(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光デバイスと、前記光デバイスで変換される光信号に応じた高周波信号を生成する信号生成回路を搭載する主基板と、前記光デバイスと前記主基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、を含む光通信モジュールであって、
前記フレキシブルプリント基板は、
前記光デバイスの一端と前記信号生成回路の一端とを接続する第１の伝送線路と、前記光デバイスの他端と前記信号生成回路の他端とを接続する第２の伝送線路と、からなる信号配線パタンと、
前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第１のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域の少なくとも一部を含む領域に形成された薄膜抵抗層と、
前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第２のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域を含む領域のうち前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部を除く領域に形成されたグランド層と、
前記信号配線パタンと、前記薄膜抵抗層と、前記グランド層と、の間にそれぞれ形成される絶縁層と、
を含む、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光通信モジュールにおいて、
前記信号配線パタンは、前記薄膜抵抗層に対向する部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔が他の部分より狭まるよう形成されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光通信モジュールにおいて、
前記第１および第２の伝送線路は、前記薄膜抵抗層に対向する部分の幅が他の部分の幅より広くなるよう形成されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の光通信モジュールにおいて、
前記グランド層は、前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部が開口部となるよう形成されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の光通信モジュールにおいて、
前記グランド層、前記薄膜抵抗層、および前記信号配線パタンは、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の光通信モジュールにおいて、
前記グランド層、前記信号配線パタン、および前記薄膜抵抗層は、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項７】
請求項１から４のいずれかに記載の光通信モジュールにおいて、
前記薄膜抵抗層、前記グランド層、および前記信号配線パタンは、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項８】
光デバイスと、前記光デバイスで変換される光信号に応じた高周波信号を生成する信号生成回路を搭載する主基板と、を接続するフレキシブルプリント基板であって、
前記光デバイスの一端と前記信号生成回路の一端とを接続する第１の伝送線路と、前記光デバイスの他端と前記信号生成回路の他端とを接続する第２の伝送線路と、からなる信号配線パタンと、
前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第１のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域の少なくとも一部を含む領域に形成された薄膜抵抗層と、
前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第２のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域を含む領域のうち前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部を除く領域に形成されたグランド層と、
前記信号配線パタンと、前記薄膜抵抗層と、前記グランド層と、の間にそれぞれ形成される絶縁層と、
を含むことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュールおよびプレキシブルプリント基板に関し、特に、高速伝送レート（例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ）を有する光通信モジュールの主基板と送信用または受信用小型光デバイスとを接続するプレキシブルプリント基板の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ブロードバンドネットワークの普及と共に、光ファイバ伝送用トランシーバモジュール（光送受信モジュール）の小型化や高速化が図られている。高速化に関しては、現在、ビットレートが１０Ｇｂｉｔ／ｓの光送受信モジュールが広く用いられるようになっている。小型化に関しては、旧世代の３００ｐｉｎ  ＭＳＡ（Multi Source Agreement）規格からＸＥＮＰＡＫ（10Gigabit Ethernet Transceiver Package）、Ｘ２、ＸＦＰ（10 Gigabit Small Form Factor Pluggable）、ＳＦＰ＋（Small Form Factor Pluggable）（各ＭＳＡ規格）へとケース容量の縮小化が進んでいる。
【０００３】
これらの光送受信モジュールでは、光コネクタ・インターフェースを持つ光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ：Transmitter Optical Sub-Assembly）や光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ：Transmitter Optical Sub-Assembly）を用いることにより、モジュールの小型化を実現している。また、光送受信モジュールの多くは、ＴＯＳＡ，ＲＯＳＡと主基板との接続に可撓性を有するフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）を用いることにより、実装時の寸法ずれや熱変形に伴う変形によるストレスを吸収し、ストレス起因の不良を防いでいる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
なお、特許文献１には、ＴＯＳＡを差動型のドライバＩＣにより駆動する光送信モジュールが開示されている。さらに、特許文献１の第００２０段落および図５には、半導体レーザ素子の一端と接地電位との間に抵抗素子を配置することにより差動伝送線路と半導体レーザ素子とのインピーダンス不整合を改善し、ＴＯＳＡで生成される光信号の波形劣化を改善する技術が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ＦＰＣ上の信号配線に直列に抵抗素子を挿入することによりインピーダンス不整合を改善する技術が開示されている。
【非特許文献１】“850nm XFP トランシーバ Reference Design HFRD-19.2 (Rev. 2, 10/07)”、［online］、マキシム、［２００７年１２月２４日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://pdfserv.maxim-ic.com/jp/an/AN3730J.pdf＞
【特許文献１】特開２００４−１９３４８９号公報
【特許文献２】特許３０８４９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
伝送距離が３００ｍ以下の１０Ｇｂｉｔ／ｓ光送受信モジュールにおいては、送信用半導体レーザ素子として波長０．８５μｍのＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）素子が広く用いられている。この素子の特徴として、直列抵抗が５０〜１００Ωと比較的高いこと、また必要とされる駆動電流が数ｍＡと小さいことが挙げられる。
【０００７】
発明者らの検討によれば、差動出力インピーダンスが１００Ωの平衡型（差動型）ドライバＩＣの出力信号（差動信号）を特性インピーダンス１００Ωの平衡型（差動型）の伝送線路（差動線路）を介して半導体レーザ素子のアノード端子およびカソード端子に入力することで、伝送線路とレーザ素子とのインピーダンスを良好に整合することができ、光送受信モジュールの光出力波形を良好なものにすることができた。
【０００８】
一方、コモンモード（同相モード）動作では、平衡型ドライバＩＣと差動線路との間で整合を保つことはできるものの、２つの線路端に直列に接続された半導体レーザ素子がコモンモード動作に対してオープン状態になるため、コモンモード信号（同相信号）は全反射されてしまう。このため、ドライバＩＣの特性にもよるが、ドライバＩＣの出力に本来不要な寄生成分であるコモンモード信号がノイズとして重畳された場合には、上記のインピーダンス不整合により大きな電磁放射を生じ、不要電磁放射の仕様を満足できないという問題を引き起こすことがあった。なお、コモンモード信号の発生要因には、例えばドライバＩＣによるスイッチング動作やクロスポイント調整がある。
【０００９】
この点、上記特許文献１に記載の技術では、レーザ素子の端子と接地電位との間に配置された整合用の抵抗素子の抵抗値を低く（例えば５０Ω近傍に）設定することにより、コモンモード信号に対するインピーダンス不整合を回避することができる。しかしこの場合には、レーザ素子を駆動する差動信号の高周波電流やレーザ素子のバイアス電流がインピーダンス整合用の抵抗素子に消費されてしまうため、所望の良好な出力光波形を得るには、より大きな駆動電流とバイアス電流が必要となり消費電力が増大するという問題がある。
【００１０】
一方、上記非特許文献１に開示された光送受信モジュールに上記特許文献２に開示された技術を適用した場合には、コモンモード信号に対するインピーダンス不整合を回避することができない。すなわち、上記非特許文献１に開示された光送受信モジュールのＦＰＣ上の信号配線に直列に抵抗素子を挿入した場合には、コモンモード動作に対して半導体レーザ素子がオープン状態になるため、ＦＰＣ上の信号配線に直列に抵抗素子を挿入してもインピーダンス不整合は解消されない。したがって、この場合には、不要電磁放射の問題を解決することができない。
【００１１】
本発明は上記従来の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、高周波差動信号を伝送する際に放射される不要電磁波の低減と消費電力の低減とを両立する光通信モジュールおよびフレキシブルプリント基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明に係る光通信モジュールは、光デバイスと、前記光デバイスで変換される光信号に応じた高周波信号を生成する信号生成回路を搭載する主基板と、前記光デバイスと前記主基板とを接続するフレキシブルプリント基板と、を含む光通信モジュールであって、前記フレキシブルプリント基板は、前記光デバイスの一端と前記信号生成回路の一端とを接続する第１の伝送線路と、前記光デバイスの他端と前記信号生成回路の他端とを接続する第２の伝送線路と、からなる信号配線パタンと、前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第１のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域の少なくとも一部を含む領域に形成された薄膜抵抗層と、前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第２のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域を含む領域のうち前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部を除く領域に形成されたグランド層と、前記信号配線パタンと、前記薄膜抵抗層と、前記グランド層と、の間にそれぞれ形成される絶縁層と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明では、フレキシブルプリント基板に含まれるマイクロストリップ線路が、１対の伝送線路と薄膜抵抗層で構成される第１のマイクロストリップ線路と、１対の伝送線路とグランド層で構成される第２のマイクロストリップ線路と、から構成される。ここで、第１のマイクロストリップ線路により高周波信号が伝送されると、マイクロストリップ線路近傍に生じる磁束の変動によって薄膜抵抗層内に渦電流が発生し、高周波信号の一部が熱として消費される。本発明によれば、マイクロストリップ線路で伝送される高周波差動信号に含まれる同相成分（コモンモード信号）がフレキシブルプリント基板内に形成された薄膜抵抗層内で熱として消費されるため、コモンモード信号の反射によって放射される不要電磁波を低減することができる。また、光デバイスの端子と接地電位との間にインピーダンス整合用の抵抗素子を設ける必要がないため、消費電力の増加を防ぐこともできる。
【００１４】
なお、ここでいう光デバイスは、半導体レーザ素子などの発光素子、発光素子を内蔵する光送信サブアセンブリ、フォトダイオードなどの受光素子、受光素子および受光素子の出力信号を増幅するプリアンプとを内蔵する光受信サブアセンブリ、などに対応する。また、信号形成回路は、発光素子を駆動するドライバＩＣなどの送信回路や、受光素子の出力信号を増幅するポストアンプなどの受信回路、などに対応する。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記信号配線パタンは、前記薄膜抵抗層に対向する部分における前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔が他の部分より狭まるよう形成されている。
【００１６】
第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔が狭い部分では、差動信号のカップリング（結合）が強くなるため、差動信号の伝送に伴って生じる磁束の薄膜抵抗層内における密度が低下する、すなわち差動信号の伝送に伴って流れる薄膜抵抗層内の渦電流が減少する。この態様によれば、差動信号の損失を抑えつつ、コモンモード信号を大きく低減することができる。
【００１７】
また、本発明の一態様では、前記第１および第２の伝送線路は、前記薄膜抵抗層に対向する部分の幅が他の部分の幅より広くなるよう形成されている。
【００１８】
この態様によれば、伝送線路を途中で屈折させることなく第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔を狭めることができるので、信号配線パタンの形成にかかるコストを低減することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様では、前記グランド層は、前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部が開口部となるよう形成されている。なお、グランド層の開口部の形状は、第１のマイクロストリップ線路の特性インピーダンスが所定の値になるよう、伝送線路の幅、信号配線パタンと薄膜抵抗層との間隔、信号配線パタンとグランド層との間隔、薄膜抵抗層の形状などに基づいて決定されてもよい。
【００２０】
なお、上記各態様において、前記グランド層、前記薄膜抵抗層、および前記信号配線パタンは、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されてもよい。また、前記グランド層、前記信号配線パタン、および前記薄膜抵抗層は、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されてもよい。また、前記薄膜抵抗層、前記グランド層、および前記信号配線パタンは、前記絶縁層を挟んでこの順で積層されてもよい。
【００２１】
また、本発明に係るフレキシブルプリント基板は、光デバイスと、前記光デバイスで変換される光信号に応じた高周波信号を生成する信号生成回路を搭載する主基板と、を接続するフレキシブルプリント基板であって、前記光デバイスの一端と前記信号生成回路の一端とを接続する第１の伝送線路と、前記光デバイスの他端と前記信号生成回路の他端とを接続する第２の伝送線路と、からなる信号配線パタンと、前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第１のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域の少なくとも一部を含む領域に形成された薄膜抵抗層と、前記第１および第２の伝送線路それぞれとともに第２のマイクロストリップ線路を構成するよう、前記信号配線パタンに対向する領域を含む領域のうち前記薄膜抵抗層に対向する領域の一部を除く領域に形成されたグランド層と、前記信号配線パタンと、前記薄膜抵抗層と、前記グランド層と、の間にそれぞれ形成される絶縁層と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、マイクロストリップ線路で伝送される高周波差動信号に含まれる同相成分（コモンモード信号）がフレキシブルプリント基板内に形成された薄膜抵抗層で熱として消費されるため、コモンモード信号の反射によって放射される不要電磁波を低減することができる。また、光デバイスの端子と接地電位との間にインピーダンス整合用の抵抗素子を設ける必要がないため、消費電力の増加を防ぐこともできる。すなわち、本発明によれば、高周波差動信号を伝送する際に放射される不要電磁波の低減と消費電力の低減とを両立する光通信モジュールおよびフレキシブルプリント基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の４つの実施形態を図面に基づいて説明する。なお、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複説明を省略する。
【００２４】
［実施形態１］
本発明の実施形態１に係る光送受信モジュールを図１〜図８に基づいて説明する。実施形態１に係る光送受信モジュールは、波長０．８５μｍの１０Ｇｂｉｔ／ｓ光送受信モジュールである。
【００２５】
まず、図１を用いて実施形態１に係る光送受信モジュールの送信部の構成を説明する。図１は、実施形態１に係る光送受信モジュールの送信部の回路図である。同図に示すように、実施形態１に係る光送受信モジュールは、ＴＯＳＡ６と、ドライバＩＣ１０を搭載した主基板９と、ＴＯＳＡ６と主基板９とを接続するフレキシブルプリント基板２６と、を含んで構成される。
【００２６】
ＴＯＳＡ６の内部には、波長０．８５μｍのＶＣＳＥＬ素子１と伝送線路４，５が配置され、ＶＣＳＥＬ素子１のアノード端子およびカソード端子は、ボンディングワイヤ２，３および伝送線路４，５を介して、フレキシブルプリント基板２６に形成された伝送線路２０，２１にそれぞれ接続される。
【００２７】
伝送線路４，５は、例えばアルミナ、窒化アルミなどのセラミック基板上に形成され、それぞれマイクロストリップ線路を構成する。伝送線路４，５の特性インピーダンスは、整合を保つ上で各々５０Ωとすることが望ましい。ボンディングワイヤ２，３は、回路上直列インダクタンスと等価であるため、信号の反射を減らす上で極力短いワイヤ、または複数本のワイヤを用いてインダクタンス値を低減することが望ましい。
【００２８】
フレキシブルプリント基板２６は、３つの領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）で構成される。すなわち、フレキシブルプリント基板２６は、領域Ｃに形成された差動型の伝送線路２０，２１と、領域Ｂに形成された差動型の伝送線路２２，２３と、領域Ａに形成された差動型の伝送線路２４，２５と、が直列に接続された構成を有する。領域Ｃの伝送線路２０，２１および領域Ａの伝送線路２４，２５は、それぞれ差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。また、後述するように、領域Ｂの伝送線路２２，２３は、それぞれ差動インピーダンス約１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。
【００２９】
主基板９は、例えばＦＲ４，ＦＲ５などのプリント配線基板である。主基板９には、伝送線路７，８と、ドライバＩＣ１０と、電圧源１１と、ＤＣカット容量１２，１３と、チョークコイル１４，１５と、デカップリング容量１６と、が配置される。
【００３０】
伝送線路７，８は、それぞれ差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。ドライバＩＣ１０は、差動出力インピーダンスが１００Ωの平衡型ドライバＩＣであり、ドライバＩＣ１０の出力端子は、ＤＣカット容量１２，１３を介して差動型の伝送線路７，８にそれぞれ接続される。
【００３１】
ＶＣＳＥＬ素子１への直流バイアス電流は、電圧源１１よりデカップリング容量１６とチョークコイル１５からなるバイアスティー回路を介して伝送線路７へ供給され、伝送線路８からチョークコイル１４を介して接地電位へと流れる。
【００３２】
次に、図２〜図４を用いてフレキシブルプリント基板２６の構造をより詳細に説明する。図２は、フレキシブルプリント基板２６の上面図である。図３は、フレキシブルプリント基板２６の領域Ａ（または領域Ｃ）における断面図である。図４は、フレキシブルプリント基板２６の領域Ｂにおける断面図である。
【００３３】
フレキシブルプリント基板２６の領域Ａ（または領域Ｃ）は、図３に示すように、誘電体層（絶縁層）３２、接地導体（グランド層）３６、誘電体層（絶縁層）３１，３０、伝送線路２４，２５（２０，２１）、および誘電体層（絶縁層）２７が、この順で積層された構造を有する。
【００３４】
伝送線路２４，２５（２０，２１）は、接地導体３６とともにそれぞれ通常のマイクロストリップ線路を構成する。すなわち、誘電体層３０の上面にストリップ導体となる伝送線路２４，２５（２０，２１）が形成され、誘電体層３１の下面に伝送線路２４，２５（２０，２１）に対向するよう接地導体３６が形成される。また、これらの上下には、マイクロストリップ線路を被覆するために、ポリイミドと接着剤の複合材からなる誘電体層２７，３２が形成される。
【００３５】
伝送線路２４，２５は、幅８０μｍに加工された厚さ２８μｍの銅箔であり、接地導体３６は、厚さ２８μｍの銅箔である。誘電体層３０，３１の素材としては、ポリイミドおよび接着剤が用いられる。例えば、誘電体層３０をポリイミドと接着剤の複合材、誘電体層３１をポリイミドとし、前者の厚さを３８μｍ、後者の厚さを１２μｍとする。かかる構造により、差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路が構成される。
【００３６】
一方、フレキシブルプリント基板２６の領域Ｂは、図４に示すように、誘電体層３２、接地導体３６、誘電体層３１、薄膜抵抗層２８、誘電体層３０、伝送線路２２，２３、および誘電体層２７が、この順で積層された構造を有する。
【００３７】
伝送線路２２，２３は、薄膜抵抗層２８とともにそれぞれマイクロストリップ線路を構成する。すなわち、誘電体層３０の上面にストリップ導体となる伝送線路２２，２３が形成され、誘電体層３０の下面に伝送線路２２，２３に対向するよう薄膜抵抗層２８が形成される。
【００３８】
この薄膜抵抗層２８は、マイクロストリップ線路により伝送される高周波信号の一部を低減する機能を有する。マイクロストリップ線路により高周波信号が伝送されると、マイクロストリップ線路近傍に生じる磁束の変動によって薄膜抵抗層２８内に渦電流が発生し、高周波信号の一部が熱として消費されるからである。なお、薄膜抵抗層２８には、厚さ１μｍ以下、シート抵抗値が２５Ω〜２００Ωのものを用いると好適である。
【００３９】
また、図２〜図４に示すように、領域Ｂの伝送線路２２，２３は、領域Ａ（領域Ｃ）の伝送線路２４，２５（２０，２１）に比べて内側方向に幅が広くなるよう形成されている。これは、領域Ｂにおける伝送線路２２，２３間の間隔を、領域Ａ（領域Ｃ）における伝送線路２４，２５（２０，２１）間の間隔より狭めるためである。
【００４０】
差動線路間の間隔が狭い部分では、差動信号のカップリングが強くなる。このため、伝送線路２２，２３間の間隔が狭い領域Ｂでは、差動信号の伝送に伴って生じる磁束の薄膜抵抗層２８内における密度が低く、薄膜抵抗層２８内を流れる渦電流が少ない。これに対し、差動線路間の間隔が狭くなっても、コモンモード信号のカップリングは生じない。このため、伝送線路２２，２３間の間隔が狭い領域Ｂでは、差動信号の損失を抑えつつ、コモンモード信号を大きく低減することができる。
【００４１】
なお、伝送線路２４，２５（２０，２１）より幅の広い伝送線路２２，２３は、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを下げる方向に作用する。
【００４２】
また、図４に示すように、誘電体層３１の下面には、伝送線路２２，２３に対向する領域を除く領域であって薄膜抵抗層２８の一部に対向する領域に接地導体３６が形成されている。すなわち、誘電体層３１の下面には、図２に示すように、薄膜抵抗層２８に対向する領域の一部を開口部２９とする接地導体３６が形成されている。
【００４３】
薄膜抵抗層２８は、伝送線路２２，２３および接地電位に接続される接地導体３６のいずれにも導体で接続されないため、直流的にはフロートである。しかしながら、高周波では、薄膜抵抗層２８と接地導体３６とが対向する領域で両者は電磁的に結合する。薄膜抵抗層２８と接地導体３６とが電磁的に結合する領域では、薄膜抵抗層２８の電位が接地電位に近づくため、伝送線路２２，２３と接地電位との距離が縮まり、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを下げる作用が働く。これに対し、接地導体３６の開口部２９は、伝送線路２２，２３と接地電位との距離を広げる、すなわち領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを高くする働きを持つ。このため、接地導体３６の開口部２９は、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを１００Ωに近づける上で必須の構造である。
【００４４】
フレキシブルプリント基板２６の領域Ｂでは、伝送線路２２，２３の幅を１４０μｍ、伝送線路２２，２３間の間隔を２００μｍ、接地導体３６の開口部２９の幅を１．２ｍｍ、薄膜抵抗層２８の幅を２．６ｍｍとすることにより、差動インピーダンスが１００Ωに近いマイクロストリップ線路を構成している。
【００４５】
なお、薄膜抵抗層２８のシート抵抗や領域Ｂの長さは、所望の特性を得るための設計事項として変えられるが、例えばシート抵抗を２５Ω、Ｂ領域の長さを２．４ｍｍ、フレキシブルプリント基板２６全体の長さを１０ｍｍとすることにより、次のような特性が得られた。
【００４６】
以下、小信号特性を示す図５〜図８を用いて本発明の実施形態１に係る効果を説明する。
【００４７】
図５は、フレキシブルプリント基板２６の両端（図２に示すＰ１，Ｐ２）の間の差動モード伝送特性ＳＤＤ２１を示す図である。同図に示すように、周波数１０ＧＨｚにおける伝送損失は、０．８ｄＢと比較的小さい値を示している。
【００４８】
図６は、フレキシブルプリント基板２６の両端（Ｐ１，Ｐ２）の間のコモンモード伝送特性ＳＣＣ２１を示す図である。同図に示すように、周波数１０ＧＨｚにおける伝送損失は、４．１ｄＢと差動モードの場合に比べ４倍以上の値を示している。
【００４９】
図７は、フレキシブルプリント基板２６の両端（Ｐ１，Ｐ２）負荷を１００Ωとした場合の差動モード反射特性ＳＤＤ１１，ＳＤＤ２２を示す図である。同図に示すように、ＳＤＤ１１，ＳＤＤ２２ともにＤＣから周波数１５ＧＨｚ付近まで−１５ｄＢ以下の値を示しており、良好な整合条件が実現されている。
【００５０】
図８は、フレキシブルプリント基板２６の一端（Ｐ１）から他端（Ｐ２）を見たときのコモンモード反射特性ＳＣＣ１１を示す図である。同図に示すように、Ｐ２側の負荷を２５Ωとした場合には良好な整合特性が得られており、これは入力されたコモンモード信号が反射されずに損失、すなわち熱として消費されていることを示している。Ｐ２側をオープン、すなわち半導体レーザ素子を接続した場合を模擬した場合でも、ＳＣＣ１１は周波数１０ＧＨｚ〜２０ＧＨｚで−５ｄＢ〜−１８ｄＢの値を示しており、コモンモード信号が反射されずに熱として消費されていることがわかる。
【００５１】
発明者らの検討によると、図１の構成でドライバＩＣ１０の出力端子に周波数１０．３ＧＨｚ、１０ｍＡのコモンモードノイズ源を配置し、フレキシブルプリント基板２６のＰ２端面からＴＯＳＡ６を見たときの負荷をコモンモードに対しオープンと仮定した条件において、三次元電磁界シミュレーションにより求めたＥＭＩ（Electromagnetic Interference）強度は、半径３ｍ球面上における最大電界強度として７１ｄＢ（μＶ／ｍ）と算出された。一方、マイクロストリップ線路のみを設けた従来のフレキシブルプリント基板では、ＥＭＩ強度は７５ｄＢ（μＶ／ｍ）と算出された。すなわち、フレキシブルプリント基板２６により４ｄＢのＥＭＩ低減効果を得ることができた。
【００５２】
以上説明した光送受信モジュールによれば、消費電力を増加させることなく、送信用半導体レーザ素子を差動駆動する場合のコモンモード信号に対するインピーダンス不整合を改善することができる。これにより、不要電磁波の低減と消費電力の低減とを両立した１０Ｇｂｉｔ／ｓ用光送受信モジュールを提供することができる。
【００５３】
なお、図１〜図４では、主信号配線以外の配線の説明を省略したが、フレキシブルプリント基板２６上には他の配線、例えばモニターＰＤ出力信号やサーミスタ出力信号などを配置してもよい。
【００５４】
また、実施形態１では、フレキシブルプリント基板２６の素材をポリイミドとしたが、これを液晶ポリマとしてもよい。こうすれば、誘電体材料の誘電損失（ｔａｎδ）が低減するため、高い周波数領域における利得低下を改善することができる。
【００５５】
また、実施形態１の薄膜抵抗層２８は一様な抵抗膜でもよいが、金属膜、例えばアルミ膜を微細格子状に加工することでシート抵抗を２５Ω〜２００Ωのしたものを薄膜抵抗膜として用いてもよい。
【００５６】
［実施形態２］
本発明の実施形態２に係る光送受信モジュールを図９に基づいて説明する。実施形態２に係る光送受信モジュールは、波長０．８５μｍ、波長１．３μｍ、または波長１．５μｍの１０Ｇｂｉｔ／ｓ光送受信モジュールである。
【００５７】
図９は、実施形態２に係る光送受信モジュールの受信部の回路図である。同図に示すように、実施形態２に係る光送受信モジュールは、ＲＯＳＡ４３と、ポストアンプＩＣ４８を搭載した主基板４９と、ＲＯＳＡ４３と主基板４９とを接続するフレキシブルプリント基板２６を含んで構成される。実施形態１ではフレキシブルプリント基板２６をＴＯＳＡ６と主基板９との接続に用いたの対し、実施形態２ではフレキシブルプリント基板２６をＲＯＳＡ４３と主基板４９との接続に用いている。
【００５８】
ＲＯＳＡ４３の内部には、半導体フォトダイオード素子４１とプリアンプＩＣ４２が配置される。プリアンプＩＣ４２の差動出力インピーダンスは１００Ωであり、プリアンプＩＣ４２の出力端子はフレキシブルプリント基板２６の伝送線路２４，２５にそれぞれ接続される。
【００５９】
主基板４９は、例えばＦＲ４、ＦＲ５などのプリント配線基板である。主基板４９には、伝送線路４４，４５と、ＤＣカット容量４６，４７と、ポストアンプＩＣ４８と、が配置される。
【００６０】
伝送線路４４，４５は、それぞれ差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。ポストアンプＩＣ４８の差動入力インピーダンスは１００Ωであり、プリアンプＩＣ４２から出力された信号は、伝送線路４４，４５およびＤＣカット容量４６，４７を介してポストアンプＩＣ４８に入力される。
【００６１】
ＲＯＳＡ４３に内蔵されるプリアンプＩＣ４２には、初段が不平衡増幅器、最終段が平衡増幅器で構成されるものが多い。このため、プリアンプＩＣ４２の出力信号は不平衡成分、すなわちコモンモード信号成分を多く含む傾向があり、ＲＯＳＡ４３が不要電磁波の発生源となる場合があった。
【００６２】
実施形態１で説明したように、フレキシブルプリント基板２６は、差動モード信号の損失を抑えつつ、コモンモード信号を大きく低減する。実施形態２では、フレキシブルプリント基板２６を用いてＲＯＳＡ４３と主基板４９とを接続することにより、受信波形品質を良好に保ちながら不要電磁波の要因となりうるコモンモード信号を大きく減衰させることができる。
【００６３】
すなわち、実施形態２に係る光送受信モジュールによれば、受信用半導体フォトダイオード素子の電気信号を増幅するプリアンプの差動出力に含まれるコモンモード信号成分を熱として消費させることできる。これにより、不要電磁波の低減と受信波形品質の向上とを両立した１０Ｇｂｉｔ／ｓ用光送受信モジュールを提供することができる。
【００６４】
なお、図９では、主信号配線以外の配線の説明を省略したが、フレキシブルプリント基板２６上には他の配線、例えばＩＣの電源ラインやフォトダイオード電源ライン、サーミスタ出力信号などを配置してもよい。
【００６５】
［実施形態３］
本発明の実施形態３に係る光送受信モジュールを図１０〜図１５に基づいて説明する。実施形態３に係る光送受信モジュールは、波長１．３μｍの１０Ｇｂｉｔ／ｓ光送受信モジュールである。実施形態１との違いは、フレキシブルプリント基板において伝送線路の上部に薄膜抵抗層を設けた点と、波長１．３μｍのＤＦＢ−ＬＤ（Distributed feedback Laser Diode）素子を内蔵するＴＯＳＡを用いた点である。
【００６６】
まず、図１０を用いて実施形態３に係る光送受信モジュールの送信部の構成を説明する。図１０は、実施形態３に係る光送受信モジュールの送信部の回路図である。同図に示すように、実施形態３に係る光送受信モジュールは、ＴＯＳＡ１０６と、ドライバＩＣ１０を搭載した主基板９と、ＴＯＳＡ１０６と主基板９とを接続するフレキシブルプリント基板１２６と、を含んで構成される。
【００６７】
ＴＯＳＡ１０６の内部には、波長１．３μｍのＤＦＢ−ＬＤ素子１０１と伝送線路１０４，１０５が配置され、ＤＦＢ−ＬＤ素子１０１のアノード端子およびカソード端子は、ボンディングワイヤ１０２，１０３および伝送線路１０４，１０５を介して、フレキシブルプリント基板１２６に形成された伝送線路１２０，１２１にそれぞれ接続される。
【００６８】
伝送線路１０４，１０５は、例えばアルミナ、窒化アルミなどのセラミック基板上に形成され、それぞれマイクロストリップ線路を構成する。伝送線路１０４，１０５の特性インピーダンスは、ＴＯＳＡ１０６のリードピンのフィードスルー部との整合を保つ上で、それぞれ２０Ω〜２５Ωとすることが望ましい。ボンディングワイヤ１０２，１０３は、回路上直列インダクタンスと等価であるため、信号の反射を減らす上で極力短いワイヤ、または複数本のワイヤを用いてインダクタンス値を低減することが望ましい。
【００６９】
フレキシブルプリント基板１２６は、３つの領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）で構成される。すなわち、フレキシブルプリント基板１２６は、領域Ｃに形成された差動型の伝送線路１２０，１２１と、領域Ｂに形成された差動型の伝送線路１２２，１２３と、領域Ａに形成された差動型の伝送線路１２４，１２５と、が直列に接続された構成を有する。領域Ｃの伝送線路１２０，１２１および領域Ａの伝送線路１２４，１２５は、それぞれ差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。また、後述するように、領域Ｂの伝送線路１２２，１２３は、それぞれ差動インピーダンス約１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。
【００７０】
次に、図１１〜図１３を用いてフレキシブルプリント基板１２６の構造をより詳細に説明する。図１１は、フレキシブルプリント基板１２６の上面図である。図１２は、フレキシブルプリント基板１２６の領域Ａ（または領域Ｃ）における断面図である。図１３は、フレキシブルプリント基板１２６の領域Ｂにおける断面図である。
【００７１】
フレキシブルプリント基板１２６の領域Ａ（または領域Ｃ）は、図１２に示すように、誘電体層（絶縁層）１３２、接地導体（グランド層）１３６、誘電体層（絶縁層）１３０、伝送線路１２４，１２５（１２０，１２１）、誘電体層（絶縁層）１３１、および誘電体層（絶縁層）１２７が、この順で積層された構造を有する。
【００７２】
伝送線路１２４，１２５（１２０，１２１）は、接地導体１３６とともにそれぞれ通常のマイクロストリップ線路構造とする。すなわち、誘電体層１３０の上面にストリップ導体となる伝送線路１２４，１２５（１２０，１２１）が形成され、誘電体層１３０の下面に伝送線路１２４，１２５（１２０，１２１）に対向するよう接地導体１３６が形成される。また、これらの上下には、マイクロストリップ線路を被覆するために、ポリイミドと接着剤の複合材からなる誘電体層１２７，１３１，１３２が形成される。
【００７３】
伝送線路１２４，１２５（１２０，１２１）は、幅８０μｍに加工された厚さ２８μｍの銅箔であり、接地導体１３６は、厚さ２８μｍの銅箔である。誘電体層１３０の厚さは５０μｍであり、素材としてポリイミドが用いられる。かかる構造により、差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路が構成される。
【００７４】
一方、フレキシブルプリント基板１２６の領域Ｂは、図１３に示すように、誘電体層１３２、接地導体１３６、誘電体層１３０、伝送線路１２２，１２３、誘電体層１３１、薄膜抵抗層１２８、および誘電体層１２７が、この順で積層された構造を有する。
【００７５】
伝送線路１２２，１２３は、薄膜抵抗層１２８とともにそれぞれマイクロストリップ線路を構成する。すなわち、誘電体層１３１の下面にストリップ導体となる伝送線路１２２，１２３が形成され、誘電体層１３１の上面に伝送線路１２２，１２３に対向するよう薄膜抵抗層１２８が形成される。
【００７６】
この薄膜抵抗層１２８は、マイクロストリップ線路により伝送される高周波信号の一部を低減する機能を有する。マイクロストリップ線路により高周波信号が伝送されると、マイクロストリップ線路近傍に生じる磁束の変動によって薄膜抵抗層１２８内に渦電流が発生し、高周波信号の一部が熱として消費されるからである。なお、薄膜抵抗層１２８には、厚さ１μｍ以下、シート抵抗値が２５Ω〜２００Ωのものを用いると好適である。
【００７７】
また、図１３に示すように、誘電体層１３０の下面には、伝送線路１２２，１２３に対向する領域を除く領域であって薄膜抵抗層１２８の一部に対向する領域に接地導体１３６が形成されている。すなわち、誘電体層１３０の下面には、図１１に示すように、薄膜抵抗層１２８に対向する領域の一部を開口部１２９とする接地導体１３６が形成されている。
【００７８】
薄膜抵抗層１２８は、伝送線路１２２，１２３および接地電位に接続される接地導体１３６のいずれにも導体で接続されないため、直流的にはフロートである。しかしながら、高周波では、薄膜抵抗層１２８と接地導体１３６とが対向する領域で両者は電磁的に結合する。薄膜抵抗層１２８と接地導体１３６とが電磁的に結合する領域では、薄膜抵抗層１２８の電位が接地電位に近づくため、伝送線路１２２，１２３と接地電位との距離が縮まり、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを下げる作用が働く。これに対し、接地導体１３６の開口部１２９は、伝送線路１２２，１２３と接地電位との距離を広げる、すなわち領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを高くする働きを持つ。このため、接地導体１３６の開口部１２９は、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを１００Ωに近づける上で必須の構造である。
【００７９】
フレキシブルプリント基板１２６の領域Ｂでは、伝送線路１２２，１２３の幅を８０μｍ、伝送線路１２２，１２３間の間隔を０．９２ｍｍ、接地導体１３６の開口部１２９の幅を１．８ｍｍ、薄膜抵抗層１２８の幅を３．２ｍｍ、誘電体層１３１の厚さを１２μｍ〜２４μｍとすることにより、差動インピーダンスが１００Ωに近いマイクロストリップ線路を構成している。
【００８０】
なお、薄膜抵抗層１２８のシート抵抗や領域Ｂの長さは、所望の特性を得るための設計事項として変えられるが、例えばシート抵抗を２５Ω、Ｂ領域の長さを２．４ｍｍ、フレキシブルプリント基板１２６全体の長さを１０ｍｍすることにより、次のような特性が得られた。
【００８１】
以下、小信号特性を示す図１４および図１５を用いて本発明の実施形態３に係る効果を説明する。
【００８２】
図１４は、ドライバＩＣ１０の出力端子からＤＦＢ−ＬＤ素子１０１の両端子までの差動モード伝送特性ＳＤＤ２１を示す図である。同図には、ＤＣから周波数８ＧＨｚまでのＳＤＤ２１の変化量が約１ｄＢと小さいことが示されている。
【００８３】
実施形態３に係るフレキシブルプリント基板１２６では、領域Ｂにおいて伝送線路１２２，１２３間の間隔を狭めていない（伝送線路１２２，１２３の幅を内側方向に広げていない）ため、実施形態１に係るフレキシブルプリント基板２６に比べて差動モードでの損失量が大きくなっている。また、フレキシブルプリント基板１２６では、周波数１０ＧＨｚにおける差動伝送損失が約２ｄＢとなるように設定されている。これにより、ドライバＩＣ１０とＤＦＢ−ＬＤ素子１０１との間の差動伝送特性ＳＤＤ２１をほぼフラットにすることができる。
【００８４】
一方、マイクロストリップ線路のみを設けた従来のフレキシブルプリント基板では、ＤＣから周波数８ＧＨｚまでのＳＤＤ２１の変化量が約４ｄＢと大きく、周波数の上昇と共に利得が増加して８ＧＨｚ付近でピークを示している。
【００８５】
図１５は、ＤＦＢ−ＬＤ素子１０１における電流波形（アイパタン）を示す図である。同図に示すように、従来のフレキシブルプリント基板を用いた場合、高い周波数成分の波高が高くなるため波形劣化が生じた。一方、差動伝送特性ＳＤＤ２１がフラットなフレキシブルプリント基板１２６を用いた場合には、線幅の細い良好な波形を実現することができた。
【００８６】
波長１．３μｍのＤＦＢ−ＬＤ素子は、伝送距離が２ｋｍないし１０ｋｍの１０Ｇｂｉｔ／ｓ光送受信モジュールの送信用半導体レーザ素子として広く用いられている。この素子の直列抵抗は６〜１０Ωと低いため、高温動作時に良好な光波形を得るには１００ｍＡ近い大きな電流で駆動する必要があった。
【００８７】
このため従来は、特性インピーダンスが２５Ω程度の伝送線路と、それに合った出力インピーダンスが低い特殊なドライバＩＣ（例えば、差動インピーダンス５０ΩのドライバＩＣ）と、を用いることで、伝送線路と半導体素子とのインピーダンス不整合を軽減し、光送受信モジュールの光出力波形を良好なものにしていた。
【００８８】
これに対し、実施形態３に係る光送受信モジュールでは、差動出力インピーダンスが１００Ωの平衡型ドライバＩＣ１０の出力信号をフレキシブルプリント基板１２６を介してＤＦＢ−ＬＤ素子１０１のアノード端子およびカソード端子に入力することで、ドライバＩＣ１０とＤＦＢ−ＬＤ素子１０１との間の差動伝送特性ＳＤＤ２１を良好にし高品質な出力波形を得ることができる。
【００８９】
このため、フレキシブルプリント基板１２６を用いれば、波長０．８５μｍの光送受信モジュール（半導体レーザ素子の直列抵抗が６〜１０Ω）と、波長１．３μｍの光送受信モジュール（半導体レーザ素子の直列抵抗が５０〜１００Ω）と、の間で主基板９の設計を共通化することができる。これにより、部品の共通化、設計工数の低減が可能となり、光送受信モジュールの低コスト化を実現することができる。
【００９０】
以上のように、実施形態３によれば、不要電磁波の低減とコストの低減とを両立した１０Ｇｂｉｔ／ｓ用光送受信モジュールを提供することができる。
【００９１】
［実施形態４］
本発明の実施形態４に係るフレキシブルプリント基板２２６を図１６〜図１８に基づいて説明する。フレキシブルプリント基板２２６は、実施形態１と同様、光送受信モジュール（図示せず）のＴＯＳＡと主基板とを接続する（例えば図１参照）。ただし、フレキシブルプリント基板２２６は、薄膜抵抗層を接地導体の上部ではなく下部全面に設けた点で実施形態１に係るフレキシブルプリント基板２６とは異なる構造を有する。
【００９２】
図１６は、フレキシブルプリント基板２２６の上面図である。同図に示すように、フレキシブルプリント基板２２６は、３つの領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）で構成される。すなわち、フレキシブルプリント基板２２６は、領域Ｃに形成された差動型の伝送線路２２０，２２１と、領域Ｂに形成された差動型の伝送線路２２２，２２３と、領域Ａに形成された差動型の伝送線路２２４，２２５と、が直列に接続された構成を有する。領域Ｃの伝送線路２２０，２２１および領域Ａの伝送線路２２４，２２５は、それぞれ差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。また、後述するように、領域Ｂの伝送線路２２２，２２３は、それぞれ差動インピーダンス約１００Ωのマイクロストリップ線路を構成する。
【００９３】
図１７は、フレキシブルプリント基板２２６の領域Ａ（または領域Ｃ）における断面図である。同図に示すように、フレキシブルプリント基板２２６の領域Ａ（または領域Ｃ）は、誘電体層（絶縁層）２３２、薄膜抵抗層２２８、誘電体層（絶縁層）２３１、接地導体（グランド層）２３６、誘電体層（絶縁層）２３０、伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）、および誘電体層（絶縁層）２２７が、この順で積層された構造を有する。
【００９４】
伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）は、接地導体２３６とともにそれぞれマイクロストリップ線路を構成する。すなわち、誘電体層２３０の上面にストリップ導体となる伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）が形成され、誘電体層２３０の下面に伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）に対向するよう接地導体２３６が形成される。
【００９５】
伝送線路２２４，２２５は、幅８０μｍに加工された厚さ２８μｍの銅箔であり、接地導体２３６は、厚さ２８μｍの銅箔である。誘電体層２３０の厚さは５０μｍであり、素材としてポリイミドが用いられる。かかる構造により、差動インピーダンス１００Ωのマイクロストリップ線路が構成される。
【００９６】
また、伝送線路２２４，２２５の上部には、ポリイミドと接着剤の複合材からなる誘電体層２２７が形成され、接地導体２３６の下部には、ポリイミドからなる誘電体層２３１、薄膜抵抗層２２８、ポリイミドと接着剤の複合材からなる誘電体層２３２が形成される。伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）と薄膜抵抗層２２８との間には接地導体２３６が配置されているので、薄膜抵抗層２２８が伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）と接地導体２３６とより構成されるマイクロストリップ線路に与える影響は極めて小さい。このため、フレキシブルプリント基板２２６では、実施形態１〜３で必要とされる薄膜抵抗層のパターニングを省略することができる。
【００９７】
図１８は、フレキシブルプリント基板２２６の領域Ｂにおける断面図である。同図に示すように、フレキシブルプリント基板２２６の領域Ｂは、誘電体層２３２、薄膜抵抗層２２８、誘電体層２３１、接地導体２３６、誘電体層２３０、伝送線路２２２，２２３、および誘電体層２２７が、この順で積層された構造を有する。
【００９８】
誘電体層２３１の上面には、伝送線路２２２，２２３に対向する領域を除く領域であって薄膜抵抗層２２８の一部に対向する領域に接地導体２３６が形成されている。すなわち、誘電体層２３１の上面には、図１６に示すように、薄膜抵抗層２２８に対向する領域の一部（領域Ｂの一部）を開口部２２９とする接地導体２３６が形成されている。これにより、接地導体２３６の開口部２２９を挟んで、伝送線路２２２，２２３と薄膜抵抗層２２８との間でそれぞれマイクロストリップ線路が構成される。
【００９９】
薄膜抵抗層２２８は、マイクロストリップ線路により伝送される高周波信号の一部を低減する機能を有する。マイクロストリップ線路により高周波信号が伝送されると、マイクロストリップ線路近傍に生じる磁束の変動によって薄膜抵抗層２２８内に渦電流が発生し、高周波信号の一部が熱として消費されるからである。なお、薄膜抵抗層２２８には、厚さ１μｍ以下、シート抵抗値が２５Ω〜２００Ωのものを用いると好適である。
【０１００】
また、図１６〜図１８に示すように、領域Ｂの伝送線路２２２，２２３は、領域Ａ（領域Ｃ）の伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）に比べて両側に幅が広くなるよう形成されている。これは、領域Ｂにおける伝送線路２２２，２２３間の間隔を、領域Ａ（領域Ｃ）における伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）間の間隔より狭めるためである。
【０１０１】
差動線路間の間隔が狭い部分では、差動信号のカップリングが強くなる。このため、伝送線路２２２，２２３間の間隔が狭い領域Ｂでは、差動信号の伝送に伴って生じる磁束の薄膜抵抗層２２８内における密度が低く、薄膜抵抗層２２８内を流れる渦電流が少ない。これに対し、差動線路間の間隔が狭くなっても、コモンモード信号のカップリングは生じない。このため、伝送線路２２２，２２３間の間隔が狭い領域Ｂでは、差動信号の損失を抑えつつ、コモンモード信号を大きく低減することができる。
【０１０２】
なお、伝送線路２２４，２２５（２２０，２２１）より幅の広い伝送線路２２２，２２３は、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを下げる方向に作用する。これに対し、接地導体２３６の開口部２２９は、伝送線路２２２，２２３と接地電位との距離を広げる、すなわち領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを高くする働きを持つ。
【０１０３】
フレキシブルプリント基板２２６の領域Ｂでは、伝送線路２２２，２２３の幅を０．２１ｍｍ、伝送線路２２２，２２３間の間隔０．７８ｍｍ、接地導体の開口部２２９の幅を１．８ｍｍ、誘電体層２３１の厚さを１２μｍとすることにより、差動インピーダンスが１００Ωに近いマイクロストリップ線路を構成している。
【０１０４】
なお、薄膜抵抗層２２８のシート抵抗や領域Ｂの長さは、所望の特性を得るための設計事項として変えられるが、例えばシート抵抗を２５Ω、Ｂ領域の長さを７．８ｍｍ、フレキシブルプリント基板２２６全体の長さを１０ｍｍとすることにより、実施形態１で示した特性と同様の特性が得られた。
【０１０５】
実施形態４に係るフレキシブルプリント基板２２６によれば、薄膜抵抗層２２８のパターンニングの省略による製造コストの低減と薄膜抵抗層２２８のパタンずれに伴う伝送特性の変動を回避することができる。
【０１０６】
以上説明した実施形態１〜４によれば、マイクロストリップ線路で伝送される高周波差動信号に含まれるコモンモード信号がフレキシブルプリント基板内に形成された薄膜抵抗層で熱として消費されるため、コモンモード信号の反射によって放射される不要電磁波を低減することができる。また、光デバイスの端子と接地電位との間にインピーダンス整合用の抵抗素子を設ける必要がないため、消費電力の増加を防ぐこともできる。このため、高周波差動信号を伝送する際に放射される不要電磁波の低減と消費電力の低減とを両立する光通信モジュールおよびフレキシブルプリント基板を提供することができる。
【０１０７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【０１０８】
例えば、フレキシブルプリント基板の領域Ｂにおける伝送線路の形状や接地導体の開口部の形状は、領域Ｂにおけるマイクロストリップ線路の差動インピーダンスを所定値（例えば１００Ω）に近づける形状であれば、長方形に限定されない。
【０１０９】
また、フレキシブルプリント基板に形成される信号配線パタン、薄膜抵抗層のパタン、接地導体のパタンは、それぞれ一体に形成されてもよいし、領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）ごとに区別して形成されてもよい。
【０１１０】
また、上記実施形態で示した光送受信モジュールの構成素子やフレキシブルプリント基板の構成材料は一例にすぎず、本発明は、他の素子で構成された光通信モジュールや他の材料で構成されたフレキシブルプリント基板にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の実施形態１に係る光送受信モジュールの送信部の回路図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板の上面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板の差動モード伝送特性を示す図である。
【図６】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板のコモンモード伝送特性を示す図である。
【図７】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板の差動モード反射特性を示す図である。
【図８】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント基板のコモンモード反射特性を示す図である。
【図９】本発明の実施形態２に係る光送受信モジュールの受信部の回路図である。
【図１０】本発明の実施形態３に係る光送受信モジュールの送信部の回路図である。
【図１１】本発明の実施形態３に係るフレキシブルプリント基板の上面図である。
【図１２】本発明の実施形態３に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図１３】本発明の実施形態３に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図１４】本発明の実施形態３に係るフレキシブルプリント基板の差動モード伝送特性を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態３に係るＤＦＢ−ＬＤ素子における電流波形（アイパタン）を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態４に係るフレキシブルプリント基板の上面図である。
【図１７】本発明の実施形態４に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図１８】本発明の実施形態４に係るフレキシブルプリント基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１  ＶＣＳＥＬ素子、２，３  ボンディングワイヤ、４，５  伝送線路、６  ＴＯＳＡ、７，８  伝送線路、９  主基板、１０  ドライバＩＣ、１１  電圧源、１２，１３  ＤＣカット容量、１４，１５  チョークコイル、１６  デカップリング容量、２０，２１，２２，２３，２４，２５  伝送線路、２６  フレキシブルプリント基板、２７  誘電体層、２８  薄膜抵抗層、２９  接地導体の開口部、３０，３１，３２  誘電体層、３６  接地導体、４１  半導体フォトダイオード素子、４２  プリアンプＩＣ、４３  ＲＯＳＡ、４４，４５  伝送線路、４６，４７  ＤＣカット容量、４８  ポストアンプＩＣ、４９  主基板、１０１  ＤＦＢ−ＬＤ素子、１０２，１０３  ボンディングワイヤ、１０４，１０５  伝送線路、１０６  ＴＯＳＡ、１２０，１２１，１２２，１２３，１２４，１２５  伝送線路、１２６  フレキシブルプリント基板、１２７  誘電体層、１２８  薄膜抵抗層、１２９  接地導体の開口部、１３０，１３１，１３２  誘電体層、１３６  接地導体、２２０，２２１，２２２，２２３，２２４，２２５  伝送線路、２２６  フレキシブルプリント基板、２２７  誘電体層、２２８  薄膜抵抗層、２２９  接地導体の開口部、２３０，２３１，２３２  誘電体層、２３６  接地導体。
【図１】
0004892514.tif 000002
【図２】
0004892514.tif 000003
【図３】
0004892514.tif 000004
【図４】
0004892514.tif 000005
【図５】
0004892514.tif 000006
【図６】
0004892514.tif 000007
【図７】
0004892514.tif 000008
【図８】
0004892514.tif 000009
【図９】
0004892514.tif 000010
【図１０】
0004892514.tif 000011
【図１１】
0004892514.tif 000012
【図１２】
0004892514.tif 000013
【図１３】
0004892514.tif 000014
【図１４】
0004892514.tif 000015
【図１５】
0004892514.tif 000016
【図１６】
0004892514.tif 000017
【図１７】
0004892514.tif 000018
【図１８】
0004892514.tif 000019