(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ下方に絶縁膜を介して設けられている導電性の膜と、前記ＴＦＴに強誘電性液晶と高分子材料を挟んで対向している対向電極とを用いて、前記強誘電性液晶に電圧を印加しながら、前記高分子材料に紫外線を照射し、前記強誘電性液晶を単安定化する液晶表示装置の製造方法であって、
前記高分子材料に光重合性の重合剤が添加されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
ＴＦＴ下方に絶縁膜を介して設けられている導電性の膜と、前記ＴＦＴに強誘電性液晶と高分子材料を挟んで対向している対向電極とを用いて、前記強誘電性液晶に電圧を印加しながら、前記高分子材料を加熱し、前記強誘電性液晶を単安定化する液晶表示装置の製造方法であって、
前記高分子材料に熱重合性の重合剤が添加されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
ＴＦＴを有する基板の前記ＴＦＴが設けられた面と反対側の面に設けられている導電膜と、前記ＴＦＴに強誘電性液晶と高分子材料を挟んで対向している対向電極とを用いて、前記強誘電性液晶に電圧を印加しながら、前記高分子材料に紫外線を照射し、前記強誘電性液晶を単安定化する液晶表示装置の製造方法であって、
前記高分子材料に光重合性の重合剤が添加されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
ＴＦＴを有する基板の前記ＴＦＴが設けられた面と反対側の面に設けられている導電膜と、前記ＴＦＴに強誘電性液晶と高分子材料を挟んで対向している対向電極とを用いて、前記強誘電性液晶に電圧を印加しながら、前記高分子材料を加熱し、前記強誘電性液晶を単安定化する液晶表示装置の製造方法であって、
前記高分子材料に熱重合性の重合剤が添加されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１または請求項３において、
前記高分子材料と共に注入口を封止する封止剤に前記紫外線を照射することによって、前記強誘電性液晶の単安定化と共に前記注入口を封止する封止剤の硬化を行うことを特徴とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置において直流の電圧を印加して液晶分子を単安定化をする液晶表示装置の製造方法を示す。特にスメクチック液晶のような層構造を有する液晶を単安定化する液晶表示装置の製造方法を示す。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は薄型、軽量、低消費電力という利点がある。液晶表示装置はポータブルテレビ、壁かけテレビなど動画レベルの高速応答が要求される分野にも用いられている。また大画面表示ができることから、５０インチリアプロジェクターなどプロジェクターパネルの要求も高まっている。
【０００３】
液晶配向モードとして４〜５μｍくらいのセルギャップのＴＮ（Twisted Nematic）モードが配向制御の容易性から汎用されている。ただしＴＮモードは白レベルに近い中間調表示の応答速度が遅く、高速の動画表示をした場合に液晶の応答がついていけずフリッカーとなって見えてしまう。
【０００４】
フリッカーとは、液晶の応答速度の遅い中間調において画像が切り替わる速さに液晶の応答が追随できず、映像信号の階調と異なる階調が画面に現われてちらつきとなって見える現象をいう。表示される物体が高速で動くときに、文体の輪郭の部分は、前画面と切り替わった画面とで表示階調が大きく変わる。このため、輪郭の部分でこのようなフリッカーが見られやすい。
【０００５】
ネマチック液晶に変わる材料として自発分極を有する液晶があり、自発分極と電界の相互作用でスイッチングするためマイクロ秒レベルの高速応答ができる。自発分極を有するスメクチック液晶は、ヒステリシスが大きい。、急峻なしきい値特性を利用して単純マトリクス方式の液晶表示装置に用いられている。
【０００６】
自発分極を有する液晶のうち、強誘電性液晶は、セルギャップを薄くすることにより、電圧―透過率特性においてヒステリシスを示し、メモリー性を有する双安定な材料であることが知られている。従来これらの特性を利用して、単純マトリクス方式の液晶表示装置に実用化された。
【０００７】
しかし、このメモリー性を有するモードで映像を表示する場合は、光のオン、オフの二状態で映像を表現する必要がある。グレースケール等の中間調を実現するためには、表示時間を変化させて濃淡を制御する必要があった。
【０００８】
この制御をするためには、映像信号の複雑なソフトウェアによる処理と、複雑なハードウェアの大規模な回路が要求される。さらに、観察者の瞬きや、動作に依存して見える擬似輪郭や色割れ等の時間階調独自の表示上の問題に対する対策にもソフトウェアやハードウェアに多大な工数を必要とする。このように実際のパネル以外に、周辺回路においても、コストや設計に大きな負担がある。
【０００９】
さらに、上記の方法で高速で動く液晶を使用しても、中間調実現のため、光の点灯期間の制御に、多数のサブフィールドを必要とし、映像を表示する上では十分にその特性を活かしきれない状況であった。
【００１０】
このため、高速応答可能な液晶にアナログ値の電圧を印加することにより、表示させる手段の実現が試みられている。
【００１１】
アナログ階調できるスメクチック液晶として、最近は、強誘電性液晶を液晶性の高分子で単安定化して、ヒステリシスのない特性を得た高分子安定化強誘電性液晶（Polymer Stabilized Ferroelectrics Liquid Crystal ; PS FLC）の開発が進められている。高分子安定化強誘電性液晶は液晶性の高分子を少量（２ｗｔ．％）添加した強誘電性液晶を液晶パネルに注入し、液晶パネル全面に紫外線を照射しながら１〜１５Ｖ程度の直流電圧を印加することで、強誘電性液晶が持つヒステリシス特性が抑制されアナログ階調を有する特性が得られる。
【００１２】
なお、高分子安定化とは、液晶、液晶性の高分子などに光や熱を加えて、液晶性の高分子を重合反応させる処理をいう。また、単安定化とは、強誘電性液晶で見られる双安定な状態やヒステリシスを消失させて、電界により透過率が一義的に定まるアナログ特性を得る処理をいう。単一極性の電圧を印加しながら高分子安定化をすると、双安定を示す強誘電性液晶の一方の配向状態が強く安定化され、単安定な状態が実現されると考えられている（月刊  FPD Intelligence 1999.2  ｐ78〜82）
【００１３】
図２４（Ａ）は双安定な強誘電性液晶の電圧―透過率特性であり、図２４（Ｂ）は単安定な強誘電性液晶の特性である。横軸は電圧をしめし、縦軸は透過率をしめす。双安定な強誘電性液晶は、電場印加で形成された自発分極の配向方位が一様に揃った配列状態がメモリーされるためヒステリシスが大きい。単安定な強誘電性液晶は、メモリー性やヒステリシスが消失し電圧を印加すると徐々に透過率が増加するアナログ特性が実現される。
【００１４】
図２３は単純マトリクス型の液晶表示装置の上面図を示す。単純マトリクス型の液晶表示装置は、走査線（Ｙ1〜Ｙ8）を行方向にストライプ状に並べた基板と、信号線（Ｘ1〜Ｘ8）を列方向にストライプ状に並べた基板とを信号線と走査線とが直交するように貼り合わせ、基板間に液晶を詰めることによって構成される。
【００１５】
高分子安定化強誘電性液晶は、図２３のように縦方向に８列にパターニングされた透明電極と、横方向に８行にパターニングされた透明電極よりなる液晶表示装置において、フィールドシーケンシャル方式での駆動が達成されており、高速応答が可能な配向方式として期待されている（半導体産業新聞主催  ｓｅｍｉｃｏｎ−ｎｅｗｓ  ＦＯＲＵＭ２１  予稿集  ｐ7〜１３  講演日2000年2月24日）。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
図２３のような単純マトリクス型の液晶表示装置において、単安定化処理をする場合、矩形にパターニングされた導電膜の間に直流電源により直流電圧を印加して、液晶分子の配向軸を一方向に揃える。
【００１７】
しかし、単純マトリクス型の液晶表示装置においては、走査線の行数が増すと表示のコントラストが著しく低下する問題がある。最近は高精細、高コントラストを実現可能なアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、アナログ信号を印加して映像を制御し、表示性能の良い画質を得ることが実現されている。
【００１８】
しかし、アクティブマトリクス型の液晶表示装置においてはもともと交流駆動を主眼において回路設計がされており、直流電源あるいは直流電圧により高分子安定化処理をする方法は提案されていなかった。
【００１９】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、画素電極が画素ＴＦＴを介して独立しているため、外部より単安定化に必要な信号を、直接、画素電極に印加することができない。
【００２０】
従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、簡便な手法で、長期に渡って単一極性の電圧を液晶に印加して高分子安定化処理をする手法が求められている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、液晶及び重合剤を添加した高分子材料の混合物に電界を印加しながら、エネルギーを加えて重合剤を化学反応により硬化するさいの手段を開示するものである。
【００２２】
エネルギーを加える方法は、光照射、加熱等がある。光重合剤を高分子材料に添加したときは、光照射により重合剤を化学反応させれば良い。ｉ線、ｇ線、ｈ線を吸収する材料では、紫外線を重合剤に照射し光反応を開始することができる。熱重合剤を高分子材料に添加したときは、加熱により熱重合剤の化学反応を開始させる。
【００２３】
まず重合剤を添加した高分子材料について説明すると、添加した重合剤が光重合性あるいは熱重合性がある場合、光や熱によるエネルギーにより架橋反応をして、液晶の配向を安定化する。これによりエネルギーを加える前に比べて異なる特性（たとえばしきい値特性）を持つ液晶の特性が得られる。高分子材料としては液晶性の高分子を用いてもよい。
【００２４】
高分子材料として液晶性の高分子を用いると、添加された重合剤にエネルギーを加えることで、液晶性の高分子の架橋反応が起こる。架橋した液晶性の高分子の側鎖に沿って液晶が配向して、安定な配向を得る。双安定な液晶の配向が一方向で安定化されると、エネルギーを加える前に比べて、液晶のしきい値特性、応答時間などが変わる。
【００２５】
液晶は例えば、山口東京理科大学で研究されているようにスメクチック液晶例えば、強誘電性液晶を用いることができる（半導体産業新聞主催  ｓｅｍｉｃｏｎ−ｎｅｗｓ  ＦＯＲＵＭ２１  予稿集  ｐ7〜１３  講演日2000年2月24日）。
【００２６】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置では液晶層に印加できる電圧の値に上限ができるが、本発明によれば交流駆動を主眼において設計したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の回路においても、液晶に直流電圧をかけることが可能となる。
【００２７】
本発明は、図１０のように基板５０８に形成された透明導電膜５１０と基板４００に形成された導電性のシート３００により、液晶及び高分子材料の混合物に電界を印加し、同時に、液晶及び高分子材料の混合物にエネルギーを加えることを特徴とする。直流電源を用いて電界を印加すれば直流電圧を印加することができる。
【００２８】
図１０は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素部及び端子部の断面図を示す。図１０の構成を用いれば液晶層に任意の大きさの電圧を印加することができる。基板４００のＴＦＴが設けられている面と反対側の面に設けられている導電性のシート（導電膜）と、ＴＦＴに液晶を挟んで対向している透明導電膜（対向電極）とを用いて前記液晶に電界を印加する構成のため、従来の液晶表示装置をそのまま用いて液晶に直流電圧を印加することができる。ただし、図１０の構成では任意の直流電圧を液晶層に印加できるが、反面、素子基板を介して液晶層に電圧を印加するため、液晶層に所定の電圧を供給するには、高電圧を印加する必要がある。このため、これを供給するための直流高電圧電源等の装置も要する。
【００２９】
また、本発明は図６に示すように素子基板の基板４００に導電性の膜２００を形成し、その後で素子を形成することを特徴とする。対向基板の基板５０８に形成された透明導電膜５１０と導電性の膜２００により液晶及び高分子材料の混合物に電界を印加し、同時に、液晶及び高分子材料の混合物にエネルギーを加えることができる。直流電源を用いれば前記混合物に印加する電圧を直流電圧とすることができる。
【００３０】
図６にアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素部及び端子部の断面図を示す。図６の構成を用いれば液晶層に任意の電圧を印加することができる。また、導電性の膜２００と透明導電膜５１０（対向電極）とで、第１の層間膜４５７や第２の層間膜４５８等を介して液晶層に電圧を印加するため、直流電圧を印加する直流電源の値はそれほど大きくなくても良い。反面、液晶層に直流電圧を印加する一方の電極は、素子基板の基板４００上に設けられた導電性の膜２００であり、導電性の膜の上方にＴＦＴを形成するため、ＴＦＴを形成する工程の温度が導電性の膜の耐熱性によって制限される。
【００３１】
また、本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、図２のように連続する複数のフレームにおいて同極性の電圧を画素電極に印加しながら、液晶を所定の位置に応答させた後に、保持容量により液晶層にかかる電圧を保持しながら、液晶及び高分子材料の混合物にエネルギーを加えることを特徴とする。これにより液晶層に直流電源により電圧を加えたことと同じ効果が得られる。
【００３２】
図２は、液晶表示装置を、線順次駆動で動作させた場合のタイミングチャートと液晶層の光学応答を示す。図２には、液晶表示装置に入力される外部信号、液晶表示装置の画素部に入力される信号、画素部の画素に印加される電圧が図示されている。外部信号としてゲートスタートパルス１０３、ゲートクロックパルス１０４が、画素部に入力される信号としてソースドライバ出力１１２、ゲートパルス１０６が、画素部の画素に印加される電圧としてゲートラインｇ1〜ｇnに接続した画素の電位がしめされている。
【００３３】
図２の構成は、従来の液晶表示装置において外部から入力する信号をかえることで、液晶層を単安定化することができる。ソース配線に出力される信号が複数のフレームに渡って同極性になるように外部信号を定める必要があるが、反面、対向基板上の透明導電膜（画素電極と対になる電極）と素子基板の画素電極とで、液晶層に直流の電圧を長期に渡って印加できるため、直流電圧を印加するための直流電源の値はそれほど大きくなくても良い。外部信号の設定さえ変えれば、従来の液晶表示装置や、従来の液晶表示装置の駆動回路で液晶層に直流電圧を印加することができる。
【００３４】
さらに、本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、図１のように連続する複数のフレームにおいて、外部からゲートドライバーに入力するゲートスタートパルス１１４を一定のレベルに保持し、液晶層と保持容量に、常時、電荷を供給できる状態にする。これにより保持容量等の電流のリークがあったとしても、液晶層にかかる電圧の変動を防ぐことができる。そして、同極性の電圧を画素電極に印加しながら、液晶及び高分子材料の混合物にエネルギーを加えることを特徴とする。これにより液晶層に直流電源により電圧を加えたことと同じ効果が得られる。
【００３５】
図１は、液晶表示装置を、線順次駆動で動作させた場合のタイミングチャートと液晶層の光学応答を示す。図１には、液晶表示装置に入力される外部信号、液晶表示装置の画素部に入力される信号、画素に入力される信号が図示されている。図２と異なるのは、外部信号として液晶表示装置に入力されるゲートスタートパルス１１４と、画素部に入力されるゲートパルス１１５と、ゲートラインｇ1〜ｇnに接続した画素の電位とである。
【００３６】
図１の構成は、外部信号のうち、ゲートスタートパルスを図２に対して変更する必要がある。ただし、図２の構成と同様に、従来の液晶表示装置や従来の液晶表示装置の駆動回路の構成で液晶に直流電圧を印加することができる。
【００３７】
本発明の各構成の利点と欠点とを比較したが、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において液晶に直流電圧を印加する方法として、より汎用性のある方法は、図１〜図２のように液晶表示装置の構成は従来のまま、液晶表示装置に入力する外部信号を適切にする方法である。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明は第一〜第四の手段が適用できる。以下に詳細を説明する。
【００３９】
［参考形態１］参考形態１に第１の手段を開示する。
【００４０】
第一の手段を以下に示す。図２は線順次駆動のタイミングチャートと液晶層の光学応答を示す。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は行方向にｎ行設けられたゲート配線と列方向にｍ行設けられたソース配線を含む。
【００４１】
図２５に画素部６００の回路を示す。画素部は、各画素６０１毎に画素ＴＦＴ６０２、保持容量６０４、液晶セル６０３を有する。液晶セルは二つの電極に配向膜を介して液晶層が挟まれた構成のセルである。画素ＴＦＴのゲート電極はｇ1〜ｇnのアドレスを有するゲート配線６０５のいずれか一つと接続される。画素ＴＦＴのソースとドレインとは、一方がｓ1〜ｓnのアドレスを有するソース配線６０６のいずれか一つと接続され、もう一方が保持容量の一方の電極及び液晶セルに接続されている。
【００４２】
液晶表示装置の素子基板は画素部と画素部の周辺に設けられた駆動回路部とを有する。
【００４３】
駆動回路部は、駆動回路ＴＦＴを組み合わせたＣＭＯＳ回路を基本回路とする。外部信号はゲートパルス、ゲートクロックパルスなどがゲートドライバーへ入力され、原画信号、水平同期信号、分割クロックなどがソースドライバーへ入力される。これらの信号により原画信号が選択・保持されて所定の画素に印加される。
【００４４】
図３はゲートドライバの動作を説明するブロック図である。外部からゲートドライバ１０１に入力する信号のうち、ゲートスタートパルス１０３は、原画信号の１画面の始まりのポイントを示す垂直同期信号である。ゲートクロックパルス１０４はシフトレジスタ１０２のクロックであり、ゲートスタートパルス１０３をシフトする。
【００４５】
シフトレジスタ１０２に入力したゲートスタートパルス１０３とゲートクロックパルス１０４とに基づいて選択パルスが形成される。選択パルスは、そのパルス幅により、所定の行のゲート配線に供給され画素ＴＦＴのソース、ドレイン間を導通状態とする期間を決める。
【００４６】
この選択パルスは、レベルシフタ１０５を介して画素ＴＦＴを導通状態にするために必要な電圧に変換される。このパルスをゲートパルス１０６と呼ぶ。ゲートパルスは、ｇ1〜ｇnのアドレスを有するゲート配線に出力される。
【００４７】
図２と図３により、ゲートドライバーの動作を説明する。図３のように外部信号としてゲートスタートパルス１０３とゲートクロックパルス１０４がゲートドライバー１０１のシフトレジスタ１０２に入力される。図２のようにゲートスタートパルス１０３は画面を表示する一フレームの始まりに所定の振幅のパルスを持つ。ゲートクロックパルス１０４は一行（ゲート配線）ごとの区切りに所定の振幅のパルスを持つ。選択パルス（図示しない）はゲートクロックパルス１０４のパルス間の周期１１５と同じ期間に一本のゲート配線を選択するように指定する。
【００４８】
そして、シフトレジスタに接続したレベルシフタ１０５により、選択パルスの電圧レベルが変換されて、ＴＦＴ素子の活性層をスイッチングするのに十分な電圧がゲートパルス１０６としてゲート配線に与えられる。ゲートパルスにより、画面の一番上から順次ゲート配線が選択される。
【００４９】
ゲートスタートパルス１０３が一フレームの始まりにおいて、所定の期間しか出力されない場合、一本のゲート配線を選択する期間１１４はゲートクロックパルスが出力される周期１１５と等しくなる。
【００５０】
図４はソースドライバーのブロック図である。分割クロック１１７と水平同期信号１１８とがシフトレジスタ１０８に入力し、シフトレジスタは原画信号から１行あたりの画素に印加すべき信号を正しく取り出すためのサンプリング信号１１９（C1〜Cm）を発生する。
【００５１】
サンプリング信号によって選択された原画信号１０９は、１行分の画素データとなり、転送信号（ＴＲ）１２０により、ホールド回路１１１に転送される。
【００５２】
ホールド回路１１１には、各画素に印加されるべき電圧が保持されることになり、ゲートパルスによって画素ＴＦＴが導通状態になると、保持されたレベルに等しい電圧がソース配線に出力される。このソースドライバーからソース配線に出力される信号を便宜的にソースドライバー出力１１２と称する。
【００５３】
図４により、ソースドライバー１０７の動作を説明する。ソースドライバーのシフトレジスタ１０８ではサンプリング信号（C1〜Cm）により、原画信号１０９をゲート配線一本分毎のデータに分割する。分割されたデータはサンプリング回路１１０に保持される。一定の間データが保持された後に、転送信号（TR）が入力されて、ホールド回路１１１に分割されたデータが保持される。そして、ゲートパルスに同期して、各々のソース配線にソースドライバー出力１１２（S1〜Sm）が出力される。ソースドライバー出力１１２（S1〜Sm）として、一行分のデータを同時に出力するものを線順次駆動という。
【００５４】
図２のようにソースドライバー出力１１２に対応した電圧が画素電極に印加される。ソースドライバー出力を＋５Ｖとして線順次駆動をしたときの液晶層に印加される電圧１１３を示す。画素内のすべてのソースドライバー出力を＋５Ｖとしているため選択されたゲート配線の画素は全て一定の電位となる。
【００５５】
ゲート配線が選択された期間１１４には、導通状態になった画素ＴＦＴに接続した液晶セル及び保持容量に、ソースドライバー出力に応じた電位差を生じさせるための電荷が供給される。また、強誘電性液晶の自発分極が反転しても、自発分極の反転による電圧降下を補うだけの電荷が液晶セルに供給される。このため、この期間は液晶セル及び保持容量の電位は一定に保持される。
【００５６】
ゲート選択期間１１４終了後に、強誘電性液晶の自発分極の反転による電圧降下が起こり、液晶層に印加される電圧が低下する。この場合は、数フレームにわたり同極性の電位を画素電極に与えることにより、液晶を応答させる。
【００５７】
所定の時間にわたり同極性の電位を画素電極に与え液晶を累積応答させると、液晶の自発分極の反転が完了し、液晶の配向方向が一様に定まる。すると、自発分極の反転による電荷の消費がなくなり、液晶セルの電位及び保持容量の電位がゲート配線を選択する期間とゲート配線を選択する期間が終了した後とでほとんど同じになる。
【００５８】
累積応答させることで最終的に液晶層及び保持容量の電位が＋５Ｖとなる。そして、自発分極の反転が終了した段階で紫外線を照射して強誘電性液晶の単安定化を行えば良い。
【００５９】
図５のフローチャートに工程の順序を示す。配向膜形成（１）〜液晶パネル注入口の封止（３）が終了する。そして、フレキシブルプリント配線板を異方性導電膜により貼りつけ（１０）た後に、液晶表示装置を駆動しながら、液晶に電圧を印加し（１１）、液晶の応答が完了したら、電位を保持容量により保持したまま、紫外線照射（１２）により強誘電性液晶を単安定化する。
【００６０】
つまり、ラビングされた配向膜を有する素子基板及び対向基板は、配向膜が形成された面を向かい合うように貼り合わせられ、シール剤を硬化することによって接着された後、個々のパネルへ分断される。素子基板と対向基板との間には液晶材料が注入され、注入口が封止剤により封止され、外部端子上にＦＰＣ（Flexible Print Circuit：フレキシブルプリント配線板）が貼りつけられる。このように形成された液晶表示装置に、フレキシブルプリント配線板を介して外部信号を入力して液晶に電圧を印加して、強誘電性液晶を単安定化する。
【００６１】
［参考形態２］参考形態２に第１の手段を開示する。
【００６２】
本発明の第二の手段は、第一の手段を発展させたものである。
【００６３】
アクティブマトリクス表示装置でも保持容量を有しないものもある。また、開口率との兼ね合いで、十分にその容量が確保できない場合もある。このような場合の液晶の単安定化方法を提案する。
【００６４】
図２のように、線順次駆動ではゲート配線を選択している期間１１４だけ、電荷が液晶層に充電される。しかし、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では液晶層の電圧保持率が悪いとき、あるいは保持容量の電流のリークにより、液晶層にかかる電圧が変動する。これにより高分子安定化するさいの電圧が変動してしまう。
【００６５】
ゲート配線が選択されている期間は画素ＴＦＴが導通状態になり、ソース配線から、画素ＴＦＴを介して保持容量や液晶セルへ電荷が供給されている。このため、保持容量の電流のリークなどによって電荷が消費されても、消費された電荷を補うだけの電荷が画素ＴＦＴを介して供給されて、保持容量及び液晶セルの電位は一定となる。
【００６６】
しかし、保持容量を有しない構成や、保持容量が十分に確保できない場合は、ゲート配線の非選択期間において、画素ＴＦＴのオフリーク特性、液晶層の電流リークなどで、画素の液晶に印加される電位が変動してしまう。
【００６７】
この状態で高分子安定化処理をすると、高分子安定化後の液晶の配向が不安定になる恐れが生じる。
【００６８】
しかし、第二の手段によれば、保持容量や液晶層の電流のリークがあっても、一定の電圧を液晶層に印加することができる。
【００６９】
図１に線順次駆動のタイミングチャートと液晶層に印加される電圧を示す。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は行方向に設けられたゲート配線と列方向に設けられたソース配線とを含むものである。図１において図２と同じ要素は同じ符号で示す。
【００７０】
図２と異なる点を詳しく説明すると、強誘電性液晶を高分子安定化するさいにゲートスタートパルス１１４を、常時、一定のレベルで出力する。これによりゲートパルス１１５が高分子安定化するさいに常に選択されることになり、高分子安定化処理をしているときに、液晶層と保持容量とにずっと電荷を供給することができる。
【００７１】
ゲートスタートパルス１１４が複数のフレームに渡って一定の電圧で出力されると、ゲートクロックパルス１０４のパルスの周期に関わらず、ゲートパルス１１５が複数のフレームに渡って一定の電圧レベルに保持されるため、常時、ゲート配線が選択された状態になり、一定の原画信号を供給することにより、全ての画素ＴＦＴが複数のフレームに渡って導通状態にとなり、画素部の液晶には同一レベルの電圧が定常的に印加できる。
【００７２】
これにより、高分子安定化するさいの電流リークにより、液晶層の電位が変動することを抑えて、液晶層に対し一定の電圧をかけることができる。
【００７３】
液晶層に印加される電圧１１６を見ると、電荷が常時保持容量と液晶層とに充電されているため、電位が安定している。
【００７４】
図５のフローチャートに工程を示す。配向膜形成（１）〜液晶パネル注入口の封止（９）が終了し、フレキシブルプリント配線板を異方性導電膜により貼りつけ（１０）た後に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を駆動し、液晶に一定の電位を印加（１１）しながら、紫外線を照射（１２）して強誘電性液晶を単安定化する。
【００７５】
ラビングされた配向膜を有する素子基板及び対向基板は、配向膜が形成された面を向かい合うように貼り合わせられ、シール剤を硬化することによって素子基板と対向基板とを接着した後、個々のパネルへ分断される。素子基板と対向基板との間には強誘電性液晶や液晶性の高分子などの液晶材料が注入され、注入口が封止剤により封止され、外部端子上にＦＰＣ（Flexible Print Circuit：フレキシブルプリント配線板）が貼りつけられる。このように形成された液晶表示装置に、ＦＰＣを介して外部端子から信号を入力して、所定の画素部の液晶に一定電圧を印加し、紫外線を照射しながら、強誘電性液晶を単安定化する。
【００７６】
外部信号としてＦＰＣから液晶表示装置に入力されるゲートスタートパルスは一定の電圧値を保つ。これにより、ゲート配線に入力されるゲートパルスが複数のフレームに渡って一定の電圧を保ち、画素ＴＦＴが複数のフレームに渡って導通状態になる。すると、電流のリークや液晶の不純物イオンの移動に伴なう微弱な電位の変動を補うだけの電荷を常時液晶セルに供給し、単安定化のさいの液晶に印加される電圧の値を一定にすることができる。
【００７７】
［実施形態１］本実施形態では第三の手段を用いて強誘電性液晶を高分子安定化する。
【００７８】
第三の手段は、アクティブマトリクス基板上に単安定化用の電極を追加する。つまり、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では素子の耐電圧から高分子安定化処理するときに印加することができる直流電圧の値の絶対値が５〜７Ｖくらいであり、高分子安定化処理をするさいの直流電圧の最大値が限られる。しかし、第三の手段によれば、直流電圧値の制限がなく、液晶層に電圧を印加することができる。
【００７９】
第三の手段の作製工程を図６〜９及び図１４により説明する。図６の鎖線Ｃ−Ｃ’は図１４の上面図の鎖線Ｃ−Ｃ’で切断した断面に相当する。図６と図７の鎖線Ｂ−Ｂ’は図８の上面図を鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面に相当する。図６〜８と図１４において同じ要素を同じ数字で示す。高分子安定化するさいの工程の順序を図９に示す。図６〜８の素子基板の作製工程の詳細は実施例においてする。
【００８０】
図１４は液晶表示装置の上面図である。対向基板には透明導電膜５１０と遮光膜５０９とが形成されている。対向基板のコモンパッド５２０は透明導電膜５１０と遮光膜５０９との積層構造である。素子基板にはゲートドライバー５２１とソースドライバー５２２とが形成されている。素子基板と対向基板はシール剤５１３により貼り合わせられている。フレキシブルプリント配線板５１９が素子基板に接着されている。
【００８１】
コモンパッドとは、素子基板と対向基板とを導電性材料を介して導通させるためのパッドであり、１００μｍ〜１０００μｍ角の大きさを有する。
【００８２】
図６のように素子基板の基板４００に導電性の膜２００が形成されていることが第三の手段の特徴である。導電性の膜２００は例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を用いることができる。
【００８３】
導電性の膜２００の上に、比誘電率の低い膜２０１として二酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜を１〜６μｍ形成して、素子の配線と導電性の膜２００との間でできる寄生容量を低減する。
【００８４】
下地膜４０１により、ガラス基板から流出するアルカリ金属等の不純物が半導体層を汚染しないようにする。下地膜は窒化珪素、二酸化珪素等を用いることができる。例えば窒化珪素膜（ＳｉＮ）膜を１０〜１００ｎｍの厚さで形成する。
【００８５】
さらに、半導体層４０５、ゲート絶縁膜４３２、ゲート電極４３６、容量電極４３７、第一の層間膜４５７、第二の層間膜４５８、ソース配線４６５、画素電極４６７を形成し、素子基板ができる。素子基板にはさらに、フレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が形成されている。液晶表示装置が透過型のときは、画素電極４６７は透明導電膜からなる。反射型のときは、画素電極は光を反射する機能を有する導電性の薄膜からなる。
【００８６】
対向基板の基板５０８には遮光膜５０９が形成されている。遮光膜はクロム等を用いることができる。
【００８７】
遮光膜５０９上に透明導電膜５１０が形成されている。透明導電膜は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を用いることができる。
【００８８】
素子基板と対向基板には配向膜５１１、５１２が形成されている。強誘電性液晶を良好に配向させるには、配向膜は表面平坦性が良く、プレチルト角の低い材料が良い。画像を表示するさいに、配向膜による電圧損失を抑えるために、配向膜の膜厚は３０ｎｍ〜８０ｎｍが良い。
【００８９】
配向膜５１１、５１２をラビングする。ラビング方向がパラレルになるようにする。
【００９０】
導電性ペーストを対向基板のコモンパッドに形成する。導電性ペーストはシール剤５１５に導電性のスペーサ５１６を混入したものである。導電性のスペーサは粒子状のスペーサの表面に金の粉末をコーティングしたものである。導電性のペーストにより対向基板の透明導電膜５１０とフレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が電気的に接続する。
【００９１】
導電性ペーストは主材としてシール剤５１５が使われているが、シール剤は材料によっては、２．５μｍ程度しか圧縮できないものがある。強誘電性液晶の配向に必要な１〜２μｍのセルギャップを形成することが困難である。このため、導電性ペーストが形成される領域は比誘電率の低い膜２０１あるいは第二の層間膜４５８をエッチングにより取り除き、画素部のセルギャップを小さくできるようにすると良い。
【００９２】
シール剤５１３により対向基板と素子基板が貼り合わせられる。シール剤５１３が形成される領域では比誘電率の低い膜２０１あるいは第二の層間膜４５８をエッチングにより取り除き、画素部のセルギャップを小さくできるようにすると良い。
【００９３】
対向基板と素子基板を分断する。
【００９４】
液晶材料５１４を等方相まで加熱し、注入をする。液晶パネル全面に液晶材料が注入されたことを確認し、０．０１〜３℃／ｍｉｎで室温まで徐冷する。徐冷により良好な配向が得られる。
【００９５】
液晶材料５１４は強誘電性液晶と液晶性の高分子と重合開始剤の混合物を用いる。例えば、強誘電性液晶として、クラリアント社製のＦｅｌｉｘ  Ｍ４８５１／１００を用いる。液晶性の高分子として、大日本インキ化学社製の液晶性アクリレートモノマーＵＣＬ−００１に重合開始剤を２〜３ｗｔ.％添加したものを用いる。この液晶性アクリレートモノマーは強誘電性液晶に少量（２ｗｔ．％）加える。
【００９６】
異方性導電膜５１９により、フレキシブルプリント配線板５１８がリード線５１７に接着される。これにより、フレキシブルプリント配線板５１８と導電性の膜２００の間に直流電圧を印加して液晶材料５１４を高分子安定化処理をすることができる。
【００９７】
対向基板の透明導電膜５１０は、導電性スペーサー５１６を介して素子基板のリード線５１７に接続している。このため、素子基板のリード線５１７に異方性導電膜を介して接続するフレキシブルプリント配線板と、素子基板の基板上の導電性の膜２００とに単一極性の電圧を印加することで、液晶層に電圧が印加され、単一極性で高分子安定化処理ができる。
【００９８】
直流電圧を印加する装置は、例えばウエーブテック社製のファンクションジェネーター“ＭＯＤＥＬ２７５”を用いれば良い。
【００９９】
導電性の膜２００と、対向基板に成膜された透明導電膜５１０の間に直流電圧が印加される。電源の直流電圧の値は、液晶材料の比誘電率、素子基板の層間膜の膜厚及び液晶層に印加したい電圧により変化する。層間膜の膜厚、セルギャップ等を考慮して電源の直流電圧の値を決める。
【０１００】
図７のように、ポリシリコンをスイッチング素子の半導体層に用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、ポリシリコンの移動度の高さから、駆動回路部５０６と画素部５０７とを同一基板上に形成することができる。
【０１０１】
このような液晶表示装置では、対向基板に透明導電膜５１０を形成するさいに、駆動回路部に寄生容量がつかないように、駆動回路部の上方にある透明導電膜５１０はエッチングにより除去すると良い。
【０１０２】
また、導電性の膜２００は駆動回路部においては除去し、寄生容量が形成されないようにすると良い。
【０１０３】
本実施形態によれば、液晶層に単一極性の電圧を印加するときに、一方の電極を対向基板に設けられた透明導電膜５１０とし、他方の電極を素子基板上に設けられた導電性の膜２００とし、二つの電極の間で液晶に単一極性の電圧を印加することができる。画素ＴＦＴを用いないで液晶に単一極性の電圧を印加するため、電圧の絶対値は自由に変えることができる。
【０１０４】
本実施例によれば、注入口を封止する紫外線硬化型の封止剤と液晶材料とに紫外線を一括して照射して、封止剤の光硬化処理と液晶材料の高分子安定化処理とを同時に行う。高分子安定化処理工程で初めて液晶材料が紫外線に曝されるため、良好な高分子安定化処理をすることができる。
【０１０５】
［実施形態２］実施形態２は、第四の手段を用いて高分子安定化処理をするものである。
【０１０６】
ここで、第三の手段は素子基板に形成される導電性の膜２００の耐熱性により素子を形成するときの工程の温度に上限ができてしまう。第四の手段によれば素子基板の工程温度を任意に設定することができる。
【０１０７】
第四の手段を図１０〜１４により説明する。図１０の鎖線Ａ−Ａ’は図１４の上面図の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面に相当する。図１０と図１１の鎖線Ｄ−Ｄ’と鎖線Ｅ−Ｅ’は図１２の上面図の鎖線Ｄ−Ｄ’と鎖線Ｅ−Ｅ’で切断した断面に相当する。図１０〜１２と図１４において同じ要素を同じ数字で示す。図１３は高分子安定化するさいのフローチャートを示す。図１０〜１４の素子基板、液晶表示装置の作製工程は実施例で詳細に示す。
【０１０８】
図１０のように素子基板には第１の半導体層４８４、第２の半導体層４９１、ゲート絶縁膜４３２、容量電極を兼ねるゲート電極４８５、第一の層間膜４７２、第二の層間膜４７３、ソース配線４８３、画素電極４８２が形成されている。素子基板にはさらに、フレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が形成されている。液晶表示装置が透過型のときは、画素電極４８２は透明導電膜からなる。反射型のときは、画素電極４８２は光を反射する機能を有する導電性の薄膜からなる。
【０１０９】
対向基板の基板５０８には遮光膜５０９が形成されている。遮光膜はクロム等を用いることができる。
【０１１０】
遮光膜５０９上に透明導電膜５１０が形成されている。透明導電膜は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜を用いることができる。
【０１１１】
素子基板と対向基板には配向膜５１１、５１２が形成されている。ラビングにより液晶がパラレル配向となるようにする。
【０１１２】
導電性ペーストを対向基板のコモンパッド５２０に形成する。導電性ペーストはシール剤５１５に導電性のスペーサ５１６を混入したものである。導電性のスペーサは粒子状のスペーサの表面に金の粉末をコーティングしたものである。導電性のペーストにより対向基板の透明導電膜５１０とフレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が電気的に接続する。
【０１１３】
導電性ペーストにシール剤５１５が使われているが、シール剤は材料によっては、２．５μｍ程度しか圧縮できないものがあり、強誘電性液晶の配向に必要な１〜２μｍのセルギャップを形成することが困難である。このため、第一の層間膜４７２と第二の層間膜４７３を導電性ペーストが形成される領域はエッチングにより取り除き、画素部のセルギャップを小さくできるようにすると良い。
【０１１４】
シール剤５１３により対向基板と素子基板が貼り合わせられる。シール剤５１３が形成される領域では第一の層間膜４７２と第二の層間膜４７３をエッチングにより取り除き、画素部のセルギャップを小さくできるようにすると良い。
【０１１５】
対向基板と素子基板を分断する。
【０１１６】
液晶材料５１４を注入する。液晶材料５１４は強誘電性液晶と液晶性の高分子と重合開始剤の混合物を用いる。例えば、強誘電性液晶として、クラリアント社製のＦｅｌｉｘ  Ｍ４８５１／１００を用いる。液晶性の高分子として、大日本インキ化学社製の液晶性アクリレートモノマーＵＣＬ−００１を用いる。重合開始剤は液晶性アクリレートモノマーに２〜３ｗｔ.％添加する。液晶性アクリレートモノマーは強誘電性液晶に少量（２ｗｔ．％）加える。
【０１１７】
異方性導電膜５１８により、フレキシブルプリント配線板５１９が接着される。導電性のあるシート３００と、フレキシブルプリント配線板を直流電源に接続し、対向基板の基板５０８に成膜された透明導電膜５１０と導電性のあるシート３００の間に直流電圧を印加する。導電性のシート３００は成膜により基板４００に形成しても良い。金属板を基板４００に接するように形成しても良い。導電性を有しかつ粘着性のあるテープを基板４００に形成しても良い。
【０１１８】
導電性を有しかつ粘着性のあるテープは、粘着層と導電層とが積層されてなる導電性のテープを用いることができる。
【０１１９】
電源の直流電圧の値は、液晶材料の比誘電率、素子基板のガラス厚及び液晶層に印加する電圧等により変化する。以下の式で電源の直流電圧値を決める。
【０１２０】
【数１】
0004849733.tif 000002
【０１２１】
数１において、Ｖは電源の直流電圧値、ＶLCは液晶材料に印加する電圧、εrLCは強誘電性液晶の比誘電率、ｄLCはセルギャップ、εrsは素子基板の比誘電率、ｄsは素子基板の厚さを示す。
【０１２２】
セルギャップ２．０μｍ、素子基板のガラスの比誘電率が３．０、液晶層に印加する電圧を５Ｖとする。液晶材料のうち、強誘電性液晶の比誘電率が１０〜３０、素子基板のガラス厚が３００〜１１００μｍとすると、電源の直流電圧の値は２．５〜２７．５ｋＶとなる。電源の直流電圧のうち、ほとんどがガラスに印加される。
【０１２３】
液晶表示装置を薄型にするために、素子基板のガラスをエッチングし、ガラスの厚さを薄くすると、印加する直流電圧値を小さくできる。
【０１２４】
直流電圧を印加しながら、基板全面に対し垂直方向から紫外線を照射すると、強誘電性液晶の単安定化が行われる。
【０１２５】
強誘電性液晶の単安定化終了後に導電性のシート３００を素子基板の基板４００の裏面から剥脱する。
【０１２６】
導電性のシート３００を用いるだけでなく、素子基板の基板４００の裏面に透明導電膜を形成することも可能である。反射型の液晶表示装置ならば、素子基板の裏面に反射機能を有する金属電極を形成しても良い。
【０１２７】
以上の方法で、所望の直流電圧を、所望の領域に印加することが可能である。
素子基板の熱工程の温度に関わらず、本発明を適用できる。
【０１２８】
図１１のように、ポリシリコンをスイッチング素子の半導体層に用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、ポリシリコンの移動度の高さから、駆動回路部５０６と画素部５０７とを同一基板上に形成することができる。
【０１２９】
このような液晶表示装置では、対向基板の基板５０８に透明導電膜５１０を形成するさいに、駆動回路部に寄生容量がつかないように、駆動回路部の上方にある透明導電膜５１０はエッチングにより除去すると良い。
【０１３０】
また高分子安定化をする際に導電性のシート３００は素子基板の基板４００の裏面に、駆動回路部をさけて形成しても良い。
【０１３１】
本実施形態によれば、単一極性の電圧を液晶層に印加する電極は、一方が対向基板の透明導電膜５１０であり、他方が素子基板の裏面に設けられた導電性のシート３００であるため、素子を形成する工程の温度に関わらず、液晶層を単安定化するための電極を設けることができる。
【０１３２】
【参考例】
［参考例１］（反射型の液晶表示装置に用いる素子基板の作製工程の一例）
本発明の参考例を図１５〜図１７と図８を用いて説明する。図１７の断面図の鎖線Ｂ−Ｂ’は図８を鎖線ＢＢ’で切断したものに対応する。ここでは、画素部の画素ＴＦＴおよび保持容量と、表示領域の周辺に設けられる駆動回路のＴＦＴを同時に作製する方法について工程に従って詳細に説明する。
【０１３３】
本参考例では、画素部のスイッチング素子である画素ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動回路（信号線駆動回路、走査線駆動回路等）のＴＦＴを同一基板上に作製する方法について工程に従って説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部にはその基本構成回路であるＣＭＯＳ回路を、画素部の画素ＴＦＴにはｎチャネル型ＴＦＴとを、ある経路に沿った断面により図示することにする。
【０１３４】
まず、図１５（Ａ）に示すように、コーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスから成る基板４００上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜４０１を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜４０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成し、同様にＳｉＨ４、Ｎ２Ｏから作製される酸化窒化水素化シリコン膜４０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本参考例では下地膜４０１を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。
【０１３５】
島状半導体層４０２〜４０５は、非晶質構造を有する半導体層をレーザー結晶化法や公知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体層で形成する。この島状半導体層４０２〜４０５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体層の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
【０１３６】
レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製するには、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザーを用いる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００mJ/cm2(代表的には２００〜３００mJ/cm2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００mJ/cm2(代表的には３５０〜５００mJ/cm2)とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行う。
【０１３７】
次いで、島状半導体層４０２〜４０５を覆うゲート絶縁膜４０７を形成する。ゲート絶縁膜４０７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本参考例では、１２０ｎｍの厚さの酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）とＯ２とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ２で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【０１３８】
そして、ゲート絶縁膜４０７上にゲート電極を形成するための第１の導電膜４０８と第２の導電膜４０９とを形成する。本参考例では、第１の導電膜４０８をＴａＮで５０〜１００ｎｍの厚さに形成し、第２の導電膜４０９をＷで１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。
【０１３９】
Ｗ膜を形成する場合には、Ｗをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その他に６フッ化タングステン（ＷＦ6）を用いる熱ＣＶＤ法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０μΩｃｍを実現することができる。
【０１４０】
なお、本参考例では、第１の導電膜４０８をＴａＮ、第２の導電膜４０９をＷとしたが、いずれもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本参考例以外の組み合わせとしては、第１の導電膜をタンタル（Ｔａ）で形成し、第２の導電膜をＷとする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＡｌとする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＣｕとする組み合わせなどがある。
【０１４１】
次に、レジストによるマスク４１０〜４１５、レジスト４１７を形成し、電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。本参考例ではＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスを混合し、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。エッチングガスを適宜選択することによりＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。
【０１４２】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー部の角度が１５〜４５°のテーパー形状となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０nm程度エッチングされることになる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層４１９〜４２５（第１の導電層４１９ａ〜４２５ａと第２の導電層４１９ｂ〜４２５ｂ）を形成する。４１８はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層４１９〜４２５で覆われない領域は２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０１４３】
そして、第１のドーピング処理を行い、ｎ型を付与する不純物元素を添加する。（図１５（Ｂ））ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここではリン（Ｐ）を用いる。この場合、導電層４１９〜４２３がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域４２７〜４３０が形成される。第１の不純物領域４２７〜４３０には１×１０20〜１×１０21atomic/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。
【０１４４】
次に、図１５（Ｃ）に示すように第２のエッチング処理を行う。ＩＣＰエッチング法を用い、反応性ガスをチャンバーに導入して、コイル型の電極に所定のＲＦ電力(13.56MHz)を供給し、プラズマを生成して行う。基板側（試料ステージ）には低めのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。Ｗ膜を異方性エッチングして第二の形状の導電層４９４〜４９９を得る。
【０１４５】
さらに、図１５（Ｃ）に示すように第２のドーピング処理を行う。この場合、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０13/cm2のドーズ量で行い、図１５（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に新たな不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の形状の導電層４９４〜４９８を不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電層４９４ａ〜４９８ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第１の導電層４９４ａ〜４９８ａと重なる第２の不純物領域６０８〜６１２を形成する。ｎ型を付与する不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０17〜１×１０18 atoms/cm3の濃度となるようにする。
【０１４６】
図１６（Ａ）のように、ゲート絶縁膜４３２をエッチングすることで同時に第１の導電層であるＴａＮがエッチングされて後退するので第三の形状の導電層４３３〜４３８（第１の導電層４３３ａ〜４３８ａと第２の導電層４３３ｂ〜４３８ｂ）を形成する。４３２はゲート絶縁膜であり第３の形状の導電層４３３〜４３８で覆われない領域はさらに２０〜５０nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【０１４７】
図１６（Ａ）において、第１の導電層４３３ａ〜４３７ａと重なる第３の不純物領域４４１〜４４４と、第3の不純物領域の外側にある第４の不純物領域４４６〜４４９が形成される。これにより第３の不純物領域及び第４の不純物領域におけるｎ型を付与する不純物元素の濃度は第２の不純物領域におけるｎ型を付与する不純物元素の濃度とほぼ等しくなる。
【０１４８】
そして、図１６（Ｂ）に示すように、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層４０３に一導電型とは逆の導電型の第５の不純物領域４５５、第６の不純物領域４５６を形成する。第三の形状の導電層４３４を不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、ｎチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層４０２、４０４、４０５はレジストマスク４５１〜４５３で全面を被覆しておく。第５の不純物領域４５５、第６の不純物領域４５６にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンドープ法により、そのいずれの領域においても不純物濃度を２×１０20〜２×１０21atoms/cm3となるようにする。
【０１４９】
以上の工程により、それぞれの島状半導体層に不純物領域が形成される。島状半導体層と重なる導電層４３３〜４３６がＴＦＴのゲート電極として機能する。また、４３７は容量配線、４３８は駆動回路内の配線として機能する。
【０１５０】
容量配線４３７は画素間に渡って形成されるため、島状半導体層４０５と重なり保持容量を形成する領域と、保持容量間を接続する配線として機能する領域とがある。
【０１５１】
こうして導電型の制御を目的として図１６（Ｃ）に示すように、それぞれの島状半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであり、本参考例では５００℃で４時間の熱処理を行う。ただし、４３３〜４３８に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜（シリコンを主成分とする）を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
【０１５２】
さらに、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１５３】
次いで、図１７のように、第１の層間絶縁膜４５７は酸化窒化シリコン膜から１００〜２００ｎｍの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜４５８を形成する。次いで、コンタクトホールを形成するためのエッチング工程を行う。
【０１５４】
そして、駆動回路部において島状半導体層のソース領域とコンタクトを形成するソース配線４５９〜４６１、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線４６２〜４６４を形成する。また、画素部においては、ソース配線４６５、ドレイン電極４６６〜４６７を形成する。ドレイン電極４６６は隣接する画素に形成されたものである。ドレイン電極は反射型の液晶表示装置の画素電極として機能する。図１７の鎖線Ｂ−Ｂ’は図８の上面図の切断線の鎖線Ｂ−Ｂ’と対応している。
【０１５５】
ドレイン電極４６５は画素ＴＦＴの活性層に相当する島状半導体層４０５に、ドレイン電極４６７は保持容量５０５を形成する島状半導体層４０５と電気的な接続が形成される。
【０１５６】
以上のようにして、ｎチャネル型ＴＦＴ５０１、ｐチャネル型ＴＦＴ５０２、ｎチャネル型ＴＦＴ５０３を有する駆動回路部５０６と、画素ＴＦＴ５０４、保持容量５０５とを有する画素部５０７とを同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１５７】
駆動回路部のｎチャネル型ＴＦＴ５０１はチャネル形成領域４６８、ゲート電極を形成する導電層４３３と重なる第３の不純物領域４４１（ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される第４の不純物領域４４６（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域４２７を有している。ｐチャネル型ＴＦＴ５０２にはチャネル形成領域４６９、ゲート電極を形成する導電層４３４と重なる第５の不純物領域４５６、ソース領域またはドレイン領域として機能する第６の不純物領域４５５を有している。ｎチャネル型ＴＦＴ５０３にはチャネル形成領域４７０、ゲート電極を形成する導電層４３５と重なる第３の不純物領域４４３（ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される第４の不純物領域４４８（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域４２９を有している。
【０１５８】
画素部の画素ＴＦＴ５０４にはチャネル形成領域４７１、ゲート電極を形成する導電層４３６と重なる第３の不純物領域４４４（ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される第４の不純物領域４４９（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域４３０を有している。また、保持容量５０５の一方の電極として機能する半導体層４０５にはｎ型を付与する不純物元素が添加されている。容量配線４３７とその間の絶縁層（ゲート絶縁膜と同じ層）とで保持容量を形成している。
【０１５９】
また、本参考例で示す工程に従えば、アクティブマトリクス基板の作製に必要なフォトマスクの数を５枚（島状半導体層パターン、第１配線パターン（ゲート配線、容量電極）、第２配線パターン（ソース配線、ドレイン電極）、コンタクトホールパターン、ｎチャネル領域のマスクパターン）とすることができる。その結果、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まりの向上に寄与することができる。
【０１６０】
図８の画素部の上面図に示すように、強誘電性液晶のような自発分極を有する液晶を駆動するには大きな保持容量が必要となる。本参考例のように反射型の液晶表示装置であれば、開口率を損なうことなく保持容量５０５を大きくとることができる
【０１６１】
［参考例２］（反射型の液晶表示装置に用いる素子基板の作製工程の一例）
本参考例を図１２と図１８により説明する。図１８の鎖線Ｄ−Ｄ’、鎖線Ｅ−Ｅ’は、図１２を鎖線Ｄ−Ｄ’、鎖線Ｅ−Ｅ’で切断した断面を示す。図１８は実施例１の図１５（Ａ）〜図１６（Ｃ）の工程で作製される基板に対し、以下の工程を追加し、作製したものである。図１２の上面図に示す画素部のレイアウトは、参考例１（図８）に比べて、画素電極をソース配線に重なり合うように形成できるため、開口率が高くできる。
【０１６２】
なお、図１６（Ｃ）と異なる点は図１８の断面図に示すようにゲート電極４８５のように一フレームのほとんどで負の電圧を印加する電極を保持容量５０５の第一の電極として用いているため、保持容量の第二の電極として用いる第二の半導体層４９１にｐ型の不純物を付与していることである。
【０１６３】
素子基板の作製工程を図１８の断面図により説明する。まず、第１の層間絶縁膜４７２を酸化窒化シリコン膜で１００〜２００ｎｍの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜４７３を形成する。次いで、コンタクトホールを形成するためのエッチング工程を行う。
【０１６４】
そして、駆動回路部において島状半導体層のソース領域とコンタクトを形成するソース配線４７４〜４７６、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線４７７〜４７９を形成する。
【０１６５】
また、画素部においては、接続電極４８０、ゲート配線４８１、ドレイン電極４８２を形成する。膜厚は０．３μｍ〜０．７５μｍが望ましい。ドレイン電極４８２は反射型の液晶表示装置の画素電極として機能する。
【０１６６】
接続電極４８０は、ソース配線４８３と第一の半導体層４８４と電気的に接続する。図示してはいないが、ゲート配線４８１はゲート電極４８５とコンタクトホールにより電気的に接続する。ドレイン電極４８２は第二の半導体層４９１と電気的に接続し、保持容量５０５の電極として機能させる。
【０１６７】
以上のように図１６（Ｃ）の断面図にて示される素子基板に工程を追加することで、ｎチャネル型ＴＦＴ５０１、ｐチャネル型ＴＦＴ５０２、ｎチャネル型ＴＦＴ５０３を有する駆動回路部と、画素ＴＦＴ５０４、保持容量５０５とを有する画素部を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１６８】
素子基板を図１２の上面図により説明する。図１２に示すように、素子基板は行方向に配置されたゲート配線と、列方向に配置されたソース配線４８３と、ゲート配線とソース配線の交差部近傍の画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。
【０１６９】
ただし、図１２におけるゲート配線は、行方向に配置されたゲート電極４８５とゲート配線４８１が接続したものを指している。また、ゲート配線４８５は第二の層間絶縁膜（図示しない）の上に接して設けられたものである。
【０１７０】
第一の半導体層４８４と第二の半導体層４９１がパターニングされている。第一の半導体層４８４はＴＦＴ素子の活性層である。第二の半導体層４９１は後述する保持容量の容量電極として機能する。
【０１７１】
ゲート絶縁膜（図示しない）に接するように、ソース配線４８３とゲート電極４８５を形成する。
【０１７２】
第一の層間絶縁膜と第二の層間絶縁膜（図示しない）を形成した後、第一の半導体層４８４、第二の半導体層４９１、ソース配線４８３に達するコンタクトホール４８６〜４９０を開ける。次にパターニングにより、接続電極４８０、ドレイン電極４８２、ゲート配線４８５を形成する。
【０１７３】
コンタクトホール４８６とコンタクトホール４８８により、接続電極４８０を介して、第一の半導体層４８４とソース配線４８３が電気的に接続する。
【０１７４】
コンタクトホール４８９により、第一の半導体層４８４とドレイン電極４８２が電気的に接続する。
【０１７５】
コンタクトホール４８７により第二の半導体層４９１とドレイン電極４８２が電気的に接続する。これにより、ドレイン電極４８２は保持容量の電極として機能する第二の半導体層４９１に電位を与える。ゲート電極４８５と第二の半導体層４９１により保持容量ができる。ゲート絶縁膜が保持容量の絶縁膜として機能する。
【０１７６】
コンタクトホール４９０により、ゲート電極４８５とゲート配線４８１が電気的に接続する。
【０１７７】
参考例１と本参考例の素子基板の作製工程によると、図１８、図１２に示す画素構造を有する画素部と、駆動回路とを有する素子基板を形成するために必要なマスク数は５枚でよい。
【０１７８】
即ち、１枚目が、第１の半導体層４８４及び第２の半導体層４９１をパターニングするマスク、２枚目が、ソース配線４８３及びゲート電極４８５をパターニングするマスク、３枚目がｎチャネル領域のマスクパターン、４枚目が第１の半導体層４８４と第２の半導体層４９１とソース配線４８３とゲート電極４８５とにそれぞれ達するコンタクトホールを形成するマスク、５枚目は、接続電極４８０、ドレイン電極４８２、ゲート配線４８１をパターニングするマスクである。
【０１７９】
本参考例は、反射型の液晶表示装置の作製工程を示したものである。上面図の図１２に示すように、ソース配線４８３にドレイン電極の機能を有する画素電極をオーバーラップして形成することができるため、開口率を高くすることができる。かつ、反射型の液晶表示装置は透過型の液晶表示装置に比べ画素電極間の距離が小さくできるため、画素の輪郭が目立たない。
【０１８０】
［参考例３］（透過型の液晶表示装置に用いる素子基板の作製工程の一例）
参考例１〜２で作製したアクティブマトリクス基板はそのまま反射型の液晶表示装置に適用することができる。一方、透過型の液晶表示装置とする場合には画素部の各画素に設ける画素電極を透明電極で形成すれば良い。本参考例では透過型の液晶表示装置に対応するアクティブマトリクス基板の作製方法について図１９を用いて説明する。
【０１８１】
アクティブマトリクス基板は参考例１と同様に作製する。図１９（Ａ）では、ソース配線とドレイン配線は導電性の金属膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成する。これは、Ｔｉ膜を５０〜１５０ｎｍの厚さで形成し、島状半導体層のソースまたはドレイン領域を形成する半導体層とコンタクトを形成し、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム（Ａｌ）を３００〜４００ｎｍの厚さで形成し、さらにＴｉ膜または窒化チタン（ＴｉＮ）膜を１００〜２００ｎｍの厚さで形成して３層構造とした。その後、透明導電膜を全面に形成し、フォトマスクを用いたパターニング処理およびエッチング処理により画素電極４９１を形成する。画素電極４９１は、第２の層間絶縁膜４５８上に形成され、画素ＴＦＴのドレイン配線４９２と重なる部分を設け、接続構造を形成している。隣接する画素の画素電極４９３も図示されている。
【０１８２】
図１９（Ｂ）では最初に第２の層間絶縁膜４５８上に透明導電膜を形成し、パターニング処理およびエッチング処理をして画素電極４９１を形成した後、ドレイン配線４９２を画素電極４９１と重なる部分を設けて形成した例である。ドレイン配線４９２はＴｉ膜を５０〜１５０nmの厚さで形成し、島状半導体層のソースまたはドレイン領域を形成する半導体層とコンタクトを形成し、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム（Ａｌ）を３００〜４００nmの厚さで形成して設ける。この構成にすると、画素電極４９１はドレイン配線４９２を形成するＴｉ膜のみと接触することになる。その結果、透明導電膜材料とＡｌとが反応するのを防止できる。隣接する画素の画素電極４９３も図示されている。
【０１８３】
透明導電膜の材料は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）や酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＳｎＯ2；ＩＴＯ）などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成して用いることができる。このような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特にＩＴＯのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）を用いても良い。酸化インジウム酸化亜鉛合金は表面平滑性に優れ、ＩＴＯに対して熱安定性にも優れているので、ドレイン配線４９２の端面で接触するＡｌとの腐蝕反応を防止できる。同様に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）も適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）などを用いることができる。
【０１８４】
このようにして、透過型の液晶表示装置に対応したアクティブマトリクス基板を完成させることができる。本参考例では、参考例１と同様な工程として説明したが、このような構成は参考例２で示すアクティブマトリクス基板に適用することができる。
【０１８５】
以上のようにして、ｎチャネル型ＴＦＴ５０１、ｐチャネル型ＴＦＴ５０２、ｎチャネル型ＴＦＴ５０３を有する駆動回路部５０６と、画素ＴＦＴ５０４、保持容量５０５を有する画素部５０７とを同一基板上に形成することができる。
【０１８６】
［実施例１］（液晶表示装置の作製方法の一例）
本実施例では参考例２で作製した素子基板を用いて反射型の液晶表示装置を作製する方法を示す。本実施例を図１１を用いて説明する。図１１の断面図の鎖線Ｄ−Ｄ’と鎖線Ｅ−Ｅ’は図１２の上面図を鎖線Ｄ−Ｄ’と鎖線Ｅ−Ｅ’で切断したものを示す。
【０１８７】
図１１の素子基板の基板４００は石英を用いると良い。石英は紫外線の透過率が可視光と同じく９２％にできるため、後述する紫外線照射による単安定化するさいに、照射光の吸収が少ない。
【０１８８】
基板５０８には良質な黒レベルを得るために遮光膜（図示しない）が形成されている。遮光膜はクロム等を用いることができる。
【０１８９】
遮光膜上に透明導電膜５１０が形成されている。透明導電膜はＩＴＯ膜を用いることができる。透明導電膜５１０は画素部に形成されている。強誘電性液晶の配向は透明導電膜５１０の表面平滑性に影響されるので、成膜温度、膜厚、材質をうまく選択する必要がある。以上の構成を対向基板と称する。
【０１９０】
素子基板と対向基板に配向膜５１１、５１２を形成する。日産化学社製の配向膜ＲＮ１２８６を形成し、９０℃で５分間プリベークした後、２５０℃で一時間ポストベークした。ポストベーク後の膜厚は４０ｎｍであった。配向膜の形成方法はフレキソ印刷法あるいはスピナー塗布法で行えば良い。ＲＮ１２８６はシール剤との密着性が悪いため、シール剤が配置される位置は配向膜を除去する。また、素子基板と対向基板を電気的に接続するコンタクトパッド上と、フレキシブルプリント配線板（Flexible Print Circuit ;FPC）を接続するリード線の上には配向膜を形成しない。
【０１９１】
配向膜５１１、５１２をラビングする。対向基板と素子基板を貼り合わせたときのラビング方向がパラレルになるようにする。ラビング処理はラビングの布として吉川化工社製のＹＡ−２０Ｒを用いた。常陽工学社製のラビング装置により、押しこみ量が０．２５ｍｍ、ロール回転数が１００ｒｐｍ、ステージ速度が１０ｍｍ／ｓｅｃ、ラビング回数が１回でラビングした。ラビングロールの直径は１３０ｍｍである。
【０１９２】
ラビング後に配向膜を洗浄した。まず、アルカリ現像液に６０秒浸漬した。アルカリ現像液はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（Tetra Methyl Ammonium Hydro Oxide ; TMAH）の濃度が５．４８％の富士フィルムオーリン社製のＭＩＦ現像液を２０倍に薄めて用いた。
【０１９３】
その後、５０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2の高圧の水流を基板面に照射して配向膜を洗浄した。
【０１９４】
配向膜の洗浄にアルカリ溶液による洗浄と高圧の水流による洗浄とを組み合わせて用いることで良好な配向が得られた。
【０１９５】
次に、シール剤５１３を形成した。シール剤は液晶材料の注入口を一箇所に設け、真空下で注入ができるパターンとすることができる。あるいは、液晶材料の注入口を設けた側と対向する側に空気が排出される間隙を設けて、常圧下で液晶材料の注入ができるパターンとすることもできる。
【０１９６】
本実施例では、常圧下で毛細管現象を利用して液晶材料を注入できるように、シール剤のパターンにおいて、液晶を注入する注入口と、空気が排出される間隙を設けた。
【０１９７】
シール剤を日立化成社製のシールディスペンサーにより対向基板上に形成した。シール剤は三井化学社製のＸＮ−２１Ｓを用いた。シール剤の仮焼成は９０℃で３０分行い、次の１５分で徐冷した。
【０１９８】
シール剤ＸＮ−２１Ｓは熱プレスをしても、２．３〜２．６μｍのセルギャップしか得られないことがわかっている。そこで１．０μｍのセルギャップを形成するために、画素部に比べて、１．５μｍ以上積層膜の厚さが薄い領域を設けてシール剤を配置すると良い。本実施例では、第一の層間絶縁膜４７２と第二の層間絶縁膜４７３をエッチングにより除去した領域にシール材５１３を配置する。
【０１９９】
シール剤を形成すると同時に導電性スペーサ（図示しない）を形成する。
【０２００】
スペーサ（図示しない）を対向基板あるいは素子基板に形成する。スペーサは球状のビーズを散布しても良い。あるいは、表示領域において感光性の樹脂をドット状またはストライプ状にパターニングしても良い。スペーサにより液晶材料の配向欠陥がでないようにする。
【０２０１】
反射型の液晶表示装置ではリタデーションの関係からセルギャップは０．５〜１．５μｍが望ましい。本実施例ではセルギャップを画素部において１．０μｍになるようにする。
【０２０２】
その後、ニュートム社製の貼り合わせ装置により、対向基板と素子基板のマーカーを合わせ、貼り合わせを行った。
【０２０３】
次に、０．３〜１．０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を基板平面に垂直な方向にかつ基板全面に加えながら、クリーンオーブンにて１６０℃、３時間で熱硬化を行い、シール剤を硬化し、対向基板と素子基板を接着させる。
【０２０４】
対向基板と素子基板を貼り合わせてできる一対の基板を分断する。
【０２０５】
液晶材料５１４は強誘電性液晶と液晶性の高分子と重合開始剤の混合物を用いる。液晶性の高分子材料として大日本インキ化学社製の光重合剤を添加した液晶性アクリレートモノマーＵＣＬ−００１を使用した。強誘電性液晶にはクラリアント社製のＦｅｌｉｘ  Ｍ４８５１／１００を使用した。重合開始剤を添加した液晶性アクリレートモノマーを２ｗｔ％強誘電性液晶に混合し、８０℃の等方相において攪拌子により２０分攪拌した。
【０２０６】
攪拌され混ぜ合わされた液晶材料は、粘度が低く注入が容易な等方相まで加熱されて、シール剤により固定された素子基板と対向基板とからなる液晶パネルの基板間の間隙に注入される。
【０２０７】
液晶材料を等方相（８０℃）まで加熱し注入をする。液晶パネルをホットプレート上で８０℃に加熱し、強誘電性液晶と液晶性アクリレートモノマーの混合物を注入した。液晶パネル全面に液晶材料を注入した後、液晶パネルをクリーンオーブンに搬送して、８０℃で３０分加熱後に、０．１℃／ｍｉｎで室温まで徐冷した。
【０２０８】
封止剤として注入口を覆うように小型のディスペンサーにより紫外線硬化型樹脂（図示しない）を塗布する。紫外線硬化樹脂を硬化するために紫外線を照射するときに、紫外線が石英を透過し、液晶材料に対し不要な高分子安定化処理をしてしまうことが予想されたため、この段階ではまだ紫外線硬化樹脂を硬化しない。
【０２０９】
フレキシブルプリント配線板（図示しない）を異方性導電膜（図示しない）により接着する。
【０２１０】
最後に、実施例２〜３に示す方法のうちいずれか一つにより、直流電圧を印加して高分子安定化処理を行う。本実施例の工程順では紫外線を照射すると、強誘電性液晶の単安定化が行われると同時に、封止剤の紫外線硬化が終了する。
【０２１１】
素子基板の画素電極を透明導電膜にすれば、本実施例の工程により透過型の液晶表示装置を作製することができる。透過型の液晶表示装置ではセルギャップはリタデーションの関係及び強誘電性液晶の螺旋構造を抑制する目的から１．０〜２．５μｍとすることが望ましい。
【０２１２】
本実施例によれば、注入口を封止する紫外線硬化型の封止剤と液晶材料とに紫外線を一括して照射して、封止剤の光硬化処理と液晶材料の高分子安定化処理とを同時に行う。高分子安定化処理工程で初めて液晶材料が紫外線に曝されるため、良好な高分子安定化処理をすることができる。
【０２１３】
［参考例４］（高分子安定化処理をする方法の一例）
反射型の液晶表示装置あるいは透過型の液晶表示装置において、強誘電性液晶を液晶性の高分子により単安定化する方法を以下に示す。本参考例を図１と図５により説明する。
【０２１４】
液晶表示装置にフレキシブルプリント配線板を貼りつけた後、外部からゲートドライバーに図１に示すゲートスタートパルス１１４とゲートクロックパルス１０４を入力する。ゲートスタートパルス１１４は強誘電性液晶を単安定化する間常時一定のレベルを保持する。これにより、ゲートパルス１１５の電圧値が強誘電性液晶を単安定化する間一定のレベルとなり、常時、液晶層に電荷が供給される。
【０２１５】
これにより、液晶層に印加される電圧１１６は一定の電圧を示す。線順次駆動で液晶層を電界により応答させるときに比べて、電荷が常に供給されているため、液晶層の電圧レベルが一定に保持できる。
【０２１６】
つまり、線順次駆動で液晶層に電界を印加すると、ゲート配線が選択されている期間とそうでない期間とで、液晶セルや保持容量の電流のリークにより液晶セルに印加される電圧が異なってしまう。しかし、本参考例によれば、高分子安定化処理の間、ゲートパルスが常時一定の電圧レベルになり画素ＴＦＴを導通状態にするため、電流のリークによって消費された電荷が画素ＴＦＴを介して液晶セルや保持容量に供給され、液晶セルの電位が一定に保たれる。
【０２１７】
液晶層に印加される電圧が画素部において一定となったときに、１０秒間基板全面に対し垂直方向から紫外線を照射する。液晶パネルに照射される紫外線は光の入射面で測定して１０ｍＷ／ｃｍ2であった。
【０２１８】
以上により、アクティブマトリクス型の液晶表示装置でも強誘電性液晶の高分子安定化処理をすることができる。
【０２１９】
実施例１の液晶表示装置の作製工程及び本参考例の工程の順序を図５を用いて説明する。配向膜形成〜フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）貼り付けを行い、フレキシブルプリント配線板から外部信号を入力する。外部信号のゲートスタートパルスの電圧レベルを一定にすることで液晶に印加される電圧の安定した液晶応答が行われる。
【０２２０】
ラビングされた配向膜を有する素子基板及び対向基板はシール剤により貼り合わされ、シール剤硬化後に個々のパネルに分断される。パネルに強誘電性液晶や液晶性の高分子を含む液晶材料を注入し、注入口を封止した後に、ＦＰＣを貼りつける。ＦＰＣから入力される外部信号によって液晶が応答し、液晶の応答が完了した後に紫外線を照射して、強誘電性液晶を単安定化する。
【０２２１】
［実施例２］（高分子安定化処理をする方法の一例）
反射型の液晶表示装置あるいは透過型の液晶表示装置において、強誘電性液晶を液晶性の高分子により単安定化する方法を以下に示す。本実施例は図１０〜図１４により説明する。図１０の鎖線Ａ−Ａ’は図１４を鎖線ＡＡ’で切断した断面である。また、図１０の鎖線ＤＤ’及び鎖線Ｅ−Ｅ’は図１２を鎖線Ｄ−Ｄ’及び鎖線Ｅ−Ｅ’で切断した断面である。
【０２２２】
図１４は反射型の液晶表示装置あるいは透過型の液晶表示装置の上面図を示す。図１４の液晶表示装置の素子基板にはゲートドライバー５２１とソースドライバー５２２が形成されている。
【０２２３】
反射型の液晶表示装置でも透過型の液晶表示装置でも、フレキシブルプリント配線板５１９の配置される位置や、コモンパッド５２０の位置は同じである。図１４はアクティブマトリクス型の液晶表示装置の外観を示したものである。液晶表示装置の外観は、反射型の液晶表示装置にも透過型の液晶表示装置でも同じである。
【０２２４】
図１０のように、実施例１の工程で得られた反射型の液晶表示装置に対し、フレキシブルプリント配線板を貼りつけた後に、素子基板の裏面に導電性を有するシート３００を画素部に配置する。導電性のシートは例えば、導電膜を成膜しても良い。また、金属板を基板４００に接するように設けても良い。また導電性を有しかつ粘着性のあるテープを画素部に電界がかかるように貼りつけても良い。
【０２２５】
対向基板の基板５０８には透明導電膜５１０を形成する。
【０２２６】
導電性ペーストを対向基板のコモンコンタクトパッド５２０にディスペンスする。導電性ペーストはシール剤５１５に導電性のスペーサ５１６を混入したものである。導電性のスペーサは粒子状のスペーサの表面に金の粉末をコーティングしたものである。導電性のペーストをコモンパッド５２０に配置することにより対向基板の透明導電膜５１０とフレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が電気的に接続する。
【０２２７】
シール剤５１３により対向基板と素子基板が貼り合わせられる。その後液晶材料５１４を注入する。液晶材料５１４は強誘電性液晶と液晶性高分子の混合物を示す。
【０２２８】
異方性導電膜５１９により、フレキシブルプリント配線板５１８が接着される。これにより、フレキシブルプリント配線板５１８と対向基板の透明導電膜５１０が同電位になる。フレキシブルプリント配線板５１８と導電性のシート３００の間に直流電圧を印加して高分子安定化処理をすることができる。電源の直流電圧の値は前述の数１で計算する。
【０２２９】
セルギャップ２．５μｍ、素子基板のガラスの比誘電率が３．０、液晶材料に印加する電圧を４Ｖとする。液晶材料のうち、強誘電性液晶の比誘電率が１８、素子基板のガラス厚が３００μｍとすると、直流電圧値は２．９ｋＶとなる。印加される直流電圧のうち、ほとんどがガラスに印加される。
【０２３０】
直流電圧は、直流安定化電源（Regulated DC Power Supply）により供給する。例えば、浜松ホトニクス社製のRegulated DC Power Supplyの型番Ｃ３３５０では、０〜±３．０ｋＶの直流電圧を印加することができる。
【０２３１】
直流電圧を印加しながら、基板全面に対し垂直方向から紫外線を照射する。１０秒間基板全面に対し垂直方向から紫外線を照射する。液晶パネルに照射される紫外線は光の入射面で測定して１０ｍＷ／ｃｍ2であった。
【０２３２】
これにより強誘電性液晶の単安定化が行われる。単安定化終了後に導電性のシート３００を剥離すれば良い。
【０２３３】
図１１のようにポリシリコンを半導体層として用いるときは、駆動回路部５０６と画素部５０７を同一基板上に形成することが可能である。駆動回路部に直流電圧がかからないように、画素部にのみ導電性のシート３００を接着しても良い。
【０２３４】
実施例１及び本実施例の工程の順序を図１３にまとめる。配向膜形成（１）〜液晶注入口の封止剤（９）を塗布し、フレキシブルプリント配線板を貼りつけ（１０）た後に、素子基板の裏面に導電性のシートを貼りつけ（１１）て、対向基板の透明導電膜と導電性シートの間に直流電圧を印加（１２）できるようにしているのが特徴である。
【０２３５】
導電性のシートは単安定化後に剥離できるため、簡便な工程で任意の電圧で液晶材料を単一極性の電圧によって単安定化することができる。
【０２３６】
［実施例３］（高分子安定化処理をする方法の一例）
反射型の液晶表示装置あるいは透過型の液晶表示装置において、強誘電性液晶を液晶性の高分子により単安定化する方法を以下に示す。本実施例は図６〜９と図１４により説明する。図６の鎖線Ｃ−Ｃ’は図１４を鎖線ＣＣ’で切断した断面である。また、図６〜７の鎖線ＢＢ’は図８を鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面である。
【０２３７】
図１４は反射型の液晶表示装置あるいは透過型の液晶表示装置の上面図を示す。図１４の液晶表示装置の素子基板にはゲートドライバー５２１とソースドライバー５２２が形成されている。
【０２３８】
図６に示すように、基板４００上に導電性の膜２００としてＩＴＯ膜を画素部のみに１００〜１２０ｎｍの厚さで形成する。パターニングにより駆動回路部に配置されるＩＴＯ膜は除去しても良い。また半導体層を保護するために、半導体層が配置される領域はＩＴＯ膜を除去しても良い。
【０２３９】
基板上の導電性の膜を半導体層が配置される領域を避けて設けることで、液晶を単安定化するときの直流電圧が半導体層に印加されることを防ぐことができる。
【０２４０】
以下に図６に用いられる絶縁膜の比誘電率と膜厚を述べる。
【０２４１】
比誘電率の低い膜２０１を１〜６μｍの厚さで形成して、素子の配線と導電性の膜２００の間にできる寄生容量の低減を図る。本実施例では比誘電率の低い膜２０１として比誘電率が４．０の二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を１．０μｍの厚さで形成する。
【０２４２】
下地膜４０１により、ガラス基板から流出するアルカリ金属等の不純物が半導体層を汚染しないようにする。下地膜は窒化珪素、二酸化珪素等を用いることができる。例えば比誘電率が６．５の窒化珪素膜（ＳｉＮ）膜４０１を１０ｎｍの厚さで形成する。
【０２４３】
ゲート絶縁膜４３２は比誘電率が４．０の酸化窒化珪素膜を１００ｎｍの厚さで形成する。第一の層間膜４５７として比誘電率が４．０の酸化窒化珪素膜を１５０ｎｍの厚さで形成する。第二の層間膜４５８として比誘電率が４．０のアクリル樹脂を２．０μｍの厚さで形成する。
【０２４４】
液晶材料５１４は強誘電性液晶と液晶性の高分子と重合開始剤を示す。本実施例において用いる強誘電性液晶の比誘電率は３０とする。セルギャップは１．０μｍの反射型の液晶表示装置とする。配向膜５１１〜５１２の膜厚は４０ｎｍで比誘電率は４．０とする。
【０２４５】
以上のような構成では計算により、液晶材料５１４に１０Ｖの直流電圧を印加したいときには、導電性の膜２００と後述する対向基板の基板５０８に形成された透明導電膜５１０の間に２６０Ｖの電圧を印加すれば良いことがわかる。
【０２４６】
次に、直流電圧を印加する方法を図６と図１４により説明する。
【０２４７】
図６のように対向基板のガラス基板５０８には遮光膜５０９が形成されている。遮光膜はクロム等を用いることができる。
【０２４８】
遮光膜５０９上に透明導電膜５１０が形成されている。透明導電膜はＩＴＯ膜を用いることができる。
【０２４９】
図６、図１４のように対向基板の透明導電膜５１０と遮光膜５０９が二層に積層してできるコンタクトパッド５２０がある。コンタクトパッド５２０に導電性ペーストを形成する。
【０２５０】
導電性ペーストはシール剤５１５に導電性のスペーサ５１６を混入したものである。導電性のスペーサは粒子状のスペーサの表面に金の粉末をコーティングしたものである。導電性のペーストをコモンパッド５２０に配置することにより対向基板の透明導電膜５１０とフレキシブルプリント配線板を接着するときのリード線５１７が電気的に接続する。
【０２５１】
配向膜５１１〜５１２により液晶材料５１４が配向する。シール剤５１３が形成されている。
【０２５２】
異方性導電膜５１９により、フレキシブルプリント配線板５１８が接着される。これにより、フレキシブルプリント配線板５１８と素子基板４００に形成された導電性の膜２００の間に直流電圧を印加して高分子安定化処理をすることができる。
【０２５３】
実施例１及び本実施例の工程の順序を図９にまとめる。配向膜形成（１）〜フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を貼りつけ（１０）て、フレキシブルプリント配線板のうち対向基板のコモンパッドと導通をとる配線と、素子基板に形成された導電膜の間に直流電源を印加することが特徴である。
【０２５４】
［参考例５］（触媒元素を用いる半導体層の結晶化法）
本参考例では、参考例１で示したアクティブマトリクス基板のＴＦＴの半導体層を形成する結晶質半導体層の他の作製方法について示す。本参考例では特開平７−１３０６５２号公報で開示されている触媒元素を用いる結晶化法を適用することもできる。以下に、その場合の例を説明する。
【０２５５】
参考例１と同様にして、ガラス基板上に下地膜、非晶質半導体層を２５〜８０ｎｍの厚さで形成する。例えば、非晶質シリコン膜を５５ｎｍの厚さで形成する。そして、重量換算で１０ｐｐｍの触媒元素を含む水溶液をスピンコート法で塗布して触媒元素を含有する層を形成する。触媒元素にはニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などである。この触媒元素を含有する層１７０は、スピンコート法の他にスパッタ法や真空蒸着法によって上記触媒元素の層を１〜５ｎｍの厚さに形成しても良い。
【０２５６】
そして、結晶化の工程では、まず４００〜５００℃で１時間程度の熱処理を行い、非晶質シリコン膜の含有水素量を５atoms％以下にする。そして、ファーネスアニール炉を用い、窒素雰囲気中で５５０〜６００℃で１〜８時間の熱アニールを行う。以上の工程により結晶質シリコン膜から成る結晶質半導体層を得ることができる。
【０２５７】
このようにして作製された結晶質半導体層から島状半導体層を作製すれば、参考例１と同様にしてアクティブマトリクス基板を完成させることができる。しかし、結晶化の工程においてシリコンの結晶化を助長する触媒元素を使用した場合、島状半導体層中には微量（１×１０１７〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度）の触媒元素が残留する。勿論、そのような状態でもＴＦＴを完成させることが可能であるが、残留する触媒元素を少なくともチャネル形成領域から除去する方がより好ましかった。この触媒元素を除去する手段の一つにリン（Ｐ）によるゲッタリング作用を利用する手段がある。
【０２５８】
この目的におけるリン（Ｐ）によるゲッタリング処理は、図６（Ｃ）で説明した活性化工程で同時に行うことができる。ゲッタリングに必要なリン（Ｐ）の濃度は高濃度ｎ型不純物領域の不純物濃度と同程度でよく、活性化工程の熱アニールにより、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域から触媒元素をその濃度でリン（Ｐ）を含有する不純物領域へ偏析させることができる。その結果その不純物領域には１×１０17〜１×１０19atoms/cm3程度の触媒元素が偏析した。このようにして作製したＴＦＴはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。
【０２５９】
なお、本参考例は、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【０２６０】
［参考例６］本発明を実施して形成されたＣＭＯＳ回路や画素部は様々な半導体装置（アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＣディスプレイ）に用いることができる。即ち、それら半導体装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに本願発明を実施できる。以下の装置に消費電力低減のため、センサーを組み込み外部の明るさを検出して、暗いところでは輝度を落とすようにしても良い。
【０２６１】
図２０（Ａ）は携帯電話であり、表示用パネル９００１、操作用パネル９００２、接続部９００３、表示装置９００４、音声出力部９００５、操作キー９００６、電源スイッチ９００７、音声入力部９００８、アンテナ９００９から構成されている。本願発明はアクティブマトリクス基板を備えた表示装置９００４に適用することができる。
【０２６２】
図２０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体９１０１、表示装置９１０２、音声入力部９１０３、操作スイッチ９１０４、バッテリー９１０５、受像部９１０６から成っている。本願発明はアクティブマトリクス基板を備えた表示装置９１０２に適用することができる。
【０２６３】
図２０（Ｃ）はモバイルコンピュータ或いは携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装置９２０５で構成されている。本願発明はアクティブマトリクス基板を備えた表示装置９２０５に適用することができる。
【０２６４】
図２０（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイであり、本体９３０１、表示装置９３０２、アーム部９３０３で構成される。本願発明は表示装置９３０２に適用することができる。
【０２６５】
図２０（Ｅ）はテレビであり、本体９４０１、スピーカー９４０２、表示装置９４０３、受信装置９４０４、増幅装置９４０５等で構成される。本願発明は表示装置９４０３に適用することができる。
【０２６６】
図２０（Ｆ）は携帯書籍であり、本体９５０１、表示装置９５０２、９５０３、記憶媒体９５０４、操作スイッチ９５０５、アンテナ９５０６から構成されており、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶されたデータや、アンテナで受信したデータを表示するものである。表示装置９５０２、９５０３は直視型の表示装置であり、本発明を適用することができる。
【０２６７】
図２１（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体９６０１、画像入力部９６０２、表示装置９６０３、キーボード９６０４で構成される。
【０２６８】
図２１（Ｂ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７０３、記録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０２６９】
図２１（Ｃ）はデジタルカメラであり、本体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成される。
【０２７０】
図２２（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置９９０１、スクリーン９９０２で構成される。本発明は表示装置に適用することができる。
【０２７１】
図２２（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体１０００１、投射装置１０００２、ミラー１０００３、スクリーン１０００４で構成される。本発明は表示装置に適用することができる。
【０２７２】
なお、図２２（Ｃ）は、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）中における投射装置９９０１、１０００２の構造の一例を示した図である。投射装置９９０１、１０００２は、光源光学系１０１０１、ミラー１０１０２、１０１０４〜１０１０６、ダイクロイックミラー１０１０３、プリズム１０１０７、液晶表示装置１０１０８、位相差板１０１０９、投射光学系１０１１０で構成される。投射光学系１０１１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本参考例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図２２（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２７３】
また、図２２（Ｄ）は、図２２（Ｃ）中における光源光学系１０２０１の構造の一例を示した図である。本参考例では、光源光学系１０２０１は、リフレクター１０２１１、光源１０２１２、レンズアレイ１０２１３、１０２１４、偏光変換素子１０２１５、集光レンズ１０２１６で構成される。なお、図２２（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０２７４】
【発明の効果】
本発明を用いることで、アクティブマトリクス基板においても強誘電性液晶の高分子安定化処理をすることができる。
【０２７５】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置で、パネル内のソースおよびゲートドライバー回路の変更無に、外部からの入力信号を変更するのみで画素ＴＦＴで独立化している液晶に単安定化に必要な電圧を印加する手段を提案する。
【０２７６】
線順次駆動をした場合は、保持容量や液晶層の電流リークにより液晶層に印加する電圧が変動し、強誘電性液晶の高分子安定化処理するときの電圧が不安定になるが、本発明によれば、一定の電圧で高分子安定化処理をすることができる。
【０２７７】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置では素子の耐電圧特性から液晶層に印加される電圧に制限があるが、本発明によれば、１０Ｖ程度の直流電圧を液晶層に印加し、高分子安定化処理をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考形態２の高分子安定化処理をするときの駆動方法を示す。
【図２】参考形態１の高分子安定化処理をするときの駆動方法を示す。
【図３】参考形態１のゲートドライバーの回路構成を示す。
【図４】参考形態１のソースドライバーの回路構成を示す。
【図５】参考形態１及び参考形態２の高分子安定化処理をするときの工程の順序を示す。
【図６】実施形態１の液晶表示装置の断面図を示す。
【図７】実施形態１の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の断面図を示す。
【図８】参考例１の液晶表示装置の画素部の上面図を示す。
【図９】実施形態１の高分子安定化処理をするときの工程の順序を示す。
【図１０】実施形態１の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の断面図を示す。
【図１１】参考例３の液晶表示装置の断面図を示す。
【図１２】参考例２の液晶表示装置の画素部の上面図を示す。
【図１３】高分子安定化処理をするときの工程の順序を示す。
【図１４】液晶表示装置の上面図を示す。
【図１５】参考例１の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の作製工程の断面図を示す。
【図１６】参考例１の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の作製工程の断面図を示す。
【図１７】参考例１の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の作製工程を示す。
【図１８】参考例２の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の作製工程の断面図を示す。
【図１９】参考例３の液晶表示装置の画素部及び駆動回路部の作製工程の断面図を示す。
【図２０】参考例６の電子機器の一例の斜視図を示す。
【図２１】参考例６の電子機器の一例の斜視図を示す。
【図２２】参考例６の電子機器の一例の斜視図を示す。
【図２３】従来例の単純マトリクス型の液晶表示装置の上面図を示す。
【図２４】従来例の強誘電性液晶の電圧―透過率特性を示す。
【図２５】参考形態１を説明する画素部の回路を示す。
【図１】
0004849733.tif 000003
【図２】
0004849733.tif 000004
【図３】
0004849733.tif 000005
【図４】
0004849733.tif 000006
【図５】
0004849733.tif 000007
【図６】
0004849733.tif 000008
【図７】
0004849733.tif 000009
【図８】
0004849733.tif 000010
【図９】
0004849733.tif 000011
【図１０】
0004849733.tif 000012
【図１１】
0004849733.tif 000013
【図１２】
0004849733.tif 000014
【図１３】
0004849733.tif 000015
【図１４】
0004849733.tif 000016
【図１５】
0004849733.tif 000017
【図１６】
0004849733.tif 000018
【図１７】
0004849733.tif 000019
【図１８】
0004849733.tif 000020
【図１９】
0004849733.tif 000021
【図２０】
0004849733.tif 000022
【図２１】
0004849733.tif 000023
【図２２】
0004849733.tif 000024
【図２３】
0004849733.tif 000025
【図２４】
0004849733.tif 000026
【図２５】
0004849733.tif 000027