(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、前記投影システムの焦点面に対する前記基板のターゲット部分の位置決めに使用するために、高さデータを生成する前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行するように構成されたレベルセンサと、前記基板の表面に対して直角の少なくとも第一方向に前記基板テーブルを動かすように構成された、最高速度を有する第一アクチュエータ（２３）と、前記基板の表面に対して直角の少なくとも第二方向に前記基板テーブルを動かすように構成された、最高速度を有する第二アクチュエータ（２４）と、前記第一及び第二アクチュエータ（２３、２４）を制御することによって、前記基板と前記レベルセンサの間の相対運動のストロークを生成するように構成された制御装置（６）と、を備えるリソグラフィ投影装置であって、
前記制御装置（６）が、前記基板テーブルを実質的にその最高速度で動かす前記第一及び第二アクチュエータ（２３、２４）の複合運動のストロークを生成するように構成され、
前記レベルセンサが、放射源、前記放射源の下流に配置されたスリットを有する投影グリッド、及び、放射を前記放射源から基板表面に向かってレベルセンサスポットとして誘導するように配置された第一反射器を有する、前記基板に放射を誘導する投影部分（２）と、検出器、前記基板と前記検出器の間に配置されたスリットを有する検出グリッド、及び、前記ウェーハ表面から反射した光を検出器に誘導するように配置された第二反射器を有する、前記基板表面から反射した放射を検出する検出部分（１５）と、を含み、
前記グリッドが、前記相対運動の前記ストロークと位置合わせされたレベルセンサスポットを投影及び検出するように配置されるとともに、前記基板表面に実質的に平行に配置され、
前記基板上の前記レベルセンサスポットが、前記アクチュエータ（２３、２４）の前記運動方向に対して実質的に４５°回転することにより、前記レベルセンサスポットの生成幅が広がり、
前記複合運動のストロークと、前記レベルセンサスポットの生成幅の広がりと、の組み合わせにより、レベル感知時間が節約される、
リソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記基板テーブルが、前記基板ホルダによって担持された基板のスキャン露光を実行するように動作可能であり、
前記レベルセンサが、前記基板テーブル上のターゲット区域の垂直位置及び少なくとも１つの水平軸に対する傾斜のうち少なくとも１つを測定するように構成された、
請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記投影グリッド又は前記検出グリッドの少なくとも一方が全体的に長方形の形状であり、その幅に対してゼロ以外の角度で配置されたスリットの列を有する、
請求項１又は２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記スリットが実質的に前記検出グリッドの対角線に沿って配置される、
請求項３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記投影部分が、前記放射の光路長に適応するために、前記投影グリッドの下流の放射路に配置されたウェッジをさらに備える、
請求項１から４のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記検出部分が、前記放射の光路長に適応するために、前記投影グリッドの下流の放射路に配置されたウェッジをさらに備える、
請求項１から５のいずれか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
リソグラフィ投影装置内において、基板テーブル上で担持された基板のレベルを感知する方法であって、
前記リソグラフィ投影装置が、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、高さデータを生成するために前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行するように構成されたレベルセンサと、基板と前記レベルセンサとの相対運動を生成する第一及び第二アクチュエータであって、最高速度を有する第一及び第二アクチュエータ（２３、２４）と、を有し、前記レベルセンサが、放射源、前記放射源の下流に配置されたスリットを有する投影グリッド、及び、放射を前記放射源から基板表面に向かってレベルセンサスポットとして誘導するように配置された第一反射器を有する、前記基板に放射を誘導する投影部分（２）と、検出器、前記基板と前記検出器の間に配置されたスリットを有する検出グリッド、及び、前記ウェーハ表面から反射した光を検出器に誘導するように配置された第二反射器を有する、前記基板表面から反射した放射を検出する検出部分（１５）と、を含み、
前記方法が、
前記基板テーブル上に基板を提供すること、
前記基板と前記レベルセンサとの相対運動を生成して、前記基板のレベルを感知すること、
前記基板テーブルを実質的にその最高速度で動かす前記第一及び第二アクチュエータ（２３、２４）の複合運動のストロークを生成すること、
前記グリッドを、前記相対運動の前記ストロークと位置合わせされたレベルセンサスポットを投影及び検出するように配置するとともに、前記基板表面に実質的に平行に配置すること、
前記基板上の前記レベルセンサスポットを、前記アクチュエータ（２３、２４）の前記運動方向に対して実質的に４５°回転することにより、前記レベルセンサスポットの生成幅を広げること、を含み、
前記複合運動のストロークと、前記レベルセンサスポットの生成幅の広がりと、の組み合わせにより、レベル感知時間を節約する、
方法。
【請求項８】
前記高さの測定が、レベルセンサでスキャン方向に前記基板の少なくとも一部をスキャンすることによって実行される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第一アクチュエータ（２３）がＸ方向の運動を生成し、前記第二アクチュエータ（２４）がＹ方向の運動を生成して、前記複合運動が、前記Ｘ及びＹ方向に対して実質的に４５°の角度のストロークで形成される、
請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
屈折を使用して前記投影した放射又は反射した放射の少なくとも一方の前記光路長を適応させることをさらに含む、
請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
データキャリア、コンピュータ読み取り可能媒体又はコンピュータプログラムプロダクト上のコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムが、基板テーブル上で担持された基板のレベルを感知するコード又は命令を有し、
前記コード又は命令が、請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法を実行するためのものである、
コンピュータプログラム。
【請求項１２】
基板の位置を制御するシステムであって、
前記システムが処理装置及びメモリを備え、
前記メモリは、前記処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して前記基板のターゲット部分を配置する方法を実行することによって実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、
前記方法が、
請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法を使用して、前記基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して、高さデータを生成すること、
所定の補正高さを使用して、前記高さデータの補正済み高さデータを計算すること、及び、
少なくとも部分的に前記補正済み高さデータに基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板の前記ターゲット部分を配置すること、を含む、
システム。
【請求項１３】
基板の位置を制御するシステムであって、
前記システムが処理装置及びメモリを備え、
前記メモリが、レベルセンサによって取得された高さデータを補正するために前記処理装置が補正高さを計算する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、
前記方法が、
請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法を使用して、前記基板のターゲット部分の高さ測定を実行して、高さプロフィールを生成すること、
前記高さプロフィールに基づいてレベルプロフィールを計算すること、及び、
前記レベルプロフィールと前記高さプロフィールの差を計算することによって、補正高さを割り出すこと、を含む、
システム。
【請求項１４】
処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ読み取り可能媒体であって、
前記方法が、
請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法を使用して、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行すること、
所定の補正高さを使用して、前記高さデータの補正済み高さデータを計算すること、及び、
少なくとも部分的に前記補正済み高さデータに基づいて、前記投影システムの前記焦点面に対して前記基板のターゲット部分を配置すること、を含む、
コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１５】
処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ読み取り可能媒体であって、
前記方法が、
請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法を使用して、基板のターゲット部分の高さ測定を実行すること、
高さプロフィールに基づいてレベルプロフィールを計算すること、及び、
レベルプロフィールと高さプロフィールとの差を計算することによって、補正高さを割り出すこと、を含む、
コンピュータ読み取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は基板表面の高さデータを取得するリソグラフィ装置及び方法、高さデータを取得するプログラム及びプログラムを含むメモリ、並びに、前記方法により取得した高さデータを補正する方法、装置、プログラム及びメモリに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニング構造を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。これは、レチクルと基板の間にあり、レチクルの照射部分を基板のターゲット部分に結像するために設けられた投影システムを使用して実行される。パターンは、基板（シリコンウェーハ）上の露光区域（ダイ）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニング構造から基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。これについては、以下でさらに詳細に説明する。
【０００４】
[0004]  現在のデュアルステージ装置では、データを収集し、ターゲット部分の中心に対してちょうど同じ位置で各ターゲット部分（フィールド）をレベルセンサと同じ高さにする。可能なレベルセンサについて、以下でさらに詳細に説明する。
【０００５】
[0005]  投影システムは、放射のビームを誘導、成形及び／又は制御するコンポーネントを含む。パターンを、レジストなどの放射に感応性のある材料の層を有する基板、例えばシリコンウェーハ上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を通常は「スキャン」方向と呼ばれる任意の方向に平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンをその方向に投影ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。
【０００６】
[0006]  単純にするために、以降では投影システムを「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、荷電粒子光学システムを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射システムは、投影ビームを誘導、成形又は制御するこれらの原理のいずれかに従って動作する要素も含んでよく、このような要素も以下ではまとめて、又は単独に「レンズ」と呼ぶことができる。また、第一及び第二オブジェクトテーブルを、それぞれ「マスクテーブル」及び「基板テーブル」と呼ぶことができる。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置は、１つのマスクテーブル及び１つの基板テーブルを含むことができるが、少なくとも２つの別個に移動可能な基板テーブルを有することも可能である。例えば、国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５号及びＷＯ９８／４０７９１号に記載されたマルチステージ装置を参照されたい。このようなマルチステージ装置の基本的な動作原理は、第一基板テーブルが、そのテーブルに配置された第一基板を露光するために、投影システムの下の露光位置にある間、第二基板テーブルが装填位置へと進み、以前に露光した基板を放出して、新しい基板を取り上げ、新しい基板で何らかの初期測定を実行し、これで、第一基板の露光が終了するとすぐに投影システムの下の露光位置へと新しい基板を移送するための準備を整えることができることであり、次にこのサイクルを繰り返す。この方法で、機械のスループットを大幅に増加することが可能であり、したがって機械の所有費を改善する。露光位置と測定位置の間で移動する１つのみの基板テーブルでも、同じ原理を使用できることを理解されたい。
【０００８】
[0008]  露光プロセス中に、マスクイメージがウェーハ上に正確に焦点を合わせることを保証することが重要である。従来、これは、露光又は一連の露光の前に、投影レンズに対する空間像の最適焦点面の垂直位置を測定することによって実行されている。各露光中に、投影レンズに対するウェーハの上面の垂直位置を測定し、ウェーハ表面が最適焦点面にあるように、ウェーハテーブルの位置を調節する。
【０００９】
[0009]  投影システムＰＬの焦点面の位置を調節するための範囲は限られ、そのシステムの焦点深度は小さい。つまり、ウェーハ（基板）の露光区域を、投影システムＰＬの焦点面に厳密に配置しなければならない。
【００１０】
[00010]  ウェーハは非常に高い平坦度まで研磨されるが、それでもウェーハの表面に、完璧な平坦さから、焦点の精度に影響するほど目立つような十分に大きい偏差（「非平坦度」と呼ぶ）が生じることがある。非平坦度は、例えばウェーハ厚さの変動、ウェーハの形状の歪み、又はウェーハホルダ上の汚染物質によって引き起こされることがある。以前のプロセスステップによる構造の存在も、ウェーハの高さ（平坦度）に大きく影響する。本発明では、非平坦さの原因は重要でなく、ウェーハの上面の高さのみを考慮する。本文中の他の箇所で要求されていない限り、以下で「ウェーハ表面」に言及した場合、それはマスク像が投影されるウェーハの上面を指す。
【００１１】
[00011]  露光中に、投影光学系に対するウェーハ表面の位置及び方向を測定し、ウェーハテーブルＷＴの垂直位置（Ｚ）及び水平方向の傾斜（Ｒｘ、Ｒｙ）を調節して、ウェーハ表面を最適な焦点位置に維持する。
【００１２】
[00012]  上述したように、基板Ｗへのパターンの結像は通常、レンズ又はミラーなどの光学要素で実行する。鮮明な像を生成するために、ウェーハＷ上のレジストの層は、光学要素の焦点面に又はその付近になければならない。したがって、先行技術によれば、露光されるターゲット部分Ｃの高さを測定する。これらの測定に基づいて、光学要素に対する基板Ｗの高さを、例えば基板Ｗが配置された基板テーブルＷＴを移動することによって調節する。基板Ｗは完璧に平坦なオブジェクトではないので、ターゲット部分Ｃ全体で、レジストの層を光学系の焦点面に正確に配置することが可能でないことがあり、したがって基板Ｗは可能な限り良好に配置できるだけである。
【００１３】
[00013]  基板Ｗを可能な限り良好に（例えば焦点面をレジスト厚さの中心に一致させることによって）焦点面に配置するために、基板Ｗの方向を変更することができる。レジストの層を可能な限り良好に焦点面に配置するために、基板テーブルＷＴを６自由度で平行移動、回転又は傾斜することができる。
【００１４】
[00014]  光学要素に対する基板Ｗの最適位置を割り出すために、例えば米国特許第５，１９１，２００号に記載されているように、レベルセンサを使用して基板Ｗの表面を測定することができる。この手順は、露光中又は次に露光される基板Ｗの部分を測定することによって、露光中に（オンザフライ）実行することができるが、基板Ｗの表面は事前に測定してもよい。この後者のアプローチは、遠隔位置で実行してもよい。後者の場合、レベルセンサ測定の結果を、いわゆる高さマップ又は高さプロフィールの形態で記憶し、露光中に使用して、光学要素の焦点面に対して基板Ｗを位置決めすることができる。
【００１５】
[00015]  両方の場合で、基板Ｗの上面は、特定の区域の高さを割り出すレベルセンサで測定することができる。この区域は、ターゲット部分Ｃの幅とほぼ等しい、又は、それより大きい幅を有してよく、ターゲット部分Ｃの長さの一部にすぎない長さを有してよいが、それについては以下で説明する（区域は点線で指示）。ターゲット部分Ｃの高さマップは、矢印Ａの方向にターゲット部分Ｃをスキャンすることによって測定することができる。レベルセンサＬＳは、多スポット測定、例えば９スポット測定などを適用することにより、基板の高さを割り出す。レベルセンサスポットＬＳＳが区域全体に広がり、異なるレベルセンサスポットから取得した測定値に基づいて、高さデータを収集することができる。
【００１６】
[00016]  本明細書で使用する「高さ」という用語は、基板Ｗの表面に対して実質的に直角の方向、つまり露光される基板Ｗの表面に対して実質的に直角の方向を指す。レベルセンサの測定の結果、基板Ｗの特定の位置の相対的高さに関する情報を含む高さデータになる。これを高さマップと呼ぶこともできる。
【００１７】
[00017]  この高さデータに基づいて、例えば基板の様々な部分の対応する高さデータ（例えば、様々なターゲット部分Ｃ内の同様の相対位置に対応する高さデータ）を平均することによって、高さプロフィールを計算することができる。このような高さデータが入手不可能な場合は、高さプロフィールは高さデータと同等と考えられる。
【００１８】
[00018]  高さデータ又は高さプロフィールに基づいて、レベリングプロフィールを割り出し、投影システムＰＳに対する基板Ｗの最適配置を示すことができる。このようなレベリングプロフィールは、高さデータ又は高さプロフィール（の一部）を通して線形適合を適用することにより、例えば測定される区域の内側にある点を通して（三次元の）最小二乗適合を実行することによって割り出すことができる。
【００１９】
[00019]  以上で説明したように、正確なレベリングには、例えばレベルセンサを使用して、基板の形状及びトポグラフィーを測定する必要があり、その結果、基板Ｗ（の一部）の高さデータが生成され、それに基づいてレベリングプロフィールを割り出すことができる。このようなレベリングプロフィールは、基板Ｗの局所形状及び高さを考慮して、投影システムＰＳに対する基板Ｗの最適位置を表すことができる。
【００２０】
[00020]  ターゲット部分の中心に対して正確に同じ位置で各ターゲット部分を同じ高さにすることにより、基板上にあるターゲット部分間の露光焦点の変化が軽減される。
【００２１】
[00021]  例えば、各ターゲット部分は、図２に示すようにターゲット部分の中心に対するレベリングサンプリングパターンを有することができる。図２では、Ｍ２〜Ｍ６は、ターゲット部分の高さに沿ってターゲット部分上で表面がスキャンされるターゲット部分の幅をカバーするレベルセンサスポットを指す。スキャン中に、図２の点で示した幾つかの測定値を収集する。これらの点は、ターゲット部分の中心に対して予め決定された位置を有する。
【００２２】
[00022]  図２に関して示し、説明した技術によりレベリングデータを取得するには、比較的時間がかかる。なぜなら、各ターゲット部分の中心に対して同じ位置にレベルセンサを配置するという制約に適応する各ターゲット部分のレベリングデータを取得するには、時間がかかるからである。円柱状のターゲット部分という最も一般的な事例では、これは、各円柱を読み取るレベルセンサの「ストローク」を必要とする。
【００２３】
[00023]  これを図４に関してさらに例証する。図４は、複数のターゲット部分がある基板及びレベルセンサのスキャンパス又はストロークを示す矢印を示す。
【発明の概要】
【００２４】
[00024]  以上で検討した問題を少なくとも部分的に軽減することが、本発明の実施形態の態様である。
【００２５】
[00025]  本発明の第一態様によれば、リソグラフィ投影装置が提供され、リソグラフィ投影装置は、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、投影システムの焦点面に対する基板のターゲット部分の位置決めに使用するために、高さデータを生成する基板の少なくとも一部の高さ測定を実行するように構成されたレベルセンサと、基板の表面に対して直角の少なくとも第一方向に基板テーブルを動かすように構成された、最高速度を有する第一アクチュエータと、基板の表面に対して直角の少なくとも第二方向に基板テーブルを動かすように構成された、最高速度を有する第二アクチュエータと、第一及び第二アクチュエータを制御することによって、基板とレベルセンサの間の相対運動のストロークを生成するように構成された制御装置と、を備え、制御装置は、第一及び第二アクチュエータの運動を組み合わせて、一方のアクチュエータの最高速度より速い速度で複合運動を実行するように構成される。
【００２６】
[00026]  実施形態では、制御装置は、両方のアクチュエータの最高速度の少なくとも７１％を組み合わせることによって、複合運動のストロークを生成するように構成される。
【００２７】
[00027]  さらに、制御装置は、基板テーブルを概ね最高速度で動かす両方のアクチュエータの複合運動のストロークを生成するように構成することができる。
【００２８】
[00028]  第一アクチュエータは、Ｘ方向の相対運動を引き起こすように構成することができ、第二アクチュエータは、Ｙ方向の相対運動を引き起こすように構成される。
【００２９】
[00029]  基板テーブルは、前記基板ホルダによって担持された基板のスキャン露光を実行するように動作可能であり、前記レベルセンサは、前記基板テーブル上のターゲット区域の垂直位置及び少なくとも１つの水平軸に対する傾斜のうち少なくとも１つを測定するように構成される。
【００３０】
[00030]  レベルセンサは、放射源、放射源の下流に配置されたスリットを有する投影グリッド、及び、放射を放射源から基板表面に向かってレベルセンサスポットとして誘導するように配置された第一反射器を備える、基板に放射を誘導する投影部分と、検出器、基板と検出器の間に配置されたスリットを有する検出グリッド、及び、ウェーハ表面から反射した光を検出器に誘導するように配置された第二反射器を備える、基板表面から反射した放射を検出する検出部分と、を含み、グリッドは、相対運動のストロークと位置合わせされたレベルセンサスポットを投影及び検出するように配置される。
【００３１】
[0031]  さらなる実施形態では、基板上のレベルセンサスポットが、アクチュエータの少なくとも１つの運動方向に対して概ね４５°回転する。
【００３２】
[00032]  投影グリッド又は検出グリッドの少なくとも一方を、基板表面に概ね平行に配置すると有用なことがある。
【００３３】
[00033]  好ましい実施形態では、投影グリッド又は検出グリッドの少なくとも一方が全体的に長方形の形状であり、概ねグリッドの対角線に沿って配置されたスリットを有する。
【００３４】
[00034]  実施形態では、基板テーブルは、運動のストロークの角度に対応する角度で傾斜する。
【００３５】
[00035]  投影グリッド又は検出グリッドの少なくとも一方は、スリットが放射源から異なる距離にあるように傾斜することが好ましい。
【００３６】
[00036]  投影グリッド又は検出グリッドの少なくとも一方は、放射の進行方向とスリットの軸によって形成された面に対して概ね直角の軸の周囲で傾斜することが好ましい。
【００３７】
[00037]  投影グリッドは、投影グリッドの傾斜角度と放射の入射角とが組み合わされて概ね９０°になるように傾斜することができる（Scheimpflug状態）。
【００３８】
[00038]  投影部分が、放射の光路長に適応するために、投影グリッドの下流の放射路に配置されたウェッジをさらに備えると有用なことがある。
【００３９】
[00039]  実施形態では、検出部分は、放射の光路長に適応するために、投影グリッドの下流の放射路に配置されたウェッジをさらに備える。
【００４０】
[00040]  本発明の別の態様によれば、リソグラフィ投影装置内において、基板テーブル上で担持された基板のレベルを感知する方法が提供され、リソグラフィ投影装置は、パターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するようにされた基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、高さデータを生成するために基板の少なくとも一部の高さ測定を実行するように構成されたレベルセンサと、基板とレベルセンサとの相対運動を生成する第一及び第二アクチュエータであって、最高速度を有する第一及び第二アクチュエータと、を有し、方法は、
基板テーブル上に基板を提供すること、及び、
基板とレベルセンサとの相対運動を生成して、基板のレベルを感知すること、
を含み、さらに、
２つのアクチュエータによって生成された相対運動を組み合わせて、１つのアクチュエータによって生成される運動の最高速度より高い速度にすることを含む。
【００４１】
[00041]  方法は、装置のフィーチャのいずれかを備えることができる。さらに、生成された相対運動は、数ストロークでの運動でよい。高さの測定は、レベルセンサでスキャン方向に基板の少なくとも一部をスキャンすることによって実行することができる。
【００４２】
[00042]  第一アクチュエータはＸ方向の運動を生成し、第二アクチュエータはＹ方向の運動を生成して、複合運動が、Ｘ−Ｙ面で基板表面に対して少なくとも２０°の角度であることが好ましい。
【００４３】
[00043]  運動は、Ｘ及びＹ方向に対して概ね４５°の角度のストロークを備えることが好ましい。
【００４４】
[00044]  方法は、基板表面に放射を投影して、基板表面から反射した放射を検出するレベルセンサをさらに備えることができる。
【００４５】
[00045]  さらなる実施形態では、放射を投影することが、幾つかの放射ビームを基板表面にレベルセンサスポットとして適用することをさらに含み、レベルセンサスポットは、相対運動の方向の少なくとも１つに対してゼロ以外の角度で回転し、相対運動の結果、概ね同じゼロ以外の角度の相対運動になる。
【００４６】
[00046]  さらに、屈折を使用して、投影した放射又は反射した放射の少なくとも一方の光路長を適応させると有用である。
【００４７】
[00047]  本発明の別の態様によれば、データキャリア若しくはコンピュータ読み取り可能媒体上のコンピュータプログラム、又は、コンピュータプログラムプロダクトが提供され、コンピュータプログラム又はコンピュータプログラムプロダクトは、
基板とレベルセンサとの相対運動を生成し、
レベルセンサで基板のレベルを感知する方法を実行するように構築され、構成されたコード又は命令を有し、生成された相対運動は、レベルセンサに対して基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動である。
【００４８】
[00048]  本発明の別の態様によれば、本発明の以前の態様のいずれかのリソグラフィシステム及び／又はデバイス製造方法及び／又はコンピュータプログラムを直接的又は間接的に使用するようにされたデバイスが提供される。
【００４９】
[00049]  本発明のさらに別の態様によれば、リソグラフィ装置を較正する方法が提供され、方法は、
ターゲット部分でレベルセンサスキャンを実行して、ターゲット部分のレベルセンサデータを提供することを含み、レベルセンサスキャンはターゲット部分に対する相対位置で実行され、さらに、
ｂ）レベルセンサデータ及び所定の較正データを使用し、補正した露光焦点データを割り出して、ターゲット部分に対するレベルセンサスキャンの相対位置を補正する。実施形態によると、動作ｂ）は、
ｂ１）所定の較正データを使用して、補正したレベルセンサデータを割り出し、
ｂ２）補正したレベルセンサデータに基づいて補正した露光焦点データを割り出すことを含む。実施形態によれば、動作ｂ）は、
ｂ１’）レベルセンサデータを使用して、露光焦点データを割り出し、
ｂ２’）露光焦点データ及び所定の較正データに基づいて、補正した露光焦点データを割り出すことを含む。
【００５０】
[00050]  本発明の実施形態によれば、方法は、
ｃ）補正した露光焦点データに従ってターゲット部分を露光することをさらに含む。
【００５１】
[00051]  実施形態によれば、相対位置は実質的にターゲット部分の面にあり、レベルセンサスキャンのスキャン方向に対して実質的に直角である。
【００５２】
[00052]  実施形態によれば、較正データを使用して補正済み露光焦点データを割り出し、ターゲット部分に対するレベルセンサスキャンの相対位置を補正することができ、方法は、
Ｉ−１）少なくとも１つのターゲット部分で第一数の較正レベルセンサスキャンを実行することを含み、第一数の較正レベルセンサスキャンは、少なくとも１つのターゲット部分に対する第一相対位置を有し、
Ｉ−２）少なくとも１つのターゲット部分で第二数の較正レベルセンサスキャンを実行することをさらに含み、第二数の較正レベルセンサスキャンは、少なくとも１つのターゲット部分に対する第二相対位置を有し、第二相対位置は第一相対位置とは異なり、
ＩＩ）第二数の較正レベルセンサスキャンを第一数の較正レベルセンサスキャンと比較することにより、第二相対位置の第一較正データを割り出すことをさらに含む。
【００５３】
[00053]  第二数のレベルセンサスキャンは、２つのアクチュエータで基板とレベルセンサの複合相対運動を生成して、１つのアクチュエータの最高速度より速い速度で移動させることによって実行される。
【００５４】
[00054]  さらなる態様によれば、データキャリア、コンピュータ読み取り可能媒体又はコンピュータプログラムプロダクト上のコンピュータプログラムが提供され、コンピュータプログラムは、基板テーブル上に担持された基板のレベルを感知するコード又は命令を有し、コード又は命令は、
基板とレベルセンサの間で相対運動を生成し、
レベルセンサで基板のレベルを感知する方法を実行するためのものであり、生成された相対運動は、レベルセンサに対する基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動である。
【００５５】
[00055]  さらなる態様によれば、基板の位置を制御するシステムが提供され、システムは処理装置及びメモリを備え、メモリは、処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、方法は、
基板とレベルセンサとの相対運動を生成することによって、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して、高さデータを生成すること、及び、
レベルセンサで基板のレベルを感知することを含み、生成された相対運動は、レベルセンサに対する基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動であり、
所定の補正高さを使用して、高さデータの補正済み高さデータを計算すること、及び、
少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置することをさらに含む。
【００５６】
[00056]  基板の位置を制御するシステムで、システムは処理装置及びメモリを備え、メモリは、レベルセンサによって取得された高さデータを補正するために補正高さを計算する方法を実行するために、処理装置が実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化され、方法は、
基板のターゲット部分の高さ測定を実行し、基板とレベルセンサとの相対運動を生成して、レベルセンサでレベルを感知することによって、高さプロフィールを実行することを含み、生成された相対運動は、レベルセンサに対する基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動であり、
高さプロフィールに基づいてレベルプロフィールを計算し、
レベルプロフィールと高さプロフィールとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことをさらに含む。
【００５７】
[00057]  本発明の別の態様は、処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ読み取り可能媒体を提供し、方法は、
基板とレベルセンサとの相対運動を生成し、レベルセンサで基板のレベルを感知することにより、基板の少なくとも一部の高さ測定を実行して、高さデータを生成することを含み、生成された相対運動は、レベルセンサに対する基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動であり、
所定の補正高さを使用して、高さデータの補正済み高さデータを計算し、
少なくとも部分的に補正済み高さデータに基づいて、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置することをさらに含む。
【００５８】
[00058]  本発明のさらに別の態様は、処理装置が高さデータを使用して、投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を実行するために実行可能な命令を含むコンピュータプログラムでコード化されたコンピュータ読み取り可能媒体を提供し、方法は、
基板とレベルセンサとの相対運動を生成して、レベルセンサで基板のレベルを感知することによって、基板のターゲット部分の高さ測定を実行して、高さプロフィールを生成することを含み、生成された相対運動は、レベルセンサに対する基板テーブルの運動を生成するための少なくとも２つのアクチュエータの複合運動であり、
高さプロフィールに基づいてレベルプロフィールを計算し、
レベルプロフィールと高さプロフィールとの差を計算することによって、補正高さを割り出すことをさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
[00059]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【００６０】
【図１】[00060]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[00061]ターゲット部分を概略的に示した図である。
【図３】[00062]図１の装置の部分をさらに詳細に示した図である。
【図４】[00063]複数のターゲット部分がある基板及び先行技術によるレベルセンサのスキャンパスを示す矢印を概略的に示した図である。
【図５】[00064]実施形態によるウェーハステージを示した詳細図である。
【図６】[00065]複数のターゲット部分がある基板及び好ましい実施形態によるレベルセンサのスキャンパスを示す矢印を概略的に示した図である。
【図７ａ】[00066]図７ａは、レベルセンサグリッドの実施形態を示した図である。
【図７ｂ】[00066]図７ｂは、レベルセンサグリッドの実施形態を示した図である。
【図７ｃ】[00066]図７ｃは、レベルセンサグリッドの実施形態を示した図である。
【図８】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【図９】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【図１０】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【図１１】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【図１２】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【図１３】[00067]本発明の実施形態によるレベルセンサの構成を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００６１】
[00068]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００６２】
[00069]  照明システムは、放射の誘導、成形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００６３】
[00070]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなすことができる。
【００６４】
[00071]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００６５】
[00072]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００６６】
[00073]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００６７】
[00074]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００６８】
[00075]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００６９】
[00076]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００７０】
[00077]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００７１】
[00078]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００７２】
[00079]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００７３】
[00080]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００７４】
[00081]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光ターゲット部分の最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００７５】
[00082]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光ターゲット部分の最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００７６】
[00083]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００７７】
[00084]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００７８】
レベルセンサ
[00085]  レベルセンサは、基板Ｗの高さ又は基板テーブルＷＴの区域の高さを測定して、高さデータを生成する。高さが測定される表面を基準位置へと運び、測定放射ビームで照明する。測定放射ビームは、９０°未満の角度で測定される表面に当たる。入射角は反射角に等しいので、測定放射ビームは同じ角度で表面から反射し、反射放射ビームを形成する。測定放射ビームと反射放射ビームは、測定面を規定する。レベルセンサは、測定面で反射放射ビームの位置を測定する。
【００７９】
[00086]  表面が測定放射ビームの方向に移動して、別の測定を実行すると、反射放射ビームが以前と同じ方向に反射する。しかし、反射放射ビームの位置は、表面が移動したのと同じ方法でシフトしている。
【００８０】
[00087]  レベルセンサは、ターゲット部分でレベルセンサスキャンを実行して、ターゲット部分のレベルセンサデータを提供するように構成される。
【００８１】
[00088]  図３では、リソグラフィ装置の測定ステーションの領域の部分が図示されている。基板Ｗは基板テーブルＷＴ上に保持されている。図３には、２つのウェーハステージチャックＷＴが見える。左手側は露光位置Ｉにある基板テーブルであり、右手側は測定位置ＩＩにある基板テーブルＷＴである。
【００８２】
[00089]  基板テーブルＷＴはアクチュエータに接続される。基板テーブルＷＴの別の実施形態の例が、図５に図示されている。アクチュエータ２３、２４は、処理装置８及びメモリ１０を有する制御デバイス６に接続される。アクチュエータは、圧電アクチュエータ、空気圧アクチュエータ、リニアモータ、ローレンツアクチュエータ、カムディスク又はスピンドルのように、任意のタイプの位置決めアクチュエータを備えてよい。圧電アクチュエータ及びカムディスクの態様はその高い剛性をもつことであり、したがって基板テーブルの固有周波数を増加させ、その位置精度を向上させる。アクチュエータ２３、２４は個々のガイド２１、２２上を移動する。２つのアクチュエータは、Ｚ軸の周囲で傾斜を生じることができる。
【００８３】
[00090]  図５には、Ｚ方向で相対運動を生成するアクチュエータが図示されていない。このアクチュエータも処理装置８に接続される。このアクチュエータは、本発明により取得された高さデータ又は補正済み高さデータに従って、投影システムの焦点面に基板Ｗの基板表面を配置するように制御される。
【００８４】
[00091]  処理装置８はさらに、電気（容量、誘導）又は光学、例えば干渉計デバイスによって基板テーブルＷＴ又は基板テーブルホルダの実際の位置を測定する位置センサ２５から情報を受信する。図１及び図２は、方向の定義Ｘ、Ｙ、Ｚの例を示す。Ｚは通常、図１の右手側で示すように高さ方向を示す。基板Ｗは、図２に示すようにＸ−Ｙ面に配置される。図４による表面のスキャンは、基板Ｗ上のフィールド４０の中央部分でＹ方向にロングストロークを実行することにより実行される。
【００８５】
[00092]  図３は、ウェーハ／基板テーブルＷＴ又は本技術分野で呼ばれることもある「チャック」上でウェーハの位置を割り出すシステムを示す。これは、基板テーブルＷＴの対向する側に１つずつ、２つの干渉計ＩＦを含む。各干渉計ＩＦは、テーブルの対向する側壁に設けられた第一対のミラーＭ１の一方に測定放射を誘導するように配置され、これらのミラーＭ１は、関連する干渉計ＩＦから放出された放射に対して実質的に直角である。これらをＸミラーＭ１と呼ぶ。また、各干渉計ＩＦは、干渉計ＩＦからの放射の伝搬方向に対して４５°の角度である第二対のミラーＭ２の一方に測定放射を誘導するように配置される。これらのミラーＭ２は、テーブルＷＴの対向する側壁に設けられる。これらを傾斜ミラーＭ２と呼ぶ。
【００８６】
[00093]  ＸミラーＭ１及び傾斜ミラーＭ２は、ウェーハテーブルＷＴ上に担持され、したがってテーブルＷＴが移動すると移動する。各ＸミラーＭ１から反射した放射は、関連する干渉計ＩＦへと戻るように誘導され、ウェーハテーブルＷＴのｘ位置を割り出すために使用することができる。傾斜ミラーＭ２から反射した放射は、ウェーハテーブルＷＴのレベルより上に配置された１対のＺミラーＺＭの一方へと誘導され、その後に反射して干渉計ＩＦに戻る。図２のＺミラーＺＭ上に図示された点は、測定中に干渉計ＩＦのビームが存在する位置を示す。各ＺミラーＺＭから反射した放射を、ＸミラーＭ１を使用して割り出したｘ位置の測定値と組み合わせて使用することにより、ＺミラーＺＭの高さ、したがってウェーハテーブルＷＴの高さを間接的に測定することが可能である。
【００８７】
[00094]  処理装置８は、投影ビームＰＢが基板表面に当たる基板Ｗ上のターゲット区域Ｃから高さ及び／又は傾斜情報を測定するレベルセンサＬＳからの入力も受信する。制御デバイス６は、レポーティングシステム９に接続され、これはＰＣ若しくはプリンタ又は任意の他の登録若しくは表示デバイスを備えてよい。
【００８８】
[00095]  レベルセンサＬＳは、例えば本明細書で述べるような光学センサでよく、あるいは（例えば）空気圧又は容量センサが考えられる。図３には、測定位置にあるエアゲージＧＡも図示されている。
【００８９】
[00096]  レベルセンサは、基板Ｗのレベルパラメータを割り出して、制御装置６が投影システムＰＳの焦点面に基板表面を配置できるように設けられる。レベルセンサは、基板の表面と構造を囲む表面とのレベル差を測定するように構成されたレベル差センサを備えてよく、レベルパラメータはレベル差を含む。この構成の結果、レベル差の測定を１つの行為で実行可能にすることができ、したがって基板と周囲構造のレベルを別個に測定する必要がなくなる。さらに、レベル差は、基板の露光中に焦点制御に使用される既存のレベルセンサで測定することができる。
【００９０】
[00097]  別の実施形態では、レベルセンサは、基板テーブルに保持された場合に、基板の表面のレベルを測定するように構成されたレベル測定センサを備え、レベルパラメータは、基板の表面のレベルを含む。この場合、制御装置には、周囲構造に対して基板テーブルを配置するために、周囲構造のレベルがさらに提供される。この構成の態様は、基板テーブルのみがアクチュエータによって移動し、周囲構造は静止している実施形態に有用な単純な解決法を提供する。
【００９１】
[00098]  レベルセンサＬＳは概ね、基板Ｗの例えば６〜２５ｍｍ2（例えば２×４ｍｍ）の１つ又は複数の小さい区域（レベルセンサスポットＬＳＳ）の垂直位置を測定する。図３に示すレベルセンサＬＳは、放射ビーム１６を生成する放射源、光ビーム１６を基板Ｗに投影する投影光学系（図示せず）、検出光学系（図示せず）及びセンサ又は検出器を備える。レベルセンサは、投影部分２及び検出部分１５を備える。
【００９２】
[00099]  特定の場合、ＬＳＳは、基板の表面上のスポットの長さ及び幅によって規定されたサイズを有する。長さは、スキャン方向、先行技術の構成によるとＹ方向のスポットの長さと定義することができる。図２の実施形態によるレベルセンサスポットは、実施形態では図７ａに示すようなレベルセンサグリッド１００を使用して取得される。グリッド１００は格子１０１を備える。各ギャップ１０２は、幅１０４×高さ１０５という寸法を有する。スリット１０２の幅１０４は、グリッドが先行技術の構成の場合のように基板表面と平行に配置された場合、基板上のＬＳＳの幅に概ね対応する。特定の事例では、スキャン方向におけるスリット１０２の高さ１０５は、幅の約４分の１である。これによって、所望のスキャン分解能間のバランスをとることができ、基板の縁部付近のスポットの測定結果を無視するか、考慮することができる（この結果は無効である）。
【００９３】
[000100]  検出部分１５は、処理装置８に供給される高さ依存の信号を生成する。処理装置８は、高さ情報を処理して、測定高さマップを構築するように構成される。このような高さマップは、処理装置８によってメモリ１０に記憶し、露光中に使用することができる。
【００９４】
[000101]  代替方法によれば、レベルセンサ２、１５は、米国特許第５，１９１，２００号に記載されたように、基板表面から反射した投影構成と固定検出格子の像の間に形成された干渉模様を使用する光学センサでよい。レベルセンサ１５は、複数の位置の垂直高さを同時に測定する、及び／又は各位置について小さい区域の平均高さを測定することが望ましい。
【００９５】
[000102]  図２によるレベルセンサスポットＬＳＳ、Ｍ２〜Ｍ５は、第一方向、つまり図２のＸ方向に配置される。その後にＭ２を測定した結果、図２による一連の測定になる。この測定を繰り返す。測定間の時間隔及びレベルセンサに対する基板Ｗの相対速度に応じて、これらの測定点はピッチによって離間される。ピッチは、変数の１つを変更することによって調節することができる。時間隔を短縮し、より高い率で測定を繰り返すことが、比較的簡単である。
【００９６】
[000103]  本明細書で説明する実施形態は、言うまでもなくエアゲージなどの他のタイプのレベルセンサにも使用することができる。エアゲージは、当業者に知られているように、気体出口から基板Ｗの表面に気体流を供給することによって、基板Ｗの高さを割り出す。基板Ｗの表面が高い、つまり基板Ｗの表面が気体出口に比較的近い場合、気体流は、比較的高い抵抗を経験する。基板Ｗ上のエアゲージの空間位置の関数として、流れの抵抗を測定することにより、基板Ｗの高さマップを取得することができる。エアゲージのさらなる検討については、参照により組み込まれる欧州特許ＥＰ０３８０９６７号に見ることができる。
【００９７】
[000104]  代替方法によると、スキャンニードルプロファイラを使用して、基板Ｗの高さマップを割り出す。このようなスキャンニードルプロファイラは、ニードルで基板Ｗの高さマップをスキャンし、高さ情報も提供する。
【００９８】
[000105]  実際、高さデータを生成するために、基板Ｗの高さ測定を実行するように構成されたあらゆるタイプのセンサを使用することができる。
【００９９】
[000106]  レベル感知方法は、少なくとも１つの感知区域を使用し、図２による５つのスポットＭ２〜Ｍ６のように、レベルセンサスポットＬＳＳと呼ばれる小さい区域の平均高さを測定する。
【０１００】
[000107]  実施形態によれば、レベルセンサは、幾つかの測定放射ビームを同時に適用し、基板Ｗの表面に幾つかのレベルセンサスポットＬＳＳを生成することができる。図１に示すように、レベルセンサは例えば列状の５つのレベルセンサスポットＬＳＳを生成することができる。レベルセンサスポットＬＳＳを生成は、矢印Ａ（操作方向）で示されたように基板Ｗとレベルセンサを相互に対して相対的に移動させることにより、測定される基板Ｗの区域（例えばターゲット部分Ｃ）をスキャンする。
【０１０１】
[000108]  基板Ｗ上のレベルセンサスポットＬＳＳの位置に応じて、選択機構が１つ又は複数のレベルセンサスポットＬＳＳを選択し、これは測定ターゲット区域Ｃの高さデータを導き出すために適用可能である。選択されたレベルセンサスポットＬＳＳに基づき、レベルプロフィールを計算することができる。
【０１０２】
[000109]  図示された装置は、様々な方法で使用することができる。例えばステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【０１０３】
[000110]  絶対ミラーマップを割り出すために、干渉計ＩＦを使用してウェーハテーブルＷＴのｘ位置を監視し、複数のレベルセンサＬＳの測定をウェーハ全体の様々な異なるｘ位置で実行する。各レベルセンサの測定は、任意選択で静止状態でよい。この場合、通常は各レベルセンサが各測定点で何回か測定し、平均値を提供して、ノイズの効果を軽減する。典型的な例では、各レベルセンサは、１つの点で６００の値を読み取ることができるが、異なる数の値を読み取るように、異なるセンサを構築し、構成してもよく、実際に基板テーブルの異なる位置で異なる数の値を読み取ってもよい。認識されるように、測定値の数を増加させると、ノイズの効果は低下するが、測定時間も延長させる。したがって、較正時間と測定精度との兼ね合いがある。静止測定の代替法として、レベルセンサアレイＬＳが測定している間に、ウェーハテーブルＷＴをレベルセンサアレイＬＳの方向に沿って移動させることができる。ウェーハの特定の点に関する測定値は、適切な時にセンサ出力をサンプリングすることによって取得することができる。この場合、各点で取得した測定値の数は通常、静止測定の場合より少なく、１つのみでもよい。
【０１０４】
[000111]  図５に示す例では、ウェーハテーブルＷＴは制御装置６を使用して移動可能である。特に、ウェーハテーブルＷＴは、アクチュエータ２３を使用してＸ軸に平行に、左端の位置から右端の位置まで段階的に移動する。各段の後、ウェーハのターゲット点をカバーする全レベルセンサが測定する。
【０１０５】
[000112]  アクチュエータ２３、２４は、リソグラフィ装置に固定されたレベルセンサに対する基板テーブルＷＴの相対運動を生成するように構成される。アクチュエータは最高速度を有する。図４によるスキャンは、Ｙ方向にこの最高速度によって制限された最高スキャン速度を有する。
【０１０６】
[000113]  アクチュエータ２３、２４に接続された制御装置６は、アクチュエータの動作を制御するように構成される。制御装置６には、レベルセンサからの出力信号も提供される。
【０１０７】
[000114]  制御装置６は、電子制御装置、アナログ、デジタル又はその組合せのように、任意のタイプの制御装置を備えることができ、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、他のタイプのプログラミングデバイス、用途に特定の集積回路、又は、任意の他のタイプのプログラミングデバイスを備える。アクチュエータは、アナログライン、デジタルライン、多重デジタルライン、又は任意の他の通信チャネルのように任意の適切な接続部を介して、制御装置に接続することができる。
【０１０８】
[000115]  本発明によれば、レベルセンサで基板Ｗをスキャンする間に、基板テーブルＷＴが、Ｘ及びＹ方向の作動の組合せによって生成された複合運動で、レベルセンサに対して移動する。これによって、アクチュエータの１つの最高速度より速いスキャン速度、特に図４によるＹ方向のみのスキャンより速い速度が可能である。
【０１０９】
[000116]  レベルセンサでスキャンする実施形態が、図６に図示されている。この実施形態によれば、レベルセンサはロングストロークを使用して、基板表面をスキャンする。ストロークは、１方向に伸張してよい。別の実施形態では、ストロークは波形又は周期的でよい。実施形態では、Ｙ方向の運動は、Ｘアクチュエータ２３の影響によってＸ方向の運動で変調される。
【０１１０】
[000117]  アクチュエータ２３、２４の複合運動の結果、各軸に対して概ね４５°の角度のストロークになる。アクチュエータ２３、２４の運動が組み合わされるので、その結果の複合速度はほぼ４１％速くなる。その結果、この実施形態によると、基板の全表面のスキャン速度を上げることができ、特に測定位置において時間の節約になる。
【０１１１】
[000118]  当業者に知られているレベルセンサはいずれも、スキャン速度の向上による時間の節約を達成するために、本発明と組み合わせて使用することができる。
【０１１２】
[000119]  実施形態では、アクチュエータの複合運動の角度に対応する角度にわたって、基板テーブルＷＴが回転する。これによって、図４及び図６のターゲット部分４０、４１のハートライン（heart line）を本発明によるスキャン方向と位置合わせすることができる。この方法では、基板テーブルがスキャンのために４５°回転している。スキャン後に、基板テーブルを同じ角度だけ回転して、戻すことができる。これによって、先行技術の構成による放射を投影することができる。
【０１１３】
[000120]  図２の実施形態によるレベルセンサスポットは、図７ａに示すようなレベルセンサグリッド１００を使用する実施形態で取得される。グリッド１００は格子１０１を備える。各ギャップ１０２は、幅１０４×高さ１０５の寸法を有する。図７ａは、グリッドの座標系を表す軸Ｘ、Ｙを示す。格子１０１は、グリッド１００の中央部分でＸ方向に平行に配置される。以降では、ｇＸ、ｇＹ及びｈＺは、定義されたこれらのグリッド軸を指す。これらの軸の周囲のさらなる回転を、以降ではｇＲｘ、ｇＲｙ及びｇＲｚと呼ぶ。ｇＲｚは、図７ａに示すような面におけるグリッドの回転を指す。
【０１１４】
[000121]  図４に示す実施形態では、レベルセンサは放射ビームを角度ＡＬＰＨＡで基板表面に誘導し、この角度を本明細書では基板表面と入射ビームとの間の誘導角度と定義する。この角度は５〜８０°、特に５〜４０°、例えば２０°でよい。この角度ＡＬＰＨＡをこれ以降、レベルセンサ放射の入射角として使用する。
【０１１５】
[000122]レベルセンサの放射源（図示せず）と基板Ｗに誘導される放射ビーム１６との間に、グリッド１００が配置される。グリッド１０は、レベルセンサの検出部分２の一部である。格子１０１の結果、図２によるレベルセンサスポットが形成される。グリッド１００は、ビーム１６の進行方向に対して直角に配置される。
【０１１６】
[000123]  レベルセンサスポットＬＳＳのサイズは、スリット１０２のサイズ及び入射角ＡＬＰＨＡに依存する。実施形態では、ＬＡＡが同じ幅１０４及びほぼ高さ１０５／ｓｉｎ（ＡＬＰＨＡ）の高さ／長さを有するように、グリッド１００を配置することができる。ＡＬＰＨＡが約２０°である場合、スポットのサイズは入射角の拡大により、ギャップ１０２の高さ１０５の約３倍になる。
【０１１７】
[000124]  第一の実施形態では、グリッド１００の構成が維持され、先行技術の構成に対応する。この構成によるレベルセンサスポットＬＳＳは、基板表面のＸ軸に位置合わせされ、レベルセンサでスキャンする間に、実施形態によりＸＹ面に対して４５°の角度で移動する。
【０１１８】
[000125]  レベルセンサの第二の実施形態では、アクチュエータによって生成される複合運動の角度に対応する角度でレベルセンサスポットＬＳＳを投影するために、レベルセンサが適応する。複合運動が図６に示すように配向されると、ＬＳＳを生成は基板のＸＹ面に４５°傾斜することができる。これは、ＧＡＭＭＡの角度だけグリッド１００を傾斜することによって獲得することができ、ＧＡＭＭＡは概ね４５／ｓｉｎ（ＡＬＰＨＡ）に等しい。傾斜ＧＡＭＭＡはグリッドのｚ軸（ｇＲｚ）の周囲の実施形態であり、これは図７ａによる面からの回転軸である。
【０１１９】
[000126]  図８は、この実施形態を概略的に示す。当業者には図８から図１４による表現がよく知られ、明快さのためにレベルセンサの投影部分の一部である投影光学系は図示されていない。グリッド１００は、レベルセンサの投影部分の一部であり、投影部分の放射源（図示せず）によって放出された放射ビームの経路に配置される。ミラー、レンズなどのさらなる光学要素も、投影部分の一部でよい。
【０１２０】
[000127]  グリッド１００をｇＲｚの周囲でＧＡＭＭＡの角度だけ回転すると、レベルセンサスポットが図８に示すように回転する。
【０１２１】
[000128]  グリッド１００は元々、Ｚ軸に対して７０°の角度に配置されていた。この方法で、ビーム１６はギャップ１０２のレーンに対して直角に非常に近い。しかし、このような位置の結果、図８による実施形態では、ギャップの中心部分１１０しか基板表面上で焦点を合わすことができない。ギャップ１０９の上側１１１から基板表面までの光学距離は、ギャップ１０９の下側１１２から基板表面までの距離より長い。実施形態では、グリッドは、この効果が生じないように配置される。焦点ずれを相殺するこのような配置を、Scheimpflug状態と呼ぶ。Ｚに対する７０°の傾斜ではなく、グリッドは９０°傾斜してもよい。これで、グリッド１００は基板表面Ｗに対して概ね平行に配置される。これによって、ＬＳＳの完全なセットに焦点を合わせることができる。
【０１２２】
[000129]  図９は、基板ＷのＸＹ面に対して４５°の角度で焦点を合わせたＬＳＳを取得する実施形態を示す。グリッドは、ＬＳＳがScheimpflug状態に従うように配置され、これで完全なレベルセンサスポットに焦点が合う。グリッド１００は、相応してスポットを回転するために、ｇＲｚの周囲でＤＥＬＴＡ角度、実施形態では約４５°傾斜する。
【０１２３】
[000130]  図１０の第三の実施形態によれば、グリッド１００ではなく、図７ｂによるグリッド１１０を放射１６の経路に配置する。グリッド１１０は、格子がグリッド１１０の長方形本体の対角線上に配置されるという点で、グリッド１００とは異なる。その結果、ｇＲｚの周囲の傾斜１２９は、第一及び第二の実施形態（図８、図９）による状況と異なる。傾斜１２９は角度ＧＡＭＭＡより小さくなる。
【０１２４】
[000131]  図１１の第四の実施形態によれば、グリッド１１０はｇＲｚの周囲で傾斜していない。しかし、このような傾斜は、現在のレベルセンサの設計変更を必要とすることがある。図１０に示すような第三の実施形態によれば、グリッドは、先行技術によるとその位置に対して回転する。幾つかの先行技術のリソグラフィシステムでは、このような回転のための空間が取得できない。
【０１２５】
[000132]  図１１は、ＬＳＳが基板表面のＸＹ面に対して４５°だけ回転するように配置されたグリッド１１０を示し、グリッド１００はｇＲｙの周囲で角度１３０だけ傾斜している。実際、グリッド１１０の部分１２０は、これより上流の部分１２１より前方（下流）にある。１２０に近いギャップの結果として形成されたＬＳスポットも、基板表面のＹ方向のさらに前方に配置されるので、ｇＲｙの周囲で傾斜する結果、図１０による実施形態と比較して、スポットの焦点ずれが軽減される。
【０１２６】
[000133]  図１２は、グリッド１１０について基本的に同じ構成を有するさらなる実施形態を示す。ここで、図１２に概略的に図示されたようなレベルセンサの投影部分は、放射ビーム１６の経路に光学要素１４０を備える。放射ビームは光学要素１４０を貫通し、光学要素の材料の屈折率により影響される。
【０１２７】
[000134]  実施形態では、光学要素はウェッジを備える。グリッド１１０はｇＲｙの周囲で角度１３１傾斜しているので、ウェッジ、好ましくは各スポットに合わせて適応したウェッジを備える光学要素１４０は、スポット間の位相差を補償することができる。これによって、先行技術の構成による検出格子を使用することができる。焦点の違いを補償するために、ウェッジ厚さを適応させることが、当業者には理解される。
【０１２８】
[000135]  基板表面上でＬＳＳを回転させるために、図８から図１２の実施形態のいずれかによりグリッド１００又はグリッド１１０を回転すると、ＬＳＳのアレイが広くなる。図２では、５つのＬＳＳを生成の幅をｗＬＳＳで示す。ＬＳＳを基板表面のＸＹ面に対して４５°の角度で配向するために、上述した実施形態のいずれかによりグリッド１００又は１１０が回転すると、この幅ｗＬＳＳは１．４１倍広くなる。
【０１２９】
[000136]  両方のアクチュエータが全速で複合運動した結果、図４に示すようにスキャン中に４５°の方向のストロークになることと、ＬＳアレイの幅が１．４１倍になることとが一緒になって、５０％の時間の節約があり得る。速度が１．４倍になり、ＬＳアレイの幅も広くなるので、本発明により構成され、適応した先行技術のレベルセンサは、そのレベル感知方法を２倍の速度で実行することができる。
【０１３０】
[000137]  格子上でＬＳスポットを回転する場合、ＬＳの幅で追加の利得を得るために、ＬＳＳの最初に使用された幅を維持することができる。別の実施形態では、図７ｃによるグリッド１１５を使用することができる。グリッド１１５は、例えば９ではなく１３など、より多くのスリット１０２を有する対角線上の格子を有する。図８から図１２による実施形態で修正したグリッド１１５を使用すると、基板表面上に概ね同じサイズのスポットを有するＬＳＳアレイを有する結果となる。この実施形態によれば、高さを測定するために、同じ密度の測定点を維持することができる。
【０１３１】
[000138]  図１３は、ＬＳＳを４５°回転するために、ｇＲｚの周囲で約４５°の角度１３４だけ回転したScheimpflugの配置のグリッド１１０を有するさらなる実施形態を示す。Scheimpflug状態は、ｇＲｘの周囲でグリッドを回転することにより獲得される。
【０１３２】
[000139]  図８から図１３は、レベルセンサの投影部分の基本的要素のみを示す。レベルセンサの検出部分で対応する措置を執れることが、当業者には理解される。検出部分もグリッドを備える。これは、グリッド１００、グリッド１１０又はグリッド１１５でよい。検出部分のグリッドは、回転したＬＳＳを検出でき、Scheimpflug状態のＬＳＳを測定できるようにするために、ｇＲｚ、ｇＲｙ、ｇＲｘの周囲で回転することができる。以上から、投影部分と検出部分について、異なる実施形態を組み合わせることが可能であることが当業者には理解される。しかし、投影部分と検出部分を同様の方法で構成すると、設計の単純さを改良することができる。
【０１３３】
[000140]  実施形態では、フィールド４０を本発明により改良されたスキャンストロークと位置合わせするために、基板テーブルがＲｚの周囲で回転する。基板テーブルＷＴは、最高スキャン速度を可能にするために、４５°回転する。これで、ＬＳのスキャンが高速で実行されるが、ストロークは基板上のフィールド４０と位置合わせされている。
【０１３４】
[000141]  本発明の少なくとも１つの態様によれば、図４に示すように、フィールドの中央に対してある角度の方向で基板表面の高さをスキャンすることが可能であるが、本発明によれば、本発明の方法のいずれかにより測定された高さを補正することが可能である。補正は単純な較正でよい。較正は、レイアウト依存の測定に対して実行され、スキャンストロークは図４に従って実行されている。
【０１３５】
[000142]  レイアウトに依存しないレベリング較正は、レイアウトに依存しない測定の効果を比較的短時間で較正するために、堅牢な機構の較正機構（フィンガプリント機構など）を使用する。本明細書で述べる機構を使用すると、１つの基板又はターゲット部分を使用して較正することが可能であるが、複数の基板又はターゲット部分を使用して較正することも可能である。
【０１３６】
[000143]  較正は、少なくとも１つの特殊な較正ターゲット部分のセットを識別する。各較正ターゲット部分を複数回スキャンする。各ターゲット部分を、基板の任意のターゲット部分で実行するレベルセンサ測定の可能なパターン毎に、レベルセンサで少なくとも１回スキャンする。
【０１３７】
[000144]  したがって、較正中に少なくとも１つの較正ターゲット部分を複数回測定し、毎回、レベルセンサはターゲット部分に対して異なる相対位置を有する。スキャンの相対位置は、実際の露光中に実行されるような実際のレベルセンサ測定中に実行されるような、あり得るレベルセンサスキャンに対応するように選択される。
【０１３８】
[000145]  ターゲットポイントに対して異なる相対位置で実行した異なる較正スキャンを比較することにより、実際の露光のために後に収集されるような実際のレベルセンサスキャン及びデータを補償し、基板上のターゲット部分間の露光焦点の違いを最小にすることができる。
【０１３９】
[000146]  異なる較正スキャンを比較することにより、レベルセンサスキャンの相対位置が露光焦点データに及ぼす効果を予想し、したがって補償することができる。
【０１４０】
[000147]  最も一般的な円柱のレイアウトの場合、較正スキャンの数は、レイアウトに依存しないレベリングデータ取得におけるストローク数になる。この較正は、図６の方法によりターゲット部分４１をスキャンする全ての異なるパターンを、先行技術によりスキャンされた同じターゲット部分４０に重ね合わせることとみなすことができる。
【０１４１】
[000148]  例によれば、本発明による２つのアクチュエータを使用する任意の方法により測定した２つのパターンを、対応するターゲット部分４０、４１の図４により測定したパターンに重ね合わせることができる。このターゲット部分に関する３つの測定パターンの各パターンは、焦点露光設定点のセットを生成する。レイアウトに依存しないパターンとレイアウトに依存するパターンの焦点露光設定点間の差が、レイアウトに依存するそのパターンの較正（データ）である。
【０１４２】
[000149]  較正メカニズムを使用して、較正の入力値として使用する堅牢な測定セットを生成する。各較正ターゲット部分で読み取った全値の標準偏差を計算する。実施形態によれば、最も高い標準偏差値を有するターゲット部分は、較正から廃棄される。（残りの）ターゲット部分を点毎に平均して、較正データ（フィンガプリントデータ）を生成することができる。
【０１４３】
[000150]  露光前にターゲット部分で実行するような実際のレベルセンサ測定中に、較正データ（フィンガプリント）を使用して、実際の露光焦点を補正することができる。そうすることによって、これらがレベルセンサの測定をターゲット部分の中心に対して異なる相対位置で実行した結果である限り、異なるターゲット部分の露光焦点間の差が減少する。
【０１４４】
[000151]  較正データ（フィンガプリント）は、レベルセンサデータに基づいて計算したままの露光焦点の補正値を備えることができる。しかし、代替法によれば、較正データ（フィンガプリント）は、レベルセンサデータの補正値も備えることができ、したがって補正したレベルセンサデータに基づいて露光焦点を計算することができる。
【０１４５】
[000152]  本発明の態様によれば、本発明によるリソグラフィ装置で複数のウェーハが製造される。ウェーハは層毎に製造される。同じ構造を有するウェーハの特定のシリーズの全層について、本発明による較正測定を実行する。ウェーハの特定のシリーズの層毎に、前記層を生産した後に基板表面の高さをスキャンすることによって、較正測定を実行し、前記データを本発明による方法で、特に基板のターゲット区域の中央に対して４５°でスキャンして取得したデータと比較する。２つの測定データを比較することにより、本発明によりスキャン速度が向上した方法又は装置で測定した高さを補正するための補正マップ又は較正データを取得することができる。
【０１４６】
[000153]  最後に生成された前記層を有するウェーハに対応する高さのデータセットが、本発明の補正方法により取得した較正データを使用して、本発明により補正される。
【０１４７】
[000154]  較正データは、較正テーブルの形態を有することができ、ここではテーブル部分内の幾つかの相対的なｘ、ｙ位置について、補正したレベルセンサデータを計算するために使用できる較正値を記憶する。レベルセンサスキャンの異なる相対位置には、異なる較正テーブルを提供することができる。
【０１４８】
[000155]  較正補正は多くの方法で適用できることが理解される。較正補正を使用して、測定したレベルセンサデータを直接補正し、補正したレベルセンサデータに基づいて露光焦点データを計算することができる。あるいは、レベルセンサデータを使用して、露光焦点データを計算することができ、較正データを使用して、これらの露光焦点データを計算し、補正した露光焦点データを取得することができる。
【０１４９】
[000156]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィーによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィーを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力又はその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【０１５０】
[000157]  本文書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）、極端紫外線放射（ＥＵＶ）、Ｘ線、電子及びイオンを含むが、それに限定されないあらゆるタイプの電磁放射又は粒子束を網羅するように使用される。本明細書では、直交するＸ、Ｙ及びＺ方向の基準系を使用して本発明を説明し、Ｉ方向に平行な軸線を中心とする回転をＲｉとする。さらに、文脈で要求されていない限り、本明細書で使用する「垂直」Ｚという用語は、装置の特定の方向を示唆するのではなく、基板又はマスク表面に直角の方向を指すものとする。同様に、「水平」という用語は、基板又はマスク表面に平行な方向を指し、したがって「垂直」方向に対して直角である。
【０１５１】
[000158]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【０１５２】
[000159]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、その内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【０１５３】
[00160]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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