(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、
前記コネクタに挿入された光デバイスを介して光信号を受信する光インタフェース装置とを有し、
前記光インタフェース装置は、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路と、
前記クロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加手段と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知手段と、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加手段と
を備えたことを特徴とする光伝送装置。
【請求項２】
前記光インタフェース装置は、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記外部バイアス電圧印加手段は、前記計時手段によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の光伝送装置。
【請求項３】
外部装置から入力された光信号を他の装置へ送信する光伝送装置が有する光インタフェース装置であって、
前記外部装置との間で光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路と、
前記クロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加手段と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知手段と、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加手段と
を備えたことを特徴とする光インタフェース装置。
【請求項４】
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記外部バイアス電圧印加手段は、前記計時手段によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする請求項３に記載の光インタフェース装置。
【請求項５】
光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、前記コネクタに挿入された光デバイスによって受信された光信号を他の装置へ送信する光インタフェース装置とを有する光伝送装置における光伝送方法であって、
前記光インタフェース装置が、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加工程と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知工程と、
前記挿入検知工程によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加工程によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加工程と
を含んだことを特徴とする光伝送方法。
【請求項６】
前記挿入検知工程によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時工程をさらに含み、
前記外部バイアス電圧印加工程は、前記計時工程によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加工程によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする請求項５に記載の光伝送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送装置、光インタフェース装置および光伝送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信のネットワークには、１本の光ファイバケーブルに複数の異なる波長の光信号を多重して送信する光波長多重伝送（ＷＤＭ：Wavelength  Division  Multiplex）システムが用いられることが多い。光波長多重伝送システムは、複数の光波長多重伝送装置が光ファイバケーブルを介して接続される。
【０００３】
光波長多重伝送装置には、プラガブルタイプ（挿抜タイプ）の光デバイス（以下、「プラガブル光デバイス」という）に対応するものがある。プラガブル光デバイスとは、主に、クライアント回線から入力された光信号を電気信号に変換する処理や、電気信号を光信号に変換してクライアント回線に出力する処理などを行う装置である。プラガブル光デバイスとしては、例えば、ＸＦＰ（10Gbit/s  Small  Form  factor  Pluggable）や、ＳＦＰ（Small  Form  factor  Pluggable）などが知られている。プラガブル光デバイスに対応する光波長多重伝送装置を用いると、光波長多重伝送装置が起動中であってもプラガブル光デバイスを活線挿抜することができるので、通信事業者やネットワーク管理者は、伝送距離や光信号の波長の変更に対してフレキシブルに対応可能になる。
【０００４】
【非特許文献１】“10  Gigabit  Small  Form  Factor  Pluggable  Module”、［online］、［平成２０年４月２１日検索］、インターネット＜URL:  http://www.xfpmsa.org/XFP_Rev4_5_SFF_INF_8077i.pdf＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の光波長多重伝送装置には、プラガブル光デバイスが活線挿入された場合に、光波長多重伝送装置内部のＩＣ（Integrated  Circuit）に悪影響を及ぼすおそれがあるという問題があった。具体的には、プラガブル光デバイスが光波長多重伝送装置に活線挿入されると、プラガブル光デバイスが起動するまでの間に、光波長多重伝送装置内部のＣＤＲ（Clock  Data  Recovery）に印加される電圧にノイズが発生することがある。かかるノイズが発生すると、印加電圧がＣＤＲの入力定格電圧の範囲外になることがあり、ＣＤＲに悪影響を及ぼすおそれがあった。
【０００６】
開示の技術は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、プラガブル光デバイスが活線挿入された場合であっても、ＣＤＲに悪影響を及ぼすことのない光伝送装置、光インタフェース装置および光伝送方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本願に開示する光伝送装置は、光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、前記コネクタに挿入された光デバイスを介して光信号を受信する光インタフェース装置とを有し、前記光インタフェース装置は、当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路と、前記クロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加手段と、前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知手段と、前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加手段とを備えたことを要件とする。
【０００８】
なお、本願に開示する光伝送装置の構成要素、表現または構成要素の任意の組合せを、方法、装置、システム、コンピュータプログラム、記録媒体、データ構造などに適用したものも、他の態様として有効である。
【発明の効果】
【０００９】
本願に開示した光伝送装置によれば、光デバイスが活線挿入された場合であっても、ＣＤＲに悪影響を及ぼさないようにすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本願に開示する光伝送装置、光インタフェース装置および光伝送方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下では、本願に開示する光伝送装置、光インタフェース装置および光伝送方法を、光波長多重伝送装置に適用する例について説明するが、本願に開示する光伝送装置、光インタフェース装置および光伝送方法は、光波長多重伝送装置以外の光伝送装置に適用することも可能である。
【実施例１】
【００１１】
まず、実施例１に係る光波長多重伝送装置の特徴を明らかにするために、従来の光波長多重伝送装置の構成について説明する。図７は、従来の光波長多重伝送装置９の構成を示す図である。図７に示すように、光波長多重伝送装置９は、光インタフェース装置９０と、光波長多重分離装置２０とを有する。
【００１２】
光インタフェース装置９０は、光インタフェースユニットを複数有し、図７に示した例では、光インタフェースユニット８００、９００、・・、ｎを有する。光インタフェースユニット８００は、プラガブル光デバイスに対応していない光インタフェースユニットであり、ＭＳＡ（Multi  Source  Agreement）部８１０と、フレーム処理部８２０と、ＭＳＡ部８３０とを有する。
【００１３】
ＭＳＡ部８１０は、クライアント回線から光信号を入力された場合に、電気信号に変換してフレーム処理部８２０へ出力し、フレーム処理部８２０から電気信号を入力された場合に、光信号に変換してクライアント回線へ送信する。
【００１４】
フレーム処理部８２０は、ＭＳＡ部８１０から電気信号を入力された場合に、データを固定長に分割し、制御情報などを付加してフレーム構成を組む処理や、フレーム構成を組まれたデータからフレームを外す処理などのオーバヘッド処理を行う。また、ＭＳＡ部８３０から電気信号を入力された場合に、フレームを外してＭＳＡ部８１０へ出力する。
【００１５】
ＭＳＡ部８３０は、フレーム処理部８２０から電気信号を入力された場合に、狭帯域（Narrow  Band）の波長λ１の光信号に変換して、後述する光多重部２１へ出力する。また、ＭＳＡ部８３０は、後述する光分離部２４から狭帯域波長λ１の光信号を入力された場合に、電気信号に変換してフレーム処理部８２０へ出力する。
【００１６】
光インタフェースユニット９００は、プラガブル光デバイスに対応している光インタフェースユニットであり、トランシーバ９２０と、フレーム処理部９３０と、ＭＳＡ部９４０とを有する。また、図７に示した例では、光インタフェースユニット９００は、ＸＦＰ９１０が挿入されている。
【００１７】
ＸＦＰ９１０は、光インタフェースユニット９００に挿抜可能なプラガブル光デバイスであり、光信号と電気信号とを相互に変換する。具体的には、ＸＦＰ９１０は、クライアント回線から光信号を入力された場合に、電気信号に変換してトランシーバ９２０へ出力する。また、ＸＦＰ９１０は、トランシーバ９２０から電気信号を入力された場合に、光信号に変換してクライアント回線へ送信する。
【００１８】
トランシーバ９２０は、ＣＤＲ回路やＳＥＲＤＥＳ（SERializer/DESerializer）回路等を有し、ＸＦＰ９１０またはフレーム処理部９３０から電気信号を入力された場合に、電気的な波形の信号に基づいて、光インタフェースユニット９００が動作するためのクロック信号を生成する処理等を行う。
【００１９】
フレーム処理部９３０は、上述したフレーム処理部８２０と同様に、所定のオーバヘッド処理を行う。ＭＳＡ部９４０は、フレーム処理部９３０から電気信号を入力された場合に、狭帯域波長λ２の光信号に変換して、後述する光多重部２１へ出力する。また、ＭＳＡ部９４０は、後述する光分離部２４から狭帯域波長λ２の光信号を入力された場合に、電気信号に変換してフレーム処理部９３０へ出力する。
【００２０】
光波長多重分離装置２０は、光信号の多重処理や分離処理を行う装置であり、光多重部２１と、アンプ２２と、アンプ２３と、光分離部２４とを有する。光多重部２１は、光インタフェースユニット８００、９００、・・、ｎから入力された波長λ１〜λｎの光信号を多重して、アンプ２２へ出力する。アンプ２２は、光多重部２１から入力された光信号を増幅してＷＤＭ回線（光ファイバケーブル）へ送信する。
【００２１】
アンプ２３は、ＷＤＭ回線から入力された光信号を増幅して光分離部２４へ出力する。光分離部２４は、アンプ２３から入力された光信号を波長λ１〜λｎの光信号に分離して、分離した光信号を光インタフェースユニット８００、９００、・・、ｎへ出力する。
【００２２】
次に、図７に示した光インタフェースユニット９００の回路構成について説明する。図８は、図７に示した光インタフェースユニット９００の概略回路図の一例を示す図である。図８に示した光インタフェースユニット９００は、プラガブル光デバイスに対応しており、ＸＦＰ９１０がコネクタ９０１に挿入されている。なお、図８では、ＸＦＰ９１０の回路構成のうち、電気信号を出力する出力回路のみを示し、ＣＤＲ９０２の回路構成のうち、電気信号を受信する受信回路のみを示す。
【００２３】
ＸＦＰ９１０は、出力ＩＣ９１１と、ＡＣ（Alternating  Current、交流）カップリングコンデンサ９１４と、ＲＣ（抵抗、コンデンサ）回路９１５とを有する。出力ＩＣ９１１は、図示しない所定の回路によって光信号から変換された電気信号を入力された場合に、かかる電気信号を増幅してＡＣカップリングコンデンサ９１４へ出力する。具体的には、出力ＩＣ９１１は、トランジスタ９１２ａおよび９１２ｂのベースに電気信号が入力され、プリエンファシス９１３によって振幅増幅された電気信号を、ＡＣカップリングコンデンサ９１４へ出力する。ＡＣカップリングコンデンサ９１４は、出力ＩＣ９１１から入力された電気信号のＤＣ（Direct  Current、直流）成分を除去した主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を、光インタフェースユニット９００へ出力する。
【００２４】
ＲＣ回路９１５は、抵抗およびコンデンサによって形成される。ＲＣ回路９１５は、ＸＦＰ９１０が光インタフェースユニット９００に活線挿入された場合に、出力ＩＣ９１１に印加される電圧を徐々に上昇させることで、突入電流が流れることを防止している。なお、図８に示した例では、ＲＣ回路９１５の時定数は、時定数（τ）によって定義される。
【００２５】
光インタフェースユニット９００は、コネクタ９０１と、ＣＤＲ９０２と、挿入検知部９０３とを有する。コネクタ９０１は、ＸＦＰ９１０等のプラガブル光デバイスが挿入されるコネクタである。ＣＤＲ９０２は、出力ＩＣ９１１から入力された電気信号に基づいて、光インタフェースユニット９００が動作するためのクロック信号を生成する。ＣＤＲ９０２には、図示しない電圧源によって所定の電圧（以下、「内部バイアス電圧」という）が印加される。図８に示した例では、ＣＤＲ９０２に、１．１［Ｖ（ボルト）］の内部バイアス電圧が印加されている。
【００２６】
挿入検知部９０３は、ＸＦＰ９１０が活線挿入されたことを検知する処理部である。具体的には、挿入検知部９０３は、ＸＦＰ９１０が活線挿入された場合に、自身に印加される電圧がＧＮＤ（グランド）になることに基づいて、ＸＦＰ９１０が挿入されたことを検知する。
【００２７】
このような構成の下、光インタフェースユニット９００にＸＦＰ９１０が活線挿入されると、ＣＤＲ９０２に入力定格電圧以下の電圧が印加されるため、ＣＤＲ９０２に悪影響を及ぼすおそれがあるという問題があった。かかる問題について図９を用いて具体的に説明する。
【００２８】
図９は、図８に示した各回路に印加される電圧値のタイムチャートを示す図である。図９は、上段から順に、挿入検知部９０３に印加される電圧値、出力ＩＣ９１１に印加される電圧値、主信号ＲＤ＋を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値、主信号ＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値、主信号ＲＤ＋を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値、主信号ＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値のタイムチャートを示している。
【００２９】
図９に示すように、ＸＦＰ９１０が光インタフェースユニット９００に活線挿入されると、挿入検知部９０３に印加される電圧値は、ＧＮＤ（グランド）になる。また、出力ＩＣ９１１に印加される電圧は、上述したように、ＲＣ回路９１５が設けられているため、ＸＦＰ９１０が挿入された後、徐々に上昇して１．１［Ｖ］になる。図９に示した例では、ＸＦＰ９１０は、光インタフェースユニット９００に活線挿入されてから、時間ｔ２＝５０［ｍｓ（ミリ秒）］経過した時に、電圧１．１［Ｖ］が印加されて内部のＩＣ動作が確定し、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を出力する処理を開始する。なお、本明細書において、ＸＦＰ９１０の起動中とは、ＸＦＰ９１０が光インタフェースユニット９００に活線挿入されてから、ＸＦＰ９１０内部のＩＣ動作が確定するまでの間を示す。
【００３０】
また、図９に示すように、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧は、出力ＩＣ９１１に印加される電圧値と同様に、徐々に上昇する。しかし、ＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値は、ＸＦＰ９１０の起動中にＬ（Low）レベルのノイズが発生することがある。図９に示した例では、ＸＦＰ９１０が光インタフェースユニット９００に活線挿入されてから、時間ｔ１＝５［ｍｓ］経過した時に、ノイズＮ１が発生している。このようなノイズが発生する原因は、ＸＦＰ９１０の起動中において、プリエンファシス９１３の動作が不安定になるからである。
【００３１】
また、図９に示すように、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値は、内部バイアス電圧１．１［Ｖ］である。しかし、ノイズＮ１が発生した場合に、ＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値は低下する。すなわち、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値が低下する。ノイズＮ１が発生した際のＣＤＲ９０２に印加される電圧値は、ＣＤＲ９０２の入力定格電圧以下になり、ＣＤＲ９０２に悪影響を及ぼすことがある。なお、図９では、ノイズＮ１が発生した場合に、０［Ｖ］よりも小さい電圧が、ＣＤＲ９０２に印加される例を示している。
【００３２】
そこで、実施例１に係る光波長多重伝送装置１が有する光インタフェースユニットでは、ＸＦＰが活線挿入された場合に、ＸＦＰが起動するまでの間、ＣＤＲ９０２に内部バイアス電圧以上の電圧を印加する。これにより、実施例１に係る光波長多重伝送装置１では、ＸＦＰの起動中に、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値が低下した場合であっても、入力定格電圧以下の電圧がＣＤＲ９０２に印加されてしまうことを防止することができる。以下に、図１〜図３を用いて具体的に説明する。
【００３３】
図１は、実施例１に係る光波長多重伝送装置１の構成を示す図である。なお、以下では、図７に示した構成部位と同様の機能を有する部位には同一符号を付すこととして、その詳細な説明を省略する。図１に示すように、光波長多重伝送装置１は、光インタフェース装置１０と、光波長多重分離装置２０とを有する。
【００３４】
光インタフェース装置１０は、光インタフェースユニット１００ａ、１００ｂ、・・、ｎを有する。なお、光インタフェースユニット１００ａ、１００ｂ、・・、ｎは、いずれも同様の構成を有するため、以下では、光インタフェースユニット１００ａを例にして説明する。
【００３５】
光インタフェースユニット１００ａは、ＸＦＰ９１０ａと、トランシーバ１２０ａと、フレーム処理部９３０ａと、ＭＳＡ部９４０ａとを有する。なお、図１では、光インタフェースユニット１００ａがＸＦＰ９１０ａを有する例を示したが、光インタフェースユニット１００ａは、例えば、ＳＦＰなどの他のプラガブル光デバイスを有してもよい。
【００３６】
ＸＦＰ９１０ａは、図７に示したＸＦＰ９１０と同様の機能を有する。トランシーバ１２０ａは、図７に示したトランシーバ９２０と同様に、クロック信号を生成する処理等を行うとともに、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入された場合に、ＸＦＰ９１０ａが起動するまでの間、ＣＤＲ９０２に内部バイアス電圧以上の電圧を印加する。トランシーバ１２０ａによる電圧印加処理については後に詳述する。
【００３７】
フレーム処理部９３０ａは、図７に示したフレーム処理部９３０と同様の機能を有し、ＭＳＡ部９４０ａは、図７に示したＭＳＡ部９４０と同様の機能を有する。なお、図１では、光波長多重伝送装置１が、プラガブル光デバイスに対応している光インタフェースユニット１００ａ、１００ｂ、・・、ｎを有する例を示したが、光波長多重伝送装置１は、プラガブル光デバイスに対応している光インタフェースユニットと、プラガブル光デバイスに対応していない光インタフェースユニットとを有してもよい。
【００３８】
次に、図１に示した光インタフェースユニット１００ａの回路構成について説明する。図２は、図１に示した光波長多重伝送装置１が有する光インタフェースユニット１００ａの概略回路図の一例を示す図である。なお、以下では、図８に示した構成部位と同様の機能を有する部位には同一符号を付すこととして、その詳細な説明を省略する。図２に示すように、光インタフェースユニット１００ａは、タイマ部１０１と、セレクタ１０２と、オペアンプ１０３と、インダクタンス１０４ａおよび１０４ｂとを有する。
【００３９】
タイマ部１０１は、挿入検知部９０３によって、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されたことが検知された場合に、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから経過した時間を計時するとともに、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されたことを示す活線挿入通知をセレクタ１０２へ出力する。また、タイマ部１０１は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから所定の時間が経過した場合に、所定の時間が経過したことを示す起動完了通知をセレクタ１０２へ出力する。なお、ここでいう「所定の時間」とは、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから、ＸＦＰ９１０ａ内部のＩＣ動作が確定するまでの時間よりやや短い時間を示す。
【００４０】
セレクタ１０２は、図示しない複数の電圧源と接続されており、タイマ部１０１から入力される活線挿入通知および起動完了通知に基づいて、出力する電圧を選択するセレクタ回路である。具体的には、セレクタ１０２は、タイマ部１０１から活線挿入通知を入力された場合に、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧よりも大きい電圧を出力する。また、セレクタ１０２は、タイマ部１０１から活線挿入通知を入力された場合に、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧と同電位の電圧を出力する。
【００４１】
図２に示した例では、セレクタ１０２は、タイマ部１０１から活線挿入通知を入力された場合に、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧１．１［Ｖ］よりも大きい電圧２．０［Ｖ］を出力する。また、図２に示した例では、セレクタ１０２は、タイマ部１０１から活線挿入通知を入力された場合に、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧１．１［Ｖ］と同電位の電圧１．１［Ｖ］を出力する。
【００４２】
オペアンプ１０３は、セレクタ１０２から入力された入力電圧のインピーダンスよりも出力電圧のインピーダンスを低くするインピーダンス変換を行う。オペアンプ１０３の出力電圧は、インダクタンス１０４ａおよび１０４ｂを介して、ＣＤＲ９０２に印加される。なお、以下では、オペアンプ１０３を介してＣＤＲ９０２に印加される電圧を「外部バイアス電圧」と呼ぶこととする。
【００４３】
インダクタンス１０４ａおよび１０４ｂは、セレクタ１０２およびオペアンプ１０３によって形成される回路をハイインピーダンスにするために設けられる。具体的には、図２に示したような高周波の信号を扱う回路の場合、インダクタンス１０４ａおよび１０４ｂは、交流信号に対してハイインピーダンスになる。これにより、高周波の主信号ＲＤ＋およびＲＤ−がインダクタンス１０４ａおよび１０４ｂ側に出力されてしまうことを防止することができる。その結果、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−に影響を与えることなく、ＣＤＲ９０２に外部バイアス電圧を印加することができる。
【００４４】
図３は、図２に示した各回路に印加される電圧値のタイムチャートを示す図である。図３は、上段から順に、挿入検知部９０３に印加される電圧値、出力ＩＣ９１１に印加される電圧値、主信号ＲＤ＋を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値、主信号ＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値、セレクタ１０２が出力する電圧値、主信号ＲＤ＋を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値、主信号ＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値のタイムチャートを示している。
【００４５】
図３に示すように、セレクタ１０２は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入された場合に、２．０［Ｖ］の電圧を出力し、所定の時間が経過した後に、１．１［Ｖ］の電圧を出力する。図５に示した例では、セレクタ１０２は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから、時間ｔ３＝４０［ｍｓ］が経過するまでの間、２．０［Ｖ］の電圧を出力し、時間ｔ３＝４０［ｍｓ］が経過した後は、１．１［Ｖ］の電圧を出力する。
【００４６】
また、図３に示すように、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから時間ｔ３＝４０［ｍｓ］が経過するまでの間は、外部バイアス電圧２．０［Ｖ］となり、時間ｔ３＝４０［ｍｓ］が経過した後は、外部バイアス電圧１．１［Ｖ］となる。
【００４７】
ここで、図３に示すように、主信号ＲＤ＋およびＲＤ−を出力するＡＣカップリングコンデンサ９１４のＡ側に印加される電圧値は、ＸＦＰ９１０ａの起動途中でＬレベルのノイズＮ１が発生することがある。ノイズＮ１が発生した場合に、ＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に印加される電圧値は低下する。しかし、ＡＣカップリングコンデンサ９１４のＢ側に２．０［Ｖ］の電圧が印加されているため、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値が低下した場合であっても、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値は、ＣＤＲ９０２の入力定格電圧以下にならない。これにより、ＣＤＲ９０２に悪影響を及ぼさないようにすることができる。
【００４８】
また、図３に示すように、セレクタ１０２は、ＸＦＰ９１０ａ内部のＩＣ動作が確定する前に、外部バイアス電圧を内部バイアス電圧と同電位にするので、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値が、ＣＤＲ９０２の入力定格電圧以上になることを防止することができる。
【００４９】
次に、図１に示した光インタフェースユニット１００ａによる外部バイアス電圧印加処理の手順について説明する。図４は、図１に示した光インタフェースユニット１００ａによる外部バイアス電圧印加処理手順を示すフローチャートである。図４に示すように、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入された場合に（ステップＳ１０１肯定）、挿入検知部９０３は、自身に印加される電圧がＧＮＤになることに基づいて、ＸＦＰ９１０ａが挿入されたことを検知する（ステップＳ１０２）。
【００５０】
続いて、タイマ部１０１は、挿入検知部９０３によって、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されたことが検知された場合に、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されたことを示す活線挿入通知をセレクタ１０２へ出力する（ステップＳ１０３）。かかる活線挿入通知を入力されたセレクタ１０２は、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧よりも大きい外部バイアス電圧を、オペアンプ１０３とインダクタンス１０４ａおよび１０４ｂを介して、ＣＤＲ９０２に印加する（ステップＳ１０４）。
【００５１】
続いて、タイマ部１０１は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから所定の時間が経過した場合に（ステップＳ１０５肯定）、起動完了通知をセレクタ１０２へ出力する（ステップＳ１０６）。かかる起動完了通知を入力されたセレクタ１０２は、ＣＤＲ９０２に印加される内部バイアス電圧と同電位の外部バイアス電圧を、オペアンプ１０３とインダクタンス１０４ａおよび１０４ｂを介して、ＣＤＲ９０２に印加する（ステップＳ１０７）。
【００５２】
上述してきたように、実施例１に係る光波長多重伝送装置は、光インタフェースユニット１００ａにＸＦＰ９１０ａが活線挿入された場合に、ＸＦＰ９１０ａが起動するまでの間、光インタフェースユニット１００ａが有するＣＤＲ９０２に内部バイアス電圧以上の外部バイアス電圧を印加するように構成したので、ＸＦＰ９１０ａの起動中に、入力定格電圧以下の電圧がＣＤＲ９０２に印加されてしまうことを防止することができる。すなわち、実施例１に係る光波長多重伝送装置１は、プラガブル光デバイスが活線挿入された場合であっても、ＣＤＲに悪影響を及ぼさないようにすることができる。
【００５３】
また、実施例１に係る光波長多重伝送装置は、ＸＦＰ９１０ａが活線挿入されてから所定の時間が経過した場合に、ＣＤＲ９０２に内部バイアス電圧と同電位の外部バイアス電圧を印加するので、ＣＤＲ９０２に印加される電圧値が、ＣＤＲ９０２の入力定格電圧以上になることを防止することができる。
【実施例２】
【００５４】
ところで、上記実施例１では、外部バイアス電圧を印加するために、セレクタ１０２と、オペアンプ１０３と、インダクタンス１０４ａおよび１０４ｂとを含む回路（以下、「外部バイアス電圧印加回路」という）を、ＣＤＲ９０２の前段に配線した例を示したが、ＣＤＲによっては、バイアス電圧を印加するためのピンが設けられており、かかるピンに外部バイアス電圧印加回路を接続してもよい。そこで、実施例２では、バイアス電圧を印加するためのピンに外部バイアス電圧印加回路を接続する例について説明する。
【００５５】
図５は、実施例２に係る光波長多重伝送装置２が有する光インタフェースユニット２００ａの概略回路図の一例を示す図である。なお、以下では、図２に示した構成部位と同様の機能を有する部位には同一符号を付すこととして、その詳細な説明を省略する。
【００５６】
図５に示すように、光インタフェースユニット２００ａが有するＣＤＲ２０２は、入力終端抵抗２０３ａおよび２０３ｂの中央に、バイアス電圧を印加するためのピン２０４を有する。オペアンプ１０３は、かかるピン２０４に接続される。これにより、上記実施例１と同様に、ＣＤＲ２０２に外部バイアス電圧を印加することができる。
【００５７】
上述してきたように、実施例２に係る光波長多重伝送装置２は、バイアス電圧を印加するためのピン２０４に外部バイアス電圧印加回路を接続するように構成したので、外部バイアス電圧印加回路を接続するためのピンを新たに設けることなく、プラガブル光デバイスが活線挿入された場合であっても、ＣＤＲ２０２に悪影響を及ぼさないようにすることができる。
【実施例３】
【００５８】
ところで、上記実施例２では、ＣＤＲ２０２にバイアス電圧を印加するためのピンが１個のみ設けられている例を示したが、ＣＤＲによっては、バイアス電圧を印加するためのピンが２個設けられており、かかる２個のピンに外部バイアス電圧印加回路を接続してもよい。そこで、実施例３では、バイアス電圧を印加するための２個のピンに外部バイアス電圧印加回路を接続する例について説明する。
【００５９】
図６は、実施例３に係る光波長多重伝送装置３が有する光インタフェースユニット３００ａの概略回路図の一例を示す図である。図６に示すように、光インタフェースユニット３００ａが有するＣＤＲ３０２は、入力終端抵抗３０３ａ〜３０３ｃの両端に、バイアス電圧を印加するためのピン３０４ａおよび３０４ｂを有する。オペアンプ１０３は、かかるピン３０４ａおよび３０４ｂに接続される。これにより、上記実施例１および２と同様に、ＣＤＲ３０２に外部バイアス電圧を印加することができる。
【００６０】
上述してきたように、実施例３に係る光波長多重伝送装置３は、バイアス電圧を印加するためのピン３０４ａおよび３０４ｂに外部バイアス電圧印加回路を接続するように構成したので、外部バイアス電圧印加回路を接続するためのピンを新たに設けることなく、プラガブル光デバイスが活線挿入された場合であっても、ＣＤＲ３０２に悪影響を及ぼさないようにすることができる。
【００６１】
以上の実施例１〜３を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００６２】
（付記１）光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、
前記コネクタに挿入された光デバイスを介して光信号を受信する光インタフェース装置とを有し、
前記光インタフェース装置は、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路と、
前記クロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加手段と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知手段と、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加手段と
を備えたことを特徴とする光伝送装置。
【００６３】
（付記２）前記光インタフェース装置は、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記外部バイアス電圧印加手段は、前記計時手段によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする付記１に記載の光伝送装置。
【００６４】
（付記３）前記クロックデータリカバリ回路は、電圧を印加するためのピンを有し、
前記外部バイアス電圧印加手段は、前記ピンに電圧を印加することによって、前記クロックデータリカバリ回路に電圧を印加することを特徴とする付記１または２に記載の光伝送装置。
【００６５】
（付記４）前記外部バイアス電圧印加手段は、インダクタンスを介して前記クロックデータリカバリ回路に対して電圧を印加することを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光伝送装置。
【００６６】
（付記５）外部装置から入力された光信号を他の装置へ送信する光伝送装置が有する光インタフェース装置であって、
前記外部装置との間で光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路と、
前記クロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加手段と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知手段と、
前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加手段と
を備えたことを特徴とする光インタフェース装置。
【００６７】
（付記６）前記挿入検知手段によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記外部バイアス電圧印加手段は、前記計時手段によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加手段によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする付記５に記載の光インタフェース装置。
【００６８】
（付記７）光信号を送受信する光デバイスが挿入されるコネクタと、前記コネクタに挿入された光デバイスによって受信された光信号を他の装置へ送信する光インタフェース装置とを有する光伝送装置における光伝送方法であって、
前記光インタフェース装置が、
当該の光インタフェース装置が動作するためのクロック信号を生成するクロックデータリカバリ回路に所定の電圧を印加する内部バイアス電圧印加工程と、
前記光デバイスが前記コネクタに活線挿入された場合に、該光デバイスが活線挿入されたことを検知する挿入検知工程と、
前記挿入検知工程によって前記光デバイスが活線挿入されたことが検知された場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加工程によって印加される電圧よりも高い電圧を印加する外部バイアス電圧印加工程と
を含んだことを特徴とする光伝送方法。
【００６９】
（付記８）前記挿入検知工程によって前記光デバイスが活線挿入されてからの経過時間を計時する計時工程をさらに含み、
前記外部バイアス電圧印加工程は、前記計時工程によって計時された経過時間が所定の時間を超えた場合に、前記クロックデータリカバリ回路に対して、前記内部バイアス電圧印加工程によって印加される電圧と同電位の電圧を印加することを特徴とする付記７に記載の光伝送方法。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施例１に係る光波長多重伝送装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示した光波長多重伝送装置が有する光インタフェースユニットの概略回路図の一例を示す図である。
【図３】図２に示した各回路に印加される電圧値のタイムチャートを示す図である。
【図４】図１に示した光インタフェースユニットによる外部バイアス電圧印加処理手順を示すフローチャートである。
【図５】実施例２に係る光波長多重伝送装置が有する光インタフェースユニットの概略回路図の一例を示す図である。
【図６】実施例３に係る光波長多重伝送装置が有する光インタフェースユニットの概略回路図の一例を示す図である。
【図７】従来の光波長多重伝送装置の構成を示す図である。
【図８】図７に示した光インタフェースユニットの概略回路図の一例を示す図である。
【図９】図８に示した各回路に印加される電圧値のタイムチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１、２、３、９  光波長多重伝送装置
１０、９０  光インタフェース装置
２０  光波長多重分離装置
２１  光多重部
２２、２３  アンプ
２４  光分離部
１００ａ、２００ａ、３００ａ、８００、９００  光インタフェースユニット
１０１  タイマ部
１０２  セレクタ
１０３  オペアンプ
１０４ａ、１０４ｂ  インダクタンス
１２０ａ、９２０  トランシーバ
２０２、３０２、９０２  ＣＤＲ
２０３ａ、２０３ｂ、３０３ａ〜３０３ｃ  入力終端抵抗
２０４、３０４ａ、３０４ｂ  ピン
８１０、８３０、９４０、９４０ａ  ＭＳＡ部
８２０、９３０、９３０ａ  フレーム処理部
９０１  コネクタ
９０３  挿入検知部
９１０、９１０ａ  ＸＦＰ
９１１  出力ＩＣ
９１２ａ、９１２ｂ  トランジスタ
９１３  プリエンファシス
９１４  ＡＣカップリングコンデンサ
９１５  ＲＣ回路
【図１】
0005045553.tif 000002
【図２】
0005045553.tif 000003
【図３】
0005045553.tif 000004
【図４】
0005045553.tif 000005
【図５】
0005045553.tif 000006
【図６】
0005045553.tif 000007
【図７】
0005045553.tif 000008
【図８】
0005045553.tif 000009
【図９】
0005045553.tif 000010