(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、
前記金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備え、
前記金属薄膜の少なくとも一部がＴａで、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、空間群がＰ４２／ｍｎｍに属することを特徴とする接合基板。
【請求項２】
一方の面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、
前記金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備え、
前記金属薄膜の少なくとも一部がＴａで、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、密度が１６．７ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする接合基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の接合基板を用いたことを特徴とする反応装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合基板及びそれを用いた反応装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロリアクタと呼ばれる小型反応器が開発・実用化されている。マイクロリアクタは、反応器全体が小さいため、熱交換率が極めて高く温度制御が効率良く行えるという利点がある。そのため、精密な温度制御を必要とする反応や急激な加熱又は冷却を必要とする反応でも容易に行うことができる。
具体的に、マイクロリアクタには、化学物質を流動させるチャネル（流路）や化学物質同士を反応あるいは化学物質を分解させるリアクタ（反応槽）などが形成されている。特許文献１では、所定パターンの溝を形成したシリコン基板と耐熱性のガラス基板とを互いに貼り合わせた状態で陽極接合し、二枚の基板の間の密閉領域にチャネルを形成している。
【０００３】
ここで、陽極接合とは、高温環境下（例えば、３００℃〜４００℃）でガラス基板とシリコン基板とを接触させた状態で、シリコン基板に陽極を、ガラス基板に陰極を接触させて高電圧で印加することで、シリコン基板側の正電荷を帯びたＳｉと、ガラス基板側の負電荷を帯びた酸素原子とを界面で共有結合させる接合技術である。大気中でも基板の接合を行えることや、拡散接合やフリットガラス接合に比べて比較的低温で接合が行えるなどの特徴を持っていることから、基板の接合技術においては特に優れた技術とされている。
また、ガラス基板同士を接合する場合には、一方のガラス基板に金属薄膜を設け、金属薄膜が設けられたガラス基板に陽極を、他方のガラス基板に陰極を接触させて高電圧を印加することで、金属薄膜側の正電荷を帯びた金属と、ガラス基板側の負電荷を帯びた酸素原子とを界面で共有結合させ、接合を行うことができる（例えば、特許文献２参照）。
また、陽極接合に用いる金属薄膜としては、ガラス基板の酸素原子と結合する金属を用いることができ、例えば高融点金属であるＴａを含む金属薄膜を用いることができる（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００１−２２８１５９号公報
【特許文献２】特開平８−２９３７５３号公報
【特許文献３】特開２００１−２３２９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ガラス基板上にＴａ膜を成膜した場合、陽極接合等のプロセス工程を経た後で剥離することがあり、この剥離は陽極接合における気密の信頼性の低下をもたらすことがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、剥離しにくいＴａ膜を成膜して、陽極接合における気密の信頼性の向上を図ることのできる接合基板及びそれを用いた反応装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、接合基板において、
一方の面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、
前記金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備え、
前記金属薄膜の少なくとも一部がＴａで、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、空間群がＰ４２／ｍｎｍに属することを特徴とする。
【０００６】
請求項２の発明は、接合基板において、
一方の面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、
前記金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備え、
前記金属薄膜の少なくとも一部がＴａで、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、密度が１６．７ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、反応装置において、
請求項１又は２に記載の接合基板を用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、剥離しにくいＴａ膜を成膜して、陽極接合における気密の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
図１は、本発明が適用される反応装置１０が用いられる発電装置１００のブロック図である。
発電装置１００は、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機、ＰＤＡ(Personal Digital Assistant)、電子手帳、腕時計、デジタルスチルカメラ、ゲーム機器、遊技機、その他の電子機器に備え付けられたものであり、電子機器本体を動作させるための電源として用いられる。
【００１０】
発電装置１００は、燃料容器１０１と、気化器１０２と、反応装置１０と、発電セル１０３と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１０４と、２次電池１０５と、制御部１０６と、を備える。燃料容器１０１は、メタノール、エタノール、ブタン等の燃料と水を別々に又は混合した状態で貯留し、図示しないマイクロポンプにより燃料及び水の混合液を気化器１０２を介して反応装置１０に供給する。なお、以下の説明では燃料としてメタノールを使用する場合について説明するが、エタノール、ブタン等の燃料についても同様である。
【００１１】
反応装置１０は、高温反応部１１と、低温反応部１２とを有し、図示しない断熱容器に収納される。高温反応部１１は改質器１３、燃焼器１５及び高温ヒータ１７を有し、低温反応部１２は一酸化炭素除去器１４及び低温ヒータ１６を有する。
【００１２】
燃料容器１０１から供給された燃料と水は、気化器１０２により気化され、改質器１３に供給される。改質器１３は、気化器１０２から供給された燃料と水の混合気を化学反応式（１）のように反応させ、主生成物である水素ガス、二酸化炭素ガス（及び後述の副生成物である一酸化炭素を含む）の混合気体を生成する。一酸化炭素除去器１４は、化学反応式（１）についで逐次的に起こる化学反応式（２）のような式によって微量に副生される一酸化炭素を化学反応式（３）のように酸化させることで混合気体から除去する。以下、この一酸化炭素を除去した混合気体を改質ガスと言う。改質ガスは発電セル１０３の燃料極側に供給される。
【００１３】
ＣＨ3ＯＨ＋Ｈ2Ｏ→３Ｈ2＋ＣＯ2  …（１）
Ｈ2＋ＣＯ2→Ｈ2Ｏ＋ＣＯ  …（２）
２ＣＯ＋Ｏ2→２ＣＯ2  …（３）
【００１４】
発電セル１０３の燃料極側には一酸化炭素除去器１４から改質ガスが供給される。改質ガスのうちの水素ガスは電気化学反応式（４）に示すように、燃料極に設けられた触媒により水素イオンと電子とに分離される。水素イオンは電解質膜を通過して酸素極側へ移動し、電子は外部回路を経て酸素極に移動する。酸素極側では電気化学反応式（５）に示すように、電解質膜を通過した水素イオンと、外部回路を経て酸素極から供給される電子と、外気から供給される酸素ガスとの化学反応により水を生成する。この燃料極と酸素極の電極電位の差から電気エネルギーを取り出すことができる。
【００１５】
Ｈ2→２Ｈ+＋２ｅ-  …（４）
２Ｈ+＋２ｅ-＋１／２Ｏ2→Ｈ2Ｏ  …（５）
【００１６】
なお、上記電気化学反応をせずに残った水素ガス（以下、オフガスと言う）を、燃焼器１５に供給してもよい。
【００１７】
燃焼器１５は、燃料容器１０１から供給された燃料、または、オフガスに、酸素を混在させて燃焼し高温反応部１１を２５０℃以上、例えば約２５０〜４００℃に加熱する。高温ヒータ１７は起動時に燃焼器１５の代わりに高温反応部１１を加熱する。
低温ヒータ１６は、起動時に低温反応部１２を２００℃未満、例えば約１１０〜１９０℃に加熱する。
【００１８】
ＤＣ／ＤＣコンバータ１０４は、発電セル１０３により生成された電気エネルギーを適切な電圧に変換したのちに電子機器２００に供給する機能の他に、発電セル１０３により生成された電気エネルギーを２次電池１０５に充電し、発電セル１０３側が運転されていない時に、電子機器２００に２次電池側から電気エネルギーを供給する機能も果たせるようになっている。制御部１０６は気化器１０２、反応装置１００、発電セル１０３を運転するために必要な図示しないポンプやバルブ類、そして、ヒータ類、ＤＣ／ＤＣコンバータ１０４等を制御し、電子機器２００に安定して電気エネルギーが供給されるような制御を行なう。
【００１９】
次に、反応装置１０の構造について説明する。図２は反応装置１０の平面図であり、図３は図２の切断線III−IIIに沿って切断した際の矢視断面図である。
反応装置１０には、高温反応部１１と低温反応部１２との間に熱伝導を妨げるためのスリット５０が設けられている。また、反応装置１０の外周部には、気化器１０２から改質器１３に燃料と水の混合気を供給する供給管５１、発電セル１０３から排出されたオフガスを燃焼器１５に供給する供給管５２、燃焼器１５から燃焼ガスを排出する排出管５３、一酸化炭素除去器１４に酸素を供給する供給管５４、一酸化炭素除去器１４から改質ガスを排出する排出管５５が設けられている。
【００２０】
反応装置１０は、例えば図３に示すように、３枚のガラス基板２０，３０，４０を貼り合わせて形成された接合基板を用いている。上部ガラス基板（第２のガラス基板）２０と中央ガラス基板（第１のガラス基板）３０の対向する面には、それぞれ対向配置されて改質器１３を形成する溝２１，３１、対向配置されて一酸化炭素除去器１４を形成する溝２２，３２が形成されている。
溝２１，３１内には、化学反応式（１）、（２）の改質反応の促進させる改質触媒２３，３３が設けられている。また、溝２２，３２内には、化学反応式（３）の一酸化炭素選択酸化反応を促進させる一酸化炭素選択酸化触媒２４，３４が設けられている。
【００２１】
また、中央ガラス基板３０には、溝３１の裏側に高温ヒータ１７が、溝３２の裏側に低温ヒータ１６が設けられている。また、高温ヒータ１７は絶縁保護膜１８により被覆されている。絶縁保護膜１８は、例えばＳｉＯ2からなる。このような絶縁保護膜１８は、スピンオンガラス（ＳＯＧ）を高温ヒータ１７に塗布し、中央ガラス基板３０全体を４００〜５００℃で焼成することで形成される。ＳＯＧには、例えばメチルシロキサン等のＳｉ、Ｏを含む有機化合物が含まれており、塗布したＳＯＧを焼成することによりＳｉＯ2層が形成される。
なお、高温ヒータ１７は後述するように燃焼器１５内に配置されることになるが、絶縁保護膜１８により被覆されているので、オフガスに含まれる水素の影響を受けることはない。
【００２２】
高温ヒータ１７は、発熱抵抗層１７ａと、密着層兼拡散防止層１７ｂ，１７ｃとからなり、低温ヒータ１６は、発熱抵抗層１６ａと、密着層兼拡散防止層１６ｂとからなる。
発熱抵抗層１７ａ，１６ａは、抵抗率が低くかつ温度係数が大きい材料、例えばＡｕからなり、高温ヒータ１７、低温ヒータ１６の導電性を向上させる。
密着層兼拡散防止層１７ｂ，１６ｂは発熱抵抗層１７ａ，１６ａとガラス基板３０との間の密着性を向上させる密着性に優れた材料、例えば、Ｗ等からなる。なお、密着層兼拡散防止層１７ｂ，１６ｂは、ガラス基板３０に形成した、後述する陽極接合用の金属薄膜３６の上に設けてもよい。
密着層兼拡散防止層１７ｃは、発熱抵抗層１７ａと絶縁保護膜１８との間の密着性を向上させる密着性に優れた材料、例えば、Ｗ等からなる。（なお、高温ヒータ１７、低温ヒータ１６は温度計としても利用することができる。）
【００２３】
下部ガラス基板（第２のガラス基板）４０には、中央ガラス基板３０と対向する面に、燃焼器１５となる溝４１、低温ヒータ１６を収納する溝４２が設けられている。中央ガラス基板３０と下部ガラス基板４０を重ね合わせることで高温ヒータ１７は溝４１内に配置され、低温ヒータ１６は溝４２内に配置される。
溝４１内には燃料を燃焼させる燃焼用触媒４３が設けられている。この溝４１内が中央ガラス基板３０に蓋をされることで燃焼器１５となる。
なお、低温反応部１２側にも燃焼器を設けてもよい。
【００２４】
上記溝２１，２２、３１，３２，４１，４２は、ガラス基板２０，３０，４０をサンドブラスト等により切削することで形成される。
【００２５】
また、中央ガラス基板３０には、上部ガラス基板２０との当接部に、陽極接合用の金属薄膜３５が形成されている。同様に、下部ガラス基板４０との当接部に、陽極接合用の金属薄膜３６が形成されている。
【００２６】
金属薄膜３５，３６に用いる金属としては、酸素と結合する金属を用いることができるもので、少なくともＴａを含む金属薄膜を用いることができる。
一方、金属薄膜３５，３６の表面の金属は、上部ガラス基板２０、下部ガラス基板４０と陽極接合する際に、界面の酸素原子と結合するため、金属薄膜３５，３６は中央ガラス基板３０の製造工程で酸化されないように耐酸化性が高いことが好ましい。
【００２７】
ここで、中央ガラス基板３０の製造工程について図４を参照しながら説明する。まず、ガラス基板の一方の面に、金属薄膜３６となるＴａ含有層、密着層兼拡散防止層１７ｂ，１６ｂとなるＷ層、発熱抵抗層１７ａ，１６ａとなるＡｕ層、密着層兼拡散防止層１７ｃとなるＷ層を順に積層し、Ｔａ／Ｗ／Ａｕ／Ｗの積層構造を形成する（ステップＳ１）。また、ガラス基板の他方の面に、金属薄膜３６となる金属薄膜を形成する（ステップＳ２）。次に、Ｔａ／Ｗ／Ａｕ／Ｗの積層構造をパターニングし、金属薄膜３５，３６，高温ヒータ１７、低温ヒータ１６を形成する（ステップＳ３）。
【００２８】
次に、ガラス基板の金属薄膜３６，高温ヒータ１７、低温ヒータ１６を形成した面に、ＳＯＧを塗布し、４００〜５００℃で仮焼成、本焼成し、ＳｉＯ2層をスパッタ形成する（ステップＳ４〜ステップＳ７）。このとき、発熱抵抗層１７ａ，１６ａのアニールが同時に行われる。
次に、ＳＯＧを焼成したＳｉＯ2層及びスッパッタにより形成したＳｉＯ２層をパターニングし（ステップＳ８）、絶縁保護膜１８を形成する。その後、サンドブラストにより溝３１，３２を形成し（ステップＳ９）、切断（ダイシング）することで中央ガラス基板３０が製造される（ステップＳ１０）。
【００２９】
上記製造工程において、４００〜５００℃で焼成して絶縁保護膜１８を形成した後、サンドブラストの工程や、ダイシング工程において、金属薄膜３５，３６の剥離が生じるおそれがある。ここで金属薄膜３５，３６は、密着層と陽極接合層とを兼用することから、膜厚は１５０nm〜２００nm程度と厚くすることが好ましい。しかし、膜厚を厚くした場合には、より剥離が発生し易い傾向にある。そのため、金属薄膜３５，３６は剥離が発生しにくいように以下に示す構造であることが重要である。
【００３０】
すなわち、金属薄膜３５，３６は少なくともＴａを含んでおり、このＴａ膜が正方晶系（tetragonal）（一般にβ−Ｔａと記載される）の構造であることを要する。
通常、Ｔａ膜には、バルクのＴａが立方晶系の体心立方構造（一般にα−Ｔａと記載される）を取る場合と、上述の正方晶系を取る場合の２種類が知られており（下記の非特許文献１参照）、特に、基板上にＴａ膜を作成した場合には、正方晶系を取る場合が多いとされている。非特許文献１には成膜したＴａ膜が立方晶系の体心立方構造を取る場合もあることが報告されているが、本発明者等の経験上、意図的に不純物を混入しない限り、成膜したＴａ膜において立方晶系の体心立方構造を有する膜は得られないことが認められている。
また、通常、立方晶系のα−Ｔａ膜より正方晶系のβ−Ｔａ膜の方が剥離しにくいとされている（下記の非特許文献２参照）ことから、本発明では正方晶系のβ−Ｔａ膜とすることが重要である。
さらに、後述する実施例から明らかなように、正方晶系のβ−Ｔａ膜であって、その空間群がＰ４２／mnmであり、密度が１６．７g／cm3のＴａ膜（後述のβａ−Ｔａ膜）とすることが必要である。
このようなβａ−Ｔａ膜を含む金属薄膜３５，３６とすることによって、剥離が発生しにくくなる。
【００３１】
非特許文献１  D.  A.  McLean: J. Electrochem. Soc. Japan 34(1996)1-11]
非特許文献２  日刊工業新聞社  “薄膜作成の基礎” 麻蒔  立男  p229
【００３２】
このような構造の金属薄膜３５，３６は、Ｔａを主組成としたターゲット材料を用いてスパッタリングを行うことにより形成することができる。成膜条件としては、後述するように表１の（２）βａ−Ｔａ膜の欄に示した通りである。
【００３３】
次に、上部ガラス基板２０、中央ガラス基板３０、下部ガラス基板４０を陽極接合により貼り合わせる手順について説明する。
まず、上部ガラス基板２０及び中央ガラス基板３０を高温雰囲気に曝露することによりこれらを加熱する。そして金属薄膜３５と上部ガラス基板２０とを接触させた状態で、金属薄膜３５側に陽極を接触させるとともに上部ガラス基板２０の上面（中央ガラス基板３０との接合面と反対側の面）に陰極を接触させ、金属薄膜３５と上部ガラス基板２０との間に高電圧を印加する。すると、金属薄膜３５側の正電荷を帯びた金属元素と、上部ガラス基板２０側のＳｉＯ2の負電荷を帯びた酸素原子とが共有結合する。以上により、上部ガラス基板２０と中央ガラス基板３０とが接合される。
【００３４】
同様に、接合した上部ガラス基板２０及び中央ガラス基板３０と、下部ガラス基板４０とを高温雰囲気に曝露することによりこれらを加熱する。そして金属薄膜３６と下部ガラス基板４０とを接触させた状態で、金属薄膜３６側に陽極を接触させるとともに下部ガラス基板４０の下面（中央ガラス基板３０との接合面と反対側の面）に陰極を接触させ、金属薄膜３６と下部ガラス基板４０との間に高電圧を印加することで、中央ガラス基板３０と下部ガラス基板４０とが接合される。
なお、中央ガラス基板３０と下部ガラス基板４０との接合を先に行い、その後、中央ガラス基板３０と上部ガラス基板２０との接合を行ってもよい。
【００３５】
本実施形態における反応装置１０は、３枚のガラス基板２０，３０，４０を備え、中央ガラス基板３０の一方の面及び他方の面に形成された金属薄膜３５，３６がＴａを含み、正方晶系の結晶構造を有し、かつ、空間群がＰ４２／ｍｎｍに属し、また、密度が１６．７ｇ／ｃｍ３であるので、上部ガラス基板２０及び下部ガラス基板４０との陽極接合において、金属薄膜３５，３６を剥離しにくい膜とすることができる。その結果、陽極接合における気密の信頼性の向上を図ることができる。
【実施例１】
【００３６】
ここで、上述した金属薄膜３５，３６であるβ−Ｔａ膜について、以下の二つの条件下で二種類のβ−Ｔａ膜（βｂ−Ｔａ膜、βａ−Ｔａ膜）を成膜して、剥離の頻度についての実験を行い、上述したように本発明では金属薄膜３５，３６としてβａ−Ｔａ膜を使用することが好ましいことを確認した。
（１）βｂ−Ｔａ膜
下記表１に示す成膜条件でガラス基板上にＴａ膜を作成した。そして、作成したＴａ膜についてＸ線回折の測定と解析を行った。その結果、図５に示すように、下記非特許文献３に記載のＴａ膜として指数付けすることができた。よって、作成したＴａ膜（以下、βｂ−Ｔａ膜と言う）は、非特許文献３のβ−Ｔａ膜と同一の結晶構造を持つことが認められた。
（２）βa−Ｔａ膜
下記表１に示す成膜条件でガラス基板上にＴａ膜を作成した。そして、作成したＴａ膜（以下、βａ−Ｔａ膜と言う）についてＸ線回折の測定と解析を行った。その結果、図６に示すように、下記非特許文献４に記載のＴａ膜として指数付けすることができた。また、下記非特許文献５によれば、βａ−Ｔａ膜の空間群はＰ４２／ｍｎｍとされている。
【表１】
0004862762.tif 000002
【００３７】
上述のようにして作成したβｂ−Ｔａ膜及びβａ−Ｔａ膜の２種類の膜について、それぞれ上述した図４に示す製造工程を経た後でそのＸ線回折を測定したが、成膜直後と製造工程後の両者の回折パターンに有意差は認められなかった。
また、βｂ−Ｔａ膜（２４チップ中）及びβａ−Ｔａ膜（４８チップ中）の２種類の膜について、剥離の頻度を表２に示した。Ta膜の剥離は、ダイシング後のチップを目視することにより確認した。すなわち、１チップ内に少しでも剥離が認められた場合を剥離のあるチップと見なし、評価対象チップ中の割合により判断した。この結果から明らかなように、βａ−Ｔａ膜の方がβｂ−Ｔａ膜よりも剥離しにくいことがわかる。
【表２】
0004862762.tif 000003
【００３８】
非特許文献３  M. H.Read  and Carl Altman: Applied Physics letters 7(1965)51-52
非特許文献４  P.T.Moseley and C.J.Seabrook : Acta Cryst. B29(1973)1170-1171
非特許文献５  JCPDSカードのpdf番号00-025-1280
【００３９】
また、バルクＴａ、α−Ｔａ膜、βｂ−Ｔａ膜、βａ−Ｔａ膜について、非特許文献１及び４に記載されている密度を、格子定数、及び結晶系又は結晶構造と共に表３に示した。これらの膜は、密度の高い順に、バルクＴａ＞βａ−Ｔａ膜＞βｂ−Ｔａ膜＞α−Ｔａ膜となる。膜の剥離のしやすさとしては、上記非特許文献２と表２及び表３の結果より、α−Ｔａ膜＞βｂ−Ｔａ膜＞βａ−Ｔａ膜となる。したがって、密度とTa膜の剥離との関係は密度が高いほど剥離しにくいことが認められる。
【表３】
0004862762.tif 000004
【００４０】
なお、表４にラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）と膜厚から求められたβｂ−Ｔａ膜とβａ−Ｔａ膜の密度を示した。
【表４】
0004862762.tif 000005
【００４１】
表４の密度は、表３と密度決定の方法が異なるために、表３のβｂ−Ｔａ膜とβａ−Ｔａ膜の密度は、表４のβｂ−Ｔａ膜とβａ−Ｔａ膜の密度より高い。しかしながら、密度の大小関係はβａ−Ｔａ膜＞βｂ−Ｔａ膜となり、表３の大小関係と同様である。
以上より、剥離しにくい膜であるためには、Ｔａ膜の密度は高いことが望ましく、上述のＴａ膜のうち、βａ−Ｔａ膜（密度１６．７g／cm3、空間群Ｐ４２／ｍｎｍ）が最も好ましいことが認められる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明が適用される反応装置１０が用いられる発電装置１００のブロック図である。
【図２】反応装置１０の平面図である。
【図３】図２の切断線III−IIIに沿って切断した際の矢視断面図である。
【図４】中央ガラス基板３０の製造工程を示した図である。
【図５】βｂ−Ｔａ膜のＸ線回折スペクトルである。
【図６】βａ−Ｔａ膜のＸ線回折スペクトルである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  反応装置（接合基板）
２０  上部ガラス基板（第２のガラス基板）
３０  中央ガラス基板（第１のガラス基板）
４０  下部ガラス基板（第２のガラス基板）
３５，３６  金属薄膜
【図１】
0004862762.tif 000006
【図２】
0004862762.tif 000007
【図３】
0004862762.tif 000008
【図４】
0004862762.tif 000009
【図５】
0004862762.tif 000010
【図６】
0004862762.tif 000011