(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成であり、各画素に透過部と反射部とを備えた半透過型の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
各画素に配置されたスイッチ素子と、
少なくとも前記反射部に配置された絶縁層と、
前記画素の前記透過部に配置された透過電極及び前記透過電極に電気的に接続されるとともに前記反射部において前記絶縁層上に配置された反射電極を有し、前記反射電極により前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチ素子と電気的に接続された画素電極と、
前記コンタクトホールの前記反射電極をカバーするとともに前記反射電極より反射率の低い材料によって形成されたカバー部材と、を備え、
前記カバー部材は、前記反射電極上に配置されモリブデンによって形成された第１導電層と、前記第１導電層上に配置され前記透過電極と同一材料によって形成された第２導電層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成であり、各画素に透過部と反射部とを備えた半透過型の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
各画素に配置されたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の上に配置された絶縁層と、
前記画素の前記透過部において前記絶縁層上に配置された透過電極及び前記透過電極に電気的に接続されるとともに前記反射部において前記絶縁層上に配置された反射電極を有し、前記反射電極により前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチ素子と電気的に接続された画素電極と、
前記コンタクトホールの前記反射電極をカバーするとともに前記反射電極より反射率の低い材料によって形成されたカバー部材と、を備え、
前記第２基板は、
前記反射部に配置され、前記透過部と前記反射部とでの前記液晶層のギャップ差を形成する樹脂層と、
前記樹脂層を覆うとともに、前記透過部及び前記反射部において、前記画素電極と対向するように配置された対向電極と、
前記樹脂層の端部に沿って配置された遮光層と、を備え、
前記カバー部材は、前記反射電極上に配置されモリブデンによって形成された第１導電層と、前記第１導電層上に配置され前記透過電極と同一材料によって形成された第２導電層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射電極はアルミニウムであり、前記透過電極はインジウム・ティン・オキサイドであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記遮光層は、前記樹脂層の長手方向の少なくとも一方の端部に沿って配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記樹脂層は、長方形状に形成されており、
前記遮光層は、前記樹脂層の４つの端部に沿って配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、外光を利用して画像を表示する反射部とバックライト光を利用して画像を表示する透過部とを一画素内に有する半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半透過型液晶表示装置は、同一画素内において、反射電極を有する反射部と、透過電極を有する透過部とを備えている。このような半透過型液晶表示装置は、画素内の透過部を利用してバックライト光を選択的に透過することによって画像を表示する透過型液晶表示装置として機能するとともに、画素内の反射部を利用して外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射型液晶表示装置として機能する。このような構成により、消費電力を大幅に低減することができる。
【０００３】
スイッチ素子と画素電極との間に絶縁層が介在する構成の液晶表示装置においては、例えば、特許文献１に記載の反射型液晶表示装置のように樹脂層に形成されたコンタクトホールを介してスイッチ素子であるボトム型薄膜トランジスタと画素電極とを電気的に接続している。
【特許文献１】特開２００３−４３５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半透過型液晶表示装置においては、反射部と透過部とでは、適正なギャップ（つまりアレイ基板と対向基板との間隔）が異なる。多くの場合、反射部におけるギャップは、実質的に透過部の半分に設定される。
【０００５】
上述したような画素電極とスイッチ素子とが反射部のコンタクトホールを介して電気的に接続されている構成において、コンタクトホールが形成されている領域のギャップは周辺のギャップに比べて大きい。このため、コンタクトホールが形成されている領域において、光漏れが生じてしまい、反射表示の際のコントラスト比の低下を招いてしまう。
【０００６】
また、半透過型液晶表示装置において、反射部と透過部とのギャップ差は、絶縁層の膜厚の差を利用して形成される。この場合、絶縁層の端部において、電圧印加時に対向電極と画素電極との間に斜め電界が形成されてしまうことがある。特に、ノーマリーホワイトモードにおいて、画素電極と対向電極との間に電界を形成して黒表示を行う場合には、斜め電界によって、液晶分子の配向不良が生じ、光漏れを引き起こしてしまう。これにより、コントラスト比の低下を招いてしまう。
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、光漏れを抑制し、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成であり、各画素に透過部と反射部とを備えた半透過型の液晶表示装置であって、前記第１基板は、各画素に配置されたスイッチ素子と、少なくとも前記反射部に配置された絶縁層と、前記画素の前記透過部に配置された透過電極及び前記透過電極に電気的に接続されるとともに前記反射部において前記絶縁層上に配置された反射電極を有し、前記反射電極により前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチ素子と電気的に接続された画素電極と、前記コンタクトホールの前記反射電極をカバーするとともに前記反射電極より反射率の低い材料によって形成されたカバー部材と、を備え、前記カバー部材は、前記反射電極上に配置されモリブデンによって形成された第１導電層と、前記第１導電層上に配置され前記透過電極と同一材料によって形成された第２導電層と、を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成であり、各画素に透過部と反射部とを備えた半透過型の液晶表示装置であって、前記第１基板は、各画素に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の上に配置された絶縁層と、前記画素の前記透過部において前記絶縁層上に配置された透過電極及び前記透過電極に電気的に接続されるとともに前記反射部において前記絶縁層上に配置された反射電極を有し、前記反射電極により前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチ素子と電気的に接続された画素電極と、前記コンタクトホールの前記反射電極をカバーするとともに前記反射電極より反射率の低い材料によって形成されたカバー部材と、を備え、前記第２基板は、前記反射部に配置され、前記透過部と前記反射部とでの前記液晶層のギャップ差を形成する樹脂層と、前記樹脂層を覆うとともに、前記透過部及び前記反射部において、前記画素電極と対向するように配置された対向電極と、前記樹脂層の端部に沿って配置された遮光層と、を備え、前記カバー部材は、前記反射電極上に配置されモリブデンによって形成された第１導電層と、前記第１導電層上に配置され前記透過電極と同一材料によって形成された第２導電層と、を有することを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、光漏れを抑制し、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。なお、ここでは、液晶表示装置として、１画素内に外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射部とバックライト光を選択的に透過することによって画像を表示する透過部とを有する半透過型液晶表示装置を例に説明する。
【００１２】
図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネル１と、液晶表示パネル１を照明するバックライト６０と、を備えている。液晶表示パネル１は、一対の基板すなわちアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層３０を保持した構成であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。各画素ＰＸは、反射部ＰＲと、透過部ＰＴと、を有している。バックライト６０は、液晶表示パネル１の背面側（アレイ基板１０と対向する側）に配置されている。
【００１３】
アレイ基板１０は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板１１を用いて形成されている。このアレイ基板１０は、絶縁基板１１の一方の主面に、画素ＰＸの行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙ、画素ＰＸの列方向に沿って配置された複数の信号線Ｘ、走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部近傍において画素ＰＸ毎に配置されたスイッチ素子１２、スイッチ素子１２に接続され画素ＰＸ毎に配置された画素電極１３、画素電極１３上に配置された図示しない配向膜などを備えている。
【００１４】
スイッチ素子１２は、例えば、アモルファスシリコン膜や多結晶シリコン膜などの半導体層１２ＳＣを備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。
【００１５】
スイッチ素子１２のゲート電極１２Ｇは、絶縁基板１１上に配置されている。ゲート電極１２Ｇは、走査線Ｙに接続されている（あるいは、ゲート電極１２Ｇは、走査線Ｙと一体的に形成されている）。これらのゲート電極１２Ｇ及び走査線Ｙは、例えば、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）によって形成されている。ゲート絶縁膜１５は、ゲート電極１２Ｇ及び走査線Ｙを覆っている。ゲート絶縁膜１５は、例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯ）及び窒化シリコン膜（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。半導体層１２ＳＣは、ゲート絶縁膜１５上に配置され、そのチャネル領域が保護膜１６によって覆われている。
【００１６】
スイッチ素子１２のソース電極１２Ｓは、低抵抗膜１７を介して半導体層１２ＳＣにコンタクトしている。ソース電極１２Ｓは、信号線Ｘに接続されている（あるいは、ソース電極１２Ｓは、信号線Ｘと一体的に形成されている）。スイッチ素子１２のドレイン電極１２Ｄは、低抵抗膜１８を介して半導体層１２ＳＣにコンタクトしている。
【００１７】
これらのソース電極１２Ｓ、ドレイン電極１２Ｄ、及び信号線Ｘは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）を順に積層した積層体によって形成されている。
【００１８】
これらのソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄは、層間絶縁膜１９によって覆われている。層間絶縁膜１９は、例えば、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。さらに、この層間絶縁膜１９は、有機系材料によって形成された有機絶縁膜１４によって覆われている。有機絶縁膜１４の表面には、反射部ＰＲにおいて、反射表示における表示品位を改善するなどの目的で凹凸パターン１４Ｐが形成されている。ここでは、スイッチ素子１２は、透過部ＰＴの開口率低減を避けるため、反射部ＰＲに配置されており、層間絶縁膜１９及び有機絶縁膜１４によって覆われている。
【００１９】
画素電極１３は、反射部ＰＲに配置された反射電極１３Ｒ及び透過部ＰＴに配置された透過電極１３Ｔを有している。反射電極１３Ｒと透過電極１３Ｔとは、電気的に接続されている。画素電極１３は、有機絶縁膜１４上に配置されている。反射電極１３Ｒは、有機絶縁膜１４の凹凸パターン１４Ｐの表面を覆っている。反射電極１３Ｒは、アルミニウムなどの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極１３Ｔは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２０】
一方、対向基板２０は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板２１を用いて形成されている。この対向基板２０は、絶縁基板２１の一方の主面に、複数の画素ＰＸに共有に配置された対向電極２２、反射部ＰＲと透過部ＰＴとでの液晶層３０のギャップ差を形成するための樹脂層２３、対向電極２２上に配置された図示しない配向膜などを備えている。
【００２１】
対向電極２２は、液晶層３０を介して複数の画素ＰＸの画素電極１３に対向するように配置されている。この対向電極２２は、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００２２】
カラー表示タイプの液晶表示装置において、対向基板２０は、各画素ＰＸに対応して液晶表示パネル１の内面に設けられたカラーフィルタ層２４を備えている。カラーフィルタ層２４は、互いに異なる複数の色、例えば、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。また、対向基板２０は、オーバーコート層２５を備えている。オーバーコート層２５は、カラーフィルタ層２４の上に配置され、カラーフィルタ層２４の表面の凹凸の影響を緩和している。なお、図３に示したカラー表示タイプの液晶表示装置の例では、カラーフィルタ層３４は、対向基板ＣＴ側に配置されているが、アレイ基板ＡＲ側に配置しても良い。
【００２３】
アレイ基板１０と対向基板２０との間のギャップは、反射部ＰＲと透過部ＰＴとでは異なるように形成されている。反射部ＰＲ及び透過部ＰＴはそれぞれ適正なギャップに形成されている。反射部ＰＲにおけるギャップは、実質的に透過部ＰＴの半分に設定されることが多い。
【００２４】
このようなギャップ差は、樹脂層２３によって形成されている。樹脂層２３は、反射部ＰＲに対応して、オーバーコート層２５上に配置されている。このため、反射部ＰＲと透過部ＰＴとでは、実質的に樹脂層２３の厚さのギャップ差が形成される。この樹脂層２３は、光透過性を有する樹脂材料によって形成されている。
【００２５】
対向電極２２は、反射部ＰＲにおいて、樹脂層２３を覆っており、透過部ＰＴにおいて、オーバーコート層２５を覆っている。このようにして、反射部ＰＲにおいては、反射電極１３Ｒと対向電極２２との間に実質的なギャップが形成され、透過部ＰＴにおいては、透過電極１３Ｔと対向電極２２との間に実質的なギャップが形成される。
【００２６】
上述したような構成のアレイ基板１０と対向基板２０とは、図示しないスペーサを介して互いに所定のギャップを維持した状態で配置され、シール材によって貼り合わせられている。液晶層３０は、これらアレイ基板１０と対向基板２０との間のギャップに封入されている。
【００２７】
ところで、スイッチ素子１２と画素電極１３との間には、絶縁層として、層間絶縁膜１９及び有機絶縁膜１４が介在している。反射電極１３Ｒは、有機絶縁膜１４に形成されたコンタクトホール４０を介してドレイン電極１２Ｄにコンタクトしている。これにより、画素電極１３は、スイッチ素子１２と電気的に接続されている。しかしながら、コンタクトホール４０では、コンタクトホール４０周辺の反射部ＰＲに比べてギャップが大きく、反射部ＰＲとして適正なギャップが形成されない。このため、コンタクトホール４０に反射電極１３Ｒを配置したとしても、黒表示の際に、光漏れを引き起こしてしまう。
【００２８】
そこで、この実施の形態において、コンタクトホール４０は、カバー部材４１によって覆われている。カバー部材４１は、コンタクトホール４０において、反射電極１３Ｒ上に配置されている。このカバー部材４１は、反射電極１３Ｒより反射率の低い材料、例えば、モリブデンなどによって形成されている。
【００２９】
ここで示した例では、図４に示すように、カバー部材４１は、モリブデンである第１導電層４１Ａと、透過電極１３Ｔと同一材料、例えば、ＩＴＯである第２導電層４１Ｂとによって形成されている。第１導電層４１Ａは、反射電極１３Ｒ上に配置されている。第２導電層４１Ｂは、第１導電層４２Ａの上に配置されている。
【００３０】
このように反射部ＰＲにおいて、コンタクトホール４０をカバー部材４１で覆うことによって、コンタクトホール４０での反射率は反射電極１３Ｒより低くなる。これにより、黒表示の際、コンタクトホール４０での光漏れを抑制することが可能となり、反射表示の際のコントラスト比を向上することが可能となる。
【００３１】
ここで、図５を用いて反射電極１３Ｒ、透過電極１３Ｔ、及び、カバー部材４１の形成工程を模式的に説明する。
【００３２】
まず、有機絶縁膜１４上に反射電極１３Ｒを形成するための導電材料として、アルミニウム５１を成膜する。このとき、アルミニウム５１は、コンタクトホール４０にも配置され、ドレイン電極１２Ｄとコンタクトする。続いて、アルミニウム５１上にモリブデン５２を成膜する。
【００３３】
コンタクトホール４０を含む反射部ＰＲに相当する領域にレジスト５０を配置し、エッチングによりレジスト５０から露出した領域のアルミニウム５１及びモリブデン５２を除去する。そして、レジスト５０を剥離する。
【００３４】
次に、透過電極１３Ｔを形成するための導電材料として、ＩＴＯ５３を成膜する。そして、コンタクトホール４０及び透過部ＰＴに相当する領域にレジスト５０を配置し、エッチングによりレジスト５０から露出したＩＴＯを除去する。このとき、エッチングシートの制御により、反射部ＰＲにおいて、ＩＴＯ５３とともにモリブデン５２も除去する。そして、レジスト５０を剥離する。
【００３５】
これにより、反射部ＰＲには、アルミニウム５１によって反射電極１３Ｒが形成される。また、コンタクトホール４０は、反射電極１３Ｒの上にモリブデン５２及びＩＴＯ５３を積層したカバー部材４１によってカバーされる。透過部ＰＴには、ＩＴＯ５３によって透過電極１３Ｔが形成される。
【００３６】
また、透過電極１３Ｔと反射電極１３Ｒとの境界において、アルミニウム５１（１３Ｒ）及びＩＴＯ５３（１３Ｔ）に対して比較的密着性の良好なモリブデン５２を介してアルミニウム５１とＩＴＯ５３とを電気的に接続している。このため、アルミニウム５１とＩＴＯ５３との剥離を抑制することができ、両者の電気的接続を確保することが可能となる。  一方で、樹脂層２３の端部は、傾斜面として形成されてしまうことがある。この場合、樹脂層２３の端部において、電圧印加時に画素電極１３と対向電極２２との間に不所望な斜めの電界が形成されてしまう。このような斜めの電界は、液晶分子の配向不良を招き、光漏れを生ずる一因となり得る。
【００３７】
ここで、本実施の形態において、対向基板２０は、さらに、遮光層２６を備えている。この遮光層２６は、図３に示したように、絶縁基板２１上に形成され、樹脂層２３の端部に沿って配置されている。この遮光層２６は、例えば、黒色着色樹脂などによって形成されている。
【００３８】
このように遮光層２６を樹脂層２３の端部を含む所定の幅の領域にわたって配置することによって、斜め電界が形成されうる領域を遮光することが可能となり、斜め電界に起因した光漏れを抑制することが可能となる。このため、透過表示及び反射表示の際のコントラスト比を向上することが可能となる。
【００３９】
このような遮光層２６は、樹脂層２３の長手方向の少なくとも一方の端部に沿って配置されている。
【００４０】
図６に示した例では、樹脂層２３は、長方形状に形成され、２つの画素ＰＸの反射部ＰＲにまたがって、島状に配置されている。このとき、遮光層２６は、樹脂層２３の長手方向（ここでは行方向Ｈ）の一方の端部に沿って配置されるとともに、列方向Ｖの両側の端部に沿って配置されている。
【００４１】
また、図７に示した例では、遮光層２６は、樹脂層２３の４つの端部に沿って配置されている。このような例では、樹脂層２３の周縁全体からの光漏れが抑制され、図６に示した例よりも高コントラスト比の実現が可能となる。
【００４２】
なお、光漏れを確実に抑制するためには、遮光層２６の幅を広くする必要があるが、このことは、開口率の低減をもたらす。このため、遮光層２６の幅は、光漏れを抑制しつつ開口率の低減を最小限にとどめるように設定することが望ましい。
【００４３】
また、アレイ基板１０と対向基板２０との合わせずれが列方向Ｖに生じたときに、遮光層２６による開口率の低下（つまり、透過表示に寄与する透過率及び反射表示に寄与する反射率の低下）を抑制することが重要である。図６に示した例では、長手方向の一方の端部に沿って遮光層２６を配置しており、図７に示した例のように長手方向の両方の端部に沿って遮光層２６を配置した場合よりも、合わせずれの影響による開口率の低下を抑制可能である。
【００４４】
また、図６及び図７に示した例では、樹脂層２３が島状に形成された場合について説明したが、樹脂層２３は、複数の画素ＰＸに共通の行方向Ｈに延在する短冊状に形成しても良い。このとき、遮光層２６は、行方向に沿って配置すれば良く、各画素ＰＸの列方向Ｖに沿って配置しなくて良い。このような形状の樹脂層２３を適用した場合であっても、本実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４５】
次に、この実施の形態に係る半透過型液晶表示装置について効果を検証した。
【００４６】
３つのサンプルＡ、Ｂ、及びＣを用意した。
【００４７】
サンプルＡでは、樹脂層２３の端部に沿った遮光層２６は配置されていない。サンプルＢでは、遮光層２６は、樹脂層２３の行方向Ｈの片側に配置され、列方向Ｖの両側に配置されている（図６の例）。サンプルＣでは、遮光層２６は、樹脂層２３の行方向Ｈの両側に配置され、列方向Ｖの両側に配置されている（図７の例）。
【００４８】
これらのサンプルＡ、Ｂ、及びＣについて、１２×１２μｍのコンタクトホール４０を使用した場合（条件１）、１０．５×１０．５μｍのコンタクトホール４０を使用した場合（条件２）、カバー部材４１で覆った１０．５×１０．５μｍのコンタクトホール４０を使用した場合（条件３）において単純駆動にてコントラスト比を測定した。
【００４９】
このとき、信号線に出力する駆動電圧は、６０Ｈｚの周波数の０〜６Ｖの矩形波であり、走査線に出力する駆動電圧は、ＤＣ１２Ｖであり、対向電極の電位は、ＧＮＤである。液晶表示パネルの両面にノーマリーホワイトを実現するように偏光板を配置した。
【００５０】
これらの各サンプルにつき、各条件で反射部ＰＲでの反射率を測定した。なお、ここで測定した反射率は、液晶表示装置の対向基板２０側から入射した白色の外光（入射光）の強度に対して、反射部により反射された反射光の強度に相当し、ミノルタ社製の反射率計ＣＭ−５０８ｄを用いて測定した。入射光は、対向基板２０に対してほぼ垂直な方向（対向基板２０の法線方向）から入射した拡散光である。反射光の強度は、対向基板２０の法線から８°傾斜した位置に配置した検出器によって測定した。
【００５１】
図８に測定結果を示す。それぞれの条件において、コントラスト比（ＣＲ）は、サンプルＡと比較して、サンプルＢは増加し、サンプルＣはさらに増加することが分かる。つまり、コントラスト比は、遮光層２６を片側に配置することによって増加し、遮光層２６を両側に配置することによってさらに増加することが分かる。
【００５２】
また、サンプルＢ及びサンプルＣのコントラスト比は、条件１と比較して、条件２は増加し、条件３はさらに増加することが分かる。つまり、コントラスト比は、コンタクトホール４０のサイズを縮小することによって増加し、さらにカバー部材４１を用いることによって増加することが分かる。
【００５３】
サンプルＡにおいて、１２×１２μｍのコンタクトホール４０を用いた場合、コントラスト比は約２０：１であるのに対して、サンプルＣにおいて、１０．５×１０．５μｍのコンタクトホールを用いて、コンタクトホール４０をカバー部材４１によって覆った場合、コントラスト比は、４０：１であった。つまり、遮光層２６及びカバー部材４１を用いた場合と用いてない場合と比較して、コントラスト比は、約２倍増加したことが分かる。
【００５４】
以上説明したように、この実施の形態によれば、光漏れを抑制し、コントラスト比の改善することが可能となる。
【００５５】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置に適用可能な液晶表示パネルの一画素の構成を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示した液晶表示パネルをＡ−Ａ線で切断したときの断面構造を概略的に示す図である。
【図４】図４は、図３に示したコンタクトホールの断面構造を概略的に示す図である。
【図５】図５は、図３に示した画素電極とコンタクトホールの形成工程を概略的に示す図である。
【図６】図６は、図１に示した液晶表示装置に適用可能な液晶表示パネルの画素の構成を概略的に示す図である。
【図７】図７は、図１に示した液晶表示装置に適用可能な液晶表示パネルの画素の他の構成を概略的に示す図である。
【図８】図８は、カバー部材及び遮光層を配置したことによる効果の検証結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
ＰＸ…画素  ＰＲ…反射部  ＰＴ…透過部
Ｙ…走査線  Ｘ…信号線
１…液晶表示パネル
１０…アレイ基板  １１…絶縁基板
１２…スイッチ素子  1２ＳＣ…半導体層
１２Ｇ…ゲート電極  １２Ｓ…ソース電極
１２Ｄ…ドレイン電極  １３…画素電極
１３Ｒ…反射電極  １３Ｔ…透過電極
１３Ｐ…凹凸パターン
２０…対向基板  ２１…絶縁基板  ２２…対向電極
３０…液晶層  ６０…バックライト
【図１】
0005019617.tif 000002
【図２】
0005019617.tif 000003
【図３】
0005019617.tif 000004
【図４】
0005019617.tif 000005
【図５】
0005019617.tif 000006
【図６】
0005019617.tif 000007
【図７】
0005019617.tif 000008
【図８】
0005019617.tif 000009