(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液中に基板を浸漬することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、
側壁と底壁とを有し、その内部に処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の内部に処理液を吐出する吐出手段と、
前記処理槽の上部からオーバーフローした処理液を排出する排出手段と、
前記処理槽の内部と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降移動させる移動手段と、
を備え、
前記吐出手段は、一対の吐出ノズルを有し、
前記一対の吐出ノズルは、前記処理槽の内部において、前記処理槽の対向する一対の側壁に形成された凹部に向けてそれぞれ処理液を吐出し、
前記凹部が、前記一対の側壁のそれぞれが、その一部が外側へ向けて突出した形状とされることにより形成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記一対の側壁の下端部にそれぞれ形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた断面Ｖ字形状の溝であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記吐出ノズルは、前記断面Ｖ字形状の溝を構成する一対のテーパ面のうち、下側のテーパ面へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた曲面状の溝であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板を処理液中に浸漬することにより、基板に対して洗浄・エッチング等の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の製造工程においては、処理槽に貯留された処理液中に基板を浸漬することにより基板の処理を行う基板処理装置が使用されている。図１０は、従来の基板処理装置１００の例を示した図である。図１０に示したように、従来の基板処理装置１００は、処理液を貯留する処理槽１１０を有し、処理槽１１０の底部に配置された吐出ノズル１１３から処理液を吐出しつつ処理槽１１０の上部から処理液をオーバーフローさせることにより基板Ｗの周囲に処理液を供給し、基板Ｗの処理を行う。
【０００３】
このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３６１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１０に示したように、従来の基板処理装置１００の吐出ノズル１１３は、処理槽１１０内の基板Ｗに向けて処理液を吐出するようになっている。このため、吐出ノズル１１３から吐出された処理液は、処理槽１１０の内部において比較的高速な液流を形成し、処理槽１１０の内部全体に攪拌されることとなる。しかしながら、このような従来の吐出形態は、処理槽１１０の内部全体に処理液を攪拌するものであるため、処理槽１１０から古い処理液を効率よく排出して新しい処理液に置換できるものではなかった。
【０００６】
このような従来の基板処理装置１００では、処理槽１１０の内部にパーティクル等の異物が混入すると、当該異物も処理槽１１０の内部において処理液とともに攪拌されることとなる。このため、従来の基板処理装置１００は、処理槽１１０の内部に混入した異物を、処理槽１１０から速やかに排出することはできなかった。したがって、このような異物が処理中の基板Ｗの表面に付着し、基板Ｗを汚染したり、基板Ｗの処理不良を引き起こしたりする恐れがあった。特に、処理液として酸性の薬液を使用する場合や、疎水表面の基板Ｗを使用する場合には、基板Ｗの表面にパーティクル等の異物が付着し易いため、上記の問題はより深刻であった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、処理槽の内部における処理液の攪拌を抑制し、パーティクル等の異物を効率よく処理槽の外部へ排出することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、処理液中に基板を浸漬することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、側壁と底壁とを有し、その内部に処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の内部に処理液を吐出する吐出手段と、前記処理槽の上部からオーバーフローした処理液を排出する排出手段と、前記処理槽の内部と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降移動させる移動手段と、を備え、前記吐出手段は、一対の吐出ノズルを有し、前記一対の吐出ノズルは、前記処理槽の内部において、前記処理槽の対向する一対の側壁に形成された凹部に向けてそれぞれ処理液を吐出し、前記凹部が、前記一対の側壁のそれぞれが、その一部が外側へ向けて突出した形状とされることにより形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記凹部は、前記一対の側壁の下端部にそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた断面Ｖ字形状の溝であることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記吐出ノズルは、前記断面Ｖ字形状の溝を構成する一対のテーパ面のうち、下側のテーパ面へ向けて処理液を吐出することを特徴とする。
【００１４】
請求項５に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた曲面状の溝であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１〜５に記載の発明によれば、基板処理装置の吐出手段は、処理槽の内部において側壁に向けて処理液を吐出する。このため、吐出手段から吐出された処理液は、側壁に衝突して拡散し、低速かつ一律な液流として処理槽の上部へ向けて進行する。したがって、処理槽の内部に発生したパーティクル等の異物は、処理槽の内部において攪拌されることなく処理槽の上部へ浮上し、処理液とともに処理槽の外部へ速やかに排出される。また、吐出手段自体の構造を複雑化する必要がないため、基板処理装置の製造コストを抑えることができる。
【００１６】
また、請求項１〜５に記載の発明によれば、吐出手段は、側壁に形成された凹部に向けて処理液を吐出する。このため、側壁において拡散された処理液を、処理槽の中央部に向けて進行させることができる。したがって、処理液中に浸漬された基板の周囲において、低速かつ一律な処理液の流れを良好に形成できる。
【００１７】
また、請求項１〜５に記載の発明によれば、吐出手段は、一対の吐出ノズルを有し、一対の吐出ノズルは、処理槽の対向する一対の側壁に形成された凹部に向けてそれぞれ処理液を吐出する。このため、一対の側壁において拡散された処理液を処理槽の中央部付近において合流させ、処理槽の中央部付近において上部へ向けて進行させることができる。
【００１８】
特に、請求項２に記載の発明によれば、凹部は、一対の側壁の下端部にそれぞれ形成されている。このため、処理槽の底部付近において処理液を拡散させ、処理槽の底部から上部へ向かう処理液の流れを良好に形成することができる。
【００１９】
特に、請求項３に記載の発明によれば、凹部は、処理槽の内側へ向けて開いた断面Ｖ字形状の溝である。このため、処理槽の側壁に凹部を容易に形成することができる。また、断面Ｖ字形状の溝を構成するテーパ面の傾きにより、処理液の進行方向を容易に設定できる。
【００２０】
特に、請求項４に記載の発明によれば、吐出ノズルは、断面Ｖ字形状の溝を構成する一対のテーパ面のうち、下側のテーパ面へ向けて処理液を吐出する。このため、処理槽の底部付近に向けてより多くの処理液を進行させることができる。
【００２１】
特に、請求項５に記載の発明によれば、凹部は、処理槽の内側へ向けて開いた曲面状の溝である。このため、処理液の進行方向をより適切に設定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を、基板Ｗの主面と平行な平面で切断した縦断面図である。図１には、基板処理装置１が有する制御系や給排液系の構成も示されている。また、図２は、基板処理装置１を、基板Ｗの主面と垂直な平面で切断した縦断面図である。図１および図２には、装置内の各部の位置関係を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が示されている。
【００２４】
この基板処理装置１は、処理槽１０の内部にフッ酸（ＨＦ）溶液を貯留し、貯留されたフッ酸溶液中に複数枚の基板（以下、単に「基板」という）Ｗを浸漬することにより、基板Ｗに対してエッチング処理を行う装置である。図１および図２に示したように、基板処理装置１は、主として、フッ酸溶液を貯留するための処理槽１０と、基板Ｗを保持しつつ上下に搬送するリフタ２０と、処理槽１０にフッ酸溶液を供給するためのフッ酸溶液供給部３０と、処理槽１０からフッ酸溶液を排出するためのフッ酸溶液排出部４０と、装置内の各部の動作を制御するための制御部５０とを備えている。
【００２５】
処理槽１０は、石英等の耐薬性の材料により構成された貯留容器である。処理槽１０は、フッ酸溶液を貯留してその内部に基板Ｗを浸漬させる内槽１１と、内槽１１の外周部に形成された外槽１２とを有している。内槽１１は、基板Ｗが浸漬された状態において基板Ｗの下方に位置する底壁１１１と、基板Ｗの側方に位置する側壁１１２ａ〜１１２ｄとを有しており、内槽１１の上部は開放されている。また、内槽１１の内部には、フッ酸溶液を吐出する一対の吐出ノズル１３が設けられている。吐出ノズル１３からフッ酸溶液が吐出されると、内槽１１の内部にフッ酸溶液が貯留され、内槽１１の上部まで貯留されたフッ酸溶液は、内槽１１の上部から外槽１２へオーバーフローする。
【００２６】
内槽１１の側壁１１２ａ〜１１２ｄのうち、基板Ｗの配列方向に対して平行な一対の側壁１１２ａ，１１２ｂは、その下端部（底壁１１１に接する部位）が外側へ向けて突出した形状を有している。このため、側壁１１２ａ，１１２ｂの下端部の内側面には、基板Ｗの配列方向に沿ってのびる溝部１４が形成されている。溝部１４は、それぞれ上部テーパ面１４ａと下部テーパ面１４ｂとを有し、全体として内槽１１の内部へ向けて開いた断面Ｖ字形状の溝を構成している。
【００２７】
一対の吐出ノズル１３は、側壁１１２ａ，１１２ｂに形成された溝部１４および基板Ｗの配列方向に沿って水平に配置された管状の部材である。各吐出ノズル１３には、複数の吐出口１３ａが等間隔に形成されている。吐出ノズル１３上における複数の吐出口１３ａの位置は、処理槽１０内における隣り合う基板Ｗの間および両端に配置された基板Ｗの外側に対応する位置となっている。また、複数の吐出口１３ａは、その吐出方向が溝部１４の下部テーパ面１４ｂに向けられている。複数の吐出口１３ａから吐出されるフッ酸溶液は、溝部１４の下部テーパ面１４ｂに対して垂直に衝突する。
【００２８】
図３は、処理槽１０にフッ酸溶液が貯留された状態において、更に吐出ノズル１３からフッ酸溶液を吐出したときのフッ酸溶液の流れを示した図である。図３に示したように、吐出ノズル１３から吐出されたフッ酸溶液は、溝部１４の下部テーパ面１４ｂに衝突し、下部テーパ面１４ｂに沿って拡散しつつ内槽１１の内側へ向きを変えて進行する。フッ酸溶液は、下部テーパ面１４ｂに衝突して拡散することにより、その流れが低速化し、更に内槽１１の底部付近から上方へ向きを変えてゆっくりと上昇する。このように、側壁１１２ａ，１１２ｂに形成された溝部１４は、フッ酸溶液の流れの向きを内槽１１の内側へ向ける整流手段としての役割を果たすとともに、フッ酸溶液を拡散させてその流れを低速化させる役割を果たす。
【００２９】
リフタ２０は、基板Ｗを保持しつつ処理槽１０の内部と処理槽１０の上方位置との間で基板Ｗを昇降移動させるための搬送機構である。リフタ２０は、基板Ｗの配列方向にのびる３本の保持棒２１を有しており、各保持棒２１には複数の保持溝２１ａが刻設されている。基板Ｗは、その周縁部を保持溝２１ａに嵌合させた状態で３本の保持棒２１上に互いに平行に起立姿勢で保持される。また、リフタ２０は、モータやボールネジ等を組み合わせた公知の機構により構成される駆動部２２と接続されている。駆動部２２を動作させるとリフタ２０は上下に移動し、基板Ｗは、処理槽１０の内部の浸漬位置（図１の状態）と、処理槽１０の上方の引き上げ位置との間で搬送される。
【００３０】
フッ酸溶液供給部３０は、上記の吐出ノズル１３へ処理液を供給するための配管系である。図１に示したように、フッ酸溶液供給部３０は、フッ酸溶液供給源３１と、配管３２と、開閉弁３３とを有している。配管３２の上流側の端部はフッ酸溶液供給源３１に接続されており、配管３２の経路途中には開閉弁３３が介挿されている。また、配管３２の下流側は２本に分岐して一対の吐出ノズル１３にそれぞれ接続されている。このため、開閉弁３３を開放すると、フッ酸溶液供給源３１から配管３２を通って一対の吐出ノズル１３へフッ酸溶液が供給され、吐出ノズル１３の複数の吐出口１３ａから内槽１１の内部へフッ酸溶液が吐出される。
【００３１】
フッ酸溶液排出部４０は、外槽１２からフッ酸溶液を回収し、回収したフッ酸溶液を排液ラインへ排出させるための配管系である。図１に示したように、フッ酸溶液排出部４０は、配管４１と、開閉弁４２とを有している。配管４１の上流側の端部は外槽１２に接続されており、配管４１の下流側の端部は工場内の排液ラインに接続されている。また、配管４１の経路途中には開閉弁４２が介挿されている。このため、開閉弁４２を開放すると、外槽１２から配管４１を通って排液ラインへ、フッ酸溶液が排出される。
【００３２】
制御部５０は、基板処理装置１の各部の動作を制御するためのコンピュータ装置である。制御部５０は、上記の駆動部２２、開閉弁３３、および開閉弁４２と電気的に接続されている。制御部５０は、予めインストールされたプログラムや種々の指示入力に従って上記の駆動部２２、開閉弁３３、および開閉弁４２を動作させることにより、基板Ｗの処理を進行させる。
【００３３】
＜２．基板処理装置の動作＞
続いて、上記の基板処理装置１において基板Ｗを処理するときの動作について、図４のフローチャートを参照しつつ説明する。この基板処理装置１において基板Ｗの処理を行うときには、まず、開閉弁３３および開閉弁４２を開放する。これにより、フッ酸溶液供給源３１から配管３２を介して吐出ノズル１３へフッ酸溶液を供給し、吐出ノズル１３から内槽１１の内部へフッ酸溶液を吐出する（ステップＳ１）。吐出ノズル１３から吐出されたフッ酸溶液は、内槽１１の内部に徐々に貯留され、やがて内槽１１の上部から外槽１２へオーバーフローする。
【００３４】
次に、所定の搬送機構により他装置から搬送されてきた基板Ｗが、処理槽１０の上方位置において待機するリフタ２０上に載置される。リフタ２０上に基板Ｗが載置されると、基板処理装置１は、駆動部２２を動作させてリフタ２０を降下させ、処理槽１０の内部に貯留されたフッ酸溶液中に基板Ｗを浸漬させる（ステップＳ２）。基板Ｗは、フッ酸溶液中に浸漬されると、フッ酸溶液中のフッ酸成分によりエッチング処理を受ける。
【００３５】
このとき、処理槽１０の内部においては、おおむね図３に示したようなフッ酸溶液の流れが形成されている。すなわち、吐出ノズル１３から吐出されたフッ酸溶液は、溝部１４の下部テーパ面１４ｂに衝突し、拡散および低速化しつつ、下部テーパ面１４ｂに沿って基板Ｗ側へ向きを変えて進行する。そして、内槽１１の中央底部付近において合流したフッ酸溶液は、内槽１１の底部付近から上部へ向けてゆっくりと上昇し、基板Ｗの周囲において低速かつ一律に上方へ向かう液流を形成する。
【００３６】
エッチング処理が進行すると、基板Ｗの表面からフッ酸溶液中に金属成分が溶出し、また、基板Ｗの表面に付着していたパーティクル等の異物がリフトオフ（遊離）されてフッ酸溶液中に混入する。しかしながら、上記の通り基板Ｗの周囲においては、低速かつ一律に上方へ向かう液流が形成されている。このため、フッ酸溶液中に混入した金属成分や異物は、内槽１１の内部において攪拌されることなく内槽１１の上部へ向けて浮上し、フッ酸溶液とともに外槽１２へ速やかに排出される。したがって、フッ酸溶液中に発生した金属成分や異物が基板Ｗの表面に再付着することが防止される。
【００３７】
所定時間のエッチング処理が終了すると、基板処理装置１は、駆動部２２を動作させてリフタ２０を上昇させ、内槽１１の内部に貯留されたフッ酸溶液中から基板Ｗを引き上げる（ステップＳ３）。その後、基板Ｗは、リフタ２０から所定の搬送装置に引き渡され、後続の処理を行う装置へ搬送される。また、基板処理装置１は、開閉弁３３および開閉弁４２を閉鎖する。これにより、吐出ノズル１３からのフッ酸溶液の吐出およびフッ酸溶液排出部４０へのフッ酸溶液の排出を停止させる（ステップＳ４）。以上をもって、一組の基板Ｗに対する一連の処理を終了する。
【００３８】
このように、本実施形態の基板処理装置１は、吐出ノズル１３から内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂに形成された溝部１４に向けてフッ酸溶液を吐出する。このため、吐出ノズル１３から吐出されたフッ酸溶液は、溝部１４に衝突して拡散し、低速かつ一律な液流として内槽１１の上部に向けて進行する。したがって、内槽１１の内部に発生した金属成分や異物は、内槽１１の内部において攪拌されることなく内槽１１の上部へ浮上し、フッ酸溶液とともに速やかに外槽１２へ排出される。
【００３９】
また、本実施形態の基板処理装置では、内槽１１の内部において低速かつ一律なフッ酸溶液の液流を形成するため、内槽１１の内部からフッ酸溶液を効率よく排出するとともに、内槽１１の内部に新たなフッ酸溶液を効率よく供給できる。すなわち、エッチング処理中において、内槽１１の内部を新たなフッ酸溶液に効率よく置換でき、基板Ｗに対して常に清浄なフッ酸溶液を作用させることができる。このため、エッチング処理の時間を短縮できる。
【００４０】
仮に、吐出ノズル１３の吐出口１３ａの口径を大きくしたとすれば、上流側の吐出口１３ａと下流側の吐出口１３ａとでフッ酸溶液の吐出圧が大きく相違してしまう。しかしながら、本実施形態の基板処理装置１は、吐出口１３ａの口径を大きくすることによってフッ酸溶液の流れを低速化させるのではなく、内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂにフッ酸溶液を衝突させることによりフッ酸溶液の流れを低速化させる。このため、上流側の吐出口１３ａと下流側の吐出口１３ａとでフッ酸溶液の吐出圧が大きく相違してしまうことを防止しつつ、フッ酸溶液の流れを低速化させることができる。
【００４１】
また、本実施形態の基板処理装置１は、吐出ノズル１３自体の構成を複雑化することなく、フッ酸溶液の流れを低速化させる。このため、吐出ノズル１３を含む基板処理装置１の製造コストの上昇を抑えつつ、フッ酸溶液の置換効率を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施形態では、吐出ノズル１３は、内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂに形成された溝部１４のうち、下部テーパ面１４ｂに向けてフッ酸溶液を吐出する。このため、拡散されたフッ酸溶液を、内槽１１の底部付近に向けてより多く進行させることができ、これにより、フッ酸溶液の置換効率をより向上させることができる。
【００４３】
＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、吐出ノズル１３は、溝部１４の下部テーパ面１４ｂに向けてフッ酸溶液を吐出していたが、吐出ノズル１３は、溝部１４の他の部位に向けてフッ酸溶液を吐出してもよい。他の実施形態として、図５に示したように、吐出ノズル１３から上下のテーパ面１４ａ，１４ｂの境界部に向けてフッ酸溶液を吐出するようにしてもよい。
【００４４】
また、上記の実施形態では、溝部１４は、一対のテーパ面１４ａ，１４ｂにより構成される断面Ｖ字形状の溝であったが、溝部１４の形状は、例えば、図６や図７に示したような曲面形状（半筒状）であってもよい。すなわち、吐出ノズル１３の複数の吐出口１３ａに対向する位置に、吐出されたフッ酸溶液を整流するための形状を有する凹部が形成されていればよい。溝部１４を曲面形状とする場合、図７に示したように、吐出ノズル１３を溝部１４の中心軸よりもやや上方に配置し、溝部１４の上部に向けてフッ酸溶液を吐出するようにしてもよい。このようにすれば、吐出ノズル１３から吐出されたフッ酸溶液を、溝部１４の曲面に沿って底部付近へ進行させることができ、内槽１１の底部から上部へ向かうフッ酸溶液の流れを良好に形成することができる。
【００４５】
また、上記の実施形態では、内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂの下端部に溝部１４を形成していたが、溝部１４は、側壁１１２ａ，１１２ｂの若干上部寄りの位置に形成されていてもよい。また、溝部１４は、図８に示したように、内槽１１の底壁１１１に形成されていてもよい。
【００４６】
また、内槽１１に溝部１４を形成することなく、吐出ノズル１３から内槽１１の内面に向けてフッ酸溶液を吐出するようにしてもよい。例えば、図９に示したように、吐出ノズル１３から内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂに向けてフッ酸溶液を吐出するようにしてもよい。このような形態であっても、フッ酸溶液を拡散させてその流速を低下させることができ、基板Ｗの周囲に低速なフッ酸溶液の流れを形成することができる。側壁１１２ａ，１１２ｂに向けてフッ酸溶液を吐出する場合には、図９に示したように、側壁１１２ａ，１１２ｂに対して垂直にフッ酸溶液を吐出することが望ましい。このようにすれば、内槽１１の上部付近のフッ酸溶液（金属成分や異物を含むフッ酸溶液）を吐出液流に巻き込んで内槽１１の底部へ運搬してしまうことを防止できる。
【００４７】
また、上記の実施形態では、処理液としてフッ酸溶液を使用していたが、本発明の基板処理装置は、他の処理液を使用して基板Ｗの処理を行うものであってもよい。例えば、処理液としてＳＣ−１液、ＳＣ−２液、ＣＡＲＯ酸、純水等を使用するものであってもよい。また、本発明は、半導体基板を処理対象とする基板処理装置だけではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の種々の基板を処理対象とする基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】基板処理装置を、基板の主面と平行な平面で切断した縦断面図である。
【図２】基板処理装置を、基板の主面と垂直な平面で切断した縦断面図である。
【図３】処理槽内におけるフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図４】基板処理装置の動作の流れを示したフローチャートである。
【図５】変形例に係る処理槽の形状およびフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図６】変形例に係る処理槽の形状およびフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図７】変形例に係る処理槽の形状およびフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図８】変形例に係る処理槽の形状およびフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図９】変形例に係る処理槽の形状およびフッ酸溶液の流れを示した図である。
【図１０】従来の基板処理装置の例を示した図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板処理装置
１０  処理槽
１１  内槽
１２  外槽
１３  吐出ノズル
１３ａ  吐出口
１４  溝部
１４ａ，１４ｂ  テーパ面
２０  リフタ
３０  フッ酸溶液供給部
４０  フッ酸溶液排出部
５０  制御部
１１１  底壁
１１２ａ〜１１２ｄ  側壁
Ｗ  基板
【図１】
0005016430.tif 000002
【図２】
0005016430.tif 000003
【図３】
0005016430.tif 000004
【図４】
0005016430.tif 000005
【図５】
0005016430.tif 000006
【図６】
0005016430.tif 000007
【図７】
0005016430.tif 000008
【図８】
0005016430.tif 000009
【図９】
0005016430.tif 000010
【図１０】
0005016430.tif 000011