(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
前記複数の画素に跨るように前記第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層形成工程の前あるいは後に、前記第２電極の上層側または下層側で一方向に延在して前記第２電極層と接する複数本の補助配線を形成する補助配線形成工程と、
を有し、
前記補助配線形成工程では、前記補助配線の幅寸法よりも広い幅寸法をもって前記補助配線の両端の各々に電気的接続する複数の補助配線用端子を形成しておき、
当該補助配線形成工程の後、前記補助配線用端子に検査端子を接触させて前記補助配線の電気特性を検査する補助配線検査工程を行なうことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
少なくとも、前記第２電極層形成工程および前記補助配線形成工程を大気と異なる雰囲気中で行い、
前記補助配線形成工程の後、前記支持基板を大気に晒すことなく前記補助配線検査工程を行なうことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
支持基板上の複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置において、
少なくとも、
大気と異なる雰囲気中で、前記複数の画素に跨るように前記第２電極層を形成する第２電極層形成部と、
大気と異なる雰囲気中で、前記第２電極の上層側または下層側で一方向に延在して前記第２電極層と接する複数本の補助配線、および前記補助配線の幅寸法より広い幅寸法をもって当該補助配線の両端の各々に電気的接続する複数の補助配線用端子を形成する補助配線形成部と、
大気と異なる雰囲気中で、前記補助配線用端子に検査端子を接触させて前記補助配線の電気特性を検査する補助配線検査部と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）、並びにその製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層を備えた有機ＥＬ素子が形成された構造を有している。かかる有機ＥＬ装置において、第２電極層は、複数の画素に跨るように形成された薄膜によって形成されており、かかる第２電極層の電気的抵抗が高い場合や、電気的抵抗が場所によってばらついた場合、有機ＥＬ装置では輝度ばらつきが発生してしまう。特に有機ＥＬ素子から出射された光を第２電極層が位置する側（支持基板が位置する側とは反対側）から出射するトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置では、第２電極層に透光性が求められることから、第２電極層の膜厚を薄くするため、第２電極層の電気的抵抗に起因する輝度ばらつきが発生しやすい。
【０００３】
そこで、第２電極層の上層側または下層側に第２電極層に対して接触する補助配線を形成することにより、第２電極層の電気的抵抗に起因する輝度ばらつきを防止する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
なお、補助配線を形成する際、蒸着マスクの開口部を介して所定領域に蒸着を行なうマスク蒸着を用いる場合には、補助配線を格子状に形成することが困難であるが、図８に示すように、一方向に延在する複数本の補助配線１７２であれば、マスク蒸着によって補助配線１７２を効率よく形成することができる。
【特許文献１】特開２００６−８００９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図８に示すように、隣接する画素１００ａの各間に補助配線１７２を形成する場合には、補助配線１７２の幅寸法が狭いため、電気的抵抗のばらつきや、断線などが発生しやすく、第２電極層の電気的抵抗に起因する輝度ばらつきが発生しやすい。また、補助配線１７２をマスク蒸着によって形成した場合には特に、補助配線１７２の幅寸法が狭いため、電気的抵抗のばらつきや、断線などが発生しやすい。
【０００６】
そこで、補助配線１７２を形成した後、補助配線１７２に対して目視による外観検査、あるいは外観検査装置による検査を行なえばよいが、補助配線１７２を形成した後も大気と異なる雰囲気中で処理が行なわれる場合、支持基板を一端、大気中に出して補助配線１７２の外観検査を行なうと、支持基板を再び処理室に戻した後、処理室を大気と異なる雰囲気にするのに多大な時間がかかってしまい、生産性が低下する。従って、支持基板を大気と異なる雰囲気中に保持したまま、補助配線１７２の様子を観察すればよいが、かかる外観検査装置がないのが現状である。また、外観検査では、補助配線の良否を確実に検査することができないという問題点もある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、支持基板上に形成した補助配線を大気と異なる雰囲気中でも確実に検査することができる有機ＥＬ装置、並びにその製造方法および製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置において、前記支持基板上には、前記第２電極層の上層側または下層側で一方向に延在して当該第２電極層と接する複数本の補助配線と、前記補助配線の幅寸法より広い幅寸法をもって前記補助配線の両端の各々に電気的接続する複数の補助配線用端子とが形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、複数の画素に跨るように形成された第２電極層の上層側または下層側には、当該第２電極層と接する複数本の補助配線が一方向に延在しているため、第２電極層の電気的抵抗が高いのを補助配線によって補うことができるとともに、第２電極層の電気的抵抗の場所毎のばらつきを補助配線によって吸収することができる。それ故、有機ＥＬ装置の輝度ばらつきを解消することができる。また、補助配線は、マスク蒸着で形成するなどの制約から一方向に延在するように形成されており、補助配線に断線や電気的抵抗のばらつきがあると、第２電極層の電気的抵抗のばらつきなどを十分、吸収することができないが、本発明において、補助配線の両端の各々には、当該補助配線の幅寸法よりも幅広の補助配線用端子が電気的接続され、かかる補助配線用端子では検査端子を接触させることできる。従って、補助配線の断線や電気的抵抗のばらつきを検査することができるため、第２電極層の電気的抵抗のばらつきを十分、吸収することができる。また、かかる電気的な検査は、外観検査と違って、大気と異なる雰囲気とされたチャンバなどの内部でも行うことができるので、有機ＥＬ装置を製造する際、支持基板をチャンバ内から出す必要がないので、補助配線の検査を行なう場合でも、有機ＥＬ装置の生産性が低下することがない。
【００１０】
本発明において、前記補助配線は、隣接する前記画素の各間を通って一方向に延在していることが好ましい。
【００１１】
本発明において、前記補助配線用端子は、前記画素領域の外側に形成されていることが好ましい。このように構成すると、検査端子を補助配線用端子に接触させても有機ＥＬ素子を損傷させることがない。
【００１２】
本発明は、前記有機ＥＬ素子から出射された光を前記第２電極層が位置する側（支持基板が位置する側とは反対側）から出射するトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置、および前記有機ＥＬ素子から出射された光を前記第１電極層が位置する側（支持基板が位置する側）から出射するボトムエミッションタイプの有機ＥＬ装置のいずれにも適用できる。
【００１３】
但し、本発明は、前記有機ＥＬ素子から出射された光を前記第２電極層が位置する側（支持基板が位置する側とは反対側）から出射するトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置に適用すると効果的である。トップエミッションタイプの有機ＥＬ装置の場合、第２電極層に透光性が求められることから、第２電極層の膜厚を薄くする必要があり、かつ、前記補助配線については、隣接する前記画素の各間を通るように幅狭に形成しなければならないという制約があるため、第２電極層の電気的抵抗がばらつきやすく、補助配線にも断線や、配線抵抗のばらつきが発生しやすいが、本発明によれば、補助配線の良否を確実に検査することができるため、かかる断線や配線抵抗のばらつきに起因する輝度ばらつきの発生を防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記複数本の補助配線は、互いに独立して形成され、１本の前記補助配線の各両端に前記補助配線用端子が電気的接続されている構成を採用することができる。このように構成すると、複数本の補助配線の良否を１ずつ検査することができる。
【００１５】
本発明においては、前記補助配線は、複数本が互いに直列され、当該直列に接続された前記補助配線のうち、両端に位置する補助配線の端部に前記補助配線用端子が電気的接続されている構成を採用してもよい。このように構成すると、複数本の補助配線の良否を一括して検査することができる。
【００１６】
この場合、前記直列に接続された前記補助配線の数は偶数本であり、前記画素領域の１辺に沿って前記補助配線用端子が複数、配列されていることが好ましい。このように構成すると、補助配線用端子が特定の領域に集まっているので、補助配線用端子に検査端子を接触させるのが容易である。
【００１７】
本発明において、前記補助配線用端子は、前記補助配線と同層に形成されてなることが好ましい。すなわち、前記補助配線用端子は、前記補助配線と同一材料によって同時形成されてなることが好ましい。このように構成すると、新たな構成を追加しなくても補助配線用端子を形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記補助配線は、前記第２電極層の下層側に形成されていることが好ましい。このように構成すると、第２電極層を形成する前に補助配線の検査を行なうことができるので、第２電極層の影響を受けずに補助配線の良否を検査することができる。
【００１９】
本発明では、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法において、前記複数の画素に跨るように前記第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、前記第２電極層形成工程の前あるいは後に、前記第２電極の上層または下層で一方向に延在して前記第２電極層と接する複数本の補助配線を形成する補助配線形成工程と、を有し、前記補助配線形成工程では、前記補助配線の幅寸法より広い幅寸法をもって前記補助配線の両端の各々に電気的接続する複数の補助配線用端子を形成しておき、当該補助配線形成工程の後、前記補助配線用端子に検査端子を接触させて前記補助配線の電気特性を検査する補助配線検査工程を行なうことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、少なくとも前記第２電極層形成工程および前記補助配線形成工程は、大気と異なる雰囲気中で行い、前記補助配線形成工程の後、前記支持基板を大気に晒すことなく前記補助配線検査工程を行なうことが好ましい。
【００２１】
本発明では、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造装置において、少なくとも、大気と異なる雰囲気中で前記複数の画素に跨るように前記第２電極層を形成する第２電極層形成部と、大気と異なる雰囲気中で、一方向に延在して前記第２電極層と接する複数本の補助配線、および前記補助配線の幅寸法より広い幅寸法をもって前記補助配線の両端の各々に電気的接続する複数の補助配線用端子を形成する補助配線形成部と、大気と異なる雰囲気中で、前記補助配線用端子に検査端子を接触させて前記補助配線の電気特性を検査する補助配線検査部と、を有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図面を参照して、本発明を適用した有機ＥＬ装置、その製造方法並びに製造装置について説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２３】
図１は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００２４】
図１に示す有機ＥＬ装置１００においては、素子基板としての第１基板１１０上に、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１００ａとを有しており、複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１１０ａが構成されている。
【００２５】
また、第１基板１１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。複数の画素１００ａの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線６ｇに電気的接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１８０とが構成されている。ここで、有機ＥＬ素子１８０は各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射し、かかる３つの色に対応する３つの画素１００ａがサブピクセルを構成している。本形態では、同一の色に対応する画素１００ａがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。
【００２６】
かかる有機ＥＬ装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層１４０に電流が流れ、さらに有機機能層を介して第２電極層８５に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２７】
なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４から延在しているが、定電位が印加されるため、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、端子１０２から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスタ３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。
【００２８】
かかる有機ＥＬ装置１００は具体的には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように構成される。図２（ａ）、（ｂ）において、有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１１０と、封止基板としての機能を担う第２基板１２０とを備えており、第１基板１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重ねて配置されている。第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。第１シール材層１９１は、図２（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図２（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。
【００２９】
なお、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領域１１０ｆには端子１０２、１０３が形成されており、かかる端子１０２、１０３を利用して、図１に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４を内蔵する駆動用ＩＣが実装されたフレキシブル基板（図示せず）が接続される。
【００３０】
（有機ＥＬ素子の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＫ−Ｋ′線に沿って有機ＥＬ装置を切断したときの断面図に相当する。このため、図３（ａ）には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）に対応する有機ＥＬ素子を１つずつ示し、青色（Ｂ）に対応する有機ＥＬ素子については２つ示してある。図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図４（ａ）では、第１電極層１４０は長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。また、図４（ａ）では、補助配線に右上がりの斜線を付してある。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。これに対して、第２基板１２０は石英基板やガラス基板などといった透光性基板が用いられる。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
【００３２】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に対する通電を制御する薄膜トランジスタや配線が形成されている。すなわち、第１基板１１０上には、マトリクス状に複数の透明な第１電極層１４０（画素電極／陽極／長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に島状に形成され、第１電極層１４０の縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、電源線６ｇ（一点鎖線で示す領域）、走査線３ａ（実線で示す領域）および容量線３ｅ（実線で示す領域）が形成されている。
【００３３】
第１基板１１０では、その基体たる支持基板１１０ｄの表面にシリコン酸化膜などからなる絶縁膜１１１（下地絶縁膜）が形成されているとともに、その表面側において、第１電極層１４０に対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側には絶縁膜１１２（ゲート絶縁層）が形成されており、絶縁膜１１２の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００３４】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる絶縁膜１１３、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる絶縁膜１１４（平坦化膜）、シリコン窒化膜などからなる絶縁膜１１５が形成されている。絶縁膜１１３の表面（絶縁膜１１３、１１４の層間）には、データ線６ａ（図４（ｂ）には図示せず）、電源線６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、電源線６ｇは、絶縁膜１１３に形成されたコンタクトホール１１３ｇを介してソース領域１ｈに電気的接続している。また、ドレイン電極６ｈは、絶縁膜１１３に形成されたコンタクトホール１１３ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的接続している。本形態において、データ線６ａ、電源線６ｇ、ドレイン電極６ｈは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００３５】
絶縁膜１１５の表面にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透光性導電膜からなる第１電極層１４０が形成されており、第１電極層１４０は、絶縁膜１１４、１１５に形成されたコンタクトホール１１４ｇ、１１５ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的接続している。第１電極層１４０を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００３６】
絶縁膜１１４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層１３１が形成されており、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層１３１で反射することにより、光を出射可能である。また、第１電極層１４０の上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。
【００３７】
第１電極層１４０の上層には、正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、各色の発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４などの有機機能層が形成され、かかる有機機能層の上層に、ＬｉＦからなる電子注入層１７０と、ＡｌやＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層１７１（陰極）が積層されている。正孔注入層１８１は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などからなり、正孔輸送層１８２は、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）などからなる。発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントなどを含むスチリルアミン系材料（ホスト）などからなり、電子輸送層１８４は、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）などからなる。このようにして、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。これらの層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４、電子注入層１７０、第２電極層１７１）はいずれも、真空蒸着法で順次形成することができる。なお、第２電極層１７１は、直接、あるいは陰極配線を介して定電位が印加されている。
【００３８】
なお、有機ＥＬ素子が白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射するように構成する場合があり、このような場合、第２基板１２０において、有機ＥＬ素子と対向する位置に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層を形成して色変換を行なえば、フルカラー表示を行なうことができる。
【００３９】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）は、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化などを惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成が採用されている。
【００４０】
まず、図２（ａ）、（ｂ）および図３（ａ）に示すように、第１基板１１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態において、第１シール材層１９１には、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。なお、第１基板１１０に対して、第２電極層１７１の上層に、窒化シリコン（ＳｉＮx）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）膜からなる第１層、樹脂層からなる第２層（有機緩衝層）と、および窒化シリコン膜や酸窒化シリコン）膜からなる第３層を備えた積層膜を封止膜として形成することもある。
【００４１】
（補助配線の構成）
図３（ａ）および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００において、第２電極層１７１は、複数の画素１００ａに跨るように形成された薄膜によって形成されており、かかる第２電極層１７１の電気的抵抗が高い場合や、電気的抵抗が場所によってばらついた場合、有機ＥＬ装置１００では輝度ばらつきが発生してしまう。特に、本形態の有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子１８０から出射された光を第２電極層１７１が位置する側（支持基板１１０ｄが位置する側とは反対側）から出射するトップエミッションタイプであるため、第２電極層１７１に透光性が求められる。このためら、第２電極層１７１の膜厚が薄いので、第２電極層１７１には場所毎に電気的抵抗がばらつき、かかる電気的抵抗のばらつきは、有機ＥＬ装置１００において輝度ばらつきの原因となる。
【００４２】
そこで、本形態では、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板１１０ｄ上において、一方向に延在する複数本の補助配線１７２が第２電極層１７１の下層側に形成されており、かかる補助配線１７２は第２電極層１７１と直接、接している。ここで、補助配線１７２は、隔壁１５１の上面部に形成されており、隣接する画素１００ａの各間を通って一方向に延在している。本形態において、補助配線１７２は、同一の色に対応する画素１００ｐの間を通っているため、走査線３ａと並列するように延在している。また、補助配線１７２は、画素１００ｐの間を通っているため、透光性が求められない。このため、補助配線１７２は、第２電極層１７１よりも膜厚が厚く、かつ、使用できる材料にも制約がない。従って、補助配線１７２については、アルミニウムや銀など、第２電極層１７１と同一の金属材料を用いることができる他、モリブデン膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜などを用いることもできる。かかる補助配線１７２については、定電位が印加されず、第２電極１７１の全体としての電気的抵抗の低減およびばらつき解消の機能を担っている場合の他、直接、あるいは陰極配線を介して定電位が印加される場合もある。
【００４３】
本形態では、図３（ｂ）に示すように、複数本の補助配線１７２は、互いに独立して形成され、各々の端部が画素領域１１０ａの外側（周辺領域１１０ｃ）まで延在している。また、複数本の補助配線１７２では、１本の補助配線１７２毎に各両端に、補助配線１７２の幅寸法よりも幅広の補助配線用端子１７２ａが形成され、補助配線用端子１７２ａは、補助配線１７２の両端の各々に電気的接続されている。本形態において、補助配線１７１の幅寸法Ｗaは１５μｍ程度であり、補助配線用端子１７２ａは、幅寸法Ｗbが８０〜１００μｍ程度であり、長さ寸法Lbが８０〜１００μｍ程度である。
【００４４】
かかる補助配線用端子１７２ａは、補助配線１７２と同時形成されたものであり、いずれも画素領域１１０ａの外側（周辺領域１１０ｃ）において画素領域１１０ａの相対向する辺に沿って配列されている。かかる補助配線用端子１７２ａは、後述する補助配線検査工程において利用される。
【００４５】
（有機ＥＬ装置の製造方法および製造装置）
図１〜図４を参照して説明した有機ＥＬ装置１００は、図５（ａ）、（ｂ）を参照して説明する製造装置において、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる状態での複数の処理を行なうことにより製造される。
【００４６】
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００の製造装置の構成を模式的に示す平面図、およびこの製造装置の補助配線検査室に配置された検査装置の説明図である。
【００４７】
図５（ａ）には、有機ＥＬ装置１００の製造装置１０のうち、図３（ａ）および図４（ａ）、（ｂ）に示す隔壁１５１までを形成し終えた第１基板１１０に対して、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）、および無機膜（電子注入層１７０、第２電極層１７１、補助配線１７２、補助配線用端子１７２ａ）を形成するとともに、封止用の第２基板１２０を貼り合せるまでの処理を行なう部分が示されている。
【００４８】
図５に示す製造装置１０は、クラスタ型の処理ステーション１１〜１４と、封止ステーション１５とを備えている。処理ステーション１１と処理ステーション１２との間は基板搬送室２１で接続され、処理ステーション１２と処理ステーション１３との間は基板搬送室２２で接続され、処理ステーション１３と処理ステーション１４との間は基板搬送室２３で接続され、処理ステーション１４と封止ステーション１５との間は基板搬送室２４で接続されている。ここで、処理ステーション１１〜１４、封止ステーション１５、基板搬送室２１〜２４はいずれも、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。
【００４９】
第１番目の処理ステーション１１は、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１１ａと、メインチャンバ１１ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１１ｂ〜１１ｅとを備えており、メインチャンバ１１ａおよびサブチャンバ１１ｂ〜１１ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１１ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置され、かかる基板搬送ロボットは、第１基板１１０（被処理基板）の搬送、取り上げ、載置などを行なうアームを備えている。本形態において、処理ステーション１１は前処理クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１１ｂ〜１１ｅは各々、第１基板１１０の仕込み室、加熱室、前処理室、予備室として利用される。
【００５０】
第２番目の処理ステーション１２（有機機能膜形成エリア）も、第１番目の処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１２ａと、メインチャンバ１２ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１２ｂ〜１２ｅとを備えており、メインチャンバ１２ａおよびサブチャンバ１２ｂ〜１２ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１２ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、処理ステーション１２は、第１の有機蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１２ｂ〜１２ｄは各々、有機蒸着室として利用され、サブチャンバ１２ｅは、予備室として利用される。
【００５１】
第３番目の処理ステーション１３（有機機能膜形成エリア）も、処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１３ａと、メインチャンバ１３ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１３ｂ〜１３ｅとを備えており、メインチャンバ１３ａおよびサブチャンバ１３ｂ〜１３ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１３ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、第３番目の処理ステーション１３は、第２の有機蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１３ｂ〜１３ｄは各々、有機蒸着室として利用され、サブチャンバ１３ｅは、予備室として利用される。
【００５２】
第４番目の処理ステーション１４（無機膜形成エリア）も、処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１４ａと、メインチャンバ１４ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１４ｂ〜１４ｅとを備えており、メインチャンバ１４ａおよびサブチャンバ１４ｂ〜１４ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１４ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、第４番目の処理ステーション１４は、金属蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１４ｂ〜１４ｄは各々、金属蒸着室として利用される。本形態において、サブチャンバ１４ｅは、補助配線検査室（補助配線検査部）として利用される。
【００５３】
封止ステーション１５は、長方形のメインチャンバ１５ａと、メインチャンバ１５ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１５ｂ〜１５ｄとを備えており、メインチャンバ１５ａおよびサブチャンバ１５ｂ〜１５ｄは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１４ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。ここで、サブチャンバ１５ｂ〜１５ｄは各々、シール材塗布室、封止ガラス（第２基板１２０）の搬入室、基板搬出口として利用される。
【００５４】
このように構成した有機ＥＬ装置１００の製造装置１０において、基板搬送室２１〜２４での基板の受け渡しは、その前後に位置するステーションに配置された基板搬送ロボットにより行なわれる。また、各ステーションにおいて、メインチャンバとサブチャンバとの間や、メインチャンバと基板搬送室との間にはゲートバルブ（図示せず）が配置されている。
【００５５】
（補助配線検査室の構成）
本形態の有機ＥＬ装置１００の製造装置１０のうち、サブチャンバ１４ｅは、補助配線１７２に対する補助配線検査室として利用される。すなわち、本形態では、図３（ｂ）に示すように、第１基板１１０には、複数本の補助配線１７２の両端に補助配線１７２の幅寸法よりも幅広の補助配線用端子１７２ａが形成されている一方、サブチャンバ１４ｅ（補助配線検査室）には検査装置２００が配置されている。検査装置２００は、コネクタカード状に形成されており、本体部分２２０に複数の検査端子２１０が形成されている。かかる複数の検査端子２１０は、検査装置２００の本体部分２２０を第１基板１１０に重ねた際、補助配線用端子１７２ａに一対一で接触するように構成されている。また、サブチャンバ１４ｅには検査装置２００に対する昇降装置（図示せず）が構成されており、補助配線１７２が形成された第１基板１１０がサブチャンバ１４ｅ内に搬入されてステージ（図示せず）上に載置されると、検査装置２００が下降し、複数の検査端子２１０が各々補助配線用端子１７２ａに接触する。
【００５６】
そして、検査装置２００は、補助配線用端子１７２ａを介して複数本の補助配線１７２の電気的抵抗や、短絡などを１本ずつ検査する。それ故、複数本の補助配線用端子１７２ａの各々について電気的抵抗のばらつきが、短絡の有無などを検査することができる。
【００５７】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
図１〜図４を参照して説明した有機ＥＬ装置１００を製造するには、例えば、単品サイズの基板に対して各工程を行なう方法と、第１基板１１０を多数取りできる大型基板に各工程を行なった後、大型基板に対して、第２基板１２０を多数取りできる大型基板を貼り合わせ、しかる後に単品サイズの有機ＥＬ装置１００を切断する方法が採用される。いずれの方法でも基本的な内容は同様であるので、以下の説明では、単品サイズの基板を用いる場合を説明する。
【００５８】
本形態では、まず、図３（ａ）および図４（ｂ）に示すように、第１基板１１０に対して周知の半導体プロセス、その他のプロセスを利用して第１基板１１０に隔壁１５１を形成した後、図４に示す第１番目の処理ステーション１１のサブチャンバ１１ｂ（仕込室）に第１基板１１０を投入する。次に、サブチャンバ１１ｃ（加熱室）において第１基板１１０に真空加熱を行ない、第１基板１１０に付着していた水分を除去する。次に、サブチャンバ１１ｄ（前処理室）において第１基板１１０に酸素プラズマを照射する。かかる酸素プラズマ照射を行なえば、第１電極層１４０を構成するＩＴＯ膜の仕事関数を正孔注入層１８１のＨＯＭＯレベルと同等レベルに調整することができるので、正孔移動の障壁ができることを防止することができる。
【００５９】
次に、基板搬送室２１を介して第１基板１１０を第１番目の処理ステーション１１から第２番目の処理ステーション１２に搬送し、計３回の有機機能膜形成工程を行なう。第２番目の処理ステーション１２では、まず、サブチャンバ１２ｂ（有機蒸着室）において正孔注入層１８１を真空蒸着する。その際、第１基板１１０に対して、成膜用マスクを重ねておき、第１基板１１０の所定領域に正孔注入層１８１を選択的に形成する。次に、サブチャンバ１２ｃ（有機蒸着室）において正孔輸送層１８２を真空蒸着する。その際も、第１基板１１０に対して、成膜用マスクを重ねておき、第１基板１１０の所定領域に正孔輸送層１８２を選択的に形成する。以下、同様な方法で、サブチャンバ１２ｅ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｂ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。なお、サブチャンバ１２ｅ（予備室）は、第２番目の処理ステーション１２での処理前、処理途中あるいは処理後の第１基板１１０の一時的な滞留や、蒸着材料の保管に用いられる。
【００６０】
次に、基板搬送室２２を介して第１基板１１０を第２番目の処理ステーション１２から第３番目の処理ステーション１３に搬送し、計３回の有機機能膜形成工程を行なう。第３番目の処理ステーション１３では、まず、サブチャンバ１３ｂ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｇ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。次に、サブチャンバ１３ｃ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｒ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。次に、サブチャンバ１３ｄ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に電子輸送層１８４を真空蒸着（マスク蒸着）する。なお、サブチャンバ１３ｅ（予備室）は、第３番目の処理ステーション１３での処理前、処理途中あるいは処理後の第１基板１１０の一時的な滞留や、蒸着材料の保管に用いられる。
【００６１】
次に、基板搬送室２３を介して第１基板１１０を第３番目の処理ステーション１３から第４番目の処理ステーション１４に搬送し、計３回の無機膜形成工程を行なうとともに、補助配線１７２に対する検査を行なう。第４番目の処理ステーション１４では、まず、サブチャンバ１４ｂ（金属蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に電子注入層１７０を真空蒸着（マスク蒸着）する。かかるマスク蒸着によれば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術によるパターニングを行なう必要がないので、先に形成した有機機能層を水分で劣化させることなく、電子注入層１７０を所定領域に形成することができる。
【００６２】
次に、補助配線形成工程では、サブチャンバ１４ｃ（金属蒸着室／補助配線形成部）において、第１基板１１０の所定領域に補助配線１７２を真空蒸着（マスク蒸着）する。その際、補助配線１７２の両端には、補助配線用端子１７２ａを同時形成する。
【００６３】
次に、補助配線検査工程では、サブチャンバ１４ｅ（補助配線検査室）において、ステージ（図示せず）上に第１基板１１０が載置されると、図５（ｂ）を参照して説明した検査装置２００が下降し複数の検査端子２１０が各々補助配線用端子１７２ａに接触する。そして、検査装置２００は、補助配線用端子１７２ａを介して複数本の補助配線１７２の電気的抵抗や、短絡などを１本ずつ検査し、補助配線１７２の良否を１本ずつ検査する。その結果、補助配線１７２に不具合が発見された第１基板１１０については、フラグを付して後工程を行なわない。
【００６４】
これに対して、補助配線１７２に不具合が発見されなかった第１基板１１０については、次の第２電極層形成工程において、サブチャンバ１４ｄ（金属蒸着室／第２電極層形成部）で第１基板１１０の所定領域に第２電極層１７１を真空蒸着（マスク蒸着）する。
【００６５】
その結果、図５に示す第１基板１１０には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する３つの有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）をサブ画素して備えた画素がマトリクス状に形成される。
【００６６】
次に、基板搬送室２４を介して第１基板１１０を第４番目の処理ステーション１４から封止ステーション１５に搬送する。封止ステーション１５では、まず、サブチャンバ１５ｂ（シール材塗布室）において、第１シール材および第２シール材を順次塗布した後、メインチャンバ１５ａにおいて、サブチャンバ１５ｃ（封止ガラス搬入室）に搬入されていた第２大型基板を第１基板１１０に重ね合わせるとともに、シール材を硬化させ、第１基板１１０と第２大型基板とを第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合せる。
【００６７】
しかる後には、第２基板１２０が貼り合わされた第１基板１１０をサブチャンバ１５ｄ（基板搬出口）から搬出する。かかる工程によって有機ＥＬ装置１００が完成する。
【００６８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、複数の画素１００ａに跨るように形成された第２電極層１７１の下層側に、第２電極層１７１と接する複数本の補助配線１７２が一方向に延在しているため、第２電極層１７１の電気的抵抗が高いのを補助配線１７２によって補うことができるとともに、第２電極層１７１の電気的抵抗の場所毎のばらつきを補助配線１７２によって吸収することができる。それ故、有機ＥＬ装置１００の輝度ばらつきを解消することができる。
【００６９】
また、補助配線１７２は、マスク蒸着で形成するなどの制約から一方向に延在するように形成されており、補助配線１７２に断線や電気的抵抗のばらつきがあると、第２電極層１７１の電気的抵抗のばらつきを十分、吸収することができないが、また、補助配線１７２をマスク蒸着によって形成した場合には特に、電気的抵抗のばらつきや、断線などが発生しやすい。しかるに本形態において、補助配線１７２の両端の各々には、補助配線１７２の幅寸法よりも幅広の補助配線用端子１７２ａが電気的接続され、かかる補助配線用端子１７２ａでは検査端子２１０を接触させることできる。従って、補助配線１７２の断線や電気的抵抗のばらつきを検査することができる。それ故、補助配線１７２の電気特性が低い第1基板１１０については、不具合品として排除できるとともに、その結果を製造工程にフィードバックすることができる。よって、輝度ばらつきが発生する有機ＥＬ装置１００が製造されることがない。
【００７０】
また、かかる電気的な検査は、外観検査と違って、大気と異なる雰囲気とされたサブチャンバ１４ｅ内でも行うことができるので、有機ＥＬ装置１００を製造する際、支持基板１１０ｄを製造装置１０から大気中に出す必要がないので、補助配線１７２の検査工程を追加した場合でも、有機ＥＬ装置１００の生産性が低下することがない。また、本形態において、補助配線用端子１７２ａを補助配線１７２と同時形成したため、補助配線用端子１７２ａを追加した場合でも、工程数が増えない。
【００７１】
特に本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッションタイプであるため、第２電極層１７１の膜厚を薄くする必要があり、かつ、補助配線１７２については、隣接する画素１００ａの各間を通るように幅狭に形成しなければならないという制約があるため、第２電極層１７１の電気的抵抗がばらつきやすく、補助配線１７２にも断線や、配線抵抗のばらつきが発生しやすいが、本形態によれば、補助配線１７２の良否を確実に検査することができるため、かかる断線や配線抵抗のばらつきに起因する輝度ばらつきの発生を防止することができる。
【００７２】
さらに、補助配線用端子１７２ａは、画素領域１１０ａの外側（周辺領域１１０ｃ）に形成されているため、検査端子２１０を補助配線用端子１７２ａに接触させても有機ＥＬ素子１８０を損傷させることがない。
【００７３】
［補助配線および補助配線用端子の改良例１］
図６は、本発明を適用した別の有機ＥＬ装置に用いた第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図である。上記実施の形態において、複数本の補助配線１７２は、互いに独立して形成され、１本の補助配線１７２の各両端に補助配線用端子１７２ａが形成されている構成を採用したが、図６に示すように、複数本の補助配線１７２が互いに直列され、直列に接続された複数本の補助配線１７２のうち、両端に位置する補助配線１７２の端部に補助配線用端子１７２ａが形成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、複数本の補助配線１７２の良否を一括して検査することができる。
【００７４】
この場合、直列に接続された補助配線１７２の数は偶数本、例えば、図６に示すように、直列に接続された補助配線１７２の数が２本であれば、画素領域１１０ａの１辺に沿って補助配線用端子１７２ａが配列されている構成となる。このように構成すると、補助配線用端子１７２ａが特定の領域に集まっているので、補助配線用端子１７２ａに、図４（ｂ）に示す検査端子２１０を接触させるのが容易である。
【００７５】
［補助配線および補助配線用端子の改良例２］
図１〜図５を参照して説明した実施の形態では、複数本の補助配線１７２は、互いに独立して形成され、１本の補助配線１７２の各両端に補助配線用端子１７２ａが形成されている構成を採用したが、複数本の補助配線１７２の一方の端部については共通の補助配線用端子を形成し、補助配線１７２の他方の端部について個別の補助配線用端子を形成してもよい。このように構成すると、検査装置に設ける検査端子の数を減らすことができるなど、検査装置の構成を簡素化することができる。
【００７６】
［補助配線および補助配線用端子の他の構成例］
上記実施の形態では、補助配線１７２と補助配線用端子１７２ａとを同時形成したが、補助配線１７２が、絶縁膜のコンタクトホールを介して、データ線６ａや走査線３ａと同時形成された補助配線用端子に電気的接続された構造を採用してもよい。
【００７７】
上記実施の形態では、補助配線１７２を第２電極層１７１の下層側に形成したが、補助配線１７２が第２電極層１７１の上層側に形成された有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態では、画素領域１１０ａの外側（周辺領域１１０ｃ）に補助配線用端子１７２ａを形成したが、画素領域１１０ａに、表示に直接寄与しないダミー画素が構成されている場合などにおいては、かかるダミー画素の形成領域内に補助配線用端子１７２ａを形成してもよい。
【００７９】
［その他の実施の形態］
上記形態では、真空蒸着法により形成された有機機能層を検査対象としたが、インクジェット法などで形成した有機機能層を備えた有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。すなわち、有機ＥＬ素子の正孔注入層を形成するにあたっては、３、４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。また、有機ＥＬ素子の発光層を形成するにあたっては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、１９１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。
【００８０】
上記実施の形態では、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００としてトップエミッション型の有機ＥＬ装置を説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。
【００８１】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。図７（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図７（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００８２】
なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造装置の構成を模式的に示す平面図、およびこの製造装置の補助配線検査室に配置された検査装置の説明図である。
【図６】本発明を適用した別の有機ＥＬ装置に用いた第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図８】従来の有機ＥＬ装置に用いた第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０・・有機ＥＬ装置の製造装置、１１、１２、１３、１４・・処理ステーション、１００・・有機ＥＬ装置、１００ａ・・画素、１１０・・第１基板、１１０ａ・・画素領域、１１０ｃ・・周辺領域、１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・有機ＥＬ素子、１８１・・正孔注入層（有機機能層）、１８２・・正孔輸送層（有機機能層）、１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・発光層（有機機能層）、１８４・・電子輸送層（有機機能層）、１７０・・電子注入層、１７１・・陰極層、１７２・・補助配線、１７２ａ・・補助配線用端子、２００・・検査装置、２１０・・検査端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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