(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品と、を有する実装構造体であって、
前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、
前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と、弾性を有する少なくとも一組の第１突部及び第２突部と、を有し、
前記第１突部及び第２突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して弾性変形された接触面を形成し、前記第１突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、前記第２突部の接触面は前記第１突部に対応する縦方向及び横方向の幅を有すると共に、前記第１突部の接触面の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとし、
前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面は、前記透光性基板を通して観察でき、
前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面と形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
請求項１記載の実装構造体において、
前記第１突部及び第２突部のうち少なくとも一方は端子を構成する
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
請求項２記載の実装構造体において、
前記第１突部と前記第２突部の少なくとも一方の端子は、透光性材料で形成された基板側端子に接続される
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項４】
透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品と、を有する実装構造体の検査方法であって、
前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、
前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と弾性を有する少なくとも一組の第１突部及び第２突部と、を有し、
前記第１突部及び前記第２突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して接触面を形成し、
該接触面は、前記電子部品の実装時の圧力の変化によって接触長さが変化し、
前記第１突部と前記第２突部とは、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっており、
前記透光性基板を通して前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面を観察して、前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査する
ことを特徴とする実装構造体の検査方法。
【請求項５】
請求項４記載の実装構造体の検査方法において、
前記第１突部及び第２突部の接触面は各々対応する縦方向及び横方向の幅を有し、
前記第１突部の接触面は、縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とした接触面であり、
前記第２突部の接触面は、前記第１突部の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする接触面であるか、又は縦方向と横方向の幅が同じ長さである接触面であるかに基づいて検査する
ことを特徴とする実装構造体の検査方法。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の実装構造体を有することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）等といった電子部品を基板上に実装してなる実装構造体及びその実装構造体の検査方法に関する。また、本発明は、その実装構造体を用いて構成される電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ等といった電子部品を基板上に実装する実装構造体においては、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式等といった実装方式によって接合部材を用いて電子部品を基板上に実装している。電子部品を基板に実装する方法として、電子部品と基板とを接合部材であるＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて接着する方法が知られている。この方法では、電子部品の入力用端子又は出力用端子となる突起状の端子（以下、バンプという）が、ＡＣＦ内にランダムに配置された導電性粒子を介して、基板上に形成された基板側端子に導電接続される。
【０００３】
また、電子部品を基板に実装する他の方法として、電子部品と基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film：非導電膜）を用いて接続する方法が知られている。この方法では、電子部品に弾性変形可能なバンプを設け、その電子部品を基板に適宜の押圧力の下に接着（以下、圧接ということがある）することによりそのバンプを変形させて基板側端子に接触させる。こうしてバンプと基板側端子とを直接的に接続している。
【０００４】
電子部品と基板との実装が正常であるかどうかは、電子部品のバンプと基板側端子との接触状態に大きく影響される。このため、電子部品のバンプと基板側端子との実際の接触部分を人間が顕微鏡を用いて目視で確認することにより両者の接触状態を検査する場合がある。この場合、あらかじめ用意された判定基準を元に確認が行われる。しかしながら、人間の目視で確認する場合には、その作業者が熟練した技術を有することが必要である。特にＡＣＦを用いた接続方法では、基板側端子の領域内における導電性粒子の数、分布状態、潰れ形状等を判定基準に基づき判断するので、目視にて良否を正確に判断することは困難である。
【０００５】
そこで、従来、高度な機能を有するカメラ等を備えた実装構造体の検査装置が知られている（例えば、特許文献１〜５参照）。これらの特許文献１〜５に開示された検査装置は、カメラ、微分干渉顕微鏡及びそれらを制御するコンピュータ等を有し、それらを用いて電子部品の実装状態を判定している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２６９９３４号公報（第６〜７頁、図４）
【特許文献２】特開２００７−５３２０７号公報（第５〜６頁、図１）
【特許文献３】特開２００５−２２７２１７号公報（第５頁、図２）
【特許文献４】特開２００６−１８６１７９号公報（第６頁、図１）
【特許文献５】特開２００６−２６６８０４号公報（第５〜６頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１〜５に開示された検査装置はカメラ等の構成要素が非常に高価であり、その検査装置を用いて実装状態の検査を行うことにすれば、検査のためのコストが増加する。そして、その検査装置を用いた検査工程を実装構造体の製造工程に組み入れれば、実装構造体の製造工程全体のコストが増加するという問題がある。
【０００８】
ところで、上記の弾性変形可能なバンプを備えた電子部品をＮＣＦを用いて基板上に実装する方法においては、その実装状態の良否判定を、電子部品を実装した状態における当該電子部品のバンプの変形量に基づいて判定することが可能である。例えば、電子部品のバンプが所定の変形量だけ弾性変形していれば、当該バンプと基板側端子との接触面積が十分に確保されていることになり、その接触状態が適正であると判定することができる。ＡＣＦを用いた接着方法によって作製された実装構造体を検査する際にはカメラが必要であったが、バンプの変形量に基づいた本判定方法によれば、カメラ等といった高価な装置を用いなくても人間の目視によって接触状態を確認することができる。しかしながら、この場合においても、作業者の熟練度に依存しないための簡単且つ明確な判定基準が必要である。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電子部品の端子を弾性変形させて当該電子部品を基板に実装する構成において、電子部品の端子と基板の端子との接触状態を目視にて容易に確認できる実装構造体、その実装構造体の検査方法及びその実装構造体を備えた電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る実装構造体は、透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品とを有する実装構造体であって、前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と、弾性を有する少なくとも一組の第１突部及び第２突部とを有し、前記第１突部及び第２突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して弾性変形された接触面を形成し、前記第１突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、前記第２突部の接触面は前記第１突部に対応する縦方向及び横方向の幅を有すると共に、前記第１突部の接触面の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとし、前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面は、前記透光性基板を通して観察でき、前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができることを特徴とする。
【００１１】
上記の実装構造体を構成する電子部品は、樹脂によって形成した核（コア）となる突起体の表面に導電膜を形成してなるバンプ、いわゆる樹脂コアバンプを有する電子部品である。本発明の電子部品において、突起状端子の構成要素である突起体は、１つの突起状端子に対応した個々に分離された島状に形成される場合もあれば、複数の突起状端子間で繋がった一体形状に形成される場合もある。複数の突起状端子間で繋がった形状に形成される場合も、その突起体の一部分に導電膜が島状に形成されて１つの突起状端子を構成することになる。
【００１２】
この電子部品では、弾性を有する突起体上に設けられた導電膜が、例えば電子部品内部に導電接続された電極まで延びて導電接続されることにより、導電膜が電子部品内部の電子素子等に導電接続される。すなわち、電子部品の内部と当該電子部品が実装される透光性基板の基板側端子とが、突起状端子の導電膜を介して導電接続される。
【００１３】
電子部品は、導電膜と基板側端子とが直接的に接触した状態で接合部材を用いて透光性基板上に実装される。上記構成の電子部品を用いた実装構造体では、導電粒子を用いないで導電膜と基板側端子とを導電接続できるので、互いに隣接する導電膜の間、又は互いに隣接する基板側端子の間に導電粒子が介在するということがなく、よって、それらの端子間にて短絡が生じてしまうことがなくなる。また、電子部品を基板に実装した後に、使用環境によって導電接続部が離れてしまった場合でも、それに応じて突起体が弾性変形するため、その復元力により突起体上の導電膜と基板側端子との接触が維持されて接触不良が生じることがなくなる。
【００１４】
上記構成の電子部品を透光性基板の実装面に実装した実装構造体では、第１突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、第２突部の接触面は第１突部の接触面の長辺とは異なる方向の幅を長辺とするか、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとしている。本発明の実装構造体における接触面の具体的な態様は以下の（１）〜（４）の通りである。（１）第１突部の接触面は縦方向の幅が長辺であり、第２突部の接触面は横方向の幅が長辺である。（２）第１突部の接触面は横方向の幅が長辺であり、第２突部の接触面は縦方向の幅が長辺である。（３）第１突部の接触面は縦方向の幅が長辺であり、第２突部の接触面は縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さである。（４）第１突部の接触面は横方向の幅が長辺であり、第２突部の接触面は縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さである。
【００１５】
なお、上記構成の接触面の形状は、例えば正方形状、長方形状、一対の湾曲した辺を有する形状（いわゆる樽形状）、円形状、又は楕円形状等が考えられる。また、接触面の幅とは、接触面の所定方向に沿った部分のことである。例えば、接触面が正方形状又は長方形状であれば、縦方向及び横方向の辺が接触面の幅である。接触面が樽形状であれば、湾曲した辺が延びる方向に沿った部分及び当該湾曲した辺が延びる方向に直角方向の部分が接触面の幅である。接触面が円形状又は楕円形状であれば、縦方向及び横方向の径の部分が接触面の幅である。
【００１６】
本発明に係る実装構造体によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される面上に第１突部と第２突部を設けたので、それらの突部を用いて、複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる。第１突部と第２突部は、それぞれ透光性基板と接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察することができる。このとき観察した接触面が上記接触面の具体的態様の（１）〜（４）に示す関係であれば、突起状端子と基板側端子との接触状態は適正である。このように透光性基板を通して接触面を観察することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては電子部品を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。
【００１７】
また、本発明に係る実装構造体において、第１突部及び第２突部は、弾性を有する突起体と、該突起体上に設けられた島状の金属膜とを有し、前記接触面は、前記第１突部の金属膜又は前記第２突部の金属膜が前記透光性基板に接触することによりそれらの金属膜の表面に形成される。本発明の実装構造体を構成する電子部品において、第１突部及び第２突部は、それぞれが透光性基板の実装面に接触して弾性変形することにより接触面を形成している。第１突部及び第２突部は、電子部品の実装時の圧力の変化によって弾性変形の量が異なり、その変形量の違いによって接触面の接触長さが変化する。そして、前記第１突部の金属膜と前記第２突部の金属膜とは、前記接触面の接触長さが変化する方向（例えば縦方向）に対して直角方向（例えば横方向）の幅が互いに異なっていることが望ましい。第１突部及び第２突部の突起体上に金属膜を設ければそれらの金属膜において光が反射できる。その結果、各突部の接触面を、例えば顕微鏡を用いて人間の目視で観察する際に接触面が光沢面となって見えるので、金属膜が無い場合に比べて接触面を明確に観察することができる。
【００１８】
また、本発明態様において、第１突部及び第２突部を構成する突起体は、突起状端子を構成する突起体と同じ形状、同じ大きさ、及び同じ材質とすることができる。そして、突起体上に形成される金属膜は、突起状端子の突起体上に設けられる導電膜と同様に島状に形成される。ただし、第１突部の金属膜又は第２突部の金属膜うちの少なくとも一方は、接触面の長さが変化する方向に対して直角方向の幅が、突起状端子の導電膜と異なっている。すなわち、第１突部及び第２突部は、それらの幅を除いて実質的に突起状端子と同じ構成とすることができる。こうすれば、実際の導電接続部分である突起状端子の導電膜と相手側、すなわち透光性基板との接触状態と略同じ状態で検査を行うことができる。なお、各突部の突起体は、突起状端子の突起体とは別体に形成することもできるし、半導体端子の突起体と一体にその一部分として形成することもできる。
【００１９】
次に、本発明に係る実装構造体において、前記第１突部及び第２突部のうち少なくとも一方は端子を構成することが望ましい。本発明態様において、第１突部及び第２突部のうちの少なくとも一方の金属膜は、突起状端子の導電膜と同じ材料を用いて形成され、さらに電子部品内部に導電接続された電極を介して電子部品の内部の電子素子等に導電接続させることができる。こうすれば、第１突部及び第２突部のうちの少なくとも一方は電気的な端子としての機能を有することができる。すなわち、第１突部及び第２突部を突起状端子として電子部品の駆動に用いることができる。なお、第１突部及び第２突部の金属膜は、電子部品内部の素子等に導電接続されていない状態、すなわち金属膜が電気的に独立した状態に形成することができる。この構成の第１突部及び第２突部は、専ら突起状端子と相手側との接触状態の検査のために用いられる。
【００２０】
次に、第１突部及び第２突部の少なくとも一方を端子とした本発明に係る実装構造体において、端子として形成された前記第１突部と前記第２突部の少なくとも一方は、透光性材料で形成された基板側端子に接続されることが望ましい。本発明態様では、透光性基板の基板側端子を透光性部材を用いて形成している。そして、第１突部及び第２突部のうちの少なくとも一方はその透光性部材からなる基板側端子に接触して接触面を形成する。このように、透光性部材を用いて形成された基板側端子に各突部を接触させるようにすれば、各突部を透光性基板の他の部分に接触させる場合に比べて、実際の導電接続部分である突起状端子と基板側端子との接触状態により近い状態で検査を行うことができる。基板側端子を構成する透光性部材は、例えば導電性の材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）を用いて形成することができる。
【００２１】
なお、第１突部及び第２突部に接触する透光性部材は、その形状が基板側端子と同じであっても、機能的には端子（すなわち、電気的な接続の用を成す部材）ではなく、いわゆるダミー端子として設けることもできる。この場合の透光性部材は、例えば非導電性の材料であるＳｉＯ２やＳｉＮ等を用いて形成することができる。この場合、透光性部材は、基板側端子と同じ形状であって専ら導電膜と基板側端子との接触状態の検査のために用いられる。
【００２２】
本発明態様によれば、第１突部及び第２突部のうちの少なくとも一方は、透光性部材に接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板及び透光性部材を通して観察することができる。従って、第１突部の接触面と第２突部の接触面との相対的な形状の違いを基に、導電膜と基板側端子との接触状態を検査することにより、導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。
【００２３】
次に、本発明に係る実装構造体において、複数の前記突起状端子は透光性基板へ実装される面である前記能動面の１つの辺に沿って１列に並べて配置され、前記第１突部と前記第２突部とは、複数の前記突起状端子が形成する列内に互いに隣接して設けられていることが望ましい。本発明態様の電子部品は、能動面の端辺に沿って１列の端子列を設けた構成である。この構成の電子部品においては、互いに対向する２つの辺のそれぞれに１列の端子列を設けることができる。こうすれば、一方の端子列を電子部品の入力用端子とし、他方の端子列を電子部品の出力用端子とすることができる。
【００２４】
本発明態様においては、互いに幅が異なる第１突部と第２突部とが互いに隣接して配置されている。こうすれば、例えば、第１突部と第２突部を顕微鏡で観察したときに、顕微鏡の１つの視野内に収まる領域内にそれらの検査用突部を収めることができるので、第１突部と第２突部との相対的な関係を１つの同じ視野内で観察することができる。また、第１突部と第２突部とを複数の突起状端子が形成する列内に互いに隣接させて設けることにより、その列内に設けられた複数の突起状端子に関して、導電膜と基板側端子との接触状態について間接的に検査することができる。
【００２５】
次に、本発明に係る電子部品において、複数の前記突起状端子は前記能動面の１つの辺に沿って互いに平行な複数列に並べて配置され、第１突部は複数の前記突起状端子が形成する１つの列に配置され、第２突部は複数の前記突起状端子が形成する他の列に配置され、前記第１突部と前記第２突部とは互いに隣接して配置されていることが望ましい。
【００２６】
本発明態様の電子部品は、能動面の１つの端辺に沿って複数の端子列を設けた構成である。この構成の電子部品において、互いに対向する２つの辺のそれぞれに複数の端子列を設けることができる。こうすれば、一方の辺に沿った端子列を電子部品の入力用端子とし、他方の辺に沿った端子列を電子部品の出力用端子とすることができる。また、能動面の１つの辺に沿って複数の端子列を設ければ、能動面の１つの辺に沿って１列の端子列を設ける場合に比べて、能動面の面積を変えることなく（すなわち、電子部品を大きくすることなく）、突起状端子の数を増やすことができる。突起状端子の数が増えることにより、電子部品を実装する相手側の端子の数も増やすことができる。その結果、複数の相手側の端子から延びる配線の数を増やすことができる。これにより、例えば、電子部品を液晶表示装置等の駆動用ＩＣとして用いる場合に、その液晶表示装置等の表示の高精細化に寄与できる。なお、配線数が増えた場合にはそれらの配線同士の間の距離（いわゆる配線ピッチ）が狭くなる。
【００２７】
また、本発明態様においては、互いに幅が異なる第１突部と第２突部とが互いに隣接して配置されている。こうすれば、例えば、検査の際に顕微鏡で観察したときに顕微鏡の１つの視野内に収まる領域内に互いに幅が異なる第１突部と第２突部を収めることができるので、第１突部と第２突部との相対的な関係を１つの同じ視野内で観察することができる。また、第１突部を複数の突起状端子が形成する１つの列に設け、第２突部を他の列に設けている。これにより、それらの複数の列内に設けられた複数の突起状端子に関して、導電膜と基板側端子との接触状態について間接的に検査することができる。また、１つの端子列と他の端子列との間隔は、一般に、１つの端子列内の端子間距離よりも広いので、第１突部と第２突部とが同じ列内で隣接する場合に比べて、隣接する検査用突部同士の間隔を広くすることができる。そのため、検査用突部を目視にて観察する際にそれらの相対的な関係が見易くなる。
【００２８】
次に、本発明に係る実装構造体において、電子部品の能動面は長方形状であり、前記第１突部と前記第２突部は、前記能動面の少なくとも２つの隅部の近傍に互いに隣接して設けられることが望ましい。こうすれば、能動面上の複数箇所に第１突部と第２突部を含む一組の突起を設けることができるので、それら複数箇所において第１突部の接触面と第２突部の接触面を観察することができる。それ故、能動面の１箇所に第１突部と第２突部を設ける場合に比べて検査の精度が向上する。また、第１突部と第２突部を含む一組の検査用突部を能動面の少なくとも２つの隅部近傍に設けた。こうすれば、能動面上の互いに離れた位置のそれぞれにある一組の突部において接触面を観察できるので、それらの間に設けられた複数の突起状端子の変形状態について間接的に検査することができる。
【００２９】
次に、本発明に係る実装構造体において、前記接触面の前記接触長さが変化する方向（例えば縦方向）に沿った前記突起体の断面は、該突起体が弾性変形していない状態で、前記電子部品の能動面側の部分である底部から前記透光性基板側の部分である頂部にかけて幅が徐々に狭くなる形状とすることができる。これにより、第１突部及び第２突部が平面的に押された際にそれらの突部の表面に形成される接触面の接触長さを押圧力の強弱に対応して変化させるという状態を実現できる。このような断面形状としては、例えば、底部から頂部にかけて曲線を有する半円形状、半楕円形状、半長円形状、又は直線的な傾斜を有する多角形状が考えられる。断面形状がこれらのいずれかの形状に形成された突起体を有する第１突部及び第２突部は、その接触面の形状が平面視で正方形状又は長方形状（以下、矩形状ということがある）になる。ここでいう接触面の正方形状又は長方形状とは、正方形状又は長方形状に近い形状を含むものである。例えば、正方形状又は長方形状の角部が丸みを帯びていたり、正方形状又は長方形状の縁辺の一部が欠けていたり、縁辺がわずかに曲がっている場合も含むものである。
【００３０】
次に、本発明に係る実装構造体の検査方法は、透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品とを有する実装構造体の検査方法であって、前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と弾性を有する少なくとも一組の第１突部及び第２突部とを有し、前記第１突部及び前記第２突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して接触面を形成し、該接触面は、前記電子部品の実装時の圧力の変化によって接触長さが変化し、前記第１突部と前記第２突部とは、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっており、前記透光性基板を通して前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面を観察して、前記第１突部の接触面と前記第２突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することを特徴とする。
【００３１】
本発明に係る実装構造体の検査方法によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される側の面上に第１突部と第２突部を設けたので、それらの突部を用いて、複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる。第１突部及び第２突部は、それぞれ透光性基板と接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察することができる。第１突部と第２突部とは、接触面の接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっているので、それらの突部間で接触面の形状が異なる。第１突部の接触面と第２突部の接触面との相対的な形状の違いを基に、突起状端子と基板側端子との接触状態を検査することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。
【００３２】
次に、本発明に係る実装構造体の検査方法において、前記第１突部及び第２突部の接触面は各々対応する縦方向及び横方向の幅を有し、前記第１突部の接触面は、縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とした接触面であり、前記第２突部の接触面は、前記第１突部の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする接触面であるか、又は縦方向と横方向の幅が同じ長さである接触面であるかに基づいて検査することが望ましい。
【００３３】
本発明に係る実装構造体の検査方法によれば、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察した接触面が、既述の接触面の具体的態様の（１）〜（４）に示す関係であれば、突起状端子と基板側端子との接触状態は適正と判定できる。このように透光性基板を通して接触面を観察することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては電子部品を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。
【００３４】
また、本発明に係る実装構造体の検査方法では、基板側端子を透光性部材を用いて形成し、その透光性部材に第１突部及び第２を接触させることができる。こうすれば、第１突部及び第２突部を透光性基板に接触させる場合に比べて、実際の導電接続部分である導電膜と基板側端子との接触状態により近い状態で検査を行うことができる。
【００３５】
次に、本発明に係る各実装構造体の検査方法において、前記接触面は平面視で正方形状又は長方形状であり、前記接触長さが変化する方向（例えば縦方向）に対して直角方向（例えば横方向）の前記第１突部の幅は前記接触長さの許容できる最小の長さに設定され、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の前記第２突部の幅は前記接触長さの許容できる最大の長さに設定され、前記第１突部の幅、前記第２突部の幅、及び前記接触長さの相対的な関係に基づいて、前記複数の突起状端子とそれらの個々に接触する前記基板側端子との接触状態を検査することが望ましい。以下の説明において、接触長さが変化する方向に対して直角方向の第１突部の幅は、単に第１突部の幅ということがある。一方、接触長さが変化する方向に対して直角方向の第２突部の幅は、単に第２突部の幅ということがある。
【００３６】
本発明態様においては、第１突部の幅を接触長さの許容最小長さに設定し、第２突部の幅を接触長さの許容最大長さに設定する。そして、第１突部の幅と、第２突部の幅と、接触面の接触長さとの相対的な関係に基づいて導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を行うことができる。
【００３７】
以上のように、第１突部の幅を接触長さの最小の長さに設定し、第２突部の幅を接触長さの最大の長さに設定した実装構造体の検査方法における具体的な判定基準としては、以下の（ａ）〜（ｅ）の各態様が考えられる。
【００３８】
（ａ）前記第１突部の幅をＷ１とし、前記第２突部の幅をＷ２とし、前記接触面の前記接触長さをＬとしたとき、
Ｌ＞Ｗ１
であり、且つ
Ｌ≦Ｗ２
の関係にあるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
【００３９】
（ｂ）前記第１突部の幅をＷ１とし、前記第２突部の幅をＷ２とし、前記接触面の前記接触長さをＬとしたとき、
Ｌ≧Ｗ１
であり、且つ
Ｌ＜Ｗ２
の関係にあるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
【００４０】
（ｃ）前記第１突部の接触面の長辺の方向と前記第２突部の接触面の長辺の方向とが異なるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
【００４１】
（ｄ）前記第１突部の接触面の長辺の方向と前記第２突部の接触面の長辺の方向とが同じとき、電子部品の実装状態を不良と判定することができる。
【００４２】
（ｅ）前記第１突部の接触面又は前記第２突部の接触面のいずれか一方が正方形であるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。すなわち、接触面の接触長さが、その接触長さの許容される最小の長さであるか又は許容される最大の長さである場合には、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
【００４３】
上記（ａ）〜（ｅ）のいずれの判定基準を用いた場合であっても、第１突部の接触面と第２突部の接触面との相対的な形状の違いを人間の目視によって観察するだけの簡単な作業により、導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を簡単且つ明確に行うことができる。
【００４４】
次に、本発明に係る電気光学装置は、以上に記載した構成の実装構造体を有することを特徴とする。本発明に係る実装構造体によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される側の面上に第１突部と第２突部を設け、それらの突部が実装時に形成する接触面の相対的な形状の違いを基に、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。従って、その実装構造体を有する本発明に係る電気光学装置も不良品の発生が少なく、しかも低コストで作製できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
（実装構造体の第１実施形態）
以下、本発明に係る実装構造体を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素を解り易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。
【００４６】
図１は、本発明に係る実装構造体の一実施形態を示す平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ線に従った実装構造体の断面構造を拡大して示している。図２（ｂ）は、電子部品としての半導体装置が実装された側と反対側（図２（ａ）の矢印Ｃ側）から見た実装構造体の平面構造を示しており、主に透光性基板を通して見た半導体装置の能動面上の構造を示している。図３（ａ）は、図１の実装構造体を構成する半導体装置を端子等が設けられた能動面側（図２（ａ）の矢印Ｃで示す側）から見た斜視図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の部分拡大図のＤ−Ｄ線に従って１つのバンプの断面構造を拡大して示している。
【００４７】
図１において、実装構造体１は、電子部品としての半導体装置２と、当該半導体装置２が実装された透光性基板３とを有する。半導体装置２と透光性基板３とは接合部材としてのＮＣＦ（Non Conductive Film：非導電膜）４によって互いに接着されている。透光性基板３は、透光性を有する材料、例えば透光性ガラスや透光性樹脂等から成る基材上に、配線２３、入力用端子２１及び出力用端子２２を形成することによって形成されている。端子２１，２２は、配線２３の先端部分である。透光性基板３には必要に応じて他の要素、例えば保護膜が形成される。入力用端子２１及び出力用端子２２は基板側端子である。
【００４８】
半導体装置２は、図３（ａ）に示すように、基材１１と、該基材１１の能動面１１ａ上に形成された突起状端子である複数のバンプ１２と、同じく能動面１１ａ上に形成された一組の突部である検査用バンプ対２０とを有する。能動面とは、半導体素子が形成された面であると共に半導体素子を含む内部回路につながった端子（パッドと呼ばれることがある）が外部に臨み出ている面である。基材１１は、例えばシリコン（Ｓｉ）等の材料を用いて略直方体形状に形成されている。半導体装置２は、例えば液晶表示装置等といった電気光学装置の画素を駆動する駆動用ＩＣ等に用いられる。半導体装置２の能動面下には、図示は省略するが、例えば薄膜トランジスタ等といった複数の電子素子や各電子素子間を接続する配線等が形成されている。
【００４９】
バンプ１２は、複数個が能動面１１ａの互いに対向する２つの長辺１１ｂ及び１１ｃに沿って一定の間隔をおいて配設されている。個々のバンプ１２は、矢印Ｆで拡大して示すように、電極パッド１３と、突起体１４と、導電膜１５とによって構成されている。電極パッド１３は、例えばＡｌ（アルミニウム）等といった導電性の金属材料を用いて形成されている。この電極パッド１３は、上述した半導体装置２内の電子素子等に接続される電極である。従って、導電膜１５は電極パッド１３を介して半導体装置２内部の電子素子等に導電接続されている。なお、半導体装置２の能動面１１ａの全域には、図３（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ等から成るパッシベーション膜１６が形成されている。各電極パッド１３に対応する位置のパッシベーション膜１６には開口部１６ａが形成され、その開口部１６ａから電極パッド１３が能動面１１ａの表面に臨んでいる。
【００５０】
突起体１４は、図３（ａ）に示すように、能動面１１ａの長辺１１ｂ及び１１ｃに沿って直線状に延在している。この突起体１４は、図３（ｂ）に示すように、その延在方向に対して直角方向の断面（図３（ａ）のＤ−Ｄ線に従った断面）の形状が半円形状となっている。なお、突起体の断面形状は、半円形状に限られず、底部から頂部へ向かって徐々に狭くなる形状であれば良い。例えば半楕円形状、半長円形状、三角形状等に形成できる。突起体１４は、弾性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等により形成されている。
【００５１】
導電膜１５は、電極パッド１３の表面から突起体１４の表面にわたって形成されている。この導電膜１５は、導電性の金属材料、例えばＡｕ（金）、ＴｉＷ（チタンタングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）等を用いて単層構造又は多層構造に形成することができる。本実施形態では、ＴｉＷ層１５ａの上にＡｕ層１５ｂを積層して成る２層構造を採用している。このようにＴｉＷ層１５ａの上にＡｕ層１５ｂを積層することにより、導電膜１５の電気抵抗を低減することができる。この導電膜１５を突起体１４の表面に島状に等間隔に複数個並べて形成することにより、図３（ａ）に示すように複数のバンプ１２から成る１つのバンプ列１７が形成される。
【００５２】
検査用バンプ対２０は、バンプ列１７の両端部、すなわち、バンプ列１７のうち能動面１１ａの隅部に最も近い位置に設けられている。この検査用バンプ対２０は、第１突部としての第１検査用バンプ１８と、第２突部としての第２検査用バンプ１９を有している。これらの第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは互いに隣接して配置されている。これらの第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、矢印Ｆで拡大して示すように、信号伝送用のバンプ１２と同様に、突起体１４の表面に金属膜としての導電膜１５が形成された構成となっている。ただし、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９に関しては基材１１内に電極パッド１３は設けられていない。従って、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、半導体装置２内部の電子素子等とは導通せずに電気的に絶縁されている。検査用バンプ対２０については、後に詳しく説明する。
【００５３】
上記構成のバンプ１２、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、以下の方法によって形成することができる。まず、図３（ｂ）の開口部１６ａが形成された状態のパッシベーション膜１６の表面に、突起体１４の材料である感光性樹脂を、例えばスピンコートにより成膜する。次に、成膜した感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によって、図３（ａ）の長辺１１ｂ及び１１ｃに沿った直線状にパターニングする。その後、樹脂に対して熱処理（いわゆるキュア）を行うことにより突起体１４の断面を半円形状に形成する。
【００５４】
その後、能動面１１ａの全体にＴｉＷ層とＡｕ層をスパッタにより順次に成膜する。次に、Ａｕ層の上にレジストを所定パターンに形成し、エッチング処理によってＡｕ層をパターニングする。レジストを除去した後、Ａｕ層をマスクとして用いてＴｉＷ層をパターニングして、図３（ｂ）のＴｉＷ層１５ａとＡｕ層１５ｂから成る導電膜１５が形成される。このとき、バンプ１２を構成する導電膜１５は平面的に見て開口部１６ａに重なることができる形状にパターニングする。一方、第１検査用バンプ１８（図３（ａ）参照）を構成する導電膜１５と第２検査用バンプ１９を構成する導電膜１５は開口部１６ａには重ならない形状にパターニングする。検査用バンプ１８，１９を構成する導電膜１５へは予め開口部を形成させない。以上により、バンプ１２、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９が形成される。
【００５５】
図１に戻って、透光性基板３のうちの半導体装置２を実装する側（図１の紙面手前側）の面Ｓ１上であって、半導体装置２のバンプ１２に対応する位置には、基板側端子である複数の入力用端子２１と、同じく基板側端子である複数の出力用端子２２が設けられている。また、配線２３が個々の入力用端子２１及び個々の出力用端子２２から延びるように基板３上にパターニングによって形成されている。
【００５６】
各入力用端子２１には、矢印Ｅ１で示すように、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板等といった配線基板（図示せず）及び配線２３を介して外部から電気信号が入力される。一方、各出力用端子２２には半導体装置２からの電気信号が出力され、その出力信号は配線２３を介して矢印Ｅ２で示す方向へ伝送される。なお、各出力用端子２２を通じて出力された電気信号は、例えば、図示しない信号処理回路等による処理の用に供される。入力用端子２１、出力用端子２２及び配線２３は、導電性の金属材料、例えばＡｌ，Ｍｏ（モリブデン），Ｗ（タングステン）等によって形成される。なお、以下の説明において、入力用端子２１と出力用端子２２を、単に、基板側端子という場合がある。
【００５７】
次に、半導体装置２を透光性基板３上に実装する方法について説明する。
図４は、図１において矢印Ｚ１で示す部分、すなわち、半導体装置２の能動面１１ａの隅部近傍に設けられた検査用バンプ対２０、及び当該検査用バンプ対２０に隣接した１つのバンプ１２を拡大して示している。なお、図４では、図１において透光性基板３の半導体装置２が実装される面Ｓ１側と反対側（紙面奥側）から検査用バンプ対２０等を見た状態を示している。また、図４では、便宜的に、手前側にある透光性基板３の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある要素を実線で示している。また、図１において、検査用バンプ対２０は４箇所に設けられているが、本実施形態においてこれらは全て同じ構成であるので、以下の説明では矢印Ｚ１で拡大する部分の１つのみを挙げて説明する。
【００５８】
まず、図２（ａ）に示すように、バンプ１２と入力用端子２１との相対位置、及びバンプ１２と出力用端子２２との相対位置を合わせた状態で、半導体装置２を透光性基板３上に載せる。このとき、図１に示すように、検査用バンプ対２０は透光性基板３の表面であって端子２１，２２が無い領域に対向して位置している。そして、図２（ａ）において、半導体装置２に矢印Ｂ方向及び矢印Ｃ方向から所定の圧力を加えた状態で、当該半導体装置２をＮＣＦ４によって透光性基板３の実装面に接着する。このとき、バンプ１２の突起体１４が接着時の圧力によってつぶれた状態へ弾性変形し、その変形に従って、その表面の導電膜１５が平らになるように変形する。その結果、導電膜１５と基板側端子２１，２２は、互いに面状に接触することになる。このときのバンプ１２の導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触面は、図４に符号２４で示すように平面的に見て長方形状となる。なお、接触面２４は、その幅Ｗ３によっては正方形状となる場合もある。突起体１４の断面形状を半円形状、すなわち底部が頂部へ向かって狭くなる形状としたので、突起体１４の延在方向と直角方向の接触面２４の長さＬ（以下、接触長さという）は、押圧力の強弱に従って長く又は短くなるように変化する。
【００５９】
一方、検査用バンプ対２０の導電膜１５は、透光性基板３の透光性基材表面に面状に接触する。第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、それら自身の突起体１４が接着時の圧力によってつぶれた状態へ弾性変形し、その変形に従って、その表面の導電膜１５が平らになるように変形する。その結果、導電膜１５と透光性基板３は、互いに面状に接触することになる。このときの第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９のそれぞれの導電膜１５と透光性基板３との接触面は、図４に符号２５及び２６で示すように平面的に見て長方形状となる。
【００６０】
本実施形態の実装構造体では、検査用バンプ対２０の導電膜１５と透光性基板３の透光性基材との接触状態を確認することにより、バンプ１２の導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触状態を間接的に検査し、その結果から、半導体装置２の実装状態を検査する。以下、その実装状態を検査するための半導体装置２の検査用バンプ対２０（第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９）の構成について詳しく説明する。
【００６１】
図１において、検査用バンプ対２０は、能動面１１ａの四隅の近傍に各１個、合計４個設けられている。検査用バンプ対２０を構成する第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは、図４に示すように、導電膜１５の大きさが互いに異なっている。具体的には、突起体１４の延在方向の中心線Ｘ０に沿った方向（すなわち、図の左右方向）に関して、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２とが互いに異なっている。すなわち、接触面２５，２６の横方向の幅の長さが互いに異なっている。
【００６２】
第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１は、図２（ｂ）の導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触面２４の接触長さＬの許容最小長さに設定されている。許容最小長さとは、図２（ａ）に示すように半導体装置２を透光性基板３に実装した状態で、バンプ１２の導電膜１５と基板側端子２１，２２とが正常に接続されていると判定できる接触長さＬの最小の長さである。本実施形態では、図４に示す幅Ｗ１を１０μｍに設定している。
【００６３】
一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２は、図２（ｂ）の導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触面２４の接触長さＬの許容最大長さに設定されている。許容最大長さとは、図２（ａ）に示すように半導体装置２を透光性基板３に実装した状態で、バンプ１２の導電膜１５と基板側端子２１，２２とが正常に接続されていると判定できる接触長さＬの最大の長さである。本実施形態では、図４に示す幅Ｗ２を２５μｍに設定している。なお、本実施形態において、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１及び第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２は、いずれも信号伝送用のバンプ１２の幅Ｗ３とは異なっている。
【００６４】
第１検査用バンプ１８の接触面２５及び第２検査用バンプ１９の接触面２６は、半導体装置２を透光性基板３に実装するときの押圧力の変化によって接触長さが変化する。この接触長さは接触面２５，２６の縦方向の幅の長さのことであり、図４に符号Ｌで示すように、突起体１４の中心線Ｘ０に対して直角方向（図の上下方向）の接触面２５，２６の長さである。この接触長さＬは、突起体１４の変形量が大きい（すなわち、半導体装置２の実装時の押圧力が大きい）場合に長くなり、逆に、突起体１４の変形量が小さい（すなわち、半導体装置２の実装時の押圧力が小さい）場合に短くなる。なお、本実施形態において、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは、互いに隣接して配置されている。そのため、半導体装置２の実装時には、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは略等しい押圧力によって押されることになる。従って、接触面２５の接触長さＬと接触面２６の接触長さＬとは略同じ長さになる。
【００６５】
本実施形態の実装構造体１は、半導体装置２が透光性基板３の実装面Ｓ１に適正に実装された状態であり、第１検査用バンプ１８の接触面２５は縦方向の幅が長辺となり、第２検査用バンプ１９の接触面２６は第１検査用バンプ１８の接触面２５の長辺とは異なる方向の幅、すなわち横方向の幅が長辺となっている。
【００６６】
本実施形態の実装構造体によれば、半導体装置２のうちの透光性基板３へ実装される面１１ａ上に第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９から成る１組の検査用バンプ対２０を設けた。その検査用バンプ対２０を用いて、複数のバンプ１２とそれらに個々に接触する基板側端子２１，２２との接触状態を検査することができる。第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９は、それぞれ透光性基板３と接触して接触面２５，２６を形成する。それらの接触面２５，１６は、透光性基板３のうちの半導体装置２が実装された側と反対側から、当該透光性基板３を通して観察することができる。このとき観察した接触面２５，２６が、図４に示す態様であれば、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は適正である。このように透光性基板３を通して接触面２５，２６を観察することにより、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては半導体装置を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。
【００６７】
（変形例１）
次に、本発明に係る実装構造体における、第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６の他の態様について、図５を用いて説明する。図５（ａ）は、検査用バンプ対２０と透光性基板３の透光性基材との接触部分を側面（図１の矢印Ｈ方向）から見た状態を示している。図５（ｂ）は、検査用バンプ対２０と透光性基板３の透光性基材との接触部分を、図５（ａ）の矢印Ｃ方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図５（ｂ）は、半導体装置２の実装状態、特に実装時の押圧力が図４の場合と異なる状態を示している。また、図５（ｂ）では、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板３の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある検査用バンプ対２０及びそれに含まれる突起体１４を実線で示している。
【００６８】
図５（ｂ）に示す実施形態では、第１突部としての第１検査用バンプ１８の接触面２５の縦方向の幅が長辺であり、第２突部としての第２検査用バンプ１９の接触面２６の縦方向の幅と横方向の幅とが同じ長さである、すなわち接触面２６が正方形となっている。接触面２５，２６が、図５（ｂ）に示す態様であれば、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は適正である。
【００６９】
（変形例２）
次に、本発明に係る実装構造体における、第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６のさらに他の態様について説明する。図５（ｃ）は、検査用バンプ対２０と透光性基板３の透光性基材との接触部分を、図５（ａ）の矢印Ｃ方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図５（ｃ）は、半導体装置２の実装状態、特に実装時の押圧力が図４及び図５（ｂ）の場合と異なる状態を示している。また、図５（ｃ）でも、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板３の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある検査用バンプ対２０及びそれに含まれる突起体１４を実線で示している。
【００７０】
なお、図４及び図５（ｂ）に示す実施形態では、第１検査用バンプ１８が第１突部に相当し、とし、第２検査用バンプ１９が第２突部に相当している。これに対し、図５（ｃ）に示す本実施形態では、図４及び図５（ｂ）の場合とは逆に、第１検査用バンプ１８が第２突部に相当し、第２検査用バンプ１９が第２突部に相当している。
【００７１】
図５（ｃ）に示す実施形態では、第１検査用バンプ１８の接触面２５の縦方向の幅と横方向の幅とが同じ長さ（すなわち、接触面２６が正方形）となっており、第２検査用バンプ１９の接触面２６の横方向の幅が長辺となっている。接触面２５，２６が、図５（ｃ）に示す態様であれば、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は適正である。
【００７２】
（実装構造体の第２実施形態）
次に、本発明に係る実装構造体の他の実施形態を説明する。図６は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図６のＡ−Ａ線に従った断面構造は、図２に示した第１実施形態と同じとすることができる。また、図６の矢印Ｚ１で示す部分は、透光性基板上の端子の構成を除いて、図４に示した第１実施形態と同じとすることができる。図１に示す第１実施形態では、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は透光性基板３の透光性基材に直接に接触している。これに対し本実施形態では、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、透光性基板３上に設けられた透光性部材に接触している。以下、先の実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
【００７３】
図６において、半導体装置２の四隅の近傍に設けられた第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、他の多数のバンプ１２と同様に半導体装置２内部の電子素子等に導電接続している。つまり、本実施形態の半導体装置２には、図３において矢印Ｆで拡大して示すバンプ１２の電極パッド１３が、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９にも設けられている。そして、半導体装置２の四隅に設けられた第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９に対応する位置には、図６において矢印Ｇで拡大して示すように、それぞれに配線２３が接続された透光性部材としての入力用端子３１又は出力用端子３２が配設されている。それらの端子３１，３２は、能動面１１ａの四隅に設けられた検査用バンプ対２０の構成要素である金属膜としての導電膜１５に導電接続されている。
【００７４】
入力用端子３１及び出力用端子３２は、複数のバンプ１２に導電接続される基板側端子２１，２２と同じ形状に形成されている。また、端子３１，３２は、透光性を有する導電材料、例えばＩＴＯやＩＺＯを用いて形成されている。なお、本実施形態では、基板側端子２１及び２２ならびに配線２３に関しても、ＩＴＯやＩＺＯ等といった透光性の導電膜を用いて形成することができる。こうすれば、基板側端子２１，２２と、配線２３と、端子３１，３２とを同じ材料を用いて同時に形成できる。
【００７５】
本実施形態における第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６の態様は、図４、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示した態様のいずれかと同じであるので、その説明は省略する。なお、本実施形態では、検査用バンプ対２０に接触する端子３１，３２は透光性を有している。従って、検査用バンプ対２０の接触面２５，２６を、透光性基板３の半導体装置２が実装される面と反対側（図６の紙面奥側）から、当該透光性基板３と端子３１，３２を通して観察することができる。
【００７６】
本実施形態の検査用バンプ対２０は、透光性の端子３１，３２に導電接続され、バンプ１２と同様に半導体装置２を駆動するために用いることができる。こうすれば、検査用バンプ対２０を、検査のためだけに用いる場合と異なって、半導体装置２に検査用バンプ対２０を設けるための専用のスペースが必要なくなる。そのため、半導体装置２の小型化に寄与できる。また、検査用バンプ対２０が接触するための領域を透光性基板３に設ける必要がなくなるので、透光性基板３の小型化にも寄与でき、ひいては実装構造体１の全体の小型化に寄与できる。
【００７７】
また、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、それらの幅Ｗ１，Ｗ２がバンプ１２の幅Ｗ３と異なっているのであるが、それ以外の外観形状はバンプ１２と同じである。また、透光性端子３１，３２は外観形状的に基板側端子２１，２２と同じである。そのため、検査用バンプ対２０と透光性端子３１，３２とが接触して接触面２５，２６を形成する状態は、他の複数のバンプ１２とそれらのバンプ１２に個々に接触する基板側端子２１，２２とが接触して接触面２４を形成する状態と実質的に同じである。そのような同じ接触状態である端子３１，３２が直接的な検査対象となるので、他の複数のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態により近い状態で検査することができ、実装状態の検査をより確実に行うことができる。
【００７８】
（実装構造体の第３実施形態）
次に、本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を説明する。図７は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図８は、図７の実装構造体を構成する半導体装置４２を能動面側（図７の紙面奥側）から見た斜視図である。また、図９は、図７の矢印Ｚ２で示す部分、すなわち、半導体装置２の能動面１１ａの隅部近傍を拡大して示している。なお、図９では、図７において透光性基板３の半導体装置４２が実装される面Ｓ１と反対側（紙面奥側）から基板３の能動面を示している。また、図９では、主要構成を分かり易く示すために、手前側にある透光性基板３の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある要素を実線で示している。図７に示す本実施形態は、図１に示す第１実施形態に対して、半導体装置のバンプと透光性基板の基板側端子の配置が異なっている。以下、第１実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
【００７９】
図８において、半導体装置４２は、基材１１と、基材１１の能動面上に設けられた複数のバンプ１２と、基材１１の４つの隅部の近傍に設けられた検査用バンプ対２０とを有する。そして各検査用バンプ対２０は、第１検査用バンプ１８と、第２検査用バンプ１９とを有する。バンプ１２は、複数個が能動面１１ａの一方の長辺１１ｂに沿って２列に並べて配置されている。また、バンプ１２は、複数個が他方の長辺１１ｃに沿って２列に並べて配置されている。すなわち、一方の長辺１１ｂに沿って２列のバンプ列１７ａ，１７ｂが設けられ、他方の長辺１１ｃに沿って２列のバンプ列１７ａ，１７ｂが設けられている。個々のバンプ１２の構成は、図３に示す第１実施形態のものと同じである。すなわち、突起体１４が長辺１１ｂ及び１１ｃに沿って直線状に延在し、その突起体１４上に複数の島状の導電膜１５が等間隔に並べて形成されている。
【００８０】
次に、図７において、透光性基板３の半導体装置４２を実装する側（図７の紙面手前側）の面Ｓ１上に形成される基板側端子２１，２２は、対応する個々のバンプ１２に合わせて配置されている。すなわち、能動面１１ａの一方の長辺１１ｂに沿って２列に並べられたバンプ列１７ａ，１７ｂに対応して、入力用端子２１が２列に並べて配置されている。一方、能動面１１ａの他方の長辺１１ｃに沿って２列に並べられたバンプ列１７ａ，１７ｂに対応して、出力用端子２２が２列に並べて配置されている。そして、配線２３が、個々の端子２１，２２から延びるように基板３上に形成されている。
【００８１】
図８において、検査用バンプ対２０の第２検査用バンプ１９は、能動面１１ａの隅部に最も近い位置、すなわち、長辺１１ｂに近い方のバンプ列１７ａの両端部、及び長辺１１ｃに近い方のバンプ列１７ａの両端部にそれぞれ配置されている。一方、第１検査用バンプ１８は、長辺１１ｂに近い方のバンプ列１７ａに隣接したバンプ列１７ｂの両端部、及び長辺１１ｃに近い方のバンプ列１７ａに隣接したバンプ列１７ｂの両端部にそれぞれ配置されている。そして、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは、能動面１１ａの短辺１１ｄ及び短辺１１ｅに沿って互いに隣接している。
【００８２】
個々の第１検査用バンプ１８の構成及び個々の第２検査用バンプ１９の構成は、図３に示す第１実施形態のものと同じである。すなわち、図８において矢印Ｆで拡大して示すように、突起体１４の表面に島状の導電膜１５が形成された構成となっている。なお、本実施形態において、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９に対しては、電極パッド１３は設けられていない。従って、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、半導体装置２内部の電子素子等とは導通せずに電気的に絶縁されている。
【００８３】
一方のバンプ列１７ｂに設けられた第１検査用バンプ１８と他方のバンプ列１７ａに設けられた第２検査用バンプ１９とは、導電膜１５の大きさが互いに異なっている。具体的には、図９において、突起体１４の中心線Ｘ０に沿った方向（すなわち、図の左右方向）に関して、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２とが互いに異なっている。さらには、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２は、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１よりも広くなっている。そして、第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６とは、同じ押圧力の下で、互いに異なる形状となっている。本実施形態における第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６の態様は、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とがそれぞれ異なるバンプ列に配設されていることを除いて、図４、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示した態様と同じであるので、その説明は省略する。
【００８４】
本実施形態の半導体装置４２では、図８に示すように、能動面１１ａの互いに対向する２つの端辺１１ｂ，１１ｃのそれぞれに２列のバンプ列１７ａ，１７ｂを設けた。こうすれば、能動面１１ａの１つの辺に沿って１列の端子列を設ける場合に比べて、能動面１１ａの面積を変えることなく（すなわち、半導体装置４２を大きくすることなく）、バンプ１２の数を増やすことができる。バンプ１２の数が増えることにより、半導体装置４２を実装する透光性基板３の基板側端子２１，２２の数も増やすことができる。その結果、複数の基板側端子２１，２２から延びる配線２３の数を増やすことができる。これにより、例えば、半導体装置４２を液晶表示装置等の駆動用ＩＣとして用いる場合に、その液晶表示装置等の表示の高精細化に寄与できる。なお、配線２３の数が増えた場合にはそれらの配線２３，２３同士の間の距離（いわゆる配線ピッチ）が狭くなる。
【００８５】
また、本実施形態の半導体装置４２では、第１検査用バンプ１８を一方のバンプ列１７ｂに設け、第２検査用バンプ１９を他方のバンプ列１７ａに設けている。そして、それらの第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とは互いに隣接している。これらの構成により、２つのバンプ列１７ａ，１７ｂのそれぞれに設けられた複数のバンプ１２に関して、導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触状態を第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９を介して間接的に検査することができる。また、バンプ列１７ａとバンプ列１７ｂとの間隔は、一般に、１つのバンプ列内の端子間距離よりも広いので、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とが同じバンプ列内で隣接する場合に比べて、隣接する第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９との間隔を広くすることができる。そのため、検査用バンプ対２０を目視にて観察する際にそれらの相対的な関係が見易くなる。
【００８６】
（実装構造体の第４実施形態）
次に、本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を説明する。図１０は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図１０の矢印Ｚ２で示す部分は、基板側端子の構成を除いて、図７に示した第３実施形態と同じとすることができる。図７に示す第３実施形態では、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は透光性基板３の透光性基材に直接に接触して接触面を形成している。これに対し本実施形態では、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、透光性基板３の透光性基材上に設けられた透光性部材に接触している。以下、先の実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
【００８７】
本実施形態では、図１０に示すように、半導体装置４２の四隅の近傍に第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とからなる検査用バンプ対２０が設けられている。第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、他の多数のバンプ１２と同様に半導体装置２内部の電子素子等に導電接続している。つまり、本実施形態の半導体装置４２には、図８に矢印Ｆで拡大して示すバンプ１２の電極パッド１３が、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９に対しても設けられている。そして、図１０に示すように、半導体装置４２の四隅に設けられた第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９に対応する位置の透光性基板３上には、それぞれに配線２３が接続された透光性部材としての入力用端子３１及び出力用端子３２が配設され、それらの端子３１，３２がそれら四隅の検査用バンプ対２０の構成要素である導電膜１５に面接触して導電接続されている。
【００８８】
入力用端子３１及び出力用端子３２は、複数のバンプ１２に導電接続される端子２１，２２と同じ形状に形成されている。また、端子３１，３２は、透光性を有する導電材料、例えばＩＴＯやＩＺＯを用いて形成されている。
【００８９】
本実施形態における第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６の態様は、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とがそれぞれ異なるバンプ列に配設されていることを除いて、図４、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示した態様と同じであるので、その説明は省略する。なお、本実施形態では、検査用バンプ対２０に接触する端子３１，３２は透光性を有している。従って、検査用バンプ対２０の接触面２５，２６を、透光性基板３の半導体装置２が実装される面と反対側（図１０の紙面奥側）から、当該透光性基板３の透光性基材と端子３１，３２を通して観察することができる。
【００９０】
本実施形態の検査用バンプ対２０は、透光性の端子３１，３２に導電接続され、バンプ１２と同様に半導体装置２の駆動に用いることができる。こうすれば、検査用バンプ対２０を検査のためだけに用いる場合と異なって、半導体装置４２に検査用バンプ対２０を設けるための専用のスペースが必要なくなる。そのため、半導体装置４２の小型化に寄与できる。また、透光性基板３に検査用バンプ対２０が接触するための領域を設ける必要がなくなるので、透光性基板３の小型化にも寄与でき、ひいては実装構造体１の全体の小型化に寄与できる。
【００９１】
また、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、それらの幅Ｗ１，Ｗ２が導電接続用のバンプ１２の幅Ｗ３と異なっているのであるが、それ以外の外観形状はバンプ１２と同じである。また、透光性端子３１，３２は外観形状的に基板側端子２１，２２と同じである。そのため、検査用バンプ対２０と透光性端子３１，３２とが接触して接触面２５，２６を形成する状態は、他の複数のバンプ１２とそれらのバンプ１２に個々に接触する基板側端子２１，２２とが接触して接触面２４を形成する状態と実質的に同じである。そのような同じ接触状態である検査用バンプ対２０と端子３１，３２が直接的な検査対象となるので、他の複数のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態により近い状態で検査することができ、実装状態の検査をより確実に行うことができる。
【００９２】
（実装構造体の検査方法の実施形態）
次に、本実施形態の実装構造体の検査方法について説明する。本実施形態では、図１〜図３に示した構成の実装構造体の実装状態を検査する方法を例示する。
本実施形態の実装構造体の検査方法は、図２（ａ）に示すように半導体装置２を透光性基板３に実装した状態の実装構造体に対して、矢印Ｃ方向から透光性基板３を通して顕微鏡を用いた目視によって行われる。特に、図３（ａ）における基材１１の４つの隅部に設けた検査用バンプ対２０に対して行われる。具体的には、図１において検査用バンプ対２０が設けられている４つの個所に着目し、第１検査用バンプ１８の構成要素である導電膜１５（図３（ａ）参照）と透光性基板３との接触面２５（図４参照）の状態、及び第２検査用バンプ１９の構成要素である導電膜１５と透光性基板３との接触面２６（図４参照）の状態を検査する。このときの接触面２５と接触面２６との相対的な形状に基づいて、複数のバンプ１２とそれらの個々にそれぞれ接触する端子２１，２２との接触状態の良否、すなわち半導体装置２の透光性基板３への実装状態の良否を判定することができる。
【００９３】
なお、図１において複数の導電接続用のバンプ１２は、透光性基板３上に形成された基板側端子２１又は基板側端子２２の表面に接触している。これに対し、検査用バンプ対２０は透光性基板３の透光性基材の表面に直接に接触している。従って、基板側端子２１，２２とバンプ１２との接触状態と、透光性基板３と検査用バンプ対２０との接触状態とは必ずしも一致しないことが考えられる。しかしながら、基板側端子２１，２２を構成する導電膜の膜厚は非常に薄いものであり、バンプ１２の弾性変形の量と検査用バンプ対２０の弾性変形の量との関係に影響を与える程のものではない。従って、検査用バンプ対２０と透光性基板３との接触状態をもってバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態の良否判定を行うことは実用上何等の問題もない。
【００９４】
仮に基板側端子２１，２２が検査に影響を与えるほどの厚みを有している場合には、バンプ１２と検査用バンプ１８，１９との変形量の差を補償することが望ましい。例えば、図４において、第１検査用パターン１８の幅Ｗ１及び第２検査用パターン１９の幅Ｗ２を適宜変更することによりバンプ１２と検査用バンプ１８，１９との変形量の差を補償できる。
【００９５】
本実施形態の実装構造体の検査方法において、複数のバンプ１２とそれらに接触する端子２１，２２との接触状態の良否を判定するには、第１検査用バンプ１８の接触面２５の形状と、第２検査用バンプ１９の接触面２６の形状とを比較する。具体的には、接触面２５の形状と接触面２６の形状とを透光性基板３を通して目視にて観察し、それらの形状の違いから良否判定を行う。その良否判定は、例えば、接触面２５と接触面２６との間における長方形状の長辺の延在方向の違い、長方形状であるか正方形状であるかの違い、幅と接触長さとの関係等を基にして判定できる。その具体的な判定基準である（判定基準１）〜（判定基準５）について以下に説明する。
【００９６】
（判定基準１）
第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と、接触面２５，２６の接触長さＬとの関係が
Ｌ＞Ｗ１
であり、且つ
Ｌ≦Ｗ２
であるとき、半導体装置２の実装状態を正常と判定する。なお、図４ではＬ＞Ｗ１，Ｌ＜Ｗ２の状態を示しており、Ｌ＝Ｗ２となるのは第２検査用バンプ１９の接触面２６が正方形となるときである。
（判定基準２）
第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と、接触面２５，２６の接触長さＬとの関係が
Ｌ≧Ｗ１
であり、且つ
Ｌ＜Ｗ２
であるとき、半導体装置２の実装状態を正常と判定する。なお、図４ではＬ＞Ｗ１，Ｌ＜Ｗ２の状態を示しており、Ｌ＝Ｗ１となるのは第１検査用バンプ１８の接触面２５が正方形となるときである。
【００９７】
（判定基準３）
図４に示すように、第１検査用バンプ１８の接触面２５の長辺の延在方向（図４の上下方向）と第２検査用バンプ１９の接触面２６の長辺の延在方向（図４の左右方向）とが異なるとき半導体装置２の実装状態を正常と判定する。
（判定基準４）
第１検査用バンプ１８の接触面２５の長辺の延在方向と第２検査用バンプ１９の接触面２６の長辺の延在方向とが同じとき、半導体装置２の実装状態を不良と判定する。
（判定基準５）
第１検査用バンプ１８の接触面２５又は第２検査用バンプ１９の接触面２６のいずれか一方が正方形であるとき、半導体装置２の実装状態を正常と判定する。
【００９８】
本実施形態の実装構造体の検査方法では、図４に示すように、透光性基板３を通して第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６の形状を目視にて確認し、上記の（判定基準１）〜（判定基準５）のいずれかを用いて判定することにより、個々のバンプ１２とそれに対応する基板側端子２１，２２の接触状態を非常に容易に判定できる。そして、図１に示す４箇所全ての検査用バンプ対２０において、接触状態が正常であると判定されることにより、半導体装置２の実装状態が正常であると判定することができる。仮に、４箇所のうちの１箇所でも検査用バンプ対２０の接触状態が不良であると判定された場合には、半導体装置２が透光性基板３上の所定位置から平面的にずれていたり、半導体装置２が基板３の実装面に対して傾いていることが考えられるので、半導体装置２の実装状態を不良であると判定することができる。この場合には、半導体装置２及びＮＣＦ４を透光性基板３から剥離して、再度、位置合わせ等を行った上で実装すること、いわゆるリワークを行うことができる。
【００９９】
以下、上記の（判定基準１）〜（判定基準５）を用いて行われる実装状態の良否判定の具体的な判定例を、図４、図５及び図１１を用いて説明する。
なお、図４、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態が正常であるときの、第１検査用バンプ１８の接触面２５及び第２検査用バンプ１９の接触面２６の状態を示している。
【０１００】
まず、第１の判定例に関して説明する。図５（ａ）において、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９は、特に突起体１４が変形した状態で透光性基板３に接触している。これを矢印Ｃ方向から透光性基板３を通して見た場合、図４に示すように、第１検査用バンプ１８の接触面２５は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向（図の左右方向）に沿った辺２５ａを短辺とする長方形状になっている。一方、第２検査用バンプ１９の接触面２６は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向に沿った辺２６ａを長辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面２５の縦方向の幅が長辺となり、接触面２６は接触面２５とは異なる方向、すなわち横方向の幅が長辺となっている。この場合は、既述の（判定基準３）に適合するので、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０１】
また、図４における第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と接触面２５の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＞Ｗ１
となっている。すなわち、接触面２５の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最小長さより長くなっている。一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と接触面２６の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＜Ｗ２
となっている。すなわち、接触面２６の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最大長さより短くなっている。この場合は、既述の（判定基準１）に適合するので、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０２】
次に、第２の判定例に関して、図５（ｂ）を用いて説明する。図５（ｂ）は、図４の場合に比べて半導体装置２の実装時の押圧力が強い場合を例示している。第１検査用バンプ１８の接触面２５は、辺２５ａを短辺とする（すなわち、縦方向の幅が長辺である）長方形状になっている。一方、第２検査用バンプ１９の接触面２６は正方形状（すなわち、縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さ）になっている。この場合は、既述の（判定基準５）に適合するので、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０３】
また、図５（ｂ）における第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と接触面２５の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＞Ｗ１
となっている。すなわち、接触面２５の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最小長さより長くなっている。一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と接触面２６の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＝Ｗ２
となっている。これは、接触面２６の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最大長さと一致している。この場合は、既述の（判定基準１）に適合するので、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０４】
次に、第３の判定例に関して、図５（ｃ）を用いて説明する。図５（ｃ）は、図４の場合に比べて半導体装置２の実装時の押圧力が弱い場合を例示している。第１検査用バンプ１８の接触面２５は正方形状（すなわち、縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さ）になっている。一方、第２検査用バンプ１９の接触面２６は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向に沿った辺２６ａを長辺とする（すなわち、縦方向の幅が長辺である）長方形状になっている。この場合は、既述の（判定基準５）に適合するので、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０５】
また、図５（ｃ）における第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と接触面２５の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＝Ｗ１
となっている。すなわち、接触面２５の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最小長さと等しくなっている。一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と接触面２６の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＜Ｗ２
となっている。すなわち、接触面２６の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最大長さより短くなっている。この場合は、既述の（判定基準２）に適合するので、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は正常であると判定できる。
【０１０６】
次に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、検査用バンプ対２０と透光性基板３の透光性基材との接触部分を、図５（ａ）の矢印Ｃ方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図１１（ａ）と図１１（ｂ）とは、図５（ａ）の半導体装置２の実装状態が異なる状態をそれぞれ示している。また、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板３を鎖線で示し、当該透光性基板３の奥側にある検査用バンプ対２０及びそれに含まれる突起体１４を実線で示している。
【０１０７】
まず、第４の判定例に関して、図１１（ａ）を用いて説明する。第１検査用バンプ１８の接触面２５は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向（図の左右方向）に沿った辺２５ａを短辺とする長方形状になっている。一方、第２検査用バンプ１９の接触面２６は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向に沿った辺２６ａを短辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面２５と接触面２６とは、長方形の長辺の方向が同じである。この場合は、既述の（判定基準４）に適合するので、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は不良であると判定できる。
【０１０８】
また、図１１（ａ）における第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と接触面２５の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＞Ｗ１
となっている。すなわち、接触面２５の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最小長さより長くなっている。一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と接触面２６の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＞Ｗ２
となっている。すなわち、接触面２６の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最大長さより長くなっている。この場合は、（判定基準１）及び（判定基準２）のいずれにも適合しないので、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は不良であると判定できる。
【０１０９】
次に、第５の判定例に関して、図１１（ｂ）を用いて説明する。第１検査用バンプ１８の接触面２５は、鎖線Ｘ０で示す突起体１４の延在方向（図の左右方向）に沿った辺２５ａを長辺とする長方形状になっている。一方、第２検査用バンプ１９の接触面２６は、鎖線で示す突起体１４の延在方向に沿った辺２６ａを長辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面２５と接触面２６とは、長方形の長辺の方向が同じである。この場合は、既述の（判定基準４）に適合するので、図１のバンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は不良であると判定できる。
【０１１０】
また、図１１（ｂ）における第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と接触面２５の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＜Ｗ１
となっている。すなわち、接触面２５の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最小長さより短くなっている。一方、第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２と接触面２６の接触長さＬとの関係は、
Ｌ＜Ｗ２
となっている。すなわち、接触面２６の接触長さＬが当該接触長さＬの許容最大長さより短くなっている。この場合は、（判定基準１）及び（判定基準２）のいずれにも適合しないので、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態は不良であると判定できる。
【０１１１】
以上のように、上記の第１〜第５の判定例では、第１検査用バンプ１８の接触面２５と第２検査用バンプ１９の接触面２６との形状の違いを人間の目視によって観察し、その形状の違いが（判定基準１）〜（判定基準５）のうちのいずれにあてはまるかを判断する。この判断により、バンプ１２と基板側端子２１，２２との接触状態の良否を簡単且つ明確に判定することができる。
【０１１２】
ところで、従来の実装構造体の検査方法では、バンプと基板側端子との接触状態を確認するための検査装置を、高度な機能を有するカメラ、微分干渉顕微鏡及びそれらを制御するコンピュータ等を用いて構成し、その検査装置を用いて半導体装置の実装状態を判定していた。しかしながら、このような検査装置を構成するカメラ等は高価であり、そのカメラを有した検査装置も高価であった。それ故、カメラを用いた従来の実装構造体の検査方法を半導体装置の実装方法に導入した場合には、その半導体装置の実装方法の全体のコストが増加するという問題があった。
【０１１３】
これに対し、本実施形態では、図１に示すように、半導体装置２のうちの透光性基板３に対向する側の面である能動面１１ａに第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９とが一組になった検査用バンプ対２０を設けた。そして、その検査用バンプ対２０を用いて、複数のバンプ１２とそれらに個々に接触する基板側端子２１，２２との接触状態を検査することにした。第１検査用バンプ１８は、透光性基板３の透光性基材と接触して接触面２５を形成する。一方、第２検査用バンプ１９は透光性基板３の透光性基材と接触して接触面２６を形成する。それらの接触面２５，２６は、透光性基板３のうちの半導体装置２が実装された側と反対側（すなわち、図１の紙面奥側）から、当該透光性基板３を通して観察することができる。図４において、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２とは互いに異なっているので、接触面２５と接触面２６との形状が異なる。それら接触面２５と接触面２６との相対的な形状の違いを人間の目視にて確認することにより、導電膜１５と基板側端子２１，２２との接触状態の良否判定を簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。
【０１１４】
（実装構造体及びその検査方法のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９に、通常の導電接続用のバンプ１２と同じく導電膜１５を金属膜として設けている。しかしながら、第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９には金属膜を必ずしも設けなくても良い。ただし、金属膜１５を設けない場合には、その金属膜１５の膜厚分だけ、バンプ１２と第１検査用バンプ１８の間、及びバンプ１２と第２検査用バンプ１９との間で変形量に差が生じる可能性がある。そのため、バンプの変形量の差を補償することが必要である。例えば、金属膜１５を設けた図４の実施形態に対して、第１検査用バンプ１８の幅Ｗ１と第２検査用バンプ１９の幅Ｗ２を変更することにより変形量の差を補償できる。
【０１１５】
また、上記の各実施形態では、図１に示すように、半導体装置２の能動面１１ａの四隅に最も近い位置に検査用バンプ対２０を配設している。しかしながら、検査用バンプ対２０は能動面１１ａの平面内の少なくとも１箇所に配設されていれば良い。また、２箇所以上の複数箇所に設ける場合には、例えば、半導体装置２の能動面１１ａの対角２箇所でも良いし、能動面１１ａの四隅に最も近い位置と能動面１１ａの長辺１１ｂ，１１ｃの中心の２箇所とを合わせた６箇所に設けても良い。
【０１１６】
（電気光学装置の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１２は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置１００を模式的に示す平面図である。本実施形態の液晶装置１００は、透過型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶パネルを備えた液晶装置である。また、スイッチング素子としては、アモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子を用いている。
【０１１７】
液晶装置１００は、電気光学パネルとしての液晶パネル１０１と、その液晶パネル１０１の表示面側と反対側に設けられた照明装置（図示せず）とを有している。液晶パネル１０１は、紙面奥側に配置された透光性基材としての素子基板１０２と、その素子基板１０２に対向して紙面手前側に配置されたカラーフィルタ基板１０３とをそれらの周囲で枠状のシール材１０４によって貼り合せて形成されている。素子基板１０２とカラーフィルタ基板１０３の間であってシール材１０４で囲まれた領域内には、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード等の液晶が封入されて液晶層が形成されている。
【０１１８】
本実施形態では、観察側（紙面手前側）にカラーフィルタ基板１０３が配置され、観察側から見て背面側（紙面奥側）に素子基板１０２が配置されている。従って、照明装置は図１２で素子基板１０２に対向して紙面奥側に配置されている。なお、図１２では、奥側の素子基板１０２の内部構造を見易く示すため、手前側のカラーフィルタ基板１０３の一部を破断して示している。
【０１１９】
まず、素子基板１０２の構成について説明する。素子基板１０２は、観察側から平面的に見て長方形状又は正方形状の第１透光性基材１０２ａを有する。この第１透光性基材１０２ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基材１０２ａの外側（すなわち、紙面奥側）の表面には、偏光層等といった光学要素（図示せず）が必要に応じて設けられている。第１透光性基材１０２ａの内側（液晶層側）面には、主に、ソース線１１１、ゲート線１１２、ＴＦＴ素子１１３、画素電極１１４等が、それぞれ、複数形成されている。
【０１２０】
各ソース線１１１は列方向Ｙ（すなわち、図１２の上下方向）に延びている。また、各ゲート線１１２が行方向Ｘ（すなわち、図１２の左右方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ素子１１３がソース線１１１及びゲート線１１２に接続して形成されている。ソース線１１１、ゲート線１１２、及び画素電極１１４は、それぞれ、ＴＦＴ素子１１３のソース、ゲート、及びドレインに接続されている。なお、ソース線１１１は、ＴＦＴ素子１１３にデータ信号を伝送するデータ線として機能する。一方、ゲート線１１２は、ＴＦＴ素子１１３に走査信号を伝送する走査線として機能する。
【０１２１】
一方、素子基板１０２に対向するカラーフィルタ基板１０３は、観察側から平面的に見て長方形状又は正方形状の第２透光性基材１０３ａを有する。この第２透光性基材１０３ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。この第２透光性基材１０３ａの外側（すなわち、紙面手前側）の表面には、偏光層等といった光学要素（図示せず）が必要に応じて設けられている。第２透光性基材１０３ａの内側（液晶層側）面には、例えば格子状の遮光層（図示せず）、着色層１２５及び共通電極１２６が設けられている。
【０１２２】
着色層１２５の個々はＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色層１２５が平面的に見て所定の配列、本実施形態ではストライプ配列で並べられている。遮光層は、異なる色の着色層１２５を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【０１２３】
共通電極１２６は、カラーフィルタ基板１０３の表面の略全域に設けられている。一方、素子基板１０２上に設けられた複数の画素電極１１４は平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極１１４とカラーフィルタ基板１０３上に設けられた共通電極１２６とは、平面的に見て複数のドット状（すなわち島状）の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための単位領域であるサブ画素Ｐを形成している。そして、複数のサブ画素Ｐが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより長方形状又は正方形状の有効表示領域Ｖが形成され、この有効表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。有効表示領域Ｖは共通電極１２６と略等しい面積であるので、図では共通電極１２６と同じ線で示している。
【０１２４】
素子基板１０２を構成する第１透光性基材１０２ａは基板１０３の外側へ張り出す張出し部１０５を有している。この張出し部１０５の表面には、配線１１８が、例えばフォトエッチング処理等によって形成されている。配線１１８は複数本形成されており、それらの複数本が行方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて並べられている。また、張出し部１０５の辺端近傍には複数の配線１１９が行方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの配線１１９の外部側の一端は、張出し部１０５の辺端に配設され、ＦＰＣ（Flexible Printed circuit：可撓性プリント回路）基板１２２上の配線端子が導電接続される外部基板側端子１１５として機能する。配線１１９の内部側の他端は、後述する駆動用ＩＣ１２０のバンプに対応する位置に配設され、基板側端子としての入力用端子１１６として機能する。
【０１２５】
複数の配線１１８は、張出し部１０５からシール材１０４に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線１１８の一部は、シール材１０４に囲まれた領域内において基材１０２ａ上のソース線１１１に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線１１８の他の一部は、シール材１０４によって囲まれた領域内で基板１０２ａの側辺に沿って列方向Ｙに延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線１１８は、基材１０２ａ上のゲート線１１２に直接に繋がって走査線として機能する。一方、張出し部１０５上に位置する配線１１８の端部は、後述の駆動用ＩＣ１２０のバンプに対応する位置に配設され、基板側端子としての出力用端子１１７として機能する。
【０１２６】
張出し部１０５の表面には、ＮＣＦ１２１を用いて、半導体装置としての駆動用ＩＣ１２０が実装されている。駆動用ＩＣ１２０は、ソース線１１１へデータ信号を伝送し、ゲート線１１２へ走査信号を伝送する。ソース線１１１とゲート線１１２が接続されたスイッチング素子群である複数のＴＦＴ素子１１３は、駆動用ＩＣ１２０を用いて駆動される。すなわち、ＴＦＴ素子１１３が備えられた複数のサブ画素Ｐは、駆動用ＩＣ１２０によって駆動される。
【０１２７】
以上の構成の液晶パネル１０１は、その駆動時に次の動作を行う。
走査線としてのゲート線１１２に順次に走査信号（オン信号）が伝送され、その走査ライン内の適宜のソース線（データ線）１１１にデータ信号が伝送されると、該当するＴＦＴ素子１１３がオン状態になり、該当するサブ画素Ｐ内の液晶への書き込みが行われる。また、引続いてＴＦＴ素子１１３がオフ状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により液晶分子の配向が制御される。照明装置から出射した光が液晶層に入射すると、その液晶層を通過する偏光が上記の配向制御に従って変調され、その変調された偏光の進行が偏光層によって調整されることにより所望の表示が行われる。
【０１２８】
以上の構成の液晶装置１００において、駆動用ＩＣ１２０を第１透光性基材１０２ａに実装してなる実装構造体として、図１の実装構造体１を適用できる。すなわち、図１２の駆動用ＩＣ１２０は、図１の半導体装置２と同じく、複数のバンプ１２と、第１検査用バンプ１８と、第２検査用バンプ１９とを有している。
【０１２９】
駆動用ＩＣ１２０を第１透光性基材１０２ａ上に実装した状態で、駆動用ＩＣ１２０の一方の辺１２０ａに沿って設けられた複数のバンプ１２が第１透光性基材１０２ａの複数の入力用端子１１６に押圧されて接触し、他方の辺１２０ｂに沿って設けられた複数のバンプ１２が複数の出力用端子１１７に押圧されて接触している。駆動用ＩＣ１２０の構成要素である基材の四隅の最も近くに位置するバンプが第１検査用バンプ１８であり、その第１検査用バンプ１８に隣接するバンプが第２検査用バンプ１９である。これらの第１検査用バンプ１８及び第２検査用バンプ１９が図４から理解されるように基板１０２ａの表面と面接触して接触面を形成する。
【０１３０】
本実施形態の液晶装置１００においても、張出し部１０５の駆動用ＩＣ１２０が実装された側と反対側（紙面奥側）から、検査用バンプ１８と検査用パターン３０等との接触面を顕微鏡像として観察し、さらに、既述の（判定基準１）〜（判定基準５）に基づいて判定を行うことにより、バンプ１２と入力用端子１１６の接触状態、及びバンプ１２と出力用端子１１７の接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用ＩＣ１２０の基材１０２ａに対する実装状態の良否を容易に判定することができる。
【０１３１】
（電子機器への第１の適用例）
本発明に係る電気光学装置は種々の電子機器に適用できる。図１３はその適用例の一例を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置２０１と、これを制御する制御回路２０２とを有する。液晶装置２０１は液晶パネル２０３及び駆動回路２０４を有する。また、制御回路２０２は、表示情報出力源２０５、表示情報処理回路２０６、電源回路２０７及びタイミングジェネレータ２０８によって構成されている。
【０１３２】
表示情報出力源２０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ２０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路２０６に供給する。
【０１３３】
表示情報処理回路２０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０４へ供給する。ここで、駆動回路２０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路２０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１３４】
液晶装置２０１は、例えば、図１２に示した液晶装置１００を用いて構成する。この液晶装置１００によれば、駆動用ＩＣ１２０に第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９を設けたので、張出し部１０５の駆動用ＩＣ１２０が実装された側と反対側（紙面奥側）から第１検査用バンプ１８の接触面及び第２検査用バンプ１９の接触面を観察することにより、信号等の伝送用のバンプ１２と入力用端子１１６との接触状態、及びバンプ１２と出力用端子１１７との接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用ＩＣ１２０の実装状態の良否を安価に且つ正確に判定することができる。従って、この液晶装置１００を用いた図１３の電子機器は、表示部において不良の発生が少なく、しかも安価に製造できる。
【０１３５】
（電子機器への第２の適用例）
図１４は、本発明に係る電気光学装置の電子機器への他の適用例である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機２１０は、本体部２１１と、この本体部２１１に対して開閉可能に設けられた表示体部２１２とを有する。表示体部２１２には表示装置２１３及び受話部２１４が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置２１３の表示画面２１５に表示される。表示装置２１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部２１１又は表示体部２１２の内部に格納される。本体部２１１には操作ボタン２１６及び送話部２１７が設けられる。
【０１３６】
表示装置２１３は、例えば、図１２に示した液晶装置１００を用いて構成する。この液晶装置１００によれば、駆動用ＩＣ１２０に第１検査用バンプ１８と第２検査用バンプ１９を設けたので、張出し部１０５の駆動用ＩＣ１２０が実装された側と反対側（紙面奥側）から第１検査用バンプ１８の接触面及び第２検査用バンプ１９の接触面を観察することにより、バンプ１２と入力用端子１１６の接触状態、及びバンプ１２と出力用端子１１７の接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用ＩＣ１２０の実装状態の良否を安価に且つ正確に判定することができる。従って、この液晶装置１００を用いた図１４の電子機器は、表示部において不良の発生が少なく、しかも安価に製造できる。
【０１３７】
なお、本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明に係る実装構造体の一実施形態を示す平面図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ線に従った実装構造体の断面図であり、（ｂ）は（ａ）の矢印Ｃ側から見た平面図である。
【図３】図１の実装構造体で用いる半導体装置を示す図であり、（ａ）はその半導体装置を能動面側から見た全体斜視図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に従った断面図である。
【図４】図１の主要部である検査用バンプ対を平面的に示す平面図である。
【図５】図４の検査用バンプ対の接触面の他の態様を示す平面図である。
【図６】本発明に係る実装構造体の他の実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図８】図７の実装構造体で用いる半導体装置を能動面側から示す全体斜視図である。
【図９】図７の主要部である検査用バンプ対を平面的に示す平面図である。
【図１０】本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る実装構造体の検査方法における判定例を示す平面図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を一部を破断して示す平面図である。
【図１３】本発明に係る電気光学装置の応用例を示す回路ブロック図である。
【図１４】本発明に係る電気光学装置の他の応用例である携帯電話機を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１．実装構造体、  ２，４２．半導体装置、  ３．透光性基板、  
４，１２１．ＮＣＦ（接着剤）、  １１．基材、  １１ａ．能動面、  
１２．バンプ（突起状端子）、  １３．電極パッド、  １４．突起体、  １５．導電膜、１６．パッシベーション膜、  １６ａ．開口部、  １７，１７ａ，１７ｂ．バンプ列、  １８．第１検査用バンプ（第１突部）、  
１９．第２検査用バンプ（第２突部）、  ２０．検査用バンプ対、
２１．入力用端子（基板側端子）、  ２２．出力用端子（基板側端子）、  ２３．配線、  ２４，２５，２６．接触面、  ２５ａ，２６ａ．接触面の辺、
３１，３２．透光性端子（透光性部材）、  １００．液晶装置（電気光学装置）、  
１０１．液晶パネル、  １０２．素子基板（透光性基板）、  
１０２ａ．第１透光性基材、  １０３．カラーフィルタ基板、  
１０３ａ．第２透光性基材、  １０４．シール材、  １０５．張出し部、  
１１１．ソース線、  １１２．ゲート線、  １１３．ＴＦＴ素子、  １１４．画素電極、
１１５．外部基板側端子、  １１６．入力用端子（基板側端子）、
１１７．出力用端子（基板側端子）、  １１８，１１９．配線、
１２０．駆動用ＩＣ（半導体装置）、  １２０ａ，１２０ｂ．駆動用ＩＣの辺、
１２２．ＦＰＣ基板、  １２５．着色層、  １２６．共通電極、  ２０１．液晶装置、  
２０２．制御回路、  ２０３．液晶パネル、  ２０４．駆動回路、  
２１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｗ１．第１検査用バンプの幅、  
Ｗ２．第２検査用バンプの幅、  Ｗ３．バンプの幅、  Ｌ．接触長さ、  Ｐ．サブ画素、
Ｖ．表示領域
【図１】
0004941203.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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