ｒ４（第３表示領域）がバルーンヘルプ形式で表示される。図４に示す例では、「データセット」、「ジャッジ」、「パターン名」、及び「ＤＵＴ」からなる４つの関連情報が表示されている。
【００２９】
ここで、「データセット」は半導体デバイスの試験に用いられる試験プログラム名であり、「ジャッジ」とは試験に用いられた試験プログラムに挙げられた試験項目であり、「「パターン名」とは試験に用いられた試験パターン名である。つまり、「データセット」はＤＵＴ３０の試験に用いた試験プログラムを特定する情報に該当し、「ジャッジ」はその試験プログラムに挙げられた試験項目を示す情報に該当し、「パターン名」とは試験に用いた試験パターンを特定する情報に該当する。また、「ＤＵＴ」はそのサムネイルに関するシュムデータが得られたＤＵＴ３０の番号であり、ＤＵＴ３０を特定する情報に該当する。
【００３０】
図３に示す関連情報表示領域Ｒ４の表示内容を参照することで、ユーザは、サムネイルＳＮ４に関するシュムデータが、番号「２」が割り当てられたＤＵＴ３０を試験して得られたデータであるのを知ることができる。また、ユーザは、サムネイルＳＮ４に関するシュムデータが、「ＤＳＴ１」なる試験プログラム名が付された試験プログラムに含まれる番号「２００１」が割り当てられた試験項目を、「ｔｅｓｔ２」なる試験パターン名が付された試験パターンを用いて実行したことによって得られたデータであるのを知ることができる。
【００３１】
選択部２２ｄは、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうち、ユーザによる操作部２５の操作によって特定されたサムネイルに関するシュムデータをハードディスク２４に格納されたシュムデータの中から選択する。自動選択部２２ｅは、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうち、サムネイルの元となるシュムプロットの大きさ、試験種類、及び評価位置の少なくとも１つが共通するサムネイルに関するシュムデータをハードディスク２４に格納されたシュムデータの中から選択する。ここで、自動選択部２２ｅは、図２，図３に示すウィンドウＷ１内に設けられた自動重ね合わせボタンＢ１がユーザによって押下された場合に、上記のシュムデータの選択を実行する。
【００３２】
メモリ２３は、制御部２２で実現される表示制御部２２ａ〜自動選択部２２ｅの各々の処理結果等を一時的に記憶する。このメモリ２３は、ＤＲＡＭ等の内部記憶装置を用いるのが望ましい。ハードディスク２４は、試験データ取得部２１が試験装置本体１０から取得した試験結果及び関連情報や、制御部２２の表示制御部２２ａ〜自動選択部２２ｅを実現するための各種制御プログラム（図示省略）を格納する。図示の通り、ハードディスク２４には試験結果格納領域Ａ１１と関連情報格納用配列Ａ１２とが設けられており、試験データ取得部２１が取得した試験結果は試験結果格納領域Ａ１１に格納され、関連情報は関連情報格納用配列Ａ１２に格納される。このとき、試験結果及び関連情報は、半導体装置本体１０の試験メモリ１３に記憶されているときの対応づけが維持されるように格納される。
【００３３】
操作部２５は、ユーザによって操作され、端末装置２０が備える制御部２２に対してユーザの各種の指示を入力するためのものである。この操作部２５は、例えばキーボードやマウス等により実現される。表示部２６は、例えばＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、液晶表示装置等の表示装置を備えており、表示制御部２２ａ、縮小表示制御部２２ｂ、及び関連情報表示制御部２２ｃの表示制御に応じた表示を行う。
【００３４】
次に、本実施形態の半導体試験装置１の動作について説明する。以下の説明では、まずシュムデータを取得する際の試験装置本体１０の動作について説明し、次いで試験装置本体１０で得られたシュムデータを用いてシュムプロットを表示する際の動作について説明する。ＤＵＴ３０の試験が開始されると、制御部１１から試験部１２に対して試験プログラムＰ１に従った制御信号が出力される。
【００３５】
これにより、試験装置本体１０の試験部１２において、所定の電圧に設定された試験信号が生成されて所定のタイミングでＤＵＴ３０に印加される。この試験信号が印加されると、ＤＵＴ３０からは印加された試験信号に応じた信号が出力される。ＤＵＴ３０から出力された信号は、試験装置本体１０の試験部１２に入力されて所定の期待値と比較されてパス・フェイルが判定される。
【００３６】
次に、試験信号の電圧及び試験信号の印加タイミングの少なくとも一方を所定量だけ変化させた試験信号が試験部１２で生成されてＤＵＴ３０に印加され、ＤＵＴ３０から出力される信号を用いたパス・フェイルの判定が同様に行われる。以上の動作が予め定められた電圧の可変範囲及び印加タイミングの可変範囲に亘って行われ、この可変範囲を越えると試験は終了する。このようにして、試験信号の電圧や印加タイミングを可変させたときのパス・フェイルを示す試験結果（シュムデータ）が得られる。試験部１２で得られたシュムデータは、試験メモリ１３に出力されて試験結果格納領域Ａ１に格納される。
【００３７】
また、試験プログラム名等のＤＵＴ３０の試験に用いた試験プログラムを特定する情報、その試験プログラムに挙げられた試験項目を示す情報、及び試験パターン名等の試験に用いた試験パターンを特定する情報は制御部１１で取得され、これらは試験メモリ１３の関連情報格納領域Ａ２に記憶される。また、ＤＵＴ３０を特定する情報は、試験部１２で取得されて、試験メモリ１３の関連情報格納領域Ａ２に記憶される。
【００３８】
図４は、試験装置本体１０で得られたシュムデータを表示させる場合に端末装置２０で行われる処理を示すフローチャートである。ユーザが操作部２５を操作して、シュムデータの取得指示を行うことにより図４に示すフローチャートの処理が開始される。処理が開始されると、制御部２２の制御の下で、試験データ取得部２１が試験装置本体１０の制御部１１に試験データの取得要求を送信する。この要求を受信すると、制御部１１は、試験メモリ１３の試験結果格納領域Ａ１及び関連情報格納領域Ａ２にシュムデータ及び関連情報が格納されている場合には、それらを読み出して端末装置２０の試験データ取得部２１に送信する。
【００３９】
試験装置本体１０から送信されたシュムデータ及び関連情報は、試験データ取得部２１で取得された後に制御部２２に受け渡され、制御部２２の制御の下でハードディスク２４の試験結果格納領域Ａ１１及び関連情報格納領域Ａ１２にそれぞれ格納される。以上の処理により、試験データ取得部２１でシュムデータ及び関連情報が取得される（ステップＳ１１）。
【００４０】
ステップＳ１１の処理が終了すると、制御部２２の制御によって図２，図３に示すウィンドウＷ１が表示部２６に表示され、このウィンドウＷ１のサムネイル表示領域Ｒ３にサムネイルが表示される（ステップＳ１２）。具体的には、縮小表示制御部２２が、ハードディスク２４の試験結果格納領域Ａ１１に格納されているシュムデータを読み出し、各々のシュムデータについてのサムネールを作成してサムネイル表示領域Ｒ３に表示する。
【００４１】
サムネイルが表示されると、制御部２２は、ユーザが操作部２５を操作して特定の操作を行ったか否かを判断する（ステップＳ１３）。具体的には、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルを特定する操作、ウィンドウＷ１に設けられた自動重ね合わせボタンＢ１（図２，図３参照）を押下する操作、又はサムネイル上の同一位置にカーソルＣを一定時間配置する操作を行ったか否かを判断する。
【００４２】
ここで、ユーザが操作部２５を操作してサムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルの中から１つ又は複数を特定する操作を行ったとすると、選択部２２ｄがサムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうち、ユーザによる操作部２５の操作によって特定されたサムネイルに関するシュムデータをハードディスク２４に格納されたシュムデータの中から選択する（ステップＳ１４）。選択部２２ｄによりシュムデータが選択されると、表示制御部２２ａは選択部２２ｄによって選択されたサシュムデータをハードディスク２４の試験結果格納領域Ａ１１から読み出し、ウィンドウＷ１のプロット表示領域Ｒ１に重ね合わせ表示する（ステップＳ１５）。
【００４３】
例えば、図２に示す例において、ユーザが操作部２５を操作してサムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうちのサムネイルＳＮ３，ＳＮ４を順に特定する操作を行ったとすると、ステップＳ１４でハードディスク２４に格納されたシュムデータの中からサムネイルＳＮ３，ＳＮ４に関するシュムデータが選択される。尚、サムネイルＳＮ３，ＳＮ４を順に特定する操作としては、例えば図４に示すカーソルＣをサムネイルＳＮ３，ＳＮ４の表示位置に順に移動させて各々の表示位置でクリックする操作が挙げられる。そして、選択されたサムネイルＳＮ３，ＳＮ４に関するシュムデータについてのシュムプロットが、ステップＳ１５において、相違部分Ｄ１〜Ｄ３が強調される態様でウィンドウＷ１のプロット表示領域Ｒ１に表示される。このプロット表示領域Ｒ１において重ね合わせ表示されたシュムプロットを参照することで、ＤＵＴ３０の特性を効率的に解析することができる。
【００４４】
シュムプロットの重ね合わせ表示が終了すると、ユーザによって終了指示がなされたか否かの判断が制御部２２で行われる（ステップＳ１６）。ここで、ユーザによる終了指示としては、例えばウィンドウＷ１を閉じる指示等が挙げられる。この判断結果が「ＹＥＳ」の場合は一連の処理が終了する。これに対し、ステップＳ１６の判断結果が「ＮＯ」である場合にはステップＳ１３に戻り、ユーザによる特定の操作が行われたか否かが判断される。
【００４５】
ここで、ユーザが操作部２５を操作してウィンドウＷ１に設けられた自動重ね合わせボタンＢ１を押下する操作を行ったとすると、自動選択部２２ｅは、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうち、サムネイルの元となるシュムプロットの大きさ、試験種類、及び評価位置の少なくとも１つが共通するサムネイルに関するシュムデータをハードディスク２４に格納されたシュムデータの中から選択する（ステップＳ１７）。自動選択部２２ｅによりシュムデータが選択されると、表示制御部２２ａは自動選択部２２ｅによって選択されたサシュムデータをハードディスク２４の試験結果格納領域Ａ１１から読み出し、ウィンドウＷ１のプロット表示領域Ｒ１に重ね合わせ表示する（ステップＳ１５）。
【００４６】
シュムプロットの重ね合わせ表示が終了すると、同様にユーザによって終了指示がなされたか否かの判断が制御部２２で行われる（ステップＳ１６）。この判断結果が「ＹＥＳ」の場合は一連の処理が終了し、判断結果が「ＮＯ」である場合にはステップＳ１３に戻り、ユーザによる特定の操作が行われたか否かが判断される。
【００４７】
ここで、ユーザが操作部２５を操作してサムネイルＳＮ４上の同一位置にカーソルＣを一定時間配置する操作を行ったとすると、関連情報表示制御部２２ｃはカーソルＣが配置されたサムネイルＳＮ４に関連する関連情報をハードディスク２４の関連情報格納領域Ａ１２から読み出す（ステップＳ１８）。そして、図３に示す通り、サムネイルＳＮ４上又はその近傍に関連情報が含まれる関連情報表示領域Ｒ４をバルーンヘルプ形式（吹き出し形式）で表示する（ステップＳ１９）。ユーザは、かかる表示を参照することで、プロット表示領域Ｒ１に重ね合わせ表示されているシュムプロットの１つについて、どのＤＵＴ３０に対してどのような試験を行ったときのものであるかを知ることができ、ＤＵＴ３０の特性の解析を効率的に行うことができる。
【００４８】
尚、関連情報の表示が終了すると、シュムプロットの重ね合わせが終了したときと同様に、ユーザによって終了指示がなされたか否かの判断が制御部２２で行われる（ステップＳ１６）。この判断結果が「ＹＥＳ」の場合は一連の処理が終了し、判断結果が「ＮＯ」である場合にはステップＳ１３に戻り、ユーザによる特定の操作が行われたか否かが判断される。
【００４９】
以上説明した通り、本実施形態では、試験装置本体１０で得られたシュムデータのうちの少なくとも２つのシュムデータについてのシュムプロットが、重ね合わされた状態でウィンドウＷ１のプロット表示領域Ｒ１に表示される。このため、従来のようにユーザが煩雑な作業を行わなくともシュムプロットの比較を行うことができ、シュムプロットの解析を効率的に行うことができる。
【００５０】
また、本実施形態では、シュムプロットのサムネイルがサムネイル表示領域Ｒ３に表示される。このため、ユーザがサムネイルを参考にして重ね合わせるシュムプロットを選択したり、サムネイル表示領域Ｒ３に表示されたサムネイルのうちから、大きさ等が共通するシュムプロットを自動的に選択させるといった多様な操作が可能であり、更なる解析の効率化を図ることができる。
【００５１】
また、本実施形態では、バルーンヘルプ形式でサムネイルに関連する関連情報をサムネイル上又はその近傍に表示している。かかる表示により、例えばプロット表示領域Ｒ１に重ね合わせ表示されているシュムプロットの１つについて、どのＤＵＴ３０に対してどのような試験を行ったときのものであるかを知ることができるため、ＤＵＴ３０の特性の解析をより効率的に行うことができる。
【００５２】
以上、本発明の一実施形態による半導体試験装置について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、重ね合わせ表示されたシュムプロットの相違部分のみを強調した態様で表示する場合を例に挙げて説明したが、一致する部分を強調表示しても良く、その表示の態様は任意である。また、関連情報は、上述したＤＵＴ３０を特定する情報やＤＵＴ３０に対する試験の種類を示す情報以外に、ＤＵＴ３０のピンを特定する情報その他の各種情報を含めても良い。また、関連情報の表示形式は、前述したバルーンヘルプ形式に限られず、任意の表示形式を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態による半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
【図２】シュムプロットの表示例を示す図である。
【図３】関連情報の表示例を示す図である。
【図４】試験装置本体１０で得られたシュムデータを表示させる場合に端末装置２０で行われる処理を示すフローチャートである。
【図５】従来のシュムツールを用いたシュムプロットの表示例を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１                半導体試験装置
１０              試験装置本体
２０              端末装置
２２ａ            表示制御部
２２ｂ            縮小表示制御部
２２ｃ            関連情報表示制御部
２２ｄ            選択部
２２ｅ            自動選択部
２５              操作部
２６              表示部
３０              ＤＵＴ
Ｒ１              プロット表示領域
Ｒ３              サムネイル表示領域
Ｒ４              連情報表示領域
ＳＮ１〜ＳＮ７    サムネイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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