(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの端子のうちの１つの端子が接地される半導体レーザの他の端子に接続される第１のトランジスタであって、
ベースに電圧が印加されないときに、またはベースに予め定める第１の電圧以上の電圧が印加されるときに導通状態となり、第１のトランジスタを介して半導体レーザの前記他の端子を接地し、
さらに、ベースに予め定める第１の電圧未満の電圧が印加されるときに絶縁状態となり、半導体レーザの前記他の端子を開放する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのベースに接続される第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体に接続され、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧が前記予め定める第１の電圧以上になる電圧を印加するための第１の外部端子と、
２つの端子のうちの１つの端子が前記半導体レーザの前記他の端子に接続される第２の抵抗体と、
第２の抵抗体の２つの端子のうちの他の端子に接続される第２の外部端子と、
第２の外部端子に接続される第２のトランジスタとを含んで構成され、
前記第２のトランジスタは、第２の外部端子に予め定める第２の電圧が印加されたとき、その第２のトランジスタを介して前記第１のトランジスタのベースを接地し、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧を前記予め定める第１の電圧未満の電圧にすることを特徴とする半導体レーザ保護回路。
【請求項２】
レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生する光ピックアップ装置であって、
請求項１に記載の半導体レーザ保護回路と、
前記レーザ光を出射し、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザとを含んで構成されることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
導電性の筐体を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記筐体に接地することを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ保護回路は、集積化されていることを特徴とする請求項２または３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
フレキシブル基板を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記フレキシブル基板上に実装すること特徴とする請求項４に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
硬質基板を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記硬質基板上に実装すること特徴とする請求項４に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体レーザ保護回路を集積化した回路と、
レーザ光を出射し、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザと、
レーザ光を受光する受光素子とを含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の光モジュールを含んで構成されることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項９】
請求項２〜６および８のいずれか１つに記載の光ピックアップ装置を用いて、光記録媒体に情報を記録または再生することを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザを静電気による破壊から保護する半導体レーザ保護回路、光ピックアップ装置、光モジュールおよび情報記録再生装置に関し、より詳細には、光ディスクあるいは光磁気ディスクなどのディスク状の光記録媒体への情報の記録再生に用いられる半導体レーザを静電気による破壊から保護する半導体レーザ保護回路、光ピックアップ装置、光モジュールおよび情報記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンパクトディスク（Compact Disk：略称「ＣＤ」）あるいはデジタルバーサタイルディスク（Digital Versatile Disk：略称「ＤＶＤ」）などの光記録媒体に情報の記録再生を行う情報記録再生装置には、半導体レーザを搭載する光ピックアップ装置が用いられる。
【０００３】
光ピックアップ装置に実装される半導体レーザを静電気から保護する静電気対策は、たとえば半導体レーザがフレキシブル基板あるいはハード基板などの基板に実装される場合、基板上で半導体レーザの両端子を半田付けによって直接接続して短絡状態にすることによって行われる。静電気による電流が半導体レーザに流れても、半導体レーザの端子間が短絡状態であるので、半導体レーザを静電気から保護することができる。
【０００４】
図６は、第１の従来の技術による光ピックアップ装置１００に形成されたショートパターンを示す図である。ショートパターンは、２つのパターンを半田などによって接続するためのパターンであり、ある程度以上の広がりのあるパターンによって形成される。光ピックアップ装置１００は、半導体レーザ１１０が搭載される筐体１０１と、筐体１０１に取り付けられるフレキシブル基板１０２とによって構成される。
【０００５】
フレキシブル基板１０２には、２つのショートパターンＳ１，Ｓ２が近接して形成される。ショートパターンＳ１，Ｓ２は、筐体１０１に搭載される半導体レーザ１１０の各端子に接続される。ショートパターンＳ１，Ｓ２を半田付けによって接続することによって、半導体レーザ１１０の両端子間を短絡状態にすることができる。
【０００６】
フレキシブル基板１０２に設けられる端子１０３は、むき出し状態になっており、静電気が印加されやすい構造になっているが、半導体レーザ１１０は、ショートパターンによって短絡状態になっているので、半導体レーザを静電気から保護することができる。
【０００７】
第２の従来の技術である半導体レーザ保護回路は、半導体レーザにチップ抵抗器あるいは導電性材料からなる抵抗体を並列に接続して、半導体レーザを短絡状態にする。半導体レーザに並列に接続される抵抗体によって、半導体レーザを静電気から保護する。ピックアップ調整終了後、チップ抵抗器の場合は、チップ抵抗器を接続するパターンをカットして、導電性材料の場合は、払拭あるいは剥離によって導電性材料を除去して、半導体レーザの短絡状態を解除する（たとえば特許文献１参照）。
【０００８】
第３の従来の技術である光情報記録再生装置は、レーザダイオードのアノードにレーザダイオード保護回路を接続する。レーザダイオード保護回路は、レーザダイオードと並列に接続されるトランジスタを含み、光情報記録再生装置に印加される電源電圧が、レーザダイオード保護回路以外の回路が正常に動作する電源電圧になるまで、トランジスタを通電状態として、アノードが接地されるレーザダイオードに最大定格値以上の電流が流れることを回避し、レーザダイオードの破壊を防止する（たとえば特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−４９５４９号公報
【特許文献２】実開平６−５２０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、第１の従来の技術は、光ピックアップ装置単体でのショートパターンの半田付け作業と、光ピックアップ装置を光記録媒体の記録再生装置に組み込むときのショートパターンの半田除去作業を行う必要がある。半田付け作業および半田除去作業で半田ごてを用いるとき、半田ごての接地不良によってリーク電流が半導体レーザに流れる可能性があるという問題がある。
【００１１】
第２の従来の技術は、抵抗体によって半導体レーザを静電気から保護するものであり、半田ごてを用いずに抵抗体による短絡状態を解除することができるので、リーク電流が流れることを回避することはできるが、ピックアップ調整終了後、抵抗体の短絡状態を解除するための作業が必要であるという問題がある。
【００１２】
第３の従来の技術は、レーザダイオードに最大定格値以上の電流が流れることを回避し、レーザダイオードの破壊を防止することはできるが、レーザダイオード保護回路にも電力を供給する必要があり、光ピックアップ装置に電力が供給されない状態では、レーザダイオードなどの半導体レーザを保護することはできないという問題がある。
【００１３】
本発明の目的は、半導体レーザを静電気およびリーク電流から保護することができ、短絡状態を解除する作業を必要としない半導体レーザ保護回路、光ピックアップ装置、光モジュールおよび情報記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、２つの端子のうちの１つの端子が接地される半導体レーザの他の端子に接続される第１のトランジスタであって、
ベースに電圧が印加されないときに、またはベースに予め定める第１の電圧以上の電圧が印加されるときに導通状態となり、第１のトランジスタを介して半導体レーザの前記他の端子を接地し、
さらに、ベースに予め定める第１の電圧未満の電圧が印加されるときに絶縁状態となり、半導体レーザの前記他の端子を開放する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのベースに接続される第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体に接続され、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧が前記予め定める第１の電圧以上になる電圧を印加するための第１の外部端子と、
２つの端子のうちの１つの端子が前記半導体レーザの前記他の端子に接続される第２の抵抗体と、
第２の抵抗体の２つの端子のうちの他の端子に接続される第２の外部端子と、
第２の外部端子に接続される第２のトランジスタとを含んで構成され、
前記第２のトランジスタは、第２の外部端子に予め定める第２の電圧が印加されたとき、その第２のトランジスタを介して前記第１のトランジスタのベースを接地し、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧を前記予め定める第１の電圧未満の電圧にすることを特徴とする半導体レーザ保護回路である。
【００１７】
また本発明は、レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生する光ピックアップ装置であって、
前述の半導体レーザ保護回路と、
前記レーザ光を出射し、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザとを含んで構成されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１８】
また本発明は、導電性の筐体を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記筐体に接地することを特徴とする。
【００１９】
また本発明は、前記半導体レーザ保護回路は、集積化されていることを特徴とする。
また本発明は、フレキシブル基板を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記フレキシブル基板上に実装すること特徴とする。
【００２０】
また本発明は、硬質基板を含み、
前記半導体レーザ保護回路を前記硬質基板上に実装すること特徴とする。
【００２１】
また本発明は、前述の半導体レーザ保護回路を集積化した回路と、
レーザ光を出射し、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザと、
レーザ光を受光する受光素子とを含むことを特徴とする光モジュールである。
【００２２】
また本発明は、前述の光モジュールを含んで構成されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００２３】
また本発明は、前述の光ピックアップ装置を用いて、光記録媒体に情報を記録または再生することを特徴とする情報記録再生装置である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、２つの端子のうちの１つの端子が接地される半導体レーザの他の端子に接続される第１のトランジスタであって、ベースに電圧が印加されないときに、またはベースに予め定める第１の電圧以上の電圧が印加されるときに導通状態となり、第１のトランジスタを介して半導体レーザの前記他の端子を接地し、さらに、ベースに予め定める第１の電圧未満の電圧が印加されるときに絶縁状態となり、半導体レーザの前記他の端子を開放する第１のトランジスタが含まれて構成される。
【００２５】
したがって、電源が供給されない状態でも、半導体レーザを静電気から保護することができ、ベースに印加される電圧を予め定める第１の電圧未満とすることによって短絡状態を解除することができるので、短絡状態を解除する作業をなくすことができる。短絡状態を解除するために半田ごてを用いる必要がないので、リーク電流が流れることも回避することができる。したがって、半導体レーザの歩留まり、および搭載された半導体レーザの信頼性を向上させ、さらに、短絡状態を解除する作業をなくすことができるので、生産性も向上することができる。
さらに、前記第１のトランジスタのベースに接続される第１の抵抗体と、第１の抵抗体に接続され、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧が前記予め定める第１の電圧以上になる電圧を印加するための第１の外部端子とがさらに含まれて構成されるので、第１の外部端子に印加する電圧を変化させることによって、前記第１のトランジスタを介して半導体レーザを接地し、あるいは接地の解除を制御することができる。
さらに、２つの端子のうちの１つの端子が半導体レーザの前記他の端子に接続される第２の抵抗体と、第２の抵抗体の２つの端子のうちの他の端子に接続される第２の外部端子と、第２の外部端子に接続される第２のトランジスタとが含まれて構成され、第２のトランジスタによって、第２の外部端子に予め定める第２の電圧が印加されたとき、第２のトランジスタを介して前記第１のトランジスタのベースが接地され、前記第１のトランジスタのベースに印加される電圧が前記予め定める第１の電圧未満の電圧にされる。したがって、第１の外部端子に電圧が印加されて、前記第１のトランジスタを介して半導体レーザが接地されていても、第２の外部端子に印加する電圧によって、接地を解除することができる。
【００２６】
また本発明によれば、レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生するにあたって、前記半導体レーザ保護回路と、前記レーザ光を出射し、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザとが含まれて構成されるので、電圧が印加されない状態の光ピックアップ装置単体でも、半導体レーザ保護回路によって半導体レーザを静電気から保護することができる。
【００２７】
また本発明によれば、前記半導体レーザ保護回路を集積化した回路を含み、前記半導体レーザ保護回路に接続される半導体レーザによって、レーザ光が出射され、受光素子によって、レーザ光が受光される。
【００２８】
したがって、電圧が印加されない光モジュール単体の状態でも、光モジュールに搭載される半導体レーザを静電気から保護することができる。
【００２９】
また本発明によれば、前記光モジュールが含まれて構成されるので、半導体レーザ保護回路を搭載するスペースを別に設ける必要がなく、光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００３０】
また本発明によれば、前記光ピックアップ装置を用いて、光記録媒体に情報が記録または再生されるので、情報記録再生装置側で半導体レーザの静電気対策をする必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１は、本発明の実施の一形態である電気的スイッチ回路１の構成を示す図である。半導体レーザ保護回路である電気的スイッチ回路１は、トランジスタ１１、デジタルトランジスタ１２、第１の抵抗体１３、第１の外部端子１４、第２の外部端子１５および第２の抵抗体１６を含んで構成される。
【００３２】
半導体レーザ１０は、たとえばレーザダイオードによって構成される。半導体レーザ１０は、カソードが接地され、アノードがトランジスタ１１と接続される。トランジスタであるトランジスタ１１は、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタであり、コレクタが半導体レーザ１０のカソードに接続され、エミッタが接地され、ベースが第１の抵抗体１３を介して第１の外部端子１４に接続される。第１の抵抗体１３は、たとえばカーボン抵抗によって構成され、抵抗値は、たとえば１０Ｋオーム（Ω）である。
【００３３】
第２のトランジスタであるデジタルトランジスタ１２は、たとえば抵抗内蔵タイプのｎｐｎ型のトランジスタによって構成される。デジタルトランジスタ１２には、２つの抵抗が内蔵され、２つの抵抗のうちの１つの抵抗は、抵抗値がたとえば４．７ＫΩであり、ベースに接続され、他の抵抗は、抵抗値がたとえば４７ＫΩであり、ベースとエミッタとの間に接続される。デジタルトランジスタ１２は、コレクタがトランジスタ１１のベースに接続され、エミッタが接地され、ベースが抵抗を介して第２の外部端子１５に接続される。
【００３４】
第２の外部端子１５は、第２の抵抗体１６を介して半導体レーザ１０のアノードに接続される。第２の抵抗体１６は、半導体レーザ１０を第２の外部端子１５に印加される電圧から保護するための抵抗体であり、たとえばカーボン抵抗によって構成され、抵抗値は、たとえば１０Ωである。
【００３５】
トランジスタ１１のベースに電圧が印加されないと、トランジスタ１１は、オフ状態つまり絶縁状態になり、半導体レーザ１０に、第２の抵抗体１６を介して接地され、半導体レーザ１０に電流が流れてＯＮになる。
【００３６】
さらに、第１の外部端子１４に電圧が印加され、第１の外部端子１４に印加される電圧によって、トランジスタ１１のベースに印加される電圧が予め定める第１の電圧、たとえば１．０ボルト（Ｖ）の電圧以上であると、トランジスタ１１は、導通状態になり、半導体レーザ１０は、トランジスタ１１を介して接地される。
【００３７】
半導体レーザ１０がトランジスタ１１を介して接地されると、半田ごてからのリーク電流あるいは静電気による電流は、トランジスタ１１を介して放電されるので、半導体レーザ１０がリーク電流あるいは静電気によって破壊されることを防止することができる。
【００３８】
さらに、第２の外部端子１５に電圧が印加され、第２の外部端子１５に印加される電圧が予め定める第２の電圧、たとえば３Ｖの電圧以上であると、デジタルトランジスタ１２のベースに電流が流れ、デジタルトランジスタ１２は導通状態となる。デジタルトランジスタ１２が導通状態となると、トランジスタ１１のベースは、デジタルトランジスタ１２を介して接地され、トランジスタ１１は、絶縁状態になる。トランジスタ１１が絶縁状態になると、半導体レーザ１０は、開放され、動作可能になる。
【００３９】
このように、２つの端子のうちの１つの端子が接地される半導体レーザ１０の他の端子に接続されるトランジスタ１１であって、ベースに電圧が印加されないときに、またはベースに予め定める電圧以上の電圧が印加されるときに導通状態となり、トランジスタ１１を介して半導体レーザ１０の前記他の端子を接地し、さらに、ベースに予め定める電圧未満の電圧が印加されるときに絶縁状態となり、半導体レーザ１０の前記他の端子を開放するトランジスタ１１が含まれて構成される。
【００４０】
したがって、電源が供給されない状態でも、半導体レーザ１０を静電気から保護することができ、ベースに印加される電圧を予め定める電圧未満とすることによって短絡状態を解除することができるので、短絡状態を解除する作業をなくすことができる。短絡状態を解除するために半田ごてを用いる必要がないので、リーク電流が流れることも回避することができる。したがって、半導体レーザの歩留まり、および搭載された半導体レーザの信頼性を向上させ、さらに、短絡状態を解除する作業をなくすことができるので、生産性も向上することができる。
【００４１】
さらに、前記ベースに接続される第１の抵抗体１３と、第１の抵抗体１３に接続され、前記ベースに印加される電圧が前記予め定める第１の電圧以上になる電圧を印加するための第１の外部端子１４とがさらに含まれて構成されるので、第１の外部端子１４に印加する電圧を変化させることによって、トランジスタ１１を介して半導体レーザ１０を接地し、あるいは接地の解除を制御することができる。
【００４２】
さらに、２つの端子のうちの１つの端子が半導体レーザ１０の前記他の端子に接続される第２の抵抗体１６と、第２の抵抗体１６の２つの端子のうちの他の端子に接続される第２の外部端子１５と、第２の外部端子１５に接続されるデジタルトランジスタ１２とが含まれて構成され、デジタルトランジスタ１２によって、第２の外部端子１５に予め定める第２の電圧が印加されたとき、デジタルトランジスタ１２を介してトランジスタ１１のベースが接地され、ベースに印加される電圧が前記予め定める電圧未満の電圧にされる。したがって、第１の外部端子１４に電圧が印加されて、トランジスタ１１を介して半導体レーザ１０が接地されていても、第２の外部端子１５に印加する電圧によって、接地を解除することができる。
【００４３】
図２は、本発明の実施の一形態である光ピックアップ装置２０の概観の一例を示す図である。光ピックアップ装置２０は、レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生するための装置であり、電気的スイッチ回路１、半導体レーザ１０、筐体２１およびフレキシブル基板２２を含んで構成される。
【００４４】
半導体レーザ１０は、筐体２１に実装され、電気的スイッチ回路１は、フレキシブル基板２２に実装される。半導体レーザ１０のアノードは、電気的スイッチ回路１のトランジスタ１１のコレクタに接続される。電気的スイッチ回路１は、筐体２１に接地される。
【００４５】
このように、電気的スイッチ回路１がフレキシブル基板２２上に実装されるので、専用の基板を用いる必要がなく、光ピックアップ装置２０を小型化することができる。
【００４６】
図３は、電気的スイッチ回路１がいずれの状態であるかを判定するためのフローチャートである。このフローチャートのステップＡ１から進むことによって、電気的スイッチ回路１がいずれの状態であるかあるいはいずれの状態になるかを判定することができる。
【００４７】
ステップＡ１では、光ピックアップ装置２０が情報記録再生装置に搭載されているか否かを判定する。光ピックアップ装置２０が情報記録再生装置に搭載されていると、ステップＡ６に進み、光ピックアップ装置２０が情報記録再生装置に搭載されていないと、ステップＡ２に進む。ステップＡ２では、光ピックアップ装置２０は、情報記録再生装置に搭載されていない単体の状態である。
【００４８】
ステップＡ３では、第２の外部端子に電圧が印加されているか否かを判定する。第２の外部端子１５に印加される電圧が予め定める第２の電圧以上であると、第２の外部端子に電圧が印加されていると判定し、ステップＡ１０に進む。第２の外部端子１５に印加される電圧が予め定める第２の電圧未満であると、第２の外部端子に電圧が印加されていないと判定し、ステップＡ４に進む。ステップＡ４では、半導体レーザ１０は、トランジスタ１１を介して接地されている状態である。ステップＡ５では、半導体レーザ１０は、静電気に対して保護される状態である。
【００４９】
ステップＡ６では、光ピックアップ装置２０は、情報記録再生装置に搭載されている状態である。ステップＡ７では、第１の外部端子に電圧が印加されているか否かを判定する。第１の外部端子１４に印加される電圧によって、トランジスタ１１のベースに印加される電圧が予め定める第１の電圧以上であると、第１の外部端子に電圧が印加されていると判定し、ステップＡ８に進む。第１の外部端子１４に印加される電圧によって、トランジスタ１１のベースに印加される電圧が予め定める第１の電圧未満であると、第１の外部端子に電圧が印加されていないと判定し、ステップＡ７に戻る。
【００５０】
ステップＡ８では、トランジスタ１１は、導通状態になる。ステップＡ９では、半導体レーザ１０は、トランジスタ１１を介して接地され、静電気に対して保護される状態になる。ステップＡ１０では、第２の外部端子に電圧が印加されているか否かを判定する。第２の外部端子１５に印加される電圧が予め定める第２の電圧以上であると、第２の外部端子に電圧が印加されていると判定し、ステップＡ１１に進む。第２の外部端子１５に印加される電圧が予め定める第２の電圧未満であると、第２の外部端子に電圧が印加されていないと判定し、ステップＡ１０に戻る。
【００５１】
ステップＡ１１では、デジタルトランジスタ１２によって、トランジスタ１１のベースがデジタルトランジスタ１２を介して接地され、トランジスタ１１が絶縁状態になる。ステップＡ１２では、半導体レーザ１０のトランジスタ１１を介した接地が解除される。ステップＡ１３では、半導体レーザ１０は、動作可能状態となる。
【００５２】
図４は、本発明の実施の他の形態である光ピックアップ装置３０の概観の一例を示す図である。光ピックアップ装置３０は、レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生するための装置であり、電気的スイッチ回路１、半導体レーザ１０、筐体３１および硬質基板３２を含んで構成される。硬質基板３２は、フレキシブル基板のような柔軟性のある基材ではなく、柔軟性のない基材からなるハード基板である。
【００５３】
半導体レーザ１０は、筐体３１に実装され、電気的スイッチ回路１は、硬質基板３２に実装される。半導体レーザ１０のアノードは、電気的スイッチ回路１のトランジスタ１１のコレクタに接続される。電気的スイッチ回路１は、筐体３１に接地される。
【００５４】
このように、電気的スイッチ回路１が硬質基板３２上に実装されるので、専用の基板を用いる必要がなく、光ピックアップ装置３０を小型化することができる。
【００５５】
さらに、レーザ光を用いて光記録媒体に情報を記録または再生するにあたって、電気的スイッチ回路１と、前記レーザ光を出射し、電気的スイッチ回路１に接続される半導体レーザ１０とが含まれて構成されるので、電圧が印加されない状態の光ピックアップ装置２０，３０単体でも、電気的スイッチ回路１によって半導体レーザ１０を静電気から保護することができる。
【００５６】
さらに、電気的スイッチ回路１が導電性の筐体２１，３１に接地されるので、光ピックアップ装置２０，３０側の電圧を用いて、トランジスタ１１の導通あるいは絶縁を制御することができる。
【００５７】
上述した実施の形態では、電気的スイッチ回路１を、それぞれ単体の抵抗体、トランジスタおよびデジタルトランジスタを接続して構成したが、抵抗体、トランジスタおよびデジタルトランジスタを集積化した集積回路として構成してもよい。
【００５８】
このように、電気的スイッチ回路１は、集積化されているので、光ピックアップ装置２０，３０を小型化することができる。
【００５９】
図５は、本発明の実施の一形態である光モジュール４０の概観の一例を示す図である。光モジュール４０は、電気的スイッチ回路１ａ、レーザ光を出射する半導体レーザ１０、およびレーザ光を受光する受光素子４１を含んで構成される。電気的スイッチ回路１ａは、図１に示した電気的スイッチ回路１を集積化したものであり、電気的スイッチ回路１ａの回路構成は、電気的スイッチ回路１の回路構成と同じであり、重複を避けるために説明は省略する。半導体レーザ１０のアノードは、電気的スイッチ回路１ａのトランジスタ１１のコレクタに接続される。
【００６０】
このように、電気的スイッチ回路１を集積化した電気的スイッチ回路１ａを含み、電気的スイッチ回路１ａに接続される半導体レーザ１０によって、レーザ光が出射され、受光素子４１によって、レーザ光が受光される。
【００６１】
したがって、電圧が印加されない光モジュール４０単体の状態でも、光モジュール４０に搭載される半導体レーザ１０を静電気から保護することができる。
【００６２】
上述した光ピックアップ装置２０，３０は、電気的スイッチ回路１をフレキシブル基板２２あるいは硬質基板３２に実装したが、電気的スイッチ回路１ａを搭載する光モジュール４０を実装することによって、電気的スイッチ回路１の代わりに電気的スイッチ回路１ａを用いてもよい。
【００６３】
このように、光モジュール４０が含まれて構成されるので、電気的スイッチ回路１ａを搭載するスペースを別に設ける必要がなく、光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００６４】
光ピックアップ装置２０，３０、および光モジュール４０を用いた光ピックアップ装置は、コンパクトディスク（Compact Disk：略称「ＣＤ」）あるいはデジタルバーサタイルディスク（Digital Versatile Disk：略称「ＤＶＤ」）などの光記録媒体に情報を記録あるいは再生する情報記録再生装置に適用することが可能である。
【００６５】
このように、光ピックアップ装置２０，３０、または光モジュール４０を用いた光ピックアップ装置を用いて、光記録媒体に情報が記録または再生されるので、情報記録再生装置側で半導体レーザ１０の静電気対策をする必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の一形態である電気的スイッチ回路１の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の一形態である光ピックアップ装置２０の概観の一例を示す図である。
【図３】電気的スイッチ回路１がいずれの状態であるかを判定するためのフローチャートである。
【図４】本発明の実施の他の形態である光ピックアップ装置３０の概観の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施の一形態である光モジュール４０の概観の一例を示す図である。
【図６】第１の従来の技術による光ピックアップ装置１００に形成されたショートパターンを示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１ａ  電気スイッチ回路
１０，１１０  半導体レーザ
１１  トランジスタ
１２  デジタルトランジスタ
１３  第１の抵抗体
１４  第１の外部端子
１５  第２の外部端子
１６  第２の抵抗体
２０，３０，１００  光ピックアップ装置
２１，３１，１０１  筐体
２２，３２，１０２  フレキシブル基板
４０  光モジュール
４１  受光素子
１０３  端子
Ｓ１，Ｓ２  ショートパターン
【図１】
0005049740.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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