(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長用基板の表面がその外周部全域に渡って当接される開口部を有し、前記開口部内において前記結晶成長用基板の表面が表出するように構成された側壁部を備えたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項２】
前記開口部の断面積が前記結晶成長用基板の表面に近づくにつれて小さくなるように前記開口部の断面にテーパーを設けたことを特徴とする請求項1 記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項３】
前記開口部の隅部に残留成長用溶液を除去するための溝を設けたことを特徴とする請求項１記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項４】
前記結晶成長用基板及び前記側壁部が１つの回転軸を中心に回転可能に構成された液相エピタキシャル成長装置であって、
前記開口部の外周を構成する辺が前記回転軸に対して平行にならないように構成したことを特徴とする請求項１記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項５】
請求項１乃至４記載の液相エピタキシャル成長装置を用い、
前記結晶成長用基板及び成長用溶液を加熱して高温に保持し、
次いで前記結晶成長用基板及び前記成長用溶液の温度を下降させながら、前記成長用溶液を前記結晶成長用基板に接触させることにより、
前記開口部内の前記結晶成長用基板の表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とする液晶エピタキシャル成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液相エピタキシャル（以下ＬＰＥと称する。）成長装置、特に化合物半導体のＬＰＥ成長用の閉管式ＬＰＥ成長装置に関する。また、ＬＰＥ成長方法、特に化合物半導体を前記閉管式ＬＰＥ成長装置を用いて成長する方法に関する。
【０００２】
化合物半導体のＬＰＥ成長方法としては、これまで一般的に、開管式ＬＰＥ成長方法であるボートスライド法が行われてきた。しかしながら、組成の中に蒸気圧の高い元素（例えば、Ｈｇ、Ａｓ、Ｐなど）を含む化合物半導体結晶を開管式ＬＰＥ成長方法で成長させる場合は、蒸気圧を制御する必要があるため、成長中にキャリアガスを流し、その流量を厳密に制御しなければならないが、これには一般的に精度上の限界がある。
【０００３】
このため、組成の中に蒸気圧の高い元素を含む化合物半導体結晶を成長させる場合は、蒸気圧の変動を抑えるために閉管式ＬＰＥ成長方法が用いられている。閉管式ＬＰＥ成長方法には、成長用溶液（以下メルトと称する。）を結晶成長用基板に接触させる方式によって、閉管を傾斜させるネルソン式、閉管を回転させるティッピング式、及び閉管内で結晶成長用基板をメルトの中に浸せきさせるディッピング式などの方式がある。
【０００４】
一方、化合物半導体デバイスの中でも、赤外線検知素子や赤外線レーザ素子などの赤外デバイスには、エネルギーバンドギャップの狭い、例えば水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ）といった化合物半導体結晶が用いられている。この赤外デバイスの製造に際しては、結晶の組成比やエネルギーバンドギャップなどの物性の制御性の観点から、現在ＬＰＥ成長により結晶成長を行うのが主流である。そして、このような赤外デバイス用の化合物半導体結晶に対しては、その組成の中に水銀などの蒸気圧が高く蒸発しやすい元素が含まれているので、主に前記閉管式ＬＰＥ成長方法が用いられている。
【０００５】
近年、ＬＰＥ結晶成長用基板の大口径化や、デバイスの高性能化の要求に伴い、基板面内でより均一な膜厚分布を有し、結晶欠陥をより低減させたエピタキシャル層をＬＰＥ成長により結晶成長させることのできる技術が要求されている。
【０００６】
【従来の技術】
図７は、ティッピング式成長方法に用いる従来の閉管式ＬＰＥ成長装置を示す構成図であり、結晶成長用基板２２を搭載した状態のものを示す。図中、２１は石英アンプル（閉管）、２２は結晶成長用基板、２３は基板ホルダ、２４は基板固定用の上部石英治具、２５は基板固定用の下部石英治具、２６は結晶成長用基板及び基板ホルダを保持する保持溝、２７は成長用溶液（メルト）、２８は成長用溶液（メルト）の収納部、２９は石英アンプル（閉管）の回転軸を表す。
【０００７】
図７（ａ）は、従来の閉管式ＬＰＥ成長装置全体の斜視図を表す。図７（ｂ）は円筒形状を有する石英アンプル２１の管軸に平行な面における図7（ａ）の断面図（図７（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当。）、図７（ｃ）は石英アンプル２１の管軸に垂直な面における図７（ａ）の断面図（図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図に相当。）を表し、それぞれメルト２７が充填された状態で示してある。また、図７（ｄ）は石英アンプル２１を図７（ｃ）に示す状態から回転軸２９に沿って１８０°回転させた状態を表す図であり、結晶成長用基板２２表面にメルト２７を接触させて基板表面にエピタキシャル層を形成する時の状態を示す。
【０００８】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、ティッピング式成長方法に用いる従来の閉管式ＬＰＥ成長装置では、結晶成長用基板２２を載置させた基板ホルダ２３を、結晶成長用基板２２及び基板ホルダ２３を保持するための保持溝２６を設けた基板固定用の上部石英治具２４及び下部治具２５により、上下、左右から挟み込んで固定している。そして、この状態で、前記結晶成長用基板２２、前記基板ホルダ２３、前記基板固定用上部治具２４及び下部治具２５は全て石英アンプル（閉管）２１の中に収められ、真空封止されている。
【０００９】
図７において、石英アンプル２１は円筒形状を有する閉管であり、その管軸２９にそって回転可能になっている。結晶成長用基板２２は正方形の結晶成長面を有する平板状基板である。基板ホルダ２３は平板状の石英治具に前記結晶成長用基板２２を載置するための凹部が形成されたものであり、前記凹部に前記結晶成長用基板を載置した場合、前記基板ホルダ２３の外周部の高さが前記結晶成長用基板２２の表面の高さに比べて等しいか、又は小さくなるように形成したものである。また、前記結晶成長用基板２２及び前記基板ホルダ２３は、前記結晶成長用基板２２の正方形の四辺のうち、一方の対向する二辺３０ａ、３０ｂに対応した端部において前記保持溝２６により挟持されて固定されており、残りの二辺３０ｃ、３０ｄに対応する端部は開放されている。
【００１０】
次に、図７に示した閉管式ＬＰＥ成長装置を用いた従来の結晶成長方法について説明する。まず、上記説明したように、結晶成長用基板２２を基板ホルダ２３に載置し、この基板ホルダを基板固定用の上部石英治具２４及び下部石英治具２５により挟持して固定する。また、メルト収納部２８には、予め所定の組成に秤量して高温で合金化させ冷却した、固体状態のメルトを載置する。（図示せず。）この状態で、石英アンプル２１を真空封止した後、この石英アンプル２１を成長炉内に挿入し、加熱して前記メルトを溶融する。（図７（ｃ）を参照。）続いて、成長炉内の温度を一定の割合で降下させていき、成長開始の温度になった時、前記石英アンプル２１を回転軸２９に沿って１８０°回転させて、基板ホルダ２３に載置された結晶成長用基板２２が液体状態のメルトに接触するようにし、結晶成長を開始させる。（図７（ｄ）を参照。）そして、所定の膜厚のエピタキシャル層が成長できた後、石英アンプル２１を再び回転軸２９に沿って１８０°回転させて図７（ｃ）の状態に戻し、前記メルトを結晶成長用基板２２の表面から除去することにより、成長を終了させる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示した従来の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いて結晶を行った場合、結晶成長用基板２２及び基板ホルダ２３の四辺の端部のうち、一方の二辺３０ａ、３０ｂの端部は図7（ｂ）に示すように下部石英治具２５の端面にて規制されているが、残りの二辺３０ｃ、３０ｄの端部は図7（ｄ）に示すように開放されているため、結晶成長用基板２２の開放された端部において異常成長が起こりやすいという問題がある。
【００１２】
すなわち、開放された端部では、結晶成長の際に前記端部よりも外側にあるメルトからも原料供給を受けるため、結晶成長用基板２２の中央部に比べて表面端部における成長速度が大きくなり、エピタキシャル層の膜厚が外周部で厚い、Ｕ字型分布となってしまう。また、実際の装置では、結晶成長用基板２２及び基板ホルダ２３の加工精度の問題から結晶成長用基板２２と基板ホルダ２３の間に図示しない隙間が生じてしまうので、開放された端部ではこの隙間にメルトが侵入することに起因して結晶成長用基板２２の側面からの結晶成長も起こりやすく、このこともエピタキシャル層のＵ字型膜厚分布の原因となってしまう。
【００１３】
以上のように、従来の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いた場合、成長したエピタキシャル層の膜厚の均一性を確保することが困難であった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたもので、基板面内で良好な膜厚の均一性を有するエピタキシャル層を成長することを可能にする閉管式ＬＰＥ成長装置、及び前記閉管式ＬＰＥ成長装置を用いた化合物半導体のＬＰＥ成長方法を提供することを目的とする。
【００１５】
本発明の閉管式ＬＰＥ成長装置では、図７で示した従来の装置と異なり、正方形の表面（結晶成長面）を有する結晶成長用基板の外周部のうち、正方形の四辺の表面端部すべてを、開口部を有する側壁部により完全に被覆し、前記開口部内において前記成長用結晶基板の表面（結晶成長面）が表出するようにした構造となっている。この構造により、結晶成長用基板に開放された端部がなくなるので、従来のごとく、結晶成長用基板の端部において異常成長が起こり、成長したエピタキシャル層がＵ字型の膜厚分布となることを防止することができ、良好な膜厚の均一性を有するエピタキシャル層を形成することが可能となる。
【００１６】
しかしながら、上記の本発明の閉管式ＬＰＥ装置の構造には、前記開口部に、結晶成長用基板の基板面に対して垂直な側壁面が存在することに起因して、結晶成長用基板の表面端部においてエピタキシャル層の膜厚が減少するという短所がある。すなわち、結晶成長用基板の表面端部では、従来の装置における保持溝により挟持された端部の場合と同様に、結晶成長の際に前記側壁部の垂直な側壁面により原料供給に寄与できるメルトの領域が制限されるため、基板の端部に近づくにつれて約４５°の傾斜を持ってエピタキシャル層の膜厚が減少してしまう。このため、上記の本発明の閉管式ＬＰＥ装置の構造では、成長したエピタキシャル層の膜厚の均一性を従来に比べて大きく向上させることができるものの、より膜厚の均一性を向上させるために上記短所を解消することが望ましい。
【００１７】
そこで、本発明の閉管式ＬＰＥ成長装置では更に、前記側壁部の開口部に対して、前記結晶成長用基板の基板面と前記開口部の側壁面とのなす角度が９０度以上になるように、テーパーを形成する。言い換えれば、側壁部に設けられた開口部の断面積が前記結晶成長用基板の表面に近づくにしたがって小さくなるように、前記開口部にテーパーを形成する。開口部にこのようなテーパー形状を設けることにより、結晶成長の際に結晶成長用基板の表面端部に対して原料供給を行うことができるメルトの領域を、従来の装置における開放された端部の場合と保持溝により挟持された端部の場合の中間程度に、適切に設定できる。このため、基板の端部においても基板の中央部と同等の成膜速度を得ることができるようになり、基板の端部まで良好な膜厚の均一性を有するエピタキシャル層を形成することが可能となる。
【００１８】
ところで、ＬＰＥ成長の場合、原理的に結晶成長用基板に液体状態の成長用溶液（メルト）を接触させて結晶成長させるため、従来より、成長終了時のメルト除去（ワイプ・オフ）において基板上にメルトが残留してしまうといった基本的問題が生じていた。基板上に残留メルトが発生すると、エピタキシャル成長層に結晶欠陥が発生し、デバイス不良の原因となる可能性がある。この点に関し、図７に示す従来の閉管式ＬＰＥ成長装置では、結晶成長用基板２２及び基板ホルダ２３の四辺の端部のうち二辺３０ｃ、３０ｄの端部が開放されているので、石英アンプル２１を回転させたときにこの開放された端部よりメルトが流れ出すため、メルトが除去されやすい構造になっている。
【００１９】
これに対し、本発明の閉管式ＬＰＥ装置の構造では、上記述べたように、従来の装置に比べて成長したエピタキシャル層の膜厚の面内均一性を著しく向上させることができるが、その反面、結晶成長用基板の四辺すべてを側壁部により被覆しているため、基板上に残留メルトが発生することが懸念される。
【００２０】
このため、本発明の閉管式ＬＰＥ成長装置では、前記開口部の隅部に溝を設けるように構成する。このように溝を設けた構造とすることより、成長終了後、結晶成長用基板上からメルトを除去する際に基板から除去しきれないメルトがあっても、この残留分のメルトは前記溝に落とし込むことにより基板上から完全に除去することができるので、結晶成長用基板の上に残留メルトが発生するのを防止することが可能になる。
【００２１】
また、本発明の閉管式ＬＰＥ装置では、前記側壁部に設けられた開口部が石英アンプルの回転軸に対して傾斜するように構成する。この構造により、成長終了後、結晶成長用基板上からメルトを除去する際に、前記開口部の隅部においてメルトをその表面張力により１箇所に凝集させることができるので、メルトの除去が容易になり、結晶成長用基板上に残留メルトが発生するのを防止することが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１乃至図４は、それぞれ本発明の第1乃至第4の実施の形態を説明するための図である。図１乃至図4の中で同一のものは同一の記号で示してあり、１は石英アンプル（閉管）、２は結晶成長用基板、３は基板載置部（第１の石英治具）、４は側壁部（第２の石英治具）、５は成長用溶液（メルト）、６は成長用溶液（メルト）を収納する空洞、７は成長用溶液（メルト）載置部（第3の石英治具）、８は石英アンプル（閉管）の回転軸、９は側壁部４の開口部１２に設けられたテーパー、１０は側壁部４の開口部に設けられた溝、１２は側壁部に設けられた開口部を表す。
【００２３】
図1（ａ）は円筒形状を有する石英アンプル１の管軸に平行な面（図７（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当。）における断面図、図1（ｂ）は石英アンプル１の管軸に垂直な面（図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図に相当。）における断面図を表し、それぞれメルト５が充填された状態で示してある。図1（ｃ）は石英アンプル１を図1（ｂ）に示す状態から回転軸８に沿って１８０°回転した状態を表す図であり、結晶成長用基板２表面にメルト５を接触させて基板２表面にエピタキシャル層を形成する時の状態を示す。図２乃至図４は側壁部４の構造の詳細を表す拡大図であり、結晶成長用基板２の基板面に垂直な方向から見た図である。
【００２４】
本発明の第一の実施の形態について図1を用いて説明する。まず、本発明の第1の実施の形態として、ティッピング式成長方法に用いる閉管式ＬＰＥ成長装置について図１に示して説明する。石英アンプル１には内径３５ｍｍ、厚さ２ｍｍの石英ガラス製の閉管を用いる。結晶成長用基板２には２５．０ｍｍ（縦）×２５．０ｍｍ（横）×１．０ｍｍ（厚さ）の正方形平板状に加工した化合物半導体結晶を用いる。基板載置部３（第１の石英治具）、側壁部４（第２の石英治具）及び成長用溶液（メルト）載置部７（第3の石英治具）は１つの石英ムク棒より加工して形成する。石英ガラスはメルトとの濡れ性がよくないので、石英ガラス製のアンプル及び治具を用いることにより、結晶成長用基板上の残留メルトの発生を抑制することができる。
【００２５】
まず、直径３５ｍｍの円筒形状を有する石英ムク棒を管軸を含む平面（第1の分割面）で１／２に分割する。分割した一方の石英ムク棒（第3の石英治具）には、中央部にメルトを収納するための空洞を形成する。この空洞は、前記第1の分割面に平行な面内で２５ｍｍ（縦）×３０ｍｍ（横）の長方形の断面を有するものであり、第１の分割面に垂直な方向には突き抜けの構造になっている。これによりメルト載置部７が形成される。
【００２６】
また、分割した他方の石英ムク棒は、前記第1の分割面より高さ３．５ｍｍのところで、第1の分割面に対して平行な平面（第２の分割面）で更に２つの部位に分割する。このうち、厚さ３．５ｍｍの平板状に加工された部位（第2の石英治具）から側壁部４を形成し、残りの部位（第1の石英治具）から基板載置部３を形成する。まず、第1の石英治具には、前記第２の分割面側の中央部に結晶成長用基板２を載置するための凹部（２５．１ｍｍ（縦）×２５．１ｍｍ（横）×１．１ｍｍ（厚さ））を形成する。これにより基板載置部３が形成される。また、第２の石英治具には、中央部に２４．８ｍｍ（縦）×２４．８ｍｍ（横）の正方形の開口部１２を形成する。これにより、結晶成長用基板２の表面端部を被覆し、基板２上の結晶成長領域を規定する開口部１２を有する側壁部４が形成される。このとき、メルト載置部７の空洞６、基板載置部３の凹部、及び側壁部４の開口部１２は、すべての中心が同一軸上に位置するように形成する。
【００２７】
上記形成した、基板載置部３の凹部に結晶成長用基板２を載置し、その上から側壁部４を圧接して結晶成長用基板２を固定し、次いで前記側壁部４の表面にメルト載置部７を取り付ける。そして、これらを石英アンプル１内に挿入し、真空封止すると、図１（ａ）及び（ｂ）に示す閉管式ＬＰＥ成長装置が形成される。ここで、側壁部４の開口部１２の大きさは結晶成長用基板２よりも若干（正方形の一辺の長さで０．２ｍｍ程度）小さくなっているため、側壁部４は結晶成長用基板２の外周部のすべてを被覆し、同時に側壁部４により結晶成長用基板２を固定することが可能になっている。そして、この構造により、結晶成長用基板２の表面端部にはすべて、基板面に対して垂直な、前記開口部１２の側壁面が配置され、開放された端部が存在しないため、上記説明したように、結晶成長用基板２上に均一な膜厚分布を有するエピタキシャル層を形成することができる。
【００２８】
次に、上記説明した本発明の第１の実施の形態の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いて、ティッピング式のＬＰＥ成長を行う方法について説明する。図１を用いて、水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ）を成長させる場合について説明する。結晶成長用基板２には、Ｃｄ0.97Ｚｎ0.03Ｔｅ結晶を用い、２５．０ｍｍ（縦）×２５．０ｍｍ（横）×１．０ｍｍ（厚さ）の正方形平板状に加工したものを用いる。また、メルト５には、ＴｅリッチであるＨｇＣｄＴｅメルトを５０ｇ用いる。このメルトは、各組成元素ごとに、成長させるエピタキシャル層の所定の組成比に応じて予め秤量して石英アンプル内に真空封止し、約６００℃で５０時間加熱して均一に合金化した後、冷却して形成した固体状のものである。ここでは、Ｈｇ：Ｃｄ：Ｔｅ＝０．１５０４：０．００９９：０．８３９７のモル比で秤量して合金化した、実液相化温度４８０℃、実平衡組成比ｘ＝０．２３、平衡Ｈｇ分圧０．０８ａｔｍ、平衡Ｔｅ2分圧０．００６ａｔｍ、平衡Ｃｄ分圧５×１０-9ａｔｍを有するＨｇＣｄＴｅメルトを用いる。
【００２９】
まず、前記Ｃｄ0.97Ｚｎ0.03Ｔｅ基板２にＢｒ−メタノール液でエッチング処理を施し、この基板２を基板載置部３の凹部に載置した後、側壁部４により圧接して固定する。次いで、メルト載置部７に設けた空洞６に前記ＨｇＣｄＴｅメルト５を載置し、Ｃｄ0.97Ｚｎ0.03Ｔｅ基板２、ＨｇＣｄＴｅメルト５、基板載置部３、側壁部４及びメルト載置部７を石英アンプル１に入れ、真空封止した後、成長炉（図示せず。）に挿入する。
【００３０】
次に、前記成長炉を５００℃に３０分程度で昇温し、この状態に約1時間程度保持して空洞6内のメルト５を溶融する。（図１（ｂ）を参照。）このとき、結晶成長用基板２も５００℃の温度になるよう装置構造を設計しておく。この後、成長炉の温度を０．１℃／分の降温速度で温度を下げていく。そして、成長炉の温度が４８０℃になったとき、石英アンプル１を回転軸８を中心にして図１（ｂ）の矢印の方向に１８０°回転させ、結晶成長用基板２にメルト５を接触させ、ＬＰＥ結晶成長を開始させる。（図１（ｃ）を参照。）このとき、メルト５及び結晶成長用基板２の温度が常に同一になるように装置構造を設計しておく。
【００３１】
この状態で更に０．１℃／分の降温速度で温度を下げていき、成長開始時刻より４６分後に、再び石英アンプル１を回転軸８を中心にして図１（ｃ）の矢印の方向に１８０°回転させ、メルト５を結晶成長用基板２から除去し、結晶成長を終了させる。これで、表面組成ｘ＝０．２２、膜厚３０μｍ±１μｍを有し、基板２の端部から１ｍｍの領域まで組成が均一なエピタキシャル成長層が形成できる。
【００３２】
ここで、成長終了後メルト５を石英アンプル１を回転させて除去する際に、予め基板２からほとんどのメルトが除去される回転角（図１（ｂ）の状態から矢印の方向に約９０°）を見積もっておき、この回転角において石英アンプル１の回転をいったん停止させるのが好ましい。このとき、メルトはその表面張力により１箇所に凝集する。そして、メルトが凝集するのを待った後、再度回転させることによりメルトを基板２から完全に除去するようにする。このときの石英アンプル１の停止時間は、およそ１分程度で充分である。このような石英アンプル１の回転方法を行うことにより、結晶成長用基板２上の残留メルトをより効果的に低減させることができる。
【００３３】
次に、本発明の第２の実施の形態について図２を用いて説明する。第２の実施の形態では、 第１の実施の形態の装置構造に加えて、図２に示すように、側壁部４の開口部１２にテーパー９を形成する。このテーパー９は、開口部１２の側壁面と結晶成長用基板２の基板面とのなす角度αが９０°以上で、かつ１３５°以下となるように形成するのが好ましい。このようなテーパー９を設ける側壁部４の高さは、前記第２の分割面より１ｍｍ程度で充分であり、残りの側壁部４では側壁面と基板面とのなす角度は通常どおり９０°にすればよい。この構造により、上記説明したように、結晶成長の際に結晶成長用基板２の表面端部に対して原料供給を行うことができるメルトの領域を適切に制限できるため、結晶成長用基板２上に基板２の端部まで均一な膜厚分布を有するエピタキシャル層を形成することができる。
【００３４】
ここで、図2に示すテーパー９の形状を開口部１２の側壁面に一体的に加工することが困難である場合は、側壁部４を更に前記第１及び第２の分割面に平行な平面（第３の分割面）でテーパーを形成する部位と残りの部位とに分割し、テーパー形状の加工と通常の側壁面の加工とを別々に行うことも可能である。この場合、加工終了後、分割した２つの部位を再び第３の分割面で接続させて、一体の側壁部４として使用すればよい。
【００３５】
また、第２の実施の形態の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いてＬＰＥ成長を行う場合は、第1の実施の形態の場合と同様に行えばよい。
【００３６】
次に、本発明の第３の実施の形態について図３を用いて説明する。第３の実施の形態では、第１の実施の形態の装置構造に加えて、図３に示すように、側壁部４に設けられた開口部１２の隅部に溝１０を形成する。この溝１０は、例えば幅５ｍｍ、深さ３ｍｍの大きさで形成した貫通溝である。この構造により、上記説明したように、成長終了後メルト５を除去する際に、除去しきれない分のメルトを前記溝１０に落とし込むことができるので、結晶成長用基板２の表面から完全にメルトを除去することができ、残留メルトの発生を防止することができる。
【００３７】
ここで、前記溝１０を形成することにより結晶成長用基板２の表面端部のうち前記溝１０を形成した部分が開放された状態になってしまうため、前記溝１０を形成した部分において、従来のごとく異常成長により基板の端部でエピタキシャル層の膜厚が増加してしまう可能性が懸念される。しかしながら、前記溝１０の側壁面も基板の表面端部を被覆する開口部１２の側壁面と同等の役割を果たすことができるので、幅５ｍｍ程度の前記溝１０に対応するエピタキシャル層の膜厚の増加は、実際にはほとんど無視できる程度のものである。
【００３８】
また、第３の実施の形態の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いてＬＰＥ成長を行う場合は、第1の実施の形態の場合と同様に行えばよい。
【００３９】
次に、本発明の第４の実施の形態について図４を用いて説明する。第４の実施の形態では、第１の実施の形態の装置構造に加えて、図４に示すように、側壁部４に形成する開口部１２を石英アンプル１の回転軸８に対して傾斜させるように構成する。この傾斜の角度θは、０°以上かつ４５°以下になるように構成することが好ましい。この構造によって、上記説明したように、成長終了後メルト５を除去する際に石英アンプル１を回転軸８を中心にして回転させたとき、前記開口部１２の正方形の隅部において、メルトをその表面張力により1箇所に凝集させることができる。このため、メルトの除去が容易になり、結晶成長用基板２上に残留メルトが発生するのを防止することが可能になる。
【００４０】
更にこのとき、第1の実施の形態で説明したのと同様に、石英アンプル１を回転軸８を中心にしておよそ９０°程度回転させた後いったん停止させることにより、表面張力によるメルトの凝集が促進されることとなるので、よりメルトの除去が容易になり、残留メルトの低減がより促進される。
【００４１】
また、第４の実施の形態の閉管式ＬＰＥ成長装置を用いてＬＰＥ成長を行う場合は、第1の実施の形態の場合と同様に行えばよい。
【００４２】
一方、側壁部４の開口部１２の構造については、上述の第２乃至第4の実施の形態において述べた構造のほかに、これらの構造を適宜組み合せたものを用いることができることはもちろんである。すなわち、前記側壁部４に前記テーパー９及び前記溝１０を設けたものを図５（ａ）に、前記側壁部４に前記テーパー９を設け、かつ側壁部４に設けた開口部１２を傾斜させたものを図５（ｂ）に示す。また、前記開口部１２に前記溝１０を設け、かつ側壁部４に設けた開口部１２を傾斜させたものを図６（ａ）に、前記開口部１２に前記テーパー９及び前記溝１０を設け、かつ側壁部４に設けた開口部１２を傾斜させたものを図６（ｂ）に示す。これらの構造により、各々、上述の第２乃至第4の実施の形態において述べた本発明の閉管式ＬＰＥ装置に特有の効果の中から、複数の効果を同時に得ることが可能になる。尚、図5及び図6において、図1乃至図4で示したものと同一のものは同一の記号で示してある。
【００４３】
また、上述の第1乃至第4の実施の形態では、結晶成長用基板としてＣｄ0.97Ｚｎ0.03Ｔｅ結晶を用い、その上に組成比ｘ＝０．２２を有する水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ）を成長させる場合を示したが、本発明はこれらの物質に限定されるものではない。上記以外の組成比ｘを有する水銀カドミウムテルル（Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ）を成長させることができることはもちろん、エピタキシャル成長を行う物質として、水銀亜鉛テルル（Ｈｇ1-xＺｎxＴｅ）又は水銀カドミウム亜鉛テルル（Ｈｇ1-x（Ｃｄ1-yＺｎy）xＴｅ）を用いることができる。結晶成長用基板として、ＣｄＴｅ、Ｃｄ1-xＺｎxＴｅ、又は、シリコン又はサファイアからなる基板上にこれらの結晶のうちの１つを成長させたものを用いることができる。
【００４４】
また、エピタキシャル成長を行う物質としては、一般にＡ1-xＢxＣ形の化学式で示される物質であって、ＡがＨｇ、ＢがＣｄ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅ及びＣのいずれか１つの元素、ＣがＴｅ、Ｓｅ及びＳのいずれか１つの元素である三元の化合物半導体結晶を用いることもでき、また、前記Ａ、Ｂ及びＣの元素よりなる四元以上の化合物半導体結晶も用いることも可能である。結晶成長用基板としてはＣｄＴｅ、Ｃｄ1-xＺｎxＴｅ、Ｃｄ1-xＴｅxＳｅ、及びＣｄ1-xＭｎxＴｅを用いることもでき、シリコン、サファイア、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、ガリウム砒素、及びＡｌＭｇＯ4のいずれか１つからなる基板の上にこれらの結晶のうちの１つを成長させたものを用いることも可能である。
【００４５】
更に本発明は、３−５族及び２−６族等の三元以上の多元化合物半導体結晶のＬＰＥ成長であって、特にＨｇ、Ａｓ、Ｐなどの蒸気圧の高い元素が組成の中に含まれる場合に用いることが有効である。
【００４６】
また、上述の第1乃至第4の実施の形態では、アンプル（閉管）１、及び基板載置部３、側壁部４、メルト載置部７といったアンプル内に封入する治具は、すべて石英ガラス製のものを用いたが、代わりに表面にガラス化処理を施したカーボン材料、ｐＢＮ、及びＳｉＣ膜を表面にコーティングしたカーボン材料のいずれか1種、又はこれらを複数組み合せた材料で形成することができる。
【００４７】
最後に、上述の第1乃至第4の実施の形態では、石英アンプル（閉管）を回転させることにより結晶成長用基板とメルトを接触させるティッピング式のＬＰＥ成長の場合について説明したが、本発明の閉管式ＬＰＥ成長装置及び成長方法は、石英アンプル（閉管）を傾斜させることにより結晶成長用基板とメルトを接触させるネルソン式や、石英アンプル（閉管）内で結晶成長用基板をメルトに浸せきさせるディッピング式に対しても適用することができる。
【００４８】
更に付言すれば、本発明には以下に示す事項も含まれる。
付記：
(1)前記結晶成長用基板及び前記側壁部を１つの回転軸を中心に回転させることにより前記結晶成長用基板から前記成長用溶液を除去する液晶エピタキシャル成長方法であって、
前記結晶用基板上から前記結晶用溶液が除去される回転角で前記結晶用成長基板の回転をいったん停止させ、前記結晶用溶液をその表面張力により一箇所に凝集させた後、再び前記成長用結晶基板を回転させて、前記結晶成長用基板から前記結晶成長用溶液を除去することを特徴とする請求項4記載の液晶エピタキシャル成長方法。
【００４９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、化合物半導体のＬＰＥ成長に関し、結晶成長用基板の外周部のすべての端部を、開口部を有する側壁部で被覆するので、結晶成長用基板の表面端部で異常成長が起こり、成長したエピタキシャル層がＵ字型の膜厚分布になることを防止することができる。従って、本発明は、良好な膜厚の均一性を有する化合物半導体のエピタキシャル層を形成することが可能となり、係る化合物半導体のＬＰＥ成長装置の性能向上、及び化合物半導体のＬＰＥ成長方法の発展に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態を説明するための構成図
【図２】  本発明の第２の実施の形態を説明するための構成図
【図３】  本発明の第３の実施の形態を説明するための構成図
【図４】  本発明の第４の実施の形態を説明するための構成図
【図５】  本発明のその他の実施の形態を説明するための構成図（その１）
【図６】  本発明のその他の実施の形態を説明するための構成図（その２）
【図７】  ティッピング式成長方法に用いる従来の閉管式ＬＰＥ成長装置を示す構成図
【符号の説明】
１        石英アンプル（閉管）、
２        結晶成長用基板、
３        基板載置部（第１の石英治具）、
４        側壁部（第２の石英治具）、
５        成長用溶液（メルト）、
６        空洞部、
７        成長用溶液（メルト）載置部（第3の石英治具）、
８        石英アンプル（閉管）の回転軸、
９        テーパー、
１０      溝、
１２      開口部
２１      石英アンプル（閉管）、
２２      結晶成長用基板、
２３      基板ホルダ、
２４      基板固定用上部石英治具、
２５      基板固定用下部石英治具、
２６      保持溝、
２７      成長用溶液（メルト）、
２８      成長用溶液（メルト）収納部、
２９      石英アンプル（閉管）の回転軸
３０      結晶成長用基板の端部
【図１】
0004870859.tif 000002
【図２】
0004870859.tif 000003
【図３】
0004870859.tif 000004
【図４】
0004870859.tif 000005
【図５】
0004870859.tif 000006
【図６】
0004870859.tif 000007
【図７】
0004870859.tif 000008