(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを複数個実装するフェースダウン型マルチチップモジュール用の中間基板において、基台と、該基台の一方の面に電気絶縁層を介して形成された配線とを備え、前記基台の熱膨張係数は１０ｐｐｍ以下であり、前記配線はピッチが１０〜３０μｍの範囲である１層構造または２層構造の配線であり、個々の半導体チップを実装する各配線は、半導体チップを実装するためのチップ側パッドと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッドと、個々のチップ側パッドとボール側パッドとを接続するための引き出しリードを有し、前記ボール側パッドとその近傍の引き出しリードを覆い、かつ、前記ボール側パッドとの導通をとるためのスルーホールを有する電気絶縁パターンを備え、該電気絶縁パターンは前記スルーホールを介して前記ボール側パッドに導通している導電性層を表面に有することを特徴とするマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項２】
前記基台と前記電気絶縁層との間にグランド層を備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項３】
前記基台と前記電気絶縁層との間に接着層を備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項４】
前記接着層と前記電気絶縁層との間にグランド層を備えることを特徴とする請求項３に記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項５】
前記基台は、前記電気絶縁層側に所望の回路を有し、前記配線の所望部位と前記回路とが前記電気絶縁層に設けられたスルーホールを介して導通されていることを特徴とする請求項１に記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項６】
前記電気絶縁層中にグランド層を備えることを特徴とする請求項５に記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【請求項７】
前記基台は、シリコンであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のマルチチップモジュール用の中間基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを複数個実装するマルチチップモジュール用の中間基板に係り、特にフェースダウン型マルチチップモジュールに使用するための中間基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子デバイスの高性能化、高速化、小型化、軽量化にともない、部品実装密度をいかに向上させるかが重要なポイントとなっている。この部品のひとつである半導体デバイス・チップについても、ボンディング・ワイヤとリード・フレームとを用いた従来のパッケージに加え、有機基板を利用し、エレアアレイ型にハンダバンプを配置したパッケージ基板がある。
【０００３】
上記のパッケージ基板として最も多く用いられているものは、ガラス繊維強化エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる有機基板であり、これらの有機基板は安価で衝撃にも比較的強いため、民生用機器に多く採用されている。この有機基板上には印刷またはエッチングにより銅（Ｃｕ）膜に代表される導電膜パターンが形成されており、半導体デバイス・チップその他の部品は、その接続端子を上記の導電膜パターンの末端に形成されている接続パッド部に位置合わせしながら実装される。
【０００４】
一方、パッケージを持たないチップ（ベアチップ）を直接に実装基板上の導電膜パターンに接続するベアチップ実装法が提案されている。ベアチップ実装法では、予め実装基板上に形成された導電膜パターンの接続パッド部に、ボンディング・ワイヤ、ハンダや金属球等からなるバンプ、異方性導電膜、導電性接着剤、光収縮性樹脂等の接続手段を用いて半導体デバイス・チップが実装される。チップがパッケージに封入されていない分、チップと実装基板上の導電膜パターンとの間の接続経路を単純化かつ短縮することができ、また実装密度が向上できる分、他チップとの間の距離も短縮することができる。したがって、小型軽量化はもちろん、信号処理の高速化も期待することができる。
【０００５】
また近年、実装構造では、より高速な信号伝達を行うために、配線層を伴った基板からなる中間基板にＬＳＩ等半導体素子のチップをベアチップで搭載し、この中間基板をプリント基板に接合する、いわゆる、マルチチップモジュールが提案されている。さらには、多種の機能を一つのモジュールに実現するために、異種の半導体や電子部品を一つのパッケージに収めたシステムインパッケージが提案されている。このようなマルチチップモジュール用の中間基板として、従来、セラミック基板、有機基板が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、セラミック基板からなる中間基板を用いた方法では、グリーンシートを焼成した際に、縮み、反り、割れ等の障害が発生するので、導体層がオープン不良を起こすことのないように、複雑な焼成条件のもとでパターン形成を行う必要があり、このため、種々の工程を必要とし、製造プロセスに長い時間を要していた。
【０００７】
一方、有機基板を用いたビルドアップ基板では、スルーホールを形成し、内装の導通化、穴埋め処理を必要とするので、工程が複雑であり、また、表面の凹凸が大きく、微細配線を形成することが難しく、結果として層数が増えるという欠点があった。
【０００８】
また、半導体チップのパッドが微細化した場合に、半導体チップと有機基板との熱膨張係数のミスマッチによる実装ストレスが大きくなるといった問題点があった。例えば、ベアチップ実装される半導体デバイス・チップがシリコン系のデバイス・チップである場合、シリコンの熱膨張係数は３ｐｐｍ程度であるが、有機基板の熱膨張係数は１０〜１５ｐｐｍ程度と大きく、このような有機基板上にシリコン系半導体デバイス・チップを実装すると、両者の熱膨張係数の大きな不整合に起因して、使用環境の大きな温度変化が生じるたびに両者の接合部において引っ張り応力や圧縮応力が働くことになる。この結果、接合部に疲労が蓄積され、結果的に電子デバイスの長期信頼性が損われる原因となっていた。
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、長期信頼性、高集積性、小型軽量性等に優れる電子デバイスを可能とするマルチチップモジュール用の中間基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、半導体チップを複数個実装するフェースダウン型マルチチップモジュール用の中間基板において、基台と、該基台の一方の面に電気絶縁層を介して形成された配線とを備え、前記基台の熱膨張係数は１０ｐｐｍ以下であり、前記配線はピッチが１０〜３０μｍの範囲である１層構造または２層構造の配線であり、個々の半導体チップを実装する各配線は、半導体チップを実装するためのチップ側パッドと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッドと、個々のチップ側パッドとボール側パッドとを接続するための引き出しリードを有し、前記ボール側パッドとその近傍の引き出しリードを覆い、かつ、前記ボール側パッドとの導通をとるためのスルーホールを有する電気絶縁パターンを備え、該電気絶縁パターンは前記スルーホールを介して前記ボール側パッドに導通している導電性層を表面に有するような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記基台と前記電気絶縁層との間にグランド層を備えるような構成とした。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様として、前記基台と前記電気絶縁層との間に接着層を備えるような構成、前記接着層と前記電気絶縁層との間にグランド層を備えるような構成とした。
また、本発明の好ましい態様として、前記基台は、前記電気絶縁層側に所望の回路を有し、前記配線の所望部位と前記回路とが前記電気絶縁層に設けられたスルーホールを介して導通されているような構成、前記電気絶縁層中にグランド層を備えるような構成とした。
さらに、本発明の好ましい態様として、前記基台はシリコンであるような構成とした。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の一実施形態を示す平面図であり、図２は、図１に示される中間基板のＡ−Ａ線における縦断面図である。図１および図２において、本発明の中間基板１は、基台２と、この基台２の一方の面に形成された電気絶縁層３と、この電気絶縁層３上に形成された配線４とを備えている。
【００１２】
中間基板１を構成する基台２は、熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下、好ましくは１〜８ｐｐｍの範囲である材料からなる。このような低熱膨張係数の材料としては、シリコン、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、セラミックス、ガラス、金属等が挙げられが、これらの中で、特にＬＳＩ等の半導体デバイス・チップと同種のシリコンを基台２に使用することが好ましい。基台２をシリコンとすることにより、中間基板１と半導体デバイス・チップの熱膨張係数の整合がより高いものとなり、微細なパッドを備えたシリコン系の半導体デバイス・チップを実装した場合にも、使用環境の大きな温度変化による接合部での応力発生が防止でき、接合部への疲労蓄積が低減されて長期信頼性が高いものとなる。また、シリコンは熱伝導性が高いので、本発明の中間基板は優れた熱放散性を有するものとなる。このような材料からなる基台２の厚みは、例えば、５０〜８００μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００１３】
中間基板１を構成する電気絶縁層３は、二酸化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂等の有機絶縁性材料を用いて形成することができる。また、電気絶縁層３の厚みは、上記の無機絶縁性材料を用いる場合、０．１〜１０μｍの範囲、上記の有機絶縁性材料を用いる場合、１〜２０μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００１４】
中間基板１を構成する配線４は、半導体デバイス・チップ等を実装するためのチップ側パッド４ａと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッド４ｂと、個々のチップ側パッド４ａとボール側パッド４ｂとを接続するための引き出しリード４ｃからなっている。図示例では、煩雑さを避け説明を容易とするために、中間基板１の中央部にチップ側パッド４ａが３２個、中間基板の周辺部近傍にボール側パッド４ｂが３２個形成されたものであるが、本発明の中間基板を構成する配線は図示例に限定されるものではなく、パッド数、パッド配置、リードのパターン形状等は適宜設定することができる。
【００１５】
上記のような配線４は、そのピッチが小さいほど高密度に配線を引きまわせるが、配線幅が５μｍ未満になると電気抵抗が大きくなるので、配線幅は５μｍ以上であることが好ましく、しがたって、配線４のピッチの下限は１０μｍが好ましい。また、配線４のピッチの上限は、高密度化を考慮して３０μｍが好ましいものとなる。ここで、本発明において配線のピッチとは、高密度化のために最も接近させて配線を引きまわす必要のある部位における隣り合うパッド間の中心距離、隣り合うパッドとリード間の中心距離、あるいは、隣り合うリード間の中心距離を意味する。例えば、図１に示される例では、引き出しリード４ｃがチップ側パッド４ａ間を通る部位におけるチップ側パッド４ａと引き出しリード４ｃとの中心距離、８本の引き出しリード４ｃが平行に配設されている部位における隣り合う引き出しリード４ｃ間の中心距離を意味する。したがって、配線の引きまわしに余裕のある部位においては、配線のピッチが３０μｍを超えることがある。
【００１６】
このように、配線４のピッチを１０〜３０μｍの範囲とすることにより、配線を１層構造あるいは２層構造とするだけで微細配線が可能であり、従来の多層配線は不要となって、積層工程数を大幅に低減できる。例えば、１０ｍｍ角の４８１ピンの半導体チップを実装する場合、２層構造の配線を形成することにより、中間基板は外形寸法が約２０ｍｍ角となり、小型化が可能となる。このような配線４は、銅、銀、金等の従来の導電材料を用いて形成することができる。
【００１７】
尚、上述のような中間基板１では、搭載する半導体デバイス・チップの機能安定化（インダクタンス低減、クロストークノイズ低減、特性インピーダンスの制御等）のために、基台２と電気絶縁層３との間にグランド層を介在させてもよい。グランド層は、従来公知の導電材料を用いて形成することができる。このようにグランド層を設ける場合、例えば、電気絶縁層３にスルーホールを形成したり、ワイヤボンディング等により、グランド層と配線４の所定のパッドとを接続することができる。
【００１８】
図３は、上述のような本発明の中間基板１に半導体チップを実装した態様を示す図である。図３において、半導体チップ５１は、その端子部５２を中間基板１の配線４のチップ側パッド４ａ上に直接に接合して搭載されている。一方、中間基板１の配線４のボール側パッド４ｂ上には、はんだボール６１が形成されている。本発明の中間基板１は、基台２の熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下であるので、半導体チップ５１が熱膨張係数の小さなシリコン系半導体チップであっても、実装ストレスを低減することができ、接合部への疲労蓄積が低減され長期信頼性が高いものとなる。
このように半導体チップ５１を実装した中間基板１は、半導体チップ５１側をプリント基板側（フェースダウン型）とするようにして、はんだボール６１を介してプリント基板上に接合することができる。
【００１９】
図４は、本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。図４において、本発明の中間基板１１は、基台１２と、この基台１２の一方の面に形成された電気絶縁層１３と、この電気絶縁層１３上に形成された配線１４と、配線１４の一部を覆うように形成された電気絶縁パターン１５とを備えている。
中間基板１１を構成する基台１２、電気絶縁層１３は、上述の中間基板１を構成する基台２、電気絶縁層３と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００２０】
また、中間基板１１を構成する配線１４も、上述の中間基板１を構成する配線４と基本的に同様である。すなわち、配線１４は、半導体デバイス・チップ等を実装するためのチップ側パッド１４ａと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッド１４ｂと、個々のチップ側パッド１４ａとボール側パッド１４ｂとを接続するための引き出しリード１４ｃからなっている。このような配線１４のピッチは１０〜３０μｍの範囲が好ましく、配線幅は５μｍ以上が好ましい。
【００２１】
中間基板１１を構成する電気絶縁パターン１５は、上記のボール側パッド１４ｂを覆うように、電気絶縁層１３の周辺部近傍に回廊形状に形成されている。この電気絶縁パターン１５にはスルーホール１６が設けられており、このスルーホール１６内に形成された導電性層１７を介して、電気絶縁パターン１５の表面１５ａ側はボール側パッド１４ｂに導通されている。
上記の電気絶縁パターン１５は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂等の材料で形成することができる。この電気絶縁パターン１５の厚みは１〜２０μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００２２】
上述のような本発明の中間基板１１に半導体チップを搭載してプリント基板上に実装する場合、半導体チップの端子部を中間基板１１の配線１４のチップ側パッド１４ａ上に直接に接合して半導体チップを搭載する。また、中間基板１１の電気絶縁パターン１５の表面１５ａ側に位置する導電性層１７上に半田ボールを形成する。本発明の中間基板１１は、基台１２の熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下であるので、半導体チップが熱膨張係数の小さなシリコン系半導体チップであっても、実装ストレスを低減することができ、接合部への疲労蓄積が低減されて長期信頼性が高いものとなる。
【００２３】
尚、このような中間基板１１においても、上述の中間基板１と同様に、搭載する半導体デバイス・チップの機能安定化のために、基台１２と電気絶縁層１３との間にグランド層を介在させてもよい。グランド層は、従来公知の導電材料を用いて形成することができる。このようにグランド層を設ける場合、例えば、電気絶縁層１３にスルーホールを形成したり、ワイヤボンディング等により、グランド層と配線１４の所定のパッドとを接続することができる。
【００２４】
上記のように半導体チップを実装した中間基板１１は、半導体チップ側をプリント基板側（フェースダウン型）とするようにして、はんだボール（配線１４のボール側パッド１４ｂに導通されている）を介してプリント基板上に接合することができる。ここで、プリント基板は、一般に熱膨張係数が１０〜１５ｐｐｍ程度と大きく、使用環境に大きな温度変化が生じる場合、プリント基板に伸縮が発生する。一方、本発明の中間基板１１は、上述のように熱膨張係数が小さい基台１２を備えているので、使用環境に大きな温度変化が生じても、安定した形状寸法を維持する。このため、プリント基板と本発明の中間基板１１との接合部において引っ張り応力や圧縮応力が働くが、本発明の中間基板１１は、上記の応力を電気絶縁パターン１５が吸収するので、接合部への疲労蓄積が防止される。
【００２５】
図５は、本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。図５において、本発明の中間基板２１は、基台２２と、この基台２２の一方の面に接着層２５を介して形成された電気絶縁層２３と、この電気絶縁層２３上に形成された配線２４とを備えている。
中間基板２１を構成する基台２２、電気絶縁層２３は、上述の中間基板１を構成する基台２、電気絶縁層３と同様とすることができ、ここでの説明は省略する。
【００２６】
中間基板２１を構成する接着層２５は、基台２２と電気絶縁層２３とを接着するためのものであり、熱可塑性ポリイミド、エポキシプリプレグ等の公知の接着剤を用いて形成することができる。この接着層２５の厚みは１〜２０μｍの範囲で適宜設定することができる。
【００２７】
中間基板２１を構成する配線２４は、上述の中間基板１を構成する配線４と基本的に同様である。すなわち、配線２４は、半導体デバイス・チップ等を実装するためのチップ側パッド２４ａと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッド２４ｂと、個々のチップ側パッド２４ａとボール側パッド２４ｂとを接続するための引き出しリード２４ｃからなっている。このような配線２４のピッチは１０〜３０μｍの範囲が好ましく、配線幅は５μｍ以上が好ましい。
【００２８】
尚、このような中間基板２１においても、上述の中間基板１と同様に、搭載する半導体デバイス・チップの機能安定化（インダクタンス低減、クロストークノイズ低減、特性インピーダンスの制御等）のために、接着層２５と電気絶縁層２３との間にグランド層を介在させてもよい。グランド層は、従来公知の導電材料を用いて形成することができる。このようにグランド層を設ける場合、例えば、電気絶縁層２３にスルーホールを形成したり、ワイヤボンディング等により、グランド層と配線２４の所定のパッドとを接続することができる。
【００２９】
上述のような本発明の中間基板２１に半導体チップを搭載してプリント基板上に実装する場合、半導体チップの端子部を中間基板２１の配線２４のチップ側パッド２４ａ上に直接に接合して半導体チップを搭載する。また、中間基板２１の配線２４のボール側パッド２４ｂ上に、はんだボールを形成する。本発明の中間基板２１は、基台２２の熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下であるので、半導体チップが熱膨張係数の小さなシリコン系半導体チップであっても、実装ストレスを低減することができ、接合部への疲労蓄積が低減されて長期信頼性が高いものとなる。
【００３０】
上記のように半導体チップを実装した中間基板２１は、半導体チップ側をプリント基板側（フェースダウン型）とするようにして、はんだボールを介してプリント基板上に接合することができる。
尚、中間基板２１においても、上述の中間基板１１と同様に、配線２４の一部を覆うように電気絶縁パターンを備えてもよい。
【００３１】
図６は、本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。図６において、本発明の中間基板３１は、基台３２と、この基台３２の一方の面に形成された電気絶縁層３３と、この電気絶縁層３３上に形成された配線３４とを備えている。
中間基板３１を構成する基台３２は、上述の中間基板１を構成する基台２と同様に、熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下、好ましくは１〜８ｐｐｍの範囲である材料からなる。また、基台３２は、その表面３２ａ側に半導体や電子部品等の所望の回路３６を備えたものであり、各回路３６は、基台３２の表面３２ａに形成された配線（図示せず）により接続されており、また、電気絶縁層３３に形成されたスルーホール３７を介して、配線３４の所定のパッドと接続されている。
【００３２】
中間基板３１を構成する電気絶縁層３３は、上述の中間基板１を構成する電気絶縁層３と基本的に同様であり、周辺部近傍にはスルーホール３７が設けられており、このスルーホール３７内に形成された導電性層（図示せず）を介して、所定の回路３６が配線３４の所定のパッドと接続されている。
【００３３】
中間基板３１を構成する配線３４は、上述の中間基板１を構成する配線４と基本的に同様である。すなわち、配線３４は、半導体デバイス・チップ等を実装するためのチップ側パッド３４ａと、はんだボールを介してプリント基板上の端子との接合を行うためのボール側パッド３４ｂと、個々のチップ側パッド３４ａとボール側パッド３４ｂとを接続するための引き出しリード３４ｃからなっている。このような配線３４のピッチは１０〜３０μｍの範囲が好ましく、配線幅は５μｍ以上が好ましい。
【００３４】
尚、このような中間基板３１においても、上述の中間基板１と同様に、搭載する半導体デバイス・チップの機能安定化のために、電気絶縁層３３内にグランド層を形成してもよい。グランド層は、従来公知の導電材料を用いて形成することができる。このようにグランド層を設ける場合、例えば、電気絶縁層３３にスルーホールを形成して、グランド層と配線３４の所定のパッドとを接続したり、グランド層と所定の回路３６とを接続することができる。
【００３５】
上述のような本発明の中間基板３１に半導体チップを搭載してプリント基板上に実装する場合、半導体チップの端子部を中間基板３１の配線３４のチップ側パッド３４ａ上に直接に接合して半導体チップを搭載する。また、中間基板３１の配線３４のボール側パッド３４ｂ上に、はんだボールを形成する。本発明の中間基板３１は、基台３２の熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下であるので、半導体チップが熱膨張係数の小さなシリコン系半導体チップであっても、実装ストレスを低減することができ、接合部への疲労蓄積が低減され長期信頼性が高いものとなる。
【００３６】
上記のように半導体チップを実装した中間基板３１は、半導体チップ側をプリント基板側（フェースダウン型）とするようにして、はんだボールを介してプリント基板上に接合することができる。
尚、中間基板３１においても、上述の中間基板１１と同様に、配線３４の一部を覆うように電気絶縁パターンを備えてもよい。
【００３７】
次に、本発明の中間基板の製造方法について説明する。
図７は図１および図２に示される本発明の中間基板の製造方法の一例を示す工程図である。図７において、まず、シリコンの基台２を洗浄し、この基台２の一方の面に電気絶縁層３を形成する。電気絶縁層３の形成は、二酸化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂等の有機絶縁性材料を用いて、スパッタリング法等の薄膜形成方法、塗布方法等により行うことができる。次いで、電気絶縁層３上に導電性薄膜４′を形成する（図７（Ａ））。この導電性薄膜４′は、銅、銀、金等を用いてスパッタリング法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
【００３８】
次に、導電性薄膜４′上に感光性レジストを塗布し、所望の配線パターンマスクを介して露光、現像することにより、レジストパターン７を形成する（図７（Ｂ））。次いで、上記のレジストパターン７をマスクとして、導電性薄膜４′上にめっき法により導電性パターン４″を形成し、レジストパターン７を除去する（図７（Ｃ））。
【００３９】
その後、導電性パターン４″をマスクとして、導電性薄膜４′をエッチング除去することにより、導電性パターン４″と、その下に位置する導電性薄膜４′との積層体からなる配線４が形成され、本発明の中間基板１が得られる（図７（Ｄ））。
【００４０】
また、図４に示されるような本発明の中間基板１１は、まず、上述のような工程によって、基台１２上に電気絶縁層１３を介して配線１４を形成する。その後、感光性の電気絶縁材料を配線１４を覆うように塗布し、所定のマスクを介して露光、現像して、回廊形状の電気絶縁パターン１５を形成する。次いで、レーザーによりスルーホール１６を形成し、スパッタリング法によりスルーホール内と電気絶縁パターンの表面１５ａ上に導電層１７を形成することにより製造することができる。また、スルーホール１６は、上記のフォトリソグラフィー工程において同時に形成することもできる。
【００４１】
図８は図５に示される本発明の中間基板の製造方法の一例を示す工程図である。図８において、まず、二酸化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂等の有機絶縁性材料からなる電気絶縁フィルム２３を形成し、この電気絶縁フィルム２３上に導電性薄膜２４′を形成する（図８（Ａ））。導電性薄膜２４′は、銅、銀、金等を用いてスパッタリング法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
【００４２】
次に、導電性薄膜２４′上に感光性レジストを塗布し、所望の配線パターンマスクを介して露光、現像することにより、レジストパターン２７を形成する（図８（Ｂ））。次いで、上記のレジストパターン２７をマスクとして、導電性薄膜２４′上にめっき法により導電性パターン２４″を形成し、レジストパターン２７を除去する（図８（Ｃ））。
【００４３】
その後、導電性パターン２４″をマスクとして、導電性薄膜２４′をエッチング除去することにより、導電性パターン２４″と、その下に位置する導電性薄膜２４′との積層体からなる配線２４が形成される（図８（Ｄ））。
次に、上記のように配線２４を形成した電気絶縁フィルム２３を、接着層２５を介してシリコンの基台２２上に接着する。これにより、本発明の中間基板２１が得られる（図８（Ｅ））。
【００４４】
また、図６に示されるような本発明の中間基板３１は、まず、予め所望の回路３６が形成された基台３２を作製し、その後、基台３２上にスルーホール３７を備えた電気絶縁層３３を形成する。次いで、この電気絶縁層３３上に配線３４を形成することにより製造することができる。
【００４５】
【実施例】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
【００４６】
［実施例］
表面を洗浄したシリコン基板（熱膨張係数３．５ｐｐｍ、厚み５００μｍ）を基台として準備した。この基台の一方の面全域にスパッタリング法により二酸化ケイ素からなる電気絶縁層（厚み１μｍ）を形成した。
次に、この電気絶縁層上にスパッタリング法により導電性薄膜としての銅薄膜（厚み０．２５μｍ）を形成し、次いで、この銅薄膜上に感光性レジスト（ダウコーニング（株）製ＢＣＢ）を塗布し、配線用のフォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。
【００４７】
その後、このレジストパターンをマスクとして銅薄膜上に電解めっきによって銅めっき層（厚み５μｍ）を形成し、レジストパターンをアセトンを用いて除去して、導電性パターンを形成した。
次に、この導電性パターンをマスクとして、上記の導電性薄膜（銅薄膜）をソフトエッチング液を用いてエッチングして、配線を形成した。このように形成した配線は、線幅が５〜１５μｍの範囲、ピッチが１０〜３０μｍの範囲にあった。
上記のようにして、本発明の中間基板を１００個作製した。
【００４８】
［比較例１］
基台として、熱膨張係数１７ｐｐｍ、厚み５００μｍのガラス繊維強化エポキシ基板を使用した他は、実施例１と同様にして、中間基板を１００個作製した。
【００４９】
［比較例２］
基台として、熱膨張係数１７ｐｐｍ、厚み１００μｍの金属（ＳＵＳ）基板を使用した他は、実施例１と同様にして、中間基板を１００個作製した。
【００５０】
［評価］
上述のように作製した各中間基板上に、１０ｍｍ角の３００ピンのシリコン半導体チップを実装し、この中間基板に対して下記の条件でヒートサイクル試験を施し、半導体チップの接合部の破損の有無を検査した。その結果、実施例の中間基板は、１００個全てにおいて破損がみられなかった。しかし、比較例１の中間基板は、５０個に破損がみられ、また、比較例２の中間基板は、７０個に破損がみられた。
【００５１】
ヒートサイクル試験条件
・１サイクルの温度変動  ：  −６５℃〜２００℃
・１サイクルの時間      ：  ６０分
・サイクル数            ：  ３０００回
【００５２】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば中間基板を構成する配線がピッチ１０〜３０μｍの微細配線からなる１層構造または２層構造であるため、微細なパッド配置を有する半導体デバイス・チップとの接合が可能であり、かつ、基台の熱膨張係数が１０ｐｐｍ以下であるので、例えば、熱膨張係数の小さなシリコン系半導体デバイス・チップを搭載しても、実装ストレスを低減することができ、これにより、長期信頼性に優れ、高密度高集積のマルチチップモジュールが可能となる。また、基台としてシリコンを使用することにより、フェースダウン型でプリント基板に実装したときに、半導体デバイス・チップにおける発熱を効率良く発散させる効果を発現する。さらに、多層配線が不要で積層工程数を大幅に低減できるので、製造コストの低減も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示される中間基板のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図３】図２に示される中間基板に半導体チップを実装した態様を示す図である。
【図４】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図５】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図６】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図７】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図８】本発明のマルチチップモジュール用の中間基板の製造方法の他の例を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１…中間基板
２，１２，２２，３２…基台
３，１３，２３，３３…電気絶縁層
４，１４，２４，３４…配線
４ａ，１４ａ，２４ａ，３４ａ…チップ側パッド
４ｂ，１４ｂ，２４ｂ．３４ｂ…ボール側パッド
４ｃ，１４ｃ，２４ｃ，３４ｃ…引き出しリード
１５…電気絶縁パターン
１６…スルーホール
２５…接着層
３６…回路
４′，２４′…導電性薄膜
４″，２４″…導電性パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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