(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスと触媒体との接触分解による触媒反応で生成される堆積種を基板上に堆積させて成膜を行う触媒ＣＶＤ法において、前記原料ガスとして、分子構造中に酸素原子を有するＮ2Ｏ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2のうちいずれかから成る酸化ガスと、ＴＥＯＳまたはＴＥＭＯＳから成る有機ケイ素化合物、ＳｉＨ4、ＳｉＣｌ4またはＳｉ2Ｈ6から成る無機ケイ素化合物のうちいずれかから成る被酸化ガスとを含有する混合気体を用い、前記触媒体として、前記触媒反応の脱離温度より高い融点を有するＩｒから成る金属または合金を用い、該融点未満の所定温度に通電加熱した前記金属または合金と前記混合気体とを接触分解させて、該混合気体中の前記酸化ガスと前記被酸化ガスとの反応生成酸化物として前記堆積種を生成し、該堆積種を基板上に堆積させて酸化膜を形成することを特徴とする加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法。
【請求項２】
前記請求項１に記載の化学気相堆積方法に用いられる化学気相堆積装置であって、前記加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法により酸化膜を形成するために、Ｉｒから成る金属または合金から成る通電加熱可能な触媒体と前記堆積種を堆積させる基板とを有する成膜室系と、前記触媒体を通電加熱するための電気系と、前記気相堆積反応の圧力条件を調整するための排気系と、前記酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体である原料ガスを導入するための導入部とを備えることを特徴とする化学気相堆積装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、触媒ＣＶＤ法、即ち、原料ガスと触媒体との接触分解反応で生成される堆積種を基板上に堆積させる成膜法により、例えばアモルファルシリコン型ＴＦＴの下地コート膜やゲート絶縁膜として用いられるシリコン酸化膜等の酸化膜を形成する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、化学的気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いる薄膜の形成方法として、加熱した触媒体上で原料ガスを接触分解してシリコン酸化膜を形成させるものが提案されている。
【０００３】
例えば、特公平３−６５４３４号公報では、水素、シラン、ジシラン、アンモニア、ヒドラジンなどを白熱又は赤熱したタングステン等の熱触媒反応を起こす金属に接触して熱分解させて分解種を生成し、フッ化シリコンなどの中間種と混合し、その混合ガスを基板上に堆積させて、熱ＣＶＤ法により窒化シリコンや酸化シリコンを含有した絶縁膜を形成するものが開示されている。
【０００４】
また、上記の熱ＣＶＤ法を改良し、低温化や成膜間の界面に対するダメージ回避を実現するものとして、特開昭６３−４０３１４号公報により、タングステン等から適宜に選択された触媒体を、所定温度範囲で加熱して、酸素ガスを混合させたシリコン含有原料ガスと接触させて、触媒反応または熱分解反応により堆積種またはその前駆体を形成し、これを原料種として基板上に堆積させて酸化シリコンなどの薄膜を形成する方法が知られている。このものは、比較的低温の基板上に効率良く薄膜を形成できるという利点を有し、触媒ＣＶＤ法と称されている。
【０００５】
このような触媒ＣＶＤ法を用いた薄膜の形成に関する従来技術は、他にも多数開示されており、例えば、特開平８−２５０４３８号公報や特開２０００−２２３４２１号公報では、触媒反応の条件を種々調整して高品位の薄膜を形成する方法が提案されている。
【０００６】
ところで、触媒ＣＶＤ法を用いるときの触媒体材料を変更することも試みられており、触媒体としてタングステンと同様の効果を得られる金属元素として、例えば上記の特開昭６３−４０３１４号公報では白金など、特許第３１３２４８９号ではタンタルなどの高融点金属を例示している。
【０００７】
しかしながら、例えば白金を用いる場合、このものは蒸気圧が高いため早期に昇華され安定した触媒効果を得ることが難しいという問題点があり、触媒体として用いられる金属は依然としてタングステンが一般的である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように触媒ＣＶＤ法により種々のシリコン含有薄膜を形成することが可能であるが、用途が多岐に亘るという点でシリコン酸化膜はなかでも重要な薄膜である。
【０００９】
ところが、触媒ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する際に触媒体としてタングステンを用いる場合、酸化反応に関与する酸素原子がタングステンと反応してタングステン酸化物を形成することがある。このものは、比較的低温の８００℃で昇華が始まるため、この昇華点以上の温度で関与するべき触媒反応に悪影響を与えるおそれがある。
【００１０】
例えば、原料ガスとしてシランガスと酸素ガスとを用い、触媒体として加熱されたタングステンを用いて触媒ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する場合、基板上に形成されたシリコン酸化膜には成膜むらが生じることがある。このものでは、加熱されたタングステン上で酸素ガスを含む原料ガスを接触分解させる際に、金属タングステンが原料ガス中の酸素と反応してタングステン酸化物になり触媒反応が起こらなくなるばかりでなく、昇華が起こり、触媒としてのタングステンの形態安定性が損なわれ、断線に至ることもある。
【００１１】
即ち、通常の触媒―堆積反応は、触媒に対する加熱温度が上昇するにつれて、触媒金属に対する原料ガスの吸着段階と、その後の触媒金属上での原料ガスの分解段階と、さらにこれに続く触媒金属からの原料ガスの脱離段階とを経て成るのに対し、上記のようにシランガスや酸素ガスを原料ガスに用いた場合、上記の分解段階と脱離段階とがそれぞれ約６００℃及び約１５００℃で行われるものであるところ、その中途の約８００℃で触媒タングステンの一部がタングステン酸化物として昇華してしまう結果、最後の分離段階が完全に行われず、基板への薄膜の堆積が充分に行われないのである。
【００１２】
上記問題点に鑑み、本発明は、安定した触媒反応を確保し得る触媒ＣＶＤ法により酸化膜を形成する方法及びそのための装置を提供することを課題としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、原料ガスと触媒体との接触分解による触媒反応で生成される堆積種を基板上に堆積させて成膜を行う触媒ＣＶＤ法において、前記原料ガスとして、分子構造中に酸素原子を有する酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体を用い、前記触媒体として、前記触媒反応の脱離温度、即ち、前記混合ガスが前記触媒体から脱離するのに要する温度より高い融点を有する金属または合金を用い、該融点未満の所定温度に通電加熱した前記金属または合金と前記混合気体とを接触分解させて、この混合気体中の酸化ガスと被酸化ガスとの反応生成酸化物として前記堆積種を生成するようにした。そして、この堆積種が基板上に堆積して酸化膜を形成するものである。
【００１４】
この場合、前記金属は、Ｉｒであり、前記合金は、前記金属を含有して成る必要がある。この金属元素は、高融点（Ｉｒ：２４４３℃）を有すると共にタングステンのように低い昇華点を有する酸化物を生成するおそれがないので安定した触媒―堆積反応を実現して確実に酸化膜を形成できる。
【００１５】
また、これらの場合、前記酸化ガスは、Ｎ2Ｏ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2のうちいずれかから成り、前記被酸化ガスは、ＴＥＯＳまたはＴＥＭＯＳから成る有機ケイ素化合物、ＳｉＨ4、ＳｉＣｌ4またはＳｉ2Ｈ6から成る無機ケイ素化合物のうちいずれかから成る必要がある。上記のような酸化ガスを用いることにより、酸素ガスを用いた場合に起こる触媒体との激しい酸化反応を招かずに上記の有機ケイ素化合物や無機ケイ素化合物を原料とするシリコン酸化膜の形成を行うことができる。
【００１６】
また、Ｉｒから成る金属または前記金属を含有して成る合金から成る通電加熱可能な触媒体と前記堆積種を堆積させる基板とを有する成膜室系と、前記触媒体を通電加熱するための電気系と、前記気相堆積反応の圧力条件を調整するための排気系と、前記酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体である原料ガスを導入するための導入部とを備える化学気相堆積装置により上記のような酸化膜を形成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に用いる触媒ＣＶＤ装置の概要を示したものである。本触媒ＣＶＤ装置は、ＡＰＣ（Automatic Pressure Controller＝自動圧力調整器）１とゲートバルブ２とドライポンプ３とから成る排気系と、スライダック４と電流計５と電圧計６とから成る電気系と、触媒線７とチャンバ８と基板９とから成る成膜室系とから構成されており、チャンバ８に導入される原料ガスを触媒線７上で接触分解する反応により堆積種として生成した後に基板９上にシリコン酸化膜を形成するように構成されている。なお、触媒線７はイリジウム金属、基板９はシリコン基板から成り、また、触媒線７の温度は放射温度計１０でモニタされている。
【００１８】
原料ガスを導入して図１の触媒ＣＶＤ装置を稼動させる前に、最初に、チャンバ８内に水素ガスを封入ガスとして導入し、ＡＰＣ１により成膜室系を２０Ｐａ程度の減圧状態に調整する。次に、触媒線７に電流を流しスライダック４により電圧を次第に増大させ、放射温度計１０による触媒線７の測定温度が１８００℃を保つようにする。このようにした状態で、水素ガスの導入を停止して原料ガスとしてＮ2Ｏ（酸化ガス）とＳｉＨ4（被酸化ガス）とを混合させたものを所定時間導入する。
【００１９】
なお、このような水素ガスの導入は、原料ガスの導入前に触媒線７を加熱することにより触媒線７の構成材料が放出されてこの構成材料が成膜された膜中に混入することを防止するために行うものである。触媒線７を水素ガス雰囲気中で加熱することでそのような混入は回避できる。
【００２０】
基板９上への堆積に際しては、上記のように導入されたＮ2ＯとＳｉＨ4とを混合させて成る原料ガスが１８００℃に加熱された触媒線７上で接触分解され、ＳｉＨ4からラジカルまたはイオン状態のＳｉが生成され、Ｎ2Ｏからラジカルまたはイオン状態のＯが生成されて、これらが堆積種として基板９上に堆積されシリコン酸化膜が形成される。
【００２１】
上記の堆積過程では、触媒と原料ガスとが、吸着、分解、脱離の各段階を経て反応しているが、いずれの段階でも要する加熱温度はイリジウムの融点よりも低いためイリジウム金属の形状は安定しており、このためシリコン酸化膜の成膜に際し、下記[実施例１]に示すように安定した触媒性能が得られ、基板９上の成膜を確実に行うことができる。
【００２２】
最後に、堆積に要する所定時間経過後に、Ｎ2ＯとＳｉＨ4とを混合させて成る原料ガスの導入を停止し、再び水素ガスを封入する。このようにした状態で、スライダック４により電圧を低下させ、放射温度計１０による触媒線７の測定温度を室温まで低下させる。このような後処理は、原料ガス導入前の前処理と同様に高温状態の触媒線７から放出される物質により、成膜室系が汚染されるのを防止するために行われるものである。
【００２３】
なお、本実施の形態では、触媒体を構成する金属としてイリジウムを用いたが、タングステンのように触媒―接触反応の進行を妨げることがない高融点金属であれば触媒体として使用可能であり、例えば、ニオブやルテニウムなどの金属元素を用いることができる。さらに、これらの単体金属のみならず、イリジウム、ニオブ及びルテニウムで構成され、触媒―接触反応における脱離温度より高い融点を有する合金も触媒体として用いることができる。
【００２４】
また、本実施の形態では、酸化ガスとしてＮ2Ｏガスを用いたが、これ以外にも、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2など酸素原子を有する酸化性の化合物ガスを用いることができ、さらに、被酸化ガスとしては、ＳｉＨ4以外にも、ＴＥＯＳ、ＴＥＭＯＳなどの有機ケイ素化合物や、ＳｉＣｌ4、Ｓｉ2Ｈ6などの無機ケイ素化合物を用いることができる。
【００２５】
更に、ＴＥＯＳ、ＴＥＭＯＳなどの酸素原子を含む有機ケイ素化合物を用いる場合には、上記のような酸化ガスを用いなくとも酸化膜を形成することができる。
【００２６】
【実施例】
[実施例１]図１の触媒ＣＶＤ装置において、触媒線７にイリジウム金属を用いて上記方法で所定時間の堆積を行い、基板９上にシリコン酸化膜を形成した。所定時間中の触媒線７の電流変化を電流計５で測定したところ、堆積時間に対する触媒線７の電流変化として図２に示す結果が得られた。
【００２７】
[比較例１]触媒線７にタングステン金属を用いた以外は[実施例１]と同様にして図１の基板９上にシリコン酸化膜を形成したところ、堆積時間に対する触媒線７の電流変化として図３に示す結果が得られた。
【００２８】
触媒線７の堆積時間中の印加電圧は一定に保たれているので、触媒線７の組成や表面積の変化があると抵抗値が変わって電流値が変化する。 [実施例１] は[比較例１] に比べ、堆積時間に亘って安定した電流値を保っており、シリコン酸化膜を形成するための触媒体としてイリジウムが安定した性能を有していることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に用いる触媒体は、堆積時間中に亘って酸化物を形成することなく安定した触媒性能を維持できるので、触媒ＣＶＤ法を用いて確実にシリコン酸化膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】触媒ＣＶＤ装置の概要
【図２】イリジウム金属を用いた触媒線の堆積時間中の電流変化を示すグラフ
【図３】タングステン金属を用いた触媒線の堆積時間中の電流変化を示すグラフ
【符号の説明】
７  触媒線（触媒体）
９  基板
【図１】
0005049433.tif 000002
【図２】
0005049433.tif 000003
【図３】
0005049433.tif 000004