(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スメクタイト又は雲母と、前記スメクタイト又は雲母に、オニウムカチオンによって吸着している、下記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、及び（IV）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物の分子と、高分子材料とを含有することを特徴とする光学異方性膜。
【化１】
0005107690.tif 000053
（式中、Ａ1及びＡ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｚは、ベンゾ縮環又はナフト縮環を形成するのに必要な有機残基を表し；Ｒ1はそれぞれ、置換基を表し；ｍは０〜４の整数であり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素原子又はハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子求引性の置換基を表し、Ｒ2とＲ3とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2又はＲ3は、オニウムカチオンを少なくとも１つ有する。）
一般式（II）：
Ｑ71−Ｑ72−ＯＨ
（一般式（II）中、Ｑ71は含窒素芳香族ヘテロ環基、Ｑ72は芳香族環基を表す。但し、Ｑ71又はＱ72は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。）
【化２】
0005107690.tif 000054
（一般式（III）中、Ｑ81及びＱ82はそれぞれ独立に芳香族環基を表す。Ｘ81は、ＮＲ81（Ｒ81は水素原子又は置換基を表す）、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｑ81又はＱ82は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。）
【化３】
0005107690.tif 000055
（式（IV）中、Ｑ91及びＱ92はそれぞれ、芳香族環基を表す。Ｘ91及びＸ92はそれぞれ、水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。但し、Ｑ91、Ｑ92、Ｘ91又はＸ92は、置換基中にオニウムカチオンを少なくとも１つ含有する。）
【請求項２】
スメクタイト又は雲母の粒子のアスペクト比が、５以上であることを特徴とする請求項１に記載の光学異方性膜。
【請求項３】
スメクタイト又は雲母が、合成スメクタイト又は合成雲母であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学異方性膜。
【請求項４】
前記オニウムカチオンが、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、又はピリジニウムカチオンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学異方性膜。
【請求項５】
前記高分子材料が、セルロースアシラート系ポリマーであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学異方性膜。
【請求項６】
延伸されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学異方性膜。
【請求項７】
偏光膜と、該偏光膜を挟持する一対の保護膜とを有する偏光板であって、前記保護膜の少なくとも一枚が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光学異方性膜であることを特徴とする偏光板。
【請求項８】
請求項１〜６に記載の光学異方性膜及び／又は請求項７に記載の偏光板を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１中に記載の記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、及び（IV）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物の分子が、オニウムカチオンによって吸着しているスメクタイト又は雲母からなる高分子フィルム用レターデーション制御剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ分野、オプトエレクトロニクス分野、フォトニクス分野において有用な新規な光学異方性膜、ならびにそれを利用した偏光板及び液晶表示装置に関する。また、本発明は光学異方性膜の作製に有用なレターデーション制御剤にも関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像を表示するためのディスプレイ分野においては、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）と呼ばれる、液晶表示素子（ＬＣＤ）、プラズマ表示素子（ＰＤＰ）が広く用いられている。ＬＣＤでは、光学補償などのために、種々の高分子フィルムが用いられている。ＬＣＤの表示性能のさらなる改善のためには、光学補償に用いられているこれらの高分子フィルムの光学的異方性（Ｒｅ：フィルム面内のレターデーション値、Ｒｔｈ：フィルム厚み方向におけるレターデーション値）をコントロールし、最適化する必要がある。ＬＣＤの画質に対する要求が高まるにつれ、さらにより広い領域（例えば、より高いＲｅとより低いＲｔｈ）を自在にコントロールすることが可能な方法が必要とされるようになってきた。
【０００３】
特許文献１及び２には、光学フィルムのレターデーション上昇剤等が開示されている。
また、特許文献３には、樹脂と該樹脂中に分散された無機充填剤とを含み、前記無機充填剤が有機機能剤を担持しており、樹脂組成物成形体の光路長１ｍｍにおけるヘイズ値が１０％以下であることを特徴とする樹脂組成物、この樹脂組成物からなる光学材料、及び前記樹脂組成物をフィルム状に成形してなる光学フィルムが提案され、有機機能剤の例として、レターデーション調整能を有する化合物が挙げられている。しかし、レターデーション調整能を有する化合物の例としては、紫外線吸収剤及び赤外吸収剤と記載があるだけで、具体的な構造については記載がない。
【特許文献１】欧州特許公開ＥＰ０９１１６５６Ａ２号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４６５５号公報
【特許文献３】特開２００５−１４６１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、表示装置の分野において有用な新規な光学異方性膜、ならびにかかる光学異方性膜を有する偏光板及び液晶表示装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、新規な高分子フィルム用レターデーション制御剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、光学異方性膜の光学特性（特にＲｔｈ）を自在に制御可能な技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための手段は以下のとおりである。
［１］  スメクタイト又は雲母と、前記スメクタイト又は雲母に、オニウムカチオンによって吸着している、下記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、及び（IV）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物の分子と、高分子材料とを含有することを特徴とする光学異方性膜。
【化１】
0005107690.tif 000002
（式中、Ａ1及びＡ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｚは、ベンゾ縮環又はナフト縮環を形成するのに必要な有機残基を表し；Ｒ1はそれぞれ、置換基を表し；ｍは０〜４の整数であり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素原子又はハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子求引性の置換基を表し、Ｒ2とＲ3とが結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2又はＲ3は、オニウムカチオンを少なくとも１つ有する。）
【０００６】
一般式（II）：
Ｑ71−Ｑ72−ＯＨ
（一般式（II）中、Ｑ71は含窒素芳香族ヘテロ環基、Ｑ72は芳香族環基を表す。但し、Ｑ71又はＱ72は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。）
【０００７】
【化２】
0005107690.tif 000003
（一般式（III）中、Ｑ81及びＱ82はそれぞれ独立に芳香族環基を表す。Ｘ81は、ＮＲ81（Ｒ81は水素原子又は置換基を表す）、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｑ81又はＱ82は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。）
【０００８】
【化３】
0005107690.tif 000004
（式（IV）中、Ｑ91及びＱ92はそれぞれ、芳香族環基を表す。Ｘ91及びＸ92はそれぞれ、水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。但し、Ｑ91、Ｑ92、Ｘ91又はＸ92は、置換基中にオニウムカチオンを少なくとも１つ含有する。）
【０００９】
［２］  スメクタイト又は雲母の粒子のアスペクト比が、５以上であることを特徴とする［１］の光学異方性膜。
［３］  スメクタイト又は雲母が、合成スメクタイト又は合成雲母であることを特徴とする［１］又は［２］の光学異方性膜。
［４］  前記オニウムカチオンが、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、又はピリジニウムカチオンであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかの光学異方性膜。
［５］    分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する分子吸収波長が、該分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する分子吸収波長より長波長であって、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｙ｜が分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｘ｜より大きい化合物（Ａ）をさらに含有することを特徴とする［１］〜［４］のいずれかの光学異方性膜。
［６］  スメクタイト又は雲母と、前記スメクタイト又は雲母に、オニウムカチオンによって吸着しているメソゲン基を有する化合物の分子と、高分子材料と、化合物（Ａ）とを含有する光学異方性膜であって、
前記化合物（Ａ）が、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する分子吸収波長が、該分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する分子吸収波長より長波長であって、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｙ｜が分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｘ｜より大きい化合物であることを特徴とする光学異方性膜。
【００１０】
［７］  前記化合物（Ａ）が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする［５］又は［６］の光学異方性膜。
【化４】
0005107690.tif 000005
（一般式（Ｖ）中、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ、単結合又は二価の連結基を表す。Ｂ1及びＢ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−から選択される基である。Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は置換基を表す。ｎは０〜２の整数を表す。）
【００１１】
［８］  前記高分子材料が、セルロースアシラート系ポリマーであることを特徴とする［１］〜［７］のいずれかの光学異方性膜。
［９］  延伸されていることを特徴とする［１］〜［８］のいずれかの光学異方性膜。
［１０］  偏光膜と、該偏光膜を挟持する一対の保護膜とを有する偏光板であって、前記保護膜の少なくとも一枚が、［１］〜［９］のいずれかの光学異方性膜であることを特徴とする偏光板。
［１１］  ［１］〜［９］の光学異方性膜及び／又は［１０］の偏光板を有することを特徴とする液晶表示装置。
［１２］  前記液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする［１１］の液晶表示装置。
［１３］  前記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、及び（IV）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物の分子が、オニウムカチオンによって吸着しているスメクタイト又は雲母からなる高分子フィルム用レターデーション制御剤。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、無機粒子への吸着基を有する分子を、スメクタイト又は雲母に吸着した状態で高分子材料中に存在させて、該分子の吸着状態及び粒子の形状異方性に由来して発現する高い配向性を利用することにより、従来の技術と比較してより自在且つ広範囲に、厚さ方向の光学異方性（Ｒｔｈ）を制御することを可能にしている。即ち、本発明によれば、Ｒｔｈを広範囲に制御可能な光学異方性膜を容易に作製することができる。
また、本発明によれば、表示装置の分野において有用な新規な光学異方性膜、ならびにかかる光学異方性膜を有する偏光板及び液晶表示装置を提供することができる。
また、本発明によれば、新規な高分子フィルム用レターデーション制御剤を提供することができる。
【発明の実施の形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において、数値範囲について「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
【００１４】
本発明は、スメクタイト又は雲母に後述する所定の化合物の分子を吸着させた複合粒子と、高分子材料とを含有する光学異方性膜に関する。本発明では、高分子材料中に、所定の構造の有機化合物の分子を、スメクタイト又は雲母に吸着した状態で存在させて、該分子の吸着状態及び粒子の形状異方性に由来して発現する高い配向性を利用して、光学異方性を制御している。その結果、例えば、芳香族環を含む有機化合物等を添加して光学異方性を制御する従来の技術（例えば、上記特許文献１及び２に開示の技術）と比較して、より自在に且つ広範囲に光学異方性を制御することが可能である。本発明によれば、吸着させる分子の形状や、分子の吸着状態を選択すること等により、正のＣプレート又は負のＣプレートとして要求される光学特性を満足する光学異方性膜を得ることができ、しかも、前記吸着分子を選択することにより、光学特性（特にＲｔｈ）の可視光域における波長依存性を、順波長分散性（短波長ほど値が大きい）にも、及び逆波長分散性（短波長ほど値が小さい）にも、任意に制御することができる。
【００１５】
本発明では、特にスメクタイト及び雲母という、層状ケイ酸塩の無機微粒子を用いている。スメクタイト及び雲母は大きなアスペクト比（＝粒径／厚み）を有する平板状（または層状）の粒子であるので、高分子に添加してフィルムを形成した際に、それら無機粒子はフィルム中で高い配向度で水平に配向する。平板状粒子への有機分子の吸着の態様には、その吸収軸方向を粒子の平板状面に対して水平にして吸着する「face-on吸着」の態様と、その吸収軸方向を粒子の平板状面に対して垂直にして吸着する「edge-on吸着」の態様とがある。図１（ａ）「face-on吸着」の態様を、図１（ｂ）に「edge-on吸着」の態様をそれぞれ模式的に示した（但し、図中の相対的な大きさや形状については、実際のものを必ずしても反映していない）。本発明では、平板状粒子に所定の有機化合物の分子を吸着させた複合粒子を添加することにより、未吸着の状態で添加するのと比較して、膜中において高い配向性で存在させ、厚み方向レターデーション（Ｒｔｈ）を所望の範囲とすることを可能としている。例えば、「face-on」の態様では、Ｒｔｈを増加させることができ、「edge-on」の態様では、Ｒｔｈを減少させることができる。この様に、本発明によれば、吸着の態様をコントロールすることで、Ｒｔｈを容易に増減させることができ、例えば、正のＣプレート又は負のＣプレートとして要求される光学特性を満足する光学異方性膜を得ることができる。
【００１６】
通常、有機化合物が添加された高分子膜を延伸処理すると、有機化合物の分子は、その長軸方向を延伸方向に一致させて配向する。しかし、本発明では、膜中の有機化合物の分子は、図１（ａ）及び（ｂ）に示す通り、スメクタイト又は雲母といった平板状粒子に吸着した状態で存在しているので、延伸処理を施しても、その方向に配向し難くなっている。その結果、本発明によれば、光学異方性膜の面内レターデーションＲｅを変化させずに、Ｒｔｈのみを独立に制御することができる。
一例としては、前記複合粒子によってＲｔｈを制御するとともに、吸着させる化合物として、可視光域の長波長側に吸収極大を有する化合物を選択することによって、Ｒｔｈのみについて、顕著な逆波長分散性を示す光学異方性膜を得ることができる。
また、他の例としては、前記複合粒子をＲｔｈ制御剤として利用するとともに、後述する所定の条件を満足する化合物（Ａ）をＲｅ制御剤として利用することによって、「Ｒｅについて逆分散性で、且つＲｔｈについて順分散性」という性能を、１枚で達成する光学異方性膜を作製することも可能である。この光学性能は、特に、ＶＡモードＬＣＤの補償膜として、理想的な光学性能である。
【００１７】
以下、本発明の光学異方性膜の調製に用いられる種々の材料について説明する。
［スメクタイト及び雲母］
本発明に使用可能なスメクタイト及び雲母については、特に制限はない。粒径が一般にｎｍ〜μｍのオーダーのものが好ましい。より具体的には、投影面積を円に換算したときの直径から求めた一次粒子の平均粒径が５〜５００ｎｍのものが好ましく、８〜３００ｎｍのものがさらに好ましい。粒径分布及び／又は形状の異なる２種類以上の微粒子を混合してもよく、この場合小さい粒子の平均サイズは１００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは７５ｎｍ以下である。
また、粒子単位質量あたりの有機分子の吸着量を増やし、且つフィルム中における粒子の高い配向性を発現する観点から、スメクタイト又は雲母の形状としては、アスペクト比（＝粒子の面内方向の粒径／粒子の厚み）が大きいことが好ましい。好ましくは、アスペクト比５以上であり、より好ましくは１０以上であり、さらに好ましくは５０以上である。
【００１８】
また、本発明に用いるスメクタイト又は雲母は、形状異方性に加えて、さらに複屈折性を有していてもよい。面内方向と厚み方向の屈折率差としては、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上、さらに好ましくは０．１以上である。
【００１９】
スメクタイト又は雲母は、異なる２種以上の混合であってもよい。２種以上の微粒子を混合して用いる場合、それぞれの粒径及び／又はアスペクト比が異なっていてもよい。
【００２０】
また、スメクタイト又は雲母としては、天然物でも合成物でもよいが、不純物が少なく品質が安定している点で合成物がより好ましい。本発明に用いるスメクタイト又は雲母の調製方法については特に限定されず、各種無機粒子に応じた方法で合成され得る。例えば、溶融法、インターカレーション法、特に合成スメクタイトについては、水熱合成法が代表的な合成法として挙げられる。
合成スメクタイト、合成雲母については、市販品を用いることもできる。例えば、ルーセンタイトＳＡＮ、ルーセンタイトＳＴＮ、ルーセンタイトＳＥＮ、ルーセンタイトＳＰＮ、ソマシフＭＡＥ、ソマシフＭＴＥ、ソマシフＭＥＥ、ソマシフＭＰＥ（以上コープケミカル社製）、スメクトン（クニミネ（株）製）が代表的に挙げられる。
【００２１】
［スメクタイト又は雲母に吸着させる有機分子］
本発明では、スメクタイト又は雲母に、下記一般式（Ｉ）、（II）、（III）、及び（IV）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物の分子を吸着させた複合粒子を用いる。下記式（Ｉ）〜（IV）で表される化合物は、いずれも一分子中にオニウムカチオンを有し、このオニウムカチオンによって、スメクタイト又は雲母に吸着する。より具体的には、本発明では、スメクタイト又は雲母の層間陽イオンを、下記一般式（Ｉ）〜（IV）のいずれかで表される化合物の分子が有するオニウムカチオンによって置き換えることで、該分子を、スメクタイト又は雲母に吸着させている。
【００２２】
以下に一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。
【００２３】
【化５】
0005107690.tif 000006
【００２４】
式中、Ａ1及びＡ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｚは、ベンゾ縮環又はナフト縮環を形成するのに必要な有機残基を表す。Ｒ1は各々独立に置換基を表す。ｍは０〜４の整数である。Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素原子又はハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子求引性の置換基を表す。Ｒ、Ｒ1、Ｒ2又はＲ3は、オニウムカチオンを少なくとも１つ有する。
【００２５】
一般式（Ｉ）中、Ａ1及びＡ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−又は−Ｓ−であり、さらに好ましくは−ＮＲ−又は−Ｓ−である。
ヘテロ環を形成する（Ａ1、Ａ2）の具体的な組み合わせとしては、（Ｓ、Ｓ）、（Ｓ、ＮＲ）、（Ｏ、ＮＲ）、（ＮＲ、ＮＲ）が挙げられ、好ましくは、（Ｓ、Ｓ）、（Ｓ、ＮＲ）、（Ｏ、ＮＲ）、より好ましくは、（Ｓ、Ｓ）、（Ｓ、ＮＲ）、最も好ましくは、（Ｓ、ＮＲ）である。
【００２６】
Ｒが表す置換基の例としては下記の置換基群から選択される置換基が挙げられる。
置換基群：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、
【００２７】
アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、
【００２８】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、
【００２９】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【００３０】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、
【００３１】
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、
【００３２】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
【００３３】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、
【００３４】
アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、及びシリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）。
【００３５】
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基又はハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）で置換されていてもよい。そのような上記の基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００３６】
Ｒは好ましくは、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基あるいは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環基であり、より好ましくは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０の置換又は無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の置換又は無置換のアルケニル基であり、さらに好ましくは、炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数３〜１５の置換又は無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜１５の置換又は無置換のアルケニル基である。
【００３７】
一般式（Ｉ）において、Ｚは、式中記載の−Ｃ＝Ｃ−又は＝Ｃ−Ｃ＝とともにベンゾ縮環又はナフト縮環を形成する。ただし、上記の点線は二重結合でもよいことを表す。
【００３８】
一般式（Ｉ）において、Ｒ1は置換基であり、複数存在する場合は、同一でも異なっていてもよく、環を形成してもよい。例としては上記Ｒ又はハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）が挙げられる。
Ｒ1は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、アミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、又はアシルオキシ基であり、よりさらに好ましくは、アルコキシ基又はアシルオキシ基である。尚、上記置換基で、アルキル基を有するものはＣ1〜Ｃ10の鎖状であることが好ましい。Ｒ1としてさらに好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10のアルキル鎖を有する、アルコキシ基又はアシルオキシ基である。
Ｒ1が複数存在し、互いに環を形成する場合、好ましくは５〜８員環であり、さらに好ましくは５又は６員環であり、さらに好ましくは６員環である。
【００３９】
ｍはＲ1の置換数を表し、Ｚの構造により、取り得る数は変化するが、最小は０であり、４以下であるのが好ましく、２以下であることがより好ましい。
【００４０】
Ｒ2及びＲ3は、水素原子又はハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子求引性の置換基を表し、水素原子又はσp値が０〜１．５の電子求引性の置換基であることが好ましく、下記に示す置換基のいずれか、もしくは５又は６員環のヘテロ環基であることが特に好ましい。
【００４１】
【化６】
0005107690.tif 000007
【００４２】
Ｒ9及びＲ10はそれぞれ、水素原子又は置換基であり、Ｒ9とＲ10とが結合して環を形成してもよい。例としては上記Ｒの置換基の例が挙げられる。
【００４３】
Ｒ9は好ましくは、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、又は５あるいは６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環基であり；より好ましくは、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のアルケニル基であり；さらに好ましくは、炭素数１〜１５のアルキル基、炭素数３〜１５の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜１５の置換もしくは無置換のアルケニル基である。Ｒ10は好ましくは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基、又は５あるいは６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環基であり；より好ましくは、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜８の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数２〜８の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、さらに好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数２〜４の置換もしくは無置換のアルケニル基である。
なお、ハメットの置換基定数のσpに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４  有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル  レビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。
【００４４】
一般式（Ｉ）において、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2又はＲ3はオニウムカチオンを少なくとも１つ含有する。オニウムカチオンの例については、後述する。
【００４５】
次に、一般式（II）で表される化合物について説明する。
一般式（II）：Ｑ71−Ｑ72−ＯＨ
式中、Ｑ71は含窒素芳香族ヘテロ環基、Ｑ72は芳香族環基を表す。Ｑ71又はＱ72はオニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。
【００４６】
一般式（II）において、Ｑ71は含窒素芳香族へテロ環基を表し、好ましくは５〜７員の含窒素芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは５〜６員の含窒素芳香族ヘテロ環基である。
Ｑ71が有する含窒素芳香族ヘテロ環の好ましい例には、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等などの各環が含まれ、更に好ましくは、トリアジン及び５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的には、１，３，５−トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールなどの各環が好ましく、特に好ましくは、１，３，５−トリアジン環及びベンゾトリアゾール環である。
【００４７】
Ｑ71で表される含窒素芳香族ヘテロ環基は、更に置換基を有してもよく、該置換基としては、後述する置換基群Ｔから選択するのが好ましい。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。
【００４８】
Ｑ72は芳香族環基を表す。Ｑ72が有する芳香族環は、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として、好ましくは炭素数６〜３０の単環又は二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
【００４９】
Ｑ72で表される芳香族環として、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ72は更に置換基を有してもよく、該置換基は、下記の置換基群Ｔから選択されるのが好ましい。
【００５０】
置換基群Ｔ：
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基など）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基など）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基など）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基など）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは０〜１０、特に好ましくは０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基など）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基など）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基など）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基など）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基など）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基など）、
【００５１】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基など）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基など）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基など）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基など）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは０〜１６、特に好ましくは０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基など）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基など）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基など）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルチオ基など）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基など）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基など）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなど）、
【００５２】
ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には、例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基など）、及びシリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など）。
【００５３】
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００５４】
Ｑ71又はＱ72は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。オニウムカチオンについては、後述する。
【００５５】
次に、一般式（III）で表される化合物について説明する。
【００５６】
【化７】
0005107690.tif 000008
【００５７】
一般式（III）中、Ｑ81及びＱ82はそれぞれ独立に芳香族環基を表す。Ｘ81はＮＲ81（Ｒ81は水素原子又は置換基を表す）、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｑ81又はＱ82はオニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。
【００５８】
Ｑ81及びＱ82で表される芳香族環基は、芳香族炭化水素環基であっても芳香族へテロ環基であってもよい。
芳香族炭化水素環は、好ましくは、炭素数６〜３０の単環又は二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環など）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環であり、特に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環は、好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のどれかを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。芳香族ヘテロ環の具体例には、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環が含まれる。芳香族ヘテロ環としては、ピリジン環、トリアジン環、又はキノリン環が好ましい。
【００５９】
Ｑ81及びＱ82で表される芳香族環基は、芳香族炭化水素環基であるのが好ましく、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環基であるのがより好ましく、置換もしくは無置換のベンゼン環基（フェニル基又はフェニレン基）であるのがさらに好ましい。
【００６０】
Ｑ81及びＱ82は置換基を有してもよく、置換基としては前記の置換基群Ｔから選択される置換基が好ましい。可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。Ｑ81又はＱ82は、オニウムカチオンを含む置換基を少なくとも１つ有する。オニウムカチオンについては後述する。
【００６１】
Ｘ81はＮＲ81（Ｒ81は、水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記の置換基群Ｔから選択される置換基が好ましい）、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｘ81として好ましくは、ＮＲ81（Ｒ81として好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい）又は酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
【００６２】
以下に一般式（IV）で表される化合物について説明する。
【００６３】
【化８】
0005107690.tif 000009
【００６４】
上記一般式（IV）中、Ｑ91及びＱ92はそれぞれ、芳香族環基を表す。Ｘ91及びＸ92は水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｑ91、Ｑ92、Ｘ91又はＸ92の置換基中に、オニウムカチオンを少なくとも１つ含有する。
【００６５】
上記一般式（IV）中、Ｑ91及びＱ92はそれぞれ、芳香族環基を表す。Ｑ91及びＱ92で表される芳香族環基は、芳香族炭化水素環基であっても、芳香族ヘテロ環基であってもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。更に他の環と縮合環を形成してもよい。
【００６６】
芳香族炭化水素環として、好ましくは炭素数６〜３０の単環又は二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環など）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環であり、特に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として、好ましくは窒素原子又は硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例には、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが含まれる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
【００６７】
Ｑ91及びＱ92はそれぞれ、好ましくは芳香族炭化水素環基であり、より好ましくはフェニル基である。
Ｑ91及びＱ92は更に置換基を有してもよく、該置換基は、前記置換基群Ｔから選択されるのが好ましい。
【００６８】
Ｘ91及びＸ92はそれぞれ、水素原子又は置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ91及びＸ92で表される置換基は、前記置換基郡Ｔから選択されるのが好ましい。また、Ｘ91及びＸ92で表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ91及びＸ92はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【００６９】
Ｘ91及びＸ92として、好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、又は芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、又は芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはシアノ基、又はカルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、又はアルコキシカルボニル基｛−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ91（Ｒ91は、炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基及びこれらを組み合せたもの）｝である。
【００７０】
Ｑ91、Ｑ92、Ｘ91又はＸ92の置換基中に、オニウムカチオンを少なくとも１つ含有する。オニウムカチオンについては、後述する。
【００７１】
前記一般式（IV）で表される化合物の好ましい例には、下記一般式（IV−Ｉ）で表される化合物が含まれる。
【００７２】
【化９】
0005107690.tif 000010
【００７３】
式中、Ｒ911、Ｒ912、Ｒ913、Ｒ914、Ｒ915、Ｒ916、Ｒ917、Ｒ918及びＲ919は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記の置換基群Ｔから選択されるのが好ましい。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。Ｘ911及びＸ912は、それぞれ前記一般式（IV）におけるＸ91及びＸ92と同義である。
【００７４】
Ｒ911、Ｒ912、Ｒ914、Ｒ915、Ｒ916、Ｒ917及びＲ919として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子であり；より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、又はハロゲン原子であり；更に好ましくは水素原子、又は炭素１〜１２アルキル基であり；特に好ましくは水素原子、又はメチル基であり；最も好ましくは水素原子である。
【００７５】
Ｒ913及びＲ918としては、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子であり；より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、又はヒドロキシ基であり；更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２アルコキシ基であり；特に好ましくは水素原子である。
【００７６】
Ｒ911、Ｒ912、Ｒ913、Ｒ914、Ｒ915、Ｒ916、Ｒ917、Ｒ918、Ｒ919、Ｘ911又はＸ912は、少なくとも１つのオニウムカチオンを有する。オニウムカチオンについては、後述する。
【００７７】
前記一般式（Ｉ）〜（IV）で表される化合物のいずれの分子も一分子中に、オニウムカチオンを有し、該オニウムカチオンによって、スメクタイト又は雲母に吸着している。上記した通り、より具体的には、前記一般式（Ｉ）〜（IV）で表される化合物の分子中のオニウムカチオンを、雲母又はスメクタイトの粒子が層間に有する交換性陽イオンと置き換えることによって、該分子を雲母又はスメクタイトへ吸着している。
【００７８】
オニウムカチオンとしては、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン及びヘテロ環オニウムカチオンが好ましい。アンモニウムカチオンとしては、脂肪族４級アンモニウムイオン、脂環式４級アンモニウムイオン等が挙げられる。ホスホニウムカチオンとしては、脂肪族ホスホニウムイオン、芳香族ホスホニウムイオン等が挙げられる。
ヘテロ環オニウムカチオンとしては、イミダゾリウムカチオン又はピリジニウムカチオンが好ましい。
【００７９】
前記オニウムカチオンと、一般式（Ｉ）〜（IV）で表される化合物中の芳香環基等の環構造の基との間には、連結基が存在してもよい。連結基としては、例えば、炭素数１〜１８（好ましくは１〜６）の置換もしくは無置換の直鎖あるいは分岐アルキレン；炭素数１〜１８（好ましくは１〜６）の置換もしくは無置換のエーテル結合が介在する直鎖あるいは分岐アルキレン；炭素数６〜１８（好ましくは６〜１２）の置換もしくは無置換のアリーレン；−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、及び５又は６員複素環基が挙げられる。
【００８０】
スメクタイト又は雲母に吸着させる有機分子は、層状あるいは平板状スメクタイト又は雲母の溶媒中／高分子中での分散性を向上させるために、炭素数８〜３０の長鎖アルキル基を有することが好ましい。該アルキル基は、直鎖であっても分岐であっても、或いは環状構造を有していてもよいが、分岐を有していることがより好ましい。
【００８１】
スメクタイト又は雲母に吸着させる有機分子は、併用する高分子材料との親和性を有する置換基をさらに有しているのが好ましい。該置換基と高分子材料との親和性については、高分子材料と該置換基のそれぞれの溶解度パラメータ（ＳＰ値）を参考に推測することができ、ｓｐ値がお互いに近いことが好ましい。ここで、ｓｐ値の計算は例えばＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐａｉｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ誌，４２巻，７６頁，１９７０年に記載のＨｏｙらによる方法を参照することができる。また、高分子材料のＳＰ値は、以下の式
ＳＰ＝ａ1×ＳＰ1＋ａ2×ＳＰ2＋ａ3×ＳＰ3＋…
に従い計算により求めることができる。ここで、式中のＳＰ1、ＳＰ2及びＳＰ3は各重合体の単量体成分に含まれる単量体を単独で重合した際に得られるそれぞれのホモポリマーのＳＰ値を表し、「ＰＯＬＹＭＥＲ  ＨＡＮＤＢＯＯＫ  ＴＨＩＲＤ  ＥＤＩＴＩＯＮ」に記載されている値を引用した値である。また、上記式中のａ1、ａ2及びａ3は各重合体を形成するのに用いた単量体成分に含まれる単量体のそれぞれの質量分率を表す。
【００８２】
該置換基の好ましい例は、用いる高分子材料によって異なる。多くの場合、直鎖あるいは分岐アルキル基が有効に機能する場合が多いが、例えば、ＰＭＭＡなどのアクリル系ポリマーを高分子材料として用いる場合には、前記吸着有機分子は、ＣＯ基、ＣＯＯ基を置換基として有するものが好ましく；セルロースアシラート系ポリマーを高分子材料として用いる場合には、前記吸着有機分子は、エーテル基を置換基として有するもの（好ましくはアルコキシアルキルオキシ基、特に好ましくは３−メトキシブトキシ）、カルボニル基を置換基として有するもの、及び糖誘導体を置換基として有するものが好ましい。
【００８３】
以下に本発明に用いられる、前記一般式（Ｉ）で表される有機化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００８４】
【化１０】
0005107690.tif 000011
【００８５】
【化１１】
0005107690.tif 000012
【００８６】
【化１２】
0005107690.tif 000013
【００８７】
以下に本発明に用いられる、前記一般式（II）で表される有機化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００８８】
【化１３】
0005107690.tif 000014
【００８９】
【化１４】
0005107690.tif 000015
【００９０】
以下に本発明に用いられる、前記一般式（III）で表される有機化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００９１】
【化１５】
0005107690.tif 000016
【００９２】
以下に本発明に用いられる、前記一般式（IV）で表される有機化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００９３】
【化１６】
0005107690.tif 000017
【００９４】
前記式（Ｉ）〜(IV)で表される化合物は、ＵＶ波長域の長波長側（具体的には波長
２５０〜３８０ｎｍ程度の範囲）に、吸収極大を有する化合物であるのが好ましい。この範囲に吸収極大を有する化合物を「face-on吸着」させた複合粒子を用いると、光学異方性膜のＲｔｈを順分散性にすることができるので好ましい。
【００９５】
［スメクタイト又は雲母に吸着させるメソゲン基を有する有機分子］
スメクタイト又は雲母に、前記一般式（Ｉ）〜（IV）で表される化合物のいずれかの分子を吸着させるのに代えて、メソゲン基を有する化合物の分子をオニウムカチオンによって吸着させた複合粒子を用いることによっても、同様な効果が得られる。但し、この態様の複合粒子を用いる場合は、後述する条件を満足する化合物（Ａ）を併用するのが好ましい。
【００９６】
「メソゲン基」とは、液晶化合物のコア部を形成し得る基をいい、メソゲン基を有する化合物の例には、液晶性化合物が含まれるとともに、メソゲン基を有するが、液晶形成をしない、即ち非液晶性化合物、も含まれる。
メソゲン基についてさらに説明する。本発明において、メソゲン基とは、液晶形成に寄与する液晶分子の主要骨格を示す基である。液晶分子は、結晶状態と等方性液体状態の中間の状態（メソフェーズ）である液晶性を示す。前記メソゲン基については特に制限はなく、例えば、「Ｆｌｕｓｓｉｇｅ  Ｋｒｉｓｔａｌｌｅ  ｉｎ  Ｔａｂｅｌｌｅｎ  ＩＩ」（ＶＥＢ  Ｄｅｕｔｓｃｈｅ  Ｖｅｒｌａｇ  ｆｕｒ  Ｇｒｕｎｄｓｔｏｆｆ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅ，Ｌｅｉｐｚｉｇ、１９８４年刊）、特に第７頁〜第１６頁の記載、及び、液晶便覧編集委員会編、液晶便覧（丸善、２０００年刊）、特に第３章の記載、を参照することができる。好ましくは、サーモトロピック液晶の残基であり、さらに好ましくは、棒状液晶及びディスコティック液晶の残基である。棒状液晶ではネマティック相及びスメクティックＡ相を示す液晶の残基がより好ましく、ディスコティック液晶ではディスコティックネマティック相を示す液晶の残基がより好ましい。
【００９７】
ディスコティック液晶の残基の好ましい例には、ベンゼン、トリフェニレン、トルキセン、トリオキサトルキセン、アントラキノン、フタロシアニン又はポリフィリン、マクロサイクレン、ビス（１，３−ジケトン）銅錯体、テトラアリールビピラニリデン、テトラチアフルバレン、及びイノシトールが含まれる。
【００９８】
棒状液晶の残基、即ち、棒状液晶のメソゲン基あるいはコア部と呼ばれる剛直な液晶形成に寄与する液晶分子の主要骨格としては、下記一般式（VI）で示される基が挙げられる。
【００９９】
【化１７】
0005107690.tif 000018
上記一般式（VI）中、Ｌ3及びＬ4は単結合又は二価の連結基を表す。二価の連結基としては−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＲ0−（Ｒ0は水素原子（Ｈ）、メチル基及びエチル基より選ばれる置換基を表す）、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、二価の鎖状基、二価の環状基及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。
二価の鎖状基としては、アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基が好ましい。これらは分岐又は置換基を有していてもよい。より好ましい炭素数としては２〜８であり、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、２−メチル−テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、２−ブテニレン基、２−ブチニレン基が好適な例として挙げられる。二価の環状基としては、後述するＣｙ1〜Ｃｙ3が好ましい。
【０１００】
上記一般式（VI）中、Ｃｙ1、Ｃｙ2及びＣｙ3はそれぞれ独立に二価の環状基を表す。５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがより好ましく、６員環であることがさらに好ましい。単環でも縮合環でもよく、単環が好ましい。芳香族環、脂肪族環及び複素環のいずれでもよい。このうち、芳香族環としては、ベンゼン環（特に１，４−フェニレン基）、ナフタレン環（特にナフタレン−１，５−ジイル基及びナフタレン−２，６−ジイル基）が好ましい例として挙げられ、脂肪族環としては、シクロヘキサン環（特に１，４−シクロへキシレン基）、ビシクロ［２．２．２］オクタン環が好ましい例として挙げられ、複素環としては、ピリジン環（特にピリジン−２，５−ジイル基）、ピリミジン環（特にピリミジン−２，５−ジイル基）、チオフェン環（特にチオフェン−２，５−ジイル基）、ジオキサン環が好ましい例として挙げられる。また、Ｃｙ1、Ｃｙ2及びＣｙ3はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい。好ましい置換基の例としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数１〜５のアルキルチオ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、炭素原子数２〜６のアルコキシカルボニル基、カルバモイル基、炭素原子数２〜６のアルキル基で置換されたカルバモイル基及び炭素原子数が２〜６のアシルアミノ基が挙げられる。
【０１０１】
上記一般式（VI）中、ｐは０〜２の整数を表す。ｐが２の場合、２つのＬ4及びＣｙ2はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【０１０２】
棒状液晶の残基（メソゲン基）の好ましい例には、ビフェニル基、フェニレンカルボニルオキシビフェニル基、カルボニルオキシビフェニル基、ターフェニル基、ナフチレンカルボニルオキシフェニル基、フェニレンエテニレンカルボニルオキシビフェニル基、フェニレンエチニレンフェニル基、安息香酸フェニルエステル基、ベンジリデンアニリン基、アゾベンゼン基、アゾキシベンゼン基、スチルベン基、フェニレンエチニレンカルボニルオキシビフェニル基、ナフチレンビフェニル基、及びそれらのベンゼン環が飽和になったものあるいは複素環に置き換わったものが含まれる。
【０１０３】
本発明では、メソゲン基とともに、スメクタイト又は雲母への吸着基である、オニウムカチオン基を有する化合物を用いる。
以下に本発明に使用可能な、無機粒子への吸着基としてオニウムカチオンを有し、液晶化合物のコア部を形成し得るメソゲン基を有する化合物の具体例を示すが、これらに限られるものではない。
【０１０４】
【化１８】
0005107690.tif 000019
【０１０５】
【化１９】
0005107690.tif 000020
【０１０６】
【化２０】
0005107690.tif 000021
【０１０７】
【化２１】
0005107690.tif 000022
【０１０８】
所定の化合物を吸着させたスメクタイト又は雲母は、スメクタイト又は雲母と該化合物とを混合して、接触させ、結果として該化合物をスメクタイト又は雲母に物理吸着及び／又は化学吸着させることによって得られる。混合及び接触の際には溶媒を用いることもでき、また、後述する高分子ドープ液の状態で行うことができる。スメクタイト又は雲母の該化合物の吸着の有無については、紫外可視吸収スペクトル、赤外吸収スペクトル、熱分析を測定することにより確認できる。スメクタイト又は雲母に対する該化合物の吸着は、単層での被覆であることが好ましい。吸着量は、粒子のサイズにより単位質量当りの表面積が変化するので、好ましい量はそれに依存して変化するが、１０〜３００質量％であるのが好ましく、２０〜１５０質量％であるのがより好ましい。
なお、前記複合粒子と高分子材料等を含有する組成物をドープや塗布液等として調製し、光学異方性膜の作製に用いる場合は、ドープ及び塗布液中において化合物がスメクタイト又は雲母に吸着していなくてもよく、例えば、ドープを流延又は塗布液を塗布等した後、乾燥する過程において、該化合物のスメクタイト又は雲母への吸着が進行してもよい。
【０１０９】
なお、前記化合物をスメクタイト又は雲母に吸着させる際に、分子の特定位置に吸着基を導入することにより、スメクタイト又は雲母上に端部で吸着する、あるいは、面で吸着することを制御することができる。また吸着基種と粒子面の特性とを組み合わせることにより無機粒子の特定部位に分子を吸着させることもできる。
【０１１０】
前記複合粒子の添加量は、光学異方性膜の作製に用いられる組成物の全質量中、一般的には、０．５〜２０質量％であるのが好ましく、１〜１０質量％であるのがより好ましい。
【０１１１】
［高分子材料］
本発明において「高分子材料」の用語は、天然高分子及び合成高分子のいずれも含む意味で用いる。本発明の光学異方性膜を作製する場合は、フィルム状に成型可能な高分子材料を用いるのが好ましい。フィルム状に成型可能な高分子材料としては、例えば、セルロース誘導体、ポリカーボナート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリラート、ポリメタクリラート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタラート、シンジオタクチックポリステレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリラート、ポリエステルスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、環状ポリオレフィン系樹脂、ブロム化フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でも、ＣＯＣ、ＣＯＰと呼ばれる環状ポリオレフィン系樹脂、及びセルロース誘導体が好ましい。特に好ましくは、セルロースアシラートである。
以下、セルロースアシラートついて、詳細に説明する。
【０１１２】
［セルロースアシラート］
セルロースアシラートの原料綿は、公知の原料を用いることができる（例えば、発明協会公開技法２００１−１７４５参照）。また、セルロースアシラートの合成も公知の方法で行うことができる（例えば、右田他、木材化学１８０〜１９０頁（共立出版、１９６８年）参照）。セルロースアシラートの粘度平均重合度は２００〜７００が好ましく２５０〜５００が更に好ましく２５０〜３５０が最も好ましい。また、本発明に使用するセルロースアシラートの数平均分子量（Ｍｎ）は１００００以上１５００００以下、重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００以上５０００００以下、Ｚ平均分子量（Ｍｚ）は５０００以上５５００００以下が好ましい。また、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．５〜５．０であることが好ましく、２．０〜４．５であることがさらに好ましく、３．０〜４．０であることが最も好ましい。
【０１１３】
該セルロースアシレートのアシル基は、特に制限はないが、アセチル基、プロピオニル基又はブチリル基又はベンゾイル基を用いることが好ましい。全アシル基の置換度は２．０〜３．０が好ましく、２．２〜２．９５がさらに好ましい。本明細書において、アシル基の置換度とは、ＡＳＴＭ  Ｄ８１７に従って算出した値である。アシル基は、アセチル基であることが最も好ましく、アシル基がアセチル基であるセルロースアセテートを用いる場合には、酢化度が５７．０〜６２．５％であることが好ましく、５８．０〜６２．０％であることがさらに好ましい。酢化度がこの範囲にあると、流延時の搬送テンションによってＲｅが所望の値より大きくなることもなく、面内ばらつきも少なく、温湿度によるレターデーション値の変化も少ない。
特に、セルロースアシラートのセルロースを構成するグルコース単位の水酸基を炭素原子数が２以上のアシル基で置換して得られ、グルコース単位の２位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ２、３位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ３、６位の水酸基のアシル基による置換度をＤＳ６としたときに、下記式（１）及び（２）を満たすと、所望のＲｅ、Ｒｔｈを出すことが容易となり、また温湿度によるＲｅ値の変動がより小さくなり好ましい。
（１）：２．０≦（ＤＳ２＋ＤＳ３＋ＤＳ６）≦３．０
（２）：ＤＳ６／（ＤＳ２＋ＤＳ３＋ＤＳ６）≧０．３１５
より好ましい範囲は、
（１’）：２．２≦（ＤＳ２＋ＤＳ３＋ＤＳ６）≦２．９
（２’）：ＤＳ６／（ＤＳ２＋ＤＳ３＋ＤＳ６）≧０．３２２である。
【０１１４】
あるいは特に、セルロースアシレートのグルコース単位の水酸基のアセチル基による置換度をＡ、プロピオニル基又はブチリル基又はベンゾイル基による置換度をＢとした時、Ａ、Ｂが式（３）及び（４）を満たすと、所望のＲｅ、Ｒｔｈを出すことが容易となり、また破断することなく高延伸倍率を実現することが容易となり好ましい。
（３）  ：２．０  ≦  Ａ＋Ｂ  ≦  ３．０
（４）：０  ＜  Ｂ
より好ましい範囲は、
（３’）  ：  ２．６  ≦  Ａ＋Ｂ  ≦  ３．０
（４’）：  ０．５  ≦  Ｂ  ≦  １．５
である。
【０１１５】
［セルロースアシレート以外のポリマー］
本発明に用いられる高分子材料は、セルロースアシレートに限定されず、例えばポリカーボネート共重合体や、環状オレフィン構造を有する重合体樹脂などを用いることができる。
ポリカーボネート共重合体の例としては、下記式（Ａ）で示される繰り返し単位及び下記式（Ｂ）で示される繰り返し単位からなり、上記式（Ａ）で表される繰り返し単位が全体の８０〜３０ｍｏｌ％を占めるポリカーボネート共重合体が挙げられる。
【０１１６】
【化２２】
0005107690.tif 000023
【０１１７】
上記式（Ａ）において、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子及び炭素数１〜６の炭化水素基から選ばれる。かかる炭素数１〜６の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。この中で、水素原子、メチル基が好ましい。
【０１１８】
Ｘは下記式（Ｘ）であり、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３のアルキル基である。炭素数１〜３のアルキル基としては上記したものと同じものをあげることができる。
【０１１９】
【化２３】
0005107690.tif 000024
【０１２０】
【化２４】
0005107690.tif 000025
【０１２１】
上記式（Ｂ）において、Ｒ11〜Ｒ18はそれぞれ独立に水素原子、ハロン原子及び炭素数１〜２２の炭化水素基から選ばれる。かかる炭素数１〜２２の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜９のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等のアリール基が挙げられる。この中で、水素原子、メチル基が好ましい。
【０１２２】
Ｙは下記式群であり、Ｒ19〜Ｒ21、Ｒ23及びＲ24はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子及び炭素数１〜２２の炭化水素基から選ばれる少なくとも１種の基である。かかる炭化水素基については、上記したものと同じものを挙げることができる。Ｒ22及びＲ25はそれぞれ独立に炭素数１〜２０の炭化水素基から選ばれ、かかる炭化水素基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基、ナフチレン基、ターフェニレン基が挙げられる。Ａｒ1〜Ａｒ3としてはフェニル基、ナフチル基等の炭素数６〜１０のアリール基を挙げられる。
【０１２３】
【化２５】
0005107690.tif 000026
【０１２４】
上記ポリカーボネート共重合体としては、下記式（Ｃ）で示される繰り返し単位３０〜６０ｍｏｌ％、と、下記式（Ｄ）で示される繰り返し単位７０〜４０ｍｏｌ％とからなるポリカーボネート共重合体が好ましい。
【０１２５】
【化２６】
0005107690.tif 000027
【０１２６】
【化２７】
0005107690.tif 000028
【０１２７】
さらに好ましくは上記式（Ｃ）で示される繰り返し単位４５〜５５ｍｏｌ％と上記式（Ｄ）で示される繰り返し単位５５〜４５ｍｏｌ％とからなるポリカーボネート共重合体である。
【０１２８】
上記式（Ｃ）においてＲ26〜Ｒ27はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、取り扱い性の点から好ましくはメチル基である。
【０１２９】
上記式（Ｄ）においてＲ28〜Ｒ29はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基であり、経済性、フィルム特性等から水素原子が好ましい。
【０１３０】
本発明の光学異方性膜は、上記したフルオレン骨格を有するポリカーボネート共重合体を用いたものが好ましい。このフルオレン骨格を有するポリカーボネート共重合体としては、例えば上記式（Ａ）で表わされる繰り返し単位と上記式（Ｂ）で表わされる繰り返し単位とからなる異なる組成比のポリカーボネート共重合体のブレンド体がよく、上記式（Ａ）の含有率はポリカーボネート共重合体全体の８０〜３０ｍｏｌ％が好ましく、より好ましくは７５〜３５ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは７０〜４０ｍｏｌ％である。
【０１３１】
上記共重合体は、上記式（Ａ）及び（Ｂ）で表わされる繰り返し単位をそれぞれ２種類以上組み合わせたものでもよい。
【０１３２】
ここで上記モル比は、光学フィルムを構成するポリカーボネートバルク全体に対するモル比で、例えば核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置により求めることができる。
【０１３３】
上記したポリカーボネート共重合体は公知の方法によって製造し得る。ポリカーボネートはジヒドロキシ化合物とホスゲンとの重縮合による方法、溶融重縮合法等が好適に用いられる。
【０１３４】
上記ポリカーボネート共重合体の極限粘度は０．３〜２．０ｄｌ／ｇであることが好ましい。０．３未満では脆くなり機械的強度が保てないといった問題があり、２．０を超えると溶液粘度が上がりすぎるため溶液製膜においてダイラインの発生等の問題や、重合終了時の精製が困難になるといった問題がある。
【０１３５】
また本発明の光学異方性膜は、前記ポリカーボネート共重合体と、その他の高分子化合物との組成物（ブレンド体）より形成されてもよい。この場合、該高分子化合物としては、光学的に透明である必要があることから前記ポリカーボネート共重合体と相溶できるもの、又は、各々の高分子の屈折率が略等しいことが好ましい。その他の高分子の具体例としては、スチレン−マレイン酸無水物コポリマーなどが挙げられ、ポリカーボネート共重合体と高分子化合物との組成比は、ポリカーボネート共重合体８０〜３０質量％、高分子化合物体２０〜７０質量％、好ましくはポリカーボネート共重合体８０〜４０質量％、高分子化合物体２０〜６０質量％である。ブレンド体の場合も、上記ポリカーボネート共重合体の繰り返し単位はそれぞれ２種類以上組み合わせてもよい。またブレンド体の場合、相溶性ブレンドが好ましいが、完全に相溶しなくても成分間の屈折率を合わせれば成分間の光散乱を抑え、透明性を向上させることが可能である。なお、ブレンド体は、３種類以上の材料を組み合わせてもよく、複数種類のポリカーボネート共重合体とその他の高分子化合物とを組み合わせることができる。
ポリカーボネート共重合体の質量平均分子量は、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００である。その他の高分子化合物の質量平均分子量は、５００〜１００，０００、好ましくは１，０００〜５０，０００である。
【０１３６】
セルロースアシレート以外の高分子材料の例には、環状オレフィン構造を有する重合体樹脂（以下、「環状ポリオレフィン系樹脂」あるいは「環状ポリオレフィン」ともいう）が含まれる。この例には、（１）ノルボルネン系重合体、（２）単環の環状オレフィンの重合体、（３）環状共役ジエンの重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体、及び（１）〜（４）の水素化物などがある。本発明に好ましい重合体は下記一般式（XI）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体環状ポリオレフィン、及び必要に応じて一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上を更に含んでなる付加（共）重合体環状ポリオレフィンである。また、一般式（XII）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む付加（共）重合体（開環（共）重合体も含む）も好適に使用することができる。また、一般式（XII）で表される繰り返し単位を少なくとも一種に、必要に応じて一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上を更に含んでなる付加（共）重合体環状ポリオレフィンも好ましく使用することができる。
【０１３７】
【化２８】
0005107690.tif 000029
【０１３８】
【化２９】
0005107690.tif 000030
【０１３９】
【化３０】
0005107690.tif 000031
【０１４０】
式中、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ11〜Ｒ16はそれぞれ、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し；Ｘ1〜Ｘ3及びＹ1〜Ｙ3はそれぞれ、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ21、−（ＣＨ2）nＯＣＯＲ22、−（ＣＨ2）nＮＣＯ、−（ＣＨ2）nＮＯ2、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣＯＮＲ23Ｒ24、−（ＣＨ2）nＮＲ23Ｒ24、−（ＣＨ2）nＯＺ、−（ＣＨ2）nＷ、又はＸ1とＹ1、Ｘ2とＹ2あるいはＸ3とＹ3から構成された（−ＣＯ）2Ｏ、（−ＣＯ）2ＮＲ25を示す。なお、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24及びＲ25はそれぞれ、水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基；Ｚは炭化水素基又はハロゲンで置換された炭化水素基；ＷはＳｉＲ26pＤ3-p（Ｒ26は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｄはハロゲン原子−ＯＣＯＲ26又はＯＲ26、ｐは０〜３の整数を示す）；ｎは０〜１０の整数を示す。
【０１４１】
Ｘ1〜Ｘ3、Ｙ1〜Ｙ3の置換基に分極性の大きい官能基を導入することにより、光学異方性膜の厚さ方向レターデーション（Ｒｔｈ）を大きくし、面内レターデーション（Ｒｅ）の発現性を大きくすることができる。Ｒｅ発現性の大きな光学異方性膜は、製膜過程で延伸することによりＲｅ値を大きくすることができる。
ノルボルネン系付加（共）重合体は、特開平１０−７７３２号、特表２００２−５０４１８４号、ＵＳ２００４２２９１５７Ａ１号あるいはＷＯ２００４／０７０４６３Ａ１号等の各公報に開示されている。ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合する事によって得られる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエン；アクリロニトリル、アクリル酸、メタアクリル酸、無水マレイン酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、マレイミド、酢酸ビニル、塩化ビニルなどの線状ジエン化合物とを付加重合することもできる。このノルボルネン系付加（共）重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）あるいはＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同６０１３、同６０１５などの商品名でペレットが発売されている。更に、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が発売されている。
【０１４２】
ノルボルネン系重合体水素化物は、特開平１−２４０５１７号、特開平７−１９６７３６号、特開昭６０−２６０２４号、特開昭６２−１９８０１号、特開２００３―１５９７６７号、特開２００４―３０９９７９号等の各公報に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合したのち水素添加することにより作られる。本発明に用いるノルボルネン系重合体において、Ｒ5〜Ｒ6は水素原子又は−ＣＨ3 が好ましく、Ｘ3及びＹ3は水素原子、Ｃｌ、−ＣＯＯＣＨ3 が好ましく、その他の基は適宜選択される。このノルボルネン系樹脂は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で発売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（Ｚｅｏｎｅｘ）２５０あるいはゼオネックス２８０という商品名で市販されており、これらを使用することができる。
【０１４３】
本発明の光学異方性膜は、前記複合粒子及び高分子材料の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、他の添加剤を含んでいてもよい。また、光感応性異性化基を有する化合物を含むことも可能である。これらについては、高分子、４１（１２）、（１９９２年）ｐ８８４、「クロミック材料と応用」（シーエムシー刊）ｐ２２１、「メカノケミストリー」（丸善刊）ｐ２１、「高分子論文集１４７巻１０号」（１９９１年）ｐ７７１等にも具体的に記載されている。
以下、本発明の光学方性膜に添加可能な添加剤の例について、説明する。
【０１４４】
［Ｒｅ（面内レターデーション）発現剤］
本発明の光学異方性膜には、上記した複合粒子とともに、Ｒｅ（面内レターデーション）発現剤として、下記条件を満足する化合物（Ａ）を含有させるのが好ましい。
化合物（Ａ）：分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する分子吸収波長が、該分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する分子吸収波長より長波長であって、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｙ｜が分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｘ｜より大きいことを特徴とする低分子化合物。
【０１４５】
本明細書において、有機化合物の「分子長軸」は、コンピューターを用いた密度汎関数計算によって決定したものとする。すなわち密度汎関数計算によって分子の最適化構造を得て、得られた分子構造中の任意の２原子間距離のうち、最も距離の長い２原子同士を結んだ軸を分子長軸とする。この分子構造の構築にあたっては、ＧａｕｓＶｉｅｗ３．０（Ｇａｕｓｓａｉｎ  Ｉｎｃ．社製）を用いる。分子構造の最適化に用いるプログラムとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３  Ｒｅｖ．Ｄ．０２（Ｇａｕｓｓａｉｎ  Ｉｎｃ．社製）を用い、基底関数としてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ（ｄ）を用い、収束条件はデフォルト値を用いる。
また、上記遷移電気双極子モーメントＭｘ、Ｍｙ、及びこれらの大きさ｜Ｍｘ｜、｜Ｍｙ｜、さらにはＭｘ、Ｍｙに由来する吸収波長は時間依存密度汎関数計算によって求めることができる。時間依存密度汎関数計算に用いるプログラムとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３  Ｒｅｖ．Ｄ．０２（Ｇａｕｓｓａｉｎ  Ｉｎｃ．社製）、基底関数としてＢ３ＬＹＰ／６−３１＋Ｇ（ｄ）を用い、さらにＰＣＭ法により溶媒効果を導入する。
さらに具体的には上記計算によって求めた遷移電気双極子モーメントを構成するベクトルと前記分子長軸を構成する両端の原子のカルテシアン座標で表されるベクトルとの内積から遷移電気双極子モーメントと上記分子長軸とのなす角度を求め、これらを基に前記Ｍｘ、Ｍｙ及び｜Ｍｘ｜、｜Ｍｙ｜、Ｍｘ及びＭｙに由来する分子吸収波長を決定する。
【０１４６】
なお本発明において「分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメント」という場合、分子長軸方向と厳密に９０°の角度をなす遷移電気双極子モーメントのみを意味するわけではなく、当該分野で一般的に許容される範囲の角度のずれを考慮し、分子長軸方向と７０°〜１１０°の角度をなす全方位の遷移電気双極子モーメントの中で、最も大きい遷移電気双極子モーメントを意味するものとする。
【０１４７】
前記化合物（Ａ）の特徴の一つは、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する分子吸収波長が、該分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する分子吸収波長より長波長であることである。
ここで分子長軸方向に直交する遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する吸収波長は、分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する吸収波長より１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度長波長であることが好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度長波長あることがより好ましく、３０ｎｍ〜１２０ｎｍ程度長波長であることがさらに好ましい。上記長軸方向に直交する遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する吸収波長は、２５０ｎｍ〜４００ｎｍ程度であることが好ましく、３００ｎｍ〜３８０ｎｍ程度であることがより好ましく、３２０ｎｍ〜３７５ｎｍ程度であることがさらに好ましい。
【０１４８】
また、前記化合物（Ａ）の他の特徴は、上記分子長軸方向と直交する遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｙ｜が分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｘ｜より大きいことである。即ち、両者の比（｜Ｍｙ｜／｜Ｍｘ｜）は１以上であり、１〜５０程度であることがより好ましく、１．１〜３０程度であることがさらに好ましい。
【０１４９】
前記化合物（Ａ）は低分子化合物であるのが好ましい。なお、本明細書では、「低分子化合物」とは、分子量１５００以下の化合物を意味する。であり、分子量は１２００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましい。
上記範囲の分子量より大きな分子量を有する化合物はブリードアウトが発生しやすく好ましくない。
【０１５０】
前記条件を満足する化合物（Ａ）を添加することにより、光学異方性膜の光学特性（特にＲｅ）の波長分散性をコントロールすることができる。なお、光学異方性膜の屈折率もしくは複屈折が可視光域の光に依存して（即ち、測定波長に依存して）変動することを、光学異方性膜の屈折率あるいは複屈折の波長分散性といい、特に光学異方性膜の屈折率あるいは複屈折が可視光域の光に対してその波長が長波長になるほど増大する性能を有することを「逆波長分散性を有する」、光学異方性膜の屈折率あるいは複屈折が可視光域の光に対してその波長が長波長になるほど減少する性能を有することを「順波長分散性を有する」という。
本発明の光学異方性膜の用途の一例として、黒表示時における斜め方向から観察した際の着色を低減する作用を有する、液晶表示装置（特にＶＡモードの液晶表示装置）用の光学フィルムの用途がある。この光学フィルムには、その面内レターデーションＲｅが、可視光域の光に対してその波長が長波長になるほど増大する、即ち、Ｒｅが逆波長分散性を示すことが好ましいとされている。前記複合粒子とともに、前記条件を満足する化合物（Ａ）を含有する高分子組成物をフィルム状に成形し、さらに所望により延伸処理を施すことで、前記複合粒子によって発現されたレターデーションについて、可視光域において逆波長分散特性を示す光学異方性膜を作製することができる。
【０１５１】
フィルム中では、一般的に材料の分子は、所定の方向に配向している。フィルムの複屈折Δｎは、この配向方向（以下、ＴＤ方向と示す）の屈折率から、それに直交する方向（以下、ＭＤ方向と示す）の屈折率を差し引いた値であるため、ＴＤ方向の屈折率の波長分散性よりも、ＭＤ方向の波長分散性が、より右肩下がり（右を長波長側、左を短波長側とおいたときのΔｎの傾き）であれば、その差し引いた値、即ち、複屈折性Δｎが、逆波長分散性になる。
屈折率の波長分散性は、Ｌｏｒｅｎｔｚ−Ｌｏｒｅｎｚの式で表されているように、物質の吸収に密接な関係にあるため、ＭＤ方向の波長分散性がより右肩下がりであるためには、ＴＤ方向に比較してＭＤ方向の吸収遷移波長がより長波長であることが必要である。前記条件を満足する化合物（Ａ）は、その構造的特徴により、吸収遷移波長が高分子幅方向（ＭＤ方向）において長波長であるので、その結果、該化合物を含有する光学異方性膜は、複屈折性Δｎについて、逆波長分散特性を示す。
より具体的には、化合物（Ａ）を高分子材料中に添加し、これに延伸処理を施した場合、該化合物（Ａ）の分子長軸はＴＤ方向に配向する。前述のように化合物（Ａ）においては分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントＭｙに由来する分子吸収波長が、該分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントＭｘに由来する分子吸収波長より長波長であって、分子長軸方向と直交方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｙ｜が分子長軸方向と平行方向の遷移電気双極子モーメントの大きさ｜Ｍｘ｜より大きい。このためＴＤ方向に比較してＭＤ方向における吸収遷移波長をより長波長化することが可能となる。
【０１５２】
前記条件を満足する化合物（Ａ）の例には、下記一般式（Ｖ）で表される化合物が含まれるが、これに限定されるものではない。
【０１５３】
【化３１】
0005107690.tif 000032
【０１５４】
一般式（Ｖ）中、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ、単結合又は二価の連結基を表す。Ｂ1及びＢ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−から選ばれる基である。Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はそれぞれ、置換基を表す。ｎは０〜２の整数を表す。
【０１５５】
前記式（Ｖ）中、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ、好ましくは下記の基を表す。
【０１５６】
【化３２】
0005107690.tif 000033
【０１５７】
さらに好ましくは−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−である。
【０１５８】
Ｒ4は置換基であり、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成してもよい。置換基の例としては下記置換基群Ｙから選択される置換基が好ましい。
置換基群Ｙ
ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、
【０１５９】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【０１６０】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニ
ルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、
【０１６１】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、
【０１６２】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、及びシリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）。
【０１６３】
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り、さらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【０１６４】
Ｒ4は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、又はアミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、又はアルコキシ基である。
【０１６５】
Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、置換基を表す。該置換基は、上記置換基群Ｙから選択されるのが好ましい。Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、好ましくは置換もしくは無置換のフェニル基、又は置換もしくは無置換のシクロヘキシル基である。より好ましくは置換基を有するフェニル基、置換基を有するシクロヘキシル基であり、さらに好ましくは４位に置換基を有するベフェニル基、又は４位に置換基を有するシクロヘキシル基である。
【０１６６】
Ｒ7及びＲ8はそれぞれ、置換基を表す。該置換基は、前記置換基群Ｙから選択されるのが好ましい。Ｒ7及びＲ8は、ハメットの置換基定数σp値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σp値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ7とＲ8とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσp、σmに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４  有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル  レビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。
【０１６７】
Ｂ1及びＢ2はそれぞれ、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及び−ＣＯ−から選択される基である。好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは置換基）、及び−Ｓ−から選択される基である。
【０１６８】
ｎは０又は１が好ましく、０であることが最も好ましい。
【０１６９】
以下、前記化合物（Ａ）の条件を満足する前記一般式（Ｖ）で表される化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。下記化合物に関しては、指定のない限り括弧（  ）内の数字にて例示化合物（Ｘ）と示す。
【０１７０】
【化３３】
0005107690.tif 000034
【０１７１】
【化３４】
0005107690.tif 000035
【０１７２】
【化３５】
0005107690.tif 000036
【０１７３】
【化３６】
0005107690.tif 000037
【０１７４】
【化３７】
0005107690.tif 000038
【０１７５】
【化３８】
0005107690.tif 000039
【０１７６】
【化３９】
0005107690.tif 000040
【０１７７】
【化４０】
0005107690.tif 000041
【０１７８】
一般式（Ｖ）で表される化合物の合成は、既知の方法を参照して行うことができる。例えば、一般式（Ｖ）の例示化合物（１６）は、下記スキームに従って合成することができる。
【０１７９】
【化４１】
0005107690.tif 000042
【０１８０】
前記スキーム中、化合物（１−Ａ）〜化合物（１−Ｄ）までの合成は、“Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｙ”（１９９７）；２７（９）；ｐ．５１５−５２６．に記載の方法を参照して行うことができる。
さらに、前記スキームに示したように、化合物（１−Ｅ）のテトラヒドロフラン溶液に、メタンスルホン酸クロライドを加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを滴下し攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを加え、化合物（１−Ｄ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下することで、例示化合物（１６）を得ることができる。
【０１８１】
前記化合物（Ａ）の他の例として、アントラキノン誘導体が挙げられる。
前記化合物（Ａ）として使用可能なアントラキノン誘導体としては、下記の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１８２】
【化４２】
0005107690.tif 000043
【０１８３】
前記化合物（Ａ）は、１００℃〜３００℃の温度範囲で液晶相を発現することが好ましい。より好ましくは１２０℃〜２００℃である。液晶相は、ネマチィク相又はスメクティック相が好ましい。
【０１８４】
本発明の光学異方性膜における、前記化合物（Ａ）の含有量は、高分子材料（好ましくはセルロースアシラート）に対して０．１〜３０質量部であることが好ましく、０．５〜２０質量部であることがより好ましく、１〜１２質量部であることがさらに好ましく、１〜５質量部であることがよりさらに好ましい。
【０１８５】
［その他の添加剤］
本発明の光学異方性膜に、所望により添加される添加剤の例には、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子（但し、上記複合粒子は含まない）及び光学特性調整剤等が含まれる。
【０１８６】
［紫外線吸収剤］
本発明の光学異方性膜は、紫外線吸収剤を含有していてもよい。紫外線吸収剤としては、目的に応じ任意の種類のものを選択することができ、サリチル酸エステル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系、シアノアクリレート系、ニッケル錯塩系等の吸収剤を用いることができ、好ましくはベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系である。
【０１８７】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン等を挙げることができる。
【０１８８】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール等を挙げることができる。
【０１８９】
サリチル酸エステル系としては、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレート等を挙げることができる。
【０１９０】
これら例示した紫外線吸収剤の中でも、特に２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールが特に好ましい。
【０１９１】
紫外線吸収剤は、吸収波長の異なる複数の吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮断効果を得ることができるので好ましい。本発明の光学異方性膜を液晶表示装置の光学フィルムとして用いる場合は、紫外線吸収剤は、液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。特に好ましい紫外線吸収剤は、上述のベンゾトリアゾール系化合物やベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物である。中でも、ベンゾトリアゾール系化合物は、セルロースエステルに対する不用な着色が少ないことから、好ましい。
【０１９２】
また、紫外線吸収剤については、特開昭６０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、同７−１１０５５号、同７−１１０５６号、同８−２９６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２０４１７３号の各公報に記載の化合物も用いることができる。
【０１９３】
紫外線吸収剤の添加量は、高分子材料（好ましくはセルロースアシラート）に対し０．００１〜５質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量％以上であれば添加効果が十分に発揮されうるので好ましく、添加量が５質量％以下であれば、例えば、光学異方性膜表面への紫外線吸収剤のブリードアウトを抑制できるので好ましい。
【０１９４】
［劣化防止剤］
本発明の光学異方性膜は劣化防止剤を含有していてもよい。前記劣化防止剤は、セルロースアシラート等の高分子材料が劣化及び分解するのを防止する目的で添加されてもよい。劣化防止剤としては、ブチルアミン、ヒンダードアミン化合物（特開平８−３２５５３７号公報）、グアニジン化合物（特開平５−２７１４７１号公報）、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤（特開平６−２３５８１９号公報）、ベンゾフェノン系ＵＶ吸収剤（特開平６−１１８２３３号公報）などの化合物を用いることができる。
【０１９５】
［可塑剤］
本発明の光学異方性膜は、可塑剤を含有していてもよい。前記可塑剤としては、リン酸エステル及び／又はカルボン酸エステルであることが好ましい。リン酸エステル系可塑剤としては、例えばトリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）、トリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等が好ましい。また、カルボン酸エステル系可塑剤としては、例えばジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）、ジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等が好ましい。さらに、前記可塑剤が、（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、グリセロールエステル類、ジグリセロールエステル類であることが好ましい。
【０１９６】
［剥離促進剤］
本発明の光学異方性膜は、用途に応じて剥離促進剤を含有していてもよい。前記剥離促進剤としては、クエン酸のエチルエステル類が好ましい例として挙げられる。
【０１９７】
［赤外吸収剤］
本発明の光学異方性膜は、用途に応じて赤外吸収剤を含有していてもよい。前記赤外吸収剤としては、例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載のものが好ましい。
【０１９８】
［染料］
本発明の光学異方性膜は、色相調整のための染料を含有していてもよい。染料の含有量は、セルロースアシラート等の高分子材料に対する質量割合で１０〜１０００ｐｐｍが好ましく、５０〜５００ｐｐｍがさらに好ましい。この様に染料を含有させることにより、例えば、本発明の光学異方性膜を作製した場合に、ライトパイピングが減少でき、黄色味を改良することができる。
【０１９９】
［マット剤微粒子］
本発明の光学異方性膜は、マット剤微粒子を含有していてもよい。マット剤として使用可能な微粒子としては、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子は、ケイ素を含むものが、濁度が低くなる点でより好ましく、特に二酸化ケイ素が好ましい。二酸化ケイ素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができ、より好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
なお、本発明の場合、無機粒子への吸着基を有する分子を吸着させたスメクタイト又は雲母を含有するので、かかるスメクタイト又は雲母がマット剤としても機能する場合は、別途マット剤を添加しなくても、同様の効果が得られる場合もある。
【０２００】
これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次／２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。
【０２０１】
二酸化ケイ素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上、いずれも商品名、日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上、いずれも商品名、日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０２０２】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化ケイ素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０２０３】
［化合物添加の比率］
本発明の光学異方性膜では、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシラート等の高分子材料の質量に対して５〜４５質量％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０質量％であり、さらに好ましくは１５〜３０質量％である。これらの化合物としては上述したスメクタイト又は雲母に吸着した化合物、及び所望により添加される、Ｒｅ発現剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などである。さらに、分子量が２０００以下の化合物の総量が上記範囲内であることがより好ましい。これら化合物の総量を５質量％以上とすることにより、セルロースアシラート等の高分子材料単体の性質が出にくくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しにくくなる。またこれら化合物の総量を４５質量％以下とすることにより、セルロースアシラートフィルム等の高分子フィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムの白濁（フィルムからの泣き出し）が抑止される傾向にあり好ましい。
【０２０４】
なお、本発明の光学異方性膜中に、所望により添加される添加剤は、固体でもよく油状物でもよい。その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば、２０℃以下の紫外線吸収剤と２０℃以上の紫外線吸収剤を混合して用いたり、同様に可塑剤を混合して用いたりすることができる。具体的には、特開２００１−１５１９０１号公報に記載の方法を採用できる。
【０２０５】
［本発明の光学異方性膜の調製例］
高分子材料としてセルロースアシラートを用いる場合、本発明の光学異方性膜は、例えば、以下の方法により調製できる。
まず、セルロースアシラートの溶液を調製し、該溶液に、前記複合粒子を添加する。その他、必要に応じて、種々の添加剤（例えば、Ｒｅ発現剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤等）を添加することができる。前記複合粒子、及び他の添加剤の添加時期については特に限定されない。同時に添加してもよいし、いずれかを先に添加してもよい。
【０２０６】
本発明の光学異方性膜の好ましい作製方法の一例は、前記複合粒子を含む高分子材料のドープを調製し、該ドープをソルベントキャスト法によりフィルム状に成形する方法が挙げられる。以下、高分子材料がセルロースアシラートである場合に、ソルベントキャスト法により光学異方性膜を作製する例について説明する。
まず、セルロースアシラートの溶液を調製する。ドープの調製に用いる主溶媒としては、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、及び炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトン及び、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトン及びエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及び−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０２０７】
また、塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としてもよいし、例えば公開技法（公開技報２００１−１７４５、１２頁〜１６頁、２００１年発行、発明協会）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としてもよい。
【０２０８】
その他、ソルベントキャスト法に用いられるセルロースアシラート溶液の調製方法、例えば、用いる溶媒種、その溶解方法等については、以下の特許文献に開示されているものを、好ましい態様として挙げることができる。
特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号の各公報。
これらの特許文献には、セルロースアシラート溶液の調製に用いる好ましい溶媒についてだけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、それらも、本発明においても好ましい態様である。
【０２０９】
ドープ中には、前記複合粒子、及び所望により添加される添加剤を添加する。これらの剤は、ドープ調製工程のいずれの時期に添加してもよく、ドープ調製工程の最後にこれらの添加剤を添加してもよい。
例えば、紫外線吸収剤は、セルロースアシラート溶解時に同時に添加してもよいし、溶解後のドープに添加してもよい。特にスタティックミキサ等を用い、流延直前にドープに紫外線吸収剤溶液を添加する形態が、分光吸収特性を容易に調整することができるので好ましい。また、フィルム中に染料を含有させる場合も同様に、セルロースアシラート溶液の調製の際に、セルロースアシラートや溶媒と共に添加してもよいし、溶液調製中や調製後に添加してもよい。またインライン添加する紫外線吸収剤液に添加してもよい。特開平５−３４８５８号公報に記載の染料を用いることができる。
【０２１０】
また、フィルム中において無機微粒子の２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシラートフィルムを得るためには、無機微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作製し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシラート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシラートドープ液と混合する方法がある。
この方法は無機微粒子の分散性がよく、微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行い、これを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、マット剤として二酸化ケイ素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化ケイ素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がより好ましく、１５〜２０質量％がさらに好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシラートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ2あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇがよりさらに好ましい。
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。
【０２１１】
（溶解工程）
セルロースアシラート溶液（ドープ）の調製法は、種々の溶解方法を利用することができる。溶解は、室温で行ってもよく、さらには冷却溶解法又は高温溶解方法を利用してもよい。さらにはこれらを組み合わせにより、溶解を実施してもよい。セルロースアシラート溶液の調製方法、及び溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２２頁〜２５頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。
【０２１２】
セルロースアシラート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、商品名、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定する。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシラート溶液の透明度を算出する。
【０２１３】
（流延、乾燥、巻き取り工程）
次に、調製したセルロースアシラート溶液を流延して、フィルム状に成形する。セルロースアシラートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセタートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置を広く採用することができる。具体的には、まず、溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシラート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば、回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延し、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。
【０２１４】
例えば、作製したセルロースアシラートフィルムを、電子ディスプレイ用の光学部材である光学補償膜及び偏光板保護膜、ならびにハロゲン化銀写真感光材料に用いる場合には、通常の溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２５頁〜３０頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
【０２１５】
［延伸処理］
この様にして、ソルベントキャスト法等を利用して、本発明の光学異方性膜を製造することができる。作製した光学異方性膜（例えば、セルロースアシラートフィルム）が、所望の光学特性を有する場合は、そのまま所定の用途に供することができる。また、所望の光学特性とするために、さらに延伸処理を施してもよい。特に、セルロースアシラートフィルムの面内レターデーション値を高い値とする場合には、積極的に幅方向に延伸する方法、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、特開平４−２８４２１１号、特開平４−２９８３１０号、及び特開平１１−４８２７１号の各公報などに記載されている、製造したフィルムを延伸する方法により、延伸処理を行うことができる。
【０２１６】
フィルムの延伸は、常温又は加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムの延伸は、縦又は横だけの一軸延伸でもよく、同時又は逐次２軸延伸でもよい。フィルムは、１〜２００％の延伸を行うことが好ましく、１〜１００％の延伸を行うことがより好ましく、１〜５０％の延伸を行うことがさらに好ましい。
【０２１７】
上記方法により作製された光学異方性膜を、偏光膜の保護膜等として偏光板の一部材として利用する場合は、作製される偏光板を斜めから観察したときの光漏れの抑制のためには、偏光膜の透過軸と光学異方性膜の面内の遅相軸とを平行に配置する必要がある。連続的に製造されるロールフィルム状の偏光膜の透過軸は、一般的に、ロールフィルムの幅方向に平行であるので、前記ロールフィルム状の偏光膜とロールフィルム状の光学異方性膜である保護膜とを連続的に貼り合せるためには、ロールフィルム状の保護膜の面内遅相軸は、フィルムの幅方向に平行であることが必要となる。従って幅方向により多く延伸することが好ましい。また延伸処理は、製膜工程の途中で行ってもよいし、製膜して巻き取った原反を延伸処理してもよい。前者の場合には残留溶媒を含んだ状態で延伸を行ってもよく、残留溶媒量が２〜３０質量％で好ましく延伸することができる。
【０２１８】
乾燥後得られる光学異方性膜の厚さの好ましい範囲は、使用目的によって異なるが、一般的には、５〜５００μｍの範囲であることが好ましく、２０〜３００μｍの範囲であることがより好ましく、３０〜１５０μｍの範囲であることがさらに好ましい。また、光学用、特にＶＡ液晶表示装置用としては、４０〜１１０μｍであることが好ましい。膜厚さの調整は、所望の厚さになるように、ドープ中に含まれる固形分濃度、ダイの口金のスリット間隙、ダイからの押し出し圧力、金属支持体速度等を調節すればよい。
【０２１９】
以上のソルベントキャスト法及び所望により実施される延伸処理を経て作製される光学異方性膜の形態は、長尺状であって、且つロール状に巻き取られた形態である。この形態では、幅が０．５〜３ｍが好ましく、より好ましくは０．６〜２．５ｍ、さらに好ましくは０．８〜２．２ｍである。長さは、１ロール当たり１００〜１００００ｍで巻き取るのが好ましく、より好ましくは５００〜７０００ｍであり、さらに好ましくは１０００〜６０００ｍである。巻き取る際、少なくとも片端にナーリングを付与するのが好ましく、ナーリングの幅は３ｍｍ〜５０ｍｍが好ましく、より好ましくは５ｍｍ〜３０ｍｍ、高さは０．５〜５００μｍが好ましく、より好ましくは１〜２００μｍである。これは片押しであっても両押しであってもよい。
【０２２０】
光学異方性膜の幅方向のＲｅ（５９０）値（＝波長５９０ｎｍにおけるＲｅ値）のばらつきは、±５ｎｍであることが好ましく、±３ｎｍであることが更に好ましい。また幅方向のＲｔｈ（５９０）値（＝波長５９０ｎｍにおけるＲｔｈ値）のバラツキは±１０ｎｍが好ましく、±５ｎｍであることが更に好ましい。また、長さ方向のＲｅ値、及びＲｔｈ値のバラツキも、幅方向のバラツキの範囲内であることが好ましい。
【０２２１】
本発明の光学異方性膜のＲｅ値とＲｔｈ値をそれぞれ好ましい範囲に制御するためには、使用するスメクタイト又は雲母に吸着させた前記分子の種類及び添加量、ならびにフィルムの延伸倍率を適宜調整することが好ましい。
【０２２２】
以下、本発明の光学異方性膜の特性について、用途に応じて好ましい範囲を説明する。
〔光学異方性膜の光学特性〕
本明細書において、Ｒｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション（ｎｍ）及び厚さ方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光を光学異方性膜の法線方向に入射させて測定される。
測定される光学異方性膜が１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合には光学異方性膜面内の任意の方向を回転軸とする）、光学異方性膜の法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつ光学異方性膜の場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
【０２２３】
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合には光学異方性膜面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１）及び式（２）よりＲｔｈを算出することもできる。
【０２２４】
【数１】
0005107690.tif 000044
注記：
式中、Ｒｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。
式中、ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表す。ｄは光学異方性膜の膜厚を表す。
【０２２５】
測定される光学異方性膜が１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ  ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として光学異方性膜の法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ，ｎｙ，ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。
【０２２６】
光学補償フィルムに求められる光学特性は、いずれのモードの液晶表示装置に用いられるかによって異なる。
ＯＣＢモード用としては、視野角の拡大の点でＲｅ（５５０）は１０〜１００ｎｍのものが好ましく、２０〜７０ｎｍのものがさらに好ましい。Ｒｔｈ（５５０）は５０〜３００ｎｍのものが好ましく１００〜２５０ｎｍのものがさらに好ましい。
同様の観点でＴＮ用としてはＲｅ（５５０）は０〜５０ｎｍのものが好ましく、２〜３０ｎｍのものがさらに好ましい。Ｒｔｈ（５５０）は１０〜２００ｎｍのものが好ましく３０〜１５０ｎｍのものがさらに好ましい。
また、ＯＣＢ用モード及びＴＮ用モードでは前記レターデーション値を有する光学異方性膜上に別の光学異方性膜を塗布して光学補償フィルムとして使用できる。
【０２２７】
本発明の光学異方性膜をＶＡモードに使用する場合、セルの両側に１枚ずつ合計２枚使用する形態（２枚型）と、セルの上下のいずれか一方の側にのみ使用する形態（１枚型）の２通りで好ましい光学特性は異なる。
【０２２８】
ＶＡモードに使用する１枚型あるいはＩＰＳモード用の場合、Ｒｅ（５５０）は３０〜１５０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがさらに好ましい。Ｒｔｈ（５５０）については１００〜３００ｎｍが好ましく、１５０〜２５０ｎｍがさらに好ましい。
【０２２９】
ＶＡ用液晶表示装置の光学補償シートとして液晶セルの両側に使用し、２枚型として使用する場合には、Ｒｅ（５５０）が２０〜１００ｎｍの範囲であり、かつＲｔｈ（５５０）が１００〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、Ｒｅ（５５０）が２５〜８０ｎｍであり、Ｒｔｈ（５５０）が１００〜１５０ｎｍであることがさらに好ましい。
【０２３０】
特に２枚型として使用する場合には前述のカラーシフトの問題の改良の点で、本発明の光学異方性膜は下記式（Ａ）〜（Ｄ）を満たすことが好ましい。
（Ａ）０．１＜Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９５
（Ｂ）１．０３＜Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．９３
（Ｃ）０．４＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（４５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜０．９５
（Ｄ）１．０５＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（６５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜１．９
（式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍの光に対する該光学異方性膜の面内レターデーション値であり、Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍの光に対する該光学異方性膜の厚み方向のレターデーション値であり、Ｒｅ／Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍの光に対する該光学異方性膜の面内レターデーション値と厚み方向のレターデーション値の比である（単位：ｎｍ）。）
【０２３１】
上記式（Ａ）〜（Ｄ）を満たす本発明の光学異方性膜は同様の観点でＶＡモードに使用する１枚型として用いることもできる。
さらに、上記式（Ａ）〜（Ｄ）を満たす本発明の光学異方性膜を１枚型として使用する場合、下記式（Ａ１）〜（Ｄ１）を満たすことがより好ましい。
（Ａ１）０．４＜Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９５
（Ｂ１）１．０５＜Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．９３
（Ｃ１）０．４５＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（４５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜０．９５
（Ｄ１）１．０５＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（６５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜１．７
【０２３２】
また、下記式（Ａ２）〜（Ｄ２）を満たすことがさらに好ましい。
（Ａ２）０．５＜Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜０．９５
（Ｂ２）１．１０＜Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．９３
（Ｃ２）０．５０＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（４５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜０．９５
（Ｄ２）１．０５＜（Ｒｅ／Ｒｔｈ（６５０））／（Ｒｅ／Ｒｔｈ（５５０））＜１．５
【０２３３】
［表面処理］
本発明の光学異方性膜に、所望により表面処理を行って、光学異方性膜と他の機能層（例えば、下塗層及びバック層）との接着性を改善してもよい。例えば、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸又はアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、３０頁〜３２頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０２３４】
［アルカリ鹸化処理］
アルカリ鹸化処理は、高分子材料が、セルロースアシレートである場合に特に有効である。光学異方性膜を鹸化液の槽に直接浸漬する方法、又は鹸化液を光学異方性膜に塗布する方法により実施することが好ましい。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法及びＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液を光学異方性膜に対して塗布するために、濡れ性がよく、また鹸化液溶媒によって光学異方性膜表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒〜５分が好ましく、５秒〜５分がさらに好ましく、２０秒〜３分が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。
【０２３５】
本発明の光学異方性膜は、種々の分野の部材として用いることができる。特に、光学用材料及び写真感光材料に適する。特に、液晶表示装置用の光学フィルムとして適している。液晶セルの複屈折性を補償する光学補償フィルムとして、及び偏光膜の保護フィルムとして好ましい。
【０２３６】
本発明の光学異方性膜を液晶表示装置の光学フィルムとして利用する場合は、フィルムに各種の機能層を付与することが実施されるであろう。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶硬化層などである。前記機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止剤、ハードコート層用材料などが挙げられ、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、３２頁〜４５頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０２３７】
［偏光板］
本発明のフィルム（好ましくはセルロースフィルム）は特に偏光板保護膜用として有用である。偏光板保護膜として用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光膜の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、特開平６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。
本発明の光学異方性膜の処理面と偏光膜とを貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光膜及びその両面を保護する保護膜で構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成してもよい。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
【０２３８】
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学異方性膜を有する偏光板を液晶表示装置に組み込む際は、該光学異方性膜がどの位置に配置されてもよいが、本発明の光学異方性膜が、液晶セルと偏光膜との間に配置されるのが好ましい。
【０２３９】
［光学補償フィルム（位相差板）］
本発明の光学異方性膜は、液晶表示装置の光学補償フィルムとして有用である。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、液晶層の複屈折性を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。各モードの液晶表示装置に用いられる光学補償フィルムに要求される光学特性の範囲については、上記した通りである。本発明の光学異方性膜は、材料及びその添加量の調整によって、及び／又は延伸処理によって、上記光学特性を満足する光学異方性膜となる。
【０２４０】
［液晶表示装置］
本発明は、本発明の光学異方性膜及び／又は本発明の偏光板を有する液晶表示装置にも関する。
液晶表示装置は、通常、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光膜を有する。本発明の光学異方性膜は、液晶セルと偏光膜との間に配置される光学補償フィルムとして、又は偏光膜保護フィルムとして利用するのが好ましい。
本発明の液晶表示装置は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）及びＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）等、いずれのモードの液晶表示装置であってもよい。マルチドメイン構造の液晶表示装置であってもよいし、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置であってもよい。
【０２４１】
（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜を、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートとして、その一部の支持体として、又は偏光板の保護膜として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くからよく知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報の記載に従って作製することができる。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）の記載に従って作製することができる。
【０２４２】
（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜を、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートとして、その一部の支持体として、又は偏光板の保護膜として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報の記載に従って作製することができる。
【０２４３】
（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜は、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートとして、その一部の支持体として、又は偏光板の保護膜として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅ値を０〜１５０ｎｍとし、Ｒｔｈ値を７０〜４００ｎｍとすることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ値は７０〜２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈ値は１５０〜４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であってもよい。
【０２４４】
（ＩＰＳ型液晶表示装置及びＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜は、ＩＰＳモード及びＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置及びＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートとして、その一部の支持体、又は偏光板の保護膜としても有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において前記光学異方性膜を用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護膜のうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護膜（セル側の保護膜）に前記光学異方性膜を用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護膜と液晶セルの間に光学異方性膜を配置し、配置された光学異方性膜のレターデーション値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。
【０２４５】
（ＯＣＢ型液晶表示装置及びＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜は、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートとして、その一部の支持体として、又は偏光板の保護膜としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーション値の絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質及び光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報の記載に従って作製することができる。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）の記載に従って作製することができる。
【０２４６】
（反射型液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜は、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シート等としても有利に用いられる。これらの表示モードは古くからよく知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開ＷＯ９８／４８３２０号パンフレット、特許登録第３０２２４７７号公報の記載に従って作製することができる。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開ＷＯ００／６５３８４号パンフレットの記載に従って作製することができる。
【０２４７】
（その他の液晶表示装置）
本発明の光学異方性膜は、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シート等としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ  ９８  Ｄｉｇｅｓｔ  １０８９（１９９８））の記載に従って作製することができる。
【０２４８】
本発明の光学異方性膜を光学フィルムとして、液晶表示装置に用いる場合、表示モードはＶＡ型であることがより好ましい。
【０２４９】
［他の用途］
（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明の光学異方性膜は、又はドコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムとして好ましく用いることができる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、前記フィルムの片面又は両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、５４頁〜５７頁、２００１年３月１５日発行、発明協会）に詳細に記載されており、前記フィルムを好ましく用いることができる。
【０２５０】
本発明の光学異方性膜は、上記用途に限定されず、ディスプレイ材料を始め、オプトエレクトロニクス材料、フォトニクス材料等の作製に用いられる。
【実施例】
【０２５１】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【０２５２】
［実施例１］
（複合粒子の調製）
下記表１に示すＮｏ．４Ａ、６Ａ、８Ａ、１０Ａでは、レターデーション調整剤として、以下の通り調製した複合粒子を用いた。
市販されている合成スメクタイト微粒子（商品名：ルーセンタイトＳＰＮ；コープケミカル社製；１次粒子のアスペクト比≒５０（厚み≒１ｎｍ、粒径≒５０ｎｍ））に５０倍容量部のメタノールを添加し、室温にて３０分間攪拌した後、３０分間超音波処理を行い、均一なメタノール分散液を調製した。該メタノール分散液に、無機粒子への吸着基を有する化合物（例示化合物Ｑ’−８、Ｓ−８、Ｕ−７、Ｖ−４）の２．０質量％メタノール溶液を、スメクタイトのメタノール分散液と等質量、攪拌しながら徐々に添加した。凝集物を遠心分離（３０００ｒｐｍ、５分）により固液分離させて取り出し、メチレンクロライドを前記スメクタイト微粒子の質量に対して５０倍質量部添加し、室温にて３０分間攪拌した後、３０分間超音波処理を行い、均一なメチレンクロライド分散液を得た。
下記表１に示すＮｏ．５Ａ、７Ａ、９Ａ、１１Ａのレターデーション調整剤としては、合成スメクタイト微粒子の代わりに、合成雲母微粒子（商品名：ソマシフＭＰＥ；コープケミカル社製；１次粒子のアスペクト比≒５０００（厚み≒１ｎｍ、粒径≒５μｍ））を用いた以外は上述した方法と同様にして調製した複合粒子を用いた。
なお、前記化合物の分子の吸着量の定量は、紫外可視吸収スペクトル及び熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）により行ったところ、吸着量（吸着処理されたスメクタイト粒子／雲母粒子全質量あたりの質量％）は、以下の通りであることがわかった。
スメクタイト粒子への吸着量：
Ｑ’−８：２０．０％
Ｓ−８：１８．２％
Ｕ−７：２１．２％
Ｖ−４：２４．６％
雲母粒子への吸着量：
Ｑ’−８：１８．８％
Ｓ−８：１７．５％
Ｕ−７：１９．８％
Ｖ−４：２１．２％
【０２５３】
なお、表１に示す試料Ｎｏ．１２Ａ〜１５Ａでは、例示化合物Ｑ−８、Ｓ−８、Ｕ−７、Ｖ−４を、スメクタイトに吸着させずに用いたが、その添加量は、試料Ｎｏ．４Ａ、６Ａ、８Ａ、１０Ａの複合粒子の添加量に上記算出した吸着量を乗じた値と同一にした。
【０２５４】
（光学異方性膜（セルロースアセテートフィルム試料Ｎｏ．１Ａ〜１５Ａ）の作製）
下記セルロースアセテート溶液組成の各成分を、ミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．９％のセルロースアセテート（重合度：３００）１００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                          ３１８質量部
メタノール（第２溶媒）                                    ４７質量部
【０２５５】
別のミキシングタンクに、表１に示すレターデーション制御剤それぞれと、メチレンクロライドと、メタノールとを投入した（ここで全メチレンクロライド質量／全メタノール質量＝８７／１３；なお、試料Ｎｏ．４Ａ〜１１Ａの場合には、あらかじめ固形分濃度測定により求めた前記メチレンクロライド分散液中のメチレンクロライド及びメタノール含量を基に、全メチレンクロライド質量／全メタノール質量＝８７／１３になるように調整した）。室温にて攪拌して、各レターデーション制御剤溶液／分散液を調製した。なお、表１に示す試料Ｎｏ．２Ａ、３Ａの「処理無しスメクタイト」、「処理なし雲母」とは、市販されている合成スメクタイト微粒子（商品名：ルーセンタイトＳＰＮ；コープケミカル社製）、合成雲母微粒子（商品名：ソマシフＭＰＥ；コープケミカル社製）をそのまま使用したものである。
レターデーション制御剤溶液３６質量部にセルロースアセテート溶液４７４質量部を徐々に添加、混合させ、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション制御剤の量は、セルロースアセテート１００質量部に対して表１に記載の質量部を添加するように、各レターデーション制御剤溶液／分散液を調製した。
【０２５６】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延して、セルロースアセテートフィルムＮｏ．１Ａ〜１５Ａ（厚さ：８０μｍ）をそれぞれ製造した。
製造したセルロースアセテートフィルムについて、波長５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）値とＲｔｈ（５５０）値、及び波長６３０ｎｍと４５０ｎｍにおけるＲｅ値、Ｒｔｈ値の差（ΔＲｅ＝Ｒｅ（６３０）−Ｒｅ（４５０）、ΔＲｔｈ＝Ｒｔｈ（６３０）−Ｒｔｈ（４５０））値を、前述の方法により測定した。結果を以下の表１に示す。
なお、表１中の試料Ｎｏ．１は、レターデーション制御剤溶液を添加しなかった以外は同様にして製造されたセルロースアセテートフィルムである。
また、表１中のフィルムＮｏ．４Ａ〜１１Ａについての添加量とは、複合粒子（所定の有機化合物が吸着したスメクタイト粒子／雲母粒子）の添加量である。
【０２５７】
【表１】
0005107690.tif 000045
【０２５８】
表１の結果から、本発明の実施例（試料Ｎｏ．４Ａ、５Ａ）のセルロースアセテートフィルムでは、無添加の試料Ｎｏ．１と比較して、ΔＲｔｈが増加する、即ち、Ｒｔｈの逆分散性がより顕著になる効果が得られた。同一の有機化合物Ｑ’−８を同一の添加量で添加した比較例のセルロースアセテートフィルム試料Ｎｏ．１２Ａでは、無添加の試料Ｎｏ．１Ａと比較して、ΔＲｔｈはほとんど変化していない。また、処理無しスメクタイトを添加した比較例のセルロースアセテートフィルム試料Ｎｏ．２Ａでも、無添加の試料Ｎｏ．１Ａと比較して、ΔＲｔｈはほとんど変化していない。
即ち、本発明の実施例の試料Ｎｏ．４Ａ、５Ａでは、Ｑ ’−８をスメクタイト或いは雲母に吸着させた複合粒子を用いることで、Ｑ’−８を同一の添加量でフィルム中に添加することによっては得られない、Ｒｔｈについて、逆分散性が顕著な光学特性を達成できたことが理解できる。
また、本発明の実施例（試料Ｎｏ．６Ａ〜１１Ａ）のセルロースアセテートフィルムでは、無添加の試料Ｎｏ．１或いは同一の有機化合物を同一の添加量で添加した比較例試料（Ｎｏ．１３Ａ〜１５Ａ）と比較して、Ｒｔｈが増加し、ΔＲｔｈが減少する変化がより顕著に見られた。即ち、本発明の実施例の試料Ｎｏ．６Ａ〜１１Ａでは、各有機化合物をスメクタイト粒子或いは雲母粒子に吸着させた複合粒子を用いることで、各有機化合物を同一の添加量でフィルム中に添加することによっては得られない、順分散性を示し、且つ高いＲｔｈという光学特性を達成できたことが理解できる。
【０２５９】
［実施例２］
（複合粒子の調製）
下記表３に示す試料Ｎｏ．１５Ｂ〜２８Ｂに用いるレターデーション制御剤としては、例示化合物（Ｐ−２４）、（Ｐ−２８）、（Ｑ−１７）、（Ｑ’−９）、（Ｓ−８）、（Ｕ−７）、（Ｖ−４）及び合成スメクタイト微粒子を用いて実施例１と同様にして調製した複合粒子を用いた。
なお、例示化合物（Ｐ−２４）、（Ｐ−２８）、（Ｑ−１７）、（Ｑ’−９）の吸着量の定量は、紫外可視吸収スペクトル及び熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）により行ったところ、吸着量（吸着処理されたスメクタイト粒子全質量あたりの質量％）は、以下の通りであることがわかった。
Ｐ−２４：３５．９％
Ｐ−２８：３３．６％
Ｑ−１７：２３．８％
Ｑ’−９：２１．４％
【０２６０】
下記表３に示す比較試料Ｎｏ．５０Ｂ、５１Ｂのレターデーション制御剤としては、以下の方法で調製した複合粒子を用いた。
後述する方法で調製した無機微粒子（棒状ＳｒＣＯ3、アスペクト比５）と、比較化合物ＣＡ−１とを、無機微粒子１００質量部に対して該化合物が５質量部の割合で、１００倍容量部のメタノールに分散し、３０分間超音波処理した。得られた分散物を減圧濃縮し溶媒を除去し、前記化合物ＣＡ−１が吸着した複合粒子を得た。前記化合物の吸着の有無は、紫外可視吸収スペクトルにより確認した。
【０２６１】
【化４３】
0005107690.tif 000046
【０２６２】
上記した棒状ＳｒＣＯ3微粒子は下記方法により調製した。
金属イオン源としての０．２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ストロンチウム懸濁液１，０００ｍＬ（水６００ｍＬ、メタノール４００ｍＬ）に、炭酸源としての０．１ｍｏｌ／Ｌの炭酸アンモニウム水溶液６００ｍＬを攪拌混合して反応させた。反応液中のｐＨは１２．７であった。
次いで、反応液を攪拌しながら、炭酸源としての炭酸ガスを、金属イオン源より過剰に供給し、反応液中に白色沈殿を形成した。
この反応液中に、２−エチルヘキサン酸（シグマ・アルドリッチ・ジャパン株式会社製）（以下、表面処理剤１ともいう。）０．５ｇを１００ｍＬのメタノールに溶解させてから添加し、約３０分間攪拌させることにより表面処理を行った。充分に水洗を繰り返した後、濾過を行った。得られた沈殿は、充分に乾燥をさせ、メノウ乳鉢でこれを粉砕させて、異方性無機粒子としての炭酸ストロンチウム結晶を得た。粒子の粒子サイズ、アスペクト比は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察結果から求めた。その結果、粒子サイズは３００ｎｍ、アスペクト比は５であった。
【０２６３】
下記表１に示す試料Ｎｏ．５２Ｂ、５３Ｂのレターデーション制御剤としては、以下の方法で調製した複合粒子を用いた。
球状ナノジルコニア（ＺｒＯ2)メタノール分散液（１０ｗｔ％；住友大阪セメント（株）製）に同濃度・同量の下記比較化合物（ＰＡ−１）メタノール溶液を添加し約１時間攪拌した。沈降物を遠心分離により採取し、メタノールで洗浄を繰り返した後、減圧濃縮により溶媒を留去し、前記化合物ＰＡ−１が吸着した複合粒子を得た。前記化合物の吸着の有無は、紫外可視吸収スペクトルにより確認した。
【０２６４】
【化４４】
0005107690.tif 000047
【０２６５】
なお、下記表３に示す試料Ｎｏ．２９Ｂ、３０Ｂ、３２Ｂ、３３Ｂ、３５Ｂ、３６Ｂ、３８Ｂ、３９Ｂ、４１Ｂ、４２Ｂ、４４Ｂ、４５Ｂ、４７Ｂ、４８Ｂでは、例示化合物（Ｐ−２４）、（Ｐ−２８）、（Ｑ−１７）、（Ｑ’−９）、（Ｓ−８）、（Ｕ−７）、（Ｖ−４）を、スメクタイトに吸着させずに用いたが、その添加量は、試料Ｎｏ．１５Ｂ〜２８Ｂの複合粒子の添加量に上記算出した吸着量を乗じた値と同一にした。
【０２６６】
（光学異方性膜（セルロースアシレートフィルム試料Ｎｏ．１１Ｂ〜５３Ｂ）の製造）
実施例１と同様にして、レターデーション制御剤として、表３に示すそれぞれの剤を、及びいくつかの試料については、例示化合物（１２４）を、前記化合物（Ａ）として、セルロースアセテート１００質量部に対して表３に示す添加量で、セルロースアセテートと混合して、ドープを調製した。得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフィルムを、１６５℃の条件で、テンターを用いて２０％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフィルム（厚さ：８０μｍ）を製造した。
【０２６７】
なお、前記化合物（Ａ）として用いた例示化合物（１２４）のＭｘに由来する吸収波長（ｎｍ）、Ｍｙに由来する吸収波長（ｎｍ）、Ｍｙが分子長軸となす角度（°）及び｜Ｍｙ｜／｜Ｍｘ｜を下記表２に示す。
【０２６８】
上記方法により作製した各セルロースアセテートフィルムについて、波長５５０ｎｍにおけるＲｅ（５５０）値とＲｔｈ（５５０）値、及び波長６３０ｎｍと４５０ｎｍにおけるＲｅ値、Ｒｔｈ値の差（ΔＲｅ＝Ｒｅ（６３０）−Ｒｅ（４５０）、ΔＲｔｈ＝Ｒｔｈ（６３０）−Ｒｔｈ（４５０））値を、前述の方法により測定した。結果を下記表３に示す。
なお、表３中のフィルム試料Ｎｏ．１１Ｂはレターデーション制御剤溶液を添加しなかった以外は同様にして製造されたセルロースアセテートフィルムである。
また、表３中のフィルム試料Ｎｏ．１５Ｂ〜２８Ｂ、５０Ｂ〜５３Ｂについての添加量とは、複合粒子（所定の有機化合物が吸着した無機粒子）の添加量である。
【０２６９】
なお、比較のために、オニウムカチオンを有さない紫外線吸収剤Ｒｅｆ−１を上記合成スメクタイト微粒子に吸着させ、複合粒子調製を試みたが、紫外可視吸収スペクトル及び熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）で吸着量定量を行ったところ、全く吸着していないことが分かった。
【０２７０】
【化４５】
0005107690.tif 000048
【０２７１】
【表２】
0005107690.tif 000049
【０２７２】
【表３】
0005107690.tif 000050
但し、Ｎｏ．１５Ｂ〜１８Ｂは参考例である。
【０２７３】
【表４】
0005107690.tif 000051
【０２７４】
【表５】
0005107690.tif 000052
【０２７５】
表３の結果から、本発明の実施例（表３中の試料Ｎｏ．１５Ｂ、１７Ｂ、１９Ｂ、２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ、２７Ｂ）は、無添加の試料（Ｎｏ．１１Ｂ及び１２Ｂ）と比較して、フィルムのＲｔｈが増加し、その増加量が、比較例の試料（Ｎｏ．１３Ｂ、２９Ｂ、３２Ｂ、３５Ｂ、３８Ｂ、４１Ｂ、４４Ｂ、４７Ｂ）と比較して、格段に大きいことが理解できる。
更に、化合物（Ａ）（例示化合物（１２４））を添加した実施例（試料Ｎｏ．１６Ｂ、１８Ｂ、２０Ｂ、２２Ｂ、２４Ｂ、２６Ｂ、２８Ｂ）では、例示化合物（Ｐ−２４）、（Ｐ−２８）、（Ｑ−１７）、（Ｑ’−９）、（Ｓ−８）、（Ｕ−７）、（Ｖ−４）を無機粒子に吸着させずに添加した比較例（試料Ｎｏ．３１Ｂ、３４Ｂ、３７Ｂ、４０Ｂ、４３Ｂ、４６Ｂ、４９Ｂ）と比較して、例示化合物（１２４）によって達成されたＲｅの逆分散性の軽減を損なうことなく、Ｒｔｈを増加できる、即ち、Ｒｅの波長分散性とＲｔｈの波長分散性とをそれぞれ独立に制御できることが理解できる。
【０２７６】
一方、非平板状微粒子として棒状ＳｒＣＯ3微粒子（試料Ｎｏ．５０Ｂ、５１Ｂ）、球状ＺｒＯ2微粒子（試料Ｎｏ．５２Ｂ、５３Ｂ）を用いた場合には、前者ではＲｔｈ低減のみならずＲｅ低減も誘起してしまいＲｔｈの独立制御が不可である事、後者では全くＲｅ、Ｒｔｈを変化できない事が分かった。即ち、平板状粒子を用いることで上記効果が発現していることが理解できる。
【産業上の利用可能性】
【０２７７】
以上記載した通り、本発明の光学異方性膜は、液晶表示装置用の光学フィルムとして、特に光学補償フィルムとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２７８】
【図１】本発明の光学異方性膜中の有機分子の状態を模式的に表した図面である。
【図１】
0005107690.tif 000056