(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体被着体表面に白金からなる薄膜を形成し、この薄膜上に熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を接着してなることを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体。
【請求項２】
固体被着体表面に白金と金とからなる薄膜を形成し、この薄膜上に熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を接着してなることを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体。
【請求項３】
薄膜中の白金の含有率が、０．１質量％以上である請求項２記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
【請求項４】
薄膜の厚さが、０．００１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
【請求項５】
固体被着体表面が、金から形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
【請求項６】
前記熱伝導性シリコーン組成物が、次の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
（Ａ）ケイ素原子に結合した低級アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン                                                  １００質量部
（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン                                      ０．１〜５０質量部
（Ｃ）熱伝導性充填剤                                    １００〜２０００質量部
（Ｄ）白金系触媒                                                        有効量
【請求項７】
固体被着体表面に白金薄膜又は白金と金とからなる薄膜を形成し、次いで熱伝導性シリコーン組成物を該薄膜上に配置した後、加熱硬化することを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体の製造方法。
【請求項８】
白金薄膜又は白金と金とからなる薄膜の形成方法が、スパッタ蒸着法又は真空蒸着法であることを特徴とする請求項７記載の熱伝導性シリコーン接着構造体の製造方法。
【請求項９】
半導体チップから発生した熱を、熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を通して放熱体に伝える構造の半導体装置であって、上記半導体チップの表面に白金からなる薄膜又は白金と金とからなる薄膜が形成され、該薄膜上に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が接着された請求項１乃至６のいずれか１項記載の接着構造体及び／又は上記放熱体の表面に白金からなる薄膜又は白金と金とからなる薄膜が形成され、該薄膜上に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が接着された請求項１乃至６のいずれか１項記載の接着構造体が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱伝導性シリコーン接着構造体とその製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコーン樹脂を基材へ接着する方法としては、シリコーン樹脂に接着性を付与する材料を混合しておくか、又は基材表面に予めシリコーン又はシランカップリング剤等を含むプライマーを塗布した後、シリコーン樹脂を塗布・硬化させる方法が一般的である。
しかしながら、金表面などの貴金属へのシリコーン組成物の接着が困難であるという問題がある。これは、通常、シリコーン組成物に含まれる成分、又はプライマー中の反応基が基材表面の置換基と反応し、化学結合することで接着力が生じるが、金表面には置換基が極めて少なく、このような作用が生じにくいためと考えられる。
【０００３】
なお、本発明に関連する従来技術としては、下記文献が挙げられる。
【特許文献１】特公平３−１２１１４号公報
【特許文献２】特開平９−２０８９２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、本発明の目的は、固体被着体表面、特に金表面などの貴金属表面を有する固体被着体に熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を接着させた熱伝導性シリコーン接着構造体及びその製造方法並びにその構造体を採用して形成した半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、固体被着体、特に少なくとも表面が金にて形成された固体被着体と熱伝導シリコーン組成物の硬化物の間に白金又は白金を含む薄膜を介在させることで熱伝導性シリコーン組成物の硬化物（熱伝導性シリコーン）の接着性が向上することを見出した。
即ち、本発明の熱伝導性シリコーン組成物の固体被着体に対する接着方法は、金表面を有する固体被着体に白金の薄膜を形成させるか、あるいは固体被着体表面に、予め金が主成分である金属と白金との合金の薄膜を形成させてしまうか、又は固体被着体表面に、予め金、及び白金とで、少なくとも白金が若干量存在するように金と白金が混在した薄膜を形成させた後、熱硬化型の熱伝導性シリコーン組成物をその表面に塗布し、加熱硬化して接着力を測定したところ、明らかに接着力の向上がみられることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００６】
従って、本発明は、下記熱伝導性シリコーン接着構造体とその製造方法及び半導体装置を提供する。
請求項１：
固体被着体表面に白金からなる薄膜を形成し、この薄膜上に熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を接着してなることを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体。
請求項２：
固体被着体表面に白金と金とからなる薄膜を形成し、この薄膜上に熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を接着してなることを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体。
請求項３：
薄膜中の白金の含有率が、０．１質量％以上である請求項２記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
請求項４：
薄膜の厚さが、０．００１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
請求項５：
固体被着体表面が、金から形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
請求項６：
前記熱伝導性シリコーン組成物が、次の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の熱伝導性シリコーン接着構造体。
（Ａ）ケイ素原子に結合した低級アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン                                                  １００質量部
（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン                                      ０．１〜５０質量部
（Ｃ）熱伝導性充填剤                                    １００〜２０００質量部
（Ｄ）白金系触媒                                                        有効量
請求項７：
固体被着体表面に白金薄膜又は白金と金とからなる薄膜を形成し、次いで熱伝導性シリコーン組成物を該薄膜上に配置した後、加熱硬化することを特徴とする熱伝導性シリコーン接着構造体の製造方法。
請求項８：
白金薄膜又は白金と金とからなる薄膜の形成方法が、スパッタ蒸着法又は真空蒸着法であることを特徴とする請求項７記載の熱伝導性シリコーン接着構造体の製造方法。
請求項９：
半導体チップから発生した熱を、熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を通して放熱体に伝える構造の半導体装置であって、上記半導体チップの表面に白金からなる薄膜又は白金と金とからなる薄膜が形成され、該薄膜上に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が接着された請求項１乃至６のいずれか１項記載の接着構造体及び／又は上記放熱体の表面に白金からなる薄膜又は白金と金とからなる薄膜が形成され、該薄膜上に上記熱伝導性シリコーン組成物の硬化物が接着された請求項１乃至６のいずれか１項記載の接着構造体が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、表面が金により形成されている固体被着体に対し熱伝導性シリコーン組成物の硬化物を高接着力で接着してなる熱伝導性シリコーン接着構造体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の熱伝導性シリコーン接着構造体は、熱伝導性シリコーン組成物の硬化物（熱伝導性シリコーン）を固体被着体表面にて接着してなるもので、この場合、固体被着体表面に白金薄膜又は白金を含む金属薄膜を形成し、次いで熱伝導性シリコーン組成物を該薄膜上に配置した後、加熱することにより、得られた熱伝導性シリコーンと固体被着体との間に白金薄膜又は白金を含む金属薄膜を形成介在させたものである。
【０００９】
ここで、固体被着体としては、例えば半導体装置の半導体チップやこの半導体チップからの熱が伝導される放熱体等が挙げられ、この場合、これら固体被着体表面は金属であっても非金属であってもよいが、固体被着体の少なくとも表面は金にて形成されているものが本発明において有効であるが、これに限定されるものではない。なお、金の形成は、例えば蒸着、スパッタリング等の気相めっき法や電気めっき、無電解めっき等にて形成することができる。
【００１０】
また、上記固体被着体表面に白金薄膜又は白金を含む薄膜を形成するが、白金を含む薄膜としては、白金と金との混合物あるいは合金の膜が挙げられる。
【００１１】
上述した金などの金属の薄膜を形成する方法としては、気相めっき法、例えばスパッタ蒸着法、真空蒸着法により容易に形成することができる。即ち、スパッタ蒸着法においては、真空チャンバー内に薄膜としてつけたい金属をターゲットとして設置し、高電圧を掛けてイオン化させた希ガス元素を衝突させることでターゲット表面から原子が弾き飛ばされ、固体被着体表面に到達して製膜させる。白金のターゲットを使用すれば、金などの表面に白金の製膜を形成することができるし、金が主成分である金と白金との合金のターゲットを使用すれば、白金原子が若干存在する金の製膜を形成することができる。また、スパッタ装置によっては、金と白金のターゲットを別々にかつ同時に設置する、いわゆる複合ターゲットとすることができることから、同時に金と白金が混在する蒸着面を形成することができる。しかしながら本発明は、ここに挙げた蒸着方法に限らず、金表面に若干白金原子が存在せしめる方法なら何でもよい。いずれの方法においても金属薄膜中の白金の割合は、０．１質量％より小さいと接着力向上の効果が出ないため、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは１．０質量％以上、特に好ましくは３．０質量％以上である。固体被着体表面上に形成せしめる蒸着面の薄膜の厚さは経済面から０．００１〜１０μｍ、特に０．０１〜５μｍであることが好ましい。
【００１２】
ここで、本発明の接着構造体を形成するための熱伝導性シリコーン組成物は、下記（Ａ）〜（Ｄ）成分を必須成分とすることを特徴とするものである。
（Ａ）ケイ素原子に結合した低級アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン                                                  １００質量部
（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン                                      ０．１〜５０質量部
（Ｃ）熱伝導性充填剤                                    １００〜２０００質量部
（Ｄ）白金系触媒                                                        有効量
【００１３】
（Ａ）成分は、ケイ素原子に結合した低級アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンであり、その分子構造は直鎖状、分岐状又は網状のいずれでもよいが、直鎖状であることが経済面から好ましい。また、（Ａ）成分は、２５℃における粘度が１０ｍｍ2／ｓより小さいと揮発性が高いため組成が安定せず、また１００，０００ｍｍ2／ｓより大きいと組成物の粘度が高くなり、扱いが難しくなるため１０〜１００，０００ｍｍ2／ｓの範囲であることが好ましい。なお、この粘度値はオストワルド粘度計による測定値である（以下、同様）。
【００１４】
（Ａ）成分のケイ素原子に結合する低級アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。
【００１５】
（Ａ）成分の低級アルケニル基以外の有機基としては、炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、キシリル基等のアリール基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、γ−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等が例示される。ケイ素原子に結合する低級アルケニル基は分子中のどの位置に存在してもよいが、少なくとも分子末端に存在することが望ましい。
【００１６】
（Ａ）成分の分子鎖末端基としては、トリメチルシロキシ基、ジメチルビニルシロキシ基、ジメチルフェニルシロキシ基、メチルビニルフェニルシロキシ基等のトルオルガノシロキシ基、水酸基、アルコシキ基等が例示される。
【００１７】
（Ａ）成分中の有機基の種類、分子鎖末端封鎖基の種類及び粘度等は得られる熱伝導性シリコーン組成物の使用目的に応じて適宜選択することができる。また、粘度、構造が違う（Ａ）成分を数種類使用してもよい。
【００１８】
（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、（Ａ）成分とヒドロシリル化反応する架橋剤であり、ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。
【００１９】
（Ｂ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、分岐状又は網状のいずれでもよく、２５℃における粘度が１〜１０，０００ｍｍ2／ｓであることが望ましい。また、粘度の違う数種類の（Ｂ）成分を使用してもよい。
【００２０】
（Ｂ）成分のケイ素原子に結合する水素原子以外の有機基としては、炭素数１〜１０のもの、例えば低級アルケニル基を除くメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、γ−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等が例示される。
【００２１】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のケイ素原子に結合した低級アルケニル基１個当たり、（Ｂ）成分中のケイ素原子に結合する水素原子が平均０．５〜３．０個となる量であり、通常、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜５０質量部配合することで達成される。これは、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１質量部未満であると架橋が不十分となり、接着力が発現しないし、また５０質量部より大きくても架橋に関与しない部分が多くなり、離油度が多くなるためである。
【００２２】
（Ｃ）成分の熱伝導性充填剤は、熱伝導性を付与するためのものである。この充填剤は熱伝導率さえよければ何でもよく、アルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末、アルミナ粉末、窒化硼素粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末、銅粉末、銀粉末、ダイヤモンド粉末、ニッケル粉末、亜鉛粉末、ステンレス粉末、カーボン粉末等が挙げられるが、これらに限られたものではない。これらは球状、不定形状どちらでもよく、これらを２種類以上混合してもよい。
【００２３】
また、（Ｃ）成分の平均粒径は、０．１μｍより小さいと得られる組成物の粘度が高くなりすぎて進展性の乏しいものとなるし、１００μｍより大きいと得られる組成物が不均一となるため０．１〜１００μｍの範囲、好ましくは１〜２０μｍがよい。なお、この平均粒径は、レーザー回析・散乱法で求めることができる体積基準の平均粒径である。
【００２４】
（Ｃ）成分の配合量は、１００質量部より小さいと得られる組成物の熱伝導率が悪く、かつ保存安定の乏しいものとなるし、２，０００質量部より大きいと伸展性の乏しいものとなるため１００〜２，０００質量部の範囲、好ましくは２００〜１，５００質量部がよい。
【００２５】
（Ｄ）成分は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分のヒドロシリル化反応を促進させる白金系触媒である。白金系触媒としては、白金単体粒子、白金担持粒子、塩化白金酸、白金錯体、及び白金配位化合物の群から選ばれる１種以上を挙げることができる。白金担持粒子としては、シリカ、アルミナ、カーボンブラック等に白金粒子を担持したものを用いることができる。白金錯体としては、白金−オレフィン錯体、白金−アルコール錯体、白金−ビニルシロキサン錯体、白金−ホスフィン錯体、白金−ホスファイト錯体等を例示することができる。
【００２６】
（Ｄ）成分の配合量としては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を十分に反応させるだけの必要量を配合させる必要があり、通常白金金属として、（Ａ），（Ｂ）成分の合計量に対し０．１〜１００ｐｐｍである。
【００２７】
上記熱伝導性シリコーン組成物は、更に、必要に応じて接着成分としてエポキシ基あるいはアルコキシ基などを有する成分を含んでもよい。更に、上記熱伝導性シリコーン組成物の反応を制御する目的で、アセチレン化合物、各種窒素化合物、有機リン化合物、オキシム化合物、及び有機クロロ化合物より選択される制御剤を配合してもよい。
【００２８】
固体被着体の表面に形成された白金薄膜又は白金を含む金属薄膜の被接着面に上述した熱伝導性シリコーン組成物を塗着して加熱硬化させることにより、被接着体に熱伝導性シリコーン組成物を接着させることができる。熱伝導性シリコーン組成物の加熱方法は特に限定されないが、オーブンなどを用いることが好ましい。加熱温度は１００〜１８０℃程度とし、加熱時間は数分から数時間とすることが好ましいが、これらに限定されるものではない。なお、熱伝導性シリコーン組成物の硬化物（熱伝導性シリコーン）の厚さは適宜選定されるが、通常５〜５００μｍ、特に１０〜１００μｍである。
【００２９】
図２は、本発明の熱伝導性シリコーン接着構造体を利用した半導体装置の一実施例の縦断面図であり、図中２１はＣＰＵ等の電子部品を示す。そして、この電子部品２１表面には、白金薄膜又は白金を含む金属薄膜２２が形成され、この薄膜２２上に熱伝導性シリコーン組成物２３が形成されている。この熱伝導性シリコーン組成物２３はヒートスプレッダー（放熱体）２４により押圧されている。また、ヒートスプレッダー２４とオルガニック基板等の基板２５との間には接着剤２６が塗布されていて、上記加熱条件において加熱させることで熱伝導性シリコーン組成物２３及び接着剤２６を硬化させ、これにより半導体装置は完成する。なお、図中２７はハンダボールである。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。また、実施例において示す「部」及び「％」は特に明示しない限り、質量部及び質量％を示す。
【００３１】
［被接着体１〜６の作製］
被接着体１：真空機工株式会社製のＶＰＳ−０２０型スパッタ装置を使い、以下条件にて１０ｍｍ角のシリコンウエハーの片面に金を蒸着させた。またＵＬＶＡＣ社製の触針式表面形状測定器にて蒸着した膜厚を測定したところ０．１５μｍであった。
（スパッタ条件）
ターゲット：金
ガスの種類：空気
電流値：５〜１０ｍＡ
真空度：１〜２×１０-1Ｐａ
蒸着時間：１０分
【００３２】
被接着体２：被接着体１の金蒸着面に、被接着体１作製で使用した同じスパッタ装置を使い、以下スパッタ条件にて更に白金を蒸着させた。蛍光Ｘ線分析にて金に対しての白金量を調べたところ、白金の割合は１５％であった。また被接着体１で使用した同じ測定器にて金、白金合計の膜厚を測定したところ、０．１７μｍであった。
（スパッタ条件）
ターゲット：白金
ガスの種類：空気
電流値：５〜１０ｍＡ
真空度：１〜２×１０-1Ｐａ
蒸着時間：３分
【００３３】
被接着体３：同様に被接着体１の金蒸着面に白金を蒸着させた。被接着体２より白金のスパッタ時間を短くした以外は全て同じ操作を行った。同様に金に対しての白金量を調べたところ３％であった。また金、白金の合計の膜厚は、０．１６μｍだった。
（スパッタ条件）
蒸着時間を０．５分にした以外は、被接着体２の条件と同じ。
【００３４】
被接着体４：白金量５％の金−白金合金のターゲットを用いて、下記条件にて１０ｍｍ角のシリコンウエハーの片面にスパッタリングを行った。被接着体１測定のときに使用したものと同じ測定機器を使用して白金量の割合及び膜厚を調べたところ、それぞれ４．５％、０．１５μｍであった。
（スパッタ条件）
ターゲット：白金量５％の金−白金合金
それ以外の条件は被接着体１の条件と同じ。
【００３５】
被接着体５：スパッタ装置に、金と白金の複合ターゲットを設置し、１０ｍｍ角のシリコンウエハーの片面に金と白金を同時に蒸着させた。被接着体１測定のとき使用したものと同じ測定機器を使用して白金量の割合及び膜厚を調べたところ、それぞれ８．４％、０．１５μｍであった。
（スパッタ条件）
ターゲット：金の面積が９割、白金の面積１割で構成されているターゲットを使用
それ以外の条件は被接着体１の条件と同じ。
【００３６】
被接着体６：金と白金の面積比の違う複合ターゲットを使用した以外は、被接着体６と全て同じ操作を行った。同様に白金量の割合及び膜厚を調べたところ、それぞれ４５％、０．１５μｍであった。
（スパッタ条件）
ターゲット：金の面積が５割、白金の面積５割で構成されているターゲットを使用
それ以外の条件は被接着体１の条件と同じ。
被接着体２〜６は実施例に用い、被接着体１は比較例に用いる。
【００３７】
［熱伝導性シリコーン組成物の作製］
成分（Ａ）として、両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖され、２５℃における粘度が６００ｍｍ2／ｓのジメチルポリシロキサン１００ｇを配合し、更に平均粒径４．９μｍのアルミニウム粉末８００ｇ、平均粒径１．０μｍの酸化亜鉛粉末２００ｇ、及びカップリング剤であるＣ10Ｈ21Ｓｉ（ＯＣＨ3）3を６ｇ加え、５リッタープラネタリーミキサーで７０℃、１時間の加熱撹拌を行った。冷却後の混合物に対し、１−エチニル−１−シクロヘキサノールの５０％トルエン溶液を０．４５ｇ加え、更に白金−ビニルシロキサン錯体の０．５％トルエン溶液０．２ｇを撹拌しながら加え、次いで、成分（Ｂ）として、式（１）
【化１】
0005045922.tif 000002
で表されるＳｉ−Ｈ基含有オルガノポリシロキサン１１．７ｇを撹拌しながら加え、熱伝導性シリコーン組成物を得た。
【００３８】
［テストピースの作製と接着力の測定］
図１に示すように、２５ｍｍ×１００ｍｍの鉄表面にニッケルをコートしたニッケル板１４（株式会社テストピース製）を用意し、このニッケル板１４と被接着体１０との間に熱伝導性シリコーン組成物１２を挟み込んだ。なお、熱伝導性シリコーン組成物の厚さは３０μｍであった。この積層物１０、１２、１４を１２５℃のオーブンに９０分間装入して熱伝導性シリコーン組成物１２を加熱硬化させ、テストピースを作製した。被接着体１０の横方向からプローブ２０で負荷を与え、破壊荷重を測定し、この値を接着力とした。接着力の測定機は株式会社レスカのボンディングテスターＰＴＲ−１０００を用い、測定を３回行った結果の平均値を採用した。
【００３９】
［実施例１］
被接着体２の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は２０Ｎであった。
【００４０】
［実施例２］
被接着体３の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は１５Ｎであった。
【００４１】
［実施例３］
被接着体５の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は１６Ｎであった。
【００４２】
［実施例４］
被接着体６の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は１８Ｎであった。
【００４３】
［実施例５］
被接着体７の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は１９Ｎであった。
【００４４】
［比較例１］
被接着体１の蒸着面に対し上記方法でテストピースを作製し、接着力を測定したところ、接着力は０．２Ｎであった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】テストピースの作製及び接着力の測定方法を示す図である。
【図２】本発明に係わる半導体装置の一実施例の縦断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  被接着体
１２  熱伝導性シリコーン組成物
１４  ニッケル板
２０  プローブ
２１  電子部品
２２  白金薄膜又は白金を含む金属薄膜
２３  熱伝導性シリコーン組成物
２４  ヒートスプレッダー（放熱体）
２５  オルガニック基板
２６  接着剤
２７  ハンダボール
【図１】
0005045922.tif 000003
【図２】
0005045922.tif 000004