(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線とを有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る行Ａと、
複数の前記画素Ｂから成る行Ｂとを有し、
前記行Ａと前記行Ｂとは、前記走査線の延長方向に延長され、
前記行Ａと前記行Ｂとを交互に配置し、
前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、
互いに隣接する前記２つの映像線の一方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧が、また、他方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧が供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記行Ａの前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、前記行Ｂの前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、それぞれ共通化したことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとを、電気的に接続したことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立していることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記対向電極には、１フレーム毎に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、
前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線とを有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る列Ａと、
複数の前記画素Ｂから成る列Ｂとを有し、
前記列Ａと前記列Ｂとは、前記映像線の延長方向に延長され、
前記列Ａと前記列Ｂとを交互に配置し、
前記各映像線には、１フレーム毎に、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、
前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線とを有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る列Ａと、
複数の前記画素Ｂから成る列Ｂとを有し、
前記列Ａと前記列Ｂとは、前記映像線の延長方向に延長され、
前記列Ａと前記列Ｂとを交互に配置し、
前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに走査電圧を入力する複数の走査線を備え、
ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記各映像線には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記列Ａの前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、前記列Ｂの前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、それぞれ共通化したことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとを、電気的に接続したことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立していることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記対向電極には、１フレーム毎に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記画素Ａと前記画素Ｂとを、市松模様に配置し、
前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、
互いに隣接する前記２つの映像線の一方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧が、また、他方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧が供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記画素Ａと前記画素Ｂとを、市松模様に配置し、
前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線と、
前記画素Ａおよび前記画素Ｂに走査電圧を入力する複数の走査線とを備え、
ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記各映像線には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、
前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化したことを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記複数の画素の前記映像線の延長方向に配置されたｊ（ｊ≧１）列毎に、前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、
前記複数の画素の前記映像線の延長方向に配置されたｊ（ｊ≧１）列毎に、前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化したことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記複数の画素の前記走査線の延長方向に配置されたｋ（ｋ≧１）行毎に、前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、
前記複数の画素の前記走査線の延長方向に配置されたｋ（ｋ≧１）行毎に、前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化したことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記電気的に接続して共通化した前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、電気的に接続して共通化した前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、電気的に接続したことを特徴とする請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ａと、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立していることを特徴とする請求項１６ないし請求項１８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっていることを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記対向電極には、１フレーム毎交互に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが供給されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記各画素Ａの前記対向電極Ａの一部と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの一部とは、前記層間絶縁膜を介して重畳していることを特徴とする請求項１、または、請求項７、または、請求項８、または、請求項１４、あるいは、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第２基板は、遮光膜を有し、
前記遮光膜における、前記各画素Ａの前記対向電極Ａの一部と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの一部とが前記層間絶縁膜を介して重畳している部分に対応する領域の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記層間絶縁膜は、複数の絶縁膜の積層体から構成されることを特徴とする請求項１、または、請求項７、または、請求項８、または、請求項１４、あるいは、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の本数と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の本数とが等しいことを特徴とする請求項１、または、請求項７、または、請求項８、または、請求項１４、あるいは、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の間隔の数と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の間隔の数とが等しいことを特徴とする請求項１、または、請求項７、または、請求項８、または、請求項１４、あるいは、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記各画素Ａの前記画素電極Ａと、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとは同一の材料で構成され、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａと、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂとは同一の材料で構成されることを特徴とする請求項１、または、請求項７、または、請求項８、または、請求項１４、あるいは、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記各画素Ａの前記画素電極Ａと、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとは透明導電性部材で構成され、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａと、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂとは透明導電性部材で構成されることを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、
前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線とを有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る行Ａと、
複数の前記画素Ｂから成る行Ｂとを有し、
前記行Ａと前記行Ｂとは、前記走査線の延長方向に延長され、
前記行Ａと前記行Ｂとを交互に配置し、
前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、
前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、
前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、
前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、
前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、
前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、
前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線とを有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る列Ａと、
複数の前記画素Ｂから成る列Ｂとを有し、
前記列Ａと前記列Ｂとは、前記映像線の延長方向に延長され、
前記列Ａと前記列Ｂとを交互に配置し、
前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、
前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、
前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記アクティブ素子の前記第１電極に接続され、
前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、
前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３２】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、
前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、
前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、
前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、
前記画素Ａと前記画素Ｂとを、市松模様に配置し、
前記第１基板は、アクティブ素子の第１電極と、
前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、
前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、
前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、
前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、
前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、
前記層間絶縁膜は、前記第２の絶縁膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３３】
前記第１の絶縁膜より上層で、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂより下層に設けられた有機絶縁膜を有することを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置。
【請求項３４】
前記ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記対向電極には、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給されることを特徴とする請求項８または請求項１５に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ素子として薄膜トランジスタを使用するＴＦＴ方式の液晶表示装置は高精細な画像を表示できるため、テレビ、パソコン用ディスプレイ等の表示装置として使用されている。
このＴＦＴ方式の液晶表示装置の一つに、ＩＰＳ方式（横電界方式ともいう）の液晶表示装置が知られている。このＩＰＳ方式の液晶表示装置の液晶表示パネル（以下、ＩＰＳ方式の液晶表示パネル）では、画素電極と対向電極との間で、少なくとも一部において基板と平行な電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、液晶層を透過する光を変調させて画像を表示するものである。
このＩＰＳ方式の液晶表示パネルにおいて、絶縁膜を挟んで、面状の下層電極と、線状部分を有する上層電極とを形成し、この下層電極と上層電極との間で電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、液晶層を透過する光を変調させて画像を表示する液晶表示パネルが知られている。
【０００３】
なお、半透過型の液晶表示パネルであるが、絶縁膜を挟んで、面状の下層電極と、線状部分を有する上層電極とを形成した電極構造（以下、電極構造Ｆという。）を有するＩＰＳ方式の液晶表示パネルは、下記特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００７−１２１５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電極構造Ｆは次の２種類に大別できる。
（I）線状部分を有する上層電極を画素毎に独立させて、薄膜トランジスタのソース電極に接続して画素電極とし、面状の下層電極を対向電極（共通電極ともいう。）とする構造（以下、Ｓ−ＴＯＰ画素構造という。）
（II）面状の下層電極を画素毎に独立させて薄膜トランジスタのソース電極に接続して画素電極とし、線状部分を有する上層電極を対向電極とする構造（以下、Ｃ−ＴＯＰ画素構造という。）
一方、液晶表示装置の駆動方法としては、一般的なＴＦＴ方式の液晶表示装置において採用されている次の４種類のいずれかの駆動方法を採用することができる。
（１）フレーム毎反転駆動方法
（２）列毎反転駆動方法
（３）ライン毎反転駆動方法
（４）ドット毎反転駆動方法
さらに、（１）のフレーム毎反転駆動方法と（３）のライン毎反転駆動方法では、対向電極に入力するコモン電圧を交流化したコモン交流化駆動と組み合わせることで駆動回路の低電圧化と低消費電力化が図られることが多い。
【０００５】
ＩＰＳ方式の液晶表示パネルにおいても、交流矩形波電圧に直流電圧成分が重畳した場合に通常のフリッカ（ちらつき）が発生するが、（１）のフレーム毎反転駆動方法に比べると、隣り合う画素のフリッカの明暗を空間的に相殺するように分散配置することができる（２）の列毎反転駆動方法、（３）のライン毎反転駆動方法、さらに（４）のドット毎反転駆動方法のほうが見かけのフリッカを抑制する効果が大きいため、この順に画質が改善される。
一方、駆動回路の消費電力は、（１）のフレーム毎反転駆動方法に比べるとコモン交流化駆動できず低電圧化できない（２）の列毎反転駆動方法や、信号配線電圧の交流化周波数が高い（３）のライン毎反転駆動方法、さらに（２）の列毎反転駆動方法と（３）のライン毎反転駆動方法の特徴を併せ持つ（４）のドット毎反転駆動方法のほうが大きい。
そのため、特に、低消費電力化が求められる中小形製品では、４つの駆動方式のうちで最も消費電力が小さい（１）のフレーム毎反転駆動方法が採用される傾向にある。
なお、（２）の列毎反転駆動方法には、２ライン毎同時反転駆動方法のような発展型も存在するが、ここではライン毎反転駆動方法に含めることにする。
【０００６】
前述したように、（２）の列毎反転駆動方法、（３）のライン毎反転駆動方法、および（４）のドット毎反転駆動方法を採用することにより、画質を改善することができるが、前述したように消費電力が増大するという問題がある。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、消費電力を増大させることなく、画質を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、前記複数の画素に走査電圧を入力する複数の走査線とを有する液晶表示装置であって、前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る行Ａと、複数の前記画素Ｂから成る行Ｂとを有し、前記行Ａと前記行Ｂとは、前記走査線の延長方向に延長され、前記行Ａと前記行Ｂとを交互に配置する。（２）（１）において、前記行Ａの前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、前記行Ｂの前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、それぞれ共通化する。
（３）（２）において、前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとを、電気的に接続する。
【０００８】
（４）（２）において、前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立している。
（５）（４）において、前記行Ａの前記共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記行Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっている。
（６）（１）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、前記各映像線には、１フレーム毎に、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給される。
（７）（６）において、前記対向電極には、１フレーム毎に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給される。
（８）（１）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、互いに隣接する前記２つの映像線の一方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧が、また、他方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧が供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給される。
【０００９】
（９）第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素と、前記複数の画素に映像電圧を入力する複数の映像線とを有する液晶表示装置であって、前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、前記液晶表示パネルは、複数の前記画素Ａから成る列Ａと、複数の前記画素Ｂから成る列Ｂとを有し、前記列Ａと前記列Ｂとは、前記映像線の延長方向に延長され、前記列Ａと前記列Ｂとを交互に配置する。
（１０）（９）において、前記列Ａの前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、前記列Ｂの前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、それぞれ共通化する。
（１１）（１０）において、前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとを、電気的に接続する。
（１２）（１０）において、前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａと、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立している。
【００１０】
（１３）（１２）において、前記列Ａの前記共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記列Ｂの前記共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっている。
（１４）（９）において、前記各映像線には、１フレーム毎に、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給される。
（１５）（１４）において、前記対向電極には、１フレーム毎に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給される。
（１６）（９）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに走査電圧を入力する複数の走査線を備え、ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記各映像線には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給される。
【００１１】
（１７）第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、画素Ａと画素Ｂとを有する複数の画素を有する液晶表示装置であって、前記画素Ａは、第１基板上に設けられた面状の対向電極Ａと、前記面状の対向電極Ａよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する画素電極Ａとを有し、前記画素Ｂは、第１基板上に設けられた面状の画素電極Ｂと、前記面状の画素電極Ｂよりも上層に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜よりも上層に設けられ、線状部分を有する対向電極Ｂとを有し、前記画素Ａと前記画素Ｂとを、市松模様に配置する。
（１８）（１７）において、前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化する。
（１９）（１８）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、前記複数の画素の前記映像線の延長方向に配置されたｊ（ｊ≧１）列毎に、前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、前記複数の画素の前記映像線の延長方向に配置されたｊ（ｊ≧１）列毎に、前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化する。
（２０）（１８）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに走査電圧を入力する複数の走査線を備え、前記複数の画素の前記走査線の延長方向に配置されたｋ（ｋ≧１）行毎に、前記複数の画素Ａの対向電極Ａを、電気的に接続して共通化し、前記複数の画素の前記走査線の延長方向に配置されたｋ（ｋ≧１）行毎に、前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂを、電気的に接続して共通化する。
【００１２】
（２１）（１８）ないし（２０）の何れかにおいて、前記電気的に接続して共通化した前記複数の画素Ａの対向電極Ａと、電気的に接続して共通化した前記複数の画素Ｂの対向電極Ｂとを、電気的に接続する。
（２２）（１８）ないし（２０）の何れかにおいて、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ａと、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ｂとは、それぞれ独立している。
（２３）（２２）において、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ａに供給される対向電圧の位相と、前記電気的に接続して共通化した前記対向電極Ｂに供給される対向電圧の位相とは異なっている。
（２４）（１７）において、前記複数の画素Ａと、前記複数の画素Ｂとには、１フレーム毎に、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給される。
（２５）（２４）において、前記対向電極には、１フレーム毎交互に、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが供給される。
（２６）（１７）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線を備え、互いに隣接する前記２つの映像線の一方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧が、また、他方には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧が供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給される。
【００１３】
（２７）（１７）において、前記液晶表示パネルは、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに映像電圧を入力する複数の映像線と、前記画素Ａおよび前記画素Ｂに走査電圧を入力する複数の走査線とを備え、ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記各映像線には、前記対向電極に供給される対向電圧よりも高電位の正極性の映像電圧と、前記対向電極に供給される対向電圧よりも低電位の負極性の映像電圧とが交互に供給されるとともに、前記複数の画素Ａおよび前記複数の画素Ｂのそれぞれには、１フレーム毎に、前記正極性の映像電圧と、前記負極性の映像電圧とが交互に供給される。
（２８）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記対向電極Ａの一部と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの一部とは、前記層間絶縁膜を介して重畳している。
（２９）（２８）において、前記第２基板は、遮光膜を有し、前記遮光膜における、前記各画素Ａの前記対向電極Ａの一部と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの一部とが前記層間絶縁膜を介して重畳している部分に対応する領域の少なくとも一部が除去されている。
（３０）（１）、（９）、または（１７）において、前記層間絶縁膜は、複数の絶縁膜の積層体から構成される。
（３１）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の本数と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の本数とが等しい。
（３２）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の間隔の数と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の間隔の数とが等しい。
（３３）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記画素電極Ａと、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとは同一の材料（例えば、透明導電性部材など）で構成され、前記各画素Ａの前記対向電極Ａと、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂとは同一の材料（例えば、透明導電性部材など）で構成される。
【００１４】
（３４）（１）において、前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられた対向電極配線と、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ａの前記対向電極Ａは、前記対向電極配線に接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記対向電極配線に接続され、前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで構成される。
（３５）（３４）において、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第４コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続される。
（３６）（１）において、前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とで構成される。
【００１５】
（３７）（９）において、前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられた対向電極配線と、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ａの前記対向電極Ａは、前記対向電極配線に接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記アクティブ素子の前記第１電極に接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記対向電極配線に接続され、前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜で構成される。
（３８）（３７）において、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続される。
（３９）（９）において、前記第１基板は、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられたアクティブ素子の第１電極と、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記アクティブ素子の前記第１電極に接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、前記層間絶縁膜は、前記第１の絶縁膜で構成される。
【００１６】
（４０）（１）、（９）、または（１７）において、前記第１基板は、アクティブ素子の第１電極と、前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられた対向電極配線と、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ａの前記対向電極Ａは、前記対向電極配線に接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記対向電極配線に接続され、前記層間絶縁膜は、前記第２の絶縁膜で構成される。
（４１）（４０）において、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第２の絶縁膜に設けられた第４コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続される。
（４２）（１）、（９）、または（１７）において、前記第１基板は、アクティブ素子の第１電極と、前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと同層に設けられた対向電極配線Ａと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂと、前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂと同層に設けられた対向電極配線Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ａの前記対向電極Ａは、前記対向電極配線Ａに接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記対向電極配線Ｂに接続され、前記層間絶縁膜は、前記第２の絶縁膜で構成される。
【００１７】
（４３）（１）、（９）、または（１７）において、前記第１基板は、アクティブ素子の第１電極と、前記アクティブ素子の前記第１電極よりも上層に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂと、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂよりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた前記各画素Ａの前記画素電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂとを有し、前記各画素Ａの前記画素電極Ａは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂは、前記第１の絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記第１電極と接続され、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂは、前記第２の絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記各画素Ａの前記対向電極Ａに接続され、前記層間絶縁膜は、前記第２の絶縁膜で構成される。
（４４）（４０）ないし（４３）の何れかにおいて、前記第１の絶縁膜より上層で、前記各画素Ａの前記対向電極Ａおよび前記各画素Ｂの前記画素電極Ｂより下層に設けられた有機絶縁膜を有する。
（４５）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の幅と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の幅とが等しく、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の長さの合計と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の長さの合計とが等しい。
（４６）（１）、（９）、または（１７）において、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の間隔と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の間隔とが等しく、前記各画素Ａの前記画素電極Ａの線状部分の長さの合計と、前記各画素Ｂの前記対向電極Ｂの線状部分の長さの合計とが等しい。
（４７）（１６）または（２７）において、前記ｎ（ｎ≧１）本の前記走査線に選択走査電圧が供給される毎に、前記対向電極配線には、高電位の対向電圧と、低電位の対向電圧とが交互に供給される。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の液晶表示装置によれば、消費電力を大きくすることなく、画質を改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
図１は、本発明の実施例１の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。
本実施例の液晶表示パネルでは、（ｉ−１）ライン目がＳ−ＴＯＰ画素構造、（ｉ）ライン目がＣ−ＴＯＰ画素構造、（ｉ＋１）ライン目がＳ−ＴＯＰ画素構造．．．のように、Ｓ−ＴＯＰ画素構造からなる行と、  Ｃ−ＴＯＰ画素構造からなる行を１ライン毎に交互に配置したことを特徴とする。なお、図１、および後述する図において、Ｓ−ＴＯＰは、Ｓ−ＴＯＰ画素構造を示し、Ｃ−ＴＯＰは、Ｃ−ＴＯＰ画素構造を示す。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造において、第１基板上の走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）の交差部付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設け、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（Ｇ）を走査線（ＧＬ）に接続し、ドレイン電極（Ｄ）を映像線（ＤＬ）に接続する。なお、本実施例において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の映像線（ＤＬ）に接続される一方の電極は、ドレイン電極（Ｄ）あるいはソース電極（Ｓ）として機能し、画素電極に接続される他方の電極は、ソース電極（Ｓ）あるいはドレイン電極（Ｄ）として機能するが、本明細書では、映像線（ＤＬ）に接続される一方の電極をドレイン電極（Ｄ）、画素電極に接続される他方の電極をソース電極（Ｓ）として説明する。
走査線方向に隣り合う同じラインのＳ−ＴＯＰ画素構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（Ｇ）を同じ走査線（ＧＬ）に接続する。
【００２０】
走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆うように積層したパッシベーション膜や有機膜の上に、下層電極としての面状の対向電極（ＬＣＯＭ）を設ける。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上の対向電極（ＬＣＯＭ）に開口部（ＴＨＣ）を形成する。走査線方向に隣り合う同じラインのＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を互いに接続して、対向電極配線（ＣＯＭ）とする。
対向電極（ＬＣＯＭ）を覆うように層間絶縁膜を積層し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上の層間絶縁膜、パッシベーション膜及び有機膜には、対向電極（ＬＣＯＭ）の開口部（ＴＨＣ）の端部が露出しないようにコンタクトホール（ＴＨＩ）を形成し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）の表面の一部を露出させる。
対向電極（ＬＣＯＭ）を覆うように積層した層間絶縁膜の上に、上層電極としての線状部分を有する画素電極（ＵＰＩＸ）を各画素毎に設け、コンタクトホール（ＴＨＩ）を介して画素電極（ＵＰＩＸ）を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）に接続する。画素電極（ＵＰＩＸ）には、複数のスリット状の開口部（ＳＬＴＰ）を設け、櫛歯状の平面形状を形成する。
【００２１】
Ｃ−ＴＯＰ画素構造において、第１基板上の走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）の交差部付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設け、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（Ｇ）を走査線（ＧＬ）に、ドレイン電極（Ｄ）を映像線（ＤＬ）に接続する。
走査線方向に隣り合う同じラインのＣ−ＴＯＰ画素構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（Ｇ）を同じ走査線（ＧＬ）に接続する。
走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆うように積層したパッシベーション膜や有機膜の、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上にコンタクトホール（ＴＨＩ）を形成し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）の表面の一部を露出させる。
また、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆うように積層したパッシベーション膜や有機膜の上に、下層電極としての面状の画素電極（ＬＰＩＸ）を各画素毎に設け、コンタクトホール（ＴＨＩ）を介して画素電極（ＬＰＩＸ）を、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）に接続する。なお、画素電極（ＬＰＩＸ）は対向電極（ＬＣＯＭ）と同時に形成する。
画素電極（ＬＰＩＸ）を覆うように積層した層間絶縁膜の上に、上層電極としての線状部分を有する対向電極（ＵＣＯＭ）を設ける。走査線方向に隣り合う同じラインのＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を互いに接続して、対向電極配線（ＣＯＭ）とする。
対向電極（ＵＣＯＭ）には、複数のスリット状の開口部（ＳＬＴＣ）を設け、櫛歯状の平面形状を形成した。なお、対向電極（ＵＣＯＭ）は画素電極（ＵＰＩＸ）と同時に形成した。
また、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状は、櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしている。
最表面には、液晶層を所定の方向に配向させるための第１配向膜を形成した。
【００２２】
なお、図示は省略するが、第２基板上に、遮光膜、画素毎に異なる複数色のカラーフィルタ、保護膜、第２配向膜を形成し、対向基板とする。第１配向膜と第２配向膜はそれぞれ所定の方向に配向処理する。
第１基板と第２基板を互いの配向膜形成面が一定間隔で対向するように配置し、その間隙に正の誘電率異方性を有するネマチック液晶組成物を充填して液晶層とする。
これにより、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＬＣＯＭ）の間と、対向電極（ＵＣＯＭ）と画素電極（ＬＰＩＸ）の間のそれぞれに液晶層を介して第１基板の表面に平行な成分を有する電界を発生させて、液晶層を駆動する。
これにより、前述の電極構造Fを構成し、また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）の間、および、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の間に、それぞれに画素容量（Ｃｐｘ）と保持容量（Ｃｓｔ）を形成した。
なお、第１基板および第２基板の外側には、位相差板と偏光板を配置して、ノーマリブラック（ＮＢ）表示モードの液晶表示装置を構成した。
また、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、対向電極（ＬＣＯＭ）、対向電極（ＵＣＯＭ）は、図示していない駆動回路に接続する。
【００２３】
本実施例１の液晶表示パネルの等価回路を図２に示す。
それぞれのラインにおいて、各画素の対向電極を接続して対向電極配線（ＣＯＭ）とした。各ライン毎の対向電極配線（ＣＯＭ）は、対向電極配線（ＣＯＭ）の抵抗低減の点では隣接ライン間で接続して全画素共通に電圧を印加することが望ましいが、各ライン毎に分離してそれぞれ独立に電圧を印加しても構わない。
また、（ｉ−１）ライン目及び（ｉ＋１）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）と、（ｉ）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）とがそれぞれほぼ等しくなるように設計した。これは、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＵＰＩＸ）とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状を、櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしているため、層間絶縁膜をＳ−ＴＯＰ画素構造部とＣ−ＴＯＰ画素構造部とで共用することにより実現可能であり、このような手法は全ての実施例に共通である。
このため、各画素電極への寄生容量に起因する走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）から、薄膜トランジスタのソース電極（Ｓ）の電圧へのフィードスルー電圧をＳ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造とでほぼ等しくすることができる。
これにより、Ｓ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造の液晶層への印加電圧波形の違いを抑制することができる。特に、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＵＰＩＸ）とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状を、櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしているため、液晶層への印加電圧が同じであれば液晶層の動作も同じになり、画質の劣化を防止することができる。このような効果は全ての実施例に共通である。
【００２４】
本実施例１による液晶表示装置では、フレーム毎反転駆動方法を採用する。本実施例１、および、後述する実施例２〜７による液晶表示装置における駆動電圧波形の模式図を図３に示す。なお、図３、および後述する図において、ＶＧは、走査線に印加される選択走査電圧であり、ＶＤは映像線に印加される映像電圧であり、ＶＳは画素電極及びソース電極の電圧であり、ＶＣＯＭは対向電極配線に印加される対向電圧であり、（ｉ−１）ＬＩＮＥ、（ｉ）ＬＩＮＥ、（ｉ＋１）ＬＩＮＥは、それぞれ（ｉ−１）ライン、（ｉ）ライン、（ｉ＋１）ラインを表している。
図３の時刻Ａにおいて、（ｉ−１）ライン目及び（ｉ＋１）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造では、画素電極（ＵＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ−１）、ＶＳ（ｉ＋１）がそれぞれ対向電極（ＬＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭ（ｉ−１）、ＶＣＯＭ（ｉ＋１）より高いため、液晶層への電圧印加状態は正極性であり、（ｉ）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造では、対向電極（ＵＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭ（ｉ）が画素電極（ＬＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ）より低いため、液晶層への電圧印加状態は負極性である。なお、すべての実施例において、液晶層への電圧印加状態については、図３において矢印で示すように、面状の下層電極の電圧に対して線状部分を有する上層電極の電圧が高い場合を正極性、低い場合を負極性として説明する。
次のフレーム期間に相当する図３の時刻Ｂにおいてはこの逆であり、（ｉ−１）ライン目及び（ｉ＋１）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造では液晶層への電圧印加状態が負極性、（ｉ）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造では液晶層への電圧印加状態は正極性である。液晶層への電圧印加状態を表１に示す。
表１に示すように、本実施例では、フレーム毎反転駆動方法を採用しながら、液晶層への印加電圧の極性が常にライン毎に反転した配置にすることができるため、各画素毎に発生するフリッカ成分の明暗もこれに応じて常にライン毎に反転した配置になり、空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制することができる。このような効果は全ての実施例に共通である。この場合に、消費電力は、通常のライン毎反転駆動方法の場合よりも小さくすることができる。
【００２５】
【表１】
0005107653.tif 000002
【００２６】
このフレーム毎反転駆動方法において、全てのＶＣＯＭに同一の直流電圧成分（Ｖｄｃ）を重畳した場合の駆動電圧波形の模式図を図４に示す。
（ｉ−１）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造では、下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）と上層電極である画素電極（ＵＰＩＸ）との間に、＋（Ｖａｃ＋Ｖｄｃ）の電圧と、−（Ｖａｃ−Ｖｄｃ）の電圧が交互に印加される。
一方、（ｉ）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造では、下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）と上層電極である対向電極（ＵＣＯＭ）との間に、−（Ｖａｃ＋Ｖｄｃ）と、＋（Ｖａｃ−Ｖｄｃ）の電圧が交互に印加される。
隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造で比べると、各フレーム期間における実効値としてはほぼ同一に変動するため、これに応じた光学的な変動もほぼ同一になり、直流電圧成分（Ｖｄｃ）に起因するフリッカ成分が発生する。
逆に、この駆動方法において、直流電圧成分（Ｖｄｃ）を、Ｖｄｃ＝０に設定することによって、直流電圧成分（Ｖｄｃ）に起因するフリッカ成分を抑制することができる。
したがって、本実施例において、フリッカを最小にするようにＶＣＯＭのレベルを調整することによって、容易に、Ｖｄｃ＝０を実現することができ、残像現象の発生を防止することができる。
また、本実施例において、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭとＣ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧をそれぞれ独立に可変にする。Ｓ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）とがそれぞれほぼ等しくなるように設計できない場合でも、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧をそれぞれ調整することによって、フリッカを抑制することができる。
【００２７】
なお、本実施例では、ＶＣＯＭレベルを一定に保つフレーム毎反転駆動方法の電圧波形の例を示したが、フレーム期間毎にＶＣＯＭの電圧を交流化することによって、映像線（ＤＬ）上の映像電圧の振幅を低減可能なコモン交流化駆動を併用することもできる。これにより、さらに消費電力が低い駆動方式とフリッカの抑制を両立することができる。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧の位相と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧の位相とが異なっていても構わない。これにより、周辺駆動回路の設計的な自由度が広がる。
また、図１では、図を見やすくするために隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極（ＬＣＯＭ）とＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極（ＵＣＯＭ）との間に間隙があるように描いたが、実際には対向電極（ＬＣＯＭ）の少なくとも一部と、対向電極（ＵＣＯＭ）の少なくとも一部を、層間絶縁膜を介して重ね合わせている。
このため、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）が重なり合う領域で、第１基板側にある走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）などから液晶層に漏れ出す電界を対向電極（ＬＣＯＭ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）で遮蔽することができる。
さらに、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）が重なり合う領域に対応する対向基板側の遮光膜の一部を除去した平面形状にした。したがって、漏れ電界による液晶層の意図しない動作が発生しないため、この領域に遮光膜がなくても画質劣化を防止することができるとともに、開口率を向上して明るい表示を実現することができる。このような効果は全ての実施例に共通である。
【００２８】
［実施例１の変形例］
本変形例は、実施例１による液晶表示装置において、列毎反転駆動方法を採用した液晶表示装置である。
図５は、本実施例１において、列毎反転駆動方法を採用した場合の、各画素におけるＶＣＯＭの電圧と、ＶＳの電圧の分布を説明する図である。
列毎反転駆動方法であるため、ＶＣＯＭ（ｉ−１）に対して、ＶＳ（ｉ−１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ−１、ｊ＋１）とＶＳ（ｉ−１、ｊ）の電圧の極性が逆であり、同様に、ＶＣＯＭ（ｉ）に対してＶＳ（ｉ、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ、ｊ＋１）とＶＳ（ｉ、ｊ）の極性が逆であり、ＶＣＯＭ（ｉ＋１）に対してＶＳ（ｉ＋１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ＋１）とＶＳ（ｉ＋１、ｊ）の極性が逆である。
（ｉ−１）ライン目、（ｉ＋１）ライン目と（ｉ）ライン目との間の液晶層への印加電圧の極性の関係は実施例１におけるフレーム毎反転駆動方法の場合と同じであるため、各画素の液晶層への電圧印加状態は表２のようになる。
表２に示すように、図５に示す変形例では、列毎反転駆動方法を採用しながら、液晶層への印加電圧の極性が常にドット単位で市松状に反転した配置にすることができるため、各画素毎に発生する、直流電圧成分等に起因するフリッカ成分の明暗もこれに応じてドット単位で市松状に反転した配置になり、さらに効果的に空間的に相殺できる。したがって、見かけのフリッカを抑制する効果を高めることができる。この場合に、消費電力は、通常のドット反転駆動方法の場合よりも小さくすることができる。
【００２９】
【表２】
0005107653.tif 000003
【００３０】
［実施例２］
図６は、本発明の実施例２の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。前述の実施例１の図１と比較して次の点が異なるだけである。
本実施例では、（ｊ−１）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ＋１）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造．．．のように、Ｓ−ＴＯＰ画素構造からなる列と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造からなる列を１列毎に交互に配置する。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造の各列において、隣り合う行（ライン）の対向電極同士をそれぞれ互いに接続して対向電極配線（ＣＯＭ）とし、Ｃ−ＴＯＰ画素構造の各列において、隣り合う行の対向電極同士をそれぞれ互いに接続して対向電極配線（ＣＯＭ）とする。
本実施例２の液晶表示装置の等価回路を図７に示す。前述の実施例１における図２と比較して次の点が異なるだけである。
それぞれの列において、各画素の対向電極を接続して対向電極配線（ＣＯＭ）としている。各列の対向電極配線（ＣＯＭ）は、対向電極配線（ＣＯＭ）の抵抗低減の点では隣接列間で接続して全画素共通に電圧を印加することが望ましいが、各列毎に分離してそれぞれ独立に電圧を印加しても構わない。
また、（ｊ−１）列目及び（ｊ＋１）列目の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）と、（ｊ）列目の保持容量（Ｃｓｔ）、  画素容量（Ｃｐｘ）とがそれぞれほぼ等しくなるように設計している。
このため、各画素電極への寄生容量に起因する走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）から、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）の電圧へのフィードスルー電圧をＳ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造とでほぼ等しくすることができる。これにより、Ｓ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造の液晶層への印加電圧波形の違いを抑制して画質の劣化を防止することができる。
【００３１】
本実施例２の液晶表示装置では、前述の実施例１と同様にフレーム毎反転駆動方法を採用する。
図８は、本実施例における、各画素におけるＶＣＯＭの電圧、及びＶＳの電圧の分布を説明する図である。駆動電圧波形の模式図は実施例１における図３と同じであるが、画素配列構造の違いのため、次の点で液晶層への電圧印加状態が異なる。
図３の時刻Ａにおいて、（ｊ−１）列目及び（ｊ＋１）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造では画素電極（ＵＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ−１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ−１）、及び、ＶＳ（ｉ−１、ｊ＋１）、ＶＳ（ｉ、ｊ＋１）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ＋１）がそれぞれ対向電極（ＬＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭ（ｊ−１）、ＶＣＯＭ（ｊ＋１）より高いため、液晶層への電圧印加状態は正極性であり、（ｊ）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造では対向電極（ＵＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭ（ｊ）が画素電極（ＬＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ−１、ｊ）、ＶＳ（ｉ、ｊ）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ）より低いため、液晶層（ＬＣ）への電圧印加状態は負極性である。
次のフレーム期間の時刻Ｂにおいては、この逆であり、（ｊ−１）列目及び（ｊ＋１）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造では液晶層（ＬＣ）への電圧印加状態が負極性、（ｊ）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造では液晶層（ＬＣ）への電圧印加状態は正極性である。液晶層への電圧印加状態を表３に示す。
【００３２】
【表３】
0005107653.tif 000004
【００３３】
本実施例では、液晶層への印加電圧の極性を、常に列毎に反転した配置にすることができるため、各画素毎に発生するフリッカ成分の明暗もこれに応じて常に列毎に反転した配置になり、空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制することができる。
このフレーム毎反転駆動方法において、全てのＶＣＯＭの電圧に、同一の直流電圧成分（Ｖｄｃ）を重畳した場合も実施例１と同様の挙動を示す。したがって、本実施例において、フリッカを最小にするようにＶＣＯＭのレベルを調整することによって、容易にＶｄｃ＝０を実現することができ、残像現象の発生を防止することができる。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧をそれぞれ独立に可変にしている。Ｓ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）とがそれぞれほぼ等しくなるように設計できない場合でも、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧をそれぞれ調整することによって、フリッカを抑制することができる。
なお、本実施例では、ＶＣＯＭレベルを一定に保つフレーム毎反転駆動方法の電圧波形の例を示したが、フレーム期間毎にＶＣＯＭを交流化することによって映像線（ＤＬ）上の映像電圧の振幅を低減可能なコモン交流化駆動を併用することもできる。これにより、さらに消費電力が低い駆動方式とフリッカの抑制を両立することができる。
【００３４】
［実施例２の変形例］
本実施例２の変形例は、本実施例２の液晶表示装置において、ライン毎反転駆動方法を採用した変形例である。
実施例２の変形例における駆動電圧波形の模式図を図９に示す。
ライン毎反転駆動方法であるため、ＶＣＯＭ（ｉ−１）に対するＶＳ（ｉ−１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ−１、ｊ）、ＶＳ（ｉ−１、ｊ＋１）の極性と、ＶＣＯＭ（ｉ）に対するＶＳ（ｉ、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ、ｊ）、ＶＳ（ｉ、ｊ＋１）の極性とが逆であり、同様に、ＶＣＯＭ（ｉ）に対するＶＳ（ｉ、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ、ｊ）、ＶＳ（ｉ、ｊ＋１）の極性と、ＶＣＯＭ（ｉ＋１）に対するＶＳ（ｉ＋１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ＋１）の極性とが逆である。
（ｊ−１）列目、（ｊ＋１）列目と（ｊ）列目との間の液晶層への印加電圧の極性の関係は、本実施例２におけるフレーム毎反転駆動方法の場合と同じであるため、各画素の液晶層への電圧印加状態は、前述の実施例１の変形例の場合と同様に、表２に示すようになる。
表２に示すように、液晶層への印加電圧の極性が常にドット単位で市松状に反転した配置にすることができるため、各画素毎に発生する、直流電圧成分等に起因するフリッカ成分の明暗もこれに応じてドット単位で市松状に反転した配置になり、さらに効果的に空間的に相殺できる。
なお、本実施例では、ＶＣＯＭレベルを一定に保つライン毎反転駆動方法の電圧波形の例を示したが、走査線に選択走査電圧を供給する毎に、あるいは、フレーム期間毎にＶＣＯＭの電圧を交流化することによって、映像線（ＤＬ）上の映像電圧の振幅を低減可能なコモン交流化駆動を併用することもできる。これにより、さらに消費電力が低い駆動方式とフリッカの抑制を両立することができる。
【００３５】
［実施例３］
図１０は、本発明の実施例３の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。前述の実施例１の図１と比較して次の点が異なるだけである。
（ｉ−１）ライン目では、（ｊ−１）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ＋１）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造．．．、（ｉ）ライン目では（ｊ−１）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ＋１）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造．．．、（ｉ＋１）ライン目では（ｊ−１）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ）列目がＳ−ＴＯＰ画素構造、（ｊ＋１）列目がＣ−ＴＯＰ画素構造．．．のように、Ｓ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造をドット単位で市松状に配置する。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を最も近い同種の画素の間で互いに接続して対向電極配線（ＣＯＭ２）とし、Ｃ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を最も近い同種の画素の間で互いに接続して対向電極配線（ＣＯＭ１）とする。
本実施例３の液晶表示装置の等価回路を図１１に示す。実施例１における図２と比較して次の点が異なるだけである。
ドット単位で斜め上や斜め下に隣接する画素の対向電極同士を接続して対向電極配線（ＣＯＭ１）及び対向電極配線（ＣＯＭ２）としている。
また、上下左右に隣接する画素の間で保持容量（Ｃｓｔ）及び画素容量（Ｃｐｘ）それぞれが互いに等しくなるように設計した。このため、各画素電極への寄生容量に起因する走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）から、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）の電圧へのフィードスルー電圧をＳ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造とでほぼ等しくすることができる。これにより、Ｓ−ＴＯＰ画素構造とＣ−ＴＯＰ画素構造の液晶層への印加電圧波形の違いを抑制して画質の劣化を防止することができる。
【００３６】
本実施例の液晶表示パネルでも、実施例１と同様にフレーム毎反転駆動方法を採用した。
図１２は、本実施例の液晶表示パネルの各画素におけるＶＣＯＭの電圧、及びＶＳの電圧の分布を説明する図である。
駆動電圧波形の模式図は、前述の実施例１における図３と同じであるが、画素配列構造の違いのため、次の点で液晶層への電圧印加状態が異なる。
図３の時刻Ａにおいて、Ｓ−ＴＯＰ画素構造では、画素電極（ＵＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ−１、ｊ）、ＶＳ（ｉ、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ、ｊ＋１）及びＶＳ（ｉ＋１、ｊ）が、対向電極（ＬＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭの電圧より高いため、液晶層への電圧印加状態は正極性であり、Ｃ−ＴＯＰ画素構造では対向電極（ＵＣＯＭ）の電圧であるＶＣＯＭの電圧が、画素電極（ＬＰＩＸ）の電圧であるＶＳ（ｉ−１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ−１、ｊ＋１）、ＶＳ（ｉ、ｊ）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ−１）、ＶＳ（ｉ＋１、ｊ＋１）より低いため、液晶層への電圧印加状態は負極性である。
次のフレーム期間に相当する図３の時刻Ｂにおいてはこの逆であり、Ｓ−ＴＯＰ画素構造では液晶層への電圧印加状態が負極性、Ｃ−ＴＯＰ画素構造では液晶層への電圧印加状態は正極性である。
したがって、液晶層への電圧印加状態は、前述の実施例１の変形例の場合と同様に表２に示すようになる。
液晶層への印加電圧の極性が、常にドット単位で市松状に反転した配置にすることができるため、各画素毎に発生する、直流電圧成分等に起因するフリッカ成分の明暗もこれに応じて常にドット単位で市松状に反転した配置になり、空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制することができる。
【００３７】
このフレーム毎反転駆動方法において、全てのＶＣＯＭの電圧に同一の直流電圧成分を重畳した場合も実施例１と同様の挙動を示す。したがって、本実施例において、フリッカを最小にするようにＶＣＯＭのレベルを調整することによって、容易にＶｄｃ＝０を実現することができ、残像現象の発生を防止することができる。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧とをそれぞれ独立に可変にしている。Ｓ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造の保持容量（Ｃｓｔ）、画素容量（Ｃｐｘ）とがそれぞれほぼ等しくなるように設計できない場合でも、Ｓ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造のＶＣＯＭの電圧とをそれぞれ調整することによって、フリッカを抑制することができる。
なお、本実施例では、ＶＣＯＭレベルを一定に保つフレーム毎反転駆動方法の電圧波形の例を示したが、フレーム期間毎にＶＣＯＭを交流化することによって、映像線（ＤＬ）上の映像電圧の振幅を低減可能なコモン交流化駆動を併用することもできる。これにより、さらに消費電力が低い駆動方式とフリッカの抑制を両立することができる。
【００３８】
［実施例３の変形例１］
本実施例３の変形例１は、本実施例３の液晶表示装置において、列毎反転駆動方法を採用した変形例である。
隣り合う列の画素の間で液晶層への電圧印加状態の関係が、本実施例３におけるフレーム毎反転駆動方法の場合と反対になるため、本変形例においては、隣り合う列の画素の間では液晶層への印加電圧の極性は同じになる。したがって、液晶層への印加電圧の極性が常にライン毎に反転した配置になるため、各画素毎に発生するフリッカ成分の明暗もこれに応じてライン毎に反転した配置になり、空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制することができる。
また、本実施例３による液晶表示装置において、ライン毎反転駆動方法を採用した。隣り合うラインの画素の間で液晶層への電圧印加状態の関係が、本実施例３におけるフレーム毎反転駆動方法の場合と反対になるため、本変形例においては隣り合うラインの画素の間では液晶層への印加電圧の極性は同じになる。したがって、液晶層への印加電圧の極性が常に列毎に反転した配置になるため、各画素毎に発生するフリッカ成分の明暗もこれに応じて列毎に反転した配置になり、空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制することができる。
このように、どちらの変形例においても、隣り合う列の画素の間、あるいは隣り合うラインの画素の間で、直流電圧成分に起因する通常のフリッカ成分を空間的に相殺して見かけのフリッカを抑制できる効果がある。
【００３９】
［実施例３の変形例２］
図１３は、本実施例３の変形例２の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図であり、図１４はその等価回路である。
実施例３の変形例２は、本実施例３の液晶表示パネルにおいて、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）が重なり合う領域の層間絶縁膜の一部にコンタクトホール（ＴＨＩ２）を形成し、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）を接続したものであり、それ以外は実施例３と同様である。
これによりＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極配線（ＣＯＭ２）とＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極配線（ＣＯＭ１）は同電圧になるが、対向電極配線（ＣＯＭ）の抵抗低減の点で望ましい。
【００４０】
［実施例３の変形例３］
本実施例３、および、本実施例３の変形例２において、全てのＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、全てのＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続したが、次のような接続のしかたでも構わない。
（ｉ−１）ライン目と（ｉ）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ−１）ライン目と（ｉ）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ＋１）ライン目と（ｉ＋２）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ＋１）ライン目と（ｉ＋２）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、．．．のように２ライン毎にまとめる。
または、（ｉ−１）ライン目と（ｉ）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ）ライン目と（ｉ＋１）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ＋１）ライン目と（ｉ＋２）ライン目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｉ＋２）ライン目と（ｉ＋３）ライン目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、．．．のように２ライン毎にまとめる。
または、（ｊ−１）列目と（ｊ）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ−１）列目と（ｊ）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ＋１）列目と（ｊ＋２）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ＋１）列目と（ｊ＋２）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、．．．のように２列毎にまとめる。
または、（ｊ−１）列目と（ｊ）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ）列目と（ｊ＋１）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ＋１）列目と（ｊ＋２）列目のＳ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、（ｊ＋２）列目と（ｊ＋３）列目のＣ−ＴＯＰ画素構造の対向電極同士を接続し、．．．のように２列毎にまとめる。
これにより、本実施例３の変形例３では、外部回路から見込んだ対向電極の負荷が低減できるため、コモン交流化駆動しやすくなる。
【００４１】
［実施例４］
本実施例４、および後述する実施例５〜７は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたＴＦＴ方式の液晶表示装置における画素部断面構造に関する実施例である。
図１５は、本発明の実施例４の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素部断面構造を示す模式図である。
ガラス基板のような透明絶縁性部材からなる第１基板（ＳＵＢ１）上にＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において各画素毎に分離した面状の下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において各画素毎に分離した面状の下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）に加工する。
金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスによりゲート電極（Ｇ）、走査線（ＧＬ）（図示せず）、対向電極配線（ＣＯＭ）を同時に形成する。このとき、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を対向電極（ＬＣＯＭ）の一部に直接重ねることによって両者を電気的に接続し、対向電極全体としての抵抗を低減する。なお、この層をゲート層と呼ぶことにする。
対向電極（ＬＣＯＭ）や画素電極（ＬＰＩＸ）、ゲート層を覆って、ＳｉＮやＳｉＯ、ＴａＯ等の透明絶縁性材料からなるゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）と非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層（ＡＳＩ）を連続成膜して半導体層（ＡＳＩ）のみをホトリソグラフィープロセスにより加工する。なお、半導体層（ＡＳＩ）の上面には高濃度ｎ型層の薄膜（図示せず）が存在する。
【００４２】
Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）上の一部にゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）のコンタクトホール（ＴＨ１）をホトリソグラフィープロセスにより形成する。
金属材料を成膜して、ホトリソグラフィープロセスによりソース電極（Ｓ）、ドレイン電極（Ｄ）、走査線（ＧＬ）と交差する方向に延びた形状の映像線（ＤＬ）（図示せず）を同時に形成する。なお、この層をドレイン層と呼ぶことにする。
このとき、ドレイン層で覆われていない部分の高濃度ｎ型層もドレイン層の加工と同時に除去し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部ではコンタクトホール（ＴＨＩ）を介して、ソース電極（Ｓ）と画素電極（ＬＰＩＸ）を接続する。
なお、ゲート電極（Ｇ）、及びゲート電極（Ｇ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）、半導体層（ＡＳＩ）、ドレイン電極（Ｄ）、ソース電極（Ｓ）で、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。
ＳｉＮからなるパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによりゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を一括加工する。これによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上のパッシベーション膜（ＩＮＳ３）にコンタクトホール（ＴＨＩ）を形成し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）及びパッシベーション膜（ＩＮＳ３）にコンタクトホール（ＴＨ１）を形成する。なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）及びパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨ１）を同時に形成しておいても構わない。
【００４３】
ＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＰ）を有し、各画素毎に分離した上層電極である画素電極（ＵＰＩＸ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＣ）を有し、隣接する各画素同士で少なくとも一部が連結した上層電極である対向電極（ＵＣＯＭ）に加工した。また、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状は、線状部分からなる櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしている。
これにより、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部ではパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨＩ）を介して画素電極（ＵＰＩＸ）と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）を接続し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部ではゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨ１）を介して対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）を接続した。
隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）の一部と、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の一部がゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を介して重なり合う形状にした。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）に形成されたコンタクトホール（ＴＨ１）を介して、隣接するＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）を、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）に接続しても構わない。
このように、合計７回のホトリソグラフィープロセスを用いて、図１５に示すような断面構造のＴＦＴ基板を作製することができる。
第１基板（ＳＵＢ１）の最表面には液晶層（ＬＣ）を所定の方向に配向させるための第１配向膜（ＡＬ１）を形成する。
【００４４】
一方、第２基板（ＳＵＢ２）上に、遮光膜（ＢＭ）、画素毎に異なる複数色のカラーフィルタ（ＦＩＬ）、保護膜（ＯＣ）、第２配向膜（ＡＬ２）を形成して対向基板を作製する。第１配向膜（ＡＬ１）と第２配向膜（ＡＬ２）はそれぞれ所定の方向に配向処理してある。
第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）を互いの配向膜形成面が一定間隔で対向するように配置し、その間隙に正の誘電率異方性を有するネマチック液晶組成物を充填して液晶層（ＬＣ）とする。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造部では、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の積層体を層間絶縁膜として利用して、対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層（ＬＣ）を動作させ、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の積層体を層間絶縁膜として利用して、画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層（ＬＣ）を動作させる。
これにより、前述の電極構造Ｆを構成し、また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）の間、および、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の間に、それぞれに画素容量（Ｃｐｘ）と保持容量（Ｃｓｔ）を形成した。
第１基板（ＳＵＢ１）および第２基板（ＳＵＢ２）の外側には、図示していない位相差板と偏光板を配置して、ノーマリブラック（ＮＢ）表示モードの液晶表示装置を構成した。
【００４５】
また、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、対向電極配線（ＣＯＭ）には、図示していない駆動回路を接続してある。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）が電気的に接続できれば、これらの層の積層順序は逆でも構わない。また、対向電極（ＬＣＯＭ）もしくはゲート層で形成した対向電極配線（ＣＯＭ）を、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）の下に潜り込ませることにより、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）を介して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）と重なる領域に保持容量（Ｃｓｔ２）を形成しても構わない。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）は各画素毎に分離している必要はなく、隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極同士が少なくとも一部で連結していても構わない。対向電極（ＬＣＯＭ）や対向電極（ＵＣＯＭ）の配線抵抗が十分小さければ、ゲート層による対向電極配線（ＣＯＭ）を形成しなくても構わない。
本実施例では、対向電極（ＬＣＯＭ）とゲート層の間に絶縁膜を形成しないため、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）は走査線（ＧＬ）と交差させることが不可能であり、走査線（ＧＬ）に沿った方向に延びるように形成することになる。
したがって、本実施例による液晶表示パネルの画素部断面構造は、前述の実施例１及びその変形例における画素配列に適用することができる。すなわち、本実施例によって、前述の実施例１及びその変形例に示す効果を有する液晶表示装置を実現することができる。
【００４６】
なお、本実施例４、及び後述する実施例５〜７の構造は、ＩＰＳ方式の反射型、あるいは、半透過型の液晶表示装置にも応用できる。
その場合、対向電極（ＬＣＯＭ）あるいは画素電極（ＬＰＩＸ）の一部に反射電極を形成して反射表示部に利用すればよく、反射表示部に液晶層厚調整層を設けてもよい。特に、対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を反射電極に用いれば、作製工程数を増やさずに済むため望ましい。
また、１画素内にノーマリブラック（ＮＢ）表示モードのＩＰＳ方式の透過表示部と、ノーマリホワイト（ＮＷ）表示モードのＩＰＳ方式の反射表示部とを併せ持つ方式の液晶表示装置にも適用可能である。
なお、本実施例を含め、後述の全ての実施例において、透明導電性材料には、ＩＴＯだけでなくＳｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＺｎＯ等を用いても構わない。
対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＬＰＩＸ）、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）のそれぞれの膜厚は、製造上の歩留まりの点で適切で、光学設計的に適切な値を選ぶことが望ましい。
また、ゲート層やドレイン層、対向電極配線には、ＡｌやＣｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｒ等の金属材料やこれらの合金を用いても構わない。
【００４７】
また、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜には、ＳｉＮだけでなく、ＳｉＯやＴａＯ、あるいはこれらの積層体を用いても構わないし、一部には、感光性アクリル系樹脂などのような有機絶縁性材料を用いても構わない。さらに、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜の膜厚は、製造上の歩留まりの点や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子や液晶表示装置としての特性や信頼性の点で適切で、光学設計的に適切な値を選ぶことが望ましい。
半導体層には、非晶質シリコンだけでなく、多結晶シリコンや有機半導体や結晶シリコンなどを用いても構わない。
画素電極（ＵＰＩＸ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状は、互いに平行な複数のスリット状開口部を有する形状だけでなく、短冊状や櫛歯状でも構わない。また、液晶層（ＬＣ）への電界印加時に配向方位が異なる複数のドメインに変化するように複数の異なる電界方向を形成できる電極形状でも構わない。
また、各層の加工方法はホトリソグラフィープロセスだけに限る必要はなく、印刷法やインクジェット法などを利用しても構わない。
さらに、使用する液晶組成物の誘電率異方性は負でも構わず、表示モードによっては必ずしもネマチック液晶に限る必要はない。
【００４８】
［実施例５］
図１６は、本発明の実施例５の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。なお、図１６、および後述する図１７〜図２１において、第１配向膜（ＡＬ１）と対向基板の図示は省略している。
前述の実施例４との違いは、対向電極配線（ＣＯＭ）と、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）をゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）の下層ではなく、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の間に形成し、対向電極配線（ＣＯＭ）にドレイン層を利用し、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）のみにより層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を構成する点である。
これにより、本実施例では、隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）の一部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の一部はパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のみを介して重なり合う。また、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において画素電極（ＬＰＩＸ）と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）を両者の重なり部により直接接続できる構造であるため、半導体層（ＡＳＩ）加工後に、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）の一部に画素電極（ＬＰＩＸ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）を接続するためのコンタクトホール（ＴＨＩ）を形成する必要がない。
また、図示しない画面周辺部や端子部において、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の一括加工によって走査線（ＧＬ）への開口部を設けることができる。
このため、合計６回のホトリソグラフィープロセスを用いて図１６に示すような断面構造のＴＦＴ基板を作製することができる。すなわち、本実施例５によれば、ＴＦＴ基板の作製工程を前述実施例４よりも１工程短縮できる利点がある。
【００４９】
また、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部にコンタクトホール（ＴＨＩ）を設けずに済む分だけ表示に利用できる面積が増加し、開口率を向上できる。
また、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）だけから構成することができるため、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の膜厚を実施例４の場合よりも薄くすることができ、画素電極（ＵＰＩＸ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）の櫛歯幅や櫛歯間隔を最適化して表示モードとしての光利用効率を高めることができる。
それと同時に、各画素の下層電極と上層電極との間で保持容量（Ｃｓｔ）を構成する絶縁膜の単位面積あたりの静電容量が増加することにより、より小さい画素寸法の画素においても十分な大きさの保持容量を形成しやすくなる。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）が電気的に接続でき、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）が電気的に接続できれば、これらの層の積層順序は逆でも構わない。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）は各画素毎に分離している必要はなく、隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極同士が少なくとも一部で連結していても構わない。対向電極（ＬＣＯＭ）や対向電極（ＵＣＯＭ）の配線抵抗が十分小さければ、ドレイン層による対向電極配線（ＣＯＭ）を形成しなくても構わない。
本実施例では、対向電極（ＬＣＯＭ）とドレイン層の間に絶縁膜を形成しないため、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）は映像線（ＤＬ）と交差させることが不可能であり、映像線（ＤＬ）に沿った方向に延びるように形成することになる。
したがって、本実施例によるＴＦＴ基板は、前述の実施例２及びその変形例における画素配列に適用することができる。すなわち、本実施例によって、実施例２及びその変形例に示す効果を有する液晶表示装置を実現することができる。
【００５０】
［実施例６］
前述の実施例４及び実施例５では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性や信頼性などの点で、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）やパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の材料や膜厚に制約があるため、面状の下層電極と、線状部分を有する上層電極との間に配置される層間絶縁膜に利用する絶縁膜にもその制約が現れる。
しかしながら、本実施例６では、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）上に対向電極配線（ＣＯＭ）と、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）を移し、これらの上層に層間絶縁膜（ＩＮＳ４）として専用の絶縁膜を用いる構成とした。
図１７は、本発明の実施例６の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
ガラス基板のような透明絶縁性部材からなる第１基板（ＳＵＢ１）上に金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスによりゲート電極（Ｇ）、走査線（ＧＬ）（図示せず）を同時に形成する。なお、この層をゲート層と呼ぶことにする。
ゲート層を覆って、ＳｉＮやＳｉＯ、ＴａＯ等の透明絶縁性材料からなるゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）と非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層（ＡＳＩ）を連続成膜して半導体層（ＡＳＩ）のみをホトリソグラフィープロセスにより加工する。なお、半導体層（ＡＳＩ）の上面には高濃度ｎ型層の薄膜（図示せず）が存在する。
【００５１】
金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスにより薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）、ドレイン電極（Ｄ）、走査線（ＧＬ）と交差する方向に延びた形状の映像線（ＤＬ）（図示せず）を同時に形成する。なお、この層をドレイン層と呼ぶことにする。このとき、ドレイン層で覆われていない部分の高濃度ｎ型層もドレイン層の加工と同時に除去する。
なお、ゲート電極（Ｇ）、およびゲート電極（Ｇ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）、半導体層（ＡＳＩ）、ドレイン電極（Ｄ）、ソース電極（Ｓ）で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。
ＳｉＮからなるパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を一括加工する。これによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上、および、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上のパッシベーション膜（ＩＮＳ３）にコンタクトホール（ＴＨ１）を形成する。
図示しない画面周辺部や端子部において、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の一括加工によってゲート層からなる走査線（ＧＬ）への開口部を設けることができる。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部におけるパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨ１）は、後述の層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の加工時に形成しても構わない。
【００５２】
ＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において面状の下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において各画素毎に分離した面状の下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）に加工する。
このとき、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部では、対向電極（ＬＣＯＭ）はコンタクトホール（ＴＨ１）から少なくとも最小絶縁距離以上離れた開口部（ＴＨＣ）を有し、隣接するＳ−ＴＯＰ画素構造部同士で少なくとも一部が連結した形状とした。
一方、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部ではコンタクトホール（ＴＨＩ）を介して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）と画素電極（ＬＰＩＸ）を接続する。
金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスにより対向電極配線（ＣＯＭ）を形成し、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を対向電極（ＬＣＯＭ）の一部に直接重ねることによって両者を電気的に接続し、対向電極全体としての抵抗を低減する。
ＳｉＮからなる層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより対向電極配線（ＣＯＭ）やＳ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上の層間絶縁膜（ＩＮＳ４）にコンタクトホール（ＴＨＩ）を形成する。なお、前述したように、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部におけるパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨＩ）を同時に形成しても構わない。
【００５３】
ＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＰ）を有し、各画素毎に分離した上層電極である画素電極（ＵＰＩＸ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＣ）を有する上層電極である対向電極（ＵＣＯＭ）に加工する。また、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状は、線状部分からなる櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしている。
このとき、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部ではパッシベーション膜（ＩＮＳ３）と層間絶縁膜（ＩＮＳ４）のコンタクトホール（ＴＨＩ）を介して画素電極（ＵＰＩＸ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）を接続する。
一方、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の開口部を介して対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）を接続し、対向電極（ＵＣＯＭ）は隣接するＣ−ＴＯＰ画素構造部同士で少なくとも一部が連結した形状とする。
また、隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）の一部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の一部が層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して重なり合う形状となっている。
ここで、対向電極（ＵＣＯＭ，ＬＣＯＭ）、対向電極配線（ＣＯＭ）によって走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を少なくとも部分的に覆う形状にしたが、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）と層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の２層を介する構造になる対向電極（ＵＣＯＭ）で覆うことが寄生容量低減の点で望ましい。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）上の層間絶縁膜（ＩＮＳ４）に設けた開口部を介して、隣接するＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）をＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）に接続しても構わない。
このように、合計８回のホトリソグラフィープロセスを用いて図１７に示すような断面構造のＴＦＴ基板を作製することができる。
ＴＦＴ基板の最表面には液晶層（図示せず）を所定の方向に配向させるための第１配向膜（図示せず）を形成する。
【００５４】
一方、第２基板上に、遮光膜、画素毎に異なる複数色のカラーフィルタ、保護膜、第２配向膜を形成して対向基板（図示せず）を作製する。第１配向膜と第２配向膜はそれぞれ所定の方向に配向処理してある。
第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板を互いの配向膜形成面が一定間隔で対向するように配置し、その間隙に正の誘電率異方性を有するネマチック液晶組成物を充填して液晶層とする。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造部では層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層を動作させ、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層を動作させる。
これにより、前述の電極構造Fを構成し、また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）の間、及び、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の間に、それぞれに画素容量（Ｃｐｘ）と保持容量（Ｃｓｔ）を形成した。
第１基板（ＳＵＢ１）および第２基板の外側には、図示していない位相差板と偏光板を配置して、ノーマリブラック（ＮＢ）表示モードの液晶表示装置を構成した。また、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、対向電極配線（ＣＯＭ）には、図示していない駆動回路を接続してある。
【００５５】
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）が電気的に接続できれば、これらの層の積層順序は逆でも構わない。また、対向電極（ＬＣＯＭ，ＵＣＯＭ）の配線抵抗が十分小さければ、対向電極配線（ＣＯＭ）を形成しなくても構わない。この場合、ＴＦＴ基板の作製工程を１工程短縮できる利点がある。
本実施例では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成するゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）やパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を層間絶縁膜（ＩＮＳ４）として用いずに済むため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性や信頼性などの点で層間絶縁膜（ＩＮＳ４）用の材料や膜厚等に制約を受けにくくなり、設計的な自由度を広げやすい。
したがって、前述の実施例４の場合よりも層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の膜厚をさらに薄くしたり誘電率を高めたりすることができ、画素電極（ＵＰＩＸ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）の櫛歯幅や櫛歯間隔を最適化して表示モードとしての光利用効率を高めることができる。
それと同時に、各画素の下層電極と上層電極との間で保持容量（Ｃｓｔ）を構成する絶縁膜の単位面積あたりの静電容量が増加することにより、より小さい画素寸法の画素においても十分な大きさの保持容量を形成しやすくなる。
【００５６】
本実施例では、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）によって対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）をゲート層及びドレイン層と絶縁できるため、走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）と交差させることが可能であり、対向電極配線（ＣＯＭ）を走査線（ＧＬ）に沿った方向や映像線（ＤＬ）に沿った方向に延びるように形成したり斜め上下の同種画素同士で連結するように形成したりすることができる。
したがって、本実施例によるＴＦＴ基板は、前述の実施例１〜３及びそれらの変形例における画素配列に適用することができる。すなわち、本実施例によって、前述の実施例１〜３及びそれらの変形例に示す効果を有する液晶表示装置を実現することができる。
また、対向電極配線（ＣＯＭ）がゲート層やドレイン層ではなく、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）の上層の独立層であるため、対向電極配線（ＣＯＭ）を走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に対して平面的に重畳した形状にして自己遮光膜として利用することにより開口率を向上しやすい。
対向電極（ＵＣＯＭ，ＬＣＯＭ）、および対向電極配線（ＣＯＭ）が走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を少なくとも部分的に覆うため、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から液晶層（ＬＣ）に漏れ出す電界を遮蔽することができる。
これにより、漏れ電界による液晶層の意図しない動作が発生しないため、この領域に遮光膜を配置しなくても画質劣化を防止することができるとともに、開口率を向上して明るい表示を実現することができる。
【００５７】
［実施例６の変形例］
図１８は、本発明の実施例６の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
本実施例６との違いは、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）と対向電極（ＬＣＯＭ）及び画素電極（ＬＰＩＸ）との間に感光性アクリル系樹脂などの透明絶縁性材料からなる有機膜（ＦＰＳ）を設けた点である。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上のパッシベーション膜（ＩＮＳ３）のコンタクトホール（ＴＨＩ）を避けるように有機膜（ＦＰＳ）を形成することにより、対向電極（ＬＣＯＭ）や画素電極（ＬＰＩＸ）、画素電極（ＵＰＩＸ）、対向電極（ＵＣＯＭ）などと走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）との間の寄生容量を低減するとともに、画素表面を平坦化できる。
有機膜（ＦＰＳ）層を形成する分だけＴＦＴ基板の作製工程が増加するが、有機膜（ＦＰＳ）を設けることにより寄生容量を低減できるため、保持容量（Ｃｓｔ）をあまり増大させなくても画質劣化を防止しやすくなる。
同時に、対向電極（ＵＣＯＭ，ＬＣＯＭ）のどちらかによって走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を覆うこともできるため、本実施例６の場合よりも設計的な自由度が広がり、より効果的に走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から液晶層への漏れ電界を遮蔽して画質劣化を防止しやすくなる。このような効果は後述する実施例７にも共通である。
【００５８】
図２１は、本発明の実施例６の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のＳ−ＴＯＰ画素構造部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の境界部の断面構造の模式図である。
層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＵＰＩＸ）が対向電極（ＬＣＯＭ）の開口部の端部と重なり、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介してＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の端部が画素電極（ＬＰＩＸ）の端部または隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）の端部と重なる構造とした。
これにより、ＴＦＴ基板上方の液晶層に電界を与えることができるのは最上層の画素電極（ＵＰＩＸ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）と、平面的に見てこれらの間隙にある対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＬＰＩＸ）だけになるため、対向電極（ＵＣＯＭ）や対向電極（ＬＣＯＭ）などによって下層の走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から液晶層に漏れ出す電界を遮蔽することができる。このような効果は、実施例４〜７に共通である。
また、１画素内の表示領域における有機膜（ＦＰＳ）の少なくとも一部に微小な凹凸構造を形成し、その凹凸に合わせて反射電極を形成することにより、内面拡散反射構造を有する半透過型や反射型の液晶表示装置に応用することができる。
対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を反射電極に用いることができるが、対向電極配線（ＣＯＭ）とは別に反射電極を設けてもよい。また、反射表示部に液晶層厚調整層を設けてもよい。
また、有機膜（ＦＰＳ）の代わりに画素毎に異なる複数色のカラーフィルタを設けても構わない。この場合、第２基板側にカラーフィルタは必ずしも必要ではない。
【００５９】
［実施例７］
実施例７は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層として多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）を利用する実施例である。
図１９は、本発明の実施例７の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
ガラス基板のような透明絶縁性部材からなる第１基板（ＳＵＢ１）上に多結晶シリコンからなる半導体層（ＰＳＩ）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより各画素毎に加工する。半導体層（ＰＳＩ）のドレイン領域及びソース領域となる領域にイオン打ち込みなどを行なっても構わない。
ＳｉＮやＳｉＯ、ＴａＯ等の透明絶縁性材料からなりゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）と、金属材料からなるゲート層を連続成膜し、ホトリソグラフィープロセスによりゲート層のみをゲート電極（Ｇ）と走査線（ＧＬ）（図示せず）に加工する。
ＳｉＮやＳｉＯ、ＴａＯ等の透明絶縁性材料からなる第２絶縁膜（ＩＮＳ２）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより半導体層（ＰＳＩ）のドレイン領域及びソース領域上にゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）と第２絶縁膜（ＩＮＳ２）の開口部（ＣＯＮＴ）を形成する。
金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスにより薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）、ドレイン電極（Ｄ）、走査線（ＧＬ）と交差する方向に延びた形状の映像線（ＤＬ）（図示せず）を同時に形成した。なお、この層をドレイン層と呼ぶことにする。
このとき、ゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）と第２絶縁膜（ＩＮＳ２）の開口部（ＣＯＮＴ）を介して、半導体層（ＰＳＩ）のドレイン領域とドレイン電極（Ｄ）、半導体層（ＰＳＩ）のソース領域とソース電極（Ｓ）をそれぞれ接続する。
また、半導体層（ＰＳＩ）及び半導体層（ＰＳＩ）上のゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）、ゲート電極（Ｇ）、第２絶縁膜（ＩＮＳ２）、ドレイン電極（Ｄ）、ソース電極（Ｓ）とで薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。
【００６０】
ＳｉＮからなるパッシベーション膜（ＩＮＳ３）と感光性アクリル系樹脂などの透明絶縁性材料からなる有機膜（ＦＰＳ）を連続成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより第２絶縁膜（ＩＮＳ２）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）と有機膜（ＦＰＳ）を一括加工する。
これによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上、および、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上のパッシベーション膜（ＩＮＳ３）と有機膜（ＦＰＳ）にコンタクトホール（ＴＨI）を形成する。なお、第２絶縁膜（ＩＮＳ２）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）を一括加工できれば、有機膜（ＦＰＳ）は別の工程で加工しても構わない。
図示しない画面周辺部や端子部において、第２絶縁膜（ＩＮＳ２）とパッシベーション膜（ＩＮＳ３）の一括加工によってゲート層からなる走査線（ＧＬ）への開口部を設けることができる。
ＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において面状の下層電極である対向電極（ＬＣＯＭ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において各画素毎に分離した面状の下層電極である画素電極（ＬＰＩＸ）に加工する。
このとき、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部では、対向電極（ＬＣＯＭ）はコンタクトホール（ＴＨＩ）から少なくとも最小絶縁距離以上離れた開口部（ＴＨＣ）を有し、隣接するＳ−ＴＯＰ画素構造部同士で少なくとも一部が連結した形状とする。
【００６１】
一方、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では、コンタクトホール（ＴＨＩ）を介して、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）と画素電極（ＬＰＩＸ）を接続する。
金属材料を成膜してホトリソグラフィープロセスにより対向電極配線（ＣＯＭ）を形成し、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を対向電極（ＬＣＯＭ）の一部に直接重ねることによって両者を電気的に接続し、対向電極全体としての抵抗を低減する。
ＳｉＮからなる層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を成膜し、ホトリソグラフィープロセスにより対向電極配線（ＣＯＭ）やＳ−ＴＯＰ画素構造部の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）上の層間絶縁膜（ＩＮＳ４）にコンタクトホール（ＴＨＩ、ＴＨ１）を形成する。
ＩＴＯのような透明導電性材料を成膜し、ホトリソグラフィープロセスによって、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＰ）を有し、各画素毎に分離した上層電極である画素電極（ＵＰＩＸ）に加工し、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部において複数のスリット状開口部（ＳＬＴＣ）を有する上層電極である対向電極（ＵＣＯＭ）に加工する。また、画素電極（ＵＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の平面形状は、線状部分からなる櫛歯幅が互いに等しく、櫛歯間隔が互いに等しく、櫛歯本数が互いに等しく、櫛歯間隔の数が互いに等しく、櫛歯長の合計が互いに等しくなるようにしている。
このとき、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部ではパッシベーション膜（ＩＮＳ３）と有機膜（ＦＰＳ）、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）のコンタクトホール（ＴＨＩ）を介して画素電極（ＵＰＩＸ）と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（Ｓ）を接続する。
一方、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の開口部を介して対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）を接続し、対向電極（ＵＣＯＭ）は隣接するＣ−ＴＯＰ画素構造部同士で少なくとも一部が連結した形状とする。
【００６２】
また、隣り合うＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）の一部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）の一部が層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して重なり合う形状にする。
前述の実施例６の変形例の場合と同様に、有機膜（ＦＰＳ）を利用することにより対向電極（ＬＣＯＭ）や画素電極（ＬＰＩＸ）、画素電極（ＵＰＩＸ）、対向電極（ＵＣＯＭ）などと走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）との間の寄生容量を低減できるため、対向電極（ＵＣＯＭ，ＬＣＯＭ）、および、対向電極配線（ＣＯＭ）によって走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を少なくとも部分的に覆う形状にすることができる。
なお、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）上の層間絶縁膜（ＩＮＳ４）に設けた開口部を介して、隣接するＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）をＳ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極配線（ＣＯＭ）に接続しても構わない。
このように、合計９回のホトリソグラフィープロセスを用いて図１９に示すような断面構造のＴＦＴ基板を作製することができる。
ＴＦＴ基板の最表面には液晶層を所定の方向に配向させるための第１配向膜（図示せず）を形成した。
【００６３】
一方、第２基板上に、遮光膜、画素毎に異なる複数色のカラーフィルタ、保護膜、第２配向膜を形成して対向基板を作製する（図示せず）。第１配向膜と第２配向膜はそれぞれ所定の方向に配向処理してある。
第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板を互いの配向膜形成面が一定間隔で対向するように配置し、その間隙に正の誘電率異方性を有するネマチック液晶組成物を充填して液晶層とする。
Ｓ−ＴＯＰ画素構造部では層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層を動作させ、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部では層間絶縁膜（ＩＮＳ４）を介して画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）との間で第１基板（ＳＵＢ１）の表面に平行な成分を有する電界を発生して液晶層を動作させることができる。
これにより、前述の電極構造Fを構成し、また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）と画素電極（ＵＰＩＸ）の間、及び、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の画素電極（ＬＰＩＸ）と対向電極（ＵＣＯＭ）の間に、それぞれに画素容量（Ｃｐｘ）と保持容量（Ｃｓｔ）を形成する。
第１基板（ＳＵＢ１）および第２基板の外側には、図示していない位相差板と偏光板を配置して、ノーマリブラック（ＮＢ）表示モードの液晶表示装置を構成した。
また、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、対向電極配線（ＣＯＭ）には、図示していない駆動回路を接続してある。
【００６４】
なお、前述の実施例４〜６の場合と同様に、対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）は電気的に接続できれば、これらの層の積層順序は逆でも構わない。
また、対向電極（ＬＣＯＭ，ＵＣＯＭ）の配線抵抗が十分小さければ、対向電極配線（ＣＯＭ）を形成しなくても構わない。この場合、ＴＦＴ基板の作製工程を１工程短縮できる利点がある。
また、前述の実施例６の場合と同様に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成するゲート絶縁膜（ＩＮＳ１）や第２絶縁膜（ＩＮＳ２）、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）等を層間絶縁膜（ＩＮＳ４）として用いずに済むため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の特性や信頼性などの点で層間絶縁膜（ＩＮＳ４）用の材料や膜厚等に制約を受けにくくなり、設計的な自由度を広げやすい。
したがって、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の膜厚を薄くしたり誘電率を高めたりすることができ、画素電極（ＵＰＩＸ）及び対向電極（ＵＣＯＭ）の櫛歯幅や櫛歯間隔を最適化して表示モードとしての光利用効率を高めることができる。
それと同時に、各画素の下層電極と上層電極との間で保持容量（Ｃｓｔ）を構成する絶縁膜の単位面積あたりの静電容量が増加することにより、より小さい画素寸法の画素においても十分な大きさの保持容量を形成しやすくなる。
【００６５】
また、前述の実施例６の場合と同様に、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）によって対向電極（ＬＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）をゲート層及びドレイン層と絶縁できるため、走査線（ＧＬ）や映像線（ＤＬ）と交差させることが可能であり、対向電極配線（ＣＯＭ）を走査線（ＧＬ）に沿った方向や映像線（ＤＬ）に沿った方向に延びるように形成したり斜め上下の同種画素同士で連結するように形成したりすることができる。
したがって、本実施例によるＴＦＴ基板は、前述の実施例１〜３及びそれらの変形例における画素配列に適用することができる。すなわち、本実施例によって、前述の実施例１〜３及びそれらの変形例に示す効果を有する液晶表示装置を実現することができる。
また、対向電極配線（ＣＯＭ）がゲート層やドレイン層ではなく、パッシベーション膜（ＩＮＳ３）の上層であるため、対向電極配線（ＣＯＭ）を自己遮光膜として利用することにより開口率を向上しやすい。
対向電極（ＵＣＯＭ，ＬＣＯＭ）や対向電極配線（ＣＯＭ）が走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を少なくとも部分的に覆うため、走査線（ＧＬ）、映像線（ＤＬ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から液晶層に漏れ出す電界を遮蔽することができる。
【００６６】
これにより、漏れ電界による液晶層の意図しない動作が発生しないため、この領域に遮光膜を配置しなくても画質劣化を防止することができるとともに、開口率を向上して明るい表示を実現することができる。
また、前述の実施例６の変形例の場合と同様に、１画素内の表示領域における有機膜（ＦＰＳ）の少なくとも一部に微小な凹凸構造を形成し、その凹凸に合わせて反射電極を形成することにより、内面拡散反射構造を有する半透過型や反射型の液晶表示装置に応用することができる。
対向電極配線（ＣＯＭ）の一部を反射電極に用いることができるが、対向電極配線（ＣＯＭ）とは別に反射電極を設けてもよい。また、反射表示部に液晶層厚調整層を設けてもよい。
また、前述の実施例６の変形例の場合と同様に、有機膜（ＦＰＳ）の代わりに画素毎に異なる複数色のカラーフィルタを設けても構わない。この場合、第２基板側にカラーフィルタは必ずしも必要ではない。
【００６７】
［実施例７の変形例］
図２０は、本発明の実施例７の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
本実施例７との違いは、層間絶縁膜（ＩＮＳ４）と対向電極（ＵＣＯＭ）との間に対向電極（ＵＣＯＭ）用の対向電極配線（ＣＯＭ）を設けて、対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）用の対向電極配線（ＣＯＭ）を直接重ねることによって両者を電気的に接続し、対向電極（ＬＣＯＭ）上の対向電極配線（ＣＯＭ）と対向電極（ＵＣＯＭ）を接続していない点である。
本実施例では、ＴＦＴ基板の作製工程数が前述の実施例７よりも１工程増加するが、この構成により対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極（ＬＣＯＭ）用の対向電極配線（ＣＯＭ）を接続するための層間絶縁膜（ＩＮＳ４）の開口部を形成する必要がなくなる。その分だけ表示に利用できる面積が増加し、開口率を向上できる。
また、Ｓ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＬＣＯＭ）とＣ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）を独立に制御しやすくなる。
なお、Ｃ−ＴＯＰ画素構造部の対向電極（ＵＣＯＭ）と対向電極配線（ＣＯＭ）が電気的に接続できれば、これらの層の積層順序は逆でも構わない。また、対向電極（ＬＣＯＭ）や対向電極（ＵＣＯＭ）の配線抵抗が十分小さければ、対向電極配線（ＣＯＭ）を形成しなくても構わない。この場合、ＴＦＴ基板の作製工程を短縮できる利点がある。
【００６８】
なお、前述の実施例２及び実施例３において、２ライン同時反転駆動方法を行なことも可能である。
また、前述実施例１及び実施例２において、隣接するＳ−ＴＯＰ画素構造部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の組で対向電極配線（ＣＯＭ）を共用するとともに、その対向電極配線（ＣＯＭ）毎にコモン交流化駆動を行なことも可能である。これにより映像線（ＤＬ）上の映像電圧と、対向電極（ＣＯＭ）の電圧ＶＣＯＭの交流化周波数を低減して消費電力の増大を抑制することが可能である。
また、前述の各実施例において、所望の表示モードを実現するために位相差板が必要であれば追加してもよく、逆に不要であれば除去しても構わない。また、位相差板や偏光板を第１基板および第２基板の外側だけでなく、内側に配置するように構成しても構わない。
さらに、第１基板側、第２基板側の少なくともいずれか一方の対向する面に柱状スペーサを配置してもよい。これにより、液晶層の厚さを液晶表示装置面内で均一化できる。
なお、液晶表示装置全体としては、表示面と反対側にバックライトを設けることはいうまでもない。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例１の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例１の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例１〜７の液晶表示装置において、フレーム毎反転駆動方法を採用した場合の駆動電圧波形を示す模式図である。
【図４】図３に示すフレーム毎反転駆動方法において、直流電圧成分が重畳した場合の駆動電圧波形を示す模式図である。
【図５】本発明の実施例１の液晶表示装置において、列毎反転駆動方法を採用した場合の、各画素におけるＶＣＯＭの電圧と、ＶＳの電圧の分布を説明する図である。
【図６】本発明の実施例２の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。
【図７】本発明の実施例２の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図８】本発明の実施例２の液晶表示装置において、フレーム毎反転駆動方法を採用した場合の、各画素におけるＶＣＯＭの電圧と、ＶＳの電圧の分布を説明する図である。
【図９】本発明の実施例２の液晶表示装置において、ライン毎反転駆動方法を採用した場合の駆動電圧波形を示す模式図である。
【図１０】本発明の実施例３の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。
【図１１】本発明の実施例３の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１２】本発明の実施例３の液晶表示装置において、フレーム毎反転駆動方法を採用した場合の、各画素におけるＶＣＯＭの電圧と、ＶＳの電圧の分布を説明する図である。
【図１３】本発明の実施例３の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素配列の概略構造を示す図である。
【図１４】本発明の実施例３の変形例の液晶表示パネルの等価回路を示す回路図である。
【図１５】本発明の実施例４の液晶表示装置における液晶表示パネルの画素部断面構造を示す模式図である。
【図１６】本発明の実施例５の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
【図１７】本発明の実施例６の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
【図１８】本発明の実施例６の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
【図１９】本発明の実施例７の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
【図２０】本発明の実施例７の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側の画素部断面構造を示す模式図である。
【図２１】本発明の実施例６の変形例の液晶表示装置における液晶表示パネルのＴＦＴ基板側のＳ−ＴＯＰ画素構造部とＣ−ＴＯＰ画素構造部の境界部の断面構造の模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
ＳＵＢ１  第１基板
ＳＵＢ２  第２基板
ＧＬ  走査線
ＤＬ  映像線
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
Ｇ  ゲート電極
Ｄ  ドレイン電極
Ｓ  ソース電極
ＡＳＩ，ＰＳＩ  半導体層
ＩＮＳ１  ゲート絶縁膜
ＩＮＳ２  第２絶縁膜
ＩＮＳ３  パッシベーション膜
ＩＮＳ４  層間絶縁膜
ＦＰＳ  有機膜
ＬＰＩＸ，ＵＰＩＸ  画素電極
ＬＣＯＭ，ＵＣＯＭ  対向電極
ＳＬＴＣ，ＳＬＴＰ  スリット状の開口部
ＣＯＭ  対向電極配線
ＴＨＣ，ＣＯＮＴ  開口部
ＴＨＩ，ＴＨＩ２，ＴＨ１  コンタクトホール
ＢＭ  遮光膜
ＦＩＬ  カラーフィルタ
ＡＬ１  第１配向膜
ＡＬ２  第２配向膜
ＯＣ  保護膜
Ｃｓｔ  保持容量
Ｃｐｘ  画素容量
【図１】
0005107653.tif 000005
【図２】
0005107653.tif 000006
【図３】
0005107653.tif 000007
【図４】
0005107653.tif 000008
【図５】
0005107653.tif 000009
【図６】
0005107653.tif 000010
【図７】
0005107653.tif 000011
【図８】
0005107653.tif 000012
【図９】
0005107653.tif 000013
【図１０】
0005107653.tif 000014
【図１１】
0005107653.tif 000015
【図１２】
0005107653.tif 000016
【図１３】
0005107653.tif 000017
【図１４】
0005107653.tif 000018
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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