(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体に直接高周波電流を流し、外部磁界によりその透磁率が変化する磁気検出素子を用いた電流センサにおいて、前記磁気検出素子の周囲を磁気シールドする磁気シールド部材と、該磁気シールド部材内に設けた電流線とを有し、該電流線は前記磁気シールド部材内において電流バーを曲げてＵ字形状とし、前記磁気検出素子は、その磁界検知方向が前記電流線のＵ字形状の両脚部の並び方向に対して直交する方向になるように配置すると共に、前記電流線の両脚部のそれぞれの延長軸間に配置し、前記Ｕ字形状のＵ字を閉じた先端部の外側に所定距離だけ離間したことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記磁気シールド部材を６面体の箱構造にし、前記電流線を内部に引き込む開口部をその１面の一部に設けたことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電流センサと、該電流センサを内部に保持する保持部材とを有する電流検知ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号線に流れる電流を検出する電流センサに関し、特に、外部磁界に対して透磁率が変化する磁気インピーダンス素子やフラックスゲートセンサ等を用いて電流を検出する電流センサ及びそれを用いた電流検知ユニットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電流を検知する電流センサとしては、カレントトランスやホール素子が主に使用されてきたが、近年、ハイブリッド車、電気自動車の登場や省エネルギーに対する電力監視強化等で、更に電流センサのニーズが高まっている。
【０００３】
従来、ホール素子を用いた電流センサは、図８に示すように電流線１００を囲むＣ字状の磁気コア１０２で磁気回路が構成され、そのギャップ部にホール素子１０４が配置されている（非特許文献１参照）。ホール素子１０４は強磁性体でないため飽和が無く、強磁界下でも動作が可能である。しかし、磁気コア１０２は飽和の問題より、大電流ではサイズを小さく出来ない欠点がある。
【０００４】
そこで、磁性コアを使用しない方法としては、外部磁界に対して透磁率が変化する感度の良い磁気インピーダンス素子やフラックスゲートセンサ等を用いて、電流バーからの磁界を直接検知する方法が考えられる。
【非特許文献１】トランジスタ技術  ２００３年１２月号  １２５Ｐ（ＣＱ出版社発行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
強磁性体を用いた磁気インピーダンス素子やフラックスゲートセンサは検知磁界範囲がプラスマイナス数ガウス程度と狭く、磁気飽和しない様に扱わなくてはならない。そのためには、電流線からは単純には素子を離せばよいが、離すことでセンササイズが大きくなってしまってはセンサを変更する意味がない。
【０００６】
また、電流線の引き回しや周囲の電源トランスからの有害磁界が飛び込むので、磁気シールドを効率よく機能させる必要がある。特に大電流の場合には、検知対象となる電流線の引き回しによる磁界影響が大きくなり、電流検知精度の悪化につながっていた。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、大電流に対し、サイズを大型化することなく、外乱磁界に対しても強い電流センサ及びそれを用いた電流検知ユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明に係る電流センサは、磁性体に直接高周波電流を流し、外部磁界によりその透磁率が変化する磁気検出素子を用いた電流センサにおいて、前記磁気検出素子の周囲を磁気シールドする磁気シールド部材と、該磁気シールド部材内に設けた電流線とを有し、該電流線は前記磁気シールド部材内において電流バーを曲げてＵ字形状とし、前記磁気検出素子は、その磁界検知方向が前記電流線のＵ字形状の両脚部の並び方向に対して直交する方向になるように配置すると共に、前記電流線の両脚部のそれぞれの延長軸間に配置し、前記Ｕ字形状のＵ字を閉じた先端部の外側に所定距離だけ離間したことを特徴とする。
【０００９】
また、磁気シールドを６面体の箱構造にし、電流線を磁気シールド内部に引き込む開口部を、その１面の一部に設けることにより、外部からの有害な磁界を抑制すると共に、素子にかかる電流線からの磁界を設定することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高感度の磁気検出素子を電流センサに応用するに際し、磁気検出素子の周囲が磁気シールド部材で囲まれ、その磁気シールド内部に狭い開口部より電流線をＵ字状に引き込み、そのＵ字の先端付近に磁気検出素子を配置することにより、電流線からの磁界を素子特性に合った大きさに調整でき、且つ、電流線以外の外部磁界を減衰させて、Ｓ／Ｎの優れた良好な電流センサが提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の電流センサの一実施形態を示す斜視図であり、電流検知に関する磁気検出素子と電流線との相対位置関係を説明する図である。
【００１２】
磁気検出素子１０は、非磁性基板１２上に形成された磁性体から成る磁性薄膜１４に直接高周波電流を流し、外部磁界によりその磁性薄膜１４のインピーダンス変化が生じる磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子）である。磁気検出素子１０のその他の形態としては、薄膜でなくアモルファスワイヤーでＭＩ素子を構成してもよい。更に、磁気検出素子１０に近接配置または巻回したコイルから出力を取り出すフラックスゲートセンサとして機能させてもよい。
【００１３】
図１に示す磁気検出素子１０は、ガラス等の非磁性基板１２上に磁性薄膜１４によりつづら折れパターンが形成されたもので、その両端に高周波電流を印加する電極１６ａ、１６ｂが形成されている。磁界検知方向は矢印Ｈｉで示すように磁性薄膜１４のパターンの長手方向になっている。
【００１４】
磁界の検知対象である電流バーから成る電流線２０はＵ字状に曲げられ、その先端部に距離ｄとを隔てて磁気検出素子１０が配置されている。磁気検出素子１０の磁界検知方向Ｈｉは、電流線２０のＵ字状部の両脚部が並ぶ図のＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に合せておく。
【００１５】
磁気シールド部材１８は高透磁率で飽和磁束密度の大きい磁性材で構成されており、電流線２０を引き込むための開口部を持ち、磁気検出素子１０を囲んでいる。開口部を狭めているのは、外部磁界の磁気シールド効果を高めるのと、電流線２０の磁界を規制する効果を持たせるためである。
【００１６】
図１に示す配置でＹ軸方向に対する断面を図２に示すが、ここで簡単な計算をしてみる。Ｕ字形状の電流線２０をコの字形状と簡略化し、素子検知部Ａにかかる磁界のエリアを区間１、区間２、区間３に対応する磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３に分ける。素子検知部Ａは、Ｕ字の電流線２０の対称位置にあるとすると、区間１、３による磁界Ｈ１、Ｈ３は同じとなる。
【００１７】
また、電流線２０のＵ字の先端部と磁気検出素子１０との距離をｄ、先端部と磁気シールド１８の開口部までの距離をｌ、電流線２０の両脚部の間隔を２ｓとすると、素子検知部Ａでの電流Ｉによる磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３は次の通りとなる。
【００１８】
Ｈ１（区間１からの磁界）＝Ｉ／（４πｓ）×（ｃｏｓθ1−ｓｉｎθ2）
Ｈ２（区間２からの磁界）＝Ｉ／（２πｄ）×ｃｏｓθ2
Ｈ３（区間３からの磁界）＝Ｈ１（区間１からの磁界）
但し、ｔａｎθ1＝ｓ／（Ｉ＋ｄ）  ｔａｎθ2＝ｄ／ｓ
磁気検出素子１０を電流線２０のＵ字の先端部に距離ｄをおいて配置すると共に、Ｕ字状部の両脚部の延長軸間に位置するようにすれば、磁界方向は右ねじの法則により磁界Ｈ２と磁界Ｈ１、Ｈ３が相対的に逆となり、磁界Ｈ２の磁界を正として、総和Ｈを求めると、
Ｈ＝Ｉ／２π×（ｃｏｓθ2／ｄ−ｃｏｓθ1／ｓ＋ｓｉｎθ2／ｓ）
となる。
【００１９】
例えば、ｓ＝ｄ、ｌ＝４ｓとすると、Ｈ１＝Ｈ３＝−０．１９３×Ｈ２の比率になる。磁界の総和Ｈは、区間２のみの磁界Ｈ２に対して、磁界Ｈ１＋磁界Ｈ３の寄与により３８．６％磁界を小さくできる。
【００２０】
磁気検出素子１０にかかる磁界の設計としては、磁界Ｈ２の区間２を狭くすることで、まず、その部分から磁界を小さくし、更に磁界Ｈ１、Ｈ３の区間１、３による磁界Ｈ２と逆方向の磁界により、更に磁界を小さくし、電流最大値から磁気検出素子１０にかかる最大磁界を決める。
【００２１】
次に、実際の構成例を用い、本発明に係る生産性の良い電流検知ユニットを説明する。その一実施形態を図３に示す。図３（ａ）は上面から見た平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のユニット内部を側面方向から見た模式図である。
【００２２】
電流線３０は一部分がＵ字状に曲げられ、その部分が電流センサ本体の中央部に位置するように支持部材３２にねじ３４により固定されている。また、電流線３０のＵ字先端部を通す狭い開口部を持つシールドケース３６ａが組み付けられている。更に、磁気検出素子４０とＵ字先端部との距離ｄを規制をするためのポスト３８上に、磁気検出素子４０を実装した回路基板４２がねじ４４で固定されている。
【００２３】
磁気検出素子４０の位置は電流線３０のＵ字先端部の真上に置くことが、前述の説明の通り、電流線３０の各部位からの磁界の極性から、磁界を最も弱める場合に好ましい。回路の電源、出力は、ケーブル４６を介して電流センサの外に引き出される。電流センサの組立の最後に、シールドケース３６ａの蓋３６ｂが固定されている。
【００２４】
ここで、磁気検出素子４０は感度の良いセンサとして、高周波電流を印加して外部磁界に対して透磁率が変化し、そのインピーダンス変化を取り出す磁気インピーダンス素子や、更に近接配置または巻回させてコイルから出力を取り出すフラックスゲートセンサ素子が、小型で組み込みに適している。
【００２５】
図４は具体的な図３の磁気検出素子４０の構成を示す。非磁性基板５０に磁性薄膜５２がつづら折れ状に形成され、不図示の絶縁膜を介して渦巻き状の平面コイル５４が積層されている。この磁性薄膜５２に高周波電流を直接印加する。平面コイル５４は、磁気検出素子４０の動作としてのバイアス印加磁界用、またはフラックスゲートセンサとしての磁性薄膜５２の磁束変化を誘導電圧として取り出すコイルとして機能する。磁性薄膜５２、コイル５４からの電極５６は、それぞれ磁気検出素子４０の最上面に引き出され、回路基板４２とは面対向の半田付けか、ワイヤーボンディングで接続されている。
【００２６】
また、磁気検出素子４０は磁界検出方向が電流線３０の長手方向と直交するように回路基板４２に実装され、磁気検出素子４０の上面に蓋をするために電流線３０の反対面から蓋３６ｂを被せて固定されている。蓋３６ｂには、高透磁率の磁性材が好ましく、パーマロイ、アモルファス、フェライト材等が適している。特にパーマロイは、プレス抜き、曲げ又は絞り加工により生産性の良い加工が選択可能である。
【００２７】
次に、上述の電流検知ユニットの評価結果について説明する。磁気検出素子４０としては図４のものを用い、フラックスゲート動作をさせた場合の電流センサの駆動回路を図５に示す。これは、磁性薄膜５２に高周波電流を印加し、その外部磁界に対する磁束の変化をコイル５４の出力として取り出すものである。
【００２８】
具体的には、まず、パルス発振器６０によりバッファ６２、ＤＣ分除去用の容量６４を通して磁性薄膜５２にプラスマイナス均等に高周波電流を印加する。すると、図５（ｂ）に示すようにコイル５４側には磁性薄膜５２とコイル５４の近接による容量結合により、クロストーク成分がコイル５４側にプラス及びマイナスの鋭いピークをつくり、外部磁界に対する磁性薄膜５２内の磁束変化が、そのピークをシフトさせる動きとなる。そのピークの動きを検波回路６６ｐ、６６ｍで取り出し、その中点を分圧抵抗６８ｐ、６８ｍで取り出すことにより、電流センサ出力が得られる。最終的には必要な増幅を増幅器７０で行う。
【００２９】
この回路構成で、５Ｖ駆動で４ＭＨｚのパルスを素子に印加し、増幅ゲイン８０倍にして評価を行った。電流線３０には±２００Ａを印加し、直線精度を調べた。なお、磁気検出素子４０は磁性薄膜５２へのＤＣ抵抗値を１５０Ωに設定し、コイル５４は５１Ｔとした。また、電流センサ内部の電流線３０のＵ字先端部と磁気検出素子４０の素子検知部Ａとの間隔ｄは、ｄ＝４ｍｍとした。
【００３０】
図６はＤＣ±２００Ａでの電流検知特性を示す。図６から明らかなように、良好な直線性が得られていることが分かる。このデータの傾斜により磁気検出素子４０の感度特性から逆算すると、２００Ａで３．４ガウス（３４０μＴ）の磁界になった。磁気検出素子４０の直線性の良好な範囲が±５ガウスであるので、大電流でも高感度センサ素子に合った磁界量に調整ができていることが分かる。
【００３１】
また、シールドの性能にも触れておくと、図３の箱型のシールド構造での開口部を、その面の最大まで広げてしまった場合はシールド効果は３倍程度悪くなってしまった。シールド効果を更に稼ぐ場合には、開口部を小さくしたシールドを２重にすると、１／１０００近くまで外部磁界の影響を緩和できる。
【００３２】
その他の磁気検出素子４０の駆動方法として磁気インピーダンス方式も説明しておくと、図７に示すように発振回路７２よりバッファ７４を介して、磁気検出素子４０に分圧抵抗７６を通して高周波パルス電流を印加する。磁気検出素子４０の磁性薄膜５２の振幅電圧変化を検波回路７８を通し、最後に増幅回路８０を経て出力を得る。なお、コイル５４にバイアス電流を印加し、磁気検出素子４０の感度設定を行う。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る電流センサの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＹ軸に対する断面を示す模式図である。
【図３】本発明に係る電流検知ユニットの一実施形態を示す図である。
【図４】図３の電流検知ユニットの磁気検出素子を詳細に示す斜視図である。
【図５】図４の電流検知ユニットの電流センサをフラックスゲート動作させる場合の駆動回路の一例を示す回路図である。
【図６】図４の電流検知ユニットの電流検知特性を示す図である。
【図７】図４の電流検知ユニットの電流センサの他の駆動回路を示す回路図である。
【図８】従来例の電流センサを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  磁気検出素子（ＭＩ素子）
１２  非磁性基板
１４  磁性体（磁性薄膜）
１６ａ、１６ｂ  電極
１８  磁気シールド
２０  電流線
３０  電流線
３２  支持部材
３４  ねじ
３６ａ  シールドケース
３６ｂ  蓋
３８  ポスト
４０  磁気検出素子（ＭＩ素子）
４２  回路基板
４４  ねじ
４６  ケーブル
５０  非磁性基板
５２  磁性薄膜
５４  平面コイル
５６  電極
６０  パルス発振器
６２  バッファ
６４  容量
６６ｐ、６６ｍ  検波回路
６８ｐ、６８ｍ  分圧抵抗
７０  増幅器
７２  パルス発振器
７４  バッファ
７６  分圧抵抗
７８  検波回路
８０  増幅器
【図１】
0005006511.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005006511.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005006511.tif 000006
【図６】
0005006511.tif 000007
【図７】
0005006511.tif 000008
【図８】
0005006511.tif 000009