(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ領域がマトリックス状に配列されているショット領域を、行および列からなるマトリックス状に配列し、前記ショット領域の複数個をアライメント領域として配置して、初期ショットマップを作成するステップと、
前記初期ショットマップから、前記アライメント領域を移動して、前記ショット領域および前記アライメント領域の配列からなる第１の行および第１の列と、前記ショット領域の配列からなる第２の行および第２の列と、を有する、アライメント領域補正ショットマップを作成するステップと、
前記アライメント領域補正ショットマップから、前記第２の行を、前記チップ領域の行方向の寸法を単位として前記チップ領域の行方向に移動して、第１ショットマップを作成するステップと、
前記アライメント領域補正ショットマップから、前記第２の列を、前記チップ領域の列方向の寸法を単位として前記チップ領域の列方向に移動して、第２ショットマップを作成するステップと、
前記第１ショットマップと前記第２ショットマップとを比較し、露光領域内に配置されている有効チップ領域の数が大きい方のショットマップを取得して、修正ショットマップを作成するステップと、
を含み、
前記アライメント領域補正ショットマップを作成するステップは、
前記第１の行の数と、前記第１の列の数と、の合計が最小となるように、前記アライメント領域を移動する、ショットマップ作成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記第２の行を移動するごとに前記有効チップ領域の数を算出し、前記有効チップ領域の数が最大となる位置で、前記第２の行を固定し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記第２の列を移動するごとに前記有効チップ領域の数を算出し、前記有効チップ領域の数が最大となる位置で、前記第２の列を固定する、ショットマップ作成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記第２の行を移動した後に、前記第２の行と連続するように追加ショット領域を配置し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記第２の列を移動した後に、前記第２の列と連続するように追加ショット領域を配置する、ショットマップ作成方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記有効チップ領域の数が同じショットマップを複数有する場合には、前記追加ショット領域の数が最も小さい前記ショットマップを、前記第１ショットマップとして取得し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記有効チップ領域の数が同じショットマップを複数有する場合には、前記追加ショット領域の数が最も小さい前記ショットマップを、前記第２ショットマップとして取得する、ショットマップ作成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のショットマップ作成方法により作成された前記修正ショットマップを用いる、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ショットマップ作成方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、ステッパなどの露光装置を用いて、レチクルに描かれたパターンをウェハ上に転写する。フォトリソグラフィ工程では、スループットを高め、コストダウンを図る観点から、チップの個数が最大となるようにショット領域の配列をする方法、すなわち、ショットマップを作成する方法が検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上させるため、マトリックス状に配列されたショット区画を、チップ区画の単位で行または列方向に移動させて、露光区画内に欠けることなく配置されたショット区画の数を増やす方法が、開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２８１４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を低下させることなく、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上することができるショットマップ作成方法を提供することにある。また、本発明の目的は、上記ショットマップ作成方法で作成されたショットマップを用いる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るショットマップの作成方法は、
チップ領域がマトリックス状に配列されているショット領域を、行および列からなるマトリックス状に配列し、前記ショット領域の複数個をアライメント領域として配置して、初期ショットマップを作成するステップと、
前記初期ショットマップから、前記アライメント領域を移動して、前記ショット領域および前記アライメント領域の配列からなる第１の行および第１の列と、前記ショット領域の配列からなる第２の行および第２の列と、を有する、アライメント領域補正ショットマップを作成するステップと、
前記アライメント領域補正ショットマップから、前記第２の行を、前記チップ領域の行方向の寸法を単位として前記チップ領域の行方向に移動して、第１ショットマップを作成するステップと、
前記アライメント領域補正ショットマップから、前記第２の列を、前記チップ領域の列方向の寸法を単位として前記チップ領域の列方向に移動して、第２ショットマップを作成するステップと、
前記第１ショットマップと前記第２ショットマップとを比較し、露光領域内に配置されている有効チップ領域の数が大きい方のショットマップを取得して、修正ショットマップを作成するステップと、
を含む。
【０００６】
本発明に係るショットマップの作成方法は、半導体装置の信頼性を低下させることなく、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上することができる。
【０００７】
本発明に係るショットマップの作成方法において、
前記アライメント領域補正ショットマップを作成するステップは、
前記第１の行の数と、前記第１の列の数と、の合計が最小となるように、前記アライメント領域を移動することができる。
【０００８】
本発明に係るショットマップの作成方法において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記第２の行を移動するごとに前記有効チップ領域の数を算出し、前記有効チップ領域の数が最大となる位置で、前記第２の行を固定し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記第２の列を移動するごとに前記有効チップ領域の数を算出し、前記有効チップ領域の数が最大となる位置で、前記第２の列を固定することができる。
【０００９】
本発明に係るショットマップの作成方法において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記第２の行を移動した後に、前記第２の行と連続するように追加ショット領域を配置し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記第２の列を移動した後に、前記第２の列と連続するように追加ショット領域を配置することができる。
【００１０】
本発明に係るショットマップの作成方法において、
前記第１ショットマップを作成するステップは、
前記有効チップ領域の数が同じショットマップを複数有する場合には、前記追加ショット領域の数が最も小さい前記ショットマップを、前記第１ショットマップとして取得し、
前記第２ショットマップを作成するステップは、
前記有効チップ領域の数が同じショットマップを複数有する場合には、前記追加ショット領域の数が最も小さい前記ショットマップを、前記第２ショットマップとして取得することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
本発明に係るショットマップ作成方法により作成された前記修正ショットマップを用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
１．  ショットマップ作成方法
図１は、本実施形態に係るショットマップ作成方法を模式的に示すフローチャートである。
【００１４】
本実施形態に係るショットマップ作成方法は、図１に示すように、初期ショットマップを作成するステップＳ１１０と、アライメント領域補正ショットマップを作成するステップＳ１２０と、第１ショットマップを作成するステップＳ１３０と、第２ショットマップを作成するステップＳ１４０と、修正ショットマップを作成するステップＳ１５０と、を含む。以下、ステップごとに説明する。
【００１５】
（１）初期ショットマップを作成するステップＳ１１０
図２は、初期ショットマップ１１０を模式的に示す平面図である。図３は、ショット領域２０を模式的に示す平面図である。
【００１６】
ステップＳ１１０では、図２に示すように、複数のショット領域２０を配列する。ショット領域２０は、例えば、公知のショットマップ作成モジュールに、ショット領域２０のサイズ、チップ領域１０のサイズおよびウェハ（図示せず）のサイズなどを入力することにより、自動的に配列されることができる。ショット領域２０は、例えば９つの行（Ｙ１〜Ｙ９）と９つの列（Ｘ１〜Ｘ９）からなるマトリックス状に配列されることができるが、行および列の数は特に限定されない。ショット領域２０は、例えば、ステッパなどの露光装置の制約により、ショット領域の中心点２０ａが露光領域３０内に位置するように配列される。そのため、例えば、位置（Ｘ１，Ｙ３），（Ｘ１，Ｙ７），（Ｘ３，Ｙ１）などに、ショット領域２０は、配置されない。なお、上述の位置は、図２の左下の区画を位置（Ｘ１，Ｙ１）とし、行方向（Ｘ方向）の指定を列Ｘ１〜Ｘ９で行い、列方向（Ｙ方向）の指定を行Ｙ１〜Ｙ９で行っている。
【００１７】
ショット領域２０は、図３に示すように、複数のチップ領域１０によって構成されている。チップ領域１０は、例えば５つの行と２つの列とからなるマトリックス状に配列されていることができるが、行および列の数は特に限定されない。チップ領域１０は、行方向（Ｘ方向）の寸法をＬｘ、列方向（Ｙ方向）の寸法をＬｙとすることができる。チップ領域１０は、例えば、回路パターン領域２と、回路パターン領域２を取り囲むスクライブライン領域４と、によって構成されている。チップ領域１０は、例えば、スクライブライン領域の中心線４ａによって区画されている領域である。半導体装置の製造工程では、例えば、ダイシングによって、ウェハ上に形成されたスクライブライン領域４に沿ってウェハを切断し、回路パターン領域２を切り分けることができる。
【００１８】
チップ領域１０は、図２に示すように、有効チップ領域１２と、無効チップ領域１４と、に区別されている。有効チップ領域１２は、露光領域３０内であって、露光領域３０によって分断されることなく配置されているチップ領域である。無効チップ領域１４は、露光領域３０によって分断されているチップ領域、もしくは露光領域３０外に配置されているチップ領域である。
【００１９】
ステップＳ１１０では、図２に示すように、ショット領域２０の複数個をアライメント領域２２として配置する。アライメント領域２２は、例えば、公知のショットマップ作成モジュールによって、自動的に配置されることができる。アライメント領域２２の数は、例えば９つであるが、その数は特に限定されない。アライメント領域２２の数は、例えば、半導体装置の製造工程の規格などによって決定される。半導体装置の製造工程であるフォトリソグラフィ工程では、例えば、ウェハ上に形成されたアライメント領域２２内のアライメントマークによって、ウェハとレチクル（図示せず）との位置合わせを行うことができる。そのため、アライメント領域２２は、例えば、公知のショットマップ作成モジュールによって、ショットマップにおける面内均一性がよくなるように配置される。
【００２０】
以上により、図２に示す初期ショットマップ１１０を作成することができる。
【００２１】
（２）アライメント領域補正ショットマップを作成するステップＳ１２０
図４は、アライメント領域補正ショットマップ１２０を模式的に示す平面図である。
【００２２】
ステップＳ１２０では、図４に示すように、初期ショットマップ１１０から、アライメント領域２２を移動する。アライメント領域２２の移動は、ショット領域２０およびアライメント領域２２の配列からなる第１の行４０および第１の列５０と、ショット領域２０の配列からなる第２の行４２および第２の列５２と、を形成するように行われる。すなわち、第２の行４２および第２の列５２は、アライメント領域２２が配置されていない行および列のことである。図示の例では、行Ｙ３，Ｙ５，Ｙ７が第１の行４０となり、それら以外の行が第２の行４２となる。また、列Ｘ２，Ｘ５，Ｘ８が第１の列５０となり、それら以外の列が第２の列５２となる。
【００２３】
アライメント領域２２の移動は、例えば、第１の行４０の数と、第１の列５０の数との合計が、最小となるように（すなわち、第２の行４２の数と、第２の列５２の数との合計が最大となるように）行われる。図示の例では、第１の行４０の数と、第１の列５０の数との合計は、６つとなる。
【００２４】
具体的に図示の例では、アライメントショット領域２２を、初期ショットマップ１１０の位置（Ｘ３，Ｙ３）から位置（Ｘ２，Ｙ３）に移動し、位置（Ｘ３，Ｙ７）から位置（Ｘ２，Ｙ７）に移動し、位置（Ｘ５，Ｙ２）から位置（Ｘ５，Ｙ３）に移動し、位置（Ｘ５，Ｙ８）から位置（Ｘ５，Ｙ７）に移動し、位置（Ｘ７，Ｙ３）から位置（Ｘ８，Ｙ３）に移動し、位置（Ｘ７，Ｙ７）から位置（Ｘ８，Ｙ７）に移動している。
【００２５】
なお、第１の行４０の数と、第１の列５０の数との合計が最小となる配置が複数存在する場合は、ショットマップにおける面内均一性を考慮して、アライメント領域２２を移動することができる。すなわち、列Ｘ２に配置されている３つのアライメント領域２２を、図示はしないが例えば列Ｘ３に配置したとしても、第１の行４０の数と、第１の列５０の数との合計は、６つとなる。しかしながら、ショットマップにおける面内均一性を考慮し、これら３つのアライメント領域２２は、図４に示すように、列Ｘ２に配置されることができる。
【００２６】
以上により、図４に示すアライメント領域補正ショットマップ１２０を作成することができる。
【００２７】
（３）第１ショットマップを作成するステップＳ１３０
図５〜図７は、第１ショットマップ１３０の作成工程を模式的に示す平面図である。図８は、第１ショットマップ１３０を模式的に示す平面図である。
【００２８】
ステップＳ１３０では、図５に示すように、アライメント領域補正ショットマップ１２０から、第２の行４２を、図３に示すチップ領域１０の行方向（Ｘ方向）の寸法Ｌｘを単位として、チップ領域１０の行方向に移動する。アライメント領域２２が配置されている第１の行４０は、移動させない。
【００２９】
仮に、第１の行４０を移動させると、フォトリソグラフィ工程において、ウェハ上に形成されるアライメント領域２２のアライメントマークが移動することになり、ウェハとレチクルとの位置合わせが精度よくできない場合がある。また、例えば、半導体装置の製造工程によっては、ウェハ上に形成されるアライメント領域２２のパターンで、寸法検査、膜厚検査など行うため、アライメント領域２２が移動してしまうと、このような検査工程を精度よく行うことができない場合がある。したがって、第１の行４０を移動させたショットマップを用いてフォトリソグラフィ工程を行うと、信頼性の低い半導体装置が製造される場合がある。そのため、第２の行４２のみを移動させる。
【００３０】
図示の例では、第２の行４２は、行Ｙ１，Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，Ｙ８，Ｙ９である。以下、ステップＳ１３０について、具体的に説明する。
【００３１】
（イ）まず、図５に示すように、行Ｙ１を、Ｘ方向に寸法１×Ｌｘ移動する。該移動によって、位置（Ｘ７，Ｙ１）において、新たに有効チップ領域１２（追加有効チップ領域１３）を２つ取得することができる。次に、図６に示すように、行Ｙ１に連続するようにショット領域２０（追加ショット領域２１）を配置する。追加ショット領域２１は、位置（Ｘ３，Ｙ１）と位置（Ｘ４，Ｙ１）とに跨る領域に配置される。これにより、位置（Ｘ３，Ｙ１）において、追加有効チップ領域１３を２つ取得することができる。なお、仮に、追加ショット領域２１を、さらに、位置（Ｘ２，Ｙ１）と位置（Ｘ３，Ｙ１）とに跨る領域に配置しても、追加有効チップ領域１３の数は増加しない。よって、該位置には、追加ショット領域２１を配置しない。したがって、配置した追加ショット領域２１の数は、１つとなる。次に、行Ｙ１における追加有効チップ領域１３の数（もしくは、有効チップ領域１２の数）を算出する。図示の例では、４つの追加有効チップ領域１３を取得することができる。なお、行Ｙ１を、Ｘ方向とは反対の−Ｘ方向に寸法１×Ｌｘ移動しても、同じ結果を得ることができる。
【００３２】
（ロ）次に、図７に示すように、行Ｙ１を、Ｘ方向に寸法２×Ｌｘ移動する。該移動によって、位置（Ｘ７，Ｙ１）において、追加有効チップ領域１３を２つ取得することができる。次に、行Ｙ１に連続するように追加ショット領域２１を配置する。追加ショット領域２１は、位置（Ｘ３，Ｙ１）と位置（Ｘ４，Ｙ１）とに、２つ配置されることができる。これにより、位置（Ｘ３，Ｙ１）において、追加有効チップ領域１３を２つ取得することができる。次に、行Ｙ１における追加有効チップ領域１３の数を算出する。図示の例では、４つの追加有効チップ領域１３を得ることができる。
【００３３】
（ハ）次に、行Ｙ１を、寸法１×Ｌｘ移動した場合（工程（イ））と、寸法２×Ｌｘ移動した場合（工程（ロ））との、追加有効チップ領域１３の数を比較する。そして、追加有効チップ領域１３の数が大きい方（すなわち、有効チップ領域１２の数が大きい方）の配置で、行Ｙ１を固定する。上述のように、工程（イ）および工程（ロ）とも追加有効チップ領域１３の数は、４つである。このように追加有効チップ領域１３の数が同じ場合は、追加ショット領域２１の数が小さい方の配置で、行Ｙ１を固定する。上述のように、工程（イ）では、追加ショット領域２１の数は１つであるのに対し、工程（ロ）では２つである。したがって、図６に示す工程（イ）の配置で、行Ｙ１は固定される。
【００３４】
なお、図示はしないが、行Ｙ１を寸法３×Ｌｘ以上移動させても、追加有効チップ領域１３の数は４つより大きくならず、寸法１×Ｌｘ移動した場合に比べて、追加ショット領域２１の数は増加する。したがって、上述のとおり、行Ｙ１は、寸法１×Ｌｘ移動した配置で固定される。ここで、行Ｙ１を寸法２×Ｌｘ以上移動させると、例えば図７に示す位置（Ｘ３，Ｙ１），（Ｘ７，Ｙ１）に配置されているショット領域２０のように、ショット領域の中心点２０ａが露光領域３０外に位置することになる。そのため、行Ｙ１を寸法２×Ｌｘ以上移動することができない場合がある。
【００３５】
仮に、行Ｙ１を移動しても追加有効チップ領域１３を取得できない場合は、行Ｙ１は移動されずに、アライメント領域補正ショットマップ１２０の配置で固定される。
【００３６】
以上、上述した工程（イ），（ロ），（ハ）を、残りの第２の行４２（行Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，Ｙ８，Ｙ９）について順に行う。行Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，Ｙ８を移動しても追加有効チップ領域１３を取得できないので、これらの行は、アライメント領域補正ショットマップ１２０の配置で固定される。行Ｙ９は、図８に示すように寸法１×Ｌｘ移動させることにより、行Ｙ１と同様に、追加有効チップ領域１３を４つ取得することができる。
【００３７】
以上により、図８に示す第１ショットマップ１３０を作成することができる。第１ショットマップ１３０では、追加有効チップ領域１３の数は８つである。すなわち、第１ショットマップ１３０では、アライメント領域補正ショットマップ１２０に比べて、有効チップ領域１２の数が８つ増えている。
【００３８】
（４）第２ショットマップを作成するステップＳ１４０
図９は、第２ショットマップ１４０を模式的に示す平面図である。
【００３９】
ステップＳ１４０では、図９に示すように、アライメント領域補正ショットマップ１２０から、第２の列５２を、図３に示すチップ領域１０の列方向（Ｙ方向）の寸法Ｌｙを単位として、チップ領域１０の列方向に移動する。図示の例では、第２の列５２は、列Ｘ１，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ６，Ｘ７，Ｘ９である。ステップＳ１４０は、行と列との違いはあるものの、基本的には、上述したステップＳ１３０と同じ工程を有する。
【００４０】
すなわち、図９に示すように、列Ｘ１を、Ｙ方向に寸法２×Ｌｘ移動し、追加ショット領域２１を配置することにより、追加有効チップ領域１３を４つ取得することができる。列Ｘ３，Ｘ７，Ｘ９についても、同様に、追加有効チップ領域１３を４つ取得することができる。列Ｘ４，Ｘ６については、移動させても追加有効チップ領域１３を取得することはできないので、アライメント領域補正ショットマップ１２０の配置で固定される。
【００４１】
以上により、図９に示す第２ショットマップ１４０を作成することができる。第２ショットマップ１４０では、追加有効チップ領域１３の数は１６つである。すなわち、第２ショットマップ１４０では、アライメント領域補正ショットマップ１２０に比べて、有効チップ領域１２の数が１６つ増えている。
【００４２】
（５）修正ショットマップを作成するステップＳ１５０
図１０は、修正ショットマップ１５０を模式的に示す平面図である。
【００４３】
ステップＳ１５０では、第１ショットマップ１３０と第２ショットマップ１４０とを比較し、追加有効チップ領域１３の数が大きい方、すなわち有効チップ領域１２の数が大きい方のショットマップを取得する。
【００４４】
上述のように、第１ショットマップ１３０では、アライメント領域補正ショットマップ１２０に比べて、有効チップ領域１２の数は、８つ増えている。第２ショットマップ１４０では、有効チップ領域１２の数は、１６つ増えている。したがって、ステップＳ１５０では、第２ショットマップ１４０を取得する。すなわち、修正ショットマップ１５０は、第２ショットマップ１４０となる。
【００４５】
以上により、図１０に示す修正ショットマップ１５０を作成することができる。修正ショットマップ１５０では、アライメント領域補正ショットマップ１２０に比べて、有効チップ領域１２の数が１６つ増えている。
【００４６】
本実施形態に係るショットマップ作成方法では、例えば、以下の特徴を有する。
【００４７】
本実施形態に係るショットマップ作成方法では、アライメント領域２２が配置されている第１の行４０、第１の列５０を固定させ、アライメント領域２２が配置されていない第２の行４２、第２の列５２を移動させることができる。そのため、例えば、フォトリソグラフィ工程や検査工程を精度よく行うことができ、かつ有効チップ領域１２の数を増やすことができる。すなわち、半導体装置の信頼性を低下させることなく、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上することができる修正ショットマップ１５０を作成できる。
【００４８】
本実施形態に係るショットマップ作成方法では、第２の行４２、第２の列５２を、チップ領域１０の行、列方向の寸法を単位として移動することができる。そのため、図２に示すスクライブライン領域４は、互いにずれることはなく、直線状に形成されることができる。したがって、第２の行４２、第２の列５２を移動させても、ダイシングによって、ウェハ上に形成されたスクライブライン領域４に沿ってウェハを切断し、回路パターン領域２を切り分けることができる。
【００４９】
本実施形態に係るショットマップ作成方法では、第２の行４２、第２の列５２を移動させた結果、追加有効チップ領域１３の数が同じ場合は、追加ショット領域２１の数が小さい方の配置で、第２の行４２、第２の列５２を固定することができる。すなわち、有効チップ領域１２の数が同じショットマップを複数有する場合には、追加ショット領域２１の数が最も小さいショットマップを、第１ショットマップ１３０、第２ショットマップ１４０として取得することができる。そのため、効率よく有効チップ領域１２の数を増やすことができるので、フォトリソグラフィ工程のスループットを向上することができる修正ショットマップ１５０を作成できる。
【００５０】
２．  半導体装置の製造方法
本発明に係るショットマップ作成方法により作成されたショットマップを用いる、半導体装置の製造方法について説明する。
【００５１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、フォトリソグラフィ工程において、本発明に係るショットマップ作成方法により作成された修正ショットマップ１５０を用いることができる。フォトリソグラフィ工程で使用される露光装置としては、例えば、公知のステッパなどを用いることができる。
【００５２】
半導体装置の製造方法では、信頼性を低下させることなく、高いスループットで半導体装置を製造することができる。
【００５３】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施形態に係るショットマップ作成方法を模式的に示すフローチャート。
【図２】本実施形態に係るショットマップを模式的に示す平面図。
【図３】本実施形態に係るショット領域を模式的に示す平面図。
【図４】本実施形態に係るショットマップを模式的に示す平面図。
【図５】本実施形態に係るショットマップの作成工程を模式的に示す平面図。
【図６】本実施形態に係るショットマップの作成工程を模式的に示す平面図。
【図７】本実施形態に係るショットマップの作成工程を模式的に示す平面図。
【図８】本実施形態に係るショットマップを模式的に示す平面図。
【図９】本実施形態に係るショットマップを模式的に示す平面図。
【図１０】本実施形態に係るショットマップを模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００５５】
２  回路パターン領域、４  スクライブライン領域、４ａ  スクライブライン領域の中心線、１０  チップ領域、１２  有効チップ領域、１３  追加有効チップ領域、１４  無効チップ領域、２０  ショット領域、２０ａ  ショット領域の中心点、２１  追加ショット領域、２２  アライメント領域、３０  露光領域、４０  第１の行、４２  第２の行、５０  第１の列、５２  第２の列、１１０  初期ショットマップ、１２０  アライメント領域補正ショットマップ、１３０  第１ショットマップ、１４０  第２ショットマップ、１５０  修正ショットマップ
【図１】
0005077559.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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