(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
前記誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、分岐部で互いに電気的に接続された第１分岐導体と前記第１分岐導体よりも長い第２分岐導体とに分岐する信号線導体と、
前記誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、前記第１分岐導体における前記分岐部の反対側である第１端部と電気的に接続されるとともに、前記分岐部と接触しない第１損失性材料体と、
前記誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、前記第２分岐導体における前記分岐部の反対側である第２端部と電気的に接続されるとともに、前記分岐部と接触しない第２損失性材料体と、
前記誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、前記第１分岐導体と前記第２分岐導体とを有して形成された信号線導体、前記第１損失性材料体および前記第２損失性材料体と電気的に接続されない接地導体と、を備え、
前記分岐部から前記第１端部までの第１導体長と、前記分岐部から前記第２端部までの第２導体長との差は、外部から前記信号線導体に入力される所定周波数を有する入力信号の１／２波長の整数倍以外の値に設定されていることを特徴とする終端器。
【請求項２】
前記第１導体長と前記第２導体長との差は、前記入力信号のほぼ１／４波長の奇数倍の値に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の終端器。
【請求項３】
前記第１損失性材料体と前記第２損失性材料体とは、損失性材料集合体として一体的に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の終端器。
【請求項４】
前記第２分岐導体と前記損失性材料集合体とが物理的に接触する長さは、前記第１分岐導体と前記損失性材料集合体とが物理的に接触する長さよりも長いことを特徴とする請求項３に記載の終端器。
【請求項５】
前記第２分岐導体の特性インピーダンスは、前記第１分岐導体の特性インピーダンスよりも低い値に設定されていることを特徴とする請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の終端器。
【請求項６】
前記分岐部から、前記第１分岐導体が前記第１損失性材料体と最初に接触する部分までの長さと、前記分岐部から、前記第２分岐導体が前記第２損失性材料体と最初に接触する部分までの長さとの差は、前記入力信号のほぼ１／４波長の奇数倍の値に設定されていることを特徴とする請求項１から請求項５までの何れか１項に記載の終端器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば通信機器や測定機器等に用いられる終端器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の終端器は、誘電体基板を有し、誘電体基板の主面には、信号線導体（マイクロストリップ線路による電極）が形成されている。誘電体基板の背面には、接地導体（接地電極）が形成されている。信号線導体の一端は入力ポートを構成しており、他端は終端を構成している。また、誘電体基板の主面には、信号線導体の終端側を覆うように損失性材料体（損失材料層）が設けられている。信号線導体の入力ポートに入力される高周波信号のエネルギーは、損失性材料体によって消費されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６００４号公報（第２頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の終端器では、損失性材料体の物理定数（例えば、抵抗値等）が製造誤差等によって設計値から変化すると、損失性材料体で消費される高周波信号のエネルギーが変化し、無反射終端に近い良好な反射特性を得ることができない。すなわち、損失性材料体の製造誤差等による物理定数のばらつきによって反射特性が変動するので、安定した反射特性を得ることができないという問題点があった。
【０００５】
なお、信号線導体に適切な整合回路を付加することにより、信号線導体に入力された高周波信号のエネルギーを、特定周波数の近傍において効率的に消費させることが考えられる。しかしながら、この場合も同様に損失性材料体の製造誤差等による物理定数のばらつきによって反射特性が変動するので、安定した反射特性を得ることができないという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、損失性材料体の物理定数が変化した場合であっても、安定した反射特性を得ることができる終端器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る終端器は、誘電体基板と、誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、分岐部で互いに電気的に接続された第１分岐導体と第１分岐導体よりも長い第２分岐導体とに分岐する信号線導体と、誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、第１分岐導体における分岐部の反対側である第１端部と電気的に接続されるとともに、分岐部と接触しない第１損失性材料体と、誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、第２分岐導体における分岐部の反対側である第２端部と電気的に接続されるとともに、分岐部と接触しない第２損失性材料体と、誘電体基板の内層および表層の少なくとも一方に形成され、第１分岐導体と第２分岐導体とを有して形成された信号線導体、第１損失性材料体および第２損失性材料体と電気的に接続されない接地導体とを備え、分岐部から第１端部までの第１導体長と、分岐部から第２端部までの第２導体長との差は、外部から信号線導体に入力される所定周波数を有する入力信号の１／２波長の整数倍以外の値に設定されているものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の終端器によれば、分岐部から第１端部までの第１導体長と、分岐部から第２端部までの第２導体長との差は、外部から信号線導体に入力される所定周波数を有する入力信号の１／２波長の整数倍以外の値に設定されている。
そのため、第１端部で反射した入力信号と第２端部で反射した入力信号とが分岐部で打ち消し合うことにより、損失性材料体の物理定数が変化した場合であっても、安定した反射特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、この発明の各実施の形態について図に基づいて説明するが、各図において同一、または相当する部材、部位については、同一符号を付して説明する。
なお、以下の実施の形態では、所定周波数を有する入力信号として、ミリ波やマイクロ波等の高周波信号が終端器に入力される場合を例に挙げて説明する。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る終端器１０を示す構成図である。図１（ａ）は終端器１０の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示した終端器１０のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）に示した終端器１０のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００１１】
図１（ａ）〜（ｃ）において、誘電体基板２０の内層には、ストリップ導体３０（信号線導体）が形成されている。ストリップ導体３０は、分岐部３５において、互いに接触しない第１ストリップ導体３１（第１分岐導体）と、第１ストリップ導体３１よりも長い第２ストリップ導体３２（第２分岐導体）とに分岐している。
外部から終端器１０に入力される高周波信号は、図１の左側からストリップ導体３０に入力される。
【００１２】
また、誘電体基板２０の内層には、互いに接触せず、かつそれぞれ分岐部３５と接触しない第１抵抗膜４１（第１損失性材料体）および第２抵抗膜４２（第２損失性材料体）が形成されている。
第１抵抗膜４１は、第１ストリップ導体３１における分岐部３５の反対側である第１端部３３およびその近傍と電気的に接続されている。第２抵抗膜４２は、第２ストリップ導体３２における分岐部３５の反対側である第２端部３４およびその近傍と電気的に接続されている。
【００１３】
ここで、第１ストリップ導体３１における分岐部３５から第１端部３３までの長さを線路長Ｌ１（第１導体長）とする。また、第２ストリップ導体３２における分岐部３５から第２端部３４までの長さを線路長Ｌ２（第２導体長）とする。
また、線路長Ｌ１および線路長Ｌ２は、線路長Ｌ１と線路長Ｌ２との差（Ｌ２−Ｌ１、以下「線路長差Ｌｄ」と称する）が、外部からストリップ導体３０に入力される高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍となるように設定されている。
【００１４】
また、誘電体基板２０の表層の一方である裏面（図１における底面）には、接地導体５０が形成されている。接地導体５０は、ストリップ導体３０、第１ストリップ導体３１、第２ストリップ導体３２、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の何れとも電気的に接続されない。
また、誘電体基板２０、ストリップ導体３０および接地導体５０により、高周波伝送線路が構成されている。
【００１５】
以下、上記構成の終端器１０の動作について説明する。
まず、外部からストリップ導体３０に入力された高周波信号は、分岐部３５において、第１ストリップ導体３１側の第１信号と、第２ストリップ導体３２側の第２信号とに分配される。
【００１６】
第１ストリップ導体３１側に分配された第１信号は、第１抵抗膜４１に到達し、第１抵抗膜４１で高周波信号のエネルギーの一部が消費される。エネルギーが消費されることにより、第１端部３３で反射される第１信号の振幅が低減される。また、第２ストリップ導体３２側に分配された第２信号は、第２抵抗膜４２に到達し、第２抵抗膜４２で高周波信号のエネルギーの一部が消費される。エネルギーが消費されることにより、第２端部３４で反射される第２信号の振幅が低減される。
【００１７】
第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２がそれぞれある特定の抵抗値（物理定数）を有している場合には、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の各々で高周波信号のエネルギーの一部が消費される。
これにより、第１端部３３で反射された第１反射信号は、ある特定の振幅および位相を有する反射波として分岐部３５に到達する。
同様に、第２端部３４で反射された第２反射信号もまた、ある特定の振幅および位相を有する反射波として分岐部３５に到達する。
【００１８】
しかしながら、第１抵抗膜４１の抵抗値が製造誤差の影響によってある特定の抵抗値から変化した場合、分岐部３５から第１ストリップ導体３１および第１抵抗膜４１を見込んだ入力インピーダンスが変化する。
そのため、分岐部３５に到達する第１反射信号の振幅および位相が変動する。
【００１９】
また、第２抵抗膜４２の抵抗値が製造誤差の影響によってある特定の抵抗値から変化した場合、分岐部３５から第２ストリップ導体３２および第２抵抗膜４２を見込んだ入力インピーダンスが変化する。
そのため、分岐部３５に到達する第２反射信号の振幅および位相が変動する。
【００２０】
ここで、前述のように、線路長差Ｌｄは、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍になっている。そのため、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の抵抗値変化の程度が互いに等しい場合には、第１反射信号の振幅と第２反射信号の振幅とが互いにほぼ等しい値になるとともに、第１端部３３で反射された第１反射信号の位相と、第２端部３４で反射された第２反射信号の位相との間に、常にほぼ逆位相の関係が成立する。
したがって、分岐部３５において第１反射信号および第２反射信号の大半が打ち消される。
【００２１】
この発明の実施の形態１に係る終端器１０によれば、線路長Ｌ１と線路長Ｌ２との差である線路長差Ｌｄは、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍になっている。
そのため、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の抵抗値変化の程度が互いに等しい場合には、第１反射信号の位相と第２反射信号の位相との間に、常にほぼ逆位相の関係が成立し、分岐部３５において第１反射信号と第２反射信号とが互いに打ち消される。
したがって、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の抵抗値（物理定数）がある特定の抵抗値から変化した場合であっても、安定した反射特性を得ることができる。
【００２２】
なお、上記実施の形態１では、分岐部３５で分配された第１信号および第２信号が、それぞれ第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２に到達して、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２で高周波信号のエネルギーが消費されると説明した。
しかしながら、第１ストリップ導体３１と第１抵抗膜４１との境界部分、および第２ストリップ導体３２と第２抵抗膜４２との境界部分におけるインピーダンスの変化により、第１信号および第２信号の一部は、この境界部分で分岐部３５側に反射する。
【００２３】
この境界部分で反射した第１信号および第２信号は、終端器１０の反射特性を低下させるので、これらの信号による影響を低減することが望ましい。
以下、図１を参照しながら、境界部分で反射した第１信号および第２信号による影響を低減するための構成について説明する。
【００２４】
図１（ａ）〜（ｃ）において、分岐部３５から、第１ストリップ導体３１と第１抵抗膜４１との境界部分、すなわち第１ストリップ導体３１が第１抵抗膜４１と最初に接触する部分までの長さを線路長Ｌ３とする。また、分岐部３５から、第２ストリップ導体３２と第２抵抗膜４２との境界部分、すなわち第２ストリップ導体３２が第２抵抗膜４２と最初に接触する部分までの長さを線路長Ｌ４とする。
線路長Ｌ３および線路長Ｌ４は、線路長Ｌ３と線路長Ｌ４との差（Ｌ４−Ｌ３）が、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍となるように設定されている。
【００２５】
そのため、第１ストリップ導体３１と第１抵抗膜４１との境界部分で反射した第１信号の位相と、第２ストリップ導体３２と第２抵抗膜４２との境界部分で反射した第２信号の位相との間には、常にほぼ逆位相の関係が成立する。
したがって、分岐部３５において境界部分で反射した第１信号と第２信号とが互いに打ち消され、これらの信号による影響が低減される。
【００２６】
実施の形態２．
図２は、この発明の実施の形態２に係る終端器１０Ａを示す構成図である。図２（ａ）は終端器１０Ａの平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示した終端器１０ＡのＣ−Ｃ’線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）に示した終端器１０ＡのＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【００２７】
図２（ａ）〜（ｃ）において、終端器１０Ａは、図１に示した第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２に代えて、抵抗膜４０（損失性材料集合体）を備えている。抵抗膜４０は、図１に示した第１抵抗膜４１と第２抵抗膜４２とを一体的に形成したものである。
抵抗膜４０は、第１端部３３およびその近傍、並びに第２端部３４およびその近傍と電気的に接続されている。また、誘電体基板２０の裏面に設けられた接地導体５０は、抵抗膜４０と電気的に接続されない。
その他の構成については、前述の実施の形態１と同様であり、その説明を省略する。
【００２８】
以下、上記構成の終端器１０Ａの動作について説明する。
まず、外部からストリップ導体３０に入力された高周波信号は、分岐部３５において、第１ストリップ導体３１側の第１信号と、第２ストリップ導体３２側の第２信号とに分配される。
【００２９】
第１ストリップ導体３１側に分配された第１信号、および第２ストリップ導体３２側に分配された第２信号は、それぞれ抵抗膜４０に到達し、抵抗膜４０で高周波信号のエネルギーの一部が消費される。エネルギーが消費されることにより、第１端部３３で反射される第１信号、および第２端部３４で反射される第２信号の振幅がそれぞれ低減される。
【００３０】
抵抗膜４０がある特定の抵抗値（物理定数）を有している場合には、抵抗膜４０で高周波信号のエネルギーの一部が消費される。
これにより、第１端部３３で反射された第１反射信号は、ある特定の振幅および位相を有する反射波として分岐部３５に到達する。
同様に、第２端部３４で反射された第２反射信号もまた、ある特定の振幅および位相を有する反射波として分岐部３５に到達する。
【００３１】
しかしながら、抵抗膜４０の抵抗値が製造誤差の影響によってある特定の抵抗値から変化した場合、分岐部３５から第１ストリップ導体３１および抵抗膜４０を見込んだ入力インピーダンスが変化する。
そのため、分岐部３５に到達する第１反射信号の振幅および位相が変動する。
【００３２】
また、抵抗膜４０の抵抗値が製造誤差の影響によってある特定の抵抗値から変化した場合、分岐部３５から第２ストリップ導体３２および抵抗膜４０を見込んだ入力インピーダンスが変化する。
そのため、分岐部３５に到達する第２反射信号の振幅および位相が変動する。
【００３３】
ここで、線路長Ｌ１と線路長Ｌ２との差である線路長差Ｌｄは、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍になっている。そのため、抵抗膜４０の抵抗値変化の程度が場所によらず等しい場合には、第１反射信号の振幅と第２反射信号の振幅とが互いにほぼ等しい値になるとともに、第１端部３３で反射された第１反射信号の位相と、第２端部３４で反射された第２反射信号の位相との間に、常にほぼ逆位相の関係が成立する。
したがって、分岐部３５において第１反射信号および第２反射信号の大半が打ち消される。
【００３４】
この発明の実施の形態２に係る終端器１０Ａによれば、線路長Ｌ１と線路長Ｌ２との差である線路長差Ｌｄは、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍になっている。
そのため、抵抗膜４０の抵抗値変化の程度が場所によらず等しい場合には、第１反射信号の位相と第２反射信号の位相との間に、常にほぼ逆位相の関係が成立し、分岐部３５において第１反射信号と第２反射信号とが互いに打ち消される。
したがって、抵抗膜４０の抵抗値（物理定数）がある特定の抵抗値から変化した場合であっても、安定した反射特性を得ることができる。
【００３５】
また、図１に示した第１抵抗膜４１と第２抵抗膜４２とを抵抗膜４０として一体的に形成することにより、抵抗膜の占有面積を縮小することができ、終端器１０Ａを小型化することができる。
【００３６】
実施の形態３．
図３は、この発明の実施の形態３に係る終端器１０Ｂを示す構成図である。図３（ａ）は終端器１０Ｂの平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示した終端器１０ＢのＥ−Ｅ’線に沿った断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）に示した終端器１０ＢのＦ−Ｆ’線に沿った断面図である。
【００３７】
図３（ａ）〜（ｃ）において、第２ストリップ導体３２と抵抗膜４０とが物理的に接触する長さは、第１ストリップ導体３１と抵抗膜４０とが物理的に接触する長さよりも長くされている。すなわち、第１ストリップ導体３１および第２ストリップ導体３２は、分岐部３５で分岐した後、すぐに抵抗膜４０によって覆われており、第２ストリップ導体３２の大部分は、抵抗膜４０によって覆われている。
その他の構成、および動作については、前述の実施の形態２と同様であり、その説明を省略する。
【００３８】
この発明の実施の形態３に係る終端器１０Ｂによれば、上記実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
また、第２ストリップ導体３２の大部分が抵抗膜４０によって覆われているので、終端器１０Ｂをさらに小型化することができる。
【００３９】
実施の形態４．
上記実施の形態１〜３では言及しなかったが、第２ストリップ導体３２は、第１ストリップ導体３１と比較して長く形成されているので、伝搬損失が大きくなる。そのため、分岐部３５において、第１端部３３で反射された第１反射信号と、第２端部３４で反射された第２反射信号との間に、振幅の差が生じる。
【００４０】
第１反射信号と第２反射信号との間に振幅の差が生じると、分岐部３５において第１反射信号と第２反射信号とを完全に打ち消すことができなくなるので、この振幅の差を低減することが望ましい。
以下、図４を参照しながら、第１反射信号と第２反射信号との間に生じる振幅の差を低減するための構成について説明する。
【００４１】
図４は、この発明の実施の形態４に係る終端器１０Ｃを示す構成図である。図４（ａ）は終端器１０Ｃの平面図であり、図４（ｂ）は図３（ａ）に示した終端器１０ＣのＧ−Ｇ’線に沿った断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示した終端器１０ＣのＨ−Ｈ’線に沿った断面図である。
【００４２】
図４（ａ）〜（ｃ）において、第２ストリップ導体３２の線路幅は、第１ストリップ導体３１の線路幅よりも広くされている。すなわち、第２ストリップ導体３２により構成される高周波伝送線路の特性インピーダンスは、第１ストリップ導体３１により構成される高周波伝送線路の特性インピーダンスよりも低くされている。
その他の構成、および動作については、前述の実施の形態３と同様であり、その説明を省略する。
【００４３】
この構成によれば、外部からストリップ導体３０に入力された高周波信号が第１信号と第２信号とに分配されるときに、第２信号の振幅が第１信号の振幅よりも大きくなる。
そのため、分岐部３５において、第１反射信号と第２反射信号との振幅が揃えられて振幅の差が低減されるので、第１反射信号と第２反射信号とが互いに打ち消される。
【００４４】
ここで、図５を参照しながら、従来の終端器において抵抗膜の抵抗値がある特定の抵抗値から変化した場合の反射特性の変化と、図４に示した終端器１０Ｃにおいて抵抗膜４０の抵抗値がある特定の抵抗値から変化した場合の反射特性の変化とを比較する。
図５は、抵抗膜の抵抗値が変化した場合の反射特性の変化を示す説明図である。図５（ａ）は従来の終端器における反射振幅を示しており、図５（ｂ）は図４に示した終端器１０Ｃにおける反射振幅を示している。
【００４５】
ここで、設計周波数帯を４０ＧＨｚ帯とし、反射振幅は、有限要素法を用いた電磁界シミュレーションによって求められている。また、終端器は、比誘電率が７．１で基板厚が０．０７ｍｍの誘電体基板を２層積層した構成を有している。また、抵抗膜の抵抗値の設計値（ある特定の抵抗値）は、単位面積あたり１３０Ω（１３０Ω／□）に設定されており、抵抗値について±５０％の誤差が与えられている。
【００４６】
図５（ａ）では、規格化周波数が１である周波数において、抵抗値の変化がない場合には、−３０ｄＢ以下の良好な反射振幅が得られている。しかしながら、抵抗値の誤差が＋５０％、または−５０％生じた場合には、反射振幅が−１２ｄＢ程度まで劣化している。
一方、図５（ｂ）では、規格化周波数が１である周波数において、抵抗値の変化がない場合には、−３０ｄＢ以下の良好な反射振幅が得られている。また、抵抗値の誤差が＋５０％、または−５０％生じた場合であっても、−２２ｄＢ以下の良好な反射振幅が得られている。
このことから、図４に示した終端器１０Ｃは、従来の終端器と比較して、抵抗膜の抵抗値が設計値から変化した場合の反射特性の変化が小さいことが分かる。
【００４７】
この発明の実施の形態４に係る終端器１０Ｃによれば、上記実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
また、第２ストリップ導体３２の線路幅が第１ストリップ導体３１の線路幅よりも広くされているので、より安定した反射特性を得ることができる。
【００４８】
なお、上記実施の形態４では、第２ストリップ導体３２の特性インピーダンスを第１ストリップ導体３１の特性インピーダンスよりも低くするために、第２ストリップ導体３２の線路幅を第１ストリップ導体３１の線路幅よりも広く設定すると説明した。
しかしながら、これに限定されず、特性インピーダンスを低くすることができる構成であれば、接地導体を近付ける等、他の構成であってもよい。
この場合も、上記実施の形態４と同様の効果を奏することができる。
【００４９】
また、上記実施の形態３、４では、第２ストリップ導体３２と抵抗膜４０とが互いに接触する領域において、第２ストリップ導体３２が折り曲げられた構成となっているが、これに限定されない。
第２ストリップ導体３２は、それぞれ直線状、あるいは他の形状であってもよい。
この場合も、上記実施の形態３、４と同様の効果を奏することができる。
【００５０】
また、上記実施の形態１〜４では、誘電体基板２０の裏面に接地導体５０が形成され、誘電体基板２０の内層にストリップ導体３０、第１ストリップ導体３１および第２ストリップ導体３２が形成された埋め込み形マイクロストリップ線路を例に挙げて説明している。
しかしながら、これに限定されず、ストリップ線路、コプレーナ線路、またはマイクロストリップ線路等、他の線路形式を用いてもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜４と同様の効果を奏することができる。
【００５１】
また、上記実施の形態１〜４では、ストリップ導体３０、第１ストリップ導体３１、第２ストリップ導体３２、並びに、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２、または抵抗膜４０が全て同一の層に形成されたものを例に挙げて説明しているが、これに限定されない。
ストリップ導体３０、第１ストリップ導体３１、第２ストリップ導体３２、第１抵抗膜４１、第２抵抗膜４２、および抵抗膜４０は、それぞれ異なる層に形成されてもよい。また、それぞれ異なる層に形成された導体または抵抗膜を電気的に接続するために、層間にビアホール等の柱状導体が形成されてもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜４と同様の効果を奏することができる。
【００５２】
また、上記実施の形態１〜４では、損失性材料体として、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２、または抵抗膜４０を例に挙げて説明しているが、これに限定されない。
損失性材料体は、エネルギー損失を得ることができる材料であればよく、電波吸収体等、他の損失材料を用いて形成されてもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜４と同様の効果を奏することができる。
【００５３】
また、上記実施の形態１〜４では、分岐部３５から第１端部３３までの線路長Ｌ１と、分岐部３５から第２端部３４までの線路長Ｌ２との線路長差Ｌｄが、高周波信号の波長をλとしたときに、ほぼλ／４の奇数倍になっていると説明した。
しかしながら、これに限定されず、線路長差Ｌｄは、第１反射信号の位相と第２反射信号の位相との間に位相差を生じる値であればよい。第１反射信号と第２反射信号との間に位相差を生じる値とは、高周波信号の波長をλとすると、λ／２の整数倍以外の値である。
この場合には、線路長差Ｌｄをほぼλ／４の奇数倍としたものには劣るものの、第１反射信号と第２反射信号との位相差による信号の打ち消し効果により、第１抵抗膜４１および第２抵抗膜４２の少なくとも一方、または抵抗膜４０の抵抗値がある特定の抵抗値から変化した場合であっても、安定した反射特性を得ることができる。
【００５４】
また、上記実施の形態１〜４では、終端器１０〜１０Ｃに入力される所定周波数を有する入力信号として、ミリ波やマイクロ波等の高周波信号を例に挙げて説明したが、これに限定されない。
終端器１０〜１０Ｃに入力される入力信号は、高周波以外の周波数帯域の信号であってもよい。
この場合も、上記実施の形態１〜４と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明の実施の形態１に係る終端器を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態２に係る終端器を示す構成図である。
【図３】この発明の実施の形態３に係る終端器を示す構成図である。
【図４】この発明の実施の形態４に係る終端器を示す構成図である。
【図５】抵抗膜の抵抗値が変化した場合の反射特性の変化を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、１０Ａ〜１０Ｃ  終端器、２０  誘電体基板、３０  ストリップ導体（信号線導体）、３１  第１ストリップ導体（第２分岐導体）、３２  第２ストリップ導体（第１分岐導体）、３３  第１端部、３４  第２端部、３５  分岐部、４０  抵抗膜（損失性材料集合体）、４１  第１抵抗膜（第１損失性材料体）、４２  第２抵抗膜（第２損失性材料体）、５０  接地導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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