(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透光性を有する２つの電極の間に、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが配置された光起電力素子であって、
前記ｎ型半導体層を構成する電子受容性無機物及び塩基性染料が、それぞれ酸化亜鉛及びローダミンを含んでおり、
前記ｐ型半導体層が、それぞれ異なる電子供与性有機物を含有する、前記ｎ型半導体層と接する第１ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と反対側におけて前記第１ｐ型半導体層と接する第２ｐ型半導体層とからなり、
前記第１ｐ型半導体層に含有される電子供与性有機物が、チタニルフタロシアニンであり、
前記第２ｐ型半導体層に含有される電子供与性有機物が、無金属フタロシアニンであることを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】
前記第１ｐ型半導体層が、電子受容性化合物を含有していることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池、光センサ、フォトダイオードなどの光起電力素子に関し、さらに詳しくは、ヘテロｐｎ接合による内部電界を利用した光起電力素子の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境に優しいエネルギーとして、太陽エネルギーの利用研究が活発に行なわれており、中でも、燃料が不要でかつ無尽蔵なクリーンエネルギーとして、太陽電池（光起電力素子）の本格的な実用化が大いに期待されている。この太陽電池のタイプとしては、単結晶、多結晶あるいはアモルファスのＳｉを用いたシリコン系太陽電池、ＧａＡｓ，ＣｄＳ等を用いた化合物半導体系太陽電池、有機色素や導電性高分子を用いた有機半導体系太陽電池、あるいは金属酸化物系（色素増感型）太陽電池等が知られている。
【０００３】
ところで、現在最も普及しているシリコン系太陽電池や化合物半導体系太陽電池は、光電変換効率が高いという特徴を有するが、その反面、材料・製造コストが高く、作製に際して大規模な製造設備と多くのエネルギーを要することや、有毒な原料ガスを用いるなどの問題も指摘されている。
【０００４】
一方、有機半導体を用いた光起電力素子は、材料が比較的安価で、大規模な設備や有毒な原料を必要とせず、大量生産によるコストダウンが期待できるため、その光電変換効率の向上を狙った研究開発が行なわれており、例えば、ペリレン誘導体からなる電子受容性（ｎ型）有機物層と塩化インジウムフタロシアニンからなる電子供与性（ｐ型）有機物層とを積層して形成した有機光起電力素子（特許文献１）、バインダー樹脂中に電子供与性有機顔料を分散させたｐ型半導体層と電子受容性有機顔料の蒸着膜からなるｎ型半導体層とを積層して形成した有機太陽電池（特許文献２）や、少なくとも一方が透光性を有する２つの電極の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたｎ型半導体層と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたｐ型半導体層とからなるヘテロ接合半導体膜を形成した光起電力素子（特許文献３）等の提案がなされている。
【特許文献１】特開平５−２７５７２８号公報
【特許文献２】特開平７−２４０５３０号公報
【特許文献３】特開２００７−１５７９９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ｎ型有機半導体は、空気中で不安定であり、酸素と結合するとその性質が変化してｐ型に反転してしまうだけでなく、電荷移動度も低いという問題がある。そのため、特許文献１，２のようなｐ型有機半導体／ｎ型有機半導体からなるヘテロ接合光起電力素子は、光電変換効率の向上が難しく、また製造に際し、脱酸素環境を構築するための大掛かりな設備が必要となる場合がある。
【０００６】
また、特許文献３のように、２つの電極の間に、電子受容性無機物を主成分とし、塩基性染料を含有する材料から構成されたｎ型半導体層と、電子供与性有機物を主成分とし、電子受容性化合物を含有する材料から構成されたｐ型半導体層とからなるヘテロ接合半導体膜を形成した素子構造では、光の利用効率が充分でなく、結果として光電変換効率の向上が充分でないことが懸念される。即ち、太陽電池のエネルギー変換効率は、「光の利用効率」及び「発生するキャリアの輸送効率」に起因することが知られており、有機半導体は無機半導体と比べて抵抗が高いことから、光感度並びにキャリア移動度が低いとされている。
【０００７】
本発明は、上述した課題に対処するためになされたものであり、安価で且つより光電変換効率を向上させたヘテロｐｎ接合型の光起電力素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
安価で且つ安定性良く、しかも大面積化にも対応できる光起電力素子を考えた場合、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層などの光起電力素子を構成する各層を、複雑な製造設備を必要としない塗布製法により積層して形成できれば、そのメリットは極めて大きい。本発明者らは、塗布による積層が可能な層構造を種々検討した結果、増感剤として塩基性染料を添加したｎ型半導体層と、ｐ型半導体層とを組み合わせるとともに、このｐ型半導体層をそれぞれ異なる電子供与性有機物から構成された第１ｐ型半導体層と第２ｐ型半導体層とから形成することによりエネルギー変換効率を向上させることができることを見出した。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
本発明はこの知見に基づくものであって、本発明の光起電力素子は、少なくとも一方が透光性を有する２つの電極の間に、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが配置された光起電力素子であって、前記ｎ型半導体層を構成する電子受容性無機物及び塩基性染料が、それぞれ酸化亜鉛及びローダミンを含んでおり、前記ｐ型半導体層が、それぞれ異なる電子供与性有機物を含有する、前記ｎ型半導体層と接する第１ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と反対側におけて前記第１ｐ型半導体層と接する第２ｐ型半導体層とからなり、前記第１ｐ型半導体層に含有される電子供与性有機物が、チタニルフタロシアニンであり、前記第２ｐ型半導体層に含有される電子供与性有機物が、無金属フタロシアニンである。
【００１４】
本発明の光起電力素子によると、ｎ型半導体層に塩基性染料であるローダミンを添加し、ｐ型半導体層をそれぞれ異なる電子供与性有機物であるチタニルフタロシアニン及び無金属フタロシアニンから構成された第１ｐ型半導体層と第２ｐ型半導体層とから形成することにより、エネルギー変換効率が向上し、より高い光電変換効率が得られる光起電力素子を提供することができる。
【００１５】
また、前記第１ｐ型半導体層が、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。これによると、光電変換効率がさらに向上する。
【００１６】
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る光起電力素子の概略構成図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態に係る光起電力素子１０は、透明な絶縁性基板１と、表面電極となる透明電極２（第１電極）と、ｎ型半導体層３と、ｐ型半導体層４（第１ｐ型半導体層）と、ｐ型半導体層５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層６（第２電極）とが順に積層されて構成されている。なお、電極に取り付けられるリード（電線）や光起電力素子１０への水分の浸入を防止する防護樹脂などは、図示を省略している。
【００１９】
透明絶縁性基板１は、可視光領域の波長を広く透過するものが好ましく、例えばガラス、プラスチックフィルムなどをシート状あるいはプレート状など適宜の形で用いることができる。
【００２０】
透明電極２は、透明絶縁性基板１と同様に、可視光領域の波長を広く透過するものが好ましく、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化インジウムなどが用いられる。
【００２１】
ｎ型半導体層３は、電子受容性無機物と塩基性染料とバインダー樹脂とを含有している。ｎ型半導体層３に用いる電子受容性無機物としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物半導体が挙げられるが、特に好ましくは、酸化亜鉛顔料が使用される。なお、この酸化亜鉛顔料は、粉末の平均粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度のものが好ましく、さらに光電変換効率の観点からすると、平均粒径が２０〜３０ｎｍであるものを用いることが望ましい。
【００２２】
また、ｎ型半導体層３に用いる塩基性染料としては、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン染料、メチレンブルー、メチレンバイオレットなどのチアジン染料などが挙げられる。電子受容性無機物として酸化亜鉛顔料を用いる場合は、塩基性染料としてローダミンＢを用いるのが好適である。
【００２３】
さらに、ｎ型半導体層３に用いるバインダー樹脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂などの広範囲な絶縁性樹脂から選択することができる。これらのバインダー樹脂は、単独または２種以上を混合して使用してもよい。なお、本実施形態においては、ポリビニルブチラール樹脂を好適に採用した。また、電子受容性無機物とバインダー樹脂との好ましい配合比（重量）は、４０：１〜１：１、さらに好ましくは２０：１〜５：１の範囲である。
【００２４】
ｐ型半導体層４は、電子供与性有機物とバインダー樹脂とを含有している。ｐ型半導体層４に用いる電子供与性有機物としては、オキシチタニウムフタロシアニン（チタニルフタロシアニン）並びにこの環の一部を適当な置換基によって置換したものが使用される。尚、オキシチタニウムフタロシアニン（チタニルフタロシアニン）は、粉末の平均粒径が０．１μｍ〜数十μｍ程度のものを用いることが望ましい。
【００２５】
また、ｐ型半導体層４に電子受容性化合物を含有させても良い。この場合、ｐ型半導体層４に用いる電子受容性化合物としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、アントラキノンなどのキノン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，７，９−テトラニトロフルオレノンなどのフルオレノン系化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、ジフェノキノン系化合物などが挙げられる。特に好ましくは、ジフェノキノン系化合物が使用される。なお、本実施形態においては、３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジフェノキノン（ＴＢＤＱ）を好適に採用した。また、電子供与性有機物と電子受容性化合物との好ましい配合比は、電子供与性有機物１００重量部に対して、電子受容性化合物２．５〜２０重量部の範囲が好適である。
【００２６】
さらに、ｐ型半導体層４に用いるバインダー樹脂も、ｎ型半導体層３における例と同様に、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂などの広範囲な絶縁性樹脂から選択することができる。これらのバインダー樹脂は、単独または２種以上を混合して使用してもよい。なお、本実施形態においては、ｐ型半導体層４においても、ポリビニルブチラール樹脂を好適に採用した。また、ｐ型半導体層４における電子供与性有機物とバインダー樹脂との好ましい配合比（重量）は、１０：１〜１：１、さらに好ましくは６：１〜２：１の範囲である。
【００２７】
ｐ型半導体層５は、電子供与性有機物とバインダー樹脂とを含有している。ｐ型半導体層５に用いる電子供与性有機物としては、無金属フタロシアニン、並びにこの環の一部を適当な置換基によって置換したものである。なお、無金属フタロシアニンは、粉末の平均粒径が０．１μｍ〜数十μｍ程度のものを用いることが望ましい。
【００２８】
また、ｐ型半導体層５に用いるバインダー樹脂も、ｎ型半導体層３における例と同様に、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂などの広範囲な絶縁性樹脂から選択することができる。これらのバインダー樹脂は、単独または２種以上を混合して使用してもよい。なお、本実施形態においては、ｐ型半導体層５においても、ポリビニルブチラール樹脂を好適に採用した。また、ｐ型半導体層５における電子供与性有機物とバインダー樹脂との好ましい配合比（重量）は、１０：１〜１：１、さらに好ましくは６：１〜２：１の範囲である。
【００２９】
以上の構成により、本実施形態における光起電力素子は、従来の光起電力素子に比べて、光の利用効率を向上させ、光電変換効率を向上させることができた。
【００３０】
次に、本実施形態における光起電力素子を製造する方法について、図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る光起電力素子の製造工程を示す図である。この光起電力素子は、電子受容性無機物（酸化亜鉛顔料）に所定量の塩基性染料（ローダミンＢ）とバインダー樹脂（ポリビニルブチラール樹脂）と溶剤を添加したｎ型半導体塗布液と、電子供与性有機物（オキシチタニウムフタロシアニン顔料）とバインダー樹脂（ポリビニルブチラール樹脂）と溶剤を添加した第１のｐ型半導体塗布液（第１ｐ型半導体塗布液）と、電子供与性有機物（無金属フタロシアニン顔料）とバインダー樹脂（ポリビニルブチラール樹脂）と溶剤を添加した第２のｐ型半導体塗布液（第２ｐ型半導体塗布液）とを、透明電極２の上に順次塗布して積層させた後、これら半導体層の上に、樹脂中に導電性物質を分散させた導電性ペーストを塗布し、透明電極２に対向する背面電極層６を形成する方法により形成されている。
【００３１】
半導体塗布液の作製は、これら所定の原料を溶媒により分散させることにより行われる。溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノールなどのアルコール類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルセロソルブなどの環状または鎖状のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などを、単独または２種以上混合して用いることができる。
【００３２】
なお、各半導体塗布液は、電子受容性無機物又は異なる種類の電子供与性有機物の微粒子をそれぞれ塗布液中に分散させたものであることから、その微粒子の分散には、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライターなどの従来公知の方法を用いることが出来る。
【００３３】
半導体層の作製は、図２（ａ）に示すように、透明絶縁性基板１の上に透明電極２を載置した後、前述の半導体塗布液を用いて、例えば、ディップコート法、エアナイフコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、スピンコート法などにより、図２（ｂ）〜図２（ｄ）に示すように、ｎ型半導体層３、ｐ型半導体層４及びｐ型半導体層５を順次積層した。膜厚は、それぞれ一般的には０．０１〜３．０μｍ程度が好ましく、さらに好ましくは０．１〜２．０μｍである。
【００３４】
積層された半導体層を十分乾燥させた後、図２（ｅ）に示すように、この半導体層の上に、背面電極層６を形成する。この背面電極層６を形成するのに用いられる導電性ペーストには、導電性のカーボンブラックを樹脂中に分散させたカーボンペーストや金属微粒子を樹脂中に分散させた金属ペーストなどが用いられる。この背面電極層６の膜厚は、１〜５０μｍ程度が好ましい。
【００３５】
以上の製造方法により、本実施形態における光起電力素子１０は、従来の製造方法で必須であった蒸着などの真空プロセスや高温プロセス、あるいは安全上問題のあるガスや脱酸素環境を用いることなく、透明絶縁性基板１及び透明電極２を除く半導体層及び背面電極層６を、通常の大気圧（常温）環境下で形成することが可能となる。また、この製造方法は、従来の光起電力素子で用いられているようなバッチ式生産設備だけでなく、長尺・大面積の光起電力素子を製造することのできる連続生産設備の構築も容易となる。
【００３６】
なお、本発明における背面電極の構成は、本実施形態における例に限られるものではなく、半導体層とオーミックに接合させることのできるその他の導電性膜でもよい。例えば、蒸着法あるいはスパッタリング法により、Ａｕ、Ａｇなどの仕事関数の大きい金属による被膜を形成してもよい。
【００３７】
次に、以上の実施形態における光起電力素子の効果を確認すべく、本発明のより具体的な実施例１及び２を、比較例１〜３と合わせて、実際に光電変換特性を測定して説明する。
【００３８】
［実施例１］
本発明の実施例１として作製した素子は、上述した実施形態で説明した３層構造のヘテロｐｎ接合型半導体層を有する光起電力素子である。まず、素子の作製に先立ち、半導体塗布液の調整を行った。
【００３９】
ｎ型半導体塗布液は、バインダー樹脂としてのポリビニルブチラール樹脂（積水化学社製：エスレックＢＸ−１）１重量部に対して、酸化亜鉛粉末（テイカ社製：ＭＺ−５００、平均粒径２０〜３０ｎｍ）を１２重量部と、ローダミンＢ（東京化成工業社製）を０．３重量部と、溶剤としての２−プロパノールを６５重量部とを、０．５ｍｍΦのジルコニアビーズとともに容器に入れ、ビーズミルを用いて３０分攪拌し、スラリー状のｎ型半導体塗布液を作製した。
【００４０】
また、第１のｐ型半導体塗布液は、バインダー樹脂としてのポリビニルブチラール樹脂（積水化学社製：エスレックＢＸ−１）１重量部に対して、オキシチタニウムフタロシアニン顔料（山陽色素社製、平均粒径０．５〜５μｍ）を４重量部と、溶剤としてのエチレングリコールジメチルエーテルを１５０重量部とを、０．５ｍｍΦのジルコニアビーズとともに容器に入れ、ビーズミルを用いて１３分攪拌し、スラリー状の第１のｐ型半導体塗布液を作製した。
【００４１】
さらに、第２のｐ型半導体塗布液は、バインダー樹脂としてのポリビニルブチラール樹脂（積水化学社製：エスレックＢＸ−１）１重量部に対して、無金属フタロシアニン顔料（東京化成工業社製、平均粒径２〜１０μｍ）を４重量部と、溶剤としての１，４−ジオキサンを１１０重量部とを、０．５ｍｍΦのジルコニアビーズとともに容器に入れ、ビーズミルを用いて１３分攪拌し、スラリー状の第２のｐ型半導体塗布液を作製した。
【００４２】
実施例１における素子の作製は、まず、ガラスからなる透明絶縁性基板１の上にインジウム・スズの酸化物からなる透明電極２を設けたＩＴＯガラスを水平に載置し、このＩＴＯガラス上に、上述したｎ型半導体塗布液をバーコート法により塗布して、膜厚６００ｎｍのｎ型半導体層３を形成した。このｎ型半導体層３を室温下で十分に乾燥させた後、このｎ型半導体層３の上に、上述した第１のｐ型半導体塗布液を同じくバーコート法により塗布して、膜厚３５０ｎｍの第１ｐ型半導体層４を形成した。この第１ｐ型半導体層４を室温下で十分に乾燥させた後、この第１ｐ型半導体層４の上に、上述した第２のｐ型半導体塗布液を同じくバーコート法により塗布して、膜厚３００ｎｍの第２ｐ型半導体層５を形成した。
【００４３】
得られた３層構造のヘテロｐｎ接合半導体層を十分乾燥させた後、この半導体層の上に、導電性カーボンペースト（ライオン株式会社製：Ｗ−３１０Ａ）６重量部と、ポリビニルアセタール樹脂（積水化学社製：エスレックＫＷ−１）４重量部とを混合攪拌した導電性ペースト液をローラーコート法により塗布し、膜厚１０μｍの背面電極層を形成することにより、実施例１の光起電力素子を作製した。
【００４４】
［比較例１］
実施例１における第１のｐ型半導体層の形成工程を除いた以外、実施例１と同様の方法で、比較例１の単純積層型（ｐ−ｎ接合構成）の光起電力素子を作製した。
【００４５】
［比較例２］
第１のｐ型半導体層４と第２のｐ型半導体層５の形成順序を逆にした以外は、実施例１と同様の方法で、比較例２の光起電力素子を作製した。
【００４６】
これら作製した各光起電力素子の光電変換特性の測定は、暗状態及び擬似光ＡＭ１．５−１００ｍＷｃｍ−２照射下における電流−電圧（Ｉ−Ｖ）測定で行った。また、測定は室温、大気中で行った。以下の「表１」に、測定により得られた各光起電力素子の光電変換特性を示す。
【００４７】
【表１】
0004941834.tif 000002
【００４８】
この表から、実施例１のようにｎ型半導体層と第２ｐ型半導体層との間に第１ｐ型半導体層を形成することにより、開放電圧（Ｖｏｃ）はほとんど変化しないが、短絡電流（Ｉｓｃ）が増大することが認められ、従来の単純積層型の光起電力素子（比較例１）と比較して、変換効率ηを高めることができた。
【００４９】
このように本発明は、ｐ型半導体層として種類の異なるフタロシアニン化合物からなる層を積層構造にすることにより光電変換効率の向上を図ったものであるが、比較例２からも明らかなようにｎ型半導体層との積層において、その積層順序が重要なポイントであることを見出したことによるものである。この理由としては第1のp型半導体層と第２のp型半導体層とのエネルギーバンドが大きく起因し、光発生した電子と正孔が各半導体層のエネルギーバンドにしたがって、スムーズに外部の電極に捕集されるような、ｎ型半導体層、第1のp型半導体層及び第２のp型半導体層のエネルギーバンドの積層構造であることによるものと推測される。
【００５０】
［実施例２］
３層型光起電力素子における第１のｐ型半導体層４に、アクセプター分子であるＴＢＤＱを添加することで、半導体層のドーピングとした。
【００５１】
具体的には第１のｐ型半導体層４に対するアクセプタードーピングは、先の実施例１において調整した第１のｐ型半導体塗布液にＴＢＤＱをオキソチタニウムフタロシアニン顔料１００重量部に対するドーピング量１０重量部で溶解することにより行った。
【００５２】
また、光起電力素子の作製および測定・評価は上記の実施例１と同様の方法で行った。その結果、Ｊｓｃ（ｍＡ／ｃｍ２）＝１．７５、Ｖｏｃ（Ｖ）＝０．６６、Ｆ．Ｆ．＝０．２６、η（％）＝０．３１となった。
【００５３】
また、ドーピング量と光電変換効率（η）の関係については、オキソチタニウムフタロシアニン顔料１００重量部に対するＴＢＤＱのドーピング量が０、２．５、１０及び２０重量部の各素子を作製して評価した。
【００５４】
その結果、図３に示すように、光電変換効率（η）はそれぞれ０．１７、０．１８、０．３１、０．１９となり、ＴＢＤＱのドーピング量がオキソチタニウムフタロシアニン顔料１００重量部に対して０〜１０重量部まで増加傾向にあり、それ以降においては減少傾向になった。
【００５５】
以上より、第１のｐ型半導体層へのＴＢＤＱドープは、キャリア移動度の向上に伴う導電性の改善によるものと推測され、結果的に、短絡電流（Ｉｓｃ）の増加に繋がることが確認された。また、そのドーピング量はオキソチタニウムフタロシアニン顔料１００重量部に対して、２．５〜２０重量部の範囲が好適であり、１０重量部のドーピング量が最適であった。
【００５６】
このように第１のｐ型半導体層４に電子受容性化合物としてＴＢＤＱを含有させることで、実施例１と比較して、さらに変換効率ηが増加した。
【００５７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、基板としてカーボンブラック分散導電性シートを用い、この導電性シート上に第２ｐ型半導体層、第１ｐ型半導体層、ｎ型半導体層及びＩＴＯ透明層をこの順序で形成するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施形態に係る光起電力素子の概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る光起電力素子の製造工程を示す図である。
【図３】本実施形態におけるＴＢＤＱのドーピング濃度及びηの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  透明絶縁性基板
２  透明電極
３  ｎ型半導体層
４，５  ｐ型半導体層
６  背面電極層
【図１】
0004941834.tif 000003
【図２】
0004941834.tif 000004
【図３】
0004941834.tif 000005