(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスを反応容器に流通させることにより前記反応容器内に配置されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記シリコンウェーハの抵抗率に応じて、前記シリコンウェーハの反応容器内への搬入からサセプタへ移載するまでの間の前記サセプタの温度を調整することにより、前記シリコンウェーハを前記反応容器内へ搬入した後、前記リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間に前記シリコンウェーハの表面及び裏面の温度を均一にさせ、
前記シリコンウェーハに発生した反りを回復させた状態で前記サセプタへ移載することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
シリコンウェーハの抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍであるとき、前記シリコンウェーハを反応容器へ搬入する際のサセプタの温度を７７５±２５℃の範囲に調整する請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
シリコンウェーハの抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍのとき、前記シリコンウェーハを反応容器へ搬入する際のサセプタの温度を８１５〜８５０℃の範囲に調整する請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長装置のサセプタに載せられて回転しながらその主面にエピタキシャル層を形成するシリコンウェーハとエピタキシャル層からなるエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルウェーハの製造方法において、自動搬送機能の付いたエピタキシャル成長装置の搬送用ブレードにより、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入する際に、高温雰囲気が形成された反応容器内に半導体を搬入すると、熱応力に起因して、シリコンウェーハに弾性変形、いわゆる反りが生じることが知られている。
【０００３】
この反りが生じた状態でシリコンウェーハをサセプタ上に移載すると、サセプタ上で反りが回復する際にシリコンウェーハの裏面エッジ部とサセプタとが擦れて発塵し、異物が発生する。この異物がシリコンウェーハに付着することが製造工程上の大きな問題点となっている。
【０００４】
このような問題点を解消するために、移載部材を介してシリコンウェーハを搬送部材からウェーハ支持台に移載する際、加熱されて反ったシリコンウェーハの反りの回復を確認した後、シリコンウェーハをウェーハ支持台に移載することを特徴とするシリコンウェーハの移載方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また上記問題点を解消するために、シリコンウェーハに生じる反り自体を防止する技術として、シリコンウェーハの表面と裏面との間における温度差が小さくなるよう加熱手段による加熱を制御する制御手段を備えた、エピタキシャル成長プロセスを実行するための半導体製造装置及びそのウェーハ取扱方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２９４２８７号公報（請求項６）
【特許文献２】特開２０００−２６９１３７号公報（請求項３、請求項６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載され発明では、シリコンウェーハの反りの回復は、反り時のシリコンウェーハ特定部位の形状と、非反り時の前記特定部位の形状をモニタ手段の画像を比較することにより確認され、両者の形状の同一を確認した後、ウェーハ移載部材からウェーハ支持台にシリコンウェーハを移載するといった制御部により行われる。そのため装置が複雑で、装置の改造には多大なコストが掛かり、また反ったシリコンウェーハが元の形状に回復するまで保持しなければならないため、製造工程上の時間的ロスを伴う。
【０００７】
また上記特許文献２に記載された発明では、シリコンウェーハの反り自体を防止すべくシリコンウェーハの表面と裏面との間における温度差を小さくなるよう加熱手段による加熱を制御する。そのため上記特許文献１と同様に、装置が複雑となり、その改良には多大なコストが掛かる。またシリコンウェーハの外径が大きくなるにつれてその効果は低減し、シリコンウェーハの反りは顕著となるため、外径が大きなシリコンウェーハにおいては、上記問題点を解決するには至らなかった。
【０００８】
本発明の目的は、従来技術に必要とされる複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入時に起こるシリコンウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、原料ガスを反応容器２０に流通させることにより反応容器２０内に配置されたシリコンウェーハ２１の表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハ２１の抵抗率に応じて、シリコンウェーハ２１の反応容器２０内への搬入からサセプタ２４へ移載するまでの間のサセプタ２４の温度を調整することより、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入した後、リフトピンへの移載からサセプタ２４への移載までの間にシリコンウェーハ２１の表面及び裏面の温度を均一にさせ、シリコンウェーハ２１に発生した反りを回復させた状態でサセプタ２４へ移載することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００１０】
請求項１に係る発明では、シリコンウェーハの抵抗率に応じて反応容器へ搬入する際のサセプタの温度を調整することにより、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの一定時間内に、熱応力に起因するシリコンウェーハの反りを回復させることができるため、複雑な装置を必要とせずに、裏面エッジ部とサセプタとの擦れから発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部における傷の発生を低減することができる。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、シリコンウェーハ２１の抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍであるとき、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を７７５±２５℃に調整するエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００１２】
請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明であって、シリコンウェーハ２１の抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍであるとき、シリコンウェーハ２１を反応容器２０へ搬入する際のサセプタ２４の温度を８１５〜８５０℃に調整するエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、原料ガスを反応容器に流通させることにより反応容器内に配置されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコンウェーハの抵抗率に応じて、シリコンウェーハの反応容器内への搬入からサセプタへ移載するまでの間のサセプタの温度を調整することにより、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入した後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間にシリコンウェーハの表面及び裏面の温度を均一にさせ、シリコンウェーハに発生した反りを回復させた状態でサセプタへ移載する。これにより、複雑な装置を必要とせずに、反応容器内への搬入の際に起こるシリコンウェーハの反りに起因する裏面エッジ部とサセプタとの擦れを防止し、これにより発生するパーティクル、及びシリコンウェーハ裏面エッジ部の傷の発生を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
一般的なエピタキシャルウェーハの製造方法について、図１〜図３を用いて説明する。図１〜図３は、シリコンウェーハのエピタキシャル成長装置の反応容器内への搬入から、サセプタへの移載までの工程を模式的に示した図である。
【００１６】
先ず図１に示すように、エピタキシャルウェーハの基板となる常温のシリコンウェーハ２１を、搬送用ブレード２２上に載せる。次に高温状態のエピタキシャル成長装置の反応容器２０内へ、搬送用ブレード２２とともにシリコンウェーハ２１を搬入する。反応容器２０内へ搬入されたシリコンウェーハ２１は、図２に示すように、反応容器２０内に設置されたリフトピン２３により一時的に中継される。次いでリフトピン２３により中継されたシリコンウェーハ２１は、図３に示すように、サセプタ２４上に移載される。サセプタ２４上に移載されたシリコンウェーハ２１は、後工程で、表面にエピタキシャル層が成膜される。
【００１７】
従来からの問題点は、常温のシリコンウェーハ２１を、高温状態のエピタキシャル成長装置の反応容器２０内へ搬入した際に、シリコンウェーハ２１が熱応力により弾性変形、いわゆる反りを生じることに起因するものである。図４は、反応容器２０内のサセプタ２４の温度が一定に設定された一般的なエピタキシャル成長装置において、シリコンウェーハ２１を高温状態のエピタキシャル成長装置の反応容器２０内へ搬入したときの、シリコンウェーハ２１の表面及び裏面の温度上昇率を模式的に表した図である。ここで裏面とは、搬送用ブレード２２又はリフトピン２３により支持される側の面をいう。反応容器２０内へ搬入されたシリコンウェーハ２１に生じる反りは、図４に示すように、その表面及び裏面で温度上昇率が異なることに起因し、温度上昇の速い表面側が凸状態となる反りを生じる。この反りは、表面及び裏面の温度差による一時的なもので、均一になれば回復するものである。この反りの回復が、リフトピン２３からサセプタ２４上に移載された後に起こるとき、凸状態に反ったシリコンウェーハ２１の裏面エッジ部が、サセプタ２４表面と擦れることでパーティクルが発生する。この発生したパーティクルが、形成されるエピタキシャルウェーハ表面のＬＰＤ（Light Point Deffect）の原因となる。本発明において、ＬＰＤとは、レーザー光散乱式パーティクルカウンター（ＳＰ１：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて検出される点欠陥のことである。
【００１８】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法における製造工程の、図１から図３に示す、シリコンウェーハ２１の反応容器２０への搬入から、サセプタ２４上への移載までの工程におけるシリコンウェーハ２１の反りに起因する上記問題点を解消するものである。
【００１９】
本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、反応容器へ搬入直後のシリコンウェーハの温度が、シリコンウェーハの有する抵抗率により異なることから、温度上昇率もシリコンウェーハの抵抗率により異なることが明らかとなった。即ち、反応容器内の温度が一定の場合、シリコンウェーハの有する抵抗率によりその温度上昇率が異なるため、シリコンウェーハに反りが生じてから回復するまでに要する時間も、シリコンウェーハの抵抗率により異なる。この反りが生じてから回復するまでの時間的な差に着目し、上記問題点を解決したのが上記特許文献１に記載された発明であるが、この発明では、シリコンウェーハの抵抗率と温度上昇率の関係が判明されていなかったため、上述のように、個々のシリコンウェーハについてモニター画像により反りの回復を検知するといった複雑な制御装置が必要であった。そのため、装置の改造には多大なコストを要し、又製造工程上の時間的なロスを伴うものであった。
【００２０】
そこで本発明は、シリコンウェーハの温度上昇率がシリコンウェーハの抵抗率に依拠する点に着目し、サセプタの温度をシリコンウェーハの抵抗率に応じて調整することにより、一定時間の範囲内に、シリコンウェーハに生じた反りを回復させて上記問題点を解決するものである。
【００２１】
図５は、サセプタの温度が７５０℃である反応容器内へ、シリコンウェーハを搬入してから５秒後のシリコンウェーハの温度を測定した値を示す図であり、シリコンウェーハの抵抗率とエピタキシャル成長装置へ搬入直後のシリコンウェーハの表面温度との関係を示す。ボロン濃度の少ない抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍである低い抵抗率のＰ+又はＰ++基板と、抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍである高い抵抗率のＰ-基板とでは、図５に示すように、反応容器内へ投入直後のシリコンウェーハの表面温度に差が生じる。このシリコンウェーハの表面温度とシリコンウェーハの有する抵抗率との関係は、ｙをシリコンウェーハの表面温度、ｘをシリコンウェーハの有する抵抗率とした場合、次式（１）で表される。Ｒ2は算出された相関係数であって、シリコンウェーハの表面温度とシリコンウェーハの有する抵抗率とは、対数的な高い相関がみられる。
【００２２】
ｙ＝−１４．７５５Ｌｎ（ｘ）＋６０７．０４      （１）
Ｒ2＝０．９９５４
このことから、シリコンウェーハの抵抗率の違いにより温度上昇率も異なり、同一温度に設定された反応容器内にシリコンウェーハを搬入した場合、シリコンウェーハの有する抵抗率の違いにより、反りが生じてから回復するまでの時間も異なる。
【００２３】
本発明では、サセプタ温度をシリコンウェーハの抵抗率に応じて調整することにより、抵抗率が異なるシリコンウェーハであっても、一定時間の範囲内にシリコンウェーハに生じた反りを回復させる。これにより、シリコンウェーハの反応容器内への搬入からサセプタへの移載までの時間や、シリコンウェーハのリフトピンへの移載からサセプタへの移載までの時間が固定されているような一般的なエピタキシャル製造装置においても、従来技術のような複雑な装置又はその改造を必要とせずに、上記問題点を解消することができる。
【００２４】
シリコンウェーハの反り量は半径の２乗に影響される。そのため、シリコンウェーハの厚さの影響を加味しても、外径が３００ｍｍのシリコンウェーハの方が２００ｍｍのものに比べ、温度による反り量が大きくなり搬送用ブレード又はサセプタに触れやすくなることから、本発明は、好ましくは外径が３００ｍｍ以上、更には４５０ｍｍ以上のシリコンウェーハに効果的に用いることができる。
【００２５】
シリコンウェーハの抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍである場合、即ちＰ+又はＰ++基板の場合は、サセプタの温度を７７５±２５℃に調整することが好ましい。サセプタの温度が下限値未満では、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入した後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間にシリコンウェーハの表面及び裏面の温度が均一にならず、この間に反りが回復しないため、本発明の効果が得られ難いからである。また上限値を越えると、搬送用ブレード上でシリコンウェーハの反りが回復してしまい、搬送用ブレードと、シリコンウェーハの裏面エッジ部との擦れからパーティクルが生じ易いからである。このうち、７７５±１０℃が特に好ましい。
【００２６】
シリコンウェーハの抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍである場合、即ちＰ-基板の場合は、サセプタの温度を８１５〜８５０℃に調整することが好ましい。サセプタの温度が下限値未満では、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入した後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間にシリコンウェーハの表面及び裏面の温度が均一にならず、この間に反りが回復しないため、本発明の効果が得られ難いからである。また上限値を越えると、搬送用ブレード上でシリコンウェーハの反りが回復してしまい、搬送用ブレードと、シリコンウェーハの裏面エッジ部との擦れからパーティクルが生じたり、シリコンウェーハに傷を与えたり、或いはシリコンウェーハをサセプタ上へ載置する際に位置がずれたりといった不具合が生じ易いからである。このうち、８２５±１０℃が特に好ましい。
【実施例】
【００２７】
次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００２８】
＜実施例１＞
シリコンウェーハとして、抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍであるＰ+又はＰ++基板を使用してエピタキシャルウェーハを製造した。使用したシリコンウェーハの外径は３００ｍｍ、厚さは７７０〜８３０μｍで結晶軸（１００）であった。
【００２９】
具体的には、図１に示すように、先ず自動搬送機能の付いたランプ加熱方式の横型枚葉式エピタキシャル成長装置（ＡＭＡＴ社製）の搬送用ブレード２２上に、エピタキシャルウェーハの基板となる常温のシリコンウェーハ２１を載せ、サセプタ２４の温度が７５０℃に設定された高温状態の反応容器２０内へ搬入した。次に、図２に示すように、反応容器２０内に搬入されたシリコンウェーハ２１は、反応容器２０内に設置されたリフトピン２３により一時的に中継され、次いでリフトピン２３により中継されたシリコンウェーハ２１は、図３に示すように、サセプタ２４上に移載された。なお使用したエピタキシャル成長装置では、上記シリコンウェーハ２１の反応容器２０内への搬入からサセプタ２４上への移載までの時間が３０〜４０秒の一定範囲又は典型的には３５秒に固定される。またシリコンウェーハ２１のリフトピン２３への移載からサセプタ２４への移載までの時間が２０〜３０秒の一定範囲又は典型的には２５秒に固定される。
【００３０】
次に、図３の状態で、サセプタ２４の温度を１１５０℃まで昇温させ、３２ｒｐｍの速度でサセプタ２４を回転させながら、反応容器２０内へＳｉＨＣｌガスを流し込み、厚さ２μｍのエピタキシャル膜をシリコンウェーハ２１上に成長させ、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３１】
＜実施例２＞
サセプタ２４の温度を７７５℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３２】
＜実施例３＞
サセプタ２４の温度を８００℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様にエピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３３】
＜比較例１＞
サセプタ２４の温度を７００℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３４】
＜比較例２＞
サセプタ２４の温度を８２５℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３５】
＜比較例３＞
サセプタ２４の温度を８５０℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００３６】
＜比較試験及び評価１＞
実施例１〜３及び比較例１〜３で製造したエピタキシャルウェーハについて、レーザー光散乱式パーティクルカウンター（ＳＰ１：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いてエピタキシャルウェーハ表面のＬＰＤ個数を測定した。その結果を以下の表１に示す。なおＬＰＤ個数の測定は、製造したエピタキシャルウェーハ１枚につき、レーザー光散乱式パーティクルカウンターのＬＰＤサイズを０．０９μｍ以上と１μｍ以上に設定して、測定を行った。また表１に示したＬＰＤ個数の測定値は、実施例１〜３及び比較例１〜３で製造したエピタキシャルウェーハ枚数の１枚当たりの平均値である。
【００３７】
【表１】
0005012554.tif 000002
表１から明らかなように、抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍであるＰ+又はＰ++基板をシリコンウェーハとして製造したエピタキシャルウェーハの場合、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入する際のサセプタの温度を７７５±２５℃の範囲に設定した実施例１〜３では、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間にシリコンウェーハに生じた反りが回復したため、比較例１〜３に比べ、検出されたＬＰＤ個数が少なかった。一方、サセプタの温度を７００℃に設定した比較例１では、サセプタへの移載までにシリコンウェーハに生じた反りが回復せず、シリコンウェーハの裏面エッジ部とサセプタとの擦れからパーティクルが発生した。そのため製造されたエピタキシャルウェーハには、実施例１〜３よりもＬＰＤが多く検出された。またサセプタの温度を８２５℃又は８５０℃に設定した比較例２，３では、搬送用ブレード上でシリコンウェーハに生じた反りが回復し、シリコンウェーハの裏面エッジ部と搬送用ブレードとの擦れからパーティクルが発生したため、実施例１〜３よりもＬＰＤが多く検出された。このことから、抵抗率が０．００５〜０．０２０Ω・ｃｍであるＰ+又はＰ++基板をシリコンウェーハとして使用した場合、反応容器へ搬入する際のサセプタの温度は、７７５±２５℃の範囲に設定することが好適であることが確認された。
【００３８】
＜参考例１＞
シリコンウェーハとして、抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍであるＰ-基板を使用してエピタキシャルウェーハを製造した。使用したシリコンウェーハの外径は３００ｍｍ、厚さは８２５μｍで結晶軸（１００）であった。
【００３９】
サセプタ２４の温度を８００℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、実施例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４０】
＜実施例４＞
サセプタ２４の温度を８２５℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、参考例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４１】
＜実施例５＞
サセプタ２４の温度を８５０℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、参考例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４２】
＜比較例４＞
サセプタ２４の温度を７００℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、参考例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４３】
＜比較例５＞
サセプタ２４の温度を７５０℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、参考例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４４】
＜比較例６＞
サセプタ２４の温度を７７５℃に設定して、シリコンウェーハ２１を反応容器２０内へ搬入したこと以外は、参考例１と同様に、エピタキシャルウェーハを２５枚製造した。
【００４５】
＜比較試験及び評価２＞
参考例１、実施例４，５及び比較例４〜６で製造したエピタキシャルウェーハについて、レーザー光散乱式パーティクルカウンター（ＳＰ１：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いてエピタキシャルウェーハ表面のＬＰＤ個数を測定した。その結果を以下の表２に示す。なおＬＰＤ個数の測定は、レーザー光散乱式パーティクルカウンターのＬＰＤサイズを０．０９μｍ以上と１μｍ以上に設定して、測定を行った。また表２に示したＬＰＤ個数の測定値は、参考例１、実施例４，５及び比較例４〜６で製造したエピタキシャルウェーハ枚数の１枚当たりの平均値である。
【００４６】
【表２】
0005012554.tif 000003
表２から明らかなように、抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍであるＰ-基板をシリコンウェーハとして製造したエピタキシャルウェーハの場合、シリコンウェーハを反応容器へ搬入する際のサセプタの温度を８１５〜８５０℃の範囲に設定した実施例４，５では、シリコンウェーハを反応容器内へ搬入後、リフトピンへの移載からサセプタへの移載までの間にシリコンウェーハに生じた反りが回復したため、比較例４〜６に比べ、検出されたＬＰＤ個数が少なかった。また、実施例４，５では、サセプタの温度を８００℃に設定した参考例１と比較しても、検出されたＬＰＤ個数が少なかった。
一方、サセプタの温度を８００℃未満に設定した比較例４〜６では、サセプタへの移載までに、シリコンウェーハに生じた反りが回復せず、シリコンウェーハの裏面エッジ部とサセプタとの擦れからパーティクルが発生した。そのため製造されたエピタキシャルウェーハには、実施例４，５よりもＬＰＤが多く検出された。また、サセプタの温度を８００℃に設定した参考例１においても、実施例４，５よりもＬＰＤが多く検出された。
このことから、抵抗率が８〜１２Ω・ｃｍであるＰ-基板をシリコンウェーハとして使用した場合、反応容器へ搬入する際のサセプタの温度は、８１５〜８５０℃の範囲に設定することが好適であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】エピタキシャルウェーハの製造方法における一工程を表した模式図。
【図２】エピタキシャルウェーハの製造方法における一工程を表した模式図。
【図３】エピタキシャルウェーハの製造方法における一工程を表した模式図。
【図４】一般的なエピタキシャル成長装置へ搬入したシリコンウェーハの表面及び裏面の温度上昇率を表した模式図。
【図５】シリコンウェーハの抵抗率とエピタキシャル成長装置へ搬入直後のシリコンウェーハの表面温度との関係を示す図。
【符号の説明】
【００４８】
２０  反応容器
２１  シリコンウェーハ
２４  サセプタ
【図１】
0005012554.tif 000004
【図２】
0005012554.tif 000005
【図３】
0005012554.tif 000006
【図４】
0005012554.tif 000007
【図５】
0005012554.tif 000008