(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記被処理基板の実温度を昇温させる工程と、
前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、
前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、
を含み、
前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板の温度が昇温しつつある期間において開始され、
前記有機化合物は、カルボン酸、無水カルボン酸、エステル、アルコール、アルデヒド、およびケトンよりなる群より選択されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記被処理基板を前記基板保持台から取り出す工程は、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程が終了してから実行される請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記Ｃｕ膜は、前記被処理基板上面に形成された絶縁膜中に、前記Ｃｕ膜の一部が露出した状態で担持され、前記所定温度は、前記絶縁膜の耐熱温度よりも高いことを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記所定温度は、２５０℃以上であることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記所定温度は、３５０℃以上であることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記有機化合物は、蟻酸または酢酸であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項７】
多層配線構造を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板上に、前記多層配線構造を構成しＣｕ配線パターンを埋設された層間絶縁膜形成する工程と、
前記Ｃｕ配線パターン表面の一部を露出し、露出表面部分を形成する工程と、
前記基板を、前記Ｃｕ配線パターン露出表面部分が露出された状態で、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記基板の実温度を昇温させる工程と、
前記基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ配線パターンのうち前記露出表面部分の酸化物を除去する工程と、
前記基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、
を含み、
前記処理ガスを供給する工程は、前記基板の実温度が昇温しつつある期間において開始され、
前記有機化合物は、カルボン酸、無水カルボン酸、エステル、アルコール、アルデヒド、およびケトンよりなる群より選択されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記有機化合物は、蟻酸または酢酸であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
実行されるとき、コンピュータが、基板処理装置を制御するプログラムを記録したコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記プログラムは前記基板処理装置に、基板処理方法を実行させ、前記基板処理方法は、
Ｃｕ膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された前記基板処理装置の基板保持台上に載置し、前記被処理基板の実温度を昇温させる工程と、
前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、
前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、
を含み、
前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板の実温度が昇温しつつある期間において開始され、
前記有機化合物は、カルボン酸、無水カルボン酸、エステル、アルコール、アルデヒド、およびケトンよりなる群より選択されることを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１０】
前記有機化合物は、蟻酸または酢酸であることを特徴とする請求項９記載のコンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に基板処理方法に係り、特に有機化合物により基板処理を行う基板処理方法、およびかかる基板処理方法を使った半導体装置の製造方法、さらにかかる基板処理方法を記録したコンピュータ可読記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の半導体集積回路装置においては、共通基板上に莫大な数の半導体素子が形成されており、これらを相互接続するために、多層配線構造が使われている。
【０００３】
多層配線構造では、配線層を構成する配線パターンを埋設した層間絶縁膜が積層され、下層の配線層と上層の配線層とが、層間絶縁膜中に形成されたビアコンタクトにより接続される。
【０００４】
特に最近の超微細化・超高速半導体装置では、多層配線構造中における信号遅延の問題を軽減するため、層間絶縁膜として低誘電率膜（いわゆるlow-K膜）が使われると共に、配線パターンとして、低抵抗のＣｕパターンが使われている。
【０００５】
このようにＣｕ配線パターンを低誘電率層間絶縁膜中に埋設した多層配線構造においては、Ｃｕ膜のドライエッチングによるパターニングが困難であるため、層間絶縁膜中に予め配線溝あるいはビアホールを形成し、これをＣｕ膜で充填した後、層間絶縁膜上の余剰なＣｕ膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）により除去する、いわゆるダマシン法あるいはデュアルダマシン法が使われる。
【特許文献１】特許３３７３４９９号
【特許文献２】特許３７３４４４７号
【特許文献３】ＷＯ２００５／１０６９３６号国際公開
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
Ｃｕは酸化されやすい金属であり、このようなダマシン法、あるいはデュアルダマシン法による多層配線構造の形成工程では、下層配線層を構成するＣｕ膜の表面がビアホールにより露出された場合、Ｃｕ膜の露出表面に自然酸化膜が容易に形成される。このような自然酸化膜が形成されたＣｕ表面にＣｕビアプラグを形成した場合には、コンタクト抵抗が増大し、低抵抗Ｃｕを使って所望の配線遅延を抑制する効果が相殺される。
【０００７】
そこで従来、このようなＣｕビアプラグの形成に先立って、露出されたＣｕ膜表面の自然酸化膜を除去するため、ＮＨ3ガスや水素ガスなどの還元性ガスを使った還元処理工程が行われている。
【０００８】
しかし、このようなＮＨ3ガスや水素ガスを使った処理は、一般に３００℃以上の高温を必要とし、ＳｉＯ2膜のように耐熱温度の高い絶縁膜を層間絶縁膜に使う場合には問題がないものの、最近の超微細化半導体装置のように、耐熱温度の低い有機系あるいは無機系のＬｏｗ−Ｋ膜あるいは多孔質Ｌｏｗ−Ｋ膜を層間絶縁膜に使い、多層配線構造の寄生容量を低減した半導体装置には適していない。
【０００９】
一方従来、Ｃｕ配線パターンを蟻酸で処理し、２００℃以下の温度でＣｕ膜表面の酸化物を、還元反応
Ｃｕ2Ｏ＋ＨＣＯＯＨ→２Ｃｕ＋Ｈ2Ｏ＋ＣＯ2、            （１）
あるいはエッチング反応
Ｃｕ2Ｏ＋２ＨＣＯＯＨ→２Ｃｕ（ＨＣＯＯ）＋Ｈ2Ｏ        （２）
により除去する技術が知られている。ここでＣｕ（ＨＣＯＯ）は不安定な揮発性物質であり、処理環境を真空パージあるいはガスパージすることにより、系から除去することができる。上記反応（１）および（２）は同時に進行するため、以下の説明では上記反応（１）による酸化物除去プロセスおよび反応（２）による酸化物除去プロセスを合わせて、「ドライクリーニングプロセス」と称することにする。類似のドライクリーニング反応は、処理ガスに酢酸や、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−エチルヘキサン酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、クエン酸などのカルボン酸を使っても生じる。
【００１０】
一方、半導体装置の製造においては、スループット向上の観点から、このようなドライクリーニングプロセスは可能な限り短時間で済ませるのが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一の側面によれば本発明は、Ｃｕ膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記被処理基板の実温度を昇温させる工程と、前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、  前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板の温度が昇温しつつある期間において開始されることを特徴とする基板処理方法を提供する。
【００１２】
他の側面によれば本発明は、多層配線構造を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上に、前記多層配線構造を構成しＣｕ配線パターンを埋設された層間絶縁膜形成する工程と、前記Ｃｕ配線パターン表面の一部を露出し、露出表面部分を形成する工程と、前記基板を、前記Ｃｕ配線パターン露出表面部分が露出された状態で、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記基板の実温度を昇温させる工程と、前記基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ配線パターンのうち前記露出表面部分の酸化物を除去する工程と、前記基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程は、前記基板の実温度が昇温しつつある期間において開始されることを特徴とする半導体装置の製造方法を、提供する。
【００１３】
さらの他の側面によれば本発明は、実行されるとき、コンピュータが、基板処理装置を制御するプログラムを記録したコンピュータ可読記憶媒体であって、前記プログラムは前記基板処理装置に、基板処理方法を実行させ、前記基板処理方法は、Ｃｕ膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された前記基板処理装置の基板保持台上に載置し、前記被処理基板の実温度を昇温させる工程と、前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板の実温度が昇温しつつある期間において開始されることを特徴とするコンピュータ可読記録媒体を、提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｃｕ膜を担持した被処理基板を、所定温度を維持するように制御された基板保持台上に載置し、前記被処理基板の実温度を昇温させる工程と、前記被処理基板表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、前記被処理基板を、前記基板保持台から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程を、前記被処理基板の温度が昇温しつつある期間において開始することにより、前記Ｃｕ膜表面からの酸化物の除去を、前記基板の実温度が前記所定温度に到達するのを待つことなく、速やかに実行することが可能となり、このような基板処理を多数の被処理基板について、前記基板保持台上に載置される被処理基板を次々と交換することで、高いスループットで実行することが可能となる。
【００１５】
また本発明によれば、前記有機化合物によるＣｕ膜表面の酸化物除去工程を、従来よりも低温で実行できるため、Ｃｕ配線層、あるいはかかるＣｕ配線層が形成される層間絶縁膜、特にＬｏｗ−Ｋ材料よりなる層間絶縁膜への熱ストレスが低減され、多層配線構造を有する半導体装置の信頼性および製造歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［原理］
図１は、本発明で使われる基板処理装置１００Ａの概略を示す図である。
【００１７】
図１を参照するに、前記基板処理装置１００Ａは、排気ライン１１４から、排気ポンプ１１５により、圧力調整バルブ１１５Ａを介して排気される処理容器１１１を含み、前記処理容器１１１内部のプロセス空間１１１Ａには、ヒータ１１２Ａを埋設された基板保持台１１２が、前記プロセス空間１１１Ａに露出した状態で設けられ、被処理基板Ｗが前記基板保持台１１２上に保持される。
【００１８】
前記処理容器１１１には、前記基板保持台１１２上の被処理基板Ｗに対面するようにシャワーヘッド１１３が設けられ、前記シャワーヘッド１１３には、前記処理容器１１１の内部を前記排気ポンプ１１５および圧力調整バルブ１１５Ａにより所定のプロセス圧に減圧した状態で、ガス源１１９から処理ガスが、質量流量コントローラ１１８およびバルブ１１７を設けられたライン１１６を介して供給され、前記プロセス空間１１１Ａにおいて前記被処理基板Ｗに対して所望の基板処理が行われる。
【００１９】
前記処理容器１１１には、さらにその壁面の一部にゲートバルブ１１１Ｇが形成されており、前記ゲートバルブ１１１Ｇに隣接して前記処理容器１１１の外側には、前記被処理基板Ｗを、前記ゲートバルブ１１１Ｇを介して前記処理容器１１１中に導入し、前記基板保持台１１２上に載置し、さらに前記基板保持台１１２上から処理の終了した基板Ｗを取り上げ、前記ゲートバルブ１１１Ｇを介して前記処理容器１１１から取り出す基板搬送機構１１１ＴＸが設けられている。取り出された被処理基板の酸化や汚染を回避するため、前記基板搬送機構１１１ＴＸおよびゲートバルブ１１１Ｇは、真空環境、例えば枚葉処理装置の一部を構成する真空搬送室中に設けられている。
【００２０】
前記基板保持台１１２には、図示はしないがリフタピンが上下可動に設けられ、前記被処理基板Ｗを導入する場合には、前記ゲートバルブ１１１Ｇが開かれ、前記基板搬送機構１１１ＴＸの基板搬送アームが前記被処理基板Ｗを、前記ゲートバルブ１１１Ｇを介して前記基板処理装置１１１内に導入し、前記リフタピンが上昇位置に動かされ、前記アームに保持された被処理基板Ｗを受け取る。
【００２１】
さらに前記基板搬送アームが処理容器１１１から待避し、前記ゲートバルブ１１１Ｇが閉じられ、前記リフタピンが下げられることにより、前記被処理基板Ｗが、前記基板保持台１１２の表面に載置される。
【００２２】
このゲートバルブ１１１Ｇが閉じられた瞬間から、後で説明する基板処理レシピが開始され、前記シャワーヘッド１１３より処理ガスが、前記プロセス空間１１１Ａに供給され、前記被処理基板Ｗの基板処理が開始される。この一連の被処理基板Ｗの装着動作には、約１０秒程度の時間が必要である。
【００２３】
また前記被処理基板Ｗの処理が終了すると、前記リフタピンが駆動されて前記被処理基板Ｗが前記基板保持台１１２の表面から持ち上げられ、前記ゲートバルブ１１１Ｇが開かれ、前記基板搬送機構１１１ＴＸのアームが前記ゲートバルブ１１１Ｇを介して前記処理容器１１１内に挿入され、さらに前記リフタピンを下降させることにより、前記リフタピンに保持されていた被処理基板Ｗが前記アームに渡される。前記アームは、前記被処理基板Ｗを保持して前記処理容器１１１から待避し、ゲートバルブ１１１Ｇが閉じられる。
【００２４】
さらに図１の構成では、前記基板保持台１１２の温度を、前記ヒータ１１２Ａを介して制御する温度制御部２０１Ａと、前記プロセス空間に供給される処理ガスの流量を、前記質量流量コントローラ１１８を介して制御し、また処理ガスの供給を、前記バルブ１１７を介してオンオフ制御するガス制御部２０１Ｂと、前記プロセス空間１１１Ａの圧力を、前記圧力調整バルブ１１５Ａを介して制御する圧力制御部２０１Ｃと、前記ゲートバルブＧおよび基板搬送機構１１１ＴＸ、さらに図示を省略したリフタピンを制御し、前記被処理基板Ｗの前記処理容器１１１への出し入れおよび前記基板保持台１１２上への載置および取り出し制御する基板搬送制御部２０１Ｄと、を含む制御部２０１が設けられており、前記制御部２０１は、ＣＰＵ２０２Ａとメモリ２０２Ｄを備えたコンピュータよりなるプログラム制御部２０１Ａにより制御される。すなわち前記プログラム制御部２０１Ａは、記録媒体２０２Ｂに記録されたプログラムを実行することで、前記制御部２０１を構成する温度制御部２０１Ａ，ガス制御部２０１Ｂ，圧力制御部２０１Ｃおよび基板搬送制御部２０１Ｄを制御する。
【００２５】
図示の例では、前記プログラム制御部２０２は、さらにキーボードやマウスなどの入力インターフェース２０２Ｃ、モニタなどの表示インターフェース２０２Ｆ、およびＬＡＮなどの通信インターフェース２０２Ｅを備えている。
【００２６】
そこで前記図１の基板処理装置１００Ａにおいて、前記基板保持台１１２上に被処理基板Ｗを載置した場合、前記処理ガスとして、例えば蟻酸を供給することにより、先に説明した式（１）あるいは（２）の反応により、前記被処理基板Ｗ上のＣｕ膜表面から自然酸化膜を除去することが可能である。
【００２７】
本発明の関連技術、あるいは特許文献１〜３においては、このような基板処理を、均一な基板処理を実現するため、前記被処理基板Ｗを前記基板保持台１１２上に載置した後、窒素ガスなどの不活性ガスを供給し、前記被処理基板Ｗを所定の処理温度に加熱した後、処理ガスを導入することにより行っていた。
【００２８】
これに対し本発明の発明者は、本発明の基礎となる研究において、このような処理ガスによる基板処理は、前記所定処理温度よりも低い温度領域においても、速度は遅くなるものの、実行可能であり、かつこのような低温であっても、Ｃｕの自然酸化膜をＣｕ膜に対して、選択的に、すなわちＣｕ膜のエッチングを実質的に生じることなく除去できることを見出した。
【００２９】
上記発見は、図１のような有機化合物で被処理基板を処理する基板処理装置１００Ａにおいて、前記被処理基板Ｗを前記処理容器１１１内に、外部から前記ゲートバルブ１１１Ｇを介して導入し、前記導入した被処理基板Ｗを、前記ヒータ１１２Ａおよび温度制御部２０１Ａにより所定温度に制御された前記基板保持台１１２上に載置し、その直後に、すなわち前記被処理基板Ｗが昇温を開始した直後に処理ガスを導入しても、前記Ｃｕ膜のドライクリーニングを実行することができ、しかも基板温度の昇温途中で前記被処理基板Ｗを前記処理容器１１１から取り出しても、非常に均一なドライクリーニング処理、すなわち自然酸化膜の除去処理が得られることを意味する。
【００３０】
そこで本発明は、上記発見に基づいて、Ｃｕ膜を担持した被処理基板Ｗを、所定温度を維持するように制御された基板保持台１１２上に載置し、前記被処理基板Ｗの実際の温度（以下、基板保持台の「設定温度」と区別するために「実温度」と記す）を昇温させる工程と、前記被処理基板Ｗ表面に、有機化合物を含む処理ガスを供給し、前記Ｃｕ膜表面の酸化物を除去する工程と、前記被処理基板Ｗを、前記基板保持台１１２から取り出す工程と、を含み、前記処理ガスを供給する工程は、前記被処理基板Ｗの実温度が昇温しつつある期間において開始されること、を特徴とする基板処理方法を提供するものである。
【００３１】
本発明によれば、前記処理ガスを供給する工程を、前記被処理基板Ｗの実温度が昇温しつつある間に開始することにより、前記Ｃｕ膜表面からの酸化物の除去を、前記被処理基板の実温度が前記所定温度に到達するのを待つことなく、速やかに実行することが可能となり、このような基板処理を多数の被処理基板について、前記基板保持台上に載置される被処理基板を次々と交換することで、高いスループットで実行することが可能となる。
【００３２】
このような昇温途中に被処理基板Ｗに処理ガス、すなわち有機化合物を含むガスを供給して酸化物除去処理を行った場合、被処理基板Ｗは定常状態ではないので被処理基板Ｗの実温度は均一でなく、基板処理は、被処理基板Ｗに、径方向、また周方向にも実温度の不均一が存在する状態でなされることになるが、基板処理をこのように実温度の不均一が存在する状態で行った場合、高温部ではドライクリーニングプロセスが進行しすぎ、酸化膜の下のＣｕ膜がエッチングされてしまうことが懸念される。
【００３３】
これに対し、本願の発明者は、前記本願発明の基礎となる研究において、このような有機化合物によるＣｕ膜表面の自然酸化膜の除去工程においては、前記除去工程を１５０〜３５０℃の範囲の様々な実温度で行った場合、いずれの実温度においてもＣｕ膜表面がエッチングされることがなく、このような低い実温度の範囲でも、Ｃｕ膜表面の酸化膜のエッチングにおいて、非常に優れた選択性が得られることを見出した。
【００３４】
より具体的に説明すると、前記実験は、図２Ａに示す、シリコン基板１上に厚さが５００ｎｍのＳｉＯ2膜２を形成し、前記ＳｉＯ2膜２上に、厚さが２５ｎｍのＴａ膜３を介して厚さが１．５μｍのＣｕ膜４を堆積した試験ウェハを使って行われ、この試験ウェハを、前記図１の基板処理装置１００Ａにおいて、前記基板保持台１１２の設定温度を１５０℃，２００℃，２５０℃，３００℃および３５０℃に制御し、１００Ｐａの圧力で蟻酸を前記プロセス空間１１１Ａに１００ｓｃｃｍの流量で供給し、基板処理を３０分間行った。なお前記Ｃｕ膜の表面には、若干のＣｕの自然酸化膜（自然銅酸化膜）４Ａが形成されている。この実験では、処理を３０分間行っているため、それぞれの実験で基板の実温度は面内で一様になっている。
【００３５】
図２Ｂ，２Ｃは、上記実験結果を示す図である。ただし図２Ｂは、蛍光Ｘ線分析によるＣｕ検出量を、また図２Ｂはシート抵抗を示す。なお図２Ｂ，２Ｃには、このような蟻酸処理を行わなかった場合の実験点をも示してある。
【００３６】
図２Ｂ，２Ｃを参照するに、Ｃｕの検出量およびシート抵抗値には、いずれの実温度でも変化がほとんど見られておらず、前記Ｃｕ膜４には、パターンのロスや膜減りなどをもたらす実質的なエッチングは、前記自然酸化膜４Ａ中のＣｕのロスに起因するわずかな差を除けば、生じていないことが見出された。図２Ｂ，２Ｃで観察されるＣｕ強度や抵抗値のわずかな変化は、実験開始時点のＣｕ膜４の試料毎の膜厚差に起因するものと考えられる。
【００３７】
図３は、前記図１の基板処理装置１００Ａにおいて、温度を２５０℃および３５０℃の設定温度にそれぞれ制御された基板保持台１１２上に径が３００ｍｍのシリコンウェハを、前記被処理基板Ｗとして載置した場合の、前記シリコンウェハの実温度の昇温の様子を示す図である。
【００３８】
図３を参照するに、この昇温データは、前記シリコンウェハ上にサーモラベルを貼り付けてウェハ表面の実温度の変化を直接に実測して求めたものであり、基板保持台１１２の設定温度を３５０℃に制御した場合には、２７０℃以上の温度での測定はできていないが、いずれの場合においても、前記シリコン基板が前記処理容器１１１に導入され、前記ゲートバルブ１１１Ｇが閉じられて実験が開始されてから１０秒〜１５秒以内には、前記シリコン基板表面の実温度は、１００℃に達していることがわかる。前記基板保持台１１２の設定温度を２５０℃に制御した場合には、前記シリコン基板の表面温度が１００℃に到達するのに約１５秒間程度かかっているが、前記基板保持台１１２の設定温度を３５０℃に制御した場合には、実験開始から１０秒以内に前記シリコン基板表面温の実温度が１００℃に到達していることがわかる。なおこの実験では、前記プロセス空間１１１Ａの圧力を１００Ｐａに設定し、窒素ガスを前記シャワーヘッド１１３に１００ｓｃｃｍの流量で供給しながら行っている。図３の実験において、前記基板保持台１１２の設定温度を２５０℃に制御した場合の、前記シリコン基板の昇温曲線は、
ｙ＝４．４０Ｅ+01Ｌｎ（ｘ）−１．３４Ｅ+01
で、近似されるのがわかる。
【００３９】
図４は、基板上に酸化銅膜を形成し、この酸化銅膜を、図１の基板処理装置１００Ａにおいて蟻酸によりドライクリーニングする場合の、前記酸化銅膜厚の減少率を、前記ドライクリーニングを様々な実温度で実行した場合について示す図である。
【００４０】
図４を参照するに、縦軸はエリプソメトリで求められるΔ値の毎秒あたりの変化率を示しているが、これは、エリプソメトリのΔ値が、同一組成で同一膜質の膜を比較した場合、膜厚の差に対応するため、前記酸化銅膜の膜厚の毎秒あたりの減少率を示しており、したがって、前記図４の縦軸は、前記ドライクリーニング反応の反応速度に対応している。
【００４１】
図４を参照するに、１５０℃でドライクリーニングを行った場合には、反応速度は３５０℃の場合の１／１０００程度まで低減しているが、実温度が５０℃上昇する毎に約１０倍近く増加しており、本発明のように、被処理基板をその昇温途中で蟻酸などの有機化合物で基板処理する場合であっても、基板の実温度が１００℃を超えると、温度上昇とともにドライクリーニング反応の反応速度が指数関数的に増大し、先に図３で説明した被処理基板Ｗの昇温特性を勘案すると、この昇温過程の間にＣｕ膜上の自然酸化膜を、前記ドライクリーニングプロセスを、前記被処理基板の温度が基板保持台１１２の制御温度に到達する前に打ち切ったとしても、効果的に除去できる可能性があるのがわかる。なお、図４のグラフの勾配から求めた前記ドライクリーニングプロセスの見かけの活性化エネルギＥａは、０．８ｅＶであることがわかる。
［第1の実施形態］
図５は、前記図１の基板処理装置１００Ａを使って前記図２Ａの試料を被処理基板Ｗとして前記ドライクリーニング処理を行う、本発明の第１の実施形態による処理レシピを示す。また図６は、前記図５のレシピに従って前記基板処理装置１００Ａにおいて実行される基板処理のフローチャートを示す。
【００４２】
図５、６を参照するに、図６のフローチャートのステップ１において前記基板保持台１１２は前記温度制御部２０１Ａにより２５０あるいは３５０℃の設定温度に制御されており、被処理基板Ｗが基板搬送装置１１１ＴＸの搬送アームにより前記処理容器１１１に導入され、前記基板保持台１１２のリフタピンを上昇させることにより、前記リフタピンが被処理基板Ｗを受け取る。
【００４３】
さらにステップ２において前記アームが処理容器１１１の外へ待避し、ゲートバルブ１１１Ｇが閉じられることにより、前記基板処理レシピが開始され、前記リフタピンを下降させることにより、基板装着工程が実行される。図５の例では、この基板装着工程に約１０秒の時間を要している。
【００４４】
次に前記レシピ開始から５〜１０秒後、すなわち前記ステップ２の基板装着工程の終了後、図５の基板処理工程に対応して図６のステップ３が開始される。前記ステップ３では前記被処理基板Ｗは前記基板保持台１１２の表面に接しており、前記被処理基板Ｗの実温度の実質的な昇温が開始される。さらに前記ステップ３では、前記被処理基板Ｗの実温度の昇温が開始されると同時に、前記処理容器１１１中のプロセス空間１１１Ａに蟻酸が、前記ガス源１１９から前記質量流量コントローラ１１８およびシャワーヘッド１１３を介して、例えば１００ｓｃｃｍの流量で供給される。これに伴い、前記プロセス空間１１１Ａの圧力が例えば１００Ｐａに設定される。
【００４５】
前記基板処理工程、すなわち図６のステップ３では、この状態で前記蟻酸の供給を所定時間、例えば４５秒間行い、前記基板の実温度が昇温しつつある状態で、前記被処理基板Ｗ表面のＣｕ膜４表面から自然酸化膜４Ａを、先の反応（１）あるいは（２）により選択的に除去し、前記Ｃｕ膜４の表面を露出させる。本実施形態ではこの所定時間は、本実施形態では前記被処理基板Ｗの実温度が前記基板保持台１１２の設定温度に到達する前に前記基板処理が打ち切られるように設定されている。
【００４６】
さらに前記所定時間が経過した後、前記被処理基板Ｗの実温度は引き続き上昇している状態で、前記図５の基板取り出し工程、すなわち図６のステップ４が実行され、前記基板保持台１１２のリフタピンが上昇位置に駆動され、前記被処理基板Ｗが前記基板保持台の上方に持ち上げられ、前記ゲートバルブ１１１Ｇが開かれ、さらに前記基板搬送機構１１１ＴＸの搬送アームが前記ゲートバルブ１１１Ｇから前記プロセス空間１１１Ａに挿入される。さらにこの状態で前記リフタピンを下降させることにより、前記リフタピンにより前記基板保持台１１２から持ち上げられている前記被処理基板Ｗが前記搬送アームに渡され、前記アームを処理容器１１１の外へと待避させることで、前記被処理基板Ｗが処理容器１１１の外へと搬送する。図５のレシピでは、この取り出し工程を約２０秒間かけて行っている。
【００４７】
これにより前記図２Ａの試料における前記Ｃｕ膜４上の自然酸化膜４Ａの除去工程が完了する。
【００４８】
図７は、このようにして蟻酸による自然酸化膜除去処理を行ったＣｕ膜４の表面状態をエリプソメトリにより調査した結果を示す。
【００４９】
図７を参照するに、横軸は蟻酸処理時間を、縦軸はエリプソメトリで測定されたΔ値を示すが、前記Δ値は、この値が小さければ小さいほど、前記Ｃｕ膜４上に厚い銅酸化膜４Ａが形成されていることを意味する。一方、前記Δ値の値が１０９°以上であれば、前記Ｃｕ膜４上における銅酸化膜４Ａの除去は実質的に完了していると見ることができる。
【００５０】
図７には、前記図６のステップ３の工程で蟻酸を２００ｓｃｃｍの流量で供給し、前記蟻酸処理の際のプロセス圧が３００Ｐａとなる場合と、蟻酸を１００ｓｃｃｍの流量で供給し、前記蟻酸処理の際のプロセス圧が１００Ｐａとなる場合とが示されているが、蟻酸流量を１００ｓｃｃｍに設定した場合には、４５秒程度の処理時間で前記Ｃｕ酸化膜４Ａは実質的に完全に除去されており、また蟻酸流量を２００ｓｃｃｍに設定した場合には、３５秒弱の処理時間で前記Ｃｕ酸化膜４Ａが実質的に完全に除去できることがわかる。
【００５１】
このように本実施形態では、Ｃｕ膜４上の自然酸化膜４Ａを、被処理基板Ｗが昇温している間に蟻酸処理を行うことにより除去し、さらにその蟻酸処理を、前記被処理基板Ｗの昇温が完了しない前に打ち切っているが、その結果、図７に示したように自然酸化膜の除去を低温で完全に行うことができるのみならず、基板処理のスループットが向上する大きな利点が得られる。
【００５２】
さらに図６のプロセスでは、前記ステップ４の後、ステップ２に戻り、新たな被処理基板Ｗを前記所定温度に設定された基板保持台１１２上に載置することにより、次々と新しい被処理基板Ｗの処理がなされる。
【００５３】
図８は、前記基板保持台１１２の設定温度を２５０℃に制御し、前記Ｃｕ膜４上におけるＣｕ酸化膜４Ａの除去工程を、前記図５のレシピを使い、図６のフローチャートに従って４５秒間行った場合（ケース３）の基板処理スループットを、１０秒間の基板装着工程の後、前記被処理基板Ｗの実温度を５分間（３００秒）かけて約２４０℃まで昇温させ（予備加熱）、５秒間の蟻酸処理を行い、その後２０秒間かけて前記処理容器１１１から被処理基板を取り出す場合（ケース１）の基板処理スループット、および１０秒間の基板装着工程の後、前記被処理基板Ｗの実温度を３分間（１８０秒）かけて約２２０℃まで昇温させ（予備加熱）、５秒間の蟻酸処理を行い、その後２０秒間かけて前記処理容器１１１から被処理基板を取り出す場合（ケース２）の基板処理スループットと、比較して示す図である。
【００５４】
図８のケース３では、前記図５の基板装着工程に１０秒、基板処理工程に４５秒、基板取り出し工程に２０秒と、一枚の基板の処理に全体で７５秒を要するのに対し、ケース１では３３５秒、ケース２では２１５秒を要し、スループットで比較すると、本実施形態、すなわちケース３では４８枚／ｈｏｕｒとなるのに対し、ケース１では１０．７枚／ｈｏｕｒ、ケース２では１６．７枚／ｈｏｕｒとなり、本実施形態による基板処理スループットの向上が明らかであることがわかる。
【００５５】
なお本実施形態において、前記ステップ１における基板保持台１１２の設定温度は、上記温度に限定されるものではなく、図４に示すように酸化銅の膜減りが検知される程度の速度で生じる１５０℃程度の温度から、６００℃あるいはそれ以上の温度に制御することも可能である。前記基板保持台１１２の設定温度を高く制御することにより、図３の昇温カーブでもわかるように、被処理基板Ｗの実温度の昇温速度が増大し、より短時間での基板処理が可能となる。
【００５６】
さらに本実施形態において前記絶縁膜３として、ＳｉＯ2膜の代わりに、多孔質膜を含む有機系あるいは無機系のＬｏｗ−Ｋ膜を使うことも可能である。このようなＬｏｗ−Ｋ膜は一般に耐熱温度（熱分解温度）が低く、４００℃程度のものが多く、前記図６のステップ１において前記基板保持台１１２の設定温度を、それ以上の温度、例えば５００℃や６００℃に制御した場合、被処理基板Ｗの温度が安定化した定常状態では絶縁膜３が分解ないし損傷を受ける恐れがあるが、本実施形態では、前記被処理基板Ｗは、実温度が前記基板保持台の設定温度に到達する前に、また前記絶縁膜３の耐熱温度に到達する前に前記処理容器１１１から取り出しており、絶縁膜３が熱により損傷を受けにくい。
【００５７】
なお、前記基板保持台１１２の設定温度が低く、また酸化銅除去速度が小さい場合、には、前記図６のフローチャートの代わりに、前記基板処理を、本実施形態の一変形例による図９のフローチャートに従って実行することも可能である。ただし図９中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５８】
図９を参照するに、本実施形態では、前記ステップ２の工程の後、ステップ１３の工程が実行され、前記被処理基板Ｗが昇温され、処理ガスとして蟻酸がプロセス空間１１１Ａに導入されるが、本実施形態では前記昇温工程を、前記被処理基板Ｗの実温度が前記基板保持台１１２の設定温度近傍に到達するまで継続され、その後、ステップ１４において、前記被処理基板Ｗが取り出される。
【００５９】
さらに前記図６のフローチャートと同様に、ステップ２〜１４を新たなウェハについて繰り返すことにより、次々と新しいウェハを処理することができる。
［第２の実施形態］
図１０は、本発明の第２の実施形態による、多層配線構造４００を備えた半導体装置２０の構成を示す。
【００６０】
図１０を参照するに、半導体装置４０はシリコン基板４１中に素子分離構造４１Ｂにより画成された素子領域４１Ａに形成されており、前記シリコン基板４１上にゲート絶縁膜４２を介して形成されたゲート電極４３と、前記ゲート電極４３の両側に形成された一対の拡散領域４１ａ，４１ｂとを含む。
【００６１】
前記ゲート電極４３は側壁面が側壁絶縁膜４３ａ，４３ｂにより覆われ、さらに前記シリコン基板４１上には、ＣＶＤ−ＳｉＯ2膜などよりなる層間絶縁膜４４が、前記ゲート電極４３および側壁絶縁膜４３ａ，４３ｂを覆うように形成される。また前記シリコン基板４１の素子領域４１Ａ中には、前記側壁絶縁膜４３ａ,４３ｂのそれぞれ外側に、ソースおよびドレイン拡散領域４１ｃ，４１ｄが形成されている。
【００６２】
前記層間絶縁膜４４上にはＣＶＤ−ＳｉＯ2膜もしくはＬｏｗ−Ｋ膜からなる層間絶縁膜４５が形成され、前記層間絶縁膜４５中にはＣｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂが、それぞれＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉなどの高融点金属、あるいはその導電性窒化膜ＴａＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，ＴｉＮなどよりなるバリアメタル膜４５ａ，４５ｂを介して形成されており、前記Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂは、前記層間絶縁膜４４中に形成された、例えばタングステン（Ｗ）よりなるコンタクトプラグ４４Ｐ，４４Ｑを介して前記拡散領域４１ｃ，４１ｄに電気的に接続されている。
【００６３】
前記Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂは前記層間絶縁膜４５上に形成された別の低誘電率有機層間絶縁膜４６により覆われ、さらに前記層間絶縁膜４６上にはさらに別の低誘電率有機層間絶縁膜４７が形成されている。前記層間絶縁膜４５，４６，４７の各々には、実際にはデュアルダマシンプロセスのために、底部および膜厚方向上中央部近傍にＳｉＮあるいはＳｉＣなどよりなるエッチングストッパ膜が設けられているが、図面が煩雑になるのを避けるため、図示を省略している。
【００６４】
図示の例では前記層間絶縁膜４６中にはＣｕ配線パターン４６Ａ〜４６Ｃが、また前記層間絶縁膜４７中にはＣｕ配線パターン４７Ａ，４７Ｂが、それぞれ同様な拡散バリア膜４６ａ〜４６ｃおよび４７ａ，４７ｂを介して埋設されており、前記配線パターン４６Ａ，４６Ｃは配線パターン４５Ａ，４５Ｂにそれぞれビアプラグ４６Ｐ，４６Ｑを介して接続され、また前記配線パターン４７Ａ，４７Ｂは前記配線パターン４６Ａ，４６Ｃにビアプラグ４７Ｐ，４７Ｑを介して接続されている。
【００６５】
図示の例では、前記ビアプラグ４６Ｐおよび４６Ｑは、デュアルダマシン法により、それぞれ前記Ｃｕ配線パターン４６Ａおよび４６Ｂと一体に形成されており、また前記ビアプラグ４７Ｐおよび４７Ｑも、デュアルダマシン法により、それぞれ前記Ｃｕ配線パターン４７Ａおよび４７Ｂと一体に形成されている。
【００６６】
前記層間絶縁膜４５〜４７は、Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂ，４６Ａ〜４６Ｃ，４７Ａ，４７Ｂ、バリアメタル膜４５ａ，４５ｂ，４６ａ〜４６ｃ，４７ａ，４７ｂ、およびビアプラグ４５Ｐ，４５Ｑ，４６Ｐ，４６Ｑ，４７Ｐ，４７Ｑとともに、前記多層配線構造４００を構成する。
【００６７】
次に前記図１０の半導体装置４０の製造工程のうち、前記多層配線構造４００を形成する部分について、図１１Ａ〜１１Ｆを参照しながら説明する。
【００６８】
図１１Ａを参照するに、この工程では前記層間絶縁膜４５中にＣｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂが、それぞれバリアメタル膜４５ａ，４５ｂを介して形成されており、さらに前記層間絶縁膜４５上に前記Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂを覆うように、層間絶縁膜４６が形成されている。
【００６９】
次に図１１Ｂの工程において、前記層間絶縁膜４６中には、前記層間絶縁膜４６の膜厚方向上中央部あたりに形成された、図示していないＳｉＣあるいはＳｉＮ膜をエッチングストッパに、配線溝４６ＴＡ，４６ＴＢ，４６ＴＣが形成され、さらに前記配線溝４６ＴＡおよび４６ＴＢ中には、前記エッチングストッパ膜をハードマスクに、前記層間絶縁膜４６の底部の同様なＳｉＣあるいはＳｉＮ膜をエッチングストッパに、ビアホール４６ＶＡおよび４６ＶＢが、それぞれ形成される。さらに前記図１１Ｂの状態では、前記配線溝４６ＴＡ〜４６ＴＣ底面およびビアホール４６ＶＡ，４６ＶＢ底面のエッチングストッパ膜が、その後のエッチング処理により除去されており、前記配線溝４６ＴＡ，４６ＴＢの底部では前記層間絶縁膜４５が露出しており、前記ビアホール４６ＶＡ，４６ＶＢの底部では、その下のＣｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂの表面が、それぞれ露出している。
【００７０】
なお図１１Ｂの工程において、先に前記ビアホール４６ＶＡ，４６ＶＢを形成し、その後で配線溝４６ＴＡ，４６ＴＢを形成することも可能である。
【００７１】
次に図１１Ｃの工程で、前記図１１Ｂの構造は前記図１の基板処理装置１００Ａの処理容器１１１中に導入され、前記図５のレシピおよび前記６、あるいは図９のフローチャートに従って、蟻酸による基板処理が行われ、前記Ｃｕ配線パターン４５Ａおよび４５Ｂのうち、前記ビアホール４６ＶＡおよび４６ＶＢで露出されている部分において、自然酸化膜が選択的に除去される。
【００７２】
例えば、前記基板保持台１１２の設定温度を２５０℃に制御し、かつ図５のレシピのうち、基板処理工程を、図６のステップ３で４５秒間行った後、図６のステップ４で処理を打ち切った場合、前記図３の昇温カーブを参照すると、基板温の実温度は最高で１６０℃程度に達するに過ぎないので、前記層間絶縁膜４４，４５，４６が、耐熱温度の低い低誘電率無機あるいは有機層間絶縁膜であった場合でも、層間絶縁膜４４，４５，４６が熱による損傷を受けにくい。また本実施形態では図１１Ｃの工程における昇温範囲がこのように限られているため、Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂとの密着性に課題のある低誘電率膜を前記層間絶縁膜４５に使った場合でも、Ｃｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂと層間絶縁膜４５との間にクラックなどが生じることはなく、半導体装置の製造歩留まりが向上すると同時に、多層配線構造４００の信頼性が向上する。
【００７３】
次に、図１１Ｄの工程において、前記図１１Ｃの構造上に、Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉあるいはこれらの導電性窒化膜よりなるバリアメタル膜４６ｍが、例えばスパッタにより形成され、さらに図１１Ｅの工程において、前記図１１Ｄの構造上に、Ｃｕ膜４６Ｃｕが、前記配線溝４６ＴＡ，４６ＴＢ，４６ＴＣおよびビアホール４６ＶＡ，４６ＶＢを、バリアメタル膜４６ｍを介して充填するように、シード層形成および引き続く電解メッキにより形成され、さらに図１１Ｆの工程において、前記層間絶縁膜４６上のＣｕ膜４６Ｃｕおよびバリアメタル膜４６ｍを化学機械研磨（ＣＭＰ）工程で除去することにより、前記配線溝４６ＴＡ，４６ＴＢ，４６ＴＣを充填してＣｕ配線パターン４６Ａ，４６Ｂ，４６ＣおよびＣｕビアプラグ４６Ｐ，４６Ｑが、前記バリアメタル膜４６ａ，４６ｂあるいは４６ｃとともに形成される。
【００７４】
さらに同様な工程を繰り返すことにより、前記図１０で説明した、層間絶縁膜４７中に、Ｃｕ配線パターン４７Ａ，４７Ｂおよびビアプラグ４７Ｐ，４７Ｑが、前記バリアメタル膜４７ａあるいは４７ｂとともに形成される。
【００７５】
本実施形態では、前記Ｃｕビアプラグ４６Ｐ，４６Ｑの形成前に、対応するＣｕ配線パターン４５Ａ，４５Ｂの露出表面から自然酸化膜が、蟻酸を使った基板処理により選択的に除去されているため、また同様にＣｕビアプラグ４７Ｐ，４７Ｑの形成前に、対応するＣｕ配線パターン４６Ａ，４６Ｂの露出表面から自然酸化膜が、蟻酸を使った基板処理により選択的に除去されているため、コンタクト抵抗が低減され、多層配線構造４００の配線抵抗が低減される。
［第３の実施形態］
図１２は、本発明の第３の実施形態による、基板処理装置１００Ｂの構成を示す。ただし図１２中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。
【００７６】
図１２を参照するに、前記基板処理装置１００Ｂにおいては、前記基板保持台１１２中のヒータ１１２Ａが撤去され、代わりに前記処理容器１１１の天井部に、赤外線ランプ加熱装置１２０が設けられている。また前記処理容器１１１天井部のシャワーヘッド１１３は撤去され、前記ガス源１１９からの蟻酸は、前記天井部から直接に処理容器１１１内に導入される。
【００７７】
かかる構成では、前記制御部２０１の基板搬送制御部２０１Ｄが前記赤外線ランプ加熱装置１２０を制御し、前記基板保持台１１２を所望の設定温度に制御している。
【００７８】
そこで、このような基板処理装置１００Ｂにおいて前記ゲートバルブ１１１Ｇより処理容器１１１内に被処理基板Ｗを導入した場合、被処理基板Ｗは前記赤外線ランプ加熱装置１２０により直接に照射されて昇温するためより昇温速度が増大し、また前記図５のレシピにおける基板装着工程を短縮でき、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００７９】
以上の説明では、前記Ｃｕ自然酸化膜の除去を、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）を使ってドライクリーニングプロセスを行う例を説明したが、本発明は、かかる蟻酸を使ったドライクリーニングプロセスに限定されるものではなく、酢酸やプロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−エチルヘキサン酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、クエン酸などのカルボン酸を使って実行することも可能である。また前記ドライクリーニングプロセスは、前記カルボン酸の他に、無水カルボン酸、エステル、アルコール、アルデヒド、およびケトンよりなる群より選ばれる有機化合物を使って実行することも可能である。
【００８０】
また、図１１Ｆの化学機械研磨工程の後で露出したＣｕ膜表面に生じた酸化膜の除去を、本発明の方法で実行することも可能である。
【００８１】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明で使われる基板処理装置の構成を示す図である。
【図２Ａ】本発明の原理を説明する図（その１）である。
【図２Ｂ】本発明の原理を説明する図（その２）である。
【図２Ｃ】本発明の原理を説明する図（その３）である。
【図３】本発明の原理を説明する別の図である。
【図４】本発明の原理を説明する別の図である。
【図５】本発明の第１の実施形態による基板処理レシピを示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態による基板処理を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第１の実施形態の効果を説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の効果を説明する別の図である。
【図９】図６のフローチャートの一変形例を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第２の実施形態による半導体装置の構成を示す図である。
【図１１Ａ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１１Ｂ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１１Ｃ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１１Ｄ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１１Ｅ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１Ｆ】図１０の半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の第３の実施形態による基板処理装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  シリコン基板
２  絶縁膜
３  Ｔａバリアメタル膜
４  Ｃｕ膜
４Ａ  Ｃｕ自然酸化膜
４０  半導体装置
４１  シリコン基板
４１Ａ  素子領域
４１Ｂ  素子分離領域
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ  拡散領域
４２  ゲート絶縁膜
４３  ゲート電極
４３ａ，４３ｂ  ゲート側壁絶縁膜
４４〜４７  層間絶縁膜
４４Ｐ，４４Ｑ  Ｗプラグ
４５Ａ，４５Ｂ，４６Ａ〜４６Ｃ，４７Ａ，４７Ｂ  Ｃｕ配線パターン
４５ａ，４５ｂ，４６ａ〜４６ｃ，４７ａ，４７ｂ  バリアメタル膜
４６Ｐ，４６Ｑ，４７Ｐ，４７Ｑ  Ｃｕビアプラグ
４６ＴＡ，４６ＴＢ，４６ＴＣ  配線溝
４６ＶＡ，４６ＶＢ  ビアホール
４６ｍ  バリアメタル膜
４６Ｃｕ  Ｃｕ膜
１００Ａ，１００Ｂ  基板処理装置
１１１  処理容器
１１１Ａ  プロセス空間
１１１Ｇ  ゲートバルブ
１１１ＴＸ  基板搬送機構
１１２  基板保持台
１１２Ａ  ヒータ
１１３  シャワーヘッド
１１４  排気ライン
１１５  排気ポンプ
１１５Ａ  圧力調節バルブ
１１６  ガス供給ライン
１１７  バルブ
１１８  質量流量コントローラ
１１９  ガス源
１２０  赤外線加熱装置
２０１  制御装置
２０１Ａ  温度制御部
２０１Ｂ  ガス制御部
２０１Ｃ  圧力制御部
２０１Ｄ  基板搬送制御部
２０２  プログラム制御装置
２０２Ａ  ＣＰＵ
２０２Ｂ  記録媒体
２０２Ｃ  入力インターフェース
２０２Ｄ  メモリ
２０２Ｅ  通信インターフェース
２０２Ｆ  表示インターフェース
４００  多層配線構造
【図１】
0005101256.tif 000002
【図２Ａ】
0005101256.tif 000003
【図２Ｂ】
0005101256.tif 000004
【図２Ｃ】
0005101256.tif 000005
【図３】
0005101256.tif 000006
【図４】
0005101256.tif 000007
【図５】
0005101256.tif 000008
【図６】
0005101256.tif 000009
【図７】
0005101256.tif 000010
【図８】
0005101256.tif 000011
【図９】
0005101256.tif 000012
【図１０】
0005101256.tif 000013
【図１１Ａ】
0005101256.tif 000014
【図１１Ｂ】
0005101256.tif 000015
【図１１Ｃ】
0005101256.tif 000016
【図１１Ｄ】
0005101256.tif 000017
【図１１Ｅ】
0005101256.tif 000018
【図１１Ｆ】
0005101256.tif 000019
【図１２】
0005101256.tif 000020