(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主面を凹陥せしめた凹陥部の底面に配置された振動部と、該振動部の周縁を一体的に支持し、前記振動部の厚みよりも厚肉の保持手段と、前記振動部の両面に夫々互いに対向するように設けられた電極と、を備えた圧電振動素子の一方の面を、表面実装型パッケージ内に電気的機械的に接続した表面実装型圧電振動子の製造方法であって、
先端面に吸引穴を備え、前記先端面の外形が前記圧電振動素子の外形輪郭とほぼ合致する形状のコレットにて、前記振動部と前記吸引穴とが干渉しないように、前記凹陥部とは反対側の前記圧電振動素子の主面を吸着保持し、
吸着保持した状態で前記圧電振動素子を前記表面実装型パッケージ内にバンプにて接続することを特徴とする表面実装型圧電振動子の製造方法。
【請求項２】
前記保持手段は圧電材料から成る厚肉の環状部であることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型圧電振動子の製造方法。
【請求項３】
前記振動部の長さＬと前記振動部の厚Ｈとの比Ｌ／Ｈが、０＜Ｌ／Ｈ≦２５０を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の表面実装型圧電振動子の製造方法。
【請求項４】
前記圧電振動素子の基本波共振周波数は３００ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の表面実装型圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
前記圧電材料は、ＡＴカット水晶であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の表面実装型圧電振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表面実装型圧電振動子に関し、特に圧電基板の一部を超薄肉の振動部とした構造の圧電振動素子における圧電基板のたわみ変形を低減し、諸特性及び信頼性を向上した超高周波圧電振動子に関する。
また、本発明は表面実装型圧電振動子に関し、特に基本波共振周波数３００ＭＨｚ以上の圧電振動素子をパッケージ内に接続する手段としてＡｕバンプを用いた場合に従来問題となっていた種々の不具合を解決した表面実装型圧電振動子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種電子機器、通信機器においては、高性能化、取扱う情報量の増大、データ処理の高速化等に伴って、使用周波数の高周波化、小型化、高信頼性化が求められ、これらの装置において基準周波数源、周波数制御手段として用いられる水晶振動子、水晶フィルタ等の圧電デバイスについても、同様に高周波化、小型化、高信頼性化が強く要望されている。
これらの圧電デバイスは、水晶等の圧電基板の主面に励振電極を形成した圧電振動素子をパッケージ内に気密封止した構成を備えている。
【０００３】
［第１の従来例］
図７は、高周波化を目的とした超薄肉部を有するＡＴカット水晶振動素子の断面図である。
この水晶振動素子は、ＡＴカット水晶の基本波厚みすべり振動波を利用した振動素子であって、その共振周波数が板厚と反比例することから、機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、厚さ８０μｍの水晶基板１０１の一方の主面をエッチングによって凹陥せしめ、該凹陥部１０２の底面を超薄肉の振動部１０３とするとともに、振動部１０３の外周を全周に渡って支持する厚肉の環状囲繞部１０４を一体化した構造となっている。
ここで、水晶基板１０１は結晶軸方向により異方性を有するため、前記凹陥部１０２の周壁部１０２ａ、１０２ｂは結晶軸方向により厚さ方向に異なった傾斜でエッチングされる性質を有する。
また、水晶基板１０１の一方の主面（平坦面）上には主面電極１０５が形成され、他方の主面（凹面）上には裏面電極１０６が形成されている。
例えば、６２２ＭＨｚの基本波厚みすべり振動波を得る場合、振動部１０３の板厚Ｈは約２μｍとなる。
しかしながら、振動部１０３の長さＬが例えば１ｍｍの場合、振動部１０３の板厚Ｈに対する長さＬの比Ｌ／Ｈは５００程度となり、機械的剛性が劣化して自重若しくは主面電極１０５、裏面電極１０６の重さにより、図示のように振動部１０３にたわみが生じてしまう。
光学的干渉計により振動部のたわみ量を測定したところ、振動部中心の最大たわみ量Ｗは５０〜８０ｎｍ程度であった。
この場合、振動部１０３の最大たわみ量Ｗは、振動部の板厚Ｈの２．５〜４．０％に相当し、振動部に静的負荷すなわち内部歪みが残留していることになる。
このような場合、正常なエネルギー閉じ込め厚み振動が得られないばかりではなく、長期エージング等の信頼性も劣化するという問題があった。
【０００４】
［第２の従来例］
次に、図８（ａ）及び（ｂ）は高周波化を目的とした超薄肉部を有するＡＴカット水晶振動素子の表裏面の斜視図であり、この水晶振動素子１１１はＡＴカット水晶の基本波厚みすべり振動波を利用した振動素子であって、その共振周波数が板厚と反比例することから、機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、水晶振動素子１１１を構成する水晶基板１１２の一方の主面をエッチングによって凹陥せしめ、該凹陥部１１３の底面を超薄肉の振動部１１３ａとするとともに、振動部１１３ａの外周を全周に渡って支持する厚肉の環状囲続部１１４を一体化している。
更に、水晶基板１１２の一方の主面（凹面）上には、主面電極（励振電極）１１５と、主面電極１１５より基板周縁に向けて延出するリード電極１１５ａと、リード電極１１５ａの端部に位置するパッド電極１１５ｂと、更に他のパッド電極１１６ｃを形成する。水晶基板１１２の裏面側の振動部１１３ａ上には、裏面電極１１６と、裏面電極１１６より周縁に向けて延出するリード電極１１６ａと、リード電極１１６ａの端部に位置する裏面側パッド電極１１６ｂが形成され、裏面側パッド電極１１６ｂは切欠き１１７を介して主面側に形成された前記パッド電極１１６ｃと導通している。
更に、パッド電極１１５ｂ、１１６ｃは、Ａｕパンプ１１８を形成するために、また、裏面側パッド電極１１６ｂは、切欠き１１７部の導通性向上のため蒸着によりアルミなどの導電性金属を厚付けされている。
Ａｕバンプ１１８は、ワイヤボンデイングの技術を応用して、加熱、加圧および超音波印加による拡散現象により、パッド電極１１５ｂ、及び１１６ｃに接合されている。
図９は上記水晶振動素子１１１を用いた表面実装型水晶振動子の構造を示す断面図である。
図８に示した水晶振動素子１１１をセラミックパッケージ１２０内に収納してから、セラミックパッケージ１２０の上面開口を金属の上蓋１２１により気密封止した構造を備える。
セラミックパッケージ１２０は、底部セラミック基板１２１と、セラミック基板１２１の上面外周に一体化されたセラミック製の環状枠体１２２と、上蓋１２１をシーム溶接するために枠体１２２上に環状に固定されたシームリング１２３とから成り、全体として中央に水晶振動素子１を収納するための凹所を有し、外周に環状部を有した箱形状を呈している。
セラミック基板１２１の上面にはＡｕメタライズにより形成された内部端子１２４，１２５が露出しており、それそれパッケージ底面等に設けた図示しない外部端子と接続されている。
【０００５】
図１０は、水晶振動素子１１１をパッケージ１２０内に接続する工程を示す図であって、先ず吸着用の先端面に吸引穴１３１が開口したコレット１３０により水晶振動素子１１１の平坦面側を吸着する。続いて、コレット１３０をパッケージ１２０の凹所内に移動して、吸着した水晶振動素子１１１の凹面側に位置する各パッド電極１１５ｂ、１１６ｃを夫々パッケージ１２０内底面の入出力用内部端子１２４、１２５に一対一にて対面させて位置決めする。続いて、予め各パッド電極１１５ｂ、１１６ｃ上に形成しておいた各Ａｕバンプ１１８を介して、フリップチップ実装の技術を用いた加熱、加圧および超音波印加による拡散現象を利用して両者を接合する。
なお、ここで、水晶振動素子１１１とパッケージ１２０との接合手段として、Ａｕバンプ１１８を用いる理由は、Ａｕバンプ１１８を用いた場合には、導電性接着剤を用いる場合に比べて導通性が向上し、局所的な接合が可能となり、アウトガスが発生しないこと等にあり、デバイスの高周波化、小型化、高信頼性化に寄与するからである。
しかしながら、水晶振動素子１１１をパッケージ１２０に接合する際、共振周波数３００ＭＨｚ以上の水晶振動素子１１１であると振動部１１３ａの厚さが５μｍ以下となり、コレツ卜１３０による吸着及び加圧により、振動部１１３ａが破損したり過度の歪みが発生した状態で接合を完了することになる。
本発明者による実験では、この歪みは肉眼でも確認できる程度の大きさであった。
このように、振動部１１３ａに歪みが残留している状態であると、経時変化や熱変化により残留歪みが解放されるに伴い周波数が変動する性質を有する水晶振動素子１１１は、接合直後の共振周波数を保てなくなり、安定性が劣化するという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題を解決する為になされたものであって、第１の従来例に対応する本発明の第１の課題は、超薄肉の振動部の外周を厚肉の環状囲繞部により一体的に支持した構成を備えた圧電基板から成る圧電振動素子において、圧電基板の機械的剛性を高めて振動部のたわみ変形を防止することによって、高性能且つ高信頼性の超高周波圧電振動素子を提供することを課題とする。
次に、第２の従来例に対応する本発明の第２の課題は、圧電振動素子をパッケージ内に接続する手段としてＡｕバンプを用い、コレットにより吸着した圧電振動素子をパッケージ内の端子上に圧接しながらＡｕバンプを用いて接合するときに発生する超薄振動部の破損や過度の歪み発生という問題を解決する表面実装型圧電振動子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、圧電基板の主面を凹陥せしめた凹陥部の底面に配置された振動部と、該振動部の周縁を一体的に支持し、前記振動部の厚みよりも厚肉の保持手段と、前記振動部の両面に夫々互いに対向するように設けられた電極と、を備えた圧電振動素子の一方の面を、表面実装型パッケージ内に電気的機械的に接続した表面実装型圧電振動子の製造方法であって、先端面に吸引穴を備え、前記先端面の外形が前記圧電振動素子の外形輪郭とほぼ合致する形状のコレットにて、前記振動部と前記吸引穴とが干渉しないように、前記凹陥部とは反対側の前記圧電振動素子の主面を吸着保持し、吸着保持した状態で前記圧電振動素子を前記表面実装型パッケージ内にバンプにて接続することを特徴とする。
請求項２の発明は、前記保持手段は圧電材料から成る厚肉の環状部である、ことを特徴とすることを特徴とする。
請求項３の発明は、前記振動部の長さＬと前記振動部の厚Ｈとの比Ｌ／Ｈが、０＜Ｌ／Ｈ≦２５０を満足することを特徴とする。
請求項４の発明は、前記圧電振動素子の基本波共振周波数は３００ＭＨｚ以上であることを特徴とする。
請求項５の発明は、前記圧電材料は、ＡＴカット水晶であることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
［第１の従来例に対応する実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態を図面にした例に基づいて詳細に説明する。
図１は、高周波化を目的とした超薄肉部を有するＡＴカット水晶振動素子の断面図である。
この水晶振動素子１はＡＴカット水晶の基本波厚みすべり振動波を利用しており、その共振周波数が板厚と反比例することから、機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、厚さ８０μｍの水晶基板２の一方の主面をエッチングによって凹陥せしめて凹陥部３を形成し、該凹陥部３の底面を超薄肉の振動部４とするとともに、振動部４の外周を全周に渡って支持する厚肉の環状囲繞部５を振動部４と一体化した構造を備えている。
ここで、水晶基板２は結晶軸方向により異方性を有するため、前記凹陥部３の周壁部３ａ、３ｂは結晶軸方向により厚さ方向に異なった傾斜でエッチングされる性質を有する。
また、水晶基板２の一方の主面（平坦面）上には主面電極１０が、他方の主面（凹面）上には裏面電極１１が夫々形成されている。各電極１０，１１からは図示しないリード端子が基板端縁に向かって延びており、図示しないパッケージ内にマウントされる際にパッケージ内の電極と導通する。
本発明では、３００ＭＨｚ以上の共振周波数を得るために振動部４の板厚は、超薄肉となっている。例えば、６２２ＭＨｚの基本波厚みすべり振動波を得る場合、振動部４の板厚Ｈは約２μｍとなる。
本発明の特徴的な構成は、振動部４の長さＬを０．５ｍｍ以下、すなわち振動部４の板厚Ｈに対する長さＬの比Ｌ／Ｈを２５０以下になるように設定した点にあり、このように構成することによって圧電基板２の機械的剛性を高め、振動部４のたわみ変形を防止して、高性能且つ高信頼性を得ることを可能ならしめている。なお、ここで長さＬとは、図１に示した正面から見た場合の振動部１０３の長さのみならず、図１と直交する側面から見た場合の長さＬも含むものである。
【０００９】
図２は、この比Ｌ／Ｈに対する振動部中心の最大たわみ量Ｗの増加の傾向について、材料力学的に解析を行った結果を示す表である。
最大たわみ量Ｗは、上記比の値と、指数関数的関係を有し、Ｌ／Ｈ＝２５０以上になると急激に増加する。このことは、ＵＨＦ帯すなわち共振周波数３００ＭＨｚ以上の振動素子については、いずれの場合も同様の結果となる。
従って、比Ｌ／Ｈを２５０以下に設定することで、共振周波数３００ＭＨｚ以上の超高周波化を図っても振動部の機械的剛性が劣化することなく、たわみに起困する内部歪みの残留を低減し、正常なエネルギー閉じ込め厚み振動を得ることができるばかりでなく、長期エージング等の信頼性も劣化することはない。
尚、超高周波の基本波厚み振動を得る場合、エネルギーは主面電極１０付近に十分に閉じ込めることができ、振動部端部へのエネルギー漏洩を懸念する必要はないため、振動部の長さＬは主面電極１０より僅かに大きい程度であれば良く、Ｌ／Ｈを極限まで小さくすることで、たわみの影響は無視できるようになる。
このことは、同時に振動素子１の小型化の可能性を示唆するものである。
尚、上記実施形態では、本発明を超薄肉の振動部を有するＡＴカット水晶振動素子に適用したものを例として説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、水晶基板の片面上に形成する電極が分割電極の２重モードフィルタであっても良いことは自明である。
又、機械研磨等の手段により、水晶基板全体が超薄肉である振動素子において、該振動素子の外周縁を他の保持手段により保持すること等により空間を確保した場合であっても、振動部のたわみ変形に起因した同様の不具合を解決するために、本発明の構成を適用できることは自明である。
尚、圧電基板のカットアングルについても、ＡＴカット以外の水晶或いは水晶以外の圧電基板であっても良い。
次に、上記の如き構成を備えた圧電振動素子１は、これをセラミックパッケージ内に気密封止することによって表面実装型の圧電デバイスとしての圧電振動子を構成することができる。
【００１０】
［第２の従来例に対応する実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態を図面にした形態例に基づいて詳細に説明する。
図３は高周波化を目的とした超薄肉振動部を有するＡＴカット水晶振動素子の表裏面の斜視図であり、この水晶振動素子２１はＡＴカット水晶の基本波厚みすべり振動波を利用した振動子であって、その共振周波数が板厚と反比例することから、機械的強度を保ちつつ高周波化を図る為に、水晶振動素子２１を構成する水晶基板２２の一方の主面をエッチングによって凹陥せしめて凹陥部２３を形成し、該凹陥部２３の底面を超薄肉の振動部２４とするとともに、振動部２４の外周を全周に渡って支持する厚肉の環状囲続部２５を一体化している。
更に、図３（ａ）に示すように水晶基板２２の一方の主面（凹面）上には、主面電極（励振電極）２５と、これより基板端縁へ向けて引き出されるリード電極２６ａと、リード電極２６ａの端部に厚肉に蒸着形成された主面側パッド電極２６ｂと、を有する。該パッド電極２６ｂは、基板端縁の切欠き２７を介して基板裏面側のパッド電極２６ｃと、導通接続している。
図３（ｂ）に示すように、水晶基板２２の裏面上には、主面電極２５と対向する位置に形成された裏面電極３１と、裏面電極３２から延出したリード電極３２ａと、リード電極３２ａの端縁に厚肉に蒸着形成されたパッド電極３２ｂと、を有する。裏面側の両パッド電極２６ｃと３２ｂ上には夫々Ａｕバンプ４０が形成されている。Ａｕバンプ４０はワイヤボンデイングの技術を応用して、加熱、加圧および超音波印加による拡散現象によりパッド電極２６ｃ、３２ｂに接合されている。
パッド電極２６ｂ、２６ｃ、及び３２ｂは、Ａｕバンプ４０の形成及び切欠き２７の導通性向上のため蒸着により厚付けされている。
【００１１】
図４は上記水晶振動素子２１を用いた圧電デバイスの一例としての表面実装型水晶振動子の構造を示す断面図である。
図３に示した水晶振動素子２１をセラミックパッケージ５０内に収納してから、セラミックパッケージ５０の上面開口を金属の上蓋５１により気密封止した構造を備える。
セラミックパッケージ５０は、底板を構成するセラミック基板５２と、セラミック基板５２の上面外周に一体化されたセラミック製の環状枠体５３と、上蓋５１をシーム溶接するために枠体５３上に環状に囲定されたシームリング５４とから成り、全体として中央に水晶振動素子２１を収納するための凹所を有し、外周に環状部を有した箱形状を呈している。
セラミック基板５２の上面にはＡｕメタライズにより形成された内部端子５６，５７が露出しており、夫々パッケージ外底面等に設けた図示しない外部端子と電気的に接続されている。内部端子５６，５７は、夫々水晶振動素子２１の裏面側のパッド電極２６ｃ、３２ｂと一対一の対応位置関係で接続可能となるようにその位置、形状を予め設定されている。
この水晶振動子は、水晶振動素子２１の平坦な裏面側をパッケージ内底面と対向させた状態でＡｕバンプ４０を用いて、内部端子５６，５７をパッド電極２６ｃ、３２ｂと接続し、パッケージの凹所を蓋５１により気密封止した構成を備えている。
【００１２】
図５は、コレット６１により吸着保持した水晶振動素子２１をパッケージ５０内に接続する工程を示す図であって、図示しない真空ポンプと接続されたコレット６１は、吸着用の平坦な先端面に真空ポンプと連通して負圧を受ける吸引穴６２を備える。コレット６１の先端面を水晶振動素子の凹面（主面）側に密着させて吸着保持し、Ａｕバンプ４０を予め備えた裏面側パッド電極２６ｃ、３２ｂと、セラミックパッケージ側の入出力用内部端子５６，５７とを、Ａｕバンプ４０を介して接触させた状態で、フリップチップ実装の技術を用いた加熱、加圧および超音波印加による拡散現象を利用して電気的機械的に接続する。
Ａｕパンプ４０を用いる理由は、導電性接着剤を用いる場合に比べ、導通性が向上すること、局所的な接合が可能であること、アウトガスが無いこと等にあり、圧電デバイスの高周波化、小型化、高信頼性化に寄与する。
ここで、本発明の実施形態の特徴的な構成は、コレット６０が吸着する水晶振動素子２１の面（被吸着面）を凹面側とし、振動部２４とコレット６０の先端面との接触を回避したことにある。
コレット６０の先端面の底面形状は、水晶振動素子の外形輪郭とほぼ合致する形状とし、図示のようにコレット先端面を水晶振動素子の主面側と密着させたときに、吸引穴６２が水晶基板の凹所２３を含む主面全体に対面、接触してこれを吸引するので、確実に保持することができる。一方、コレット先端面は、振動部２４と直接接触しないので、吸引穴からの吸引力や、コレット先端面からの加圧力によって振動部２４が変形したり、破損することがない。
即ち、基本波共振周波数３００ＭＨｚ以上の水晶振動素子２１であると振動部２４の厚さは５μｍ以下となり機械的強度が著しく低下するが、この場合、コレット６０での吸着及び加圧により振動部２４に直接的負荷が作用しないため、振動部が破損したり過度の歪みが発生することなく接合を完了することが可能となる。
従って、振動部２４に接合による歪みが残留しないため、経時変化や熱変化によっても水晶振動素子２１は接合直後の共振周波数を保ち、優れた安定性を確保できる。
【００１３】
また、図６は他の実施形態であり、同図に示す通り、コレット６０の先端面によって水晶振動素子２１の平坦な裏面側を吸着するようにしてもよい。この場合には、コレット６０の吸引穴６２と振動部２４とが干渉しないように振動部の形状、位置を吸引穴６２から回避するように予め設定する。このようにすれば、少なくとも吸着による振動部２４の破損や歪みを回避でき、励振不能になったり、経時変化や熱変化により共振周波数の安定性が劣化するという不具合を解消できる。
尚、本実施形態では、本発明を超薄肉の振動部を有するＡＴカット水晶振動素子に適用したものを例として説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、水晶基板の片面上に形成する電極が分割電極の２重モードフィルタであっても良いことは明白である。
尚、使用する圧電基板としては、カットアングルがＡＴカット以外の水晶或いは水晶以外の圧電基板であっても良い。
【００１４】
【発明の効果】
本発明の第１の実施形態は、基本波共振周波数が３００ＭＨｚ以上の超薄肉の振動部の外周を厚肉の環状囲繞部により一体的に支持した構成を備えた圧電基板から成る圧電振動素子において、振動部の長さＬと該振動部の厚Ｈとの比Ｌ／Ｈが２５０以下となるように設定したので、圧電基板の機械的剛性を高めて振動部のたわみ変形を防止することによって、高性能且つ高信頼性の超高周波圧電振動素子を提供することができる。従って、高性能且つ高信頼性の超高周波圧電振動子を提供する上で著しい効果を奏する。
本発明の第２の実施形態は、圧電基板の主面を凹陥せしめ該凹陥部の底面を超薄肉の振動部とし、該主面及び裏面に夫々電極を設けた基本波共振周波数３００ＭＨｚ以上の超高周波圧電振動素子であって、先端面に吸引穴を備えたコレットにて主面又は裏面を吸着保持された状態で表面実装型パッケージ内にＡｕバンプにて電気的機械的に接続されるものにおいて、超薄肉の振動部をコレットによる吸着時に該吸引穴に干渉しない位置に配置したので、圧電振動素子をセラミックパッケージ内に組み付ける際に、コレットでの吸着及び加圧による振動部の破損や歪みが発生せず、励振不能になったり、経時変化や熱変化により共振周波数の安定性が劣化するという不具合を解消することができる。従って、Ａｕパンプを用いた効果を十分に発揮する高性能且つ高信頼性の表面実装型超高周波圧電共振子を提供する上で著しい効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態例としてのＡＴカット水晶振動素子の断面図。
【図２】振動部中心の最大たわみと寸法比との関係を示す図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る水晶振動素子の主面側及び裏面側の構成を示す斜視図。
【図４】図２の水晶振動素子をセラミックパッケージ内に封止した水晶振動子の構成を示す断面図。
【図５】コレットにより本発明の水晶振動素子を吸着しつつパッケージ内に組み付けている状態を示す断面図。
【図６】図５の変形例を示す図。
【図７】第１の従来例の説明図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は第２の従来例の水晶振動素子の主面側及び裏面側の構成を示す斜視図。
【図９】図８の水晶振動素子をパッケージ内に収容した水晶振動子の断面図。
【図１０】従来例の欠点を説明する図。
【符号の説明】
１  水晶振動素子（圧電振動素子）、２  水晶基板（圧電基板）、３  凹陥部、４  振動部、５  環状囲繞部（環状部）、１０  主面電極、１１  裏面電極、２１  水晶振動素子、２２  水晶基板、２３  凹陥部、２４  振動部、２５  環状囲繞部、２６ａ  リード電極、２６ｂ  パッド電極、２６ｃ  パッド電極、２７切欠き、３２ａ  リード電極、３２ｂ  パッド電極、４０  Ａｕバンプ、５０セラミックパッケージ、５１  上蓋、５２  セラミック基板、５３  枠体、５４  シームリング、５６，５７  内部端子、６１  コレット、６２  吸引穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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