(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面に絶縁層が形成された金属基板に、フォトマスク位置合わせ用のアライメントマークＡを形成する工程と、上記金属基板の絶縁層形成面を第１の感光性樹脂層で被覆する工程と、アライメントマークＢを有する第１のフォトマスクを準備し、上記第１のフォトマスクのアライメントマークＢと上記金属基板のアライメントマークＡとを位置合わせすることにより、上記第１のフォトマスクを、上記金属基板の、第１の感光性樹脂層被覆面に対して位置決めし、その状態で露光・現像を行うことにより、上記第１の感光性樹脂層に、受発光素子実装用のパッドを含む導体パターンを転写し、不用な第１の感光性樹脂層を除去する工程と、上記第１の感光性樹脂層の除去によって現出した導体パターンに沿って導体層を形成する工程と、上記金属基板の、導体層形成面と反対側の面を、第２の感光性樹脂層で被覆する工程と、アライメントマークＣを有する第２のフォトマスクを準備し、上記第２のフォトマスクのアライメントマークＣと上記金属基板のアライメントマークＡとを位置合わせすることにより、上記第２のフォトマスクを、上記金属基板の、第２の感光性樹脂層被覆面に対して位置決めし、その状態で露光・現像を行うことにより、上記第２の感光性樹脂層に、光結合用開口パターンを転写し、不用な第２の感光性樹脂層を除去する工程と、上記第２の感光性樹脂層の除去によって現出した光結合用開口パターンに沿って金属基板に開口形成加工を施して光結合用開口を形成する工程とを備え、上記導体層のパッドに受発光素子を実装した後、上記光結合用開口を利用して、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにしたことを特徴とする光導波路デバイスの製法。
【請求項２】
上記光導波路としてマルチモード光導波路フィルムを用いるとともに、上記光結合用開口としてスリット状開口を形成し、上記導体層のパッドに受発光素子を実装した後、上記スリット状の光結合用開口に、上記マルチモード光導波路フィルムの一端を差し込んで固定することにより、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにした請求項１記載の光導波路デバイスの製法。
【請求項３】
上記光導波路として、端部にＭＴコネクタが設けられた光導波路フィルムを用いるとともに、上記ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通するための貫通孔を、上記光結合用開口の形成と同様にして、光結合用開口と同時に形成し、上記金属基板のパッドに受発光素子を実装した後、上記貫通孔に、ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通してＭＴコネクタを取付固定することにより、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにした請求項１記載の光導波路デバイスの製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信、光情報処理等、光学を利用した各種電気・電子技術に広く用いられる光導波路デバイスの製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光導波路デバイスは、発光素子から発光される光を、光導波路によって伝播させたり、逆に、光導波路によって伝播された光を、受光素子に受光させることにより、光結合を行うものであるが、その結合に際しては、互いの光軸を同一上に設定することが重要であり、高い位置決め精度が要求される。最近、このような位置決めを簡単に行うことのできるレセプタクル構造を備えた光導波路デバイス（光モジュールを含む）が提案され、光通信等に汎用されている（特許文献１等を参照）。
【０００３】
例えば、上記特許文献１に記載された光モジュールは、図６に示すように、面型発光素子等の光素子１が搭載された基板２と、可とう性光導波路３を、上記光素子１に対し、同一光軸となるような配置で位置決めすることのできるレセプタクル４とを備えている。
【０００４】
なお、上記レセプタクル４は、可とう性光導波路３を位置決めするための案内路となる下側溝５が設けられた第１のレセプタクル６と、同じく案内路となる上側溝７が設けられた第２のレセプタクル８とで構成されており、基板２の上面から立設するガイドピン９、１０と、上記第１のレセプタクル６、第２のレセプタクル８のそれぞれの下面に設けられたガイド穴１１、１２とを嵌合させることにより、一体的に組み立てることができるようになっている。
【特許文献１】特開２００６−１５４５５３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このものは、レセプタクル構造を形成するために、第１のレセプタクル６と第２のレセプタクル８という２つの部品を作製する工程と、これらの部品を基板２上に組み立てる工程とが必要であり、煩雑な手間を要するという問題がある。また、光素子１と可とう性光導波路３との位置決めを、上記組み立てられたレセプタクル構造によって行うため、各部材の加工精度および組立精度の積み重ねが、全体の精度を左右することになり、その調整が容易でないという問題もある。
【０００６】
さらに、レセプタクル構造を構成する各部材を、高い寸法精度で得ようとすれば、高価な固形フィラー（数〜数十ミクロンサイズ、単分散）を高濃度で含有した樹脂を、高い寸法精度で加工した金型で樹脂成型しなければならず、材料コストが高いだけでなく、上記固形フィラーによって金型が損傷しやすいため、金型のランニングコストが高くつくという問題もある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、基板に実装された受発光素子と、光導波路とを、比較的安価で簡単かつ大量生産が可能な方法によって、高精度で接続させることのできる、優れた光導波路デバイスの製法の提供を、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、片面に絶縁層が形成された金属基板に、フォトマスク位置合わせ用のアライメントマークＡを形成する工程と、上記金属基板の絶縁層形成面を第１の感光性樹脂層で被覆する工程と、アライメントマークＢを有する第１のフォトマスクを準備し、上記第１のフォトマスクのアライメントマークＢと上記金属基板のアライメントマークＡとを位置合わせすることにより、上記第１のフォトマスクを、上記金属基板の、第１の感光性樹脂層被覆面に対して位置決めし、その状態で露光・現像を行うことにより、上記第１の感光性樹脂層に、受発光素子実装用のパッドを含む導体パターンを転写し、不用な第１の感光性樹脂層を除去する工程と、上記第１の感光性樹脂層の除去によって現出した導体パターンに沿って導体層を形成する工程と、上記金属基板の、導体層形成面と反対側の面を、第２の感光性樹脂層で被覆する工程と、アライメントマークＣを有する第２のフォトマスクを準備し、上記第２のフォトマスクのアライメントマークＣと上記金属基板のアライメントマークＡとを位置合わせすることにより、上記第２のフォトマスクを、上記金属基板の、第２の感光性樹脂層被覆面に対して位置決めし、その状態で露光・現像を行うことにより、上記第２の感光性樹脂層に、光結合用開口パターンを転写し、不用な第２の感光性樹脂層を除去する工程と、上記第２の感光性樹脂層の除去によって現出した光結合用開口パターンに沿って金属基板に開口形成加工を施して光結合用開口を形成する工程とを備え、上記導体層のパッドに受発光素子を実装した後、上記光結合用開口を利用して、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにした光導波路デバイスの製法を第１の要旨とする。
【０００９】
また、本発明は、そのなかでも、特に、上記光導波路としてマルチモード光導波路フィルムを用いるとともに、上記光結合用開口としてスリット状開口を形成し、上記導体層のパッドに受発光素子を実装した後、上記スリット状の光結合用開口に、上記マルチモード光導波路フィルムの一端を差し込んで固定することにより、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにした光導波路デバイスの製法を第２の要旨とし、上記光導波路として、端部にＭＴコネクタが設けられた光導波路フィルムを用いるとともに、上記ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通するための貫通孔を、上記光結合用開口の形成と同様にして、光結合用開口と同時に形成し、上記金属基板のパッドに受発光素子を実装した後、上記貫通孔に、ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通してＭＴコネクタを取付固定することにより、上記受発光素子と光導波路とを光結合させるようにした光導波路デバイスの製法を第３の要旨とする。
【００１０】
すなわち、本発明者は、受発光素子と光導波路とを、比較的安価で簡単に、しかも高い精度で位置決めした状態で接続させることのできる方法について、鋭意検討を重ねた。その結果、金属基板に予めフォトマスク位置合わせ用のアライメントマークを形成しておき、そのアライメントマークを利用して、フォトリソグラフィによって受発光素子を実装するパッドを含む導体パターンを転写して導体層を形成し、同じくフォトリソグラフィによって光導波路との光結合用開口パターンを転写して開口を形成するようにすると、簡単かつ正確に両者を位置決めすることができることを見いだし、本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光導波路デバイスの製法によれば、上記のように、金属基板に予めフォトマスク位置合わせ用のアライメントマークＡを形成しておき、そのアライメントマークＡを第１のフォトマスクとの位置合わせに利用したフォトリソグラフィによって、受発光素子を実装するパッドを含む導体パターンを転写して導体層を形成するとともに、同じく上記アライメントマークＡを第２のフォトマスクとの位置合わせに利用したフォトリソグラフィによって光導波路の光結合用開口パターンを転写して開口を形成するため、簡単かつ正確に両者を位置決めすることでき、高い精度で光結合を行うことができる。したがって、従来のような、煩雑な手間が不要となり、製造コストと作業時間を大幅に低減することができるという利点を有する。
【００１２】
そして、上記製法のなかでも、特に、上記光導波路として、マルチモード光導波路フィルムを用いるとともに、上記光結合用開口としてスリット状開口を形成したものは、一度に多数の光結合を、簡単かつ正確に行うことができるという利点を有する。
【００１３】
また、上記製法のなかでも、特に、上記光導波路として、端部にＭＴコネクタが設けられた光導波路フィルムを用いるとともに、上記ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通するための貫通孔を、上記光結合用開口と同時に形成するようにしたものは、基板に、ＭＴコネクタ取付用専用ピンを挿通するための孔をあける工程をわざわざ設ける必要がないため、市販のＭＴコネクタと受発光素子との光結合を、簡単かつ正確に行うことができるという利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
つぎに、本発明を実施するための最良の形態を、発光素子と光導波路とを光結合して光導波路デバイスを製造する例を用いて、詳細に説明する。
【００１５】
この例によれば、まず、図１（ａ）に示すように、平板状の金属基板２０を準備し、その片面に、感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリアミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性シリコーン樹脂等からなる感光性樹脂層２１を形成する。上記金属基板２０としては、ステンレンス（ＳＵＳ等）が好ましく、その厚みは、目的とする光導波路デバイスの用途に応じて適宜に設定されるが、通常、１〜５ｍｍに設定することが好適である。また、上記感光性樹脂層２１の厚みは、通常、３〜２０μｍに設定することが好適である。
【００１６】
そして、上記感光性樹脂層２１から、フォトリソグラフィによって、所定の配置で絶縁層を形成すべく、フォトマスクを用いて露光後、下層ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）により露光部と未露光部の感光性樹脂に溶解度に差をつける。そして、これを現像して未露光部を除去し、加熱によりポストベークを行うことにより、図１（ｂ）に示すように、金属基板２０上に、所定の配置で絶縁層２２を形成することができる。
【００１７】
つぎに、図１（ｃ）に示すように、上記絶縁層２２が形成された面の全面に、例えばスパッタ装置等の金属薄膜形成装置を用いて、金属めっき形成用のシード層２３を形成した後、この金属基板２０の所定位置に、フォトマスク位置決め用のアライメントマーク（貫通孔）Ａを、精密金型を用いて打ち抜き加工することにより形成する。
【００１８】
なお、上記シード層２３の材質は、後述する金属めっき工程において用いられるめっき金属に応じて適宜のものが用いられ、例えば、めっき金属がＣｕの場合、シード層２３には、Ｃｕ／ＮｉＣｒが好適に用いられる。
【００１９】
そして、上記絶縁層２２、シード層２３、アライメントマークＡが形成された金属基板２０の両面に、図１（ｄ）に示すように、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）（第１の感光性樹脂層）２４をラミネートしたのち、上記絶縁層２２およびシード層２３が形成された方の面に対し、第１のフォトマスク２５を位置決めして露光することにより、フォトマスク２５に開口として設けられた転写パターン２５ａ（＝受発光素子実装用パッドを含む導体パターン）をドライフィルムレジスト２４に転写することができる。このとき、金属基板２０のアライメントマークＡと、第１のフォトマスク２５に設けられたアライメントマークＢを位置合わせすることにより、金属基板２０に対する第１のフォトマスク２５の位置決めを正確に行う。なお、上記露光によってドライフィルムレジスト２４側に形成された転写部２６を、図２（ａ）において格子状ハッチングで示す。
【００２０】
そして、現像液を用いて、上記転写部２６のドライフィルムレジスト２４を溶解除去することにより、図２（ｂ）に示すように、凹状の導体パターン２７を現像した後（ポジ型）、セミアディティブ法等を用いて金属めっきを行い、上記導体パターン２７に沿って導体層２８を形成する。この状態を、図２（ｃ）に示す。上記金属めっきに用いられる金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ａｇ等があげられ、なかでも、Ｃｕが好適である。そして、上記導体層２８の厚みは、５〜２０μｍ、なかでも１０〜１２μｍに設定することが好適である。
【００２１】
つぎに、両面のドライフィルムレジスト２４を、アルカリ水溶液によって剥離した後〔図２（ｄ）参照〕、導体層２８以外の、不用な部分のシード層２３を、塩化第一鉄水溶液等のエッチング液を用いたエッチングによって除去する〔図３（ａ）参照）。これにより、金属基板２０の片面に、絶縁層２２を介して導体層２８が形成された回路基板３０を得ることができる。
【００２２】
そして、この回路基板３０の両面に、再びドライフィルムレジスト（第２の感光性樹脂層）３１をラミネートした後、図３（ｂ）に示すように、上記絶縁層２２および導体層２８が形成された方と反対側の面に対し、第２のフォトマスク３３を位置決めして露光することにより、フォトマスク３３に開口として設けられた転写パターン３３ａ（＝受発光素子と光導波路との光結合用開口パターン）をドライフィルムレジスト３１に転写することができる。このとき、金属基板２０のアライメントマークＡと、第２のフォトマスク３３に設けられたアライメントマークＣを位置合わせすることにより、金属基板２０に対する第２のフォトマスク３３の位置決めを正確に行う。なお、上記露光によってドライフィルムレジスト３１側に形成された転写部３４を、図３（ｂ）において格子状ハッチングで示す。
【００２３】
そして、現像液を用いて、上記転写部３４のドライフィルムレジスト３１を溶解除去することにより、図３（ｃ）に示すように、凹状の光結合用開口パターン３５を現像した後（ポジ型）、塩化第一鉄等のエッチング液を用いて、上記光結合用開口パターン３５に沿って金属基板２０をエッチングすることにより、光結合用開口３６を形成する。この状態を、図３（ｄ）に示す。
【００２４】
これを清浄に洗浄後、両面のドライフィルムレジスト３１を、アルカリ水溶液によって剥離し〔図４（ａ）参照〕、アルカリ焼けが発生しないよう、再度洗浄する。
【００２５】
そして、得られた回路基板３０の導体層２８のうち、発光素子を実装するためのパッド２８ａに所定のめっき処理を行った後、所定の個所にカバーレイを形成する（これらの図示は省略）。
【００２６】
なお、上記めっき処理は、実装対象となる発光素子の実装形態に応じて、適宜の方法を選択することができるが、例えば、ＮｉめっきとＡｕめっきとを組み合わせためっきが好適に用いらる。また、カバーレイの形成は、通常、片面に接着剤層を有するポリイミドフィルム等のカバーレイフィルムを貼付することが、簡単で好適である。
【００２７】
つぎに、上記回路基板３０のパッド２８ａに、発光素子４０を実装するとともに、図４（ｂ）において、矢印で示すように、反対側から、上記回路基板３０に形成された光結合用開口３６に光導波路フィルム４１の一端を差し込んで固定することにより、両者を光結合して、目的とする光導波路デバイスを得ることができる。
【００２８】
上記発光素子４０の実装は、発光素子４０の種類に応じて適宜行うが、例えば、電極と発光部が同一平面にある素子に対し、予めＡｕバンプを形成しておき、この部分を、上記回路基板３０側のパッド２８ａに接続し、超音波により固定することにより、フリップチップ実装することができる。
【００２９】
また、上記発光素子４０と光結合させる光導波路フィルム４１としては、例えば、長手方向に延びる可とう性のコア層４２を、クラッド層である帯状フィルム４３，４４で両面から挟んで積層一体化したものが用いられ、特に、その全体厚みが０．１〜２ｍｍ程度のものが、好適に用いられる。
【００３０】
そして、上記光導波路フィルム４１を、回路基板３０の光結合用開口３６に固定する方法としては、例えば、図４（ｃ）に示すように、上記光導波路フィルム４１が差し込まれた光結合用開口３６の周囲を、紫外線硬化型接着剤４５で固定することによって行うことができる。
【００３１】
このようにして得られた光導波路デバイスは、発光素子４０と、光結合用開口３６内に固定された光導波路フィルム４１の光導波路とが、金属基板２０に形成されたアライメントマークＡを利用したフォトリソグラフィによって、ともに高い精度で位置決めされた状態で光結合されているため、互いの光軸の同軸性が確保され、高強度の光量を伝送することができる。
【００３２】
そして、上記光導波路デバイスの製法によれば、上記高品質の光導波路デバイスを、フォトリソグラフィとエッチング等の開口形成とを組み合わせた簡単な工程で、効率よく製造することができ、実用的効果が大きい。
【００３３】
なお、上記の例では、金属基板２０に設けるアライメントマークＡを、精密金型による打ち抜き加工によって、貫通孔として形成したが、これに限るものではなく、例えば、金属基板２０の一端縁に切欠きを形成し、これをアライメントマークとしてもよいし、インクジェット等によって印刷されたマークをアライメントマークとしてもよい。
【００３４】
また、上記の例は、回路基板３０上に実装された発光素子４０と、光導波路フィルム４１の一端とを光結合してなる光導波路デバイスを製造する例であるが、本発明は、上記発光素子４０に代えて、受光素子を用いた場合にも、同様に適用することができる。
【００３５】
さらに、本発明は、回路基板３０に実装された発光素子４０と、別途用意される他の回路基板に実装された受光素子とを、１本の光導波路フィルム４１で接続する場合にも適用することができる。もちろん、同一基板上で、発光素子４０と受光素子とを光導波路フィルム４１で接続する場合にも適用することができる。
【００３６】
そして、上記の例では、光結合用の光導波路として、光導波路フィルム４１を用いたが、上記光導波路フィルム４１は、コア層４２が１本だけ設けられたシングルモードのものであっても、複数本のコア層４２が、所定ピッチで長手方向に平行に延びるマルチモードのものであっても差し支えない。ただし、マルチモードのものは、幅が広いので、金属基板２０の開口を、それに合わせて細長いスリット状に形成する必要がある。
【００３７】
また、光結合用の光導波路として、上記光導波路フィルム４１に代えて、光ファイバや、剛性の樹脂部材の内部に光導波路が形成された、各種の光伝送ブロック等を用いることができる。
【００３８】
さらに、本発明は、回路基板３０に形成された光結合用開口３６に、光導波路フィルム４１の一端を直接固定する場合に限らず、例えば図５（ａ）に示すように、一端もしくは両端にＭＴコネクタ（ＲＭＴコネクタを含む）５０が設けられた光導波路フィルム４１を用い、上記ＭＴコネクタ５０を回路基板３０に取り付けて光導波路デバイスを得る場合にも適用することができる。
【００３９】
すなわち、上記ＭＴコネクタ５０は、その端面に開口する２つの位置決め孔と、取り付ける相手側に設けられた位置決め孔とを利用して、コネクタ取付用の専用ピン〔図５（ｂ）参照）を用いて、他のＭＴコネクタや基板に取り付けられるようになっている。そこで、上記専用ピン取付用の位置決め孔を金属基板２０に形成する際、前記金属基板２０に光結合用開口３６を形成する方法と同じ方法（フォトリソグラフィによる開口パターンの転写＋金属基板２０のエッチング）で、前記光結合用開口３６と同時に、この孔を形成するようにすれば、金属基板２０上で正確な位置合わせがなされた状態で、上記位置決め孔を形成することができる。
【００４０】
したがって、この位置決め孔を利用することにより、例えば図５（ｂ）に示すように、回路基板３０に実装された発光素子４０に対し、正確な位置合わせがなされた状態で、ＭＴコネクタ５０を取り付けることができ、ＭＴコネクタ５０に接続された光導波路フィルム４１と発光素子４０とを光結合することができる。なお、図において、５３が金属基板２０に形成された位置決め孔、５４が専用ピンである。
【実施例】
【００４１】
〔実施例１〕
厚み２５μｍのＳＵＳ基板上に、厚み１０μｍで感光性ポリイミドを塗布した後、フォトマスクを用いて絶縁層形成予定部に露光し、下層ＰＥＢにより露光部と未露光部のポリイミドの溶解度に差をつけた。そして、現像液によって未露光部を除去した後、加熱によりポリイミドキュアを行い、硬化した露光部を絶縁層とした。
【００４２】
つぎに、スパッタ装置を用いて、Ｃｕめっき用のＣｕ／ＮｉＣｒシード層（厚み０．１５μｍ／０．１５μｍ）を形成した後、上記ＳＵＳ基板に、精密金型による打ち抜き加工を行い、フォトマスク位置合わせ用のアライメントマーク（貫通孔）を形成した。
【００４３】
そして、上記絶縁層が形成されたＳＵＳ基板の両面に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネートし、その絶縁層が形成された方のドライフィルムレジストに対し、上記アライメントマークを利用してフォトマスクの位置合わせを行い、フォトリソによる露光・現像を行って露光部分のドライフィルムレジストを除去することにより、受発光素子が実装されるパッドや電気配線等を含む導体パターンを形成した。この導体パターンに沿って、セミアディティブ法によりＣｕめっきを行い、厚み１０〜１２μｍの導体層を形成した。そして、アルカリ水溶液を用いて両面のドライフィルムレジストを剥離した。これにより、ＳＵＳ基板上に絶縁層を介して導体層が形成された回路基板を得た。
【００４４】
つぎに、上記回路基板の、導体層以外の不用なシード層を、塩化第一鉄水溶液を用いたエッチングによって除去した後、上記回路基板の両面に、再度ドライフィルムレジストをラミネートした。そして、上記絶縁層および導体層が形成された方と反対側のドライフィルムレジストに対し、前記ＳＵＳ基板に設けられたアライメントマークを利用してフォトマスクの位置合わせを行い、フォトリソによる露光・現像を行って露光部分のドライフィルムレジストを除去することにより、光結合用開口パターンを形成した。この開口パターンに沿って、塩化第一鉄を用いたエッチングによりＳＵＳ基板を除去することにより、光結合用開口を形成した。この光結合用開口は、寸法ばらつきが±５μｍという高い精度で形成されていた。
【００４５】
上記光結合用開口が形成された回路基板を清浄に洗浄した後、導体層のパッドに、発光素子実装のために必要なめっき処理（厚み５μｍのＮｉめっきと厚み０．２μｍのＡｕめっき）を行った。そして、所定の場所に、ポリイミドフィルムからなるカバーレイフィルネを貼付した後、この回路基板に、電極と発光・受光部が同一平面にある素子を、フリップチップ実装した。なお、発光素子として、Ｕｌｍ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製のＶＣＳＥＬ（波長：８５０ｎｍ）を用い、受光素子として、Ａｌｂｉｓ社製のＧａＡｓフォトダイオードを用いた。これらの素子には、予めＡｕバンプを形成しておき、超音波による接合によって実装した。
【００４６】
そして、所定幅に精度よく裁断された光導波路フィルム（厚み０．１ｍｍ、幅３ｍｍ、コアサイズ５０μｍ×５０μｍの光導波路が３本、Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝５０μｍ／２００μｍのピッチで形成されたマルチモードの光導波路フィルム）を、回路基板の開口（０．１０５ｍｍ×３．００５ｍｍのスリット状）に差し込み、紫外線硬化型接着剤で固定した。
【００４７】
このようにして光結合された発光素子と光導波路フィルム、受光素子と光導波路フィルムは、±１０μｍ前後の累積公差で互いの光軸が結合されており、光損失が１ｄＢ以下という、フルパッシブアライメントを達成していることがわかった。
【００４８】
〔実施例２〕
上記実施例１と同様にして、ＳＵＳ基板上に、絶縁層を介して導体層（不用なシード層除去済）が形成された回路基板を作製した。そして、上記回路基板の両面に、ドライフィルムレジストをラミネートし、上記絶縁層および導体層が形成された方と反対側のドライフィルムレジストに対し、前記ＳＵＳ基板に設けられたアライメントマークを利用してフォトマスクの位置合わせを行い、フォトリソによる露光・現像を行って露光部分のドライフィルムレジストを除去することにより、光結合用開口パターンと、ＰＭＴコネクタ取付用の位置決め孔（２個一対）となる開口パターンとを、素子が実装されるパッドに対し正確な位置関係で形成した。
【００４９】
上記開口パターンに沿って、塩化第一鉄を用いたエッチングによりＳＵＳ基板を除去することにより、光結合用開口およびＰＭＴコネクタ取付用の位置決め孔とを形成した。上記光結合用開口は、寸法ばらつきが±５μｍという高い精度で形成されていた。また、上記位置決め孔の２個のピッチ精度も、±５μｍという高い精度であった。そして、上記光結合用開口および位置決め孔とが形成された回路基板を清浄に洗浄した後、上記実施例１と同様の発光素子と、実施例１と同様にしてにフリップチップ実装した。
【００５０】
一方、ＮＴＴ−ＡＴ社製のＰＭＴコネクタ（光導波路フィルム用コネクタ）に、所定サイズの光導波路フィルムをセットした。そして、このＰＭＴコネクタ取付用の専用ピンを、上記回路基板に形成された位置決め孔と、上記ＰＭＴコネクタの本体に設けられた位置決め孔とに挿通することにより、回路基板の所定位置に上記ＰＭＴコネクタを位置合わせした状態で、これを、紫外線硬化型接着剤を用いて固定した。このものは、回路基板上の発光素子と、上記ＰＭＴコネクタを介して取り付けられる光導波路フィルムとが、±１０μｍ前後の累積公差で互いの光軸が結合されており、光損失が１ｄＢ以下という、フルパッシブアライメントを達成していることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも本発明の一実施例における光導波路デバイスの製造工程を模式的に示す説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも上記光導波路デバイスの製造工程を模式的に示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも上記光導波路デバイスの製造工程を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、いずれも上記光導波路デバイスの製造工程を模式的に示す説明図である。
【図５】（ａ）は本発明の光導波路デバイスの製法の他の例に用いることのできる光導波路コネクタの説明図、（ｂ）は上記光導波路コネクタの取付工程を模式的に示す説明図である。
【図６】従来の、レセプタクル構造を有する光導波路デバイスの一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
２０  金属基板
２２  絶縁層
２８  導体層
２８ａ  パッド
３６  光結合用開口
４０  発光素子
４１  光導波路フィルム
【図１】
0005049145.tif 000002
【図２】
0005049145.tif 000003
【図３】
0005049145.tif 000004
【図４】
0005049145.tif 000005
【図５】
0005049145.tif 000006
【図６】
0005049145.tif 000007