(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記投影光学系を通過する光の結像状態が調整されるように前記投影光学系を構成する複数の光学素子を駆動する駆動部と、
前記駆動部が前記複数の光学素子のうち第１の光学素子を駆動したときの駆動誤差を検出する検出部と、
前記駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化が低減されるように、前記複数の光学素子のうち前記第１の光学素子とは異なる第２の光学素子を前記駆動部で駆動する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、
前記投影光学系を通過する光の結像状態が調整されるように前記投影光学系を構成する複数の光学素子を駆動する駆動部と、
前記複数の光学素子のうち第１の光学素子を駆動したときの駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化が低減されるように、前記複数の光学素子のうち前記第１の光学素子とは異なる第２の光学素子を前記駆動部で駆動する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記第１の光学素子および前記第２の光学素子は、前記駆動部による駆動のされ方が互いに異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記駆動部による前記第１の光学素子および前記第２の光学素子の駆動は、前記投影光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜させること、前記投影光学系の光軸方向に駆動すること、または、前記第１の光学素子および前記第２の光学素子を変形させることを含むことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化量と、その変化量を低減するために必要な前記第２の光学素子の駆動量と、の関係を示す情報を有し、
前記検出部によって検出された駆動誤差及び前記情報に基づいて、前記第２の光学素子を前記駆動部で駆動することを特徴とする請求項１、３、４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記駆動誤差と、その駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化を低減するために必要な前記第２の光学素子の駆動量と、の関係を示す情報を有し、
前記検出部によって検出された駆動誤差及び前記情報に基づいて、前記第２の光学素子を前記駆動部で駆動することを特徴とする請求項１、３、４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第１の光学素子の駆動量と、その駆動量だけ前記第１の光学素子を駆動したときの駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化を低減するために必要な前記第２の光学素子の駆動量と、の関係を示す情報を有し、
前記第１の光学素子の駆動量及び前記情報に基づいて、前記第２の光学素子を前記駆動部で駆動することを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１の光学素子を駆動したときの駆動誤差に起因する前記投影光学系を通過する光の結像状態の変化が低減されるように、前記複数の光学素子のうち前記第１の光学素子及び前記第２の光学素子を前記駆動部で駆動することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光した前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体デバイス又は液晶デバイスを製造する際に、従来から投影露光装置が使用されている。投影露光装置は、レチクル（マスク）に形成されたパターン（複数の異なる種類のパターン）を、投影光学系を介してウエハ等の基板に投影してパターンを転写する。
【０００３】
近年では、半導体デバイスの高集積度化が進んでおり、高集積度化されたパターンを高精度に基板に転写するために、投影光学系の収差やディストーションを低減させることが不可欠となっている。ここで、投影光学系の収差とは、設計値における収差だけではなく、製造段階における製造誤差等によって変化する収差や、露光装置の配置された環境（気圧及び温度）、経時変化及び露光熱によって変化する収差を含む。
【０００４】
そこで、投影光学系の収差やディストーションを低減（補正）するための技術が幾つか提案されている（特許文献１乃至３参照）。例えば、特許文献１は、投影光学系を構成する光学素子又はレチクルを投影光学系の光軸方向に駆動して、倍率、３次ディストーション、球面収差、像面湾曲等を補正する技術を開示している。特許文献２は、投影光学系を構成する光学素子又はレチクルを投影光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜させて、偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等を補正する技術を開示している。特許文献３は、投影光学系を構成する光学素子の形状を変形させて、投影光学系の結像性能を補正する技術を開示している。
【特許文献１】特開２０００−３５７６５１号公報
【特許文献２】特開２００４−３４７８２１号公報
【特許文献３】特開２００６−１１３４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、光学素子又はレチクルを駆動した際の駆動誤差に起因して意図しない収差が発生する場合があり、投影光学系の収差やディストーションを十分に低減（補正）することができなかった。
【０００６】
例えば、光学素子（又はレチクル）を投影光学系の光軸方向に駆動する場合、図５（ａ）に示すように、駆動誤差がなければ、倍率、３次ディストーション、球面収差、像面湾曲等の光軸に関して軸対称な収差しか変化しないはずである。但し、実際には、光学素子を厳密に光軸方向に駆動することは難しく、図５（ｂ）に示すように、光学素子を光軸に対して斜めに駆動してしまうことがある。このような場合、偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等の光軸に関して非対称な収差が意図せず変化してしまう。
【０００７】
また、光学素子（又はレチクル）を投影光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜させる場合、図６（ａ）に示すように、駆動誤差がなければ、偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等の光軸に関して非対称な収差を目標値に補正することができる。但し、実際には、図６（ｂ）に示すように、光学素子が光軸に対して垂直な方向に僅かに平行駆動されてしまうため、光軸に関して非対称な収差が目標値からずれてしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みて、投影光学系を通過する光の結像状態（例えば、収差など）を高精度に調整して優れた結像特性を実現する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記投影光学系を通過する光の結像状態が調整されるように前記投影光学系を構成する光学素子を駆動する駆動部と、前記駆動部が前記光学素子を駆動したときの駆動誤差を検出する検出部と、前記投影光学系を通過する光の結像状態の前記駆動誤差に起因する変化を低減させるように前記駆動部を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、投影光学系を通過する光の結像状態（例えば、収差など）を高精度に調整して優れた結像特性を実現する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略ブロック図である。露光装置１は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクル２０のパターンをウエハ４０に露光する投影露光装置である。但し、露光装置１は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。
【００１４】
露光装置１は、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、ウエハ４０を載置する図示しないウエハステージと、測定部５０と、検出部６０と、制御部７０とを備える。
【００１５】
照明装置１０は、転写用のパターンが形成されたレチクル２０を照明し、光源１２と、照明光学系１４とを有する。
【００１６】
光源１２は、例えば、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用する。但し、光源１２は、エキシマレーザーに限定するものではなく、Ｆ２レーザーや超高圧水銀ランプなどを使用してもよい。また、光源１２の個数も限定されない。
【００１７】
照明光学系１４は、光源１２からの光を用いてレチクル２０を均一な照度分布、且つ、所定の照明条件で照明する光学系であって、例えば、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレータ、絞り等を含む。
【００１８】
レチクル２０は、転写用のパターンを有し、レチクルステージ２５に支持及び駆動される。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０を介して、ウエハ４０に投影される。レチクル２０とウエハ４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル２０とウエハ４０を走査することによって、レチクル２０のパターンをウエハ４０に転写する。
【００１９】
レチクルステージ２５は、レチクル２０を支持し、例えば、リニアモータなどを利用してレチクル２０を駆動する。具体的には、レチクルステージ２５は、投影光学系３０の光軸方向、投影光学系３０の光軸に垂直な方向及びその回転方向にレチクル２０を駆動する。また、レチクルステージ２５は、制御部７０に制御され、投影光学系３０を通過する光の結像状態（偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等）が調整されるようにレチクル２０を駆動してもよい。
具体的には、レチクルステージ２５は、レチクル２０を投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させたり、レチクル２０を投影光学系３０の光軸方向に駆動したりする。これにより、投影光学系３０を通過する光の結像状態が調整され、投影光学系３０は所望の結像特性を実現することができる。
【００２０】
投影光学系３０は、複数の光学素子３０ａ乃至３０ｃを含み、レチクル２０のパターンをウエハ４０に投影する光学系である。また、投影光学系３０は、複数の光学素子３０ａ乃至３０ｃを駆動する駆動部３２を備えている。複数の光学素子３０ａ乃至３０ｃは、本実施形態では、レンズであるが、ミラーなどであってもよい。
【００２１】
駆動部３２は、制御部７０に制御され、光学素子３０ｂ及び光学素子３０ａを駆動する。具体的には、駆動部３２は、光学素子３０ｂを投影光学系３０の光軸方向に駆動して、倍率、３次ディストーション、球面収差、像面湾曲等の光軸に関して軸対称な収差を調整する。また、駆動部３２は、光学素子３０ｃを投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させて、偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等の光軸に関して非対称な収差を調整する。このように、駆動部３２は、投影光学系３０を構成する光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動して投影光学系３０を通過した光の結像状態を調整することができる。
【００２２】
駆動部３２は、本実施形態では、光学素子３０ｂを投影光学系３０の光軸方向に駆動し、光学素子３０ｃを投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させている。但し、駆動部３２は、上述した駆動に限定されるものではなく、例えば、光学素子３０ａを駆動してもよいし、光学素子３０ｂや光学素子３０ｃを投影光学系３０の光軸方向に駆動すると共に、投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させてもよい。
【００２３】
ウエハ４０は、レチクル２０のパターンが投影（転写）される基板であり、図示しないウエハステージに支持及び駆動される。但し、ウエハ４０の代わりにガラスプレートやその他の基板を用いることもできる。ウエハ４０には、レジストが塗布されている。
【００２４】
測定部５０は、投影光学系３０の結像特性として投影光学系３０の収差（倍率、３次ディストーション、球面収差、像面湾曲等の光軸に関して軸対称な収差や偏芯ディストーション、軸上コマ収差、片ボケアス収差等の光軸に関して非対称な収差）を測定する。測定部５０は、例えば、点回折干渉計（ＰＤＩ）、線回折干渉計（ＬＤＩ）やシアリング干渉計などを用いて投影光学系３０の収差を測定する。測定部５０は、測定結果（即ち、投影光学系３０の収差）を制御部７０に送る。
【００２５】
検出部６０は、レチクルステージ２５がレチクル２０を駆動したときや駆動部３２が光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動したときの駆動誤差を検出する。検出部６０は、検出結果（即ち、駆動誤差）を制御部７０に送る。
【００２６】
ここで、駆動誤差とは、レチクルステージ２５がレチクル２０を駆動する場合には、レチクル２０を駆動して位置させる所望の位置と実際に駆動した位置との位置ずれである。例えば、レチクル２０を投影光学系３０の光軸方向に駆動する際には、レチクル２０が光軸に対して斜めに駆動されてしまうことがあり、このように意図せずに斜めに駆動された駆動量が駆動誤差となる。同様に、レチクル２０を投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜さえる際には、レチクル２０が光軸に対して垂直な方向に平行駆動されてしまうことがあり、このように意図せずに平行駆動させた駆動量が駆動誤差となる。
【００２７】
また、駆動誤差とは、駆動部３２が光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動する場合には、光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動して位置させる所望の位置と実際に駆動した位置との位置ずれである。例えば、光学素子３０ｂを投影光学系３０の光軸方向に駆動する際には、光学素子３０ｂが光軸に対して斜めに駆動されてしまうことがあり、このように意図せずに斜めに駆動された駆動量が駆動誤差となる。この斜めに駆動された駆動量は、光学素子３０ｂが光軸方向にしか移動できない場合には、光学素子３０ｂ自体で補正することができない。同様に、光学素子３０ｃを投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させる際には、光学素子３０ｃが光軸に対して垂直な方向に平行駆動されてしまうことがあり、このように意図せずに平行駆動された駆動量が駆動誤差となる。この平行駆動させた駆動量は、光学素子３０ｃが傾斜することしかできない場合には、光学素子３０ｃ自体で補正することができない。
【００２８】
本実施形態の露光装置１では、投影光学系３０を構成する複数の光学素子のうち第１の光学素子の駆動誤差に起因して生じた投影光学系３０の収差を、第１の光学素子とは異なる第２の光学素子も駆動することで、低減している。
【００２９】
検出部６０は、例えば、レチクルステージ２５に駆動されたレチクル２０の位置や駆動部３２に駆動された光学素子３０ｂ及び３０ｃの位置を測定することで駆動誤差を直接検出してもよい。なお、レチクル２０の位置や光学素子３０ｂ及び３０ｃの位置を測定する装置については、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができる。
【００３０】
また、検出部６０は、レチクル２０又は光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量と駆動誤差との関係を示す情報を予め有し、レチクル２０又は光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量を測定することで駆動誤差を検出してもよい。
【００３１】
制御部７０は、ＣＰＵやメモリを有し、露光装置１の動作を制御する。制御部７０は、本実施形態では、測定部５０の測定結果に基づいて、投影光学系３０の収差を補正又は目標値にするためのレチクル２０や光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量を算出する。また、制御部７０は、レチクル２０や光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動したときの駆動誤差に起因する投影光学系３０を通過する光の結像状態の変化を低減させるようにレチクルステージ２５や駆動部３２を制御する。なお、制御部７０の具体的な動作については、露光装置１の動作において説明する。
【００３２】
以下、図２を参照して、露光装置１の動作について説明する。図２は、露光装置１の動作を説明するためのフローチャートである。なお、本実施形態では、投影光学系３０を通過する光の結像状態を調整（補正）する際に、投影光学系３０を構成する光学素子３０ｂ及び３０ｃのみを駆動する場合を例に説明する。但し、レチクル２０を駆動することで投影光学系３０を通過した光の結像状態を調整（補正）してもよい。更には、レチクル２０の駆動と光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動とを組み合わせることで投影光学系３０を通過した光の結像状態を調整（補正）してもよい。
【００３３】
まず、測定部５０が投影光学系３０の結像特性として投影光学系３０の収差を測定し（ステップＳ１００２）、測定結果を制御部７０に送る。
【００３４】
次いで、制御部７０は、測定部５０からの測定結果に基づいて、投影光学系３０の収差を補正又は目標値にするために必要な光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量を算出する（ステップＳ１００４）。具体的には、制御部７０は、測定部５０によって測定された投影光学系３０の収差を投影光学系３０の光軸に関して軸対称な収差と投影光学系３０の光軸に関して非対称な収差とに分離する。そして、制御部７０は、投影光学系３０の光軸に関して軸対称な収差を補正又は目標値にするために必要な光学素子３０ｂの駆動量（光学素子３０ｂを投影光学系３０の光軸方向に駆動する駆動量）を算出する。同様に、制御部７０は、投影光学系３０の光軸に関して非対称な収差を補正又は目標値にするために必要な光学素子３０ｃの駆動量（光学素子３０ｃを投影光学系３０の光軸に垂直な平面に対して傾斜させる傾斜量）を算出する。なお、制御部７０は、投影光学系３０の収差と、かかる収差を補正又は目標値にするために必要な光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量との関係を示す情報を予めメモリ等に有していてもよい。この場合、かかる情報と測定部５０によって測定された投影光学系３０の収差とを比較することで、投影光学系３０の収差を補正又は目標値にするために必要な光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動量を取得することができる。
【００３５】
次に、制御部７０は、駆動部３２を制御し、ステップＳ１００４で算出された駆動量に基づいて光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動する（ステップＳ１００６）。
【００３６】
ステップＳ１００２乃至Ｓ１００６を実行することで、投影光学系３０の収差は補正又は目標値になるはずである。しかしながら、上述したように、光学素子３０ｂ及び３０ｃを実際に駆動すると、駆動誤差が生じることがあり、投影光学系３０の収差を補正しきれなかったり、投影光学系３０の収差が目標値からずれてしまったりする。
【００３７】
そこで、検出部６０が光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動したときの駆動誤差を検出し（ステップＳ１００８）、検出結果を制御部７０に送る。
【００３８】
次に、制御部７０は、検出部６０からの検出結果に基づいて駆動誤差が生じているかどうかを判定する（ステップＳ１０１０）。
【００３９】
駆動誤差が生じていなければ、制御部７０は、露光装置１の各部を制御して、レチクル２０のパターンをウエハ４０に露光する（ステップＳ１０２２）。
【００４０】
駆動誤差が生じていれば、制御部７０は、検出部６０によって検出された駆動誤差に起因する投影光学系３０の収差の変化量を算出する（ステップＳ１０１２）。ここで、駆動誤差に起因する投影光学系３０の収差の変化量とは、光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動した後の投影光学系３０の収差と目標値とのずれである。
【００４１】
次いで、制御部７０は、ステップＳ１０１２で算出した駆動誤差に起因する投影光学系３０の収差の変化量を低減する（打ち消す）ために必要な光学素子３０ｃの駆動量を算出する（ステップＳ１０１４）。例えば、制御部７０は、駆動誤差に起因する投影光学系３０の収差の変化量と、かかる変化量を低減する（打ち消す）ために必要な光学素子３０ｃの駆動量との関係を示す情報を予めメモリ等に有している。そして、制御部７０は、かかる情報と駆動誤差と駆動誤差に起因する投影光学系３０の収差の変化量とを比較することで、光学素子３０ｃの駆動量を算出する。もしくは、制御部７０は、検出部６０によって検出された光学素子３０ｂ及び３０ｃの駆動誤差量と、かかる駆動誤差量による投影光学系３０の収差の変化を打ち消すために必要な光学素子３０ｃの駆動量との関係を示す情報を予めメモリ等に有していてもよい。そして、制御部７０は、かかる情報と光学素子３０ｃの駆動誤差とを比較することで、光学素子３０ｃの駆動量を算出する。なお、本実施形態では、駆動誤差に起因して変化する収差を投影光学系３０の光軸に関して非対称な収差のみであると想定し、光学素子３０ｃの駆動量のみを算出している。但し、駆動誤差に起因して投影光学系３０の光軸に関して軸対称な収差も変化する場合には、光学素子３０ｂの駆動量も算出する。また、光学素子３０ｃが複数個ある場合（光学素子３０ｃ１、光学素子３０ｃ２とする）、光学素子３０ｃ１の駆動誤差を光学素子３０ｃ２もしくは光学素子３０ｃ１と光学素子３０ｃ２で補正してもよい。
【００４２】
次に、制御部７０は、駆動部３２を制御し、ステップＳ１０１４で算出された駆動量に基づいて光学素子３０ｃを駆動する（ステップＳ１０１６）。
【００４３】
次いで、測定部５０が投影光学系３０の収差を測定し（ステップＳ１０１８）、測定結果を制御部７０に送る。
【００４４】
次に、制御部７０は、投影光学系３０の収差が許容範囲内であるかどうかを判定する（ステップＳ１０２０）。
【００４５】
投影光学系３０の収差が許容範囲内でない場合には、ステップＳ１０１６で光学素子３０ｃを駆動したときにも駆動誤差が生じていることになるため、ステップＳ１００８に戻る。
【００４６】
投影光学系３０の収差が許容範囲内である場合には、制御部７０は、露光装置１の各部を制御して、レチクル２０のパターンをウエハ４０に露光する（ステップＳ１０２２）。露光において、光源１２からの光は、照明光学系１４を介してレチクル２０を照明する。レチクル２０のパターンを反映する光は、投影光学系３０によってウエハ４０上に結像する。露光装置１が使用する投影光学系３０を通過した光は、上述したように、結像状態（収差やディストーション）が高精度に調整（補正）されている。換言すれば、投影光学系３０は、優れた結像性能を達成する。従って、露光装置１は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体デバイス、液晶デバイスなど）を提供することができる。
【００４７】
本実施形態の露光装置１は、露光装置の製造又は使用過程で変化する投影光学系３０の結像特性のみではなく、光学素子３０ｂ及び３０ｃを駆動したときの駆動誤差に起因する投影光学系３０の結像特性の変化も補正することができる。
【００４８】
次に、図３及び図４を参照して、露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図３は、デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウエハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４９】
図４は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】図１に示す露光装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図４】図３に示すステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図５】光学素子（又はレチクル）を投影光学系の光軸方向に駆動する場合の駆動誤差に起因する投影光学系の収差の変化を説明するための図である。
【図６】光学素子（又はレチクル）を投影光学系の光軸に垂直な平面に対して傾斜させる場合の駆動誤差に起因する投影光学系の収差の変化を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５２】
１                            露光装置
１０                          照明装置
１２                          光源
１４                          照明光学系
２０                          レチクル
２５                          レチクルステージ
３０                          投影光学系
３０ａ乃至３０ｃ              光学素子
３２                          駆動部
４０                          ウエハ
５０                          測定部
６０                          検出部
７０                          制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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